(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層の上にＰＥＴフィルムによる保護層が形成され、前記保護層および前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射し、前記保護層によって前記貫通孔の周辺部を含む前記絶縁層の表面を保護しつつ、前記配線基板材料のデスミア処理を行う光照射工程と、
前記配線基板材料から前記保護層が剥離された前記配線基板材料に対して、前記貫通孔の底を含む表面と前記絶縁層の表面とに、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記光照射工程の後に、前記配線基板材料から前記保護層を剥離する剥離工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記導電層の上に前記絶縁層が積層され、該絶縁層の上に前記保護層が形成された前記配線基板材料に対してレーザ光を照射することにより、前記保護層および前記絶縁層を貫通する前記貫通孔を形成する貫通工程をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層と導電層とが積層されてなる配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線基板に対して多層配線構造の検討が行われている。多層配線基板では、複数の導電層の間に絶縁層が形成されており、導電層間の導通をとるために、絶縁層にはビアホールとよばれる微細な貫通孔が形成される。ビアホール内には、めっき処理などにより導電層が積層される。
ビアホールは、例えばレーザ加工により形成することができるが、ビアホールを形成すると、ビアホールの底にスミアと呼ばれる残渣が発生する。このスミアが残存していると導電層とめっき層との間の接続状態が悪くなり、基板全体の性能に影響を及ぼすこととなる。そこで、従来は、プラズマ処理や薬液処理によりスミアを除去するデスミア処理がなされていた。
【０００３】
特許文献１には、めっき層を絶縁層に強固に結合させるためのカップリング剤を絶縁層に有効に結合させるために、絶縁層表面部に水酸基を形成可能な粒子を埋め込む点が開示されている。ここでは、絶縁層表面部に埋め込んだ粒子が除去されないように、絶縁層表面に保護層を取り付け、当該保護層を取り付けたままビアホールを形成し、薬液によるデスミア処理（ウェットデスミア処理）もしくはプラズマによるデスミア処理（プラズマデスミア処理）を行った後、保護層を除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１７１５２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、半導体素子は小型化傾向にあり、配線基板も微細化が求められている。しかしながら、絶縁層の表面が荒れていると、その上に形成する配線パターン、特に、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１０／１０μｍ以下の微細配線パターンが立たなくなり、配線基板を微細化することができない。
上記特許文献１に記載の技術では、絶縁層表面に保護層を付したままデスミア処理を行うとしているが、デスミア処理としてウェットデスミア処理やプラズマデスミア処理を採用しているため、適切に絶縁層表面の粗化を抑制することができない。
【０００６】
絶縁層と保護層との間には、僅かに隙間が形成される。そのため、ウェットデスミア処理の場合、薬液が絶縁層と保護層との間に侵入し、ビアホールの周辺において不所望な絶縁層表面の荒れが生じる場合がある。また、場合によっては保護層が絶縁層表面から剥離し、絶縁層の表面全体が荒れてしまう。プラズマデスミア処理の場合には、保護層がプラズマに曝されることで保護層の端部が浮いてしまい、保護層が浮いた部分の絶縁層がプラズマによりエッチングされて荒れてしまう場合がある。
そこで、本発明は、絶縁層表面を粗化することなく適切にデスミア処理を行うことを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る配線基板の製造方法の一態様は、導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層の上にＰＥＴフィルムによる保護層が形成され、前記保護層および前記絶縁層を貫通する貫通孔が形成された配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射し、前記保護層によって前記貫通孔の周辺部を含む前記絶縁層の表面を保護しつつ、前記配線基板材料のデスミア処理を行う光照射工程と、前記配線基板材料から前記保護層が剥離された前記配線基板材料に対して、前記貫通孔の底を含む表面と前記絶縁層の表面とに、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程と、を含む。
このように、紫外線によるデスミア処理を行うので、保護層の浮きや剥離を生じさせることがなく、適切に絶縁層表面を保護しつつ、貫通孔（ビアホール）のスミアを除去することができる。したがって、絶縁層表面の粗化を抑制することができ、微細配線パターンの形成が可能な配線基板を作製することができる。さらに、紫外線によるデスミア処理を行うことで、ビアホールの形状を維持したまま適切にデスミア処理を行うことができるので、高密度（高集積）な微細配線基板の作製も可能となる。
【０００８】
また、上記の配線基板の製造方法において、前記光照射工程の後に、前記配線基板材料から前記保護層を剥離する剥離工程をさらに含んでいてもよい。このように、光照射工程中は保護層を付したままとし、光照射工程の後に保護層を剥離するので、確実に絶縁層表面の粗化を抑制することができる。
さらに、上記の配線基板の製造方法において、前記導電層の上に前記絶縁層が積層され、該絶縁層の上に前記保護層が形成された前記配線基板材料に対してレーザ光を照射することにより、前記保護層および前記絶縁層を貫通する前記貫通孔を形成する貫通工程をさらに含んでいてもよい。このように、保護層を付したまま配線基板材料に対してビアホールを形成することで、ビアホールの小径化および小テーパー化を実現することができる。したがって、この貫通工程の後に光照射工程を行うことで、小径化および小テーパー化されたビアホールの形状を維持したままデスミア処理を行うことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、絶縁層表面を粗化することなく、また、ビアホールの形状を維持したまま適切にデスミア処理を行うことができるので、高密度（高集積）な微細配線基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第一の実施形態の配線基板の製造方法を示す図である。
【図２】デスミア処理後の配線基板の製造方法を示す図である。
【図３】ウェットデスミア処理の問題点を説明する図である。
【図４】プラズマデスミア処理の問題点を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態の配線基板の製造方法を示す図である。本実施形態において、製造対象の配線基板は、コア基板上に導電層（配線層）と絶縁層とを積層してなる多層配線基板である。コア基板は、例えばガラスエポキシ樹脂などによって構成されている。導電層（配線層）を構成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、亜鉛などを用いることができる。
絶縁層は、例えば無機物質よりなる粒状フィラーが含有された樹脂などによって構成されている。このような樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂などを用いることができる。また、粒状フィラーを構成する材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタンなどを用いることができる。
【００１２】
多層配線基板を製造する場合、先ず、図１（ａ）に示すように、導電層１１と絶縁層１２とが積層されてなる配線基板材料を形成する。導電層１１の上に絶縁層１２を形成する方法としては、液状の熱硬化性樹脂中に粒状フィラーが含有されてなる絶縁層形成材料を塗布した後、当該絶縁層形成材料を硬化処理する方法や、粒状フィラーが含有された絶縁シートを熱圧着等によって貼り合わせる方法などを利用することができる。絶縁層１２の表面には、導電層１１の上に絶縁層１２を形成する過程で絶縁層１２を保護するために用いられる保護層１３が形成されている。保護層１３は、例えばＰＥＴフィルムなどにより構成することができる。
【００１３】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁層１２を、保護層１３の上からレーザＬを照射して加工することにより、導電層１１に到達する深さのビアホール（貫通孔）１２ａを形成する。レーザ加工の方法としては、ＣＯ2レーザを用いる方法や、ＵＶレーザを用いる方法などを利用することができる。このように、保護層１３を介して絶縁層１２を貫通するビアホール１２ａを形成することで、保護層１３を絶縁層１２から剥離してからビアホール１２ａを形成する場合よりも形の良いビアホール１２ａが得られる。
ここで、ビアホール１２ａの形が良いとは、ビアホール１２ａの内壁面（サイドウォール）のテーパー角が小さく、ビアホール１２ａが円柱形状に近い形状を有することをいう。レーザ加工によりビアホール１２ａを形成する場合、レーザ光を集光させて配線基板材料に照射する。本実施形態のように、保護層１３を付したまま配線基板材料にビアホール１２ａを形成する場合、保護層１３が剥離された配線基板材料にビアホール１２ａを形成する場合と比較して、保護層１３の厚みの分だけ焦点距離を長くすることができる。そのため、保護層１３を付したまま配線基板材料にビアホール１２ａを形成すると、テーパー角の小さい形の良いビアホール１２ａが得られる。
【００１４】
ビアホール１２ａを形成すると、絶縁層１２におけるビアホール１２ａのサイドウォール、保護層１３の表面におけるビアホール１２ａの周辺領域、およびビアホール１２ａの底部、即ち導電層１１におけるビアホール１２ａによって露出した部分などには、絶縁層１２を構成する材料に起因するスミア（残渣）Ｓが生じる。
そこで、図１（ｃ）に示すように、スミアＳを除去する処理（デスミア処理）を行う。本実施形態では、デスミア処理として、被処理部分に対して紫外線（ＵＶ）を照射することでスミアＳを除去する、所謂フォトデスミア処理を用いる。より具体的には、デスミア処理では、配線基板材料の被処理部分に対して上記の紫外線を照射する光照射処理（フォトデスミア処理）と、この光照射処理の後、配線基板材料に物理的振動を与える物理的振動処理とを行う。なお、本実施形態では、保護層１３を絶縁層１２に取り付けたままデスミア処理を行う。
【００１５】
ここで、フォトデスミア処理について詳細に説明する。
フォトデスミア処理は、例えば大気などの酸素を含む雰囲気下において行うことができる。紫外線光源としては、波長２２０ｎｍ以下、好ましくは１９０ｎｍ以下の紫外線（真空紫外線）を出射する種々のランプを利用できる。例えば、紫外線光源としては、キセノンガスを封入したキセノンエキシマランプ（ピーク波長１７２ｎｍ）、低圧水銀ランプ（１８５ｎｍ輝線）などを用いることができる。なかでも、デスミア処理に用いる紫外線光源としては、例えばキセノンエキシマランプが好適である。ここで、波長２２０ｎｍ以下としたのは、紫外線の波長が２２０ｎｍを超える場合には、樹脂などの有機物質に起因するスミアを分解除去することが困難となるためである。
【００１６】
有機物質に起因するスミアは、フォトデスミア処理において、波長２２０ｎｍ以下の紫外線を照射することにより、紫外線のエネルギーおよび紫外線の照射に伴って生ずるオゾンや活性酸素によって分解される。また、無機物質に起因するスミア、具体的にはシリカやアルミナは、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。なお、紫外線の照度や紫外線の照射時間などは、スミアＳの残留状態などを考慮して適宜設定することができる。
【００１７】
次に、フォトデスミア処理（光照射処理）で残ったスミアＳを除去するために、配線基板材料に物理的振動を与える不図示の物理的振動処理が行われる。物理的振動処理は、例えば超音波振動処理によって行うことができる。超音波振動処理における超音波の周波数は、例えば２０ｋＨｚ以上７０ｋＨｚ以下であることが好ましい。超音波の周波数が７０ｋＨｚを超えると、無機物質に起因するスミアを破壊して配線基板材料から離脱させることが困難となるためである。
このような超音波振動処理においては、超音波の振動媒体として、水などの液体および空気などの気体を用いることができる。
具体的に説明すると、振動媒体として例えば水等を用いる場合には、配線基板材料を、当該水中に浸漬し、この状態で、当該水を超音波振動させることにより、超音波振動処理を行うことができる。超音波の振動媒体として液体を用いる場合には、超音波振動処理の処理時間は、例えば１０秒間〜６００秒間である。
【００１８】
また、振動媒体として空気を用いる場合には、圧縮空気を超音波振動させながら配線基板材料に吹きつけることにより、超音波振動処理を行うことができる。ここで、圧縮空気の圧力は、例えば０．２ＭＰａ以上であることが好ましい。また、圧縮空気による超音波振動処理の処理時間は、例えば５秒間〜６０秒間である。
フォトデスミア処理および物理的振動処理は、上記の順でそれぞれ１回ずつ行ってもよいが、フォトデスミア処理および物理的振動処理を交互に繰り返して行うことが好ましい。ここで、フォトデスミア処理および物理的振動処理の繰り返し回数は、各フォトデスミア処理における紫外線の照射時間などを考慮して適宜設定されるが、例えば１回〜５回である。
【００１９】
このように、フォトデスミア処理において、酸素を含む処理気体に紫外線を照射することにより、オゾンや活性酸素が生じ、有機物質に起因するスミアＳは、オゾンや活性酸素によって分解されてガス化される。その結果、有機物質に起因するスミアＳは、その大部分が除去される。このとき、無機物質に起因するスミアＳは、有機物質に起因するスミアＳの除去により露出し、さらに、紫外線が照射されることによって脆いものとなる。そして、その状態のスミアＳに物理的振動処理を施すことにより、露出した無機物質に起因するスミアＳや有機物質に起因するスミアＳの残部は、振動による機械的作用によって破壊され、除去される。或いは、無機物質に起因するスミアＳの収縮や、各スミアＳに紫外線を照射したときに発生する熱膨張の差などによって、スミア間にわずかな隙間が生じ、無機物質に起因するスミアＳは、物理的振動処理を施すことにより配線基板材料から離脱する。その結果、配線基板材料から無機物質に起因するスミアＳと、有機物質に起因するスミアＳとが完全に除去される。
【００２０】
また、本実施形態におけるデスミア処理によれば、配線基板材料に対して光照射処理および物理的振動処理を行えばよいので、廃液処理が必要となる薬品を用いなくてよい。
フォトデスミア処理が完了すると、図１（ｄ）に示すように、絶縁層１２の上面から保護層１３を剥離する。
保護層１３を剥離した後は、図２（ａ）に示すように、絶縁層１２の上面およびビアホール１２ａの内面に、めっき層の下地となる５０ｎｍ程度のシード層１４を形成する。シード層１４の形成方法としては、例えばＴｉ（チタン）を用いたスパッタリング（ＳＰ）を用いることができる。次に、図２（ｂ）に示すように、シード層１４の上にレジストパターンＲを形成する。レジストパターンＲの形成方法としては、例えば、シード層１４の上にレジストを塗布した後、露光・現像によってパターンを形成する方法を用いることができる。
【００２１】
次に、図２（ｃ）に示すように、シード層１４の上に、例えば電解めっきにより、ビアホール１２ａ内からレジストパターンＲの開口部にかけてめっき層１５を形成する。めっき層１５としては、例えば、Ｃｕ（銅）などからなる層（２０μｍ〜５０μｍ程度）を用いることができる。このようにして形成されるめっき層１５は、導電層１１の上層の配線層となるものであり、ビアホール１２ａの底で導電層１１に接続される。その後、図２（ｄ）に示すように、レジストパターンＲを除去し、次いで、図２（ｅ）に示すように、めっき層１５をマスクにしてシード層１４を除去（フラッシュエッチング）する。その後は、めっき層１５の上から絶縁層がラミネートされる（不図示）。
なお、図１に示す各工程のうち、図１（ｂ）に示す工程が、貫通孔を形成する貫通工程に対応し、図１（ｃ）に示す工程が、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射する光照射工程に対応している。また、図２（ｃ）に示す工程が、導電材料からなるめっき層を形成するめっき工程に対応している。
【００２２】
このように、本実施形態では、導電層１１の上に絶縁層１２が積層され、該絶縁層１２の上に保護層１３が形成され、保護層１３および絶縁層１２を貫通する貫通孔（ビアホール）１２ａが形成された配線基板材料に対して、フォトデスミア処理を行う。つまり、保護層１３をマスクにして配線基板材料に対して紫外線を照射することで、ビアホール１２ａ内をデスミア処理する。そして、フォトデスミア処理によってスミアＳを除去した後、絶縁層１２の上から保護層１３を剥離し、めっき層１５を形成する。
したがって、フォトデスミア処理中は保護層１３によって絶縁層１２表面を保護し、絶縁層１２表面の粗化を抑制することができる。また、デスミア処理として紫外線を用いたフォトデスミア処理を行うので、ビアホール１２ａの形状を維持したまま適切にスミアを除去することができる。
【００２３】
従来、デスミア処理としては、過マンガン酸カリウム溶液などの薬液によるデスミア処理（ウェットデスミア処理）や、プラズマによるデスミア処理（プラズマデスミア処理）が行われていた。しかしながら、これら従来のデスミア処理においては、ビアホールの形状を維持したままデスミア処理を行うことができない。
図３は、ウェットデスミア処理の説明図であり、図４は、プラズマデスミア処理の説明図である。ここでは、導電層１１１の上に絶縁層１１２が積層され、絶縁層１１２の上に保護層１１３が形成され、保護層１１３および絶縁層１１２を貫通するビアホール１１２ａが形成された配線基板材料１００に対して、それぞれデスミア処理を行った場合について説明する。
【００２４】
図３（ａ）に示すように、配線基板材料１００を過マンガン酸カリウム溶液などの薬液に浸した場合、ビアホール１１２ａ内が薬液によって荒らされ、ビアホール１１２ａの形状が崩れてしまう。また、このウェットデスミア処理の場合、図３（ｂ）に示すように、絶縁層１１２と保護層１１３との間に形成された僅かな隙間から上記溶液が侵入することで、ビアホール１１２ａの周辺において絶縁層１１２の表面が荒れてしまう。場合によっては、保護層１１３が絶縁層１１２から剥がれてしまい、保護層１１３が絶縁層１１２から剥離された状態でウェットデスミア処理がなされることで、図３（ｃ）に示すように絶縁層１１２の表面全体が荒れてしまう虞もある。
また、図４（ａ）に示すように、配線基板材料１００をプラズマＰに曝した場合、保護層１１３がプラズマＰに曝されることで、図４（ｂ）に示すように、保護層１１３の端部が浮いてしまう。すると、保護層１１３が浮いた部分の絶縁層１１２がプラズマＰによりエッチングされ、ビアホール１１２ａの形状が崩れてしまう。
【００２５】
これに対して、本実施形態では、デスミア処理としてフォトデスミア処理を行うため、ビアホールの内壁面やビアホールの開口部周辺が侵食されることがなく、ビア形状を維持することができる。また、フォトデスミア処理の場合、保護層１３の浮きや剥離が生じないため、フォトデスミア処理が終了するまで、絶縁層１２上に保護層１３を適切に取り付けておくことができる。そのため、絶縁層１２表面の粗化を確実に抑制することができる。
【００２６】
近年、半導体素子は小型化傾向にあり、配線基板も微細化が求められている。ところが、絶縁層表面が荒れていると、絶縁層の上に、例えばＬ／Ｓ（ライン／スペース）＝１０／１０μｍ以下の微細配線パターンが立たなくなり、配線基板を微細化することができない。これに対して本実施形態では、上述したように絶縁層１２の表面が粗化することを抑制し、絶縁層１２表面を平滑に保つことができる。したがって、平滑に保たれた絶縁層１２表面に配線パターンを形成することができる。そのため、絶縁層１２上に微細配線パターンを立たせることができ、微細配線基板を適切に作製することができる。
【００２７】
さらに、配線基板は更なる高密度化（高集積化）の要望に伴い、配線パターンの細線化だけでなく、ビアホールの小径化も望まれており、特に小テーパー化、即ち円柱形状に近いビアホールが望まれている。本実施形態では、導電層１１の上に絶縁層１２が積層され、絶縁層１２の上に保護層１３が形成された配線基板材料に対してレーザ光を照射することにより、保護層１３および絶縁層１２を貫通する貫通孔（ビアホール）１２ａを形成する。このように、保護層１３を介してレーザ加工によりビアホール１２ａを形成するので、ビア形状の小径化および小テーパー化を実現することができる。
ところで、ウェットデスミア処理は、過マンガン酸カリウム溶液などの薬液を用いるため、小径ビアをデスミア処理しようとした場合、薬液がビア内に浸透しにくく、適切にスミアが除去できない虞がある。また、プラズマデスミア処理は、指向性の高いプラズマを用いるため、小テーパー化されたビアをデスミア処理しようとした場合、サイドウォールのスミアが除去しにくい。
【００２８】
これに対して、本実施形態では、酸素を含む処理気体の雰囲気中で紫外線を照射するフォトデスミア処理を行う。このフォトデスミア処理では、オゾンや酸素ラジカル等の活性種を発生させ、ビアホール内に侵入させることができる。そのため、小径化および小テーパー化されたビアホールであっても、ビア形状を維持したまま適切にスミアを除去することができる。したがって、信頼性の高い高密度（高集積）な微細配線基板の作製が可能となる。
なお、上記実施形態においては、フォトデスミア処理の後に物理的振動処理を行う場合について説明したが、物理的振動処理は必須ではない。例えば絶縁層がフィラーを有さない絶縁層である場合などには物理的振動処理を省略することができる。
また、ビアホール１２ａを形成する方法は、レーザ加工に限定されるものではなく、例えばドリル加工などを用いてもよい。ビアホール１２ａを形成する方法は、ビアホール１２ａの開口径などに応じて適宜選択可能である。
【００２９】
（実施例）
次に、本発明の効果を確認するために行った実施例について説明する。
＜配線基板材料＞
先ず、ガラスエポキシ樹脂と銅からなるプリプレグのコア材に、２５μｍのエポキシ樹脂を両面真空ラミネートし、高圧プレスとベーキングにより作成した積層体を用意した。表面にＰＥＴフィルムによる保護層が設けられた積層体に、ビア加工機（ＣＯ2レーザもしくはＵＶレーザ）によってレーザ加工を施すことにより、ブラインドビアを、５００μｍピッチで格子状に作成した。ビア開口径は、φ５０μｍとした。このようにして、配線基板材料を得た。
＜実施例＞
上記配線基板材料に対し、保護層（ＰＥＴ）を取り付けたまま、波長１７２ｎｍの紫外線を用いたフォトデスミア処理を施した。
【００３０】
＜比較例１＞
上記配線基板材料に対し、保護層（ＰＥＴ）を剥離した後、波長１７２ｎｍの紫外線を用いたフォトデスミア処理を施した。
＜比較例２＞
上記配線基板材料に対し、保護層（ＰＥＴ）を取り付けたまま、プラズマを利用したプラズマデスミア処理を施した。
＜比較例３＞
上記配線基板材料に対し、保護層（ＰＥＴ）を取り付けたまま、過マンガン酸液を利用したウェットデスミア処理を施した。
【００３１】
上記の実施例、比較例１〜３について、デスミア処理前後のビアの開口径Ｄtop（Ｄｉａｍｅｔｅｒ±３σ）［μｍ］、ビア底の径Ｄbtm（Ｄｉａｍｅｔｅｒ±３σ）［μｍ］、基板のビア周辺部の表面粗さＲａ［ｎｍ］をそれぞれ測定した。その結果を表１に示す。ここで、ビア周辺部の表面粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に準拠して測定された算術平均粗さである。なお、表１においては、デスミア処理前（Ｂｅｆｏｒｅ）のビアの開口径をＤtopＢ、デスミア処理前（Ｂｅｆｏｒｅ）のビア底の径をＤbtmＢ、デスミア処理後（Ａｆｔｅｒ）のビアの開口径をＤtopＡ、デスミア処理後（Ａｆｔｅｒ）のビア底の径をＤbtmＡとしている。また、表１には、ビアの開口径Ｄtopおよびビア底の径Ｄbtmのデスミア処理前後の変化を直径比（処理後／処理前）として示した。
【００３２】
さらに、上記の実施例、比較例１〜３について、デスミア処理前後のビアホールのテーパー角度ＴＡ[°]およびこれらの比率をそれぞれ測定した。その結果を表２に示す。ここで、テーパー角ＴＡは、ＪＩＳ  Ｂ０６１２に準拠して算出した値である。なお、表２においては、デスミア処理前（Ｂｅｆｏｒｅ）のビアホールのテーパー角度をＴＡＢ、デスミア処理後（Ａｆｔｅｒ）のビアホールのテーパー角度をＴＡＡ、これらの比率をＴＡＡ／ＴＡＢとしている。
【００３３】
【表１】
0006672895.tif 000002
【００３４】
【表２】
0006672895.tif 000003
【００３５】
表１に示すように、デスミア処理前のビア径および表面粗さは、全ての例においてほぼ同等の値である。
表１に示した直径比より、実施例、比較例１のフォトデスミア処理では、デスミア処理後にビア開口側とビア底側とで径が広がっているが、その拡大量は小さいことがわかる。また、ビア開口径Ｄtopとビア底径Ｄbtmとは、それぞれ同程度の比率で拡大しており、表２に示したビアホールのデスミア処理前のテーパー角ＴＡＢからデスミア処理後のテーパー角ＴＡＡの変化を表したＴＡＡ／ＴＡＢの値も小さく、ビア形状が相似形に拡大しているといえる。すなわち、ビア形状を良好に維持しているといえる。
【００３６】
比較例２のプラズマデスミア処理では、デスミア処理後にビア開口側とビア底側とで大きく径が広がっている。また、表１の直径比よりビア底径Ｄbtmの拡大比率よりも、ビア開口径Ｄtopの拡大比率の方が大きく、表２のＴＡＡ／ＴＡＢの値も大きく、デスミア処理後にビア形状のテーパー角度が大きくなっていることがわかる。すなわち、ビア形状は維持されていない。
比較例３のウェットデスミア処理では、デスミア処理後のビア径は、全ての例の中で最も大きく拡大しており、ビア形状のテーパー角度も大きくなっている。すなわち、ビア形状は維持されていない。
また、デスミア処理後の基板のビア周辺部の表面粗さについては、実施例のフォトデスミア処理では、デスミア処理中に保護層が剥がれることもなく、保護層によって基板表面を保護したままデスミア処理を行うことができたために、ビア周辺部の表面粗さを維持することができている。
【００３７】
比較例１のフォトデスミア処理では、絶縁層表面が保護層の保護作用を受けていないため、若干表面が荒れている。ただし、表面の荒れ方は小さく、適度な荒れといえる。これに対して、比較例２のプラズマデスミア処理および比較例３のウェットデスミア処理では、フォトデスミア処理と比較してビア周辺部の表面の荒れ方が非常に大きい。つまり、プラズマデスミア処理やウェットデスミア処理では、絶縁層表面に保護層を取り付けてデスミア処理を行っても、デスミア処理中に保護層がビア周辺部で浮いてしまったり、或いは全て剥離されてしまったりして、ビア周辺のみならず、基板表面全体が大きく荒らされてしまう虞があるといえる。
【００３８】
このように、実施例のフォトデスミア処理では、保護層が剥がれることなく、絶縁層表面の粗化を確実に抑制できることが確認できた。また、フォトデスミア処理は、ウェットデスミア処理やプラズマデスミア処理と比較して、保護層による保護作用を受けなくても基板表面の粗化を抑制できることが確認できた。つまり、実施例のフォトデスミア処理では、保護層の保護作用を受けないビアホール内についても粗化が抑制され、ビア形状を維持できることが確認できた。
【００３９】
以上説明したように、導電層の上に絶縁層が積層され、該絶縁層の上に保護層が形成された配線基板材料に対してレーザ光を照射して、保護層および絶縁層を貫通するビアホールを形成することで、ビアホールの小径化および小テーパー化を実現することができる。また、上記のビアホールが形成された配線基板材料に対して、酸素を含んだ雰囲気中で紫外線を照射するフォトデスミア処理を行うことで、小径化および小テーパー化されたビアホールの形状および表面粗さを維持しつつ、適切にデスミア処理を行うことができる。したがって、配線基板の微細化および高密度化（高集積化）を実現することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１１…導電層、１２…絶縁層、１２ａ…ビアホール、１３…保護層、１４…シード層、１５…めっき層、Ｌ…レーザ、Ｒ…レジストパターン、Ｓ…スミア
【図１】
0006672895.tif 000004
【図２】
0006672895.tif 000005
【図３】
0006672895.tif 000006
【図４】
0006672895.tif 000007