(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、Ｓｓｋ＜１．０を満たす、反射型マスクブランク。
【請求項２】
反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランク。
【請求項３】
前記吸収層の上部には、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層が設置されている、請求項１または２に記載の反射型マスクブランク。
【請求項４】
前記低反射層は、タンタル、窒素および酸素を含む、請求項３に記載の反射型マスクブランク。
【請求項５】
前記反射層と前記吸収層の間に、追加層を有する、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記吸収層は、タンタルおよび窒素を含む、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記基板は、ガラス基板である、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の反射型マスクブランク。
【請求項８】
反射型マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項９】
反射型マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
（３）前記吸収層の上部に、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１０】
前記低反射層は、タンタル、窒素および酸素を含む、請求項９に記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１１】
前記吸収層を設置するステップの前に、前記前記反射層の上部に、追加層を設置するステップを有する、請求項８乃至１０のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１２】
前記吸収層は、タンタルおよび窒素を含む、請求項８乃至１１のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１３】
前記基板は、ガラス基板である、請求項８乃至１２のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項１４】
前記吸収層は、０．２８Ｐａ以下のガス圧力で成膜される、請求項９乃至１３のいずれか一つに記載の反射型マスクブランクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射型マスクブランクおよび反射型マスクブランクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体製造分野において、さらなる微細パターン転写を可能とするため、ＡｒＦエキシマレーザ光を用いたＡｒＦ露光技術に代わり、ＥＵＶ露光技術が有望視されている。ＥＵＶ露光技術では、露光光として、ＡｒＦエキシマレーザ光よりも短波長のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ−Ｖｉｏｌｅｔ）光が用いられる。ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線および真空紫外光を含み、具体的には波長が０．２ｎｍ〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、露光光として１３．５ｎｍ程度の波長のＥＵＶ光が主に検討されている。
【０００３】
ＥＵＶ露光技術では、反射型のマスクが用いられる。このマスクは、基板上に反射層および吸収層を含む各層を形成して反射型マスクブランクを構成した後、該反射型マスクブランクの吸収層を所定のパターンにパターン化することにより製造される。
【０００４】
ＥＵＶ露光技術では、そのようなマスクを介して、ウエハのような被加工基板にＥＵＶ光を照射することにより、被加工基板の表面（通常、レジストの表面）に、吸収層のパターンを転写することができる（以下、このプロセスを「転写プロセス」とも称する）。その後、レジストを現像処理することにより、所望のパターンのレジストが設置された被加工基板を得ることができる（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】２０１０  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ｏｎ  Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ，Ｓ．Ｈｕｈ  ｅｔ．ａｌ．"Ｐｒｉｎｔａｂｉｌｉｔｙ  ａｎｄ  Ｉｎｓｐｅｃｔａｂｉｌｉｔｙ  ｏｆ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ  ａｎｄ  Ｒｅａｌ  Ｄｅｆｅｃｔｓ  ｏｎ  ｔｈｅ  Ｒｅｔｉｃｌｅ  ｉｎ  ＥＵＶ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ"
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ＥＵＶ露光技術では、反射型マスクの製造過程において該反射型マスクに含有された異物、欠陥、ピット、および傷などの欠点が転写プロセスに大きな影響を及ぼす。すなわち、反射型マスクがそのような欠点を含む場合、反射型マスクの吸収層のパターンが忠実に被加工基板上に転写されなくなり、被加工基板に対して所望の微細加工が行えなくなるおそれがある（非特許文献１）。
【０００７】
そのため、反射型マスクおよびその原形となる反射型マスクブランクの製造工程において、欠点をできるだけ排除するとともに、存在する欠点の数および位置を予め把握することが重要となる。
【０００８】
一般に、反射型マスクブランクに含まれるそのような欠点を検査する場合、欠点検査装置によるマッピング検査が行われる。欠点検査装置としては、検査光源波長を４８８ｎｍとするレーザーテック社製欠点検査装置「ＭＡＧＩＣＳ  Ｍ１３５０」、２６６ｎｍとするレーザーテック社製欠点検査装置「ＭＡＧＩＣＳ  Ｍ７３６０」、１９３ｎｍとするＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製欠点検査装置「Ｔｅｒｏｎ６１０」などが挙げられる。
【０００９】
マッピング検査では、反射型マスクブランクのマッピング図（以下、「マップ」と称する）が得られ、このマップには、欠点の存在位置にプロット点が表示される。従って、プロット点の数および位置により、欠点の数および位置を把握することができると考えられている。
【００１０】
しかしながら、本願発明者の知見では、反射型マスクブランクのマッピング検査で得られた欠点には、異物や傷など、転写プロセスに影響を及ぼす欠点（以下、「実欠点」という）の他、吸収層表面の微細な凹凸など、転写プロセスにあまり影響を及ぼさない欠点（以下、「擬似欠点」という）が含まれる場合がある。マッピング結果にそのような擬似欠点が含まれると、反射型マスクブランクに含まれる実欠点の把握が難しくなるという問題が生じ得る。
【００１１】
また、吸収層表面に存在する微細な凹凸は、吸収層のエッチング品質に影響を及ぼし得る。例えば、吸収層表面に微細な凹凸が存在すると、エッチング後に得られるパターン端部の粗さ（Ｌｉｎｅ  Ｅｄｇｅ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が大きくなるとともに、パターンの断面品質も低下する可能性がある。このような吸収層のパターンの品質は、転写プロセスにおける転写性能を低下させる原因となる。
【００１２】
表面の微細な凹凸を表す指標としては、Ｓａ（二乗平均平方根高さ）が広く用いられており、このＳａの値をできるだけ低下させることにより、前述の問題に対処することが行われている。
【００１３】
しかしながら、本願発明者の検討結果では、前述の転写性能の低下および擬似欠点の発生は、表面の凹凸の中で特に微細な突起形状に起因していることが見出されている。従って、Ｓａを指標とするだけでは、前述のような問題に十分に対処することは難しく、今後、微細な突起形状をより高精度に表す指標が必要となるものと考えられる。
【００１４】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、吸収層の微細な表面突起形状に起因する転写性能の低下が抑制され、擬似欠点を有意に抑制することが可能な、反射型マスクブランクの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明では、吸収層の微細な表面突起形状に起因する転写性能の低下が抑制され、擬似欠点が有意に抑制されたマスクブランクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明では、反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、Ｓｓｋ＜１．０を満たす、反射型マスクブランクが提供される。
【００１６】
ここで、本願において、「吸収層の側の表面」とは、必ずしも吸収層の表面を意味しないことに留意する必要がある。
【００１７】
例えば、反射型マスクブランクが吸収層と、該吸収層の上に設置された低反射層とを有し、低反射層が最上層の場合、「吸収層の側の表面」は、低反射層の表面を表す。
【００１８】
また、本発明では、反射型マスクブランクであって、
基板と、
該基板の上部に設置された、ＥＵＶ光を反射する反射層と、
該反射層の上部に設置された、ＥＵＶ光を吸収する吸収層と、
を有し、
当該反射型マスクブランクにおいて、前記吸収層の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランクが提供される。
【００１９】
また、本発明では、反射型マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
【００２０】
また、本発明では、反射型マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
（３）前記吸収層の上部に、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、反射型マスクブランクの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明では、吸収層の微細な表面突起形状に起因する転写性能の低下が抑制され、擬似欠点を有意に抑制することが可能な、反射型マスクブランクの製造方法を提供することができる。また、本発明では、吸収層の微細な表面突起形状に起因する転写性能の低下が抑制され、擬似欠点が有意に抑制されたマスクブランクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】欠点検査装置を用いて得られた、従来のマスクブランクの表面における、欠点のマッピング結果の一例を示した図である。
【図２】欠点検査装置を用いて得られた、従来のマスクブランクの表面における、欠点のマッピング結果の一例を示した図である。
【図３】各種マスクブランクサンプルの表面に対して得られた二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）と、マッピング結果から得られた欠点のランク付けの間の関係を示したグラフである。
【図４】本発明の一実施形態によるマスクブランクの構成の一例を模式的に示した断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による別のマスクブランクの構成の一例を模式的に示した断面図である。
【図６】本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法の一例を概略的に示したフロー図である。
【図７】本発明の一実施形態によるマスクブランクの別の製造方法の一例を概略的に示したフロー図である。
【図８】本発明の実施例１に係るサンプル（サンプル１）において得られたマッピング結果を示した図である。
【図９】本発明の実施例４に係るサンプル（サンプル４）において得られたマッピング結果を示した図である。
【図１０】各サンプルに対して得られたスキューネスＳｓｋと、マッピング結果から得られたランクの間の関係を示したグラフである。
【図１１】各サンプルに対して得られたクルトシスＳｋｕと、マッピング結果から得られたランクの間の関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。
【００２４】
なお、本願において「マスクブランク」と言う用語は、パターン化された吸収層を有するマスクとは異なり、所望のパターンにパターン化される前の状態の吸収層を有する基板を意味する。従って、通常の場合、「マスクブランク」の段階では、吸収層は、基板に全面膜の形態で配置される。
【００２５】
（従来の問題）
本発明の特徴をより良く理解するため、まず、図１〜図３を参照して、従来の問題について、簡単に説明する。
【００２６】
図１には、欠点検査装置（Ｍ１３５０）により測定された、あるマスクブランク（サンプルＡ）の表面（１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域）における、欠点のマッピング結果を示す。また、図２には、別のマスクブランク（サンプルＢ）において得られた、同様のマッピング結果を示す。
【００２７】
ここで、両サンプルＡおよびＢは、ガラス基板の上に、反射層（厚さ３４０ｎｍ程度）、追加層（厚さ２．５ｎｍ程度）、吸収層（厚さ７５ｎｍ程度）、および低反射層（厚さ５ｎｍ程度）を順次成膜して構成した。
【００２８】
図１および図２のマップから、両サンプルＡおよびＢの表面には、欠点を示すプロット点が全体にわたって分布されていることがわかる。特に、図２では、図１に比べて、プロット点がマップ全体にわたって、極めて高密度に分布されていることがわかる。
【００２９】
これらの結果に従えば、実欠点は、サンプルＡよりもサンプルＢにおいてより多く存在することが予想される。
【００３０】
しかしながら、サンプルＡおよびサンプルＢを実際にＳＥＭで観察した結果、両サンプルにおいて、含まれる実欠点のレベルに大きな差異はなく、実欠点の数はほぼ同等であった。
【００３１】
この結果は、図１および図２のようなマッピング結果に示されたプロット点は、実欠点を正確に反映していないことを意味するものである。
【００３２】
図３には、前述のサンプルＡおよびサンプルＢを含む、各種マスクブランクサンプルの表面に対して得られた二乗平均平方根高さ（Ｓｑ）と、前述のようなマッピング結果から予測される欠点の数の間の関係を示す。
【００３３】
ここで、二乗平均平方根高さＳｑは、「面」を対象とした二乗平均平方根高さを表す。
【００３４】
ここで、欠点の数を相対評価するため、図１のようなプロット点の密度を有するマッピング結果が得られた場合を、欠点数のランク２とし、図２のようなプロット点の密度を有するマッピング結果が得られた場合を、欠点数のランク３として、各マッピング結果をランク付けして表す。このランク付けに従えば、欠点の数は、ランク１からランク２に向かって、すなわちランク数が大きくなるほど増加する。
【００３５】
図３において、横軸は、マッピング結果から予測されるそのような欠点数のランクを示している。また、縦軸は、表面におけるＳｑの測定値を示しており、この値は、各サンプルにおいて、表面の１μｍ×１μｍの領域で測定した。
【００３６】
一般に、疑似欠点は、基板表面や機能膜表面の表面凹凸に起因する欠点であるため、マスクブランクに含まれる疑似欠点の評価指標として、Ｓｑを使用することが考えられる。
【００３７】
しかしながら、図３から、疑似欠点数のランクとＳｑの間には、あまり良好な相関が認められないことがわかる。また、このことから、Ｓｑの値では、マスクブランクに含まれる疑似欠点の状態を、適切に評価することは難しいことが予想される。
【００３８】
このように、表面欠点のマップおよび／またはＳｑの値を用いた欠点の評価方法では、マスクブランクに含まれる疑似欠点を適切に評価することは難しく、さらに、実欠点と疑似欠点を区別して適切に評価することは難しいと考えられる。
【００３９】
（本発明の概略）
以下の記載では、マスクブランクの「欠点」は、「実欠点」と「擬似欠点」を含むものと定義する。
【００４０】
本願発明者らは、前述のように、Ｓｑ指標値を用いた欠点評価方法では、実欠点を正確に把握するには限界があることに気づき、マスクブランクの実欠点をより正確に評価することが可能な新たな評価方法について検討を行ってきた。そして、本願発明者らは、スキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕという新たな指標を使用した場合、擬似欠点を有意に排除することができ、これにより実欠点をより正確に把握できることを見出し、本願発明に至った。
【００４１】
すなわち、本発明の一実施形態では、マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
を有し、
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（２）のステップで得られた前記吸収層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、マスクブランクの製造方法が提供される。
【００４２】
また、本発明の別の実施形態では、マスクブランクの製造方法であって、
（１）基板の上部に、ＥＵＶ光を反射する反射層を設置するステップと、
（２）前記反射層の上部に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層を設置するステップと、
（３）前記吸収層の上部に、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの波長を有するパターン検査用の検査光に対する低反射層を設置するステップと、
を有し、
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
前記（３）のステップで得られた前記低反射層の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす、マスクブランクの製造方法が提供される。
【００４３】
このようなマスクブランクの製造方法では、欠点の評価に、スキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕという新たな指標が使用される。
【００４４】
後述するように、これらの指標スキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕは、前述のようなマップから得られる、欠点数のランク付け結果と十分に対応した指標として、使用することができる。
【００４５】
従って、これらの指標を使用した場合、マスクブランクに含まれる擬似欠点を有意に排除することができる。また、これにより、マスクブランクに含まれる実欠点を、より正確に把握することが可能になる。
【００４６】
その結果、本願発明の一実施形態では、含まれる実欠点をより正確に評価することが可能な、マスクブランクの製造方法を提供することが可能となる。
【００４７】
（本発明の一実施形態における欠点の評価指標について）
次に、本発明の一実施形態において、マスクブランクに含まれる欠点を評価する際に重要な指標となる２つのパラメータについて、簡単に説明する。
【００４８】
（スキューネスＳｓｋ）
スキューネスＳｓｋは、歪度とも呼ばれ、評価対象表面の基準高さにおける凸部と凹部の対称性を表す指標である。
【００４９】
一般に、評価対象表面の二乗平均平方根高さＲｑは、一つの軸（Ｘ軸）に沿った評価対象表面の高さ変化をｚ（ｘ）として、以下の（１）式で表される：
【００５０】
【数１】
0006766676.tif 000002
ここで、Ｌは、基準長さを表す。
【００５１】
この一次元（ｘ）の二乗平均平方根高さＲｑを二次元（ｘ，ｙ）に拡張して表すと、
【００５２】
【数２】
0006766676.tif 000003
が得られる。ここで、Ａは、評価対象表面の基準面積を表す。
【００５３】
この二次元の二乗平均平方根高さＳｑを用いると、スキューネスＳｓｋは、以下の（３）式で表される：
【００５４】
【数３】
0006766676.tif 000004
スキューネスＳｓｋは、基準高さ（Ｓｑ）に対する凹部と凸部の対称性を表し、スキューネスＳｓｋの値が０に近いほど、尖った凸部の数と尖った凹部の数が揃っていることを意味する。また、スキューネスＳｓｋの値が大きくなるほど、基準高さ（Ｓｑ）に対して尖った凸部の数が顕著になり、スキューネスＳｓｋの値が小さくなるほど、基準高さ（Ｓｑ）に対して尖った凹部の数が顕著になることを意味する。
【００５５】
スキューネスＳｓｋの値は、前述のマップから得られる欠点数のランク付け結果と十分に対応した指標として、使用することができる。例えば、マスクブランクのマップから得られた欠点数がランク３に分類される場合、スキューネスＳｓｋの値は大きくなり、欠点数がランク２、さらにはランク１となるにつれ、スキューネスＳｓｋの値は徐々に小さくなる。
【００５６】
従って、例えば、マスクブランクにおいて測定されたスキューネスＳｓｋの値が、ランク３のマッピング状態に対応する場合、マッピング検査で得られた欠点には、相応の擬似欠点が含まれるものと判断することができる。この場合、実欠点の把握は難しくなる。
【００５７】
また、逆に、マスクブランクにおいて測定されたスキューネスＳｓｋの値が、ランク２を下まわるマッピング状態（例えば、後述する「ランク１」または「ランク０」）に対応する場合には、マッピング検査で得られた欠点は、あまり擬似欠点を含まず、実欠点をほぼ適正に検出しているものと判断することができる。
【００５８】
後述するように、本願発明者らによる実験の結果では、スキューネスＳｓｋの値が１．０未満の場合、得られるマップは、ランク２を下まわる（すなわち、ランク０またはランク１の）マッピング状態となる。従って、この場合、マッピング結果から、実欠点の数および位置を、ある程度正確に把握することができる。
【００５９】
特に、スキューネスＳｓｋは、Ｓｓｋ＜０．７８を満たすことが好ましく、Ｓｓｋ＜０．６を満たすことがさらに好ましい。
【００６０】
（クルトシスＳｋｕ）
クルトシスＳｋｕは、尖度とも呼ばれ、評価対象表面の高さ分布の尖りを表す指標である。
【００６１】
前述の二次元の二乗平均平方根高さＳｑを用いると、クルトシスＳｋｕは、以下の（４）式で表される：
【００６２】
【数４】
0006766676.tif 000005
クルトシスＳｋｕは、基準高さ（Ｓｑ）に対する凸部（または凹部）の尖りの状態を表し、クルトシスＳｋｕの値が３よりも大きくなるほど、基準高さ（Ｓｑ）に対して急峻な尖った凸部（または凹部）の数が顕著に増加し、クルトシスＳｋｕの値が３よりも小さくなるほど、急峻な尖った凸部（または凹部）の数が著しく少なくなることを表す。また、クルトシスＳｋｕ＝３は、凸部（または凹部）の尖りの分布（特に、凸部（または凹部）の数と高さの関係）が、正規分布に近いことを意味する。
【００６３】
クルトシスＳｋｕの値は、前述のようなマップから得られる欠点数のランク付け結果と十分に対応した指標として、使用することができる。例えば、マスクブランクのマップから得られた欠点数がランク３に分類される場合、クルトシスＳｋｕの値は大きくなり、欠点数がランク２、さらにはランク１となるにつれ、クルトシスＳｋｕの値は徐々に小さくなる。
【００６４】
従って、例えば、マスクブランクにおいて測定されたクルトシスＳｋｕの値が、ランク３のマッピング状態に対応する場合、マッピング検査で得られた欠点には、相応の擬似欠点が含まれるものと判断することができる。この場合、実欠点の把握は難しくなる。
【００６５】
また、逆に、マスクブランクにおいて測定されたクルトシスＳｋｕの値が、ランク２を下まわるマッピング状態（例えば、後述する「ランク１」または「ランク０」）に対応する場合には、マッピング検査で得られた欠点は、あまり擬似欠点を含まず、実欠点をほぼ適正に検出しているものと判断することができる。
【００６６】
後述するように、本願発明者らによる実験の結果では、クルトシスＳｋｕの値が１０未満の場合、得られるマップは、ランク２を下まわる（すなわち、ランク０またはランク１の）マッピング状態となる。従って、この場合、マッピング結果から、実欠点の数および位置を、ある程度正確に把握することができる。
【００６７】
特に、クルトシスＳｋｕは、Ｓｋｕ＜８を満たすことが好ましく、Ｓｋｕ＜６を満たすことがさらに好ましい。
【００６８】
なお、本願において、スキューネスＳｓｋおよびクルトシスＳｋｕは、０．５０Ｈｚの走査周波数で測定された際の値である。
【００６９】
（パワースペクトル密度ＰＳＤ）
パワースペクトル密度ＰＳＤは、二次元の高さ変化ｚ（ｘ，ｙ）を空間周波数領域に変換することで得られる。パワースペクトル密度ＰＳＤは、空間周波数の関数としての振幅強度を表す。
【００７０】
【数５】
0006766676.tif 000006
【００７１】
【数６】
0006766676.tif 000007
ここで、Ｆ（ｕ，ｖ）は二次元フーリエ変換を表し、Ｐ（ｕ，ｖ）はＰＳＤを示す。
【００７２】
ＰＳＤを用いることで、表面状態の変化を高さの変化だけでなく、平面方向の空間周波数に対する応答として捉えることができ、微細な表面状態を数値化することができる。従来から、微細な表面状態を管理する上で用いられてきた。例えば、空間周波数１〜１０μｍ−１のＰＳＤが５０ｎｍ４以下とすることで、微細な粗さ成分の振幅を抑えることができる。しかしながら、本願発明者らによる実験の結果から、特に微細な突起形状を管理する上ではＰＳＤよりも、Ｓｓｋ、Ｓｋｕがより感度が高い数値指標であることが明らかになり、ＰＳＤによる数値管理では十分ではないことが明らかとされている。
【００７３】
（本発明の一実施形態によるマスクブランク）
次に、図４を参照して、本発明の一実施形態について説明する。図４には、本発明の一実施形態によるマスクブランクの構成の一例を模式的に示す。
【００７４】
図４に示すように、本発明の一実施形態によるマスクブランク（以下、「第１のマスクブランク」という）１００は、第１の主面１１２および第２の主面１１４を有する基板１１０と、該基板１１０の第１の主面１１２上に設置された積層膜１２０とを有する。積層膜１２０は、基板１１０に近い側から、反射層１３０、追加層１４０、および吸収層１５０を有する。
【００７５】
反射層１３０は、ＥＵＶ光を反射する機能を有する。反射層１３０は、例えば、高屈折膜と低屈折膜の組み合わせ、またはその繰り返し構造を有する多層膜で構成される。
【００７６】
追加層１４０は、例えば、反射層１３０の保護、および／または吸収層１５０をエッチングする際のエッチング停止機能など、積層膜１２０に必要となる１以上の機能を追加するために設置される。ただし、追加層１４０は、任意に設置される層であって、必須の層ではない。
【００７７】
吸収層１５０は、ＥＵＶ光を吸収する機能を有する。
【００７８】
なお、図には示されていないが、第１のマスクブランク１００は、吸収層１５０の上に、さらに、例えば機能層のような別の層を有しても良い。
【００７９】
このような構成の第１のマスクブランク１００を使用する際には、第１のマスクブランク１００は、吸収層１５０が所望のパターンに加工され、転写プロセス用のマスク（以下、「第１のマスク」と称する）として利用される。その場合、第１のマスクは、ウエハのような被加工基板と対向する位置に、吸収層１５０の側が被加工基板と面するようにして配置される。被加工基板の表面には、レジストなどの感光材料が予め設置されている。次に、第１のマスクの吸収層１５０の側に向かって、ＥＵＶ光が照射される。
【００８０】
第１のマスクは、吸収層１５０のパターンを有するため、吸収層１５０の存在領域では、ＥＵＶ光が遮蔽される。すなわち、ＥＵＶ光は、吸収層１５０の非存在領域にて反射され、被加工基板に照射される。これにより、被加工基板の感光材料に所望のパターンを転写することができる。
【００８１】
ここで、第１のマスクブランク１００は、
吸収層１５０の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、および／または
吸収層１５０の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、Ｓｋｕ＜１０を満たす
という特徴を有する。
【００８２】
スキューネスをＳｓｋは、Ｓｓｋ＜０．７８を満たすことが好ましく、Ｓｓｋ＜０．６を満たすことがさらに好ましい。また、クルトシスＳｋｕは、Ｓｋｕ＜８を満たすことが好ましく、Ｓｋｕ＜６を満たすことがさらに好ましい。
【００８３】
前述のように、マスクブランクが多くの擬似欠点を含む場合、マスクブランクに含まれる実欠点を正確に把握することが難しくなる。
【００８４】
しかしながら、第１のマスクブランク１００は、スキューネスＳｓｋがＳｓｋ＜１．０を満たし、および／またはクルトシスＳｋｕがＳｓｋ＜１０を満たすという特徴を有する。そして、前述のように、Ｓｓｋ＜１．０および／またはＳｓｋ＜１０を満たす場合、マッピング結果から得られる欠点のランク付けは、ランク１またはランク０となる。
【００８５】
従って、このような特徴を有する第１のマスクブランク１００では、擬似欠点を有意に抑制することができる。また、これにより、第１のマスクブランク１００では、含まれ得る実欠点をより正確に評価することが可能となる。
【００８６】
（第１のマスクブランク１００の各構成部材）
ここで、第１のマスクブランク１００に含まれる各構成部材について、より詳しく説明する。
【００８７】
（基板１１０）
基板１１０は、積層膜１２０を支持するために使用される。
【００８８】
基板１１０の材質は、ＥＵＶマスクブランク用の基板として使用できる限り、特に限られない。例えば、基板１１０は、ガラスで構成されてもよい。
【００８９】
特に、基板１１０がガラスで構成される場合、基板１１０は、耐薬液性、耐熱性に優れ、熱膨張係数の小さいガラスで構成されることが好ましい。ガラスとしては、例えばＳｉＯ２を主成分とする石英ガラスが用いられる。石英ガラスは、ＴｉＯ２を含有するものであってよい。ＴｉＯ２の含有量は、例えば１〜１２質量％である。
【００９０】
（反射層１３０）
反射層１３０は、高いＥＵＶ光線反射率を有することが好ましい。例えば、反射層１３０の表面に、ＥＵＶ光を入射角６゜で照射した際に、１３．３ｎｍ〜１３．７ｎｍの波長域における光線反射率の最大値が６０％以上であることが好ましい。
【００９１】
そのような反射層１３０は、前述のように、高屈折率層と低屈折率層を交互に複数回積層させた多層膜で構成されてもよい。その場合、例えば、高屈折率層には、Ｓｉが使用され、低屈折率層にはＭｏが使用されてもよい。すなわち、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜が使用されてもよい。
【００９２】
ただし、反射層１３０は、これに限られるものではなく、例えば、Ｒｕ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ多層膜、およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ多層膜なども使用できる。
【００９３】
反射層１３０を多層膜で構成した場合、各層の膜厚および層の繰り返し単位の数は、使用する膜材料および反射層１３０に要求されるＥＵＶ光線反射率に応じて適宜選択できる。Ｍｏ／Ｓｉ膜を例にとると、１３．３ｎｍ〜１３．７ｎｍの波長域における光線反射率の最大値が６０％以上の反射層１３０とするには、多層膜は、膜厚２．３±０．１ｎｍのＭｏ層と、膜厚４．５±０．１ｎｍのＳｉ層とを、繰り返し単位数が３０〜６０になるように積層させればよい。
【００９４】
反射層１３０の表面酸化を防止するため、反射層１３０の最上層には、酸化されにくい層（例えばＳｉ層）を使用することが好ましい。ただし、この酸化防止機能は、必ずしも反射層１３０によって発現させる必要はなく、後述する追加層１４０がその機能を発揮してもよい。
【００９５】
反射層１３０の全厚は、例えば、２００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲である。
【００９６】
（追加層１４０）
必要な場合、反射層１３０と吸収層１５０の間に追加層１４０が設置される。
【００９７】
追加層１４０は、下地の反射層１３０を保護したり、酸化を防止したりする保護層であってもよい。あるいは、追加層１４０は、上部に配置される吸収層１５０をエッチング処理する際のエッチング停止層であってもよい。
【００９８】
例えば、第１のマスクブランク１００から第１のマスクを製造する際に、吸収層１５０は、ドライエッチングプロセス等により、パターン処理される場合がある。追加層１４０は、そのような吸収層１５０のパターン処理の際に、反射層１３０がダメージを受けることを抑制する役割を有してもよい。
【００９９】
追加層１４０がエッチング停止層として機能する場合、追加層１４０は、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、およびこれらの窒化物、ＲｕおよびＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）、ならびにＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3およびこれらの混合物で構成されてもよい。
【０１００】
これらの中では、特に、Ｒｕ、Ｒｕ化合物、ＳｉＯ2、およびＣｒ化合物の群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。さらに、これらの中でも、特に、ＲｕおよびＲｕ化合物（ＲｕＢ、ＲｕＳｉ等）が好ましい。
【０１０１】
一方、追加層１４０が保護層として機能する場合、追加層１４０としては、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃ、ＳｉＣ、またはこれらの元素／化合物の混合物、あるいはこれらの元素／化合物にＮ、ＯまたはＢなどを添加したものなどが使用できる。
【０１０２】
追加層１４０の厚さは、例えば、１ｎｍ〜６０ｎｍの範囲である。
【０１０３】
（吸収層１５０）
吸収層１５０は、高いＥＵＶ光の吸収率、すなわち低いＥＵＶ光線反射率を有することが好ましい。例えば、吸収層１５０の表面に、ＥＵＶ光を照射した際に、１３．３ｎｍ〜１３．７ｎｍの波長域における平均光線反射率が４．０％以下であることが好ましい。
【０１０４】
そのような特徴を発現させる場合、吸収層１５０は、例えば、Ｔａを４０ａｔ％以上、好ましくは５０ａｔ％以上、より好ましくは５５ａｔ％以上含有する材料で構成される。
【０１０５】
吸収層１５０に用いられるＴａを主成分とする材料は、Ｔａ以外にＨｆ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｂ、Ｐｄ、Ｐｔ、ＨおよびＮのうち少なくとも１種以上の元素を含有することが好ましい。
【０１０６】
Ｔａ以外の上記の元素を含有する材料の具体例としては、例えば、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＨｆ、ＴａＨｆＮ、ＴａＢＳｉ、ＴａＢＳｉＮ、ＴａＢ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＳｉＮ、ＴａＧｅ、ＴａＧｅＮ、ＴａＺｒ、ＴａＺｒＮ、ＴａＰｄ、ＴａＰｄＮ、ＴａＰｔ、ＴａＰｔＮ、などが挙げられる。ただし、吸収層１５０は、酸素を含まないことが好ましい。
【０１０７】
具体的には、吸収層１５０中の酸素の含有率は、２５ａｔ％未満であることが好ましい。
【０１０８】
吸収層１５０は、例えば、３０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲の厚さを有する。
【０１０９】
（その他）
さらに、第１のマスクブランク１００は、基板１１０の第２の主面１１４の側に、導電層を有してもよい。
【０１１０】
そのような導電層は、第１のマスクブランク１００を静電吸着方式で保持する際に有益である。例えば、基板１１０の第２の主面１１４が導電層を有する場合、静電チャックを用いて基板１１０を保持し、この状態で、基板１１０の第１の主面１１２などに対して、成膜処理などの各種ハンドリングを行うことができる。
【０１１１】
導電層は、例えば、Ｓｉ、ＴｉＮ、Ｍｏ、Ｃｒ、ＣｒＮ、ＣｒＯ、またはＴａＳｉ等で構成されてもよい。導電層は、シート抵抗が１００Ω／□以下であってもよく、導電層の厚さは、例えば１０ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【０１１２】
（本発明の一実施形態による別のマスクブランク）
次に、図５を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。
【０１１３】
図５には、本発明の一実施形態による別のマスクブランクの構成の一例を模式的に示す。
【０１１４】
図５に示すように、本発明の一実施形態による別のマスクブランク（以下、「第２のマスクブランク」という）２００は、前述の図４に示した第１のマスクブランク１００とほぼ同様の構成を有する。
【０１１５】
ただし、第２のマスクブランク２００は、吸収層２５０の上に、低反射層２６０を有する点で、第１のマスクブランク１００とは異なっている。すなわち、第２のマスクブランク２００において、積層膜２２０は、反射層２３０、追加層２４０、吸収層２５０、および低反射層２６０を有する。なお、前述のように、追加層２４０は、任意に設置される層であって、省略されてもよい。
【０１１６】
通常、ＥＵＶ露光用のマスクブランクからマスクを製造する際には、吸収層がパターン化される。この吸収層パターンが設計通りに形成されているかどうかを確認する際に、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの範囲の波長を有する検査光による検査が行われる。第２のマスクブランク２００において、低反射層２６０は、そのような検査を容易にするために使用される。
【０１１７】
すなわち、吸収層のパターン検査は、吸収層がある領域と、吸収層がない領域の間で、検査光の反射率が異なることを利用して行われる。この際に、吸収層２５０の上に低反射層２６０が積層されている場合、吸収層２５０のある領域と、吸収層２５０のない領域の間で、検査光の反射率の差が大きくなる。従って、低反射層２６０の設置により、吸収層２５０のパターンの検査を精度よく行うことが可能となる。
【０１１８】
ここで、第２のマスクブランク２００も、
低反射層２６０の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、および／または
低反射層２６０の側の表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、Ｓｋｕ＜１０を満たす
という特徴を有する。スキューネスをＳｓｋは、Ｓｓｋ＜０．７８を満たすことが好ましく、Ｓｓｋ＜０．６を満たすことがさらに好ましい。また、クルトシスをＳｋｕは、Ｓｋｕ＜８を満たすことが好ましく、Ｓｋｕ＜６を満たすことがさらに好ましい。
【０１１９】
このため、第２のマスクブランク２００においても、第１のマスクブランク１００と同様の効果、すなわち、擬似欠点を有意に抑制することができ、これにより、含まれ得る実欠点をより正確に評価できるという効果を得ることができる。
【０１２０】
なお、図には示されていないが、第２のマスクブランク２００は、低反射層２６０の上に、さらに、例えば機能層のような別の層を有しても良い。
【０１２１】
（低反射層２６０）
ここで、第２のマスクブランク２００に含まれる低反射層２６０の構成について、簡単に説明する。
【０１２２】
低反射層２６０は、吸収層２５０のパターンを検査する検査光に対して、吸収層２５０よりも低い反射率を有する。検査光としては、例えば２５７ｎｍ程度または１９３ｎｍ程度の波長の光が使用される。
【０１２３】
低反射層２６０は、例えば、Ｔａを含む材料で構成される。また、低反射層２６０は、Ｔａ以外にも、Ｈｆ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｂ、Ｎ、Ｈ、およびＯのうち少なくとも１種以上の元素を含んでもよい。
【０１２４】
低反射層２６０は、例えば、ＴａＯ、ＴａＯＮ、ＴａＯＮＨ、ＴａＢＯ、ＴａＨｆＯ、ＴａＨｆＯＮ、ＴａＢＳｉＯ、ＴａＢＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等で構成されてもよい。
【０１２５】
吸収層２５０と低反射層２６０の厚さの合計は、例えば、１０ｎｍ〜９０ｎｍの範囲であり、合計厚さは、３０〜８５ｎｍの範囲が好ましく、３５ｎｍ〜８０ｎｍの範囲がより好ましい。
【０１２６】
低反射層２６０が吸収層２５０よりも厚い場合、吸収層２５０でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがある。このため、低反射層２６０の層厚は、吸収層２５０の層厚よりも薄いことが好ましい。
【０１２７】
例えば、低反射層２６０の厚さは、１ｎｍ〜２０ｎｍであり、１ｎｍ〜１５ｎｍであることが好ましく、１ｎｍ〜１０ｎｍであることがより好ましい。
【０１２８】
（本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法）
次に、図６を参照して、本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法の一例について説明する。
【０１２９】
図６には、本発明の一実施形態によるマスクブランクの製造方法（以下、「第１の製造方法」という）の概略的なフローを示す。
【０１３０】
図６に示すように、第１の製造方法は、
（１）基板の上部に反射層を設置するステップ（Ｓ１１０）と、
（２）前記反射層の上部に追加層を設置するステップ（Ｓ１２０）と、
（３）前記追加層の上部に吸収層を設置するステップ（Ｓ１３０）と、
を有する。ただし、（２）のステップＳ１２０は、必須の工程ではなく、省略されてもよい。その場合、（３）のステップＳ１３０では、反射層の上部に吸収層が設置される。
【０１３１】
以下、各工程について、詳しく説明する。なお、ここでは、前述の図４に示したような第１のマスクブランク１００の構成を例に、以下説明する。従って、各部材を表す際には、図４に示した参照符号を使用する。
【０１３２】
（ステップＳ１１０）
まず、基板１１０が準備される。前述のように、基板１１０の材質は、特に限られず、基板１１０は、ガラス、シリコン、金属等で構成されてもよい。
【０１３３】
次に、基板１１０の一方の主面（第１の主面１１２）に、反射層１３０が設置される。
【０１３４】
反射層１３０の形成方法は、特に限られない。反射層１３０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法を用いて成膜してもよい。
【０１３５】
例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜を成膜する場合、Ｍｏターゲットを用いてＭｏ層を成膜する工程と、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ層を成膜する工程が、交互に繰り返し行われてもよい。
【０１３６】
（ステップＳ１２０）
次に、必要な場合、反射層１３０の上に、追加層１４０が形成される。
【０１３７】
前述のように、追加層１４０は、下地の反射層１３０を保護したり、酸化を防止したりする保護層であってもよい。あるいは、追加層１４０は、エッチング停止層であってもよい。
【０１３８】
追加層１４０の形成方法は、特に限られない。追加層１４０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法を用いて成膜してもよい。
【０１３９】
（ステップＳ１３０）
次に、追加層１４０の上に、吸収層１５０が形成される。なお、追加層１４０が存在しない場合、吸収層１５０は、反射層１３０の上に形成される。
【０１４０】
吸収層１５０の形成方法は、特に限られない。吸収層１５０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法を用いて成膜してもよい。
【０１４１】
ただし、前述のように、吸収層１５０は、
表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす
という特徴を有する。
【０１４２】
このような特徴を有する吸収層１５０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法において、成膜条件を調節することにより、形成することができる。
【０１４３】
例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により、吸収層１５０を成膜する場合、成膜時のガス圧力、ガス組成、および成膜速度などを適正に制御することにより、Ｓｓｋ＜１．０、および／またはＳｋｕ＜１０を満たす吸収層１５０を形成することができる。
【０１４４】
例えば、以下の成膜条件が採用されてもよい：
ガス組成；ＡｒとＫｒとＮ２の混合ガス（Ａｒ：Ｋｒ：Ｎ２＝０〜７０ｖｏｌ％：１５〜９５ｖｏｌ％：０〜２５ｖｏｌ％）、
ガス圧力；０．２８Ｐａ以下、
成膜速度；９．０ｎｍ／ｍｉｎ以下等。
【０１４５】
以上の工程により、図４に示したような第１のマスクブランク１００を製造することができる。
【０１４６】
第１の製造方法により製造されるマスクブランクは、吸収層１５０の表面が前述のように制御されている。このため、この第１の製造方法では、擬似欠点が有意に抑制されたマスクブランクを提供することができる。また、これにより、この第１の製造方法では、製造されるマスクブランクに含まれ得る実欠点をより正確に評価することが可能となる。
【０１４７】
（本発明の一実施形態による別のマスクブランクの製造方法）
次に、図７を参照して、本発明の一実施形態による別のマスクブランクの製造方法の一例について説明する。
【０１４８】
図７には、本発明の一実施形態による別のマスクブランクの製造方法（以下、「第２の製造方法」という）の概略的なフローを示す。
【０１４９】
図７に示すように、第２の製造方法は、
（１）基板の上部に反射層を設置するステップ（Ｓ２１０）と、
（２）前記反射層の上部に追加層を設置するステップ（Ｓ２２０）と、
（３）前記追加層の上部に吸収層を設置するステップ（Ｓ２３０）と、
（４）前記吸収層の上部に低反射層を設置するステップ（Ｓ２４０）と、
を有する。ただし、（２）のステップＳ２２０は、必須の工程ではなく、省略されてもよい。その場合、（３）のステップＳ２３０では、反射層の上部に吸収層が設置される。
【０１５０】
なお、第２の製造方法において、ステップＳ２１０〜ステップＳ２３０の工程は、それぞれ、前述の第１の製造方法におけるステップＳ１１０〜Ｓ１３０の工程とほぼ同様である。そこで、ここではステップＳ２４０以降の工程について説明する。また、説明を明確にするため、ここでは前述の図５に示したような第２のマスクブランク２００の構成を例に、以下説明する。従って、各部材を表す際には、図５に示した参照符号を使用する。
【０１５１】
（ステップＳ２４０）
本ステップＳ２４０では、ステップＳ２３０で形成された吸収層２５０の上に、低反射層２６０が形成される。
【０１５２】
ここで、前述のように、低反射層２６０の「低反射」とは、１９０ｎｍ〜２６０ｎｍの波長を有するパターン検査用の検査光に対して、反射が有意に抑制されることを意味する。
【０１５３】
低反射層２６０の形成方法は、特に限られない。低反射層２６０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法を用いて成膜してもよい。
【０１５４】
ただし、低反射層２６０は、
表面の１μｍ×１μｍの領域におけるスキューネスをＳｓｋとしたとき、前記スキューネスは、Ｓｓｋ＜１．０を満たし、または
表面の１μｍ×１μｍの領域におけるクルトシスをＳｋｕとしたとき、前記クルトシスは、Ｓｋｕ＜１０を満たす
という特徴を有する。
【０１５５】
このような特徴を有する低反射層２６０は、例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法などの成膜方法において、成膜条件を調節することにより、形成することができる。
【０１５６】
例えば、マグネトロンスパッタリング法またはイオンビームスパッタリング法により、低反射層２６０を成膜する場合、成膜時のガス圧力、ガス組成、および成膜速度などを適正に制御することにより、Ｓｓｋ＜１．０、および／またはＳｋｕ＜１０を満たす低反射層２６０を形成することができる。
【０１５７】
例えば、以下の成膜条件が採用されてもよい：
ガス組成；ＡｒとＯ２とＮ２の混合ガス（Ａｒ：Ｏ２：Ｎ２＝４０〜８０ｖｏｌ％：１０〜５０ｖｏｌ％：０〜３０ｖｏｌ％）、
ガス圧力；０．３０Ｐａ以下、
成膜速度；９．０ｎｍ／ｍｉｎ以下等。
【０１５８】
なお、低反射層２６０が１０ｎｍ以下の厚さの場合、低反射層２６０の表面状態は、下地の吸収層２５０の表面状態を反映する。
【０１５９】
従って、そのような「薄い」低反射層２６０を使用する場合、前述のようなスキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕを得るために、低反射層２６０の成膜条件を精密に調整する必要はない。
【０１６０】
換言すれば、低反射層２６０が「薄い」場合、前述のようなスキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕを有する吸収層２５０を予め形成しておけば、低反射層２６０の成膜後にも、最表面において、そのようなスキューネスＳｓｋおよび／またはクルトシスＳｋｕの状態が維持される。
【０１６１】
以上の工程により、図５に示したような第２のマスクブランク２００を製造することができる。
【０１６２】
第２の製造方法により製造されるマスクブランクは、低反射層２６０の表面が前述のように制御されている。このため、この第２の製造方法では、擬似欠点が有意に抑制されたマスクブランクを提供することができる。また、これにより、この第２の製造方法では、製造されるマスクブランクに含まれ得る実欠点をより正確に評価することが可能となる。
【実施例】
【０１６３】
以下、本発明の実施例について説明する。
【０１６４】
（実施例１）
以下の方法で、マスクブランクを製造した。
【０１６５】
まず、基板として、縦１５２．４ｍｍ×横１５２．４ｍｍ×厚さ６．３ｍｍのガラス基板（ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系）を準備した。
【０１６６】
このガラス基板は、熱膨張率が０．２×１０−７／℃、ヤング率が６７ＧＰａ、ポアソン比が０．１７、比剛性が３．０７×１０７ｍ２／ｓ２である。ガラス基板は、主面の表面粗さ（二乗平均平方根高さＳｑ）が０．１５ｎｍ以下、平坦度が１００ｎｍ以下となるように研磨して使用した。
【０１６７】
次に、ガラス基板の一方の面（第２の主面）に、導電層を形成した。導電層は、ＣｒＮ層とし、マグネトロンスパッタリング法により、厚さが約１００ｎｍとなるように成膜した。導電層のシート抵抗は、１００Ω／□以下である。
【０１６８】
次に、静電チャックを用いて、導電層を介した静電吸着方式により、ガラス基板を成膜チャンバ内に固定した。この状態で、ガラス基板の第１の主面に、反射層を成膜した。
【０１６９】
成膜には、イオンビームスパッタリング法を用い、厚さ２．３ｎｍのＭｏ層と厚さ４．５ｎｍのＳｉ層を交互に５０回ずつ成膜することにより、Ｍｏ／Ｓｉの多層膜を形成した。
【０１７０】
Ｍｏ層の成膜には、Ｍｏターゲットを用い、Ａｒガス雰囲気下でイオンビームスパッタリングを実施した（ガス圧：０．０２Ｐａ）。印加電圧は７００Ｖとし、成膜速度は３．８４ｎｍ／ｍｉｎとした。
【０１７１】
一方、Ｓｉ層の成膜には、ホウ素をドープしたＳｉターゲットを用い、Ａｒガス雰囲気下でイオンビームスパッタリングを実施した（ガス圧：０．０２Ｐａ）。印加電圧は７００Ｖとし、成膜速度は４．６２ｎｍ／ｍｉｎとした。
【０１７２】
多層膜の総厚さ（目標値）は、（２．３ｎｍ＋４．５ｎｍ）×５０回＝３４０ｎｍである。なお、多層膜の最上層は、Ｓｉ層とした。
【０１７３】
次に、イオンビームスパッタリング法により、反射層の上に追加層を形成した。
【０１７４】
追加層はＲｕ層とし、Ｒｕターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でイオンビームスパッタリングを実施した（ガス圧：０．０２Ｐａ）。印加電圧は７００Ｖとし、成膜速度は３．１２ｎｍ／ｍｉｎとした。追加層の膜厚は、２．５ｎｍとした。
【０１７５】
次に、追加層の上に、マグネトロンスパッタリング法により、吸収層を形成した。
【０１７６】
吸収層は、ＴａＮ層とし、Ｔａターゲットを用いて、ＫｒとＮ２の混合ガス（Ｋｒ＝８９ｖｏｌ％、Ｎ２＝１１ｖｏｌ％）雰囲気下で、マグネトロンスパッタリングを実施した（ガス圧：０．１８Ｐａ）。成膜速度は、７．７ｎｍ／ｍｉｎとし、膜厚は、７５ｎｍとした。
【０１７７】
次に、吸収層の上に、マグネトロンスパッタリング法により、低反射層を形成した。
【０１７８】
低反射層は、ＴａＯＮ層とし、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒ、Ｏ２、およびＮ２の混合ガス（Ａｒ＝６０ｖｏｌ％、Ｏ２＝３０ｖｏｌ％、Ｎ２＝１０ｖｏｌ％）雰囲気下で、マグネトロンスパッタリングを実施した（ガス圧：ガス圧：０．２９Ｐａ）。成膜速度は１．３２ｎｍ／ｍｉｎとした。低反射層の膜厚は、５ｎｍとした。
【０１７９】
これにより、実施例１に係るマスクブランク（サンプル１という）が製造された。
【０１８０】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１８１】
ただし、この実施例２では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスにおけるＫｒとＮ２の混合比（体積比）を、９１：９とした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１８２】
製造されたサンプルを、「サンプル２」と称する。
【０１８３】
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１８４】
ただし、この実施例３では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスにおけるＫｒとＮ２の混合比（体積比）を、９３：７とした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１８５】
製造されたサンプルを、「サンプル３」と称する。
【０１８６】
（実施例４）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１８７】
ただし、この実施例４では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合ガスを使用した。Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合比は、６７：１７：１６とした。またガス圧は、０．２６Ｐａとした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１８８】
製造されたサンプルを、「サンプル４」と称する。
【０１８９】
（実施例５）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１９０】
ただし、この実施例５では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスにおけるＫｒとＮ２の混合比（体積比）を、９５：５とした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１９１】
製造されたサンプルを、「サンプル５」と称する。
【０１９２】
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１９３】
ただし、この比較例１では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合ガスを使用した。Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合比は、６７：１７：１６とした。またガス圧は、０．３０Ｐａとした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１９４】
製造されたサンプルを、「サンプル６」と称する。
【０１９５】
（比較例２）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１９６】
ただし、この比較例２では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合ガスを使用した。Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合比は、６７：１７：１６とした。またガス圧は、０．３２Ｐａとした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０１９７】
製造されたサンプルを、「サンプル７」と称する。
【０１９８】
（比較例３）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０１９９】
ただし、この比較例３では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合ガスを使用した。Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合比は、６７：１７：１６とした。またガス圧は、０．３６Ｐａとした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０２００】
製造されたサンプルを、「サンプル８」と称する。
【０２０１】
（比較例４）
実施例１と同様の方法により、マスクブランクを製造した。
【０２０２】
ただし、この比較例４では、マグネトロンスパッタリング法によりＴａＮ吸収層を成膜する際の条件を、実施例１の場合とは変化させた。より具体的には、混合ガスとして、Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合ガスを使用した。Ａｒ、Ｋｒ、およびＮ２の混合比は、６７：１７：１６とした。またガス圧は、０．３８Ｐａとした。その他の条件は、実施例１と同様である。
【０２０３】
製造されたサンプルを、「サンプル９」と称する。
【０２０４】
以上により、９種類のマスクブランクが製造された。
【０２０５】
（評価）
前述のようにして製造された各サンプルを用いて、以下の評価を行った。
【０２０６】
（欠点のマッピング評価）
可視光レーザ光の欠点検査装置（Ｍ１３５０：レーザーテック社製）を用いて、各サンプルの低反射層側の表面に対して、マッピング評価を実施した。評価領域は、１３２ｍｍ×１３２ｍｍの範囲とした。
【０２０７】
（スキューネスＳｓｋおよびクルトシスＳｋｕの評価）
原子間力顕微鏡装置（ＡＦＭ：ＳＩＩ社製）を用いて、各サンプルの低反射層側の表面粗さを測定した。得られた表面粗さ（高さ変位成分）を、前述の（３）式および（４）式に基づき計算し、スキューネスＳｓｋおよびクルトシスＳｋｕを評価した。評価領域は、１μｍ×１μｍの範囲とした。Ｓｓｋ、Ｓｋｕの評価にはイメージ解析ソフト（ＳＰＩＰ  Ｖｅｒ．６．３．４：イメージメトロロジー社製）を使用したが、（３）式および（４）式に従えば、評価方法はその限りではない。
【０２０８】
（結果）
図８には、サンプル１において得られたマッピング結果を示す。また、図９には、サンプル４において得られたマッピング結果を示す。さらに、前述の図１〜図２には、それぞれ、サンプル７、およびサンプル９において得られたマッピング結果を示す。
【０２０９】
図８、図１および図２のマッピング結果の比較から、サンプル１において得られたマップでは、サンプル７およびサンプル９に比べて、欠点を示すプロット点の密度が大きく減少していることがわかる。
【０２１０】
同様に、図９、図１および図２のマッピング結果の比較から、サンプル４において得られたマップでは、サンプル７およびサンプル９に比べて、欠点を示すプロット点の密度が大きく減少していることがわかる。特に、図８および図９の比較から、サンプル１において得られたマップは、サンプル４のマップに比べても、プロット点の密度が有意に減少していることがわかる。
【０２１１】
このように、図９に示したマップでは、図１に示したマップのランク２を下まわるプロット点の密度状態にあり、このようなマッピング状態は、ランク１とランク付けすることができる。また、図８に示したマップでは、図９に示したマップのランク１を下まわるプロット点の密度状態にあり、このようなマッピング状態は、ランク０とランク付けすることができる。
【０２１２】
なお、図には示さないが、サンプル２〜サンプル３の場合、図８に示したマッピング結果と同様の結果が得られ、すなわちランク０のマッピング状態が得られることがわかった。また、サンプル５の場合、図９に示したマッピング結果と同様の結果が得られ、すなわちランク１のマッピング状態が得られることがわかった。
【０２１３】
これに対して、サンプル６は、マッピング結果からランク２に分類され、サンプル８は、マッピング結果からランク３に分類されることがわかった。
【０２１４】
図１０には、各サンプルに対して得られたスキューネスＳｓｋとマッピング結果から得られたランクの間の関係を示す。また、図１１には、各サンプルに対して得られたクルトシスＳｋｕと、マッピング結果から得られたランクの間の関係を示す。
【０２１５】
さらに、以下の表１には、各サンプルに対して得られたスキューネスＳｓｋおよびクルトシスＳｋｕの結果をまとめて示す。
【０２１６】
【表１】
0006766676.tif 000008
なお、表１には、参考のため、各サンプルにおいて得られた低反射層側の表面の二乗平均平方根高さＳｑの値も、合わせて記載した（評価領域１μｍ×１μｍ）。
【０２１７】
図１０において、横軸は、マッピング結果から得られたランクを表し、縦軸は、スキューネスＳｓｋを示している。同様に、図１１において、横軸は、マッピング結果から得られたランクを表し、縦軸は、クルトシスＳｋｕを示している。
【０２１８】
図１０から、マッピング結果から得られたランクとスキューネスＳｓｋの間には、良好な相関があることがわかる。また、スキューネスＳｓｋがＳｓｋ＜１．０を満たす場合、そのようなサンプルのマッピング結果は、少なくともランク１以下に対応することがわかる。
【０２１９】
この結果から、Ｓｓｋ＜１．０を満たすマスクブランクを得ることにより、欠点のマッピング結果に及ぼす擬似欠点の影響を、有意に抑制することができることが確認された。この場合、マッピング結果から、実欠点をより容易かつ正確に把握することが可能になる。
【０２２０】
同様に、図１１から、マッピング結果から得られたランクとクルトシスＳｋｕの間には、良好な相関があることがわかる。また、クルトシスＳｋｕがＳｋｕ＜１０を満たす場合、そのようなサンプルのマッピング結果は、少なくともランク１以下に対応することがわかる。
【０２２１】
この結果から、Ｓｋｕ＜１０を満たすマスクブランクを得ることにより、欠点のマッピング結果に及ぼす擬似欠点の影響を、有意に抑制することができることが確認された。この場合、マッピング結果から、実欠点をより容易かつ正確に把握することが可能になる。
【０２２２】
サンプル７に着目すると、Ｓｑの値が最も小さいことがわかる。このとき、（６）式に基づきＰＳＤを評価すると、空間周波数１〜１０μｍ−１のＰＳＤが４６．８ｎｍ４となり、Ｓｑ、ＰＳＤ共に十分小さい値を示している。しかしながら、そのようなマッピング結果は、ランク２に対応することが分かる。この結果から、Ｓｑ、ＰＳＤの値のみ小さくすることでは、マッピング結果に及ぼす疑似欠点の影響を、有意に抑制することができないことが確認された。従って、マッピング結果に及ぼす疑似欠点の影響を有意に抑制する上では、ＳｓｋおよびＳｋｕの値を一定以下に保つことが有効であることが認められる。
【符号の説明】
【０２２３】
１００      第１のマスクブランク
１１０      基板
１１２      第１の主面
１１４      第２の主面
１２０      積層膜
１３０      反射層
１４０      追加層
１５０      吸収層
２００      第２のマスクブランク
２１０      基板
２１２      第１の主面
２１４      第２の主面
２２０      積層膜
２３０      反射層
２４０      追加層
２５０      吸収層
２６０      低反射層
【図１】
0006766676.tif 000009
【図２】
0006766676.tif 000010
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
0006766676.tif 000017
【図１０】
0006766676.tif 000018
【図１１】
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