(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上の第１の配線と、
前記絶縁表面上に位置し、前記第１の配線の側面を覆う側壁と、
前記第１の配線と前記側壁の上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置し、前記第１の配線と交差する第２の配線を有する表示装置であり、
前記第１の配線と前記第２の配線の交差部は前記表示装置の表示領域内に位置し、
前記表示装置は屈曲部を有し、前記第１の配線は前記屈曲部で屈曲し、
前記屈曲部は前記交差部を含み、
前記絶縁表面に対する前記側壁の表面の角度は、前記絶縁表面に対する前記第１の配線の前記側面の角度よりも小さい表示装置。
【請求項２】
絶縁表面上の第１の配線と、
前記絶縁表面上に位置し、前記第１の配線の側面を覆う側壁と、
前記第１の配線と前記側壁の上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置し、前記第１の配線と交差する第２の配線を有する表示装置であり、
前記第１の配線と前記第２の配線の交差部は前記表示装置の表示領域外に位置し、
前記表示装置は屈曲部を有し、前記第１の配線は前記屈曲部で屈曲し、
前記屈曲部は前記交差部を含み、
前記絶縁表面に対する前記側壁の表面の角度は、前記絶縁表面に対する前記第１の配線の前記側面の角度よりも小さい表示装置。
【請求項３】
前記絶縁表面に対する前記側壁の表面の角度は前記第１の配線からの距離が減少するにしたがって増大する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２の配線は前記第１の配線に対して実質的に垂直に交差する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項５】
絶縁表面上のゲート線と、前記絶縁表面上に位置し、前記ゲート線の側面を覆う側壁と、絶縁膜を介して前記ゲート線と前記側壁の上を横断する信号線とを有する画素を有する表示装置であり、
前記表示装置は屈曲部を有し、前記屈曲部で前記ゲート線が屈曲し、
前記屈曲部は前記ゲート線と前記信号線の交差部を含み、
前記絶縁表面に対する前記側壁の表面の角度は、前記絶縁表面に対する前記ゲート線の前記側面の角度よりも小さい表示装置。
【請求項６】
前記絶縁表面に対する前記側壁の表面の角度は前記ゲート線からの距離が減少するにしたがって増大する、請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
絶縁表面上に表示領域と、前記表示領域に電気的に接続された駆動回路を有する表示装置であり、
前記表示領域は、
ゲート線と、
前記ゲート線の側面を覆う第１の側壁と、
絶縁膜を介して前記ゲート線と前記第１の側壁の上を横断する信号線と、
前記ゲート線と前記信号線に電気的に接続された発光素子を有し、
前記駆動回路は、
ゲートと、ソースと、ドレインを有するトランジスタと、
前記ゲートに電気的に接続された第１の配線と、
前記ゲート上の前記絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置し、前記ソースと前記ドレインのいずれか一方に電気的に接続され、前記第１の配線に対して実質的に垂直に交差するように配置された第２の配線を有し、
前記表示装置は屈曲部を有し、前記ゲート線は前記屈曲部で屈曲し、
前記屈曲部は前記ゲート線と前記信号線の交差部を含み、
前記絶縁表面に対する前記第１の側壁の表面の角度は、前記絶縁膜に対する前記ゲート線の前記側面の角度よりも小さい表示装置。
【請求項８】
前記絶縁表面に対する前記第１の側壁の表面の角度は前記ゲート線からの距離が減少するにしたがって増大する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記屈曲部は前記表示領域と前記駆動回路との間の領域を含む、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置はさらに参照電源線を有し、
前記屈曲部は前記ゲート線と前記参照電源線との交差部を含む、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記駆動回路は、前記第１の配線の側面を覆う第２の側壁をさらに有し、
前記絶縁表面に対する前記第２の側壁の表面の角度は、前記絶縁表面に対する前記第１の配線の前記側面の角度よりも小さい、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記絶縁表面に対する前記第２の側壁の前記表面の角度は、前記第１の配線からの距離が減少するにしたがって増大する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記屈曲部は前記第１の配線と前記第２の配線との交差部を含む、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜はケイ素を含有する無機化合物を有する、請求項１、２、または７に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記側壁は有機化合物を含有する、請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１の側壁は有機化合物を含有する、請求項７に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２の側壁は有機化合物を含有する、請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記表示装置は可撓性を有する、請求項１、５、または７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置、ならびに表示装置の作製方法に関する。例えば、可撓性のＥＬ表示装置、ならびにその作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表例として、液晶素子や発光素子を各画素に有する液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などが挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に液晶素子あるいは有機発光素子（以下、発光素子）などの表示素子を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極間に液晶あるいは有機化合物を含む層（以下、有機層）をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
【０００３】
発光素子は全固体の表示素子として形成されるため、基板に可撓性を付与して折り曲げたり湾曲させても、液晶素子の場合と異なり基板間のギャップ変化が影響しないため、原則的に表示品質に影響を与えない。この特性を利用し、可撓性の基板上に発光素子が作製された、いわゆるフレキシブルディスプレイ（シートディスプレイ）が作製されている。例えば特許文献１では、折り曲げ可能な可撓性有機ＥＬ表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１５８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高い信頼性を有する表示装置、例えば可撓性の有機ＥＬ表示装置、ならびにその作製方法を提供することを目的の一つとする。あるいは、変形した際に配線が破損して表示不良が発生することが抑制された、可撓性の有機ＥＬ表示装置、ならびにその作製方法を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態は、絶縁表面上の第１の配線と、絶縁表面上に位置し、第１の配線の側面を覆う側壁と、第１の配線と側壁の上の絶縁膜と、絶縁膜上に位置し、第１の配線と交差する第２の配線を有し、絶縁表面に対する側壁の表面の角度は、絶縁表面に対する第１の配線の側面の角度よりも小さい表示装置である。
【０００７】
本発明の一実施形態は、絶縁表面上のゲート線と、絶縁表面上に位置し、ゲート線の側面を覆う側壁と、絶縁膜を介してゲート線と側壁の上を横断する信号線を有する画素を有し、絶縁表面に対する側壁の表面の角度は、絶縁表面に対するゲート線の側面の角度よりも小さい表示装置である。
【０００８】
本発明の一実施形態は、絶縁表面上に表示領域と、表示領域に電気的に接続された駆動回路を有する表示装置である。表示領域は、ゲート線と、ゲート線の側面を覆う第１の側壁と、絶縁膜を介してゲート線と第１の側壁の上を横断する信号線と、ゲート線と信号線に電気的に接続された発光素子を有する。駆動回路は、ゲートと、ソースと、ドレインを有するトランジスタと、ゲートに電気的に接続された第１の配線と、ゲート上の絶縁膜と、絶縁膜上に位置し、ソースとドレインのいずれか一方に電気的に接続され、第１の配線に対して実質的に垂直に交差するように配置された第２の配線を有する。絶縁表面に対する第１の側壁の表面の角度は、絶縁膜に対するゲート線の側面の角度よりも小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】一実施形態に係る表示装置の上面模式図。
【図２】一実施形態に係る表示装置の画素の回路図。
【図３】一実施形態に係る表示装置の上面模式図。
【図４】一実施形態に係る表示装置の断面模式図。
【図５】一実施形態に係る表示装置の断面模式図。
【図６】一実施形態に係る表示装置の上面模式図、および配線の模式図。
【図７】一実施形態に係る表示装置の上面模式図。
【図８】一実施形態に係る表示装置の画素の回路図。
【図９】一実施形態に係る表示装置の上面模式図。
【図１０】一実施形態に係る表示装置の断面模式図。
【図１１】一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。
【図１２】一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。
【図１３】一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。
【図１４】一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００１１】
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１２】
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
【００１３】
また、本発明において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
【００１４】
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置を図１乃至図７を用いて説明する。
【００１５】
本実施形態に係る表示装置１００の上面図を図１に示す。表示装置１００は、複数の画素１３０を備えた表示領域１２０、およびゲート側駆動回路（以下、駆動回路）１４０を基材１１０の一方の面（上面）に有している。画素１３０はｍ行ｎ列のマトリクス状に配置されている。表示領域１２０から配線１５０が基材１１０の側面に向かって延びており、配線１５０は基材の端部で露出され、露出部はフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタ（図示せず）と接続される端子１７０として機能する。本実施形態では駆動回路１４０は表示領域１２０を挟むように二つ設けられているが、駆動回路１４０は一つでもよい。また、駆動回路１４０は基材１１０上に設けず、異なる基板上に設けられた駆動回路を例えばコネクタ上に形成してもよい。
【００１６】
配線１５０を介して表示領域１２０はＩＣチップ１６０と電気的に接続されている。外部回路から供給された映像信号が駆動回路１４０、ＩＣチップ１６０を介して画素１３０に与えられて画素１３０の発光が制御され、映像が表示領域１２０上に再現される。基材１１０に可撓性を有するフィルムなどを用いることで、表示装置１００全体に可撓性を付与することができる。可撓性の基材１１０はベースフィルムとも呼ばれる。なお図示していないが、表示装置１００はＩＣチップ１６０の替わりに例えばソース側駆動回路を表示領域１２０の周辺に有していてもよい。
【００１７】
画素１３０の各々には発光素子が備えられている。各画素１３０に例えば赤色、緑色、あるいは青色で発光する発光素子を設けることでフルカラー表示を行うことができる。あるいは、全画素１３０で白色発光素子を用い、カラーフィルタを用いて画素１３０ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。最終的に取り出される色は赤色、緑色、青色の組み合わせには限られず、例えば、赤色、緑色、青色、白色の４種類の色を画素１３０から取り出すこともできる。画素１３０の配列にも制限はなく、ストライプ配列、ペンタイル配列、モザイク配列などを採用することができる。
【００１８】
図２に画素１３０を含む表示領域１２０、および駆動回路１４０の一部の模式図を示す。図２に示すように、ゲート線２００、信号線２１０、電源線２２０、電流供給線２３０などの配線が基材１１０上に設けられている。ゲート線２００は信号線２１０、電源線２２０、電流供給線２３０などと交差している。隣接する二つのゲート線２００、信号線２１０、および電流供給線２３０で定義される領域が一つの画素１３０である。なお、これらの配線の一部は隣接する二つあるいはそれ以上の画素と共有されていてもよい。例えば電流供給線２３０は画素１３０とそれに隣接する画素の両方で共有されていてもよい。
【００１９】
図２に示した画素１３０は二つのトランジスタ２４０、２６０、容量２５０、および発光素子２７０を有している。トランジスタ２４０のゲート、ドレイン、ソースはそれぞれゲート線２００、信号線２１０、トランジスタ２６０のゲートと電気的に接続される。容量２５０の両電極はトランジスタ２４０のドレインとトランジスタ２６０のソースにそれぞれ電気的に接続される。トランジスタ２６０のソースとドレインはそれぞれ電流供給線２３０と発光素子と電気的に接続される。発光素子はさらに電源線２２０と接続される。なお、トランジスタのソースやドレインは、電流の向きやトランジスタの極性によって互いに入れ替わることがあるため、これらは第１の端子、あるいは第２の端子と呼ぶことも可能である。したがって、請求項においてソースやドレインを第１の端子、第２の端子と記述することがある。本実施形態の画素１３０は図２に示した構成に限られず、例えば複数の容量を有していてもよく、あるいは三つ以上のトランジスタを有してもよい。この場合、必要に応じて参照電源線などの配線を形成してもよい。また、画素に含まれるトランジスタはＰチャネル型トランジスタでもＮチャネル型トランジスタでもよい。
【００２０】
駆動回路１４０はマトリクスの各行に対応するシフトレジスタ２８０を有しており、各シフトレジスタ２８０に対応する行に配置された画素１３０のゲート線２００と電気的に接続されている。図示しないが、シフトレジスタ２８０は複数のトランジスタ（第２のトランジスタ）を含むことができる。電源線２２０はシフトレジスタ２８０と重なるように設けてもよく、図２に示すようにシフトレジスタ２８０を含む駆動回路１４０と表示領域１２０の間に設けてもよい。
【００２１】
隣接する二つの画素１３０の上面図を図３に示す。なお、理解を促進するため、左側の画素１３０では発光素子２７０の一方の電極（第１の電極２７２）の一部が除かれている。トランジスタ２４０は半導体膜２４２を有しており、信号線２１０の一部（図中、右に突き出た部分）がトランジスタ２４０のソース２４６として機能し、ゲート線２００が半導体膜２４２と重なる領域がトランジスタ２４０のゲートとして機能する。容量２５０の一方の電極（第１の容量電極）２５２がトランジスタ２４０のドレイン２４８と電気的に接続されている。第１の容量電極２５２の一部はトランジスタ２６０のゲート２６６として機能する。トランジスタ２６０の半導体膜２６２の一部は容量の他方の電極（第２の容量電極）２５６として機能し、一部はトランジスタ２６０のチャネルを形成する。電流供給線２３０の一部（図中、左に突き出た部分）がトランジスタ２６０のソース２６８として機能し、トランジスタ２６０を介して発光素子２７０の第１の電極２７２に電流が供給される。ここでは、各構成要素の関係が図中で明確にわかるように、第１の電極２７２は、信号線２１０、ゲート線２００、電流供給線２３０、及びトランジスタ２４２等と重ならないように表現しているが、第１の電極２７２の面積を拡大して、重なるように形成されていても良い。
【００２２】
図３における直線Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄ、およびＥ−Ｆに沿った断面の模式図を図４に示す。図４に示すように、表示装置１００は基材１１０上に下地膜１１２を有している。図４では下地膜１１２は三層の構造を有しているが、二層、あるいは単層の構造を有する下地膜１１２を用いてもよい。
【００２３】
断面Ａ−Ｂで示すように、ゲート線２００は、トランジスタ２４０、２６０に含まれるゲート絶縁膜２４４が形成する絶縁表面上に設けられている。ゲート線２００の上にはトランジスタ２４０、２６０を保護する機能を有する保護膜１１４が設けられており、その上に信号線２１０が設けられている。すなわち、絶縁膜である保護膜１１４を介して信号線２１０がゲート線２００の上に、ゲート線２００を横断するように設けられている。図４では保護膜１１４は二層の構造を有しているが、三層以上、あるいは単層の構造を有する保護膜１１４を用いてもよい。
【００２４】
断面Ｃ−Ｄに示すように、トランジスタ２４０は半導体膜２４２を下地膜１１２の上に有しており、さらにゲート絶縁膜２４４を介してゲートとして機能するゲート線２００を有している。ゲート線２００の上には保護膜１１４が設けられている。そして保護膜１１４の上にはソース２４６とドレイン２４８が設けられており、これらは保護膜１１４とゲート絶縁膜２４４を貫く開口において半導体膜２４２と電気的に接続される。なお本実施形態では、トランジスタ２４０、２６０はトップゲート型のトランジスタとして描かれているが、これらはボトムゲート型のトランジスタでもよく、ゲートを複数有する、所謂マルチゲート構造を有していてもよい。
【００２５】
断面Ｅ−Ｆを参照すると、トランジスタ２６０の半導体膜２６２、ゲート絶縁膜２４４、ゲート２６６が下地膜１１２の上に順に設けられている。ゲート２６６の上には保護膜１１４とドレイン２６４が設けられており、ドレイン２６４は保護膜１１４とゲート絶縁膜２４４に設けられた開口部において半導体膜２６２と電気的に接続されている。
【００２６】
これらの構造上に、トランジスタ２４０、２６０などに起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与えるために層間絶縁膜１１６が設けられている。層間絶縁膜１１６上に発光素子２７０の第１の電極２７２が設けられており、第１の電極２７２は層間絶縁膜１１６に設けられた開口部でトランジスタ２６０と電気的に接続されている。
【００２７】
第１の電極２７２の端部、およびトランジスタ２６０と第１の電極２７２が接続される開口部を覆うように隔壁２７３が設けられている。隔壁２７３は第１の電極２７２を露出するように開口部を有しており、この開口部において第１の電極と接するように、かつ隔壁２７３上に有機層２７４が設けられている。有機層２７４上には発光素子２７０の第２の電極２７８が設けられている。第１の電極２７２、有機層２７４、第２の電極２７８によって発光素子２７０が形成され、第１の電極２７２と第２の電極２７８から注入されたキャリアが有機層２７４において再結合し、発光が得られる。したがって、有機層２７４が第１の電極２７２と直接接している領域が発光素子２７０の発光領域である。
【００２８】
図４に示された構造では、有機層２７４では第１の層２７５、第２の層２７６、第３の層２７７の３層が積層されているが、有機層２７４の構造はこれに限られず、四つ以上の層が積層されていてもよい。例えば電荷注入層、電荷輸送層、電荷阻止層、発光層などを適宜組み合わせて有機層２７４を構成することができる。図４では、キャリア輸送層として第１の層２７５と第３の層２７７が複数の画素１３０に渡って形成されており、発光層としての第２の層２７６が画素毎に独立して設けられている。したがって、第２の層２７６の構成を隣接する画素間で異なるように表示装置１００を構成することができる。なお、同一の構造を有する有機層２７４を複数の画素１３０に渡って設置してもよい。
【００２９】
第２の電極２７８上には、発光素子２７０を保護するための保護膜２９０（パッシベーション膜）が設けられている。図示していないが、保護膜２９０の上に充填剤を介して対向基板を設けてもよい。充填剤に乾燥剤が混合されていてもよい。また、対向基板には適宜カラーフィルタ、遮光膜、カラーフィルタや遮光膜を保護するオーバーコート膜などが設けられていてもよい。さらに、対向基板を固定するための接着剤が表示領域周辺に設けられていてもよい。
【００３０】
ここで図４に示すように、本実施形態の表示装置１００では、ゲート線２００やこれと同じ層に存在する、トランジスタ２６０のゲート２６６、第１の容量電極２５２の側面を覆うように側壁２０４が設けられている。
【００３１】
ここで、絶縁表面（すなわち、ここではゲート絶縁膜２４４の表面）に対する側壁２０４の側面の角度（θs）は、ゲート線２００の側面の角度（θg）よりも小さい。具体的には図５（Ａ）の断面Ａ−Ｂに示すように、ゲート絶縁膜２４４の絶縁表面Ｓに対するゲート線２００の側面の角度θgは９０℃以下であり、絶縁表面Ｓに対する側壁２０４の表面の角度θs（すなわち、側壁２０４の表面に接する接線と絶縁表面Ｓとの間の角度）はθgよりも小さい。
【００３２】
さらにθsは、ゲート線２００からの距離が減少するにつれて増大する。具体的には図５（Ｂ）に示すように、側壁２０４の表面に接する接線Ｔ1とＴ2を比較した場合、ゲート線２００からの距離が小さい接線Ｔ1と表面Ｓがなす角θs1は、ゲート線２００からの距離が大きい接線Ｔ2と表面Ｓがなす角θs2よりも大きい。
【００３３】
側壁２０４は絶縁物を含むことが好ましい。絶縁物としては、誘電率の小さい材料が挙げられる。例えば有機材料を側壁２０４に用いることができ、有機材料としてはアクリル樹脂やポリイミド、ポリシロキサン、ポリエステルなどの高分子材料を含むことができる。ただし、上述した形状を与えることができる材料であれば、無機化合物を使用してもよい。
【００３４】
上述したように、可撓性の基材１１０を用いることにより、表示装置１００に可撓性を付与することができ、表示装置１００を屈曲させることができる。例えば図６（Ａ）に示すように、ゲート線２００が屈曲するように表示領域１２０を屈曲させることができる（図６（Ｂ）参照）。この場合、ゲート線２００と信号線２１０の交差部が表示装置１００の屈曲部に含まれることになる。ゲート線２００の上に設けられる層（保護膜１１４、信号線２１０）にはゲート線２００の形状が反映されるため、側壁２０４が無い場合、図６（Ｃ）に示すように保護膜１１４、信号線２１０はゲート線２００付近で大きく形状が変わる。例えば、保護膜１１４、信号線２１０の表面はゲート線２００付近で、大きな凸部を形成する。この凸部においては、信号線２１０がゲート線２００を乗り越える箇所の角度が急峻である。つまり、断面方向から見た場合に信号線２１０の折れ曲がりの変化が大きい。この場合、ゲート線２００が屈曲するように表示装置１００を屈曲させると、形状が大きく変化する部分（図中、矢印で示した領域）に屈曲に伴う歪みが集中するため、この部分に大きな負荷がかかる。このため、屈曲を繰り返すことで信号線２１０が破壊され、断線に至りやすい。また、信号線２１０や保護膜１１４が剥離しやすくなり、信頼性低下の一因となっている。
【００３５】
これに対して側壁２０４を形成することにより、図６（Ｄ）の円で囲った領域で示すように、保護膜１１４や信号線２１０のゲート線２００に起因する形状変化が緩和され、屈曲に伴う歪みを非局在化させることができる。これにより、信号線２１０の断線が抑制され、また、信号線２１０や保護膜１１４の剥離を防止することができる。その結果、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することができる。
【００３６】
側壁２０４を設けることによりゲート線の見かけの幅が大きくなるが、上述したように本実施形態の側壁２０４は高分子材料などの絶縁材料を含有することができるため、側壁２０４自体は信号線２１０と寄生容量を形成することはなく、寄生容量に起因する信号の遅延などの弊害を引き起こすことがない。
【００３７】
図６（Ａ）では、表示装置１００は表示領域１２０において屈曲され、この屈曲部にゲート線２００と信号線２１０の交差部が含まれる例が示されているが、表示装置１００の屈曲させるモードはこれに限られない。例えば図７（Ａ）に示すように、表示領域１２０を屈曲させず、表示領域１２０と駆動回路１４０との間の領域を屈曲させてもよい。あるいは図７（Ｂ）に示すように、表示領域１２０には屈曲部を設けず、駆動回路１４０に屈曲部を設けるように表示装置１００を屈曲してもよい。図７（Ａ）に示したモードの場合、ゲート線２００上には例えば参照電源線２３５などの配線が保護膜１１４を介して形成されている。したがって参照電源線２３５はゲート線２００に起因して凸部を有する。しかしながらゲート線２００の側面を覆うように側壁２０４を形成することで凸部の形状変化が緩和され、その結果、参照電源線２３５などの配線の断線や剥離を防止することができ、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００３８】
また図７（Ｂ）に示したモードでは、第２実施形態で述べるように、駆動回路１４０中にはゲート線２００と同じ層に存在する配線と、その上に保護膜１１４を介して信号線２１０と同じ層に存在する配線が交差している。この場合でも、ゲート線２００と同じ層に存在する配線の側面を覆うように側壁２０４を形成することで信号線２１０と同じ層に存在する配線の凸部の形状変化が緩和され、その結果、配線の断線や剥離を防止することができ、表示装置の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
本実施形態で述べた構成は、表示装置に含まれる積層配線だけでなく、様々な電子機器に含まれる積層配線、たとえばＦＰＣや半導体チップが搭載されるプリント配線基板に含まれる積層配線など、絶縁膜を介して二つの配線が交差する領域を有する構成に適用することができる。
【００４０】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で説明した表示装置１００とは異なる構成を有する表示装置３００について、図８乃至図１０を用いて説明する。第１実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００４１】
本実施形態の表示装置３００は表示領域１２０と駆動回路１４０を有している。表示領域１２０は画素４００を有しており、画素４００にはトランジスタ３４０、３５０、３６０、容量３７０、付加容量３８０、および発光素子３９０が含まれている。一方駆動回路１４０にはシフトレジスタ４１０が含まれている。
【００４２】
トランジスタ３４０のゲートとソースはそれぞれ第１のゲート線３１０、信号線３２０と電気的に接続されており、ドレインは容量３７０の一方の電極、トランジスタ３５０のゲートに電気的に接続されている。トランジスタ３５０のソースとドレインはそれぞれトランジスタ３６０のドレインと発光素子３９０に電気的に接続されている。トランジスタ３６０のゲートとソースはそれぞれ第２のゲート線３１５と電流供給線３３０に接続されている。容量３７０の他方の電極は発光素子３９０と電気的に接続されている。付加容量３８０の両電極はそれぞれ電流供給線３３０と発光素子３９０に電気的に接続されている。発光素子３９０はさらに電源線４３０と電気的に接続されている。ゲート線３１０と第２のゲート線３１５は、は信号線３２０、電流供給線３３０、電源線４３０と交差している。
【００４３】
図８では図示しないが、シフトレジスタ４１０は複数のトランジスタ（第２のトランジスタ）を含むことができる。電源線４３０はシフトレジスタ４１０と重なるように設けられている。なお、電源線４３０はシフトレジスタ４１０を含む駆動回路１４０と表示領域１２０の間に設けてもよい。
【００４４】
隣接する二つの画素４００および電源線４３０の上面図を図９に示す。理解を促進するため、左側の画素４００では発光素子３９０の一方の電極（第１の電極３９２）と電源線４３０の一部が除かれている。トランジスタ３４０は半導体膜３４２を有しており、信号線３２０の一部（図中、右に突き出た部分）がトランジスタ３４０のソース３４６として機能する。一方ゲート線３１０のうち下に突き出た部分がトランジスタ３４０のゲート３４４として機能する。図９ではトランジスタ３４０はゲート３４４を二つ有する、所謂ダブルゲート構造を有しているが、単一のゲートを有するトランジスタを使用してもよい。半導体膜３４２はドレイン３４８と電気的に接続されており、ドレイン３４８は容量３７０の一方の電極３７２と電気的に接続されている。容量３７０の他方の電極３７４が一方の電極３７２と重なるように形成され、その一部はトランジスタ３５０のドレイン３５８として機能する。トランジスタ３５０はソース３５６を介してトランジスタ３６０のドレイン３６８と電気的に接続されている。ここで、トランジスタ３５０とトランジスタ３６０の半導体膜は、延在させて直接接続されるように形成してもよい。第２のゲート線３１５の一部がトランジスタ３６０のゲート３６４として機能する。電流供給線３３０から供給される電力はトランジスタ３６０のソース３６６、半導体膜３６２、ドレイン３６８を介してトランジスタ３５０に与えられ、さらに発光素子３９０の第１の電極３９２に供給される。ここでは、各構成要素の関係が図中で明確にわかるように、第１の電極３９２は、信号線３２０、ゲート線３１０、電流供給線３３０、及びトランジスタ３４２等と重ならないように表現しているが、第１の電極３９２の面積を拡大して、重なるように形成されていても良い。
【００４５】
図９の直線Ｇ−Ｈ、Ｊ−Ｋ、Ｌ−Ｍに沿った断面模式図を図１０に示す。図１０に示すように、表示装置３００は基材５００上に下地膜５１０を有しており、この下地膜５１０の上にシフトレジスタ４１０内に設けられるトランジスタ４２０、画素４００内に設けられるトランジスタ３５０、容量３７０、付加容量３８０などが形成されている。
【００４６】
具体的には断面Ｇ−Ｈを参照すると、下地膜５１０、およびトランジスタ４２０などに含まれるゲート絶縁膜５２０が基材５００上に設けられ、その上にゲート線３１０が形成されている。ゲート線３１０の上には保護膜５４０を介して信号線３２０が、ゲート線３１０を横断するように設けられている。
【００４７】
一方断面Ｊ−Ｋに示すように、電源線４３０と重なるシフトレジスタ４１０にはトランジスタ（第２のトランジスタ）４２０が含まれている。すなわち、下地膜５１０の上にトランジスタ４２０の半導体膜４２２、ゲート絶縁膜５２０、ゲート４２４、ソース４２６、ドレイン４２８が設けられ、トランジスタ４２０が形成されている。これらの構造の上に保護膜５４０が形成される。ソース４２６、ドレイン４２８は保護膜５４０とゲート絶縁膜５２０に設けられた開口部において半導体膜４２２と電気的に接続されている。
【００４８】
また、発光素子の第２の電極３９８は、駆動回路１４０等が設けられる周辺領域、つまり表示領域の外側の領域において、電源線４３０と電気的に接続するためのコンタクト部が設けられても良い。これにより、発光素子の上層側に設けられた第２の電極３９８に所望の電位を供給することができる。
【００４９】
断面Ｌ−Ｍを参照すると、トランジスタ３５０は半導体膜３５２、ゲート絶縁膜５２０、ゲート３５４、ソース３５６、ドレイン３５８を有している。これらの構造の上に保護膜５４０が形成される。ソース３５６、ドレイン３５８は保護膜５４０とゲート絶縁膜５２０に設けられた開口部において半導体膜３５２と電気的に接続されている。ゲート絶縁膜５２０の上にはさらにゲート３５４と同じ層に存在する電極３７２が設けられており、その上に保護膜５４０を介して形成され、かつソース３５６、ドレイン３５８と同じ層に存在する電極３７４とともに容量３７０を形成している。
【００５０】
トランジスタ３５０、容量３７０、トランジスタ４２０の上には、これらの素子に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与えるための層間絶縁膜５５０が設けられている。層間絶縁膜５５０にはトランジスタ３５０のドレインに達する開口部が設けられており、開口部には接続電極５６０、絶縁膜５７０、および発光素子３９０の第１の電極３９２が順に形成されている。この構造により、第１の電極３９２がトランジスタ３５０と電気的に接続される。
【００５１】
一方断面Ｌ−Ｍにおいて、層間絶縁膜５５０上にはさらに電極３８２が設けられている。この電極３８２は絶縁膜５７０を介して第１の電極３９２によって覆われており、電極３８２、絶縁膜５７０、および第１の電極３９２によって付加容量３８０が形成される。
【００５２】
断面Ｊ−Ｋを参照すると、層間絶縁膜５５０上には接続電極５６０と同じ層に存在する電源線４３０、および電極３８２と同じ層に存在する配線３８６が電源線４３０の端部を覆うように形成される。第１の電極３９２、電源線４３０、および配線３８６の端部を覆うように隔壁５９０がさらに設けられている。
【００５３】
ここで断面Ｌ−Ｍに示すように、接続電極５６０を覆う絶縁膜５７０の一部は層間絶縁膜５５０に達する開口部５８０を有しており、この部分で層間絶縁膜５５０と隔壁５９０が接している。この開口部５８０は、層間絶縁膜５５０から脱離する不純物（水や酸素などのガス）を隔壁５９０側へ移動させるための開口部として機能する。
【００５４】
隔壁５９０は第１の電極３９２を露出するように開口部を有しており、この開口部において第１の電極と接するように、かつ隔壁５９０上に有機層３９４が設けられている。有機層３９４上には発光素子２７０の第２の電極３９８が設けられている。第１実施形態同様、有機層３９４は第１の層３９５、第２の層３９６、第３の層３９７を有しており、第１の層３９５と第２の層３９６は複数の画素４００にわたって設けられる。一方、第２の層３９６は画素４００毎に形成される。なお、第１実施形態で述べたように、有機層の構造は上記構造に限られない。
【００５５】
第２の電極３９８上には、発光素子３９０を保護するための保護膜６００が設けられている。図示していないが、第１実施形態と同様、保護膜６００の上に充填剤を介して対向基板を設けてもよい。充填剤に乾燥剤が混合されていてもよい。また、対向基板には適宜カラーフィルタ、遮光膜、カラーフィルタや遮光膜を保護するオーバーコート膜などが設けられていてもよい。さらに、対向基板を固定するための接着剤が表示領域周辺に設けられていてもよい。
【００５６】
図１０に示すように、本実施形態の表示装置３００では、ゲート線３１０やこれと同じ層に存在する、トランジスタ３５０のゲート３５４、トランジスタ４２０のゲート４２４、あるいは容量３７０の電極３７２の側面を覆うように側壁５３０が設けられている。側壁５３０の材料や形状は第１実施形態で述べた側壁２０４のそれらと同様である。
【００５７】
第１実施形態で述べたように、側壁５３０を形成することにより、断面Ｇ−Ｈで示すように、保護膜５４０や信号線３２０の形状変化が緩和され、屈曲に伴う歪みを非局在化させることができる。これにより、信号線３２０の断線が抑制され、また、信号線３２０や保護膜５４０の剥離を防止することができる。一方、断面Ｊ−Ｋに示すように、駆動回路１４０中に含まれるトランジスタ４２０はゲート４２４を有するが、その上に保護膜５４０を介して設けられ、ゲート４２４と重なり、かつソース４２６、ドレイン４２８の一方と電気的に接続される配線は、ゲート４２４に起因して凸部を有することになる。しかし断面Ｇ−Ｈで示した構造と同様、ゲート４２４の側面には側壁５３０が形成され、凸部の形状変化が緩和され、屈曲に伴う歪みを非局在化することができる。その結果、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することができる。
【００５８】
（第３実施形態）
本実施形態では、第２実施形態で示した表示装置３００の作製方法について、図１１乃至１４を参照して説明する。第１、第２実施形態と同様の構成については説明を省略する。
【００５９】
まず、図１１（Ａ）に示すように、基材５００上に下地膜５１０を形成する。基材５００に用いることができる材料としては、ガラスや石英、金属などが挙げられる。表示装置３００に可撓性を付与する場合には、例えばポリイミドやポリエステル、アクリル樹脂などの高分子材料を用いることができる。下地膜５１０は例えば酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機材料を含むことができ、化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを用いて形成することができる。図１１（Ａ）では下地膜５１０として三層構造を有する例が描かれている。この場合、例えば酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、酸化ケイ素膜の順で積層することによって下地膜５１０を形成すればよい。最下層の酸化ケイ素膜は基材との密着性向上のため、中層の窒化ケイ素膜は、外部から水などの不純物の侵入を防ぐブロック膜として、最上層の酸化ケイ素膜は、窒化ケイ素膜中に含有する水素原子がトランジスタへ拡散しないようにするブロック膜としてそれぞれ設けられるが、特にこの構造に限定するものではない。さらに他の層が積層されても良いし、単層あるいは二層積層としても良い。
【００６０】
下地膜５１０上に、シフトレジスタ４１０に含まれるトランジスタ４２０や画素４００に含まれるトランジスタ３４０、３５０、３６０、容量３７０、付加容量３８０などが形成される。具体的には図１１（Ｂ）に示すように、下地膜５１０上に半導体膜４２２、３５２が形成される。これらの半導体膜４２２、３５２はシリコンや半導体特性を示す金属酸化物などを用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを適用して形成することができる。半導体膜４２２、３５２の結晶性には制限がなく、非晶質、多結晶、微結晶、単結晶、いずれの結晶状態を有していてもよい。
【００６１】
半導体膜４２２、３５２上にゲート絶縁膜５２０が形成される。ゲート絶縁膜５２０は酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機化合物を用いることができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを適用して形成することができる。ゲート絶縁膜５２０は、トランジスタなどの素子が形成されない断面Ｇ−Ｈにも形成される。
【００６２】
この後に、ゲート線３１０とそれと同一の層に存在する膜、具体的にはトランジスタ４２０のゲート４２４、トランジスタ３５０のゲート３５４、容量３７０の一方の電極３７２を形成する。これらの膜は金属や合金を用い、スパッタリング法などを適用して形成することができる。金属としてはアルミニウムや銅、チタン、タングステン、モリブデン、タンタルなどを用いることができ、単層構造、あるいは積層構造で形成することができる。例えばチタンとアルミニウムの積層や、アルミニウムや銅などの導電性の高い金属をチタンやモリブデンなどの高融点金属で挟持した構造を採用することができる。なお必要に応じ、ゲート４２４や３５４をマスクとして用い、半導体膜４２２や３５２に不純物をドープし、ソース・ドレイン領域とチャネル領域を形成してもよい。さらにまた、チャネル領域とソース・ドレイン領域との間に、ソース・ドレイン領域よりも低濃度で不純物がドープされた領域（低濃度不純物領域）を設けてもよい。
【００６３】
次に有機材料を用いて、ゲート４２４、ゲート３５４、ゲート線３１０、および容量３７０の片方の電極の側面を覆うように、側壁５３０を形成する（図１１（Ｃ））。有機材料としては、アクリル樹脂やポリエステル、ポリイミド、ポリシロキサン、ポリカーボナートなどの高分子材料を用いることができる。あるいは分子量が３００から１０００程度の低分子化合物を用いることができる。これらの材料を用い、スピンコート法や印刷法、インクジェット法などの湿式成膜法、あるいは蒸着などの乾式成膜法を利用して側壁５３０を形成する。例えば、有機材料を基材全体に形成した後、エッチングによって一部を除去することによって形成することができる。より具体的には、上述した有機材料を完全に除去するために必要な時間よりも短い時間でエッチングを行うことにより、第１実施形態で述べた形状を有する側壁５３０を形成することができる。
【００６４】
この後、保護膜５４０を形成する（図１２（Ａ））。保護膜５４０は、下地膜５１０やゲート絶縁膜５２０で用いることができる材料を適用し、単層あるいは積層構造で形成することができる。例えば窒化ケイ素膜と酸化ケイ素膜の積層構造で保護膜５４０を形成すればよい。
【００６５】
この後、信号線３２０、および信号線３２０と同じ層に存在する膜を形成する。具体的には、信号線３２０、トランジスタ４２０のソース４２６、ドレイン４２８、トランジスタ３５０のソース３５６、ドレイン３５８、容量３７０の他方の電極３７４を形成する（図１２（Ａ））。これらのアイテムは例えばゲート線３１０で使用できる材料を用い、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを適用して形成することができる。例えばアルミニウム膜をチタン膜で挟持した積層構造を採用することができる。これにより、トランジスタ４２０、トランジスタ３５０、容量３７０、および画素４００に含まれる他のトランジスタ３６０、３８０などが形成される。なお、信号線３２０と同じ層に存在する膜を用いて、図１で示した配線１５０を形成してもよい。
【００６６】
上述したように、例えばゲート線３１０の側面を覆うように側壁５３０を形成することで、その上に形成される保護膜５４０や信号線３２０に生じる段差が緩和される。
【００６７】
次に層間絶縁膜５５０をアクリル樹脂やポリイミド、ポリシロキサンなどの高分子材料を用いて形成する（図１２（Ｂ））。層間絶縁膜５５０はスピンコート法やインクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを用いて形成することができる。これにより、トランジスタ４２０、トランジスタ３６０、容量３７０などによって生じる凹凸が吸収され、平坦な表面を与えることができる。
【００６８】
次にドライエッチング、あるいはウエットエッチングを用い、層間絶縁膜５５０の一部を除去して開口部を形成し、トランジスタ３５０のドレインの一部を露出する（図１２（Ｂ））。その後開口部を覆うように接続電極５６０、ならびに電源線４３０を形成する（図１３（Ａ））。接続電極５６０、電源線４３０は例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透光性を有する導電性酸化物を用い、スパッタリング法などを適用して形成することができる。したがって、電源線４３０と接続電極５６０は同一の層に存在する。なおこの時、図１で示した端子１７０上の層間絶縁膜５５０も同時に除去され、露出した端子１７０上に透光性を有する導電性酸化物が形成される。これにより、端子１７０においてコネクタとの安定な電気的接続が可能となる。
【００６９】
次にアルミニウム、銅、チタン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属あるいはこれらの合金を用い、配線３８６と電極３８２を形成する（図１３（Ａ））。配線３８６と電極３８２としては、例えばモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層構造を適用することができる。配線３８６は電源線４３０と電気的に接続され、電極３８２は後に形成される発光素子３９０の第１の電極３９２とともに付加容量３８０を形成する。なお、接続電極５６０は必ずしも設置する必要はないが、設置することによって配線３８６や電極３８２の形成時にトランジスタ３５０のドレイン３５８を保護することができ、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。
【００７０】
この後、絶縁膜５７０を形成する（図１３（Ｂ））。絶縁膜は窒化ケイ素など、ゲート絶縁膜５２０や保護膜５４０に用いることができる材料を使用して形成することができる。絶縁膜５７０はトランジスタ３５０と発光素子３９０の電気的な接続を行うコンタクト部（すなわち、層間絶縁膜５５０の開口部に形成された接続電極の底面）、電源線４３０、および層間絶縁膜５５０の表面の一部を露出するための開口部５８０を有している。
【００７１】
次に発光素子３９０の第１の電極３９２を形成する（図１３（Ｂ））。発光素子３９０からの発光を基材５００を通して取り出す場合には透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を第１の電極３９２に用いることができる。一方、発光素子３９０からの発光を基材５００とは反対側から取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。あるいは上記金属や合金と導電性酸化物との積層、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造（例えばＩＴＯ／銀／ＩＴＯなど）を採用することができる。上述したように、この第１の電極３９２と電極３８２、およびこれらに挟まれた絶縁膜５７０によって付加容量３８０が形成される。
【００７２】
第１の電極３９２の形成後、隔壁５９０を形成する（図１４（Ａ））。隔壁５９０は第１の電極３９２の端部、ならびに層間絶縁膜５５０に設けられた開口部に起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素４００の第１の電極３９２を互いに電気的に絶縁する機能を有する。隔壁５９０はバンク（リブ）とも呼ばれる。隔壁５９０は層間絶縁膜５５０で使用可能な材料を用いて形成することができる。隔壁５９０は、第１の電極３９２、および電源線４３０の一部を露出するように開口部を有しており、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。開口端が第１の電極３９２に対して急峻な勾配を有すると、後に形成される有機層３９４や第２の電極３９８のカバレッジ不良を招きやすい。
【００７３】
ここで層間絶縁膜５５０と隔壁５９０は、両者の間の絶縁膜５７０に設けられた開口部５８０を通じて互いに接触する。このような構造を採用することにより、隔壁５９０形成後の熱処理等において、層間絶縁膜５５０から脱離する水などのガスを隔壁５９０を通じて解放することができる。
【００７４】
隔壁５９０の形成後、発光素子３９０の有機層３９４を形成する（図１４（Ｂ））。図１４（Ｂ）の断面Ｌ−Ｍでは、有機層３９４は第１の層３９５、第２の層３９６、第３の層３９７の三層からなる構成を示しているが、本実施形態はこれに限られず、単層の構造を有する有機層３９４を用いてもよく、あるいは４層以上の構造を有する有機層３９４を用いてもよい。例えば適宜、電荷素子層、励起子阻止層などを用いることができる。有機層３９４は蒸着法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などによって形成することができる。
【００７５】
図１４（Ｂ）においては有機層３９４のうち第１の層３９５と第３の層３９７は電荷注入・輸送層であり、隣接する画素４００に跨るように形成される。すなわち、各画素４００によって共有される。このため断面Ｇ−Ｈで示すように、第１の層３９５と第３の層３９７は信号線３２０と重なる領域にも形成される。これに対して第２の層３９６は発光層であり、画素４００毎に異なる材料あるいは構造を有することができる。したがって、隣接する画素４００同士で異なる発光色を得ることができ、これによりフルカラー表示が可能となる。ただし、第２の層３９６を白色発光する構成とし、全ての画素４００に共有されるように形成してもよい。この場合、カラーフィルタなどを用いて各画素４００から取り出す光の波長を選択し、フルカラー表示を行えばよい。
【００７６】
有機層３９４の形成後、第２の電極３９８を形成する。第１の電極３９２、有機層３９４、第２の電極３９８によって発光素子３９０が形成される。第１の電極３９２と第２の電極３９８からキャリア（電子、ホール）が有機層３９４に注入され、キャリアの再結合によって得られる励起状態が基底状態に緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって発光素子３９０のうち、有機層３９４と第１の電極３９２が互いに直接接している領域が発光領域である。
【００７７】
発光素子３９０からの発光を基材５００を通して取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属あるいはこれらの合金を第２の電極３９８に用いることができる。一方、発光素子３９０からの発光を第２の電極３９８を通して取り出す場合には、上記金属や合金を用い、可視光を透過する程度の膜厚を有するように第２の電極３９８を形成する。あるいは第２の電極３９８には、透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。また、上記金属や合金と導電性酸化物との積層構造（例えばＭｇ−Ａｇ／ＩＴＯなど）を第２の電極３９８に採用することができる。第２の電極３９８は信号線３２０に重なり、かつ電源線４３０と接触するように設けられる（断面Ｇ−Ｈ、Ｊ−Ｋ参照）。電源線４３０は最終的には端子（図１における端子１７０）に電気的に接続される。
【００７８】
第２の電極３９８の形成後、保護膜６００（パッシベーション層）を形成する（図１４（Ｂ））。保護膜６００は先に形成した発光素子３９０に対して外部からの水分の侵入を防止することを機能の一つとしており、保護膜６００としてはガスバリア性の高いものが好ましい。例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を用いて保護膜６００を形成することが好ましい。あるいはアクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を用いてもよい。たとえば無機材料で形成した膜と有機樹脂を用いて形成した膜との積層構造を採用してもよい。具体的には、窒化ケイ素、酸化ケイ素、アクリル樹脂、窒化ケイ素の積層構造などが挙げられる。これらの各層は蒸着法やＣＶＤ法、スパッタリング法などを適用して形成することができる。
【００７９】
任意の構成として、保護膜６００上に対向基板を設けてもよい。対向基板は接着剤を用いて保護膜６００を通して基材５００と固定される。この時、対向基板と保護膜６００の間の空間に不活性ガスを充填してもよく、あるいは樹脂などの充填材を充填してもよい。充填材を用いる場合には、可視光に対して高い透明性を有することが好ましい。対向基板には、発光領域と重なる領域に開口を有する遮光膜や、発光領域と重なる領域にカラーフィルタを設けてもよい。遮光膜は、クロムやモリブデンなど比較的反射率の低い金属、あるいは樹脂材料に黒色又はそれに準ずる着色材を含有させたものを用いて形成され、発光領域から直接得られる光以外の散乱光や外光反射等を遮断する機能を有する。カラーフィルタの光学特性は隣接する画素４００毎に変え、例えば赤色、緑色、青色の発光を取り出すように形成することができる。遮光膜とカラーフィルタは下地膜を介して対向基板に設けても良いし、また、遮光膜とカラーフィルタを覆うようにオーバーコート層をさらに設けても良い。
【００８０】
対向基板を基材５００に固定する際、発光素子３９０を対向基板と基材５００で挟むように、表示領域の周辺に設けられる接着剤で対向基板と基材５００が貼り合わされる。このとき、対向基板が基材５００に強く接触すると有機層３９４が破損し、第１の電極３９２と第２の電極３９８がショートするため、接着剤の中にスペーサーを含ませてギャップを調整しても良い。あるいは、表示領域内の画素４００の間にスペーサーとなる構造体を形成しても良い。
【００８１】
本実施形態の表示装置３００では、ゲート線３１０やこれと同じ層に存在する、トランジスタ３５０のゲート３５４、トランジスタ４２０のゲート４２４、あるいは容量３７０の電極３７２の側面を覆うように側壁５３０が形成される。第１実施形態で述べたように、側壁５３０を形成することにより、保護膜５４０や信号線３２０の形状変化が緩和され、屈曲に伴う歪みを非局在化させることができる。これにより、信号線３２０の断線が抑制され、また、信号線３２０や保護膜５４０の剥離を防止することができる。その結果、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することができる。
【００８２】
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
【００８３】
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
【００８４】
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
【符号の説明】
【００８５】
１００：表示装置、１１０：基材、１１２：下地膜、１１４：保護膜、１１６：層間絶縁膜、１２０：表示領域、１３０：画素、１４０：ゲート側駆動回路、１５０：配線、１６０：ＩＣチップ、１７０：端子、２００：ゲート線、２０４：側壁、２１０：信号線、２２０：電源線、２３０：電流供給線、２３５：参照電源線、２４０：トランジスタ、２４２：半導体膜、２４４：ゲート絶縁膜、２４６：ソース、２４８：ドレイン、２５０：容量、２５２：第１の容量電極、２５６：第２の容量電極、２６０：トランジスタ、２６２：半導体膜、２６４：ドレイン、２６６：ゲート、２６８：ソース、２７０：発光素子、２７２：第１の電極、２７３：隔壁、２７４：有機層、２７５：第１の層、２７６：第２の層、２７７：第３の層、２７８：第２の電極、２８０：シフトレジスタ、２９０：保護膜、３００：表示装置、３１０：ゲート線、３１５：第２のゲート線、３２０：信号線、３３０：電流供給線、３４０：トランジスタ、３４２：半導体膜、３４４：ゲート、３４６：ソース、３４８：ドレイン、３５０：トランジスタ、３５２：半導体膜、３５４：ゲート、３５６：ソース、３５８：ドレイン、３６０：トランジスタ、３６２：半導体膜、３６４：ゲート、３６６：ソース、３６８：ドレイン、３７０：容量、３７２：電極、３７４：電極、３８０：付加容量、３８２：電極、３８６：配線、３９０：発光素子、３９２：第１の電極、３９４：有機層、３９５：第１の層、３９６：第２の層、３９７：第３の層、３９８：第２の電極、４００：画素、４１０：シフトレジスタ、４２０：トランジスタ、４２２：半導体膜、４２４：ゲート、４２６：ソース、４２８：ドレイン、４３０：電源線、５００：基材、５１０：下地膜、５２０：ゲート絶縁膜、５３０：側壁、５４０：保護膜、５５０：層間絶縁膜、５６０：接続電極、５７０：絶縁膜、５８０：開口部、５９０：隔壁、６００：保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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