(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の、バイポーラ性ホストと、中性コホストと、発光ドーパントとを含む組成物。
【化１】
0006772073.tif 000050
【化２】
0006772073.tif 000051
【化３】
0006772073.tif 000052
【化４】
0006772073.tif 000053
【請求項２】
請求項１に記載の組成物と少なくとも１種の溶媒とを含む配合物。
【請求項３】
電子デバイスを製造するための請求項２に記載の配合物の使用であって、前記配合物が、請求項１に記載の組成物を含むデバイスの発光層を溶液から加工するために使用されることを特徴とする、使用。
【請求項４】
有機電子デバイスにおける、請求項１に記載の組成物の使用。
【請求項５】
請求項１に記載の少なくとも１種の組成物を含む有機電子デバイスであって、前記デバイスが、有機集積回路（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機エレクトロルミネセントデバイス、有機太陽電池（ＯＳＣ）、有機光学検出器および有機感光体から選択される、デバイス。
【請求項６】
有機電子デバイスが、有機エレクトロルミネセントデバイスである請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機電界消光デバイス（ＯＦＱＤ）、有機発光電気化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＣ、ＬＥＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）、および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）から選択される有機エレクトロルミネセントデバイスである、請求項５に記載のデバイス。
【請求項８】
前記デバイスが、発光層中の組成物を含む有機エレクトロルミネセントデバイスであることを特徴とする、請求項５または７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記発光層が請求項１に記載の組成物を含み、正孔輸送材料（ＨＴＭ）を含む正孔輸送層が、発光層に直接隣接し、以下の条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（ＨＴＭ）｜＜０．３ｅＶ
が、前記発光層中のバイポーラ性ホストおよび正孔輸送層中の正孔輸送材料のＨＯＭＯエネルギーの絶対値に適用されることを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記発光層が請求項１に記載の組成物を含み、電子輸送材料、ＥＴＭを含む電子輸送層が、発光層に直接隣接し、以下の条件：
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（ＥＴＭ）｜＜０．３ｅＶ
が、前記発光層中のバイポーラ性ホストおよび電子輸送層中の電子輸送材料のＬＵＭＯエネルギーの絶対値に適用されることを特徴とする、請求項８に記載のデバイス。
【発明の詳細な説明】
【発明の概要】
【０００１】
本発明は、組成物、ならびに組成物を含む配合物およびデバイスに関する。
【０００２】
有機半導体が有機機能材料として用いられている有機エレクトロルミネッセントデバイス（たとえば、ＯＬＥＤ−有機発光ダイオード、または有機発光電気化学電池）の構造が、たとえば、米国特許第４５３９５０７号、米国特許第５１５１６２９号、欧州特許第０６７６４６１号および国際公開第９８／２７１３６号に記載されている。ここで用いられている発光材料は、蛍光発光体に加えて、リン光を示す有機金属錯体になりつつある（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．１９９９、７５、４〜６）。量子力学的な理由から、エネルギーおよび出力効率の最大４倍までの増加が、リン光発光体として有機金属化合物を使用して可能である。一般に、一重項発光を示すＯＬＥＤの場合とまた三重項発光を示すＯＬＥＤの場合のいずれにおいても、特に効率、動作電圧および寿命に関して改良の必要性が依然として存在する。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセントデバイスの特性は、用いられる発光体だけで決定されるのではない。特に、使用される他の材料、たとえば、ホスト材料、正孔阻止材料、電子輸送材料、正孔輸送材料および電子または励起子阻止材料もまたここで特に重要である。これらの材料の改良によって、エレクトロルミネッセントデバイスの顕著な改良をもたらすことができる。
【０００４】
有機電子デバイスで使用するためのホスト材料は、当業者には周知である。マトリックス材料という用語はまた、リン光ドーパント用のホスト材料を意味するのに従来技術でしばしば使用される。一方で、蛍光とリン光の両方の電子デバイスのためのホスト材料が多数開発されている。
【０００５】
蛍光ＯＬＥＤの場合、従来技術によれば、特に青色発光エレクトロルミネッセントデバイスのためには、特に縮合芳香族化合物、特にアントラセン誘導体、たとえば、９，１０−ビス（２−ナフチル）アントラセンがホスト材料として使用される（米国特許第５９３５７２１号）。
【０００６】
国際公開第０３／０９５４４５号および中国特許第１３６２４６４号には、ＯＬＥＤにおける使用のために９，１０−ビス（１−ナフチル）アントラセン誘導体が開示されている。さらなるアントラセン誘導体が、国際公開第０１／０７６３２３号、国際公開第０１／０２１７２９号、国際公開第２００４／０１３０７３号、国際公開第２００４／０１８５８８号、国際公開第０１／０７６３２３号または国際公開第２００４／０１８５８７号に開示されている。アリール置換ピレンおよびクリセンをベースとするホスト材料が国際公開第２００４／０１６５７５号に開示されている。ベンゾアントラセン誘導体をベースとするホスト材料が国際公開第２００８／１４５２３９号に開示されている。高品質用途では、改良されたホスト材料を利用できることが望ましい。
【０００７】
従来技術によれば、とりわけ、リン光発光体用のホスト材料としてケトン（たとえば、国際公開第２００４／０９３２０７号または国際公開第２０１０／００６６８０号による）またはホスフィンオキシド（たとえば、国際公開第２００５／００３２５３号による）が使用される。従来技術によるさらなるホスト材料は、トリアジン（たとえば、国際公開第２００８／０５６７４６号、欧州特許第０９０６９４７号、欧州特許第０９０８７８７号、欧州特許第０９０６９４８号）である。
【０００８】
国際公開第２０１２／０７４２１０号には、ホスト材料としてのフルオレンおよびスピロビフルオレンの使用が開示されている。
【０００９】
従来技術では、たとえば、国際公開第２００５／０３９２４６０号、米国特許出願公開第２００５／００６９７２９号、特開２００４／２８８３８１号、欧州特許第１２０５５２７号または国際公開第２００８／０８６８５１号で、電子デバイスにおける１つ以上のカルバゾール基を含む化合物の使用が開示されている。
【００１０】
従来技術では、たとえば、国際公開第２０１０／１３６１０９号および国際公開第２０１１／０００４５５号で、電子デバイスにおける１つ以上のインデノカルバゾール基を含む化合物の使用がさらに開示されている。
【００１１】
国際公開第２００７／０６３７５４号には、ホスト材料としてのインドロカルバゾールの使用が開示されている。
【００１２】
従来技術では、たとえば、国際公開第２０１０／０１５３０６号、国際公開第２００７／０６３７５４号および国際公開第２００８／０５６７４６号で、電子デバイスにおける１つ以上の電子欠乏ヘテロ芳香族６員環を含む化合物の使用がさらに開示されている。
【００１３】
国際公開第２００９／０６９４４２号には、電子欠乏ヘテロ芳香族基（たとえば、ピリジン、ピリミジンまたはトリアジン）によって高度に置換されている、三環式化合物、たとえば、カルバゾール、ジベンゾフランまたはジベンゾチオフェンが開示されている。三環式化合物は、正孔伝導性基、すなわち、電子リッチ基によって置換されていない。
【００１４】
特開２００９−２１３３６号には、カルバゾールによって２位がおよびトリアジンによって８位が置換されている置換ベンゾフランが開示されている。
【００１５】
国際公開第２０１１／０５７７０６号には、ホスト材料として、その一部が置換されているジベンゾチオフェンおよびジベンゾフランが開示されており、化合物は、電子伝導性基および正孔伝導性基によって特異的に置換されている。
【００１６】
電子デバイス、特に、エレクトロルミネッセントデバイスの性能データを改良するためのさらなる可能性は、材料の組合せを使用することにある。
【００１７】
米国特許第６，３９２，２５０Ｂ１号には、ＯＬＥＤの発光層においての電子輸送材料、正孔輸送材料および蛍光発光体からなる混合物の使用が開示されている。この混合物の補助によって、従来技術よりＯＬＥＤの寿命を改良することが可能になった。
【００１８】
米国特許第６，８０３，７２０Ｂ１号には、ＯＬＥＤの発光層においてのリン光発光体と正孔輸送材料と電子輸送材料とを含む混合物の使用が開示されている。正孔輸送材料と電子輸送材料はいずれも小さい有機分子である。
【００１９】
さらに、米国特許第７，２９４，８４９Ｂ２号には、ＯＬＥＤの発光層においてのホスト材料と、正孔輸送材料または電子輸送材料と、リン光発光体とを含む混合物の使用が開示されている。正孔輸送材料が混合物で使用される場合、ホスト材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）のエネルギーは、正孔輸送材料のそれより低くなければならない。さらに、ホスト材料のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）のエネルギーは、したがって、リン光発光体のそれより高くなければならない。電子輸送材料が混合物で使用される場合、ホスト材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）のエネルギーは、リン光発光体のそれより低くなければならない。さらに、その場合、ホスト材料のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）エネルギーは、電子輸送材料のそれより高くなければならない。ホスト材料は、少なくとも３．５ｅＶのバンドギャップを特徴とする広いバンドギャップの材料であり、バンドギャップとは、材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯエネルギーの間の間隔を意味する。
【００２０】
しかし、特に、有機電子デバイスの効率および寿命に関しては、他の材料の場合と同様にこれらの材料の使用、または材料の混合物に使用に対する改良の必要性が依然として存在する。
【００２１】
したがって、本発明の目的は、蛍光またはリン光ＯＬＥＤにおける使用に適しており、ＯＬＥＤにおいて使用した場合、良好なデバイス特性をもたらす組成物を提供すること、および対応する電子デバイスを提供することである。
【００２２】
驚くべきことに、以下でより詳述するある種の組成物は、これらの目的を達成し、従来技術の欠点を克服することが見出された。組成物は、特に、寿命、効率および動作電圧に関して、有機電子デバイス、特に、有機エレクトロルミネッセントデバイスの非常に良好な特性をもたらす。
【００２３】
したがって、本発明は、この型の組成物を含む、電子デバイス、特に、有機エレクトロルミネッセントデバイス、および対応する好ましい態様に関する。驚くべき効果は、公知の材料の非常に特異的な選択によって達成される。
【００２４】
本発明は、バイポーラ性ホストと、中性コホストと、発光ドーパントとを含む組成物に関する。
【００２５】
バイポーラ性ホストとまた中性コホストの両方は、有機化合物であるが、発光ドーパントは、有機化合物であっても、有機金属化合物であっても、無機化合物であってもよい。個別の化合物は、従来技術から当業者に周知であり、したがって、当業者は、当業者に入手可能な多数の化合物から選択することが可能である。
【００２６】
本発明による組成物は、特に有利には、有機電子デバイスにおける使用に適している。これらの組成物を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスは、効率、動作電圧が非常に良好であり、寿命が顕著に延長される。
【００２７】
組成物中の発光ドーパントの濃度は、好ましくは、全組成物に対して、０．１重量％から５０重量％の範囲、非常に好ましくは、１重量％から３０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、５重量％から２０重量％の範囲である。
【００２８】
組成物中の中性コホストの濃度は、好ましくは、全組成物に対して、５重量％から７０重量％の範囲、非常に好ましくは、２０重量％から６０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、３０重量％から６０重量％の範囲である。
【００２９】
組成物中のバイポーラ性ホストの濃度は、好ましくは、全組成物に対して、５重量％から７０重量％の範囲、非常に好ましくは、１０重量％から６０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、２０重量％から５０重量％の範囲である。
【００３０】
本発明においては、組成物のドーパントはリン光発光体である場合が好ましい。
【００３１】
リン光ドーパントまたは発光体という用語は、通常、スピン禁制遷移を介して、たとえば、三重項状態またはさらにより高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移を介して発光が行われる化合物を包含する。これは、好ましくは、三重項状態からの遷移を意味する。
【００３２】
適切なリン光ドーパントまたは発光体は特に、適切な励起時に、好ましくは可視領域で発光する化合物であって、加えて、原子番号２０超、好ましくは３８超８４未満、特に好ましくは５６超８０未満である少なくとも１つの原子を含む、化合物である。使用されるリン光ドーパントは、好ましくは、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特にイリジウム、白金または銅を含む化合物である。
【００３３】
本出願においては、ルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体はすべてリン光化合物とみなされる。
【００３４】
好ましいリン光ドーパントは、有機化合物および有機金属錯体であり、有機金属錯体が非常に好ましい。
【００３５】
上で説明された発光体の例は、出願である国際公開第００／７０６５５号、国際公開第２００１／４１５１２号、国際公開第２００２／０２７１４号、国際公開第２００２／１５６４５号、欧州特許第１１９１６１３号、欧州特許第１１９１６１２号、欧州特許第１１９１６１４号、国際公開第２００５／０３３２４４号、国際公開第２００５／０１９３７３号、米国特許出願公開第２００５／０２５８７４２号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１２／００７０８６号、国際公開第２０１２／１６３４７１号、国際公開第２０１３／０００５３１号および国際公開第２０１３／０２０６３１号によって公表されている。一般に、リン光ＯＬＥＤ用に従来技術に従って使用され、有機エレクトロルミネッセンスの領域の当業者に公知であるリン光錯体はすべて、適しており、当業者は、発明的な工程なしでさらなるリン光錯体を使用することができる。
【００３６】
従来技術から周知である適切なリン光発光体の例は、以下の表に示される。
【００３７】
【化１−１】
0006772073.tif 000002
【００３８】
【化１−２】
0006772073.tif 000003
【００３９】
【化１−３】
0006772073.tif 000004
【００４０】
【化１−４】
0006772073.tif 000005
【００４１】
【化１−５】
0006772073.tif 000006
【００４２】
【化１−６】
0006772073.tif 000007
【００４３】
【化１−７】
0006772073.tif 000008
【００４４】
【化１−８】
0006772073.tif 000009
【００４５】
電子デバイスの性能データおよび寿命に関して、組成物の成分が、以下の条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝＞０．３
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜＜０．１５ｅＶ
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．３ｅＶ
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜＞０
［式中、ＨＯＭＯ（Ｃ）は中性コホストのＨＯＭＯエネルギーを表し、ＨＯＭＯ（Ｂ）およびＨＯＭＯ（Ｄ）は対応して、それぞれバイポーラ性ホストおよびドーパントのＨＯＭＯエネルギーを表し、ＬＵＭＯ（Ｃ）、ＬＵＭＯ（Ｂ）およびＬＵＭＯ（Ｄ）は対応して、それぞれ中性コホスト、バイポーラ性ホストおよびドーパントのＬＵＭＯエネルギーを表し、関数ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝は２つの値｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜および｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜の小さい方を与え、｜ＨＯＭＯ｜および｜ＬＵＭＯ｜はそれぞれの値の絶対値を表す］
を満たす場合、特に有利である。
【００４６】
示されたエネルギー値は、本明細書では単離された化合物に関するものであり、以下で説明されるように決定される。
【００４７】
材料のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）およびＬＵＭＯ（最低空分子軌道）エネルギーおよび三重項準位は、量子化学計算を介して決定される。このために、本明細書では「Ｇａｕｓｓｉａｎ０９、改訂版Ｄ．０１」ソフトウエアパッケージ（Ｇａｕｓｓｉａｎ  Ｉｎｃ．）が使用される。しかし、同じ方法がその中に装入されていれば、他のソフトウエアパッケージを使用することもできる。金属を含まない有機物質を計算するために（表５で方法「ｏｒｇ．」と表示されている）、第１番目に、電荷０および多重度１を用い、半経験的ＡＭ１（Ｇａｕｓｓｉａｎ入力ライン「＃ＡＭ１  ｏｐｔ」）法を使用して配置最適化が実施される。続いて、電子的基底状態および三重項準位に対するエネルギー計算（単一点）が、最適化配置に対して実施される。本明細書では、６−３１Ｇ（ｄ）ベースセット（Ｇａｕｓｓｉａｎ入力ライン「＃Ｂ３ＰＷ９１／６−３１Ｇ（ｄ）ｔｄ＝（５０−５０，Ｎｓｔａｔｅｓ＝４））を用いてのＴＤＤＦＴ（時間依存密度関数理論）法が使用される（電荷０および多重度１）。有機金属化合物（表５で方法「ｏｒｇ．−ｍ」と表示されている）の場合、配置は、Ｈａｒｔｒｅｅ−Ｆｏｃｋ法およびＬａｎＬ２ＭＢベースセット（Ｇａｕｓｓｉａｎ入力ライン「＃ＨＦ／ＬａｎＬ２ＭＢ  ｏｐｔ」）（電荷０および多重度１）を使用して最適化される。エネルギー計算は、上で説明した有機物質と同様に実施されるが、相違点は、「ＬａｎＬ２ＤＺ」ベースセットが金属原子に対して使用され、「６−３１Ｇ（ｄ）」ベースセットが配位子に対して使用されることである（Ｇａｕｓｓｉａｎ入力ライン「＃Ｂ３ＰＷ９１／ｇｅｎ  ｐｓｅｕｄｏ＝ｌａｎｌ２  ｔｄ＝（５０−５０、Ｎｓｔａｔｅｓ＝４）」）。エネルギー計算は、ｈａｒｔｒｅｅ単位（ＨＥｈまたはＬＥｈ）で２個の電子で占有された最終軌道としてのＨＯＭＯ（Ａｌｐｈａ  ｏｃｃ．固有値）および第１の非占有軌道としてのＬＵＭＯ（Ａｌｐｈａ  ｖｉｒｔ．固有値）を与える。サイクリックボルタンメトリ測定を参照して較正された電子ボルトでのＨＯＭＯおよびＬＵＭＯ値は、それから以下：
ＬＵＭＯ（ｅＶ）＝（１．０６５８＊ＬＥｈ＊２７．２１２）−０．５０４９
ＨＯＭＯ（ｅＶ）＝（０．８３０８＊ＨＥｈ＊２７．２１２）−１．１１８０
のように決定される。
【００４８】
これらの値は、本出願用の材料のＨＯＭＯまたはＬＵＭＯとみなすべきである。
【００４９】
材料の三重項準位Ｔ1は、量子化学エネルギー計算に由来する最低エネルギーを有する三重項準位の相対的励起エネルギー（ｅＶでの）として定義される。
【００５０】
個別のエネルギー値を決定するための上述の条件および方法によって、当業者が従来技術から適切な化合物を簡単に同定することが可能になる。軌道エネルギーの計算は当業者の日常の作業に相当し、当業者は、上述の方法の助けを借りて短時間でその作業を実施することができる。
【００５１】
以下の条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜＜０．１５ｅＶおよび
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜＞−０．２ｅＶ、
が満たされる場合がさらに好ましく、
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜＜０．１ｅＶおよび
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜＞−０．１ｅＶ
の場合が非常に好ましい。
【００５２】
以下の条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝＞０．４ｅＶ、
が満たされる場合が非常に好ましく、
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝＞０．６ｅＶ
の場合が特に好ましい。
【００５３】
以下の条件：
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．４ｅＶ、
が満たされる場合が非常に特に好ましく、
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．６ｅＶ
の場合が特別に好ましい。
【００５４】
以下の２つの条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝＞０．４ｅＶ
または
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．４ｅＶ，
の少なくとも１つが満たされることを特徴とする組成物が特別に好ましく、両方の条件が満たされる場合がより好ましく、
加えて、２つの以下の条件：
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−ｍｉｎ｛｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜；｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜｝＞０．６ｅＶ
または
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．６ｅＶ、
の１つが満たされる場合がさらにより好ましく、両方の条件が満たされる場合が最も好ましい。
【００５５】
本発明のさらなる態様では、組成物は、バイポーラ性ホストと、中性コホストと、発光ドーパントとを含み、その組成物は、以下の条件：
ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．３ｅＶ
｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜＜０．１５ｅＶ
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０．３ｅＶ
｜ＨＯＭＯ（Ｄ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０、
［式中、関数ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝は２つの値｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜および｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜の大きい方を与える］
が満たされることを特徴とする、好ましくはリン光発光体、非常に好ましくは、有機リン光発光体である。
【００５６】
ここで、
｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜＜０．１５ｅＶおよび
｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜＞−０．２ｅＶ、
の場合がより好ましく、
｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜＜０．１ｅＶおよび
｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜−｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜＞−０．１ｅＶ
の場合が非常に好ましい。
【００５７】
上述と関連して本発明のさらなる態様では、以下の条件：
ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．４ｅＶ、
が満たされる場合がさらに非常に好ましく、
ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．６ｅＶ
の場合が特に好ましい。
【００５８】
上述と関連して本発明のさらなる態様では、以下の条件：すなわち、
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０．４ｅＶ、
が満たされる場合がさらに非常に特に好ましく、
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０．６ｅＶ
の場合が好ましい。
【００５９】
２つの以下の条件：
ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．４ｅＶ
または
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０．４ｅＶ、
の少なくとも１つが満たされることを特徴とする、上述のさらなる態様による組成物が特に好ましく、両方の条件が満たされる場合がより好ましく、加えて、２つの以下の条件：
ｍａｘ｛｜ＬＵＭＯ（Ｄ）｜；｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜｝−｜ＬＵＭＯ（Ｃ）｜＞０．６ｅＶ
または
｜ＨＯＭＯ（Ｃ）｜−｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜＞０．６ｅＶ、
の１つが満たされる場合がさらにより好ましく、両方の条件が満たされる場合が最も好ましい。
【００６０】
バイポーラ性ホストが、使用される成分で使用される混合物中の電子輸送とまた正孔輸送の両方に顕著な寄与をするものであることは当業者に公知である。（ａ）同じ混合物中で使用されるさらなる材料のエネルギー準位の位置に比較してのそのエネルギー準位の位置のために電子とまた正孔の両方が顕著な程度まで注入され、（ｂ）極めて低い電子または正孔移動度（１０-8ｃｍ2／（Ｖｓ）未満）のために輸送が抑制されない材料が選択される場合にこれが実施できることは当業者にさらに公知である。電子および正孔移動度の測定は、標準の方法を用いて当業者によって日常的に実施される。
【００６１】
当業者は、適切なバイポーラ性ホストを選択するために多数の公知のホストに頼り、対応するエネルギー準位の位置を有する同様な公知の発光体とそれとを組み合わせることができる。
【００６２】
バイポーラ性ホストは、いわゆるハイブリッド系によって示されることが多い。ハイブリッド系は、少なくとも１つの電子輸送基とまた少なくとも１つの正孔輸送基の両方を含み、これらの基は、一般に、その電子の豊富さまたはその電子の欠乏のために正孔注入に適したＨＯＭＯまたは電子注入に適したＬＵＭＯを実現する基であることを特徴とする。
【００６３】
バイポーラリティは、単一材料の特性ではなく、代わりに混合物中に存在する他の材料に対して適切である特性によって実現される。例では、材料は組成物の他の材料に応じてバイポーラ性ホストまたは中性コホストのいずれかであってよいことが後で示される（化合物１３ｔ）。
【００６４】
好ましいバイポーラ性ホストは、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ベンゾイミダゾール、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、１，１０−フェナントロリン、１，３，４−オキサジアゾール、ホスフィンオキシド、フェニルスルホニル、ケトン、ラクタムおよびトリアリールアミンの群から選択され、トリアジン、ピリミジン、ベンゾイミダゾール、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾール、ケトン、ラクタムおよびトリアリールアミンが非常に好ましい。ここで特に好ましいバイポーラ性ホストは、トリアジン、ベンゾイミダゾール、カルバゾール、インデノカルバゾール、ラクタムおよびトリアリールアミンの群から選択され、トリアジン、カルバゾール、インデノカルバゾールおよびラクタムが、特別に好ましい。
【００６５】
組成物の成分の構造的な記載と無関係に、上に示された限定的な軌道（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ）の相対的な位置は、有利な技術効果に対して極めて重要である。したがって、ここに示された成分は、例示的な性格を有する。
【００６６】
バイポーラ性ホストとして適切であるピリジンは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたピリジンはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００６７】
バイポーラ性ホストとして適切であるピリミジンは、たとえば、国際公開第２０１１／０５７７０６Ａ２号、国際公開第２０１１／１３２６８４Ａ１号または欧州特許出願第１２００８３３２．４号に開示されている。そこに開示されたピリミジンは、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００６８】
バイポーラ性ホストとして適切であるトリアジンは、たとえば、国際公開第２０１１／０５７７０６Ａ２号、欧州特許出願第１２００８３３２．４号またはＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたトリアジンはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００６９】
バイポーラ性ホストとして適切であるベンゾイミダゾールは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５または国際公開第２０１０／１０７２４４Ａ２号に開示されている。そこに開示されたベンゾイミダゾールはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７０】
バイポーラ性ホストとして適切であるカルバゾールは、たとえば、国際公開第２０１１／０５７７０６Ａ２号、欧州特許出願第１２００８３３２．４号またはＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたカルバゾールはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７１】
バイポーラ性ホストとして適切であるインデノカルバゾールは、たとえば、欧州特許出願第１２００８３３２．４号または国際公開第２０１１／０００４５５号に開示されている。そこに開示されたインデノカルバゾールはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７２】
バイポーラ性ホストとして適切であるインドロカルバゾールは、たとえば、国際公開第２００８／０５６７４６Ａ１号に開示されている。そこに開示されたインドロカルバゾールはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７３】
バイポーラ性ホストとして適切である１，１０−フェナントロリンは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示された１，１０−フェナントロリンはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７４】
バイポーラ性ホストとして適切である１，３，４−オキサジアゾールは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示された１，３，４−オキサジアゾールはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７５】
バイポーラ性ホストとして適切であるホスフィンオキシドは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたホスフィンオキシドはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７６】
バイポーラ性ホストとして適切であるフェニルスルホニルは、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたフェニルスルホニルはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７７】
バイポーラ性ホストとして適切であるケトンは、たとえば、国際公開第２００７／１３７７２５Ａ１号または国際公開第２０１０／１３６１０９Ａ１号に開示されている。そこに開示されたケトンはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７８】
バイポーラ性ホストとして適切であるラクタムは、たとえば、国際公開第２０１３／０６４２０６号に開示されている。そこに開示されたラクタムはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００７９】
バイポーラ性ホストとして適切であるトリアリールアミンは、たとえば、国際公開第２００７／１３７７２５Ａ１号、国際公開第２０１１／０００４５５号またはＡｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５に開示されている。そこに開示されたトリアリールアミンはまた、本発明の意味において非常に好ましいバイポーラ性ホストを示す。
【００８０】
上で既述したように、バイポーラ性ホストは、しばしばいわゆるハイブリッド系によって示される。ハイブリッド系は、それらが少なくとも１つの電子輸送基（ＥＴ）とまた少なくとも１つの正孔輸送基（ＨＴ）の両方を含むことを特徴とする。
【００８１】
したがって、本発明による組成物のバイポーラ性ホストは、本発明のさらなる好ましい態様では、少なくとも１つの電子輸送基（ＥＴ）とまた少なくとも１つの正孔輸送基（ＨＴ）の両方を含むハイブリッドシステムである。そのようなハイブリッドシステムの総説は、たとえば、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．、２０１１、２３、３８７６〜３８９５で与えられている。
【００８２】
バイポーラ性ホストが、ＨＴ／Ｎ含有ヘテロ環式ハイブリッド系、ＨＴ／ベンゾイミダゾールハイブリッド系、ＨＴ／１，１０−フェナントロリンハイブリッド系、ＨＴ／１，３，４−オキサジアゾールハイブリッド系、ＨＴ／ホスフィンオキシドハイブリッド系、ＨＴ／フェニルスルホニルハイブリッド系、ＨＴ／ケトンハイブリッド系およびＨＴ／ラクタムハイブリッド系からなる群から選択されるハイブリッド系である場合が非常に好ましい。ＨＴ／ベンゾイミダゾールという表記は、バイポーラ性ホストが少なくとも１つの正孔輸送基（ＨＴ）および少なくとも１つの電子輸送基を含み、電子輸送基の１つがベンゾイミダゾールであることを意味することが意図される。
【００８３】
好ましいＮ含有ヘテロ環は、ピリジン、ピリミジンおよびトリアジンであり、トリアジンが非常に好ましい基を示す。
【００８４】
バイポーラ性ホストに対する特に好ましいハイブリッド系は、ＨＴ／ピリジンハイブリッド系、ＨＴ／ピリミジンハイブリッド系、ＨＴ／トリアジンハイブリッド系、ＨＴ／ベンゾイミダゾールハイブリッド系であり、非常に特に好ましいハイブリッド系は、ＨＴ／トリアジンハイブリッド系またはＨＴ／ベンゾイミダゾールハイブリッド系であり、特別に好ましいハイブリッド系は、ＨＴ／トリアジンハイブリッド系である。
【００８５】
さらに好ましいバイポーラ性ホストは、カルバゾール／ＥＴハイブリッド系、インデノカルバゾール／ＥＴハイブリッド系、インドロカルバゾール／ＥＴハイブリッド系、カルバゾール−カルバゾール／ＥＴハイブリッド系、インデノカルバゾール−カルバゾール／ＥＴハイブリッド系およびアミン／ＥＴハイブリッド系であり、カルバゾール／ＥＴハイブリッド系が非常に好ましい。
【００８６】
ここで非常に特に好ましいハイブリッド系は、カルバゾール／トリアジンハイブリッド系、インデノカルバゾール／トリアジンハイブリッド系、インドロカルバゾール／トリアジンハイブリッド系、カルバゾール−カルバゾール／トリアジンハイブリッド系、インデノカルバゾール−カルバゾール／トリアジンハイブリッド系、およびアミン／トリアジンハイブリッド系である。
【００８７】
本発明による組成物の中性コホストは、２つの他の成分（バイポーラ性ホストおよび発光ドーパント）と同様に、その限定的軌道（ＨＯＭＯ／ＬＵＭＯ）の相対位置によって決定される。
【００８８】
バイポーラ性ホストについてすでに指摘されたように、中性とは、単一材料の特性でなく、混合物中に存在する他の材料に対して適切である特性によって実現されることを中性コホストについても指摘しておかなければならない（例中の化合物１３ｔを参照されたい）。
【００８９】
当業者は、適切な中性コホストを選択するために公知のホストに頼り、対応するエネルギー準位の位置を有する同様な公知発光体およびホストとそれらとを組み合わせることができる。
【００９０】
好ましい中性コホストの例は、たとえば、国際公開第２０１０／１０８５７９号、欧州特許出願第１２００８５８４．０号および国際公開第２００９／０２１１２６Ａ９号に開示されている。
【００９１】
中性コホストは、好ましくは、芳香族またはヘテロ芳香族炭化水素であり、中性コホスト中のヘテロ芳香族環の数は、芳香族環の数より少ない。中性コホスト中のヘテロ芳香族環の数が２以下である場合が非常に好ましい。中性コホストの最高で１つの環がヘテロ芳香族環である場合が特に好ましい。
【００９２】
たとえば、ベンゾイミダゾールは、１つの芳香族環（ベンゼン）と１つのヘテロ芳香族環（イミダゾール）とを含む。カルバゾールは、２つの芳香族環（２つのベンゼン）と１つのヘテロ芳香族環（ピロール）とを含む。スピロビフルオレンは、４つの芳香族環（４つのベンゼン）を含む。
【００９３】
中性コホストは、好ましくは、６以下、非常に好ましくは、５以下、特に好ましくは、４以下、非常に特に好ましくは、３以下、特別に好ましくは、２以下、さらにより好ましくは、１以下のヘテロ原子を含み、最も好ましくは、全くヘテロ原子を含まない。
【００９４】
使用される発光体およびバイポーラ性ホストのエネルギー準位に応じて、好ましい中性ホストはまた、たとえば、電子輸送ホストのような電荷輸送ホスト以外と組み合わせて使用されるものであってもよい。これらのものとして、たとえば、ラクタム（たとえば、国際公開第２０１３／０６４２０６号）、ピリミジン（たとえば、国際公開第２０１０／１３６１０９Ａ１号）、トリアジン（たとえば、国際公開第２０１０／１３６１０９Ａ１号）およびベンゾイミダゾール（たとえば、Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ３５（２０１３）２２０１−２２０７）が挙げられる。
【００９５】
一部の例示的で特に好ましい中性コホストを、以下の一覧中のものである。
【００９６】
【化２−１】
0006772073.tif 000010
【００９７】
【化２−２】
0006772073.tif 000011
【００９８】
好ましい態様では、本発明による組成物は、前記材料、バイポーラ性ホスト、中性コホストおよび発光ドーパント以外にさらなる有機機能材料を含んでいてもよい。したがって、本発明はまた、上述の３つの成分以外にさらなる有機機能材料を含む組成物に関し、この有機機能材料は、好ましくは、正孔注入材料、正孔輸送材料、正孔阻止材料、ホスト材料、発光体材料、電子阻止材料、電子輸送材料および電子注入材料からなる群から選択される。この場合に、当業者に知られている既知の多数の材料から選択をする際に困難に直面することは全くない。
【００９９】
組成物がさらなる機能材料としてさらなるホスト材料を含む場合が非常に好ましい。
【０１００】
好ましい態様では、さらなるホスト材料は、本出願の意味においてさらなるバイポーラ性ホスト材料である。さらなる好ましい態様では、さらなるホスト材料は、本出願の意味においてさらなる中性ホスト材料である。
【０１０１】
さらなる好ましい態様では、さらなるホスト材料は、正孔輸送ホスト材料である。さらなる好ましい態様では、さらなるホスト材料は、電子輸送ホスト材料である。
【０１０２】
好ましいさらなるホスト材料は、芳香族アミン、特に、たとえば、米国特許出願公開第２００５／００６９７２９号によるトリアリールアミン、カルバゾール誘導体（たとえば、ＣＢＰ、Ｎ，Ｎ−ビスカルバゾイルビフェニル）または国際公開第２００５／０３９２４６号、米国特許出願公開第２００５／００６９７２９号、特開第２００４／２８８３８１号、欧州特許第１２０５５２７号または国際公開第２００８／０８６８５１号による化合物、たとえば、国際公開第２０１１／０８８８７７号および国際公開第２０１１／１２８０１７号による橋かけカルバゾール誘導体、たとえば、国際公開第２０１０／１３６１０９号および国際公開第２０１１／０００４５５号によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、欧州特許第１６１７７１０号、欧州特許第１６１７７１１号、欧州特許第１７３１５８４号、特開第２００５／３４７１６０号によるアザカルバゾール誘導体、たとえば、国際公開第２００７／０６３７５４号または国際公開第２００８／０５６７４６号によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、国際公開第２００４／０９３２０７号または国際公開第２０１０／００６６８０号によるケトン、たとえば、国際公開第２００５／００３２５３号によるホスフィンオキシド、スルホキシドおよびスルホン、オリゴフェニレン、たとえば、国際公開第２００７／１３７７２５号によるバイポーラ性ホスト材料、たとえば、国際公開第２００５／１１１１７２号によるシラン、たとえば、国際公開第２００６／１１７０５２号によるアザボロールまたはボロン酸エステル、たとえば、国際公開第２０１０／０１５３０６号、国際公開第２００７／０６３７５４号または国際公開第２００８／０５６７４６号によるトリアジン誘導体、たとえば、欧州特許第６５２２７３号または国際公開第２００９／０６２５７８号による亜鉛錯体、アルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌｑ、たとえば、国際公開第２０１０／０５４７２９号によるジアザシロールおよびテトラアザシロール誘導体、たとえば、国際公開第２０１０／０５４７３０号によるジアザホスホール誘導体、ならびにアルミニウム錯体、たとえば、ＢＡｌｑである。
【０１０３】
組成物中のさらなるホスト材料の濃度は、好ましくは、全組成物に対して１０重量％〜５０重量％の範囲、非常に好ましくは、１０重量％〜３０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、１０重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１０４】
さらなる好ましい態様では、本発明による組成物は、リン光発光体である１種以上のさらなる発光ドーパントを含む。
【０１０５】
組成物が１種また２種のさらなる発光ドーパントを含む場合が特に好ましく、組成物が１種のさらなる発光ドーパントを含む場合が非常に特に好ましい。
【０１０６】
すでに上述したリン光ドーパントはこのために適切である。
【０１０７】
したがって好ましい態様では、２種の発光リン光ドーパントを含む組成物が用いられ、より短い波長の発光スペクトルを有するリン光ドーパントは、より長い波長の発光スペクトルを有するリン光ドーパントに対するコホストとして働く。
【０１０８】
ドーパントは、エレクトロルミネッセンススペクトル中のそのピーク発光が、他のドーパントのエレクトロルミネッセンススペクトル中のピーク発光に比較してより短い波長にシフトする場合、より短い波長の発光スペクトルを有する。
【０１０９】
したがって、たとえば、青色−（４００−５００ｎｍ）または緑色−（５０１−５６０ｎｍ）発光のリン光ドーパントは、赤色−発光リン光ドーパントに対するコホストとして用いることができる。同様に、たとえば、青色−発光のリン光ドーパントは、緑色−発光リン光ドーパントに対するコホストとして用いることができる。これは、対応する有機エレクトロルミネッセントデバイスの寿命、効率および動作電圧に対して有利である。
【０１１０】
好ましい態様では、ここで、エレクトロルミネッセンス中の発光の支配的な割合が、より長い波長のリン光ドーパントから発する組成物が使用される。
【０１１１】
エレクトロルミネッセンス発光スペクトル下の面積の少なくとも７０％、好ましくは、少なくとも８０％、非常に好ましくは、少なくとも９０％が組成物のこのドーパントによるものである場合、ドーパントのエレクトロルミネッセンスにおける発光の割合が支配的である。
【０１１２】
ここで、より長い波長のリン光ドーパントがエレクトロルミネッセンスの発光に独占的に寄与する組成物の使用が非常に特に好ましい。本明細書で「独占的に」という用語は、エレクトロルミネッセンス発光スペクトル下の面積の少なくとも９９％が、組成物のこのドーパントに寄与していることを意味する。
【０１１３】
２種のリン光ドーパントのエレクトロルミネッセンスに対する相対的な寄与は、多数の因子：より長い波長のリン光ドーパントからの発光の高い割合は、たとえば、この発光体の高い相対濃度および／または用いた２種の発光体の低い立体遮蔽および／またはより長い波長のリン光ドーパント上での好ましい励起子形成をもたらす適切なエネルギー準位の位置によって影響され得ることは当業者に公知である。
【０１１４】
この態様では、組成物中のより短い波長の発光リン光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、１重量％〜４０重量％の範囲、非常に好ましくは、３重量％〜３０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、５重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１１５】
加えて、この態様において組成物中のより長い波長の発光リン光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、１重量％〜３０重量％の範囲、非常に好ましくは、５重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１１６】
別の好ましい態様では、両方のドーパントがエレクトロルミネッセンスの発光に対して顕著に寄与する２種の発光リン光ドーパントを含む組成物が使用される。
【０１１７】
ドーパントは、エレクトロルミネッセンスの発光のその割合が、組成物のこのドーパントのエレクトロルミネッセンス発光スペクトル下の面積の少なくとも１０％、好ましくは、少なくとも２０％、非常に好ましくは、少なくとも３０％である場合、エレクトロルミネッセンスの発光に顕著に寄与する。
【０１１８】
たとえば、１層で緑色および赤色発光をこのようにして発生させることは有利である。したがってさらなる青色発光層と組み合わせて、白色発光を発生させることが可能である。さらに、たとえば、１層で青色および黄色（５６１〜５８５ｎｍ）発光を発生させることは有利であり、その結果、全体としての白色発光もまたさらなる発光層を使用することなく発生させる。
【０１１９】
２種の発光体のエレクトロルミネッセンスに対する相対的な寄与は、多数の因子：より短い波長のリン光ドーパントからの発光の顕著な割合は、たとえば、より長い波長のリン光ドーパントの低いから非常に低いまでの相対濃度および／または用いた２種の発光体の高い立体遮蔽および／またはより短い波長のリン光ドーパント上での好ましい励起子形成をもたらす適切なエネルギー準位の位置によって実現できることは当業者に公知である。
【０１２０】
この態様では、組成物中のより短い波長のさらなる発光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、１重量％〜４０重量％の範囲、非常に好ましくは、５重量％〜３０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、８重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１２１】
加えて、この態様において組成物中のより長い波長の発光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、０．１重量％〜１０重量％の範囲、非常に好ましくは、０．１重量％〜３重量％の範囲である。
【０１２２】
さらなる好ましい態様では、３種のドーパントのすべてがエレクトロルミネッセンスの発光に顕著に寄与する合計で３種の発光リン光ドーパント含む組成物が使用される。
【０１２３】
これらのドーパントは、好ましくは、全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光極大を有し、全体で発光をもたらす。赤色、緑色および橙色または赤色発光の組合せが特別に好ましい。
【０１２４】
３種の発光体のエレクトロルミネッセンスへの相対的寄与は、２種の発光体の場合についてすでに上記された同じ因子によって影響され得ることは当業者に公知である。
【０１２５】
この態様では、組成物中のより短い波長の発光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、１重量％〜４０重量％の範囲、非常に好ましくは、５重量％〜３０重量％の範囲、非常に特に好ましくは、８重量％〜２０重量％の範囲である。
【０１２６】
加えて、この態様において組成物中の最高の次に高い発光波長を有する発光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、０．１重量％〜１０重量％の範囲、非常に好ましくは、０．５重量％〜３重量％の範囲である。
【０１２７】
加えて、この態様において組成物中の最長波長の発光ドーパントの濃度は、全組成物に対して好ましくは、０．０１重量％〜５重量％の範囲、非常に好ましくは、０．１重量％〜１重量％の範囲である。
【０１２８】
本発明の特に好ましい態様では、組成物は、バイポーラ性ホスト、中性コホストおよび発光ドーパント以外に有機機能材料を含まず、本発明による組成物がバイポーラ性ホスト、中性コホストおよび発光ドーパントのみからなり、さらなる有機または無機構成成分を含まない場合が非常に特に好ましい。
【０１２９】
本発明のさらなる特に好ましい態様では、組成物は、バイポーラ性ホスト、中性コホスト、発光ドーパントおよびさらなるホスト材料以外に上述の有機機能材料を含まず、本発明による組成物が、バイポーラ性ホスト、中性コホスト、発光ドーパントおよびさらなるホスト材料のみからなり、さらなる有機または無機構成成分を含まない場合が非常に特に好ましい。
【０１３０】
本発明のさらにさらなる特に好ましい態様では、組成物は、バイポーラ性ホスト、中性コホスト、発光ドーパントおよびさらなる発光ドーパント以外に上述の有機機能材料を含まず、本発明による組成物が、バイポーラ性ホスト、中性コホスト、発光ドーパントおよびさらなる発光ドーパントのみからなり、さらなる有機または無機構成成分を含まない場合が非常に特に好ましい。
【０１３１】
本発明による組成物は、電子デバイスで、特に有機エレクトロルミネッセントデバイスで使用することができる。ここで組成物の成分は、蒸着によってまたは溶液から加工することができる。組成物が溶液から適用される場合、少なくとも１種のさらなる溶媒が必要である。溶液からの加工は、本発明による組成物を含む層が非常に簡単で安価に適用することができるという利点を有する。この技法は、有機電子デバイスの大量生産に特に適している。
【０１３２】
したがって、本発明はまた、本発明による組成物と少なくとも１種の溶媒とを含む配合物に関する。
【０１３３】
適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、ｏ−、ｍ−またはｐ−キシレン、メチルベンゾアート、メシチレン、テトラリン、ベラトロール、ＴＨＦ、メチル−ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に３−フェノキシトルエン、（−）−フェンコン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、１−メチルナフタレン、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェノキシエタノール、２−ピロリジノン、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、３，４−ジメチルアニソール、３，５−ジメチルアニソール、アセトフェノン、α−テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾアート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾアート、インダン、メチルベンゾアート、ＮＭＰ、ｐ−シメン、フェネトール、１，４−ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、２−イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、１，１−ビス（３，４−ジメチルフェニル）エタンまたはこれらの溶媒の混合物である。
【０１３４】
前記配合物は、すでに説明したように、溶液から電子デバイスの層を加工するのに使用することができる。したがって、本発明は、配合物が溶液からデバイスの発光層を加工するために使用されることを特徴とする、電子デバイス、特に有機エレクトロルミネッセントデバイスを生成するための本発明による配合物の使用に関する。
【０１３５】
本発明はまた、有機電子デバイスにおける本発明による組成物の使用に関する。
【０１３６】
したがって、本発明はまた、本発明による少なくとも１種の組成物を含む有機電子デバイスに関し、デバイスは、好ましくは、有機集積回路（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機エレクトロルミネセントデバイス、有機太陽電池、有機光学検出器および有機感光体から選択され、有機エレクトロルミネセントデバイスが非常に好ましい。
【０１３７】
本発明の意味において、非常に特に好ましい有機エレクトロルミネッセントデバイスは、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機電界消光デバイス（ＯＦＱＤ）、有機発光電気化学電池（ＯＬＥＣ、ＬＥＣ、ＬＥＥＣ）、有機レーザーダイオード（Ｏ−レーザー）および有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、特別に好ましくは、ＯＬＥＣおよびＯＬＥＤ、最も好ましくは、ＯＬＥＤである。
【０１３８】
カソード、アノードおよび本発明による組成物を含む層と別に、有機エレクトロルミネッセントデバイスはまたさらなる層を含んでもよい。これらは、たとえば、それぞれの場合、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔阻止層、発光層、電子輸送層、電子注入層、電子阻止層、励起子阻止層、中間層、電荷発生層（ＩＤＭＣ２００３、Ｔａｉｗａｎ；Ｓｅｓｓｉｏｎ  ２１  ＯＬＥＤ（５）、Ｔ．Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ、Ｔ．Ｎａｋａｄａ、Ｊ．Ｅｎｄｏ、Ｋ．Ｍｏｒｉ、Ｎ．Ｋａｗａｍｕｒａ、Ａ．Ｙｏｋｏｉ、Ｊ．Ｋｉｄｏ、Ｍｕｌｔｉｐｈｏｔｏｎ  Ｏｒｇａｎｉｃ  ＥＬ  Ｄｅｖｉｃｅ  Ｈａｖｉｎｇ  Ｃｈａｒｇｅ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）および／または有機または無機ｐ／ｎ接合から選択される。しかし、これらの層は、必ずしも存在しなければならないものでないことを指摘すべきである。
【０１３９】
有機エレクトロルミネッセントデバイスの層の順序は、好ましくは、以下：
アノード／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／カソードである。ここで前記層のすべてが存在しなければならないのではない、および／またはさらなる層が追加で存在してもよいことを再度指摘すべきである。
【０１４０】
本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイスは、複数の発光層を含んでいてもよい。この場合のこれらの発光層は特に好ましくは、全体で３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの複数の発光極大を有し、全体で白色発光をもたらす。すなわち、蛍光またはリン光を発生できかつ青色または黄色または橙色または赤色の光を発する種々の発光化合物が発光層で使用される。３層系、すなわち、３つの発光層を有する系が特別に好ましく、３層が青色、緑色および橙色または赤色発光を示す（基本構造については、たとえば、国際公開第２００５／０１１０１３号を参照されたい）。白色光を発生させるためには、広い波長範囲で発光する、個別に使用される発光体化合物もまた、色を発する複数の発光体化合物の代替として適していることに留意されたい。
【０１４１】
本発明による組成物はまた、たとえば、国際公開第９８／２４２７１号、米国特許出願公開第２０１１／０２４８２４７号および米国特許出願公開第２０１２／０２２３６３３号に記載されているように、特に、有機エレクトロルミネッセントデバイスでの使用にも適している。これらの多色ディスプレー成分では、追加の青色発光層が、青色以外の色を有するものを含めてのすべてのピクセルに対して全領域にわたり蒸着によって適用される。驚くべきことに、本発明による組成物は、それが赤色および／または緑色ピクセル用に用いられた場合、青色の蒸着発光層と一緒になって、さらなる非常に良好な発光をもたらすことがここで見出されている。
【０１４２】
本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイスの正孔注入もしくは正孔輸送層または電子阻止層であるいは電子輸送層で使用できるような適切な電荷輸送材料は、たとえば、Ｙ．Ｓｈｉｒｏｔａら、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．２００７、１０７（４）、９５３〜１０１０で開示された化合物、または従来技術によるこれらの層で用いられるような他の材料である。
【０１４３】
電子輸送層用に使用できる材料は、電子輸送層で電子輸送材料として従来技術に従って使用されるようなすべての材料である。特に適切であるのは、アルミニウム錯体、たとえば、Ａｌｑ3、ジルコニウム錯体、たとえば、Ｚｒｑ4、ベンゾイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラン、ジアゾホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。さらに適切な材料は、特開第２０００／０５３９５７号、国際公開第国際公開第２００３／０６０９５６号、国際公開第２００４／０２８２１７号、国際公開第２００４／０８０９７５号および国際公開第２０１０／０７２３００号に開示されたような、上述の化合物の誘導体である。
【０１４４】
正孔輸送材料は、正孔輸送、正孔注入または電子阻止層で使用できる特別に好ましい材料、すなわち、インデノフルオレンアミン誘導体（たとえば、国際公開第０６／１２２６３０号または国際公開第０６／１００８９６号による）欧州特許第１６６１８８８号に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、国際公開第０１／０４９８０６号による）、縮合芳香族環を含むアミン誘導体（たとえば、米国特許第５，０６１，５６９号による）、国際公開第９５／０９１４７号に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、国際公開第０８／００６４４９号による）、ジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、国際公開第０７／１４０８４７号による）、スピロビフルオレンアミン（たとえば、国際公開第２０１２／０３４６２７号または現在未公開の欧州特許出願第１２０００９２９．５号による）、フルオレンアミン（たとえば、現在未公開の欧州特許出願第１２００５３６９．９号、欧州特許出願第１２００５３７０．７号および欧州特許出願第１２００５３７１．５号による）、スピロジベンゾピランアミン（たとえば、現在未公開の欧州特許出願第１１００９１２７．９号による）およびジヒドロアクリジン誘導体（たとえば、現在未公開の欧州特許出願第１１００７０６７．９号による）である。
【０１４５】
電子デバイスのカソードは、好ましくは、仕事関数の小さい金属、金属合金、種々の金属、たとえば、アルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属またはランタニド（たとえば、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ、など）を含む多層構造体を含む。アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀を含む合金、たとえば、マグネシウムと銀とを含む合金も適切である。多層構造体の場合、仕事関数が比較的大きいさらなる金属、たとえば、ＡｇまたはＡｌも前記金属に加えて使用することができ、その場合、金属の組合せ、たとえば、Ｃａ／Ａｇ、Ｍｇ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇが一般に使用される。誘電定数が大きい材料の薄い中間層を金属カソードと有機半導体の間に導入することも好ましい場合がある。このために適切なのは、たとえば、アルカリ金属フッ化物またはアルカリ土類金属フッ化物、また対応する酸化物または炭酸塩（たとえば、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、ＢａＦ2、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、など）である。さらに、キノリン酸リチウム（ＬｉＱ）がこのために使用することができる。この層の層厚は、好ましくは、０．５〜５ｎｍである。
【０１４６】
アノードは、好ましくは、仕事関数が大きい材料を含む。アノードは、好ましくは、対真空４．５ｅＶ超の仕事関数を有する。このために適切なのは、一方では、酸化還元電位が高い金属、たとえば、Ａｇ、ＰｔまたはＡｕである。他方では、金属／金属酸化物電極（たとえば、Ａｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）もまた好ましい場合がある。一部の応用では、少なくとも１つの電極は、有機材料の放射（有機太陽電池）または光の出力結合（ＯＬＥＤ、Ｏ−レーザー）いずれかを促進するために透明または部分的に透明でなければならない。ここで好ましいアノード材料は、導電性の混合金属酸化物である。インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）が特に好ましい。導電性のドープ有機材料、特に、導電性ドープポリマーがさらに好ましい。さらに、アノードはまた、複数の層、たとえば、内層のＩＴＯおよび外層の金属酸化物、好ましくは、タングステン酸化物、モリブデン酸化物またはバナジウム酸化物からなっていてもよい。
【０１４７】
生成中に、電子デバイスは、適切に（用途に応じて）、組み立てられ、接点が設けられ、最後に密封される。その理由は、本発明によるデバイスの寿命が、水および／または空気の存在下で短縮されるからである。
【０１４８】
好ましい態様では、本発明による電子デバイスは、１つ以上の層が昇華法によって適用され、材料が１０-5ミリバール未満、好ましくは、１０-6ミリバール未満の初期圧下で真空昇華ユニットにおいて蒸着によって適用されることを特徴とする。しかしここで初期圧がさらに低い、たとえば、１０-7ミリバール未満であることも可能である。
【０１４９】
同様に、１つ以上の層が、ＯＶＰＤ（有機蒸着）法によってまたは担体ガス昇華の補助によって適用され、材料が１０-5ミリバール〜１バール圧力下で適用されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセントデバイスが好ましい。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機蒸気ジェット印刷）法であり、材料がノズルを介して直接適用され、こうして組み立てられる（たとえば、Ｍ．Ｓ．Ａｒｎｏｌｄら、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．２００８、９２、０５３３０１）。
【０１５０】
１つ以上の層が、溶液から、たとえば、スピンコーティングによって、または任意の所望の印刷法によって、たとえば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷またはオフセット印刷、特に好ましくは、ＬＩＴＩ（光誘起熱イメージング、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって生成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセントデバイスがさらに好ましい。可溶性の化合物が、このために必要である。大きな溶解度は、化合物の適切な置換によって実現することができる。
【０１５１】
本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイスを生成するために、１つ以上の層を溶液から、１つ以上の層を昇華法によって適用することがさらに好ましい。
【０１５２】
したがって、本発明は、少なくとも１つの有機層が気相堆積によってまたは溶液から適用されることを特徴とする、本発明による電子デバイスを生成するための方法にさらに関する。
【０１５３】
本発明によるデバイスは、極めて多用途で用いることができる。したがって、エレクトロルミネッセントデバイスは、たとえば、テレビジョン、移動電話、コンピュータおよびカメラ用のディスプレーで用いることができる。しかし、デバイスはまた、照明用途でも使用することができる。さらに、本発明による少なくとも１種の組成物を含むたとえば、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣにおけるエレクトロルミネッセントデバイスは、光線療法用の医薬または化粧品で使用することもできる。したがって、多数の疾患（乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症、にきび、皮膚がんなど）を治療することができるまたは皮膚の皴、皮膚の赤色化および皮膚の老化を防止または低減することができる。さらに、発光デバイスは、飲料、食べ物または食品を新鮮に保つためにまたは装置（たとえば、医療装置）を殺菌するために利用することもできる。
【０１５４】
本発明はまた、本発明による少なくとも１つの有機電子デバイスを含むデバイス、好ましくは、有機エレクトロルミネッセントデバイスに関し、デバイスは、好ましくは、テレビジョン、移動電話またはスマートフォン、コンピュータ（たとえば、デスクトップコンピュータ、タブレット、ノートブック）または写真用カメラである。
【０１５５】
本発明は、光線療法用の医薬で使用するための本発明による組成物を含む、有機エレクトロルミネッセントデバイス、好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤにさらに関する。
【０１５６】
本発明は、さらに好ましくは、皮膚疾患を光線療法で治療するのに使用するための、本発明による電子デバイス、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイス、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤに関する。
【０１５７】
本発明は、さらに非常に好ましくは、乾癬、アトピー性皮膚炎、炎症性疾患、白斑、傷の治療および皮膚がんを光線療法で治療するのに使用するための、本発明による電子デバイス、好ましくは、本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイス、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤに関する。
【０１５８】
最後に、本発明はまた、化粧品分野での、好ましくは、にきび、皮膚老化およびセルライトを治療するための、本発明による有機エレクトロルミネッセントデバイス、非常に好ましくは、ＯＬＥＤまたはＯＬＥＣ、非常に特に好ましくは、ＯＬＥＤの使用に関する。
【０１５９】
本発明による組成物は、好ましくは、有機エレクトロルミネッセントデバイスの発光層で用いられる。
【０１６０】
上ですでに説明したように、有機エレクトロルミネッセントデバイスは、しばしば、アノード、カソードおよび発光層以外にさらなる層を含む。これらのさらなる層は、有機および／または無機構成成分を含んでいてもよい。
【０１６１】
これに関連して、発光層に直接隣接した正孔輸送層（ＨＴＬ）が発光層とアノードの間に存在する場合が特に有利である。原則として、当業者に馴染みのある正孔輸送材料（ＨＴＭ）はすべて、このために用いることができる。このために通常用いられ、また本発明の意味において好ましい正孔輸送材料である正孔輸送材料は、トリアリールアミン、カルバゾール、インデノカルバゾール、インドロカルバゾールおよび芳香族シリルアミンの群から選択される。
【０１６２】
正孔輸送層から発光層内への正孔用注入バリアが低い場合に特に良好な結果を実現できることが見出された。これは、以下の条件
｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜−｜ＨＯＭＯ（ＨＴＭ）｜＜０．３ｅＶ
［式中、｜ＨＯＭＯ（Ｂ）｜および｜ＨＯＭＯ（ＨＴＭ）｜は、発光層のバイポーラ性ホストのＨＯＭＯエネルギーの絶対値および隣接ＨＴＬの正孔輸送材料のそれを表す］
が満たされる場合である。
【０１６３】
発光層に直接隣接した電子輸送層（ＥＴＬ）が発光層とカソードの間に存在する場合がさらに有利であることが証明された。原則として、当業者に馴染みのある電子輸送材料（ＨＴＭ）はすべて、このために用いることができる。このために通常用いられ、また本発明の意味において好ましい電子輸送材料である電子輸送材料は、ピリジン、ピリミジン、トリアジン、ベンゾイミダゾール、金属ヒドロキシキノリナート、オキサジアゾール、トリアゾールおよびケトンの群から選択される。
【０１６４】
以下の条件
｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜−｜ＬＵＭＯ（ＨＴＭ）｜＜０．３ｅＶ
［式中、｜ＬＵＭＯ（Ｂ）｜および｜ＬＵＭＯ（ＨＴＭ）｜は、発光層のバイポーラ性ホストのＬＵＭＯエネルギーの絶対値および隣接ＥＴＬの電子輸送材料のそれを表す］
が満たされる場合に、特に良好な結果を実現できることが見出された。
【０１６５】
本発明による組成物および本発明によるデバイスは、以下の驚くべき利点によって従来技術と区別される。
【０１６６】
１．本発明による組成物は、発光層で使用するのに非常に顕著に適しており、従来技術による化合物と比較して改良された性能データ、特に、効率を示す。
２．電子デバイスにおける本発明による組成物の使用は、デバイスの寿命における顕著な増加をもたらす。
３．組成物は、容易に加工することができ、したがって、商業用途における大量生産に非常に顕著に適している。
【０１６７】
本発明に記載の態様の変形形態は、本発明の範囲内にあることを指摘したい。本発明で開示されたそれぞれの特徴は、明白に排除されていない限り、同じ、等価または類似の目的に役立つ代替の特徴で置換することができる。したがって、本発明で開示されたそれぞれの特徴は、別段の指示のない限り、包括的なシリーズの一例、または等価もしくは類似の特徴と見なすべきである。
【０１６８】
本発明の特徴はすべて、ある種の特徴および／または工程が相互に排除的でない限り、任意の方法で相互に組み合わせることができる。これは、特に、本発明の好ましい特徴に適用される。同様に、基本的でない組合せの特徴も別個に（および組み合わせることなく）使用することができる。
【０１６９】
特徴の多数、特に本発明の好ましい態様の多数は、それ自体が、発明的であり、本発明の態様の一部分と単に見なすべきでないことを指摘したい。こうした特徴に対して、独立の保護策が、本発明で特許請求されたそれぞれの発明に加えてまたはその代替として求められてもよい。
【０１７０】
本発明によって開示された技術的な行為についての教示は、抽出し、他の例と組み合わせることができる。
【０１７１】
本発明は、以下の例によってより詳細に例示されるが、それによって本発明を限定することを望むものではない。
【０１７２】
［実施例］
例１ａ
３−（２−クロロ−４−フェニル−１，３，５−トリアジン−６−イル）−５’−フェニル−［１，１’：３’，１’’］テルフェニルの合成
【０１７３】
【化３】
0006772073.tif 000012
【０１７４】
工程１：
ヨウ素粒を使用して、マグネシウム９．９ｇ（４０７ｍｍｏｌ）を活性化した。３−ブロモ−５’−フェニル−［１，１’：３’，１’’］テルフェニル［１２２３３２００−５７−１］１４１．８ｇ（３６８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ７００ｍｌに溶解した溶液約３０ｍｌを添加し、９０°Ｃの加熱浴を下部に置く。反応が開始され、還流が実施されたら、残りの溶液を還流が維持されるような速度で滴下する。添加が終了したら、反応混合物を還流下でさらに２時間加熱する。
【０１７５】
工程２：
２，４，６−トリクロロ−１，３，５−トリアジン［１０８−７７−０］６７．９ｇ（３６８ｍｍｏｌ）を最初にＴＨＦ４００ｍｌに導入し、−５°Ｃまで冷却する。工程１で調製されたグリニャール溶液を内部温度が０°Ｃを超えないような速度で滴下する。冷却装置を除去し、混合物を１６時間撹拌する；混合物を続いて−５°Ｃまで再冷却し、フェニルマグネシウムクロリド溶液（ＴＨＦ中２Ｍ）１８４ｍｌ（３６８ｍｍｏｌ）を内部温度が０°Ｃを超えないような速度で滴下する。冷却装置を除去し、混合物を１８時間撹拌する。１Ｍ塩酸４００ｍｌをゆっくり撹拌しながら投入する。１時間後、形成された固体を吸引でろ別し、真空で乾燥する。トルエンからの２度の再結晶によって、1Ｈ−ＮＭＲによって純度約９８％を有する淡茶色の固体として生成物５６．７ｇ（１１４ｍｍｏｌ、理論の３１％）を残す。
【０１７６】
同様に以下の化合物を調製することができる。
【０１７７】
【化４】
0006772073.tif 000013
【０１７８】
例２ａ
（２−クロロフェニル）（スピロ−９，９’−ビフルオレン−４−イル）アミンの合成
【０１７９】
【化５】
0006772073.tif 000014
【０１８０】
４−ブロモスピロ−９，９’−ビフルオレン［１１６１００９−８８−６］５４．１ｇ（１３７ｍｍｏｌ）、２−クロロアニリン［９５−５１−２］１７．９ｇ（１４０ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド６８．２ｇ（７１０ｍｍｏｌ）、パラジウム（ＩＩ）アセタート６１３ｍｇ（２．７ｍｍｏｌ）および１，１’ −ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン３．０３ｇ（５．５ｍｍｏｌ）を最初にトルエン１３００ｍｌに導入し、還流下で５時間加熱する。室温まで冷却後、反応混合物をトルエン７００ｍｌで拡張し、Ｃｅｌｉｔｅでろ過する。溶媒を回転式蒸発器で除去し、残渣をトルエン／ヘプタン混合物（１：２）から再結晶させる。真空乾燥によって、淡黄色固体として生成物５２．２ｇ（１１８ｍｍｏｌ、理論の８６％）を残す。
【０１８１】
例３ａ
スピロ［９Ｈ−フルオレン−９，７’（１’Ｈ）−インデノ［１，２−ａ］カルバゾール］の合成
【０１８２】
【化６】
0006772073.tif 000015
【０１８３】
（２−クロロフェニル）（スピロ−９，９’−ビフルオレン−４−イル）アミン（例２ａ）４５．０ｇ（１０２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム５６．０ｇ（４０５ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスホニウムテトラフルオロボラート４．５ｇ（１２ｍｍｏｌ）およびパラジウム（ＩＩ）アセタート１．３８ｇ（６ｍｍｏｌ）をジメチルアセトアミド５００ｍｌ中に懸濁させ、還流下で６時間加熱する。室温まで冷却後、反応混合物をジクロロメタン６００ｍｌおよび水３００ｍｌで拡張し、３０分間撹拌する。有機相を分離し、回転式蒸発器で溶媒を除去する。残渣を酸化アルミニウム（塩基性、活性等級１）床上において熱トルエン約２５０ｍｌで抽出し、最後にトルエンから１度再結晶させ、1Ｈ−ＮＭＲによって純度約９８％のベージュ色固体として生成物３２．５ｇ（８０ｍｍｏｌ、理論の７８％）を残す。
【０１８４】
例４ａ
１０−（３−ブロモフェニル）−１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレンの合成
【０１８５】
【化７】
0006772073.tif 000016
【０１８６】
１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン［１２５７２２０−４７−５］１５０．０ｇ（５２６ｍｍｏｌ）、１−ブロモ−３−フルオロベンゼン［１０７３−０６−９］１８４．０ｇ（１．０５ｍｍｏｌ）およびリン酸カリウム３３４．７ｇ（１．５８ｍｏｌ）を最初にジメチルアセトアミド２ｌに導入し、還流下で１４時間加熱する。室温まで冷却後、溶媒を回転式蒸発器でできる限り除去し、暗茶色油を残す。ガラス棒でフラスコ壁を激しくこすった後、生成物は、エタノール約７５０ｍｌ中でゆっくり撹拌することによって沈殿することができる。形成された固体を吸引でろ別し、それぞれエタノール２５０ｍｌで４回洗浄し、真空で乾燥し、最後に圧力約１０-5ミリバール下で２２０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、1Ｈ−ＮＭＲによって純度約９９％の黄色ガラス状固体１５２．２ｇ（３４７ｍｍｏｌ、理論の６６％）を残す。
【０１８７】
例５ａ
７−ブロモ−１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレンの合成
【０１８８】
【化８】
0006772073.tif 000017
【０１８９】
１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン［１２５７２２０−４７−５］５６．７ｇ（２００ｍｍｏｌ）を最初にＴＨＦ１５００ｍｌに導入する。反応混合物を０°Ｃまで冷却し、Ｎ−ブロモスクシンイミド３５．６ｇ（２００ｍｍｏｌ）を３０分間にわたり少量ずつ添加する。冷却器を除去し、混合物を１６時間撹拌し、続いて約２５０ｍｌまで蒸発させる。水１０００ｍｌを激しく撹拌しながら添加し、形成された固体を吸引によってろ別し、それぞれエタノール８００ｍｌによって２回沸騰によって洗浄する。真空中の乾燥によって1Ｈ−ＮＭＲにより純度約９８％の無色固体として生成物４７．１ｇ（１３０ｍｍｏｌ、理論の６５％）を残す。
【０１９０】
同様に以下の化合物を調製することができる。
【０１９１】
【化９】
0006772073.tif 000018
【０１９２】
例６ａ
１２，１２−ジメチル−１０−フェニル−７−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレンの合成
【０１９３】
【化１０】
0006772073.tif 000019
【０１９４】
７−ブロモ−１２，１２−ジメチル−１０−フェニル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン（例５ｂ）２４．０ｇ（５５ｍｍｏｌ）、ビス（ピナコラト）−ジボラン１５．５ｇ（６０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム１６．０ｇ（１６０ｍｍｏｌ）およびジオキサン３５０ｍｌ中の１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセンパラジウム（ＩＩ）ジクロリド／ジクロロメタン付加物１．３ｇ．（１．７ｍｍｏｌ）を還流下で１８時間加熱する。室温まで冷却後、溶媒を回転式蒸発器で除去し、ジクロロメタン５００ｍｌおよび水８００ｍｌを残渣に添加し、混合物を３０分間撹拌する。有機相を分離し、それぞれ水２５０ｍｌで２回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し、約１００ｍｌまで蒸発させる。ヘプタン１０００ｍｌを撹拌しながら投入し、形成された固体を吸引によってろ別する。真空中の乾燥によって、1Ｈ−ＮＭＲによる純度約９７％のベージュ色固体として生成物２３．９ｇ（４９ｍｍｏｌ、理論の８９％）を残す。
【０１９５】
例７ａ
３−［２−（スピロフルオレン−９，７’−インデノ［１，２−ａ］カルバゾール−１２’−イル）−４−フェニル−１，３，５−トリアジン−６−イル］−５’−フェニル−［１，１’：３’，１’’］テルフェニルの合成
【０１９６】
【化１１】
0006772073.tif 000020
【０１９７】
スピロ［９Ｈ−フルオレン−９，７’（１’Ｈ）−インデノ［１，２−ａ］カルバゾール］（例３ａ）４５．０ｇ（１１１ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド８００ｍｌに溶解した溶液を、水素化ナトリウム（鉱油中６０％、１３３ｍｍｏｌ）５．３ｇをジメチルホルムアミド６００ｍｌに溶解した溶液に激しく撹拌しながら滴下し、混合物を２時間撹拌する。３−（２−クロロ−４−フェニル−１，３，５−トリアジン−６−イル）−５’−フェニル−［１，１’：３’，１’’］テルフェニル（例１ａ）５５．０ｇ（１１１ｍｍｏｌ）をジメチルホルムアミド５５０ｍｌに懸濁した懸濁液をゆっくり添加し、混合物を１８時間撹拌する。水５００ｍｌを撹拌しながら投入する；混合物をさらに１時間撹拌する。形成された固体を吸引によってろ別し、それぞれエタノール２５０ｍｌで３回洗浄し、続いて酸化アルミニウム（塩基性、活性度等級１）上において熱メチルエチルケトン約２００ｍｌで抽出する。室温まで冷却後、混合物をさらに５時間撹拌する；形成された固体を吸引によってろ別し、それぞれ熱メチルエチルケトン１５０ｍｌで撹拌しながら２回洗浄し、それぞれの場合、撹拌を室温で１６〜１８時間継続する。固体を吸引でろ別し、真空で乾燥し、最後に圧力約１０-5ミリバール下で３７０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．９％の黄色ガラス状固体として生成物１６．４ｇ（１９ｍｍｏｌ、理論の１７％）を残す。
【０１９８】
同様に以下の化合物を調製することができる。
【０１９９】
【化１２】
0006772073.tif 000021
【０２００】
例８ａ
Ｎ−フェニルスピロ［９Ｈ−フルオレン−９，７’（１’Ｈ）−インデノ［１，２−ａ］カルバゾール］の合成
【０２０１】
【化１３】
0006772073.tif 000022
【０２０２】
スピロ［９Ｈ−フルオレン−９，７’（１’Ｈ）−インデノ［１，２−ａ］カルバゾール］（例３ａ）４３．０ｇ（１０６ｍｍｏｌ）、ブロモベンゼン１７．９ｇ（１１４ｍｍｏｌ）、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド３０．５ｇ（３１７ｍｍｏｌ）、パラジウム（ＩＩ）アセタート０．５ｇ（２．２ｍｍｏｌ）およびトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン溶液（トルエン中１Ｍ）４．２ｍｌを最初にｐ−キシレン１５００ｍｌに導入し、還流下１６時間加熱する。室温まで冷却後、有機相を固体構成成分から分離し、それぞれ水２００ｍｌで３回洗浄し、続いて回転式蒸発器で溶媒を除去する。残渣を酸化アルミニウム（塩基性、活性度等級１）上で熱トルエン約３００ｍｌによって抽出し、トルエンから２回再結晶させ、最後に圧力約１０-5ミリバール下で２７０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．９％の淡黄色固体として生成物２２．０ｇ（４６ｍｍｏｌ、理論の４３％）を残す。
【０２０３】
同様に以下の化合物を調製することができる。
【０２０４】
【化１４−１】
0006772073.tif 000023
【０２０５】
【化１４−２】
0006772073.tif 000024
【０２０６】
【化１４−３】
0006772073.tif 000025
【０２０７】
例９ａ
７−｛９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−イル｝−１２，１２−ジメチル−１０−フェニル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレンの合成
【０２０８】
【化１５】
0006772073.tif 000026
【０２０９】
３−ブロモ−９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（例５ｅ）２５．０ｇ（３６ｍｍｏｌ）、１２，１２−ジメチル−１０−フェニル−７−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン（例６ａ）２２．８ｇ（４７ｍｍｏｌ）および炭酸ナトリウム４．２ｇ（４０ｍｍｏｌ）を最初に、トルエン５００ｍｌ、ジオキサン５００ｍｌおよび水１８０ｍｌの混合物に導入する。混合物を撹拌しながら３０分間アルゴンでフラッシュする。次いで、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．４４ｇ（０．４ｍｍｏｌ）を添加する。反応混合物を還流下１６時間加熱し、室温まで冷却後、ジクロロメタン５００ｍｌおよび水２５０ｍｌで拡張する。有機相を分離し、それぞれ水１００ｍｌで２回洗浄し、硫酸マグネシウム上で乾燥し、回転式蒸発器で溶媒を除去する。残渣を酸化アルミニウム（塩基性、活性度等級１）上でそれぞれ熱トルエン約４００ｍｌによって２回抽出し、酢酸エチルから３回およびトルエン／ヘプタン混合物（１５：１）で２回再結晶させ、最後に圧力約１０-6ミリバール下で３７０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．９％の淡黄色ガラス状固体として生成物３．６ｇ（４ｍｍｏｌ、理論の１２％）を残す。
【０２１０】
同様に以下の化合物を調製することができる。
【０２１１】
【化１６】
0006772073.tif 000027
【０２１２】
例１０ａ
１２，１２−ジメチル−１０−［３−（４−フェニル−６−［１，１’；３’，１’’］テルフェニル−５’−イル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレンの合成
【０２１３】
【化１７】
0006772073.tif 000028
【０２１４】
工程１：
１０−（３−ブロモフェニル）−１２，１２−ジメチル−１０，１２−ジヒドロ−１０−アザインデノ［２，１−ｂ］フルオレン（例４ａ）８３．５ｇ（１９０ｍｍｏｌ）をＴＨＦ４５０ｍｌに溶解し、−７８°Ｃまで冷却する。ｎ−ブチルリチウム（シクロヘキサン中２Ｍ、２００ｍｍｏｌ）１００ｍｌを内部温度が−６５°Ｃを超えないような速度で撹拌しながら滴下する。２時間後、トリメチルボラート（２８６ｍｍｏｌ）３２．４ｍｌを内部温度が−６５°Ｃを超えないような速度で滴下する。２時間後、冷却装置を除去し、混合物を室温でさらに１６時間撹拌する。
【０２１５】
工程２：
２−クロロ−４−フェニル−６−［１，１’；３’，１’’］テルフェニル−５’−イル−１，３，５−トリアジン（例１ｂ）８４．０ｇ（２００ｍｍｏｌ）および炭酸ナトリウム４０．４ｇ（３８１ｍｍｏｌ）を最初に、トルエン５５０ｍｌ、水２５０ｍｌおよびエタノール２５０ｍｌの混合物に導入する。懸濁液を３０分間アルゴンでフラッシュする。トリフェニルホスフィン８．０ｇ（３０ｍｍｏｌ）およびパラジウム（ＩＩ）アセタート１．７ｇ（８ｍｍｏｌ）を添加する。工程１で調製された溶液を激しく撹拌しながら速やかに滴下し、混合物を１５時間還流下で加熱する。室温まで冷却後、形成された固体を吸引によってろ別し、真空で乾燥し、続いて酸化アルミニウム（塩基性、活性度等級１）上においてそれぞれ熱トルエン約５００ｍｌで２回抽出する。形成された固体をヘプタン約３５０ｍｌで沸騰によって洗浄し、真空で乾燥し、最後に圧力約１０-5ミリバール下で３５０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．９％の淡黄色ガラス状固体として生成物３２．５ｇ（４４ｍｍｏｌ、理論の２３％）を残す。
【０２１６】
同様に以下の化合物を、工程２の出発材料２を使用して調製することができる。
【０２１７】
【化１８】
0006772073.tif 000029
【０２１８】
例１１ａ
白金金属錯体（１１ａ）の合成
工程１：
【０２１９】
【化１９】
0006772073.tif 000030
【０２２０】
９，９‘−ビス（６−ブロモ−２−ピリジル）フルオレン２３ｇ（４８．１ｍｍｏｌ）、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルボロン酸３４ｇ（１９１ｍｍｏｌ）および乾燥フッ化カリウム１７．２５ｇ（２９７ｍｍｏｌ）を最初に無水テトラヒドロフラン６００ｍｌに導入し、分散させ、混合物上にアルゴンを通過させることによって不活性化する。次いで、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン４２１．６ｍｇ（２．０８ｍｍｏｌ）およびパラジウム（ＩＩ）アセタート３６０ｍｇ（１．６０ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を還流下２４時間加熱する。反応混合物を高めの温度において水１００ｍｌおよびエタノール１００ｍｌで希釈すると、固体が冷却で析出する。これを吸引によってろ別し、水およびエタノールで洗浄し、溶出液としてジクロロメタンを用いてシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーによって塩を分離する。得られた固体をジメチルホルムアミドから多数回再結晶させ、無色固体１９．７ｇ（３４ｍｍｏｌ、収率７０％）を得る。
【０２２１】
工程２：
【０２２２】
【化２０】
0006772073.tif 000031
【０２２３】
フルオレニルビス−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルピリジン１８．３ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）、カリウムテトラクロロプラチナート１３．０ｇ（３１．３ｍｍｏｌ）および乾燥酢酸リチウム９３．７ｇ（１．４２ｍｏｌ）を暗所で１００％酢酸１５００ｍｌと共に４８時間１３５°Ｃで加熱する。酢酸を真空で除去し、エタノール２００ｍｌを残渣に添加し、次いで分散させる。固体を吸引によってろ別し、水およびエタノールですすぎ、真空で乾燥し、続いてシリカゲル上で熱ジクロロメタンを用いて２回抽出する。残渣をＤＭＦから再結晶させ、真空で乾燥し、圧力５×１０-5ミリバール下で３６０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．８％の黄色粉末１１．３ｇ（１４ｍｍｏｌ）を得る。
【０２２４】
例１１ｂ
白金金属錯体（１１ｂ）の合成
工程１：
【０２２５】
【化２１】
0006772073.tif 000032
【０２２６】
９，９‘−ビス（６−ブロモ−２−ピリジル）フルオレン９．６ｇ（２０ｍｍｏｌ）、フェニルボロン酸９．８ｇ（８０ｍｍｏｌ）および乾燥フッ化カリウム７．２ｇ（１２４ｍｍｏｌ）を最初に無水テトラヒドロフラン２００ｍｌに導入し、分散させ、混合物上にアルゴンを通過させることによって不活性化する。次いで、ｔｒｉ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン１７６ｍｇ（０．８７ｍｍｏｌ）およびパラジウム（ＩＩ）アセタート１５０ｍｇ（０．６７ｍｍｏｌ）を添加し、反応混合物を還流下２４時間加熱する。反応混合物を高目の温度において水１００ｍｌおよびエタノール１００ｍｌで希釈すると、固体が冷却で析出する。これを吸引によってろ別し、水およびエタノールで洗浄し、溶出液としてジクロロメタンを用いてシリカゲル上のカラムクロマトグラフィーによって塩を分離する。得られた固体をジメチルホルムアミドから多数回再結晶させ、無色固体８．３ｇ（１８ｍｍｏｌ、収率８８％）を得る。
【０２２７】
工程２：
【０２２８】
【化２２】
0006772073.tif 000033
【０２２９】
フルオレニルビス−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルピリジン２５ｇ（５２．９ｍｍｏｌ）、カリウムテトラクロロプラチナート２２ｇ（５２．９ｍｍｏｌ）および乾燥酢酸リチウム１５８．７ｇ（２．４５ｍｏｌ）を暗所で１００％酢酸１５００ｍｌと共に４８時間１３５°Ｃで加熱する。酢酸を真空で除去し、エタノール２００ｍｌを残渣に添加し、次いで分散させる。固体を吸引によってろ別し、水およびエタノールですすぎ、真空で乾燥し、続いてシリカゲル上で熱ジクロロメタンを用いて２回抽出する。残渣をＤＭＦから再結晶させ、真空で乾燥し、圧力５×１０-5ミリバール下で３５０°Ｃにおいて分別昇華にかけ、ＨＰＬＣにより純度約９９．９％の黄色粉末８．６ｇ（１３ｍｍｏｌ）を得る。
【０２３０】
例１２および１３
文献によるさらなる化合物の合成
以下の化合物は、それぞれの場合に示された出願に記載の方法と同様に調製することができる。任意の追加の精製はカラムクロマトグラフィーおよび／または昇華によって実施される。
【０２３１】
【化２３−１】
0006772073.tif 000034
【０２３２】
【化２３−２】
0006772073.tif 000035
【０２３３】
以下の化合物は、それぞれの場合に示された出願に記載の方法により調製することができる。
【０２３４】
【化２４−１】
0006772073.tif 000036
【０２３５】
【化２４−２】
0006772073.tif 000037
【０２３６】
【化２４−３】
0006772073.tif 000038
【０２３７】
【化２４−４】
0006772073.tif 000039
【０２３８】
例１４
使用された材料のエネルギー準位
使用されたホスト材料およびドーパントのエネルギー準位を表１および表２に要約する。値は、説明で示された方法によって決定される。
【０２３９】
【表１】
0006772073.tif 000040
【０２４０】
【表２】
0006772073.tif 000041
【０２４１】
例１５
本発明による組成物
本発明による組成物および従来技術による比較の混合物の選択結果を表３に要約する。混合物中に存在する他の成分のエネルギー準位の位置に応じて１つの同じ成分が、異なる役目を果たしてもよい（バイポーラ性ホスト、電子輸送材料、中性コホストなど）ことを指摘すべきである。
【０２４２】
【表３−１】
0006772073.tif 000042
【０２４３】
【表３−２】
0006772073.tif 000043
【０２４４】
例１６
溶液加工されるＯＬＥＤの生成
多数の材料は、溶液から加工することができ、真空加工されるＯＬＥＤと比較して生成するのが顕著により簡単であるが、それでも良好な特性を有するＯＬＥＤをもたらすことができる。完全な溶液系のＯＬＥＤの生成は、文献、たとえば、国際公開第２００４／０３７８８７号で多数回説明されている。真空系のＯＬＥＤの生成も同様に、とりわけ国際公開第２００４／０５８９１１号で多数回すでに説明されている。
【０２４５】
以下で議論される例では、溶液でおよび真空で適用される層は、発光層までのおよびそれを含む加工は溶液から実施され、続いての層（正孔阻止層および電子輸送層）における加工は真空で実施されるようにＯＬＥＤ内で組み合わされる。すでに説明された一般的な方法は、このために、ここで説明される環境（層厚の変動、材料）に適応し、以下のように組み合わされる：
構造は以下の通りである：
基板／ＩＴＯ（５０ｎｍ）／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（それぞれ緑色または赤色成分に対して２０または６０ｎｍ）／正孔輸送層（ＨＴＬ）（２０ｎｍ）／発光層（ＥＭＬ）（６０ｎｍ）／正孔阻止層（ＨＢＬ）（１０ｎｍ）／電子輸送層（ＥＴＬ）（４０ｎｍ）／カソード。
【０２４６】
使用される基板は、厚さ５０ｎｍの構造化ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）でコートされたガラスプレートである。より良好な加工のために、これらを、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ｈｅｒａｅｕｓ  Ｐｒｅｃｉｏｕｓ  Ｍｅｔａｌｓ  ＧｍｂＨ＆Ｃｏ．ＫＧ、Ｇｅｒｍａｎｙから購入されたポリ（３，４−エチレンジオキシ−２，５−チオフェン）：ポリスチレンスルホナート）でコートする。ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを、空気中で水からスピンコーティングによって適用し、続いて空気中１８０°Ｃで１０分間加熱することによって乾燥して残留水を除去する。中間層（ＨＴＬ）および発光層を、これらのコートされたガラスプレートに適用する。
【０２４７】
使用される正孔輸送層は、架橋可能である。国際公開第２０１０／０９７１５５号に従って合成される、以下に示す構造のポリマーを使用する。正孔輸送ポリマーをトルエンに溶解する。かかる溶液の典型的な固体含量は、ここでのように、デバイス用の典型的な層厚２０ｎｍが、スピンコーティングによって実現される場合、約５ｇ／ｌである。層は、不活性ガス雰囲気で、本発明の場合アルゴン中のスピンコーティングによって適用し、６０分間１８０°Ｃで加熱することによって乾燥する。
【０２４８】
【化２５】
0006772073.tif 000044
【０２４９】
発光層を、常に、ホスト材料（複数可）および発光ドーパント（発光体）から構成する。しかし、複数のホスト材料のある種の混合物は、本発明によるものである。さらに、共ドーパントを使用してもよい。ＴＭＭ−Ａ（９２％）：ドーパント（８％）のような表現は、ここでは、材料ＴＭＭ−Ａが９２重量％の割合で発光層中に存在し、ドーパントが８重量％の割合で発光層中に存在することを意味する。発光層用の組成物を、トルエン、または任意にクロロベンゼンに溶解する。かかる溶液の典型的な固体含量は、ここでのように、デバイス用の典型的な層厚６０ｎｍが、スピンコーティングによって実現される場合、約１８ｇ／ｌである。層は、不活性ガス雰囲気で、本発明の場合アルゴン中のスピンコーティングによって適用し、１０分間１６０°Ｃで加熱することによって乾燥する。
【０２５０】
正孔阻止層および電子輸送層用の材料は、真空チャンバ中の熱蒸着によって適用する。電子輸送層は、たとえば、ここで、共蒸発によってある種の体積割合で相互に混合される１種超の材料からなっていてもよい。ＥＴＭ１：ＥＴＭ２（５０％：５０％）のような表現は、ここでは、材料ＥＴＭ１およびＥＴＭ２がそれぞれ５０体積％の割合で層中に存在することを意味する。本発明の場合に使用される材料を表４に示す。
【０２５１】
【表４】
0006772073.tif 000045
【０２５２】
１００ｎｍアルミニウム層のカソードを熱蒸発によって形成する。
【０２５３】
例１７
溶液加工ＯＬＥＤのキャラクタリゼーション
ＯＬＥＤを標準法によってキャラクタリゼーションする。このために、エレクトロルミネッセンススペクトル、Ｌａｍｂｅｒｔ発光特性を仮定する電流／電圧／光束密度特性線（ＩＵＬ特性線）、および（動作）寿命を決定する。ＩＵＬ特性線を使用してある種の光束における特性数、たとえば、動作電圧（Ｖで）および外部量子効率（％で）を決定する。ＬＴ８０＠８０００ｃｄ／ｍ2は、ＯＬＥＤが初期光束８０００ｃｄ／ｍ2から初期強度の８０％、すなわち、６４００ｃｄ／ｍ2まで落ちる寿命である。したがって、ＬＴ８０＠１０，０００ｃｄ／ｍ2は、ＯＬＥＤが初期光束１０，０００ｃｄ／ｍ2から初期強度の８０％、すなわち、８０００ｃｄ／ｍ2まで落ちる寿命である。
【０２５４】
そのＥＭＬが表３による組成物からなるＯＬＥＤのデータを表５に示す。ここでＥＴＭ１をＨＢＬとして使用し、ＥＴＭ１：ＥＴＭ２（５０％：５０％）をＥＴＬとして使用した。
【０２５５】
【表５】
0006772073.tif 000046
【０２５６】
例１８
真空加工ＯＬＥＤの生成およびキャラクタリゼーション
多数のＯＬＥＤ材料は、真空で蒸発させることができる。以下で議論される例では、もっぱら真空で適用される層を使用した。すでに説明された一般的な方法は、このために、ここで説明される環境（層厚の変動、材料）に適応する。
【０２５７】
ＯＬＥＤは、原則として、以下の層構造を有する：基板／正孔輸送層（ＨＴＬ）／任意の中間層（ＩＬ）／電子阻止層（ＥＢＬ）／発光層（ＥＭＬ）／任意の正孔阻止層（ＨＢＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）および最後にカソード。カソードを、厚さ１００ｎｍのアルミニウム層によって形成する。ＯＬＥＤの正確な構造および生成結果を表７に示す。ＯＬＥＤの生成に必要な補助材料を表６に示す；使用される組成物を表３に示す。
【０２５８】
【表６】
0006772073.tif 000047
【０２５９】
【表７−１】
0006772073.tif 000048
【０２６０】
【表７−２】
0006772073.tif 000049