(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、
先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒と、
前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、
前記半田孔の少なくとも前記溶融領域よりも先端側に不活性ガスを供給するガス供給部を備えている半田鏝の鏝先。
【請求項２】
前記ガス供給部は、前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通したガス供給孔を備えている請求項１に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項３】
前記ガス供給部は、
前記溶融領域よりも後端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通するガス流出孔と、
前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通したガス供給孔と、
前記筒の外部に設けられ、前記ガス流出孔と前記ガス供給孔とを連通させるバイパス配管とを有している請求項１に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項４】
前記ガス供給部は、
前記溶融領域よりも後端側の内面に設けられた流出凹部と、
前記溶融領域よりも先端側の内面に設けられた供給凹部と、
前記筒の肉厚内部に形成され、前記流出凹部と前記供給凹部とを連通させるバイパス路とを有している請求項１に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項５】
前記ガス供給部は、
前記筒の中間部分に形成され、前記半田孔の溶融領域よりも先端側に到達し、軸方向の後端側および先端側よりも外径が小さい小径部と、
前記小径部を気密に覆う外装管と、
前記小径部の前記溶融領域よりも後端側に設けられ、前記半田孔から前記小径部の外面まで貫通したガス流出孔と、
前記小径部の前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記小径部の外面に貫通したガス供給孔とを備えている請求項１に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項６】
前記ガス供給部は、
前記半田孔から前記筒の外面まで貫通するとともに前記溶融領域の後端側から前端側に軸方向に延びるスリットと、
前記スリットの外面を気密に封鎖する蓋部材とを有している請求項１に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項７】
前記蓋部材が透明である請求項６に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項８】
熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、
先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒を備え、
前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、
前記半田孔は、
供給される半田片が通過可能な断面を有する第１孔部と、
前記第１孔部の先端側に連結される第２孔部とを備えており、
前記第２孔部は、前記溶融されるとともに流下する半田の外側を不活性ガスが通過可能な断面形状を有している半田鏝の鏝先。
【請求項９】
前記第２孔部は、前記溶融領域で溶融された半田の流下方向の投影面と同じ形状の断面である第１領域が内側に収まる断面形状を有しており、
前記第１領域の断面は、円形状であり、前記第２孔部の断面と少なくとも２点で接触可能であり、
前記第２孔部の断面形状は、前記第１領域の円形状の断面が内接したときに隣合う２つの接触点における接線がなす角が溶融された半田の接触角よりも小さくなる形状である請求項８に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１０】
前記第１孔部が、前記半田片の断面よりも大きい円形と前記第２孔部の断面形状とを重ね合わせた断面形状を有している請求項８又は請求項９に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１１】
前記第１孔部の前記第２孔部と隣接する部分は、先端側の断面が小さく、内面が傾斜している請求項８から請求項１０のいずれかに記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１２】
前記第２孔部には、先端側に前記溶融領域で溶融された半田の流下方向の投影面よりも大きい断面を有する部分が設けられている請求項８から請求項１１のいずれかに記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１３】
前記第２孔部は、前記溶融領域に近づくにつれて断面が小さくなる傾斜面を有している請求項１２に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１４】
熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、
先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒を備え、
前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、
前記半田孔は、内面に設けられ軸方向に延びる溝を少なくとも一つ備えている半田鏝の鏝先。
【請求項１５】
前記筒の先端には、外形が小さい接触部分が設けられており、
前記接触部分は、前記溝と重なるとともに、前記半田孔から外面に連通するスリットが形成されている請求項１４に記載の半田鏝の鏝先。
【請求項１６】
請求項１、請求項３から請求項１５のいずれかに記載の鏝先と、
前記鏝先が着脱可能であるとともに、前記鏝先を加熱する熱源を有する鏝先保持部と、を有している半田付け装置。
【請求項１７】
請求項２に記載の鏝先と、
前記鏝先が着脱可能であるとともに、前記鏝先を加熱する熱源を有する鏝先保持部と、  前記ガス供給孔の外側に接続されて不活性ガスを直接供給するガス配管とを有している半田付け装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、部品の半田付けを行う半田鏝の鏝先及びこの鏝先を用いる半田付け装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、多くの電気機器が電子部品を実装した電子回路を搭載している。前記電子回路では、配線基板に形成された貫通孔（スルーホール）に前記電子部品の端子やワイヤを挿入し、その先端部分を前記スルーホールの周囲に形成された配線パターン（ランド）に半田付けすることで、電子部品やワイヤの配線基板への実装固定を行っている。前記半田付けを精度よく且つ効率よく行う半田付け装置が、例えば、特許文献１に記載されている。
【０００３】
特許文献１に記載の電子機器の製造装置は、筒状の鏝先を備えている。前記電子機器の製造装置は、スルーホールから突出した端子（又はワイヤ）の先端を鏝先の筒内面で囲んだ状態で、筒内に糸半田を供給する。そして、前記鏝先を加熱することで、半田を溶融させるとともに溶融した半田（溶融半田）を前記端子の周囲に均等に供給し、前記端子と前記ランドとを半田付けする。このような電子機器の製造装置を用いることで、不要箇所に溶融半田および（又は）フラックスが付着するのを抑制可能となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第５１８４３５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
筒状の鏝先を備えた電子機器の製造装置では、半田付けを繰り返すことで、前記鏝先の筒内面に半田のフラックス由来の付着物、すなわち、フラックスヒュームが堆積する場合がある。このフラックスヒュームの堆積量が多くなると、糸半田の供給が困難になる。そのため、筒状の鏝先を備えた電子機器の製造装置では、一定回数又は一定時間の半田付け作業を行った後に、筒内面に堆積したフラックスヒュームを除去するため、鏝先の筒内面の清掃を行う。
【０００６】
鏝先の筒内面の清掃は、筒内部にブラシを挿入し、ブラシを回転及び／又は軸方向に移動させて、筒内面をブラシで擦って清掃する。筒内面をブラシで擦るときに、フラックスヒュームが、研磨作用を奏する場合があり、この場合、筒内面が削れて内径が大きくなる。筒内面の内径が大きくなると、基板上の正確な位置に半田を付着させることが困難になり、半田付けの精度が低下する。
【０００７】
従来の電子機器の製造装置では、このような、半田付けの精度の低下を抑制するために、一定回数清掃するごとに、鏝先を交換しているが、鏝先の交換には、手間と時間を要するため、半田付け作業の停止時間が長くなり、電子機器の製造の効率が低下する。また、鏝先の交換の頻度が多くなると、鏝先の消費量が多くなり、それだけ、電子機器の製造のコストが高くなる。
【０００８】
そこで本発明は、清掃および交換の頻度を低減するとともに長期間に渡って正確な半田付け作業を可能とする半田鏝の鏝先およびこの鏝先を用いた半田付け装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため本発明は、熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒と、前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、前記半田孔の少なくとも前記溶融領域よりも先端側に前記不活性ガスを供給するガス供給部を備えている。
【００１０】
この構成によると、溶融した半田の周囲に不活性ガスを供給することで、溶融した半田が空気中の酸素と接触するのを抑制する。これにより、半田に含まれるフラックスの酸化を抑制し、フラックスヒュームの生成を抑制する。
【００１１】
これにより、鏝先の清掃および鏝先の取り替えの頻度を減らして、鏝先の清掃および鏝先の取り換えに要する間に半田付け作業が停止されるのを抑制することができる。以上のことから、簡単な構成を有するとともに、生産性を低下させることなく、半田付けの不良の発生を抑制することができる。
【００１２】
上記構成において、前記ガス供給部は、前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通したガス供給孔を備えていてもよい。
【００１３】
上記構成において、前記ガス供給部は、前記溶融領域よりも後端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通するガス流出孔と、前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通したガス供給孔と、前記筒の外部に設けられ、前記ガス流出孔と前記ガス供給孔とを連通させるバイパス配管とを有していてもよい。
【００１４】
上記構成において、前記ガス供給部は、前記溶融領域よりも後端側の内面に設けられた流出凹部と、前記溶融領域よりも先端側の内面に設けられた供給凹部と、前記筒の肉厚内部に形成され、前記流出凹部と前記供給凹部とを連通させるバイパス路とを有していてもよい。
【００１５】
上記構成において、前記ガス供給部は、前記筒の中間部分に形成され、前記半田孔の溶融領域よりも先端側に到達し、軸方向の後端側および先端側よりも外径が小さい小径部と、前記小径部を気密に覆う外装管と、前記小径部の前記溶融領域よりも後端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面まで貫通したガス流出孔と、前記小径部の前記溶融領域よりも先端側に設けられ、前記半田孔から前記筒の外面に貫通したガス供給孔とを備えていてもよい。
【００１６】
上記構成において、前記ガス供給部は、前記半田孔から前記筒の外面まで貫通するとともに前記溶融領域の後端側から前端側に軸方向に延びるスリットと、前記スリットの外側を気密に封鎖する蓋部材とを有していてもよい。ここで、前記蓋部材が透明であってもよい。
【００１７】
上記目的を達成するため本発明は、熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒を備え、前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、前記半田孔は、供給される半田片が通過可能な断面を有する第１孔部と、前記第１孔部の先端側に連結される第２孔部とを備えており、前記第２孔部は、前記第２孔部は、前記溶融されるとともに流下する半田の外側を不活性ガスが通過可能な断面形状を有していてもよい。
【００１８】
上記構成において、前記第２孔部は、前記溶融領域で溶融された半田の流下方向の投影面と同じ形状の断面である第１領域が内側に収まる断面形状を有しており、前記第１領域の断面は、円形状であり、前記第２孔部の断面と少なくとも２点で接触可能であり、前記第２孔部の断面形状は、前記第１領域の円形状の断面が内接したときに隣合う２つの接触点における接線がなす角が溶融された半田の接触角よりも小さくなる形状であってもよい。
【００１９】
上記構成において、前記半田片の断面よりも大きい円形と前記第２孔部の断面形状とを重ね合わせた断面形状を有していてもよい。
【００２０】
上記構成において、前記第１孔部の前記第２孔部と隣接する部分は、先端側の断面が小さく、内面が傾斜していてもよい。
【００２１】
上記構成において、前記第２孔部には、先端側に前記溶融領域で溶融された半田の流下方向の投影面よりも大きい断面を有する部分が設けられていてもよい。
【００２２】
上記構成において、前記第２孔部は、前記溶融領域に近づくにつれて断面が小さくなる傾斜面を有していてもよい。
【００２３】
上記目的を達成するため本発明は、熱源を有する半田鏝に着脱可能に取り付けられる半田鏝の鏝先であって、先端および後端に開口を有し軸方向に貫通する半田孔を有する筒を備え、前記半田孔の中間部分には、後端の開口から供給される半田片を溶融する溶融領域が設けられており、前記半田孔は、内面に設けられ軸方向に延びる溝を少なくとも一つ備えていてもよい。
【００２４】
上記構成において、前記筒の先端には、外形が小さい接触部分が設けられており、前記接触部分は、前記溝と重なるとともに、前記半田孔から外面に連通するスリットが形成されていてもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、清掃および交換の頻度を低減することが可能な半田鏝の鏝先およびこの鏝先を用いた半田鏝を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明にかかる半田付け装置の一例の斜視図である。
【図２】図１に示す半田付け装置のＣ１−Ｃ１線で切断した断面図である。
【図３】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図４】図３に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図５】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図６】図５に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図７】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図８】図７に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図９】本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。
【図１０】図９に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図１１】本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。
【図１２】図１１に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図１３】本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。
【図１４】図１２に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図１５】本発明にかかる鏝先の平面図である。
【図１６】図１５に示す鏝先をＣ２−Ｃ２線で切断した断面図である。
【図１７】図１５に示す鏝先をＣ３−Ｃ３線で切断した断面図である。
【図１８】第２孔部の他の例の拡大図である。
【図１９】本発明にかかる鏝先の平面図である。
【図２０】図１９に示す鏝先をＣ４−Ｃ４線で切断した断面図である。
【図２１】図１９に示す鏝先をＣ５−Ｃ５線で切断した断面図である。
【図２２】本発明にかかる鏝先の平面図である。
【図２３】図２２に示す鏝先をＣ６−Ｃ６線で切断した断面図である。
【図２４】図２２に示す鏝先をＣ７−Ｃ７線で切断した断面図である。
【図２５】本発明にかかる鏝先の平面図である。
【図２６】図２５に示す鏝先をＣ８−Ｃ８線で切断した断面図である。
【図２７】図２５に示す鏝先をＣ９−Ｃ９線で切断した断面図である。
【図２８】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図２９】図２８に示す鏝先をＣ１０−Ｃ１０線で切断した断面図である。
【図３０】図２８に示す鏝先をＣ１１−Ｃ１１線で切断した断面図である。
【図３１】本発明にかかる鏝先を軸を含む平面で切断した断面図である。
【図３２】本発明にかかる鏝先を軸を含み図３１の切断面と直交する面で切断した断面図である。
【図３３】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図３４】図３３に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図３５】本発明にかかる鏝先の平面図である。
【図３６】図３５に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図３７】本発明にかかる鏝先の斜視図である。
【図３８】図３７に示す鏝先の先端側から見た部分斜視図である。
【図３９】図３７に示す鏝先の軸に沿って切断した断面図である。
【図４０】本発明にかかる鏝先の先端側から見た部分斜視図である。
【図４１】図４０に示す鏝先の軸に沿って切断した断面図である。
【図４２】本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。
【図４３】図４２に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【図４４】本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。
【図４５】図４４に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
図１は本発明にかかる半田付け装置の一例の斜視図である。図２は図１に示す半田付け装置のＣ１−Ｃ１線で切断した断面図である。なお、図１では、筐体および支持部１の一部を切断し、半田付け装置の内部を表示するようにしている。また、図１および図２ともに、糸半田を半田片に切断する前の状態を示している。
【００２９】
半田付け装置Ａは、治具Ｇｊに取り付けられた配線基板ＢｄのランドＬｄと、配線基板Ｂｄに配置された電子部品Ｅｐの端子Ｎｄとに溶融半田を供給し、接続固定を行う。図１に示すように半田付け装置Ａは、支持部１、カッターユニット２、駆動機構３、ヒーターユニット４（鏝先保持部）、半田鏝の鏝先５および半田送り機構６を備えている。ヒーターユニット４と、半田鏝の鏝先５とで半田鏝を形成している。なお、以下の説明において、便宜上、半田鏝の鏝先を単に鏝先と称する場合がある。
【００３０】
支持部１は、支持壁１１と、摺動ガイド１２とを有している。支持壁１１は、鉛直方向に立設された平板状の壁体である。支持壁１１は、半田付け装置Ａの支持部材としての役割を果たしている。以下の説明においては、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向と説明する場合があり、その場合、図１を基準としている。すなわち、図１において、支持壁１１に沿う上下方向をＺ方向、支持壁１１に沿う方向でＺ方向と直交する方向をＸ方向、Ｘ方向およびＺ方向と直交する方向をＹ方向とする。図１において、摺動ガイド１２は、支持壁１１に固定されている。
【００３１】
カッターユニット２は、半田送り機構６によって送られた糸半田Ｗを所定長さの半田片Ｗｈに切断するものである。カッターユニット２は、カッター上刃２１と、カッター下刃２２と、プッシャーピン２３（図２に図示）とを備えている。カッター下刃２２は摺動ガイド１２とともに支持壁１１に固定される。カッター上刃２１は、カッター下刃２２の上部に、Ｘ方向に摺動可能に配置されている。カッター上刃２１は、摺動ガイド１２によって移動方向が規制（ガイド）されている。また、カッター上刃２１は、摺動ガイド１２によってＺ方向の移動が規制されている。プッシャーピン２３は、カッター上刃２１の後述するピン孔２１２の内部に配置されている。そして、プッシャーピン２３は、駆動機構３の後述する第２アクチュエーター３２によって、上下方向（カッター上刃２１の摺動方向と交差する方向）に移動される（図２参照）。
【００３２】
カッター下刃２２は、下刃孔２２１と、ガス流入管２２２とを備えている。下刃孔２２１は、カッター下刃２２をＺ方向に貫通する貫通孔であり、上刃孔２１１を貫通した糸半田Ｗが挿入される。下刃孔２２１の上端の辺縁部は切刃状に形成されている。ガス流入管２２２は、下刃孔２２１不活性ガスを下刃孔２２１に流入させる配管である。ガス流入管２２２は、カッター下刃２２の側面から下刃孔２２１に連通している。また、ガス流入管２２２の外側には、不活性ガスを供給するためのガス配管Ｇｐ１が接続されている。
【００３３】
ここで、不活性ガスとは、ガスを共有する対象である溶融した半田が参加するのを抑制するために用いられるものである。つまり、不活性ガスを供給することで、対象が酸素と触れるのを抑制する不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス、二酸化炭素等を挙げることができる。
【００３４】
カッター上刃２１は、上刃孔２１１と、ピン孔２１２とを備えている。上刃孔２１１は、カッター上刃２１をＺ方向に貫通する貫通孔であり、半田送り機構６から送られた糸半田Ｗが挿入される。上刃孔２１１の下端の辺縁部は切刃状に形成されている。ピン孔２１２は上刃孔２１１に対してＸ方向にずれた位置に設けられており、同じくカッター上刃２１をＺ方向に貫通し、プッシャーピン２３が挿入されている。
【００３５】
カッター上刃２１がＸ方向に摺動可能であるとともに、上刃孔２１１とピン孔２１２とはＸ方向に並んで設けられている。カッター上刃２１は、上刃孔２１１と下刃孔２２１とが上下に重なる位置と、ピン孔２１２と下刃孔２２１とが上下に重なる位置との間を摺動する。そして、カッター上刃２１の上刃孔２１１とカッター下刃２２の下刃孔２２１とがＺ方向に重なっている状態で、半田送り機構６から糸半田Ｗが送られると、上刃孔２１１を通過した糸半田Ｗが、下刃孔２２１に挿入される。下刃孔２２１に糸半田Ｗが挿入されている状態で、カッター上刃２１をＸ方向に摺動することで、上刃孔２１１および下刃孔２２１それぞれの切刃によって糸半田Ｗが切断される。
【００３６】
カッター上刃２１が、糸半田Ｗを切断した後に摺動を継続することで、下刃孔２２１とピン孔２１２とがＺ方向に重なる。ピン孔２１２が下刃孔２２１と重なっている状態で、プッシャーピン２３をピン孔２１２からＺ方向下方に突出させると、プッシャーピン２３の一部が下刃孔２２１に挿入される。下刃孔２２１の入り口に糸半田を切断した後述の半田片が残っている場合、プッシャーピン２３の先端が半田片を押して、半田片は落下する。
【００３７】
駆動機構３は、第１アクチュエーター３１と、第２アクチュエーター３２とを備えている。第１アクチュエーター３１は、流体圧力（ここでは、空気圧）を用いた駆動源であり、シリンダー３１１と、ピストンロッド３１２とを備えている。シリンダー３１１は、カッター下刃２２に固定されている。ピストンロッド３１２は、シリンダー３１１の軸方向に摺動可能に収容されており、先端がシリンダー３１１の外部に突出する。ピストンロッド３１２の先端がカッター上刃２１に固定されている。
【００３８】
シリンダー３１１には、所定の圧力の空気が供給されており、空気圧を利用して、ピストンロッド３１２をシリンダー３１１から押し出す、または、収容する。そして、第１アクチュエーター３１は、シリンダー３１１の軸がＸ軸と平行に配置されており、空気圧を調整することで、ピストンロッド３１２がＸ方向に伸縮する。ピストンロッド３１２の伸縮によってカッター上刃２１がＸ方向に摺動する。
【００３９】
なお、図２に示す半田付け装置Ａでは、第１アクチュエーター３１のピストンロッド３１２がシリンダー３１１から最も突出したとき、カッター上刃２１が図中左端にあり、上刃孔２１１が下刃孔２２１と上下に重なるようになっている。また、図示はしないが、ピストンロッド３１２がシリンダー３１１に収納されたとき、カッター上刃２１が図中右端に移動し、ピン孔２１２が下刃孔２２１と上下に重なるようになっている。
【００４０】
下刃孔２２１にはガス流入管２２２から不活性ガスが供給されている。下刃孔２２１は、上刃孔２１１またはピン孔２１２とＺ方向に重なっていないときには、上端部をカッター上刃２１で覆われる。これにより、下刃孔２２１の上端から不活性ガスが漏れるのを抑制している。なお、カッター上刃２１とカッター下刃２２との接触面とは、円滑に摺動することができるとともに、下刃孔２２１の上端から不活性ガスが漏れにくく形成されていることが好ましい。
【００４１】
第２アクチュエーター３２も第１アクチュエーター３１と実質上同じ構成を有している。すなわち、シリンダー３２１と、ピストンロッド３２２とを備えている。シリンダー３２１はカッター上刃２１に固定されている。シリンダー３２１の中心軸がＺ軸と平行である。ピストンロッド３２２は、シリンダー３２１の軸方向に摺動可能に収容されており、先端がシリンダー３２１の外部に突出する。ピストンロッド３２２の先端には、プッシャーピン２３が固定されている。
【００４２】
第２アクチュエーター３２のシリンダー３２１は、ピストンロッド３２２が、ピン孔２１２とＺ方向に重なるように、カッター上刃２１に固定されている。つまり、ピストンロッド３２２が伸縮することで、プッシャーピン２３がピン孔２１２内を軸方向に摺動する。そして、第２アクチュエーター３２が移動して、ピン孔２１２と下刃孔２２１とが上下に重なっているとき、ピストンロッド３２２を伸長させることで、プッシャーピン２３を下刃孔２２１に挿入する。また、ピストンロッド３２２をシリンダー３２１に収容することでプッシャーピン２３を下刃孔２２１から抜く。なお、ピストンロッド３２２の動作は、第１アクチュエーター３１と同じく、空気圧で行われている。
【００４３】
第１アクチュエーター３１は、カッター上刃２１を摺動させ、第２アクチュエーター３２はプッシャーピン２３を摺動させている。プッシャーピン２３が下刃孔２２１に挿入されている状態で、第１アクチュエーター３１を駆動すると、プッシャーピン２３やカッター上刃２１およびカッター下刃２２が傷ついてしまう。そのため、第２アクチュエーター３２は、第１アクチュエーター３１と同期して動作しており、ピン孔２１２が下刃孔２２１とＺ方向に重なったときに、ピストンロッド３２２を伸長するように動作する。
【００４４】
第１アクチュエーター３１および第２アクチュエーター３２の駆動は、空気圧に限定されず、油圧等の流体を用いるものであってもよい。さらには、流体を用いるものに限定されるものではなく、モータやソレノイド等の電力を用いるものであってもよい。また、上述のように、第１アクチュエーター３１と第２アクチュエーター３２とが、同期して駆動されるものであるため、カム、リンク、歯車等を用いた連動機構を備え、１個のアクチュエーターで駆動するようにしてもよい。
【００４５】
次に、カッターユニット２に糸半田Ｗを供給する半田送り機構６について説明する。半田送り機構６は、糸半田Ｗを供給するものである。半田送り機構６は、一対の送りローラ６１と、ガイド管６２とを備えている。一対の送りローラ６１は、支持壁１１に回転可能に取り付けられている。一対の送りローラ６１は、糸半田Ｗの側面を挟んで回転することで、糸半田を下方に送る。なお、一対の送りローラ６１は、互いに他方に向かって付勢されており、その付勢力で糸半田Ｗを挟む。送りローラ６１の回転角度（回転数）によって、送り出した糸半田Ｗの長さが測定（決定）されている。
【００４６】
ガイド管６２は、弾性変形可能な管体であり、上端は、送りローラ６１の糸半田Ｗが送り出される部分に近接して配置されている。また、ガイド管６２の下端は、カッター上刃２１の上刃孔２１１と連通するように設けられている。なお、ガイド管６２の下端はカッター上刃２１の摺動に追従して移動するものであり、ガイド管６２はカッター上刃２１が摺動する範囲で過剰に引っ張られたり、突っ張ったりしない長さ、および、形状を有している。
【００４７】
ヒーターユニット４は、糸半田Ｗを切断した半田片Ｗｈが溶融する温度に鏝先５を加熱する加熱装置である。ヒーターユニット４は、カッター下刃２２の下部に固定されている。ヒーターユニット４は、ヒーター４１と、ヒーターブロック４２と、ヒーターブロック固定板４３とを備えている。
【００４８】
ヒーターブロック４２は円筒形状を有しており、ヒーターブロック４２には軸方向の端部（先端）に鏝先５を取り付けるための断面円形状の凹部４２１が設けられている。そして、ヒーターブロック４２には、凹部４２１の底部の中心部から反対側に貫通した半田供給孔４２２が設けられている。ヒーターブロック４２は、ヒーターブロック固定板４３に固定される。
【００４９】
ヒーターブロック固定板４３は、カッター下刃２２の下面に固定されている。平板状の本体部に設けられた貫通孔である固定孔４３０を備えている。ヒーターブロック固定板４３の固定孔４３０にヒーターブロック４２の凹部４２１と反対側の端部を圧入することでヒーターブロック４２はヒーターブロック固定板４３を介してカッター下刃２２に固定される。なお、図２に示すように、ヒーターブロック４２の固定孔４３０に圧入される部分は、小径の段差が形成されているが、これに限定されるものではなく、段差無しの形状であってもよい。また、ヒーターブロック４２の固定方法は圧入に限定されるものではない。ヒーターブロック４２をヒーターブロック固定板４３に精度よく、且つ、しっかり固定できる固定方法を広く採用することができる。
【００５０】
図２に示すように、半田付装置Ａでは、ヒーターブロック４２がヒーターブロック固定板４３を介してカッター下刃２２に取りつけられる。これにより、カッター下刃２２の下刃孔２２１とヒーターブロック４２の半田供給孔４２２とが連通する。なお、上述のとおり、下刃孔２２１にはガス流入孔２２２を介して不活性ガスが供給されている。この不活性ガスが半田供給孔４２２に供給されるときに漏えいが少ないことが好ましい。そのために、例えば、ガスケットやシール材等の不活性ガスの漏れを抑制する部材を介在させてもよい。
【００５１】
ヒーター４１は、ヒーターブロック４２の外周に巻きつけられている。ヒーター４１はコイルに電流を流すことで、ヒーターブロック４２を加熱する。ヒーター４１は、誘導加熱によってヒーターブロック４２を加熱する構成である。なお、ヒーター４１は、誘導加熱による加熱に限定されず、電熱線等の電気を直接熱に変換し、ヒーターブロック４２を加熱する構成であってもよい。
【００５２】
ヒーターブロック４２の先端の凹部４２１には、鏝先５が着脱可能に取り付けられる。鏝先５は、図示を省略した部材によって抜け止めがなされている。  鏝先５は、ヒーター４１からの熱が伝達されており、その熱で半田片Ｗｈを溶融させる。そのため、鏝先５は、高い熱伝導率を有する材料、例えば、炭化ケイ素、窒化アルミ等のセラミックやタングステン等の金属で形成されている。
【００５３】
ここで、本発明の要部である鏝先５について新たな図面を参照して説明する。図３は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図４は図３に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図３に示す鏝先５は、ヒーターブロック４２から突出する部分を示しており、図４に示す鏝先５は、半田付けを行っている状態を示している。図４には、基板Ｂｄ、基板Ｂｄの表面に設けられたランドＬｄ、基板Ｂｄに実装された電子部品Ｅｐおよび電子部品Ｅｐの端子Ｎｄも表示している。
【００５４】
図３、図４に示すように、鏝先５は、筒５０を有している。筒５０は、半田孔５１と、ガス供給孔５２とを有している。図２に示すようには、筒５０は円筒形状の部材であり、中心部分に軸方向に延びる半田孔５１が設けられている。半田孔５１は鏝先５の後端の開口５１１、先端の開口５１２を有する貫通孔である。半田孔５１の後端の開口５１１および先端の開口５１２との間の部分は、カッターユニット２で切断された半田片Ｗｈを溶融する溶融領域５１０を有している。
【００５５】
ガス供給孔５２は、半田孔５１から筒５０の外面に貫通する貫通孔である。ガス供給孔５２は、筒５０の軸方向において、溶融領域５１０よりも先端側、ここでは、先端の開口５１２に近接した位置に設けられている。そして、ガス供給孔５２には、不活性ガスが流れるガス配管Ｇｐ２が接続される。このガス配管Ｇｐ２は、ガス流入配管２２２に接続されるガス配管Ｇｐ１と分岐して設けられた配管であってもよいし、ガス配管Ｇｐ１とは別系統で設けられた配管であってもよい。ガス配管Ｇｐ１とガス配管Ｇｐ２とは、同じ気体（不活性ガス）が流れる。
【００５６】
筒５０は、ヒーターブロック４２の凹部４２１に取り付けられていることで、ヒーターブロック４２と接触している。これにより、鏝先５が、ヒーターユニット４に加熱される。このとき、筒５０は、半田孔５１の少なくとも溶融領域５１０が、半田片Ｗｈを溶融する温度（例えば、鉛フリー半田の場合、約２２０℃以上）に昇温される。
【００５７】
図４に示す鏝先５では、溶融領域５１０で、先端側の断面積が小さくなるような傾斜を有する形状（テーパ形状）を有している。テーパ形状を有することで、半田片Ｗｈを半田孔５１の中心に導くとともに、半田片Ｗｈを一時停止させて、半田片Ｗｈと鏝先５（筒５０）とを接触させ、鏝先５（筒５０）の熱を半田片Ｗｈに効果的に伝達させることができる。なお、半田孔５１を通過するときに、半田片Ｗｈが溶融する場合や端子Ｎｄと接触して停止した半田片Ｗｈを確実に溶融させることができる場合にはテーパ形状は省略してもよい。例えば、半田孔Ｗｈが全長に渡り均一な断面を有する貫通孔であってもよいし、異径の貫通孔を直接連結した形状であってもよい。異径の貫通孔を直接連結する構成の場合、先端側を後端側よりも小径とすることで、接続部分で段が形成され、半田片Ｗｈを一時的に停止させることが可能である。
【００５８】
筒５０の後端を、ヒーターブロック４２の凹部４２１に挿入して固定することで、半田孔５１は半田供給孔４２２と連通する。このとき、半田供給孔４２２から半田孔５１に流入する不活性ガスが接続部分からの漏れを極力抑えるため、ガスケットやシール材等を介在させるようにしてもよい。
【００５９】
半田付け装置Ａにおいて、ヒーターブロック４２の凹部４２１に取り付けられた鏝先５の半田孔５１には、後端の開口５１１から半田片Ｗｈとともに不活性ガスが供給される。また、ガス供給孔５２にガス配管Ｇｐ２からの不活性ガスが直接供給されている。そのため、半田孔５１の先端の開口５１２の近傍には、ガス供給孔５２を介して不活性ガスが直接流入している。
【００６０】
半田付け装置Ａで半田付けを行う動作について説明する。半田付け装置Ａで半田付けを行う場合、筒５０の先端を配線基板ＢｄのランドＬｄに接触させる。そして、筒５０で、ランドＬｄおよび電子部品Ｅｐの端子を囲む。このとき、鏝先５には、ヒーターユニット４からの熱が伝達されており、筒５０の先端が接触することでランドＬｄおよび電子部品Ｅｐの端子は、半田付けに適した温度に加温（プレヒート）される。
【００６１】
なお、ヒーター４１は常時同じ熱量を鏝先５に供給するように制御されていてもよいし、ランドＬｄおよび電子部品Ｅｐの端子を加熱する間は熱量を小さくし、半田片Ｗｈが鏝先５の半田孔５１に到達した後、供給する熱量を大きくするように制御されるものであってもよい。このように、糸半田Ｗの有無によって、ヒーター４１から鏝先５に供給される熱量を変更することで、配線基板Ｂｄや電子部品Ｅｐの過熱による不具合の発生を抑制することができる。
【００６２】
そして、鏝先５によるプレヒートに前後して、半田送り機構６が糸半田Ｗを所定量送るとともに、カッターユニット２で糸半田Ｗを切断する。これにより、所定量の半田片Ｗｈが糸半田Ｗから切り取られる。ここで、所定量は、半田付けを行う部材の大きさ（面積、形状等）によって決められており、一対の送りローラ６１で正確に計量されている。カッターユニット４で切断された半田片Ｗｈは、自重により落下する。
【００６３】
半田片Ｗｈがカッターユニット２に残る場合がある。そのため、半田付け装置Ａでは、プッシャーピン２３を下刃孔２２１に挿入して、半田片Ｗｈを確実に押し落としている。なお、プッシャーピン２３が、糸半田Ｗを切断するごとに下刃孔２２１に挿入されるようにしているが、センサ等の検知装置をつけて、半田片Ｗｈが残っているときだけプッシャーピン２３を下刃孔２２１の挿入するようにしてもよい。
【００６４】
下刃孔２２１から落下した半田片Ｗｈは、半田供給孔４２２を介して半田孔５１に供給される。鏝先５はヒーターユニット４からの熱で昇温しており、半田片Ｗｈは、半田孔５１の溶融領域５１０で加熱されて溶融される。そして、溶融された半田片Ｗｈは、先端の開口５１２からランドＬｄおよび端子Ｎｄに供給され、ランドＬｄと端子Ｎｄとが接続される（半田付けされる）。
【００６５】
半田孔５１の大きさによっては、半田片Ｗｈが溶融して液状になると、半田孔５１が半田片Ｗｈで塞がれる場合がある。このような場合、溶融した半田片Ｗｈが先端の開口５１２から外部に流出するまで、半田孔５１が塞がれた状態が続く。半田孔５１の後端の開口５１１からだけ不活性ガスを供給している場合、半田孔５１が塞がれたときには、溶融した半田片Ｗｈの先端側には、不活性ガスが行き届かない。
【００６６】
通常半田には、フラックスと呼ばれる添加剤が含まれている。熱で溶融したフラックスが空気中の酸素と結びつくと、すなわち、酸化すると、フラックスヒュームと呼ばれる異物となる。フラックスヒュームは、半田鏝の鏝先５を劣化させる原因物質である。
【００６７】
本発明にかかる鏝先５では、溶融した半田片Ｗｈによって半田孔５１が塞がれた場合にも、半田孔５１の半田片Ｗｈよりも後端側には、ガス流入孔２２２、下刃孔２２１、半田供給孔４２２を介して不活性ガスが供給される。また、半田片Ｗｈよりも先端側にはガス供給孔５２を介して不活性ガスが供給される。溶融した半田片Ｗｈは溶融したフラックスを含んでいるが、本発明に係る鏝先５を用いることで、溶融した半田片Ｗｈが先端の開口５１２から流出するまで、不活性ガスで囲まれており、酸素との接触が抑制されていている。そのため、鏝先５では、半田孔５１内でのフラックスヒュームの発生が抑制されている。
【００６８】
これにより、付着したフラックスヒュームを落とすための清掃が不要または頻度を減らすことができるので清掃のために半田付け作業を中止する時間を無くすまたは減らすことができる。
【００６９】
また、本発明の鏝先５では、半田孔５１内のフラックスヒュームの発生を抑制するので、鏝先５の交換を不要とするまたは交換頻度を減らすことができる。これにより、鏝先の消費を減らすとともに、鏝先を交換するための半田付け作業を中止する時間を無くすまたは減らすことができる。
【００７０】
以上のことから、本発明にかかる鏝先５を用いることで、清掃作業および鏝先の交換を無くすまたは頻度を減らすことで、半田付け作業の作業性を高めることが可能である。また、清掃作業によって、半田孔５１が削られてまたは内面にフラックスヒュームが付着することで内径が変化するのを抑制することができる。これにより、本発明にかかる半田鏝の鏝先を用いることで、長期間に渡って、精度のよい半田付けを行うことが可能である。
【００７１】
（第２実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先の他の例について図面を参照して説明する。図５は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図６は図５に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図５、図６に示す鏝先５Ａは、ガス供給部５３が異なる以外、図３、図４に示す鏝先５と同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先５Ａの事実上、鏝先５と同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図５は、図３と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図６は、図４と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【００７２】
図５、図６に示すように、鏝先５Ａは、ガス供給部５３を備えている。ガス供給部５３は、ガス流出孔５３１と、ガス供給孔５３２と、バイパス配管５３３とを備えている。ガス流出孔５３１は、半田孔５１から外面に貫通する貫通孔である。ガス流出孔５３１は、筒５０の軸方向において、溶融領域５１０よりも後端側に設けられている。ガス供給孔５３２は、ガス供給孔５２と同様の構成を有する貫通孔であり、筒５０の軸方向において、溶融領域５１０よりも先端側、ここでは、先端の開口５１２に近接した位置に設けられている。バイパス配管５３３は、不活性ガスを流通可能な管体である。バイパス配管５３３の両端は、それぞれ、ガス流出孔５３１およびガス供給孔５３２に接続されている。
【００７３】
鏝先５Ａは、鏝先５と同様、ヒーターブロック４２の凹部に取り付けられることで、半田供給孔４２２から、半田片Ｗｈとともに不活性ガスも供給されている。図６に示すように、鏝先５Ａでは、半田片Ｗｈが溶融領域５１０で溶融され半田孔５１が閉塞された場合、図示を省略している後端の開口５１１から流入した不活性ガスは、ガス流出孔５３１に分流する。そして、バイパス配管５３３を通ってガス供給孔５３２から半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に流出される。溶融した半田片Ｗｈが溶融領域５１０よりも先端側で半田孔５１を塞いでも、溶融した半田片Ｗｈの後端側および先端側に不活性ガスを供給できるため、酸素と接触するのを抑制することができる。これにより、鏝先５Ａでは、半田孔５１の内部でフラックスの酸化によるフラックスヒュームの発生を抑えることができる。
【００７４】
これ以外の特徴については、第１実施形態と同じである。
【００７５】
本発明にかかる鏝先５Ａは、後端の開口から供給された不活性ガスをガス供給部５３を利用して、半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に供給する構成である。本発明にかかる鏝先５Ａを用いることで、半田付け装置Ａに、鏝先に直接、不活性ガスを供給するガス配管（図１、図２では、ガス配管Ｇｐ２）を省略することが可能である。本発明にかかる鏝先５Ａを用いることで、半田付け装置Ａの構成を簡略化することが可能である。なお、以下の各実施形態で説明する半田鏝の鏝先も同様に、鏝先に直接、不活性ガスを供給するガス配管を省略した半田付け装置に用いられるものである。
【００７６】
（第３実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図７は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図８は図７に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図７、図８に示す鏝先５Ｂは、ガス供給部５３ｂがガス供給部５３と異なる以外、図５、図６に示す鏝先５Ａと同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先５Ｂの事実上、鏝先５Ａと同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図７は、図５と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図８は、図６と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【００７７】
図７、図８に示すように、鏝先５Ｂは、ガス供給部５３ｂを備えている。ガス供給部５３ｂは、ガス流出凹部５３４と、ガス供給凹部５３５と、バイパス路５３６と、蓋部材５３７とを備えている。
【００７８】
ガス流出凹部５３４は、ガス流出孔５３１と同様に、筒５０の軸方向において、溶融領域５１０より後端側に設けられている。ガス流出凹部５３４は、半田孔５１から外面に貫通した貫通孔を有している。そして、貫通孔の外面側の開口には、蓋部材５３７が気密に装着されている。ガス供給凹部５３５は、ガス供給孔５３２と同様に、筒５０の軸方向において、溶融領域５１０よりも先端側、ここでは、先端の開口５１２に近接した位置に設けられている。ガス供給凹部５３５は、半田孔５１から外面に貫通した貫通孔を有している。そして、貫通孔の外面側の開口には、蓋部材５３７が気密に装着されている。
【００７９】
バイパス路５３６は、筒５０の肉厚部に形成された凹穴であり、先端側に開口を有している。バイパス路５３６は、ガス供給凹部５３５の半田孔５１に面する開口と蓋部材５３７の間を貫通している。また、バイパス路５３６は、ガス流出凹部５３４の半田孔５１に面する開口と蓋部材５３７の間に接続している。蓋部材５３７は、ガス流出凹部５３４およびガス供給凹部５３５から外部への不活性ガスの漏れを抑制するための部材である。蓋部材５３７はガス流出凹部５３４およびガス供給凹部５３５のそれぞれの貫通孔の外面側の開口を気密に塞ぐため、圧入されているがこれに限定されない。例えば、ねじ込み式の蓋でもよい。
【００８０】
ガス供給部５３ｂでは、図示を省略している後端の開口５１１から流入した不活性ガスは、ガス流出凹部５３４に分流する。そして、バイパス路５３６を通ってガス供給凹部５４５から半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に流出される。本実施形態の鏝先５Ｂは、筒５０の外部にガスが流れる配管を形成することなく、溶融領域５０の後端および先端に不活性ガスを供給することが可能である。これ以外の特徴については、第１実施形態〜第２実施形態と同じである。
【００８１】
なお、本実施形態にかかる鏝先５Ｂでは、ガス流出凹部５３４およびガス供給凹部５３５として、貫通孔を蓋部材５３７で塞ぐ構成としている。これは、鏝先５Ｂを構成する材料および製造上の理由であり、半田孔５１から外面に貫通しない凹部を形成し、その凹部を繋ぐ構成であってもよい。このとき、バイパス路５３６も先端に開口が形成されない構成とすることができる場合、先端に開口を形成せずにガス流出凹部５３４とガス供給凹部５３５とを連通させる構成であってもよい。
【００８２】
（第４実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図９は本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。図１０は図９に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図９、図１０に示す鏝先５Ｃは、ガス供給部５４がガス供給部５３と異なる以外、図５、図６に示す鏝先５Ａと同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先５Ｃの事実上、鏝先５Ａと同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図９は、図５と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図１０は、図６と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【００８３】
図９、図１０に示すように、鏝先５Ｃは、ガス供給部５４を備えている。ガス供給部５４は、小径部５４１と、外装管５４２と、ガス流出孔５４３と、ガス供給孔５４４とを備えている。小径部５４１は、筒５０ｃの一部であり、筒５０ｃの他の部分よりも外径が小さい。なお、小径部５４１は、筒５０ｃの軸方向において、溶融領域５１０よりも後端側から先端側にかかるように形成されている。すなわち、筒５０ｃの軸方向において、溶融領域５１０は小径部５４１に収まるように設けられている。
【００８４】
外装管５４２は小径部５４１を囲む管体である。外装管５４２は、筒５０ｃの小径部５４１の先端側および後端側と気密に接触する。これにより、外装管５４２は小径部５４１の外面を気密に覆う。ガス流出孔５４３は、半田孔５１から小径部５４１の外面に貫通する貫通孔である。ガス流出孔５４３は、筒５０ｃの軸方向において、溶融領域５１０よりも後端側に設けられている。ガス供給孔５４４は、半田孔５１から小径部５４１の外面に貫通する貫通孔である。ガス供給孔５４４は、筒５０ｃの軸方向において、溶融領域５１０よりも先端側に設けられている。
【００８５】
図９、図１０に示すように、鏝先５Ｃには、小径部５４１と、外装管５４２と、筒５０ｃの小径部５４１の先端側および後端側で隣接する部分とで外部と気密に保たれた隙間が形成される。ガス流出孔５４３およびガス供給孔５４４はこの隙間と半田孔５１とを連結しており、ガス流出孔５４３から分流された不活性ガスは、この隙間を通ってガス供給孔５４４から半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に流入する。
【００８６】
鏝先５Ｃでは、細かな部材の接合等を行うことなく製造することができるため、製造が簡単である。これ以外の特徴については、第１実施形態〜第３実施形態と同じである。
【００８７】
鏝先５Ｃでは、小径部５４１の全周に隙間が形成されている。図９、図１０に示す鏝先５Ｃでは、ガス流出孔５４３およびガス供給孔５４４を１個ずつ設けたものとしているが、周方向に複数個ずつ設けられていてもよい。
【００８８】
（第５実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図１１は本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。図１２は図１１に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図１１、図１２に示す鏝先５Ｄは、ガス供給部５５がガス供給部５３と異なる以外、図５、図６に示す鏝先５Ａと同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先５Ｄの事実上、鏝先５Ａと同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図１１は、図５と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図１２は、図６と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【００８９】
図１１、図１２に示すように、鏝先５Ｄは、ガス供給部５５を備えている。ガス供給部５５は、スリット５５１と、蓋部材５５２とを備えている。図１２に示すように、スリット５５１は、半田孔５１から筒５０ｄの外面に貫通している。そして、スリット５５１は、溶融領域５１０のよりも後端側から先端側に軸方向に延びる長孔である。換言すると、筒５０ｄの軸方向において、スリット５５１が形成されている部分と重なる位置に溶融領域５１０が形成されている。
【００９０】
蓋部材５５２は、スリット５５１の筒５０ｄの外面側の開口を気密に塞ぐ。図１２に示すように、蓋部材５５２はスリット５５１の筒５０ｄの径方向の一部を塞ぐように取り付けられる。蓋部材５５２の半田孔５１方向への突出量は、スリット５５１の半径方向長さよりも短く設定されている。これにより、蓋部材５５２をスリット５５１に取り付けると、スリット５５１が半田孔５１の内周面から半径方向外方向に奥まった溝となり、このスリット５５１による溝が、半田孔５１の溶融領域５１０と並列なバイパス流路としての役割を果たす。つまり、ガス供給部５５では、図示を省略している後端の開口５１１から流入した不活性ガスは、溶融領域５１０の後端側でスリット５５１による溝に分流し、半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に流出される。
【００９１】
スリット５５１の幅について説明する。溶融した半田は表面張力が高い液体であるため、幅が狭い隙間には流入しない、あるいは、流入しにくい。そこで、スリット５５１の幅は、使用される半田の溶融時の表面張力に基づいて、決定されており、溶融した半田が流入しない幅を有している。
【００９２】
蓋部材５５２のスリット５５１への取り付けは、スリット５５１を隔てて対向するように形成された貫通孔５５３と係止穴５５４との間に、蓋部材５５２に形成されて貫通孔５５２１が同一軸上で重なるようにスリット５５１に対して蓋部材５５２を嵌め入れ、そしてピンＰを貫通孔５５３から差し込み係止穴５５４に至るまで押し入れることによって行う。ピンＰによる蓋部材の取り付けは複数箇所であっても構わない。また、接着剤等を併用しても構わない。もちろん、蓋部材５５２のスリット５５１への取り付けは、前記取り付け方法に限定されるものではなく、ネジ止めやバンド止めなど従来公知の方法を用いることができるが、蓋部材５５２やスリット５５１，半田孔５１内のクリーニングが可能になる点で蓋部材５５２を着脱可能に取り付ける方法が望ましい。
【００９３】
このように、鏝先５Ｄは、スリット５５１と、スリット５５１を覆う蓋部材５５２を設けるだけであるため、構造が簡単であり、製造にかかるコストを低減することが可能である。これ以外の特徴については、第１実施形態〜第３実施形態と同じである。
【００９４】
また、蓋部材５５２を透明材料で構成すれば、半田孔５１内における半田片Ｗｈの溶融状態や内周壁の汚れなどを目視やカメラなどで外部から観察できる。加えて、不活性ガスがスリット５５１による溝内を常に流れているので、半田片Ｗｈの溶融の際にフラックスヒュームによる蓋部材５５２の内側面の曇りの発生が抑制され、半田片Ｗｈの溶融してゆく過程も含めて外部から観察できる。蓋部材５５２に使用できる透明材料としては、耐熱性（温度３００℃以上が好ましい）を有する材料であれば特に限定はなく、例えば耐熱ガラス、透明マイカ、透明セラミックス（ＹＡＧセラミックス）、単結晶サファイアなどが挙げられる。
【００９５】
（第６実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図１３は本発明にかかる鏝先の分解斜視図である。図１４は図１３に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図１３、図１４に示す鏝先５Ｅは、ガス供給部５６がガス供給部５３と異なる以外、図５、図６に示す鏝先５Ａと同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先５Ｅの事実上、鏝先５Ａと同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図１３は、図５と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図１４は、図６と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【００９６】
図１３、図１４に示すように、鏝先５Ｅは、ガス供給部５６を備えている。ガス供給部５６は、筒５０ｅの先端部に形成された円弧筒状部５０１の平面部５０１ａと、スリット５６１と、蓋部材５６２とを備えている。図１４に示すように、スリット５６１は、半田孔５１から円弧筒状部５０１の平面部５０１ａの外面に貫通している。そして、スリット５６１は、溶融領域５１０のよりも後端側から先端側に軸方向に延びる長孔である。換言すると、筒５０ｅの軸方向において、スリット５６１が形成されている部分と重なる位置に溶融領域５１０が形成されている。
【００９７】
蓋部材５６２は、円弧筒状部５０１の平面部５０１ａとほぼ同じ平面形状を有し、スリット５６１の平面部５０１ａの外面側の開口を気密に塞ぐ。図１４に示すように、蓋部材５６２は円弧筒状部５０１の平面部５０１ａに密着するように取り付けられる。スリット５６１が、半田孔５１の溶融領域５１０と並列なバイパス流路としての役割を果たす。つまり、ガス供給部５６では、図示を省略している後端の開口５１１から流入した不活性ガスは、溶融領域５１０の後端側でスリット５６１に分流し、半田孔５１の先端の開口５１２の近傍に流出される。
【００９８】
スリット５６１の幅については前述の図１１及び図１２に示した実施形態と同様に、使用される半田の溶融時の表面張力に基づいて決定され、溶融した半田が流入しない幅を有している。
【００９９】
蓋部材５６２の円弧筒状部５０１の平面部５０１ａへの取り付けは、平面部５０１ａの対角線状に形成された係止穴５０２，５０３に、蓋部材５６２に対角線状に形成された貫通孔５６２１，５６２２を重ね合わせ、ピンＰを貫通孔５６２１，５６２２にそれぞれ差し入れ係止穴５０２，５０３に押し入れることにより行う。蓋部材５６２の平面部５０１ａへの取り付けは、前記取り付け方法に限定されるものではなく、接着剤による貼着、ネジ止め、バンド止めなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１００】
このように、鏝先５Ｅは、円弧筒状部５０１の平面部５０１ａに蓋部材５６２を取り付けるだけであるため、構造が簡単であり、製造にかかるコストを低減することが可能である。これ以外の特徴については、第１実施形態〜第３実施形態と同じである。
【０１０１】
また、図１１及び図１２に示した実施形態と同様に、蓋部材５６２を透明材料で構成すれば、半田孔５１内における半田片Ｗｈの溶融状態や内周壁の汚れなどを目視やカメラなどで外部から観察できる。そしてまた、不活性ガスがスリット５６１内を常に流れているので、半田片Ｗｈの溶融の際にフラックスヒュームによる蓋部材５６２の内側面の曇りの発生が抑制され、半田片Ｗｈの溶融してゆく過程も含めて外部から観察できる。蓋部材５５２に使用できる透明材料は、前記実施形態の例示材料がここでも使用できる。
【０１０２】
（第７実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図１５は本発明にかかる鏝先の平面図である。図１６は図１５に示す鏝先をＣ２−Ｃ２線で切断した断面図である。図１７は図１５に示す鏝先をＣ３−Ｃ３線で切断した断面図である。
【０１０３】
図１５、図１６、図１７に示す鏝先７Ａは、筒７０を有している。筒７０は鏝先５の筒５０と同様の構成を有しており、中心部分に軸方向に延びる半田孔７１が設けられている。
【０１０４】
鏝先７Ａは、鏝先５と同様、ヒーターブロック４２の凹部４２１に取り付けられるものであり、ヒーターブロック４２から熱を受ける。そして、後端の開口（不図示）から供給される半田片Ｗｈを溶融領域７１０で溶融し、溶融した半田片Ｗｈを先端の開口７１２から外部に供給する。
【０１０５】
半田孔７１は、後端の開口（不図示）から軸方向に延びる第１孔部７２と、第１孔部７１の先端側と連通する第２孔部７３とを備えている。第１孔部７２は、先端側の端部の近傍に供給された半田片Ｗｈを溶融する溶融領域７１０を備えている。溶融領域７１０は筒５０の溶融領域７１０と同様の構成を有しており、先端側が細いテーパ状に形成されている。第１孔部７２は、半田片Ｗｈの軸と直交する面で切断した断面の断面形状よりも大きな円形断面を有する円柱状である。第１孔部７２の断面をこのように半田片Ｗｈの断面よりも大きくすることで、半田片Ｗｈが円滑に、すなわち、途中で止まることなく、溶融領域７１０まで落下する。
【０１０６】
溶融した半田は、外部からの圧力等が付与されていないとき、球形状になる。本発明にかかる半田鏝の鏝先７Ａでは、溶融した半田片Ｗｈが半田孔７１を流下するものであり、半田孔７１が鉛直方向に延びるように構成されている。そのため、半田孔７１の溶融領域７１０で溶融した半田片Ｗｈは、球形を鉛直方向に伸ばした形状となる。そして、溶融半田は、表面張力が高いため、狭い部分に流入しにくい。
【０１０７】
このような溶融した半田の性質を利用して、第２孔部７３は、溶融した半田片Ｗｈの軸方向の投影面と同じ断面形状を有する第１領域７３１と、第１領域７３１と径方向に連設された第２領域７３２とを有している。
【０１０８】
本実施形態の鏝先７Ａの第２孔部７３では、第１領域７３１の断面形状が楕円（円形）であり、第２孔部７３の断面形状を第１領域７３１よりも大きい長方形状としている。そして、第２孔部７３の断面の長手方向の長さは、第１領域７３１の断面の長径よりも長く形成されている。第２孔部７３の長方形状の断面の第１領域７３１の外側の部分が第２領域７３２である。
【０１０９】
鏝先７Ａが正確に取り付けられ、半田付け装置Ａが安定して動作しているときは、半田孔７１が鉛直方向に延びるものであり、半田片Ｗｈは第１孔部７２の溶融領域７１０のテーパに誘導されるため、半田孔７１の中心を流下する。このとき、溶融した半田片Ｗｈには、重力と表面張力が作用しているので、第２孔部７３内において、第１領域７３１内からずれることなく流下する。
【０１１０】
溶融領域７１０で溶融された半田片Ｗｈは、第２孔部７３に流入するとき、第１領域７３１を先端の開口７１２まで流下する。すなわち、第２孔部７３の第１領域７３１は溶融した半田片Ｗｈで閉塞される。このとき、溶融した半田片Ｗｈは第２領域７３２に流入しないため、後端の開口から供給された不活性ガスは、溶融した半田片Ｗｈが第２孔部７３の第１領域７３１を閉塞しても、第２領域７３２を通って先端の開口７１２の近傍に流入する。
【０１１１】
このように、第２孔部７３が、半田片Ｗｈを溶融したときに流下する領域である第１領域７３１と、第１領域７３１の径方向外側に設けられ、半田片Ｗｈが流入しない第２領域７３２を形成することで、半田片Ｗｈが溶融されたときでも、不活性ガスを先端の開口７１２に流入させることができる。これにより、鏝先７Ａ内において、半田片Ｗｈが酸素に触れるのを抑制し、フラックスヒュームの発生を抑えることができる。
【０１１２】
第２孔部７３について図面を用いてさらに詳しく説明する。図１８は第２孔部の他の例の拡大図である。図１８に示す第２孔部７３の断面は、第１領域７３１の断面である楕円が内接する長方形状としている。そして、第１領域７３１の断面と接する第２孔部７３の断面のうち、隣合う接点における接線を、線７３３、線７３４とする。
【０１１３】
溶融した半田は、表面張力が大きい、すなわち、接触角が大きくなっている。そのため、第２孔部７３と接触する面のうち、隣合う面のなす内角が接触角よりも小さいと、溶融した半田は、それ以上、角部側に移動できない。つまり、第２孔部７３の断面と第１領域７３１の断面との接触する点のうち、隣合う接点における接線である、線７３３、線７３４がなす角度θが、溶融した半田の接触角度よりも小さい場合、溶融した半田は、その接触点よりも先に進入しない。
【０１１４】
第２孔部７３の断面形状を、第１領域７３１の断面と２点以上で接触可能な構成であり、隣合う２点から第１領域７３１の断面の接線がなす角度が溶融した半田の接触角度よりも小さい角度を有する形状とすることで、溶融した半田片Ｗｈの流入が抑制される第２領域７３２を備えた第２孔部７３を形成することができる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、第２孔部７３の断面形状として長方形状を示しているが、これに限定されるものではなく、上述のような条件を満たす形状（例えば、三角形、ひし形、星形等）を広く採用することが可能である。
【０１１６】
以上のように、本実施形態の鏝先７Ａは、半田孔７１の断面形状を変更することで、溶融した半田片Ｗｈが、半田孔７１の途中に留まる場合でも、不活性ガスを溶融領域７１０よりも先端の開口７１２の近傍に送ることができる。これにより、本発明の鏝先７Ａは、製造が簡単であるとともに、長期間に渡って、半田孔７１内でのフラックスヒュームの発生及び付着を抑制できる。
【０１１７】
（第８実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図１９は本発明にかかる鏝先の平面図である。図２０は図１９に示す鏝先をＣ４−Ｃ４線で切断した断面図である。図２１は図１９に示す鏝先をＣ５−Ｃ５線で切断した断面図である。本実施形態にかかる鏝先７Ｂは、溶融領域７１０の構成が異なる以外、鏝先７Ａと同じ構成を有している。そのため、実質上同じ部分には、同じ符号を付し、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１１８】
図１９、図２０、図２１に示すように、鏝先７Ｂは、半田孔７１の第１孔部７２の先端側に設けられた溶融領域７１０に段が形成されている。このように段が設けられていることで、落下した半田片Ｗｈが一旦、段で止まるため、半田片Ｗｈの加熱を効果的に行うことが可能である。
【０１１９】
これ以外の特徴については、第７実施形態と同じである。
【０１２０】
（第９実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図２２は本発明にかかる鏝先の平面図である。図２３は図２２に示す鏝先をＣ６−Ｃ６線で切断した断面図である。図２４は図２２に示す鏝先をＣ７−Ｃ７線で切断した断面図である。本実施形態にかかる鏝先７Ｃは、第１孔部７２ｃの構成が異なる以外、鏝先７Ａと同じ構成を有している。そのため、実質上同じ部分には、同じ符号を付し、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１２１】
鏝先７Ｃは、第１孔部７２ｃと、第２孔部７３とを備えている。第２孔部７３は、第１領域７３１と、第２領域７３２とを有している。第２孔部７３の軸と直交する面で切断した断面は、第１孔部７２ｃの円形の断面からはみ出る大きさを有して形成されている。そして、第１孔部７２ｃは、円形断面の第１領域７２１と、第１領域７２１の断面から突出した断面を有する第２領域７２２とを組み合わせた形状を有している。すなわち、第１孔部７２ｃの第２領域７２２と、第２孔部７３の第２領域７３２とが連通するように設けられている。
【０１２２】
換言すると、鏝先７Ｃには、筒７０の軸方向に第２孔部７３と同じ断面を有する孔が貫通しているとともに、溶融領域７１０よりも後端側には、半田片Ｗｈの断面よりも大きな円形断面を有する孔が、貫通している孔と一部が重なって形成されている。
【０１２３】
このように形成されていることで、第１孔部７２ｃの第２領域７２２と、第２孔部７３の第２領域７３２とが連通される。これにより、溶融領域７１０で溶融された半田片Ｗｈが、半田孔７１の途中に留まる場合でも、不活性ガスを溶融領域７１０よりも先端の開口７１２の近傍に送ることができる。これにより、本実施形態の鏝先７Ｃは構造が簡単であるとともに、フラックスヒュームの発生を抑制できる。
【０１２４】
（第１０実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図２５は本発明にかかる鏝先の平面図である。図２６は図２５に示す鏝先をＣ８−Ｃ８線で切断した断面図である。図２７は図２５に示す鏝先をＣ９−Ｃ９線で切断した断面図である。本実施形態にかかる鏝先７Ｄは、溶融領域７１０の構成が異なる以外、鏝先７Ｃと同じ構成を有している。そのため、実質上同じ部分には、同じ符号を付し、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１２５】
図２５、図２６、図２７に示すように、鏝先７Ｄは、半田孔７１の第１孔部７２ｃの第１領域７２１の先端側に設けられた溶融領域７１０に段が形成されている。このように段が設けられていることで、落下した半田片Ｗｈが一旦、段で止まるため、半田片Ｗｈの加熱を効果的に行うことが可能である。
【０１２６】
これ以外の特徴については、第９実施形態と同じである。
【０１２７】
（第１１実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図２８は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図２９は図２８に示す鏝先をＣ１０−Ｃ１０線で切断した断面図である。図３０は、図２８に示す鏝先をＣ１１−Ｃ１１線で切断した断面図である。本実施形態にかかる鏝先７Ｅは、第２孔部７３ｅの形状が異なる以外、鏝先７Ｃと同じ構成を有している。そのため、実質上同じ部分には同じ符号を付して説明するとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１２８】
図２８、図２９、図３０に示すように、鏝先７Ｅの筒７０ｅは、第２孔部７３ｅを備えている。第２孔部７３ｅは、溶融領域７１０の先端側に第１領域７３１、第２領域７３２に加えて、第１孔部７２ｃの第１領域７２１と同じ外径の円形断面を重ねた断面形状となっている。第２孔部７３ｅでは、円筒形状を軸と平行な面で切断した形状の第３領域７３３を備えている。そして、第３領域７３３は、溶融領域７１０の先端側の断面が大きいテーパ状に形成されている。
【０１２９】
このような構成とすることで、溶融領域７１０の先端側で半田孔７１ｅが広くなるため、溶融された半田片Ｗｈを素早く先端の開口７１２に流下させることができる。これ以外の特徴については、第９実施形態と同じである。
【０１３０】
（第１２実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図３１は本発明にかかる鏝先を軸を含む平面で切断した断面図である。図３２は本発明にかかる鏝先を軸を含み図３１の切断面と直交する面で切断した断面図である。本実施形態にかかる鏝先７Ｆは、溶融領域７１０の構成が異なる以外、鏝先７Ｅと同じ構成を有している。そのため、実質上同じ部分には、同じ符号を付し、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１３１】
図３１、図３２に示すように、鏝先７Ｆは、半田孔７１ｆの第１孔部７２ｃの第１領域７２１の先端側に設けられた溶融領域７１０に段が形成されている。また、溶融領域７１０と第２孔部７３ｅの間に段が形成されている。このように段が設けられていることで、落下した半田片Ｗｈが一旦、段で止まるため、半田片Ｗｈの加熱を効果的に行うことが可能である。
【０１３２】
これ以外の特徴については、第１１実施形態と同じである。
【０１３３】
（第１３実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図３３は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図３４は図３３に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。また、図３３は、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図３４は、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【０１３４】
図３３、図３４に示す鏝先８は、筒８０を有している。筒８０は鏝先５の筒５０と同様の構成を有しており、中心部分に軸方向に延びる半田孔８１と、半田孔８１の内面に形成された溝８２とを有している。
【０１３５】
鏝先８は、鏝先５と同様、ヒーターブロック４２の凹部４２１に取り付けられるものであり、ヒーターブロック４２から熱を受ける。そして、後端の開口（不図示）から供給される半田片Ｗｈを溶融領域８１０で溶融し、溶融した半田片Ｗｈを先端の開口８１２から外部に供給する。
【０１３６】
半田孔８１は、筒８０の中心に軸方向に貫通して設けられている。半田孔８１は、中間部分に溶融領域８１０を備えている。溝８２は半田孔８１と同様に、筒８０を軸方向に貫通している。これにより、溝８２は、半田孔８１の溶融領域８１０と並列なバイパス流路としての役割を果たす。つまり、図示を省略している後端の開口から流入した不活性ガスは、溶融領域８１０の後端側で溝８２に分流し、半田孔８１の先端の開口８１２の近傍に流出される。
【０１３７】
溝８２の幅について説明する。溶融した半田は表面張力が高い液体であるため、幅が狭い隙間には流入しない、あるいは、流入しにくい。そこで、スリットの幅は、使用される半田の溶融時の表面張力に基づいて、決定されており、溶融した半田が流入しない幅を有している。
【０１３８】
これにより、溶融領域８１０で溶融された半田片Ｗｈが、半田孔８１の途中に留まる場合でも、不活性ガスを溶融領域８１０よりも先端の開口８１２の近傍に送ることができる。溶融した半田片Ｗｈが酸素と接触するのを抑制できる。これにより、本実施形態の鏝先７Ｃは構造が簡単であるとともに、フラックスヒュームの発生を抑制できる。
【０１３９】
また、鏝先８は、半田孔８１に沿って形成された溝８２を設けるだけの構成であるため、既存の鏝先に加工を施して製造することも可能である。
【０１４０】
なお、本実施形態の鏝先８は、周方向に１個の溝８２が設けられたものを例に説明しているが、これに限定されるものではない。例えば、周方向に複数個設けられる構成であってもよい。さらには、筒８０の軸と平行でなくてもよい。例えば、半田孔８１の内面をらせん状に延びる構成であってもよい。
【０１４１】
（第１４実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図３５は本発明にかかる鏝先の平面図である。図３６は図３５に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。図３６は、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。本実施形態の鏝先８Ａは、筒８０ａの溝８２ａが異なる以外は、鏝先８と同じ構成を有している。そのため、鏝先８と実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１４２】
図３５、図３６に示すように、鏝先８Ａは溝８２ａを備えている。溝８２ａは、半田孔８１の中心軸を挟んで反対の位置となるように、合計２個形成されている。鏝先８Ａでは、半田孔８１の内径が変化しない構成となっており、半田片Ｗｈは、半田孔８１を通過するときに加熱され溶融される。
【０１４３】
このような構成の場合、半田片Ｗｈの溶融が始まる部分から一定の距離に到達するまで、半田片Ｗｈは完全に溶融されない。そのため、溝８２ａは筒８０ａの先端から、後端に向かって所定の深さを有する構成となっている。なお、ここで所定の深さとしては、溶融された半田片Ｗｈが溶融して半田孔８１を塞ぐ位置の半田孔８１の先端の開口８１２からの深さよりも深い。このような深さの溝８２ａを有することで、溶融した半田片Ｗｈが半田孔８１を塞いでも、溶融した半田片Ｗｈが塞いでいる半田孔８１よりも後端側に溝８２ａが到達しているため、溝８２ａを介して不活性ガスを半田孔８１に先端の開口８１２の近傍に供給することが可能である。
【０１４４】
また、鏝８Ａは、後端側まで溝８２ａが到達していないので、ヒーターブロック４２から熱が伝達されたときにも、熱の歪みによる応力集中が発生しにくく、温度変化による劣化または破損が発生しにくい。
【０１４５】
これ以外の特徴については、第１３実施形態と同じである。
【０１４６】
（第１５実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図３７は本発明にかかる鏝先の斜視図である。図３８は図３７に示す鏝先の先端側から見た部分斜視図である。図３９は図３７に示す鏝先の軸に沿って切断した断面図である。図３９は、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。本実施形態の鏝先８Ｂは、筒８０ｂの溝８２ｂが異なる以外は、鏝先８と同じ構成を有している。そのため、鏝先８と実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１４７】
図３７、図３８、図３９に示すように、鏝先８Ｂは、筒８０ｂを備えている。筒８０ｂ中心に形成され軸方向に貫通する半田孔８１ｂと、半田孔８１ｂの内面に設けられた溝８２ｂを備えている。また、筒８０ｂの先端には、筒８０ｂよりも断面が小さい接触部８３が形成されている。接触部８３には、溝８２ｂと軸方向に連通するスリット８４が設けられている。
【０１４８】
鏝先８Ｂは、半田付けを行うとき、接触部８３がランドＬｄ等の半田付けの対象に接触する。鏝先８Ｂでは、筒８０ｂよりも断面積が小さい接触部８３がランドＬｄと接触するため、基板Ｂｄ上のランドＬｄの近傍に電子部品が配置される場合であっても、鏝先８Ｂを電子部品に接触させることなく、ランドＬｄおよび端子Ｎｄのプレヒートを行うことができる。
【０１４９】
また、鏝先８Ｂでは、接触部８３に形成されたスリット８４から基板Ｂｄの周囲に向かって不活性ガスを噴き出す。これにより、基板Ｂｄ（ランドＬｄ）に供給された、溶融した半田片Ｗｈの周囲に不活性ガスを供給するため、ランドＬｄに供給された溶融された半田片Ｗｈに酸素が接触するのを抑制することができる。
【０１５０】
（第１６実施形態）
本発明にかかる半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図４０は本発明にかかる鏝先の先端側から見た部分斜視図である。図４１は、図４０に示す鏝先の軸に沿って切断した断面図である。図４０は、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。本実施形態の鏝先８Ｃは、筒８０ｃの先端に形成される接触部８３ｃの形状が異なる以外は、鏝先８Ｂと同じ構成を有している。そのため、鏝先８Ｂと実質上同じ部分には、同じ符号を付すとともに、同じ部分の詳細な説明は省略する。
【０１５１】
図４０及び図４１に示すように、鏝先８Ｃは、筒８０ｃを備えている。筒８０ｃ中心に形成され軸方向に貫通する半田孔８１ｃと、半田孔８１ｃの内面に設けられた溝８２ｃを備えている。また、筒８０ｃの先端には、筒８０ｃよりも断面が小さい、より詳細には、半円筒形状の接触部８３ｃが形成されている。接触部８３ｃには、溝８２ｃと軸方向に連通するスリット８４ｃが設けられている。
【０１５２】
鏝先８Ｃは、半田付けを行うとき、接触部８３ｃがランドＬｄ等の半田付けの対象に接触する。鏝先８Ｃでは、半円筒形状の接触部８３ｃがランドＬｄと接触するため、基板Ｂｄ上のランドＬｄの近傍に電子部品が配置される場合であっても、鏝先８Ｂを電子部品に接触させることなく、ランドＬｄおよび端子Ｎｄのプレヒートを行うことができる。また鏝先８Ｃでは、図３５〜図３７に示した鏝先８Ｂに比べて接触部８３ｃにおけるランドＬｄとの接触面積が大きいので、ランドＬｄのプレヒートがより迅速に行える。
【０１５３】
また、鏝先８Ｃでは、前述の鏝先８Ｂと同様に、接触部８３ｃに形成されたスリット８４ｃ及び溝８２ｃから基板Ｂｄの周囲に向かって不活性ガスを噴き出す。これにより、基板Ｂｄ（ランドＬｄ）に供給された、溶融した半田片Ｗｈの周囲に不活性ガスを供給するため、ランドＬｄに供給された溶融された半田片Ｗｈに酸素が接触するのを抑制することができる。
【０１５４】
（その他）
（第１例）
半田鏝の鏝先の他の例について図面を参照して説明する。図４２は鏝先の分解斜視図である。図４３は図４２に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図４２、図４３に示す鏝先９Ａは、ガス管Ｇｐ２及びガス供給孔５２を有していない以外、図３、図４に示す鏝先５と同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先９Ａの事実上、鏝先５と同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図４２は、図３と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図４３は、図４と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【０１５５】
図４２、図４３に示すように、鏝先９Ａの筒９０ａにはスリット９１が形成されている。スリット９１は、半田孔５１から筒９０ａの外面に貫通しており、溶融領域５１０よりも後端側から先端側に軸方向に延びている。換言すると、筒９０ａの軸方向において、スリット９１が形成されている部分と重なる位置に溶融領域５１０が形成されている。
【０１５６】
一方、蓋部材９２はスリット９１の空間と同一形状を有し、図４３に示すように、スリット９１の全体を塞ぐように取り付けられる。これにより、蓋部材９２の半田孔５１に臨む面は、半田孔５１の内周面と面一となる。
【０１５７】
蓋部材９２のスリット９１への取り付けは、スリット９１を隔てて対向するように形成された貫通孔９３と係止穴９４との間に、蓋部材９２に形成された貫通孔９２１が同一軸上で重なるようにスリット９１に対して蓋部材９２を嵌め入れ、そしてピンＰを貫通孔９３から差し込み係止穴９４に至るまで押し入れることによって行う。ピンＰによる蓋部材９２の取り付けは複数箇所であっても構わない。また、接着剤等を併用しても構わない。もちろん、蓋部材９２のスリット９１への取り付けは、前記取り付け方法に限定されるものではなく、ネジ止めやバンド止めなど従来公知の方法を用いることができるが、蓋部材９２やスリット９１，半田孔５１内のクリーニングが可能になる点で蓋部材９２を着脱可能に取り付ける方法が望ましい。
【０１５８】
また、蓋部材９２は透明材料で構成されている。これにより、半田孔５１内における半田片Ｗｈの溶融状態や内周壁の汚れなどを目視やカメラなどで外部から観察できる。蓋部材９２に使用できる透明材料としては、耐熱性（温度３００℃以上が好ましい）を有する材料であれば特に限定はなく、例えば耐熱ガラス、透明マイカ、透明セラミックス（ＹＡＧセラミックス）、単結晶サファイアなどが挙げられる。
【０１５９】
（第２例）
半田鏝の鏝先のさらに他の例について図面を参照して説明する。図４４は鏝先の分解斜視図である。図４５は図４４に示す鏝先を中心軸に沿う面で切断した断面図である。なお、図４４、図４５に示す鏝先９Ｂは、ガス管Ｇｐ２及びガス供給孔５２を有していない以外、図３、図４に示す鏝先５と同じ構成を有している。そのため、本実施形態にかかる鏝先９Ｂの事実上、鏝先５と同じ部分には、同じ符号を付すとともに、詳細な説明は省略する。また、図４４は、図３と同様、ヒーターブロック４２から突出した部分を示している。また、図４５は、図４と同様、基板Ｂｄ、ランドＬｄ、電子部品Ｅｐおよび端子Ｎｄも表示している。
【０１６０】
図４４、図４５に示すように、鏝先９Ｂは、筒９０ｂの先端部に円弧筒状部９０１が形成され、その平面部９０１ａに鏝先９Ｂの中心軸と平行な方向に等間隔で複数の貫通孔９５が形成されている。図４５に示すように、貫通孔９５は、半田孔５１から円弧筒状部９０１の平面部９０１ａの外面に貫通している。そして、貫通孔９５の形成されている領域は、溶融領域５１０のよりも後端側から先端側までの領域である。
【０１６１】
蓋部材９６は、円弧筒状部９０１の平面部９０１ａとほぼ同じ平面形状を有し、複数の貫通孔９５の平面部５０１ａの外面側の開口を気密に塞ぐ。図４５に示すように、蓋部材９６は円弧筒状部９０１の平面部９０１ａに密着するように取り付けられる。
【０１６２】
蓋部材９６の円弧筒状部９０１の平面部９０１ａへの取り付けは、平面部９０１ａの対角線状に形成された係止穴９７，９８に、蓋部材９６に対角線状に形成された貫通孔９６１，９６２を重ね合わせ、ピンＰを貫通孔９６１，９６２にそれぞれ差し入れ係止穴９７，９８に押し入れることにより行う。なお、蓋部材９６の平面部９０１ａへの取り付けは、前記取り付け方法に限定されるものではなく、接着剤による貼着、ネジ止め、バンド止めなど従来公知の方法を用いることができる。
【０１６３】
また、図４２及び図４３に示した実施形態と同様に、蓋部材９６は透明材料で構成されているので、半田孔５１内における半田片Ｗｈの溶融状態や内周壁の汚れなどを目視やカメラなどで外部から観察できる。蓋部材９６に使用できる透明材料は、前記の第１例の例示材料がここでも使用できる。
【０１６４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこの内容に限定されるものではない。また本発明の実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない限り、種々の改変を加えることが可能である。例えば、本発明の半田鏝の鏝先は、円柱状の素材から中央に穴加工して製造するのが一般的であるが、中心軸で２つに分割した形状のものにそれぞれ加工を施した後、合体させて円柱状にすることも可能である。すなわち、図２２のＣ６−Ｃ６線あるいはＣ７−Ｃ７線で分割した形状のものに穴や溝加工を行った後、合体させて円柱状とし、その外周を固定するようにして鏝先を製造する。このような鏝先の製造方法によれば溝部の加工が容易であるばかりでなく、２つに分解して内面をブラシ等で容易にクリーニングすることができる。
【符号の説明】
【０１６５】
Ａ  半田付け装置
１  支持部
１１  壁体
１２  摺動ガイド
２  カッターユニット
２１  カッター上刃
２１１  上刃孔
２１２  ピン孔
２２  カッター下刃
２２１  下刃孔
２３  プッシャーピン
３  駆動機構
３１  第１アクチュエーター
３１１  シリンダー
３１２  ピストンロッド
３２  第２アクチュエーター
３２１  シリンダー
３２２  ピストンロッド
４  ヒーターユニット
４１  ヒーター
４２  ヒーターブロック
４２１  凹部
４２２  半田供給孔
４３  ヒーターブロック固定板
４３０  貫通孔
５，５Ａ〜５Ｅ  鏝先
５１  半田孔
５１０  溶融領域
５１１  後端の開口
５１２  先端の開口
５２  ガス供給孔
５３、５３ｂ  ガス供給部
５３１  ガス流出孔
５３２  ガス供給孔
５３３  バイパス配管
５３４  ガス流出凹部
５３５  ガス供給凹部
５３６  バイパス路
５３７  蓋部材
５４  ガス供給部
５４１  小径部
５４２  外装管
５４３  ガス流出孔
５４４  ガス供給孔
５５  ガス供給部
５５１  スリット
５５２  蓋部材
５６  ガス供給部
５６１  スリット
５６２  蓋部材
６  半田送り機構
６１  送りローラ
６２  ガイド管
７Ａ〜７Ｆ  鏝先
７０  筒
７１  半田孔
７１０  溶融領域
７２  第１孔部
７２１  第１領域
７２２  第２領域
７３  第１孔部
７３１  第１領域
７３２  第２領域
８，８Ａ〜８Ｃ  鏝先
８０  筒
８１  半田孔
９Ａ，９ｂ  鏝先
９０ａ，９０ｂ  筒
９１  スリット
９２  蓋部材
９５  貫通孔
９６  蓋部材
９０１  円弧筒状部
９０１ａ  平面部
Ｗ  半田
Ｗｈ  半田片
Ｂｄ  配線基板
Ｅｐ  電子部品
Ｌｄ  ランド
Ｎｄ  端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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