(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の透磁率を有すると共に浮上方向と交差する方向の外部磁力線に対して交差する部分を有するように配置された複数の低透磁率部と、前記所定の透磁率より大きい透磁率を有すると共に前記外部磁力線に対して交差する部分を有するように配置された複数の高透磁率部と、を交互に接続した１つ又は複数の複合体と、
前記１つ又は複数の複合体の各々の一端に接続されるとともに、前記１つ又は複数の複合体の各々に電流を流す１つ又は複数の電源と、を含み、
前記１つ又は複数の複合体の各々における複数の低透磁率部と複数の高透磁率部とは、前記外部磁力線の互いに異なる部分が印加されるように分離して配置された
浮上装置。
【請求項２】
前記複数の複合体は、渦巻状に形成された第１の複合体、及び渦巻状に形成された第２の複合体の２つの複合体であり、
前記複数の電源は、前記第１の複合体に電流を流す第１の電源、及び前記第２の複合体に電流を流す第２の電源の２つの電源であり、
前記２つの複合体は、入れ子状に配置された
請求項１に記載の浮上装置。
【請求項３】
前記第１の複合体及び前記第２の複合体を支持する支持材をさらに含み、
前記複数の低透磁率部は前記支持材の第１の面に配置され、前記複数の高透磁率部は前記支持材の第２の面に配置され、前記第１の複合体の各々及び前記第２の複合体の各々の隣り合う低透磁率部と高透磁率部とは前記支持材を貫通して設けられた接続部によって接続された
請求項２に記載の浮上装置。
【請求項４】
前記外部磁力線が地磁気による磁力線である
請求項１〜請求項３にいずれか１項に記載の浮上装置。
【請求項５】
複数の請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の浮上装置と、
前記複数の浮上装置の各々の前記１つ又は複数の複合体に流す電流を飛翔方向に応じて変化させるように前記１つ又は複数の電源を制御する制御部と、
を含む飛翔装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、浮上装置、及び飛翔装置、特に流体による揚力を用いることなく空中に浮上可能な浮上装置、及び空中を飛翔可能な飛翔装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、特定のタイプの無人機、すなわち、いかなるユーザーコマンドも無い状態でホバリング飛行中の無人機を安定化させる自律式スタビライザーシステムが備わっている無人機が開示されている。特許文献１に開示された無人機は、へリコプター、あるいはドローンなどのように、空気（流体）中におけるブレードの回転による揚力で浮上する浮上装置を想定している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第５４３２２７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されたヘリコプター、あるいはドローンなどの浮上装置では、例えば、空気（流体）中におけるブレードの回転による揚力で浮上するため、浮上能力が空気の濃さに影響を受ける。従って、空気密度が一定以下となる高度では、浮上することができなくなる。また、浮上するのに十分な揚力を得るためには、大きなブレードが必要になる。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で、外界に対する依拠の抑制された、空中に浮上する浮上装置、及び空中を飛翔する飛翔装置を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の浮上装置は、所定の透磁率を有すると共に浮上方向と交差する方向の外部磁力線に対して交差する部分を有するように配置された複数の低透磁率部と、前記所定の透磁率より大きい透磁率を有すると共に前記外部磁力線に対して交差する部分を有するように配置された複数の高透磁率部と、を交互に接続した１つ又は複数の複合体と、前記１つ又は複数の複合体の各々の一端に接続されるとともに、前記１つ又は複数の複合体の各々に電流を流す１つ又は複数の電源と、を含み、前記１つ又は複数の複合体の各々における複数の低透磁率部と複数の高透磁率部とは、前記外部磁力線の互いに異なる部分が印加されるように分離して配置されたものである。
【０００７】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記複数の複合体は、渦巻状に形成された第１の複合体、及び渦巻状に形成された第２の複合体の２つの複合体であり、前記複数の電源は、前記第１の複合体に電流を流す第１の電源、及び前記第２の複合体に電流を流す第２の電源の２つの電源であり、前記２つの複合体は、入れ子状に配置されたものである。
【０００８】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第１の複合体及び前記第２の複合体を支持する支持材をさらに含み、前記複数の低透磁率部は前記支持材の第１の面に配置され、前記複数の高透磁率部は前記支持材の第２の面に配置され、前記第１の複合体の各々及び前記第２の複合体の各々の隣り合う低透磁率部と高透磁率部とは前記支持材を貫通して設けられた接続部によって接続されたものである。
【０００９】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、前記外部磁力線が地磁気による磁力線であるものである。
【００１０】
上記の目的を達成するために、請求項５に記載の飛翔装置は、複数の請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の浮上装置と、前記複数の浮上装置の各々の前記１つ又は複数の複合体に流す電流を飛翔方向に応じて変化させるように前記１つ又は複数の電源を制御する制御部と、を含むものである「。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、簡易な構成で、外界に対する依拠の抑制された、空中に浮上する浮上装置、及び空中を飛翔する飛翔装置を実現することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態に係る浮上装置の構成の一例を示す平面図である。
【図２】実施の形態に係る浮上装置の浮上力の発生について説明する図である。
【図３】実施の形態に係る浮上装置の浮上力の発生について説明する図である。
【図４】第１の実施の形態に係る浮上装置の構造について説明する図である。
【図５】実施の形態に係る浮上装置における複合体の構成について説明する図である。
【図６】実施の形態に係る浮上装置における磁束の収束方法について説明する図である。
【図７】第２の実施の形態に係る浮上装置の構成の一例を示す平面図である。
【図８】第３の実施の形態に係る本発明の応用装置について説明するブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態について詳細に説明する。以下の実施の形態では、本発明を浮上装置に適用した形態について説明する。
【００１４】
［第１の実施の形態］
図１ないし図６を参照して、本実施の形態に係る浮上装置１０について説明する。
【００１５】
図１に示すように、浮上装置１０は、複合体２４、２６、電源１６、１８、及び支持材２０を含んで構成されている。
【００１６】
複合体２４、及び２６の各々は、所定の透磁率μＬを有する導電体で形成された領域である複数の低透磁率部（低透磁率部１２−１〜１２−７、以下総称する場合は「低透磁率部１２」）と、μＬより高い透磁率μＨ（＞μＬ）を有する導電体で形成された領域である高透磁率部（高透磁率部１４−１〜１４−７、以下総称する場合は「高透磁率部１４」）が交互に接続されて配置されている。低透磁率部１２の各々、高透磁率部１４の各々は、例えば金属で形成されている。
【００１７】
複合体２４は、低透磁率部１２−１、高透磁率部１４−１、低透磁率部１２−２、高透磁率部１４−２、低透磁率部１２−３、高透磁率部１４−３、低透磁率部１２−４、及び高透磁率部１４−７が、この順で直列に接続されて形成されている。また、複合体２６は、高透磁率部１４−４、低透磁率部１２−５、高透磁率部１４−５、低透磁率部１２−６、高透磁率部１４−６、及び低透磁率部１２−７が、この順で直列に接続されて形成されている。低透磁率部１２と高透磁率部１４とは、接続部Ｊで接続されている。なお、図１では、接続部Ｊを、一例として１箇所のみ示しているが、すべての低透磁率部１２と高透磁率部１４との境界には、この接続部Ｊが存在する。
【００１８】
図１に示すように、複合体２４の一端は電源１６に接続され、他端は接地されている（グランドＥ１に接続されている）。また、複合体２６の一端は電源１８に接続され、他端は接地されている（グランドＥ２に接続されている）。そして、電源１６と電源１８は、各々接続を逆極性とされている、すなわち、電源１６の正極側が複合体２４の一端に接続され、電源１８の負極側が複合体２６の一端に接続されている。なお、グランドＥ１、Ｅ２は、必ずしも設ける必要はないし、いずれか一方のみを設けてもよい。双方とも設ける場合は、不測の電流経路が生じ、磁界が乱れる可能性があるが、その場合には、該磁界の乱れを防ぐための制御機構等を設ければよい。
【００１９】
その結果、複合体２４と複合体２６とでは逆方向の電流が流れる。すなわち、複合体２４では、低透磁率部１２−１の部分でみると、＋Ｙ方向に電流Ｉ１が流れ、複合体２６では、高透磁率部１４−４の部分でみると、−Ｙ方向に電流Ｉ２が流れる。ここで、本実施の形態では、簡単のためにＩ１＝Ｉ２＝Ｉと仮定する。なお、Ｉ１≠Ｉ２としても、以下で述べる電磁力Ｆ１、Ｆ２の絶対値が異なるだけなので、一般性を失うことはない。
【００２０】
支持材２０は、低透磁率部１２の各々、及び高透磁率部１４の各々を配置、固定する部材であり、本実施の形態では、後述するように、低透磁率部１２の各々と、高透磁率部１４の各々とは、支持材２０の互いに反対側の面に配置されている。
【００２１】
次に、図２を参照して、浮上装置１０の動作について説明する。図２（ａ）は、浮上装置１０を地面に対して略平行に配置した状態を示している。つまり、図２（ａ）では、−Ｚ方向に地面が存在している。そして、浮上装置１０の周囲には、−Ｘ方向に向かう外部磁場が存在するものとする。この場合、図２（ａ）示すように、低透磁率部１２の各々には−Ｚ方向の電磁力、高透磁率部１４の各々には＋Ｚ方向の電磁力が発生する。なお、本実施の形態では、上記外部磁場を、一例として地磁気としている。
【００２２】
図２（ｂ）を参照して、低透磁率部１２の各々、及び高透磁率部１４の各々に発生する電磁力（以下、単に「力」という）について、より詳細に説明する。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線において−Ｙ方向を見た断面図である。
【００２３】
まず、低透磁率部１２−１に発生する力について考える。図２（ａ）に示すように、低透磁率部１２−１では、＋Ｙ方向の電流Ｉが流れ、−Ｘ方向に地磁気（磁力線）が印加されている。すると、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、フレミングの左手の法則により、低透磁率部１２−１には−Ｚ方向の力Ｆ１が作用する。同様に、高透磁率部１４−４に作用する力について考える。図２（ａ）に示すように、高透磁率部１４−４では、−Ｙ方向の電流Ｉが流れ、−Ｘ方向に地磁気が印加されている。すると、図２（ａ）、（ｂ）に示すように、フレミングの左手の法則により、高透磁率部１４−４には＋Ｚ方向の力Ｆ２が作用する。
【００２４】
ここで、高透磁率部１４の透磁率μＨは、低透磁率部１２の透磁率μＬより大きいので、地磁気（磁力線）は低透磁率部１２よりも高透磁率部１４に集中する。一方、低透磁率部１２、高透磁率部１４に作用する力（電磁力）は、以下に示す（式１）で与えられる。
Ｆ＝μ・Ｈ・Ｉ・Ｌ      （式１）
ただし、Ｆは低透磁率部１２又は高透磁率部１４に作用する電磁力、μは低透磁率部１２又は高透磁率部１４の透磁率、Ｈは低透磁率部１２又は高透磁率部１４に印加される磁界（本実施の形態では、地磁気）、Ｉは低透磁率部１２又は高透磁率部１４に流れる電流、Ｌは低透磁率部１２又は高透磁率部１４の長さである。
【００２５】
この場合、隣り合う低透磁率部１２と高透磁率部１４とを考え、低透磁率部１２の長さと高透磁率部１４の長さとが近似しているとすると、（式１）において、低透磁率部１２についてのＨ、Ｉ、Ｌと、高透磁率部１４のＨ、Ｉ、Ｌとは略等しいから、低透磁率部１２に作用する力Ｆ１と、高透磁率部１４に作用する力Ｆ２は透磁率μの大小で決まる。高透磁率部１４の透磁率μＨは、低透磁率部１２の透磁率μＬより大きいことから、Ｆ２＞Ｆ１となる。
【００２６】
このとき、低透磁率部１２の各々、高透磁率部１４の各々に流れる電流はＩで等しいので、低透磁率部１２の各々には力Ｆ１に相当する力が作用し、高透磁率部１４各々には力Ｆ２に相当する力が作用する。低透磁率部１２の各々に作用する力Ｆ１の合成ベクトルをＦ１ｔとし、高透磁率部１４の各々に作用する力Ｆ２の合成ベクトルをＦ２ｔとすれば、Ｆ２ｔ＞Ｆ１ｔとなる。浮上装置１０の全体に作用する力は、力Ｆ２ｔの方向、すなわち＋Ｚ方向の力Ｆｔ（＝Ｆ２ｔ−Ｆ１ｔ）となり、この力Ｆｔ（浮上力）が重力に抗する浮上力となって浮上装置１０が浮上することができる。その際、該浮上力Ｆｔに対する反力は地球によって支えられる。
【００２７】
浮上装置１０に作用する浮上力Ｆｔについて、より詳細に説明する。図２（ａ）に示すように、低透磁率部１２の各々と、高透磁率部１４の各々とでは、互い反対方向の電流Ｉが流れている。このとき、以下に示す（式２）が成立する。
Ｆｔ＝ｎ・（μ１−μ２）・μ０・Ｈ・Ｉ・Ｌａｖｅ  ・・・  （式２）
ただし、ｎは低透磁率部１２と高透磁率部１４とのペア数、μ０は真空の透磁率、μ１は高透磁率部１４の比透磁率（つまり、μＨ＝μ１・μ０）、μ２は低透磁率部１２の比透磁率（つまり、μＬ＝μ２・μ０）、Ｌａｖｅは低透磁率部１２の各々、及び高透磁率部１４の各々の平均的な長さである。
【００２８】
ここで、ｎ＝５０００、μ１＝１０００００、μ２＝１、Ｉ＝１５Ａ、Ｈ＝４６μＴ、Ｌ＝２５ｍｍとすると、μ０＝４π・１０−７であるから、（式２）よりＦｔ＝１１ｍＮとなり、１ｇの浮上力Ｆｔが発生する。なお、本例では、高透磁率部１４の材料としてパーマロイ、低透磁率部１２の材料としてアルミニウムを仮定している。
【００２９】
ここで、低透磁率部１２、及び高透磁率部１４のように、複合体２４、２６を透磁率の異なる材料の組み合わせとしないで、同じ透磁率の材料を用いた場合には、上記浮上力Ｆｔは発生しない。例えば、図３のように、複合体２４及び２６の各透磁率部の材料を高透磁率部１４の材料とした場合には、支持材２０の上面側の高透磁率部１４−８〜１４−１４に印加される磁力線（地磁気）と、支持材２０の下面側の高透磁率部１４−１〜１４−７に印加される磁力線とは等しくなるので、−Ｚ方向に作用する力Ｆ１と、＋Ｚ方向に作用する力Ｆ２とが等しくなるからである。
【００３０】
図４を参照して、本実施の形態に係る浮上装置１０の構造について説明する。図４は、図１における接続部Ｊの部分を＋Ｙ方向に見た断面図である。
【００３１】
図４に示すように、浮上装置１０では、支持材２０の表面側に低透磁率部１２各々が、裏面側に高透磁率部１４の各々が配置されている。図４では、接続部Ｊにおける低透磁率部１２−１と、高透磁率部１４−１とが示されている。そして、本実施の形態に係る浮上装置１０では、低透磁率部１２−１と高透磁率部１４−１とが、支持材２０に設けられたビアＶによって接続されている。ビアＶは導電体であり、支持材２０に開孔を設け、該開孔を、例えば金属で埋めることによって形成することができる。
【００３２】
次に、図５を参照して、本実施の形態で採用している無誘導巻について説明する。図５（ａ）に示すように、導電体（例えば、電線）を一方向に巻いた構造体３０では、流す電流Ｉ１で磁界が発生する（自己磁界）。従って、この電流Ｉ１が流れる構造体３０を外部磁場の中に配置しても、この自己磁界により外部磁場がキャンセルされてしまい、外部磁場に基づいた力の発生が損なわれる。
【００３３】
一方、図５（ｂ）に示すように、構造体３０と、構造体３０とは流す電流Ｉ２の向きが逆である構造体３２との組み合わせを考える。構造体３０と構造体３２とを入れ子状に配置した合成構造体を考えると、この合成構造体では、構造体３０が発生する自己磁界と、構造体３２が発生する自己磁界の方向が逆であることから、自己磁界同士がキャンセルされる。従って、合成構造体では発生する自己磁界が微少になるので、外部磁場がキャンセルされることが抑制される。本実施の形態に係る浮上装置１０は、図５（ｂ）に示すように、この原理を応用し、複合体２４と複合体２６とを入れ子状に配置している。なお、浮上装置１０において、一定の浮上能力の低下を許容する場合には、図５（ａ）に示すような単層巻としてもよい。
【００３４】
次に、図６を参照して、外部磁場（地磁気）による磁束Φの効率的な収束方法について説明する。
【００３５】
図６に示すように、地磁気による磁束Φを効率的に収束させるためには、高透磁率部１４（図６では、高透磁率部１４−１５、１４−１６、１４−１７が示されている）の両端に、強透磁率部２２−１及び２２−２を設ける。強透磁率部２２−１及び２２−２は、高透磁率部１４側で幅が狭く、高透磁率部１４の幅程度とされ、高透磁率部１４と反対側で幅が太くされている。強透磁率部２２−１、２２−２の太い側の幅をＴ１とし、高透磁率部１４の幅をＴ２とすれば、磁束をＴ２／Ｔ１だけ高密度に収束させることができる。このような強透磁率部２２−１、２２−２を配置することで、高透磁率部１４に印加される地磁気の密度を上げることができるので、より浮上力Ｆｔ（電磁力）を大きくすることが可能となり、浮上装置１０の浮上能力が向上する。
【００３６】
以上、詳述したように、本実施の形態に係る浮上装置では、各々透磁率の異なる２つの透磁率部を交互に配置した２つの複合体を配置し、各々の複合体に異なる向きの電流を流した。このことによって、浮上装置に外部磁場による電磁力の不均衡が生じ、この電磁力の不均衡によって重力に抗する浮上力を発生させている。従って、本実施の形態に係る浮上装置によれば、簡易な構成で、外界に対する依拠の抑制された、空中に浮上する浮上装置を実現することが可能となる。
【００３７】
［第２の実施の形態］
図７を参照して、本実施の形態に係る飛翔装置５０について説明する。飛翔装置５０は、浮上力の方向を制御することにより、姿勢を変えて移動することが可能となるようにした浮上装置の形態である。
【００３８】
図７（ａ）に示すように、４つの浮上装置１０、すなわち浮上装置１０−１、１０−２、１０−３、及び１０−４を備え、これら４つの浮上装置１０は一体とされている。また、各々の浮上装置１０−１〜１０−４は、互いに９０°向きを異ならせて配置されている。浮上装置１０−１〜１０−４の各々は、複合体２４及び複合体２６に流す電流Ｉを異ならせることにより、＋Ｚ方向の浮上力Ｆｔを異ならせることができる（（式２）参照）。
【００３９】
ここで、浮上装置１０−１に流す電流をＩｔ１、浮上装置１０−２に流す電流をＩｔ２、浮上装置１０−３に流す電流をＩｔ３、浮上装置１０−４に流す電流をＩｔ４とし、Ｉｔ１＞Ｉｔ２＝Ｉｔ３＞Ｉｔ４とする。この場合、図７（ｂ）に示すように、浮上装置１０−１の浮上力Ｆｔ１、浮上装置１０−２の浮上力Ｆｔ２、浮上装置１０−３の浮上力Ｆｔ３、浮上装置１０−４の浮上力Ｆｔ４との間には、Ｆｔ１＞Ｆｔ２＝Ｆｔ３＞Ｆｔ４が成り立つ。
【００４０】
浮上力Ｆｔ１、Ｆｔ２、Ｆｔ３、Ｆｔ４について、Ｆｔ１＞Ｆｔ２＝Ｆｔ３＞Ｆｔ４なる関係が成立すると、飛翔装置５０における＋Ｚ方向の浮上力が不均一になるので、飛翔装置５０は、符号Ｄで示された方向Ｄに傾く。従って、飛翔装置５０は、浮上力Ｆｔ１、Ｆｔ２、Ｆｔ３、Ｆｔ４の合成ベクトルで表わされる浮上力により重力Ｆｇに抗しつつ、方向を傾いた方向Ｄとして移動することが可能となる。また、浮上装置１０−１〜１０−４に流す電流Ｉｔ１〜Ｉｔ４をさまざまに変えることにより、浮上力Ｆｔ１〜Ｆｔ４のバランスを変えて、飛翔装置５０は四方に移動が可能となる。
【００４１】
なお、本実施の形態では、浮上装置１０を４つ用いる形態を例示して説明したが、これに限られず、移動方向の制御性等を勘案して、例えば４つ以上の浮上装置１０を用いる形態としてもよいし、２つの浮上装置１０を用いる形態としてもよい。
【００４２】
以上のように、本実施の形態に係る飛翔装置によれば、簡易な構成で、外界に対する依拠の抑制された、空中を飛翔する飛翔装置を実現することが可能となる。
【００４３】
［第３の実施の形態］
図８を参照して、本実施の形態に係る浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０の応用装置について説明する。本実施の形態に係る応用装置は、浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０と各種センサとを組み合わせた装置である。浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０は、一定程度水平を維持していれば、主に外部磁力線（地磁気）の向きで浮上力を発生する。
浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０は、上述したように複合体２４、２６に流す電流Ｉに対し発生する浮上力Ｆｔが線形に変化するので、浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０の姿勢を制御することが容易であり、例えば水平状態を維持させることも容易である。
【００４４】
図８（ａ）は、浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０による浮上装置５２と、地磁気センサ５４とを組み合わせた装置である。地磁気センサ５４により取得した地磁気に対し信号処理部５６で所定の演算を施し、演算結果に基づいて浮上装置５２の電流を制御することによって浮上装置５２の回転運動を制御することができる。
【００４５】
図８（ｂ）は、浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０による浮上装置５８と、加速度センサ６０とを組み合わせた装置である。加速度センサ６０により取得した傾きに対し信号処理部６２で所定の演算を施し、演算結果に基づいて浮上装置５８の電流を制御することによって浮上装置５８のヨー制御を行うことができる。
【００４６】
図８（ｃ）は、浮上装置１０、あるいは飛翔装置５０による駆動装置６４と、光学エンコーダ６６とを組み合わせた装置である。光学エンコーダ６６により取得した位置情報に対し信号処理部６８で所定の演算を施し、演算結果に基づいて駆動装置６４の電流を制御することによって駆動装置６４の回転運動を制御することができる。
【００４７】
なお、上記各実施の形態では、外部磁場として地磁気を用いる形態を例示して説明したが、これに限られず、例えば磁場発生装置等による外部磁場を用いる形態としてもよい。
【符号の説明】
【００４８】
１０、１０−１、１０−２、１０−３、１０−４  浮上装置
１２−１〜１２−７  低透磁率部
１４−１〜１４−１７    高透磁率部
１６、１８  電源
２０    支持材
２２、２２−１、２２−２  強透磁率部
２４、２６  複合体
３０、３２  構造体
５０    飛翔装置
５２    浮上装置
５４    地磁気センサ
５６    信号処理部
５８    浮上装置
６０    加速度センサ
６２    信号処理部
６４    駆動装置
６６    光学エンコーダ
６８    信号処理部
Φ      磁束
Ｆ１、Ｆ２、Ｆ１ｔ、Ｆ２ｔ、Ｆｔ、Ｆｔ１〜Ｆｔ４  力
Ｉ、Ｉ１、Ｉ２、Ｉｔ１〜Ｉｔ４  電流
Ｊ      接続部
【図１】
0006642238.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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