(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、
前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部と、
前記低温域依存電流生成部および前記全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を電圧に変換して階調電圧として供給する電流電圧変換部と、
前記階調電圧に応じた駆動電流を発光素子に供給して発光させる駆動トランジスタと
を具備する表示装置。
【請求項２】
一定の定電流を生成して前記接続点へ供給する定電流生成部をさらに具備する
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記定電流の調整値を定電流調整値として保持する保持部をさらに具備し、
前記定電流生成部は、前記定電流調整値に従って調整した前記定電流を生成する
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記保持部は、前記低温域依存電流の調整値を低温域依存電流調整値としてさらに保持し、
前記低温域依存電流生成部は、前記低温域依存電流調整値に従って調整した前記低温域依存電流を生成する
請求項３記載の表示装置。
【請求項５】
前記保持部は、前記全温度域依存電流の調整値を全温度域依存電流調整値としてさらに保持し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記全温度域依存電流調整値に従って調整した前記全温度域依存電流を生成する
請求項３記載の表示装置。
【請求項６】
前記測定温度に応じた測定電圧を供給する温度センサをさらに具備し、
前記低温域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電圧と所定電圧との差に応じた電流を前記低温域依存電流として供給し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電流を前記全温度域依存電流として供給する
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記測定温度に応じた測定電圧と一定の参照電圧とを生成するバンドギャップリファレンス回路と、
前記測定電圧に応じた電圧と前記参照電圧との差に応じた差動信号を出力する電圧電流変換部と
をさらに具備し、
前記低温域依存電流生成部は、前記差動信号から前記低温域依存電流を生成し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記差動信号から前記全温度域依存電流を生成する
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタは、ＭＯＳトランジスタである
請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、
前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部と
を具備する温度補償回路。
【請求項１０】
低温域依存電流生成部が、測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成手順と、
全温度域依存電流生成部が、前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成手順と、
前記低温域依存電流生成部および前記全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を電圧に変換して階調電圧として供給する電流電圧変換手順と、
前記階調電圧に応じた駆動電流を発光素子に供給して発光させる駆動手順と
を具備する表示装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、表示装置、温度補償回路、および、表示装置の制御方法に関する。詳しくは、トランジスタが発光素子を駆動する表示装置、温度補償回路、および、表示装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶と比較して薄型軽量、低消費電力、高速応答、高コントラストなどの利点を持つことから、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ：Organic Light-Emitting Diode）を用いた表示装置の開発や研究が進められている。この表示装置内の画素回路には、ＯＬＥＤと、そのＯＬＥＤを駆動するＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタとが設けられる。そして、このＭＯＳトランジスタに対し、階調に応じた階調電圧をドライバが印加することにより、ＯＬＥＤに駆動電流を供給して発光させることができる。ここで、ＭＯＳトランジスタの閾値電圧は温度の上昇に伴って低下することが知られている。そして、この閾値電圧の変動により、一定の階調電圧を印加したときにＭＯＳトランジスタが出力する駆動電流も変化することが知られている。そこで、温度が変化しても駆動電流を一定にして輝度の変動を抑制するために、温度ごとの補正量を記載したテーブルを参照して階調電圧を補正する表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１４１４５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述の従来技術では、閾値電圧の温度特性に基づいて階調電圧を補正している。しかしながら、ＭＯＳトランジスタの駆動電流は、厳密には閾値電圧のみならず、キャリア移動度にも依存する。そして、温度をＴとすると、閾値電圧がＴ−１に比例するのに対して、キャリア移動度はＴ（−１．５）に比例する。このため、温度が比較的高いときには、キャリア移動度の影響の方が大きくなる。したがって、閾値電圧の温度特性のみを考慮して補正を行う上述の表示装置では、キャリア移動度の変化による輝度の変動分を補正しきれず、適切な輝度で発光素子を発光させることができないという問題がある。【０００５】
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、トランジスタが発光素子を駆動する表示装置において、温度変化に伴う発光素子の輝度の変動を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部と、前記低温域依存電流生成部および前記全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を電圧に変換して階調電圧として供給する電流電圧変換部と、前記階調電圧に応じた駆動電流を発光素子に供給して発光させる駆動トランジスタとを具備する表示装置、および、その制御方法である。これにより、低温域依存電流生成部および全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を変換した電圧に応じた駆動電流により発光素子が発光するという作用をもたらす。【０００７】
また、この第１の側面において、一定の定電流を生成して前記接続点へ供給する定電流生成部をさらに具備してもよい。これにより、定電流生成部、低温域依存電流生成部および全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を変換した電圧に応じた駆動電流により発光素子が発光するという作用をもたらす。【０００８】
また、この第１の側面において、前記定電流の調整値を定電流調整値として保持する保持部をさらに具備し、前記定電流生成部は、前記定電流調整値に従って調整した前記定電流を生成してもよい。これにより、調整値によって調整された定電流が生成されるという作用をもたらす。【０００９】
また、この第１の側面において、前記保持部は、前記低温域依存電流の調整値を低温域依存電流調整値としてさらに保持し、前記低温域依存電流生成部は、前記低温域依存電流調整値に従って調整した前記低温域依存電流を生成してもよい。これにより、調整値によって調整された低温域依存電流が生成されるという作用をもたらす。【００１０】
また、この第１の側面において、前記保持部は、前記全温度域依存電流の調整値を低温域依存電流調整値としてさらに保持し、前記全温度域依存電流生成部は、前記全温度域依存電流調整値に従って調整した前記全温度域依存電流を生成してもよい。これにより、調整値によって調整された全温度域依存電流が生成されるという作用をもたらす。【００１１】
また、この第１の側面において、前記測定温度に応じた測定電圧を供給する温度センサをさらに具備し、前記低温域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電圧と所定電圧との差に応じた電流を前記低温域依存電流として供給し、前記全温度域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電流を前記全温度域依存電流として供給してもよい。これにより、測定電圧に応じた電圧と所定電圧との差に応じた低温域依存電流が生成され、測定電圧に応じた全温度域依存電流が生成されるという作用をもたらす。【００１２】
また、この第１の側面において、前記測定温度に応じた測定電圧と一定の参照電圧とを生成するバンドギャップリファレンス回路と、前記測定電圧に応じた電圧と前記参照電圧との差に応じた差動信号を出力する電圧電流変換部とをさらに具備し、前記低温域依存電流生成部は、前記差動信号から前記低温域依存電流を生成し、前記全温度域依存電流生成部は、前記差動信号から前記全温度域依存電流を生成してもよい。これにより、測定電圧と一定の参照電圧とがバンドギャップリファレンス回路により生成されるという作用をもたらす。【００１３】
また、この第１の側面において、前記駆動トランジスタは、ＭＯＳトランジスタであってもよい。これにより、ＭＯＳトランジスタからの駆動電流により発光素子が発光するという作用をもたらす。【００１４】
また、本技術の第２の側面は、測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部とを具備する温度補償回路である。これにより、低温域依存電流および全温度域依存電流が生成されるという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１５】
本技術によれば、トランジスタが発光素子を駆動する表示装置において、温度変化に伴う発光素子の輝度の変動を抑制することができるという優れた効果を奏し得る。なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本技術の第１の実施の形態における表示装置の一構成例を示すブロック図である。
【図２】本技術の第１の実施の形態におけるデータ入力インターフェースの一構成例を示すブロック図である。
【図３】本技術の第１の実施の形態におけるタイミングコントローラの一構成例を示すブロック図である。
【図４】本技術の第１の実施の形態におけるディスプレイコントローラの一構成例を示すブロック図である。
【図５】本技術の第１の実施の形態におけるガンマ補正回路の一構成例を示す回路図である。
【図６】本技術の第１の実施の形態における階調電圧と階調との関係を示すグラフの一例である。
【図７】本技術の第１の実施の形態における水平ドライバの一構成例を示す回路図である。
【図８】本技術の第１の実施の形態における有機ＥＬパネルの一構成例を示すブロック図である。
【図９】本技術の第１の実施の形態における副画素回路の一構成例を示す回路図である。
【図１０】本技術の第１の実施の形態における一定輝度に対応する駆動電圧と温度との関係の一例を示すグラフである。
【図１１】本技術の第１の実施の形態における温度補償部の一構成例を示す回路図である。
【図１２】本技術の第１の実施の形態における電流と温度との関係の一例を示すグラフである。
【図１３】本技術の第１の実施の形態における出力電流と温度との関係の一例を示す図である。
【図１４】本技術の第１の実施の形態における温度補償の方法を説明するための図である。
【図１５】本技術の第１の実施の形態におけるバイアス電圧供給回路の一構成例を示す回路図である。
【図１６】本技術の第１の実施の形態における定電流生成部の一構成例を示す回路図である。
【図１７】本技術の第１の実施の形態における全温度域依存電流生成部の一構成例を示す回路図である。
【図１８】本技術の第１の実施の形態における低温域依存電流生成部の一構成例を示す回路図である。
【図１９】本技術の第１の実施の形態における設定値ごとの階調電圧と温度との関係の一例を示すグラフである。
【図２０】本技術の第１の実施の形態における設定値ごとのカソード電流と温度との関係の一例を示すグラフである。
【図２１】本技術の第１の実施の形態における表示装置の動作の一例を示すフローチャートである。
【図２２】本技術の第１の実施の形態の変形例における温度補償部の一構成例を示す回路図である。
【図２３】本技術の第２の実施の形態における温度補償部の一構成例を示す回路図である。
【図２４】本技術の第２の実施の形態におけるＢＧＲ（Band Gap Reference）回路の一構成例を示す回路図である。
【図２５】本技術の第２の実施の形態における電圧電流変換部および全温度域依存電流生成部の一構成例を示す回路図である。
【図２６】本技術の第２の実施の形態における低温域依存電流生成部の一構成例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（定電流、低温域依存電流および全温度域依存電流を生成する例）
２．第２の実施の形態（低温域依存電流および全温度域依存電流を生成する例）
３．第３の実施の形態（ＢＧＲ回路で温度を測定し、低温域依存電流および全温度域依存電流を生成する例）
【００１８】
＜１．第１の実施の形態＞
［表示装置の構成例］
図１は、第１の実施の形態における表示装置１００の一構成例を示すブロック図である。この表示装置１００は、画像を表示するための装置であり、データ入力インターフェース１１０、タイミングコントローラ１２０およびディスプレイコントローラ１３０を備える。また、表示装置１００は、レジスタ１４０、駆動回路１５０および有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネル１８０を備える。駆動回路１５０は、垂直ドライバ１６０、水平ドライバ１７０およびガンマ補正回路２００を備える。
【００１９】
そして、有機ＥＬパネル１８０には、二次元格子状に複数の画素回路が配列される。以下、水平方向に配列された画素回路の集合を「行」と称し、行に垂直な方向に配列された画素回路の集合を「列」と称する。
【００２０】
データ入力インターフェース１１０は、表示装置１００の外部の機器（ソース機器など）から、シリアル転送された表示データを受信するものである。この表示データは、表示装置１００に表示するためのデータであり、例えば、複数の画像データを時系列順に含む動画データや、静止画データが表示データとして入力される。データ入力インターフェース１１０は、シリアルの表示データをパラレルデータに変換する。また、データ入力インターフェース１１０は、垂直同期信号および水平同期信号を生成して、パラレルデータとともにタイミングコントローラ１２０に信号線１１９を介して供給する。ここで、垂直同期信号は、画像データを表示するタイミングを示す信号であり、水平同期信号は、行を表示するタイミングを示す信号である。
【００２１】
タイミングコントローラ１２０は、ディスプレイコントローラ１３０が動作するタイミングを制御するものである。このタイミングコントローラ１２０は、パラレルデータから画素データを生成して、タイミング信号とともに信号線１２９を介してディスプレイコントローラ１３０に供給する。
【００２２】
ディスプレイコントローラ１３０は、駆動回路１５０を制御するものである。このディスプレイコントローラ１３０は、タイミング信号に同期して画素データを水平ドライバ１７０に信号線１３８を介して供給する。この画素データは、Ｒ（Red）、Ｇ(Green)、Ｂ(Blue)およびＷ(White)などの色ごとに、その階調を示す階調情報を含む。また、ディスプレイコントローラ１３０は、タイミング信号に同期して垂直ドライバ１６０を制御する。
【００２３】
垂直ドライバ１６０は、ディスプレイコントローラ１３０の制御に従って、有機ＥＬパネル１８０の行を順に駆動するものである。
【００２４】
レジスタ１４０は、輝度レベルを調整するための設定値を保持するものである。ガンマ補正回路２００は、ガンマ補正を行うものである。このガンマ補正回路２００は、レジスタ１４０の設定値を読み出し、その設定値に基づいて、階調を示す階調電圧を生成する。階調を２５６段階に制御する場合には、例えば、互いに異なる２５６個の階調電圧が生成される。そして、ガンマ補正回路２００は、それらの階調電圧を水平ドライバ１７０に信号線２０９を介して供給する。なお、レジスタ１４０は、特許請求の範囲に記載の保持部の一例である。
【００２５】
水平ドライバ１７０は、選択された行内の画素ごとに、その画素データ内の階調情報に対応する階調電圧を選択して有機ＥＬパネル１８０に供給するものである。
【００２６】
［データ入力インターフェースの構成例］
図２は、第１の実施の形態におけるデータ入力インターフェース１１０の一構成例を示すブロック図である。このデータ入力インターフェース１１０は、クロック制御部１１１、高速インターフェース１１２、同期信号生成部１１３およびシリアルパラレル変換部１１４を備える。
【００２７】
高速インターフェース１１２は、シリアル転送された表示データを受信するものである。クロック制御部１１１は、タイミングコントローラ１２０を制御して、表示データを表示する期間に亘ってクロック信号を生成させるものである。同期信号生成部１１３は、表示データに基づいて、水平同期信号および垂直同期信号を生成するものである。また、シリアルパラレル変換部１１４は、シリアルの表示データをパラレルデータに変換するものである。
【００２８】
［タイミングコントローラの構成例］
図３は、第１の実施の形態におけるタイミングコントローラ１２０の一構成例を示すブロック図である。このタイミングコントローラ１２０は、クロックジェネレータ１２１、タイミングジェネレータ１２２および画像処理部１２３を備える。
【００２９】
クロックジェネレータ１２１は、クロック制御部１１１の制御に従って、所定の周波数のクロック信号を生成するものである。このクロック信号の周波数は、水平同期信号より高いものとする。クロックジェネレータ１２１は、クロック信号をディスプレイコントローラ１３０に供給する。
【００３０】
タイミングジェネレータ１２２は、垂直同期信号および水平同期信号に基づいて、タイミング信号を生成してディスプレイコントローラ１３０に供給するものである。
【００３１】
画像処理部１２３は、パラレルデータに対して様々な画像処理を行うものである。例えば、解像度を変換する処理や、画素毎に色情報（Ｗなど）を補間する処理などが行われる。この画像処理部１２３は、画像処理により、画素毎に画素データを生成し、ディスプレイコントローラ１３０に供給する。
【００３２】
［ディスプレイコントローラの構成例］
図４は、第１の実施の形態におけるディスプレイコントローラ１３０の一構成例を示すブロック図である。このディスプレイコントローラ１３０は、垂直ロジック回路１３１および水平ロジック回路１３２を備える。
【００３３】
垂直ロジック回路１３１は、タイミング信号に同期して垂直ドライバ１６０を制御するものである。水平ロジック回路１３２は、タイミング信号に同期して、水平ドライバ１７０に画素データを供給するものである。
【００３４】
［ガンマ補正回路の構成例］
図５は、第１の実施の形態におけるガンマ補正回路２００の一構成例を示す回路図である。このガンマ補正回路２００は、最大電圧生成部２１０、最小電圧生成部２３０および抵抗２２０を備える。
【００３５】
最大電圧生成部２１０は、最小の輝度で発光させるための階調電圧ＶＧ０を生成するものである。この最大電圧生成部２１０は、オペアンプ２１１と、スイッチ２１２、２１３および２１４と、抵抗２１５と、定電流源２１６とを備える。
【００３６】
抵抗２１５は、電源と定電流源２１６との間に挿入される。そして、スイッチ２１２、２１３および２１４は、互いに異なる接続点で抵抗２１５に接続される。また、オペアンプ２１１の出力端子は、オペアンプ２１１自身の反転入力端子（−）と抵抗２２０とに接続される。
【００３７】
スイッチ２１２は、オペアンプ２１１の非反転入力端子（＋）と、抵抗２１５の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。スイッチ２１３は、オペアンプ２１１の非反転入力端子（＋）と、抵抗２１５の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。スイッチ２１４は、オペアンプ２１１の非反転入力端子（＋）と、抵抗２１５の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。
【００３８】
ここで、レジスタ１４０には、最大電圧生成部２１０が生成する電圧を調整するための最大電圧調整値と、最小電圧生成部２３０が生成する電圧を調整するための最小電圧調整値と、電流調整値とが保持される。電流調整値は、最小電圧生成部２３０内部で生成される電流を調整するための値である。最大電圧調整値は、最大電圧生成部２１０に入力され、最小電圧調整値および電流調整値は、最小電圧生成部２３０に入力される。
【００３９】
スイッチ２１２、２１３および２１４のそれぞれは、レジスタ１４０内の最大電圧調整値に従って開閉する。これらのスイッチのいずれか１つのみが閉状態になるように、最大電圧調整値が設定される。
【００４０】
上述の構成により、スイッチ２１２、２１３および２１４のいずれかが、その接続点に対応する電圧を直流電圧ＶＤＣｂとしてオペアンプ２１１に供給する。また、オペアンプ２１１は、その直流電圧ＶＤＣｂに応じた電圧を階調電圧ＶＧ０として生成し、抵抗２２０の一端に印加する。
【００４１】
また、最小電圧生成部２３０は、最大の輝度最小電圧で発光させるための階調電圧ＶＧ２５５を生成するものである。この最小電圧生成部２３０は、電流電圧変換部２４０と、オペアンプ２３６と、温度補償部３００と、スイッチ２３１、２３２および２３３と、抵抗２３４と、定電流源２３５とを備える。また、電流電圧変換部２４０は、抵抗２４１およびオペアンプ２４２を備える。
【００４２】
抵抗２３４は、電源と定電流源２３５との間に挿入される。そして、スイッチ２３１、２３２および２３３は、互いに異なる接続点で抵抗２３４に接続される。
【００４３】
スイッチ２３１は、オペアンプ２４２の非反転入力端子（＋）と、抵抗２３４の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。スイッチ２３２は、オペアンプ２４２の非反転入力端子（＋）と、抵抗２３４の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。スイッチ２３３は、オペアンプ２４２の非反転入力端子（＋）と、抵抗２３４の対応する接続点との間の経路を開閉するものである。
【００４４】
温度補償部３００は、温度に依存した出力電流ＩOUTを生成するものである。この温度補償部３００は、出力電流ＩOUTをオペアンプ２４２の反転入力端子（−）に出力する。
【００４５】
抵抗２４１は、オペアンプ２４２の反転入力端子（−）と出力端子との間に挿入される。また、オペアンプ２４２の出力端子は、オペアンプ２３６の非反転入力端子（＋）に接続される。オペアンプ２３６の出力端子は、オペアンプ２３６自身の反転入力端子（−）と、抵抗２２０の両端のうち、最大電圧生成部２１０が接続されていない方とに接続される。このオペアンプ２３６は、インピーダンス変換に用いられる。
【００４６】
上述の構成により、スイッチ２３１、２３２および２３３のいずれかが、その接続点に対応する電圧を直流電圧ＶＤＣｗとしてオペアンプ２４２に供給する。また、抵抗２４１は、出力電流ＩOUTを電圧に変換する。オペアンプ２４２は、抵抗２４１の電圧に直流電圧ＶＤＣｗを加算した電圧を生成し、オペアンプ２３６が、その電圧を階調電圧ＶＧ２２５として抵抗２２０の一端に供給する。
【００４７】
また、抵抗２２０は、最大電圧生成部２１０と最小電圧生成部２３０との間に挿入される。そして、抵抗２２０は、階調数に応じた個数の接続点で水平ドライバ１７０と接続される。例えば、階調が２５６段階である場合には、２５６個の接続点で水平ドライバ１７０と接続される。最大電圧生成部２１０に近い方からｎ（ｎは０乃至２５５の整数）番目の接続点の電圧は、ｎ段回目の階調を示す階調電圧ＶＧｎとして水平ドライバ１７０に供給される。
【００４８】
なお、温度補償部３００を、表示装置１００内のガンマ補正回路２００に設けているが、温度補償が必要な装置であれば、表示装置１００以外の装置に温度補償部３００を設けてもよい。
【００４９】
図６は、第１の実施の形態における階調電圧と階調との関係を示すグラフの一例である。同図における縦軸は、階調電圧ＶＧ０乃至ＶＧ２５５を示す。また、同図における横軸は、階調電圧を印加した際の画素の階調を示す。同図に例示するように、白の階調電圧ＶＧ０が最も低く、黒の階調電圧ＶＧ２５５が最も高い。また、階調電圧ＶＧｎの軌跡は、曲線であり、この非線形の階調電圧印加により、階調の変化に伴って輝度を直線的に変化させることができる。このように、パネルの特性に合わせて階調電圧を非線形に調整する処理は、ガンマ補正処理と呼ばれる。
【００５０】
図７は、第１の実施の形態における水平ドライバ１７０の一構成例を示す回路図である。この水平ドライバ１７０には、列ごとに水平アナログセル１７１が設けられる。水平アナログセル１７１は、ＤＡ変換部１７２、階調電圧生成部１７４を備える。また、ＤＡ変換部１７２は、階調数と同数（例えば、２５６個）のスイッチ１７３を備える。階調電圧生成部１７４は、オペアンプ１７５と、画素内の副画素数に等しい個数（例えば、１２個）のスイッチ１７６とを備える。
【００５１】
ここで、画素データは、副画素のいずれかを示す副画素イネーブルと、階調を示す階調情報とを含む。画素内の副画素が１２個であり、階調が２５６段階である場合には、例えば、４ビットの副画素イネーブルと、８ビットの階調情報とがディスプレイコントローラ１３０により生成される。
【００５２】
ＤＡ変換部１７２は、デジタルの階調情報をアナログの階調電圧に変換するものである。ＤＡ変換部１７２において、ｎ番目のスイッチ１７３は、階調電圧ＶＧｎが供給される電源線と、オペアンプ１７５の非反転入力端子（＋）との間の経路を開閉する。そして、ｎ段回目の階調を示す階調情報が入力されると、ｎ番目のスイッチ１７３のみが閉状態に移行する。これにより、階調電圧ＶＧｎが階調電圧生成部１７４に供給される。
【００５３】
階調電圧生成部１７４は、副画素イネーブルの示す副画素に階調電圧ＶＧｎを供給するものである。オペアンプ１７５は、階調電圧ＶＧｎを増幅してスイッチ１７６のそれぞれに供給する。副画素イネーブルがｍ（ｍは０乃至１１の整数）番目の副画素を示す場合に、ｍ番目のスイッチ１７６は、その副画素に、階調電圧ＶＧｎの画素信号ＯＴｍを供給する。
【００５４】
［有機ＥＬパネルの構成例］
図８は、第１の実施の形態における有機ＥＬパネル１８０の一構成例を示すブロック図である。この有機ＥＬパネル１８０には、二次元格子状に複数の画素回路１８１が配列される。画素回路１８１のそれぞれには、互いに異なる色で発光する所定数（例えば、１２個）の副画素回路１８２が配置される。副画素回路１８２のそれぞれは、垂直方向に配線された垂直信号線と、水平方向に配線された水平信号線と、電源線とに接続される。
【００５５】
垂直信号線のそれぞれは、水平ドライバ１７０に接続され、水平信号線のそれぞれは垂直ドライバ１６０に接続される。また、垂直信号線を介して画素信号ＯＴｍが供給され、水平信号線を介して選択信号ＳＥＬｐ（ｐは整数）が供給される。この選択信号ＳＥＬｐは、ｐ行目を駆動するための信号である。
【００５６】
図９は、第１の実施の形態における副画素回路１８２の一構成例を示す回路図である。副画素回路１８２は、選択トランジスタ１８３、コンデンサ１８４、駆動トランジスタ１８５および発光素子１８６を備える。選択トランジスタ１８３および駆動トランジスタ１８５として、例えば、Ｎ型のＭＯＳトランジスタが用いられる。また、発光素子１８６として、ＯＬＥＤが用いられる。
【００５７】
選択トランジスタ１８３のゲートは水平信号線に接続され、ソースは、垂直信号線に接続され、ドレインはコンデンサ１８４および駆動トランジスタ１８５に接続される。コンデンサ１８４の両端は、駆動トランジスタ１８５のゲートおよびソースに接続される。駆動トランジスタ１８５のソースは、電源線に接続され、ドレインは発光素子１８６に接続される。
【００５８】
上述の構成により、水平信号線にハイレベルの選択信号ＳＥＬｐが供給されると、選択トランジスタ１８３は、画素信号ＯＴｍに応じた電流をコンデンサ１８４に出力する。ここで、画素信号ＯＴｍの電圧（階調電圧ＶＧｎ）が高いほど、選択トランジスタ１８３のゲート−ソース間電圧が低くなり、コンデンサ１８４への電流が小さくなって、その結果、コンデンサ１８４の充電電圧が低くなる。そして、コンデンサ１８４の充電電圧が低いほど、駆動トランジスタ１８５が発光素子１８６に出力する駆動電流（ドレイン電流）が小さくなり、発光素子１８６の輝度が低下する。すなわち、階調電圧ＶＧｎが高いほど、駆動トランジスタ１８５の駆動電圧（ゲート−ソース間電圧）が低くなり、輝度が低下する。一方、階調電圧ＶＧｎが低いほど、輝度は高くなる。
【００５９】
図１０は、第１の実施の形態における一定輝度に対応する駆動電圧と温度との関係の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、電圧を示し、横軸は、温度Ｔを示す。
【００６０】
ここで、ＭＯＳトランジスタのドレイン電流は、次の式により表すことができる。
Ｉｄｓ＝（１／２）×μＣｏｘ×（Ｗ／Ｌ）×（Ｖｇｓ−Ｖｔｈ）２・・・式１
上式においてＩｄｓは、ドレイン電流であり、単位は、例えば、アンペア（Ａ）である。μは、キャリア移動度であり、単位は、例えば、平方センチメートル毎ボルト秒（ｃｍ２／Ｖ・ｓ）である。Ｃｏｘは、単位面積当たりの酸化膜容量であり、単位は、例えば、ファラッド毎平方センチメートル（Ｆ／ｃｍ２）である。Ｗは、ゲート幅であり、単位は、例えば、センチメートル（ｃｍ）である。Ｌはゲート長であり、単位は、例えば、センチメートル（ｃｍ）である。Ｖｇｓは、ゲート−ソース間電圧であり、単位は、例えば、ボルト（Ｖ）である。Ｖｔｈは、閾値電圧であり、単位は、例えば、ボルト（Ｖ）である。
【００６１】
式１の変形により、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓは、次の式により表される。
Ｖｇｓ＝｛２Ｉｄｓ／（μ・Ｃｏｘ・Ｗ／Ｌ）｝０．５＋Ｖth      ・・・式２
【００６２】
そして、式２におけるゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの温度特性は、式２の両辺を温度で微分した次の式により表される。
【数１】
0006785309.tif 000002
上式において、Ｔは、測定温度であり、単位は例えば、度（℃）である。
【００６３】
式３において、右辺の閾値電圧Ｖｔｈは、Ｔ−１に比例するのに対し、右辺のキャリア移動度μはＴ（−１．５）に比例する。図１０における実線は、式３から得られた、一定輝度に対応する駆動電圧（すなわち、Ｖｇｓ）の温度特性を示し、一点鎖線は、閾値電圧Ｖｔｈの特性を示す。同図に例示するように、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓの温度特性は、低温側で閾値電圧Ｖｔｈの温度特性が支配的になり、高温側では閾値電圧Ｖｔｈの項（式３の右辺の第２項）をキャリア移動度μの項（式３の右辺の第１項）が打ち消す形になる。
【００６４】
そして、前述したように、階調電圧ＶＧｎと、選択トランジスタ１８３（ＭＯＳトランジスタ）のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓとは反比例の関係にある。このため、図１０の実線の曲線を上下反転した温度特性の階調電圧ＶＧｎを印加することにより、温度変化に伴う輝度の変動を抑制することができる。
【００６５】
［温度補償部の構成例］
図１１は、第１の実施の形態における温度補償部３００の一構成例を示す回路図である。この温度補償部３００は、バイアス電圧供給回路３１０、温度センサ３２０および温度補償回路３３０を備える。また、温度補償回路３３０は、低温域依存電流生成部３４０、定電流生成部３５０および全温度域依存電流生成部３６０を備える。
【００６６】
バイアス電圧供給回路３１０は、一定のバイアス電圧Ｖｂを生成して定電流生成部３５０に供給するものである。
【００６７】
温度センサ３２０は、温度を測定するものである。この温度センサ３２０は、測定温度が高いほどレベルが高い電圧を測定電圧ＶTEMPとして生成して低温域依存電流生成部３４０および全温度域依存電流生成部３６０に供給する。
【００６８】
定電流生成部３５０は、測定温度に依存しない定電流ＩＡを生成するものである。低温域依存電流生成部３４０は、測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において、測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流ＩＣとして生成するものである。また、全温度域依存電流生成部３６０は、測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流ＩＢとして生成するものである。
【００６９】
ここで、定電流生成部３５０および全温度域依存電流生成部３６０は、電源と接地端子との間において直列に接続される。低温域依存電流生成部３４０は、定電流生成部３５０および全温度域依存電流生成部３６０の接続点と電源との間に挿入される。これらの接続点は、電流電圧変換部２４０に接続される。この接続関係により、接続点から電流電圧変換部２４０へ、次の式で表される出力電流ＩOUTが出力される。
ＩOUT＝ＩＢ−ＩＡ−ＩＣ                                    ・・・式４
【００７０】
また、式４における電流ＩＡ、ＩＢおよびＩＣのそれぞれの値は、レジスタ１４０の設定値により個別に調整することができる。
【００７１】
図１２は、第１の実施の形態における電流と温度との関係の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、電流を示し、横軸は温度を示す。同図におけるａは、定電流ＩＡと温度Ｔとの関係の一例を示すグラフである。同図におけるａに例示するように定電流ＩＡは、温度に依存せず、一定の値である。
【００７２】
図１２におけるｂは、全温度域依存電流ＩＢと温度Ｔとの関係の一例を示すグラフである。同図におけるｂに例示するように、全温度域依存電流ＩＢは、温度Ｔが高いほど、大きな値となる。なお、同図におけるｂの一点鎖線は、定電流ＩＡを示す。定電流ＩＡと全温度域依存電流ＩＢとが一致する温度は、例えば、４０度（℃）である。
【００７３】
図１２におけるｃは、低温域依存電流ＩＣと温度Ｔとの関係の一例を示すグラフである。同図におけるｃに例示するように、低温域依存電流ＩＣは、所定温度（例えば、４０度）よりも低い温度範囲において、測定温度が高いほど小さな値となる。
【００７４】
図１３は、第１の実施の形態における出力電流と温度との関係の一例を示す図である。同図における縦軸は、出力電流ＩOUTを示し、横軸は温度Ｔを示す。式４より、低温域依存電流ＩＣが生成されない４０度（℃）以上の高温域においては、出力電流ＩOUTがＩＢ−ＩＡの値となり、その軌跡は、直線となる。この出力電流ＩOUTは、電流電圧変換部２４０により、次の式で表される階調電圧ＶＧ２５５に変換される。
ＶＧ２５５＝ＶＤＣｗ＋Ｒ（ＩＢ−ＩＡ）                ・・・式５
上式において、Ｒは、抵抗２４１の抵抗値であり、単位は、例えば、オーム（Ω）である。
【００７５】
式５より、定電流ＩＡが全温度域依存電流ＩＢよりも大きい場合、電流電圧変換部２４０へ電流が流入し、階調電圧ＶＧ２５５は、直流電圧ＶＤＣｗより低い値に低下する。また、定電流ＩＡと全温度域依存電流ＩＢとが等しい場合、階調電圧ＶＧ２５５は、直流電圧ＶＤＣｗと等しい値となる。また、定電流ＩＡが全温度域依存電流ＩＢよりも小さい場合、電流電圧変換部２４０から電流が流れ出し、階調電圧ＶＧ２５５は、直流電圧ＶＤＣｗより高い値に上昇する。定電流ＩＡと全温度域依存電流ＩＢとが等しいときの温度（４０度など）を高温域と低温域の境界の温度に設定すれば、その温度を境に温度特性を持つ電流を流入または流出させ、階調電圧ＶＧ２５５に所望の温度特性を持たせることができる。
【００７６】
そして、式５の両辺を温度で微分した次の式により階調電圧ＶＧ２５５の温度特性が表される。
ΔＶＧ２５５／ΔＴ＝Ｒ（ΔＩＢ／ΔＴ）              ・・・式６
【００７７】
一方、低温域依存電流ＩＣが生成される４０度（℃）より低い低温域においては、式４より、出力電流ＩOUTがＩＢ−ＩＡ−Ｉｃの値となり、その軌跡は、曲線となる。この出力電流ＩOUTは、電流電圧変換部２４０により、次の式で表される階調電圧ＶＧ２５５に変換される。
ＶＧ２５５＝ＶＤＣｗ＋Ｒ（ＩＢ−ＩＡ−Ｉｃ）        ・・・式７
上式において、Ｒは、抵抗２４１の抵抗値であり、単位は、例えば、オーム（Ω）である。
【００７８】
そして、式７の両辺を温度で微分した次の式により階調電圧ＶＧ２５５の温度特性が表される。
ΔＶＧ２５５／ΔＴ＝Ｒ｛（ΔＩＢ／ΔＴ）−（ΔＩＣ／Ｔ）｝…式８
【００７９】
式６および式８より、階調電圧ＶＧ２５５の温度特性は、所定温度（４０度など）以上の高温域と、その所定温度未満の低温域とで異なるものとなる。この階調電圧ＶＧ２５５と温度との間の関係を示す曲線は、図１０に例示した駆動電圧の曲線を上下反転したものと形状が略一致するように設定される。これにより、温度変化に伴う駆動電流の変動を補償して、温度変化に関わらず、駆動電流を一定にし、温度変化に伴う輝度の変動を抑制することができる。
【００８０】
なお、レジスタ１４０の設定値によってＩＢやＩＣの値を変化させることにより、式６や式８の右辺の温度傾斜を調整することができる。
【００８１】
図１４は、第１の実施の形態における温度補償の方法を説明するための図である。温度補償回路３３０は、一定の定電流ＩＡと全温度域依存電流ＩＢと低温域依存電流ＩＣとを生成し、式４で表される出力電流ＩOUTを電流電圧変換部２４０に供給する。そして、電流電圧変換部２４０は、出力電流ＩOUTを、式５または式７で表される階調電圧ＶＧ２５５に変換する。
【００８２】
そして、水平ドライバ１７０は、階調電圧ＶＧｎの画素信号ＯＴｍを生成して副画素回路１８２に供給する。副画素回路１８２内の駆動トランジスタ１８５のゲート−ソース間には、階調電圧ＶＧｎに逆比例した駆動電圧が印加される。この駆動電圧は、図１０に例示した温度特性と略一致するため、温度変化に伴う駆動電流の変動が補償される。これにより、温度変化に伴う輝度の変動を抑制することができる。
【００８３】
ここで、低温域依存電流ＩＣを生成せずに、定電流ＩＡおよび全温度域依存電流ＩＢのみを生成する比較例を想定する。図１０に例示したように、所定温度（４０度など）を境に、一定輝度に対応するゲート−ソース間電圧の温度特性が異なるのに対し、比較例の構成では、全温度域で温度特性が変わらない。このため、例えば、低温域において温度補償することができなくなり、温度変化に伴って輝度が変動してしまう。
【００８４】
これに対して、低温域依存電流ＩＣを生成すれば、高温域と低温域とでゲート−ソース間電圧の温度特性を変えることができるため、全温度域において、輝度の変動を抑制することができる。
【００８５】
一般に、有機ＥＬパネルでは、液晶パネルと異なり、パネル自身の低温時の応答速度により、画像の応答速度が律速されることがない。このため、特に有機ＥＬパネルを用いた表示装置に温度補償部３００を設けることにより、画像の応答速度を高速にすることができる。
【００８６】
また、温度ごとの補正値をテーブルに記載しておく方式もあるが、温度補償部３００では、テーブルを保持させるメモリ等は不要であるため、そのような方式と比較して低コストかつ小面積で温度補償を行うことができる。
【００８７】
さらに、温度補償により水平ドライバ１７０内のアンプの動作振幅が広がるため、チップ内の発熱が生じやすくなる。特に、高温域と比較して低温域で回路が発熱するため、その発熱量が外気による冷却量と相殺されて、パネルの温度が安定する。
【００８８】
［バイアス電圧供給回路］
図１５は、第１の実施の形態におけるバイアス電圧供給回路の一構成例を示す回路図である。このバイアス電圧供給回路３１０は、ＢＧＲ回路３１１と、オペアンプ３１２と、Ｐ型トランジスタ３１３および３１６と、Ｎ型トランジスタ３１４と、抵抗３１５とを備える。Ｐ型トランジスタ３１３、Ｎ型トランジスタ３１４およびＰ型トランジスタ３１６として、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。
【００８９】
Ｐ型トランジスタ３１３、Ｎ型トランジスタ３１４および抵抗３１５は、電源と接地端子との間において直列に接続される。また、オペアンプ３１２の非反転入力端子（＋）は、Ｎ型トランジスタ３１４および抵抗３１５の接続点に接続され、オペアンプ３１２の出力端子は、Ｎ型トランジスタ３１４のゲートに接続される。
【００９０】
また、Ｐ型トランジスタ３１３のゲートは、Ｐ型トランジスタ３１３のドレインとＰ型トランジスタ３１６のゲートと定電流生成部３５０とに共通に接続される。Ｐ型トランジスタ３１６のソースは電源に接続される。
【００９１】
ＢＧＲ回路３１１は、温度に依存しない一定の電圧を生成し、オペアンプの反転入力端子（−）に供給するものである。
【００９２】
上述の構成により、温度に依存しない一定のバイアス電圧Ｖｂが生成され、定電流生成部３５０に供給される。
【００９３】
［定電流生成部］
図１６は、第１の実施の形態における定電流生成部３５０の一構成例を示す回路図である。この定電流生成部３５０は、Ｐ型トランジスタ３５１と、複数のＰ型トランジスタ３５２と、複数のスイッチ３５３とを備える。
【００９４】
Ｐ型トランジスタ３５１は、電源と、定電流生成部３５０の出力端子との間に挿入される。スイッチ３５３は、Ｐ型トランジスタ３５２ごとに設けられ、Ｐ型トランジスタ３５２と、そのトランジスタに対応するスイッチ３５３とは、電源と出力端子との間において直列に接続される。
【００９５】
また、Ｐ型トランジスタ３５１と、複数のＰ型トランジスタ３５２とのそれぞれのゲートには、バイアス電圧Ｖｂが印加される。そして、スイッチ３５３のそれぞれは、対応するＰ型トランジスタ３５２と出力端子との間の経路を、レジスタ１４０の設定値に従って開閉する。
【００９６】
上述の構成により、定電流ＩＡが生成される。レジスタ１４０内の設定値は、定電流ＩＡの調整値を含み、その調整値によりカレントミラー比を変更してＩＡの値を調整することができる。
【００９７】
［全温度域依存電流生成部］
図１７は、第１の実施の形態における全温度域依存電流生成部３６０の一構成例を示す回路図である。この全温度域依存電流生成部３６０は、オペアンプ３６１と、Ｐ型トランジスタ３６２および３６５と、Ｎ型トランジスタ３６３と、抵抗３６４とを備える。また、全温度域依存電流生成部３６０は、Ｎ型トランジスタ３６６および３６７と、複数のスイッチ３６８と、複数のＮ型トランジスタ３６９とを備える。Ｐ型トランジスタ３６２、Ｎ型トランジスタ３６３、Ｐ型トランジスタ３６５、Ｎ型トランジスタ３６６、Ｎ型トランジスタ３６７およびＮ型トランジスタ３６９として、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。
【００９８】
Ｐ型トランジスタ３６２、Ｎ型トランジスタ３６３および抵抗３６４は、電源と接地端子との間において直列に接続される。また、オペアンプ３６１の非反転入力端子（＋）は、Ｎ型トランジスタ３６３および抵抗３６４の接続点に接続され、オペアンプ３６１の出力端子は、Ｎ型トランジスタ３６３のゲートに接続される。オペアンプ３６１の反転入力端子（−）には、測定電圧ＶTEMPが入力される。
【００９９】
また、Ｐ型トランジスタ３６２のゲートは、Ｐ型トランジスタ３６２自身のドレインとＰ型トランジスタ３６５のゲートとに共通に接続される。
【０１００】
また、Ｐ型トランジスタ３６５およびＮ型トランジスタ３６６は、電源と接地端子との間において直列に接続される。そして、Ｎ型トランジスタ３６６のゲートは、Ｎ型トランジスタ３６６自身のドレインと、Ｎ型トランジスタ３６７のゲートと、Ｎ型トランジスタ３６９のそれぞれのゲートとに接続される。Ｎ型トランジスタ３６７のドレインは、低温域依存電流生成部３４０との接続点に接続される。
【０１０１】
また、スイッチ３６８は、Ｎ型トランジスタ３６９ごとに設けられる。スイッチ３６８と対応するＮ型トランジスタ３６９とは、Ｎ型トランジスタ３６７のドレインと接地端子との間において直列に接続される。そして、スイッチ３６８は、レジスタ１４０の設定値に従って、Ｎ型トランジスタ３６７のドレインと対応するＮ型トランジスタ３６９との間の経路を開閉する。
【０１０２】
上述の構成により、測定電圧ＶTEMPに応じた電流がＮ型トランジスタ３６３により生成され、その電流が、Ｐ型トランジスタ３６２および３６５と、Ｎ型トランジスタ３６６および３６７により複製されて全温度域依存電流ＩＢとして出力される。レジスタ１４０内の設定値は、全温度域依存電流ＩＢの調整値を含み、その調整値によりカレントミラー比を変更してＩＢの値を調整することができる。
【０１０３】
［低温域依存電流生成部］
図１８は、第１の実施の形態における低温域依存電流生成部３４０の一構成例を示す回路図である。この低温域依存電流生成部３４０は、定電圧源３４１と、オペアンプ３４２および３４３と、Ｐ型トランジスタ３４４および３４７と、Ｎ型トランジスタ３４５と、抵抗３４６とを備える。また、低温域依存電流生成部３４０は、複数のＰ型トランジスタ３４８と、複数のスイッチ３４９とを備える。Ｐ型トランジスタ３４４、Ｎ型トランジスタ３４５、Ｐ型トランジスタ３４７およびＰ型トランジスタ３４８として、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。
【０１０４】
定電圧源３４１は、一定の直流電圧ＶＢENDを生成してオペアンプ３４２の反転入力端子（−）に入力するものである。この直流電圧ＶＢENDは、定電流ＩＡと全温度域依存電流ＩＢとが一致するときの温度（例えば、４０度）において、オペアンプ３４２の出力が反転するような値に設定される。
【０１０５】
また、オペアンプ３４３の反転入力端子（−）には測定電圧ＶTEMPが入力される。そして、オペアンプ３４３の非反転入力端子（＋）は、オペアンプ３４３自身の出力端子と接続される。
【０１０６】
また、Ｐ型トランジスタ３４４、Ｎ型トランジスタ３４５および抵抗３４６は、電源と、オペアンプ３４３の出力端子との間において直列に接続される。オペアンプ３４２の非反転入力端子（＋）は、Ｎ型トランジスタ３４５および抵抗３４６の接続点に接続され、オペアンプ３４２の出力端子は、Ｎ型トランジスタのゲートに接続される。
【０１０７】
Ｐ型トランジスタ３４４のドレインは、Ｐ型トランジスタ３４４および３４７のゲートと、Ｐ型トランジスタ３４８のそれぞれのゲートとに接続される。Ｐ型トランジスタ３４７は、電源と、低温域依存電流生成部３４０の出力端子との間に挿入される。
【０１０８】
また、スイッチ３４９は、Ｐ型トランジスタ３４８ごとに設けられる。Ｐ型トランジスタ３４８と、対応するスイッチ３４９とは、電源と出力端子との間において直列に接続される。スイッチ３４９のそれぞれは、レジスタ１４０の設定値に従って、対応するＰ型トランジスタ３４８と出力端子との間の経路を開閉する。
【０１０９】
上述の構成により、オペアンプ３４３は、測定電圧ＶTEMPに応じた電圧ＶＢを出力する。その電圧ＶＢが、所定温度（４０度など）に対応する値以上（すなわち、高温域）の場合にオペアンプ３４２は、ローレベルを出力し、低温域依存電流ＩＣは出力されない。一方、電圧ＶＢが、所定温度（４０度など）に対応する値より低い（すなわち、低温域）の場合にオペアンプ３４２は、電圧ＶＢに応じたハイレベルを出力し、そのレベルに応じた電流がＮ型トランジスタ３４５で生成される。その電流は、Ｐ型トランジスタ３４４、３４７などで複製され、低温域依存電流ＩＣとして出力される。
【０１１０】
また、レジスタ１４０内の設定値は、低温域依存電流ＩＣの調整値を含み、その調整値によりカレントミラー比を変更してＩＣの値を調整することができる。
【０１１１】
図１９は、第１の実施の形態における設定値ごとの階調電圧と温度との関係の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、階調電圧ＶＧ２５５を示し、横軸は、温度Ｔを示す。また、白丸は、比較的高い輝度で発光させるための設定値１をレジスタ１４０に保持させた場合の階調電圧ＶＧ２５５をプロットしたものである。×印は、比較的低い輝度で発光させるための設定値３をレジスタ１４０に保持させた場合の階調電圧ＶＧ２５５をプロットしたものである。黒丸は、設定値１と設定値３との間の輝度で発光させるための設定値２をレジスタ１４０に保持させた場合の階調電圧ＶＧ２５５をプロットしたものである。
【０１１２】
図１９に例示するように、階調電圧ＶＧ２５５を低くするほど、輝度を高くすることができる。また、階調電圧ＶＧ２５５の軌跡は、直線ではなく、所定温度（４０度など）を境に傾きが変化する。仮に、一点鎖線のように、一定の傾きの階調電圧ＶＧ２５５を供給すると、低温域において、電圧が不足し、階調情報の示す値よりも輝度が低くなってしまう。
【０１１３】
これに対して、表示装置１００では、図１０に例示したように、低温域と高温域とで温度特性の異なる出力電流ＩOUTを階調電圧ＶＧ２５５に変換しているため、温度変化に伴う輝度の変動を抑制することができる。
【０１１４】
図２０は、第１の実施の形態における設定値ごとのカソード電流と温度との関係の一例を示すグラフである。同図における縦軸は、発光素子１８６のカソード電流を示し、横軸は温度Ｔを示す。また、白丸は、比較的高い輝度で発光させるための設定値１をレジスタ１４０に保持させた場合のカソード電流をプロットしたものである。×印は、比較的低い輝度で発光させるための設定値３をレジスタ１４０に保持させた場合のカソード電流をプロットしたものである。黒丸は、設定値１と設定値３との間の輝度で発光させるための設定値２をレジスタ１４０に保持させた場合のカソード電流をプロットしたものである。
【０１１５】
図２０に例示するように、発光素子１８６のカソード電流は、温度に関わらず、一定の値となる。すなわち、温度変化に伴う輝度の変化が抑制されている。これは、図１０に例示したように、発光素子１８６を駆動する駆動トランジスタ１８５の温度特性に合わせた出力電流ＩOUTを生成したためである。
【０１１６】
［表示装置の動作例］
図２１は、第１の実施の形態における表示装置１００の動作の一例を示すフローチャートである。この動作は、例えば、表示装置１００が表示データを受信したときに開始される。
【０１１７】
温度補償部３００は、定電流ＩＡを生成し（ステップＳ９０１）、全温度域依存電流ＩＢを生成する（ステップＳ９０２）。また、温度補償部３００は、低温域依存電流ＩＣも生成して、式４により表される出力電流ＩOUTを生成する（ステップＳ９０３）。そして、電流電圧変換部２４０は、出力電流ＩOUTを階調電圧ＶＧ２５５に変換する（ステップＳ９０４）。その後段の水平ドライバ１７０は、画素データに対応する階調電圧ＶＧｎを選択して、画素回路に供給する（ステップＳ９０５）。
【０１１８】
表示装置１００は、表示が終了したか否かを判断する（ステップＳ９０６）。表示が終了していない場合に（ステップＳ９０６：Ｎｏ）、表示装置１００は、ステップＳ９０５以降を繰り返し実行する。一方、表示が終了した場合に（ステップＳ９０６：Ｙｅｓ）、表示装置１００は、表示のための動作を終了する。
【０１１９】
このように、本技術の第１の実施の形態では、全温度域依存電流ＩＢと低温域依存電流ＩＣとの差を用いて低温域と高温域とで温度特性の異なる電圧を生成するため、低温域と高温域とで異なる温度特性を有するトランジスタに一定電流を出力させることができる。これにより、発光素子１８６を一定の輝度で発光させることができる。
【０１２０】
［変形例］
上述の第１の実施の形態では、温度補償部３００が全温度域依存電流ＩＢおよび低温域依存電流ＩＣとともに定電流ＩＡを生成して、その定電流ＩＡにより出力電流ＩOUTのレベルを調整していた。しかし、全温度域依存電流ＩＢおよび低温域依存電流ＩＣのみで、適切なレベルの出力電流ＩOUTが得られる場合には、定電流ＩＡを生成する必要はない。この第１の実施の形態の変形例の温度補償部３００は、全温度域依存電流ＩＢおよび低温域依存電流ＩＣのみを生成する点において第１の実施の形態と異なる。
【０１２１】
図２２は、第１の実施の形態の変形例における温度補償部３００の一構成例を示す回路図である。この第２の実施の形態の温度補償部３００は、バイアス電圧供給回路３１０および定電流生成部３５０を備えない点において第１の実施の形態と異なる。
【０１２２】
このように、本技術の第１の実施の形態の変形例によれば、全温度域依存電流ＩＢおよび低温域依存電流ＩＣのみから出力電流ＩOUTを生成するため、バイアス電圧供給回路３１０および定電流生成部３５０を設ける必要がなくなる。これにより、第１の実施の形態と比較して回路規模を小さくすることができる。
【０１２３】
＜２．第２の実施の形態＞
上述の第１の実施の形態では、ＢＧＲ回路３１１の外部に温度センサ３２０を設けていたが、ＢＧＲ回路３１１内の抵抗の抵抗値は温度に応じて変化するため、この抵抗を温度センサの代わりに用いることができる。この第２の実施の形態の温度補償部３００は、ＢＧＲ回路内の抵抗により、温度に応じた測定電圧ＶTEMPを生成する点において第１の実施の形態と異なる。
【０１２４】
図２３は、第２の実施の形態における温度補償部３００の一構成例を示す回路図である。この第２の実施の形態の温度補償部３００は、ＢＧＲ回路４１０および温度補償回路４２０を備える。また、温度補償回路４２０は、電圧電流変換部４３０、低温域依存電流生成部４４０および全温度域依存電流生成部４５０を備える。
【０１２５】
ＢＧＲ回路４１０は、一定の参照電圧ＢＧＲOUTと、温度に応じた測定電圧ＶTEMPとを生成して電圧電流変換部４３０に供給するものである。
【０１２６】
電圧電流変換部４３０は、参照電圧ＢＧＲOUTと測定電圧ＶTEMPとの差を一対の電流からなる差動信号に変換するものである。この電圧電流変換部４３０は、差動信号を低温域依存電流生成部４４０および全温度域依存電流生成部４５０に供給する。
【０１２７】
低温域依存電流生成部４４０は、差動信号から低温域依存電流ＩＣを生成するものである。全温度域依存電流生成部４５０は、差動信号から全温度域依存電流ＩＢを生成するものである。これらの差電流が出力電流ＩOUTとして電流電圧変換部２４０に出力される。
【０１２８】
この第２の実施の形態の温度補償部３００では、全温度域依存電流ＩＢと低温域依存電流ＩＣとを個別に調整することはできないが、適切な輝度で発光させるのに支障がないのであれば、第１の実施の形態よりも簡易な上述の回路を用いることができる。
【０１２９】
［ＢＧＲ回路の構成例］
図２４は、第２の実施の形態におけるＢＧＲ回路４１０の一構成例を示す回路図である。このＢＧＲ回路４１０は、Ｐ型トランジスタ４１１と、抵抗４１２、４１３、４１８および４１５と、バイポーラトランジスタ４１４および４１６と、オペアンプ４１７とを備える。Ｐ型トランジスタ４１１として、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。また、バイポーラトランジスタ４１４および４１６として、例えば、ｎｐｎ型が用いられる。
【０１３０】
Ｐ型トランジスタ４１１、抵抗４１２、抵抗４１３、バイポーラトランジスタ４１４、および、抵抗４１８は、電源と接地端子との間において直列に接続される。バイポーラトランジスタ４１４および４１６のそれぞれにおいて、ベースは、コレクタと接続（いわゆる、ダイオード接続）されている。また、抵抗４１２、抵抗４１３およびバイポーラトランジスタ４１４からなる回路と並列に、抵抗４１５およびバイポーラトランジスタ４１６からなる回路が接続される。
【０１３１】
また、オペアンプ４１７の反転入力端子（−）は、抵抗４１２および４１３の接続点に接続され、非反転入力端子（＋）は、抵抗４１５およびバイポーラトランジスタ４１６の接続点に接続される。オペアンプ４１７の出力端子は、Ｐ型トランジスタ４１１のゲートに接続される。
【０１３２】
抵抗４１８の抵抗値は、温度変化に伴って変化する。このため、バイポーラトランジスタ４１４および抵抗４１８の接続点の電圧は、温度変化に伴って変化する。例えば、１度（℃）の温度上昇により、電圧は１．６ミリボルト（ｍＶ）上昇する。この電圧が測定電圧ＶTEMPとして、電圧電流変換部４３０に供給される。
【０１３３】
また、バイポーラトランジスタ４１４および４１６のベース−エミッタ間電圧も温度に依存して変化するが、上述の接続構成により、抵抗４１５およびバイポーラトランジスタ４１６の接続点の電圧は、温度に依存しない一定の電圧となる。この電圧が参照電圧ＢＧＲOUTとして電圧電流変換部４３０に供給される。
【０１３４】
図２５は、第２の実施の形態における電圧電流変換部４３０および全温度域依存電流生成部４５０の一構成例を示す回路図である。この電圧電流変換部４３０は、オペアンプ４３１および４３２と、Ｎ型トランジスタ４３３および４３４と、抵抗４３５、４３６および４３７とを備える。また、全温度域依存電流生成部４５０は、Ｎ型トランジスタ４５１および４５２を備える。Ｎ型トランジスタ４３３、４３４、４５１および４５２として、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。
【０１３５】
Ｎ型トランジスタ４３３および４３４は、電源と接地端子との間において直列に接続される。
【０１３６】
オペアンプ４３１の反転入力端子（−）には、参照電圧ＢＧＲOUTが入力される。オペアンプ４３１の非反転入力端子（＋）は、Ｎ型トランジスタ４３３および４３４の接続点に接続される。また、オペアンプ４３１の反転出力端子は、Ｎ型トランジスタ４３３のゲートと低温域依存電流生成部４４０と全温度域依存電流生成部４５０とに接続される。オペアンプ４３１の非反転出力端子は、Ｎ型トランジスタ４３４のゲートと低温域依存電流生成部４４０と全温度域依存電流生成部４５０とに接続される。
【０１３７】
抵抗４３７、抵抗４３５および抵抗４３６は、Ｎ型トランジスタ４３３および４３４の接続点と接地端子との間において直列に接続される。
【０１３８】
オペアンプ４３２の反転入力端子（−）には、測定電圧ＶTEMPが入力される。オペアンプ４３２の非反転入力端子（＋）は、抵抗４３５および４３６の接続点に接続される。また、オペアンプ４３２の出力端子は、抵抗４３５および４３７の接続点に接続される。
【０１３９】
また、全温度域依存電流生成部４５０において、Ｎ型トランジスタ４５１および４５２は、電源と接地端子との間において直列に接続される。そして、Ｎ型トランジスタ４５１および４５２のゲートには、電圧電流変換部４３０からの差動信号が入力される。また、Ｎ型トランジスタ４５１および４５２の接続点は、電流電圧変換部２４０に接続される。
【０１４０】
上述の構成により、オペアンプ４３１は、測定電圧ＶTEMPに応じた電圧と、参照電圧ＢＧＲOUTとを比較し、それらの差に応じた差動信号を生成する。そしてオペアンプ４３１は、その差動信号を低温域依存電流生成部４４０および全温度域依存電流生成部４５０に出力する。そして、全温度域依存電流生成部４５０は、その差動信号から全温度域依存電流ＩＢを生成して出力する。
【０１４１】
図２６は、第２の実施の形態における低温域依存電流生成部４４０の一構成例を示す回路図である。この低温域依存電流生成部４４０は、Ｎ型トランジスタ４４１、４４２、４４３、４４４、４４５および４４６を備える。これらのトランジスタとして、例えば、ＭＯＳトランジスタが用いられる。
【０１４２】
Ｎ型トランジスタ４４１および４４２は、電源と接地端子との間において直列に接続される。Ｎ型トランジスタ４４３のドレインは、Ｎ型トランジスタ４４１および４４２の接続点に接続され、ソースは接地される。また、Ｎ型トランジスタ４４３のゲートは、Ｎ型トランジスタ４４３自身のドレインとＮ型トランジスタ４４５のゲートとに接続される。
【０１４３】
また、Ｎ型トランジスタ４４４および４４５は、電源と接地端子との間において直列に接続される。Ｎ型トランジスタ４４４のゲートは、Ｎ型トランジスタ４４４自身のドレインとＮ型トランジスタ４４６のゲートとに接続される。また、Ｎ型トランジスタ４４６のソースは電源に接続され、ドレインは、電流電圧変換部２４０に接続される。
【０１４４】
上述の構成により、電圧電流変換部４３０からの差動信号に応じた電流が生成され、その電流が、Ｎ型トランジスタ４４３および４４５により複製される。そして、その複製された電流のうちソース電流成分が、Ｎ型トランジスタ４４４および４４６により取り出されて低温域依存電流ＩＣとして出力される。
【０１４５】
このように、本技術の第２の実施の形態によれば、ＢＧＲ回路４１０が、温度に応じた測定電圧ＶTEMPを生成するため、温度センサ３２０をＢＧＲ回路４１０の外部に設ける必要がなくなる。これにより、温度補償部３００の回路規模を小さくすることができる。
【０１４６】
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
【０１４７】
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
【０１４８】
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、
前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部と、
前記低温域依存電流生成部および前記全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を電圧に変換して階調電圧として供給する電流電圧変換部と、
前記階調電圧に応じた駆動電流を発光素子に供給して発光させる駆動トランジスタと
を具備する表示装置。
（２）一定の定電流を生成して前記接続点へ供給する定電流生成部をさらに具備する
前記（１）記載の表示装置。
（３）前記定電流の調整値を定電流調整値として保持する保持部をさらに具備し、
前記定電流生成部は、前記定電流調整値に従って調整した前記定電流を生成する
前記（２）記載の表示装置。
（４）前記保持部は、前記低温域依存電流の調整値を低温域依存電流調整値としてさらに保持し、
前記低温域依存電流生成部は、前記低温域依存電流調整値に従って調整した前記低温域依存電流を生成する
前記（３）記載の表示装置。
（５）前記保持部は、前記全温度域依存電流の調整値を低温域依存電流調整値としてさらに保持し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記全温度域依存電流調整値に従って調整した前記全温度域依存電流を生成する
前記（３）記載の表示装置。
（６）前記測定温度に応じた測定電圧を供給する温度センサをさらに具備し、
前記低温域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電圧と所定電圧との差に応じた電流を前記低温域依存電流として供給し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記測定電圧に応じた電流を前記全温度域依存電流として供給する
前記（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（７）前記測定温度に応じた測定電圧と一定の参照電圧とを生成するバンドギャップリファレンス回路と、
前記測定電圧に応じた電圧と前記参照電圧との差に応じた差動信号を出力する電圧電流変換部と
をさらに具備し、
前記低温域依存電流生成部は、前記差動信号から前記低温域依存電流を生成し、
前記全温度域依存電流生成部は、前記差動信号から前記全温度域依存電流を生成する
前記（１）から（５）のいずれかに記載の表示装置。
（８）前記駆動トランジスタは、ＭＯＳトランジスタである
前記（１）から（７）のいずれかに記載の表示装置。
（９）測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成部と、
前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成部と
を具備する温度補償回路。
（１０）測定された測定温度が所定温度よりも低い温度範囲において前記測定温度が高いほど小さな値の電流を低温域依存電流として生成する低温域依存電流生成手順と、
前記測定温度が高いほど大きな値の電流を全温度域依存電流として生成する全温度域依存電流生成手順と、
前記低温域依存電流生成部および前記全温度域依存電流生成部の接続点からの電流を電圧に変換して階調電圧として供給する電流電圧変換手順と、
前記階調電圧に応じた駆動電流を発光素子に供給して発光させる駆動手順と
を具備する表示装置の制御方法。
【符号の説明】
【０１４９】
１００  表示装置
１１０  データ入力インターフェース
１１１  クロック制御部
１１２  高速インターフェース
１１３  同期信号生成部
１１４  シリアルパラレル変換部
１２０  タイミングコントローラ
１２１  クロックジェネレータ
１２２  タイミングジェネレータ
１２３  画像処理部
１３０  ディスプレイコントローラ
１３１  垂直ロジック回路
１３２  水平ロジック回路
１４０  レジスタ
１５０  駆動回路
１６０  垂直ドライバ
１７０  水平ドライバ
１７１  水平アナログセル
１７２  ＤＡ変換部
１７３、１７６、２１２、２１３、２１４、２３１、２３２、２３３、３４９、３５３、３６８  スイッチ
１７４  階調電圧生成部
１７５、２１１、２３６、２４２、３１２、３４２、３４３、３６１、４１７、４３１、４３２  オペアンプ
１８０  有機ＥＬパネル
１８１  画素回路
１８２  副画素回路
１８３  選択トランジスタ
１８４  コンデンサ
１８５  駆動トランジスタ
１８６  発光素子
２００  ガンマ補正回路
２１０  最大電圧生成部
２１５、２２０、２３４、２４１、３１５、３４６、３６４、４１２、４１３、４１５、４１８、４３５、４３６、４３７  抵抗
２１６、２３５  定電流源
２３０  最小電圧生成部
２４０  電流電圧変換部
３００  温度補償部
３１０  バイアス電圧供給回路
３１１、４１０  ＢＧＲ回路
３１３、３１６、３４４、３４７、３４８、３５１、３５２、３６２、３６５、４１１  Ｐ型トランジスタ
３１４、３４５、３６３、３６６、３６７、３６９、４３３、４３４、４４１、４４２、４４３、４４４、４４５、４４６、４５１、４５２  Ｎ型トランジスタ
３２０  温度センサ
３３０、４２０  温度補償回路
３４０、４４０  低温域依存電流生成部
３４１  定電圧源
３５０  定電流生成部
３６０、４５０  全温度域依存電流生成部
４１４、４１６  バイポーラトランジスタ
４３０  電圧電流変換部
【図１】
0006785309.tif 000003
【図２】
0006785309.tif 000004
【図３】
0006785309.tif 000005
【図４】
0006785309.tif 000006
【図５】
0006785309.tif 000007
【図６】
0006785309.tif 000008
【図７】
0006785309.tif 000009
【図８】
0006785309.tif 000010
【図９】
0006785309.tif 000011
【図１０】
0006785309.tif 000012
【図１１】
0006785309.tif 000013
【図１２】
0006785309.tif 000014
【図１３】
0006785309.tif 000015
【図１４】
0006785309.tif 000016
【図１５】
0006785309.tif 000017
【図１６】
0006785309.tif 000018
【図１７】
0006785309.tif 000019
【図１８】
0006785309.tif 000020
【図１９】
0006785309.tif 000021
【図２０】
0006785309.tif 000022
【図２１】
0006785309.tif 000023
【図２２】
0006785309.tif 000024
【図２３】
0006785309.tif 000025
【図２４】
0006785309.tif 000026
【図２５】
0006785309.tif 000027
【図２６】
0006785309.tif 000028