(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線検出器アセンブリ（１５０）であって、
シンチレータ（１１０）と、
検出表面を有する光検出器（１３０）と、
前記シンチレータ（１１０）と前記光検出器（１３０）の前記検出表面との間に配置され、制御可能な光透過率を有する光減衰器（１２０，５２２，６２０）と、
を含み、
前記光減衰器が、クラッド（５２８）で囲まれエレクトロクロミック材料で作られたコアを有する光ファイバプレート状構造を含む、Ｘ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項２】
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）は、エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）と、
前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）の第１の表面に電気的に結合された第１の電極層（１２４）と、
前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）の第２の表面に電気的に結合された第２の電極層（１２６）と、を含み、
前記第２の表面は前記第１の表面に対向して配置される、
請求項１に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項３】
前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）は、エレクトロクロミック材料を含む、請求項２に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項４】
前記エレクトロクロミック材料は、酸化タングステン、ＮｉＯ、ポリアニリン、ビオロゲン、ポリオキソタングステート、および液晶を含む群から選択される、請求項３に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項５】
前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）は、クラッド（５２８）で囲まれたエレクトロクロミック材料で作られた前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）を有する光ファイバプレート状構造を含む、請求項２に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項６】
前記第１および第２の電極層（１２４，１２６）は、光学的に透明でかつ導電性である、請求項２に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項７】
前記第１および第２の電極層（１２４，１２６）は、酸化インジウムスズを含む、請求項６に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項８】
前記光検出器（１３０）は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）ウエハまたはＣＭＯＳタイル状ウエハを含む、請求項１に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項９】
前記光検出器（１３０）は、アモルファスケイ素または結晶ケイ素を含む、請求項１に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１０】
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）と電気的に接続され、前記光透過率を制御するために前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）に可変電圧を提供する電源（１２８）をさらに含む、請求項１に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１１】
前記シンチレータ（１１０）を囲むシンチレータカバー（１１４）をさらに含む、請求項１に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１２】
Ｘ線検出器の光減衰率を変化させる方法（８１０）であって、前記方法（８１０）は、
Ｘ線光子をシンチレータ（１１０）に通すことにより、前記Ｘ線光子を可視光光子に変換するステップ（８１２）と、
前記可視光光子を光減衰器（１２０，５２２，６２０）に通すステップ（８１４）であって、前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）は、第１の電極層（１２４）、エレクトロクロミック材料のエレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）、および第２の電極層（１２６）を含み、更に、前記光減衰器が、クラッド（５２８）で囲まれエレクトロクロミック材料で作られたコアを有する光ファイバプレート状構造を含む、ステップ（８１４）と、
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）の前記第１および第２の電極層（１２４，１２６）に電圧を印加するステップ（８１６）と、
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）を通過する前記可視光の少なくとも一部の減衰を変化させるために、前記第１および前記第２の電極層（１２４，１２６）に印加される前記電圧を変化させるステップ（８１８）と、を含む方法（８１０）。
【請求項１３】
前記可視光光子の少なくとも一部を電子に変換して、変換係数を形成するステップ（８２０）をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記変換係数は、Ｘ線光子当たり約１２００電子とＸ線光子当たり約１６００電子との間である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記変換係数は、Ｘ線光子当たり１２００電子未満である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
Ｘ線検出器アセンブリ（１５０）であって、
シンチレータ（１１０）と、
検出表面を有する光検出器（１３０）と、
前記シンチレータ（１１０）と前記光検出器（１３０）の前記検出表面との間に配置され、制御可能な光透過率を有する光減衰器（１２０，５２２，６２０）と、を含み、
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）は、画素ごとに光透過率を変化させることができる画素アレイ（６２４）を含み、
更に、前記光減衰器が、クラッド（５２８）で囲まれエレクトロクロミック材料で作られたコアを有する光ファイバプレート状構造を含む、
Ｘ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１７】
前記光減衰器（１２０，５２２，６２０）は、２つの電極層によって電気的に結合されたエレクトロクロミック材料で作られたエレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）を含む、請求項１６に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１８】
前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）は、クラッド（５２８）で囲まれたエレクトロクロミック材料で作られた前記エレクトロクロミック層（１２２，５２４，６２２）を有する光ファイバプレート状構造を含む、請求項１７に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項１９】
少なくとも１つの電極層は、２次元（２Ｄ）画素アレイ（６２４）を含む、請求項１７に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項２０】
前記２Ｄ画素アレイ内の各画素は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）（７２６）および電荷蓄積キャパシタ（７２８）を含む、請求項１９に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項２１】
前記光検出器（１３０）は、結晶ケイ素をさらに含む、請求項１６に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【請求項２２】
前記光検出器（１３０）は、アモルファスケイ素をさらに含む、請求項１６に記載のＸ線検出器アセンブリ（１５０）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に、デジタルＸ線検出器アセンブリ、特にデジタルＸ線検出器パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタル放射線撮像の使用は、様々な技術的応用に関して非常に貴重である。デジタル放射線撮像は医療分野の主力であり、医療従事者は患者の内部異常を迅速に識別して診断することができる。さらに、その使用は、部品、荷物、小包、および他の対象物の内部内容を視覚化し、対象物および他の目的の構造的完全性を視覚化するために、産業分野においてますます重要になっている。実際に、デジタルＸ線検出器の進化により、放射線撮像の分野における作業の流れと画質の両方が向上した。
【０００３】
一般に、放射線撮像は、関心のある対象物に向かって導かれるＸ線の生成を伴う。Ｘ線は、対象物およびその周りを通過し、対象物Ｘ線フィルム、Ｘ線カセット、またはデジタルＸ線検出器に衝突する。デジタルＸ線検出器の場合には、これらのＸ線光子は、Ｘ線光子を可視光または光学光子に変換するシンチレータを横断する。次いで、光学光子は、デジタルＸ線レセプタの光検出器と衝突し、電気信号に変換され、その後、電気信号は、電子的に容易に閲覧、保存、および／または送信することができるデジタル画像として処理される。
【０００４】
変換係数（ＣＦ）は、業界で一般に認められているデジタルＸ線検出器の品質測定値である。それは、検出器によって生成される、入射Ｘ線光子当たりの電子の個数として定義される。ＣＦの値は、Ｘ線光子のエネルギーおよびＸ線検出器の光効率に応じて変化する。
【０００５】
蛍光透視撮像などの低線量用途では、電子ノイズの影響を低減するために、他のいくつかの用途よりもＣＦが一般的に高くなっている。しかし、Ｘ線写真撮像などの高線量用途では、必要とされる放射線量のダイナミックレンジをカバーするためにＣＦを制御する必要がある。
【０００６】
様々な用途のためにＣＦの可変性を考慮すると、所与のＸ線光子エネルギーに対して、既存のＸ線検出器は固定されたＣＦを有するので、各用途は専用の検出器タイプを必要とする。例えば、Ｘ線システム、例えば、Ｘ線写真撮影および蛍光透視（Ｒ＆Ｆ）システムなどでは、ＣＦの値は、一般に、蛍光透視撮像における低線量性能とＸ線写真撮像におけるダイナミックレンジとのバランスをとるように選択される。結果として、ＣＦの妥協された値は、蛍光透視撮像にも最適でなく、Ｘ線写真撮像にも最適ではない。したがって、様々なデジタル放射線撮像用途に対応するために、必要に応じて単一の検出器のＣＦの値を変化させることができる技術が依然として必要とされている。
【０００７】
Ｘ線シンチレータとＸ線検出器パネルの光イメージャとの間に光減衰器を配置し、光減衰器の１つまたは複数の電極対に変化する電圧を印加することによって、ＣＦを動的に制御することができ、単一のＸ線検出器がデジタル放射線撮像の複数の用途に対応できることが判明している。
【０００８】
また、光ファイバプレート（ＦＯＰ）と同じまたは類似のクラッド材料で囲まれたコア材料から作られた光減衰器は、光子が光減衰器を通って横方向に広がることを防止し、したがってＸ線検出器の空間分解能を改善するのに役立つことが判明している。
【０００９】
また、光減衰器を備えた２次元（２Ｄ）画素アレイを利用して、光減衰器の光透過率を画素単位で局所的に変化させることによってＸ線検出器のＣＦを制御することができ、それにより解剖学的構造の皮膚ラインを保存し、画像のバーンアウトを除去することができることが判明している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／００３９２７７号明細書
【発明の概要】
【００１１】
したがって、本発明は、シンチレータと、検出表面を有する光検出器と、制御可能な光透過率を有し、シンチレータと光検出器の検出表面との間に位置する光減衰器と、を有するＸ線検出器アセンブリに関する。
【００１２】
別の実施形態では、（ａ）Ｘ線光子を可視光光子に変換するステップと、（ｂ）可視光光子をエレクトロクロミック層に通すステップと、（ｃ）エレクトロクロミック層に電圧を印加するステップであって、電圧を変化させるステップは、エレクトロクロマティック層を通過する可視光の少なくとも一部の減衰を変化させることができる、ステップと、によって、Ｘ線検出器の光減衰率を変化させる方法が提供される。
【００１３】
Ｘ線検出器アセンブリは、シンチレータと、検出表面を有する光検出器と、制御可能な光透過率を有し、シンチレータと光検出器の検出表面との間に位置する光減衰器と、を有し、光減衰器は、画素ごとに光透過率を変化させることができる画素アレイを含む。
【００１４】
本発明は、異なる動的ＣＦ範囲を必要とする複数のタイプの製品に汎用Ｘ線検出器を使用することを可能にすることによって、製造コストを大幅に低減する。
【００１５】
本発明はまた、臨床医がＣＦをリアルタイムで、または特定の患者の用途に応じてオンデマンドで調整することを可能にし、それによって患者を不要な電離放射線に過度に曝すことを回避することにより、患者の安全性を向上させる。
【００１６】
本発明はまた、解剖学的構造の皮膚ラインを保存し、Ｘ線医用撮像においてしばしば見られる画像バーンアウトを低減させることによって、改善された撮像品質を提供する。
【００１７】
本発明はまた、特にモバイルＸ線ユニットを利用する場合に、臨床医が患者のＸ線医用画像を撮影する際に異なるタイプの検出器を交換することを回避できるようにすることで、臨床上の作業の流れの効率を改善する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】例示的な実施形態によるＸ線検出器パネルの分解図である。
【図２】図１のＸ線検出器パネルの光減衰器の分解図である。
【図３Ａ】高い光透過率を有する図２の光減衰器を示す断面図である。
【図３Ｂ】低い光透過率を有する図２の光減衰器を示す断面図である。
【図４】別の例示的な実施形態によるＸ線検出器アセンブリの内部構造の断面図である。
【図５】別の例示的な実施形態による光減衰器の上面図である。
【図６】別の例示的な実施形態によるＸ線検出器パネルの光減衰器の分解図である。
【図７】図６の光減衰器の一部の電気ブロック図である。
【図８】例示的な実施形態によるＸ線検出器の光減衰を変化させる方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下の詳細な説明では、本明細書の一部を形成する添付の図面を参照し、例示のために実施可能な特定の実施形態を示す。これらの実施形態は、当業者が実施形態を実施できるように十分詳細に記載されており、他の実施形態も利用することができること、ならびに論理的、機械的、電気的およびその他の変更を、実施形態の範囲から逸脱せずに行うことができることを理解すべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で解釈すべきではない。
【００２０】
図１は、例示的な実施形態によるＸ線検出器パネル１００の分解図である。図１を参照すると、Ｘ線検出器パネル１００は、シンチレータ１１０と、光検出器アレイ１３０と、光検出器アレイ１３０とシンチレータ１１０との間に配置された光減衰器１２０と、を含む。好ましい実施形態では、Ｘ線検出器パネル１００は、好ましくは、デジタルＸ線検出器での使用が意図されている。
【００２１】
シンチレータ１１０は、Ｘ線光子を可視光光子に変換する。好ましい実施形態では、シンチレータ１１０はヨウ化セシウム（ＣｓＩ）などのイオン性物質を含む。しかし、シンチレータ１１０には、他の適切なイオン性物質、例えば、タリウムをドープしたヨウ化セシウム結晶（ＣｓＩ：Ｔｌ）、タリウムをドープしたヨウ化ナトリウム（ＮａＩ：Ｔｌ）、ナトリウムをドープしたヨウ化セシウム結晶（ＣｓＩ：Ｎａ）、臭化ランタン（ＬａＢＲ３）、ヨウ化セリウム（ＣｅＩ）、酸硫化ガドリニウム、および酸化ルテチウム（Ｌｕ２Ｏ３）などを用いることができる。
【００２２】
再び図１を参照すると、光検出器アレイ１３０は、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）ウエハなどの結晶ケイ素、アモルファスケイ素、もしくは有機材料、またはこれらの組み合わせで作られてもよい。好ましい実施形態では、光検出器アレイ１３０は、シンチレータ１１０から可視光光子を吸収し、可視光を対応する電気信号に変換する複数のフォトダイオードからなり、Ｘ線画像を生成するために使用することができる。当技術分野で知られている任意の技術を用いて、電気信号からＸ線画像を生成することができる。また、他の実施態様では、入射可視光線を適切な電気出力信号に変換するために他のタイプの変換器を使用することができる。
【００２３】
図２は、図１のＸ線検出器パネル１００の光減衰器１２０の分解図である。ここで図２を参照すると、光減衰器１２０はエレクトロクロミック層１２２を含む。エレクトロクロミック層１２２は、酸化タングステン、ＮｉＯ、ポリアニリン、ビオロゲン、ポリオキソタングステートなどの任意のエレクトロクロミック材料で作ることができる。好ましい実施形態では、電極層１２４がエレクトロクロミック層１２２の上面に堆積され、電極層１２６がエレクトロクロミック層１２２の底面に堆積される。例えば、好ましい実施形態では、図２に示すように、第１の電極層１２４および第２の電極層１２６が、エレクトロクロミック層１２２の対向する第１および第２の表面（すなわち、上部および底部）に堆積される。第１の電極層１２４および第２の電極層１２６を含む電極層は、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などを含むことができる。しかしながら、光学的に透明で、導電性であり、エレクトロクロミック層１２２の表面上に堆積することができる任意の物質は、電極層に適している可能性がある。好ましい実施形態では、エレクトロクロミック材料に電圧を印加するために、エレクトロクロミック層の両面に電極層が適用されることが好ましいが、２つの電極層は同じものである必要はない。例えば、好ましい実施形態では、電極層の一方はＩＴＯの単一ピースで構成されてもよく、他方の電極層は画素ごとに異なる電圧を印加するように２次元画素アレイで構成されてもよい。別の実施形態では、エレクトロクロミック層１２２は、エレクトロクロミック材料の代わりに液晶を含んでもよい。光減衰器１２０は、光検出器１４０、シンチレータ１１０、またはその両方に直接適用することができる。あるいは、光減衰器１２０は、ガラスまたはファイバ光学プレート（ＦＯＰ）などの光学的に透明な物理的基板上に適用され、組み込まれ、または埋め込まれてもよく、シンチレータ１１０と光検出器１４０との間に組み立てることができるスタンドアローン部分を形成する。
【００２４】
図３Ａは、高い光透過率を有する図２の光減衰器１２０を示す断面図である。ここで図３Ａを参照すると、高い光透過率を有する好ましい光減衰器１２０が示されている。一般的に、光減衰器１２０の光透過率は、電源１２８から変化する電圧を電極層１２４、１２６に印加することによって変化させることができる。電圧は、当技術分野で知られている電圧源を有する制御可能で可変の電源によって印加することができる。用途に応じて、電極層１２４、１２６に印加される電圧は、限定はしないが、透視撮像、Ｘ線写真撮像、および介入撮像を含む、デジタルＸ線撮像における用途に適した任意の電圧とすることができる。しかし、好ましい環境では、電極層１２４、１２６に印加される電圧は、最良の結果を得るために、１０ボルトＤＣ以下であり、より好ましくは約５ボルトＤＣ以下である。電極層１２４、１２６にかかる電圧が高くなると、光減衰器の光透過率は一般に高くなる。光減衰器の光透過率が高くなるにつれて、デジタルＸ線検出器のＣＦが大きくなり、光減衰器の光透過率が低くなるにつれて、デジタルＸ線検出器のＣＦが小さくなる。したがって、本発明は、デジタルＸ線検出器のＣＦの可変制御を可能にし、単一のデジタルＸ線検出器が、蛍光透視撮像、Ｘ線写真撮像、および介入撮像などを含む広範囲のデジタルＸ線用途に適することを可能にする。
【００２５】
蛍光透視用途のためのアモルファスケイ素ベースの検出器を使用する好ましい実施形態では、様々なデジタルＸ線用途におけるＣＦの可変性を理解するために、ＣＦは一般にＸ線写真撮像用途よりも高く、好ましくは少なくとも約１２００電子／光子であるが、約１６００電子／光子以下である。Ｘ線写真撮像用途にアモルファスケイ素ベースの検出器を使用する好ましい実施形態では、ＣＦは好ましくは１２００電子／光子未満である、好ましくは４００電子／光子と８００電子／光子との間であり、最良の結果のためには最も好ましくは約６００電子／光子である。ＣＭＯＳベースのＸ線検出器では、ＣＭＯＳベースのＸ線検出器は比較的低い電子雑音を有し、一般にアモルファスケイ素ベースの検出器よりもＣＦを低くすることができるので、ＣＦは前述の例よりも実質的に低くすることができる。
【００２６】
好ましい実施形態では、光減衰器のエレクトロクロミック層は、光子が光減衰器の水平軸を横切って横方向に広がるのを防止するように構成されている。
【００２７】
図３Ｂは、低い光透過率を有する図２の光減衰器１２０を示す断面図である。ここで図３Ｂを参照すると、低い光透過率を有する好ましい光減衰器１２０が示されている。一般的に、光減衰器１２０の光透過率は、電源１２８から変化する電圧を電極層１２４、１２６に印加することによって変化させることができる。電圧は、当技術分野で知られている電圧源を有する制御可能で可変の電源によって印加することができる。
【００２８】
図４は、例示的な実施形態によるＸ線検出器アセンブリ１５０の内部構造の断面図である。例示的な実施形態では、Ｘ線検出器アセンブリ１５０は、シンチレータ１１０、光減衰器１２０、および光検出器アレイ１３０を含むＸ線検出器パネル１００を含む。図２を参照して述べたように、光減衰器１２０は、任意のエレクトロクロミック材料で作られたエレクトロクロミック層１２２を含み、第１の電極層１２４がエレクトロクロミック層１２２の上面に堆積され、第２の電極層１２６がエレクトロクロミック層１２２の底面に堆積されている。シンチレータ１１０は、好ましくは、光減衰器１２０の表面上に堆積される。例示的な実施形態では、シンチレータ１１０は、シンチレータカバー１１４およびシンチレータ１１０を囲むシーリングエポキシ１１６で封止されている。好ましい実施形態では、光検出器アレイ１３０は、光減衰器１２０の表面上でシンチレータ１１０の表面に対向してタイル状に配置された複数の相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）ウエハなどの結晶ケイ素で作ることができ、ＣＭＯＳウエハの検出表面は光減衰器に向いている。光検出器アレイ１３０の反対側は、Ｘ線検出器パネル１００に何らかの構造を提供するパネル支持体１４０によって支持される。図４には、好ましくは、少なくとも１つの回路基板上に配置される電子回路、およびＸ線検出器アセンブリ１５０の部品を囲むエンクロージャがない。
【００２９】
図５は、別の例示的な実施形態による光減衰器５２２の上面図である。光子が横方向に広がり、空間分解能が向上するのを防ぐために、エレクトロクロミック層５２４を含む光減衰器５２２は、光ファイバプレート（ＦＯＰ）またはクラッド５２８で囲まれたエレクトロクロミック材料で作られたコア５２６を有する他の類似の構造として構成されてもよい。クラッド５２８は、コア５２６内の光子の全内部反射を得るのに適した光屈折率を有する任意の材料であってもよい。好ましい実施形態では、Ｘ線検出器の特別な分解能に悪影響を及ぼすことなく光透過率を最適化するために、コア５２６の直径は、好ましくは約４μｍ〜約２０μｍ、最良の結果のためには約６μｍである。コア５２６の断面形状は、円形、六角形、正方形、八角形などであってもよい。当業者には理解されるように、コア５２６の断面形状およびクラッド５２８のパターンは、図５に示した形状およびパターンによって限定されないが、光子が光減衰器の水平軸を横切って横方向に広がるのを防止する任意の形状および構造であってもよい。
【００３０】
図６は、別の例示的な実施形態によるＸ線検出器パネルの光減衰器６２０の分解図である。好ましい実施形態では、光減衰器６２０の電極層は、エレクトロクロミック層６２２の１つまたは複数の表面に、好ましくはエレクトロクロミック層６２２の上面に電気的に結合された画素アレイ６２４を含む。好ましくは、画素アレイ６２４は２次元（２Ｄ）画素アレイであり、各画素は、個別にＣＦ制御を可能にするように、画素ごとに光減衰器６２０に印加される可変電圧を達成するための薄膜トランジスタおよび電荷蓄積キャパシタを含んでいる。光減衰器６２０はまた、好ましくは、エレクトロクロミック層６２２の底面上に堆積された電極層６２６を含む。画素アレイ６２４は、光透過率を局所的に制御するために、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネルに類似している。画素ごとのＣＦ制御の主な利点は、画像バーンアウトの影響を低減することである。
【００３１】
図７は、図６の光減衰器６２０の一部、特に画素アレイ６２４の電気ブロック図である。画素アレイ６２４は、画素に個別にアクセスすることを可能にするように、列７１６および行７１８に配列された画素７２０のアレイを含む。図７は、個々の画素にアクセスし、個々の画素上の電圧を変化させる能力を示す。好ましい実施形態では、列内のすべての画素７２０は共通列データ線７１６に接続され、行内のすべての画素は行選択走査線７１８に結合される。
【００３２】
好ましくは、各画素７２０は、スイッチとして働く薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）７２６と、蓄積キャパシタ７２８と、を含む。キャパシタ７２８は、連続する電荷（すなわち、印加電圧）間で画素７２０に印加される電圧を保持するために使用される。１つの行内のＴＦＴ７２６のゲートは、行選択走査線７１８に結合される。１つの列内のＴＦＴ７２６のソースは、共通列データ線７１６に結合される。ＴＦＴ７２６のドレインは、キャパシタ７２８に結合される。ＴＦＴ７２６は、アクセスする画素アレイ６２４の行７１８を選択するために使用される。キャパシタ７２８は、２つの連続するリフレッシュ間で画素７２０に印加された電圧を保持するように設計される。
【００３３】
個々の画素７２０のアクセス可能性は、行選択走査線７１８および共通列データ線７１６によって達成される。共通列データ線７１６は、画素アレイ６２４の同じ列のすべての画素７２０を接続する。行選択走査線７１８は、読み出されるべき所望の行の画素７２０を選択するために使用され、共通列データ線７１６は、一度に１つの列をアドレス指定するために使用される。共通列データ線７１６は、その行が行選択走査線７１８によってアドレス指定されている期間中、すべての列を順次アドレス指定する。共通列データ線７１６の各々は、デジタルアナログ変換器７１４に結合され、デジタルアナログ変換器７１４は、マルチプレクサ７１２およびデータバス７１０に結合される。行選択走査線７１８の各々は、走査モジュール７２２に結合される。
【００３４】
図８は、例示的な実施形態によるＸ線検出器の光減衰を変化させる方法８１０を示すフローチャートである。方法８１０は、第１のステップ８１２において、Ｘ線光子をシンチレータに通すことによってＸ線光子を可視光光子に変換するステップを含む。次のステップ８１４では、可視光光子が光減衰器を通過する。光減衰器は、第１の電極層、エレクトロクロミック材料のエレクトロクロミック層、および第２の電極層を含む。別のステップ８１６において、光減衰器の第１および第２の電極層に電圧が印加され、ステップ８１８において、光減衰器を通過する可視光の少なくとも一部の減衰を変化させるために、電圧が変化される。本方法は、可視光光子の少なくとも一部を電子に変換して、変換係数を形成する最終ステップ８２０をさらに含む。変換係数は、好ましくは、Ｘ線光子当たり約１２００電子とＸ線光子当たり約１６００電子との間であってもよい。変換係数はまた、Ｘ線光子当たり１２００電子未満であってもよい。
【００３５】
本明細書は、ベストモードを含めて本発明を開示するために、また、いかなる当業者も、任意の装置またはシステムを製作し使用し、任意の組み込まれた方法を実行することを含めて、本発明を実施することができるように、例を用いている。本発明の特許可能な範囲は、請求項によって定義され、当業者に想起される他の例を含み得るものである。そのような他の例は、それらが本特許請求の範囲の文言と異ならない構成要件を有する場合、または本特許請求の範囲の文言と実質的な差異を有さない等価の構成要件を含む場合に、本特許請求の範囲にあると意図されている。本発明の様々な特徴は、添付の特許請求の範囲に記載されている。
【符号の説明】
【００３６】
１００  Ｘ線検出器パネル
１１０  シンチレータ
１１４  シンチレータカバー
１１６  シーリングエポキシ
１２０  光減衰器
１２２  エレクトロクロミック層
１２４  第１の電極層
１２６  第２の電極層
１２８  電源
１３０  光検出器アレイ
１４０  パネル支持体、光検出器
１５０  Ｘ線検出器アセンブリ
５２２  光減衰器
５２４  エレクトロクロミック層
５２６  コア
５２８  クラッド
６２０  光減衰器
６２２  エレクトロクロミック層
６２４  画素アレイ
６２６  電極層
７１０  データバス
７１２  マルチプレクサ
７１４  デジタルアナログ変換器
７１６  共通列データ線
７１８  行選択走査線
７２０  画素
７２２  走査モジュール
７２６  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
７２８  蓄積キャパシタ
８１０  方法
８１２  ステップ
８１４  ステップ
８１６  ステップ
８１８  ステップ
８２０  ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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