(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム基板の表面を陽極酸化させてポーラスアルミナ層を形成する工程と、
前記ポーラスアルミナ層の表面にレジストパターンを形成する工程と、
湿式エッチングを行って前記レジストパターンに覆われていない部分のポーラスアルミナ層を選択的に溶解除去して開口パターンを形成する工程と、
前記開口パターンの底に露出したアルミニウム基板に対して置換メッキを行う工程と、
前記置換メッキの後に電解メッキを行うことにより、前記開口パターン内を埋める金属柱と、前記ポーラスアルミナ層の上方を覆って前記金属柱同士をつなぐオーバーフロー層と、を形成する工程と、
前記アルミニウム基板及びポーラスアルミナ層を除去する工程と、
前記金属柱を絶縁物に埋め込む工程と、
前記オーバーフロー層を除去する工程と、
を有することを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁物は樹脂又は金属酸化物よりなることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記金属柱を絶縁物に埋め込む工程は、
前記金属柱の上に被覆シートを配置する工程と、
前記被覆シートと前記オーバーフロー層との間の間隙に樹脂を浸透させる工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項４】
絶縁物よりなるシート体と、
前記シート体に埋め込まれ、前記シート体の厚さ方向に貫通する複数の金属柱と、を有し、
前記金属柱の側面には、前記厚さ方向に延びた筋状の溝が形成されており、
前記金属柱の一端に亜鉛が含まれることを特徴とする異方性導電膜。
【請求項５】
前記金属柱は一定のピッチで配置されていることを特徴とする請求項４に記載の異方性導電膜。
【請求項６】
前記金属柱の直径が１０μｍ以下であり、かつ前記金属柱の高さが１００μｍ以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の異方性導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電膜の製造方法及び異方性導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロメータサイズの金属柱を複数備えたピラーアレー構造体は、電池の電極や異方性導電膜をはじめ様々な応用が期待できる。このようなピラーアレー構造体の作製方法として、種々の方法が提案されている。
【０００３】
その一つの方法として、フォトリソグラフィー法又は電子ビームリソグラフィー法によりレジストパターンに微細なホールパターンアレイを形成し、そのホールパターンアレイにメッキ法により金属を充填してピラーアレー構造体を得る方法がある。
【０００４】
しかしながら、このような方法では、アスペクト比（深さ直径との比）が高いレジストパターンの形成が困難であり、高アスペクト比の高いホールパターンアレイの作製が困難であるという問題がある。
【０００５】
また、別の方法として、アルミニウム陽極酸化膜をパターニングする方法がある（特許文献３）。この方法では、アルミニウム基板を酸性水溶液中で陽極酸化を行って多孔性の陽極酸化膜（ポーラスアルミナ層）を形成する。
【０００６】
そして、ポーラスアルミナ層の上にレジストマスクを形成し、これにウェットエッチングを行うことで、レジストマスクの開口部に現れたポーラスアルミナ層にマイクロホール（開口パターン）アレーを形成する。
【０００７】
ポーラスアルミナ層は、表面から底面にかけて均一な幅でエッチングされるため、高いアスペクト比の開口パターンよりなるマイクロホールアレーが得られる。
【０００８】
このマイクロホールアレーを金属で埋めることで高いアスペクト比の金属柱を含むピラーアレー構造体が得られる可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００８−０５５５５６号公報
【特許文献２】特表２０１３−５０６３０９号公報
【特許文献３】特開２０１０−０４７４５４号公報
【特許文献４】特開２０１３−０５７１０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、ポーラスアルミナ層に作製したマクロホールアレーの深さが１０μｍ以上となり、又はアスペクト比が５を超えると、スパッタや蒸着法等の従来の技術ではマイクロホールの底まで金属を充填することが困難となり、また、形成されたピラー（金属柱）の高さもばらついてしまうという問題がある。
【００１１】
そのため、マクロホールアレーのアスペクト比と同程度の高いアスペクト比を有する金属柱を含んだピラーアレー構造体が得られないという問題がある。
【００１２】
そこで、より高いアスペクト比の金属柱を有するピラーアレー構造体を含んだ異方性導電膜の製造方法及び異方性導電膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
下記開示の一観点によれば、アルミニウム基板の表面を陽極酸化させてポーラスアルミナ層を形成する工程と、前記ポーラスアルミナ層の表面にレジストパターンを形成する工程と、湿式エッチングを行って前記レジストパターンに覆われていない部分のポーラスアルミナ層を選択的に溶解除去して開口パターンを形成する工程と、前記開口パターンの底に露出したアルミニウム基板に対して置換メッキを行う工程と、前記置換メッキの後に電解メッキを行うことにより、前記開口パターン内を埋める金属柱と、前記ポーラスアルミナ層の上方を覆って前記金属柱同士をつなぐオーバーフロー層と、を形成する工程と、前記アルミニウム基板及びポーラスアルミナ層を除去する工程と、前記金属柱を絶縁物に埋め込む工程と、前記オーバーフロー層を除去する工程と、を有する異方性導電膜の製造方法が提供される。
【００１５】
さらに別の一観点によれば、絶縁物よりなるシート体と、前記シート体に埋め込まれ、前記シート体の厚さ方向に貫通する複数の金属柱と、を有し、前記金属柱の側面には、前記厚さ方向に延びた筋状の溝が形成されていることを特徴とする異方性導電膜が提供される。
【発明の効果】
【００１７】
また、上記観点の異方性導電膜の製造方法によれば、異方性導電膜にアスペクト比の高い金属柱を細かなピッチで多数含み、低い接触圧で低抵抗な異方性導電膜が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、第１実施形態に係るピラーアレー構造体の製造方法において、ポーラスアルミナ層の上にレジストマスクを形成した状態を示す断面図である。
【図２】図２は、図１の構造物を湿式エッチングして得られる構造物を示す断面図である。
【図３】図３は、図２の構造物に置換メッキを行った状態を示す断面図である。
【図４】図４（ａ）〜図４（ｃ）は、置換メッキ時間を長く行いすぎたときの開口パターン及び金属柱への影響を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図５】図５は、図３の構造物に電解メッキを行って金属柱及びオーバーフロー層を形成した状態を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は、複数の金属を積層した金属柱の例を示す図である。
【図７】図７は、図５の構造物からアルミニウム基板及びポーラスアルミナ層を除去して得られるピラーアレー構造体を示す断面図である。
【図８】図８（ａ）及び図８（ｂ）は、実験例１に係るマイクロホールアレーの走査電子顕微鏡写真である。
【図９】図９は実験例１に係る析出亜鉛を示す走査電子顕微鏡写真である。
【図１０】図１０は、実験例１で作製したピラーアレー構造体５の走査電子顕微鏡写真である。
【図１１】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）は、第２実施形態に係る異方性導電膜の製造方法を工程順に示す断面図である（その１）。
【図１２】図１２（ａ）及び図１２（ｂ）は、第２実施形態に係る異方性導電膜の製造方法を工程順に示す断面図である（その２）。
【図１３】図１３（ａ）は、図１２（ｂ）の構造物から得られる異方性導電膜を示す断面図であり、図１３（ｂ）は同じく斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本願発明者らは、高アスペクト比のマイクロホールアレーに対して、その底部から確実に金属を充填する手法について種々調査・検討した。
【００２０】
その結果、マイクロホールアレーの底部のアルミニウム基板に対して置換メッキを行ない、その後アルミニウム基板を電極に用いた電解メッキを行うと、極めて高いアスペクト比のマイクロホールアレーであっても、その底部から確実に金属を充填できることを見出した。
【００２１】
すなわち、本発明によれば、例えば深さが１００μｍ以上でアスペクト比が５以上のマイクロホールであっても底部から金属を充填できる。
【００２２】
以下添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
【００２３】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態に係るピラーアレー構造体の製造方法において、ポーラスアルミナ層の上にレジストマスクを形成した状態を示す断面図である。
【００２４】
本実施形態のピラーアレー構造体の製造方法にあたっては、まず、表面にポーラスアルミナ層２が形成されたアルミニウム基板１を形成する。
【００２５】
ポーラスアルミナ層２は、膜面に対して垂直な方向に延びた微細な細孔が密集した構造を有して多孔性材料の膜である。このポーラスアルミナ層２は、最も簡単には、アルミニウム基板１を酸性電解液中で陽極酸化することにより得ることができ、均一な直径を有する細孔が膜面に垂直に形成されるといった特徴を有する。
【００２６】
形成される細孔は、独立孔を形成しており陽極酸化時の化成電圧により、穴の直径は５〜８００ｎｍ、及び間隔は１０〜１０００ｎｍの範囲で適宜調整できる。
【００２７】
また、陽極酸化後、リン酸などの溶解性エッチャントに浸漬することにより、細孔の直径を拡大することもできる。
【００２８】
ポーラスアルミナ層２の厚さは化成時間に比例し、０．１μｍ〜５ｍｍの範囲で調整できる。
【００２９】
この他、陽極酸化時の条件を最適化することで細孔が広範囲で規則配置した構造を得ることもできる。細孔の規則配列したポーラスアルミナ層では、細孔配列の規則化に伴い、細孔形状及び細孔直径の均一化が実現されるとともに、細孔の直行性が向上する。
【００３０】
このような規則化された細孔は、陽極酸化の初期に形成される規則性の低い構造の部分を除去することで得られる。
【００３１】
具体的には、一定時間陽極酸化を施して細孔配列を規則化した後に、いったん酸化被膜を適当なエッチングにより選択的に除去し、再び同一条件で陽極酸化を行うことで、表面から底部まで細孔が規則化したポーラスアルミナ層２が得られる。
【００３２】
この場合には、細孔の形状及び直径が均一であり、膜厚方向に直線的に連続した構造となる。すなわち、細孔の長さとポーラスアルミナ層２の厚さとがほぼ同じとなる。
【００３３】
次に、図示のように陽極酸化によって形成されたポーラスアルミナ層２の上に、耐エッチング性を有するレジストパターン３を形成する。そのレジストパターン３の開口部３ａにはポーラスアルミナ層が露出している。開口部３ａの形状は、所望するピラーアレー構造体の平面形状と同一となっている。
【００３４】
レジストパターン３の材料としては、耐水性及び耐酸性に優れ、かつアルミナ膜に対する十分な密着性を有するものを用いることができ、例えばクロロプレンゴム、ブタジエンゴム、アクルロニトリルブタジエンゴム、アクリル系接着剤、セルロースアセテート等をマスク剤として利用できる。
【００３５】
このようなレジストパターン３は、例えば、所定のパターン形状のスタンパの表面にレジスト剤を塗布し、そのスタンパをポーラスアルミナ層２の表面に押し付けてスタンパの表面のレジスト剤をポーラスアルミナ層２に転写することで形成できる。本手法によれば、一端作製されたスタンプを繰り返し利用することが可能であり、低コストにパターンを形成でき、さらにマスク剤がポーラスアルミナ層の細孔内に浸透するのを避けることができる。
【００３６】
また、上記の手法に代えて、フォトレジスト膜の塗布とフォトリソグラフィー法又は電子ビームリソグラフィー法によるパターニングによってレジストパターン３を形成してもよい
図２は、図１の構造物をエッチングして得られる構造物を示す断面図である。
【００３７】
次に、図２に示すように、ウェットエッチングを行うことによりレジストパターン３の開口部３ａに露出したポーラスアルミナ層２を選択的に除去する。
【００３８】
エッチャントとしては、リン酸水溶液やクロム酸・リン酸混合溶液を用いることができる。このようなエッチャントに浸漬すると、開口部３ａに露出したポーラスアルミナ層２の細孔内にエッチャントが侵入し、ポーラスアルミナ層２の上部から底部にかけて、細孔壁の均一な溶解が進行する。
【００３９】
これにより、厚いポーラスアルミナ層２であっても、開口部３ａに露出したポーラスアルミナ層２の部分のみを選択的に除去することができるため、高アスペクト比の開口パターン（マイクロホール）２ａを有するマイクロホールアレーが得られる。
【００４０】
このとき、開口部３ａの下のポーラスアルミナ層２が完全に溶解除去され、開口パターン２ａの底部にアルミニウム基板１が露出して深さ方向へのエッチングが停止する。その結果、ポーラスアルミナ層２の膜厚に応じた均一な深さを有する開口パターン２ａが形成される。
【００４１】
このようにして形成される開口パターン２ａは、その側面にポーラスアルミナ層２の膜厚方向に延びる筋状の凹凸が生じる。この筋状の凹凸は、ポーラスアルミナ層２の細孔の形状を反映したものである。
【００４２】
その後、アルミニウム基板１を電極にした電解メッキにより金属を析出させれば、開口パターン２ａの底部から金属の充填を行うことが可能と考えられる。
【００４３】
ところが、アルミニウム基板１の表面に電解メッキを行っても、金属の充填は困難であることが判明した。これはアルミニウム基板１の表面に絶縁性の自然酸化膜が存在し、メッキ膜の成長を阻害してしまうためである。
【００４４】
電解メッキを可能とするべく、アルミニウム基板１の自然酸化膜を除去する方法が考えられる。
【００４５】
そこで、アルミニウム基板１の自然酸化膜を除去して開口パターン２ａの底部に電解メッキのシードとなる亜鉛４を析出させるべく、亜鉛イオンを含むアルカリ性溶液（水酸化ナトリウム水溶液）に所定時間接触させる置換メッキを行うこととした。
【００４６】
図３は、図２の構造物に置換メッキを行った状態を示す断面図である。
【００４７】
図３に示すように、置換メッキを行うことにより、開口パターン２ａの底に、アルミニウム基板１と導通状態に保たれ、その後の電解メッキによる金属析出のシードとなる亜鉛４が析出する。
【００４８】
亜鉛イオンを含むアルカリ性溶液に接触させると、アルミニウム基板１の自然酸化膜が溶解しアルミニウムが露出するようになり、亜鉛イオンと置換メッキが進行する。そして、開口パターン２ａの底部に電解メッキを行う際の導通層となる亜鉛４が析出する。
【００４９】
置換メッキに用いるメッキ浴は、アルミニウム基板１の自然酸化膜を溶解する必要があるため水酸化ナトリウムなどを含む強アルカリである。
【００５０】
ところが、アルカリ溶液は、アルミニウム基板１の表面の自然酸化膜（酸化アルミニウム）だけでなく、アルミニウム基板１及びポーラスアルミナ層２を腐食してしまうおそれがある。
【００５１】
そこで、本実施形態では、置換メッキについて適切な条件の下で短時間の処理を行うことでポーラスアルミナ層２を溶解することなく導通層となる亜鉛４を析出できることを見出した。
【００５２】
具体的には、以下の条件で置換メッキを行う。
【００５３】
メッキ浴の濃度範囲は、酸化亜鉛が１〜３０［ｇ／リットル］（最適濃度：６．５［ｇ／リットル］）及び水酸化ナトリウムが１０〜５０［ｇ／リットル］（最適濃度：３５［ｇ／リットル］）とすればよい。
【００５４】
メッキ浴の温度は、１０〜３０［℃］（最適温度２０［℃］）とすればよい。
【００５５】
メッキ浴との接触時間は、２０〜９０［秒］（最適時間６０［秒］）とすればよい。
【００５６】
なお、置換メッキは、開口パターン２ａの底部全面を亜鉛で覆うほど行う必要はなく、開口パターン２ａの一部にでもアルミニウム基板１と導通した亜鉛４が析出すれば十分である。
【００５７】
置換メッキの時間を上記の時間よりも短くしすぎると、一部の開口パターン２ａの底部で亜鉛４の析出が不十分となるおそれがある。また、置換メッキの時間を長くしすぎると、開口パターン２ａの底部のアルミニウム基板１の腐食が進んでしまう。
【００５８】
図４（ａ）は、置換メッキ時間を長い場合のアルミニウム基板１と開口パターン２ａの底部付近の断面の走査電子顕微鏡写真であり、図４（ｂ）はその結果得られる金属柱を示す走査電子顕微鏡写真であり、図４（ｃ）は図４（ｂ）の金属柱の先端部を拡大した走査電子顕微鏡写真である。
【００５９】
図４（ａ）に示すように、置換メッキの時間を長くしすぎると、開口パターン２ａのアルミニウム基板１が溶解し、結果として開口パターン２ａの底部が広がってしまうという問題が生じる。
【００６０】
このような溶解が生じると、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、の先端部の直径が他の部分よりも大きくなった金属柱が形成されることになる。
【００６１】
置換メッキの別の条件としては、ポーラスアルミナ層２のエッチングを行った後、ポーラスアルミナ層２が乾燥する前に行うことが好ましい。
【００６２】
ポーラスアルミナ層２のエッチング後、乾燥する前であれば、開口パターン２ａの内壁が親水性に保たれるため、酸化亜鉛と水酸化ナトリウムを含む水溶液が開口パターンを２ａの奥まで確実に浸透できるためである。
【００６３】
酸化亜鉛と水酸化ナトリウムを含む水溶液のポーラスアルミナ層２への濡れ性を向上させて、微細な開口パターン２ａへの浸透性を向上させるべく界面活性剤を添加してもよい。
【００６４】
上記の説明では、亜鉛による置換メッキを例に説明したが本実施形態はこれに限定されるものではなく、亜鉛の他に、標準電極電位がアルミニウムよりも高い金属イオンを含むアルカリ又は酸性水溶液で置換メッキを行うこともできる。このようなメッキ浴にアルミニウム基板１を浸漬すると、亜鉛による置換メッキと同様に、アルミニウム基板１の表面の自然酸化膜が酸又はアルカリによって溶解し、アルミニウムが露出した後、置換メッキが進行することで電解メッキの導通層（シード層）が得られる。
【００６５】
図５は、図３の構造物に電解メッキを行って金属柱及びオーバーフロー層を形成した状態を示す断面図である。
【００６６】
置換メッキの後、図５に示すようにアルミニウム基板１に電流を流して電解メッキを行うことで、開口パターン２ａの内部に金属を充填して金属柱５ａを形成する。
【００６７】
この電解メッキは、例えばＮｉなどの金属イオンを含むメッキ浴中でアルミニウム基板１に直流電圧を印加して行う。
【００６８】
なお、従来のように、スパッタ法や蒸着法等のドライプロセスでメッキシード層を形成することでも開口パターン２ａ内に金属の充填を行うことは可能である。しかし、従来の方法では、開口パターン２ａの深さが増してアスペクト比が５を超えると、開口パターン２ａの底部に完全に金属を充填することが難しい。
【００６９】
これに対し本実施形態によれば、置換メッキによって析出した亜鉛４をシードにした金属の充填が進むことで、開口パターン２ａの底から金属が析出するため、アスペクト比が高い開口パターン２ａであっても確実に底部に金属を充填できる。
【００７０】
開口パターン２ａ内に金属を充填した後も引き続いて電解メッキを行い、ポーラスアルミナ層２の上方を覆うとともに、金属柱５ａ同士をつなぐオーバーフロー層５ｂを形成する。
【００７１】
本実施形態の電解メッキで充填可能な金属は、水溶液系のメッキ浴を使用する場合には、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｇａ、Ａｓ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｄｃ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏ等である。また、非水溶液系のメッキ浴を使用する場合には、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ，Ｒｂ、Ｓｒ，Ｃｓ、Ｂａ、Ｆｒ，Ｒａを充填できる。
【００７２】
さらに、開口パターン２ａの内部に金属の充填を行っている途中でメッキ浴を交換することで少なくとも２以上の金属が積層した金属柱５ａを形成してもよい。
【００７３】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、複数の金属を積層した金属柱５ａの例を示す図である。
【００７４】
図６（ａ）は二種類の金属を積層した金属柱５ａの構造を示す断面図である。また、図６（ｂ）は三種類の金属を積層した金属柱５ａの構造を示す断面図である。さらに、図６（ｃ）は二種類の金属を交互に三層積層した構造を示す断面図である。
【００７５】
このような手法に基づけば、例えば、図５（ｃ）に示すように、中心部分に機械強度に優れたＮｉを用い、上下の両端に接触抵抗が小さいＡｕを用いた機能性にすぐれた複合構造の金属柱５ａを得ることもできる。
【００７６】
図７は、図５の構造物からアルミニウム基板１及びポーラスアルミナ層２を除去して得られるピラーアレー構造体５を示す断面図である。
【００７７】
金属柱５ａ及びオーバーフロー層５ｂの形成した後に、図７に示すように、アルミニウム基板及びポーラスアルミナ層２を除去する。
【００７８】
ここでは、図５の構造物を、例えば水酸化ナトリウム水溶液のようなアルカリ溶液に浸漬させることで、アルミニウム基板１とポーラスアルミナ層２を除去することができる。合わせてレジスト膜３を除去する。
【００７９】
これにより、本実施形態のピラーアレー構造体５が完成する。ここで得られるピラーアレー構造体５の金属柱５ａの高さは、ポーラスアルミナ層２の膜厚に対応したものとなり、陽極酸化時間を変化させることによって、０．１μｍから５ｍｍの範囲で制御することができる。
【００８０】
陽極酸化によって形成されるポーラスアルミナ層２の膜厚は、広い面積にわたってほぼ均一な厚みとなるため、本実施形態によれば、例えば数ｃｍ各の範囲内で高さのばらつきが５％以下の金属柱５ａを有するピラーアレー構造体５が得られる。
【００８１】
また、金属柱５ａの直径及びピッチは、レジストパターン３の開口部３ａのサイズおよびピッチを変化させることで制御することが可能である。
【００８２】
さらに、レジストパターン３の形状を変化させれば開口パターン２ａを円柱状のマイクロホールとするだけでなく、アラインアンドスペースパターンとすることもでき、様々なマイクロ構造体を形成できる。
【００８３】
さらに、本実施形態によって得られるピラーアレー構造体５の金属柱５ａの側面には、ポーラスアルミナ層２の細孔の構造を反映した高さ方向の筋状の凹凸構造が形成される。
【００８４】
このような凹凸を有する金属柱５ａを異方性導電膜に適用すると、金属柱５ａと樹脂シートとの密着性が向上し、金属柱５ａの引き抜けなどの不良が起こりにくくなる。
【００８５】
（実験例１）
実験例１では、高アスペクト比のニッケルよりなる金属柱５ａによるピラーアレー構造体５を作製した。
【００８６】
純度９９．９％のアルミニウム基板１を、過塩素酸及びエタノールの混合溶液中で電解研磨を行った。その後、０．３Ｍシュウ酸水溶液、浴温１７℃、化成電圧４０Ｖの条件下において１０時間陽極酸化を行い、膜厚８０μｍのポーラスアルミナ層２を得た。
【００８７】
次に、ポーラスアルミナ層２の上に、直径１０μｍの円形窪みパターンが３０μｍのピッチで格子状に配置されてなるパターンを有するポリジメチルシロキサン製スタンプを用意した。そして、スタンプの表面にディップコート法でクロロプレンゴム薄膜を形成し、これをポーラスアルミナ層２の表面にクロロプレンゴムよりなるレジストパターン３の転写を行った。
【００８８】
次いで、上記の試料を、クロム酸（１．８ｗｔ％）とリン酸（６ｗｔ％）との混合溶液に浴温５０℃の下で２０分間浸漬させることで、開口部３ａに露出したポーラスアルミナ層２を選択的に溶解して除去した。
【００８９】
その結果、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示すように、円形のマイクロホールとしての開口パターン２ａよりなるマイクロホールアレーを得た。
【００９０】
次に、得られた試料を酸化亜鉛（０．６５ｗｔ％）及び水酸化ナトリウム（３．３ｗｔ％）の水溶液に浴温２０℃の下で６０秒間浸漬することで、開口パターン２ａの底部に亜鉛４を析出させた。
【００９１】
この処理により、図９に示すように、開口パターン２ａの底部に亜鉛４が析出することが確認できた。
【００９２】
その後、試料をニッケルメッキ浴中で、−１．４Ｖの一定電圧をアルミニウム基板１に印加した状態でニッケルメッキを行ない、開口パターン２ａをニッケルで充填した後、試料表面までニッケルの析出を行った。
【００９３】
最後に、水酸化ナトリウム（１０ｗｔ％）水溶液に試料を浸漬させることにより、アルミニウム地金及びアルミナ部分を溶解除去してニッケルよりなるピラーアレー構造体５を得た。
【００９４】
図１０は、実験例１で作製したピラーアレー構造体５の走査電子顕微鏡写真である。
【００９５】
図１０に示すように、均一な高さを有する高アスペクト比の金属柱５ａによって構成されたピラーアレー構造体５が得られることが確認できた。
【００９６】
（第２実施形態）
本実施形態では、ピラーアレー構造体を用いた異方性導電膜の製造方法について説明する。
【００９７】
図１１（ａ）〜図１３（ａ）は本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法を工程順に示す図である。
【００９８】
図１１（ａ）は、本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法に用いるピラーアレー構造体５０を示す断面図である。
【００９９】
図１１（ａ）に示すように、本実施形態では、図１〜図７を参照して説明した方法で製造されたピラーアレー構造体を用いる。
【０１００】
ただし、本実施形態のピラーアレー構造体５０では、金属柱５ａとオーバーフロー層５ｂとの間に、オーバーフロー層５に対するエッチャントに対するエッチング耐性を有する材料よりなるストッピング層５ｃを形成する。
【０１０１】
このようなストッピング層５ｃは、図６（ｃ）を参照しつつ説明したように、電解メッキの途中でメッキ浴を交換することで作製できる。
【０１０２】
例えば金属柱５ａ及びオーバーフロー層５ｂがニッケルの場合には、ストッピング層５ｄとして金などを使用することができる。
【０１０３】
また、異方性導電膜の製造に用いるピラーアレー構造体５０としては、金属柱５ａの直径が２μｍ程度で、そのピッチが５μｍ程度でその高さが１００μｍ程度のものを用いることができる。
【０１０４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、ピラーアレー構造体５０の金属柱５ａの上に被覆シート７を取り付ける。
【０１０５】
この被覆シート７は、シートの本体を構成するＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂フィルム７ａと、そのＰＥＴ樹脂フィルム７ａの表面にコーティングされたＰＤＭＳ（ポリメチルシロキサン）膜７ｂと、ＰＤＭＳ膜７ｂの表面張力を低下させる処理を施した離型処理層７ｃとを有している。
【０１０６】
次に、図１２（ａ）に示すように、ピラーアレー構造体５０と被覆シート７との間のスペースに、シリコーンゴムの原液を流し込む。その後、シリコーンゴムを硬化させて樹脂シート６を形成する。
【０１０７】
その後、図１２（ｂ）に示すように、ストッピング層５ｃまでオーバーフロー層５ｂをウェットエッチングにより除去する。
【０１０８】
次に、金属柱５ａ及び樹脂シート６から被覆シート７を剥離させることにより、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示す異方性導電膜１０を得る。
【０１０９】
この異方性導電膜１０は、弾性体よりなる樹脂シート６に金属柱５ａは埋め込まれた構造となっており、樹脂シート６の上下両面から電極を接触させると、上下方向への導通を取ることができる。
【０１１０】
従来の異方性導電膜は、弾性を有する樹脂マトリックス中に導電性粒子を分散させたものであり、圧力を加えた部分で導電性粒子どうしが接触して厚み方向に導通するものであった。しかし、粒子同士の接触抵抗が大きく、比較的高い圧力を加えないと抵抗値が高くなってしまい、高感度な測定に利用できないという問題がある。
【０１１１】
これに対し、本実施形態の異方性導電膜１０は、樹脂シート６を貫通する金属柱５ａで導通するため、低い接触圧でコンタクトを取っても低い抵抗値が得られより感度の高い測定を行える。
【０１１２】
また、金属柱５ａの高さの均一性が高いため、局所的な導通不良といった問題を起こすことがなく信頼性に優れる。
【０１１３】
さらに、異方性導電膜１０に埋め込まれた金属柱５ａは、その側面に筋状の凹凸を有しており、樹脂シート６とより強固に結合しているため、折り曲げ等に対してピン抜けするといったトラブルも起こしにくくなり耐久性にも優れている。
【０１１４】
このため、本実施形態の異方性導電膜１０は、例えば半導体デバイスのテストなどにも好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１１５】
１…アルミニウム基板、２…ポーラスアルミナ層、３…レジストパターン、４…亜鉛（析出物）、５、５０…ピラーアレー構造体、５ａ…金属柱、５ｂ…オーバーフロー層、５ｃ…ストッピング層、６…樹脂シート、７…被覆シート、１０…異方性導電膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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