(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転台と、
前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、
基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、
各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、
各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、
非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置。
【請求項２】
前記開放磁石と前記駆動用磁石との間の距離が変化するように前記開放磁石および前記回転台を相対移動させる第１の相対移動ユニットをさらに含む、請求項１に記載の基板保持回転装置。
【請求項３】
前記第１の相対移動ユニットは、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる、請求項２に記載の基板保持回転装置。
【請求項４】
前記開放磁石および前記回転台が前記第１の位置にある状態で、前記可動ピンの前記支持部は、前記開放位置と前記保持位置との間の中間位置に配置される、請求項３に記載の基板保持回転装置。
【請求項５】
前記付勢ユニットは、各駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与え、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する閉塞磁石を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
【請求項６】
前記閉塞磁石および前記回転台を、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットをさらに含む、請求項５に記載の基板保持回転装置。
【請求項７】
前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
【請求項８】
前記可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、前記第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、
全ての前記可動ピンに対応して取り付けられた前記駆動用磁石は、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有するように設けられており、
前記複数の前記開放磁石は、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在せず、かつ前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在しないように配置されている、請求項７に記載の基板保持回転装置。
【請求項９】
前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、
前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、
前記複数の開放磁石は、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項８に記載の基板保持回転装置。
【請求項１０】
前記回転台の回転速度および／または前記開放磁石の周方向長さは、１つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
【請求項１１】
前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項５または６に記載の基板保持回転装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、
前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置。
【請求項１３】
前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、
前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記第１の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、
前記制御ユニットは、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを実行する、請求項１２に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置と、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを含む、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法に関する。保持対象または処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに回転可能な回転台と、回転台を前記回転軸線回りに回転させる回転駆動ユニットと、回転台に配設され、基板を回転台表面から所定間隔を隔てて水平に位置決めする複数本（たとえば４本）の保持ピンとを備えた、回転式の基板保持回転装置を開示している。
複数本の保持ピンは、回転台に対して不動の固定ピンと、回転台に対して可動の可動ピンとを含む。可動ピンは、その中心軸線と同軸の回転軸線まわりに回転可能に設けられ、基板の周端縁に当接するための当接部を有している。当接部の回転により、当接部は、回転軸線から離れた遠い開放位置と、回転軸線に近づいた保持位置との間で変位する。当接部の回転軸には、ピン駆動用磁石が結合されている。
【０００３】
可動ピンの開閉の切換えは、回転台の下方に配置された昇降磁石を用いて行われる（磁石切換え方式）。昇降磁石には、磁石昇降ユニットが結合されている。昇降磁石が所定の下位置にあるとき、昇降磁石がピン駆動用磁石に対向しないので、可動ピンには、当該可動ピンをその保持位置へと付勢する外力が働かない。そのため、昇降磁石が下位置にあるとき、可動ピンはその開放位置に保持されることになる。一方、昇降磁石が所定の上位置にあるとき、昇降磁石とピン駆動用磁石との間の磁気吸引力によって可動ピンがその保持位置に保持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−２２９５５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そして、上記の基板保持回転装置は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置に備えられており、基板保持回転装置によって回転させられている基板の上面に、処理液ノズルから処理液（洗浄薬液）が供給される。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の上面の全域および基板の周端面が液処理される。また、基板処理の種類によっては、基板の下面の周縁部をも液処理したい場合もある。
【０００６】
ところが、特許文献１に記載の構成では、液処理の間、複数本（たとえば４本）の保持ピンによって基板を終始接触支持しているため、基板の周端面における保持ピンの複数箇所の当接位置において処理液が回り込まず、基板の周縁部（基板の周端面および基板の下面の周縁部）に洗浄残りが生じるおそれがある。基板を回転させている間に基板の接触支持位置を変化させれば、基板の周縁部を洗浄残りなく洗浄できるが、そのような接触支持位置の変化を実現するためには、基板の処理中において、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開く必要がある。しかしながら、上記特許文献１に記載の磁石切換え方式の基板保持回転装置では、可動ピンの開閉を切り替えるための昇降磁石は非回転に設けられているから、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開くことはできない。仮に、上記特許文献１において回転台の回転中に昇降磁石を下位置に配置して、２つの可動ピンの双方を開状態とすれば、回転状態にある回転台から基板から離脱するおそれがある。
【０００７】
そこで、この発明の一の目的は、基板を良好に支持して回転させることでき、かつ基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置を提供する。
【０００９】
この構成によれば、回転台には複数本の可動ピンが設けられており、各可動ピンは、開放位置と保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有している。各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって保持位置に付勢されている。
また、基板保持回転装置には、開放磁石が非回転状態で設けられている。開放磁石は、回転台の回転に伴って回転している複数本の可動ピンのうち、回転台の回転方向に関して偏って設けられた磁界発生領域を通過する可動ピンに対応する駆動用磁石のみに反発力を生じさせるが、当該磁界発生領域を通過していない可動ピンに対応する駆動用磁石には、反発力または吸引力を与えない。この磁界発生領域は、複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられている。
【００１０】
開放磁石によって反発力または吸引力が与えられる可動ピン（磁界発生領域を通過している可動ピン）には、当該可動ピンの支持部に、当該付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力が生じる。これにより、当該可動ピンの基板の周縁部に対する押圧力を緩めることができる。このとき、可動ピンの支持部に生じる、開放位置に向かわせる力が付勢ユニットからの付勢力を上回る反発力または吸引力を上回ると、基板の周縁部と可動ピンの支持部との間に隙間が形成され、その結果、支持部が基板を支持しないようになる。また、回転台の回転による各可動ピンの位相変化に伴い、磁界発生領域を通過している可動ピンが順次に入れ換わる。これにより、回転台の回転に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。基板の接触支持位置を変化させることが可能である。
【００１１】
一方、開放磁石によって反発力および吸引力が与えられない可動ピン（磁界発生領域を通過していない可動ピン）は、その支持部が開放位置のまま保持される。これにより、当該可動ピンによって基板の周縁部を支持することできる。これにより、基板を良好に支持して回転させることができる。
以上により、基板を良好に支持して回転させることできると共に、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供できる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記開放磁石と前記駆動用磁石との間の距離が変化するように前記開放磁石および前記回転台を相対移動させる第１の相対移動ユニットをさらに含む、請求項１に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、第１の相対移動ユニットによって開放磁石および回転台を相対移動させることにより、開放磁石と駆動用磁石との間の距離を変化させることができる。したがって、開放磁石および回転台を相対移動させることにより、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生する状態と、当該磁界発生領域が発生しない状態とを切り換えることができる。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記第１の相対移動ユニットは、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる、請求項２に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第１の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、開放磁石から反発力または吸引力が与えることができ、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。一方、開放磁石および回転台の相対位置が第２の位置にある状態では、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域が発生しないので、基板の回転中に可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができない。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記開放磁石および前記回転台が前記第１の位置にある状態で、前記可動ピンの前記支持部は、前記開放位置と前記保持位置との間の中間位置に配置される、請求項３に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、開放磁石および回転台の相対位置が第１の位置にある状態では、磁界発生領域を通過している可動ピンに、付勢ユニットによって与えられる付勢力を上回る反発力または吸引力が与えられる。これにより、可動ピンの支持部は、開放位置と保持位置との間の中間位置に配置される。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、前記付勢ユニットは、各駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与え、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する閉塞磁石を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、閉塞磁石によって、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢される。これにより、各可動ピンの支持部を保持位置に付勢する構成を簡単に実現できる。
【００１６】
請求項６に記載の発明は、前記閉塞磁石および前記回転台を、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第３の位置と、前記閉塞磁石が前記駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第４の位置との間で相対移動させる第２の相対移動ユニットをさらに含む、請求項５に記載の基板保持回転装置である。
【００１７】
この構成によれば、閉塞磁石および回転台の相対位置を、第３の位置と第４の位置との間で切り換えることにより、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢されている状態と、各可動ピンの支持部が保持位置に付勢されていない状態とを切り換えることができる。
請求項７に記載の発明は、前記開放磁石は、前記回転台の周方向に間隔を空けて設けられた複数個の開放磁石を含み、各駆動用磁石が通過する領域に形成される前記磁界発生領域は、前記回転台の回転方向に間欠的な領域である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
【００１８】
この構成によれば、磁界発生領域を回転台の回転方向に間欠的な領域とすることができるから、基板の周縁部に設けられる複数本の可動ピンのうち、互いに隣り合わない可動ピンに対して同時に、開放磁石からの反発力または吸引力を及ばさせることができる。これにより、互いに隣り合わない可動ピンを同時に非支持状態とすることができ、換言すれば、残りの可動ピンで基板を支持できるから、幾つかの可動ピンが基板の支持を解除した場合において基板をより一層安定して支持して回転させることできる。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、前記可動ピンは、少なくとも３本の可動ピンを含む第１の可動ピン群と、前記第１の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも３本の可動ピンを含む第２の可動ピン群とを含み、全ての前記可動ピンに対応して取り付けられた前記駆動用磁石は、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、互いに等しい磁極方向を有するように設けられており、前記複数の前記開放磁石は、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在せず、かつ前記第２の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在している状態で、前記第１の可動ピン群に対応する各駆動用磁石が前記磁界発生領域内に存在しないように配置されている、請求項７に記載の基板保持回転装置である。
【００２０】
この構成によれば、各第１の可動ピン群が基板の周縁部を接触支持している場合には、各第２の可動ピン群は、基板の支持に関与していない。また、各第２の可動ピン群が基板の周縁部を接触支持している場合には、各第１の可動ピン群は、基板の支持に関与していない。したがって、回転台の回転による各可動ピンの位相変化に伴い、３本以上の可動ピンを含む第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態と、３本以上の可動ピンを含む第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態との間で遷移される。すなわち、回転台が一周回転する毎に、第１の可動ピン群と第２の可動ピン群との間で複数回基板が持ち換えられる。
【００２１】
請求項９に記載の発明は、前記第１の可動ピン群は、前記第２の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第１および第２の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記複数の開放磁石は、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項８に記載の基板保持回転装置である。
【００２２】
この構成によれば、第１および第２の可動ピン群が回転台の周方向に関し交互に配置されており、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように設けられているので、３つ以上の第１の可動ピン群によって基板が支持されている状態および３つ以上の第２の可動ピン群によって基板が支持されている状態とのそれぞれにおいて、各可動ピン群によって基板を良好に支持できる。
【００２３】
また、複数の開放磁石が、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されているので、複数の開放磁石により形成される磁界発生領域を、各可動ピン群に含まれる可動ピンに対応する駆動用磁石が同時に通過するような形状に設けることができる。
請求項１０に記載の発明は、前記回転台の回転速度および／または前記開放磁石の周方向長さは、１つの前記開放磁石によって形成される前記磁界発生領域が前記回転台の周方向に関し前記可動ピンの周方向の配置間隔と一致するように設けられている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
【００２４】
この構成によれば、１つの開放磁石によって形成される磁界発生領域が回転台の周方向に関し可動ピンの周方向の配置間隔と一致しているので、回転台に設けられる複数本の可動ピンの状態を１つずつ切り換えることができる。
請求項１１に記載の発明は、前記開放磁石によって発生する磁界と前記閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を遮蔽する遮蔽部材をさらに含む、請求項５または６に記載の基板保持回転装置である。
【００２５】
この構成によれば、開放磁石によって発生する磁界と、閉塞磁石によって発生する磁界との干渉を確実に防止できる。
前記の目的を達成するための請求項１２に記載の発明は、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置である。
【００２６】
この構成によれば、処理液供給ユニットから処理液が基板の主面に供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。この発明では、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能である。そのため、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
【００２７】
請求項１３に記載の発明は、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットと、前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニットおよび前記第１の相対移動ユニットを制御する制御ユニットとをさらに含み、前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを実行する、請求項１２に記載の基板処理装置である。
【００２８】
この構成によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第１の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
【００２９】
前記の目的を達成するための請求項１４に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンと、各可動ピンの前記支持部を前記保持位置に付勢する付勢ユニットと、各可動ピンに対応して取り付けられた駆動用磁石と、非回転状態で設けられた開放磁石であって、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な所定の磁界発生領域であって前記回転台の回転方向に関して偏ってかつ複数本の可動ピンのうち一部の可動ピンに対応する駆動用磁石のみしか通過できないように設けられた磁界発生領域を形成し、当該磁界発生領域を通過する前記可動ピンの駆動用磁石に反発力または吸引力を与え、前記付勢ユニットによって前記保持位置に付勢されている当該可動ピンの前記支持部に、前記付勢ユニットによる付勢力に抗って前記開放位置に向わせる力を生じさせる開放磁石とを含む、基板保持回転装置と、前記開放磁石および前記回転台を、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成する第１の位置と、各駆動用磁石が通過する領域に前記磁界発生領域を形成しない第２の位置との間で相対移動させる第１の相対移動ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記開放磁石および前記回転台の相対位置を前記第１の位置に配置する開放磁石配置工程とを含む、基板処理方法である。
【００３０】
この方法によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、開放磁石および回転台の相対位置を、各駆動用磁石が通過する領域に磁界発生領域を形成する第１の位置に配置する。この場合、回転台の回転位相の変化に伴って可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。
【図３】図３は、前記基板処理装置に備えられたスピンチャックのより具体的な構成を説明するための平面図である。
【図４】図４は、図３の構成の底面図である。
【図５】図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。
【図６】図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。
【図７】図７は、スピンチャックに備えられた可動ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。
【図８Ａ−８Ｂ】図８Ａ−８Ｂは、内側昇降永久磁石および外側昇降磁石がともに下位置にある状態、および内側昇降永久磁石が上位置にありかつ外側昇降磁石が下位置にある状態における、各可動ピンの状態を示す模式的な図である。
【図８Ｃ】図８Ｃは、内側昇降永久磁石および外側昇降磁石がともに上位置にある状態における、各可動ピンの状態を示す模式的な図である。
【図９Ａ−９Ｂ】図９Ａ−９Ｂは、回転台が一回転する間における、各可動ピンの状態遷移を示す図である。
【図９Ｃ−９Ｄ】図９Ｃ−９Ｄは、図９Ｂに続く、各可動ピンの開閉の状態を示す図である。
【図９Ｅ−９Ｆ】図９Ｅ−９Ｆは、図９Ｄに続く、各可動ピンの開閉の状態を示す図である。
【図１０】図１０は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図１１】図１１は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。
【図１２Ａ−１２Ｂ】図１２Ａ−１２Ｂは、前記処理液処理の処理例を説明するための図解的な図である。
【図１２Ｃ−１２Ｄ】図１２Ｃ−１２Ｄは、図１２Ｂに続く工程を説明するための図解的な図である。
【図１２Ｅ】図１２Ｅは、図１２Ｄに続く工程を説明するための模式的な図である。
【図１２Ｆ】図１２Ｆは、図１２Ｅに続く工程を説明するための模式的な図である。
【図１２Ｇ】図１２Ｇは、図１２Ｆに続く工程を説明するための模式的な図である。
【図１３Ａ−１３Ｂ】図１３Ａ−１３Ｂは、可動ピンが保持位置にあるとき、および可動ピンが中間位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。
【図１３Ｃ】図１３Ｃは、基板の周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハ（半導体基板）からなる円板状の基板Ｗを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポートＬＰと、基板Ｗの姿勢を上下反転させる反転ユニットＴＵと、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット２とを含む。ロードポートＬＰおよび処理ユニット２は、水平方向に間隔を空けて配置されている。反転ユニットＴＵは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。
【００３３】
基板処理装置１は、図１に示すように、さらに、ロードポートＬＰと反転ユニットＴＵとの間に配置されたインデクサロボットＩＲと、反転ユニットＴＵと処理ユニット２との間に配置されたセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御ユニット３とを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポートＬＰに保持されているキャリアＣから反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、反転ユニットＴＵからロードポートＬＰに保持されているキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットＣＲは、反転ユニットＴＵから処理ユニット２に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理ユニット２から反転ユニットＴＵに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット２の間で基板Ｗを搬送する。
【００３４】
インデクサロボットＩＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ１を備えている。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を水平に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、ハンドＨ１を昇降させ、当該ハンドＨ１を鉛直軸線まわりに回転させる。同様に、センターロボットＣＲは、基板Ｗを水平に支持するハンドＨ２を備えている。センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を水平に移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、ハンドＨ２を昇降させ、当該ハンドＨ２を鉛直軸線まわりに回転させる。
【００３５】
キャリアＣには、デバイス形成面である基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられた状態（上向き姿勢）で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａ（図２等参照）が上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって、基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂ（図２等参照）が上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で反転ユニットＴＵから処理ユニット２に基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、処理ユニット２によって基板Ｗの裏面Ｗｂを処理させる。
【００３６】
基板Ｗの裏面Ｗｂが処理された後は、制御ユニット３は、センターロボットＣＲによって、裏面Ｗｂが上向きの状態で処理ユニット２から反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、反転ユニットＴＵによって基板Ｗを反転させる。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態で反転ユニットＴＵからキャリアＣに基板Ｗを搬送させる。これにより、処理済みの基板ＷがキャリアＣに収容される。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲ等にこの一連動作を繰り返し実行させることにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ処理させる。
【００３７】
図２は、基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の構成例を説明するための図解的な断面図である。図３は、基板処理装置１に備えられたスピンチャック５のより具体的な構成を説明するための平面図である。図４は、図３の構成の底面図である。図５は、図３の切断面線V−Vから見た断面図である。図６は、図５の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。図７は、スピンチャック５に備えられた可動ピン１１０の近傍の構成を拡大して示す断面図である。
【００３８】
図２に示すように、処理ユニット２は、内部空間を有する箱形の処理チャンバー４と、処理チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持回転装置）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（裏面（一方主面）Ｗｂ）に向けて、薬液（処理液）の一例としてのオゾン含有フッ酸溶液（以下、ＦＯＭという）を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）７と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面にリンス液（処理液）としての水を供給するための水供給ユニット（処理液供給ユニット）８と、基板Ｗの上面に接触して当該上面をスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ１０と、洗浄ブラシ１０を駆動するための洗浄ブラシ駆動ユニット１１と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの下面（表面（他方主面）Ｗａ）に保護気体としての不活性ガスを供給するための保護気体供給ユニット１２と、スピンチャック５を取り囲む筒状の処理カップ（図示しない）とを含む。
【００３９】
図２に示すように、処理チャンバー４は、箱状の隔壁（図示しない）と、隔壁の上部から隔壁内（処理チャンバー４内に相当）に清浄空気を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット。図示しない）と、隔壁の下部から処理チャンバー４内の気体を排出する排気装置（図示しない）とを含む。ＦＦＵおよび排気装置により、処理チャンバー４内にダウンフロー（下降流）が形成される。
【００４０】
図２に示すように、スピンチャック５は、鉛直方向に沿う回転軸線Ａ１のまわりに回転可能な回転台１０７を備えている。回転台１０７の回転中心の下面にボス１０９を介して回転軸１０８が結合されている。回転軸１０８は、中空軸であって、鉛直方向に沿って延びており、回転駆動ユニット１０３からの駆動力を受けて、回転軸線Ａ１まわりに回転するように構成されている。回転駆動ユニット１０３は、たとえば、回転軸１０８を駆動軸とする電動モータであってもよい。
【００４１】
図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿ってほぼ等間隔を開けて設けられた複数本（この実施形態では６本）の可動ピン１１０を備えている。各可動ピン１１０は、ほぼ水平な上面を有する回転台１０７から一定の間隔を開けた上方の基板保持高さにおいて、基板Ｗを水平に保持するように構成されている。すなわち、スピンチャック５に備えられる保持ピンは、全て可動ピン１１０である。
【００４２】
回転台１０７は、水平面に沿った円盤状に形成されていて、回転軸１０８に結合されたボス１０９に結合されている。
図３に示すように、各可動ピン１１０は、回転台１０７の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。各可動ピン１１０は、互いに共通の諸元を有している。６本の可動ピン１１０は、互いに隣り合わない３本の可動ピン１１０ごとに一つの群に設定されている。図３では、可動ピン１１０ａ、可動ピン１１０ｃおよび可動ピン１１０ｅの群と、可動ピン１１０ｂ、可動ピン１１０ｄおよび可動ピン１１０ｆとの群が、互いに別の群に設定されている。
【００４３】
換言すると、６本の可動ピン１１０は、第１の可動ピン群１１１（図９Ａ等）に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅ（１１０）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆ（１１０）とを含み、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２（図９Ａ等）に含まれる可動ピン１１０とは、回転台１０７の周方向に関し交互に配置されている。第１の可動ピン群１１１に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。また、第２の可動ピン群１１２に着目すれば、３本の可動ピン１１０は等間隔（１２０°間隔）に配置されている。
【００４４】
各可動ピン１１０は、回転台１０７に結合された下軸部１５１と、下軸部１５１の上端に一体的に形成された上軸部（支持部）１５２とを含み、下軸部１５１および上軸部１５２がそれぞれ円柱形状に形成されている。上軸部１５２は、下軸部１５１の中心軸線から偏心して設けられている。下軸部１５１の上端と上軸部１５２の下端との間をつなぐ表面は、上軸部１５２から下軸部１５１の周面に向かって下降するテーパ面１５３を形成している。
【００４５】
図７に示すように、可動ピン１１０は、下軸部１５１がその中心軸線と同軸の回転軸線Ａ３まわりに回転可能であるように回転台１０７に結合されている。より詳細には、下軸部１５１の下端部には、回転台１０７に対して軸受け１５４を介して支持された支持軸１５５が設けられている。支持軸１５５の下端には、駆動用永久磁石（駆動用磁石）１５６を保持した磁石保持部材１５７が結合されている。駆動用永久磁石１５６は、たとえば、磁極方向を可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向に向けて配置されている。各駆動用永久磁石１５６は、当該駆動用永久磁石１５６に対応する可動ピン１１０に外力が付与されていない状態で、回転軸線Ａ３に直交する方向（回転軸線に沿う軸線に直交する方向）に関し互いに等しい磁極方向を有するように設けられている。
【００４６】
駆動用永久磁石１５６は、閉塞永久磁石（閉塞磁石）１２５からの吸引磁力（弾性押圧部材による弾性押圧力を上回る磁力）を受けたときに、上軸部１５２が回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動するように配置されている。
図２に示すように、回転台１０７の下方には、複数の開放永久磁石（開放磁石）１２７が回転台１０７の周方向に沿って配置されている。具体的には、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなす３つ（各可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピン１１０の数と同数））の開放永久磁石１２７が、互いに共通の高さ位置でかつ回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置されている。３つの開放永久磁石１２７は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。開放永久磁石１２７は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、駆動用永久磁石１５６と略同じ位置か、駆動用永久磁石１５６よりも若干径方向の外方に配置されている（図３および図４では、略同じ位置の場合を示している）。各開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)は、約３０°である。各開放永久磁石１２７の周方向長さ(角度)を約３０°とした理由は、後述するように基板Ｗを液処理速度（たとえば約５００ｒｐｍ）で回転させたときに、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する環状領域に形成される磁界発生領域１２９（図９Ａ等参照）の周方向長さが、約６０°（可動ピン１１０の周方向の配置間隔）と略一致するように設定したものである。
【００４７】
各開放永久磁石１２７の磁極方向は、この実施形態では、上下方向に沿っている。各開放永久磁石１２７の上面は、閉塞永久磁石１２５の上面の磁極と反対の磁極をリング状に有している。閉塞永久磁石１２５の上面がたとえばＳ極である場合には、各開放永久磁石１２７の上面も同極性のＳ極を有している。
開放永久磁石１２７には、当該複数の開放永久磁石１２７を一括して昇降させる外側昇降ユニット（第１の相対移動ユニット）１２８が連結されている。外側昇降ユニット１２８は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、外側昇降ユニット１２８が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、外側昇降ユニット１２８は開放永久磁石１２７を個別に昇降させるようにしてもよい。
【００４８】
開放永久磁石１２７が、その磁極が駆動用永久磁石１５６に対して上下方向に接近する上位置（第１の位置。図１２Ｃ参照）に配置され、かつ開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６とが横方向に対向する状態では、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に磁力が作用する。
図２に示すように、回転台１０７の下方には、閉塞永久磁石（閉塞磁石）１２５が配置されている。閉塞永久磁石１２５には、当該閉塞永久磁石１２５を昇降させる内側昇降ユニット（第２の相対移動ユニット）１２６が連結されている。内側昇降ユニット１２６は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、内側昇降ユニット１２６が、駆動モータを用いて構成されていてもよい。
【００４９】
閉塞永久磁石１２５は、回転軸線Ａ１と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線Ａ１に直交する平面（水平面）に沿って配置されている。閉塞永久磁石１２５は、より具体的には、回転軸線Ａ１に対して、後述する保護ディスク側永久磁石１６０よりも遠く、かつ駆動用永久磁石１５６よりも近い位置に配置されている。つまり、平面視において、円環状の閉塞永久磁石１２５は、保護ディスク側永久磁石１６０と駆動用永久磁石１５６との間に位置している。また、閉塞永久磁石１２５は、保護ディスク側永久磁石１６０よりも低い位置に配置されている。閉塞永久磁石１２５の磁極方向は、この実施形態では、水平方向、すなわち回転台１０７の回転半径方向に沿っている。保護ディスク側永久磁石１６０が下面にＳ極を有する場合には、閉塞永久磁石１２５は、回転半径方向内方に同じ磁極、すなわちＳ極をリング状に有するように構成される。
【００５０】
閉塞永久磁石１２５が、リング状の磁極を駆動用永久磁石１５６に対して水平方向に対向させる上位置（第３の位置。図８Ｂおよび図１２Ｂ参照）に配置された状態では、閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間に働く磁力によって、可動ピン１１０が保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持されることになる。
回転台１０７の下方には、開放永久磁石１２７によって発生する磁界と閉塞永久磁石１２５によって発生する磁界とを遮蔽する遮蔽部材１３０が設けられている。遮蔽部材１３０は、遮蔽部材１３０は、回転台１０７の周方向に間隔を空けて配置された平面視円弧状の３つ（開放永久磁石１２７の個数と同数）の遮弊板１３１を有する。各遮弊板１３１は、回転軸線Ａ１を中心とする円弧状をなしている。３つの遮弊板１３１は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線Ａ１と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各遮弊板１３１は、閉塞永久磁石１２５の内側に配置されている。３つの遮弊板１３１は３つの開放永久磁石１２７に一対一対応で設けられている。互いに対応する一組の遮弊板１３１および開放永久磁石１２７は、回転軸線Ａ１からみて互いに同じ角度方向に配置されている。また、互いに対応する一組の遮弊板１３１および開放永久磁石１２７は、互いに等しい。各遮弊板１３１は、閉塞永久磁石１２５と一体昇降可能に閉塞永久磁石１２５に取り付けられていてもよいし、回転台１０７に対して相対回転不能かつ相対昇降不能に設けられた別の支持部材に取り付けられていてもよい。各遮弊板１３１の上下幅は、開放永久磁石１２７によって発生する磁界と閉塞永久磁石１２５によって発生する磁界とを完全に遮蔽できるような寸法に設定されている。
【００５１】
図７を参照して前述したように、可動ピン１１０は、回転軸線Ａ２から偏心した位置に上軸部１５２を有している。すなわち、上軸部１５２の中心軸線Ｂは回転軸線Ａ２からずれている。したがって、下軸部１５１の回転により、上軸部１５２は、（中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１から離れた遠い開放位置（後述する図８Ａ参照）と、中心軸線Ｂが）回転軸線Ａ１に近づいた保持位置（後述する図８Ｂ参照）との間で変位することになる。可動ピン１１０の上軸部１５２は、ばね等の弾性押圧部材（図示しない）の弾性押圧力によって開放位置へと付勢されている。したがって、駆動用永久磁石１５６が閉塞永久磁石１２５からの吸引磁力を受けないときには、回転軸線Ａ１から離れた開放位置に可動ピン１１０が位置している。
【００５２】
図２に示すように、スピンチャック５は、さらに、回転台１０７の上面と可動ピン１１０による基板保持高さとの間に配置された保護ディスク１１５を備えている。保護ディスク１１５は、回転台１０７に対して上下動可能に結合されており、回転台１０７の上面に近い下位置と、当該下位置よりも上方において可動ピン１１０に保持された基板Ｗの下面に微小間隔を開けて接近した接近位置との間で移動可能である。保護ディスク１１５は、基板Ｗよりも僅かに大径の大きさを有する円盤状の部材であって、可動ピン１１０に対応する位置には当該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１１６が形成されている。
【００５３】
回転軸１０８は、中空軸であって、その内部に、不活性ガス供給管１７０が挿通されている。不活性ガス供給管１７０の下端には不活性ガス供給源からの、保護気体の一例としての不活性ガスを導く不活性ガス供給路１７２が結合されている。不活性ガス供給路１７２に導かれる不活性ガスとして、ＣＤＡ（低湿度の清浄空気）や窒素ガス等の不活性ガスを例示できる。不活性ガス供給路１７２の途中には、不活性ガスバルブ１７３および不活性ガス流量調整バルブ１７４が介装されている。不活性ガスバルブ１７３は、不活性ガス供給路１７２を開閉する。不活性ガスバルブ１７３を開くことによって、不活性ガス供給管１７０へと不活性ガスが送り込まれる。この不活性ガスは、後述する構成によって、保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に供給される。このように、不活性ガス供給管１７０、不活性ガス供給路１７２および不活性ガスバルブ１７３などによって、前述の保護気体供給ユニット１２が構成されている。
【００５４】
保護ディスク１１５は、基板Ｗと同程度の大きさを有するほぼ円盤状の部材である。保護ディスク１１５の周縁部には、可動ピン１１０に対応する位置に、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように切り欠き１１６が形成されている。保護ディスク１１５の中央領域には、ボス１０９に対応した円形の開口が形成されている。
【００５５】
図３および図５に示すように、ボス１０９よりも回転軸線Ａ１から遠い位置には、保護ディスク１１５の下面に、回転軸線Ａ１と平行に鉛直方向に延びたガイド軸１１７が結合されている。ガイド軸１１７は、この実施形態では、保護ディスク１１５の周方向に等間隔を開けた３箇所に配置されている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、１本おきの可動ピン１１０に対応する角度位置に３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。ガイド軸１１７は、回転台１０７の対応箇所に設けられたリニア軸受け１１８と結合されており、このリニア軸受け１１８によって案内されながら、鉛直方向、すなわち回転軸線Ａ１に平行な方向へ移動可能である。したがって、ガイド軸１１７およびリニア軸受け１１８は、保護ディスク１１５を回転軸線Ａ１に平行な上下方向に沿って案内する案内ユニット１１９を構成している。
【００５６】
ガイド軸１１７は、リニア軸受け１１８を貫通しており、その下端に、外向きに突出したフランジ１２０を備えている。フランジ１２０がリニア軸受け１１８の下端に当接することにより、ガイド軸１１７の上方への移動、すなわち保護ディスク１１５の上方への移動が規制される。すなわち、フランジ１２０は、保護ディスク１１５の上方への移動を規制する規制部材である。
【００５７】
ガイド軸１１７よりも回転軸線Ａ１から遠い外方であって、かつ可動ピン１１０よりも回転軸線Ａ１に近い内方の位置には、保護ディスク側永久磁石１６０を保持した磁石保持部材１６１が、保護ディスク１１５の下面に固定されている。保護ディスク側永久磁石１６０は、この実施形態では、磁極方向を上下方向に向けて磁石保持部材１６１に保持されている。たとえば、保護ディスク側永久磁石１６０は、下側にＳ極を有し、上側にＮ極を有するように磁石保持部材１６１に固定されていてもよい。磁石保持部材１６１は、この実施形態では、周方向に等間隔を開けて６箇所に設けられている。より具体的には、回転軸線Ａ１から見て、隣り合う可動ピン１１０の間（この実施形態では中間）に対応する角度位置に、各磁石保持部材１６１が配置されている。さらに、回転軸線Ａ１からみて６個の磁石保持部材１６１によって分割（この実施形態では等分）される６個の角度領域のうち、一つおきの角度領域内（この実施形態では当該角度領域の中央位置）に、３本のガイド軸１１７がそれぞれ配置されている。
【００５８】
図４に示すように、回転台１０７には、６個の磁石保持部材１６１に対応する６箇所に、貫通孔１６２が形成されている。各貫通孔１６２は、対応する磁石保持部材１６１をそれぞれ回転軸線Ａ１と平行な鉛直方向に挿通させることができるように形成されている。保護ディスク１１５が下位置にあるとき、磁石保持部材１６１は貫通孔１６２を挿通して回転台１０７の下面よりも下方に突出しており、保護ディスク側永久磁石１６０は、回転台１０７の下面よりも下方に位置している。
【００５９】
閉塞永久磁石１２５が上位置（図１２Ｂ参照）にあるとき、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力が働き、保護ディスク側永久磁石１６０は、上向きの外力を受ける。それによって、保護ディスク１１５は、保護ディスク側永久磁石１６０を保持している磁石保持部材１６１から上向きの力を受けて、基板Ｗの下面に接近した処理位置に保持される。
【００６０】
閉塞永久磁石１２５が、上位置（図１２Ｂ参照）から下方に離間する下位置（第４の位置。図１２Ｂ等参照）に配置された状態では、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク１１５は、自重によって回転台１０７の上面に近い下位置に保持される。また、閉塞永久磁石１２５が駆動用永久磁石１５６に対向しないので、可動ピン１１０には、当該可動ピン１１０をその保持位置へと付勢する外力が働かない。
【００６１】
そのため、閉塞永久磁石１２５が下位置にあるとき、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近い下位置にあり、可動ピン１１０はその開放位置に保持されることになる。この状態では、スピンチャック５に対して基板Ｗを搬入および搬出するセンターロボットＣＲは、そのハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの下面との間の空間に進入させることができる。
【００６２】
保護ディスク側永久磁石１６０と、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とは、永久磁石１２５，１６０の間の反発力によって保護ディスク１１５を回転台１０７の表面から上方へと浮上させて処理位置へと導く磁気浮上ユニット１４１を構成している。また、駆動用永久磁石１５６と、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とは、永久磁石１２５，１５６の間の磁力によって可動ピン１１０をその保持位置に保持する磁気駆動ユニット１４２を構成している。
【００６３】
すなわち、磁気浮上ユニット１４１および磁気駆動ユニット１４２は、閉塞永久磁石１２５と、内側昇降ユニット１２６とを共有している。そして、閉塞永久磁石１２５が上位置にあるときに、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の磁気反発力によって保護ディスク１１５が接近位置に保持され、かつ閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間の磁気吸引力によって可動ピン１１０がその保持位置に保持される。
【００６４】
図６に拡大して示すように、回転軸１０８の上端に結合されたボス１０９は、不活性ガス供給管１７０の上端部を支持するための軸受けユニット１７５を保持している。軸受けユニット１７５は、ボス１０９に形成された凹所１７６に嵌め込まれて固定されたスペーサ１７７と、スペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間に配置された軸受け１７８と、同じくスペーサ１７７と不活性ガス供給管１７０との間において軸受け１７８よりも上方に設けられた磁性流体軸受け１７９とを備えている。
【００６５】
図５に示すように、ボス１０９は、水平面に沿って外方に突出したフランジ１８１を一体的に有しており、このフランジ１８１に回転台１０７が結合されている。さらに、フランジ１８１には、回転台１０７の内周縁部を挟み込むように前述のスペーサ１７７が固定されていて、このスペーサ１７７に、カバー１８４が結合されている。カバー１８４は、ほぼ円盤状に形成されており、不活性ガス供給管１７０の上端を露出させるための開口を中央に有し、この開口を底面とした凹所１８５がその上面に形成されている。凹所１８５は、水平な底面と、その底面の周縁から外方に向かって斜め上方に立ち上がった倒立円錐面状の傾斜面１８３とを有している。凹所１８５の底面には、整流部材１８６が結合されている。整流部材１８６は、回転軸線Ａ１のまわりに周方向に沿って間隔を開けて離散的に配置された複数個（たとえば４個）の脚部１８７を有し、この脚部１８７によって凹所１８５の底面から間隔をあけて配置された底面１８８を有している。底面１８８の周縁部から、外方に向かって斜め上方へと延びた倒立円錐面からなる傾斜面１８９が形成されている。
【００６６】
図５および図６に示すように、カバー１８４の上面外周縁には外向きにフランジ１８４ａが形成されている。このフランジ１８４ａは、保護ディスク１１５の内周縁に形成された段差部１１５ａと整合するようになっている。すなわち、保護ディスク１１５が基板Ｗの下面に接近した接近位置にあるとき、フランジ１８４ａと段差部１１５ａとが合わさり、カバー１８４の上面と保護ディスク１１５の上面とが同一平面内に位置して、平坦な不活性ガス流路を形成する。
【００６７】
このような構成により、不活性ガス供給管１７０の上端から流出する不活性ガスは、カバー１８４の凹所１８５内において整流部材１８６の底面１８８によって区画された空間に出る。この不活性ガスは、さらに、凹所１８５の傾斜面１８３および整流部材１８６の傾斜面１８９によって区画された放射状の流路１８２を介して、回転軸線Ａ１から離れる放射方向に向かって吹き出されることになる。この不活性ガスは、保護ディスク１１５と可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの下面との間の空間に不活性ガスの気流を形成し、当該空間から基板Ｗの回転半径方向外方へ向かって吹き出す。
【００６８】
図５に示すように、保護ディスク１１５の上面の周縁部および保護ディスク１１５の周端は、円環状のカバー１９１によって保護されている。カバー１９１は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部１９２と、円環板部１９２の周端から垂下する円筒部１９３とを含む。円環板部１９２の外周は、回転台１０７の周端よりも外方に位置している。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部１９２の内周の、可動ピン１１０に対応する位置には、該可動ピン１１０を回避するための切り欠き１９４が形成されている。切り欠き１９４は、可動ピン１１０の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン１１０を縁取るように形成されている。円環板部１９２および円筒部１９３は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。
【００６９】
カバー１９１の円環板部１９２は、可動ピン１１０によって保持された基板Ｗの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部１９０（図１３Ｃ参照）を上面に有している。この絞り部１９０によって、カバー１９１と基板Ｗの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Ｗの上面の処理液（薬液やリンス液）が基板Ｗの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。
【００７０】
図２に示すように、薬液供給ユニット１３は、ＦＯＭ（薬液）を基板Ｗの上面に向けて吐出する薬液ノズル６と、薬液ノズル６が先端部に取り付けられたノズルアーム２１と、ノズルアーム２１を移動させることにより、薬液ノズル６を移動させるノズル移動ユニット２２とを含む。
薬液ノズル６は、たとえば、連続流の状態でＦＯＭを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向にＦＯＭを吐出する垂直姿勢でノズルアーム２１に取り付けられている。ノズルアーム２１は水平方向に延びており、スピンチャック５の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線（図示しない）まわりに旋回可能に設けられている。
【００７１】
薬液供給ユニット１３は、薬液ノズル６にＦＯＭを案内する薬液配管１４と、薬液配管１４を開閉する薬液バルブ１５とを含む。薬液バルブ１５が開かれると、ＦＯＭ供給源からのＦＯＭが、薬液配管１４から薬液ノズル６に供給される。これにより、ＦＯＭが、薬液ノズル６から吐出される。
ノズル移動ユニット２２は、揺動軸線まわりにノズルアーム２１を旋回させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル６を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル６が平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット２２は、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル６から吐出されたＦＯＭが基板Ｗの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル６を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。
【００７２】
なお、薬液ノズル６は、吐出口が基板Ｗの上面の所定位置（たとえば中央部）に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。
図２に示すように、水供給ユニット８は水ノズル４１を含む。水ノズル４１は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック５の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル４１には、水供給源からの水が供給される水配管４２が接続されている。水配管４２の途中部には、水ノズル４１からの水の供給／供給停止を切り換えるための水バルブ４３が介装されている。水バルブ４３が開かれると、水配管４２から水ノズル４１に供給された連続流の水が、水ノズル４１の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ４３が閉じられると、水配管４２から水ノズル４１への水の供給が停止される。水は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）である。ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００７３】
なお、水ノズル４１は、それぞれ、スピンチャック５に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック５の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Ｗの上面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
洗浄ブラシ１０は、たとえばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ１０は、その下面に、平坦状の洗浄面１０ａを有している。洗浄面１０ａが、基板Ｗの上面と接触する接触面として機能する。
【００７４】
洗浄ブラシ駆動ユニット１１は、洗浄ブラシ１０を先端部に保持する揺動アーム４７と、揺動アーム４７を駆動するためのアーム駆動ユニット４８とを含む。アーム駆動ユニット４８は、揺動アーム４７を、鉛直方向に延びる揺動軸線Ａ２回りに揺動させたり、揺動アーム４７を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成により、基板Ｗがスピンチャック５に保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ１０を、基板Ｗの上方の位置と、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置との間で水平に移動させることができる。
【００７５】
さらに、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの上面（裏面Ｗｂ）に押し付け、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で基板Ｗの半径方向に移動(スキャン)させることもできる。
このスクラブ洗浄の際に、水ノズル４１から水（たとえば純水（deionized water：脱
イオン水））が供給されることによって、基板Ｗの裏面Ｗｂの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ１０によって擦り落とされた異物を基板Ｗ外へと排出することができる。
【００７６】
図８Ａ〜８Ｃは、各可動ピン１１０の状態を示す模式的な図である。図８Ａには、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに下位置にある状態を示す。図８Ｂには、閉塞永久磁石１２５が上位置にあり、かつ開放永久磁石１２７が下位置（第２の位置）にある状態を示す。図８Ｃには、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに上位置にある状態を示す。
【００７７】
前述のように、各可動ピン１１０において、弾性押圧部材（図示しない）によって可動ピン１１０が保持位置に付勢されている。そのため、可動ピン１１０に外力が作用していない状態では、弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力を受けて、可動ピン１１０は開放位置へと付勢される。可動ピン１１０が開放位置にある状態では、駆動用永久磁石１５６は、たとえばＮ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＳ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。
【００７８】
図８Ａに示すように、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７がともに下位置にある状態では、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７からの磁力が駆動用永久磁石１５６に作用しない。そのため、可動ピン１１０に外力が作用せず、可動ピン１１０は開放位置に位置している。
図８Ａに示す状態から、閉塞永久磁石１２５を上昇させ、上位置に配置する。閉塞永久磁石１２５の上面が駆動用永久磁石１５６に接近することにより、駆動用永久磁石１５６に吸引磁力が発生し、駆動用永久磁石１５６と閉塞永久磁石１２５との間に吸引力が発生する。閉塞永久磁石１２５が上位置に配置された状態において、駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさは弾性押圧部材による弾性押圧力を上回っており、これにより、上軸部１５２が、回転軸線Ａ１（図２参照）から離反した開放位置から、回転軸線Ａ１に近づいた保持位置へと移動する。これにより、可動ピン１１０が保持位置へと付勢される。この状態では、図８Ｂに示すように、駆動用永久磁石１５６は、たとえばＳ極が回転台１０７の径方向の内方に向き、かつＮ極が回転台１０７の径方向の外方に向くように配置されている。
【００７９】
図８Ｂに示す状態から、開放永久磁石１２７を上昇させ、上位置に配置する。すなわち、図８Ｃに示すように、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７のそれぞれをともに上位置に配置する。開放永久磁石１２７の上面が駆動用永久磁石１５６に接近することにより、駆動用永久磁石１５６に吸引磁力が発生し、駆動用永久磁石１５６と開放永久磁石１２７との間に吸引力が発生する。換言すると、閉塞永久磁石１２５によって保持位置に付勢されている当該可動ピン１１０に、このような付勢力に抗って開放位置に向わせる力が生じる。この実施形態では、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７のそれぞれがともに上位置に配置された状態において、開放永久磁石１２７から駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさ（と弾性押圧部材による弾性押圧力との合力）は、閉塞永久磁石１２５から駆動用永久磁石１５６に働く吸引磁力の大きさを僅かに上回っている。そのため、開放永久磁石１２７を上位置に配置した状態では、可動ピン１１０が開放位置に向けて微小量回動する結果、図８Ｃに示すように、開放位置と保持位置との間に設定された中間位置へと上軸部１５２が移動する。可動ピン１１０が中間位置にあるときは、可動ピン１１０が保持位置にあるときと比較して、上軸部１５２の中心軸線Ｂが、例えばコンマ数ｍｍの範囲で回転軸線Ａ１から離反する方向にある。
【００８０】
図９Ａ〜９Ｆは、回転台１０７に設けられた複数本の可動ピン１１０を示す図である。
開放永久磁石１２７が上位置に配置された状態（図８Ｃに示す状態）で、かつ回転台１０７の回転状態では、回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する環状領域に、回転台１０７の周方向に沿って延びる帯状の３つ（開放永久磁石１２７の個数と同数）の磁界発生領域１２９が間欠的に設けられている（周方向に互いに間隔を空けて配置されている）。各磁界発生領域１２９は、近接している開放永久磁石１２７の磁力によって形成される磁界が存在する領域である。回転台１０７の回転状態では、各磁界発生領域１２９の周方向長さ（角度）が、対応する開放永久磁石１２７の周方向長さ（角度）に比べて長くなる。各磁界発生領域１２９（図９Ａ等参照）の周方向長さ（角度）は、約６０°に設定されている。
【００８１】
回転台１０７の回転に伴って回転する駆動用永久磁石１５６が通過する前記の環状領域には、６０°の周方向長さ（角度）を有する３つの磁界発生領域１２９が等角度間隔に配置されている。この場合、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を同時に通過するか、あるいは第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を同時に通過する。換言すると、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を通過している状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６は磁界発生領域１２９を通過していない。また、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６が磁界発生領域１２９を通過している状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する３つの駆動用永久磁石１５６は磁界発生領域１２９を通過していない。
【００８２】
開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石との間で切り換えられる。すなわち、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。
【００８３】
図９Ａに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅと３つの開放永久磁石１２７とが回転台１０７の周方向に揃っており、そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅに対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が、それぞれ磁界発生領域１２９内に存在している。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅに開放永久磁石１２７からの吸引磁力が発生し、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。一方、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆに対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）は磁界発生領域１２９内に存在しない。そのため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。図９Ａに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒに進んだ状態を図９Ｂに示す。
【００８４】
図９Ｂに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅと３つの開放永久磁石１２７とは回転台１０７の周方向にずれているが、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは、未だ磁界発生領域１２９内に存在している。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置されたままである。一方、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは、対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が磁界発生領域１２９内に存在しないために保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置されたままである。図９Ｂに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｃに示す。
【００８５】
図９Ｃに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが磁界発生領域１２９内に入るため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｃに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｄに示す。
【００８６】
図９Ｄに示す状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆと３つの開放永久磁石１２７とは回転台１０７の周方向に揃っている。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。一方、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは、対応する３つの駆動用永久磁石１５６（図８Ｃ等参照）が磁界発生領域１２９内に存在しないために保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置されたままである。図９Ｄに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｅに示す。
【００８７】
図９Ｅに示す状態では、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが磁界発生領域１２９内に入るため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｅに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｆに示す。
【００８８】
図９Ｆに示す状態では、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅが、それぞれ磁界発生領域１２９外に逸脱する。そのため、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０ａ，１１０ｃ，１１０ｅは保持位置（ｃｌｏｓｅ）に配置される。その代り、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆが磁界発生領域１２９内に入るため、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０ｂ，１１０ｄ，１１０ｆは中間位置（ｏｐｅｎ）に配置される。図９Ｃに示す状態から回転台１０７の回転位相が回転方向Ｄｒにさらに進んだ状態を図９Ｄに示す。
【００８９】
図１０は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。  制御ユニット３は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動ユニット１０３、ノズル移動ユニット２２、アーム駆動ユニット４８、内側昇降ユニット１２６、外側昇降ユニット１２８等の動作を制御する。さらに、制御ユニット３は、薬液バルブ１５、水バルブ４３、不活性ガスバルブ１７３、不活性ガス流量調整バルブ１７４等の開閉動作等を制御する。
【００９０】
図１１は、処理ユニット２によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。図１２Ａ〜１２Ｇは、前記処理の処理例を説明するための図解的な図である。図１３Ａ，１３Ｂは、可動ピン１１０が保持位置にあるとき、および可動ピン１１０が中間位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。図１３Ｃは、基板Ｗの周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。
【００９１】
図１、図２〜図７および図１１を参照しながら説明する。また、図１２Ａ〜１２Ｇおよび図１３Ａ〜１３Ｃについては適宜参照する。
処理ユニット２は、たとえば、アニール装置や成膜装置等の前処理装置で処理された後の基板Ｗ（以下、「未洗浄基板」とい場合がある。）Ｗを処理対象としている。基板Ｗの一例として円形のシリコン基板を挙げることができる。処理ユニット２は、たとえば、基板Ｗにおける表面Ｗａ（他方主面。デバイス形成面）と反対側の裏面Ｗｂ（一方主面。デバイス非形成面）を洗浄する。
【００９２】
未洗浄基板Ｗが収容されたキャリアＣは、前処理装置から基板処理装置１に搬送され、ロードポートＬＰに載置される。キャリアＣには、基板Ｗの表面Ｗａを上に向けた状態で基板Ｗが収容されている。制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲによって、表面Ｗａが上向きの状態でキャリアＣから反転ユニットＴＵに基板Ｗを搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（Ｓ１：基板反転）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、その裏面Ｗｂを上方に向けた状態で処理ユニット２内に搬入させる（ステップＳ２）。
【００９３】
基板Ｗの搬入に先立って、薬液ノズル６は、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、洗浄ブラシ１０も、スピンチャック５の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、閉塞永久磁石１２５および開放永久磁石１２７はともに下位置に配置されており、そのため、駆動用永久磁石１５６が閉塞永久磁石１２５からの吸引磁力、および開放永久磁石１２７からの吸引磁力をそれぞれ受けない。弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力以外に各可動ピン１１０に外力が作用しないため、図８Ａに示すように、各可動ピン１１０は開放位置に位置している。
【００９４】
また、閉塞永久磁石１２５が下位置に配置されており、そのため閉塞永久磁石１２５は回転台１０７から下方に大きく離れているので、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク１１５は回転台１０７の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン１１０による基板保持高さと保護ディスク１１５の上面との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２が入り込むことができる十分な空間が確保されている。
【００９５】
センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の上端よりも高い位置で基板Ｗを保持した状態で当該基板Ｗをスピンチャック５の上方まで搬送する。その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、図１２Ａに示すように、回転台１０７の上面に向かって下降する。次に、制御ユニット３は、内側昇降ユニット１２６を制御して、閉塞永久磁石１２５（内側昇降磁石）を上位置まで上昇させる（開放磁石配置工程。ステップＳ３）。それによって、図８Ｂに示すように各可動ピン１１０が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、６本の可動ピン１１０によって基板Ｗが握持される。基板Ｗは、その表面Ｗａを下方に向け、かつその裏面Ｗｂを上方に向けた状態でスピンチャック５に保持される。
【００９６】
その後、センターロボットＣＲのハンドＨ２は、可動ピン１１０の間を通ってスピンチャック５の側方へと退避していく。
また、閉塞永久磁石１２５が上位置へと上昇する過程で、閉塞永久磁石１２５が保護ディスク側永久磁石１６０に下方から接近して、それらの永久磁石１２５，１６０の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク１１５が回転台１０７の上面から基板Ｗに向かって浮上する。そして、閉塞永久磁石１２５が上位置に達するときまでに、図１２Ｂに示すように、保護ディスク１１５が基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸１１７の下端に形成されたフランジ１２０がリニア軸受け１１８に当接する。これにより、保護ディスク１１５は、前記接近位置に保持されることになる。この状態で、制御ユニット３は不活性ガスバルブ１７３を開き、図１２Ｂに示すように、不活性ガスの供給を開始する（Ｓ４：不活性ガス供給開始）。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出され、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。
【００９７】
その後、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１０３を制御して、回転台１０７の回転を開始し（回転台回転工程）、これによって、図１２Ｃに示すように基板Ｗを回転軸線Ａ１まわりに回転させる（ステップＳ５）。基板Ｗの回転速度は、予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
【００９８】
基板Ｗの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット３は、ＦＯＭを基板Ｗの裏面Ｗｂに供給するＦＯＭ供給工程（処理液供給工程。ステップＳ６）を行う。ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット２２を制御することにより、薬液ノズル６をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの中央部の上方に配置される。薬液ノズル６が基板Ｗの上方に配置された後、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を開くことにより、薬液ノズル６の吐出口からＦＯＭが吐出され、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に供給されたＦＯＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗの裏面Ｗｂを周縁部に向けて放射状に広がる。そのため、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域にＦＯＭが行き渡らせることができる。
【００９９】
ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、ＦＯＭに含まれるオゾンの酸化作用により、シリコン基板である基板Ｗの裏面Ｗｂにシリコン酸化膜が形成される。また、ＦＯＭに含まれるフッ酸の酸化膜エッチング作用により、基板Ｗの裏面Ｗｂに形成されている傷（欠け、凹み等）が除去され、また、基板Ｗの裏面Ｗｂから異物（パーティクル、不純物、当該基板Ｗの裏面Ｗｂの剥れ等）も除去される。
【０１００】
ＦＯＭ供給工程（Ｔ６）において、不活性ガス供給管１７０の上端から吐出された不活性ガスは、整流部材１８６等の働きによって、接近位置にある保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間の狭空間に向かって、回転軸線Ａ１を中心とした放射状に吹き出される。この不活性ガスは、図１３Ｃに示すように、さらに、保護ディスク１１５の周縁部に配置されたカバー１９１の円環板部１９２に形成された絞り部１９０（第１の段部１９０ａおよび第２の段部１９０ｂ）と基板Ｗの周縁部との間に形成されるオリフィスによって加速され、基板Ｗの側方に高速の吹き出し気流を形成する。この実施形態では、保護ディスク１１５を用いた基板Ｗの表面Ｗａ（下面）に対する不活性ガスの供給により、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）への処理液の回り込みを完全に防止するのではなく、基板Ｗの表面Ｗａ（下面）の周縁領域（基板Ｗの周端から１．０ｍｍ程度の微小範囲）のみ処理液をあえて回り込ませ、当該表面Ｗａ（下面）の周縁領域を洗浄している。そして、高速の吹き出し気流を形成することにより、その回り込み量を精度良く制御している。この回り込み量は、基板Ｗの上面への処理液の供給流量、基板Ｗの下面への不活性ガスの供給流量、基板Ｗの回転速度等に依存している。
【０１０１】
また、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、外側昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７をそれまでの下位置から上位置に上昇させ、上位置に保持する。薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出とほぼ同じタイミングで、制御ユニット３は、開放永久磁石１２７を上位置に配置する。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、図１２Ｃ，１２Ｄに示すように、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。これにより、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、基板Ｗの周縁部における可動ピン１１０の接触支持位置を変化させることができる。
【０１０２】
基板Ｗにおける可動ピン１１０の所期の支持位置（周方向の６か所）におけるＦＯＭの回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭは、図１３Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、所期の支持位置（周方向の６か所）において可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。
【０１０３】
一方、可動ピン１１０が中間位置に位置する状態では、図１３Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップ（微小ギャップ）が形成されている。このギャップは、開放永久磁石１２７の上位置の位置（すなわち、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間の間隔）を細かく調整することにより、ギャップを所望の大きさに調整することができる。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。たとえばギャップは、コンマ数ｍｍのオーダー（微小ギャップ）である。この場合、ＦＯＭの毛細管力により、微小ギャップを介してＦＯＭを基板Ｗの周端面および基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。
【０１０４】
ＦＯＭの吐出開始から所定の期間が経過すると、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）が終了する。具体的には、制御ユニット３は、薬液バルブ１５を閉じて、薬液ノズル６からのＦＯＭの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、薬液ノズル６を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル６が基板Ｗの上方から退避させられる。
ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給開始される（Ｓ７；リンス工程。処理液供給工程）。
【０１０５】
具体的には、制御ユニット３は、図１２Ｅに示すように、水バルブ４３を開いて、基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に向けて水ノズル４１から水を吐出させる。水ノズル４１から吐出された水は、ＦＯＭによって覆われている基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液する。基板Ｗの裏面Ｗｂの中央部に着液した水は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの裏面Ｗｂ上を基板Ｗの周縁部に向けて流れ、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域へと広がる。そのため、基板Ｗ上のＦＯＭが、水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに付着したＦＯＭが水に置換される。
【０１０６】
また、リンス工程（Ｓ７）では、開放永久磁石１２７は上位置に保持されている。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、６本の可動ピン１１０のうち、磁界発生領域１２９を同時に通過している３つの駆動用永久磁石１５６に対応する３つの可動ピン１１０が保持位置から中間位置に配置される。そして、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴って、図１２Ｅ，１２Ｆに示すように、中間位置に配置される３つの可動ピン１１０が、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０との間で切り換えられる。これにより、図９Ａ〜図９Ｃに示すように、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、可動ピン１１０による基板Ｗの支持位置を変化させることができる。
【０１０７】
基板Ｗにおける可動ピン１１０の支持位置（周方向の６か所）におけるＦＯＭの回り込みについて検討する。可動ピン１１０が保持位置に位置する状態では、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭは、図１３Ａに示すように、基板Ｗの周端面に接触する上軸部１５２と干渉する。そのため、基板Ｗの上面に供給されたＦＯＭを基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。
【０１０８】
一方、可動ピン１１０が中間位置に位置する状態では、図１３Ｂに示すように、基板Ｗの周端面と所定のギャップ（微小ギャップ）が形成されている。このギャップは、開放永久磁石１２７の上位置の位置（すなわち、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間の間隔）を細かく調整することにより、ギャップを所望の大きさに調整することができる。このギャップを介して基板Ｗの上面に供給された水を基板Ｗの周端面を介して基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。たとえばギャップは、コンマ数ｍｍのオーダー（微小ギャップ）である。この場合、ＦＯＭの毛細管力により、微小ギャップを介してＦＯＭを基板Ｗの周端面および基板Ｗの下面の周縁領域に回り込ませることができる。これにより、基板Ｗの周端面や基板Ｗの下面の周縁領域に付着したＦＯＭを洗い流すことができる。
【０１０９】
水の吐出開始から、所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、図１２Ｆに示すように、洗浄ブラシ１０による基板Ｗの裏面Ｗｂのスクラブ洗浄を実行する（Ｓ８：ブラシ洗浄工程。処理液供給工程）。これにより、基板Ｗの裏面Ｗｂに対して、水を供給しながら洗浄ブラシ１０によるスクラブ洗浄が行われる。具体的には、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、揺動アーム４７を揺動軸線Ａ２周りに揺動させて、洗浄ブラシ１０をホーム位置から基板Ｗの上方へ配置させるとともに、洗浄ブラシ１０を降下させて、洗浄ブラシ１０の洗浄面１０ａを基板Ｗの裏面Ｗｂに押し付ける。そして、制御ユニット３は、図１２Ｇに示すようにアーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０の押付け位置を、基板Ｗの中央部と、基板Ｗの周縁部との間で移動（スキャン）させる。これにより、洗浄ブラシ１０の押付け位置が基板Ｗの裏面Ｗｂの全域を走査し、基板Ｗの裏面Ｗｂの全域が洗浄ブラシ１０によりスクラブされる。ブラシ洗浄工程（Ｓ８）では、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）で剥離された異物が、洗浄ブラシ１０によるスクラブによりにより掻き取られる。そして、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物は、水により洗い流される。これにより、剥離された異物を基板Ｗの裏面Ｗｂから除去できる。
【０１１０】
洗浄ブラシ１０の往動が予め定める回数（たとえば４回）行われた後、制御ユニット３は、アーム駆動ユニット４８を制御して、洗浄ブラシ１０をスピンチャック５の上方からホーム位置に戻す。これにより、ブラシ洗浄工程（Ｓ８）は終了する。また、制御ユニット３は、水バルブ４３を開いたままの状態に維持する。これにより、リンス液である水が基板Ｗの裏面Ｗｂに供給され、洗浄ブラシ１０により掻き取られた異物が基板Ｗ外に排出される（Ｓ９：最終リンス工程。処理液供給工程）。
【０１１１】
水の供給開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、水バルブ４３を閉じて、水ノズル４１からの水の吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、保護液バルブ４５を閉じて、不活性ガス供給管１７０からの不活性ガスの吐出を停止させる。また、制御ユニット３は、外側昇降ユニット１２８を制御して、開放永久磁石１２７を下位置まで下降させる。これ以降は、基板Ｗは６本の可動ピン１１０によって挟持され、これにより基板Ｗが強固に保持される。
【０１１２】
次に、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ１０）が行われる。具体的には、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６）から最終リンス工程（Ｓ９）までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液体が除去され、基板Ｗが乾燥する。
【０１１３】
そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット３は、回転駆動ユニット１７を制御することにより、スピンチャック５による基板Ｗの回転を停止させる（ステップＳ１１）。
そして、制御ユニット３は、内側昇降ユニット１２６を制御することにより、閉塞永久磁石１２５を下方位置へと下降させる（ステップＳ１２）。これにより、閉塞永久磁石１２５と保護ディスク側永久磁石１６０との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク１１５は、回転台１０７の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク１１５の上面と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間には、センターロボットＣＲのハンドＨ２を進入させることができるだけの空間が確保される。一方、閉塞永久磁石１２５が駆動用永久磁石１５６に対向しなくなるので、可動ピン１１０を保持位置へと付勢する外力が失われ、弾性押圧部材（図示しない）からの弾性押圧力を受けて、可動ピン１１０は開放位置へと配置されることになる。これによって、基板Ｗの握持が解除される。
【０１１４】
次に、処理チャンバー４内から基板Ｗが搬出される（ステップＳ１３）。具体的には、制御ユニット３は、全てのノズル等がスピンチャック５の上方から退避している状態で、センターロボットＣＲを制御し、ハンドＨ２を保護ディスク１１５と基板Ｗの表面Ｗａ（下面）との間に確保された空間に進入させる。そして、ハンドＨ２は、可動ピン１１０に保持されている基板Ｗをすくい取り、その後に、スピンチャック５の側方へと退避する。これにより、洗浄処理済みの基板Ｗが処理チャンバー４から搬出される。
【０１１５】
制御ユニット３は、センターロボットＣＲのハンドＨ２によって、洗浄処理済みの基板Ｗを反転ユニットＴＵに搬送させる。そして、制御ユニット３は、搬送されてきた基板Ｗを、反転ユニットＴＵによって反転させる（ステップＳ１４）。これにより、基板Ｗの表面Ｗａが上に向けられる。その後、制御ユニット３は、インデクサロボットＩＲのハンドＨ１によって、反転ユニットＴＵから基板Ｗを取り出し、洗浄処理済みの基板Ｗを、その表面Ｗａを上に向けた状態でキャリアＣに収容する。洗浄処理済みの基板Ｗが収容されたキャリアＣ、基板処理装置１から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。
【０１１６】
以上により、この実施形態によれば、回転台１０７の回転および処理液の供給（図１１のＳ６〜Ｓ９）に並行して、開放永久磁石１２７を上位置に配置する。開放永久磁石１２７が上位置に配置されている状態では、回転台１０７の回転による各可動ピン１１０の位相変化に伴い、第１の可動ピン群１１１に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ａ等参照）と、第２の可動ピン群１１２に含まれる３本の可動ピン１１０によって基板Ｗが支持されている状態（図９Ｃ等参照）との間で遷移される。すなわち、回転台１０７の回転位相の変化に伴って、基板Ｗにおける可動ピン１１０による接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板Ｗの周縁部の全域に処理液（ＦＯＭ、水）を供給することが可能であり、これにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。
【０１１７】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本願発明は他の形態で実施することもできる。
たとえば、回転軸線Ａ３に直交する方向に関し、閉塞永久磁石１２５を内側に、開放永久磁石１２７を外側にそれぞれ配置したが、この配置位置が逆であってもよい。
また、開放永久磁石１２７の磁極方向が上下方向に沿っているとして説明したが、開放永久磁石１２７の磁極方向が、可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向であってもよい。
【０１１８】
また、駆動用永久磁石１５６との間に吸引磁力を発生させるための磁石としての機能と、保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力を発生させるための磁石としての機能を担保させたが、保護ディスク側永久磁石１６０との間に反発磁力を発生させるための磁石を閉塞永久磁石１２５とは別に設け、閉塞永久磁石１２５には、駆動用永久磁石１５６との間に吸引磁力を発生させるための磁石としての機能を担保させるようにしてもよい。
【０１１９】
この場合、閉塞永久磁石１２５の磁極方向が、上下方向でなく可動ピン１１０の回転軸線Ａ３に対して直交する方向であってもよい。
また、前述の実施形態では、磁界発生領域１２９を、３本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石１５６（すなわち３つの駆動用永久磁石１５６）が同時に通過するように設けたが、全部で６つの駆動用永久磁石１５６のうち１本または２本の可動ピン１１０に対応する駆動用永久磁石１５６（すなわち１つまたは２つの駆動用永久磁石１５６）が同時に通過するように設けられていてもよい。この場合、３本の可動ピン１１０からなる第１および第２の可動ピン群１１１，１１２で基板Ｗを持ち換える構成ではなく、６本の可動ピン１１０のうち、１本または２本の可動ピン１１０が同時に中間位置に配置され、このような動作が、６本の可動ピン１１０に関して順次行われる。
【０１２０】
また、開放永久磁石１２７を上位置に配置することにより、可動ピン１１０を保持位置から中間位置に配置するとして説明したが、開放永久磁石１２７を上位置に配置した状態で、可動ピン１１０が保持位置に配置されたままであってもよい。しかしながら、この場合、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間で生じる吸引磁力により、可動ピン１１０（上軸部１５２）の基板Ｗの周端縁に対する押圧力を緩めることはできる。つまり、開放永久磁石１２７を上位置に配置することにより、可動ピン１１０を変位させることはしないが、可動ピン１１０の押圧力（開閉力）を調整することができる。この場合、開放永久磁石１２７の上位置を調整することにより、可動ピン１１０の押圧力（開閉力）をさらに細かく調整することができる。すなわち、ギャップの調整だけでなく、微妙な押圧力（挟持力）の調整を行うことができる。
【０１２１】
また、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる吸引磁力、および閉塞永久磁石１２５と駆動用永久磁石１５６との間に生じる吸引磁力により駆動用永久磁石１５６を駆動させるものとして説明したが、開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる反発磁力および／または開放永久磁石１２７と駆動用永久磁石１５６との間に生じる反発磁力により駆動用永久磁石１５６を駆動させるようにしてもよい。
【０１２２】
また、駆動用永久磁石１５６を保持位置に付勢する付勢ユニットとして閉塞永久磁石１２５を設けたが、閉塞永久磁石１２５に代えて、駆動用永久磁石１５６を保持位置に付勢するばね等の弾性押圧ユニットを設けるようにしてもよい。
また、可動ピン１１０の個数を６個としたが、６個以上とすることもできる。この場合、可動ピン１１０の個数が偶数個であれば、第１の可動ピン群１１１に含まれる可動ピン１１０の個数と、第２の可動ピン群１１２に含まれる可動ピン１１０の個数と互いに同数とすることができ、レイアウトの観点から望ましい。たとえば、可動ピン１１０の個数を８個とする場合、各可動ピン群１１１，１１２に含まれる可動ピンの個数が４つになるが、この場合、開放永久磁石１２７の個数も、可動ピン１１０の個数と同数の４つである。
【０１２３】
たとえば、処理対象面が、基板Ｗの裏面（デバイス非形成面）Ｗｂであるとして説明したが、基板Ｗの表面（デバイス形成面）Ｗａを処理対象面としてもよい。この場合、反転ユニットＴＵを廃止することもできる。
また、一連の処理液処理が、異物の除去に限られず、金属の除去、膜中に埋設された不純物の除去を目的とするものであってもよい。また、一連の処理液処理が、洗浄処理ではなくエッチング処理であってもよい。
【０１２４】
前述の実施形態では、薬液としてＦＯＭを用いたが、基板Ｗに供給される薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、有機溶剤（たとえば、ＩＰＡ：イソプロピルアルコールなど）、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも１つを含む液である。
【０１２５】
基板Ｗに供給される薬液として、より好ましくは、ＤＨＦ（希釈フッ酸）、ＢＨＦ（バファードフッ酸）、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨおよびＨ２Ｏ２を含む液）、ＦＰＭ（ＨＦおよびＨ２Ｏ２を含む液）等を用いることができる。すなわち、ＦＯＭ供給工程（Ｓ６，Ｔ６）に代えて、これらの薬液うちの１つを含む薬液を基板Ｗの処理対象面に供給する薬液供給工程を実行することができ、この薬液供給工程において使用される薬液として、ＤＨＦ、ＢＨＦ、ＳＣ１、ＦＰＭ等を用いることができる。これらの液が薬液として用いられる場合、基板Ｗの処理対象面はベアシリコンである必要はなく、基板Ｗの処理対象面が、酸化膜（たとえばシリコン酸化膜）および／または窒化膜（たとえばシリコン窒化膜）を含んでいてもよい。
【０１２６】
また、前述の説明では、薬液工程（Ｓ７〜Ｓ９）の全期間において、開放永久磁石１２７を上位置に配置するとして説明したが、薬液工程（Ｓ７〜Ｓ９）のうちの一部の期間のみ開放永久磁石１２７を上位置に配置するようにしてもよい。
また、前述の説明では、リンス工程（Ｓ７〜Ｓ９）の全期間において、開放永久磁石１２７を上位置に配置するとして説明したが、リンス工程（Ｓ７〜Ｓ９）のうちの一部の期間のみ、開放永久磁石１２７を上位置に配置するようにしてもよい。
【０１２７】
また、前述の処理液処理からブラシ洗浄工程（Ｓ８）を廃止することもできる。この場合最終リンス工程（Ｓ９）を行う必要性がないから、リンス工程（Ｓ９）を併せて廃止することもできる。
また、処理対象面が、基板Ｗの上面であるとして説明したが、基板Ｗの下面を処理対象面としてもよい。この場合、基板Ｗの下面に処理液を供給するのであるが、基板Ｗの周縁部における基板支持位置において基板Ｗの下面から基板Ｗの上面への回り込みを許容することにより、基板Ｗの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。
【０１２８】
また、基板処理装置１が円板状の半導体基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【０１２９】
１        ：基板処理装置
１０７    ：回転台
１１０    ：可動ピン
１１１    ：第１の可動ピン群
１１２    ：第２の可動ピン群
１２５    ：閉塞永久磁石
１２６    ：内側昇降ユニット
１２７    ：開放永久磁石
１２８    ：外側昇降ユニット
１２９    ：磁界発生領域
１３０    ：遮蔽部材
Ｗ        ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006660628.tif 000008
【図８Ａ−８Ｂ】
0006660628.tif 000009
【図８Ｃ】
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【図９Ａ−９Ｂ】
0006660628.tif 000011
【図９Ｃ−９Ｄ】
0006660628.tif 000012
【図９Ｅ−９Ｆ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ−１２Ｂ】
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【図１２Ｃ−１２Ｄ】
0006660628.tif 000017
【図１２Ｅ】
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【図１２Ｆ】
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【図１２Ｇ】
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【図１３Ａ−１３Ｂ】
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【図１３Ｃ】
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