(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた密着層と、
前記密着層に設けられた金属層と、
を備え、
前記密着層は酸化還元層を有することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記酸化還元層のうち、前記金属層との境界では、前記金属層を構成する金属と当該金属の金属酸化物とが混在していることを特徴とする請求項１に記載の基板。
【請求項３】
前記酸化還元層のうち、前記金属層との境界では、前記酸化還元層を構成する第一材料と当該第一材料の還元物とが混在していることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の基板。
【請求項４】
前記酸化還元層は、酸化還元本体層と、前記酸化還元本体層の前記金属層側に設けられた境界層とを有し、
前記境界層では、前記金属層を構成する金属と当該金属の金属酸化物とが混在している、又は、前記酸化還元層を構成する第一材料と当該第一材料の還元物とが混在していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板。
【請求項５】
前記酸化還元本体層は、前記絶縁層に直接設けられることを特徴とする請求項４に記載の基板。
【請求項６】
前記金属層はパターニングされた導体からなり、
前記導体は、底面及び側面の少なくとも一部が、前記密着層のおもて面よりも裏面側に位置していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板。
【請求項７】
前記導体の側面及び底面に前記密着層が設けられることを特徴とする請求項６に記載の基板。
【請求項８】
前記導体の側面に前記密着層が設けられ、前記導体の底面に密着層が設けられないことを特徴とする請求項６に記載の基板。
【請求項９】
前記絶縁層は、積層された複数の積層絶縁層を有し、
前記密着層は、積層された複数の積層密着層を有し、
前記積層絶縁層に前記積層密着層が設けられ、
前記積層密着層に前記金属層が設けられることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の基板と、
前記基板に設けられた電子部品と、
を備え、
前記金属層はパターニングされた導体からなり、
前記電子部品は前記導体に設けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子装置を備えた実装装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、電子部品搭載用基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置の高密度実装に伴い、電子部品搭載用基板にも導体の高密度化、小型化、薄型化、多層化が要求されるようになってきた。導体を高密度に実装したり、小型化をすると、絶縁層と絶縁層上に形成された導体との密着性が十分でない場合は、絶縁層と導体との間の密着が不十分となる。また、導体が絶縁層内で多層となっている場合は、絶縁層と導体との間の密着が不十分となる。【０００３】
導体を形成するために、セミアディティブ法を利用する場合には、絶縁層を加熱することによって、絶縁層と導体との密着性を向上させる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１６９６００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、薄いプリント基板を作ろうとしたり、あるいはセミアディティブ法などで絶縁層の表面と導体とを密着させようとすると、絶縁層と導体との密着性を十分に確保できない。あるいは、絶縁層が薄い場合は、導体の剥離が生じ易くなる場合が多かった。絶縁層と導体との密着性が不十分な場合は、そもそもプリント基板の製造が不可能であったり、製造できたとしても製造歩留りの悪化が避けられないという課題があった。【０００６】
そこで、前記課題を解決するために、本開示は、電子部品搭載用基板の密着性を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、絶縁層と導体の間に、これらの密着強度を高めるための密着層を形成することとした。また、絶縁層及び導体の組合せの層が絶縁層上に１層以上形成されている場合は、少なくともいずれかの組合せの層に含まれる絶縁層と導体の間に、これらの密着強度を高めるための密着層を形成することとした。【０００８】
本開示に記載の電子部品搭載用基板は、電子部品を搭載可能な基板であり、絶縁層上に導体が形成されていればよい。本開示では、絶縁層上に導体が形成されている基板を、電子部品搭載用基板と称することとする。さらに本開示は、本開示に係る電子部品搭載用基板の搭載された、電子部品、電子デバイス、及び実装装置を含む。例えば、本開示に係る実装装置は、本開示に係る電子部品搭載用基板と、前記電子部品搭載用基板を用いて予め定められた処理を実行する電子部品と、を備える任意の装置である。このように、本開示は、電子部品搭載用基板を用いて動作するあらゆる電子部品、電子デバイス、及び装置に適用できる。
【発明の効果】
【０００９】
本開示によれば、絶縁層又は絶縁層と導体との間に密着層を備えるため、電子部品搭載用基板の密着性すなわちピール強度を向上することができる。これにより、本開示は、電子部品搭載用基板の製造時における歩留り率の低下を防ぐとともに、電子部品搭載用基板の耐久性を向上し、電子部品搭載用基板の品質を総合的に向上することができる。さらに本開示は、本開示の配線基板を用いて動作する電子部品、電子デバイス、及び装置の信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】密着層形成工程及び導体形成工程を説明する図である。
【図２】加熱工程を説明する図である。
【図３】押し込み工程を説明する図である。
【図４】加熱手順を説明する図である。
【図５】加熱手順を説明する図である。
【図６】加熱手順を説明する図である。
【図７】加熱手順を説明する図である。
【図８】加熱手順を説明する図である。
【図９】加熱したときの模式図を説明する図である。
【図１０】導体の押し込み後の状態を説明する図である。
【図１１】導体の押し込み後の状態を説明する図である。
【図１２】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１３】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１４】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１５】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１６】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１７】一部又は全部の絶縁性物質による密着層に上層を形成する工程を説明する図である。
【図１８】導体の押し込み後の状態を説明する図である。
【図１９】導体の押し込み後の状態を説明する図である。
【図２０】ＶＩＡ形成工程を説明する図である。
【図２１】第２の実施形態に係る電子部品搭載用基板の一例を示す。
【図２２】密着層及び導体の境界部分の拡大図を示す。
【図２３】凹凸の第１例を示す拡大図である。
【図２４】凹凸の第２例を示す拡大図である。
【図２５】密着層の表面での凹凸の規則性の一例を示す。
【図２６】第２の実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法を説明する。
【図２７】第４の実施形態で採用されうる基板の断面図である。
【図２８】第４の実施形態で採用されうるアンカー体である網目状部材の平面図である。
【図２９】第４の実施形態において、金属層をパターニングしたときにアンカー体が除去されていない態様を示した断面図である。
【図３０】第４の実施形態において、金属層をパターニングしたときにアンカー体が除去されている態様を示した断面図である。
【図３１】第５の実施形態で採用されうる基板の一例を示した断面図である。
【図３２】第５の実施形態で採用されうる基板の別の例を示した断面図である。
【図３３】第６の実施形態で採用されうる基板の一例を示した断面図である。
【図３４】第６の実施形態で採用されうる基板の別の例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
添付の図面を参照して本開示の実施形態を説明する。以下に説明する実施形態は本開示の実施の例であり、本開示は以下の実施形態に制限されるものではない。なお、本明細書及び図面において符号が同じ構成要素は、相互に同一のものを示すものとする。
【００１２】
（第１の実施形態）
本実施形態では、絶縁体層が絶縁層である場合について説明する。本実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、以下に述べる密着層形成工程及び導体形成工程を順に備える。本開示の絶縁層上に一部又は全部の絶縁性物質による密着層及び導体を形成する密着層形成工程及び導体形成工程の一例を、図１（ａ）から図１（ｅ）に示す。図１（ａ）から図１（ｅ）において、１１は絶縁層、１２は導体、１３はパターンレジスト、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層を示す。
【００１３】
密着層形成工程では、絶縁層１１上に密着層２１を形成する。導体形成工程では、密着層２１の上面に導体１２を形成する。密着層２１は、絶縁層１１上の導体１２の配置される領域の少なくとも一部に形成される。密着層２１は、導体１２の配置される全領域に形成されていることが好ましく、絶縁層１１の全体に形成されていてもよい。
【００１４】
絶縁層１１は、プリント基板に用いることの可能な絶縁体である。絶縁層１１に用いられる材料は、例えば樹脂であるが、これに限らず絶縁性をもつガラスやセラミックなどの任意の物質が含まれていてもよい。絶縁層１１は、２種類以上の絶縁性の物質が混合されていてもよい。例えば、絶縁層１１に、繊維状又は粒状の絶縁体が含まれていてもよい。
【００１５】
絶縁層１１は、樹脂に基材を混入した絶縁体であってもよい。樹脂としては、熱効硬化型樹脂、又は紫外線硬化型樹脂が好ましい。一定の耐熱性があれば、熱可塑性樹脂を使ってもよい。熱硬化性の樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂が例示できる。熱可塑性樹脂は、熱変形温度が５０度Ｃ以上であればよい。変形温度は高ければ高いほどよい。基材としては、ガラス繊維、セラミック粒子、セルロース繊維が例示できる。蜘蛛の巣の繊維などの自然物でもよい。基材は、これらに限定されるものではない。また、ガラスクロスに上記の樹脂を含浸させて半硬化させたプリプレグを積層し、加熱・加圧して絶縁層を構成してもよい。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００１６】
導体１２は、プリント基板の導体に用いることの可能な任意の材料によって形成されている導体層であり、金属箔、金属メッキ、圧延板を含む。導体１２を構成する金属箔、金属メッキの材料は導電性のあるあらゆる金属、合金又はペーストである。或いは、導電性があれば、カーボンやセラミックス等の金属以外のあらゆる物質であっても、導体１２の一部又は全部として用いることができる。導体１２に適用する金属としては、銅、金、銀、アルミニウム、ニッケル又はこれらの金属を質量％で最も多く含む合金やペーストが例示できるが、これらに限定されるものではない。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００１７】
絶縁層１１（図１（ａ））に、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１を形成する（図１（ｂ））。次に、公知のフルアディティブ法やセミアディティブ法で、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１にレジストを塗布し、最終的に導体となる部分以外にパターンレジスト１３を形成する（図１（ｃ））。残されたパターンレジスト１３以外の部分に無電解めっきなどで導体を成長させる（図１（ｄ））。パターンレジスト１３を除去し、導体１２を残す（図１（ｅ））。この導体形成工程で、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１にパターン化された導体１２を形成する。導体形成工程では、導体をフルアディティブ法又はセミアディティブ法で形成してもよいが、これに限定されるものではない。
【００１８】
密着層２１は、絶縁層１１よりも導体１２との密着性の高い絶縁性の任意の物質である。密着層２１は、絶縁層１１と導体１２との間の少なくとも一部に配置されている。密着層２１は、絶縁層１１と導体１２との間の少なくとも一部に配置されていれば絶縁層１１と導体１２との密着強度を高めることができ、絶縁層１１と導体１２との間の全領域に配置されていてもよい。密着層２１は、絶縁層１１と導体１２との密着強度を高める物質を含む。密着強度を高める物質は、化学的相互作用、物理的相互作用及び機械的結合のいずれを用いたものであってもよい。機械的結合としては、例えば、後述する第２の実施形態に説明する凹凸が例示できる。密着層２１は、触媒などの、化学的相互作用、物理的相互作用及び機械的結合の少なくもいずれかを高める物質を含んでいてもよい。
【００１９】
化学的相互作用によって密着強度を高める物質として、密着層２１の一部又は全部に、接着剤として用いられている物質などが含まれていてもよい。例えば、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の樹脂材料としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂などの他、無機材料など、導体１２と絶縁層１１の双方に対して密着性の高い物質であれば何でもよい。金属酸化物、金属窒化物、金属炭化物、酸化剤及び還元剤等の無機系の物質が、一部又は全部に含まれていてもよい。また、一部又は全部の絶縁性物質による密着層自体が絶縁性をもつことが必須である。
後述する一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層も同様である。
【００２０】
物理的相互作用によって密着強度を高める物質として、密着層２１の一部又は全部に、還元作用を有する還元剤及び酸化作用を有する酸化剤の少なくともいずれかが含まれていてもよい。還元剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層２１の少なくともいずれかに含まれる物質を還元する作用を有する。酸化剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層２１の少なくともいずれかに含まれる物質を酸化する作用を有する。還元剤及び酸化剤は、導体１２、絶縁層１１及び密着層２１だけでなく、空気や水などの周辺環境その他の触媒などと単独又は相互の組み合わせで反応させるものであってもよい。
【００２１】
還元剤は、密着層２１の全体に含まれていてもよいし、密着層２１の導体１２側の表面のみに含まれていてもよいし、絶縁層１１側の表面のみに含まれていてもよい。酸化剤についても同様である。例えば、密着層２１の導体１２側の表面に還元剤が含まれ、密着層２１の絶縁層１１側の表面に酸化剤が含まれていてもよい。密着層２１に含まれている還元剤の割合は任意であり、還元する性質があれば微量であってもよい。酸化剤についても同様である。
【００２２】
密着層２１の絶縁層１１側の表面に含まれている還元剤は、密着層２１の導体１２側の表面に含まれている還元剤と異なってもよいし、同じであってもよい。異なる例としては、例えば、密着層２１の導体１２側に導体１２の還元に適した還元剤が含まれ、密着層２１の絶縁層１１側に絶縁層１１に適した還元剤が含まれている構成も採用しうる。同じ例としては例えば、絶縁層１１と導体１２との間に還元剤として機能する物質が含まれていれば、本開示に係る密着層２１を備えることになる。酸化剤も同様である。
【００２３】
パターンレジスト１３の材料としては、感光性ドライフィルム、液状レジスト、ＥＤレジストが例示できるが、これらに限定されるものではない。以下のいずれの実施形態でも同様である。これらの材料は光硬化型や光溶解型がある。
【００２４】
絶縁層１１と導体１２の間に一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１を形成することによって、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１は絶縁層１１に密着し、導体１１が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に密着し、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００２５】
また、本開示に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、導体形成工程の後に、加熱工程及び押し込み工程の少なくともいずれかをさらに備えもよい。これにより、密着層２１と導体１２との間のピール強度及び絶縁層１１と密着層２１との間のピール強度をさらに高めることができる。
【００２６】
本開示の絶縁層、一部又は全部の絶縁性物質による密着層及び導体の少なくともいずれかを加熱する加熱工程を図２（ａ）から図２（ｂ）に示す。図２（ａ）から図２（ｂ）において、１１は絶縁層、１２は導体、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層を示す。
【００２７】
導体形成工程の後の加熱工程では、絶縁層１１、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１及び導体１２の少なくともいずれかを加熱してもよい。加熱は、ヒータを押し当てたり、ＬＥＤ光や赤外線を照射したり、熱風を浴びせたりすることで実現する。ヒータで加熱したパネルで導体１２に加熱することでもよい。
【００２８】
絶縁層１１、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１及び導体１２の少なくともいずれかを加熱することによって、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１は絶縁層１１に密着し、導体１１が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に密着し、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００２９】
本開示の導体を絶縁層に押し込む押し込み工程を図３（ａ）から図３（ｂ）に示す。図３（ａ）から図３（ｂ）において、１１は絶縁層、１２は導体、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層を示す。絶縁層１１の表面に形成された導体１２（（図３（ａ））を、機械的に絶縁層１１の方向に機械的に押し込むと、導体１２の一部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の表面に埋まる（図３（ｂ））。図３（ｂ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。機械的に押し込む作業は、例えば、平面のプレス面を有するプレス機を用いて、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の表面に形成された導体１２の全て、又は一部を絶縁層１１に押し込む。
【００３０】
導体１２を一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に押し込むことによって、導体１２の底面だけでなく、導体１２の側面の少なくとも一部が絶縁層１１に密着し、絶縁層１１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００３１】
導体１２が絶縁層１１に埋め込まれた電子部品搭載用基板を実現する方法は、絶縁層１１への導体１２の機械的な埋め込みに限定されない。例えば、押し込み工程において、導体１２と絶縁層１１の両方又はいずれかを加熱し、導体１２を絶縁層１１に沈み込ませてもよい。これにより、導体１２に力を加えることなく、絶縁層１１に導体１２を埋め込むことができる。
【００３２】
このとき、導体１２を絶縁層１１に押し込まなくてもよいが、弱い力で導体１２を絶縁層１１に押し込んでもよい。これにより、導体１２の上面の位置を容易に制御することができる。このように、本開示における押し込みは、微弱な力での押し込みも含む。
【００３３】
導体１２の底面と絶縁層１１の上面との間に隙間があり、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の一部が存在していてもよい。また、導体１２は、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１を突き抜けていてもよい。一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１を突き抜けた導体１２の底面が、絶縁層１１の上面に接してもよく、さらに、絶縁層１１の上面を越えてもよい。導体１２が深く押し込まれると、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００３４】
押し込み工程において、導体１２を絶縁層１１に機械的に押し込む際に、導体１２と絶縁層１１の両方又はいずれかを加熱してもよい。絶縁層が固すぎる場合やピール強度をより向上させたい場合に有効である。加熱は、ヒータを押し当てたり、ＬＥＤライト光や赤外線を照射したり、熱風を浴びせたりすることで実現する。ヒータで加熱したパネルで導体１２を機械的に押し込むことでもよい。
【００３５】
加熱手順を図４、図５、図６、図７、図８に示す。図４、図５、図６、図７、図８において、１２は導体、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層である。図４、図５、図６、図７、図８において、（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は順番を示す。熱の加熱手順としては、まず加熱し（図４（ｂ））、加熱しながら機械的に押し込む（図４（ｃ））手順でもよい。まず加熱し（図５（ｂ））、加熱を中止して機械的に押し込む（図５（ｃ））手順でもよい。加熱することと機械的に押し込むことを同時に進める（図６（ｂ））手順でもよい。まず機械的に押し込み（図７（ｂ））、機械的に押し込みながら加熱する（図７（ｃ））手順でもよい。まず機械的に押し込み（図８（ｂ））、機械的な押し込みを中止して加熱する（図８（ｃ））手順でもよい。
【００３６】
加熱したときの模式図を図９（ａ）に示す。導体１２は金属であり、膨張率は一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１より導体１２の方が大きい。そのため、適度な温度で加熱することによって、導体１２は一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に密着し、アンカー効果が得られる。その後、徐熱しても（図９（ｂ）、導体１２と一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の密着度は加熱する前より向上している。従って、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００３７】
押し込み工程において、導体の押し込み後の状態を図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）で説明する。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）において、１２は導体、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層である。これらの説明において、図１０（ａ）に示すように、導体１２では、絶縁層（不図示）の側（絶縁層に近い側）を底面、底面に対向する側（（絶縁層から遠い側）を上面、上面と底面に挟まれる側を側面と呼称し、一部又は全部の絶縁性物質による密着層では、絶縁層（不図示）から遠い側を上面と呼称する。
【００３８】
導体１２を、導体１２の底面及び側面の一部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の表面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１０（ａ））。導体１２の底面の全部及び側面の一部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と密着するため、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度が向上する。また、導体１２を、導体１２の上面が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の表面と同一面となる位置まで押し込んでもよい（図１０（ｂ））。導体１２の底面の全部及び側面の全部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と密着するため、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度がより向上する。
【００３９】
さらに、図１０（ａ）に示す構造では、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面に加え、ｙ軸方向に広がる側面の一部が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４０】
なお、図１０（ａ）では、底面の両側に配置されている側面が共に密着層２１に埋め込まれる例を示したが、本開示はこれに限定されず、例えば底面の両側に配置されている側面の片方のみが密着層２１に埋め込まれていてもよい。図１０（ａ）では導体１２の上面がｘ軸方向に広がっているが、本開示はこれに限定されず、導体１２の上面はｘ軸方向に対して傾斜していてもよい。
【００４１】
さらに、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）では、導体１２の断面形状が四角形である例を示したが、本開示に係る導体１２の断面形状は任意である。例えば、導体１２の上面は湾曲していてもよく、側面と上面との境界が連続した曲線をなしていてもよい。
【００４２】
導体１２を、導体１２の底面、側面だけでなく、上面が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ））。図１１（ａ）では、導体１２を、導体１２の上面が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面は露出している。導体１２の底面の全部及び側面の全部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と密着するため、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度がより向上する。図１１（ｂ）では、導体１２を、導体１２の上面が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面の一部は露出している。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の一部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と密着するため、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度がいっそう向上する。図１１（ｃ）では、導体１２を、導体１２の上面が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面よりも低い位置となるまで押し込んで、導体１２の上面まで一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に埋まっている。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の全部が一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と密着するため、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と導体１２との間のピール強度がさらにいっそう向上する。
【００４３】
なお、図１０（ａ）、図１０（ｂ）及び図１１（ａ）では導体１２の３面が密着層２１と密着する。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の５面が、密着層２１と密着する。このように、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面に加え、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４４】
また、図１１（ｂ）及び図１１（ｃ）では導体１２の４面が密着層２１と密着する。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の６面が、密着層２１と密着する。このように、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面に加え、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部、及びｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部又は全部、が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４５】
なお、図１０及び図１１では導体１２の底面が密着層２１と密着する例を示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、本開示は、図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）において、導体１２の底面の一部又は全部が密着層２１の裏面に露出する、導体１２の２面が密着層２１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の４面が、密着層２１と密着する。この場合、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４６】
また、図１１（ｂ）において、導体１２の底面の全部が密着層２１の裏面に露出する、導体１２の３面が密着層２１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の５面が、密着層２１と密着する。この場合、ｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の一部又は全部、が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４７】
また、図１１（ｂ）において、導体１２の底面の一部が密着層２１の裏面に露出する、導体１２の４面が密着層２１と密着する形態も含む。ｙ−ｚ平面についても同様の構造を有する場合、導体１２の６面が、密着層２１と密着する。この場合、ｘ軸方向に広がる導体１２の上面の一部、ｙ軸方向に広がる導体１２の側面の全部、ｘ軸方向に広がる導体１２の底面の一部、が密着層２１と密着するため、導体１２に印加されるｘ、ｙ、ｚ軸方向の負荷に対し、ピール強度を高めることができる。
【００４８】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態で説明した電子部品搭載用基板が、絶縁層及び導体の組合せの層が絶縁層上に形成されている多層基板である例について説明する。本実施形態に係る電子部品搭載用基板は、前記組合せの層に密着層が設けられている。
【００４９】
具体的には、本実施形態では、絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された、前記絶縁層に密着する一部又は全部の絶縁性物質による密着層と、前記一部又は全部の絶縁性物質による密着層に形成された導体と、前記導体及び前記一部又は全部の絶縁性物質による密着層の上層に、絶縁層及び前記絶縁層に形成された導体の組合せの層を１組以上と、を備える電子部品搭載用基板について説明する。
【００５０】
図１２、図１３、図１４、図１５、図１６、図１７において、１１ａは積層絶縁層、１２は導体、１４は積層絶縁層、２１ａは一部又は全部の絶縁性物質による第一の密着層、２２は一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層である。複数の積層絶縁層１１ａ，１４は絶縁層を構成している。第一の密着層２１ａ及び第二の密着層２２は積層密着層を構成している。そして、複数の積層絶縁層が密着層を構成している。
【００５１】
図１２〜図１５では、積層絶縁層１４及び導体１２の組み合わせの一例として、積層絶縁層１４−１及び導体１２−１の組み合わせの層と、積層絶縁層１４−２及び導体１２−２の組み合わせの層と、積層絶縁層１４−３及び導体１２−３の組み合わせの層と、を形成する例を示す。図１２〜図１５では、積層絶縁層１１ａとその上に形成される導体１２との間に密着層２１が設けられている。組み合わせの層を構成する積層絶縁層１４−１及び導体１２−１の間に密着層が設けられていてもよい。
【００５２】
図１６〜図１７では、積層絶縁層１４及び導体１２の組み合わせの一例として、積層絶縁層１４−１及び導体１２−１の組み合わせの層と、積層絶縁層１４−３及び導体１２−３の組み合わせの層と、を形成する例を示す。図１６〜図１７では、積層絶縁層１４−２及び導体１２−２の組み合わせの層に代えて、密着層２２及び導体１２−２の組み合わせの層が形成されている。このように、密着層２２は、組合せの層を構成する積層絶縁層１４−１上に形成されている導体１２−１とその上に形成される積層絶縁層１４−２との間に、設けられている。なお、図１６〜図１７では、積層絶縁層１１ａと導体１２の間に密着層２１を備える例を示すが、本開示は、組み合わせの層のいずれかの層に密着層２２を備え、密着層２１を備えない形態も含む。
【００５３】
図１２、図１３及び図１６は、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面に導体１２を形成している電子部品搭載用基板の製造工程である。図１４、図１５及び図１７は、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面に導体１２を形成して、導体１２を一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１に押し込んでいる電子部品搭載用基板の製造工程である。図１６及び図１７は、さらに、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２と導体１２を形成している電子部品搭載用基板の製造工程である。
【００５４】
以下では、第二の導体形成工程から説明する。第二の導体形成工程では、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１及び一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の上面に形成された導体１２の上層に、積層絶縁層１４及び導体１２を形成する（図１２（ａ）、図１３（ａ）、図１４（ａ）、図１５（ａ）、図１６（ａ）、図１７（ａ））。第二の導体形成工程を所要の数だけ繰り返す。
【００５５】
積層絶縁層１４の材料は、絶縁層に適用できるものと同じでよい。以下のいずれの実施形態でも同様である。
【００５６】
導体形成工程の後で、第二の導体形成工程の前又は後に、第三の導体形成工程を備えてもよい（図１６（ａ）、図１７（ａ））。第三の導体形成工程では、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２及び一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２の上にさらに導体１２を形成する。一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２の材料は、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１の材料と同じものが適用できる。一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１と各一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２では、同じ材料としてもよく、異なる材料としてもよい。
【００５７】
第三の導体形成工程を行うと、本開示の電子部品搭載用基板は、２つの積層絶縁層１４の間に、密着する一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２及び一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に形成された導体１２の組合せの層を、１組以上さらに備えることになる。
【００５８】
導体形成工程、第二の導体形成工程及び第三の導体形成工程では、導体をフルアディティブ法又はセミアディティブ法で形成してもよいが、これに限定されるものではない。
【００５９】
導体形成工程の後、第二の導体形成工程の後、第三の導体形成工程の後、積層絶縁層１１ａ、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２及び導体１２の少なくともいずれかに加熱する加熱工程を備えてもよい。導体１２の形成された各層と導体１２との間のピール強度が向上する。
【００６０】
最上層の積層絶縁層１４及び導体１２を形成する第二の導体形成工程（（図１２（ｂ）、図１３（ｂ）、図１４（ｂ）、図１５（ｂ）、図１６（ｂ）、図１７（ｂ））の後、押し込み工程を備えてもよい（（図１２（ｃ）、図１３（ｃ）、図１４（ｃ）、図１５（ｃ）、図１６（ｃ）、図１７（ｃ））。最上層は一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２及び導体１２の組合せでもよい。導体１２を最上層の積層絶縁層１４や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に押し込む又は沈み込ませる押し込み工程では、最上層の積層絶縁層１４や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２を形成した後、最上層の導体１２を積層絶縁層１４や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に機械的に押し込む又は沈み込ませる。
【００６１】
押し込み工程は、導体形成工程、第二の導体形成工程、第三の導体形成の後のいずれに備えてもよい。押し込み工程では、導体１２のうち少なくとも一つを一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に機械的に押し込む又は沈み込ませる。
【００６２】
押し込み工程において、導体１２を一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に機械的に押し込む又は沈み込ませる際に、積層絶縁層１１ａ、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２、導体１２の少なくともいずれかに加熱してもよい。加熱は、ヒータを押し当てたり、赤外線を照射したり、熱風を浴びせたりして、実現することができる。ヒータで加熱したパネルで導体１２を機械的に押し込むことでもよい。加熱手順は図４、図５、図６、図７、図８に示したものと同様の手順が可能である。
【００６３】
本開示の電子部品搭載用基板では、絶縁層と絶縁層が一体化されていることがある。あるいは、絶縁層が隣接して複数ある場合は、隣接する絶縁層同士が一体化されていることがある。
【００６４】
押し込み工程において、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２への導体１２の押し込み後の状態は図１０（ａ）、図１０（ｂ）、図１１（ａ）、図１１（ｂ）、図１１（ｃ）と同様である。
【００６５】
絶縁層への導体の押し込み後の状態を図１８（ａ）、図１８（ｂ）、図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）で説明する。図１８（ａ）、図１８（ｂ）、図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）は、本開示の電子部品搭載用基板の例である。図１８（ａ）、図１８（ｂ）、図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図１９（ｃ）において、１２は導体、１４は絶縁層である。これらの説明において、図１８（ａ）に示すように、導体１２では、積層絶縁層１１ａの側（積層絶縁層１１ａに近い側）を底面、底面に対向する側（（積層絶縁層１１ａから遠い側）を上面、上面と底面に挟まれる側を側面と呼称し、積層絶縁層１４でも、絶縁層から遠い側を上面と呼称する。
【００６６】
導体１２を、導体１２の底面及び側面の一部が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１８（ａ））。導体１２の底面の全部及び側面の一部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上する。また、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面と同一面となる位置まで押し込んでもよい（図１８（ｂ））。導体１２の底面の全部及び側面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がより向上する。
【００６７】
導体１２を、導体１２の底面、側面だけでなく、上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでもよい（図１９（ａ）、図１９（ｂ）、図１９（ｃ））。図１９（ａ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面は露出している。導体１２の底面の全部及び側面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がより向上する。図１９（ｂ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んでいるが、導体１２の上面の一部は露出している。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の一部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がいっそう向上する。図１１（ｃ）では、導体１２を、導体１２の上面が積層絶縁層１４の上面よりも低い位置となるまで押し込んで、導体１２の上面まで積層絶縁層１４に埋まっている。導体１２の底面の全部、側面の全部及び上面の全部が積層絶縁層１４と密着するため、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度がさらにいっそう向上する。
【００６８】
最上層の導体を積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に押し込む又は沈み込ませることによって、最終製品としての電子部品搭載用基板において、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２と導体１２との間のピール強度が向上する。最上層の導体以外の導体を一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に押し込む又は沈み込ませることによって、電子部品搭載用基板の製造過程において、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１、積層絶縁層１４、一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２と導体１２との間のピール強度が向上して、製造過程での導体のはがれが防止できる。
【００６９】
導体形成工程や第二の導体形成工程では押し込み工程を有する。その押し込み工程では、組合せの層に形成された導体のうち、異なる層に形成された導体同士を、電気的に接続するＶＩＡを形成するＶＩＡ形成工程を含んでもよい。ＶＩＡ形成工程の後に、導体を絶縁層に機械的に押し込む又は沈み込ませる。
【００７０】
積層絶縁層１４で組合せの層に形成された導体１２のうち、異なる層に形成された導体同士を電気的に接続するＶＩＡについて説明する。図２０（ａ）、図２０（ｂ）、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）にＶＩＡ形成工程を示す。図２０（ａ）、図２０（ｂ）、図２０（ｃ）、図２０（ｄ）において、１１ａは積層絶縁層１、２１は一部又は全部の絶縁性物質による密着層、１２は導体、１４は絶縁層、１５はＶＩＡである。
【００７１】
導体形成工程や第二の導体形成工程では、導体１２を各層に順次形成していく（図２０（ａ）、図２０（ｂ））。異なる層に形成された導体１２同士をＶＩＡで電気的に接続する（図２０（ｃ））。この後、導体１２を積層絶縁層１４に機械的に押し込む又は沈み込ませると、ＶＩＡが圧縮されて、アンカー効果が高まり、積層絶縁層１４と導体１２との間のピール強度が向上する。ここでは、一部又は全部の絶縁性物質による密着層２１上の導体１２と積層絶縁層１４上の導体１２同士を電気的に接続するＶＩＡについて説明したが、積層絶縁層１４や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２上の導体１２と脂系積層絶縁層１４や一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２上の導体１２とを電気的に接続するＶＩＡについても同様である。最上層の導体とその下層の導体同士を電気的に接続するＶＩＡについても同様である。
【００７２】
上記では、ＶＩＡ形成工程の後に、導体１２を積層絶縁層１４に機械的に押し込んだが、導体１２を一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層２２に機械的に押し込んだ後にＶＩＡ１５を形成してもよいことはいうまでもない。
【００７３】
上記各実施形態では、絶縁層の片側を示しつつ説明したが、片面基板に適用するのみならず、両面基板や多層基板の場合は、絶縁層の両側のそれぞれの側に本開示の技術が適用できる。両面基板や多層基板の場合、本実施形態でいう上層や上面は、絶縁層から遠い側の層や面を上層や上面と考えてよい。
【００７４】
多層基板の場合、絶縁層上の導体、絶縁層から最も遠い最外層の導体及び絶縁層と最外層の間の層の任意の層の導体のうち、任意の導体を絶縁層や絶縁層に押し込んでよい。例えば、最外層の導体が押し込まれており、かつ、絶縁層と最外層の間の中間層の導体が押し込まれた形態、あるいは絶縁層と最外層の間の中間層の導体が押し込まれた形態のいずれも含まれる。
【００７５】
両面基板や多層基板の場合、両側の導体を押し込む又は沈み込ませるときは、両側から同時に導体に圧力をかけて、押し込んでもよい。
【００７６】
加えて薄いプリント基板を作る際に、銅箔が傷みやすく、キャリア付銅箔の利用を余儀なくされている現状があり、この現状は、第一にキャリア付銅箔の価格の高さ、第二に不良率の高さ、第三に製造工程の管理度への要求の高さという課題もあった。本開示によれば、キャリア付銅箔を使用しなくても、基板厚の薄い一層プリント基板あるいは多層プリント基板を作ることが出来る。さらに、ＶＩＡを作ることによるビルドアップ法、あるいは貫通孔を作ることによるスルーホール法も本開示の技術の中で利用することができる。
【００７７】
（第３の実施形態）
図２１に、本開示の実施形態に係る電子部品搭載用基板の一例を示す。導体１２は、密着層２１側の最下層に、無電解めっき層１２１を含む。例えば、導体１２は、密着層２１側の最下層から、順に、無電解めっき層１２１及び電解めっき層１２２が積層されている。このように、密着層２１と無電解めっき層１２１が接していることで、密着層２１及び導体１２の密着強度を高めることができる。
【００７８】
無電解めっき層１２１は、電解めっきではない任意の方法で形成された任意の導体である。図２１では、無電解めっき層１２１の上に電解めっき層１２２が積層されている例を示すが、電解めっき層１２２の配置されていない、導体１２の全体が無電解めっき層１２１で形成されている形態もありうる。
【００７９】
図２２に、密着層２１及び導体１２の境界部分の拡大図を示す。図２２（ｂ）は密着層２１の表面２１Ｕでの断面形状を示し、図２２（ａ）はＡ−Ａ’断面形状を示す。密着層２１は、導体１２側の表面２１Ｕに、凹凸を有する。凹凸は、凹部若しくは凸部又はこれらの両方でありうる。
【００８０】
本実施形態では、密着層２１の表面２１Ｕに凹凸を形成し、その上から無電解めっき層１２１を形成する。このため、図２３に示すように、無電解めっき層１２１は、密着層２１側に配置されている導体１２下部から成長し、密着層２１の表面２１Ｕと直接接する。ここで、符号１１２−６及び１１２−９に示す凸部は、形成されていてもよいし、形成されていなくてもよい。
【００８１】
アンカー効果を得るために導体１２に凸形状を形成した場合、密着層２１の表面２１Ｕと無電解めっき層１２１との間には、凸形状を形成するためのＮｉやＦｅなどの粒状物質が含まれている。一方、本開示は、密着層２１の表面２１Ｕに凹凸を形成するため、導体１２に凸形状を形成するための粒状物質が含まれていない。このため、導体１２の最下層における、無電解めっき層１２１とは異なる物質の含有量が３０％以下である。例えば、本開示の導体１２の最下層は、無電解めっき層１２１が単一の物質で形成されている。ここで、「単一の物質」は、金属及び合金を含む。また、本開示の導体１２側から密着層２１側への導体凸部同士では、図２２に示すトンネル１１３のような、密着層２１内での導通部が形成されていない。すなわち、無電解めっき層１２１は、密着層２１の表面２１Ｕの片側のみに形成されている。
【００８２】
導体１２に形成した凸形状を用いてアンカーが形成されている場合、導体１２の位置から密着層２１の中心方向に向かって導体１２が成長している。このため、導体１２の配置されている密着層２１の表面２１Ｕ付近から密着層２１の中心方向に向かって導体１２が細くなる。これに対し、本開示は、密着層２１の表面２１Ｕに凹凸を形成するため、密着層２１の表面２１Ｕ付近から密着層２１の中心方向に向かって導体１２が細くなる形状だけでなく、図２２の凹部１１１−１、１１１−３、１１１−６に示すような、密着層２１の表面２１Ｕ付近から密着層２１の中心方向に向かって広がる形状もありうる。この場合、導体１２側から密着層２１側への導体凸部の最大広がりが、密着層２１内に配置されている。
【００８３】
図２２の凹部１１１−８及び１１１−９は、図２４に示すように、密着層２１の表面２１Ｕ付近から密着層２１の中心方向に向かって斜めに形成されていてもよい。この場合、凹部１１１−８と凹部１１１−９との距離は、表面２１Ｕ付近よりも密着層２１の深くの方が近いことが好ましい。これにより、凹部１１１−８と凹部１１１−９とで密着層２１を抱え込み、導体１２と密着層２１とのピール強度をより高めることができる。
【００８４】
また、本開示は、密着層２１の表面２１Ｕに凹凸を形成するため、密着層２１の表面２１Ｕでの凹凸の配置が、凹凸の形成方法に起因する規則性を有する。
【００８５】
平面上又はロール上に形成された凹凸形状を用いて凹凸を形成した場合、平面又はロールの凹凸形状がそのまま表面２１Ｕに現れる。例えば、凹凸形状に一定幅又は一定間隔の直線が含まれる場合、図２２に示す符号１１１−８，１１１−９及び図２５（ａ）に示すような、一定幅又は一定間隔の凹部又は凸部が残る。表面２１Ｕを切削して凹凸を形成した場合、図２５（ｂ）及び図２５（ｃ）に示すような、切削方向に線状の跡が残る。
【００８６】
起泡性の薬品を用いて凹凸を形成した場合、図２２に示す符号１１１−１〜１１１−７及び図２５（ｄ）に示すような、円形状の泡の跡が残る。凹部１１１−１〜１１１−７の内径は、一定であってもよいし、異なってもよい。また、凹部１１１−１のように、凹部１１１−１のなかに凸部１１２−１が形成されている二重円形状もある。この凸部１１２−１は、凹部１１１−２〜１１１−７にも形成されていてもよい。また、凹凸に含まれる円形は、凹部だけでなく凸部に形成されていてもよい。なお、図２２（ａ）及び図２２（ｂ）のそれぞれに示す凹凸の断面形状は、上述の形状に限定されず、凹凸を形成する際に形成される任意の形状を含む。例えば、楔形状、鉤形状、台形、振り子、２山を持った台形などが例示できる。
【００８７】
凹凸の規則性は、狭い範囲で規則性が見られなくても、広い範囲まで含めると規則性を見出すことができる。特に、電子部品搭載用基板はチップに分離されて電子部品等に搭載されるため、凹凸の形成方法によっては凹凸の規則性は１チップ内では現れないこともありうる。この場合は、２以上の任意の数のチップで初めて凹凸形成物質の痕跡が表れうる。
【００８８】
図２６を参照しながら、本開示に係る電子部品搭載用基板の製造方法を説明する。本実施形態に係る電子部品搭載用基板の製造方法は、密着層形成工程と導体形成工程の間に凹凸形成工程を有する。
【００８９】
凹凸形成工程では、絶縁層１１上に密着層２１を形成し（図２６（ａ））、密着層２１の表面２１Ｕに凹凸を形成する（図２６（ｂ））。凹凸の形成は、表面２１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成されうる全体の領域に行う。表面２１Ｕの全体に凹凸を形成した場合、表面２１Ｕのうちの導体１２の配置されていない領域にも、図２１に示すような凹凸が形成されている。
【００９０】
凹凸の形成方法は任意であり、例えば、平面上又はロール上に形成された凹凸形状を表面２１Ｕに転写する、或いは凹凸形状を有する絶縁性のシートを表面２１Ｕに埋め込むなどの物理的な形成、ブラシなどによって表面２１Ｕを切削するなどの機械的な形成、薬品を用いて表面２１Ｕを溶解又は膨潤させるなどの化学的な形成、が例示でき、これらを組み合わせてもよい。なお、密着層２１の表面２１Ｕの凹凸形状は、導体１２の配置されている領域とそうでない領域とで異なっていてもよい。また、絶縁層１１上に密着層２１を形成する際に（図２６（ａ））、絶縁層１１の表面１１Ｕに凹凸を形成してもよい。凹凸の形成方法については、表面２１Ｕの凹凸形状と同様である。
【００９１】
導体形成工程は、第１の実施形態において説明したとおりであるが、本実施形態は無電解めっき層１２１を備える点で異なる。無電解めっき層１２１を形成し（図２６（ｃ））、電解めっき層１２２を形成し（図２６（ｄ））、無電解めっき層１２１を除去する（図２６（ｅ））。無電解めっき層１２１の形成は、化学めっきのほか、液状又はペースト状の導体の塗布が例示できる。無電解めっき層１２１の形成は、表面２１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成されうる全体の領域に行う。電解めっき層１２２は、配線パターンの形状に形成する。無電解めっき層１２１の除去は、電解めっき層１２２を残しつつ、配線パターン以外の領域に形成されている無電解めっき層１２１を除去する。このときに、導体１２の角（図２１に示す符号１２Ｅ）が丸くなる。本開示では、導体１２を絶縁層１１側から成長させるため、絶縁層１１に垂直な断面では、導体１２の絶縁層１１側の面に対向する上面の角が丸みを帯びている。
【００９２】
なお、密着層２１の表面２１Ｕのうちの凹凸を形成する領域、及び、無電解めっき層１２１を形成する領域は、表面２１Ｕのうちの導体１２の配線パターンの形成される領域のみであってもよい。
【００９３】
また、電解めっき層１２２を形成せず、配線パターンの形状に無電解めっき層１２１を直接形成してもよい。この場合、導体１２の全体が無電解めっき層１２１で構成される。
【００９４】
また、本実施形態では、本開示に係る電子部品搭載用基板の一例として片面基板を例示したが、本開示はこれに限定されない。例えば、本開示に係る電子部品搭載用基板は両面基板であってもよい。この場合、本実施形態で説明した密着層２１及び導体１２の構造が片面のみに形成されていてもよいし、両面に形成されていてもよい。また、本開示に係る電子部品搭載用基板は多層基板であってもよい。この場合、本実施形態で説明した密着層２１及び導体１２の構造が多層基板の少なくとも一つの層に含まれていればよい。
【００９５】
以上説明したように、本実施形態は、導体１２が絶縁層１１側の最下層に無電解めっき層２１を含み、密着層２１及び無電解めっき層２１が接している。このため、本実施形態は、ピール強度の強い電子部品搭載用基板を提供することができる。
【００９６】
（第４の実施形態）
本実施の形態の電子部品搭載用基板等の基板は、図２７に示すように、絶縁層１１と、絶縁層１１に設けられた密着層２００と、密着層２００に設けられた金属層２２０と、を有してもよい。密着層２００は、密着本体層２１０と、密着本体層２１０のおもて面から突出したアンカー体２１５とを有してもよい。金属層２２０にパターニングが施されて、図２９に示すように導体１２となってもよい。導体１２は金属層２２０の一形態であり、金属層２２０に含まれる概念である。
【００９７】
アンカー体２１５は、図２８に示すように、シート形状からなる網目状部材２１６であってもよいし、図２７に示すように、粒状物質２１７であってもよい。
【００９８】
図２９に示すように、パターニングが施されるときにアンカー体は除去されずに残ってもよい。このような態様に限られることはなく、図３０に示すように、パターニングが施されるときにアンカー体が除去されてもよい。アンカー体が除去される場合には、導体１２が設けられていない領域では、密着本体層２１０に凹部が設けられてもよい。
【００９９】
アンカー体が網目状部材２１６である場合には、網目状部材２１６の底面及び側面の一部が密着本体層２１０内に埋設され、網目状部材２１６の頂面は密着本体層２１０から露出してもよい。
【０１００】
アンカー体が粒状物質２１７である場合には、粒状物質２１７の一部が密着本体層２１０内に埋設され、粒状物質２１７の頂面は密着本体層２１０から露出してもよい。
【０１０１】
粒状物質２１７はフィラーであってもよい。粒状物質２１７は窒化物であってもよく、例えば窒化ケイ素、窒化アルミ等であってもよい。窒化ケイ素、窒化アルミ等を採用する場合には、放熱効果を高めることができる。
【０１０２】
密着本体層２１０はレジスト層又はインク層であってもよい。密着本体層２１０が粒状物質２１７を含有しており、密着本体層２１０のおもて面側をエッチング等で除去することで、粒状物質２１７のおもて面側の一部を露出させるようにしてもよい。このような態様によれば、容易な製造工程によって粒状物質２１７を露出させることができる点で非常に有益である。
【０１０３】
複数存在する粒状物質２１７の一部は密着本体層２１０で横断面における最大の面積を有してもよい。この場合には、粒状物質２１７が密着本体層２１０内により強度に固定されることから、金属層２２０が引っ張られることで粒状物質２１７が密着本体層２１０から抜け出ることをより確実に防止でき、その結果としてピラー強度をより高めることができる。
【０１０４】
（第５の実施形態）
本実施の形態の電子部品搭載用基板等の基板は、図３１に示すように、絶縁層１１と、絶縁層１１に設けられた密着層２００と、密着層２００に設けられた金属層２２０と、を有してもよい。密着層２００は酸化還元層２５０を有してもよい。酸化還元層２５０は、金属層２２０を酸化させる酸化層又は還元させる還元層である。このような酸化還元層２５０を設けることで、金属層２２０と酸化還元層２５０とが酸化還元反応等の化学反応を起こして、これらの層を互いに密着させることができる。
【０１０５】
酸化還元層２５０のうち、金属層２２０との境界では、金属層２２０を構成する金属と当該金属の金属酸化物とが混在してもよい。金属層２２０が銅からなる場合には、酸化還元層２５０では、銅と酸化銅とが混在してもよい。
【０１０６】
酸化還元層２５０のうち、金属層２２０との境界では、酸化還元層２５０を構成する第一材料と当該第一材料の還元物とが混在してもよい。金属層２２０が銅から構成され、酸化銅となっている場合には、酸化還元層２５０は例えば炭素からなる炭素層であってもよい。この場合には、酸化銅となっている金属層２２０と炭素からなる酸化還元層２５０との間で以下の反応が起こる。
２ＣｕＯ＋Ｃ→２Ｃｕ＋ＣＯ２
【０１０７】
図３２に示すように、酸化還元層２５０は、酸化還元本体層２５１と、酸化還元本体層２５１の金属層２２０側に設けられた境界層２５２とを有してもよい。境界層２５２において、金属層２２０を構成する金属と当該金属の金属酸化物とが混在してもよい。また、境界層２５２において、酸化還元層２５０を構成する第一材料と当該第一材料の還元物とが混在してもよい。
【０１０８】
酸化還元本体層２５１は、絶縁層１１に直接設けられてもよい。酸化還元本体層を構成する材料は絶縁層１１の材料との密着性が一般的に高い。このため、このような態様を採用することで、絶縁層１１と金属層２２０との密着強度をより高めることができる。
【０１０９】
前述した他の例と同様、金属層２２０にはパターニングが施されて導体１２となってもよい。
【０１１０】
（第６の実施形態）
図３３に示すように、導体１２が密着層２００を貫通するように押し込まれてもよい。この場合には、導体１２の側面に密着層２００が設けられ、底面には密着層２００が設けられないことになる。
【０１１１】
また、絶縁層１１が半硬化状態となっており、図３４に示すように、導体１２が密着層２００を貫通するように押し込まれる際に、絶縁層１１内にも押し込まれてもよい。この態様でも、導体１２の側面に密着層２００が設けられ、底面には密着層２００が設けられないことになる。
【０１１２】
（第７の実施形態）
本実施形態では、本開示に係る電子部品搭載用基板の適用例について説明する。本実施形態に係る電子部品は、本開示に係る電子部品搭載用基板を備え、本開示に係る電子部品搭載用基板を用いて予め定められた処理を実行する。処理は電子部品による任意の処理である。
【０１１３】
本実施形態に係る電子デバイスは、搭載されている電子部品の少なくとも１つに、本開示に係る電子部品が用いられている。本実施形態に係る実装装置は、搭載されている電子部品及び電子デバイスのうちの少なくとも１つに、本開示に係る電子部品又は電子デバイスが用いられている。
【０１１４】
本開示は、電子部品搭載用基板を備えるあらゆる装置に適用可能である。本開示を適用可能な装置の一例を挙げると、例えば、自動車、家電製品、通信機器、制御機器、センサー、ロボット、ドローン、飛行機、宇宙船、船、生産機械、工事用機械、試験用機械、測量用機械、コンピュータ関連製品、デジタル機器、遊戯機器及び時計、が例示できる。
【０１１５】
装置には、装置に応じた任意の機能が搭載されている。この機能を実行する際に用いられる電子チップなどの電子デバイスに、本開示に係る電子部品搭載用基板を用いる。本開示に係る電子部品搭載用基板は、ピール強度を向上することができるため、電子部品、電子デバイス及び装置の信頼性を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本開示の電子部品搭載用基板及びその製造法は、各種の電子装置に実装したり、電子装置の製造に適用することができる。
【符号の説明】
【０１１７】
１１：絶縁層
１１１−１、１１１−２、１１１−３、１１１−４、１１１−５、１１１−６、１１１−７：凹部
１１２−１、１１２−６、１１２−９：凸部
１１３：トンネル
１２、１２−１、１２−２、１２−３：導体
１２１：無電解めっき層
１２２：電解めっき層
１３：パターンレジスト
１４、１４−１、１４−２、１４−３：絶縁層
１５：ＶＩＡ
２１：一部又は全部の絶縁性物質による密着層
２２：一部又は全部の絶縁性物質による第二の密着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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