(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路に対応する回路パターンと前記回路パターンの周囲に配置された周辺パターンとを有する１枚のレチクルを用い、前記回路パターンと前記周辺パターンとに対応する結像パターンを移動量を変化させつつフォトレジスト膜に複数回結像して、前記フォトレジスト膜のうち夫々が前記回路パターンに対応する複数の第１感光領域と前記周辺パターンに対応し前記複数の第１感光領域を囲む閉じた第２感光領域とを感光させる工程と、
前記感光させる工程の後、前記フォトレジスト膜を現像して、現像された前記フォトレジスト膜を有するマスクを形成する工程とを含み、
前記周辺パターンは、第１隙間が設けられた第１パターン領域と第２隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第１パターン領域に対向する第２パターン領域とを有し前記回路パターンを囲む開いた中央パターンと、前記第２隙間に対応し前記第１パターン領域に沿って配置された第１サイドパターンと、前記第１隙間に対応し前記第２パターン領域に沿って配置された第２サイドパターンとを有し、
更に、前記感光させる工程は、前記結像パターンのうち前記第１サイドパターンに対応する部分から前記結像パターンのうち前記第２サイドパターンに対応する部分に向かう方向における前記移動量を変化させて、前記第２感光領域のうち前記第１隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第２サイドパターンに対応する部分により感光させ、前記第２感光領域のうち前記第２隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第１サイドパターンに対応する部分により感光させる工程と、前記第２感光領域のうち前記第２パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第２感光部分と前記第２感光領域のうち前記第１パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第１感光部分とが重なるように、前記第２感光部分と前記第１感光部分を感光させる工程とを含む
半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記中央パターンは更に、第３隙間が設けられ前記第１パターン領域および前記第２パターン領域とは異なる第３パターン領域と、第４隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第３パターン領域に対向する第４パターン領域とを有し、
前記周辺パターンは更に、前記第４隙間に対応し前記第３パターン領域に沿って配置された第３サイドパターンと、前記第３隙間に対応し前記第４パターン領域に沿って配置された第４サイドパターンとを有し、
前記感光させる工程は更に、前記結像パターンのうち前記第３サイドパターンに対応する部分から前記結像パターンのうち前記第４サイドパターンに対応する部分に向かう方向における前記移動量を変化させて、前記第２感光領域のうち前記第３隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第４サイドパターンに対応する部分により感光させ、前記第２感光領域のうち前記第４隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第３サイドパターンに対応する部分により感光させる工程と、前記第２感光領域のうち前記第４パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第４感光部分と前記第２感光領域のうち前記第３パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第３感光部分とが重なるように、前記第４感光部分と前記第３感光部分を感光させる工程とを含むことを
特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記中央パターンは、前記回路パターンを囲む内側部分と、前記内側部分を囲む外側部分とを有し、
前記第１サイドパターンは、第１内側部分と、前記第１内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第１外側部分とを有し、
前記第２サイドパターンは、第２内側部分と、前記第２内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第２外側部分とを有することを
特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト膜は、絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜のうち前記第１感光部分および前記第２感光部分により覆われていた領域の隙間を通る溝に配線を形成する工程を有することを
特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
集積回路に対応する回路パターンと、
第１隙間が設けられた第１パターン領域と、第２隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第１パターン領域に対向する第２パターン領域とを有し、前記回路パターンを囲む開いた中央パターンと、
前記第１パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第２パターン領域に向かって第１距離移動することで前記第１距離移動前に前記第２隙間が存在している領域を塞ぐことができるように前記第２隙間との間に配置の関係を持つ第１サイドパターンと、
前記第２パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第１パターン領域に向かって第２距離移動することで前記第２距離移動前に前記第１隙間が存在している領域を塞ぐことができるように前記第１隙間との間に配置の関係を持つ第２サイドパターンとを有する
レチクル。
【請求項６】
前記第１距離と前記第２距離とは等しいことを
特徴とする請求項５に記載のレチクル。
【請求項７】
前記中央パターンの一部であって前記第１パターン領域と前記第２パターン領域とは異なる辺方向に、第３隙間が設けられた第３パターン領域と、
前記中央パターンの一部であって前記第１パターン領域と前記第２パターン領域とは異なる辺方向に、第４隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第３パターン領域に対向する第４パターン領域と、
前記第３パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第４パターン領域に向かって第３距離移動することで前記第３距離移動前に前記第４隙間が存在している領域を塞ぐことができるように前記第４隙間との間に配置の関係を持つ第３サイドパターンと、
前記第４パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第３パターン領域に向かって第４距離移動することで前記第４距離移動前に前記第３隙間が存在している領域を塞ぐことができるように前記第３隙間との間に配置の関係を持つ第４サイドパターンとを、更に有する
請求項５又は６に記載のレチクル。
【請求項８】
前記第３距離と前記第４距離とは等しいことを特徴とする
請求項７に記載のレチクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法およびレチクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、回路パターンをフォトレジスト膜に転写したパターン（以下、レジスト・パターンと呼ぶ）を用いて製造される。１回の露光で転写可能な回路パターンのサイズは限られている。従って大規模な半導体装置は、複数回の露光により回路パターンをフォトレジスト膜に複数転写して形成される。
【０００３】
更に、大規模な半導体装置が同じ回路を繰り返し配置したものである場合には、一枚のレチクルに設けられた回路パターンを繰り返しフォトレジスト膜に投影することで、大規模な半導体装置（例えば、放射線画像撮影装置）を形成できる。
【０００４】
ところで半導体装置には、集積回路を囲むリング（例えば、ガードリング）が形成されることがある。この場合、同じ回路パターンを複数回投影しても、レジスト・パターンに複数の同じ回路パターンを囲むリング状のパターンを形成することはできない。そこで、リング・パターンの一部と回路パターンとを含む一枚のフォトマスクを用いて、ガードリング等を有する大規模な半導体装置を形成する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
具体的には、上下にストライプ状のパターンが配置された回路パターンと、上下方向に延在し両端が左方向に屈折した第１パターンと、上下方向に延在し両端が右方向に屈折した第２パターンとが設けられたレチクルが用いられる。ストライプ状のパターンは、リング・パターンの上辺および下辺に対応する。第１〜第２パターンはそれぞれ、リング・パターンの右辺および左辺に対応する。
【０００６】
フォトレジスト膜の露光工程では、第１及び第２パターンを遮光した状態で、露光位置を横方向に移動しつつ、フォトレジスト膜に回路パターンを複数回投影する。更に回路パターンを遮光した状態で、回路パターンが転写された領域の右端に第１パターンを投影し更に、当該領域の左端に第２パターンを投影する。以上の露光工程により、集積回路がリングで囲われた大規模な半導体装置のレジスト・パターンが形成される。
【０００７】
従って提案されている方法によれば、集積回路がガードリング等で囲われた大規模な半導体装置のレジスト・パターンを一枚のフォトマスクにより形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１２−２３７９３３号公報
【特許文献２】特開平１０−２５６１４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来の方法（例えば、特許文献１参照）には、リング・パターンの両端を回路パターンの露光とは異なる露光により形成するので、露光回数（ショット数）が増加するという問題がある。そこで本発明は、このような問題を解決することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の問題を解決するために、本方法の一観点によれば、集積回路に対応する回路パターンと前記回路パターンの周囲に配置された周辺パターンとを含む複数のパターンを有する１枚のレチクルを用い、前記複数のパターンに対応する結像パターンを前記結像パターンの移動量を変化させつつフォトレジスト膜に複数回結像して、前記フォトレジスト膜のうち夫々が前記回路パターンに対応する複数の第１感光領域と前記周辺パターンに対応し前記複数の第１感光領域を囲む閉じた第２感光領域とを感光させる工程と、前記感光させる工程の後、前記フォトレジスト膜を現像して、現像された前記フォトレジスト膜を有するマスクを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法が提供される。 
【発明の効果】
【００１１】
開示の方法によれば、集積回路がリングで囲われた大規模な半導体装置を、露光回数の増加を抑制しつつ形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図２】図２は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図３】図３は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図４】図４は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【図５】図５は、実施の形態１の感光工程に用いる露光装置の一例を示す図である。
【図６】図６は、実施の形態１の感光工程に用いるレチクルを説明する図である。
【図７】図７は、フォトレジスト膜の感光工程を説明する図である。
【図８】図８は、フォトレジスト膜の感光工程を説明する図である。
【図９】図９は、フォトレジスト膜の感光工程を説明する図である。
【図１０】図１０は、ビア層と配線層が２層ずつ形成された製造途中の半導体装置を説明する図である。
【図１１】図１１は、複数のレチクルを用いる第１製造方法を説明する図である。
【図１２】図１２は、複数のレチクルを用いる第１製造方法を説明する図である。
【図１３】図１３は、複数のレチクルを用いる第２製造方法を説明する図である。
【図１４】図１４は、実施の形態２の半導体装置の一例を説明する図である。
【図１５】図１５は、実施の形態２の製造方法を説明する図である。
【図１６】図１６は、実施の形態２の製造方法を説明する図である。
【図１７】図１７は、実施の形態３の感光工程に用いるレチクルを説明する図である。
【図１８】図１８は、実施の形態３の感光工程を説明する図である。
【図１９】図１９は、実施の形態３の感光工程を説明する図である。
【図２０】図２０は、実施の形態３の感光工程を説明する図である。
【図２１】図２１は、実施の形態４のレチクルを説明する図である。
【図２２】図２２は、第４レチクルの左端を拡大した図である。
【図２３】図２３は、第４レチクルの右端を拡大した図である。
【図２４】図２４は、実施の形態４の感光工程を説明する図である。
【図２５】図２５は、実施の形態４の感光工程を説明する図である。
【図２６】図２６は、実施の形態４の感光工程を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１４】
（実施の形態１）
（１）製造方法
図１〜４は、実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明する工程断面図である。
【００１５】
（１−１）半導体素子の形成（図１（ａ）参照）
まず図１（ａ）に示すように、半導体基板１２（例えば、Ｓｉ基板）の素子形成領域４に、集積回路に含まれる半導体素子（例えば、トランジスタ）を形成する。
【００１６】
（１―２）ビアの形成
（１―２−１）絶縁膜の形成（図１（ｂ）参照）
半導体素子が形成された半導体基板１２（図１（ｂ）参照）の上に、絶縁膜（層間絶縁膜）５０ａを形成する。絶縁膜５０ａは例えば、ＳｉＮ膜で表面が覆われたＳｉＯ２膜である。
【００１７】
（１―２−２）エッチング・マスクの形成（図１（ｃ）〜図２（ａ）参照）
絶縁膜５０ａ（図１（ｃ）参照）の上に、例えばポジ型のフォトレジスト膜５１ａ（フォトレジストの膜）を形成する。
【００１８】
このフォトレジスト膜５１ａに、１枚のレチクルのパターンを複数回投影することで、フォトレジスト膜５１ａのうち集積回路の回路パターンに対応する複数の第１感光領域（後述する「（２−３）感光工程」参照）を感光する。更に上記複数回の投影により、フォトレジスト膜５１ａのうち複数の第１感光領域を囲む閉じた第２感光領域（後述する「（２−３）感光工程」参照）を感光する。上記レチクルは、集積回路のうちビアに対応する回路パターンと、この回路パターンの周囲に配置された周辺パターンとを有する。第２感光領域は、この周辺パターンにより感光される。
【００１９】
第１〜第２感光領域を感光させる工程（以下、感光工程と呼ぶ）の詳細は、後述する「（２−３）感光工程」で説明する。
【００２０】
その後、フォトレジスト膜５１ａを現像して絶縁膜５０ａ上に、エッチング・マスク５２ａ（図２（ａ）参照）を形成する。エッチング・マスク５２ａは、現像されたフォトレジスト膜５１ａを有するマスクである。
【００２１】
（１―２−３）層間絶縁膜のエッチング（図２（ｂ）参照）
エッチング・マスク５２ａを介して絶縁膜５０ａをエッチングし、第１感光領域に対応するビアホール５３ａと、第２感光領域に対応する溝５４ａを形成する。
【００２２】
（１―２−４）タングステン膜等の堆積および研磨（図２（ｃ）参照）
ビアホール５３ａを形成した絶縁膜５０ａの上に、例えばＴｉ／ＴｉＮ膜（図示せず）をバリアメタルとして堆積する。このＴｉ／ＴｉＮ膜の上に例えば、ビアホール５３ａを埋め込むＷ膜（タングステン膜、図示せず）を堆積する。その後、Ｗ膜とＴｉ／ＴｉＮ膜をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により研磨して、ビアホール５３ａに埋め込まれたビア５５ａを形成する。更にこのＣＭＰにより、溝５４ａに埋め込まれたメタル５６ａ（以下、第１メタル領域５６ａと呼ぶ）を形成する。
【００２３】
（１―３）配線の形成
（１―３−１）絶縁膜の形成（図３（ａ）参照）
ビア５５ａが形成された絶縁膜５０ａ（図３（ａ）参照）の上に、絶縁膜（層間絶縁膜）１５０ａを形成する。絶縁膜１５０ａは例えば、ＳｉＮ膜で表面が覆われたＳｉＯ２膜である。
【００２４】
（１―３−２）エッチング・マスクの形成（図３（ｂ）〜図３（ｃ）参照）
絶縁膜１５０ａ（図３（ｂ）参照）の上に、例えばポジ型のフォトレジスト膜１５１ａを形成する。
【００２５】
その後、フォトレジスト膜１５１ａに１枚のレチクルのパターンを複数回投影することで、フォトレジスト膜１５１ａのうち回路パターンに対応する複数の第１感光領域を感光する。更に上記複数回の投影により、フォトレジスト膜１５１ａのうち第１メタル領域５６ａの上に位置し、複数の第１感光領域を囲む第２感光領域を感光する。上記レチクルは、集積回路のうち配線（半導体基板１２に沿って延在する配線）に対応する回路パターンと、この回路パターンの周囲に配置された周辺パターンとを有する。第２感光領域は、この周辺パターンにより感光される。
【００２６】
第１〜第２感光領域を感光する手順は、「（１―２−２）エッチング・マスクの形成」で説明した手順（すなわち、「（２−３）感光工程」で説明する手順）と略同じである。
【００２７】
その後、フォトレジスト膜１５１ａを現像して絶縁膜１５０ａ上に、エッチング・マスク１５２ａ（図４（ａ）参照）を形成する。
【００２８】
（１―３−３）層間絶縁膜のエッチング（図４（ａ）参照）
エッチング・マスク１５２ａを介して絶縁膜１５０ａをエッチングし、第１感光領域に対応する配線溝５７ａと、第２感光領域に対応する溝１５４ａを形成する。
【００２９】
（１―３−４）Ｃｕ膜の堆積および研磨（図４（ｂ）参照）
配線溝５７ａを形成した絶縁膜１５０ａの上に、例えばＴａ／ＴａＮ膜（図示せず）をバリアメタルとして堆積する。このＴａ／ＴａＮ膜上に例えば、Ｃｕ薄膜を堆積する。このＣｕ薄膜をシード層として電解メッキにより例えば、配線溝５７ａを埋め込むＣｕ膜（図示せず）を形成する。その後、Ｃｕ膜とＣｕシード薄膜とＴａ／ＴａＮ膜とをＣＭＰにより研磨して、配線溝５７ａに埋め込む配線５８ａを形成する。このＣＭＰにより更に、溝１５４ａを埋め込むメタル１５６ａ（以下、第２メタル領域１５６ａと呼ぶ）を形成する。第２メタル領域１５６ａは、第１メタル領域５６ａの上に積層される。
【００３０】
（１―４）２層目以降のビア層および配線層の形成
配線５８ａが形成された絶縁膜１５０ａの上に、ビアを有する絶縁膜（以下、ビア層と呼ぶ）と、配線を有する絶縁膜（以下、配線層と呼ぶ）とを交互に形成する。実施の形態１のビア層は、ビアを含む複数の領域と、当該複数の領域を囲むメタル領域を有する絶縁膜（例えば、図４（ｂ）の絶縁膜５０ａ）である。実施の形態１の配線層は、配線を含む複数の領域と、当該複数の領域を囲むメタル領域を有する絶縁膜（例えば、図４（ｂ）の絶縁膜１５０ａ）である。
【００３１】
２層目以降のビア層は、「（１―２）ビアの形成」と略同じ手順により形成される。但し、Ｔｉ／ＴｉＮ膜の代わりにＴａ／ＴａＮ膜を、バリア層として形成する。このＴａ／ＴａＮ膜上に、Ｃｕ薄膜を形成する。このＣｕ薄膜をシード層として電解メッキにより、Ｗ膜の代わりにＣｕ膜を形成する。その後、ＣＭＰによりこのＣｕ膜を研磨する。
【００３２】
２層目以降の配線層は、「（１―３）配線の形成」と略同じ手順により形成される。
【００３３】
図１０は、ビア層１３ａ，１３ｂと配線層１５ａ，１５ｂが２層ずつ形成された製造途中の半導体装置１６０を説明する図である。図１０（ａ）は、半導体装置１６０の平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＸＢ−ＸＢ線に沿った断面図である。
【００３４】
図１０（ｂ）に示すように、ビア層１３ａ，１３ｂに形成されるメタル領域５６ａ，５６ｂと配線層１５ａ，１５ｂに形成されるメタル領域１５６ａ，１５６ｂとが交互に積層される。この積層により、ビア５５ａ，５５ｂおよび配線５８ａ，５８ｂを含む複数の領域５９を囲むリング２（例えば、耐湿リング）が形成される。
【００３５】
（１―５）保護膜の形成
次に、最上層の配線層の上に保護膜を形成する。その後、半導体基板１２を切断して、個々の半導体装置に分割する。
【００３６】
半導体装置の外部端子は例えば、最上層の絶縁膜に設けることができる。この場合には、保護膜に外部端子を露出させる開口を設ける。半導体装置の外部端子は、半導体基板１２の裏面に設けてもよい。この場合には外部端子は、例えばＴＳＶ（Through -Silicon Via）を介して集積回路に接続される。
【００３７】
以上の例では、ビアと配線は別々に形成する。しかし、ダブルダマシンにより、ビアと配線を同じ工程で形成してもよい。
【００３８】
（２）感光工程
（２−１）露光装置
図５は、実施の形態１の感光工程に用いる露光装置１００の一例を示す図である。図５には露光装置１００と共に、レチクル１０８（すなわち、フォトマスク）が示されている。図５には更に、フォトレジスト膜５１ａが絶縁膜５０ａ上に形成された半導体基板１２が示されている。
【００３９】
露光装置１００は図５に示すように、光源１０２と、レチクル光学系１０６と、結像レンズ１１０と、ステージ１１４と、ステージ１１４を駆動するステージ駆動部１１６と、制御部１１８とを有している。
【００４０】
光源１０２で生成された露光光１０４は、レチクル光学系１０６とレチクル１０８と結像レンズ１１０とを介して、フォトレジスト膜５１ａに照射される。この時、結像レンズ１１０はレチクル１０８を透過した露光光１０４を集光して、レチクル・パターン（レチクルのパターン）をフォトレジスト膜５１ａに結像（すなわち、投影）する。
【００４１】
制御部１１６はステージ駆動部１１６を制御して、半導体基板１２が載置されたステージ１１４を移動させる。この移動により、レチクル・パターンの結像位置が移動する。
【００４２】
（２−２）レチクル（図６参照）
図６は、実施の形態１の感光工程に用いるレチクル１０８の一例を説明する図である。
【００４３】
図６に示すように、レチクル１０８は、集積回路のビア又は配線に対応する回路パターン１４と、回路パターン１４の周囲に配置された周辺パターン２４，２６ａ，２６ｂとを有する。すなわちレチクル１０８のレチクル・パターンは、回路パターン１４と、周辺パターン２４，２６ａ，２６ｂとを有する。回路パターンおよび周辺パターンは例えば、遮光膜に設けられた開口である。
【００４４】
周辺パターンには、図６に示すように、回路パターン１４を囲む開いた中央パターン２４が含まれる。中央パターン２４は、隙間２１ａ（以下、第１隙間と呼ぶ）が設けられた第１パターン領域２２ａを有する。中央パターン２４は更に、隙間２１ｂ（以下、第２隙間と呼ぶ）が設けられ、回路パターン１４を挟んで第１パターン領域２２ａに対向する第２パターン領域２２ｂを有する。
【００４５】
周辺パターンには更に、第１サイドパターン２６ａと第２サイドパターン２６ｂとが含まれる。第１サイドパターン２６ａは、中央パターン２４の第１パターン領域２２ａに沿って中央パターン２４の外側に配置される。第１サイドパターン２６ａは、第２パターン領域２２ｂに向かって一定の距離Ｄ１（以下、第１距離と呼ぶ）移動することで、第２パターン領域２２ｂの第２隙間２１ｂを塞ぐことができるパターンである。すなわち第１サイドパターン２６ａは、第２隙間２１ｂに対応するパターンである。
【００４６】
第２サイドパターン２６ｂは、中央パターン２４の第２パターン領域２２ｂに沿って中央パターン２４の外側に配置される。第２サイドパターン２６ｂは更に、第１パターン領域２２ａに向かって一定の距離Ｄ２（以下、第２距離と呼ぶ）移動することで、第１パターン領域２２ａの第１隙間２１ａを塞ぐことができるパターンである。すなわち第２サイドパターン２６ｂは、第１隙間２１ａに対応するパターンである。第２距離Ｄ２は好ましくは、第１距離Ｄ１に等しい距離である。
【００４７】
（２−３）感光工程 
図７〜９は、フォトレジスト膜５１ａの感光工程を説明する図である。
【００４８】
図７は、レチクル・パターンの結像位置が移動する経路２３（以下、移動経路と呼ぶ）の一例を示す図である。図７には移動経路２３と共に、レチクル・パターンをフォトレジスト膜５１ａに結像した像３０（以下、結像パターンと呼ぶ、図５参照）が示されている。図７の結像パターン３０は、簡略化されている。
【００４９】
図７に示す例では、結像パターン３０はまず、フォトレジスト膜５１ａの左下に結像される。その後、結像パターン３０の結像位置は、図７の上側向かって一定の移動量Ｌ０ずつ移動する。結像位置がフォトレジスト膜５１ａの上端に達すると、結像位置は図７の横方向に第２移動量Ｌ２だけ移動する。
【００５０】
次に、結像位置は図７の下側に向かって、移動量Ｌ０ずつ移動する。結像位置はフォトレジスト膜５１ａの下端に達すると、横方向に第２移動量Ｌ２とは異なる第１移動量Ｌ１だけ移動する。その後、結像位置は再び上側に向かって移動量Ｌ０ずつ移動する。
【００５１】
結像パターン３０の結像位置はこの様な上下運動を、フォトレジスト膜５１ａの右端に達するまで繰り返す。その結果、フォトレジスト膜５１ａの全面にレチクル・パターンが複数結像される。
【００５２】
図８には、フォトレジスト膜５１ａ上の結像パターン３０ａ〜３０ｄが示されている。図８に示されている結像パターン３０ａ〜３０ｄは、フォトレジスト膜５１ａに結像される結像パターン３０のうち感光工程の説明に用いるものである。図９には、図８の結像パターン３０ａ〜３０ｄにより感光するフォトレジスト膜５１ａの第１〜第２感光領域２８ａ,２８ｂが示されている。
【００５３】
実施の形態１の感光工程では、レチクル・パターンに対応する結像パターン３０（図７参照）を、横方向の移動量Ｌ１，Ｌ２を変化させつつ、絶縁膜５０ａ（図５参照）上のフォトレジスト膜５１ａに複数回結像させる。
【００５４】
この結像により、図９に示すように、フォトレジスト膜５１ａのうち夫々が回路パターン１４（図６参照）に対応する複数の第１感光領域２８ａが感光する。更に、周辺パターン２４，２６ａ，２６ｂ（図６参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）を囲む閉じた第２感光領域２８ｂが感光する。
【００５５】
―第１移動量による感光（第１隙間に対応する領域の感光）―
具体的には実施の形態１の感光工程では、結像パターン３０のうち第１サイドパターン２６ａ（図６参照）に対応する部分から結像パターン３０のうち第２サイドパターン２６ｂに対応する部分に向かう方向を、図７の横方向に一致させる。
【００５６】
更に結像パターン３０の横方向の第１移動量Ｌ１（図８参照）を、第２サイドパターン２６ｂ（図６参照）の移動により第１隙間２１ａが塞がる第２距離Ｄ２に露光装置１００の倍率（例えば、１．０倍）を掛けた値に一致させる。露光装置１００の倍率は、結像パターンのサイズをレチクル・パターンのサイズで割った値である。第２距離Ｄ２に露光装置１００の倍率を掛けた値を以下、結像パターンにおける第２距離Ｄ２と呼ぶ。第１距離Ｄ１等に露光装置１００の倍率を掛けた値も、同様に呼ぶ。
【００５７】
実施の形態１では上述したように、第１移動量Ｌ１と結像パターンにおける第２距離Ｄ２とを一致させる（第１移動量Ｌ１＝結像パターンにおける第２距離Ｄ２）。すると、以下に説明する通り、第２感光領域２８ｂ（図９参照）のうち第１隙間２１ａ（図６参照）に対応する領域３２ａが、結像パターン３０ａ（図８参照）の第２サイドパターン２６ｂ（図６参照）に対応する部分５２ｂ（図８参照）により感光する。
【００５８】
領域３２ａは例えば、左から２番目の結像パターン３０ｂ（図８参照）における第１隙間２１ａに対応する領域である。いま仮に、結像パターン３０ｂが、結像パターンにおける第２距離Ｄ２だけ左側に移動する場合を考える。この移動により、仮に移動させた結像パターン３０ｂのうち第２サイドパターン２６ｂに対応する部分が、領域３２ａに重なる。
【００５９】
上述したように実施の形態１では、第１移動量Ｌ１と結像パターンにおける第２距離Ｄ２とを一致させる（第１移動量Ｌ１＝結像パターンにおける第２距離Ｄ２）。従って、仮に移動させた結像パターン３０ｂと、移動前の結像パターン３０ｂの左側の結像パターン３０ａとは一致する。従って、第２感光領域２８ｂ（図９参照）のうち第１隙間２１ａに対応する領域３２ａが、結像パターン３０ａ（図８参照）のうち第２サイドパターン２６ｂ（図６参照）に対応する部分５２ｂにより感光する。
【００６０】
―第１移動量による感光（第２隙間に対応する領域の感光）―
ここでは、第１サイドパターン２６ａ（図６参照）の移動により第２隙間２１ｂが塞がる第１距離Ｄ１が、第２サイドパターン２６ｂ（図６参照）の移動により第１隙間２１ａが塞がる第２距離Ｄ２に一致する場合（すなわち、Ｄ１＝Ｄ２）を考える。
【００６１】
この場合、結像パターンにおける第２距離Ｄ２と結像パターンにおける第１距離Ｄ１とは等しくなる（すなわち、結像パターンにおける第２距離Ｄ２＝結像パターンにおける第１距離Ｄ１）。
【００６２】
ところで実施の形態１では、上述したように、第１移動量Ｌ１と結像パターンにおける第２距離Ｄ２とを一致させる（すなわち、第１移動量Ｌ１＝結像パターンにおける第２距離Ｄ２）。従って、第１移動量Ｌ１と結像パターンにおける第１距離Ｄ１が一致する（第１移動量Ｌ１＝結像パターンにおける第１距離Ｄ１）。
【００６３】
この一致のため以下に説明する通り、第２感光領域２８ｂ（図９参照）のうち第２隙間２１ｂ（図６参照）に対応する領域３２ｂが、結像パターン３０ｄ（図８参照）のうち第１サイドパターン２６ａ（図６参照）に対応する部分５２ａにより感光する。
【００６４】
領域３２ｂは例えば、右から２番目の結像パターン３０ｃ（図８参照）における第２隙間２１ｂに対応する領域である。いま仮に、結像パターンにおける第１距離Ｄ１だけ結像パターン３０ｃを右側に移動する場合を考える。この移動により、仮に移動させた結像パターン３０ｃのうち第１サイドパターン２６ａに対応する部分が、領域３２ｂに重なる。
【００６５】
上述したように、第１距離Ｄ１と結像パターンにおける第１移動量Ｌ１とは一致している（第１移動量Ｌ１＝結像パターンにおける第１距離Ｄ１）。従って、仮に移動させた結像パターン３０ｃと、結像パターン３０ｃの右側の結像パターン３０ｄとは一致する。従って、第２感光領域２８ｂ（図９参照）のうち第２隙間２１ｂに対応する領域３２ｂは、結像パターン３０ｄ（図８参照）のうち第１サイドパターン２６ａ（図６参照）に対応する部分５２ａにより感光する。
【００６６】
以上のように実施の形態１では、結像パターン３０のうち第１サイドパターン２６ａに対応する部分から結像パターン３０のうち第２サイドパターン２６ｂに対応する部分に向かう方向における移動量（横方向の移動量）を、第１移動量Ｌ１に変化させる。この変化により、第２感光領域２８ｂ（図９参照）のうち第１隙間２１ａに対応する領域３２ａを、結像パターン３０ａ（図８参照）のうち第２サイドパターン２６ｂに対応する部分５２ｂにより感光させる。更に上記変化により、第２感光領域２８ｂのうち第２隙間２１ｂに対応する領域３２ｂを、結像パターン３０ｄ（図８参照）のうち第１サイドパターン２６ａに対応する部分５２ａにより感光させる。
【００６７】
―第２移動量による感光―
図９に示す第１感光部分３４ａは、第２感光領域２８ｂのうち第１パターン領域２２ａ（図６参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）に挟まれる部分である。第１感光部分３４ａは、結像パターン３０ｃ（図８参照）の第１パターン領域２２ａに対応する部分より感光する領域である。
【００６８】
第２感光部分３４ｂ（図９参照）は、第２感光領域２８ｂのうち第２パターン領域２２ｂ（図６参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）に挟まれる部分である。第２感光部分３４ｂは、結像パターン３０ｂ（図８参照）の第２パターン領域２２ｂ（図６参照）に対応する部分より感光する領域である。
【００６９】
実施の形態１では、横方向の移動量を変化させることで、第２感光部分３４ｂと第１感光部分３４ａとを一致させる。すなわち、実施の形態１では、第２感光部分３４ｂと第１感光部分３４ａとが重なるように、第２感光部分３４ｂと第１感光部分３４ａとを感光させる。
【００７０】
具体的には例えば、結像パターンの第２移動量Ｌ２（図８参照）を、結像パターンにおける第５距離Ｄ５に一致させる。第１パターン領域２２ａ（図６参照）を第２パターン領域２２ｂに向かって第５距離Ｄ５だけ移動させると、第１パターン領域２２ａは第２パターン領域２２ｂに重なる。
【００７１】
今、結像パターン３０ｂ（図８参照）を、結像パターンにおける第５距離Ｄ５だけ右側に仮に移動させた場合を考える。仮に移動させた結像パターン３０ｂの第１パターン領域２２ａに対応する部分により感光する領域（以下、仮想の第１感光部分と呼ぶ）は、第２感光部分３４ｂ（図９参照）に重なる。第２感光部分３４ｂは、上述したように、移動前の結像パターン３０ｂの第２パターン領域２２ｂに対応する部分により感光する領域である。
【００７２】
上述したように実施の形態１では、第２移動量Ｌ２と結像パターンにおける第５距離Ｄ５とを一致させる。従って、仮に移動させた結像パターン３０ｂは、結像パターン３０ｂの右側の結像パターン３０ｃに一致する。
【００７３】
従って、仮想の第１感光部分（仮に移動させた結像パターン３０ｂのうち第１パターン領域２２ａに対応する部分により感光する領域）は、結像パターン３０ｃのうち第１パターン領域２２ａに対応する部分により感光する領域（第１感光部分３４ａ）に一致する。更に仮想の第１感光部分は、上述したように、移動前の結像パターン３０ｂの第２パターン領域２２ｂに対応する部分により感光する領域（第２感光部分３４ｂ）に重なる。
【００７４】
従って、仮想の第１感光部分に一致する第１感光部分３４ａは、第２感光部分３４ｂと重なる。
【００７５】
以上のように実施の形態１の感光工程では、結像パターンの移動量Ｌ１，Ｌ２を変化させることで、複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）と第２感光領域２８ｂとを感光させる。その後、フォトレジスト膜５１ａを現像することで、回路パターンに対応する複数の領域と、この領域を囲む閉じた領域（開口）とを有するマスクが形成される。
【００７６】
実施の形態１の感光工程では、回路パターン１４（図６参照）に対応する複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）と、複数の第１感光領域２８ａを囲む閉じた第２感光領域２８ｂとが同時に感光する。従って実施の形態１によれば、リング（例えば、耐湿リング）を有する大規模な半導体装置のエッチング・マスクを、少ない露光回数（ショット数）で形成することができる。
【００７７】
以上の例では、第１距離Ｄ１（図６参照）と第２距離Ｄ２が等しい場合を説明した。しかし、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２は、ある程度異なっていてもよい。これは、第１サイドパターン２６ａと第２隙間２１ｂが幅を有するため、第１距離Ｄ１が第２距離Ｄ２と等しくなくても、第２隙間２１ｂに対応する領域３２ｂ（図９参照）が第１サイドパターン２６ａに対応する部分５２ａにより塞がれるためである。
【００７８】
従って、第１距離Ｄ１（図６参照）と第２距離Ｄ２は、ある程度異なっていてもよい。別の見方をすれば、第１距離Ｄ１と第２距離Ｄ２は夫々ある程度の幅を有するので、第１距離Ｄ１に含まれる距離と第２距離Ｄ２に含まれる距離とに、一致するものが存在すればよい。
【００７９】
ところで以上の例では、第２感光領域２８ｂ（図９参照）に囲まれる第１感光領域２８ａ（図９参照）は２つである。しかし、第２感光領域２８ｂ（図９参照）に囲まれる第１感光領域２８ａ（図９参照）は３つ以上であってもよい。例えば図８において、結像パターン３０ｃの結像位置を右側に移動し、結像パターン３０ｂと結像パターン３０ｃの間にレチクル１０８の新たな結像パターン結像してもよい。この結像により、第２感光領域２８ｂ（図９参照）で囲まれた３つの第１感光領域２８ａを形成することができる。
【００８０】
この場合、新たな結像パターンのうち第１パターン領域２２ａに対応する領域が、左側の結像パターン３０ｂの第２パターン領域２２ｂに対応する領域と重なるようにする。更に、新たな結像パターンの第２パターン領域２２ｂに対応する領域は、右側の結像パターン３０ｃの第１パターン領域２２ａに対応する領域と重なるようにする。
【００８１】
このような方法によれば、回路パターンに対応する３つ以上の領域を有する大規模な半導体装置を、少ない露光回数で製造することができる。
【００８２】
（３）複数のレチクルを用いる製造方法
（３−１）第１製造方法
レチクルの枚数は増えてしまうという問題はあるが、複数のレチクルを用いることでも、集積回路を囲うリングを有する大規模な半導体装置を製造することができる。
【００８３】
図１１〜１２は、複数のレチクルを用いる第１製造方法を説明する図である。第１製造方法では、ビア層および配線層の形成にそれぞれ２枚のレチクルを用いる。
【００８４】
図１１（ａ）は、第１製造方法で配線層の形成に用いる２枚のレチクルの一方（以下、第１レチクルと呼ぶ）を示している。図１１（ｂ）は、第１製造方法で使用する２枚のレチクルの他方（以下、第２レチクルと呼ぶ）を示している。ビア層の製造方法は、配線層の製造方法と略同じである。従ってビア層の製造方法は、省略する。
【００８５】
第１レチクル１０８ａは、図１１（ａ）に示すように回路パターン１４と、回路パターン１４の周囲に配置された逆コの字型の第１周囲パターン３８ａとを有する。第２レチクル１０８ｂは、図１１（ｂ）に示すように回路パターン１４と、回路パターン１４の周囲に配置されたコの字型の第２周囲パターン３８ｂとを有する。第１レチクル１０８ａの回路パターン１４と第２レチクル１０８ｂの回路パターン１４は、同じパターンである。
【００８６】
第１製造方法では、第１レチクル１０８ａの第１結像パターンと第２レチクル１０８ｂの第２結像パターンとを同じフォトレジスト膜に結像して、エッチング・マスクを形成する。この時、第１周囲パターン３８ａの右端部と第２周囲パターン３８ｂの左端部とがフォレジスト膜上で重なるように、第１レチクル１０８ａの第１結像パターンと第２レチクル１０８ｂの第２結像パターンとを結像する。
【００８７】
図１２（ａ）は、第１結像パターンの移動経路２３ａを示す図である。図１２（ａ）には、移動経路２３ａと共に、第１レチクル１０８ａの簡略化した結像パターン３０ａが示されている。
【００８８】
図１２（ｂ）は、第２結像パターンの移動経路２３ｂを示す図である。図１２（ｂ）には、移動経路２３ｂと共に、第２レチクル１０８ｂの簡略化した結像パターン３０ｂが示されている。
【００８９】
第１製造方法ではまず、第１結像パターン３０ａ（図１２（ａ）参照）を上下に移動量Ｌ１０で往復させると共に横方向に移動量Ｌ１２ずつ移動させながら、フォトレジスト膜５１ａを感光させる。横方向の移動量Ｌ１２は、第１結像パターン３０ａの幅と第２結像パターン３０ｂ（図１２（ｂ）参照）の幅の和に略等しい距離である。
【００９０】
次に、第１レチクル１０８ａを第２レチクル１０８ｂに交換する。その後、第１結像パターン３０ａと同じ移動量Ｌ１０，Ｌ１２で、第２結像パターン３０ｂを走査する（図１２（ｂ）参照）。この時、第１周囲パターン３８ａ（図１１（ａ）参照）の右端部と第２レチクル１０８ｂ（図１１（ｂ）参照）の左端部とが、フォレジスト膜５１ａの上で重なるように、第２結像パターン３０ｂを走査する。
【００９１】
その後、フォトレジスト膜５１ａを現像する。すると、回路パターン１４に対応する複数の領域と、この領域を囲む閉じた領域（開口）とを有するエッチング・マスクが形成される。従って第１製造方法によれば、リング（例えば、耐湿リング）を有する大規模な半導体装置を形成することができる。
【００９２】
第１製造方法では、複数のレチクルを使用する。一方、実施の形態１（図１〜１０参照）で使用するレチクルは１枚である。従って実施の形態１によれば、レチクルの数を、第１製造方法より少なくすることができる（以下、第１メリットと呼ぶ）。
【００９３】
更に実施の形態１によれば、レチクル数が少ないので、第１製造方法よりレチクルの交換回数が少なくなる。その結果、実施の形態１によればスループットが向上する（以下、第２メリットと呼ぶ）。
【００９４】
更に図７と図１２から明らかなように、図７の結像パターン３０の横方向の移動量Ｌ１，Ｌ２の総和は、図１２の結像パターン３０ａ，３０ｂの横方向の移動量Ｌ１２の総和の半分である。
【００９５】
従って実施の形態１における結像パターン３０の移動経路２３は、第１製造方法における第１〜第２結像パターン３０ａ，３０ｂの移動経路２３ａ，２３ｂの総和より短い。従って実施の形態１によれば、結像パターンの走査時間が第１製造方法より短くなる。その結果、スループットが向上する（以下、第３メリットと呼ぶ）。
【００９６】
以上のように、実施の形態１の製造方法は、第１製造方法に対して複数のメリットを有している。
【００９７】
（３−２）第２製造方法
図１３は、複数のレチクルを用いる第２製造方法を説明する図である。第２製造方法では、ビア層および配線層それぞれの形成に３枚のレチクルを用いる。
【００９８】
第２製造方法では先ず、周辺パターンを含まずに回路パターンだけを有するレチクル（図示せず）を用いる。第２製造方法では更に、逆コの字型の第３周囲パターン３８ｃ（図１３（ａ）参照）を有する第３レチクル１０８ｃと、コの字型の第４周囲パターン３８ｄ（図１３（ｂ）参照）を有する第４レチクル１０８ｄとを用いる。
【００９９】
第２製造方法では先ず、回路パターンだけを有するレチクルを用いて、フォトレジスト膜全面に回路パターンを結像する。次に第３レチクル１０８ｃを用いて、第３周囲パターン３８ｃをフォトレジスト膜に結像する。第３周囲パターン３８ｃに対応する結像パターンの移動経路は、図１２（ａ）に示す移動経路２３ａと同じである。
【０１００】
更に第４レチクル１０８ｄを用いて、第４周囲パターン３８ｄをフォトレジスト膜に結像する。第４周囲パターン３８ｄに対応する結像パターンの移動経路は、図１２（ｂ）に示す移動経路２３ｂと略同じである。
【０１０１】
第２製造方法では、フォトレジスト膜に回路パターンを結像した後、更に第３〜第４周囲パターン３８ｃ，３８ｄをフォトレジスト膜に結像する。一方、実施の形態１（図１〜１０参照）では、回路パターン１４と一緒に周辺パターンをフォトレジスト膜に結像する。従って実施の形態１によれば、第２製造方法よりレチクルの露光回数（ショット数）が少なる。その結果、スループットが向上する。更に実施の形態１は、第１製造方法に対する第１〜第３メリットと同じメリットを、第２製造方法に対しても有する。
【０１０２】
図１〜１０を参照して説明したように、実施の形態１では、回路パターンと周辺パターンの結像パターンを、結像パターンの移動量を変化させつつフォトレジスト膜に結像する。
【０１０３】
この結像により、回路パターン１４に対応する複数の第１感光領域２８ａと、複数の第１感光領域２８ａを囲む閉じた第２感光領域２８ｂとを同時に感光させて、エッチング・マスクを形成する。従って実施の形態１によれば、リング（例えば、耐湿リング）を有する大規模な半導体装置を、少ない露光回数（ショット数）で形成することができる。
【０１０４】
（実施の形態２）
図１４は、実施の形態２の半導体装置２００の一例を説明する図である。図１４には、半導体装置２００を第１層目の配線層１５ａで形成した状態を示している。図１５〜１６は、実施の形態２の製造方法を説明する図である。
【０１０５】
実施の形態２では、メタル領域１５６ａ（図１４（ａ）参照）の隙間２０２を通る配線２０４を、配線層１５ａ（図１０（ｂ）参照）に形成する。配線２０４は、回路パターンに対応する領域２０６同士を接続する配線である。
【０１０６】
実施の形態２は、配線２０４を形成する工程を有すること以外は、実施の形態１と略同じである。従って、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略または簡単にする。例えば、実施の形態１と同じ名称で呼ばれているものは、符号が異なっても共通する部分を有するので、共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１０７】
（１）レチクル（図１５参照）
図１５は、配線２０４の形成に用いるレチクル２０８ａ，２０８ｂの平面図である。配線２０４の形成には、２枚のレチクルが用いられる。１枚目のレチクル２０８ａ（以下、第１レチクルと呼ぶ）は、図１５（ａ）に示すように第１配線パターン２１０ａを有する。第１配線パターン２１０ａは、配線２０４の左半分と配線２０４の右半分の左端部とに対応するパターンである。
【０１０８】
２枚目のレチクル２０８ｂ（以下、第２レチクルと呼ぶ）は、図１５（ｂ）に示すように第２配線パターン２１０ｂを有する。第２配線パターン２１０ｂは、配線２０４の右半分と配線２０４の左半分の右端部とに対応するパターンである。
【０１０９】
（２）製造方法
（２−１）半導体素子およびビア層の形成（図１（ａ）〜図２（ｃ）の形成）
図１（ａ）〜図２（ｃ）を参照した説明した工程により、半導体基板１２に半導体素子を形成した後、半導体基板上に一層目のビア層１３ａを形成する。
【０１１０】
（２−２）配線の形成（図３（ａ）〜図４（ｂ）参照）
（２−２−１）絶縁膜の形成（図３（ａ）参照）
一層目のビア層１３ａ（図３（ａ）参照）の上に、絶縁膜（層間絶縁膜）１５０ａを形成する。絶縁膜１５０ａは例えば、ＳｉＮ膜で表面が覆われたＳｉＯ２膜である。
【０１１１】
（２−２−２）エッチング・マスクの形成（図３（ｂ）〜図４（ａ）参照）
絶縁膜１５０ａ（図３（ｂ）参照）の上に、例えばポジ型のフォトレジスト膜１５１ａ（フォトレジストの膜）を形成する。
【０１１２】
その後、図５〜９を参照して説明した方法により、フォトレジスト膜１５１ａ（図１６参照）のうち複数の第１感光領域１２８ａと、第２感光領域１２８ｂとを感光する。第１感光領域１２８ａは、図９を参照して説明した第１感光領域２８ａに相当する領域である。第２感光領域１２８ｂは、図９を参照して説明した第２感光領域２８ｂに相当する領域である。
【０１１３】
すなわち、第１感光領域１２８ａは、フォトレジスト膜１５１ａのうち回路パターン１４に対応する領域である。第２感光領域１２８ｂは、フォトレジスト膜１５１ａのうち周辺パターン２４，２６ａ，２６ｂに対応し、複数の第１感光領域１２８ａを囲む閉じた領域である。
【０１１４】
更に、第１レチクル２０８ａ（図１５（ａ）参照）と第２レチクル２０８ｂ（図１５（ｂ）参照）を用いて、フォトレジスト膜１５１ａのうち第２感光領域１２８ｂ（図１６参照）の隙間２２１ａを通る第３感光領域２２８ｃを感光する。この時、第１配線パターン２１０ａの右端に対応する部分と第２配線パターン２１０ｂの左端に対応する部分が重なるように、第３感光領域２２８ｃを感光する。
【０１１５】
その後、図３（ｃ）を参照して説明した工程と略同じ手順により、フォトレジスト膜１５１ａを現像して、エッチング・マスクを形成する。
【０１１６】
更に図４（ａ）を参照して説明した工程と略同じ手順により、上記エッチング・マスクを介して絶縁膜１５０ａをエッチングする。このエッチングにより、第１〜第３感光領域１２８ａ，１２８ｂ，２２８ｃに対応する溝を絶縁膜１５０ａに形成する。
【０１１７】
第３感光領域２２８ｃに対応する溝２５７（図１４（ｂ）参照）は、半導体基板１２上の絶縁膜１５０ａのうち第１感光部分１３４ａ（図１６参照）および第２感光部分１３４ｂにより覆われていた領域の隙間２２１ｂ（図１４（ａ）参照）を通る溝である。
【０１１８】
なお、第１感光部分１３４ａは、第２感光領域１２８ｂのうち第１パターン領域２２ａ（図６参照）に対応し複数の第１感光領域１２８ａに挟まれる部分である。第２感光部分１３４ｂは、第２感光領域１２８ｂのうち第２パターン領域２２ｂ（図６参照）に対応し複数の第１感光領域１２８ａに挟まれる部分である。
【０１１９】
すなわち、第１感光部分１３４ａは、図９を参照して説明した第１感光部分３４ａに相当する。第２感光部分１３４ｂは、図９を参照して説明した第２感光部分３４ｂに相当する。
【０１２０】
（２−２−３）Ｃｕ膜の堆積および研磨
次に、図４（ｂ）を参照して説明した工程と略同じ工程により、第１感光領域１２８ａに対応する配線溝５７ａ（図４(ａ)参照）を埋め込む配線５８ａ（図４(ｂ)参照）を形成する。更に、第２感光領域１２８ｂに対応する溝１５４ａ（図４（ａ）参照）を埋め込むメタル領域１５６ａ（図４（ｂ）参照）を形成する。更に、第３感光領域２２８ｃに対応する配線溝２５７（図１４（ｂ）参照）を埋め込む配線２０４を形成する。
【０１２１】
（２−３）２層目以降のビア層および配線層の形成
その後、実施の形態１と略同じ手順により、２層目以降のビア層および２層目以降の配線層を形成する。
【０１２２】
（２−４）保護膜の形成
次に、最上層の配線層の上に保護膜を形成する。その後、半導体基板１２を切断して、個々の半導体装置に分割する。
【０１２３】
以上の例では、メタル領域１５６ａの隙間２０２を通る配線２０４を第１層目の配線層１５ａに形成している。しかし、配線２０４は第１層目以外の配線層（例えば、最上層の配線層）に形成してもよい。
【０１２４】
実施の形態２によれば、メタル領域１５６ａの隙間２０２を通る配線２０４を形成するので、回路パターンに対応する領域２０６（図１４（ａ）参照）同士を接続することができる。
【０１２５】
（実施の形態３）
実施の形態３の感光工程では、結像パターンの移動量を横方向だけでなく上下方向でも変化させる。結像パターンの移動量を上下方向で変化させることとレチクルを除けば、実施の形態３は実施の形態１と略同じである。従って、実施の形態１と共通する部分については、説明を省略または簡単にする。例えば、実施の形態１〜２と同じ名称で呼ばれているものは、符号が異なっても共通する部分を有するので、共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１２６】
（１）レチクル（図１７参照）
図１７は、実施の形態３の感光工程に用いるレチクル３０８を説明する図である。
【０１２７】
レチクル３０８は、回路パターン１４と周辺パターンとを有する。周辺パターンは、中央パターン３２４と第１〜第４サイドパターン２６ａ〜２６ｄとを有する。
【０１２８】
中央パターン３２４は、実施の形態１の中央パターン２４において更に、第３隙間２１ｃが設けられた第３パターン領域２２ｃを有するパターンである。中央パターン３２４は更に、第４隙間２１ｄが設けられ、回路パターン１４を挟んで第３パターン領域２２ｃに対向する第４パターン領域２２ｄを有するパターンである。
【０１２９】
第１〜第２サイドパターン２６ａ〜２６ｂは、実施の形態１で説明したパターンである。第３サイドパターン２６ｃは、第３パターン領域２２ｃに沿って中央パターン３２４の外側に配置される。第３サイドパターン２６ｃは、第４パターン領域２２ｄに向かって一定の距離Ｄ３（以下、第３距離と呼ぶ）移動することで、第４隙間２１ｄを塞ぐことができるパターンである。すなわち、第３サイドパターン２６ｃは、第４隙間２１ｄに対応するパターンである。
【０１３０】
第４サイドパターン２６ｄは、第４パターン領域２２ｄに沿って中央パターン３２４の外側に配置される。第４サイドパターン２６ｄは、第３パターン領域２２ｃに向かって一定の距離Ｄ４（以下、第４距離）移動することで第３隙間２１ｃを塞ぐことができるパターンである。すなわち、第４サイドパターン２６ｄは、第３隙間２１ｃに対応するパターンである。第４距離Ｄ４は好ましくは、第３距離Ｄ３に等しい距離である。
【０１３１】
（２）感光工程（図１８〜２０参照）
図１８〜２０は、実施の形態３の感光工程を説明する図である。
【０１３２】
図１８は、フォトレジスト膜５１ａ,１５１ａ上におけるレチクル３０８の結像位置の移動経路３２３の一例を示す図である。図１８には移動経路３２３と共に、レチクル３０８に対応する結像パターン３３０が示されている。図１８の結像パターン３３０は、簡略化されている。
【０１３３】
結像パターン３３０は横方向には、実施の形態１の結像パターン３０（図７参照）と同様、第１移動量Ｌ１と第１移動量Ｌ１とは異なる第２移動量Ｌ２とで交互に移動する（図１８参照）。一方、結像パターン３３０は上下方向には、実施の形態１とは異なり、第３移動量Ｌ３と第３移動量Ｌ３とは異なる第４移動量Ｌ４とで交互に移動する（図１８参照）。
【０１３４】
図１９には、フォトレジスト膜５１ａ,１５１ａ（図１（ｃ）および図３（ｂ）参照）上の結像パターン３０ｅ〜３０ｈが示されている。図１９に示す結像パターン３０ｅ〜３０ｈは、フォトレジスト膜５１ａ,１５１ａに投影される結像パターンのうち感光工程の説明に用いるものである。図２０には、図１９の結像パターン３０ｅ〜３０ｈにより感光する第１〜第２感光領域２８ａ,３２８ｂが示されている。第１感光領域２８ａは、回路パターン１４に対応する領域である。図１９〜２０に示すパターンおよび感光領域は左右対称である。従って図１９〜２０では、符号は図の右側部分または左側部分の一方だけに示されている。
【０１３５】
（２−１）横方向の移動量の変化による感光
実施の形態１と同様に、横方向の移動量Ｌ１,Ｌ２を変化させることで、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうち第１隙間２１ａ（図１７参照）に対応する領域を感光させる。更に実施の形態１と同様に、横方向の移動量Ｌ１,Ｌ２を変化させることで、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうち第２隙間２１ｂ（図１７参照）に対応する領域を感光させる。
【０１３６】
第２感光領域３２８ｂは、図９を参照して説明した実施の形態１の第２感光領域２８ｂに相当する領域である。すなわち第２感光領域３２８ｂは、複数の第１感光領域２８ａ（図９参照）を囲む閉じた領域である。
【０１３７】
更に実施の形態１と同様に、横方向の移動量Ｌ１,Ｌ２を変化させることで、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうち第１感光部分と第２感光部分とが重なるように、第１感光部分と第２感光部分を感光させる。第１感光部分は、図９を参照して説明した実施の形態１の第１感光部分３４ａに相当する領域である。第２感光部分は、図９を参照して説明した実施の形態１の第２感光部分３４ｂに相当する領域である。
【０１３８】
すなわち第１感光部分は、第２感光領域３２８ｂのうち第１パターン領域２２ａ（図１７参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａ（図２０参照）に挟まれる部分である。第２感光部分は、第２感光領域３２８ｂのうち結像パターンの第２パターン領域２２ｂ（図１７参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａ（図２０参照）に挟まれる部分である。
【０１３９】
（２−２）上下方向の移動量の変化による感光
―第３移動量による感光―
実施の形態３では、結像パターン３０ｅ〜３０ｈ（図１９参照）の上下方向における移動量Ｌ３,Ｌ４（図１８参照）を変化させる。この変化により、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうち第３隙間２１ｃ（図１７参照）に対応する領域３２ｃ（図２０参照）を感光させる。この感光では、領域３２ｃ（図２０参照）を、結像パターン３０ｅ（図１９参照）のうち第４サイドパターン２６ｄ（図１７参照）に対応する部分５２ｄ（図１９参照）により感光させる。
【０１４０】
更に移動量Ｌ３,Ｌ４の上記変化により、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうち第４隙間２１ｄ（図１７参照）に対応する領域３２ｄ（図２０参照）を感光させる。この感光では領域３２ｄを、結像パターン３０ｈ（図２０参照）のうち第３サイドパターン２６ｃ（図１７参照）に対応する部分５２ｃ（図１９参照）により感光する。
【０１４１】
なお結像パターン３０ｅ〜３０ｈの上下方向とは、結像パターンのうち第３サイドパターン２６ｃ（図１７参照）に対応する部分から結像パターンのうち第４サイドパターン２６ｄに対応する部分に向かう方向のことである。
【０１４２】
具体的には例えば、結像パターンの上下方向の第３移動量Ｌ３（図１９参照）を、結像パターンにおけるレチクル３０８（図１７参照）の第４距離Ｄ４に一致させる。
【０１４３】
すると、実施の形態１の「第１移動量による感光」で説明した理由と同様の理由により、第３〜第４隙間２１ｃ，２１ｄに対応する領域３２ｃ，３２ｄ（図２０参照）が感光する。
【０１４４】
―第４移動量による感光―
更に上下方向の移動量Ｌ３,Ｌ４を変化させることで、第２感光領域３２８ｂ（図２０参照）のうちの第４感光部分３４ｄと第２感光領域３２８ｂのうち第３感光部分３４ｃとが重なるように、第４感光部分３４ｄと第３感光部分３４ｃを感光させる。
【０１４５】
第４感光部分３４ｄは、第４パターン領域２２ｄ（図１７参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａに挟まれる部分である。第３感光部分３４ｃは、第３パターン領域２２ｃ（図１７参照）に対応し、複数の第１感光領域２８ａに挟まれる領域である。
【０１４６】
具体的には例えば、結像パターン３３０の上下方向の第４移動量Ｌ４（図１９参照）を、結像パターン３３０におけるレチクル３０８（図１７参照）の第６距離Ｄ６に一致させる。
【０１４７】
すると、実施の形態２の「第２移動量による感光」で説明した理由と同様の理由により、第４感光部分３４ｄ（図２０参照）と第３感光部分３４ｃとが重なる。
【０１４８】
実施の形態３の感光工程によれば、図２０に示すように、横方向および上下方向に沿って配置された複数の第１感光領域２８ａを囲む閉じた第２感光領域３２８ｂを感光させることができる。上述したように第１感光領域２８ａは、回路パターンに対応する領域である。第２感光領域３２８ｂは、集積回路のリング（例えば、耐湿リング）に対応する領域である。従って実施の形態３によれば、実施の形態１より大規模な半導体装置（リングを有する半導体装置）を形成することができる。
【０１４９】
（実施の形態４）
図２１は、実施の形態４のレチクル４０８を説明する図である。実施の形態４のレチクル４０８は、実施の形態１のレチクル１０８において周辺パターンを２重化ものである。
【０１５０】
レチクルおよび感光工程を除けば、実施の形態４は実施の形態１と略同じである。従って、実施の形態１と同じ部分については、説明を省略または簡単にする。例えば、実施の形態１〜３と同じ名称で呼ばれているものは、符号が異なっても共通する部分を有するので、共通する部分の説明は省略または簡単にする。
【０１５１】
（１）レチクル（図２１〜２３参照）
図２２は、レチクル４０８（図２１参照）の左端を拡大した図である。図２３は、レチクル４０８の右端を拡大した図である。
【０１５２】
実施の形態４のレチクル４０８は、図２１に示すように、実施の形態１のレチクル１０８に類似している。但し中央パターン４２４が、実施の形態１の中央パターン１０８とは異なり、回路パターン１４を囲む内側部分４０２と、内側部分４０２を囲む外側部分４０４とを有している。
【０１５３】
更にレチクル４０８の第１サイドパターン４２６ａは、第１内側部分４０６ａと、第１内側部分４０６ａを挟んで中央パターン４２４に対向する第１外側部分４０８ａとを有している。
【０１５４】
更にレチクル４０８の第２サイドパターン４２６ｂは、第２内側部分４０６ｂと、第２内側部分４０６ｂを挟んで中央パターン４２４に対向する第２外側部分４０８ｂとを有している。
【０１５５】
更に中央パターン４２４の第１隙間５２１ａ（図２２参照）は、第１内側ギャップ５０２ａと第１外側ギャップ５０６ａとを有している。第１内側ギャップ５０２ａは、中央パターン４２４の内側部分４０２のうち第１パターン領域５２２ａに含まれる第１内側パターン領域５００ａに設けられた隙間である。第１外側ギャップ５０６ａは、中央パターン４２４の外側部分４０４のうち第１パターン領域５２２ａに含まれる第１外側パターン領域５０４ａに設けられた隙間である。第１パターン領域５２２ａは、図６を参照して説明した第１パターン領域２２ａに相当する。
【０１５６】
更に中央パターン４２４の第２隙間５２１ｂ（図２３参照）は、第２内側ギャップ５０２ｂと第２外側ギャップ５０６ｂとを有している。
【０１５７】
第２内側ギャップ５０２ｂは、中央パターン４２４の内側部分４０２のうち第２パターン領域５２２ｂに含まれる第２内側パターン領域５００ｂに設けられた隙間である。第２外側ギャップ５０６ｂは、中央パターン４２４の外側部分４０４のうち第２パターン領域５２２ｂに含まれる第２外側パターン領域５０４ｂに設けられた隙間である。第２パターン領域５２２ｂは、図６を参照して説明した第２パターン領域２２ｂに相当する。
【０１５８】
（２）感光工程（図２４〜２５参照）
図２４〜２５は、実施の形態４の感光工程を説明する図である。図２４には、フォトレジスト膜５１ａ,１５１ａに結像された結像パターン５３０ａ〜５３０ｄが示されている。図２５には、図２４の結像パターン５３０ａ〜５３０ｄにより感光させるフォトレジスト膜５１ａ,１５１ａの感光領域２８ａ，５２８ｂが示されている。
【０１５９】
―第１移動量による感光―
横方向の移動量Ｌ１,Ｌ２（図７参照）のうち第１移動量Ｌ１を、実施の形態１で説明した方法と略同じ方法により変化させる（実施の形態１の「（２−３）感光工程」参照）。
【０１６０】
この変化により第２感光領域５２８ｂ（図２５参照）のうち第１内側ギャップ５０２ａ（図２２参照）に対応する領域５４０ａを、結像パターン５３０ａ（図２４参照）のうち第２外側部分４０８ｂ（図２１参照）に対応する部分５４２ｂにより感光させる。第２感光領域５２８ｂは、図９を参照して説明した第２感光領域２８ｂに相当する。
【０１６１】
更に、第２感光領域５２８ｂ（図２５参照）のうち第１外側ギャップ５０６ａ（図２２参照）に対応する領域５４４ａを、結像パターン５３０ａ（図２４参照）のうち第２内側部分４０６ｂ（図２１参照）に対応する部分５４６ｂにより感光させる。
【０１６２】
更に、第２感光領域５２８ｂ（図２５参照）のうち第２内側ギャップ５０２ｂ（図２３参照）に対応する領域５４０ｂを、結像パターン５３０ｄ（図２４参照）のうち第１外側部分４０８ａ（図２１参照）に対応する部分５４２ａにより感光させる。
【０１６３】
更に、第２感光領域５２８ｂ（図２５参照）のうち第２外側ギャップ５０６ｂ（図２３参照）に対応する領域５４４ｂを結像パターン５３０ｄ（図２４参照）のうち第１内側部分４０６ａ（図２１参照）に対応する部分５４６ａにより感光させる。
【０１６４】
以上により、第１隙間５２１ａに対応する領域５４０ａ，５４４ａと第２隙間５２１ｂに対応する領域５４０ｂ，５４４ｂとが感光させる。
【０１６５】
―第２移動量による感光―
横方向の移動量Ｌ１,Ｌ２（図７参照）のうち第２移動量Ｌ２を、実施の形態１で説明した方法と略同じ方法により変化させる（実施の形態１の「（２−３）感光工程」参照）。
【０１６６】
この変化により、第２パターン領域５２２ｂ(図２３参照）に対応する第２感光部分５３４ｂ（図２５参照）と、第１パターン領域５２２ａ(図２２参照）に対応する第１感光部分５３４ａ（図２５参照）とが、互いに重なるように感光する。第２感光部分５３４ｂは、図９を参照して説明した第２感光部分３４ｂに相当する。第１感光部分５３４ａは、図９を参照して説明した第１感光部分３４ａに相当する。
【０１６７】
この時、図２５に示すように、第２感光部分５３４ｂのうち第２内側パターン領域５００ｂ（図２３参照）に対応する範囲５４８ｂと、第１感光部分５３４ａのうち第１外側パターン領域５０４ａ（図２２参照）に対応する範囲５５０ａとが重なる。
【０１６８】
更に図２５に示すように、第２感光部分５３４ｂのうち第２外側パターン領域５０４ｂ（図２３参照）に対応する範囲５５０ｂと、第１感光部分５３４ａのうち第１内側パターン領域５００ａ（図２２参照）に対応する範囲５４８ａとが重なる。
【０１６９】
実施の形態４によれば、２重化したリング（例えば、耐湿リング）を形成できるので、リングの機能（例えば、耐湿性）を強化した大規模な半導体装置を形成することができる。
【０１７０】
（３）変形例
図２６は、実施例４の変形例の結像パターン６３０を説明する図である。図２６の結像パターン６３０は、実施の形態３のレチクル３０８（図１７参照）の周辺パターンを２重化したレチクルにより結像される。
【０１７１】
変形例によれば、図２６に示すように、回路パターン１４に対応し横方向および上下方向に複数配置された領域６００が、２重化された閉じた領域６０２により囲われる。従って変形例によれば、図２１〜２５を参照して説明した半導体装置より、大規模な半導体装置を形成することができる。図２６に示す例では、６つの領域６００が２重化された閉じた領域６０２により囲われる。
【０１７２】
以上、本発明の実施形態について説明したが、実施の形態１〜４は、例示であって制限的なものではない。例えば、実施の形態１〜４のリングは、層間絶縁膜の端面から配線層（または、ビア層）内部に侵入する水分を抑制する耐湿リングである。
【０１７３】
しかし実施の形態１〜４のリングは、耐湿リング以外のリングであってもよい。例えば、実施の形態１〜４のリングは、半導体基板の空乏層の拡大を抑制するガードリングであってもよい。この場合、回路パターン１４は集積回路の半導体デバイスに対応するパターンであり、レチクル１０８等を用いて形成するレジスト・パターンは、例えばイオン注入用のマスクである。
【０１７４】
以上の実施の形態１〜４に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１７５】
（付記１）
集積回路に対応する回路パターンと前記回路パターンの周囲に配置された周辺パターンとを含む複数のパターンを有する１枚のレチクルを用い、前記複数のパターンに対応する結像パターンを前記結像パターンの移動量を変化させつつフォトレジスト膜に複数回結像して、前記フォトレジスト膜のうち夫々が前記回路パターンに対応する複数の第１感光領域と前記周辺パターンに対応し前記複数の第１感光領域を囲む閉じた第２感光領域とを感光させる工程と、
前記感光させる工程の後、前記フォトレジスト膜を現像して、現像された前記フォトレジスト膜を有するマスクを形成する工程とを含む
半導体装置の製造方法。
【０１７６】
（付記２）
前記周辺パターンは、第１隙間が設けられた第１パターン領域と第２隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで第１パターン領域に対向する第２パターン領域とを有し前記回路パターンを囲む開いた中央パターンと、前記第２隙間に対応し前記第１パターン領域に沿って配置された第１サイドパターンと、前記第１隙間に対応し前記第２パターン領域に沿って配置された第２サイドパターンとを有し、
前記感光させる工程は、前記結像パターンのうち前記第１サイドパターンに対応する部分から前記結像パターンのうち前記第２サイドパターンに対応する部分に向かう方向における前記移動量を変化させて、前記第２感光領域のうち前記第１隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第２サイドパターンに対応する部分により感光させ、前記第２感光領域のうち前記第２隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第１サイドパターンに対応する部分により感光させる工程と、前記第２感光領域のうち前記第２パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第２感光部分と前記第２感光領域のうち前記第１パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第１感光部分とが重なるように、前記第２感光部分と前記第１感光部分を感光させる工程とを含むことを
特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１７７】
（付記３）
前記中央パターンは更に、第３隙間が設けられ前記第１パターン領域および前記第２パターン領域とは異なる第３パターン領域と、第４隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第３パターン領域に対向する第４パターン領域とを有し、
前記周辺パターンは更に、前記第４隙間に対応し前記第３パターン領域に沿って配置された第３サイドパターンと、前記第３隙間に対応し前記第４パターン領域に沿って配置された第４サイドパターンとを有し、
前記感光させる工程は更に、前記結像パターンのうち前記第３サイドパターンに対応する部分から前記結像パターンのうち前記第４サイドパターンに対応する部分に向かう方向における前記移動量を変化させて、前記第２感光領域のうち前記第３隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第４サイドパターンに対応する部分により感光させ、前記第２感光領域のうち前記第４隙間に対応する領域を前記結像パターンのうち前記第３サイドパターンに対応する部分により感光させる工程と、前記第２感光領域のうち前記第４パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第４感光部分と前記第２感光領域のうち前記第３パターン領域に対応し前記複数の第１感光領域に挟まれる第３感光部分とが重なるように、前記第４感光部分と前記第３感光部分を感光させる工程とを含むことを
特徴とする付記２に記載の半導体装置の製造方法。
【０１７８】
（付記４）
前記中央パターンは、前記回路パターンを囲む内側部分と、前記内側部分を囲む外側部分とを有し、
前記第１サイドパターンは、第１内側部分と、前記第１内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第１外側部分とを有し、
前記第２サイドパターンは、第２内側部分と、前記第２内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第２外側部分とを有することを
特徴とする付記２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【０１７９】
（付記５）
前記フォトレジスト膜は、絶縁膜上に形成され、
前記絶縁膜のうち前記第１感光部分および前記第２感光部分により覆われていた領域の隙間を通る溝に配線を形成する工程を有することを
特徴とする付記２乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８０】
（付記６）
前記感光させる工程は更に、前記レチクルとは異なるレチクルを用いて、前記フォトレジスト膜のうち前記溝に対応する第３感光領域を感光させる工程を有することを
特徴とする付記５に記載の半導体装置の製造方法。
【０１８１】
（付記７）
集積回路に対応する回路パターンと、
第１隙間が設けられた第１パターン領域と、第２隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで第１パターン領域に対向する第２パターン領域とを有し、前記回路パターンを囲む開いた中央パターンと、
前記第１パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第２パターン領域に向かって第１距離移動することで前記第２隙間を塞ぐことができる第１サイドパターンと、
前記第２パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第１パターン領域に向かって第２距離移動することで前記第１隙間を塞ぐことができる第２サイドパターンとを有する
レチクル。
【０１８２】
（付記８）
前記中央パターンは更に、第３隙間が設けられ前記第１パターン領域および前記第２パターン領域とは異なる第３パターン領域と、第４隙間が設けられ前記回路パターンを挟んで前記第３パターン領域に対向する第４パターン領域とを有し、
前記第３パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第４パターン領域に向かって第３距離移動することで前記第４隙間を塞ぐことができる第３サイドパターンと、
前記第４パターン領域に沿って前記中央パターンの外側に配置され、前記第３パターン領域に向かって第４距離移動することで前記第３隙間を塞ぐことができる第４サイドパターンとを有することを
特徴とする付記７に記載のレチクル。
【０１８３】
（付記９）
前記中央パターンは、前記回路パターンを囲む内側部分と、前記内側部分を囲む外側部分とを有し、
前記第１サイドパターンは、第１内側部分と、前記第１内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第１外側部分とを有し、
前記第２サイドパターンは、第２内側部分と、前記第２内側部分を挟んで前記中央パターンに対向する第２外側部分とを有することを
特徴とする付記７又は８に記載のレチクル。
【符号の説明】
【０１８４】
１４…回路パターン
２１ａ…第１隙間    ２１ｂ…第２隙間    
２１ｃ…第３隙間    ２１ｄ…第４隙間
２２ａ…第１パターン領域    ２２ｂ…第２パターン領域
２２ｃ…第３パターン領域    ２２ｄ…第４パターン領域
２４，３２４…中央パターン
２６ａ，４２６ａ…第１サイドパターン    
２６ｂ，４２６ｂ…第２サイドパターン
２６ｃ…第３サイドパターン    ２６ｄ…第４サイドパターン
２８ａ，１２８ａ…第１感光領域
２８ｂ，１２８ｂ，３２８ｂ…第２感光領域
３４ａ，１３４ａ…第１感光部分    ３４ｂ，１３４ｂ…第２感光部分
３４ｃ…第３感光部分    ３４ｄ…第４感光部分
５１ａ，１５１ａ…フォトレジスト膜
５０ａ，１５０ａ…絶縁膜
１０８，２０８ａ，２０８ｂ，３０８，４０８…レチクル
２０２…隙間    ２０４…配線
２２８ｃ…第３感光領域    ２５７…溝
４０２…内側部分    ４０４…外側部分
４０６ａ…第１内側部分    ４０６ｂ…第２内側部分
４０８ａ…第１外側部分    ４０８ｂ…第２外側部分
【図１】
0006725825.tif 000002
【図２】
0006725825.tif 000003
【図３】
0006725825.tif 000004
【図４】
0006725825.tif 000005
【図５】
0006725825.tif 000006
【図６】
0006725825.tif 000007
【図７】
0006725825.tif 000008
【図８】
0006725825.tif 000009
【図９】
0006725825.tif 000010
【図１０】
0006725825.tif 000011
【図１１】
0006725825.tif 000012
【図１２】
0006725825.tif 000013
【図１３】
0006725825.tif 000014
【図１４】
0006725825.tif 000015
【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
0006725825.tif 000018
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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