(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂、および、下記式（Ａ）で表される比率が８０％以上であるポリエーテル変性シリコーンＡを含む仮接着用組成物であって、
前記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量が、前記仮接着用組成物の固形分の０．００１〜１．０質量％であり、
前記樹脂がポリスチレン系エラストマーを含み、
前記樹脂の全質量における前記ポリスチレン系エラストマーの含有量が５０〜１００質量％である、仮接着用組成物；
式（Ａ）  ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００
上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％をいう。
【請求項２】
前記樹脂が、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、およびポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体の少なくとも１種から選ばれるポリスチレン系エラストマーである、請求項１に記載の仮接着用組成物。
【請求項３】
前記ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の割合が５５質量％以下である、請求項１または２に記載の仮接着用組成物。
【請求項４】
前記樹脂の、２５℃における、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１：１９９４に準拠した、引張弾性率Ｅが１〜６０ＭＰａである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
【請求項５】
前記ポリエーテル変性シリコーンＡの、式（Ａ）で表される比率が、９０％以上である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
【請求項６】
前記ポリエーテル変性シリコーンＡの、窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持したときの質量減少率が５０質量％以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
【請求項７】
前記ポリエーテル変性シリコーンＡが、下記式（１０１）〜式（１０４）のいずれかで表される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の仮接着用組成物；
式（１０１）
【化１】
0006646726.tif 000018
上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ１１、ｍ１２、ｎ１およびｐ１は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ１およびｙ１は、それぞれ独立に２〜１００の数である；
式（１０２）
【化２】
0006646726.tif 000019
上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ２２は、２価の連結基であり、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ２およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ２は、２〜１００の数である；
式（１０３）
【化３】
0006646726.tif 000020
上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ３１、ｍ３２、ｎ３およびｐ３は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ３は、２〜１００の数である；
式（１０４）
【化４】
0006646726.tif 000021
上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ４７は、２価の連結基であり、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ４およびｎ４は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ４およびｙ４は、それぞれ独立に２〜１００の数である。
【請求項８】
前記ポリエーテル変性シリコーンＡの屈折率が１．４４０以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の仮接着用組成物。
【請求項９】
仮接着用組成物の剥離力が１〜２０Ｎ／ｍである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の仮接着用組成物：但し、剥離力とは、仮接着用組成物を用いて、シリコンウェハの表面に、厚さ１５μｍの仮接着膜を成形し、２５℃、速度３００ｍｍ／分の速度で、シリコンウェハの仮接着膜が形成された面に対し垂直な方向に、仮接着膜の端部を引き上げることによって、剥離可能で、かつ、引き上げる際にかかる力を、フォースゲージを用いて測定したときの力をいう。
【請求項１０】
第１の基材と、仮接着膜と、第２の基材を、前記順に互いに隣接して有する積層体であって、前記仮接着膜は、請求項１〜９のいずれか１項に記載の仮接着用組成物から形成される、積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮接着用組成物、および、仮接着用組成物を用いて形成される積層体に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）や大規模集積回路（ＬＳＩ）などの半導体デバイスの製造プロセスにおいては、デバイスウェハ上に多数のＩＣチップが形成され、ダイシングにより個片化される。
電子機器のさらなる小型化および高性能化のニーズに伴い、電子機器に搭載されるＩＣチップについてもさらなる小型化および高集積化が求められているが、デバイスウェハの面内方向における集積回路の高集積化は限界に近づいている。【０００３】
ＩＣチップ内の集積回路から、ＩＣチップの外部端子への電気的な接続方法としては、従来より、ワイヤーボンディング法が広く知られているが、ＩＣチップの小型化を図るべく、近年、デバイスウェハに貫通孔を設け、外部端子としての金属プラグを、貫通孔内を貫通するように集積回路に接続する方法（いわゆる、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を形成する方法）が知られている。しかしながら、シリコン貫通電極を形成する方法のみでは、上記した近年のＩＣチップに対するさらなる高集積化のニーズに充分応えられるものではない。【０００４】
以上を鑑み、ＩＣチップ内の集積回路を多層化することにより、デバイスウェハの単位面積当たりの集積度を向上させる技術が知られている。しかしながら、集積回路の多層化は、ＩＣチップの厚さを増大させるため、ＩＣチップを構成する部材の薄型化が必要である。このような部材の薄型化としては、例えば、デバイスウェハの薄型化が検討されており、デバイスウェハの薄型化は、ＩＣチップの小型化につながるのみならず、シリコン貫通電極の製造におけるデバイスウェハの貫通孔製造工程を省力化できることから、有望視されている。また、パワーデバイスやイメージセンサーなどの半導体デバイスにおいても、上記集積度の向上やデバイス構造の自由度向上の観点から、デバイスウェハの薄型化が試みられている。【０００５】
デバイスウェハとしては、約７００〜９００μｍの厚さを有するものが広く知られているが、近年、ＩＣチップの小型化等を目的に、デバイスウェハの厚さを２００μｍ以下となるまで薄くすることが試みられている。
しかしながら、厚さ２００μｍ以下のデバイスウェハは非常に薄く、これを基材とする半導体デバイス製造用部材も非常に薄いため、このような部材に対してさらなる処理を施したり、あるいは、このような部材を単に移動したりする場合等において、部材を安定的に、かつ、損傷を与えることなく支持することは困難である。【０００６】
上記のような問題を解決すべく、薄型化前のデバイスウェハとキャリア基材とを仮接着用組成物により一時的に固定（仮接着）し、デバイスウェハの裏面を研削して薄型化した後に、デバイスウェハからキャリア基材を剥離（脱離）させる技術が知られている。
具体的には、特許文献１には、基板と、上記基板を支持する支持体とを一時的に貼り付けるための接着剤組成物であって、熱可塑性樹脂と、離型剤とを含んでいる接着剤組成物が開示されている。また、特許文献２にも、基材と、半導体基板と、熱安定性ポリマー層からなり、熱安定性ポリマー層が、表面エネルギー調整剤を、熱安定性ポリマーに対し、２．５％以上含むウェハ積層体が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１５−２１４６７５号公報
【特許文献２】米国特許公開２０１４／０１７８７０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１および特許文献２には、ポリスチレン系エラストマー等の樹脂に離型剤や表面エネルギー調整剤を配合し、仮接着用組成物として用いることが記載されている。しかしながら、本発明者が検討したところ、離型剤や表面エネルギー調整剤の種類や配合量によっては、仮接着用組成物の剥離性に大きな影響があることが分かった。すなわち、仮接着用組成物中の離型剤の種類や配合量によっては、かかる仮接着用組成物を用いて、基材同士（デバイスウェハとキャリア基材）を仮固定した場合、基材を適切に剥離できない場合があることが分かった。さらに、加工後の基材の表面面状が悪化したりする場合があることも分かった。
本発明はかかる課題を解決することを目的としたものであって、基材同士を仮固定した後、基材を適切に剥離でき、かつ、加工後の基材の表面面状が良好な積層体を提供可能な仮接着用組成物、および、積層体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
かかる状況のもと、本発明者が検討を行った結果、樹脂に、ポリエーテル変性シリコーンであって、ポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのうち、メチレンオキシドやエチレンオキシドの含有比率が高いポリエーテル変性シリコーンを少量配合することにより、上記課題を解決しうることを見出した。具体的には、下記手段＜１＞により、好ましくは＜２＞〜＜１１＞により、上記課題は解決された。
＜１＞樹脂、および、下記式（Ａ）で表される比率が８０％以上であるポリエーテル変性シリコーンＡを含む仮接着用組成物であって、
上記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量が、上記仮接着用組成物の固形分の０．００１〜１．０質量％である、仮接着用組成物；
式（Ａ）  ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００
上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％をいう。
＜２＞上記樹脂が、ポリスチレン系エラストマーである、＜１＞に記載の仮接着用組成物。
＜３＞上記樹脂が、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、およびポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体の少なくとも１種から選ばれるポリスチレン系エラストマーである、＜１＞に記載の仮接着用組成物。
＜４＞上記ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の割合が５５質量％以下である、＜２＞または＜３＞に記載の仮接着用組成物。
＜５＞上記樹脂の、２５℃における、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１：１９９４に準拠した、引張弾性率Ｅが１〜６０ＭＰａである、＜１＞〜＜４＞のいずれかに記載の仮接着用組成物。
＜６＞上記ポリエーテル変性シリコーンＡの、式（Ａ）で表される比率が９０％以上である、＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の仮接着用組成物。
＜７＞上記ポリエーテル変性シリコーンＡの、窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持したときの質量減少率が５０質量％以下である、＜１＞〜＜６＞のいずれかに記載の仮接着用組成物。
＜８＞上記ポリエーテル変性シリコーンＡが、下記式（１０１）〜式（１０４）のいずれかで表される、＜１＞〜＜７＞のいずれかに記載の仮接着用組成物；
式（１０１）
【化１】
0006646726.tif 000002
上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ１１、ｍ１２、ｎ１およびｐ１は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ１およびｙ１は、それぞれ独立に２〜１００の数である；
式（１０２）
【化２】
0006646726.tif 000003
上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ２２は、２価の連結基であり、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ２およびｎ２は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ２は、２〜１００の数である；
式（１０３）
【化３】
0006646726.tif 000004
上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ３１、ｍ３２、ｎ３およびｐ３は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ３は、２〜１００の数である；
式（１０４）
【化４】
0006646726.tif 000005
上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ４７は、２価の連結基であり、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ４およびｎ４は、それぞれ独立に０〜２０の数であり、ｘ４およびｙ４は、それぞれ独立に２〜１００の数である。
＜９＞上記ポリエーテル変性シリコーンＡの屈折率が１．４４０以下である、＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の仮接着用組成物。
＜１０＞仮接着用組成物の剥離力が１〜２０Ｎ／ｍである、＜１＞〜＜９＞のいずれかに記載の仮接着用組成物：但し、剥離力とは、仮接着用組成物を用いて、シリコンウェハの表面に、厚さ１５μｍの仮接着膜を成形し、２５℃、速度３００ｍｍ／分の速度で、シリコンウェハの仮接着膜が形成された面に対し垂直な方向に、仮接着膜の端部を引き上げることによって、剥離可能で、かつ、引き上げる際にかかる力を、フォースゲージを用いて測定したときの力をいう。
＜１１＞第１の基材と、仮接着膜と、第２の基材を、上記順に互いに隣接して有する積層体であって、上記仮接着膜は、＜１＞〜＜１０＞のいずれかに記載の仮接着用組成物から形成される、積層体。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、基材同士を仮固定した後、基材を適切に剥離でき、かつ、加工後の基材の表面面状が良好な積層体を提供可能な仮接着用組成物、および、積層体を提供することが可能になった。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】半導体装置の製造方法を示す第一の実施形態の概略図である。
【図２】半導体装置の製造方法を示す第二の実施形態の概略図である。
【図３】従来の接着性キャリア基材とデバイスウェハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は、置換基を有さない基と共に置換基を有する基をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有さないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
本明細書中における「活性光線」または「放射線」は、例えば、可視光線、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等を含む。
本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた描画も含む。また、露光に用いられる光としては、一般的に、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線または放射線が挙げられる。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」および「メタクリロイル」を表す。
本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）および数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ−８２２０（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてＴＳＫｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＡＷＭ―Ｈ（東ソー（株）製、内径（ＩＤ）６．０ｍｍ×１５．０ｃｍ）を用い、溶離液として１０ｍｍｏｌ／ＬのリチウムブロミドＮＭＰ（Ｎ−メチルピロリドン）溶液を用いることによって求めることができる。
なお、以下に説明する実施の形態において、既に参照した図面において説明した部材等については、図中に同一符号あるいは相当符号を付すことにより説明を簡略化あるいは省略化する。
【００１３】
本発明の仮接着用組成物は、樹脂、および、式（Ａ）で表される比率が８０％以上であるポリエーテル変性シリコーンＡを含む仮接着用組成物であって、上記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量が、上記仮接着用組成物の固形分の０．００１〜１．０質量％であることを特徴とする。
式（Ａ）  ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００
上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％である。
このような構成とすることにより、基材同士を適切に仮固定して積層体とすることができ、さらに、加工後に、基材を適切に剥離できる。併せて、加工後の基材の表面の面状が優れた積層体を提供可能な、仮接着用組成物が得られる。
このメカニズムは、以下の通りであると推定される。すなわち、式（Ａ）で表される比率が８０％以上であるポリエーテル変性シリコーンＡは、仮接着膜中の界面に選択的に偏在化するため、上記範囲のような少ない添加量であっても基材を適切に仮固定し、かつ、適切に剥離することを可能にする。さらには、加熱を伴う加工を行っても分解によるアウトガスの発生が少ないために、加工後の基材の表面面状が良好となる。
さらに、上記ポリエーテル変性シリコーンＡを用いることにより、引張弾性率の低い樹脂、例えば、スチレン由来の繰り返し単位の割合が５５質量％以下のスチレン系エラストマーを樹脂成分として用いることができ、反りを効果的に抑制することが可能になる。
【００１４】
＜樹脂＞
本発明の仮接着用組成物は、樹脂を少なくとも１種含む。本発明において、樹脂は、上記仮接着膜の各種特性を達成できる限り、その種類等は特に定めるものでは無い。
樹脂は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、グラフト共重合体が挙げられ、ブロック共重合体が好ましい。ブロック共重合体であれば、加熱プロセス時の仮接着用組成物の流動を抑えることができるため、加熱プロセス時においても接着を維持でき、また加熱プロセス後でも剥離性が変化しないという効果が期待できる。
樹脂の種類としては、特に限定はなく、ポリスチレン系共重合体、ポリエステル系共重合体、ポリオレフィン系共重合体、ポリウレタン系共重合体、ポリアミド系共重合体、ポリアクリル系共重合体、シリコーン系共重合体、ポリイミド系共重合体、シクロオレフィン系重合体などが使用できる。
本発明では、上記樹脂が、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、シクロオレフィン系重合体、および、熱可塑性ポリイミド樹脂の少なくとも１種から選ばれる熱可塑性樹脂であることが好ましく、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体、およびポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体の少なくとも１種から選ばれるポリスチレン系エラストマーであることがより好ましい。
なかでも、樹脂は、スチレンと他のモノマーとのブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンブロックであるスチレンブロック共重合体が特に好ましい。
また、樹脂は、ブロック共重合体の水添物であることが好ましい。樹脂が水添物であると、熱安定性や保存安定性が向上する。さらには、剥離性および剥離後の仮接着膜の洗浄除去性が向上する。なお、水添物とは、ブロック共重合体が水添された構造の重合体を意味する。
【００１５】
本発明において、樹脂はエラストマーが好ましい。樹脂としてエラストマーを使用することで、キャリア基材やデバイスウェハ（第１の基材や第２の基材）の微細な凹凸にも追従し、適度なアンカー効果により、接着性に優れた仮接着膜を形成できる。エラストマーは、１種または２種以上を併用することができる。
なお、本明細書において、エラストマーとは、弾性変形を示す高分子化合物を表す。すなわち外力を加えたときに、その外力に応じて瞬時に変形し、かつ外力を除いたときには、短時間に元の形状を回復する性質を有する高分子化合物と定義する。
また、本明細書において、「接着性」とは「単に高圧で接着すれば高い接着力を与える」性能のみならず、「低圧での接着（例えば、０．４ＭＰａでの低圧接着）に対しても十分に高い接着力を与える」性能をも含む、と定義する。
【００１６】
＜＜エラストマー＞＞
本発明において、エラストマーの重量平均分子量は、２，０００〜２００，０００が好ましく、１０，０００〜２００，０００がより好ましく、５０，０００〜１００，０００がさらに好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあるエラストマーは、溶剤への溶解性が優れるため、キャリア基材をデバイスウェハから剥離した後、溶剤を用いて、デバイスウェハやキャリア基材に残存するエラストマー由来の残渣を除去する際、残渣が容易に溶剤に溶解して除去される。このため、デバイスウェハやキャリア基材などに残渣が残らないなどの利点がある。
【００１７】
本発明において、エラストマーとしては、特に限定なく、スチレン由来の繰り返し単位を含むエラストマー（ポリスチレン系エラストマー）、ポリエステル系エラストマー、ポリオレフィン系エラストマー、ポリウレタン系エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリアクリル系エラストマー、シリコーン系エラストマー、ポリイミド系エラストマーなどが使用できる。中でも、ポリスチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ポリアミド系エラストマーが好ましく、耐熱性と剥離性の観点からポリスチレン系エラストマーが特に好ましい。
【００１８】
本発明において、エラストマーは、水添物であることが好ましい。特に、ポリスチレン系エラストマーの水添物が好ましい。エラストマーが水添物であると、熱安定性や保存安定性が向上する。さらには、剥離性および剥離後の仮接着膜の洗浄除去性が向上する。ポリスチレン系エラストマーの水添物を使用した場合、上記効果が顕著である。なお、水添物とは、エラストマーが水添された構造の重合体を意味する。
【００１９】
本発明において、エラストマーは、２５℃から、２０℃／分の昇温速度で昇温した際の５％熱質量減少温度が、２５０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましく、３５０℃以上であることがさらに好ましく、４００℃以上であることが一層好ましい。また、上限値は特に限定はないが、例えば１０００℃以下が好ましく、８００℃以下がより好ましい。この態様によれば、耐熱性に優れた仮接着膜を形成しやすい。
本発明におけるエラストマーは、元の大きさを１００％としたときに、室温（２０℃）において小さな外力で２００％まで変形させることができ、かつ外力を除いたときに、短時間で１３０％以下に戻る性質を有することが好ましい。
【００２０】
＜＜＜ポリスチレン系エラストマー＞＞＞
ポリスチレン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）ジブロック共重合体（ＳＥＰ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＰＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン−ブチレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、ポリスチレン−ポリ（エチレン／エチレン−プロピレン）−ポリスチレントリブロック共重合体（ＳＥＥＰＳ）の少なくとも１種から選ばれるポリスチレン系エラストマーであることが好ましい。
【００２１】
ポリスチレン系エラストマーにおける、スチレン由来の繰り返し単位の割合は９０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、４８質量％以下がさらに好ましく、３５質量％以下が一層好ましく、３３質量％以下がより一層好ましい。上記スチレン由来の繰り返し単位の割合の下限は、０質量％を超える値であればよく、例えば１０質量％以上とすることもできる。このような範囲とすることにより、積層体の反りをより効果的に抑制することができる。
スチレン由来の繰り返し単位の割合の計算方法は、後述する実施例に記載の方法に従う。
【００２２】
本発明におけるポリスチレン系エラストマーの一実施形態として、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に１０質量％以上５５質量％以下の割合で含有するエラストマーＡと、スチレン由来の繰り返し単位を全繰り返し単位中に５５質量％を超えて９５質量％以下の割合で含有するエラストマーＢとを組み合わせて用いることが挙げられる。エラストマーＡとエラストマーＢとを併用することで、反りの発生を効果的に抑制できる。このような効果が得られるメカニズムは、以下によるものと推測できる。
すなわち、エラストマーＡは、比較的柔らかい材料であるため、弾性を有する仮接着膜を形成しやすい。このため、本発明の仮接着用組成物を用いて基材と支持体との積層体を製造し、基材を研磨して薄膜化する際に、研磨時の圧力が局所的に加わっても、仮接着膜が弾性変形して元の形状に戻り易くできる。その結果、優れた平坦研磨性が得られる。また、研磨後の積層体を、加熱処理し、その後冷却しても、仮接着膜によって、冷却時に発生する内部応力を緩和でき、反りの発生を効果的に抑制できる。
また、上記エラストマーＢは、比較的硬い材料であるため、エラストマーＢを含むことで、剥離性に優れた仮接着膜を製造できる。
【００２３】
上記エラストマーＡと上記エラストマーＢを配合する場合の質量比は、エラストマーＡ：エラストマーＢ＝１：９９〜９９：１が好ましく、３：９７〜９７：３がより好ましく、５：９５〜９５：５がさらに好ましく、１０：９０〜９０：１０が一層好ましい。上記範囲であれば、上述した効果がより効果的に得られる。
【００２４】
ポリスチレン系エラストマーは、スチレンと他のモノマーとのブロック共重合体であることが好ましく、片末端または両末端がスチレンブロックであるブロック共重合体であることがより好ましく、両末端がスチレンブロックであるブロック共重合体が特に好ましい。ポリスチレン系エラストマーの両端を、スチレンブロック（スチレン由来の繰り返し単位）とすると、耐熱性がより向上する傾向にある。これは、耐熱性の高いスチレン由来の繰り返し単位が末端に存在することとなるためである。特に、スチレン由来の繰り返し単位のブロック部位が反応性のポリスチレン系ハードブロックであることにより、耐熱性、耐薬品性により優れる傾向にあり好ましい。加えて、このようなエラストマーは、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
また、ポリスチレン系エラストマーは水添物であると、熱に対する安定性が向上し、分解や重合等の変質が起こりにくい。さらに、溶剤への溶解性およびレジスト溶剤への耐性の観点からもより好ましい。
ポリスチレン系エラストマーの不飽和二重結合量としては、剥離性の観点から、ポリスチレン系エラストマー１ｇあたり、１５ｍｍｏｌ未満であることが好ましく、５ｍｍｏｌ未満であることがより好ましく、０．５ｍｍｏｌ未満であることが最も好ましい。なお、ここでいう不飽和二重結合量は、スチレン由来のベンゼン環内の不飽和二重結合量を含まない。不飽和二重結合量は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）測定により算出することができる。
【００２５】
なお、本明細書において「スチレン由来の繰り返し単位」とは、スチレンまたはスチレン誘導体を重合した際に重合体に含まれるスチレン由来の構造単位であり、置換基を有していてもよい。スチレン誘導体としては、例えば、α−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−プロピルスチレン、４−シクロヘキシルスチレン等が挙げられる。置換基としては、例えば、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基、炭素数２〜５のアルコキシアルキル基、アセトキシ基、カルボキシル基等が挙げられる。
【００２６】
ポリスチレン系エラストマーの市販品としては、例えば、タフプレンＡ、タフプレン１２５、タフプレン１２６Ｓ、ソルプレンＴ、アサプレンＴ−４１１、アサプレンＴ−４３２、アサプレンＴ−４３７、アサプレンＴ−４３８、アサプレンＴ−４３９、タフテックＨ１２７２、タフテックＰ１５００、タフテックＨ１０５２、タフテックＨ１０６２、タフテックＭ１９４３、タフテックＭ１９１１、タフテックＨ１０４１、タフテックＭＰ１０、タフテックＭ１９１３、タフテックＨ１０５１、タフテックＨ１０５３、タフテックＰ２０００、タフテックＨ１０４３（以上、旭化成ケミカルズ（株）製）、エラストマーＡＲ−８５０Ｃ、エラストマーＡＲ−８１５Ｃ、エラストマーＡＲ−８４０Ｃ、エラストマーＡＲ−８３０Ｃ、エラストマーＡＲ−８６０Ｃ、エラストマーＡＲ−８７５Ｃ、エラストマーＡＲ−８８５Ｃ、エラストマーＡＲ−ＳＣ−１５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−５、エラストマーＡＲ−７１０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−６５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−３０、エラストマーＡＲ−ＳＣ−７５、エラストマーＡＲ−ＳＣ−４５、エラストマーＡＲ−７２０、エラストマーＡＲ−７４１、エラストマーＡＲ−７３１、エラストマーＡＲ−７５０、エラストマーＡＲ−７６０、エラストマーＡＲ−７７０、エラストマーＡＲ−７８１、エラストマーＡＲ−７９１、エラストマーＡＲ−ＦＬ−７５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−８５Ｎ、エラストマーＡＲ−ＦＬ−６０Ｎ、エラストマーＡＲ−１０５０、エラストマーＡＲ−１０６０、エラストマーＡＲ−１０４０（以上、アロン化成（株）製）、クレイトンＤ１１１１、クレイトンＤ１１１３、クレイトンＤ１１１４、クレイトンＤ１１１７、クレイトンＤ１１１９、クレイトンＤ１１２４、クレイトンＤ１１２６、クレイトンＤ１１６１、クレイトンＤ１１６２、クレイトンＤ１１６３、クレイトンＤ１１６４、クレイトンＤ１１６５、クレイトンＤ１１８３、クレイトンＤ１１９３、クレイトンＤＸ４０６、クレイトンＤ４１４１、クレイトンＤ４１５０、クレイトンＤ４１５３、クレイトンＤ４１５８、クレイトンＤ４２７０、クレイトンＤ４２７１、クレイトンＤ４４３３、クレイトンＤ１１７０、クレイトンＤ１１７１、クレイトンＤ１１７３、カリフレックスＩＲ０３０７、カリフレックスＩＲ０３１０、カリフレックスＩＲ０４０１、クレイトンＤ０２４２、クレイトンＤ１１０１、クレイトンＤ１１０２、クレイトンＤ１１１６、クレイトンＤ１１１８、クレイトンＤ１１３３、クレイトンＤ１１５２、クレイトンＤ１１５３、クレイトンＤ１１５５、クレイトンＤ１１８４、クレイトンＤ１１８６、クレイトンＤ１１８９、クレイトンＤ１１９１、クレイトンＤ１１９２、クレイトンＤＸ４０５、クレイトンＤＸ４０８、クレイトンＤＸ４１０、クレイトンＤＸ４１４、クレイトンＤＸ４１５、クレイトンＡ１５３５、クレイトンＡ１５３６、クレイトンＦＧ１９０１、クレイトンＦＧ１９２４、クレイトンＧ１６４０、クレイトンＧ１６４１、クレイトンＧ１６４２、クレイトンＧ１６４３、クレイトンＧ１６４５、クレイトンＧ１６３３、クレイトンＧ１６５０、クレイトンＧ１６５１、クレイトンＧ１６５２（Ｇ１６５２ＭＵ−１０００）、クレイトンＧ１６５４、クレイトンＧ１６５７、クレイトンＧ１６６０、クレイトンＧ１７２６、クレイトンＧ１７０１、クレイトンＧ１７０２、クレイトンＧ１７３０、クレイトンＧ１７５０、クレイトンＧ１７６５、クレイトンＧ４６０９、クレイトンＧ４６１０（以上、クレイトンポリマージャパン（株）製）、ＴＲ２０００、ＴＲ２００１、ＴＲ２００３、ＴＲ２２５０、ＴＲ２５００、ＴＲ２６０１、ＴＲ２６３０、ＴＲ２７８７、ＴＲ２８２７、ＴＲ１０８６、ＴＲ１６００、ＳＩＳ５００２、ＳＩＳ５２００、ＳＩＳ５２５０、ＳＩＳ５４０５、ＳＩＳ５５０５、ダイナロン６１００Ｐ、ダイナロン４６００Ｐ、ダイナロン６２００Ｐ、ダイナロン４６３０Ｐ、ダイナロン８６０１Ｐ、ダイナロン８６３０Ｐ、ダイナロン８６００Ｐ、ダイナロン８９０３Ｐ、ダイナロン６２０１Ｂ、ダイナロン１３２１Ｐ、ダイナロン１３２０Ｐ、ダイナロン２３２４Ｐ、ダイナロン９９０１Ｐ（以上、ＪＳＲ（株）製）、デンカＳＴＲシリーズ（電気化学工業（株）製）、クインタック３５２０、クインタック３４３３Ｎ、クインタック３４２１、クインタック３６２０、クインタック３４５０、クインタック３４６０（以上、日本ゼオン製）、ＴＰＥ−ＳＢシリーズ（住友化学（株）製）、ラバロンシリーズ（三菱化学（株）製）、セプトン１００１、セプトン１０２０、セプトン２００２、セプトン２００４、セプトン２００５、セプトン２００６、セプトン２００７、セプトン２０６３、セプトン２１０４、セプトン４０３３、セプトン４０４４、セプトン４０５５、セプトン４０７７、セプトン４０９９、セプトンＨＧ２５２、セプトン８００４、セプトン８００６、セプトン８００７、セプトン８０７６、セプトン８１０４、セプトンＶ９４６１、セプトンＶ９４７５、セプトンＶ９８２７、ハイブラー７３１１、ハイブラー７１２５、ハイブラー５１２７、ハイブラー５１２５（以上、（株）クラレ製）、スミフレックス（住友ベークライト（株）製）、レオストマー、アクティマー（以上、リケンテクノス（株）製）などが挙げられる。
【００２７】
＜＜＜ポリエステル系エラストマー＞＞＞
ポリエステル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ジカルボン酸またはその誘導体と、ジオール化合物またはその誘導体とを重縮合して得られるものが挙げられる。
ジカルボン酸としては、例えば、テレフタル酸、イソフタル酸、ナフタレンジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸（これらの芳香環の水素原子がメチル基、エチル基、フェニル基等で置換された芳香族ジカルボン酸を含む）；アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸等の炭素数２〜２０の脂肪族ジカルボン酸；およびシクロヘキサンジカルボン酸などの脂環式ジカルボン酸などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用してもよい。
ジオール化合物としては、例えば、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，１０−デカンジオール、１，４−シクロヘキサンジオールなどの脂肪族ジオール、脂環式ジオール、下記式で表される２価のフェノール化合物などが挙げられる。
【００２８】
【化５】
0006646726.tif 000006
【００２９】
上記式中、ＹＤＯは、炭素数２〜１０のアルキレン基、炭素数４〜８のシクロアルキレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、および−ＳＯ２−のいずれかを表すか、単結合（ベンゼン環同士の直接結合）を表す。ＲＤＯ１およびＲＤＯ２は、それぞれ独立に、ハロゲン原子または炭素数１〜１２のアルキル基を表す。ｐｄｏ１およびｐｄｏ２は、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｎｄｏ１は、０または１を表す。
【００３０】
２価のフェノール化合物の具体例としては、ビスフェノールＡ、ビス−（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス−（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、レゾルシンなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上併用して用いてもよい。
また、ポリエステル系エラストマーとして、芳香族ポリエステル（例えば、ポリブチレンテレフタレート）部分からなるハードセグメント成分と、脂肪族ポリエステル（例えば、ポリテトラメチレングリコール）部分からなるソフトセグメント成分とを含む、マルチブロック共重合体を用いることもできる。マルチブロック共重合体としては、ハードセグメントとソフトセグメントとの種類、比率、および分子量の違いによりさまざまなグレードのものが挙げられる。具体例としては、ハイトレル（東レ・デュポン（株）製）、ペルプレン（東洋紡（株）製）、プリマロイ（三菱化学（株）製）、ヌーベラン（帝人（株）製）、エスペル１６１２、１６２０（以上、日立化成工業（株）製）などが挙げられる。
【００３１】
＜＜＜ポリオレフィン系エラストマー＞＞＞
ポリオレフィン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン等の炭素数２〜２０のα−オレフィンの共重合体などが挙げられる。例えば、エチレン−プロピレン共重合体（ＥＰＲ）、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体（ＥＰＤＭ）等が挙げられる。また、ジシクロペンタジエン、１，４−ヘキサジエン、シクロオクタジエン、メチレンノルボルネン、エチリデンノルボルネン、ブタジエン、イソプレンなどの炭素数４〜２０の非共役ジエンとα−オレフィンとの共重合体などが挙げられる。また、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体にメタクリル酸を共重合したカルボキシ変性ニトリルゴムが挙げられる。具体的には、エチレン／α−オレフィン共重合体ゴム、エチレン／α−オレフィン／非共役ジエン共重合体ゴム、プロピレン／α−オレフィン共重合体ゴム、ブテン／α−オレフィン共重合体ゴムなどが挙げられる。
市販品として、ミラストマー（三井化学（株）製）、サーモラン（三菱化学（株）製）ＥＸＡＣＴ（エクソンモービル製）、ＥＮＧＡＧＥ（ダウ・ケミカル日本（株）製）、エスポレックス（住友化学（株）製）、Ｓａｒｌｉｎｋ（東洋紡（株）製）、ニューコン（日本ポリプロ（株）製）、ＥＸＣＥＬＩＮＫ（ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。
【００３２】
＜＜＜ポリウレタン系エラストマー＞＞＞
ポリウレタン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、低分子のグリコールおよびジイソシアネートからなるハードセグメントと、高分子（長鎖）ジオールおよびジイソシアネートからなるソフトセグメントとの構造単位を含むエラストマーなどが挙げられる。
高分子（長鎖）ジオールとしては、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンオキサイド、ポリ（１，４−ブチレンアジペート）、ポリ（エチレン／１，４−ブチレンアジペート）、ポリカプロラクトン、ポリ（１，６−ヘキシレンカーボネート）、ポリ（１，６−ヘキシレン／ネオペンチレンアジペート）などが挙げられる。高分子（長鎖）ジオールの数平均分子量は、５００〜１０，０００が好ましい。
低分子のグリコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、ビスフェノールＡ等の短鎖ジオールを用いることができる。短鎖ジオールの数平均分子量は、４８〜５００が好ましい。
ポリウレタン系エラストマーの市販品としては、ＰＡＮＤＥＸ  Ｔ−２１８５、Ｔ−２９８３Ｎ（以上、ＤＩＣ（株）製）、ミラクトラン（日本ミラクトラン（株）製）、エラストラン（ＢＡＳＦジャパン（株）製）、レザミン（大日精化工業（株）製）、ペレセン（ダウ・ケミカル日本（株）製）、アイアンラバー（ＮＯＫ（株）製）、モビロン（日清紡ケミカル（株）製）などが挙げられる。
【００３３】
＜＜＜ポリアミド系エラストマー＞＞＞
ポリアミド系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、ポリアミド−６、１１、１２などのポリアミドからなるハードセグメントと、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリテトラメチレングリコールなどのポリエーテルおよびポリエステルのうちの少なくとも一種からなるソフトセグメントとを含むエラストマーなどが挙げられる。このエラストマーは、ポリエーテルブロックアミド型、ポリエーテルエステルブロックアミド型の２種に大別される。
市販品として、ＵＢＥポリアミドエラストマーの、ＵＢＥＳＴＡ  ＸＰＡ（宇部興産（株）製）、ダイアミド（ダイセルエボニック（株）製）、ＰＥＢＡＸ（ＡＲＫＥＭＡ社製）、グリロンＥＬＸ（エムスケミージャパン（株）製）、ノパミッド（三菱化学（株）製）、グリラックス（東洋紡製）、ポリエーテルエステルアミドＰＡ−２００、ＰＡ−２０１、ＴＰＡＥ−１２、ＴＰＡＥ−３２、ポリエステルアミドＴＰＡＥ−６１７、ＴＰＡＥ−６１７Ｃ（以上、（株）Ｔ＆Ｋ  ＴＯＫＡ製）などが挙げられる。
【００３４】
＜＜＜ポリアクリル系エラストマー＞＞＞
ポリアクリル系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、メトキシエチルアクリレート、エトキシエチルアクリレートなどのアクリル酸エステルをモノマー材料の主成分としたものや、アクリル酸エステルと、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテルなどとを共重合した共重合体が挙げられる。さらに、アクリル酸エステルと、アクリロニトリルやエチレンなどの架橋点モノマーとを共重合してなるものなどが挙げられる。具体的には、アクリロニトリル−ブチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−エチルアクリレート共重合体、アクリロニトリル−ブチルアクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体などが挙げられる。
【００３５】
＜＜＜シリコーン系エラストマー＞＞＞
シリコーン系エラストマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、オルガノポリシロキサンを主成分とした、ポリジメチルシロキサン系、ポリメチルフェニルシロキサン系、ポリジフェニルシロキサン系などが挙げられる。市販品の具体例としては、ＫＥシリーズ（信越化学工業（株）製）、ＳＥシリーズ、ＣＹシリーズ、ＳＨシリーズ（以上、東レダウコーニング（株）製）などが挙げられる。
【００３６】
＜＜＜その他エラストマー＞＞＞
本発明では、エラストマーとして、ゴム変性したエポキシ樹脂（エポキシ系エラストマー）を用いることができる。エポキシ系エラストマーは、例えば、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、サリチルアルデヒド型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂もしくはクレゾールノボラック型エポキシ樹脂の一部または全部のエポキシ基を、両末端カルボン酸変性型ブタジエン−アクリロニトリルゴム、末端アミノ変性シリコーンゴム等で変性することによって得られる。
【００３７】
＜＜他の高分子化合物＞＞
本発明では、樹脂として、上述した樹脂以外の他の高分子化合物（他の高分子化合物ともいう）を用いることができる。他の高分子化合物は、１種または２種以上を併用することができる。
他の高分子化合物の具体例としては、例えば、炭化水素樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、ポリアミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリベンズイミダゾール樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などが挙げられる。なかでも、炭化水素樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂が好ましく、炭化水素樹脂がより好ましい。
また、本発明では、樹脂として、後述するフッ素原子を含むものを用いることができるが、フッ素原子を含む樹脂（以下、フッ素系樹脂ともいう）は、実質的に含まないことが好ましい。フッ素系樹脂を実質的に含まないとは、フッ素系樹脂の含有量が、樹脂の全質量に対し、例えば、０．１質量％以下が好ましく、０．０５質量％以下がより好ましく、含有しないことがさらに好ましい。
【００３８】
＜＜＜炭化水素樹脂＞＞＞
本発明において、炭化水素樹脂として任意のものを使用できる。
炭化水素樹脂は、基本的には炭素原子と水素原子のみからなる樹脂を意味するが、基本となる骨格が炭化水素樹脂であれば、側鎖としてその他の原子を含んでいても良い。すなわち、炭素原子と水素原子のみからなる炭化水素樹脂に、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂のように、主鎖に炭化水素基以外の官能基が直接結合する場合も本発明における炭化水素樹脂に包含されるものであり、この場合、主鎖に炭化水素基が直接結合されてなる繰り返し単位の含有量が、樹脂の全繰り返し単位に対して３０モル％以上であることが好ましい。
上記条件に合致する炭化水素樹脂としては例えば、テルペン樹脂、テルペンフェノール樹脂、変性テルペン樹脂、水添テルペン樹脂、水添テルペンフェノール樹脂、ロジン、ロジンエステル、水添ロジン、水添ロジンエステル、重合ロジン、重合ロジンエステル、変性ロジン、ロジン変性フェノール樹脂、アルキルフェノール樹脂、脂肪族石油樹脂、芳香族石油樹脂、水添石油樹脂、変性石油樹脂、脂環族石油樹脂、クマロン石油樹脂、インデン石油樹脂、ポリスチレン−ポリオレフィン共重合体、オレフィンポリマー（例えば、メチルペンテン共重合体）、およびシクロオレフィンポリマー（例えば、ノルボルネン共重合体、ジシクロペンタジエン共重合体、テトラシクロドデセン共重合体）などが挙げられる。
炭化水素樹脂は、中でも、テルペン樹脂、ロジン、石油樹脂、水素化ロジン、重合ロジン、オレフィンポリマー、または、シクロオレフィンポリマーであることが好ましく、テルペン樹脂、ロジン、オレフィンポリマー、または、シクロオレフィンポリマーであることがより好ましく、シクロオレフィンポリマーであることがさらに好ましい。
【００３９】
シクロオレフィンポリマーとしては、ノルボルネン系重合体、単環の環状オレフィンの重合体、環状共役ジエンの重合体、ビニル脂環式炭化水素重合体、およびこれら重合体の水素化物などが挙げられる。シクロオレフィンポリマーの好ましい例としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を少なくとも１種以上含む付加（共）重合体、および、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の少なくとも１種以上をさらに含んでなる付加（共）重合体が挙げられる。また、シクロオレフィンポリマーの他の好ましい例としては、下記式（ＩＩＩ）で表される環状繰り返し単位を少なくとも１種含む開環（共）重合体が挙げられる。
【００４０】
【化６】
0006646726.tif 000007
【００４１】
式中、ｍは０〜４の整数を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｘ１〜Ｘ３、および、Ｙ１〜Ｙ３は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１０の炭化水素基、ハロゲン原子、ハロゲン原子で置換された炭素数１〜１０の炭化水素基、−（ＣＨ２）ｎＣＯＯＲ１１、−（ＣＨ２）ｎＯＣＯＲ１２、−（ＣＨ２）ｎＮＣＯ、−（ＣＨ２）ｎＮＯ２、−（ＣＨ２）ｎＣＮ、−（ＣＨ２）ｎＣＯＮＲ１３Ｒ１４、−（ＣＨ２）ｎＮＲ１５Ｒ１６、または−（ＣＨ２）ｎＯＺ、−（ＣＨ２）ｎＷを表すか、あるいは、Ｘ１とＹ１、Ｘ２とＹ２、およびＸ３とＹ３は、それぞれ独立に、（−ＣＯ）２Ｏ、または（−ＣＯ）２ＮＲ１７を構成する。Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６およびＲ１７は、それぞれ独立に、水素原子、または、炭化水素基（好ましくは炭素数１〜２０の炭化水素基）を表し、Ｚは、炭化水素基、または、ハロゲンで置換された炭化水素基を表し、Ｗは、ＳｉＲ１８ｐＤ３−ｐ（Ｒ１８は炭素数１〜１０の炭化水素基を表し、Ｄはハロゲン原子、−ＯＣＯＲ１８または−ＯＲ１８を表し、ｐは０〜３の整数を示す）を表し、ｎは０〜１０の整数を表す。
【００４２】
ノルボルネン系重合体は、特開平１０−７７３２号公報、特表２００２−５０４１８４号公報、米国特許公開２００４／２２９１５７Ａ１号公報あるいは国際公開ＷＯ２００４−０７０４６３Ａ１号公報等に開示されている。ノルボルネン系重合体は、ノルボルネン系多環状不飽和化合物同士を付加重合することによって得ることができる。また、必要に応じ、ノルボルネン系多環状不飽和化合物と、エチレン、プロピレン、ブテン；ブタジエン、イソプレンのような共役ジエン；エチリデンノルボルネンのような非共役ジエンとを付加重合することもできる。このノルボルネン系重合体は、三井化学（株）よりアペルの商品名で発売されており、ガラス転移温度（Ｔｇ）の異なる、例えばＡＰＬ８００８Ｔ（Ｔｇ７０℃）、ＡＰＬ６０１３Ｔ（Ｔｇ１２５℃）およびＡＰＬ６０１５Ｔ（Ｔｇ１４５℃）などのグレードがある。ポリプラスチック（株）よりＴＯＰＡＳ８００７、同５０１３、同６０１３、同６０１５などのペレットが発売されている。さらに、Ｆｅｒｒａｎｉａ社よりＡｐｐｅａｒ３０００が発売されている。
【００４３】
ノルボルネン系重合体の水素化物は、特開平１−２４０５１７号公報、特開平７−１９６７３６号公報、特開昭６０−２６０２４号公報、特開昭６２−１９８０１号公報、特開２００３−１１５９７６７号公報および特開２００４−３０９９７９号公報等に開示されているように、多環状不飽和化合物を付加重合あるいはメタセシス開環重合した後、水素添加することにより製造できる。
式（ＩＩＩ）中、Ｒ５およびＲ６は、水素原子またはメチル基であることが好ましく、Ｘ３およびＹ３は水素原子であることが好ましく、その他の基は適宜選択される。このノルボルネン系重合体は、ＪＳＲ（株）からアートン（Ａｒｔｏｎ）ＧあるいはアートンＦという商品名で発売されており、また日本ゼオン（株）からゼオノア（Ｚｅｏｎｏｒ）ＺＦ１４、ＺＦ１６、ゼオネックス（ＺＥＯＮＥＸ）２５０、同２８０、同４８０Ｒという商品名で市販されており、これらを使用することができる。
【００４４】
＜＜＜熱可塑性ポリイミド樹脂＞＞＞
熱可塑性ポリイミド樹脂としては、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを公知の方法で縮合反応させて得られるものを用いることができる。
公知の方法としては、例えば、有機溶剤中で、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを略等モル混合し、反応温度８０℃以下で反応させてポリアミック酸を合成し、得られたポリアミック酸を脱水閉環（イミド化）させる方法などが挙げられる。ここで、略等モルとは、テトラカルボン酸二無水物とジアミンのモル量比が１：１近傍であることを言う。なお、必要に応じて、テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの組成比が、テトラカルボン酸二無水物の合計１．０モルに対して、ジアミンの合計が０．５〜２．０モルとなるように調整してもよい。テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの組成比を上記の範囲内で調整することによって、熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量を調整することができる。
【００４５】
テトラカルボン酸二無水物としては、特に限定されるものではないが、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、１，１−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ベンゼン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、１，２，５，６−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，６−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，７−ジクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、２，３，６，７−テトラクロロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、フェナントレン−１，８，９，１０−テトラカルボン酸二無水物、ピラジン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、チオフェン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジメチルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メチルフェニルシラン二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ジフェニルシラン二無水物、１，４−ビス（３，４−ジカルボキシフェニルジメチルシリル）ベンゼン二無水物、１，３−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テトラメチルジシクロヘキサン二無水物、ｐ−フェニレンビス（トリメリテート無水物）、エチレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−ブタンテトラカルボン酸二無水物、デカヒドロナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、４，８−ジメチル−１，２，３，５，６，７−ヘキサヒドロナフタレン−１，２，５，６−テトラカルボン酸二無水物、シクロペンタン−１，２，３，４−テトラカルボン酸二無水物、ピロリジン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、ビス（オキサビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２，３−ジカルボン酸）二無水物、ビシクロ［２．２．２］オクト−７−エン−２，３，５，６−テトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２’ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕プロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２’ビス〔４−（３，４−ジカルボキシフェニル）フェニル〕ヘキサフルオロプロパン二無水物、４，４’−ビス（３，４−ジカルボキシフェノキシ）ジフェニルスルフィド二無水物、１，４−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、１，３−ビス（２−ヒドロキシヘキサフルオロイソプロピル）ベンゼンビス（トリメリット酸無水物）、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸二無水物、テトラヒドロフラン−２，３，４，５−テトラカルボン酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物、１，２−（エチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，３−（トリメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，４−（テトラメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，５−（ペンタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，６−（ヘキサメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，７−（ヘプタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，８−（オクタメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，９−（ノナメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１０−（デカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１２−（ドデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１６−（ヘキサデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）、１，１８−（オクタデカメチレン）ビス（トリメリテート無水物）等を挙げることができ、これらを１種単独でまたは２種以上を組合せ用いることができる。これらの中でも、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，２’，３’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が好ましく、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物がより好ましい。
【００４６】
ジアミンとしては特に制限はなく、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルエーテル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジメチルフェニル）メタン、ビス（４−アミノ−３，５−ジイソプロピルフェニル）メタン、３，３’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、４，４’−ジアミノジフェニルジフルオロメタン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルケトン、３，４’−ジアミノジフェニルケトン、４，４’−ジアミノジフェニルケトン、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）プロパン、２，２’−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、３，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、４，４’−（１，４−フェニレンビス（１−メチルエチリデン））ビスアニリン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフィド、ビス（４−（３−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル）スルフォン、３，３’−ジヒドロキシ−４，４’−ジアミノビフェニル、３，５−ジアミノ安息香酸等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、ポリオキシプロピレンジアミン、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン、４，９，１４−トリオキサへプタデカン−１，１７−ジアミン、１，２−ジアミノエタン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、１，７−ジアミノヘプタン、１，８−ジアミノオクタン、１，９−ジアミノノナン、１，１０−ジアミノデカン、１，１１−ジアミノウンデカン、１，１２−ジアミノドデカン、１，２−ジアミノシクロヘキサン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン等を挙げることができる。
これらのジアミンの中でも、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ポリオキシプロピレンジアミン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、４，９−ジオキサドデカン−１，１２−ジアミン、１，６−ジアミノヘキサン、および、４，９，１４−トリオキサへプタデカン−１，１７−ジアミンからなる群から選択される１種以上が好ましく、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダンがより好ましい。
【００４７】
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応に用いられる溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが挙げられる。原材料等の溶解性を調整するために、非極性溶剤（例えば、トルエンや、キシレン）を併用してもよい。
テトラカルボン酸二無水物とジアミンとの反応温度は、好ましくは１００℃未満、さらに好ましくは９０℃未満である。また、ポリアミック酸のイミド化は、代表的には不活性雰囲気（例えば、真空または窒素雰囲気）下で加熱処理することにより行われる。加熱処理温度は、好ましくは１５０℃以上であり、より好ましくは１８０〜４５０℃である。
【００４８】
熱可塑性ポリイミド樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜１，０００，０００が好ましく、２０，０００〜１００，０００がより好ましい。
【００４９】
本発明において、熱可塑性ポリイミド樹脂は、γ−ブチロラクトン、シクロペンタノン、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、シクロヘキサノン、グリコールエーテル、ジメチルスルホキシドおよびテトラメチルウレアから選ばれる少なくとも１種の溶剤に対する２５℃での溶解度が１０ｇ／１００ｇＳｏｌｖｅｎｔ以上であることが好ましい。
このような溶解度を有する熱可塑性ポリイミド樹脂としては、例えば、３，４，３’，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物と、３−（４−アミノフェニル）−１，１，３−トリメチル−５−アミノインダンとを反応させて得られる熱可塑性ポリイミド樹脂などが挙げられる。この熱可塑性ポリイミド樹脂は、耐熱性が特に優れる。
【００５０】
熱可塑性ポリイミド樹脂は、市販品を用いてもよい。例えば、Ｄｕｒｉｍｉｄｅ（登録商標）２００、２０８Ａ、２８４（以上、富士フイルム（株）製）、ＧＰＴ−ＬＴ（群栄化学工業（株）製）、ＳＯＸＲ−Ｓ、ＳＯＸＲ−Ｍ、ＳＯＸＲ−Ｕ、ＳＯＸＲ−Ｃ（以上、ニッポン高度紙工業（株）製）、ＥＸＴＥＭ  ＶＨ１００３、ＶＨ１００３Ｆ、ＶＨ１００３Ｍ、ＸＨ１０１５（以上、ＳＡＢＩＣジャパン合同会社製）などが挙げられる。
【００５１】
＜＜＜ポリカーボネート樹脂＞＞＞
本発明において、ポリカーボネート樹脂は、下記式（１）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【００５２】
【化７】
0006646726.tif 000008
式（１）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、芳香族基を表し、Ｌは、単結合または２価の連結基を表す。
【００５３】
式（１）におけるＡｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立に、芳香族基を表す。芳香族基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ペンタレン環、インデン環、アズレン環、ヘプタレン環、インダセン環、ペリレン環、ペンタセン環、アセナフテン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオレン環、ビフェニル環、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、インドリジン環、インドール環、ベンゾフラン環、ベンゾチオフェン環、イソベンゾフラン環、キノリジン環、キノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、キノキサリン環、キノキサゾリン環、イソキノリン環、カルバゾール環、フェナントリジン環、アクリジン環、フェナントロリン環、チアントレン環、クロメン環、キサンテン環、フェノキサチイン環、フェノチアジン環、および、フェナジン環が挙げられる。なかでも、ベンゼン環が好ましい。
これらの芳香族基は、置換基を有していてもよいが、置換基を有していない方が好ましい。
芳香族基が有していてもよい置換基の例としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基などが挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
アルキル基としては、炭素数１〜３０のアルキル基が挙げられる。アルキル基の炭素数は、１〜２０が好ましく、１〜１０がより好ましい。アルキル基は、直鎖、分岐のいずれであってもよい。また、アルキル基の水素原子の一部または全部は、ハロゲン原子で置換されていてもよい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。
アルコキシ基としては、炭素数１〜３０のアルコキシ基が好ましい。アルコキシ基の炭素数は、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルコキシ基は、直鎖、分岐、環状のいずれでもよい。
アリール基としては、炭素数６〜３０のアリール基が好ましく、炭素数６〜２０のアリール基がより好ましい。
【００５４】
ポリカーボネート樹脂の、重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、１０，０００〜８０，０００であることがより好ましい。上記範囲であれば、溶剤への溶解性、耐熱性が良好である。
【００５５】
ポリカーボネート樹脂の市販品としては、例えば、ＰＣＺ−２００、ＰＣＺ−３００、ＰＣＺ−５００、ＰＣＺ−８００（以上、三菱ガス化学（株）製）、ＡＰＥＣ９３７９（バイエル社製）、パンライトＬ−１２２５ＬＭ（帝人（株）製）などが挙げられる。
【００５６】
＜＜樹脂の引張弾性率Ｅ＞＞
本発明の仮接着用組成物に用いる樹脂は、２５℃における、ＪＩＳ（日本工業規格）Ｋ  ７１６１：１９９４に準拠した引張弾性率Ｅが、１ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であることがより好ましく、１ＭＰａ以上６０ＭＰａ以下であることがさらに好ましく、１ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下であることが一層好ましく、１ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることがより一層好ましく、１ＭＰａ以上１５ＭＰａ以下であることがさらに一層好ましく、３ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることが特に好ましい。このような範囲にすることにより、反りをより効果的に抑制することが可能になる。
上記樹脂の引張弾性率Ｅは、後述する実施例に記載の方法で測定される。
【００５７】
＜＜樹脂の配合量＞＞
本発明の仮接着用組成物は、樹脂を、仮接着用組成物の全固形分中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含むことが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％がより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％が特に好ましい。樹脂の含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。
樹脂としてエラストマーを用いる場合、エラストマーは、仮接着用組成物の全固形分中に５０．００〜９９．９９質量％の割合で含まれることが好ましく、７０．００〜９９．９９質量％がより好ましく、８８．００〜９９．９９質量％が特に好ましい。エラストマーの含有量が上記範囲であれば、接着性および剥離性に優れる。エラストマーを２種以上使用した場合は、合計が上記範囲であることが好ましい。
また、樹脂としてエラストマーを用いる場合、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量は、５０〜１００質量％が好ましく、７０〜１００質量％がより好ましく、８０〜１００質量％がさらに好ましく、９０〜１００質量％が一層好ましい。また、樹脂は、実質的にエラストマーのみであってもよい。なお、樹脂が、実質的にエラストマーのみであるとは、樹脂全質量におけるエラストマーの含有量が、９９質量％以上が好ましく、９９．９質量％以上がより好ましく、エラストマーのみからなることが一層好ましい。
【００５８】
＜ポリエーテル変性シリコーンＡ＞
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡは、下記式（Ａ）で表される比率が８０％以上である。
式（Ａ）  ｛（ＭＯ＋ＥＯ）／ＡＯ｝×１００
上記式（Ａ）中、ＭＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるメチレンオキシドのモル％であり、ＥＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるエチレンオキシドのモル％であり、ＡＯは、ポリエーテル変性シリコーン中のポリエーテル構造に含まれるアルキレンオキシドのモル％である。
上記式（Ａ）で表される比率は、９０％以上であることが好ましく、９５％以上であることがより好ましく、９８％以上であることがさらに好ましく、９９％以上であることが一層好ましく、１００％であることがより一層好ましい。
【００５９】
ポリエーテル変性シリコーンＡの重量平均分子量は、５００〜１００，０００が好ましく、１，０００〜５０，０００がより好ましく、２，０００〜４０，０００がさらに好ましい。
【００６０】
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡは、ポリエーテル変性シリコーンＡを窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持したときの質量減少率が、５０質量％以下であることが好ましい。このような化合物を用いることにより、加熱を伴う加工後の基材の面状がより向上する傾向にある。上記ポリエーテル変性シリコーンＡの質量減少率は、４５質量％以下がより好ましく、４０質量％以下がさらに好ましく、３５質量％以下が一層好ましく、３０質量％以下がより一層好ましい。上記ポリエーテル変性シリコーンＡの質量減少率の下限値は０質量％であってもよいが、１５質量％以上、さらには２０質量％以上でも十分に実用レベルである。
本発明における質量減少率は、実施例に記載の方法によって測定される。
【００６１】
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡは、屈折率が１．４４０以下であることが好ましい。下限値については、特に定めるものではないが、１．４００以上であっても十分実用レベルである。
【００６２】
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡは、分子量が５００以上であることが好ましい。特に、本発明では、下記式（１０１）〜式（１０４）のいずれかで表されるポリエーテル変性シリコーンが好ましい。
式（１０１）
【化８】
0006646726.tif 000009
上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ１１、ｍ１２、ｎ１およびｐ１は、それぞれ独立に、０〜２０の数であり、ｘ１およびｙ１は、それぞれ独立に、２〜１００の数である。
式（１０２）
【化９】
0006646726.tif 000010
上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ２２は、２価の連結基であり、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ２およびｎ２は、それぞれ独立に、０〜２０の数であり、ｘ２は、２〜１００の数である。
式（１０３）
【化１０】
0006646726.tif 000011
上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ３１、ｍ３２、ｎ３およびｐ３は、それぞれ独立に、０〜２０の数であり、ｘ３は、２〜１００の数である。
式（１０４）
【化１１】
0006646726.tif 000012
上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、Ｒ４７は、２価の連結基であり、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、ｍ４およびｎ４は、それぞれ独立に、０〜２０の数であり、ｘ４およびｙ４は、それぞれ独立に、２〜１００の数である。
【００６３】
上記式（１０１）中、Ｒ１１およびＲ１６は、それぞれ独立に、置換基であり、炭素数１〜５のアルキル基もしくはフェニル基が好ましく、メチル基がより好ましい。
上記式（１０１）中、Ｒ１２およびＲ１４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、カルボニル基、酸素原子、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数６〜１６のシクロアルキレン基、炭素数２〜８のアルケニレン基、炭素数２〜５のアルキニレン基、および炭素数６〜１０のアリーレン基が好ましく、酸素原子がより好ましい。
式（１０１）中、Ｒ１３およびＲ１５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、水素原子または炭素数１〜３のアルキル基がより好ましい。
【００６４】
上記式（１０２）中、Ｒ２１、Ｒ２５およびＲ２６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０２）中、Ｒ２２は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２およびＲ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０２）中、Ｒ２３は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６５】
上記式（１０３）中、Ｒ３１およびＲ３６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０３）中、Ｒ３２およびＲ３４は、それぞれ独立に、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２およびＲ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０３）中、Ｒ３３およびＲ３５は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６６】
上記式（１０４）中、Ｒ４１、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、Ｒ４５およびＲ４６は、それぞれ独立に、置換基であり、式（１０１）におけるＲ１１およびＲ１６と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０４）中、Ｒ４７は、２価の連結基であり、式（１０１）におけるＲ１２およびＲ１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
上記式（１０４）中、Ｒ４８は、水素原子または炭素数１〜５のアルキル基であり、式（１０１）におけるＲ１３およびＲ１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
【００６７】
式（１０１）〜式（１０４）中、式（１０３）または式（１０４）が好ましく、式（１０４）がより好ましい。
【００６８】
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡ中のポリオキシアルキレン基の含有率は、特に限定されないが、ポリオキシアルキレン基の含有率が１％を超えるものが望ましい。
ポリオキシアルキレン基の含有率は、「｛（ポリエーテル変性シリコーンＡ１分子中のポリオキシアルキレン基の式量）／ポリエーテル変性シリコーンＡ１分子の分子量｝×１００」で定義される。
【００６９】
本発明の仮接着用組成物に用いるポリエーテル変性シリコーンＡとして、市販品を用いることもできる。例えば、以下の市販品のうち、式（Ａ）で表される比率が８０％以上の離型剤を用いることができる。ＡＤＶＡＬＯＮ  ＦＡ３３、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０３、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０３３、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０５１、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０５３、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０６０、ＦＬＵＩＤ  Ｌ０６６、ＩＭ２２、ＷＡＣＫＥＲ−Ｂｅｌｓｉｌ  ＤＭＣ  ６０３８（以上、旭化成ワッカーシリコーン（株）製）、ＫＦ−３５２Ａ、ＫＦ−３５３、ＫＦ−６１５Ａ、ＫＰ−１１２、ＫＰ−３４１、Ｘ−２２−４５１５、ＫＦ−３５４Ｌ、ＫＦ−３５５Ａ、ＫＦ−６００４、ＫＦ−６０１１、ＫＦ−６０１１Ｐ、ＫＦ−６０１２、ＫＦ−６０１３、ＫＦ−６０１５、ＫＦ−６０１６、ＫＦ−６０１７、ＫＦ−６０１７Ｐ、ＫＦ−６０２０、ＫＦ−６０２８、ＫＦ−６０２８Ｐ、ＫＦ−６０３８、ＫＦ−６０４３、ＫＦ−６０４８、ＫＦ−６１２３、ＫＦ−６２０４、ＫＦ−６４０、ＫＦ−６４２、ＫＦ−６４３、ＫＦ−６４４、ＫＦ−９４５、ＫＰ−１１０、ＫＰ−３５５、ＫＰ−３６９、ＫＳ−６０４、Ｐｏｌｏｎ  ＳＲ−Ｃｏｎｃ、Ｘ−２２−４２７２、Ｘ−２２−４９５２（以上、信越化学工業（株）製）、８５２６  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＦＺ−２２０３、ＦＺ−５６０９、Ｌ−７００１、ＳＦ  ８４１０、２５０１  ＣＯＳＭＥＴＩＣ  ＷＡＸ、５２００  ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ  ＡＩＤ、５７  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０１９  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０２９  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、８０５４  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＢＹ１６−０３６、ＢＹ１６−２０１、ＥＳ−５６１２  ＦＯＲＭＵＬＡＴＩＯＮ  ＡＩＤ、ＦＺ−２１０４、ＦＺ−２１０８、ＦＺ−２１１０、ＦＺ−２１２３、ＦＺ−２１６２、ＦＺ−２１６４、ＦＺ−２１９１、ＦＺ−２２０７、ＦＺ−２２０８、ＦＺ−２２２２、ＦＺ−７００１、ＦＺ−７７、Ｌ−７００２、Ｌ−７６０４、ＳＦ８４２７、ＳＦ８４２８、ＳＨ  ２８  ＰＡＩＮＲ  ＡＤＤＩＴＩＶＥ、ＳＨ３７４９、ＳＨ３７７３Ｍ、ＳＨ８４００、ＳＨ８７００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＢＹＫ−３７８、ＢＹＫ−３０２、ＢＹＫ−３０７、ＢＹＫ−３３１、ＢＹＫ−３４５、ＢＹＫ−３４５５、ＢＹＫ−３４７、ＢＹＫ−３４８、ＢＹＫ−３４９、ＢＹＫ−３７７（以上、ビックケミー・ジャパン（株）製）、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７００１、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７００２、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２００、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２１０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２２０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２３０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０５、ＴＳＦ４４４５、ＴＳＦ４４４６、ＴＳＦ４４５２、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｈｙｄｒｏｓｔａｂｌｅ  ６８、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２２、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７２８０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７５００、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７５５０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６００、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０２、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０４、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０７、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６０８、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６２２、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６５０、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７６５７、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−７７、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−８５００、Ｓｉｌｗｅｔ  Ｌ−８６１０、ＴＳＦ４４４０、ＴＳＦ��４４１、ＴＳＦ４４５０、ＴＳＦ４４６０（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）。
【００７０】
本発明の仮接着用組成物におけるポリエーテル変性シリコーンＡの含有量は、仮接着用組成物の固形分の０．００１〜１．０質量％である。上記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量の下限は、０．００４質量％以上が好ましく、０．００６質量％以上がより好ましく、０．００８質量％以上がさらに好ましく、０．００９質量％以上が一層好ましい。上記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量の上限は、０．８質量％以下が好ましく、０．６質量％以下がより好ましく、０．３質量％以下がさらに好ましく、０．１５質量％以下がより一層好ましく、０．０９質量％以下がより一層好ましい。
本発明の仮接着用組成物は、ポリエーテル変性シリコーンＡを１種のみ含んでいてもよく、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【００７１】
＜他の離型剤＞
本発明の仮接着用組成物は、上記ポリエーテル変性シリコーンＡ以外の離型剤を含んでいてもよい。他の離型剤としては、フッ素系液体状化合物や上記以外のシリコーン化合物が例示される。
他の離型剤を含有する場合、その含有量は、仮接着用組成物の固形分の０．００１〜０．００５質量％の範囲が好ましい。他の離型剤は、１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
また、本発明では、他の離型剤を実質的に含まない構成とすることができる。他の離型剤を実質的に含まないとは、他の離型剤の含有量が、上記ポリエーテル変性シリコーンＡの含有量の１質量％以下であることをいう。
【００７２】
＜可塑剤＞
本発明の仮接着用組成物は、必要に応じて可塑剤を含んでいてもよい。可塑剤を配合することにより、上記諸性能を満たす仮接着膜を形成することができる。
可塑剤としては、フタル酸エステル、脂肪酸エステル、芳香族多価カルボン酸エステル、ポリエステルなどが使用できる。
【００７３】
フタル酸エステルとしては例えば、ＤＭＰ、ＤＥＰ、ＤＢＰ、＃１０、ＢＢＰ、ＤＯＰ、ＤＩＮＰ、ＤＩＤＰ（以上、大八化学工業（株）製）、ＰＬ−２００、ＤＯＩＰ（以上、シージーエスター（株）製）、サンソサイザーＤＵＰ（新日本理化（株）製）などが挙げられる。
脂肪酸エステルとしては例えば、ブチルステアレート、ユニスターＭ−９６７６、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ユニスターＨ−４７６、ユニスターＨ−４７６Ｄ、パナセート８００Ｂ、パナセート８７５、パナセート８１０（以上、日油（株）製）、ＤＢＡ、ＤＩＢＡ、ＤＢＳ、ＤＯＡ、ＤＩＮＡ、ＤＩＤＡ、ＤＯＳ、ＢＸＡ、ＤＯＺ、ＤＥＳＵ（以上、大八化学工業（株）製）などが挙げられる。
芳香族多価カルボン酸エステルとしては、ＴＯＴＭ、モノサイザーＷ−７０５（以上、大八化学工業（株）製）、ＵＬ−８０、ＵＬ−１００（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。
ポリエステルとしては、ポリサイザーＴＤ−１７２０、ポリサイザーＳ−２００２、ポリサイザーＳ−２０１０（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＢＡＡ−１５（大八化学工業（株）製）などが挙げられる。
上記可塑剤の中では、ＤＩＤＰ、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭ、ユニスターＭ−２２２２ＳＬ、ポリサイザーＴＤ−１７２０が好ましく、ＤＩＤＡ、ＴＯＴＭがより好ましく、ＴＯＴＭが特に好ましい。
可塑剤は１種のみを用いてもよいし、２種以上を組み合わせてもよい。
【００７４】
可塑剤は、加熱中の昇華防止の観点から、窒素気流下、２０℃／分の一定速度の昇温条件のもとで重量変化を測定したとき、その重量が１質量％減少する温度が、２５０℃以上が好ましく、２７０℃以上がより好ましく、３００℃以上が特に好ましい。上限は特に定めるものではないが、例えば、５００℃以下とすることができる。
【００７５】
可塑剤の添加量は、本発明の仮接着用組成物の全固形分に対して、０．０１質量％〜５．０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１質量％〜２．０質量％である。
【００７６】
＜酸化防止剤＞
本発明の仮接着用組成物は、酸化防止剤を含有してもよい。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、硫黄系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、キノン系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤などが使用できる。
フェノール系酸化防止剤としては、例えば、ｐ−メトキシフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、Ｉｒｇａｎｏｘ３１１４、Ｉｒｇａｎｏｘ１０３５（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＭＤＰ−Ｓ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。
硫黄系酸化防止剤としては、例えば、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＭ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰＳ、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ（以上、住友化学（株）製）などが挙げられる。
リン系酸化防止剤としては、例えば、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスフィト、ポリ（ジプロピレングリコール）フェニルホスフィト、ジフェニルイソデシルホスフィト、２−エチルヘキシルジフェニルホスフィト、トリフェニルホスフィト、Ｉｒｇａｆｏｓ１６８、Ｉｒｇａｆｏｓ３８（以上、ＢＡＳＦジャパン（株）製）などが挙げられる。
キノン系酸化防止剤としては、例えば、ｐ−ベンゾキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ベンゾキノンなどが挙げられる。
アミン系酸化防止剤としては、例えば、ジメチルアニリンやフェノチアジンなどが挙げられる。
酸化防止剤は、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０、３，３’−チオジプロピオネートジステアリル、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０がより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０が特に好ましい。
また、上記酸化防止剤のうち、フェノール系酸化防止剤と、硫黄系酸化防止剤またはリン系酸化防止剤とを併用することが好ましく、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが最も好ましい。特に、樹脂として、ポリスチレン系エラストマーを使用した場合において、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用することが好ましい。このような組み合わせにすることにより、酸化反応による樹脂の劣化を、効率よく抑制できる効果が期待できる。フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤とを併用する場合、フェノール系酸化防止剤と硫黄系酸化防止剤との質量比は、フェノール系酸化防止剤：硫黄系酸化防止剤＝９５：５〜５：９５が好ましく、２５：７５〜７５：２５がより好ましい。
酸化防止剤の組み合わせとしては、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、および、Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＧＡ−８０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ、Ｉｒｇａｎｏｘ１３３０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄがより好ましく、Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０とＳｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄが特に好ましい。
【００７７】
酸化防止剤の分子量は、加熱中の昇華防止の観点から、４００以上が好ましく、６００以上がより好ましく、７５０以上がさらに好ましい。
【００７８】
仮接着用組成物が酸化防止剤を有する場合、酸化防止剤の含有量は、仮接着用組成物の全固形分に対して、０．００１〜２０．０質量％が好ましく、０．００５〜１０．０質量％がより好ましい。
酸化防止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。酸化防止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
【００７９】
＜溶剤＞
本発明の仮接着用組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、公知のものを制限なく使用でき、有機溶剤が好ましい。
有機溶剤としては、酢酸エチル、酢酸−ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、アルコキシ酢酸アルキル（例えば、アルコキシ酢酸メチル、アルコキシ酢酸エチル、アルコキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３−アルコキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３−アルコキシプロピオン酸メチル、３−アルコキシプロピオン酸エチル等（例えば、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル等））、２−アルコキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、２−アルコキシプロピオン酸メチル、２−アルコキシプロピオン酸エチル、２−アルコキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル））、２−アルコキシ−２−メチルプロピオン酸メチルおよび２−アルコキシ−２−メチルプロピオン酸エチル（例えば、２−メトキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−エトキシ−２−メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２−オキソブタン酸メチル、２−オキソブタン酸エチル、１−メトキシ−２−プロピルアセテート、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート等のエステル類；
ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエーテル類；
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチロラクトン等のケトン類；
Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン等のピロリドン類；
トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、プソイドクメン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、イソアミルベンゼン、（２，２−ジメチルプロピル）ベンゼン、１−フェニルへキサン、１−フェニルヘプタン、１−フェニルオクタン、１−フェニルノナン、１−フェニルデカン、シクロプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、２−エチルトルエン、１，２−ジエチルベンゼン、ｏ−シメン、インダン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、３−エチルトルエン、ｍ−シメン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、４−エチルトルエン、１，４−ジエチルベンゼン、ｐ−シメン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、４−ｔｅｒｔ−ブチルトルエン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１，３−ジエチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、４−ｔｅｒｔ−ブチル−ｏ−キシレン、１，２，４−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、５−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−キシレン、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルトルエン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン、デカヒドロナフタレン等の芳香族炭化水素類；
エチルシクロヘキサン、リモネン、ｐ−メンタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等の脂肪族炭化水素類などが好適に挙げられる。
【００８０】
これらの溶剤は、塗布面状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。この場合、特に好ましくは、メシチレン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、プソイドクメン、ｐ−メンタン、γ−ブチロラクトン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、アニソール、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、およびプロピレングリコールメチルエーテルアセテートから選択される２種以上で構成される混合溶液である。
【００８１】
本発明の仮接着用組成物が溶剤を有する場合、仮接着用組成物の溶剤の含有量は、塗布性の観点から、仮接着用組成物の全固形分濃度が５〜８０質量％になる量が好ましく、５〜７０質量％になる量がより好ましく、１０〜６０質量％になる量がさらに好ましい。
溶剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。溶剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
【００８２】
＜界面活性剤＞
本発明の仮接着用組成物は、界面活性剤を含有することが好ましい。
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、または、両性のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活性剤はノニオン系界面活性剤である。
ノニオン系界面活性剤の好ましい例としては、ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキシエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリオキシエチレングリコールの高級脂肪酸ジエステル類を挙げることができる。
【００８３】
本発明の仮接着用組成物が界面活性剤を有する場合、仮接着用組成物の界面活性剤の含有量は、塗布性の観点から、仮接着用組成物の全固形分に対して０．００１〜５質量％が好ましく、０．００５〜１質量％がより好ましく、０．０１〜０．５質量％がさらに好ましい。界面活性剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。界面活性剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
【００８４】
＜その他の添加剤＞
本発明の仮接着用組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、必要に応じて、各種添加物、例えば、硬化剤、硬化触媒、充填剤、密着促進剤、紫外線吸収剤、凝集防止剤等を配合することができる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は仮接着用組成物の全固形分の３質量％以下が好ましい。
【００８５】
本発明の仮接着用組成物は、金属等の不純物を含まないことが好ましい。これら材料に含まれる不純物の含有量としては、１質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｍｉｌｌｉｏｎ）以下が好ましく、１００質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｔｒｉｌｌｉｏｎ）以下がより好ましく、１０質量ｐｐｔ以下がさらに好ましく、実質的に含まないこと（測定装置の検出限界以下であること）が特に好ましい。
仮接着用組成物から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルタを用いた濾過を挙げることができる。フィルタ孔径としては、１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がより好ましく、３ｎｍ以下がさらに好ましい。フィルタの材質としては、ポリテトラフロロエチレン、ポリエチレン、ナイロンが好ましい。フィルタは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルタ濾過工程では、複数種類のフィルタを直列または並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルタを使用する場合は、孔径および／または材質が異なるフィルタを組み合わせて使用しても良い。また、各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であっても良い。
また、仮接着用組成物に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、仮接着用組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、仮接着用組成物を構成する原料に対してフィルタ濾過を行う、装置内をテフロン（登録商標）でライニングする等によりコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。仮接着用組成物を構成する原料に対して行うフィルタ濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。
フィルタ濾過の他、吸着材による不純物の除去を行っても良く、フィルタ濾過と吸着材による不純物の除去とを組み合わせて実施しても良い。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができ、例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材を使用することができる。
【００８６】
＜仮接着膜の形成＞
仮接着膜は、第１の基材および第２の基材の少なくとも一方の表面に、本発明の仮接着用組成物を用いて形成することができる。第１の基材および第２の基材の一方のみに仮接着膜を形成して他方の基材と貼り合わせても良いし、両方の基材に仮接着膜を設けて両者を貼り合わせてもよい。
仮接着膜の形成には、仮接着用組成物を、従来公知のスピンコート法、スプレー法、スリットコート法、ローラーコート法、フローコート法、ドクターコート法、浸漬法などを用いることができる。
次いで、通常、仮接着用組成物は溶剤を含むため、加熱を行って溶剤を揮発させる。この加熱温度としては、溶剤の沸点よりも高い温度であることが好ましく、１１０℃以上であることがより好ましく、１３０℃〜２００℃がさらに好ましく、１６０℃〜１９０℃が特に好ましい。
【００８７】
＜仮接着用組成物の調製＞
本発明の仮接着用組成物は、上述の各成分を混合して調製することができる。各成分の混合は、通常、０℃〜１００℃の範囲で行われる。また、各成分を混合した後、例えば、フィルタでろ過することが好ましい。ろ過は、多段階で行ってもよいし、多数回繰り返してもよい。また、ろ過した液を再ろ過することもできる。
フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）等のフッ素樹脂、ナイロン−６、ナイロン−６，６等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量のポリオレフィン樹脂を含む）等の素材を用いたフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、例えば、０．００３〜５．０μｍ程度が適している。この範囲とすることにより、ろ過詰まりを抑えつつ、組成物に含まれる不純物や凝集物など、微細な異物を確実に除去することが可能となる。
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせても良い。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。異なるフィルタを組み合わせて２回以上フィルタリングを行う場合は１回目のフィルタリングの孔径より２回目以降の孔径が同じ、もしくは小さい方が好ましい。また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール（株）、アドバンテック東洋（株）、日本インテグリス（株）または（株）キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
【００８８】
＜仮接着用組成物の剥離力＞
本発明の仮接着用組成物は、剥離力が１〜２０Ｎ／ｍであることが好ましく、１〜２５Ｎ／ｍであることがより好ましい。上記剥離力の下限は、３．０Ｎ／ｍ以上であることがより好ましい。上記剥離力の上限は、２０Ｎ／ｍ以下であることがより好ましく、１５Ｎ／ｍ以下であることがさらに好ましく、１０Ｎ／ｍ以下であることが一層好ましく、９Ｎ／ｍ以下であることがより一層好ましい。このような範囲とすることにより、加工後の基材に損傷を与えることなく剥離が可能になるという効果がより効果的に発揮される。
ここで、剥離力とは、仮接着用組成物を用いて、シリコンウェハの表面に、厚さ１５μｍの仮接着膜を成形し、２５℃、速度３００ｍｍ／分の速度で、シリコンウェハの仮接着膜が形成された面に対し垂直な方向に、仮接着膜の端部を引き上げることによって剥離可能で、かつ、引き上げる際にかかる力を、フォースゲージを用いて測定したときの力をいう。具体的には、後述する実施例に記載の方法に従う。
【００８９】
積層体
本発明は、また、第１の基材と、仮接着膜と、第２の基材を、上記順に互いに隣接して有する積層体を開示する。上記仮接着膜は、上述の本発明の仮接着用組成物から形成される。本発明の積層体は、上記仮接着用組成物を用いて、第１の基材と、第２の基材とを、一時的に接着して用いる。
【００９０】
半導体装置の製造方法
＜第一の実施形態＞
以下、積層体を製造する工程を経た半導体装置の製造方法の一実施形態について、図１をあわせて参照しながら説明する。なお、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
図１（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、キャリア基材とデバイスウェハとの仮接着を説明する概略断面図（図１（Ａ）、（Ｂ））、キャリア基材に仮接着されたデバイスウェハが薄型化された状態（図１（Ｃ））、キャリア基材とデバイスウェハを剥離した状態（図１（Ｄ））、デバイスウェハから仮接着膜を除去後の状態（図１（Ｅ））を示す概略断面図である。
【００９１】
この実施形態では、図１（Ａ）に示すように、先ず、キャリア基材１２に仮接着膜１１が設けられてなる接着性キャリア基材１００が準備される。
仮接着膜１１は、本発明の仮接着用組成物を用いて形成することができる。仮接着膜１１は、実質的に溶剤を含まない態様であることが好ましい。
デバイスウェハ６０は、シリコン基板６１の表面６１ａに複数のデバイスチップ６２が設けられてなる。
シリコン基板６１の厚さは、例えば、２００〜１２００μｍが好ましい。デバイスチップ６２は例えば金属構造体であることが好ましく、高さは１０〜１００μｍが好ましい。
仮接着膜を形成させる過程で、キャリア基材およびデバイスウェハの裏面を溶剤で洗浄する工程を設けてもよい。具体的には、基材やウェハの端面または裏面に付着した仮接着膜の残渣を、仮接着膜が溶解する溶剤を用いて除去することで、装置の汚染を防ぐことができ、薄型化デバイスウェハのＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ  Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）を低下させることができる。
キャリア基材およびデバイスウェハの裏面を溶剤で洗浄する工程に用いる溶剤としては、前述の仮接着用組成物に含まれる溶剤を使用することができる。
【００９２】
次いで、図１（Ｂ）に示す通り、接着性キャリア基材とデバイスウェハ６０とを圧着させ、キャリア基材１２とデバイスウェハ６０とを仮接着させる。
仮接着膜１１は、デバイスチップ６２を完全に覆っていることが好ましく、デバイスチップの高さがＸμｍ、仮接着膜の厚さがＹμｍの場合、「Ｘ＋１００≧Ｙ＞Ｘ」の関係を満たすことが好ましい。
仮接着膜１１がデバイスチップ６２を完全に被覆していることは、薄型化デバイスウェハのＴＴＶをより低下したい場合（すなわち、薄型化デバイスウェハの平坦性をより向上させたい場合）に有効である。
すなわち、デバイスウェハを薄型化する際において、複数のデバイスチップ６２を仮接着膜１１によって保護することにより、キャリア基材１２との接触面において、凹凸形状をほとんど無くすことが可能である。よって、このように支持した状態で薄型化しても、複数のデバイスチップ６２に由来する形状が、薄型化デバイスウェハの裏面６１ｂ１に転写されるおそれは低減され、その結果、最終的に得られる薄型化デバイスウェハのＴＴＶをより低下することができる。
【００９３】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的または化学的な処理（特に限定されないが、例えば、グライディングや化学機械研磨（ＣＭＰ）等の薄膜化処理、化学気相成長（ＣＶＤ）や物理気相成長（ＰＶＤ）などの高温および真空下での処理、有機溶剤、酸性処理液や塩基性処理液などの薬品を用いた処理、めっき処理、活性光線の照射、加熱処理ならびに冷却処理など）を施す。図１（Ｃ）では、シリコン基板６１の厚さを薄くし（例えば、上述の厚さとなるように薄型化し）、薄型化デバイスウェハ６０ａを得ている。
【００９４】
デバイスウェハを薄型化した後、高温および真空下での処理を行う前の段階で、デバイスウェハの基材面の面積よりも外側にはみ出した仮接着膜を溶剤で洗浄する工程を設けてもよい。具体的には、デバイスウェハを薄型化した後、はみ出した仮接着膜を、仮接着膜が溶解する溶剤を用いて除去することで、高温および真空下での処理が仮接着膜に直接施されることによる仮接着膜の変形、変質を防ぐことができる。キャリア基材の基材面の面積またはデバイスウェハの基材面の面積よりも外側にはみ出した仮接着膜を溶剤で洗浄する工程に用いる溶剤としては、上記仮接着用組成物に含まれる溶剤を使用することができる。
すなわち、本発明では、仮接着膜の膜面の面積は、キャリア基材の基材面の面積よりも小さいことが好ましい。また、本発明では、キャリア基材の基材面の直径をＣμｍ、デバイスウェハの基材面の直径をＤμｍ、仮接着膜の膜面の直径をＴμｍとしたとき、（Ｃ‐２００）≧Ｔ≧Ｄを満たすことがより好ましい。さらに、キャリア基材の基材面の直径をＣμｍ、デバイスウェハの基材面の直径をＤμｍ、仮接着膜のキャリア基材と接している側の膜面の直径をＴＣμｍ、仮接着膜のデバイスウェハと接している側の膜面の直径をＴＤμｍとしたとき、（Ｃ‐２００）≧ＴＣ＞ＴＤ≧Ｄを満たすことが好ましい。このような構成とすることにより、高温および真空下での処理が仮接着膜に直接施されることによる仮接着膜の変形、変質をより抑制することができる。
尚、仮接着膜の膜面の面積とは、キャリア基材に対し垂直な方向から見たときの面積をいい、膜面の凹凸は考えないものとする。デバイスウェハの基材面についても同様である。すなわち、ここでいう、デバイスウェハの基材面とは、例えば、図１の６１ａ面に対応する面であり、デバイスチップが設けられている側の面である。仮接着膜の膜面等の直径についても、同様に考える。
また、仮接着膜の膜面の直径Ｔとは、仮接着膜のキャリア基材と接している側の膜面の直径をＴＣμｍ、仮接着膜のデバイスウェハと接している側の膜面の直径をＴＤμｍとしたとき、Ｔ＝（ＴＣ＋ＴＤ）／２とする。キャリア基材の基材面の直径およびデバイスウェハの基材面の直径は、仮接着膜と接している側の表面の直径をいう。
尚、キャリア基材等について、「直径」と規定しているが、キャリア基材等が、数学的な意味で円形（正円）であることを必須とするものではなく、概ね円形であればよい。正円でない場合、同じ面積の正円に換算した時の直径をもって、上記直径とする。
また、機械的または化学的な処理として、薄膜化処理の後に、薄型化デバイスウェハ６０ａの裏面６１ｂ１からシリコン基板を貫通する貫通孔（図示せず）を形成し、この貫通孔内にシリコン貫通電極（図示せず）を形成する処理を行ってもよい。
また、図（Ｂ）の段階でキャリア基材１２とデバイスウェハ６０とを仮接着した後、剥離するまでの間に加熱処理を行っても良い。加熱処理の一例として、機械的または化学的な処理を行う際に、加熱を行うことが挙げられる。
加熱処理における最高到達温度は８０〜４００℃が好ましく、１３０℃〜４００℃がより好ましく、１８０℃〜３５０℃がさらに好ましい。加熱処理における最高到達温度は仮接着膜の分解温度よりも低い温度とすることが好ましい。加熱処理は、最高到達温度での３０秒〜３０分間の加熱であることが好ましく、最高到達温度での１分〜１０分の加熱であることがより好ましい。
但し、仮接着用組成物が含む成分の分解温度にかかわらず、加熱処理後の仮接着膜に膨れやボイドの発生が無ければ良好に使用できる。ボイドの発生は超音波顕微鏡で観察することで検出可能である。
【００９５】
次いで、図１（Ｄ）に示すように、キャリア基材１２を、薄型化デバイスウェハ６０ａから剥離させる。剥離の際の温度は、４０℃以下であることが好ましく、３０℃以下とすることもできる。剥離の際の温度の下限値としては、例えば、０℃以上であり、好ましくは、１０℃以上である。本発明の仮接着用組成物を用いることで、１５〜３５℃程度の常温で剥離を行える点で価値が高い。
剥離の方法は特に限定されるものではないが、薄型化デバイスウェハ６０ａを固定し、キャリア基材積層体の端部から薄型化デバイスウェハ６０ａに対して垂直方向に引き上げて剥離することが好ましい。このとき、剥離界面は、キャリア基材１２と仮接着膜１１の界面で剥離されることが好ましい。剥離の際の引き上げ速度は、３０〜１００ｍｍ／分の速さであることが好ましく、４０〜８０ｍｍ／分の速さであることがより好ましい。この場合、キャリア基材１２と仮接着膜１１の界面の密着強度Ａ、デバイスウェハ表面６１ａと仮接着膜１１の密着強度Ｂは、以下の式を満たすことが好ましい。
Ａ＜Ｂ      ・・・・式（Ａ１）
また、剥離の際の端部を引き上げる際の力は、０．３３Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましく、０．２Ｎ／ｍｍ以下とすることもできる。下限値としては、好ましくは０．０７Ｎ／ｍｍ以上である。この際の力は、フォースゲージを用いて測定することができる。
【００９６】
そして、図１（Ｅ）に示すように、薄型化デバイスウェハ６０ａから仮接着膜１１を除去することにより、薄型化デバイスウェハを得ることができる。
仮接着膜１１の除去方法は、例えば、仮接着膜をそのままの状態で剥離除去する方法、仮接着膜を、剥離液を用いて除去する方法（仮接着膜を剥離液で膨潤させた後に剥離除去する方法、仮接着膜に剥離液を噴射して破壊除去する方法、仮接着膜を剥離液に溶解させて溶解除去する方法等）、仮接着膜を活性光線、放射線または熱の照射により分解、気化して除去する方法などが挙げられる。剥離液の使用量削減の観点からは、そのまま（フィルム状）の状態で剥離除去することが好ましい。また、デバイスウェハ表面のダメージ低減の観点からは、溶解除去が好ましい。仮接着膜をそのままの状態で剥離除去する方法とは、剥離液を用いる等の化学的処理を行うことなく、仮接着膜そのまま（フィルム状）の状態で剥離することをいう。仮接着膜をそのままの状態で剥離する場合、機械剥離が好ましい。仮接着膜をそのまま（フィルム状）の状態で剥離除去するためには、デバイスウェハ表面６１ａと仮接着膜１１の密着強度Ｂが以下の式（Ｂ１）を満たすことが好ましい。
Ｂ≦４Ｎ／ｃｍ      ・・・・式（Ｂ１）
仮保護膜を、剥離液を用いて除去する場合、以下の剥離液を好ましく用いることができる。
【００９７】
＜＜剥離液＞＞
剥離液としては、水および、溶剤（有機溶剤）を使用することができる。
また、剥離液としては、仮接着膜１１を溶解する有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、例えば、脂肪族炭化水素類（ヘキサン、ヘプタン、アイソパーＥ、Ｈ、Ｇ（エッソ化学（株）製）、リモネン、ｐ−メンタン、ノナン、デカン、ドデカン、デカリン等）、芳香族炭化水素類（トルエン、キシレン、アニソール、メシチレン、プソイドクメン、エチルベンゼン、プロピルベンゼン、クメン、ｎ−ブチルベンゼン、ｓｅｃ−ブチルベンゼン、イソブチルベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、アミルベンゼン、イソアミルベンゼン、（２，２−ジメチルプロピル）ベンゼン、１−フェニルへキサン、１−フェニルヘプタン、１−フェニルオクタン、１−フェニルノナン、１−フェニルデカン、シクロプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、２−エチルトルエン、１，２−ジエチルベンゼン、ｏ−シメン、インダン、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン、３−エチルトルエン、ｍ−シメン、１，３−ジイソプロピルベンゼン、４−エチルトルエン、１，４−ジエチルベンゼン、ｐ−シメン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、４−ｔｅｒｔ−ブチルトルエン、１，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンゼン、１，３−ジエチルベンゼン、１，２，３−トリメチルベンゼン、１，２，４−トリメチルベンゼン、４−ｔｅｒｔ−ブチル−ｏ−キシレン、１，２，４−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、５−ｔｅｒｔ−ブチル−ｍ−キシレン、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルトルエン、１，２，３，５−テトラメチルベンゼン、１，２，４，５−テトラメチルベンゼン、ペンタメチルベンゼン等）、ハロゲン化炭化水素（メチレンジクロライド、エチレンジクロライド、トリクレン、モノクロルベンゼン等）、極性溶剤が挙げられる。極性溶剤としては、アルコール類（メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、１−ブタノール、１−ペンタノール、１−ヘキサノール、１−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−ノナノール、１−デカノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、２−エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、ｎ−アミルアルコール、メチルアミルアルコール等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン、エチルブチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン等）、エステル類（酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸ベンジル、乳酸メチル、乳酸ブチル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアセテート、ジエチルフタレート、レブリン酸ブチル等）、その他（トリエチルフォスフェート、トリクレジルフォスフェート、Ｎ−フェニルエタノールアミン、Ｎ−フェニルジエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ−エチルジエタノールアミン、４−（２−ヒドロキシエチル）モルホリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン等）が挙げられる。
【００９８】
さらに、剥離性の観点から、剥離液は、アルカリ、酸、および界面活性剤を含んでいても良い。これらの成分を配合する場合、配合量は、それぞれ、剥離液の０．１〜５．０質量％であることが好ましい。
さらに剥離性の観点から、２種以上の有機溶剤および水、２種以上のアルカリ、酸および界面活性剤を混合する形態も好ましい。
【００９９】
アルカリとしては、例えば、第三リン酸ナトリウム、第三リン酸カリウム、第三リン酸アンモニウム、第二リン酸ナトリウム、第二リン酸カリウム、第二リン酸アンモニウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素アンモニウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、ホウ酸アンモニウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウム、水酸化カリウムおよび水酸化リチウムなどの無機アルカリ剤や、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリイソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、エチレンイミン、エチレンジアミン、ピリジン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドなどの有機アルカリ剤を使用することができる。これらのアルカリ剤は、単独で、または、２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
酸としては、ハロゲン化水素、硫酸、硝酸、リン酸、ホウ酸などの無機酸や、アルキルスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、アルキルベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、酢酸、クエン酸、ギ酸、グルコン酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸などの有機酸を使用することができる。
【０１０１】
界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系、両性イオン系の界面活性剤を使用することができる。この場合、界面活性剤の含有量は、アルカリ水溶液の全量に対して１〜２０質量％であることが好ましく、１〜１０質量％であることがより好ましい。
界面活性剤の含有量を上記した範囲内とすることにより、仮接着膜１１と薄型化デバイスウェハ６０ａとの剥離性をより向上できる傾向となる。
【０１０２】
アニオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、脂肪酸塩類、アビエチン酸塩類、ヒドロキシアルカンスルホン酸塩類、アルカンスルホン酸塩類、ジアルキルスルホコハク酸塩類、直鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、分岐鎖アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、アルキルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸塩類、アルキルフェノキシポリオキシエチレンアルキルスルホン酸塩類、ポリオキシエチレンアルキルスルホフェニルエーテル塩類、Ｎ−アルキル−Ｎ−オレイルタウリンナトリウム類、Ｎ−アルキルスルホコハク酸モノアミド二ナトリウム塩類、石油スルホン酸塩類、硫酸化ヒマシ油、硫酸化牛脂油、脂肪酸アルキルエステルの硫酸エステル塩類、アルキル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸エステル塩類、脂肪酸モノグリセリド硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、ポリオキシエチレンスチリルフェニルエーテル硫酸エステル塩類、アルキルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル塩類、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸エステル塩類、スチレン−無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、オレフィン−無水マレイン酸共重合物の部分けん化物類、ナフタレンスルホン酸塩ホルマリン縮合物類等が挙げられる。この中で、アルキルベンゼンスルホン酸塩類、アルキルナフタレンスルホン酸塩類、アルキルジフェニルエーテル（ジ）スルホン酸塩類が特に好ましく用いられる。
【０１０３】
カチオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、従来公知のものを用いることができる。例えば、アルキルアミン塩類、第四級アンモニウム塩類、アルキルイミダゾリニウム塩、ポリオキシエチレンアルキルアミン塩類、ポリエチレンポリアミン誘導体が挙げられる。
【０１０４】
ノニオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、ポリエチレングリコール型の高級アルコールエチレンオキサイド付加物、アルキルフェノールエチレンオキサイド付加物、アルキルナフトールエチレンオキサイド付加物、フェノールエチレンオキサイド付加物、ナフトールエチレンオキサイド付加物、脂肪酸エチレンオキサイド付加物、多価アルコール脂肪酸エステルエチレンオキサイド付加物、高級アルキルアミンエチレンオキサイド付加物、脂肪酸アミドエチレンオキサイド付加物、油脂のエチレンオキサイド付加物、ポリプロピレングリコールエチレンオキサイド付加物、ジメチルシロキサン−エチレンオキサイドブロックコポリマー、ジメチルシロキサン−（プロピレンオキサイド−エチレンオキサイド）ブロックコポリマー、多価アルコール型のグリセロールの脂肪酸エステル、ペンタエリスリトールの脂肪酸エステル、ソルビトールおよびソルビタンの脂肪酸エステル、ショ糖の脂肪酸エステル、多価アルコールのアルキルエーテル、アルカノールアミン類の脂肪酸アミド等が挙げられる。この中で、芳香環とエチレンオキサイド鎖を有するものが好ましく、アルキル置換または無置換のフェノールエチレンオキサイド付加物またはアルキル置換または無置換のナフトールエチレンオキサイド付加物がより好ましい。
【０１０５】
両性イオン系界面活性剤としては、特に限定されないが、アルキルジメチルアミンオキシドなどのアミンオキシド系、アルキルベタインなどのベタイン系、アルキルアミノ脂肪酸ナトリウムなどのアミノ酸系が挙げられる。特に、置換基を有してもよいアルキルジメチルアミンオキシド、置換基を有してもよいアルキルカルボキシベタイン、置換基を有してもよいアルキルスルホベタインが好ましく用いられる。具体的には、特開２００８−２０３３５９号公報の段落番号０２５６の式（２）で示される化合物、特開２００８−２７６１６６号公報の段落番号００２８の式（Ｉ）、式（ＩＩ）、式（ＶＩ）で示される化合物、特開２００９−４７９２７号公報の段落番号００２２〜００２９で示される化合物を用いることができる。
【０１０６】
さらに必要に応じ、消泡剤および硬水軟化剤のような添加剤を含有することもできる。
【０１０７】
キャリア基材１２を薄型化デバイスウェハ６０ａから剥離する際に、何ら処理することなく薄型化デバイスウェハ６０ａの端部からデバイスウェハに対して垂直方向に引き上げて剥離することが好ましく、デバイスウェハ表面６１ａ上の仮接着膜１１を除去する方法としては、フィルム状のまま除去することが好ましい。
キャリア基材１２と仮接着膜１１の界面の密着強度をＡ、デバイスウェハ表面６１ａと仮接着膜１１の密着強度Ｂとすると、上述した式（Ａ１）および（Ｂ１）をともに満たすことにより、キャリア基材１２、仮接着膜１１を、上述した態様で、デバイスウェハから除去することができる。
キャリア基材１２を薄型化デバイスウェハ６０ａから剥離した後、必要に応じて、薄型化デバイスウェハ６０ａに対して、種々の公知の処理を施し、薄型化デバイスウェハ６０ａを有する半導体装置を製造する。
【０１０８】
また、キャリア基材に仮接着膜が付着している場合は、仮接着膜を除去することにより、キャリア基材を再生することができる。仮接着膜を除去する方法としては、フィルム状のまま、ブラシ、超音波、氷粒子、エアロゾルの吹付けにより物理的に除去する方法、および、水溶液または有機溶剤に溶解させて溶解除去する方法、活性光線、放射線、熱の照射により分解、気化させる方法などの化学的に除去する方法が挙げられるが、キャリア基材に応じて、従来既知の除去方法を利用することができる。
例えば、キャリア基材としてシリコン基板を使用した場合、従来既知のシリコンウェハの洗浄方法を使用することができ、例えば化学的に除去する場合に使用できる水溶液または有機溶剤としては、強酸、強塩基、強酸化剤、またはそれらの混合物が挙げられ、具体的には、硫酸、塩酸、フッ酸、硝酸、有機酸などの酸類、テトラメチルアンモニウム、アンモニア、有機塩基などの塩基類、過酸化水素などの酸化剤、またはアンモニアと過酸化水素の混合物、塩酸と過酸化水素水の混合物、硫酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸と過酸化水素水の混合物、フッ酸とフッ化アンモニウムとの混合物などが挙げられる。
【０１０９】
再生したキャリア基材を使った場合、仮接着膜の除去方法としては、接着性の観点から、キャリア基材洗浄液を用いる方法が好ましい。キャリア基材洗浄液は、ｐＫａが０未満の酸（強酸）と過酸化水素を含んでいることが好ましい。ｐＫａが０未満の酸としては、ヨウ化水素、過塩素酸、臭化水素、塩化水素、硝酸、硫酸などの無機酸、またはアルキルスルホン酸、アリールスルホン酸などの有機酸から選択される。キャリア基材上の仮接着膜の洗浄性の観点から無機酸であることが好ましく、硫酸が最も好ましい。
【０１１０】
過酸化水素としては、３０質量％過酸化水素水が好ましく使用でき、上記強酸と３０質量％過酸化水素水との混合比は、質量比で０．１：１〜１００：１が好ましく、１：１〜１０：１がより好ましく、３：１〜５：１が最も好ましい。
【０１１１】
＜第二の実施形態＞
積層体を製造する工程を経た半導体の製造方法の第二の実施形態について、図２をあわせて参照しながら説明する。上述した第一の実施形態と同一箇所は、同一符号を付してその説明を省略する。
図２（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれ、キャリア基材とデバイスウェハとの仮接着を説明する概略断面図（図２（Ａ）、（Ｂ））、キャリア基材に仮接着されたデバイスウェハが薄型化された状態（図２（Ｃ））、キャリア基材とデバイスウェハを剥離した状態（図２（Ｄ））、デバイスウェハから仮接着膜を除去後の状態（図２（Ｅ））を示す概略断面図である。
この実施形態では、図２（Ａ）に示すように、デバイスウェハの表面６１ａ上に仮接着膜を形成する点が上記第一の実施形態と相違する。
デバイスウェハ６０の表面６１ａ上に、仮接着膜１１ａを設ける場合は、デバイスウェハ６０の表面６１ａの表面に仮接着用組成物を適用（好ましくは塗布）し、次いで、乾燥（ベーク）することにより形成することができる。乾燥は、例えば、６０〜１５０℃で、１０秒〜２分行うことができる。
次いで、図２（Ｂ）に示す通り、キャリア基材１２とデバイスウェハ６０とを圧着させ、キャリア基材１２とデバイスウェハ６０とを仮接着させる。次いで、図２（Ｃ）に示すように、シリコン基板６１の裏面６１ｂに対して、機械的または化学的な処理を施して、図２（Ｃ）に示すように、シリコン基板６１の厚さを薄くし、薄型化デバイスウェハ６０ａを得る。次いで、図２（Ｄ）に示すように、キャリア基材１２を、薄型化デバイスウェハ６０ａから剥離させる。そして、図２（Ｅ）に示すように、薄型化デバイスウェハ６０ａから仮接着膜１１ａを除去する。
【０１１２】
＜従来の実施形態＞
次いで、従来の実施形態について説明する。
図３は、従来の接着性キャリア基材とデバイスウェハとの仮接着状態の解除を説明する概略断面図である。
従来の実施形態においては、図３に示すように、接着性キャリア基材として、キャリア基材１２の上に、従来の仮接着用組成物により形成された仮接着膜１１ｂが設けられてなる接着性キャリア基材１００ａを使用し、それ以外は、図１を参照して説明した手順と同様に、接着性キャリア基材１００ａとデバイスウェハとを仮接着し、デバイスウェハにおけるシリコン基板６１の薄膜化処理を行い、次いで、上記した手順と同様に、接着性キャリア基材１００ａから薄型化デバイスウェハ６０ａを剥離する。
【０１１３】
しかしながら、従来の仮接着用組成物によれば、高い接着力によりデバイスウェハを仮支持し、デバイスウェハに損傷を与えることなく、デバイスウェハに対する仮支持を容易に解除することが困難である。例えば、デバイスウェハとキャリア基材との仮接着を充分にしようとするべく、従来の仮接着用組成物のうち、接着性の高いものを採用すると、デバイスウェハとキャリア基材との仮接着が強すぎる傾向となる。よって、この強すぎる仮接着を解除するべく、例えば、図３に示すように、薄型化デバイスウェハ６０ａの裏面にテープ（例えば、ダイシングテープ）７０を貼り付け、接着性キャリア基材１００ａから薄型化デバイスウェハ６０ａを剥離する場合においては、構造体６３が設けられたデバイスチップ６２から、構造体６３が剥離するなどして、デバイスチップ６２を破損する不具合が生じやすい。
一方、従来の仮接着用組成物のうち、接着性が低いものを採用すると、デバイスウェハに対する仮支持を容易に解除することはできるが、そもそもデバイスウェハとキャリア基材との仮接着が弱すぎ、デバイスウェハをキャリア基材で確実に支持できないという不具合が生じやすい。
【０１１４】
これに対し、本発明の積層体は、充分な接着性を発現するとともに、デバイスウェハ６０とキャリア基材１２との仮接着を容易に解除できる。すなわち、本発明の積層体によれば、高い接着力によりデバイスウェハ６０を仮接着できるとともに、薄型化デバイスウェハ６０ａに損傷を与えることなく、薄型化デバイスウェハ６０ａに対する仮接着を容易に解除できる。
【０１１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、適宜な変形、改良等が可能である。
また、上述した実施形態においては、デバイスウェハとして、シリコン基板を挙げたが、これに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において、機械的または化学的な処理に供され得るいずれの被処理部材であっても良い。
また、上述した実施形態においては、デバイスウェハ（シリコン基板）に対する機械的または化学的な処理として、デバイスウェハの薄膜化処理、および、シリコン貫通電極の形成処理を挙げたが、これらに限定されるものではなく、半導体装置の製造方法において必要ないずれの処理も挙げられる。
その他、上述した実施形態において例示した、デバイスウェハにおけるデバイスチップの形状、寸法、数、配置箇所等は任意であり、限定されない。
また、他の実施形態として、以下の構成とすることも可能である。
ガラス製、シリコン製または金属製のキャリアに仮接着用組成物を適用して仮接着膜を形成し、その上に、ダイシング済みのチップを接着する。この際の接着温度は、好ましくは１０℃〜２５０℃の範囲である。さらに、接着したチップを、モールディング樹脂により封止し、上記した手順と同様に、接着性キャリア基材からチップの埋め込まれたモールディング樹脂を剥離し、仮接着膜を除去する。
【実施例】
【０１１６】
以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。尚、特に断りのない限り、「部」、「％」は質量基準である。【０１１７】
＜仮接着用組成物の調製＞
下記に示す通り、仮接着用組成物の各成分を混合して均一な溶液とした後、５μｍの孔径を有するポリテトラフルオロエチレン製フィルタを用いてろ過して、仮接着用組成物を調製した。【０１１８】
＜＜仮接着用組成物の組成＞＞
・表１に記載の樹脂：表１に記載の量
・表1に記載の添加剤：表１に記載の量
・表1に記載の溶剤：表１に記載の量
＜＜＜全ての仮接着用組成物に配合した成分＞＞＞
・Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）：１質量部
・Ｓｕｍｉｌｉｚｅｒ  ＴＰ−Ｄ（住友化学（株）製）：１質量部【０１１９】
【表１】
0006646726.tif 000013
【０１２０】
上記表１において、Ｅは、樹脂の２５℃における、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１：１９９４に準拠した、引張弾性率を示している。【０１２１】
スチレン比率（スチレン由来の繰り返し単位の割合、質量％）は、仮接着用組成物をウェハ上に成膜し、剥離したのちにトリクロロベンゼン／重ベンゼン＝８０／２０（体積％）に溶解し、Ｈ−ＮＭＲ（ＪＥＯＬ−ＪＳＸ４００、日本電子（株）製）を用いて、樹脂中のスチレンおよびその他の共重合成分に帰属されるシグナルの積分強度を測定し、それぞれの共重合成分の比重を乗算することにより算出した。【０１２２】
表１中に記載の化合物は以下の通りである。
【表２】
0006646726.tif 000014
上記表において、ＣＯＰとは、シクロオレフィン系重合体をいい、ＴＰＩとは、熱可塑性ポリイミド樹脂をいう。【０１２３】
【表３】
0006646726.tif 000015
【０１２４】
＜＜ポリエーテル変性シリコーンの２８０℃、３０分間加熱後の質量減少率の測定方法＞＞
上記表に記載の「２８０℃３０分質量減少率」は、熱重量測定装置（ＴＧＡ−５０、（株）島津製作所製）を用い、窒素気流６０ｍＬ／分のもと、２０℃から２８０℃まで２０℃／分の昇温速度で昇温し、２８０℃の温度で３０分間保持し、以下の式に基づいて算出した。
質量減少率（質量％）＝
｛（２０℃での質量−２８０℃３０分保持後の質量）／２０℃での質量｝×１００【０１２５】
＜＜屈折率の測定方法＞＞
屈折率は、精密屈折計（ＫＰＲ−３０００、（株）島津製作所製）を用い、２５℃の温度で、波長５８９ｎｍの屈折率を測定した。【０１２６】
＜＜式（Ａ）で表される比率の測定方法＞＞
式（Ａ）で表される比率は、ＮＭＲ（核磁気共鳴）を用いて、メチレンオキシド、エチレンオキシド、プロピレンオキシドに固有の水素原子のピークを測定し、各々の面積比率より算出した。【０１２７】
【表４】
0006646726.tif 000016
【０１２８】
＜積層体の形成＞
＜＜積層体の形成（実施例１〜１６、１８〜１９、比較例１〜８）＞＞
第１の基材として直径１２インチのシリコンウェハ（１インチは、２．５４ｃｍである）を用い、その表面に、表１に記載の仮接着用組成物をウェハボンディング装置（東京エレクトロン（株）製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｖ）により適用して成膜した。ホットプレートを用いて、１３０℃で３分間加熱し、さらに、１９０℃で３分間加熱することで、第１の基材の表面に仮接着膜を形成した。この時の仮接着膜の厚さは６０μｍであった。【０１２９】
＜＜積層体の形成（実施例１７）＞＞
第１の基材として直径１２インチのシリコンウェハを用い、その表面に、上記仮接着用組成物をウェハボンディング装置（東京エレクトロン（株）製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｖ）により適用して成膜した。ホットプレートを用いて、１３０℃で３分間加熱し、さらに、１９０℃の温度で３分間加熱することで、第１の基材の表面に仮接着膜を形成した。この時の仮接着膜の厚さは３０μｍであった。
第２の基材として、直径１２インチのシリコンウェハを用い、その表面に、上記仮接着用組成物をウェハボンディング装置（東京エレクトロン（株）製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｖ）により適用して成膜した。ホットプレートを用いて、１３０℃で３分間加熱し、さらに、１９０℃で３分間加熱することで、第２の基材の表面に仮接着膜を形成した。この時の仮接着膜の厚さは３０μｍであった。【０１３０】
＜＜ボンディング処理（実施例１〜１８、比較例１〜８）＞＞
仮接着膜を形成した第１の基材と第２の基材、あるいは、仮接着膜を形成した第１の基材と仮接着膜を形成した第２の基材とを、ウェハボンディング装置（東京エレクトロン（株）製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｖ）により気圧１０Ｐａ下、温度２００℃、０．５ＭＰａの圧力下で５分間熱圧着し、積層体を得た。【０１３１】
＜＜ボンディング処理（実施例１９）＞＞
仮接着膜を形成した第１の基材と、第２の基材とを、ウェハボンディング装置（イーヴィグループジャパン（株）製、５２０ＩＳ）により気圧１０Ｐａ下、温度３００℃、０．５ＭＰａの圧力で３分間熱圧着し、積層体を得た。【０１３２】
＜＜バックグラインド加工＞＞
上記積層体の、基材２側の裏面（仮接着膜を設けていない側）を、バックグラインダー（（株）ディスコ製、ＤＦＧ８５４０）を用いて４０μｍの厚さまで研磨し、薄型化した積層体を得た。【０１３３】
＜＜ＣＶＤ（化学蒸着：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）加工＞＞
得られた積層体の、薄型化された基材２の裏面（仮接着膜を設けていない側）に、２００℃、２０分間の条件において、ＴＥＯＳ（オルトケイ酸テトラエチル）とＯ２ガスを用いてＣＶＤ処理によるＳｉＯ２膜の成膜を行なった。得られたＳｉＯ２膜の厚さは２μｍであった。【０１３４】
＜＜面状評価＞＞
上記ＣＶＤ加工を施した積層体を肉眼で観察し、膨れの個数を以下の基準に基づいて評価した。
Ａ：  基材２に膨れが観察されなかった。
Ｂ：  基材２に、膨れが観察され、膨れの最も長い部分の長さが５ｍｍ未満の膨れが５個未満であった。
Ｃ：  基材２に、膨れが観察され、膨れの最も長い部分の長さが５ｍｍ以上の膨れ、もしくは、膨れの最も長い部分の長さが５ｍｍ未満の膨れが、５個以上観察された。【０１３５】
＜＜反り＞＞
上記ＣＶＤ加工を施した積層体を、薄膜応力測定装置（ＦＬＸ−２３２０−Ｓ、東朋テクノロジー（株）製）を用いて反り（曲率半径）の計測を行い、以下の基準で評価を行った。なお、反りの方向に関わらず、絶対値をもって評価を行った。
Ａ：  反りの値が５０μｍ以下
Ｂ：  反りの値が５０μｍより大きく、１００μｍ以下
Ｃ：  反りの値が１００μｍより大きく、２００μｍ以下
Ｄ：  反りの値が２００μｍより大きい【０１３６】
＜＜剥離力の測定＞＞
基材として直径４インチのシリコンウェハ（１インチは、２．５４ｃｍである）を用い、その表面に、表１に記載の仮接着用組成物をスピンコーター（ミカサ（株）製、ＭＳ−Ｂ２００）により適用して成膜した。ホットプレートを用いて、１３０℃で３分間加熱し、さらに、１９０℃で３分間加熱することで、第１の基材の表面に仮接着膜を形成した。この時の仮接着膜の厚さは１５μｍであった。
上記積層体の仮接着膜に９０ｍｍの幅に切れ目を入れ、２５℃で、速度３００ｍｍ／分で、シリコンウェハの仮接着膜が形成された面に対し垂直な方向に、仮接着膜の端部を引き上げることによって、剥離の可非を確認し、かつ、引き上げる際にかかる力を、フォースゲージ（（株）イマダ製、ＤＳ２−２０Ｎ）を用いて測定した。単位は、Ｎ／ｍで示した。【０１３７】
＜＜剥離評価＞＞
上記ＣＶＤ加工を施した積層体の、ＣＶＤ加工を施した面を下側にし、下側のシリコンウェハを、ダイシングテープマウンターを用いてダイシングテープ中央にダイシングフレームと共に固定した。その後、ウェハデボンダー装置（東京エレクトロン（株）製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｚ）を用いて、２５℃で、上側の基材を下側の基材に対して垂直方向に、３ｍｍ／分の速さで引き上げて、上側または下側の基材が割れたりせずに、剥離できるかどうかを確認し、以下の基準で評価を行った。
Ａ：  剥離が可能であった
Ｂ：  接着力が弱くウェハの周辺が一部浮いていたが剥離が可能、もしくは、引き上げ速度が３ｍｍ／分ではウェハが割れたが引き上げ速度２ｍｍ／分では剥離可能であった。
Ｃ：  引き上げ速度２ｍｍ／分にしても剥離ができなかった。【０１３８】
【表５】
0006646726.tif 000017
【０１３９】
上記結果から明らかなとおり、本発明の仮接着用組成物を用いた場合、基材同士を仮固定してなる積層体から、基材を適切に剥離でき、かつ、加工後の基材の表面面状に優れた積層体を提供可能であった（実施例１〜１９）。さらに、引張弾性率が１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下の場合、特には、１ＭＰａ以上６０ＭＰａ以下の場合、顕著に反りの小さい積層体が得られた（実施例１〜１７、特に、実施例１〜１３および実施例１５〜１７）。【０１４０】
＜剥離後の洗浄（実施例１〜１８、比較例２、４、６〜８）＞
上記剥離評価後の仮接着膜（仮接着剤）が残存した基材を、ウェハデボンダー装置（東京エレクトロン社製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｚ）により２００ｒｐｍで回転させながら、メシチレンを１８０秒間噴霧することで、仮接着膜（仮接着剤）を除去した。
尚、上記剥離評価が「Ｃ」のものについては、そもそも、剥離後の洗浄ができる状態ではなかったため、洗浄を行わなかった。【０１４１】
＜剥離後の洗浄（実施例１９）＞
上記剥離評価後の仮接着膜が残存した基材を、ウェハデボンダー装置（東京エレクトロン社製、Ｓｙｎａｐｓｅ  Ｚ）により２００ｒｐｍで回転させながら、シクロペンタノンを１８０秒間噴霧することで、仮接着膜を除去した。【０１４２】
（実施例２０）
溶剤をメシチレン８０質量部とｔｅｒｔ−ブチルベンゼン（東洋合成工業(株)製）２０質量部の混合溶剤とした以外は実施例１と同様に実施したところ、評価は実施例１と同様であった。【０１４３】
（実施例２１）
溶剤をメシチレン８０質量部とプソイドクメン（東洋合成工業(株)製）２０質量部の混合溶剤とした以外は実施例１と同様に実施したところ、評価は実施例１と同様であった。【０１４４】
（実施例２２）
溶剤をメシチレン８０質量部とシクロヘキサノン（三協化学(株)製）２０質量部の混合溶剤とし、固形分濃度を２０％に変更した以外は実施例１と同様に実施したところ、評価は実施例１と同様であった。【０１４５】
（実施例２３）
溶剤をメシチレン８０質量部とシクロペンタノン（日本ゼオン(株)製）２０質量部の混合溶剤とした以外は実施例１９と同様に実施したところ、評価は実施例１９と同様であった。【０１４６】
（実施例２４）
ＣＶＤ加工を、３５０℃、２０分間の条件に変更した以外は実施例１と同様に実施したところ、評価は実施例１と同様であった。
【符号の説明】
【０１４７】
１１、１１ａ：仮接着膜
１２：キャリア基材
６０：デバイスウェハ
６０ａ：薄型化デバイスウェハ
６１：シリコン基板
６１ａ：表面
６１ｂ、６１ｂ１：裏面
６２：デバイスチップ
６３：構造体
７０：テープ
１００、１００ａ：接着性キャリア基材
【図１】
0006646726.tif 000022
【図２】
0006646726.tif 000023
【図３】
0006646726.tif 000024