(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に塗布された塗布膜を減圧環境下で乾燥させる減圧乾燥装置であって、
基板が収容される基板収容部を有するチャンバ部と、
基板収容部を吸引することにより基板収容部の圧力を減圧させる吸引減圧部と、
を備え、
前記チャンバ部には、前記基板収容部に気体を供給することにより前記吸引減圧部の減圧速度を抑えて前記基板収容部を所定の圧力に調節する減圧調節部を有しており、
前記吸引減圧部は、前記基板収容部に連結される吸引配管とこの吸引配管の開度を調節する吸引調節弁とを有しており、
前記減圧調節部は、前記基板収容部に連結されるリーク配管とこのリーク配管の開度を調節するリーク調節弁とを有しており、
前記吸引調節弁と前記リーク調節弁のそれぞれの開度が調節されることにより、前記基板収容部を所定の圧力に調節され、
前記吸引配管が前記基板収容部と連結される吸引連結部と、前記リーク配管が前記基板収容部と連結されるリーク連結部とは、前記吸引連結部と前記リーク連結部との間に基板が配置されるのを避けた位置に配置され、
前記吸引連結部と、前記リーク連結部とが、前記チャンバ部の底面に設けられていることを特徴とする減圧乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、塗布装置により基板上に形成された塗布膜を乾燥させる乾燥装置及び乾燥方法であって、特に基板を収容するチャンバ内を大気圧よりも減圧させて乾燥させる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、塗布装置により基板上にレジスト液が均一に塗布されることによって塗布膜が形成され、その後、減圧乾燥装置により塗布膜を乾燥させることにより生産される。
【０００３】
減圧乾燥装置は、チャンバ部の基板収容部に基板が収容された状態で、基板収容部を減圧させることにより基板上の塗布膜を乾燥させるようになっている（下記特許文献１参照）。具体的には、図６に示すように、基板１００がチャンバ部１０１の基板収容部１０２に供給されると、基板１００の裏面にプレートから突出した複数のピン１０３を当接させることによって支持される。そして、この支持された状態で基板収容部１０２を排気させると、基板収容部１０２が減圧環境下になることにより、基板１００上の塗布膜を形成する溶媒が蒸発し塗布膜を乾燥させることができる。
【０００４】
具体的には、減圧乾燥装置は、図７に示すように基板収容部１０２の圧力が制御される。すなわち、チャンバ部１０１の基板収容部１０２に基板１００が収容されると、風ムラ等の影響を抑えるため最初は緩やかに減圧される（緩排気工程）。そして、ある程度減圧させた後、急速に減圧させて（急排気工程）、チャンバ部１０１内の圧力を溶媒の飽和蒸気圧に調節する。すなわち、基板収容部１０２が飽和蒸気圧に調節された状態で塗布膜を乾燥させることにより（本乾燥工程）、塗布膜の乾燥状態を向上させて基板１００と塗布膜との密着性、及び、塗布膜の品質を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３２９３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、近年では、タクトタイムの短縮を図るため、チャンバ部１０１を減圧させる真空ポンプ１０４が大容量化されている。すなわち、真空ポンプ１０４の大容量化に伴って、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなっており、チャンバ部１０１を急速に減圧させることができるためタクトタイムを短縮させることができる。ところが、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなるに伴い、チャンバ部１０１内を飽和蒸気圧付近に調節することが困難になり高品質な塗布膜を形成するのが困難であるという問題があった。
【０００７】
すなわち、真空ポンプ１０４がチャンバ部１０１の基板収容部１０２に連結される配管経路１０５には、開度を調節する吸引調節弁１０６が設けられているが、真空ポンプ１０４の吸引力が大きくなると、少しの開度調節でもチャンバ内の圧力が大きく変化してしまう。そのため、基板収容部１０２が飽和蒸気圧に達した場合、吸引調節弁１０６で調節しても基板収容部１０２の圧力変化が大きく、基板収容部１０２を長時間に亘って飽和蒸気圧に維持することが困難であった。このように、真空ポンプ１０４が大容量化した場合には吸引調節弁１０６でチャンバ部１０１内を飽和蒸気圧付近に精度よく調節するのが難しくなり、塗布膜を安定して乾燥させるのが困難になるという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、チャンバ部を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができる減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために本発明の減圧乾燥装置は、基板上に塗布された塗布膜を減圧環境下で乾燥させる減圧乾燥装置であって、基板が収容される基板収容部を有するチャンバ部と、基板収容部を吸引することにより基板収容部の圧力を減圧させる吸引減圧部と、を備え、前記チャンバ部には、前記基板収容部に気体を供給することにより前記吸引減圧部の減圧速度を抑えて前記基板収容部を所定の圧力に調節する減圧調節部を有しており、前記吸引減圧部は、前記基板収容部に連結される吸引配管とこの吸引配管の開度を調節する吸引調節弁とを有しており、前記減圧調節部は、前記基板収容部に連結されるリーク配管とこのリーク配管の開度を調節するリーク調節弁とを有しており、前記吸引調節弁と前記リーク調節弁のそれぞれの開度が調節されることにより、前記基板収容部を所定の圧力に調節され、前記吸引配管が前記基板収容部と連結される吸引連結部と、前記リーク配管が前記基板収容部と連結されるリーク連結部とは、前記吸引連結部と前記リーク連結部との間に基板が配置されるのを避けた位置に配置され、前記吸引連結部と、前記リーク連結部とが、前記チャンバ部の底面に設けられていることを特徴としている。
【００１０】
上記減圧乾燥装置によれば、チャンバ部の基板収容部に気体を供給する減圧調節部を有しているため、吸引減圧部（例えば真空ポンプ）が大容量化された場合でも、基板収容部を所定の圧力に調節することができる。すなわち、吸引減圧部により基板収容部を吸引すると基板収容部が減圧されるが、減圧調節部から基板収容部に気体が供給されることにより、供給された気体が排気され基板収容部の減圧状態を緩和することができる。すなわち、吸引減圧部の大容量化により基板収容部が急速に減圧されると、減圧調節部から基板収容部に大量の気体が供給されることにより、基板収容部の減圧状態が緩和され、基板収容部の減圧速度を低下させることができる。すなわち、吸引減圧部から吸引される吸引量と減圧調節部から供給される気体の量を調節することにより、基板収容部の圧力を所定の圧力（例えば、塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧）に調節し、この圧力状態を維持することができる。したがって、チャンバ部の基板収容部を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができ、基板と塗布膜との密着性を向上させることができる。
【００１３】
そして、リーク配管から供給された気体が吸引配管に流れるが、基板はこれら吸引配管の吸引連結部とリーク配管のリーク連結部との間を避けて配置されるため、基板上に形成された塗布膜が気体の流れの影響を受けることを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法によれば、チャンバ部内を減圧させる真空ポンプが大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態における減圧乾燥装置のチャンバ蓋部とチャンバ本体が閉じた状態を示す図である。
【図２】上記減圧乾燥装置のチャンバ蓋部とチャンバ本体が離間した状態を示す図である。
【図３】上記減圧乾燥装置の動作を示すフローチャートである。
【図４】上記減圧乾燥装置の基板収容部の圧力変化を示す図である。
【図５】他の実施形態における減圧乾燥装置を示す図である。
【図６】従来の減圧乾燥装置を示す図である。
【図７】従来の減圧乾燥装置の基板収容部の圧力変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２１】
図１、図２は、本発明の一実施形態における減圧乾燥装置を概略的に示す図であり、図１は、減圧乾燥装置のチャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０が閉じた状態を示す図であり、図２はチャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０が離間した状態を示す図である。
【００２２】
図１、図２に示すように、減圧乾燥装置は、基板１上に形成されたレジスト液などの塗布膜を乾燥させるものであり、基板１を収容するチャンバ部２と、このチャンバ部２を減圧させる吸引減圧部３とを備えている。そして、チャンバ部２に基板１を収容した状態でチャンバ部２内を減圧環境に維持することにより基板１上に形成された塗布膜を乾燥できるようになっている。
【００２３】
なお、以下の説明では、図１における紙面上側を減圧乾燥装置の上方、図１における紙面下側を減圧乾燥装置の下方として説明を進めることとする。
【００２４】
チャンバ部２は、チャンバ本体２０とチャンバ蓋部１０とを備えている。チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に対して開閉できるように形成されており、チャンバ蓋部１０が閉状態では、図１に示すように、チャンバ蓋部１０とチャンバ本体２０とで基板１を収容する基板収容部３０が形成されるようになっている。
【００２５】
チャンバ本体２０は、塗布膜が形成された基板１を保持するものである。チャンバ本体２０は、上面が開放された箱状部材であり、チャンバ本体２０内に基板１を保持することができる。具体的には、チャンバ本体２０は、平板形状のプレート部２２を有しており、このプレート部２２上に基板１を載置することができる。すなわち、プレート部２２には、複数のピン孔が形成されており、このピン孔からリフトピン２３が突出するようになっている。そして、この突出した複数のリフトピン２３の先端部分に基板１が載置されることにより基板１が保持されるようになっている。
【００２６】
具体的には、プレート部２２には、ピン孔に対応する位置にピン収容孔が形成されており、このピン収容孔にリフトピン２３が埋設されている。このリフトピン２３は、プレート部２２の下側に設けられた駆動装置（不図示）と接続されており、この駆動装置を駆動させることにより、リフトピン２３が昇降動作するとともに、任意の位置で停止できるようになっている。本実施形態では、リフトピン２３が基部２１内に収容される収容位置と、プレート部２２から突出し基板１の受渡しを行う基板受渡位置（図２参照）と、乾燥工程を行う乾燥位置（図１参照）とに停止できるように設定されている。そして、リフトピン２３が基板受渡位置に位置した状態で基板１がリフトピン２３の先端部分に載置されると、リフトピンを所定量だけ下降させて基板１が乾燥位置に位置した状態で保持される。なお、このピン収容孔にはシールが設けられており、リフトピン２３が突出した状態であってもピン収容孔から基板収容部３０の大気の漏れを防止できるようになっている。
【００２７】
また、チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０とともにチャンバ部２内に基板収容部３０を形成するものである。チャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に対して開閉できるようになっており、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して、昇降動作可能に形成されている。すなわち、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して上昇することによって開状態が形成され、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に対して下降し当接することによって閉状態が形成される。このチャンバ蓋部１０は、チャンバ本体２０に保持された基板１を覆う形状を有しており、チャンバ本体２０と対面する平板状の平板部１１と、この平板部１１の外周縁からチャンバ本体２０側に突出し、保持された基板１を囲む形状を有する側壁部１２とを有している。すなわち、チャンバ蓋部１０がチャンバ本体２０に当接した状態では、チャンバ蓋部１０の側壁部１２がチャンバ本体２０に当接することにより、基板１を収容可能な基板収容部３０が形成されるようになっている。
【００２８】
チャンバ蓋部１０の平板部１１の基板収容部３０側は、平滑な平坦状に形成されている。すなわち、基板収容部３０を吸引した際に発生する気流（大気の流れ）が妨げられないように形成されている。また、基板収容部３０側の裏面側には、リブ（不図示）が取付けられており、基板収容部３０が減圧された場合に平板部１１が変形するのを防止できるようになっている。これにより、基板収容部３０内の大気が吸引されて基板収容部３０内が減圧された場合であっても、平板部１１の基板収容部３０側が平坦度を維持することができ、基板収容部３０の気流の乱れによって生じる乾燥ムラの発生を抑えることができるようになっている。
【００２９】
また、側壁部１２の基板収容部３０側は、平板部１１と同様に平滑な平坦状に形成されており、基板収容部３０の大気の流れが妨げられないように形成されている。また、側壁部１２には、チャンバ本体２０の基部２１と当接する面にシール部材１３が設けられている。このシール部材１３は、保持された基板１を囲むように環状に形成されている。したがって、チャンバ蓋部１０を下降させてチャンバ本体２０に当接させた場合に、シール部材１３がチャンバ本体２０に当接して押圧されることにより、基板収容部３０が密封状態にすることができる。
【００３０】
また、チャンバ部２には、吸引減圧部３が設けられており、吸引減圧部３により基板収容部３０を減圧させることができる。吸引減圧部３は、吸引力を発生させる真空ポンプ３１と、この真空ポンプ３１と基板収容部３０とを連結する吸引配管３２とを有している。すなわち、吸引配管３２が基板収容部３０と吸引連結部３３で連結されており、真空ポンプ３１を作動させると吸引配管３２を通じて吸引連結部３３に吸引力が発生し、基板収容部３０の大気が吸引される。これにより基板収容部３０は、大気圧よりも小さい所定の圧力に減圧されるようになっている。
【００３１】
また、本実施形態における吸引連結部３３は、チャンバ部２の底面中央部分であって、リフトピン２３により乾燥位置に保持された基板１の中心位置に対向する位置に１つのみ設けられている。したがって、基板収容部３０の大気は、基板１の中心位置に対向する位置に向かう気流が発生し、吸引連結部３３を通じて排気される。なお、本実施形態では、１つの孔で構成される吸引連結部３３が基板１の中心位置に対向する位置に１つのみ設けられているが、複数の孔から構成される吸引連結部３３であってもよい。この場合であっても、複数の孔から構成される吸引連結部３３の排気領域の中心位置が、保持された基板１の中心位置と対向する位置に設けてあれば、基板１の全周に亘って均一な吸引力を発生させることができる。
【００３２】
また、吸引配管３２には、この吸引配管３２を開閉する開閉弁３５とは別に、吸引調節弁３６が設けられている。この吸引調節弁３６は、基板収容部３０の吸引流量を調節するものである。すなわち、真空ポンプ３１が作動した状態で吸引調節弁３６を調節することにより、基板収容部３０の吸引量を調節することができる。具体的には、真空ポンプ３１の作動中に吸引調節弁３６を開放すると基板収容部３０から吸引される吸引量が最大になり基板収容部３０の圧力を急速に減圧させることができる。また、吸引調節弁３６を絞ることにより吸引量を低下させ、吸引調節弁３６の開放時に比べて基板収容部３０の減圧速度を低下させることができる。
【００３３】
また、チャンバ部２には、減圧調節部４が設けられており、基板収容部３０の減圧速度を調整することができるようになっている。この減圧調節部４は、気体が充填されたエアタンク４１と、このエアタンク４１と基板収容部３０とを連結するリーク配管４２とを有している。
【００３４】
エアタンク４１には、本実施形態では窒素ガスが収容されており、エアタンク４１内の圧力は大気圧よりも大きい圧力に維持されている。すなわち、エアタンク４１に貯留された窒素ガスが、リーク配管４２を通じて基板収容部３０との連結箇所であるリーク連結部４３から供給されるようになっている。本実施形態では、リーク連結部４３がチャンバ本体２０の底面２１に設けられており、吸引連結部３３に近い位置に設けられている。したがって、リーク連結部４３から供給された窒素ガスは、すぐに吸引連結部３３から吸引されやすくなっている。なお、エアタンク４１に貯留される気体は、窒素ガス以外にも空気等、塗布膜に化学的に影響しない気体であればよい。
【００３５】
また、リーク配管４２には、リーク配管４２を開閉する開閉弁４５とは別に、リーク調節弁４６が設けられている。このリーク調節弁４６は、エアタンク４１からの気体の流量を調節するものであり、基板収容部３０に供給される気体の量を調節することができる。すなわち、リーク調節弁４６の開度を最大にすることによりエアタンク４１内の窒素ガスの最大量が基板収容部３０に供給され、リーク調節弁４６を絞ることにより供給される窒素ガスの量を少なくすることができる。
【００３６】
この減圧調節部４により、基板収容部３０の減圧速度を調節することができる。すなわち、吸引減圧部３の真空ポンプ３１の作動時には、基板収容部３０が大気圧よりも小さい圧力に調整される。したがって、この減圧状態でリーク調節弁４６を開くと、大気圧よりも大きい圧力に維持されたエアタンク４１から、大気圧よりも小さい圧力に減圧された基板収容部３０に窒素ガスが供給される。これにより、基板収容部３０は、真空ポンプ３１で吸引されるものの、新たに窒素ガスが供給されるため、真空ポンプ３１のみで減圧される場合の減圧速度に比べて減圧速度が抑えられ、基板収容部３０全体の圧力変化（低下）を抑えることができる。したがって、基板収容部３０が、ある特定の圧力に達する際にリーク調節弁４６を開くことにより、基板収容部３０の圧力変化が抑えられ、基板収容部３０を特定の圧力状態に維持したり、緩やかな減圧状態に維持したりすることができる。すなわち、真空ポンプ３１として、大容量の真空ポンプ３１を使用する場合であって、吸引調節弁３６で減圧速度を調節しきれない場合であっても、減圧調節部４のリーク調節弁４６を調節することにより基板収容部３０の圧力を所定の圧力に調節することができる。
【００３７】
また、本実施形態では、リーク調節弁４６は、基板収容部３０の圧力に応じて設定圧力に調節されるようになっている。具体的には、チャンバ部２には、圧力計５が設けられており、この圧力値に応じてリーク調節弁４６の開度が調節されるようになっている。例えば、基板収容部３０の塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧に設定されている場合には、真空ポンプ３１により基板収容部３０が減圧され、飽和蒸気圧に到達するとリーク調節弁４６が開かれる。そして、窒素ガスの供給量が多くなり基板収容部３０の圧力が飽和蒸気圧よりも高くなるとリーク調節弁４６が絞られる、というように基板収容部３０の圧力状態がフィードバックされることにより基板収容部３０の圧力が設定圧力に維持されるようになっている。また、設定圧力は、一定値以外にも、時間と共に減圧されるようにも設定できるようになっている。例えば、溶媒の飽和蒸気圧よりも少しだけ高い圧力から時間と共に徐々に飽和蒸気圧以下の圧力に減圧されるように設定することができ、基板収容部３０を飽和蒸気圧付近で時間と共に緩やかに減圧させることができるようになっている。
【００３８】
また、リーク連結部４３がチャンバ本体２０の底面２１に設けられているため、供給された窒素ガスがすぐに吸引連結部３３から吸引される。すなわち、窒素ガスが供給されるリーク連結部４３と、基板収容部３０を吸引する吸引連結部３３とが基板１を挟まない位置、すなわち、リーク連結部４３と吸引連結部３３とが、それらを結ぶ直線が基板１と交差しない位置に設けられているため、供給された窒素ガスが気流となって基板１上の塗布膜に乾燥ムラを誘発する要因となるのを抑えることができる。
【００３９】
また、チャンバ部２には、リリース弁６が設けられている。このリリース弁６は、開閉のみを行うことができ、チャンバ部２で乾燥処理が終了した後、基板収容部３０の減圧状態を解放する場合に使用される。すなわち、減圧調節部４のリーク配管４２及びリーク調節弁４６とは別に設けられており、基板収容部３０に供給される気体の量を調節することはできず、チャンバ部２の内外を連通状態にさせるものである。
【００４０】
次に、本実施形態における減圧乾燥装置を用いた乾燥処理動作について図３に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００４１】
まず、ステップＳ１により、基板搬入工程が行われる。具体的には、チャンバ本体２０のリフトピン２３が基板受渡位置で停止しており、前工程で塗布膜が形成された基板１がロボットハンド等によりリフトピン２３上に載置される。そして、リフトピン２３が乾燥位置まで収容され、チャンバ蓋部１０が下降しチャンバ本体２０に当接することにより、基板収容部３０が形成され、基板１が基板収容部３０内に保持される。
【００４２】
次に、ステップＳ２により、緩排気工程が行われる。具体的には、吸引減圧部３の真空ポンプ３１を作動させ、吸引調節弁３６を絞って緩やかに排気し減圧する。すなわち、基板収容部３０には大量の大気が存在しているため、排気による大気の流れが形成されると塗布膜に乾燥ムラが形成される虞がある。その気流による乾燥ムラ影響するのを抑えるため、基板収容部３０内の大気を緩やかに排気する。
【００４３】
次に、ステップＳ３により急排気工程が行われる。具体的には、吸引調節弁３６を開放して急速に排気する。すなわち、塗布膜に対して基板収容部３０の排気による気流の影響が少ないと判断できる時点で吸引調節弁３６を開放し急排気を行う。なお、本実施形態では、緩排気から急排気に切り替えるタイミングは、時間で制御されている。
【００４４】
次に、ステップＳ４により本乾燥工程が行われる。具体的には、基板収容部３０が塗布膜を形成する溶媒の飽和蒸気圧に到達した際にリーク調節弁４６が開かれることにより、基板収容部３０の圧力が飽和蒸気圧に維持される。本実施形態では、完全な飽和蒸気圧に維持するのではなく、飽和蒸気圧付近で緩やかに減圧されるようにリーク調節弁４６が制御される。これにより、塗布膜から蒸発した塗布液を吸引しつつ乾燥させることができ、基板収容部３０に浮遊した塗布液が異物として塗布膜に混入するのを抑えることができる。ここで、図４では、実線が本発明の減圧乾燥装置における圧力変化を示し、二点鎖線が従来の減圧乾燥装置における圧力変化を示している。図４に示すように、本乾燥工程における減圧速度を抑えることができるため、乾燥が進行する本乾燥工程の時間を従来に比べて長く取ることができる。すなわち、従来のように吸引調節弁３６のみで調節する場合に比べて基板収容部３０を飽和蒸気圧に長時間維持することができるため、基板１と塗布膜との密着性が向上するなど、塗布膜の品質を安定させることができる。
【００４５】
次に、ステップＳ５により基板搬出工程が行われる。具体的には、本乾燥工程終了後、吸引減圧部３の吸引動作を停止させ、リリース弁６を開状態にすることにより基板収容部３０を大気圧に戻した後、チャンバ蓋部１０を上昇させる。そして、リフトピンを基板受渡位置まで上昇させてロボットハンド等により基板１を排出させる。
【００４６】
以上、上記実施形態の減圧乾燥装置によれば、チャンバ部２の基板収容部３０に気体を供給する減圧調節部４を有しているため、吸引減圧部３（例えば真空ポンプ３１）が大容量化された場合でも、基板収容部３０を所定の圧力に調節することができる。すなわち、吸引減圧部３により基板収容部３０を吸引すると基板収容部３０が減圧されるが、減圧調節部４から基板収容部３０に気体が供給されることにより、供給された気体が排気され基板収容部３０の減圧状態を緩和することができる。すなわち、吸引減圧部３から吸引される吸引量と減圧調節部４から供給される気体の量を調節することにより、基板収容部３０の圧力を所定の圧力（例えば、溶媒の飽和蒸気圧）に調節し、この圧力状態を長時間に亘って維持することができる。
したがって、チャンバ部２の基板収容部３０を減圧させる真空ポンプ３１が大容量化された場合でも、塗布膜を安定して乾燥させることができ、基板１と塗布膜との密着性を向上させることができる。
【００４７】
また、上記実施形態では、減圧調節部４にエアタンク４１を有し、エアタンク４１内を大気圧よりも高い圧力に維持される例について説明したが、エアタンク４１内を大気圧に維持されるものであってもよい。また、エアタンク４１を備えず、リーク配管４２が大気に開放される構成であってもよく、リーク調節弁４６のみで大気を供給する構成であってもよい。
【００４８】
また、上記実施形態では、チャンバ部２に設けられた圧力計５のフィードバック制御により基板収容部３０が飽和蒸気圧に調節される例について説明したが、フィードバック制御によらず、圧力計５が飽和蒸気圧を示した後、リーク調節弁４６を開き、時間と共に開度が調節されるように構成してもよい。
【００４９】
また、上記実施形態では、減圧調節部４のリーク配管４２が基板収容部３０に連結される例について説明したが、リーク配管４２が吸引配管３２に連結されるものであってもよい。具体的には、図５に示すように、リーク配管４２が真空ポンプ３１と開閉弁３５との間に接続されており、エアタンク４１の気体が吸引配管３２に供給されるようになっている。そして、リーク調節弁４６を調節することにより吸引配管３２に供給される気体の流量を調節することができる。そして、吸引配管３２に供給された気体は、すぐに真空ポンプ３１により吸引される。すなわち、吸引配管３２に供給された気体が基板収容部３０に入ることなく真空ポンプ３１により吸引されるため、一度、気体が基板収容部３０に供給される場合に比べて、基板収容部３０内に供給されて気体が気流となって基板１上の塗布膜に乾燥ムラが形成されるのを抑えることができる。なお、図５の例では、リーク配管４２が真空ポンプ３１と開閉弁３５との間に接続されているが、開閉弁３５と吸引調節弁３６との間、又は、吸引調節弁３６と吸引接続部３３との間に接続してもよい。
【符号の説明】
【００５０】
１  基板
２  チャンバ部
３  吸引減圧部
４  減圧調節部
３０  基板収容部
３２  吸引配管
３３  吸引連結部
３６  吸引調節弁
４２  リーク配管
４３  リーク連結部
４６  リーク調節弁
【図１】
0006747815.tif 000002
【図２】
0006747815.tif 000003
【図３】
0006747815.tif 000004
【図４】
0006747815.tif 000005
【図５】
0006747815.tif 000006
【図６】
0006747815.tif 000007
【図７】
0006747815.tif 000008