(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、一対の電極と、前記一対の電極の間に位置する発熱抵抗層で形成された発熱素子と、前記発熱素子を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を被覆する導電膜が設けられた面と、を備える基板と、
前記基板の前記面の側に設けられ、液体を前記発熱素子に流す流路を形成するための壁を備える流路形成部材と、
を有する記録素子基板において、
前記基板は、前記導電膜と接し、前記導電膜と前記基体とを電気的に接続するための電気接続部を備え、
前記電気接続部と前記面に直交する方向から見て前記壁が内側でなす角度が１２０度以下である部分との最短距離は、前記一対の電極と前記発熱素子との境界と前記部分との最短距離よりも短く、
前記流路は、前記発熱素子によって液体に発泡を生じさせるための発泡室と、前記発泡室と前記基板に設けられた供給口とを連通する流路部と、を含み、
前記部分は前記発泡室を形成するための壁と前記流路部を形成するための壁とで構成されていることを特徴とする記録素子基板。
【請求項２】
基体と、一対の電極と、前記一対の電極の間に位置する発熱抵抗層で形成された発熱素子と、前記発熱素子を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を被覆する導電膜が設けられた面と、を備える基板と、
前記基板の前記面の側に設けられ、液体を前記発熱素子に流す流路を形成するための流路形成部材と、
前記流路に設けられるフィルターと、
を有する記録素子基板において、
前記基板は、前記導電膜と接し、前記導電膜と前記基体とを電気的に接続するための電気接続部を備え、
前記電気接続部と前記面に直交する方向から見て前記フィルターの互いに交差する２つの面が内側でなす角度が１２０度以下である部分との最短距離は、前記一対の電極と前記発熱素子との境界と前記部分との最短距離よりも短いことを特徴とする記録素子基板。
【請求項３】
前記導電膜は、前記電気接続部に接続される配線と、前記配線に接続されるヒューズと、を介して前記基体に接続されている、請求項１または請求項２に記載の記録素子基板。
【請求項４】
基体と、一対の電極と、前記一対の電極の間に位置する発熱抵抗層で形成された発熱素子と、前記発熱素子を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を被覆する導電膜が設けられた面と、を備える基板と、
前記基板の前記面の側に設けられ、液体を前記発熱素子に流す流路を形成するための壁を備える流路形成部材と、
を有する記録素子基板において、
前記基板は、前記導電膜と接し、前記導電膜と前記基体とを電気的に接続するための電気接続部を備え、
前記電気接続部と前記面に直交する方向から見て前記壁の互いに交差する２つの面が内側でなす角度が１２０度以下である部分との最短距離は、前記一対の電極と前記発熱素子との境界と前記部分との最短距離よりも短く、
前記導電膜は、前記電気接続部に接続される配線と、前記配線に接続されるヒューズと、を介して前記基体に接続されていることを特徴とする記録素子基板。
【請求項５】
前記記録素子基板は複数の前記発熱素子が配設された発熱素子の列を有しており、
前記配線は前記発熱素子の列に沿って設けられており、
前記ヒューズは前記発熱素子の列の端部に設けられている、請求項３または請求項４に記載の記録素子基板。
【請求項６】
前記ヒューズは前記配線と同じ材料で形成されている、請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項７】
前記ヒューズは前記発熱抵抗層と同じ材料で形成されている、請求項３乃至請求項５のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項８】
前記直交する方向から見て前記電気接続部と前記部分とが重なる、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項９】
前記一対の電極が対向する方向と前記流路の延びる方向とが交差する、請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１０】
前記角度が９０度以下である、請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の記録素子基板。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の記録素子基板を有する記録ヘッド。
【請求項１２】
請求項１１に記載の記録ヘッドを有する記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体吐出ヘッドに搭載される記録素子基板、記録ヘッド、及び記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
所望の文字や画像等の情報を紙やフィルム等の記録媒体に記録する情報出力装置の１つとして液体を吐出して記録を行う記録装置がある。この記録装置は液体吐出ヘッドから吐出された液滴を記録媒体に着弾させることで記録を行う。液体吐出ヘッドの液体吐出には様々な方式がある。液体吐出方式の一つとしてサーマル方式が良く知られている。サーマル方式とはインク等の液体に接するヒータに数μｓ程度通電することで発生する熱エネルギーにより誘発される液体の発泡現象を液滴の吐出に利用する液体吐出方式である。一般的にサーマル方式で使用される液体吐出ヘッドには記録素子としてのヒータ（以下、発熱素子とも称する）を有する記録素子基板が搭載される。
【０００３】
記録素子基板は、ヒータが形成された基板、流路形成部材、吐出口形成部材を有している。ヒータの構成としては、例えば基板に設けられたヒータ電極の一部が除去され、そのヒータ電極の間に位置するヒータ層をヒータとして機能させる構成がある。ヒータは、液体の発泡および消泡時における熱および物理的、化学的衝撃からヒータを保護するための耐キャビテーション層によって被覆されている。また、ヒータ及びヒータ電極と耐キャビテーション層との間には絶縁層が設けられている。
【０００４】
次に、液体吐出ヘッドの製造工程の一例について説明する。まず、ウエハ状態の基板にヒータ等を形成した後、基板にドライフイルムを貼り合わせ、レジストコーティング等を用いて流路形成部材、吐出口形成部材を形成する。次に、当該ウエハ状態の基板をダイシングテープに貼りつけて、基板をダイヤモンド・ソー等により切断する。個別の基板に切り出された記録素子基板はダイシングテープに貼りつけられたまま切削屑等を除去するために洗浄される。この後、記録素子基板はダイシングテープから剥がされて、液体吐出ヘッドに組み込まれる。
【０００５】
ところで、上述した記録素子基板の製造工程や液体吐出ヘッドの記録動作等において、静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ−Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ、以下ＥＳＤと表記）に起因して記録素子基板に不具合が発生することがある。特許文献１には、絶縁層の膜厚が２００ｎｍ程度である記録素子基板において、耐キャビテーション層とヒータ電極との間の絶縁層がＥＳＤにより絶縁破壊を起こす現象が記載されている。また、特許文献１には、この現象を防ぐために耐キャビテーション層がゲート接地型ＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）に接続された構成も記載されている。この構成によれば耐キャビテーション層に流れ込んだＥＳＤによる電流を基板に逃がすことができるため、耐キャビテーション層とヒータ電極の間の絶縁層の絶縁破壊を防止できるという効果が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第７２６７４３０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、記録素子基板内の場所によってはＥＳＤ電流が集中しやすく、ＥＳＤ電流による絶縁層の絶縁破壊が生じてしまう恐れがある。これに関して、図６、図７を用いて説明する。図６はヒータ１０１、吐出口２０１、及びその周辺を示す記録素子基板の断面図、図７はヒータ１０１周辺部を拡大した平面図を示す。なお、図７ではヒータ１０１の位置を示すために部材の一部を透視して示している。
【０００８】
ヒータ１０１およびヒータ電極１５０ａ、１５０ｂの上側には絶縁層１３１が設けられ、さらにその上側には耐キャビテーション層１３０が設けられている。外部から流入したＥＳＤ電流１００３は吐出口２０１の近傍から吐出口形成部材２００ａ、流路形成部材２００ｂの沿面を通って流れる。更に、ＥＳＤ電流１００３は、電位的により安定している方向、すなわち吐出口形成部材２００ａ、流路形成部材２００ｂのうちのまだＥＳＤ電流１００３が到達していない領域へと全方向に拡散するように流れる。拡散したＥＳＤ電流１００３は、樹脂で形成された両部材２００ａ、２００ｂよりも導電率が高い、金属材料等で形成された耐キャビテーション層１３０に到達する。
【０００９】
このＥＳＤ電流１００３が拡散する過程において、発泡室２０２や流路２０３を形成する部材２００の形状によってＥＳＤ電流１００３が集中しやすくなる箇所が生じる。すなわち、基板１００のヒータ１０１が設けられた面に直交する方向から見て部材２００ｂの角度が小さい角部にＥＳＤ電流が集中しやすくなる。図７では、部材２００ｂのうちの流路２０３と発泡室２０２とを繋ぐ角部１００２が、吐出口２０１からの距離が近く、またその角度が近傍の部材２００ｂの角度と比べて小さい。そのため、この角部１００２やこの近傍に位置する耐キャビテーション層１３０にＥＳＤ電流１００３は集中しやすくなる。耐キャビテーション層１３０に集中したＥＳＤ電流１００３は部分的に電圧が高くなるため、その近傍にヒータ電極１５０ａ、１５０ｂの段差１０１７（図６）など絶縁層１３１の絶縁性が低い箇所が存在すると、絶縁破壊が生じる恐れがある。
【００１０】
特に、長尺の基板においては特許文献１の構成を用いると、ゲート接地型ＭＯＳとヒータとの距離が増大するため、ヒータ上に設けられた耐キャビテーション層とゲート接地型ＭＯＳとの距離が増大する。するとＥＳＤによって耐キャビテーション層に電流が流れ込んだ箇所とゲート接地型ＭＯＳの距離が遠くなり、その間の絶縁膜の絶縁性が低い箇所でＥＳＤによる絶縁破壊が生じやすくなる。
【００１１】
そこで、本発明は、ＥＳＤ電流によって絶縁膜に絶縁破壊が生じる恐れを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の記録素子基板は、基体と、一対の電極と、前記一対の電極の間に位置する発熱抵抗層で形成された発熱素子と、前記発熱素子を被覆する絶縁膜と、前記絶縁膜を被覆する導電膜が設けられた面と、を備える基板と、前記基板の前記面の側に設けられ、液体を前記発熱素子に流す流路を形成するための壁を備える流路形成部材と、を有する記録素子基板において、前記基板は、前記導電膜と接し、前記導電膜と前記基体とを電気的に接続するための電気接続部を備え、前記電気接続部と前記面に直交する方向から見て前記壁が内側でなす角度が１２０度以下である部分との最短距離は、前記一対の電極と前記発熱素子との境界と前記部分との最短距離よりも短く、前記流路は、前記発熱素子によって液体に発泡を生じさせるための発泡室と、前記発泡室と前記基板に設けられた供給口とを連通する流路部と、を含み、前記部分は前記発泡室を形成するための壁と前記流路部を形成するための壁とで構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によると、ＥＳＤ電流によって絶縁膜に絶縁破壊が生じる恐れを低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態の記録素子基板の一部を示す平面図
【図２】図１におけるヒータ周辺部を拡大した図
【図３】図２のＡ−Ａ’断面図
【図４】記録素子基板の斜視図
【図５】その他の実施形態を示す平面図
【図６】ＥＳＤ電流の経路を説明するための断面図
【図７】ＥＳＤ電流の経路を説明するための平面図
【図８】記録ヘッドの斜視図
【図９】記録装置の斜視図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（実施形態）
図４は本発明を適用可能な記録素子基板１０００の一例を示す斜視図である。また、図８は記録素子基板１０００を搭載した記録ヘッド１０３の一例、図９は記録ヘッド１０３を搭載した記録装置１０４の一例をそれぞれ示す斜視図である。
【００１６】
記録素子基板１０００が搭載される記録ヘッド１０３は、記録素子基板１０００から吐出される液体が収納された液体収納容器１０８を搭載するための筺体１０５を有している。また、記録ヘッド１０３は、外部との電気接続のための端子を備える電気配線基板１０７、電気配線基板１０７と記録素子基板１０００とを接続するための電気配線部材１０６などを有している。
【００１７】
また、記録装置１０４は、記録媒体Ｐを搬送するための搬送手段１０２や記録ヘッド１０３を搭載して走査するためのキャリッジ１０９などを有している。記録ヘッド１０３は走査されながら液滴を吐出して記録媒体Ｐの所望の位置に着弾させることで記録を行う。記録ヘッド１０３の走査終了後、記録媒体Ｐは搬送手段１０２によって記録ヘッド１０３の走査方向と垂直な方向に送られる。これらの動作を繰り返すことで記録媒体Ｐへの記録が完了する。
【００１８】
図４に示すように、記録素子基板１０００は、記録素子としてのヒータ１０１（発熱素子）が設けられた基板１００、吐出口形成部材２００ａ、流路形成部材２００ｂを有する。基板１００は記録素子基板１０００から吐出される液体を供給するための供給口１１０を有する。流路形成部材２００ｂは、内部にヒータ１０１が設けられる発泡室２０２、発泡室２０２に繋がる流路２０３（流路部）、流路２０３と供給口１１０とを連通する液室２０４を形成する。吐出口形成部材２００ａはヒータ１０１に対応する吐出口２０１を形成する。なお、吐出口形成部材２００ａと流路形成部材２００ｂとが一体に形成された構成であってもよい。ヒータ１０１は複数配設されることでヒータ列を形成しており、吐出口２０１や発泡室２０２もヒータ１０１に対応して複数設けられている。また、基板１００は外部から基板１００に電圧や信号を供給するための端子１７０を備える。
【００１９】
図１は、本発明を適用可能な実施形態の記録素子基板１０００のヒータ列、供給口１１０及びそれらの周辺部を示す平面図である。図２は、ヒータ１０１の周辺部（図１のＡで示す部分）を拡大した図である。なお、図１や図２では、ヒータ１０１や後述するＥＳＤ誘導配線１００１、ＥＳＤ誘導接続部１０５０などのレイアウトを説明するために部材の一部を透視して示している。また、後述する他の平面図についても同様である。
【００２０】
図３は図２のＡ−Ａ’断面を示す断面図である。シリコンの基体１０上には熱酸化膜１２０、およびゲート酸化膜１２１が形成されている。熱酸化膜１２０上には第１の蓄熱層１２２が形成されている。第１の蓄熱層１２２上には第１のスイッチング素子電極１２３が形成されている。第１のスイッチング素子電極１２３は第１の蓄熱層１２２に設けられたビア１２２ｂを介して基体１０に接続される。第１のスイッチング素子電極１２３の基体１０との接続領域には不純物拡散領域が形成されている。
【００２１】
第１のスイッチング素子電極１２３上には第２の蓄熱層１３２が形成されている。第２の蓄熱層１３２上には発熱抵抗層としてのヒータ層１５１が形成されている。ヒータ層１５１上にはヒータ電極層１５０（図２）が設けられており、このヒータ電極層１５０によって一対の電極としての共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂが形成されている。共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとの間に形成されたヒータ層１５１によってヒータ１０１が形成される。このヒータ１０１は第２の蓄熱層１３２に設けられたビアを介して第１のスイッチング素子電極１２３に接続される。
【００２２】
共通ヒータ電極１５０ａおよび個別ヒータ電極１５０ｂ上には絶縁層１３１がＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮなどで形成されている。絶縁層１３１上には耐キャビテーション層１３０がＴａ、Ｉｒなどの材料で形成されている。ヒータ１０１は導電膜としての耐キャビテーション層１３０で被覆されている。耐キャビテーション層１３０とは液体の発泡および消泡時における熱および物理的、化学的衝撃からヒータ１０１を保護するための保護層をいう。
【００２３】
耐キャビテーション層１３０および絶縁層１３１上には流路形成部材２００ｂ、さらにその上には吐出口形成部材２００ａが形成されている。
【００２４】
続いて、ＥＳＤ電流１００３を基体１０に逃がすための構成について説明する。外部から流入したＥＳＤ電流１００３は吐出口２０１の近傍から吐出口２０１を形成する壁、発泡室２０２を形成する壁を順に通りヒータ１０１近傍に流入する。この流入されたＥＳＤ電流１００３は流路形成部材２００ｂの角部１００２（図２）やこの近傍に位置する耐キャビテーション層１３０に集中しやすくなる。流路形成部材２００ｂのうち、角部１００２は吐出口２０１の近傍に位置しており、また発泡室２０２と流路２０３とを繋ぎ、それらの一部を構成する角部１００２の角度がその近傍と比べて小さくなっているためである。
【００２５】
耐キャビテーション層１３０のうち、ＥＳＤ電流１００３が集中した場所は部分的に電圧が高くなる。そのため、その近傍にヒータ電極１５０ａ、１５０ｂに起因する段差など絶縁層１３１の膜厚が薄かったり膜質が悪かったりして絶縁性が低い箇所が存在すると、その箇所で絶縁破壊が生じる恐れがある。
【００２６】
そこで、本実施形態においては、この角部１００２の基板１００の側の近傍にＥＳＤ電流を誘導するためのＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。具体的には、ＥＳＤ誘導接続部１０５０と角部１００２との最短距離Ｄ１が、ヒータ電極１５０とヒータ１０１との境界と角部１００２との最短距離Ｄ２よりも短くなるように、ＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。
【００２７】
なお、角部とは基板１００の耐キャビテーション層１３０が設けられた面に直交する方向から見て流路を形成する壁のなす角度が１２０度以下の部分を称し、その形状は若干の丸みがある場合も含む。また、角部のうち、特にその角度が９０度以下である場合に上述したＥＳＤ電流の集中がより生じやすくなる。
【００２８】
また、最短距離Ｄ１は、ＥＳＤ誘導接続部１０５０と、ＥＳＤ誘導接続部１０５０から最も近くに設けられた角部１００２との最短距離である。また、最短距離Ｄ２は、この角部１００２から最も近くに設けられたヒータ１０１とヒータ電極１５０（１５０ａまたは１５０ｂ）との境界との最短距離である。また、ヒータ電極１５０とヒータ１０１との境界とは、ヒータ１０１の両側に位置するヒータ電極１５０とヒータ１０１とが接する稜線であり、上述のように絶縁層１３１の膜厚が薄かったり膜質が悪かったりする箇所である。
【００２９】
なお、図２に示すように、本実施形態では角部１００２は、発泡室２０２を形成する壁２０２ａと流路２０３を形成する壁２０３ａとで構成されている。また、本明細書では、発泡室２０２と流路２０３とを合わせたものも流路と称する。
【００３０】
図１〜図３に示すように、このＥＳＤ誘導接続部１０５０は耐キャビテーション層１３０と接する電気接続部であり、耐キャビテーション層１３０はこのＥＳＤ誘導接続部１０５０を介して基体１０と電気的に接続されている。具体的には、ＥＳＤ誘導接続部１０５０は、絶縁層１３１が除去されて形成されたビア１００７（図３）を介して耐キャビテーション層１３０とＥＳＤ誘導配線１００１とを接続している。また、上述した位置にＥＳＤ誘導接続部１０５０が設けられており、それぞれのＥＳＤ誘導接続部１０５０はヒータ１０１の列方向に沿って延びるＥＳＤ誘導配線１００１に接続されている（図１）。ＥＳＤ誘導配線１００１はヒータ１０１の列の方向の端部においてビア１０１２を介して基体１０と電気的に接続されている。基体１０は耐キャビテーション層１３０やＥＳＤ誘導配線１００１と比べて電荷を蓄積できる能力が十分に大きいため、ＥＳＤ電流１００３を引き込みやすい。
【００３１】
このように、本実施形態では、耐キャビテーション層１３０と基体１０とを電気的に接続しており、耐キャビテーション層１３０に接し、この電気接続に用いられるＥＳＤ誘導接続部１０５０を角部１００２の近傍に設けている。具体的には、ＥＳＤ誘導接続部１０５０と角部１００２との最短距離Ｄ１が、ヒータ電極１５０とヒータ１０１との境界と角部１００２との最短距離Ｄ２よりも短くなるように、ＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。これにより、発泡室２０２内にＥＳＤ電流が流入し、これが集中しやすい角部１００２の下に設けられた耐キャビテーション層１３０にＥＳＤ電流が流れた場合であっても、ＥＳＤ誘導接続部１０５０を介して基体１０にＥＳＤ電流が流れ込みやすい。したがって、ＥＳＤ電流によってヒータ１０１の近傍の絶縁層１３１が破壊される恐れを低減できる。
【００３２】
なお、ＥＳＤ電流１００３が集中しやすい箇所を基準に考えたときに、ＥＳＤ誘導接続部１０５０までの距離よりもヒータ電極１５０ａ、１５０ｂまでの距離を相対的に遠ざけて配置することが好ましい。このため、流路２０３の延びる方向、すなわち液室２０４からヒータ１０１に向かう液体の流れ方向と、共通ヒータ電極１５０ａと個別ヒータ電極１５０ｂとが対向する方向とが交差することが好ましい。本実施形態ではこれらの方向が互いに直角となるように流路２０３とヒータ電極１５０ａ、１５０ｂとを配置している。
【００３３】
また、ＥＳＤ誘導接続部１０５０は少なくとも上述した位置に設けられていればよい。例えば、ＥＳＤ誘導配線１００１上に絶縁層１３１が設けられておらず、ＥＳＤ誘導配線１００１と耐キャビテーション層１３０とがＥＳＤ誘導配線１００１に沿って接している構成であってもよい。
【００３４】
また、本実施形態では、ヒューズ１０５１の一端がヒータ１０１の列の端部で直接基体１０に接続されているが、ロジック回路のグランド層やヒータのグランド層を介してヒューズ１０５１と基体１００とが接続されていてもよい。
【００３５】
また、図１に示すように、ＥＳＤ誘導配線１００１は、電流が流れることで発生する熱によって溶断可能なヒューズ１０５１を介してヒータ１０１の列の端部で基体１０と電気的に接続されている。ＥＳＤ電流によって付与される電荷はヒューズ１０５１が溶断されるエネルギーによって消費されるため、基体１０には電荷はほとんど蓄積されないようにすることができる。これにより、記録素子基板を製造する際に基体１０に蓄積された電荷が製造装置側に放電してＥＳＤ破壊が生じることを低減することができるため、このようにヒューズ１０５１を設けることが好ましい。
【００３６】
また、液体吐出記録装置を長期間使用し、繰り返しヒータ１０１を駆動した場合、キャビテーション等によりヒータ１０１が断線する恐れがある。この場合、ヒータ１０１に接続された個別ヒータ電極１５０ｂとヒータ１０１上に設けられた耐キャビテーション層１３０とが電気的に導通を起こす場合がある。この状態で記録を続けると、個別ヒータ電極１５０ｂに正の電位が印加され、電流が耐キャビテーション層１３０、ＥＳＤ誘導接続部１０５０、ＥＳＤ誘導配線１００１、ヒューズ１０５１を介して基体１０に流れてしまうという恐れが生じる。このため、ヒューズ１０５１は、ヒータ１０１の駆動時にヒータ１０１の両端の電位差で溶断されることがより好ましい。これにより、仮に１つのヒータ１０１に断線が生じ前述した状態となっても、その後再度ヒータ１０１が駆動された時にヒューズ１０５１の両端にはヒータ１０１に印加される電圧によってヒューズが溶断し、絶縁されて電流の流れ込みを停止させることができる。
【００３７】
なお、ヒューズ１０５１の材料はポリシリコンなど導電性材料であればよい。また、ヒューズ１０５１をヒータ層１５１と同じ材料やＥＳＤ誘導配線１００１と同じ材料を用いて一部を細くして設けてもよい。これにより、部材を構成する材料を共通化でき、製造プロセスを簡略化することができるので好ましい。
【００３８】
また、基体１００を耐キャビテーション層１３０が設けられる面に直交する方向から見たときに、ＥＳＤ電流が集中やすい角部１００２と重なる位置にＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けてもよい。これにより、よりＥＳＤ電流を基体１０の方に流れやすくすることができる。
【００３９】
また、上述した基板１００は、その形状が平行四辺形や三角形、その他多角形であってもよく、また、基板１００に設けられる蓄熱層が平坦化処理されていてもよい。また、基板１００に開口された供給口１１０が、ヒータ１０１の列一つ当たりに複数設けられていてもよい。
【００４０】
なお、上述したＥＳＤ電流による影響は、ヒータ電極の厚さや絶縁膜の材料によって顕著に現れることがある。すなわち、記録速度の更なる向上のため記録素子基板を長尺化し、これに伴うヒータ電極抵抗の増大を抑えるためにヒータ電極を厚膜化すると、絶縁膜の絶縁性が低下する恐れがある。例えば絶縁膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で形成する場合、その電極の段差付近でガス、前駆体ラジカルの回り込み、付き回りが悪化し、ヒータ電極側面の絶縁膜の膜厚が薄くなり、膜質が悪くなる傾向があるためである。
【００４１】
また、画質や信頼性向上のため様々な顔料分散体や溶剤を含む液体を用いると、絶縁膜が溶解する恐れがあり、化学的安定性と電気的絶縁性を両立するためにＳｉＣやＳｉＮに替わってＳｉＣＮを用いることが検討されている。しかし、ＳｉＣＮは三元系の絶縁膜であるため膜質の制御が二元系と比べて難しく、ヒータ電極の段差付近において絶縁膜の膜質が低下する恐れがある。
【００４２】
本実施形態はこれらのように膜質が低下した絶縁層を用いたＥＳＤ電流による影響が生じやすい記録素子基板においても有効である。
【００４３】
（その他の実施形態）
次に、本発明を適用可能なその他の実施形態について図５を用いて説明する。本実施態では流路形成部材２００ｂの形状が上述の形態とは異なっている。なお、本実施形態においてもヒータ１０１の駆動構成やＥＳＤ誘導接続部１０５０の構成は上述の実施形態と同様である。
【００４４】
図５（ａ）は発泡室２０２と流路２０３の液体の流れ方向に対する断面積が同じ形状であり、流路形成部材２００ｂが形成する角部１００８にＥＳＤ電流は集中しやすい。そこで、この角部１００８の近傍にＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。
【００４５】
図５（ｂ）は流路２０３の液体の流れ方向に対する断面積が徐々に変化する形状であり、流路形成部材２００ｂが形成する角部１０１０にＥＳＤ電流は集中しやすい。そこで、この角部１０１０近傍にＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。
【００４６】
図５（ｃ）は発泡室２０２が円筒形状であり、かつ流路２０３の断面積が発泡室に向かう方向に小さくなっている。このとき、発泡室２０２と流路２０３とを繋ぐ角部１０１２にＥＳＤ電流は集中しやすい。そこで、この角部１０１２の近傍にＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。
【００４７】
図５（ｄ）は流路２０３内にフィルター１０１４が設けられた構成であり、このフィルター１０１４の一部である発泡室２０２側の角部１０１５がヒータ近傍において最も鋭角になっているため、この角部１０１５にＥＳＤ電流が集中しやすい。そこで、この角部１０１５の近傍にＥＳＤ誘導接続部１０５０を設けている。
【００４８】
本実施形態においても、吐出口２０１から流れこんだＥＳＤ電流１００３を、ＥＳＤ誘導配線を介して基体１０に逃がすことができるので、記録素子基板１０００に絶縁破壊が生じる可能性を低減することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０  基体
１００  基板
１０１  ヒータ（記録素子）
１３０  耐キャビテーション層（導電膜）
２００ｂ  流路形成部材
１０００  記録素子基板
１００２  角部
１０５０  ＥＳＤ誘導接続部（電気接続部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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