(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）金属を不純物として含有する糖アルコール化合物の水酸基を保護基で保護する保護化工程、
（Ｂ）前記水酸基が保護基で保護された糖アルコール化合物から不純物である金属を除去する金属除去工程、及び
（Ｃ）前記金属除去された糖アルコール化合物の保護基を脱イオン水を用いた加水分解反応で脱保護する脱保護工程、
を含み、かつ、
前記金属を不純物として含有する糖アルコール化合物を、半導体装置製造工程に用いるものであり、かつ、ソルビトールを含むものとすることを特徴とする糖アルコール化合物の金属低減方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）において、（Ｂ１）分液水洗及び（Ｂ２）蒸留のいずれかを行うことを特徴とする請求項１に記載の糖アルコール化合物の金属低減方法。
【請求項３】
前記保護基を、アセトニドとすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の糖アルコール化合物の金属低減方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばレジスト下層膜材料等に適用するための糖アルコール化合物の金属低減方法、及び糖アルコール化合物に関する。
【背景技術】
【０００２】
糖アルコール化合物は、半導体装置製造工程に種々用いることができ、有用である。例として、レジスト用剥離液、あるいは、多層レジストプロセス用のレジスト下層膜材料への適用が提案されている（例えば、特許文献１〜３）。しかしながら、市販の糖アルコール化合物は、金属含有量が高く、かつ、再結晶等の通常の精製法では金属低減が困難であるため、金属不純物を著しく嫌う半導体装置製造工程に用いた場合、ショートや断線等の欠陥を引き起こす恐れがあり、実用には課題がある。このため、糖アルコール化合物の工業的な金属低減方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２８２５４号公報
【特許文献２】特開２００７−１７９５０号公報
【特許文献３】特開２０１５−２８１４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、半導体装置製造工程に好適に用いることができる品質の糖アルコール化合物を得るための糖アルコール化合物の金属低減方法、及び金属が低減された糖アルコール化合物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明では、（Ａ）金属を不純物として含有する糖アルコール化合物の水酸基を保護基で保護する保護化工程、（Ｂ）前記水酸基が保護基で保護された糖アルコール化合物から不純物である金属を除去する金属除去工程、及び（Ｃ）前記金属除去された糖アルコール化合物の保護基を脱保護する脱保護工程、を含む糖アルコール化合物の金属低減方法を提供する。
【０００６】
このような糖アルコール化合物の金属低減方法であれば、半導体装置製造工程に好適に用いることができる品質の糖アルコール化合物を得ることができる。
【０００７】
このとき、前記金属を不純物として含有する糖アルコール化合物として、エリトリトール、トレイトール、アラビニトール、キシリトール、リビトール、イジトール、ガラクチトール、ソルビトール、マンニトール、ボレミトール、ペルセイトール、オクチトール、イノシトール、及びクエルシトールのいずれかを含むものを用いることが好ましい。
【０００８】
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法は、上記のようなものの金属低減に好適である。
【０００９】
またこのとき、前記工程（Ｂ）において、（Ｂ１）分液水洗及び（Ｂ２）蒸留のいずれかを行うことが好ましい。
【００１０】
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法では、工程（Ａ）において、金属を不純物として含有する糖アルコール化合物の水酸基を保護基で保護しているため、工程（Ｂ）において、分液水洗や蒸留を行うことができる。
【００１１】
またこのとき、前記保護基を、アセトニドとすることが好ましい。
【００１２】
アセトニドは、低コスト、工業化が容易、高純度の最終物が得られる、というメリットを有していることから、保護基として特に好適に用いることができる。
【００１３】
またこのとき、前記工程（Ｃ）を、加水分解反応又は加アルコール分解反応で行うことが好ましい。
【００１４】
工程（Ｃ）を加水分解反応又は加アルコール分解反応で行うことにより、金属不純物汚染を防止しつつ脱保護をすることができる。
【００１５】
また、本発明では、不純物として含有されるナトリウムの含有量が１００ｐｐｂ以下の糖アルコール化合物を提供する。
【００１６】
このような糖アルコール化合物であれば、金属低減されたものであるため、半導体装置製造工程に好適に用いることができるものとなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法であれば、半導体装置製造工程に好適に用いることができるレベルに金属低減された糖アルコール化合物を、簡便かつ大量に供給することが可能になるため、産業的利用価値が非常に高い。
また、本発明の糖アルコール化合物であれば、金属低減されたものであるため、半導体装置製造工程に好適に用いることができるものとなる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
上述のように、半導体装置製造工程への、糖アルコール化合物の適用が提案されている。一方で、半導体装置製造工程に用いる材料には低金属化が必要とされており、少なくとも各金属１００ｐｐｂ以下、好ましくは５０ｐｐｂ以下の管理が求められている。市販の糖アルコール化合物は金属含有量が高く、特にナトリウムを１，０００ｐｐｂ以上含むことが一般的であり、電子材料への適用にあたっては何らかの金属低減処理が必要である。金属低減処理としては、分液水洗、蒸留、再結晶等が一般的であるが、糖アルコール化合物は水溶性が高い高融点の固体であるため、分液水洗や大量の蒸留はほぼ不可能であった。再結晶は、処理自体は可能であるが、金属低減効果が不十分であった。このほか、溶液とした後、市販の金属除去フィルター、イオン交換樹脂等により処理する方法も考えられるが、フィルターや樹脂からの不純物溶出により適用上の不具合を生じる場合が多々あり、この場合は不適であった。以上より、半導体装置製造工程に好適に用いることができる品質レベルの糖アルコール化合物を得ることができる糖アルコール化合物の金属低減方法が求められていた。
【００１９】
そこで、本発明者らは、糖アルコール化合物の金属低減方法について、さらに鋭意検討を重ね、その結果、（Ａ）金属を不純物として含有する糖アルコール化合物の水酸基を保護基で保護する保護化工程、（Ｂ）前記水酸基が保護基で保護された糖アルコール化合物から不純物である金属を除去する金属除去工程、及び（Ｃ）前記金属除去された糖アルコール化合物の保護基を脱保護する脱保護工程、を含む糖アルコール化合物の金属低減方法であれば、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
［糖アルコール化合物］
本発明の糖アルコール化合物は、不純物として含有されるナトリウムの含有量が１００ｐｐｂ以下のものであり、好ましくは５０ｐｐｂ以下のものである。特に、本発明の糖アルコール化合物としては、ナトリウムを始め各金属不純物の含有量が固形分あたり１００ｐｐｂ以下のものであることが好ましい。
【００２２】
この糖アルコール化合物としては、特に限定されないが、具体的には、エリトリトール、トレイトール、アラビニトール、キシリトール、リビトール、イジトール、ガラクチトール、ソルビトール、マンニトール、ボレミトール、ペルセイトール、オクチトール、イノシトール、及びクエルシトール等を挙げることができる。
【００２３】
このような本発明の糖アルコール化合物であれば、金属低減されたものであるため、半導体装置製造工程等に好適に用いることができる。
【００２４】
（糖アルコール化合物の金属除去方法）
本発明の糖アルコール化合物の金属除去方法は、（Ａ）金属を不純物として含有する糖アルコール化合物の水酸基を保護基で保護する保護化工程、（Ｂ）前記水酸基が保護基で保護された糖アルコール化合物から不純物である金属を除去する金属除去工程、及び（Ｃ）前記金属除去された糖アルコール化合物の保護基を脱保護する脱保護工程、を含む。
【００２５】
＜工程（Ａ）＞
まず、本発明では、金属を不純物として含有する糖アルコール化合物（以下、金属低減対象の糖アルコール化合物とも言う）の水酸基を保護基で保護する保護化工程を行う（工程（Ａ））。
【００２６】
金属を不純物として含有する糖アルコール化合物としては、特に限定されないが、例えばエリトリトール、トレイトール、アラビニトール、キシリトール、リビトール、イジトール、ガラクチトール、ソルビトール、マンニトール、ボレミトール、ペルセイトール、オクチトール、イノシトール、及びクエルシトールのいずれかを含むものを用いることが好ましい。
【００２７】
工程（Ａ）において、水酸基の保護に用いる保護基としては、特に限定されず、一般的な各種エーテル保護基、エステル保護基、アセタール保護基、シリルエーテル保護基、カーボネート保護基等の中から、適切なものを選択して使用することができる。使用できる保護基としては、具体的には、ｔ−ブチル基、ベンジル基等のエーテル保護基、ホルミル基、アセチル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基等のエステル保護基、メトキシメチル基、２−メトキシエトキシメチル基、テトラヒドロピラニル基、１−エトキシエチル基、メチレン基、エチリデン基、アセトニド（イソプロピリデン基）、ベンジリデン基等のアセタール保護基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基等のシリルエーテル保護基、メトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ベンジルオキシカルボニル、環状カーボネート等のカーボネート保護基を例示できるが、これらに限定されない。これらの中で、アセトニドは、低コスト、工業化が容易、高純度の最終物が得られる、というメリットを有していることから、特に好適に用いることができる。なお、水酸基の保護は、金属低減対象の糖アルコール化合物に存在する水酸基の一部のみに行ってもよいし全部に行ってもよい。好ましくは水酸基の５０％以上を保護することが望ましい。
【００２８】
ここで、工程（Ａ）において、アセトニドで保護（アセトニド保護化反応）を行う場合を例として、詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。アセトニド保護化反応は、アセトン等価体と酸触媒を用いた方法が一般的であり、部分式を用いると下記のように示される。下記部分式（１）で示される基は、金属低減対象の糖アルコール化合物に存在する水酸基の一部である。金属低減対象の糖アルコール化合物を酸触媒の存在下、溶媒中又は無溶媒にて、アセトン等価体と反応させることにより、下記部分式（１）で示される基はアセトニドで保護され、下記部分式（２）で示される基となる。これにより、水酸基がアセトニドで保護された糖アルコール化合物（アセトニド保護体）が得られる。
【００２９】
【化１】
0006681284.tif 000002
（式中、点線は結合を示す。）
【００３０】
酸触媒としては、例えば、硫酸、塩酸、リン酸、過塩素酸、臭化水素酸等の鉱酸類、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体、ジブチルスズオキシド、塩化アルミニウム、塩化亜鉛、テトラクロロチタン、テトラメトキシチタン等のルイス酸類、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸類、硫酸水素カリウム、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等の塩類、シュウ酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸類、陽イオン交換樹脂等の酸性樹脂類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。酸触媒の使用量は、金属低減対象の糖アルコール化合物１モルに対し、好ましくは０．０００１〜１０モル、特に０．００１〜５モルとすることが望ましい。
【００３１】
アセトン等価体としては、例えば、アセトン、２，２−ジメトキシプロパン、２，２−ジエトキシプロパン、２−メトキシプロペン、２−エトキシプロペン等の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。アセトン等価体の使用量は、金属低減対象の糖アルコール化合物中の水酸基１モルに対し、好ましくは０．２〜１００モル、特に０．５〜５０モルとすることが望ましい。
【００３２】
反応を溶媒中で行う場合の、反応溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジグリム等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の塩素系溶媒類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、アセトニトリル等のニトリル類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。反応温度は、反応速度に応じて０℃から溶媒の還流温度までの範囲で選択することが望ましい。
【００３３】
反応時間は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）、液体クロマトグラフィー（ＬＣ）、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）等により反応を追跡して、反応率が変化しなくなるまでとすることが収率の点で望ましいが、通常０．５〜２４時間程度である。反応停止は、塩基添加による酸触媒の中和、又は水洗やろ過による酸触媒の除去により行うことができる。中和を行う場合に添加する塩基としては、例えば、ピリジン、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、イミダゾール、アンモニア等のアミン類、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド類、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩類、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の水酸化物類、陰イオン交換樹脂等の塩基性樹脂類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。塩基の使用量は、用いた酸触媒１モルに対し、好ましくは１〜１０モル、特に１〜２モルとすることが望ましい。反応停止後は、反応混合物をそのまま、又はろ過や濃縮を行った後、続く工程（Ｂ）へと進むことができる。
【００３４】
＜工程（Ｂ）＞
次に、工程（Ａ）で水酸基が保護基で保護された糖アルコール化合物から不純物である金属を除去する金属除去工程を行う（工程（Ｂ））。工程（Ｂ）における金属除去の方法としては、特に限定されないが、（Ｂ１）分液水洗及び（Ｂ２）蒸留のいずれかを行うこと、もしくは両者を組合せて行うことが好ましい。
【００３５】
工程（Ｂ）において、（Ｂ１）分液水洗を行う場合は、工程（Ａ）で得た反応混合物を、分液溶剤で希釈後、脱イオン水を用いて複数回分液水洗することが望ましい。用いる分液溶剤としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の塩素系溶剤類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、２−ブタノン、４−メチル−２−ペンタノン等のケトン類の中から選択して単独又は混合して用いることができる。分液水洗後は、濃縮により溶媒等を留去することで、金属不純物が低減された（即ち、金属除去された）保護基で保護された糖アルコール化合物が得られる。
【００３６】
工程（Ｂ）において、（Ｂ２）蒸留を行う場合は、工程（Ａ）で得た反応混合物、又は、（Ｂ１）分液水洗を経て得た金属除去された保護基で保護された糖アルコール化合物を、減圧蒸留することが望ましい。蒸留方法は、バッチ蒸留、連続蒸留等の一般的な方法とすることができる。減圧度、蒸留温度は、目的物の沸点に応じて選択されるが、目安としては、蒸留温度２００℃以下、好ましくは１５０℃以下となるような減圧度とすることが好ましい。蒸留により、金属除去された糖アルコール化合物が得られる。
【００３７】
＜工程（Ｃ）＞
工程（Ｂ）の後、金属除去された糖アルコール化合物の保護基を脱保護する脱保護工程を行う（工程（Ｃ））。工程（Ｃ）における脱保護の方法としては、特に限定されず、用いた保護基に応じて適切な方法を選択することが望ましいが、工程（Ｃ）を加水分解反応又は加アルコール分解反応で行うことが、金属不純物汚染を防止するという観点から特に好ましい。
【００３８】
ここで、工程（Ｃ）において、水酸基がアセトニドで保護された糖アルコール化合物（アセトニド保護体）に対して、加水分解反応又は加アルコール分解反応によって脱保護（脱保護反応）を行う場合を例として、詳しく説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。この脱保護反応は、部分式を用いると下記のように示される。アセトニド保護体の脱保護反応は、アセトニド保護体を無触媒又は酸触媒の存在下、溶媒中又は無溶媒にて、水又はアルコールと反応させることにより行うことができる。これにより、下記部分式（２）で示される基は、アセトニドが脱保護され、下記部分式（１）で示される基となり、アセトニドが脱保護された糖アルコール化合物が得られる。
【００３９】
【化２】
0006681284.tif 000003
（式中、点線は結合を示す。）
【００４０】
酸触媒を用いる場合の酸触媒としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸等の鉱酸類、三フッ化ホウ素、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル錯体等のルイス酸類、メタンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸等のスルホン酸類、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム等の塩類、酢酸、ギ酸、シュウ酸、トリフルオロ酢酸、マレイン酸等のカルボン酸類、陽イオン交換樹脂等の酸性樹脂類の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができる。このうち、低金属品が容易に入手可能な鉱酸類、カルボン酸類が特に好ましい。酸触媒の使用量はアセトニド保護体１モルに対し、好ましくは０．００００１〜１０モル、特に０．０００１〜５モルとすることが望ましい。
【００４１】
反応を溶媒中で行う場合の、反応溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素類、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジグリム等のエーテル類、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等の塩素系溶媒類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒類、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、アセトニトリル等のニトリル類等の中から反応条件により選択して単独又は混合して用いることができるが、反応剤である後述の水又はアルコールを、単独又は混合して溶媒としても用いることが特に好ましい。
【００４２】
反応させる水又はアルコールとしては、脱イオン水、電子工業用メタノール、電子工業用エタノールを単独又は混合して用いることが好ましく、脱イオン水が特に好ましい。水又はアルコールの使用量は、アセトニド保護体１モルに対し、好ましくは１〜１，０００モル、特に５〜２００モルとすることが望ましい。
【００４３】
反応温度は、反応速度に応じて０℃から溶媒の還流温度までの範囲で選択することが望ましい。なお、反応促進のため、脱保護反応により生じたアセトン等を、加熱及び減圧により留去しながら反応を行ってもよい。
【００４４】
反応時間は、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）、液体クロマトグラフィー（ＬＣ）、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）等により反応を追跡して、反応完結までとすることが収率及び目的物純度向上の観点で望ましいが、通常１〜１００時間程度である。反応終了後、保護基が脱保護された糖アルコール化合物溶液が得られる。この後、必要に応じて、脱イオン水又は溶剤の添加や、濃縮による濃度調整を行って、所望の溶媒の糖アルコール化合物溶液として仕上げ、保管・使用することができる。
【００４５】
上記のようにして糖アルコール化合物の金属低減を行うことができる。なお、上記の金属低減方法により金属低減された糖アルコール化合物は、ナトリウムを始め各金属不純物の含有量が固形分あたり１００ｐｐｂ以下のものとすることができるため、得られた金属低減された糖アルコール化合物は半導体装置製造工程に好適に用いることができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例及び比較例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００４７】
［実施例１］キシリトールの金属低減
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法を用いて、キシリトールの金属低減を行った。まず、キシリトール１５２ｇ、２，２−ジメトキシプロパン３１２ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸１．９ｇ、トルエン４５０ｇの混合物を、反応により生成するメタノールを徐々に留去しながら、１６時間加熱還流した（工程（Ａ））。室温に冷却後、２８％アンモニア水１．２ｇを加えて反応を停止した。その後、脱イオン水１５０ｇを用いて４回分液水洗を行い（工程（Ｂ））、減圧濃縮して、アセトニド保護されたキシリトールを生成物として得た。
【００４８】
得られた生成物と脱イオン水６００ｇを混合し、反応により生成するアセトンを徐々に留去しながら加熱還流し、還流温度が１００℃で安定するまで反応を行った（工程（Ｃ））。反応液を室温に冷却し、キシリトール水溶液５００ｇを得た。
【００４９】
得られたキシリトール水溶液について、加熱残分法（１６０℃、１時間）により求めた濃度は２４．４質量％であり、収率は８０％であった。脱保護されたキシリトールのＬＣ純度は９９．０％であり、ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、対キシリトール４０ｐｐｂであった。
【００５０】
［比較例１］市販キシリトールの金属含有量
東京化成工業製のキシリトールについて、ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、３，５００ｐｐｂであった。
【００５１】
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法で金属低減を行った実施例１のキシリトールは、ナトリウムの含有量が１００ｐｐｂ以下のものであり、比較例１の市販キシリトールより、ナトリウム含有量が著しく低いものとなった。
【００５２】
［実施例２］ソルビトールの金属低減
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法を用いて、ソルビトールの金属低減を行った。まず、ソルビトール１，０００ｇ、アセトン９Ｌ、陽イオン交換樹脂アンバーリスト（登録商標）１５  ２３ｇの混合物を５０℃で６時間撹拌した（工程（Ａ））。室温に冷却後、トリエチルアミン１７ｇを加えて反応を停止した。固形分をろ別後、減圧濃縮し、粗生成物１，５３２ｇを得た。減圧蒸留を行い（工程（Ｂ））、アセトニド保護されたソルビトール１，１８０ｇを得た。
【００５３】
このアセトニド保護されたソルビトールに、電子工業用硝酸０．６ｇと脱イオン水３，０００ｇの混合物を加え、５０℃にて反応液が均一になるまで加熱撹拌した。次に、加熱したまま徐々に減圧し、反応により生成したアセトンを少しずつ留去した（工程（Ｃ））。アセトンの留去完了後、反応液を室温に冷却し、ソルビトール水溶液２，７４９ｇを得た。
【００５４】
得られたソルビトール水溶液について、加熱残分法（１６０℃、１時間）により求めた濃度は２５．８質量％であり、収率は７１％であった。脱保護されたソルビトールのＬＣ純度は９９．６％であり、ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、対ソルビトール２０ｐｐｂであった。
【００５５】
［比較例２−１］市販ソルビトールの金属含有量
東京化成工業製のソルビトールについて、ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、４，０００ｐｐｂであった。
【００５６】
［比較例２−２］ソルビトールの再結晶精製（１）
ソルビトール３０３ｇ、メタノール１，８６０ｇの混合物を７０℃で撹拌し溶かした。室温に冷却後、氷浴で冷却し、ソルビトールの固体を得た。固形分をろ別後、これにメタノール８００ｇを加え、１時間撹拌した。再度ろ別後、６０℃で減圧乾燥し、ソルビトールの固体を１９１ｇ、収率６３％で得た。ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、４，０００ｐｐｂであった。
【００５７】
［比較例２−３］ソルビトールの再結晶精製（２）
ソルビトール３００ｇ、メタノール１，２００ｇ、脱イオン水１５０ｇの混合物を８０℃で撹拌し溶かした。室温に冷却後、氷浴で冷却し、ソルビトールの固体を得た。固形分をろ別後、これにメタノール６００ｇを加え、１時間撹拌した。再度ろ別後、６０℃で減圧乾燥し、ソルビトールの固体を１３６ｇ、収率４５％で得た。ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、３，５００ｐｐｂであった。
【００５８】
［比較例２−４］ソルビトールの再結晶精製（３）
ソルビトール１０３ｇ、メタノール５００ｇ、脱イオン水１０ｇ、２４質量％のマレイン酸水溶液０．０５ｇの混合物を７５℃で撹拌し溶かした。室温に冷却後、氷浴で冷却し、ソルビトールの固体を得た。固形分をろ別後、これにメタノール３５０ｇを加え、１時間撹拌した。再度ろ別後、脱イオン水を加え、ソルビトール水溶液５００ｇを得た。得られたソルビトール水溶液について、加熱残分法（１６０℃、１時間）により求めた濃度は１０．９質量％であり、収率は９０％であった。ＩＣＰ−ＭＳにより測定したナトリウム含有量は、５１０ｐｐｂであった。
【００５９】
本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法で金属低減を行った実施例２のソルビトールは、ナトリウムの含有量が１００ｐｐｂ以下のものであり、比較例２−１の市販ソルビトールや、ソルビトールの水酸基の保護を行わずに金属低減を行った比較例２−２〜２−４のソルビトールより、ナトリウム含有量が著しく低いものとなった。
【００６０】
上記の結果より、本発明の糖アルコール化合物の金属低減方法であれば、金属低減された糖アルコール化合物を容易かつ大量に調製できることが確認された。また、本発明の糖アルコール化合物は、金属低減されているため、例えば半導体製造工程等の低金属が望まれる用途にも好適に用いることができ、本発明の産業的価値の高さが示唆された。
【００６１】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。