(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続された複数のセルを含むシールドカバーであって、
複数の前記セルを含む上面部と、
前記上面部に直交し、前記上面部の周縁から延伸し、複数の前記セルを含む側面部とを備え、
前記セルは、
リング形状の第１周縁部と
前記第１周縁部の内部に配置される第１中央部と、
前記第１周縁部と前記第１中央部とを接続する第１接続部とを有する第１層を含む、
シールドカバー。
【請求項２】
前記セルは、
リング形状の第２周縁部と
前記第２周縁部の内部に配置される第２中央部と、
前記第２周縁部と前記第２中央部とを接続する第２接続部とを有する第２層を含み、
前記第１層と前記第２層とは、平行である
請求項１に記載のシールドカバー。
【請求項３】
電磁波を発生する電子部品が設置された基板と、
前記電子部品を覆う位置で前記基板に固定される請求項１または２に記載のシールドカバーと、
を備えるデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールドカバー、デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
送信機能を有する無線装置では、不要輻射（スプリアス）が問題となっている。不要輻射は、意図しない電磁波の放射である。不要輻射は、周囲の装置などの誤動作の原因となることがあるので、できるだけ小さいことが望ましい。不要輻射を低減させる対策として、銅などの金属板を用いたシールドカバーによる対策が講じられている。シールドカバーは、不要輻射の発生源となる基板上の部品を覆うように設置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−１１０３２５号公報
【特許文献２】特開２０１３−２１４５４７号公報
【特許文献３】国際公開第２００９／１２８３１０号
【特許文献４】特開２００５−２６０９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、シールドカバーでの電磁波の反射の影響により、シールドカバー内で十分に輻射を減衰させることができず、結果として、電磁波がシールドカバーの外に漏洩するケースがある。また、所望の周波数を狙う対策になるため、輻射発生源とシールドカバーとの空間による空洞共振を考慮しなければならないことから、設計が複雑になることも問題である。
【０００５】
本発明は、所望の周波数の電磁波を遮蔽するシールドカバーを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を採用する。
即ち、第１の態様は、
接続された複数のセルを含むシールドカバーであって、
前記セルは、
リング形状の第１周縁部と
前記第１周縁部の内部に配置される第１中央部と、
前記第１周縁部と前記第１中央部とを接続する第１接続部とを有する第１層を含む、
シールドカバーである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、所望の周波数の電磁波を遮蔽するシールドカバーを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、シールドカバーが設置されるデバイスの構成例を示す図（斜視図）である。
【図２】図２は、シールドカバーが設置されるデバイスの垂直断面の例を示す図である。
【図３】図３は、シールドカバーの具体例を示す図である。
【図４】図４は、図３のシールドカバーのセルが設けられた面の１つの例を示す図である。
【図５】図５は、１つのセル（セル１）の上面図の例を示す図である。
【図６】図６は、１つのセル（セル２）の斜視図の例を示す図である。
【図７】図７は、１つのセル（セル２）の第２層の上面図の例を示す図である。
【図８】図８は、１つのセル（セル２）の上面図の例を示す図である。
【図９】図９は、１つのセル（セル３）の斜視図の例を示す図である。
【図１０】図１０は、１つのセル（セル３）の第１層の上面図の例を示す図である。
【図１１】図１１は、１つのセル（セル３）の上面図の例を示す図である。
【図１２】図１２は、セルの等価回路の例を示す図である。
【図１３】図１３は、図３で示したシールドカバーによる減衰特性（電界分布）の例を示す図である。
【図１４】図１４は、シールドカバーの他の具体例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、本発明にかかるシールドカバー、シールドカバーが設置されるデバイスについて説明する。実施形態の構成は例示であり、本発明は開示の実施形態の構成に限定されない。
【００１０】
〔実施形態〕
（構成例１）
図１及び図２は、本実施形態のシールドカバーが設置されるデバイスの構成例を示す図である。図１は、デバイス１００の斜視図である。図２は、デバイス１００の垂直断面図の例である。デバイス１００は、基板２００、基板２００の一方の面に不要輻射を発生する発生源３００、発生源３００を覆うように設置されるシールドカバー４００を含む。図２の下から上に向かう方向を上方向ともいう。
【００１１】
基板２００には、複数の電子部品が設置され、電子部品同士は、所定の機能を発揮するように電気的に接続される。基板２００に設置される電子部品には、不要輻射を発生しない電子部品及び不要輻射を発生する電子部品を含む。基板２００の一方の面には、接地された金属板が設置されてもよい。
【００１２】
発生源３００は、基板２００に設置される不要輻射を発生する電子部品である。発生源３００は、例えば、基板２００に接触する側と反対側に不要輻射を発生する。複数個の発生源３００は、基板２００上に存在してもよい。発生源３００は、例えば、アンテナやＩＣである。
【００１３】
シールドカバー４００は、発生源３００から発生する不要輻射による電磁波が外部に漏洩しないようにするケースである。シールドカバー４００によって不要輻射による電磁波が遮蔽される。シールドカバー４００の形状は、長方形の上面と当該上面の各辺を共有する長方形の４つの側面とを含む形状である。上面と側面とは、直交して接触している。また、隣接する側面同士は、直交して接触している。シールドカバー４００の形状は、直方体の６面のうち、１面を取り除いた形状である。このような形状にすることで、セルとセルとの間の隙間を小さくすることができる。セルとセルとの間の隙間が小さいと、シールドカバー４００の外部に漏洩する電磁波が少なくなる。シールドカバー４００の各面には、複数のセルが配置される。各セルは、不要輻射による電磁波を吸収する。セルについては、後に説明する。シールドカバー４００の各側面の１辺は、基板２００に固定される。シールドカバー４００と基板２００とは、例えば、ハンダによって固定される。また、基板２００には、シールドカバー４００の側面の基板２００側の辺に合わせた溝が設けられ
て、シールドカバー４００が当該溝に嵌め込まれて固定されてもよい。シールドカバー４００は、他の方法により固定されてもよい。シールドカバー４００は、例えば、金属によって形成される。基板２００上に複数個の発生源３００が存在する場合、すべての発生源３００を覆うシールドカバー４００が設けられても、１または複数の発生源を覆う複数のシールドカバー４００が設けられてもよい。
【００１４】
図３は、シールドカバーの具体例を示す図である。図３のシールドカバー４００は、各面に複数のセルを備える。図３のシールドカバー４００の形状は、ほぼ正方形の上面と、ほぼ正方形の４つの側面とを含む形状である。各面の各辺は、隣接する面の辺と接続している。図３のシールドカバー４００の上面は、５行５列に並べられたセルを含む。図３のシールドカバー４００の各側面は、それぞれ、５行５列に並べられたセルを含む。ここでは、５行５列のセルとしているが、これに限定されるものではなく、１０行１０列のセルであっても、３行３列のセルとしてもよい。図３の例では、シールドカバー４００の上面の周縁から、当該上面と直交した側面が延伸している。
【００１５】
図４は、図３のシールドカバーのセルが設けられた面の１つの例を示す図である。図４のシールドカバー４００の１つの面には、セルが５行５列に並べられている。シールドカバー４００の面の大きさは、ここに示すものに限定されるものではない。図３のシールドカバー４００は、図４のセルの面が５面接続されたものである。
【００１６】
（セルの構成例１）
セルの構成例を示す。ここでは、メタマテリアル構造のセルを使用する。メタマテリアル構造は、自然界に存在しない特性を有する人工物等の構造である。メタマテリアル構造の一種であるＥＢＧ（Electromagnetic Band Gap）構造は、特定の周波数帯において電磁波伝搬が抑制される特性を有し、導体等で構成される複数個のセルを周期的に配列させて形成する構造である。ここでは、ＥＢＧ構造のセルとしてＳＲＲ（Sprit Ring Resonator）を用いる。各セルは、ほぼ平面状である。セルの材料は、例えば、金属である。
【００１７】
図５は、シールドカバーの面に設けられるメタマテリアル構造（ＥＢＧ構造）の１つのセルの例（セルパターン）を示す図である。図５のセル１は、正方形から当該正方形より小さい正方形をくり抜いたリング形状の周縁部１１と、周縁部１１の内部に形成される正方形状の中央部１２と、周縁部１１と中央部１２とを接続する長方形状の接続部１３とを含む。図５のセル１は、セル１の上面図である。
【００１８】
周縁部１１、中央部１２、接続部１３は、導体である。導体として、例えば、銅等の金属が使用される。周縁部１１、中央部１２、接続部１３は、電気的に接続している。周縁部１１、中央部１２、接続部１３は、一体化して形成される。周縁部１１、中央部１２、接続部１３は、ほぼ同一の平面上に存在する。周縁部１１、中央部１２、接続部１３は、導体部分及び導体部分の周囲の空間部分によって所望のキャパシタンスＣ及びインダクタンスＬを有するように設計される。Ｃ及びＬは、セルの所望の共振周波数に依存する。セルの設計方法については後に説明する。セル１は、例えば、平面状の誘電体の一方の面に形成される。誘電体として、例えば、ガラスエポキシが使用される。セル１は、例えば、ガラスエポキシ製の基板の一方の面に、銅によって形成される。周縁部１１の内側、中央部１２及び接続部１３の外側によって形成される空間部分は、誘電体（気体または液体）で充填されてもよいし、真空であってもよい。誘電体として、誘電率の異なる複数の種類の誘電体が使用されてもよい。
【００１９】
周縁部１１は、正方形（外側の正方形）から当該正方形より小さい正方形（内側の正方形）をくり抜いたリング形状である。外側の正方形のそれぞれの辺と、内側の正方形のそれぞれの辺とは、平行である。周縁部１１の幅は、全周にわたってほぼ均一である。周縁
部１１の外形及び内形は、正方形以外の形状（例えば、長方形）であってもよい。
【００２０】
中央部１２は、周縁部１１の内側の正方形よりも小さい正方形状であり、周縁部１１の内部に配置される。中央部１２の正方形の各辺は、周縁部１１の正方形のいずれかの辺と平行である。中央部１２の正方形の対角線の交点と、周縁部１１の外側の正方形の対角線の交点とは、一致する。中央部１２の形状は、ここに示す正方形に限定されず、円形などの他の形状であってもよい。
【００２１】
接続部１３は、周縁部１１の内側の一辺と中央部１２の一辺とを接続する長方形状である。接続部１３の幅方向の長さ（周縁部１１との接続部分から中央部１２との接続部分への方向と平面上で直角方向）は、中央部１２の一辺の長さよりも短い。接続部１３の長方形の各辺は周縁部１１の正方形のいずれかの辺と平行である。接続部１３は、周縁部１１の内側の正方形の一辺の中央部分で周縁部１１と接続する。接続部１３は、中央部１２の正方形の一辺の中央部分で中央部１２と接続する。従って、中央部１２及び接続部１３の外側と周縁部１１の内側部分によって形成される空間部分は、切り欠け部分を有するリング形状（スリットリング形状）である。接続部１３が切り欠け部分に相当する。当該空間部分をスロットラインともいう。即ち、セル１では、スロットラインによって、ＳＲＲが形成されている。セル１の形状は、平面の正方形の導体から、スリットリング形状をくり抜いた残りの形状である。接続部１３の形状は、ここに示す長方形に限定されず、他の形状であってもよい。
【００２２】
ここでは、セル１のサイズの例を挙げる。セル１のサイズは、ここに示すものに限定されるものではなく、所望の共振周波数によって変更され得る。周縁部１１の外側の正方形の一辺の長さは、０．９ｍｍである。周縁部１１の内側の正方形の一辺の長さは、０．７ｍｍである。よって、周縁部１１の幅の長さは、０．１ｍｍである。また、中央部１２の正方形の一辺の長さは０．３ｍｍである。接続部１３の幅の長さは、０．１ｍｍである。周縁部１１と中央部１２との間の最短距離は、０．２ｍｍである。セル１の厚さは、０．００１ｍｍである。
【００２３】
メタマテリアル構造では、セル１の周縁部１１、中央部１２、接続部１３が存在する平面において、複数のセルが１方向または２方向に周期的に配置される。メタマテリアル構造において、隣接するセル同士は、直接接続され、電気的に接続している。具体的には、セル１の周縁部１１は、隣接するセルの周縁部と電気的に接続している。周縁部１１は、接地されるため、隣接するセルの周縁部と電気的に接続することができる。
【００２４】
（セルの構成例２）
図６、図７、図８は、シールドカバーの面に設けられるメタマテリアル構造の１つのセルの例を示す図である。図６は、セル２の斜視図の例である。図６のセル２は、第１層１０及び第２層２０を有する。セル２の第１層１０は、図５のセル１と同様である。セル２の第２層２０は、正方形から当該正方形より小さい正方形をくり抜いたリング形状の周縁部２１と、周縁部２１の内部に形成される正方形状の中央部２２と、周縁部２１と中央部２２とを接続する長方形状の接続部２３とを含む。第１層１０の外形及び第２層２０の外形は、正方形状の平面であり、それぞれの正方形の大きさは同じである。また、第１層１０及び第２層２０は、各平面が平行になるように配置される。更に、第１層１０の平面の法線方向から第１層１０及び第２層２０を見たとき、２つの正方形の各角の位置が一致し、接続部１３と接続部２３とは重ならない。
【００２５】
周縁部２１、中央部２２、接続部２３は、導体である。第１層１０と第２層２０とは、所定の距離、離れている。第１層１０と第２層２０との間は、真空であっても誘電体（気体または個体）が充填されてもよい。第１層１０と第２層２０の間は、間隔を置かずに接
触していてもよい。第１層１０及び第２層２０は、導体部分及び導体部分の周囲の空間部分によって所望のインダクタンスＬ及びキャパシタンスＣを有するように設計される。例えば、セル２の第１層１０は、平面状の誘電体の一方の面に形成され、第２層２０は、他方の面に形成される。このとき、第１層１０と第２層２０との間は、誘電体で充填される。誘電体として、例えば、ガラスエポキシが使用される。
【００２６】
図７は、セル２の第２層２０の上面図の例を示す図である。セル２の第２層２０の周縁部２１と、中央部２２と、接続部２３は、第１層１０の周縁部１１と、中央部１２と、接続部１３と同様の構成を有する。ただし、第２層２０の周縁部２１の幅は、周縁部１１の幅よりも小さい。また、第２層２０の中央部２２の正方形の一辺の長さは、中央部１２の正方形の一辺の長さよりも長い。
【００２７】
図８は、セル２を第１層１０（第２層２０）の平面の法線方向から、セル２を見た図である。図８（Ａ）は、第１層１０側から見た図であり、図８（Ｂ）は、第２層２０側から見た図である。図８（Ａ）では、第１層１０の奥に第２層２０の中央部２２及び接続部２３が見えている。図８（Ｂ）では、第２層２０の奥に第１層１０の周縁部１１及び接続部１３が見えている。
【００２８】
ここでは、セル２のサイズの例を挙げる。セル２のサイズは、ここに示すものに限定されるものではなく、所望の特性によって変更され得る。第１層１０の周縁部１１、中央部１２、接続部１３のサイズは、セル１と同様である。第２層２０の周縁部２１の外側の正方形の一辺の長さは、０．９ｍｍである。周縁部２１の内側の正方形の一辺の長さは、０．８ｍｍである。よって、周縁部２１の幅の長さは、０．０５ｍｍである。また、中央部２２の正方形の一辺の長さは０．４ｍｍである。接続部２３の幅の長さは、０．１ｍｍである。周縁部２１と中央部２２との間の最短距離は、０．２ｍｍである。第１層１０及び第２層２０の厚さは、０．００１ｍｍである。第１層１０と第２層２０との間の距離は、０．０５ｍｍである。
【００２９】
（セルの構成例３）
図９、図１０、図１１は、シールドカバーの面に設けられるメタマテリアル構造の１つのセルの例を示す図である。図９は、セル３の斜視図の例である。図９のセル３は、第１層３０及び第２層２０を有する。セル３の第２層２０は、図６等のセル２の第２層２０と同様である。
【００３０】
セル３の第１層３０は、正方形（外側の正方形）から当該正方形より小さい正方形をくり抜き、さらに、外側の正方形の一辺の中央部分からくり抜かれた小さい正方形に接続する長方形をくり抜かれた形状を有する。セル３の第１層３０の形状は、セル１における周縁部１１の内側と中央部１２及び接続部１３の外側とに囲まれる空間の形状と同様の形状である。ただし、セル３の第１層３０のサイズは、セル１の空間のサイズとは異なる。セル３の第１層３０は、切り欠け部分を有するリング形状である。セル３の第１層３０は、導体によるスプリットリングである。くり抜かれた長方形の部分がスプリットリングにおける切り欠け部分（スプリット部分）に相当する。第１層３０は、接地されない。
【００３１】
また、第１層３０及び第２層２０は、各平面が平行になるように配置される。更に、第１層３０の平面の法線方向から第１層３０及び第２層２０を見たとき、第１層３０の外側の正方形の各角の位置と第２層２０の周縁部２１の内側の正方形の各角の位置とが一致し、第１層３０の長方形部分と接続部２３とは重ならない。第１層３０と第２層２０とは、所定の距離、離れている。第１層３０と第２層２０との間は、真空であっても誘電体が充填されてもよい。第１層３０と第２層２０とは、間隔を置かずに接触していてもよい。第１層３０及び第２層２０は、導体部分及び導体部分の周囲の空間部分によって所望のキャ
パシタンスＣ及びインダクタンスＬを有するように設計される。第１層３０は、接地されない。例えば、セル３の第１層３０は、平面状の誘電体の一方の面に形成され、第２層２０は、他方の面に形成される。このとき、第１層３０と第２層２０との間は、誘電体で充填される。誘電体として、例えば、ガラスエポキシが使用される。
【００３２】
図１０は、セル３の第１層３０の上面図の例を示す図である。第１層３０は、中央部分のくり抜かれた正方形状及び中央部分の正方形と外枠とを接続するくり抜かれた長方形状により、切り欠きを含むリング（ストリップリング）を形成する。第１層３０の外形は、第２層２０の外形よりも小さい。第１層３０は、導体である。
【００３３】
図１１は、セル３を第１層３０（第２層２０）の平面の法線方向から、セル３を見た図である。図１１（Ａ）は、第１層３０側から見た図であり、図１１（Ｂ）は、第２層２０側から見た図である。図１１（Ａ）では、第１層３０の奥に第２層２０の中央部２２及び接続部２３が見えている。図１１（Ｂ）では、第２層２０の奥に第１層３０が見えている。
【００３４】
ここでは、セル３のサイズの例を挙げる。セル３のサイズは、ここに示すものに限定されるものではなく、所望の特性によって変更され得る。第２層２０の周縁部２１、中央部２２、接続部２３のサイズは、セル２の第２層２０と同様である。第１層３０の外側の正方形の一辺の長さは、０．８ｍｍである。第１層３０の内側の正方形の一辺の長さは、０．２ｍｍである。よって、第１層３０のリングの幅の長さは、０．３ｍｍである。また、中央部分と外周とを接続するくり抜かれた長方形状の幅の長さは、０．１ｍｍである。第１層３０及び第２層２０の厚さは、０．００１ｍｍである。第１層３０と第２層２０との間の距離は、０．０５ｍｍである。
【００３５】
ここでは、セル３の第２層２０は、セル２の第２層２０と同様のサイズであるとしたが、セル３の第２層２０は、セル２の第１層１０と同様のサイズであってもよい。
【００３６】
セルの構成例２及びセルの構成例３では、２層のセルとしているが３層以上であってもよい。
上記の各セルの構成例に記載される事項は、可能な限り組み合され得る。
【００３７】
（設計方法）
セルの設計方法（セルのサイズの決定方法）について説明する。
図１２は、セルの等価回路の例を示す図である。図１２のように、セルの等価回路は、接地されたコイル及び当該コイルに接続されるコンデンサによって表される。セルにおいてコンデンサは、例えば、周縁部の導体と中央部の導体との間、第１層の導体と第２層の導体との間、等に形成される。セルにおいてコイルは、例えば、中央部、接続部、周縁部等の導体に形成される。セルは、隣接するセルと、直列に接続される。
【００３８】
図１２の等価回路の共振周波数ｆは、次のように求められる。
【００３９】
【数１】
0006673566.tif 000002
ここで、ＬはコイルのインダクタンスＬ、ＣはコンデンサのキャパシタンスＣである。この式により、所望の共振周波数ｆに対するＬ及びＣの積が求まる。
【００４０】
また、セルの形状と、コンデンサのキャパシタンスＣ及びコイルのインダクタンスＬとの関係は、次のように表される。
【００４１】
【数２】
0006673566.tif 000003
【００４２】
【数３】
0006673566.tif 000004
【００４３】
ここで、ｌは導体の長さ、Ｗは導体の幅、Ｈは導体の高さ、εは導体間の誘電率（真空であれば８．８５×１０−１２）、Ｓは導体面積、ｄは導体間幅（誘電体厚）である。これらの式に基づいて、所望の共振周波数ｆとなるセルのサイズを決定することができる。導体間の誘電率を変更（導体間の誘電体を変更）することにより、セルのサイズを変更することもできる。ここで、導体の長さｌは、図５の周縁部１１と中央部１２とを接続する接続部１３の長さ（周縁部１１と中央部１２との距離）に相当する。胴体の幅Ｗは、図５の周縁部１１の内側の四角形の横幅に相当する。導体の高さＨは、図５の周縁部１１の内側の四角形の縦幅に相当する。図７等のセルにおいても同様である。
【００４４】
上記の各構成例に示したセルのサイズでは、７０ＧＨｚ帯において有効な特性を示すセルを実現することができる。
【００４５】
（特性）
図１３は、図３で示したセルを用いたシールドカバーによる減衰特性（電界分布）の例を示す図である。図１３の例では、図１のようなシールドカバー４００の平面断面図を示す。図１３の例では、所望の周波数における電界分布を示す。図１３のシールドカバー４００の内部の中央部分には、波源である発生源３００が存在する。また、発生源３００の周囲には、シールドカバー４００が存在する。発生源３００付近では、電界は高い値を示すが、シールドカバー４００の外側の周囲では、電界は発生源３００付近よりも非常に低い値を示す。即ち、シールドカバー４００によって、シールドカバー４００の外側の電界強度が減衰していることが分かる。シールドカバー４００によって、所望の周波数の電界強度が３０ｄＢ程度減衰する。
【００４６】
ＳＲＲは、所望の周波数帯域に合わせて設計されるため、シールドカバー４００の境界面で不要輻射がＳＲＲと共振を起こし透過することなく減衰する。このため、不要輻射は、外部に飛び出ることなく十分に減衰する。また、金属板によるシールドカバーであれば、各金属面で反射が発生し、金属板によるシールドカバーに存在する製造上の隙間や取付による隙間からの漏洩があったが、ＳＲＲを用いることで、隙間があっても、隙間の周囲のＳＲＲとの共振があるため、金属板によるシールドカバーよりも製造公差や取付公差の影響を受けることなく不要輻射の漏洩の低減を図ることができる。所望の周波数帯域は、例えば、発生源３００で発生する不要輻射の帯域である。
【００４７】
（変形例）
上記の例では、シールドカバー４００の形状を、底のない箱型としているが、シールドカバー４００の形状は、他の形状であってもよい。例えば、シールドカバー４００の形状は、円錐状、多角錐状、半球状、円錐状、多角錐状、ドーム状、などであってもよい。半球状であるとき、各セルは、半球面に沿うように配置され、セルとセルとの間は、例えば
、金属によって埋められて、セルとセルとは接続される。発生源３００からの不要輻射が輻射される方向に、シールドカバー４００のセルが存在すればよい。
【００４８】
図１４は、シールドカバーの他の具体例を示す図である。図１４のシールドカバー４００は、図５に示すセルによる５行５列の面が平行に重ねられ、当該面と直交する方向にも、図５に示すセルによる５行５列の面が平行に重ねられ、さらに、これらの２つの方向と直交する方向にも、図５に示すセルによる５行５列の面が平行に重ねられた形状をしている。このようにすることにより、発生源３００からのどの方向の不要輻射も、複数のセルの面を通過することになるため、不要輻射をより減衰させることができる。セルは、図６のようなセルであっても、図１０のようなセルであってもよい。図１４のシールドカバー４００は、例えば、発生源３００の上方向に配置される。発生源３００の上方向に図１４のシールドカバー４００が配置された際に、発生源３００と図１４のシールドカバー４００とが物理的に干渉する場合、図１４のシールドカバー４００の干渉する部分のセルを削除して形成してもよい。
【００４９】
（実施形態の作用、効果）
シールドカバー４００は、ＳＲＲのセルを含む。シールドカバー４００では、セルを所望周波数帯域の電磁波が減衰するように設計しているため、シールドカバー４００のサイズを自由に変更することができる。また、セルで電磁波が減衰するため、シールドカバー４００内での反射や共振が抑制される。したがって、基板２００に実装される発生源３００の電子部品の大きさや、基板２００の大きさ、デバイス１００の大きさに合わせて、シールドカバー４００のサイズを変更することが可能である。また、セル同士を任意の角度で接続することで、シールドカバー４００の形状を自由に設計することができる。
【００５０】
デバイス１００のシールドカバー４００は、基板２００に設置された発生源３００から発生する不要輻射を減衰させる。シールドカバー４００は、複数のＳＲＲのセルによって形成される。シールドカバー４００に含まれるセルの面の法線方向は、少なくとも２方向以上である。セルの面が複数の方向を向くことで、あらゆる方向の発生源３００からの不要輻射を低減しやすくなる。
【００５１】
本実施形態のセルは、セル内のＳＲＲを、周縁部、中央部、接続部に囲まれる空間部分（スロットライン）によるスリットリング形状によって実現する。従来のセルの導体によるＳＲＲは接地されないため、隣接するセルの間隔を空けることが求められるが、本実施形態の空間部分によるＳＲＲでは、ＳＲＲの周囲の導体部分を接地するため、隣接するセルの間隔を空けなくてもよい。よって、ＳＲＲを空間部分によって実現することにより、ＳＲＲを導体で実現する場合に比べて、セルの密度を向上させることができる。
【００５２】
本実施形態のセルによれば、セルの構成例２及びセルの構成例３のように、セルを２層とすることにより、層間にもキャパシタンスＣを形成することができるため、所望の共振周波数をより適切なサイズで実現することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１      セル
２      セル
３      セル
１０      第１層
１１        周縁部
１２        中央部
１３        接続部
２０      第２層
２１        周縁部
２２        中央部
２３        接続部
３０      第１層
１００      デバイス
２００      基板
３００      発生源
４００      シールドカバー
【図１】
0006673566.tif 000005
【図２】
0006673566.tif 000006
【図３】
0006673566.tif 000007
【図４】
0006673566.tif 000008
【図５】
0006673566.tif 000009
【図６】
0006673566.tif 000010
【図７】
0006673566.tif 000011
【図８】
0006673566.tif 000012
【図９】
0006673566.tif 000013
【図１０】
0006673566.tif 000014
【図１１】
0006673566.tif 000015
【図１２】
0006673566.tif 000016
【図１３】
0006673566.tif 000017
【図１４】
0006673566.tif 000018