(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリソグラフィのための投影露光系（３０）のための照明装置（３５）であって、
１．１．共通の集合出力ビーム（７）から複数の個々の出力ビーム（９i）を発生させるための少なくとも１つの出力結合光学ユニット（８）と、
１．２．異なる個々の出力ビーム（９i）内の照明放射線（３）を別々の物体視野（１１）の中に伝達するための少なくとも２つの照明光学ユニット（１５）と、
１．３．前記照明光学ユニット（１５）に案内される前記個々の出力ビーム（９i）のうちの少なくとも１つに影響を及ぼすための少なくとも１つのデバイス（２７）と、
を含み、
１．４．前記デバイス（２７）は、少なくとも１ｋＨｚの調整帯域幅を有し、
１．５．前記デバイス（２７）は、前記個々の出力ビーム（９i）の発散に影響を及ぼすための手段（２８）を有する
ことを特徴とする照明装置（３５）。
【請求項２】
前記デバイス（２７）は、各場合に前記出力結合光学ユニット（８）と前記物体視野（１１）のうちの１つとの間の前記照明放射線（３）のビーム経路に配置されることを特徴とする請求項１に記載の照明装置（３５）。
【請求項３】
前記デバイス（２７）は、前記個々の出力ビーム（９i）によって特定の位相空間体積の中に放出される放射線電力を変更するための手段（２８）を有することを特徴とする請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の照明装置（３５）。
【請求項４】
前記デバイス（２７）は、前記個々の出力ビーム（９i）を変位させるための手段（２８）として少なくとも１つのアクチュエータ変位可能及び／又は変形可能ビーム案内要素（２８）を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の照明装置（３５）。
【請求項５】
前記少なくとも１つのビーム案内要素（２８）は、強度分布（Ｉ*（ｘ，ｙ））に特定の影響をもたらす面プロファイルを有することを特徴とする請求項４に記載の照明装置（３５）。
【請求項６】
前記個々の出力ビーム（９i）を変位させるための前記手段（２８）は、光軸の方向に対して垂直な方向の該個々の出力ビーム（９i）の最大変位機能の該方向の該個々の出力ビーム（９i）の広がりに対する比が少なくとも０．０１であるように具現化されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の照明装置（３５）。
【請求項７】
投影露光系（３０）のための照明系であって、
８．１．請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の少なくとも１つの照明装置（３５）と、
８．２．複数の別々の物体視野（１１）を照明するための照明放射線（３）を発生させるための共通放射線源（２）と、
を含むことを特徴とする照明系。
【請求項８】
前記放射線源（２）は、自由電子レーザ（ＦＥＬ）として又はシンクロトロン放射線源として具現化されることを特徴とする請求項７に記載の照明系。
【請求項９】
マイクロリソグラフィのための投影露光系（３０）であって、
１０．１．請求項７及び請求項８のいずれか１項に記載の照明系と、
１０．２．物体視野（１１）を像視野（２２）の中に結像するための少なくとも２つの投影光学ユニット（１９）と、
を含むことを特徴とする投影露光系（３０）。
【請求項１０】
個別の投影光学ユニット（１９）が、各照明光学ユニット（１５）に割り当てられることを特徴とする請求項９に記載の投影露光系（３０）。
【請求項１１】
少なくとも１つの微細又はナノ構造化構成要素をマイクロリソグラフィ生産する方法であって、
１２．１．請求項９及び請求項１０のいずれか１項に記載の投影露光系（３０）を与える段階と、
１２．２．物体視野（１１）に配置されたレチクル（１２）を像視野に配置されたウェーハ（２４）の上に予め決められた放射線照射量を有する照明放射線（３）で該ウェーハ（２４）を露光する目的で結像する段階と、
を含み、
１２．３．前記ウェーハ（２４）を露光するのに使用される前記放射線照射量を適応化するために、前記物体視野（１１）上に入射する前記照明放射線（３）の強度分布が、照明装置（３５）を用いて制御される、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記放射線照射量を適応化するために、前記レチクル上に入射する前記強度分布（Ｉ*（ｘ，ｙ））は、ビーム案内要素（２８）の変位及び／又は変形によって制御され、変位及び／又は変形に要求される時間が、前記ウェーハ（２４）上の点が走査スロットを通過するのに要求される継続時間よりも短いことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
複数のウェーハ（２４）が、別々のスキャナ（５）内で同時に露光されることを特徴とする請求項１１及び請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、引用によってその内容が本明細書に組み込まれているドイツ特許出願ＤＥ  １０  ２０１４  ２１５  ０８８．４及びＤＥ  １０  ２０１４  ２２２  ８８４．０の優先権を主張するものである。
【０００２】
本発明は、マイクロリソグラフィのための投影露光系のための照明装置に関する。本発明は、更に、そのような照明装置を含む照明系、及びそのような照明系を含むマイクロリソグラフィのための投影露光系に関する。本発明は、これに加えて、微細又はナノ構造化構成要素をマイクロリソグラフィ生成する方法、及びそのような構成要素に関する。
【背景技術】
【０００３】
ウェーハをリソグラフィパターン化する場合に、ウェーハを露光するのに使用する放射線照射量は、極めて重要な役割を演ずる。照射量の変化は、ウェーハ上に印刷される構造の厚み変化に直結する。ウェーハ上の特定の領域を露光するのに使用する照射量は、取りわけ、ウェーハ上に結像される構造を有するレチクルが配置された物体視野領域内の照明放射線の電力に依存する。この電力は、逆に、物体視野を照明するための照明系の構成要素及び特性に依存する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】ＵＳ  ２００７／０１５２１７１  Ａ１
【特許文献２】ＤＥ  １０３  ５８  ２２５  Ｂ３
【特許文献３】ＷＯ  ２００９／１２１４３８  Ａ１
【特許文献４】ＷＯ  ２００９／１００８５６  Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が対処する課題は、複数の照明光学ユニットを含む投影露光系のための照明装置を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この課題は、照明光学ユニットに案内される個々の出力ビームのうちの少なくとも１つに影響を及ぼすための少なくとも１ｋＨｚの調整帯域幅を有するデバイスを含む照明装置によって解決される。
【０００７】
調整帯域幅は、特に１ｋＨｚから５０ｋＨｚの範囲にある。調整帯域幅は、少なくとも２ｋＨｚ、特に少なくとも３ｋＨｚ、特に少なくとも５ｋＨｚ、特に少なくとも１０ｋＨｚとすることができる。調整帯域幅は、好ましくは、５ｋＨｚから２０ｋＨｚの範囲にある。
【０００８】
調整帯域幅は、デバイスの応答時間と緊密にリンクする。デバイスの応答時間は、特に最大でも２ｍｓ、特に最大でも１ｍｓ、特に最大でも０．５ｍｓ、特に最大でも０．３ｍｓ、特に最大でも０．２ｍｓ、特に最大でも０．１ｍｓ、特に最大でも０．０５ｍｓ、特に最大でも０．０３ｍｓ、特に最大でも０．０２ｍｓ、特に最大でも０．０１ｍｓである。
【０００９】
従って、デバイスは、照明光学ユニットに案内される個々の出力ビームに非常に高速に影響を及ぼすことを可能にする。この場合に、個別のこのタイプのデバイスを特に各個々の照明光学ユニットに割り当てることができる。
【００１０】
デバイスは、特に、特定の照明光学ユニットに案内される照明放射線の照射量の非常に高速の制御、特に非常に高速の調整を可能にする。デバイスは、特に、走査スロットを通して案内されるのにウェーハ上の点によって必要とされる時間の範囲でこの放射線照射量の調整を可能にする。従って、デバイスは、特に照射量制御のためなどに機能する。
【００１１】
デバイスは、好ましくは、調整回路の一部とすることができる。調整回路は、照明放射線の強度を検出するためのエネルギセンサを更に含むことができる。エネルギセンサは、照明光学ユニットのビーム経路内、すなわち、物体視野の上流、物体平面の領域内、又は物体平面の背後に配置することができる。エネルギセンサは、特に、像視野の領域内、特にウェーハホルダ上に配置することができる。
【００１２】
デバイスは、特に、照明光学ユニットのうちの１つのものの物体視野上に入射する照明放射線の強度分布（Ｉ*（ｘ，ｙ））を制御するためのデバイスを形成する。
【００１３】
本発明の一態様により、デバイスは、各場合に出力結合光学ユニットと物体視野のうちの１つとの間の照明放射線のビーム経路に配置される。それによって異なるスキャナ内で個々の照射量適応化が可能になる。
【００１４】
本発明の一態様により、デバイスは、個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線のビネット及び／又は吸収に影響を及ぼすための手段を有する。デバイスは、特に、個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線のターゲットを定めた影響のための手段を有する。
【００１５】
本発明により、個々の出力ビーム内の照明放射線を制御かつ高速方式で減衰させることができることが可能であることが認識されている。更に、照射量調整の目的では、個々の出力ビームのうちの１つによって物体視野のうちの１つに案内される照明放射線の合計強度の数パーセントの範囲、特に１０％までの範囲、特に０．０１％から１０％の範囲の影響は、ウェーハでの照射量安定性を確実にするのに十分である可能性があることが認識されている。合計強度の影響機能の振幅は、特に１％から１０％の範囲、特に１％から５％の範囲にある。
【００１６】
本発明の一態様により、デバイスは、予め決められた相互作用領域内の平均ガス密度及び／又はガス流量に影響を及ぼすための手段を有する。デバイスは、特に、個々の出力ビームのうちの１つの照明放射線又はその一部が出力結合光学ユニットから対応する物体視野までの経路上で通過する予め決められた体積領域内の平均ガス密度に影響を及ぼすための手段を有する。
【００１７】
ガス密度を変更することにより、照明放射線のうちのどの程度の分量がガス分子によって吸収されるかを制御することが可能になる。
【００１８】
本発明の一態様により、平均ガス密度に影響を及ぼすために、ガス流量を制御するための起動可能装置及び／又は液体小滴を蒸発させるための起動可能装置が設けられる。液体小滴は、特に小滴発生器を用いて発生させることができる。
【００１９】
デバイスは、特に、相互作用領域内のガス密度の及び／又はガス圧力の又はガス流量のアクチュエータベースの変動のための装置を有することができる。装置は、特に、相互作用領域内のガスの温度を制御するための温度制御ユニットを有することができる。
【００２０】
照明放射線を吸収するのに適切なガス、特に適切な反応ガスは、特に、水素、ヘリウム、塩素、窒素、アルゴン、酸素、フッ素、クリプトン、ネオン、及びキセノンという元素のうちの１又は２以上である。
【００２１】
デバイスは、特に、相互作用領域内のガスの圧力を制御するための制御ユニットを有することができる。このユニットは、特に減圧ユニット及び／又はスロットル式ユニットを含むことができる。
【００２２】
装置は、特に少なくとも１ｋＨｚの切換速度を有する特に切換可能バルブを有することができる。切換速度は、特に最大で１００ｋＨｚとすることができる。
【００２３】
液体小滴の蒸発により、相互作用領域内の平均ガス密度に影響を及ぼすことができる。液体小滴は、小滴発生器を用いて、高周波数、特に少なくとも１ｋｈｚで発生させることができる。小滴発生器の周波数は、特に最大で１００ｋＨｚである。小滴は、周期的に、特に非起動方式で発生させることができる。小滴発生はまた、起動可能方式で制御することができる。
【００２４】
相互作用領域内で小滴を蒸発させるために、特にレーザが設けられる。
【００２５】
特に、小滴は、特に２７３．１５Ｋ及び１０１．３２５ｋＰａでの通常条件下で気体である物質から構成される。特に、小滴には、水素、ヘリウム、塩素、窒素、アルゴン、酸素、フッ素、クリプトン、ネオン、及びキセノンという元素のうちの１又は２以上が適切である。
【００２６】
本発明の一態様により、デバイスは、個々の出力ビームに対して１又は複数のビネット要素を変位させるための手段を有する。この場合に、ビネット要素それ自体又はビネット要素それら自体、及び／又は個々の出力ビームを変位させることが可能である。
【００２７】
本発明の更に別の態様により、ビネット要素は、１又は複数のピンホール絞り、マイクロ要素行列、特にマイクロミラー行列、及び外部力場内で位置合わせ可能な非球面粒子の群から選択される。
【００２８】
これらの代替物の全ては、特定の物体視野に案内される個々の出力ビームのうちの１つのものの照明放射線の合計電力の高速、精密、かつ制御可能な影響、特に減衰を可能にする。
【００２９】
外部力場内で位置合わせ可能な非球面粒子は、特に細長のロッド形状粒子である。これらの粒子は、長い方の辺の長さに対する短い方の辺の長さの比によって定められる最大で１：２、特に最大で１：３、特に最大で１：５、特に最大で１：１０のアスペクト比を有することができる。粒子は、特に磁気性とするか又は磁気モーメントを有することができる。これらの粒子は、特に外部磁場を用いて位置合わせすることができる。
【００３０】
粒子は、特にマイクロメートル範囲の寸法を有する。これらの粒子は、特に、１μｍから１０μｍの範囲、特に１μｍから５μｍの範囲の直径を有することができる。粒子は、特に、５μｍから１００μｍの範囲、特に１０μｍから５０μｍの範囲の長さを有することができる。
【００３１】
本発明の更に別の態様により、デバイスは、個々の出力ビームによって特定の位相空間体積内に放出される放射線電力を変更するための手段を含む。
【００３２】
位相空間体積は、本明細書では、角度発散と照明放射線、特に個々の出力ビームの断面積との積を意味すると理解される。
【００３３】
特定の位相空間体積内に放出される放射線電力を変更することにより、物体視野上に入射する照明放射線の放射線電力に簡単な方式で影響を及ぼすことができる。
【００３４】
本発明の一態様により、デバイスは、投影露光装置の照明光学ユニットの開口区切り要素に対して個々の照明ビームを空間的に変位させるための手段を含む。開口区切り要素は、特に第１のファセットミラー、特に視野ファセットミラーとすることができる。それはまた、絞りとすることができる。
【００３５】
本発明の更に別の態様により、デバイスは、照明放射線が第１のファセットミラーの領域内でその上に入射することができる区域を変更するための手段を含む。デバイスは、特に、個々の出力ビームの発散に影響を及ぼすための手段を含む。
【００３６】
照明装置は、特に、単一共通放射線源によって複数のスキャナに照明放射線が供給される投影露光系に対して有利である。照明装置は、特に、自由電子レーザ（ＦＥＬ）の形態又はシンクロトロン放射線源の形態にある単一共通放射線源によって複数の照明光学ユニットに照明放射線が供給される投影露光系に対して有利である。
【００３７】
本発明による照明装置は、投影露光系の個々のスキャナ、特に各個々のスキャナの放射線電力を特に個々に制御することを特に調整することを可能にする。この照明装置は、特に、各個々のスキャナの入力側放射線電力を個々に制御することを特に調整することを可能にする。入力側で利用可能にされる放射線電力の制御又は調整により、個々のスキャナ内のウェーハの露光のための放射線照射量を個々に制御又は調整することができる。
【００３８】
放射線照射量を調整するために、上述のように、ウェーハ上に入射する放射線電力を検出するためのエネルギセンサを含む調整ループを設けることができる。
【００３９】
照明装置は、特に、照明光学ユニット内に結合される照明放射線、特に照明放射線の放射線電力を制御するためなどに機能することができる。
【００４０】
照明ビームを空間的に変位させるためのそのような手段は、第１のファセットミラー上に入射する照明放射線、従って、物体視野上に入射する照明放射線にターゲットを定めた方式で影響を及ぼすことを可能にする。
【００４１】
個々の照明ビームを空間的に変位させるための手段は、特に、第１のファセットミラーに対して与えられた強度分布を変位させることを可能にする。それによって第１のファセットミラーによって反射される放射線電力に簡単な方式で影響を及ぼすことができる。
【００４２】
第１のファセットミラーに対する個々の照明ビームの空間変位は、特に、個々の照明ビームの照明放射線のうちのどの程度の分量が第１のファセットミラーに入射するか、従って、物体視野の照明に寄与するか、及び個々の照明ビームの照明放射線のうちのどの程度の分量がこのファセットミラー上に入射しないか、従って、物体視野の照明に寄与しないかをターゲットを定めた方式で制御することを可能にする。第１のファセットミラーに対する個々の照明ビームの変位は、特に、個々の照明ビーム内の照明放射線の与えられた強度分布のうちのどの程度の分量が物体視野に結像されるかをターゲットを定めた方式で制御することを可能にする。
【００４３】
第１のファセットミラーに対する個々の照明ビームの変位は、特に、物体視野上に入射する照明放射線の強度分布を制御することを可能にする。この制御には、特に２次元強度分布Ｉ（ｘ，ｙ）が関係し、以下では、ｙ方向は、走査方向と平行に延びると理解される。ｘ方向は、それと垂直に延びる。
【００４４】
個々の出力ビーム（９i）によって特定の位相空間体積内に放出される放射線電力を空間的に変更するための手段、特に個々の照明ビームを変位させるための手段は、中間焦点の上流のビーム経路に、特に、放射線源と、特に出力結合光学ユニットと中間焦点の間のビーム経路に配置することができる。この手段は、実際の照明光学ユニットの特に外側、特に上流に配置することができる。この場合に、既存の照明光学ユニットの簡単な改造が可能である。
【００４５】
それに対する代替物として、照明装置、特に、個々の照明ビームを変位させるための手段は、照明光学ユニットの一部を形成することができる。
【００４６】
特に、個々の照明ビームを変位させるための手段は、中間焦点と、特に実際の照明光学ユニット内にある第１のファセットミラーとの間のビーム経路に配置することができる。
【００４７】
個々の照明ビームを変位させるための手段は、中間焦点内、又はその直近に配置することができる。
【００４８】
本発明の更に別の態様により、スキャナに対して個々の照明ビームを変位させるための手段は、ｙ方向に、すなわち、走査方向と平行に延びる強度分布勾配と平行な方向に個々の照明ビームが変位可能であるように具現化される。
【００４９】
それによって走査方向に対して垂直な方向の物体視野の照明の均一性に影響を及ぼすことなく、物体視野上に入射する放射線強度を制御することが簡単な方式で可能になる。
【００５０】
特に、変位方向と平行な方向に不均一な強度分布を有する個々の照明ビームが特に勾配を有する場合に、そのような変位は、第１のファセットミラー上、特に物体視野上に入射する照明放射線にターゲットを定めた方式で影響を及ぼすことを簡単な方式で可能にする。
【００５１】
個々の照明ビームを変位させるための手段は、純粋な変位、すなわち、強度プロファイルとも呼ぶ強度分布自体の形状が変更されない変位のための手段とすることができる。
【００５２】
個々の照明ビームを変位させるための手段は、変位に加えて、個々の照明ビームの形状変化、すなわち、強度プロファイルの変化をもたらすための手段とすることができる。
【００５３】
本発明の一態様により、照明装置は、既知の集合照明ビームを含む少なくとも１つのビーム束から予め定められた個々の照明ビームを含むビーム束を成形するための手段を更に含む。それによって本発明により、第１のファセットミラーに対して、特に物体視野に対して変位させることが意図される個々の照明ビームを発生させることができる。
【００５４】
ａ及びΔが定数である場合に、Ｉ（ｘ，ｙ）＝Ｉ（ｘ）・ｅｘｐ［ａ（ｙ＋Δ）］である。有利であるように、Ｉ（ｘ）は定数である。
【００５５】
個々の照明ビームは、特に、厳密に単調な進行を有する強度プロファイルを有することができる。個々の照明ビームは、走査方向に直線的進行を有することができる。個々の照明ビームは、有利には、走査方向に指数関数的プロファイルを有する。
【００５６】
指数関数的強度プロファイルを用いて達成することができることは、視野ファセット上で走査方向に隣接する強度の比が個々の照明ビームの変位中に変化しないままに留まることである。
【００５７】
本発明の更に別の態様により、強度分布は、ｘ方向に勾配を持たず、∂／∂ｘ（Ｉ（ｘ，ｙ））＝０である。
【００５８】
それによって物体視野の照明の走査方向に対して垂直な均質性、特に均一性を確実にすることができる。
【００５９】
１つの代替物により、強度分布は、ｙ方向にも勾配を持たず、∂／∂ｙ（Ｉ（ｘ，ｙ））＝０である。
【００６０】
強度分布は、特にいわゆる平頂形プロファイルに対応することができる。
【００６１】
第１のファセットミラーに対して個々の照明ビームを変位させることにより、特に第１のファセットミラーの領域内の平均強度の変更、特に物体視野の領域内の平均強度の変更を達成することが可能である。
【００６２】
本発明の更に別の態様により、個々の照明ビームを変位させるための手段は、アクチュエータ変位可能及び／又は変形可能な少なくとも１つのビーム案内要素を含む。ビーム案内要素は、特にミラーとすることができる。ミラーは、特に単純に接続された反射面を有することができる。照明ビームを変位させるためのミラーの反射面は、特に連続様式で、すなわち、貫通開口部、掩蔽部、又は他の非反射性中断部が不在の方式で具現化される。
【００６３】
ミラーは、特にピボット回転可能である。このミラーは、特に、第１のファセットミラーの反射面と平行に延びるピボット軸の周りにピボット回転可能であり、これに対しては下記でより詳細に説明する。ミラーは、特にｘ方向と平行に延びるピボット軸の周りにピボット回転可能である。これは、特に、ビーム案内要素のピボット回転が、物体視野内で走査方向と平行な方向の強度分布の変位をもたらすことを意味すると理解すべきである。この場合に、第１のファセットミラーに対する照明ビームの変位は、強度分布のうちで第１のファセットミラーによって物体視野に案内される分量が変更されるという効果を有する。
【００６４】
本発明の一態様により、ミラーは、１、２、又は３以上のアクチュエータを用いて変位可能である。アクチュエータは、特に圧電アクチュエータとすることができる。圧電アクチュエータは、ミラーの非常に高速で精密な変位を可能にする。
【００６５】
特に、互いから離れたミラーを変位させるために少なくとも２つの圧電アクチュエータを配置することを可能とすることができる。各アクチュエータは、特に、１ｍｍから３０ｍｍの範囲、特に３ｍｍから２０ｍｍの範囲、特に５ｍｍから１２ｍｍの範囲の距離を有する。アクチュエータは、特にミラーの裏側に配置される。これらのアクチュエータは、ミラーの縁部領域に配置することができる。アクチュエータは、ミラーの中心領域に配置することができる。ミラーは、特にアクチュエータを横方向に超えて突出することができる。
【００６６】
ビーム案内要素は、特に、１０ｍｒａｄまで、特に２０ｍｒａｄまで、特に５０ｍｒａｄまで、特に１００ｍｒａｄまで、特に２００ｍｒａｄまで、特に５００ｍｒａｄまでの角度だけピボット回転可能である。
【００６７】
ミラーは、変形可能様式で具現化することができる。圧電アクチュエータは、ミラーを変形するためなどに機能することができる。
【００６８】
本発明の更に別の態様により、ビーム案内要素は、個々の照明ビームの強度分布の特定の影響をもたらす面プロファイルを有する。
【００６９】
ビーム案内要素は、特に、既知の強度分布を有する照明ビームから予め定められた空間強度分布を有する照明ビームが成形されるという効果を有する面プロファイルを有することができる。
【００７０】
本発明の更に別の態様により、個々の照明ビームを変位させるための手段は、光軸の方向に対して垂直な方向の個々の照明ビームの広がりに対するこの方向の個々の照明ビームの最大変位機能の比が、少なくとも０．０１、特に少なくとも０．０２、特に少なくとも０．０３、特に少なくとも０．０５、特に少なくとも０．１、特に少なくとも０．２、特に少なくとも０．３、特に少なくとも０．５、特に少なくとも０．７、特に少なくとも１であるように具現化される。実際に、個々の照明ビームの好ましい最大変位機能は、個々の照明ビームを変位させるための手段の下流に配置される構成要素の寸法によって与えられる。最大変位機能は、個々の照明ビームの断面の広がりの３倍よりも小さい。
【００７１】
変位方向の個々の照明ビームの広がりに対する個々の照明ビームの最大変位機能の指定される比は、特に、ビーム経路内の与えられた位置、特に第１のファセットミラーが配置される領域、及び／又は物体平面の領域に関連する。
【００７２】
指定した変位方向は、特に走査方向、走査方向と平行な方向、又は走査方向に対応する方向である。
【００７３】
そのような変位範囲は現実的に可能であることが見出されている。更に、この変位範囲は、視野ファセットミラー上の照明の不均一性が過度に大きくなるのを許すことなく可能である。視野ファセットミラー上の照明の相対不均一性は、特に５よりも小さく、特に４よりも小さく、特に３よりも小さい。この場合に、相対不均一性は、ファセットミラーの個々のファセットによって反射される最小放射線電力に対するファセットミラーの当該ファセットによって反射される最高放射線電力の比を指す。
【００７４】
個々の照明ビームの変位によって達成することができる物体視野上に入射する放射線電力の変化は、特に、物体視野の寸法に対する変位範囲の比に依存する。特に走査方向の物体視野の広がりに対する物体平面内に投影される強度分布の動程の比は、特に０．０１から０．５の範囲、特に０．０５から０．３の範囲、特に０．１から０．２の範囲にある。
【００７５】
デバイスは、特に、個々の照明ビームの強度プロファイルを変更するための手段を含む。言い換えれば、デバイスは、照明放射線の強度の再分配を可能にする。この再分配は、特にビーム案内要素の変形によって簡単な方式で達成することができる。この場合に、特に強度分布の均一性が維持される。更に、合計放射線電力が維持される。合計放射線電力は、異なる区域にわたって分配されるだけである。この区域が、走査方向にファセットミラーのうちで物体視野の照明に寄与する領域を超えて突出する場合に、物体視野の照明に関してこの突出分量が失われる。言い換えれば、物体視野上に入射する合計放射線電力の低下が発生する。
【００７６】
特に、照明放射線の一部分がファセットによって物体視野内にもはや結像されないことでファセットミラーの領域内で失われるように強度分布が変更される場合に、すなわち、ファセットミラーが無力にされる場合に、照明放射線が実際にファセットミラーの領域内に入射する区域内にいかなる変化も伴わずにビーム案内要素の変位を実施することができる。この場合に、ファセットミラーは、実際には無力にされていても完全に照明される。この場合に、空間強度分布を変位させるための手段は、ファセットミラーの領域内で照明放射線が全体的に分配される空間領域を決定することによって物体視野上に入射する照明放射線の強度分布を制御することができる。それによってファセットミラーの領域内の強度、特に平均強度、従って、物体視野に伝達される照明放射線の強度を制御することができる。
【００７７】
物体視野内の強度分布の制御は、像視野、特に像視野に配置されたウェーハの面の領域上に入射する放射線照射量のこの強度分布に直接に関連付けられた変更をもたらす。こうして本発明による照明装置は、照射量適応化、特に、ウェーハの露光に対する照射量適応化を簡単な方式で可能にする。
【００７８】
本発明の更に別の態様により、照明装置は、照明放射線を放射線源から照明される物体視野に伝達するための照明光学ユニットを複数個含む。照明装置は、特に少なくとも２つの照明光学ユニットを含む。照明装置は、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、又は１１個以上の照明光学ユニットを含むことができる。照明光学ユニットの最大個数は、物体視野を照明するために供給される放射線電力に対する放射線源によって放出される放射線電力の比によって決定される。
【００７９】
照明光学ユニットは、各場合に少なくとも１つの第１のファセットミラーを含む。
【００８０】
照明光学ユニットは、特に第２のファセットミラーを更に含むことができる。ファセットミラーは、特に視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーとすることができる。しかし、第１のファセットミラーを視野平面又はそれに対して共役な平面から距離を置いて配置し、及び／又は第２のファセットミラーを瞳平面又はそれに対して共役な平面から距離を置いて配置することができる。
【００８１】
本発明が対処する更に別の課題は、投影露光系のための照明系を改善することである。
【００８２】
この課題は、以上の説明による照明装置を少なくとも１つ含み、更に照明放射線を発生させるための放射線源を含む照明系によって解決される。
【００８３】
放射線源は、特にＥＵＶ放射線源とすることができる。放射線源は、特に自由電子レーザ（ＦＥＬ）とすることができる。放射線源は、特にＥＵＶ放射線のためのプラズマ源とすることができる。放射線源は、シンクロトロン放射線源とすることができる。
【００８４】
本発明の更に別の態様により、照明系は、複数の照明光学ユニットを含む。照明系は、特に少なくとも２つ、特に少なくとも３つ、特に少なくとも４つ、特に少なくとも５つの照明光学ユニットを含むことができる。
【００８５】
これらの照明光学ユニットには、単一共通放射線源によって照明放射線を供給することができる。
【００８６】
照明放射線は、これらの照明光学ユニット上に、特に並列作動で入射することができる。
【００８７】
これらの照明光学ユニットは、各場合に個別の投影光学ユニットを有する個別のスキャナの一部とすることができる。
【００８８】
本発明による照明系は、特に、単一放射線源を用いて複数のスキャナを作動させることを可能にし、これが可能である場合に、特に、これらのスキャナの各々内の像視野内にある露光されるウェーハ上の領域上に入射する放射線照射量を互いに独立して制御すること、特に調整することができる。
【００８９】
特に、各個々のスキャナの入力において放射線電力を個々に調整することができる。
【００９０】
本発明の更に別の態様により、照明系は、上記で記述した個々の出力ビームによって特定の位相空間体積内に放出される放射線電力を変更するための手段のうちの少なくとも２つを含む。照明系は、３、４、５、６、又は７以上のこのタイプの手段を含むことができる。照明系は、特に１０個まで、特に２０個までのこのタイプの手段を含むことができる。
【００９１】
本発明が対処する更に別の課題は、マイクロリソグラフィのための投影露光系を改善するというものである。
【００９２】
この課題は、以上の説明による照明系を含み、更に物体視野を像視野に結像するための投影光学ユニットを少なくとも２つ含む投影露光系によって解決される。
【００９３】
本発明の一態様により、投影露光系は、複数の投影光学ユニットを含む。投影露光系は、２、３、４、５、又は６以上の投影光学ユニットを含む。投影光学ユニットの個数は、照明光学ユニットの個数に特に厳密に対応することができる。本発明の一態様により、各照明光学ユニットには、個別の投影光学ユニットが割り当てられる。
【００９４】
投影露光系は、特に、並列に、すなわち、同時に作動させることができる複数のスキャナを含む。この場合に、スキャナの各々は、個々の照射量適応化のための手段を有する。これに代えて、スキャナのうちの正確に１つのものだけが、個々の照射量適応化のための手段を有する。
【００９５】
更に別の利点は、照明系に関して上述したものから明らかである。
【００９６】
本発明が対処する更に別の課題は、少なくとも１つの微細又はナノ構造化構成要素をマイクロリソグラフィ生産する方法を改善するというものである。
【００９７】
この課題は、以上の説明による投影露光系を与える段階と、予め決められた放射線照射量を有する照明放射線でウェーハを露光するために、物体視野に配置されたレチクルを像視野に配置されたウェーハ上に結像する段階とを含み、ウェーハを露光するのに使用される放射線照射量を適応化するために、物体視野上に入射する照明放射線の強度分布が照明装置を用いて制御される方法によって解決される。
【００９８】
本方法の利点は、照明系のものから明らかである。
【００９９】
照明装置を使用することで、特に、ウェーハの露光に使用される放射線照射量を簡単な方式で制御すること、特に調整することが可能である。特に、個々にかつ互いに独立に共通放射線源による照明放射線を供給される複数の個別スキャナにおける放射線照射量を制御すること、特に調整することが可能である。
【０１００】
本発明の一態様により、強度分布を引き離すのに必要とされる時間は、物体視野を通して駆動される物体視野内の点が高々要求される時間よりも短い。この変位は、ウェーハ上の点が走査スロットを通過する時間と比較して特に高速である。変位に必要とされる時間は、特に最大でも１０ｍｓ、特に最大でも５ｍｓ、特に最大でも２ｍｓ、特に最大でも１ｍｓ、特に最大でも０．５ｍｓ、特に最大でも０．３ｍｓ、特に最大でも０．２ｍｓ、特に最大でも０．１ｍｓ、特に最大でも０．０５ｍｓ、特に最大でも０．０３ｍｓ、特に最大でも０．０２ｍｓ、特に最大でも０．０１ｍｓである。この時間は、特にデバイスの高い調整帯域幅によって可能になる。
【０１０１】
本発明の更に別の態様により、照明放射線は、複数のウェーハ上に同時に入射する。特に、別々のスキャナ内で複数のウェーハを同時に露光することが可能になる。
【０１０２】
この場合に、ウェーハの各々の上に入射する放射線照射量は、他のスキャナと独立に個々に制御又は調整することができる。詳細に関しては、以上の説明を参照されたい。
【０１０３】
本発明が対処する更に別の課題は、微細又はナノ構造化構成要素を改善するというものである。
【０１０４】
この課題も、本発明による照明装置の具備によって解決される。利点は、照明装置に関して記述したものから明らかである。
【０１０５】
本発明の更なる詳細及び具体的内容、及び同じく利点は、図面を参照する例示的実施形態の説明から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】ＥＵＶ投影リソグラフィのための投影露光装置の概略図である。
【図２】図１に記載の投影露光装置を複数含む系内のビーム経路からの抜粋の概略図である。
【図３】複数の投影露光装置を含む系内のビーム経路の別の概略図である。
【図４】照明ビームを空間的に変位させるための手段を用いて強度分布を制御するためのデバイスの概略図である。
【図５】投影露光装置内の視野ファセットミラーの領域内の照明放射線の強度分布の概略図である。
【図６】強度プロファイルが視野ファセットミラーに対して変位した状態にある図５に則した図である。
【図７】指数関数的強度プロファイルを有する図５に記載の図である。
【図８】視野ファセットミラーに対して照明ビームを変位させるための更に別のデバイスの概略図である。
【図９】照明ビームを変位させるためのミラーが照明ビームの特定の強度プロファイルを発生させるための特定の面プロファイルを有する代替実施形態の図４に則した図である。
【図１０】平頂形プロファイルを有する図５に則した図である。
【図１１】図１０に則した図であるが、変位してその過程において変更された平頂形プロファイルを有する図である。
【図１２】第１の変形状態にある変形可能ミラーを有する代替物の概略図である。
【図１３】第２の変形状態にあるラーを有する図１２に則した図である。
【図１４】ＥＵＶ個々の出力ビームのビーム経路に最初に２つの凸円柱ミラーを有し、下流の平面ミラーを有し、更に下流の３つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの実施形態を非常に概略的に示す偏向ミラー上への入射平面と平行な断面図である。
【図１５】ＥＵＶビーム経路内で順次隣接する凸円柱ミラー及び３つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図１６】ＥＵＶビーム経路に次々に連続して配置された凸円柱ミラー、平面ミラー、及び２つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図１７】ＥＵＶビーム経路に次々に連続して配置された凸円柱ミラー、平面ミラー、及び３つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図１８】ＥＵＶビーム経路に次々に連続して配置された凸円柱ミラー、下流の２つの凹円柱ミラー、下流の平面ミラー、及び下流の２つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図１９】ＥＵＶビーム経路に次々に連続して配置された凸円柱ミラー、下流の平面ミラー、及び連続して下流にある４つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図２０】ＥＵＶビーム経路に次々に連続して配置された凸円柱ミラー、連続して下流にある２つの平面ミラー、及び連続して下流にある３つの凹円柱ミラーを有する偏向光学ユニットの更に別の実施形態を示す図１４と類似の図である。
【図２１】異なる起動状態のうちの１つにある個々の出力ビームに影響を及ぼすための代替デバイスの概略図である。
【図２２】異なる起動状態のうちの１つにある個々の出力ビームに影響を及ぼすための代替デバイスの概略図である。
【図２３】異なる起動状態のうちの１つにある個々の出力ビームに影響を及ぼすための代替デバイスの概略図である。
【図２４】異なる位置のうちの１つにある個々の出力ビームに影響を及ぼすための更に別の代替物の概略図である。
【図２５】異なる位置のうちの１つにある個々の出力ビームに影響を及ぼすための更に別の代替物の概略図である。
【図２６】個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線の一部分だけに影響を及ぼすためのデバイスの代替配置の概略図である。
【図２７】個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線の一部分に影響を及ぼすための更に別の代替物の概略図である。
【図２８】個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線に影響を及ぼすための更に別の代替物の概略図である。
【図２９】個々の出力ビームのうちの１つにおける照明放射線に影響を及ぼすためのデバイスの更に別の代替物の図である。
【発明を実施するための形態】
【０１０７】
マイクロリソグラフィのための投影露光装置１は、複数の投影露光装置１を含む投影露光系３０の一部である。投影露光装置１は、各場合に照明光学ユニット１５と投影光学ユニット１９を含む。照明光学ユニット１５は、放射線源２から物体視野１１に配置されたレチクル１２に照明放射線３を伝達するためなどに機能する。投影光学ユニット１９は、レチクル１２、特にその上にある構造を像視野２２に配置されたウェーハ２４上に結像するためなどに機能する。
【０１０８】
投影露光系３０の個々の部分は、下位系を形成するように概念上で組み合わせることができる。これらの下位系は、個別の構造的下位系を形成することができる。しかし、下位系への分割は、必ずしも構造的区切りに反映する必要はない。一例として、照明光学ユニット１５と投影光学ユニット１９は、各場合に光学系の一部である。これらのユニットは、特にスキャナ５の一部である。スキャナ５は、更に別の部分を含むことができる。スキャナ５は、特に入力結合光学ユニット１４を含むことができる。スキャナ５は、偏向光学ユニット１３を更に含むことができる。スキャナ５は、特にビーム案内光学ユニット１０全体を含むことができる。スキャナ５は、特に各場合に出力結合光学ユニットの下流のビーム経路内、すなわち、脱結合されたビームのうちの１つのビーム経路に配置された部分を含むことができる。
【０１０９】
放射線源２は、照明放射線３のビーム経路内で放射線源２の下流に配置されたビーム成形光学ユニット６と全く同様にかつ出力結合光学ユニット８と全く同様に、放射線源モジュールの一部である。
【０１１０】
ビーム案内光学ユニット１０は、照明放射線３のビーム経路の順番に、各場合に偏向光学ユニット１３と、特に集束アセンブリ１４の形態にある入力結合光学ユニットと、照明光学ユニット１５とを含む。
【０１１１】
ビーム案内光学ユニット１０は、ビーム成形光学ユニット６及び出力結合光学ユニット８と共に照明装置３５の一部を形成する。
【０１１２】
照明装置３５は、放射線源２と全く同様に照明系の一部である。
【０１１３】
投影露光系３０は、照明系と複数の投影光学ユニット１９とを含む。この場合に、投影光学ユニット１９の個数は、照明光学ユニット１５、特にビーム案内光学ユニット１０の個数に特に厳密に対応する。照明光学ユニット１５と投影光学ユニット１９の間には、特に１：１の割り当てが存在する。
【０１１４】
一部の事例では、投影露光系３０全体を投影露光装置とも呼ぶ。以下では、より明確な概念の線引きの目的で、投影露光装置１は、投影露光系３０のうちで各場合に個々のウェーハ２４の露光のためなどに機能する部分、すなわち、各場合に正確に投影光学ユニット１９の個々のものを含む部分であると理解される。この露光目的のために、複数、特に全ての投影露光装置１は、共通の放射線源モジュール、特に共通の放射線源２を共有する。
【０１１５】
投影露光装置１を含む系は、特に、単一共通放射線源２によって照明放射線３が供給される複数のスキャナ５を含む。
【０１１６】
図１には、投影露光装置１のうちの１つだけを略示している。投影露光装置１は、微細又はナノ構造化構成要素、特に電子半導体構成要素を生成するためなどに機能する。投影露光装置１は、共通の放射線源２を有する。放射線源２は、例えば、２ｎｍと３０ｎｍの間、特に２ｎｍと１５ｎｍの間の波長領域にあるＥＵＶ放射線を放出する。放射線源２は、自由電子レーザ（ＦＥＬ）として具現化される。自由電子レーザは、非常に高い輝度を有するコヒーレント放射線を生成するシンクロトロン放射線源又はシンクロトロン放射線を利用する放射線源である。一例として、そのような放射線源に関しては、ＵＳ  ２００７／０１５２１７１  Ａ１、ＤＥ  １０３  ５８  ２２５  Ｂ３を参照し、かつＷＯ  ２００９／１２１４３８  Ａ１に示されている文献を参照されたい。
【０１１７】
放射線源２は、例えば、１ｋＷから２５ｋＷの範囲の平均電力を有する。放射線源２は、１０ＭＨｚから５０ＭＨｚの範囲のパルス周波数を有する。各個々の放射線パルスは、例えば、８３μＪのエネルギに対応することができる。１００ｆｓの放射線パルス長の場合に、このパルス長は、８３３ＭＷの放射線パルス電力に対応する。
【０１１８】
放射線源２は、キロヘルツ範囲、例えば、１００ｋＨｚ、低メガヘルツ範囲、例えば、３ＭＨｚ、中間メガヘルツ範囲、例えば、３０ＭＨｚ、高メガヘルツ範囲、例えば、３００ＭＨｚ、又は他にギガヘルツ範囲、例えば、１．３ＧＨｚの繰り返し数を有することができる。
【０１１９】
以下では、位置関係の表現を容易にするために、直交ｘｙｚ座標系を使用する。これらの図では、通常はｘ座標がｙ座標と共にＥＵＶ放射線３のビーム断面を張る。従って、通常、ｚ方向は、照明放射線又は結像光線とも呼ぶＥＵＶ放射線３のビーム方向に延びる。
【０１２０】
物体平面１８及び像平面２３それぞれの領域内で、ｙ方向は走査方向と平行に延びる。ｘ方向は、走査方向と垂直に延びる。
【０１２１】
図１には、投影露光装置１のうちの１つの主構成要素を非常に概略的に例示している。
【０１２２】
放射線源２は、照明放射線３をＥＵＶ生ビーム４の形態で放出する。ＥＵＶ生ビーム４は、既知の強度分布Ｉ0（ｘ，ｙ）を有する強度プロファイルを有する。ＥＵＶ生ビーム４は非常に低い発散のみを有する。
【０１２３】
ビーム成形光学ユニット６は、ＥＵＶ生ビーム４からＥＵＶ集合出力ビーム７を発生させるためなどに機能する。この発生を図１には非常に概略的に、図２にはそれよりも幾分詳細に例示している。ＥＵＶ集合出力ビーム７は非常に低い発散を有する。
【０１２４】
ビーム成形光学ユニット６を射出した後に、ＥＵＶ集合出力ビーム７の光線は実質的に平行に進行する。ＥＵＶ集合出力ビーム７の発散は、１０ｍｒａｄよりも小さく、特に１ｍｒａｄよりも小さく、特に１００μｒａｄよりも小さく、特に１０μｒａｄよりも小さいとすることができる。
【０１２５】
ＥＵＶ集合出力ビーム７は、放射線源２が供給されるスキャナの台数Ｎに依存する方式でビーム成形光学ユニット６によって予め定められるアスペクト比を有する。下記でより詳細に説明するように、単一共通放射線源２を用いて複数のスキャナにＥＵＶ放射線３を供給することが可能になる。
【０１２６】
Ｎ＝４である系設計を図２に略示している。図２に略示する代替物の場合に、放射線源２は、４つの投影露光装置にＥＵＶ放射線３を供給する。放射線源２によって照明放射線３が供給されるか又は供給されることになる投影露光装置の台数Ｎは、更に大きいとすることができる。Ｎは、例えば、１０まで、特に２０までとすることができる。
【０１２７】
出力結合光学ユニット８は、ＥＵＶ集合出力ビーム７から複数の、すなわち、Ｎ本のＥＵＶ個々の出力ビーム９i（ｉ＝１からＮまで）を発生させるためなどに機能する。ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、各場合にレチクル１２を照明するためのビームを形成する。これらのビームを個々の照明ビーム又は単に照明ビームとも呼ぶ。
【０１２８】
図１は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iのうちの１つ、すなわち、ＥＵＶ個々の出力ビーム９1の更に別の案内を略示している。出力結合光学ユニット８によって発生され、同じく図１に略示する他方のＥＵＶ個々の出力ビーム９jは、系の他のスキャナ５に供給される。
【０１２９】
図２は、ＥＵＶ集合出力ビーム７からＥＵＶ個々の出力ビーム９iを発生させるための出力結合光学ユニット８の一例を示している。出力結合光学ユニット８は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iに割り当てられた複数の出力結合ミラー３１iを有する。出力結合ミラー３１iは、各場合にＥＵＶ集合出力ビーム７からＥＵＶ個々の出力ビーム９iのうちの１つを脱結合するように機能する。
【０１３０】
出力結合光学ユニット８の出力において、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、各場合に既知の強度分布Ｉi（ｘ，ｙ）を有する。
【０１３１】
図２は、出力結合ミラー３１iによる出力結合中に照明放射線３が９０°だけ偏向されるような出力結合ミラー３１iの配置を示している。１つの有利な代替物により、出力結合ミラー３１iは、各場合に照明放射線３のかすめ入射で作動されるように配置される。出力結合ミラー３１i上への照明放射線３の入射角は、少なくとも７０°、特に少なくとも８０°、特に少なくとも８５°とすることができる。
【０１３２】
出力結合ミラー３１iは、各場合にヒートシンクに熱結合することができる（それ程詳細には例示していない）。
【０１３３】
図２は、合計で４つの出力結合ミラー３１1から３１4を含む出力結合光学ユニット８の１つの変形を示している。異なる個数の出力結合ミラー３１iも可能である。放射線源２によって供給されるスキャナ５の台数に基づいて、２個、３個、４個、５個、６個、７個、８個、９個、１０個、又は１１個以上の出力結合ミラー３１iを設けることができる。通常、出力結合ミラー３１iの個数は２０個よりも少ない。
【０１３４】
出力結合光学ユニット８の下流では、照明放射線３は、ビーム案内光学ユニット１０によってスキャナ５の物体視野１１に案内される。物体視野１１内には、投影される物体としてレチクル１２の形態にあるリソグラフィマスクが配置される。
【０１３５】
照明放射線３のビーム経路内で出力結合光学ユニット８の下流に置かれた偏向光学ユニット１３は、第１にＥＵＶ個々の出力ビーム９iが、各場合に偏向光学ユニット１３の下流で垂直ビーム方向を有するように偏向するように、第２にＥＵＶ個々の出力ビーム９iのｘ：ｙアスペクト比を適応させるためなどに機能する。ＥＵＶ個々の出力ビーム９iのｘ：ｙアスペクト比は、偏向光学ユニット１３を用いて特に１：１のアスペクト比に適応させることができる。他のアスペクト比も同様に達成することができる。特に、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、それが視野ファセット１６ａのｘ：ｙアスペクト比を有するように、及び／又は物体視野１１のものに対応するｘ：ｙアスペクト比、特に例えば、１３：１のアスペクト比を有するように各場合に適応させることができる。
【０１３６】
出力結合光学ユニット８の下流においてＥＵＶ個々の出力ビーム９iの垂直ビーム経路が既に存在する１つの変形では、偏向光学ユニット１３の偏向効果を省くことができる。この場合に、偏向光学ユニット１３は、主としてＥＵＶ個々の出力ビーム９iのｘ：ｙアスペクト比を適応させるためなどに機能する。
【０１３７】
１つの変形により、偏向光学ユニット１３を全面的に省くことができる。
【０１３８】
偏向光学ユニット１３の下流において、ＥＵＶ個々の出力ビーム９は、適切な場合は集束アセンブリ１４を通った後に、これらのビームが、照明光学ユニットの効率的な折り返しを可能にする角度で照明光学ユニット１５内に入射するように進行することができる。偏向光学ユニット１３の下流において、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、垂直に対して０°から１０°までの角度、垂直に対して１０°から２０°までの角度、又は垂直に対して０°から３０°までの角度で進行することができる。
【０１３９】
偏向光学ユニット１３に対する異なる変形を図１４から図２０を参照して下記で説明する。この場合に、照明光第３を単一光線として略示し、すなわち、ビーム表現を省略する。
【０１４０】
偏向光学ユニットを通った後のＥＵＶ個々の出力ビーム９iの発散は、１０ｍｒａｄよりも小さく、特に１ｍｒａｄよりも小さく、特に１００μｒａｄよりも小さく、すなわち、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iの光線から構成されるビーム内の２つの任意の光線の間の角度は、２０ｍｒａｄよりも小さく、特に２ｍｒａｄよりも小さく、特に２００μｒａｄよりも小さい。この発散は、下記で説明する変形で満足される。
【０１４１】
図１４に記載の偏向光学ユニット１３は、脱結合されたＥＵＶ個々の出力ビーム９を全体的に約７５°の偏向角だけ偏向する。従って、ＥＵＶ個々の出力ビーム９は、図１４に記載の偏向光学ユニット１３上に水平に対して約１５°の角度で入射し、偏向光学ユニット１３を図１４のｘ軸と平行なビーム方向に射出する。偏向光学ユニット１３は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iに対して約５５％の全体伝達率を有する。
【０１４２】
図１４に記載の偏向光学ユニット１３は、照明光３のビーム経路における入射順に連続して番号を振られた合計で６つの偏向ミラーＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、及びＤ６を有する。偏向ミラーＤ１〜Ｄ６の反射面を通る断面のみを各場合に略示しており、それぞれの反射面の曲率を有意な誇張形式で例示している。図１４に記載の偏向光学ユニット１３のミラーＤ１〜Ｄ６の全てが、ｘｚ平面と平行なカラム偏向平面内のかすめ入射で照明光３による入射を受ける。
【０１４３】
ミラーＤ１及びＤ２は、ｙ軸と平行な円柱軸を有する凸円柱ミラーとして具現化される。ミラーＤ３は平面ミラーとして具現化される。ミラーＤ４〜Ｄ６は、ここでもまた、ｙ軸と平行な円柱軸を有する凹円柱ミラーとして具現化される。
【０１４４】
凸円柱ミラーをドーム形ミラーとも呼ぶ。凹円柱ミラーを皿形ミラーとも呼ぶ。
【０１４５】
ミラーＤ１〜Ｄ６の組合せビーム成形効果は、ｘ／ｙアスペクト比が値
0006678159.tif 000002
から値１：１までに適応されるようなものである。従って、この比では、ｘ座標軸において断面は
0006678159.tif 000003
倍だけ延伸される。
【０１４６】
偏向ミラーＤ１〜Ｄ６のうちの少なくとも１つ、すなわち、偏向ミラーの選択肢、又は他に偏向ミラーＤ１〜Ｄ６の全ては、割り当てられたアクチュエータ４０を用いてｘ方向及び／又はｚ方向に変位可能なものとして具現化することができる。その結果、偏向光学ユニット１３の第１に偏向効果の適応化及び第２にアスペクト比適応効果の適応化を達成することができる。これに代えて又はこれに加えて、偏向ミラーＤ１〜Ｄ６のうちの少なくとも１つは、その曲率半径に関して適応可能であるミラーとして具現化することができる。この目的のために、それぞれのミラーＤ１〜Ｄ６は、互いに対してアクチュエータ変位可能な複数の個々のミラーから構成することができ、これは図面に例示していない。
【０１４７】
投影露光装置１を含む系の様々な光学アセンブリは、適応的に具現化することができる。従って、光源２によって投影露光装置１のうちの何台にＥＵＶ個々の出力ビーム９iを供給するように意図するかは、それぞれの偏向光学ユニット１３を通った後のそれぞれのＥＵＶ個々の出力ビーム９iの場合にどのエネルギ比及びどのビーム幾何学形状が存在するように意図するかと共に一元的に予め定めることができる。予め定められた値に基づいて、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、強度に関して、更に望ましいｘ／ｙアスペクト比に関して異なる場合がある。特に、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iのエネルギ比を出力結合ミラー３１iの適応的設定値によって変更すること、及び偏向光学ユニット１３を通った後のＥＵＶ個々の出力ビーム９iのサイズ及びアスペクト比を偏向光学ユニット１３の適応的設定値によって変わらないままに保つことが可能である。
【０１４８】
下記では、図１５から図２０を参照して、Ｎ台の投影露光装置１を含む系内で図１４に記載の偏向光学ユニット１３の代わりに使用することができる偏向光学ユニットの更に別の実施形態の説明を提供する。図１から図１４、特に図１４を参照して上述した構成要素及び機能は同じ参照符号を伴い、これらにつて再度詳細に解説することはしない。
【０１４９】
図１５に記載の偏向光学ユニット１３は、照明光３のビーム経路に合計で４つのミラーＤ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４を有する。ミラーＤ１は、凸円柱レンズとして具現化される。ミラーＤ２〜Ｄ４は、凹円柱レンズとして具現化される。
【０１５０】
より詳細な光学データは、以下の表から集めることができる。この場合に、最初の列は、それぞれのミラーＤ１〜Ｄ４の曲率半径を表しており、第２の列は、それぞれのミラーＤ１〜Ｄ３からそれぞれの下流のミラーＤ２〜Ｄ４までの距離を表している。この距離は、対応する反射間のＥＵＶ個々の出力ビーム９i内のの中心光線によって網羅される距離に関連する。この表及びその後の表に用いている単位は、別途記載しない限り各場合にｍｍである。この場合に、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、偏向光学ユニット１３内に１０ｍｍの半直径ｄin／２を用いて入射する。
【０１５１】
（表）
0006678159.tif 000004
図１５に関する表
【０１５２】
図５に記載の偏向光学ユニット１３は、ｘ／ｙアスペクト比を３倍だけ拡大する。
【０１５３】
図１６は、同じく４つのミラーＤ１〜Ｄ４を含む偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態を示している。ミラーＤ１は、凸円柱ミラーである。ミラーＤ２は平面ミラーである。ミラーＤ３とＤ４とは、等しい曲率半径を有する２つの円柱ミラーである。
【０１５４】
より正確なデータは、レイアウトに関して図１５に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
【０１５５】
（表）
0006678159.tif 000005
図１６に関する表
【０１５６】
図１６に記載の偏向光学ユニット１３は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９のｘ／ｙアスペクト比を２倍だけ拡大する。
【０１５７】
図１７は、５つのミラーＤ１〜Ｄ５を含む偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態を示している。最初のミラーＤ１は、凸円柱ミラーである。第２のミラーＤ２は平面ミラーである。更に別のミラーＤ３〜Ｄ５は３つの凹円柱ミラーである。
【０１５８】
より正確なデータは、レイアウトに関して図１５及び図１６に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
【０１５９】
（表）
0006678159.tif 000006
図１７に関する表
【０１６０】
図１７に記載の偏向光学ユニット１３は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９のｘ／ｙアスペクト比を５倍だけ拡大する。
【０１６１】
偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態は、以下の表に示す曲率半径及びミラー距離だけにおいて図１７に記載の実施形態と異なる。
【０１６２】
（表）
0006678159.tif 000007
表．「図１７に関する代替設計」
【０１６３】
図１７に記載の第１の実施形態とは対照的に、この代替設計は、ｘ／ｙアスペクト比に対して４倍の拡大率を有する。
【０１６４】
偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態は、以下の表に示す曲率半径及びミラー距離において図１７に記載の実施形態と異なる。
【０１６５】
（表）
0006678159.tif 000008
表．図１７に関する「更に別の代替設計」
【０１６６】
上記で記述した実施形態とは対照的に、この更に別の代替設計は、ｘ／ｙアスペクト比に対して３倍の拡大率を有する。最後の２つのミラーＤ４及びＤ５の曲率半径は等しい。
【０１６７】
図１８は、６つのミラーＤ１〜Ｄ６を含む偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態を示している。最初のミラーＤ１は、凸円柱ミラーである。次の２つの偏向ミラーＤ２、Ｄ３は、各場合に等しい曲率半径を有する凹円柱ミラーである。次偏向ミラーＤ４は平面ミラーである。偏向光学ユニット１３の最後の２つの偏向ミラーＤ５、Ｄ６は、ここでもまた、等しい曲率半径を有する凹円柱ミラーである。
【０１６８】
より正確なデータは、レイアウトに関して図１７に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
【０１６９】
（表）
0006678159.tif 000009
図１８に関する表
【０１７０】
図１８に記載の偏向光学ユニット１３は、ｘ／ｙアスペクト比に対して５倍の拡大率を有する。
【０１７１】
図１９は、６つのミラーＤ１〜Ｄ６を含む偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態を示している。偏向光学ユニット１３の最初のミラーＤ１は、凸円柱ミラーである。下流の第２の偏向ミラーＤ２は平面ミラーである。下流の偏向ミラーＤ３〜Ｄ６は、各場合に凹円柱ミラーである。一方でミラーＤ３〜Ｄ４の曲率半径と、他方でミラーＤ５及びＤ６の曲率半径とは等しい。
【０１７２】
より正確なデータは、レイアウトに関して図１８に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
【０１７３】
（表）
0006678159.tif 000010
図１９に関する表
【０１７４】
図１９に記載の偏向光学ユニット１３は、ｘ／ｙアスペクト比に対して５倍の拡大率を有する。
【０１７５】
図１９に関する代替設計では、凸／平面／凹／凹／凹／凹というミラー順序は、偏向光学ユニット１３の上記で記述した実施形態と正確に同じである。図１９に記載のこの代替設計は、以下の表で示すように、特定の曲率半径及びミラー距離において異なる。
【０１７６】
（表）
0006678159.tif 000011
表．「図１９に関する代替設計」
【０１７７】
図１９に関するこの代替設計は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９のｘ／ｙアスペクト比に対する４倍の拡大率を有する。
【０１７８】
図２０は、６つのミラーＤ１〜Ｄ６を含む偏向光学ユニット１３の更に別の実施形態を示している。偏向光学ユニット１３の最初の偏向ミラーＤ１は、凸円柱ミラーである。２つの下流の偏向ミラーＤ２及びＤ３は平面ミラーである。偏向光学ユニット１３の下流の偏向ミラーＤ４〜Ｄ６は、凹円柱ミラーである。最後の２つの偏向ミラーＤ５及びＤ６の曲率半径は等しい。
【０１７９】
より正確なデータは、レイアウトに関して図１９に関する表に対応する以下の表から集めることができる。
【０１８０】
（表）
0006678159.tif 000012
図２０に関する表
【０１８１】
図２０に記載の偏向光学ユニット１３は、ｘ／ｙアスペクト比に対して５倍の拡大率を有する。
【０１８２】
更に別の変形（例示していない）では、偏向光学ユニットは８つのミラーＤ１〜Ｄ８を有する。ＥＵＶ個々の出力ビーム９のビーム経路内で先頭にある２つの偏向ミラーＤ１及びＤ２は、凹円柱ミラーである。４つの下流の偏向ミラーＤ３〜Ｄ６は、凸円柱ミラーである。この偏向光学ユニットの最後の２つの偏向ミラーＤ７及びＤ８は、この場合にも凹円柱ミラーである。
【０１８３】
これらのミラーＤ１〜Ｄ８は、図１４のミラーＤ１と同のような方式でアクチュエータ４０に接続され、このアクチュエータを用いて、隣接するミラーＤ１〜Ｄ８の間の距離を予め定めることができる。
【０１８４】
以下の表は、８つのミラーＤ１〜Ｄ８を含むこの偏向光学ユニット１３の設計を示しており、曲率半径に加えて、射出するＥＵＶ個々の出力ビーム９iの異なる半直径ｄout／２に対するミラー距離も示している。この場合に、ＥＵＶ個々の出力ビーム９は、図示の距離値に基づいて、偏向されたＥＵＶ個々の出力ビーム９iのｘ／ｙアスペクト比に対して４．０倍、４．５倍、及び５．０倍の拡大率が提供されるように、８つのミラーＤ１〜Ｄ８を含む偏向光学ユニット内に１０ｍｍの半直径ｄin／２を用いて入射する。
【０１８５】
（表）
0006678159.tif 000013
【０１８６】
偏向光学ユニットの更に別の実施形態（同じく例示していない）では、４つのミラーＤ１〜Ｄ４が存在する。ＥＵＶ個々の出力ビーム９iのビーム経路内で最初のミラーＤ１及び第３のミラーＤ３は、凸円柱レンズとして具現化され、２つの更に別のミラーＤ２及びＤ４は、凹円柱レンズとして具現化される。更に、以下の表は、曲率半径に加えて、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iの１０ｍｍの入力半直径ｄin／２に対して計算された距離値、すなわち、４つのミラーＤ１〜Ｄ４を含むこの偏向群を通過するときにｘ／ｙアスペクト比に対して１．５（半直径ｄout／２  １５ｍｍ）、１．７５（半直径ｄout／２  １７．５ｍｍ）、及び２．０（半直径ｄout／２  ２０ｍｍ）の拡大率をもたらす距離値を示している。
【０１８７】
（表）
0006678159.tif 000014
【０１８８】
偏向光学ユニット１３は、平行な入射光が偏向光学ユニットを再度平行に射出するように設計することができる。偏向光学ユニット１３に平行入射で入射するＥＵＶ個々の出力ビーム９iの偏向光学ユニットを射出した後の光線方向の偏差は、１０ｍｒａｄよりも小さく、特に１ｍｒａｄよりも小さく、特に１００μｒａｄよりも小さいとすることができる。
【０１８９】
偏向光学ユニット１３のミラーＤｉはまた、屈折力を持たないように、すなわち、平面方式で具現化することができる。これは、特に、Ｎが、光源２によって供給される投影露光装置１の台数である時に、ＥＵＶ集合出力ビーム７のｘ／ｙアスペクト比がＮ：１のアスペクト比を有する場合に可能である。このアスペクト比に、望ましいアスペクト比を乗じることができる。
【０１９０】
屈折力を持たないミラーＤｉから構成される偏向光学ユニット１３は、３個から１０個のミラー、特に４個から８個のミラー、特に４個又は５個のミラーで構成することができる。
【０１９１】
光源２は、直線偏光光を放出することができ、偏向光学ユニット１３のミラー上に入射するときの照明光３の偏光方向、すなわち、電界強度ベクトルの方向は、入射平面に対して垂直とすることができる。屈折力を持たないミラーＤｉから構成される偏向光学ユニット１３は、３つよりも少ないミラー、特に１つのミラーで構成することができる。
【０１９２】
ビーム案内光学ユニット１０内では、集束アセンブリ１４は、それぞれのＥＵＶ個々の出力ビーム９iのビーム経路内で偏向光学ユニット１３の下流に配置される。集束アセンブリ１４を入力結合光学ユニットとも呼ぶ。集束アセンブリ１４は、それぞれのＥＵＶ個々の出力ビーム９iを中間焦点面３４内の中間焦点３３内に伝達するためなどに機能する。
【０１９３】
中間焦点３３は、スキャナ５のハウジングの貫通開口部の領域に配置することができる。
【０１９４】
偏向光学ユニット１３及び／又は集束アセンブリ１４を用いて、それぞれのＥＵＶ個々の出力ビーム９iは、各場合にそれが予め定められた発散、特に予め定められた空間強度分布Ｉ*（ｘ，ｙ）を有するように成形することができる。強度分布Ｉ*（ｘ，ｙ）は、特に、第１のファセットミラー１６の領域内の照明放射線の強度分布である。
【０１９５】
言い換えれば、偏向光学ユニット１３及び／又は集束アセンブリ１４は、既知の強度分布Ｉ0（ｘ，ｙ）を有するビームから予め定められた空間強度分布Ｉ*（ｘ，ｙ）を有するビームを成形するための手段を形成する。
【０１９６】
照明光学ユニット１５は、各場合に従来技術で公知のものに対応する機能を有する第１のファセットミラー１６及び第２のファセットミラー１７を含む。第１のファセットミラー１６は、特に視野ファセットミラーとすることができる。第２のファセットミラー１７は、特に瞳ファセットミラーとすることができる。しかし、第２のファセットミラー１７は、照明光学ユニット１５の瞳平面から距離を置いて配置することができる。この一般的な場合を鏡面反射器とも呼ぶ。
【０１９７】
ファセットミラー１６、１７は、各場合に複数のファセット１６ａ、１７ａを含む。投影露光装置１の作動中に、第１のファセット１６ａの各々は、第２のファセット１７ａのうちの１つにそれぞれ割り当てられる。互いに割り当てられたファセット１６ａ、１７ａは、各場合に物体視野１１を特定の照明角度で照明するための照明放射線３の照明チャネルを形成する。
【０１９８】
第１のファセット１６ａへの第２のファセット１７ａのチャネル毎の割り当ては、投影露光装置１による望ましい照明、特に予め定められた照明設定に依存する方式で実施される。第１のファセットミラー１６のファセット１６ａは、各場合に変位可能、特に傾斜可能なものとして、特に２つの傾斜自由度を有するように具現化することができる。第１のファセットミラー１６のファセット１６ａは、仮想ファセット１６ａとして具現化することができる。仮想ファセット１６ａは、これらのファセットが複数の個々のミラー、特に複数のマイクロミラーの可変グループ分けによって形成されると理解される。詳細に関しては、引用によって本出願にその一部として組み込まれているＷＯ  ２００９／１００８５６  Ａ１を参照されたい。
【０１９９】
第２のファセットミラー１７のファセット１７ａは、相応に仮想ファセット１７ａとして具現化することができる。これらのファセット１７ａも、相応に変位可能、特に傾斜可能なものとして具現化することができる。
【０２００】
第２のファセットミラー１７を用いて、適切な場合は、例えば、３つのＥＵＶミラーを含む下流の伝達光学ユニット（図には例示していない）を用いて、第１のファセット１６ａが、レチクル平面又は物体平面１８の物体視野１１に結像される。
【０２０１】
個々の照明チャネルは、特定の照明角度での物体視野１１の照明をもたらす。従って、照明チャネルの全体は、照明光学ユニット１５による物体視野１１の照明の照明角度分布をもたらす。照明角度分布を照明設定とも呼ぶ。
【０２０２】
特に投影光学ユニット１９の入射瞳の適切な位置が与えられた照明光学ユニット１５の更に別の実施形態において、物体視野１１の上流の伝達光学ユニットのミラーを省くことができ、それによって使用放射線ビームに対する投影露光装置１の伝達率の対応する増大が引き起こされる。
【０２０３】
照明放射線３に対して反射性を有する構造を有するレチクル１２は、物体視野１１の領域内の物体平面１８に配置される。レチクル１２は、レチクルホルダ２０によって担持される。レチクルホルダ２０は、変位装置２１を用いた駆動方式で変位可能である。
【０２０４】
投影光学ユニット１９は、物体視野１１を像平面２３の像視野２２に結像する。ウェーハ２４は、投影露光中にこの像平面２３に配置される。ウェーハ２４は、投影露光中に投影露光装置１によって露光される感光コーティングを有する。ウェーハ２４は、ウェーハホルダ２５によって担持される。ウェーハホルダ２５は、変位装置２６を用いて制御される方式で変位可能である。
【０２０５】
レチクルホルダ２０の変位装置２１とウェーハホルダ２５の変位装置２６とは互いに信号接続することができる。これらの変位装置は、特に同期される。レチクル１２とウェーハ２４は、特に互いに対して同期方式で変位可能である。
【０２０６】
微細又はナノ構造化構成要素を生成するための投影露光中に、レチクル１２とウェーハ２４の両方は、変位装置２１及び２６の対応する駆動によって同期方式で変位され、特と同期方式で走査される。ウェーハ２４は、投影露光中に例えば６００ｍｍ／ｓの走査速度で走査される。
【０２０７】
系の、特に照明装置３５の更に別の態様を下記で説明する。
【０２０８】
単一放射線源２と複数のスキャナ５とを含む系の基本構造を図３に前と同じく非常に概略的に例示している。図３には、４つのスキャナ５を含む系を示している。
【０２０９】
照明放射線３の放射線電力を各個々のスキャナ５の入力において制御すること、特に調整することができることが有利であることが認識されている。これは、特に、ウェーハ２４を露光するのに使用する放射線照射量をターゲットを定めた方式で制御すること、特に調整することを可能にするのに有利である。ウェーハ２４を露光するのに使用する放射線照射量は、特に約０．１％の精度で予め定められ、制御され、又は調整することができる。
【０２１０】
放射線源２の出力電力、特にＦＥＬ出力電力の適応化は、全てのスキャナ５の入力における放射線電力に同じ具合に影響が及ぼされるという効果を有することが更に認識されている。しかし、スキャナ５の各々内のウェーハ２４の露光に使用される放射線電力を個々に制御する可能性が望ましい。
【０２１１】
本発明により、この目的のために照射量適応化のためのデバイスを提供する。物体視野１１上に入射する照明放射線３の強度分布を制御するためのデバイス２７は、照射量適応化のためのデバイスとして機能する。強度分布を制御するためのデバイス２７は、照明装置３５の一部として具現化される。このデバイスは、既存のスキャナ５を含む系内で簡単な方式で改造することができる。
【０２１２】
原理的には、物体視野１１上に入射する照明放射線３の強度分布を制御するためのデバイス２７、従って、照射量適応化のためのデバイスは、スキャナ５の一部として、特に照明光学ユニットの一部として具現化することが可能である。
【０２１３】
物体視野１１上、特にウェーハ２４上に入射する照明放射線３の強度は、エネルギセンサ（図には例示していない）を用いて検出することができる。それによってウェーハ２４を露光するのに使用する放射線照射量を調整することが可能になる。
【０２１４】
エネルギセンサは、原理的には照明放射線のビーム経路内の任意の場所に配置することができる。エネルギセンサは、特に照明光学ユニットのビーム経路内、すなわち、物体視野１１の上流に配置することができる。エネルギセンサは、物体視野１１の領域に配置することができる。エネルギセンサは、投影光学ユニット１９のビーム経路に配置することができる。更に、エネルギセンサは、特に像視野２２の領域内又はその背後でさえも配置することができる。複数のエネルギセンサを設けることができる。
【０２１５】
本発明により、与えられた強度分布で物体視野１１を照明するためなどに機能するそれぞれの個々の照明ビームを物体視野１１に対して変位させることにより、物体視野１１上に入射する照明放射線３、特にこの照明放射線の強度分布を制御することができることが認識されている。簡略化のために、これを強度分布が物体視野１１に対して変位したという説明によっても表している。以下では、別途示さない限り、強度分布は、各場合にそれぞれのＥＵＶ個々の出力ビーム９iの強度分布を意味すると理解すべきである。
【０２１６】
一般的に、物体視野１１上に入射する照明放射線３の強度分布は、個々の出力ビーム９iのうちの１つによって特定の位相空間体積内に放出される放射線電力を変更、特に制御、特に調整することによって制御することができる。これは、特にそれぞれの個々の出力ビーム９iを変位させる及び／又はその発散に影響を及ぼすことによって達成することができる。
【０２１７】
物体視野１１における放射線強度、特に強度分布の変更は、特に、最初に強度分布Ｉ*（ｘ，ｙ）、特に不均一な強度分布Ｉ*（ｘ，ｙ）を発生させて、それを第１のファセットミラー１６に対して変位させることによって達成することができる。照明放射線３のうちで第１のファセットミラー１６上に入射する一部分だけしか物体視野１１の照明に寄与しないので、物体視野１１上に入射する照明放射線３を簡単な方式で制御することができる。
【０２１８】
対応する変形を図５及び図６に略示している。これらの図には、第１のファセットミラー１６のうちで特定の視野高さｘ1に対応する領域内の照明放射線３の強度プロファイルＩ（ｘ1，ｙ）の相対位置を各場合に略示している。本発明による概念を明らかにするために、照明放射線３の強度プロファイルのうちで第１のファセットミラー１６上に入射し、物体視野１１に反射される部分をハッチング形式で例示している。照明放射線３のうちで第１のファセットミラー１６によって反射されず、従って、物体視野１１の照明に寄与しない部分をハッチングなしで例示している。
【０２１９】
図５に示す状況は、第１のファセットミラー１６上の最低の合計強度の場合であるが、依然として第１のファセット１６ａの全てが完全に照明される場合を表している。図６に示す状況は、相応に最高の合計強度の場合を表している。２つのハッチング区域の比は、強度適応化、従って、照射量適応化の可能な振れを示している。
【０２２０】
強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）は、ｙ方向に第１のファセットミラー１６のこの方向の広がりよりも大きい広がりを有する。絶対値Ｄをオーバーハングとも呼ぶ。その結果として達成することができることは、照明放射線３が、ファセットミラー１６に対する強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）の変位の場合であっても第１のファセット１６ａの全ての上に入射することである。特に、強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）は、走査方向にファセットミラー１６のこの方向の広がりＬよりも絶対値Ｄだけ長いとすることができる。この場合に、強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）の広がりは、特に第１のファセットミラー１６の領域内の照明ビームの断面の広がり、すなわち、強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）が０よりも大きい領域の広がりを意味すると理解すべきである。
【０２２１】
好ましくは、オーバーハングＤは、実現することができる変位の範囲に厳密に対応することができる。Ｄ対Ｌの比は、特に０．００５から０．５の範囲、特に０．１から０．２の範囲にあるとすることができる。オーバーハングＤは、１０ｍｍから１００ｍｍの範囲、特に３０ｍｍから５０ｍｍの範囲にあるとすることができる。
【０２２２】
強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）は、走査方向に勾配∂／∂ｙ（Ｉ（ｘ，ｙ））≠０を有する。走査方向に対して垂直な強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）の勾配は、好ましくは０であり、∂／∂ｘ（Ｉ（ｘ，ｙ））＝０である。従って、強度プロファイルは、特に走査方向と平行、すなわち、ｙ方向と平行に延びる勾配を有する。強度プロファイルは、特に、走査方向に対して垂直な強度分布Ｉ（ｘ，ｙ）が一定であり、ｙ1が走査方向の任意であるが固定の値を指す時にＩ（ｘ，ｙ1）＝一定であるように選択される。
【０２２３】
代替の好ましい強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）を図７に例示している。図７に示す強度プロファイルは、走査方向に指数関数的進行Ｉ*（ｘ，ｙ）＝Ｉ*（ｘ）・ｅｘｐ［ａ（ｙ＋Δ）］を有し、式中のａ及びΔは予め定められた定数である。この場合にも、好ましくは、∂／∂ｘ（Ｉ*（ｘ，ｙ））＝０が成り立つ。
【０２２４】
そのような指数関数的強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）は、２つの任意の予め定められた第１のファセット１６ａ上の放射線強度の比が、第１のファセットミラー１６に対する強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）の変位によって変更されないという利点を有する。
【０２２５】
以下のパラメータは、強度プロファイルＩ（ｘ，ｙ）から計算することができる。設定可能な照射量比γは、ファセット１６ａの全てが依然として照明放射線３による完全入射を受けるという境界条件下でファセットミラー１６によって反射される最小強度に対するファセットミラー１６によって反射される最大強度の比によって与えられる。相対エネルギ損失εは、合計強度に対する合計強度と最大強度の間の差の比ε＝１−Ｉmax／Ｉtotによって与えられる。ファセットミラー１６の照明の相対不均一性、従って、物体視野１１の照明方向分布の相対不均一性ηは、ファセットミラー１６上の最大強度と最小強度の間の比η＝（Ｉ（Ｌ）−Ｉ（０））／Ｉ（０）によって与えられる。相対強度プロファイルの勾配、すなわち、ある場所における強度をファセットミラーの領域内の平均強度によって除したものの勾配は、上記に即して約ηを第１のファセットミラー１６の広がりで除したものである。この勾配は、０．１％／ｍｍから１０％／ｍｍの範囲、特に０．３％／ｍｍから３％／ｍｍの範囲、特に０．５％／ｍｍから２％／ｍｍの範囲にあるとすることができる。
【０２２６】
これらのパラメータに対して境界条件を予め定めることができる。一例として、最大許容エネルギレベルεを制限することが有利である。境界条件ε≦０．２、特にε≦０．１が好適であることが明らかにされている。εが小さい程、ηは大きくなる傾向を有する。従って、指数関数的プロファイルを使用する場合に、照明の相対不均一性ηに対して得られる値は、ほぼ２から３の範囲にある。得られる効果は、第２のファセット１７ａから第１のファセット１６ａへの適切なチャネル毎の割り当て補償することができる。
【０２２７】
強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）を変位させるために、デバイス２７はピボット回転可能ミラー２８を有する。ミラー２８は平面ミラーとすることができる。ミラー２８は、一般的にビーム案内要素である。
【０２２８】
ミラー２８は、１ｍｍから１００ｍｍの範囲、特に２ｍｍから５０ｍｍの範囲、特に３ｍｍから３０ｍｍの範囲、特に５ｍｍから２０ｍｍの範囲にある直径を有することができる。
【０２２９】
ミラー２８は、照明放射線３のビーム経路の方向に第１のファセットミラー１６から距離を置いて配置される。ミラー２８と第１のファセットミラー１６の間の照明放射線３のビーム経路の方向の距離は、１０ｃｍから５ｍの範囲、特に５０ｃｍから２ｍの範囲にある。
【０２３０】
ミラー２８は変位可能、特にピボット回転可能である。ミラー２８は、特に、照明放射線３の入射平面に対して垂直、又は少なくとも近似的に垂直な軸の周りにピボット回転可能である。この場合に、入射平面は、入射ビーム、射出ビーム、及び局所表面法線が延びる平面を意味すると理解すべきである。ミラー２８は、ｘ方向と平行に向けられたピボット軸の周りにピボット回転可能である。この場合に、ミラー２８の変位は、特に、第１のファセットミラー１６に対する強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）の変位をもたらす。ミラー２８の変位は、特に強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）のｙ方向、すなわち、走査方向と平行である又は第１のファセットミラー１６の領域内で走査方向に対応する方向の変位をもたらす。
【０２３１】
ミラー２８をピボット回転させるために、互いから距離を置いて配置された圧電アクチュエータ２９が設けられる。圧電アクチュエータ２９、特にミラー２８上へのそれらの係合点は、距離ｓを有する。圧電アクチュエータ２９の距離ｓは、特に１ｍｍから１００ｍｍの範囲、特に２ｍｍから５０ｍｍの範囲、特に３ｍｍから３０ｍｍの範囲、特に５ｍｍから２０ｍｍの範囲にある。
【０２３２】
圧電アクチュエータ２９は、特に、ミラーが２０ｍｒａｄまで、特に５０ｍｒａｄまで、特に１００ｍｒａｄまでだけピボット回転可能であるようにミラー２８上に具現化かつ配置される。
【０２３３】
ミラー２８は、特に、照明放射線３がミラー２８上にかすめ入射で入射するように配置される。ミラー２８上への照明放射線３の入射角は、特に少なくとも４５°、特に少なくとも６０°、特に少なくとも７０°、特に少なくとも８０°である。
【０２３４】
ミラー２８上に入射する照明放射線３は、上記で記述した強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）が第１のファセットミラー１６上に向けられるように事前に成形することができる。一例として、偏向光学ユニット１３及び／又は集束アセンブリ１４は、ＥＵＶ個々の出力ビーム９iを成形するための手段として機能する。
【０２３５】
図８は、本発明による概念の別の図を示している。図８は、既知の強度分布Ｉ0（ｘ，ｙ）を有するビームから予め定められた空間強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）を有するビームを成形するための手段、特にＥＵＶ個々の出力ビーム９iを成形するための手段として機能する、特に２つのミラー３６、３７を示している。
【０２３６】
図８に示す代替物の場合に、ミラー２８は、中間焦点３３の背後のビーム経路に配置される。
【０２３７】
図９は、更に別の代替物を示している。この実施形態は、図４に記載のものに実質的に対応し、ここではそれを参照されたい。図９に記載の代替物の場合に、ミラー２８の面には、第１のファセットミラー１６の領域内に望ましい強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）を発生させる面プロファイル３２が与えられる。
【０２３８】
更に別の代替物を図１０及び図１１を参照して下記で説明する。図１０及び図１１は、変位前（図１０）及び変位後（図１１）の代替強度プロファイルＩ*（ｘ1，ｙ）を示している。
【０２３９】
図１０及び図１１に示す強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）は、いわゆる平頂形プロファイルである。そのようなプロファイルは、予め定められた範囲に一定の値を有する。この値は、この範囲の外側では０に等しい。
【０２４０】
この変形では、照明放射線３が分配される合計面積が変更されるように強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）の変位を実施することが可能になる。言い換えれば、この変形では、特定の位相空間体積内に放出される放射線電力が、個々の出力ビーム９iの発散を変更することによって変更される。この場合に、合計電力は一定に留まるので、ファセットミラー１６上に入射する照明放射線３の強度が変更される。この強度は、照明放射線３が入射する合計面積に特に反比例する。
【０２４１】
個々の出力ビーム９iの発散の拡大、すなわち、照明放射線３が特に第１のファセットミラー１６の領域内に入射する区域の拡大は、可変分量の照明放射線３が、ファセットミラー１６のうちで物体視野１１の露光に使用可能な領域の外側に入射し、従って、物体視野１１内のレチクル１２の照明に寄与しないという効果を有する。
【０２４２】
この変形は、特に以上の説明における変形のうちの１つによる他の強度プロファイルと組み合わせることができる。
【０２４３】
そのような大きさの変化を用いて強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）を変位させるために、ミラー２８を変形可能なものとして具現化することが提供される。図１３に略示するように、この目的のために、ミラー２８を２又は３以上の固定点３９に不動方式で装着することができる。１又は複数の圧電アクチュエータ２９をこれらの固定点３９のうちの２つのものの間に配置することができ、これらの圧電アクチュエータを用いてミラー２８を変形することができる。ミラー２８は、圧電アクチュエータ２９を用いて、特に固定点３９の間の接続線に対して垂直な方向に変形可能とすることができる。
【０２４４】
この場合に、ミラー２８は、面形態が円柱であるように具現化及び／又は装着することができる。１又は複数の圧電アクチュエータ２９の長さ変化により、ミラーは、可変広がりの放物状の面を有することができる。
【０２４５】
ミラー２８は、ｘ方向に曲率がないように具現化することができる。その結果、ファセットミラー１６の領域内の照明放射線３の走査方向に対して垂直な方向の不均一性が回避される。
【０２４６】
圧電アクチュエータ２９は、０．１ｍｍまで、特に０．２ｍｍまで、特に０．３ｍｍまで、特に０．５ｍｍまで、特に０．７ｍｍまで、特に１ｍｍまでの起動範囲を有することができる。
【０２４７】
ミラー２８を変形するための圧電アクチュエータ２９を１よりも多く設けることができる。特に、ミラー２８は、固定点３９の領域内に固定装着せずに、更に別の圧電アクチュエータを用いて装着することができる。その結果、第１に、ミラー２８の合計可能変形範囲を拡大することができる。これに加えて、ミラー２８は、それによって以上の説明に従ってピボット回転させることができる。
【０２４８】
圧電アクチュエータ２９を用いたミラー２８のその面の変形に向けた起動は、有利には、１次元的に実施される。ミラー２８の面の撓みは、特に単一座標だけに依存する。この座標に直交する方向には、面の撓みは、有利には一定である。
【０２４９】
変形可能ミラー２８は、有利には、かすめ入射で作動される。変形可能ミラー２８は、平面状態のミラー２８内への照明放射線３の入射角が特に少なくとも４５°、特に少なくとも６０°、特に少なくとも７０°、特に少なくとも８０°であるように照明放射線３のビーム経路に配置される。
【０２５０】
圧電アクチュエータ２９を用いてミラー２８の曲率をそれに沿って変更することができる軸は、少なくとも近似的に照明放射線３の入射平面内を延びる。これを図１２及び図１３に略示している。
【０２５１】
更に、ファセットミラー１６に対する強度プロファイルＩ*（ｘ，ｙ）の変位の上記で記述した様々な変形は、ミラー２８が変位及び／又は変形された場合に、個々のファセット１６ａ上への照明放射線３の入射角が殆ど変化しないという効果を有することが認識されている。これは、第２のファセットミラー１７上で照明される領域の位置が殆ど移動しないという効果を有する可能性がある。この効果を最小にするために、第１のファセット１６ａが起動ミラー２８の場所を各場合に第２のファセット１７ａ上に結像するようにミラー２８を照明放射線３のビーム経路に配置することを提供することができる。
【０２５２】
起動ミラー２８の場所は、中間焦点３３の場所に対応するか又はその近くに置くことができる。そのような配置は、特に放射線源２としてプラズマ源２が使用される場合に有利とすることができる。
【０２５３】
起動ミラー２８の場所は、中間焦点３３から距離を置くことができる。これは、特に小さいエタンデュを有する放射線源２が使用される場合に、特に自由電子レーザ（ＦＥＬ）が使用される場合に好適とすることができる。起動ミラー２８が中間焦点３３から距離を置いて配置される場合に、回転以外に平行移動も実施されるように変位工程を設計することを好適とすることができる。
【０２５４】
第１のファセットミラー１６の第１のファセット１６ａをピボット回転可能ミラー２８の変位に依存する方式で同じく変位させることができる。これは、特に、第１のファセット１６ａによって第２のファセット１７ａ上に結像される場所にミラー２８が配置されない場合に好適とすることができる。第１のファセット１６ａとミラー２８は、有利には、互いに同期して変位される。
【０２５５】
投影露光装置１を用いた微細又はナノ構造化構成要素の生成中に、最初にレチクル１２及びウェーハ２４が与えられる。その後に、投影露光装置１を用いてレチクル１２上の構造がウェーハ２４の感光層上に投影される。感光層の現像により、ウェーハ２４上に微細構造又はナノ構造が生成され、こうして微細又はナノ構造化構成要素が生成される。微細又はナノ構造化構成要素は、特に、例えば、メモリチップの形態にある半導体構成要素とすることができる。
【０２５６】
複数のスキャナ５を含む本発明による系は、複数のウェーハ２４を別々のスキャナ５内で同時に露光することを可能にする。
【０２５７】
この場合に、個々のウェーハ２４の露光のための放射線照射量は、スキャナ５の各々内の照明装置３５を用いて個々に制御すること、特に調整することができる。
【０２５８】
照明光学ユニット１５に案内される個々の出力ビーム９iのそれぞれのものに影響を及ぼすためのデバイス２７の更に別の代替物を図２１から図２９を参照して下記で説明する。
【０２５９】
一例として説明する代替物の全てにおいて、物体視野１１のそれぞれのものに案内される照明放射線３、特にその合計強度は、制御かつ高速方式で減衰させることができる。影響機能の振幅は、特に数パーセントの範囲にある。減衰率の変化速度は、数キロヘルツから数十キロヘルツの範囲にある。
【０２６０】
図２１から図２３に図示の実施形態の場合に、デバイス２７は、個々の出力ビーム９iのうちの１つのビネットに影響を及ぼすための装置４１を含む。装置４１は、ビネット粒子４３を受け入れるためのリザーバ４２を含む。ビネット粒子４３は、フィード接続部４４（概略的にしか示していない）を通して相互作用領域４５とも呼ぶ体積領域にフィードすることができる。
【０２６１】
相互作用領域４５という用語は、個々の出力ビーム９iの照明放射線３が、そのビネット及び／又は吸収のための下記で説明する手段のうちの１つと相互作用することができる領域を表している。特に、個々の出力ビーム９iのうちの１つが通過する体積領域が関わっている。
【０２６２】
相互作用領域４５へのビネット粒子４３のフィードは、制御可能とすることができる。それは、特に、起動可能とすることができる。特に、相互作用領域４５内のビネット粒子４３の平均密度は、制御装置（図には例示していない）を用いて変更することができる。
【０２６３】
装置４１は、レセプタクルリザーバ４６を更に含む。レセプタクルリザーバ４６は、排出接続部４７を通じて相互作用領域４５に接続される。レセプタクルリザーバ４６は、ビネット粒子４３が相互作用領域４５を通った後にこれらの粒子４３を受け入れるように機能する。
【０２６４】
粒子４３は、外部力場に起因して、特に重力に起因して相互作用領域４５を通って移動することができる。これらの粒子４３は、特に個々の出力ビーム９iを僅かずつ通過する。この場合に、個々の出力ビーム９i内で照明放射線３のビネットが発生する。粒子４３は、原理的には相互作用領域４５内で静止に保つか、又は少なくとも実質的に静止に保つことができる。
【０２６５】
装置４１は、相互作用領域４５内に磁場を発生させるための装置４８を更に含む。磁場を発生させるための装置４８は、特に相互作用領域４５の外側に配置される。装置４８は、個々の出力ビーム９iの伝播方向に対して垂直な方向に相互作用領域４５の周りに周方向に配置することができる。装置４８は、複数の磁化可能要素を有することができる。装置４８を使用することで、相互作用領域４５内に予め決められた変更可能な方向を有する磁場が発生可能である。
【０２６６】
ビネット粒子４３は、磁気的様式で具現化されるか、又は磁気的な動きを有する。従って、これらの粒子４３は、装置４８を用いて可変的に位置合わせ可能である。これを図２１から図２３に例示している。図２１は、装置４８が起動されておらず、相互作用領域４５内に磁場が存在しない場合を略示している。この場合に、粒子４３はランダムな向きを有する。
【０２６７】
ビネット粒子４３は、細長様式で具現化される。それらは、ロッド形状様式で具現化される。粒子４３は、１μｍから１０μｍの範囲、特に１μｍから５μｍの範囲の直径ｄを有する。粒子４３は、特に、５μｍから１００μｍの範囲、特に１０μｍから５０μｍの範囲の長さを有することができる。
【０２６８】
このサイズの粒子４３を使用すると、十分に高速な切換工程が可能であることが見出されている。
【０２６９】
粒子４３は、特に、最大で１：２、特に最大で１：３、特に最大で１：５、特に最大で１：１０のアスペクト比（直径：長さ）を有する。
【０２７０】
図２２に略示する場合において、粒子４３は、装置４８を用いた第１の方向を有する磁場の発生によって達成することができる水平な向きを有する。図解目的で、第１の方向、すなわち、水平に延びる磁場の磁力線４９を略示している。
【０２７１】
図２３は、磁力線４９が第１の方向に対して直交方向に、すなわち、垂直に延び、従って、粒子４３は垂直に位置合わせされる。
【０２７２】
粒子４３の位置合わせの影響の結果として、粒子４３の有効断面に影響を及ぼすことができる。その結果、個々の出力ビーム９i内の照明放射線３のどの程度の分量が粒子４３によるビネットを受けるかを精密に制御することができる。
【０２７３】
デバイス２７の更に別の代替物を図２４から図２６を参照して下記で説明する。この代替物により、デバイス２７は、照明放射線３に対して反射性を有する変位可能要素を含む。変位可能要素５０は、特に、照明放射線３に対して少なくとも５０％、特に少なくとも７０％、特に少なくとも９０％の反射率を有する。照明放射線３は、変位可能要素５０において特にかすめ方式で反射することができる。変位可能要素５０は、特に膜状様式で具現化することができる。それは、特に少なくとも１ｋＨｚの切換速度で切換可能である。変位可能要素５０の切換速度は、２ｋＨｚよりも高く、特に３ｋＨｚよりも高く、特に５ｋＨｚよりも高く、特に１０ｋＨｚよりも高いとすることができる。この速度は、特に最大で１００ｋＨｚである。変位可能要素５０の変位に向けて、ラウドスピーカから公知であるような振動体を設けることができる。
【０２７４】
デバイス２７は、上記に加えて２つのピンホール絞り５１を含む。図に略示するように、変位可能要素５０の変位により、２つのピンホール絞り５１を有する系を通じた個々の出力ビーム９iの伝達率に影響を及ぼすことができる。図２４及び図２５に略示する例の場合に、デバイス２７を用いて利用可能な吸収率は、個々の出力ビーム９iの合計強度の５０％と１００％の間でターゲットを定めた方式で変更することができる。変位可能要素５０での反射時の可能な追加の吸収は、デバイス２７の調節可能な吸収を示す上で考慮されない。
【０２７５】
ピンホール絞り５１内の通過開口部５２の適切な配置及び／又は設計を用いて、特に、変位可能要素５０の変位機能との相互作用において、他の調節範囲が可能である。特に、変位可能要素５０の変位により、達成可能な吸収率がピンホール絞りの構成に依存する値ｐと２ｐとの間で調節可能であるように２つのピンホール絞り５１を周期的に構成することができる。
【０２７６】
デバイス２７を用いて個々の出力ビーム９i内の照明放射線３の合計電力のどの程度の分量を可変的に吸収することができるかということに影響を及ぼす更に別の可能性を図２６に略示している。この変形により、デバイス２７を通して個々の出力ビーム９i内の照明放射線３の合計電力の一部分のみ、例えば、僅か１０％しか案内せず、一方、個々の出力ビーム９i内の照明放射線３のうちの残りの部分をデバイス２７のそばを通して照明光学ユニット１５に直接案内することが可能になる。この案内は、図示の実施形態代替物の全てに対して可能である。この案内により、特に、デバイス２７の要素での反射時に不可避に起こるエネルギ損失の低減が可能になる。
【０２７７】
個々の出力ビーム９iのうちの１つに影響を及ぼすためのデバイス２７の更に別の代替物を図２７を参照して下記で説明する。この代替物の場合において、デバイス２７は、個々の出力ビーム９iのビネットに影響を及ぼすための手段としてマイクロミラーアレイ５３を含む。マイクロミラーアレイ５３は、複数の切換可能マイクロミラー５４を含む。マイクロミラー５４は、連続的に調節可能とすることができる。マイクロミラー５４は、特に２つの位置間で切換可能である。マイクロミラー５４の切換により、特にマイクロミラー５４の予め定められた部分集合の切換により、個々の出力ビーム９iの照明放射線３の合計強度のうちで特定の照明光学ユニット１５に案内される分量を精密かつ高速に制御することができる。
【０２７８】
マイクロミラーアレイ５３は、特にいわゆるデジタルマイクロミラー要素（デジタルマイクロミラーデバイス、ＤＭＤ）とすることができる。
【０２７９】
マイクロミラーアレイ５３を用いて、個々の出力ビーム９iの照明放射線３の予め定められた分量は、照明光学ユニット１５に至るビーム経路から脱結合することができる。照明放射線３の脱結合部分は、特に絞り５５上に案内することができる。
【０２８０】
この実施形態の一代替物により、マイクロミラーアレイ５３の代わりに、個々の出力ビーム９iのうちの１つのビーム経路に微小な絞り要素の行列状配置、いわばマイクロ絞りアレイを配置することが可能になる。マイクロミラーアレイ５３のマイクロミラー５４の切換機能に対応するマイクロ絞りの切換機能を用いて、個々の出力ビーム９iのビーム経路内のマイクロ絞りの配置、従って、その有効断面、すなわち、その絞り効果に影響を及ぼすことができる。
【０２８１】
マイクロミラーアレイ５３のマイクロミラー５４の切換周波数は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの範囲にある。マイクロミラーアレイ５３のマイクロミラー５４の切換周波数は、１００ｋＨｚよりも高いとすることができる。特に、１ミリ秒以内にマイクロミラー５４を複数回切り換えることができ、このようにして、特に、個々の出力ビーム９iのうちで絞ることができる分量のより微細な漸変が得られる。
【０２８２】
デバイス２７の更に別の代替物を図２８を参照して下記で説明する。図２８に示す代替物により、デバイス２７は、個々の出力ビーム９iのうちの１つにおける照明放射線３の吸収に影響を及ぼすための手段を含む。この手段は、特に、相互作用領域４５内の平均ガス密度に影響を及ぼすための装置によって形成される。この装置は、特にガス流量を制御するための装置、特にガス流量を制御するための起動可能装置である。装置は、予め決められたガス圧力と予め決められた温度とを有するガスが流れ出すことができるガスリザーバ５６を含む。流れ方向にガスリザーバ５６の下流には圧力低減器５７が配置される。ガス圧力は、圧力低減器５７を用いて予め決められた値まで低減することができる。
【０２８３】
圧力低減器５７の下流に配置されるのは、１又は複数のスロットル式ユニットを含むスロットル式装置５８である。スロットル式ユニットは、圧力を更に低減するように機能する。スロットル式装置５８の下流にはバルブ５９が配置される。バルブ５９は、特に制御可能バルブ５９である。バルブ５９は、特に少なくとも１ｋＨｚの速度で切換可能である。
【０２８４】
バルブ５９の下流には加熱装置６０が配置される。一般的に、加熱装置６０は、ガス、特に相互作用領域４５を通って流れるガスの温度を制御するための温度制御装置である。
【０２８５】
ガスは、ノズル６１を用いて相互作用領域４５内に導入され、特に注入される。
【０２８６】
ノズル６１は、個々の出力ビーム９iから数センチメートル離して配置される。ノズル６１と相互作用領域４５の間の距離、更にノズルから吐出されるガスの速度は、ガスがノズルから相互作用領域内に移るのに必要とされる時間を決定する。この時間は、有利には、５ｍｓよりも短く、特に１ｍｓよりも短く、特に０．５ｍｓよりも短く、特に０．３ｍｓよりも短く、特に０．２ｍｓよりも短く、特に０．１ｍｓよりも短い。
【０２８７】
ノズル６１に対して相互作用領域４５の反対側には、相互作用領域４５を通って流れた後のガスを受け入れるレセプタクルリザーバ６２が配置される。レセプタクルリザーバは、抽出装置（図には例示していない）を含むことができる。それによって相互作用領域４５内のガス流量は、より一層ターゲットを定めた方式で制御することができる。
【０２８８】
相互作用領域４５内のガス密度の制御により、特に相互作用領域４５内のガス圧力及び／又はガス流量の制御により、個々の出力ビーム９i内の照明放射線３のどの程度の分量が相互作用領域４５を通って流れるガスによって吸収されるかをターゲットを定めた方式で制御することができる。
【０２８９】
相互作用領域４５内のガスの速度は、ノズル６１の前の領域内のガス温度に大きく依存することが見出されている。ノズル６１の出口におけるガス圧力及びノズルの入口におけるガス温度に対する適切な値は、異なる可能なガスに関して表１に表している。
【０２９０】
（表１）
0006678159.tif 000015
【０２９１】
示した値は、個々の出力ビーム９iのエネルギのうちの５％が、相互作用領域４５内で１ｃｍの距離の間で吸収されるという効果を有する。他の幾何学形状及び／又は要件に対しては、これらの指示は、熱力学の基本方程式に従ってスケーリングされる可能性がある。
【０２９２】
対応するガス圧力は、圧力低減器５７及び／又はスロットル式装置５８を用いて設定することができる。対応する温度は、加熱装置６０及び／又は温度制御装置を用いて設定することができる。
【０２９３】
対応するデバイス２７とガス圧力及びガス温度に関して示した値とを使用することで、個々の出力ビーム９i内の照明放射線３の吸収率を５％まで、特に１０％までの範囲で精密に制御可能であることが見出されている。バルブ５９の高速切換機能、十分に高いガス速度、及びノズル６１と相互作用領域４５の間の十分に小さい距離に起因して、１ｍｓよりも短く、特に０．５ｍｓよりも短く、特に０．３ｍｓよりも短く、特に０．２ｍｓよりも短く、特に０．１ｍｓよりも短い切換時間で吸収率の変更が可能である。
【０２９４】
相互作用領域４５内の平均ガス密度に影響を及ぼすための手段を含むデバイス２７の代替物を図２９を参照して下記で説明する。この変形では、デバイス２７は、小滴発生器６３を含む。小滴発生器６３は、液体小滴６４を発生させるように機能する。液体小滴６４は、特に周期的に発生される。液体小滴６４の発生は、非起動方式で実施することができる。それは、特にキロヘルツ範囲、特に少なくとも１０ｋＨｚの範囲の周波数で実施される。それはまた、起動方式で、特に制御方式で実施することができる。
【０２９５】
液体小滴６４は、相互作用領域４５内に、特にそこを通して放出される。発生された液体小滴６４が相互作用領域４５の方向に移動する速度は、特に、相互作用領域４５に到達する時間が１ｍｓよりも短いような高いものとすることができる。これは、特に液体小滴６４が起動方式で発生される場合に該当することができる。
【０２９６】
発生された液体小滴６４が相互作用領域４５の方向に移動する速度は、特に、相互作用領域４５に到達するための時間が少なくとも１ｍｓであるような低いものとすることができる。これは、特に液体小滴６４が非起動方式で発生される場合に該当することができる。
【０２９７】
液体小滴６４は、特に個々の出力ビーム９iのビーム経路を通して放出される。
【０２９８】
デバイス２７は、液体小滴６４を蒸発させるための装置を更に含む。液体小滴６４を蒸発させるための装置は、特にレーザ６５によって形成される。レーザ６５は、制御方式で起動可能である。レーザビーム６６は、レーザ６５を用いて発生可能である。レーザビーム６６は、それが液体小滴６４の軌道と交差するように調節される。レーザ６５の適切な起動により、液体小滴６４を特に相互作用領域４５内で蒸発させることができる。作動状態において、小滴６４は、液体状態の体積Ｖ１よりも有意に大きい体積Ｖ２を占有する。これを図２９に略示している。従って、蒸発状態では、小滴６４の有効断面が大きく、従って、個々の出力ビーム９iとの相互作用が有意に大きく、これは、照明放射線３のより多くの分量が吸収によって個々の出力ビーム９iから除去されるという効果を有する。
【０２９９】
小滴発生器６３に対して相互作用領域４５の反対側には、蒸発しなかった液体小滴６４を回収するための回収リザーバ６７を更に配置することができる。回収リザーバ６７は、蒸発した液体小滴６４の気体を受け入れるためなどに機能することができる。
【０３００】
好ましくは、通常条件（２７３．１５Ｋ、１０１．３２５ｋＰａ）下で気体である物質が、液体小滴６４に関して選択される。
【０３０１】
液体小滴６４の半径と通常圧力（１０１．３２５ｋＰａ）下で液化が発生する温度とに関して可能な値を表２に列記する。
【０３０２】
（表２）
0006678159.tif 000016
【０３０３】
示した値は、１ｃｍ3の立方体内の球の蒸発の後に、通過する個々の出力ビーム９iのエネルギのうちの２０％が吸収されるという効果を有するガス密度が生じるという効果を有する。他の幾何学形状及び／又は要件に対しては、これらの値は、熱力学の基本方程式に従ってスケーリングされる可能性がある。
【符号の説明】
【０３０４】
３  照明放射線
５  スキャナ
８  出力結合光学ユニット
９1  ＥＵＶ個々の出力ビーム
３５  照明装置
【図１】
0006678159.tif 000017
【図２】
0006678159.tif 000018
【図３】
0006678159.tif 000019
【図４】
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【図５】
0006678159.tif 000021
【図６】
0006678159.tif 000022
【図７】
0006678159.tif 000023
【図８】
0006678159.tif 000024
【図９】
0006678159.tif 000025
【図１０】
0006678159.tif 000026
【図１１】
0006678159.tif 000027
【図１２】
0006678159.tif 000028
【図１３】
0006678159.tif 000029
【図１４】
0006678159.tif 000030
【図１５】
0006678159.tif 000031
【図１６】
0006678159.tif 000032
【図１７】
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【図１８】
0006678159.tif 000034
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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