(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなる大判基板の表面における複数のチップ形成領域にそれぞれ電極と抵抗体を形成した後、前記抵抗体を覆うように絶縁性の保護膜を形成し、しかる後、前記大判基板を互いに直交する方向に１次分割と２次分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るようにしたチップ抵抗器の製造方法において、
前記大判基板の表裏両面のいずれか一方側に固定基材を貼り付ける工程を備え、
前記１次分割と前記２次分割の少なくとも一方が、前記大判基板にレーザー光を照射して貫通スリットを形成することによって行われ、この貫通スリットが前記大判基板を貫通して前記固定基材の途中まで達する直線状に連続するスリットであることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記大判基板の表面側に前記固定基材を貼り付けた後、前記大判基板の裏面側からレーザー光を照射して前記貫通スリットを形成することを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の記載において、前記１次分割と前記２次分割のうち、いずれか一方が前記大判基板にレーザー光を照射して前記貫通スリットを形成することによって行われると共に、いずれか他方が前記大判基板をダイシングブレードで切断することによって行われることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
セラミックスからなる大判基板の表面における複数のチップ形成領域にそれぞれ電極と抵抗体を形成した後、前記抵抗体を覆うように絶縁性の保護膜を形成し、しかる後、前記大判基板を互いに直交する方向に１次分割と２次分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るようにしたチップ抵抗器の製造方法において、
前記大判基板の表裏両面の一方側からレーザー光を照射して該大判基板の途中まで達する直線状に連続する第１補助溝を形成した後、前記大判基板の一方側の面に固定基材を貼り付け、この状態で前記大判基板の反対側からレーザー光を照射して前記第１補助溝に達する直線状に連続する第２補助溝を形成することにより、前記第１補助溝と前記第２補助溝が連通して貫通スリットが形成されることを特徴とするチップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大判基板に複数組の電極や抵抗体等を形成した後、その大判基板を格子状に分割して個片化するようにしたチップ抵抗器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器は、セラミックスからなる直方体形状の絶縁基板と、絶縁基板の表面に所定間隔を存して対向配置された一対の表電極と、絶縁基板の裏面に所定間隔を存して対向配置された一対の裏電極と、表電極と裏電極を橋絡する端面電極と、対をなす表電極どうしを橋絡する抵抗体と、抵抗体を覆う絶縁性の保護膜等によって主に構成されている。
【０００３】
一般的に、このようなチップ抵抗器を製造する場合、大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を格子状に延びる１次分割溝と２次分割溝に沿って分割（ブレイク）することにより、個片化されたチップ単体を多数個取りするようになっている。これら１次分割溝と２次分割溝は大判基板に予め形成されたものであり、その形成方法としては、焼成前の大判基板（グリーンシート）に断面Ｖ字状の金型を型押してから焼成するという方法や、焼成後の大判基板にレーザー光を照射するという方法（レーザースクライブ法）が知られている。
【０００４】
また、このような分割溝を用いたブレイク方法の代わりに、特許文献１に記載されているように、分割溝が設けられていない大判基板に対して多数個分の電極と抵抗体および保護膜等を一括して形成した後、この大判基板を支持台に固定した状態で、ダイシングブレードを用いて大判基板を格子状に切断することによって、個片化されたチップ単体を多数個取りするというダイシング方法も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１７３２８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、大判基板に予め設けられた分割溝をブレイクするという分割方法では、断面Ｖ字状の分割溝を開くような曲げ応力を大判基板に加えてブレイクするため、分割溝の底部と基板面との間に存するセラミックスが基板面に対して直角にブレイクされず、当該部分が基板面に対してランダムな斜め方向にブレイク（変形割れ）されてしまい、それに伴ってチップ抵抗器の外形寸法にバラツキが発生することがある。このようなバラツキは外形寸法の大きなチップ抵抗器では寸法誤差範囲に収まるが、０４０２ｍｍサイズや０２０１ｍｍサイズといった超小型のチップ抵抗器の場合においては無視できないものとなる。
【０００７】
一方、特許文献１等に開示されたダイシングによる分割方法では、高速回転するダイヤモンドブレード等を用いて大判基板を切断するようになっているため、形状については高い寸法精度で加工することができる。しかし、高速回転するブレードを大判基板の一辺から対向辺まで走査することで１本の切断線が形成され、このような切断工程を１次分割と２次分割のそれぞれについて複数回行う必要があるため、全ての切断工程を終了させるのに多くのタクト時間が掛かってしまいという難点がある。また、ダイシングによってブレードの厚みに相当する切断代が大判基板から切除され、このような切断代を１次分割と２次分割のダイシング本数に合わせて大判基板に確保しておく必要があるため、生産効率が非常に悪いという問題もある。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、セラミックスからなる大判基板の表面における複数のチップ形成領域にそれぞれ電極と抵抗体を形成した後、前記抵抗体を覆うように絶縁性の保護膜を形成し、しかる後、前記大判基板を互いに直交する方向に１次分割と２次分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るようにしたチップ抵抗器の製造方法において、前記大判基板の表裏両面のいずれか一方側に固定基材を貼り付ける工程を備え、前記１次分割と前記２次分割の少なくとも一方が、前記大判基板にレーザー光を照射して貫通スリットを形成することによって行われ、この貫通スリットが前記大判基板を貫通して前記固定基材の途中まで達する直線状に連続するスリットであることを特徴としている。
【００１０】
このように大判基板の表裏両面のいずれか一方側に固定基材を貼り付け、この状態で大判基板の表面に電極と抵抗体および保護膜を形成した後、大判基板にレーザー光を照射して固定基材の途中まで達する直線状に連続する貫通スリットを形成することによって、１次分割と２次分割のいずれか一方または両方の分割を行うようにすると、レーザー光で切断した部分の基板分割を高い寸法精度にて行うことができると共に、当該部分の分割に伴う切断代はほとんど発生しなくなるため、生産効率が良く小型化にも好適なチップ抵抗器を提供することができる。
【００１１】
上記の製造方法において、大判基板の表面側に固定基材を貼り付けた後、大判基板の裏面側からレーザー光を照射して貫通スリットを形成するようにすると、抵抗体や保護膜がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減することができる。
【００１２】
また、上記の製造方法において、１次分割と２次分割のうち、いずれか一方が大判基板にレーザー光を照射して貫通スリットを形成することによって行われると共に、いずれか他方が大判基板をダイシングブレードで切断することによって行われると、ダイシングを用いた分割側の切断代によって生産効率はいくぶん低下するものの、ダイシングによる切断面の平滑度が向上するため、より一層寸法精度が高いチップ抵抗器を提供することができる。
【００１３】
また、上記の目的を達成するために、本発明によるチップ抵抗器の製造方法は、セラミックスからなる大判基板の表面における複数のチップ形成領域にそれぞれ電極と抵抗体を形成した後、前記抵抗体を覆うように絶縁性の保護膜を形成し、しかる後、前記大判基板を互いに直交する方向に１次分割と２次分割することにより、個片化された多数のチップ単体を得るようにしたチップ抵抗器の製造方法において、前記大判基板の表裏両面の一方側からレーザー光を照射して該大判基板の途中まで達する直線状に連続する第１補助溝を形成した後、前記大判基板の一方側の面に固定基材を貼り付け、この状態で前記大判基板の反対側からレーザー光を照射して前記第１補助溝に達する直線状に連続する第２補助溝を形成することにより、前記第１補助溝と前記第２補助溝が連通して貫通スリットが形成されるようにした。このようにすると、大判基板の一方面側からのみレーザー光を照射して貫通スリットを形成する場合に比べて、抵抗体や保護膜がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減できるだけでなく、レーザー光のビーム角に伴う第１補助溝と第２補助溝の傾斜方向が逆になるため、貫通スリットによる大判基板の面形状を平滑化することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ抵抗器の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図４】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図５】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図６】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器の平面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線に沿う断面図である。
【図９】図７のIX−IX線に沿う断面図である。
【図１０】該チップ抵抗器の製造工程を示す平面図である。
【図１１】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図１２】該チップ抵抗器の製造工程を示す断面図である。
【図１３】レーザースクライブ方法の変形例を示す平面図と断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図１〜図３に示すように、本発明の第１実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２と、これら表電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体３と、両表電極２の一部分と抵抗体３の全面を被覆する絶縁性の保護膜４と、絶縁基板１の裏面における長手方向両端部に設けられた一対の裏電極５と、絶縁基板１の長手方向両端部に設けられた一対の端面電極６と、これら端面電極６と表電極２および裏電極５の表面に被着された一対の外部電極７とによって主に構成されている。
【００１７】
絶縁基板１はセラミックスからなるアルミナ基板であり、この絶縁基板１は後述する大判基板を縦横に延びる１次分割予想ラインと２次分割予想ラインに沿ってレーザースクライブにより切断して多数個取りされたものである。
【００１８】
一対の表電極２と一対の裏電極５はＡｇ系ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、抵抗体３は酸化ルテニウム等の抵抗ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものである。この抵抗体３の長手方向の両端部はそれぞれ表電極２に重なっており、図示省略されているが、抵抗体３には抵抗値を調整するためのトリミング溝が形成されている。
【００１９】
保護膜４はアンダーコート層とオーバーコート層の２層構造からなり、そのうちアンダーコート層はガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させたものであり、オーバーコート層はエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させたものである。
【００２０】
一対の端面電極６はＮｉ−Ｃｒ等をスパッタしたものやＡｇペーストをディップして乾燥・焼成させたものであり、これら端面電極６は絶縁基板１の端面に形成されて表電極２と裏電極５を導通している。
【００２１】
一対の外部電極７はバリヤー層と外部接続層の２層構造からなり、そのうちバリヤー層は電解メッキによって形成されたＮｉメッキ層であり、外部接続層は電解メッキによって形成されたＳｎメッキ層である。
【００２２】
次に、上記の如く構成されたチップ抵抗器の製造方法について、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、図５は図４のＸ−Ｘ線に沿った断面図を示し、図６は図４のＹ−Ｙ線に沿った断面図をそれぞれ示している。
【００２３】
まず、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板１０を準備する。この大判基板１０に１次分割溝や２次分割溝は形成されていないが、図４（ｅ）と図４（ｉ）に示す後工程で大判基板１０は縦横方向に延びる１次分割ラインと２次分割ラインに沿ってレーザースクライブされ、これら両分割ラインによって区切られたマス目の１つ１つが１個分のチップ形成領域となる。
【００２４】
そして、このような大判基板１０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図４，５，６（ａ）に示すように、大判基板１０の表面に所定間隔を存し複数の表電極２を形成する。また、これに前後して大判基板１０の裏面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、大判基板１０の裏面に所定間隔を存し複数の裏電極５を形成する。
【００２５】
次に、大判基板１０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図４，５，６（ｂ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。なお、表電極２と抵抗体３の形成順序は上記と逆であっても良い。
【００２６】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図４，５，６（ｃ）に示すように、図の縦方向（Ｙ−Ｙ方向）に配列された各抵抗体３を帯状に覆う複数の保護膜４を形成する。
【００２７】
次に、図４，５，６（ｄ）に示すように、大判基板１０の裏面全体に接着剤１１を塗布し、この接着剤１１を介して固定基材１２を大判基板１０に貼り付けた後、接着剤１１を熱硬化させる。接着剤１１としては特定の溶剤によって洗浄可能なものが好ましく、本実施形態例の場合はアルコール系溶剤で溶けるシェラック樹脂が用いられている。また、固定基材１２としてはガラス等の硬質材料が好ましく、本実施形態例の場合は大判基板１０の材料と同じセラミックス基板が用いられている。
【００２８】
次に、大判基板１０の表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を一対の保護膜４で挟まれた表電極２の中央部を通る１次分割予想ラインに沿って走査することにより、図４，５，６（ｅ）に示すように、大判基板１０を貫通して固定基材１２の途中まで達する貫通スリット１３を形成する。この貫通スリット１３はレーザー光で切断するレーザースクライブ法によって形成されたものであるため、大判基板０の所定位置（１次分割予想ライン）に短時間で多数本の貫通スリット１３を高精度に形成することができる。
【００２９】
その際、照射されるレーザー光のビーム角に倣って貫通スリット１３の断面形状が楔形となるため、図５（ｅ）に示すように、貫通スリット１３のスリット幅は大判基板１０の表面側から裏面側に向かって次第に狭くなり、それに伴って大判基板１０の切断面は上方から下方に向かって拡がる傾斜面となる。
【００３０】
このように大判基板１０にレーザースクライブによって１次分割用の貫通スリット１３を形成した後、アルコール系溶剤で接着剤（シェラック樹脂）１１を洗浄して固定基材１２を大判基板１０から剥離することにより、図４，５，６（ｆ）に示すように、大判基板１０からチップ抵抗器とほぼ同一幅の短冊状基板１０Ａを得る。
【００３１】
しかる後、短冊状基板１０Ａの端面にＮｉ−Ｃｒをスパッタリングしたり、短冊状基板１０Ａの端面にＡｇペーストをディップ塗布して乾燥・焼成させることにより、図４，５，６（ｇ）に示すように、短冊状基板１０Ａの両端面に表電極２と裏電極５を導通する端面電極６を形成する。
【００３２】
次に、図４，５，６（ｈ）に示すように、短冊状基板１０Ａの裏面全体に接着剤１４を塗布し、この接着剤１４を介して固定基材１５を短冊状基板１０Ａに貼り付けた後、接着剤１を熱硬化させる。これら接着剤１４と固定基材１５は、図４，５，６（ｄ）に示す工程で用いられたものと同じものである。
【００３３】
次に、短冊状基板１０Ａの表面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を各抵抗体３の間に存する保護膜４を横切るように２次分割予想ラインに沿って走査することにより、図４，５，６（ｉ）に示すように、短冊状基板１０Ａを貫通して固定基材１５の途中まで達する貫通スリット１６を形成する。前述した１次分割用の貫通スリット１３と同様に、この貫通スリット１６もレーザー光で切断するレーザースクライブ法によって形成されたものであるため、短冊状基板１０Ａの所定位置（２次分割予想ライン）に短時間で複数数本の貫通スリット１６を高精度に形成することができる。
【００３４】
次に、アルコール系溶剤で接着剤１４を洗浄して固定基材１５を短冊状基板１０Ａから剥離することにより、図４，５，６（ｊ）に示すように、短冊状基板１０Ａからチップ抵抗器と同等の大きさの多数のチップ単体１０Ｂを得る。
【００３５】
最後に、個々のチップ単体１０Ｂに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極６と表電極２および裏電極５を被覆する外部電極（図示せず）を形成し、図１〜図３に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、大判基板１０の表面に表電極２と抵抗体３および保護膜４を形成した後、この大判基板１０を互いに直交する１次分割方向と２次分割方向に分割する際に、レーザー光の照射によって貫通スリット１３，１６を形成するというレーザースクライブ法を用いて１次分割と２次分割の両方を行うようにしたので、レーザー光で切断した部分の基板分割を高い寸法精度にて行うことができると共に、当該部分の分割に伴う切断代はほとんど発生しなくなり、生産効率が良く小型化にも対応可能なチップ抵抗器を提供することができる。
【００３７】
次に、本発明の第２実施形態例に係るチップ抵抗器について説明すると、図７〜図９に示すように、第２実施形態例に係るチップ抵抗器は、直方体形状の絶縁基板１と、絶縁基板１の表面における長手方向両端部に設けられた一対の表電極２と、これら表電極２に接続するように設けられた長方形状の抵抗体３と、両表電極２と抵抗体３の全面を被覆する絶縁性の保護膜４と、絶縁基板１の端面から裏面と保護膜４の上面まで回り込むように設けられた一対の端面電極６と、これら端面電極６の表面に被着された一対の外部電極７とによって主に構成されている。
【００３８】
この第２実施形態例が前述した第１実施形態例と大きく相違する点は、絶縁基板１が裏面側に裏電極を有していないことと、保護膜４が表電極２と抵抗体３の全面を被覆していると共に、この保護膜４の上面まで回り込むように端面電極が断面コ字状に形成されていることにあり、それ以外の構成は基本的に同様であるため、図１〜図３に対応する部分に同一符号を付すことで重複する説明は省略することとする。
【００３９】
次に、第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法について、図１０〜図１２を参照しながら説明する。なお、図１１は図１０のＸ−Ｘ線に沿った断面図を示し、図１２は図１０のＹ−Ｙ線に沿った断面図をそれぞれ示している。
【００４０】
まず、絶縁基板１が多数個取りされるセラミックスからなる大判基板２０を準備し、この大判基板２０の表面にＡｇ系ペーストを印刷して乾燥・焼成させることにより、図１０，１１，１２（ａ）に示すように、大判基板２０の表面に所定間隔を存し複数の表電極２を形成する。
【００４１】
次に、大判基板２０の表面に酸化ルテニウム等の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成させることにより、図１０，１１，１２（ｂ）に示すように、対をなす表電極２間に跨る複数の抵抗体３を形成する。なお、表電極２と抵抗体３の形成順序は上記と逆であっても良い。
【００４２】
次に、トリミング溝形成時の抵抗体３へのダメージを軽減するものとして、ガラスペーストをスクリーン印刷して乾燥・焼成することにより、表電極２と抵抗体３を覆う図示せぬアンダーコート層を形成した後、このアンダーコート層の上から抵抗体３にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。しかる後、アンダーコート層の上からエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１０，１１，１２（ｃ）に示すように、チップ形成領域内に位置する全ての表電極２と抵抗体３を覆う保護膜４を形成する。
【００４３】
次に、図１０，１１，１２（ｄ）に示すように、大判基板２０の表面側から保護膜４を覆うように接着剤２１を塗布し、この接着剤２１を介して固定基材２２を大判基板２０に貼り付けた後、接着剤２１を熱硬化させる。これら接着剤２１と固定基材２２は第１実施形態例で用いられたものと同じである。
【００４４】
次に、大判基板２０の裏面側からレーザー光を照射し、このレーザー光をＹ−Ｙ方向に配列された各表電極２の中央部を通る１次分割予想ラインに沿って走査することにより、図１０，１１，１２（ｅ）に示すように、大判基板２０を貫通して固定基材２２の途中まで達する貫通スリット２３を形成する。この貫通スリット２３はレーザー光で切断するレーザースクライブ法によって形成されたものであるため、大判基板２０の所定位置（１次分割予想ライン）に短時間で多数本の貫通スリット２３を高精度に形成することができる。
【００４５】
このように大判基板２０にレーザースクライブによって１次分割用の貫通スリット２３を形成した後、大判基板２０の裏面側からＸ−Ｘ方向に延びる２次分割予想ラインに沿ってダイシングブレードで切断することにより、図１０，１１，１２（ｆ）に示すように、Ｙ−Ｙ方向に配列された各抵抗体３を挟んだ位置で固定基材２２に達する多数本の分割溝２４を形成する。なお、かかるダイシングによる２次分割工程とレーザースクライブによる１次分割工程は順序逆であっても良い。また、これら１次分割予想ラインと２次分割予想ラインは大判基板２０に対して設定された仮想線であり、前述した第１実施形態例と同様に、大判基板２０に各分割予想ラインが形成されているわけではない。
【００４６】
しかる後、アルコール系溶剤で接着剤２１を洗浄して固定基材２２を大判基板２０から剥離することにより、図１０，１１，１２（ｇ）に示すように、チップ抵抗器と同等の大きさの多数のチップ単体２０Ｂを得る。
【００４７】
次に、チップ単体２０Ｂの端面に樹脂からなるＡｇペーストをディップ塗布して加熱硬化させることにより、図１０，１１，１２（ｈ）に示すように、チップ単体２０Ｂの両端面から裏面の途中位置と保護膜４の上面まで回り込む端面電極６を形成する。最後に、個々のチップ単体２０Ｂに対してＮｉ，Ｓｎ等の電解メッキを施すことにより、端面電極６を被覆する外部電極７を形成し、図７〜図９に示すようなチップ抵抗器が完成する。
【００４８】
以上説明したように、第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、レーザースクライブによって大判基板２０に貫通スリット２３を形成して１次分割を行い、２次分割についてはダイシングブレードで大判基板２０を切断するようにしたので、１次分割と２次分割の両方をレーザースクライブで行った場合に比べると、２次分割をダイシングで行った分だけタクト時間が長くなったり生産効率が低下するものの、ダイシングによる切断面の平滑度が向上するため、より一層寸法精度が高いチップ抵抗器を提供することができる。
【００４９】
また、第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、図１０，１１，１２（ｅ）に示すレーザースクライブ工程において、大判基板２０の裏面側からレーザー光を照射して貫通スリット２３を形成するようにしたので、抵抗体３や保護膜４がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減することができる。
【００５０】
なお、上記の第１および第２実施形態例に係るチップ抵抗器の製造方法では、大判基板の表面側と裏面側のいずれか一方からレーザー光を照射して貫通スリットを形成するようにしているが、図１３に示すように、大判基板の表裏両面側からレーザー光を照射して貫通スリットを形成するようにしても良い。
【００５１】
すなわち、図１３（ａ）に示すように、大判基板３０の表面に表電極２と抵抗体３および保護膜４を形成した後、保護膜４の上方から大判基板３０の表面に向けてレーザー光を照射し、このレーザー光を１次分割予想ラインと２次分割予想ラインに沿って走査することにより、大判基板３０の表面から途中まで達する複数本の第１補助溝３１ａ，３２ａを形成する。なお、図１３（ａ）において、左側上方は大判基板３０を真上から見た平面図、その下方はＸ−Ｘ線に沿った断面図、右方はＹ−Ｙ線に沿った断面図をそれぞれ示しており、以下に説明する図１３（ｂ），（ｃ）も同様である。
【００５２】
次に、図１３（ｂ）に示すように、大判基板３０の表面側から保護膜４を覆うように接着剤３３を塗布し、この接着剤３３を介して固定基材３４を大判基板３０に貼り付けた後、接着剤３３を熱硬化させる。これら接着剤３３と固定基材３４は第１および第２実施形態例で用いられたものと同じである。
【００５３】
しかる後、図１３（ｃ）に示すように、大判基板３０の裏面側からレーザー光を照射し、このレーザー光を１次分割予想ラインと２次分割予想ラインに沿って走査することにより、大判基板３０の裏面から途中まで達する複数本の第２補助溝３１ｂ，３２ｂを形成する。これにより、第１補助溝３１ａと第２補助溝３１ｂの先端部どうしが連通して１次分割用の貫通スリット３１が形成されると共に、第１補助溝３２ａと第２補助溝３２ｂの先端部どうしが連通して２次分割用の貫通スリット３２が形成される。
【００５４】
このように大判基板３０の表面と裏面の両側からレーザー光を照射して貫通スリット３１，３２を形成すると、大判基板３０の一方面側からのみレーザー光を照射して貫通スリットを形成する場合に比べて、抵抗体３や保護膜４がレーザー光の熱によってダメージを受ける影響を軽減できるだけでなく、レーザー光のビーム角に伴う第１補助溝３１ａ，３２ａと第２補助溝３１ｂ，３２ｂの傾斜方向が逆になるため、貫通スリット３１，３２による大判基板３０の切断面形状を平滑化することができる。
【符号の説明】
【００５５】
１  絶縁基板
２  表電極
３  抵抗体
４  保護膜
５  裏電極
６  端面電極
７  外部電極
１０，２０，３０  大判基板
１０Ａ  短冊状基板
１０Ｂ，２０Ｂ  チップ単体
１１，１４，２１，３３  接着剤
１２，１５，２２，３４  固定基材
１３，１６，２３，３１，３２  貫通スリット
２４  分割溝
３１ａ，３２ａ  第１補助溝
３１ｂ，３２ｂ  第２補助溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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