(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
石英ガラス製の放電容器内に発光ガスとしてキセノンガスが封入され、一対の電極が対向配置されてなり、前記放電容器にはチップ部が設けられている放電ランプにおいて、
前記チップ部は、前記放電容器とは異なる組成のガラス部材で構成されており、前記チップ部を構成するガラス部材のみが、波長１７０ｎｍから波長３００ｎｍの全波長域での透過率が放電容器の透過率よりも高い５０％以上であることを特徴とする可視光を利用するための放電ランプ。
【請求項２】
前記チップ部は、各種の金属不純物が１ｐｐｍ以下に抑えられた石英ガラスが用いられることを特徴とする請求項１に記載の放電ランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、投射型プロジェクタ装置、映写機あるいは一般照明用などの放電ランプに関するものであり、特に、発光ガスとしてキセノンガスが封入された放電ランプに係わるものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、上記用途の放電ランプとして、キセノンガス（Ｘｅガス）の励起によって発光する放電ランプ（キセノンランプ）が用いられていて、当該放電ランプは、紫外域から近赤外域にかけての連続スペクトルを有し、特に可視域では自然昼光に極めて近い分布を持つことで知られている。
このような放電ランプでは、ランプ製造工程時において、放電容器内の不純ガスの排気及び発光ガスを導入するための排気管（チップ管）が当該放電容器に接続される。このチップ管は、発光ガスを導入した後に溶融封着しながら取り除かれ（チップオフ工程）、放電容器の周面にはチップ管の残部（以下、チップ部と称す）が残る。
【０００３】
ところで、このようなキセノンガスを封入した放電ランプでは、主として紫外域から近赤外域の光を放射するが、図６（キセノンランプのエネルギーダイアグラム）に示すように、真空紫外域の発光も存在する。尚、図６で示す１４７ｎｍの光はガスによる自己吸収の影響で殆ど放射されないが、１７２ｎｍの光は比較的に放射されやすく、放電容器に吸収される確率が高い。
放電容器を構成する石英ガラスには、この紫外線によって経時的に紫外線歪みが蓄積されていく。特に、排気管残部であるチップ部はその構造上、機械的強度が低く、かつ、歪みが蓄積されやすいため、経時的な紫外線歪みの蓄積によってもっとも破損しやすい部分である。
【０００４】
このような紫外線歪みの対策として、例えば特開平６−２３１７３２号公報（特許文献１）には、放電容器を構成する石英ガラスに含まれるＯＨ基濃度を高めることで紫外線のダメージを抑えることが記載されている。この紫外線歪みは、石英ガラス内の分子結合（Ｓｉ−Ｏ）が紫外線によって切断されて構造変化を伴うことで生じるが、石英ガラス中のＯＨ基濃度が高いと、切断された分子結合を修復する作用が働き、紫外線歪みを緩和する、というものである。
【０００５】
ところで、近年、シネマ用のＸｅランプは、定格電力値で点灯させるだけでなく、用途に応じて電力を可変させる場合がある。例えば、３Ｄ映画を映写する場合は２Ｄ映画と比べて高い使用電力で点灯させなければならないが、２Ｄ映画を映写する場合では出力光量が高すぎるため、使用電力値を下げる必要がある。
このように使用形態が多様化している現状に鑑みて、使用電力値の許容幅が広い放電ランプが望まれている。例えば、定格値から定格値の５０％まで対応可能な放電ランプが求められている。このような放電ランプの設計は、上限の使用電力値に合わせて光出力や電極、封体の大きさ等が決定される。
【０００６】
しかしながら、本発明の発明者が鋭意検討したところ、キセノン封入の放電ランプを高い使用電力（高電力）で点灯するよりも、低い使用電力（低電力）で点灯した場合において、放電容器に接続されたチップ部に歪みがより蓄積されやすい、という事実が確認された。これは放電ランプを点灯しているときの放電容器の温度（封体温度）の違いによるものと考えられる。
詳述すると、高電力点灯する場合には封体温度が高くなり、材料内部の原子移動が活発になって、蓄積された歪みが緩和される方向に作用するが、低電力点灯する場合には、封体温度が比較的低くなることで上述の歪み緩和の作用が低下して、結果として材料内部に歪みのダメージが残りやすい。特に、チップ部での紫外線歪みの蓄積は、放電ランプの耐久性を弱め、放電容器の破損を引き起こす大きな要因の一つとなり、より適切な対応策が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平６−２３１７３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
このような状況のもと、本発明の課題は、放電ランプの放電容器に形成されるチップ部に対して蓄積される紫外線歪みを抑制することができる放電ランプを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る放電ランプは、放電容器に設けられるチップ部が、前記放電容器とは異なる組成のガラス部材で構成されており、該ガラス部材は、波長１７０ｎｍから波長３００ｎｍの全波長域での透過率が５０％以上であることを特徴とする。
また、前記放電容器が溶融石英ガラスからなり、前記チップ部が合成石英ガラスからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の放電ランプによれば、チップ部を構成するガラス部材は、波長１７０ｎｍから波長３００ｎｍまでの全波長域での透過率が５０％以上としているので、真空紫外域から紫外域までの光線の透過率を高くすることで、チップ部での紫外線の吸収を防ぎ、これによって紫外線歪みの蓄積を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の放電ランプの断面図
【図２】本発明の他の実施例の断面図
【図３】本発明の更に他の実施例の断面図
【図４】素材による波長と透過率の相関グラフ
【図５】素材による透過率と相対歪強度の相関グラフ
【図６】キセノンランプのエネルギーダイアグラム
【図７】石英ガラスにおける酸素欠陥と吸収波長の関係を示す表
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、本願発明の放電ランプの概略図である。
放電ランプ１は、溶融石英ガラスからなる放電容器２を構成する発光部３とその両端の封止部４、４とを備え、前記発光部３内には、一対の陽極５と陰極６が対向配置されている。
前記陽極５及び陰極６は、その芯線５ａ、６ａがそれぞれ封止部４、４において封止されている。そして発光部３内には発光ガスとしてキセノンが封入されていて、電極５、６間の放電により励起されて、自然昼光の発光スペクトルの光が放射される。
【００１３】
放電容器２の一部には排気管残部であるチップ部８が形成されている。この実施例では、チップ部８は発光部３の外周に形成されている。このチップ部８は、放電ランプの製造工程時に形成されるものであり、放電容器２内からの不純ガスの排気や、当該放電容器２内への発光ガスの導入のために設けられた排気管（チップ管）を、最終的には溶融封着しながら取り除いた際に形成される排気管の残部である。
【００１４】
放電容器２を構成する石英ガラス（シリカガラス）は、前述したように、内部で発生する紫外線によって紫外線歪みが生じるが、以下、この紫外線歪みについて説明する。
石英ガラスは、基本単位であるＳｉＯ４四面体が連結されて、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの結合が連なり、網目状の三次元構造をとる非晶質体である。石英ガラス内に欠陥が介在していると、ガラスに吸収される光の波長帯に変化が生じる。この欠陥は、例えば、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの結合間で一部の酸素が欠乏した酸素欠乏欠陥や、酸素が過剰に存在することで生じる酸素過剰欠陥などを挙げることができる。これらの欠陥に伴う代表的な吸収波長を図７の表１に示す。
【００１５】
このような石英ガラス内の欠陥は、ガラス内の不純物の存在や、光によるＳｉ−Ｏ結合の切断によって発生するものと考えられている。
石英ガラスの紫外線歪みは、ガラスに吸収される紫外線の吸収度合に依存するものである。表１に記載の通り、主に３００ｎｍ以下の波長帯において、光吸収が起こり、紫外線歪みを促進させるものと考えられる。
【００１６】
本発明に係るチップ部８は、波長１７０ｎｍから波長３００ｎｍまでの光透過率が５０％以上のガラス部材で構成されている。これにより、ガラス部材に対して紫外線歪みを引き起こす３００ｎｍ以下の真空紫外域から紫外域の光は、チップ部８を透過してしまうので紫外線歪みの蓄積が好適に抑えられる。これにより放電ランプの破損を防ぐことができる。
尚、波長域の下限値を１７０ｎｍとした理由は、本願発明に係る放電ランプは発光ガスとしてキセノンガスが封入されたいわゆるキセノンランプであり、真空紫外域（波長２００ｎｍ以下の光）の光は殆ど出力されないものの、波長１７２ｎｍでピーク状の発光を有することから、光透過率の判断指標として含める意図である。
そして、本発明に係る放電容器は溶融石英ガラスからなり、また、チップ部に適用可能な部材は、各種の金属不純物が１ｐｐｍ以下の石英ガラスであることが好ましく、このような超高純度の溶融石英ガラスを用いることが望ましい。各金属不純物が１ｐｐｍ以下とすることにより、波長１７０から波長３００ｎｍの全波長域での透過率をより有効に高めることができる。仮に各金属不純物が１ｐｐｍを超えるガラス部材であると、当該不純物により深紫外の光が吸収されやすく、透過率を悪化させる主要因となりやすい。また、合成石英ガラスを用いることも可能である。
【００１７】
尚、ガラス部材の光透過率は、当該ガラス部材に含有されるＯＨ基の濃度も影響する。ＯＨ基濃度が高すぎると、２００ｎｍ以下の透過率を悪化させる要因となる。そのため、当該ガラス部材のＯＨ基濃度は少なくとも４００ｐｐｍ以下に抑えていることが望ましい。他方、ガラス部材中のＯＨ基は、ガラス部材内部の構造欠陥を修復し、歪みを緩和させる作用があるため、ＯＨ基濃度が低すぎる場合は、歪みが蓄積されやすくなる。そのため、ＯＨ基濃度は少なくとも１００ｐｐｍ以上含まれていることが望ましい。以上の理由から、チップ部を構成するガラス部材は、ＯＨ基濃度が１００〜４００ｐｐｍの範囲であることが望ましい。
【００１８】
ここで、石英ガラスの紫外線歪みの程度について、４種類の材質を用意して評価実験を行った。図４は各材質の波長と透過率の関係を示すものであり、波長１７２ｎｍ付近の透過率が異なるものを選定し、それぞれの相対歪み強度を調べた。ここで、材質ＡはＦ３１０（信越石英社製）、材質ＢはＨＸ−ＬＡ（信越石英社製）、材質ＣはＧＥ０２ＡＬ（ＧＥ社製）、材質ＤはＧＥ２１４（ＧＥ社製）、材質Ｅは金属不純物が１ｐｐｍ以下の高純度溶融石英ガラス（東ソー社製）である。
本実験では透過率の指標として１７２ｎｍを選定している。１７２ｎｍよりも長波長側の光はより透過される傾向を示すため、１７２ｎｍの透過率の度合いを見ることで、紫外線の透過率とガラスに蓄積される紫外線歪みとの関係性を確認した。
これらの材質の内、材質Ａ，Ｂが１７２ｎｍの透過率が５０％以上を示し、材質Ｃ，Ｄは透過率が１０％以下と極めて低い。
【００１９】
図５に、縦軸に「相対歪み強度（relativestress intensity, arb.unit）」を取り、横軸に「透過率（波長１７２ｎｍの指標）」を取った場合の相関図を示している。
実験条件は、エキシマランプを用いて、１７２ｎｍの光を材質Ａ〜Ｄに４００時間照射して歪み応力の変化量を測定した。図５では、縦軸は、紫外線照射前と照射後の応力の比率（以下、相対歪み強度と称す）を示すものである。図に示すとおり、１７２ｎｍの透過率が５０％以上の物質（材質Ａ，Ｂ）では、相対歪み強度は極めて低く、紫外線歪みの蓄積は認められなかった。これに対し、１７２ｎｍの透過率が５０％を下回る物質（材質Ｃ，Ｄ）では、透過率が悪化するに従って紫外線歪みの蓄積が大きいことが確認できた。尚、物質Ａ〜Ｄのガラス材は、何れも１７２ｎｍよりも長波長側の光はより透過される傾向を示しており、１７２ｎｍの透過率が５０％以上であれば、当然のことながら、そこから長波長側の光の透過率が５０％を下回ることはない。
【００２０】
以上の結果から、チップ部のガラス材料として、放電容器とは異なる組成のガラス部材で構成し、該ガラス部材が、波長１７０ｎｍから波長３００ｎｍの全波長域での透過率が５０％以上であることにより、チップ部での紫外線歪みの蓄積が極めて小さく、該チップ部からのクラックや破損の恐れのない放電ランプが得られることが分かる。
【００２１】
図２には、他の実施例が示され、この実施例では、チップ部８が放電容器２の封止部４に形成されている。
【００２２】
図３は更に他の実施例であって、図１，２の実施例がショートアーク型放電ランプをイメージしているのに対して、この実施例は、ロングアーク型放電ランプである。
ロングアーク型放電ランプ１０は長尺の放電容器１１を備え、その内部に一対の電極１２，１２が対向配置されていて、放電容器１１にはチップ部１３が形成されているものである。
【符号の説明】
【００２３】
１      （ショートアーク型）放電ランプ
２      放電容器
３      発光部
４      封止部
５      陽極
５ａ    陽極芯線
６      陰極
６ａ    陰極芯線
８      チップ部
１０    （ロングアーク型）放電ランプ
１１    放電容器
１２    電極
１３    チップ部
【図１】
0006660594.tif 000002
【図２】
0006660594.tif 000003
【図３】
0006660594.tif 000004
【図４】
0006660594.tif 000005
【図５】
0006660594.tif 000006
【図６】
0006660594.tif 000007
【図７】
0006660594.tif 000008