(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層された、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、
前記積層体上に前記内部電極に電気的に接続されるように形成される外部電極と、
を有する電子部品本体と、
少なくとも、前記積層体の表面の一部から前記外部電極の表面の一部にまたがるように配置されるコーティング膜と、
を有する電子部品の製造方法であって、
前記電子部品本体を得る工程と、
複数の前記電子部品本体を撹拌板が設けられた撹拌用容器内で撹拌する工程と、
前記複数の前記電子部品本体を前記撹拌用容器内で撹拌させた状態で、前記撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程と、
を有し、
前記複数の前記電子部品本体を前記撹拌用容器内で撹拌する工程では、前記撹拌用容器内を真空吸引して前記撹拌用容器内を減圧し、かつ前記撹拌用容器は加熱しながら撹拌し、
前記撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程では、前記撹拌用容器内の温度が前記コーティング剤の揮発温度以上に達した時点で噴射し、
前記撹拌用容器内にコーティング剤が噴射された後、再度、前記撹拌用容器内の温度が前記コーティング剤の揮発温度以上に達した時点で再びコーティング剤を噴射する、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記容器内にコーティング剤を噴射する工程は、複数回繰り返して噴射を行う、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記コーティング剤は、シランカップリング剤である、請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記シランカップリング剤の濃度は、０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下である、請求項３に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記コーティング剤の真空環境下における揮発温度は、４０℃以上６０℃以下である、請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品の製造方法に関し、特にたとえば、積層セラミックコンデンサなどの積層セラミック電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤーなどのモバイル電子機器の小型化及び薄型化が進んでいる。モバイル電子機器には、多数の電子部品、たとえば、積層セラミック電子部品が搭載されているが、モバイル電子機器の小型化に伴って、積層セラミック電子部品についても小型化が要求されている。また、このようなモバイル電子機器を使用する環境は多様化しており、積層セラミック電子部品に対して、多様化した環境に対する信頼性の向上が望まれている。
【０００３】
このような背景にあって、温度変化の激しい環境下では、一対の外部電極を有する積層セラミック電子部品においては、イオンマイグレーションの問題を有していた。すなわち、積層セラミック電子部品は、その積層セラミック電子部品と外気との温度差あるいは熱容量の差によって、積層セラミック電子部品の表面に結露が生ずる。この結露により発生した水滴が、積層セラミック電子部品の表面において、外部電極間をつなぐ水膜を形成し、その状態で積層セラミック電子部品の外部電極間に電圧が印加されると、その水膜に外部電極からイオン化した金属種が溶解／析出し、イオンマイグレーションが生じる。
【０００４】
これを解決する方法として、たとえば、積層セラミック電子部品の表面にシランカップリング処理により撥水膜を形成することで対応する方法がある。この方法は、シランカップリング処理膜により、積層セラミック電子部品の表面に高撥水性を持たせ、結露環境下での水膜の生成を抑制するものである。このシランカップリング剤により高撥水性を発揮するための方策の一つとして、シランカップリング剤の直鎖を長くすることが考えられる。
【０００５】
しかしながら、このシランカップリング剤の直鎖を長くした場合、この直鎖による立体障害が大きくなるため、積層セラミック電子部品の表面に配されるシランカップリング処理膜の直鎖同士の間隔を広くせざるを得なくなることから、その緻密性が低下してしまうことがあった。
具体的には、シランカップリング剤の直鎖を長くした分だけ立体障害が大きくなり、反発力が大きくなるため直鎖同士の間隔は必然的に大きくなり、電極部の被覆性（緻密性）が低下してしまう。その結果、結露により発生した水分が水膜化しやすくなり、上述した発生過程によるイオンマイグレーションが生じてしまうことがある。
【０００６】
そこで、特許文献１においては、パーフルオロアルキルアルキルシラン系の撥水処理剤、すなわち、Ｆ（フッ素）を官能基に持つシランカップリング剤を用いて、高撥水性を付与する方法が提案されている。この処理剤を用いて積層セラミック電子部品の表面に撥水膜を形成することにより、結露の連続化を抑制し、イオンマイグレーションの発生を防止している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第０２／０８２４８０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１には、膜の緻密性を高めるためにシランカップリング剤同士を縮合反応（架橋）させてポリマー化することも記載されているが、記載の実施の形態においては、その縮合反応は制御できておらず、主には積層体との縮合反応のみで、カップリング剤同士の縮合反応は期待できない。加えて、予めカップリング剤同士を縮合反応（架橋）させることも可能であるが、その際も反応を制御できないため分子量が不所望に大きくなり、溶剤に溶け込まなくなるという問題が生じる。このため、シランカップリング剤を用いて緻密性の高い処理膜を形成することは困難であった。
【０００９】
さらに、特許文献１のＦ（フッ素）を官能基に持つシランカップリング剤を用いて形成される処理膜は、シランカップリング処理膜の直鎖を短くできるが、膜の性質上、セラミック電子部品の表面に配されるシランカップリング剤の間隔が広くなるため、Ｆを官能基に持つシランカップリング膜においても電極間の被覆性（緻密性）は不十分となり、イオンマイグレーションの抑制には十分な効果は得られない問題があった。
【００１０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、シランカップリング剤を用いながら、コーティング膜の緻密性（被覆密度）の高いコーティング膜を有する電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明にかかる電子部品の製造方法は、複数のセラミック層と複数の内部電極とが交互に積層された、積層方向に相対する第１の主面および第２の主面と、積層方向に直交する幅方向に相対する第１の側面および第２の側面と、積層方向および幅方向に直交する長さ方向に相対する第１の端面および第２の端面と、を含む積層体と、積層体上に内部電極に電気的に接続されるように形成される外部電極と、を有する電子部品本体と、少なくとも、積層体の表面の一部から外部電極の表面の一部にまたがるように配置されるコーティング膜と、を有する電子部品の製造方法であって、電子部品本体を得る工程と、複数の電子部品本体を撹拌板が設けられた撹拌用容器内で撹拌する工程と、複数の電子部品本体を撹拌用容器内で撹拌させた状態で、撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程と、を有し、複数の電子部品本体を撹拌用容器内で撹拌する工程では、撹拌用容器内を真空吸引して撹拌用容器内を減圧し、かつ撹拌用容器は加熱しながら撹拌し、撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程では、撹拌用容器内の温度がコーティング剤の揮発温度以上に達した時点で噴射し、撹拌用容器内にコーティング剤が噴射された後、再度、撹拌用容器内の温度がコーティング剤の揮発温度以上に達した時点で再びコーティング剤を噴射する、電子部品の製造方法である。
また、この発明にかかる電子部品の製造方法では、容器内にコーティング剤を噴射する工程は、複数回繰り返して噴射を行うことが好ましい。
さらに、この発明にかかる電子部品の製造方法では、コーティング剤は、シランカップリング剤であることが好ましい。
また、この発明にかかる電子部品の製造方法では、シランカップリング剤の濃度は、０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下であることが好ましい。
またさらに、この発明にかかる電子部品の製造方法では、コーティング剤の真空環境下における揮発温度は、４０℃以上６０℃以下であることが好ましい。
【００１２】
この発明にかかる電子部品の製造方法では、複数の電子部品本体を撹拌用容器内で撹拌させた状態で、撹拌用容器にコーティング剤を噴射する工程を備えるので、電子部品本体に対するコーティング剤の着滴頻度を平均化することができ、電子部品本体全体にコーティング剤を塗布することができる。
また、この発明にかかる電子部品の製造方法では、複数の電子部品本体を撹拌用容器内で撹拌する工程において、撹拌用容器内を真空吸引して該撹拌用容器内を減圧し、さらに、該撹拌用容器を加熱しながら撹拌する。このように、該撹拌用容器を真空吸引することで、溶媒（すなわち、コーティング剤）の揮発温度を下げることができる。つまり、これにより、スプレー温度を低温化することができ、コーティング剤の噴射を効率よく行うことができる。
さらに、この発明にかかる電子部品の製造方法では、撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程において、撹拌用容器内の温度がコーティング剤の揮発温度以上に達した時点でコーティング剤を噴射し、撹拌用容器内にコーティング剤が噴射された後、再度、撹拌用容器内の温度がコーティング剤の揮発温度以上に達した時点で、再び、コーティング剤を噴射するので、積層体の表面に多回的にコーティング剤を噴射することができ、緻密な膜構造を形成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、シランカップリング剤を用いながら、コーティング膜の緻密性（被覆密度）の高いコーティング膜を有する電子部品の製造方法を提供することである。
【００１４】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明にかかる電子部品の製造方法により製造される積層セラミックコンデンサの一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩ−ＩＩにおける断面図解図である。
【図３】図１に示す積層セラミックコンデンサの線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける断面図解図である。
【図４】図２に示す積層セラミックコンデンサの外部電極近傍の拡大図解図である。
【図５】コンデンサ素子に対するコーティング膜の形成工程に用いられるコーティング装置の一例を示す図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
１．積層セラミック電子部品
この実施の形態にかかる積層セラミック電子部品について説明する。この実施の形態では、この発明にかかる電子部品の製造方法により製造される積層セラミック電子部品の一例として、積層セラミックコンデンサを示す。
【００１７】
図１、図２および図３に示すように、積層セラミックコンデンサ１０は、たとえば、電子部品本体であるコンデンサ素子１２を含む。また、コンデンサ素子１２は、直方体状の積層体１４を含む。
【００１８】
積層体１４は、積層された複数のセラミック層１６と複数の内部電極層１８とを有する。さらに、積層体１４は、積層方向ｘに相対する第１の主面１４ａおよび第２の主面１４ｂと、積層方向ｘに直交する幅方向ｙに相対する第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄと、積層方向ｘおよび幅方向ｙに直交する長さ方向ｚに相対する第１の端面１４ｅおよび第２の端面１４ｆとを有する。この積層体１４には、角部および稜線部に丸みがつけられていることが好ましい。なお、角部とは、積層体の隣接する３面が交わる部分のことであり、稜線部とは、積層体の隣接する２面が交わる部分のことである。
【００１９】
セラミック層１６は、外層部１６ａと内層部１６ｂとを含む。外層部１６ａは、積層体４の第１の主面１４ａ側および第２の主面１４ｂ側に位置し、第１の主面１４ａと最も第１の主面１４ａに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６、および第２の主面１４ｂと最も第２の主面１４ｂに近い内部電極層１８との間に位置するセラミック層１６である。そして、両外層部１６ａに挟まれた領域が内層部１６ｂである。
【００２０】
セラミック層１６は、たとえば、誘電体材料により形成することができる。誘電体材料としては、たとえば、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＳｒＴｉＯ3、またはＣａＺｒＯ3などの成分を含む誘電体セラミックを用いることができる。上記の誘電体材料を主成分として含む場合、所望する積層セラミックコンデンサ１０の特性に応じて、たとえば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの主成分よりも含有量の少ない成分を添加したものを用いてもよい。
【００２１】
なお、積層体１４に、圧電体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、セラミック圧電素子として機能する。圧電セラミック材料の具体例としては、たとえば、ＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、半導体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、サーミスタ素子として機能する。半導体セラミック材料の具体例としては、たとえば、スピネル系セラミック材料などが挙げられる。
また、積層体１４に、磁性体セラミックを用いた場合、積層セラミック電子部品は、インダクタ素子として機能する。また、インダクタ素子として機能する場合は、内部電極層１８は、コイル状の導体となる。磁性体セラミック材料の具体例としては、たとえば、フェライトセラミック材料などが挙げられる。
【００２２】
焼成後のセラミック層１６の厚みは、０．５μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。
【００２３】
図２および図３に示すように、積層体１４は、複数の内部電極層１８として、たとえば略矩形状の複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂを有する。複数の第１の内部電極層１８ａおよび複数の第２の内部電極層１８ｂは、積層体１４の積層方向ｘに沿って等間隔に交互に配置されるように埋設されている。
第１の内部電極層１８ａの一端側には、積層体１４の第１の端面１４ｅに引き出された第１の引出電極部２０ａを有する。第２の内部電極層１８ｂの一端側には、積層体１４の第２の端面１４ｆに引き出された第２の引出電極部２０ｂを有する。具体的には、第１の内部電極層１８ａの一端側の第１の引出電極部２０ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅに露出している。また、第２の内部電極層１８ｂの一端側の第２の引出電極部２０ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆに露出している。
【００２４】
積層体１４は、セラミック層１６の内層部１６ｂにおいて、第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとが対向する対向電極部２２ａを含む。また、積層体１４は、対向電極部２２ａの幅方向ｙの一端と第１の側面１４ｃとの間および対向電極部２２ａの幅方向ｙの他端と第２の側面１４ｄとの間に形成される積層体１４の側部（以下、「Ｗギャップ」という。）２２ｂを含む。さらに、積層体１４は、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａとは反対側の端部と第２の端面１４ｆとの間および第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂとは反対側の端部と第１の端面１４ｅとの間に形成される積層体１４の端部（以下、「Ｌギャップ」という。）２２ｃを含む。
【００２５】
内部電極層１８は、たとえば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕなどの金属を含有している。内部電極層１８は、さらにセラミック層１６に含まれるセラミックスと同一組成系の誘電体粒子を含んでいてもよい。
【００２６】
積層体１４の第１の端面１４ｅ側および第２の端面１４ｆ側には、外部電極２４が形成される。外部電極２４は、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを有する。
積層体１４の第１の端面１４ｅ側には、第１の外部電極２４ａが形成される。第１の外部電極２４ａは、積層体１４の第１の端面１４ｅを覆い、第１の端面１４ｅから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの一部分を覆うように形成される。この場合、第１の外部電極２４ａは、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａと電気的に接続される。
積層体１４の第２の端面１４ｆ側には、第２の外部電極２４ｂが形成される。第２の外部電極２４ｂは、積層体１４の第２の端面１４ｆを覆い、第２の端面１４ｆから延伸して第１の主面１４ａ、第２の主面１４ｂ、第１の側面１４ｃおよび第２の側面１４ｄの一部分を覆うように形成される。この場合、第２の外部電極２４ｂは、第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂと電気的に接続される。
【００２７】
積層体１４内においては、各対向電極部２２ａで第１の内部電極層１８ａと第２の内部電極層１８ｂとがセラミック層１６を介して対向することにより、静電容量が形成されている。そのため、第１の内部電極層１８ａが接続された第１の外部電極２４ａと第２の内部電極層１８ｂが接続された第２の外部電極２４ｂとの間に、静電容量を得ることができる。したがって、このような構造の積層セラミック電子部品はコンデンサ素子として機能する。
【００２８】
第１の外部電極２４ａは、図２、図３あるいは図４に示すように、積層体１４側から順に、下地電極層２６ａおよびめっき層２８ａを有する。同様に、第２の外部電極２４ｂは、積層体１４側から順に、下地電極層２６ｂおよびめっき層２８ｂを有する。
【００２９】
下地電極層２６ａおよび２６ｂは、それぞれ、焼付け層、樹脂層、薄膜層などから選ばれる少なくとも１つを含むが、ここでは焼付け層で形成された下地電極層２６ａおよび２６ｂについて説明する。
焼付け層は、ガラスと金属とを含む。焼付け層のガラスとしては、Ｓｉ、Ｂ、Ｐｂ、Ｂｅ等から選ばれる少なくとも１つを含む。また焼付け層の金属としては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｐｂ、Ａｇ−Ｐｂ合金、Ａｕ等から選ばれる少なくとも１つを含む。焼付け層は、複数層であってもよい。焼付け層は、ガラスおよび金属を含む導電性ペーストを積層体１４に塗布して焼き付けたものであり、セラミック層１６および内部電極層１８と同時に焼成したものでもよく、セラミック層１６および内部電極層１８を焼成した後に焼き付けたものでもよい。焼付け層のうちの最も厚い部分の厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
焼付け層の表面に、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む樹脂層が形成されてもよい。なお、樹脂層は、焼付け層を形成せずに積層体１４上に直接形成してもよい。また、樹脂層は、複数層であってもよい。樹脂層のうちの最も厚い部分の厚みは、５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
また、薄膜層は、スパッタ法または蒸着法等の薄膜形成法により形成され、金属粒子が堆積された１μｍ以下の層である。
【００３１】
また、めっき層２８ａおよび２８ｂとしては、たとえば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｕ、Ｂｉ、Ｚｎなどから選ばれる少なくとも１種の金属または当該金属を含む合金が用いられる。
めっき層２８ａおよび２８ｂは、複数層によって形成されてもよい。めっき層２８ａおよび２８ｂは、焼付け層の表面に設けられた第１めっき層３０ａおよび３０ｂと、第１めっき層３０ａおよび３０ｂの表面に設けられた第２めっき層３２ａおよび３２ｂとを含む２層構造であることが好ましい。
【００３２】
第１めっき層３０ａおよび３０ｂはＮｉを用いるのが好ましい。Ｎｉを用いた第１めっき層３０ａおよび３０ｂは、下地電極層２６ａおよび２６ｂが積層セラミックコンデンサを実装する際の半田によって侵食されることを防止するために用いられる。なお、内部電極層１８にＮｉを含む場合は、第１めっき層３０ａおよび３０ｂとしては、Ｎｉと接合性のよいＣｕを用いることが好ましい。
【００３３】
また、第２めっき層３２ａおよび３２ｂはＳｎやＡｕを用いるのが好ましい。ＳｎやＡｕを用いた第２めっき層３２ａおよび３２ｂは、積層セラミックコンデンサを実装する際の半田の濡れ性を向上させて、容易に実装することができるようにするために用いられる。なお、第２めっき層３２ａおよび３２ｂは必要に応じて形成されるものであり、外部電極２４は、積層体１４上に直接設けられ、内部電極層１８と直接接続されるめっき層２８ａおよび２８ｂ、すなわち、第１めっき層から構成されたものであってもよい。ただし、前処理として積層体１４上に触媒を設けてもよい。
また、第２めっき層をめっき層２８ａおよび２８ｂの最外層として設けてもよく、第２めっき層の表面に他のめっき層を設けてもよい。
【００３４】
めっき層一層あたりの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましい。また、めっき層２８ａおよび２８ｂは、ガラスを含まないことが好ましい。さらに、めっき層２８ａおよび２８ｂは、単位体積あたりの金属割合が９９体積％以上であることが好ましい。また、めっき層２８ａおよび２８ｂは、厚み方向に沿って粒成長したものであり、柱状である。
【００３５】
なお、積層体１４、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の長さ方向ｚの寸法をＬ寸法とし、積層体１４、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の積層方向ｘの寸法をＴ寸法とし、積層体１４、第１の外部電極２４ａおよび第２の外部電極２４ｂを含む積層セラミックコンデンサ１０の幅方向ｙの寸法をＷ寸法とする。
積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、長さ方向ｚのＬ寸法が０．６ｍｍ以上３．２ｍｍ以下、積層方向ｘのＴ寸法が０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下、幅方向ｙのＷ寸法が０．３ｍｍ以上２．５ｍｍ以下である。なお、長さ方向ｚのＬ寸法は、幅方向ｙのＷ寸法よりも必ずしも長いとは限らない。また、積層セラミックコンデンサ１０の寸法は、マイクロスコープにより測定することができる。
【００３６】
図１、図２および図３に示す積層セラミックコンデンサ１０において、積層体１４および外部電極２４により構成されるコンデンサ素子１２の全体を覆うようにコーティング膜３４が配置される。
【００３７】
なお、コーティング膜３４は、少なくとも積層体１４の表面の一部から外部電極２４の表面の一部にまたがるように配置されていてもよい。
コーティング膜３４が、少なくとも積層体１４の表面の一部から外部電極２４の表面の一部にまたがるように配置することで、積層セラミックコンデンサ１０の表面に撥水性や防水性を付与することができる。よって、結露が生じた際、水を撥水／防水し結露により生じた水滴が電極間をまたぐことを抑制し、外部電極のイオン化／析出を抑制することが可能となるため、イオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
なお、本実施の形態のように、コーティング膜３４が積層体１４および外部電極２４により構成されるコンデンサ素子１２の全体を覆うように配置されると、イオンマイグレーションの発生の抑制効果をより顕著にすることができる。
【００３８】
コーティング膜３４の直鎖の炭素数は、２０前後であることが好ましい。これにより、主鎖同士が折り重なるため、３次元的に膜を形成することが可能となり、緻密性の高い膜構造とすることができる。その結果、効果的に耐マイグレーション効果を付与することが可能となる。
【００３９】
コーティング膜３４は、シランカップリング剤を含む。当然、コーティング膜３４は、シランカップリング剤のみでもよい。
【００４０】
シランカップリング剤は、シランカップリング剤の主鎖に構造上屈曲している結合を有していることが好ましい。たとえば、エーテル結合やアミド結合を有する構造であることが好ましい。これにより、主鎖同士が折り重なるため、３次元的に膜を形成することが可能となり、緻密性の高い膜構造とすることができる。その結果、効果的に耐マイグレーション効果を付与することが可能となる。
【００４１】
シランカップリング剤の溶媒としては、アルカン、ケトン、アルコール類、イソパラフィン、キシレン系、溶剤を含むことが好ましい。
【００４２】
コーティング膜３４を、シランカップリング剤を用いて形成することで、シランカップリング剤は、ＯＨ基に対して強力に結合するため、積層体１４の表面に優先的に付着する。一方、めっき層２８ａおよび２８ｂの表面には、薄く均一な自然酸化皮膜が存在するため、ここには、コーティング膜３４を薄く均一に付与することが可能となる。
【００４３】
また、シランカップリング剤は、官能基にＦを有するもので、直鎖の長いものとすることが好ましい。
【００４４】
シランカップリング剤の固形分濃度は、一般的にシランカップリング剤処理を行う際に用いる０．１ｗｔ％以上３．０ｗｔ％以下よりも低い濃度、すなわち、０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下である。
【００４５】
コーティング膜３４の厚みは、０．５ｎｍ以上であることが好ましい。
コーティング膜３４の厚みの測定方法は以下のとおりである。
すなわち、コーティング膜３４の厚みは、まず、試料である積層セラミックコンデンサ１０のＬＴ面を長さ方向Ｌに沿って、試料の中央（Ｗ寸の１／２）まで断面研磨し、その断面における実装基板と反対側の主面上の外部電極のｅ寸端部２箇所をＳＥＭまたは収束イオンビーム加工（ＦＩＢ）によって測定することができる。
【００４６】
２．電子部品の製造方法
次に、この発明にかかる電子部品の製造方法について説明する。以下では、積層セラミックコンデンサ１０の製造方法を中心に説明する。
【００４７】
（１）コンデンサ素子（電子部品本体）の製造工程
まず、セラミックグリーンシートと、内部電極用の導電性ペーストとを準備する。セラミックグリーンシートや内部電極用の導電性ペーストは、バインダ（たとえば、公知の有機バインダなど）および溶剤（たとえば、有機溶剤など）を含む。
【００４８】
次に、セラミックグリーンシート上に、たとえば、スクリーン印刷やグラビア印刷などにより所定のパターンで内部電極用の導電性ペーストを印刷し、内部電極パターンを形成する。このようにして、内部電極パターンが印刷された内層用のセラミックグリーンシートを作製する。また、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックグリーンシートも作製する。
【００４９】
そして、内部電極パターンが印刷されていない外層用のセラミックグリーンシートを所定枚数積層し、その表面に内部電極パターンが印刷された内層用のセラミックグリーンシートを順次積層し、その表面に外層用のセラミックグリーンシートを所定枚数積層することにより、積層シートを作製する。
【００５０】
さらに、積層シートを静水圧プレスなどの手段により積層方向にプレスし、積層ブロックを作製する。
【００５１】
つづいて、積層ブロックを所定のサイズにカットすることにより積層チップを作製する。このとき、バレル研磨などにより積層チップの角部および稜線部に丸みが形成されてもよい。
【００５２】
次に、積層チップを焼成することにより積層体を作製する。焼成温度は、セラミックや内部電極の材料にもよるが、９００℃以上１３００℃以下であることが好ましい。
【００５３】
このとき、積層体１４の第１の端面１４ｅからは、第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａが露出している。そして、積層体１４の第１の端面１４ｅから露出している第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａを覆うようにして、第１の外部電極２４ａの下地電極層２６ａが形成される。また、積層体１４の第２の端面１４ｆからは、第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂが露出している。そして、積層体１４の第２の端面１４ｆから露出している第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂを覆うようにして、第２の外部電極２４ｂの下地電極層２６ｂが形成される。
【００５４】
第１の外部電極２４ａの下地電極層２６ａを形成するために、たとえば、積層体１４の第１の端面１４ｅから露出している第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられる。また、同様に、第２の外部電極２４ｂの下地電極層２６ｂを形成するために、たとえば、積層体１４の第２の端面１４ｆから露出している第２の内部電極１８ｂの第２の引出電極部２０ｂの露出部分に外部電極用導電性ペーストが塗布されて焼き付けられる。このとき、焼き付け温度は、７００℃以上９００℃以下であることが好ましい。なお、必要に応じて、下地電極層２６ａおよび２６ｂの表面に、１層以上のめっき層２８ａおよび２８ｂを形成して、外部電極２４が形成される。
【００５５】
また、第１の外部電極２４ａの下地電極層２６ａを形成するために、たとえば、積層体１４の第１の端面１４ｅから露出している第１の内部電極層１８ａの第１の引出電極部２０ａの露出部分にめっき処理を施してもよい。また、同様に、第２の外部電極２４ｂの下地電極層２６ｂを形成するために、たとえば、積層体１４の第２の端面１４ｆから露出している第２の内部電極層１８ｂの第２の引出電極部２０ｂの露出部分にめっき処理を施してもよい。めっき処理を行うにあたって、電解めっきおよび無電解めっきのどちらを採用してもよいが、無電解めっきは、めっき析出速度を向上させるために、触媒などによる前処理が必要となり、工程が複雑化するというデメリットがある。したがって、通常は、電解めっきを採用することが好ましい。めっき工法としては、バレルめっき法を用いることが好ましい。なお、表面導体を形成する場合は、あらかじめ最外層のセラミックグリーンシートの表面に表面導体パターンを印刷して、積層体１４と同時焼成してもよく、また、焼成後の積層体１４の主面上に表面導体を印刷してから焼き付けてもよい。また、必要に応じて、下地電極層２６ａおよび２６ｂの表面に、１層以上のめっき層２８ａおよび２８ｂを形成して、外部電極２４が形成される。
【００５６】
上述のようにして、図１に示すコンデンサ素子１２が製造される。
【００５７】
（２）コーティング膜の形成工程
次に、コンデンサ素子１２にコーティング膜３４を形成して、積層セラミックコンデンサ１０を製造する方法について説明する。
【００５８】
まず、コーティング膜の形成工程に用いられるコーティング装置４０について説明する。図５は、コンデンサ素子に対するコーティング膜の形成工程に用いられるコーティング装置を示す図解図である。
コーティング装置４０は、筐体４２を備える。筐体４２の内部には、電子部品本体であるコンデンサ素子１２を収納し、撹拌するための撹拌用容器４４が配置される。また、筐体４２の内部における側面の上部側および下部側には、撹拌用容器４４を暖めるためのヒーター４６が取り付けられている。このヒーター４６により、撹拌用容器４４内の温度が、コーティング剤の揮発温度以上になるように制御される。
【００５９】
撹拌用容器４４は、略円筒形に形成される本体部４４ａを備える。撹拌用容器４４における本体部４４ａの一方側には、コンデンサ素子１２を入れるための開口部４４ｂを有し、その開口部４４ｂには、蓋部４４ｃが被嵌される。また、撹拌用容器４４における本体部４４ａの他方側には、底面４４ｄを有する。さらに、撹拌用容器４４には、回転駆動手段（図示せず）が連結される。この回転駆動手段により撹拌用容器４４を回転させることができ、回転する撹拌用容器４４内で、複数のコンデンサ素子１２を撹拌させることができる。そして、撹拌用容器４４内には、複数のコンデンサ素子１２をうまく（すなわち、複数のコンデンサ素子１２におけるコーティング剤の塗布面がまんべんなく現れるように）撹拌させるための撹拌板４８が、複数枚設けられる。これら複数の撹拌板４８は、撹拌用容器４４における本体部４４ａの内側面に取り付けられたベース部４８ａからその開口部４４ｂに向かうように斜め方向に並設される。
【００６０】
また、撹拌用容器４４には、第１の配管５０が接続される。第１の配管５０の一方端側は、撹拌用容器４４の蓋部４４ｃを介して撹拌用容器４４内に貫入している。第１の配管５０の他方端側は、撹拌用容器４４内を減圧するための真空ポンプ（図示せず）に接続されている。
【００６１】
さらに、撹拌用容器４４には、第２の配管５２が接続される。第２の配管５２は、撹拌用容器４４内に収納され、撹拌されるコンデンサ素子１２に対してコーティング剤を噴霧させるために設けられる。第２の配管５２の一方端側は、撹拌用容器４４の蓋部４４ｃを介して撹拌用容器４４内に貫入しており、第２の配管５２の一方端部には、コーティング剤を噴霧するためのノズル５２ａが配置される。ノズル５２ａは、撹拌用容器４４内における略中央部に配置される。第２の配管５２の他方端側は、液体のコーティング剤５４が満たされたコーティング剤用容器５６に挿入される。また、第２の配管５２の中間部には、バルブ５８が配置される。バルブ５８は、コーティング剤５４の噴霧量を調整するために設けられる。
【００６２】
ここで、コーティング剤５４には、シランカップリング剤を用いることが好ましい。
コーティング剤５４にシランカップリング剤を用いることで、コンデンサ素子１２のセラミックスとの固着が強固になり、摩擦などの外力を受けても本来の撥水性を保った状態を維持することができる。
【００６３】
また、コーティング剤５４に用いられるシランカップリング剤の固形分濃度は、０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下であることが好ましい。
このように、シランカップリング剤の固形分濃度を比較的低くしておくことで、シランカップリング剤の直鎖による立体障害の影響を小さくすることができ、緻密性の高い膜構造を得られやすくすることができる。
シランカップリング剤の固形分濃度を高い濃度で処理すると、シランカップリング剤（の基本単位）同士が物理的に干渉し、積層体１４のセラミック表面と接する割合が減少する一方、シランカップリング剤の固形分濃度が低い濃度である場合、物理干渉が無くなり、コンデンサ素子１２のセラミック表面に確実に接するようにし得る。よって、低い固形分濃度でシランカップリング剤をコンデンサ素子１２のセラミック表面に確実に接するようにしながら、複数回、コーティング剤５４を噴射することで、積層体１４に密着性がよく、緻密性の高い膜構造を得ることが可能となる。
【００６４】
さらに、コーティング剤５４の真空環境下における揮発温度は、コーティング剤５４の材料によっても異なるが、４０℃以上６０℃以下のものを用いることが好ましい。
【００６５】
続いて、コーティング装置を用いたコーティング膜の形成工程について説明する。
まず、上記に記載のコンデンサ素子の製造工程において製造されたコンデンサ素子１２を準備する。次に、準備したコンデンサ素子１２を収納可能な撹拌用容器４４に収納する。そして、回転駆動手段により、コンデンサ素子１２が収納された撹拌用容器４４を回転させ、コンデンサ素子１２を撹拌させる。
【００６６】
続いて、コンデンサ素子１２を撹拌させた状態でコーティング剤５４をノズル５２ａから噴射する。このように、複数のコンデンサ素子１２を撹拌させた状態でコーティング剤５４を噴射することで、コンデンサ素子１２への着滴頻度を平均化することができ、コンデンサ素子１２全体にコーティング剤５４を塗布することができる。
【００６７】
なお、複数のコンデンサ素子を撹拌用容器内で撹拌する工程では、撹拌用容器４４内は真空ポンプによって真空吸引し、撹拌用容器４４内を減圧状態にして撹拌を行う。この減圧状態における撹拌用容器４４内における真空圧は、相対圧（ゲージ圧）で−６０ｋＰａ以下であることが好ましい。このように、撹拌用容器４４内を真空吸引することで、溶媒の揮発温度を下げることができる。つまり、スプレー温度を低温化でき、これにより、噴射のサイクルを早くすることができることから、コーティング剤５４の噴射を効率よく行うことができる。
【００６８】
また、複数のコンデンサ素子を撹拌用容器内で撹拌する工程では、撹拌用容器４４は、ヒーター４６によって加熱された雰囲気下で撹拌される。撹拌用容器４４内の温度は、コーティング剤５４の揮発温度以上になるように、ヒーター４６が制御される。
【００６９】
撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程では、ヒーター４６による加熱により撹拌用容器４４内の雰囲気がコーティング剤５４の揮発温度以上に達した時点でコーティング剤５４が噴射される。これにより、積層体１４の表面に多回的にコーティング剤５４を噴射することができ、緻密な膜構造を形成することが可能になる。ここでの揮発温度とは、具体的には、撹拌用容器４４内が真空状態の際におけるコーティング剤５４の揮発温度である。
【００７０】
コーティング剤５４の真空環境下における揮発温度は、コーティング剤５４の材料によっても異なるが、４０℃以上６０℃以下のものを用いることが好ましい。
【００７１】
撹拌用容器４４内の雰囲気がコーティング剤５４の揮発温度に達した時点でコーティング剤５４を噴射することによって、噴射されたコーティング剤５４はコンデンサ素子１２に触れてから数秒と経たずに蒸発する。この時の気化熱により、撹拌用容器４４内の温度が下がる。撹拌用容器４４の周囲は撹拌用容器４４内のコーティング剤５４を噴射する際の温度よりも高く一定に保たれているため、撹拌用容器４４内の温度は上昇し、再びコーティング剤５４の揮発温度に達した時点で再びコーティング剤５４が噴射される。よって、効率よくコーティング剤５４の噴射を行うことが可能となる。また、コーティング剤５４の揮発温度に達した時点で、コーティング剤５４を噴射することにより溶質の乾燥凝集の極小化をはかることができ、乾燥凝集によるコートムラを抑制することができる。
【００７２】
なお、上記のコーティング膜の形成工程では、必要に応じて、複数のメディアを撹拌用容器４４内に入れて、コンデンサ素子１２の撹拌を実施してもよい。
【００７３】
以上の工程により、コーティング剤５４によりコーティング膜３４の形成された積層セラミックコンデンサ１０が得られる。
【００７４】
この実施の形態にかかる電子部品の製造方法によれば、複数の電子部品本体としてのコンデンサ素子１２を撹拌用容器４４内で撹拌させた状態で、撹拌用容器にコーティング剤を噴射する工程を備えるので、コンデンサ素子１２に対するコーティング剤５４の着滴頻度を平均化することができ、コンデンサ素子１２全体にコーティング剤５４を塗布することができる。
【００７５】
また、この実施の形態にかかる電子部品の製造方法によれば、複数のコンデンサ素子を撹拌用容器内で撹拌する工程において、撹拌用容器４４内を真空吸引して該撹拌用容器４４内を減圧し、さらに、該撹拌用容器４４を加熱しながら撹拌する。このように、該撹拌用容器４４を真空吸引することで、溶媒（すなわち、コーティング剤５４）の揮発温度を下げることができる。つまり、これにより、スプレー温度を低温化することができ、コーティング剤５４の噴射を効率よく行うことができる。
【００７６】
さらに、この実施の形態にかかる電子部品の製造方法によれば、撹拌用容器内にコーティング剤を噴射する工程において、撹拌用容器４４内の温度がコーティング剤５４の揮発温度以上に達した時点でコーティング剤５４を噴射し、撹拌用容器４４内にコーティング剤５４が噴射された後、再度、撹拌用容器４４内の温度がコーティング剤５４の揮発温度以上に達した時点で、再び、コーティング剤５４を噴射するので、積層体１４の表面に多回的にコーティング剤５４を噴射することができ、緻密な膜構造を形成することができる。
【００７７】
なお、撹拌用容器４４内にコーティング剤５４を噴射する工程では、複数回繰り返して噴射を行うことが好ましい。具体的には、コーティング剤５４を噴射する工程を２回以上行うことで、上述した本発明の効果をより向上させることができる。
【００７８】
以上のようにして得られた積層セラミック電子部品の効果は、次の実験例からも明らかになるであろう。
【００７９】
３．実験例
以下、この発明の効果を確認するために発明者らが行った実験例について説明する。
【００８０】
（１）実験例１
実験例１では、積層セラミックコンデンサについて、コーティング剤のコンデンサ素子に対するスプレー回数を変化させた試料を作製し、各試料について結露サイクル試験を行い、イオンマイグレーションの発生数に基づいて評価を行った。
【００８１】
上記評価のために準備した実施例１ないし実施例７、および比較例１の各試料のコンデンサ素子のスペックは以下の通りである。なお、サイズなどの寸法は設計値である。また、コンデンサ素子の製造は、本実施の形態にかかるコンデンサ素子の製造工程により行った。
サイズ：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ
セラミック層の材料：ＢａＴｉＯ3
容量：０．１μＦ
定格電圧：５０Ｖ
内部電極層の材料：Ｎｉ
外部電極の構造
下地電極層：金属粉（Ｃｕ）とガラスを含む電極
第１めっき層：Ｎｉ
第２めっき層：Ｓｎ
【００８２】
また、実施例１ないし実施例７の各試料の積層セラミックコンデンサにおけるコーティング膜の形成に用いられるコーティング剤のスペックは、以下の通りである。なお、コーティング膜の形成は、本実施の形態にかかるコーティング膜の形成工程により行った。
コーティング剤の材料：シランカップリング剤（信越化学工業社製：ＫＹ−１０８のコーティング剤）
コーティング剤の固形分濃度：表１を参照
コーティング剤の揮発温度（真空状態時）：約５０℃
【００８３】
一方、比較例１の試料の積層セラミックコンデンサにおけるコーティング膜は、以下のように形成した。
すなわち、まず、持ち手付き網カゴにコンデンサ素子のチップを入れ、コーティング剤の入ったステンレスバットに網カゴ毎１０分浸漬させた。一定時間経過後、網カゴを引き上げ、余剰のコーティング剤を吸引乾燥させた。その後、（コーティング剤の）希釈溶媒のみを入れたステンレスバットに網カゴ毎１０分浸漬させた後、余剰の希釈溶媒を吸引乾燥させた。
【００８４】
（イオンマイグレーションの確認方法）
試料を基板に半田実装した後、結露サイクル試験を実施した。結露サイクル試験の条件として、試験に用いる積層セラミックコンデンサを、−３０℃の低温の環境下で１時間保持し、その後、温度２５℃、湿度９０％の高温高湿の環境下で１時間かけて保持し（１ＷＶ（本試験においては２５Ｖ））、最後に、温度２５℃で１．５時間かけて除湿をして乾燥を行った。そして、これを１サイクルとし、低温と高温高湿とを交互に、４８サイクル実施した。評価基準は、マイクロスコープにより１００倍で観察することにより、試験後に、試料の積層セラミックコンデンサの表面に白色または黒色のイオンマイグレーションによる生成物が存在したことが確認された場合、ＮＧと判断した。なお、波長分散型Ｘ線分光器（ＷＤＸ）を用いてイオンマイグレーションによる生成物を分析すると、ＳｎまたはＮｉまたはＣｕを検出することができるので、これにより、イオンマイグレーションによる生成物であることを確認した。なお、各実施例および比較例において、結露サイクル試験に用いた試料数は、それぞれ３６個とした。
【００８５】
表１は、実施例１ないし実施例７および比較例１の各試料に対する結露サイクル試験による評価結果を示す。
【００８６】
【表１】
0006672835.tif 000002
【００８７】
以上の結果から、本発明の電子部品の製造方法により製造された積層セラミックコンデンサでは、シランカップリング剤を用いながら、膜の緻密性（被膜密度）の高いコーティング膜を有する積層セラミックコンデンサの製造方法を提供しうることが明らかとなった。
【００８８】
（２）実験例２
実験例２では、積層セラミックコンデンサについて、コーティング剤であるシランカップリング剤の固形分濃度を変化させた試料を作製し、各試料について結露サイクル試験を行い、イオンマイグレーションの発生数に基づいて評価を行った。
【００８９】
上記評価のために準備した実施例８ないし実施例１２、および比較例２ないし比較例７の各試料のコンデンサ素子のスペックは以下の通りである。なお、サイズなどの寸法は設計値である。また、コンデンサ素子の製造は、本実施の形態にかかるコンデンサ素子の製造工程により行った。
サイズ：Ｌ×Ｗ×Ｔ＝１．６ｍｍ×０．８ｍｍ×０．８ｍｍ
セラミック層の材料：ＢａＴｉＯ3
容量：０．１μＦ
定格電圧：５０Ｖ
内部電極層の材料：Ｎｉ
外部電極の構造
下地電極層：金属粉（Ｃｕ）とガラスを含む電極
第１めっき層：Ｎｉ
第２めっき層：Ｓｎ
【００９０】
また、実施例８ないし実施例１２の各試料の積層セラミックコンデンサにおけるコーティング膜の形成に用いられるコーティング剤のスペックは、以下の通りである。なお、コーティング膜の形成は、本実施の形態にかかるコーティング膜の形成工程により行った。
コーティング剤の材料：シランカップリング剤（信越化学工業社製：ＫＹ−１０８のコーティング剤）
コーティング剤の固形分濃度：表２を参照
コーティング剤の揮発温度（真空状態時）：約５０℃
【００９１】
一方、比較例２ないし比較例７の試料の積層セラミックコンデンサにおけるコーティング膜は、以下のように形成した。
すなわち、まず、持ち手付き網カゴにコンデンサ素子のチップを入れ、コーティング剤の入ったステンレスバットに網カゴ毎１０分浸漬させた。一定時間経過後、網カゴを引き上げ、余剰のコーティング剤を吸引乾燥させた。その後、（コーティング剤の）希釈溶媒のみを入れたステンレスバットに網カゴ毎１０分浸漬させた後、余剰の希釈溶媒を吸引乾燥させた。
【００９２】
（イオンマイグレーションの確認方法）
各試料に対するイオンマイグレーションの確認方法は、実験例１と同一の方法により行った。
【００９３】
表２は、実施例８ないし実施例１２および比較例２ないし比較例７の各試料に対する結露サイクル試験による評価結果を示す。
【００９４】
【表２】
0006672835.tif 000003
【００９５】
以上の結果から、本発明の電子部品の製造方法を用いることで、シランカップリング剤の固形分濃度を低くすることが可能となり、シランカップリング剤の直鎖による立体障害の影響を小さくすることができ、緻密性の高い膜構造を得られやすくすることができる。具体的には、シランカップリング剤の固形分濃度を、０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下とすることが好ましい。シランカップリング剤の固形分濃度が０．００１ｗｔ％以上０．０５ｗｔ％以下であれば、イオンマイグレーションが発生しない。
一方、比較例２ないし比較例７の各試料では、実施例と同一のシランカップリング剤の固形分濃度であっても、いずれの比較例の試料においても、イオンマイグレーションが発生した。
【００９６】
以上より、本発明にかかる電子部品の製造方法によれば、シランカップリング剤の固形分濃度を低濃度とすることで確実にシランカップリング剤をコンデンサ素子のセラミック表面に確実に接するようにしながら、さらに、複数回噴射することで、積層体に密着性がよく、緻密性の高い膜構造を得ることが可能となる。
【００９７】
なお、この発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形される。
【符号の説明】
【００９８】
１０  積層セラミックコンデンサ
１２  コンデンサ素子（電子部品本体）
１４  積層体
１６  セラミック層
１６ａ  外層部
１６ｂ  内層部
１８  内部電極層
１８ａ  第１の内部電極層
１８ｂ  第２の内部電極層
２０ａ  第１の引出電極部
２０ｂ  第２の引出電極部
２２ａ  対向電極部
２２ｂ  側部（Ｗギャップ）
２２ｃ  端部（Ｌギャップ）
２４  外部電極
２４ａ  第１の外部電極
２４ｂ  第２の外部電極
２６ａ，２６ｂ  下地電極層
２８ａ，２８ｂ  めっき層
３０ａ，３０ｂ  第１めっき層
３２ａ，３２ｂ  第２めっき層
３４  コーティング膜
４０  コーティング装置
４２  筐体
４４  撹拌用容器
４４ａ  本体部
４４ｂ  開口部
４４ｃ  蓋部
４４ｄ  底面
４６  ヒーター
４８  撹拌板
４８ａ  ベース部
５０  第１の配管
５２  第２の配管
５２ａ  ノズル
５４  コーティング剤
５６  コーティング剤用容器
５８  バルブ
【図１】
0006672835.tif 000004
【図２】
0006672835.tif 000005
【図３】
0006672835.tif 000006
【図４】
0006672835.tif 000007
【図５】
0006672835.tif 000008