(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、
前記放熱部材が穴または溝を含み、
前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される、有機発光表示装置。
【請求項２】
前記集光部材が、集光部材本体部、及び前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物を含む、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置される、請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記光変調構造物が複数のプリズムパターンを含む、請求項３に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
各プリズムパターンが、対応する前記画素の行または列ごとに一つずつ配置される、請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、
前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、
前記光変調構造物が前記画素の区分なしに連続した傾斜面を含み、
前記傾斜面の傾斜角が前記光センサに近づくほど小さくなる、有機発光表示装置。
【請求項７】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、
前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、
前記光変調構造物が、交互に配置されており、互いに異なる傾斜角を有する第１面と第２面を含み、
前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、
前記放熱部材が穴または溝を含み、
前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される、有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１面と前記第２面とが反復単位を成し、
前記反復単位が、対応する前記画素のピッチと同じである、請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、
前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、
前記集光部材本体部の上面が入光面であり、
前記光センサに隣接した前記集光部材本体部の一側面が出光面であり、
前記集光部材が、前記集光部材本体部の前記入光面及び前記出光面を除いた面に配置された反射部材をさらに含む、有機発光表示装置。
【請求項１０】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、
前記光センサが、前記集光部材本体部の一側面に隣接した背面に配置され、
前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、
前記放熱部材が穴または溝を含み、
前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される、有機発光表示装置。
【請求項１１】
前記光変調構造物が水平方向の光経路転換構造物及び垂直方向の光経路転換構造物を含む、請求項１０に記載の有機発光表示装置。
【請求項１２】
前記光センシング部材が複数個であり、
各光センシング部材が相互離隔して配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１３】
前記表示領域が、中央部と前記中央部を囲む周辺部とを含み、
前記光センシング部材が前記表示領域の周辺部に配置される、請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１４】
前記周辺部は予め設定される領域である劣化予想領域を含み、
前記光センシング部材が前記劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップする、請求項１３に記載の有機発光表示装置。
【請求項１５】
複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、
前記第１基板上に配置された第１電極と、
前記第１電極と対向する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、
前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、
前記表示領域が、中央部と前記中央部を囲む周辺部とを含み、
前記光センシング部材が前記表示領域の周辺部に配置され、
前記周辺部が予め設定される領域である劣化予想領域を含み、
前記光センシング部材が前記劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップし、
前記表示領域が前記劣化予想領域に隣接した比較領域をさらに含み、
前記集光部材が前記劣化予想領域にオーバーラップして配置され、
前記光センサが前記比較領域にオーバーラップして配置され、
前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、
前記放熱部材が穴または溝を含み、
前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される、有機発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１基板と前記光センシング部材との間に配置された接着部材をさらに含む請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項１７】
背面素子部と、
前記背面素子部と対向する前面素子部と、
前記背面素子部と前記前面素子部との間に介在した発光素子部と、
前記背面素子部の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、前記前面素子部の光を透過させる領域とオーバーラップするように配置された光センシング部材とを含み、
前記光センシング部材が、光センサ、及び前記背面素子部から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含み、
前記背面素子部の背面に配置された放熱部材であって、穴または溝を含む放熱部材をさらに含み、
前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記背面素子部の背面に隣接配置される、前面発光装置。
【請求項１８】
前記集光部材が、集光部材本体部及び前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物を含む、請求項１７に記載の前面発光装置。
【請求項１９】
前記光センシング部材が複数個であり、各光センシング部材が相互離隔して配置される、請求項１７に記載の前面発光装置。
【請求項２０】
前記光センシング部材が前記発光素子部で予め設定される領域である劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップするように配置される、請求項１７に記載の前面発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前面発光装置及び有機発光表示装置に関し、より詳細には前面に主な発光をする前面発光装置及び前面発光型有機発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置は光を提供する装置であって、照明やディスプレイの分野で使用される。例えば、有機発光表示装置は複数の有機発光素子を含み、各有機発光素子から放出される光の量を調節して画面を表示する。有機発光素子の発光層は基本的に両面に光を放出するが、画面を見る方向が一方向である場合、放出された光を画面表示方向に送るために反射電極や反射層を備える。
【０００３】
基板の前面方向に有機発光素子が配置された場合、基板方向に光を放出させることを通常「背面発光」といい、その逆方向の前面方向に光を放出させることを通常「前面発光」という。背面発光型有機発光表示装置は背面に光を放出させるために有機発光素子の上部電極を反射電極として採用する。逆に、前面発光型有機発光表示装置は有機発光素子の下部電極に反射電極や反射層を備える。
【０００４】
一方、有機発光表示装置は、画素ごとに駆動される電流の累積量に応じて劣化程度が変わる。このような劣化程度をあらかじめ感知し、該当画素に提供される電流を補償すると、画素劣化による画質低下を防止することができる。このために放出される光の輝度を把握する必要がある。
【０００５】
背面発光型有機発光表示装置の場合、側面方向に漏洩される光の相当量が表示パネルの内部から反射されて表示パネルの側面に進むため、表示パネルの側面に光センサを備えておけば画素から放出される光を簡単に感知することができ、これに基づいて画素の発光量を推定することができる。しかし、前面発光型有機発光表示装置の場合は、上部電極として透明電極や半透明電極を採用するため、側面方向に進む光の量が顕著に少ない。したがって、表示パネルの側面に光センサを設置しても画素から放出された光を正確に感知及び推定することが難しい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、画素の発光輝度値の感知が容易な有機発光表示装置を提供することにある。
【０００７】
本発明が解決しようとする他の課題は、発光輝度値の感知が容易な前面発光装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、前記放熱部材が穴または溝を含み、前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される。
【００１０】
ここで、前記集光部材は、集光部材本体部、及び前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物を含み得る。
【００１１】
また、前記光センサは、前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され得る。
前記光変調構造物は、複数のプリズムパターンを含み得る。
【００１２】
また、前記各プリズムパターンは、対応する前記画素の行または列ごとに一つずつ配置され得る。
【００１３】
また、前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、前記光変調構造物が前記画素の区分なしに連続した傾斜面を含み、前記傾斜面の傾斜角が前記光センサに近づくほど小さくなる。
【００１５】
また、前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、前記光変調構造物が、交互に配置されており、互いに異なる傾斜角を有する第１面と第２面を含み、前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、前記放熱部材が穴または溝を含み、前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される。
【００１６】
ここで、前記第１面と前記第２面とは反復単位を成し、前記反復単位は、対応する前記画素のピッチと同一であり得る。
【００１７】
また、前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、前記光センサが前記集光部材本体部の一側面に隣接して配置され、前記集光部材本体部の上面が入光面であり、前記光センサに隣接した前記集光部材本体部の一側面が出光面であり、前記集光部材が、前記集光部材本体部の前記入光面及び前記出光面を除いた面に配置された反射部材をさらに含む。
【００１８】
また、前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記集光部材が、集光部材本体部と、前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物と、を含み、前記光センサが、前記集光部材本体部の一側面に隣接した背面に配置され、前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、前記放熱部材が穴または溝を含み、前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される。
【００１９】
ここで、前記光変調構造物は、水平方向の光経路転換構造物及び垂直方向の光経路転換構造物を含み得る。
【００２０】
前記光センシング部材は複数個であり、前記各光センシング部材は相互離隔して配置され得る。
【００２１】
前記表示領域は、中央部と前記中央部を囲む周辺部とを含み、前記光センシング部材は、前記表示領域の周辺部に配置され得る。
【００２２】
また、前記周辺部は予め設定される領域である劣化予想領域を含み、前記光センシング部材が前記劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップする。
【００２３】
また、前記課題を達成するための本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、複数の画素を含む表示領域及び前記表示領域の周辺の非表示領域を含む第１基板と、前記第１基板上に配置された第１電極と、前記第１電極と対向する第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機発光層と、前記表示領域にオーバーラップするように前記第１基板の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、光センサ、及び前記第１基板から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含む光センシング部材とを含み、前記表示領域が、中央部と前記中央部を囲む周辺部とを含み、前記光センシング部材が前記表示領域の周辺部に配置され、前記周辺部が予め設定される領域である劣化予想領域を含み、前記光センシング部材が前記劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップし、前記表示領域が前記劣化予想領域に隣接した比較領域をさらに含み、前記集光部材が前記劣化予想領域にオーバーラップして配置され、前記光センサが前記比較領域にオーバーラップして配置され、前記第１基板の背面に配置された放熱部材をさらに含み、前記放熱部材が穴または溝を含み、前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記第１基板の背面に隣接して配置される。
【００２６】
前記有機発光表示装置は、前記第１基板と前記光センシング部材との間に配置された接着部材をさらに含み得る。
【００２７】
前記他の課題を達成するための本発明の一実施形態による前面発光装置は、背面素子部と、前記背面素子部と対向する前面素子部と、前記背面素子部と前記前面素子部との間に介在した発光素子部と、前記背面素子部の背面に配置された少なくとも一つの光センシング部材であって、前記前面素子部の光を透過させる領域とオーバーラップするように配置された光センシング部材とを含み、前記光センシング部材が、光センサ、及び前記背面素子部から入射した光を前記光センサ側に伝達する集光部材を含み、前記背面素子部の背面に配置された放熱部材であって、穴または溝を含む放熱部材をさらに含み、前記光センシング部材が前記穴または前記溝内に挿入されて前記背面素子部の背面に隣接配置される。
【００２８】
前記集光部材は、集光部材本体部及び前記集光部材本体部の内部に配置された光変調構造物を含み得る。
【００２９】
前記光センシング部材は複数であり、前記各光センシング部材は相互離隔して配置され得る。
【００３０】
前記光センシング部材が前記発光素子部で予め設定される領域である劣化予想領域に少なくとも部分的にオーバーラップするように配置される。
【００３２】
その他の実施形態の具体的な内容は、詳細な説明及び図面に含まれている。
【発明の効果】
【００３３】
本発明の実施形態による有機発光表示装置によれば、前面発光型として使用されても光センシング部材が漏洩光を直接提供されるため、漏洩光の消失せずに効果的に光センシングが可能である。
【００３４】
本発明による効果は、以上で例示した内容によって制限されず、より多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施形態による前面発光装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
【図３】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の背面図である。
【図４】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の平面図である。
【図５】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の背面図である。
【図６】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の概略的な断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素構造を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の平面図である。
【図９】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１０】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１１】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１２】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１３】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１４】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１５】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１６】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【図１７】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の背面図である。
【図１８】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図１９】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【図２０】本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ規定される。
【００３７】
素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
【００３８】
第１、第２などが多様な素子、構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子、構成要素は、これらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素が本発明の技術的思想内で第２構成要であり得ることは勿論である。
【００３９】
本明細書において、発光装置は、光を提供する装置を意味し、例えば、照明装置や光を利用して画面を表示する有機発光表示装置、無機発光表示装置、プラズマディスプレイ装置などのような表示装置を含む。
【００４０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００４１】
図１は本発明の一実施形態による前面発光装置の概略図である。図１を参照すると、前面発光装置１０は、背面素子部１１、発光素子部１２、前面素子部１３、光センシング部材３００を含む。
【００４２】
本明細書で、片面発光（ｓｉｎｇｌｅ−ｓｉｄｅｄ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｓｓｉｏｎ）とは、装置の両面中に主に片面に光を放出することを意味する。また、前面発光とは、前面と背面中の主に前面に光を放出することを意味する。ここで、主に前面に光を放出するとは、前面の光放出量が背面の光放出量より大きいことを意味し、例えば、全体光放出量の７０％以上、または９０％以上が前面に放出される場合をいう。
【００４３】
発光素子部１２は一つ以上の発光素子１２ａを含む。発光素子１２ａの例としては有機発光素子が挙げられるが、本発明はこれに制限されない。
【００４４】
前面発光のためには発光素子１２ａとして片面発光素子が適用され得る。片面発光素子は、素子自体であって片面発光をする場合だけでなく、素子は両面発光をするが、光学的部材を適切に備えることによって片面発光をする場合を含む。例えば、前面発光型有機発光素子の場合、発光自体は両面発光であるが、電極の物性と透過率、反射率などを調節し、主に前面に光を放出することによって、本明細書の片面発光素子に該当するものと解釈される。
【００４５】
発光素子部１２の背面には背面素子部１１が配置され、発光素子部１２の前面には前面素子部１３が配置される。発光素子部１２は、背面素子部１１と前面素子部１３との間に介在して保護される。
【００４６】
背面素子部１１は、光の主な放出方向ではないが、光センシング部材に光を提供するための光透過通路１１ａを含み得る。発光素子１２ａの発光方向が両面方向であるか背面方向である場合、前面発光のために背面素子部１１は反射部材を含み得る。
【００４７】
背面素子部１１は、発光素子１２ａを駆動するための配線、電極、絶縁膜などを含み得る。
【００４８】
前面素子部１３は、光Ｌ１の主な放出方向に配置されるため、少なくとも部分的に光を透過させる領域（例えば、表示領域）を含む。これに制限されないが、特別な色相を具現するために、前面素子部１３はカラーフィルタを含み得る。また、前面素子部１３は、放出される光Ｌ１の光学特性を変更するためのプリズムフィルム、拡散フィルム、マイクロレンズフィルムなどのような光変調部材を含み得る。
【００４９】
背面素子部１１の背面には少なくとも一つの光センシング部材３００が配置される。光センシング部材３００は、発光素子部１２から背面素子部１１を通過して漏洩する光Ｌ２を直接に入力を受け、そこから発光輝度情報を得る。光センシング部材３００は、前面素子部１３で光Ｌ１を透過させる領域とオーバーラップするように配置され得る。
【００５０】
以下、前面発光装置であって有機発光表示装置を例に挙げてより詳細に説明する。
【００５１】
図２は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の平面図である。図２を参照すると、有機発光表示装置５００は、表示領域ＰＡと表示領域ＰＡを囲む非表示領域ＮＰＡとに区分される。
【００５２】
表示領域ＰＡは複数の画素ＰＸを含む。各画素ＰＸは、マトリックス形態で配列され得る。各画素ＰＸは、特定色相を表示するように割り当てられている。例えば、複数の画素ＰＸは、赤色を表示するＲ画素、緑色を表示するＧ画素、及び青色を表示するＢ画素を含み得る。Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素は、交互に配列されて多様な色相を具現することができる。
【００５３】
表示領域ＰＡは、長方形形状で形成され得る。しかし、これに制限されず、正四角形、円形、楕円形などの形状を有し得る。
【００５４】
表示領域ＰＡの周辺には非表示領域ＮＰＡが位置する。非表示領域ＮＰＡは、画像を表示しない領域であり、ブラックマトリックスのような遮光部材が配置され得る。非表示領域ＮＰＡは、有機発光表示装置５００のベゼル部を構成し得る。非表示領域ＮＰＡには、画素ＰＸを駆動する各種駆動素子が配置され得る。非表示領域ＮＰＡ内にも画素ＰＸが位置し得るが、非表示領域ＮＰＡに位置する画素ＰＸは、外部で容認されないダミー画素であり得る。
【００５５】
図３は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の背面図である。
【００５６】
図３を参照すると、有機発光表示装置５００の背面には一つ以上の光センシング部材３００が配置される。複数の光センシング部材３００が配置される場合、各光センシング部材３００は、相互離隔して配置され得る。他の例として、２以上の光センシング部材３００が隣接して一つの光センシング部材グループを成し、複数の光センシング部材グループが相互離隔して配置されることもできる。光センシング部材３００は、表示領域ＰＡとオーバーラップする領域に配置される。
【００５７】
各光センシング部材３００は、複数の画素ＰＸとオーバーラップする。例えば、光センシング部材３００は、一方向に延長された形状を有し得るが、光センシング部材３００は、長さ（ｌ）方向に２以上の画素ＰＸとオーバーラップし得る。幅（ｗ）方向には一つの画素ＰＸとオーバーラップしたり、２以上の画素ＰＸとオーバーラップしたりし得る。幅方向に２以上の画素ＰＸとオーバーラップする場合、オーバーラップする画素ＰＸの数字は、長さ（ｌ）方向にオーバーラップする数字より小さくてもよい。図面では光センシング部材３００の長さ（ｌ）方向が画素ＰＸの列方向である場合が例示されているが、逆に光センシング部材３００の長さ（ｌ）方向が画素ＰＸの行方向と同一であり得る。また、光センシング部材３００の長さ（ｌ）方向は画素ＰＸの行方向と画素ＰＸの列方向を横切る方向、例えば画素ＰＸ行列の対角線方向であり得る。
【００５８】
光センシング部材３００は、表示領域ＰＡに均等に広がって配置され得る。例えば、光センシング部材３００は、図３に示すように、表示領域ＰＡの４個の角付近（左上端、右上端、左下端、右下端）と中央部に配置され得る。中央部に配置された光センシング部材３００を基準に左上端と右下端に配置された光センシング部材３００は、相互対称して配列を有し、右上端と左下端に配置された光センシング部材３００は、相互対称配列を有し得る。このように、光センシング部材３００が表示領域ＰＡ全体に均等に広がって配置される場合、光センシング部材３００から得られた輝度情報を利用して全体表示領域ＰＡの輝度値を推定することが容易である。
【００５９】
他の例として、光センシング部材３００は、劣化の可能性が高い画素ＰＸの領域に選択的に配置され、該当する画素ＰＸの領域の劣化程度を把握することに使用され得る。図４及び図５を参照してより詳細に説明する。
【００６０】
図４は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の平面図である。図５は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の背面図である。図４及び図５の実施形態において、図２及び図３の実施形態と同じ構成に対しては同じ参照符号として指し示し、重複する説明は省略または簡略化する。
【００６１】
図４及び図５を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置５０１は、表示領域ＰＡと表示領域ＰＡを囲む非表示領域ＮＰＡとに区分される。本実施形態による有機発光表示装置５０１の表示領域ＰＡは、中央部と中央部を囲む周辺部とを含む。
中央部の一方向の幅は、前記幅方向に沿って位置する周辺部の幅以上であり得る。前記中央部の幅と周辺部の幅が同じである場合は、表示領域ＰＡの一辺に平行した方向に沿って表示領域ＰＡが周辺部、中央部、周辺部に三等分される場合である。
【００６２】
表示領域ＰＡの周辺部は、劣化予想領域、例えば残像予想領域ＡＩＲを含み得る。残像予想領域ＡＩＲは、劣化の一種である残像が発生する確率が高い領域であり、あらかじめ設定された領域である。
【００６３】
例えば、放送で送出される動画イメージは、右側上端に位置する放送社ロゴを含み得る。前記放送社のロゴは、動画イメージが随時に変わっても該当位置で同じイメージを維持する。したがって、該当位置の画素ＰＸは、同じイメージによる同じ輝度及び色相を長時間表示することによって、劣化される可能性が高く、残像現象が発生し得る。表示するイメージにより実際の残像が発生する位置が変わり得る。ただし、頻繁に残像が発生する可能性が高い領域が残像予想領域ＡＩＲとして設定され得る。
【００６４】
例示的な実施形態では、残像予想領域ＡＩＲは、表示領域ＰＡの周辺部の角付近に位置する。例えば、表示領域ＰＡの右側上端に残像予想領域ＡＩＲが設定され得る。他の例として、表示領域ＰＡの左側上端、左側下端、及び／または右側下端にも残像予想領域ＡＩＲが設定され得る。
【００６５】
残像予想領域ＡＩＲは複数であり得る。この場合、各残像予想領域は、相互離隔するように配置され得る。
【００６６】
残像予想領域ＡＩＲは複数の画素ＰＸを含み得る。例えば、残像予想領域ＡＩＲの外形は、一方向に延長された形状を有するが、残像予想領域ＡＩＲは、長さ（ｌ）方向に２以上の画素ＰＸと含み得る。幅（ｗ）方向には一つの画素ＰＸを含んだり、２以上の画素ＰＸを含み得る。幅方向に２以上の画素ＰＸを含む場合、含まれる画素ＰＸの数字は長さ（ｌ）方向で含まれる数字より小さくてもよい。図面では残像予想領域ＡＩＲの長さ（ｌ）方向が画素ＰＸの列方向の場合が例示されているが、逆に残像予想領域ＡＩＲの長さ（ｌ）方向が画素ＰＸの行方向と同じであり得る。また、残像予想領域ＡＩＲの長さ（ｌ）方向は、画素ＰＸの行方向と画素ＰＸの列方向を横切る方向、例えば画素ＰＸ行列の対角線方向でもあり得る。
【００６７】
光センシング部材３００は、表示領域ＰＡとオーバーラップする領域に配置される。光センシング部材３００は、表示領域ＰＡの周辺部に配置される。さらに、光センシング部材３００は、残像予想領域ＡＩＲと少なくとも部分的にオーバーラップするように配置され得る。残像予想領域ＡＩＲが複数である場合、光センシング部材３００も複数備えられ、各残像予想領域ＡＩＲに少なくとも部分的にオーバーラップするように配置され得る。光センシング部材３００は、残像予想領域ＡＩＲの外形と類似の形状、例えば一方向に延長された形状を有し得る。
【００６８】
残像予想領域ＡＩＲとオーバーラップして配置された光センシング部材３００は、残像予想領域ＡＩＲから直接漏洩光の提供を受ける。このように提供された輝度情報は、該当領域の劣化程度の判断に利用され得る。
【００６９】
具体的に説明すると、残像予想領域ＡＩＲにデータ信号を印加して発光させると、残像予想領域ＡＩＲから漏洩した光が光センシング部材３００に提供される。光センシング部材３００は、該当輝度情報を制御部（図示せず）に提供する。制御部は、光センシング部材３００から提供された輝度情報を利用して該当領域で実際に放出された輝度値を推定することができる。輝度情報を利用して実際に放出された輝度値を推定する方法のうちの一つは、メモリ部（図示せず）に格納されたルックアップテーブルから入力された輝度情報に対する推定輝度値を出力する方法である。しかし、本発明はこれに制限されず、当業界に公知された多様な方法で実際輝度値を推定することもできる。また、実際の輝度値を推定せず、提供された輝度情報だけを利用して劣化可否を把握することもできる。
【００７０】
制御部に提供された輝度値（または推定輝度値）は、入力されたデータ信号と比較され、適正な輝度値であるかどうかを判断する。データ信号に比べ輝度値が低い場合、補償信号を生成し、次回残像予想領域ＡＩＲを発光するとき、データ信号に補償信号を加算した補正データ信号を印加することによって、残像予想領域ＡＩＲの輝度を適正水準に補償することができる。
【００７１】
このような輝度値測定及び補償信号の生成は、有機発光表示装置５００が画像を表示する間中、継続して行われたり、周期的に行われたりし得る。また、残像予想イメージが入力された場合にのみ前記のような輝度値測定及び補償信号の生成が行われることもできる。他の例として、有機発光表示装置５０１をターンオンさせた直後、またはターンオフさせた直後に輝度値測定及び補償信号の生成が行われることもできる。
【００７２】
以下では、有機発光表示装置として、図２及び図３の実施形態を例に挙げて説明するが、図４及び図５の実施形態が置き換えられて適用され得ることは自明である。
【００７３】
図６を参照して、図２の有機発光表示装置５００の断面構造について説明する。図６は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の概略的な断面図である。
【００７４】
図６を参照すると、第１基板１００と第２基板２００とが互いに対向するように配置され、その間の表示領域ＰＡに有機発光素子ＯＬＥＤが配置される。第１基板１００は薄膜トランジスタ基板であり、第２基板２００は封止基板であり得る。有機発光素子ＯＬＥＤは、画素別に区別されて配置される。非表示領域ＮＰＡで第１基板１００と第２基板２００との間にはシーリング材２５０が介在され得る。シーリング材２５０は、第１基板１００と第２基板２００とを結合させる一方、内部の有機発光素子ＯＬＥＤを保護する役割を果たす。第１基板１００の背面には光センシング部材３００が付着される。
【００７５】
図面に例示された実施形態とは違って、第２基板２００の代りに絶縁性物質からなる封止膜が採用され得る。この場合、シーリング材２５０が省略され、封止膜が第１基板１００上に直接形成されることによって、両者間の結合を成すことができる。
【００７６】
以下、前述した有機発光表示装置５００の画素構造についてより詳細に説明する。
【００７７】
図７は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の画素構造を説明するための断面図である。
【００７８】
図７を参照すると、有機発光表示装置５００は、第１基板１００と、第１基板１００上に配置された有機発光素子と、有機発光素子の上部に配置された第２基板２００とを含む。有機発光素子は、第１電極１１０と、第１電極１１０と対向する第２電極１２０と、第１電極１１０と第２電極１２０との間に介在した有機発光層１３０とを含む。第１電極１１０と有機発光層１３０との間には第１電荷伝達領域１４０が配置され得る。また、有機発光層１３０と第２電極１２０との間には第２電荷伝達領域１５０が配置され得る。
【００７９】
有機発光層１３０を間に置いて互いに対向する第１電極１１０及び第２電極１２０のうちのいずれか一方はアノード電極であり、他方はカソード電極であり得る。また、第１電荷伝達領域１４０及び第２電荷伝達領域１５０のうちのいずれか一方は正孔の伝達を担当し、他方は電子の伝達を担当する。
【００８０】
本実施形態では、第１電極１１０がアノード電極であり、第２電極１２０がカソード電極である場合を例示する。これにより、アノード電極に隣接した第１電荷伝達領域１４０は正孔伝達領域であり、カソード電極に隣接した第２電荷伝達領域１５０は電子伝達領域である場合である。
【００８１】
第１基板１００は絶縁性基板を含み得る。前記絶縁性基板は、ガラス、石英、高分子樹脂などの物質からなる。前記高分子物質の例としては、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリアクリレート  （ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＡ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ、ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ、ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｎａｐｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｓｕｌｆｉｄｅ、  ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ、ＣＡＴ  ｏｒ  ＴＡＣ）、若しくはセルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ  ａｃｅｔａｔｅ  ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ、ＣＡＰ）、またはこれらの組合せが挙げられる。いくつかの実施形態では、前記絶縁性基板は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のようなフレキシブルな物質からなるフレキシブル基板であり得る。
【００８２】
図面に示していないが、第１基板１００は、前記絶縁性基板上に配置された他の構造物をさらに含み得る。前記他の構造物の例としては、有機発光素子を駆動するための配線、電極、絶縁膜などが挙げられる。いくつかの実施形態では、第１基板１００は、絶縁性基板上に配置された複数の薄膜トランジスタを含み得る。複数の薄膜トランジスタのうち少なくとも一部のドレイン電極は第１電極１１０と電気的に接続され得る。前記薄膜トランジスタは、非晶質シリコン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンなどからなるアクティブ領域を含み得る。他の実施形態では、前記薄膜トランジスタは酸化物半導体を含んでなるアクティブ領域を含み得る。
【００８３】
第１基板１００上には第１電極１１０が配置される。第１電極１１０は、有機発光表示装置５００の画素ごとに配置され得る。第１電極１１０は、第２電極１２０に比べて相対的に仕事関数が大きい導電性物質を含み得る。例えば、第１電極１１０は、インジウム−錫−酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛−酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎｄｕｉｍ  Ｏｘｉｄｅ、Ｉｎ２Ｏ３）などを含み得る。第１電極１１０は、前記例示された導電性物質の他に反射性物質、例えば、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、白金（Ｐｔ）、鉛（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、ネオドュム（Ｎｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、クロム（Ｃｒ）、リチウム（Ｌｉ）、若しくはカルシウム（Ｃａ）、またはこれらの混合物をさらに含み得る。したがって、第１電極１１０は、前記例示された導電性物質及び反射性物質からなる単一層の構造を有するか、またはこれらが積層された複数層の構造を有し得る。複数層の構造が適用される場合、第１電荷伝達領域１４０に隣接する最上層は、仕事関数が大きい導電性物質からなる。例えば、第１電極１１０は、ＩＴＯ／Ｍｇ、ＩＴＯ／ＭｇＦ、ＩＴＯ／Ａｇ、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの複数層の構造を有するが、これに限定されない。
【００８４】
第１基板１００上には画素定義膜１６０が配置される。画素定義膜１６０は、画素の境界に沿って格子型で配列され、各画素を物理的に区分する。画素定義膜１６０は、第１電極１１０を少なくとも部分的に露出する。例えば、画素定義膜１６０は、第１電極１１０の枠の部分で第１電極１１０上に第１電極１１０とオーバーラップするように配置され得る。画素定義膜１６０は、画素隔壁を形成し、画素定義膜１６０によって画定された空間内に有機発光層１３０が配置され得る。図面に示していないが、画素定義膜１６０の上部にはスペーサが配置されることもできる。この場合、スペーサの末端は、第２基板２００に隣接したり接したりし得る。
【００８５】
第１電極１１０上には第１電荷伝達領域１４０が配置され得る。第１電荷伝達領域１４０は、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有し得る。また、必要に応じて、第１電荷伝達領域１４０は、バッファ層及び第１電荷阻止層をさらに含み得る。図面では第１電荷伝達領域１４０が第１電荷注入層１４１と第１電荷輸送層１４２とを含む場合を例示するが、第１電荷注入層１４１及び第１電荷輸送層１４２のうちのいずれか一つが省略されるか、これらが一つの層で構成され得る。
【００８６】
第１電荷注入層１４１は、第１電極１１０上に配置され、第１電極１１０から有機発光層１３０側への正孔注入効率を上げる役割を果たす。具体的には、第１電荷注入層１４１は、エネルギ障壁を低くし、正孔がより効果的に注入されるようにする。
【００８７】
第１電荷注入層１４１は、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ、ＣｕＰｃ）、などのようなフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−ｔｒｉｓ（Ｎ−３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−ｔｒｉｓ（ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、２−ＴＮＡＴＡ（４、４′、４″−ｔｒｉｓ［２−ｎａｐｈｔｈｙｌ（ｐｈｅｎｙｌ）−ａｍｉｎｏ］ｔｒｉｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｅ）、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｄｏｄｅｃｙｌｂｅｎｚｅｎｅｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（Ｐｏｌｙ（３、４−ｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）／Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）、ＰＡＮＩ／ＣＳＡ  （Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｃａｍｐｈｏｒｓｕｌｆｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ  （Ｐｏｌｙａｎｉｌｉｎｅ／Ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ  ｓｕｌｆｏｎａｔｅ）などを含み得る。
【００８８】
第１電荷輸送層１４２は、第１電荷注入層１４１上に配置され、第１電荷注入層１４１に注入された正孔を有機発光層１３０に輸送する役割を果たす。第１電荷輸送層１４２は、最高占有分子軌道エネルギ（ｈｉｇｈｅｓｔ  ｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｅｎｅｒｇｙ  ＨＯＭＯ）が第１電極１１０を構成する物質の仕事関数（ｗｏｒｋ  ｆｕｎｃｔｉｏｎ）より実質的に低く、有機発光層１３０の最高占有分子軌道エネルギ（ＨＯＭＯ）より実質的に高い場合に、正孔輸送効率が最適化され得る。第１電荷輸送層１４２は、例えば、ＮＰＤ（４、４′−ｂｉｓ［Ｎ−（１−ｎａｐｔｈｙｌ）−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌ−ａｍｉｎｏ］  ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＴＰＤ（Ｎ、Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ、Ｎ′−ｂｉｓ［３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ］−１、１′−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４、４′−ｄｉａｍｉｎｅ）、ｓ−ＴＡＤ（２、２′、７、７′−ｔｅｔｒａｋｉｓ−（Ｎ、Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）−９、９′−ｓｐｉｒｏｂｉｆｌｕｏｒｅｎ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−ｔｒｉｓ（Ｎ−３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ−Ｎ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）などを含み得るが、これに限定されない。
【００８９】
第１電荷伝達領域１４０は、前述した物質の他に導電性向上のために電荷生成物質をさらに含み得る。前記電荷生成物質は、第１電荷伝達領域１４０内に均一にまたは不均一するように分散され得る。前記電荷生成物質は、例えば、ｐ−ドーパント（ｄｏｐａｎｔ）であり得る。前記ｐ−ドーパントは、クィノン（ｑｕｉｎｏｎｅ）誘導体、金属酸化物、及びシアノ（ｃｙａｎｏ）基含有化合物のうちのいずれか一つであり得るが、これに限定されない。例えば、ｐ−ドーパントの非限定的な例としては、ＴＣＮＱ（Ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）及びＦ４−ＴＣＮＱ（２、３、５、６−ｔｅｔｒａｆｌｕｏｒｏ−ｔｅｔｒａｃｙａｎｏｑｕｉｎｏｄｉｍｅｔｈａｎｅ）などのようなクィノン誘導体、タングステン酸化物及びモリブデン酸化物などのような金属酸化物などが挙げられる。
【００９０】
前述した通り、第１電荷伝達領域１４０は、バッファ層及び第１電荷阻止層のうちの少なくとも一つをさらに含み得る。前記バッファ層は、有機発光層１３０から放出される光の波長による共振距離を補償して光放出効率を増加させる役割を果たす。前記バッファ層に含まれる物質としては、第１電荷伝達領域１４０に含まれる物質を使用し得る。前記第１電荷阻止層は、第２電荷伝達領域１５０から第１電荷伝達領域１４０への電荷注入を防止する役割を果たす。
【００９１】
第１電荷伝達領域１４０上には有機発光層１３０が配置される。有機発光層１３０は、発光層で通常使用される物質であれば特に限定されないが、例えば、赤色、緑色及び青色を発光する物質からなる。有機発光層１３０は、蛍光物質または燐光物質を含み得る。
【００９２】
例示的な実施形態では、有機発光層１３０はホスト及びドーパントを含み得る。
【００９３】
前記ホストとしては、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｙｑｕｉｎｏｌａｔｏ）  ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））、ＣＢＰ（４、４′−Ｎ、Ｎ′−ｄｉｃａｒｂａｚｏｌｅ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＰＶＫ（ｐｏｌｙ（Ｎ−ｖｉｎｙｌｃａｒｂａｚｏｌｅ））、ＡＤＮ（９、１０−Ｂｉｓ（２−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＴＣＴＡ（４、４′、４″−ｔｒｉｓ（Ｎｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）ｔｒｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ＴＰＢｉ（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＴＢＡＤＮ（２−（ｔ−ｂｕｔｙｌ）−９、１０−ｂｉｓ  （２０−ｎａｐｈｔｈｙｌ）  ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＣＤＢＰ（４、４′−Ｂｉｓ（９−ｃａｒｂａｚｏｌｙｌ）−２、２′−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、ＭＡＤＮ（２−Ｍｅｔｈｙｌ−９、１０−ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−２−ｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）などを使用し得る。
【００９４】
前記ドーパントとしては、蛍光ドーパントと公知の燐光ドーパントをすべて使用し得る。有機発光層１３０の発光色相によってドーパントの種類が変わり得る。
【００９５】
赤色ドーパントとしては、例えば、ＰＢＤ：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）（２−ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ−５−（４−ｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−１、３、４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ：Ｔｒｉｓ（ｄｉｂｅｎｚｏｙｌｍｅｔｈａｎｅ）ｍｏｎｏ（１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）ｅｕｒｏｐｉｕｍ（ｌｌｌ））またはペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）を含む蛍光物質から選択し得る。または、燐光物質としては、ＰＩＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｉｓｏｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ａｃａｃ）（ｂｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）、ＰＱＩｒ（ｔｒｉｓ（１−ｐｈｅｎｙｌｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）及びＰｔＯＥＰ（ｏｃｔａｅｔｈｙｌｐｏｒｐｈｙｒｉｎ  ｐｌａｔｉｎｕｍ）のような金属錯化合物（ｍｅｔａｌ  ｃｏｍｐｌｅｘ）、または有機金属錯体（ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃ  ｃｏｍｐｌｅｘ）から選択し得る。
【００９６】
緑色ドーパントとしては、例えば、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｙｑｕｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））を含む蛍光物質から選択し得る。または、燐光物質としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｆａｃ  ｔｒｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）（Ｂｉｓ（２−ｐｈｅｎｙｌｐｙｒｉｄｉｎｅ）（ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）ｉｒｉｄｉｕｍ（ＩＩＩ））、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３（２−ｐｈｅｎｙｌ−４−ｍｅｔｈｙｌ−ｐｙｒｉｄｉｎｅ  ｉｒｉｄｉｕｍ）などが例示され得る。
【００９７】
青色ドーパントとしては、例えば、スピロ−ＤＰＶＢｉ（ｓｐｉｒｏ−４、′−ｂｉｓ（２、２′−ｄｉｐｈｅｎｙｌｖｉｎｙｌ）１、１′−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、スピロ−６Ｐ（ｓｐｉｒｏ−ｓｉｘｐｈｅｎｙｌ）、ＤＳＢ（ｄｉｓｔｙｒｙｌｂｅｎｚｅｎｅ）、ＤＳＡ（ｄｉｓｔｙｒｙｌａｒｙｌｅｎｅ）、ＰＦＯ（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系高分子及びＰＰＶ（ｐｏｌｙ  ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  ｖｉｎｙｌｅｎｅ））系高分子からなる群から選択されたいずれか一つを含む蛍光物質から選択し得る。または、燐光物質としては、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ（ｂｉｓ［２−（４、６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ、Ｃ２′］ｉｒｉｄｉｕｍ  ｐｉｃｏｌｉｎａｔｅ）、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）（ｂｉｓ［２−（４、６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒｉｄｉｎａｔｏ−Ｎ、Ｃ２′］ｉｒｉｄｉｕｍ  ２、２、６、６−ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌｈｅｐｔａｎｅ−３、５−ｄｉｏｎｅ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３（ｔｒｉｓ［１−（４、６−ｄｉｆｌｕｏｒｏｐｈｅｎｙｌ）ｐｙｒａｚｏｌａｔｅ−Ｎ、Ｃ２′］ｉｒｉｄｉｕｍ）などが挙げられる。
【００９８】
有機発光層１３０上には第２電荷伝達領域１５０が配置され得る。第２電荷伝達領域１５０は、単一物質からなる単一層、複数の互いに異なる物質からなる単一層、または複数の互いに異なる物質からなる複数の層を有する多層構造を有し得る。また、必要に応じて、第２電荷伝達領域１５０は、第２電荷阻止層をさらに含み得る。図面では第２電荷伝達領域１５０が第２電荷輸送層１５２と第２電荷注入層１５１とを含む場合を例示するが、第２電荷輸送層１５２及び第２電荷注入層１５１のうちのいずれか一つが省略されたり、これらが一つの層で構成されたりすることもできる。
【００９９】
第２電荷輸送層１５２は、有機発光層１３０上に配置され、第２電荷注入層１５１から注入された電子を有機発光層１３０で輸送する役割を果たす。
【０１００】
第２電荷輸送層１５２は、Ａｌｑ３（ｔｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｙｑｕｉｎｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（ＩＩＩ））、ＴＰＢｉ（１、３、５−ｔｒｉｓ（Ｎ−ｐｈｅｎｙｌｂｅｎｚｉｍｉａｚｏｌｅ−２−ｙｌ）ｂｅｎｚｅｎｅ）、ＢＣＰ（２、９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、Ｂｐｈｅｎ（４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、ＴＡＺ（３−（Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌｐｈｅｎｙｌ）−４−ｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ＮＴＡＺ（４−（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ−１−ｙｌ）−３、５−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−４Ｈ−１、２、４−ｔｒｉａｚｏｌｅ）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−ｂｉｐｈｅｎｙｌｙｌ）−５−（４−ｔｅｒｔ−ｂｕｔｙｌ−ｐｈｅｎｙｌ）−１、３、４−ｏｘａｄｉａｚｏｌｅ）、ＢＡｌｑ（Ｂｉｓ（２−ｍｅｔｈｙｌ−８−ｑｕｉｎｏｌｉｎｏｌａｔｏ−Ｎ１、Ｏ８）−（１、１′−Ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４−ｏｌａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｕｍ）、Ｂｅｂｑ２（Ｂｉｓ（１０−ｈｙｄｒｏｘｙｂｅｎｚｏ［ｈ］ｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ｂｅｒｙｌｌｉｕｍ）、若しくはＡＤＮ（９、１０−ｂｉｓ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅ）、またはこれらの混合物を含み得るが、これに限定されない。
【０１０１】
第２電荷注入層１５１は、第２電荷輸送層１５２上に配置され、第２電極１２０から有機発光層１３０側への電子注入効率を上げる役割を果たす。
【０１０２】
第２電荷注入層１５１は、ＬｉＦ、ＬｉＱ（リチウムキノレート）、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯ、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｙｂのようなランタン族金属、またはＲｂＣｌ、ＲｂＩのようなハロゲン化金属などが使用されるが、これに限定されない。また、第２電荷注入層１５１は、前記物質と絶縁性の有機金属塩（ｏｒｇａｎｏ  ｍｅｔａｌ  ｓａｌｔ）が混合された物質からなる。適用される前記有機金属塩は、エネルギバンドギャップ（ｅｎｅｒｇｙ  ｂａｎｄ  ｇａｐ）が概ね４ｅＶ以上の物質であり得る。具体的には、例えば、前記有機金属塩は、金属アセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔａｔｅ）、金属ベンゾエート（ｍｅｔａｌ  ｂｅｎｚｏａｔｅ）、金属アセトアセテート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｏａｃｅｔａｔｅ）、金属アセチルアセトネート（ｍｅｔａｌ  ａｃｅｔｙｌａｃｅｔｏｎａｔｅ）、または金属ステアレート（ｓｔｅａｒａｔｅ）を含み得る。
【０１０３】
第２電荷伝達領域１５０は、前述した通り、第２電荷阻止層をさらに含み得る。第２電荷阻止層は、例えば、ＢＣＰ（２、９−ｄｉｍｅｔｈｙｌ−４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）、及びＢｐｈｅｎ（４、７−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−１、１０−ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ）のうちの少なくとも一つを含み得るが、これに限定されない。
【０１０４】
第２電荷伝達領域１５０上には第２電極１２０が配置される。第２電極１２０は画素の区分なしに形成された前面電極または共通電極であり得る。第２電極１２０は第１電極１１０に比べて相対的に仕事関数が小さい導電性物質を含み得る。
【０１０５】
例えば、第２電極１２０はＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ａｕ  Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、ＢａＦ、若しくはＢａ、またはこれらの化合物や混合物（例えば、ＡｇとＭｇの混合物など）を含み得る。これらは薄膜で提供され、その上に透明金属酸化物、例えば、インジウム−錫−酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ    ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛−酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ    ＩＺＯ）、酸化亜鉛（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ    ＺｎＯ）、インジウム−錫−亜鉛−酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｚｉｎｃ−Ｏｘｉｄｅ）などが積層され得る。
【０１０６】
第２電極１２０の上部には第２基板２００が配置される。第２基板２００は絶縁性基板を含み得る。第２基板２００は、前述した第１基板１００で羅列した物質からなる。いくつかの実施形態では、第２基板２００上にはブラックマトリックス、カラーフィルタなどが配置されることもできる。
【０１０７】
第１基板１００に形成された有機発光素子と第２基板２００とは相互離隔され得る。その離隔空間ＳＰＣは、空にすることもでき、有機物質などからなる充電材で充填されることもできる。
【０１０８】
第１電極１１０に第１電圧が印加され、第２電極１２０に第１電圧より低い第２電圧が印加されると、第１電極１１０から第２電極１２０方向に電流が流れながら有機発光層１３０が発光する。具体的には、正孔が第１電極１１０から第１電荷注入層１４１に注入され、第１電荷輸送層１４２を介して輸送されて有機発光層１３０に到達する。さらに、電子が第２電極１２０から第２電荷注入層１５１に注入され、第２電荷輸送層１５２を介して輸送されて有機発光層１３０に到達する。有機発光層１３０で正孔と電子とが接して結合すると、結合によるエネルギで有機発光層１３０の発光材料が浮き上がった状態になる。浮き上がった状態から再び基底状態に戻りながら光が放出される。光の放出量は、有機発光層１３０に流れる電流の量により変わる。
【０１０９】
一方、有機発光層１３０から発光された光の進行方向はランダムである。基本的に背面（第１基板１００側）に向かう光、前面（第２基板２００側）に向かう光、側面に向かう光などが共存する。
【０１１０】
背面に向かう光は、第１電極１１０で反射されて前面に向かう。場合によっては、一部の光が第１電極１１０を透過して第１基板１００側に進入し得る。
【０１１１】
前面に向かう光は、第２電極１２０を介して透過して放出される。第２電極１２０の仕事関数が低い導電物質は、それ自体では光を透過できないが、薄膜で形成される場合、入射光を相当部分透過させることができる。一部の光は、第２電極１２０を透過できず反射され得る。
【０１１２】
側面に向かう光の一部は、周辺の画素定義膜１６０側に進む。画素定義膜１６０において、一部の光は反射されて前面に向かい、前述したように第２電極１２０を透過して放出され得る。画素定義膜１６０において、一部の光は、反射されて背面に向かい、一部の光は透過及び屈折されて画素定義膜１６０の内部に進入する。
【０１１３】
画素定義膜１６０で背面方向に反射された光や画素定義膜１６０の内部に進入した光の一部は、第１電極１１０が形成されない画素定義膜１６０の下部を介して第１基板１００側に出射され得る。このように第１基板１００側に出射された光は、画面を表示することに寄与しない漏洩光である。このような漏洩光は第１基板１００背面に配置された光センシング部材３００に進入し、発光輝度や画素劣化程度を把握することに活用され得る。
【０１１４】
一方、画素定義膜１６０で背面方向に反射された光や画素定義膜１６０の内部に進入した光の他の一部は、有機発光表示装置５００の側面に沿って継続して進む。
このような光は、上下部の電極や配線などに反射されて相当な距離を側面方向に移動する。ただし、前面発光をする有機発光表示装置５００は、背面発光の場合に比べて側面に沿って移動する量が顕著に小さい。背面発光の場合には、前面に反射電極が採用され、背面方向には第１電極が透明電極といっても他の配線が多く位置するため反射による側面伝達が多い。これに対し、前面発光の場合には、前面に位置する第２電極１２０が透明電極であるため、反射する光の量が減って、これにより側面に伝達される光の量が相対的に減るようになる。したがって、背面発光の場合には、有機発光表示装置の非表示領域にまで充分な光が伝達されるのに対し、前面発光の場合には、有機発光表示装置の非表示領域に到達する光の量が微小である。このような違いによって、光センシング部材３００の適合した配置は、前面発光装置と背面発光装置とでは異なる。本実施形態のように、光センシング部材３００が表示領域内に配置されると、光センシング部材３００が漏洩光の提供を直接受けるため、前面発光装置でも漏洩光の消失なしに効果的な光センシングが可能である。
【０１１５】
以下、光センシング部材についてより詳細に説明する。
【０１１６】
図８は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の平面図である。図９は、本発明の一実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１１７】
図８及び図９を参照すると、光センシング部材３００は、光センサ３１０及び集光部材３２０を含む。
【０１１８】
光センサ３１０は、集光部材３２０の一側面に配置される。光センサ３１０は、集光部材３２０から集光した漏洩光Ｌ２の提供を受けて輝度を測定する役割を果たす。光センサ３１０は、フォトダイオードやフォトトランジスタなどを含み得るが、これに制限されず、光を検出するセンサとして当業界に公知された多様な部材を適用することが可能である。
【０１１９】
集光部材３２０は、集光部材本体部３２１を含む。集光部材本体部３２１は、入光面ＬＳ１と出光面ＬＳ２を含む。入光面ＬＳ１と出光面ＬＳ２とは、相互所定の角度を有するように、例えば垂直に配置され得る。集光部材本体部３２１が直六面体形状である場合、入光面ＬＳ１は集光部材本体部３２１の上面になり、出光面ＬＳ２は集光部材本体部３２１の側面になる。
【０１２０】
集光部材３２０は、反射部材３２３をさらに含み得る。反射部材３２３は、集光部材本体部３２１の入光面ＬＳ１と出光面ＬＳ２とを除いた残りの面に配置され得る。反射部材３２３は、反射層としてコーティングされたり、反射シートの形態で付着されたり、反射機能を有する接着テープの形態で提供されたりし得る。反射部材３２３は省略することもできる。
【０１２１】
集光部材本体部３２１の内部は、空になっているか、集光部材本体部３２１を成す物質と異なる物質からなる。例えば、集光部材本体部３２１の内部は、真空であるか、空気、その他の気体で満たされ得る。
【０１２２】
集光部材本体部３２１の内部には屈折パターンや反射パターンのような光変調構造物３２２が配置され得る。例えば、集光部材本体部３２１の内部には、光変調構造物３２２としてプリズムパターンが配置され得る。プリズムパターンの傾斜面は、集光部材本体部３２１の入射面３２１ａに対して傾斜を成すように配置される。前記傾斜角は例えば、４５°であり得るが、本発明はこれに制限されない。プリズムパターンは、集光部材本体部３２１と同じ物質からなることもできるが、異なる物質からなることもできる。プリズムパターンは透明な物質からなり得る。
【０１２３】
光変調構造物３２２を除いた集光部材本体部３２１の内部は、集光部材本体部３２１及び光変調構造物３２２と屈折率が異なる。例えば、光変調構造物３２２を除いた集光部材本体部３２１の内部は、集光部材本体部３２１自体及び光変調構造物３２２より屈折率が低い低屈折媒質からなる。
【０１２４】
光変調構造物３２２の少なくとも一面は、低屈折媒質と接するため、表面でスネルの法則により光を透過、反射、屈折させる。垂直に入射する光を例えば、全反射するように光変調構造物３２２のプリズムパターンの傾斜面を調節すると、集光部材本体部３２１の入射面に入射した漏洩光Ｌ２がプリズムパターンの傾斜面で全反射され、概ね垂直方向に進行経路を変更することができる。したがって、集光部材本体部３２１の一側面に位置する光センサ３１０側に光を伝達し得る。
【０１２５】
光変調構造物３２２のプリズムパターンは、対応する各画素の行または列ごとに一つずつ配置され得る。このように配置されることによって、各画素別に漏洩した光を光センサ３１０側に伝達し得る。
【０１２６】
一方、光センサ３１０を基準に遠い側に位置する光変調構造物３２２で全反射された光は、隣接した光変調構造物３２２に入射される。以後、スネルの法則により進行方向を変えると、集光部材本体部３２１の下面側に進入するが、集光部材本体部３２１の下面に反射部材３２３が配置された場合、これを反射させて光センサ３１０側に伝達することができる。
【０１２７】
本発明の変形例として、集光部材本体部３２１の内部が集光部材本体部３２１を構成する物質で満たされることもできる。この場合、集光部材本体部３２１の内部に位置する光変調構造物３２２の屈折率を集光部材本体部３２１の屈折率と異なるように調節することによって、前述した効果と類似の集光効果を実現することができる。
【０１２８】
図１０は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１２９】
図１０を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０１は、集光部材（３２０＿１）の光変調構造物（３２２＿１）が画素区分なしに連続した傾斜面を有する点が図９の実施形態と異なる。傾斜面は、垂直方向に入射した光Ｌ２を反射または全反射させる。傾斜角（θ）は、鋭角の範囲で選択され得る。理論的には４５°の傾斜角（θ）を有すると、垂直に入射した漏洩光Ｌ２の進行方向を水平方向に転換させて光センサ３１０に伝達することができる。しかし、これに制限されず、他の傾斜角を有しても光Ｌ２の進行角度を水平方向に傾けると、光センサ３１０側に伝達される光量が増える。さらに、反射した光Ｌ２が再び集光部材本体部３２１の入光面ＬＳ１に向かっても入光面ＬＳ１の法線に対する入射角が増加した状態であるため、全反射が形成される可能性が高まる。したがって、漏洩光Ｌ２を光センサ３１０側に集めることができる。
【０１３０】
一方、本実施形態の場合、光センサ３１０から遠い側に位置する画素で反射した光が光センサ３１０側に進行されるとき、光変調構造物を再び経ない。したがって、図９の実施形態のように光変調構造物が透明な物質からなる必要はない。さらには、傾斜面に反射部材を配置することも採択され得る。
【０１３１】
図１１は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１３２】
図１１を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０２は、集光部材（３２０＿２）の光変調構造物（３２２＿２）が画素区分なしに一体の連続した傾斜面を有する点は図１０の実施形態と同様であるが、傾斜面の傾斜角が光センサ３１０に近づくほど小さくなる点が図１０の実施形態と異なる点である。本実施形態では、光変調構造物（３２２＿２）の傾斜面は、凹んだ曲面であり得る。
【０１３３】
図１２は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１３４】
図１２を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０３は、集光部材（３２０＿３）の光変調構造物（３２２＿３）が一体の連続した傾斜面を有する点は図１０の実施形態と同様であるが、傾斜面が交互に配置され、互いに異なる傾斜角を有する第１面（３２２＿３ａ）と第２面（３２２＿３ｂ）を含む点が図１０の実施形態と異なる点である。
【０１３５】
第１面（３２２＿３ａ）の傾斜角は、垂直方向に入射する漏洩光Ｌ２の進行方向を水平方向に転換するために最適化された傾斜角として設定され得る。例えば、第１面（３２２＿３ａ）の傾斜角は４５°であり得る。
【０１３６】
第２面（３２２＿３ｂ）の傾斜角は、隣接した第１面（３２２＿３ａ）で水平方向に入射した光Ｌ２の進行経路を隠さない範囲で設定され得る。例えば、第２面（３２２＿３ｂ）の傾斜角は０°ないし１０°の範囲で設定され得る。第２面（３２２＿３ｂ）の傾斜角が０°である場合、第２面（３２２＿３ｂ）は厳密な意味で水平面になる。
【０１３７】
第１面（３２２＿３ａ）と第２面（３２２＿３ｂ）とからなる反復単位の幅は、対応する画素のピッチと同じであり得る。第２面（３２２＿３ｂ）は、有機発光素子の第１電極（図７の′１１０′）にオーバーラップするように配置され、第１面（３２２＿３ａ）は第１電極が隠さない画素定義膜（図７の′１６０′）にオーバーラップするように配置され得る。しかし、これに制限されず、反対の配列を有するか第１面（３２２＿３ａ）と第２面（３２２＿３ｂ）とが全て第１電極と画素定義膜に部分的にオーバーラップすることもできる。
【０１３８】
図１０の実施形態では、傾斜面の傾斜角が４５°に近いほど効果的な集光が形成されることは前述した通りである。しかし、傾斜面の傾斜角が４５°になると、光変調構造物の厚さが光変調構造物の長さと近似になる。これに対し、本実施形態のように、漏洩光Ｌ２重荷入射する領域は、４５°またはこれに近接した傾斜角を有する第１面（３２２＿３ａ）を配置し、漏洩光Ｌ２が多く入射されない領域は、０°またはこれに近接した傾斜角を有する第２面（３２２＿３ｂ）を配置すると、集光効果を十分に維持しつつ、光変調構造物（３２２＿３）の厚さを減少させ得る。
【０１３９】
図１３は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１４０】
図１３を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０４は、集光部材（３２０＿４）の光変調構造物（３２２＿４）であって、光散乱部材が適用された点が図９の実施形態と異なる点である。光散乱部材は、垂直に入射した光Ｌ２を散乱させて進行経路を変える。進行経路が変わった光Ｌ２は光センサ３１０へ直接向かったり、集光部材本体部３２１の内部で反射または全反射されて光センサ３１０側に進行したりすることができる。
【０１４１】
光散乱部材は光散乱粒子を含み得る。光散乱粒子は、有機ビーズや無機ビーズであり得る。光散乱粒子は、集光部材本体部３２１の内部と屈折率が違う物質からなる。光散乱部材は、集光部材本体部３２１の背面に隣接して配置され得る。
【０１４２】
図１４は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１４３】
図１４を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０５は、光センサ３１０が集光部材（３２０＿５）の背面に配置された点が図９の実施形態と異なる。すなわち、第１基板（図６の′１００′）の背面に集光部材（３２０＿５）と光センサ３１０が順次配置された例である。光センサ３１０は、集光部材（３２０＿５）の一側面に隣接した背面に配置され得る。
【０１４４】
集光部材本体部３２１の内部の光変調構造物（３２２＿５）は、図９のプリズムパターンのような水平方向の光経路転換構造物（３２２＿５ａ）だけではなく、垂直方向の光経路転換構造物（３２２＿５ｂ）をさらに含む。水平方向の光経路転換構造物（３２２＿５ａ）は、図９の実施形態のように漏洩光Ｌ２を集光部材本体部３２１の一側面に集光する。垂直方向の光経路転換構造物（３２２＿５ｂ）は、集光部材本体部３２１の内部の一側面に隣接して配置され、集光した光Ｌ２の進行方向を集光部材本体部３２１の下面に転換させる。転換された光Ｌ２は、集光部材（３２０＿５）の背面に位置する光センサ３１０に提供されて輝度測定に活用される。
【０１４５】
本実施形態の場合、集光部材本体部３２１の入光面ＬＳ１は上面であり、出光面ＬＳ２は下面の一部である。したがって、集光部材（３０２＿５）が反射部材（３２３＿１）をさらに含む場合、反射部材（３２３＿１）は、集光部材本体部３２１のすべての側面と出光面ＬＳ２を除いた下面に配置され得る。
【０１４６】
図１５は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１４７】
図１５を参照すると、本実施形態による光センシング部材３０６は、集光部材本体部３２１の内部の光変調構造物（３２２＿６）が図９のプリズムパターンのような水平方向の光経路転換構造物（３２２＿６ａ）だけではなく、光フォーカシング構造物（３２２＿６ｂ）をさらに含む点が図９の実施形態と異なる点である。水平方向の光経路転換構造物（３２２＿６ａ）は、図９の実施形態のように漏洩光Ｌ２を集光部材本体部３２１の一側面に集光する。光フォーカシング構造物（３２２＿６ｂ）は、光センサ３１０と水平方向の光経路転換構造物（３２２＿６ａ）との間に配置される。光フォーカシング構造物（３２２＿６ｂ）は、光経路転換構造物（３２２＿６ａ）から提供された光Ｌ２を一つの点に向かってフォーカシングして光センサ３１０側に提供する。このように、光フォーカシングが行われると、より効果的な集光が行われるだけではなく、光センサ３１０のアクティブ領域の面積を減らすこともできるという長所がある。
【０１４８】
光フォーカシング構造物（３２２＿６ｂ）では、マイクロレンズ、レンチキュラレンズ、または凸レンズなどが適用され得る。
【０１４９】
図１６は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の光センシング部材の断面図である。
【０１５０】
図１６の実施形態は、光センシング部材３０７の光センサ３１１が２面以上の集光面を有し得ることを示す図である。
【０１５１】
図１６を参照すると、光センシング部材３０７の集光部材３２０は、センシング対象地点、例えば、図４の残像予想領域ＡＩＲとオーバーラップして配置される一方で、光センサ３１１は、集光部材３２０の一側面に隣接して配置されるが、正常イメージ領域である比較領域ＮＩＲにオーバーラップするように配置される。
【０１５２】
残像予想領域ＡＩＲから提供される漏洩光（Ｌ２１）が集光部材３２０を介して光センサ３１１に提供されることは、図４の実施形態と同じである。一方、比較領域ＮＩＲから提供される漏洩光Ｌ２２は、集光部材３２０を経ずに光センサ３１１に直接提供される。光センサ３１１は、２面以上の受光面を有して２種類漏洩光（Ｌ２１、Ｌ２２）をすべてセンシングすることができる。
【０１５３】
比較領域ＮＩＲは、残像予想領域ＡＩＲの劣化度を判断するための基準画素を含む。このような基準画素と残像予想領域ＡＩＲの画素とを順次に発光するようになれば劣化程度をさらに精密に比較分析することができる。
【０１５４】
例えば、先に比較領域ＮＩＲの基準画素についてのみデータ信号印加及び発光して光センシングを行い、その後、残像予想領域ＡＩＲの画素に対してデータ信号印加及び発光して光センシングを行う。その後、比較領域ＮＩＲと残像予想領域ＡＩＲとの光センシング程度を比較して残像予想領域ＡＩＲの劣化程度を分析して補償信号を生成することができる。
【０１５５】
図１７は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の背面図である。
【０１５６】
図１７を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置５０２は、複数の光センシング部材３０８が表示領域ＰＡの全体をカバーするように配置された点が図３の実施形態と異なる。
【０１５７】
隣接する光センシング部材３０８の集光部材（３２０＿８）は、相互離隔されず隣接して配置される。光センサ３１０は、集光部材（３２０＿８）の一側に配置される。光センサ３１０は、非表示領域ＮＰＡに配置され得る。さらに、光センサ３１０は、第１基板（図６の′１００′）の辺から外側に突出するように配置されることもできる。
【０１５８】
本実施形態の場合、第１基板の表示領域ＰＡの全体に対して集光部材（３２０＿８）が配置されることによって、すべての画素領域から漏洩する漏洩光を測定することができる。
【０１５９】
図１８は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【０１６０】
図１８を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置５０３は、第１基板１００の背面に配置された放熱部材４００をさらに含む。放熱部材４００は、有機発光素子ＯＬＥＤや駆動チップから発生した熱を外部に放出する役割を果たす。
【０１６１】
放熱部材４００は、熱伝導率が高い物質を含んでなる。例えば、放熱部材４００は、アルミニウム、銅、銀などのような金属や、グラファイト、グラフェンなどの物質を含み得る。
【０１６２】
放熱部材４００は、放熱板、放熱シート、放熱フィルム、放熱層などの形態で適用され得る。また、放熱物質層が複数層積層された形態で適用されることもできる。
【０１６３】
放熱部材４００は、第１基板１００の背面に密着するように配置される。放熱部材４００は、第１基板１００の背面に付着することもできる。放熱部材４００は、第１基板１００背面全体を覆うこともでき、熱放出が多い一部領域にのみ配置されることもできる。
【０１６４】
放熱部材４００の配置領域が光センシング部材３００の配置領域と重畳する場合、放熱部材４００は、光センシング部材３００を挿入するための穴４００ｈを含み得る。光センシング部材３００は、放熱部材４００の穴４００ｈに挿入されて第１基板１００の背面に密着するように配置される。
【０１６５】
図１９は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【０１６６】
図１９を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置５０４は、光センシング部材３００が接着部材４２０によって第１基板１００の背面に付着できる場合を例示する。本実施形態では、第１基板１００の背面に放出された漏洩光は、接着部材４２０を経て光センシング部材３００に到達するため、接着部材４２０は透明な物質からなること好ましい。接着部材４２０は、接着物質または粘着物質を含み、接着層や両面接着テープなどの形態で提供され得る。
【０１６７】
図面では、接着部材４２０の厚さが放熱部材４００の厚さと同じであり、光センシング部材３００が放熱部材４００より背面方向にさらに突出した場合が例示されているが、これらの厚さ及び背面方向の相対的な位置はさらに多様に変形可能である。
【０１６８】
図２０は、本発明のまた他の実施形態による有機発光表示装置の断面図である。
【０１６９】
図２０を参照すると、本実施形態による有機発光表示装置５０５は、放熱部材４０１が背面方向に凹んだ溝４０１ｒを含み、光センシング部材３００が溝４０１ｒに挿入された点が図１８の実施形態と異なる点である。光センシング部材３００は、第１基板１００の背面と放熱部材４０１とによって囲まれる。
【０１７０】
本実施形態の変形例として図１９の実施形態のように光センシング部材が接着部材によって第１基板の背面に付着され得る。
【０１７１】
以上添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって上記実施形態は、すべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【０１７２】
１０    前面発光装置
１１    背面素子部
１２    発光素子部
１３    前面素子部
３００，３０１，３０２，３０３，３０４，３０５，３０６，３０７，３０８    光センシング部材
【図１】
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【図２】
0006730813.tif 000003
【図３】
0006730813.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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