(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅と銅に対する配位部位を有する化合物との錯体であって、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する銅錯体を含有する層と、紫外線吸収剤を含有する層と、を有する近赤外線カットフィルタであって、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３９０ｎｍにおける透過率Ｔ３９０が１０％以下であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０が８５％以上であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３５０ｎｍにおける透過率Ｔ３５０と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３９０ｎｍにおける透過率Ｔ３９０と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３９０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長７００ｎｍにおける透過率Ｔ７００と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ５５０との比であるＴ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であり、
波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、前記近赤外線カットフィルタの反射率の平均値が８０％以下である、近赤外線カットフィルタ。
【請求項２】
銅と銅に対する配位部位を有する化合物との錯体であって、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する銅錯体と、紫外線吸収剤とを含有する層を有する近赤外線カットフィルタであって、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３９０ｎｍにおける透過率Ｔ３９０が１０％以下であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０が８５％以上であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３５０ｎｍにおける透過率Ｔ３５０と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３９０ｎｍにおける透過率Ｔ３９０と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３９０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長７００ｎｍにおける透過率Ｔ７００と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ５５０との比であるＴ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であり、
波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、前記近赤外線カットフィルタの反射率の平均値が８０％以下である、近赤外線カットフィルタ。
【請求項３】
前記銅と銅に対する配位部位を有する化合物との錯体であって、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する銅錯体と、紫外線吸収剤とを含有する層は、前記銅錯体の１００質量部に対して前記紫外線吸収剤を０．１〜２０質量部含む、請求項２に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項４】
前記銅と銅に対する配位部位を有する化合物との錯体であって、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する銅錯体と、紫外線吸収剤とを含有する層中における前記紫外線吸収剤の含有量は０．１〜５０質量％である、請求項２に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項５】
前記銅錯体は、銅と、銅に対する配位部位を有する化合物によって、５員環および／または６員環が形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項６】
前記紫外線吸収剤が、ベンゾトリアゾール化合物およびヒドロキシフェニルトリアジン化合物から選択される少なくとも１種である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項７】
波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が８５％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項８】
波長３５０〜４５０ｎｍの範囲において、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長波長側の波長と、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短波長側の波長との差の絶対値が２５ｎｍ以下である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項９】
波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、前記近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が２０％以下である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項１０】
前記紫外線吸収剤は、波長２８０〜４２５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項１１】
更に誘電体多層膜を有する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項１２】
前記銅錯体が、銅に対して４個または５個の配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、カメラ機能付き携帯電話などにはカラー画像の固体撮像素子である、電荷結合素子（ＣＣＤ）や、相補型金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）などが用いられている。これら固体撮像素子は、その受光部において近赤外線に感度を有するシリコンフォトダイオードを使用している。このため、視感度補正のために近赤外線カットフィルタを用いることが多い。【０００３】
特許文献１には、１層または多層構造の透明樹脂体を有し、透明樹脂が特定の近紫外線吸収性の色素と、波長６００〜８００ｎｍに吸収極大を持つ近赤外線吸収性の色素とを含む近赤外線カットフィルタが記載されている。波長６００〜８００ｎｍに吸収極大を持つ近赤外線吸収性の色素として、スクアリリウム色素、フタロシアニン色素、シアニン色素が挙げられている。【０００４】
特許文献２には、ホスホン酸化合物とリン酸エステル化合物と銅塩とから得られる近赤外線吸収剤、および、樹脂から形成される近赤外線カットフィルタが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２０１６／０４３１６６号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０３４６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近赤外線カットフィルタは、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好であることが望まれている。特許文献１では、波長６００〜８００ｎｍに吸収極大を持つ近赤外線吸収性の色素として、スクアリリウム色素を用いている。しかしながら、本発明者らの検討によれば、特許文献１に記載された近赤外線カットフィルタは、可視透明性および赤外線遮蔽性が十分ではないことが分かった。【０００７】
一方、赤外線吸収剤として銅錯体を用いた近赤外線カットフィルタは、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好である。しかしながら、本発明者が銅錯体を用いた近赤外線カットフィルタについて検討を進めたところ、銅錯体を用いた近赤外線カットフィルタを組み込んだカメラモジュールなどによる撮像により得られた画像において、パープルフリンジと称される紫色の輪郭ぼけが認識される場合があることが分かった。また、本発明者の検討によれば、特許文献２に記載された近赤外線カットフィルタにおいてもパープルフリンジが生じやすいことが分かった。【０００８】
よって、本発明の目的は、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好で、かつ、固体撮像素子などに組み込んだ際に、パープルフリンジが抑制された画像などを得ることが可能な近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者が鋭意検討を行った結果、銅錯体を含有する近赤外線カットフィルタにおいて、可視領域近傍の紫外線の遮蔽性を高めることでパープルフリンジを抑制できることを見出し、本発明を完成するに至った。本発明は以下を提供する。
＜１＞  銅錯体を含有する近赤外線カットフィルタであって、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０が８５％以上であり、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３５０ｎｍにおける透過率Ｔ３５０と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長７００ｎｍにおける透過率Ｔ７００と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ５５０との比であるＴ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であり、
波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの反射率の平均値が８０％以下である、近赤外線カットフィルタ。
＜２＞  波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が８５％以上である、＜１＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜３＞  波長３５０〜４５０ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長波長側の波長と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短波長側の波長との差の絶対値が２５ｎｍ以下である、＜１＞または＜２＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜４＞  波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が２０％以下である、＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜５＞  波長２８０〜４２５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する紫外線吸収剤を含有する、＜１＞〜＜４＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜６＞  銅錯体を含有する層と、紫外線吸収剤を含有する層とを有する、＜５＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜７＞  銅錯体および紫外線吸収剤を含有する層を有する、＜５＞に記載の近赤外線カットフィルタ。
＜８＞  銅錯体を含有する層と、誘電体多層膜とを有する、＜１＞〜＜７＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜９＞  銅錯体が、銅に対して４個または５個の配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体である、＜１＞〜＜８＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタ。
＜１０＞  ＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有する固体撮像素子。
＜１１＞  ＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュール。
＜１２＞  ＜１＞〜＜９＞のいずれか１つに記載の近赤外線カットフィルタを有する画像表示装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好で、かつ、固体撮像素子などに組み込んだ際に、パープルフリンジが抑制された画像などを得ることが可能な近赤外線カットフィルタ、固体撮像素子、カメラモジュールおよび画像表示装置を提供することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
【図２】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタの周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図３】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタの周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【図４】カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタの周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。
本明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値および上限値として含む意味で使用される。
本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、アクリレートおよびメタクリレートを表し、「（メタ）アリル」は、アリルおよびメタリルを表し、「（メタ）アクリル」は、アクリルおよびメタクリルを表し、「（メタ）アクリロイル」は、アクリロイルおよびメタクリロイルを表す。
本明細書における基（原子団）の表記において、置換および無置換を記していない表記は置換基を有さない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。
本明細書において、化学式中のＭｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を、Ｐｒはプロピル基を、Ｂｕはブチル基を、Ｐｈはフェニル基をそれぞれ示す。
本明細書において、近赤外線とは、波長領域が７００〜２５００ｎｍの光（電磁波）をいう。
本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。
本明細書において、重量平均分子量および数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）測定によるポリスチレン換算値として定義される。
【００１３】
＜近赤外線カットフィルタ＞
本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体を含有する近赤外線カットフィルタであって、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０が８５％以上であり、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３５０ｎｍにおける透過率Ｔ３５０と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率Ｔ４５０との比であるＴ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、
近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長７００ｎｍにおける透過率Ａ７００と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長５５０ｎｍにおける透過率Ｔ５５０との比であるＴ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であり、
波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの反射率の平均値が８０％以下であることを特徴とする。
【００１４】
一般的に、銅錯体を含有する近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲における反射率が低く、Ｔ７００が低く、Ｔ５５０が高い傾向にある。本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体を含有し、さらにＴ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であるので、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好である。また、Ｔ４５０が８５％以上であり、Ｔ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であるため、紫外領域近傍における可視光の透過性が良好であり、かつ、紫外線の遮蔽性が良好である。また、波長８００〜１０００ｎｍの範囲における反射率の平均値が８０％以下であるので、反射光による干渉を抑制できる。そして、紫外線の遮蔽性に優れつつ、上記の反射率の平均値が８０％以下であるので、紫外線による軸上色収差の影響を低減できパープルフリンジを効果的に抑制することができる。このため、本発明の近赤外線カットフィルタによれば、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好であり、かつ、近赤外線カットフィルタ固体撮像素子などに組み込んだ際に、パープルフリンジが抑制された画像を得ることができる。
また、本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体を含有するので、近赤外線の反射率を低くすることができ、視野角が広く、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
また、近赤外線カットフィルタのＴ４５０を８５％以上とし、かつ、Ｔ３５０／Ｔ４５０を０〜０．３とすることにより、近赤外線カットフィルタの耐熱性を高めることもできる。このような効果が得られる理由は以下によるものと推測する。銅錯体を含有する近赤外線カットフィルタを加熱すると、近赤外線カットフィルタに含まれる樹脂などの成分の分解によって発生したラジカルが銅錯体と作用し、銅錯体が変色することがある。しかし、近赤外線カットフィルタの紫外線の遮蔽性を高めることで加熱時におけるラジカルの発生を抑制でき、その結果、加熱時における銅錯体の変色を抑制でき、優れた耐熱性が得られると推測する。銅錯体および紫外線吸収剤を含有する層を有する近赤外線カットフィルタを用いた場合において、特に優れた耐熱性が得られやすい。
【００１５】
上記の特性を有する近赤外線カットフィルタは、（１）銅錯体の種類および含有量を調整する方法、（２）銅錯体と紫外線吸収剤とを併用し両者の種類および含有量を調整する方法、（３）銅錯体を含有する層と紫外線カット層とを組み合わせて用いる方法などの方法により達成できる。紫外線カット層としては、紫外線吸収剤を含む層、誘電体多層膜などが挙げられる。
【００１６】
本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体の含有量が５〜９０質量％が好ましい。下限は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタが、銅錯体を含有する層（以下、銅錯体層ともいう）の他に、紫外線カット層を有する場合においては、銅錯体層中における銅錯体の含有量は１０〜９０質量％が好ましい。下限は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。銅錯体の詳細については後述する。なかでも、銅錯体は、銅に対して４個または５個の配位部位を有する化合物を配位子として有することが好ましい。この態様によれば、近赤外線カットフィルタの可視透明性および赤外線遮蔽性をより向上できる。
【００１７】
本発明の近赤外線カットフィルタは、Ｔ３５０／Ｔ４５０が０〜０．３であり、０〜０．２５であることが好ましく、０〜０．２であることがより好ましい。また、Ｔ７００／Ｔ５５０が０〜０．２であり、０〜０．１５であることが好ましく、０〜０．１０であることがより好ましい。Ｔ３５０／Ｔ４５０の値、および、Ｔ７００／Ｔ５５０の値は、いずれも低いことが好ましいが、下限値は０よりも大きな値とすることもできる。
【００１８】
本発明の近赤外線カットフィルタは、Ｔ４５０が８５％以上であり、８７％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、Ｔ３５０が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、Ｔ５５０が８５％以上であることが好ましく、８７％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、Ｔ７００が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。
【００１９】
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３６０ｎｍにおける透過率Ｔ３６０が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、Ｔ３６０／Ｔ４５０が０〜０．３であることが好ましく、０〜０．２５であることがより好ましく、０〜０．２であることが更に好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３７０ｎｍにおける透過率Ｔ３７０が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、Ｔ３７０／Ｔ４５０が０〜０．３であることが好ましく、０〜０．２５であることがより好ましく、０〜０．２であることが更に好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３８０ｎｍにおける透過率Ｔ３８０が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、Ｔ３８０／Ｔ４５０が０〜０．３であることが好ましく、０〜０．２５であることがより好ましく、０〜０．２であることが更に好ましい。
本発明の近赤外線カットフィルタは、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３９０ｎｍにおける透過率Ｔ３９０が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、Ｔ３９０／Ｔ４５０が０〜０．３であることが好ましく、０〜０．２５であることがより好ましく、０〜０．２であることが更に好ましい。
【００２０】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長４３０〜５８０ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が８５％以上であることが好ましく、８７％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタは、波長４３０〜５８０ｎｍの全範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が８５％以上であることが好ましく、８７％以上であることがより好ましく、９０％以上であることが更に好ましい。この態様によれば、可視透明性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
【００２１】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率の平均値が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの全範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が２０％以下であることが好ましく、１０％以下であることがより好ましく、５％以下であることが更に好ましい。この態様によれば、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
【００２２】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長３５０〜４５０ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長波長側の波長と、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短波長側の波長との差の絶対値が２５ｎｍ以下であることが好ましく、２０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５ｎｍ以下であることが更に好ましい。この態様によれば、可視領域と紫外領域との境界付近の透過率の傾斜が急峻であるため、可視透明性を高めつつ、紫外線を効果的に遮光できる。
【００２３】
本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの範囲における反射率の平均値が８０％以下であり、７０％以下であることが好ましく、６０％以下であることがより好ましい。また、本発明の近赤外線カットフィルタは、波長８００〜１０００ｎｍの全範囲において反射率が８０％以下であることが好ましく、７０％以下であることがより好ましく、６０％以下であることが更に好ましい。この態様によれば、視野角が広く、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。上記反射率は、Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用い、近赤外線カットフィルタの表面法線方向を０°として、入射角度を５°に設定して測定した。
【００２４】
本発明の近赤外線カットフィルタは、紫外線吸収剤を含有することが好ましい。この態様によれば、紫外線の遮蔽性を高めることができる。紫外線吸収剤は、銅錯体層に含まれていてもよく、紫外線カット層に含まれていてもよい。紫外線吸収剤は、波長２８０〜４２５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物が好ましく、波長３００〜４００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物がより好ましい。紫外線吸収剤の詳細については後述する。
【００２５】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層が紫外線吸収剤を含有する場合、銅錯体層中における紫外線吸収剤の含有量は０．１〜５０質量％が好ましく、１〜４０質量％がより好ましく、１〜３０質量％が更に好ましい。また、銅錯体１００質量部に対し、紫外線吸収剤を０．１〜２０質量部含有することが好ましく、１〜１５質量部含有することがより好ましく、１〜１０質量部含有することが更に好ましい。
また、本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、紫外線カット層が紫外線吸収剤を含有する場合、紫外線カット層中における紫外線吸収剤の含有量は１〜９０質量％が好ましく、５〜８０質量％がより好ましく、５〜７０質量％が更に好ましい。
【００２６】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層中における未反応のモノマーの含有量は、１質量％以下であることが好ましく、５００質量ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００質量ｐｐｍ以下が更に好ましい。この態様によれば、近赤外線カットフィルタの耐熱性をより向上させることができる。
【００２７】
本発明の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層中における溶剤の含有量は、５質量％以下であることが好ましく、３質量％以下であることがより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、近赤外線カットフィルタの耐熱性をより向上させることができる。
【００２８】
本発明の近赤外線カットフィルタは、銅錯体層の他に、誘電体多層膜をさらに有することも好ましい。誘電体多層膜は、紫外線カット層であることが好ましい。なお、本発明において、誘電体多層膜は、光の干渉の効果を利用して紫外線などを遮光する膜である。具体的には、屈折率の異なる誘電体層（高屈折率材料層と低屈折率材料層）を、交互に２層以上積層してなる膜である。
【００２９】
高屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．７以上の材料（好ましくは屈折率が１．７〜２．５の材料）を用いることができる。例えば、酸化チタン、酸化ジルコニウム、五酸化タンタル、五酸化ニオブ、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛または酸化インジウムを主成分とし酸化チタン、酸化錫および／または酸化セリウムなどを少量含有させた材料などが挙げられる。
【００３０】
低屈折率材料層を構成する材料としては、屈折率が１．６以下の材料（好ましくは屈折率が１．２〜１．６の材料）を用いることができる。例えば、シリカ、アルミナ、フッ化ランタン、フッ化マグネシウムおよび六フッ化アルミニウムナトリウムが挙げられる。
【００３１】
誘電体多層膜の形成方法としては、特に制限はないが、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法、真空蒸着法などにより、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層した誘電体多層膜を形成し、これを、銅錯体層などと接着剤で張り合わせる方法、銅錯体層などの表面に、高屈折率材料層と低屈折率材料層とを交互に積層して誘電体多層膜を形成する方法を挙げることができる。
【００３２】
高屈折率材料層および低屈折率材料層の各層の厚みは、遮断しようとする紫外線の波長λ（ｎｍ）に対して１／４λ〜λの厚みであることが好ましく、１／４λの厚みであることがより好ましい。また、誘電体多層膜における積層数は、３〜４１層が好ましく、１１〜４１層がより好ましく、２１〜４１層が更に好ましい。
【００３３】
本発明の近赤外線カットフィルタは、樹脂、架橋性基を有する化合物の架橋物、触媒、熱安定性付与剤、界面活性剤などをさらに含んでいてもよい。これらの詳細については後述する。
【００３４】
本発明の近赤外線カットフィルタの好ましい態様としては以下の（１）〜（４）の態様が挙げられる。（１）の態様の場合、単層で済むという利点がある。以下のいずれの態様においても、各層を支持体上に積層したものであってもよい。支持体は可視光の透過性の高い材料で構成されたものであれば特に限定されない。例えば、ガラス、結晶、樹脂などが挙げられる。ガラスとしては、ソーダライムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどが挙げられる。結晶としては、例えば、水晶、ニオブ酸リチウム、サファイヤ等が挙げられる。樹脂としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン樹脂、ノルボルネン樹脂、ポリアクリレート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ウレタン樹脂、塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂等が挙げられる。
（１）銅錯体および紫外線吸収剤を含有する層を含む近赤外線カットフィルタ
（２）銅錯体層と、紫外線吸収剤を含む層とを有する近赤外線カットフィルタ
（３）銅錯体層と、誘電体多層膜とを有する近赤外線カットフィルタ
（４）銅錯体層と、紫外線吸収剤を含む層と、誘電体多層膜とを有する近赤外線カットフィルタ。
【００３５】
上記（１）の態様において、銅錯体および紫外線吸収剤を含有する層の膜厚は１０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜３００μｍであることがより好ましい。銅錯体および紫外線吸収剤を含有する層は支持体上に形成されていてもよい。
【００３６】
上記（１）の態様の近赤外線カットフィルタは、銅錯体と紫外線吸収剤とを少なくとも含む組成物を用いて形成できる。この組成物は、更に、樹脂、架橋性基を有する化合物、触媒、重合開始剤、熱安定性付与剤、界面活性剤などをさらに含んでいてもよい。これらの詳細については後述する。
【００３７】
上記（１）の態様の近赤外線カットフィルタは、例えば、銅錯体と紫外線吸収剤とを少なくとも含む組成物を支持体上に適用して膜を形成する工程、膜を乾燥する工程などを経て製造できる。また、更にパターンを形成する工程を行ってもよい。
【００３８】
膜を形成する工程において、上記組成物の適用方法としては、公知の方法を用いることができる。例えば、滴下法（ドロップキャスト）；スリットコート法；スプレー法；ロールコート法；回転塗布法（スピンコーティング）；流延塗布法；スリットアンドスピン法；プリウェット法（たとえば、特開２００９−１４５３９５号公報に記載されている方法）；インクジェット（例えばオンデマンド方式、ピエゾ方式、サーマル方式）、ノズルジェット等の吐出系印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、反転オフセット印刷、メタルマスク印刷法などの各種印刷法；金型等を用いた転写法；ナノインプリント法などが挙げられる。インクジェットによる適用方法としては、組成物を吐出可能な方法であれば特に限定されず、例えば「広がる・使えるインクジェット−特許に見る無限の可能性−、２００５年２月発行、住べテクノリサーチ」に示された特許公報に記載の方法（特に１１５ページ〜１３３ページ）や、特開２００３−２６２７１６号公報、特開２００３−１８５８３１号公報、特開２００３−２６１８２７号公報、特開２０１２−１２６８３０号公報、特開２００６−１６９３２５号公報などに記載の方法を用いることができる。
【００３９】
滴下法（ドロップキャスト）の場合、所定の膜厚で、均一な膜が得られるように、支持体上にフォトレジストを隔壁とする組成物の滴下領域を形成することが好ましい。組成物の滴下量、固形分濃度、滴下領域の面積を調整することで、所望の膜厚が得られる。乾燥後の膜の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４０】
支持体は、ガラスなどの透明基板であってもよい。また、固体撮像素子であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた別の基板であってもよい。また、固体撮像素子の受光側に設けられた平坦化層等の層であっても良い。
【００４１】
膜を乾燥する工程において、乾燥条件としては、各成分の種類や配合量等によって異なる。例えば、６０〜１５０℃の温度で、３０秒間〜１５分間が好ましい。
【００４２】
パターンを形成工程としては、フォトリソグラフィ法を用いたパターン形成方法、ドライエッチング法を用いたパターン形成方法が挙げられる。フォトリソグラフィ法を用いたパターン形成方法において、現像液としては、アルカリ剤を純水で希釈したアルカリ性水溶液が好ましく使用される。アルカリ性水溶液のアルカリ剤の濃度は、０．００１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜１質量％がより好ましい。現像液は、移送や保管の便宜などの観点より、一旦濃縮液として製造し、使用時に必要な濃度に希釈してもよい。希釈倍率は特に限定されないが、例えば１．５〜１００倍の範囲に設定することができる。
【００４３】
近赤外線カットフィルタの製造方法においては、その他の工程を含んでいても良い。その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、基材の表面処理工程、膜の前加熱工程（プリベーク工程）、膜の硬化処理工程、膜の後加熱工程（ポストベーク工程）などが挙げられる。
【００４４】
前加熱工程および後加熱工程における加熱温度は、８０〜２００℃が好ましい。上限は１５０℃以下が好ましい。下限は９０℃以上が好ましい。また、前加熱工程および後加熱工程における加熱時間は、３０〜２４０秒が好ましい。上限は１８０秒以下が好ましい。下限は６０秒以上が好ましい。
【００４５】
硬化処理工程は、必要に応じ、形成された上記膜に対して硬化処理を行う工程であり、この処理を行うことにより、近赤外線カットフィルタの機械的強度が向上する。硬化処理工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、露光処理、加熱処理などが好適に挙げられる。ここで、本発明において「露光」とは、各種波長の光の照射のみならず、電子線、Ｘ線などの放射線照射をも包含する意味で用いられる。
【００４６】
露光は放射線の照射により行うことが好ましく、露光に際して用いることができる放射線としては、特に、電子線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ｇ線、ｈ線、ｉ線等の紫外線や可視光が好ましい。露光方式としては、ステッパー露光や、高圧水銀灯による露光などが挙げられる。露光量は５〜３０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましい。上限は、２０００ｍＪ／ｃｍ２以下が好ましく、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下がより好ましい。下限は、１０ｍＪ／ｃｍ２以上が好ましく、５０ｍＪ／ｃｍ２以上がより好ましい。露光処理の方法としては、例えば、形成された膜の全面を露光する方法が挙げられる。露光装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などの紫外線露光機が好適に挙げられる。
【００４７】
加熱処理の方法としては、形成された膜の全面を加熱する方法が挙げられる。加熱処理により、パターンの膜強度が高められる。加熱温度は、１００〜２６０℃が好ましい。下限は１２０℃以上が好ましく、１６０℃以上がより好ましい。上限は２４０℃以下が好ましく、２２０℃以下がより好ましい。加熱温度が上記範囲であれば、強度に優れた膜が得られやすい。加熱時間は、１〜１８０分が好ましい。下限は３分以上が好ましい。上限は１２０分以下が好ましい。加熱装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、赤外線ヒーターなどが挙げられる。
【００４８】
上記（２）の態様において、銅錯体層の膜厚は１０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜３００μｍであることがより好ましい。また、紫外線吸収剤を含有する層の膜厚は１〜２００μｍであることが好ましく、１〜１００μｍであることがより好ましい。
上記（２）の態様において、銅錯体層はさらに紫外線吸収剤を含んでいてもよい。上記（２）の態様において、紫外線吸収剤を含む層は銅錯体層の片面のみに有してもよく、銅錯体層の両面に有していてもよい。また、支持体の一方の面上に紫外線吸収剤を含む層が形成され、他方の面上に銅錯体層が形成されていてもよい。上記（２）の態様の近赤外線カットフィルタとしては、例えば以下の態様が挙げられる。
（２−１）銅錯体層／紫外線吸収剤を含む層
（２−２）紫外線吸収剤を含む層／銅錯体層／紫外線吸収剤を含む層
（２−３）支持体／銅錯体層／紫外線吸収剤を含む層
（２−４）支持体／紫外線吸収剤を含む層／銅錯体層
（２−５）支持体／紫外線吸収剤を含む層／銅錯体層／紫外線吸収剤を含む層
（２−６）銅錯体層／支持体／紫外線吸収剤を含む層
（２−７）紫外線吸収剤を含む層／支持体／紫外線吸収剤を含む層／銅錯体層
（２−８）紫外線吸収剤を含む層／支持体／銅錯体層／紫外線吸収剤を含む層
【００４９】
上記（２）の態様の近赤外線カットフィルタは、紫外線吸収剤を含む層を形成する工程と、銅錯体層を形成する工程とを経て製造できる。紫外線吸収剤を含む層と銅錯体層との形成順序は特に限定されない。銅錯体層は、上述した（１）の態様で説明した方法にて形成することができる。また、紫外線吸収剤を含む層も上述した（１）の態様で説明した銅錯体層の形成方法と同様の方法で形成できる。また、上記（２）の態様の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層は、銅錯体を少なくとも含む組成物を用いて形成できる。また、紫外線吸収剤を含有する層は、紫外線吸収剤を少なくとも含む組成物を用いて形成できる。これらの組成物は、更に、樹脂、架橋性基を有する化合物、触媒、重合開始剤、熱安定性付与剤、界面活性剤などをさらに含んでいてもよい。これらの詳細については後述する。
【００５０】
上記（３）の態様において、銅錯体層の膜厚は１０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜３００μｍであることがより好ましい。また、誘電体多層膜の膜厚は０．５〜１０μｍであることが好ましく、１〜５μｍであることがより好ましい。
上記（３）の態様において、銅錯体層はさらに紫外線吸収剤を含んでいてもよい。上記（３）の態様において、誘電体多層膜は銅錯体層の片面のみに有してもよく、銅錯体層の両面に有していてもよい。また、支持体の一方の面上に誘電体多層膜が形成され、他方の面上に銅錯体層が形成されていてもよい。上記（３）の態様の近赤外線カットフィルタとしては、例えば以下の態様が挙げられる。
（３−１）銅錯体層／誘電体多層膜
（３−２）誘電体多層膜／銅錯体層／誘電体多層膜
（３−３）支持体／銅錯体層／誘電体多層膜
（３−４）支持体／誘電体多層膜／銅錯体層
（３−５）支持体／誘電体多層膜／銅錯体層／誘電体多層膜
（３−６）銅錯体層／支持体／誘電体多層膜
（３−７）誘電体多層膜／支持体／誘電体多層膜／銅錯体層
（３−８）誘電体多層膜／支持体／銅錯体層／誘電体多層膜
【００５１】
上記（３）の態様の近赤外線カットフィルタは、誘電体多層膜を形成する工程と、銅錯体層を形成する工程とを経て製造できる。誘電体多層膜と銅錯体層との形成順序は特に限定されない。銅錯体層は、上述した（１）の態様で説明した方法にて形成することができる。また、上記（３）の態様の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層は、銅錯体を少なくとも含む組成物を用いて形成できる。また、誘電体多層膜は上述した方法で形成できる。
【００５２】
上記（４）の態様において、銅錯体層の膜厚は１０〜５００μｍであることが好ましく、５０〜３００μｍであることがより好ましい。また、紫外線吸収剤を含有する層の膜厚は１〜２００μｍであることが好ましく、１〜１００μｍであることがより好ましい。また、誘電体多層膜の膜厚は０．５〜１０μｍであることが好ましく、１〜５μｍであることがより好ましい。
上記（４）の態様において、銅錯体層はさらに紫外線吸収剤を含んでいてもよい。上記（４）の態様において、銅錯体層と、紫外線吸収剤を含有する層と、誘電体多層膜との積層順序は特に限定されない。
（４−１）銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層／誘電体多層膜
（４−２）銅錯体層／誘電体多層膜／紫外線吸収剤を含有する層
（４−３）誘電体多層膜／銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層
（４−４）支持体／銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層／誘電体多層膜
（４−５）支持体／銅錯体層／誘電体多層膜／紫外線吸収剤を含有する層
（４−６）支持体／誘電体多層膜／銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層
（４−７）支持体／誘電体多層膜／紫外線吸収剤を含有する層／銅錯体層
（４−８）支持体／紫外線吸収剤を含有する層／銅錯体層／誘電体多層膜
（４−９）支持体／紫外線吸収剤を含有する層／誘電体多層膜／銅錯体層
（４−１０）銅錯体層／支持体／紫外線吸収剤を含有する層／誘電体多層膜
（４−１１）銅錯体層／支持体／誘電体多層膜／紫外線吸収剤を含有する層
（４−１２）誘電体多層膜／支持体／銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層
（４−１３）誘電体多層膜／支持体／紫外線吸収剤を含有する層／銅錯体層
（４−１４）紫外線吸収剤を含有する層／支持体／銅錯体層／誘電体多層膜
（４−１５）紫外線吸収剤を含有する層／支持体／誘電体多層膜／銅錯体層
（４−１６）誘電体多層膜／支持体／誘電体多層膜／銅錯体層／紫外線吸収剤を含有する層
（４−１７）誘電体多層膜／支持体／銅錯体層／誘電体多層膜／紫外線吸収剤を含有する層
【００５３】
上記（４）の態様の近赤外線カットフィルタは、紫外線吸収剤を含む層を形成する工程と、誘電体多層膜を形成する工程と、銅錯体層を形成する工程とを経て製造できる。各層の形成順序は特に限定されない。銅錯体層は、上述した（１）の態様で説明した方法にて形成することができる。また、紫外線吸収剤を含む層は、上述した（１）の態様で説明した銅錯体層の形成方法と同様の方法で形成できる。また、誘電体多層膜は、上述した方法で形成できる。また、上記（４）の態様の近赤外線カットフィルタにおいて、銅錯体層は、銅錯体を少なくとも含む組成物を用いて形成できる。また、紫外線吸収剤を含有する層は、紫外線吸収剤を少なくとも含む組成物を用いて形成できる。
【００５４】
本発明の近赤外線カットフィルタは、ＣＣＤ（電荷結合素子）やＣＭＯＳ（相補型金属酸化膜半導体）などの固体撮像素子や、赤外線センサ、画像表示装置などの各種装置に用いることができる。
【００５５】
＜銅錯体層形成用組成物＞
次に、本発明の近赤外線カットフィルタの形成に好ましく用いることができる組成物について説明する。まず、銅錯体層の形成に用いることができる組成物（以下、銅錯体層形成用組成物ともいう）について説明する。
【００５６】
＜＜銅錯体＞＞
銅錯体層形成用組成物は、銅錯体を含有する。銅錯体としては、銅と、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）との錯体が好ましい。銅に対する配位部位としては、アニオンで配位する配位部位、非共有電子対で配位する配位原子が挙げられる。銅錯体は、配位子を２つ以上有していてもよい。配位子を２つ以上有する場合は、それぞれの配位子は同一であってもよく、異なっていてもよい。銅錯体は、４配位、５配位および６配位が例示され、４配位および５配位がより好ましく、５配位がさらに好ましい。また、銅錯体は、銅と配位子によって、５員環および／または６員環が形成されていることが好ましい。このような銅錯体は、形状が安定であり、錯体安定性に優れる。
【００５７】
銅錯体中における銅以外の金属の含有量としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、異物欠陥の抑制された膜を形成し易い。また、銅錯体のリチウム含有量は１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、銅錯体のカリウム含有量は３０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。銅錯体中における銅以外の金属の含有量を低減させる方法としては、再沈殿、再結晶、カラムクロマトグラフィー、昇華精製などの方法で、銅錯体を精製する方法が挙げられる。また、銅錯体を溶剤に溶解させた後にフィルタでろ過して精製する方法を用いることもできる。フィルタの好ましい態様としては、後述の組成物の調製の欄で説明するフィルタが挙げられる。銅錯体中における銅以外の金属の含有量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法にて測定することができる。
【００５８】
銅錯体中の水分としては、５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、経時安定性に優れた組成物を調製し易い。
【００５９】
銅錯体中の遊離したハロゲン陰イオンおよびハロゲン化合物の合計量としては、銅錯体の全固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、経時安定性に優れた組成物を調製し易い。
【００６０】
本発明において、銅錯体は、フタロシアニン銅錯体以外の銅錯体であることも好ましい。ここで、フタロシアニン銅錯体とは、フタロシアニン骨格を有する化合物を配位子とする銅錯体である。フタロシアニン骨格を有する化合物は、分子全体にπ電子共役系が広がり、平面構造を取る。フタロシアニン銅錯体は、π−π＊遷移で光を吸収する。π−π＊遷移で赤外領域の光を吸収するには、配位子をなす化合物が長い共役構造をとる必要がある。しかしながら、配位子の共役構造を長くすると、可視透明性が低下する傾向にある。このため、フタロシアニン銅錯体は、可視透明性が不十分な場合がある。
また、銅錯体は、４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有さない化合物を配位子とする銅錯体であることも好ましい。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物を配位子とする銅錯体は、可視領域（例えば、４００〜６００ｎｍの波長領域）に吸収を有するため、可視透明性が不十分な場合がある。４００〜６００ｎｍの波長領域に極大吸収波長を有する化合物としては、長い共役構造を有し、π−π＊遷移の光の吸収の大きい化合物が挙げられる。具体的には、フタロシアニン骨格を有する化合物が挙げられる。
【００６１】
銅錯体は、例えば銅成分（銅または銅を含む化合物）に対して、銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）を混合・反応等させて得ることができる。銅に対する配位部位を有する化合物（配位子）は、低分子化合物であってもよく、ポリマーであってもよい。両者を併用することもできる。銅成分はメタノールで希釈または溶解したのち、ろ過してから使用することが好ましい。ろ過に用いるろ紙やフィルタの孔径は１μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
銅と配位子とが、銅：配位子＝１：ｐのモル比で量論的に配位するような配位子に関しては、銅錯体合成において銅成分と配位子の反応のモル比を１：ｑ（ただし、ｑ≧ｐであり、ｑは任意の数である）とすることが好ましい。ｑ＜ｐとなる場合は原料である銅成分が銅錯体中に残存しやすく、可視透明性が低下したり、異物欠陥の要因となる。銅錯体中における原材料である銅成分の残存率（配位子と配位していない銅成分の含有量）としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体中に配位子が過剰に残存していると可視透明性が低下したり、異物欠陥数が増加したり、組成物の熱安定性が低下することがあるので、ｐ≦ｑ≦２ｐであることが好ましく、ｐ≦ｑ≦１．５ｐであることがより好ましく、ｐ≦ｑ≦１．２ｐであることが更に好ましい。銅錯体中における配位子の残存率（銅と配位していない配位子の含有量）としては銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体の製造にあたり、複数回の晶析工程を設けることが好ましい。晶析の際は、良溶媒は貧溶媒より少ないことが好ましい。また、複数回晶析工程を設ける場合は、銅錯体の固形分を８０質量％としてから次の晶析工程に移ることが好ましい。
【００６３】
銅成分は、２価の銅を含む化合物が好ましい。銅成分は、１種のみを用いてもよいし、２種以上を用いてもよい。銅成分としては、例えば、酸化銅や銅塩を用いることができる。銅塩は、例えば、カルボン酸銅（例えば、酢酸銅、エチルアセト酢酸銅、ギ酸銅、安息香酸銅、ステアリン酸銅、ナフテン酸銅、クエン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅など）、スルホン酸銅（例えば、メタンスルホン酸銅など）、リン酸銅、リン酸エステル銅、ホスホン酸銅、ホスホン酸エステル銅、ホスフィン酸銅、アミド銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、メチド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、硫酸銅、硝酸銅、過塩素酸銅、フッ化銅、塩化銅、臭化銅が好ましく、カルボン酸銅、スルホン酸銅、スルホンアミド銅、イミド銅、アシルスルホンイミド銅、ビススルホンイミド銅、アルコキシ銅、フェノキシ銅、水酸化銅、炭酸銅、フッ化銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅がより好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、フェノキシ銅、塩化銅、硫酸銅、硝酸銅が更に好ましく、カルボン酸銅、アシルスルホンイミド銅、塩化銅、硫酸銅が特に好ましい。
【００６４】
本発明において、銅錯体は、波長７００〜１２００ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物が好ましい。銅錯体の極大吸収波長は、波長７２０〜１２００ｎｍの範囲に有することがより好ましく、波長８００〜１１００ｎｍの範囲に有することがさらに好ましい。極大吸収波長は、例えば、Ｃａｒｙ  ５０００  ＵＶ−Ｖｉｓ−ＮＩＲ（分光光度計  アジレント・テクノロジー株式会社製）を用いて測定することができる。
銅錯体の上述した波長領域における極大吸収波長でのモル吸光係数は、１２０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が好ましく、１５０（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がより好ましく、２００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がさらに好ましく、３００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上がよりさらに好ましく、４００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上が特に好ましい。上限は、特に限定はないが、例えば、３００００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以下とすることができる。銅錯体の上記モル吸光係数が、１００（Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）以上であれば、薄膜であっても、赤外線遮蔽性に優れた近赤外線カットフィルタとすることができる。
銅錯体の波長８００ｎｍでのグラム吸光係数は、０．１１（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上が好ましく、０．１５（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がより好ましく、０．２４（Ｌ／ｇ・ｃｍ）以上がさらに好ましい。
なお、本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、銅錯体を測定溶媒に溶解させて１ｇ／Ｌの濃度の溶液を調製し、銅錯体を溶解させた溶液の吸収スペクトルを測定して求めることができる。測定装置としては、島津製作所製ＵＶ−１８００（波長領域２００〜１１００ｎｍ）、Ａｇｉｌｅｎｔ製Ｃａｒｙ  ５０００（波長領域２００〜１３００ｎｍ）などを用いることができる。測定溶媒としては、水、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、プロピレングリコールモノメチルエーテル、１，２，４−トリクロロベンゼン、アセトンが挙げられる。本発明では、上述した測定溶媒のうち、測定対象の銅錯体を溶解できるものを選択して用いる。なかでも、プロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解する銅錯体の場合は、測定溶媒としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルを用いることが好ましい。なお、溶解するとは、２５℃の溶媒に対する、銅錯体の溶解度が０．０１ｇ／１００ｇＳｏｌｖｅｎｔを超える状態を意味する。
本発明において、銅錯体のモル吸光係数およびグラム吸光係数は、上述した測定溶媒のいずれか１つを用いて測定した値であることが好ましく、プロピレングリコールモノメチルエーテルでの値であることがより好ましい。
【００６５】
（低分子タイプの銅錯体）
銅錯体としては、例えば、式（Ｃｕ−１）で表される銅錯体を用いることができる。この銅錯体は、中心金属の銅に配位子Ｌが配位した銅錯体であり、銅は、通常２価の銅である。この銅錯体は、例えば銅成分に対して、配位子Ｌとなる化合物またはその塩を反応等させて得ることができる。
Ｃｕ（Ｌ）ｎ１・（Ｘ）ｎ２      式（Ｃｕ−１）
上記式中、Ｌは、銅に配位する配位子を表し、Ｘは、対イオンを表す。ｎ１は、１〜４の整数を表す。ｎ２は、０〜４の整数を表す。
【００６６】
Ｘは、対イオンを表す。銅錯体は、電荷を持たない中性錯体のほか、カチオン錯体、アニオン錯体になることもある。この場合、銅錯体の電荷を中和するよう、必要に応じて対イオンが存在する。
対イオンが負の対イオン（対アニオン）の場合、例えば、無機陰イオンでもよく、有機陰イオンでもよい。例えば、対イオンとしては、水酸化物イオン、ハロゲン陰イオン（例えば、フッ化物イオン、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン等）、置換または無置換のアルキルカルボン酸イオン（酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン等）、置換または無置換のアリールカルボン酸イオン（安息香酸イオン等）、置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン（メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン等）、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオン（例えばｐ−トルエンスルホン酸イオン、ｐ−クロロベンゼンスルホン酸イオン等）、アリールジスルホン酸イオン（例えば１，３−ベンゼンジスルホン酸イオン、１，５−ナフタレンジスルホン酸イオン、２，６−ナフタレンジスルホン酸イオン等）、アルキル硫酸イオン（例えばメチル硫酸イオン等）、硫酸イオン、チオシアン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン、ホウ素酸イオン（例えば、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン（Ｂ−（Ｃ６Ｆ５）４）等）、スルホネートイオン（例えば、ｐ−トルエンスルホネートイオンなど）、イミドイオン（例えば、スルホンイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオン等）、ホスフェートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ピクリン酸イオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が挙げられ、ハロゲン陰イオン、置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、硫酸イオン、硝酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、アミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）が好ましい。
また、対アニオンは、低求核性アニオンであることが好ましい。低求核性アニオンとは、一般的に超酸（ｓｕｐｅｒ  ａｃｉｄ）と呼ばれるｐＫａの低い酸がプロトンを解離してなるアニオンである。超酸の定義は、文献によっても異なるがメタンスルホン酸よりｐＫａが低い酸の総称であり、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，７６，３９１−３９５    Ｅｑｕｉｌｉｂｒｉｕｍ  Ａｃｉｄｉｔｉｅｓ  ｏｆ  Ｓｕｐｅｒ  ａｃｉｄｓに記載される構造が知られている。低求核性アニオンのｐＫａは、例えば、−１１以下が好ましく、−１１〜−１８が好ましい。ｐＫａは、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２０１１，７６，３９１−３９５に記載の方法により測定することができる。本明細書におけるｐＫａ値は、特に断りがない場合、１，２−ジクロロエタン中でのｐＫａである。対アニオンが、低求核性アニオンであると、銅錯体や樹脂の分解反応が生じにくく、耐熱性が良好である。低求核性アニオンは、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラアリールホウ酸イオン（ハロゲン原子やフルオロアルキル基で置換されたアリールを含む）、ヘキサフルオロホスフェートイオン、イミドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（アシル基やスルホニル基で置換されたメチドを含む）がより好ましく、テトラアリールホウ酸イオン（ハロゲン原子やフルオロアルキル基で置換されたアリールを含む）、イミドイオン（スルホニル基で置換されたアミドを含む）、メチドイオン（スルホニル基で置換されたメチドを含む）が特に好ましい。
また、本発明において、対アニオンは、ハロゲン陰イオン、カルボン酸イオン、スルホン酸イオン、ホウ素酸イオン、スルホネートイオン、イミドイオンであることも好ましい。具体例としては、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、ホルメートイオン、ホスフェートイオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、ｐ−トルエンスルホネートイオン、テトラフルオロホウ素酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオン等が挙げられ、トリフルオロ酢酸イオン、ヘキサフルオロホスフェートイオン、テトラフルホウ素酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオンが好ましく、トリフルオロ酢酸イオン、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ホウ酸イオン、Ｎ，Ｎ−ビス（フルオロスルホニル）イミドイオン、ビス（トリフルオロメタンスルホニル）イミドイオン、ビス（ノナフルオロブタンスルホニル）イミドイオン、ノナフルオロ−Ｎ−［（トリフルオロメタン）スルホニル］ブタンスルホニルイミドイオン、Ｎ，Ｎ−ヘキサフルオロ−１，３−ジスルホニルイミドイオンがより好ましい。
対イオンが正の対イオン（対カチオン）の場合、例えば、無機もしくは有機のアンモニウムイオン（例えば、テトラブチルアンモニウムイオンなどのテトラアルキルアンモニウムイオン、トリエチルベンジルアンモニウムイオン、ピリジニウムイオン等）、ホスホニウムイオン（例えば、テトラブチルホスホニウムイオンなどのテトラアルキルホスホニウムイオン、アルキルトリフェニルホスホニウムイオン、トリエチルフェニルホスホニウムイオン等）、アルカリ金属イオンまたはプロトンが挙げられる。
また、対イオンは金属錯体イオン（例えば銅錯体イオンなど）であってもよい。
【００６７】
配位子Ｌは、銅に対する配位部位を有する化合物であり、銅に対しアニオンで配位する配位部位、および、銅に対し非共有電子対で配位する配位原子から選ばれる１種以上を有する化合物が挙げられる。アニオンで配位する配位部位は、解離していてもよく、非解離でも良い。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）が好ましい。また、配位子Ｌは、可視透過性を向上させるために、芳香族などのπ共役系が連続して複数結合していないことが好ましい。配位子Ｌは、銅に対する配位部位を１個有する化合物（単座配位子）と、銅に対する配位部位を２個以上有する化合物（多座配位子）とを併用することもできる。単座配位子としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する単座配位子が挙げられる。アニオンで配位する配位子としては、ハライドアニオン、ヒドロキシドアニオン、アルコキシドアニオン、フェノキシドアニオン、アミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアミドを含む）、イミドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたイミドを含む）、アニリドアニオン（アシル基やスルホニル基で置換されたアニリドを含む）、チオラートアニオン、炭酸水素アニオン、カルボン酸アニオン、チオカルボン酸アニオン、ジチオカルボン酸アニオン、硫酸水素アニオン、スルホン酸アニオン、リン酸二水素アニオン、リン酸ジエステルアニオン、ホスホン酸モノエステルアニオン、ホスホン酸水素アニオン、ホスフィン酸アニオン、含窒素へテロ環アニオン、硝酸アニオン、次亜塩素酸アニオン、シアニドアニオン、シアナートアニオン、イソシアナートアニオン、チオシアナートアニオン、イソチオシアナートアニオン、アジドアニオンなどが挙げられる。非共有電子対で配位する単座配位子としては、水、アルコール、フェノール、エーテル、アミン、アニリン、アミド、イミド、イミン、ニトリル、イソニトリル、チオール、チオエーテル、カルボニル化合物、チオカルボニル化合物、スルホキシド、へテロ環、あるいは、炭酸、カルボン酸、硫酸、スルホン酸、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、硝酸、または、そのエステルが挙げられる。
【００６８】
上記配位子Ｌが有するアニオンは、銅原子に配位可能なものであればよく、酸素アニオン、窒素アニオンまたは硫黄アニオンが好ましい。アニオンで配位する配位部位は、以下の１価の官能基群（ＡＮ−１）、または、２価の官能基群（ＡＮ−２）から選択される少なくとも１種であることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
【００６９】
群（ＡＮ−１）
【化１】
0006650040.tif 000002
【００７０】
群（ＡＮ−２）
【化２】
0006650040.tif 000003
【００７１】
上記式中、Ｘは、ＮまたはＣＲを表し、Ｒは、それぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
Ｒが表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキル基の炭素数は、１〜１０が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４がさらに好ましい。アルキル基の例としては、メチル基が挙げられる。アルキル基は置換基を有していてもよい。置換基としてはハロゲン原子、カルボキシル基、ヘテロ環基が挙げられる。置換基としてのヘテロ環基は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましく、１または２が好ましい。ヘテロ環を構成するヘテロ原子は、窒素原子が好ましい。アルキル基が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよい。
Ｒが表すアルケニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルケニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。アルケニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアルキニル基は、直鎖状、分岐状または環状であってもよいが、直鎖状が好ましい。アルキニル基の炭素数は、２〜１０が好ましく、２〜６がより好ましい。アルキニル基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すアリール基は、単環であっても多環であってもよいが単環が好ましい。アリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。アリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
Ｒが表すヘテロアリール基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子の数は１〜３が好ましい。ヘテロアリール基を構成するヘテロ原子は、窒素原子、硫黄原子、酸素原子が好ましい。ヘテロアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、上述したものが挙げられる。
【００７２】
アニオンで配位する配位部位の例として、モノアニオン性配位部位も挙げられる。モノアニオン性配位部位は、１つの負電荷を有する官能基を介して銅原子と配位する部位を表す。例えば、酸解離定数（ｐＫａ）が１２以下の酸基が挙げられる。具体的には、リン原子を含有する酸基（リン酸ジエステル基、ホスホン酸モノエステル基、ホスフィン酸基等）、スルホ基、カルボキシル基、イミド酸基等が挙げられ、スルホ基、カルボキシル基が好ましい。
【００７３】
非共有電子対で配位する配位原子は、酸素原子、窒素原子、硫黄原子またはリン原子が好ましく、酸素原子、窒素原子または硫黄原子がより好ましく、酸素原子、窒素原子がさらに好ましく、窒素原子が特に好ましい。非共有電子対で配位する配位原子が窒素原子である場合、窒素原子に隣接する原子が炭素原子、または、窒素原子であることが好ましく、炭素原子がより好ましい。
【００７４】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれる、または、以下の１価の官能基群（ＵＥ−１）、２価の官能基群（ＵＥ−２）、３価の官能基群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造に含まれることが好ましい。なお、以下の構造式における波線は、配位子を構成する原子団との結合位置である。
群（ＵＥ−１）
【化３】
0006650040.tif 000004
【００７５】
群（ＵＥ−２）
【化４】
0006650040.tif 000005
【００７６】
群（ＵＥ−３）
【化５】
0006650040.tif 000006
【００７７】
群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
【００７８】
非共有電子対で配位する配位原子は、環に含まれていてもよい。非共有電子対で配位する配位原子が環に含まれる場合、非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、単環であっても多環であってもよく、また、芳香族であっても非芳香族であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、５〜１２員環が好ましく、５〜７員環がより好ましい。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環は、置換基を有していてもよく、置換基としては炭素数１〜１０の直鎖状、分岐状または環状のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基、ハロゲン原子、ケイ素原子、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数２〜１２のアシル基、炭素数１〜１２のアルキルチオ基、カルボキシル基等が挙げられる。
非共有電子対で配位する配位原子を含む環が置換基を有している場合、さらに置換基を有していてもよく、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種の部分構造を含む基、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数２〜１２のアシル基、ヒドロキシル基が挙げられる。
【００７９】
非共有電子対で配位する配位原子が群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）で表される部分構造に含まれる場合、Ｒ１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基またはヘテロアリール基を表し、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヘテロアリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、アミノ基またはアシル基を表す。
アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、およびヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルコキシ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、３〜９がより好ましい。
アリールオキシ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールオキシ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールオキシ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アルキルチオ基の炭素数は、１〜１２が好ましく、１〜９がより好ましい。
アリールチオ基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましい。
ヘテロアリールチオ基は、単環であっても多環であってもよい。ヘテロアリールチオ基を構成するヘテロアリール基は、上記アニオンで配位する配位部位で説明したヘテロアリール基と同義であり、好ましい範囲も同様である。
アシル基の炭素数は、２〜１２が好ましく、２〜９がより好ましい。
Ｒ１は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基が好ましく、水素原子またはアルキル基がより好ましく、アルキル基が特に好ましい。アルキル基は、炭素数１〜４のアルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。Ｎ原子上の置換基、すなわちＲ１をアルキル基とすることで、銅錯体の分子軌道への配位子寄与率が向上して、極大吸収波長でのモル吸光係数が向上し、赤外線遮蔽性および可視透明性がより向上する傾向にある。特に、耐熱性と、赤外線遮蔽性と可視透明性のバランスからアルキル基が好ましい。
【００８０】
配位子が、１分子内に、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する場合、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができ、可視透明性を高めつつ、モル吸光係数を大きくし易い。アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを連結する原子の種類は、１種または２種以上であってもよい。炭素原子、または、窒素原子が好ましい。
【００８１】
配位子が、１分子内に、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する場合、非共有電子対で配位する配位原子は３つ以上有していてもよく、２〜５つ有していることが好ましく、４つ有していることがより好ましい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子数は、１〜６であることが好ましく、１〜３であることがより好ましく、２〜３が更に好ましく、３が特に好ましい。このような構成とすることにより、銅錯体の構造がより歪みやすくなるため、色価をより向上させることができる。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、１種または２種以上であってもよい。非共有電子対で配位する配位原子同士を連結する原子は、炭素原子が好ましい。
【００８２】
本発明において、配位子は、少なくとも２つの配位部位を有する化合物（多座配位子ともいう）が好ましい。配位子は、配位部位を少なくとも３つ有することがより好ましく、３〜５個有することが更に好ましく、４〜５個有することが特に好ましい。多座配位子は、銅成分に対し、キレート配位子として働く。すなわち、多座配位子が有する少なくとも２つの配位部位が、銅とキレート配位することにより、銅錯体の構造が歪んで、優れた可視透明性が得られ、更には、赤外線の吸光能力を向上でき、色価も向上すると考えられる。これにより、近赤外線カットフィルタを長期間使用しても、その特性が損なわれず、またカメラモジュールを安定的に製造することも可能となる。
【００８３】
多座配位子は、アニオンで配位する配位部位を１つ以上と非共有電子対で配位する配位原子を１つ以上とを含む化合物、非共有電子対で配位する配位原子を２つ以上有する化合物、アニオンで配位する配位部位を２つ含む化合物等が挙げられる。これらの化合物は、それぞれ独立に、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、配位子となる化合物は、配位部位を１つのみ有する化合物を用いることもできる。
【００８４】
多座配位子は、下記式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）で表される化合物であることが好ましい。例えば、配位子が４つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−３）、（ＩＶ−６）、（ＩＶ−７）、（ＩＶ−１２）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−１２）で表される化合物がより好ましい。また、例えば、配位子が５つの配位部位を有する化合物である場合は、下記式（ＩＶ−４）、（ＩＶ−８）〜（ＩＶ−１１）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物が好ましく、金属中心により強固に配位し、耐熱性の高い安定な５配位錯体を形成しやすいという理由から、（ＩＶ−９）〜（ＩＶ−１０）、（ＩＶ−１３）、（ＩＶ−１４）で表される化合物がより好ましく、（ＩＶ−１３）で表される化合物が特に好ましい。
【化６】
0006650040.tif 000007
【００８５】
式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−１４）中、Ｘ１〜Ｘ５９はそれぞれ独立して、配位部位を表し、Ｌ１〜Ｌ２５はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表し、Ｌ２６〜Ｌ３２はそれぞれ独立して３価の連結基を表し、Ｌ３３〜Ｌ３４はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。
Ｘ１〜Ｘ４２はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−１）、または、群（ＵＥ−１）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ４３〜Ｘ５６はそれぞれ独立して、非共有電子対で配位する配位原子を含む環からなる基、上述した群（ＡＮ−２）、または、群（ＵＥ−２）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｘ５７〜Ｘ５９はそれぞれ独立して、上述した群（ＵＥ−３）から選択される少なくとも１種を表すことが好ましい。
Ｌ１〜Ｌ２５はそれぞれ独立して単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、炭素数１〜１２のアルキレン基、炭素数６〜１２のアリーレン基、−ＳＯ−、−Ｏ−、−ＳＯ２−または、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数１〜３のアルキレン基、フェニレン基、−ＳＯ２−またはこれらの組み合わせからなる基がより好ましい。
Ｌ２６〜Ｌ３２はそれぞれ独立して３価の連結基を表す。３価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を１つ除いた基が挙げられる。
Ｌ３３〜Ｌ３４はそれぞれ独立して４価の連結基を表す。４価の連結基としては、上述した２価の連結基から水素原子を２つ除いた基が挙げられる。
ここで、群（ＡＮ−１）〜（ＡＮ−２）中のＲ、および、群（ＵＥ−１）〜（ＵＥ−３）中のＲ１は、Ｒ同士、Ｒ１同士、あるいは、ＲとＲ１間で連結して環を形成しても良い。たとえば、式（ＩＶ−２）の具体例として、下の化合物（ＩＶ−２Ａ）が挙げられる。なお、Ｘ３、Ｘ４、Ｘ４３は以下に示した基であり、Ｌ２、Ｌ３はメチレン基、Ｒ１はメチル基であるが、このＲ１同士が連結して環を形成し、（ＩＶ−２Ｂ）や（ＩＶ−２Ｃ）のようになっても良い。
【化７】
0006650040.tif 000008
【００８６】
配位子をなす化合物の具体例としては、以下に示す化合物、後述する多座配位子の好ましい具体例として示す化合物、および、これらの化合物の塩が挙げられる。塩を構成する原子としては、金属原子、テトラブチルアンモニウムなどが挙げられる。金属原子としては、アルカリ金属原子またはアルカリ土類金属原子がより好ましい。アルカリ金属原子としては、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。アルカリ土類金属原子としては、カルシウム、マグネシウム等が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載、特開２０１５−４３０６３号公報の段落００２１〜００３９の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【００８７】
【化８】
0006650040.tif 000009
【化９】
0006650040.tif 000010
【化１０】
0006650040.tif 000011
【００８８】
銅錯体は、例えば、以下の（１）〜（５）の態様が好ましい一例として挙げられ、（２）〜（５）がより好ましく、（３）〜（５）が更に好ましく、（４）または（５）が一層好ましい。
（１）２つの配位部位を有する化合物の１つまたは２つを配位子として有する銅錯体。
（２）３つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。
（３）３つの配位部位を有する化合物と２つの配位部位を有する化合物とを配位子として有する銅錯体。
（４）４つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。
（５）５つの配位部位を有する化合物を配位子として有する銅錯体。
【００８９】
上記（１）の態様において、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物、または、アニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物の２つを配位子として有する場合、配位子の化合物は、同一であってもよく、異なっていてもよい。
また、（１）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１〜３個とすることもできる。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましい。２つの配位部位を有する化合物が非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物の場合は、配位力が強いという理由からアニオンで配位する単座配位子がより好ましい。２つの配位部位を有する化合物がアニオンで配位する配位部位と非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物の場合は、銅錯体全体が電荷を持たないという理由から非共有電子対で配位する単座配位子がより好ましい。
【００９０】
上記（２）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を３つ有する化合物が更に好ましい。また、（２）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもできる。また、１個以上とすることもでき、１〜３個以上がより好ましく、１〜２個がさらに好ましく、２個が一層好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましく、上述した理由によりアニオンで配位する単座配位子がより好ましい。
【００９１】
上記（３）の態様において、３つの配位部位を有する化合物は、アニオンで配位する配位部位と、非共有電子対で配位する配位原子とを有する化合物が好ましく、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物が更に好ましい。さらに、この２つのアニオンで配位する配位部位が異なっていることが特に好ましい。また、２つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物が更に好ましい。なかでも、３つの配位部位を有する化合物が、アニオンで配位する配位部位を２つ、および、非共有電子対で配位する配位原子を１つ有する化合物であり、２つの配位部位を有する化合物が、非共有電子対で配位する配位原子を２つ有する化合物である組み合わせが、特に好ましい。また、（３）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。０個がより好ましい。
【００９２】
上記（４）の態様において、４つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を４つ有する化合物が更に好ましい。また、（４）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもでき、２個以上とすることもできる。１個が好ましい。単座配位子の種類としては、アニオンで配位する単座配位子、非共有電子対で配位する単座配位子のいずれも好ましい。
【００９３】
上記（５）の態様において、５つの配位部位を有する化合物は、非共有電子対で配位する配位原子を有する化合物が好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を２以上有する化合物がより好ましく、非共有電子対で配位する配位原子を５つ有する化合物が更に好ましい。また、（５）の態様において、銅錯体は、単座配位子を更に有することもできる。単座配位子の数は、０個とすることもでき、１個以上とすることもできる。単座配位子の数は０個が好ましい。
【００９４】
多座配位子は、上述した配位子の具体例で説明した化合物のうち、配位部位を２以上有する化合物や、以下に示す化合物が挙げられる。
【化１１】
0006650040.tif 000012
【化１２】
0006650040.tif 000013
【００９５】
［リン酸エステル銅錯体］
本発明において、銅錯体として、リン酸エステル銅錯体を用いることもできる。リン酸エステル銅錯体は、銅を中心金属としリン酸エステル化合物を配位子とするものである。リン酸エステル銅錯体の配位子をなすリン酸エステル化合物は、下記式（Ｌ−１００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
（ＨＯ）ｎ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＲ１）３−ｎ    式（Ｌ−１００）
式中、Ｒ１は炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数７〜１８のアラルキル基、または炭素数２〜１８のアルケニル基を表すか、−ＯＲ１が、炭素数４〜１００のポリオキシアルキル基、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルオキシアルキル基、または、炭素数４〜１００の（メタ）アクリロイルポリオキシアルキル基を表し、ｎは１または２を表す。ｎが１のとき、Ｒ２はそれぞれ同一でもよいし、異なっていてもよい。
【００９６】
リン酸エステル化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１４−４１３１８号公報の段落００２２〜００４２の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【００９７】
［スルホン酸銅錯体］
本発明において、銅錯体として、スルホン酸銅錯体を用いることもできる。スルホン酸銅錯体は、銅を中心金属としスルホン酸化合物を配位子とするものである。スルホン酸銅錯体の配位子をなすスルホン酸化合物は、下記式（Ｌ−２００）で表される化合物またはその塩が好ましい。
Ｒ２−ＳＯ２−ＯＨ          式（Ｌ−２００）
【００９８】
式中、Ｒ２は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基などを挙げることができる。
アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基は、無置換であってもよく、置換基を有していてもよい。置換基としては、重合性基（好ましくは、ビニル基、（メタ）アクリロイルオキシ基）、（メタ）アクリロイル基などのエチレン性不飽和結合を有する基）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、アルキル基、カルボン酸エステル基（例えば−ＣＯ2ＣＨ3）、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、メタクリロイルオキシ基、アクリロイルオキシ基、エーテル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルフィド基、アミド基、アシル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン原子を含有する酸基、アミノ基、カルバモイル基、カルバモイルオキシ基等が挙げられる。
【００９９】
スルホン酸化合物の具体例としては、上述した配位子が挙げられる。また、特開２０１５−４３０６３号公報の段落番号００２１〜００３９の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１００】
［その他の銅錯体］
本発明において、銅錯体として、フタロシアニン銅錯体、ナフタロシアニン銅錯体を用いることもできる。ナフタロシアニン銅錯体としては、下記化合物が挙げられる。以下の構造式中、Ｂｕはブチル基である。また、本発明において、銅錯体として、多核銅錯体を用いることもできる。具体的にはカルボン酸イオンなどを配位子に有する二核銅錯体等が挙げられ、これらは組成物において単核の銅錯体と平衡状態であっても良い。
【化１３】
0006650040.tif 000014
【０１０１】
＜＜＜ポリマータイプの銅錯体＞＞＞
本発明において、銅錯体として、ポリマー側鎖に銅錯体部位を有する銅含有ポリマーを用いることができる。
【０１０２】
銅錯体部位としては、銅と、銅に対して配位する部位（配位部位）とを有するものが挙げられる。銅に対して配位する部位としては、アニオンまたは非共有電子対で配位する部位が挙げられる。また、銅錯体部位は、銅に対して４座配位または５座配位する部位を有することが好ましい。配位部位の詳細については、上述した低分子タイプの銅化合物で説明したものが挙げられ、好ましい範囲も同様である。
【０１０３】
銅含有ポリマーは、配位部位を含むポリマー（ポリマー（Ｂ１）ともいう）と、銅成分との反応で得られるポリマーや、ポリマー側鎖に反応性部位を有するポリマー（以下ポリマー（Ｂ２）ともいう）と、ポリマー（Ｂ２）が有する反応性部位と反応可能な官能基を有する銅錯体とを反応させて得られるポリマーが挙げられる。銅含有ポリマーの重量平均分子量は、２０００以上が好ましく、２０００〜２００万がより好ましく、６０００〜２００，０００がさらに好ましい。
【０１０４】
銅含有ポリマーは、銅錯体部位を有する繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位としては、架橋性基を有する繰り返し単位などが挙げられる。
【０１０５】
銅錯体層形成用組成物は、銅錯体の含有量が５〜９５質量％が好ましい。下限は１０質量％以上が好ましく、１５質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。上限は、７０質量％以下が好ましく、６０質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
【０１０６】
＜＜他の赤外線吸収剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、銅錯体以外の赤外線吸収剤（他の赤外線吸収剤ともいう）を含有することができる。他の赤外線吸収剤としては、シアニン化合物、ピロロピロール化合物、スクアリリウム化合物、フタロシアニン化合物、ナフタロシアニン化合物、ジイミニウム化合物、チオール錯体化合物、遷移金属酸化物、クアテリレン化合物、クロコニウム化合物等が挙げられる。
【０１０７】
ピロロピロール化合物としては、例えば、特開２００９−２６３６１４号公報の段落番号００１６〜００５８に記載の化合物、特開２０１１−６８７３１号公報の段落番号００３７〜００５２に記載の化合物などが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。スクアリリウム化合物としては、例えば、特開２０１１−２０８１０１号公報の段落番号００４４〜００４９に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。シアニン化合物としては、例えば、特開２００９−１０８２６７号公報の段落番号００４４〜００４５に記載の化合物、特開２００２−１９４０４０号公報の段落番号００２６〜００３０に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ジイミニウム化合物としては、例えば、特表２００８−５２８７０６号公報に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。フタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物、特開２００６−３４３６３１号公報に記載のオキシチタニウムフタロシアニン、特開２０１３−１９５４８０号公報の段落番号００１３〜００２９に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。ナフタロシアニン化合物としては、例えば、特開２０１２−７７１５３号公報の段落番号００９３に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、ジイミニウム化合物、スクアリリウム化合物及びクロコニウム化合物は、特開２０１０−１１１７５０号公報の段落番号００１０〜００８１に記載の化合物を使用してもよく、この内容は本明細書に組み込まれる。また、シアニン系化合物は、例えば、「機能性色素、大河原信／松岡賢／北尾悌次郎／平嶋恒亮・著、講談社サイエンティフィック」を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１０８】
また、他の赤外線吸収剤として、無機微粒子を用いることもできる。無機微粒子は、赤外線遮蔽性がより優れる点で、金属酸化物微粒子または金属微粒子が好ましい。金属酸化物微粒子としては、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粒子、酸化アンチモンスズ（ＡＴＯ）粒子、酸化亜鉛（ＺｎＯ）粒子、Ａｌドープ酸化亜鉛（ＡｌドープＺｎＯ）粒子、フッ素ドープ二酸化スズ（ＦドープＳｎＯ２）粒子、ニオブドープ二酸化チタン（ＮｂドープＴｉＯ２）粒子などが挙げられる。金属微粒子としては、例えば、銀（Ａｇ）粒子、金（Ａｕ）粒子、銅（Ｃｕ）粒子、ニッケル（Ｎｉ）粒子などが挙げられる。また、無機微粒子としては酸化タングステン系化合物が使用できる。酸化タングステン系化合物は、セシウム酸化タングステンであることが好ましい。酸化タングステン系化合物の詳細については、特開２０１６−００６４７６号公報の段落番号００８０を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。無機微粒子の形状は特に制限されず、球状、非球状を問わず、シート状、ワイヤー状、チューブ状であってもよい。
【０１０９】
無機微粒子の平均粒子径は、８００ｎｍ以下が好ましく、４００ｎｍ以下がより好ましく、２００ｎｍ以下が更に好ましい。無機微粒子の平均粒子径がこのような範囲であることによって、可視透明性が良好である。光散乱を回避する観点からは、平均粒子径は小さいほど好ましいが、製造時における取り扱い容易性などの理由から、無機微粒子の平均粒子径は、通常、１ｎｍ以上である。
【０１１０】
銅錯体層形成用組成物が他の赤外線吸収剤を含有する場合、他の赤外線吸収剤の含有量は、銅錯体１００質量部に対し、０．１〜５０質量部が好ましい。下限は０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましく、１質量部以上が更に好ましい。上限は、５０質量部以下が好ましく、４０質量部以下がより好ましく、３５質量部以下が更に好ましい。
【０１１１】
＜＜樹脂＞＞
銅錯体層形成用組成物は、樹脂を含有することが好ましい。樹脂の種類としては、光学材料に使用しうるものであれば特に制限されない。樹脂は透明性の高い樹脂が好ましい。具体的にはポリエチレン、ポリプロピレン、カルボキシル化ポリオレフィン、塩素化ポリオレフィン、シクロオレフィンポリマー等のポリオレフィン樹脂；ポリスチレン樹脂；（メタ）アクリル酸エステル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂等の（メタ）アクリル樹脂；酢酸ビニル樹脂；ハロゲン化ビニル樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；ポリアミド樹脂；ポリウレタン樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリアリレート（ＰＡＲ）等のポリエステル樹脂；ポリカーボネート樹脂；エポキシ樹脂；ポリマレイミド樹脂；ポリウレア樹脂；ポリビニルブチラール樹脂等のポリビニルアセタール樹脂等が挙げられる。なかでも、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリマレイミド樹脂、ポリウレア樹脂が好ましく、（メタ）アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂がさらに好ましく、（メタ）アクリル酸エステル樹脂が特に好ましい。また、樹脂は、アルコキシシリル基を有する化合物のゾルゲル硬化物を用いることも好ましい。アルコキシシリル基を有する化合物としては、後述する架橋性化合物の欄で説明する材料が挙げられる。樹脂の重量平均分子量は、１０００〜３００，０００が好ましい。下限は、２０００以上がより好ましく、３０００以上がさらに好ましい。上限は、１００，０００以下がより好ましく、５０，０００以下がさらに好ましい。樹脂の数平均分子量は、５００〜１５０，０００が好ましい。下限は、１０００以上がより好ましく、２，０００以上がさらに好ましい。上限は、２００，０００以下がより好ましく、１００，０００以下がさらに好ましい。また、エポキシ樹脂の場合、エポキシ樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１００以上が好ましく、２００〜２，０００，０００がより好ましい。上限は、１，０００，０００以下が好ましく、５００，０００以下がより好ましい。下限は、１００以上が好ましく、２００以上がより好ましく、２，０００以上がさらに好ましく、５，０００以上が特に好ましい。
【０１１２】
エポキシ樹脂としては、例えばフェノール化合物のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂、各種ノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族系エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル系エポキシ樹脂、グリシジルアミン系エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂、エポキシ基をもつケイ素化合物とそれ以外のケイ素化合物との縮合物、エポキシ基を持つ重合性不飽和化合物とそれ以外の他の重合性不飽和化合物との共重合体等が挙げられる。
【０１１３】
フェノール化合物のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂としては、例えば２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（２，３−ヒドロキシ）フェニル］エチル］フェニル］プロパン、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、４，４’−ビフェノール、テトラメチルビスフェノールＡ、ジメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、ジメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジメチルビスフェノールＳ、テトラメチル−４，４’−ビフェノール、ジメチル−４，４’−ビフェノール、１−（４−ヒドロキシフェニル）−２−［４−（１，１−ビス−（４−ヒドロキシフェニル）エチル）フェニル］プロパン、２，２’−メチレン−ビス（４−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４，４’−ブチリデン−ビス（３−メチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、トリスヒドロキシフェニルメタン、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロガロール、フロログルシノール、ジイソプロピリデン骨格を有するフェノール類；１，１−ジ−４−ヒドロキシフェニルフルオレン等のフルオレン骨格を有するフェノール類；フェノール化ポリブタジエン等のポリフェノール化合物のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂等が挙げられる。
【０１１４】
ノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物であるエポキシ樹脂としては、例えばフェノール、クレゾール類、エチルフェノール類、ブチルフェノール類、オクチルフェノール類、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ及びビスフェノールＳ等のビスフェノール類、ナフトール類等の各種フェノールを原料とするノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノールノボラック樹脂、ビフェニル骨格含有フェノールノボラック樹脂、フルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等の各種ノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物等が挙げられる。
【０１１５】
脂環式エポキシ樹脂としては、例えば３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−エポキシ）シクロヘキシルカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート等の脂肪族環骨格を有する脂環式エポキシ樹脂が挙げられる。
脂肪族系エポキシ樹脂としては、例えば１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ポリエチレングリコール、ペンタエリスリトール等の多価アルコールのグリシジルエーテル類が挙げられる。
複素環式エポキシ樹脂としては、例えばイソシアヌル環、ヒダントイン環等の複素環を有する複素環式エポキシ樹脂が挙げられる。
グリシジルエステル系エポキシ樹脂としては、例えばヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のカルボン酸エステル類からなるエポキシ樹脂が挙げられる。
グリシジルアミン系エポキシ樹脂としては、例えばアニリン、トルイジン等のアミン類をグリシジル化したエポキシ樹脂が挙げられる。
ハロゲン化フェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂としては、例えばブロム化ビスフェノールＡ、ブロム化ビスフェノールＦ、ブロム化ビスフェノールＳ、ブロム化フェノールノボラック、ブロム化クレゾールノボラック、クロル化ビスフェノールＳ、クロル化ビスフェノールＡ等のハロゲン化フェノール類をグリシジル化したエポキシ樹脂が挙げられる。
【０１１６】
エポキシ基を持つ重合性不飽和化合物とそれ以外の他の重合性不飽和化合物との共重合体としては、市場から入手可能な製品では、マープルーフＧ−０１５０Ｍ、Ｇ−０１０５ＳＡ、Ｇ−０１３０ＳＰ、Ｇ−０２５０ＳＰ、Ｇ−１００５Ｓ、Ｇ−１００５ＳＡ、Ｇ−１０１０Ｓ、Ｇ−２０５０Ｍ、Ｇ−０１１００、Ｇ−０１７５８（以上、日油（株）製）等が挙げられる。エポキシ基を持つ重合性不飽和化合物としては、例えばアクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、４−ビニル−１−シクロヘキセン−１，２−エポキシド等が挙げられる。また他の重合性不飽和化合物の共重合体としては、例えばメチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、スチレン、ビニルシクロヘキサンなどが挙げられ、特にメチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、スチレンが好ましい。
【０１１７】
エポキシ樹脂の好ましいエポキシ当量は、３１０〜３３００ｇ／ｅｑであり、より好ましくは３１０〜１７００ｇ／ｅｑであり、さらに好ましくは３１０〜１０００ｇ／ｅｑである。エポキシ樹脂は１種又は２種以上を混合して用いても良い。
【０１１８】
エポキシ樹脂は、市販品を用いることもできる。市販品としては、例えば、以下のものが挙げられる。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂として、ＪＥＲ８２７、ＪＥＲ８２８、ＪＥＲ８３４、ＪＥＲ１００１、ＪＥＲ１００２、ＪＥＲ１００３、ＪＥＲ１０５５、ＪＥＲ１００７、ＪＥＲ１００９、ＪＥＲ１０１０（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ８６０、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５０、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５１、ＥＰＩＣＬＯＮ１０５５（以上、ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂として、ＪＥＲ８０６、ＪＥＲ８０７、ＪＥＲ４００４、ＪＥＲ４００５、ＪＥＲ４００７、ＪＥＲ４０１０（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ８３０、ＥＰＩＣＬＯＮ８３５（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＬＣＥ−２１、ＲＥ−６０２Ｓ（以上、日本化薬（株）製）等が挙げられる。
フェノールノボラック型エポキシ樹脂として、ＪＥＲ１５２、ＪＥＲ１５４、ＪＥＲ１５７Ｓ７０、ＪＥＲ１５７Ｓ６５（以上、三菱化学（株）製）、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−７４０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−７７０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−７７５（以上、ＤＩＣ（株）製）等が挙げられる。
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂として、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６６０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６６５、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６７０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６７３、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６８０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６９０、ＥＰＩＣＬＯＮ  Ｎ−６９５（以上、ＤＩＣ（株）製）、ＥＯＣＮ−１０２０（日本化薬（株）製）等が挙げられる。
脂肪族系エポキシ樹脂として、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０８０Ｓ、同ＥＰ−４０８５Ｓ、同ＥＰ−４０８８Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＰＯＬＥＡＤ  ＰＢ  ３６００、同ＰＢ  ４７００（以上、（株）ダイセル製）、デナコール  ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス（株）製）等が挙げられる。
その他にも、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ（三菱化学（株）製）等が挙げられる。
【０１１９】
樹脂は下記式（Ａ１−１）〜（Ａ１−７）で表される繰り返し単位の少なくとも１種を有する樹脂であることも好ましい。
【化１４】
0006650040.tif 000015
式中、Ｒ１は水素原子またはアルキル基を表し、Ｌ１〜Ｌ４はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表し、Ｒ１０〜Ｒ１３はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。Ｒ１４およびＲ１５は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。
【０１２０】
Ｒ１が表すアルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ１は、水素原子またはメチル基が好ましい。
【０１２１】
Ｌ１〜Ｌ４はそれぞれ独立に、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、アルキレン基、アリーレン基、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＳＯ２−、−ＮＲａ−（Ｒａは水素原子あるいはアルキル基を表す）、または、これらの組み合わせからなる基が挙げられる。アルキレン基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜１５がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。アルキレン基は、置換基を有していてもよいが、無置換が好ましい。アルキレン基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよい。また、環状のアルキレン基は、単環、多環のいずれであってもよい。アリーレン基の炭素数は、６〜１８が好ましく、６〜１４がより好ましく、６〜１０がさらに好ましい。
【０１２２】
Ｒ１０が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでもよく、環状が好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は、１〜３０が好ましく、１〜２０がより好ましく、１〜１０がさらに好ましい。Ｒ１０が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６がさらに好ましい。Ｒ１０は、環状のアルキル基またはアリール基が好ましい。
【０１２３】
Ｒ１１、Ｒ１２が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。Ｒ１１，Ｒ１２が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。Ｒ１１、Ｒ１２は、直鎖状または分岐状のアルキル基が好ましい。
【０１２４】
Ｒ１３が表すアルキル基は、直鎖状、分岐状または環状のいずれでも良く、直鎖状または分岐状が好ましい。アルキル基は置換基を有していてもよく、無置換であってもよい。アルキル基の炭素数は１〜１２が好ましく、１〜６がより好ましく、１〜４が更に好ましい。Ｒ１３が表すアリール基の炭素数は６〜１８が好ましく、６〜１２がより好ましく、６が更に好ましい。Ｒ１３は、直鎖状または分岐状のアルキル基、または、アリール基が好ましい。
【０１２５】
Ｒ１４およびＲ１５が表す置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、ヘテロアリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロアリールチオ基、−ＮＲａ１Ｒａ２、−ＣＯＲａ３、−ＣＯＯＲａ４、−ＯＣＯＲａ５、−ＮＨＣＯＲａ６、−ＣＯＮＲａ７Ｒａ８、−ＮＨＣＯＮＲａ９Ｒａ１０、−ＮＨＣＯＯＲａ１１、−ＳＯ２Ｒａ１２、−ＳＯ２ＯＲａ１３、−ＮＨＳＯ２Ｒａ１４または−ＳＯ２ＮＲａ１５Ｒａ１６が挙げられる。Ｒａ１〜Ｒａ１６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、または、ヘテロアリール基を表す。なかでも、Ｒ１４およびＲ１５の少なくとも一方は、シアノ基または−ＣＯＯＲａ４を表すことが好ましい。Ｒａ４は、水素原子、アルキル基またはアリール基を表すことが好ましい。
【０１２６】
式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の市販品としては、ＡＲＴＯＮ  Ｆ４５２０（ＪＳＲ（株）製）などが挙げられる。また、式（Ａ１−７）で表される繰り返し単位を有する樹脂の詳細については、特開２０１１−１０００８４号公報の段落番号００５３〜００７５、０１２７〜０１３０の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１２７】
樹脂は、式（Ａ１−１）および／または式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位を有する樹脂であることが好ましく、式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位を有する樹脂であることがより好ましい。この態様によれば、得られる硬化膜の耐熱衝撃性が向上する傾向にある。更には、銅錯体と樹脂との相溶性が向上し、析出物などの少ない硬化膜を製造することができる。架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂は、低温（例えば、２５℃以下、より好ましくは０℃以下）で保存して用いることが好ましい。
【０１２８】
樹脂は、架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂であることも好ましい。この態様によれば、耐溶剤性や耐熱衝撃性などに優れた硬化膜が得られやすい。特に、式（Ａ１−１）および／または式（Ａ１−４）で表される繰り返し単位と、架橋性基を有する繰り返し単位とを含む樹脂がより好ましい。
【０１２９】
架橋性基は、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基が好ましく、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基がより好ましく、環状エーテル基、アルコキシシリル基が更に好ましく、アルコキシシリル基が特に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。環状エーテル基としては、エポキシ基（オキシラニル基）、オキセタニル基、脂環エポキシ基などが挙げられる。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられる。
【０１３０】
架橋性基を有する繰り返し単位は、例えば、下記式（Ａ２−１）〜（Ａ２−４）で表される繰り返し単位等が挙げられ、式（Ａ２−１）〜（Ａ２−３）で表される繰り返し単位が好ましい。
【化１５】
0006650040.tif 000016
【０１３１】
Ｒ２は、水素原子またはアルキル基を表す。アルキル基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がさらに好ましく、１が特に好ましい。Ｒ２は、水素原子またはメチル基が好ましい。
【０１３２】
Ｌ５１は、単結合または２価の連結基を表す。２価の連結基としては、上記式（Ａ１−１）〜（Ａ１−７）のＬ１〜Ｌ４で説明した２価の連結基が挙げられる。Ｌ５１は、アルキレン基または、アルキレン基と−Ｏ−とを組み合わせてなる基が好ましい。Ｌ５１の鎖を構成する原子の数は、２以上が好ましく、３以上がより好ましく、４以上がさらに好ましい。上限は、例えば２００以下とすることができる。
【０１３３】
Ｐ１は、架橋性基を表す。架橋性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、メチロール基、アルコキシシリル基等が挙げられ、エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基が好ましく、環状エーテル基、アルコキシシリル基がより好ましく、アルコキシシリル基が更に好ましい。エチレン性不飽和結合を有する基、環状エーテル基、アルコキシシリル基の詳細については上述した基が挙げられる。アルコキシシリル基におけるアルコキシ基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２が特に好ましい。
【０１３４】
樹脂が、架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂である場合、樹脂は、架橋性基を有する繰り返し単位を、樹脂の全繰り返し単位中１０〜９０質量％含有することが好ましく、１０〜８０質量％含有することがより好ましく、３０〜８０質量％含有することがさらに好ましい。この態様によれば、耐溶剤性に優れた硬化膜が得られ易い。
【０１３５】
樹脂は、上述した繰り返し単位の他に、他の繰り返し単位を含有していてもよい。他の繰り返し単位を構成する成分としては、特開２０１０−１０６２６８号公報の段落番号００６８〜００７５（対応する米国特許出願公開第２０１１／０１２４８２４号明細書の段落番号０１１２〜０１１８）の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【０１３６】
樹脂の具体例としては、以下に示す構造の樹脂が挙げられる。なお、繰り返し単位に併記した数値は、質量比である。
【化１６】
0006650040.tif 000017
【０１３７】
銅錯体層形成用組成物が樹脂を含有する場合、樹脂の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、１〜９０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。上限は、８０質量％以下が好ましく、７５質量％以下がより好ましい。樹脂は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１３８】
＜＜架橋性基を有する化合物（架橋性化合物）＞＞
銅錯体層形成用組成物は、架橋性基を有する化合物（以下、架橋性化合物ともいう）を含有してもよい。架橋性化合物としては、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、環状エーテル基を有する化合物、メチロール基を有する化合物、アルコキシシリル基を有する化合物等が挙げられる。エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、（メタ）アリル基、（メタ）アクリロイル基などが挙げられる。環状エーテル基としては、エポキシ基（オキシラニル基）、オキセタニル基、脂環エポキシ基などが挙げられる。アルコキシシリル基としては、モノアルコキシシリル基、ジアルコキシシリル基、トリアルコキシシリル基が挙げられる。
【０１３９】
架橋性化合物は、モノマー、ポリマーのいずれの形態であってもよいがモノマーが好ましい。モノマータイプの架橋性化合物は、分子量が１００〜３０００であることが好ましい。上限は、２０００以下が好ましく、１５００以下が更に好ましい。下限は、１５０以上が好ましく、２５０以上が更に好ましい。また、架橋性化合物は、分子量分布を実質的に有さない化合物であることも好ましい。ここで、分子量分布を実質的に有さないとは、化合物の分散度（重量平均分子量（Ｍｗ）／数平均分子量（Ｍｎ））が、１．０〜１．５であることが好ましく、１．０〜１．３がより好ましい。
【０１４０】
架橋性化合物の架橋性基当量は、３．０〜８．０ｍｍｏｌ／ｇが好ましく、３．５〜８．０ｍｍｏｌ／ｇがより好ましく、４．０〜７．０ｍｍｏｌ／ｇがさらに好ましい。また、架橋性化合物は、一分子中に架橋性基を２個以上有することが好ましい。上限は、１５個以下が好ましく、１０個以下がより好ましく、６個以下がさらに好ましい。なお、架橋性化合物の架橋性基当量は、試料１ｇ中に含まれる架橋性基量（ｍｍｏｌ）で定義される。
【０１４１】
本発明において、架橋性化合物は、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物、環状エーテル基を有する化合物、アルコキシシリル基を有する化合物が好ましく、アルコキシシリル基を有する化合物がさらに好ましい。また、アルコキシシリル基を有する化合物は、ケイ素価が３．０〜８．０ｍｍｏｌ／ｇであることが好ましく、３．５〜８．０ｍｍｏｌ／ｇがより好ましく、４．０〜７．０ｍｍｏｌ／ｇがさらに好ましい。なお、架橋性化合物のケイ素価は、試料１ｇ中に含まれるケイ素量（ｍｍｏｌ）で定義される。
【０１４２】
（エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物）
本発明において、架橋性化合物として、エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物を用いることができる。エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、モノマーであることが好ましい。上記化合物の分子量は、１００〜３０００が好ましい。上限は、２０００以下が好ましく、１５００以下が更に好ましい。下限は、１５０以上が好ましく、２５０以上が更に好ましい。上記化合物は、３〜１５官能の（メタ）アクリレート化合物であることが好ましく、３〜６官能の（メタ）アクリレート化合物であることがより好ましい。
【０１４３】
エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物の例としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００３３〜００３４の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物としては、エチレンオキシ変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＮＫエステルＡＴＭ−３５Ｅ；新中村化学社製）、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３３０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３２０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては  ＫＡＹＡＲＡＤ  Ｄ−３１０；日本化薬株式会社製）、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ；日本化薬株式会社製、Ａ−ＤＰＨ−１２Ｅ；新中村化学工業社製）、およびこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール、プロピレングリコール残基を介して結合している構造が好ましい。またこれらのオリゴマータイプも使用できる。また、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落番号００３４〜００３８の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落番号０４７７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の段落番号０５８５）に記載の重合性モノマー等が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
また、ジグリセリンＥＯ（エチレンオキシド）変性（メタ）アクリレート（市販品としては  Ｍ−４６０；東亞合成製）、ペンタエリスリトールテトラアクリレート（新中村化学工業社製、Ａ−ＴＭＭＴ）、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（日本化薬社製、ＫＡＹＡＲＡＤ  ＨＤＤＡ）、ＲＰ−１０４０（日本化薬社製）なども好ましい。
【０１４４】
エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、カルボキシル基、スルホ基、リン酸基等の酸基を有していてもよい。酸基を有する化合物としては、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルなどが挙げられる。脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシル基に、非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせた化合物が好ましく、特に好ましくは、このエステルにおいて、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトールおよび／またはジペンタエリスリトールであるものである。市販品としては、例えば、東亞合成社製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、アロニックスシリーズのＭ−３０５、Ｍ−５１０、Ｍ−５２０などが挙げられる。酸基を有する化合物の酸価は、０．１〜４０ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましい。下限は５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上が好ましい。上限は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以下が好ましい。
【０１４５】
エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物は、カプロラクトン構造を有する化合物も好ましい態様である。カプロラクトン構造を有する化合物としては、分子内にカプロラクトン構造を有する限り特に限定されるものではないが、例えば、トリメチロールエタン、ジトリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ジトリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、トリペンタエリスリトール、グリセリン、ジグリセロール、トリメチロールメラミン等の多価アルコールと、（メタ）アクリル酸及びε−カプロラクトンをエステル化することにより得られる、ε−カプロラクトン変性多官能（メタ）アクリレートを挙げることができる。カプロラクトン構造を有する化合物としては、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落００４２〜００４５の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。カプロラクトン構造を有する化合物は、例えば、日本化薬（株）からＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＣＡシリーズとして市販されている、ＤＰＣＡ−２０、ＤＰＣＡ−３０、ＤＰＣＡ−６０、ＤＰＣＡ−１２０等、サートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ−４９４、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ−３３０などが挙げられる。
【０１４６】
エチレン性不飽和結合を有する基を有する化合物としては、特公昭４８−４１７０８号公報、特開昭５１−３７１９３号公報、特公平２−３２２９３号公報、特公平２−１６７６５号公報に記載されているウレタンアクリレート類や、特公昭５８−４９８６０号公報、特公昭５６−１７６５４号公報、特公昭６２−３９４１７号公報、特公昭６２−３９４１８号公報に記載されているエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。また、特開昭６３−２７７６５３号公報、特開昭６３−２６０９０９号公報、特開平１−１０５２３８号公報に記載されている化合物を用いることも好ましい。市販品としては、ウレタンオリゴマーＵＡＳ−１０、ＵＡＢ−１４０（山陽国策パルプ社製）、ＵＡ−７２００（新中村化学工業社製）、ＤＰＨＡ−４０Ｈ（日本化薬社製）、ＵＡ−３０６Ｈ、ＵＡ−３０６Ｔ、ＵＡ−３０６Ｉ、ＡＨ−６００、Ｔ−６００、ＡＩ−６００（共栄社化学社製）などが挙げられる。
【０１４７】
（環状エーテル基を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、環状エーテル基を有する化合物を用いることもできる。環状エーテル基としては、エポキシ基、オキセタニル基が挙げられ、エポキシ基が好ましい。
環状エーテル基を有する化合物は、側鎖に環状エーテル基を有するポリマー、分子内に２個以上の環状エーテル基を有するモノマーまたはオリゴマーなどが挙げられる。例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等を挙げることができる。また単官能または多官能グリシジルエーテル化合物を用いることもできる。環状エーテル基を有する化合物の重量平均分子量は、５００〜５００００００が好ましく、１０００〜５０００００がより好ましい。
【０１４８】
環状エーテル基を有する化合物の市販品としては、例えば、特開２０１２−１５５２８８号公報の段落０１９１等の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、デナコール  ＥＸ−２１２Ｌ、ＥＸ−２１４Ｌ、ＥＸ−２１６Ｌ、ＥＸ−３２１Ｌ、ＥＸ−８５０Ｌ（以上、ナガセケムテックス(株)製）等の多官能脂肪族グリシジルエーテル化合物が挙げられる。これらは、低塩素品であるが、低塩素品ではない、ＥＸ−２１２、ＥＸ−２１４、ＥＸ−２１６、ＥＸ−３２１、ＥＸ−８５０なども同様に使用できる。その他にも、ＡＤＥＫＡ  ＲＥＳＩＮ  ＥＰ−４０００Ｓ、同ＥＰ−４００３Ｓ、同ＥＰ−４０１０Ｓ、同ＥＰ−４０１１Ｓ（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＮＣ−２０００、ＮＣ−３０００、ＮＣ−７３００、ＸＤ−１０００、ＥＰＰＮ−５０１、ＥＰＰＮ−５０２（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）、ＪＥＲ１０３１Ｓ、セロキサイド２０２１Ｐ、セロキサイド２０８１、セロキサイド２０８３、セロキサイド２０８５、ＥＨＰＥ３１５０、ＥＰＯＬＥＡＤ  ＰＢ  ３６００、同ＰＢ  ４７００（以上、（株）ダイセル製）、サイクロマーＰ  ＡＣＡ  ２００Ｍ、同ＡＣＡ  ２３０ＡＡ、同ＡＣＡ  Ｚ２５０、同ＡＣＡ  Ｚ２５１、同ＡＣＡ  Ｚ３００、同ＡＣＡ  Ｚ３２０（以上、（株）ダイセル製）等も挙げられる。さらに、フェノールノボラック型エポキシ樹脂の市販品として、ＪＥＲ−１５７Ｓ６５、ＪＥＲ−１５２、ＪＥＲ−１５４、ＪＥＲ−１５７Ｓ７０（以上、三菱化学（株）製）等が挙げられる。また、側鎖にオキセタニル基を有するポリマー、分子内に２個以上のオキセタニル基を有する重合性モノマーまたはオリゴマーの具体例としては、アロンオキセタンＯＸＴ−１２１、ＯＸＴ−２２１、ＯＸ−ＳＱ、ＰＮＯＸ（以上、東亞合成（株）製）を用いることができる。
【０１４９】
（アルコキシシリル基を有する化合物）
本発明では、架橋性化合物として、アルコキシシリル基を有する化合物を用いることもできる。アルコキシシリル基におけるアルコキシ基の炭素数は、１〜５が好ましく、１〜３がより好ましく、１または２が特に好ましい。アルコキシシリル基は、一分子中に２個以上有することが好ましく、２〜３個有することがさらに好ましい。アルコキシシリル基を有する化合物の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、ヘキシルトリエトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、１，６−ビス（トリメトキシシリル）ヘキサン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシランの塩酸塩、トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。また、上記以外にアルコキシオリゴマーを用いることができる。また、下記化合物を用いることもできる。
【化１７】
0006650040.tif 000018
【０１５０】
市販品としては、信越シリコーン社製のＫＢＭ−１３、ＫＢＭ−２２、ＫＢＭ−１０３、ＫＢＥ−１３、ＫＢＥ−２２、ＫＢＥ−１０３、ＫＢＭ−３０３３、ＫＢＥ−３０３３、ＫＢＭ−３０６３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−３０８６、ＫＢＥ−３０６３、ＫＢＥ−３０８３、ＫＢＭ−３１０３、ＫＢＭ−３０６６、ＫＢＭ−７１０３、ＳＺ−３１、ＫＰＮ−３５０４、ＫＢＭ−１００３、ＫＢＥ−１００３、ＫＢＭ−３０３、ＫＢＭ−４０２、ＫＢＭ−４０３、ＫＢＥ−４０２、ＫＢＥ−４０３、ＫＢＭ−１４０３、ＫＢＭ−５０２、ＫＢＭ−５０３、ＫＢＥ−５０２、ＫＢＥ−５０３、ＫＢＭ−５１０３、ＫＢＭ−６０２、ＫＢＭ−６０３、ＫＢＭ−９０３、ＫＢＥ−９０３、ＫＢＥ−９１０３、ＫＢＭ−５７３、ＫＢＭ−５７５、ＫＢＭ−９６５９、ＫＢＥ−５８５、ＫＢＭ−８０２、ＫＢＭ−８０３、ＫＢＥ−８４６、ＫＢＥ−９００７、Ｘ−４０−１０５３、Ｘ−４１−１０５９Ａ、Ｘ−４１−１０５６、Ｘ−４１−１８０５、Ｘ−４１−１８１８、Ｘ−４１−１８１０、Ｘ−４０−２６５１、Ｘ−４０−２６５５Ａ、ＫＲ−５１３，ＫＣ−８９Ｓ，ＫＲ−５００、Ｘ−４０−９２２５、Ｘ−４０−９２４６、Ｘ−４０−９２５０、ＫＲ−４０１Ｎ、Ｘ−４０−９２２７、Ｘ−４０−９２４７、ＫＲ−５１０、ＫＲ−９２１８、ＫＲ−２１３、Ｘ−４０−２３０８、Ｘ−４０−９２３８などが挙げられる。
【０１５１】
銅錯体層形成用組成物が架橋性化合物を含有する場合、架橋性化合物の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、１〜３０質量％が好ましく、１〜２５質量％がより好ましく、１〜２０質量％がさらに好ましい。架橋性化合物は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１５２】
＜＜脱水剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、脱水剤を含有することも好ましい。銅錯体層形成用組成物が脱水剤を含有することにより液の保存安定性を向上させることができる。脱水剤の具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、テトラメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、及びジフェニルジメトキシシランなどのシラン化合物；オルトギ酸メチル、オルトギ酸エチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルトプロピオン酸トリメチル、オルトプロピオン酸トリエチル、オルトイソプロピオン酸トリメチル、オルトイソプロピオン酸トリエチル、オルト酪酸トリメチル、オルト酪酸トリエチル、オルトイソ酪酸トリメチル、オルトイソ酪酸トリエチルなどのオルトエステル化合物；アセトンジメチルケタ−ル、ジエチルケトンジメチルケタ−ル、アセトフェノンジメチルケタ−ル、シクロヘキサノンジメチルケタ−ル、シクロヘキサノンジエチルケタ−ル、ベンゾフェノンジメチルケタ−ルなどのケタール化合物；メタノール、エタノールなどの炭素数１〜４の低級アルコールなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよく２種以上併用してもよい。
【０１５３】
脱水剤は、たとえば樹脂を重合する前の成分に加えてもよく、樹脂の重合中に加えてもよく、また、得られた樹脂とその他の成分との混合時に加えてもよく特に制限はない。
脱水剤の含有量には特に限定はないが、樹脂１００質量部に対して０．５〜２０質量部が好ましく、２〜１０質量部がより好ましい。
【０１５４】
＜＜重合開始剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、重合開始剤を含んでもよい。重合開始剤としては、光、熱のいずれか或いはその双方により重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はないが、光重合開始剤が好ましい。光で重合を開始させる場合、紫外領域から可視領域の光線に対して感光性を有するものが好ましい。また、熱で重合を開始させる場合には、１５０〜２５０℃で分解する重合開始剤が好ましい。
【０１５５】
重合開始剤としては、芳香族基を有する化合物が好ましい。例えば、アシルホスフィン化合物、アセトフェノン化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾインエーテル化合物、ケタール誘導体化合物、チオキサントン化合物、オキシム化合物、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、トリハロメチル化合物、アゾ化合物、有機過酸化物、ジアゾニウム化合物、ヨードニウム化合物、スルホニウム化合物、アジニウム化合物、メタロセン化合物等のオニウム塩化合物、有機硼素塩化合物、ジスルホン化合物、チオール化合物などが挙げられる。重合開始剤は、特開２０１３−２５３２２４号公報の段落０２１７〜０２２８の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１５６】
重合開始剤は、オキシム化合物、α−ヒドロキシケトン化合物、α−アミノケトン化合物、及び、アシルホスフィン化合物が好ましい。α−ヒドロキシケトン化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１８４、ＤＡＲＯＣＵＲ−１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−１２７（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。α−アミノケトン化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３６９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−３７９ＥＧ（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。アシルホスフィン化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−８１９、ＤＡＲＯＣＵＲ−ＴＰＯ（以上、ＢＡＳＦ社製）を用いることができる。オキシム化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカオプトマーＮ−１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２−１４０５２号公報に記載の光重合開始剤２）等を用いることができる。
【０１５７】
重合開始剤の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。重合開始剤は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１５８】
＜＜溶剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、溶剤を含有することが好ましい。溶剤は、特に制限はなく、各成分を均一に溶解或いは分散しうるものであれば、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、水、有機溶剤を用いることができる。
有機溶剤としては、例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類、およびジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホラン等が好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。
アルコール類、芳香族炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類の具体例としては、特開２０１２−１９４５３４号公報の段落０１３６等に記載のものが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
エステル類、ケトン類、エーテル類の具体例としては、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０４９７（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６０９]）に記載のものが挙げられる。さらに、酢酸−ｎ−アミル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、硫酸メチル、アセトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテートなどが挙げられる。
溶剤としては、１−メトキシ−２−プロパノール、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、酢酸ブチル、乳酸エチルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルから選択される少なくとも１種以上を用いることが好ましい。
【０１５９】
本発明において、金属含有量の少ない溶剤を用いることが好ましく、溶剤の金属含有量は、例えば１０質量ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であることが好ましい。必要に応じて質量ｐｐｔ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｔｒｉｌｌｉｏｎ）レベルの溶剤を用いてもよく、そのような高純度溶剤は例えば東洋合成社が提供している（化学工業日報、２０１５年１１月１３日）。
【０１６０】
溶剤から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、蒸留（分子蒸留や薄膜蒸留等）やフィルタを用いたろ過を挙げることができる。ろ過に用いるフィルタのフィルタ孔径としては、１０μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましく、３μｍ以下が更に好ましい。フィルタの材質は、ポリテトラフロロエチレン、ポリエチレンまたはナイロンが好ましい。
【０１６１】
溶剤は、異性体（同じ原子数で異なる構造の化合物）が含まれていてもよい。また、異性体は、１種のみが含まれていてもよいし、複数種含まれていてもよい。
【０１６２】
溶剤の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分が５〜６０質量％となる量が好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましい。上限は、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１６３】
＜＜触媒＞＞
銅錯体層形成用組成物は、触媒を含んでもよい。例えば、樹脂として、アルコキシシリル基等の架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂を用いた場合や、架橋性化合物を用いた場合、銅錯体層形成用組成物が触媒を含有することで、架橋性基の架橋を促進して、耐溶剤性や耐熱性に優れた近赤外線カットフィルタが得られ易い。
【０１６４】
触媒としては、有機金属系触媒、酸系触媒、アミン系触媒などが挙げられ、有機金属系触媒が好ましい。有機金属系触媒は、Ｎａ、Ｋ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、及びＢｉからなる群より選択される少なくとも１つの金属を含む、酸化物、硫化物、ハロゲン化物、炭酸塩、カルボン酸塩、スルホン酸塩、リン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、アルコキシド、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。なかでも、上記金属の、ハロゲン化物、カルボン酸塩、硝酸塩、硫酸塩、水酸化物、及び置換基を有していてもよいアセチルアセトナート錯体からなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましく、アセチルアセトナート錯体が更に好ましい。特に、Ａｌのアセチルアセトナート錯体が好ましい。有機金属系触媒の具体例としては、例えば、トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウムなどが挙げられる。
【０１６５】
銅錯体層形成用組成物が、触媒を含有する場合、触媒の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して０．０１〜５質量％が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下が更に好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。
【０１６６】
＜＜熱安定性付与剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、熱安定性付与剤を含有することもできる。熱安定性付与剤としてはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物の市販品としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、ＴＲ−ＰＢＧ−３０４（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカアークルズＮＣＩ−９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）、アデカオプトマーＮ−１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２−１４０５２号公報に記載の光重合開始剤２）等を用いることができる。
本発明は、オキシム化合物として、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることもできる。フッ素原子を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０−２６２０２８号公報に記載の化合物、特表２０１４−５００８５２号公報に記載の化合物２４、３６〜４０、特開２０１３−１６４４７１号公報に記載の化合物（Ｃ−３）などが挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
本発明は、オキシム化合物として、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物は、二量体とすることも好ましい。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３−１１４２４９号公報の段落番号００３１〜００４７、特開２０１４−１３７４６６号公報の段落番号０００８〜００１２、００７０〜００７９に記載されている化合物、特許４２２３０７１号公報の段落番号０００７〜００２５に記載されている化合物、アデカアークルズＮＣＩ−８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）が挙げられる。
【０１６７】
本発明は、オキシム化合物として、フルオレン環を有するオキシム化合物を用いることもできる。フルオレン環を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１４−１３７４６６号公報に記載の化合物が挙げられる。この内容は本明細書に組み込まれる。
【０１６８】
本発明は、オキシム化合物として、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。具体例としては、国際公開ＷＯ２０１５／０３６９１０号公報に記載されている化合物ＯＥ−０１〜ＯＥ−７５が挙げられる。
【０１６９】
熱安定性付与剤の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１０質量％以下がより好ましい。
【０１７０】
＜＜界面活性剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、界面活性剤を含んでもよい。界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。界面活性剤の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましい。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。
【０１７１】
界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。近赤外線吸収組成物は、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含有することが好ましい。被塗布面と塗布液との界面張力が低下して、被塗布面への濡れ性が改善される。このため、組成物の液特性（特に、流動性）が向上し、塗布厚の均一性や省液性がより改善する。その結果、少量の液量で数μｍ程度の薄膜を形成した場合であっても、厚みムラの小さい均一厚の膜形成を行える。
【０１７２】
フッ素系界面活性剤のフッ素含有率は、３〜４０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、７質量％以上が更に好ましい。上限は、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下が更に好ましい。フッ素含有率が上述した範囲内である場合は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、溶解性も良好である。
【０１７３】
フッ素系界面活性剤として具体的には、特開２０１４−４１３１８号公報の段落番号００６０〜００６４（対応する国際公開２０１４／１７６６９号公報の段落番号００６０〜００６４）等に記載の界面活性剤、特開２０１１−１３２５０３号公報の段落番号０１１７〜０１３２に記載の界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１（以上、住友スリーエム（株）製）、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ−３８１、同ＳＣ−３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ−４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰｏｌｙＦｏｘ  ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（以上、ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。
【０１７４】
また、フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を含有する官能基を持つ分子構造で、熱を加えるとフッ素原子を含有する官能基の部分が切断されてフッ素原子が揮発するアクリル系化合物も好適に使用できる。このようなフッ素系界面活性剤としては、ＤＩＣ（株）製のメガファックＤＳシリーズ（化学工業日報、２０１６年２月２２日）（日経産業新聞、２０１６年２月２３日）、例えばメガファックＤＳ−２１が挙げられ、これらを用いることができる。
【０１７５】
フッ素系界面活性剤は、ブロックポリマーを用いることもできる。例えば特開２０１１−８９０９０号公報に記載された化合物が挙げられる。フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができる。下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。
【化１８】
0006650040.tif 000019
上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００〜５０，０００であり、例えば、１４，０００である。上記の化合物中、繰り返し単位の割合を示す％は質量％である。
【０１７６】
また、フッ素系界面活性剤は、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体を用いることもできる。具体例としては、特開２０１０−１６４９６５号公報の段落番号００５０〜００９０および段落番号０２８９〜０２９５に記載された化合物、例えばＤＩＣ（株）製のメガファックＲＳ−１０１、ＲＳ−１０２、ＲＳ−７１８Ｋ、ＲＳ−７２−Ｋ等が挙げられる。フッ素系界面活性剤は、特開２０１５−１１７３２７号公報の段落番号００１５〜０１５８に記載の化合物を用いることもできる。
【０１７７】
ノニオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０５５３（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６７９]）等に記載のノニオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
カチオン系界面活性剤として具体的には、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０５５４（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８０]）に記載のカチオン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
アニオン系界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）製）等が挙げられる。
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、特開２０１２−２０８４９４号公報の段落０５５６（対応する米国特許出願公開第２０１２／０２３５０９９号明細書の[０６８２]）等に記載のシリコーン系界面活性剤が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【０１７８】
＜＜紫外線吸収剤＞＞
銅錯体層形成用組成物は、紫外線吸収剤を含有することができる。この態様によれば、１層で上述した分光特性を満たす近赤外線カットフィルタを形成することもできる。
【０１７９】
紫外線吸収剤としては、共役ジエン化合物、アミノジエン化合物、サリシレート化合物、ベンゾフェノン化合物、ベンゾトリアゾール化合物、アクリロニトリル化合物、ヒドロキシフェニルトリアジン化合物などを用いることができる。なかでも、銅錯体等との相溶性が良好であり、更には銅錯体と吸収波長が適し、優れた可視透明性を維持しつつ、紫外線の遮蔽性を高めることができるという理由から、ベンゾトリアゾール化合物およびヒドロキシフェニルトリアジン化合物が好ましい。これらの詳細については、特開２０１２−２０８３７４号公報の段落番号００５２〜００７２、特開２０１３−６８８１４号公報の段落番号０３１７〜０３３４の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
【０１８０】
また、共役ジエン化合物は、下記式（ＵＶ−１）で表される化合物が好ましい。
【化１９】
0006650040.tif 000020
【０１８１】
式（ＵＶ−１）において、Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、又は炭素原子数６〜２０のアリール基を表し、Ｒ１とＲ２とは互いに同一でも異なっていてもよいが、同時に水素原子を表すことはない。
Ｒ１及びＲ２は、Ｒ１及びＲ２が結合する窒素原子とともに、環状アミノ基を形成していてもよい。環状アミノ基としては、例えば、ピペリジノ基、モルホリノ基、ピロリジノ基、ヘキサヒドロアゼピノ基、ピペラジノ基等が挙げられる。
Ｒ１及びＲ２は、各々独立に、炭素原子数１〜２０のアルキル基が好ましく、炭素原子数１〜１０のアルキル基がより好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基が更に好ましい。
Ｒ３及びＲ４は、電子求引性基を表す。Ｒ３及びＲ４は、アシル基、カルバモイル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホニルオキシ基、スルファモイル基が好ましく、アシル基、カルバモイル基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、シアノ基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホニルオキシ基、スルファモイル基が好ましい。また、Ｒ３及びＲ４は、互いに結合して環状の電子求引性基を形成してもよい。Ｒ３およびＲ４が互いに結合して形成する環状の電子求引性基としては、例えば、２個のカルボニル基を含む６員環を挙げることができる。
上記のＲ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４の少なくとも１つは、連結基を介して、ビニル基と結合したモノマーより導かれるポリマーの形になっていてもよい。他のモノマーとの共重合体であっても良い。
【０１８２】
式（ＵＶ−１）で示される紫外線吸収剤の置換基の説明は、特開２０１３−６８８１４号公報の段落番号０３２０〜０３２７の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。式（ＵＶ−１）で示される紫外線吸収剤の市販品としては、例えば、ＵＶ５０３（大東化学（株）製）などが挙げられる。
【０１８３】
ベンゾトリアゾール化合物としては、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−ブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−ｔｅｒｔ−アミル−５’−イソブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−イソブチル−５’−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’−イソブチル−５’−プロピルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−３’，５’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２’−ヒドロキシ−５’−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２’−ヒドロキシ−５’−（１，１，３，３−テトラメチル）フェニル］ベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、３−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−５−（１，１−ジメチルエチル）−４−ヒドロキシ、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−４，６−ビス（１−メチル−１−フェニルエチル）フェノール、２−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）−６−（１−メチル−１−フェニルエチル）−４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）フェノールなどが挙げられる。市販品としては、ＴＩＮＵＶＩＮ  ＰＳ、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９９−２、ＴＩＮＵＶＩＮ  ３８４−２、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９００、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９２８、ＴＩＮＵＶＩＮ  １１３０（以上、ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。ベンゾトリアゾール化合物としてはミヨシ油脂製のＭＹＵＡシリーズ（化学工業日報、２０１６年２月１日）を用いてもよい。
【０１８４】
ヒドロキシフェニルトリアジン化合物としては、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−ドデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−［４−［（２−ヒドロキシ−３−トリデシルオキシプロピル）オキシ］−２−ヒドロキシフェニル］−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジンなどのモノ（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物；２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−プロピルオキシフェニル）−６−（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−４−プロピルオキシフェニル）−６−（４−メチルフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（２−ヒドロキシ−３−メチル−４−ヘキシルオキシフェニル）−６−（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジンなどのビス（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物；２，４−ビス（２−ヒドロキシ−４−ブトキシフェニル）−６−（２，４−ジブトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス（２−ヒドロキシ−４−オクチルオキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４，６−トリス［２−ヒドロキシ−４−（３−ブトキシ−２−ヒドロキシプロピルオキシ）フェニル］−１，３，５−トリアジンなどのトリス（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物等が挙げられる。また、２−（４，６−ビス（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−ヒドロキシフェニルとアルキルオキシメチルオキシランとの反応生成物、２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−４，６−ビス−（２，４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジンと（２−エチルヘキシル）−グリシド酸エステルとの反応生成物などを用いることもできる。市販品としては、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４００、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４０５、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４６０、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４７７、ＴＩＮＵＶＩＮ  ４７９（以上、ＢＡＳＦ社製）などが挙げられる。
【０１８５】
紫外線吸収剤の含有量は、銅錯体層形成用組成物の全固形分に対して、０．０１〜１０質量％が好ましく、０．０１〜５質量％がより好ましい。
【０１８６】
＜＜その他の成分＞＞
銅錯体層形成用組成物は、さらに、分散剤、増感剤、硬化促進剤、フィラー、熱硬化促進剤、熱重合禁止剤、可塑剤、密着促進剤及びその他の助剤類（例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など）を含んでいてもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする近赤外線カットフィルタの安定性、膜物性などの性質を調整することができる。これらの成分は、特開２００８−２５００７４号公報の段落番号０１０１〜０１０４、０１０７〜０１０９等の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、酸化防止剤としては、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物などが挙げられる。分子量５００以上のフェノール化合物、分子量５００以上の亜リン酸エステル化合物又は分子量５００以上のチオエーテル化合物がより好ましい。これらは２種以上を混合して使用してもよい。フェノール化合物としては、フェノール系酸化防止剤として知られる任意のフェノール化合物を使用することができる。好ましいフェノール化合物としては、ヒンダードフェノール化合物が挙げられる。特に、フェノール性水酸基に隣接する部位（オルト位）に置換基を有する化合物が好ましい。前述の置換基としては炭素数１〜２２の置換又は無置換のアルキル基が好ましく、メチル基、エチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｔ−ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、２−エチルへキシル基がより好ましい。また、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する化合物（酸化防止剤）も好ましい。また、酸化防止剤は、リン系酸化防止剤も好適に使用することができる。リン系酸化防止剤としてはトリス［２−［［２，４，８，１０−テトラキス（１，１−ジメチルエチル）ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−６−イル］オキシ］エチル］アミン、トリス［２−［（４，６，９，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン−２−イル）オキシ］エチル］アミン、および亜リン酸エチルビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェニル）からなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が挙げられる。これらは、市販品として容易に入手可能であり、アデカスタブ  ＡＯ−２０、アデカスタブ  ＡＯ−３０、アデカスタブ  ＡＯ−４０、アデカスタブ  ＡＯ−５０、アデカスタブ  ＡＯ−５０Ｆ、アデカスタブ  ＡＯ−６０、アデカスタブ  ＡＯ−６０Ｇ、アデカスタブ  ＡＯ−８０、アデカスタブ  ＡＯ−３３０（（株）ＡＤＥＫＡ）などが挙げられる。酸化防止剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．０１〜２０質量％であることが好ましく、０．３〜１５質量％であることがより好ましい。酸化防止剤は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１８７】
銅錯体層形成用組成物の粘度は、塗布により近赤外線カットフィルタを形成する場合は、１〜３０００ｍＰａ・ｓであることが好ましい。下限は、１０ｍＰａ・ｓ以上が好ましく、１００ｍＰａ・ｓ以上が更に好ましい。上限は、２０００ｍＰａ・ｓ以下が好ましく、１５００ｍＰａ・ｓ以下が更に好ましい。
【０１８８】
銅錯体層形成用組成物中における銅以外の金属の含有量としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。この態様によれば、異物欠陥の抑制された膜を形成し易い。また、銅錯体層形成用組成物中におけるリチウム含有量は１００質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。また、銅錯体層形成用組成物中におけるカリウム含有量は３０質量ｐｐｍ以下であることが好ましい。銅錯体層形成用組成物中における銅以外の金属の含有量は、誘導結合プラズマ発光分光分析法にて測定することができる。
【０１８９】
銅錯体層形成用組成物中における水の含有量としては、銅錯体の固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。
【０１９０】
銅錯体層形成用組成物中における遊離したハロゲン陰イオンおよびハロゲン化合物の合計量としては、銅錯体の全固形分に対して５質量％以下が好ましく、３質量％以下がより好ましく、１質量％以下が更に好ましい。
【０１９１】
銅錯体層形成用組成物中における銅錯体の原材料である銅成分の残存率（配位子と配位していない銅成分の含有量）としては、銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。また、銅錯体層形成用組成物中における銅錯体の原料である配位子の残存率（銅と配位していない配位子の含有量）としては銅錯体の固形分に対して１０質量％以下が好ましく、５質量％以下がより好ましく、２質量％以下が更に好ましい。
【０１９２】
＜紫外線カット層形成用組成物＞
次に、紫外線カット層の形成に用いることができる組成物（以下、紫外線カット層形成用組成物ともいう）について説明する。
【０１９３】
＜＜紫外線吸収剤＞＞
紫外線カット層形成用組成物は、紫外線吸収剤を含有することが好ましい。紫外線吸収剤としては、上述した銅錯体層形成用組成物で説明した紫外線吸収剤が挙げられる。紫外線吸収剤の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して、０．１〜５０質量％が好ましく、１〜３０質量％がより好ましい。
【０１９４】
＜＜その他の成分＞＞
紫外線カット層形成用組成物は、樹脂、架橋性化合物、重合開始剤、溶剤、触媒、界面活性剤、酸化防止剤などを含有することができる。これらの詳細については、上述した銅錯体層形成用組成物で説明した材料が挙げられる。紫外線カット層形成用組成物は、溶剤を含有することが好ましい。また、紫外線カット層形成用組成物は、樹脂および／または架橋性化合物を含むことも好ましい。
【０１９５】
紫外線カット層形成用組成物が樹脂を含有する場合、樹脂の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して、１〜９０質量％が好ましい。下限は、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、１５質量％以上が更に好ましい。上限は、８０質量％以下が好ましく、７５質量％以下がより好ましい。樹脂は、１種類のみでもよく、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
紫外線カット層形成用組成物が架橋性化合物を含有する場合、架橋性化合物の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して、１〜３０質量％が好ましく、１〜２５質量％がより好ましく、１〜２０質量％がさらに好ましい。架橋性化合物は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
紫外線カット層形成用組成物が重合開始剤を含有する場合、重合開始剤の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して、０．０１〜３０質量％が好ましい。下限は、０．１質量％以上が好ましい。上限は、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましい。重合開始剤は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
紫外線カット層形成用組成物が触媒を含有する場合、触媒の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して０．０１〜５質量％が好ましい。上限は、３質量％以下が好ましく、１質量％以下が更に好ましい。下限は、０．０５質量％以上が好ましい。触媒は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
紫外線カット層形成用組成物が界面活性剤を含有する場合、界面活性剤の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分に対して、０．０００１〜５質量％が好ましい。下限は、０．００５質量％以上が好ましく、０．０１質量％以上がより好ましい。上限は、２質量％以下が好ましく、１質量％以下がより好ましい。界面活性剤は１種類のみでも、２種類以上でもよい。２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
紫外線カット層形成用組成物が溶剤を含有する場合、溶剤の含有量は、紫外線カット層形成用組成物の全固形分が５〜６０質量％となる量が好ましい。下限は、１０質量％以上がより好ましい。上限は、５０質量％以下が好ましく、４０質量％以下がより好ましい。溶剤は１種類のみでも、２種類以上でもよく、２種類以上の場合は、合計量が上記範囲となることが好ましい。
【０１９６】
＜組成物の調製方法＞
上記の組成物は、各成分を混合して調製できる。組成物の製造に際しては、内壁が金属でコーティングされた釜を用いることが好ましい。組成物の調製に際しては、組成物を構成する各成分を一括配合してもよいし、各成分を溶剤に溶解および／または分散した後に逐次配合してもよい。また、配合する際の投入順序や作業条件は特に制約を受けないが、高粘度の成分を最後に添加することが、撹拌性確保の点から好ましい。また、組成物調製の際は、揮発防止のため閉鎖系で行うことが好ましい。また、組成物の調製は、乾燥された空気または窒素ガス（好ましくは窒素ガス）の雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１９７】
また、組成物が顔料などの粒子を含む場合は、粒子を分散させるプロセスを含むことが好ましい。粒子を分散させるプロセスにおいて、粒子の分散に用いる機械力としては、圧縮、圧搾、衝撃、剪断、キャビテーションなどが挙げられる。これらプロセスの具体例としては、ビーズミル、サンドミル、ロールミル、ボールミル、ペイントシェーカー、マイクロフルイダイザー、高速インペラー、サンドグラインダー、フロージェットミキサー、高圧湿式微粒化、超音波分散などが挙げられる。またサンドミル（ビーズミル）における粒子の粉砕においては、径の小さいビーズを使用する、ビーズの充填率を大きくする事等により粉砕効率を高めた条件で処理することが好ましい。また、粉砕処理後にろ過、遠心分離などで粗粒子を除去することが好ましい。また、粒子を分散させるプロセスおよび分散機は、「分散技術大全、株式会社情報機構発行、２００５年７月１５日」や「サスペンション（固／液分散系）を中心とした分散技術と工業的応用の実際  総合資料集、経営開発センター出版部発行、１９７８年１０月１０日」、特開２０１５−１５７８９３号公報の段落番号００２２に記載のプロセス及び分散機を好適に使用出来る。また粒子を分散させるプロセスにおいては、ソルトミリング工程にて粒子の微細化処理を行ってもよい。ソルトミリング工程に用いられる素材、機器、処理条件等は、例えば特開２０１５−１９４５２１号公報、特開２０１２−０４６６２９号公報の記載を参酌できる。
【０１９８】
組成物の製造に際しては、内壁が金属でコーティングされた釜を用いることが好ましい。また、組成物調製の際の添加順は、適宜設定されるが、高粘度の成分を最後に添加することが、撹拌性確保の点から好ましい。また、組成物調製の際は、揮発防止のため閉鎖系で行うことが好ましい。また、組成物の調製は、乾燥された空気または窒素ガス（好ましくは窒素ガス）の雰囲気下で行うことが好ましい。
【０１９９】
本発明においては、異物の除去や欠陥の低減などの目的で、フィルタでろ過することが好ましい。フィルタとしては、従来からろ過用途等に用いられているものであれば特に限定されることなく用いることができる。例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ナイロン（例えばナイロン−６、ナイロン−６，６）等のポリアミド系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン樹脂（高密度、超高分子量のポリオレフィン樹脂を含む）等の素材を用いたフィルタが挙げられる。これら素材の中でもポリプロピレン（高密度ポリプロピレンを含む）およびナイロンが好ましい。
フィルタの孔径は、０．０１〜７．０μｍ程度が適しており、好ましくは０．０１〜３．０μｍ程度、さらに好ましくは０．０５〜０．５μｍ程度である。この範囲とすることにより、微細な異物を確実に除去することが可能となる。フィルタの厚さとしては、２５．４ｍｍ以上であることが好ましく、５０．８ｍｍ以上であることがより好ましい。また、ファイバ状のろ材を用いることも好ましく、ろ材としては例えばポリプロピレンファイバ、ナイロンファイバ、グラスファイバ等が挙げられ、具体的にはロキテクノ社製のＳＢＰタイプシリーズ（ＳＢＰ００８など）、ＴＰＲタイプシリーズ（ＴＰＲ００２、ＴＰＲ００５など）、ＳＨＰＸタイプシリーズ（ＳＨＰＸ００３など）のフィルタカートリッジを用いることができる。
【０２００】
フィルタを使用する際、異なるフィルタを組み合わせてもよい。その際、第１のフィルタでのフィルタリングは、１回のみでもよいし、２回以上行ってもよい。
また、上述した範囲内で異なる孔径の第１のフィルタを組み合わせてもよい。ここでの孔径は、フィルタメーカーの公称値を参照することができる。市販のフィルタとしては、例えば、日本ポール株式会社、アドバンテック東洋株式会社、日本インテグリス株式会社（旧日本マイクロリス株式会社）又は株式会社キッツマイクロフィルタ等が提供する各種フィルタの中から選択することができる。
第２のフィルタは、上述した第１のフィルタと同様の材料等で形成されたものを使用することができる。第２のフィルタの孔径は、０．２〜１０．０μｍが好ましく、０．２〜７．０μｍがより好ましく、０．３〜６．０μｍが更に好ましい。
【０２０１】
組成物を収容容器に充填するに当たり、収容容器内で組成物と水分との接触を避けることを目的に、収容容器への組成物の充填率としては７０〜１００％であることが好ましい。また、収容容器内の空隙は乾燥空気または乾燥窒素とすることも好ましい。
組成物の収容容器としては、特に限定はなく、公知の収容容器を用いることができる。例えば、ポリプロピレンなどの各種樹脂で構成された容器を用いることができる。また、収納容器として、原材料や組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を６種６層の樹脂で構成する多層ボトルや６種の樹脂を７層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開２０１５−１２３３５１号公報に記載の容器が挙げられる。
また、組成物が架橋性基を有する繰り返し単位を含む樹脂を含む場合においては、組成物は低温（好ましくは２５℃以下、より好ましくは０℃以下）で保存することも好ましい。この態様によれば、組成物の増粘を抑制することができる。
【０２０２】
＜固体撮像素子、カメラモジュール＞
本発明の固体撮像素子は、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。また、本発明のカメラモジュールは、本発明の近赤外線カットフィルタを含む。
【０２０３】
図１は、本発明の実施形態に係る近赤外線カットフィルタを有するカメラモジュールの構成を示す概略断面図である。
図１に示すカメラモジュール１０は、固体撮像素子１１と、固体撮像素子の主面側（受光側）に設けられた平坦化層１２と、近赤外線カットフィルタ１３と、近赤外線カットフィルタの上方に配置され内部空間に撮像レンズ１４を有するレンズホルダー１５と、を備える。カメラモジュール１０は、外部からの入射光ｈνが、撮像レンズ１４、近赤外線カットフィルタ１３、平坦化層１２を順次透過した後、固体撮像素子１１の撮像素子部に到達するようになっている。
【０２０４】
固体撮像素子１１は、例えば、基板１６の主面に、フォトダイオード、層間絶縁膜（図示せず）、ベース層（図示せず）、カラーフィルタ１７、オーバーコート（図示せず）、マイクロレンズ１８をこの順に備えている。カラーフィルタ１７（赤色のカラーフィルタ、緑色のカラーフィルタ、青色のカラーフィルタ）やマイクロレンズ１８は、固体撮像素子１１に対応するように、それぞれ配置されている。なお、平坦化層１２の表面に近赤外線カットフィルタ１３が設けられる代わりに、マイクロレンズ１８の表面、ベース層とカラーフィルタ１７との間、または、カラーフィルタ１７とオーバーコートとの間に、近赤外線カットフィルタ１３が設けられる形態であってもよい。例えば、近赤外線カットフィルタ１３は、マイクロレンズ表面から２ｍｍ以内（より好ましくは１ｍｍ以内）の位置に設けられていてもよい。この位置に近赤外線カットフィルタ１３を設けると、近赤外線カットフィルタを形成する工程が簡略化できる。更には、マイクロレンズへの不要な近赤外線の入射を十分にカットすることができ、赤外線遮蔽性をより高めることができる。
【０２０５】
本発明の近赤外線カットフィルタは、耐熱性に優れるため、半田リフロー工程に供することができる。半田リフロー工程によりカメラモジュールを製造することによって、半田付けを行うことが必要な電子部品実装基板等の自動実装化が可能となり、半田リフロー工程を用いない場合と比較して、生産性を格段に向上することができる。更に、自動で行うことができるため、低コスト化を図ることもできる。半田リフロー工程に供される場合、２５０〜２７０℃程度の温度にさらされることとなるため、近赤外線カットフィルタは、半田リフロー工程に耐え得る耐熱性（以下、「耐半田リフロー性」ともいう。）を有することが好ましい。本明細書中で、「耐半田リフロー性を有する」とは、１８０℃で１分間の加熱を行った後にも近赤外線カットフィルタとしての特性を保持することをいう。より好ましくは、２３０℃で１０分間の加熱を行った後にも特性を保持することである。更に好ましくは、２５０℃で３分間の加熱を行った後にも特性を保持することである。耐半田リフロー性を有しない場合には、上記条件で加熱した場合に、近赤外線カットフィルタの赤外線遮蔽性が低下したり、膜としての機能が不十分となる場合がある。
本発明のカメラモジュールは、更に、紫外線吸収層を有することもできる。この態様によれば、紫外線遮蔽性を高めることができる。紫外線吸収層は、例えば、国際公開ＷＯ２０１５／０９９０６０号公報の段落番号００４０〜００７０、０１１９〜０１４５の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれることする。
【０２０６】
図２〜４は、カメラモジュールにおける近赤外線カットフィルタの周辺部分の一例を示す概略断面図である。
【０２０７】
図２に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、平坦化層１２と、紫外・赤外光反射膜１９と、透明基材２０と、近赤外線カットフィルタ２１と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。紫外・赤外光反射膜１９は、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００３３〜００３９、国際公開ＷＯ２０１５／０９９０６０号公報の段落番号０１１０〜０１１４を参酌することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。透明基材２０は、可視領域の波長の光を透過するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００２６〜００３２を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。反射防止層２２は、近赤外線カットフィルタ２１に入射する光の反射を防止することにより透過率を向上させ、効率よく入射光を利用する機能を有するものであり、例えば、特開２０１３−６８６８８号公報の段落番号００４０の記載を参酌することができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
【０２０８】
図３に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線カットフィルタ２１と、反射防止層２２と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、紫外・赤外光反射膜１９とをこの順に有していてもよい。
【０２０９】
図４に示すように、カメラモジュールは、固体撮像素子１１と、近赤外線カットフィルタ２１と、紫外・赤外光反射膜１９と、平坦化層１２と、反射防止層２２と、透明基材２０と、反射防止層２２とをこの順に有していてもよい。
【０２１０】
＜画像表示装置＞
本発明の画像表示装置は、本発明の近赤外線カットフィルタを有する。本発明の近赤外線カットフィルタは、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）表示装置などの画像表示装置に用いることもできる。表示装置の定義や各表示装置の詳細については、例えば「電子ディスプレイデバイス（佐々木  昭夫著、（株）工業調査会  １９９０年発行）」、「ディスプレイデバイス（伊吹  順章著、産業図書（株）平成元年発行）」などに記載されている。また、液晶表示装置については、例えば「次世代液晶ディスプレイ技術（内田  龍男編集、（株）工業調査会  １９９４年発行）」に記載されている。本発明が適用できる液晶表示装置に特に制限はなく、例えば、上記の「次世代液晶ディスプレイ技術」に記載されている色々な方式の液晶表示装置に適用できる。
【０２１１】
画像表示装置は、白色有機ＥＬ素子を有するものであってもよい。白色有機ＥＬ素子としては、タンデム構造であることが好ましい。有機ＥＬ素子のタンデム構造については、特開２００３−４５６７６号公報、三上明義監修、「有機ＥＬ技術開発の最前線−高輝度・高精度・長寿命化・ノウハウ集−」、技術情報協会、３２６−３２８ページ、２００８年などに記載されている。有機ＥＬ素子が発光する白色光のスペクトルは、青色領域（４３０ｎｍ−４８５ｎｍ）、緑色領域（５３０ｎｍ−５８０ｎｍ）及び黄色領域（５８０ｎｍ−６２０ｎｍ）に強い極大発光ピークを有するものが好ましい。これらの発光ピークに加え更に赤色領域（６５０ｎｍ−７００ｎｍ）に極大発光ピークを有するものがより好ましい。
【実施例】
【０２１２】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」、「％」は、質量基準である。【０２１３】
＜重量平均分子量（Ｍｗ）＞
重量平均分子量（Ｍｗ）は、以下の方法で、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）にて測定した。
装置：ＨＬＣ−８２２０  ＧＰＣ（東ソー株式会社製）
検出器：ＲＩ（Ｒｅｆｒａｃｔｉｖｅ  Ｉｎｄｅｘ）検出器
カラム：ガードカラム  ＨＺ−Ｌと、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺＭ−Ｍと、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ４０００と、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ３０００と、ＴＳＫ  ｇｅｌ  Ｓｕｐｅｒ  ＨＺ２０００（東ソー株式会社製）とを連結したカラム
溶離液：テトラヒドロフラン（安定剤含有）
カラム温度：４０℃
注入量：１０μＬ
分析時間：２６分
流量：流速  ０．３５ｍＬ／分（サンプルポンプ）  ０．２０ｍＬ／分（リファレンスポンプ）
検量線ベース樹脂：ポリスチレン【０２１４】
＜銅錯体層形成用組成物の調製＞
（組成物１−１〜１−１２、１−Ｒ１）
下記に示す材料を下記に示す配合量で混合して各組成物を調製した。なお、組成物１−１、１−２、１−３、１−６、１−７、１−８、１−９、１−１０は、銅錯体として、以下のＢ−１とＢ−２とを質量比でＢ−１／Ｂ−２＝１／３の割合で混合して使用した。また、組成物１−１１は、銅錯体として、以下のＢ−１とＢ−２ａとを質量比でＢ−１／Ｂ−２ａ＝１／３の割合で混合して使用した。また、組成物１−１２は、銅錯体として、以下のＢ−１とＢ−２ｂとを質量比でＢ−１／Ｂ−２ｂ＝１／３の割合で混合して使用した。また、組成物１−６は、溶剤として、シクロペンタノンと酢酸ブチルを、質量比でシクロペンタノン／酢酸ブチル＝２／１の割合で混合して使用した。
【表１】
0006650040.tif 000021
【０２１５】
上記表に記載の原料は以下の通りである。
（樹脂）
Ａ−１：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝１５０００、繰り返し単位に付記した数値は質量比である）
Ａ−２：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝１４５００、繰り返し単位に付記した数値は質量比である）
Ａ−３：下記構造の樹脂（Ｍｗ＝１４０００、繰り返し単位に付記した数値は質量比である）
【化２０】
0006650040.tif 000022
Ａ−４：特開２０１１−１０００８４号公報の段落番号０１２７〜０１３０に記載の方法に従って合成した樹脂を用いた。すなわち、８−メチル−８−メトキシカルボニルテトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−３−エン１００質量部と、１−ヘキセン１８質量部と、トルエン３００質量部とを、窒素置換した反応容器に仕込み、この溶液を８０℃に加熱した。次いで、反応容器内の溶液に、重合触媒として、トリエチルアルミニウムのトルエン溶液（０．６ｍｏｌ／リットル）０．２質量部と、メタノール変性の六塩化タングステンのトルエン溶液（濃度０．０２５ｍｏｌ／リットル）０．９質量部とを添加し、この溶液を８０℃で３時間加熱撹拌することにより開環重合反応させて開環重合体溶液を得た。この重合反応における重合転化率は９７％であった。このようにして得られた開環重合体溶液１，０００質量部をオートクレーブに仕込み、この開環重合体溶液に、ＲｕＨＣｌ（ＣＯ）［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］３を０．１２質量部添加し、水素ガス圧１００ｋｇ／ｃｍ２、反応温度１６５℃の条件下で、３時間加熱撹拌して水素添加反応を行った。得られた反応溶液（水素添加重合体溶液）を冷却した後、水素ガスを放圧した。この反応溶液を大量のメタノール中に注いで凝固物を分離回収し、これを乾燥して、水素添加重合体（樹脂Ａ−４）を得た。樹脂Ａ−４の分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）が３２，０００、重量平均分子量（Ｍｗ）が１３７，０００であり、ガラス転移温度（Ｔｇ）は１６５℃であった。
Ａ−５：特開２０１４-２０３０４４号公報の段落００７９〜００８８に記載の方法に従って合成したゾルゲル硬化物を用いた。すなわち、フェニルトリエトキシシランとテトラエトキシシランの配合比を５０：５０に設定したものをゾルゲル膜の原料とした。溶媒はいずれもシクロペンタノンを用いた。酸性触媒としては１モル／リットルの塩酸を用い、Ｓｉ１モルに対し６モルの水を投与し、室温にて４時間程度撹拌してゾルゲル硬化物を得た。【０２１６】
（銅錯体）
Ｂ−１、Ｂ−２、Ｂ−４：下記化合物
【化２１】
0006650040.tif 000023
Ｂ−３：下記化合物を配位子として有する銅錯体
【化２２】
0006650040.tif 000024
Ｂ−２ａ：塩化銅（ＩＩ）一水和物とトリス［２−（ジメチルアミノ）エチル］アミンを１：０．９５のモル比率で反応させて銅錯体Ｂ−２ａを合成した。
Ｂ−２ｂ：銅錯体Ｂ−２について、メタノール／水＝１／２（体積比）を用いて晶析して銅錯体Ｂ−２ｂを得た。銅錯体Ｂ−２ｂのカリウム含有量を誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ、パーキンエルマー製  Ｏｐｔｉｍａ７３００ＤＶ）により測定したところ、３質量ｐｐｍであった。
Ｂ’−１：下記化合物を配位子として有する銅錯体
【化２３】
0006650040.tif 000025
【０２１７】
（架橋性化合物）
Ｍ−１：下記化合物
Ｍ−２：下記化合物（（株）ダイセル製、ＥＨＰＥ  ３１５０）
Ｍ−３：下記化合物（信越シリコーン社製、ＫＢＭ−３０６６）
【化２４】
0006650040.tif 000026
【０２１８】
（紫外線吸収剤）
Ｅ−１：下記化合物（ＢＡＳＦ社製、ＴＩＮＵＶＩＮ  ９２８、波長２８０〜４２５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物である）
Ｅ−２：下記化合物（ＢＡＳＦ社製  ＴＩＮＵＶＩＮ  ４００、波長２８０〜４２５ｎｍの範囲に極大吸収波長を有する化合物である）
【化２５】
0006650040.tif 000027
【０２１９】
（溶剤）
シクロペンタノン
酢酸ブチル
（触媒）
Ａｌ（ａｃａｃ）３：トリス（２，４−ペンタンジオナト）アルミニウム（ＩＩＩ）（東京化成工業（株）製）【０２２０】
＜紫外線カット層形成用組成物の調製＞
（組成物２−１）
樹脂Ａ−１を１１．０１質量部と、紫外線吸収剤Ｅ−１（上述した化合物）を２．３８質量部と、架橋性化合物としてＫＡＹＡＲＡＤ  ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）を１．７２質量部と、光重合開始剤としてＩＲＧＡＣＵＲＥ−ＯＸＥ−０１（ＢＡＳＦ社製）を１．８９質量部と、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）を８３．０質量部とを混合し、撹拌した後、孔径０．５μｍのナイロン製フィルタ（日本ポール（株）製）でろ過して、組成物２−１を調製した。
（組成物２−２）
組成物２−１において、紫外線吸収剤Ｅ−１の代わりに紫外線吸収剤Ｅ−２（上述した化合物）を用いた以外は、組成物２−１と同様にして組成物２−２を調製した。【０２２１】
＜近赤外線カットフィルタの作製＞
（実施例１、３、８〜１６、比較例２）
上記銅錯体層形成用組成物（組成物１−１、１−２、１−４〜１−１２、１−Ｒ１）を用いて、近赤外線カットフィルタを作製した。すなわち、各銅錯体層形成用組成物を、ガラスウェハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２２】
（実施例２）
組成物２−１（紫外線カット層形成用組成物）を、スピンコーター（ミカサ（株）製）を用いてガラスウエハ上に塗布して塗膜を形成し、１００℃、１２０秒間の前加熱（プリベーク）を行った後、ｉ線ステッパーを用い、１０００ｍＪ／ｃｍ２で全面露光を行った。次いで、２２０℃、３００秒間の後加熱（ポストベーク）を行い、膜厚１．０μｍの紫外線カット層を作製した。
得られた紫外線カット層上に上記組成物１−３（銅錯体層形成用組成物）を乾燥後の膜厚が１００μｍになるようにスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って銅錯体層を形成し、近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２３】
（実施例４）
ガラスウエハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるように上記組成物１−３（銅錯体層形成用組成物）をスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って、銅錯体層を形成した。得られた銅錯体層上に低屈折率材料層であるＳｉＯ２膜と高屈折率材料層であるＴｉＯ２膜を蒸着により交互に積層し、３３層の誘電体多層膜（紫外線反射膜、半値波長４０５ｎｍ）を形成し、近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２４】
（実施例５）
ガラスウェハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるように上記組成物１−３（銅錯体層形成用組成物）をスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って、銅錯体層を形成した。銅錯体層上および裏面のガラスウエハ上に、それぞれに低屈折率材料層であるＳｉＯ２膜と高屈折率材料層であるＴｉＯ２膜を蒸着により交互に積層し、片面１７層ずつ（両面で３４層）の誘電体多層膜（紫外線反射膜、半値波長４０５ｎｍ）を形成し、近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２５】
（実施例６）
ガラスウエハ上に乾燥後の膜厚が１００μｍになるように上記組成物１−１（銅錯体層形成用組成物）をスピンコーターを用いて塗布し、１５０℃のホットプレートを用いて１．５時間加熱処理を行って、銅錯体層を形成した。銅錯体層上に低屈折率材料層であるＳｉＯ２膜と高屈折率材料層であるＴｉＯ２膜を蒸着により交互に積層し、３３層の誘電体多層膜（紫外線反射膜、半値波長４０５ｎｍ）を形成し、近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２６】
（実施例７）
実施例２で得られた近赤外線カットフィルタの銅錯体層上に低屈折率材料層であるＳｉＯ２膜と高屈折率材料層であるＴｉＯ２膜を蒸着により交互に積層し、１７層の誘電体多層膜（紫外線反射膜、半値波長４１０ｎｍ）を形成して近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２７】
（比較例１）
ガラス基板上に低屈折率材料層であるＳｉＯ２膜と高屈折率材料層であるＴｉＯ２膜を蒸着により交互に積層し、４１層の可視高透過する紫外線・赤外線反射膜（半値波長４０５ｎｍ、６８５ｎｍ）を形成して近赤外線カットフィルタを製造した。【０２２８】
＜分光特性の評価＞
上記で得られた近赤外線カットフィルタの透過率を、Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。具体的には、測定波長範囲は４００〜１３００ｎｍであり、５ｎｍ毎の透過率を測定した。平均透過率は、５ｎｍ毎の透過率の和を波長範囲で割る事で算出した。反射率は、Ｕ−４１００（日立ハイテクノロジーズ社製）を用いて測定した。近赤外線カットフィルタの表面法線方向を０°として、入射角度を５°に設定して測定した。
【表２】
0006650040.tif 000028
【表３】
0006650040.tif 000029
【０２２９】
上記表におけるＴ３５０は、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長３５０ｎｍにおける透過率であり、Ｔ４５０は、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長４５０ｎｍにおける透過率であり、Ｔ５５０は、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長５５０ｎｍにおける透過率であり、Ｔ７００は、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の波長７００ｎｍにおける透過率である。また、λ（Ｕ７０）は波長３５０〜４５０ｎｍの範囲において、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が７０％となる最も長波長側の波長（ｎｍ）である。また、λ（Ｕ３０）は、近赤外線カットフィルタの垂直方向から測定した場合の透過率が３０％となる最も短波長側の波長（ｎｍ）である。【０２３０】
実施例の近赤外線カットフィルタは、可視透明性および赤外線遮蔽性が良好であった。また、近赤外線の反射率が低く、視野角の広い近赤外線カットフィルタであった。なお、比較例１は、近赤外線の反射率が高く、実施例に比べて視野角が狭かった。
また、各近赤外線カットフィルタをカメラモジュールに組み込み、画像を撮影した。得られた画像を観察し、パープルフリンジ（紫色の輪郭ぼけ）の有無を観察したところ、実施例の近赤外線カットフィルタを用いた場合、比較例１、２よりもパープルフリンジを効果的に抑制できた。
また、実施例２、７の近赤外線カットフィルタにおいて、組成物２−１のかわりに組成物２−２を用いた場合であっても、実施例２、７の近赤外線カットフィルタと同様の効果が得られた。
また、組成物２−１において、樹脂Ａ−１を、樹脂Ａ−２または樹脂Ａ−３に変更しても同様の効果が得られた。
【符号の説明】
【０２３１】
１０  カメラモジュール、１１  固体撮像素子、１２  平坦化層、１３  近赤外線カットフィルタ、１４  撮像レンズ、１５  レンズホルダー、１６  シリコン基板、１７  カラーフィルタ、１８  マイクロレンズ、１９  紫外・赤外光反射膜、２０  透明基材、２１  近赤外線カットフィルタ、２２  反射防止層
【図１】
0006650040.tif 000030
【図２】
0006650040.tif 000031
【図３】
0006650040.tif 000032
【図４】
0006650040.tif 000033