(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振インダクタと可変キャパシタンスを有する共振コンデンサを並列にそれぞれ備える２個の同調回路を互いに磁界結合させた複同調器を備え、
２個の前記共振インダクタが、１以上１００未満の比透磁率を有する共通のトロイダルコアに巻き付けられるとともに、２個の前記共振インダクタの前記共通のトロイダルコアへの巻き範囲の間に、２個の前記共振インダクタが前記共通のトロイダルコアに巻き付けられないギャップ範囲が設けられ、
前記共通のトロイダルコアの断面を囲み込むメタルリングが、２個の前記共振インダクタのインダクタンスがほぼ等しくなるように、２個の前記共振インダクタが巻き付けられない２か所の領域のうち範囲の広い領域に配置される、
ことを特徴とする可変バンドパスフィルタ。
【請求項２】
２個の前記共振コンデンサの可変キャパシタンスは、２個の前記同調回路の並列共振周波数がほぼ等しくなるように、個別に可変に設定される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の可変バンドパスフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複同調器を備える可変バンドパスフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
帯域通過フィルタとして、共振インダクタと共振コンデンサを並列に備える複数の同調回路を互いに磁界結合させた複同調器を備えるものが、特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−０２７６９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、共振インダクタ同士の間の磁界結合を調整するために、空間距離を調整する方法や結合窓付きの金属遮蔽板等を配置する方法を採用していた。よって、空間距離の調整ずれや金属遮蔽板等の寸法ずれにより、共振インダクタ同士の間の磁界結合を、安定に維持することができないとともに、小型かつ少部品で実現することができなかった。
【０００５】
そこで、前記課題を解決するために、本発明は、並列共振を用いる同調回路を備える可変バンドパスフィルタにおいて、共振インダクタ同士の間の磁界結合を、安定に維持するとともに小型かつ少部品で実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、（１）２個の共振インダクタが、複同調器における減衰特性と挿入損失の間のトレードオフが最適化されるように、低透磁率を有する共通のトロイダルコアに巻き付けられるとともに、（２）共通のトロイダルコアの断面を囲み込むメタルリングが、２個の共振インダクタの固定インダクタンスがほぼ等しくなるように、２個の共振インダクタが巻き付けられない２か所の領域のうち角度の大きい領域に配置される。
【発明の効果】
【０００７】
このように、本発明は、並列共振を用いる同調回路を備える可変バンドパスフィルタにおいて、共振インダクタ同士の間の磁界結合を、安定に維持するとともに小型かつ少部品で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の磁界結合を示す図である。
【図２】本発明のトロイダルコアを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本発明の実施の例であり、本発明は以下の実施形態に制限されるものではない。
【００１０】
本発明の磁界結合を図１に示す。可変バンドパスフィルタは、固定インダクタンスを有する共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２と可変キャパシタンスを有する共振コンデンサＣｒ１、Ｃｒ２を並列にそれぞれ備える２個の同調回路を互いに磁界結合させた複同調器を備える。
【００１１】
図１及び図２（本発明のトロイダルコアを示す。）において、共振インダクタＬｒ１は、ａ端及びａ’端を有する。共振インダクタＬｒ２は、ｂ端及びｂ’端を有する。
【００１２】
複同調器における減衰特性と挿入損失の間のトレードオフを最適化するためには、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間の磁界結合（結合係数ｋｒ）を疎結合（例えば、ｋｒ〜０．１）にすることが望ましい。ここで、「トレードオフの最適化」は、両方の特性を最適化することのみならず、一方の特性を犠牲にしても他方の特性を優先することも意味する。
【００１３】
複数の同調回路の並列共振周波数（ｆ０１＝１／２π√（Ｌｒ１Ｃｒ１）、ｆ０２＝１／２π√（Ｌｒ２Ｃｒ２））を等しくするためには、第１段階として、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の固定インダクタンスの間でばらつきを抑えて、第２段階として、共振コンデンサＣｒ１、Ｃｒ２の可変キャパシタンスを個別に可変に設定する。
【００１４】
本発明のトロイダルコアを図２に示す。共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２は、共通のトロイダルコア１に巻き付けられる。トロイダルコア１の比透磁率は、１又は１０のオーダーである。共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の巻き角度は、それぞれ、θｒ１、θｒ２である。共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度は、θｇ１、θｇ２（θｇ１＞θｇ２）である。
【００１５】
トロイダルコア１の断面を取り囲むメタルリング２は、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度のうち、より大きいギャップ角度θｇ１の領域に配置される。メタルリング２の材質は、例えば、スティール、ステンレス、アルミニウム又は銅等であり、リング形状への曲げ加工を行いやすくトロイダルコア１を傷つけないものであることが望ましい。
【００１６】
低透磁率のトロイダルコア１の比透磁率は、上述したように１又は１０のオーダーであるため、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間の磁界結合（結合係数ｋｒ）を疎結合にするときであっても、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の巻き角度θｒ１、θｒ２は、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度θｇ１、θｇ２より、十分に大きいことが望ましい。
【００１７】
図１における第１段階では、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２で発生する磁束がメタルリング２で発生する渦電流により遮蔽される電磁誘導を利用する。（１）共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度のうち、より小さいギャップ角度θｇ２の領域を調整することにより、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間の磁界結合を調整したうえで、（２）共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度のうち、より大きいギャップ角度θｇ１の領域でメタルリング２を移動させることにより、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間の磁界結合に影響することなく、共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のばらつきを抑えることができる。
【００１８】
つまり、メタルリング２を共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度θｇ１の中間に配置したときに、Ｌｒ１＞Ｌｒ２であったときには、メタルリング２を図２における左回りに少しずつ移動させて、共振インダクタＬｒ１へと近づけて、共振インダクタＬｒ２から遠ざけて、Ｌｒ１〜Ｌｒ２とすればよい。一方で、メタルリング２を共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間のギャップ角度θｇ１の中間に配置したときに、Ｌｒ１＜Ｌｒ２であったときには、メタルリング２を図２における右回りに少しずつ移動させて、共振インダクタＬｒ１から遠ざけて、共振インダクタＬｒ２へと近づけて、Ｌｒ１〜Ｌｒ２とすればよい。
【００１９】
図１における第２段階では、共振コンデンサＣｒ１、Ｃｒ２の可変キャパシタンスを個別に可変に設定する。つまり、メタルリング２を共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間で調整した後でも、ｆ０１＞ｆ０２であったときには、Ｃｒ１〜Ｃｒ２の状態からＣｒ１＞Ｃｒ２の状態へと設定を変更して、ｆ０１＝ｆ０２とすればよい。一方で、メタルリング２を共振インダクタＬｒ１、Ｌｒ２の間で調整した後でも、ｆ０１＜ｆ０２であったときには、Ｃｒ１〜Ｃｒ２の状態からＣｒ１＜Ｃｒ２の状態へと設定を変更して、ｆ０１＝ｆ０２とすればよい。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
本発明の可変バンドパスフィルタは、送受信のフロントエンド等に適用することができ、所定の帯域幅を透過させるのみならず、インピーダンスを整合させることもできる。
【符号の説明】
【００２１】
Ｌｒ１、Ｌｒ２：共振インダクタ、Ｃｒ１、Ｃｒ２：共振コンデンサ、１：トロイダルコア、２：メタルリング
【図１】
0006703854.tif 000002
【図２】
0006703854.tif 000003