(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材と、
該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記基材は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件Ｉを満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ｉ：幅２０ｍｍの当該粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、当該粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位が４０Ｖ以下となること。
【請求項２】
樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材と、
該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記基材は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件IIを満足することを特徴とする粘着テープ。
要件II：幅２０ｍｍの当該粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、当該粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位が５．０Ｖ以下となること。
【請求項３】
前記粘着テープは、電子基板加工用である、請求項１または２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
前記基材は、その一方の面側の表面抵抗率が１．０×１０9（Ω／□）超である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項５】
前記導電性材料は、導電性高分子、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種である請求項１ないし４のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項６】
前記樹脂材料は、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物である請求項１ないし５のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項７】
前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する請求項１ないし６のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項８】
前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である請求項７に記載の粘着テープ。
【請求項９】
前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された電子基板に対する粘着力が低下するものである請求項７または８に記載の粘着テープ。
【請求項１０】
前記粘着層に対して、前記エネルギーを付与した後において、
前記基材は、前記他方の面側の前記表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、前記体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下である請求項９に記載の粘着テープ。
【請求項１１】
前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項１２】
前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項１３】
前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である請求項１ないし１２のいずれか１項に記載の粘着テープ。
【請求項１４】
粘着テープ用基材であって、
該粘着テープ用基材は、樹脂材料と、導電性材料とを含有し、
前記粘着テープ用基材は、その一方の面に粘着層が積層された粘着テープに用いられ、前記粘着テープ用基材の他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件Ｉを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
要件Ｉ：幅２０ｍｍの前記粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、前記粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位が４０Ｖ以下となること。
【請求項１５】
粘着テープ用基材であって、
該粘着テープ用基材は、樹脂材料と、導電性材料とを含有し、
前記粘着テープ用基材は、その一方の面に粘着層が積層された粘着テープに用いられ、前記粘着テープ用基材の他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件IIを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
要件II：幅２０ｍｍの前記粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、前記粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位が５．０Ｖ以下となること。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープおよび粘着テープ用基材に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化とモバイル用途への拡大に対応して半導体装置の高密度化、高集積化の要求が強まり、ＩＣパッケージの大容量高密度化が進んでいる。
【０００３】
これらの半導体装置の製造方法としては、まず、電子基板としての半導体基板（半導体用ウエハ）に粘着テープを貼付し、半導体基板の周囲をウエハリングで固定しながら、ダイシングソーを用いたダイシング工程で半導体基板を個々の半導体素子（半導体チップ）に切断分離（個片化）する。次いで、ウエハリングを用いて粘着テープを放射状に伸ばすことで、隣接する半導体素子同士の間に間隙を形成するエキスパンディング工程の後、個片化した半導体素子を、ニードルを用いて突き上げた状態で、ピックアップするピックアップ工程を行う。次いで、このピックアップした半導体素子を金属リードフレームあるいは基板（例えばテープ基板、有機硬質基板等）に搭載するための搭載工程へ移送する。ピックアップされた半導体素子は、搭載工程で、例えば、アンダーフィル材を介してリードフレームあるいは基板に接着され、その後、リードフレームあるいは基板上で半導体素子を封止部により封止することで半導体装置が製造される。
【０００４】
このような半導体装置の製造に用いられる粘着テープについて、近年、種々の検討がなされている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
この粘着テープは、一般に、基材（フィルム基材）と、この基材上に形成された粘着層とを有するものであり、粘着層により半導体用ウエハが固定される。また、半導体用ウエハのダイシング工程後に半導体チップを容易にピックアップすることができるように、粘着層は、通常、粘着性を有するベース樹脂および光硬化性樹脂等を含有する樹脂組成物で構成されている。つまり、ダイシング工程後、粘着層にエネルギーが付与されると、樹脂組成物が硬化して粘着層の粘着性が低下し、半導体素子のピックアップが容易となるようになっている。
【０００６】
ここで、前述したダイシング工程における半導体用ウエハに粘着テープを貼付する際、またダイシングソーを用いた半導体用ウエハの切断の際、さらにピックアップ工程における半導体素子のピックアップの際等に、半導体素子に静電気が生じ、この静電気の半導体素子における放電に起因して、半導体素子がダメージを受け、半導体素子の特性が低下するという問題がある。
【０００７】
このような問題は、近年、半導体用ウエハが大型化されることに伴い、特に、ダイシング工程において、半導体用ウエハが長時間に亘ってダイシングに晒されることから、大型化された半導体用ウエハにおいて顕著に認められる。
【０００８】
また、このような問題は、電子基板としての半導体基板（半導体用ウエハ）を個片化することで半導体素子を得る場合に限らず、ガラス基板、セラミック基板、樹脂材料基板および金属材料基板や、複数の半導体素子が封止部により連結して封止された半導体封止連結体等の各種基板を個片化する場合等においても同様に生じており、さらには、個片化する工程に限らず、例えば、半導体封止連結体や半導体基板等の各種基板を薄厚化する工程、半導体封止連結体を輸送および保管する工程、および、半導体封止連結体を個片化することで得られる部品としての半導体封止体を再配置する工程等においても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００９−２４５９８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、貼付した基板に静電気が生じることを的確に抑制または防止することができる粘着テープ、および、この粘着テープを得る際に用いる粘着テープ用基材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記（１）〜（１５）に記載の本発明により達成される。
（１）  樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材と、
該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記基材は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件Ｉを満足することを特徴とする粘着テープ。
要件Ｉ：幅２０ｍｍの当該粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、当該粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位が４０Ｖ以下となること。
（２）  樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材と、
該基材の一方の面に積層された粘着層と、を備える積層体により構成され、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いられる粘着テープであって、
前記基材は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件IIを満足することを特徴とする粘着テープ。
要件II：幅２０ｍｍの当該粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、当該粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位が５．０Ｖ以下となること。
【００１２】
（３）  前記粘着テープは、電子基板加工用である、上記（１）または（２）に記載の粘着テープ。
（４）  前記基材は、その一方の面側の表面抵抗率が１．０×１０9（Ω／□）超である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１３】
（５）  前記導電性材料は、導電性高分子、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１４】
（６）  前記樹脂材料は、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物である上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１５】
（７）  前記粘着層は、粘着性を有するベース樹脂を含有する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００１６】
（８）  前記ベース樹脂は、アクリル系樹脂である上記（７）に記載の粘着テープ。
（９）  前記粘着層は、さらに、エネルギーの付与により硬化する硬化性樹脂を含有し、前記エネルギーの付与により、前記粘着層上に積層された電子基板に対する粘着力が低下するものである上記（７）または（８）に記載の粘着テープ。
【００１７】
（１０）  前記粘着層に対して、前記エネルギーを付与した後において、
前記基材は、前記他方の面側の前記表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、前記体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下である上記（９）に記載の粘着テープ。
【００１８】
（１１）  前記粘着層上に、半導体用ウエハが積層される上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００２１】
（１２）  前記粘着層は、その厚さが５μｍ以上５０μｍ以下である上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００２２】
（１３）  前記基材は、その厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の粘着テープ。
【００２３】
（１４）  粘着テープ用基材であって、
該粘着テープ用基材は、樹脂材料と、導電性材料とを含有し、
前記粘着テープ用基材は、その一方の面に粘着層が積層された粘着テープに用いられ、前記粘着テープ用基材の他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件Ｉを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
要件Ｉ：幅２０ｍｍの前記粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、前記粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位が４０Ｖ以下となること。
（１５）  粘着テープ用基材であって、
該粘着テープ用基材は、樹脂材料と、導電性材料とを含有し、
前記粘着テープ用基材は、その一方の面に粘着層が積層された粘着テープに用いられ、前記粘着テープ用基材の他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であり、
さらに、下記要件IIを満足することを特徴とする粘着テープ用基材。
要件II：幅２０ｍｍの前記粘着テープを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で前記粘着層に紫外線を照射した後に、前記粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位が５．０Ｖ以下となること。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、基材の粘着層が形成されている他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超となり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下となっている。そのため、基板に基板加工用粘着テープを貼付する貼付工程、ダイシングソーを用いて基板を切断して、個片化された個片化体（部品）を得るダイシング工程、および、個片化された個片化体をピックアップするピックアップ工程等において、個片化体に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、個片化体において静電気が生じることに起因する特性の低下を的確に抑制または防止することができる。すなわち、例えば、基板を半導体用ウエハに適用して、半導体用ウエハを個片化して個片化体（部品）として半導体素子を得る場合には、半導体素子において、静電気が放電することに起因して、半導体素子がダメージを受け、その結果、半導体素子の特性が低下してしまうのを、的確に抑制または防止することができる。
【００２５】
また、本発明の粘着テープ用基材によれば、粘着層と組み合わせ、粘着テープ用基材の一方の面側に粘着層を積層して粘着テープとした場合に、基材の粘着層が形成されている他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超となり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下となっている。そのため、基板に前記粘着テープを貼付する貼付工程、ダイシングソーを用いて基板を切断して、個片化された個片化体を得るダイシング工程、および、個片化された個片化体をピックアップするピックアップ工程等において、個片化体に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。したがって、個片化体において静電気が生じることに起因する特性の低下を的確に抑制または防止することができる。すなわち、例えば、基板を半導体用ウエハに適用して、半導体用ウエハを個片化して個片化体として半導体素子を得る場合には、半導体素子において、静電気が放電することに起因して、半導体素子がダメージを受け、その結果、半導体素子の特性が低下してしまうのを、的確に抑制または防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図３】本発明の粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。
【図４】図３に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の粘着テープについて詳細に説明する。
まず、本発明の粘着テープを説明するのに先立って、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置について説明する。
【００２８】
＜半導体装置＞
図１は、本発明の粘着テープを用いて製造された半導体装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２９】
図１に示す半導体装置１０は、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体パッケージであり、半導体チップ（半導体素子）２０と、半導体チップ２０を接着層６０を介して支持するダイパッド３０と、半導体チップ２０と電気的に接続されたリード４０と、半導体チップ２０を封止するモールド部（封止部）５０とを有している。
【００３０】
ダイパッド３０は、金属基板で構成され、半導体チップ２０を支持する支持体としての機能を有するものである。
【００３１】
このダイパッド３０は、例えば、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎｉやこれらの合金（例えば、Ｃｕ系合金や、Ｆｅ−４２Ｎｉのような鉄・ニッケル系合金）等の各種金属材料で構成される金属基板や、この金属基板の表面に銀メッキや、Ｎｉ−Ｐｄメッキが施されているもの、さらにＮｉ−Ｐｄメッキの表面にＰｄ層の安定性を向上するために設けられた金メッキ（金フラッシュ）層が設けられているもの等が用いられる。
【００３２】
また、ダイパッド３０の平面視形状は、通常、半導体チップ２０の平面視形状に対応し、例えば、正方形、長方形等の四角形とされる。
【００３３】
ダイパッド３０の外周部には、複数のリード４０が、放射状に設けられている。
このリード４０のダイパッド３０と反対側の端部は、モールド部５０から突出（露出）している。
【００３４】
リード４０は、導電性材料で構成され、例えば、前述したダイパッド３０の構成材料と同一のものを用いることができる。
【００３５】
また、リード４０には、その表面に錫メッキ等が施されていてもよい。これにより、マザーボードが備える端子に半田を介して半導体装置１０を接続する場合に、半田とリード４０との密着性を向上させることができる。
【００３６】
ダイパッド３０には、接着層６０を介して半導体チップ２０が固着（固定）されている。
【００３７】
この接着層６０は、特に限定されないが、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ポリイミド系接着剤およびシアネート系接着剤等の各種接着剤を用いて形成される。また、接着層６０には、銀粉や銅粉のような金属粒子が含まれていてもよい。これにより、接着層６０の熱伝導性が向上することから、接着層６０を介して半導体チップ２０からダイパッド３０に効率よく熱が伝達されるため、半導体チップ２０の駆動時における放熱性が向上する。
【００３８】
また、半導体チップ２０は、電極パッド２１を有しており、この電極パッド２１とリード４０とが、ワイヤー２２で電気的に接続されている。これにより、半導体チップ２０と各リード４０とが電気的に接続されている。
【００３９】
このワイヤー２２の材質は、特に限定されないが、ワイヤー２２は、例えば、Ａｕ線やＡｌ線で構成することができる。
【００４０】
そして、ダイパッド３０、ダイパッド３０の上面側に設けられた各部材およびリード４０の内側の部分は、モールド部５０により封止されている。その結果として、リード４０の外側の端部が、半導体封止材料の硬化物で構成されるモールド部５０から突出している。
【００４１】
かかる構成の半導体装置１０は、例えば、本発明の粘着テープを半導体用ウエハ加工用のものとして用いて以下のようにして製造される。
【００４２】
＜半導体装置の製造方法＞
図２は、図１に示す半導体装置を、本発明の粘着テープを用いて製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４３】
［１Ａ］まず、基材４と、基材４の上面（一方の面）に積層された粘着層２と、を有する粘着テープ１００を用意する（図２（ａ）参照。）。
【００４４】
この粘着テープ１００が本発明の粘着テープで構成されるが、その詳細な説明は後に行うこととする。
【００４５】
［２Ａ］次に、図２（ｂ）に示すように、図示しないダイサーテーブルの上に、粘着テープ１００を設置し、その中心部１２２に半導体用ウエハ７の半導体素子の無い側の面を、粘着層２の上に置き、軽く押圧し、半導体用ウエハ７を積層（貼付）する（貼付工程）。
【００４６】
なお、粘着テープ１００に半導体用ウエハ７を予め貼着した後に、ダイサーテーブルに設置しても良い。
【００４７】
また、本実施形態では、粘着テープ１００には、例えば、１２インチのような大型の半導体用ウエハ７が積層される。
【００４８】
［３Ａ］次に、粘着層２の外周部１２１をウエハリング９で固定し、その後、図示しない、ダイシングソー（ブレード）を用いて基板としての半導体用ウエハ７を切断（ダイシング）して半導体用ウエハ７を個片化することで粘着テープ１００上に部品としての半導体チップ２０を得る（ダイシング工程；図２（ｃ）参照）。
【００４９】
この際、粘着テープ１００は、緩衝作用を有しており、半導体用ウエハ７を切断する際の割れ、欠け等を防止する。
【００５０】
また、ブレードを用いた半導体用ウエハ７の切断は、図２（ｃ）に示すように、基材４の厚さ方向の途中まで到達するように実施される。これにより、半導体用ウエハの個片化を確実に実施することができる。
【００５１】
［４Ａ］次に、粘着テープ１００が備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を低下させる。
これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で剥離が生じる状態とする。
【００５２】
粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、特に限定されないが、例えば、粘着層２にエネルギー線を照射する方法、粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、粘着層２にエネルギー線を粘着テープ１００の基材４側から照射する方法を用いるのが好ましい。
【００５３】
かかる方法は、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がなく、また、粘着層２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【００５４】
また、エネルギー線としては、例えば、紫外線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。これらの中でも、特に、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線によれば、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性を効率よく低下させることができる。
【００５５】
［５Ａ］次に、粘着テープ１００を図示しないエキスパンド装置で放射状に伸ばして、個片化した半導体用ウエハ７すなわち部品としての半導体チップ２０を一定の間隔に開き（図２（ｄ）参照。）、その後、この半導体チップ２０を、ニードル等を用いて突き上げた状態とし、この状態で、真空コレットまたはエアピンセットによる吸着等によりピックアップする（ピックアップ工程；図２（ｅ）参照。）。
【００５６】
［６Ａ］次に、ピックアップした半導体チップ２０を、接着層６０を介してダイパッド３０上に搭載し、その後、半導体チップ２０が備える電極パッド２１とリード４０とをワイヤーボンディングすることでワイヤー２２により電気的に接続する。
【００５７】
［７Ａ］次に、半導体チップ２０をモールド部５０で封止する。
このモールド部５０による封止は、例えば、形成すべきモールド部５０の形状に対応した内部空間を備える成形型を用意し、この内部空間内に配置された半導体チップ２０を取り囲むように、粉末状をなす半導体封止材料を内部空間に充填する。そして、この状態で、半導体封止材料を加熱することにより硬化させて、半導体封止材料の硬化物とすることにより行われる。
【００５８】
以上のような工程を有する半導体装置の製造方法により、半導体装置１０が得られるが、以下、半導体装置の製造方法に用いられる粘着テープ１００（本発明の粘着テープ）について説明する。
【００５９】
＜粘着テープ＞
図３は、本発明の粘着テープの実施形態を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００６０】
粘着テープ１００（本発明の粘着テープ）は、樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材４と、この基材４の一方の面に積層された粘着層２と、を備える積層体により構成され、半導体用ウエハ７（半導体基板）を仮固定して用いられるものであり、基材４は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であることを特徴とする。
【００６１】
基材４の粘着層２が積層された一方の面と反対の他方の面側の表面抵抗率と、基材４の体積抵抗率をかかる範囲内に設定することで、前記貼付工程［２Ａ］、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］等において、半導体チップ２０に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、静電気が放電することに起因して、半導体チップがダメージを受け、その結果、半導体チップ２０の特性の低下、さらには半導体チップ２０の破損を招くのを、的確に抑制または防止することができる。
【００６２】
なお、前記工程［５Ａ］〜前記工程［７Ａ］を繰り返して実施することで、１枚の半導体用ウエハ７から複数の半導体装置１０が得られるが、半導体用ウエハ７を切断することで得られた複数の半導体チップ２０のうちの数個が粘着テープ１００上に残存した状態で、前記工程［５Ａ］〜前記工程［７Ａ］の繰り返しを一旦停止し、この停止の後に再度、前記工程［５Ａ］〜前記工程［７Ａ］を繰り返すことがある。この際、停止の時間が例えば一日以上のように長い場合には、ダイサーテーブル上から、半導体チップ２０が貼付された粘着テープ１００を取り除く（剥離させる）ことがあるが、このような、ダイサーテーブルからの取り除き時においても、半導体チップ２０に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。
【００６３】
以下、この粘着テープ１００（ダイシングテープ）が有する基材４および粘着層２について、詳述する。
【００６４】
なお、粘着テープ１００は、このものが備える粘着層２にエネルギーを付与することで、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下する機能を有するものである。
【００６５】
このような粘着層２にエネルギーを付与する方法としては、粘着層２にエネルギー線を照射する方法および粘着層２を加熱する方法等が挙げられるが、中でも、半導体チップ２０が不要な熱履歴を経る必要がないことから、粘着層２にエネルギー線を照射する方法が好適に用いられる。そのため、以下では、粘着層２として、エネルギー線の照射により前記粘着性が低下するものを代表に説明する。
【００６６】
＜基材４＞
基材４は、主材料としての樹脂材料と、導電性材料とを含有し、この基材４上に設けられた粘着層２を支持する機能を有している。
【００６７】
樹脂材料としては、特に限定されず、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレンのようなポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレンのようなポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン系樹脂（オレフィン系高分子）、エチレン−酢酸ビニル共重合体、亜鉛イオン架橋体、ナトリウムイオン架橋体のようなアイオノマー、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体等のオレフィン系共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリブチレンナフタレート等のポリエステル系樹脂（エステル類高分子）、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルエーテルケトンのようなポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、セルロース系樹脂、スチレン系熱可塑性エラストマー（スチレン系高分子）、ポリプロピレン系熱可塑性エラストマーのようなオレフィン系熱可塑性エラストマー（オレフィン系高分子）、アクリル樹脂、ポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリビニルイソプレン、ポリカーボネート（カーボネート系高分子）等の熱可塑性樹脂や、これらの熱可塑性樹脂の混合物が用いられ、中でも、エステル類高分子、スチレン系高分子、オレフィン系高分子、カーボネート系高分子、またはこれらの高分子の少なくとも１種が含有されている共重合物であることが好ましい。
【００６８】
これらの樹脂材料は、光（可視光線、近赤外線、紫外線）、Ｘ線、電子線等のエネルギー線を透過し得る材料であることから、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させて粘着層２に照射する場合に好ましく用いることができる。
【００６９】
特に、樹脂材料としては、ポリプロピレンとエラストマーとの混合物、またはポリエチレンとエラストマーとの混合物を用いることが好ましい。
【００７０】
また、このエラストマーとしては、下記一般式（１）で示されるポリスチレンセグメントと、下記一般式（２）で示されるビニルポリイソプレンセグメントとから成るブロック共重合体が好ましい。
【００７１】
【化１】
0006733804.tif 000002
（一般式（１）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７２】
【化２】
0006733804.tif 000003
（一般式（２）中、ｎは２以上の整数を表す。）
【００７３】
また、基材４は、主材料として含まれる樹脂材料中に分散する、導電性を有する導電性材料を含有している。導電性材料が基材４に含まれることで、導電性材料に帯電防止剤としての機能を発揮させて、基材４の他方の面（下面）側の表面抵抗率を１．０×１０８（Ω／□）超、かつ、基材４の体積抵抗率を１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下に設定することができるため、前記貼付工程［２Ａ］、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］における、半導体用ウエハ７および半導体チップ２０での静電気の発生が的確に抑制または防止される。
【００７４】
この導電性材料としては、導電性を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、導電性高分子、界面活性剤、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属材料、金属酸化物材料および炭素系材料等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７５】
これらのうち導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリアセチレン、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００７６】
また、ポリチオフェンまたはその誘導体としては、例えば、ポリチオフェン、ポリ（３，４）−エチレンジオキシチオフェン、ポリ(３−チオフェン−β−エタンスルホン酸)が挙げられる。
【００７７】
ポリアニリンまたはその誘導体としては、例えば、ポリアニリン、ポリメチルアニリン、ポリメトキシアニリン等が挙げられる。
【００７８】
さらに、ポリピロールまたはその誘導体としては、例えば、ポリピロール、ポリ３−メチルピロール、ポリ３−オクチルピロール等が挙げられる。
【００７９】
また、界面活性剤としては、例えば、アニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、両イオン性界面活性剤等が挙げられる。
【００８０】
永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）としては、例えば、ポリエステルアミド系、ポリエーテルエステルポリオレフィン系、ポリエーテルエステルアミド系、ポリウレタン系等の全てのＩＤＰを用いることができる。
【００８１】
さらに、金属材料としては、金、銀、銅または銀コート銅、ニッケル等が挙げられ、これらの金属粉が好ましく用いられる。
【００８２】
金属酸化物材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等が挙げられ、これらの金属酸化物粉が好ましく用いられる。
【００８３】
また、炭素系材料としては、カーボンブラック、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブのようなカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、グラフェン等が挙げられる。
【００８４】
これらの中でも、導電性材料としては、導電性高分子、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）、金属酸化物材料およびカーボンブラックのうちの少なくとも１種であることが好ましい。これらのものは、抵抗率の温度依存性が小さいものであることから、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、基材４が加熱されたとしても、抵抗値の変化量を小さくして、基材４の他方の面側の表面抵抗率を１．０×１０８（Ω／□）超、かつ、基材４の体積抵抗率を１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下に設定することができる。
【００８５】
なお、導電性材料として、導電性高分子、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）のような高分子材料を用いた場合、基材４中における配向度を調整することによっても、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、それぞれ、前記下限値超および前記上限値以下に設定することができる。すなわち、基材４を形成する際のＭＤまたはＴＤの延伸倍率を適宜調整することにより、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、それぞれ、前記下限値超および前記上限値以下に設定することができる。
【００８６】
また、基材４における、導電性材料の含有量は、導電性材料の種類によっても若干異なるが、５重量％以上３０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以上２０重量％以下であることがより好ましい。これにより、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、それぞれ、前記下限値超および前記上限値以下に確実に設定することができる。
【００８７】
さらに、基材４は、鉱油のような軟化剤、炭酸カルシウム、シリカ、タルク、マイカ、クレーのような充填材、酸化防止剤、光安定剤、滑剤、分散剤、中和剤、着色剤等を含有するものであってもよい。
【００８８】
基材４の厚さは、特に限定されないが、例えば、３０μｍ以上１５０μｍ以下であるのが好ましく、４０μｍ以上１２０μｍ以下であるのがより好ましい。基材４の厚さがこの範囲内であると、前記工程［３Ａ］における半導体用ウエハ７のダイシングを、優れた作業性により実施することができる。
【００８９】
さらに、基材４は、その表面に、粘着層２に含まれる構成材料と反応性を有する、ヒドロキシル基、アミノ基のような官能基が露出していることが好ましい。
【００９０】
また、基材４は、異なる前記樹脂材料で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。さらに、前記樹脂材料をドライブレンドしたブレンドフィルムで構成されるものであってもよい。
【００９１】
なお、基材４を積層体で構成する場合には、奇数の層が積層された奇数層からなるものが好ましい。さらに、奇数層とする場合、その中央に位置する層を中心として、同一の構成材料、構成材料の含有量等からなる同一の層が両側に対称となって積層された対称構造のものがより好ましい。これにより、前記工程［４Ａ］において、エネルギー線を基材４側から基材４を透過させる場合には、基材４におけるエネルギー線の透過率を向上させることができることから、粘着層２にエネルギー線を高効率に照射することができる。
【００９２】
＜粘着層＞
粘着層２は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７を粘着して支持する機能を有している。また、この粘着層２は、このものに対するエネルギーの付与により半導体用ウエハ７への粘着性が低下し、これにより、粘着層２と半導体用ウエハ７との間で容易に剥離を生じさせ得る状態となるものである。
【００９３】
かかる機能を備える粘着層２は、（１）粘着性を有するベース樹脂と、（２）粘着層２を硬化させる硬化性樹脂とを主材料として含有する樹脂組成物で構成される。
【００９４】
以下、樹脂組成物に含まれる各成分について、順次、詳述する。
（１）ベース樹脂
ベース樹脂は、粘着性を有し、粘着層２へのエネルギー線の照射前に、半導体用ウエハ７に対する粘着性を粘着層２に付与するために、樹脂組成物中に含まれるものである。
【００９５】
このようなベース樹脂としては、アクリル系樹脂（粘着剤）、シリコーン系樹脂（粘着剤）、ポリエステル系樹脂（粘着剤）、ポリ酢酸ビニル系樹脂（粘着剤）、ポリビニルエーテル系樹脂（粘着剤）またはウレタン系樹脂（粘着剤）のような粘着層成分として用いられる公知のものが挙げられるが、中でも、アクリル系樹脂を用いることが好ましい。アクリル系樹脂は、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できることから、ベース樹脂として好ましく用いられる。
【００９６】
アクリル系樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルをモノマー主成分とするポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）をベースポリマーとするもののことを言う。
【００９７】
（メタ）アクリル酸エステルとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸シクロヘキシルのような（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸フェニルのような（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸オクチルのような（メタ）アクリル酸アルキルエステルであることが好ましい。（メタ）アクリル酸アルキルエステルは、特に、耐熱性に優れ、また、比較的容易かつ安価に入手できる。
【００９８】
なお、本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルとの双方を含む意味で用いることとする。
【００９９】
また、このアクリル系樹脂は、そのガラス転移点が２０℃以下であることが好ましい。これにより、粘着層２へのエネルギー線の照射前において、粘着層２に優れた粘着性を発揮させることができる。
【０１００】
アクリル系樹脂は、凝集力、耐熱性等の改質等を目的として、必要に応じて、ポリマーを構成するモノマー成分として、共重合性モノマーを含むものが用いられる。
【０１０１】
このような共重合性モノマーとしては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシルのようなヒドロキシル基含有モノマー、（メタ）アクリル酸グリシジルのようなエポキシ基含有モノマー、（メタ）アクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸のようなカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基含有モノマー、（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロール（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メチロールプロパン（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ブトキシメチル（メタ）アクリルアミドのようなアミド系モノマー、（メタ）アクリル酸アミノエチル、（メタ）アクリル酸Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチルアミノエチルのようなアミノ基含有モノマー、（メタ）アクリロニトリルのようなシアノ基含有モノマー、エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン、イソブチレンのようなオレフィン系モノマー、スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンのようなスチレン系モノマー、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルのようなビニルエステル系モノマー、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテルのようなビニルエーテル系モノマー、塩化ビニル、塩化ビニリデンのようなハロゲン原子含有モノマー、（メタ）アクリル酸メトキシエチル、（メタ）アクリル酸エトキシエチルのようなアルコキシ基含有モノマー、Ｎ−ビニル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルビニルピロリドン、Ｎ−ビニルピリジン、Ｎ−ビニルピペリドン、Ｎ−ビニルピリミジン、Ｎ−ビニルピペラジン、Ｎ−ビニルピラジン、Ｎ−ビニルピロール、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルオキサゾール、Ｎ−ビニルモルホリン、Ｎ−ビニルカプロラクタム、Ｎ−（メタ）アクリロイルモルホリン等の窒素原子含有環を有するモノマー等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０２】
これら共重合性モノマーの含有量は、アクリル系樹脂を構成する全モノマー成分に対して、４０重量％以下であることが好ましく、１０重量％以下であることがより好ましい。
【０１０３】
また、共重合性モノマーは、アクリル系樹脂を構成するポリマーにおける主鎖の末端に含まれるものであってもよいし、その主鎖中に含まれるもの、さらには、主鎖の末端と主鎖中との双方に含まれるものであってもよい。
【０１０４】
さらに、共重合性モノマーには、ポリマー同士の架橋等を目的として、多官能性モノマーが含まれていてもよい。
【０１０５】
多官能性モノマーとしては、例えば、１，６−ヘキサンジオール（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ブチルジ（メタ）アクリレート、ヘキシルジ（メタ）アクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１０６】
また、エチレン−酢酸ビニルコポリマーおよび酢酸ビニルポリマー等も、共重合性モノマー成分として用いることができる。
【０１０７】
なお、このようなアクリル系樹脂（ポリマー）は、単一のモノマー成分または２種以上のモノマー成分の混合物を重合させることにより生成させることができる。また、これらモノマー成分の重合は、例えば、溶液重合方法、乳化重合方法、塊状重合方法、懸濁重合方法等の重合方法を用いて実施することができる。
【０１０８】
以上、説明したモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系樹脂としては、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているアクリル系樹脂（「二重結合導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、後述する硬化性樹脂の添加を省略したとしても、得られる粘着層２に、上述した粘着層２としての機能を発揮させることができる。
【０１０９】
このような二重結合導入型アクリル系樹脂としては、アクリル系樹脂を構成するポリマー内の側鎖のうち、１／１００以上の側鎖のそれぞれに、炭素−炭素二重結合を１個有している二重結合導入型アクリル系樹脂（「二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂」と言うこともある。）であることが好ましい。このように、炭素−炭素二重結合を、アクリル系樹脂の側鎖に導入することは、分子設計の点からも有利である。なお、この二重結合側鎖導入型アクリル系樹脂は、主鎖中や、主鎖の末端にも、炭素−炭素二重結合を有していてもよい。
【０１１０】
このような二重結合導入型アクリル系樹脂の合成方法（すなわち、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を導入する方法）としては、特に限定されず、例えば、共重合性モノマーとして官能基を有するモノマーを用いて共重合して、官能基を含有するアクリル系樹脂（「官能基含有アクリル系樹脂」と言うこともある。）を合成した後、官能基含有アクリル系樹脂中の官能基と反応し得る官能基と、炭素−炭素二重結合とを有する化合物（「炭素−炭素二重結合含有反応性化合物」と言うこともある。）を、官能基含有アクリル系樹脂に、炭素−炭素二重結合のエネルギー線硬化性（エネルギー線重合性）を維持した状態で、縮合反応または付加反応させることにより、二重結合導入型アクリル系樹脂を合成する方法等が挙げられる。
【０１１１】
なお、アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合を、全側鎖のうちの１／１００以上の側鎖に導入する際の制御手段としては、例えば、官能基含有アクリル系樹脂に縮合反応または付加反応させる化合物である炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の含有量を適宜調節することにより行う方法等が挙げられる。
【０１１２】
また、官能基含有アクリル系樹脂に炭素−炭素二重結合含有反応性化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、ジラウリン酸ジブチルスズのようなスズ系触媒が好ましく用いられる。このスズ系触媒の含有量としては、特に制限されないが、例えば、官能基含有アクリル系樹脂１００重量部に対して０．０５重量部以上１重量部以下であることが好ましい。
【０１１３】
また、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａおよび炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとしては、例えば、カルボキシル基、酸無水物基、ヒドロキシル基、アミノ基、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基等が挙げられ、さらに、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａと、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとの組み合わせとしては、例えば、カルボン酸基（カルボキシル基）とエポキシ基との組み合わせ、カルボン酸基とアジリジル基との組み合わせ、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせ、ヒドロキシル基とカルボキシル基との組み合わせ等の各種の組み合わせが挙げられ、これらの中でも、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせであることが好ましい。これにより、これら官能基Ａ、Ｂ同士の反応追跡を容易に行うことができる。
【０１１４】
さらに、これらの官能基Ａ、Ｂの組み合わせにおいて、何れの官能基が、官能基含有アクリル系樹脂の官能基Ａまたは炭素−炭素二重結合含有反応性化合物の官能基Ｂとなっていてもよいが、例えば、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組み合わせの場合、ヒドロキシル基が、官能基含有アクリル系樹脂における官能基Ａとなっており、イソシアネート基が、炭素−炭素二重結合含有反応性化合物における官能基Ｂとなっていることが好ましい。
【０１１５】
この場合、官能基含有アクリル系樹脂を構成する官能基Ａを有するモノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸のようなカルボキシル基を有するもの、無水マレイン酸、無水イタコン酸のような酸無水物基を有するもの、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート、ビニルアルコール、アリルアルコール、２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、２−ヒドロキシプロピルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、エチレングリコールモノビニルエーテル、ジエチレングリコールモノビニルエーテル、プロピレングリコールモノビニルエーテル、ジプロピレングリコールモノビニルエーテルのようなヒドロキシル基を有するもの、（メタ）アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテルのようなエポキシ基を有するもの等が挙げられる。
【０１１６】
また、官能基Ｂを有する炭素−炭素二重結合含有反応性化合物としては、イソシアネート基を有するものとして、例えば、（メタ）アクリロイルイソシアネート、（メタ）アクリロイルオキシメチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、２−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、３−（メタ）アクリロイルオキシプロピルイソシアネート、４−（メタ）アクリロイルオキシブチルイソシアネート、ｍ−プロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられ、エポキシ基を有するものとして、（メタ）アクリル酸グリシジル等が挙げられる。
【０１１７】
アクリル系樹脂は、前記工程［３Ａ］において、半導体用ウエハ７をダイシングする際に、半導体用ウエハ７等の汚染を防止するという観点から、低分子量物の含有量が少ないものであることが好ましい。この場合、アクリル系樹脂の重量平均分子量としては、好ましくは３０万〜５００万に設定され、より好ましくは５０万〜５００万に設定され、さらに好ましくは８０万〜３００万に設定される。なお、アクリル系樹脂の重量平均分子量が、モノマー成分の種類等によっては、５０万未満であると、半導体用ウエハ７等に対する汚染防止性が低下し、半導体チップ２０を剥離させた際に糊残りが生じるおそれがある。
【０１１８】
なお、アクリル系樹脂は、ヒドロキシル基やカルボキシル基（特に、ヒドロキシル基）のような、架橋剤や光重合開始剤に対して反応性を有する官能基（反応性官能基）を有していることが好ましい。これにより、架橋剤や光重合開始剤がポリマー成分であるアクリル樹脂に連結するため、粘着層２からこれら架橋剤や光重合開始剤が漏出することを的確に抑制または防止することができる。その結果、前記工程［４Ａ］におけるエネルギー線照射時により、粘着層２の半導体用ウエハ７に対する粘着性が確実に低下される。
【０１１９】
（２）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、例えば、エネルギー線の照射により硬化する硬化性を備えるものである。この硬化によってベース樹脂が硬化性樹脂の架橋構造に取り込まれた結果、粘着層２の粘着力が低下する。
【０１２０】
このような硬化性樹脂としては、例えば、紫外線、電子線等のエネルギー線の照射によって三次元架橋可能な重合性炭素−炭素二重結合を、官能基として少なくとも２個以上分子内に有する低分子量化合物が用いられる。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、グリセリンジ（メタ）アクリレートのような（メタ）アクリル酸と多価アルコールとのエステル化物、エステルアクリレートオリゴマー、２−プロペニル−ジ−３−ブテニルシアヌレート等の炭素−炭素二重結合含有基を有しているシアヌレート系化合物、トリス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、トリス（２−メタクリロキシエチル）イソシアヌレート、２−ヒドロキシエチルビス（２−アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ビス（２−アクリロキシエチル）２−［（５−アクリロキシヘキシル）−オキシ］エチルイソシアヌレート、トリス（１，３−ジアクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（１−アクリロキシエチル−３−メタクリロキシ−２−プロピル−オキシカルボニルアミノ−ｎ−ヘキシル）イソシアヌレート、トリス（４−アクリロキシ−ｎ−ブチル）イソシアヌレートのような炭素−炭素二重結合含有基を有しているイソシアヌレート系化合物、市販のオリゴエステルアクリレート、芳香族系、脂肪族系等のウレタンアクリレート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、官能基数が６官能以上であるオリゴマーが含まれることが好ましく、官能基数が１５官能以上であるオリゴマーが含まれることがより好ましい。これにより、エネルギー線の照射により硬化性樹脂をより確実に硬化させることができる。また、このような硬化性樹脂は、ウレタンアクリレートであることが好ましい。これにより、適度な柔軟性によるピックアップ時の糊割れを抑制できるという効果が得られる。
【０１２１】
なお、このウレタンアクリレートとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエステル型またはポリエーテル型等のポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナート等）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有する（メタ）アクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコール（メタ）アクリレート等）を反応させて得られたものが挙げられる。
【０１２２】
また、硬化性樹脂には、特に限定されないが、重量平均分子量の異なる２つ以上の硬化性樹脂が混合されているのが好ましい。このような硬化性樹脂を利用すれば、エネルギー線照射による樹脂の架橋度を容易に制御することができ、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を向上させることができる。また、このような硬化性樹脂として、例えば、第１の硬化性樹脂と、第１の硬化性樹脂よりも重量平均分子量が大きい第２の硬化性樹脂との混合物等が用いられてもよい。
【０１２３】
硬化性樹脂を、第１の硬化性樹脂と、第２の硬化性樹脂との混合物とする場合、第１の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１００〜１０００程度であることが好ましく、２００〜５００程度であることがより好ましい。また、第２の硬化性樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００００程度であることが好ましく、１０００〜１００００程度であることがより好ましく、２０００〜５０００程度であることがさらに好ましい。さらに、第１の硬化性樹脂の官能基数は、１〜５官能基であることが好ましく、第２の硬化性樹脂の官能基数は、６官能基以上であることが好ましい。かかる関係を満足することにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１２４】
硬化性樹脂は、ベース樹脂１００重量部に対して５重量部以上５００重量部以下で配合されることが好ましく、１０重量部以上３００重量部以下で配合されることがより好ましく、２０重量部以上２００重量部以下で配合されることがさらに好ましい。上記のように硬化性樹脂の配合量を調整することによって、前記工程［５Ａ］における半導体チップ２０のピックアップ性を優れたものとすることができる。
【０１２５】
なお、この硬化性樹脂は、前述したアクリル系樹脂として、二重結合導入型アクリル系樹脂を用いた場合、すなわち、炭素−炭素二重結合を、側鎖、主鎖中または主鎖の末端に有しているものを用いた場合には、その樹脂組成物中への添加を省略するようにしてもよい。これは、アクリル系樹脂が二重結合導入型アクリル系樹脂である場合には、エネルギー線の照射により、二重結合導入型アクリル系樹脂が備える炭素−炭素二重結合の機能によって、粘着層２が硬化し、これにより、粘着層２の粘着力が低下することから、省略が可能となる。
【０１２６】
（３）光重合開始剤
また、粘着層２は、エネルギー線の照射により半導体用ウエハ７に対する粘着性が低下するものであるが、エネルギー線として紫外線等を用いる場合には、硬化性樹脂には、硬化性樹脂の重合開始を容易とするために光重合開始剤を含有することが好ましい。
【０１２７】
光重合開始剤としては、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α´−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ミヒラーズケトン、アセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンジル、ベンゾイン、ジベンジル、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン、２−ナフタレンスルホニルクロリド、１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム、ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、４，４'−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ｏ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−アクリルオキシベンゾフェノン、ｏ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−メタクリルオキシベンゾフェノン、ｐ−（メタ）アクリルオキシエトキシベンゾフェノン、１，４−ブタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，２−エタンジオールモノ（メタ）アクリラート、１，８−オクタンジオールモノ（メタ）アクリラートのようなアクリラートのベンゾフェノン−４−カルボン酸エステル、チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン、アゾビスイソブチロニトリル、β−クロールアンスラキノン、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート、ポリビニルベンゾフェノン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体、等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１２８】
また、これらの中でも、ベンゾフェノン誘導体およびアルキルフェノン誘導体であることが好ましい。これらの化合物は分子中に反応性官能基として水酸基を備えるものであり、この反応性官能基を介して、ベース樹脂や硬化性樹脂に連結することができ、光重合開始剤としての機能をより確実に発揮させることができる。
【０１２９】
光重合開始剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、０．５重量部以上１０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように光重合開始剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００からの半導体チップ２０のピックアップ性は好適なものとなる。
【０１３０】
（４）架橋剤
さらに、硬化性樹脂には、架橋剤が含まれていてもよい。架橋剤が含まれることで、硬化性樹脂の硬化性の向上が図られる。
【０１３１】
架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、イソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、メチロール系架橋剤、キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン系架橋剤、多価金属キレート系架橋剤、酸無水物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等が挙げられる。これらの中でもイソシアネート系架橋剤が好ましい。
【０１３２】
イソシアネート系架橋剤としては、特に限定されないが、例えば、多価イソシアネートのポリイソシアネート化合物およびポリイソシアネート化合物の三量体、ポリイソシアネート化合物とポリオール化合物とを反応させて得られる末端イソシアネート化合物の三量体または末端イソシアネートウレタンプレポリマーをフェノール、オキシム類等で封鎖したブロック化ポリイソシアネート化合物等が挙げられる。
【０１３３】
また、多価イソシアネートとして、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−２，４’−ジイソシアネート、３−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−４，４’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−２，４’−ジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも２，４−トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−４，４’−ジイソシアネートおよびヘキサメチレンジイソシアネートから成る群より選択される少なくとも１種の多価イソシアネートが好ましい。
【０１３４】
架橋剤は、ベース樹脂１００重量部に対して０．０１重量部以上５０重量部以下で配合されることが好ましく、５重量部以上５０重量部以下で配合されることがより好ましい。上記のように架橋剤の配合量を調整することによって、粘着テープ１００からの半導体チップ２０のピックアップ性は好適なものとなる。
【０１３５】
（５）その他の成分
さらに、粘着層２を構成する樹脂組成物には、上述した各成分（１）〜（４）の他に他の成分として、粘着付与剤、老化防止剤、粘着調整剤、充填材、着色剤、難燃剤、軟化剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤、導電性材料（帯電防止剤）等のうちの少なくとも１種が含まれていてもよい。
【０１３６】
なお、他の成分のうち、導電性材料は、粘着層２中に含まれていてもよいが、実質的に含まれていないことが好ましい。これにより、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、それぞれ、１．０×１０８（Ω／□）超および１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下に比較的容易に設定することができる。
【０１３７】
また、これらのうち粘着付与剤としては、特に限定されないが、例えば、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族共重合系石油樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１３８】
さらに、粘着層２の厚さは、特に限定されないが、例えば、５μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以上３０μｍ以下であるのがより好ましい。粘着層２の厚さをかかる範囲内とすることで、粘着層２は、粘着層２へのエネルギー付与前には、良好な粘着力を発揮するとともに、粘着層２へのエネルギー付与後には、粘着層２と半導体用ウエハ７との間において、良好な剥離性を発揮する。
【０１３９】
なお、粘着層２は、異なる前記樹脂組成物で構成される層を複数積層した積層体（多層体）で構成されるものであってもよい。
【０１４０】
ここで、前述の通り、基材４の他方の面（下面）側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、基材４の体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であればよいが、基材４の他方の面（下面）側の表面抵抗率は、１．０×１０８（Ω／□）超１．０×１０１２（Ω／□）以下であることが好ましく、１．０×１０１０（Ω／□）以上１．０×１０１２（Ω／□）以下であることがより好ましい。さらに、基材４の体積抵抗率は、１．０×１０１０（Ω・ｍ）以上１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であることが好ましく、１．０×１０１１（Ω・ｍ）以上１．０×１０１３（Ω・ｍ）以下であることがより好ましい。このように、基材４の他方の面（下面）側の表面抵抗率が前記範囲内のように比較的高く設定されていたとしても、基材４の体積抵抗率を前記範囲内に設定することにより、前記貼付工程［２Ａ］、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］等において、半導体チップ２０に静電気が発生するのをより的確に抑制または防止することができる。そのため、静電気が放電することに起因して、半導体チップがダメージを受け、その結果、半導体チップ２０の特性の低下、さらには半導体チップ２０の破損を招くのを、より的確に抑制または防止することができる。
【０１４１】
特に、本実施形態では、粘着テープ１００には、例えば、１２インチのような大型の半導体用ウエハ７が積層されており、半導体用ウエハ７は、前記ダイシング工程［３Ａ］において、より長時間、切断されることとなるが、基材４の他方の面（下面）側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率を、前記のように設定することで、このような大型の半導体用ウエハ７においても、半導体チップ２０の特性の低下、さらには半導体チップ２０の破損が的確に抑制または防止される。
【０１４２】
また、基材４の一方の面（上面）側すなわち粘着層２側の表面抵抗率は、１．０×１０9（Ω／□）超であることが好ましく、１．０×１０１０（Ω／□）以上１．０×１０１３（Ω／□）以下であることがより好ましい。このように、基材４の一方の面（上面）側の表面抵抗率が前記範囲内のように比較的高く設定されている場合においても、基材４の体積抵抗率を前記範囲内に設定することにより、前記効果を確実に発揮させることができる。
【０１４３】
さらに、粘着層２は、このものに対するエネルギー線の照射により粘着性が低下するものであるが、上述した、基材４の他方の面側の表面抵抗率、基材４の一方の面側の表面抵抗率、および、基材４の体積抵抗率は、それぞれ、粘着層２へのエネルギー線の照射前と照射後とのいずれか一方または双方が前記範囲内に設定されていればよいが、エネルギー線の照射後に前記範囲内に設定されているのが好ましく、エネルギー線の照射前後に前記範囲内に設定されているのがより好ましい。半導体チップ２０における静電気の発生は、前記ピックアップ工程［５Ａ］において、粘着テープ１００から半導体チップ２０をピックアップする際に、より顕著に認められる傾向を示すが、この際の基材４の他方の面側の表面抵抗率、基材４の一方の面側の表面抵抗率、および、基材４の体積抵抗率を前記範囲内に設定することで、半導体チップ２０のピックアップ時に、半導体チップ２０に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４４】
このようなエネルギー線の照射後における半導体チップ２０（半導体用ウエハ７）における静電気の発生の程度は、例えば、以下に示す程度に抑制されていることが好ましい。
【０１４５】
すなわち、幅２０ｍｍの粘着テープ１００を、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で粘着層２に紫外線を照射した後に、粘着テープ１００の一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位が４０Ｖ以下であることが好ましく、１６Ｖ以下であることがより好ましい。
【０１４６】
また、幅２０ｍｍの粘着テープ１００を、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で粘着層２に紫外線を照射した後に、粘着テープ１００の一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位が５．０Ｖ以下であることが好ましく、１．５Ｖ以下であることがより好ましい。
【０１４７】
次に、かかる構成の粘着テープ１００は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【０１４８】
＜粘着テープの製造方法＞
図４は、図３に示す粘着テープを製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１４９】
［１Ｂ］まず、基材４を用意し、この基材４の上面（一方の面）に粘着層２を形成する（図４（ａ）参照。）。
【０１５０】
基材４の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、カレンダー法、インフレーション押出し法、Ｔダイ押出し法のような押出成形法、湿式キャスティング法等の一般的な成形方法が挙げられる。なお、基材４が積層体で構成される場合、かかる構成のその基材４の製造方法としては、例えば、共押出し法、ドライラミネート法等の成形方法が用いられる。
【０１５１】
また、基材４は、無延伸で用いることができるし、さらに、必要に応じて１軸または２軸の延伸処理を施したものを用いるようにしてもよい。なお、前述の通り、導電性材料として、導電性高分子、永久帯電防止高分子（ＩＤＰ）のような高分子材料が基材４に含まれる場合、基材４中における配向度を調整することによって、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、適宜設定することができる。そのため、基材４にＭＤもしくはＴＤの１軸、または、ＭＤおよびＴＤの２軸の延伸処理を施して、基材４中における高分子材料の配向度を調整することで、基材４の他方の面側の表面抵抗率および基材４の体積抵抗率の大きさを、それぞれ、前記下限値超および前記上限値以下に設定することができる。
【０１５２】
さらに、基材４の表面には、基材４と粘着層２との密着性を向上させることを目的に、コロナ処理、クロム酸処理、マット処理、オゾン暴露処理、火炎暴露処理、高圧電撃暴露処理、イオン化放射線処理、プライマー処理、アンカーコート処理のような表面処理が施されていてもよい。
【０１５３】
また、粘着層２は、基材４上に、粘着層２の構成材料である樹脂組成物を溶剤に溶解してワニス状にした液状材料を、塗布または散布した後、溶剤を揮発させて粘着層２を形成することにより得ることができる。
【０１５４】
なお、溶剤としては、特に限定されないが、例えば、メチルエチルケトン、アセトン、トルエン、ジメチルホルムアルデヒド等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１５５】
また、基材４上への液状材料の塗布または散布は、例えば、ダイコート、カーテンダイコート、グラビアコート、コンマコート、バーコートおよびリップコート等の方法を用いて行うことができる。
【０１５６】
［２Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、中心側と外周側とが分離されるように、粘着層２の厚さ方向に基材４を残存させて円環状に粘着層２の一部を除去することにより、粘着層２を中心部１２２と外周部１２１とを備えるものとする（図４（ｂ）参照。）。
【０１５７】
粘着層２の一部を円環状に除去する方法としては、例えば、除去すべき領域を取り囲むように打ち抜いた後、この打ち抜かれた領域に位置する粘着層２を除去する方法が挙げられる。
【０１５８】
また、除去すべき領域に対する打ち抜きは、例えば、ロール状金型を用いる方法や、プレス金型を用いる方法を用いて行うことができる。中でも、連続的に粘着テープ１００を製造することができるロール状金型を用いる方法が好ましい。
【０１５９】
なお、本工程では、粘着層２の一部をリング状（円形状）に打ち抜いて中心部１２２と外周部１２１とを形成したが、粘着層２の一部を打ち抜く形状は、前述した半導体装置の製造方法において、粘着層２の外周部１２１をウエハリングで固定できる形状となっていれば如何なる形状のものであってもよい。具体的には、打ち抜く形状としては、例えば、上述した円形状の他、楕円状、俵型状のような長円状や、四角形状、五角形状のような多角形状等が挙げられる。
【０１６０】
［３Ｂ］次に、基材４上に形成された粘着層２に対して、セパレーター１を積層することにより、粘着層２がセパレーター１で被覆された粘着テープ１００を得る（図４（ｃ）参照。）。
【０１６１】
粘着層２にセパレーター１を積層する方法としては、特に制限されないが、例えば、ロールを用いたラミネート方法、プレスを用いたラミネート方法を用いることができる。これらの中でも、連続的に生産できるという生産性の観点から、ロールを用いたラミネート方法が好ましい。
【０１６２】
なお、セパレーター１としては、特に限定されないが、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタラートフィルム等が挙げられる。
【０１６３】
また、セパレーター１は、粘着テープ１００の使用時に剥がされるために、表面に離型処理が施されたものを使用してもよい。離型処理としては離型剤をセパレーター１表面にコーティングする処理や、セパレーター１表面に細かい凹凸をつける処理等が挙げられる。なお、離型剤としては、シリコーン系、アルキッド系、フッ素系等のものが挙げられる。
【０１６４】
以上のような工程を経て、セパレーター１で被覆された粘着テープ１００を形成することができる。
【０１６５】
なお、本実施形態で製造されたセパレーター１で被覆された粘着テープ１００は、前述した粘着テープ１００を用いた半導体装置の製造方法において、粘着テープ１００をセパレーター１から剥離した後に使用される。
【０１６６】
また、セパレーター１が被覆する粘着層２から、このセパレーター１を剥がす際には、粘着層２の面に対してセパレーター１を９０度以上１８０度以下の角度で剥離を行うことが好ましい。セパレーター１を剥離する角度を前記範囲とすることで、粘着層２とセパレーター１との界面以外での剥離を確実に防止することができる。
【０１６７】
なお、本実施形態では、半導体装置１０を、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）に適用し、かかる構成の半導体装置１０を、粘着テープ１００を用いて製造する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種の形態の半導体パッケージの製造に、粘着テープ１００を適用することができ、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージ等のメモリやロジック系素子に適用することができる。
【０１６８】
また、本実施形態では、本発明の粘着テープを、１２インチのような大型の半導体用ウエハのダイシングおよび得られた切断片のピックアップに用いる場合について説明したが、当然、１２インチの半導体用ウエハに代えて８インチのような小型の半導体用ウエハにも適用できることは言うまでもないし、１２インチよりも大型の１８インチの半導体用ウエハにも適用できる。
【０１６９】
以上、本発明の粘着テープについて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１７０】
例えば、本発明の粘着テープが備える各層には、同様の機能を発揮し得る、任意の成分が添加されていてもよい。
【０１７１】
また、本発明の粘着テープが備える各層の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０１７２】
また、本発明は、粘着テープが貼付された半導体用ウエハをダイシングすることで、切断片として半導体チップを得る場合に限らず、静電気が生じることで不具合（静電気によるダスト吸着など）が生じる電子基板加工用途にも、本発明の粘着テープを適用することができる。本発明の粘着テープにより貼付される電子基板としては、上述した半導体用ウエハの他に、例えば、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラスなどのガラス基板、アルミナ、窒化ケイ素、酸化チタンなどのセラミック基板、アクリル、ポリカーボネート、ゴムなどの樹脂材料基板、金属材料基板等が挙げられる。
【０１７３】
また、本発明は、半導体用ウエハをダイシングするための加工に限らず、半導体封止連結体または半導体基板を薄厚化する薄厚工程時、半導体封止連結体を保管する保管工程時、基板を用いて得られた部品を載せ替えや転写するピックアップ工程時、基板として貼付された部品を輸送する輸送工程時などの各種工程においても、基板および部品のうちの少なくとも１種を仮固定して用いることができる。
【０１７４】
＜粘着テープ用基材＞
本発明の粘着テープ用基材は、図３の粘着テープ１００を構成する基材４であり、この基材４の一方の面に積層された粘着層２と組み合わせて使用される。
【０１７５】
基材４は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超であり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下であることを特徴とする。
【０１７６】
基材４の粘着層２が積層された一方の面と反対の他方の面側の表面抵抗率と、基材４の体積抵抗率をかかる範囲内に設定することで、前記貼付工程［２Ａ］、前記ダイシング工程［３Ａ］、および、前記ピックアップ工程［５Ａ］等において、半導体チップ２０に静電気が発生するのを的確に抑制または防止することができる。そのため、静電気が放電することに起因して、半導体チップがダメージを受け、その結果、半導体チップ２０の特性の低下、さらには半導体チップ２０の破損を招くのを、的確に抑制または防止することができる。
【０１７７】
本発明の粘着テープ用基材の樹脂材料・製造方法等は、前記基材４と同様のものを使用することができ、前記記載内容を準用するものとする。
【実施例】
【０１７８】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
なお、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。
【０１７９】
１．原材料の準備
まず、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープの製造に用いた原材料を以下に示す。
【０１８０】
（樹脂材料１）
樹脂材料１として、ポリプロピレン（住友化学社製、「ＦＳ２０１１ＤＧ３」）を用意した。
【０１８１】
（導電性材料１）
導電性材料１（高分子型帯電防止剤）として、ペレスタット３００（三洋化成社製）を用意した。
【０１８２】
（導電性材料２）
導電性材料２として、イオン液体（広栄化学社製、品番：IL-A2）を用意した。
【０１８３】
（導電性材料３）
導電性材料３として、ポリチオフェン（荒川化学社製、品番：アラコートAS625）を用意した。なお、ＡＳ６２５中には、導電性材料の他、高分子バインダーとして、アクリル系樹脂を含有する。
【０１８４】
（ベース樹脂１）
ベース樹脂１として、第１の共重合体を１０重量部と、第２の共重合体を９０重量部とからなるものを用意した。なお、第１の共重合体としては、アクリル酸ブチル７０重量部と、アクリル酸２−エチルヘキシル２５重量部と、酢酸ビニル５重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が５０００００の共重合体を用いた。また、第２の共重合体としては、アクリル酸２−エチルヘキシル５０重量部と、アクリル酸ブチル１０重量部と、酢酸ビニル３７重量部と、メタクリル酸２−ヒドロキシエチル３重量部とを共重合させて得られた重量平均分子量が３０００００の共重合体を用いた。
【０１８５】
（硬化性樹脂１）
硬化性樹脂１として、１５官能のオリゴマーのウレタンアクリレート（Ｍｉｗｏｎ  Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ社製、品番：Ｍｉｒａｍｅｒ  ＳＣ２１５２）を用意した。
【０１８６】
（架橋剤１）
架橋剤１として、ポリイソシアネート（日本ポリウレタン工業株式会社製、品番：コロネートＬ）を用意した。
【０１８７】
（光重合開始剤１）
光重合開始剤１として、ベンジルジメチルケタール（チバスペシャルティケミカルズ株式会社製、品番：イルガキュア６５１）を用意した。
【０１８８】
２．粘着テープの作製
［実施例１］
樹脂材料１（８７重量部）と、導電性材料１（１３重量部）とを２軸混練機で混練し、その後、混練したものを押出し機で押し出し、乾燥させた後に、ＭＤに延伸倍率１０１％で延伸する１軸延伸を施すことで、厚さ１５０μｍの基材４を作製した。
【０１８９】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成して実施例１の粘着テープ１００を得た。
【０１９０】
［実施例２］
樹脂材料１（８７重量部）と、導電性材料１（１３重量部）とを２軸混練機で混練し、その後、混練したものを押出し機で押し出し、乾燥させた後に、ＭＤに延伸倍率１０１％で延伸する１軸延伸を施すことで、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９１】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成して実施例２の粘着テープ１００を得た。
【０１９２】
［実施例３］
樹脂材料１（８０重量部）と、導電性材料１（２０重量部）とを２軸混練機で混練し、その後、混練したものを押出し機で押し出し、乾燥させた後に、ＭＤに延伸倍率１０１％で延伸する１軸延伸を施すことで、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９３】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成して実施例３の粘着テープ１００を得た。
【０１９４】
［実施例４］
樹脂材料１（７７重量部）と、導電性材料１（２３重量部）とを２軸混練機で混練し、その後、混練したものを押出し機で押し出し、乾燥させた後に、ＭＤに延伸倍率１０１％で延伸する１軸延伸を施すことで、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９５】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成して実施例４の粘着テープ１００を得た。
【０１９６】
［比較例１］
樹脂材料１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９７】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）および光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが２０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成して比較例１の粘着テープ１００を得た。
【０１９８】
［参考例１］
樹脂材料１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０１９９】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）、光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）および、導電性材料２（ベース樹脂１００重量部に対して１２重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成した。
【０２００】
次に、導電性材料３を、乾燥後の帯電防止層の厚さが０．３μｍになるようにして基材４の他方の面にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の他方の面に帯電防止層を形成することで参考例１の粘着テープ１００を得た。
【０２０１】
［参考例２］
樹脂材料１を押出し機で押し出して、厚さ１００μｍの基材４を作製した。
【０２０２】
次に、ベース樹脂１（１００重量部）、硬化性樹脂１（ベース樹脂１００重量部に対して１４０重量部）、架橋剤１（ベース樹脂１００重量部に対して５重量部）、光重合開始剤１（ベース樹脂１００重量部に対して３重量部）および、導電性材料２（ベース樹脂１００重量部に対して７重量部）が配合された樹脂組成物を含有する液状材料を作製した。この液状材料を、乾燥後の粘着層２の厚さが１０μｍになるようにして基材４にバーコート塗工した後、８０℃で１０分間乾燥させて、基材４の一方の面に粘着層２を形成することで参考例２の粘着テープ１００を得た。
【０２０３】
３．評価
得られた各実施例、比較例および各参考例の粘着テープを、以下の方法で評価した。
【０２０４】
３−１．基材の体積抵抗率の評価
各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、粘着層２に対する紫外線照射前後における基材４の体積抵抗率を、それぞれ、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１に従って、体積抵抗値測定装置（アドバンテスト社製、「Ｒ１２７０２Ｂ」）を用いて測定した。
【０２０５】
なお、粘着層２の紫外線照射による硬化は、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射することにより行った。
【０２０６】
３−２．基材の表面抵抗率の評価
各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、粘着層２に対する紫外線照射前後における、基材４の粘着層２側である一方の面側の表面抵抗率ならびに基材４の他方の面側の表面抵抗率を、それぞれ、ＩＥＣ−６１３４０に従って、表面抵抗値測定装置（トレック・ジャパン社製、「１５２Ｐ−ＣＲ」）を用いて測定した。
【０２０７】
なお、粘着層２の紫外線照射による硬化は、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射することにより行った。
【０２０８】
３−３．半導体用ウエハからの引き剥がし後におけるピーク電位の評価
各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、幅２０ｍｍとしたものを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で粘着層２に紫外線を照射した後に、粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときに前記シリコンウエハにおいて測定されるピーク電位を、電圧計（Prostat社製「CVM-780」）のプローブを、粘着テープが引き剥がされた前記シリコンウエハに配置することで測定した。
【０２０９】
そして、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、測定されたピーク電位から、以下の基準にしたがって評価した。
【０２１０】
◎：ピーク電位が              １６Ｖ以下であった。
○：ピーク電位が  １６Ｖ超、  ４０Ｖ以下であった。
△：ピーク電位が  ４０Ｖ超、  ８０Ｖ以下であった。
×：ピーク電位が  ８０Ｖ超              であった。
【０２１１】
３−４．半導体用ウエハからの引き剥がし後における減衰後電位の評価
各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、幅２０ｍｍとしたものを、長さ４インチ以上６インチ以下のシリコンウエハの切片に貼付して、３ｈｒ放置し、その後、紫外線照度：５５Ｗ／ｃｍ２、紫外線照射量：２００ｍｊ／ｃｍ２の条件で粘着層２に紫外線を照射した後に、粘着テープの一端を持ち、温度２４℃、湿度４０％Ｒｈの条件下において１８０°の方向に３００ｍｍ／分の速度で引き剥がし、４０ｓｅｃ放置した後に前記シリコンウエハにおいて測定される減衰後電位を、電圧計（Prostat社製「CVM-780」）のプローブを、粘着テープを引き剥がした４０ｓｅｃ後に前記シリコンウエハに配置することで測定した。
【０２１２】
そして、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、測定された減衰後電位から、以下の基準にしたがって評価した。
【０２１３】
◎：減衰後電位が                １．５Ｖ以下であった。
○：減衰後電位が  １．５Ｖ超、  ５．０Ｖ以下であった。
△：減衰後電位が  ５．０Ｖ超、    １０Ｖ以下であった。
×：減衰後電位が    １０Ｖ超                であった。
【０２１４】
３−５．半導体チップの動作性の評価
半導体チップが作り込まれた半導体用ウエハを用意し、半導体用ウエハの半導体チップが作り込まれている面側に、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープ１００を、粘着層２を半導体用ウエハ側にして固定した。その後、半導体用ウエハを厚さ方向に基材４の途中に到達するまで切断して個片化することで縦６ｍｍ×横６ｍｍの大きさの複数の半導体チップを得た後、６０℃で基材４の面方向に粘着テープ１００を１２０％の大きさにまで、粘着テープ１００を放射状に伸ばした状態で、粘着層２に紫外線を照射することでエネルギーを付与して粘着層２を硬化させた。
【０２１５】
次いで、半導体チップを、ニードルを用いて突き上げた状態を維持しつつ、真空コレットによる吸着により、半導体チップをピックアップし、その後、この半導体チップの動作確認を行った。
【０２１６】
以上のような、吸着による半導体チップのピックアップを、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、１０００個ずつ繰り返して実施した。
【０２１７】
そして、各実施例、比較例および各参考例の粘着テープについて、それぞれ、ピックアップされた半導体チップの動作確認の結果を、以下の基準にしたがって評価した。
【０２１８】
◎：１０００個の半導体チップのうち、
１つの半導体チップにおいても動作不良が認められなかった
〇：１０００個の半導体チップのうち、
１〜２個の半導体チップにおいて動作不良が認められた
×：１０００個の半導体チップのうち、
３〜５個の半導体チップにおいて動作不良が認められた
以上のようにして実施した、各種評価の評価結果を表１に示す。
【０２１９】
【表１】
0006733804.tif 000004
【０２２０】
表１に示したように、各実施例の粘着テープでは、基材４の粘着層２と反対側の面の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超、かつ、基材４の体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下に設定されており、これにより、半導体用ウエハの貼付時における半導体用ウエハ７での静電気の発生を抑制することができ、ピックアップされた半導体チップの動作不良の発生を的確に抑制または防止し得る結果を示した。
【０２２１】
これに対して、比較例の粘着テープでは、基材４の粘着層２と反対側の面の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超となっているものの、基材４の体積抵抗率を１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下に設定することができず、そのため、半導体用ウエハの貼付時に半導体用ウエハ７において静電気が生じ、これに起因して、ピックアップされた半導体チップの動作不良が生じる結果を示した。
【符号の説明】
【０２２２】
１        セパレーター
２        粘着層
４        基材
７        半導体用ウエハ
９        ウエハリング
１０      半導体装置
２０      半導体チップ
２１      電極パッド
２２      ワイヤー
３０      ダイパッド
４０      リード
５０      モールド部
６０      接着層
１００    粘着テープ
１２１    外周部
１２２    中心部
【要約】
【課題】貼付した基板に静電気が生じることを的確に抑制または防止することができる粘着テープ、および、この粘着テープを得る際に用いる粘着テープ用基材を提供すること。
【解決手段】本発明の粘着テープ１００は、樹脂材料と、導電性材料とを含有する基材４と、この基材４の一方の面に積層された粘着層２と、を備える積層体により構成されたものであり、基材４は、その他方の面側の表面抵抗率が１．０×１０８（Ω／□）超となり、かつ、その体積抵抗率が１．０×１０１６（Ω・ｍ）以下となっている。
【選択図】図３【図１】
0006733804.tif 000005
【図２】
0006733804.tif 000006
【図３】
0006733804.tif 000007
【図４】
0006733804.tif 000008