(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイヤフラム上に検出部を形成するステップと、
前記ダイヤフラムの面上に親水性または疎水性のうち一方の材料を環状に塗布した環状領域を形成するステップと、
前記ダイヤフラムの面上の前記環状領域の内側に親水性または疎水性のうち他方を有する感応膜を形成するステップと、を含み、
前記感応膜は、中央部と、該中央部の外側に位置し該中央部よりも厚みが大きい外側部とを有し、
前記検出部は、前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜の外縁付近の領域に位置する、応力センサの製造方法。
【請求項２】
ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に位置する感応膜と、
前記ダイヤフラムの面上に位置して、親水性または疎水性のうち一方を有する環状領域と、
前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜の外縁付近の領域に位置する検出部と、を備え、
前記感応膜は、
前記環状領域の内側に、親水性または疎水性のうち他方を有する感応膜であり、
中央部と、該中央部の外側に位置し該中央部よりも厚みが大きい外側部とを有する、応力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、応力センサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイヤフラムを用いて圧力又は応力等を検出するセンサが知られている。例えば、特許文献１には、ダイヤフラムに加えられる圧力を、ダイヤフラムの撓みに基づいて検出する圧力センサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４３７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、ダイヤフラムを用いた応力センサにおいて、応力の検出能力が必ずしも高くない場合がある。
【０００５】
かかる点に鑑みてなされた本発明の目的は、検出能力を向上できる応力センサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る応力センサは、
ダイヤフラムと、
前記ダイヤフラムの面上に配置された感応膜と、
前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜の外縁付近の領域に位置する検出部と、を備え、
前記感応膜は、中央部と、該中央部の外側に位置し該中央部よりも厚みが大きい外側部とを有する。
【０００７】
また、本発明の一実施形態に係る応力センサの製造方法は、
ダイヤフラム上に検出部を形成するステップと、
前記ダイヤフラムの面上に親水性または疎水性のうち一方の材料を環状に塗布した環状領域を形成するステップと、
前記ダイヤフラムの面上の前記環状領域の内側に親水性または疎水性のうち他方を有する感応膜を形成するステップと、を含み、
前記感応膜は、中央部と、該中央部の外側に位置し該中央部よりも厚みが大きい外側部とを有し、
前記検出部は、前記ダイヤフラムにおいて前記感応膜の外縁付近の領域に位置する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一実施形態に係る応力センサ及びその製造方法によれば、検出能力を向上できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。
【図２】図１に示す応力センサのＬ−Ｌ線に沿った断面図である。
【図３】ガス分子が感応膜に吸着された際の図２に示す範囲Ａの拡大図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る応力センサの概略構成を示す上面図である。
【図５】図４に示す応力センサのＬ−Ｌ線に沿った断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板の概略構造を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。なお、本発明に係る実施形態では、ダイヤフラムの面上に配置された膜（感応膜）への物質の吸着によって、ダイヤフラムが変形し、ダイヤフラムに応力が生じるものとして説明する。また、以下の説明で用いられる図は模式的なものである。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係る応力センサ１の概略構成を示す上面図であり、図２は、図１に示す応力センサ１のＬ−Ｌ線に沿った断面図である。なお、本明細書では、ｚ軸正方向が上側、ｚ軸負方向が下側であるとして、以下説明する。
【００１２】
応力センサ１は、ダイヤフラム１０と、感応膜２０と、凸部３０と、４個のピエゾ抵抗素子（検出部）４０，４１，４２，４３とを備える。感応膜２０は、ダイヤフラム１０の上面において、凸部３０に囲まれた領域に配置される。応力センサ１は、感応膜２０が流体中の物質を吸着することにより、流体中の物質を検出する。本実施形態に係る応力センサ１には、例えば上面側から気体が吹きかけられる。応力センサ１は、吹きかけられた気体中に、検出対象となる所定のガス分子が含まれるか否かを検出できる。応力センサ１は、例えばＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板を用いて製造される。応力センサ１の製造方法の一例については後述する。
【００１３】
ダイヤフラム１０は、変形可能な部材である。ダイヤフラム１０は、例えば、薄い基板である。ダイヤフラム１０は、例えば、ｎ型Ｓｉ基板とすることができる。ダイヤフラム１０は、図１に示すように、上面側から見て矩形状としてもよいが、形状はこれに限るものではなく、例えば円形状であってもよいし他の多角形の形状等でもよい。ダイヤフラム１０は、その周囲において、ダイヤフラム１０よりも厚い基板と一体として構成されている。ダイヤフラム１０は、上面に配置された感応膜２０が変形すると、感応膜２０の変形の度合いに応じて変形する。
【００１４】
感応膜２０は、本実施形態では、円形状である。感応膜２０は、図２に示すように、中央部２０Ａと、中央部２０Ａよりも厚みが大きい外側部２０Ｂとを有する。
【００１５】
外側部２０Ｂの厚みを、中央部２０Ａの厚みよりも大きい形状とすることは、例えば、凸部３０を形成してから、凸部３０に囲まれた領域に感応膜材料を塗布して感応膜２０を形成することにより実現される。このように感応膜２０を形成すると、感応膜材料を塗布した際に、広がろうとする液体状の感応膜材料が凸部３０によって堰き止められるため、外側部２０Ｂが盛り上がる。そのため、感応膜２０は、外側部２０Ｂの厚みが、中央部２０Ａの厚みよりも大きい形状となる。
【００１６】
感応膜２０は、検出対象となる物質がその表面に吸着されると、その物質との物理的な接触又はその物質との化学反応等によって、伸縮等して変形する。感応膜２０には、検出対象となる物質に応じた材料が用いられる。一例として、感応膜２０の材料は、例えば、ポリスチレン、クロロプレンゴム、ポリメチルメタクリレート又はニトロセルロース等が挙げられる。
【００１７】
凸部３０は、ダイヤフラム１０の上面に配置される。凸部３０は、断面が略矩形状のリング状である。凸部３０は、例えば、感応膜２０が親水性の材料である場合は、疎水性の材料で形成してもよい。こうすると、応力センサ１の製造時において、凸部３０が感応膜２０をはじき、感応膜２０の外縁２１を、よりエッジが立った構成とすることができるからである。
【００１８】
ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、自身が受ける応力によって抵抗値が変化する。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、例えばｐ型Ｓｉである。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０がｎ型Ｓｉである場合には、ボロン（Ｂ）を拡散させて形成したものであってもよい。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０上に配置される。本明細書において、ダイヤフラム１０上に配置されるとは、平板状のダイヤフラム１０の上面に配置された状態と、図２に示すようにダイヤフラム１０の上面側においてダイヤフラム１０に埋め込まれた状態とを含む。ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ダイヤフラム１０上において、応力変化領域に位置する。ここで、応力変化領域とは、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際に、感応膜２０の変形に起因したダイヤフラム１０の変形に伴い応力が大きく変化する領域である。応力変化領域は、例えば、感応膜２０の外縁２１付近の領域を含む。外縁２１付近の領域は、上面視において、外縁２１を基準に外縁２１よりも内側の領域と外側の領域とを含む。応力変化領域は、後述する図３において、一例として領域Ｄとして示されている。本実施形態では、図１に示すように、４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３は、上面視において外縁２１に沿って等間隔に配置されている。
【００１９】
また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。応力センサ１は、ピエゾ抵抗素子４０〜４３で構成されたホイートストンブリッジ回路から、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の抵抗値の変化を電気信号として検出することで、検出対象となる物質の感応膜２０への吸着を検出できる。なお、ホイートストンブリッジ回路は、必ずしも４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３の全てを用いて構成する必要はなく、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の何れか１個、２個又は３個を用いて構成してもよい。また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３の何れか１個、２個又は３個を用いてホイートストンブリッジ回路を構成する際には、応力センサ１は、ホイートストンブリッジ回路に用いられる個数のピエゾ抵抗素子を、ダイヤフラム１０上に備えるようにしてもよい。
【００２０】
なお、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、図１に示す例では、上面視において外縁２１に沿って位置しているが、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は応力変化領域に位置していればよい。従って、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、外縁２１の内側又は外側に位置していてもよい。また、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、図１及び図２では、ダイヤフラム１０の上面側に位置しているが、ダイヤフラム１０の内部又は下面側に位置していてもよい。
【００２１】
また、本実施形態では、応力センサ１は４個のピエゾ抵抗素子４０〜４３を備えるが、応力センサ１が備えるピエゾ抵抗素子の個数は４個に限られない。応力センサ１は、検出対象となる物質を検出可能な任意の個数のピエゾ抵抗素子を備えていればよい。
【００２２】
また、ダイヤフラム１０に生じる応力を検出する検出部として、ピエゾ抵抗素子の代わりに、他の圧電素子が用いられてもよい。
【００２３】
次に、ダイヤフラム１０に生じる応力について、図３を参照して説明する。図３は、ガス分子２が感応膜２０に吸着された際の図２に示す範囲Ａの拡大図である。なお、ガス分子２は、応力センサ１を用いて検出する対象のガス分子を模式的に示すものである。
【００２４】
図３に示すように、ガス分子２が感応膜２０に吸着されると、感応膜２０が変形する。感応膜２０の変形に伴い、ダイヤフラム１０において感応膜２０が配置された領域も変形する。ダイヤフラム１０の変形により、領域Ｄに応力が生じる。
【００２５】
具体的には、ダイヤフラム１０の領域Ｃは、感応膜２０の中心側が上側に盛り上がった凸形状に変形する。この際、感応膜２０の外縁２１のエッジが急峻に立っている方がダイヤフラム１０の領域Ｄに生じる応力が高まる。本実施形態の感応膜２０は、外側部２０Ｂの厚みが中央部２０Ａの厚みよりも大きい構成である。そのため、通常の製造方法によって、外側の厚みが中央部の厚みよりも徐々に小さくなっていくように形成された感応膜と比較して、外縁２１のエッジが急峻に立っている。したがって、本実施形態の構成に係る感応膜２０を上面に形成したダイヤフラム１０は、通常の製造方法によって形成された感応膜を上面に形成したダイヤフラムよりも、領域Ｄに生じる応力が高くなる。
【００２６】
以上のように、第１の実施形態に係る応力センサ１では、通常の製造方法によって形成された感応膜を上面に形成したダイヤフラムに比較して、ダイヤフラム１０における外縁２１付近の領域に生じる応力が高くなる。そのため、外縁２１付近の領域に位置するピエゾ抵抗素子４０〜４３の抵抗値の変化もより大きくなる。これにより、応力センサ１では、検出対象となる物質が感応膜２０に吸着された際に、ダイヤフラム１０に生じる応力の検出能力を向上させることができる。そのため、応力センサ１では、検出対象となる物質の検出能力を向上させることができる。
【００２７】
（第２の実施形態）
図４は、本発明の第２の実施形態に係る応力センサ１ａの概略構成を示す上面図であり、図５は、図４に示す応力センサ１のＬ−Ｌ線に沿った断面図である。なお、図４及び図５に示す構成要素において、図１及び図２に示す構成要素と同一の構成要素は同一符号を付し、その説明を省略する。
【００２８】
図４及び図５に示す応力センサ１ａは、図１及び図２に示す応力センサ１から、凸部３０を除去したものである。
【００２９】
このような第２の実施形態に係る応力センサ１ａであっても、第１の実施形態に係る応力センサ１と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
（第１の実施形態に係る応力センサの製造工程）
次に、本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造工程の一例について、図６〜図１２を参照して説明する。なお、図６〜図１２に示す各構成要素において、同一の構成要素には同一符号を付す。
【００３１】
（１）ＳＯＩ基板の準備
まず、応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板を準備する。図６に、本発明の第１の実施形態に係る応力センサの製造に用いるＳＯＩ基板の概略構造を示す。図６に示すように、ＳＯＩ基板１００は、第１基板１１０と、ＳｉＯ２層１１１と、第２基板１１２とを備える。ＳＯＩ基板１００では、第２基板１１２上にＳｉＯ２層１１１が配置され、ＳｉＯ２層１１１上に第１基板１１０が配置されている。ＳＯＩ基板１００は、例えばいわゆる貼り合わせ法によって製造される。なお、以下では、第１基板１１０はｎ型であるとする。
【００３２】
（２）拡散配線（高ドープ層）の形成
次に、図６に示すＳＯＩ基板１００に、拡散配線を形成する。図７に示すように、第１基板１１０上にマスクパターン２００を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン２００の開口部に高濃度のボロン（Ｂ）を注入し、拡散配線４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂを形成する。
【００３３】
（３）ピエゾ抵抗素子（低ドープ層）の形成
図７に示すマスクパターン２００を除去した後、ピエゾ抵抗素子４０〜４３を形成する。図８に示すように、第１基板１１０上にマスクパターン２０１を形成した後、イオン注入法によってマスクパターン２０１の開口部に低濃度のボロン（Ｂ）を注入し、ピエゾ抵抗素子４０〜４３を形成する。
【００３４】
（４）金属配線の形成
図８に示すマスクパターン２０１を除去し、所定のパターンの絶縁層３１０ａ，３１０ｂを積層した後、アルミニウム等の金属配線を形成する。図９（ａ）に示すように、第１基板１１０上の全面にスパッタによって金属（例えばアルミニウム）を堆積させ、金属層３００（例えばアルミニウム層）を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、金属層３００上にマスクパターン２０２を形成する。その後、図９（ｃ）に示すように、マスクパターン２０２により保護されていない金属層３００をエッチングすることにより、金属配線３００ａ，３００ｂを形成する。金属配線３００ａ等及び拡散配線４１ａ等による接続によって、ピエゾ抵抗素子４０〜４３は、ホイートストンブリッジ回路を構成する。
【００３５】
（５）凸部の形成
図９（ｃ）に示すマスクパターン２０２を除去した後、凸部３０を形成する。凸部３０は、図１０に示すように、第１基板１１０上に形成される。凸部３０は、例えば、図９（ａ）〜（ｃ）に示した方法と同様の方法により、スパッタにより堆積させた凸部の材料を、マスクパターンにしたがってエッチングすることにより形成することができる。
【００３６】
（６）ダイヤフラムの形成
ＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、ダイヤフラムを形成する。図１１（ａ）に示すように、第２基板１１２上にマスクパターン２０４を形成した後、マスクパターン２０４により保護されていない第２基板１１２を、ドライエッチングして凹部４００を形成する。このとき、ＳｉＯ２層１１１がストップ層の役割を果たすように、予めドライエッチングの条件を設定する。その後、ドライエッチングの条件を変更し、図１１（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２層１１１を除去してダイヤフラムを形成する。
【００３７】
（７）感応膜の形成
図１１（ｂ）に示すマスクパターン２０４を除去し、さらにＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、感応膜２０を形成する。図１２に示すように、感応膜材料をダイヤフラム１０上における凸部３０に囲まれた領域に塗布した後、乾燥させて感応膜２０を形成する。このように、凸部３０に囲まれた領域に感応膜材料を塗布すると、広がろうとする液体状の感応膜材料が凸部３０によって堰き止められるため、外側部２０Ｂの厚みが、中央部２０Ａの厚みよりも大きい形状となる。
【００３８】
（第２の実施形態に係る応力センサの製造工程）
次に、本発明の第２の実施形態に係る応力センサの製造工程の一例について説明する。なお、第２の実施形態に係る応力センサの製造工程は、「（５）凸部の形成」および「（７）感応膜の形成」について、第１の実施形態に係る応力センサの製造工程と異なる。
【００３９】
（５Ａ）環状領域の形成
第２の実施形態においては、図９（ｃ）に示すマスクパターン２０２を除去した後、親水性または疎水性のどちらか一方の特性を有する材料を環状に塗布した領域を作成する。なお、親水性とは、感応膜２０の材料の化学種や置換基が、水（Ｈ２Ｏ）との間で水素結合などで結合することを指す。また、疎水性とは、感応膜２０の材料が、親水性と逆の極性を有していることを指す。
【００４０】
（７Ａ）感応膜の形成
第１の実施形態の場合と同様に、マスクパターン２０４を除去し、さらにＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、感応膜２０を形成する。このとき、感応膜材料を環状領域内に塗布した後、乾燥させて感応膜２０を形成する。そして、感応膜材料としては、親水性または疎水性のうち、環状領域を形成する材料とは異なる特性のものを使用する。その結果、環状領域に囲まれた領域に感応膜材料を塗布すると、広がろうとする液体状の感応膜材料が環状領域によってはじかれて、環状領域よりも内側に感応膜材料を留めることができる。その結果、感応膜の形成の効率を向上させることができる。
【００４１】
また、本工程において、感応膜材料の量を調節することによって、外側部２０Ｂの厚みが中央部２０Ａの厚みよりも大きい形状とすることができる。
【００４２】
また、第１の実施形態に係る凸部３０を、親水性または疎水性のうち感応膜２０の特性と異なる特性を有する材料によって形成してもよい。
【００４３】
（第２の実施形態に係る応力センサの製造工程の変形例）
次に、本発明の第２の実施形態に係る応力センサの製造工程の変形例について説明する。本変形例については、上記の「（５Ａ）環状領域の形成」および「（７Ａ）感応膜の形成」について、上記例と異なる。
【００４４】
（５Ｂ）感応膜領域の形成
本例においては、図９（ｃ）に示すマスクパターン２０２を除去した後、親水性または疎水性のどちらか一方の特性を有する材料を塗布した感応膜領域を作成する。なお、感応膜領域とは、後の工程において感応膜が塗布される領域をいう。また、感応膜領域は、感応膜と同一の平面形状であればよい。
【００４５】
（７Ｂ）感応膜の形成
第１の実施形態の場合と同様に、マスクパターン２０４を除去し、さらにＳＯＩ基板１００の上下を反転させた後、感応膜２０を形成する。このとき、感応膜材料を感応膜領域に塗布した後、乾燥させて感応膜２０を形成する。そして、感応膜材料としては、親水性または疎水性のうち、感応膜領域を形成する材料とは同一の特性のものを使用する。その結果、感応膜領域に感応膜材料を塗布すると、広がろうとする液体状の感応膜材料が感応膜領域から流れ出ることを低減することができる。その結果、感応膜の形成の効率を向上させることができる。
【００４６】
また、本工程において、感応膜材料の乾燥させる際に、例えばＳＯＩ基板１００を回転させることによって、回転時の遠心力を利用して、感応膜２０の外側部２０Ｂの厚みが中央部２０Ａの厚みよりも大きい形状とすることができる。
【００４７】
ここでは第１基板１１０がｎ型であるとして説明したが、例えば第１基板１１０がｐ型である場合には、上記（２）拡散配線（高ドープ層）の形成及び（３）ピエゾ抵抗素子（低ドープ層）の形成において、ボロン（Ｂ）に替えてリン（Ｐ）を注入する。
【００４８】
本発明を諸図面や実施例に基づき説明してきたが、当業者であれば本開示に基づき種々の変形や修正を行うことが容易であることに注意されたい。従って、これらの変形や修正は本発明の範囲に含まれることに留意されたい。例えば、各構成部、各ステップ等に含まれる機能等は論理的に矛盾しないように再配置可能であり、複数の構成部やステップ等を１つに組み合わせたり、或いは分割したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１，１ａ応力センサ
２  ガス分子
１０  ダイヤフラム
２０  感応膜
２０Ａ  中央部
２０Ｂ  外側部
２１  外縁
３０  凸部
４０，４１，４２，４３  ピエゾ抵抗素子（検出部）
４１ａ，４１ｂ，４３ａ，４３ｂ  拡散配線
１００  ＳＯＩ基板
１１０  第１基板
１１１  ＳｉＯ２層
１１２  第２基板
２００，２０１，２０２，２０４  マスクパターン
３００  金属層
３００ａ，３００ｂ  金属配線
３１０ａ，３１０ｂ  絶縁層
４００  凹部
【図１】
0006713321.tif 000002
【図２】
0006713321.tif 000003
【図３】
0006713321.tif 000004
【図４】
0006713321.tif 000005
【図５】
0006713321.tif 000006
【図６】
0006713321.tif 000007
【図７】
0006713321.tif 000008
【図８】
0006713321.tif 000009
【図９】
0006713321.tif 000010
【図１０】
0006713321.tif 000011
【図１１】
0006713321.tif 000012
【図１２】
0006713321.tif 000013