(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板の第１の面に設けられた複数の走査線と、
前記第１の面に前記複数の走査線と交差して設けられた複数のデータ線と、
前記複数の走査線と前記複数のデータ線とにより区画された複数の画素に対応して設けられた複数の電気光学素子と、
前記第１の面に設けられ、前記複数の電気光学素子を駆動する走査線駆動回路およびデータ線駆動回路と、
前記第１の面に設けられた共通電極と、
前記第１の面と対向して設けられた第２の基板と、を備え、
前記第２の基板は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の一部と重なる位置に設けられ、
前記データ線駆動回路の他の一部は、前記第１の面の法線方向から見て、前記第２の基板と重ならない位置に設けられ、
前記共通電極は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の一部と重なる位置に設けられ、
前記共通電極は、前記第１の面の法線方向から見て、前記第２の基板と重なるとともに、一部が前記第２の基板の外側にはみ出すように設けられた延出部を有し、
前記延出部は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の前記他の一部と重なる位置に設けられた、電気光学装置。
【請求項２】
前記電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の面に設けられた温度検出素子と、
前記温度検出素子の検出結果に基づいて前記有機エレクトロルミネッセンス素子に供給する電流を調整する制御部と、を備えた、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記温度検出素子および前記複数の画素は、前記第１の面の法線方向から見て、前記第２の基板および前記共通電極と重なる位置に設けられた、請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence, 以下、ＥＬと略記する）素子を備え、ＥＬ素子からの発光を利用して表示を行う表示装置が、従来から知られている。例えば下記の特許文献１には、プラスチック基板の一面に複数のＥＬ素子が設けられ、固定基板が複数のＥＬ素子を覆うように接着層を介して貼り合わされたアクティブマトリクス型の表示装置が開示されている。この表示装置は、プラスチック基板上に形成されたゲート側駆動回路とソース側駆動回路とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１７０７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＥＬ素子を備えた表示装置においては、画素領域の温度が変化することによってＥＬ素子の特性、もしくは電流制御用の駆動トランジスターの特性が変化し、輝度が変化する、という問題がある。また、画素領域の温度が上昇した場合、ＥＬ素子に流れる電流が大きくなる傾向があり、ＥＬ素子の劣化が進行する、という問題がある。
【０００５】
特に駆動回路を内蔵した表示装置では、駆動回路の動作によって発熱が生じることが多い。その点、特許文献１に記載された表示装置は、発熱源であるゲート側駆動回路およびソース側駆動回路が熱伝導率の低いガラス等からなる対向基板で覆われているため、画素領域の温度が上昇しやすい、という問題がある。
【０００６】
本発明の一つの態様は、上記の課題を解決するためになされたものであり、画素領域の温度上昇を抑制し、安定した表示特性を発揮できる電気光学装置を提供することを目的の一つとする。また、本発明の他の一つの態様は、上記の電気光学装置を備え、表示品質に優れた表示部を備えた電子機器を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの態様の電気光学装置は、第１の基板と、前記第１の基板の第１の面に設けられた複数の走査線と、前記第１の面に前記複数の走査線と交差して設けられた複数のデータ線と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線とにより区画された複数の画素に対応して設けられた複数の電気光学素子と、前記第１の面に設けられ、前記複数の電気光学素子を駆動する走査線駆動回路およびデータ線駆動回路と、前記第１の面に設けられた共通電極と、前記第１の面と対向して設けられた第２の基板と、を備える。前記第２の基板は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の一部と重なる位置に設けられ、前記共通電極は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の一部と重なる位置に設けられている。
【０００８】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、第２の基板は、第１の面の法線方向から見て、データ線駆動回路の一部と重なる位置に設けられている。すなわち、データ線駆動回路の他の一部は、第２の基板と重ならない位置に設けられている。そのため、駆動回路の中でも特に発熱量が多いデータ線駆動回路から生じた熱は、第１の基板と第２の基板とに挟まれた空間にこもりにくい。さらに、共通電極は、一般的に熱伝導率の高い金属等で形成されることが多く、第１の面の法線方向から見て、データ線駆動回路の一部と重なる位置にある。そのため、データ線駆動回路から生じた熱は、共通電極に伝達された後、共通電極の面内で拡散され、外部空間に逃げやすい。これにより、画素領域の温度上昇を抑制し、安定した表示特性を発揮できる電気光学装置が得られる。
【０００９】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記共通電極は、前記第１の面の法線方向から見て、前記第２の基板の外側に延びる延出部を有し、前記延出部は、前記第１の面の法線方向から見て、前記データ線駆動回路の少なくとも一部と重なる位置に設けられていてもよい。
この構成によれば、共通電極が第２の基板の外側に延びる延出部を有し、延出部がデータ線駆動回路の少なくとも一部と重なる位置にあるため、共通電極の延出部を介してデータ線駆動回路から生じた熱を充分に拡散させることができる。また、延出部は第２の基板の外側に位置しているため、熱が外部空間に逃げやすくなる。
【００１０】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記電気光学素子は、有機ＥＬ素子であってもよい。
有機ＥＬ素子の特性は温度環境によって変動しやすいため、上記構成によれば、電気光学素子として有機ＥＬ素子を用いた場合であっても、安定した特性を発揮しやすい電気光学装置を実現することができる。
【００１１】
本発明の一つの態様の電気光学装置は、前記第１の面に設けられた温度検出素子と、前記温度検出素子の検出結果に基づいて前記有機ＥＬ素子に供給する電流を調整する制御部と、をさらに備えていてもよい。
この構成によれば、温度検出素子が画素の温度を検出し、その検出結果に基づいて、制御部は、有機ＥＬ素子に供給する電流を調整することができる。
【００１２】
本発明の一つの態様の電気光学装置において、前記温度検出素子は、前記第１の面の法線方向から見て、前記第２の基板および前記共通電極と重なる位置に設けられていてもよい。
この構成によれば、温度検出素子の積層構造を画素領域の積層構造と同じにすることができ、画素領域の温度検出精度を高めることができる。
【００１３】
本発明の一つの態様の電子機器は、上記の本発明の一つの態様の電気光学装置を備える。
この構成によれば、上記の電気光学装置を備えたことにより、表示品質に優れた表示部を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図２】有機ＥＬ装置の回路構成を示すブロック図である。
【図３】データ線駆動回路の構成を示すブロック図である。
【図４】画素回路の構成を示す回路図である。
【図５】有機ＥＬ装置の断面図である。
【図６】第２実施形態の有機ＥＬ装置の平面図である。
【図７】電子機器の一例を示す概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態について、図１〜図５を用いて説明する。
第１実施形態では、電気光学装置として有機ＥＬ装置の例を示す。
図１は、第１実施形態の電気光学装置の平面図である。
なお、以下の各図面においては各構成要素を見やすくするため、構成要素により寸法の縮尺を異ならせて示すことがある。
【００１６】
第１実施形態の有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ材料を利用した発光素子を基板上に形成した有機ＥＬ装置である。
図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、第１の基板１０と、複数の走査線２２と、複数の制御線２４と、複数のデータ線２６と、複数の有機ＥＬ素子４５と、走査線駆動回路３２およびデータ線駆動回路３４を含む駆動回路３０と、温度センサー１７と、共通電極Ｅｃと、第２の基板２０と、を備える。
本実施形態の有機ＥＬ素子４５は、特許請求の範囲の電気光学素子に対応する。
【００１７】
［基本構成］
第１の基板１０は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、矩形状の板材で構成されている。第１の基板１０は、表示領域１２と、周辺回路領域１４と、実装領域１６と、を有する。表示領域１２は、複数の画素Ｐが配列され、実質的に表示に寄与する矩形状の領域である。第１の基板は、複数の走査線２２と、複数の制御線２４と、複数のデータ線２６と、を備える。複数の走査線２２、複数の制御線２４、および複数のデータ線２６は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄに設けられている。
【００１８】
表示領域１２は、複数の画素Ｐがマトリクス状に配列された領域である。複数の走査線２２は、一方向（図１のＸ方向）に延在し、互いに平行に間隔をおいて設けられている。複数の走査線２２が延在する方向を画面の水平方向とする。複数の制御線２４は、複数の走査線２２と平行な方向に延在し、互いに平行に間隔をおいて設けられている。複数のデータ線２６は、走査線２２と直交する方向（図１のＹ方向）に延在し、互いに平行に間隔をおいて設けられている。複数のデータ線２６が延在する方向を画面の垂直方向とする。
【００１９】
画素Ｐは、隣り合う走査線２２と隣り合うデータ線２６との交差に対応した領域である。複数の画素Ｐは、画面の水平方向および垂直方向にマトリクス状に配列される。例えば走査線２２の本数をｍ本（ｍ：自然数）、データ線２６の本数を３ｎ本（ｎ：自然数）としたとき、複数の画素Ｐは、ｍ行×３ｎ列に配列されている。複数の画素Ｐの各々には、後述する画素回路が設けられている。
【００２０】
周辺回路領域１４は、表示領域１２を囲む枠状の領域である。駆動回路３０は、周辺回路領域１４内に設けられている。駆動回路３０は、表示領域１２内の各画素Ｐを駆動する回路であり、走査線駆動回路３２、データ線駆動回路３４、電源回路３６および制御回路３７を含む。走査線駆動回路３２は、走査線２２の延在方向における一端側と他端側に分けて設けられている。例えば一方の走査線駆動回路３２は奇数番目の走査線に対応し、一方の走査線駆動回路３２は偶数番目の走査線に対応する。本実施形態の有機ＥＬ装置１００においては、第１の基板１０の第１の面１０Ｄに直接形成されたトランジスター等の能動素子によって駆動回路３０が構成される。
【００２１】
実装領域１６は、第１の基板１０の表示領域１２とは反対側の一辺に沿う領域である。実装領域１６には、一辺に沿って複数の実装端子３８が設けられている。複数の実装端子３８には、例えばフレキシブル配線基板（図示略）が接続される。
【００２２】
図２は、有機ＥＬ装置１００の回路構成を示すブロック図である。
図２に示すように、走査線駆動回路３２は、ｍ本の走査線２２を介して表示領域１２内のｍ行の画素回路に対して走査信号を供給する。データ線駆動回路３４は、３ｎ本のデータ線２６を介して表示領域１２内の３ｎ列の画素回路に対してデータ信号を供給する。電源回路３６は、複数の画素回路、走査線駆動回路３２、データ線駆動回路３４、および制御回路３７に対して各種電位を供給する。制御回路３７は、走査線駆動回路３２に対して制御信号Ｃｔｒ１を供給し、データ線駆動回路３４に対して制御信号Ｃｔｒ２および画像データを供給する。制御信号Ｃｔｒ２には、後述する取込開始クロックＤＣＬＫ、ラッチ信号ＬＰ、および選択信号ＳＥＬが含まれる。
【００２３】
温度センサー１７は、表示領域１２の近傍に設けられ、表示領域１２の温度を検出し、検出結果を制御回路３７に送信する。制御回路３７は、電源回路３６および温度センサー１７に対して制御信号をそれぞれ送信するとともに、温度センサー１７の検出結果に基づいて有機ＥＬ素子４５に供給する電流を調整する。
本実施形態の温度センサー１７は、特許請求の範囲の温度検出素子に対応する。本実施形態の制御回路３７は、特許請求の範囲の制御部に対応する。
【００２４】
図３は、データ線駆動回路３４の構成を示すブロック図である。
図３に示すように、データ線駆動回路３４は、階調電圧生成回路３４１、シフトレジスタ３４２、データラッチ３４３、ラインラッチ３４４、Ｄ／Ａ変換回路３４５、デマルチプレクサ３４６、およびレベルシフタ３４７を備える。
【００２５】
階調電圧生成回路３４１は、電源回路３６から供給された電位ＶＨ，ＶＬに基づいて複数の階調電圧を生成する。階調電圧生成回路３４１によって生成された複数の階調電圧の各々は、Ｄ／Ａ変換回路３４５に供給される。
【００２６】
シフトレジスタ３４２は、所定の取込開始クロックＤＣＬＫを動作クロックに同期してシフトすることにより、データラッチ３４３に対して取込クロックを順次出力する。
【００２７】
データラッチ３４３は、画像データが供給される複数のデータ線２６の各々に接続される。データラッチ３４３は、複数のフリップフロップを備え、各フリップフロップにシフトレジスタ３４２から取込クロックが入力される。データラッチ３４３は、シフトレジスタ３４２からの取込クロックにより所定の取り込みビット数単位で画像データを取り込む。
【００２８】
ラインラッチ３４４は、データラッチ３４３に対応して設けられる。ラインラッチ３４４には、ラッチ信号ＬＰが入力され、ラッチ信号ＬＰに同期して、対応するデータラッチ３４３に取り込まれた画像データを一斉に取り込むことにより、１水平走査分の画像データをラッチする。
【００２９】
Ｄ／Ａ変換回路３４５は、ラインラッチ３４４からの画像データに基づいて、階調電圧生成回路３４１によって生成された複数の階調電圧のうちのいずれかを選択する。Ｄ／Ａ変換回路３４５によって選択された階調電圧は、デマルチプレクサ３４６に出力される。
【００３０】
デマルチプレクサ３４６には、例えば１水平走査期間を分割した各期間においてアクティブとなる選択信号ＳＥＬが入力される。デマルチプレクサ３４６は、図示しない出力アンプの出力である駆動信号を、選択信号ＳＥＬにより選択された出力端子に対して分配する。
【００３１】
レベルシフタ３４７は、図示しない画素データ補正回路によって生成された補正画素データの振幅レベルを変換する。
【００３２】
図４は、表示領域１２内の１つの画素（画素回路）Ｐの回路図である。
図４に示すように、画素Ｐは、有機ＥＬ素子４５、駆動トランジスターＴDR、発光制御トランジスターＴEL、選択トランジスターＴSL、および容量素子Ｃを備える。第１実施形態では、画素Ｐのトランジスター（ＴDR，ＴEL，ＴSL）をＰチャネル型のトランジスターで構成するが、Ｎチャネル型のトランジスターで構成することもできる。
【００３３】
有機ＥＬ素子４５は、画素電極（陽極）Ｅ１と共通電極（陰極）Ｅｃとの間に有機ＥＬ材料の発光層を含む有機層４６を介在させた電気光学素子である。画素電極Ｅ１は画素Ｐ毎に個別に形成され、共通電極Ｅｃは複数の画素Ｐにわたって連続して形成されている。有機ＥＬ素子４５は、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを結ぶ電流経路上に配置される。第１電源導電体４１は、高電位側の電源電位ＶELが供給される電源配線である。第２電源導電体４２は、低電位側の電源電位ＶCTが供給される電源配線である。
【００３４】
駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとは、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２とを結ぶ電流経路上において有機ＥＬ素子４５に対して直列に接続されている。具体的には、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの一方（ソース）は第１電源導電体４１に接続されている。発光制御トランジスターＴELは、駆動トランジスターＴDRの一対の電流端のうちの他方（ドレイン）と有機ＥＬ素子４５の画素電極Ｅ１との導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。駆動トランジスターＴDRは、自身のゲート−ソース間の電圧に応じた電流量に相当する駆動電流を生成する。
【００３５】
発光制御トランジスターＴELがオン状態に制御された状態では、駆動電流が駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して有機ＥＬ素子４５に供給される。このとき、有機ＥＬ素子４５は、駆動電流の電流量に応じた輝度で発光する。一方、発光制御トランジスターＴELがオフ状態に制御された状態では、有機ＥＬ素子４５に対する駆動電流の供給が遮断される。このとき、有機ＥＬ素子４５は消灯する。発光制御トランジスターＴELのゲートは、制御線２４に接続されている。
【００３６】
選択トランジスターＴSLは、データ線２６と駆動トランジスターＴDRのゲートとの導通状態（導通／非導通）を制御するスイッチとして機能する。選択トランジスターＴSLのゲートは走査線２２に接続されている。容量素子Ｃは、第１容量電極Ｃ１と第２容量電極Ｃ２との間に誘電体を介在させた静電容量である。第１容量電極Ｃ１は、駆動トランジスターＴDRのゲートに接続されている。第２容量電極Ｃ２は、第１電源導電体４１（駆動トランジスターＴDRのソース）に接続されている。したがって、容量素子Ｃは、駆動トランジスターＴDRのゲート−ソース間の電圧を保持する。
【００３７】
図１に示すデータ線駆動回路３４は、外部回路から供給される画像信号を、画素Ｐ毎に指定する階調に応じた階調電位（データ信号）として、書込期間（水平走査期間）毎に複数のデータ線２６に対して並列に供給する。他方、走査線駆動回路３２は、複数の走査線２２の各々に走査信号を供給することにより、複数の走査線２２の各々を書込期間毎に順次選択する。走査線駆動回路３２が選択した走査線２２に対応する画素Ｐの選択トランジスターＴSLは、オン状態に遷移する。このとき、各画素Ｐの駆動トランジスターＴDRのゲートに、データ線２６と選択トランジスターＴSLとを経由して階調電位が供給され、階調電位に応じた電圧が容量素子Ｃに保持される。
【００３８】
他方、書込期間での走査線２２の選択が終了すると、走査線駆動回路３２は、各制御線２４に制御信号を供給することにより、当該制御線２４に対応する画素Ｐの発光制御トランジスターＴELをオン状態に制御する。したがって、直前の書込期間で容量素子Ｃに保持された電圧に応じた駆動電流は、駆動トランジスターＴDRから発光制御トランジスターＴELを経由して有機ＥＬ素子４５に供給される。以上のように、有機ＥＬ素子４５が階調電位に応じた輝度で発光することにより、画像信号が指定する任意の画像が表示領域１２に表示される。
【００３９】
［各構成要素の位置関係］
図１に示すように、第２の基板２０は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第１の基板１０よりも小さい矩形状の基材で構成されている。第２の基板２０は、データ線駆動回路３４の一部と重なる位置に設けられている。言い換えると、データ線駆動回路３４の他の一部は、第２の基板２０と重ならない位置に設けられている。データ線駆動回路３４の他の一部は、第２の基板２０の外側にはみ出している。さらに、第２の基板２０は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第１の基板１０上の表示領域１２および走査線駆動回路３２の全てと重なる位置に設けられている。
【００４０】
共通電極Ｅｃは、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第２の基板２０の外形よりも小さい矩形状の領域に設けられている。共通電極Ｅｃは、表示領域１２の全体と重なるとともに、データ線駆動回路３４の一部と重なる位置に設けられている。さらに、共通電極Ｅｃは、走査線駆動回路３２の一部と重なる位置に設けられている。なお、共通電極Ｅｃは、走査線駆動回路３２の全体と重なる位置に設けられていてもよい。
【００４１】
温度センサー１７は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第２の基板２０と重なり、かつ、共通電極Ｅｃと重なる位置に設けられている。したがって、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第２の基板２０および共通電極Ｅｃと重なる点については、温度センサー１７は表示領域１２と同じである。
【００４２】
図５は、有機ＥＬ装置１００の断面図である。
図５に示すように、シリコン等の半導体材料で形成された第１の基板１０の第１の面１０Ｄのうち、表示領域１２内には画素ＰのトランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）が形成され、周辺回路領域１４内に駆動回路３０を構成するトランジスターＴが形成される。図５では、特にデータ線駆動回路３４を構成するトランジスターＴを図示する。
【００４３】
トランジスターＴは、第１の基板１０の第１の面１０Ｄに形成された能動領域１０Ａ（ソース／ドレイン領域）と、第１の面１０Ｄを被覆する絶縁膜Ｌ０（ゲート絶縁膜）と、絶縁膜Ｌ０上に形成されたゲート電極Ｇと、を備える。能動領域１０Ａは、第１の基板１０内に不純物イオンが注入されたイオン注入領域で構成されている。画素ＰのトランジスターＴ（ＴDR，ＴEL，ＴSL）のチャネル領域はソース領域とドレイン領域との間に存在する。チャネル領域には、能動領域１０Ａとは別種類のイオンが注入されるが、図示は省略する。トランジスターＴのゲート電極Ｇは、絶縁膜Ｌ０を挟んでチャネル領域に対向する位置に設けられている。
【００４４】
トランジスターＴのゲート電極Ｇが形成された絶縁膜Ｌ０上には、複数の絶縁層（ＬA〜ＬF）と複数の配線層（ＷA〜ＷF）とを交互に積層した多層配線層が形成されている。各絶縁層は、例えばシリコン化合物（典型的には窒化シリコンもしくは酸化シリコン）等の絶縁性の無機材料で形成されている。各配線層Ｗは、アルミニウムもしくは銀等を含有する低抵抗の導電材料で形成されている。
以下の説明では、導電層（単層または複数層）を選択的に除去することにより複数の要素が同一工程で一括的に形成されている関係を「同層から形成されている」と表記する。
【００４５】
絶縁層ＬAは、各トランジスターＴのゲート電極Ｇが形成された絶縁膜Ｌ0の面上に形成されている。絶縁層ＬAの面上には、複数の中継電極ＱA（ＱA1〜ＱA4）を含む導体パターンが同層（配線層ＷA）から形成されている。中継電極ＱA1は、絶縁層ＬAと絶縁膜Ｌ0とを貫通する導通孔（コンタクトホール）を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ドレイン）に導通する。中継電極ＱA2は、絶縁層ＬAを貫通する導通孔を介して駆動トランジスターＴDRのゲート電極Ｇに導通する。中継電極ＱA3は、絶縁層ＬAおよび絶縁膜Ｌ0を貫通する導通孔を介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。中継電極ＱA4は、絶縁層ＬAおよび絶縁膜Ｌ0を貫通する各導通孔を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０A（ソース）と、駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ドレイン）と、に導通する。すなわち、図４に示すように、駆動トランジスターＴDRと発光制御トランジスターＴELとが直列に接続されている。なお、選択トランジスターＴSLの図示、駆動回路３０内の各トランジスターＴに関連する具体的な配線の図示等は、便宜的に省略する。
【００４６】
絶縁層ＬBは、配線層ＷAが形成された絶縁層ＬAの面上に形成されている。絶縁層ＬBの面上には、接続用導電体５２と複数の中継電極ＱB（ＱB1，ＱB2）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷB）から形成されている。接続用導電体５２は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔を介して配線層ＷAの中継電極ＱA3に導通する。すなわち、接続用導電体５２は、駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通する。
【００４７】
中継電極ＱB1は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔を介して配線層ＷAの中継電極ＱA1に導通する。中継電極ＱB2は、絶縁層ＬBを貫通する導通孔Ｈ12を介して配線層ＷAの中継電極ＱA2に導通する。
【００４８】
絶縁層ＬCは、配線層ＷBが形成された絶縁層ＬBの面上に形成されている。絶縁層ＬCの面上には、容量素子Ｃの第１容量電極Ｃ1と複数の中継電極ＱC（ＱC1，ＱC4）とを含む導体パターンが同層（配線層ＷC）から形成されている。第１容量電極Ｃ1は、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して配線層ＷBの中継電極ＱB2に導通する。すなわち、図４に示すように、容量素子Ｃの第１容量電極Ｃ1は、中継電極ＱB2と中継電極ＱA2とを介して駆動トランジスターＴDRのゲート電極Ｇに導通する。中継電極ＱC1は、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して中継電極ＱB1に導通する。中継電極ＱC4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬCを貫通する導通孔を介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。
【００４９】
絶縁層ＬDは、配線層ＷCが形成された絶縁層ＬCの面上に形成されている。絶縁層ＬDの面上には、容量素子Ｃの第２容量電極Ｃ２と複数の中継電極ＱD（ＱD1，ＱD4）と導電部５６とを含む導体パターンが同層（配線層ＷD）から形成されている。第２容量電極Ｃ２は、平面視で第１容量電極Ｃ１に重なる形状および位置に形成されている。これにより、第１容量電極Ｃ１と第２容量電極Ｃ２とで絶縁層ＬDを挟んだ構造の容量素子Ｃが画素Ｐ毎に形成されている。
【００５０】
中継電極ＱD1は、絶縁層ＬDを貫通する導通孔を介して配線層ＷCの中継電極ＱC1に導通する。中継電極ＱD4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬDを貫通する導通孔を介して配線層ＷCの中継電極ＱC4に導通する。導電部５６は、低電位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３８１に電気的に接続されている。
【００５１】
絶縁層ＬEは、配線層ＷDが形成された絶縁層ＬDの面上に形成されている。絶縁層ＬEの面上には、第１電源導電体４１と第２電源導電体４２と複数の中継電極ＱE（ＱE1，ＱE4）とを含む導体パターンが、同層（配線層ＷE）から形成されている。配線層ＷEは、アルミニウム、銀等を含有する光反射性の導電材料で形成されている。
【００５２】
中継電極ＱE1は、絶縁層ＬEを貫通する導通孔を介して配線層ＷDの中継電極ＱD1に導通する。中継電極ＱE4は、実装領域１６に形成され、絶縁層ＬEを貫通する導通孔を介して配線層ＷDの中継電極ＱD4に導通する。中継電極ＱE4は、後述の中継電極ＱF4を介して電源電位ＶELの供給用の実装端子３８１に電気的に接続されている。すなわち、電源電位ＶELの実装端子３８１は、中継電極ＱF4と中継電極ＱE4と中継電極ＱD4と中継電極ＱC4とを介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。
【００５３】
第１電源導電体４１は、絶縁層ＬEを貫通する複数の導通孔Ｈ22を介して配線層ＷDの第２容量電極Ｃ２に導通する。また、第１電源導電体４１は、導通孔を介して接続用導電体５２に導通する。すなわち、第１電源導電体４１は、接続用導電体５２の導電部５２１と中継電極ＱA3とを介して駆動トランジスターＴDRの能動領域１０A（ソース）に導通するとともに、接続用導電体５２の導電部５２１および導電部５２２と中継電極ＱC4から中継電極ＱF4とを介して電源電位ＶELの供給用の実装端子３８１に導通する。
【００５４】
接続用導電体５２の導電部５２２は、第２電源導電体４２とは別層から形成され、表示領域１２内の導電部５２１から周辺回路領域１４内で第２電源導電体４２の下層を通過（すなわち、第２電源導電体４２と立体的に交差）して実装領域１６まで延在する。すなわち、接続用導電体５２の導電部５２２は、第２電源導電体４２と重なる位置に設けられている。
【００５５】
第１光学調整層ＬFは、配線層ＷEが形成された絶縁層ＬEの面上に形成されている。第１光学調整層ＬFの面上には、複数の中継電極ＱF（ＱF1，ＱF4）と保護導電層５８とを含む導体パターンが同層（配線層ＷF）から形成されている。配線層ＷFは、例えば遮光性の導電材料（例えば窒化チタン）で形成されている。
【００５６】
中継電極ＱF1は、第１光学調整層ＬFを貫通する導通孔を介して中継電極ＱE1に導通する。中継電極ＱF1は、第１電源導電体４１の開口部４１Aに重なるように形成されている。すなわち、中継電極ＱF1の外周縁は、平面視で開口部４１Ａの内周縁の外側に位置する。中継電極ＱF1は遮光性の導電材料で形成されるため、多層配線層に対する開口部４１Ａからの外光の侵入が中継電極ＱF1により阻止される。したがって、光照射に起因した各トランジスターＴの電流リークを防止できるという利点がある。他方、実装領域１６内の中継電極ＱF4は、第１光学調整層ＬFを貫通する導通孔を介して配線層ＷEの中継電極ＱE4に導通する。
【００５７】
保護導電層５８は、第１光学調整層ＬFを貫通する導通孔を介して第２電源導電体４２に導通する。
【００５８】
配線層ＷFが形成された第１光学調整層ＬFの面上に第２光学調整層６０が形成されている。第１光学調整層ＬFおよび第２光学調整層６０は、各画素Ｐの共振構造（詳細は後述する）の共振波長を規定する光透過性の膜である。具体的には、第１光学調整層ＬFおよび第２光学調整層６０は、シリコン化合物（典型的には窒化シリコンもしくは酸化シリコン）等の光透過性の絶縁材料で形成されている。
【００５９】
第２光学調整層６０の面上には、表示領域１２内の画素Ｐ毎の第１画素電極Ｅ1と、周辺回路領域１４内の導通用電極６３と、実装領域１６内の複数の実装端子３８と、が同層から形成されている。第１画素電極Ｅ1と導通用電極６３と実装端子３８とは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の光透過性の導電材料で形成されている。第１画素電極Ｅ1は、有機ＥＬ素子４５の陽極として機能する。第２光学調整層６０を貫通する導通孔を介して中継電極ＱF1に導通する。すなわち、第１画素電極Ｅ1は、多層配線層の各中継電極（ＱF1，ＱE1，ＱD1，ＱC1，ＱB1，ＱA1）を介して発光制御トランジスターＴELの能動領域１０Ａ（ドレイン）に導通する。以上説明したように、多層配線層の各中継電極（ＱF1，ＱE1，ＱD1，ＱC1，ＱB1，ＱA1）は、第１画素電極Ｅ1とトランジスター（第１実施形態の例示では発光制御トランジスターＴEL）とを電気的に接続する。他方、周辺回路領域１４内の導通用電極６３は、第２光学調整層６０を貫通する導通孔を介して保護導電層５８に導通する。
【００６０】
実装領域１６内の各実装端子３８は、多層配線層内の配線に導通する。例えば高電位側の電源電位ＶELが供給される実装端子３８１は、多層配線層の各中継電極（ＱF4，ＱE4，ＱD4，ＱC4）を介して接続用導電体５２（導電部５２２）に導通する。したがって、実装端子３８１に供給される高電位の電源電位ＶELは、各中継電極（ＱF4，ＱE4，ＱD4，ＱC4）と接続用導電体５２とを経由して第１電源導電体４１に供給される。低電位側の電源電位ＶCTが供給される実装端子３８２は、多層配線層の導電部５６を介して第２電源導電体４２に導通する。したがって、低電位の電源電位ＶCTは、多層配線層の導電部５６を介して第２電源導電体４２に供給される。
【００６１】
第１画素電極Ｅ1と導通用電極６３と実装端子３８とが形成された第２光学調整層６０の面上には、第１の基板１０の全域にわたって画素分離層６５が形成されている。画素分離層６５は、例えばシリコン化合物（典型的には窒化シリコンもしくは酸化シリコン）等の絶縁性の無機材料で形成されている。画素分離層６５には、表示領域１２内の第１画素電極Ｅ1に対応する開口部６５Ａと、周辺回路領域１４内の導通用電極６３に対応する開口部６５Ｂと、実装領域１６内の各実装端子３８に対応する開口部６５Ｃと、が形成されている。実装端子３８は、開口部６５Ｃを介して外部回路に電気的に接続される。
【００６２】
画素分離層６５が形成された第２光学調整層６０の面上に、有機層４６が形成されている。有機層４６は、表示領域１２内に形成されて複数の画素Ｐにわたって連続して設けられている。有機層４６は、周辺回路領域１４や実装領域１６には形成されていない。例えば、周辺回路領域１４のうち表示領域１２側の領域に有機層４６を形成することもできる。有機層４６は、有機ＥＬ材料で形成された発光層を含んで構成されている。
【００６３】
図５では図示を省略したが、有機層４６は、正孔注入層、発光層、電子注入層を含む。有機層４６は、電流が供給されることにより白色光を放射する。白色光は、青色の波長域と緑色の波長域と赤色の波長域とにわたるスペクトルを有する光である。
【００６４】
有機層４６が形成された第２光学調整層６０の面上に、表示領域１２の全体にわたって共通電極Ｅｃが形成されている。上述したように、共通電極Ｅｃは、さらにデータ線駆動回路３４の一部にわたって形成されている。図４に示すように、共通電極Ｅｃは、有機ＥＬ素子４５の陰極として機能する。図５に示すように、有機層４６のうち、画素分離層６５の開口部６５Ａの内側にて第１画素電極Ｅ1と共通電極Ｅｃとに挟まれた領域が発光領域として発光する。すなわち、開口部６５Ａの内側において第１画素電極Ｅ1と有機層４６と共通電極Ｅｃとが積層された部分が有機ＥＬ素子４５として機能する。以上説明したように、画素分離層６５は、各画素Ｐにおける有機ＥＬ素子４５の平面形状や寸法を規定する。
【００６５】
第１実施形態の有機ＥＬ装置１００は、有機ＥＬ素子４５が高密度に配置された表示装置、いわゆるマイクロディスプレイを構成する。１個の有機ＥＬ素子４５の面積（１個の開口部６５Ａの面積）は、例えば４０μｍ2以下に設定されている。Ｘ方向に相互に隣り合う各有機ＥＬ素子４５のピッチは、５μｍ以下に設定されている。有機ＥＬ素子４５間の間隔は、１〜２μｍの範囲に設定されている。後述するように、有機ＥＬ素子を構成する有機層の膜厚は１００〜１３０ｎｍ程度である。したがって、有機ＥＬ素子４５間の間隔、すなわち、隣り合う画素領域間の間隔は、有機層の膜厚の２０倍以下程度である。
【００６６】
共通電極Ｅｃのうち、周辺回路領域１４内に位置する部分は、画素分離層６５の開口部６５Ｂを介して導通用電極６３に導通する。周辺回路領域１４のうち、導通用電極６３と共通電極Ｅｃとが導通する領域やその外側の領域には有機層４６は形成されない。すなわち、表示領域１２および周辺回路領域１４の双方にわたる共通電極Ｅｃは、周辺回路領域１４内の導通用電極６３と保護導電層５８とを介して第２電源導電体４２に導通する。したがって、実装端子に供給される低電位側の電源電位ＶCTは、導電部５６、第２電源導電体４２、保護導電層５８、および導通用電極６３を介して共通電極Ｅｃに供給される。
【００６７】
共通電極Ｅｃは、表面に到達した光の一部を透過し、残りを反射する性質（半透過反射性）を有する。半透過反射性の共通電極Ｅｃは、例えば銀、マグネシウム等を含有する合金等の光反射性の導電材料を充分に薄い膜厚に形成することにより実現できる。有機層４６からの放射光は、第１電源導電体４１と共通電極Ｅｃとの間で往復し、特定の共振波長の成分が選択的に増幅され、共通電極Ｅｃを透過して観察側（第１の基板１０とは反対側）に射出される。
【００６８】
すなわち、反射層として機能する第１電源導電体４１と半透過反射層として機能する共通電極Ｅｃとの間で、有機層４６からの射出光を共振させる共振器構造が形成される。第１光学調整層ＬFおよび第２光学調整層６０は、共振器構造の共振波長（表示色）を画素Ｐの表示色毎に個別に設定するための要素である。具体的には、共振構造を構成する第１電源導電体４１と共通電極Ｅｃとの間の光路長（光学的距離）を第１光学調整層ＬFおよび第２光学調整層６０の膜厚に応じて調整することにより、各画素Ｐの射出光の共振波長が表示色毎に設定される。
【００６９】
共通電極Ｅｃの面上には、表示領域１２および周辺回路領域１４にわたる封止層７５が形成される。封止層７５は、第１の基板１０上に形成された各構成要素を封止することにより、外気や水分の侵入を防止する光透過性を有する膜である。本実施形態の封止層７５は、第１無機封止層７１、有機封止層７０、第２無機封止層７２の３層で構成されている。封止層７５は、実装領域１６には形成されておらず、実装領域１６においては各実装端子３８が露出する。
【００７０】
封止層７５の上には、隣り合う画素間を区画する隔壁８０が設けられている。隔壁８０の間にはカラーフィルター８２が設けられている。カラーフィルター８２には、各画素の表示色に応じた色の色材層が用いられる。
【００７１】
第２の基板２０は、カラーフィルター８２および隔壁８０の上方に第１の基板１０と対向するように設けられている。第２の基板２０は、第１の基板１０から間隔をおいて配置されており、第１の基板１０と第２の基板２０との間には充填層８５が設けられている。充填層８５は、例えば樹脂材料により構成されている。上述したように、第２の基板２０は、データ線駆動回路３４の一部と重なる位置に設けられている。第２の基板２０は、光透過性を有するガラス基板等の基材で構成されている。
【００７２】
第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、データ線駆動回路３４の一部は、第２の基板２０と重ならない位置に設けられている。そのため、駆動回路３０の中でも特に発熱量が多いデータ線駆動回路３４から生じた熱は、第１の基板１０と第２の基板２０とに挟まれた空間にこもりにくい。さらに、共通電極Ｅｃがデータ線駆動回路３４の一部と重なる位置にあるため、データ線駆動回路３４から生じた熱は、共通電極Ｅｃに伝達された後、熱伝導率の高い共通電極Ｅｃの面内に拡散されるため、外部空間に逃げやすい。これにより、表示領域１２の温度上昇が抑制され、安定した表示特性を発揮できる有機ＥＬ装置１００が得られる。特に有機ＥＬ素子４５の特性は温度環境によって変動しやすいが、上記の構成によれば、安定した表示特性を発揮しやすい有機ＥＬ装置１００を実現することができる。
【００７３】
データ線駆動回路３４からの熱を第１の基板１０と第２の基板２０との間にこもりにくくするためには、例えばデータ線駆動回路３４の全てを第２の基板と重ならないように配置する構成も考えられる。しかしながら、この構成を採用する場合、有機ＥＬ装置の組立誤差等を考慮すると、表示領域１２とデータ線駆動回路３４との間のスペースを大きく確保する必要があり、表示に寄与しない周辺領域、いわゆる額縁領域が広くなるおそれがある。これに対し、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００では、データ線駆動回路３４の一部を第２の基板２０と重ならないように配置しているため、表示領域１２とデータ線駆動回路３４との間隔（額縁領域）を狭くすることができ、有機ＥＬ装置１００の小型化を図ることができる。
【００７４】
また、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００は、第１の基板１０上に形成された温度センサー１７と、温度センサー１７の検出結果に基づいて有機ＥＬ素子４５に供給する電流を調整する制御回路３７と、をさらに備えている。この構成によれば、温度センサー１７が表示領域１２の温度を検出し、その検出結果に基づいて、制御回路３７は有機ＥＬ素子４５に供給する電流を調整する。このとき、温度センサー１７が、第２の基板２０および共通電極Ｅｃと重なる位置に設けられているため、表示領域１２の温度検出の精度を高めることができる。
【００７５】
［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態について、図６を用いて説明する。
第２実施形態の有機ＥＬ装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、共通電極の構成が第１実施形態と異なる。
図６は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の平面図である。
図６において、第１実施形態で用いた図１と共通の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００７６】
第１実施形態の場合、共通電極Ｅｃは、第２の基板２０と重なる位置に設けられていた。これに対して、図６に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置２００において、共通電極Ｅｃ２は、第１の基板１０の第１の面１０Ｄの法線方向から見て、第２の基板２０と重なるとともに、一部が第２の基板２０の外側にはみ出すように設けられている。すなわち、共通電極Ｅｃ２は、第２の基板２０と重なる部分の他に、第２の基板２０の外側に延びる延出部Ｅｃ２１を有する。共通電極Ｅｃ２の延出部Ｅｃ２１は、データ線駆動回路３４および制御回路３７の全てと重なる位置に設けられている。なお、共通電極Ｅｃ２の延出部Ｅｃ２１は、少なくともデータ線駆動回路３４の一部と重なっていればよい。その他の構成は、第１実施形態と同様である。
【００７７】
第２実施形態においても、表示領域１２の温度上昇が抑制され、安定した表示特性を発揮できる有機ＥＬ装置２００を実現できる、といった第１実施形態と同様の効果が得られる。特に第２実施形態の場合、共通電極Ｅｃ２の延出部Ｅｃ２１がデータ線駆動回路３４と重なる位置にあるため、延出部Ｅｃ２１を介してデータ線駆動回路３４から生じた熱を充分に拡散させることができる。これにより、熱がさらに外部空間に逃げやすくなり、安定した表示特性を発揮できる有機ＥＬ装置２００が得られる。
【００７８】
［電子機器］
上述の各実施形態に例示した有機ＥＬ装置１００，２００は、各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。
図７には、各実施形態に例示した有機ＥＬ装置１００を利用した頭部装着型の表示装置９０（HMD：Head Mounted Display）が電子機器として例示されている。
【００７９】
表示装置９０は、人間の頭部に装着可能な電子機器である。表示装置９０は、使用者の左眼に重なる透過部（レンズ）９２Ｌと、使用者の右眼に重なる透過部９２Ｒと、左眼用の有機ＥＬ装置１００Ｌおよびハーフミラー９４Ｌと、右眼用の有機ＥＬ装置１００Ｒおよびハーフミラー９４Ｒと、を備える。有機ＥＬ装置１００Ｌと有機ＥＬ装置１００Ｒとは、射出光が相互に反対の方向に進行するように配置されている。左眼用のハーフミラー９４Ｌは、透過部９２Ｌの透過光を使用者の左眼側に透過させるとともに、有機ＥＬ装置１００Ｌからの射出光を使用者の左眼側に反射させる。同様に、右眼用のハーフミラー９４Ｒは、透過部９２Ｒの透過光を使用者の右眼側に透過させるとともに、有機ＥＬ装置１００Ｒからの射出光を使用者の右眼側に反射させる。
【００８０】
したがって、使用者は、透過部９２Ｌおよび透過部９２Ｒを介して観察される像と、各有機ＥＬ装置１００による表示画像と、が重畳された画像を知覚する。また、相互に視差が付与された立体視画像（左眼用画像および右眼用画像）を有機ＥＬ装置１００Ｌと有機ＥＬ装置１００Ｒとに表示させることにより、使用者に表示画像の立体感を知覚させることができる。
【００８１】
なお、各実施形態の有機ＥＬ装置１００が適用される電子機器は、図７の表示装置９０に限定されない。例えば、ビデオカメラやスチルカメラ等の撮像装置に利用される電子式ビューファインダー（EVF：Electronic View Finder）にも本発明の有機ＥＬ装置が好適に利用される。また、携帯電話機、携帯情報端末（スマートフォン）、テレビやパーソナルコンピューター等のモニター、カーナビゲーション装置等の各種の電子機器に本発明の有機ＥＬ装置を採用することができる。
【００８２】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。上記実施形態の有機ＥＬ装置における各種電極、配線、トランジスター、容量素子、絶縁膜等の構成材料、形状、配置、寸法や膜厚等の具体的な記載は一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００８３】
また、上記実施形態では、本発明の電気光学装置として有機ＥＬ装置の例を挙げたが、本発明は有機ＥＬ装置に限るものではなく、例えば無機ＥＬ装置、液晶装置等の電気光学装置に適用することも可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１０…第１の基板、１０Ｄ…第１の面、１７…温度センサー（温度検出素子）、２０…第２の基板、２２…走査線、２６…データ線、３２…走査線駆動回路、３４…データ線駆動回路、３７…制御回路（制御部）、４５…有機ＥＬ素子（電気光学素子）、９０…表示装置（電子機器）、１００，１００Ｌ，１００Ｒ，２００…有機ＥＬ装置（電気光学装置）、Ｅｃ，Ｅｃ２…共通電極、Ｅｃ２１…延出部、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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