(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなり、
前記アルミニウム合金の前記アルミニウムの結晶粒中に、前記少なくともインジウム又はビスマスのいずれかで、かつ、粒径１０ｎｍ以下の粒子が分散されているスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、インジウムを０．１重量％以上２０重量％以下含有する請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、ビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有する請求項１又は２のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にシリコンを０．０４重量％以上８重量％以下含有する請求項２又は３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にチタンを０．１３重量％以上４重量％以下含有する請求項２乃至４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなる溶射材料を用意し、
前記溶射材料を用い、溶射法によってバッキングプレート上にスパッタリングターゲットを設ける工程を有するスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
前記溶射材料は、前記水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴットを加工してワイヤー状にしたものである請求項６記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、インジウムを０．１重量％以上２０重量％以下含有する請求項６又は７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、ビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有する請求項６乃至８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にシリコンを０．０４重量％以上８重量％以下含有する請求項８又は９のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１１】
前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にチタンを０．１３重量％以上４重量％以下含有する請求項８乃至１０のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリングに用いるスパッタリングターゲットに関し、特に水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アルミニウムにインジウム等を含有するアルミニウム合金からなる膜として、水分の存在する雰囲気中で溶解し、水崩壊性を発現するものが知られている。
この水崩壊性のアルミニウム合金からなる膜は、水を用いることによって溶解するものであることから、成膜した部材を損傷させることなく膜を剥離することができ、容易に部材の再利用を行うことができる。
【０００３】
このような水崩壊性の膜を形成する場合、従来は、水崩壊性のアルミニウム合金を溶融し、その微粒子を成膜対象物に吹き付ける溶射法を用いていた。
しかし、溶射法による膜は、１００μｍ以上の厚さがあるとともに、その表面が凹凸を有するもので、成膜後に膜の表面を平坦化する必要がある。このため、薄く且つ均一な膜厚で、しかも表面が平坦な水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成する技術が求められている。
【０００４】
また、小型の部材に対して水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することや、基板上に形成された水崩壊性のアルミニウム合金膜に対して微細なパターニング等の処理を施すことも求められているが、溶射法でこのような成膜や処理を行うことは困難である。
さらに、きわめて清浄な雰囲気で使用する部材に対して水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することが求められているが、溶射法では成膜の際に雰囲気を汚染するおそれがあるという課題もある。
【０００５】
このような課題に対し、水崩壊性のアルミニウム合金膜を、例えばスパッタリング法によって形成することも考えられる。
従来、スパッタリング法に用いるスパッタリングターゲットは、スパッタリングターゲットの材料を溶融してインゴットを作成し、このインゴットを加工することによって作成している。
【０００６】
このようなスパッタリングターゲットを用いて水崩壊性のアルミニウム合金膜を成膜した場合に溶射法による膜と同等の良好な水崩壊性を有するものが作成できれば、種々の用途に使用できるので好ましい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２５６０６３号公報
【特許文献２】国際公開２０１２−０２６３４９号公報
【特許文献３】特開２０１３−１４０９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来の技術の課題を考慮してなされたもので、その目的とするところは、溶射膜より薄く且つ均一な膜厚で、しかも表面が平坦な水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することができる技術を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、溶射法によって形成した水崩壊性のアルミニウム合金膜と同等の水崩壊性を有するアルミニウム合金膜を形成可能なスパッタリングターゲットを製造する技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明は、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなり、前記アルミニウム合金の前記アルミニウムの結晶粒中に、前記少なくともインジウム又はビスマスのいずれかで、かつ、粒径１０ｎｍ以下の粒子が分散されているスパッタリングターゲットである。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、インジウムを０．１重量％以上２０重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、ビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にシリコンを０．０４重量％以上８重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にチタンを０．１３重量％以上４重量％以下含有する場合にも効果的である。
一方、本発明は、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなる溶射材料を用意し、前記溶射材料を用い、溶射法によってバッキングプレート上にスパッタリングターゲットを設ける工程を有するスパッタリングターゲットの製造方法である。
本発明では、前記溶射材料は、前記水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴットを加工してワイヤー状にしたものである場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、インジウムを０．１重量％以上２０重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、アルミニウム１００重量％に対し、ビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にシリコンを０．０４重量％以上８重量％以下含有する場合にも効果的である。
本発明では、前記水崩壊性のアルミニウム合金は、更にチタンを０．１３重量％以上４重量％以下含有する場合にも効果的である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のスパッタリングターゲットは、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなるものであることから、このスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、溶射膜より薄く且つ均一な膜厚で、しかも表面が平坦な水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することができる。
【００１１】
また、本発明によれば、小型の部材に対して水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することや、基板上に形成された水崩壊性のアルミニウム合金膜に対して微細なパターニング等の処理を施すことができる。
【００１２】
さらに、本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成した水崩壊性のアルミニウム合金膜は、水のみで剥離することができるので、きわめて清浄な環境で使用する部材に対する各種の膜として好適となるものである。
【００１３】
一方、本発明のスパッタリングターゲットは、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなる溶射材料を用い、溶射法によってバッキングプレート上にスパッタリングターゲットを設けるものであることから、上述したスパッタリングターゲットを有するターゲットアセンブリを簡素な工程で作成することができる。
【００１４】
この場合、溶射材料として、水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴットを加工してワイヤー状にしたものを用いて溶射を行うことにより、溶射法によって形成した水崩壊性のアルミニウム合金膜と同等の良好な水崩壊性を有するアルミニウム合金膜を形成可能なスパッタリングターゲットを製造することができる。
【００１５】
この理由は、以下のように考えられる。
すなわち、インゴット形態の水崩壊性のアルミニウム合金は冷却速度が遅いので、冷却後にインゴットから切り出して得られたスパッタリングターゲットは、アルミニウム合金の粒界にインジウム等の添加金属が集まり、アルミニウム結晶粒中に分散するインジウム等の粒子数は少ない。
【００１６】
これに対し、本発明のように、水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴットを加工してワイヤー状にした材料を用いて溶射を行うと、当該アルミニウム合金が溶射によって一度溶解した後に急速に冷却されるため、得られた溶射膜中においてアルミニウムの結晶粒中にインジウム等の粒子、特に粒径１０ｎｍ以下の粒子が多く分散して良好な水崩壊性が発現する。
【００１７】
そして、この溶射膜をスパッタリングターゲットとして使用した場合、スパッタ成膜された膜に、アルミニウムの結晶粒中にインジウム等の粒子が多く分散した状態が転写され、その結果、スパッタ成膜された膜が良好な水崩壊性を呈するようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す流れ図
【図２】（ａ）〜（ｄ）：同スパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す工程図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係るスパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す流れ図である。
また、図２（ａ）〜（ｄ）は、同スパッタリングターゲットの製造方法の一例を示す工程図である。
【００２０】
本発明では、まず、スパッタリングターゲットの材料として、水崩壊性のアルミニウム（Ａｌ）合金からなる溶射材料を用意する。
この場合、本例では、図１のプロセスＰ１並びに図２（ａ）に示すように、水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴット１を作成する。
【００２１】
そして、図１のプロセスＰ２並びに図２（ｂ）に示すように、このインゴット１を加工してワイヤー状の溶射材料２を作成する。
なお、ワイヤー状の溶射材料２を作成する加工法としては、伸線加工、引き抜き加工、押し出し加工等があげられる。
【００２２】
その後、図１のプロセスＰ１並びに図２（ｃ）（ｄ）に示すように、このワイヤー状の溶射材料２を用い、例えば銅等の金属からなるバッキングプレート１０上に溶射法によってスパッタリングターゲット１５を作成する。
【００２３】
この場合、例えば図２（ｃ）に示すように、バッキングプレート１０の表面１０ａに対し、バッキングプレート１０に対して相対移動可能な溶射装置１１から、水崩壊性のアルミニウム合金の溶融微粒子１２を噴出し、図２（ｄ）に示すように、バッキングプレート１０の表面１０ａ上に、水崩壊性のアルミニウム合金の溶射膜（以下、「水崩壊性Ａｌ合金溶射膜」という。）からなるスパッタリングターゲット１５を設ける。
【００２４】
本発明の場合、溶射の方式は、アーク溶射、フレーム溶射のいずれも採用することができる。
なお、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜を形成するバッキングプレート１０の表面１０ａを、例えばＳｉＣを用いたブラスト処理によって予め粗面化しておく。
そして、以上の工程により、バッキングプレート１０付きのターゲットアセンブリ５を得る。
【００２５】
本発明の場合、スパッタリングターゲット１５を構成する水崩壊性のアルミニウム合金としては、アルミニウムに、インジウム（Ｉｎ）を含有するものを好適に用いることができる。
アルミニウムにインジウムを含有するアルミニウム合金から得られた溶射膜は、水分の存在する雰囲気中で溶解し、水崩壊性を発現するようになる。
【００２６】
本発明の場合、アルミニウム合金中におけるインジウムの含有量については特に限定されることはないが、アルミニウム１００重量％に対し、インジウムを０．１重量％以上２０重量％以下含有させることが好ましい。
【００２７】
アルミニウム１００重量％に対するインジウムの含有量が０．１重量％より小さいと、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、他方、アルミニウムに対するインジウムの含有量が２０重量％を超えると、反応性が高過ぎて大気中の水分によって崩壊し、また溶射材料を形成することが困難になる傾向がある。
【００２８】
また、本発明の場合、水崩壊性のアルミニウム合金としては、アルミニウムに、ビスマス（Ｂｉ）を含有するものを好適に用いることができる。
アルミニウムにビスマスを含有するアルミニウムから得られた溶射膜は、上述したインジウムの場合と同様、水分の存在する雰囲気中で溶解し、水崩壊性を発現するようになる。
【００２９】
本発明の場合、アルミニウム合金中におけるビスマスの含有量については特に限定されることはないが、上述したインジウムの場合と同様、アルミニウム１００重量％に対し、ビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有させることが好ましい。
【００３０】
アルミニウム１００重量％に対するビスマスの含有量が０．１重量％より小さいと、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、他方、アルミニウムに対するビスマスの含有量が２０重量％を超えると、反応性が高過ぎて大気中の水分によって崩壊し、また溶射材料を形成することが困難になる傾向がある。
【００３１】
なお、本発明では、水崩壊性のアルミニウム合金として、アルミニウムに、インジウムとビスマスの両方を含有するものを用いることもできる。
すなわち、本発明に用いる水崩壊性のアルミニウム合金は、少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有するものであればよい。
【００３２】
ここで、アルミニウムに、インジウムとビスマスの両方を含有させた場合、アルミニウム合金中におけるインジウム及びビスマスの含有量については特に限定されることはないが、アルミニウム１００重量％に対し、インジウム及びビスマスを０．１重量％以上２０重量％以下含有させることが好ましい。
【００３３】
この場合、アルミニウム１００重量％に対するインジウム及びビスマスの含有量が０．１重量％より小さいと、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、他方、アルミニウムに対するインジウム及びビスマスの含有量が２０重量％を超えると、反応性が高過ぎて大気中の水分によって崩壊し、また溶射材料を形成することが困難になる傾向がある。
【００３４】
一方、本発明の場合、上述した水崩壊性のアルミニウム合金には、更にシリコンを含有させることもできる。
この場合、水崩壊性のアルミニウム合金中のシリコンの含有量については特に限定されることはないが、アルミニウム１００重量％に対し、シリコンを０．０４重量％以上８重量％以下含有させることが好ましい。
【００３５】
アルミニウム１００重量％に対するシリコンの含有量が０．０４重量％より小さいと、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性の制御効果が低下する傾向があり、他方、アルミニウムに対するシリコンの含有量が８重量％を超えると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向がある。
【００３６】
なお、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の水崩壊性を制御する必要がない場合や、高温の水を用いて水崩壊性Ａｌ合金溶射膜を崩壊させる等の場合は、アルミニウム合金に含有させるシリコンの含有量は上述した範囲外とすることができる。
【００３７】
本発明の場合、水崩壊性のアルミニウム合金には、更にチタンを含有させることもできる。
この場合、水崩壊性のアルミニウム合金中のチタンの含有量については特に限定されることはないが、アルミニウム１００重量％に対し、０．１３重量％以上４重量％以下含有させることが好ましい。
【００３８】
アルミニウム１００重量％に対するチタンの含有量が０．１３重量％より小さいと、アルミニウム中の不純物の影響を受け、熱履歴を経た後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の溶解性が低下する傾向があり、他方、４重量％を超えると、アルミニウム合金中におけるチタンの偏析が大きくなる傾向がある。
【００３９】
本発明に用いる水崩壊性のアルミニウム合金である、アルミニウムにインジウムを含有する合金の一例としては、例えば、Ａｌ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｔｉがあげられる。
このＡｌ−Ｉｎ−Ｓｉ−Ｔｉからなる合金は、Ａｌ１００重量％に対し、２．０重量％以上３．５重量％以下、好ましくは２．５重量％以上３．０重量％以下のＩｎ、０．２重量％以上０．５重量％以下のＳｉ、及び０．１３重量％以上０．２５重量％以下、好ましくは０．１５重量％以上０．２５重量％以下、さらに好ましくは０．１７重量％以上０．２３重量％以下のＴｉを含有するものを好適に用いることができる。
【００４０】
ここで、Ｉｎの含有量が２重量％未満であると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、３．５重量％を超えると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が非常に高くなる傾向があり、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の取り扱いが難しくなる場合があるとともに、Ｉｎ量の増加に伴いコストが大となる。
【００４１】
また、Ｓｉの含有量が０．２重量％未満であると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性の制御効果が低下する傾向があり、０．５重量％を超えると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下し始める傾向があり、さらに０．６重量％を超えると水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性そのものが低下する傾向がある。
【００４２】
一方、Ｔｉの含有量が０．１３重量％未満であると、Ａｌ中の不純物の影響を受け、熱履歴を経た後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の溶解性が低下する傾向があり、０．２５重量％を超えると、Ａｌ合金におけるＴｉの偏析が大きくなる傾向がある。
【００４３】
さらに、Ｔｉの含有量に関しては、Ｓｉ添加量やＣｕ等の不純物濃度を考慮すると、０．１５重量％以上が好ましく、０．１７重量％以上がさらに好ましく、また、Ｔｉの偏析を考慮すると０．２３重量％以下が好ましい。
【００４４】
また、本発明に用いる水崩壊性のアルミニウム合金である、アルミニウムにビスマスを含有する合金の一例としては、例えば、Ａｌ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｔｉ−Ｃｅ−Ｍｇがあげられる。
【００４５】
このＡｌ−Ｂｉ−Ｓｉ−Ｔｉ−Ｃｅ−Ｍｇからなる合金は、Ａｌ１００重量％に対し、０．２重量％以上２重量％以下、好ましくは０．５重量％以上１．５重量％以下のＢｉ、１．５重量％以上８重量％以下、好ましくは３重量％以上５重量％以下のＳｉ、０．２重量％以上４重量％以下、好ましくは１重量％以上２重量％以下のＴｉ、０．２重量％以上２重量％以下、好ましくは０．２重量％以上０．５重量％以下のＣｅ、及び０．２重量％以上２重量％以下、好ましくは０．５重量％以上２重量％以下のＭｇを含有するものを好適に用いることができる。
【００４６】
ここで、Ｂｉの含有量が０．２重量％未満であると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性が低下する傾向があり、０．２重量％以上０．５重量％未満であれば、若干水との反応性が低い傾向はあるが、０．５重量％以上であれば水との反応性は満足される傾向があり、２重量％を超えると水との反応性が高くなる傾向がある。
【００４７】
また、Ｓｉの含有量が１．５重量％未満であると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性の制御効果が低下する傾向があり、５重量％を超えると、インゴット状の水崩壊性アルミニウム合金をワイヤーに加工する場合、伸線加工が難しくなる傾向があり、そして８重量％を超えるとワイヤーに加工することができない傾向がある。
【００４８】
一方、Ｔｉの含有量が０．２重量％未満であると、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜が熱履歴を経た場合において、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の溶解性が低下する傾向があり、Ｔｉの含有量が大きいほど熱履歴を経た後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の溶解性は向上する傾向があるが、インゴット状の水崩壊性アルミニウム合金をワイヤーに加工する場合に、Ｔｉの含有量が４重量％程度より大きくなるに従い伸線加工が困難になる傾向がある。
【００４９】
また、Ｃｅが未添加であると、熱履歴を経た後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の溶解性が劣る傾向があり、０．５重量％を超えると格別の溶解性の向上は得られなくなり、２重量％を超えると、インゴット状の水崩壊性アルミニウム合金をワイヤーに加工する場合、伸線加工が難しくなる傾向がある。
【００５０】
さらに、Ｍｇが未添加であると、熱履歴を経た後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜は安定性が低く、大気中の水分と反応し、粉化現象が発生する。Ｍｇの含有量が０．２重量％未満であると、熱履歴後の水崩壊性Ａｌ合金溶射膜の表面に若干の粉化現象が観察されるが、０．５重量％以上ではこのような粉化現象は発生しない。Ｍｇの含有量が２重量％を超えると、インゴット状の水崩壊性アルミニウム合金をワイヤーに加工する場合、伸線加工が難しくなる傾向がある。
【００５１】
本発明の場合、特に限定されることはないが、水崩壊性Ａｌ合金溶射膜と水との反応性を向上させる観点からは、上述した溶射工程において、インジウム、ビスマスを、上述した水崩壊性のアルミニウム合金のアルミニウム結晶粒中に粒径１０ｎｍ以下の粒子が分散されるように溶射することが好ましい。
【００５２】
この場合、粒径１０ｎｍより大きいインジウム、ビスマスの粒子が存在していたり、インジウム、ビスマスの粒子の一部が結晶粒中に存在している場合であっても、アルミニウム結晶粒中に、粒径１０ｎｍ以下のインジウム、ビスマスの粒子が分散していれば、水崩壊性は発現する。
本発明の場合、水崩壊性のアルミニウム合金からなるスパッタリングターゲット１５の厚さは、１ｍｍ〜２０ｍｍに設定することが好ましい。
【００５３】
以上述べた本実施の形態のスパッタリングターゲット１５は、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなるものであることから、このスパッタリングターゲット１５を用いてスパッタリングを行うことにより、溶射膜より薄く（１μｍ程度）、かつ、均一な膜厚で、しかも表面が平坦な水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することができる。
【００５４】
また、本実施の形態によれば、小型の部材に対して水崩壊性のアルミニウム合金膜を形成することや、基板上に形成された水崩壊性のアルミニウム合金膜に対して微細なパターニング等の処理を施すことができる。
【００５５】
さらに、本実施の形態のスパッタリングターゲット１５を用いて形成した水崩壊性のアルミニウム合金膜は、水のみで剥離することができるので、きわめて清浄な環境で使用する部材に対する各種の膜として好適となるものである。
【００５６】
一方、本実施の形態のスパッタリングターゲット１５は、アルミニウムに少なくともインジウム又はビスマスのいずれかを含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなる溶射材料を用い、溶射法によってバッキングプレート１０上に設けるものであることから、上述したスパッタリングターゲット１５を有するターゲットアセンブリ５を簡素な工程で作成することができる。
【００５７】
特に、本実施の形態においては、水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴット１を加工してワイヤー状にした溶射材料２を用いて溶射を行うことから、溶射法によって形成した水崩壊性のアルミニウム合金膜と同等の良好な水崩壊性を有するアルミニウム合金膜を形成可能なスパッタリングターゲット１５を製造することができる。
【００５８】
すなわち、インゴット形態の水崩壊性のアルミニウム合金は冷却速度が遅いので、冷却後にインゴットから切り出して得られたスパッタリングターゲットは、アルミニウム合金の粒界にインジウム等の添加金属が集まり、アルミニウム結晶粒中に分散するインジウム等の粒子数は少ないが、本実施の形態のように、水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴット１を加工してワイヤー状にした溶射材料２を用いて溶射を行うと、当該アルミニウム合金が溶射によって一度溶解した後に急速に冷却されるため、得られた溶射膜中においてアルミニウムの結晶粒中にインジウム等の粒子が多く分散して良好な水崩壊性が発現する。
【００５９】
そして、この溶射膜をスパッタリングターゲット１５として使用した場合、スパッタ成膜された膜に、アルミニウムの結晶粒中にインジウム等の粒子が多く分散した状態が転写され、その結果、スパッタ成膜された膜が良好な水崩壊性を呈するようになる。
【００６０】
なお、本発明は上記実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態では、バッキングプレート１０の表面に水崩壊性のアルミニウム合金の溶射膜からなるスパッタリングターゲット１５を形成する場合を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、所定の基板上に本発明の方法によって上述した水崩壊性のアルミニウム合金の溶射膜からなるスパッタリングターゲット１５を形成し、この基板をバッキングプレート１０の表面に取り付けることもできる。
【実施例】
【００６１】
＜水崩壊性アルミニウム合金からなるスパッタ膜の形成＞
Ａｌ１００重量％に対し、Ｉｎを３重量％、Ｓｉを０．４重量％、Ｔｉを０．２重量％含有する水崩壊性のアルミニウム合金からなるインゴットを作成し、このインゴットをスライス加工してワイヤー状の溶射材料を作成した。
【００６２】
なお、このアルミニウム合金の全体の配合比（重量％）は、Ａｌ：９６．５３、Ｉｎ：２．９０、Ｓｉ：０．３９、Ｔｉ：０．１９である。
このワイヤー状の溶射材料を用い、銅（Ｃｕ）からなるバッキングプレートの表面に、フレーム溶射法によって厚さ１．５ｍｍの溶射膜からなるスパッタリングターゲットを設けた。
この場合、バッキングプレートの表面を、ＳｉＣを用いたブラスト処理によって予め粗面化した。
【００６３】
このスパッタリングターゲットを用い、ＤＣマグネトロンスパッタリング法によって、ガラス基板（コーニング＃７０５９  無アクリルガラス）上に直径１２０ｍｍ、厚さ１μｍのアルミニウム合金膜を形成し、アルミニウム合金からなるスパッタ膜のサンプルとした。
【００６４】
このアルミニウム合金膜の表面を目視で観察したところ、金属光沢が確認された。
また、アルミニウム合金膜の組成を蛍光Ｘ線分析法によって分析したところ、Ｉｎを２．５０重量％含有することが確認された。
このアルミニウム合金膜は、Ａｌ１００重量％に対し、Ｉｎを２．６重量％含有するものであり、成膜に用いたスパッタリングターゲットにおけるＩｎの含有量と殆ど変化がないことが確認された。
【００６５】
＜水崩壊性の確認＞
上記アルミニウム合金からなるスパッタ膜が形成されたガラス基板を、温度７０〜８０℃の一般水道水に１０分間浸漬してスパッタ膜の水崩壊性を観察した。
【００６６】
その結果、アルミニウム合金からなるスパッタ膜は、ガラス基板上から消失し、これによりこのスパッタ膜の水崩壊性が確認された。
以上より、本発明の効果を確認することができた。
【符号の説明】
【００６７】
１…インゴット
２…ワイヤー状の溶射材料
５…ターゲットアセンブリ
１０…バッキングプレート
１１…溶射装置
１５…スパッタリングターゲット 
【図１】
0006678501.tif 000002
【図２】
0006678501.tif 000003