(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状の底板と、該底板の４辺の縁から立設されている４つの側板からなり、上面が開口されて内部が収納空間とされている導電性の本体ケースと、
該本体ケースの上面の開口を閉塞するように前記本体ケースの上面に圧入される導電性の蓋部とを備え、
前記４つの側板の上部は直線状に形成されており、該直線状の４つの側板の上部に圧入される前記蓋部の長辺とされる対向する２つの側縁が外側に膨らんでいる形状とされ、該形状は前記蓋部の側縁の中央部の範囲が直線状とされ、該中央部の範囲の両側であって端部を除く範囲が外側に膨らんでいる曲線状とされ、前記蓋部の幅に対する前記２つの側縁の膨出の割合が約１．３８％とされていることを特徴とするシールドケース。
【請求項２】
前記直線状とされた前記側板の上部に、側縁が直線状とされた前記蓋部を圧入した際に、前記側板の上部が膨らむ大きさで、前記蓋部の側縁が外側に膨らんでいることを特徴とする請求項１に記載のシールドケース。
【請求項３】
矩形状の底板と、該底板の４辺の縁から立設されている４つの側板からなり、上面が開口されて内部が収納空間とされている導電性の本体ケースと、
該本体ケースの上面の開口を閉塞するように前記本体ケースの上面に圧入される導電性の蓋部とを備え、
前記蓋部の側縁は直線状に形成されており、該直線状の前記蓋部が圧入される長辺とされる対向する前記側板の２つの上部の内面が内側に膨らんでいる形状とされ、該形状は前記側板の上部の中央部の範囲が直線状とされ、該中央部の範囲の両側であって端部を除く範囲が内側に膨らんでいる曲線状とされ、前記対向する前記側板の間隔に対する前記２つの上部の膨出の割合が約１．９３％とされていることを特徴とするシールドケース。
【請求項４】
側縁が直線状とされた前記蓋部を、直線状とされた前記側板の上部に圧入した際に、前記側板の上部が膨らむ大きさで、前記側板の上部の内面が内側に膨らんでいることを特徴とする請求項３に記載のシールドケース。
【請求項５】
前記本体ケースは横長の矩形状とされた直方体形状とされて、前記蓋部は横長の矩形状とされ、前記蓋部の長辺における側縁が外側に膨らんでいることを特徴とする請求項１または２に記載のシールドケース。
【請求項６】
前記本体ケースは横長の矩形状とされた直方体形状とされて、前記蓋部は横長の矩形状とされ、前記側板の長辺における上部の内面が内側に膨らんでいることを特徴とする請求項３または４に記載のシールドケース。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入力端子と出力端子とを備え、内部に基板等を収納可能な空間を有するシールドケースに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波を取り扱う電子機器のケースは、内部から電磁波が外部へ漏出しないと共に、外部からの電磁波の影響を受けないように多くの場合はシールドケースとしている。
特許文献１に開示されている従来のシールドケースは金属製とされ、その正面形状（背面形状）が全体的にＴ字型になるように、横長の直方体部分と縦長の直方体部分とが連通した構造となっている。横長の直方体部分の下向き面には入力端子と出力端子とが設けられている。そして、横置きのプリント基板が、横長の直方体部分に蓋と平行になるように置かれ、縦置きのプリント基板が、縦長の直方体部分に縦方向でかつ蓋に直角になるように置かれている。プリント基板を収容した直方体部分の背面には金属製の蓋が圧入されて、シールドケースとされている。
【０００３】
また、特許文献２に開示されている従来の他のシールドケースは、一面に開口部を有する箱状の金属製とされる本体ケースと、アルミニウム製の薄板の蓋とからなり、本体ケースの開口部に蓋を圧入することで、この開口部を閉塞したシールドケースとなる。そして、本体ケースの開口縁部には、圧入された蓋にくい込む多数の凸部がほぼ一定間隔で設けられている。シールドケースは分波，分配器のシールドケースとされて、その高周波回路基板が収納され、分波，分配すべき信号を高周波回路基板に入力するための入力端子と、入力端子が設けられた側面とは反対側の側面に、高周波回路基板に接続された分波，分配された信号を出力するための３つの出力端子とが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２０４３７６号公報
【特許文献２】特開２００８−１３６２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般的な従来のシールドケース１００の構成を示す斜視図を図１４に、従来のシールドケース１００の構成を示す分解図を図１５に示す。
これらの図に示す従来のシールドケースは、室内に設置されている情報端末へ信号を供給する壁面端子、直列ユニット、分配器、分岐器などの電子機器に使用できるシールドケースとされ、金属製の本体ケース１１０と、本体ケース１１０の上面から圧入されて、本体ケース１１０の開口面を閉塞する蓋部１２０とから構成されている。本体ケース１１０は金属のダイカストケースとされ、横長の矩形状の底板１１０ｅと、底板１１０ｅの４辺の縁から立設されている側板１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ、１１０ｄから構成されている上面が開口された箱状のケースとされている。本体ケース１１０の内部は、回路基板などの電子回路を収納する収納空間とされている。
【０００６】
蓋部１２０の構成を図１６（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。図１６（ａ）は蓋部１２０の構成を示す上面図、図１６（ｂ）は蓋部１２０の構成を示す正面図、図１６（ｃ）は蓋部１２０の構成を示す側面図である。これらの図に示す蓋部１２０は、本体ケース１１０の上面の開口より若干大きいほぼ同じ横長の矩形状とされ、縦の長さがＬ１００、横の長さがＬ１１０、厚さがｔの例えばアルミニウムの金属板とされている。蓋部１２０における４つの側縁１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、１２０ｄは直線とされており、４つの角部は面取りされて斜辺とされている。
【０００７】
新たな高品質放送システムの追加等に伴う放送使用周波数の高周波化が進められており、高周波化された電子機器のシールドケースでは、高周波化されても内部から電磁波が外部へ漏出しないことが求められている。しかしながら、金属製の蓋部１２０は本体ケース１１０の開口面の形状より若干大きくされて開口面に圧入されるが、蓋部１２０を圧入した時に本体ケース１１０の圧入された開口面の中央部が若干膨らんでしまうことがあった。すると、この膨らんだ部位と蓋部１２０との間にわずかであるが間隙が生じて電磁波が外部へ漏出してしまうおそれがあり、高周波化された際にはこの影響が顕著になるという問題点があった。
そこで、本発明は、蓋部を本体ケースへ圧入するシールドケースにおいて、高周波化されても電磁波の外部への漏洩を防止することができるシールドケースを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のシールドケースは、矩形状の底板と、該底板の４辺の縁から立設されている４つの側板からなり、上面が開口されて内部が収納空間とされている導電性の本体ケースと、該本体ケースの上面の開口を閉塞するように前記本体ケースの上面に圧入される導電性の蓋部とを備え、前記４つの側板の上部は直線状に形成されており、該直線状の４つの側板の上部に圧入される前記蓋部の長辺とされる対向する２つの側縁が外側に膨らんでいる形状とされ、該形状は前記蓋部の側縁の中央部の範囲が直線状とされ、該中央部の範囲の両側であって端部を除く範囲が外側に膨らんでいる曲線状とされ、前記蓋部の幅に対する前記２つの側縁の膨出の割合が約１．３８％とされていることを最も主要な特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、直線状の４つの側板の上部に圧入される蓋部の側縁が外側に膨らんでいる形状とされている。これにより、本発明のシールドケースは、蓋部を圧入した時に本体ケースの開口面の中央部が若干膨らんでしまうことがあっても、この膨らんだ部位と蓋部との間に間隙が生じることがなく、高周波化されても電磁波が外部へ漏出してしまうおそれを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの構成を斜視図で示す分解図である。
【図３】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの蓋部の構成を示す上面図、正面図、側面図、膨出を強調して示す一部上面図である。
【図４】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示すグラフである。
【図５】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示す他のグラフである。
【図６】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示すさらに他のグラフである。
【図７】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示すさらに他のグラフである。
【図８】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示すさらに他のグラフである。
【図９】本発明の第１実施例にかかるシールドケースの漏洩電波電界強度を従来のシールドケースと対比して示すさらに他のグラフである。
【図１０】本発明の第２実施例にかかるシールドケースの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の第２実施例にかかるシールドケースの構成を斜視図で示す分解図である。
【図１２】本発明の第２実施例にかかるシールドケースの本体ケースの構成を示す上面図、膨出を強調して示す一部上面図である。
【図１３】本発明の第２実施例にかかるシールドケースの本体ケースの構成を断面図で示す側面図、一部を拡大して示す側面図である。
【図１４】従来のシールドケースの構成を示す斜視図である。
【図１５】従来のシールドケースの構成を斜視図で示す分解図である。
【図１６】従来のシールドケースにおける蓋部の構成を示す上面図、正面図、側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の第１実施例のシールドケース１の構成を図１および図２に示す。図１は本発明の第１実施例にかかるシールドケース１の構成を示す斜視図であり、図２は本発明の第１実施例にかかるシールドケース１の構成を斜視図で示す分解図である。
これらの図に示す本発明の第１実施例にかかるシールドケース１は、図１および図２に示すように、上面が開口した横長の直方体状とされた箱状の本体ケース１０と、本体ケース１０の開口されている上面（開口面）を閉塞するように圧入されて被嵌される金属板からなる矩形状の蓋部２０とから構成されている。本体ケース１０は金属のダイカストにより箱状に作成されて導電性とされており、蓋部２０はアルミニウム等の金属板を加工して作成されて導電性とされている。シールドケース１の内部は収納空間とされて、収納空間には高周波（ＲＦ）回路等が組まれた回路基板などが収納される。本発明にかかるシールドケース１は、室内に設置されている情報端末へ信号を供給する壁面端子、直列ユニット、分配器、分岐器などの電子機器のシールドケースとして使用することができる。
【００１２】
本体ケース１０は、横長の矩形状の底板１０ｅと、底板１０ｅの４辺の縁から立設されている４つの側板１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄとから構成されて、上面が開口された箱状のケースとされている。本体ケース１０の長辺とされる側板１０ａには、入力端子あるいは出力端子として使用される４つの同軸端子１１が外部へ突出するよう設けられ、側板１０ａに対面する長辺とされる側板１０ｂには、入力端子あるいは出力端子として使用される４つの同軸端子１２が外部へ突出するよう設けられている。本体ケース１０の短辺とされる側板１０ｂ、１０ｄには、シールドケース１を取り付けるための取付部材が外部へ突出するよう形成されている。また、本体ケース１０の長辺とされる対面する側板１０ａ、１０ｃの内面側には、回路基板を載置する複数のリブなどが形成されている。
また、本体ケース１０の長辺とされる対面される側板１０ａ、１０ｃの上部は直線状に形成されており、短辺とされる対面される側板１０ｂ、１０ｄの上部も直線状に形成されている。
【００１３】
蓋部２０の構成を図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す。図３（ａ）は蓋部２０の構成を示す上面図、図３（ｂ）は蓋部２０の構成を示す正面図、図３（ｃ）は蓋部２０の構成を示す側面図、図３（ｄ）は蓋部２０の側縁２０ｃの膨出の態様を強調して示す一部上面図である。
これらの図に示すように蓋部２０は、本体ケース１０の上面の開口とほぼ同じ横長の矩形状とされ、端部の幅Ａより中央部の幅Ｂが若干大きくされ、長軸方向の長さがＬ１、厚さがｔの例えばアルミニウムの金属板とされている。このように、蓋部２０における長辺とされる対向する２つの側縁２０ａ、２０ｃは端部から中央部に向かって外側に若干膨らんでいる曲線状に形成されている。なお、短辺とされる側縁２０ｂ、２０ｄは直線状に形成されており、４つの角部は面取りされて斜辺とされている。この側縁２０ｃの膨出の態様を強調して図３（ｄ）に示しており、２つの側縁２０ａ、２０ｃは、端部を除く長さＬ２の範囲が外側に寸法ｇ１だけ膨らんでいる曲線状とされており、長さＬ３の中央部の範囲は直線状とされている。例えば、幅Ａが約３１．２７ｍｍ、長さＬ１が約１０３．２ｍｍとされている場合は、約２２ｍｍとされる長さＬ３の範囲において幅Ｂが３１．７ｍｍと大きくされ、約８３．２ｍｍとされる長さＬ２の範囲において、外側に寸法ｇ１だけ膨らんでいる曲線状とされている。このように、蓋部２０の中央部は端部より約０．４３ｍｍだけ膨出されており、図３（ｄ）に示す寸法ｇ１は約０．２１５ｍｍとなる。なお、厚さｔは約１．５ｍｍとされる。また、幅Ａに対する膨出の割合は約１．３８％とされている。
【００１４】
このように、長辺とされる２つの側縁２０ａ、２０ｃにおいて、端部を除いて外側に若干膨らんでいる曲線状とされていることから、本体ケース１０の開口に蓋部２０を圧入した時に、本体ケース１０の開口面の中央部が若干膨らんでしまうことがあっても、この膨らんだ部位と蓋部２０との間に間隙が生じることがなく、電磁波が外部へ漏出してしまうおそれを防止することができる。
なお、上記した蓋部２０の長辺とされる２つの側縁２０ａ、２０ｃの形状は一例であって、図３に示す形状および膨出の割合に限るものではない。前記した従来のシールドケース１００における本体ケース１１０の開口に、側縁１２０ａ、１２０ｃが直線状とされた蓋部１２０を圧入した際に、本体ケース１１０の側板１１０ａ、１１０ｂの開口部の中央部が膨らむ大きさで、本発明の第１実施例のシールドケース１における蓋部２０の側縁２０ａ、２０ｃの中央部が少なくとも外側に膨らんでいればよい。
【００１５】
ここで、本発明の第１実施例のシールドケース１における漏洩電波電界強度の周波数特性を従来のシールドケース１００と対比して図４ないし図９に示す。この時の測定条件とされる入力レベルは１１３ｄＢμＶとされ、漏洩電波電界強度の自主目標値（以下、「自主目標値」という）は３４ｄＢμＶ／ｍとされる。
図４（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の右面における水平偏波成分（以下、「水平成分」という）の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図４（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の右面における垂直偏波成分（以下、「垂直成分」という）の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図４（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．８ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２７．２ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約２１．４ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３７．４ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を一部超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図４（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．７ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２７．９ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約５３．０ｄＢμＶ／ｍの１９００ＭＨｚを超える周波数帯域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００１６】
図５（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の後面における水平成分の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図５（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の後面における垂直成分の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図５（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．６ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２５．０ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１８．１ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２６．０ｄＢμＶ／ｍの自主目標値内の漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図５（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．５ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３０．０ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約２５．３ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３３．６ｄＢμＶ／ｍの自主目標値内の漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００１７】
図６（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の左面における水平成分の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図６（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の左面における垂直成分の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図６（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．８ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３０．２ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１９．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２８．８ｄＢμＶ／ｍの自主目標値内の漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図６（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．６ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３２．１ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．８ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２６．８ｄＢμＶ／ｍの自主目標値内の漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００１８】
図７（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の前面における水平成分の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図７（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の前面における垂直成分の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図７（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．７ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２８．０ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１８．７ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３６．９ｄＢμＶ／ｍの高域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図７（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．５ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３３．４ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１８．３ｄＢμＶ／ｍで最大値が約４１．１ｄＢμＶ／ｍの高域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００１９】
図８（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の底面における水平成分の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図８（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の底面における垂直成分の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図８（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３０．５ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約４８．０ｄＢμＶ／ｍの２４００ＭＨｚを超える周波数帯域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図８（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３４．５ｄＢμＶ／ｍの自主目標値をほぼ満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約２５．５ｄＢμＶ／ｍで最大値が約５５．０ｄＢμＶ／ｍの１６８０ＭＨｚを超える周波数帯域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００２０】
図９（ａ）に示すグラフは、シールドケース１の天面における水平成分の漏洩電波電界強度の周波数特性であり、図９（ｂ）に示すグラフは、シールドケース１の天面における垂直成分の漏洩電波電界強度の周波数特性である。図９（ａ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１６．９ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２５．０ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を十分満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．１ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３４．２ｄＢμＶ／ｍの一部の周波数帯域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
また、図９（ｂ）を参照すると、本発明の第１実施例のシールドケース１では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１７．１ｄＢμＶ／ｍで最大値が約２６．３ｄＢμＶ／ｍの自主目標値を満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性が得られている。また、従来のシールドケース１００では、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの周波数帯域において、最小値が約１８．０ｄＢμＶ／ｍで最大値が約３５．７ｄＢμＶ／ｍの一部の周波数帯域において自主目標値を超える漏洩電波電界強度の周波数特性となっている。
【００２１】
図４ないし図９に示す漏洩電波電界強度の周波数特性を参照すると、従来のシールドケース１００では自主目標値を超える周波数帯域があるが、本発明の第１実施例のシールドケース１では、６面における漏洩電波電界強度が、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの高周波化された際の周波数帯域において、自主目標値を超えることがない。これは、本発明の第１実施例のシールドケース１では、長辺とされる２つの側縁２０ａ、２０ｃにおいて、端部を除いて外側に若干膨出する曲線状とされていることを理由としている。
【００２２】
次に、本発明の第２実施例のシールドケース２の構成を図１０および図１１に示す。図１０は本発明の第２実施例にかかるシールドケース２の構成を示す斜視図であり、図１１は本発明の第２実施例にかかるシールドケース２の構成を斜視図で示す分解図である。
これらの図に示す本発明の第２実施例にかかるシールドケース２は、図１０および図１１に示すように、上面が開口した横長の直方体状とされた箱状の本体ケース３０と、本体ケース３０の開口されている上面（開口面）を閉塞するように圧入されて被嵌される金属板からなる矩形状の蓋部４０とから構成されている。本体ケース３０は金属のダイカストにより箱状に作成されて導電性とされており、蓋部４０はアルミニウム等の金属板を加工して作成されて導電性とされている。シールドケース２の内部は収納空間とされて、収納空間には高周波（ＲＦ）回路等が組まれた回路基板などが収納される。本発明にかかるシールドケース２は、室内に設置されている情報端末へ信号を供給する壁面端子、直列ユニット、分配器、分岐器などの電子機器のシールドケースとして使用することができる。
【００２３】
本体ケース３０は、横長の矩形状の底板３０ｅと、底板３０ｅの４辺の縁から立設されている４つの側縁４０ａ、４０ｂ、４０ｃ、４０ｄとから構成されて、上面が開口された箱状のケースとされている。本体ケース３０の長辺とされる側板３０ａには、入力端子あるいは出力端子として使用される４つの同軸端子３１が外部へ突出するよう設けられ、側板３０ａに対面する長辺とされる側板３０ｂには、入力端子あるいは出力端子として使用される４つの同軸端子３２が外部へ突出するよう設けられている。本体ケース３０の短辺とされる側板３０ｂ、３０ｄには、シールドケース２を取り付けるための取付部材が外部へ突出するよう形成されている。また、本体ケース３０の長辺とされる対面する側板３０ａ、３０ｃの内面側には、回路基板を載置する複数のリブなどが形成されている。
【００２４】
蓋部４０の構成は、従来のシールドケース１００における蓋部１２０と同様の構成とされていることから、その説明は省略するが、短辺における対向する側縁４０ｂ、４０ｄは直線状に形成されており、第１実施例のシールドケース１における蓋部２０とは異なり、長辺における対向する側縁４０ａ、４０ｃは直線状に形成されている。
本体ケース３０の構成を図１２（ａ）（ｂ）および図１３（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示す。図１２（ａ）は本体ケース３０の構成を示す上面図、図１２（ｂ）は本体ケース３０の側板３０ｃの膨出の態様を強調して示す一部上面図、図１３（ａ）は本体ケース３０のａ−ａ線断面図で示す側面図、図１３（ｂ）はそのｃ部拡大図、図１３（ｃ）は本体ケース３０のｂ−ｂ線断面図で示す側面図、図１３（ｄ）はそのｄ部拡大図である。
【００２５】
これらの図に示すように、第２実施例のシールドケース２にかかる本体ケース３０は、蓋部４０の形状とほぼ同じ横長の矩形状とされ、本体ケース３０の長辺とされる側板３０ａ、３０ｃの上部における端部の間隔Ｃより中央部の間隔Ｄが狭くされ、長軸方向の長さがＬ４の例えばアルミニウムのダイカストケースとされている。このように、本体ケース３０における長辺とされる対向する２つの側板３０ａ、３０ｃの上部は端部から中央部に向かって内側に若干膨らんでいる曲線状に形成されている。なお、短辺とされる側板３０ｂ、３０ｄは直線状に形成されており、４つの角部は面取りされて斜辺とされている。この側板３０ｃの膨出の態様を強調して図１２（ｂ）に示しており、２つの側板３０ａ、３０ｃは、端部を除く長さＬ５の範囲が内側に寸法ｇ２だけ膨らんでいる曲線状とされており、長さＬ６の中央部の範囲は直線状とされている。例えば、間隔Ｃが約３１．０ｍｍ、長さＬ４が約１０３．０ｍｍとされている場合は、約２２ｍｍとされる長さＬ６の範囲において間隔Ｄが３０．４ｍｍと狭くされ、約８３．２ｍｍとされる長さＬ５の範囲において、内側に寸法ｇ２だけ膨らんでいる曲線状とされている。このように、本体ケース３０の中央部は端部より約０．６ｍｍだけ内側に膨出されており、図１２（ｂ）に示す寸法ｇ２は約０．３ｍｍとなる。また、間隔Ｃに対する膨出の割合は約１．９３％とされている。
【００２６】
図１３（ａ）（ｂ）に示す本体ケース３０のａ−ａ線断面図で示す端部の側面図およびｃ部拡大図を参照すると、側板３０ａ、３０ｃの上部の厚みが薄くされて内側には段部３３が形成されている。この段部３３には、本体ケース３０の開口されている上面に蓋部４０を圧入した際に、蓋部４０の側縁４０ａ、４０ｂの下側の角が当接する。また、図１３（ｃ）（ｄ）に示す本体ケース３０のｂ−ｂ線断面図で示す中央部の側面図およびｄ部拡大図を参照すると、側板３０ａ、３０ｃの上部の厚みが薄くされて内側には段部３３が形成されている。この段部３３には、本体ケース３０の開口されている上面に蓋部４０を圧入した際に、蓋部４０の側縁４０ａ、４０ｂの下側の角が当接する。この場合、本体ケース３０の中央部は端部より内側に膨出されており、図１２（ｂ）およびｃ部拡大図とｄ部拡大図とに示されるように、段部３３の幅は端部より中央部の幅が狭くなっている。
【００２７】
このように、長辺とされる２つの側板３０ａ、３０ｃにおいて、端部を除いて内側に若干膨らんでいる曲線状とされていることから、本体ケース３０の中央部が狭くされた開口面に蓋部４０を圧入した時に、本体ケース３０の開口面の中央部が若干膨らんでしまうことがあっても、この膨らんだ部位と蓋部４０との間に間隙が生じることがなく、電磁波が外部へ漏出してしまうおそれを防止することができる。
なお、上記した本体ケース３０の長辺とされる２つの側板３０ａ、３０ｃの膨出する形状は一例であって、図１２および図１３に示す形状および膨出の割合に限るものではない。前記した従来のシールドケース１００における本体ケース１１０の開口に、側縁１２０ａ、１２０ｃが直線状とされた蓋部１２０を圧入した際に、本体ケース１１０の側板１１０ａ、１１０ｂの開口面が膨らむ大きさで、本発明の第２実施例のシールドケース２における本体ケース３０の側板３０ａ、３０ｃの開口面が少なくとも内側に膨らんでいればよい。
なお、本発明の第２実施例のシールドケース２における漏洩電波電界強度の周波数特性は、図４ないし図９に示す第１実施例のシールドケース１と同様となり、本発明の第２実施例のシールドケース２でも、６面における漏洩電波電界強度が、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの高周波化された際の周波数帯域において、自主目標値を超えることはない。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
以上説明した本発明の実施例のシールドケースでは、１０００ＭＨｚ〜３２５０ＭＨｚの高周波化された際の周波数帯域において、自主目標値を満足する良好な漏洩電波電界強度の周波数特性がシールドケースの６面において得られており、高周波化された電子機器のシールドケースに適用して好適となる。
以上説明した本発明にかかる各実施例のシールドケースは、室内に設置されている情報端末へ信号を供給する壁面端子、直列ユニット、分配器、分岐器などの電子機器のシールドケースとして使用することができると共に、受信信号を増幅するブースタや、コンバータ、ミキサーなどの信号を入力するための入力端子と信号を出力するための出力端子との間に設けられた回路を収納するシールドケースに適用することができる。また、シールドケースの形状や構成は一例であって、図示する形状および構成に限られるものではない。
本発明にかかるシールドケースは、導電製の蓋部が本体ケースの開口面の形状より若干大きくされて開口面に圧入されるシールドケースにおいて、第１実施例では、蓋部における長辺とされる対向する２つの側縁を外側に若干膨出した形状とし、第２実施例では、本体ケースの長辺とされる対面する側板の上部を内側に若干膨出した形状としている。これにより、本体ケースの開口面に蓋部を圧入した時に、本体ケースと蓋部との間に間隙が生じることがなく、電磁波が外部へ漏出してしまうおそれを防止することができる。
【符号の説明】
【００２９】
１  シールドケース、２  シールドケース、１０  本体ケース、１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ  側板、１０ｅ  底板、１１  同軸端子、１２  同軸端子、２０  蓋部、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ  側縁、３０  本体ケース、３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ  側板、３０ｅ  底板、３１  同軸端子、３２  同軸端子、３３  段部、４０  蓋部、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４０ｄ  側縁、１００  シールドケース、１１０  本体ケース、１１０ａ，１１０ｂ，１１０ｃ，１１０ｄ  側板、１１０ｅ  底板、１２０  蓋部、１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，１２０ｄ  側縁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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