(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するシステムであって、
複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれが前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られ、前記複数の区画がそれぞれ関連する開口部を有する、プラテンと、
それぞれが個々の開口部と連結されている複数の配管と、
それぞれが前記複数の配管のひとつと連結されており、それぞれが背面ガス供給システムと連結されている複数のバルブと、
複数のバルブに結合されており、前記複数のバルブを流れる流量を独立して制御することで前記複数の区画内の背面ガスの所望の圧力を維持するコントローラと、
を備え、
前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第１モードと、背面ガス流が止まる第２モードと、背面ガスが前記個々の区画の外を流れる第３モードの３モードのうち１つで稼働し、
前記コントローラは、所望の温度マップと処理により導き出された熱出力とを受け取り、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定する、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記複数のバルブがデジタルバルブを備え、前記コントローラがそれぞれのバルブの動作サイクルを調整して、前記流量を制御する、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記流量を制御するために開ループ制御を用いる、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、さらに複数の圧力センサを備え、前記複数の圧力センサのそれぞれが個々の区画に連結されている、システム。
【請求項５】
請求項４に記載のシステムであって、前記コントローラは、前記個々のバルブの流量を調整するために複数の圧力センサからの圧力情報を用いる、システム。
【請求項６】
処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するシステムであって、
複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれ前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られる、プラテンと、
それぞれが個々の開口部と連結されている複数の配管と、
それぞれが前記複数の配管のひとつと連結されており、それぞれが背面ガス供給システムと連結されている複数のバルブと、
複数のバルブに結合されており、前記複数のバルブを流れる流量を独立して制御することで前記複数の区画内の背面ガスの所望の圧力を維持するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、所望の温度マップと処理により導き出された熱出力とを受け取り、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定し、
前記コントローラは、前記流量を制御するために開ループ制御を用いる、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムであって、前記複数のバルブがデジタルバルブを備え、前記コントローラがそれぞれのバルブの動作サイクルを調整して、前記流量を制御する、システム。
【請求項８】
請求項６に記載のシステムであって、前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第１モードと、背面ガス流が止まる第２モードの２モードのうち１つで稼働する、システム。
【請求項９】
請求項６に記載のシステムであって、前記複数のバルブは、背面ガスが前記バルブ中を前記個々の区画に向けて流れる第１モードと、背面ガス流が止まる第２モードと、背面ガスが前記個々の区画の外を流れる第３モードの３モードのうち１つで稼働する、システム。
【請求項１０】
加工物における複数の領域の温度を制御する方法であって、
複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、前記プラテンに前記加工物が配置されたときに、それぞれ前記加工物の領域に対応する複数の区画が前記複数の離散的領域により作られ、前記複数の区画がそれぞれ背面ガス供給システムと連結しているプラテンに前記加工物を配置するステップと、
前記加工物における前記複数の区画の前記温度を制御するために、前記複数の区画におけるそれぞれの背面ガスの圧力を独立して調整するステップと、
を備え、
前記調整するステップは、前記背面ガス供給システムから前記複数の区画それぞれへの背面ガスの流量を調整するステップを備え、
前記方法は、さらに、
コントローラに所望の温度マップを入力するステップと、
前記コントローラに、処理により導き出された熱出力を入力するステップと、
を備え、
前記コントローラは、前記所望の温度マップと、前記処理により導き出された熱出力に基づき、前記複数の区画のそれぞれにおける背面ガスの所望の圧力を決定する、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、さらに、最大熱伝導率を前記コントローラに入力するステップを備え、前記コントローラが前記最大熱伝導率に基づき背面ガスの流量を制御する、方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法であって、
圧力センサを用いて前記複数の区画のそれぞれにおける圧力を測定するステップと、
前記背面ガスの測定した圧力と所望の圧力に基づき、前記複数の区画それぞれにおける背面ガスの流量を制御するステップと、
をさらに備える、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態の開示は処理中の加工物の温度を制御するシステムと方法に関するものであり、より詳細には、加工物の温度を局所的に制御するために背面ガス流の変化を利用するシステムと方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造には、数多くの個別で複雑な工程がある。これらの工程のひとつに、原料を加工物から取り除くエッチング工程がある。他の工程として、原料を加工物に堆積させる蒸着工程がある。それ以外の工程として、イオンを加工物に注入する注入工程がある。
【０００３】
さらに、一実施形態において、全半導体製造工程の一部の工程は不均一性を有する。例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）工程のような工程では、一様ではない方法で加工物を磨くことにより、加工物の一部からより多くの原料を除去する。
【０００４】
一実施形態においては、製造工程の初期段階で導入された不均一性を正すために特定の工程が用いられる。例えば、初期段階の不均一性を正すために、エッチング工程、蒸着工程またはイオン注入工程が用いられる。さらに、これらの工程は後続工程で不均一性を補うためにも用いられる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一実施形態において、これらの工程は加工物の一定の部分にて長時間実施されることにより変化する。また、他の仕組みが使われることもある。一実施形態においては、これらの工程が加工物の温度に影響を受けやすいこともある。例えば、一定期間に処理される原料の量は加工物の温度により変化する。このため、加工物の温度の変化により、これらの工程は均一に実施されない。
【０００６】
しかしながら、加工物の温度の精密制御は容易ではない。加工物の２つの隣接した部分の温度差を維持するのは難しく、加工物とプラテンでは熱を分散させるよう挙動する。
【０００７】
このことから、処理中の加工物の温度を制御するシステム及び方法があれば、非常に有益である。加工物の複数の領域において温度を個別に制御することもまたアドバンテージとなる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
処理中の加工物の局所的な温度の調整と制御に関するシステムと方法を開示する。本システムは複数の離散的領域を画成される１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンを用いる。プラテンに加工物が配置されると、加工物の背面とプラテンの各領域により囲まれた空間として、複数の区画が画成される。それぞれの区画の背面ガスの圧力は個々に制御することができる。背面ガスの圧力により加工物からプラテンに送られる熱量が決定される。局所的に背面ガスの圧力を調整することにより、加工物の異なる領域を異なる温度で維持することができる。一実施形態において、複数のバルブが区画への流量を制御するために使われる。
【０００９】
一実施形態において、処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するためのシステムを開示する。本システムは、複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、プラテンに加工物が配置されたときに、それぞれ加工物の領域に対応した複数の区画が複数の離散的領域により作られ、複数の区画がそれぞれ関連する開口部を有するプラテンと、それぞれが複数の配管のひとつと連結され、背面ガス供給システムと連結されている複数のバルブと、複数のバルブを流れる流量を独立して制御して区画ごとの圧力を維持するために複数のバルブと連結され、区画ごとに対応した加工物の領域の温度を維持するために圧力を制御するコントローラを備える。
【００１０】
他の実施形態において、処理中の加工物における複数の領域の温度を制御するためのシステムを開示する。本システムは、複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、プラテンに加工物が配置されたときに、それぞれ加工物の領域に対応した複数の区画が複数の離散的領域により作られるプラテンと、背面ガス供給システムと、背面ガス供給システムからの背面ガスの流量を独立して制御するコントローラを備える。
【００１１】
他の実施形態において、加工物における複数の領域の温度を制御する方法を開示する。本方法は、複数の離散的領域を画成する１つまたは複数の壁を上面に有するプラテンであって、プラテンに加工物が配置されたときに、それぞれ加工物の領域に対応する複数の区画が複数の離散的領域により作られ、複数の区画がそれぞれ背面ガス供給システムと連結しているプラテンに加工物を配置するステップと、加工物における複数の区画の温度を制御するために、複数の区画におけるそれぞれの背面ガスの圧力を独立して調整するステップを備える。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
本開示の理解を深めるために、本明細書に添付された以下の添付図面を参照する。
【図１】本発明の実施形態に係るプラテンの上面図である。
【図２】図１のプラテンを用いた温度制御システムの実施形態である。
【図３】図２のシステムの処理プロセスを示したフローチャートである。
【図４】図１のプラテンを用いた温度制御システムの他の実施形態である。
【図５】図４に記載のシステムの処理を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
上記のとおり、半導体装置製造には、エッチング工程、蒸着工程と、イオン注入といった様々な工程が含まれる。これらのうち１つまたは複数の工程が温度に影響を受けやすい。一実施形態において、全半導体製造工程及びその効率を改良するために、この温度依存が使われる。言い換えると、加工物の一定領域を処理する時間を変化させるのではなく、加工物の温度を調整することができる。これにより時間を増やした場合と同等の結果を、効率を下げずに実現できる。
【００１４】
加工物の温度を変化させるひとつの仕組みとして、加工物の特性を制御し、プラテンに熱を放出させることが挙げられる。例えば、一般的に、加工物の背面とプラテンの間の小さな体積に背面ガスが配置される。一般的に熱源として振る舞う加工物と一般的に吸熱材として振る舞うプラテンとの間の熱伝達の量は、背面ガスの圧力により決定される。言い換えると、背面ガスの圧力が大きくなると、加工物からプラテンへ伝達される熱が増加する。
【００１５】
図１は一実施形態におけるプラテン１００を示す。プラテン１００は、１つまたは複数の壁１２０により複数の離散的領域１１０に分けられた上面１０６を備える。壁１２０はそれぞれの離散的領域１１０を完全に取り囲む。これにより、壁１２０は隣接した離散的領域１１０間の境界を画成する。
【００１６】
図示されていないが、プラテン１００は外部リングシールを有することもある。この外部リングシールは、背面ガスを充填したプラテンの外周を囲む壁を効果的に形成し、背面ガスのバリアの役割をする。一実施形態においては、１つまたは複数の壁１２０は外部リングシールの役割を果たすこともある。例えば、最も外側の壁１２０もまた外部リングシールの役割を果たす。一実施形態においては、プラテンが複数の浮き彫りを含むこともある（図示省略）。これらの浮き彫りは小さな円形の突起であり、加工物を支持し、プラテンと加工物間の好ましい分離を維持することにより、背面ガス流を可能にする。
【００１７】
これらの壁１２０はプラテン１００の一部となりうる。言い換えると、一実施形態において、壁１２０はプラテン１００の上面に加工されたり、刻まれたりする。他の実施形態においては、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ蒸着（ＰＶＤ）または、プラズマ強化化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）等のパターン化された蒸着法により、プラテン１００の上面に壁１２０が取り付けられる。他の実施形態において、壁１２０はプラテン１００の上面に取り付ける別の構成部品となる。例えば、シーリングリングが壁１２０として用いられる。さらに、一実施形態において、最終のラップ工程または研磨工程において、すべての壁１２０が同じ高さであることを保証する。ひとつの実施形態において、壁１２０はプラテン１００の上表面から約５μメートルとされる。
【００１８】
図１において、プラテン１００が全部で１３の離散的領域１１０を備えているが、離散的領域１１０の数は本開示に限られない。離散的領域１１０の数は１５０以上というように、多くてもよい。さらに、プラテン１００の上表面に配置された離散的領域のパターンも変わりうる。図１には同心円の扇型に基づく離散的領域１１０のパターンが示されているが、他のパターンも取りうる。例えば、格子状のパターンも使われる。さらに、同心円の扇型に基づく他のパターンも適用される。例えば、それぞれが複数の扇型を有する多数の同心円を有するパターンを取りうる。もちろん、各同心円における扇型の数は同一である必要はない。一実施形態において、各同心円における扇型の数は、それぞれの離散的領域１１０が加工物のほぼ同一の領域と対応するように選択される。さらに、図示されていないが、１つまたは複数の浮き彫りが離散的領域１１０に配置されることもある。例えば、離散的領域が大きな領域を囲む場合には、プラテン１００と加工物間における好ましい分割を維持するために、１つまたは複数の浮き彫りを導入することが有益である。
【００１９】
それぞれの離散的領域１１０は、それぞれ対応するバルブ及び配管に連結された開口部１３０を有する。これにより、他の離散的領域１１０とは独立して、背面ガスが個々の離散的領域１１０に送られる。１つの開口部が示されているが、複数の開口部が１つまたは複数の離散的領域に備えられこともある。
【００２０】
図２は、図１のプラテン１００を用いたシステム２００の第１実施形態を示したものである。特に、加工物１０は、プラテン１００に配置された背面１２を有する。壁１２０は加工物１０の背面１２に接触しており、複数の区画１１５ａ〜ｄを形成する。各区画１１５は、加工物１０の背面１２とそれに対応するプラテン１００の離散的領域１１０により画成された閉空間を有する。したがって、各離散的領域１１０に対応する開口部１３０も、個別の離散的領域１１０に画成された区画１１５との出入り口の役割を果たす。４つの区画１１５ａ〜ｄが示されているが、区画１１５の数は本開示に限られないことは理解されたい。
【００２１】
各離散的領域１１０とそれに対応する区画１１５ａ〜ｄは、それぞれに対応する配管２１０ａ〜ｄと連結されている。配管２１０ａ〜ｄはそれぞれ対応するバルブ２２０ａ〜ｄと連結されている。
【００２２】
図２において、プラテン１００の外部にバルブ２２０ａ〜ｄが配置されているが、他の実施形態も本開示の範囲内にある。例えば、ある実施形態においては、プラテン１００内にマイクロバルブが組み込まれる。他の実施形態においては、図２と図４に示すように、バルブ２２０ａ〜ｄはプラテン１００の外側に置かれる。このように、バルブ２２０ａ〜ｄの位置は本開示に限られない。
【００２３】
バルブ２２０ａ〜ｄはそれぞれ背面ガス供給システム２４０にも連結されている。これにより、特定のバルブ２２０ａ〜ｄを開くことにより、背面ガスが背面ガス供給システム２４０から、バルブ２２０ａ〜ｄに対応する区画１１５ａ〜ｄに送られる。
【００２４】
バルブ２２０ａ〜ｄはそれぞれアナログバルブまたはデジタルバルブとされる。アナログバルブの場合、最大流量の一定割合を満たすようにバルブが開かれる。デジタルバルブの場合、バルブが完全に開けられるか完全に閉じられるかのどちらかの状態になる。デジタルバルブの流量はパルス繰り返し数とバルブ開放の動作間隔により決定される。例えば、全時間の１０％開かれたデジタルバルブの流量は最大流量の１０％と同等となる。
【００２５】
それぞれのバルブ２２０ａ〜ｄはコントローラ２３０とも連結されている。コントローラ２３０は記憶素子と連結された処理装置を備える。記憶素子には処理装置で実行される命令が格納される。コントローラ２３０は、バルブ２２０ａ〜ｄそれぞれに１つずつ、好ましい流量を指示するための、複数の出力も備える。
【００２６】
特定の領域における加工物１０の温度は、その領域に対応する区画１１５内の背面ガスの流量により調整される。図２に示す実施形態において、バルブ２２０ａ〜ｄの流量はコントローラ２３０により精密に制御される。さらに、各区画１１５からの背面ガスの漏洩量は精密に調整または推測することができる。
【００２７】
コントローラ２３０は他の情報も受け取る。例えば、特定の製造工程により供給される加工物１０の平方センチメートルあたりの熱出力量がコントローラ２３０の入力となりうる。この熱出力として、加工物１０のエッチング工程、イオン注入工程、または蒸着工程等の特定の工程により生じる熱エネルギーまたは熱が該当する。一実施形態において、この出力密度は０．１から１０Ｗ／ｃｍ２の範囲の値となる。さらに、背面ガスにより加工物１０から抜き取られた熱も入力となりうる。熱伝導率（ＨＴＣ）とも呼ばれる、熱が抜き取られる割合は、プラテンの幾何学形状及び背面ガスのために使われる実施形態に依存する。一実施形態において、熱伝導率は０．０５から０．２Ｗ／ｃｍ２℃の範囲の値となる。
【００２８】
このように、対応するバルブ２２０を通る特定の区画１１５への流量と、区画１１５からの背面ガスの漏洩量に基づき、特定の区画１１５の背面ガスの圧力がコントローラ２３０によりわかり、制御される。さらに各区画１１５ａ〜ｄの熱伝導率は区画１１５の背面ガスの圧力に基づき制御される。あるケースでは、背面ガス圧と熱伝導率が線形の関係となる。他のケースでは、他の関係が存在する。言い換えると、コントローラ２３０に入力される最大ＨＴＣと、背面ガス圧とＨＴＣの関係に基づき、与えられた熱伝導率を生じる背面ガス圧を決定することができる。
【００２９】
加工物１０がプラテン１００よりも温かい場合に加工物１０の特定の領域の温度を下げるために、コントローラ２３０は、加工物１０の特定の領域に対応する区画１１５に連結されているバルブ２２０の流量を増やす。これにより熱伝導率が増加し、加工物１０とプラテン１００との結合強度を増加させうる。反対に、加工物１０がプラテン１００よりも高温である場合に加工物１０の特定の領域の温度を上げるためには、コントローラ２３０は、加工物１０の特定の領域に対応する区画１１５に連結されているバルブ２２０の流量を減らし、区画１１５の熱伝導率を下げる。
【００３０】
一実施形態において、プラテン１００は加工物１０の温度を上げるために使われる。この実施形態において、上記とは反対の操作が実施される。特に、加工物１０がプラテン１００よりも冷たい場合に加工物１０の特定の領域の温度を下げるためには、コントローラ２３０は、加工物１０の特定の領域に対応する区画１１５に連結されたバルブ２２０の流量を減らす。これにより熱伝導率は下げられ、加工物１０と温められたプラテンの結合強度を低下させる。反対に、加工物１０がプラテン１００よりも低温である場合に加工物１０の特定の領域の温度を高めるためには、コントローラ２３０は、加工物１０の特定の領域に対応する区画１１５に連結されたバルブ２２０の流量を増加させ、区画１１５の熱伝導率を増加させる。
【００３１】
図３は、図２に記載のシステムの処理を示したフローチャートである。処理が開始すると、処理３００に示すように、加工物１０の好ましい温度マップが準備される。この好ましい温度マップはエッチング工程にける加工物１０の異なる領域の好ましい温度を示す。この温度マップはコントローラ２３０の入力となる。さらに、コントローラ２３０は、加工物１０の特定の領域を１つまたは複数の区画１１５と関連付けるために使われる、処理３１０に示す相関行列も保持する。
【００３２】
コントローラ２３０はさらに他の入力を受領する。例えば、様々な要素に依存する、工程ごとに生じる熱出力がコントローラ２３０に提供される。上記のとおり、この熱出力は、加工物１０のエッチング工程、イオン注入工程、または蒸着工程といった特定の工程により生じる熱エネルギーまたは熱を指す。さらに、処理３２０に示すとおり、背面ガスの占める空間に基づく最大熱伝導率もまたコントローラ２３０の入力とされる。これらのパラメータはモデリング、または他の加工物での実績に基づく経験則に基づき決定される。
【００３３】
温度マップ、相関行列、処理熱出力及び最大熱伝導率に基づき、コントローラ２３０は、処理３３０に示すように、プラテンにおける各区画１１５の好ましい背面ガス圧を決定する。加工物１０の各領域の好ましい温度、決定された背面ガス圧、処理により発生する熱、最大熱伝導率及び、区画１１５の漏洩量に基づき、処理３４０に示すように、コントローラ２３０により区画１１５への背面ガスの好ましい流量が決定される。それから、処理３５０に示すように、コントローラ２３０は区画１１５に対応するバルブ２２０に流量の指示を送る。デジタルバルブが適用された一実施形態においては、この指示はバルブの好ましい動作間隔を意味することになる。他の実施形態において、この指示はバルブを開ける割合を表すアナログ電圧となる。
【００３４】
本シーケンスはコントローラ２３０により各区画１１５ａ〜ｄに対して実行される。本実施形態において、コントローラ２３０に対して、各区画１１５ａ〜ｄの実際の圧力を示すフィードバックは行われない。このため、本実施形態においては、コントローラ２３０は開ループ制御を用いて制御を行う。
【００３５】
前述が示すとおり、バルブ２２０は２つのモードのうちの１方で稼働する。第１のモードでは、バルブ２２０が開き、背面ガスが背面ガス供給システム２４０から対応する区画１１５に送られる。第２のモードでは、バルブ２２０が閉じられ、背面ガスは流れない。一実施形態において、バルブ２２０ａ〜ｄは３つのモードでの稼働を取りうる。第３のモードでは、バルブを用いて対応する区画１１５から背面ガスを放出する。例えば、ある実施形態において、加工物１０を好ましい温度にするためには、区画１１５の背面ガス圧を現在の区画１１５内の圧力よりも低くすべき場合がある。したがって、好ましい温度を実現するために、漏れるよりも早く、区画１１５の背面ガスを取り除くことが有益な場合がある。第３のモードにおいて、区画１１５からの背面ガスは真空空間内に放出される。
【００３６】
図４は図１に記載のプラテンを用いたシステムの第２の実施形態を示す。この実施形態において、圧力センサ４４０ａ〜ｄが各区画１１５ａ〜ｄまたは配管２１０ａ〜ｄに配置されている。これらの圧力センサ４４０ａ〜ｄは、バルブ２２０ａ〜ｄとも連結されたコントローラ４３０に連結される。このコントローラ４３０は前述同様に、処理装置と記憶素子を備える。
【００３７】
この実施形態において、コントローラ４３０は閉ループ制御により、バルブ２２０ａ〜ｄと連結された圧力センサ４４０ａ〜ｄを用いて、各区画１１５ａ〜ｄ内で好ましい背面ガス圧を維持する。
【００３８】
図４のシステム４００は、コントローラ４３０が各区画１１５ａ〜ｄの圧力に対して閉ループ制御を行うことを除き、図２のシステムと同様に運用される。図５は本実施形態で用いられるシーケンスを示す。前述と同様に、処理５００に示すとおり、加工物１０の好ましい温度マップが用意される。この好ましい温度マップはエッチング工程にける加工物１０の異なる領域の好ましい温度を示す。この温度マップはコントローラ４３０の入力となる。さらに、コントローラ４３０は、加工物１０の特定の領域を１つまたは複数の区画１１５と関連付けるために使われる、処理５１０に示す相関行列も保持する。
【００３９】
さらに、図３に関する記載と同様に、処理５２０に示すとおり、処理により生じる熱出力と最大熱伝導率はコントローラ４３０の入力とされる。
【００４０】
処理５３０に示すとおり、温度マップと相関行列に基づき、処理により生じる熱出力と、最大熱伝導率、区画１１５の背面ガスの好ましい圧力がコントローラ４３０により決定される。それから、コントローラ４３０は、処理５４０に示すとおり、区画１１５に対応するバルブ２２０の流量の指示を送る。デジタルバルブが適用された一実施形態においては、この指示はバルブの好ましい動作間隔を意味することになる。他の実施形態において、この指示はバルブを開ける割合を表すアナログ電圧となる。
【００４１】
さらに、コントローラ４３０は、処理５５０に示すとおり、圧力センサ４４０の値を読む。次に、処理５６０に示すとおり、コントローラ４３０は現在の流量と圧力読み取り値に基づき、新しい流量を計算する。その後、コントローラ４３０は区画１１５の圧力が好ましいレベルに達するまで、バルブ２２０の流量を調整し、区画１１５の圧力を監視する。これはコントローラ４３０が圧力センサ４４０を繰り返し読み、新しい流量を決定し、バルブ２２０に指示を適用することで実現される。
【００４２】
本実施形態において、前述のとおり、バルブ２２０は２つのモードのうちの１つ、または３つのモードのうちの１つにて稼働する。
【００４３】
変化する背面ガス圧を利用することにより、加工物の局所的な温度制御を向上させることができる。他のシステムは、組み込み型加熱領域等を利用し、プラテンの異なる領域に異なる温度を誘発し、加工物の温度を調整する。しかしながら、組み込み型加熱領域によりプラテン表面に温度差を生じさせる際に、プラテンに熱応力が誘発される。ある実施例において、本システムはプラテンを一定の温度に維持し、熱応力を発生させず、プラテンと加工物間での局所的な熱交換により局所的な温度制御を実現することができる。他の実施例においては、本システムは追加の温度制御のために組み込み型熱領域を備えたプラテンにも適用することができる。
【００４４】
さらに、本システム及び方法は、作成する区画の数が制限されるものでなく、それぞれの区画を加工物の特定の領域に対応させることができる。したがって、加工物の局所的な温度は、精密かつ微細に制御することができる。
【００４５】
本開示は本明細書に記載の特定の実施形態によって範囲が制限されるものではない。実際に、本明細書の記載されたものに加えて、本開示の他の様々な実施形態及び変更は、前述の説明及び添付の図面から当業者には明らかである。したがって、これらの他の実施形態及び修正は、本開示の範囲内に含まれるものとする。さらに、本開示は、特定の目的のための特定の環境における特定の実装に関する説明として記載されているが、有用性はこの記載に限定されず、本開示が様々な目的のために様々な環境で有益に実装されうることを当業者は認識することができる。したがって、以下に記載される特許請求の範囲は、本明細書に記載される本開示の完全な範囲及び精神を考慮して解釈されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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