(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、
前記ブレード本体は、
めっき相と、
前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、
前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、
前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、
前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、カーボングラファイトからなり、
前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする切断用ブレード。
【請求項２】
円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、
前記ブレード本体は、
Ｎｉからなるめっき相と、
前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、
前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、
前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、
前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｎｉよりも硬度が高いＮｉ基化合物からなり、
前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする切断用ブレード。
【請求項３】
円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、
前記ブレード本体は、
めっき相と、
前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、
前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、
前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、
前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｐｄ又はＴｉからなり、
前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする切断用ブレード。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の切断用ブレードであって、
前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、該ダイヤモンド砥粒の表面に設けられていることを特徴とする切断用ブレード。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の切断用ブレードであって、
前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径は、５μｍ以上であり、
前記ダイヤモンドフィラーの平均粒径は、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径の半分以下であることを特徴とする切断用ブレード。
【請求項６】
請求項５に記載の切断用ブレードであって、
前記ダイヤモンドフィラーの平均粒径が、２μｍ以下であることを特徴とする切断用ブレード。
【請求項７】
円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードを製造する方法であって、
めっき液中に、導電部を有するダイヤモンド砥粒と、該ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さく、導電部を有していないダイヤモンドフィラーと、を分散させ、
前記めっき液中に陽極と陰極とを配置して電解めっきすることにより、前記陰極とされた台金上に、前記ブレード本体として、めっき相とともに前記ダイヤモンド砥粒及び前記ダイヤモンドフィラーを析出させることを特徴とする切断用ブレードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされ、該ブレード本体のめっき相（めっきにより形成された金属の固相。めっき層。めっき膜。）に、導電性のダイヤモンド砥粒と、非導電性のダイヤモンドフィラーとが分散された切断用ブレード、及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や電子部品等の被切断材の超精密切断加工に、電鋳ブレード（切断用ブレード）が用いられている。電鋳ブレードは、円板状をなすブレード本体を有しており、ブレード本体の外周縁部が切れ刃とされていて、該切れ刃により被切断材に切り込んでいく。ブレード本体は、例えばＮｉからなるめっき相に、ダイヤモンドやｃＢＮ等の砥粒、及び、該砥粒よりも小さいＳｉＣ等のフィラーが保持されて形成されている。上記砥粒は、主として加工性向上に寄与し、上記フィラーは、主としてブレード本体の剛性向上に寄与する。
【０００３】
例えば下記特許文献１には、基本的な電鋳ブレードの製造方法が開示されている。この特許文献１では、砥粒を分散したＮｉめっき液中に、ブレード本体を析出させる台金である陰極（カソード電極）を配置し、電解めっきによってこの台金上に、砥粒を取り込みつつＮｉめっき相を析出させる。そして、Ｎｉめっき相が所定の厚さに達したところで台金から剥離し、電解研磨やラップ処理などを施して砥粒の目立てを行う。
また、下記特許文献２には、ブレード本体の高剛性化のため、ＳｉＣやｈ−ＢＮなどのフィラーを砥粒とともにＮｉめっき相に共析（析出）させた電鋳ブレードが開示されている。
【０００４】
電解めっきにより製造される切断用ブレードには、上述した電鋳ブレードのように、ブレード本体が切断装置の主軸にフランジを介して取り付けられるワッシャタイプのブレードの他、電鋳の際の台金にめっき相（ブレード本体）が固着されたままとされ、この台金ごと主軸に取り付けられるハブタイプのブレードが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３９９２１６８号公報
【特許文献２】特開２００２−１８７０７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、この種の切断用ブレードでは、半導体素子や電子部品等の被切断材の小型化にともない、ダイシング時のカーフ幅（切断加工により被切断材に形成される切断ラインの幅）を小さく抑えることが求められており、このためブレードの薄肉化（薄化）が必要とされている。しかしながら、従来の電鋳ブレードでは、ブレード本体を単純に薄肉化すると、該ブレード本体の硬度や剛性が低下して、切断加工時にチッピング量が増加したり蛇行が生じたりして、切断精度が低下する。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、たとえブレード本体を薄肉化しても、該ブレード本体の硬度や剛性を十分に確保することができ、これにより切断精度が良好に維持される結果、カーフ幅を抑えつつも高品位で安定した切断加工を行うことができる切断用ブレード、及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち、本発明は、円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、前記ブレード本体は、めっき相と、前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、カーボングラファイトからなり、前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする。
また本発明は、円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、前記ブレード本体は、Ｎｉからなるめっき相と、前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｎｉよりも硬度が高いＮｉ基化合物からなり、前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする。
また本発明は、円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードであって、前記ブレード本体は、めっき相と、前記めっき相に分散されるダイヤモンド砥粒と、前記めっき相に分散され、前記ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーと、を有し、前記ダイヤモンド砥粒は、前記めっき相と異なる導電部を有しており、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｐｄ又はＴｉからなり、前記ダイヤモンドフィラーは、前記めっき相と異なる導電部を有していないことを特徴とする。
また本発明は、円板状をなすブレード本体の外周縁部が切れ刃とされた切断用ブレードを製造する方法であって、めっき液中に、導電部を有するダイヤモンド砥粒と、該ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径が小さく、導電部を有していないダイヤモンドフィラーと、を分散させ、前記めっき液中に陽極と陰極とを配置して電解めっきすることにより、前記陰極とされた台金上に、前記ブレード本体として、めっき相とともに前記ダイヤモンド砥粒及び前記ダイヤモンドフィラーを析出させることを特徴とする。
【０００９】
一般に、切断用ブレードにおいて、ブレード本体の硬度や剛性を向上させるには、めっき相に用いられる例えばＮｉ等よりも高硬度でかつ高ヤング率な材料の共析量を増やす必要がある。このような材料として、ダイヤモンドは最適である。つまり、めっき相に分散させる砥粒及びフィラーとして、ダイヤモンドを用いることが好ましい。
しかしながら、電解めっきを行うにあたって、例えばめっき液へのダイヤモンド砥粒やダイヤモンドフィラーの投入量を単純に増やしたり、攪拌条件を最適化したりしても、めっき相にダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーを、多量にかつ均等に共析させることは難しい。
【００１０】
ここで、本発明による作用効果を理解しやすくするため、まず、本発明とは異なる構成（従来例）により電解めっきを行った場合の問題点等について説明し、次いで本発明の作用効果について、詳しく説明する。
すなわち、従来例として、
・めっき液中に非導電性のダイヤモンド砥粒のみを分散させて電解めっきした場合。
・めっき液中に非導電性のダイヤモンドフィラーのみを分散させて電解めっきした場合。
・めっき液中に、ともに非導電性とされたダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーを分散させて電解めっきした場合。
について、先に説明する。
【００１１】
＜従来例：めっき液中に非導電性のダイヤモンド砥粒のみを分散させて電解めっきした場合＞
切断用ブレードの製造時において、ブレード本体を析出させる台金である陰極（カソード電極）をめっき液中に配置し、めっき液中に、平均粒径が大きく導電部を有していないダイヤモンド砥粒のみを分散して、電解めっきによって台金上に砥粒を取り込みつつめっき相を析出させる。この場合、平均粒径が大きなダイヤモンド砥粒は質量も大きく、めっき液から受ける力が大きくなりやすい（ニュートン力学：Ｆ＝ｍａ（運動の第２法則）に従う）ことから、めっき液を高速攪拌すると、めっき液から受ける強い力によって砥粒がめっき相にトラップされにくくなる。つまり、ダイヤモンド砥粒がめっき液中を循環し続けて、めっき相に取り込まれにくくなる。
このため、平均砥粒が大きいダイヤモンド砥粒に対しては、図６に示されるように、めっき液を極微弱に攪拌させるか攪拌を停止して、ダイヤモンド砥粒を自重により沈降させ、めっき相に析出させることが好ましい。なお、この場合、ダイヤモンドフィラーをめっき相に析出させていないため、ブレード本体の硬度や剛性を十分に高められないことが問題となる。
【００１２】
＜従来例：めっき液中に非導電性のダイヤモンドフィラーのみを分散させて電解めっきした場合＞
めっき液中に、平均粒径が小さく導電部を有していないダイヤモンドフィラーのみを分散して、電解めっきによって台金上にフィラーを取り込みつつめっき相を析出させる。この場合、平均粒径が小さなダイヤモンドフィラーは質量も小さく、めっき液中で自重によっては沈降しにくいことから、めっき液を極微弱に攪拌させたり攪拌を停止すると、めっき相に析出させることが難しくなる。
このため、平均粒径が小さいダイヤモンドフィラーに対しては、図７に示されるように、めっき液を強く攪拌させてダイヤモンドフィラーの分散性を高め、台金付近のフィラー存在率を高めることにより、フィラーを強制的にめっき相に取り込ませることが好ましい。なお、この場合、ダイヤモンド砥粒をめっき相に析出させていないため、加工性（切れ味）を十分に高められないことが問題となる。
【００１３】
＜従来例：めっき液中に、ともに非導電性のダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーを分散させて電解めっきした場合＞
めっき液中に、非導電性のダイヤモンド砥粒及び非導電性のダイヤモンドフィラーを分散して、電解めっきによって台金上に砥粒及びフィラーを取り込みつつめっき相を析出させる。この場合、平均粒径（大きさ）が互いに異なるダイヤモンド砥粒とダイヤモンドフィラーとでは、適しためっき液の攪拌条件が互いに異なるため、攪拌条件の最適化のみでは、ダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーをともに十分にめっき相に取り込むことは難しい。
【００１４】
しかも、実際に電解めっきを行ってみたところ、図８に示されるように、攪拌条件をダイヤモンド砥粒に合わせて弱い攪拌とした場合であっても、ダイヤモンドフィラーのめっき相への共析過程がダイヤモンド砥粒の共析過程よりも支配的となり、ダイヤモンドフィラーのみが多量にめっき相に共析するという現象が確認された。
つまり、大きさの異なるダイヤモンド砥粒とダイヤモンドフィラーをめっき液中に分散して電解めっきを行い、砥粒及びフィラーをともにめっき相に多量にかつ均等に析出（同時共析）させることは、従来技術では困難であった。
【００１５】
次に、上記問題点に鑑みてなされた本発明の作用効果について、説明する。
【００１６】
＜本発明：めっき液中に、導電性のダイヤモンド砥粒及び非導電性のダイヤモンドフィラーを分散させて電解めっきした場合＞
本発明ではめっき液中に、導電性のダイヤモンド砥粒及び非導電性のダイヤモンドフィラーを分散して、電解めっきによって台金上に砥粒及びフィラーを取り込みつつめっき相を析出させる。なお、ダイヤモンド砥粒の導電部としては、該ダイヤモンド砥粒（非導電性（絶縁性）のｓｐ３炭素）の表面に、例えばグラファイトカーボン（導電性のｓｐ２炭素）や、Ｎｉ基化合物、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｉ等を設けることが好ましい。
【００１７】
実際に電解めっきを行うと、図４及び図５に示されるように、導電性を付与されたダイヤモンド砥粒が、陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極）の間の電場から力を受けて、陰極側へ移動し、めっき相に十分に析出させられることが確認された。これは、導電性のダイヤモンド砥粒に対して、電場からクーロン力（Ｆ＝ＱＥ）が作用したためと考えられる。
【００１８】
この結果、めっき液中にダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーの両方を分散させつつも、ダイヤモンドフィラーの共析過程がダイヤモンド砥粒の共析過程より支配的となるようなことが抑えられて、本発明によれば、大きさの異なるダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーが、ともにめっき相に多量にかつ均等に分散して取り込まれた（同時共析させられた）。なお、図４に示される例では、めっき液の攪拌条件を弱い攪拌としているが、本発明によれば攪拌条件に係わらず、ダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーを、ともにめっき相に多量にかつ均等に取り込むことが可能である。
【００１９】
具体的に、本発明とは異なり、導電性のダイヤモンド砥粒のみをめっき液中に分散させて電解めっきを行ってみたところ、めっき相に析出するダイヤモンド砥粒の凝集が起こり、砥粒の分散性が低下した。このようにダイヤモンド砥粒が凝集すると、切れ刃の切れ味にバラつきが生じたり、砥粒間にボイド（隙間）が生じてブレード剛性等に影響するため、好ましくない。
そこで本発明のように、導電性のダイヤモンド砥粒と、該ダイヤモンド砥粒よりも平均粒径の小さな非導電性のダイヤモンドフィラー（非導電性（絶縁性）のｓｐ３炭素）とをめっき液中に分散させて電解めっきを行ったところ、非導電性のダイヤモンドフィラーが、導電性のダイヤモンド砥粒同士の間に介在し分散剤として機能して、砥粒の凝集が発生しなくなることが確認された。
つまり、導電性のダイヤモンド砥粒と、非導電性のダイヤモンドフィラーとをめっき相に分散させるという特別な構成を採用したことによって、これら砥粒及びフィラーを、多量にかつ均等に分散してめっき相に同時共析させることが可能である。
【００２０】
そして本発明によれば、めっき相に、平均粒径が大きなダイヤモンド砥粒が多量に取り込まれることにより、該ダイヤモンド砥粒が加工性向上に寄与して、切れ味が高められるとともに、切断速度を高めることが可能になる。
また、めっき相に、平均粒径が小さなダイヤモンドフィラーが多量に取り込まれることにより、該ダイヤモンドフィラーがブレード本体の硬度や剛性の向上に効果的に寄与する。なお、本発明によれば、非導電性のダイヤモンドフィラーの投入量（めっき液中の含有量）を調整することにより、任意のブレード剛性を得ることができる。
【００２１】
以上より、本発明によれば、たとえブレード本体を薄肉化しても、該ブレード本体の硬度や剛性を十分に確保することができ、これにより切断精度が良好に維持される結果、カーフ幅を抑えつつも高品位で安定した切断加工を行うことができる。
【００２２】
なお、例えば本発明とは異なり、化学的な力のみを付加することにより、ダイヤモンド砥粒及びダイヤモンドフィラーをめっき相に同時共析させる手法が考えられる。つまり、カチオン系などの界面活性剤を使用することにより、大きさの異なるダイヤモンド砥粒とダイヤモンドフィラーとを、めっき相に同時析出させる。しかしながら、化学的な力のみにより砥粒及びフィラーを同時共析させようとすると、Ｎｉ等からなるめっき相の成長が阻害され、該めっき相自体が脆化するおそれがある。
この点、本発明では電気的な力を付加することによりダイヤモンド砥粒とダイヤモンドフィラーの同時共析を可能としているため、めっき相への影響（脆化等のおそれ）はない。なお、本発明において、めっき相の脆化への影響が出ない程度に、カチオン系などの界面活性剤を使用すること（化学的な力の付加を併用すること）については差し支えない。
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、カーボングラファイトからなる。
この場合、例えば、ダイヤモンド砥粒の表面を炭化させるなどの簡単な手法により、導電部（カーボングラファイト）を設けることができる。またこの場合、導電部が、ダイヤモンド砥粒本体よりも脆いカーボングラファイトからなるので、切断加工時においてこの導電部が滑り層として機能し、被切断材の切断面に対する摺動性が向上する。その結果、加工負荷が軽減されて、切断精度をより向上させる効果や、ブレード寿命をより延長させる効果が得られる。
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記めっき相は、Ｎｉからなり、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｎｉよりも硬度が高いＮｉ基化合物からなる。
この場合、導電部として、めっき相のＮｉよりも硬度が高い、例えばＮｉ−Ｐ（ニッケル−リン）、Ｎｉ−Ｂ（ニッケル−ホウ素）、Ｎｉ−Ｗ（ニッケル−タングステン）等のＮｉ基化合物が用いられるので、該導電部によってもブレード剛性を高める効果が得られることになる。
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、Ｐｄ又はＴｉからなる。
この場合、ダイヤモンド砥粒の導電部が、Ｐｄ又はＴｉからなることから、ＰｄコートダイヤやＴｉコートダイヤ等の流通品を、導電部を有するダイヤモンド砥粒として用いることができる。なお、Ｔｉコートダイヤを用いた場合には、切断加工時において導電部（Ｔｉ）が滑り層として機能し、被切断材の切断面に対する摺動性が向上する。その結果、加工負荷が軽減されて、切断精度をより向上させる効果や、ブレード寿命をより延長させる効果が得られる。
【００２３】
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記ダイヤモンド砥粒の導電部は、該ダイヤモンド砥粒の表面に設けられていることが好ましい。
【００２４】
この場合、電解めっき時において、ダイヤモンド砥粒がクーロン力（静電引力）によって陰極に確実に引き寄せられやすくなり、該ダイヤモンド砥粒が、ダイヤモンドフィラーとともにめっき相により取り込まれやすくなって、上述した作用効果が格別顕著なものとなる。
【００２５】
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径は、５μｍ以上であり、前記ダイヤモンドフィラーの平均粒径は、前記ダイヤモンド砥粒の平均粒径の半分以下であることが好ましい。
【００２６】
この場合、ダイヤモンド砥粒の平均粒径が５μｍ以上であるので、該ダイヤモンド砥粒によって、上述した加工性（切れ味）が向上するという効果が格別顕著なものとなる。
また、ダイヤモンドフィラーの平均粒径が、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の半分以下であるので、上述したブレード剛性が高められるという効果が格別顕著なものとなる。
【００２７】
なお、本明細書でいう「平均粒径」とは、多数の砥粒の粒径の平均値や、多数のフィラーの粒径の平均値を指しており、「粒度」とも呼ばれることがある。なお実際には、これら砥粒やフィラーは完全な球体ではないことから、本明細書でいう「粒径」とは、砥粒やフィラーの製造時における、分粒（ふるい分け、分級）により選定される粒子径に相当する。
【００２８】
また、本発明の切断用ブレードにおいて、前記ダイヤモンドフィラーの平均粒径が、２μｍ以下であることが好ましい。
【００２９】
この場合、ブレード剛性が高められるという効果がより格別顕著なものとなる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明の切断用ブレード及びその製造方法によれば、たとえブレード本体を薄肉化しても、該ブレード本体の硬度や剛性を十分に確保することができ、これにより切断精度が良好に維持される結果、カーフ幅を抑えつつも高品位で安定した切断加工を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一実施形態に係る切断用ブレードを示す斜視図である。
【図２】ブレード本体の外周縁部（切れ刃近傍）を示す断面図である。
【図３】電解めっき終了時のブレード本体の部分を示す断面図である。
【図４】電解めっき時において、陰極（カソード電極）に、めっき相とともにダイヤモンド砥粒とダイヤモンドフィラーが取り込まれる原理を説明する図である。
【図５】電解めっき時において、陰極にダイヤモンド砥粒が引き寄せられる原理を説明する図である。
【図６】従来の電解めっきを説明する図である。
【図７】従来の電解めっきを説明する図である。
【図８】従来の電解めっきを説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の一実施形態に係る切断用ブレード１０について、図面を参照して説明する。
本実施形態の切断用ブレード１０は、半導体素子や電子部品等の被切断材の超精密切断加工に用いられるものである。また、切断用ブレード１０は、電解めっき（電気めっき）により作製された電鋳ブレードである。
【００３９】
図１に示されるように、切断用ブレード１０は、円板状をなすブレード本体１と、ブレード本体１の外周縁部に形成された切れ刃１Ａと、を備えている。
本実施形態の切断用ブレード１０は、ブレード本体１が図示しない切断装置の主軸にフランジを介して取り付けられる、ワッシャタイプ（平円板形）のブレードである。
【００４０】
この切断用ブレード１０の電鋳時には、図３に示されるように、めっき液Ｐ中にブレード本体１を析出させる台金１１である陰極（カソード電極）を配置し、電解めっきによってこの台金１１上に、後述する砥粒３及びフィラー５を取り込みつつ、めっき相２を析出させる。そして、めっき相２が所定の厚さに達したところで台金１１から剥離し、電解研磨やラップ処理などを施して砥粒３の目立てを行う。本実施形態の切断用ブレード１０の製造方法については、別途詳しく後述する。
なお本発明は、ワッシャタイプのブレードに限定されるものではない。すなわち、切断用ブレード１０は、電鋳の際の台金１１に析出したブレード本体１が固着されたままとされ、この台金１１ごと主軸に取り付けられるハブタイプのブレード（ハブ付きブレード）であってもよい。
【００４１】
図１において切断用ブレード１０は、切断装置の主軸によってブレード本体１が中心軸Ｏ回りに回転させられつつ、被切断材に対して中心軸Ｏに垂直な方向に移動させられることにより、このブレード本体１においてフランジよりも径方向外側に突出させられた外周縁部（切れ刃１Ａ）で、被切断材を切断する。
なお、本明細書においては、ブレード本体１の中心軸Ｏ方向に沿う方向を厚さ方向といい、中心軸Ｏに直交する方向を径方向といい、中心軸Ｏ回りに周回する方向を周方向という。
【００４２】
ブレード本体１の厚さ（厚さ方向の長さ）は、例えば、０．０２０〜０．１５０ｍｍであり、つまりこのブレード本体１は、極薄の円形板状をなしている。なお、図１においてはブレード本体１の構成を理解しやすくするため、ブレード本体１の厚さを実際よりも厚く表している。
【００４３】
ブレード本体１の径方向の中央部（中心軸Ｏ上）には、中心軸Ｏを中心とした円形孔状をなし、該ブレード本体１を厚さ方向に貫通する取付孔４が形成されている。このためブレード本体１は、具体的には円形リング板状をなしている。すなわち、本明細書でいう「円板状をなすブレード本体１」には、円形リング板状をなすブレード本体１が含まれる。
【００４４】
図２に示されるように、ブレード本体１の切れ刃１Ａは、該ブレード本体１の厚さと略等しい幅とされて周方向に沿って延びるブレード本体１の外周面と、該ブレード本体１の厚さ方向を向く一対の側面１Ｂの外周縁部と、これら側面１Ｂの外周縁部と前記外周面との交差稜線をなすエッジ部と、によって形成されている。
【００４５】
ブレード本体１は、Ｎｉからなるめっき相２と、めっき相２に分散されるダイヤモンド砥粒３と、めっき相２に分散され、ダイヤモンド砥粒３よりも平均粒径が小さいダイヤモンドフィラー５と、を有している。つまり本実施形態の切断用ブレード１０は、めっき相２に分散される砥粒３及びフィラー５が、両方ともにダイヤモンドで形成されている。
【００４６】
めっき相２は、Ｎｉからなる金属結合相（マトリックス材）である。めっき相２は、めっきにより形成された金属の固相であり、薄板状に形成されていることから、めっき層やめっき膜とも言い換えることができる。
めっき相２において、複数のダイヤモンド砥粒３同士は、互いの間隔が均等となるように分散されており、複数のダイヤモンドフィラー５同士も、互いの間隔が均等となるように分散されている。そして、めっき相２内において隣り合うダイヤモンド砥粒３同士の間には、めっき相２及びダイヤモンドフィラー５が介在する。
【００４７】
ダイヤモンド砥粒３の平均粒径は、５μｍ以上である。本実施形態では、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が、例えば６〜１２μｍの分布範囲とされている。
めっき相２に分散されるダイヤモンド砥粒３の含有率は、例えば、５〜１５％である。具体的に上記含有率とは、ブレード本体１全体の体積に対するダイヤモンド砥粒３の体積の割合を指す。
【００４８】
ダイヤモンドフィラー５の平均粒径は、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径の半分以下である。具体的に、本実施形態のダイヤモンドフィラー５の平均粒径は、２μｍ以下であって、例えば１〜２μｍの分布範囲とされている。ダイヤモンドフィラー５の粒径は、０／１〜１／２であることが好ましい。
めっき相２に分散されるダイヤモンドフィラー５の含有率は、例えば、３５〜４５％である。具体的に上記含有率とは、ブレード本体１全体の体積に対するダイヤモンドフィラー５の体積の割合を指す。
【００４９】
ここで、本明細書でいう「平均粒径」とは、多数のダイヤモンド砥粒３の粒径の平均値や、多数のダイヤモンドフィラー５の粒径の平均値を指しており、「粒度」とも呼ばれることがある。なお実際には、これら砥粒３やフィラー５は完全な球体ではないことから、本明細書でいう「粒径」とは、砥粒３やフィラー５の製造時における、分粒（ふるい分け、分級）により選定される粒子径に相当する。
【００５０】
そして、ダイヤモンド砥粒３は、導電部６を有している。一方、ダイヤモンドフィラー５は、導電部を有していない。
本実施形態において、ダイヤモンド砥粒３の導電部６は、該ダイヤモンド砥粒３の表面（表層）に設けられている。導電部６は、ダイヤモンド砥粒３の表面のうち、少なくとも一部以上に設けられている。また導電部６は、ダイヤモンド砥粒３の表面のすべてを覆っていてもよい。
【００５１】
導電部６は、ダイヤモンド砥粒３の表面において外部に露出させられている。なお、電解めっき時においてダイヤモンド砥粒３を陰極（カソード電極）に引き寄せる作用（クーロン力による作用）が良好に得られる場合には、導電部６は、ダイヤモンド砥粒３の表面に露出していなくてもよい。
【００５２】
本実施形態においては、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、カーボングラファイトからなる。すなわち、ダイヤモンド砥粒３の本体部（導電部６以外の部位）は、非導電性（絶縁性）のｓｐ３炭素からなり、導電部６は、導電性のｓｐ２炭素からなる。
また、切断用ブレード１０全体に使用されるダイヤモンド砥粒３の重量及びダイヤモンドフィラー５の重量の総和（総ダイヤ重量）に対する、ダイヤモンド砥粒３に付着するカーボングラファイト（導電部６）の重量の総和の割合は、例えば、０．１〜２０ｗｔ％である。
【００５３】
また、めっき相２に共析したダイヤモンド砥粒３とダイヤモンドフィラー５の割合は、砥粒３の量を１（１００％）とした場合に、フィラー５の量が例えば１．５〜４である。なお、この割合については、ブレード本体１の側面１ＢをＳＥＭ等により観察し、該側面１Ｂにおける単位面積あたりの砥粒３の面積の和と、フィラー５の面積の和との比率により求められる。
【００５４】
次に、本実施形態の切断用ブレード１０の製造方法について説明する。
図３〜図５に示されるように、本実施形態の切断用ブレード１０のブレード本体１は、Ｎｉを主成分とするめっき液Ｐを用いた電鋳法により製造される。
めっき液Ｐには、Ｎｉ以外の成分として、所定の添加剤（例えば界面活性剤を含む）、ダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５が混合される。つまり、めっき液Ｐ中に、導電部６を有するダイヤモンド砥粒３と、該ダイヤモンド砥粒３よりも平均粒径が小さく、導電部を有していないダイヤモンドフィラー５と、を分散させる。
【００５５】
また、Ｎｉめっき浴は、スルファミン酸浴、ワット浴、クエン酸浴（従来のｐＨ緩衝剤として用いているホウ酸をクエン酸に置き換えたもの）であってもよい。また、必要に応じてめっき液Ｐに、光沢剤、ピット防止剤等を添加してもよい。
【００５６】
めっき液Ｐ中には、陽極（アノード電極）及び陰極（カソード電極）が互いに離間して配置される。陰極には、ブレード本体１を析出させる台金１１が用いられる。本実施形態の切断用ブレード１０は、ワッシャタイプのブレードであるため、台金１１に析出させたブレード本体１の剥離容易性を考慮して、台金１１はＳＵＳ材等で形成されることが好ましい。
【００５７】
そして、めっき液Ｐを攪拌させながら電解めっきすることにより、陰極とされた台金１１上に、ブレード本体１として、めっき相２とともにダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５を析出させる。なお、電解めっき時の電流密度は、例えば、３〜２０Ａ／ｄｍ２である。
【００５８】
めっき相２が所定の厚さに達したところで、ブレード本体１を台金１１から剥離し、電解研磨やラップ処理などを施して砥粒３の目立てを行い、ブレード本体１の外形を所望形状に整える（外径及び内径を所期する寸法に成形する）。
このようにして、切断用ブレード１０が製造される。
【００５９】
なお、切断用ブレード１０をハブタイプのブレードとする場合には、図示しないハブ用台金の所定領域（ブレード本体１を作製しない領域）にマスキングを施し、マスキングした所定領域以外の部位に、ブレード本体１を析出させればよい。
【００６０】
以上説明した本実施形態の切断用ブレード１０及びその製造方法によれば、めっき相２に、ダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５が両方とも、多量にかつ均等に分散される。従って、たとえブレード本体１を薄肉化しても、該ブレード本体１の硬度や剛性を十分に確保することができ、これにより切断精度が良好に維持される結果、カーフ幅を抑えつつも高品位で安定した切断加工を行うことができる。
【００６１】
ここで、本実施形態による作用効果を理解しやすくするため、まず、本実施形態とは異なる構成（従来例）により電解めっきを行った場合の問題点等について説明し、次いで本実施形態の作用効果について、詳しく説明する。
すなわち、従来例として、
・めっき液Ｐ中に非導電性のダイヤモンド砥粒３０のみを分散させて電解めっきした場合。
・めっき液Ｐ中に非導電性のダイヤモンドフィラー５のみを分散させて電解めっきした場合。
・めっき液Ｐ中に、ともに非導電性とされたダイヤモンド砥粒３０及びダイヤモンドフィラー５を分散させて電解めっきした場合。
について、先に説明する。
【００６２】
＜従来例：めっき液Ｐ中に非導電性のダイヤモンド砥粒３０のみを分散させて電解めっきした場合＞
図６に示されるように、切断用ブレードの製造時において、ブレード本体を析出させる台金１１である陰極（カソード電極）をめっき液Ｐ中に配置し、めっき液Ｐ中に、平均粒径が大きく導電部を有していないダイヤモンド砥粒３０のみを分散して、電解めっきによって台金１１上に砥粒３０を取り込みつつめっき相２を析出させる。この場合、平均粒径が大きなダイヤモンド砥粒３０は質量も大きく、めっき液Ｐから受ける力が大きくなりやすい（ニュートン力学：Ｆ＝ｍａ（運動の第２法則）に従う）ことから、めっき液Ｐを高速攪拌すると、めっき液Ｐから受ける強い力によって砥粒３０がめっき相２にトラップされにくくなる。つまり、ダイヤモンド砥粒３０がめっき液Ｐ中を循環し続けて、めっき相２に取り込まれにくくなる。
このため、平均砥粒が大きいダイヤモンド砥粒３０に対しては、図６に示されるように、めっき液Ｐを極微弱に攪拌させるか攪拌を停止して、ダイヤモンド砥粒３０を自重により沈降させ、めっき相２に析出させることが好ましい。なお、この場合、ダイヤモンドフィラーをめっき相２に析出させていないため、ブレード本体の硬度や剛性を十分に高められないことが問題となる。
【００６３】
＜従来例：めっき液Ｐ中に非導電性のダイヤモンドフィラー５のみを分散させて電解めっきした場合＞
図７に示されるように、めっき液Ｐ中に、平均粒径が小さく導電部を有していないダイヤモンドフィラー５のみを分散して、電解めっきによって台金１１上にフィラー５を取り込みつつめっき相２を析出させる。この場合、平均粒径が小さなダイヤモンドフィラー５は質量も小さく、めっき液Ｐ中で自重によっては沈降しにくいことから、めっき液Ｐを極微弱に攪拌させたり攪拌を停止すると、めっき相２に析出させることが難しくなる。
このため、平均粒径が小さいダイヤモンドフィラー５に対しては、図７に示されるように、めっき液Ｐを強く攪拌させてダイヤモンドフィラー５の分散性を高め、台金１１付近のフィラー存在率を高めることにより、フィラー５を強制的にめっき相２に取り込ませることが好ましい。なお、この場合、ダイヤモンド砥粒をめっき相２に析出させていないため、加工性（切れ味）を十分に高められないことが問題となる。
【００６４】
＜従来例：めっき液Ｐ中に、ともに非導電性のダイヤモンド砥粒３０及びダイヤモンドフィラー５を分散させて電解めっきした場合＞
図８に示されるように、めっき液Ｐ中に、非導電性のダイヤモンド砥粒３０及び非導電性のダイヤモンドフィラー５を分散して、電解めっきによって台金１１上に砥粒３０及びフィラー５を取り込みつつめっき相２を析出させる。この場合、平均粒径（大きさ）が互いに異なるダイヤモンド砥粒３０とダイヤモンドフィラー５とでは、適しためっき液Ｐの攪拌条件が互いに異なるため、攪拌条件の最適化のみでは、ダイヤモンド砥粒３０及びダイヤモンドフィラー５をともに十分にめっき相２に取り込むことは難しい。
【００６５】
しかも、実際に電解めっきを行ってみたところ、図８に示されるように、攪拌条件をダイヤモンド砥粒３０に合わせて弱い攪拌とした場合であっても、ダイヤモンドフィラー５のめっき相２への共析過程がダイヤモンド砥粒３０の共析過程よりも支配的となり、ダイヤモンドフィラー５のみが多量にめっき相２に共析するという現象が確認された。
つまり、大きさの異なるダイヤモンド砥粒３０とダイヤモンドフィラー５をめっき液Ｐ中に分散して電解めっきを行い、砥粒３０及びフィラー５をともにめっき相２に多量にかつ均等に析出（同時共析）させることは、従来技術では困難であった。
【００６６】
次に、上記問題点に鑑みてなされた本実施形態の作用効果について、説明する。
【００６７】
＜本実施形態：めっき液Ｐ中に、導電性のダイヤモンド砥粒３及び非導電性のダイヤモンドフィラー５を分散させて電解めっきした場合＞
図４に示されるように、本実施形態ではめっき液Ｐ中に、導電性のダイヤモンド砥粒３及び非導電性のダイヤモンドフィラー５を分散して、電解めっきによって台金１１上に砥粒３及びフィラー５を取り込みつつめっき相２を析出させる。
【００６８】
実際に電解めっきを行うと、図４及び図５に示されるように、導電性を付与されたダイヤモンド砥粒３が、陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極）の間の電場Ｅから力を受けて、陰極側へ移動し、めっき相２に十分に析出させられることが確認された。これは、導電性のダイヤモンド砥粒３に対して、電場Ｅからクーロン力（Ｆ＝ＱＥ）が作用したためと考えられる。
【００６９】
この結果、めっき液Ｐ中にダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５の両方を分散させつつも、ダイヤモンドフィラー５の共析過程がダイヤモンド砥粒３の共析過程より支配的となるようなことが抑えられて、本実施形態によれば、大きさの異なるダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５が、ともにめっき相２に多量にかつ均等に分散して取り込まれた（同時共析させられた）。なお、図４に示される例では、めっき液Ｐの攪拌条件を弱い攪拌としているが、本実施形態によれば攪拌条件に係わらず、ダイヤモンド砥粒３及びダイヤモンドフィラー５を、ともにめっき相２に多量にかつ均等に取り込むことが可能である。
【００７０】
具体的に、本実施形態とは異なり、導電性のダイヤモンド砥粒３のみをめっき液Ｐ中に分散させて電解めっきを行ってみたところ、めっき相２に析出するダイヤモンド砥粒３の凝集が起こり、砥粒３の分散性が低下した。このようにダイヤモンド砥粒３が凝集すると、切れ刃１Ａの切れ味にバラつきが生じたり、砥粒３間にボイド（隙間）が生じてブレード剛性等に影響するため、好ましくない。
そこで本実施形態のように、導電性のダイヤモンド砥粒３と、該ダイヤモンド砥粒３よりも平均粒径の小さな非導電性のダイヤモンドフィラー（非導電性（絶縁性）のｓｐ３炭素）５とをめっき液Ｐ中に分散させて電解めっきを行ったところ、非導電性のダイヤモンドフィラー５が、導電性のダイヤモンド砥粒３同士の間に介在し分散剤として機能して、砥粒３の凝集が発生しなくなることが確認された。
つまり、導電性のダイヤモンド砥粒３と、非導電性のダイヤモンドフィラー５とをめっき相２に分散させるという特別な構成を採用したことによって、これら砥粒３及びフィラー５を、多量にかつ均等に分散してめっき相２に同時共析させることが可能である。
【００７１】
そして本実施形態によれば、めっき相２に、平均粒径が大きなダイヤモンド砥粒３が多量に取り込まれることにより、該ダイヤモンド砥粒３が加工性向上に寄与して、切れ味が高められるとともに、切断速度を高めることが可能になる。
また、めっき相２に、平均粒径が小さなダイヤモンドフィラー５が多量に取り込まれることにより、該ダイヤモンドフィラー５がブレード本体１の硬度や剛性の向上に効果的に寄与する。なお、本実施形態によれば、非導電性のダイヤモンドフィラー５の投入量（めっき液Ｐ中の含有量）を調整することにより、任意のブレード剛性を得ることができる。
【００７２】
以上より、本実施形態によれば、たとえブレード本体１を薄肉化しても、該ブレード本体１の硬度や剛性を十分に確保することができ、これにより切断精度が良好に維持される結果、カーフ幅を抑えつつも高品位で安定した切断加工を行うことができる。
【００７３】
なお、例えば本実施形態とは異なり、化学的な力のみを付加することにより、ダイヤモンド砥粒３０及びダイヤモンドフィラー５をめっき相２に同時共析させる手法が考えられる。つまり、カチオン系などの界面活性剤を使用することにより、大きさの異なるダイヤモンド砥粒３０とダイヤモンドフィラー５とを、めっき相２に同時析出させる。しかしながら、化学的な力のみにより砥粒３０及びフィラー５を同時共析させようとすると、Ｎｉからなるめっき相２の成長が阻害され、該めっき相２自体が脆化するおそれがある。
この点、本実施形態では電気的な力を付加することによりダイヤモンド砥粒３とダイヤモンドフィラー５の同時共析を可能としているため、めっき相２への影響（脆化等のおそれ）はない。なお、本実施形態において、めっき相２の脆化への影響が出ない程度に、カチオン系などの界面活性剤を使用すること（化学的な力の付加を併用すること）については差し支えない。
【００７４】
また、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、該ダイヤモンド砥粒３の表面に設けられている。
従って、電解めっき時において、ダイヤモンド砥粒３がクーロン力（静電引力）によって陰極に確実に引き寄せられやすくなり、該ダイヤモンド砥粒３が、ダイヤモンドフィラー５とともにめっき相２により取り込まれやすくなって、上述した作用効果が格別顕著なものとなる。
【００７５】
実際に確認したところ、ダイヤモンド砥粒３の表面に導電部６を設けると、めっき液Ｐ中の添加剤（界面活性剤）等に関係なく、めっき相２への共析量が多くなることがわかった。これは、カチオン系等の添加剤がダイヤモンド砥粒３の表面に付着することによって該ダイヤモンド砥粒３が表面電荷（＋Ｑ）を得ているわけではなく、図５に示されるように、ダイヤモンド砥粒３の内部で分極が起こることにより、表面電荷を得ているためと考えられる。
具体的に、ダイヤモンド砥粒３は、砥粒製造時の触媒として鉄、ニッケル、マンガン、コバルト等の不純物メタルを含んでいる。このため、不純物メタルと砥粒３表面の導電部６との間で分極が起こり、不純物メタルの電荷（−Ｑ）及び表面電荷（＋Ｑ）が得られるものと推測される。なお、特に図示していないが、導電部６の電位Ｖに対して、不純物メタルの電位は０である。
【００７６】
また、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が５μｍ以上であり、ダイヤモンドフィラー５の平均粒径がダイヤモンド砥粒３の平均粒径の半分以下であるので、下記の作用効果を奏する。
すなわち、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径が５μｍ以上であるので、該ダイヤモンド砥粒３によって、上述した加工性（切れ味）が向上するという効果が格別顕著なものとなる。
また、ダイヤモンドフィラー５の平均粒径が、ダイヤモンド砥粒３の平均粒径の半分以下であるので、上述したブレード剛性が高められるという効果が格別顕著なものとなる。
具体的には、ダイヤモンドフィラー５の平均粒径が２μｍ以下であるので、ブレード剛性が高められるという効果が、より格別顕著なものとなる。
【００７７】
また本実施形態では、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、カーボングラファイトからなるので、例えば、ダイヤモンド砥粒３の表面を炭化させるなどの簡単な手法により、導電部６を設けることができる。またこの場合、導電部６が、ダイヤモンド砥粒３本体よりも脆いカーボングラファイトからなるので、切断加工時においてこの導電部６が滑り層として機能し、被切断材の切断面に対する摺動性が向上する。その結果、加工負荷が軽減されて、切断精度をより向上させる効果や、ブレード寿命をより延長させる効果が得られる。
【００７８】
なお、ダイヤモンド砥粒３の表面に、導電部６としてカーボングラファイトが設けられたことを確認するには、例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）を用いることができる。Ｘ線光電子分光法によれば、内殻Ｃ１ｓスペクトルの形状（半値幅、ピークの対称性）の解析を行うことにより、ダイヤモンドやカーボングラファイト等の炭素膜の種類を判別することができる。
特に図示していないが、具体的に、Ｃ１ｓのスペクトル形状を表すグラフ（横軸：照射したＸ線を基準としたときの光電子のエネルギー、縦軸：観測された光電子の個数、とされたいわゆるＸＰＳ分析図）では、表面を炭化する前のダイヤモンド砥粒３０（非導電性（絶縁性）のｓｐ３炭素）は、２８５ｅＶ付近にピークを持ち、結晶性が良好なことからピークの対称性を有し半値幅も狭くなる。一方、ダイヤモンド砥粒３０（３）の表面が炭化し始めると（つまり、導電性のｓｐ２炭素が形成されると）、ピーク位置は低エネルギー側にシフトし、ピークの対称性も崩れて、半値幅が拡がる傾向がある。
【００７９】
また本実施形態では、切断用ブレード１０を製造する電鋳時（電解めっき時）において、電流密度を３〜２０Ａ／ｄｍ２としている。
本実施形態によれば、電流密度が３Ａ／ｄｍ２以上であるので、電場Ｅが小さくなり過ぎることを防止でき、ダイヤモンド砥粒３のめっき相２への共析量が安定して確保される。また、電流密度が２０Ａ／ｄｍ２以下であるので、めっき焼けなどによる製品不良が生じにくい。
【００８０】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【００８１】
例えば、前述の実施形態では、ダイヤモンド砥粒３の導電部６として、カーボングラファイトが設けられることとしたが、これに限定されるものではない。
具体的には、めっき相２がＮｉからなり、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、Ｎｉよりも硬度が高いＮｉ基化合物からなることとしてもよい。
この場合、導電部６として、めっき相２のＮｉよりも硬度が高い、例えばＮｉ−Ｐ（ニッケル−リン）、Ｎｉ−Ｂ（ニッケル−ホウ素）、Ｎｉ−Ｗ（ニッケル−タングステン）等のＮｉ基化合物が用いられるので、該導電部６によってもブレード剛性を高める効果が得られることになる。
【００８２】
また、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、Ｐｄ又はＴｉからなることとしてもよい。
この場合、ダイヤモンド砥粒３の導電部６が、Ｐｄ又はＴｉからなることから、ＰｄコートダイヤやＴｉコートダイヤ等の流通品を、導電部６を有するダイヤモンド砥粒３として用いることができる。なお、Ｔｉコートダイヤを用いた場合には、切断加工時において導電部（Ｔｉ）６が滑り層として機能し、被切断材の切断面に対する摺動性が向上する。その結果、加工負荷が軽減されて、切断精度をより向上させる効果や、ブレード寿命をより延長させる効果が得られる。
【００８３】
その他、本発明の趣旨から逸脱しない範囲において、前述の実施形態、変形例及びなお書き等で説明した各構成（構成要素）を組み合わせてもよく、また、構成の付加、省略、置換、その他の変更が可能である。また本発明は、前述した実施形態によって限定されることはなく、特許請求の範囲によってのみ限定される。
【実施例】
【００８４】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００８５】
[切断用ブレードの製造例]
前述の実施形態で説明した切断用ブレード１０の製造例として、ワッシャタイプのＮｉ電鋳ブレードの製造について、下記に一例を挙げて説明する。
この切断用ブレード１０は、Ｎｉ浴に導電性のダイヤモンド砥粒３と非導電性のダイヤモンドフィラー５を分散させためっき液Ｐにより作製可能である。この切断用ブレード１０は、めっき相２自体をブレードとして使用する電鋳ブレードであるため、陰極である台金１１との剥離容易性が良好に得られることが要求される。このため、台金１１にはＳＵＳ材を用いた。
【００８６】
Ｎｉめっき浴は、スルファミン酸浴、ワット浴等を使用しても問題ない。スルファミン酸浴を用いるのであれば、例えばＮｉ濃度：０．１〜２．０ｍｏｌ／Ｌ、ホウ酸濃度：０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌをベースとして光沢剤、ピット防止剤等の添加物を適量添加したものを使用することができる。ｐＨは４〜４．５、めっき温度は４５〜５５℃が好ましい。ｐＨを上記の数値範囲外としてめっきを行うと、陽極側から酸素が発生したり、陰極側から水素が発生したりするため、スルファミン酸を用いて調整する。
【００８７】
導電性のダイヤモンド砥粒３としては、例えば、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄ、カーボングラファイトのいずれかをコーティングしたダイヤモンドの粒子を使用することができ、非導電性のダイヤモンドフィラー５としては、金属等によりコーティングされていない一般的なダイヤモンド（ノーマルダイヤモンド）の粒子を使用することができる。
【００８８】
めっき（電解めっき）は、導電性のダイヤモンド砥粒３と、非導電性のダイヤモンドフィラー５とを、Ｎｉめっき液Ｐ中に投入し、攪拌しながら行う。攪拌は、スターラー攪拌や超音波攪拌等、任意に選択して構わないが、例えばＰｄコーティング等のダイヤモンド砥粒３では、超音波の条件によってコーティングが剥がれるものもあるため、使用するダイヤモンド砥粒３の種類や性質（特性）に応じて、影響が出にくい攪拌手法を選ぶことが好ましい。
【００８９】
電流密度は、３〜７Ａ／ｄｍ２とした。なお、電流密度は、高くし過ぎると浴中に印加される電場Ｅが大きくなるため、導電性のダイヤモンド砥粒３のめっき相２への共析量は向上するが、その一方で陰極付近のＮｉ濃度が徐々に低下し、めっき焼けが発生するおそれがある。電流密度を高く維持したい場合には、攪拌を強くする、Ｎｉ濃度を高くする等の最適化を行うことが好ましい。
【００９０】
めっきにより、ＳＵＳ材からなる陰極（台金１１）上に、導電性のダイヤモンド砥粒３と、非導電性のダイヤモンドフィラー５とを含むＮｉ皮膜（めっき相２）を形成した後、陰極からＮｉ皮膜を剥がす。陰極と接していたＮｉ皮膜のめっき面（電極面）は、ダイヤモンド砥粒３が埋没させられた状態であるため、Ｎｉ皮膜の前記めっき面とは反対側の面（成長面）に比べて、砥粒３の突き出し量が小さくなっている。
【００９１】
この状態のまま切断加工すると、ブレード本体１の一対の側面１Ｂ同士のうち、一方の側面１Ｂと他方の側面１Ｂとで摩擦差が生じ蛇行等が発生するため、電極面側の側面１Ｂを、リン酸等を含むエッチング液で電解研磨する。
エッチング後、所望のブレードサイズとなるように研磨などの機械加工を施し、切断用ブレード１０を得ることができる。
【符号の説明】
【００９２】
１  ブレード本体
１Ａ  切れ刃
２  めっき相
３  ダイヤモンド砥粒
５  ダイヤモンドフィラー
６  導電部
１０  切断用ブレード
１１  台金（陰極）
Ｐ  めっき液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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