(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号配線を有する配線基板と、
前記配線基板上に固定され、所定の回路パターンを有する半導体素子と、
前記半導体素子が固定されている領域を含む第１の領域を全て覆うように第１の樹脂によって前記配線基板上に形成された第１の封止層と、
前記第１の封止層上の前記第１の領域より狭い第２の領域に、前記第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって形成された第２の封止層と、
前記第２の封止層上に、前記第１の領域より狭い第３の領域に形成された第３の封止層と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記信号配線と前記所定の回路パターンを電気的に接続するワイヤをさらに備え、
前記第１の領域は、前記ワイヤが前記配線基板と接続されている領域をさらに含み、
前記第１の封止層は、前記半導体素子および前記ワイヤを全て覆う高さまで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂は、前記第１の樹脂よりも所定の充填物の含有量が多いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の封止層は、前記半導体素子の面積よりも大きい前記第２の領域に、前記半導体素子の上方を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１から３いずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の封止層と前記第２の封止層の間に、前記第１の樹脂の層と前記第２の樹脂の層の界面が形成されていることを特徴とする請求項１から４いずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
信号配線を有し、所定の回路パターンを有する半導体素子が上面に固定された配線基板の前記上面に、
前記半導体素子が固定されている領域を含む第１の領域を全て覆うように、流動性を有する第１の樹脂を供給し、
前記第１の樹脂を硬化させて第１の封止層を形成し、
前記第１の封止層上の前記第１の領域より狭い第２の領域に、前記第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって第２の封止層を形成し、
前記第２の封止層上において、前記第１の領域より狭い第３の領域に第３の封止層を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の領域は、前記信号配線と前記所定の回路パターンを電気的に接続するワイヤが前記配線基板と接続されている領域をさらに含み、
前記第１の封止層を、前記半導体素子と前記ワイヤを全て覆う高さまで形成することを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の樹脂が完全に硬化していない状態で、前記第１の封止層の上に前記第２の樹脂を塗布して、前記第１の樹脂と前記第２の樹脂を同時に硬化させることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の信頼性の向上に関するものであり、特に、半導体装置の耐湿性を向上する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報装置や通信装置が多様な用途に用いられるようになり、制御や通信を行う半導体装置の信頼性に対する要求が高くなっている。また、用途の多様化によって制御や通信を行う半導体装置は、屋外等の様々な環境下で用いられるようになっている。
【０００３】
配線基板上に半導体素子を実装し、配線基板と半導体素子を金属ワイヤで接続して樹脂によって封止した構成の半導体装置が広く用いられている。そのような構成の半導体装置において、樹脂の封止層は、半導体装置の設計に基づいた領域内に、設計に基づいた高さに形成されている必要がある。樹脂の封止層の高さ、すなわち、封止層の厚みは、水分や空気中の物質の透過を防止し、半導体素子等の劣化を抑制することができる厚みとして設定される。
【０００４】
樹脂による封止が行われている半導体装置では、樹脂を透過した水分等によって半導体素子や配線の電気特性の劣化が生じ得る。よって、半導体装置の信頼性を維持するためには、水分等の透過を抑制し、半導体素子や配線の電気特性の劣化を生じさないような構造を有する必要がある。そのため、樹脂による半導体素子の封止が行われている半導体装置において、樹脂層の構造を最適化することによって信頼性を維持する技術の開発が盛んに行われている。樹脂による半導体素子の封止が行われている半導体装置において、樹脂層の構造によって信頼性を維持する技術としては特許文献１のような技術が開示されている。
【０００５】
特許文献１は、センサと制御用の半導体素子を備える半導体装置に関するものである。特許文献１の半導体装置は、センサと制御用の半導体素子が、第１の封止樹脂と第２の封止樹脂の２層の樹脂で封止されている構造を有している。特許文献１の半導体装置では、第１の封止樹脂の上に、第１の封止樹脂の上面と側面を全て覆うように第２の封止樹脂が形成されている。特許文献１は、弾力性を有する第１の封止樹脂でセンサ等を封止しておくことで、第２の封止樹脂の形成時の応力が緩和させ特性の劣化を抑制することができるとしている。
【０００６】
また、特許文献２には、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物からなる封止層を有する半導体装置が開示されている。特許文献２の半導体装置は、基板上に実装された半導体素子を第１の樹脂組成物からなる封止層と、第２の樹脂組成物からなる封止層で封止した構造を有している。また、特許文献２の半導体装置では、第１の樹脂組成物の封止層と第２の樹脂組成物の封止層の間に、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物の混合層が形成されている。特許文献２は、混合層を有することでの反り挙動等の特性を良好に制御することができるとしている。
【０００７】
また、特許文献３には、異なる熱膨張係数を有する２枚の基板にまたがった状態で、部品を基板に実装した際の封止構造が開示されている。特許文献３では、一方の基板に実装された部品上に接続されたワイヤがもう一方の基板に接続されている。特許文献３では、部品が実装された基板のみを第１の封止樹脂で封止し、２枚の基板を第１の封止樹脂よりもヤング率が低い第２の封止樹脂で封止している。特許文献３は、そのような構成を有することで、熱応力によるモジュールの破損を防ぐことができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−７０８９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０９０１１号公報
【特許文献３】国際公開第２００７／１４８３９８号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１の技術は次のような点で十分ではない。特許文献１の半導体装置では、第１の封止樹脂を第２の封止樹脂で覆うように半導体素子の封止が行われている。このような構成において、第１の封止樹脂の上層に、水分等の透過を防止するために十分な高さとなるように第２の封止樹脂の成膜を行うと、第２の封止樹脂が第１の封止樹脂の側面に沿って広がり塗布領域の制御が困難になる。そのため、特許文献１の技術は、塗布可能な領域内のみに、信頼性を維持するために十分な高さの封止樹脂を形成する技術としては十分ではない。
【００１０】
特許文献２においても、第１の樹脂組成物を第２の樹脂組成物で覆う構造が形成されている。そのため、特許文献１と同様に、第２の樹脂組成物の成膜を行う際に、第２の樹脂組成物が第１の樹脂組成物の側面に沿って広がり塗布領域の制御が困難になる。また、特許文献２では、第１の樹脂組成物と第２の樹脂組成物の混合層が形成されているため、混合層において機械的な強度の低下等が生じ、信頼性の低下が起こり得る。同様に、特許文献３においても、１層目の封止層を２層目の封止層で覆う構造が形成されている。そのため、特許文献１と同様に、２層目の封止層の成膜を行う際に、２層目の封止層の樹脂が１層目の封止層の側面に沿って広がり塗布領域の制御が困難になる。よって、特許文献２および特許文献３の技術は、特許文献１と同様に、塗布可能な領域内のみ、信頼性を維持するために十分な高さの封止樹脂を形成する技術としては十分ではない。
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決するため、塗布可能な領域内のみに、信頼性を維持する上で十分な高さの封止樹脂を形成することができる半導体装置を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するため、本発明の半導体装置は、配線基板と、半導体素子と、第１の封止層と、第２の封止層を備えている。配線基板は、信号配線を有する。半導体素子は、配線基板上に固定され、所定の回路パターンを有する。第１の封止層は、半導体素子が固定されている領域を含む第１の領域を全て覆うように第１の樹脂によって配線基板上に形成されている。第２の封止層は、第１の封止層上の第１の領域より狭い第２の領域に、第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって形成されている。
【００１３】
本発明の半導体装置の製造方法は、信号配線を有し、所定の回路パターンを有する半導体素子が上面に固定された配線基板の上面に、半導体素子が固定されている領域を含む第１の領域を全て覆うように第１の樹脂によって第１の封止層を形成する。本実施形態の半導体装置の製造方法は、第１の封止層上の第１の領域より狭い第２の領域に、第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって第２の封止層を形成する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、塗布可能な領域内のみに、信頼性を維持する上で十分な高さの封止樹脂を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態の構成の概要を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の構成の概要を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の構成の概要を示す平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程における断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程における断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程における断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造工程における断面図である。
【図８】本発明の半導体装置の他の構成の例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図１は、本実施形態の半導体装置の構成の概要を示したものである。本実施形態の半導体装置は、配線基板１と、半導体素子２と、第１の封止層３と、第２の封止層４を備えている。配線基板１は、信号配線を有する。半導体素子２は、配線基板１上に固定され、所定の回路パターンを有する。第１の封止層３は、半導体素子２が固定されている領域を含む第１の領域を全て覆うように第１の樹脂によって配線基板上に形成されている。第２の封止層４は、第１の封止層３上の第１の領域より狭い第２の領域に、第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって形成されている。
【００１７】
本実施形態の半導体装置では、第１の樹脂によって、半導体素子２が固定されている配線基板１上の第１の領域を全て覆うように第１の封止層３が形成されている。また、第１の封止層３上には、第１の領域より狭い第２の領域に、第１の樹脂よりも粘度が高い第２の樹脂によって第２の封止層４が形成されている。本実施形態の半導体装置では、第１の封止層３上の第１の領域より狭い第２の領域のみに、第２の封止層４が形成されているので、第１の封止層３の側面部等には第２の封止層４は存在しない。そのため、粘度が高い第２の樹脂を用いて第２の封止層５を形成する際に、第２の樹脂を厚膜で塗布しても第２の封止層４の側面部分の広がりを防ぐことができる。よって、本実施形態の半導体装置では、所定の領域内に封止層を形成しつつ、信頼性の維持に必要な高さの封止層を形成することができる。その結果、本実施形態の半導体装置では、塗布可能な領域内のみに、信頼性を維持する上で十分な高さの封止樹脂を形成することができる。
【００１８】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態について図を参照して詳細に説明する。図２は、本実施形態の半導体装置の構成の概要を示した断面図である。また、図３は、本実施形態の半導体装置を上方向から見た際の構成を示す平面図である。
【００１９】
本実施形態の半導体装置は、配線基板１１と、金属ワイヤ１２と、半導体素子１３と、第１の封止樹脂１４と、第２の封止樹脂１５と、信号配線１６と、固着層１７を備えている。
【００２０】
配線基板１１は、半導体素子１３を実装し、半導体素子１３と、半導体装置が搭載される電子基板を接続する多層配線基板である。配線基板１１には、信号配線１６が形成されている。配線基板１１、単層基板であってもよい。また、本実施形態の配線基板１１は、第１の実施形態の配線基板１に相当する。
【００２１】
金属ワイヤ１２は、半導体素子１３の電極と、配線基板１１の信号配線１６の電極を電気的に接続する。金属ワイヤ１２には、例えば、金や銅などが用いられる。
【００２２】
半導体素子１３は、半導体装置の用途に基づいた所定の回路パターンが形成された半導体基板である。半導体素子１３は、回路パターンが形成された面を上側、すなわち、配線基板１１の側とは反対側にして配線基板１１上に実装されている。半導体素子１３は、固着層１７によって配線基板１１に固定されている。また、本実施形態の半導体素子１３は、第１の実施形態の半導体素子２に相当する。
【００２３】
第１の封止樹脂１４は、金属ワイヤ１２、半導体素子１３および金属ワイヤ１２と基板の接続部の保護、並びに、金属ワイヤ１２間の絶縁を行う封止層として形成されている。第１の封止樹脂１４は、塗布可能領域２０として設定されている所定の領域内全体に形成されている。塗布可能領域２０として設定されている所定の領域は、半導体装置の設計に応じてあらかじめ設定されている。半導体素子１３および金属ワイヤ１２は、所定の領域内に存在する。
【００２４】
第１の封止樹脂１４は、金属ワイヤ１２および半導体素子１３の全体を覆うように形成されている。すなわち、第１の封止樹脂１４は、金属ワイヤ１２および半導体素子１３の最上部よりも高い位置にまで形成されている。第１の封止樹脂１４は、例えば、エポキシ樹脂と充填物によって構成されている。充填物としては、例えば、シリカ製のフィラーが用いられる。充填物は、アルミナ製のフィラー等の他の材質の部材によって形成されていてもよい。第１の封止樹脂１４は、流動性のある状態で配線基板１１上に塗布され、加熱工程によって硬化する熱硬化性の樹脂である。また、本実施形態の第１の封止樹脂１４は、第１の実施形態の第１の封止層３に相当する。
【００２５】
第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４への水分やその他の物質の侵入を抑制する機能を有する。第１の封止樹脂１４への水分等の侵入を抑制することで、第２の封止樹脂１５は、金属ワイヤ１２、半導体素子１３および金属ワイヤ１２と基板の接続部の保護層としての機能を有する。
【００２６】
第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４上の一部の領域に形成されている。第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４上に形成されているので、配線基板１１、金属ワイヤ１２および半導体素子１３とは、直接、接していない。第２の封止樹脂１５は、半導体素子１３の上方を覆うように形成されている。すなわち、半導体素子１３の面積よりも、第２の封止樹脂１５が形成されている部分の面積の方が大きい。半導体素子１３の上方を覆うように形成することで、水分等の侵入を防止する効果が増して耐湿性が向上し、半導体装置の信頼性を維持することができる。また、半導体素子１３の上方を覆うように形成することで、上方から力がかかったときに半導体素子１３の特定の部分への力の集中を避けることができる。また、第１の封止樹脂１４および第２の封止樹脂１５の高さ、すなわち、膜厚は、半導体装置の信頼性を維持するために十分な高さとして設定されている。
【００２７】
第２の封止樹脂１５は、例えば、エポキシ樹脂およびシリカ製のフィラーによって構成されている。第２の封止樹脂１５は、流動性のある状態で第１の封止樹脂１４上に塗布され、加熱工程によって硬化する熱硬化性の樹脂である。
【００２８】
第２の封止樹脂１５は、熱硬化前において第１の封止樹脂１４とは異なる粘性を有する。第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４よりも粘度が高い樹脂である。本実施形態の第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４よりもシリカ製のフィラーの含有量を多くすることで、第１の封止樹脂１４よりも粘度が高くなるように調整されている。硬化前の状態の第２の封止樹脂１５のエポキシ樹脂の架橋密度や分子量を第１の封止樹脂１４よりも大きくすることで、第２の封止樹脂１５の粘度が第１の封止樹脂１４の粘度よりも高くなるようにしてもよい。また、シリカ製のフィラー以外の充てん材の量を変えることで、粘度の調整を行ってもよい。また、本実施形態の第２の封止樹脂１５は、第１の実施形態の第２の封止層４に相当する。
【００２９】
本実施形態では、金属ワイヤ１２と半導体素子１３の間に封止樹脂を充てんするときには、粘度が低い第１の封止樹脂１４を用いているので気泡等の発生を防止して、密に第１の封止樹脂１４を塗布することができる。また、金属ワイヤ１２に直接、接する状態では、粘度が低い第１の封止樹脂１４が塗布されるので、金属ワイヤ１２が倒れることによる金属ワイヤ１２間の接触や、基板との接続性の低下を防止することができる。また、本実施形態では、第１の封止樹脂１４上に粘度の高い第２の封止樹脂１５を形成するので、第２の封止樹脂１５よる高さの調整が容易になり、半導体装置を設計に基づいて精度よく製造することが可能になる。
【００３０】
信号配線１６は、配線基板１１に形成され、半導体素子１３の信号配線と、半導体装置が搭載される電子基板の信号配線を接続する。信号配線１６は、例えば、銅によって形成されている。信号配線１６は、銅以外の金属によって形成されていてもよい。固着層１７は、配線基板１１に半導体素子１３を固定している。本実施形態の固着層１７は、はんだによって形成されている。固着層１７は、半導体素子１３を配線基板１１に固定できる材質のものであれば、導電性樹脂を用いた接着剤等のはんだ以外の部材によって形成されていてもよい。
【００３１】
本実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。図４乃至図７は、本実施形態の半導体装置の組み立てを行う際の各ステップの構造を模式的に示した断面図である。
【００３２】
始めに、図４に示すような信号配線１６が形成された配線基板１１の半導体素子１３を実装する領域に、図５に示すように、固着層１７によって半導体素子１３が固着される。半導体素子１３が固着層１７を介して配線基板１１に固着されると、図６に示すように半導体素子１３と信号配線１６が、金属ワイヤ１２によって接続される。
【００３３】
金属ワイヤ１２によって半導体素子１３と配線基板１１の接続が行われると、樹脂による封止層の形成が開始される。樹脂による封止層の形成が開始されると、図７に示すように、第１の封止樹脂１４が、配線基板１１上に塗布可能領域２０として設定されている所定の領域に形成される。第１の封止樹脂１４は、金属ワイヤ１２および半導体素子１３を全て覆うように塗布される。すなわち、金属ワイヤ１２および半導体素子１３の最上部や最外周であっても、第１の封止樹脂１４の内部に存在するように第１の封止樹脂１４が塗布される。また、第１の封止樹脂１４は、所定の領域の外部にはみ出さないように配線基板１１上に塗布される。
【００３４】
第１の封止樹脂１４が配線基板１１に塗布されると、第１の封止樹脂１４の硬化が行われる。本実施形態では、熱硬化性樹脂を用いているので、第１の封止樹脂１４の硬化温度以上の温度で加熱することで第１の封止樹脂１４の硬化が行われる。第１の封止樹脂１４の硬化工程は、第２の封止樹脂１５の塗布後にさらに硬化工程があるため、第１の封止樹脂１４が半硬化の状態、すなわち、完全に硬化する前の状態で終了してもよい。
【００３５】
第１の封止樹脂１４の硬化工程を半硬化の状態で終了する場合には、第２の封止樹脂１５の塗布工程において第１の封止樹脂１４の溶解などが生じないように硬化が行われる。例えば、第２の封止樹脂１５の塗布工程およびその後の加熱で、第１の封止樹脂１４と第２の封止樹脂１５が界面で互いに混合しないように第１の封止樹脂１４の硬化工程での第１の封止樹脂１４の硬化が行われる。
【００３６】
本実施形態では、第１の封止樹脂１４と第２の封止樹脂１５の間に混合層が存在しないことで、機械強度の低下や水分等の拡散パスは生じない。そのため、本実施形態の半導体装置では、第１の封止樹脂１４と第２の封止樹脂１５の間の混合層に起因する信頼性の低下を抑制することができる。
【００３７】
第１の封止樹脂１４の硬化工程が終わると、第２の封止樹脂１５が形成される。第２の封止樹脂１５が形成されと、半導体装置は、図２と同様の構成になる。第２の封止樹脂１５は、第１の封止樹脂１４の上面に塗布される。すなわち、第２の封止樹脂１５は、配線基板１１とは直接、接しない。また、第１の封止樹脂１４の側面には、第２の封止樹脂１５によって覆われることなく、表面に露出している部分が存在する。
【００３８】
第１の封止樹脂１４および第２の封止樹脂１５は、印刷やディスペンサによる溶液の供給によって塗布される。また、第１の封止樹脂１４および第２の封止樹脂１５は、形成する部分に空間を有する型に樹脂を流し込むことで形成されてもよい。
【００３９】
第２の封止樹脂１５を塗布する際の膜厚は、第２の封止樹脂１５の硬化後に、配線基板１１の表面から第２の封止樹脂１５の上面までの高さが、水分等の進入を防ぎ半導体装置の信頼性を維持する上で十分な高さになるように設定される。第２の封止樹脂１５を塗布する領域は、半導体素子１３の上方の領域が第２の封止樹脂１５によって覆われるように設定される。
【００４０】
第２の封止樹脂１５の塗布が行われると、第２の封止樹脂１５の硬化が行われる。第２の封止樹脂１５の硬化工程は、第２の封止樹脂１５の硬化温度以上で、第２の封止樹脂１５が十分に硬化する時間、行われる。第１の封止樹脂１４が半硬化の状態の場合には、第２の封止樹脂１５の硬化工程で第１の封止樹脂１４の硬化も完了する。第２の封止樹脂１５の硬化が終わると、必要に応じて他の部材等の取り付けが行われ、半導体装置が完成する。
【００４１】
本実施形態の半導体装置では、粘度が低い第１の封止樹脂１４によって金属ワイヤ１２および半導体素子１３を覆う樹脂封止が形成されている。粘度が低い樹脂で１層目を形成することで、本実施形態の半導体装置では、金属ワイヤ１２および半導体素子１３の周囲に空孔等を生じさせずに封止層を形成することができる。空孔等を生じさせずに封止層を形成すること、本実施形態の半導体装置では耐湿性を向上することができる。また、金属ワイヤ１２と配線基板１１および半導体素子１３との接続部に直接、接する粘度が低い樹脂で１層目を形成することで、樹脂を塗布する際の接続部分へのダメージを最小化することができる。そのため、本実施形態の半導体装置では、封止層の塗布工程起因の信頼性の低下は生じない。
【００４２】
また、本実施形態の半導体装置では、第１の封止樹脂１４上に粘度の高い樹脂を用いて第２の封止樹脂１５が形成されている。第２の封止樹脂１５は、粘度が高い樹脂を用いているので塗布を行う際に横方向への広がりを防止しつつ、所定の膜厚の封止層を容易に形成することができる。また、第１の封止樹脂１４の側面部分には、第２の封止樹脂１５は形成されないので、第１の封止樹脂１４の側面に沿って第２の封止樹脂１５が広がる状態は生じない。そのため、本実施形態の半導体装置では、所定の領域内に第１の封止樹脂１４の層を形成した後に、第２の封止樹脂１５の層を形成することで、所定の高さの封止層を所定の領域内からはみ出さずに形成することができる。また、信頼性を維持するために十分な所定の高さの封止層を形成することで、本実施形態の半導体装置では、耐湿性が向上し信頼性を維持することができる。以上より、本実施形態の半導体装置では、塗布可能な領域内のみに、信頼性を維持する上で十分な高さの封止樹脂を形成することができる。
【００４３】
第２の実施形態の半導体装置は、樹脂による２層の封止層を備えているが、樹脂による封止層は３層以上であってもよい。図８は、３層の封止層を備える半導体装置の例を示した図である。図８に示す半導体装置は、第２の封止樹脂１５の上層に第３の封止樹脂１８をさらに備えている。図８に示す半導体装置の第３の封止樹脂１８以外の構成は、第２の実施形態の半導体装置と同様である。封止層を３層とすることで膜厚および塗布領域の制御をより正確に行うことができるようになる。また、樹脂の架橋密度が高く、塗布時の粘度の高い膜を第３の封止樹脂１８に形成することで、耐湿性をより高め半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００４４】
第２の実施形態の半導体装置では、金属ワイヤ１２を用いて、配線基板１１と半導体素子１３の間の接続を行っていたが、半導体素子１３に形成されたバンプを介して配線基板１１と半導体素子１３が接続されていてもよい。また、第２の実施形態の半導体装置では、１つの半導体素子１３のみが配線基板１１上に実装されていたが、複数の半導体素子を積層するＳｉＰ（System in Package）構造であってもよい。複数の半導体装置を積層する場合には、最上層の半導体素子まで第１の封止樹脂１４で覆われている構造とすることができる。
【００４５】
第２の実施形態の半導体装置は、金属ワイヤ１２の最上部までを第１の封止樹脂１４によって覆う構成を備えているが、第１の封止樹脂１４は、金属ワイヤ１２の途中までを覆う構造であってもよい。金属ワイヤ１２の途中までを覆う構造とする場合には、金属ワイヤ１２と、配線基板１１および半導体素子１３との接続部は、第１の封止樹脂１４で覆われるようにする。金属ワイヤ１２と、配線基板１１および半導体素子１３との接続部を、低粘度の第１の封止樹脂１４で覆うことで、樹脂の塗布時における接続部へのダメージを抑制することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１    配線基板
２    半導体素子
３    第１の封止層
４    第２の封止層
１１    配線基板
１２    金属ワイヤ
１３    半導体素子
１４    第１の封止樹脂
１５    第２の封止樹脂
１６    信号配線
１７    固着層
１８    第３の封止樹脂
２０    塗布可能領域
【図１】
0006805510.tif 000002
【図２】
0006805510.tif 000003
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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