(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持装置であって、
前記基板を真空吸着する、複数の吸着機構を有する吸着部と、
前記複数の吸着機構の圧力を計測する計測部と、
真空吸着を開始する前記複数の吸着機構の順序を示す第１の順序に基づいて、前記複数の吸着機構が前記基板を真空吸着する場合に基準となる前記複数の吸着機構の圧力の時間変化を含む基準データを取得し、
前記第１の順序に基づいて前記複数の吸着機構が第１の基板を保持するように前記吸着部を制御し、
前記第１の順序に基づいて前記第１の基板を真空吸着している状態で前記複数の吸着機構の圧力を計測するように前記計測部を制御して、前記計測された圧力の時間変化を示す計測データを取得し、
前記基準データと前記計測データとを比較することにより比較結果を取得し、
前記比較結果が所定の条件を満たす場合に、前記第１の順序に基づいて前記複数の吸着機構が第２の基板を真空吸着するように前記吸着部を制御し、
前記比較結果が所定の条件を満たさない場合には、前記第１の順序とは異なる第２の順序に基づいて前記複数の吸着機構が前記第２の基板を真空吸着するように前記吸着部を制御する制御部と、を有する、
ことを特徴とする保持装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１の順序と前記基準データの組み合せを取得することを特徴とする請求項１に記載の保持装置。
【請求項３】
前記組み合せは、前記基板の形状ごとに複数の種類が準備され、
前記制御部は、前記複数の種類の組み合せを取得する、ことを特徴とする請求項２に記載の保持装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記基準データとして、前記吸着部により基板を吸着したときの前記圧力と時間との関係を表すデータを取得する
ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記基準データとして、前記圧力と時間の関係を表す関係式を取得する
ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項６】
前記所定の条件は、ある吸着機構の吸着が完了した時刻と、前記吸着機構より前記基板の中心から離れた位置にある他の吸着機構の吸着が完了した時刻との時間差を基準として定められる
ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項７】
前記所定の条件は、前記圧力が所定の圧力に達するまでの時間を基準として定められる
ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項８】
前記保持装置は、基板の平坦度を計測する第２計測部を有し、
前記所定の条件は、前記第２計測部で計測した前記基板の平坦度の計測結果を基準として定められる
ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項９】
前記第１の順序と前記第２の順序は、吸着が開始された前記複数の吸着機構の吸着を停止させて再び吸着を開始させる再吸着順序を含むことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項１０】
前記吸着部は、前記複数の吸着機構ごとに真空源を備える、ことを特徴とする請求項９に記載の保持装置。
【請求項１１】
前記制御部は、
前記再吸着順序を含まない順序に基づいて前記吸着部を制御することで得られた前記比較結果が所定の条件を満たさない場合には、前記再吸着順序に基づいて前記吸着部を制御し、前記計測データを取得する、ことを特徴とする請求項９または１０に記載の保持装置。
【請求項１２】
前記第１の基板および前記第２の基板は、同一の形状となるように選択されることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項１３】
前記第１の基板および前記第２の基板は、同一のロットから選択されることを特徴とする請求項１乃至１２のうちいずれか１項に記載の保持装置。
【請求項１４】
複数の吸着機構により基板を真空吸着して保持する保持方法であって、
真空吸着を開始する前記複数の吸着機構の順序を示す第１の順序に基づいて、前記複数の吸着機構が前記基板を真空吸着する場合に基準となる前記複数の吸着機構の圧力の時間変化を含む基準データを取得し、
前記第１の順序に基づいて前記複数の吸着機構が第１の基板を真空吸着している状態で計測された、前記複数の吸着機構の圧力の時間変化を示す計測データを取得し、
前記基準データと前記計測データとを比較することにより比較結果を取得し、
前記比較結果が所定の条件を満たす場合に、前記第１の順序に基づいて前記複数の吸着機構が第２の基板を真空吸着し、
前記比較結果が前記所定の条件を満たさない場合には、前記第１の順序とは異なる第２の順序に基づいて前記複数の吸着機構が前記第２の基板を真空吸着する、
ことを特徴とする保持方法。
【請求項１５】
パターンを基板に形成するリソグラフィ装置であって、
前記基板を真空吸着して保持する請求項１乃至１３のうちいずれか１項に記載の保持装置を備えることを特徴とするリソグラフィ装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程でパターンを形成された前記基板を加工する工程と、
を有し、加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保持装置、保持方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等を製造するリソグラフィ装置に用いられる基板の保持に際し、反りや変形が大きい基板を良好な平坦度で保持する技術が要求されている。基板を保持する方法として、基板の裏面を真空吸着する方法がある。この方法では、基板の反り等により吸着エアが漏れ、十分に吸着できない場合がある。この問題に対し、吸着領域を分割して、分割した吸着領域による吸着タイミングを調整する技術がある（特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０９−０８０４０４号公報
【特許文献２】特開平１１−０６７８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記各特許文献に記載の技術は、分割した各吸着領域の吸着順序が決められており複雑な形状（反り形状等）を有する基板への対応が困難となりうる。
【０００５】
本発明は、例えば、複雑な形状を有する基板の保持に有利な保持装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、基板を保持する保持装置であって、基板を真空吸着する、複数の吸着機構を有する吸着部と、複数の吸着機構の圧力を計測する計測部と、真空吸着を開始する複数の吸着機構の順序を示す第１の順序に基づいて、複数の吸着機構が基板を真空吸着する場合に基準となる複数の吸着機構の圧力の時間変化を含む基準データを取得し、第１の順序に基づいて複数の吸着機構が第１の基板を保持するように吸着部を制御し、第１の順序に基づいて第１の基板を真空吸着している状態で複数の吸着機構の圧力を計測するように計測部を制御して、計測された圧力の時間変化を示す計測データを取得し、基準データと計測データとを比較することにより比較結果を取得し、比較結果が所定の条件を満たす場合に、第１の順序に基づいて複数の吸着機構が第２の基板を真空吸着するように吸着部を制御し、比較結果が所定の条件を満たさない場合には、第１の順序とは異なる第２の順序に基づいて複数の吸着機構が第２の基板を真空吸着するように吸着部を制御する制御部と、を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、複雑な形状を有する基板の保持に有利な保持装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係る保持装置を備えた露光装置の概略図である。
【図２】吸着部を上方から見た図である。
【図３】図２（Ａ）の吸着部を含む保持装置の全体を示す図である。
【図４】下反りの基板が吸着部に搬入された状態を示す図である。
【図５】電磁弁の開閉タイミングおよび圧力センサの計測結果を示す図である。
【図６】上反りの基板が吸着部に搬入された状態を示す図である。
【図７】電磁弁の開閉タイミングおよび圧力センサの計測結果を示す図である。
【図８】第１実施形態に係る保持装置による真空吸着方法のフローチャートである。
【図９】第２実施形態に係る保持装置の全体を示す図である。
【図１０】電磁弁の開閉タイミングおよび圧力センサの計測結果を示す図である。
【図１１】図１０のタイミングによる吸着をした時の各時点での基板の形状を表す図である。
【図１２】反りの無い基板を吸着した場合の基準データである。
【図１３】第２実施形態に係る保持装置による真空吸着方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１実施形態に係る保持装置を備えた露光装置の概略図である。当該保持装置は、他のリソグラフィ装置（例えばインプリント装置）へ適用することもできるが本実施形態では露光装置への適用を例に説明する。本実施形態に係る保持装置を備えた露光装置は、光源１１０と、照明光学系１２０と、投影光学系１３０と、ステージ１４０と、制御部１５０と、を含む。また、本実施形態に係る保持装置は、吸着部１６０と、吸着制御部１７０と、を含む。なお、投影光学系１３０の光軸をＺ軸とし、それに垂直な平面をＸＹ平面とする。
【００１１】
光源１１０は、複数の波長帯域の光を露光光として出力する。照明光学系１２０は、遮光板１２１と、ハーフミラー１２２と、フォトセンサ１２３と、ミラー１２４と、不図示の整形光学系と、不図示のオプティカルインテグレータと、を含む。光源１１０より射出した光は、照明光学系１２０の整形光学系を介して所定のビーム形状に整形され、整形されたビームはオプティカルインテグレータに入射する。オプティカルインテグレータは、レチクル（原版）Ｒを均一な照度分布で照明する多数の２次光源を形成する。レチクルＲは、マスクとも呼ばれ、その表面には焼き付けを行う半導体デバイスの回路パターンが形成されている。遮光板１２１は、照明光学系１２０の光路上に配置され、レチクルＲ上に任意の照明域を形成する。ハーフミラー１２２は、照明光学系１２０の光路上に配置され、レチクルＲを照明する露光光の一部を反射して取り出す。フォトセンサ１２３は、ハーフミラー１２２の反射光の光路上に配置され、露光光の強度（露光エネルギー）に対応した信号を照明光学系制御部１５１に出力する。照明光学系制御部１５１は、当該出力に基づいて遮光板１２１等を制御する。
【００１２】
投影光学系１３０は、屈折式またはカタディオプトリック式などであり、レチクルＲの回路パターンを倍率β（例えばβ＝１／２）で縮小し、フォトレジストが塗布された基板（ウエハ）Ｗ上のショット領域に結像投影する。投影光学系１３０は、光学素子１３１と、開口絞り１３２と、を含む。光学素子１３１は、駆動部１０１により投影光学系１３０の光軸上を移動する。これにより、投影光学系１３０の諸収差の増大を抑制しつつ、投影倍率を良好にさせ歪曲誤差を減らすことができる。開口絞り１３２は、投影光学系１３０の瞳面（レチクルＲに対するフーリエ変換面）上に配置される。その形状は、開口部がほぼ円形であり、駆動部１０２により直径が制御される。駆動部１０１および１０２は、投影光学系制御部１５３により制御される。
【００１３】
ステージ１４０は、駆動部１０３により、６自由度に関して制御され、基板Ｗの位置決めを行いうる。ここで、６自由度は、ＸＹＺ座標系の各軸に沿った並進自由度と、各軸の周りの回転自由度とを含む。ステージ１４０のＸＹ平面内での位置は、ステージ１４０に固定された移動鏡１４１までの距離をレーザ干渉計１４２で計測することで計測される。ステージ１４０と基板Ｗとの位置関係は、アライメント計測系１０４により計測される。基板Ｗのフォーカスずれは、投光光学系１０５および検出光学系１０６を含むフォーカス面検出部により計測される。投光光学系１０５は、基板Ｗ上のフォトレジストを感光させない非露光光から成る複数個の光束を投光し、その光束は基板Ｗ上に各々集光されて反射される。基板Ｗ上で反射された光束は、検出光学系１０６に入射する。検出光学系１０６内には各反射光束に対応させて複数個の位置検出用の受光素子が配置されている。各受光素子の受光面と基板Ｗ上での各光束の反射点が結像光学系によりほぼ共役となるように構成されている。フォーカスずれは、検出光学系１０６内の受光素子上の入射光束の位置ずれとして計測される。駆動部１０３は、各計測結果をもとにステージ制御部１５４により制御される。駆動部１０１〜１０３は、モーター等の駆動手段である。
【００１４】
吸着部１６０は、吸着制御部１７０による制御のもと、基板Ｗをステージ１４０に真空吸着保持する。制御部１５０は、照明光学系制御部１５１、投影光学系制御部１５３、ステージ制御部１５４および吸着制御部１７０を統括的に制御する。
【００１５】
図２（Ａ）および（Ｂ）は、２種類の吸着部１６０をそれぞれ上方から見た図である。図２（Ａ）は、上反りまたは下反りの基板を吸着するのに適する。ここで、上反りの基板とは、基板表面において、ＸＹ平面内のどの方向からみても光軸方向（Ｚ方向）の座標が最大となる点がある基板である。また、下反りの基板とは、前記座標が最小となる点がる基板である。図２（Ｂ）は、鞍反りの基板を吸着するのに適する。ここで、鞍反りの基板とは、基板表面において、ＸＹ平面内のある方向からみると光軸方向（Ｚ方向）の座標が最大となり、他の方向からみると光軸方向（Ｚ方向）の座標が最小となる、所謂鞍点がある基板である。図２（Ａ）に示す吸着部１６０は、境界２１〜２３で区分された真空吸着領域１１〜１３と、真空吸着領域１１〜１３で吸入したエアを排出する排出口３１〜３３と、ウエハ受け渡しピン昇降口４１〜４３を備える。真空吸着領域は、同心円状に分割されている。図２（Ｂ）に示す吸着部１６０は、境界２４で区分された真空吸着領域１１〜１６と、真空吸着領域１１〜１６で吸入したエアを排出する排出口３１〜３６と、ウエハ受け渡しピン昇降口４１〜４３を備える。真空吸着領域は放射状に分割されている。ウエハ受け渡しピン昇降口４１〜４３は、不図示の基板搬送ハンドと基板Ｗの受け渡しをするときに図３で示すウエハ受け渡しピン１０７を昇降するための開口部である。基板搬送ハンドは、ウエハ受け渡しピン昇降口４１〜４３から上昇したウエハ受け渡しピン１０７の上に基板Ｗを置く。基板搬送ハンドが退避した後、ウエハ受け渡しピン１０７が下降することで基板Ｗが吸着部１６０上に載置される。
【００１６】
図３は図２（Ａ）の吸着部１６０を含む保持装置の全体を示す図である。真空吸着領域１１〜１３は、真空吸着時に基板Ｗを支える多数の小突起で埋められている。排出口３１〜３３は配管経由で電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３に接続されている。電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は配管分岐用のマニホールド１７１を経由して真空ポンプ１７３に接続される。排出口３１〜３３のそれぞれに接続する配管には、圧力センサＰ１〜Ｐ３が設けられている。圧力センサＰ１〜Ｐ３は、真空吸着領域１１〜１３の圧力を計測する。この圧力は、真空吸着領域、排出口、配管、電磁弁、マニホールドおよび真空ポンプを含む吸着機構の真空度（吸着力）を示す。真空吸着領域１１を含む吸着機構の真空度は圧力センサＰ１、真空吸着領域１２を含む吸着機構の真空度は圧力センサＰ２、真空吸着領域１３を含む吸着機構の真空度は圧力センサＰ３、によりそれぞれ計測される。真空ポンプ１７３の元圧は、元圧センサ１７２により計測される。吸着制御部１７０は、圧力センサＰ１〜Ｐ３の値に基づいて電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３を制御して、吸着部１６０に基板Ｗを真空吸着させる。なお、各真空吸着領域の圧力を計測するための圧力センサは、排出口全系統でなく必要最小限の系統に配置しても良い。
【００１７】
図４は、下反りの基板Ｗが吸着部１６０に搬入された状態を示す図である。図中の矢印は、周囲のエアを吸引してしまう空吸いが起きた時のエアの流れである。各真空吸着領域の吸引可能量（吸着力）の合計が一定量として決まっている場合、空吸いの影響は、空吸いをしていない真空吸着領域にも及びうる。この場合、基板Ｗを十分に保持することが困難になりうる。また、吸着力を補う追加的な構成が必要となりうる。
【００１８】
図５は、電磁弁の開閉タイミングおよび圧力値を示す図である。図５に示したタイミングおよび圧力値は、図４に示す下反りの基板Ｗを吸着するのに適したタイミングおよび、当該タイミングで吸着をした時の各圧力センサが示すべき圧力値の時間変化の一例である。以下、基板Ｗを吸着するのに適したタイミングのことを最適タイミング、最適タイミングによる吸着をした時の各圧力センサが示すべき圧力値の時間変化データにより基板Ｗの吸着の成否を判断するためのデータを基準データ（想定データ）と呼ぶ。図５において、横軸は時間を示す。図５の上のグラフにおいて、縦軸は電磁弁の開（ｏｐｅｎ）または閉（ｃｌｏｓｅ）を示す。図５の下のグラフにおいて、縦軸は圧力値を示す。時間ゼロにおいて、圧力値は初期値を示す。図５に示す最適タイミングおよび基準データは、記憶部１５２に予め記憶されている。図４に示す下反り形状の場合は、基板Ｗの中心から外側へ向けて順次吸着を進めていくことが望ましい。時刻ｔ１までは、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は閉じており、圧力センサＰ１〜Ｐ３が示す圧力値は初期値のままである。時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３で順次、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３が開放され真空吸着領域１１〜１３の吸着が開始される。時刻ｔ３以降は電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３がすべて開放される。時刻ｔ１で電磁弁ＳＶ１が開放されると、圧力センサＰ１が示すべき圧力値は時刻ｔ２まで徐々に下がり始め、時刻ｔ２で一定値に落ち着く（吸着が完了する）。時刻ｔ２になると、電磁弁ＳＶ２が開放され、圧力センサＰ２が示すべき圧力値は時刻ｔ３まで徐々に下がり始め、時刻ｔ３で一定値に落ち着く。時刻ｔ３になると、電磁弁ＳＶ３が開放され、圧力センサＰ３が示すべき圧力値は徐々に下がり始め、一定値に落ち着く。
【００１９】
図６は、上反りの基板Ｗが吸着部１６０に搬入された状態を示す図である。図中の矢印は、周囲のエアを吸引してしまう空吸いが起きた時のエアの流れである。
【００２０】
図７は、電磁弁の開閉タイミングおよび圧力センサの計測結果を示す図である。縦軸、横軸の定義は、図５と同様である。図７に示すタイミングおよび圧力値は、図６に示す上反りの基板Ｗに対応した最適タイミングおよび基準データの一例であり、上述と同様に記憶部１５２に記憶されている。図６に示す上反り形状の場合は、基板Ｗの外側から中央へ向けて順次吸着を進めていくことが望ましい。時刻ｔ１までは、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は閉じており、圧力センサＰ１〜Ｐ３が示す圧力値は初期値のままである。時刻ｔ１、ｔ２、ｔ３で順次、電磁弁ＳＶ３〜ＳＶ１が開放され真空吸着領域１３〜１１の吸着が開始される。時刻ｔ３以降は電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３がすべて開放される。時刻ｔ１で電磁弁ＳＶ３が開放されると、圧力センサＰ３が示すべき圧力値は時刻ｔ２まで徐々に下がり始め、時刻ｔ２で一定値に落ち着く。時刻ｔ２になると、電磁弁ＳＶ２が開放され、圧力センサＰ２が示すべき圧力値は時刻ｔ３まで徐々に下がり始め、時刻ｔ３で一定値に落ち着く。時刻ｔ３になると、電磁弁ＳＶ１が開放され、圧力センサＰ１が示すべき圧力値は徐々に下がり始め、一定値に落ち着く。
【００２１】
記憶部１５２には、図５や図７で示した最適タイミングおよび基準データ以外にもその他基板の形状に対応した最適タイミングおよび基準データが記憶されている。制御部１５０は、吸着制御部１７０に対し記憶部１５２に記憶された最適タイミング（吸着順序）のうちひとつを送り、吸着制御部１７０は、その順序に基づいて基板Ｗを真空吸着するように各部を制御する。吸着制御部１７０は、その順序に基づいた真空吸着により圧力センサＰ１〜Ｐ３が示した圧力データ（実測データ、計測データ）を得て、制御部１５０に出力する。制御部１５０は、実測データと基準データとを比較し、比較結果（評価値）が所定の条件を満たすか否かを判定する。所定の条件を満たしたときの吸着順序が最適な吸着順序となる。
【００２２】
下記［数１］は、評価値の一例を示す式であり、Ｈが所定の値より小さい場合が最適な吸着順序と判定される。所定の条件は、所望の基板Ｗの保持姿勢に基づいて決定されうる。
【００２３】
（数１）
Ｈ＝Σ（｜ＰＭ１ｔ−ＰＳ１ｔ｜＋｜ＰＭ２ｔ−ＰＳ２ｔ｜＋｜ＰＭ３ｔ−ＰＳ３ｔ｜）
ただし、ＰＭ１ｔ〜ＰＭ３ｔは、時刻ｔにおける圧力センサＰ１〜Ｐ３が計測する圧力値（実測データ）、ＰＳ１ｔ〜ＰＳ３ｔは、時刻ｔにおける圧力センサＰ１〜Ｐ３が示すべき圧力値（基準データ）、ｔ＝１…ｎである。
【００２４】
図８は、本実施形態に係る保持装置による真空吸着方法のフローチャートである。工程Ｓ１０１では、制御部１５０が、記憶部１５２から吸着順序および圧力データ（基準データ）のセットを一組取得し、吸着制御部１７０に送る。工程Ｓ１０２では、制御部１５０が不図示の基板搬送ハンドを制御し、基板Ｗを吸着部１６０上に載置する。そして、吸着制御部１７０が工程Ｓ１０１で取得した吸着順序で吸着を開始するように制御する。工程Ｓ１０３では、吸着制御部１７０が、圧力センサＰ１〜Ｐ３が示した圧力データ（実測データ）を得て、制御部１５０に出力する。工程Ｓ１０４では、制御部１５０は、実測データと基準データとを比較し、比較結果（評価値）を算出する。工程Ｓ１０５では、制御部１５０は、評価値が所定の条件を満たすか否かを判定する。満たす場合（Ｙｅｓ）は、工程Ｓ１０６にて、制御部１５０が、工程Ｓ１０１で取得した吸着順序を最適順序として記憶部１５２に記憶する。満たさない場合（Ｎｏ）は、工程Ｓ１０１にて、新たな吸着順序および圧力データ（基準データ）のセットを記憶部１５２から取得し、工程Ｓ１０５までを再び行う。
【００２５】
初回の工程Ｓ１０２で吸着する基板は、デバイス製造に用いる基板と同形状となるように準備される。例えば、両基板は、同一のロットから選択される。同一ロット内の先頭の基板により上記工程を行い、最適吸着順序を特定し、記憶部１５２に記憶させる。２枚目以降の基板の吸着は、記憶部１５２に記憶された順序を用いて行われる。
【００２６】
以上のように、本実施形態の保持装置は、複数の吸着タイミングによる吸着を試して最適な吸着順序を特定するため、多様な形状の基板の吸着に対応することができる。また、空吸いを抑えることができるため、例えば、スループットの向上も可能である。本実施形態によれば、複雑な形状の基板の保持に有利な保持装置を提供することができる。
【００２７】
（第２実施形態）
第１実施形態は、各電磁弁の開放はそれぞれ一回を想定している。しかしながら、基板の形状によっては、各電磁弁の開閉を繰り返す（再吸着する）必要がありうる。この場合、第１実施形態のように、各吸着領域の吸引可能量の合計が一定量として決まっている場合、吸い直しによる基板の吸着が困難となりうる。本実施形態は、これに対応した実施形態である。
【００２８】
本実施形態では、保持部に含まれる吸着機構に真空発生装置５１〜５３が追加され、真空ポンプ１７３の代わりにエアポンプ１７５が用いられている（図９）。排出口３１〜３３は、配管経由で真空発生装置（エジェクタ）５１〜５３に接続されている。真空発生装置５１〜５３は配管経由で電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３に接続されている。電磁弁はマニホールド１７１経由でエアポンプ１７５に接続されている。真空発生装置５１〜５３が真空ポンプである場合、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は、真空発生装置５１〜５３と排出口３１〜３３の間の経路上に構成される。なお、エアポンプ１３５の代わりに工場設備から供給されるエアを用いても構わない。本実施形態の吸着機構によれば、真空吸着領域１１〜１３ごとに真空源があるため、真空吸着領域１１〜１３の真空吸着をそれぞれ独立にすることができ、エアリークによる吸着力の低下が他領域に及ぶのを最小限に抑えることが可能である。すなわち、一度吸着が開始された真空吸着領域１１〜１３の吸着を停止させて再び吸着を開始させる吸い直し（再吸着）による基板の吸着保持が可能となる。
【００２９】
図１０は、電磁弁の開閉タイミングおよび圧力値を示す図である。各軸の定義は、図５および図７と同様である。図１０に示したタイミングおよび圧力値は、上反りの基板Ｗに対応した最適タイミングおよび基準データの一例である。図１１は、図１０に示した各時刻における基板Ｗの形状を表す。本実施形態では、基板Ｗの全体を一括で吸着した後、外側の吸着を一旦停止させ、再び基板Ｗの中心に近い領域から外側へ向けて順次吸着を進めていく。なお、本実施形態では、各吸着領域による吸着を同時に開始しているが、これに限られない。
【００３０】
時刻ｔ１までは、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３は閉じており、圧力センサＰ１〜Ｐ３が示す圧力値は初期値のままである。時刻ｔ１において、電磁弁ＳＶ１〜ＳＶ３を開放すると、真空吸着領域１１〜１３の吸着が開始される。各圧力センサが示すべき圧力値は、徐々に下がり、時刻ｔ４にて一定の値に落ち着く。図１１によると、時刻ｔ４における基板Ｗは、真空吸着領域１１への応力蓄積などにより、十分な平坦度を有していない。そこで、時刻ｔ４にて電磁弁ＳＶ２および電磁弁ＳＶ３を閉じる。すると、時刻ｔ５では、真空吸着領域１１の吸着が維持され、真空吸着領域１２および１３が吸着部１６０から浮いた状態となる。このとき、本実施形態の吸着機構によれば、真空吸着領域１２および１３からのエアリークの影響が真空吸着領域１１に及ぶことを抑えることができる。続いて、時刻ｔ５にて電磁弁ＳＶ２を開放し真空吸着領域１２の吸着をはじめ、時刻ｔ６にて電磁弁ＳＶ３を開放し真空吸着領域１３の吸着をはじめる。これにより、図１１中の時刻ｔ７で示すように良好な平坦度で基板Ｗの保持がなされる。
【００３１】
基板Ｗの吸い直し（時刻ｔ４以降）を行うか否かの判断方法について説明する。図１２は、反りの無い基板Ｗの吸着を、各吸着領域により同時に開始した場合の基準データである。各軸の定義は、図１０と同様である。図１２では、時刻Ｔ１に吸着を開始して時刻Ｔ２にて圧力値が一定値となり、基板Ｗの吸着保持が完了している。時刻Ｔ１〜Ｔ２の基準データを用いて、第１実施形態の［数１］を用いて算出した評価値をもとに平坦度を推定する。平坦度が十分で無いと判断した場合は、基板Ｗの吸い直しを行う。
【００３２】
図１３は、第２実施形態に係る保持装置による真空吸着方法のフローチャートである。工程Ｓ２０１では、制御部１５０が、記憶部１５２から吸着順序（再吸着順序も含む）および圧力データ（基準データ）のセットを一組取得し、吸着制御部１７０に送る。工程Ｓ２０２では、制御部１５０が不図示の基板搬送ハンドを制御し、基板Ｗを吸着部１６０上に載置する。そして、吸着制御部１７０が工程Ｓ２０１で取得した吸着順序で吸着を開始するように制御する。工程Ｓ２０３では、圧力センサＰ１〜Ｐ３が示す圧力データが一定値を示した段階で、吸着制御部１７０が、圧力センサＰ１〜Ｐ３の圧力データ（実測データ）を制御部１５０に出力する。制御部１５０は、実測データを、例えば、基準データと比較し、基板Ｗの平坦度を推定する。工程Ｓ２０４では、制御部１５０は、推定された平坦度に基づいて、吸い直しが必要か否かを判断する。不要な場合（Ｎｏ）は、工程Ｓ２０５にて、制御部１５０が、工程Ｓ２０１で取得した吸着順序（吸い直し順序含まず）を最適順序として記憶部１５２に記憶する。必要な場合（Ｙｅｓ）は、工程Ｓ２０２にて、吸着制御部１７０が工程Ｓ２０１で取得した再吸着順序で吸着を開始し、続く工程Ｓ２０３以降を繰り返す。この場合、工程Ｓ２０５にて記憶部１５２に記憶される最適順序は、再吸着順序も含む。
【００３３】
以上のように、本実施形態の保持装置は、各吸着機構を独立させることで、基板の吸い直しも可能となり、より多様な形状の基板の吸着に対応することができる。本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果を得られる。
【００３４】
なお、記憶部１５２に記憶されている吸着順序および圧力データは、基板の想定される反りの大きさ毎に記憶しても良いし、一部または全部を関係式で記憶し、制御部１５０が都度計算で求めても構わない。さらに、吸着した基板の平坦度の評価基準は、基板Ｗの中心に近い真空吸着領域の吸着が完了した時刻と、基板Ｗの中心から離れた真空吸着領域の吸着が完了した時刻の時間差を基準としてもよい。その他、所定の圧力に達するまでの時間を基準としてもよい。さらに、不図示のセンサ（計測部）を用いて基板Ｗの平坦度を計測して、計測結果を基準としてもよい。また、記憶部１５２は、制御部１５０内に含まれていてもよい。
【００３５】
基準データは、予め設定した最適タイミングにより吸着を行い、実際に平坦度良く基板を吸着保持できた場合の圧力データであってもよく、基板の形状等に基づき計算により求めた圧力データであってもよい。
【００３６】
（物品製造方法に係る実施形態）
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記保持装置により保持された基板に対し、上記露光装置を用いてパターンを基板に形成する（露光する）工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工（現像）する工程とを含む。リソグラフィ装置がインプリント装置である場合は、現像する工程の代わりに、例えば残膜を除去する工程を含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３７】
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００３８】
１６０  吸着部
１５０  制御部
Ｗ      基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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