(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面領域に形成された機能素子と、
平面視において前記基板の表面領域の中央部上に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された中央電極と、
前記中央電極の周囲に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された外側電極とを含み、
前記基板は、平面視が楕円形状のシリコン基板であり、
前記中央電極は、平面視が前記基板と相似形の楕円形状に形成されており、
前記外側電極は、前記中央電極を取り囲む環状で、その外縁が前記基板の外縁に沿うように形成されており、
前記外側電極には、環状が途切れ、前記外側電極の電極材料が存在せず、チップ部品の実装方向を位置付ける目印となる開放部が設けられており、
前記中央電極は、実装基板が有する中央配線膜に接続されることができ、かつ、前記外側電極は、前記実装基板が有する外側配線膜に接続されることができる、チップ部品。
【請求項２】
基板と、
前記基板の表面領域に形成された機能素子と、
平面視において前記基板の表面領域の中央部上に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された中央電極と、
前記中央電極の周囲に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された外側電極とを含み、
前記基板は、平面視において任意の多角形状に形成されたシリコン基板であり、
前記中央電極は、平面視が前記基板と相似形の任意の多角形状に形成されており、
前記外側電極は、前記中央電極を取り囲む環状で、その外縁が前記基板の外縁に沿うように形成されており、
前記外側電極には、環状が途切れ、前記外側電極の電極材料が存在せず、チップ部品の実装方向を位置付ける目印となる開放部が設けられており、
前記中央電極は、実装基板が有する中央配線膜に接続されることができ、かつ、前記外側電極は、前記実装基板が有する外側配線膜に接続されることができ、
前記基板の角部は、基板の外側に向かって湾曲するように面取りされている、チップ部品。
【請求項３】
基板と、
前記基板の表面領域に形成された機能素子と、
平面視において前記基板の表面領域の中央部上に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された中央電極と、
前記中央電極の周囲に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された外側電極とを含み、
前記基板は、平面視が四角形状に形成されたシリコン基板またはセラミック基板であり、
前記中央電極は、平面視が前記基板と相似形の四角形状に形成されており、
前記外側電極は、前記中央電極を取り囲む環状で、その外縁が前記基板の外縁に沿うように形成されており、
前記外側電極には、環状が途切れ、前記外側電極の電極材料が存在せず、チップ部品の実装方向を位置付ける目印となる開放部が設けられており、
前記中央電極は、実装基板が有する中央配線膜に接続されることができ、かつ、前記外側電極は、前記実装基板が有する外側配線膜に接続されることができ、
前記基板の角部は、基板の外側に向かって湾曲するように面取りされている、チップ部品。
【請求項４】
前記開放部は、基板の一辺に沿う部分に設けられている、請求項２または３に記載のチップ部品。
【請求項５】
前記開放部は、基板の角部に沿う部分に設けられている、請求項２または３に記載のチップ部品。
【請求項６】
前記機能素子は、コイル、抵抗、コンデンサまたはダイオードを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のチップ部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、直方体形状の基板上に互いに間隔を空けて配置された一対の接続電極が備えられたチップ部品が開示されている。一対の接続電極の一方は、基板表面の一方側の端部に配置されており、他方の接続電極は、一方の接続電極と等しい形状で基板表面の他方側の端部に配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４４２４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来技術に係るチップ部品では、一対の接続電極が対称に設けられているので、チップ部品の実装方向の把握が困難であり、チップ部品の取り扱いに手間が掛かるという課題がある。
そこで、本発明は、実装方向を容易に把握でき、適切な取り扱いのできるチップ部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のチップ部品は、基板と、前記基板の表面領域に形成された機能素子と、平面視において、前記基板の表面領域の中央部上に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された中央電極と、前記中央電極の周囲に設けられ、前記機能素子に電気的に接続された外側電極とを含み、前記基板は、平面視か円形、楕円形または任意の多角形状であり、前記中央電極は、平面視か前記基板と相似形の形成とされ、前記外側電極は、前記中央電極を取り囲む環状で、その外縁が前記基板の外縁に沿うように形成されており、前記外側電極には、環状が途切れ、前記外側電極の電極材料が存在しない開放部が設けられている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明のチップ部品によれば、中央電極と外側電極とが異なる形状および配置位置で形成されているので、中央電極および外側電極の形状および配置位置によって必然的に実装方向が定まる。よって、適切な取り扱いのできるチップ部品を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係るチップ部品を示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示すII-II線に沿う縦断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示すIIIA-IIIA線に沿う横断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２に示すIIIB-IIIB線に沿う横断面図である。
【図４】図４は、図１に示すチップ部品が実装基板に実装された状態を示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第２実施形態に係るチップ部品を示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示すVI-VI線に沿う縦断面図である。
【図７】図７は、図６に示すVII-VII線に沿う横断面図である。
【図８】図８は、本発明の第３実施形態に係るチップ部品を示す平面図である。
【図９】図９は、図８に示すIX-IX線に沿う縦断面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは、図９に示すXA-XA線に沿う横断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図９に示すXB-XB線に沿う横断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第４実施形態に係るチップ部品を示す平面図である。
【図１２】図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う縦断面図である。
【図１３】図１３は、図１２に示すXIII-XIII線に沿う横断面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５実施形態に係るチップ部品を示す平面図である。
【図１５】図１５は、図１４に示すチップ部品が実装基板に実装された状態を示す断面図である。
【図１６】図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、それぞれ変形例に係るチップ部品を示す平面図である。
【図１７】図１７（ａ）〜図１７（ｄ）は、それぞれ図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示すチップ部品の変形例を示す平面図である。
【図１８】図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、それぞれ変形例に係るチップ部品を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係るチップ部品１を示す平面図である。図２は、図１に示すII-II線に沿う縦断面図である。図３Ａは、図２に示すIIIA-IIIA線に沿う横断面図である。図３Ｂは、図２に示すIIIB-IIIB線に沿う横断面図である。
チップ部品１は、平面視円形状の基板２を含む。「平面視」とは、基板２の表面側から見た形態である。基板２の直径φは、たとえば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、基板２の厚さＴは、たとえば０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下である。基板２の表面領域には、機能素子としてコイルＬが形成されており、基板２の表面上には、コイルＬに電気的に接続された一対の外部電極３が形成されている。
【０００９】
本実施形態の特徴は、一対の外部電極３が、中央部上に設けられた円形状の中央電極３ａと、中央電極３ａから間隔を空けて当該中央電極３ａの周囲に設けられた外側電極３ｂとされていることである。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って円環状に形成されている。外側電極３ｂは、中央電極３ａと同心円状に配置されている。
図３Ａを参照して、コイルＬは、基板２の表面領域に形成された平面視円形の螺旋状のコイル導体４を含む。図３Ａでは、明瞭化のため、コイル導体４にハッチングを付して示している。コイル導体４は、中央電極３ａに電気的に接続される一端部４ａと、外側電極３ｂに電気的に接続される他端部４ｂとを有している。コイル導体４の一端部４ａは、中央電極３ａの直下の領域に配置されている。コイル導体４の他端部４ｂは、外側電極３ｂの直下の領域に配置されている。
【００１０】
図２を参照して、コイル導体４は、基板２の表面から裏面に向かって所定の深さまで掘り下げて形成されたトレンチ５に埋め込まれている。トレンチ５の幅は、たとえば３μｍ以上１０μｍ以下であり、トレンチ５の深さは、たとえば１０μｍ以上１００μｍ以下である。コイル導体４の断面形状は、基板２の厚さ方向に細長い矩形状である。コイル導体４は、Ｃｕを含んでいてもよい。
【００１１】
トレンチ５において、コイル導体４と基板２との間には、内面絶縁膜６が介在している。内面絶縁膜６は、一方表面および他方表面がトレンチ５の内面に沿って形成されており、さらに、基板２の表面を被覆している。内面絶縁膜６は、ＳｉＯ２を含んでいてもよい。
図２を参照して、基板２の表面上には、コイル導体４および内面絶縁膜６を被覆するように第１パッシベーション膜７が形成されている。第１パッシベーション膜７には、コイル導体４の一端部４ａを露出させる第１コンタクト孔８と、コイル導体４の他端部４ｂを露出させる第２コンタクト孔９とが形成されている。第１パッシベーション膜７は、ＳｉＮまたはＳｉＯ２を含んでいてもよい。
【００１２】
図２および図３Ｂを参照して、第１パッシベーション膜７上には、中央内部電極膜１０と外側内部電極膜１１とが間隔を空けて形成されている。図３Ｂでは、明瞭化のため、中央内部電極膜１０および外側内部電極膜１１にハッチングを付して示している。
中央内部電極膜１０は、中央電極３ａの直下の領域に配置されている。中央内部電極膜１０は、中央電極３ａの直径よりも大きい直径の円形状に形成されている。中央内部電極膜１０は、第１パッシベーション膜７の表面から第１コンタクト孔８に入り込んでいる。中央内部電極膜１０は、第１コンタクト孔８内でコイル導体４の一端部４ａに電気的に接続されている。中央内部電極膜１０は、Ｃｕを含んでいてもよい。
【００１３】
外側内部電極膜１１は、外側電極３ｂの直下の領域に配置されている。外側内部電極膜１１は、中央内部電極膜１０を中心として基板２の周縁部に沿う円環状に形成されている。外側内部電極膜１１は、第１パッシベーション膜７の表面から第２コンタクト孔９に入り込んでいる。外側内部電極膜１１は、第２コンタクト孔９内でコイル導体４の他端部４ｂに電気的に接続されている。外側内部電極膜１１は、Ｃｕを含んでいてもよい。
【００１４】
図２を参照して、基板２の表面上には、第１パッシベーション膜７を被覆するように、樹脂膜１２が形成されている。樹脂膜１２は、たとえばポリイミドを含む。樹脂膜１２には、中央内部電極膜１０の内周部および外周部を除く領域を露出させる中央パッド開口１３と、外側内部電極膜１１の内周部を除く領域を露出させる外側パッド開口１４とが形成されている。
【００１５】
中央電極３ａは、樹脂膜１２から突出するように中央パッド開口１３に埋設されており、樹脂膜１２の一部を被覆するように樹脂膜１２上に引き出された被覆部１５を有している。中央電極３ａは、中央パッド開口１３内で中央内部電極膜１０に電気的に接続されている。
外側電極３ｂは、樹脂膜１２から突出するように外側パッド開口１４に埋設されており、樹脂膜１２の一部を被覆するように樹脂膜１２上に引き出された被覆部１６を有している。外側電極３ｂは、外側パッド開口１４内で外側内部電極膜１１に電気的に接続されている。中央電極３ａおよび外側電極３ｂは、たとえば、Ｎｉ膜と、Ｎｉ膜上に形成されたＰｄ膜と、Ｐｄ膜上に形成されたＡｕ膜とを有するＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ積層膜であってもよい。
【００１６】
基板２の外周面には、当該外周面を被覆するように第２パッシベーション膜１７が形成されている。第２パッシベーション膜１７は、ＳｉＮまたはＳｉＯ２を含んでいてもよい。
図４は、チップ部品１が実装基板２０に実装された状態を示す断面図である。
図４を参照して、実装基板２０は、絶縁層２１と配線層２２とが交互に積層された多層基板である。実装基板２０上には、中央配線膜２３と、中央配線膜２３を取り囲むように環状に形成された外側配線膜２４ａと、外側配線膜２４ａから外方に延びる接続配線膜２４ｂと、外側配線膜２４ａから間隔を空けて形成された外周配線膜２５とが設けられている。実装基板２０の内部には、中央配線膜２３と外周配線膜２５とを電気的に接続させるための内部配線２６が設けられている。
【００１７】
内部配線２６は、平面視で外側配線膜２４ａを横切るように配線層２２に形成された埋め込み配線層２７と、埋め込み配線層２７および中央配線膜２３を電気的に接続する第１ビア電極２８と、埋め込み配線層２７および外周配線膜２５を電気的に接続する第２ビア電極２９とを含む。
チップ部品１は、中央電極３ａが半田３０ａを介して中央配線膜２３に接続され、外側電極３ｂが半田３０ｂを介して外側配線膜２４ａに接続されることによって、実装基板２０に実装される。
【００１８】
以上、チップ部品１によれば、一対の外部電極３が、形状および配置位置の異なる中央電極３ａと外側電極３ｂとを有しているので、中央電極３ａおよび外側電極３ｂの形状および配置位置により必然的に実装方向が定まる。よって、実装方向の把握に手間取ることなく、チップ部品１を実装基板２０に実装できる。
また、チップ部品１によれば、基板２の表面中央部上に設けられた中央電極３ａにより、基板２の表面中央部の強度を向上できる。これにより、基板２の表面中央部に加えられる負荷に強いチップ部品１を提供できる。したがって、図４を参照して、実装基板２０方向に押圧しながらチップ部品１を実装基板２０に実装する場合に、チップ部品１に良好に押圧力を与えることができる。
【００１９】
さらに、チップ部品１は、基板２の表面中央部上に配置された中央電極３ａが中央配線膜２３に接続され、基板２の表面周縁部上に配置された環状の外側電極３ｂが外側配線膜２４ａに接続されることによって実装基板２０に実装される。これにより、チップ部品１をバランスよく実装基板２０に実装できるので、チップ部品１が傾いた状態で実装基板２０に実装されるのを抑制できる。よって、チップ部品１を実装基板２０に良好に実装できる。
【００２０】
また、チップ部品１では、基板２が平面視円形状に形成されている。これにより、外部から基板２の外周面に加えられる負荷を基板２の周方向に沿って良好に分散させることができる。その結果、チップ部品１のチッピングの発生を効果的に抑制できる。
以上のように、本実施形態の構成によれば、適切な取り扱いのできるチップ部品１を提供できる。
【００２１】
図５は、本発明の第２実施形態に係るチップ部品３１を示す平面図である。図６は、図５に示すVI-VI線に沿う縦断面図である。図７は、図６に示すVII-VII線に沿う横断面図である。図５〜図７において、前述の図１〜図３Ｂに示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
本実施形態では、基板２の表面領域に、機能素子として抵抗Ｒが形成されており、基板２の表面上には、図５に示すように、抵抗Ｒに電気的に接続される一対の外部電極３が形成されている。
【００２２】
本実施形態の特徴は、一対の外部電極３が、中央部上に設けられた円形状の中央電極３ａと、中央電極３ａから間隔を空けて当該中央電極３ａの周囲に設けられた外側電極３ｂとされていることである。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って円環状に形成されている。外側電極３ｂは、中央電極３ａと同心円状に配置されている。
図６に示すように、基板２の表面上には、基板２の表面を被覆する表面絶縁膜３２が形成されている。この表面絶縁膜３２上に、前述の中央内部電極膜１０と、前述の外側内部電極膜１１と、抵抗Ｒとが形成されている。
【００２３】
抵抗Ｒは、抵抗値が調整可能に設けられている。図７に示すように、抵抗Ｒは、中央内部電極膜１０と外側内部電極膜１１との間に設けられた複数の抵抗膜３３と、各抵抗膜３３を中央内部電極膜１０および外側内部電極膜１１から電気的に切り離せるように、各抵抗膜３３に一体的に設けられたヒューズ部３４とを含む。図７では、明瞭化のため、中央内部電極膜１０、外側内部電極膜１１、抵抗膜３３およびヒューズ部３４にハッチングを付して示している。
【００２４】
各抵抗膜３３は、外側内部電極膜１１から中央内部電極膜１０に向けて長方形状に延びるように引き出された引き出し部として形成されている。各抵抗膜３３は、いずれも同一の形状および同一の抵抗値で形成されていてもよいし、異なる形状および異なる抵抗値で形成されていてもよい。ヒューズ部３４は、たとえばレーザ光等によって溶断可能となるように各抵抗膜３３の幅よりも幅狭に形成されており、抵抗膜３３と中央内部電極膜１０とを電気的に接続している。
【００２５】
抵抗Ｒは、抵抗膜３３およびヒューズ部３４の直列回路が複数並列接続された回路構成を有している。抵抗Ｒの抵抗値は、複数の抵抗膜３３の合成抵抗により定まり、ヒューズ部３４の溶断により中央電極３ａおよび外側電極３ｂから電気的に切り離された抵抗膜３３の抵抗値に応じた値だけ減少する。各抵抗膜３３および各ヒューズ部３４は、Ｃｕを含んでいてもよいし、Ｃｕの抵抗率よりも抵抗率の高い導電材料、たとえばＴｉを含んでいてもよい。
【００２６】
基板２の表面上には、中央内部電極膜１０、外側内部電極膜１１および各抵抗膜３３を被覆するように前述の第１パッシベーション膜７と前述の樹脂膜１２とがこの順に形成されている。第１パッシベーション膜７および樹脂膜１２には、中央内部電極膜１０の内周部および外周部を除く領域を露出させる中央パッド開口１３と、外側内部電極膜１１の内周部を除く領域を露出させる外側パッド開口１４とが形成されている。中央パッド開口１３に中央電極３ａが埋設されており、外側パッド開口１４に外側電極３ｂが埋設されている。
【００２７】
以上、第２実施形態に係るチップ部品３１のように機能素子を抵抗Ｒとしても、前述の第１実施形態において述べた効果と略同様の効果を奏することができる。
図８は、本発明の第３実施形態に係るチップ部品４１を示す平面図である。図９は、図８に示すIX-IX線に沿う縦断面図である。図１０Ａは、図９に示すXA-XA線に沿う横断面図である。図１０Ｂは、図９に示すXB-XB線に沿う横断面図である。図８〜図１０Ｂにおいて、前述の図１〜図３Ｂに示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００２８】
本実施形態では、基板２の表面領域に、機能素子としてコンデンサＣが形成されており、基板２の表面上には、図８に示すように、コンデンサＣに電気的に接続される一対の外部電極３が形成されている。
本実施形態の特徴は、一対の外部電極３が、中央部上に設けられた円形状の中央電極３ａと、中央電極３ａから間隔を空けて当該中央電極３ａの周囲に設けられた外側電極３ｂとされていることである。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って円環状に形成されている。外側電極３ｂは、中央電極３ａと同心円状に配置されている。
【００２９】
図９に示すように、基板２の表面上には、基板２の表面を被覆する表面絶縁膜４２が形成されている。この表面絶縁膜３２上に、コンデンサＣが形成されている。
図９、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、コンデンサＣは、表面絶縁膜４２上に形成された前述の中央内部電極膜１０と、中央内部電極膜１０と一体を成す下部電極膜４３と、下部電極膜４３上に形成された誘電体膜４４と、誘電体膜４４上に形成された前述の外側内部電極膜１１と、外側内部電極膜１１と一体を成す上部電極膜４５とを含む。図１０Ａでは、明瞭化のため、中央内部電極膜１０および下部電極膜４３にハッチングを付して示している。また、図１０Ｂでは、明瞭化のため、外側内部電極膜１１および上部電極膜４５にハッチングを付して示している。
【００３０】
図１０Ａに示すように、下部電極膜４３は、表面絶縁膜４２を被覆するように中央内部電極膜１０から基板２の外周面側に引き出された引き出し部として形成されている。中央内部電極膜１０および下部電極膜４３は、平面視円形状の一枚の電極膜を成している。中央内部電極膜１０および下部電極膜４３は、Ｃｕを含んでいてもよい。
誘電体膜４４は、中央内部電極膜１０および下部電極膜４３からなる電極膜を被覆している。誘電体膜４４は、中央内部電極膜１０を露出させるように、平面視円環状に形成されている。誘電体膜４４は、ＳｉＯ２またはＳｉＮを含んでいてもよい。誘電体膜４４は、ＳｉＯ２膜と、ＳｉＮ膜と、ＳｉＯ２膜とが順に積層されたＯＮＯ膜であってもよい。
【００３１】
図１０Ｂに示すように、上部電極膜４５は、誘電体膜４４を被覆するように外側内部電極膜１１から基板２の中心側に引き出された引き出し部として形成されている。外側内部電極膜１１および上部電極膜４５は、平面視円環状の一枚の電極膜を成している。外側内部電極膜１１および上部電極膜４５からなる電極膜は、誘電体膜４４を介して中央内部電極膜１０および下部電極膜４３からなる電極膜に対向している。外側内部電極膜１１および上部電極膜４５は、Ｃｕを含んでいてもよい。
【００３２】
基板２の表面上には、外側内部電極膜１１、上部電極膜４５および誘電体膜４４を被覆するように、前述の第１パッシベーション膜７および前述の樹脂膜１２がこの順に形成されている。第１パッシベーション膜７および樹脂膜１２には、中央内部電極膜１０の内周部および外周部を除く領域を露出させる中央パッド開口１３と、外側内部電極膜１１の内周部を除く領域を露出させる外側パッド開口１４とが形成されている。中央パッド開口１３に中央電極３ａが埋設されており、外側パッド開口１４に外側電極３ｂが埋設されている。
【００３３】
以上、第３実施形態に係るチップ部品５１のように機能素子をコンデンサＣとしても前述の第１実施形態において述べた効果と略同様の効果を奏することができる。
図１１は、本発明の第４実施形態に係るチップ部品５１を示す平面図である。図１２は、図１１に示すXII-XII線に沿う縦断面図である。図１３は、図１２に示すXIII-XIII線に沿う横断面図である。図１１〜図１３において、前述の図１〜図３Ｂに示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００３４】
本実施形態では、基板２の表面領域に、機能素子としてダイオードＤが形成されており、基板２の表面上には、図１１に示すように、ダイオードＤに電気的に接続される一対の外部電極３が形成されている。
本実施形態の特徴は、一対の外部電極３が、中央部上に設けられた円形状の中央電極３ａと、中央電極３ａの周囲に設けられた外側電極３ｂとされていることである。外側電極３ｂは、中央電極３ａの同心円上に配置されており、基板２の周縁部に沿って円環状に形成されている。
【００３５】
図１２に示すように、基板２は、ｎ型不純物が導入されたｎ型基板である。この基板２の表面部には、ｐ型の不純物領域５２が形成されている。図１３に示すように、不純物領域５２は、平面視で基板２の表面中央部に形成されている。不純物領域５２は、基板２との間でｐｎ接合を形成している。基板２および不純物領域５２の導電型は反転されてもよい。
【００３６】
図１２および図１３に示すように、基板２の表面上には、中央内部電極膜１０と、外側内部電極膜１１とが形成されている。図１３では、明瞭化のため、中央内部電極膜１０および外側内部電極膜１１にハッチングを付して示している。中央内部電極膜１０は、不純物領域５２を覆うように形成されており、不純物領域５２に電気的に接続されている。外側内部電極膜１１は、基板２に電気的に接続されている。
【００３７】
図１２に示すように、基板２の表面上には、中央内部電極膜１０および外側内部電極膜１１を被覆するように、前述の第１パッシベーション膜７および前述の樹脂膜１２がこの順に形成されている。第１パッシベーション膜７および樹脂膜１２には、中央内部電極膜１０の内周部および外周部を除く領域を露出させる中央パッド開口１３と、外側内部電極膜１１の内周部を除く領域を露出させる外側パッド開口１４とが形成されている。中央パッド開口１３に中央電極３ａが埋設されており、外側パッド開口１４に外側電極３ｂが埋設されている。
【００３８】
以上、第４実施形態に係るチップ部品５１のように、機能素子をダイオードＤとしても前述の第１実施形態において述べた効果と略同様の効果を奏することができる。
なお、本実施形態では、基板２の表面中央部に不純物領域５２が形成され、中央内部電極膜１０（中央電極３ａ）に電気的に接続された例について説明した。しかし、不純物領域５２は、平面視で基板２の周縁部に沿って形成され、外側内部電極膜１１（外側電極３ｂ）に電気的に接続されていてもよい。この場合、不純物領域５２は、基板２の周縁部に沿う円環状に形成されていてもよい。
【００３９】
図１４は、本発明の第５実施形態に係るチップ部品６１を示す平面図である。図１４において、前述の図１等に示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
本実施形態では、前述の第１実施形態と同様に、基板２の表面領域に機能素子としてコイルＬが形成されており、基板２の表面上には、コイルＬに電気的に接続される一対の外部電極３が形成されている。
【００４０】
本実施形態の特徴は、一対の外部電極３が、中央部上に設けられた円形状の中央電極３ａと、中央電極３ａの周囲に設けられた外側電極３ｂとされていることである。外側電極３ｂは、中央電極３ａの同心円上に配置されており、基板２の周縁部に沿って円環状に形成されている。外側電極３ｂの一部には、環状が途切れ、外側電極３ｂの電極材料が存在しない開放部６２が設けられている。
【００４１】
図１５は、図１４に示すチップ部品６１が実装基板２０に実装された状態を示す断面図である。図１５において、前述の図４に示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１５に示すように、チップ部品６１によれば、外側電極３ｂに開放部６２が設けられているので、実装基板２０上の外側配線膜２４ａを閉じた環状に形成する必要がなく、実装基板２０上に、中央配線膜２３と外周配線膜２５とを接続させる接続配線膜６５を設けることができる。したがって、チップ部品６１によれば、実装基板２０の内部に内部配線２６（図４参照）を形成する必要がなくなるから、実装基板２０の構造を簡素化できる。また、チップ部品６１では、開放部６２によって、チップ部品６１の特性方向（たとえば実装方向）を位置付ける目印とすることも可能である。
【００４２】
以上、第５実施形態に係るチップ部品６１によっても、前述の第１実施形態において述べた効果と略同様の効果を奏することができる。なお、外側電極３ｂに開放部６２が設けられた構成は、前述の第２実施形態〜第４実施形態に係るチップ部品３１，４１，５１にも適用可能である。
前述の各実施形態では、チップ部品１，３１，４１，５１，６１が、平面視円形状の基板２と、平面視円形状の中央電極３ａと、平面視円環状の外側電極３ｂとを備えている例について説明した。しかし、基板２、中央電極３ａおよび外側電極３ｂは、図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示す種々の形態に変更されてもよい。
【００４３】
図１６（ａ）〜図１６（ｄ）は、それぞれ変形例に係るチップ部品７１，７２，７３，７４を示す平面図である。図１６（ａ）〜図１６（ｄ）において、前述の図１等に示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１６（ａ）に示すチップ部品７１では、基板２が平面視三角形状に形成されている。基板２の角部は、基板２の外側に向かって湾曲するように面取りされている。基板２の角部を外側に向かう湾曲形状とすることにより、チッピングの発生を抑制できる。中央電極３ａは、平面視三角形状に形成されている。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って形成されており、中央電極３ａを取り囲む三角環状に形成されている。
【００４４】
図１６（ｂ）に示すチップ部品７２では、基板２が平面視四角形状に形成されている。基板２の角部は、前述のチップ部品７１と同様に、基板２の外側に向かって湾曲するように面取りされている。中央電極３ａは、平面視四角形状に形成されている。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って形成されており、中央電極３ａを取り囲む四角環状に形成されている。
【００４５】
図１６（ｃ）に示すチップ部品７３では、基板２が平面視六角形状に形成されている。基板２の角部は、前述のチップ部品７１と同様に、基板２の外側に向かって湾曲するように面取りされている。中央電極３ａは、平面視六角形状に形成されている。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って形成されており、中央電極３ａを取り囲む六角環状に形成されている。
【００４６】
図１６（ｄ）に示すチップ部品７４では、基板２が平面視八角形状に形成されている。基板２の角部は、前述のチップ部品７１と同様に、基板２の外側に向かって湾曲するように面取りされている。中央電極３ａは、平面視八角形状に形成されている。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って形成されており、中央電極３ａを取り囲む八角環状に形成されている。
【００４７】
図１７（ａ）〜図１７（ｄ）は、それぞれ図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示すチップ部品７１，７２，７３，７４の変形例を示す平面図である。図１７（ａ）〜図１７（ｄ）において、前述の図１６（ａ）〜図１６（ｄ）に示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
図１７（ａ）に示すチップ部品７５は、図１６（ａ）に示すチップ部品７１の変形例である。チップ部品７５の外側電極３ｂには、前述の開放部６２（図１４も併せて参照）が設けられている。開放部６２は、基板２の一辺に沿う部分に設けられている。開放部６２は、基板２の角部に沿う部分に設けられていてもよい。
【００４８】
図１７（ｂ）に示すチップ部品７６は、図１６（ｂ）に示すチップ部品７２の変形例である。チップ部品７６の外側電極３ｂには、前述の開放部６２（図１４も併せて参照）が設けられている。開放部６２は、基板２の一辺に沿う部分に設けられている。開放部６２は、基板２の角部に沿う部分に設けられていてもよい。
図１７（ｃ）に示すチップ部品７７は、図１６（ｃ）に示すチップ部品７３の変形例である。チップ部品７７の外側電極３ｂには、前述の開放部６２（図１４も併せて参照）が設けられている。開放部６２は、基板２の一辺に沿う部分に設けられている。開放部６２は、基板２の角部に沿う部分に設けられていてもよい。
【００４９】
図１７（ｄ）に示すチップ部品７８は、図１６（ｄ）に示すチップ部品７４の変形例である。チップ部品７８の外側電極３ｂには、前述の開放部６２（図１４も併せて参照）が設けられている。開放部６２は、基板２の一辺に沿う部分に設けられている。開放部６２は、基板２の角部に沿う部分に設けられていてもよい。
また、基板２、中央電極３ａおよび外側電極３ｂは、図１８（ａ）〜図１８（ｃ）に示す種々の形態に変更されてもよい。図１８（ａ）〜図１８（ｃ）は、それぞれ変形例に係るチップ部品７９，８０，８１を示す平面図である。図１８（ａ）〜図１８（ｃ）において、前述の図１等に示された構成については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００５０】
図１８（ａ）に示すチップ部品７９では、基板２が平面視楕円形状に形成されている。中央電極３ａは、基板２の形状に対して略相似な平面視楕円形状に形成されている。外側電極３ｂは、基板２の周縁部に沿って形成されており、中央電極３ａの周囲を取り囲む楕円環状に形成されている。
図１８（ｂ）および図１８（ｃ）に示すチップ部品８０，８１は、図１８（ａ）に示すチップ部品７９の変形例である。チップ部品８０，８１の外側電極３ｂには、前述の開放部６２（図１４も併せて参照）が設けられている。開放部６２は、図１８（ｂ）に示すチップ部品８０のように、基板２の長軸上に位置する部分に設けられていてもよい。開放部６２は、図１８（ｃ）に示すチップ部品８１のように、基板２の短軸上に位置する部分に設けられていてもよい。
【００５１】
なお、図１８（ａ）〜図１８（ｃ）では、基板２が楕円形状に形成されている例について説明したが、基板２は、長手に延びる多角形状とされてもよい。また、中央電極３ａは、基板２の形状に対して略相似な多角形状とされてもよい。また、外側電極３ｂは、中央電極３ａの周囲を取り囲むように基板２の周縁部に沿って、長手に延びる多角環状に形成されていてもよい。
【００５２】
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明はさらに他の形態で実施することもできる。
たとえば、前述の第１実施形態では、トレンチ５にコイル導体４が埋め込まれた例について説明した。しかし、膜状のコイル導体４が基板２の表面上に形成されていてもよい。この場合、内面絶縁膜６に代えて、基板２の表面を被覆する表面絶縁膜３２，４２（図６、図９等参照）を形成し、この表面絶縁膜３２，４２上に膜状のコイル導体４を形成してもよい。
【００５３】
また、前述の各実施形態を組み合わせて、一つの基板２に、コイルＬ、抵抗Ｒ、コンデンサＣおよびダイオードＤから選択される複数の機能素子が形成されてもよい。これら複数の機能素子は、基板２の表面の面内に隣接して設定された異なる領域に１つずつ形成されてもよいし、基板２の表面上に積層して形成されてもよい。たとえば、基板２の表面部にダイオードＤが形成され、基板２の表面から順に、絶縁膜／コイルＬ／絶縁膜／抵抗Ｒ／絶縁膜／コンデンサＣのように複数の機能素子が積層配置されてもよい。
【００５４】
また、前述の各実施形態では、外側電極３ｂの側面（外周面）が外部に露出している例について説明した。しかし、外側内部電極膜１１の内周部および外出部を除く領域を露出させる外側パッド開口１４が形成されることによって、外側電極３ｂの側面（外周面）が外部に露出しない構成としてもよい。
また、前述の各実施形態において、基板２は、シリコン基板であってもよい。シリコン基板であれば、セラミック基板と異なり、研削、エッチング等の加工を容易に行うことができる。たとえば、基板２としてシリコン基板が採用される場合、基板２の元となるシリコンウエハに対してプラズマエッチングを実行することにより、平面視円形状、平面視三角形状、平面視四角形状、平面視六角形状、平面視八角形状等の種々の形状からなる複数の基板２を同時にかつ容易に形成できる。
【００５５】
前述の各実施形態および変形例において示した各チップ部品は、たとえば、電源回路用、高周波回路用、デジタル回路用等の回路部品として、電子機器、携帯電子機器等のモバイル端末に組み込むことができる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１    チップ部品
２    基板
３ａ  中央電極
３ｂ  外側電極
３１  チップ部品
４１  チップ部品
５１  チップ部品
６１  チップ部品
６２  開放部
７１〜８１  チップ部品
Ｃ    コンデンサ
Ｄ    ダイオード
Ｌ    コイル
Ｒ    抵抗
【図１】
0006697774.tif 000002
【図２】
0006697774.tif 000003
【図３Ａ】
0006697774.tif 000004
【図３Ｂ】
0006697774.tif 000005
【図４】
0006697774.tif 000006
【図５】
0006697774.tif 000007
【図６】
0006697774.tif 000008
【図７】
0006697774.tif 000009
【図８】
0006697774.tif 000010
【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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