(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールディングにより形成されるパッケージ胴体（１００）と、
前記パッケージ胴体（１００）の内側の下部に設けられ、下面はパッケージ胴体（１００）の外部に露出される第１の基板部（２００）と、
前記第１の基板部（２００）の上面に実装される半導体チップ（３００）と、
前記第１の基板部（２００）に取り付けられ、前記パッケージ胴体（１００）の外部に延びるリードフレーム（４００）と、
前記パッケージ胴体（１００）の内側の上部に設けられ、上面が前記パッケージ胴体（１００）の外部に露出される第２の基板部（５００）と、
前記半導体チップ（３００）の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は前記第２の基板部（５００）の底面に貼り合わせられる第１のメタル部（６００）と、
前記第１の基板部（２００）の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は前記第２の基板部（５００）の底面に貼り合わせられる第２のメタル部（７００）とを備え、
前記第１のメタル部（６００）と前記第２のメタル部（７００）との上部は超音波ウェルディング法により前記第２の基板部（５００）に貼り合わせられ、前記半導体チップ（３００）と前記第１の基板部（２００）とに貼り合わせられる前記第１のメタル部（６００）と前記第２のメタル部（７００）との下部は、接着剤により貼り合わせられ、前記第１のメタル部（６００）の前記下部が前記半導体チップ（３００）と接着剤により貼り合わせられる部分には、「Ｖ」字状または「Ｕ」字状の溝がさらに形成されて強固に貼り合わせられ、放熱効果を高めたことを特徴とする両面放熱構造を有する半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第１のメタル部（６００）と前記第２のメタル部（７００）は、柱状のメタルポストにより形成されることを特徴とする両面放熱構造を有する請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第１のメタル部（６００）は、折り曲げられたメタルクリップにより形成され、前記第２のメタル部（７００）は、柱状のメタルポストにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記半導体チップ（３００）は、前記第１の基板部（２００）に複数配備され、それぞれの半導体チップ（３００）ごとに前記第１のメタル部（６００）がそれぞれ貼り合わせられることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
モールディングにより形成されるパッケージ胴体（１００）と、
前記パッケージ胴体（１００）の内側の下部に設けられ、下面は前記パッケージ胴体（１００）の外部に露出される第１の基板部（２００）と、
前記第１の基板部（２００）の上面に実装される下半導体チップ（３１０）と、
前記第１の基板部（２００）に取り付けられ、前記パッケージ胴体の外部に延びるリードフレーム（４００）と、
前記パッケージ胴体（１００）の内側の上部に設けられ、上面が前記パッケージ胴体（１００）の外部に露出される第２の基板部（５００）と、
前記第２の基板部（５００）の底面に実装される上半導体チップ（３２０）と、
前記下半導体チップ（３１０）の上面と前記上半導体チップ（３２０）の底面にそれぞれ一方の側が貼り合わせられ、他方の側は反対側に位置する前記第１及び前記第２の基板部（２００）、（５００）にそれぞれ貼り合わせられる第１のメタル部（６００）と、
前記第１の基板部（２００）の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は前記第２の基板部（５００）の前記底面に貼り合わせられる第２のメタル部（７００）とを備え、
前記第１のメタル部（６００）は、前記下半導体チップ（３１０）と前記上半導体チップ（３２０）にそれぞれ接着剤により貼り合わせられ、反対側に位置する前記第１及び前記第２の基板部（２００）、（５００）には超音波ウェルディング法により貼り合わせられ、前記第２のメタル部（７００）は前記第１の基板部（２００）に接着剤により貼り合わせられ、前記第２の基板部（５００）には超音波ウェルディング法により貼り合わせられ、
前記第１のメタル部（６００）の下部が前記下半導体チップ（３１０）と接着剤により貼り合わせられる部分と、前記第１のメタル部（６００）の上部が前記上半導体チップ（３２０）と接着剤により貼り合わせられる部分には、「Ｖ」字状または「Ｕ」字状の溝がさらに形成されて強固に貼り合わせられ、放熱効果を高めたことを特徴とする両面放熱構造を有する半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、両面放熱構造を有する半導体パッケージに係り、さらに詳しくは、半導体チップから発せられる高熱がパッケージの上下面にそれぞれ露出される基板に速やかに伝導されるようにして、放熱効果に優れた両面放熱構造を有する半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体パッケージは、基板に半導体チップを実装し、クリップまたはボンディングワイヤーで半導体チップとリードフレームとを繋ぎ合わせた構造の単一モジュールにエポキシ成形コンパウンド（ＥＭＣ：Ｅｐｏｘｙ  ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）などの熱硬化性素材によりモールディングしてパッケージ胴体を形成してなる。
【０００３】
この種の半導体パッケージは、胴体の内部に実装された半導体チップから発せられる熱を別途のヒートスラグ（ｈｅａｔ  ｓｌｕｇ）と結合して熱の排出が行われているが、高集積半導体パッケージの場合、発熱量が多いため、ヒートスラグによるスムーズな熱の排出を期待することができないのが現状である。
【０００４】
特に、電気自動車のバッテリーと連結されたコンバーターやインバーターの内部に半導体パッケージが配設されるが、このとき、半導体パッケージの放熱機能はバッテリーの効率と密接に関連している。
【０００５】
以下、放熱効果を高めようとした先行技術について述べる。
【０００６】
大韓民国登録特許第１０−０６４８５０９号（テープ型リードフレームストリップとこれを用いたリード露出型半導体チップパッケージ及び製造方法）には、ボンディングパッドが付き半導体チップと、ワイヤーにより前記ボンディングパッドと連結されるパターンリードと、前記半導体チップと、ワイヤー及びパターンリードを封止するが、前記半導体チップの下部と前記パターンリードの下部を外部に露出させて形成されたパッケージ胴体と、を備える技術が開示されている。
【０００７】
前記先行技術は、半導体チップから発せられる熱が下部にのみ排出される構造であるため、放熱効果があまり得られず、露出されたパターンリードはワイヤーにより連結されるため、熱の放出が容易ではない構造となっている。すなわち、前記ワイヤーは、ボンディングにより取り付けられ、電気的な信号のみを転送するだけであり、ワイヤーを介してパターンに熱が伝わるといった構成ではないため、高い放熱を期待し難い。
【０００８】
大韓民国登録特許第１０−１４６１１９７号（放熱構造のＣＯＦ型半導体チップパッケージ）には、半導体チップとフィルムとの間に塗布された第１の放熱樹脂層及びフィルムの上に塗布されるが、前記半導体チップの側面に接するように塗布され、前記半導体チップの上面は外部に露出されるように塗布された第２の放熱樹脂層を備える技術が開示されている。
【０００９】
前記先行技術は、半導体チップがフィルムの上に置かれてバンプにより電極パターンと接続されるといった構造であるため、半導体チップから発せられる熱が露出された上部にのみ排出されるだけであり、フィルムの貼り付けられた下方への熱の放出が容易ではなく、半導体チップと各構成要素とを保護するパッケージ胴体が存在しないため、リードフレームやワイヤーによる連結が困難であり、振動や衝撃によりダメージを受けやすい構造となっている。
【００１０】
大韓民国登録特許第１０−０４７５３１３号（接着テープを用いた二重チップ半導体パッケージの組立て方法）には、半導体パッケージの組立て工程に用いられる骨格材のチップパドル（ｐａｄｄｌｅ）にダイ接着のための接着層を形成する第１のステップと、前記接着層に第１の半導体チップを取り付ける第２のステップと、前記第１の半導体チップの上に底面にダイ接着のための接着テープが取り付けられた第２の半導体チップを取り付ける第３のステップと、を含む技術が開示されている。
【００１１】
前記先行技術は、第１の半導体チップと第２の半導体チップを液状のエポキシ及び接着テープで取り付ける技術であり、この技術もまた、積層構造からなるため、半導体パッケージの放熱効果が低下し、構造的に半導体チップを効率よく配置することができないという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】大韓民国登録特許第１０−０６４８５０９号公報
【特許文献２】大韓民国登録特許第１０−１４６１１９７号公報
【特許文献３】大韓民国登録特許第１０−０４７５３１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、上述したような問題を解消するために案出されたものであり、パッケージ胴体の上下部にそれぞれ基板の片面を外部に露出させ、下部に置かれた基板に実装された半導体チップの上面と上方の基板の底面を互いに連結して半導体チップから発せられる熱が下部の基板だけではなく、上部の基板にも排出されるようにして、放熱効果を高めた両面放熱構造を有する半導体パッケージを提供するところにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージは、モールディングにより形成されるパッケージ胴体と、前記パッケージ胴体の内側の下部に設けられ、下部面はパッケージ胴体の外部に露出される第１の基板部と、前記第１の基板部の上面に実装される半導体チップと、前記第１の基板部に取り付けられ、パッケージ胴体の外部に延びるリードフレームと、前記パッケージ胴体の内側の上部に設けられ、上面がパッケージ胴体の外部に露出される第２の基板部と、前記半導体チップの上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は第２の基板部の底面に貼り合わせられる第１のメタル部と、前記第１の基板部の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は第２の基板部の底面に貼り合わせられる第２のメタル部と、を備えることを特徴とする
【００１５】
また、本発明は、前記第２の基板部に貼り合わせられる第１のメタル部と第２のメタル部の上部は超音波溶接により貼り合わせられ、半導体チップと第１の基板部に貼り合わせられる第１のメタル部と第２のメタル部の下部は接着剤により貼り合わせられることを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明は、第１のメタル部の下部が半導体チップと接着剤により貼り合わせられる部分には「Ｖ」字状または「Ｕ」字状の溝がさらに形成されて強固に貼り合わせられ、放熱効果を高め、前記溝は、マークツールまたはモールドを用いたデントの形成またはプレス過程で別途の工程により形成されず、前記第１のメタル部と第２のメタル部の超音波溶接工程に伴われて形成されることを特徴とする。
【００１７】
さらにまた、本発明は、前記パッケージ胴体のモールディング部の最上面及び最下面のラインは、第１の基板部及び第２の基板部の露出面のラインよりも高いかまたは低い段差を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、パッケージ胴体の上下部にそれぞれ第１の基板部と第２の基板部の片面が露出されて熱の排出が行われやすい構造となっており、第１の基板部に実装された半導体チップを第２の基板部にメタル部で連結して、半導体チップから発せられた熱が第１の基板部だけではなく、メタル部に沿って上部の第２の基板部に排出されて優れた放熱効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージの第１の実施形態を示す断面図。
【図２】本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージの第２の実施形態を示す断面図。
【図３】本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージの第３の実施形態を示す断面図。
【図４】本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージの第４の実施形態を示す断面図。
【図５】超音波溶接による取付けと接着による取付けの取付け層が異なることを概念的に示す断面図。
【図６】本発明の実施形態に従いメタル部を基板に超音波溶接した場合、メタル部の反対側にエンボスが形成された貼り合わせ層を示す図。
【図７】図６の貼り合わせ層を拡大した図。
【図８】本発明の実施形態に従いパッケージ胴体のモールディングの最上面及び最下面のラインが第１の基板部及び第２の基板部の露出面のラインよりも高い（図８ａ）かまたは低い（図８ｂ）段差を有することを示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好適な実施形態について詳しく説明する。また、本発明を説明するに当たって、関連する公知の技術若しくは構成についての具体的な説明が本発明の要旨を曖昧にする虞があると認められる場合、その詳細な説明を省略する。
【００２１】
本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージは、モールディングにより形成されるパッケージ胴体１００と、前記パッケージ胴体１００の内側の下部に設けられ、下面はパッケージ胴体１００の外部に露出される第１の基板部２００と、前記第１の基板部２００の上面に実装される半導体チップ３００と、前記第１の基板部２００に取り付けられ、パッケージ胴体１００の外部に延びるリードフレーム４００と、前記パッケージ胴体１００の内側の上部に設けられ、上面がパッケージ胴体１００の外部に露出される第２の基板部５００と、前記半導体チップ３００の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は第２の基板部５００の底面に貼り合わせられる第１のメタル部６００と、前記第１の基板部２００の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は第２の基板部５００の底面に貼り合わせられる第２のメタル部７００と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明における基板部２００、５００とは、金属材質の単一層のチップだけではなく、単一層を間に挟んで上部及び下部に絶縁層を付加した３層構造のチップを網羅する意味である。
【００２３】
本発明は、上下部にそれぞれ第１の基板部２００と第２の基板部５００の片面がパッケージ胴体１００の外側に露出される構造となっていて、露出された面に熱が排出され易くし、半導体チップ３００は第１の基板部２００の上面に実装されて半導体チップ３００から発せられる熱が下部に位置する第１の基板部２００に排出されながら、第１のメタル部６００が半導体チップ３００の上面と第２の基板部５００の底面を連結して、半導体チップ３００から発せられる熱が第２の基板部５００にも直ちに伝わって上部に位置する第２の基板部５００に熱を排出できるようになる。なお、第２のメタル部７００が第１の基板部２００の上面と第２の基板部５００の底面を連結して、第１の基板部２００の熱を第２の基板部５００に送って両面熱排出構造を有することになる。
【００２４】
本発明の第１の基板部２００及び第２の基板部５００としては、セラミック（Ａｌ２Ｏ３）や窒化アルミニウム基板（ＡＩＮ：Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｎｉｔｒｉｄｅ  Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）材質などからなるものが使用可能であり、それぞれ内側には、メタルパターン２１０、５１０が形成されている。前記メタルパターン２１０、５１０は金属材質により印刷され、このようなメタルパターン２１０、５１０は、データライン、電源供給ラインと半導体チップ３００が実装されるパッドを備える。さらに、パッケージ胴体に露出される第１の基板部２００と第２の基板部５００の外側には、熱伝導性の高い金属層２２０、５２０が構成されて片面が外部に露出されるのである。なお、前記第１の基板部２００と第２の基板部５００の構成は、このように３つの層から構成されてもよいが、半導体パッケージの種類に応じて、一つの金属層から構成された基板の形態として適用可能であるということはいうまでもない。
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施形態を示すものであり、第１のメタル部６００と第２のメタル部７００は垂直の柱状のメタルポストによりそれぞれ形成される。このように、柱状のメタルポストから構成される場合、構造的に安定した形態となり、メタルポストがパッケージ胴体１００内において多くの空間を占めないながらも、効率よい熱の伝導が行われるのである。
【００２６】
本発明の第１のメタル部６００と第２のメタル部７００は、貼り合わせ個所に応じて異なる方法により貼り合わせられてもよい。すなわち、第２の基板部５００に貼り合わせられる第１のメタル部６００と第２のメタル部７００の上部は超音波ウェルディング（超音波溶着）により貼り合わせられ、半導体チップ３００と第１の基板部２００に貼り合わせられる第１のメタル部６００と第２のメタル部７００の下部は接着剤により貼り合わせられる。
【００２７】
前記超音波ウェルディング（ＵＬＴＲＡＳＯＮＩＣ  ＷＥＬＤＩＮＧ）方式は、別途の超音波ウェルディング貼り合わせ装置（図示せず）を介して貼り合わせが行われるものであり、貼り合わせようとする素材面に静荷重を加えながら超音波振動により振動摩擦熱を生じさせて圧接する方式である。このように、超音波ウェルディング方式で貼り合わせることにより、 貼り合わせ品質が向上し、環境汚染物質の発生を防ぐことができ、自動制御により生産性を高めることができるという効果がある。なお、本発明は、一般的に用いられる伝導性半田またはエポキシ半田による貼り合わせ方式を採用している。
【００２８】
このように、第１のメタル部６００と第２のメタル部７００が上部に位置する第２の基板部５００には超音波ウェルディングにより貼り合わせられ、下部に位置する半導体チップ３００と第１の基板部２００には半田などの接着剤により貼り合わせられる場合、作業工程における生産性を高め、半導体パッケージの完成度を高めることができるという効果がある。
【００２９】
さらに、第１のメタル部６００の下部、すなわち、半導体チップ３００と接着剤により貼り合わせられる部分には「Ｖ」字状または「Ｕ」字状の溝をさらに形成して、より強固に貼り合わせられるようにし、溝により表面積が増えることにより、放熱効果をさらに高めることがよい。
【００３０】
前記溝は、マークツールまたはモールドを用いたデント形成またはプレス過程で別途の工程により形成されず、第１のメタル部６００と第２のメタル部７００の超音波ウェルディング工程中にその振動で自然に形成されることが好ましい。このときの作業条件は、超音波周波数１５〜４５ｋｈｚ、ウェルディング作業０．０５〜２秒、超音波ウェルディングのための圧力は、空圧で押す場合は、０．０５〜０．７Ｍｐａ、モーターの駆動で押す場合は、１Ｋｇｆ〜１５０Ｋｇｆの範囲である。
【００３１】
本発明の実施形態において、第１のメタル部６００を代表として、超音波ウェルディング工程のメリットを図５から図７を参照してより具体的に説明すれば、次の通りである。
【００３２】
図５から明らかなように、超音波ウェルディングと本発明による貼り合わせは、「一体化」または「取り付け」という点では同様であるが、第１のメタル部６００を接着剤で下基板である第１の基板部２００に取り付けた場合の貼り合わせ層２０は、超音波ウェルディングで上基板である第２の基板部５００に融着した場合の貼り合わせ層５０と比較して少なくとも数倍ほど厚く、超音波ウェルディングの場合、細い境界線が形成されるほどの厚さを示す。
【００３３】
放熱の側面からみると、放熱の必要性が高い部分、特に、熱を最も多く発する半導体チップが実装される下基板には、厚手の接着層が存在して放熱を助けるようにメタル部を接着剤で取り付けることが合理的であり得る。しかしながら、 メタル部が主熱源と距離のある金属である上基板に取り付けられる部分は、放熱効果も重要であるが、緻密で且つ安定した金属間組織結合を通じた部材の一体化と自動化した超音波溶接工程を通じた生産性の効率の観点からみて、超音波ウェルディングの方がさらに有利である場合がある。
【００３４】
さらに、発明者等は、図６に示すように、第１のメタル部６００を第２の基板部５００に超音波溶接すれば、高周波振動によりその反対側、すなわち、第１のメタル部６００が第１の基板部２００と対面する層には、円形またはＶ、Ｕ字状のエンボス２０ａが形成されることを見出した。図６においては、図示の便宜上、第１の基板部２００を除去した。したがって、メタル部の下部を半導体チップと接着剤により貼り合わせると、エンボス部分、すなわち、「Ｖ」字状または「Ｕ」字状の溝に接着剤がさらに充填されるので、メタル部と半導体チップとを強固に結合することができ、貼り合わせ層２０の厚さと表面積の増加により優れた放熱効果を期待することができる。
【００３５】
図７から、第１のメタル部６００と半導体チップとの間に接着剤が充填される場合、エンボス２０ａに接着剤が溶融されて流れ込むので、強固な結合と放熱効果の改善を期待することができるということを見出した。
【００３６】
再び、図２は、本発明の第２の実施形態を示すものであり、第１のメタル部６００は、折り曲げられたメタルクリップから形成され、第２のメタル部７００は、柱状のメタルポストから構成して、第１のメタル部と第２のメタル部とが互いに異なる形状を呈してもよい。このように、第１のメタル部６００が折り曲げられた形状のメタルクリップから構成されえる場合、第１の実施形態よりも接触面積が広いので、熱の伝導が速やかに行われ、放熱効果にさらに優れているという特徴がある。
【００３７】
本発明の半導体チップ３００は、第１の基板部２００のメタルパターン２１０の上部に実装される。このとき、半導体チップ３００は、半田などの接着剤により貼り合わせられ、図１及び図２に示すように、一つの半導体チップ３００から構成されてもよいが、図３に示す第３の実施形態のように、半導体チップ３００は、第１の基板部２００に複数配備され、第１のメタル部６００もまた、半導体チップ３００の数に対応するように設けられて、それぞれの半導体チップ３００ごとに第１のメタル部６００がそれぞれ貼り合わせられる形状を呈してもよい。
【００３８】
図４は、本発明の第４の実施形態を示すものであり、モールディングにより形成されるパッケージ胴体１００と、前記パッケージ胴体１００の内側の下部に設けられ、下面はパッケージ胴体１００の外部に露出される第１の基板部２００と、前記第１の基板部２００の上面に実装される下半導体チップ３１０と、前記第１の基板部２００に取り付けられ、パッケージ胴体の外部に延びるリードフレーム４００と、前記パッケージ胴体１００の内側の上部に設けられ、上面がパッケージ胴体１００の外部に露出される第２の基板部５００と、前記第２の基板部５００の底面に実装される上半導体チップ３２０と、前記下半導体チップ３１０の上面と上半導体チップ３２０の底面にそれぞれ一方の側が貼り合わせられ、他方の側は反対側に位置する第１及び第２の基板部２００、５００にそれぞれ貼り合わせられる第１のメタル部６００と、前記第１の基板部２００の上面に一方の側が貼り合わせられ、他方の側は第２の基板部５００の底面に貼り合わせられる第２のメタル部７００と、を備えることを特徴とする。
【００３９】
本発明の第４の実施形態は、第１の基板部２００と第２の基板部５００に下半導体チップ３１０と上半導体チップ３２０がそれぞれ実装される形態である。前記第４の実施形態の貼り合わせ構造によれば、第１のメタル部６００は、下半導体チップ３１０と上半導体チップ３２０にそれぞれ接着剤により貼り合わせられ、反対側に位置する第１及び第２の基板部２００、５００には超音波ウェルディングにより貼り合わせられ、第２のメタル部７００は第１の基板部２００に接着剤により貼り合わせられ、第２の基板部５００には超音波ウェルディングにより貼り合わせられる。このような貼り合わせ構造は、第１及び第２、第３の実施形態と僅かな相違点はあるが、半導体チップに貼り合わせられる第１のメタル部６００は半田などの接着剤により貼り合わせられるという技術思想は同様であるといえる。
【００４０】
次いで、本発明の第５の実施形態は、図８に示すように、パッケージ胴体１のモールディングのラインが第１の基板部２００及び第２の基板部５００の露出面、すなわち、それぞれの金属層２２０、５２０よりも高いか（図８ａ）または低い（図８ｄ）段差ｄを有するように設計されている。段差ｄの大きさは、５〜１００μｍであることが好ましい。
【００４１】
このように、段差ｄを与えると、半導体パッケージを後続工程において、図示しない被装着部材に装着する場合、被装着部材に配備されたヒートシンク（ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）に伝熱効率の高いグリース（Ｇｒｅｅｃｅ）または熱テープ（ｔｈｅｒｍａｌ  ｔａｐｅ）を塗布する場合、その塗布層の厚さを均一に保つことができ、半導体パッケージから熱を速やかに且つ効率よく放出することができる。
【００４２】
以上、本発明について前記実施形態に基づいて説明したが、本発明の技術思想の範囲内において種々の変形実施が可能であるということはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の両面放熱構造を有する半導体パッケージは、電子デバイスに適用されて量産可能であるので、産業上の利用可能性がある。
【図１】
0006655221.tif 000002
【図２】
0006655221.tif 000003
【図３】
0006655221.tif 000004
【図４】
0006655221.tif 000005
【図５】
0006655221.tif 000006
【図６】
0006655221.tif 000007
【図７】
0006655221.tif 000008
【図８】
0006655221.tif 000009