(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも金属酸化物を含む非晶質固体であるガラス材料を主成分として含有する第１相と、
架橋樹脂材料を主成分として含有する第２相とを備えており、
前記第１相および前記第２相の体積比での割合は、第１相：第２相＝９５：５〜５５：４５であり、
前記第１相を海とし、前記第２相を島とする海島構造を有していることを特徴とする絶縁体。
【請求項２】
前記ガラス材料の軟化点が、前記架橋樹脂材料の熱分解温度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の絶縁体。
【請求項３】
前記ガラス材料がリン酸系のガラス材料であることを特徴とする請求項２に記載の絶縁体。
【請求項４】
前記第１相と前記第２相との界面にシラン化合物が介在することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項５】
前記第１相が前記主成分としてアルミナおよびシリカをさらに含有することを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項６】
前記架橋樹脂材料は、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂および熱硬化ポリフェニレンエーテル樹脂から選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含むことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の絶縁体。
【請求項７】
前記架橋樹脂材料がポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項６に記載の絶縁体。
【請求項８】
請求項１に記載の絶縁体を含む基板と、
該基板の表面に設けられた配線導体とを備えることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
前記配線導体が銅および銀の少なくとも一方を主成分とする金属材料からなることを特徴とする請求項８に記載の配線基板。
【請求項１０】
銅および銀の少なくとも一方を主成分としており、前記絶縁体の内部に配置されていると
ともに、前記配線導体に接続された端部を有する貫通導体をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板用の基板等に用いられる絶縁体、および絶縁体を含む配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
酸化アルミニウム等のセラミック成分とガラス成分とを含み、ガラス成分を介してセラミック成分が焼結してなる絶縁体が知られている。このような絶縁体は、例えば半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品が搭載される配線基板用の部材として用いられる。
【０００３】
配線基板は、平板状等の所定の形状に成形された絶縁体と、絶縁体の表面に設けられた配線導体とを有している。平板状の絶縁基体の主面に電子部品が搭載され、電子部品の電極が配線導体と電気的に接続される。電子部品が搭載された配線基板は、コンピュータ、携帯電話または各種のセンサ等の電子機器において部品として実装され、使用される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2001−52526号公報
【特許文献２】特開平６−224042号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術の絶縁体および配線基板においては、絶縁体にセラミック成分が含まれているため、落下による衝撃等によって生じたミクロクラックの進行による欠けや割れ等の機械的な破壊が絶縁体に生じやすいという問題点があった。
【０００６】
特に、絶縁体が電子部品搭載用の配線基板において用いられる場合には、近年の電子機器の小型化に対応して配線基板も小型化が著しいため、わずかな欠けや割れ等でも電子機器の機能に障害を生じる可能性が高い。また、電子機器用の配線基板としての、より一層の信頼性向上が難しい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様の配線基板は、金属酸化物を含む非晶質固体であるガラス材料を主成分とする第１相と、架橋樹脂材料を主成分とする第２相とを備えており、前記第１相および前記第２相の体積比での割合は、第１相：第２相＝９５：５〜５５：４５であり、前記第１相を海とし、前記第２相を島とする海島構造を有している。
【０００８】
本発明の一つの態様の配線基板は、上記構成の絶縁体を含む基板と、該基板の表面に設けられた配線導体とを備える。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様の絶縁体によれば、金属酸化物を含む非晶質固体であるガラス材料を主成分とする第１相を含有していることから、例えば配線基板用の基板等に用いられたときに十分な機械的強度を有している。また、第１相に比べて低弾性率の架橋樹脂材料を含む第２相を含有しているため、仮に第１相においてミクロクラック等の破壊が生じ始めたとしても、そのミクロクラックの進行を第２相において抑制することができる。すなわち、上記態様の絶縁体は、第１相および第２相の体積比での割合は、第１相：第２相＝９５：５〜５５：４５であり、第１相を海とし、第２相を島とする海島構造を有していることから、第１相におけるミクロクラックの進行が第２相で妨げられるため、絶縁体の一部が欠けや割れてしまうような機械的な破壊が効果的に抑制される。したがって、欠けや割れ等の機械的な破壊の抑制に有効な絶縁体を提供することができる。
【００１０】
本発明の一つの態様の配線基板によれば、上記構成の絶縁体を有していることから、絶縁体における欠けや割れ等の機械的な破壊が効果的に抑制された、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態の絶縁体における断面の一部を模式的に示す断面図である。
【図２】（ａ）本発明の実施形態の配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は下面図である。
【図３】図１の要部の一例を拡大して模式的に示す断面図である。
【図４】図３の変形例を示す断面図（模式図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施形態の絶縁体および配線基板について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の実施形態絶縁体の断面の一部を模式的に示す拡大断面図である。図２（ａ）は本発明の実施形態の配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）は下面図である。図３は、図１の要部の一例を拡大して模式的に示す断面図である。
【００１４】
絶縁体１は、第１相２を海とし、第２相３を島とする海島構造を有している。また、絶縁体１を含む基板11の表面に配線導体12が設けられて配線基板10が基本的に形成されている。配線基板10は、例えば電子部品21を搭載するために用いられる。配線基板10に電子部品21が搭載され、電子部品21と配線導体12とがボンディングワイヤ等の導電性接続材22によって接続されて、各種の電子機器に部品として実装される電子装置20が形成される。これらの内容について、以下に詳しく説明する。
【００１５】
例えば図１に示す例のように、絶縁体１は、ガラス材料を主成分とする第１相２と、架橋樹脂材料を主成分とする第２相３とを有している。この絶縁体１は、第１相２を海とし、第２相３を島とする海島構造を有している。第１相２は、ガラス材料を主成分として含有しているため曲げ強度等の機械的な強度が比較的大きい。また、第２相３は、架橋樹脂材料を主成分としているため、弾性率が比較的小さい。すなわち、絶縁体１は、機械的な強度が比較的大きいマトリクス部材に、弾性率が比較的小さい粒状のものが分散した構造を有しているものとみなすことができる。
【００１６】
このような絶縁体１によれば、上記構成の第１相２を含有していることから、例えば配線基板10用の基板11等に用いられたときに十分な機械的強度を有している。また、上記構成の第２相３を含有しているため、仮に第１相２においてミクロクラック等の破壊が生じ始めたとしても、そのミクロクラックの進行を第２相３において抑制することができる。第１相２が絶縁体１としての形状の維持および機械的な強度の確保等の機能を有し、第２相３が絶縁体１の欠けの抑制といった信頼性の向上の機能を有している。
【００１７】
すなわち、実施形態の絶縁体１は、第１相２を海とし、第２相３を島とする海島構造を有していることから、第１相２におけるミクロクラックの進行が第２相３で妨げられる。そのため、絶縁体１の一部が欠けたり割れたりしてしまうような機械的な破壊が効果的に抑制される。したがって、欠けや割れ等の機械的な破壊の抑制に有効な絶縁体１を提供することができる。
【００１８】
第１相２は、少なくともガラス材料を主成分として含有している。第１相２は、ガラス材料以外に、アルミナおよびシリカを主成分として含有していても構わない。また、第１相２は、主成分以外に、カルシア、マグネシアまたは酸化モリブデン等の焼結助剤を含有していても構わない。第１相２における主成分であるガラス材料の含有率は、例えば第１相２全体に対して約10〜100質量％程度である。アルミナおよびシリカが第１相２の主成
分として含有される場合の詳細については後述する。
【００１９】
なお、第１相２全体に対する主成分の含有率は、ガラス材料が100質量％の場合でも、
アルミナおよびシリカが含有されている場合でも、約50〜100質量％程度に設定されてい
ればよい、これによって、第１相２（絶縁体１）としての機械的強度を十分に確保することができる。
【００２０】
第１相２の主成分であるガラス材料は、その機械的な強度を高めて第１相２の機械的な強度高める上では、緻密化されたガラス材料であることが好ましい。緻密化されたガラス材料とは、例えば、軟化温度以上に加熱された後、軟化温度から約10℃程度低い温度に一定時間、保持されたガラス材料であり、ガラス組織が緻密化されて強固になったものである。そのため、その機械的な強度が効果的に向上されている。
【００２１】
第１相２のガラス材料は、二酸化珪素と金属酸化物とを含んでおり、ガラス転移現象を示す非晶質固体である。ガラス材料が非晶質固体として存在して、第１相２としての形状が維持されている。ガラス材料は、例えば、いわゆる低軟化点のガラス材料である。この低軟化点のガラス材料としては、例えば、軟化点が500℃程度以下のガラス（いわゆる低
軟化点ガラス）が挙げられる。このようなガラス材料としては、例えば、ホウ素系ガラスおよび、リン酸系ガラス、バナジウム系ガラス、鉛系ガラス等がある。
【００２２】
第１相２について、例えば上記のように、主成分であるガラス材料が非晶質の個体として一定の形状を有して存在し、マトリクス部材（母材）を形成している。
【００２３】
第２相３は、上記のように第１相２におけるミクロクラックの進行を抑制するためのものである。そのため、第２相３は、ミクロクラックの進行の抑制のみを考慮すれば、その弾性率が低い方が好ましい。この点に関して、例えば第２相３は、−25℃〜125℃におけ
る曲げ弾性率（ヤング率）が300ＧＰａ以下のものが好ましく、10ＧＰａ以下のものがよ
り一層好ましい。ただし、第２相３は、絶縁体１としての機械的強度にも影響を与える。したがって、その点も含めて考慮すれば、第２相３は、例えば−25℃〜125℃における曲
げ弾性率（ヤング率）が50〜300ＧＰａのものがより好ましい。
【００２４】
第２相３を形成している架橋樹脂材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、キシレン樹脂、グアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ビニルエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、マレイン酸樹脂およびユリア樹脂等の熱硬化性樹脂の少なくとも１種が熱反応で架橋されたものが挙げられる。また、架橋樹脂材料は、光硬化性樹脂であってもよい。光硬化性樹脂としては、例えば、イミドアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂およびエポキシアクリレート樹脂等が挙げられる。光硬化性樹脂の場合には、光硬化触媒を用いて光架橋される。
【００２５】
なお、架橋樹脂材料がエポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂および熱硬化ポリフェニレンエーテル樹脂から選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂を含むものである場合には、次のような点でより有利である。すなわち架橋密度をより高くすることが容易である。そのため、第２相３としての熱分解温度をより高くすることができる。なお、窒素中で熱重量減少５％程度の温度を樹脂の熱分解温度として規定する
。これらの架橋樹脂材料の熱分解温度は、例えば第２相３の耐熱性、ならびに絶縁体１としての生産性および経済性等を考慮して、約300〜450℃程度に設定される。熱分解温度は、熱重量測定／熱天秤（ＴＧ−ＤＴＡ）等の測定方法で測定できる。
【００２６】
また、第２相３は、熱硬化性樹脂等の架橋樹脂材料以外に、熱硬化性ゴム等の樹脂材料を含有していてもよい。また、ポリエチレングリコール等の可塑剤、アゾ系顔料剤等の添加材をさらに含有していてもよい。この場合、第２相３は、主成分である架橋樹脂材料の含有率が、例えば80〜98質量％程度に設定される。この場合には、第２相３において上記クラックの進行をより効果的に抑制することができる。また、第２相３の第１相２に対する接合の強度をより高くすることができる。
【００２７】
また、島としての第２相３の形状については、例えば図１に示す例のように、不定形状のものが挙げられる。この場合には、島としての第２相３の表面積（つまり第２相３との接合界面の面積）をより大きくすることに関して有利である。そのため、第１相２と第２相３との接合強度の向上に対してより有効である。
【００２８】
なお、第２相３の形状は、球状、楕円球状等の、不定形以外の形状であってもよい。例えば、未硬化の熱硬化性樹脂の熱硬化によって第２相３が形成されたものであるときに、硬化前の熱硬化性樹脂が表面張力で丸くなるようなものであれば、第２相３の形成がより容易であり、絶縁体１としての生産性および経済性等の点でより有利である。また、第２相３は、表面積（第１相２との接合面積）をより大きくするように、表面が波打っている波状であってもよい。
【００２９】
絶縁体１における第２相３の存在の割合は、例えば合計の体積比で、第１相２：第２相３＝95：５〜55：45程度の範囲に設定されていればよい。この場合には、絶縁体１としての機械的な強度を確保しながら、欠けの抑制に対してより高い効果を得ることができる。
【００３０】
第２相３の第１相２への分散の形態に関しては、第２相３が第１相２内にほぼ均一に分散していてもよい。この場合には、絶縁体１でランダムに発生するミクロクラックの進行を、絶縁体１内において偏りなく抑制することができる。また、第２相３が絶縁体１の表面近くで内部よりも多く分散していてもよい。この場合には、絶縁体１の外表面を起点として発生するミクロクラックの進行を、より効果的に抑制することができる。
【００３１】
また、実施形態の絶縁体１において、例えば図３に示すように、第１相２と第２相３との界面にシラン化合物が介在していてもよい。この場合には、シラン化合物を介して、第１相２と第２相３とが互いに、より強固に結合し合う。そのため、この場合には、絶縁体１としての機械的な強度をさらに高くすることができる。
【００３２】
図３の例において、シラン化合物は、第２相３との化学結合が可能な基Ａを有するシラノールであり、いわゆるシランカップリング剤である。シラン化合物の第２相３との化学結合は、例えば第２相３の熱硬化性樹脂との架橋である。また、この場合には、シラノール（水酸基）が第１相２のガラス材料の水酸基等の極性基と共有結合する。シラノールは、水素（Ｈ）の一部または全部がアルキル基（Ｒ）等で置換されているものでもよい。
【００３３】
図４は、図３の変形例を示す断面図（模式図）である。図４において図１〜図３と同様の部位には同様の符号を付している。図４において、第２相３を形成している架橋樹脂がポリイミド樹脂である。また、シラン化合物の末端に上記の基Ａとしてアミノ基が配置されている。ポリイミド樹脂の末端のカルボキシル基とシラン化合物のアミノ基とが反応してアミド結合を形成している。また、シラン化合物のシラノール基とガラス材料のリン酸系ガラスのリン酸エステル基との間で水素結合を形成している。その結果、第１相２と第
２相３とが界面において互いに強固に接着し合っている。
【００３４】
第２相３を形成している架橋樹脂材料がポリイミド樹脂であるときには、ポリイミド樹脂の比誘電率が他の上記架橋樹脂材料の比誘電率よりも小さい。そのため、第２相３の比誘電率をより小さく抑えることができる。これによって、絶縁体１としての比誘電率もより小さく抑えられる。そのため、例えば絶縁体１が配線基板10の基板11として用いられたときに配線導体12における高周波信号等の電気信号の伝送の高速化に対してより有利になる。
【００３５】
なお、ポリイミド樹脂の比誘電率は、例えば周波数が１ＧＨｚの信号に対して約２程度である。個のポリイミド樹脂を用いて第２相を形成した場合には、絶縁体１の比誘電率（１ＧＨｚ）を約４〜６程度に抑えることができる。この比誘電率は、例えば酸化アルミニウム質焼結体（比誘電率が約８〜９程度）に比べて低いため、配線基板10の基板11を製作するのに適した絶縁体１をより容易に提供することができる。
【００３６】
また、ポリイミド樹脂は、加熱分解温度が比較的高い。そのため、後述する絶縁体１の製造方法において、第１相２となるガラス材料を溶融させてセラミック粉末を互いに結合さるときに、軟化したガラス材料がポリイミド樹脂に接しても、ポリイミド樹脂（第２相３）が変質する可能性がより低減される。すなわち、第２相３の架橋樹脂材料と第１相２のガラス材料とが互いに共存できる温度領域が広い。したがって、より一層安定かつ確実に、海島構造をもつ絶縁体１が得られる。
【００３７】
なお、図４では、第２相３の熱硬化性樹脂（ポリイミド樹脂）および第１相２のガラス材料（後述するリン酸系ガラス）とが、それぞれシラン化合物に結合している状態を模式的に示している。また、この例では、ポリイミド樹脂の末端のカルボキシル基とシラン化合物のアミノ基とが反応してアミド結合を形成している。
【００３８】
第２相３との化学結合が可能な基Ａとしては、例えば、エポキシ基、アミノ基およびビニル基等が挙げられる。これらの基Ａが、第２相３の熱硬化性樹脂と付加反応、ラジカル反応または脱水縮合反応等で互いに結合し合う。
【００３９】
シラン化合物としては、上記以外に、例えばオルガノシランおよびポリアルキルシラノール等が挙げられる。シラン化合物について、ポリイミド樹脂と反応する基は、アミノ基が好ましい。
【００４０】
また、第２相３の架橋樹脂材料が熱硬化性樹脂であるときに、第１相２の主成分であるガラス材料は、その軟化点が、第２相３に含有される熱硬化性樹脂材料の熱分解温度よりも低いものであることが望ましい。この場合には、熱硬化性樹脂材料の熱分解温度に対してガラス材料の軟化点が十分に高いため、ガラス材料を主成分とした第１相２の形成に際して加えられる熱による第２相３の強度の低下の可能性がより効果的に低減される。この場合、第１相２の主成分であるガラス材料の軟化点が、第２相３の架橋樹脂材料の熱分解温度に対して約10〜50℃程度低ければ、上記の効果を十分に得ることができる。
【００４１】
すなわち、この場合には、第２相３の熱硬化性樹脂材料の熱分解温度が、ガラス成分を溶融させる温度よりも高いため、熱による架橋の破壊等のダメージの可能性が効果的に抑制される。したがって、絶縁体１としての機械的な強度および信頼性をさらに高めることができる。
【００４２】
軟化点が、第２相３に含有される熱硬化性樹脂材料の熱分解温度よりも低いガラス材料としては、例えば、Ｂｉ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス（軟化点が383℃）およびＰ
２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｒ２Ｏ系ガラス（軟化点が340℃）ＺｎＯ−ＰｂＯ−Ｂ２Ｏ３系ガラス
（軟化点が330℃）、ＰｂＯ２−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス（軟化点が371℃）およびＮa２Ｏ−Ｐ２Ｏ３−ＺＳｉＯ２系ガラス（軟化点が313℃）等が挙げられる。
【００４３】
また、第１相２の主成分であって、第２相３に含有される熱硬化性樹脂材料よりも熱分解温度が低いガラス材料は、リン酸系のガラス材料であってもよい。リン酸系のガラス材料は、例えばリン酸（Ｐ２Ｏ５）を含有するガラス材料である。第１相２の主成分がリン系のガラス材料である場合には、リン酸系のガラス材料の比誘電率が他のガラス材料よりも小さいため、第１相２の比誘電率をより小さく抑えることができる。これによって、絶縁体１としての比誘電率もより小さく抑えられる。そのため、例えば絶縁体１が配線基板10の基板11として用いられたときに配線導体12における高周波信号等の電気信号の伝送の高速化に対してより有利になる。
【００４４】
リン酸系のガラス材料としては、例えば上記のＰ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｒ２Ｏ系ガラス等が挙げられる。このうち「Ｒ」は例えばＳｎ等である。Ｓｎとしては価数が４価より２価の方がガラス形成の点では適している。Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ−Ｒ２Ｏ系ガラスは、周波数が１ＧＨｚの信号に対して比誘電率が約６〜７程度であり、前述した酸化アルミニウム質焼結体の比誘電率に比べて低い。そのため、例えば２相３の架橋樹脂材料としてポリイミド樹脂が用いられる効果と合わせて、比誘電率（１ＧＨｚ）が約４〜６程度と比較的低く抑えられた絶縁体１をより容易に提供することができる。
【００４５】
また、第１相２の主成分であるガラス材料がリン酸系のガラス材料である場合には、第２相３に含有される熱硬化性樹脂材料（架橋樹脂材料）の熱分解温度をさらに高くすることもできる。リン酸系のガラス材料が第１相２の主成分であるときには、リンが有する難燃化の効果が比較的高いため、第２相３に含有される架橋樹脂材料の難燃性が向上する。そのため、第２相３に含有される架橋樹脂材料の熱分解温度をされに高くすることができる。
【００４６】
この場合にも、第２相３の架橋樹脂材料と第１相２のガラス材料とが互いに共存できる温度領域が広い。したがって、より一層安定かつ確実に、海島構造をもつ絶縁体１が得られる。
【００４７】
第１相２は、主成分として、さらにアルミナおよびシリカを含有していてもよい。すなわち、ガラス材料、アルミナおよびシリカを主成分として第１相２が形成されていてもよい。この場合には、ガラス材料に加えて、機械的な強度および電気特性の向上に対してより有効なアルミナおよびシリカが主成分として含有されているため、第１相２の機械的な強度および電気特性がさらに向上する。したがって、例えば配線基板10の基板11用としての強度および特性の向上に対してより有利な絶縁体１を提供することができる。
【００４８】
上記のアルミナは、比較的高い熱伝導性と電気絶縁性を持ち、高融点で非常に硬い。そのため、アルミナが含有されていることによって、第１相２の機械的な強度の確保等のための成分である。抗接強度を向上させるには、針状や板状の形状のアルミナが好ましい。また、絶縁体１の電気絶縁性をさらに高めることができる。
【００４９】
上記のシリカは二酸化珪素であり、高い電気絶縁性を持ち、絶縁材料としては、低誘電正接である。そのため、高周波信号が伝送される配線基板10に適している。すなわち、シリカは、第１相２の電気的な特性の調整のための成分として有効に機能する。
【００５０】
第１相２に含有されているシリカの一例としては、例えば球状や破砕状のものが多い形態が挙げられる。第１相２についてシリカをより高充填とする場合には、球状シリカ（球
状のもの）が好ましい。
【００５１】
第１相２について、主成分の一部であるアルミナおよびシリカは、高い電気絶縁性を有しているため、電気絶縁性を有する絶縁体１の基本的な構造材としてより適している。アルミナは、上記のように高融点で非常に硬いため、絶縁体１の骨材としてより適している。第１相２の主成分としてアルミナが含有されている場合には、第１相２および絶縁体１の機械的な強度をさらに向上させることができる。また、シリカは、低誘電正接のため電気特性に優れる。したがって、アルミナおよびシリカを主成分の一部とて含有する第１相２は、比較的高い機械的な強度および比較的低い誘電正接といった特性を有している。
【００５２】
なお、第１相２について、機械的な強度を重視する場合にはアルミナの含有率をより大きくすればよく、誘電正接を低く抑えることを重視する場合にはシリカの含有率をより大きくすればよい。
【００５３】
第１相２が主成分としてガラス材料、アルミナおよびシリカを含有しているとき、それぞれの含有率の一例は、次の通りである。すなわち、絶縁体１が後述する配線基板10の基板11として用いされる場合には、第１相２の全体に対して、アルミナの含有率が10〜50質量％程度に設定され、シリカの含有率が20〜45質量％程度に設定される。アルミナおよびシリカ以外が主成分の一つであるガラス材料である。また、第１相２には、上記のような各種の焼結助剤がさらに含有されていてもよく、顔料等の着色材を含む添加材がさらに含有されていてもよい。
【００５４】
第１相２においては、例えば、アルミナおよびシリカが、球状や破砕状、針状の微粒子である。この場合には、アルミナおよびシリカの粒子同士がガラス材料を介して互いに結合し焼結できる。そのため、このような構造を有する第１相２について、その弾性率を十分に高くでき、曲げ強度等の機械的特性に優れたものとすることができる。
【００５５】
実施形態の絶縁体１は、例えば第１相２がガラス材料、アルミナおよびシリカを主成分とするものである場合には、次のようにして作製することができる。
【００５６】
すなわち、まず、第１相２の原料であるアルミナの粉末、シリカの粉末およびガラス材料の粉末を、第２相３の原料である樹脂材料（未架橋のもの）とともに混練して作製したスラリーをシート状に成形してグリーンシートを作製する。スラリーをシート状に成形する方法としては、例えば、ドクターブレード法、リップコータ法またはカレンダロール法等のシート形成技術が挙げられる。
【００５７】
また、金型内に上記の第１相２の原料および第２相３の原料とを充填して、加圧および後述する加熱とを同時に行なう方法で、絶縁体１を作製することもできる。
【００５８】
次に、このグリーンシートに打ち抜き加工等の加工を施して所定の形状および寸法に成形するとともに、必要に応じて複数枚を積層して積層体を作製する。次に、このグリーンシートまたはその積層体を加熱して、ガラス材料を溶融させてセラミック粉末を互いに結合させて第１相２を形成するとともに、この加熱によって未架橋の樹脂材料を架橋させて第２相３を形成する。このとき、未架橋の樹脂材料は樹脂材料として粒状にまとまった形になって架橋する。そのため、マトリクス部材としての第１相２を形成するとともに、粒状の第２相３を形成することができる。
【００５９】
以上の工程によって、第１相２を海とし、第２相３を島とする海島構造を有する絶縁体１を作製することができる。なお、第１相２の主成分がガラス材料のみを含有するものである場合にも、上記の例と同様の方法で絶縁体１を作製することができる。この場合には
、第１相２の材料としてガラス材料の粉末のみを用いるようにすればよい。
【００６０】
前述したように、上記構成の絶縁体１を含む基板11と、この基板11の表面に設けられた配線導体12とによって配線基板10が基本的に形成されている。配線基板10は、例えば電子部品搭載用基板として用いられ、基板11の上面に電子部品21が搭載されて電子装置20が作製される。電子部品21と配線導体12とは、例えばボンディングワイヤ等の導電性接続材22によって互いに電気的に接続される。
【００６１】
基板11は、絶縁体１以外に、例えば配線導体12の一部を被覆する被覆層（図示せず）等を含んでいてもよい。被覆層を形成する材料は、例えば、第２相３を形成している架橋樹脂材料でもよく、他の樹脂材料でもよい。
【００６２】
電子部品21としては、例えば半導体集積回路素子、撮像素子および発光素子等を含む半導体素子、水晶振動素子および弾性表面波素子等の圧電素子、容量素子（セラミックチップコンデンサ等）、抵抗器、圧力センサ素子等の種々のセンサ素子、ならびに微細な電子機械システムを有する電子機械システム素子（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々のものが挙げられる。
【００６３】
基板11は、例えば上面等の露出表面に電子部品21を搭載して固定するための基体として機能する。基板11は、図３の例では四角形の板状であって上面に凹部（符号なし）を有している。凹部を有する基板11は、例えば、基板11用のグリーンシートの一部に、凹部に対応した開口部が設けられて形成されている。基板11は、この形状に限らず、凹部を有していない平板状であってもよく、円形状、楕円形状またはこれらの形状を組み合わせた形状でもよい。また、基板11は、上記の形状であって、平面視において（上面側から見て）外周の一部に凹凸を有するような形状でもよく、不定形状であってもよい。
【００６４】
配線導体12は、電子部品21を外部電気回路（図示せず）に電気的に接続するための導電路として機能する。配線導体12は、電子部品21等との電気的な接続のために、少なくも基板11の上面等の露出する表面に設けられている。なお、配線導体12は、基板11の内部に設けられたものを含んでいてもよい。
【００６５】
配線導体12は、例えば銅、銀、鉛、亜鉛、インジウム、ビスマス等の金属材料によって形成されている。これらの金属材料は、例えば、基板11の塗布および加熱された金属ペースト、金属箔、めっき層または薄膜層等の形態で形成されている。
【００６６】
配線導体12は、例えば銅からなる場合であれば、銅、熱硬化性樹脂およびはんだ等を有機溶剤等とともに混練して作製した金属ペーストを基板11の表面等に所定パターンに印刷し、加熱して熱硬化させる等の方法で、基板11に形成することができる。
【００６７】
また、配線導体12は、銅または銀等の金属材料を用いて作製した金属箔を基板11（絶縁体１）の表面に張り付け、この金属箔をフォトリソグラフ等のパターン形成方法で所定パターンに成形することによって、形成するようにしてもよい。金属箔は、基板11に張り付ける前に所定パターンに成形してもよい。また、このような銅または銀等の金属箔の表面に、銅または銀等のめっき層（図示せず）を被着させて、配線導体12としての厚み（電気伝導性）を高めるようにしてもよい。
【００６８】
また、配線導体12は、スパッタリング法および蒸着法等の薄膜形成方法によって基板11に形成することもできる。この場合にも、上記のようなめっき法が併用されたものであってもよい。
【００６９】
この場合、配線導体12が銅および銀の少なくとも一方を主成分とする金属材料からなるものである場合には、次のような点で有利である。すなわち、銅および銀の電気抵抗率が小さいため、これらを主成分として形成された配線導体12の導通抵抗を低く抑えることが容易である。配線導体12の導通抵抗が低いために、伝送ロスが少なく、高周波特性基板（高周波信号の伝送に適した配線基板10の形成）に有利である。
【００７０】
配線導体12は、前述したように基板11の内部に設けられた部分を含んでいてもよい。また、配線導体12に加えて、基板11の厚み方向の少なくとも一部を貫通する貫通導体が設けられていてもよい。図２では、貫通導体について破線を用いて模式的に示している。この貫通導体は、絶縁体１の内部に配置されているとともに、配線導体12に接続された端部を有している。
【００７１】
また、この例では、上下２つの貫通導体が、基板11の内部に設けられた配線導体12（貫通導体に破線で示したもの）を介して互いに電気的に接続されている。この貫通導体等を介して、例えば基板11の上面の配線導体12と基板11の下面の配線導体12とが互いに電気的に接続されている。
【００７２】
なお、基板11の内部の配線導体12は、例えば次のような方法で形成することができる。すなわち、基板11を複数の絶縁層（図示せず）からなるものとして、その層間（上側の絶縁層の下面または下側の絶縁層の上面）に配線導体12となる金属ペーストの塗布等を行なうことによって形成することができる。複数の絶縁層を含む基板11は、前述したように、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製し、この積層体を加熱することによって製作することができる。
【００７３】
貫通導体については、銅および銀の少なくとも一方を主成分としているものであることが好ましい。これは、次のような理由による。特に、銀は酸化されにくいため、高温高湿の環境試験においても、酸化されることはなく、導通抵抗の低下などが起きにくい。
【００７４】
なお、貫通導体は、例えば次のような方法で形成することができる。すなわち、絶縁体１（基板11）となるグリーンシートに上記のような打ち抜き加工をするときに、貫通導体を形成する位置に貫通孔を形成しておく。この貫通孔内に、上記のような金属ペーストを充填し、加熱する。以上の工程によって貫通導体を形成することができる。
【００７５】
配線基板10の配線導体12および貫通導体を含む場合に、配線導体12と貫通導体とを互いに同じ金属材料からなるものとした場合には、両者の界面における接合の強度の向上、および生産性等の点でより好ましい。また、配線導体12と貫通導体とを、互いに異なる金属材料からなるものとしてもよい。例えば、基板11内部の配線導体12同士の間のイオンマイグレーションの抑制および経済性（コスト）等を考慮して、基板11の内部の配線導体12および貫通導体における銀の含有率を、基板11の表面に露出した配線導体12における銀の含有率よりも小さく抑えるようにしてもよい。
【００７６】
また、実施形態の配線基板10は、絶縁体１が、少なくともガラス材料を主成分とする第１相２と、架橋樹脂材料を主成分とする第２相３とを備えており、第１相２を海とし、第２相３を島とする海島構造を有していることから、高温高湿の加速試験においても、第１相２がバリアとなり、例えば外部から第２相３への水分の浸透が抑制される。そのため、第２相３に含まれている架橋樹脂材料の水分による劣化が抑制される。したがって、配線基板10は耐湿性にも優れている。
【００７７】
なお、本発明は以上の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内であれば種々の変更は可能である。
【００７８】
例えば、配線基板10の配線導体12は、露出表面にニッケルおよび金等のめっき層（図示せず）が被着されているものであってもよい。また、配線基板10となる複数の領域（図示せず）が互いに縦横の並びに配列された多数個取り配線基板の形態であってもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１・・・絶縁体
２・・・第１相
３・・・第２相
10・・・配線基板
11・・・基板
12・・・配線導体
20・・・電子装置
21・・・電子部品
22・・・導電性接続材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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