(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスからなり、上面に基板を支持し、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材と、
セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトとを備える基板保持装置であって、
前記突出部は下端部の外周縁又は前記フランジ部は上端部の外周縁の少なくとも一方に全周に亘る面取部を有し、前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面は略面一であることを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記フランジ部の上端部の内周縁に全周に亘る面取部を有していることを特徴とする請求項１に記載の基板保持装置。
【請求項３】
セラミックスからなり、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材を用意する工程と、
セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトを用意する工程と、
前記突出部の下端部の外周縁又は前記フランジ部の上端部の外周縁の少なくとも一方を全周に亘って面取り加工する工程と、
前記突出部の下面と前記フランジ部の上面を当接させた状態でこれらの面を固相接合により接合する工程と、
前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面と略面一に加工する工程とを備えることを特徴とする基板保持装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハなどの基板を基材に保持する基板保持装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板を保持するために、セラミックスからなり上面に基板を支持する基材と、セラミックスからなりフランジ部を上部に有する中空のシャフトとを備える基板保持装置が用いられている。
【０００３】
特許文献１には、基材の下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部（凸状部）を設け、この突出部の下面と接合される上面を有するフランジ部をシャフトの上部に設けることが開示されている。そして、突出部の外周側面とフランジ部の外周側面とより連続的な面を構成することにより、基材とフランジ部との接合部における温度勾配が小さくなり、熱応力集中が緩和されるので、接合部にクラックが生じるおそれが低減されるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３８１０２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたように突出部の外周側面とフランジ部の外周側面とより連続的な面を構成するためには、突出部及びフランジ部の接続部の角部を直角にする必要がある。このように接合部の角部が直角であると、そこからチッピングやマイクロクラックが生じやすく、損傷、剥離などが生じるおそれが大きい。
【０００６】
なお、基材とシャフトの接合の際に接合材を介在させる場合、比較的小さな加圧での接合が可能であるので、接合時のチッピングやマイクロクラックの発生は抑制される。しかしながら、接合材のプラズマ耐性やより高温下での用途を想定しての接合材を介さない固相接合の場合は、高い接合温度及び大きな加圧が必要であり、チッピングやマイクロクラックが生じるおそれが大きい。
【０００７】
そこで、本発明は、接合材を介さない固相接合において、基材とシャフトとの接合部からチッピングやマイクロクラックが生じるおそれの低減を図り得る基板保持装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の基板保持装置は、セラミックスからなり、上面に基板を支持し、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材と、セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトとを備える基板保持装置であって、前記突出部は下端部の外周縁又は前記フランジ部は上端部の外周縁の少なくとも一方に全周に亘る面取部を有していることを特徴とする。
【０００９】
本発明の基板保持装置によれば、基材又はシャフトの接合部には少なくとも一方に全周に亘る面取部を有している。そのため、従来のようにこれらの部分が共に直角である場合と比較して、接合部からチッピングやマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれの低減を図ることが可能となる。
【００１０】
本発明の基板保持装置において、前記フランジ部の上端部の内周縁に全周に亘る面取部を有していることが好ましい。
【００１１】
この場合、シャフトの接合部の内周縁においても面取部を有している。そのため、従来のようにこの部分が直角である場合と比較して、接合部からチッピングやマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれの低減を図ることが可能となる。
【００１２】
また、本発明の基板保持装置において、前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面は略面一である。
【００１３】
なお、本発明において、突出部の外周側面とフランジ部の外周側面が略面一であるとは、面一である場合のほかに、多少、例えば０．２ｍｍ、好ましくは１ｍｍ以下であればずれていてもよいことを意味している。
【００１４】
本発明の基板保持装置の製造方法は、セラミックスからなり、下面の中央部に周辺部より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部を有する基材を用意する工程と、セラミックスからなり、前記突出部に接続されるフランジ部を上部に有する中空のシャフトを用意する工程と、前記突出部の下端部の外周縁又は前記フランジ部の上端部の外周縁の少なくとも一方を全周に亘って面取り加工する工程と、前記突出部の下面と前記フランジ部の上面を当接させた状態でこれらの面を固相接合により接合する工程とを備えることを特徴とする。
【００１５】
本発明の基板保持装置の製造方法によれば、固相接合により接合する工程において、基材とシャフトとが当接する部分の少なくとも一方に面取り加工がされている。そのため、従来のように当接する部分の角部が共に直角である場合と比較して、当該接合する工程において、チッピングやマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれの低減を図ることが可能となる。
【００１６】
また、本発明の基板保持装置の製造方法において、前記突出部の外周側面と前記フランジ部の外周側面と略面一に加工する工程を備える。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係るセラミックスヒータの模式断面図。
【図２】本発明の実施形態の別態様に係るセラミックスヒータの模式断面図。
【図３】本発明の実施形態の変形例に係るセラミックスヒータの模式部分断面図。
【図４】本発明の実施形態の他の変形例に係るセラミックスヒータの模式部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（実施形態）
本発明の基板保持装置の実施形態に係るセラミックスヒータ１００について、図１を参照して説明する。
【００１９】
セラミックスヒータ１００は、基材１０、電極２０、シャフト３０及び給電ロッド４０を備えている。
【００２０】
本実施形態では、セラミックスヒータ１００は、電極２０が発熱抵抗体（ヒータ）として機能し、このヒータに給電ロッド４０から電圧が印加されることによって発生する熱により、基材１０の上面である支持面に支持される半導体ウエハ等の基板を加熱する。なお、セラミックスヒータ１００は、互いに電気的に独立した複数の電極２０が存在し、これら電極２０に供給する電圧を独立して制御可能なマルチゾーンヒータであってもよい。
【００２１】
ただし、本発明の基板保持装置は、電極２０に給電ロッド４０から電圧が印加されることによって発生するクーロン力により、基材１０の表面に基板を吸引する静電チャックであってもよい。
【００２２】
また、本発明の基板保持装置は、表面に近い電極２０が電極として機能し、表面から離れた電極２０が抵抗発熱体として機能するヒータ機能付きの静電チャックであってもよい。
【００２３】
なお、基材１０の表面の上に、保護層などが形成されていてもよい。また、基材１０内に、冷却構造を設けてもよい。
【００２４】
基材１０は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミックス焼結体などからなっている。ただし、基材１０は、セラミックスヒータ又は静電チャックの基材の材料として使用される素材からなるものであればよい。
【００２５】
基材１０は、例えば高純度（例えば純度９９．９％以上）の窒化アルミニウム粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、炭化珪素粉末、ジルコニア粉末、必要に応じてこれに適量の酸化イットリウム粉末などの焼結助剤が添加された混合原料粉末を型に充填し、ホットプレス焼結することにより形成されたセラミックス焼結体から構成されている。
【００２６】
基材１０の中に、メッシュ金属や金属箔からなる電極２０を埋め込まれている。電極２０は、タングステン、モリブデン、これら合金、白金、チタンなどの金属からなり、薄板、薄膜、メッシュ状、線状などのものである。
【００２７】
そして、基材１０は、その下面の中央部に、周辺部１１より厚さが厚くなるように下方に突出した突出部１２を有している。突出部１２は、例えば、周辺部１１よりも１ｍｍから１０ｍｍ厚くなっている。
【００２８】
突出部１２は、円板形状であり、その下端部の外周縁に全周に亘る面取部１２ａを有している。面取部１２ａは、例えば、面取角度が４５度であり、面取寸法が０．５ｍｍから５ｍｍである。ただし、面取部１２ａは、例えば、面取角度が４５度以外の角面取部であっても、図３を参照して、面取部１２Ａａのように、丸面取部であってもよい。
【００２９】
なお、突出部１２Ａの面取部１２Ａａが丸面取部となっているとは、突出部１２Ａの外周縁が丸みを帯びていることを意味しており、突出部１２Ａの底面及び側周面と面取部１２Ａａの両端部がなだらかに連続している。
【００３０】
ただし、図４を参照して、突出部１２Ｂの外周縁は、内側に丸みを帯びて窪む丸窪部１２Ｂａとして形成されていてもよい。この場合、突出部１２Ｂの底面及び側周面と外周縁の丸窪部１２Ｂａの間には角部が形成されるが、その角部は直角の角部と比較して角部の傾斜が緩やかとなっている。
【００３１】
また、突出部１２の基端部は、その全周に亘って丸みを帯びた形状となっており、応力集中の緩和が図られている。
【００３２】
シャフト３０は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）等のセラミックス焼結体からなり、全体として中空を有する大略円筒形状に形成されている。
【００３３】
シャフト３０は、基材１０の下面に取り付けられている。シャフト３０は、中間部３１に比べて拡径したフランジ部３２を上部に有している。フランジ部３２の外周側面と突出部１２の外周側面とは面一となっている。
【００３４】
ただし、フランジ部３２の外周側面と突出部１２の外周側面は面一でなくてもよく、多少、例えば０．２ｍｍ、好ましくは１ｍｍ以下であればずれていてもよく、略面一であればよい。
【００３５】
フランジ部３２は、短円筒形状であり、その上端部の外周縁に全周に亘る面取部３２ａを有している。面取部３２ａは、例えば、面取角度が４５度であり、面取寸法が０．５ｍｍから５ｍｍである。ただし、面取部３２ａは、例えば、面取角度が４５度以外の角面取部であっても、図３を参照して、面取部３２Ｂａのように、丸面取部であってもよい。
【００３６】
なお、フランジ部３２Ｂの面取部３２Ｂａが丸面取部となっているとは、フランジ部３２Ｂの外周縁が丸みを帯びていることを意味しており、フランジ部３２Ｂの上面及び側周面と面取部３２Ｂａの両端部が連続している。
【００３７】
ただし、図４を参照して、フランジ部３２Ｃの外周縁は、内側に丸みを帯びて窪む丸窪部３２Ｃａとして形成されていてもよい。この場合、フランジ部３２Ｃの底面及び側周面と外周縁の丸窪部３２Ｃａとの間には角部が形成されるが、その角部は直角の角部と比較して角部の傾斜が緩やかとなっている。特に、突出部１２Ｂの外周縁も内側に丸みを帯びて窪むように形成されている場合、突出部１２Ｂの丸窪部１２Ｂａとフランジ部３２Ｃの丸窪部３２Ｃａは、その端部が一致又は略一致することが好ましい。
【００３８】
また、フランジ部３２の基端部は、その全周に亘って丸みを帯びた形状となっており、応力集中の緩和が図られている。
【００３９】
そして、突出部１２の下面とフランジ部３２の上面とを接触させて接合面として、基材１０とシャフト３０とは接合材を使用しない固相接合により接合されている。接合材を使用しないので、従来懸念された接合材のプラズマ耐性は問題とならず、接合材の耐熱温度より高温下での使用が可能になる。
【００４０】
給電ロッド４０は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）などの耐熱性、耐酸性及び導電性の優れた金属から形成されており、本実施形態では、丸棒状となっている。給電ロッド４０は、その下端側に図示しない電源が電気的に接続されている。
【００４１】
給電ロッド４０は、その上端面が電極２０の裏面と接触されており、これらの電気的な接続が図られている。
【００４２】
以上に説明したセラミックスヒータ１００においては、基材１０及びシャフト３０は、接合部にそれぞれ面取部１２ａ，３２ａを有している。そのため、上記特許文献１に開示されたように接合部における角部が共に直角である場合と比較して、これら角部からマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれの低減を図り得る。また、損傷によって剥離が生じるおそれも低減できるので、これらによって、セラミックスヒータ１００を長期間に亘って使用することが可能となり得る。
【００４３】
なお、基材１０又はシャフト３０の何れかの接合部に面取部１２ａ，３２ａを有していればよい。この場合も、角部が共に直角である場合と比較して、これら角部からマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれの低減を図り得る。
【００４４】
（製造方法）
次に、セラミックスヒータ１００の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、基材１０を形成するセラミックス焼結体の原料粉末である窒化アルミニウム粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、炭化珪素粉末、ジルコニア粉末などからなるセラミックス粉末に、焼結助剤等を添加した混合原料粉末を得る。そして、この混合原料粉末を用いて、公知の方法で焼結して、セラミックス焼結体を得る。焼結方法は、常圧焼結、ホットプレス法（熱間加圧法）、反応焼結などの公知の方法を用いればよい。
【００４６】
なお、セラミックス焼結体の間に電極２０を挟んで焼成を行うことにより、メッシュ金属や金属箔からなる電極２０を基材１０の中に埋め込む。ただし、埋め込みの方法は、これに限定されない。例えば、電極２０の材料となる金属を前記原料粉末の間に挟み込んで、全体を焼結してもよい。また、セラミックス成形体に凹部を形成して電極２０を埋め込み、その後、セラミックス成形体同士を重ね合わせて焼成してもよい。また、セラミックス焼結体の接合面に凹部を形成して電極２０を埋め込み、その後、セラミックス焼結体同士を接合してもよい。
【００４７】
このセラミックス焼結体に対して周辺部１１及び突出部１２が所定の形状となるように必要に応じて切削加工を行う。突出部１２の下端部の外周縁に全周に亘って面取り加工を行い、面取部１２ａを形成する。そして、突出部１２の下面は、鏡面加工を行い、表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．１μｍ以下、平面度を１μｍ以下とする。これにより、基材１０が完成する。
【００４８】
次に、シャフト３０を形成するセラミックス焼結体の原料粉末である窒化アルミニウム粉末、アルミナ粉末、窒化珪素粉末、炭化珪素粉末、ジルコニア粉末などからなるセラミックス粉末にＩＰＡ及び有機バインダと可塑剤を添加し、混合、スプレードライ乾燥をすることにより、セラミックス顆粒を得る。この顆粒をＣＩＰ成形し、常圧焼成することによりセラミックス焼結体を得る。焼結方法は、常圧焼結、ホットプレス法（熱間加圧法）、反応焼結などの公知の方法を用いればよい。
【００４９】
このセラミックス焼結体に対して中間部３１及びフランジ部３２が所定の形状になるように必要に応じて切削加工を行う。フランジ部３２の上端部の外周縁に全周に亘って面取り加工を行い、面取部３２ａを形成する。そして、フランジ部３２の上面は、鏡面加工を行い、表面粗さＲａを０．０１μｍ以上０．１μｍ以下、平面度を１μｍ以下とする。これにより、シャフト３０が完成する。
【００５０】
次に、基材１０とシャフト３０とを１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下で加圧して、突出部１２の下面とフランジ部３２の上面とを当接した状態で炉内に設置し、不活性ガス雰囲気下で１５００℃以上１９００℃以下に加熱した状態を０．２時間以上１０時間以下保持する。これにより、基材１０とシャフト３０とが固相接合により接合される。
【００５１】
接合後、基材１０の突出部１２の外周側面とシャフト３０のフランジ部３２の外周側面とが略同一外径となるように、円筒研削により研削加工する。研削加工後も、基材１０の突出部１２の面取部１２ａ及びシャフト３０のフランジ部３２の面取部３２ａの一部は外観に残る。
【００５２】
その後、給電ロッド４０の上端面を電極２０の裏面と接触した状態でロウ付けで固定し、これらの電気的な接続を図る。これにより、セラミックスヒータ１００を得ることができる。
【００５３】
ただし、電極２０と給電ロッド４０の電気的な接続はロウ付けに限定されず、公知のセラミックスヒータで用いられる接続方法であればよい。例えば、電極２０の裏面に端子を固定し、この端子に給電ロッド４０の先端を取り外し可能に固定してもよい。
【００５４】
以上に説明したセラミックスヒータ１００の製造方法においては、焼結時に互いに対して加圧される基材１０及びシャフト３０とは、その当接する部分においてそれぞれ面取部１２ａ，３２ａを有している。そのため、上記特許文献１に開示されたように当接する部分における角部が直角である場合と比較して、焼結時の加圧によってマイクロクラックなどが発生するおそれが低減できるので、製造時の歩留りの向上を図ることが可能となる。
【００５５】
なお、基材１０とシャフト３０とは、固相接合以外の接合方法、例えば、ガラス接合などで接合してもよい。
【００５６】
（実施形態の変形例）
本発明は、上述した実施形態におけるセラミックスヒータ１００に限定されない。
【００５７】
例えば、シャフト３０のフランジ部３２の上端部の外周縁にのみ全周に亘って面取り部３２ａを有する場合について説明した。しかし、図２に示すセラミックスヒータ１００Ａのように、シャフト３０Ａのフランジ部３２Ａの上端部の内周縁にも全周に亘って面取り部３２Ａｂを有することが好ましい。
【００５８】
これらにより、フランジ部３２Ａの上端部の内周縁が直角である場合と比較して、この部分からチッピングやマイクロクラックなどの損傷が生じるおそれが低減でき、さらに損傷によって剥離が生じるおそれも低減できるので、長期間に亘る使用を図ることが可能となる。そして、焼結時においても、焼結時の加圧によって角部からチッピングやマイクロクラックなどが発生するおそれが低減できるので、製造時の歩留りの向上を図ることが可能となる。
【００５９】
さらに、基材１０の突出部１２が円板形状である場合について説明した。しかし、図４を参照して、基材１０Ｂの突出部１２Ｂはドーナツ板形状であってもよい。この場合、図示しないが、突出部１２Ｂは、その下端部の内周縁に全周に亘って面取りされた面取部を有していることが好ましい。この面取部は、下端部の外周縁に全周に亘って面取りされた面取部１２Ｂａと同じであっても、異なっていてもよい。
【００６０】
そして、ドーナツ状の突出部１２Ｂの内周側面は、フランジ部の内周側面と略面一であることが好ましい。また、突出部１２Ｂの下端部の内周縁は、その全周に亘って丸みを帯びた形状として、応力集中の緩和を図ることが好ましい。
【００６１】
また、図４に示すように、突出部１２Ｂの内周縁は、内側に丸みを帯びて窪む丸窪部１２Ｂｂとして形成され、フランジ部３２Ｃの内周縁は、内側に丸みを帯びて窪む丸窪部３２Ｃｂとして形成されていてもよい。この場合、突出部１２Ｂの丸窪部１２Ｂｂとフランジ部３２Ｃの丸窪部３２Ｃｂは、その端部が一致又は略一致することが好ましい。
【実施例】
【００６２】
以下、本発明の実施例及び比較例を具体的に挙げ、本発明を説明する。
【００６３】
（実施例１）
実施例１では、図１を参照して、金属なる電極２０を埋設した酸化イットリウムを添加した窒化アルミニウムからなる基材１０と、窒化アルミニウムのみからなるシャフト３０を接合してセラミックスヒータ１００を得た。
【００６４】
［基材の作製］
窒化アルミニウム粉末９７質量％、酸化イットリウム粉末３質量％からなる粉末混合物を得て、これを型に充填して一軸加圧処理を施した。これによって、直径２４０ｍｍ、厚さ１０ｍｍの第一層を形成した。
【００６５】
次に、この第一層の上に、電極２０となる直径１９０ｍｍのモリブデン製のメッシュ（線径０．１ｍｍ、目開き５０メッシュ）を載置した。続いて、先に形成した粉末混合物を電極２０の上に所定の厚さに充填し、第二層を形成した。そして、１０ＭＰａの圧力で、焼成温度１８００℃、焼成時間２時間でホットプレス焼成を行い、直径２４０ｍｍ、厚さ２０ｍｍのセラミックス焼結体を得た。
【００６６】
セラミックス焼結体の裏面を、中心から直径６０ｍｍの領域を残しその外側の領域を厚さ５ｍｍ研削加工し、中央部に直径６０ｍｍ、高さ５ｍｍの突出部１２を形成した。次に、突出部１２の外周縁にＣ３ｍｍの面取り加工を行い、面取部１２ａを形成した。その後、突出部１２の下面に研磨加工を行い、表面粗さをＲａ０．０３μｍ、平面度０．４μｍとした。これにより、基材１０を得た。
【００６７】
［シャフトの作製］
原料となる窒化アルミニウムの粉末にＩＰＡ及び有機バインダと可塑剤を添加し、混合、スプレードライ乾燥をすることで、窒化アルミニウム顆粒を得た。この顆粒をＣＩＰ成形し、焼成温度１９００℃で焼成時間６時間、常圧焼成した後、円筒加工を行い、フランジ部３２の外径６０ｍｍ、フランジ部３２の厚み８ｍｍ、中間部３１の外径４２ｍｍ、内径３２ｍｍ、長さ１６０ｍｍのシャフト３０を得た。フランジ部３２の端面外周縁にＣ３ｍｍの面取り加工を行い、面取部３２ａを形成した。その後、フランジ部３２の上面に研磨加工を行い、表面粗さをＲａ０．０４μｍ、平面度０．５μｍとした。
【００６８】
［接合、加工］
基材１０の接合面とシャフト３０の接合面とを重ね合わせ、ホットプレス焼成により接合した。温度は１６００℃、圧力は６ＭＰａ、時間は４時間とした。接合後、基材１０の突出部１２の外周側面とシャフト３０のフランジ部３２の外周側面を円筒研削により略同一外径となるように研削加工した。この際、接合前に加工した基材１０の突出部１２の面取部１２ａ及びシャフト３０のフランジ部３２の面取部３２ａの一部が外観に残った。
【００６９】
[評価]
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト３０の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である１×１０−１２Ｐａｍ３／ｓでリークはないと判定された。
【００７０】
（実施例２）
以下の作製条件を除き、実施例１と同様にセラミックスヒータ１００Ａを作製した。
【００７１】
［基材の作製］
セラミックス焼結体の裏面を、中心から直径６０ｍｍの領域を残しその外側の領域を厚さ３ｍｍ研削加工し、中央部に直径６０ｍｍ、高さ３ｍｍの突出部１２を形成した。次に、突出部１２の外周縁にＣ１．５ｍｍの面取り加工を行い、面取部１２ａを形成した。その後、突出部１２の下面に研磨加工を行い、表面粗さをＲａ０．０２μｍ、平面度０．３μｍとした。これにより、基材１０を得た。
【００７２】
［シャフトの作製］
図２を参照して、フランジ部３２Ａの外径６０ｍｍ、フランジ部３２Ａの厚み５ｍｍ、中間部３１Ａの外径３８ｍｍ、内径３０ｍｍ、長さ１２０ｍｍのシャフト３０Ａを得た。フランジ部３２Ａの端面の外周縁及び内周縁にＣ１．５ｍｍの面取り加工を行い、面取部３２Ａａ，３２Ａｂを形成した。その後、フランジ部３２Ａの上面に研磨加工を行い、表面粗さをＲａ０．０３μｍ、平面度０．３μｍとした。
【００７３】
[評価]
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト３０の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である１×１０−１２Ｐａｍ３／ｓでリークはないと判定された。
【００７４】
（実施例３）
面取部１２ａ及び面取部３２ａを共に、曲率半径が３ｍｍの丸面取部としたこと以外は実施例１と同じとした。
【００７５】
[評価]
接合部の目視をしたが、チッピングやクラックなどの損傷は見つからず、良好であった。なお、シャフト３０の内側はファイバースコープを使用した。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。測定限度である１×１０−１２Ｐａｍ３／ｓでリークはないと判定された。
【００７６】
（比較例）
比較例として、基材１０の突出部１２の外縁及びシャフト３０のフランジ部３２の端面外縁に面取り加工を行わないで、基材１０とシャフト３０とを接合した。なお、その他の作製条件は実施例１と同一とした。
【００７７】
[評価]
接合部の目視をしたが、接合面にクラックが発生していた。そして、接合部の気密度をボンビング法によりヘリウムリークディテクターで測定した。１×１０−６Ｐａｍ３／ｓでリークが生じた。
【００７８】
実施例１から３及び比較例の評価結果を表１にまとめた。
【００７９】
【表１】
0006650332.tif 000002
【符号の説明】
【００８０】
１０，１０Ａ，１０Ｂ…基材、  １１…周辺部、  １２，１２Ａ，１２Ｂ…突出部、  １２ａ，１２Ａａ，１２Ｂａ…面取部、  １２Ｂａ，１２Ｂｂ…丸窪部、  ２０…電極、  ３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…シャフト、  ３１…中間部、  ３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ…フランジ部、  ３２ａ，３２Ａａ，３２Ａｂ…面取部、  ３２Ｃａ，３２Ｃｂ…丸窪部、  ４０…給電ロッド、  １００，１００Ａ…セラミックスヒータ（基板保持装置）。
【図１】
0006650332.tif 000003
【図２】
0006650332.tif 000004
【図３】
0006650332.tif 000005
【図４】
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