(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブマウントと、
前記サブマウントの上面に設けられた第１の導電パターンと、
前記サブマウントの下面側に設けられたＧＮＤパターンと、
発光素子と、
前記第１の導電パターンにはんだにより接合された下面電極と、前記発光素子に接続された上面電極とを有するコンデンサと、
前記第１の導電パターンに接続された終端抵抗とを備え、
前記第１の導電パターンは、平面視で前記コンデンサからはみ出したはみ出し部を有し、
前記はみ出し部の横幅は前記コンデンサの横幅よりも狭く、
前記はみ出し部は、前記コンデンサの外周の２箇所以上からはみ出し、
前記下面電極が前記コンデンサの誘電体の下面全面に設けられていることを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記第１の導電パターンの平面形状は長方形であり、
前記コンデンサの平面形状は四角形であり、
前記第１の導電パターンの長辺は前記コンデンサの辺よりも長く、
前記第１の導電パターンの短辺は前記コンデンサの辺よりも短く、
前記はみ出し部は前記コンデンサの対向する２辺からはみ出していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記サブマウント、前記第１の導電パターン、前記発光素子、前記コンデンサ及び前記終端抵抗を含むセットが複数あり、前記複数のセットが前記第１の導電パターンの前記短辺の方向に横並びに配置されていることを特徴とする請求項２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記第１の導電パターンの平面形状はＬ字形であり、
前記コンデンサの平面形状は四角形であり、
前記はみ出し部は前記コンデンサの隣接する２辺からはみ出していることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記はみ出し部は櫛歯状であることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項６】
サブマウントと、
前記サブマウントの上面に設けられた第１の導電パターンと、
前記サブマウントの下面側に設けられたＧＮＤパターンと、
発光素子と、
前記第１の導電パターンにはんだにより接合された下面電極と、前記発光素子に接続された上面電極とを有するコンデンサと、
前記第１の導電パターンに接続された終端抵抗と、
キャリア基板と、
前記キャリア基板の上面に設けられた第２の導電パターンと、
前記サブマウントの下面に設けられた第３の導電パターンとを備え、
前記第１の導電パターンは、平面視で前記コンデンサからはみ出したはみ出し部を有し、
前記はみ出し部の横幅は前記コンデンサの横幅よりも狭く、
前記はみ出し部は、前記コンデンサの外周の２箇所以上からはみ出し、
前記サブマウントは前記キャリア基板の上に設けられ、
前記ＧＮＤパターンは前記キャリア基板の下面に設けられ、
前記第２の導電パターンと前記第３の導電パターンは、互いに接合され、前記発光素子の下方には存在するが、前記コンデンサの下方には存在しないことを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置は発光素子とコンデンサと終端抵抗を有する（例えば、特許文献１参照）。コンデンサの下面電極は、サブマウントの上面に設けられた導電パターンにはんだを介して接続されている。従来は、導電パターンをコンデンサよりも大きくしていた。これにより、コンデンサからはみ出したはんだを上方から観察して、はんだの濡れ性の外観検査を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】日本特開２０１６−１８０７７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、導電パターンを大きくすることで、サブマウントの下面側のＧＮＤパターンと上面側の導電パターンとの間の寄生容量が増大する。このため、光半導体装置の使用周波数での振幅応答が減少し、ノイズが増えて信号の感度が低減するという問題があった。【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的ははんだの外観検査を行うことができ、信号の感度を向上することができる光半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る光半導体装置は、サブマウントと、前記サブマウントの上面に設けられた第１の導電パターンと、前記サブマウントの下面側に設けられたＧＮＤパターンと、発光素子と、前記第１の導電パターンにはんだにより接合された下面電極と、前記発光素子に接続された上面電極とを有するコンデンサと、前記第１の導電パターンに接続された終端抵抗とを備え、前記第１の導電パターンは、平面視で前記コンデンサからはみ出したはみ出し部を有し、前記はみ出し部の横幅は前記コンデンサの横幅よりも狭く、前記はみ出し部は、前記コンデンサの外周の２箇所以上からはみ出し、前記下面電極が前記コンデンサの誘電体の下面全面に設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、導電パターンは、平面視でコンデンサからはみ出したはみ出し部を有する。これにより、はみ出し部の上のはんだを上方から観察して、はんだの外観検査を行うことができる。また、導電パターンのはみ出し部の横幅はコンデンサの横幅よりも狭い。これにより、サブマウントの下面側のＧＮＤパターンと上面側の導電パターンとの間の寄生容量が低減するため、高周波性能を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１に係る光半導体装置の回路図である。
【図２】実施の形態１に係る光半導体装置を示す斜視図である。
【図３】実施の形態１に係る光半導体装置を示す平面図である。
【図４】実施の形態１に係る光半導体装置を示す側面図である。
【図５】比較例に係る光半導体装置を示す平面図である。
【図６】信号の減衰量と周波数の関係を示すシミュレーション結果である。
【図７】実施の形態２に係る光半導体装置を示す平面図である。
【図８】実施の形態３に係る光半導体装置を示す平面図である。
【図９】実施の形態４に係る光半導体装置を示す側面図である。
【図１０】実施の形態４に係る光半導体装置のキャリア基板とサブマウントの間に設けられた導電パターンを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態に係る光半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る光半導体装置の回路図である。光半導体装置１はＴＯＳＡ（Transmitter Optical Sub-Assembly）であり、発光素子２、コンデンサ３及び終端抵抗４を有する。発光素子２のアノードは駆動回路５に接続され、カソードはＧＮＤに接続されている。コンデンサ３及び終端抵抗４は発光素子２と並列に接続されている。発光素子２は、例えばＥＭＬ−ＬＤ（Electro-absorption Modulator Laser Diode）である。駆動回路５から供給された高周波の変調電気信号に応じて発光素子２が発光する。なお、図１ではコンデンサ３と終端抵抗４が駆動回路５からＧＮＤに向かって順に接続されているが、これに限らず、駆動回路５側から終端抵抗４、コンデンサ３の順に接続してもよい。
【００１１】
図２は、実施の形態１に係る光半導体装置を示す斜視図である。図３は、実施の形態１に係る光半導体装置を示す平面図である。図４は、実施の形態１に係る光半導体装置を示す側面図である。
【００１２】
キャリア基板６の上にサブマウント７が設けられている。キャリア基板６とサブマウント７は例えばＡｌＮからなる。キャリア基板６の下面に導電パターン８が設けられている。キャリア基板６の上面にＧＮＤパターンである導電パターン９が設けられている。本実施の形態ではキャリア基板６の上下面の導電パターン８，９はスルーホールビア等により互いに導通させている。サブマウント７の下面に導電パターン１０が設けられている。キャリア基板６の導電パターン９とサブマウント７の導電パターン１０ははんだなどにより接合されている。サブマウント７の上面に互いに分離した導電パターン１１〜１３が設けられている。なお、導電パターン９〜１３の表面には金めっきが施されている。
【００１３】
導電パターン１１はワイヤ１４により変調電気信号用配線１５に接続されている。導電パターン１２はワイヤ１６によりＧＮＤ配線１７に接続されている。なお、ＧＮＤ配線１７は変調電気信号用配線１５の両サイドに設けられ、導電パターン１２は導電パターン１１の両サイドに設けられ、それぞれコプレーナ導波路を構成している。変調電気信号用配線１５及び導電パターン１１は駆動回路５からの変調電気信号を伝達する。
【００１４】
発光素子２が導電パターン１２の上に設けられている。発光素子２の下面電極１８と導電パターン１２がはんだなどにより接合されている。発光素子２の上面電極１９と導電パターン１１がワイヤ２０により接続されている。
【００１５】
コンデンサ３が導電パターン１３の上に設けられている。コンデンサ３の下面電極２１は導電パターン１３にはんだ２２により接合されている。コンデンサ３の上面電極２３は発光素子２の上面電極１９にワイヤ２４により接続されている。なお、下面電極２１はコンデンサ３の誘電体の下面全面に設けられ、上面電極２３は上面全面に設けられている。
【００１６】
終端抵抗４がサブマウント７の上面に設けられ、導電パターン１２と導電パターン１３との間に接続されている。インピーダンス整合をとるため、終端抵抗４の抵抗値は５０Ωに設定されている。ただし、終端抵抗４の抵抗値を５０Ω以外に設定してもよい。なお、ワイヤ１４，１６，２０，２４は例えば金ワイヤであるが、リボン状金線などでもよい。
【００１７】
導電パターン１３の平面形状は長方形であり、コンデンサ３の平面形状は四角形である。導電パターン１３の長辺は５５０μｍであり、コンデンサ３の辺よりも長い。このため、導電パターン１３は、サブマウント７の上面に対して垂直方向から見た平面視でコンデンサ３の下方領域から外側にはみ出したはみ出し部２５を有する。これにより、コンデンサ３からはみ出し部２５の上に出たはんだ２２を上方から観察することで、はんだ２２の外観検査を行うことができる。
【００１８】
一方、導電パターン１３の短辺は２９０μｍであり、コンデンサ３の辺よりも短い。このため、はみ出し部２５とコンデンサ３の境界において、導電パターン１３のはみ出し部２５の横幅はコンデンサ３の横幅よりも狭い。
【００１９】
続いて、本実施の形態の効果を比較例と比較して説明する。図５は、比較例に係る光半導体装置を示す平面図である。比較例では、導電パターン１３の短辺が４３０μｍであり、導電パターン１３がコンデンサ３の幅よりも大きい。従って、導電パターン１３がコンデンサ３の外周の四辺全てからはみ出している。このため、はんだ２２の外観検査を行うことができる。しかし、比較例では導電パターン１３が大きいため、サブマウント７の下面側のＧＮＤパターンである導電パターン９と上面側の導電パターン１３との間の寄生容量が大きい。
【００２０】
一方、本実施の形態では、導電パターン１３のはみ出し部２５の横幅はコンデンサ３の横幅よりも狭い。これにより、導電パターン９と導電パターン１３との間の寄生容量が低減する。このため、光半導体装置の使用周波数での振幅応答が拡大する。従って、ノイズが減って信号の感度が良くなるため、高周波性能を向上することができる。
【００２１】
図６は、信号の減衰量と周波数の関係を示すシミュレーション結果である。シミュレーションにおいて終端抵抗４の抵抗値を５０Ω、コンデンサ３の容量を１０ｎＦと設定した。横軸は光半導体装置に入力された信号の周波数を示す。縦軸は光半導体装置が信号を伝えた時に減衰する量を示す。例えば縦軸の値が−３ｄBであると信号の強度が半分になる。比較例では光半導体装置の使用周波数である１０〜２０ＧＨｚ付近にロールオフがある。一方、本実施の形態では、１０〜２０ＧＨｚ付近でも減衰量が０ｄBに近く、高周波性能が高いことが確認された。
【００２２】
また、導電パターン１３の平面形状は長方形であり、導電パターン１３のはみ出し部２５はコンデンサ３の対向する２辺からはみ出している。このようにはみ出し部２５は、コンデンサ３の外周の２箇所以上からはみ出していることが好ましい。これにより、２箇所以上ではんだ２２の外観検査を行うことができるため、検査の信頼性が高い。
【００２３】
また、サブマウント７、導電パターン１３、発光素子２、コンデンサ３及び終端抵抗４を含むセットが複数ある場合には装置の更なる小型化が要求される。これに対して、本実施の形態では、導電パターン１３が長方形であり、はみ出し部２５は導電パターン１３の短辺方向に直交するコンデンサ３の辺からはみ出していない。従って、導電パターン１３の短辺方向において各セットのサブマウント７の幅を小さくできる。そこで、複数のセットを導電パターン１３の短辺の方向に横並びに配置することで、装置を小型化することができる。
【００２４】
実施の形態２．
図７は、実施の形態２に係る光半導体装置を示す平面図である。導電パターン１３の平面形状はＬ字形であり、導電パターン１３のはみ出し部２５はコンデンサ３の隣接する２辺からはみ出している。実施の形態１と同様に、はみ出し部２５とコンデンサ３の境界において、導電パターン１３のはみ出し部２５の横幅はコンデンサ３の横幅よりも狭い。これにより、導電パターン９と導電パターン１３との間の寄生容量が低減するため、高周波性能を向上することができる。
【００２５】
また、はみ出し部２５がコンデンサ３の外周の２箇所からはみ出しているため、２箇所ではんだ２２の外観検査を行うことができる。また、導電パターン１３をＬ字形にすることで、サブマウント７の図面の上下方向の長さを短くすることができる。このため、サブマウント７の共振周波数を増加させ、高周波特性を向上させることができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００２６】
実施の形態３．
図８は、実施の形態３に係る光半導体装置を示す平面図である。導電パターン１３のはみ出し部２５は櫛歯状である。これにより、はみ出し部２５の面積が小さくなり、ＧＮＤパターン８と導電パターン１３との間の寄生容量が低減するため、高周波性能を向上することができる。ただし、はんだ２２の外観検査を行うために、各櫛歯の横幅を１００μｍ以上にする必要がある。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【００２７】
実施の形態４．
図９は、実施の形態４に係る光半導体装置を示す側面図である。図１０は、実施の形態４に係る光半導体装置のキャリア基板とサブマウントの間に設けられた導電パターンを示す平面図である。この平面図においてサブマウント７及びその上の構成は省略している。
【００２８】
キャリア基板６とサブマウント７の間に設けられた導電パターン９，１０は、発光素子２の下方には存在するが、コンデンサ３の下方には存在しない。発光素子２の下方で導電パターン９，１０が互いに接合されているため、発光素子２で発生した熱をキャリア基板６側に放熱することができる。
【００２９】
実施の形態１ではコンデンサ３の下方にＧＮＤパターンである導電パターン９，１０が有るため、導電パターン１３と導電パターン９，１０との間の寄生容量が存在する。これに対して、本実施の形態ではコンデンサ３の下方に導電パターン９，１０が無いため、導電パターン間隔を広げることができ、寄生容量を低減することができる。従って、実施の形態１よりも高周波性能を向上することができる。その他の構成及び効果は実施の形態１と同様である。
【符号の説明】
【００３０】
１  光半導体装置、２  発光素子、３  コンデンサ、４  終端抵抗、６  キャリア基板、７  サブマウント、８  導電パターン（ＧＮＤパターン）、９  導電パターン（ＧＮＤパターン、第２の導電パターン）、１０  導電パターン（第３の導電パターン）、１３  導電パターン（第１の導電パターン）、２２  はんだ、２１  下面電極、２３  上面電極、２５  はみ出し部
【要約】
第１の導電パターン（１３）がサブマウント（７）の上面に設けられている。ＧＮＤパターン（９）がサブマウント（７）の下面側に設けられている。コンデンサ（３）の下面電極（２１）が第１の導電パターン（１３）にはんだ（２２）により接合されている。コンデンサ（３）の上面電極（２３）が発光素子（２）に接続されている。終端抵抗（４）が第１の導電パターン（１３）に接続されている。第１の導電パターン（１３）は、平面視でコンデンサ（３）からはみ出したはみ出し部（２５）を有する。はみ出し部（２５）の横幅はコンデンサ（３）の横幅よりも狭い。【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006725090.tif 000008
【図８】
0006725090.tif 000009
【図９】
0006725090.tif 000010
【図１０】
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