(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子上に設けられた蛍光体層であって、複数の蛍光体粒子と、前記複数の蛍光体粒子の間で凝集して前記複数の蛍光体粒子どうしを結合し、前記蛍光体粒子よりもサイズが小さい複数の無機粒子とを有する蛍光体層と、
前記蛍光体層の表面を覆い、前記無機粒子よりも熱伝導率が低い透明無機膜と、
前記透明無機膜上に設けられた透明樹脂層と、
を備え、
前記蛍光体層は、前記透明無機膜に覆われた前記表面の下方に、前記蛍光体粒子および前記無機粒子が前記透明無機膜に覆われていない領域を含む半導体発光装置。
【請求項２】
前記発光素子と前記蛍光体層との間に設けられた第２の透明無機膜をさらに備えた請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記無機粒子の熱伝導率は、２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記無機粒子は、窒化シリコンまたは炭化シリコンを含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体層は樹脂を含まず、
前記複数の無機粒子の間、および前記無機粒子と前記蛍光体粒子との間に空隙が形成されている請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記発光素子の表面は凹凸を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
発光素子を含むウェーハ上に、第１の透明無機膜を形成する工程と、
前記第１の透明無機膜上に、複数の蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子よりもサイズが小さい複数の無機粒子とを、同時または別々にキャリアガスとともに吹き付けて、前記第１の透明無機膜上に、前記複数の蛍光体粒子と前記複数の無機粒子との凝集体を形成する工程と、
前記凝集体の表面に、前記無機粒子よりも熱伝導率が低い第２の透明無機膜を形成する工程と、
前記第２の透明無機膜上に透明樹脂層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項８】
発光素子を含むウェーハ上に、第１の透明無機膜を形成する工程と、
前記第１の透明無機膜上に、溶剤と、前記溶剤中に分散された複数の蛍光体粒子および前記蛍光体粒子よりもサイズが小さい複数の無機粒子と、を含む溶液を供給する工程と、
前記溶剤を揮発させ、前記第１の透明無機膜上に、前記複数の蛍光体粒子と前記複数の無機粒子との凝集体を形成する工程と、
前記凝集体の表面に、前記無機粒子よりも熱伝導率が低い第２の透明無機膜を形成する工程と、
前記第２の透明無機膜上に透明樹脂層を形成する工程と、
を備えた半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物半導体を用いた発光素子と、蛍光体層との組み合わせにより白色光源を実現した半導体発光装置が広く普及している。このような半導体発光装置において、特に高出力タイプでは、発光素子だけでなく蛍光体層での発熱に対する対策の要求が高まりつつある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４１９９３号公報
【特許文献２】特開２０１２−６２４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、放熱性に優れた半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一実施形態によれば、半導体発光装置は、発光素子と、前記発光素子上に設けられた蛍光体層であって、複数の蛍光体粒子と、前記複数の蛍光体粒子の間で凝集して前記複数の蛍光体粒子どうしを結合し、前記蛍光体粒子よりもサイズが小さい複数の無機粒子とを有する蛍光体層と、前記蛍光体層の表面を覆い、前記無機粒子よりも熱伝導率が低い透明無機膜と、前記透明無機膜上に設けられた透明樹脂層と、を備えている。前記蛍光体層は、前記透明無機膜に覆われた前記表面の下方に、前記蛍光体粒子および前記無機粒子が前記透明無機膜に覆われていない領域を含む。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】実施形態の蛍光体層の一部の拡大模式断面図。
【図２】実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図３】実施形態の半導体発光装置の模式平面図。
【図４】実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図５】実施形態の半導体発光装置の模式平面図。
【図６】実施形態の半導体層の模式断面図。
【図７】実施形態の半導体発光装置の模式断面図。
【図８】実施形態の蛍光体層の形成装置の模式図。
【図９】実施形態の蛍光体層の一部の拡大模式断面図。
【図１０】実施形態の蛍光体層の一部の拡大模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００８】
図２は、第１実施形態の半導体発光装置１０１の模式断面図である。
【０００９】
半導体発光装置１０１は、発光素子４と、支持体１００と、蛍光体層３０とを有する。発光素子４は、支持体１００と蛍光体層３０との間に設けられている。
【００１０】
発光素子４は、窒化物半導体を含む半導体層１５を有する。本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶でもかまわない。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【００１１】
半導体層１５は、ｎ型クラッド層を含む第１層１１と、ｐ型クラッド層を含む第２層１２と、第１層１１と第２層１２との間に設けられた発光層（活性層）１３と、を有する。
【００１２】
ｎ型クラッド層は、例えば、ｎ型ＧａＮ層であり、所謂ｐｎ接合の順バイアス時に発光層１３に電子を供給する。また、ｐ型クラッド層は、例えば、ｐ型ＧａＮ層であり、所謂ｐｎ接合の順バイアス時に発光層１３に正孔を供給する。
【００１３】
発光層１３は、例えば、複数の井戸層と複数の障壁層が交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quantum well）構造を有する。井戸層は、ｎ型クラッド層およびｐ型クラッド層よりもバンドギャップエネルギーが小さい。障壁層は、井戸層を積層方向に挟んでおり、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい。井戸層は、例えばＩｎＧａＮを含む。障壁層は、例えばＧａＮを含み、Ｉｎを実質的に含まない。または、障壁層がＩｎを含む場合、障壁層におけるＩｎ組成比は、井戸層におけるＩｎ組成比よりも低い。発光層１３から放出される光のピーク波長の範囲は、例えば３６０ｎｍ以上６５０ｎｍ以下である。
【００１４】
半導体層１５の第１面１５ａ側には、透明無機膜１９を介して蛍光体層３０が設けられている。
【００１５】
半導体層１５は、例えば、シリコン基板、サファイア基板、炭化シリコン基板、酸化ガリウムなどの単結晶基板（以下単に基板と記す）上にエピタキシャル成長される。基板上に、第１層１１、発光層１３、および第２層１２が順に形成される。その半導体層１５の形成（成長）に用いた基板は、半導体層１５から除去される。
【００１６】
基板の除去により露出した第１層１１の第１面１５ａには微小凹凸が形成される。例えば、アルカリ系溶液を使ったウェットエッチングにより凹凸面が形成される。この凹凸面により、半導体層１５の内部に戻る反射成分を低減し、半導体層１５から透明無機膜１９側への光取り出し効率を向上できる。
【００１７】
図１は、蛍光体層３０の一部の拡大模式断面図である。
【００１８】
蛍光体層３０は、複数の蛍光体粒子３１と、複数の無機粒子３２とを有する。蛍光体粒子３１は、発光層１３の放射光（励起光）により励起され、その励起光の波長とは異なる波長の光を放射する。発光層１３の光と蛍光体粒子３１の光との混合光として、白色、電球色などの光が擬似的に得られる。
【００１９】
無機粒子３２のサイズは、蛍光体粒子３１のサイズよりも小さい。ここで、粒子のサイズとは、複数の粒子の平均粒径、または粒径分布におけるピーク粒径を表す。
【００２０】
複数の微小な無機粒子３２が、複数の蛍光体粒子３１の間で凝集して、複数の蛍光体粒子３１どうしを結合している。１つの蛍光体粒子３１は、複数の無機粒子３２によってまわりを囲まれている。蛍光体粒子３１と無機粒子３２とは樹脂を介さずに接触して結合している。複数の無機粒子３２どうしも樹脂を介さずに接触して結合している。
【００２１】
実施形態の蛍光体層３０は、複数の蛍光体粒子３１が樹脂または無機のバインダーによって結合された焼結体ではなく、後述するように、エアロゾルデポジション法または溶剤の揮発を利用して形成された、複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体であり、蛍光体層３０は樹脂を含まない。複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体が層状に形成されている。
【００２２】
複数の無機粒子３２の間、および無機粒子３２と蛍光体粒子３１との間に空隙３３が形成されている。複数の蛍光体層３０どうしを結合するバインダーとしての機能を担う複数の無機粒子３２は焼結体ではないため、複数の無機粒子３２間に粒界が存在する。
【００２３】
無機粒子３２は、発光層１３の放射光および蛍光体粒子３１の放射光に対して透過性を有する。ここで「透過」とは、透過率が１００％であることに限らず、光の一部を吸収する場合も含む。
【００２４】
また、無機粒子３２は樹脂および酸化シリコンよりも高い熱伝導率をもち、無機粒子３２の熱伝導率は２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。例えば、無機粒子３２は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化シリコン（ＳｉＣ）などを主成分とすることができる。
【００２５】
蛍光体粒子３１は発光にともない波長変換損失（ストークスロス）分の発熱をする。そのとき、蛍光体粒子３１を樹脂に分散させ、樹脂をバインダーとした構造では、蛍光体粒子３１の熱で樹脂が変質や分解してしまう懸念がある。特に高出力発光素子で、樹脂の耐熱性が問題となりうる。
【００２６】
これに対して実施形態によれば、蛍光体層３０は樹脂をバインダーとして使っていないため、蛍光体層３０の耐熱性を向上できる。また、蛍光体粒子３１の熱は、高い熱伝導率をもつ複数の無機粒子３２によって蛍光体層３０の外部に放熱することができる。例えば、蛍光体粒子３１の熱は、発光素子４、および支持体１００の金属ピラー２３、２４を介して、実装基板に放熱される。
【００２７】
また、実施形態によれば、発光素子４上で蛍光体層３０を焼結させる高温処理をともなわないので、発光素子４の信頼性を向上できる。また、蛍光体層３０を発光素子４に樹脂の接着剤を介して貼り合わせないので、蛍光体層３０と発光素子４との間の放熱パスに樹脂が存在せず、蛍光体層３０の放熱性を高め、また蛍光体層３０の熱による樹脂劣化の問題もない。
【００２８】
また、樹脂よりもヤング率の高い無機粒子３２をバインダーに使うことで、蛍光体層３０の熱膨張率を低減でき、蛍光体層３０から半導体層１５に加わる応力を緩和できる。これは、半導体層１５の信頼性を高める。
【００２９】
以上説明したように、実施形態によれば、蛍光体層３０の放熱性に優れ、信頼性の高い半導体発光装置を提供することができる。
【００３０】
実施形態において、蛍光体粒子３１としては、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｂａ２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、ＳｒＢａＳｉＯ４：Ｅｕ２＋などの酸化物系蛍光体、ＺｎＳ：（Ｃｕ＋，Ａｌ３＋）、ＳｒＳ：Ｅｕ２＋、ＣａＳ：Ｅｕ２＋、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋などの硫化物系蛍光体、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋などの酸硫化物系蛍光体、Ｍ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ２＋（ＭはＳｒ、Ｃａ、ＢａまたはＭｇ）などのハロゲン化物系蛍光体、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：（Ｅｕ２＋，Ｍｎ２＋）、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋などのアルミン酸塩系蛍光体などを用いることができる。
【００３１】
また、蛍光体粒子３１として、例えば、化学式：Ｃａ８−ｘＥｕｘＭｇ１−ｙＭｎｙ（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２（０＜ｘ≦８、０≦ｙ≦１）で表され、カルシウムマグネシウムクロロシリケートにＥｕを添加したものを用いることができる。マンガン（Ｍｎ）の比率ｙは、０≦ｙ≦０．２が望ましい。
【００３２】
また、蛍光体粒子３１として、例えば、化学式（Ｓｒ１−ｘ−ｙＢａｙＥｕｘ）３（Ｓｉ１−ｚＧｅｚ）５（０＜ｘ≦０．１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．１）で表されるストロンチウムシリケート系蛍光体を用いることができる。
【００３３】
また、蛍光体粒子３１として、例えば、化学式：（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ１ＡｌＳｉｂ１Ｏｃ１Ｎｄ１で表わされるサイアロン系蛍光体を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｓｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、ＣａもしくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、例えば、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ１、ｂ１、ｃ１、ｄ１は、次の関係を満たす。  
０＜ｘ≦１、
０．６＜ａ１＜０．９５、
２＜ｂ１＜３．９、
０．２５＜ｃ１＜０．４５、
４＜ｄ１＜５．７
【００３４】
また、蛍光体粒子３１として、例えば、化学式：（Ｍ１−ｘ，Ｒｘ）ａ２ＡｌＳｉｂ２Ｏｃ２Ｎｄ２で表わされるサイアロン系蛍光体を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｓｉ及びＡｌを除く少なくとも１種の金属元素であり、Ｃａ若しくはＳｒの少なくとも一方が望ましい。Ｒは発光中心元素であり、例えば、Ｅｕが望ましい。ｘ、ａ２、ｂ２、ｃ２、ｄ２は、次の関係を満たす。  
０＜ｘ≦１、
０．９３＜ａ２＜１．３、
４．０＜ｂ２＜５．８、
０．６＜ｃ２＜１、６＜ｄ２＜１１
【００３５】
尚、蛍光体粒子３１は、上記した蛍光体材料以外の蛍光体材料も含め、単一の蛍光体材料を用いるだけでなく、複数種類の蛍光体材料の混合物であっても構わないことは述べるまでもないことである。
【００３６】
次に、再び図２を参照して、半導体発光装置１０１の他の要素について説明する。
【００３７】
また、図３（ａ）は、半導体発光装置１０１における一部要素の平面レイアウトの一例を示す模式平面図である。図２は、図３（ａ）におけるＡ−Ａ’断面に対応する。  
図３（ｂ）は、半導体発光装置１０１の実装面（図２の下面）の模式平面図である。
【００３８】
半導体層１５は、前述したように、第１層１１と、第２層１２と、第１層１１と第２層１２との間に設けられた発光層１３と、を有する。また、第１層１１は、第１面（凹凸面）１５ａを有する。
【００３９】
半導体層１５は、発光層１３及び第２層１２の積層膜を含む部分１５ｄと、発光層１３及び第２層１２を含まない部分１５ｅとを有する。部分１５ｄは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されている部分である。部分１５ｅは、半導体層１５のうちで、発光層１３が積層されていない部分である。
【００４０】
発光層１３を含む部分１５ｄの第２層１２の表面に、ｐ側電極１６が設けられている。発光層１３を含まない部分１５ｅの第１層１１の表面に、ｎ側電極１７が設けられている。ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、第１面１５ａの反対側に設けられている。
【００４１】
図３（ａ）に示す例では、発光層１３を含まない部分１５ｅが発光層１３を含む部分１５ｄを囲んでおり、ｎ側電極１７がｐ側電極１６を囲んでいる。
【００４２】
発光層１３を含む部分１５ｄの面積は、発光層１３を含まない部分１５ｅの面積よりも広い。また、発光層１３を含む部分１５ｄの表面に設けられたｐ側電極１６の面積は、発光層１３を含まない部分１５ｄの表面に設けられたｎ側電極１７の面積よりも広い。これにより、広い発光面が得られ、光出力を高くできる。
【００４３】
図３（ａ）に示すように、ｎ側電極１７は例えば４本の直線部を有し、そのうちの１本の直線部には、その直線部の幅方向に突出したコンタクト部１７ｃが設けられている。そのコンタクト部１７ｃの表面には、図２に示すようにｎ側配線層２２のビア２２ａが接続されている。
【００４４】
半導体層１５における第１面１５ａの反対側には、支持体１００が設けられている。半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子４は、支持体１００によって支持されている。
【００４５】
半導体層１５の第１面１５ａ側には、前述した蛍光体層３０が設けられている。半導体層１５の第１面１５ａと、蛍光体層３０との間には、透明無機膜１９が設けられている。透明無機膜１９は、半導体層１５と蛍光体層３０との密着性を高める。
【００４６】
半導体層１５における第１面１５ａの反対側（第２面側）、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７は、絶縁膜１８に覆われている。絶縁膜１８は、例えば、シリコン酸化膜などの無機絶縁膜である。絶縁膜１８は、発光層１３の側面及び第２層１２の側面にも設けられ、発光層１３の側面及び第２層１２の側面を覆っている。絶縁膜１８は、第１層１１における第１面１５ａから続く側面１５ｃにも設けられ、その側面１５ｃを覆っている。
【００４７】
絶縁膜１８上には、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２とが互いに分離して設けられている。絶縁膜１８には、ｐ側電極１６に通じる複数の第１開口と、ｎ側電極１７のコンタクト部１７ｃに通じる第２開口が形成される。なお、第１開口は、より大きな１つの開口でも良い。
【００４８】
ｐ側配線層２１は、絶縁膜１８上および第１開口の内部に設けられている。ｐ側配線層２１は、第１開口内に設けられたビア２１ａを介してｐ側電極１６と電気的に接続されている。
【００４９】
ｎ側配線層２２は、絶縁膜１８上および第２開口の内部に設けられている。ｎ側配線層２２は、第２開口内に設けられたビア２２ａを介してｎ側電極１７のコンタクト部１７ｃと電気的に接続されている。
【００５０】
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２が、半導体層１５の第２面側の領域の大部分を占めて絶縁膜１８上に広がっている。ｐ側配線層２１は、複数のビア２１ａを介してｐ側電極１６と接続している。
【００５１】
また、半導体層１５の側面１５ｃを、絶縁膜１８を介して反射膜５１が覆っている。反射膜５１は側面１５ｃに接しておらず、半導体層１５に対して電気的に接続されていない。反射膜５１は、ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２に対して分離している。反射膜５１は、発光層１３の放射光及び蛍光体３１の放射光に対して反射性を有する金属膜である。
【００５２】
反射膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、共通の金属膜上に例えばめっき法により同時に形成される。反射膜５１、ｐ側配線層２１およびｎ側配線層２２は、例えば銅膜を含む。その銅膜は、絶縁膜１８上に形成された金属膜上にめっき法で形成される。
【００５３】
ｐ側配線層２１及びｎ側配線層２２の下地となる金属膜は、例えばアルミニウム膜を含む。発光層１３の発光光に対して高い反射率を有するアルミニウム膜が、半導体層１５の第２面側の大部分の領域に広がって形成されている。これにより、蛍光体層３０側に向かう光の量を増大できる。
【００５４】
ｐ側配線層２１における半導体層１５とは反対側の面にはｐ側金属ピラー２３が設けられている。ｐ側配線部４１は、ｐ側配線層２１及びｐ側金属ピラー２３を含む。
【００５５】
ｎ側配線層２２における半導体層１５とは反対側の面にはｎ側金属ピラー２４が設けられている。ｎ側配線部４３は、ｎ側配線層２２及びｎ側金属ピラー２４を含む。
【００５６】
ｐ側配線部４１とｎ側配線部４３との間には、絶縁層として樹脂層２５が設けられている。樹脂層２５は、ｐ側配線部４１の側面およびｎ側配線部４３の側面に設けられている。
【００５７】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３の側面とｎ側金属ピラー２４の側面に接するように、ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に設けられている。ｐ側金属ピラー２３とｎ側金属ピラー２４との間に、樹脂層２５が充填されている。
【００５８】
樹脂層２５は、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間、ｐ側配線層２１と反射膜５１との間、およびｎ側配線層２２と反射膜５１との間に設けられている。樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３の周囲およびｎ側金属ピラー２４の周囲に設けられ、ｐ側金属ピラー２３の側面およびｎ側金属ピラー２４の側面を覆っている。
【００５９】
また、樹脂層２５は、半導体層１５の側面１５ｃに隣接する領域（チップ外周部）にも設けられ、反射膜５１を覆っている。
【００６０】
ｐ側金属ピラー２３におけるｐ側配線層２１とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｐ側外部端子２３ａとして機能する。ｎ側金属ピラー２４におけるｎ側配線層２２とは反対側の端部（面）は、樹脂層２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｎ側外部端子２４ａとして機能する。ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、例えば、はんだ、または導電性の接合材を介して、実装基板のパッドに接合される。
【００６１】
図３（ｂ）に示すように、ｐ側外部端子２３ａ及びｎ側外部端子２４ａは、樹脂層２５の同じ面（下面）内で離間して並んで形成されている。ｐ側外部端子２３ａは例えば矩形状に形成され、ｎ側外部端子２４ａは、ｐ側外部端子２３ａの矩形と同じサイズの矩形における２つの角を切り欠いた形状に形成されている。これにより、外部端子の極性を判別できる。あるいは、ｎ側外部端子２４ａを矩形状にし、ｐ側外部端子２３ａを矩形の角を切り欠いた形状にしてもよい。
【００６２】
ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、絶縁膜１８上におけるｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔よりも広い。ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間隔は、実装時のはんだの広がりよりも大きくする。これにより、はんだを通じた、ｐ側外部端子２３ａとｎ側外部端子２４ａとの間の短絡を防ぐことができる。
【００６３】
これに対し、ｐ側配線層２１とｎ側配線層２２との間隔は、プロセス上の限界まで狭くすることができる。このため、ｐ側配線層２１の面積、およびｐ側配線層２１とｐ側金属ピラー２３との接触面積の拡大を図れる。これにより、発光層１３の熱の放散を促進できる。
【００６４】
また、複数のビア２１ａを通じてｐ側配線層２１がｐ側電極１６と接する面積は、ビア２２ａを通じてｎ側配線層２２がｎ側電極１７と接する面積よりも広い。これにより、発光層１３に流れる電流の分布を均一化できる。
【００６５】
絶縁膜１８上で広がるｎ側配線層２２の面積は、ｎ側電極１７の面積よりも広くできる。ｎ側配線層２２の上に設けられるｎ側金属ピラー２４の面積（ｎ側外部端子２４ａの面積）をｎ側電極１７よりも広くできる。これにより、信頼性の高い実装に十分なｎ側外部端子２４ａの面積を確保しつつ、ｎ側電極１７の面積を小さくすることが可能となる。すなわち、半導体層１５における発光層１３を含まない部分１５ｅの面積を縮小し、発光層１３を含む部分１５ｄの面積を広げて光出力を向上させることが可能となる。
【００６６】
第１層１１は、ｎ側電極１７及びｎ側配線層２２を介してｎ側金属ピラー２４と電気的に接続されている。第２層１２は、ｐ側電極１６及びｐ側配線層２１を介してｐ側金属ピラー２３と電気的に接続されている。
【００６７】
ｐ側金属ピラー２３の厚さ（ｐ側配線層２１とｐ側外部端子２３ａとを結ぶ方向の厚さ）は、ｐ側配線層２１の厚さよりも厚い。ｎ側金属ピラー２４の厚さ（ｎ側配線層２２とｎ側外部端子２４ａとを結ぶ方向の厚さ）は、ｎ側配線層２２の厚さよりも厚い。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５のそれぞれの厚さは、半導体層１５よりも厚い。
【００６８】
金属ピラー２３、２４のアスペクト比（平面サイズに対する厚みの比）は、１以上であっても良いし、１より小さくても良い。すなわち、金属ピラー２３、２４は、その平面サイズより厚くても良いし、薄くても良い。
【００６９】
ｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５を含む支持体１００の厚さは、半導体層１５、ｐ側電極１６およびｎ側電極１７を含む発光素子（ＬＥＤチップ）４の厚さよりも厚い。
【００７０】
半導体層１５は、基板上にエピタキシャル成長法により形成される。図２に示す例では、基板は支持体１００を形成した後に除去され、半導体層１５は第１面１５ａ側に基板を含まない。半導体層１５は、剛直な板状の基板にではなく、金属ピラー２３、２４と樹脂層２５との複合体からなる支持体１００によって支持されている。
【００７１】
ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３の材料として、例えば、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。
【００７２】
樹脂層２５は、ｐ側金属ピラー２３およびｎ側金属ピラー２４を補強する。樹脂層２５は、半導体層１５と熱膨張率が同じもしくは近いものを用いるのが望ましい。そのような樹脂層２５として、例えば、エポキシ樹脂を主に含む樹脂、シリコーン樹脂を主に含む樹脂、フッ素樹脂を主に含む樹脂にシリカフィラー等を混合した複合材を挙げることができる。
【００７３】
また、樹脂層２５におけるベースとなる樹脂に光吸収剤、光反射剤、光散乱剤などが含まれ、樹脂層２５は発光層１３の光に対して遮光性または反射性を有することができる。これにより、支持体１００の側面及び実装面側からの光漏れを抑制することができる。
【００７４】
半導体発光装置の実装時の熱サイクルにより、ｐ側外部端子２３ａおよびｎ側外部端子２４ａを実装基板のパッドに接合させるはんだ等に起因する応力が半導体層１５に加わる。ｐ側金属ピラー２３、ｎ側金属ピラー２４および樹脂層２５は、その応力を吸収し緩和する。特に、半導体層１５よりも柔軟な樹脂層２５を支持体１００の一部として用いることで、応力緩和効果を高めることができる。
【００７５】
反射膜５１は、ｐ側配線部４１及びｎ側配線部４３に対して分離している。このため、実装時にｐ側金属ピラー２３及びｎ側金属ピラー２４に加わる応力は、反射膜５１には伝達されない。したがって、反射膜５１の剥離を抑制することができる。また、半導体層１５の側面１５ｃ側に加わる応力を抑制することができる。
【００７６】
蛍光体層３０は、半導体層１５の第２面側、金属ピラー２３、２４の周囲、および支持体１００の側面にまわりこんで形成されていない。蛍光体層３０の側面と、支持体１００の側面（樹脂層２５の側面）とが揃っている。
【００７７】
すなわち、図２に示す半導体発光装置１０１は、チップサイズパッケージ構造の非常に小型の半導体発光装置である。
【００７８】
光を外部に取り出さない実装面側には蛍光体層３０が無駄に形成されず、コスト低減が図れる。第２面側に広がるｐ側配線層２１、ｎ側配線層２２、および厚い金属ピラー２３、２４を介して、発光層１３の熱を実装基板側に放散させることができ、小型でありながらも放熱性に優れている。
【００７９】
一般的なフリップチップ実装では、ＬＥＤチップを実装基板にバンプなどを介して実装した後に、チップ全体を覆うように蛍光体層が形成される。あるいは、バンプ間に樹脂がアンダーフィルされる。
【００８０】
これに対して実施形態によれば、実装前の状態で、ｐ側金属ピラー２３の周囲及びｎ側金属ピラー２４の周囲には、蛍光体層３０と異なる樹脂層２５が設けられ、実装面側に応力緩和に適した特性を与えることができる。また、実装面側にすでに樹脂層２５が設けられているため、実装後のアンダーフィルが不要となる。
【００８１】
第１面１５ａ側には、光取り出し効率、色変換効率、配光特性などを優先した設計の蛍光体層３０が設けられ、実装面側には、実装時の応力緩和や、基板に代わる支持体としての特性を優先した層が設けられる。例えば、樹脂層２５には、シリカ粒子などのフィラーを高密度充填し、支持体として適切な硬さに調整することができる。
【００８２】
発光層１３から第１面１５ａ側に放射された光は蛍光体層３０に入射し、一部の光は蛍光体粒子３１を励起し、発光層１３の光と、蛍光体粒子３１の光との混合光として例えば白色光が擬似的に得られる。
【００８３】
ここで、第１面１５ａ上に基板があると、蛍光体層３０に入射せずに、基板の側面から外部に漏れる光が生じる。すなわち、基板の側面から発光層１３の光の色みの強い光が漏れ、蛍光体層３０を上面から見た場合に、外縁側に青色光のリングが見える現象など、色割れや色ムラの原因になり得る。
【００８４】
これに対して、実施形態によれば、第１面１５ａと蛍光体層３０との間には基板がないため、基板側面から発光層１３の光の色みが強い光が漏れることによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
【００８５】
また、第１層１１の側面１５ｃに、絶縁膜１８を介して反射膜５１が設けられている。発光層１３から第１層１１の側面１５ｃに向かった光は、反射膜５１で反射し、外部に漏れない。このため、基板が第１面１５ａ側にない特徴とあいまって、半導体発光装置１０１の側面側からの光漏れによる色割れや色ムラを防ぐことができる。
【００８６】
反射膜５１と、第１層１１の側面１５ｃとの間に設けられた絶縁膜１８は、反射膜５１に含まれる金属の第１層１１への拡散を防止する。これにより、第１層１１に含まれる例えばＧａＮの金属汚染を防ぐことができ、第１層１１の劣化を防ぐことができる。
【００８７】
次に、蛍光体層３０の形成方法について説明する。
【００８８】
蛍光体層３０は、例えばエアロゾルデポジション法により形成することができる。  
図８は、エアロゾルデポジション装置の一例の模式図である。
【００８９】
複数の発光素子４を含むウェーハ状態で、金属ピラー２３、２４および樹脂層２５を含む支持体１００を形成した後、半導体層１５の成長に使った基板が除去される。基板が除去されたウェーハ２０９は、デポジションチャンバー２０７内にセットされる。ウェーハ２０９は、デポジションチャンバー２０７の外に設けられたステージ２１２によって保持される。デポジションチャンバー２０７内は、排気管２１０を介して真空ポンプ２１１に接続され、エアロゾルチャンバー２０３内よりも低圧な減圧雰囲気にされる。
【００９０】
蛍光体粒子３１および無機粒子３２を混合した原料粒子２０４がエアロゾルチャンバー２０３内にセットされる。高圧ガスボンベ２０１から、例えば、ヘリウム、アルゴン、窒素などのキャリアガスがガス供給管２０２を介してエアロゾルチャンバー２０３内に供給され、エアロゾル発生器２０５によって原料粒子２０４およびキャリアガスが攪拌・混合されエアロゾル化する。
【００９１】
そして、エアロゾルチャンバー２０３内とデポジションチャンバー２０７内との圧力差によって、エアロゾル化された原料粒子２０４はキャリアガスとともに搬送管２０６を搬送され、デポジションチャンバー２０７内にセットされたノズル２０８からウェーハ２０９に向けて吹き付けられる。エアロゾル化された原料粒子２０４は、ウェーハ２０９における半導体層１５の第１面１５ａまたは第１面１５ａに形成された透明無機膜１９に向けて吹き付けられる。
【００９２】
このときエアロゾル化された原料粒子２０４の持つ運動エネルギーが、ウェーハ２０９上で粒子どうしを結合するエネルギーおよび粒子をウェーハに付着させるエネルギーに変わり、第１面１５ａ上に複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体が層状に形成される。
【００９３】
なお、蛍光体粒子３１と無機粒子３２とは混合させてウェーハ２０９に吹き付けることに限らず、別々に吹き付けて、ウェーハ２０９上で凝集体を形成してもよい。
【００９４】
エアロゾルデポジション法によれば、蛍光体層３０を高温で焼結して作るものとは異なり、原料粒子を固体状態のまま常温でウェーハに衝突させ付着させることができる。
【００９５】
また、蛍光体層３０の別の形成方法として、溶剤（溶媒）の揮発を利用した方法が挙げられる。
【００９６】
低粘性の溶剤と、その溶剤中に分散された複数の蛍光体粒子３１および複数の無機粒子３２とを含む溶液（スラリー）を、例えば、スピンコート法、印刷法、ディスペンス法でウェーハ上に供給する。その後、溶剤を揮発させ、ウェーハ上に、複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体が形成される。
【００９７】
次に、図４〜図６を参照して、第２実施形態の半導体発光装置１０２について説明する。
【００９８】
図４は、第２実施形態の半導体発光装置１０２の模式断面図である。  
図５は、半導体発光装置１０２の実装面側の模式平面図であり、図４の下面図に対応する。
【００９９】
半導体発光装置１０２は、ウェーハレベルで形成されるチップサイズの発光素子（ＬＥＤチップ）５と、発光素子５の周囲に設けられた絶縁部材１２７と、実装面側に設けられた金属層１７１、１７２と、を有する。
【０１００】
発光素子５は、電極７、８と、第１配線層（オンチップ配線層）１１６、１１７と、光学層３０、１３３と、第１配線層１１６、１１７と光学層３０、１３３との間に設けられた半導体層１５と、を有する。
【０１０１】
図６は、半導体層１５の拡大模式断面図である。
【０１０２】
半導体層１５は、前述したように、第１層１１と、第２層１２と、第１層１１と第２層１２との間に設けられた発光層１３と、を有する。
【０１０３】
半導体層１５は、第２層１２および発光層１３の積層膜を有する第１部分１５ｄと、発光層１３および第２層１２で覆われていない第１層１１の第２面１１ａを有する第２部分１５ｅとを有する。
【０１０４】
例えば、第２部分１５ｅは第１部分１５ｄに囲まれた島状に形成され、また、第２部分１５ｅは第１部分１５ｄの外周側に、第１部分１５ｄを連続して囲むように形成されている。発光層１３を含む第１部分１５ｄの面積は、発光層１３を含まない第２部分１５ｅの面積よりも広い。
【０１０５】
第１層１１において第２面１１ａの反対側には、発光層１３および第２層１２で覆われていない第１面（凹凸面）１５ａが形成されている。また、半導体層１５は、第１面１５ａに続く側面１５ｃを有する。
【０１０６】
第１層１１の第２面１１ａに、図４に示すｎ側電極８が設けられ、第２層１２の表面に、図４に示すｐ側電極７が設けられている。ｐ側電極７およびｎ側電極８は、半導体層１５に重なる領域（チップ領域）の範囲内に形成されている。
【０１０７】
ｐ側電極７の面積はｎ側電極８の面積よりも広い。ｐ側電極７と第２層１２との接触面積は、ｎ側電極７と第１層１１との接触面積よりも広い。
【０１０８】
半導体層１５の第１面１５ａ以外の面には絶縁膜１１４が設けられている。絶縁膜１１４は、無機膜であり、例えばシリコン酸化膜である。
【０１０９】
絶縁膜１１４には、ｐ側電極７に通じるｐ側開口と、ｎ側電極８に通じるｎ側開口が形成されている。例えば２つのｎ側開口が互いに離れて形成されている。それら２つのｎ側開口の間のｐ側電極７の表面は、絶縁膜１１４で覆われている。
【０１１０】
第１層１１の側面１５ｃ、第２層１２の側面、および発光層１３の側面は、絶縁膜１１４で覆われている。
【０１１１】
半導体層１５の第１面１５ａの反対側には、第１ｐ側配線層１１６と、第１ｎ側配線層１１７が設けられている。
【０１１２】
第１ｐ側配線層１１６は、半導体層１５に重なる領域（チップ領域）の範囲内に形成されている。第１ｐ側配線層１１６は、ｐ側開口内にも設けられ、ｐ側電極７に接している。第１ｐ側配線層１１６は、ｐ側開口内に一体に形成されたコンタクト部を介してｐ側電極７と接続されている。第１ｐ側配線層１１６は、第１層１１に接していない。
【０１１３】
第１ｎ側配線層１１７は、半導体層１５に重なる領域（チップ領域）の範囲内に形成されている。第１ｎ側配線層１１７は、ｎ側開口内にも設けられ、ｎ側電極８に接している。第１ｎ側配線層１１７は、ｎ側開口内に一体に形成されたコンタクト部１１７ａを介してｎ側電極８と接続されている。
【０１１４】
第１ｎ側配線層１１７は、例えば、２つの島状のｎ側電極８を結ぶ方向に延びるラインパターン状に形成されている。第１ｎ側配線層１１７の２つのｎ側電極８の間の部分とｐ側電極７との間、および第１ｎ側配線層１１７の２つのｎ側電極８の間の部分と第２層１２との間には、絶縁膜１１４が設けられ、第１ｎ側配線層１１７はｐ側電極７および第２層１２に接していない。
【０１１５】
ｐ側電極７は、第２層１２と第１ｐ側配線層１１６との間に設けられている。例えば、ｐ側電極７は、発光層１３および蛍光体粒子３１が発する光に対して高い反射率をもつ銀（Ａｇ）膜を含む。
【０１１６】
ｎ側電極８は、第１層１１と、第１ｎ側配線層１１７のコンタクト部１１７ａとの間に設けられている。例えば、ｎ側電極８は、発光層１３および蛍光体粒子３１が発する光に対して高い反射率をもつアルミニウム（Ａｌ）膜を含む。
【０１１７】
第１ｐ側配線層１１６および第１ｎ側配線層１１７の表面に、絶縁膜１１８が設けられている。絶縁膜１１８は、第１ｐ側配線層１１６と第１ｎ側配線層１１７との間にも設けられている。絶縁膜１１８は、例えば、無機膜であり、シリコン酸化膜等である。
【０１１８】
絶縁膜１１８には、第１ｐ側配線層１１６の一部（ｐ側パッド１１６ｂ）を露出させるｐ側開口と、第１ｎ側配線層１１７の一部（ｎ側パッド１７ｂ）を露出させるｎ側開口が形成されている。
【０１１９】
ｐ側パッド１１６ｂの面積は、ｎ側パッド１１７ｂの面積よりも大きい。ｎ側パッド１１７ｂの面積は、第１ｎ側配線層１１７とｎ側電極８とのコンタクト面積よりも広い。
【０１２０】
半導体層１５の第１面１５ａ側には、蛍光体層３０が設けられ、さらに、その蛍光体層３０の上に透明層（第１透明層）１３３が設けられている。蛍光体層３０は、前述したように、複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体である。
【０１２１】
第１面１５ａと蛍光体層３０との間には、透明無機膜１９が設けられている。透明無機膜１９および蛍光体層３０は、チップ外領域の絶縁膜１１４上にも設けられている。
【０１２２】
蛍光体層３０上の透明層１３３は、蛍光体粒子を含まない透明ガラスまたは透明樹脂を用いる。あるいは、透明層１３３を光散乱層として機能させる場合、透明層１３３は、発光層１３の放射光を散乱させる複数の粒子状の散乱材（例えばシリコン酸化物、チタン化合物、酸化亜鉛など）と、発光層１３の放射光を透過させる結合材（例えば透明樹脂または透明ガラス）とを含む。
【０１２３】
半導体層１５の側面よりも外側のチップ外領域には、絶縁部材１２７が設けられている。絶縁部材１２７は、半導体層１５よりも厚い。絶縁部材１２７は、絶縁膜１１４を介して半導体層１５の側面を覆っている。
【０１２４】
また、絶縁部材１２７は、光学層（蛍光体層３０および透明層３３）の側面の外側にも設けられ、光学層の側面を覆っている。
【０１２５】
絶縁部材１２７は、半導体層１５、電極７、８、第１配線層（オンチップ配線層）１１６、１１７、および蛍光体層３０を含む発光素子５の周囲に設けられ、発光素子５を支持している。
【０１２６】
絶縁部材１２７の上面１２７ａと透明層１３３の上面は平坦面を形成している。絶縁部材１２７の裏面には、絶縁膜１２６が設けられている。
【０１２７】
第１ｐ側配線層１１６の第１ｐ側パッド１１６ｂ上には、第２ｐ側配線層１２１が設けられている。第２ｐ側配線層１２１は、第１ｐ側配線層１１６の第１ｐ側パッド１１６ｂに接するとともに、チップ外領域に延びている。第２ｐ側配線層１２１のチップ外領域に延出した部分は、絶縁膜１２６を介して絶縁部材１２７に支持されている。
【０１２８】
また、第２ｐ側配線層１２１の一部は、絶縁膜１１８を介して、第１ｎ側配線層１１７に重なる領域にも延びている。
【０１２９】
第１ｎ側配線層１１７の第１ｎ側パッド１１７ｂ上には、第２ｎ側配線層１２２が設けられている。第２ｎ側配線層１２２は、第１ｎ側配線層１１７の第１ｎ側パッド１１７ｂに接するとともに、チップ外領域に延びている。第２ｎ側配線層１２２のチップ外領域に延出した部分は、絶縁膜１２６を介して絶縁部材１２７に支持されている。
【０１３０】
第２ｐ側配線層１２１と第２ｎ側配線層１２２の表面には、絶縁膜１１９が設けられている。絶縁膜１１９は、例えば、無機膜であり、シリコン酸化膜等である。
【０１３１】
絶縁膜１１９には、第２ｐ側配線層１２１の第２ｐ側パッド１２１ａを露出させるｐ側開口と、第２ｎ側配線層１２２の第２ｎ側パッド１２２ａを露出させるｎ側開口が形成される。
【０１３２】
第２ｐ側配線層１２１の第２ｐ側パッド１２１ａ上には、ｐ側外部接続電極１２３が設けられている。ｐ側外部接続電極１２３は、第２ｐ側配線層１２１の第２ｐ側パッド１２１ａに接して、第２ｐ側配線層１２１上に設けられている。
【０１３３】
また、ｐ側外部接続電極１２３の一部は、絶縁膜１１８、１１９を介して、第１ｎ側配線層１１７に重なる領域、および絶縁膜１１９を介して第２ｎ側配線層１２２に重なる領域にも設けられている。
【０１３４】
ｐ側外部接続電極１２３は、半導体層１５に重なるチップ領域、およびチップ外領域に広がっている。ｐ側外部接続電極１２３は、第１ｐ側配線層１１６よりも厚く、第２ｐ側配線層１２１よりも厚い。
【０１３５】
第２ｎ側配線層１２２の第２ｎ側パッド１２２ａ上には、ｎ側外部接続電極１２４が設けられている。ｎ側外部接続電極１２４は、チップ外領域に配置され、第２ｎ側配線層１２２の第２ｎ側パッド１２２ａに接している。
【０１３６】
ｎ側外部接続電極１２４は、第１ｎ側配線層１１７よりも厚く、第２ｎ側配線層１２２よりも厚い。
【０１３７】
ｐ側外部接続電極１２３とｎ側外部接続電極１２４との間には、樹脂層（絶縁層）１２５が設けられている。樹脂層１２５は、ｐ側外部接続電極１２３の側面とｎ側外部接続電極１２４の側面に接して、ｐ側外部接続電極１２３とｎ側外部接続電極１２４との間に充填されている。
【０１３８】
また、樹脂層１２５は、ｐ側外部接続電極１２３の周囲およびｎ側外部接続電極１２４の周囲に設けられ、ｐ側外部接続電極１２３の側面およびｎ側外部接続電極１２４の側面を覆っている。
【０１３９】
樹脂層１２５は、ｐ側外部接続電極１２３およびｎ側外部接続電極１２４の機械的強度を高める。また、樹脂層１２５は、実装時にはんだのぬれ広がりを防ぐソルダレジストとして機能する。
【０１４０】
ｐ側外部接続電極１２３の下面は、樹脂層１２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｐ側実装面（ｐ側外部端子）１２３ａとして機能する。ｎ側外部接続電極１２４の下面は、樹脂層１２５から露出し、実装基板等の外部回路と接続可能なｎ側実装面（ｎ側外部端子）１２４ａとして機能する。ｐ側実装面１２３ａおよびｎ側実装面１２４ａは、例えば、はんだ、または導電性の接合材を介して、実装基板のランドパターンに接合される。
【０１４１】
ｐ側実装面１２３ａおよびｎ側実装面１２４ａを、樹脂層１２５の表面よりも突出させることが望ましい。これにより、実装時の接続部半田形状が安定化し、実装の信頼性を向上させることができる。
【０１４２】
図５は、ｐ側実装面１２３ａとｎ側実装面１２４ａの平面レイアウトの一例を表す。
【０１４３】
ｐ側実装面１２３ａとｎ側実装面１２４ａは、半導体層１５の平面領域を２等分する中心線ｃに対して非対称に配置され、ｐ側実装面１２３ａはｎ側実装面１２４ａよりも広い。
【０１４４】
ｐ側実装面１２３ａとｎ側実装面１２４ａとの間隔は、実装時にｐ側実装面１２３ａとｎ側実装面１２４ａとの間をはんだがブリッジしない間隔に設定される。
【０１４５】
半導体層１５におけるｎ側の電極コンタクト面（第１層１１の第２面１１ａ）は、第１ｎ側配線層１１７と第２ｎ側配線層１２２によって、チップ外領域も含むより広い領域に再配置されている。これにより、信頼性の高い実装に十分なｎ側実装面１２４ａの面積を確保しつつ、半導体層１５におけるｎ側電極面の面積を小さくすることが可能となる。したがって、半導体層１５における発光層１３を含まない部分１５ｅの面積を縮小し、発光層１３を含む部分１５ｄの面積を広げて光出力を向上させることが可能となる。
【０１４６】
実装面側にｐ側金属層１７１とｎ側金属層１７２が設けられている。ｐ側金属層１７１は、第１ｐ側配線層１１６、第２ｐ側配線層１２１およびｐ側外部接続電極１２３を含む。ｎ側金属層１７２は、第１ｎ側配線層１１７、第２ｎ側配線層１２２およびｎ側外部接続電極１２４を含む。
【０１４７】
半導体層１５は、金属層１７１、１７２と、樹脂層１２５との複合体からなる支持体の上に支持されている。また、半導体層１５は、半導体層１５よりも厚い例えば樹脂層である絶縁部材１２７によって側面側から支えられている。
【０１４８】
金属層１７１、１７２の材料として、例えば、銅、金、ニッケル、銀などを用いることができる。これらのうち、銅を用いると、良好な熱伝導性、高いマイグレーション耐性および絶縁材料に対する密着性を向上させることができる。
【０１４９】
半導体発光装置の実装時の熱サイクルにより、ｐ側実装面１２３ａおよびｎ側実装面１２４ａを実装基板のランドに接合させるはんだ等に起因する応力が半導体層１５に加わる。ｐ側外部接続電極１２３、ｎ側外部接続電極１２４および樹脂層１２５を適切な厚さ（高さ）に形成することで、ｐ側外部接続電極１２３、ｎ側外部接続電極１２４および樹脂層１２５が上記応力を吸収し緩和することができる。特に、半導体層１５よりも柔軟な樹脂層１２５を実装面側に支持体の一部として用いることで、応力緩和効果を高めることができる。
【０１５０】
金属層１７１、１７２は例えば高い熱伝導率を持つ銅を主成分として含み、発光層１３に重なる領域に高熱伝導体が広い面積で広がっている。発光層１３で発生した熱は、金属層１７１、１７２を通じて、チップ下方に形成される短いパスで実装基板へと放熱される。
【０１５１】
特に、発光層１３を含む積層部分１５ｄと接続されたｐ側金属層１７１のｐ側実装面１２３ａは、図５に示す平面視で半導体層１５の平面領域のほとんどに重なっているため、ｐ側金属層１７１を通じて実装基板に高効率で放熱させることができる。
【０１５２】
また、ｐ側実装面１２３ａはチップ外領域にも拡張している。したがって、ｐ側実装面１２３ａに接合されるはんだの平面サイズも大きくでき、はんだを介した実装基板への放熱性を向上できる。
【０１５３】
また、第２ｎ側配線層１２２はチップ外領域に延びている。このため、チップに重なる領域の大部分を占めてレイアウトされたｐ側実装面１２３ａの制約を受けずに、チップ外領域にｎ側実装面１２４ａを配置することができる。ｎ側実装面１２４ａをチップ外領域に配置することで、ｎ側実装面１２４ａをチップ領域範囲内でのみレイアウトするよりも面積を広くできる。
【０１５４】
したがって、ｎ側についても、ｎ側実装面１２４ａに接合されるはんだの平面サイズを大きくでき、はんだを介した実装基板への放熱性を向上できる。
【０１５５】
発光層１３から第１面１５ａ側に放射された光は、透明無機膜１９を介して蛍光体層３０に入射し、一部の光は蛍光体３１を励起し、発光層１３の光と、蛍光体粒子３１の光との混合光として例えば白色光が得られる。
【０１５６】
発光層１３から実装面側に放射された光は、ｐ側電極７及びｎ側電極８によって反射され、上方の蛍光体層３０側に向かう。
【０１５７】
蛍光体層３０上には透明層（第１透明層）１３３が設けられ、その透明層１３３上およびチップ外領域の絶縁部材１２７上には、透明層（第２透明層）１３４が設けられている。
【０１５８】
透明層１３４は、透明ガラスもしくは透明樹脂とし、透明ガラスの場合は透明樹脂からなる接着層が挿入されていても構わない。また、発光層１３の放射光を散乱させる複数の粒子状の散乱材（例えばシリコン酸化物、チタン化合物、酸化亜鉛など）と、発光層１３の放射光を透過させる結合材（例えば透明樹脂または透明ガラス）とを含むことでも構わない。
【０１５９】
後者の場合、透明層１３４は光散乱層として機能する。その光散乱層である透明層１３４の平面サイズは、蛍光体層３０の平面サイズ、および透明層１３３の平面サイズよりも大きい。すなわち、透明層１３４の平面サイズは、発光素子５の平面サイズよりも大きい。したがって、半導体発光装置１０２から外部へと発せられる光の範囲を広げることができ、広角の配光特性が可能である。
【０１６０】
絶縁部材１２７の少なくとも半導体層１５の側面に近接する部分の表面は、発光層１３の放射光に対して反射性を有する。また、絶縁部材１２７の蛍光体層３０の側面に近接する部分および透明層１３３の側面に近接する部分は、発光層１３の放射光および蛍光体粒子３１の放射光に対して反射性を有する。さらに、絶縁部材１２７の透明層１３４との境界付近が発光層１３の放射光および蛍光体粒子３１の放射光に対して反射性を有する。
【０１６１】
例えば、絶縁部材１２７は、発光層１３の放射光および蛍光体粒子３１の放射光に対する反射率が５０％以上となる樹脂層である。
【０１６２】
したがって、発光素子５の側面からの放射光、および透明層１３４で散乱されて絶縁部材１２７側に向かう光を、絶縁部材１２７で反射させることができる。このため、絶縁部材１２７での光の吸収損失を防いで、透明層１３４を通じた外部への光取り出し効率を高めることができる。
【０１６３】
蛍光体層３０は、半導体層１５の側面、および実装面側にまわりこんで形成されていない。すなわち、光を外部に取り出さないチップ側面側および実装面側には蛍光体層３０が無駄に形成されず、コスト低減が図れる。
【０１６４】
また、ｐ側外部接続電極１２３の周囲およびｎ側外部接続電極１２４の周囲には、蛍光体層３０と異なる樹脂層１２５が設けられ、実装面側に応力緩和に適した特性を与えることができる。また、実装面側にすでに樹脂層１２５が設けられているため、半導体発光装置１０２を実装基板に実装した後のアンダーフィルが不要となる。
【０１６５】
半導体層１５の第１面１５ａ側には、光取り出し効率、色変換効率、配光特性などを優先した設計の蛍光体層３０が設けられ、実装面側には、実装時の応力緩和や、基板に代わる支持体としての特性を優先した層が設けられる。例えば、樹脂層１２５は、ベースとなる樹脂にシリカ粒子などのフィラーが高密度充填された構造を有し、支持体として適切な硬さに調整されている。
【０１６６】
第２実施形態の半導体発光装置１０２によれば、半導体層１５、電極７、８、オンチップ配線層１１６、１１７、および蛍光体層３０はウェーハレベルで一括形成して低コストのチップサイズ発光素子５を実現するとともに、外部端子（実装面）１２３ａ、１２４ａをチップ外領域に拡張させて、放熱性を高くすることができる。したがって、安価で高信頼性の半導体発光装置１０２を提供することができる。
【０１６７】
図７は、第３実施形態の半導体発光装置１０３の模式断面図である。
【０１６８】
半導体発光装置１０３は、支持基板１０と、蛍光体層３０と、支持基板１０と蛍光体層３０との間に設けられた半導体層１５と、を有する。
【０１６９】
半導体層１５は、前述したように、第１層１１と、第２層１２と、第１層１１と第２層１２との間に設けられた発光層１３と、を有する。また、第１層１１は、第１面（凹凸面）１５ａを有する。
【０１７０】
半導体層１５における第１面１５ａの反対側には、金属層（ボンディングメタル）６３を介して支持基板１０が設けられている。支持基板１０における金属層６３が設けられた面の反対側の面には、金属層（バックメタル）６４が設けられている。
【０１７１】
半導体層１５の第１面１５ａ側には、蛍光体層３０が設けられている。前述したように、蛍光体層３０は、複数の蛍光体粒子３１と複数の無機粒子３２との凝集体である。
【０１７２】
半導体層１５の第１面１５ａと、蛍光体層３０との間には、透明無機膜１９が設けられている。
【０１７３】
半導体層１５と金属層６３との間にはｐ側電極６１が設けられている。ｐ側電極６１は第２層１２に接している。ｐ側電極６１の一部は半導体層１５の側面よりも外側に延出し、その延出部の上にｐ側パッド６２が設けられている。第２層１２は、ｐ側電極６１を介してｐ側パッド６２と電気的に接続されている。
【０１７４】
ｐ側電極６１と金属層６３との間には絶縁膜６５が設けられ、ｐ側電極６１と金属層６３との間は絶縁されている。
【０１７５】
金属層６３上には、複数のｎ側電極６３ａが金属層６３と一体に設けられている。ｎ側電極６３ａは、ｐ側電極６１、第２層１２および発光層１３を貫通して第１層１１に達し、第１層１１と電気的に接続されている。ｎ側電極６３ａと発光層１３との間、ｎ側電極６３ａと第２層１２との間、およびｎ側電極６３ａとｐ側電極６１との間には、絶縁膜６５が設けられている。
【０１７６】
半導体層１５は前述した単結晶基板上に成長される。ｐ側電極６１、ｎ側電極６３ａなどを形成した後、金属層６３を介して半導体層１５は支持基板１０に貼り合わされる。支持基板１０は導電性を有し、例えばシリコン基板である。したがって、ｎ側電極６３ａ、金属層６３および支持基板１０を介して、第１層１１は金属層（裏面電極）６４と電気的に接続されている。
【０１７７】
半導体層１５を支持基板１０に貼り合わせた後、単結晶基板が除去され、第１層１１の表面が露出する。その第１層１１の第１面１５ａが粗面化された後、透明無機膜１９が形成され、透明無機膜１９上に蛍光体層３０が形成される。
【０１７８】
図９に示すように、蛍光体層３０の表面、すなわち蛍光体粒子３１の表面および無機粒子３２の表面を覆う透明無機膜３４を設けてもよい。透明無機膜３４として、例えば、シリコン酸化膜が、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、塗布法で形成される。透明無機膜３４は、蛍光体層３０の表面を保護するとともに、粒子間の結合を強固にする。
【０１７９】
透明無機膜３４の形成方法によっては、透明無機膜３４の一部を、蛍光体粒子３１の表面および無機粒子３２の表面よりも内部における複数の無機粒子３２間の隙間、および無機粒子３２と蛍光体粒子３１との間の隙間に含浸させることができる。
【０１８０】
また、熱伝導率の低いシリコン酸化膜を透明無機膜３４として形成すると、透明無機膜３４を断熱層として機能させることができる。例えば、図４に示す半導体発光装置１０２において蛍光体層３０と透明樹脂層１３３との間に透明無機膜３４を形成することで、蛍光体粒子３１の熱による透明樹脂層１３３の変質や分解を抑えることができる。
【０１８１】
また、図１０に示すように、複数の無機粒子３２間の隙間、および無機粒子３２と蛍光体粒子３１との間の隙間に、透明樹脂３５を設けてもよい。蛍光体粒子３１および無機粒子３２はバインダーとしての樹脂中に分散されるのではなく、前述した方法で蛍光体粒子３１と無機粒子３２との凝集体を形成した後、粒子間の隙間に透明樹脂３５が含浸される。
【０１８２】
複数の蛍光体粒子３１どうしは、複数の無機粒子３２によって結合され、透明樹脂３５は、蛍光体粒子３１と無機粒子３２との結合、および無機粒子３２間の結合を強固にする。また、粒子間に透明樹脂３５がある構造は、粒子間に空隙がある構造に比べて光の反射を抑制する。
【０１８３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１８４】
４，５…発光素子、１５…半導体層、３０…蛍光体層、３１…蛍光体粒子、３２…無機粒子、３３…空隙、３４…透明無機膜、３５…樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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