(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の半導体層と、
前記半導体層および前記第１の絶縁層上にあり、前記第１の絶縁層の近傍に表面を有する第２の絶縁層と、
を含み、
前記第２の絶縁層は、フッ素イオンを含み、
前記第２の絶縁層は、第１の領域を有し、前記第１の領域は、前記第２の絶縁層の前記表面から始まる深さ４０ｎｍの領域であり、
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８０％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する、
表示パネル。
【請求項２】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８０％〜８３％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８２％〜８８％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８８％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第１の領域の前記フッ素イオンの利得率は、前記第２の絶縁層の前記表面から始まる深さ８０ｎｍの全測定領域のフッ素イオンの補正値の積分値で割られた前記第１の領域のフッ素イオンの補正値の積分値である、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記フッ素イオンの補正値は、前記第２の絶縁層の深さでのフッ素イオンの信号強度からフッ素イオンのバックグラウンド強度を引いたものであり、前記フッ素イオンのバックグラウンド強度は、前記第２の絶縁層の第２の領域で測定された最も低いフッ素イオンの信号強度であり、且つ、前記第２の領域は、前記第１の領域の近傍にある深さ４０ｎｍの領域である、請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記第１の基板と前記第１の絶縁層との間のゲート電極と、
前記第１の絶縁層上にあり、前記半導体層の両側にそれぞれ電気的接続されたソース電極およびドレイン電極と、
を更に含み、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層、前記半導体層、前記ソース電極、および前記ドレイン電極をカバーする、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第１の基板と前記第１の絶縁層との間のゲート電極と、
前記第１の絶縁層上にあるソース電極およびドレイン電極と、
を更に含み、
前記半導体層は、前記ソース電極と前記ドレイン電極上にあり、前記ソース電極と前記ドレイン電極に電気的接続される、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記第１の基板と前記第１の絶縁層との間のゲート電極と、
前記第２の絶縁層上にあるソース電極およびドレイン電極と、
を更に含み、
前記ソース電極と前記ドレイン電極は、前記第２の絶縁層を貫通し、
前記半導体層の両側にそれぞれ電気的接続する、請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１０】
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の表示媒体と、を更に含む請求項１に記載の表示パネル。
【請求項１１】
第１の基板と、
前記第１の基板上の半導体層と、
前記半導体層の中心部にある第１の絶縁層と、
前記半導体層の両側と前記第１の基板にあり、前記第１の基板の近傍に表面を有する第２の絶縁層と、
を含み、
前記第２の絶縁層は、フッ素イオンを含み、
前記第２の絶縁層は、第１の領域を有し、前記第１の領域は、前記第２の絶縁層の前記表面から始まる深さ４０ｎｍの領域であり、
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８０％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する、
表示パネル。
【請求項１２】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８０％〜８３％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１３】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８２％〜８８％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１４】
前記第２の絶縁層は、前記第１の領域に８８％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１５】
前記第１の領域の前記フッ素イオンの利得率は、前記第２の絶縁層の前記表面から始まる深さ８０ｎｍの全測定領域のフッ素イオンの補正値の積分値で割られた第１の領域のフッ素イオンの補正値の積分値である、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１６】
前記フッ素イオンの補正値は、前記第２の絶縁層の深さでのフッ素イオンの信号強度からフッ素イオンのバックグラウンド強度を引いたものであり、前記フッ素イオンのバックグラウンド強度は、前記第２の絶縁層の第２の領域で測定された最も低いフッ素イオンの信号強度であり、且つ、前記第２の領域は、前記第１の領域の近傍にある深さ４０ｎｍの領域である、請求項１５に記載の表示パネル。
【請求項１７】
前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間のゲート電極と、
前記第２の絶縁層上にあり、前記第２の絶縁層を貫通することによって前記半導体層の両側にそれぞれ電気的接続されたソース電極およびドレイン電極と、を更に含む、請求項１１に記載の表示パネル。
【請求項１８】
第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間の表示媒体と、を更に含む、請求項１１に記載の表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本出願は、２０１４年１２月２２日に出願された台湾特許出願第１０３１４４７２３号についての優先権を主張するものであり、これらの全ては引用によって本願に援用される。
【０００２】
本開示は、表示パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００３】
絶縁層（例えば、酸化ケイ素または窒化ケイ素からなる）の従来の堆積では、堆積チャンバは、堆積のステップが繰り返された後、洗浄されなければならない。一般的には、堆積チャンバは、リモートプラズマでフッ素含有ガス（例えば、Ａｒ＋ＮＦ３）を処理して形成されたフッ素イオン（Ｆ−）によって洗浄され、次いでフッ素イオン（Ｆ−）が堆積チャンバ内に導入される。しかしながら、洗浄プロセスのフッ素イオンは、堆積チャンバ内に残り、後続の堆積プロセスで堆積した絶縁層に混入される。絶縁層の表面に堆積したフッ素イオンの程度は、半導体装置の性能に影響する。過剰または過小な堆積は、性能にマイナスの影響を及ぼすため、半導体素子の性能を改善するように調整する必要がある。
【発明の概要】
【０００４】
本開示の一実施形態は表示パネルを提供する。当該表示パネルは、第１の基板と、第１の基板上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の半導体層と、半導体層および第１の絶縁層上にあり、第１の絶縁層の近傍に表面を有する第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、第１の領域を有し、前記第１の領域は、第２の絶縁層の表面から始まる深さ４０ｎｍの領域であり、且つ、第２の絶縁層は、第１の領域に８０％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する。
【０００５】
本開示の一実施形態は、表示パネルを提供する。当該表示パネルは、第１の基板と、第１の基板上の半導体層と、半導体層上の第１の絶縁層と、第１の絶縁層上の第２の絶縁層とを含み、第２の絶縁層は、第１の絶縁層の近傍に表面を有し、第２の絶縁層は、第１の領域を有し、第１の領域は、第２の絶縁層の表面から始まる深さ４０ｎｍの領域であり、且つ、第２の絶縁層は、第１の領域に８０％〜９５％のフッ素イオンの利得率を有する。
【０００６】
詳細な説明は、添付の図面と併せて以下の実施形態に説明される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
添付の図面とともに以下詳細な説明及び実施例を検討することで、本発明はより完全に理解できる。
【図１】本開示の一実施形態の第２の絶縁層を堆積するプロセスを示している。
【図２】本開示の一実施形態の第２の絶縁層を堆積するプロセスを示している。
【図３】本開示の一実施形態の第２の絶縁層を堆積するプロセスを示している。
【図４】本開示の第１の実施例と第２の実施例のＳＩＭＳの測定結果を示している。
【図５Ａ】本開示の実施形態の薄膜トランジスタを示している。
【図５Ｂ】本開示の実施形態の薄膜トランジスタを示している。
【図５Ｃ】本開示の実施形態の薄膜トランジスタを示している。
【図６】本開示の実施形態の薄膜トランジスタを示している。
【図７】本開示の一実施形態の表示パネルを示している。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下の説明は、本発明を実施するベストモードである。この説明は、本発明の一般原理を例示する目的のためのもので本発明を限定するものではない。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲を参考にして最良に決定される。
【０００９】
一実施形態は、表示パネルの製造方法を提供する。図１に示されるように、リモートプラズマ源１１は、プラズマをフッ素含有化学物質（例えば、Ａｒ＋ＮＦ３）に加え、フッ素イオンを形成する。続いて、フッ素イオンは、堆積チャンバ１３内に導入され、堆積チャンバ１３を洗浄する。
【００１０】
堆積チャンバ内のフッ素イオンは、減少され、次いで、第１の基板１５は、堆積チャンバ１３に送られる。第１の基板１５は、その上に配置された第１の絶縁層４３と半導体層１７を含む。一実施形態では、第１の基板１５は、透光性の硬質無機材料（例えば、ガラス、クオーツなど）、不透光性の硬質無機材料（例えば、ウエハ、セラミックなど）または弾性有機材料（例えば、プラスチック、ゴム、ポリエステル、ポリイミド、ポリカーボネートなど）であることができる。一実施形態では、第１の絶縁層４３は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはそれらの組み合わせであることができる。半導体層１７は、アモルファスシリコン、ポリシリコン、インジウムガリウム亜鉛酸化物（ＩＧＺＯ）、インジウムガリウム亜鉛スズ酸化物（ＩＧＺＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウム亜鉛スズ酸化物（ＩＺＴＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、または亜鉛スズ酸化物（ＺＴＯ）であることができる。
【００１１】
一実施形態では、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンを減少させるステップは、図２に示されるように、（１）ポンプによって堆積チャンバ１３から未反応のフッ素イオン（およびフッ素イオンの反応で形成された化合物）を吸い出すステップ、および（２）フッ素イオン吸収層１４を堆積チャンバ１３の内壁上に堆積するステップを含む。一般的には、フッ素イオン吸収層１４と第２の絶縁層１９（図３を参照）は、同じ組成物を有する必要があり、これにより第２の絶縁層１９の組成物がフッ素イオン吸収層１４の組成物によって影響されるのを防ぐ。例えば、後続に形成される第２の絶縁層１９が酸化ケイ素を含むとき、フッ素イオン吸収層１４も酸化ケイ素となる。後続に形成される第２の絶縁層１９が窒化ケイ素を含むとき、フッ素イオン吸収層１４も窒化ケイ素となる。後続に形成される第２の絶縁層１９が酸窒化ケイ素を含むとき、フッ素イオン吸収層１４は、窒化ケイ素と酸化ケイ素の二層構造となる。しかしながら、上述の実施形態は、説明のためだけのものである。また、フッ素イオン吸収層１４および第２の絶縁層１９は、異なる材料で構成されることができる。異なる実施形態では、フッ素イオン吸収層１４は、２００ｎｍから１０００ｎｍの総厚を有する酸化ケイ素層、窒化ケイ素層、または酸化ケイ素と窒化ケイ素の二層構造であることができる。
【００１２】
続いて、第２の絶縁層１９は、第１の絶縁層４３と半導体層１７上に堆積され、第２の絶縁層１９は、第１の絶縁層４３の近傍に表面１８を有する。上述のように、第２の絶縁層１９は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、またはそれらの組み合わせであることができる。フッ素イオン吸収層１４は、第２の絶縁層１９を堆積する前に、堆積チャンバ１３の内壁上に堆積されるため、堆積チャンバ１３のフッ素イオンは、第２の絶縁層１９の堆積中に減少される。したがって、表面１８にある第２の絶縁層１９のフッ素イオンの濃度の蓄積は、効果的に低減されることができる。
【００１３】
もう１つの実施形態では、半導体層１７は、第１の絶縁層４３と第１の基板１５との間に配置される。フッ素イオン吸収層１４を形成し、第２の絶縁層１９を堆積する後続のステップは、上述の実施形態と同様のため、その説明はここでは省略する。
【００１４】
次の実施例では、二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）は、第１の基板の非表示領域に対応する第２の絶縁層１９のフッ素イオン含有量を測定するのに用いられた。測定は、第１の基板の非表示領域で行われたが、第２の絶縁層は、表示領域と非表示領域に配置された。したがって、非表示領域に対応する第２の絶縁層のフッ素イオン分布は、表示領域に対応する第２の絶縁層のフッ素イオン分布と同様でなければならない。実施例の計測要因は、以下のとおりである。
使用装置：ＣＡＭＥＣＡ  ＩＭＳ  ６Ｆ
ソース：Ｃｓ＋
エネルギー：１５ＫｅＶ
収集領域（直径）：３０μｍ
【００１５】
測定結果は、第２の絶縁層１９が表面１８から異なる距離で異なるフッ素イオン含有量を有したことを示している。ＳＩＭＳによって測定されたフッ素イオンの信号強度の単位は、秒単位で計算された。フッ素イオン信号強度は、検出に用いられるイオン源のタイプが異なることにより、一致しなかった。したがって、本開示は、検出に用いられるイオン源のタイプが異なることにより影響されないフッ素イオン含有量を測定する方法を提供する。これは、全測定領域の深さでのフッ素イオンの信号強度からフッ素イオンのバックグラウンド強度を引いて前記深さでのフッ素イオンの補正値を得たものである。全測定領域の全ての深さでのフッ素イオンの補正値は、積算されて全測定領域のフッ素イオンの利得値を得ることができた。また、全測定領域の所定領域のフッ素イオンの補正値は、積算されて所定領域のフッ素イオンの利得値を得た。これは、全測定領域のフッ素イオンの利得値で割られて、所定領域のフッ素イオンの利得率を得ることができた。本開示では、全測定領域Ｔは、表面から０〜８０ｎｍの領域（第２の絶縁層の）として定義された。より詳細な定義では、全測定領域Ｔは、第２の絶縁層の表面から始まる深さ８０ｎｍの領域である。第２の絶縁層の表面は、第１の絶縁層の近傍にある。フッ素イオンのバックグラウンド強度は、第２の絶縁層の第２の領域Ｂで測定された最も低いフッ素イオンの信号強度として定義され、第２の領域Ｂは、表面から４０ｎｍ〜８０ｎｍであった。より詳細な定義では、第１の領域Ａは、第２の絶縁層の表面から始まる深さ４０ｎｍの領域であり、第２の領域Ｂは、第１の領域Ａの近傍にある深さ４０ｎｍの領域である。
【００１６】
第１の実施例では、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、吸い出されてから、約２００ｎｍの厚さを有する酸化ケイ素層が堆積チャンバ１３の内壁上に堆積され、これにより、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンを減少させた。堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、第２の絶縁層１９を堆積する前に減少され、これにより、表面１８に近傍の第２の絶縁層１９のフッ素イオン濃度を減少させた。図４のＳＩＭＳの測定結果に示されるように、第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）は、１．７９Ｅ６（Ｃ／Ｓ）の最も大きいフッ素イオンの信号強度を有した。より詳細な定義では、第１の領域Ａは、第２の絶縁層の表面から始まる深さ４０ｎｍの領域である。第２の絶縁層の表面は、第１の絶縁層の近傍にある。第２の絶縁層１９の第２の領域Ｂ（表面１８から４０ｎｍ〜８０ｎｍ）は、フッ素イオンのバックグラウンド強度ＩＢとなる最も低いフッ素イオンの信号強度を有した。フッ素イオンの信号強度（実線に示されるように）は、第１の実施例の表面からの距離に従って変えられた。フッ素イオンの補正値は、フッ素イオンの信号強度からフッ素イオンのバックグラウンド強度ＩＢを引いたものである。第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの補正値は、積算されて第１の領域Ａのフッ素イオンの利得値を得た。全測定領域Ｔ（表面１８から０ｎｍ〜８０ｎｍ）のフッ素イオンの補正値は、積算されて全測定領域Ｔのフッ素イオンの利得値を得た。第１の領域Ａのフッ素イオンの利得値は、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得値で割られて、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率を得た。これは、第１の実施例では、約８８％であった。言い換えれば、第２の領域Ｂ（表面１８から４０ｎｍ〜８０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、約１２％であった。また、堆積チャンバの内壁上に堆積された酸化ケイ素層の厚さが増加された場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、更に減少される。例えば、堆積チャンバの内壁上に堆積された酸化ケイ素層の厚さが約１０００ｎｍだった場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、８２％となり、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率は、１８％となる。言い換えれば、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率の、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率に対する比率は、酸化ケイ素がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約４．６〜７．３であった。
【００１７】
第２の実施例では、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、吸い出されてから、約２００ｎｍの厚さを有する窒化ケイ素層が堆積チャンバ１３の内壁上に堆積され、これにより、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンを減少させた。堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、第２の絶縁層１９を堆積する前に減少されたため、これにより、表面１８に近傍の第２の絶縁層１９のフッ素イオン濃度を減少させた。図４のＳＩＭＳの測定結果に示されるように、第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）は、８．０９Ｅ５（Ｃ／Ｓ）の最も大きいフッ素イオンの信号強度を有し、第２の絶縁層１９の第２の領域Ｂ（表面１８から４０ｎｍ〜８０ｎｍ）は、フッ素イオンのバックグラウンド強度ＩＣとなる最も低いフッ素イオンの信号強度を有した。図４では、ＩＢとＩＣは、ほぼ重なり合っている。フッ素イオンの信号強度（点線に示されるように）は、第２の実施例の表面からの距離に従って変えられた。フッ素イオンの補正値は、フッ素イオンの信号強度からフッ素イオンのバックグラウンド強度ＩＣを引いたものであった。第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの補正値は、積算されて第１の領域Ａのフッ素イオンの利得値を得た。全測定領域Ｔ（表面１８から０ｎｍ〜８０ｎｍ）のフッ素イオンの補正値は、積算されて全測定領域Ｔのフッ素イオンの利得値を得た。第１の領域Ａのフッ素イオンの利得値は、第１の領域Ｔのフッ素イオンの利得値で割られて、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率を得ていた。これは、第２の実施例では、約９５％であった。言い換えれば、第２の領域Ｂ（表面１８から４０ｎｍ〜８０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、約５％であった。同様に、堆積チャンバの内壁上に堆積された窒化ケイ素層の厚さが増加された場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、更に減少される。例えば、堆積チャンバの内壁上に堆積された窒化ケイ素層の厚さが約１０００ｎｍだった場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、８８％となり、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率は、１２％となる。言い換えれば、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率の、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率に対する比率は、窒化ケイ素がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約７．３〜１９．０であった。
【００１８】
第３の実施例では、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、吸い出されて、次いで、約２００ｎｍの総厚を有する窒化ケイ素と酸化ケイ素の二層構造が堆積チャンバ１３の内壁上に堆積され、これにより、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンを減少させた。堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、第２の絶縁層１９を堆積する前に減少され、これにより、表面１８に近傍の第２の絶縁層１９のフッ素イオン濃度を減少させた。ＳＩＭＳの測定結果に示されるように、第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）は、２．５７Ｅ６（Ｃ／Ｓ）の最も大きいフッ素イオンの信号強度を有し、第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、約８３％であり、第２の絶縁層１９の第２の領域Ｂ（表面１８から４０ｎｍ〜８０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、約１７％であった。同様に、堆積チャンバの内壁上に堆積された窒化ケイ素と酸化ケイ素の二層構造の厚さが増加された場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、更に減少される。例えば、堆積チャンバの内壁上に堆積された窒化ケイ素と酸化ケイ素の二層構造の厚さが約１０００ｎｍだった場合、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率は、８０％となり、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率は、２０％となる。言い換えれば、第１の領域Ａのフッ素イオンの利得率の、第２の領域Ｂのフッ素イオンの利得率に対する比率は、窒化ケイ素と酸化ケイ素の二層構造がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約４．０〜４．９であった。
【００１９】
要約すると、第１の実施例から第３の実施例に示されるように、第２の絶縁層１９を堆積する前に、フッ素イオン吸収層１４が堆積チャンバ１３の内壁上に堆積される場合、表面１８に近傍の第２の絶縁層１９のフッ素イオン濃度が減少される。第１の実施例から第３の実施例の電気的測定に基づくと、その薄膜トランジスタは、０Ｖから１Ｖの閾値電圧と０Ｖから０．５Ｖの磁気ヒステリシス値を有した。
【００２０】
ＳＩＭＳの測定結果に示されるように、フッ素イオン吸収層１４の異なる組成物は、共に第２の絶縁層１９の表面１８に近傍のフッ素イオンの堆積を減少することができ、異なる組成物間での違いは、減少の程度だけである。上述のように、第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、酸化ケイ素と窒化ケイ素の二層構造がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約８０％〜８３％であった。第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、酸化ケイ素がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約８２％〜８８％であった。第２の絶縁層１９の第１の領域Ａ（表面１８から０ｎｍ〜４０ｎｍ）のフッ素イオンの利得率は、窒化ケイ素がフッ素イオン吸収層１４として選択されたとき、約８８％〜９５％であった。
【００２１】
したがって、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、第２の絶縁層１９を堆積する前に減少され、これにより、表面１８に近傍の第２の絶縁層１９のフッ素イオン濃度を効果的に減少させた。したがって、閾値電圧と磁気ヒステリシス値などの薄膜トランジスタの特性は、向上されることができる。
【００２２】
上述の構造は、任意のタイプの薄膜トランジスタに更に用いられることができる。図５Ａに示されるように、薄膜トランジスタ４０Ａは、ボトムゲート型構造である。ゲート電極４１と第１の絶縁層４３は、第１の基板１５上に順次に形成され、次いで、半導体層１７は、第１の絶縁層４３に形成される。次いで、半導体層１７は、薄膜トランジスタ４０Ａのチャネル層となるようにパターン化される。ソース電極４５Ａとドレイン電極４５Ｂは、パターン化された半導体層１７の両側に形成され、パターン化された半導体層１７（即ち、チャネル層）の両側に電気的接続される。続いて、第２の絶縁層１９は、第１の絶縁層４３、ソース電極４５Ａ、ドレイン電極４５Ｂ、およびパターン化された半導体層１７上に形成される。第２の絶縁層１９を形成する前に、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、上述のように減少されなければならない。
【００２３】
図５Ｂに示されるように、薄膜トランジスタ４０Ｂは、ボトムゲート型構造である。ゲート電極４１と第１の絶縁層４３は、第１の基板１５上に順次に形成され、ソース電極４５Ａとドレイン電極４５Ｂは、ゲート電極４１の両側の上方の第１の絶縁層に形成される。続いて、半導体層１７は、上述の構造上に形成され、次いで、薄膜トランジスタ４０Ｂのチャネル層となるようにパターン化される。ソース電極４５Ａとドレイン電極４５Ｂは、パターン化された半導体層１７の両側に電気的接続される。次いで、第２の絶縁層１９は、半導体層１７、ソース電極４５Ａ、およびドレイン電極４５Ｂ上に形成される。第２の絶縁層１９を形成する前に、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、上述のように減少されなければならない。
【００２４】
図５Ｃに示されるように、薄膜トランジスタ４０Ｃは、ボトムゲート型構造である。ゲート電極４１と第１の絶縁層４３は、第１の基板１５上に順次に形成されることができ、次いで、半導体層１７は、第１の絶縁層４３に形成される。次いで、半導体層１７は、パターン化され、薄膜トランジスタ４０Ｃのチャネル層となる。次いで、第２の絶縁層１９は、半導体層１７上に形成される。第２の絶縁層１９を形成する前に、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、上述のように減少されなければならない。次いで、第２の絶縁層１９は、パターン化され、半導体層１７の両側を露出する。続いて、ソース電極４５Ａとドレイン電極４５Ｂは、半導体層１７の両側に電気的に接続するように形成される。
【００２５】
図６に示されるように、薄膜トランジスタ５０Ｂは、トップゲート型構造である。半導体層１７が形成され、絶縁層がパターン化されて第１の絶縁層４３を形成し、半導体層１７の中心部をカバーする。続いて、ゲート電極４１は、第１の絶縁層４３上に形成される。次いで、第２の絶縁層１９は、ゲート電極４１上、且つ半導体層１７の両側に形成される。半導体層１７の両側は、ソース領域４５Ａとドレイン領域４５Ｂとして画定される。次いで、第２の絶縁層１９は、パターン化され、ソース電極４７Ａとドレイン電極４７Ｂがソース領域４５Ａとドレイン領域４５Ｂに電気的に接触するように、２つのビアホールを形成する。第２の絶縁層１９は、第１の基板１５の近傍に表面１８を有する。第２の絶縁層１９を形成する前に、堆積チャンバ１３内のフッ素イオンは、上述のように減少されなければならない。
【００２６】
図７に示されるように、一実施形態の表示パネルは、第２の基板２０と、第１の基板１５と第２の基板２０との間の表示媒体３０とを更に含む。表示媒体３０は、液晶層、無機発光ダイオード、またはＯＬＥＤデバイスであることができる。第２の基板２０は、透光性の硬質無機材料（例えば、ガラス、クオーツなど）、または弾性有機材料（例えば、プラスチック、ゴム、ポリエステル、ポリイミド、ポリカーボネートなど）であることができる。
【００２７】
本開示は、実施例として、且つ、望ましい実施形態の観点から記述されているが、本開示は開示された実施形態に限定されるものではないということを理解されるべきである。逆に、（当業者には自明の）種々の変更及び同様の配置をカバーするものであることが意図される。よって、添付の特許請求の範囲は、最も広義な解釈が与えられ、全てのこのような変更及び同様の配置を含むべきである。
【符号の説明】
【００２８】
１１  リモートプラズマ源
１３  堆積チャンバ
１４  フッ素イオン吸収層
１５  第１の基板
１７  半導体層
１８  表面
１９  第２の絶縁層
２０  第２の基板
３０  表示媒体
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、５０Ａ、５０Ｂ  薄膜トランジスタ
４１  ゲート電極
４３  第１の絶縁層
４５Ａ  ソース電極
４５Ｂ  ドレイン電極
【図１】
0006708357.tif 000002
【図２】
0006708357.tif 000003
【図３】
0006708357.tif 000004
【図４】
0006708357.tif 000005
【図５Ａ】
0006708357.tif 000006
【図５Ｂ】
0006708357.tif 000007
【図５Ｃ】
0006708357.tif 000008
【図６】
0006708357.tif 000009
【図７】
0006708357.tif 000010