(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、前記半導体素子の温度を測定する温度測定素子と、前記半導体素子から前記温度測定素子への熱の拡散経路となる熱拡散部材と、を備える半導体装置において、
前記熱拡散部材は、複数の熱伝導板を層状に積層して構成され、
前記半導体素子及び前記温度測定素子の夫々は、少なくとも共通の前記熱伝導板と接触させた状態で前記熱拡散部材に対して接合されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載された半導体装置において、
前記温度測定素子は、絶縁体を介して前記熱拡散部材に対して接合されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載された半導体装置において、
前記半導体素子は、金属板を介して前記熱拡散部材に対して接合されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載された半導体装置において、
前記熱拡散部材は、冷却部材に対して接合されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載された半導体装置において、
前記半導体素子、前記温度測定素子及び前記熱拡散部材の組は複数組が設けられ、
前記複数組における夫々の前記熱拡散部材は、前記冷却部材に対して接合されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載された半導体装置において、
前記半導体素子と前記温度測定素子との間の熱抵抗の値は、前記半導体素子と前記冷却部材との間の熱抵抗の値よりも低く設定される
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項３までの何れか一項に記載された半導体装置において、
前記半導体素子及び前記温度測定素子の組は複数組が設けられ、
前記少なくとも共通の前記熱伝導板は前記複数組ごとに異なる
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の温度を測定する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体装置においては、半導体素子を動作中の過熱から保護する機能が必要である。半導体素子の温度を測定する装置としては、プリント基板と、温度センサと、パワー素子を備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照)。プリント基板は、内部に半田が侵入した多数のスルーホールを備える。温度センサは、各スルーホールを介してパワー素子と熱的に結合し、パワー素子の温度を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１６５４０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記のような従来の装置にあっては、多数のスルーホールは、夫々が互いに接触しないように隙間を介して配置されていた。このため、パワー素子の発する熱が温度センサに至る途中で隙間の部分から拡散してしまう。これにより、温度センサは精度良くパワー素子の実温度を測定することができない、という問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、上記問題に着目してなされたもので、精度良く半導体素子の実温度を測定することができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明が適用される半導体装置において、半導体素子と、半導体素子の温度を測定する温度測定素子と、半導体素子から温度測定素子への熱の拡散経路となる熱拡散部材と、を備えている。熱拡散部材は、複数の熱伝導板を層状に積層して構成される。半導体素子及び温度測定素子の夫々は、少なくとも共通の熱伝導板と接触させた状態で熱拡散部材に対して接合されている。
【発明の効果】
【０００７】
この結果、精度良く半導体素子の実温度が測定される半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施例１における半導体装置の全体構成図である。
【図２】実施例１における半導体装置の側面図である。
【図３】実施例１における半導体装置の積層構造を示す断面図であって、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】実施例２における半導体装置の全体構成図である。
【図５】実施例２における半導体装置の側面図である。
【図６】実施例２における半導体装置の積層構造を示す断面図であって、図４のＢ−Ｂ線断面図である。
【図７】実施例３における半導体装置の全体構成図である。
【図８】実施例３における半導体装置の積層構造を示す断面図であって、図７のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】実施例４における半導体装置の全体構成図である。
【図１０】実施例４における半導体装置の積層構造を示す断面図であって、図９のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１１】実施例５における半導体装置の全体構成図である。
【図１２】実施例５における半導体装置の側面図である。
【図１３】実施例６における半導体装置の全体構成図である。
【図１４】実施例６における半導体装置の側面図である。
【図１５】実施例７における半導体装置の全体構成図である。
【図１６】実施例７における半導体装置の積層構造を示す断面図であって、図１５のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１７】実施例８における半導体装置の全体構成図である。
【図１８】実施例８における半導体装置の側面図である。
【図１９】実施例９における半導体装置の全体構成図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の半導体装置を実現する最良の形態を、図面に示す実施例１〜９に基づいて説明する。
【実施例１】
【００１０】
まず、構成を説明する。
実施例１における半導体装置は、走行用駆動源等として車両に搭載されるモータジェネレータのインバータに適用したものである。以下、実施例１における半導体装置の構成を、「全体構成」と、「配置構成」に分けて説明する。
【００１１】
［全体構成］
図１は実施例１における半導体装置の全体構成図を示し、図２は側面図を示し、図３は積層構造を示す。以下、図１〜図３に基づいて、実施例１における半導体装置の全体構成を説明する。
【００１２】
以下では、説明の便宜上、ＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係を説明する。詳細には、半導体装置の幅方向をＸ軸方向（＋Ｘ方向)とする。また、Ｘ軸方向に直交して、半導体装置の前後方向をＹ軸方向（＋Ｙ方向)、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交し、半導体装置の高さ方向をＺ軸方向（＋Ｚ方向)とする。なお、＋Ｘ方向を右方向（−Ｘ方向を左方向)、＋Ｙ方向を前方向（−Ｙ方向を後方向)、＋Ｚ方向を上方向（−Ｚ方向を下方向)として、適宜使用する。
【００１３】
半導体装置１（半導体装置)は、図１及び図２に示すように、縦型素子２（半導体素子)と、温度測定素子３と、グラファイト４（熱拡散部材)と、を備えている。
【００１４】
縦型素子２は、例えばＩＧＢＴ及びＭＯＳＦＥＴ等の発熱量の大きいパワー系半導体素子である。縦型素子２は、図３に示すように、Ｚ軸方向の両端夫々に電極（パッド)を有する素子である。縦型素子２は、Ｚ軸方向に電流を流す素子として形成される。縦型素子２は、図３に示すように、電極（パッド)を介してグラファイト４と電気的に接続される。縦型素子２は、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により、グラファイト４の上面４Ｕに接合される。
【００１５】
温度測定素子３（例えば、ダイオード)は、縦型素子２の温度を測定する機能を有する素子である。温度測定素子３は、図２に示すように、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により、グラファイト４の上面４Ｕに接合される。不図示の温度測定素子３の入出力端子は、不図示の制御回路に接続される。温度測定素子３は、不図示の制御回路からの指令を受けて駆動する。温度測定素子３は、その入出力端子が制御回路へ接続される際に、制御回路の側でグラファイト４と絶縁される。
【００１６】
グラファイト４は、図１に示すように、縦型素子２から温度測定素子３への熱の拡散経路となる部材である。グラファイト４の上面４Ｕには、縦型素子２及び温度測定素子３を接合するための金属めっきが施されている。グラファイト４は、図２に示すように、長尺状に延びる複数のグラフェン４１〜４８（熱伝導板）を＋Ｙ方向に層状に積層して構成される。グラフェン４１〜４８の夫々は、図２に示すように、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により相互に接合される。ここで、グラファイト４において、Ｙ軸方向に隣り合う夫々のグラフェン同士を接合する部位を接合部とする。グラファイト４の熱伝導率は、Ｙ軸方向と比べて各接合部のＸ軸方向及びＺ軸方向に高い熱伝導率を有している（異方性熱伝導体）。
【００１７】
［配置構成］
以下、図１に基づいて、配置構成を説明する。
【００１８】
縦型素子２及び温度測定素子３の夫々は、少なくとも共通のグラフェン４４,４５と接触させた状態でグラファイト４に対して接合されている。
ここで、「少なくとも共通のグラフェンと接触させた状態」とは、共通する一枚もしくは複数枚のグラフェンの全部又は一部に縦型素子２及び温度測定素子３の双方を接触させた状態を意味する。
【００１９】
縦型素子２及び温度測定素子３は、グラファイト４の上面４Ｕにおいて、Ｘ軸方向に離間した位置に配置される。縦型素子２及び温度測定素子３のＸ軸方向における離間距離は、予め製造工程における寸法公差（バラツキ)を考慮して設定されている。縦型素子２及び温度測定素子３は、グラフェン４４，４５の接合部と接触している。
【００２０】
縦型素子２は、グラフェン４４,４５夫々をＹ軸方向に跨ぐ位置に配置されている。即ち、縦型素子２の＋Ｙ方向端部２ＦＲは、グラフェン４５の＋Ｙ方向端部４５ＦＲよりも＋Ｙ方向に配置される。縦型素子２の−Ｙ方向端部２ＲＲは、グラフェン４４の−Ｙ方向端部４４ＲＲよりも−Ｙ方向に配置される。
【００２１】
温度測定素子３は、グラフェン４４,４５夫々のＹ軸方向内側に収まる間に設けられている。即ち、温度測定素子３の＋Ｙ方向端部３ＦＲは、グラフェン４５の＋Ｙ方向端部４５ＦＲよりも−Ｙ方向に配置される。温度測定素子３の−Ｙ方向端部３ＲＲは、グラフェン４４の−Ｙ方向端部４４ＲＲよりも＋Ｙ方向に配置される。
【００２２】
次に、作用を説明する。
例えば、半導体素子を用いた半導体装置において、半導体の動作中に半導体の故障となる最大温度を超えないように半導体の温度を測定し、最大温度に到達した場合に半導体の動作を停止する機能が必要である。この半導体の温度を測定する手法として、半導体内部に温度測定素子を作製し温度を測定する手法がある。この場合、半導体の温度を正確に測定することが可能である。しかし、温度測定素子を作製する為の半導体製造工程が追加になる場合があり、温度測定素子の入出力端子（パッド）を設けることによる半導体チップサイズの増大といった、コスト増加の要因となる。特にSiCやGaNといったワイドバンドギャップ半導体はSi半導体より製造コストが高い。このため、半導体内部に温度測定素子を設けることによるコスト増加の影響はより大きくなる。
【００２３】
このような問題を解決するために、従来では、絶縁材及び配線パターン上に実装された半導体と、別個の温度センサをモールド樹脂によって離間して配置する手法が知られている（特許第５５４９６１１号公報参照）。また、プリント基板に形成した多数のスルーホールを介してパワー素子と温度センサとを熱的に結合し、パワー素子の温度を測定する手法も知られている。
しかし、上記のような半導体と温度センサを離間して配置する手法では、半導体の発する熱が絶縁材及び配線パターンへ放射上に伝搬されるので、温度測定素子と半導体の温度差が大きくなる。そのため、温度測定素子は精度良く半導体の温度を測定することができない、という課題がある。
また、上記のような多数のスルーホールを介してパワー素子と温度センサとを熱的に結合する手法では、多数のスルーホールは、隙間を介して配置される。このため、パワー素子の発する熱が温度センサに至る途中で隙間の部分から拡散してしまう。これにより、温度センサは精度良くパワー素子の実温度を測定することができない。
【００２４】
これに対し、実施例１では、縦型素子２および温度測定素子３の夫々は、Ｙ軸方向に層状に積層された共通のグラフェン４４,４５と接触するようにグラファイト４に対して接合される。
即ち、グラファイト４のＸ軸方向は、グラファイト４のＹ軸方向よりも熱伝導率が高い。このため、縦型素子２の発する熱は、Ｙ軸方向への拡散が抑制される。これにより、縦型素子２の発する熱は、グラフェン４４,４５を介して温度測定素子３へと集中して伝導される。つまり、縦型素子２から温度測定素子３への熱伝導方向に、指向性（Ｘ軸方向）を持たせることができる。
その結果、精度良く縦型素子２の実温度を測定することができる。
【００２５】
実施例１では、温度測定素子３は、縦型素子２に設けられる。
即ち、温度測定素子を縦型素子の内部に作製する為の製造工程を追加する必要がない。
従って、温度測定素子を縦型素子の内部に設ける場合と比べて製造コストを低下できる。
【００２６】
次に、効果を説明する。
実施例１の半導体装置にあっては、下記に列挙する効果を得ることができる。
【００２７】
(1)半導体素子（縦型素子２)と、半導体素子（縦型素子２)の温度を測定する温度測定素子（温度測定素子３)と、半導体素子（縦型素子２)から温度測定素子（温度測定素子３)への熱の拡散経路となる熱拡散部材（グラファイト４)と、を備える半導体装置（半導体装置１)において、
熱拡散部材（グラファイト４)は、複数の熱伝導板（グラフェン４１〜４８)を層状に積層して構成され、
半導体素子（縦型素子２)及び温度測定素子（温度測定素子３)の夫々は、少なくとも共通の熱伝導板（グラフェン４４,４５)と接触させた状態で熱拡散部材（グラファイト４)に対して接合されている（図１)。
このため、精度良く半導体素子（縦型素子２）の実温度を測定することができる半導体装置を提供することができる。
【実施例２】
【００２８】
実施例２は、半導体素子を熱拡散部材の下面に配置した例である。また、温度測定素子を熱拡散部材の上面に配置した例である。
【００２９】
まず、構成を説明する。
以下、実施例２の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例２の半導体装置における「全体構成」については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００３０】
図４は実施例２における半導体装置の全体構成図を示し、図５は側面図を示し、図６は積層構造を示す。以下、図４〜図６に基づいて、実施例２の配置構成を説明する。
【００３１】
縦型素子２（半導体素子)は、図５に示すように、グラフェン４４,４５（熱伝導板）と接触させた状態でグラファイト４の下面４Ｄに接合される。縦型素子２において下面４Ｄに接合されていない側の面２Ｄ（図５参照）には、不図示の金属部品や配線基板が接合されている。
【００３２】
温度測定素子３は、図４及び図５に示すように、グラフェン４４,４５と接触させた状態でグラファイト４の上面４Ｕに接合される。
【００３３】
縦型素子２及び温度測定素子３は、図５に示すように、グラファイト４を介してグラフェン４４,４５の接合部と接触している。要するに、縦型素子２及び温度測定素子３の夫々は、同一の接合部に接触する位置にあれば良い。縦型素子２及び温度測定素子３の夫々は、図６に示すように、グラファイト４を介してＺ軸方向で重ならない位置に配置される。
ここで、「Ｚ軸方向で重ならない位置」とは、グラファイト４をＺ軸方向に透視したとき、縦型素子２及び温度測定素子３同士が干渉しない位置を意味する。
【００３４】
次に、作用を説明する。
実施例２では、縦型素子２は、グラファイト４の下面４Ｄに接合され、温度測定素子３は、グラファイト４の上面４Ｕに接合される。グラフェン４４,４５の接合部は、グラファイト４のＹ軸方向と比べて、Ｘ軸方向及びＺ軸方向に高い熱伝導率を有している。
即ち、グラファイト４のＸ軸方向及びＺ軸方向は、グラファイト４のＹ軸方向よりも熱伝導率が高い。このため、縦型素子２の発する熱は、Ｙ軸方向への拡散が抑制される。これにより、下面４Ｄに接合された縦型素子２の発する熱は、グラファイト４を介して、上面４Ｕに接合された温度測定素子３へと集中して伝導される。つまり、縦型素子２から温度測定素子３への熱伝導方向に、指向性（Ｘ軸方向及びＺ軸方向）を持たせることができる。
従って、下面４Ｄにある縦型素子２の実温度を、上面４Ｕにある温度測定素子３で精度良く測定することができる。
加えて、温度測定素子３は、縦型素子２が接合されている下面４Ｄと反対側の上面４Ｕに接合される。このため、縦型素子２及び温度測定素子３の双方を上面４Ｕに接合できない場合でも、何れか一方の素子（実施例２では縦型素子２）を下面４Ｄに接合できる。その逆の場合、即ち、縦型素子２及び温度測定素子３の双方を下面４Ｄに接合できない場合でも、何れか一方の素子（実施例２では温度測定素子３）を上面４Ｕに接合できる。さらに、設計の制約上、夫々の素子をＺ軸方向で重なる位置に配置できない場合でも、夫々の素子を重ならない位置に相対的にずらして配置できる。これにより、縦型素子２及び温度測定素子３の夫々をグラファイト４に接合する際の設計自由度を向上させることができる。
従って、設計自由度を向上しつつ、正確に縦型素子２の実温度を測定することができる。
【００３５】
次に、効果を説明する。
実施例２の半導体装置にあっては、実施例１の(1)と同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００３６】
実施例３は、熱拡散部材と温度測定素子との間に絶縁体を配置した例である。
【００３７】
まず、構成を説明する。
以下、実施例３の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例３の半導体装置における「全体構成」については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００３８】
図７は実施例３における半導体装置の全体構成図を示し、図８は積層構造を示す。以下、図７及び図８に基づいて、実施例３の配置構成を説明する。
【００３９】
温度測定素子３は、図７及び図８に示すように、絶縁体５（例えば、窒化珪素)を介してグラファイト４（熱拡散部材)に対して接合されている。
【００４０】
絶縁体５は、温度測定素子３をグラファイト４と絶縁する。絶縁体５は、図８に示すように、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により温度測定素子３とグラファイト４との間に接合される。
【００４１】
次に、作用を説明する。
実施例３では、温度測定素子３をグラファイト４と絶縁する絶縁体５が、温度測定素子３とグラファイト４との間に設けられる。
即ち、温度測定素子３は、絶縁体５によりグラファイト４と絶縁される。
従って、温度測定素子３の入出力端子を制御回路へ接続する際に制御回路の側で、温度測定素子３をグラファイト４と絶縁する必要がなくなる。
なお、他の作用は、実施例１と同様であるので、説明を省略する。
【００４２】
次に、効果を説明する。
実施例３の半導体装置にあっては、実施例１の(1)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００４３】
(2)温度測定素子（温度測定素子３)は、絶縁体（絶縁体５)を介して熱拡散部材（グラファイト４)に対して接合されている（図７及び図８)。
このため、温度測定素子を制御する回路の側で、温度測定素子を熱拡散部材と絶縁する必要がなくなる。
【実施例４】
【００４４】
実施例４は、熱拡散部材と半導体素子との間に金属板を配置した例である。
【００４５】
まず、構成を説明する。
以下、実施例４の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例４の半導体装置における「全体構成」については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００４６】
図９は実施例４における半導体装置の全体構成図を示し、図１０は積層構造を示す。以下、図９及び図１０に基づいて、実施例４の配置構成を説明する。
【００４７】
縦型素子２（半導体素子)は、図１０に示すように、金属板６（例えば、銅)を介してグラファイト４（熱拡散部材)に対して接合されている。縦型素子２では、図１０に示す上面２Ｕと、この上面２ＤとＺ軸方向に対向する下面２Ｕとの間で電流が流れる。
【００４８】
金属板６は、縦型素子２を流れる電流を通電する際の電流経路となる。金属板６は、図１０に示すように、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により、縦型素子２に接合される。金属板６は、図１０に示すように、グリースを塗布する手法により、グラファイト４に接合される。金属板６の上面６Ｕには、図９に示すように、縦型素子２及び電極７（例えば、銅)がＸ軸方向に離間した位置に配置される。
【００４９】
電極７は、金属板６を介して縦型素子２を流れる電流を通電する際の電流経路となる。電極７の一端７ａは、図１０に示すように、金属板６の上面６Ｕに金属接合されている。電極７の他端７ｂは、図１０に示すように、外部部品１２（例えば、バッテリー）に接続される。
【００５０】
次に、作用を説明する。
実施例４では、縦型素子２を流れる電流を通電する際の電流経路となる金属板６が、縦型素子２と電極７との間に設けられる。
即ち、金属板６は電流経路として用いられる。具体的には、金属板６が、縦型素子２から電極７に至るまでの電流経路となる。
このため、縦型素子２を流れる電流は、金属板６を介して電極７へと通電される。
従って、縦型素子２の導電性能を向上できる。
なお、他の作用は、実施例１と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】
次に、効果を説明する。
実施例４の半導体装置にあっては、実施例１の(1)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００５２】
(3)半導体素子（縦型素子２)は、金属板（金属板６)を介して熱拡散部材（グラファイト４)に対して接合されている（図１０)。
このため、半導体素子を流れる導電性能を向上できる。
【実施例５】
【００５３】
実施例５は、熱拡散部材を冷却部材に対して接合した例である。
【００５４】
まず、構成を説明する。
以下、実施例５の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例５の半導体装置における「全体構成」については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００５５】
図１１は実施例５における半導体装置の全体構成図を示し、図１２は側面図を示す。以下、図１１及び図１２に基づいて、実施例５の配置構成を説明する。
【００５６】
グラファイト４（熱拡散部材)は、図１２に示すように、ヒートシンク８（冷却部材)に対して接合されている。
【００５７】
ヒートシンク８は、縦型素子２の発する熱を熱交換により放熱する。ヒートシンク８は、図１１に示すように、グラファイト４において縦型素子２（半導体素子)が配置されている上面４Ｕと反対側の下面４Ｄに配置されている。ヒートシンク８は、図１２に示すように、グラファイト４を介して縦型素子２と熱的に結合される。ヒートシンク８は、図１２に示すように、不図示の絶縁体を介したグリースの塗布による手法により、グラファイト４に接合される。
【００５８】
次に、作用を説明する。
実施例５では、グラファイト４の下面４Ｄは、ヒートシンク８に接合される。
即ち、縦型素子２は、グラファイト４を介してヒートシンク８に接続される。
このため、縦型素子２の熱は、熱伝導によってグラファイト４を介してヒートシンク８へ伝達される。縦型素子２の熱は、ヒートシンク８において熱交換される。これにより、縦型素子２の熱が放熱される。
従って、縦型素子２の放熱性を改善できる。
なお、他の作用は、実施例１と同様であるので、説明を省略する。
【００５９】
次に、効果を説明する。
実施例５の半導体装置にあっては、実施例１の(1)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００６０】
(4)熱拡散部材（グラファイト４)は、冷却部材（ヒートシンク８)に対して接合されている（図１１及び図１２)。
このため、半導体素子の放熱性を改善できる。
【実施例６】
【００６１】
実施例６は、半導体素子、温度測定素子及び熱拡散部材からなる組を複数組設け、夫々の組を冷却部材に対して接合した例である。
【００６２】
まず、構成を説明する。
以下、実施例６の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例６の半導体装置における「全体構成」については、実施例５と同様であるので説明を省略する。
【００６３】
図１３は実施例６における半導体装置の全体構成図を示し、図１４は側面図を示す。以下、図１３及び図１４に基づいて、実施例６の配置構成を説明する。
【００６４】
ヒートシンク８（冷却部材)の上面８Ｕには、図１３に示すように、縦型素子２（半導体素子)、温度測定素子３及びグラファイト４（熱拡散部材)の組が二組設けられる。二組のグラファイト４は、図１４に示すように、Ｙ軸方向に並んで配置されている。実施例６では、図１３に示すように、ヒートシンク８の上面８Ｕにおいて＋Ｙ方向寄りに配置されたグラファイト４を第１グラファイト４ＦＲとする。第１グラファイト４ＦＲは、図１４に示すように、長尺状に延びる複数のグラフェン４１ＦＲ〜４８ＦＲ（熱伝導板）を＋Ｙ方向に層状に積層して構成される。また、図１３に示すように、ヒートシンク８の上面８Ｕにおいて−Ｙ方向寄りに配置されたグラファイト４を第２グラファイト４ＲＲとする。第２グラファイト４ＲＲは、図１４に示すように、長尺状に延びる複数のグラフェン４１ＲＲ〜４８ＲＲ（熱伝導板）を＋Ｙ方向に層状に積層して構成される。
【００６５】
第１グラファイト４ＦＲの下面４Ｄは、図１４に示すように、ヒートシンク８に接合される。第２グラファイト４ＲＲの下面４Ｄは、図１４に示すように、ヒートシンク８に接合される。
【００６６】
第１縦型素子２ＦＲ及び第１温度測定素子３ＦＲは、図１４に示すように、第１グラファイト４ＦＲにおいてヒートシンク８が配置されている下面４Ｄと反対側の上面４Ｕに配置されている。
【００６７】
第２縦型素子２ＲＲ及び第２温度測定素子３ＲＲは、図１４に示すように、第２グラファイト４ＲＲにおいてヒートシンク８が配置されている下面４Ｄと反対側の上面４Ｕに配置されている。
【００６８】
第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲは、不図示の駆動回路の指令に従って駆動可能な不図示のハーフブリッジ回路を構成する。第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲの夫々は異なる動作をする。即ち、第１縦型素子２ＦＲは、ハーフブリッジ回路の上アームとして動作する。第２縦型素子２ＲＲは、ハーフブリッジ回路の下アームとして動作する。
ここで、「上アーム」とは、直流電源のプラス側に配置された回路を意味し、「下アーム」とは、直流電源のマイナス側に配置された回路を意味する。
【００６９】
次に、作用を説明する。
実施例６では、第１グラファイト４ＦＲの下面４Ｄは、ヒートシンク８に接合される。また、第２グラファイト４ＲＲの下面４Ｄは、ヒートシンク８に接合される。
即ち、第１縦型素子２ＦＲは、第１グラファイト４ＦＲを介してヒートシンク８に接続される。また、第２縦型素子２ＲＲは、第２グラファイト４ＲＲを介してヒートシンク８に接続される。
このため、第１縦型素子２ＦＲの熱は、熱伝導によって第１グラファイト４ＦＲを介してヒートシンク８へ伝達される。同様に、第２縦型素子２ＲＲの熱は、熱伝導によって第２グラファイト４ＲＲを介してヒートシンク８へ伝達される。
これにより、第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲの熱が放熱される。
従って、異なる動作をする縦型素子２ＦＲ及び縦型素子２ＲＲ夫々においても、夫々の素子の放熱性を改善できる。
なお、他の作用は、実施例１及び実施例５と同様であるので、説明を省略する。
【００７０】
次に、効果を説明する。
実施例６の半導体装置にあっては、実施例１の(1)と実施例５の(4)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００７１】
(5)半導体素子（縦型素子２ＦＲ，２ＲＲ)、温度測定素子（温度測定素子３ＦＲ，３ＲＲ)及び熱拡散部材（グラファイト４ＦＲ，４ＲＲ)の組は複数組が設けられ、
複数組における夫々の熱拡散部材（グラファイト４ＦＲ，４ＲＲ)は、冷却部材（ヒートシンク８)に対して接合されている（図１３及び図１４)。
このため、異なる動作をする夫々の半導体素子においても、夫々の半導体素子の放熱性を改善できる。
【実施例７】
【００７２】
実施例７は、半導体素子と温度測定素子との間及び半導体素子と冷却部材との間の夫々に熱抵抗を設けた例である。
【００７３】
まず、構成を説明する。
以下、実施例７の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例７の半導体装置における「全体構成」については、実施例５と同様であるので説明を省略する。
【００７４】
図１５は実施例７における半導体装置の全体構成図を示し、図１６は積層構造を示す。以下、図１５及び図１６に基づいて、実施例７の配置構成を説明する。なお、図１５においては、熱抵抗９の外形を、グラファイト４の上面４Ｕから−Ｚ方向に透視した破線によって仮想的に表している。
【００７５】
熱抵抗９は、図１６に示すように、グラファイト４及びヒートシンク８の内部において縦型素子２（半導体素子)と温度測定素子３との間に設けられる。熱抵抗９は、図１６に示すように、第１端子９ａと、第２端子９ｂと、第３端子９ｃと、第４端子９ｄと、第１抵抗器１０と、第２抵抗器１１と、を有している。第１端子９ａは、図１６に示すように、縦型素子２に接続される。第２端子９ｂは、図１６に示すように、温度測定素子３に接続される。第３端子９ｃは、図１６に示すように、ヒートシンク８に接続される。第４端子９ｄは、図１６に示すように、第１端子９ａに接続される。
【００７６】
第１抵抗器１０は、第２端子９ｂと第４端子９ｄの間に接続される。第２抵抗器１１は、第３端子９ｃと第４端子９ｄの間に接続される。第１抵抗器１０の熱抵抗値Rtは、第２抵抗器１１の熱抵抗値Rhよりも低く設定される。即ち、熱抵抗値Rtが熱抵抗値Rhよりも低くなるように、図１５及び図１６に示す縦型素子２、温度測定素子３及びヒートシンク８の間には不図示の絶縁材料や金属板等が介在している。
ここで、「熱抵抗値」とは、抵抗器における熱の通りにくさを表す数値を意味する。
【００７７】
次に、作用を説明する。
実施例７では、縦型素子２と温度測定素子３の間にある第１抵抗器１０の熱抵抗値Rtは、縦型素子２とヒートシンク８の間にある第２抵抗器１１の熱抵抗値Rhよりも低い。
即ち、第１抵抗器１０は第２抵抗器１１と比べて熱が通り易い。このため、縦型素子２の発する熱は、ヒートシンク８よりも温度測定素子３の方へ伝わり易い。これにより、温度測定素子３の測定温度を縦型素子２の実温度に近づけることができる。
従って、縦型素子２の放熱性を改善できる。
なお、他の作用は、実施例１及び実施例５と同様であるので、説明を省略する。
【００７８】
次に、効果を説明する。
実施例７の半導体装置にあっては、実施例１の(1)と実施例５の(4)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００７９】
(6)半導体素子（縦型素子２)と温度測定素子（温度測定素子３)との間の熱抵抗（第１抵抗器１０)の値（Rt)は、半導体素子（縦型素子２)と冷却部材（ヒートシンク８)との間の熱抵抗（第２抵抗器１１)の値（Rh)よりも低く設定される。
このため、半導体素子の放熱性を改善できる。
【実施例８】
【００８０】
実施例８は、半導体素子及び温度測定素子からなる組を複数組設け、夫々の組を熱拡散部材に対して接合した例である。
【００８１】
まず、構成を説明する。
以下、実施例８の半導体装置における「配置構成」について説明する。なお、実施例８の半導体装置における「全体構成」については、実施例１と同様であるので説明を省略する。
【００８２】
図１７は実施例８における半導体装置の全体構成図を示し、図１８は側面図を示す。以下、図１７及び図１８に基づいて、実施例８の配置構成を説明する。
【００８３】
グラファイト４（熱拡散部材)の上面４Ｕには、図１７に示すように、縦型素子２（半導体素子)及び温度測定素子３の組が二組設けられる。二組の縦型素子２及び二組の温度測定素子３は、図１８に示すように、Ｙ軸方向に並んで配置されている。実施例８では、図１７に示すように、グラファイト４の上面４Ｕにおいて＋Ｙ方向寄りに配置された縦型素子２及び温度測定素子３を、第１縦型素子２ＦＲ及び第１温度測定素子３ＦＲとする。また、図１７に示すように、グラファイト４の上面４Ｕにおいて−Ｙ方向寄りに配置された縦型素子２及び温度測定素子３を、第２縦型素子２ＲＲ及び第２温度測定素子３ＲＲとする。
【００８４】
第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲは、不図示の駆動回路の指令に従って同じ動作をする。第１縦型素子２ＦＲ及び第１温度測定素子３ＦＲの夫々は、図１７に示すように、共通のグラフェン４６，４７（熱伝導板）と接触している。第２縦型素子２ＲＲ及び第２温度測定素子３ＲＲの夫々は、図１７に示すように、共通のグラフェン４２，４３（熱伝導板）と接触している。
【００８５】
次に、作用を説明する。
実施例８では、第１縦型素子２ＦＲ及び第１温度測定素子３ＦＲの夫々は、グラフェン４６，４７と接触している。第２縦型素子２ＲＲ及び第２温度測定素子３ＲＲの夫々は、グラフェン４２，４３と接触している。
即ち、第１縦型素子２ＦＲ及び第１温度測定素子３ＦＲの夫々が接触するグラフェンと、第２縦型素子２ＲＲ及び第２温度測定素子３ＲＲの夫々が接触するグラフェンは異なる。
このため、第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲ同士の熱干渉が抑制される。これにより、第１温度測定素子３ＦＲは、精度良く第１縦型素子２ＦＲの実温度を測定することができる。同様に、第２温度測定素子３ＲＲは、精度良く第２縦型素子２ＲＲの実温度を測定することができる。
従って、各組ごとに温度測定素子３の測定精度を向上できる。
なお、他の作用は、実施例１と同様であるので、説明を省略する。
【００８６】
次に、効果を説明する。
実施例８の半導体装置にあっては、実施例１の(1)の効果に加え、下記の効果が得られる。
【００８７】
(7)半導体素子（縦型素子２)及び温度測定素子（温度測定素子３)の組は複数組が設けられ、
少なくとも共通の熱伝導板（グラフェン４２，４３及びグラフェン４６，４７)は複数組ごとに異なる（図１７及び図１８)。
このため、各組ごとに温度測定素子３の測定精度を向上できる。
【実施例９】
【００８８】
実施例９は、材料の異なる熱伝導板を交互に積層して熱拡散部材を構成した例である。
【００８９】
まず、構成を説明する。
以下、実施例９における半導体装置の構成を、「全体構成」と、「配置構成」に分けて説明する。
【００９０】
［全体構成］
図１９は実施例９における半導体装置の全体構成図を示す。以下、図１９に基づいて、実施例９における半導体装置の全体構成を説明する。
【００９１】
半導体装置１ａ（半導体装置)は、縦型素子２ａ（半導体素子)と、温度測定素子３ａと、熱拡散部材４ａと、を備えている。
【００９２】
縦型素子２ａは、実施例１と同様のパワー系半導体素子である。縦型素子２ａは、Ｚ軸方向の両端夫々に電極（パッド)を有する素子である。縦型素子２ａは、Ｚ軸方向に電流を流す素子として形成される。縦型素子２ａは、電極（パッド)を介して熱拡散部材４ａと電気的に接続される。縦型素子２ａは、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により、熱拡散部材４ａの上面４Ｕａに接合される。
【００９３】
温度測定素子３ａ（例えば、ダイオード)は、縦型素子２ａの温度を測定する機能を有する素子である。温度測定素子３ａは、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により、熱拡散部材４ａの上面４Ｕａに接合される。不図示の温度測定素子３ａの入出力端子は、不図示の制御回路に接続される。温度測定素子３ａは、不図示の制御回路からの指令を受けて駆動する。温度測定素子３ａは、その入出力端子が制御回路へ接続される際に、制御回路の側で熱拡散部材４ａと絶縁される。
【００９４】
熱拡散部材４ａは、縦型素子２ａから温度測定素子３ａへの熱の拡散経路となる部材である。熱拡散部材４ａの上面４Ｕａには、縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａを接合するための接合処理が施されている。熱拡散部材４ａは、銅４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａ（熱伝導板）と、ポリエチレン４２ａ，４４ａ，４６ａ（熱伝導板）とを＋Ｙ方向に交互に積層して構成される。銅４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａとポリエチレン４２ａ，４４ａ，４６ａは、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により相互に接合される。銅４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａの熱伝導率は、ポリエチレン４２ａ，４４ａ，４６ａの熱伝導率よりも高い。
ここで、「熱伝導率」とは、物質の熱伝導のし易さを示すパラメータを意味する。
【００９５】
［配置構成］
以下、図１９に基づいて、配置構成を説明する。
【００９６】
縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａの夫々は、少なくとも共通の銅４５ａと接触させた状態で熱拡散部材４ａに対して接合されている。
ここで、「少なくとも共通の銅と接触させた状態」とは、共通する銅の全部又は一部に縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａの双方を接触させた状態を意味する。
【００９７】
縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａは、熱拡散部材４ａの上面４Ｕａにおいて、Ｘ軸方向に離間した位置に配置される。縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａのＸ軸方向における離間距離は、予め製造工程における寸法公差（バラツキ)を考慮して設定されている。縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａは、銅４５ａと接触している。
【００９８】
縦型素子２ａは、ポリエチレン４４ａ，４６ａに挟まれた銅４５ａのＹ軸方向内側に収まる間に設けられている。即ち、縦型素子２ａの＋Ｙ方向端部２ＦＲａは、銅４５ａの＋Ｙ方向端部４５ＦＲａよりも−Ｙ方向に配置される。縦型素子２ａの−Ｙ方向端部２ＲＲａは、銅４５ａの−Ｙ方向端部４５ＲＲａよりも＋Ｙ方向に配置される。
【００９９】
温度測定素子３ａは、ポリエチレン４４ａ，４６ａに挟まれた銅４５ａのＹ軸方向内側に収まる間に設けられている。即ち、温度測定素子３ａの＋Ｙ方向端部３ＦＲａは、銅４５ａの＋Ｙ方向端部４５ＦＲａよりも−Ｙ方向に配置される。温度測定素子３ａの−Ｙ方向端部３ＲＲａは、銅４５ａの−Ｙ方向端部４５ＲＲａよりも＋Ｙ方向に配置される。
【０１００】
次に、作用を説明する。
実施例９では、縦型素子２ａ及び温度測定素子３ａの夫々は、少なくとも共通の銅４５ａと接触させた状態で熱拡散部材４ａに対して接合されている。
即ち、銅４５ａの熱伝導率は、ポリエチレン４４ａ，４６ａの熱伝導率よりも高い。このため、縦型素子２ａの発する熱は、銅４５ａからポリエチレン４４ａ，４６ａ（Ｙ軸方向）への拡散が抑制される。これにより、縦型素子２ａの発する熱は、銅４５ａを介して温度測定素子３ａへと集中して伝導される。つまり、縦型素子２ａから温度測定素子３ａへの熱伝導方向に、指向性（Ｘ軸方向）を持たせることができる。
従って、精度良く縦型素子２ａの実温度を測定することができる。
【０１０１】
実施例９では、温度測定素子３ａは、縦型素子２ａに設けられる。
即ち、温度測定素子を縦型素子の内部に作製する為の製造工程を追加する必要がない。
従って、温度測定素子を縦型素子の内部に設ける場合と比べて製造コストを低下できる。
【０１０２】
次に、効果を説明する。
実施例９の半導体装置にあっては、下記に列挙する効果を得ることができる。
【０１０３】
(9)半導体素子（縦型素子２ａ)と、半導体素子（縦型素子２ａ)の温度を測定する温度測定素子（温度測定素子３ａ)と、半導体素子（縦型素子２ａ)から温度測定素子（温度測定素子３ａ)への熱の拡散経路となる熱拡散部材（熱拡散部材４ａ)と、を備える半導体装置（半導体装置１ａ)において、
熱拡散部材（熱拡散部材４ａ)は、複数の熱伝導板（銅４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａとポリエチレン４２ａ，４４ａ，４６ａ)を層状に積層して構成され、
半導体素子（縦型素子２ａ)及び温度測定素子（温度測定素子３ａ)の夫々は、少なくとも共通の熱伝導板（銅４５ａ)と接触させた状態で熱拡散部材（熱拡散部材４ａ)に対して接合されている（図１９)。
このため、精度良く半導体素子（縦型素子２ａ）の実温度を測定することができる半導体装置を提供することができる。
【０１０４】
以上、本発明の半導体装置を実施例１〜９に基づいて説明してきたが、具体的な構成については、これらの実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲の各請求項に係る発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加等は許容される。
【０１０５】
実施例１〜９では、半導体素子を縦型素子とする例を示した。しかし、半導体素子はこれに限られない。例えば、半導体素子が横型素子から構成されても良い。要するに、半導体素子としての役目を果たす半導体材料であれば、どのような材料で半導体素子を構成しても良い。
【０１０６】
実施例１〜９では、温度測定素子をダイオードとする例を示した。しかし、温度測定素子はこれに限られない。例えば、温度測定素子がトランジスタ、サーミスタもしくは熱電対等で構成されても良い。
【０１０７】
実施例１〜９では、半導体素子、温度測定素子及び熱拡散部材の夫々が平面視矩形状の外形を有する例を示した。夫々の素子の外形はこれに限られない。例えば、夫々の素子は、平面視楕円状または平面視円状等種々の形状に形成されても良い。
【０１０８】
実施例１〜９では、本発明の半導体装置を、モータジェネレータの交流/直流の変換装置として用いられるインバータに適用する例を示した。しかし、本発明の半導体装置は、発熱デバイスを用い、電圧・電流・周波数・位相・相数・波形等の電気特性のうち、一つ以上を実質的な電力損失を抑えて変換するインバータ以外の様々な電力変換装置（例えば充電器）に対しても適用することができる。
【０１０９】
実施例１〜８では、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により縦型素子２がグラファイト４に対して接合される例を示した。また、実施例１〜８では、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により温度測定素子３がグラファイト４に対して接合される例を示した。さらに、実施例１〜９では、夫々の熱伝導板が導電性のペースト樹脂にて接合する手法により相互に接合される例を示した。しかし、これらの接合手法はこれに限定されるものではない。例えば、接合手法として、圧接又は半田付け等の金属接合による手法により接合されても良い。
【０１１０】
実施例１〜８では、熱拡散部材をグラファイトとする例を示した。しかし、熱拡散部材はこれに限られず、熱伝導性材料であれば良い。例えば、熱拡散部材が銀、銅、金、アルミニウム、ニッケル、白金等の金属や、アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂から構成されても良い。また、これらの熱伝導性材料は、熱拡散部材に単独で使用することができるほか、複数種の材料を組み合わせて使用することもできる。
【０１１１】
実施例２では、縦型素子２がグラファイト４の下面４Ｄに接合され、温度測定素子３がグラファイト４の上面４Ｕに接合される例を示した。しかし、縦型素子２及び温度測定素子３の接合位置はこれに限定されるものではない。例えば、縦型素子２がグラファイト４の上面４Ｕに接合され、温度測定素子３がグラファイト４の下面４Ｄに接合されても良い。また、縦型素子２及び温度測定素子３の夫々が、グラファイト４を介して対向する位置に配置されても良い。
【０１１２】
実施例３では、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により絶縁体５が温度測定素子３とグラファイト４との間に接合される例を示した。しかし、接合手法はこれに限定されるものではない。例えば、圧接やはんだ付け等の金属接合による手法により絶縁体５が温度測定素子３とグラファイト４との間に接合されても良い。
【０１１３】
実施例３では、絶縁体５を窒化珪素とする例を示した。しかし、絶縁体５はこれに限られない。例えば、窒化アルミニウム、アルミナ（酸化アルミニウム）や、絶縁性を有する樹脂シート等で構成されても良い。
【０１１４】
実施例４では、導電性のペースト樹脂にて接合する手法により金属板６が縦型素子２に接合される例を示した。また、実施例４では、グリースを塗布する手法により金属板６がグラファイト４に接合される例を示した。しかし、これらの接合手法はこれに限定されるものではない。接合方法として、例えば、圧接やはんだ付け等の金属接合による手法により接合されても良い。
【０１１５】
実施例４では、グラファイト４の上面４Ｕの側に電極７を配置する例を示した。しかし、電極７の位置はこれに限定されるものではない。例えば、グラファイト４の下面４Ｄの側に電極７を配置しても良い。
【０１１６】
実施例５〜７では、絶縁体を介したグリースの塗布による手法によりヒートシンク８がグラファイト４に接合される例を示した。しかし、接合手法はこれに限定されるものではない。例えば、絶縁体を介した圧接やはんだ付け等の金属接合による手法によりヒートシンク８がグラファイト４に接合されても良い。
【０１１７】
実施例５〜７では、冷却部材をヒートシンクとする例を示した。しかし、冷却部材はこれに限られず、縦型素子２の発する熱を放熱できれば良い。例えば、冷却部材が、ヒートパイプから構成されても良い。その他にも、冷却部材として、空冷式の放熱フィンや、水冷式の冷却器等が例示される。
【０１１８】
実施例６では、二組の熱拡散部材が冷却部材に対して接合される例を示した。しかし、熱拡散部材の組数は二組に限定されるものではない。例えば、三組以上の熱拡散部材が冷却部材に対して接合されても良い。
【０１１９】
実施例８では、二組の半導体素子及び温度測定素子が、熱拡散部材に対して接合される例を示した。しかし、半導体素子及び温度測定素子の組数は二組に限定されるものではない。例えば、三組以上の半導体素子及び温度測定素子が熱拡散部材に対して接合されても良い。
【０１２０】
実施例８では、第１縦型素子２ＦＲ及び第２縦型素子２ＲＲが同じ動作をする例を示した。しかし、縦型素子２ＦＲ及び縦型素子２ＲＲはこれに限らず、異なる動作をしても良い。
【０１２１】
実施例９では、熱伝導板４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａを銅とする例を示した。しかし、熱伝導板４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａを構成する材料は銅に限られない。例えば、銀、金、アルミニウム、ニッケル、白金等の金属を用いて熱伝導板４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａを構成しても良い。実施例９では、熱伝導板４２ａ，４４ａ，４６ａをポリエチレンとする例を示した。しかし、熱伝導板４２ａ，４４ａ，４６ａを構成する材料は、熱伝導板４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａを構成する材料よりも熱伝導性の点で劣っていれば良い。具体的には、ポリプロピレン、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等の樹脂を用いて熱伝導板４２ａ，４４ａ，４６ａを構成しても良い。
【符号の説明】
【０１２２】
Rh，Rt  熱抵抗値
１、１ａ  半導体装置（半導体装置)
２，２ａ  縦型素子（半導体素子)
２ＦＲ  第１縦型素子（半導体素子)
２ＲＲ  第２縦型素子（半導体素子)
３，３ａ  温度測定素子
３ＦＲ  第１温度測定素子（温度測定素子)
３ＲＲ  第２温度測定素子（温度測定素子)
４  グラファイト（熱拡散部材)
４ａ  熱拡散部材
４ＦＲ  第１熱拡散部材（熱拡散部材)
４ＲＲ  第２熱拡散部材（熱拡散部材)
５  絶縁体
６  金属板
７  電極
８  ヒートシンク（冷却部材)
９  熱抵抗
４１,４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８，４１ＦＲ，４２ＦＲ，４３ＦＲ，４４ＦＲ，４５ＦＲ，４６ＦＲ，４７ＦＲ，４８ＦＲ，４１ＲＲ，４２ＲＲ，４３ＲＲ，４４ＲＲ，４５ＲＲ，４６ＲＲ，４７ＲＲ，４８ＲＲ  グラフェン（熱伝導板）
４１ａ，４３ａ，４５ａ，４７ａ  銅（熱伝導板）
４２ａ，４４ａ，４６ａ  ポリエチレン（熱伝導板）
【図１】
0006645362.tif 000002
【図２】
0006645362.tif 000003
【図３】
0006645362.tif 000004
【図４】
0006645362.tif 000005
【図５】
0006645362.tif 000006
【図６】
0006645362.tif 000007
【図７】
0006645362.tif 000008
【図８】
0006645362.tif 000009
【図９】
0006645362.tif 000010
【図１０】
0006645362.tif 000011
【図１１】
0006645362.tif 000012
【図１２】
0006645362.tif 000013
【図１３】
0006645362.tif 000014
【図１４】
0006645362.tif 000015
【図１５】
0006645362.tif 000016
【図１６】
0006645362.tif 000017
【図１７】
0006645362.tif 000018
【図１８】
0006645362.tif 000019
【図１９】
0006645362.tif 000020