(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電性材料を含む電子デバイスであって、前記誘電性材料が式（Ｉ）および式（ＩＩ）
【化１】
0006657074.tif 000028
〔式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、Ｈであり、
およびＲ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25は、Ｈであり、
Ｌは、直接結合であるか、またはＣ1〜Ｃ4アルキレンである〕の構造単位を有するコポリマーを含み、
前記電子デバイスが、キャパシタ、トランジスタまたはキャパシタ及びトランジスタを有するデバイスであり、
前記誘電性材料が、ジケトピロロピロール基および／またはチオフェン基を有する単位を有する半導体性ポリマー材料を含む半導体と接触し、前記半導体性ポリマー材料は、前記誘電性材料に対して溶解性を示す溶剤に対して、非溶解性を示す、
前記電子デバイス。
【請求項２】
前記電子デバイスが、前記誘電性材料を含有する有機電界効果トランジスタ、または当該トランジスタを含むデバイスである、請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記コポリマーにおいて、（Ｉ）対（ＩＩ）の比が２０：１〜１：５の範囲内にある、請求項１または２記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記コポリマーがさらに
【化２】
0006657074.tif 000029
好ましくは構造単位
【化３】
0006657074.tif 000030
または構造単位
【化４】
0006657074.tif 000031
または構造単位
【化５】
0006657074.tif 000032
からなる群から選択された構造単位の少なくとも１個を有する、請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記コポリマーが５０００〜２００００００ｇ／ｍｏｌの、ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される質量平均分子量を有する、請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記誘電性材料が層の形で存在し、および層厚が５０〜２０００ｎｍである、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子デバイスを製造する方法であって、この方法が、
ａ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）
【化６】
0006657074.tif 000033
の、ラジカルを介した重合、例えばフリーラジカル重合または制御ラジカル重合、
および／または
ｂ）構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩｂ）を有するコポリマーとアミン化合物（ＩＩｃ）
【化７】
0006657074.tif 000034
とのイミド形成反応
によって、式（Ｉ）および式（ＩＩ）
【化８】
0006657074.tif 000035
の構造単位を有するコポリマーを含む誘電性材料を製造することを含む、前記方法。
【請求項８】
キャパシタおよび有機電界効果トランジスタから選択される電子デバイスにおける、ジケトピロロピロール基および／またはチオフェン基を有する単位を有する半導体性ポリマー材料を含む半導体と接触する誘電性材料であり、該誘電性材料が、式（Ｉ）および式（ＩＩ）
【化９】
0006657074.tif 000036
〔式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、Ｈであり、
およびＲ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25は、Ｈであり、
Ｌは、直接結合であるか、またはＣ1〜Ｃ4アルキレンである〕の構造単位を有するコポリマーを含み、前記半導体性ポリマー材料は、前記誘電性材料に対して溶解性を示す溶剤に対して、非溶解性を示す、前記誘電性材料としてのコポリマーの使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
技術分野
本発明は、スチレンおよびマレイミドまたはこれらの誘導体をベースとする誘電性材料を含む、電子デバイス、例えばキャパシタまたはトランジスタならびに当該電子デバイスの製造法および前記電子デバイスの使用に関する。
【０００２】
背景
トランジスタ、殊に有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴｓ）は、例えば、印刷された電子デバイス、例えば有機発光ディスプレイ、ｅ−ｐａｐｅｒ、液晶ディスプレイおよび無線ＩＤタグのための部品として使用されている。ＯＦＥＴは、有機半導電性材料を含む半導電性層、誘電性材料を含む誘電性層、ゲート電極およびソース／ドレイン電極からなる。
【０００３】
殊に、誘電性材料が溶液処理技術によって塗布されうるＯＦＥＴｓは、望ましい。溶液処理技術は、加工性の点から有利でありかつプラスチック基板に適用することもできる。したがって、溶液処理技術、例えば回転塗布法に適合しうる有機誘電性材料は、フレキシブルな基板上での低価格な有機電界効果トランジスタの製造を可能にする。
【０００４】
欧州特許出願公開第１１４５９３９２号明細書Ａには、有機半導体層を溶液から析出させ、続いて溶液から、ゲート絶縁体の少なくとも一部を形成させる、低い誘電率の絶縁（すなわち、誘電性）材料の層を析出させることを含む、有機電界効果デバイスの製造法が開示されている。前記有機電界効果デバイスは、さらに、低い誘電率の絶縁層の他方の側に析出された、高い誘電率の絶縁層を含むことができる。欧州特許出願公開第１１４５９３９２号明細書Ａによれば、前記有機半導体層は、典型的な構造単位のアリールアミン、フルオレンおよびチオフェンを有する、ホモポリマーまたはコポリマーであってよい。半導体層は、芳香族溶剤またはクロロ芳香族溶剤、例えばトルエンから基板上に塗布されている。ポリスチレンをベースとしてよい、欧州特許出願公開第１１４５９３９２号明細書の低い誘電率の絶縁材料は、好ましくは、典型的にＯＦＥＴｓにおいて使用される半導体を溶解しないフルオロ溶剤から有機半導体層上に析出されるフルオロポリマーである。高い誘電率の絶縁材料は、フルオロポリマーをベースとしていてもよくかつ好ましくは、フルオロ溶剤から析出される。
【０００５】
ＷＯ  ２０１２／０５９３８６には、ポリアミドを含む絶縁層を有するトランジスタを基板上に製造する方法が開示されており、ここで、前記ポリイミドは、光硬化性ポリイミドを含む層を基板上に形成させかつさらに、せいぜい３６０ｎｍの波長の光での照射によって前記ポリイミドを重合させることによって得られる。前記光硬化性ポリイミドは、少なくとも１個の感光性基を有する二無水物を、少なくとも１個の架橋性基を有するジアミンと反応させることによって得ることができる。少なくとも１個の感光性基を有する二無水物は、２個の官能基−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−を有するベンゾフェノン誘導体であってよい。少なくとも１個の架橋性基を有するジアミンは、２個のアミノ官能基および当該アミノ官能基に結合して少なくとも１個のＣＨ2もしくはＣＨ3または少なくとも１個の炭素−炭素二重結合を有する、少なくとも１個の芳香環を有する有機化合物であってよい。基板へのその後の適用のために、半導体層は、有機溶剤、例えばトルエンから塗布され、および絶縁層は、有機溶剤、例えばＮ−メチルピロリドン、シクロペンタノン、メチルエチルケトンまたはエチルアセテートから塗布される。
【０００６】
しかし、溶液処理における、いわゆる直交溶剤中での制限された可溶性のために、前記処理条件下でより良好な可溶性を示す誘電性材料が必要とされる。さらに、当該材料には、低い相対誘電率（ε）rが望ましい。意外なことに、前記課題は、コポリマーが構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩ）
【化１】
0006657074.tif 000002
をベースとする、誘電性材料としての特別なコポリマーによって解決されうる。
【０００７】
殊に、意外なことに、構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩ）を有するコポリマーを含む前記誘電性材料は、意外にも低い誘電率を有しかつ有利に、溶液処理技術によって電子デバイス中に組み入れることができることが見い出された。良好な可溶性の他に、上記ポリマーを含む、本発明による誘電体は、高いガラス転移温度を示し、この高いガラス転移温度は、その後の処理工程（例えば、典型的には、約９０〜１００℃で実施された乾燥）に供された場合に、誘電体の変形を防止するのに有利である。本発明による誘電性ポリマーは、典型的には、約１３０℃〜１４０℃（すなわち、通常、１００〜１１０℃までのＴgを示す［構造単位（Ｉ）だけからなる］常用のポリスチレンよりも高い）のガラス転移温度を有する。
【０００８】
要約
それゆえに、本発明は、誘電性材料が式（Ｉ）と式（ＩＩ）
【化２】
0006657074.tif 000003
〔式中、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ24アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ24アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ25アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ25アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されており、
およびＲ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ24アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ24アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ25アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ25アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されており、
或いはＲ21とＲ22、またはＲ22とＲ23は、任意に、１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、硫黄原子、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断された、５〜８個のＣ原子を有する互いの環状構造を形成し、およびＲ23とＲ24とＲ25、またはＲ21とＲ24とＲ25は、上記の記載と同様であり、
Ｌは、直接結合であるか、または中断されていないかもしくは１個以上の酸素原子によって中断されているＣ1〜Ｃ4アルキレンであり、および
そのつど、Ｒは、独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ24アルキルである〕の構造単位を有するコポリマーを含む、誘電性材料を含む電子デバイスに関する。
【０００９】
さらに、本発明は、電子デバイスの製造法であって、この方法が、
ａ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）
【化３】
0006657074.tif 000004
とのフリーラジカル重合（典型的に、溶液重合、または分散重合もしくは懸濁重合）
および／または
ｂ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）との制御ラジカル重合
および／または
ｃ）構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩｂ）を有するコポリマーとアミン化合物（ＩＩｃ）
【化４】
0006657074.tif 000005
とのイミド形成反応
によって、式（Ｉ）および式（ＩＩ）
【化５】
0006657074.tif 000006
の構造単位を有するコポリマーを含む誘電性材料を製造することを含む、前記方法に関する。
【００１０】
さらに、本発明は、誘電性材料としての、好ましくは印刷された電子デバイス、例えばキャパシタおよび有機電界効果トランジスタ中の誘電性層としての、上記に記載されたようなコポリマーの使用に関する。
【００１１】
詳細な説明
上記したように、本発明は、その誘電性材料が式（Ｉ）の構造単位と式（ＩＩ）の構造単位を有するコポリマーを含む、当該誘電性材料を含む電子デバイスに関する。
【００１２】
好ましくは、本発明によるデバイスは、キャパシタ、トランジスタ、例えば有機電界効果トランジスタ、または当該キャパシタおよび／または当該トランジスタを含むデバイスである。
【００１３】
前記トランジスタは、好ましくは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、およびより好ましくは有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）である。通常、有機電界効果トランジスタは、誘電性層および半導体層を含む。さらに、有機電界効果トランジスタは、通常、ゲート電極およびソース／ドレイン電極を含む。
【００１４】
有機電界効果トランジスタの典型的な設計は、ボトムゲート型の設計およびトップゲート型の設計である。
【００１５】
ボトムゲートトップコンタクト（ＢＧＴＣ）型の設計の場合には、ゲートは、基板の上面上および誘電性層の底面にあり、半導体層は、誘電性層の上面上にあり、およびソース／ドレイン電極は、半導体層の上面上にある。
【００１６】
トップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）型の設計の場合には、ソース／ドレイン電極は、基板の上面上および半導体層の底面にあり、誘電性層は、半導体層の上面上にあり、およびゲート電極は、誘電性層の上面上にある。溶液処理によって製造した場合には、誘電体に使用された溶剤は、半導体に対して、完全に直交していなければならない。ここで使用されたような“完全に直交”の用語は、誘電体に対する良好な溶解性および半導体に対する絶対的な非溶解性を提供する溶剤に関連する。
【００１７】
一般的に、本発明によるコポリマーにおいて、式（Ｉ）の構造単位対式（ＩＩ）の構造単位の比は、広い範囲にわたって変動してよい。好ましくは、式（Ｉ）の構造単位対式（ＩＩ）の構造単位の比は、２０：１〜１：１０、例えば２０：１〜１：５の範囲内、より好ましくは、１７：１〜１：６、例えば１７：１〜１：３の範囲内、よりいっそう好ましくは、１３：１〜１：２の範囲内、さらにより好ましくは、１０：１〜１：１．５の範囲内にある。考えられる範囲は、例えば、１０：１〜８：１または９：１〜７：１または８：１〜６：１または７：１〜５：１または６：１〜４：１または５：１〜３：１または４：１〜２：１または３：１〜１．５：１である。
【００１８】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ8アルキニル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ21アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ21アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ10アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されている。
【００１９】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ16アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ16アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ16アルケニル、Ｃ2〜Ｃ8アルキニル、Ｃ2〜Ｃ16アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ17アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ17アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ8アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されている。
【００２０】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ20アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ8アルキニル、Ｃ2〜Ｃ20アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ21アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ21アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されている。
【００２１】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24およびＲ25は、互いに独立して、Ｈ、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ16アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ16アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ16アルケニル、Ｃ2〜Ｃ8アルキニル、Ｃ2〜Ｃ16アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ8シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ17アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ17アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ8アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されている。
【００２２】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ21とＲ22、またはＲ22とＲ23は、任意に、１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、硫黄原子、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ10アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断された、５〜８個のＣ原子を有する互いの環状構造を形成する。
【００２３】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｒ21とＲ22、またはＲ22とＲ23は、任意に、１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、硫黄原子、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ8アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断された、５〜８個のＣ原子を有する互いの環状構造を形成する。
【００２４】
本発明の考えられる実施態様によれば、Ｌは、直接結合であるか、またはそのアルキレンが中断されていないかもしくは１個以上の酸素原子によって中断されている、Ｃ1〜Ｃ4アルキレン、またはＣ1〜Ｃ3アルキレン、またはＣ1〜Ｃ2アルキレンである。
【００２５】
本発明の考えられる実施態様によれば、そのつど、Ｒは、独立して、ＨまたはＣ1〜Ｃ20アルキルまたはＣ1〜Ｃ16アルキルまたはＣ1〜Ｃ12アルキルまたはＣ1〜Ｃ8アルキルまたはＣ1〜Ｃ4アルキルである。
【００２６】
本発明の好ましい実施態様によれば、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24、Ｒ25は、Ｈであり、およびＲ23は、Ｈまたはハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ24アルキル、ホルミル、Ｃ1〜Ｃ24アルキル−カルボニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル、Ｃ2〜Ｃ10アルキニル、Ｃ2〜Ｃ24アルケニル−カルボニル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルキル、Ｃ3〜Ｃ12シクロアルケニル、Ｃ6〜Ｃ12アリール、Ｃ7〜Ｃ25アリールアルキルまたはＣ7〜Ｃ25アルキルアリールであり、前記基の炭素原子鎖は、そのつど、中断されていないかまたは１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、−Ｓ−、−ＳＯ2−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断されており、および前記基は、そのつど、置換されていないかまたは１個以上の部分−ＯＲ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ｈ）Ｒ、−ＮＲ2、−Ｎ3、−ハロゲンおよび／または−ＳＯ3Ｈによって１回以上置換されている。好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、上記に記載されている。より好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15は、Ｈであり、およびＲ13は、上記に記載されている。
【００２７】
本発明の好ましい実施態様によれば、Ｒ21、Ｒ24、Ｒ25は、Ｈであり、およびＲ22およびＲ23は、任意に、１個以上の酸素原子、−Ｃ（Ｏ）Ｏ−、−ＯＣ（Ｏ）−、硫黄原子、−ＳＯ2−、−ＮＨ−、−Ｎ（Ｃ1〜Ｃ12アルキル）−および／または−Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−によって中断された、５〜８個のＣ原子を有する互いの環状構造を形成する。前記環状構造に関連して、数ある中で、Ｒ22とＲ23は、互いに、ラクトン、より好ましくは、δ−ラクトンを形成する。好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14およびＲ15は、上記に記載されている。より好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15は、Ｈである。
【００２８】
典型的には、前記電子デバイスは、本質的に、式（Ｉ）の構造単位と式（ＩＩ）の構造単位を有するコポリマーからなる、すなわち、このコポリマーを本発明の誘電性材料の質量の８０％を上回る、好ましくは本発明の誘電性材料の質量の９０％を上回る量で含有する、本発明の誘電性材料を含むか、またはさらに十分には、本発明のコポリマーからなる本発明の誘電性材料を含む。
【００２９】
式（Ｉ）の構造単位と式（ＩＩ）の構造単位は、典型的には、本発明のコポリマーの主要部を形成し、すなわち、本発明のコポリマーの質量の５０％を上回る。本発明の好ましい実施態様によれば、前記コポリマーは、さらに、
【化６】
0006657074.tif 000007
好ましくは構造単位
【化７】
0006657074.tif 000008
または構造単位
【化８】
0006657074.tif 000009
または構造単位
【化９】
0006657074.tif 000010
からなる群から選択された構造単位の少なくとも１つを有する。しかし、一定の技術的重要性をもつ他の選択可能な実施態様において、本発明のコポリマーは、上記に示されたような構造単位の他に、式（Ｉ）の構造単位および式（ＩＩ）の構造単位の約１０〜５０％から構成されていてよい。
【００３０】
好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は、上記の記載と同様である。より好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ14、Ｒ15は、Ｈであり、およびＲ13、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は、上記の記載と同様である。よりいっそう好ましくは、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25は、上記の記載と同様である。
【００３１】
さらに、モノマー（ＩＩａ）がＮ−フェニルマレインイミド、１−［４−（アセトキシ）フェニル］マレイミド、１−（４−ブロモフェニル）マレイミド、１−（４−ヨードフェニル）マレイミド、１−［４−（エトキシカルボニル）フェニル］マレイミド、１−［７−クマリン］マレイミド、およびこれらの中の２つ以上の混合物からなる群から選択されていることは、好ましい。
【００３２】
本発明のコポリマーが５０００〜２００００００ｇ／ｍｏｌ、好ましくは１００００〜１００００００ｇ／ｍｏｌの、ゲル浸透クロマトグラフィーによって測定される質量平均分子量を有することは、好ましい。好ましい質量平均分子量は、２００００〜５０００００ｇ／ｍｏｌまたは２５０００〜２０００００ｇ／ｍｏｌまたは３００００〜１５００００ｇ／ｍｏｌの範囲内にあってよい。考えられる範囲は、３００００〜９００００ｇ／ｍｏｌまたは６００００〜１２００００ｇ／ｍｏｌまたは９００００〜１５００００ｇ／ｍｏｌである。
【００３３】
好ましくは、誘電性材料を含むデバイスは、さらに、半導電性ポリマー材料を含む層を含み、および式（Ｉ）のモノマー単位および式（ＩＩ）のモノマー単位を有する誘電性材料と半導電性ポリマー材料とは、双方とも、少なくとも一対の溶剤または溶剤混合物中で直交した溶解性を示す。
【００３４】
半導電性層は、半導電性材料を含む。半導電性材料の例は、ｐ型導電性（キャリア：ホール）を有する半導電性材料およびｎ型導電性（キャリア：電子）を有する半導電性材料である。ｎ型導電性を有する半導体の例は、ペリレンジイミド、ナフタレンジイミドおよびフラーレンである。
【００３５】
ｐ型導電性を有する半導電性材料が好ましい。ｐ型導電性をもつ半導電性材料の例は、分子、例えばルブレン、テトラセン、ペンタセン、６，１３−ビス（トリイソプロピルエチニル）ペンタセン、ジインデノペリレン、ペリレンジイミドおよびテトラシアノキノジメタン、およびポリマー、例えばポリチオフェン、殊にポリ−３−ヘキシルチオフェン（Ｐ３ＨＴ）、ポリフルオレン、ポリジアセチレン、ポリ−２，５−チエニレンビニレン、ポリ−ｐ−フェニレンビニレン（ＰＰＶ）およびジケトピロロピロール基を有する繰返し単位を有するポリマー（ＤＰＰポリマー）である。
【００３６】
特に、半導電性ポリマー材料がジケトピロロピロール基を有する単位を有し（ＤＰＰポリマー）および／またはチオフェン基を有する単位を有する（以下、“ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマー”とも呼称される）ことは、好ましい。当該ＤＰＰポリマーおよびその合成の例は、例えば、米国特許第６４５１４５９号明細書Ｂ１、ＷＯ  ２００５／０４９６９５、ＷＯ  ２００８／０００６６４、ＷＯ  ２０１０／０４９３２１（殊に、ＷＯ  ２０１０／０４９３２１の実施例１の化合物が好ましい）、ＷＯ  ２０１０／０４９３２３、ＷＯ  ２０１０／１０８８７３、ＷＯ  ２０１０／１１５７６７、ＷＯ  ２０１０／１３６３５３、ＷＯ  ２０１０／１３６３５２およびＷＯ  ２０１３／１４４８５６であり；例えば、ＷＯ  ２０１３／１４４８５６Ａ１の第４１頁第３行ないし第５２頁第１行の文節を参照のこと、当該文献の開示内容は、参照のために本明細書に援用される。
【００３７】
好ましくは、前記半導電性材料は、有機溶剤Ａ中の溶液として、トランジスタの層上または基板上に塗布される。
【００３８】
有機溶剤Ａは、半導電性材料の溶液の質量に対して、半導電性材料を少なくとも０．１質量％、好ましくは少なくとも０．５質量％、より好ましくは少なくとも１質量％、よりいっそう好ましくは少なくとも４質量％溶解することができる、任意の溶剤または２つの以上の溶剤の混合物であることができる。
【００３９】
有機溶剤Ａは、せいぜい１８０℃、好ましくはせいぜい１５０℃、より好ましくはせいぜい１３０℃の沸点（周囲圧力で）を有する、任意の溶剤または２つ以上の溶剤の混合物であることができる。
【００４０】
好ましくは、有機溶剤Ａは、式（ＩＩＩａ）、（ＩＩＩｂ）、（ＩＩＩｃ）
【化１０】
0006657074.tif 000011
〔式中、Ｒ31、Ｒ32、Ｒ33、Ｒ34およびＲ35は、互いに独立して、ハロゲン、直鎖状または分枝鎖状のＣ1〜Ｃ6アルキル、Ｃ2〜Ｃ6アルケニル、Ｃ5〜Ｃ6シクロアルキルであり、
ａは、０、１、２または３であり、
ｂは、０、１、２または３であり、
ｃは、０、１、２または３であり、
ｄは、０、１、２または３であり、
ｅは、０、１、２または３であり、
ｂ＋ｃは、３以下であり、
ｄ＋ｅは、３以下である〕の化合物およびこれらの中の２つ以上の混合物からなる群から選択された芳香族炭化水素溶剤である。
【００４１】
好ましくは、式（ＩＩＩａ）の芳香族炭化水素溶剤は、ベンゼン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、１，２−ジエチルベンゼン、１，３−ジエチルベンゼン、１，４−ジエチルベンゼン、プロピルベンゼン、イソプロピルベンゼン、シメン、２−フェニルブタン、ｔ−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、アミルトルエン、ジアミルベンゼン、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、シクロヘキシルベンゼンおよびこれらの中の２つ以上の混合物からなる群から選択されている。より好ましくは、式（ＩＩＩａ）の芳香族炭化水素溶剤は、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレンおよびシクロヘキシルベンゼンならびにこれらの中の２つ以上の混合物からなる群から選択されている。
【００４２】
式（ＩＩＩｂ）の芳香族炭化水素溶剤の例は、ナフタレン、１−メチルナフタレン、１−エチルナフタレン、２−エチルナフタレン、１，４−ジメチルナフタレンおよびこれらの中の２つ以上の混合物である。好ましくは、式（ＩＩＩｂ）の芳香族炭化水素溶剤は、１−メチルナフタレンである。
【００４３】
式（ＩＩＩｃ）の芳香族炭化水素溶剤の例は、インダン、１−メチル−インダン、２−メチル−インダン、４−メチル−インダン、５−メチル−インダンおよびこれらの中の２つ以上の混合物である。式（ＩＩＩｃ）の芳香族炭化水素溶剤は、インダンであるのが好ましい。
【００４４】
好ましくは、本発明の誘電性材料は、有機溶剤Ｂ中の溶液として、トランジスタの層上または基板上に塗布される。
【００４５】
有機溶剤Ｂは、誘電性材料の溶液の質量に対して、誘電性材料を少なくとも０．５質量％、好ましくは少なくとも５質量％、より好ましくは少なくとも８質量％溶解することができる、任意の溶剤または２つの以上の溶剤の混合物であることができる。
【００４６】
有機溶剤Ｂとして、一般に、周囲圧力で８０〜２５０℃の範囲内の沸点を有する任意の溶剤を選択してよい。溶剤Ｂは、当該溶剤の中の２つ以上の混合物であってよい。好ましい方法において、溶剤Ｂの全ての成分は、１００〜２２０℃、殊に１００〜２００℃の範囲内の沸点を有する。前記混合物中に、例えば、少なくとも７０質量％、例えば少なくとも８０質量％、少なくとも９０質量％または少なくとも９５質量％の量で含まれかつ１２０〜１８０℃、例えば１３０〜１７０℃または１４０〜１６０℃の範囲内の沸点を有する主要溶剤、およびさらに前記混合物中に、例えば、せいぜい３０質量％、例えばせいぜい２０質量％、せいぜい１０質量％、またはせいぜい５質量％の量で含まれかつ少なくとも２００℃の範囲内、例えば２００〜２５０℃の範囲内の沸点を有する副次的溶剤を含む混合物が考えられる。好ましくは、有機溶剤Ｂは、Ｎ−メチル−ピロリドン、Ｃ4〜Ｃ8シクロアルカノン、Ｃ1〜Ｃ4アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｃ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルカン酸Ｃ1〜Ｃ4アルキルエステルからなる群から選択されており、ここで、Ｃ1〜Ｃ4アルキルまたはＣ1〜Ｃ4アルカン酸は、ヒドロキシルまたはＯ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルおよびＣ1〜Ｃ4アルキル−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルおよびこれらの中の２つ以上の混合物によって置換されていてよい。
【００４７】
Ｃ1〜Ｃ4アルキル−Ｃ（Ｏ）Ｃ1〜Ｃ4アルキルの例は、エチルイソプロピルケトン、メチルエチルケトンおよびメチルイソブチルケトンである。
【００４８】
Ｃ1〜Ｃ4アルカン酸Ｃ1〜Ｃ4アルキルエステル、ただし、Ｃ1〜Ｃ4アルキルまたはＣ1〜Ｃ4アルカン酸は、ヒドロキシルまたはＯ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルによって置換されていてよいものとし、の例は、エチルアセテート、ブチルアセテート、イソブチルアセテート、（２−メトキシ）エチルアセテート、（２−メトキシ）プロピルアセテートおよびエチルラクテートである。
【００４９】
Ｃ1〜Ｃ4アルキル−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルの例は、ジエチレングリコールジメチルエーテルである。
【００５０】
より好ましくは、有機溶剤Ｂは、Ｃ4〜Ｃ8シクロアルカノン、Ｃ1〜Ｃ4アルキル−Ｃ（Ｏ）−Ｃ1〜Ｃ4アルキル、Ｃ1〜Ｃ4アルカン酸Ｃ1〜Ｃ4アルキルエステルからなる群から選択されており、ここで、Ｃ1〜Ｃ4アルキルまたはＣ1〜Ｃ4アルカン酸は、ヒドロキシルまたはＯ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルおよびＣ1〜Ｃ4アルキル−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキレン−Ｏ−Ｃ1〜Ｃ4アルキルならびにこれらの混合物によって置換されていてよい。例は、メチルエチルケトン、１，４−ジオキサン、メチルイソブチルケトン、ブチルアセテート、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、２−メトキシ−１，３−ジオキソラン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルラクテート、ジグリメ、５−メチル−３Ｈ−フラン−２−オン（“α−アンゲリカラクトン”）、ジプロピレングリコールジメチルエーテル（ＰｒｏＧｌｙｄｅ  ＤＭＭ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、γ−ブチロラクトン、アセトフェノン、イソホロン、γ−カプロラクトン、１，２−プロピレンカーボネート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテートのブレンド（ＰＧＭＥＡ、例えば９５％およびプロピレンカーボネート、例えば５％）である。
【００５１】
最も好ましくは、有機溶剤Ｂは、Ｃ5〜Ｃ6シクロアルカノン、Ｃ1〜Ｃ4アルカン酸Ｃ1〜Ｃ4アルキルエステルおよびこれらの混合物からなる群から選択されている。さらに最も好ましくは、有機溶剤Ａは、シクロペンタノンもしくはブチルアセテートまたはこれらの混合物である。殊に好ましくは、有機溶剤Ａは、ブチルアセテート、またはブチルアセテートとシクロペンタノンとの混合物であり、ここで、ブチルアセテート／シクロペンタノンの質量比は、好ましくは、少なくとも９９：１〜２０：８０、より好ましくは９９：１〜２５：７５、よりいっそう好ましくは９９：１〜３０：７０である。
【００５２】
前記誘電性材料が有機溶剤Ｂ中の溶液として、トランジスタの層上または基板上に塗布される場合には、誘電性材料は、任意の可能な溶液処理法、例えば回転塗布法、滴下注型法または印刷法によって塗布されうる。
【００５３】
前記誘電性材料を有機溶剤Ｂ中の溶液としてトランジスタの層上または基板上に塗布した後、せいぜい１４０℃、好ましくは１４０℃未満の温度で、例えば６０〜１２０℃の範囲内の温度で、好ましくはせいぜい１２０℃、好ましくは１２０℃未満、例えば６０〜１１０℃の範囲内の温度での熱処理が実施されうる。
【００５４】
前記電子デバイスによって構成された誘電性材料が層の形で存在し、および層厚が５０ｎｍ〜２０００ｎｍ、好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍであることは、好ましい。
【００５５】
方法
上述したように、本発明は、さらに、本発明の電子デバイスを製造する方法に関し、この方法は、
ａ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）とのフリーラジカル重合および／または
ｂ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）との制御ラジカル重合、および／または
ｃ）構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩｂ）を有するコポリマーとアミンを含むモノマー（ＩＩｃ）とのイミド形成反応
によって、式（Ｉ）の構造単位および式（ＩＩ）の構造単位を有するコポリマーを含む誘電性材料を製造することを含む。
【００５６】
（ａ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）とのフリーラジカル重合
従来技術で公知のフリーラジカル重合法は、本発明のコポリマーを製造するために使用されてよい。モノマーの重合は、塊状重合、溶液重合、通常、有機溶剤中、好ましくは鉱油中での溶液重合を含めて、種々の条件下で行なうことができる。好ましくは、式（ＩＶ）のコポリマーが得られる。
【００５７】
溶液重合のために、出発反応混合物は、好ましくは、希釈剤、モノマー（Ｉａ）および（ＩＩａ）、重合開始剤および任意に、連鎖移動剤を含む。
【００５８】
適当な重合開始剤は、加熱下で解離する開始剤を含み、フリーラジカル、例えば過酸化物化合物、例えば過酸化ベンゾイル、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキシオクトエートおよびクメンヒドロペルオキシド；またはアゾ化合物、例えばアゾイソブチロニトリルおよび２，２’−アゾビス（２−メチルブタンニトリル）を生じる。
【００５９】
適当な連鎖移動剤は、当業界で常用の連鎖移動剤、例えばメルカプタンおよびアルコールを含む。例えば、トリデシルメルカプタン、ｎ−ドデシルメルカプタンおよびエチルメルカプタンが連鎖移動剤として使用されてよい。使用されるべき連鎖移動剤の量の選択は、合成されるポリマーの所望の分子量に基づくものである。
【００６０】
実施例により制限なしに、典型的には、反応器に式（Ｉａ）のモノマー、ラジカル開始剤および適当な溶剤が装入される。滴下漏斗には、式（Ｉａ）によるモノマーおよび式（ＩＩａ）によるモノマーが装入される。反応器中での式（Ｉａ）のモノマーは、ラジカル反応が開始するまで加熱され、および式（ＩＩａ）のモノマーは、前記滴下漏斗から徐々に添加される。反応後に、混合物は、適当な溶剤、例えばメタノール中に注入され、ポリマーは、ろ過によって捕集され、適当な洗浄剤、例えばメタノールで洗浄され、かつ乾燥される。
【００６１】
（ｂ）少なくともモノマー（Ｉａ）とモノマー（ＩＩａ）との制御フリーラジカル重合
それとは別に、式（Ｉ）の構造単位と式（ＩＩ）の構造単位を有する、誘電性材料コポリマー中のコポリマーは、制御フリーラジカル重合によって得られる。従来技術で公知の方法により、制御フリーラジカル法による重合は、例えば、安定なフリーラジカル重合（ＳＦＲＰ）、可逆的付加開裂連鎖移動（ＲＡＦＴ）重合または原子移動ラジカル重合（ＡＴＲＰ）によって達成されてよい。好ましくは、式（ＩＶ）のコポリマーが得られる。
【００６２】
溶液重合のために、出発反応混合物は、好ましくは、希釈剤、モノマー（Ｉａ）およびモノマー（ＩＩａ）、重合開始剤および任意に、連鎖移動剤を含む。
【００６３】
実施例によれば、制限なしに、典型的には、反応器に式（Ｉａ）のモノマー、ラジカル開始剤および適当な溶剤が装入される。滴下漏斗には、式（Ｉａ）によるモノマーおよび式（ＩＩａ）によるモノマーが装入される。反応器中での式（Ｉａ）のモノマーは、ラジカル反応が開始するまで加熱され、および式（ＩＩａ）のモノマーは、前記滴下漏斗から徐々に添加される。反応後に、混合物は、適当な溶剤、例えばメタノール中に注入され、ポリマーは、ろ過によって捕集され、適当な洗浄剤、例えばメタノールで洗浄され、かつ乾燥される。
【００６４】
（ｃ）構造単位（Ｉ）および構造単位（ＩＩｂ）を有するコポリマーと、アミンを含む化合物（ＩＩｃ）とのイミド形成反応
それとは別に、式（Ｉ）の構造単位および式（ＩＩ）の構造単位を有する、誘電性材料コポリマー中のコポリマーは、イミド形成反応によって得られる。好ましくは、式（ＩＶ）のコポリマーが得られる。
【００６５】
このイミド形成反応のために、出発反応混合物は、好ましくは、希釈剤、構造単位（Ｉ）と構造単位（ＩＩｂ）を有するコポリマーおよびアミンを含むモノマー（ＩＩｃ）を含む。
【００６６】
好ましくは、本発明の誘電性材料は、式（ＩＶ）
【化１１】
0006657074.tif 000012
〔式中、
ｆは、１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜７、よりいっそう好ましくは１〜５の範囲内にあり、および
ｇは、１〜２０、好ましくは１〜１５、より好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜７、よりいっそう好ましくは１〜５、さらによりいっそう好ましくは１〜３の範囲内にあり、よりいっそう十分に好ましくは１である〕のコポリマーを含む。
【００６７】
本発明は、さらに、誘電性材料としての、典型的には、印刷された電子デバイス、例えばキャパシタおよび有機電界効果トランジスタにおける誘電性層または封止層としての、上記に記載されたようなコポリマーの使用に関する。殊に、誘電性層としての上記に記載されたコポリマーを含む、本発明の電子デバイスが好ましく、ここで、前記誘電性層は、半導体層と接触している。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】図１は、それぞれ、−１Ｖ（四角）および−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでコポリマー（３ａ）ゲート誘電体を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す（本発明の例４参照）。
【図２】図２は、それぞれ、０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（３ａ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す（本発明の例４参照）。
【図３】図３は、−１Ｖ（四角）および−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでゲート誘電体としての、それぞれ、コポリマー（２ｂ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；本発明の例６を参照のこと。
【図４】図４は、０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｂ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；例６参照。
【図５】図５は、−１Ｖ（四角）および−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでゲート誘電体としての、それぞれ、コポリマー（２ｃ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；本発明の例８を参照のこと。
【図６】図６は、０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｃ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；例８参照。
【図７】図７は、−１Ｖ（四角）および−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでゲート誘電体としての、それぞれ、コポリマー（２ｄ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；本発明の例１０を参照のこと。
【図８】図８は、０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｄ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsを示す；例１０参照。
【００６９】
本発明は、さらに、次の例によって説明される。
【実施例】
【００７０】
有機半導体としての例において使用される、ジケトピロロピロール（ＤＰＰ）チオフェンポリマーは、式
【化１２】
0006657074.tif 000013
のＷＯ２０１０／０４９３２１の実施例１中に記載されたものである。
【００７１】
例１：フリーラジカル重合による誘電性材料の製造
１．１  式（ＩＩａ）のＮ−フェニルマレインイミドモノマーの製造
式（ＩＩａ）のＮ−フェニルマレインイミドモノマー（モノマー（Ｉａ）ないし（Ｉｅ））を、次の一般的な反応図式および反応手順により製造した：
【化１３】
0006657074.tif 000014
【００７２】
工程Ａ：Ｎ−置換マレアミン酸
無水マレイン酸（６．０４ｍｍｏｌ）を無水ＣＨ2Ｃｌ2（１５ｍＬ）中に溶解し、その後に、アニリンまたはアニリン誘導体（５．４９ｍｍｏｌ）を添加した。混合物を室温で１時間、攪拌した（酸の沈殿を数分後に観察した）。純粋な固体のＮ置換マレアミン酸を、ろ過およびＣＨ2Ｃｌ2での洗浄によって得た。
【００７３】
工程Ｂ：イミドへの環化
無水テトラヒドロフラン（６０ｍＬ）中の、工程Ａで得られたＮ−フェニルマレアミン酸（３ｇ、１４．８ｍｍｏｌ）の溶液に、等モル量の酢酸ナトリウム（１．１４ｇ）および無水酢酸（１．５ｍＬ）を添加し、混合物を６０℃で８時間、攪拌し、続けて溶剤を真空下に蒸発させた。残留物をＨＣｌ水溶液で洗浄しかつ水で洗浄し、および乾燥させた。
【００７４】
前記手順により、次のマレイミドを合成させた：
Ｎ−フェニルマレインイミド（Ｉａ）、白色の固体。収率：９５％。融点３０１℃
0006657074.tif 000015
１−［４−（アセトキシ）フェニル］マレイミド（Ｉｂ）、黄色の結晶の固体。収率：８７％。融点２６０〜２６２℃
0006657074.tif 000016
１−（４−ブロモフェニル）マレイミド（Ｉｃ）、黄色の結晶の固体。収率：８７％。融点１２８〜１３０℃
0006657074.tif 000017
１−（４−ヨードフェニル）マレイミド（Ｉｄ）、黄色の結晶の固体。収率：９０％。融点１４５〜１４７℃
0006657074.tif 000018
１−［４−（エトキシカルボニル）フェニル］マレイミド（Ｉｅ）、無色の固体、収率９３％。融点１１４．５〜１１５．５℃
0006657074.tif 000019
【００７５】
【化１４】
0006657074.tif 000020
【００７６】
１．２  式（Ｉａ）の構造単位と式（ＩＩａ）の構造単位を有するコポリマーの製造
特に、スチレン−Ｎ−フェニル−マレインイミドコポリマー（２ａ）を、反応器にスチレン６．５ｇ（０．０６モル）、開始剤としてのｔ−ブチルペルオキシオクテート０．４ｇ、電荷移動剤としてのｎ−ドデシルメルカプタンおよびＭＥＫ３０ｍｌを装入することによって製造する。滴下漏斗にスチレン３５．７ｇ（０．３４２モル）およびＮ−フェニル−マレインイミド（１ａ）７．８ｇ（０．０４５モル）を装入する。反応器を８５℃へ加熱し、スチレン−マレイミド混合物を反応混合物中に徐々に（約５時間）滴加する。前記混合物を冷却し、かつ冷たいメタノール５００ｍｌ中に注入する。沈殿したコポリマーをろ過によって単離し、メタノールで洗浄し、かつ真空炉内で乾燥させる。反応は、スチレンとの白色粉末としてのコポリマー１７．９ｇを提供する。７：３のマレイミド比、ＭＷ１０００００ｇ／ｍｏｌおよびＴg（ガラス転移温度）＝１６３℃。
【００７７】
１．３  １．２に記載された方法により、コポリマー（２ｂ）
【化１５】
0006657074.tif 000021
を、スチレン４９質量％、Ｎ−フェニル−マレインイミド４２質量％および無水マレイン酸９質量％のモノマーを用いて製造する：Ｍｗ１０９０００；多分散指数（ＰＤＩ）２．４；Ｔｇ２０１℃。
【００７８】
１．４  １．２に記載された方法により、コポリマー（２ｃ）
【化１６】
0006657074.tif 000022
を、スチレン４９質量％、Ｎ−フェニル−マレインイミド４３質量％およびアクリロニトリル８質量％のモノマーを用いて製造する：Ｍｗ１２２０００；多分散指数（ＰＤＩ）２．５；Ｔｇ１７２℃。
【００７９】
１．５  １．２に記載された方法により、コポリマー（２ｄ）
【化１７】
0006657074.tif 000023
を、スチレン３質量％、Ｎ−フェニル−マレインイミド１７質量％およびメチル−メタクリレート７８質量％およびＮ−シクロヘキシル−マレイミド２質量％のモノマーを用いて製造する：
Ｍｗ１３７０００；多分散指数（ＰＤＩ）３．０；Ｔｇ１３９℃。
【００８０】
例２：イミド化反応による誘電性材料の製造
特に、スチレン−Ｎ−ベンジル−マレインイミドコポリマー（３ａ）を、スチレンと無水マレイン酸とをベースとするコポリマー７．８ｇ（Ｃｒａｙ  Ｖａｌｌｅｙ社から得られたＳＭＡ  ２０００）、ベンジルアミン２．７３ｇ（１０７ｇ／ｍｏｌ、０．０２５５モル）およびＭＰＡ１５．００ｇ（１−メトキシ−２−プロピルアセテート）を室温で１時間、次に６０℃で１時間、次に９０℃で１時間、次に１３０℃で１時間、および１６０℃で、酸価が５０ｍｇ ＫＯＨ／ｇ未満になる（２*２６０００／４１３＝２７０ｍｇ  ＫＯＨ／ｇ、６０％の閉環度）まで攪拌することによって製造する。沈殿したコポリマーをろ過によって単離し、メタノールで洗浄し、かつ真空炉内で乾燥させる。１０ｍｇ  ＫＯＨ／ｇのアミン価およびＴg＝１１３℃が前記コポリマーについて測定される。
【００８１】
例３：コポリマー（３ａ）の層を含むキャパシタの製造
１−メトキシ−２−プロピルアセテート（質量／質量）中のコポリマー（３ａ）の２０％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ回転塗布（３６００ｒｐｍ、３０秒）によって、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）電極を有する、きれいなガラス基板上に塗布する。湿った被膜を１００℃で１０分間、ホットプレート上で予め焼き付けて５３０ｎｍの厚手の層を生じさせる。次に、金電極（面積＝３ｍｍ2）をシャドーマスクを通して１×１０-6トル（１．３×１０-4Ｐａ）未満でコポリマー（３ａ）上に真空蒸着する。
【００８２】
こうして得られたキャパシタを、次のように特性決定する：相対誘電率（ε）rおよびｔｇ（δ）＝（ε）r’’をＬＣＲメーターＡｇｉｌｅｎｔ  ４２８４Ａ（信号振幅１Ｖ）で測定された複素容量から推論する。電流／電圧（Ｉ／Ｖ）曲線は、半導体パラメーター分析装置Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃを用いて得られる。降伏電圧は、電圧Ｅｄであり、ここで、電流は、１マイクロアンペアの値を達成する。体積抵抗率ρを抵抗率、試験体の厚さおよび電極の表面積から計算する。
【００８３】
【表１】
0006657074.tif 000024
【００８４】
例４：化合物（３ａ）のゲート誘電性層を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの製造
金をポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）箔上にスパッタリングして約４０ｎｍの厚さの被膜を形成させ、次に、ソース／ドレイン電極（チャンネル長さ：１０μｍ；チャンネル幅：１０ｍｍ）をフォトリソグラフィー法によって構造化する。トルエン中のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターを通してろ過し、かつ次に回転塗布（１３００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ／秒、１５秒）によって塗布する。湿った有機半導電性ポリマー層を１００℃でホットプレート上で３０秒間、乾燥させる。１−メトキシ−２−プロピルアセテート（質量／質量）中のコポリマー（３ａ）の２０％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ次に、回転塗布（３０００ｒｐｍ、６０秒）によって塗布する。湿った誘電性被膜を１００℃で１０分間、ホットプレート上で予め焼き付け、５５６ｎｍの厚手の層を生じさせる。金のゲート電極（厚さ約１２０ｎｍ）を、シャドーマスクを通してコポリマー（３ａ）層上で蒸発させる。全ての方法を保護雰囲気なしに実施する。
【００８５】
トップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの特性値を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２６１２Ａ半導体パラメーター分析装置を用いて測定する。それぞれ、−１Ｖ（四角）、−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでコポリマー（３ａ）ゲート誘電体を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図１に示されている。
【００８６】
コポリマー（３ａ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタは、０．２３ｃｍ2／Ｖｓの移動度（飽和レジームに対して計算した）および７．１Ｅ＋４のｌｏｎ／ｌｏｆｆ比を示す。０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（３ａ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図２に示されている。
【００８７】
例５：ポリマー（２ｂ）の層を含むキャパシタの製造
２−メトキシ−１，３−ジオキソラン／２−ブタノン／シクロヘキサノン４５／４５／１０（質量／質量）中のポリマー（２ｂ）の５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ回転塗布（１１００ｒｐｍ、３０秒）によって、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）電極を有する、きれいなガラス基板上に塗布する。湿った被膜を１００℃で１０分間、ホットプレート上で予め焼き付け、５３０ｎｍの厚手の層を生じさせる。次に、金電極（面積＝３ｍｍ2）を、シャドーマスクを通して１×１０-6トル（１．３×１０-4Ｐａ）未満でポリマー２ｂ上に真空蒸着する。
【００８８】
こうして得られたキャパシタを、次のように特性決定する：相対誘電率（ε）rおよびｔｇ（δ）＝（ε）r’’をＬＣＲメーターＡｇｉｌｅｎｔ  ４２８４Ａ（信号振幅１Ｖ）で測定された複素容量から推論する。電流／電圧（Ｉ／Ｖ）曲線は、半導体パラメーター分析装置Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃを用いて得られる。降伏電圧は、電圧Ｅｄであり、ここで、電流は、１マイクロアンペアの値を達成する。体積抵抗率ρを抵抗率、試験体の厚さおよび電極の表面積から計算する。
【００８９】
【表２】
0006657074.tif 000025
【００９０】
例６：ポリマー（２ｂ）のゲート誘電性層を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの製造
金をポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）箔上にスパッタリングして約４０ｎｍの厚さの被膜を形成させ、次に、ソース／ドレイン電極（チャンネル長さ：１０μｍ；チャンネル幅：１０ｍｍ）をフォトリソグラフィー法によって構造化する。トルエン中のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターを通してろ過し、かつ次に回転塗布（１３００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ／秒、１５秒）によって塗布する。湿った有機半導電性ポリマー層を１００℃でホットプレート上で３０秒間、乾燥させる。２−メトキシ−１，３−ジオキソラン／２−ブタノン  ５０／５０（質量／質量）中のコポリマー（２ｂ）の５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ次に、回転塗布（１５００ｒｐｍ、６０秒）によって塗布する。湿った誘電性被膜を１００℃でホットプレート上で１０分間予め焼き付けて５４０ｎｍの厚手の層を生じさせる。金のゲート電極（厚さ約１２０ｎｍ）を、シャドーマスクを通してコポリマー（２ｂ）層上で蒸発させる。全ての方法は、保護雰囲気なしに実施される。
【００９１】
こうして製造された、３つのトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの特性値を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２６１２Ａ半導体パラメーター分析装置を用いて測定する。それぞれ、−１Ｖ（四角）、−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでコポリマー（２ｂ）ゲート誘電体を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図３に示されている。
【００９２】
コポリマー（２ｂ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタは、０．３９ｃｍ2／Ｖｓの移動度（飽和レジームに対して計算した）および１．５Ｅ＋５のｌｏｎ／ｌｏｆｆ比を示す。０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｂ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図４に示されている。
【００９３】
例７：ポリマー（２ｃ）の層を含むキャパシタの製造
２−メトキシ−１，３−ジオキソラン／２−ブタノン／シクロヘキサノン  ４５／４５／１０（質量／質量）中のポリマー（２ｃ）の６％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ回転塗布（２５００ｒｐｍ、３０秒）によって、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）電極を有する、きれいなガラス基板上に塗布する。湿った被膜を１００℃で１０分間、ホットプレート上で予め焼き付けて５４０ｎｍの厚手の層を生じさせる。次に、金電極（面積＝３ｍｍ2）を、シャドーマスクを通して１×１０-6トル（１．３×１０-4Ｐａ）未満でポリマー（２ｃ）上に真空蒸着する。
【００９４】
こうして得られたキャパシタを、次のように特性決定する：相対誘電率（ε）rおよびｔｇ（δ）＝（ε）r’’をＬＣＲメーターＡｇｉｌｅｎｔ  ４２８４Ａ（信号振幅１Ｖ）で測定された複素容量から推論する。電流／電圧（Ｉ／Ｖ）曲線は、半導体パラメーター分析装置Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃを用いて得られる。降伏電圧は、電圧Ｅｄであり、ここで、電流は、１マイクロアンペアの値を達成する。体積抵抗率ρを抵抗率、試験体の厚さおよび電極の表面積から計算する。
【００９５】
【表３】
0006657074.tif 000026
【００９６】
例８：ポリマー（２ｃ）のゲート誘電性層を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの製造
金をポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）箔上にスパッタリングして約４０ｎｍの厚さの被膜を形成させ、次に、ソース／ドレイン電極（チャンネル長さ：１０μｍ；チャンネル幅：１０ｍｍ）をフォトリソグラフィー法によって構造化する。トルエン中のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターを通してろ過し、かつ次に回転塗布（１３００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ／秒、１５秒）によって塗布する。湿った有機半導電性ポリマー層を１００℃でホットプレート上で３０秒間、乾燥させる。２−メトキシ−１，３−ジオキソラン／２−ブタノン／シクロヘキサノン  ４５／４５／１０（質量／質量）中のコポリマー（２ｃ）の５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ次に、回転塗布（２０００ｒｐｍ、６０秒）によって塗布する。湿った誘電性被膜を１００℃でホットプレート上で１０分間予め焼き付けて５７０ｎｍの厚手の層を生じさせる。金のゲート電極（厚さ約１２０ｎｍ）をシャドーマスクを通してコポリマー（２ｃ）層上で蒸発させる。全ての方法は、保護雰囲気なしに実施される。
【００９７】
こうして製造された、３つのトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの特性値を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２６１２Ａ半導体パラメーター分析装置を用いて測定する。それぞれ、−１Ｖ（四角）、−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでコポリマー（２ｃ）ゲート誘電体を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図５に示されている。
【００９８】
コポリマー（２ｃ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタは、０．１８ｃｍ2／Ｖｓの移動度（飽和レジームに対して計算した）および１．１Ｅ＋５のｌｏｎ／ｌｏｆｆ比を示す。
【００９９】
０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｃ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図６に示されている。
【０１００】
例９：ポリマー（２ｄ）の層を含むキャパシタの製造
１−メトキシ−２−プロピルアセテート中のポリマー（２ｄ）の８％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ回転塗布（１４００ｒｐｍ、３０秒）によって、インジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）電極を有する、きれいなガラス基板上に塗布する。湿った被膜を１００℃で１０分間、ホットプレート上で予め焼き付けて５３０ｎｍの厚手の層を生じさせる。次に、金電極（面積＝３ｍｍ2）を、シャドーマスクを通して１×１０-6トル（１．３×１０-4Ｐａ）未満でポリマー（２ｄ）上に真空蒸着する。
【０１０１】
こうして得られたキャパシタを、次のように特性決定する：相対誘電率（ε）rおよびｔｇ（δ）＝（ε）r’’をＬＣＲメーターＡｇｉｌｅｎｔ  ４２８４Ａ（信号振幅１Ｖ）で測定された複素容量から推論する。電流／電圧（Ｉ／Ｖ）曲線は、半導体パラメーター分析装置Ａｇｉｌｅｎｔ  ４１５５Ｃを用いて得られる。降伏電圧は、電圧Ｅｄであり、ここで、電流は、１マイクロアンペアの値を達成する。体積抵抗率ρを抵抗率、試験体の厚さおよび電極の表面積から計算する。
【０１０２】
【表４】
0006657074.tif 000027
【０１０３】
例１０：ポリマー（２ｄ）のゲート誘電性層を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの製造
金をポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）箔上にスパッタリングして約４０ｎｍの厚さの被膜を形成させ、次に、ソース／ドレイン電極（チャンネル長さ：１０μｍ；チャンネル幅：１０ｍｍ）をフォトリソグラフィー法によって構造化する。トルエン中のジケトピロロピロール（ＤＰＰ）−チオフェンポリマーの０．７５％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルターを通してろ過し、かつ次に回転塗布（１３００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ／秒、１５秒）によって塗布する。湿った有機半導電性ポリマー層を１００℃でホットプレート上で３０秒間、乾燥させる。１−メトキシ−２−プロピルアセテート中のコポリマー（２ｄ）の８％（質量／質量）溶液を、０．４５μｍのフィルターを通してろ過し、かつ次に、回転塗布（１４００ｒｐｍ、６０秒）によって塗布する。湿った誘電性被膜を１００℃でホットプレート上で１０分間予め焼き付けて５１５ｎｍの厚手の層を生じさせる。金のゲート電極（厚さ約１２０ｎｍ）を、シャドーマスクを通してコポリマー（２ｄ）層上で蒸発させる。全ての方法は、保護雰囲気なしに実施される。
【０１０４】
こうして製造された、３つのトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタの特性値を、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ  ２６１２Ａ半導体パラメーター分析装置を用いて測定する。それぞれ、−１Ｖ（四角）、−２０Ｖ（三角）のソース電圧Ｖdsでコポリマー（２ｄ）ゲート誘電体を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのゲート電圧Ｖgs（増幅特性曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図７に示されている。
【０１０５】
コポリマー（２ｄ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタは、０．１７ｃｍ2／Ｖｓの移動度（飽和レジームに対して計算した）および９．７Ｅ＋４のｌｏｎ／ｌｏｆｆ比を示す。
【０１０６】
０Ｖ（星形）、−５Ｖ（四角）、−１０Ｖ（ひし形）、−１５Ｖ（三角）および−２０Ｖ（円形）のゲート電圧Ｖgsでコポリマー（２ｄ）を含むトップゲートボトムコンタクト（ＴＧＢＣ）電界効果型トランジスタについてのドレイン電圧Ｖds（出力曲線）に対するドレイン電流Ｉdsは、図８に示されている。
【０１０７】
本発明によるコポリマーは、簡単に溶解することができかつ有利な低い誘電率を示し、かつ、こうしてキャパシタおよび電界効果トランジスタにおける誘電性材料として極めて十分に適している。
【図１】
0006657074.tif 000037
【図２】
0006657074.tif 000038