(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部にスリットが形成されるとともに幅方向に弾性変形可能な圧入部を有するプレスフィット端子であって、
基材と、
前記基材の表面に形成されたＮｉ皮膜である下地メッキ層と、
前記下地メッキ層の表面に形成された、Ｓｎ−Ｎｉ合金からなり且つ表面にＮｉが析出している表面メッキ層と、
を備え、
前記表面メッキ層中のＮｉ含有率が１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下であり、
前記下地メッキ層のＮｉ結晶の最大粒径が５００ナノメートル以下であり、
前記下地メッキ層の厚みが１μｍ以上且つ２μｍ以下である、
プレスフィット端子。
【請求項２】
請求項１に記載のプレスフィット端子において、
前記基材がＣｕ又はＣｕ合金であり、
前記表面メッキ層の厚みが０．３μｍ以下である、
プレスフィット端子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のプレスフィット端子において、
前記下地メッキ層が、サッカリン及び１、４−ブチンジオールを光沢剤として含有する、プレスフィット端子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプレスフィット端子に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子制御装置では、電子回路やパワー回路等への接続端子として、プレスフィット端子が用いられている。このプレスフィット端子は、電子回路基板のスルーホール内面と電気的に導通させるものであり、スルーホールに圧入される接続端子のことである。このプレスフィット端子はスルーホールへ圧入する際、端子表面が削れてしまう虞があるため、端子の表面には、メッキ処理等が行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、以下のような表面処理が行われている。
【０００４】
まず、基材の表面に、下地メッキ層としてＮｉ（ニッケル）メッキを施す。次に、下地メッキ層の表面に、Ｃｕ（銅）メッキ及びＳｎ（錫）メッキをこの順序で施す。さらに、これらメッキを施した基材をリフロー処理（加熱処理）する。
このように処理することにより、プレスフィット端子（基材）の表面に、Ｓｎ層よりも表面硬度が高いＣｕ−Ｓｎ合金層を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１１４４９２号公報
【発明の概要】
【０００６】
（発明が解決しようとする課題）
しかしながらＣｕの融点がＳｎの融点よりも高いため、特許文献１の表面処理方法では、リフロー処理時にＣｕメッキ層を十分に溶融させることが難しく、Ｓｎメッキ層中にＣｕが均一に分散しない、あるいはＳｎメッキ層の表面までＣｕを析出できない等の問題が生じやすい。また、表面処理過程において、Ｃｕメッキ層（皮膜）とＳｎメッキ層（皮膜）との間の膜厚ばらつき等の影響により、基材の表層に形成されるＣｕ−Ｓｎ合金層が不均一となる虞がある。
これらの要因によって、上記表面処理方法では、プレスフィット端子の表面メッキ層の表面硬度が部分的に低下し、プレスフィット端子をスルーホールヘ圧入する際に、メッキ層が局所的に削れてしまう問題があった。そのため、当該技術分野においては、従来よりも更に、表面が削られ難いプレスフィット端子が求められていた。
【０００７】
そこで、本発明は、スルーホールへ圧入する際に、表面メッキ層全体が削れ難いプレスフィット端子を提供することを目的とする。
【０００８】
（課題を解決するための手段）
本発明は、内部にスリットが形成されるとともに幅方向に弾性変形可能な圧入部を有するプレスフィット端子であって、基材と、前記基材の表面に形成されたＮｉ皮膜である下地メッキ層と、前記下地メッキ層の表面に形成された、Ｓｎ−Ｎｉ合金からなり且つ表面にＮｉが析出している表面メッキ層と、を備え、前記表面メッキ層中のＮｉ含有率が１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下であり、前記下地メッキ層のＮｉ結晶の最大粒径が５００ナノメートル以下であり、前記下地メッキ層の厚みが１μｍ以上且つ２μｍ以下である。
【０００９】
本発明では、プレスフィット端子の表面にＳｎ−Ｎｉ合金からなる表面メッキ層を形成している。
表面メッキ層中にはＮｉが均一に分散しかつ表面メッキ層の最表面にＮｉが表れる。そのため、表面メッキ層全体の表面硬度を十分に高くすることが可能である。
従って、プレスフィット端子を電子回路基板のスルーホールに圧入したときに、プレスフィット端子の表面が削られるおそれを小さくすることが可能である。
【００１０】
前記表面メッキ層中のＮｉ含有率が１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下である。
【００１１】
表面メッキ層中のＮｉ含有率が１０ｗｔ％未満の場合は、表面メッキ層全体の表面硬度が不十分な大きさとなる。そのため、この場合はプレスフィット端子を電子回路基板のスルーホールに圧入したときに、プレスフィット端子の表面が削られるおそれが大きい。
また、表面メッキ層中のＮｉ含有率が４０ｗｔ％を超える場合は、プレスフィット端子の電子回路基板のスルーホールに対する接触抵抗が大きくなり過ぎてしまう。
しかし、表面メッキ層中のＮｉ含有率を１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下とすれば、このような不具合が発生するおそれを小さくできる。
【００１２】
前記基材がＣｕ又はＣｕ合金であり、前記基材と前記表面メッキ層との間に、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層を有し、前記表面メッキ層の厚みが０．３μｍ以下であり、前記下地メッキ層のＮｉ結晶の最大粒径が５００ナノメートル以下であってもよい。
なお、本明細書における「Ｎｉ皮膜」には、「Ｎｉのみを含有する皮膜」のみならず「Ｎｉ及びＮｉ以外の成分を含有する皮膜」が含まれる。
【００１３】
このように構成すれば、基材中のＣｕが表面メッキ層（Ｓｎ）中に拡散するのを、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層によって抑制できる。また、下地メッキ層の硬度が高くなりかつ表面メッキ層が薄くなるので、プレスフィット端子の表面硬度が高くなる。
【００１４】
前記下地メッキ層が、サッカリン及び１、４−ブチンジオールを光沢剤として含有してもよい。
【００１５】
このように構成すれば、下地メッキ層はＮｉ結晶が細かくなった状態で形成される。従って、下地メッキ層のＮｉ結晶の最大粒径を５００ｎｍ（ナノメートル）以下とすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第一の実施形態のプレスフィット端子を電子回路基板のスルーホールに圧入した状態を示す図である。
【図２】プレスフィット端子の圧入部の断面図である。
【図３】実施例１、２及び比較例１、２の各プレスフィット端子のメッキ条件や各試験結果を示す表である。
【図４】本発明の第二の実施形態に属する実施例３、第三の実施形態に属する実施例４、及び第四の実施形態に属する実施例５のプレスフィット端子のメッキ条件や各試験結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の第一の実施形態について図１乃至図３を参照して説明する。
プレスフィット端子１０は細長形状である。図１に示すように、プレスフィット端子１０は、先端側に圧入部１１を備えている。この圧入部１１には、スリット１２が形成されているため、圧入部１１はプレスフィット端子１０の幅方向に弾性変形可能である。
【００１８】
図１に示した電子回路基板２０の表面には電子回路（図示略）が形成されており、スルーホール２１の表面には電子回路に接続する金属メッキが施されている。
プレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に対して圧入すると、圧入部１１は幅を狭める方向に弾性変形しながらスルーホール２１の表面に接触する。そのため、スルーホール２１の金属メッキを介してプレスフィット端子１０と電子回路基板２０の電子回路とが互いに電気的に導通する。
【００１９】
プレスフィット端子１０は、板材をプレス加工して得られた基材の表面にメッキ処理を施すことにより製造される。この板材（基材）はＣｕ又はＣｕ合金である。プレス加工によって、板材から図１に示される形状のプレスフィット端子１０を加工する。さらに、基材１５の表面（プレス加工時に形成された切断面を含む）には、図２に示したように、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層１６が形成されている。下地メッキ層１６の厚みは０．５以上かつ２．０μｍ以下である。下地メッキ層１６は、例えばＮｉイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより基材１５の表面に形成される。なお、基材１５に対して下地メッキ層１６を形成する前に、基材１５の表面に対して表面処理（電解脱脂、酸洗浄、水洗など）を行うのが好ましい。
【００２０】
さらに図２に示したように、下地メッキ層１６の表面にはＳｎ−Ｎｉ合金からなる表面メッキ層（皮膜）１７が形成されている。
表面メッキ層１７は、例えばＳｎイオン及びＮｉイオンを含有するＳｎ−Ｎｉ合金メッキ液を利用した電気メッキによりプレスフィット端子１０の表面に形成される。Ｓｎ−Ｎｉ合金メッキ液中のＳｎイオン及びＮｉイオンの割合やキレート剤などのメッキ条件を工夫することにより、表面メッキ層１７中にＮｉを均一に分散させかつ表面メッキ層１７の表面にＮｉを析出させている。この場合、下地メッキ層１６の表面に表面メッキ層１７をメッキ処理した後にリフロー処理を行う必要はない。なお、表面メッキ層１７をメッキ処理する前に、下地メッキ層１６の表面に対して表面処理（酸洗浄、水洗など）を行うのが好ましい。
表面メッキ層１７中のＮｉの含有率は１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下に設定されている。また表面メッキ層１７の厚みは０．５以上かつ２．０μｍ以下である。
【００２１】
表面メッキ層１７においてＮｉが均一に分散しかつ表面メッキ層１７の表面にＮｉが析出しているため表面メッキ層１７全体の表面硬度は十分に高い。そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入したときに、圧入部１１の表面である表面メッキ層１７がスルーホール２１の表面によって削られるおそれは小さい。
従って、プレスフィット端子１０と電子回路基板２０とを確実に導通させることが可能である。
【００２２】
なお、仮に表面メッキ層１７中のＮｉ含有率が１０ｗｔ％未満の場合は、表面メッキ層１７全体の表面硬度が不十分な大きさとなる。そのため、この場合はプレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入したときに、圧入部１１の表面メッキ層１７が削られるおそれが大きい。
また、仮に表面メッキ層１７中のＮｉ含有率が４０ｗｔ％を超える場合は、Ｎｉが所望の割合となるようにＳｎ−Ｎｉ合金メッキをプレスフィット端子１０に施すのが難しくなる。さらに、この場合はプレスフィット端子１０の圧入部１１の電子回路基板２０のスルーホール２１に対する接触抵抗が大きくなり過ぎてしまう。
しかし、本実施形態のように表面メッキ層１７中のＮｉ含有率を１０ｗｔ％以上かつ４０ｗｔ％以下とすれば、このような不具合が発生するおそれを小さくできる。
【００２３】
またプレスフィット端子１０では基材１５と表面メッキ層１７との間に下地メッキ層１６が介在している。
そのため基材１５中のＣｕが表面メッキ層１７（Ｓｎ）中に拡散するのを、下地メッキ層１６によって抑制できる。
【００２４】
続いて、本発明の実施例（実施例１）を比較例と対比させながら説明する。なお、実施例１及び各比較例のプレスフィット端子の基材はほぼ同じ寸法である。また、各基材の材質はＣｕである。
（実施例１）
実施例１のプレスフィット端子は上記実施形態のプレスフィット端子１０と同じ製法によって製造されたものである。図３の表に示すように、実施例１のプレスフィット端子の下地メッキ層の厚みは１．０μｍであり、表面メッキ層の厚みは２．０μｍである。さらに表面メッキ層中のＮｉ含有率は１０ｗｔ％である。
（実施例２）
実施例２のプレスフィット端子は上記実施形態のプレスフィット端子１０と同じ製法によって製造されたものである。図３の表に示すように、実施例２のプレスフィット端子の下地メッキ層の厚みは１．０μｍであり、表面メッキ層の厚みは２．０μｍである。さらに表面メッキ層中のＮｉ含有率は３５ｗｔ％である。
【００２５】
（比較例１）
比較例１のプレスフィット端子は上記実施形態のプレスフィット端子１０と同じ製法によって製造されたものである。図３の表に示すように、比較例１のプレスフィット端子の下地メッキ層の厚みは１．０μｍであり、表面メッキ層の厚みは２．０μｍである。さらに表面メッキ層中のＮｉ含有率は５ｗｔ％である。
（比較例２）
図３の表に示す比較例２のプレスフィット端子は、上記実施形態のプレスフィット端子１０とは異なる製法によって製造されたものである。即ち、比較例２のプレスフィット端子は、基材の表面にＮｉメッキ層を形成した後にＮｉメッキ層の表面にＳｎメッキ層を形成し、その後にプレスフィット端子をリフロー処理することにより製造される。この下地メッキ層１６は、Ｎｉイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより形成される。この場合、リフロー処理の過程で、Ｓｎメッキ層及びＮｉメッキ層が溶融するので、Ｓｎメッキ層とＮｉメッキ層との境界部でＳｎ−Ｎｉ合金が形成される。しかし、表面メッキ層が厚く形成されているため、リフロー処理の過程で、ＮｉはＳｎメッキ層の内部で拡散し難く、そのため表面メッキ層の最表面にＮｉが表れていない。なお、このメッキ液には光沢剤は添加されていない。
比較例２のプレスフィット端子のＮｉメッキ層（下地メッキ層）の厚みは１．０μｍであり、Ｓｎメッキ層（表面メッキ層）の厚みは２．０μｍである。また、Ｓｎメッキ層（表面メッキ層）中のＮｉ含有率は３０ｗｔ％である。
【００２６】
続いて、実施例１、２及び比較例１、２の性能評価試験の結果について説明する。
【００２７】
（削れ抑制試験）
実施例１、２及び比較例１、２の各プレスフィット端子の圧入部を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入（挿入）した後、メッキの削れ屑の量を目視で確認した。具体的には、各プレスフィット端子をスルーホール２１に挿入した後、挿入された状態のままで、スルーホール２１の周囲に集まったメッキの削り屑の有無を目視で評価した。その結果、図３の表に示したように、実施例１、２では削れ屑は確認されなかった。一方、比較例１、２では、削れ屑が確認された。
比較例１のプレスフィット端子は表面メッキ層中のＮｉ含有率が５ｗｔ％であり、実施例１、２と比べてＮｉ含有率が低い。そのため表面メッキ層の表面硬度が不十分であり、それ故、削れ具合が実施例１、２よりも大きくなったものと推測される。
比較例２のプレスフィット端子は、リフロー処理することによりＳｎメッキ層及びＮｉメッキ層を溶融させて、Ｓｎメッキ層とＮｉメッキ層との境界部でＳｎ−Ｎｉ合金を形成している。しかし、表面メッキ層が厚く形成されているため、リフロー処理の過程で、Ｓｎメッキ層中にＮｉが均一に拡散していない。つまり、表面メッキ層の最表面にはＮｉが表れないか又は殆ど表れない状態となる。この場合、表面メッキ層の表面硬度が低くなるので、表面メッキ層がスルーホール２１によって削られたものと推測される。
【００２８】
（表面硬度試験）
ビッカース硬度試験によって実施例１、２及び比較例１、２の各プレスフィット端子の表面硬度を測定した。なお、ビッカース硬度試験は、マイクロビッカス硬度計（製造者名：株式会社フユーチュアテック、製品名：ＦＭ−ＡＲＳ９００）を用いて行った。
その結果、図３の表に示したように、実施例１、２のプレスフィット端子は十分な硬度を有することが確認できた。その一方で、比較例１、２のプレスフィット端子は硬度が不十分であることが確認できた。
このような結果になった原因は、削れ抑制試験の場合と同じと考えられる。
【００２９】
（クラック試験）
実施例１、２及び比較例１、２の各プレスフィット端子の圧入部を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入した後に圧入部をスルーホール２１から引き抜いたときに、圧入部の表面メッキ層にクラックが発生しているか否かを目視により確認した。その結果、図３の表に示したように、すべてのプレスフィット端子でクラックは発生していなかった。
【００３０】
（総合評価）
以上の結果から、実施例１、２の総合評価は合格（○）、比較例１、２は不合格（×）と判定した。
【００３１】
続いて本発明の第二の実施形態について主に図４を参照して説明する。なお、第一の実施形態と同じ部材には同じ符号を付すに止めて、その詳細な説明は省略する。
本実施形態のプレスフィット端子１０の基本構造は第一の実施形態と同じである。即ち、本実施形態のプレスフィット端子１０も、板材をプレス加工して得られた基材の表面にメッキ処理を施すことにより製造される。さらにこのプレスフィット端子１０は、基材１５、下地メッキ層１６、及び表面メッキ層１７を備えている。
【００３２】
Ｃｕ又はＣｕ合金である基材１５の表面（プレス加工時に形成された切断面を含む）には、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層１６が形成されている。下地メッキ層１６の厚みは１．５以上かつ２．０μｍ以下である。
下地メッキ層１６は、例えばＮｉイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより基材１５の表面に形成される。このメッキ液には、一次光沢剤としてのサッカリン及び二次光沢剤としての１、４−ブチンジオールが含まれている。なお、基材１５に対して下地メッキ層１６を形成する前に、基材１５の表面に対して表面処理（電解脱脂、酸洗浄、水洗など）を行うのが好ましい。
【００３３】
さらに下地メッキ層１６の表面にはＳｎ−Ｎｉ合金からなりかつ厚みが０．３μｍ以下である表面メッキ層（皮膜）１７が形成されている。
表面メッキ層１７は、例えば以下の要領で形成される。即ち、まずＳｎイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより、下地メッキ層１６の表面にＳｎ層を形成する。次いで、プレスフィット端子１０をリフロー処理する。すると下地メッキ層１６及び表面メッキ層１７が溶融する。また、表面メッキ層１７の厚みが薄く形成されているため、リフロー処理の過程で、表面メッキ層１７の最表面までＮｉが拡散し（表面メッキ層の内部でＮｉが均一に拡散し）、表面メッキ層１７の最表面にＮｉが表れる。このようにして、表面メッキ層１７はＳｎ−Ｎｉ合金となる。
なお、表面メッキ層１７をメッキ処理する前に、下地メッキ層１６の表面に対して表面処理（酸洗浄、水洗など）を行うのが好ましい。
【００３４】
一次光沢剤としてのサッカリン及び二次光沢剤としての１、４−ブチンジオールが含まれているメッキ液を利用して下地メッキ層１６が形成されている。そのため、下地メッキ層１６はＮｉ結晶が細かくなった状態で形成される。より詳細には、下地メッキ層１６のＮｉ結晶の最大粒径は５００ｎｍ（ナノメートル）以下となる。このように下地メッキ層１６中のＮｉ結晶が細かくなるので、下地メッキ層１６の硬度が高くなる。なお、この下地メッキ層１６の硬度が高くなる理由は、以下のように推定される。即ち、下地メッキ層１６のＮｉ結晶が細かくなったことにより、下地メッキ層１６（Ｎｉ皮膜）中のＮｉ結晶粒子間の滑りが抑制され、皮膜硬度が高くなったと考えられる。また、下地メッキ層１６中のサッカリン及び１、４-ブチンジオールがＮｉ結晶粒子表面に付着することにより、Ｎｉ結晶粒子間の滑りが抑制され、皮膜硬度が高くなったと考えられる。
【００３５】
さらに、表面メッキ層１７の内側には、表面メッキ層１７よりも厚くかつ硬度がＳｎより高い下地メッキ層１６（Ｎｉ層）が位置している。そのため、圧入部１１の表面硬度は極めて大きくなる。具体的には、圧入部１１の表面硬度は４００Ｈｖ以上となる。
【００３６】
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入したときに、圧入部１１の表面である表面メッキ層１７がスルーホール２１の表面によって削られるおそれは小さい。従って、プレスフィット端子１０と電子回路基板２０とを確実に導通させることが可能である。
【００３７】
さらに、本実施形態のプレスフィット端子１０の表面メッキ層１７（Ｓｎ層）の厚みが０．３μｍ以下なので、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くときに、表面メッキ層１７が潰れ難い。
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くのに必要な荷重である引抜き荷重が大きくなる。換言すると、スルーホール２１に圧入されたプレスフィット端子１０が、スルーホール２１から不意に抜け出すおそれは小さい。
【００３８】
なお、仮に光沢剤（サッカリン及び１、４−ブチンジオール）が含まれていないメッキ液を利用して下地メッキ層１６を形成すると、下地メッキ層１６はＮｉ結晶が大きくなった状態で形成される。即ち、下地メッキ層１６はＮｉ結晶の最大粒径が５００ｎｍより大きくなる。そのため下地メッキ層１６の硬度は低くなる。その結果、圧入部１１の表面硬度が小さくなる。そのためこの場合は、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くときに、表面メッキ層１７の表面が潰れ易い。従って、この場合は圧入部１１のスルーホール２１に対する引抜き荷重は小さくなる。
【００３９】
また、仮に表面メッキ層１７（Ｓｎ層）を０．３μｍより大きくすると、圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くときに（下地メッキ層１６より柔らかい）表面メッキ層１７が潰れ易くなる。従って、この場合は圧入部１１のスルーホール２１に対する引抜き荷重は小さくなる。
【００４０】
続いて、本発明の実施例３について説明する。なお、実施例３のプレスフィット端子の基材として、実施例１と同様の基材を用いた。
【００４１】
（実施例３）
実施例３のプレスフィット端子は第二の実施形態のプレスフィット端子１０と同じ製法によって製造されたものである。図４の表に示すように、実施例３のプレスフィット端子の下地メッキ層１６の厚みは２．０μｍであり、表面メッキ層１７の厚みは０．２μｍである。また、表面メッキ１７層中のＮｉ含有率は２５ｗｔ％である。さらに下地メッキ層１６を形成する際に使用するメッキ液には、一次光沢剤としてのサッカリン及び二次光沢剤としての１、４−ブチンジオールが含まれている。
下地メッキ層１６のＮｉ結晶の最大粒径は０．５μｍ（５００ｎｍ）以下である。Ｎｉ結晶の粒径は、プレスフィット端子の断面画像を電界放出形走査電子顕微鏡（FE-SEM  製造者名：日立製作所株式会社  製品名：ＳＵ−７０）で撮影し、撮影画像中のＮｉ結晶の粒子径（グレインサイズ）を電子線後方散乱回折分析装置（製造者名：Oxford Instruments社  製品名：INCA X-act）により測定した。なお、後述する実施例４、５のＮｉ結晶の最大粒径も、これと同じ装置及び方法により測定している。
【００４２】
続いて、実施例３の性能評価試験の結果について説明する。
【００４３】
（削れ抑制試験）
実施例３のプレスフィット端子の圧入部を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入（挿入）した後、メッキの削れ屑の量を目視で確認した。具体的には、プレスフィット端子をスルーホール２１に挿入した後、挿入された状態のままで、スルーホール２１の周囲に集まったメッキの削り屑の有無を目視で評価した。その結果、図４の表に示したように、実施例３において削れ屑は確認されなかった。
後述するように実施例３のプレスフィット端子の圧入部の表面硬度は極めて高い。そのため、実施例３の圧入部の表面メッキ層は殆ど削れなかったものと推測される。
【００４４】
（表面硬度試験）
ビッカース硬度試験によって実施例３のプレスフィット端子の表面硬度を測定した。なお、ビッカース硬度試験は、マイクロビッカス硬度計（製造者名：株式会社フユーチュアテック、製品名：ＦＭ−ＡＲＳ９００）を用いて行った。
その結果、図４の表に示したように、実施例３のプレスフィット端子は極めて大きな表面硬度（４００Ｈｖ以上の表面硬度）を有することが確認できた。
【００４５】
（引抜き荷重試験）
実施例３のプレスフィット端子に荷重測定器を接続し、圧入部を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入した後に荷重測定器を引っ張ることにより圧入部をスルーホール２１から引き抜いた。そして圧入部がスルーホール２１から引き抜かれたときの荷重を自動荷重試験器（製造者名：日本計測システム株式会社、製品名：ＭＡＸシリーズ卓上型）で測定した。
その結果、図４の表に示したように、実施例３の引抜き荷重は十分な大きさとなった。
【００４６】
（総合評価）
以上の結果から、実施例３の総合評価は合格（○）と判定した。
【００４７】
続いて本発明の第三の実施形態について主に図４を参照して説明する。なお、第一及び第二の実施形態と同じ部材には同じ符号を付すに止めて、その詳細な説明は省略する。
本実施形態のプレスフィット端子１０の基本構造は第一、第二の実施形態と同じである。
【００４８】
基材１５の表面（プレス加工時に形成された切断面を含む）には、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層１６が形成されている。下地メッキ層１６の厚みは１．５以上かつ２．０μｍ以下である。
下地メッキ層１６は、例えばＮｉイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより基材１５の表面に形成される。但し、このメッキ液には、光沢剤としてのサッカリン及び１、４−ブチンジオールは含まれていない。なお、基材１５に対して下地メッキ層１６を形成する前に、基材１５の表面に対して表面処理（電解脱脂、水洗など）を行うのが好ましい。
【００４９】
さらに下地メッキ層１６の表面にはＳｎ−Ｎｉ合金からなりかつ厚みが０．３μｍ以下である表面メッキ層（皮膜）１７が形成されている。
表面メッキ層１７は、例えば第二の実施形態と同じ要領により形成される。
【００５０】
さらに、表面メッキ層１７の内側には、表面メッキ層１７よりも厚くかつ硬度がＳｎより高い下地メッキ層１６（Ｎｉ層）が位置している。そのため、圧入部１１の表面硬度は大きくなる。具体的には、圧入部１１の表面硬度は３３０Ｈｖ以上となる。
【００５１】
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入したときに、圧入部１１の表面である表面メッキ層１７がスルーホール２１の表面によって削られるおそれは小さい。従って、プレスフィット端子１０と電子回路基板２０とを確実に導通させることが可能である。
【００５２】
さらに、本実施形態のプレスフィット端子１０の表面メッキ層１７（Ｓｎ層）の厚みが０．３μｍ以下なので、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くときに、表面メッキ層１７が潰れ難い。
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くのに必要な荷重である引抜き荷重が大きくなる。換言すると、スルーホール２１に圧入されたプレスフィット端子１０が、スルーホール２１から不意に抜け出すおそれは小さい。
【００５３】
続いて、第三の実施形態の実施例である実施例４について説明する。なお、実施例４のプレスフィット端子の基材として、実施例１と同様の基材を用いた。
【００５４】
（実施例４）
実施例４のプレスフィット端子は第二の実施形態のプレスフィット端子１０と異なる製法によって製造されたものである。図４の表に示すように、実施例４のプレスフィット端子の下地メッキ層の厚みは２．０μｍであり、表面メッキ層の厚みは０．２μｍである。さらに表面メッキ層中のＮｉ含有率は２５ｗｔ％である。但し、下地メッキ層を形成する際に使用するメッキ液には、一次光沢剤としてのサッカリン及び二次光沢剤としての１、４−ブチンジオールが含まれていない。
【００５５】
続いて、実施例４の性能評価試験の結果について説明する。
【００５６】
（削れ抑制試験）
実施例３と同じ要領により、実施例４のプレスフィット端について、メッキの削り屑を目視で評価した。その結果、図４の表に示したように、実施例４において削り屑は確認されなかった。
後述するように実施例４のプレスフィット端子の圧入部の表面硬度は相応の高さである。そのため、実施例４の圧入部の表面メッキ層は殆ど削れなかったものと推測される。
【００５７】
（表面硬度試験）
実施例３と同じ要領でビッカース硬度試験を行い、実施例４のプレスフィット端子の表面硬度を測定した。
その結果、図４の表に示したように、実施例４のプレスフィット端子は相応の高さの表面硬度（３３０Ｈｖ以上の表面硬度）を有することが確認できた。即ち、比較例１及び２と比較して、２倍以上の高い表面硬度を有することが確認できた。
【００５８】
（引抜き荷重試験）
実施例３と同じ要領で、実施例４のプレスフィット端子の圧入部がスルーホール２１から引き抜かれたときの荷重を測定した。
その結果、図４の表に示したように、実施例４の引抜き荷重は相応の大きさであることが確認された。
【００５９】
（総合評価）
以上の結果から、実施例４の総合評価は合格（○）と判定した。
【００６０】
続いて本発明の第四の実施形態について主に図４を参照して説明する。なお、第一乃至第三の実施形態と同じ部材には同じ符号を付すに止めて、その詳細な説明は省略する。
本実施形態のプレスフィット端子１０の基本構造は第一乃至第三の実施形態と同じである。
【００６１】
基材１５の表面（プレス加工時に形成された切断面を含む）には、Ｎｉ皮膜である下地メッキ層１６が形成されている。下地メッキ層１６の厚みは１．５以上かつ２．０μｍ以下である。
下地メッキ層１６は、第二の実施形態と同じ要領により成形される。即ち、下地メッキ層１６は、例えばＮｉイオンを含有するメッキ液を利用した電気メッキにより基材１５の表面に形成される。このメッキ液には、一次光沢剤としてのサッカリン及び二次光沢剤としての１、４−ブチンジオールが含まれている。
【００６２】
さらに下地メッキ層１６の表面にはＳｎ−Ｎｉ合金からなりかつ厚みが０．３μｍ以下である表面メッキ層（皮膜）１７が形成されている。
表面メッキ層１７は、例えば第二及び第三の実施形態と同じ要領により形成される。
【００６３】
さらに、表面メッキ層１７の内側には、表面メッキ層１７よりも厚くかつ硬度がＳｎより高い下地メッキ層１６（Ｎｉ層）が位置している。そのため、圧入部１１の表面硬度は大きくなる。具体的には、圧入部１１の表面硬度は２７０Ｈｖ以上となる。
【００６４】
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１を電子回路基板２０のスルーホール２１に圧入したときに、圧入部１１の表面である表面メッキ層１７がスルーホール２１の表面によって削られるおそれは小さい。従って、プレスフィット端子１０と電子回路基板２０とを確実に導通させることが可能である。
【００６５】
さらに、本実施形態のプレスフィット端子１０の表面メッキ層１７（Ｓｎ層）の厚みが０．４μｍ以下なので、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くときに、表面メッキ層１７が潰れ難い。
そのため、プレスフィット端子１０の圧入部１１をスルーホール２１から引き抜くのに必要な荷重である引抜き荷重が大きくなる。換言すると、スルーホール２１に圧入されたプレスフィット端子１０が、スルーホール２１から不意に抜け出すおそれは小さい。
【００６６】
続いて、第四の実施形態の実施例である本発明の実施例５について説明する。なお、実施例５のプレスフィット端子の基材として、実施例１と同様の基材を用いた。
【００６７】
（実施例５）
実施例５のプレスフィット端子は第二の実施形態のプレスフィット端子１０と同じ製法によって製造されたものである。図４の表に示すように、実施例５のプレスフィット端子の表面メッキ層の厚みは０．４μｍである。さらに、この表面メッキ層中のＮｉ含有率は１０ｗｔ％である。
【００６８】
続いて、実施例５の性能評価試験の結果について説明する。
【００６９】
（削れ抑制試験）
実施例３と同じ要領により、実施例５のプレスフィット端子についてメッキの削り屑を目視で評価した。その結果、図４の表に示したように、実施例５において削り屑は確認されなかった。
後述するように実施例５のプレスフィット端子の圧入部の表面硬度は相応の高さである。そのため、実施例５のプレスフィット端子の圧入部は殆ど削れなかったものと推測される。
【００７０】
（表面硬度試験）
実施例３と同じ要領でビッカース硬度試験を行い、実施例５のプレスフィット端子の表面硬度を測定した。
その結果、図４の表に示したように、実施例５のプレスフィット端子は相応の高さの表面硬度（２７０Ｈｖ以上の表面硬度）を有することが確認できた。即ち、比較例１及び２と比較して、２倍以上の高い表面硬度を有することが確認できた。
【００７１】
（引抜き荷重試験）
実施例３と同じ要領で、実施例５のプレスフィット端子の圧入部がスルーホール２１から引き抜かれたときの荷重を測定した。
その結果、図４の表に示したように、実施例５の引抜き荷重は相応の大きさであることが確認された。
【００７２】
（総合評価）
以上の結果から、実施例５の総合評価は合格（○）と判定した。
【００７３】
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上記各実施形態に限定されるべきものではない。
例えば、プレスフィット端子１０の基材の主成分をＣｕとは異なる金属により構成してもよい。
第一の実施形態のプレスフィット端子１０から下地メッキ層１６を省略してもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１０・・・プレスフィット端子、１１・・・圧入部、１２・・・スリット、１５・・・基材、１６・・・下地メッキ層、１７・・・表面メッキ層、２０・・・電子回路基板、２１・・・スルーホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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