(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
［１］：工業汚れが付着した物品を、一般式（１）：Ｒ１−Ｏ−［ＣＨ２−ＣＨ（Ｘ）−Ｏ］ｎ−Ｒ２（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はいずれも同一又は異なっていてよい炭素数１〜３のアルキル基を、Ｘは水素又はメチル基を、ｎは２又は３を示す。）で表されかつ常圧下の沸点が１６０〜２３０℃のグリコール系溶剤（ａ１）、水（ａ２）、並びに該（ａ１）成分及び（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物（ａ３）を含む非共沸性洗浄剤（Ａ１）で洗浄する工程と、
［２］：該工程［１］で洗浄された当該物品を、前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分を含み、（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率が順に５〜３５重量％及び６５〜９５重量％であり、かつ前記（ａ３）成分を実質的に含まない常圧下の共沸点が９０〜１００℃の共沸性濯ぎ液（Ａ２）で濯ぐ工程と、
［３］：該工程［２］で生ずる廃液のみを蒸留することにより前記共沸濯ぎ液（Ａ２）を再生する工程と、
を含む、物品の洗浄及び濯ぎ方法。
【請求項２】
前記（ａ３）成分がＮ−アルキルアルカノールアミン類及び／又はＮ−アルキルジアルカノールアミン類である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記（Ａ１）成分における（ａ１）成分、（ａ２）成分及び（ａ３）成分の比率が順に１０〜９０重量％、５〜８０重量％及び０．１〜５重量％である、請求項１又は２の方法。
【請求項４】
前記工業汚れが、ハンダ付用フラックス、ソルダペースト、フラックス残渣及び工業油からなる群より選ばれる少なくとも一種である、請求項１〜３のいずれかの方法。
【請求項５】
工業汚れが付着した物品を、一般式（１）：Ｒ１−Ｏ−［ＣＨ２−ＣＨ（Ｘ）−Ｏ］ｎ−Ｒ２（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はいずれも同一又は異なっていてよい炭素数１〜３のアルキル基を、Ｘは水素又はメチル基を、ｎは２又は３を示す。）で表されかつ常圧下の沸点が１６０〜２３０℃のグリコール系溶剤（ａ１）、水（ａ２）、並びに該（ａ１）成分及び（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物（ａ３）を含む非共沸性洗浄剤（Ａ１）で洗浄する洗浄機構と、
該洗浄機構で洗浄された物品を、前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分を含み、（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率が順に５〜３５重量％及び６５〜９５重量％であり、かつ前記（ａ３）成分を実質的に含まない常圧下の共沸点が９０〜１００℃の共沸性濯ぎ液（Ａ２）で濯ぐ機構と、
該濯ぎ機構で生ずる廃液のみを蒸留することにより（Ａ２）成分を再生する機構と、
前記濯ぎ機構で生ずる廃液のみを前記再生機構に供給する供給路と、
前記再生機構で再生された（Ａ２）成分を前記濯ぎ機構に戻す戻り流路と、
を備え、
前記再生機構は、前記濯ぎ機構で生ずる廃液のみを気化させることにより、工業汚れ並びに（ａ３）成分が実質的に除去された（Ａ２）成分を得る気化器を含む、
物品の洗浄及び濯ぎ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハンダ付用フラックスやソルダペースト、フラックス残渣及び工業油等の各種工業汚れが付着した物品を所定の洗浄剤で洗浄するとともに、洗浄後の物品を、蒸留再生可能なグリコール系濯ぎ液で濯ぎ、該濯ぎ廃液の蒸留再生を可能とする方法、並びに該方法を実施可能な装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
工業用洗浄剤は、例えば、電気機器、電子部品、精密機器、金属、ガラス、セラミックス及び樹脂成形品等の各種物品の表面を清浄にし、製品の信頼性を高めるために使用される。
【０００３】
前記工業用洗浄剤のうち、例えば、フラックス残渣用洗浄剤は、ソルダペーストや糸ハンダ等を用いて電子部品をプリント配線基板の電極に接合した後、不可避的に生ずるフラックス残渣を除去するために使用される。
【０００４】
また、前記工業用洗浄剤のうち、例えば、金属用脱脂洗浄剤は、金属製の部品や当該部品を有する製品に付着した潤滑油、防錆油、鉱物油、切削油及び加工油等の工業油を除去するために使用される。
【０００５】
ところで、工業用洗浄剤は、かつてはトリクロロエチレンやトリクロロトリフルオロエタン等のハロゲン化炭化水素溶剤が使用されていた。しかし、環境問題が浮上した結果、近年では、非ハロゲンタイプの炭化水素系洗浄剤及びグリコール系洗浄剤等が主流となっている。
【０００６】
前記グリコール系洗浄剤は、各種グリコール系化合物を主成分とする洗浄剤であり、フラックス及びその残渣、イオン残渣、並びに金属に付着したオイル等の除去性に優れるとされる（特許文献１及び２を参照）。また、それらは一般に引火点がないか非常に高く、非危険物であることから、防爆設計された洗浄装置が必要とされない点、及び低臭気等の点で炭化水素系溶剤に勝る。
【０００７】
ところで、グリコール系洗浄剤で物品を洗浄した後は、該物品の清浄度を高めるため、水や揮発性のアルコール類、揮発性炭化水素等の濯ぎ液で濯ぐことが一般的である。しかし、濯ぎ後に生ずる廃液には工業用汚れが残存することから、当該廃液を濯ぎ液として繰り返し使用すると廃液中の汚れ濃度が次第に高くなり、いずれ廃棄せざるを得なくなる。しかし、廃棄処理のためには相応の設備と費用が必要となる。
【０００８】
この点、炭化水素系の濯ぎ液については、その共沸時の組成を所定範囲に規定することによって、その廃液の蒸留再生を可能とするシステムが存在する。例えば特許文献３には、各種の加工油及びフラックスに対して十分な洗浄力を有する炭化水素系洗浄剤として、所定沸点範囲の飽和脂肪族炭化水素及び所定のアルコール類からなるものが記載されているが、このものは共沸混合物であるため濯ぎ液としても使用でき、しかもリサイクル可能であるとされる。また、特許文献４及び５にも、所定の炭化水素化合物からなる共沸濯ぎ液を用いた洗浄剤を用いた濯ぎシステムが記載されている。
【０００９】
しかし、炭化水素系の濯ぎ液は引火性の危険物であるため、防爆装置等の安全措置が必要になるなど相応の設備及びコストを要し、また臭気の点でも問題がある。そこで、グリコール系の濯ぎ液であって、蒸留再生が可能なものを用いたシステムの構築が考えられるが、本出願人が知る限りそのような例はまだない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平３−１５２１９７号公報
【特許文献２】特開平１０−０４６１９８号公報
【特許文献３】特開平１０−５３７９７号公報
【特許文献４】特開２００４−３０７８３９号公報
【特許文献５】特開２００８−２４９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、ハンダ付用フラックスやソルダペースト、フラックス残渣及び工業油等の各種工業汚れが付着した物品を所定の洗浄剤で洗浄するとともに、洗浄後の物品を、蒸留再生可能なグリコール系濯ぎ液で濯ぎ、該濯ぎ廃液の蒸留再生を可能とするシステム及び該システムを実施可能な装置を提供することを主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは検討の結果、所定の非共沸性洗浄剤及び当該洗浄剤と主成分が同一の共沸性濯ぎ液を採用することにより前記課題に係るシステム及び装置を構成することができた。即ち本発明は、以下に示す方法及び装置に関する。
【００１３】
１．［１］：工業汚れが付着した物品を、一般式（１）：Ｒ１−Ｏ−［ＣＨ２−ＣＨ（Ｘ）−Ｏ］ｎ−Ｒ２（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はいずれも同一又は異なっていてよい炭素数１〜３のアルキル基を、Ｘは水素又はメチル基を、ｎは２又は３を示す。）で表されかつ常圧下の沸点が１６０〜２３０℃のグリコール系溶剤（ａ１）、水（ａ２）、並びに該（ａ１）成分及び（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物（ａ３）を含む非共沸性洗浄剤（Ａ１）で洗浄する工程と、［２］：該工程［１］で洗浄された当該物品を、前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分を含みかつ前記（ａ３）成分を実質的に含まない常圧下の共沸点が９０〜１００℃の共沸性濯ぎ液（Ａ２）で濯ぐ工程と、［３］：該工程［２］で生ずる廃液を蒸留することにより前記共沸濯ぎ液（Ａ２）を再生する工程とを含む、物品の洗浄及び濯ぎ方法
【００１４】
２．前記（ａ３）成分がＮ−アルキルアルカノールアミン類及び／又はＮ−アルキルジアルカノールアミン類である、前記項１の方法。
【００１５】
３．前記（Ａ１）成分における（ａ１）成分、（ａ２）成分及び（ａ３）成分の比率が順に１０〜９０重量％、５〜８０重量％及び０．１〜５重量％である、前記項１又は２の方法。
【００１６】
４．前記（Ａ２）成分における（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率が順に５〜３５重量％及び６５〜９５重量％である、前記項１〜３のいずれかの方法。
【００１７】
５．前記工業汚れが、ハンダ付用フラックス、ソルダペースト、フラックス残渣及び工業油からなる群より選ばれる少なくとも一種である、前記項１〜４のいずれかの洗浄方法。
【００１８】
６．工業汚れが付着した物品を、一般式（１）：Ｒ１−Ｏ−［ＣＨ２−ＣＨ（Ｘ）−Ｏ］ｎ−Ｒ２（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はいずれも同一又は異なっていてよい炭素数１〜３のアルキル基を、Ｘは水素又はメチル基を、ｎは２又は３を示す。）で表されかつ常圧下の沸点が１６０〜２３０℃のグリコール系溶剤（ａ１）、水（ａ２）、並びに該（ａ１）成分及び（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物（ａ３）を含む非共沸性洗浄剤（Ａ１）で洗浄する洗浄機構と、  該洗浄機構で洗浄された物品を、前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分を含みかつ前記（ａ３）成分を実質的に含まない常圧下の共沸点が９０〜１００℃の共沸性濯ぎ液（Ａ２）で濯ぐ機構と、該濯ぎ機構で生ずる廃液を蒸留することにより（Ａ２）成分を再生する機構と、前記濯ぎ機構で生ずる廃液を前記再生機構に供給する供給路と、前記再生機構で再生された（Ａ２）成分を前記濯ぎ機構に戻す戻り流路とを備え、前記再生機構は、前記濯ぎ機構で生ずる廃液を気化させることにより、工業汚れ並びに（ａ３）成分が実質的に除去された（Ａ２）成分を得る気化器を含む、物品の洗浄及び濯ぎ装置。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の方法及び装置においては、各種物品に付着した工業汚れを所定の洗浄剤によって好適に除去することができ、かつ該洗浄剤と主成分が同一である濯ぎ液によって該物品を更に濯ぐことができるため、それら物品の表面を清浄にすることができる。しかも、当該濯ぎ液は共沸組成物であり、その廃液を蒸留再生して繰り返し使用することができるため、濯ぎ後に生ずる廃液の量を大幅に削減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る装置の第１実施形態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜本発明の方法について＞
本発明の方法に係る前記工程［１］、［２］及び［３］を、以下、順に説明する。
【００２２】
工程［１］は、工業汚れが付着した物品を、所定のグリコール系溶剤（ａ１）（以下、「（ａ１）成分」ともいう。）、水（ａ２）（以下、「（ａ２）成分」ともいう。）並びに該（ａ１）成分及び該（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物（ａ３）（以下、「（ａ３）成分」ともいう。）を含む非共沸性洗浄剤（Ａ１）（以下、「（Ａ１）成分」ともいう。）を用いて洗浄する工程である。
【００２３】
前記工業汚れは特に限定されないが、代表的なものとして、例えばハンダ付用フラックス、ソルダペースト、フラックス残渣、工業油、及び切り粉等が挙げられる。これらの中でも、ハンダ付用フラックス、ソルダペースト、フラックス残渣及び工業油からなる群より選ばれる一種は、本発明の洗浄剤の除去対象として好適である。
【００２４】
前記ハンダ付用フラックスとは、ハンダ及び母材（金属電極等）表面の酸化皮膜を除去し、両者の接合を容易にするために用いられる組成物であり、一般的には、ベース樹脂、活性剤及び有機溶剤、並びに必要に応じてチキソトロピック剤、酸化防止剤及びその他の添加剤を含む。また、該ハンダ付用フラックスは、その組成により、例えばソルダペースト用フラックスや、糸はんだ用フラックス、ポストフラックス及びプレフラックス等の非ソルダペースト用フラックスに分類される。
【００２５】
前記ベース樹脂としては、ロジン系ベース樹脂及び非ロジン系ベース樹脂が挙げられる。該ロジン系ベース樹脂としては、例えば、ガムロジン、トール油ロジン及びウッドロジン等の天然ロジン、該天然ロジンの精製物、水素化物及び不均化物、並びにこれらを原料とする重合ロジン、不飽和酸変性ロジン（アクリル化ロジン、フマル化ロジン、マレイン化ロジン等）及びロジンエステル並びにそれらの精製物、水素化物及び不均化物等が挙げられる。また、該ロジンエステルを構成する多価アルコールとしては、例えば、グリセリン及びペンタエリスリトール等が挙げられる。また、該非ロジン系ベース樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ナイロン樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリオレフイン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、イソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、クロロプレンゴム、ナイロンゴム、ナイロン系エラストマ及びポリエステル系エラストマ等が挙げられる。
【００２６】
前記活性剤としては、例えば、コハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、グルタル酸、セバシン酸、ドデカン二酸、ダイマー酸、フマル酸、マレイン酸、イタコン酸、ｔｒａｎｓ−２，３−ジブロモ−１，４−ブテンジオール、ｃｉｓ−２，３−ジブロモ−１，４−ブテンジオール、３−ブロモプロピオン酸、２−ブロモ吉草酸、５−ブロモ−ｎ−吉草酸、２−ブロモイソ吉草酸、エチルアミン臭素酸塩、ジエチルアミン臭素酸塩、ジエチルアミン塩化水素酸塩及びメチルアミン臭素酸等が挙げられる。
【００２７】
前記有機溶剤としては、例えば、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、イソブタノール、ブチルカルビトール、ヘキシルジグリコール、ヘキシルカルビトール、酢酸イソプロピル、プロピオン酸エチル、安息香酸ブチル、アジピン酸ジエチル、ｎ−ヘキサン、ドデカン及びテトラデセン等が挙げられる。
【００２８】
前記チキソトロピック剤としては、ひまし油、硬化ひまし油、蜜ロウ、カルナバワックス、ステアリン酸アミド及び１２−ヒドロキシステアリン酸エチレンビスアミド等が挙げられる。
【００２９】
前記酸化防止剤としては、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ’−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンアミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、トリフェニルフォスファイト、トリエチルフォスファイト、トリラウリルトリチオフォスファエト及びトリス（トリデシル）フォスファイト等が挙げられる。
【００３０】
前記その他の添加剤としては、防黴剤、艶消し剤、増粘防止剤及び界面活性剤等が挙げられる。
【００３１】
前記ソルダペーストは、ハンダ付用フラックスとハンダ粉末とを混合してなる組成物である。該ハンダ粉末としては、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｃｕ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、又はＳｎ−Ｚｎ系の鉛フリーハンダ粉末や、更に鉛を構成成分とする鉛含有ハンダ粉末が挙げられる。また、これらハンダ金属は、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｂｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｇｅ、ＩＮ，Ｎｉ、Ｐ、Ｐｔ、Ｓｂ及びＺｎからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素がドープされていてよい。該ソルダペーストは、スクリーン印刷によりメタルマスクを介して電極上に供給され、その上に電子部品が載置された後に、加熱下でハンダ付が行われる。
【００３２】
前記ハンダ付用フラックス又はソルダペーストが付着した物品としては、例えば、スクリーン印刷用のメタルマスク、スキージ、ディスペンス方式用のノズル、シリンジ及び基板固定用の治具等が挙げられる。
【００３３】
前記フラックス残渣は、ソルダペースト、糸ハンダ、プレフラックス及びポストフラックス等を用い、電子部品等を電極に接合した後に生ずる残渣である。このものは、ハンダ金属及び母材を腐食したり、基板の絶縁抵抗を低下させたりするため、洗浄により除去する必要がある。
【００３４】
前記フラックス残渣が付着した物品としては、例えば、プリント回路基板、セラミック配線基板、半導体素子搭載基板、ウエハ、ＴＡＢテープ、リードフレーム、パワーモジュール及びカメラモジュール等が挙げられる。また、対応するものについては、ＩＣ、コンデンサ、抵抗器、ダイオード、トランジスタ、コイル及びＣＳＰ等の電子部品がハンダ付されていたり、ＢＧＡ、ＰＧＡ及びＬＧＡ等が形成されていたり、ハンダレベリング等の前処理が施されていてもよい。
【００３５】
前記工業油としては、例えば、加工油、切削油、鉱物油、機械油グリース、潤滑油、防錆油、ワックス、ピッチ、パラフィン、油脂及びグリース等が挙げられる。これらは機械加工及び金属加工等の分野において、材料と工具間の摩擦を低減して焼き付きを防止したり、加工に要する力を低減して形成し易くしたり、製品の錆や腐食を防止したりするために使用される。また、メッキ処理が予定されている部品に工業用油が残存しているとメッキ不良が生じ得るため、そうした部品の洗浄に本発明に係る洗浄剤は特に適している。
【００３６】
前記工業油が付着した物品としては、例えば、ボルト、ナット、フェルール及びワッシャー等の成型部品を始め、エンジンピストン等の自動車部品、ギア、シャフト、スプロケット及びチェーン等の産業機械部品や、ＨＤＤ用パーツ及びリードフレーム等の電子部品等が挙げられる。
【００３７】
前記切り粉としては、例えば、プリント回路基板、セラミック配線基板、半導体素子搭載基板、カバーガラス及びウエハなどをダイシング加工した際に生じる切り粉等が挙げられる。
【００３８】
次に、（Ａ１）成分について説明する。（Ａ１）成分の主成分である（ａ１）成分は、一般式（１）：Ｒ１−Ｏ−［ＣＨ２−ＣＨ（Ｘ）−Ｏ］ｎ−Ｒ２（式（１）中、Ｒ１及びＲ２はいずれも炭素数１〜３のアルキル基を、Ｘは水素又はメチル基を、ｎは２又は３を示す。）で表されるグリコール系溶剤である。該（ａ１）成分の具体例としては、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルメチルエーテル、ジエチレングリコール−ｎ−プロピルメチルエーテル、ジプロピレングリコール−ｎ−プロピルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリプロピレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールエチルメチルエーテル、トリプロピレングリコールエチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、トリプロピレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルメチルエーテル、トリエチレングリコール−ｎ−プロピルメチルエーテル、及びトリプロピレングリコール−ｎ−プロピルメチルエーテル等が挙げられる。これらは１種を単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（Ａ１）成分としては、洗浄性の点より、前記ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＭＥＤＧ）、ジエチレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＧ）、ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル（ＩＰＤＭ）、及びトリプロピレングリコールジメチルエーテル（ＭＴＰＯＭ）からなる群より選ばれる少なくとも１種が好ましい。
【００３９】
また、前記（ａ１）成分は、その常圧下の沸点が１６０〜２３０℃程程度、好ましくは１７０〜２２０℃程度、一層好ましくは１７５〜１９０℃程度である。なお、「常圧」とは標準大気圧を意味する（以下、同様。）。
【００４０】
前記（ａ２）成分としては、超純水、純水、精製水、蒸留水、イオン交換水及び水道水等が挙げられる。
【００４１】
前記（ａ３）成分としては、前記（ａ１）成分及び（ａ２）成分と常圧下で共沸しないアミン系化合物であれば、各種公知のものを特に制限なく使用できる。また、その常圧下の沸点は特に限定されないが、通常１６０〜２９０℃程度、好ましくは１６５〜２８０℃程度である  。また、その具体例としては、分子内にアルキル基を有さないアルカノールアミン類（モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等）、Ｎ−アルキルアルカノールアミン類（Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−プロピルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン等）、Ｎ−アルキルジアルカノールアミン類（Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、Ｎ−プロピルジエタノールアミン、Ｎ−ブチルジエタノールアミン等が挙げられ、二種以上を併用できる。これらの中でも洗浄性の点より前記Ｎ−アルキルアルカノールアミン類及び／又はＮ−アルキルジアルカノールアミン類が好ましい。
【００４２】
前記（Ａ）成分には、必要に応じて、各種公知の界面活性剤やキレート剤、前記酸化防止剤、防錆剤、封孔処理剤、ｐＨ調整剤及び消泡剤等の添加剤（以下、「（ａ４）」成分ともいう。）を含めることができる。
【００４３】
前記界面活性剤としては、各種公知のものを特に制限なく使用できる。具体的には、例えば、ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤及び／又はノニオン性界面活性剤が挙げられる。
【００４４】
該ポリオキシアルキレンリン酸エステル系界面活性剤としては、例えば、下記一般式（２）で表される化合物及び／又はその塩が挙げられ、これを用いることで、洗浄性が良好になる。
【００４５】
【化１】
0006650100.tif 000002
【００４６】
（式（２）中、Ｒ２は炭素数５〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は炭素数７〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を、ｍは２〜２０の整数を、Ｙは水酸基又は一般式（３）：Ｒ３−Ｏ（ＣＨ２ＣＨ２−Ｏ）ｑ−（式（３）中、Ｒ３は炭素数５〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は炭素数７〜１２の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を、ｑは０〜２０の整数を示す。）。）
【００４７】
前記ノニオン性界面活性剤としては、例えば、一般式（４）：Ｒ４Ｏ−（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｒ−（ＣＨ２Ｃ（Ｒ５）ＨＯ）ｓ−Ｈ（式中、Ｒ４は炭素数６〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は炭素数７〜１２の直鎖若しくは分岐鎖アルキル基で置換されたフェニル基を、ｒは０〜２０の整数を、Ｒ５は水素若しくはメチル基を、ｓは０〜２０の整数を示し、ｒ＋ｓは２〜２０の整数である。）で表される化合物が挙げられる。
【００４８】
前記キレート剤としては、例えば、クエン酸、イソクエン酸、リンゴ酸、酒石酸、オルトリン酸、ピロリン酸及びトリリン酸、並びにそれらの塩（ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩及びアルカノールアミン塩等）等が挙げられる。
【００４９】
前記（Ａ１）成分は、前記各成分を各種公知の手段で混合することにより調製することができる。また、各成分の含有量は特に限定されず、工業用汚れの種類に応じて適宜設定すればよい。具体的には、（ａ１）成分、（ａ２）成分及び（ａ３）成分の比率が順に１０〜９０重量％程度、５〜８０重量％程度及び０．１〜５重量％程度となる範囲であればよい。また、前記（ａ４）成分を使用する場合には、（ａ１）成分、（ａ２）成分、（ａ３）成分及び（ａ４）成分の比率が順に１０〜９０重量％程度、５〜８０重量％程度、０．１〜５重量％程度及び０．０１〜５重量％程度となる範囲であればよい。
【００５０】
前記（Ａ１）成分で前記物品を洗浄する手段は限定されず、例えば、浸漬洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、スチーム洗浄、超音波洗浄、液中ジェット洗浄及び直通式洗浄（ダイレクトパス（登録商標））等が挙げられる。また、公知の洗浄装置として、例えば、特開平７−３２８５６５号公報、特開２０００−１８９９１２号公報、特開２００１−９３２号公報及び特開２００５−１４４４４１号公報等が挙げられる。
【００５１】
前記工程［２］は、前記工程［１］で洗浄された当該物品を、前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分を含みかつ前記（ａ３）成分を実質的に含まない、常圧下の共沸点が９０〜１００℃の共沸性濯ぎ液（Ａ２）（以下、（Ａ２）成分ともいう。）で濯ぐ工程である。該共沸点は、好ましくは９５〜１００℃程度、一層好ましくは９７〜９９℃である。
【００５２】
該（Ａ２）成分における前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分の含有量は特に限定されないが、濯ぎ効率を高め、かつ後述の工程［３］における濯ぎ廃液の蒸留再生を可能にする目的で、通常、順に５〜３５重量％程度及び６５〜９５重量％程度であり、好ましくは順に１５〜３５重量％程度及び６５〜８５重量％程度である。
【００５３】
なお、該（Ａ２）成分は、前記（Ａ１）成分と異なり濯ぎ液であるため、洗浄補助成分である前記（ａ３）成分を実質的に含まない。（ａ３）成分が含まれる場合における（Ａ１）成分の組成は、通常、（ａ１）成分及び（ａ２）成分の含有量が順に５〜３５重量％程度（好ましくは１５〜３５重量％程度）及び６５〜９４重量％程度（好ましくは６５〜８４．９重量％程度）程度であって、（ａ３）成分の含有量が１重量％未満程度（好ましくは０．１重量％未満程度）である。このとき、該（Ａ１）成分で洗浄後の物品を濯いだ後に生ずる廃液を効率的に蒸留再生できるようになる。
【００５４】
また、同様の理由で該（Ａ２）成分は洗浄補助成分である前記（ａ４）成分を実質的に含まない。（ａ４）成分が含まれる場合における（Ａ１）成分の組成は、通常、（ａ１）成分及び（ａ２）成分の含有量が順に５〜３５重量％程度（好ましくは１５〜３５重量％程度）及び６５〜９４重量％程度（好ましくは６５〜８４．９重量％程度）程度であって、（ａ４）成分の含有量が１重量％未満程度（好ましくは０．１重量％未満程度）である。このとき、該（Ａ１）成分で洗浄後の物品を濯いだ後に生ずる廃液を効率的に蒸留再生できるようになる。
【００５５】
該（Ａ２）成分で前記物品を濯ぐ方法は限定されず、例えば、浸漬濯ぎ、シャワー濯ぎ、スプレー濯ぎ、スチーム濯ぎ、超音波濯ぎ、液中ジェット濯ぎ、前記直通式洗浄（ダイレクトパス（登録商標））を用いた濯ぎ等が挙げられる。また、該（Ａ２）成分を加温する際、メカニカルスターラーやマグネチックスターラー、超音波等の各種ミキシング手段を併用することが望ましい。
【００５６】
また、該工程［２］は二回以上繰り返してもよく、その都度、物品の清浄度を高めることができる。また、該工程［２］とともに、前記（Ａ２）成分以外の濯ぎ液で前記物品を濯ぐ工程を設けることもできる。該濯ぎ液としては、例えば、純水、及びイオン交換水等の水；メチルアルコール、エチルアルコール、及びイソプロピルアルコール等のアルコール類が挙げられる。
【００５７】
前記工程［３］は、前記工程［２］で生ずる廃液を蒸留することにより、汚れ成分が除去された（Ａ２）成分を留分として再び得る工程である。
【００５８】
濯ぎ廃液を蒸留する手段は特に限定されず、各種方法を採用できる。具体的には、ヒーター、熱媒等の熱源を含む気化器と、コンデンサ、熱交換器等の凝縮器とを備えた蒸留器が挙げられ、これを用いて濯ぎ廃液を蒸留することにより、留出液としての共沸濯ぎ液（（Ａ２）成分）を再生することができる。また、蒸留器内では、工程［１］から工程［２］に持ち込まれた汚れ成分や、前記（Ａ１）成分に由来する前記（ａ３）成分及び必要に応じて用いられる前記（ａ４）成分が濃縮され残渣となるが、これは廃棄する。
【００５９】
また、前記蒸留器には、留出液の組成をより共沸組成物に近づけるため、必要に応じ、ラシヒリング、ディクソンパッキン等の充填物、バブルキャップトレイ、デミスター等の分離促進器を設置してもよい。また、それらの理論段数は任意であり、必要に応じて増減できる。
【００６０】
再生された共沸濯ぎ液（（Ａ２）成分）は、工程［２］における濯ぎ液として再び使用することができる。なお、再生された濯ぎ液における前記（ａ１）成分及び前記（ａ２）成分の比率は、通常、順に５〜３５重量％及び６５〜９５重量％程度であり、好ましくは順に１５〜３５重量％及び６５〜８５重量％程度である。
【００６１】
＜本発明の装置について＞
本発明の装置は、所定の洗浄機構、濯ぎ機構及び再生機構、並びに所定の供給路及び戻り流路、並びに所定の気化器を含む。
【００６２】
前記洗浄機構は、工業汚れが付着した物品を前記（Ａ１）成分で洗浄する機構である。なお、該工業汚れ及び物品は前記したものと同様である。また、該（Ａ１）成分の組成及び組成比並びに物性も前記同様である。また、該洗浄機構を実施するための洗浄手段及び該（Ａ１）成分の利用態様も前記同様である。
【００６３】
前記濯ぎ機構は、前記洗浄機構で洗浄された物品を前記（Ａ２）成分で濯ぐ機構である。なお、該（Ａ２）成分の組成及び組成比並びに物性も前記同様である。また、該濯ぎ機構を実施するための手段及び該（Ａ２）成分の利用態様も前記同様である。また、本発明の装置において該濯ぎ機構は２つ以上設けられていてもよい。
【００６４】
前記再生機構は、前記濯ぎ機構で生ずる廃液を蒸留することにより前記（Ａ２）成分を再生する機構である。該再生手段としては、前記蒸留手段を挙げることができる。また、該機構には、前記洗浄から前記濯ぎ機構に持ち込まれた汚れ成分や、前記（Ａ１）成分に由来する前記（ａ３）成分及び必要に応じ用いられる前記（ａ４）成分等が濃縮されてなる残渣を廃棄するための流路を設けてもよい。
【００６５】
該供給路は、前記濯ぎ機構で生ずる、工業汚れ並びに前記（ａ３）成分及び必要に応じ用いられる前記（ａ４）成分を含む廃液を前記再生機構に供給するためのラインである。
【００６６】
該戻り流路は、前記再生機構で再生された前記（Ａ２）成分を前記濯ぎ機構に戻すためのラインである。
【００６７】
また、前記機再生機構は、前記濯ぎ機構で生ずる廃液を気化させることにより、工業汚れ並びに前記（ａ３）成分及び必要に応じ用いられる前記（ａ４）成分が実質的に除去された（Ａ２）成分を得るための気化器を備える。該気化器の詳細は後述する。
【００６８】
以下、本発明の装置を、一の具体的な実施態様（図１）を通じて詳細に説明する。ただし、当該発明が該実施態様により限定されないことはもとよりである。
【００６９】
図１は、第１実施形態の装置１を示す。該装置１は、前記（Ａ１）成分に相当する洗浄剤４を用いて工業汚れが付着した物品を洗浄する洗浄機構２と、洗浄後の当該物品を前記（Ａ２）成分に相当する濯ぎ液５を用いて濯ぎ、生じた廃液を再生するための機構３（以下、濯ぎ・再生機構３ともいう。）とを備えている。
【００７０】
濯ぎ・再生機構３は、濯ぎ液５が貯留される第１濯ぎ液槽２１Ｂ及び第２濯ぎ液槽２１Ｃを備えており、それらの底部には超音波振動子２２が設置されている。また、該液槽２１Ｂ及び該液槽２１Ｃの間には、濯ぎ液５を矢印Ｄの方向に流通させる流路２０Ａが設けられている。また、該液槽２１Ｂには、ここから濯ぎ液５を流出させる流出路２０Ｄが設けられている。また、該流出路２０Ｄは、該濯ぎ液５を液槽２１Ｂに戻す循環路２０Ｂと、濯ぎ液５を再生機構３へ供給する供給路２０Ｃとに分岐している。また、該流出路２０Ｄ及び循環路２０Ｂにはそれぞれ、濯ぎ液５の流量を調整するバルブＶ１及びＶ２が設けられている。また、供給路２０ＣにもバルブＶ３が設けられており、バルブＶ３を開閉操作することで、再生機構３への濯ぎ液５の流入が制御されている。流出路２０Ｄには、工業用共沸洗浄剤４を圧送するポンプＰ１が接続されている。
【００７１】
また、濯ぎ・再生機構３は、第１の液槽２１Ｂ及び第２の液槽２１Ｃで物品を濯いだ後に生ずる、汚れ成分等を含んだ濯ぎ液５の廃液を気化させる気化器３１と、気化して蒸気となっている濯ぎ液５を凝縮させる凝縮器３２とを備えている。この気化器３１と凝縮器３２とで、濯ぎ液５を蒸留する蒸留器は構成される。
【００７２】
前記気化器３１は、底部が濯ぎ液５を溜める液溜め部となっており、その液溜め部に、濯ぎ液５を加熱し気化させるためのヒーター、熱媒等の熱源３３が設けられている。また、気化器３１には、蒸留後の留出液（濯ぎ液５）の組成をより共沸組成に近づけるために、上記したラシヒリング、ディクソンパッキン等の充填物３４及びバブルキャップトレイ、デミスター等の分離促進器３５が設けられている。なお、充填物３４及び分離促進器３５は、必ずしも設けられる必要はなく、必要に応じていずれか一方又は両方が設けられればよい。また、それらの理論段数も任意に変更できる。また、図１では示していないが、気化器３１の底部にはボトム留分を系外に排出するための排出路を設置してもよい。該ボトム留分には、液槽２１Ａから濯ぎ・再生機構３に持ち込まれた工業汚れや、洗浄剤Ａに由来するアミン成分、界面活性剤等が含まれる。
【００７３】
前記凝縮器３２には、コンデンサ、熱交換器等の既知の凝縮手段を用いることができる。この凝縮器３２には、凝縮されて液化した濯ぎ液５を洗浄機構２、具体的には第２液槽２１Ｃへ戻すための戻り流路３０Ａが設けられている。
【００７４】
一方、濯ぎ・再生機構３には洗浄機構２が併設されている。該洗浄機構２は、洗浄剤４が貯留されかつ工業汚れが付着した物品が投入される液槽２１Ａと、該液槽２１Ａの底部に設けられた超音波振動子２２とを備える。また、該超音波振動子２２としては、ピエゾ素子又は電磁式の振動子等の既知の任意の振動子を用いることができる。また、該液槽２１Ａの底部には、該洗浄剤４を加熱するためのヒーターと、熱媒等の熱源２３とが設けられている。なお、該洗浄機構２では、超音波振動子２２を用いず、メカニカルスターラーやマグネチックスターラー等の物理的対流手段を使用してもよい。また、超音波振動子２２に代えて、各液槽２１Ａにジェット噴射ノズルを設けることで、液中ジェット洗浄を行うこともできる。また、液槽２１Ａを特開平７−３２８５６５号公報に開示された洗浄塔に置き換えることにより直通式洗浄を行うこともできる。また、洗浄機構２をシャワー洗浄機構やスチーム洗浄機構に置き換えることもできる。熱源２３により加熱された洗浄剤４は、相分離して白濁状となり、物品に付着した工業汚れを効果的に除去する。洗浄された物品は、矢印Ｅの方向に移送され、第１濯ぎ液槽２１Ｂに投入される。このとき、該濯ぎ液槽２１Ｂには、洗浄後の物品に付着した洗浄剤４及び工業汚れの残分が持ち込まれる。
【００７５】
次に、装置１の動作について説明する。第１濯ぎ液槽２１Ｂ及び第２濯ぎ液槽２１Ｃには、それぞれ濯ぎ液５が貯留されている。該濯ぎ液槽２１Ｂには、洗浄液槽２１Ａから移送された洗浄後の物品が投入され、超音波振動子２２を作動させることによって当該物品が濯がれる。該第１濯ぎ液槽２１Ｂで濯がれた物品は、よりきれいな濯ぎ液５が貯留されている第２濯ぎ液槽２１Ｃへと矢印Ｅの方向に移送され、仕上げ濯ぎが行われる。この仕上げすすぎも、超音波振動子２２を作動させた状態で行う。
【００７６】
濯ぎ液５は、常に開放されているバルブＶ１とバルブＶ２とによって、第１液槽２１Ａ、流出路２０Ｄ及び循環路２０Ｂを常時循環している。液槽２１Ｂ内の濯ぎ液における工業汚れや洗浄剤４由来成分が増加すると、バルブＶ３を開放して、濯ぎ液５が供給路２０Ｃを通って再生機構３の気化器３１に供給される。気化器３１では濯ぎ液５が気化し、その時に濯ぎ液５に含まれる工業汚れが除去される。除去された工業汚れは気化器３１内に溜まり、廃棄される。気化された濯ぎ液５は、凝縮器３２へと流れ、凝縮器３２で凝縮される。そして、工業汚れが除去されて再生された濯ぎ液５は、戻り流路３０Ａを通って液槽２１Ｃに戻される。
【００７７】
第１濯ぎ液槽２１Ｂから再生機構３へ濯ぎ液５が流出すると、第１濯ぎ液槽２１Ｂ内に貯留される濯ぎ液５が減少する。減少した濯ぎ液５は、液槽２１Ｃから流路２０Ａを介して補われる。そして、第２濯ぎ液槽２１Ｃで減少した濯ぎ液５は、戻り流路３０Ａを介して再生機構３で再生された濯ぎ液５が戻されることによって補われる。このようにして、装置１において、濯ぎ液５が循環再生される。
【００７８】
なお、当該実施形態では、洗浄用の液槽として液槽２１Ａ、濯ぎ用の液槽として液槽２１Ｂと２１Ｃの２個を設けているが、それらは洗浄物の清浄度、生産量に応じて任意の個数とすることができる。
【実施例】
【００７９】
本発明を、実施例を通じて具体的に説明する。ただし、それらによって本発明の範囲は限定されない。
【００８０】
＜洗浄剤の調製＞
調製例１
（ａ１）成分としてジエチレングリコールエチルメチルエーテル（ＭＥＤＧ）２８ｇ、（ａ２）成分として蒸留水７０ｇ、及び（ａ３）成分としてＮ，Ｎ−ブチルジエタノールアミン（ＭＢＤ）２ｇをビーカーで良く混合し、実施例態様の洗浄剤（Ａ１）を調製した。また、ＭＥＤＧ  ２７．７ｇ及び水７２．３ｇをビーカーで良く混合し、実施例態様の濯ぎ液（Ａ２）も調製した。
【００８１】
＜洗浄試験用物品の作製＞
作製例１
鉛フリーソルダペースト（商品名「パインソルダーＴＡＳ  ＬＦ２１９−１」、荒川化学工業（株）製）を、ガラスエポキシ銅張積層板（３０×３０×Ｔ１．５ｍｍ）の銅パターン上にメタルマスクを介して印刷し、得られた積層板を、以下のプロファイルでリフローすることによって、フラックス残渣が付着した基板（以下、基材Ａという。）を作製した。
【００８２】
（試験基板のリフロープロファイル）
雰囲気      ：  大気
昇温速度    ：  ２℃／秒
プレヒート  ：  １５０℃、６０秒間
ピーク温度  ：  ２５０℃、３０秒間
【００８３】
作製例２
鉛フリーソルダペースト（パインソルダーＴＡＳ  ＬＦ２１９−１）を、ソルダレジストが塗工された銅張積層板（３０×３０×Ｔ１．５ｍｍ）の銅パターン上にメタルマスクを介して印刷し、得られた積層板を、以下のプロファイルでリフローすることによって、フラックス残渣が付着した基板（以下、基材Ｂという。）を作製した。
【００８４】
（試験基板のリフロープロファイル）
雰囲気      ：  大気
昇温速度    ：  ２℃／秒
プレヒート  ：  １５０℃、６０秒間
ピーク温度  ：  ３００℃、６０秒間
【００８５】
作製例３
ロジン系ポストフラックス（商品名「パインフラックスＷＨＳ−００２」、荒川化学工業（株）製）５０ｍｇを、ＪＩＳ２型の櫛形基板（５０×５０×Ｔ１．５ｍｍ）の銅パターン上に、軟毛ブラシを用いて均一に塗布し、１００℃の乾燥機の中で５分間乾燥させた後、２３５±５℃の共晶ハンダ浴（錫−鉛合金）に５秒間浸すことによって、ポストフラックスの残渣が付着した基材（以下、基材Ｃという。）を作製した。
【００８６】
＜洗浄及び濯ぎ試験＞  
実施例１
２００ｍＬのビーカーＡに調製例１の洗浄剤を２００ｇ入れ、スターラーを用いて撹拌しながら６５℃に加温した。一方、２００ｍＬのビーカーＢ及びビーカーＣに実施例１の濯ぎ液をそれぞれ２００ｇ入れ、スターラーを用いて撹拌しながら２５℃に加温した。次いで、前記基材Ａを、ビーカーＡ、ビーカーＢ及びビーカーＣの順にそれぞれ１０分間浸漬し、該基材Ａを取り出し、８０℃の循風乾燥機の中で１０分間乾燥させた。また、同様の手順に従い、前記基材Ｂ及び基材Ｃについても洗浄、濯ぎ及び乾燥を行った。
【００８７】
（基材Ａ、Ｂ及びＣの評価方法、及び評価基準）
フラックス及びポストフラックスの洗浄性は、光学顕微鏡を用いた目視検査により除去率を求めることで判定した。尚、フラックス、及びポストフラックスの洗浄性の判定基準は下記の通りである。結果を表１に示す。
【００８８】
除去率（％）＝（１−洗浄後のフラックス付着面積／洗浄前のフラックス付着面積）×１００
◎  ：  除去率９５％以上
○  ：  除去率８５％以上、かつ９５％未満
△  ：  除去率７５％以上、かつ８５％未満
×  ：  除去率７５％未満
【００８９】
＜濯ぎ廃液の蒸留＞
実施例１において、ビーカーＣから基材Ａを取り出した残りの廃液を２００ｍｌのナス型フラスコに入れた。次いで、該ナス型フラスコにト字管、温度計及びリービッヒ冷却器を取り付、これをオイルバスに浸し、１気圧の下、該廃液を加熱して沸騰させた。そして、初留区分を２０ｇ、中留区分を２０ｇずつ計３回、及び後留区分約２０ｇ未満をそれぞれ採取した。そして、各蒸留区分における（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率をデジタル濃度計ＰＲ−２０１α（（株）アタゴ製）で測定した結果、各区分における組成比は略一定であり（誤差０．１〜０．８％以内）、また、濯ぎ液（原液）における（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率と殆ど相違しないことが解った（誤差０．１〜０．８％以内）なお、いずれの留分においても（ａ３）成分及び（ａ４）成分は測定されなかった。以上より、実施例１に係る濯ぎ液は、濯ぎ後の廃液が蒸留再生に適すると考えられた。
【００９０】
調製例２〜５２
（ａ１）成分、（ａ２）成分、（ａ３）成分及び（ａ４）成分として表１〜４に示すものを用いた他は調製例１と同様にして、実施例態様の洗浄剤及び濯ぎ液を調製した。次いで、各洗浄剤を用いて前記洗浄試験及び濯ぎ試験を実施した。次いで、各濯ぎ液の廃液について前記同様にして蒸留試験を実施し、各蒸留区分における（ａ１）成分及び（ａ２）成分の比率を測定した結果、どの濯ぎ液も、その廃液が蒸留再生に適することが解った。
【００９１】
【表１】
0006650100.tif 000003
【００９２】
（ａ１）成分
ＭＥＤＧ：ジエチレングリコールエチルメチルエーテル（C2H5O-(CH2CH2O)2-CH3）
【００９３】
（ａ３）成分
ＥＡ：エタノールアミン
ＴＥＡ：トリエタノールアミン
ＭＥＭ：Ｎ−エチルエタノールアミン(C2H5-NH-CH2CH2-OH)
ＭＢＭ：Ｎ，Ｎ−ブチルエタノールアミン(C4H9-NH-CH2CH2-OH)
ＭＥＤ：Ｎ−エチルジエタノールアミン(C4H9-N(CH2CH2OH)2)
ＭＢＤ：Ｎ，Ｎ−ブチルジエタノールアミン(CH3)3C-N(CH2CH2OH)2
【００９４】
（ａ４）成分
Ａ２１２Ｃ：ポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステル（商品名「プライサーフＡ２１２Ｃ」、第一工業製薬（株）、酸価１００〜１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ）
Ａ２１５Ｃ：ポリオキシエチレントリデシルエーテルリン酸エステル（商品名「プライサーフＡ２１５Ｃ」、第一工業製薬（株）、酸価８０〜９５ｍｇＫＯＨ／ｇ）
ＥＴ−１１５；ポリオキシエチレンアルキルエーテル（商品名「ノイゲンＥＴ−１１５」、第一工業製薬（株））
ＥＴ−１３５；ポリオキシエチレンアルキルエーテル（商品名「ノイゲンＥＴ−１３５」、第一工業製薬（株））
【００９５】
【表２】
0006650100.tif 000004
【００９６】
（ａ１）成分
ＤＥＤＧ：ジエチレングリコールジエチルエーテル（C2H5O-(CH2CH2O)2-C2H5）
【００９７】
【表３】
0006650100.tif 000005
【００９８】
（ａ１）成分
ＩＰＤＭ：ジエチレングリコールイソプロピルメチルエーテル（isoC3H7O-(CH2CH2O)2-CH3）
【００９９】
【表４】
0006650100.tif 000006
【０１００】
（ａ１）成分
ＭＴＰＯＭ：トリプロピレングリコールジメチルエーテル（CH3O-(CH2CH(CH3)O)3-CH3）
【０１０１】
調製例５２〜５７
（ａ１）成分以外の溶剤（（ａ１’）成分）、（ａ２）成分及び（ａ３）成分として表５に示すものを用いた他は調製例１と同様にして、比較例態様の洗浄剤及び濯ぎ液を調製した。次いで、各洗浄剤を用いて前記洗浄試験及び濯ぎ試験を実施した結果、表５で示すように不良であった。次いで、各濯ぎ液の廃液について前記同様にして蒸留試験を実施し、各蒸留区分における（ａ１’）成分及び（ａ２）成分の比率を測定した結果、各区分における組成比は誤差０．１〜０．８％以内で一定しており、また、いずれの留分においても（ａ３）成分及び（ａ４）成分は測定されなかった。
【０１０２】
調製例５８〜６０
（ａ１）成分以外の溶剤（（ａ１’）成分）、（ａ２）成分及び（ａ３）成分として表５に示すものを用いた他は調製例１と同様にして、比較例態様の洗浄剤及び濯ぎ液を調製した。次いで、各洗浄剤を用いて前記洗浄試験を用いて前記洗浄試験及び濯ぎ試験を実施したが、洗浄及び濯ぎ試験は良好であったものの、蒸留再生した濯ぎ液が水とベンジルアルコールに分離した。
【０１０３】
【表５】
0006650100.tif 000007
【０１０４】
（ａ１’）成分
ＭＦＤＧ：メチルプロピレンジグリコール（CH3O-(CH2CH(CH3)O)2-H）
ＭＭＢ：３−メチル３−メトキシブタノール（CH3O-C(CH3)2C2H4OH）
ＢｚＡ：ベンジルアルコール
【符号の説明】
【０１０５】
１      濯ぎ・再生装置
２      洗浄機構
３      濯ぎ・再生機構
４      洗浄剤
５      濯ぎ液
２０Ａ  流路
２０Ｂ  循環路
２０Ｃ  供給路
２１Ａ  洗浄液槽
２１Ｂ  第１濯ぎ液槽
２１Ｃ  第２濯ぎ液槽
２２    超音波振動子
３０Ａ  戻り流路
３１    気化器
３２    凝縮器
３３    熱源
３４    充填物
３５    分離促進器
Ｖ１    流量調整バルブ
Ｖ２    流量調整バルブ
Ｖ３    流量調整バルブ
Ｐ１    圧送ポンプ
【図１】
0006650100.tif 000008