(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐｄの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下、
Ｃｕの含有量が０．０５質量％以上２質量％以下、
Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下、
Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であり、
Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃの少なくとも１種の元素を含有し、
残部がＡｇからなるボンディングワイヤ。
【請求項２】
Ｃｕの含有量ＣＣｕに対するＰｄの含有量ＣＰｄの比率（ＣＰｄ／ＣＣｕ）が２以上である請求項１に記載のボンディングワイヤ。
【請求項３】
Ｃｕの含有量ＣＣｕとＰｄの含有量ＣＰｄの合計が１０．０５質量％以下である請求項１又は２に記載のボンディングワイヤ。
【請求項４】
Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０質量ｐｐｍである請求項１〜３のいずれか1項に記載のボンディングワイヤ。
【請求項５】
Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下である請求項１〜３のいずれか1項に記載のボンディングワイヤ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のボンディングワイヤを使用した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ａｇ（銀）を主成分とするボンディングワイヤ及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子上の電極と基板の電極との結線に用いられるボンディングワイヤは、一般に非常に細いため、導電性が良好で加工性に優れた金属材料により製造されている。特に、化学的な安定性や大気中での取り扱いやすさから、従来からＡｕ（金）を主成分とするボンディングワイヤが広く用いられている。しかし、従来のＡｕを主成分とするボンディングワイヤは質量の９９％以上がＡｕであり非常に高価である。そこで、Ａｕに比べて安価なＡｇを主成分とするボンディングワイヤが提案されている（例えば、下記特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１６−２５１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１のボンディングワイヤでは、放電加熱等によりボンディングワイヤの先端に形成されるフリーエアボール（以下、「ＦＡＢ」と記載することもある）の真球性や耐熱性を良好にするため、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｕ、Ｃａ（カルシウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｂｉ（ビスマス）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃｕ（銅）などの元素が主成分のＡｇに添加されている。【０００５】
近年、半導体装置では、より過酷な熱環境における使用や薄型化に対する要求が高い。これに伴い、Ａｇを主成分とするボンディングワイヤでは、周囲温度の変化に対する耐性（耐熱衝撃性）や、電極間を結線した時にできるループの高さを小さくすることが求められている。しかし、上記特許文献１のボンディングワイヤでは、これらの要求を充分に満足できない場合がある。【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、Ａｇを主成分とするボンディングワイヤ及び半導体装置において、ＦＡＢの真球性や耐熱衝撃性を良好にするとともに、結線時にできるループの高さを小さく設けることができ半導体装置の薄型化を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明のボンディングワイヤは、Ｐｄの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下、Ｃｕの含有量が０．０５質量％以上２質量％以下、Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下、Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であり、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃの少なくとも１種の元素を含有し、残部がＡｇからなるものである。
【０００８】
本発明に係るボンディングワイヤにおいて、Ｃｕの含有量ＣＣｕに対するＰｄの含有量ＣＰｄの比率（ＣＰｄ／ＣＣｕ）が２以上とすることができる。【０００９】
本発明に係るボンディングワイヤにおいて、Ｃｕの含有量ＣＣｕとＰｄの含有量ＣＰｄの合計が１０．０５質量％以下とすることができる。【００１０】
本発明に係るボンディングワイヤのＢｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計は０質量ｐｐｍとすることができる。
【００１１】
また、本発明に係るボンディングのＢｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計は２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下とすることができる。
【００１２】
本発明の半導体装置は、上記の本発明のいずれか１つに係るボンディングワイヤを使用した半導体装置である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＡｇを主成分とするボンディングワイヤでは、ＦＡＢの真球性や耐熱衝撃性を良好にすることができるとともに、結線時にできるループの高さを小さく設けることができ半導体装置の薄型化が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】半導体装置において電極間を結線したワイヤＷを拡大して示す図である。
【図２】ＨＡＺ（Ｈｅａｔ  Ａｆｆｅｃｔｅｄ  Ｚｏｎｅ）が発生したボンディングワイヤの表面結晶組織の顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施形態に係るボンディングワイヤＷについて図面を参照して説明する。
【００１６】
本実施形態のボンディングワイヤＷは、図１に例示するように、半導体装置（パワーＩＣ、ＬＳＩ、トランジスタ、ＢＧＡ（Ball Grid Array package）、ＱＦＮ（Quad Flat Nonlead package）、ＬＥＤ（発光ダイオード）等）における半導体素子１上の電極（例えば、Ａｌ合金電極、ニッケル・パラジウム・金被覆電極、Ａｕ被覆電極等）１０と、回路配線基板（リードフレーム、セラミック基板、プリント基板等）２の導体配線（電極）１０‘とをボールボンディング法によって接続するためのボンディングワイヤである。なお、本実施形態のボンディングワイヤＷは、半導体装置以外にも種々の態様のボンディングワイヤとして使用することができる。
【００１７】
このボンディングワイヤＷは、０．１質量％以上１０質量％以下のＰｄと、０．０５質量％以上２質量％以下のＣｕと、２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下のＣａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素とを含有し、残部がＡｇからなるものである。
【００１８】
ボンディングワイヤＷの線径は用途に応じて種々の大きさとしてよい。例えば、ボンディングワイヤＷの線径は５μｍ以上１５０μｍ以下とすることができる。
【００１９】
具体的には、ボンディングワイヤＷを構成するＡｇは、精製上不可避的に存在する不純物、例えば、Ｐｄ、Ｂｉ（ビスマス）、Ｃｕ（銅）、Ｆｅ（鉄）等を含有してもよく、純度９９．９質量％以上のＡｇを用いてボンディングワイヤＷを構成するＡｇ合金を製作することが好ましい。
【００２０】
Ｐｄ及びＣｕを含有することにより、ワイヤＷの常温での引張強度（以下、この引張強度を「常温引張強度」ということもある）を向上させることができる。常温引張強度が向上することで、ワイヤボンディング後の樹脂封止の際に流入してきた樹脂によるワイヤループの変形（いわゆる、ワイヤフロー）が発生しにくくなる。
【００２１】
また、Ｐｄ及びＣｕを含有することにより、図１に示すような電極１０に溶融したＦＡＢを圧着することで電極上に形成された接合部（以下、この接合部を「１ｓｔボンド部」ということもある）１２とワイヤＷとの境界部分（以下、この境界部分を「１ｓｔネック部」ということもある）１４における強度を向上させることができる。ボンディングワイヤが周囲温度の変化により断線する場合、その多くが１ｓｔネック部１４で破断するが、Ｐｄ及びＣｕを含有することにより１ｓｔネック部１４における強度を向上させることができるため、耐熱衝撃性を良好にすることができる。
【００２２】
Ｐｄ及びＣｕは、いずれの元素も常温引張強度及び１ｓｔネック部１４の強度を向上させることができる。そのため、Ｐｄ及びＣｕのいずれか一方の元素を含有しない場合や、一方の元素の含有量が所定量より少ない場合であっても、他方の元素を添加することで常温引張強度及び１ｓｔネック部１４の強度を向上させることができる。
【００２３】
しかし、Ｐｄ及びＣｕのいずれか一方の元素を含有しない場合、あるいは、一方の元素の含有量が所定量より少ない場合、一方の元素を所定量以上含有する場合に比べて、Ａｇ以外の元素の添加によってＦＡＢの真球性が悪化しやすくなる。言い換えれば、Ｐｄを少なくとも０．１質量％以上、Ｃｕを少なくとも０．０５質量％以上、それぞれ含有することで、Ａｇ以外の添加元素の含有量が増えてもＦＡＢの真球性が悪化しにくくなり、真球度の高いＦＡＢが得やすくなる。
【００２４】
一方、Ｐｄの含有量が１０質量％を越えると、固有抵抗値が大きくなってＩＣ用途の場合に半導体装置が過熱するような不具合が出たり、ＬＥＤ用途の場合にボンディングワイヤの光線反射率が低下する。また、Ｃｕの含有量が２質量％を超えるとＦＡＢの真球性が悪化する。
【００２５】
よって、Ｐｄの含有量は０．１質量％以上１０質量％以下とすることができる。Ｃｕの含有量は０．０５質量％以上２質量％以下とすることができる。このような範囲内にＰｄ及びＣｕの含有量を設定することで、ＦＡＢの形成性を良好に保ちつつ、常温引張強度及び１ｓｔネック部１４の強度を向上させてワイヤフローの抑制及び耐熱衝撃性の向上を図ることができる。特に、真球度の高いＦＡＢが安定して得られることから、Ｃｕの含有量ＣＣｕに対するＰｄの含有量ＣＰｄの比率（ＣＰｄ／ＣＣｕ）が２以上になるように、Ｐｄ及びＣｕを含有することが好ましい。また、ボンディングワイヤの光線反射率の低下を抑えることができるため、Ｐｄの含有量ＣＰｄとＣｕの含有量ＣＣｕの合計（ＣＰｄ＋ＣＣｕ）が１０．０５質量％以下であることが好ましい。
【００２６】
Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃは、ワイヤの耐熱性を向上させることができる。ボンディングワイヤは、ＦＡＢ形成時の熱によってＦＡＢ直近のワイヤ部分にＨＡＺと呼ばれる結晶粒の大きな領域Ｒが発生する（図２参照）。高純度のＡｇからなるボンディングワイヤは、耐熱性が低く熱の影響を受けやすいため、ＨＡＺが長くなる。そのため、高純度のＡｇからなるボンディングワイヤは、電極１０，１０‘を結線した時にできるループ高さＨが大きくなる（図１参照）。ループ高さＨが大きくなると、半導体装置を薄型化できなくなるとともに、ループ形状が異常となりやすい。
【００２７】
しかし、Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素（以下、「第１添加元素群」ということもある）を含有することにより、耐熱性が向上するとともにＦＡＢ形成時に発生するＨＡＺの長さが短くなるため、結線時のループ高さＨを小さくすることができる。
【００２８】
Ａｇを主成分とするボンディングワイヤにおいて、Ｐｄの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下で、Ｃｕの含有量が０．０５質量％以上２質量％以下の場合、第１添加元素群の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下とすることができる。
【００２９】
第１添加元素群の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上であると、耐熱性が向上するとともにＦＡＢ形成時に発生するＨＡＺの長さが短くなるため、結線時のループ高さＨを小さくすることができる。第１添加元素群の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であると真球度の高いＦＡＢが得やすくなる。
【００３０】
なお、本発明では、上記したＰｄ、Ｃｕ、及び第１添加元素群に加えて、更に、Ｇｅ、Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素（以下、「第２添加元素群」ということもある）を追加的に添加してもよい。つまり、第２添加元素群は任意成分である。この第２添加元素群の含有量の合計が５００質量ｐｐｍ以下であれば、Ｐｄ、Ｃｕ、及び第１添加元素群を添加したことによる上記した作用効果を損なうことがない。また、第２添加元素群の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上であると、ワイヤの耐熱性が向上するとともにＦＡＢ形成時にＨＡＺが発生しにくくなり結線時のループの高さを小さくすることができる。よって、第２添加元素群を添加する場合、第２添加元素群の含有量の合計は、２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。
【００３１】
次に、このような構成のボンディングワイヤの製造方法の一例を説明する。
【００３２】
まず、純度９９．９質量％以上のＡｇに、Ｐｄの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下、Ｃｕの含有量が０．０５質量％以上２質量％以下、第１添加元素群の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下となるようにＰｄとＣｕと第１添加元素群を添加したＡｇ合金を作製する。なお、第２添加元素群を含有するボンディングワイヤを製造する場合は、ＰｄとＣｕと第１添加元素群に加えて、第２添加元素群の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下となるように第２添加元素群も添加してＡｇ合金を作製する。得られたＡｇ合金は、連続鋳造法にて所定の直径の棒状インゴットに鋳造される。
【００３３】
次いで、棒状インゴットを伸線加工して所定の直径に達するまで縮径してボンディングワイヤとする。なお、必要に応じて伸線加工の途中で軟化熱処理を行っても良い。
【００３４】
そして、所定の直径まで伸線加工を行った後、必要に応じて熱処理炉中を走行させて調質熱処理を行い、ボンディングワイヤが得られる。
【００３５】
本実施形態のボンディングワイヤは、Ｐｄの含有量が０．１質量％以上１０質量％以下、Ｃｕの含有量が０．０５質量％以上２質量％以下、Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であり、残部がＡｇからなるので、ＦＡＢの真球性や耐熱衝撃性を良好にするとともに、結線時にできるループの高さを小さく設けることができ半導体装置の薄型化を可能とすることができる。
【００３６】
本実施形態のボンディングワイヤにおいて、Ｃｕの含有量ＣＣｕに対するＰｄの含有量ＣＰｄの比率（ＣＰｄ／ＣＣｕ）が２以上になるように、Ｐｄ及びＣｕの含有量を設定することで、真球度の高いＦＡＢを安定して得ることができる。
【００３７】
また、本実施形態のボンディングワイヤにおいて、Ｐｄの含有量ＣＰｄとＣｕの含有量ＣＣｕの合計（ＣＰｄ＋ＣＣｕ）が１０．０５質量％以下であると、ボンディングワイヤの光線反射率の低下を抑えることができる。そのため、当該ボンディングワイヤをＬＥＤ等の発光素子の結線に用いると高い発光効率の発光素子を得ることができる。
【００３８】
また、本実施形態のボンディングワイヤにおいて、Ｇｅ、Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素を含有してもよく、これらの元素の含有量の合計は２０質量ｐｐｍ以上５００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。Ｐｄ、Ｃｕ、及び第１添加元素群に加えて、更に、Ｇｅ、Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素を追加的に含有することで、結線時にできるループの高さを小さく設けることができ半導体装置の薄型化が可能となる。
【００３９】
以上、本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することを意図していない。これらの実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。【００４１】
純度９９．９質量％以上のＡｇ原料を用いて、下記表１に示すような組成のＡｇ合金を溶解し、連続鋳造法にて棒状インゴットを作製した。作製した棒状インゴットに対して伸線加工を施して直径２５μｍに達するまで縮径し、その後、調質熱処理を施し、実施例１〜１０及び比較例１〜７のボンディングワイヤを得た。なお、実施例１〜１０及び比較例１〜７のボンディングワイヤの線径（直径）はいずれも２５μｍである。【００４２】
【表１】
0006714150.tif 000002
【００４３】
得られた実施例１〜１０及び比較例１〜７のボンディングワイヤにつき、（１）常温引張強度、（２）１ｓｔネック部の強度、（３）ＦＡＢ真球性、（４）ＦＡＢ形成時の熱によってＦＡＢ直近のワイヤ部分に生じたＨＡＺの長さ、（５）熱サイクル試験、及び（６）光線反射率について評価を行った。具体的な評価方法は以下のとおりである。
（１）常温引張強度
１５〜２５℃の室温（常温）中で長さ１００ｍｍのワイヤを破断するまで引っ張り、破断した時の荷重を測定した。
（２）１ｓｔネック部の強度
図１に示すように電極間をボンディングワイヤで結線した後、ピール試験機によって、１ｓｔネック部１４からワイヤＷが破断するまで１ｓｔボンド１２を引き離す方向へワイヤＷを引っ張り、ワイヤＷが１ｓｔネック部１４から破断した時の荷重を測定した。
（３）ＦＡＢ真球性
実施例１〜１０及び比較例１〜７のボンディングワイヤに対して、ワイヤボンダー（Ｋ＆Ｓ社製、ＩＣｏｎｎ）にてワイヤ直径の２．０倍の大きさのＦＡＢを窒素ガス雰囲気で作製した。ＦＡＢ形成性の評価としては、実施例１〜１０及び比較例１〜７のボンディングワイヤ毎にＦＡＢを５００個ずつ作製した後、汎用型電子顕微鏡（日本電子（株）製、ＪＳＭ−６５１０ＬＡ）にて外観観察を行い、作製したＦＡＢのワイヤ平行方向と垂直方向の長さをそれぞれ測定した。ＦＡＢのワイヤ平行方向の長さＸと垂直方向の長さＹの比（Ｘ／Ｙ）を真球性の指標として、９５％〜１００％であれば「真球性有り」と判断し、真球性有りと判断したＦＡＢの個数をカウントした。結果は、作製した５００個のＦＡＢに対する真球性有りと判断したＦＡＢの個数の比率を示す。
（４）ＨＡＺの長さ
上記（３）においてＦＡＢを作製したワイヤを上記汎用型電子顕微鏡にて外観観察を行い、ＦＡＢ直近のワイヤ部分に発生したＨＡＺの長さを測定し、その平均値を算出した。
（５）熱サイクル試験
電極間をボンディングワイヤで結線した後、シリコーン樹脂封止をした半導体試料を市販の熱サイクル試験装置を用いて評価した。温度履歴は−４０℃で６０分間保持した後、１２５℃まで昇温しこの温度で６０分間保持する。これを１サイクルとして、１０００サイクルの試験を行った。試験後に電気的測定を行い、導通評価をした。評価したワイヤ数は５００本であり、不良率が１％以下の場合は「Ａ」、１％を超える場合は耐性が低いことから「Ｄ」とした。
（６）光線反射率
同種のLEDに実施例１〜１０、比較例１〜７及び純銀のボンディングワイヤを結線し、樹脂封止をして各実施例、比較例及び純銀のボンディングワイヤによって結線したＬＥＤ素子を作製した。作製した素子をＪＩＳ  Ｃ８１５２に規定の方法により全光束測定を行った。測定結果は、純銀のワイヤで結線したＬＥＤの光量を１００％としたときの各実施例、比較例の光量を百分率に換算して示した。【００４４】
【表２】
0006714150.tif 000003
【００４５】
結果は、表２に示すとおりであり、実施例１〜１０では、常温引張強度が１０．０ｇｆ以上、１ｓｔネック部の強度が１０．５ｇｆ以上、ＨＡＺ長さ１５０μｍ以下、ＦＡＢ真球性が１００％、熱サイクル試験が「Ａ」、光線反射率が９０％以上となり、いずれの評価項目も良好な結果が得られた。【００４６】
比較例１では、Ｐｄの含有量が０．１質量％未満であるため、常温引張強度及び１ｓｔネック部の強度が低く、熱サイクル試験の評価が「Ｄ」となった。【００４７】
比較例２では、Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が２０質量ｐｐｍ未満であるため、耐熱性が低く熱サイクル試験の評価が「D」となった。【００４８】
比較例３では、Ｃｕの含有量が０．０５質量％未満であるため、１ｓｔネック部の強度が低く、熱サイクル試験の評価が「Ｄ」となった。【００４９】
比較例４では、Ｃｕの含有量が０．０５質量％未満であるが、Ｐｄの含有量が比較例３に比べて多いため常温引張強度及び１ｓｔネック部の強度が高く良好な結果が得られた。しかし、比較例４ではＦＡＢ真球性が悪化した。また、比較例４では、ＦＡＢ真球性の悪化に伴い、１ｓｔボンドと電極との接着性が悪化するため熱サイクル試験の評価が「D」となった。つまり、比較例４では、Ｃｕの含有量が０．０５質量％未満であるため、常温引張強度及び１ｓｔネック部の強度とＦＡＢ真球性とを両立させることができなかった。【００５０】
比較例５では、Ｃｕの含有量が２質量％を越えるため、ＦＡＢ真球性が悪化し、熱サイクル試験の評価が「Ｄ」となった。【００５１】
比較例６では、Ｐｄの含有量が１０質量％を越えるため、光線反射率が低下した。また、比較例６では、Ｇｅ、Ｂｉ、及びＭｇからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍを越えるため、ＦＡＢ真球性が悪化し、熱サイクル試験の評価が「Ｄ」となった。【００５２】
比較例７では、Ｐｄの含有量が１０質量％を越えるため、光線反射率が低下した。また、比較例７では、Ｃａ、Ｙ、Ｓｍ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、及びＳｃからなる群から選択された１種又は２種以上の元素の含有量の合計が５００質量ｐｐｍを越えるため、ＦＡＢ真球性が悪化した。
【図１】
0006714150.tif 000004
【図２】
0006714150.tif 000005