(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された板状の被加工物の該デバイスにレーザー光線を照射し、該デバイスを修正する改質層を被加工物に形成する被加工物のレーザー加工方法であって、
被加工物を保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対移動させる加工送り手段と、を備えるレーザー加工装置を用い、
被加工物を該チャックテーブルで保持し、所望のデバイスの改質層を形成すべき領域が、該加工送り方向と平行な直線上に並ぶように、該チャックテーブルの向きを調整する向き調整ステップと、
該向き調整ステップを実施した後、該加工送り方向に該レーザー光線照射手段と該チャックテーブルとを相対移動させるとともに、一回の加工送り方向への移動で所望のデバイスの所望の位置に改質層を形成するレーザー光線照射ステップと、を含み、
該レーザー光線照射手段は、２つ以上のレーザー光線照射条件でレーザー光線を照射可能に設定され、
該レーザー光線照射ステップで、所望のデバイスに複数の改質層を形成する際に、それぞれの改質層に対応する該レーザー光線照射条件を選択して照射する被加工物のレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物にレーザー光線を照射して加工を行うレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体ウエーハ（被加工物）の分割予定ラインに沿って、レーザー光線を照射して、半導体ウエーハに改質層を形成し、この改質層を破断起点にして個々のデバイスチップに分割する加工方法が知られている。また、個々のデバイスの特定の領域に対し、欠陥が発生していた場合、そこにレーザー光線を照射して、欠陥を修復してリペアする技術も知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１３−２２６５８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の構成では、所定の欠陥箇所を観察して発見後、その欠陥箇所にのみ集中的にレーザー光線を照射するが、多くのデバイスにおいて同様の欠陥が発生している場合、個々のデバイスに対してそれぞれレーザー加工をするため、非常に煩雑な工程となってしまうという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、被加工物に設けられたデバイスに対して改質層を効率的に加工できるレーザー加工方法を提案することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、表面に形成された交差する複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成された板状の被加工物の該デバイスにレーザー光線を照射し、該デバイスを修正する改質層を被加工物に形成する被加工物のレーザー加工方法であって、被加工物を保持し回転可能なチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段と、該チャックテーブルと該レーザー光線照射手段とを加工送り方向に相対移動させる加工送り手段と、を備えるレーザー加工装置を用い、被加工物を該チャックテーブルで保持し、所望のデバイスの改質層を形成すべき領域が、該加工送り方向と平行な直線上に並ぶように、該チャックテーブルの向きを調整する向き調整ステップと、該向き調整ステップを実施した後、該加工送り方向に該レーザー光線照射手段と該チャックテーブルとを相対移動させるとともに、一回の加工送り方向への移動で所望のデバイスの所望の位置に改質層を形成するレーザー光線照射ステップと、を含み、レーザー光線照射手段は、２つ以上のレーザー光線照射条件でレーザー光線を照射可能に設定され、該レーザー光線照射ステップで、所望のデバイスに複数の改質層を形成する際に、それぞれの改質層に対応する該レーザー光線照射条件を選択して照射することを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、被加工物をチャックテーブルで保持し、所望のデバイスの改質層を形成すべき領域が、加工送り方向と平行な直線上に並ぶように、チャックテーブルの向きを調整する向き調整ステップと、加工送り方向にレーザー光線照射手段とチャックテーブルとを相対移動させるとともに、一回の加工送り方向への移動で所望のデバイスに改質層を形成するレーザー光線照射ステップとを備えるため、一回の加工送り方向への移動により、所望のデバイスにおける所望の位置に改質層を効率的に形成することができる。
【０００８】
また、この構成によれば、所望のデバイスに対して複数の改質層を異なるレーザー光線照射条件の組み合わせで加工できるため、デバイスの状況に合わせた加工を効率的に行うことができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、被加工物をチャックテーブルで保持し、所望のデバイスの改質層を形成すべき領域が、加工送り方向と平行な直線上に並ぶように、チャックテーブルの向きを調整する向き調整ステップと、加工送り方向にレーザー光線照射手段とチャックテーブルとを相対移動させるとともに、一回の加工送り方向への移動で所望のデバイスに改質層を形成するレーザー光線照射ステップとを備えるため、一回の加工送り方向への移動により、所望のデバイスにおける所望の位置に改質層を効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係るレーザー加工方法の加工対象であるウエーハの平面図である。
【図２】図２は、レーザー加工装置の構成例を示す図である。
【図３】図３は、ウエーハの各デバイスにそれぞれ改質層を形成するレーザー加工方法の作業手順を示すフローチャートである。
【図４】図４は、ウエーハのデバイスに対してそれぞれレーザー加工を行っている状態を示す斜視図である。
【図５】図５は、ウエーハの内部に改質層が形成される状態を示す断面模式図である。
【図６】図６は、デバイスに複数の改質層を異なる加工条件で形成した状態を示す模式図である。
【図７】図７は、ウエーハにおける所望の位置のデバイスに改質層を形成するレーザー加工方法の作業手順を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１２】
図１は、本実施形態に係るレーザー加工方法の加工対象であるウエーハの平面図である。ウエーハ（被加工物）Ｗは、図１に示すように、円板状の基板ＷＳを有する半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。また、ウエーハＷの基板ＷＳは、例えば、シリコン、サファイア、ガリウムなどを用いて形成されている。ウエーハＷは、図１に示すように、基板ＷＳ（ウエーハＷ）の表面に複数のストリート（分割予定ライン）Ｓが格子状に形成されているとともに、複数のストリートＳによって区画された各領域にそれぞれデバイスＤ（例えば、半導体デバイスや光デバイス）が形成されている。
【００１３】
図２は、本実施形態に係るレーザー加工方法に用いられるレーザー加工装置の構成例を示す図である。なお、レーザー加工装置１は、図２に示す構成例に限定されるものではない。レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷのデバイスＤ（図１）に対して、レーザー光線照射手段２０からレーザー光線を照射するレーザー加工を行い、該デバイスＤに改質層を形成するものである。改質層とは、デバイスＤにおける密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。例えば、（ａ）溶融処理領域、（ｂ）絶縁破壊領域、（ｃ）屈折率変化領域などがあり、これらが混在した領域もある。このように、デバイスＤに改質層を形成することにより、デバイスＤの特性を変更（修正）することができる。なお、改質層には、デバイスの内部領域に形成されるものと、デバイスの表面に露出するものとを含む。
【００１４】
レーザー加工装置１は、図２に示すように、ウエーハＷを保持するチャックテーブル１０と、ウエーハＷにレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段２０とを備える。また、レーザー加工装置１は、チャックテーブル１０をＸ軸方向（加工送り方向）に沿って移動するＸ軸移動手段（加工送り手段）３０と、チャックテーブル１０をＹ軸方向（割り出し送り方向）に沿って移動するＹ軸移動手段（割り出し送り手段）４０とを備える。これにより、チャックテーブル１０とレーザー光線照射手段２０とは、上記したＸ軸方向及びＹ軸方向にそれぞれ相対的に移動することが可能な構成となっている。
【００１５】
レーザー加工装置１は、レーザー加工前後のウエーハＷを収容するカセット５０が載置されるカセット載置台６０を備える。また、レーザー加工装置１は、ウエーハＷを上記した各部位に搬送する搬送手段（不図示）と、該レーザー加工装置１の動作全体を制御する制御装置８０とを備える。
【００１６】
チャックテーブル１０は、ウエーハＷに対してレーザー加工を行う際に該ウエーハＷを保持する。本構成では、図２に示すように、ウエーハＷは、粘着テープＴにより環状のフレームＦに保持されたウエーハユニットＷＵの形態で、チャックテーブル１０に保持される。チャックテーブル１０は、ウエーハＷ（ウエーハユニットＷＵ）が載置されて吸引される保持面１１と、この保持面１１の外周側に複数配置されてフレームＦを固定するクランプ部１２とを有している。
【００１７】
レーザー光線照射手段２０は、装置本体２の壁部３に固定されており、チャックテーブル１０に保持されたウエーハＷに向けてレーザー光線を照射する。レーザー光線照射手段２０は、レーザー光線を発振する発振器（不図示）と、この発振器により発振されたレーザー光線を集光する集光器（不図示）と、集光されたレーザー光線をウエーハＷに向けて照射する照射ヘッド２１とを備える。発振器は、ウエーハＷの種類、加工形態などに応じて、発振するレーザー光線の波長（周波数）や出力、繰り返し周波数を適宜調整する。例えば、ウエーハＷの内部に改質層を形成する加工形態の場合には、ウエーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線が用いられる。照射ヘッド２１は、集光器等の光学系により、レーザー光線の集光位置（フォーカス位置）をＺ軸方向（鉛直方向）に調整することができる。
【００１８】
集光器は、発振器により発振されたレーザー光線の進行方向を変更する全反射ミラーやレーザー光線を集光する集光レンズなどを含んで構成される。また、本実施形態では、レーザー光線照射手段２０は、Ｘ軸方向に照射ヘッド２１と横並びに配置された撮像手段２２を備える。この撮像手段２２は、チャックテーブル１０上のウエーハＷの配置状況及びウエーハＷへの加工状況などを撮像するカメラである。本実施形態では赤外線カメラが用いられている。
【００１９】
Ｘ軸移動手段３０は、Ｘ軸方向に延びるボールネジ３１と、ボールネジ３１と平行に配設されたガイドレール３２と、ボールネジ３１の一端に連結されボールネジ３１を回動させるパルスモータ（不図示）と、下部がガイドレール３２に摺接するとともにボールネジ３１に螺合するナット（不図示）を内部に備えたスライド板３３とを備える。スライド板３３は、ボールネジ３１の回動に伴い、ガイドレール３２にガイドされてＸ軸方向に移動する。また、スライド板３３には、内部にパルスモータ（不図示）を備えた回転駆動部３４が固定されており、回転駆動部３４は、チャックテーブル１０を所定角度回転させることができる。本実施形態では、例えば、撮像手段２２によって撮像されたウエーハＷの画像に基づき、互いに交差するストリートＳ（図１）がそれぞれＸ軸方向及びＹ軸方向に向くように、チャックテーブル１０（ウエーハＷ）を回転する。
【００２０】
また、Ｙ軸移動手段４０は、Ｙ軸方向に延びるボールネジ４１と、ボールネジ４１と平行に配設されたガイドレール４２と、ボールネジ４１の一端に連結されボールネジ４１を回動させるパルスモータ４５と、下部がガイドレール４２に摺接するとともにボールネジ４１に螺合するナット（不図示）を内部に備えたスライド板４３とを備え、ボールネジ４１の回動にともないスライド板４３がガイドレール４２にガイドされてＹ軸方向に移動する。スライド板４３には上記したＸ軸移動手段３０が配設されており、スライド板４３のＹ軸方向の移動に伴い、Ｘ軸移動手段３０も同方向に移動する。
【００２１】
カセット５０は、上記したウエーハユニットＷＵを複数枚収容するものである。カセット載置台６０は、装置本体２にＺ軸方向に昇降自在に設けられている。
【００２２】
次に、レーザー加工装置１を用いて、ウエーハＷのデバイスに改質層を形成するレーザー加工方法について説明する。図３は、ウエーハの各デバイスにそれぞれ改質層を形成するレーザー加工方法の作業手順を示すフローチャートである。図４は、ウエーハのデバイスに対してそれぞれレーザー加工を行っている状態を示す斜視図である。また、図５は、ウエーハの内部に改質層が形成される状態を示す断面模式図である。図３に示すレーザー加工方法は、ウエーハＷのデバイスＤにそれぞれ同一のレーザー加工を行う。このため、ウエーハＷのデバイスＤの特性を所望する特性に一様に変更する場合に有効である。
【００２３】
まず、ウエーハＷを環状のフレームＦに保持したウエーハユニットＷＵをチャックテーブル１０の保持面１１に保持する（保持ステップ；ステップＳＡ１）。本実施形態では、ウエーハＷの裏面ＷＲ側からレーザー光線を照射してウエーハＷの内部に改質層を形成する。このため、ウエーハＷは、図４に示すように、複数のデバイスＤが形成されている表面側に粘着テープＴが貼着され、粘着テープＴの外縁がフレームＦに貼着されることで、フレームＦの開口に粘着テープＴで支持される。このように形成されたウエーハユニットＷＵは、ウエーハＷの裏面ＷＲを上面側としてチャックテーブル１０の保持面１１に載せられ、フレームＦがクランプ部１２（図２）で固定される。
【００２４】
次に、制御装置８０は、各デバイスＤにおける改質層を形成すべき領域が、Ｘ軸方向と平行な直線上に並ぶように、該チャックテーブル１０の向きを調整する（向き調整ステップ；ステップＳＡ２）。デバイスＤに改質層を形成すべき領域（位置や大きさ）は、製造時のデバイスＤの特性を測定しておくことで事前に設定することができる。図４に示すように、改質層を形成すべき領域ＡＲがそれぞれＸ軸方向と平行な加工予定ライン（直線）Ｘ１上に並ぶように、回転駆動部３４を周方向（Ｒ方向）に回転させる。本実施形態では、上記領域ＡＲは、加工予定ライン（直線）Ｘ１に沿って延びる直線状に形成され、各領域ＡＲの両端は、レーザー光線を照射する開始点及び停止点となる。
【００２５】
次に、制御装置８０は、上記した領域ＡＲにレーザー加工を行う加工条件（レーザー光線照射条件）を設定する（加工条件設定ステップ；ステップＳＡ３）。各デバイスの領域ＡＲにレーザー加工を行うための加工条件として、例えば、（１）加工送り方向（Ｘ軸方向）におけるレーザー光線の照射開始位置、（２）レーザー光線の連続照射パルス数、（３）レーザー光線の停止パルス数、（４）繰り返し数、（５）レーザー光線の出力などが設定される。
【００２６】
レーザー光線の照射開始位置は、各デバイスＤにおけるレーザー光線照射の開始点に相当し、レーザー光線の連続照射パルス数によって、レーザー光線照射の停止点が決定される。また、レーザー光線の停止パルス数によって、デバイスＤ内で隣接する領域ＡＲとのピッチ（間隔）が決定される。また、繰り返し数は、デバイスＤ内でレーザー光線の照射開始から停止までのサイクルを行う回数を示し、デバイスＤ内の領域ＡＲの数に相当する。なお、本実施形態では、領域ＡＲに相当するウエーハＷの内部に改質層を形成するため、ウエーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線が用いられる。
【００２７】
次に、制御装置８０は、上記した加工条件に基づき、ウエーハＷに向けてレーザー光線を照射する（レーザー光線照射ステップ；ステップＳＡ４）。図４に示すように、加工予定ラインＸ１上に照射ヘッド２１を配置し、Ｘ軸移動手段３０（図２）によって、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させるとともに、上記した加工条件に基づき、ウエーハＷに向けてレーザー光線Ｌを照射する。
【００２８】
この構成では、各デバイスＤに対し、（Ａ）照射ヘッド２１がデバイスＤのレーザー光線照射位置の直上に位置した時に、照射ヘッド２１からレーザー光線Ｌの照射を開始し、レーザー光線Ｌの照射を設定された連続照射パルス数の計測終了まで続ける。（Ｂ）設定された停止パルス数の計測終了まで、レーザー光線Ｌの照射を停止したのち、これらレーザー光線Ｌの照射開始及び停止動作を設定された繰り返し回数行う。これにより、図５に示すように、領域ＡＲに相当するウエーハＷの内部に改質層１００が非連続的（断続的）に形成される。また、同一の加工予定ラインＸ１上に位置する複数のデバイスＤに対して、（Ａ）、（Ｂ）の加工を行うことにより、チャックテーブル１０をＸ軸方向（加工送り方向）に１回移動させる際に、加工予定ラインＸ１上に位置する複数のデバイスＤにおける領域ＡＲにそれぞれ改質層１００を一括して形成することができる。このため、複数のデバイスＤにそれぞれ改質層１００を形成する時間を短縮することができ、デバイスＤに改質層１００を効率的に形成することができる。
【００２９】
同一の加工予定ラインＸ１上に位置する終端のデバイスＤへのレーザー光線Ｌの照射が終了すると、制御装置８０は、チャックテーブル１０をＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動し、次の加工予定ライン上に位置する各デバイスＤに対して、再び、レーザー加工を行う。そして、すべてのデバイスＤへのレーザー加工が終了した場合には、ウエーハユニットＷＵをチャックテーブル１０の保持面１１から脱着して（脱着ステップ；ステップＳＡ５）、処理動作を終了する。
【００３０】
さて、レーザー光線照射手段２０は、上記した加工条件設定ステップにおいて、複数の加工条件を設定し、これら加工条件でレーザー光線Ｌを照射可能に構成されており、上記したレーザー光線照射ステップでは、デバイスＤに複数の改質層１００を形成する際に、それぞれの改質層１００に対応する加工条件を選択して照射することもできる。
【００３１】
図６は、デバイスに複数の改質層を異なる加工条件で形成した状態を示す模式図である。この図６において、デバイスＤ内には、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）に複数種（図６では３種）の異なる改質層１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃが形成されている。改質層１００Ａは、同一の加工予定ラインＸ１上に沿って形成され、改質層１００Ｂは、同一の加工予定ラインＸ２上に沿って形成され、改質層１００Ｃは、同一の加工予定ラインＸ３上に沿って形成されている。
【００３２】
これらの改質層１００Ａ〜１００Ｃは、表１に示す異なる加工条件１〜３によってそれぞれ形成されている。この表の加工条件１〜３は例示であり、これに限るものではない。
【００３３】
【表１】
0006731766.tif 000002
【００３４】
この構成では、制御装置８０は、まず、加工予定ラインＸ１上に位置する複数のデバイスＤにおける領域ＡＲにそれぞれ改質層１００Ａを形成する。そして、加工予定ラインＸ１上に位置する終端のデバイスＤへのレーザー光線Ｌの照射が終了すると、制御装置８０は、チャックテーブル１０をＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動し、次の加工予定ラインＸ２上に位置する各デバイスＤに対して、再び、レーザー加工を行う。そして、加工予定ラインＸ３上に位置するデバイスＤへのレーザー加工が終了した場合に、処理動作を終了する。
【００３５】
このように、レーザー光線照射手段２０は、複数種の加工条件でレーザー光線Ｌを照射可能に設定され、レーザー光線照射ステップにおいて、各デバイスＤに例えば３種の改質層１００Ａ〜１００Ｃを形成する際に、それぞれの改質層１００Ａ〜１００Ｃに対応する加工条件を選択して照射するため、各デバイスＤに対して改質層１００Ａ〜１００Ｃを異なる加工条件の組み合わせで加工できる。このため、デバイスＤの状況に合わせた加工を効率的に行うことができる。
【００３６】
次に、ウエーハＷのデバイスに改質層を形成するレーザー加工方法の変形例について説明する。上記した実施形態では、ウエーハＷに設けられたすべてのデバイスＤに対し、それぞれ同一の改質層１００を形成し、各ウエーハＷのデバイスＤの特性を所望する特性に一様に変更している。これに対して、変形例に係るレーザー加工方法では、ウエーハＷにおける所望の位置のデバイスＤについてのみ改質層１００を形成する。この加工方法では、例えば、ウエーハＷにおける特定の位置のデバイスＤの特性が設計基準値を満たしていない場合に、この所望の位置のデバイスＤのみ特性を変更することができる。
【００３７】
図７は、ウエーハにおける所望の位置のデバイスに改質層を形成するレーザー加工方法の作業手順を示すフローチャートである。この作業手順において、図３の作業手順と同一の構成については説明を省略する。まず、ウエーハＷに対して、該ウエーハＷのデバイスＤをそれぞれ検査する（検査ステップ；ステップＳＢ１）。一般に、デバイスＤを有するウエーハＷは、ある程度の数量がまとめて製造されるため、任意に選択されたウエーハＷについて、特定の位置のデバイスの特性が基準値を満たしていない場合には、他のウエーハＷについても、同一の位置のデバイスの特性が基準値を満たしていないことが想定される。このため、製造されたウエーハＷの中からテスト用のウエーハＷを任意に抜き出し、このウエーハＷのすべてのデバイスＤの特性を検査する。検査では、例えば、所定のプローブを各デバイスの電極にあて、各種の試験データを測定する。この検査において、基準値を満たさないデバイスＤがあった場合には、ウエーハＷにおけるデバイスＤの位置を制御装置８０に設定する（デバイス設定ステップ；ステップＳＢ２）。
【００３８】
また、上記した検査において測定された試験データに基づき、上記したデバイスＤに改質層を形成すべき領域ＡＲの位置、及び、レーザー加工の加工条件を算定する（領域及び条件算定ステップ；ステップＳＢ３）。この算定された領域ＡＲの位置、及び、レーザー加工の加工条件は、それぞれ制御装置８０に設定される。また、基準値を満たさないデバイスＤが複数あった場合には、各デバイスＤについて、それぞれ領域ＡＲの位置、及び、レーザー加工の加工条件を算定する。
【００３９】
そして、ウエーハユニットＷＵをチャックテーブル１０の保持面１１に保持する（保持ステップ；ステップＳＢ４）。そして、制御装置８０は、ステップＳＢ２及びステップＳＢ３で設定された所望のデバイスＤにおける改質層を形成すべき領域ＡＲの位置が、Ｘ軸方向と平行な直線上に並ぶように、該チャックテーブル１０の向きを調整する（向き調整ステップ；ステップＳＢ５）。
【００４０】
次に、制御装置８０は、ステップＳＢ３で設定された加工条件に基づき、ウエーハＷに向けてレーザー光線Ｌを照射する（レーザー光線照射ステップ；ステップＳＢ６）。この場合、加工対象となるデバイスＤの加工予定ライン上に照射ヘッド２１を配置し、Ｘ軸移動手段３０によって、チャックテーブル１０をＸ軸方向に移動させるとともに、上記した加工条件に基づき、ウエーハＷに向けてレーザー光線Ｌを照射する。
【００４１】
この構成によれば、所望するデバイスＤの領域ＡＲに相当するウエーハＷの内部に改質層１００を形成することができ、所望するデバイスＤの所望する位置に改質層１００を形成する時間を短縮することができ、デバイスＤに改質層１００を効率的に形成することができる。
【００４２】
そして、制御装置８０は、ステップＳＢ３で設定された所望のデバイスＤについて、レーザー加工が終了した場合には、ウエーハユニットＷＵをチャックテーブル１０の保持面１１から脱着して（脱着ステップ；ステップＳＢ７）、処理動作を終了する。
【００４３】
この変形例に改質層を形成する場合、図６に示したデバイスＤに複数の改質層１００を形成し、それぞれの改質層１００に対応する加工条件を選択して照射してもよい。
【００４４】
以上、本実施形態について説明したが、本実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。例えば、本実施形態では、ウエーハＷに形成されたデバイスＤとして、半導体デバイスや光デバイスを例示したが、本実施形態のレーザー加工方法は、これら半導体デバイスや光デバイス以外にもＭＥＭＳ、ＣＣＤ、ＣＭＯＳなどの各種のデバイスのレーザー加工に用いることができる。
【符号の説明】
【００４５】
１  レーザー加工装置
１０  チャックテーブル
２０  レーザー光線照射手段
２１  照射ヘッド
３０  Ｘ軸移動手段（加工送り手段）
４０  Ｙ軸移動手段（割り出し送り手段）
８０  制御装置
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ  改質層
ＡＲ  領域（改質層を形成すべき領域）
Ｄ  デバイス
Ｌ  レーザー光線
Ｗ  ウエーハ（被加工物）
ＷＵ  ウエーハユニット
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３  加工予定ライン（加工送り方向と平行な直線）
【図１】
0006731766.tif 000003
【図２】
0006731766.tif 000004
【図３】
0006731766.tif 000005
【図４】
0006731766.tif 000006
【図５】
0006731766.tif 000007
【図６】
0006731766.tif 000008
【図７】
0006731766.tif 000009