(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｇ系（Ｍｇ系とは、Ｍｇ金属、Ｍｇ金属合金、ＭｇＸ（Ｘは非金属元素または半導体元素）の何れかである。）材を得る為の材料であって、
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムを有する
材料。
【請求項２】
更に溶媒を有する
請求項１の材料。
【請求項３】
溶媒が炭化水素系化合物の群の中から選ばれる一種または二種以上である
請求項２の材料。
【請求項４】
溶媒がＮ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジンである
請求項２の材料。
【請求項５】
請求項１〜請求項４いずれかの材料を室に輸送する工程と、
前記室に輸送されたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの分解により基板上にＭｇ系（Ｍｇ系とは、Ｍｇ金属、Ｍｇ金属合金、ＭｇＸ（Ｘは非金属元素または半導体元素）の何れかである。）材が設けられる工程
とを有する方法。
【請求項６】
２５℃で液体のビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムである新規化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＭｇ系材形成技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属マグネシウム、マグネシウム合金、酸化マグネシウム、窒化マグネシウム、ホウ化マグネシウム等の材（例えば、膜）は、各種の分野で求められている。前記分野は半導体の分野である。Ｍｇは、例えば青色ＬＥＤ用の窒化ガリウムの活性層のドーピング材料として用いられている。前記分野は磁性材（例えば、磁気抵抗メモリ）の分野である。ＭｇＯは、例えば次世代メモリ（例えば、ＭＲＡＭ）の材料に不可欠である。前記分野は合金（例えば、機能性合金）の分野である。ＭgＴi合金膜は調光ミラーとしての可能性が高い。前記分野はエネルギー貯蔵の分野である。前記分野は超伝導の分野である。
【０００３】
化学気相成長方法（ＣＶＤ法）又は原子層制御成長方法（ＡＬＤ法）によって、Ｍｇ系膜（例えば、Ｍｇ膜、ＭｇＯ膜、Ｍｇ３Ｎ２膜、ＭｇＢ２膜など）が形成される。この場合、原料物質として、例えばβ−ジケトナートマグネシウム錯体、シクロペンタジエニル系マグネシウム錯体などが提案されている。
【０００４】
原料化合物にＯ（酸素原子）を持つβ−ジケトナートマグネシウム錯体が用いられた場合、Ｏが形成された膜の内部に入り込んでいる。この為、膜がＭｇＯ膜の場合には、大きな問題が起きないと思われる。しかし、目的とする膜が、本来、酸素（Ｏ）を持たない膜である場合には、問題が懸念される。
【０００５】
シクロペンタジエニル系マグネシウム錯体（例えば、ビス(シクロペンタジエニル)マグネシウム；ＭｇＣｐ２）はＯ（酸素原子）を持たない。従って、前記錯体が用いられた場合、Ｏが、基本的には、膜の内部に入り込まないと思われる。しかしながら、シクロペンタジエニル系マグネシウム錯体は、分解温度が高い。従って、Ｃ（炭素原子）が膜の内部に入り込むことが懸念される。
【０００６】
Ｏ（酸素原子）を持たないＭｇ錯体として、Ｍｇ２（μ−ＮＰｒｉ２）２［（ＰｒｉＮ）２ＣＮＰｒｉ２］２が提案（非特許文献１）されている。Ｍｇ２（μ−ＮＰｒｉ２）２［（ＰｒｉＮ）２ＣＮＰｒｉ２］２は固体（融点：１２０℃）である。従って、ＭｇＣｐ２が用いられた場合と同様な問題が懸念される。
【０００７】
前記非特許文献１はMg(PriNCEtNPri)2(thf)2＝ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム（ｔｈｆ）付加体を提案している。しかし、この錯体は、ｔｈｆ（テトラヒドロフラン）に起因して、Ｏ（酸素原子）を持つ。従って、β−ジケトナートマグネシウム錯体が用いられた場合と同様な問題が懸念される。前記化合物は固体（融点：２９０℃分解）である。従って、ＭｇＣｐ２が用いられた場合と同様な問題が懸念される。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】J.Chem.Soc.,Dalton Trans.,1997,pp957-963
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
高純度Ｍｇは得られ難い。現在、高純度Ｍｇを得ることが出来る蒸留可能な液体（２５℃で１気圧の条件下）のマグネシウム化合物は提案されていない。このことから、蒸留が可能な液体のＭｇ錯体が求められている。
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、前記の問題点を解決することである。例えば、液体のＭｇ錯体を提供することである。更には、高品質なＭｇ系材（材は、例えば膜である。勿論、膜に限られない。）の形成が容易な技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の課題を解決する為の検討が、鋭意、推し進められて行った。
その結果、液体のビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム｛Ｍg［ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ（Ｃ２Ｈ５）Ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７］２｝を原料とし、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）によって、高品質なＭｇ系材の形成が可能なことが見出されるに至った。
【００１２】
更に、前記化合物は、例えばＮ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジミドを原料として、安価に合成できることも判った。
【００１３】
かつ、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム｛Ｍg［ｉ−Ｃ３Ｈ７ＮＣ（Ｃ２Ｈ５）Ｎ−ｉ−Ｃ３Ｈ７］２｝は液体（２５℃で１気圧の条件下）であった。前記Ｍｇ化合物は、簡単な蒸留操作によって、高純度品が得られた。このことは、前記化合物が用いられた場合、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）によって、高品質な膜が得られることを理解できる。
【００１４】
上記知見に基づいて本発明が達成された。
【００１５】
本発明は、
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムである
ことを特徴とする新規化合物を提案する。
【００１６】
本発明は、
液体（２５℃で１気圧の条件下）のビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムである
ことを特徴とする新規化合物を提案する。
【００１７】
本発明は、
Ｍｇ系材を形成する為の材料であって、
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム
を有する
ことを特徴とするＭｇ系材形成材料を提案する。
【００１８】
本発明は、
Ｍｇ系材を形成する為の材料であって、
液体（２５℃で１気圧の条件下）のビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウム
を有する
ことを特徴とするＭｇ系材形成材料を提案する。
【００１９】
本発明は、前記Ｍｇ系材形成材料であって、好ましくは、更に溶媒を有する
ことを特徴とするＭｇ系材形成材料を提案する。
【００２０】
本発明は、前記Ｍｇ系材形成材料であって、前記溶媒が、好ましくは、炭化水素系化合物の群の中から選ばれる一種または二種以上であることを特徴とするＭｇ系材形成材料を提案する。
【００２１】
本発明は、前記Ｍｇ系材形成材料であって、前記溶媒が、好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジンであることを特徴とするＭｇ系材形成材料を提案する。
【００２２】
本発明は、
前記Ｍｇ系材形成材料を室に輸送する工程と、
前記室に輸送されたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの分解により基板上にＭｇ系材が設けられる工程
とを有することを特徴とするＭｇ系材形成方法を提案する。
【発明の効果】
【００２３】
ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムは液体（２５℃で１気圧の条件下）である。前記化合物はＯ（酸素原子）を持っていない。前記化合物は、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジミドを原料として、簡単、かつ、低コストで得られた。しかも、簡単な蒸留操作で高純度品が得られた。
【００２４】
前記化合物は気化し易い。前記化合物のガスの輸送を安定して行うことが出来る。成膜効率が良い。従って、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）等の手段によって、高品質な材（例えば、膜）が低廉なコストで得られた。例えば、高品質な金属Ｍｇ膜が形成された。或いは、高品質なＭｇ合金膜が形成された。形成された膜にＯが含まれているにしても、Ｏ含有量は極めて少なかった。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】ＣＶＤ装置の概略図
【図２】ＣＶＤ装置の概略図
【発明を実施するための形態】
【００２６】
第１の発明は新規化合物である。前記化合物はビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムである。前記化合物は液体（２５℃で１気圧の条件下）である。
【００２７】
第２の発明はＭｇ系材形成材料である。前記Ｍｇ系材はＭｇ系膜である。前記材は膜に限られない。例えば、膜の概念より厚いものであっても良い。前記Ｍｇ系膜は、例えば金属Ｍｇ膜である。前記Ｍｇ系膜は、例えばＭｇ金属合金膜である。前記Ｍｇ系膜はＭｇＸ（Ｘは非金属元素（例えば、Ｎ，Ｂ等（特に、Ｏ以外の元素））又は半導体元素）膜である。前記Ｍｇ系材形成材料はビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムを有する。「有する」であるから、前記Ｍｇ系材形成材料は、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムのみであっても良い。しかし、他の化合物を有する（含む）場合も有る。ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）の実施において、目的化合物の輸送に際して、溶媒が使用されることが多い。従って、前記Ｍｇ系材形成材料は、好ましくは、更に溶媒を有する（含む）。前記溶媒は、好ましくは、炭化水素系化合物（直鎖状、分岐鎖状、環状いずれのタイプのものでも良い。）の群の中から選ばれる一種または二種以上である。前記炭化水素系化合物は炭素数５〜４０の炭化水素系化合物が好ましい。更に好ましくは炭素数５〜２１の炭化水素系化合物である。例えば、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）、ヘキサン（Ｃ６Ｈ１４）、ヘプタン（Ｃ７Ｈ１６）、オクタン（Ｃ８Ｈ１８）、ノナン（Ｃ９Ｈ２０）、デカン（Ｃ１０Ｈ２２）、ウンデカン（Ｃ１１Ｈ２４）、ドデカン（Ｃ１２Ｈ２６）、トリデカン（Ｃ１３Ｈ２８）、テトラデカン（Ｃ１４Ｈ３０）、ペンタデカン（Ｃ１５Ｈ３２）、ヘキサデカン（Ｃ１６Ｈ３４）、ヘプタデカン（Ｃ１７Ｈ３６）、オクタデカン（Ｃ１８Ｈ３８）、ノナデカン（Ｃ１９Ｈ４０）、イコサン（Ｃ２０Ｈ４２）、ヘンイコサン（Ｃ２１Ｈ４４）が挙げられる。中でも好ましいのは炭素数が５〜１０の炭化水素である。それは、分解温度が高く、安定であるからによる。更には、安価である。前記溶媒は、好ましくは、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジンである。
【００２８】
第３の発明はＭｇ系材形成方法である。例えば、ＣＶＤ法（又はＡＬＤ法）によってＭｇ系材（Ｍｇ系膜）が形成される方法である。前記方法は、前記Ｍｇ系材形成材料を室に輸送する工程を有する。前記方法は、前記室に輸送されたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの分解により基板上にＭｇ系材が設けられる工程を有する。前記方法は、前記Ｍｇ系材形成材料が室に輸送され、前記室に輸送されたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが分解することによって、基板上にＭｇ系材が設けられる方法である。前記室は、例えば成膜室（分解室または反応室とも称される）である。
【００２９】
上記のようにして得られたＭｇ系材（例えば、膜）は、不純物としてのＯ，Ｃ成分が極めて少ないものであった。Ｏ，Ｃ等の不純物成分はＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）では、検出できなかった。すなわち、純度が高かった。
【００３０】
更に、成膜過程における支障が起き難いものであった。例えば、前記原料（ｘ（ｇ））を気化・分解して成膜作業を行った。前期原料の０．７ｘ（ｇ）が消費された後、成膜作業を停止した。原料容器と成膜室とを連結する配管の内部を観察した。前記配管の内部の閉塞（前記原料の固化による閉塞）は認められなかった。
【００３１】
前記非特許文献は本発明を開示していない。前記非特許文献はビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムを開示していない。前記非特許文献のScheme 2(958page)にもビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの開示は無い。Ｍｇ［（ＰｒｉＮ）２ＣＮＰｒｉ２］２（ｔｈｆ）の開示が有るに過ぎない。この化合物は固体（融点；１４４℃）である。ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが液体であることは、前記非特許文献からは、到底に、想像も出来なかった。更に、前記非特許文献は成膜技術（例えば、ＣＶＤ法やＡＬＤ法）を開示していない。従って、本発明は前記非特許文献から容易に発明できなかったと本発明者は確信している。
【００３２】
以下、具体的な実施例が挙げられる。但し、本発明は以下の実施例にのみ限定されない。本発明の特長が大きく損なわれない限り、各種の変形例や応用例も本発明に含まれる。
【００３３】
〔ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの合成方法Ｉ〕
反応は不活性ガス雰囲気下で行われた。０．５ｍｏｌのＮ，Ｎ’−ジイソプロピルカルボジミドが１０００ｍｌのジエチルエーテルに溶解された。この溶液が−４０℃に冷却された。０．５ｍｏｌのエチルリチウムを含有するベンゼン溶液が、前記溶液に、徐々に、滴下された。この後、室温で４時間の撹拌が行われた。この反応混合液が、０．２５ｍｏｌの臭化マグネシウム（ＭgＢr２）が６００ｍｌのジエチルエーテルに懸濁した溶液に、徐々に、滴下された。この後、２４時間の撹拌が行われた。溶媒留去後、１５００ｍｌのノルマルヘキサンが加えられた。不溶物が濾過された。溶媒留去後、減圧（０．１ｔｏｒｒ）蒸留が行われた。沸点は８０℃であった。液体（２５℃で１気圧の条件下）のビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが収率７８％で得られた。
得られたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムの純度は高かった。金属不純物分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）による分析値（単位はμg／g）は、次の通りであった。Ｓｉ＜１０，Ｎａ＜５，Ｆｅ＜５，Ｚｎ＜５，Ｔｉ＜５，Ｃｕ＜５，Ｃｒ＜５，Ｃｄ＜５，Ｍｎ＜５，Ｃｏ＜５，Ｎｉ＜５（全てが検出限界値未満）
【００３４】
〔Ｍｇ材の形成〕
［実施例１］
図１は成膜装置の概略図である。図１中、１は原料容器である。２は基板を保持して加熱する基板加熱器である。３は成膜チャンバー（分解反応炉）である。４は基板である。５は流量制御器である。６はシャワーヘッドである。７はキャリアガス（水素、又はＡｒ，Ｎ２など不活性ガス）である。１０は成膜時に成膜チャンバー３内に導入する添加ガス（例えば、Ａｒ，Ｎ２などの不活性ガス、及びＨ２，ＮＨ３などの還元性ガス）である。
図１の装置が用いられ、成膜作業が行われた。先ず、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが原料容器１内に入れられた。原料容器１に取り付けられたヒーター（図示せず）により９０℃に加熱された。水素ガス（キャリアガス）が２０ｍｌ／分の割合で供給され、バブリングが行われた。これにより、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが、水素ガスと共に、成膜チャンバー３内に導かれた。成膜チャンバー３の壁、シャワーヘッド６、及び原料容器１からシャワーヘッド６までの配管は１１０℃に加温されている。ポンプ（図示せず）により、成膜チャンバー３内は真空に排気された。成膜チャンバー３とポンプとの間に設けられた圧力調整弁（図示せず）により、成膜チャンバー３内は所望の圧力（例えば、１ｋＰａ）に調整されている。基板４は基板加熱器２により２８０℃に加熱されている。１０分後に基板４上に膜（金属Ｍｇ薄膜）が形成された。
上記のようにして形成された膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【００３５】
［実施例２］
前記実施例１と同じ条件（但し、作業時間は４８時間）で作業が行われた。その結果、厚さが厚いＭｇ材が得られた。
得られたＭｇの純度は高かった。金属不純物分析（ＩＣＰ−ＡＥＳ）による分析値（単位はμg／g）は、次の通りであった。Ｓｉ＜１０，Ｎａ＜５，Ｆｅ＜５，Ｚｎ＜５，Ｔｉ＜５，Ｃｕ＜５，Ｃｒ＜５，Ｃｄ＜５，Ｍｎ＜５，Ｃｏ＜５，Ｎｉ＜５（全てが検出限界値未満）
【００３６】
［実施例３］
図１の装置が用いられた。キャリアガス７として１０ｓｃｃｍのＡｒガスが、成膜時添加ガス１０として４０ｓｃｃｍのＡｒガスと２０ｓｃｃｍのＮＨ３ガスと８０ｓｃｃｍのＨ２ガスとが用いられた以外は、実施例１と同様に行われた。成膜時間は３０分間であった。
上記のようにして形成された膜は金属Ｍｇ膜であった。前記膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【００３７】
［実施例４］
図１の装置が用いられた。キャリアガス７として２５ｓｃｃｍのＡｒガスが、成膜時添加ガス１０として１００ｓｃｃｍのＡｒガスと５００ｓｃｃｍのＮＨ３ガスと５０ｓｃｃｍのＨ２ガスとが用いられた以外は、実施例１と同様に行われた。成膜時間は２０分間であった。
上記のようにして形成された膜は金属Ｍｇ膜であった。前記膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【００３８】
［実施例５］
図２は成膜装置の概略図である。図２中、１は原料容器である。２は基板加熱器である。３は成膜チャンバーである。４は基板である。６はシャワーヘッドである。８は気化器である。９は、原料容器１から気化器８へ原料を圧送する原料圧送用ガス（例えば、Ｈｅ，Ａｒなどの不活性ガス）である。１０は、成膜時に成膜チャンバー３内に導入される添加ガス（例えば、Ａｒ，Ｎ２等の不活性ガス、及びＨ２，ＮＨ３等の還元性ガス）である。１１は原料圧送用ガス９の圧力制御器である。１２は液体流量制御器である。液体流量制御器１２は気化器８への原料液体の圧送流量を制御する。
図２の装置が用いられ、成膜作業が行われた。先ず、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムのデカン溶液が原料容器１内に入れられた。原料圧送用ガス９としてＮ２ガスが用いられ、原料圧送用ガス圧力制御器１１により０．１ＭＰａに調整された。液体流量制御器１２により、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムのデカン溶液が０．１ｍｇ／ｍｉｎとなるように調整され、圧送された。これにより、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムのデカン溶液が気化器８に送り込まれた。気化器８に送り込まれたビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムは、キャリアガスとして５０ｓｃｃｍのＡｒガスと共に、成膜チャンバー３内に導かれた。成膜時添加ガス１０として、Ａｒガス４０ｓｃｃｍ、ＮＨ３ガス２０ｓｃｃｍ、Ｈ２ガス８０ｓｃｃｍも成膜チャンバー３内に供給された。成膜チャンバー３の壁、シャワーヘッド６及び原料容器１からシャワーヘッド６までの配管は１１０℃に加温されている。ポンプ（図示せず）により、成膜チャンバー３内は真空に排気された。成膜チャンバー３とポンプとの間に設けられた圧力調整弁（図示せず）により、所望の圧力（例えば、１ｋＰａ）に調整されている。基板４は基板加熱器２により２９０℃に加熱されている。基板４上に膜（金属Ｍｇ薄膜）が形成された。
上記のようにして形成された膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【００３９】
［実施例６］
実施例５において、デカン（Ｃ１０Ｈ２２）の代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジンが用いられた以外は、同様に行われた。基板４上に膜（金属Ｍｇ薄膜）が形成された。
上記のようにして形成された膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【００４０】
〔窒化Ｍｇ材の形成〕
［実施例７］
図１の装置が用いられ、成膜作業が行われた。先ず、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが原料容器１内に入れられた。原料容器１に取り付けられたヒーター（図示せず）により９０℃に加熱された。窒素ガス（キャリアガス）が２０ｍｌ／分の割合で供給され、バブリングが行われた。これにより、ビス（Ｎ，Ｎ’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート）マグネシウムが、窒素ガスと共に、成膜チャンバー３内に導かれた。成膜チャンバー３の壁、シャワーヘッド６、及び原料容器１からシャワーヘッド６までの配管は１１０℃に加温されている。成膜時添加ガス１０として４０ｓｃｃｍのＮＨ３ガスが供給された。ポンプ（図示せず）により、成膜チャンバー３内は真空に排気された。成膜チャンバー３とポンプとの間に設けられた圧力調整弁（図示せず）により、成膜チャンバー３内は所望の圧力（例えば、１ｋＰａ）に調整されている。基板４は基板加熱器２により５５０℃に加熱されている。１０分後に基板４上に膜（窒化Ｍｇ薄膜）が形成された。
上記のようにして形成された膜は面内均一性に優れていた。前記膜がＸＰＳで調べられた。その結果、膜中のＣ，Ｏ量は検出限界値未満であった。
【符号の説明】
【００４１】
１    原料容器
２    基板加熱器
３    成膜チャンバー
４    基板
５    流量制御器
６    シャワーヘッド
７    キャリアガス
８    気化器
９    原料圧送用ガス
１０  成膜時添加ガス
１１  原料圧送用ガス圧力制御器
１２  液体流量制御器
【図１】
0006655838.tif 000002
【図２】
0006655838.tif 000003