(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、
熱可塑性樹脂と、
フェノール樹脂と
を含有し、
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下であり、
熱硬化前の状態における−１５℃での破断伸度が２０％以下であることを特徴とするダイボンドフィルム。
【請求項２】
熱硬化前のガラス転移温度をＴ０、熱硬化後のガラス転移温度をＴ１としたとき、下記式１を満たすことを特徴とする請求項１に記載のダイボンドフィルム。
式１        Ｔ０＜Ｔ１＜Ｔ０＋２０
【請求項３】
前記フィラーは、シリカフィラーであることを特徴とする請求項１又は２に記載のダイボンドフィルム。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂は、エポキシ基を有するアクリル系ポリマーであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項５】
着色剤を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
【請求項６】
前記着色剤は、染料であることを特徴とする請求項５に記載のダイボンドフィルム。
【請求項７】
前記フィラーの平均粒径をＲ、前記ダイボンドフィルムの厚みをＴとしたとき、下記式２を満たすことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１に記載のダイボンドフィルム。
式２        １０＜Ｔ／Ｒ
【請求項８】
ダイシングシートと、
請求項１〜７のいずれか１に記載のダイボンドフィルムと
を備えることを特徴とするダイシングダイボンドフィルム。
【請求項９】
半導体ウエハを、ダイシングシートとダイボンドフィルムとを備えるダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
前記ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｂと、
前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと、
ピックアップした前記ダイボンドフィルム付きチップを、ダイボンドフィルムを介して被着体にダイボンドする工程Ｄと、
前記ダイボンドフィルム付きチップにワイヤーボンディングを行う工程Ｅと
を含み、
前記ダイボンドフィルムは、
平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、
熱可塑性樹脂と、
フェノール樹脂と
を含有し、
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下であり、
熱硬化前の状態における−１５℃での破断伸度が２０％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ダイボンドフィルムは、半導体装置の製造に用いられる。
【０００３】
ダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造工程において、チップを多段に積層（スタック）する手法がある。そのような場合、チップの薄型化の要望がある。（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２１８５７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ポリイミドなどのパッシベーション膜が形成されているウェハを薄く研削すると、ウェハが大きく反り、ダイシング後のチップが反ってしまう。この反ったチップを基板やリードフレーム等にボンディングし、スタックしていくと、その反りが残り、チップの端が浮き上がってしまう問題があった。
【０００６】
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、反りの大きい極薄チップの反りを抑制し、多段積層を良好に行うことが可能なダイボンドフィルムを提供することにある。
また、当該ダイボンドフィルムを備えるダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。
まあ、当該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
【０００８】
すなわち、本発明に係るダイボンドフィルムは、
平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、
熱可塑性樹脂と、
フェノール樹脂と
を含有し、
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【０００９】
前記構成によれば、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が０．３ＭＰａ以上であるため、仮に、チップが反っていたとしても、ダイボンディング後にこの反りを押さえ込むことができる。
また、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が３０ＭＰａ以下であるため、被着体への埋め込み性が良好となり、被着体とダイボンドフィルムとの間のボイドを抑制することができる。
また、フィラーとして、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーを用いているため、ダイボンドフィルムを薄型とすることができる。また、フェノール樹脂を含むため、信頼性に優れる。また、熱可塑性樹脂を含むため、フィルムとしての形状を維持できる。
【００１０】
前記構成においては、熱硬化前のガラス転移温度をＴ０、熱硬化後のガラス転移温度をＴ１としたとき、下記式１を満たすことが好ましい。
式１        Ｔ０＜Ｔ１＜Ｔ０＋２０
【００１１】
上記式１を満たすと、熱硬化前のガラス転移温度と、熱硬化後のガラス転移温度との差が小さく、熱硬化前後で物性の変化が小さいといえる。従って、熱履歴がかかった後も被着体への埋め込み性が良好となる。
【００１２】
前記構成において、前記フィラーは、シリカフィラーであることが好ましい。
【００１３】
前記フィラーがシリカフィラーであると、他の無機フィラーに比べ低コストであり、入手も容易である。
【００１４】
前記構成において、前記熱可塑性樹脂は、エポキシ基を有するアクリル系ポリマーであることが好ましい。
【００１５】
前記熱可塑性樹脂がエポキシ基を有するアクリル系ポリマーであると、被着体が有機基板である場合、有機基板に存在する未反応のエポキシ樹脂やフェノール樹脂と反応することで信頼性の向上が図れる。また、封止樹脂と反応させることもでき、信頼性向上が図れる。
【００１６】
前記構成においては、着色剤を含むことが好ましい。
【００１７】
前記構成のダイボンドフィルムは、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内のフィラーを用いているため、ダイボンドフィルムが透明性を有し、視認性が低下する可能性がある。しかしながら、着色剤を含めば、ダイボンドフィルムの視認性を向上させることができ、作業性を高めることができる。
【００１８】
前記構成において、前記着色剤は、染料であることが好ましい。
【００１９】
前記着色剤が染料であると、ダイボンドフィルムを構成する樹脂に溶けやすく均一に着色することができる。また、ダイボンドフィルムを作製する際に溶剤を用いる場合には、溶剤に溶けやすく、均一に着色することができる。
【００２０】
前記構成においては、前記フィラーの平均粒径をＲ、前記ダイボンドフィルムの厚みをＴとしたとき、下記式２を満たすことが好ましい。
式２        １０＜Ｔ／Ｒ
【００２１】
上記式２を満たすと、フィラーがダイボンドフィルムから突出することを抑制することができる。その結果、ウエハにダイボンドフィルムを貼り合わせる際に、ウエハが割れることを防止することができる。
【００２２】
また、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
ダイシングシートと、
前記ダイボンドフィルムと
を備えることを特徴とする。
【００２３】
前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記ダイボンドフィルムを備える。前記ダイボンドフィルムの熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が０．３ＭＰａ以上であるため、仮に、チップが反っていたとしても、ダイボンディング後にこの反りを押さえ込むことができる。また、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が３０ＭＰａ以下であるため、被着体への埋め込み性が良好となり、被着体とダイボンドフィルムとの間のボイドを抑制することができる。
【００２４】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
前記ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｂと、
前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと、
ピックアップした前記ダイボンドフィルム付きチップを、ダイボンドフィルムを介して被着体にダイボンドする工程Ｄと、
前記ダイボンドフィルム付きチップにワイヤーボンディングを行う工程Ｅと
を含み、
前記ダイシングダイボンドフィルムは、
平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、
熱可塑性樹脂と、
フェノール樹脂と
を含有し、
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【００２５】
前記ダイシングダイボンドフィルムは、前記ダイボンドフィルムを備える。前記ダイボンドフィルムの熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が０．３ＭＰａ以上であるため、仮に、チップが反っていたとしても、ダイボンディング後にこの反りを押さえ込むことができる。また、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が３０ＭＰａ以下であるため、被着体への埋め込み性が良好となり、被着体とダイボンドフィルムとの間のボイドを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図５】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図６】本実施形態に係る半導体装置の他の例を示す断面模式図である。
【図７】（ａ）、及び、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。
【図８】本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本実施形態に係るダイボンドフィルム、及び、ダイシングダイボンドフィルムについて、以下に説明する。本実施形態に係るダイボンドフィルムは、以下に説明するダイシングダイボンドフィルムにおいて、ダイシングシートが貼り合わせられていない状態のものを挙げることができる。従って、以下では、ダイシングダイボンドフィルムについて説明し、ダイボンドフィルムについては、その中で説明することとする。
【００２８】
（ダイシングダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
【００２９】
図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層２上に設けられている。
【００３０】
なお、本実施形態では、ダイシングシート１１には、ダイボンドフィルム３に覆われていない部分２ｂが存在する場合について説明するが、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングシートに積層されていてもよい。
【００３１】
（ダイボンドフィルム）
ダイボンドフィルム３は、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下であり、０．４ＭＰａ〜２５ＭＰａの範囲内が好ましく、０．５ＭＰａ〜２０ＭＰａの範囲内がより好ましい。
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が０．３ＭＰａ以上であるため、仮に、チップが反っていたとしても、ダイボンディング後にこの反りを押さえ込むことができる。。また、熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が３０ＭＰａ以下であるため、被着体への埋め込み性が良好となり、被着体とダイボンドフィルムとの間のボイドを抑制することができる。
このように、ダイボンドフィルム３によれば、積極的な反り抑制とボイド埋め込み性の両立が可能となる。
また、ダイボンドフィルム３は、熱硬化前の１７５℃での引張貯蔵弾性率は、好ましくは０．２ＭＰａ〜３０ＭＰａの範囲内であり、より好ましくは、０．３ＭＰａ〜２５ＭＰａの範囲内である。封止工程の温度は、通常、１７５℃程度である。そこで、熱硬化前の１７５℃での引張貯蔵弾性率が３０ＭＰａ以下であると、封止圧力での埋め込み性が良好となり、ボイドを抑制することができる。
ダイボンドフィルム３の熱硬化前の１５０℃、及び、１７５℃での引張貯蔵弾性率は、例えば、下記にて説明するフィラーを用いたり、熱可塑性樹脂の分子量を調整したりすることにより、上記数値範囲内とすることができる。
前記引張貯蔵弾性率のより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
【００３２】
ダイボンドフィルム３は、熱硬化前のガラス転移温度（Ｔｇ）をＴ０、熱硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）をＴ１としたとき、下記式１を満たすことが好ましい。
式１        Ｔ０＜Ｔ１＜Ｔ０＋２０
【００３３】
上記式１を満たすと、熱硬化前のガラス転移温度と、熱硬化後のガラス転移温度との差が小さく、熱硬化前後で物性の変化が小さいといえる。従って、熱履歴がかかった後も被着体への埋め込み性が良好となる。上記Ｔ１は、より好ましくは、（Ｔ０＋１５）より小さく、さらに好ましくは、（Ｔ０＋１０）より小さい。
ダイボンドフィルム３が上記式１を満たすようにするためには、例えば、硬化物の架橋を少なくなるように調整すればよい。
本明細書において、「熱硬化後」とは、１７５℃で１時間加熱した後のことをいう。
【００３４】
ダイボンドフィルム３の熱硬化前のガラス転移温度Ｔ０は、０〜７０℃の範囲内が好ましく、１５〜５０℃の範囲内がより好ましい。前記ガラス転移温度Ｔ０が０℃以上であると、ダイボンドフィルム３のタック性を抑えることができる。また、７０℃以下であると、被着体に貼り付き易くすることができる。
【００３５】
ダイボンドフィルム３の熱硬化後のガラス転移温度Ｔ１は、０〜９０℃の範囲内が好ましく、１５〜７０℃の範囲内がより好ましい。前記ガラス転移温度Ｔ１が上記数値内であると、上記式１を容易に満たすことができる。その結果、熱硬化後も被着体への埋め込み性が良好となる。
【００３６】
前記ガラス転移温度Ｔ０、ガラス転移温度Ｔ１は、ダイボンドフィルム３を構成する樹脂成分を選択することにより所望の範囲内とすることができる。
【００３７】
前記ガラス転移温度（Ｔｇ）のより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
【００３８】
ダイボンドフィルム３は、熱硬化前の状態における−１５℃での破断伸度が２０％以下であることが好ましく、１５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることがさらに好ましい。半導体装置の製造工程において、ステルスダイシング（登録商標）もしくはＤＢＧ工程を用いる場合がある。前記破断伸度が２０％以下であると、ステルスダイシングもしくはＤＢＧ工程後のクールエキスパンド性が良好となる。なお、ステルスダイシングや、ＤＢＧ工程については後に説明する。
前記破断伸度は、ダイボンドフィルム３を構成する材料によりコントロールすることができる。例えば、ダイボンドフィルム３を構成する熱可塑性樹脂の種類や含有量、フィラーの含有量等を適宜選択することによりコントロールすることができる。
前記破断伸度の測定方法は、実施例記載の方法による。
【００３９】
ダイボンドフィルム３の層構成は、図１に示すように、単層の接着剤層からなるものが挙げられる。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層を複数積層したものを含む。
ただし、本発明におけるダイボンドフィルムは、この例に限定されない。例えば、組成の異なる２種類以上の接着剤層を積層した多層構造であってもよい。
【００４０】
ダイボンドフィルム３は、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、熱可塑性樹脂と、フェノール樹脂とを含有する。
【００４１】
前記フィラーは、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、７ｎｍ〜８０ｎｍの範囲内であることが好ましく、１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることがより好ましい。平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーを用いているため、ダイボンドフィルム３を薄型とすることができる。また、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーを用いているため、ダイボンドフィルム３の引張貯蔵弾性率を高くすることができる。
前記フィラーの平均粒径の測定方法は、実施例記載の方法による。
【００４２】
前記フィラーの最大粒子径は、通常、ダイボンドフィルム３の厚み未満である必要がある。フィラーがダイボンドフィルムから突出してしまい、ウエハにダイボンドフィルムを貼り合わせた際にウエハが割れることとなるからである。ダイボンドフィルム３に含有される前記フィラーは、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるため、粗大フィラー（ダイボンドフィルム３の厚みよりも径の大きいフィラー）が存在する確率は著しく低い。従って、例えば、ダイボンドフィルム３を厚さ５μｍ以下等とすることが可能である。
【００４３】
前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、低線膨張係数の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、入手の容易さやコストの観点から、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。
【００４４】
前記フィラーの平均粒径をＲ、ダイボンドフィルム３の厚みをＴとしたとき、下記式２を満たすことが好ましい。
式２        １０＜Ｔ／Ｒ
【００４５】
上記式２を満たすと、フィラーがダイボンドフィルム３から突出することを抑制することができる。その結果、ウエハにダイボンドフィルム３を貼り合わせた際にウエハが割れることを防止することができる。前記Ｔ／Ｒは、より好ましくは１５以上であり、さらに好ましくは、２０以上である。
【００４６】
ダイボンドフィルム３の厚み（Ｔ）は、１〜３０μｍであることが好ましく、３〜２０μｍであることがより好ましい。３０μｍ以下であると、クールエキスパンド工程でダイボンドフィルムを割断しやすい。
【００４７】
前記フィラーの配合割合は、ダイボンドフィルム３全体に対して、１０〜７０重量％であることが好ましく、２０〜６０重量％であることがより好ましい。
前記フィラーの配合割合が、１０〜７０重量％の範囲内であると、弾性率の向上や割断性が向上する。
【００４８】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。ダイボンドフィルム３は、熱可塑性樹脂を含むため、フィルムとしての形状を維持できる。
【００４９】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００５０】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００５１】
なかでも、前記熱可塑性樹脂は、官能基としてエポキシ基を有するアクリル系ポリマーであることが好ましい。前記熱可塑性樹脂がエポキシ基を有するアクリル系ポリマーであると、被着体が有機基板である場合、有機基板に存在する未反応のエポキシ樹脂やフェノール樹脂と反応することで信頼性の向上が図れる。また、封止樹脂と反応させることもでき、信頼性向上が図れる。
【００５２】
前記熱可塑性樹脂の配合割合としては、硬化前の高温での弾性率向上の観点から、ダイボンドフィルム３全体に対して１０〜９０重量％の範囲内であることが好ましく、１５〜６０重量％の範囲内であることがより好ましい。
【００５３】
前記熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、５００，０００〜１７００，０００が好ましく、６００，０００〜１５００，０００がより好ましい。ダイボンドフィルム３中の熱可塑性樹脂の分子量が５００，０００以上であると、ポリマー鎖同士の凝集力が増加する。その結果、伸びにくくなりクールエキスパンド時の割断性が向上する。一方で、分子量１７００，０００以下であると、ポリマーの合成が容易である。
本明細書において、重量平均分子量は、以下の方法により測定した値をいう。
＜重量平均分子量Ｍｗの測定＞
重量平均分子量Ｍｗの測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により行う。測定条件は下記の通りである。尚、重量平均分子量はポリスチレン換算により算出する。
測定装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（製品名、東ソー社製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−Ｈ（Ｓ）×２（品番、東ソー社製）
流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
注入試料濃度：０．１重量％
検出器：示差屈折計
【００５４】
前記フェノール樹脂は、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。フェノール樹脂を含むため、信頼性に優れる。
【００５５】
前記フェノール樹脂の配合割合としては、信頼性の観点から、ダイボンドフィルム３全体に対して１〜３５重量％の範囲内であることが好ましく、３〜２０重量％の範囲内であることがより好ましい。上記数値範囲内であると、他成分との反応が十分に進行するため信頼性を向上することができる。
【００５６】
ダイボンドフィルム３は、着色剤を含むことが好ましい。ダイボンドフィルム３は、平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内のフィラーを用いているため、ダイボンドフィルム３が透明性を有し、視認性が低下する可能性がある。そこで、着色剤を含めば、ダイボンドフィルム３の視認性を向上させることができ、作業性を高めることができる。
【００５７】
前記着色剤としては、顔料、染料等を挙げることができる。前記着色剤は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、染料としては、酸性染料、反応染料、直接染料、分散染料、カチオン染料等のいずれの形態の染料であっても用いることが可能である。また、顔料も、その形態は特に制限されず、公知の顔料から適宜選択して用いることができる。なかでも、染料が好ましい。染料を用いると、ダイボンドフィルム３を構成する樹脂に溶けやすく均一に着色することができる。また、ダイボンドフィルム３を作製する際に溶剤を用いる場合には、溶剤に溶けやすく、均一に着色することができる。分散させる必要が無いという観点からは、溶解性に優れる染料が好ましい。
【００５８】
本発明のダイボンドフィルム３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
【００５９】
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【００６０】
尚、ダイボンドフィルム３には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
なお、信頼性向上の観点から、ダイボンドフィルム３にエポキシ樹脂を少量であれば含有させてもよい。しかしながら、エポキシ樹脂は低分子量であるため、ダイボンドフィルム３にエポキシ樹脂を多量に含有させると、熱硬化前の弾性率が低下することとなる。また、硬化成分が増加することになるため、熱硬化後の埋め込み性が低下することとなる。従って、ダイボンドフィルム３は、好ましくは、エポキシ樹脂を含まない。
【００６１】
（ダイシングシート）
本実施形態に係るダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ただし、本発明におけるダイシングシートは、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３を破断して個片化する際に、ダイボンドフィルム３を固定することができれば、この例に限定されない。例えば、基材と粘着剤層との間に他の層が存在していてもよい。
【００６２】
（基材）
基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシングダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
【００６３】
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、クールエキスパンド後に、基材１の半導体ウエハの外周部分を熱収縮させる（ヒートエキスパンドする）ことにより、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５同士の間隔を広げて、半導体チップ５の回収の容易化を図ることができる。
【００６４】
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
【００６５】
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
【００６６】
（粘着剤層）
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００６７】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００６８】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００６９】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００７０】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００７１】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００７２】
粘着剤層２は、放射線硬化型粘着剤により形成してもよい。ダイボンドフィルム３が貼り合わせられた状態で紫外線を照射すると、ダイボンドフィルム３との間でアンカー効果を生じさせることができる。これにより、低温（例えば、−１５℃）での粘着剤層２とダイボンドフィルム３との密着性を向上させることができる。
なお、アンカー効果による密着性は、低温であるほど高くなる。常温（例えば、２３℃）でも、アンカー効果はあるが、常温では、低温時に比較してアンカー効果による密着性は発揮されない。
【００７３】
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
【００７４】
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００７５】
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００７６】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００７７】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００７８】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００７９】
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００８０】
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００８１】
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００８２】
粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム３の固定保持の両立性等の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。
【００８３】
前記ダイシングダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【００８４】
本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００８５】
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、前駆層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて前記前駆層を形成してもよい。その後、基材１上に前記前駆層をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート前駆体が作製される。
【００８６】
ダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、ダイボンドフィルム３の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。
【００８７】
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム３を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム３を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にダイボンドフィルム３をセパレータと共に貼り合わせる。
【００８８】
続いて、前記ダイシングシート前駆体及びダイボンドフィルム３からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム３と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。その後、基材１側から紫外線を照射してもよい。紫外線の照射量としては、前記剥離力Ａ及び前記剥離力Ｂを前記数値範囲内となる量が好ましい。具体的な紫外線の照射量は、粘着剤層の組成や厚さ等に応じて異なるが、例えば、５０ｍＪ〜５００ｍＪが好ましく、１００ｍＪ〜３００ｍＪがより好ましい。以上により、本実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムが得られる。
【００８９】
（半導体装置の製造方法）
次に、図２〜図５、図７、図８を参照しながらダイシングダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。
【００９０】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
前記ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｂと、
前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと、
ピックアップした前記ダイボンドフィルム付きチップを、ダイボンドフィルムを介して被着体にダイボンドする工程Ｄと、
前記ダイボンドフィルム付きチップにワイヤーボンディングを行う工程Ｅと
を少なくとも含み、
前記ダイシングダイボンドフィルムは、
平均粒径が５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であるフィラーと、
熱可塑性樹脂と、
フェノール樹脂と
を含有し、
熱硬化前の１５０℃での引張貯蔵弾性率が、０．３ＭＰａより大きく３０ＭＰａ以下である。
【００９１】
以下では、まず、ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、ダイボンドフィルムと改質領域形成後の半導体ウェハとを同時に破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る場合（ステルスダイシング）について説明する。
【００９２】
図２〜図５は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。
まず、半導体ウェハ４の分割予定ライン４Ｌにレーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する（図２参照）。本方法は、半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウェハの内部に改質領域を形成する方法である。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ以下
パルス幅                  １μｓ以下
出力                      １ｍＪ以下
レーザー光品質            ＴＥＭ００
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                １００倍以下
ＮＡ                                ０．５５
レーザー光波長に対する透過率        １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度  ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
【００９３】
次に、図３に示すように、ダイボンドフィルム３上に、改質領域形成後の半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。この工程は、本発明の工程Ａに相当する。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。半導体ウェハ４の反りを効果的に防止することができるとともに、ダイシングダイボンドフィルムの伸縮の影響を低減することができるからである。
【００９４】
次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることによって、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを分割予定ライン４Ｌにて破断し、半導体チップ５を形成する（クールエキスパンド工程）。この工程は、本発明の工程Ｂに相当する。本工程には、例えば、市販のウェハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図４（ａ）に示すように、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１０の粘着剤層２周辺部にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウェハ拡張装置３２に固定する。次に、図４（ｂ）に示すように、突き上げ部３３を上昇させて、ダイシングダイボンドフィルム１２に張力をかける。
【００９５】
前記クールエキスパンド工程は、０〜−１５℃の条件下において実行されることが好ましく、−５〜−１５℃の条件下において実行されることがより好ましい。前記クールエキスパンド工程が０〜−１５℃の条件下において実行されるため、好適にダイボンドフィルム３を破断することができる。
【００９６】
また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は１００〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、１００〜３５０ｍｍ／秒であることがより好ましく、１００〜３００ｍｍ／秒であることがさらに好ましい。エキスパンド速度を１００ｍｍ／秒以上とすれば、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを略同時に容易に破断することができる。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することを防止することができる。
【００９７】
また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド量は、エキスパンド量４〜１６ｍｍであることが好ましい。前記エキスパンド量は、前記数値範囲内において、形成されるチップサイズに応じて適宜調整することができる。エキスパンド量を４ｍｍ以上とすれば、半導体ウェハ４、及び、ダイボンドフィルム３の破断をより容易とすることができる。また、エキスパンド量を１６ｍｍ以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することをより防止することができる。
【００９８】
このように、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることにより、半導体ウェハ４の改質領域を起点として半導体ウェハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウェハ４と密着するダイボンドフィルム３を破断させることができ、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を得ることができる。
【００９９】
次に、必要に応じて、ヒートエキスパンド工程を行う。ヒートエキスパンド工程では、ダイシングシート１１の半導体ウエハ４が貼り付けられている部分よりも外側を加熱して熱収縮させる。これにより、半導体チップ５同士の間隔を広げる。ヒートエキスパンド工程における条件は、特に限定されないが、エキスパンド量４〜１６ｍｍ、ヒート温度２００〜２６０℃、ヒート距離２〜３０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃ〜１０°／ｓｅｃの範囲内とすることが好ましい。
なお、ヒートエキスパンド工程は、この例に限定されない。例えば、ヒートエキスパンド工程は、以下の工程（１）〜（３）を含む工程であってもよい。
（１）クールエキスパンド工程の後、まず、ダイシングシート１１をヒートステージによりエキスパンドする。これにより、ダイシングシート１１の垂みを取り、半導体チップ５同士の間隔を広げる。
（２）次に、ヒートステージに、ダイシングシート１１の半導体ウエハ４が貼り付けられている部分を吸着し、チップ間隔が広がった状態を維持できるようにする。
（３）その後、ダイシングシート１１の半導体ウエハ４が貼り付けられている部分よりも外側を加熱して熱収縮させる（ヒートシュリンク）。
【０１００】
次に、必要に応じて、クリーニング工程を行う。クリーニング工程では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５が固定された状態のダイシングシート１１をスピンコーターにセットする。次に、洗浄液を半導体チップ５に滴下しながらスピンコーターを回転させる。これにより、半導体チップ５の表面を洗浄する。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。スピンコーターの回転速度や回転時間は、洗浄液の種類等に応じて異なるが、例えば、回転速度４００〜３０００ｒｐｍ、回転時間１〜５分とすることができる。
【０１０１】
次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。この工程は、本発明の工程Ｃに相当する。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【０１０２】
次に、図５に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３を介して被着体６にダイボンドする（仮固着工程）。この工程は、本発明の工程Ｄに相当する。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
【０１０３】
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子を接着固定し、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
【０１０４】
ダイボンドフィルム３の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。また、ダイボンドフィルム３の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。
【０１０５】
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。この工程は、本発明の工程Ｅに相当する。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行する。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。
【０１０６】
次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。なお、封止工程は、この例に限定されず、シート状の封止樹脂（封止用シート）を用い、例えば、平行平板プレスにより、この封止用シートに半導体チップ５を埋め込む工程であってもよい。
【０１０７】
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
【０１０８】
なお、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
以下、複数の半導体チップが積層されている半導体装置について簡単に説明する。図６は、本実施形態に係る半導体装置の他の例を示す断面模式図である。図６に示す半導体装置は、被着体６上にダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５が積層され、さらに、半導体チップ５上にダイボンドフィルム１３を介して半導体チップ１５が積層されている。半導体チップ１５は、平面視で半導体チップ５よりも小さい。半導体チップ５の上面に形成された電極パッド（図示せず）は、平面視で半導体チップ１５から露出している。半導体チップ５の上面に形成された電極パッドと被着体６の端子部（図示せず）とは、ボンディングワイヤー７で電気的に接続されている。また、半導体チップ１５の上面に形成された電極パッド（図示せず）と被着体６の端子部（図示せず）とは、ボンディングワイヤー７で電気的に接続されている。半導体チップ５、半導体チップ１５は、封止樹脂８により封止されている。ダイボンドフィルム１３は、ダイボンドフィルム３と同様の組成であってもよく、上記ダイボンドフィルムの項で説明した範囲内においてダイボンドフィルム３と組成が異なるものであってもよい。
以上、複数の半導体チップが積層されている半導体装置の一例について説明した。
【０１０９】
次に、半導体ウェハの表面に溝を形成し、その後、裏面研削を行う工程（ＤＢＧ工程：Ｄｉｃｉｎｇ  Ｂｅｆｏｒｅ  Ｇｒｉｎｄｉｎｇ工程）を採用した半導体装置の製造方法について以下に説明することとする。
【０１１０】
図７、図８は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図７（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成する。なお、溝４Ｓの形成時には、半導体ウェハ４は、図示しない支持基材にて支持される。溝４Ｓの深さは、半導体ウェハ４の厚さやエキスパンドの条件に応じて適宜設定可能である。次に、図７（ｂ）に示すように、表面４Ｆが当接するように半導体ウェハ４を保護基材４２に支持させる。その後、研削砥石４５にて裏面研削を行い、裏面４Ｒから溝４Ｓを表出させる。なお、半導体ウェハへの保護基材４２の貼り付けは、従来公知の貼付装置を用いることができ、裏面研削も、従来公知の研削装置を用いることができる。
【０１１１】
次に、図８に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する。この工程は、本発明の工程Ａに相当する。その後、保護基材４２を剥がし、ウェハ拡張装置３２によりダイシングダイボンドフィルム１０に張力をかける。これにより、ダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成する（チップ形成工程）。この工程は、本発明の工程Ｂに相当する。なお、チップ形成工程における温度、エキスパンド速度、エキスパンド量は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様である。以降の工程は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様であるからここでの説明は省略することとする。
【０１１２】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハとダイボンドフィルムとを同時にクールエキスパンド工程において破断させるか、ダイボンドフィルムのみをクールエキスパンド工程において破断させていれば、上述した実施形態に限定されない。その他の実施形態として、例えば、図７（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成した後、ダイシングダイボンドフィルム上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（仮固着工程）。その後、ウェハ拡張装置によりダイシングダイボンドフィルムに張力をかける。これにより、溝４Ｓの部分において半導体ウエハ４とダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成してもよい。
ただし、本発明に係る半導体装置の製造方法は、この例に限定されない。
例えば、
半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
前記半導体ウエハを前記ダイボンドフィルムと共にブレードによりダイシングして、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｘと、
前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと、
ピックアップした前記ダイボンドフィルム付きチップを、ダイボンドフィルムを介して被着体にダイボンドする工程Ｄと、
前記ダイボンドフィルム付きチップにワイヤーボンディングを行う工程Ｅと
を含む半導体装置の製造方法であってもよい。
【実施例】
【０１１３】
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
【０１１４】
（実施例１）
＜ダイシングシートの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう）１００部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともい。）１９部、過酸化ベンゾイル０．４部、及び、トルエン８０部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう）１．２部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）１．３部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）３部を加えて、粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ａ」ともいう）を作製した。
前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ１２５μｍのグンゼ社製ＥＶＡフィルム（エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＡを得た。
【０１１５】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ａを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＡ（商品名「ＹＡ０１０Ｃ−ＳＰ３」株式会社アドマテックス製、平均粒径１０ｎｍ）：１００部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１１６】
接着剤組成物溶液Ａを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＡを得た。
【０１１７】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＡを得た。
【０１１８】
（実施例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｂを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＢ（商品名「ＹＡ０１０Ｃ−ＳＶ１」株式会社アドマテックス製、平均粒径１０ｎｍ）：１００部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１１９】
接着剤組成物溶液Ｂを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＢを得た。
【０１２０】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＢを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＢを得た。
【０１２１】
（実施例３）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｃを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＣ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−４０」日産化学工業株式会社製、平均粒径１３ｎｍ）：１００部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１２２】
接着剤組成物溶液Ｃを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＣを得た。
【０１２３】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＣを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＣを得た。
【０１２４】
（実施例４）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｄを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＤ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−Ｌ」日産化学工業株式会社製、平均粒径４５ｎｍ）：１００部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１２５】
接着剤組成物溶液Ｄを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＤを得た。
【０１２６】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＤを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＤを得た。
【０１２７】
（実施例５）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｅを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＥ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−ＺＬ」日産化学工業株式会社製、平均粒径８５ｎｍ）：１００部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１２８】
接着剤組成物溶液Ｅを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＥを得た。
【０１２９】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＥを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＥを得た。
【０１３０】
（実施例６）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｆを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＤ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−Ｌ」日産化学工業株式会社製、平均粒径４５ｎｍ）：１００部
【０１３１】
接着剤組成物溶液Ｆを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＦを得た。
【０１３２】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＦを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＦを得た。
【０１３３】
（比較例１）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｇを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＣ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−４０」日産化学工業株式会社製、平均粒径１３ｎｍ）：２８０部
（ｄ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：２部
【０１３４】
接着剤組成物溶液Ｇを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＧを得た。
【０１３５】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＧを得た。
【０１３６】
（比較例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｈを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）フィラーＦ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドテックス製、平均粒径５００ｎｍ）：１００部
【０１３７】
接着剤組成物溶液Ｈを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＨを得た。
【０１３８】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＨを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＨを得た。
【０１３９】
（比較例３）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｃ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度１８重量％の接着剤組成物溶液Ｉを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）：１２部
（ｃ）着色剤（商品名「ＯＩＬ  ＳＣＡＲＬＥＴ  ３０８」、オリエント化学工業株式会社製）：１部
【０１４０】
接着剤組成物溶液Ｉを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＩを得た。
【０１４１】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＩを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＩを得た。
【０１４２】
（比較例４）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｆ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度４５重量％の接着剤組成物溶液Ｊを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−Ｐ３」ナガセケムテックス社製、分子量８５０，０００）：１００部
（ｂ）エポキシ樹脂Ａ（商品名「ＪＥＲ１０１０」、三菱化学社製）：５２部
（ｃ）エポキシ樹脂Ｂ（商品名「ＪＥＲ８２８」、三菱化学社製）：１４０部
（ｄ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」、明和化成社製）２１０部
（ｅ）フィラーＣ（商品名「ＭＥＫ−ＳＴ−４０」日産化学工業株式会社製、平均粒径１３ｎｍ）：１００部
（ｆ）硬化促進剤（商品名「２ＰＨＺ−ＰＷ」四国化成工業株式会社製）３部
【０１４３】
接着剤組成物溶液Ｊを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）５μｍと、厚さ（平均厚さ）２０μｍのダイボンドフィルムＪを得た。
【０１４４】
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＪを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＪを得た。
【０１４５】
［フィラーの平均粒径の測定］
実施例、比較例のダイボンドフィルムを１７５℃で１時間加熱し、その後、熱硬化後のダイボンドフィルムを樹脂（Ｓｔｒｕｅｒｓ社製、ＥｐｏＦｉｘ  ｋｉｔ）に包埋した。包埋したサンプルを機械研磨して、ダイボンドフィルムの断面を露出させた。次に、断面をＣＰ装置（クロスセクションポリッシャ、日本電子株式会社製、ＳＭ−０９０１０）によりイオンミリング加工を行った。その後、導電処理を施し、ＦＥ−ＳＥＭ観察を行った。ＦＥ−ＳＥＭの観察は加速電圧１〜５ｋＶにて行い、反射電子像を観察した。取り込んだ画像を画像解析ソフトＩｍａｇｅ−Ｊを用いて２値化処理し、フィラー粒子を識別した。次に、画像内のフィラー粒子の面積を画像内のフィラー粒子個数で割り、フィラー粒子の平均面積を求め、粒径を算出した。
【０１４６】
［ダイボンドフィルムの熱硬化前の１５０℃、及び、１７５℃での引張貯蔵弾性率、及び、ダイボンドフィルムの熱硬化前のガラス転移温度の測定］
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを厚みが２００μｍになるまで重ね合わせた。次に、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−４０〜２６０℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、チャック間距離２０ｍｍ、引張モード、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎとした。測定は、−４０℃で５分保持した後に開始した。その際の１５０℃、及び、１７５℃での値を読み取り、引張貯蔵弾性率の測定値とした。
また、得られたｔａｎδのデータから、温度−Ｔａｎδ曲線を作成し、最も大きなピークのＴａｎδ最大値の温度を読み取り、その温度を熱硬化前のガラス転移温度とした。結果を表１に示す。
【０１４７】
［ダイボンドフィルムの熱硬化後のガラス転移温度の測定］
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを厚みが２００μｍになるまで重ね合わせた。次に、１７５℃で１時間加熱し、熱硬化後のダイボンドフィルムとした。次に、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−４０〜２６０℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、チャック間距離２０ｍｍ、引張モード、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％、昇温速度１０℃／ｍｉｎとした。測定は、−４０℃で５分保持した後に開始した。得られたｔａｎδのデータから、温度−Ｔａｎδ曲線を作成し、最も大きなピークのＴａｎδ最大値の温度を読み取り、その温度を熱硬化後のガラス転移温度とした。結果を表１に示す。
【０１４８】
［ダイボンドフィルムの熱硬化前の状態における−１５℃での破断伸度の測定］
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを厚みが２００μｍになるまで重ね合わせた。次に、長さ６０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。
引張試験機（メーカー名：ＳＨＩＭＡＤＺＵ：恒温恒湿槽付３連引張試験機）を用いて、−１５℃での破断伸度を測定した。測定条件は、チャック間距離２０ｍｍ、速度１００ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度−１５℃とした。測定は−１５℃で２分間保持した後に開始した。破断伸度は以下の式により求めた。結果を表１に示す。
［破断伸度（％）］＝［（破断時の接着シートの長さ（ｍｍ）−２０）／２０×１００］
【０１４９】
［視認性評価］
ダイボンドフィルムと、離型処理フィルム（剥離ライナー）との境目が容易に視認できた場合を〇、容易に視認でいない場合を×として評価した。結果を表１に示す。
【０１５０】
［埋め込み性評価］
各実施例及び比較例で得られた厚さ２０μｍのダイボンドフィルムを、５０μｍに研削されたシリコンウェハに６０℃で貼り付け、１０ｍｍ角のチップに個片化し、ダイボンドフィルム付チップを得た。このダイボンドフィルム付チップを、温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にマウントした。これをさらに乾燥機にて１７５℃で１時間熱処理した。次いで、モールドマシン（ＴＯＷＡプレス社製、マニュアルプレスＹ−１）を用いて、成形温度１７５℃、クランプ圧力１８４ｋＮ、トランスファー圧力５ｋＮ、時間１２０秒、封止樹脂ＧＥ−１００（日東電工（株）製）の条件下で封止工程を行った。封止工程後、ＢＧＡ基板とダイボンドフィルムとの界面のボイドを、超音波映像装置（日立ファインテック社製、ＦＳ２００ＩＩ）を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を、二値化ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ  ｖｅｒ．５．６）を用いて算出した。ボイドの占める面積がダイボンドフィルムの表面積に対して３０％未満であった場合を「○」、３０％以上であった場合を「×」として評価した。
【０１５１】
［反り評価］
各実施例及び比較例で得られた厚さ５μｍのダイボンドフィルムを、厚さ３０μｍに研削されたシリコンウェハに６０℃で貼り付け、縦１５ｍｍ×横１０ｍｍサイズのチップに個片化（ダイシング）し、ダイボンドフィルム付チップを得た。
このダイボンドフィルム付チップを、温度１５０℃、圧力０．１ＭＰａ、時間１ｓの条件でＢＧＡ基板にマウントした。
さらに、マウントしたチップの上に、２つめのチップを横方向に３００μｍずらしてマウントした。この作業を繰り返し、チップ段数が４段となるまで積層した。この積層体を５つ用意した。
積層されたチップを、チップ横方向の側面が見えるように、顕微鏡にセットし、１段目のチップの中央とＢＧＡ基板との間の距離をゼロとし、両端がどれだけ反り上がっているかを観察した。具体的には、ＢＧＡ基板と、各端部との距離を測定した。
両端の反り量の平均値を算出した。さらに５つ作製した積層体の平均値を算出した。この平均値が６０μｍ未満のものを○、６０μｍ以上のものを×として評価した。結果を表１に示す。
【０１５２】
［クールエキスパンド評価］
レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて、１２インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源              半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長                      １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積  ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態                  Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数            １００ｋＨｚ
パルス幅                  ３０ｎｓ
出力                      ２０μＪ／パルス
レーザー光品質            ＴＥＭ００  ４０
偏光特性                  直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率                                      ５０倍
ＮＡ                                      ０．５５
レーザー光波長に対する透過率              ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度    １００ｍｍ／秒
【０１５３】
次に、半導体ウェハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合せ、ディスコ社製バックグラインダーＤＧＰ８７６０を用いて半導体ウェハの厚みが２５μｍになるように裏面を研削した。
【０１５４】
次に、実施例、及び、比較例のダイシングダイボンドフィルム（ダイボンドフィルム厚さ５μｍ）にレーザー光による前処理を行った前記半導体ウェハ及びダイシングリングを貼り合わせた。
【０１５５】
次に、ディスコ社製ダイセパレーターＤＤＳ２３００を用いて半導体ウェハの割断及びダイシングシートの熱収縮を行うことにより、サンプルを得た。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度１００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で半導体ウェハを割断した。
その後、ヒートエキスパンダーユニットで、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でダイシングシートを熱収縮させた。
得られたサンプルを用い、ピックアップ評価を行った。具体的には、ダイボンダーＳＰＡ−３００（新川社製）を用い、以下の条件でピックアップを行った。全てピックアップできた場合を○、ピックアップできないチップが１つでもあれば×として評価を行った。結果を表１に示す。
＜ピックアップ条件＞
ピン数：５
ピックアップハイト：５００μｍ
ピックアップ評価数：５０チップ
【０１５６】
【表１】
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【符号の説明】
【０１５７】
１    基材
２    粘着剤層
３    ダイボンドフィルム
４    半導体ウエハ
５    半導体チップ
６    被着体
７    ボンディングワイヤー
８    封止樹脂
１０    ダイシングダイボンドフィルム
１１    ダイシングシート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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