(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶で構成された第１基板（６１）と、
前記第１基板の表面に形成された拡散層で構成された温度ゲージ（６４ｅ）と、
シリコン単結晶で構成され、前記第１基板のうち前記温度ゲージが形成された側に、前記温度ゲージと熱接触した状態で配置された第２基板（６８）と、を備え、
前記第１基板と前記第２基板とが測定媒体の中に置かれたとき、前記第１基板と、前記第２基板のうち前記温度ゲージと熱接触している部分とが、該測定媒体から前記温度ゲージへの熱伝導の経路となり、
前記温度ゲージの抵抗値の変化を用いて測定媒体の温度を測定し、
さらに、前記第１基板に形成された拡散層で構成され、前記温度ゲージと離されて配置された圧力ゲージ（６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ）と、
前記第１基板のうち前記圧力ゲージに対応する部分に形成されたダイヤフラム（７７）と、を備え、
前記第２基板のうち前記圧力ゲージに対向する部分に凹部（６９）が形成されており、
前記ダイヤフラムの変形による前記圧力ゲージの抵抗値の変化を用いて測定媒体の圧力を測定するセンサ装置。
【請求項２】
前記圧力ゲージは、前記第１基板の表面における一方向に蛇行して延設されており、
前記温度ゲージは、前記第１基板の表面において、前記一方向に対して４５度傾斜した方向に蛇行して延設されている請求項１に記載のセンサ装置。
【請求項３】
前記第１基板に形成された拡散層で構成され、前記温度ゲージを外部の回路に接続するリード部（６５ｂ、６５ｅ）を備える請求項１または２に記載のセンサ装置。
【請求項４】
前記リード部は、前記温度ゲージよりも抵抗値が小さい請求項３に記載のセンサ装置。
【請求項５】
前記リード部を構成する拡散層は、前記温度ゲージを構成する拡散層よりも不純物濃度が高い請求項４に記載のセンサ装置。
【請求項６】
前記リード部を構成する拡散層は、前記温度ゲージを構成する拡散層よりも深さが大きい請求項４または５に記載のセンサ装置。
【請求項７】
温度ゲージ（６４ｅ）の抵抗値の変化を用いて測定媒体の温度を測定するセンサ装置の製造方法であって、
シリコン単結晶で構成された第１基板（６１）の表面に不純物を拡散させることにより前記温度ゲージを形成する工程と、
前記第１基板のうち前記温度ゲージが形成された側に、シリコン単結晶で構成された第２基板（６８）を配置する工程と、を備え、
前記第２基板を配置する工程では、前記第２基板を前記温度ゲージと熱接触した状態で配置することにより、前記第１基板と前記第２基板とが測定媒体の中に置かれたとき、前記第１基板と、前記第２基板のうち前記温度ゲージと熱接触している部分とが、該測定媒体から前記温度ゲージへの熱伝導の経路となるようにし、
前記温度ゲージを形成する工程は、前記第１基板の表面に不純物を拡散させることにより、前記温度ゲージと、圧力ゲージ（６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ）とを互いに離された状態で同時に形成する工程であり、
さらに、前記第２基板のうち前記圧力ゲージに対向する部分に凹部（６９）を形成する工程と、
前記第１基板のうち前記圧力ゲージに対応する部分にダイヤフラム（７７）を形成する工程と、を備えるセンサ装置の製造方法。
【請求項８】
前記温度ゲージを形成する工程では、前記第１基板の表面に不純物を拡散させることにより、前記温度ゲージと、前記温度ゲージを外部の回路と接続するリード部（６５ｂ、６５ｅ）とを同時に形成する請求項７に記載のセンサ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、拡散層で構成された温度ゲージを備えるセンサ装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、測定媒体を導入する導入孔が形成されたハウジングと、導入孔から導入された測定媒体の圧力により歪むダイヤフラムと、ダイヤフラムに形成された抵抗体とを備え、抵抗体の抵抗値の変化を用いて測定媒体の圧力を測定する圧力センサが提案されている。
【０００３】
測定媒体の圧力と同時に温度を測定したい場合、このような圧力センサと温度センサとを集積化して形成することにより、圧力センサおよび温度センサの製造コストを低減することができる。
【０００４】
例えば特許文献１では、圧力センサを構成する抵抗素子を温度センサとして用いる圧力式流量制御装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１８５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１では、抵抗素子が形成された基板の一面側とダイヤフラムとの間に圧力伝達媒体が置かれており、他面側には空間部（真空室）が形成されている。このような構成では、熱伝導の経路が狭いため、測定媒体の熱が抵抗素子に伝わりにくく、応答性が低下するという問題がある。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、温度測定の応答性を向上できるセンサ装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、シリコン単結晶で構成された第１基板（６１）と、第１基板の表面に形成された拡散層で構成された温度ゲージ（６４ｅ）と、シリコン単結晶で構成され、第１基板のうち温度ゲージが形成された側に、温度ゲージと熱接触した状態で配置された第２基板（６８）と、を備え、第１基板と第２基板とが測定媒体の中に置かれたとき、第１基板と、第２基板のうち温度ゲージと熱接触している部分とが、該測定媒体から温度ゲージへの熱伝導の経路となり、温度ゲージの抵抗値の変化を用いて測定媒体の温度を測定し、さらに、第１基板に形成された拡散層で構成され、温度ゲージと離されて配置された圧力ゲージ（６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ）と、第１基板のうち圧力ゲージに対応する部分に形成されたダイヤフラム（７７）と、を備え、第２基板のうち圧力ゲージに対向する部分に凹部（６９）が形成されており、ダイヤフラムの変形による圧力ゲージの抵抗値の変化を用いて測定媒体の圧力を測定する。
【０００９】
これによれば、熱伝導の良いシリコン単結晶が温度ゲージの両側に配置され、温度ゲージと熱接触した状態とされているため、測定媒体の熱が温度ゲージに伝わりやすくなり、センサ装置の応答性を向上させることができる。
【００１０】
また、請求項７に記載の発明では、温度ゲージ（６４ｅ）の抵抗値の変化を用いて測定媒体の温度を測定するセンサ装置の製造方法であって、シリコン単結晶で構成された第１基板（６１）の表面に不純物を拡散させることにより温度ゲージを形成する工程と、第１基板のうち温度ゲージが形成された側に、シリコン単結晶で構成された第２基板（６８）を配置する工程と、を備え、第２基板を配置する工程では、第２基板を温度ゲージと熱接触した状態で配置することにより、第１基板と第２基板とが測定媒体の中に置かれたとき、第１基板と、第２基板のうち温度ゲージと熱接触している部分とが、該測定媒体から温度ゲージへの熱伝導の経路となるようにし、温度ゲージを形成する工程は、第１基板の表面に不純物を拡散させることにより、温度ゲージと、圧力ゲージ（６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄ）とを互いに離された状態で同時に形成する工程であり、さらに、第２基板のうち圧力ゲージに対向する部分に凹部（６９）を形成する工程と、第１基板のうち圧力ゲージに対応する部分にダイヤフラム（７７）を形成する工程と、を備える。
【００１１】
このように、熱伝導の良いシリコン単結晶を温度ゲージの両側に配置し、温度ゲージと熱接触した状態とすることで、測定媒体の熱が温度ゲージに伝わりやすく、応答性が向上されたセンサ装置を製造することができる。
【００１２】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかるセンサ装置の断面図である。
【図２】図１とは別断面の図である。
【図３】センサ部の断面図である。
【図４】センサ部のパターン図である。
【図５】センサ部のパターン図である。
【図６】センサ部の製造方法を示す断面図である。
【図７】センサ部の製造方法を示す断面図である。
【図８】センサ部の製造方法を示す断面図である。
【図９】センサ装置を被取付部材に取り付けた断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。本実施形態のセンサ装置は、エンジンオイル等の温度を測定するのに用いられると好適である。
【００１６】
図１および図２に示されるように、センサ装置にはコネクタケース１０が備えられており、本実施形態のコネクタケース１０は、モールド部材２０と主ケース３０とが一体化されて構成されている。
【００１７】
まず、モールド部材２０の構成について説明する。モールド部材２０は、回路部２１と、センサ部２２と、リードフレーム２３と、これらを封止するモールド樹脂２４とを有している。
【００１８】
回路部２１は、センサ部２２と電気的に接続されてセンサ部２２の駆動制御やセンサ部２２から出力されるセンサ信号に対して所定の処理等を行うものである。本実施形態では、回路部２１として、シリコン基板等に半導体集積回路が形成されたＩＣチップが用いられる。
【００１９】
センサ部２２は、シリコン基板等を用いて構成された平面矩形状の板状部材とされている。センサ部２２の詳細については後述する。
【００２０】
リードフレーム２３は、図１および図２に示されるように、図示しない接着剤を介して回路部２１を搭載し、接着剤２５（図３参照）を介してセンサ部２２を搭載するアイランド部２３ａと、外部との電気的接続を行う端子としてのリード部２３ｂとを備えている。なお、このリードフレーム２３は、Ｃｕ（銅）や４２アロイ等の導電性に優れた金属にて構成され、エッチング加工やプレス加工等によって所定形状に加工されている。
【００２１】
そして、回路部２１の一端部（図１および図２中紙面下側）とセンサ部２２の他端部（図１および図２中紙面上側）に形成された電極６６および配線７４（図３参照）とがボンディングワイヤ２６を介して電気的に接続されていると共に、回路部２１とリード部２３ｂの一端部とがボンディングワイヤ２７を介して電気的に接続されている。なお、これらボンディングワイヤ２６、２７は、金やアルミニウム等で構成されている。
【００２２】
そして、これら回路部２１、センサ部２２、リードフレーム２３、ボンディングワイヤ２６、２７がモールド樹脂２４により封止されて一体化されている。具体的には、センサ部２２のうち、後述する拡散ゲージ６４が形成されている一端部側が露出すると共に、リード部２３ｂのうちの一端部（回路部２１とボンディングワイヤ２７を介して接続される側）と反対側の他端部が露出するように、モールド樹脂２４によって一体化されている。なお、モールド樹脂２４は、例えばエポキシ樹脂等で構成されるものであり、金型を用いたトランスファーモールド法等によって成形される。
【００２３】
また、センサ部２２は、上記のように平面矩形状とされた板状部材であり、一端部が露出するようにモールド樹脂２４に封止されているが、図１に示されるように、センサ部２２の一端部側では、側面の周囲に隙間部を介してモールド樹脂２４が配置されている。これにより、モールド樹脂２４が緩衝材となり、センサ部２２の側面が搬送時や組み着け時等において他の部材と衝突して欠けたりすることを抑制できる。また、センサ部２２の側面に隙間部を介してモールド樹脂２４が配置されているため、モールド樹脂２４からの応力がセンサ部２２に伝達されることを抑制できる。
【００２４】
なお、センサ部２２の一端部側では、センサ部２２における側面と直交する一面および当該一面と反対側の他面上にはモールド樹脂２４は配置されていない。また、センサ部２２の側面とモールド樹脂２４との間の隙間部は、例えば、センサ部２２の側面が封止されるようにモールド樹脂２４を形成した後、レーザ加工等をすることによって形成される。以上がモールド部材２０の構成である。
【００２５】
主ケース３０は、図１および図２に示されるように、円柱状のボディ部３０ａと、ボディ部３０ａから上方に延びると共にボディ部３０ａとの連結部分においてボディ部３０ａよりも径が小さくされた円柱状のコネクタ部３０ｂとを有している。主ケース３０は、例えば、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）やＰＢＴ（ポリブチレンテレフタレート）等の樹脂を型成形することにより作られる。
【００２６】
コネクタ部３０ｂには、ボディ部３０ａとの連結側の部分の外周側面に凹部３１（図２参照）が形成されていると共に、ボディ部３０ａ側と反対側の端部に開口部３２が形成されている。そして、ボディ部３０ａには、コネクタ部３０ｂ側と反対側の端部から当該凹部３１内の空間と連通する貫通孔３３が形成されている。
【００２７】
また、主ケース３０には、センサ部２２と外部回路等とを電気的に接続するための金属棒状のターミナル３４が複数本備えられている。これら各ターミナル３４は、インサート成形により主ケース３０と一体に成形されることによって主ケース３０内に保持されている。
【００２８】
具体的には、各ターミナル３４は、一端部が主ケース３０における凹部３１内にて露出し、他端部が主ケース３０における開口部３２内に突出するように、主ケース３０に保持されている。なお、開口部３２内に突出しているターミナル３４の他端部は、図示しないワイヤハーネス等の外部配線部材を介して外部回路等と電気的に接続される。以上が主ケース３０の構成である。
【００２９】
そして、コネクタケース１０は、主ケース３０に形成された貫通孔３３にモールド部材２０が圧入されることで構成されている。具体的には、リード部２３ｂの他端部が凹部３１内にて露出すると共に、センサ部２２の一端部がボディ部３０ａを挟んで主ケース３０側と反対側に突出するように、主ケース３０に形成された貫通孔３３にモールド部材２０が圧入されている。
【００３０】
凹部３１内では、ターミナル３４の一端部とリード部２３ｂの他端部とが溶接等によって電気的に接続されている。これにより、センサ部２２が回路部２１、リード部２３ｂを介してターミナル３４と電気的に接続され、センサ部２２と外部回路との接続が図られる。また、凹部３１には、ターミナル３４の一端部とリード部２３ｂの他端部との溶接箇所を保護するポッティング材３５が配置されている（図２参照）。
【００３１】
さらに、主ケース３０には、ボディ部３０ａにおけるコネクタ部３０ｂ側と反対側の端部に貫通孔３３を囲むように環状の溝部３６が形成されており、この溝部３６にＯリング３７が配置されている。
【００３２】
また、モールド部材２０と主ケース３０との間には、モールド部材２０と主ケース３０との間の隙間を封止するように、ポッティング材３８が配置されている。以上が主ケース３０の構成である。
【００３３】
そして、このようなコネクタケース１０にハウジング４０が組みつけられることによってケーシング５０が構成されると共に、ケーシング５０内にセンサ部２２が配置されたセンサ装置が構成される。
【００３４】
具体的には、ハウジング４０は、例えば、ステンレス、ＳＵＳ、アルミニウム等の金属材料が切削や冷間鍛造等されて構成され、収容凹部４１と、当該収容凹部４１と連通する導入孔４２が形成された延設部４３とを有している。
【００３５】
そして、導入孔４２内にセンサ部２２が位置するように収容凹部４１内にコネクタケース１０のボディ部３０ａが挿入され、ハウジング４０における収容凹部４１の開口端部４４がボディ部３０ａにかしめられることでコネクタケース１０とハウジング４０とが組みつけられて一体化されている。
【００３６】
主ケース３０における溝部３６に配置されたＯリング３７は、コネクタケース１０とハウジング４０とのかしめによるかしめ圧で押し潰される。これにより、導入孔４２内に導入された測定媒体がコネクタケース１０とハウジング４０との間の隙間から漏れることが防止される。
【００３７】
延設部４３は、突出方向の先端部（コネクタケース１０側と反対側の先端部）に蓋部４３ａを有する有底円筒状とされている。そして、延設部４３の外周側面には、ハウジング４０（センサ装置）を後述する被取付部材８１に固定するためのネジ部４５が形成されている。また、延設部４３のうち、ネジ部４５に対してコネクタケース１０側と反対側に位置する突出部４６には、開口部４７が形成されている。
【００３８】
センサ部２２の詳細について説明する。センサ部２２は、図３に示されるように、活性層６１、ＢＯＸ層６２、支持層６３が順に積層されたＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウェハと、バルクＳｉウェハである基板６８とが貼り合わされて構成されている。活性層６１および基板６８はシリコン単結晶で構成されており、ＢＯＸ層６２は例えばＳｉＯ２等で構成されており、支持層６３は例えばＳｉ等で構成されている。活性層６１、基板６８は、それぞれ、第１基板、第２基板に相当する。
【００３９】
センサ部２２は、長手方向の一方の端部において、接着剤２５を介してアイランド部２３ａと接続されており、ボンディングワイヤ２６を介して回路部２１に接続されている。具体的には、支持層６３が接着剤２５を介してアイランド部２３ａに接続されており、基板６８に形成された配線７４がボンディングワイヤ２６を介して回路部２１に接続されている。そして、センサ部２２のうち、接着剤２５およびボンディングワイヤ２６と接続された側の端部は、モールド樹脂２４により封止されている。
【００４０】
活性層６１のうちＢＯＸ層６２とは反対側の表面には、拡散ゲージ６４、リード部６５（図４、図５参照）、電極６６、電極６７が形成されている。図３に示されるように、活性層６１の長手方向の両端部のうち、モールド樹脂２４で封止された側の端部に電極６６、電極６７が形成されており、モールド樹脂２４で封止された側と反対側の端部に拡散ゲージ６４が形成されている。
【００４１】
拡散ゲージ６４、リード部６５、電極６６は、活性層６１にｐ型不純物を拡散させることにより形成されたｐ＋型の拡散層で構成されている。電極６７は、活性層６１にｎ型不純物を拡散させることにより形成されたｎ＋型の拡散層で構成されている。電極６７は、拡散ゲージ６４、リード部６５、電極６６から電流がリークすることを抑制するために、高い電位、例えば５Ｖに固定されている。
【００４２】
本実施形態では、拡散ゲージ６４は５つ形成されている。５つの拡散ゲージ６４のうちの４つは、圧力を測定するために用いられ、残りの１つは、温度を測定するために用いられる。圧力測定用の４つの拡散ゲージ６４をそれぞれ圧力ゲージ６４ａ、６４ｂ、６４ｃ、６４ｄとし、温度測定用の拡散ゲージ６４を温度ゲージ６４ｅとする。
【００４３】
図４に示されるように、４つの圧力ゲージは、ブリッジ回路を構成している。具体的には、圧力ゲージ６４ａの一端は圧力ゲージ６４ｂに接続されており、他端は圧力ゲージ６４ｃに接続されている。そして、圧力ゲージ６４ｄの一端は圧力ゲージ６４ｂに接続されており、他端は圧力ゲージ６４ｃに接続されている。
【００４４】
測定媒体がセンサ装置に導入されると、測定媒体の圧力により後述するダイヤフラム７７が変形して、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄの抵抗値が変化する。この抵抗値の変化を読み取ることにより、測定媒体の圧力を測定することができる。
【００４５】
本実施形態では、圧力ゲージ６４ａ、６４ｄの抵抗値の変化量と６４ｂ、６４ｃの抵抗値の変化量との差を大きくして、圧力の測定精度を向上させるために、測定媒体の圧力により応力が生じやすい位置を考慮して、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄを図４に示すように配置している。
【００４６】
具体的には、活性層６１のうちダイヤフラム７７に対応する部分の中心に対し、活性層６１の表面における一方向の両側に圧力ゲージ６４ｂ、６４ｃを配置し、活性層６１の表面における一方向に垂直な他方向の両側に圧力ゲージ６４ａ、６４ｄを配置している。そして、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄは一方向に蛇行して延設されている。
【００４７】
図５に示されるように、本実施形態では、電極６６は５つ形成されている。５つの電極６６を、それぞれ、６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ、６６ｅとする。また、リード部６５のうち、拡散ゲージ６４と電極６６ａ、６６ｂ、６６ｃ、６６ｄ、６６ｅとを接続する部分をそれぞれリード部６５ａ、６５ｂ、６５ｃ、６５ｄ、６５ｅとする。
【００４８】
図４，図５に示されるように、圧力ゲージ６４ａ、６４ｂの接続点は、リード部６５ａを介して電極６６ａに接続されており、電極６６ａは、ボンディングワイヤ２６等を介して回路部２１に接続されている。また、圧力ゲージ６４ｃ、６４ｄの接続点は、リード部６５ｂを介して電極６６ｂに接続されており、電極６６ｂは、回路部２１のグランド端子に接続されている。圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄが構成するブリッジ回路には、電極６６ａ、６６ｂを通して、回路部２１から定電流が供給される。
【００４９】
圧力ゲージ６４ａ、６４ｃの接続点、圧力ゲージ６４ｂ、６４ｄの接続点は、それぞれ、リード部６５ｃ、６５ｄを介して電極６６ｃ、６６ｄに接続されており、電極６６ｃ、６６ｄは、それぞれ、ボンディングワイヤ２６等を介して、回路部２１に接続されている。
【００５０】
本実施形態では、温度ゲージ６４ｅは、活性層６１の表面において、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄの延設方向に対し４５度傾斜した方向に蛇行して延設されている。
【００５１】
温度ゲージ６４ｅは、リード部６５ｂ、６５ｅを通して外部の回路に接続されている。具体的には、温度ゲージ６４ｅの一端はリード部６５ｅを介して電極６６ｅに接続されており、電極６６ｅは、ボンディングワイヤ２６等を介して回路部２１に接続されている。また、温度ゲージ６４ｅの他端は、リード部６５ｂを介して、圧力ゲージ６４ｃ、６４ｄの接続点、および、電極６６ｂに接続されている。温度ゲージ６４ｅおよびリード部６５ｂ、６５ｅには、電極６６ｂ、６６ｅを通して、回路部２１から定電流が供給される。
【００５２】
本実施形態では、活性層６１の表面において、リード部６５ｂ、６５ｅは温度ゲージ６４ｅに比べて電流経路の幅が大きくされており、これにより、リード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値が温度ゲージ６４ｅの抵抗値に比べて小さくなっている。具体的には、活性層６１の表面において、リード部６５ｂ、６５ｅの電流経路の幅が温度ゲージ６４ｅの電流経路の幅の１０倍以上とされており、温度ゲージ６４ｅの抵抗値は、リード部６５ｂの抵抗値にリード部６５ｅの抵抗値を加算した値の１０倍以上とされている。
【００５３】
基板６８のうち活性層６１側の表面には、凹部６９が形成されており、基板６８および凹部６９の表面には、酸化膜７０が形成されている。酸化膜７０は、ＳｉＯ２等で構成されている。
【００５４】
凹部６９は、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄに対応する部分に形成されており。凹部６９に形成された酸化膜７０と、活性層６１のうち圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄが形成された部分との間には、真空室７１が形成されている。
【００５５】
活性層６１のうち温度ゲージ６４ｅが形成された部分は、酸化膜７０に接しており、温度ゲージ６４ｅは、基板６８と熱接触した状態とされている。具体的には、センサ部２２のうち、活性層６１の表面に投影したときに温度ゲージ６４ｅの基板６８側の一面上に位置する領域において、基板６８と温度ゲージ６４ｅとの間で熱の交換が可能な状態とされている。
【００５６】
支持層６３のうち圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄに対応する部分は除去されており、これにより、活性層６１およびＢＯＸ層６２のうち圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄに対応する部分にダイヤフラム７７が形成されている。
【００５７】
センサ部２２には、電極６６、電極６７に対応して基板６８および酸化膜７０を貫通するビア７２が形成されている。基板６８のうち活性層６１とは反対側の表面と、ビア７２の内部には、酸化膜７３が形成されている。
【００５８】
酸化膜７３の表面のうち、ビア７２の底部からビア７２の外側に至る部分には、配線７４が形成されている。ビア７２の底部においては酸化膜７３が除去されており、配線７４は、ビア７２の底部において、電極６６、電極６７に接続されている。配線７４は、例えばアルミニウム等で構成される。
【００５９】
酸化膜７３および配線７４の表面を覆うように、保護膜７５が形成されている。保護膜７５は、図示しない酸化膜と窒化膜が積層されて構成されている。保護膜７５には、ビア７２の外側に形成された配線７４の一部が露出するように、開口部７６が形成されている。配線７４は、開口部７６においてボンディングワイヤ２６と接続されている。
【００６０】
センサ装置のうちセンサ部２２の製造方法について説明する。本実施形態のセンサ部２２は、ボディ側の基板とキャップ側の基板とを貼り合わせた後、ビア７２等を形成することにより製造される。
【００６１】
ボディ側の基板の製造では、まず、図６（ａ）に示されるような、活性層６１、ＢＯＸ層６２、支持層６３が順に積層された構成のＳＯＩウェハを用意する。そして、図６（ｂ）に示されるように、活性層６１にｐ型不純物、ｎ型不純物を拡散させることにより、拡散ゲージ６４、電極６６、６７を形成する。また、図６ではリード部６５の図示を省略しているが、温度ゲージ６４ｅおよび圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄを形成する工程では、ｐ型不純物の拡散により、リード部６５も形成する。
【００６２】
キャップ側の基板の製造では、まず、バルクＳｉウェハである基板６８を用意し、図７（ａ）に示されるように、図示しないマスクを用いたエッチングにより、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄに対応する位置に凹部６９を形成する。そして、図７（ｂ）に示されるように、基板６８の表面と、凹部６９の表面とを熱酸化することにより、活性層６１と基板６８とを貼り合わせるための酸化膜７０を形成する。
【００６３】
このように製造されたボディ側の基板とキャップ側の基板とを貼り合わせると、図８（ａ）に示されるように、凹部６９の表面に形成された酸化膜７０と、活性層６１のうち圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄが形成された部分との間に、真空室７１が形成される。
【００６４】
図８（ｂ）に示す工程では、図示しないマスクを用いたエッチングにより、基板６８と酸化膜７０とを貫通するビア７２を形成する。これにより、電極６６、６７が露出する。そして、基板６８、ビア７２、電極６６、６７の表面に、熱酸化により酸化膜７３を形成する。
【００６５】
図８（ｃ）に示す工程では、図示しないマスクを用いたエッチングにより、酸化膜７３のうちビア７２の底部に位置する部分を除去し、電極６６、６７を露出させる。そして、電極６６、６７の表面から、酸化膜７３のうちビア７２の表面に形成された部分、および、酸化膜７３のうち基板６８の表面に形成された部分に至るように、配線７４を形成する。その後、酸化膜７３および配線７４の表面を覆うように、図示しない酸化膜と窒化膜をデポジションすることにより、保護膜７５を形成する。
【００６６】
図８（ｄ）に示す工程では、配線７４のうち基板６８の上部に形成された部分の一部が露出するように、保護膜７５にエッチングにより開口部７６を形成する。これにより、配線７４とボンディングワイヤ２６とを接続することが可能となる。また、支持層６３のうち圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄおよび真空室７１に対応する部分をエッチングにより除去し、ダイヤフラム７７を形成する。これによりセンサ部２２が形成される。
【００６７】
このようなセンサ装置は、図９に示されるように、通路８０を有する被取付部材８１に取り付けられる。具体的には、延設部４３における突出部４６が通路８０内に位置するように、被取付部材８１のネジ部８２と、ハウジング４０に形成されたネジ部４５とがネジ結合されることによって被取付部材８１に取り付けられる。
【００６８】
このようにセンサ装置を被取付部材８１に取り付けると、通路８０を流れる測定媒体は、開口部４７を介して導入孔４２内に導入される。そして、壁面４２ａに衝突することによって流れ方向がセンサ部２２に向かう方向となる。
【００６９】
本実施形態のセンサ装置では、このように導入された測定媒体の圧力に応じて圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄの抵抗値が変化する。圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄが構成するブリッジ回路には、電極６６ａ、６６ｂを通して定電流が供給されており、圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄの抵抗値の変化を電極６６ｃ、６６ｄを通して読み取ることにより、測定媒体の圧力を測定することができる。
【００７０】
また、本実施形態のセンサ装置では、活性層６１と基板６８とが測定媒体の中に置かれたとき、活性層６１と、基板６８のうち温度ゲージ６４ｅと熱接触している部分とが、測定媒体から温度ゲージ６４ｅへの熱伝導の経路となり、導入された測定媒体の温度に応じて温度ゲージ６４ｅの抵抗値が変化する。温度ゲージ６４ｅには、電極６６ｂ、６６ｅを通して定電流が供給されており、温度ゲージ６４ｅの抵抗値の変化を電極６６ｂ、６６ｅを通して読み取ることにより、測定媒体の温度を測定することができる。
【００７１】
このとき、特許文献１に記載されているように、圧力ゲージを温度ゲージとして使用すると、温度応答性が低下する。温度ゲージとして使用される圧力ゲージは一面側において真空室７１に接しているため、測定媒体からの熱伝導の経路が狭く、測定媒体の熱が伝わりにくいからである。
【００７２】
これに対して、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅが圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄと離されて配置されている。また、これにより、温度ゲージ６４ｅを基板６８に熱接触した状態とすることができる。
【００７３】
具体的には、温度ゲージ６４ｅが活性層６１に形成され、基板６８が活性層６１のうち温度ゲージ６４ｅが形成された側に配置されている。基板６８と温度ゲージ６４ｅとの間には酸化膜７０が挟まれており、基板６８は温度ゲージ６４ｅと熱接触した状態とされている。つまり、熱伝導の良いシリコン単結晶が温度ゲージ６４ｅの両側に配置され、温度ゲージ６４ｅと熱接触した状態とされている。そのため、測定媒体の熱が温度ゲージ６４ｅに伝わりやすくなり、センサ装置の温度応答性を向上させることができる。
【００７４】
また、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅと圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄとを、活性層６１の表面に形成された拡散層で構成しているので、温度ゲージ６４ｅと圧力ゲージ６４ａ〜ｄとを同じ工程で形成することができる。これにより、圧力センサと温度センサが集積化された高精度のセンサ装置を安価に製造することができる。
【００７５】
また、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅの両側に配置される活性層６１および基板６８を熱膨張係数が互いに等しい材料で構成している。具体的には、活性層６１および基板６８の両方をシリコン単結晶で構成している。そのため、活性層６１、基板６８の温度変化による変形量に差が生じにくい。これにより、温度ゲージ６４ｅに熱応力が発生しにくくなり、温度ゲージ６４ｅの抵抗値がピエゾ抵抗効果により変化することを抑制し、温度の測定結果に誤差が生じることを抑制することができる。
【００７６】
また、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅを圧力ゲージ６４ａ〜６４ｄの延設方向に対し４５度傾斜した方向に蛇行して延設している。温度ゲージ６４ｅをこのように配置すると、熱応力が発生しても、ピエゾ抵抗効果による温度ゲージ６４ｅの抵抗値の変化が小さくなる。したがって、温度の測定結果に誤差が生じることを抑制することができる。
【００７７】
また、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅとリード部６５ｂ、６５ｅとを合わせた部分の抵抗値を用いて温度を測定している。
【００７８】
これらのうち温度ゲージ６４ｅには、前述したように、測定媒体の熱が伝わりやすくされている。また、本実施形態では、温度ゲージ６４ｅを活性層６１の長手方向における一方の端部に配置し、活性層６１のうち温度ゲージ６４ｅが形成された部分をモールド樹脂２４で封止していないため、温度ゲージ６４ｅには測定媒体の熱がさらに伝わりやすくされている。
【００７９】
一方、リード部６５ｂ、６５ｅの一部はモールド樹脂２４により封止されており、温度ゲージ６４ｅに比べて測定媒体の熱が伝わりにくい。
【００８０】
したがって、温度ゲージ６４ｅの抵抗値を大きくして、温度ゲージ６４ｅとリード部６５ｂ、６５ｅとを合わせた部分の抵抗値のうち温度ゲージ６４ｅの抵抗値が占める割合を大きくすることにより、温度応答性をさらに向上させることができる。
【００８１】
本実施形態では、温度ゲージ６４ｅの抵抗値を、リード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値に比べて大きくしている。具体的には、前述したように、温度ゲージ６４ｅの抵抗値を、リード部６５ｂの抵抗値にリード部６５ｅの抵抗値を加算した値の１０倍以上としている。温度ゲージ６４ｅとリード部６５ｂ、６５ｅの全体が均一の温度になったときを１００％応答とすると、温度ゲージ６４ｅとリード部６５ｂ、６５ｅを上記のような構成とすることにより、９０％の応答性が得られる。つまり、時刻ｔにおいて測定媒体および温度ゲージ６４ｅの温度がＴであり、時刻ｔからｔ＋Δｔの間に測定媒体の温度がＴからＴ＋ΔＴへ変化したとき、時刻ｔ＋Δｔにおける温度ゲージ６４ｅの温度は、Ｔ＋０．９ΔＴとなる。
【００８２】
なお、本実施形態では、活性層６１の表面においてリード部６５ｂ、６５ｅの電流経路の幅を温度ゲージ６４ｅの電流経路の幅に比べて大きくすることにより、リード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値を温度ゲージ６４ｅの抵抗値に比べて小さくしているが、他の方法でリード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値を小さくしてもよい。例えば、リード部６５ｂ、６５ｅを構成する拡散層の不純物濃度を、温度ゲージ６４ｅを構成する拡散層の不純物濃度よりも高くすることにより、リード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値を小さくしてもよい。また、リード部６５ｂ、６５ｅを構成する拡散層の深さを、温度ゲージ６４ｅを構成する拡散層の深さよりも大きくすることにより、リード部６５ｂ、６５ｅの抵抗値を小さくしてもよい。
【００８３】
（他の実施形態）
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００８４】
例えば、上記第１実施形態において、センサ部２２は、温度のみを測定するものであってもよい。また、上記第１実施形態において、回路部２１とセンサ部２２は、１チップ化されていてもよい。
【符号の説明】
【００８５】
６１        活性層
６４ａ〜ｄ  圧力ゲージ
６４ｅ      温度ゲージ
６８        基板
６９        凹部
７７        ダイヤフラム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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