(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスマスの錯体である化合物Ｐと式（Ａ）の化合物Ａとを含む材料：
【化１】
0006657207.tif 000052
式中：出現する可変部分は、以下のとおりである：
Ａ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、１〜２０の炭素原子を有するアルキル基であり、１以上のＲ１基により置換されてよいか、またはＡｒ１であり；
Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造であり；ここで、Ａｒ１および/またはＡ１基は、Ｒ１基を介して互いに結合してよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ１基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく；ここで、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ２基により置換されてよく、また、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｒ２Ｃ=ＣＲ２-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ２、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ２-、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、
Ｒ２は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮまたは１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ２基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく、また、前記アルキル基、芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、ＦまたはＣＮにより置換されてよく；
ここで、化合物Ａにおいて、両Ａ１基は、Ａｒ１であり；
ここで、式（Ａ）の範囲は、以下の式（Ｂ）の化合物を除外する：
【化２】
0006657207.tif 000053
式中：出現する新たな可変部分は以下のとおりである：
Ｖは、ＣＲ１であり：
Ａｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造であり、ここで、Ａｒ１基は、Ｒ１基を介して互いに結合してよい。
【請求項２】
化合物Ａは、単一のアミノ基を有することを特徴とする、請求項１記載の材料。
【請求項３】
化合物Ａは、１０個を超える芳香族環原子を有する縮合アリール基を含まず、かつ、１４個を超える芳香族環原子を有する縮合ヘテロアリール基を含まないことを特徴とする、請求項１または２記載の材料。
【請求項４】
化合物Ａにおいて、Ａ１基は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜４０個の環原子を有する複素環式芳香族環構造であることを特徴とする、請求項１〜３何れか１項記載の材料。 
【請求項５】
化合物Ａにおいて、Ａ１基は、随意に１以上のＲ１基により置換されてよく、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、フルオランテニル、フルオレニル、インデノフルオレニル、スピロビフルオレニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフェニル、カルバゾリル、アクリジルおよびフェナンスリジルから選ばれることを特徴とする、請求項１〜４何れか１項記載の材料。
【請求項６】
化合物Ｐは、（ＩＩＩ）酸化状態のビスマス錯体であることを特徴とする、請求項１〜５何れか１項記載の材料。
【請求項７】
化合物Ｐは、有機化合物である少なくとも一つのリガンドを有するビスマス錯体であることを特徴とする、請求項１〜６何れか１項記載の材料。
【請求項８】
リガンドＬは、一価に負に帯電していることを特徴とする、請求項１〜７何れか１項記載の材料。
【請求項９】
ビスマス原子に結合するリガンドＬ中の基は、カルボン酸基、チオカルボン酸基、カルボキサアミド基およびカルボキシイミド基から選ばれることを特徴とする、請求項７または８記載の材料。
【請求項１０】
リガンドＬは、フッ素化安息香酸誘導体、フッ素化もしくは非フッ素化フェニル酢酸誘導体およびフッ素化もしくは非フッ素化酢酸誘導体から選ばれることを特徴とする、請求項７記載の材料。
【請求項１１】
化合物Ｐは、０．１〜２０％の濃度で、ドーパントとして材料中に存在することを特徴とする、請求項１〜８何れか１項記載の材料。
【請求項１２】
請求項１〜１１何れか１項記載の材料を含む層。
【請求項１３】
請求項１〜１１何れか１項記載の材料と少なくとも一つの溶媒とを含む調合物。
【請求項１４】
化合物Ａと化合物Ｐが、共に気相から適用されること、または本発明の材料を含む調合物が液相から適用されることを特徴とする、請求項１２記載の層の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１１何れか１項記載の材料の、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機ソーラ−セル、有機光学検査素子、有機光受容素子、有機電場消光素子、発光電子化学セルおよび有機レーザーダイオードから選ばれる電子素子での使用。
【請求項１６】
請求項１〜１１何れか１項記載の材料を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機集積回路、有機電界効果トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、有機発光トランジスタ、有機ソーラ−セル、有機光学検査素子、有機光受容素子、有機電場消光素子、発光電子化学セルもしくは有機レーザーダイオードから選ばれる電子素子。
【請求項１７】
請求項１６記載の電子素子が、有機エレクトロルミッセンス素子であり、その材料を含む層と発光層との間に存在する一以上のさらなる層と共に、アノードと発光層との間に置かれた正孔を輸送する層中にその材料を含むことを特徴とする、請求項１６記載の有機エレクトロルミッセンス素子。
【請求項１８】
正孔を輸送する層（ＨＴＬ）と正孔を輸送する層および発光層との間の一つの層（ＥＢＬ）のＨＯＭＯ準位が、以下の条件を満足することを特徴とする、請求項１７記載の有機エレクトロルミッセンス素子。
ＨＯＭＯ（ＨＴＬ）＜＝ＨＯＭＯ（ＥＢＬ）
【請求項１９】
その材料を含む層と発光層との間に堆積された一以上のさらなる層が、一以上の同一か異なる式（Ａ）の化合物を含むことを特徴とする、請求項１７または１８記載の有機エレクトロルミッセンス素子。
【請求項２０】
アノードに直接隣接する層中にその材料を含むことを特徴とする、請求項１６〜１９何れか１項記載の有機エレクトロルミッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、定義された式のモノアリールアミンと定義された式の金属錯体とを含む材料に関する。本願は、さらに、電子素子の層での前記材料の使用に関し、好ましくは、素子は、有機エレクトロルミッセンス素子（ＯＬＥＤ）である。
【０００２】
用語「含む」は、本願の文脈では、さらなる構成成分または工程が存在し得ることを意味すると理解される。不定冠詞「ａ」は、複数を排除しない。
【０００３】
本願の文脈で電子素子は、機能性材料として有機半導体を含むいわゆる有機電子素子を意味すると理解される。
【０００４】
有機半導体が上記したとおりに機能性材料として使用されるＯＬＥＤの構造は、たとえば、US 4539507、US 5151629、EP0676461およびWO98/27136に記載されている。一般的に、用語ＯＬＥＤは、有機化合物を含む一以上の層を有し、電圧の印加により発光する電子素子を意味すると理解される。
【０００５】
電子素子の性能データは、正孔を輸送する機能を有する層（正孔を輸送する層）、たとえば、正孔注入層、正孔輸送層および電子ブロック層に大きく影響される。
【０００６】
先行技術は、正孔を輸送する層のための材料としてモノアリールアミンの使用を開示する。このような、モノアリールアミンは、たとえば、JP 1995/053955、WO 2006/123667、JP 2010/222268、WO 2012/034627、WO2013/120577、WO 2014/015938およびWO 2014/015935に記載されている。
【０００７】
さらに、先行技術は、ＯＬＥＤの正孔を輸送する層において正孔輸送材料と組み合わせたp-ドーパントの使用を開示している。ここで、p-ドーパントは、主成分に対して副成分として添加されると、その正孔伝導性を著しく増加する化合物を意味すると理解される。
【０００８】
先行技術で知られたp-ドーパントは、有機電子受容体化合物、たとえば、7,7,8,8-テトラシアノ-2,3,5,6-テトラフルオロキノジメタン（Ｆ４ＴＣＮＱ）である。先行技術は、さらに、p-ドーパントとして、遷移金属カチオンと主族金属カチオンの金属錯体を、たとえば、WO 2011/33023およびWO 2013/182389に開示している。
【０００９】
先行技術で知られた正孔輸送材料と先行技術で知られたp-ドーパントは、極めて多種の潜在的な可能性な組み合わせをもたらす。これらの中でも、幾つかだけが、先行技術に開示されている。ここで、ＯＬＥＤの正孔輸送層において、p-ドーパントとしての主族金属錯体とテトラアミン、たとえば、2,2',7,7'-テトラ（N-N-ジ-p-トリル）アミノ-9-9-スピロビフルオレンの組み合わせの例に言及がなされる。これは、WO 2013/182389に開示されている。先行技術からのさらなる例は、ＯＬＥＤの正孔輸送層における、モノアリールアミン、たとえば、トリス-パラ−ビフェニルアミンと、Ｆ４ＴＣＮＱとの組み合わせである。これは、WO 2013/135352に開示されている。
【００１０】
しかしながら、正孔輸送層にこれらの材料を含むＯＬＥＤは、寿命と効率に関して改善の必要性が存在する。
【００１１】
適切な電導性と低ＨＯＭＯエネルギー準位の両者を有するドーパント-正孔輸送材料の組み合わせを得ることが可能となるように、低位ＨＯＭＯを有する正孔輸送材料、特別には、−５．２〜−５．７ｅＶの範囲内のＨＯＭＯを有する正孔輸送材料を効率的にドープすることができるp-ドーパントへのニーズが追加的に存在する。ここで、適切で好ましい電導性は、１０−４Ｓ／ｍ〜１０−３Ｓ／ｍの範囲である。低位ＨＯＭＯを有する正孔輸送材料の使用が極めて望まれるが、それは、これが、正孔輸送層と発光層との間に低ＨＯＭＯを有するさらなる層を挿入する必要性をなくすからである。これは、ＯＬＥＤのより単純な構築を可能とし、そのため、より効率的な製造プロセスを可能とする。さらなる層が正孔輸送層と発光層との間に挿入される場合には、低ＨＯＭＯを有する正孔輸送層が、正孔バリアーを回避し、正孔輸送層と発光層との間のＨＯＭＯより高くない正孔輸送層のＨＯＭＯによって、正孔輸送層と発光層との間の電圧低下を回避することが望ましい場合に可能である。これは、正孔輸送層と、正孔輸送層および発光層との間のさらなる層において、同じ材料を使用することにより可能となる。
【００１２】
可視域（ＶＩＳ領域）で低い吸収だけを有する正孔輸送-ドーパント結合に対するニーズが追加的に存在する。先行技術で知られるp-ドーパント、たとえば、ＮＤＰ−２または酸化モリブデンドーパントは、標準的正孔輸送材料と組み合わせると、ＶＩＳ領域に吸収を有する。ＶＩＳ領域での低い吸収バンドが極めて望まれるが、それは、ＶＩＳ領域での吸収が、ＯＬＥＤの発光特性に影響し、その効率を悪化させるからである。
【００１３】
正孔輸送層での使用のためのp-ドーパントと正孔輸送材料の可能な組み合わせの検討において、特定の式（Ａ）のモノアリールアミンとビスマス錯体を含む材料が、寿命と効率に関して、先行技術と比べて優れた数値を与えることが予期せざることに今回見出された。さらに、本発明の材料は、ＯＬＥＤに使用されると、先行技術による材料よりも、より低い漏洩電流を有する。理論に束縛されるつもりはないが、これは、ＯＬＥＤのドープ層のより低い側面電導性により引き起こされた可能性がある。より小さくなった表示装置での画素では、漏洩電流は、大きな問題であるが、それらが、画素間の混線をもたらし得るからである。したがって、その回避が望ましい。本発明の材料のさらに別の特徴は、ＶＩＳ領域に吸収バンドがないことである。さらに別の特徴は、モノアリールアミンの低いＨＯＭＯ位置のために、本発明の材料を含む正孔輸送層と発光層との間に追加的な層を設ける必要がなくなることが本発明の材料により可能となり、それゆえ、より効率的に製造することができることである。
【００１４】
したがって、本願は、ビスマスとの錯体である化合物Ｐと式（Ａ）の化合物Ａとを含む材料を提供し：
【００１５】
【化１】
0006657207.tif 000002
【００１６】
式中：出現する可変部分は：
Ａ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、１〜２０の炭素原子を有するアルキル基であり、１以上のＲ１基により置換されてよいか、またはＡｒ１であり；
Ａｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜６０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜６０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造であり、ここで、Ａｒ１および/またはＡ１基は、Ｒ１基を介して互いに結合してよく；
Ｒ１は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ２、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）２、ＯＲ２、Ｓ（=Ｏ）Ｒ２、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ２、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ１基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく；ここで、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ２基により置換されてよく、また、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｒ２Ｃ=ＣＲ２-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ２、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ２-、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ２）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、
Ｒ２は、出現毎に、同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮまたは１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ２基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく、また、前記アルキル基、芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、ＦまたはＣＮにより置換されてよく；
ここで、式（Ａ）の範囲は、以下の式（Ｂ）の化合物を除外する。
【００１７】
【化２】
0006657207.tif 000003
【００１８】
式中：出現する新たな可変部分は：
Ｖは、ＣＲ１であり：
Ａｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜３０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜３０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造であり、ここで、Ａｒ１基は、Ｒ１基を介して互いに結合してよい。
【００１９】
本発明の文脈での芳香族環構造は、６〜６０個の炭素原子を環構造中に含む。それは、芳香族環原子として、ヘテロ原子を含まない。したがって、本発明の文脈での芳香族環構造は、如何なるヘテロアリール基をも含まない。本発明の文脈での芳香族環構造は、アリール基のみを必ずしも含まず、単結合または非芳香族単位、たとえば、一以上の随意に置換されたＣ、Ｓｉ、Ｎ、ＯもしくはＳにより結合され得ることを意味すると理解されるべきである。この場合に、非芳香族単位は、好ましくは、構造中のＨ以外の全原子数に基づいて、Ｈ以外の原子を１０％未満含む。たとえば、9,9’-スピロビフルオレン、9,9-ジアリールフルオレン、トリアリールアミン、ジアリールエーテル、スチルベン等の構造も、二個以上のアリール基が、たとえば、直鎖もしくは環状アルキル、アルケニル、アルキニツ基によりまたはシリル基により結合される構造であるから、本発明の文脈での芳香族環構造とみなされるべきである。さらに、二個以上のアリール基が、互いに単結合を介して結合する構造、たとえば、ビフェニルとテルフェニル等の構造も、本発明の文脈での芳香族環構造とみなされるべきである。
【００２０】
本発明の文脈での複素環式芳香族環構造は、５〜６０個の芳香族環原子を含み、その中の少なくとも１個はヘテロ原子である。複素環式芳香族環構造のヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、Ｏおよび/またはＳから選ばれる。複素環式芳香族環構造は、上記芳香族環構造の定義に対応するが、芳香族環原子の一つとして少なくとも一つのヘテロ原子を有する。こうして、複素環式芳香族環構造は、この定義によれば、芳香族環原子として如何なるヘテロ原子も含むことはできない本願の定義の意味での芳香族環構造とは異なる。
【００２１】
本発明の文脈でのアリール基は、ヘテロ原子ではない６〜４０個の芳香族環原子を含む。本発明の文脈でのアリール基は、単純な芳香族環、すなわち、ベンゼン、または、縮合芳香族多環、たとえば、ナフタレン、フェナントレンもしくはアントラセンの何れかを意味するものと理解される。本願の文脈での縮合芳香族多環は、互いに縮合した２個以上の単純な芳香族環から成る。ここで、環間の縮合は、環が互いに少なくとも一つの端部を共有することを意味するものと理解される。
【００２２】
本発明の文脈でのヘテロアリール基は、５〜４０個の芳香族環原子を含み、その中の一つはヘテロ原子である。ヘテロアリールのヘテロ原子は、好ましくは、Ｎ、ＯおよびＳから選ばれる。本発明の文脈でのヘテロアリール基は、単純な複素環式芳香族環、たとえば、ピリジン、ピリミジンもしくはチオフェン、または、縮合複素環式芳香族多環、キノリンもしくはカルバゾールの何れかを意味すると理解される。本願の文脈での縮合複素環式芳香族多環は、互いに縮合した２個以上の単純な複素環式芳香族環から成る。環間の縮合は、環が互いに少なくとも一つの端部を共有することを意味すると理解される。
【００２３】
６〜４０個の芳香族環原子を含む芳香族環構造または５〜４０個の芳香族環原子を含む複素環式芳香族環構造は、特別には、上記アリール基もしくはヘテロアリール基から誘導される基と、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、フルオレン、スピロビフルオレン、ジヒドロフェナントレン、ジヒドロピレン、テトラヒドロピレン、インデノフルオレン、トルクセン、イソトルクセン、スピロトルクセン、スピロイソトルクセン、インデノカルバゾールから誘導される基もしくはこれらの基の組み合わせから誘導される基を意味すると理解される。
【００２４】
アリールもしくはヘテロアリール基は、夫々、上記した基により置換されていてもよく、任意の所望の位置を介して、芳香族もしくは複素環式芳香族系に連結していてもよいが、特別には、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、ピレン、ジヒドロピレン、クリセン、ペリレン、トリフェニレン、フルオランテン、ベンズアントラセン、ベンゾフェナントレン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾピレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジベンゾフラン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、ピロール、インドール、イソインドール、カルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナントリジン、ベンゾ-5,6-キノリン、ベンゾ-6,7-キノリン、ベンゾ-7,8-キノリン、フェノチアジン、フェノキサジン、ピラゾール、インダゾール、イミダゾール、ベンズイミダゾール、ナフトイミダゾール、フェナントロイミダゾール、ピリドイミダゾール、ピラジンイミダゾール、キノキサリンイミダゾール、オキサゾール、ベンズオキサゾール、ナフトオキサゾール、アントロオキサゾール、フェナントロオキサゾール、イソオキサゾール、1,2-チアゾール、1,3-チアゾール、ベンゾチアゾール、ピリダジン、ベンゾピリダジン、ピリミジン、ベンゾピリミジン、キノキサリン、ピラジン、フェナジン、ナフチリジン、アザカルバゾール、ベンゾカルボリン、フェナントロリン、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、ベンゾトリアゾール、1,2,3-オキサジアゾール、1,2,4-オキサジアゾール、1,2,5-オキサジアゾール、1,3,4-オキサジアゾール、1,2,3-チアジアゾール、1,2,4-チアジアゾール、1,2,5-チアジアゾール、1,3,4-チアジアゾール、1,3,5-トリアジン、1,2,4-トリアジン、1,2,3-トリアジン、テトラゾール、1,2,4,5-テトラジン、1,2,3,4-テトラジン、1,2,3,5-テトラジン、プリン、プテリジン、インドリジンおよびベンゾチアジアゾールから誘導される基を意味すると解される。
【００２５】
本発明の文脈では、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキル基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキル基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基は、個々の水素原子またはＣＨ２基が、基の定義における前述の基により置き代えられていてもよく、好ましくは、メチル、エチル、n-プロピル、i-プロピル、n-ブチル、i-ブチル、s-ブチル、t-ブチル、2-メチルブチル、n-ペンチル、s-ペンチル、シクロペンチル、ネオペンチル、n-ヘキシル、シクロヘキシル、ネオヘキシル、n-ヘプチル、シクロヘプチル、n-オクチル、シクロオクチル、2-エチルヘキシル、トリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、2,2,2-トリフルオロエチル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、シクロペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ヘプテニル、シクロヘプテニル、オクテニル、シクロオクテニル、エチニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニルまたはオクチニル基の意味であると理解される。
【００２６】
１〜２０個の炭素原子を有するアルコキシもしくはチオアルキル基は、個々の水素原子またはＣＨ２基が、基の定義における前述の基により置き代えられていてもよく、好ましくは、メトキシ、トリフルオロメトキシ、エトキシ、ｎ-プロポキシ、ｉ-プロポキシ、ｎ-ブトキシ、ｉ-ブトキシ、ｓ-ブトキシ、ｔ-ブトキシ、n-ペントキシ、s-ペントキシ、２-メチルブトキシ、n-ヘキソキシ、シクロヘキシルオキシ、n-ヘプトキシ、シクロヘプチルオキシ、n-オクチルオキシ、シクロオクチルオキシ、2-エチルヘキシルオキシ、ペンタフルオロエトキシ、2,2,2-トリフルオロエトキシ、メチルチオ、エチルチオ、ｎ-プロピルチオ、ｉ-プロピルチオ、ｎ-ブチルチオ、ｉ-ブチルチオ、ｓ-ブチルチオ、ｔ-ブチルチオ、ｎ-ペンチルチオ、ｓ-ペンチルチオ、ｎ-ヘキシルチオ、シクロヘキシルチオ、ｎ-ヘプチチオル、シクロヘプチルチオ、ｎ-オクチルチオ、シクロオクチルチオ、2-エチルヘキシルチオ、トリフルオロメチルチオ、ペンタフルオロエチルチオ、2,2,2-トリフルオロエチルチオ、エテニルチオ、プロペニルチオ、ブテニルチオ、ペンテニルチオ、シクロペンテニルチオ、ヘキセニルチオ、シクロヘキセニルチオ、ヘプテニルチオ、シクロヘプテニルチオ、オクテニルチオ、シクロオクテニルチオ、エチニルチオ、プロピニルチオ、ブチニルチオ、ペンチニルチオ、ヘキシニルチオ、ヘプチニルチオまたはオクチニルチオの意味であると理解される。
【００２７】
２個以上の基が、一緒に環を形成してもよいという表現は、本願の文脈では、特に、２個の基が、化学結合により互いに結合する意味であると理解されるべきである。しかしながら、さらに、上記言及した表現は、２個の基の１つが水素である場合には、第２の基は、水素原子が結合した位置で結合して環を形成する意味であると理解されるべきである。
【００２８】
化合物Ａは、好ましくは、モノアリールアミンである。モノアリールアミンは、単一で１個を超えないアリールアミノ基を有する化合物の意味であると理解される。好ましくは、化合物は、モノトリアリールアミノ化合物であり、単一のトリアリールアミノ基を有することを意味する。用語「トリアリールアミノ基」は、好ましくは、アミノ窒素原子に結合したヘテロアリール基を含む化合物の意味であると理解される。さらに好ましくは、化合物Ａは、単一のアミノ基を有する。本願の定義によれば、カルバゾール基はアリールアミノ基もしくはアミノ基として数えられないことに留意されたい。
【００２９】
本発明のさらに好ましい１態様によれば、化合物Ａは、１０個を超える芳香族環原子を有する縮合アリール基を含まず、かつ、１４個を超える芳香族環原子を有する縮合ヘテロアリール基を含まない。
【００３０】
好ましくは、Ａ１は、出現毎に同一であるか異なり、１以上のＲ１基により置換されてよい１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基であるか、またはＡ１である。好ましくは、化合物Ａ中の少なくとも一つのＡ１基は、Ａｒ１であり、より好ましくは、化合物Ａ中の両Ａ１基は、Ａｒ１である。
【００３１】
Ａｒ１は、好ましくは、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造である。 
好ましくは、式（Ａ）の化合物において、少なくとも一つのＡｒ１基は、随意に１以上のＲ１基により置換されてよい基であり、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、フルオランテニル、フルオレニル、インデノフルオレニル、スピロビフルオレニル、フラニル、ベンゾフラニル、ジベンゾフラニル、イソベンゾフラニル、ジジベンゾフラニル、チオフェニル、ベンゾチオフェニル、イソベンゾチオフェニル、ジベンゾチオフェニル、インドリル、イソインドリル、カルバゾリル、インドロカルバゾリル、インデノカルバゾリル、ピリジル、キノリニル、イソキノリニル、アクリジル、フェナンスリジル、ベンズイミダゾリル、ピリミジル、ピラジニルおよびトリアジニルから選ばれ、これら内で、特に好ましいものは、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、ナフチル、フェナントリル、フルオランテニル、フルオレニル、インデノフルオレニル、スピロビフルオレニル、ジベンゾフラニル、ジベンゾチオフラニル、カルバゾリル、アクリジルおよびフェナンスリジルである。
【００３２】
Ｒ１は、好ましくは、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ２）３、１〜１０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜１０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、前記アルキルおよびアルコキシ基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ２基により置換されてよく、また、前記アルキルもしくはアルコキシ基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｃ≡Ｃ-、-Ｒ２Ｃ=ＣＲ２-、Ｓｉ（Ｒ２）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ２、-Ｏ-、-Ｓ-、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-もしくは-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ２-で置き代えられてよい。
【００３３】
好ましくは、式（Ａ）の化合物において、少なくとも一つのＡ１基は、より好ましくは、全Ａ１基は、出現毎に同一であるか異なり、示された任意の置換されない位置で１以上のＲ１により置換されてよい以下の基から選ばれる。
【００３４】
【化３−１】
0006657207.tif 000004
【００３５】
【化３−２】
0006657207.tif 000005
【００３６】
【化３−３】
0006657207.tif 000006
【００３７】
【化３−４】
0006657207.tif 000007
【００３８】
【化３−５】
0006657207.tif 000008
【００３９】
【化３−６】
0006657207.tif 000009
【００４０】
好ましくは、化合物Ａは、以下の式の一つに対応し、上記定義されるとおりの式（Ｂ）の化合物は、除かれ；
【００４１】
【化４】
0006657207.tif 000010
【００４２】
式中、一以上のＲ１基は、示された任意の置換されない位置で結合してよく、出現する可変部分は、以下のとおりである： 
Ｚは、出現毎に同一であるか異なり、ＣＲ１またはＮであり；
Ｘは、出現毎に同一であるか異なり、単結合、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ１）２、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＰＲ１、Ｃ（Ｒ１）２-Ｃ（Ｒ１）２またはＣＲ１=ＣＲ１であり；
Ｙは、出現毎に同一であるか異なり、Ｏ、Ｓ、Ｃ（Ｒ１）２、Ｓｉ（Ｒ１）２、ＰＲ１、ＮＲ１、Ｃ（Ｒ１）２-Ｃ（Ｒ１）２またはＣＲ１=ＣＲ１であり；
Ａｒ１は、上記定義のとおりであり；
Ａｒ２は、１以上のＲ１基により置換されてよい６〜２０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造または１以上のＲ１基により置換されてよい５〜２０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造であり；
ｎ、ｐ、ｑは、同一か異なり、０または１である。
【００４３】
好ましくは、一つの環中の３個を超えないＺ基はＮである。好ましくは、２個を超えない隣接するＺ基は、Ｎである。より好ましくは、Ｚは、ＣＲ１である。
【００４４】
好ましくは、Ｘは、出現毎に同一であるか異なり、単結合、Ｏ、ＳまたはＣ（Ｒ１）２である。
【００４５】
好ましくは、添え字ｐとｑの少なくとも一つは、１である。好ましくは、添え字ｐとｑの合計は、１である。
【００４６】
好ましくは、上記式中のＡｒ１は、Ａｒ１の上記好ましい態様から選ばれる（Ａ−Ｉ）〜（Ａ−ＩＸ）である。
【００４７】
好ましくは、Ａｒ２は、ベンゼン、ナフタレン、フェナントレン、フルオランテン、ビフェニル、テルフェニル、クアテルフェニル、フルオレン、インデノフルオレン、スピロビフルオレン、フラン、ベンゾフラン、イソベンゾフラン、ジジベンゾフン、チオフェン、ベンゾチオフェン、イソベンゾチオフェン、ジベンゾチオフェン、インドール、イソインドール、カルバゾール、インドロカルバゾール、インデノカルバゾール、ピリジン、キノリン、イソキノリン、アクリジン、フェナンスリジン、ベンズイミダゾール、ピリミジン、ピラジンおよびトリアジンから選ばれる少なくとも一つの基を含み、上記基は、１以上のＲ１基により置換されてよい。好ましくは、Ａｒ２は、上記言及された基の一つまたは複数の上記言及された基の組み合わせのみから成る。
【００４８】
好ましくは、Ａｒ２は、出現毎に同一であるか異なり、以下の基から選ばれ、夫々、示された任意の置換されない位置で１以上のＲ１により置換されてよい。
【００４９】
【化５−１】
0006657207.tif 000011
【００５０】
【化５−２】
0006657207.tif 000012
【００５１】
式（Ａ）の化合物の好ましい態様は、以下の化合物である。
【００５２】
【化６−１】
0006657207.tif 000013
【００５３】
【化６−２】
0006657207.tif 000014
【００５４】
【化６−３】
0006657207.tif 000015
【００５５】
【化６−４】
0006657207.tif 000016
【００５６】
【化６−５】
0006657207.tif 000017
【００５７】
【化６−６】
0006657207.tif 000018
【００５８】
【化６−７】
0006657207.tif 000019
【００５９】
【化６−８】
0006657207.tif 000020
【００６０】
【化６−９】
0006657207.tif 000021
【００６１】
【化６−１０】
0006657207.tif 000022
【００６２】
【化６−１１】
0006657207.tif 000023
【００６３】
【化６−１２】
0006657207.tif 000024
【００６４】
【化６−１３】
0006657207.tif 000025
【００６５】
【化６−１４】
0006657207.tif 000026
【００６６】
【化６−１５】
0006657207.tif 000027
【００６７】
【化６−１６】
0006657207.tif 000028
【００６８】
【化６−１７】
0006657207.tif 000029
【００６９】
【化６−１８】
0006657207.tif 000030
【００７０】
【化６−１９】
0006657207.tif 000031
【００７１】
【化６−２０】
0006657207.tif 000032
【００７２】
【化６−２１】
0006657207.tif 000033
【００７３】
【化６−２２】
0006657207.tif 000034
【００７４】
【化６−２３】
0006657207.tif 000035
【００７５】
【化６−２４】
0006657207.tif 000036
【００７６】
【化６−２５】
0006657207.tif 000037
【００７７】
【化６−２６】
0006657207.tif 000038
【００７８】
【化６−２７】
0006657207.tif 000039
【００７９】
【化６−２８】
0006657207.tif 000040
【００８０】
【化６−２９】
0006657207.tif 000041
【００８１】
【化６−３０】
0006657207.tif 000042
【００８２】
【化６−３１】
0006657207.tif 000043
【００８３】
【化６−３２】
0006657207.tif 000044
【００８４】
【化６−３３】
0006657207.tif 000045
【００８５】
化合物Ａの種々の態様のための製造方法は、先行技術で知られている。他の文献の中でも、当業者は、文献WO 2006/122630、WO 2006/100896、EP 1661888、WO 2012/034627、WO 2013/120577、WO 2014/015937、WO 2014/015938、WO 2014/015935、WO 2013/083216およびWO 2012/150001の開示を参照し得る。
【００８６】
化合物Ｐは、上記言及した定義の意味で、p-ドーパントである。理論に縛られるつもりはないが、化合物Ｐは、ルイス酸であり、化合物Ａと混合されると、化合物Ａの錯体を形成すると仮定される。ここで、化合物Ａは、ルイス塩基である。理論に縛られるつもりはないが、錯体は、化合物Ｐのビスマス金属原子と相互作用する化合物Ａにおいて、遊離電子により形成される。
【００８７】
化合物Ｐは、単核ビスマス錯体、２核ビスマス錯体または多核ビスマス錯体であってよい。化合物Ｐは、気相に存在する場合には単核ビスマス錯体であることができ、固相に存在する場合には多核ビスマス錯体であることができる。これは、化合物Ｐは、状態により重合するか解重合し得ることを意味する。
【００８８】
ビスマス錯体は、好ましくは、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）もしくは（Ｖ）酸化状態のビスマス錯体である。より好ましくは、（ＩＩＩ）酸化状態のビスマス錯体である。
【００８９】
好ましくは、ビスマス錯体は、有機化合物である少なくとも一つのリガンドＬを有する。リガンドＬは、好ましくは、単座、二座および三座リガンドから、より好ましくは、単座リガンドから選ばれる。さらに好ましくは、リガンドＬは、負に、好ましくは、３荷、２荷もしくは１荷に負に、より好ましくは、１荷に負に帯電している。
【００９０】
ビスマス原子に結合するリガンドＬの基は、好ましくは、カルボン酸基、チオカルボン酸基、特に、チオ酸基、チオ酸基と２チオ酸基、カルボキサアミド基およびカルボキシイミド基、より好ましくは、カルボン酸基から選ばれる。
【００９１】
好ましくは、リガンドＬは、以下の式（Ｌ−Ｉ）、（Ｌ−ＩＩ）、（Ｌ−ＩＩＩ）および（Ｌ−ＩＶ）の一つに対応し、
【００９２】
【化７】
0006657207.tif 000046
【００９３】
式中
Ｗは、カルボン酸基、チオカルボン酸基、特に、チオ酸基、チオ酸基と２チオ酸基、カルボキサアミド基およびカルボキシイミド基、より好ましくは、カルボン酸基から選ばれる。
【００９４】
Ｕは、出現毎に同一であるか異なり、Ｗ基がそこに結合しない場合は、ＮおよびＣＲ３から選ばれ、Ｗ基がそこに結合する場合は、ＵはＣである。
【００９５】
Ｒ３は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２、ＣＦ３、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよく、また、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｒ４Ｃ=ＣＲ４-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ４、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ４-、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、
Ｒ４は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＮＯ２、１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ４基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく；ここで、前記アルキル基、前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮおよびＮＯ２で置換されてよく；
Ｒ５は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃ（=Ｏ）Ｒ４、ＣＮ、Ｓｉ（Ｒ４）３、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）２、ＯＲ４、Ｓ（=Ｏ）Ｒ４、Ｓ（=Ｏ）２Ｒ４、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、２個以上のＲ１基は、互いに結合してよく、環構造を形成してよく；ここで、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよく、また、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｒ４Ｃ=ＣＲ４-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ４、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ４-、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよく、
Ｒ６は、出現毎に同一であるか異なり、Ｈ、Ｄ、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、ＣＮ、ＮＯ２、ＣＦ３、１〜２０個の炭素原子を有する直鎖アルキルもしくはアルコキシ基、３〜２０個の炭素原子を有する分岐あるいは環状アルキルもしくはアルコキシ基、２〜２０個の炭素原子を有するアルケニルもしくはアルキニル基、６〜４０個の芳香族環原子を有する芳香族環構造および５〜４０個の芳香族環原子を有する複素環式芳香族環構造から選ばれ；ここで、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基と前記芳香族環構造および複素環式芳香族環構造は、夫々、１以上のＲ４基により置換されてよく、また、前記アルキル、アルコキシ、アルケニルおよびアルキニル基中の１以上のＣＨ２基は、-Ｒ４Ｃ=ＣＲ４-、-Ｃ≡Ｃ-、Ｓｉ（Ｒ４）２、Ｃ=Ｏ、Ｃ=ＮＲ４、-Ｃ（=Ｏ）Ｏ-、-Ｃ（=Ｏ）ＮＲ４-、Ｐ（=Ｏ）（Ｒ４）、-Ｏ-、-Ｓ-、ＳＯもしくはＳＯ２で置き代えられてよい。
【００９６】
好ましくは、式（Ｌ−Ｉ）〜（Ｌ−ＩＩＩ）の夫々において、少なくとも一つのＲ３基が存在し、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２と１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基およびＦ、Ｃｌ、ＣＮおよびＮＯ２から選ばれる少なくとも一つの置換基から選ばれる。上記基の中で、特に好ましいものは、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮおよびＣＦ３である。
【００９７】
より好ましくは、１、２または３個のこの種のＲ３基が存在し、最も好ましくは、３個である。
【００９８】
好ましくは、式（Ｌ−ＩＶ）において、少なくとも一つのＲ６基が存在し、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ２と１〜２０個の炭素原子を有するアルキル基およびＦ、Ｃｌ、ＣＮおよびＮＯ２から選ばれる少なくとも一つの置換基から選ばれる。上記基の中で、特に好ましいものは、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮおよびＣＦ３である。
【００９９】
より好ましくは、１、２または３個のこの種のＲ６基が存在し、最も好ましくは、３個である。
【０１００】
好ましいリガンドＬは、フッ素化安息香酸誘導体、フッ素化もしくは非フッ素化フェニル酢酸誘導体およびフッ素もしくは非フッ素化酢酸誘導体から選ばれる。
【０１０１】
好ましいフッ素化安息香酸誘導体の例は、2-（トリフルオロメチル）安息香酸、3,5-ジフルオロ安息香酸、3-ヒドロキシ-2,4,6-トリヨード安息香酸、3-フルオロ-4-メチル安息香酸、3-（トリフルオロメトキシ）安息香酸、4-（トリフルオロメトキシ）安息香酸、4-クロロ-2,5-ジフルオロ安息香酸、2-クロロ-2,5-ジフルオロ安息香酸、2,4,5-トリフルオロ安息香酸、2-フルオロ安息香酸、4-フルオロ安息香酸、2,3,4-トリフルオロ安息香酸、2,3,5-トリフルオロ安息香酸、2,3-ジフルオロ安息香酸、2,4-ビス（トリフルオロメチル）安息香酸、2,4-ジフルオロ安息香酸、2,5-ジフルオロ安息香酸、2,6-ビス（トリフルオロメチル）安息香酸、2,6-ジフルオロ安息香酸、2-クロロ-6-フルオロ安息香酸、2-フルオロ-4-（トリフルオロメチル）安息香酸、2-フルオロ-5-（トリフルオロメチル）安息香酸、2-フルオロ-6-（トリフルオロメチル）安息香酸、3,4,5-トリフルオロ安息香酸、3,4-ジフルオロ安息香酸、3,5-ビス（トリフルオロメチル）安息香酸、3-トリフルオロメチル）安息香酸、3-クロロ-4-フルオロ安息香酸、3-フルオロ-5-（トリフルオロメチル）安息香酸、3-フルオロ安息香酸、4-フルオロ-2-（トリフルオロメチル）安息香酸、4-フルオロ-3-（トリフルオロメチル）安息香酸、5-フルオロ-2-メチル安息香酸、2-（トリフルオロメトキシ）安息香酸、2,3,5-トリクロロ安息香酸、4-（トリフルオロメチル）安息香酸、ペンタフルオロ安息香酸および2,3,4,5-テトラフルオロ安息香酸である。
【０１０２】
フッ素化もしくは非フッ素化フェニル酢酸誘導体の例は、2-フルオロフェニル酢酸、3-フルオロフェニル酢酸、4-フルオロフェニル酢酸、2,3-ジフルオロジフェニル酢酸、2,4-ジフルオロジフェニル酢酸、2,6-ジフルオロジフェニル酢酸、3,4-ジフルオロジフェニル酢酸、3-,5ジフルオロジフェニル酢酸、ペンタフルオロフェニル酢酸、2-クロロ-6-フルオロフェニル酢酸、2-クロロ-3,6-ジフルオロフェニル酢酸、3-クロロ-2,6-ジフルオロフェニル酢酸、3-クロロ-4-フルオロフェニル酢酸、5-クロロ-2-フルオロフェニル酢酸、2,3,4-トリフルオロフェニル酢酸、2,3,5-トリフルオロフェニル酢酸、2,3,6-トリフルオロフェニル酢酸、2,4,5-トリフルオロフェニル酢酸、2,4,6-トリフルオロフェニル酢酸、3,4,5-トリフルオロフェニル酢酸、3-クロロ-2-フルオロフェニル酢酸、6-フルオロフェニル酢酸、4-クロロ-2-フルオロフェニル酢酸、2-クロロ-4-フルオロフェニル酢酸である。
【０１０３】
フッ素化もしくは非フッ素化酢酸誘導体の例は、ジフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸、クロロジフルオロ酢酸、（3-クロロフェニル）ジフルオロ酢酸、（3,5-ジフルオロフェニル）ジフルオロ酢酸、（4-ブチルフェニル）ジフルオロ酢酸、（4-tert-ブチルフェニル）ジフルオロ酢酸、（3,4−ジメチルフェニル）ジフルオロ酢酸、（3−クロロ-4-フルオロフェニル）ジフルオロ酢酸、（4-クロロフェニル）ジフルオロ酢酸、2-ビフェニル,3',5'-ジフルオロ酢酸、3-ビフェニル,3',5'-ジフルオロ酢酸、4-ビフェニル-3',5'-ジフルオロ酢酸、2-ビフェニル,3',4'-ジフルオロ酢酸、3-ビフェニル,3',4'-ジフルオロ酢酸、4-ビフェニル,3',4'-ジフルオロ酢酸および2,2-ジフルオロプロピオン酸とより高次のそのホモログである。
【０１０４】
上記リスト中の脱プロトン化形態の上記化合物は、本発明にしたがい、プロトン化形態で存在してもよい。それらは、好ましくは、脱プロトン化形態である。上記リスト中のプロトン化形態の上記化合物は、本発明にしたがい、脱プロトン化形態で存在してもよい。
【０１０５】
本発明の材料は、さらなる化合物を含んでよい。本質的に丁度１個だけの一つの化合物Ａと丁度１個だけの一つの化合物Ｐを含むことが好ましい。さらなる化合物が存在する場合には、これらは、好ましくは、式（Ａ）による化合物である。本発明の可能な１態様では、丁度２種の異なる化合物Ａと丁度１種の異なる化合物Ｐが、本発明の材料中に存在する。
【０１０６】
化合物Ｐは、好ましくは、本発明の材料中でドーパントとして存在する。本発明の材料は、０．１〜２０％の、より好ましくは、０．５〜１２％の、さらにより好ましくは、１〜８％の、最も好ましくは、２〜６％の濃度で、化合物Ｐを含むことが好ましい。
【０１０７】
本願の文脈でのパーセントは、気相堆積の場合には体積％を、液相からの適用に場合には重量％を意味する。
【０１０８】
本発明の材料は、好ましくは、薄層の形態で、より好ましくは、電子素子の機能性層の形態である。したがって、本発明は、本発明の材料を含む層、好ましくは、半導体層をも提供する。
【０１０９】
本発明の材料を含む層は、１〜５００ｎｍ、より好ましくは、５〜３００ｎｍ、最も好ましくは、８〜２５０ｎｍの厚さを有する。以下により詳細に説明されるように、それは、電子素子、好ましくは、ＯＬＥＤ中で、正孔を輸送する層として、好ましくは、使用される。
【０１１０】
本発明の材料は、気相から、たとえば、ＯＶＰＤ（有機気相堆積）によって、またはキャリアガス昇華により、層の形態に適用することができる。この場合には、その材料は、１０−５mbar〜１mbarの圧力で適用される。この方法の特別な場合は、ＯＶＪＰ（有機気相ジェット印刷）法であり、材料は、ノズルにより直接適用され、それにより構造化される（たとえば、M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301）。代替として材料は、液相から、たとえば、スピンコーティングにより、または、たとえば、スクリーン印刷、フレキソ印刷、ノズル印刷もしくはオフセット印刷などによって、好ましくはＬＩＴＩ（光誘導熱画像化、熱転写印刷）またはインクジェット印刷によって製造することもできる。
【０１１１】
液相からの、たとえば、上記方法による本発明の化合物の加工のためには、本発明の化合物の調合物を必要とする。これらの調合物は、たとえば、溶液、分散液もしくはエマルジョンであり得る。この目的のためには、二以上の溶媒の混合物を使用することが好ましい可能性がある。適切で好ましい溶媒は、たとえば、トルエン、アニソール、o-、m-もしくはp-キシレン、メチルベンゾエート、メシチレン、テトラリン、ベラトール、ＴＨＦ、メチル-ＴＨＦ、ＴＨＰ、クロロベンゼン、ジオキサン、フェノキシトルエン、特に、3-フェノキシトルエン、(-)-フェンコンヌ、1,2,3,5-テトラメチルベンゼン、1,2,4,5-テトラメチルベンゼン、1-メチルナフタレン、2-メチルベンゾチアゾール、2-フェノキシエタノール、2-ピロリジノン、3-メチルアニソール、4-メチルアニソール、3,4-ジメチルアニソール、3,5-ジメチルアニソール、アセトフェノン、α-テルピネオール、ベンゾチアゾール、ブチルベンゾエート、クメン、シクロヘキサノール、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ドデシルベンゼン、エチルベンゾエート、インダン、メチルベンゾエート、ＮＭＰ、p-シメン、フェネトール、1,4-ジイソプロピルベンゼン、ジベンジルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールブチルメチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエ−テル、トリプロピレングリコールジメチルエ−テル、テトラエチレングリコールジメチルエ−テル、2-イソプロピルナフタレン、ペンチルベンゼン、ヘキシルベンゼン、ヘプチルベンゼン、オクチルベンゼン、1,1-ビス(3,4-ジメチルフェニル)エタンもしくはこれら溶媒の混合物である。
【０１１２】
したがって、本発明は、さらに、本発明の材料と少なくとも一つの溶媒、特に、有機溶媒を含む調合物、特別には溶液、分散液もしくはエマルジョンを提供する。特別には溶液等のこのような調合物を調製することができる方法は、当業者に知られており、たとえば、出願WO 2002/072714、WO 2003/019694とそこに引用された文献に記載されている。
【０１１３】
気相堆積の場合には、化合物Ｐと化合物Ａの両者は、好ましくは、異なる気相堆積源から共蒸発され、層として堆積される。液相からの適用の場合には、化合物Ｐと化合物Ａは、溶媒中に溶解され、次いで、上記印刷技術により適用される。本発明の材料を含む層は、溶媒を蒸発することにより最終的に得られる。
【０１１４】
したがって、本願は、化合物Ａと化合物Ｐが、共に気相から適用されること、または本
発明の材料を含む調合物が液相から適用されることを特徴とする本発明の材料を含む層の製造方法を提供する。
【０１１５】
本発明の材料は、電子素子での使用のために適しており、好ましくは、有機集積回路（ＯＩＣ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）、有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機発光トランジスタ（ＯＬＥＴ）、有機ソーラ−セル（ＯＳＣ）、有機光学検出器、有機光受容体、有機電場消光素子（Ｏ−ＦＱＤ）、発光電気化学セル（ＬＥＣ）または有機レーザーダイオード（Ｏ−ｌａｓｅｒ）からなる群から選択され、より好ましくは、有機エレクトロルミネッセント素子（ＯＬＥＤ）である。
【０１１６】
この材料は、異なる機能に使用されてよい。好ましいのは、正孔を輸送する層、たとえば、正孔注入層、正孔輸送層、励起子ブロック層もしくは電子ブロック層での材料の使用である。材料の上記記載された使用も、同様に、本発明の主題の部分を形成する。
【０１１７】
本願による正孔輸送層は、アノードと発光層との間の正孔を輸送する機能を有する層である。
【０１１８】
正孔注入層と電子ブロック層は、本願の文脈では、正孔輸送層の特別な態様を意味する。正孔注入層は、アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、アノードに直接隣接するか、またはアノードの単一被覆によってのみそこから分離された正孔輸送層である。電子ブロック層は、アノードと発光層との間の複数の正孔輸送層の場合には、アノード側で発光層に直接隣接する正孔輸送層である。
【０１１９】
本発明は、さらに、本発明の材料を、好ましくは、層の形態で含む電子素子を提供する。電子素子は、好ましくは、上記言及された素子から選ばれる。より好ましくは、電子素子は、少なくとも一つの層が、好ましくは、正孔を輸送する層が本発明の材料を含む、アノード、カソードと少なくとも１つの発光層を含むＯＬＥＤである。
【０１２０】
カソード、アノードと発光層とは別に、ＯＬＥＤは、好ましくは、なおさらなる機能層を含む。これらは、各場合において、１つ以上の正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層、電子ブロック層、励起子ブロック層、中間層、電荷生成層（IDMC 2003, Taiwan; Session 21 OLED (5), T.Matsumoto, T. Nakada, J.Endo, K. Mori, N. Kawamura, A. Yokoi, J.Kido, 電荷生成層を有するマルチフォトン有機ＥＬ素子）および/または有機もしくは無機ｐ／ｎ接合をも含んでもよい。
【０１２１】
本発明の材料を含むＯＬＥＤの層配列は、好ましくは、以下のとおりである：
−アノード
−正孔注入層
−正孔輸送層
−随意に、さらなる正孔輸送層
−随意に、電子ブロック層
−発光層
−随意に、正孔ブロック層
−電子輸送層
−電子注入層
−カソード。
しかしながら、前記層の全てが必ずしも存在する必要がなく、さらなる層が追加的に存在してもよい。
【０１２２】
本発明のＯＬＥＤは、複数の発光層を含んでいてもよい。より好ましくは、この場合、これらの発光層は、全体で複数の発光極大３８０ｎｍ〜７５０ｎｍを有しており、その結果、全体的に白色発光が生じ、すなわち蛍光または燐光を発し、青色、黄色、橙色もしくは赤色発光することができる様々な発光化合物が、発光層において使用される。特別に好ましいのは、三層構造であり、すなわち、青色、緑色および橙色もしくは赤色発光を呈する構造（基本構造については、たとえばWO2005/011013参照）である。
【０１２３】
好ましくは、ＯＬＥＤは、本発明の材料を含む層と発光層との間に存在する一以上のさらなる層と共に、アノードと発光層との間に置かれた正孔を輸送する層に発明の材料を含む。好ましくは、これらのさらなる層は、正孔輸送層、より好ましくは、電子ブロック層である。言及されたさらなる層は、p-ドープまたは非p-ドープされてよい。
【０１２４】
本発明の好ましい１態様では、正孔を輸送する層（ＨＴＬ）と正孔を輸送する層と発光層との間の層（ＥＢＬ）のＨＯＭＯ準位が、以下の条件を満足する。
ＨＯＭＯ（ＨＴＬ）＜＝ＨＯＭＯ（ＥＢＬ）
こうして、正孔バリアを回避することができ、それ故正孔輸送層と発光層との間の電圧低下を回避することができる。これは、たとえば、正孔輸送層と正孔輸送層および発光層との間のさらなる層に同じ材料を使用することにより、有利に可能である。
【０１２５】
しかしながら、本発明の材料が、発光層に直接隣接する正孔を輸送する層に置かれることが選好されてもよい。
【０１２６】
本発明の材料を含む層と発光層との間に置かれた正孔輸送層は、好ましくは、１以上の同一か異なる式（Ａ）の化合物、好ましくは、異なる式（Ａ）の化合物を含む。
【０１２７】
本発明のＯＬＥＤは、多数の正孔輸送層を有してよい。好ましくは、１、２、３、４もしくは５個の正孔輸送層、より好ましくは、２、３もしくは４個の正孔輸送層が存在し、そのうちの少なくとも一つは、本発明の材料を含む。
【０１２８】
ＯＬＥＤは、アノードに直接隣接する層に本発明の材料を含むことが、さらに選好される。
【０１２９】
より好ましくは、本発明のＯＬＥＤは、以下の層構造の一つを含む：
ａ）アノード--本発明の材料を含む層--電子ブロック層--発光層；
ｂ）アノード--本発明の材料を含む層--正孔輸送層--電子ブロック層--発光層；
ｃ）アノード--本発明の材料を含む第１の層--正孔輸送層--本発明の材料を含む第２の層--電子ブロック層--発光層。
【０１３０】
カソード側で、発光層に好ましくは隣接するこれらの層は、これらの位置で上記言及された好ましい層、すなわち、一以上の正孔ブロック層、電子輸送層および電子注入層に対応する。
【０１３１】
構造ａ）においては、本発明の材料を含む層と電子ブロック層両者は、式（Ａ）の同じ化合物を含むことができる。構造ｃ）においては、本発明の材料を含む層と正孔輸送層両者は、式（Ａ）の同じ化合物を含むことができおよび/または本発明の材料を含む第２の層と電子ブロック層両者は、式（Ａ）の同じ化合物を含むことができる。
【０１３２】
本発明のＯＬＥＤにおける電子ブロック層またはアノード側で発光層に直接隣接する層が、式（Ａ）の化合物、特別には、モノアリールアミンである式（Ａ）の化合物を含むことが追加的に選好される。
【０１３３】
本発明の材料が、一以上の燐光発光化合物を含むＯＬＥＤに使用される場合が選好される。用語「燐光発光化合物」は、典型的には、発光が、スピン禁制遷移、たとえば、三重項状態もしくはより高いスピン量子数を有する状態、たとえば、五重項状態からの遷移によりなされる化合物を典型的には包含する。
【０１３４】
適切な燐光発光化合物（＝三重項エミッター）は、特別には、適切な励起により、好ましくは、可視域で発光する化合物であり、また、２０より大きい、好ましくは、３８〜８４の、より好ましくは、５６〜８０の原子番号を有する少なくとも一つの原子を含む。好ましい燐光発光化合物は、銅、モリブデン、タングステン、レニウム、ルテニウム、オスミウム、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、銀、金またはユウロピウムを含む化合物、特別には、イリジウム、白金または銅を含む化合物である。本発明の文脈では、すべてのルミネッセントイリジウム、白金または銅錯体が、燐光発光化合物とみなされるべきである。
【０１３５】
上記発光化合物の例は、出願WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 05/033244、WO 05/019373およびUS 2005/0258742に見出され得る。一般的には、先行技術による燐光ＯＬＥＤのために使用され、有機エレクトロルミネッセンス素子分野の当業者に知られるようなすべての燐光錯体が、本発明の素子での使用のために適切である。また、当業者は、発明能力を行使することなく、本発明の材料と組み合わせて、さらなる燐光錯体をＯＬＥＤに使用することができるであろう。
【０１３６】
代替の１態様では、材料は、発光層に蛍光発光化合物を含むＯＬＥＤに使用されることが好まれる。好ましくは、発光層は、この場合、蛍光発光化合物として、より好ましくは、ホスト材料と組み合わせて、アリールアミノ化合物を含む。ホスト材料は、この場合に、好ましくは、一以上のアントラセン基を含む化合物から選ばれる。
【０１３７】
電子素子での異なる機能性材料の好ましい態様は、以後に挙げられる。
【０１３８】
好ましい燐光発光化合物は、上記言及した化合物である。
【０１３９】
好ましい蛍光発光化合物は、アリールアミンのクラスから選ばれる。本発明の文脈でのアリールアミンもしくは芳香族アミンは、窒素に直接結合した３個の置換あるいは非置換芳香族もしくは複素環式芳香族環構造を含む化合物の意味であると理解される。好ましくは、これら芳香族もしくは複素環式芳香族環構造の少なくとも１個は縮合環構造であり、より好ましくは、少なくとも１４個の芳香族環原子を有する。これらの好ましい例は、芳香族アントラセンアミン、芳香族アントラセンジアミン、芳香族ピレンアミン、芳香族ピレンジアミン、芳香族クリセンアミンもしくは芳香族クリセンジアミンである。芳香族アントラセンアミンは、１個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9-位で結合する化合物の意味であると理解される。芳香族アントラセンジアミンは、２個のジアリールアミノ基が、アントラセン基に直接、好ましくは、9.10-位で結合する化合物の意味であると理解される。芳香族ピレンアミン、ピレンジアミン、クリセンアミンおよびクリセンジアミンは、同様に定義され、ここで、ジアリールアミノ基は、ピレンに、好ましくは、1位もしくは1.6-位で結合する。さらに好ましい発光化合物は、たとえば、WO 2006/108497もしくはWO 2006/122630によるインデノフルオレンアミンもしくはインデノフルオレンジアミン、たとえば、WO 2008/006449によるベンゾインデノフルオレンアミンもしくはベンゾインデノフルオレンジアミン、および、たとえば、WO 2007/140847によるジベンゾインデノフルオレンアミンもしくはジベンゾインデノフルオレンジアミン、および、WO 2010/012328に開示された縮合アリール基を含むインデノフルオレン誘導体である。同様に好ましいのは、WO2012/048780とWO2013/185871に開示されたピレンアリールアミンである。同様に好ましいのは、WO 2014/037077に開示されたベンゾインデノフルオレンアミン、WO 2014/106522に開示されたベンゾフルオレンアミンとWO 2014/111269に開示された拡張ベンゾインデノフルオレンである。
【０１４０】
好ましくは、蛍光発光化合物のための有用なマトリックス材料は、種々の物質クラスの材料である。好ましいマトリックス材料は、オリゴアリーレン（たとえば、EP 676461による2,2’,7,7’-テトラフェニルスピロビフルオレンもしくはジナフチルアントラセン）、特別に、縮合芳香族基を含むオリゴアリーレン、オリゴアリーレンビニレン（たとえば、ＤＰＶＢｉもしくはEP 676461にしたがうスピロ-ＤＰＶＢｉ）、ポリポダル金属錯体（たとえば、WO 2004/081017によるもの）、正孔を伝導する化合物（たとえば、WO 2004/058911によるもの）、電子を伝導する化合物、特別に、ケトン、ホスフィンオキシド、スルホキシド等（たとえば、WO 2005/084081およびWO 2005/084082によるもの）、アトロプ異性体（たとえば、WO 2006/048268によるもの）、ボロン酸誘導体（たとえば、WO 2006/177052によるもの）またはベンズアントラセン（たとえば、WO2008/145239によるもの）のクラスから選択される。特に好ましいマトリックス材料は、ナフタレン、アントラセン、ベンゾアントラセンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体、オリゴアリーレンビニレン、ケトン、ホスフィンオキシドおよびスルホキシドのクラスから選択される。非常に特に好ましいマトリックス材料は、アントラセン、ベンゾアントラセン、ベンゾフェナントレンおよび/またはピレンを含むオリゴアリーレンもしくはこれら化合物のアトロプ異性体のクラスから選択される。本発明の文脈でのオリゴアリーレンは、少なくとも３個のアリールもしくはアリーレン基が互いに結合した化合物の意味であると理解される。さらに好ましいのは、WO2006/097208、WO2006/131192、WO2007/065550、WO2007/110129、WO2007/065678、WO2008/145239、WO2009/100925、WO2011/054442およびEP1553154に開示されたアントラセン誘導体とEP1749809、EP1905754およびUS2012/0187826に開示されたピレン化合物である。
【０１４１】
燐光発光化合物のための好ましいマトリックス材料は、たとえば、WO 2004/013080、WO 2004/093207、WO 2006/005627もしくはWO 2010/006680による芳香族ケトン、芳香族ホスフィンオキシドまたは芳香族スルホキシドもしくはスルホン、トリアリールアミン、カルバゾール誘導体、たとえば、ＣＢＰ（N,N-ビスカルバゾリルビフェニル）または、WO 2005/039246、US 2005/0069729、JP 2004/288381、EP1205527もしくはWO2008/086851に開示されたカルバゾール誘導体、たとえば、WO2007/063574もしくはWO2008/056746によるインドロカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2010/136109、WO 2011/000455もしくはWO2013/041176によるインデノカルバゾール誘導体、たとえば、EP 1617710、EP 1617711、EP 1731584、JP 2005/347160によるアザカルバゾール誘導体、たとえば、WO 2007/137725によるバイポーラーマトリックス材料、たとえば、WO 2005/111172によるシラン、たとえば、WO2006/117052によるアザボロールもしくはボロン酸エステル、たとえば、WO2010/15306、WO2007/063754もしくはWO2008/056746によるトリアジン誘導体、たとえば、EP652273もしくはWO2009/062578にしたがう亜鉛錯体、たとえば、WO2010/054729によるジアザシロール誘導体もしくはテトラアザシロール誘導体、たとえば、WO2010/054730によるジアザホスホール誘導体、たとえば、US 2009/0136779、WO2010/050778、WO2011/042107、WO2011/088877もしくはWO2012/143080WOによる架橋カルバゾール誘導体、たとえば、WO2012/048781によるトリフェニレン誘導体、または、たとえば、WO2011/116865もしくはWO 2011/137951によるラクタムである。
【０１４２】
本発明の電子素子の正孔注入もしくは正孔輸送層もしくは電子ブロック層中で、または電子輸送層中で使用することができる適切な電荷輸送材料は、式（Ａ）の化合物と同様に、たとえば、Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010に開示された化合物または先行技術によりこれらの層に使用される他の材料である。
【０１４３】
本発明の有機エレクトロルミッセンス素子において、正孔輸送、正孔注入もしくは電子ブロック層中で使用することができる好ましい材料の例は、式（Ａ）の化合物と同様に、インデノフルオレンアミン誘導体（たとえば、WO 06/122630もしくはWO06/100896によるもの）、EP1661888に開示されたアミン誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体（たとえば、WO 01/049806によるもの）、縮合芳香族構造を有するアミン誘導体（たとえば、US5,061,569によるもの）、WO95/09147に開示されたアミン誘導体、モノベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO08/006449によるもの）、ジベンゾインデノフルオレンアミン（たとえば、WO 07/140847によるもの）、スピロビフルオレンアミン（たとえば、WO 2012/034627およびWO 2013/120577によるもの）、フルオレンアミン（たとえば、WO 2014/015937、WO 2014/015938およびWO 2014/015935によるもの）、スピロジベンゾピランアミン（たとえば、WO 2013/083216によるもの）およびジヒドロアクリジン誘導体（たとえば、WO 2012/150001によるもの）である。
【０１４４】
電子輸送層のために使用される材料は、電子輸送層中で電子輸送材料として先行技術により使用されるとおりの任意の材料であり得る。特別に適切なものは、アルミニウム錯体、たとえば、Ａｌｑ３、ジルコニウム錯体、たとえば、Ｚｒｑ４、リチウム錯体、たとえば、Ｌｉｑ、ベンズイミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、キノキサリン誘導体、キノリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、芳香族ケトン、ラクタム、ボラーン、ジアザホスホール誘導体およびホスフィンオキシド誘導体である。さらに適切な材料は、JP2000/053957、WO2003/060956、WO 2004/028217、WO 2004/080975およびWO 2010/072300に開示されたとおりの上記言及した化合物の誘導体である。
【０１４５】
電子素子の好ましいカソードは、低仕事関数を有する金属、金属合金、または様々な金属、たとえばアルカリ土類金属、アルカリ金属、主族金属もしくはランタノイド（たとえばＣａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｙｂ、Ｓｍ等）などを含む多層構造を含む。追加的に適しているのは、アルカリ金属またはアルカリ土類金属および銀を含む合金、たとえばマグネシウムおよび銀から成る合金である。多層構造の場合、前記金属に加えて、相対的に高い仕事関数を有するさらなる金属、たとえばＡｇもしくはＡｌを使用してもよく、この場合、Ｃａ／Ａｇ、Ｍｇ／ＡｇまたはＢａ／Ａｇなどの金属の組合せが、一般に使用される。金属カソードと有機半導体の間に、高い比誘電率を有する材料の薄い中間層を導入することが好まれる可能性もある。この目的のために有益な材料の例は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属フッ化物であるが、対応する酸化物またはカルボナート（たとえばＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＦ２、ＭｇＯ、ＮａＦ、ＣｓＦ、Ｃｓ２ＣＯ３等）である。この層の層厚は、好ましくは０．５〜５ｎｍである。
【０１４６】
好ましいアノードは、高い仕事関数を有する材料である。好ましくは、アノードは、真空に対して４．５ｅＶ超の仕事関数を有する。この目的では、まず、高い酸化還元電位を有する金属、たとえばＡｇ、ＰｔまたはＡｕが適している。他方では、金属／金属酸化物電極（たとえばＡｌ／Ｎｉ／ＮｉＯx、Ａｌ／ＰｔＯx）が好まれる可能性もある。いくつかの用途では、有機材料の照射（有機ソーラーセル）または発光（ＯＬＥＤ、Ｏ−ＬＡＳＥＲ）を可能にするために、電極の少なくとも１つは、透明もしくは部分的に透明でなくてはならない。ここで好ましいアノード材料は、導電性の混合金属酸化物である。酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）が、特に好ましい。さらに、ドープされた有機材料、特別にドープされた導電性ポリマーが好ましい。さらに、アノードは、２以上の層、たとえば、ＩＴＯの内部層と金属酸化物、好ましくは、酸化タングステンもしくは酸化バナジウムの外部層から成ってもよい。
【０１４７】
水および空気の損傷作用を排除するために、素子は、適切に構造化され（用途に応じて）、接点が提供され、最後に密封される。
【０１４８】
好ましい１態様では、電子素子は、１つ以上の層が、昇華法により被覆されることを特徴とする。この場合に、その材料は、１０−５mbar未満、好ましくは１０−６mbar未満の初期圧力において真空昇華ユニットで気相堆積により適用される。しかしながら、この場合に、初期圧力をさらにより低く、たとえば１０−７mbar未満にすることも可能である。気相からの層の適用のための好ましい方法は、さらに説明され、本発明のＯＬＥＤでの層の製造のために一般的に適用される。
【０１４９】
代替の１態様では、電子素子は、１つ以上の層が、溶液から適用されることを特徴とする。溶液からの層の適用のための好ましい方法は、さらに説明され、本発明のＯＬＥＤでの層の製造のために一般的に適用される。
【０１５０】
本発明の電子素子は、一以上の層が溶液から適用され、一以上の層が昇華法により適用されることがさらに好まれる。
【０１５１】
本発明のＯＬＥＤは、表示装置、照明用途の光源と医療および/または美容用途（たとえば、光治療）での光源として使用することができる。
【０１５２】
例
Ａ）ビス[[3,5-ビス(トリフルオロメチル)ベンゾイル]オキシ]ビスムタニル3,5-ビス(トリフルオロメチル)安息香酸の合成
【０１５３】
【化８】
0006657207.tif 000047
【０１５４】
５０ｇ（１１３．５６ミリモル）のトリフェニルビスムタン（CAS No.: 603-33-8）と８９．４０ｇの3,5-ビス(トリフルオロメチル)安息香酸（３４０．３６ミリモル）を最初に、アルゴン下で不活性化されたフラスコ中に入れ、１ｌの無水トルエンを添加する。混合物を徐々に８０℃に加熱し、次いでこの温度で、さらに１２時間撹拌する。その後、混合物を室温に冷却し、保護ガスフリットを通して濾過し、トルエンで三度洗浄し、真空ポンプで脱水させ、次いで、高真空で昇華させる。
【０１５５】
Ｂ）素子の例
以下の例Ｉ１〜Ｉ８とＣ１〜Ｃ２では、種々のＯＬＥＤのデータを提示している。例Ｃ１とＣ２は先行技術の比較例であり、例Ｉ１〜Ｉ８は本発明のＯＬＥＤのデータを示している。
【０１５６】
本発明のＯＬＥＤと先行技術のＯＬＥＤは、WO 2004/058911による一般的な方法で製造され、これはここで説明する状況（層の厚さの変化、材料）に適合している。厚さ５０ｎｍの構造化されたＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で被覆されたガラス薄板は、ＯＬＥＤのための基板である。基板を湿式洗浄にかけ（洗浄機、Merck Extran洗浄剤）、次いで、２５０℃で１５分間ベークし、被覆前に酸素プラズマで処理する。
【０１５７】
種々の層を、事前処理された基板に適用する：最初に、正孔輸送層（ＨＴＬ１）／第２の正孔輸送層（ＨＴＬ２）／発光層（ＥＭＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）／電子注入層（ＥＩＬ）および最後に１００ｎｍ厚のアルミニウムカソード。ＯＬＥＤの正確な構造を、表１に見ることができる。ＯＬＥＤの製造のために使用される材料を、表２に示す。
【０１５８】
すべての材料は、真空室において、熱気相堆積により適用される。この場合、発光層は、常に、少なくとも一種のマトリックス材料と、共蒸発により特定の割合で一種または複数種のマトリックス材料に添加される発光化合物とから成る。ここでは、Ｍ１：Ｄ１（９５％：５％）のような形で与えられている詳細は、材料Ｍ１が９５体積％の割合で層中に存在し、Ｄ１が５体積％の割合で層中に存在することを意味する。同じように、電子輸送層も、二種の材料の混合物から成ってもよい。
【０１５９】
ＯＬＥＤは、標準方法により特性決定される。この目的のために、エレクトロルミネセンススペクトル、ランベルト放射特性を仮定して、電流/電圧/輝度特性線（ＩＵＬ特性線）から計算した、輝度の関数としての外部量子効率（ＥＱＥ、パーセントで測定）および寿命が測定される。エレクトロルミネセンススペクトルは、輝度１０００ｃｄ／ｍ２で測定され、ＣＩＥ１９３１ｘおよびｙ色座標はそこから計算される。寿命ＬＴ８０は、一定の電流密度で動作する間に、輝度が開始輝度から、開始値の８０％に低下するまでの時間として定義される。
【０１６０】
【表１】
0006657207.tif 000048
【０１６１】
【表２−１】
0006657207.tif 000049
【０１６２】
【表２−２】
0006657207.tif 000050
【０１６３】
いくつかの例を、本発明のＯＬＥＤの優位性を証明するために、以下により詳細に説明する。
【０１６４】
本発明の試料Ｉ１〜Ｉ８を比較試料Ｃ１およびＣ２と比較する。前者は、これらがＨＴＬの材料としてモノアリールアミンを使用し、ジアミンもしくはテトラアミンを使用しない点で、Ｃ１およびＣ２と異なる。すべての場合、ｐ−ドーパントＢｉＣが存在する２つの正孔輸送層の第１の層で使用される。すべての本発明の試料Ｉ１〜Ｉ８は、比較試料Ｃ１およびＣ２と比べて、類似の電圧値では、より良好な寿命と効率を有する（表３）。
【０１６５】
【表３】
0006657207.tif 000051
【０１６６】
例は、ＯＬＥＤにおける正孔輸送材料として、ビスマス錯体と式（Ａ）のモノアリールアミンとを組み合わせた本発明の優位性を示している。これらを限定として解釈すべきではない。この本発明の組み合わせの優位性は、特許請求の範囲に定義されている材料の組み合わせの全範囲にわたるものである。