(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、
前記圧電性を有する基板上において構成されており、第１の通過帯域を有する第１フィルタと、
前記圧電性を有する基板上において構成されており、かつ前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する第２フィルタと、
を備え、
前記第１フィルタ及び前記第２フィルタがそれぞれＩＤＴ電極を含む共振子を有し、
前記第１フィルタ及び前記第２フィルタにおける前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、前記第１フィルタにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子である、弾性波装置。
【請求項２】
前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も小さい共振子を、前記第２フィルタが有する、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記第１の通過帯域の高域側の端部と、前記第２の通過帯域の低域側の端部との周波数差が、前記第１の通過帯域の帯域幅及び前記第２の通過帯域の帯域幅のうち狭い方の帯域幅以上である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記第１の通過帯域と前記第２の通過帯域とが異なる通信バンドの通過帯域である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記第１の通過帯域と前記第２の通過帯域とが同じ通信バンドの通過帯域であり、デュプレクサである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚と、前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚とが同じである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記弾性波装置の実装に用いられる複数のバンプをさらに備え、
前記弾性波装置の弾性波伝搬方向に沿う中心線及び弾性波伝搬方向に直交する方向に沿う中心線のうち少なくとも一方に対して、前記複数のバンプが線対称に配置されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項８】
請求項１に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記圧電性を有する基板を用意する工程と、
前記圧電性を有する基板上に、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極及び前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極を同時に形成する工程と、
を備え、
前記ＩＤＴ電極を形成する工程において、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタにおける前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、前記第１フィルタにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子となるように、前記ＩＤＴ電極を形成する、弾性波装置の製造方法。
【請求項９】
前記ＩＤＴ電極を形成する工程において、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの前記共振子のうち前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も小さい共振子を、前記第２フィルタが有するように、前記ＩＤＴ電極を形成する、請求項８に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚と、前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚とが同じである、請求項８または９に記載の弾性波装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などにおいて、通信帯域の異なる複数の高周波フィルタを備えた弾性表面波装置として、デュプレクサやデュアルフィルタが用いられている。下記の特許文献１には、弾性波装置の一例として、デュプレクサが記載されている。より具体的には、同一の圧電基板上において、中心周波数が相対的に高い高域側に通過帯域を有する高域側フィルタと、中心周波数が相対的に低い低域側に通過帯域を有する低域側フィルタとを備えた弾性表面波装置としてのデュプレクサが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２８９２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年においては、弾性波装置のさらなる小型化が要求されている。しかしながら、従来の弾性波装置では、共振器の弾性波伝搬方向におけるサイズがチップサイズを決定するため、一定の特性を維持しようとするとチップサイズが大きくなり、十分に小型化することができなかった。他方、限られたチップサイズにおいてフィルタが構成される場合においては、挿入損失などの特性が劣化するという問題もあった。【０００５】
本発明の目的は、小型化、かつ生産性を高めることができる、弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る弾性波装置の１つの態様では、圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上において構成されており、第１の通過帯域を有する第１フィルタと、前記圧電性を有する基板上において構成されており、かつ前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する第２フィルタとを備え、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタがそれぞれＩＤＴ電極を含む共振子を有し、前記第１フィルタの全ての前記ＩＤＴ電極のデューティ比の平均値を第１の全平均デューティ比とし、前記第２フィルタの全ての前記ＩＤＴ電極のデューティ比の平均値を第２の全平均デューティ比としたときに、前記第１の全平均デューティ比が前記第２の全平均デューティ比より大きい。【０００７】
本発明に係る弾性波装置の他の態様では、圧電性を有する基板と、前記圧電性を有する基板上において構成されており、第１の通過帯域を有する第１フィルタと、前記圧電性を有する基板上において構成されており、かつ前記第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する第２フィルタとを備え、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタがそれぞれＩＤＴ電極を含む共振子を有し、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタにおける前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、前記第１フィルタにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子である。【０００８】
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も小さい共振子を、前記第２フィルタが有する。【０００９】
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、前記第１の通過帯域の高域側の端部と、前記第２の通過帯域の低域側の端部との周波数差が、前記第１の通過帯域の帯域幅及び前記第２の通過帯域の帯域幅のうち狭い方の帯域幅以上である。この場合には、第１の通過帯域は第２の通過帯域よりもより一層低域側の帯域となり、共振子の弾性波伝搬方向に沿う長さが長くなる傾向がある。本発明は、このような場合に特に好適であり、弾性波装置を効果的に小型化することができる。【００１０】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１の通過帯域と前記第２の通過帯域とが異なる通信バンドの通過帯域である。【００１１】
本発明に係る弾性波装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の通過帯域と前記第２の通過帯域とが同じ通信バンドの通過帯域であり、デュプレクサである。【００１２】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚と、前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚とが同じである。この場合には、第１フィルタと第２フィルタのＩＤＴ電極が同時に形成されている。このように、１つの工程においてＩＤＴ電極を形成することができるため、生産性を一層高めることができる。【００１３】
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記弾性波装置の実装に用いられる複数のバンプがさらに備えられており、前記弾性波装置の弾性波伝搬方向に沿う中心線及び弾性波伝搬方向に直交する方向に沿う中心線のうち少なくとも一方に対して、前記複数のバンプが線対称に配置されている。この場合には、弾性波装置において、実装基板などに接合される部分であるバンプの配置の対称性を高めることができる。それによって、弾性波装置が実装基板などに接合される際、実装基板などに応力が加えられた場合において、応力を効果的に分散させることができる。従って、弾性波装置を実装基板などにより一層確実に接合することができ、弾性波装置が実装されたモジュールが破損し難い。【００１４】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の１つの態様では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電性を有する基板を用意する工程と、前記圧電性を有する基板上に、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極及び前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極を同時に形成する工程とを備え、前記ＩＤＴ電極を形成する工程において、前記第１の全平均デューティ比が前記第２の全平均デューティ比より大きくなるように、前記ＩＤＴ電極を形成する。【００１５】
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の態様では、本発明に従い構成された弾性波装置の製造方法であって、前記圧電性を有する基板を用意する工程と、前記圧電性を有する基板上に、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極及び前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極を同時に形成する工程とを備え、前記ＩＤＴ電極を形成する工程において、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタにおける前記共振子のうち、前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、前記第１フィルタにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子となるように、前記ＩＤＴ電極を形成する。【００１６】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記ＩＤＴ電極を形成する工程において、前記第１フィルタ及び前記第２フィルタの前記共振子のうち前記ＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も小さい共振子を、前記第２フィルタが有するように、前記ＩＤＴ電極を形成する。【００１７】
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第１フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚と、前記第２フィルタの前記ＩＤＴ電極の膜厚とが同じである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る弾性波装置及びその製造方法によれば、小型化、かつ生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路構成を示す略図的平面図である。
【図３】図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う略図的断面図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの最もアンテナ端子側に位置する弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。
【図５】図５は、本発明の第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの縦結合共振子型弾性波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｄ）は、本発明の第１の実施形態の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する略図的断面図である。
【図７】図７は、本発明の第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２１】
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
【００２２】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
【００２３】
本実施形態の弾性波装置１０は、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂを有するデュアルフィルタである。第１の帯域通過型フィルタ１Ａは第１の通過帯域を有する。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは、第１の通過帯域よりも高域側に位置する第２の通過帯域を有する。本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは受信フィルタである。
【００２４】
より具体的には、第１の通過帯域は、Ｂａｎｄ２０の受信帯域であり、７９１ＭＨｚ以上、８２１ＭＨｚ以下である。第２の通過帯域は、Ｂａｎｄ８の受信帯域であり、９２５ＭＨｚ以上、９６０ＭＨｚ以下である。弾性波装置１０においては、第１の通過帯域と第２の通過帯域とは異なる通信バンドの通過帯域である。なお、第１の通過帯域及び第２の通過帯域は上記に限定されず、第２の通過帯域が第１の通過帯域の高域側に位置していればよい。
【００２５】
図１に示すように、弾性波装置１０は、アンテナに接続されるアンテナ端子３を有する。第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは、アンテナ端子３に共通接続されている。弾性波装置１０は、第１の帯域通過型フィルタ１Ａに接続されている第１の信号端子４及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂに接続されている第２の信号端子５を有する。
【００２６】
第１の帯域通過型フィルタ１Ａは、アンテナ端子３と第１の信号端子４との間に接続されている、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａを有する。アンテナ端子３と縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａとの間には、弾性波共振子Ｓ１及び弾性波共振子Ｓ２が、互いに直列に接続されている。弾性波共振子Ｓ１と弾性波共振子Ｓ２との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ１が接続されている。弾性波共振子Ｓ１、弾性波共振子Ｓ２及び弾性波共振子Ｐ１は、特性調整用の弾性波共振子である。
【００２７】
他方、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは、アンテナ端子３と第２の信号端子５との間に接続されている、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂを有する。アンテナ端子３と縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂとの間には、弾性波共振子Ｓ１１が接続されている。弾性波共振子Ｓ１１と縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂとの間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ１１が接続されている。弾性波共振子Ｓ１１及び弾性波共振子Ｐ１１は、特性調整用の弾性波共振子である。
【００２８】
このように、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは、複数の共振子を有するフィルタである。ここで、本明細書において、共振子は弾性波共振子及び縦結合共振子型弾性波フィルタを含むものとする。
【００２９】
以下において、本実施形態のより具体的な構成を示す。
【００３０】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路構成を示す略図的平面図である。図２においては、各共振子を矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
【００３１】
弾性波装置１０は、圧電性を有する基板としての圧電基板２を有する。圧電基板２は矩形板の形状を有する。圧電基板２は、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３などの圧電単結晶や、適宜の圧電セラミックスからなる。なお、圧電性を有する基板として、支持基板上に圧電膜が積層された圧電性基板が用いられてもよい。上記圧電膜として、上記圧電単結晶などを適宜用いることができる。
【００３２】
圧電基板２上において、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂが構成されている。圧電基板２上には、複数のグラウンド端子７が設けられている。複数のグラウンド端子７はグラウンド電位に接続される。本実施形態では、弾性波共振子Ｐ１及び弾性波共振子Ｐ１１は、同じグラウンド端子７に接続されている。なお、弾性波共振子Ｐ１及び弾性波共振子Ｐ１１は、同じグラウンド端子７には接続されていなくともよく、異なるグラウンド端子に接続されていてもよい。
【００３３】
図３は、図２中のＩ−Ｉ線に沿う略図的断面図である。
【００３４】
弾性波装置１０は、ＷＬＰ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造の弾性波装置である。圧電基板２上に、弾性波共振子Ｓ２、弾性波共振子Ｓ１１及び他の各共振子を囲むように、支持部材１８が設けられている。支持部材１８は、各共振子を囲んでいる開口部１８ａを有する。支持部材１８は、例えば、樹脂などからなる。
【００３５】
支持部材１８の開口部１８ａを覆うように、支持部材１８上にカバー部材１９が設けられている。支持部材１８は、アンテナ端子３、第１の信号端子、第２の信号端子及び各グラウンド端子７を覆っている。各共振子は、圧電基板２、支持部材１８及びカバー部材１９により囲まれた中空空間内に配置されている。
【００３６】
支持部材１８及びカバー部材１９を貫通するように、ビアホール１１が設けられている。ビアホール１１内にビア電極８が設けられている。ビア電極８は、一端が各端子に接続するように設けられている。ビア電極８の他端に接合するように、バンプ９が設けられている。バンプ９は弾性波装置１０の実装に用いられる。なお、弾性波装置１０は、各共振子に電気的に接続されていないバンプ９を有していてもよい。図２においては、支持部材１８を破線により示し、バンプ９を一点鎖線により示している。
【００３７】
弾性波装置１０は、バンプ９により実装基板などに接合され、実装される。本実施形態では、各共振子は、各端子、ビア電極８及びバンプ９を介して外部に電気的に接続される。なお、弾性波装置１０はＷＬＰ構造には限定されず、例えば、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）構造などであってもよい。
【００３８】
図４は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの、最もアンテナ端子側に位置する弾性波共振子の電極構造を示す模式的平面図である。
【００３９】
弾性波共振子Ｓ１は、圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極１２を有する。ＩＤＴ電極１２は、互いに対向し合う第１のバスバー１３ａ及び第２のバスバー１４ａを有する。ＩＤＴ電極１２は、第１のバスバー１３ａに一端が接続されている複数の第１の電極指１３ｂを有する。さらに、ＩＤＴ電極１２は、第２のバスバー１４ａに一端が接続されている複数の第２の電極指１４ｂを有する。複数の第１の電極指１３ｂと複数の第２の電極指１４ｂとは互いに間挿し合っている。
【００４０】
ＩＤＴ電極１２に交流電圧を印加すると、弾性波が励振される。ＩＤＴ電極１２の弾性波伝搬方向両側に、反射器１５ａ及び反射器１５ｂが配置されている。これにより、弾性波共振子Ｓ１が構成されている。同様に、弾性波装置１０における他の弾性波共振子も、それぞれＩＤＴ電極及び反射器を有する。
【００４１】
図５は、第１の実施形態における第１の帯域通過型フィルタの縦結合共振子型弾性波フィルタの電極構造を示す模式的平面図である。
【００４２】
縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａは、圧電基板上に設けられているＩＤＴ電極１６ａ、ＩＤＴ電極１６ｂ、ＩＤＴ電極１６ｃ、ＩＤＴ電極１６ｄ及びＩＤＴ電極１６ｅを有する。上記５つのＩＤＴ電極１６ａ〜１６ｅの弾性波伝搬方向両側に、反射器１７ａ及び反射器１７ｂが配置されている。同様に、図１に示した第２の帯域通過型フィルタ１Ｂにおける縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂも、５つのＩＤＴ電極及び２つの反射器を有する。なお、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａ及び縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂが有するＩＤＴ電極の個数は、上記に限定されず、例えば、３つなどであってもよい。
【００４３】
本実施形態においては、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの各ＩＤＴ電極の膜厚と、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの各ＩＤＴ電極の膜厚とは同じである。なお、本明細書において、膜厚が同じであるとしている場合、フィルタ特性を劣化させない程度の誤差を含んでいてもよい。 
【００４４】
ここで、図１に示す各共振子のＩＤＴ電極の平均デューティ比は以下の通りである。弾性波共振子Ｓ１；０．６。弾性波共振子Ｓ２；０．６。弾性波共振子Ｐ１；０．６。縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａ；０．６５。弾性波共振子Ｓ１１；０．４。弾性波共振子Ｐ１１；０．４。縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ｂ；０．５。
【００４５】
なお、１つの共振子の平均デューティ比をＡｄ、該共振子におけるＩＤＴ電極の全ての第１の電極指及び第２の電極指の幅の合計をＳｆ、ＩＤＴ電極の弾性波伝搬方向に沿う寸法をＷＩとする。このとき、平均デューティ比Ａｄは、Ａｄ＝Ｓｆ／ＷＩにより算出することができる。本明細書において、第１の電極指及び第２の電極指の幅とは、第１の電極指及び第２の電極指の弾性波伝搬方向に沿う寸法である。
【００４６】
他方、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの全てのＩＤＴ電極のデューティ比の平均値を第１の全平均デューティ比としたとき、第１の全平均デューティ比は０．６１４である。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの全てのＩＤＴ電極のデューティ比の平均値を第２の全平均デューティ比としたとき、第２の全平均デューティ比は０．４２７である。
【００４７】
なお、第１の全平均デューティ比をＴＡ１、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの全ての共振子の平均デューティ比Ａｄの合計をＳＡ１、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの全ての共振子の個数をＮ１とする。このとき、第１の全平均デューティ比ＴＡ１は、ＴＡ１＝ＳＡ１／Ｎ１により算出することができる。同様に、第２の全平均デューティ比をＴＡ２、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの全ての共振子の平均デューティ比Ａｄの合計をＳＡ２、第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの全ての共振子の個数をＮ２とする。このとき、第２の全平均デューティ比ＴＡ２は、ＴＡ２＝ＳＡ２／Ｎ２により算出することができる。
【００４８】
第１の帯域通過型フィルタ１Ａの上記各平均デューティ比及び第１の全平均デューティ比を下記の表１に示す。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの上記各平均デューティ比及び第２の全平均デューティ比を下記の表２に示す。なお、各共振子におけるＩＤＴ電極の電極指の合計本数も下記の表１及び表２に示す。
【００４９】
【表１】
0006766945.tif 000002
【００５０】
【表２】
0006766945.tif 000003
【００５１】
従来では、帯域通過型フィルタにおいて、通過帯域が低域側に位置するほど、用いる弾性波の波長が長くなるため、ＩＤＴ電極の電極指ピッチが広くなる傾向があった。そのため、共振子の弾性波伝搬方向に沿う長さが長くなり、弾性波装置において共振子が占める面積が大きくなる傾向があった。
【００５２】
本明細書において、音速（Ｖ）とは弾性波伝搬方向における伝搬速度をいう。周波数（ｆ）とは通過帯域における周波数をいう。電極指ピッチ（λ／２）とは各ＩＤＴ電極の電極指ピッチをいう。本発明では、Ｖ＝ｆλの式に当てはめた場合、平均デューティ比が大きいことで、音速（Ｖ）が低くなる。従って、通過帯域の周波数（ｆ）が一定の場合、平均デューティ比の値が大きく、音速（Ｖ）の値が小さくなることで、ＩＤＴ電極の電極指ピッチ（λ／２）を狭くすることができる。
【００５３】
また、本実施形態における弾性波装置１０は、デュアルフィルタであり、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂを有する。第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける音速（Ｖ１）は、Ｖ１＝ｆ１（第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける周波数）×λ１（第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける電極指ピッチにより規定される波長）で算出できる。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂおける音速（Ｖ２）は、Ｖ２＝ｆ２（第２の帯域通過型フィルタ１Ｂにおける周波数）×λ２（第２の帯域通過型フィルタ１Ｂにおける電極指ピッチにより規定される波長）で算出できる。本実施形態においては、第２の通過帯域が第１の通過帯域よりも高域側に位置するため、音速（Ｖ１，Ｖ２）が一定の場合、ｆ１はｆ２よりも低くなり、λ１はλ２よりも大きくなる。つまり、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける共振子のほうが、弾性波伝搬方向に沿う長さが長くなり、弾性波装置において占める面積が大きくなる。本実施形態では、平均デューティ比の最も大きい共振子をデュアルフィルタにおいて弾性波伝搬方向に沿う長さが長い第１の帯域通過型フィルタ１Ａに用いることにより、より小型化が必要な共振子を小型化することができる。
【００５４】
本実施形態においては、第２の通過帯域が第１の通過帯域より高域側に位置し、かつ第１の全平均デューティ比が第２の全平均デューティ比より大きい。それによって、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの共振子において音速（Ｖ１）を低くすることができ、各ＩＤＴ電極の電極指ピッチ（λ／２）を狭くすることができる。従って、弾性波装置１０を効果的に小型化することができる。
【００５５】
また、本実施形態においては、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの共振子のうちＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子である。より具体的には、低域側に位置する第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタ１Ａが、平均デューティ比が最も大きい共振子である、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａを有する。
【００５６】
本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける共振子において、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａの面積が最も大きい。このように、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいて、最も面積が大きい共振子の平均デューティ比が最大であることが好ましい。それによって、弾性波装置１０をより一層効果的に小型化することができる。
【００５７】
さらに、本実施形態では、高域側に位置する第２の通過帯域を有する第２の帯域通過型フィルタ１Ｂが、平均デューティ比が最も小さい共振子である、弾性波共振子Ｓ１１及び弾性波共振子Ｐ１１を有する。よって、通過帯域が低域側に位置する第１の帯域通過型フィルタ１Ａが、平均デューティ比が最も小さい共振子を有しない。これにより、第１の帯域通過型フィルタ１Ａの全ての共振子において音速を低くすることができ、各ＩＤＴ電極の電極指ピッチ（λ／２）を狭くすることができる。弾性波伝搬方向に沿う長さが長い第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおいて、各ＩＤＴ電極の電極指ピッチ（λ／２）を狭くすることができるため、弾性波装置１０を効果的に小型化することができる。
【００５８】
なお、弾性波装置１０は、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａの平均デューティ比よりも平均デューティ比が小さい共振子を有することが好ましい。縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａの平均デューティ比が最も大きいことがより好ましい。それによって、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａの電極指ピッチ（λ／２）を狭くすることができるため、小型化しつつ、ＩＤＴ電極の電極指の合計本数を多くすることができる。この場合、例えば、ＩＤＴ電極の個数を増やすこともできる。ここで、弾性波伝搬方向から見たときに、ＩＤＴ電極の隣り合う電極指同士が重なっている領域を交叉領域とする。弾性波伝搬方向に直交する方向に沿う交叉領域の寸法を交叉幅とする。上記のように、縦結合共振子型弾性波フィルタ６Ａにおいて電極指の合計本数を多くすることができるため、特性を劣化させることなく、ＩＤＴ電極の交叉幅を小さくすることができる。これにより、ＩＤＴ電極の電極指の電気抵抗を低くすることができ、挿入損失を小さくすることができる。
【００５９】
ところで、図２に示すように、本実施形態では、弾性波共振子Ｓ２及び弾性波共振子Ｐ１が設けられている部分が、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける、弾性波伝搬方向に沿う圧電基板２の長さに対して共振子が占める長さの割合が最も大きい部分である。弾性波装置１０は、弾性波共振子Ｓ２及び弾性波共振子Ｐ１のうち少なくとも一方の平均デューティ比よりも平均デューティ比が小さい共振子を有することが好ましい。それによって、弾性波装置１０を効果的に小型化することができる。
【００６０】
本実施形態では、第１の通過帯域の高域側の端部の周波数は８２１ＭＨｚであり、第２の通過帯域の低域側の端部の周波数は９２５ＭＨｚであり、両者の周波数差は１０４ＭＨｚである。第１の通過帯域の帯域幅及び前記第２の通過帯域の帯域幅のうち狭い方の帯域幅は３０ＭＨｚである。このように、第１の通過帯域の高域側の端部と、第２の通過帯域の低域側の端部との周波数差は、第１の通過帯域の帯域幅及び前記第２の通過帯域の帯域幅のうち狭い方の帯域幅以上であることが好ましい。この場合には、第１の通過帯域は第２の通過帯域よりもより低域側の帯域となり、共振子の弾性波伝搬方向に沿う長さが長くなる傾向がある。本発明は、このような場合に特に好適であり、弾性波装置を効果的に小型化することができる。
【００６１】
本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂは受信フィルタである。なお、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂのうち少なくとも一方が、送信フィルタであってもよい。弾性波装置１０は、第１の通過帯域及び第２の通過帯域が同じ通信バンドの通過帯域である、デュプレクサであってもよい。
【００６２】
以下において、本実施形態の弾性波装置の製造方法の一例を示す。
【００６３】
図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態の弾性波装置の製造方法の一例を説明するための、図２中のＩ−Ｉ線に沿う部分に相当する略図的断面図である。なお、図６（ａ）〜図６（ｄ）においては、各共振子を矩形に２本の対角線を加えた略図により示す。
【００６４】
図６（ａ）に示すように、圧電基板２を用意する。次に、圧電基板２上に、複数のＩＤＴ電極及び反射器、アンテナ端子３及びグラウンド端子７を含む複数の端子並びに配線を形成する。複数のＩＤＴ電極、反射器及び端子並びに配線は、例えば、スパッタリング法や蒸着法などにより形成することができる。
【００６５】
このとき、以下の構成のうち少なくとも１つの構成を有するように、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１ＢのＩＤＴ電極を同時に形成することが好ましい。１）第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの第２の通過帯域が第１の帯域通過型フィルタ１Ａの第１の通過帯域より高域側に位置し、かつ第１の全平均デューティ比が第２の全平均デューティ比より大きい構成。２）第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの共振子のうちＩＤＴ電極の平均デューティ比が最も大きい共振子が、第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける弾性波伝搬方向に沿う長さが最も長い共振子である構成。より好ましくは、上記構成に加えて以下の構成を有するように、上記複数のＩＤＴ電極を同時に形成することが望ましい。３）第２の帯域通過型フィルタ１Ｂが、平均デューティ比が最も小さい共振子を有する構成。第２の帯域通過型フィルタ１Ｂの第２の通過帯域は高域側に位置するため、ＩＤＴ電極の電極指ピッチは狭くなるが、本実施形態においては、該ＩＤＴ電極のデューティ比は小さい。それによって、第１の帯域通過型フィルタ１ＡのＩＤＴ電極と同時に第２の帯域通過型フィルタ１ＢのＩＤＴ電極を形成しても、ＩＤＴ電極の形成不良が生じ難い。よって、より一層小型化することができ、かつ生産性を効果的に高めることができる。
【００６６】
本実施形態では、上記１）〜３）の全ての構成を有するように、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ１ＢのＩＤＴ電極を同時に形成する。この場合には、より一層効果的に小型化することができ、かつ生産性を効果的に高めることができる。
【００６７】
次に、図６（ｂ）に示すように、圧電基板２上に、各共振子を囲むように、開口部１８ａを有する支持部材１８を形成する。支持部材１８は、アンテナ端子３、グラウンド端子７を含む複数の端子を覆うように形成する。支持部材１８は、例えば、フォトリソグラフィ法などにより形成することができる。次に、支持部材１８の開口部１８ａを覆うように、支持部材１８上に、カバー部材１９を設ける。
【００６８】
次に、図６（ｃ）に示すように、支持部材１８及びカバー部材１９を貫通するように複数のビアホール１１を形成する。ビアホール１１は、例えば、レーザー光の照射や切削加工などにより設けることができる。
【００６９】
次に、図６（ｄ）に示すように、ビアホール１１内に、例えば、電解めっき法などにより、ビア電極８を形成する。各ビア電極８は、一端がアンテナ端子３及びグラウンド端子７を含む各端子に接続するように形成する。次に、ビア電極８の他端に接合するように、バンプ９を設ける。
【００７０】
図７は、第２の実施形態に係る弾性波装置の電極構造を示す略図的平面図である。
【００７１】
本実施形態は、第１の帯域通過型フィルタ１Ａと第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂとの配置及び第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂの回路構成が第１の実施形態と異なる。これに伴い、バンプ９の配置も第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、弾性波装置２０は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
【００７２】
なお、平面視において、圧電基板２は矩形の形状を有する。圧電基板２の平面視における外周縁の４本の辺のうち２本の辺は、弾性波伝搬方向に平行に延びている。上記４本の辺のうち他の２本の辺は、弾性波伝搬方向に直交する方向に延びている。図７中の二点鎖線のうち一方は、弾性波装置２０の、弾性波伝搬方向に沿う中心線Ｘである。図７中の二点鎖線のうち他方は、弾性波装置２０の、弾性波伝搬方向に直交する方向に沿う中心線Ｙである。なお、圧電基板２の外周縁における辺が延びる方向は上記に限定されない。
【００７３】
本実施形態では、第１の帯域通過型フィルタ１Ａ及び第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂは弾性波伝搬方向に並べて配置されている。第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂは、アンテナ端子３と第２の信号端子５との間に接続されている縦結合共振子型弾性波フィルタ２６Ｂを有する。アンテナ端子３と縦結合共振子型弾性波フィルタ２６Ｂとの間には、弾性波共振子Ｓ２１及び弾性波共振子Ｓ２２が、互いに直列に接続されている。弾性波共振子Ｓ２１と弾性波共振子Ｓ２２との間の接続点とグラウンド電位との間には、弾性波共振子Ｐ２１が接続されている。第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂの通過帯域は、第１の実施形態と同様にＢａｎｄ８の受信帯域である。
【００７４】
第２の帯域通過型フィルタ２１Ｂの各共振子の各平均デューティ比及び第２の全平均デューティ比を下記の表３に示す。なお、各共振子におけるＩＤＴ電極の電極指の合計本数も下記の表３に示す。
【００７５】
【表３】
0006766945.tif 000004
【００７６】
弾性波装置２０は、第１の実施形態と同様に、上記１）〜３）の構成を有する。それによって、第２の通過帯域よりも低域側に位置する第１の通過帯域を有する第１の帯域通過型フィルタ１Ａにおける各共振子の弾性波伝搬方向に沿う長さを短くすることができる。従って、弾性波装置２０をより一層小型化することができる。 
【００７７】
加えて、本実施形態では、弾性波伝搬方向に沿う中心線Ｘに対して、複数のバンプ９が線対称に配置されており、かつ弾性波伝搬方向に直交する方向に沿う中心線Ｙに対して、複数のバンプ９が線対称に配置されている。これにより、弾性波装置２０において、実装基板などに接合される部分であるバンプ９の配置の対称性を高めることができる。よって、弾性波装置２０や実装基板などに応力が加えられた場合において、応力を効果的に分散させることができる。従って、弾性波装置２０を実装基板などにより一層確実に接合することができ、弾性波装置２０が実装されたモジュールが破損し難い。
【００７８】
上記のように、本実施形態では、各共振子の弾性波伝搬方向に沿う長さを短くすることができるため、電極の配置の自由度を効果的に高めることができる。それによって、小型化しつつ、複数のバンプ９を中心線Ｘ及び中心線Ｙに対して線対称に配置することができる。
【００７９】
なお、中心線Ｘ及び中心線Ｙのうち少なくとも一方において、複数のバンプ９のうち少なくとも一部が線対称に配置されていればよい。この場合においても、応力を分散させることができる。
【００８０】
第１の実施形態及び第２の実施形態においては、本発明の第１フィルタ及び第２フィルタがバンドパスフィルタである例を示したが、これに限定されない。第１フィルタ及び第２フィルタは、例えば、ローパスフィルタやハイパスフィルタであってもよい。
【符号の説明】
【００８１】
１Ａ，１Ｂ…第１，第２の帯域通過型フィルタ
２…圧電基板
３…アンテナ端子
４，５…第１，第２の信号端子
６Ａ，６Ｂ…縦結合共振子型弾性波フィルタ
７…グラウンド端子
８…ビア電極
９…バンプ
１０…弾性波装置
１１…ビアホール
１２…ＩＤＴ電極
１３ａ…第１のバスバー
１３ｂ…第１の電極指
１４ａ…第２のバスバー
１４ｂ…第２の電極指
１５ａ，１５ｂ…反射器
１６ａ〜１６ｅ…ＩＤＴ電極
１７ａ，１７ｂ…反射器
１８…支持部材
１８ａ…開口部
１９…カバー部材
２０…弾性波装置
２１Ｂ…第２の帯域通過型フィルタ
２６Ｂ…縦結合共振子型弾性波フィルタ
Ｐ１，Ｐ１１，Ｐ２１，Ｓ１，Ｓ２，Ｓ１１，Ｓ２１，Ｓ２２…弾性波共振子
【図１】
0006766945.tif 000005
【図２】
0006766945.tif 000006
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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