(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１検知体と、
第２検知体と、
前記第１検知体及び前記第２検知体の一方の端部に接続された第１電極と、
前記第１検知体及び前記第２検知体の他方の端部に接続された第２電極と、
前記第１検知体の中間に設けられた第１中間電極と、
前記第２検知体の中間に設けられた第２中間電極と、
前記第１検知体の前記第１電極から前記第１中間電極までの部分を検知対象ガスに接触しないように被覆する第１被覆部と、
前記第２検知体の前記第２電極から前記第２中間電極までの部分を検知対象ガスに接触しないように被覆する第２被覆部と、
前記第１中間電極の電位、前記第２中間電極の電位、及び、前記第１中間電極の電位と前記第２中間電極の電位との間の電位差を測定する電位差計とを備え、
前記第１中間電極と前記第２中間電極とは、前記第１電極と前記第２電極との間に延びている前記第１検知体及び前記第２検知体の長さ方向に沿って、互いに位置がずれていることを特徴とする抵抗変化型ガスセンサ。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極との間に定電圧を供給する定電圧電源を備えることを特徴とする、請求項１に記載の抵抗変化型ガスセンサ。
【請求項３】
前記第１検知体及び前記第２検知体は、銅又は銀の化合物であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の抵抗変化型ガスセンサ。
【請求項４】
前記第１電極は、前記第１検知体の一方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の一方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、
前記第２電極は、前記第１検知体の他方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の他方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、
前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第１切替スイッチと、
前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第２切替スイッチとを備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の抵抗変化型ガスセンサ。
【請求項５】
前記第１切替スイッチによって前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にし、かつ、前記第２切替スイッチによって前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にした状態で、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が低電位側、前記第２電極が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が高電位側、前記第２電極が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部を備えることを特徴とする、請求項４に記載の抵抗変化型ガスセンサ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の抵抗変化型ガスセンサと、
前記抵抗変化型ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備えることを特徴とする情報処理システム。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の抵抗変化型ガスセンサと、
前記抵抗変化型ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備え、
前記抵抗変化型ガスセンサは、前記第１電極が、前記第１検知体の一方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の一方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、前記第２電極が、前記第１検知体の他方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の他方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第１切替スイッチと、前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第２切替スイッチとを備え、
前記コンピュータは、前記第１切替スイッチによって前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にし、かつ、前記第２切替スイッチによって前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にした状態で、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が低電位側、前記第２電極が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が高電位側、前記第２電極が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部を備えることを特徴とする情報処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、抵抗変化型ガスセンサ及び情報処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一般に用いられているガスセンサには、電極間に固体電解質を配置して、電位差測定を行なうようにした形式のもの、対象ガスとの接触によって電気抵抗が変化する物質（例えば酸化物半導体）を検知体に用いる抵抗変化形式のものなどがある。
これらの形式にはそれぞれ長所があるが、基準電極を必要とせず、より簡便な、抵抗変化型が広く用いられるようになっている。
【０００３】
抵抗変化型ガスセンサの動作原理は、検知対象ガスと接触した検知体中のキャリア（電子又は正孔）の濃度が変化することを利用している。
つまり、大気中の検知対象ガス濃度と、検知体表面の単位面積当たりの検知対象ガスの量とが１対１の関係にあり、さらに、後者と検知体中のキャリア濃度、したがって検知体の電気抵抗の間にも１対１の関係が成立するために、電気抵抗の変化を観測することで、検知対象ガスの濃度を知ることができる。
【０００４】
抵抗変化型ガスセンサの応答は、抵抗の変化として観測しても良いが、例えば図１０に示すように、可変抵抗として機能する検知体に直列に固定抵抗を接続し、全体に一定電圧を印加して、検知体の両端の端子間電位差を観測しても良く、電位差を測定する方が、実用上は測定が容易である。
また、上述のような抵抗変化を電位差変化に変換する構成において、応答の線形性を改善し、測定をより正確に行なうために、検知体と固定抵抗を直列に接続した構造を並列接続し、検知体の端子間電位差を加算する又は平均を算出するという技術も提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭５５−１３７３３４号公報
【特許文献２】特開昭６２−１７４６４４号公報
【特許文献３】特開２００５−２４５１３号公報
【特許文献４】特開２００４−８５５４９号公報
【特許文献５】特開昭６３−６６４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の抵抗変化型ガスセンサの検知体に用いる材料の抵抗変化率は、検知対象ガスの濃度がｐｐｍオーダの場合に数％程度であり、例えば呼気中に含まれる代謝関連ガス種の濃度（ｐｐｂオーダ）に対応することは困難である。
本発明は、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの態様では、抵抗変化型ガスセンサは、第１検知体と、第２検知体と、第１検知体及び第２検知体の一方の端部に接続された第１電極と、第１検知体及び第２検知体の他方の端部に接続された第２電極と、第１検知体の中間に設けられた第１中間電極と、第２検知体の中間に設けられた第２中間電極と、第１検知体の第１電極から第１中間電極までの部分を検知対象ガスに接触しないように被覆する第１被覆部と、第２検知体の第２電極から第２中間電極までの部分を検知対象ガスに接触しないように被覆する第２被覆部と、第１中間電極の電位、第２中間電極の電位、及び、第１中間電極の電位と第２中間電極の電位との間の電位差を測定する電位差計とを備え、第１中間電極と第２中間電極とは、第１電極と第２電極との間に延びている第１検知体及び第２検知体の長さ方向に沿って、互いに位置がずれている。
【０００８】
１つの態様では、情報処理システムは、上述の抵抗変化型ガスセンサと、抵抗変化型ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備える。
１つの態様では、情報処理システムは、上述の抵抗変化型ガスセンサと、抵抗変化型ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備え、抵抗変化型ガスセンサは、第１電極が、第１検知体の一方の端部に接続された第１検知体側部分と、第２検知体の一方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、第２電極が、第１検知体の他方の端部に接続された第１検知体側部分と、第２検知体の他方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、第１電極の第１検知体側部分と第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第１切替スイッチと、第２電極の第１検知体側部分と第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第２切替スイッチとを備え、コンピュータは、第１切替スイッチによって第１電極の第１検知体側部分と第２検知体側部分とを非接続にし、かつ、第２切替スイッチによって第２電極の第１検知体側部分と第２検知体側部分とを非接続にした状態で、第１検知体及び第２検知体に第１電極が低電位側、第２電極が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された第１中間電極の電位及び第２中間電極の電位と、第１検知体及び第２検知体に第１電極が高電位側、第２電極が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された第１中間電極の電位及び第２中間電極の電位と、第１検知体及び第２検知体の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部を備える。
【発明の効果】
【０００９】
１つの側面として、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることができるという効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態にかかるガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの構成を示す模式的平面図である。
【図２】本実施形態にかかるガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの構成を示す模式的平面図である。
【図３】本実施形態にかかるガスセンサに備えられるガスセンサデバイスにおいて、各検知体の被覆領域同士、非被覆領域同士の単位長さあたりの抵抗が等しく、かつ、ｘ／ｌ＝０．５、ｙ／ｘ＝０．４５である場合の非被覆領域の抵抗変化率と中間電極の電位差（Ｖ２−Ｖ１）の変化率との関係を示す図である。
【図４】本実施形態にかかるガスセンサに備えられるガスセンサデバイスにおいて、ｘ／ｌとｙ／ｌとの組み合わせによって得られる中間電極の電位差（Ｖ２−Ｖ１）の変化率の非被覆領域の抵抗変化率に対する比を示す図である。
【図５】本実施形態にかかるガスセンサにおいて校正を行なう場合の構成及び校正方法を説明するための模式図であって、電源との接続方向が順方向である場合を示す図である。
【図６】本実施形態にかかるガスセンサにおいて校正を行なう場合の構成及び校正方法を説明するための模式図であって、電源との接続方向が逆方向である場合を示す図である。
【図７】本実施形態にかかるガスセンサにおける校正手順を示すフローチャートである。
【図８】本実施形態にかかる情報処理システムの構成例を示す模式図である。
【図９】本実施形態にかかる情報処理システムの構成例を示す模式図である。
【図１０】抵抗変化型ガスセンサの応答信号を電圧信号に変換する典型的な回路構成を示す図である。
【図１１】図１０に示す構成において、固定抵抗値がガスと非接触状態にある検知体の抵抗値の１０倍である場合の検知体の抵抗変化率と電位差変化率との関係を示す図である。
【図１２】図１０に示す構成において、固定抵抗値とガスと非接触状態にある検知体の抵抗値との比と検知体の抵抗値が１０％増加したときの電位差変化率との関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるガスセンサ及び情報処理システムについて、図１〜図１２を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるガスセンサは、抵抗変化型ガスセンサであって、大気中の化学物質を検知（測定）するガスセンサ、特に、人間の呼気を始めとする人間の排出ガスに含まれ、健康状態を反映する化学物質を検知する高感度ガスセンサである。
【００１２】
本実施形態のガスセンサは、図１に示すように、ガスセンサデバイス１を備え、このガスセンサデバイス１は、第１検知体２と、第２検知体３と、第１電極４と、第２電極５と、第１中間電極６と、第２中間電極７と、第１被覆部８と、第２被覆部９とを備える。
ここで、第１検知体２及び第２検知体３は、検知対象ガスを検知するガス検知体である。
【００１３】
なお、これらの第１検知体２及び第２検知体３に用いる材料（検知材料）は、原理的な意味での制限はない。
しかし、人間の呼気に含まれる代謝関連物質のうち、健康状態に関連する指標として重視されているアンモニアに対して強く応答する検知材料を用いることで、健康状態のモニタリングを行なう上で、重要な役割を担うセンサデバイスを実現することができる。
【００１４】
このため、高感度という特徴を生かす上で、アンモニアに対して強く応答する検知材料を用いるのが好適である。
ここで、アンモニアに対して強い応答を示す検知材料の具体例としては、ｐ型半導体である臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ；臭化第１銅）、酸化銅（Ｉ）(Ｃｕ２Ｏ；酸化第１銅)、硫化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｓ；硫化第１銅）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）、硫化銀（Ａｇ２Ｓ）などの銅又は銀の化合物を挙げることができる。
【００１５】
このように、第１検知体２及び第２検知体３は、銅又は銀の化合物であることが好ましく、特に、臭化第一銅、酸化第一銅、硫化第一銅、酸化銀、臭化銀、硫化銀からなる群から選ばれるいずれか一種であることが好ましい。なお、ハロゲン化銀やハロゲン化銅であっても良い。
ここでは、第１検知体２及び第２検知体３に同一構成の検知体を二つ一組として用いる。
【００１６】
また、第１検知体２及び第２検知体３の一方の端部に第１電極４が接続されており、第１検知体２及び第２検知体３の他方の端部に第２電極５が接続されている。そして、第１電極４及び第２電極５は、図２に示すように、電源（ここでは定電圧電源）１０に接続されている。
つまり、第１検知体２及び第２検知体３の両端に、電源１０に接続される第１電極４及び第２電極５が接続されており、第１検知体２及び第２検知体３は並列接続されている。
【００１７】
ここでは、第１電極４は、電源１０の低電圧側（ここではグランド；ＧＮＤ）に接続されており、第２電極５は、電源１０の高電圧側（ここではＶ０）に接続されている。このため、第１電極４を低電圧側電極ともいい、第２電極５を高電圧側電極ともいう。なお、定電圧電源を定電圧電流源ともいう。また、第１電極４及び第２電極５は、電源１０に接続される電極であるため、電源接続用電極ともいう。
【００１８】
また、第１検知体２の中間に第１中間電極６が設けられており、第２検知体３の中間に第２中間電極７が設けられている。そして、これらの第１中間電極６と第２中間電極７との間の電位差を測定することによって、検知対象ガスの検知（検出動作）を行なうようになっている。
なお、第１中間電極６及び第２中間電極７は、電位差（即ち、第１検知体２及び第２検知体３の抵抗変化に応じた電位差）を測定するために用いられる電極であるため、測定用電極ともいう。
【００１９】
また、第１検知体２の第１電極４から第１中間電極６までの部分が第１被覆部８によって被覆されており、第２検知体３の第２電極５から第２中間電極７までの部分が第２被覆部９によって被覆されている。なお、被覆部をカバーともいう。
なお、これらの被覆部８、９は、検知対象ガスが通過して検知体２、３に接触しないように検知体２、３を覆っていれば良く、その材料に特に制限はなく、例えば有機材料であっても良いし、無機材料であっても良い。また、これらの被覆部８、９の材料は絶縁性材料であることが好ましい。
【００２０】
このように、各検知体２、３の途中に中間電極６、７が一つずつ設けられている。そして、一方の第１検知体２は、電源１０の低電圧側に接続された第１電極４からその途中に設けられた中間電極６までが、検知対象ガスに接触しないように第１被覆部８によって被覆されている。
また、他方の第２検知体３は、電源１０の高電圧側に接続された第２電極５からその途中に設けられた中間電極７までが、検知対象ガスに接触しないように第２被覆部９によって被覆されている。
【００２１】
特に、第１中間電極６と第２中間電極７とは、第１電極４と第２電極５との間に延びている第１検知体２及び第２検知体３の長さ方向に沿って、互いに位置がずれている。これにより、実質的に信号増幅機能を持つことになり、ガスセンサデバイス１、ひいては、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることが可能となる。
特に、第１電極４と第１中間電極６との間の距離をｘとし、第１電極４と第２電極５との間の距離から第１中間電極６が設けられている領域の長さを引いた距離をｌとし、第２電極５と第２中間電極７との間の距離をｙとした場合に、９．５／（０．６＋（ｘ／ｌ））−５．８＜ｙ／ｌ＜０．９８−０．９５（ｘ／ｌ）２の関係を満たすように、第１中間電極６及び第２中間電極７の位置が設定されていることが好ましい。これにより、確実に信号増幅機能を持つことになり、ガスセンサデバイス１、ひいては、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることができる。
【００２２】
なお、ここでは、第１検知体２の第１電極４から第１中間電極６までの部分が第１被覆部８によって被覆されているため、距離ｘは、第１被覆部８によって被覆されている領域の第１電極４（低電位側電極）と第１中間電極６との間の距離である。また、距離ｌは、第１検知体２の第１電極４と第２電極５の間に挟まれた領域の長さから、第１中間電極６と重なる長さを引いた長さである。また、第２検知体３の第２電極５から第２中間電極７までの部分が第２被覆部９によって被覆されているため、距離ｙは、第２被覆部９によって被覆されている領域の第２電極５（高電位側電極）と第２中間電極７との間の距離である。
【００２３】
また、本実施形態では、ガスセンサは、上述のように構成されるガスセンサデバイス１に加え、図２に示すように、第１中間電極６の電位、第２中間電極７の電位、及び、第１中間電極６の電位と第２中間電極７の電位との間の電位差を測定する電位差計１１を備える。
また、本実施形態では、ガスセンサは、上述のように構成されるガスセンサデバイス１に加え、電源１０として、第１電極４と第２電極５との間に定電圧を供給する定電圧電源を備える。
【００２４】
なお、ガスセンサを、電位差計１１や電源１０を備えないものとして構成し、ガスセンサとは別に設けられた電位差計や電源（外部電源）を、ガスセンサ（ガスセンサデバイス１）に接続するようにしても良い。
ところで、上述のように構成しているのは、以下の理由による。
抵抗変化型ガスセンサの検知体（ガス検知体）に用いることができる材料は、酸化物半導体以外にも数多く知られており、目的に応じて材料を適切に選ぶことで、様々のガス種の検出を行なうことが可能である。
【００２５】
しかしながら、ほとんどの場合、検知体に用いる材料の抵抗変化率は、検知対象ガスの濃度がｐｐｍオーダの場合に数％程度であり、例えば呼気中に含まれる代謝関連ガス種の濃度（ｐｐｂオーダ）に対応することは困難である。
このため、抵抗変化量の絶対値を増やすために印加電圧を増やすことになるが、検知体に用いる材料の特性と消費電流の両面から適用可能な印加電圧の範囲に制約が加わることになる。
【００２６】
また、電位差を測定する装置（電位差計）の入力インピーダンスによって、検知体の抵抗値の上限に制約が加わることもある。
これらの制約と電位差を測定する装置の測定分解能によって、ガスセンサとしての検出下限が決定されることになるため、ガスセンサの感度を向上させるには、検知体に用いる材料そのものを、より検出応答特性が優れたものに変えるしかない。
【００２７】
また、図１０に示した典型的な構成では、固定抵抗と検知体の抵抗値が取りうる範囲との関係によって、電位差信号の大きさが変化するが、検知体の抵抗変化率と電位差信号の変化率との関係には、一定の制約がある。
まず、図1０に示した構成の場合、電位差信号と検知体の抵抗値には、以下の関係が成立する。
【００２８】
観測される電位差＝Ｖ×検知体の抵抗値／（固定抵抗値＋検知体の抵抗値）・・・（１）
ここで、図１１は、固定抵抗の抵抗値（固定抵抗値）が、検知体がガスと非接触の状態にある場合の検知体の抵抗値の１０倍である場合の検知体の抵抗変化率と電位差変化率との関係を示している。
【００２９】
図１１に示したように、固定抵抗の抵抗値が検知体の抵抗値に対して高い場合には、検知体の抵抗変化率に対して電位差変化率は線形に近い。
そして、図１２に示すように、電位差変化率の検知体の抵抗変化率に対する比は１が上限である。
現実には、電位差を正確に測定するためには、固定抵抗の抵抗値を、電位差を測定する装置（電位差測定器）の入力インピーダンスに対して相当小さくする必要があるため、電位差変化率が検知体の抵抗変化率よりも幾分小さくなる条件で測定を行なうことになる。
【００３０】
そこで、簡便な構成により、検知体に用いる材料を変更することなく、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図るために、上述のように構成している。
ところで、後述するようにしてガスセンサデバイス１の校正を行なう場合には、ガスセンサデバイス１及びこれを備えるガスセンサを、以下のように構成するのが好ましい。
つまり、図５、図６に示すように、ガスセンサデバイス１の第１電極４を、第１検知体２の一方の端部に接続された第１検知体側部分４Ａと、第２検知体３の一方の端部に接続された第２検知体側部分４Ｂとを備えるものとし、第２電極５を、第１検知体２の他方の端部に接続された第１検知体側部分５Ａと、第２検知体３の他方の端部に接続された第２検知体側部分５Ｂとを備えるものとし、第１電極４の第１検知体側部分４Ａと第２検知体側部分４Ｂとの接続・非接続を切り替える第１切替スイッチ１２と、第２電極５の第１検知体側部分５Ａと第２検知体側部分５Ｂとの接続・非接続を切り替える第２切替スイッチ１３とを備えるものとするのが好ましい。これにより、ガスセンサデバイス１の校正を行なう場合に、検知体２、３ごとに、その両端に設けられた電極４Ａ、４Ｂ、５Ａ、５Ｂから独立に電圧を印加することが可能となる。
【００３１】
そして、ガスセンサを、第１切替スイッチ１２によって第１電極４の第１検知体側部分４Ａと第２検知体側部分４Ｂとを非接続にし、かつ、第２切替スイッチ１３によって第２電極５の第１検知体側部分５Ａと第２検知体側部分５Ｂとを非接続にした状態で、第１検知体２及び第２検知体３に第１電極４が低電位側、第２電極５が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された第１中間電極６の電位及び第２中間電極７の電位と、第１検知体２及び第２検知体３に第１電極４が高電位側、第２電極５が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された第１中間電極６の電位及び第２中間電極７の電位と、第１検知体２及び第２検知体３の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部１４を備えるものとするのが好ましい。
【００３２】
このように、各検知体２、３に対して、順方向の電圧を印加した場合の各中間電極６、７の電位と、逆方向の電圧を印加した場合の各中間電極６、７の電位と、第１検知体２及び第２検知体３の全体の抵抗値とを用いて、ガスセンサデバイス１の測定値の校正を行なうようにするのが好ましい。
この場合、ガスセンサを、上述のように構成されるガスセンサデバイス１に加え、例えばＣＰＵ２０などのプロセッサ等を備えるコンピュータ２１を備えるものとすれば良い。そして、ガスセンサデバイス１に接続されたコンピュータ２１によって、ガスセンサデバイス１によって測定された測定値を校正するようにすれば良い。この場合、ガスセンサに備えられるコンピュータ２１が、上述の校正部１４としての機能を有することになる。
【００３３】
なお、ここでは、ガスセンサが校正部１４を備えるものとしているが、これに限られるものではなく、例えばガスセンサに接続されたコンピュータが校正部１４を備えるものとしても良い。
つまり、図８に示すように、上述のガスセンサデバイス１を備えるガスセンサ１５を、例えばパーソナルコンピュータなどのコンピュータ１６に接続し、ガスセンサ１５によって測定された測定値がコンピュータ１６へ送られるようにし、ガスセンサ１５に接続されたコンピュータ１６によって、ガスセンサ１５によって測定された測定値を校正するようにしても良い。
【００３４】
また、ガスセンサ１５によって得られたデータ（情報）をコンピュータ１６で処理して、化学物質の濃度を示す指標あるいは疾病の有無等を、コンピュータ１６の画面上に表示させるようにしても良い。
この場合、このようなデータ処理（情報処理）を行なう情報処理システム１９は、上述のガスセンサデバイス１を備えるガスセンサ１５と、ガスセンサ１５に接続され、ガスセンサ１５によって得られたデータを処理するコンピュータ１６とを備えるものとなる。
【００３５】
また、図９に示すように、上述のように構成されるガスセンサデバイス１を備えるガスセンサ１５を、ネットワーク１７を介して接続された、例えばサーバなどのコンピュータ１８に接続し、ガスセンサ１５によって測定された測定値がコンピュータ１８へ送られるようにし、ガスセンサ１５に接続されたコンピュータ１８によって、ガスセンサ１５によって測定された測定値を校正するようにしても良い。
【００３６】
また、ガスセンサ１５によって得られたデータ（情報）を、ネットワーク１７を介して収集し、蓄積して、データベースを構築したり、これらのデータを解析し、その結果をフィードバックしたりすることも可能である。
これにより、疾病のスクリーニング精度の向上、他の疾病との相関性の有無の調査などに有効に活用されることになり、また、多大な労力を要することなく、測定結果をフィードバックすることが可能となる。例えば、呼気の被測定者の癌の有無、あるいは他の疾病との相関を解析することで、スクリーニング精度の向上や他の疾病のスクリーニングへの展開が可能となる。
【００３７】
この場合、このようなデータ処理（情報処理）を行なう情報処理システム１９は、上述のガスセンサデバイス１を備えるガスセンサ１５と、ガスセンサ１５にネットワーク１７を介して接続され、ガスセンサ１５によって得られたデータを処理するサーバ（コンピュータ）１８とを備えるものとなる。
以下、本実施形態のガスセンサの動作を説明する。
【００３８】
ここでは、上述のガスセンサに備えられる第１検知体２及び第２検知体３の両端に設けられた電極間の電位差をＶ０、第１検知体２の両端電極間の距離から第１中間電極６と重なる長さを引いた距離をｌ、第２検知体３の両端電極間の距離から第２中間電極７と重なる長さを引いた距離をｌ′と定義する。なお、検知体２、３は、可変抵抗として働くため、抵抗体ともいう。
【００３９】
また、第１検知体２において、第１被覆部８における単位長さあたりの抵抗をＲ１、第１電極４から第１中間電極６までの距離をｘ、第１中間電極６の電位をＶ１、第１被覆部８によって被覆されていない部分（非被覆部分）の単位長さあたりの抵抗をＲと定義する。
また、第２検知体３において、第２被覆部９における単位長さあたりの抵抗をＲ２、第２電極５から第２中間電極７までの距離をｙ、第２中間電極７の電位をＶ２、第２被覆部９によって被覆されていない部分（非被覆部分）の単位長さあたりの抵抗をＲ′と定義する。
【００４０】
ここでは、第１検知体２及び第２検知体３のうち第１被覆部８及び第２被覆部９によって被覆された部分は、外気と触れることがないため、Ｒ１とＲ２は変化せず、これらの部分は固定抵抗として働くことになる。
このため、検知対象ガスとの接触によってＲ及びＲ′が変化し、その結果、Ｖ１とＶ２が変化するという動作をする。
【００４１】
このとき、中間電極間の電位差は、以下のように記述される。
【００４２】
【数１】
0006645224.tif 000002
【００４３】
定義から明らかなように、理想的にはｌ＝ｌ′、Ｒ＝Ｒ′、Ｒ１＝Ｒ２である。
例えば、図３は、ｌ＝ｌ′、Ｒ＝Ｒ′、Ｒ１＝Ｒ２、ｘ／ｌ＝０．５、ｙ／ｌ＝０．４５の場合のＲ（及びＲ′）の変化率（抵抗変化率）とＶ２−Ｖ１の変化率（電位差変化率）との関係を示している。
図３に示すように、Ｒの変化率が約２０%以下ではＶ２−Ｖ１とＲは互いにほぼ線形であり、Ｖ２−Ｖ１の変化率はＲの変化率の９倍以上となる。
【００４４】
検知体の抵抗（Ｒ、Ｒ′）の変化率とＶ２−Ｖ１の変化率との関係は、ｌ、ｌ′、Ｒ、Ｒ′、Ｒ１、Ｒ２の関係によって変化するが、上記式（２）から、その関係を解析的に求めるのは困難である。
そこで、ｌ＝ｌ′、Ｒ＝Ｒ′、Ｒ１＝Ｒ２である理想的な場合について、ｘとｙとの組合せに対応するＶ２−Ｖ１の変化率のＲの変化率に対する比を図４に示している。
【００４５】
図４に示した比の値は、非被覆部分（非被覆領域）の抵抗の増加率が１〜５０%である場合に得られる結果の平均値である。
なお、上記の比が２以上であれば、２つの検知体を、図１０に示す典型的な構成で用い、得られる信号を加算した場合の上限値を超える大きさの電位差信号が得られることになるため、このような場合を太字で示している。
【００４６】
つまり、図４において、数値が太字で示されている範囲では、上述のガスセンサは、実質的に信号増幅機能を持つことになる。図４において、太字で示される範囲は、概略、９．５／（０．６＋（ｘ／ｌ））−５．８＜ｙ／ｌ＜０．９８−０．９５（ｘ／ｌ）２と表すことができる。定義より、ｘ／ｌ＜１、ｙ／ｌ＜１である。また、厳密にｘ／ｌ＝１−ｙ／ｌである場合、即ち、第１中間電極６と第２中間電極７の位置が検知体長さ方向に沿って一致している場合には、初期のＶ２−Ｖ１が０となり、非被覆部分の抵抗変化率に対するＶ２−Ｖ１の変化率が発散することになり、適用することができない。
【００４７】
このように、第１中間電極６と第２中間電極７とは、第１電極４と第２電極５との間に延びている第１検知体２及び第２検知体３の長さ方向に沿って、互いに位置がずれていることで、実質的に信号増幅機能を持つことになり、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることが可能となる。
ところで、デバイスの製造においては一定の加工誤差や材料物性のばらつきが存在するため、現実には上述の理想的な条件から外れた状態で使用することになる。
【００４８】
図４から容易に理解されるように、ｘ／ｌと１−ｙ／ｌとが近い場合に、大きい増幅効果を発揮するが、それは、上述の非被覆部分の抵抗変化率に対してＶ２−Ｖ１の変化率が発散する条件に近く、製造誤差によるｘ／ｌ及び１−ｙ／ｌの値のずれに強く影響されるということでもある。
このような製造誤差に起因する誤差は、以下に説明するような手段によって校正を行なうことによって、極小化が可能である。
【００４９】
この場合、ガスセンサデバイス１を、２つの検知体２、３の両端の電極４、５を分割して各検知体２、３に設けられる部分がそれぞれ独立にした構成とする（図５、図６参照）。
そして、まず、図５に示すように、極性を順方向にして電源１０を接続し、各切替スイッチ１２、１３を非接続状態とし、例えば清浄空気あるいは純窒素中など、検知体２、３の非被覆部分の抵抗率が、被覆部８、９に対して不変と見なせる条件下において、第１中間電極６の電位Ｖ１及び第２中間電極７の電位Ｖ２、さらに、それぞれの検知体２、３の両端電極間の抵抗値を測定する。このとき、
【００５０】
【数２】
0006645224.tif 000003
【００５１】
であり、上記式（３）の分母は、図５中の左側の第１検知体２の全体の抵抗値であるため、これを用いて第１検知体２の被覆された部分の抵抗値ｘＲ１を算出する。
次に、図６に示すように、極性を逆方向にして電源１０を接続し、各切替スイッチ１２、１３を非接続状態とし、同様に、第１中間電極６の電位Ｖ′１及び第２中間電極７の電位Ｖ′２を測定する。このとき、
【００５２】
【数３】
0006645224.tif 000004
【００５３】
であり、上記式（６）の分母は、図６中の右側の第２検知体３の全体の抵抗値であるため、これを用いて第２検知体３の被覆された部分の抵抗値ｙＲ２を算出する。
次に、上記式（４）のＶ２と上記式（５）のＶ′１との比を計算すると、これらの比は下記式（７）で表される。
【００５４】
【数４】
0006645224.tif 000005
【００５５】
上記（７）の右辺は、上記式（４）の分母と上記式（５）の分母の比、すなわち図６中の右側の第２検知体３の全体の抵抗値と左側の第１検知体２の全体の抵抗値との比と、図６中の右側の第２検知体３の被覆されていない部分（非被覆部分）の抵抗と、同じく左側の第１検知体２の被覆されていない部分（非被覆部分）の抵抗との比の積である。前者は、既知である第２検知体３の全体の抵抗値と第１検知体２の全体の抵抗値との比である。すなわち、式（７）より、この比が、図６中の右側の第２検知体３の被覆されていない部分（非被覆部分）の抵抗と、同じく左側の第１検知体２の被覆されていない部分（非被覆部分）の抵抗との比例係数であることがわかる。
【００５６】
この比例係数をα、図５中の左側の第１検知体２の全体の抵抗値をβ、同じく右側の第１検知体２の全体の抵抗値をγと記述すると、ガス検出動作に用いるＶ２−Ｖ１は、非被覆部分の抵抗値をパラメータとする一次関数として、下記式（８）のように記述される。
【００５７】
【数５】
0006645224.tif 000006
【００５８】
一方で、デバイスが理想的に作製された場合には、上記式（８）と同一のβ、γを用いて、Ｖ２−Ｖ１は下記式（９）のように表される。
上記式（８）及び下記式（９）の右辺の第二項は、同一の定数なので、これらの関数の差異は、第一項の係数αだけであり、従って、作製したデバイスにおいて観測されたＲの変化に対するＶ２−Ｖ１の傾きにαの逆数を掛けることで、デバイスが理想的に作製された場合に得られるははずの応答に変換することが可能である。
【００５９】
【数６】
0006645224.tif 000007
【００６０】
このほか、濃度が異なる検知対象ガスを含む混合気を数点用い、別途測定した、検知材料の抵抗値と検知対象ガスの濃度との関係を示す、検量線を用いることで得られる、それぞれのガス濃度に対応するＲと、観測されたＶ２−Ｖ１の傾きと切片とから、上記式（８）のαと、定数である第二項を算出しても良い。
そして、観測された電位差Ｖ２−Ｖ１と、算出されたα、及び、上記式（８）（及び上記式（９））の第二項（δと表記する）を用いて、理想的に作製された場合に観測されるはずのＶ２−Ｖ１（ｄＶｉと表記する）は、下記式（１０）によって算出することができる。
【００６１】
ｄＶｉ＝（Ｖ２−Ｖ１）／α＋δ／α−δ・・・（１０）
このようにして、ガスセンサデバイス１によって測定された測定値である、観測された電位差を校正することができる。
要するに、以下の手順で、観測された電位差を校正することができる。
まず、順方向に電源１０を接続して（図５参照）、第１中間電極６の電位Ｖ１及び第２中間電極７の電位Ｖ２、２つの検知体２、３の全体の抵抗値を測定する（図７のステップＳ１）。
【００６２】
次に、逆方向に電源１０を接続して（図６参照）、第１中間電極６の電位Ｖ′１及び第２中間電極７の電位Ｖ′２を測定する（図７のステップＳ２）。
そして、順方向に電源１０を接続した場合（図５参照）の第１中間電極６の電位Ｖ１及び第１検知体２の全体の抵抗値を用いて、第１検知体２の被覆された部分（被覆領域）の抵抗値ｘＲ１を算出する。また、逆方向に電源１０を接続した場合（図６参照）の第２中間電極７の電位Ｖ′２及び第２検知体３の全体の抵抗値を用いて、第２検知体３の被覆された部分（被覆領域）の抵抗値ｙＲ２を算出する（図７のステップＳ３）。なお、それぞれの抵抗値の算出を図７のステップＳ１、Ｓ２においてそれぞれ行なっても良い。
【００６３】
次に、異なる濃度の複数のガスを用いて、２つの検知体２、３の非被覆部分（非被覆領域）に対応する検量線を作成する（図７のステップＳ４）。
次に、順方向に電源１０を接続した場合（図５参照）の第２中間電極７の電位Ｖ２と逆方向に電源１０を接続した場合（図６参照）の第１中間電極６の電位Ｖ′１との比から、非被覆領域の抵抗値の比であるαを算出する（図７のステップＳ５）。
【００６４】
次に、異なる濃度の複数のガスを用いて、Ｖ２−Ｖ１の測定を行ない、δを求める（図７のステップＳ６）。
なお、異なる濃度の複数のガスを用いて、２つの検知体２、３の非被覆部分（非被覆領域）に対応する検量線を作成し、それぞれのガス濃度に対応するＲとＶ２−Ｖ１の傾きと切片とから、α及びδを求めても良い。
【００６５】
そして、観測された電位差Ｖ２−Ｖ１を、α及びδを用いて校正する（図７のステップＳ７）。
このようにして校正を行なうことで、ガスセンサからガスセンサデバイス１を取り外して、交換可能な構成とした場合でも測定精度を保つことが可能となる。
ところで、検知対象ガス（測定対象ガス）の濃度に対する応答強度にばらつきが生じやすい検知材料を用いる場合には、検知体ごとのガス濃度に対する応答を補正することが好ましい。
【００６６】
この場合、上述の手順で行なう製造誤差に起因する誤差の校正のほかに、図５中の右側と左側の検知体２、３を独立に、図１０に示したものと同じ構成のセンサデバイスとして用い、それぞれの非被覆領域の抵抗値（Ｒ、Ｒ′）と観測対象ガスの濃度との関係を示す検量線を作成することが望ましい。
これらは、被覆された領域の抵抗値の算出を上述の方法で行ない、それらの値を上記式（１）における固定抵抗値に代入して、濃度が異なる検知対象ガスを含む混合気を数点用いて、中間電極と参照電極（ＧＮＤ）との電位差を測定することで得られる。
【００６７】
なお、図５中の左側の検知体２に接続する電極のうち、上側をＧＮＤ、下側をＶ０とし、右側の検知体３に対する接続はそのままとすると、図１０に示したものと同じ構成のセンサデバイスが２つある状態となるため、このような構成として測定を行なっても良い。
したがって、本実施形態にかかるガスセンサ及び情報処理システムによれば、ガスセンサの応答を増大し、高感度化を図ることができるという効果を有する。
【００６８】
つまり、上述のように、両端電極４、５と中間電極６、７とを備え、並列接続された２つ一組の検知体２、３を用い、その一方は両端電極のうち低電位側電極から中間電極までを被覆し、他方は両端電極のうち高電位側電極から中間電極までを被覆し、中間電極間の電位差を観測することで、微小濃度において大きい応答信号を得ることができ、さらに適切な校正や補正を行なうことで、検知体本来の抵抗変化率を知ることができる。つまり、検知材料に変更を加えることなく、実質的に検出下限を大幅に下げる効果が得られる。
【００６９】
さらに、固定抵抗として用いる被覆領域と、測定に用いる非被覆領域とが、同じ材料で構成されているため、外気との接触に対応する変化を除けば、抵抗の温度依存性が同一となり、固定抵抗を別途用意して接続する場合よりも、原理的には温度ドリフトを小さく抑えることが可能である。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例によって更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
本実施例では、まず、長さ約５０ｍｍ、幅約１０ｍｍで、表面に厚さ約１μｍの熱酸化膜（ＳｉＯ２膜；絶縁膜）を有する熱酸化膜付シリコンウェハ（基板）上に、距離約５ｍｍのギャップを挟んで、幅約２０ｍｍ、長さ約２０ｍｍ、膜厚約６０ｎｍの２つの金電極（一対の金電極；金電極膜）を、マスクを用いて、真空蒸着によって形成した。このようにして第１電極４及び第２電極５を形成した（例えば図１参照）。
【００７１】
続いて、その上に、マスクを用いた真空蒸着によって、幅約５ｍｍ、長さ約２０ｍｍの平面形状で、膜厚が約６０ｎｍである銅のパターンを２つ、約５ｍｍの間隔を持って並行に形成した。
続いて、濃度約１００ｍＭの臭化第二銅水溶液に約１８秒間浸漬した。この処理によって銅膜が厚さ約３００ｎｍの臭化第一銅（ＣｕＢｒ）膜に変化した。
【００７２】
このようにして、第１検知体２及び第２検知体３を形成した（例えば図１参照）。
次に、マスクを用いた真空蒸着によって、上述の金電極間に設けられたギャップ中に、幅約２ｍｍ、長さ約１５ｍｍ、厚さ約６０ｍｍの金電極を２つ、ＣｕＢｒ膜上に、ＣｕＢｒ膜を横断するように形成した。
このようにして、第１中間電極６及び第２中間電極７を形成した（例えば図１参照）。なお、ここでは、第１検知体２及び第２検知体３としてのＣｕＢｒ膜の上に、第１中間電極６及び第２中間電極７としての金電極を形成しているが、図１に示すように、第１検知体２及び第２検知体３としてのＣｕＢｒ膜の下に、第１中間電極６及び第２中間電極７としての金電極を形成しても良い。
【００７３】
ここでは、ＣｕＢｒ膜上に形成した中間電極としての金電極の一方は、両端電極４、５のうち低電位側として用いる電極からの距離を約１．２ｍｍとして、この領域の上に耐熱樹脂製の粘着テープを貼って被覆を行なった。この場合、高電位側として用いる電極との距離は約１．８ｍｍであり、ｘ／ｌ＝０．４である。
また、ＣｕＢｒ膜上に形成した中間電極としての金電極の他方は、高電位側として用いる電極からの距離を約１．５ｍｍとして、この領域の上に耐熱樹脂製の粘着テープを貼って被覆を行なった。この場合、低電位側として用いる電極との距離は約１．５ｍｍであり、ｙ／ｌ＝０．５である。
【００７４】
このようにして、第１被覆部８及び第２被覆部９を形成した（例えば図１参照）。
このようにして作製したガスセンサデバイスを、流量約４Ｌ／ｍｉｎである窒素ガス中に保持し、流量が同じく約４Ｌ／ｍｉｎであり、濃度約１０ｐｐｂのアンモニアを含む窒素と切り替える方法で、アンモニアに対する応答を評価した。
この条件において、非被覆部分の抵抗変化率が、アンモニア含有ガス暴露開始約５分後に約１２%であったのに対して、中間電極間の電位差の変化は約５３%であり、応答信号強度としては約４．４倍の増幅効果が得られた。
【００７５】
なお、本発明は、上述した実施形態に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
第１検知体と、
第２検知体と、
前記第１検知体及び前記第２検知体の一方の端部に接続された第１電極と、
前記第１検知体及び前記第２検知体の他方の端部に接続された第２電極と、
前記第１検知体の中間に設けられた第１中間電極と、
前記第２検知体の中間に設けられた第２中間電極と、
前記第１検知体の前記第１電極から前記第１中間電極までの部分を被覆する第１被覆部と、
前記第２検知体の前記第２電極から前記第２中間電極までの部分を被覆する第２被覆部とを備え、
前記第１中間電極と前記第２中間電極とは、前記第１電極と前記第２電極との間に延びている前記第１検知体及び前記第２検知体の長さ方向に沿って、互いに位置がずれていることを特徴とするガスセンサ。
【００７６】
（付記２）
前記第１中間電極の電位、前記第２中間電極の電位、及び、前記第１中間電極の電位と前記第２中間電極の電位との間の電位差を測定する電位差計を備えることを特徴とする、付記１に記載のガスセンサ。
（付記３）
前記第１電極と前記第２電極との間に定電圧を供給する定電圧電源を備えることを特徴とする、付記１又は２に記載のガスセンサ。
【００７７】
（付記４）
前記第１電極と前記第１中間電極との間の距離をｘとし、前記第１電極と前記第２電極との間の距離から前記第１中間電極が設けられている領域の長さを引いた距離をｌとし、前記第２電極と前記第２中間電極との間の距離をｙとした場合に、９．５／（０．６＋（ｘ／ｌ））−５．８＜ｙ／ｌ＜０．９８−０．９５（ｘ／ｌ）２の関係を満たすように、前記第１中間電極及び前記第２中間電極の位置が設定されていることを特徴とする、付記１〜３のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【００７８】
（付記５）
前記第１検知体及び前記第２検知体は、銅又は銀の化合物であることを特徴とする、付記１〜４のいずれか１項に記載のガスセンサ。
（付記６）
前記第１検知体及び前記第２検知体は、臭化第一銅、酸化第一銅、硫化第一銅、酸化銀、臭化銀、硫化銀からなる群から選ばれるいずれか一種を含むことを特徴とする、付記１〜５のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【００７９】
（付記７）
前記第１電極は、前記第１検知体の一方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の一方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、
前記第２電極は、前記第１検知体の他方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の他方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、
前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第１切替スイッチと、
前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第２切替スイッチとを備えることを特徴とする、付記１〜６のいずれか１項に記載のガスセンサ。
【００８０】
（付記８）
前記第１切替スイッチによって前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にし、かつ、前記第２切替スイッチによって前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にした状態で、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が低電位側、前記第２電極が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が高電位側、前記第２電極が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部を備えることを特徴とする、付記７に記載のガスセンサ。
【００８１】
（付記９）
付記１〜８のいずれか１項に記載のガスセンサと、
前記ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備えることを特徴とする情報処理システム。
（付記１０）
付記１〜６のいずれか１項に記載のガスセンサと、
前記ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備え、
前記ガスセンサは、前記第１電極が、前記第１検知体の一方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の一方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、前記第２電極が、前記第１検知体の他方の端部に接続された第１検知体側部分と、前記第２検知体の他方の端部に接続された第２検知体側部分とを備え、前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第１切替スイッチと、前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分との接続・非接続を切り替える第２切替スイッチとを備え、
前記コンピュータは、前記第１切替スイッチによって前記第１電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にし、かつ、前記第２切替スイッチによって前記第２電極の前記第１検知体側部分と前記第２検知体側部分とを非接続にした状態で、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が低電位側、前記第２電極が高電位側となるように順方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体に前記第１電極が高電位側、前記第２電極が低電位側となるように逆方向の電圧を印加することによって測定された前記第１中間電極の電位及び前記第２中間電極の電位と、前記第１検知体及び前記第２検知体の全体の抵抗値とを用いて、測定値の校正を行なう校正部を備えることを特徴とする情報処理システム。
【符号の説明】
【００８２】
１  ガスセンサデバイス
２  第１検知体
３  第２検知体
４  第１電極
４Ａ  第１検知体側部分
４Ｂ  第２検知体側部分
５  第２電極
５Ａ  第１検知体側部分
５Ｂ  第２検知体側部分
６  第１中間電極
７  第２中間電極
８  第１被覆部
９  第２被覆部
１０  電源
１１  電位差計
１２  第１切替スイッチ
１３  第２切替スイッチ
１４  校正部
１５  ガスセンサ
１６  コンピュータ
１７  ネットワーク
１８  コンピュータ
１９  情報処理システム
２０  ＣＰＵ
２１  コンピュータ
【図１】
0006645224.tif 000008
【図２】
0006645224.tif 000009
【図３】
0006645224.tif 000010
【図４】
0006645224.tif 000011
【図５】
0006645224.tif 000012
【図６】
0006645224.tif 000013
【図７】
0006645224.tif 000014
【図８】
0006645224.tif 000015
【図９】
0006645224.tif 000016
【図１０】
0006645224.tif 000017
【図１１】
0006645224.tif 000018
【図１２】
0006645224.tif 000019