(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられ、前記基板側から、下部電極、有機化合物層及び上部電極をこの順で有する発光素子を各々が有する複数の画素と、
前記発光素子の前記下部電極と前記有機化合物層との間に配置され、前記発光素子の発光領域を画定する開口を有し、無機材料よりなる隔壁層と、
前記隔壁層上に設けられ、前記有機化合物層から、前記基板の面内方向において離間して配置され、上面が平坦化された樹脂材料よりなる樹脂層と、
前記発光素子及び前記樹脂層を覆う無機材料よりなる封止層と、を有し、
前記有機化合物層は、前記複数の画素が配置された領域に渡って連続して配置されている
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記複数の画素を駆動する画素回路が前記基板上に配置され、
前記樹脂層は、前記画素回路の上方に配置されており、前記画素回路により形成される凹凸を平坦化する
ことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記画素回路は、前記画素の前記基板の短手方向における隣に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の画素の前記発光素子のそれぞれに接続された配線が前記基板上に配置され、
前記樹脂層は、前記配線の上方に配置されており、前記配線により形成される凹凸を平坦化する
ことを特徴とする請求項２又は３記載の発光装置。
【請求項５】
前記配線は、前記画素の前記基板の短手方向における隣に配置されている
ことを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記画素回路、前記画素、前記配線は、前記基板の短手方向において、この順で配置されている
ことを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記基板上に配置され、前記発光素子が形成された空間を封止する封止基板を更に有する
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記封止層と前記封止基板とが、離間している
ことを特徴とする請求項７記載の発光装置。
【請求項９】
封止された前記空間に吸湿剤をさらに有する
ことを特徴とする請求項７又は８記載の発光装置。
【請求項１０】
前記樹脂層は、前記基板の主面方向からの平面視において、前記有機化合物層と重ならない
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
感光体と、前記感光体を露光する露光部と、前記感光体を帯電する帯電部と、前記感光体に現像剤を付与する現像部と、を有する画像形成装置であって、
前記露光部は、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置を有し、
前記複数の画素の前記発光素子は、前記感光体の長軸方向に沿って配置されている
ことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びその製造方法に係り、特に、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真技術に基づくレーザースキャン方式のプリンターが広く普及している。一般的なレーザービームプリンターは、レーザー光源から出射された光をスキャンユニットで走査して感光体を露光するが、レーザースキャンユニットはその構造上、装置サイズを小さくすることが難しい。
【０００３】
一方で、発光素子を列状に配置し、その発光を制御し、これを光源として感光体を露光する方式のレーザービームプリンターが検討されている。この方式は、光源ユニットを小さくすることができるため、プリンター装置のサイズダウンを図るうえで有用である。特に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と表記する）は、高精細、低消費電力の発光素子であり、プリンター装置の光源ユニット用の発光素子に好適である。
【０００４】
有機ＥＬ素子は、優れた発光素子である一方で、水分によってその特性が劣化してしまうことが知られている。したがって、有機ＥＬ素子の発光性能を維持するためには、如何にして発光素子への水分の移動を抑制するかが重要である。
【０００５】
特許文献１には、電極に生成したピンホールから侵入した水分が、有機ＥＬ素子の発光領域を区分する樹脂材料からなる隔壁層へ拡散し、有機ＥＬ素子の発光特性を劣化する現象と、これを抑制する技術が開示されている。具体的には、特許文献１は、ピンホールが生じる支持体と隔壁層との間に溝を設けることで水分の移動を抑制することを提案している。なお、特許文献１には、有機ＥＬ素子の封止形態として、封止基板を用いた中空封止の技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、本発明者らの検討により、樹脂材料よりなる隔壁層には微量の水分が内在しており、この水分が有機ＥＬ素子へと移動して素子の劣化を引き起こす場合があることが判明した。また、膜封止の封止形態を実施する場合、封止欠陥部分を通して外部雰囲気から隔壁への直接的な水分移動を無視することができず、この水分が樹脂材料中を移動して素子劣化を引き起こす場合がある。
【０００８】
本発明の目的は、水分による有機ＥＬ素子の特性劣化を効果的に抑制しうる発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、基板上に設けられ、前記基板側から、下部電極、有機化合物層及び上部電極をこの順で有する発光素子を各々が有する複数の画素と、前記発光素子の前記下部電極と前記有機化合物層との間に配置され、前記発光素子の発光領域を画定する開口を有し、無機材料よりなる隔壁層と、前記隔壁層上に設けられ、前記有機化合物層から、前記基板の面内方向において離間して配置され、上面が平坦化された樹脂材料よりなる樹脂層と、前記発光素子及び前記樹脂層を覆う無機材料よりなる封止層と、を有し、前記有機化合物層は、前記複数の画素が配置された領域に渡って連続して配置されている発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層に水分が到達するのを抑制することができる。これにより、水分による有機ＥＬ素子の特性劣化を効果的に抑制し、発光装置の信頼性を向上するとともに、長寿命化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１実施形態による発光装置の構造を示す上面図（その１）である。
【図２】本発明の第１実施形態による発光装置の構造を示す上面図（その２）である。
【図３】本発明の第１実施形態による発光装置の構造を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による発光装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図５】本発明の第１実施形態による発光装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図６】本発明の第２実施形態による発光装置の構造を示す概略断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態による画像形成装置を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用できる。
【００１３】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による発光装置及びその製造方法について図１乃至図５を用いて説明する。
【００１４】
図１及び図２は、本実施形態による発光装置の構造を示す上面図である。図３は、本実施形態による発光装置の構造を示す概略断面図である。図４及び図５は、本実施形態による発光装置の製造方法を示す工程断面図である。
【００１５】
はじめに、本実施形態による発光装置の構造について図１乃至図３を用いて説明する。
【００１６】
本実施形態による発光装置１００は、図１に示すように、基板１０上に配置された、複数の画素１２、複数の画素回路１４、電源線１６、走査回路１８、データ線２０等を有している。
【００１７】
画素１２は、有機ＥＬ素子からなる。複数の画素１２は、長尺状の基板１０上に、基板１０の長手方向に沿って列状に並べて配置されている。図１には簡略化のために画素１２を１列に並べた例を示しているが、画素１２の列を２列以上並べてもよい。また、複数の画素１２を、列方向に沿って千鳥配列状にジグザグに配置してもよい。また、図１には簡略化のために列方向に１６個の画素１２を並べた例を示しているが、列方向に並べる画素１２の数は、これに限定されるものではない。列方向に並べる画素１２の数は、露光する画像の幅や解像度に応じて適宜決定することができる。
【００１８】
画素回路１４は、基板１０上に、画素１２の列に隣接して平行に、列状に並んで配置されている。画素回路１４は、画素１２の駆動電流を制御するためのものであり、１つの画素１２に対して１つずつ配置されている。画素回路１４は、画素１２の、基板１０の短手方向における隣に配置されている。
【００１９】
電源線１６及び走査回路１８は、基板１０上に、画素回路の列の隣に配置されている。また、データ線２０は、画素１２の基板１０の短手方向における隣に配置されている。画素回路１４、電源線１６、走査回路１８、データ線２０は、複数の画素１２を駆動するための駆動回路を構成する。画素回路１４及び走査回路１８は、例えば薄膜トランジスタなどのスイッチング素子や、アルミニウムやモリブデン等の金属配線などにより形成されている。電源線１６及びデータ線２０も、同様の金属配線により形成されている。
【００２０】
本実施形態による発光装置１００のように複数の画素１２を列状に並べて配置する発光装置では、画素１２を駆動するための駆動回路は、画素領域の周囲４辺に配置することは困難なため、図１に示すように、画素１２の列を挟む両側部の２辺に配置される。基板１０の短手方向において、画素回路１４、画素１２、データ線２０が、この順で配置されているということもできる。なお、図１は、画素回路１４、電源線１６、走査回路１８及びデータ線２０の配置の一例を示したものである。画素回路１４、電源線１６、走査回路１８及びデータ線２０を画素１２の列のどちら側に配置するか、どの順番で配置するか、については、個々に決定することができる。
【００２１】
このような発光装置１００において、各画素１２に対応した駆動回路から適宜入力される制御信号により、各画素１２の発光が制御される。この光で感光体を露光することで、電子写真方式のプリンター等の機器が構築できる。
【００２２】
図１の発光装置１００におけるＡ−Ａ′線に沿った概略断面図を、図３に示す。
【００２３】
ガラス基板等よりなる基板１０上には、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）や窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁材料よりなるアンダーコート層３０が形成されている。アンダーコート層３０上には、チャネル層３２、ゲート絶縁膜３４及びゲート電極３６を含む薄膜トランジスタ３８が形成されている。薄膜トランジスタ３８は、画素回路１４や走査回路１８等の駆動回路を構成するスイッチング素子である。
【００２４】
薄膜トランジスタ３８が形成されたアンダーコート層３０上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜４０が形成されている。層間絶縁膜４０上には、層間絶縁膜４０に形成された接続孔を介して薄膜トランジスタ３８のチャネル層３２やゲート電極３６に電気的に接続されたソース／ドレイン電極４２や、電源線１６やデータ線２０を構成する金属配線４４が形成されている。
【００２５】
ソース／ドレイン電極４２や金属配線４４等が形成された層間絶縁膜４０上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜４６が形成されている。層間絶縁膜４６上には、層間絶縁膜４６に形成された接続孔を介して薄膜トランジスタ３８のソース／ドレイン電極４２に電気的に接続された下部電極４８が形成されている。
【００２６】
下部電極４８が形成された層間絶縁膜４６上には、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる隔壁層５０が形成されている。隔壁層５０は、発光素子である有機ＥＬ素子６０の発光領域を画定するためのものであり、下部電極４８上の所定の発光領域に、開口部５２が設けられている。隔壁層５０上には、開口部５２内において下部電極４８に接し、開口部５２内から隔壁層５０上に延在して、発光層を含む有機化合物層５４が形成されている。有機化合物層５４は、図２に示すように、複数の画素１２が配置された領域に渡って連続して配置されている。
【００２７】
隔壁層上（隔壁層５０上）には、また、樹脂材料、例えばポリアクリルやポリイミド等よりなる平坦化層５６が形成されている。平坦化層５６は、図２に示すように、画素回路１４、電源線１６、走査回路１８及びデータ線２０を含む制御回路の上方に選択的に形成されている。換言すると、平坦化層５６は、画素１２上、より具体的には、有機化合物層５４上には延在しないように配置されている。有機化合物層５４と平坦化層５６との間には、図２及び図３に示すように、間隔Ｐが設けられている。間隔Ｐは、１０μｍ以上であることが好ましい。
【００２８】
有機化合物層５４上には、隔壁層５０上及び平坦化層５６上に延在して、上部電極５８が形成されている。これにより、下部電極４８、有機化合物層５４及び上部電極５８を有する有機ＥＬ素子６０が構成されている。下部電極４８、有機化合物層５４及び上部電極５８は、基板側（基板１０側）からこの順番で順次積層されている。なお、図１及び図２において、画素１２は、有機ＥＬ素子６０の発光領域、すなわち、隔壁層５０に設けられた開口部５２の部分に相当する。
【００２９】
上部電極５８が形成された平坦化層５６上には、無機絶縁材料、例えば窒化シリコンや酸化シリコンよりなる封止層６２が形成されている。基板１０の全体を無機材料からなる封止層６２で封止することにより、基板１０上に形成された有機ＥＬ素子６０等の素子を外部雰囲気から遮断することができる。封止層６２としては窒化シリコンなどの無機材料が好適である。なお、本明細書では、基板１０の表面上に堆積した封止層６２によって封止を行う手法を、「膜封止」と表記することがある。
【００３０】
本実施形態による発光装置１００は、前述のように、隔壁層５０を無機材料により構成していることを１つの特徴としている。隔壁層５０は、有機ＥＬ素子６０の発光領域を画定するためのものであり、有機化合物層５４に直に接して形成される。隔壁層５０を有機材料により形成する場合、例えばポリアクリルやポリイミド等の感光性樹脂が用いられるが、その材料特性上、水分が内在しており、この水分を完全に消失させることは困難である。このため、隔壁層５０を有機材料により形成すると、隔壁層５０に内在する水分によって有機化合物層５４が劣化し、ひいては有機ＥＬ素子６０の発光特性が損なわれる場合があることが、本発明者等によって見出された。そこで、本実施形態による発光装置１００では、隔壁層５０を、窒化シリコンや酸化シリコン等の無機絶縁材料により形成し、隔壁層５０からの水分による有機ＥＬ素子６０の発光特性の劣化を抑制している。
【００３１】
一方、画素回路１４、電源線１６、走査回路１８及びデータ線２０を構成する駆動回路の形成領域には、薄膜トランジスタ等のスイッチング素子や金属配線等が配置されるため、それらの表面上には大きな凹凸が形成される。このような大きな凹凸のある下地上に封止層６２を形成すると、凹凸部分から封止層６２に欠陥が発生し、封止層６２の封止性能を低下する虞がある。このような下地の凹凸は、隔壁層５０を厚く形成することによって緩和することは可能である。
【００３２】
しかしながら、無機材料の隔壁層５０を、有機材料を用いた場合と同等にまで厚く形成すると、有機材料を用いた場合よりも開口部５２のテーパ角度が大きくなり、薄膜の積層体により構成される有機ＥＬ素子６０の開口部５２内への形成が困難となる。このため、無機材料の隔壁層５０は、有機材料を用いた隔壁層と同等に厚く形成することは困難である。このような観点から、本実施形態による発光装置１００では、隔壁層５０上に、樹脂材料よりなる平坦化層５６を配置している。
【００３３】
平坦化層５６の機能の一つは、基板１０上のソース／ドレイン電極４２及び金属配線４４等の配線やスイッチング素子等によって生じる凹凸を被覆して表面の凹凸を低減することである。これは、封止形態として無機材料を用いた膜封止を実施する場合に特に有効である。基板１０表面の凹凸が表面に残存した状態で膜封止を行った場合、封止層６２がその凹凸を被覆できず、封止層６２に欠陥が発生して外部雰囲気から水分が侵入する虞があるからである。
【００３４】
また、平坦化層５６の他の一つの機能は、上部電極５８とソース／ドレイン電極４２及び金属配線４４等との間に生じる寄生容量を低減することである。上部電極５８とソース／ドレイン電極４２及び金属配線４４との間の間隔が狭いと、これらの間の寄生容量が大きくなり、入力信号の遅延などの障害が生じてしまう。平坦化層５６は、０．５μｍ以上であることが好ましい。樹脂を用いることで０．５μｍ〜数μｍ程度の厚さで容易に形成できるため、製造工程を複雑にすることなく寄生容量を容易に低減することができる。
【００３５】
平坦化層５６には、ポリアクリルやポリイミドなどの感光性樹脂を好適に用いることができる。ただし、これら有機材料は、前述のように、その材料特性上、水分が内在しており、この水分を完全に消失させることは難しい。また、膜封止の際に、基板の表面に異物が存在していると、封止欠陥が発生することがある。特に、平坦化層５６の表面に異物等が存在し、封止欠陥が発生すると、その欠陥を通して外部雰囲気から侵入した水分が平坦化層５６内を移動、拡散する虞がある。
【００３６】
この点、本実施形態による発光装置１００においては、図２及び図３に示すように、平坦化層５６と有機化合物層５４との間に間隔Ｐを設け、有機化合物層５４を平坦化層５６から離間した構造としている。そして、平坦化層５６と有機化合物層５４との間には、無機材料からなる隔壁層５０、上部電極５８、無機材料からなる封止層６２が存在している。したがって、平坦化層５６内に水分が存在していた場合や、封止欠陥を介して平坦化層５６内へ水分が侵入・拡散した場合でも、その水分が有機化合物層５４へ伝搬することは難しく、水分による有機ＥＬ素子６０の劣化を大幅に抑制することができる。
【００３７】
なお、平坦化層５６と有機化合物層５４との間の間隔Ｐは、その間に配置される隔壁層５０、上部電極５８、封止層６２の材料等にも依存するため、必ずしも一意に決定することはできない。間隔Ｐの最小値は、個々のデバイス構造に応じて適宜設定することが望ましい。
【００３８】
本実施形態による発光装置１００の長辺の長さは、露光する画像の幅によって決定され、例えばＡ４レターサイズであれば、２００ｍｍ程度の長さになる。一方、短辺の長さは、短ければ短いほど一度に生産できる発光装置の数を増やすことができるため好ましく、例えば数ｍｍ以下とすることが想定される。具体的には、長尺状の基板の短手方向の長さは、１０ｍｍ以下である。さらに具体的には１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。したがって、基板１０の端から平坦化層５６までの距離も自ずと短くなり、水分の影響を受けやすい。
【００３９】
しかしながら、本実施形態による発光装置１００では、平坦化層５６と有機化合物層５４とが離間した構造としているため、このような長尺形状の発光装置においても、有機ＥＬ素子６０の劣化を効果的に抑制することができる。
【００４０】
次に、本実施形態による発光装置の製造方法について図４及び図５を用いて説明する。
【００４１】
まず、ガラス基板等の基板１０上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなるアンダーコート層３０を形成する。
【００４２】
次いで、アンダーコート層３０上に、公知の薄膜トランジスタの製造方法と同様にして、チャネル層３２、ゲート絶縁膜３４、ゲート電極３６を有する薄膜トランジスタ３８を形成する。
【００４３】
次いで、薄膜トランジスタ３８が形成されたアンダーコート層３０上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜４０を形成する。
【００４４】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜４０に、薄膜トランジスタ３８の電極上に開口された接続孔を形成後、この接続孔を介して薄膜トランジスタ３８に接続されたソース／ドレイン電極４２や金属配線４４等を形成する。
【００４５】
次いで、ソース／ドレイン電極４２及び金属配線４４が形成された層間絶縁膜４０上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる層間絶縁膜４６を形成する。
【００４６】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜４６に、ソース／ドレイン電極４２上に開口された接続孔を形成後、この接続孔を介してソース／ドレイン電極４２に接続された下部電極４８を形成する（図４（ａ））。
【００４７】
次いで、下部電極４８が形成された層間絶縁膜４６上に、例えばＣＶＤ法により、酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料よりなる隔壁層５０を形成する。
【００４８】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより隔壁層５０をパターニングし、隔壁層５０に、発光領域を画定する開口部５２を形成する（図４（ｂ））。
【００４９】
次いで、隔壁層５０上に、例えばスピンコート法により、ポリアクリルやポリイミド等の感光性樹脂材料を形成した後、フォトリソグラフィによりこの感光性樹脂材料をパターニングし、平坦化層５６を形成する（図５（ａ））。平坦化層５６の膜厚を０．５μｍ〜数μｍ程度とすることにより、下地の薄膜トランジスタ３８やソース／ドレイン電極４２及び金属配線４４による凹凸を緩和することができる。
【００５０】
次いで、隔壁層５０の開口部５２内に露出した下部電極４８上に、例えば真空蒸着法により、有機化合物層５４を形成する。有機化合物層５４を形成する際、シャドウマスクを用いることにより、平坦化層５６から離間した所望の領域に選択的に有機化合物層５４を形成することができる。有機化合物層５４は、発光材料を含む発光層のほか、ホール輸送層や電子輸送層等を適宜形成する。シャドウマスクを用いて真空蒸着を行う際には、基板上に支持体を設置し、その支持体とマスクとが接触する形態とすることもできる。また、有機化合物層５４の形成には、高分子材料を塗布・乾燥する成膜方法を用いることもできる。
【００５１】
次いで、有機化合物層５４及び平坦化層５６が形成された隔壁層５０上に、導電膜を堆積してパターニングを行い、この導電膜よりなる上部電極５８を形成する。
【００５２】
このようにして、下部電極４８、有機化合物層５４及び上部電極５８を含む有機ＥＬ素子６０を形成する（図５（ｂ））。
【００５３】
本実施形態に係る発光装置１００は、基板１０を透過させて光を取りだすボトムエミッション型でも、基板１０を透過させずに光を取りだすトップエミッション型でもよい。有機ＥＬ素子６０をボトムエミッション型とする場合は、下部電極４８をＩＴＯなどの透明電極材料により形成し、上部電極５８をアルミニウム等の反射性の電極材料により形成する。また、有機ＥＬ素子６０をトップエミッション型とする場合は、下部電極４８を反射性の電極材料により形成し、上部電極５８を透明電極材料により形成する。
【００５４】
次いで、全面に、例えばプラズマＣＶＤ法、スパッタ法、ＡＬＤ法等により、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム等よりなる封止層６２を形成する。なお、封止層有機ＥＬ素子がボトムエミッション型の場合、封止層６２に透光性は要求されないが、トップエミッション型の場合、封止層６２側へ有機ＥＬ素子６０からの光を取りだすため、封止層６２には透光性が必要となる。
【００５５】
封止層６２は、基板１０の端部まで形成され、有機ＥＬ素子６０は封止層６２によって水分を含む外部雰囲気が浸入することを抑制する。封止層６２の形成時に基板１０上に異物などがあった場合、その異物によりカバレッジが不十分であると封止欠陥が生じる可能性がある。しかしながら、本実施形態による発光装置によれば、平坦化層５６上に封止欠陥が発生していても、欠陥を通して有機ＥＬ素子への水分移動が十分に抑制できるため、高い信頼性を確保することができる。
【００５６】
このように、本実施形態によれば、隔壁層を無機材料により構成するとともに、樹脂材料よりなる平坦化層を有機化合物層から離間して配置するので、有機化合物層に水分が到達するのを抑制することができる。これにより、水分による有機ＥＬ素子の特性劣化を効果的に抑制し、発光装置の信頼性を向上するとともに、長寿命化を図ることができる。
【００５７】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による発光装置及びその製造方法について図６を用いて説明する。図６は、本実施形態による発光装置の構造を示す概略断面図である。図１乃至図５に示す第１実施形態による発光装置と同様の構成要素には同一の符号を付し説明を省略し或いは簡潔にする。
【００５８】
本実施形態による発光装置１００は、図６に示すように、中空封止構造を有する発光装置である。すなわち、有機ＥＬ素子６０等が形成された基板１０上の空間は、基板１０上に張り合わされた封止基板６４により封止されている。基板１０上に形成される制御回路や有機ＥＬ素子６０等の構成は、第１実施形態による発光装置と同様である。
【００５９】
なお、封止されている空間は、ゲルなどを有していてもよい。ゲルを有する場合、このゲルは、吸湿性または吸熱性を有することが好ましい。
【００６０】
本実施形態による発光装置１００は、図５（ｂ）に示す工程において上部電極５８を形成した後、基板１０上に、凹部が形成された封止基板６４を乾燥窒素雰囲気で貼り合わせることにより、形成することができる。基板１０と封止基板６４との貼り合わせは、フリットガラス等を用いる方法や、シール剤を用いる方法等がある。
【００６１】
図６のように封止基板６４の内側に吸湿剤６６を設置することにより、中空封止内部の水分を低減することができる。図６には、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子６０を用いた場合を示しているが、この場合、基板１０側へ有機ＥＬ素子６０からの光が取り出されるため、必ずしも封止基板６４が透光性である必要はない。したがって、封止基板６４としては、ガラス材料等のみならず、金属材料等を用いることもできる。
【００６２】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ素子６０を用いた場合、封止基板６４側へ有機ＥＬ素子６０からの光を取り出すため、封止基板６４はガラス等の透光性の材料を用いる。吸湿剤６６を用いる場合には、透光性の吸湿材料を用い或いは遮光しない位置に吸湿剤６６を設置する。
【００６３】
本実施形態による発光装置１００においても、第１実施形態による発光装置１００と同様、有機化合物層５４はその形成領域の端部が、平坦化層５６の端部から離間して形成されている。したがって、本実施形態による発光装置１００によれば、樹脂材料からなる平坦化層５６からの内在水の影響を十分に抑制し、高い信頼性を確保することができる。  
【００６４】
このように、本実施形態によれば、隔壁層を無機材料により構成するとともに、樹脂材料よりなる平坦化層を有機化合物層から離間して配置するので、有機化合物層に水分が到達するのを抑制することができる。これにより、水分による有機ＥＬ素子の特性劣化を効果的に抑制し、発光装置の信頼性を向上するとともに、長寿命化を図ることができる。
【００６５】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による画像形成装置について図７を用いて説明する。図７は、本実施形態による画像形成装置の構成を示す概略図である。
【００６６】
本実施形態では、第１及び第２実施形態による発光装置を露光ヘッドとして用いた画像形成装置について説明する。
【００６７】
はじめに、本実施形態による画像形成装置の構成について図７を用いて説明する。
【００６８】
本実施形態による画像形成装置２００は、図７に示すように、感光ドラム１０５、帯電器１０６、露光ヘッド１０７、現像器１０８及び転写器１０９を備える記録ユニット１０４と、搬送ローラー１０３と、定着器１１０とを有している。露光ヘッド１０７としては、第１又は第２実施形態による発光装置１００が用いられる。露光ヘッド１０７（発光装置１００）は、複数の有機ＥＬ素子６０が感光ドラム１０５の長軸方向に沿うように、配置される。
【００６９】
次に、本実施形態による画像形成装置の動作について説明する。
【００７０】
記録ユニット１０４では、まず、感光体である円柱状の感光ドラム１０５の表面を、帯電部である帯電器１０６で均一に帯電させる。
【００７１】
次いで、露光部である露光ヘッド１０７をデータに応じて発光させて感光ドラム１０５を露光し、露光したデータに応じた静電潜像を感光ドラム１０５に形成する。静電潜像は、露光ヘッド１０７の感光量（照度、時間）によって制御することができる。
【００７２】
次いで、記録ユニット１０４では、現像部である現像器１０８において、感光ドラム１０５に現像剤であるトナーを付与し、静電潜像にトナーを付着させ、転写器１０９によって静電潜像に付着したトナーを用紙１０２に転写する。
【００７３】
このようにして、記録ユニット１０４を介して画像データが転写された用紙１０２は、定着器１１０によってトナーが定着され、排出される。なお、用紙１０２が搬送ローラー１０３によって記録ユニット１０４に搬送されるタイミングは適宜設定できる。
【００７４】
本実施形態においては、記録ユニット１０４が１つのモノクロ画像形成装置を例にして説明したが、それに限るものではなく、記録ユニット１０４を複数備えたカラー画像形成装置でもかまわない。
【００７５】
このように、本実施形態によれば、第１及び第２実施形態による発光装置を用いて画像形成装置を構成するので、画像形成装置の信頼性を向上することができる。
【００７６】
［変形実施形態］
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【００７７】
例えば、上記第１実施形態では、画素１２の列の両側に駆動回路を配置したが、画素１２の列の片側にのみ駆動回路を配置するようにしてもよい。ただし、第１実施形態において示したような細長い外形形状を有する発光装置では、水分による有機ＥＬ素子６０の劣化を抑制する観点から、有機ＥＬ素子６０を基板１０の端部からなるべく離間して配置することが望ましい。かかる観点から、画素１２の列を基板１０の中央付近に配置し、その両側に駆動回路を配置する実施形態に記載した構成がより好ましい。
【００７８】
また、上記第１実施形態では、画素回路１４及び走査回路１８を含む駆動回路を基板１０上に配置したが、基板１０上には電源線１６やデータ線２０等の信号配線のみを配置するようにしてもよい。この場合、画素回路１４及び走査回路１８等のスイッチング素子等を含む駆動回路は、基板１０とは別の基板に配置することができる。
【００７９】
また、上記第１及び第２実施形態では、隔壁層５０上に平坦化層５６を配置したが、平坦化層５６は、必ずしも隔壁層５０上に直に形成する必要はない。このような構成とした場合、隔壁層５０と平坦化層５６との間に配置した層によって平坦化層５６と有機化合物層５４とを分離することも可能である。しかしながら、有機ＥＬ素子６０への水分の浸入を効果的に抑制する観点からは、第１及び第２実施形態の場合と同様、平坦化層５６と有機化合物層５４とが平面視において重ならないように配置することが更に好ましい。
【００８０】
また、上記第２実施形態では、有機ＥＬ素子６０の上に封止層６２を形成していないが、第２実施形態による発光装置において封止層６２を形成するようにしてもよい。この場合、封止層６２と封止基板６４とは離間することになる。
【００８１】
また、上記第３実施形態に示した画像形成装置は、第１及び第２実施形態による発光装置を適用しうる装置の一例として示したものであり、第１及び第２実施形態による発光装置を適用しうる装置は、これに限定されるものではない。第１及び第２実施形態による発光装置は、発光素子が列状に配置された光源を用いる種々の装置に適用可能である。
【００８２】
上記実施形態は、本発明を適用しうる幾つかの態様を例示したものに過ぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜修正や変形を行うことを妨げるものではない。
【符号の説明】
【００８３】
１０  基板
１２  画素
１４  画素回路
１６  電源線
１８  走査回路
２０  データ線
３８  薄膜トランジスタ
４４  金属配線
４８  下部電極
５０  隔壁層
５２  開口部
５４  有機化合物層
５６  平坦化層
５８  上部電極
６０  有機ＥＬ素子
６２  封止層
１００  発光装置
２００  画像形成装置
【図１】
0006659094.tif 000002
【図２】
0006659094.tif 000003
【図３】
0006659094.tif 000004
【図４】
0006659094.tif 000005
【図５】
0006659094.tif 000006
【図６】
0006659094.tif 000007
【図７】
0006659094.tif 000008