(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳデバイスであって、
第１バンプを有する第１基板と、
前記第１基板に積層配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置された機能素子と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１バンプと前記機能素子を電気的に接続する第１配線と、
前記第１基板と前記第２基板の間に配置され、前記機能素子によって撓み変形される振動板と、を有し、
前記第１バンプは、平面視で、前記第１基板の端部よりも中央寄りの位置に配置され、
前記第２基板は前記第１基板よりも小さく、平面視で、前記第２基板の端部は前記第１基板の端部の内側に配置され、
平面視で、前記振動板の端部は前記第２基板の端部の外側に配置されることを特徴とするＭＥＭＳデバイス。
【請求項２】
前記第１基板の厚さは、前記第２基板の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項３】
前記第１基板の前記第２基板と反対側に積層配置され、駆動信号を生成して前記第１バンプに供給する駆動ＩＣを更に有することを特徴とする請求項１または２に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項４】
前記第１基板には、第２配線が設けられ、
前記駆動ＩＣには、前記第２配線と電気的に接続する第２バンプが設けられ、
平面視で、前記第２バンプは前記第１バンプよりも内側に配置されることを特徴とする請求項３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項５】
前記駆動ＩＣは、前記第１基板よりも小さく、平面視で、前記駆動ＩＣの端部は前記第１基板の端部よりも中央寄りの位置に配置されることを特徴とする請求項３または４に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳデバイスを備えたことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項７】
請求項６に記載の液体噴射ヘッドを有していることを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳデバイス、ＭＥＭＳデバイスの一例である液体噴射ヘッド、当該液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置、ＭＥＭＳデバイスの製造方法、及び液体噴射ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）デバイスの一例であるインクジェット式記録ヘッドは、液体を貯留する圧力室が形成された流路形成基板と、流路形成基板の一方面側に設けられた機能素子（圧電素子）とを有し、圧電素子を駆動することによって圧力室内の液体に圧力変化を生じさせ、圧力室に連通されたノズルから液滴を噴射する。
【０００３】
このような圧電素子としては、流路形成基板上に成膜及びフォトリソグラフィ法によって形成された薄膜形のものが提案されている。薄膜形の圧電素子を用いることで、圧電素子を高密度に配置することが可能となる反面、高密度に配置した圧電素子と駆動回路との電気的な接続が困難になる。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載のインクジェット式記録ヘッドは、圧力室を形成する圧力室形成基板と、圧力室内のインクに噴射エネルギーを付与する圧電アクチュエーター（圧電素子）と、圧電素子を駆動するドライバーが形成された基板とを有している。圧力室形成基板は、ドライバーが形成された基板よりも大きく、圧電素子は、圧力室形成基板とドライバーが形成された基板と接着剤とで、大気から遮断され、圧電素子の防湿が図られている。
さらに、圧電素子と駆動回路とはバンプを介して電気的に接続されている。圧電素子と駆動回路との電気的な接続にバンプを用いることで、圧電素子が高密度に配置された場合であっても、圧電素子と駆動回路とを容易に電気的に接続することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１４−５１００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、液体を噴射するノズルの高密度化を図るために圧力室形成基板をシリコン単結晶基板で作製し、さらに液体の噴射性能や噴射精度を高めるために圧力室形成基板を薄くした場合に、特許文献１に記載のインクジェット式記録ヘッドでは、圧力室形成基板はドライバーが形成された基板よりも大きく、圧力室形成基板の端部はドライバーが形成された基板の端部から張り出しているので、圧力室形成基板に機械的損傷が生じやすいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスは、第１基板と、前記第１基板に積層配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された機能素子と、を含み、前記第２基板は前記第１基板よりも小さく、平面視で、前記第２基板の端部は前記第１基板の端部の内側に配置されることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第２基板は第１基板よりも小さく、平面視で、第２基板の端部は第１基板の端部の内側に配置されるので、第２基板は第１基板によって保護され、第２基板に機械的損傷が生じにくくなる。
例えば、第１基板と第２基板とが接合された状態でハンドリングしてＭＥＭＳデバイスを製造する場合に、第２基板に機械的損傷が生じにくいので、ＭＥＭＳデバイスの製造歩留が高められ、ＭＥＭＳデバイスの品質を高めることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記第１基板の厚さは、前記第２基板の厚さよりも厚いことが好ましい。
【００１１】
第１基板の厚さを第２基板の厚さよりも厚くすると、第１基板の厚さが第２基板の厚さよりも薄い場合と比べて、第１基板の機械的強度を高め、第１基板の機械的衝撃に対する耐性を高めることができる。機械的衝撃に対する耐性が高められた第１基板で第２基板を保護することによって、第２基板に機械的損傷がより生じにくくなる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスにおいて、前記第１基板は駆動回路を備えていることが好ましい。
【００１３】
第１基板に駆動回路が形成され、第１基板が駆動回路を内蔵すると、第１基板に駆動回路が形成された基板を外付け（実装）する構成と比べて、ＭＥＭＳデバイスを薄型化することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載のＭＥＭＳデバイスは液体噴射ヘッドであり、上記適用例に記載の機能素子は圧電素子であり、上記適用例に記載の第２基板はノズルに連通された圧力室となる貫通口を有する圧力室形成基板であり、本適用例に係る液体噴射ヘッドは、前記貫通口の前記第１基板側の開口を封止する振動板と、前記振動板の前記第１基板側の面に形成され前記振動板を撓み変形させる前記圧電素子とを備えることが好ましい。
【００１５】
圧力室形成基板は第１基板よりも小さく、平面視で、圧力室形成基板の端部は第１基板の端部の内側に配置されるので、圧力室形成基板は第１基板によって保護され、圧力室形成基板に機械的損傷が生じにくくなる。
さらに、本適用例に係る液体噴射ヘッドは、圧電素子と振動板とによって圧力室に圧力変化を生じさせ、この圧力変化を利用することでノズルからインクを噴射させることができる。加えて、圧力室形成基板に機械的損傷が生じにくいので、圧力室形成基板の耐久性が高めることができる。例えば、第１基板と圧力室形成基板とが接合された状態でハンドリングして液体噴射ヘッドを製造する場合に、圧力室形成基板に機械的損傷が生じにくいので、液体噴射ヘッドの製造歩留が高められ、液体噴射ヘッドの品質を高めることができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係る液体噴射装置は、上記適用例に記載の液体噴射ヘッドを有していることを特徴とする。
【００１７】
上記適用例に記載の液体噴射ヘッドは、製造歩留や品質が高められている。従って、上記適用例に記載の液体噴射ヘッドを有する液体噴射装置も、製造歩留や品質が高められる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法は、第１基板と、前記第１基板に積層配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された機能素子と、前記第１基板が複数形成された第３基板と、前記第２基板及び前記機能素子が複数形成された第４基板と、を有するＭＥＭＳデバイスの製造方法であって、前記第３基板と前記第４基板との間に接着剤層を配置し、前記第３基板と前記第４基板とを接合する工程と、前記第４基板をエッチングし、一の第２基板と前記一の第２基板と隣り合う第２基板との間に溝を形成する工程と、平面視で前記溝の内側に配置される一の第１基板と前記一の第１基板と隣り合う第１基板との境界に、レーザー光を照射し、前記第３基板にステルスダイシング用改質部を形成する工程と、前記第３基板または前記第４基板のいずれかにステルスダイシング用粘着シートを貼り合せる工程と、前記ステルスダイシング用粘着シートのエキスパンドにより、平面視で前記第２基板の端部が前記第１基板の端部の内側に配置された状態に前記第３基板と前記第４基板とを分割する工程とを有していることを特徴とする。
【００１９】
第３基板（マザー基板）と第４基板（マザー基板）とが接合された状態で、複数の第２基板が形成された第４基板（マザー基板）に溝を形成して、複数の第２基板を単体の第２基板に分割する。次に、複数の第１基板が形成された第３基板（マザー基板）に、複数の第１基板を単体の第１基板に分割する起点となるステルスダイシング用改質部を形成し、ステルスダイシング用粘着シートのエキスパンドにより、複数の第１基板を単体の第１基板に分割する。溝は単体の第２基板の端部を形成し、ステルスダイシング用改質部は単体の第１基板の端部を形成し、ステルスダイシング用改質部を平面視で溝の内側に配置させると、単体の第１基板の端部は単体の第２基板の端部から張り出した状態になる。従って、本適用例に係る製造方法によれば、複数の第２基板と複数の第１基板とが接合された状態から、単体の第２基板と単体の第１基板とが接合された状態に分割（個片化）することによって、平面視で第２基板の端部が第１基板の端部の内側に配置された状態の基板対を、安定して製造することができる。
さらに、複数の基板対が形成されたマザー基板を個片に分割して単体の基板対を製造するので、マザー基板を用いずに単体の基板対を製造する場合と比べて、単体の基板対の生産性を高めることができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る液体噴射ヘッドの製造方法は、第１基板と、前記第１基板に積層配置され、ノズルに連通された圧力室となる貫通口を有する圧力室形成基板と、前記貫通口の前記第１基板側の開口を封止する振動板と、前記振動板の前記第１基板側の面に形成され前記振動板を撓み変形させる圧電素子と、前記第１基板が複数形成された第３基板と、前記圧力室形成基板及び前記圧電素子が複数形成された第４基板と、を含み、前記第３基板と前記第４基板との間に接着剤層を配置し、前記第３基板と前記第４基板とを接合する工程と、前記第４基板をエッチングし、一の圧力室形成基板と前記一の圧力室形成基板と隣り合う圧力室形成基板との間に溝を形成する工程と、平面視で前記溝の内側に配置される一の第１基板と前記一の第１基板と隣り合う第１基板との境界に、レーザー光を照射し、前記第３基板にステルスダイシング用改質部を形成する工程と、前記第３基板または前記第４基板のいずれかにステルスダイシング用粘着シートを貼り合せる工程と、前記ステルスダイシング用粘着シートのエキスパンドにより、平面視で前記圧力室形成基板の端部が前記第１基板の端部の内側に配置された状態に前記第３基板と前記第４基板とを分割する工程と、を有していることを特徴とする。
【００２１】
第３基板（マザー基板）と第４基板（マザー基板）とが接合された状態で、複数の圧力室形成基板が形成された第４基板（マザー基板）に溝を形成して、複数の圧力室形成基板を単体の圧力室形成基板に分割する。次に、複数の第１基板が形成された第３基板（マザー基板）に、複数の第１基板を単体の第１基板に分割する起点となるステルスダイシング用改質部を形成し、ステルスダイシング用粘着シートのエキスパンドにより、複数の第１基板を単体の第１基板に分割する。溝は単体の圧力室形成基板の端部を形成し、ステルスダイシング用改質部は単体の第１基板の端部を形成し、ステルスダイシング用改質部を平面視で溝の内側に配置させると、単体の第１基板の端部は単体の圧力室形成基板の端部から張り出した状態になる。従って、本適用例に係る製造方法によれば、複数の圧力室形成基板と複数の第１基板とが接合された状態から、単体の圧力室形成基板と単体の第１基板とが接合された状態に分割（個片化）することによって、平面視で圧力室形成基板の端部が第１基板の端部の内側に配置された状態の基板対を、安定して製造することができる。
さらに、複数の基板対が形成されたマザー基板を個片に分割して単体の基板対を形成するので、マザー基板を用いずに単体の基板対を形成する場合と比べて、単体の基板対の生産性を高めることができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に記載の液体噴射ヘッドの製造方法において、前記溝を形成する工程では、前記溝と前記貫通口とを一括形成することが好ましい。
【００２３】
本適用例に係る製造方法では、第４基板をエッチングして溝と貫通口とを一括形成するので、溝と貫通口とを別々に形成する場合と比べて、製造工程が簡略化され、生産性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施形態１に係るプリンターの構成を示す概略図。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す工程フロー。
【図４】第４基板の概略平面図。
【図５】第３基板の概略平面図。
【図６】ステップＳ１を経た後の基板の状態を示す概略平面図。
【図７】ステップＳ１を経た後の基板の状態を示す概略断面図。
【図８】ステップＳ２を経た後の基板の状態を示す概略断面図。
【図９】ステップＳ３を経た後の基板の状態を示す概略断面図。
【図１０】ステップＳ４を経た後の基板の状態を示す概略断面図。
【図１１】ステップＳ５を経た後の基板の状態を示す概略断面図。
【図１２】実施形態２に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２６】
（実施形態１）
「プリンターの概要」
図１は、実施形態１に係るインクジェット式記録装置（以下、プリンターと称す）の構成を示す概略図である。最初に、図１を参照し、「液体噴射装置」の一例であるプリンター１の概要について説明する。
本実施形態に係るプリンター１は、記録紙等の記録媒体２に「液体」の一例であるインクを噴射し、記録媒体２上に画像等の記録（印刷）を行う装置である。
【００２７】
図１に示すように、プリンター１は、記録ヘッド３が取り付けられるキャリッジ４、キャリッジ４を主走査方向に移動させるキャリッジ移動機構５、記録媒体２を副走査方向に移送する搬送機構６等を備えている。ここで、上記のインクは、液体供給源としてのインクカートリッジ７に貯留されている。インクカートリッジ７は、記録ヘッド３に対して着脱可能に装着される。
なお、記録ヘッド３は、「ＭＥＭＳデバイス」及び「液体噴射ヘッド」の一例である。さらに、インクカートリッジがプリンターの本体側に配置され、当該インクカートリッジからインク供給チューブを通じてインクが記録ヘッド３に供給される構成であってもよい。
【００２８】
キャリッジ移動機構５は、タイミングベルト８を備え、ＤＣモーター等のパルスモーター９により駆動される。キャリッジ４は、パルスモーター９が作動すると、プリンター１に架設されたガイドロッド１０に案内されて、主走査方向（記録媒体２の幅方向）に往復移動する。キャリッジ４の主走査方向の位置は、位置情報検出手段の一種であるリニアエンコーダー（図示省略）によって検出される。リニアエンコーダーは、その検出信号、すなわちエンコーダーパルスをプリンター１の制御部に送信する。
【００２９】
また、キャリッジ４の移動範囲内における記録領域よりも外側の端部領域には、キャリッジ４の走査の基点となるホームポジションが設定されている。このホームポジションには、端部側から順に、記録ヘッド３のノズル面（ノズルプレート２１（図２参照））に形成されたノズル２２（図２参照）を封止するキャップ１１と、ノズル面を払拭するためのワイピングユニット１２とが配置されている。
【００３０】
「記録ヘッドの概要」
図２は、本実施形態に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
次に図２を参照し、記録ヘッド３の概要について説明する。
図２に示すように、記録ヘッド３は、第１流路ユニット１５と、電子デバイス１４と、ヘッドケース１６とを有している。すなわち、記録ヘッド３では、第１流路ユニット１５と電子デバイス１４とが、積層された状態でヘッドケース１６に取り付けられている。
以降、第１流路ユニット１５と電子デバイス１４とが積層された方向を上下方向として説明する。さらに、上下方向から見ることを「平面視」と称す。すなわち、本願における「平面視」とは、第１流路ユニット１５と電子デバイス１４とが積層された上下方向から見ることに該当する。
【００３１】
ヘッドケース１６は、合成樹脂製の箱体状部材であり、その内部には各圧力室３０にインクを供給するリザーバー１８が形成されている。リザーバー１８は、複数並設された圧力室３０に共通なインクが貯留される空間であり、２列に並設された圧力室３０の列に対応して２つ形成されている。なお、ヘッドケース１６の上方には、インクカートリッジ７側からのインクをリザーバー１８に導入するインク導入路（図示省略）が形成されている。
【００３２】
ヘッドケース１６の下面に接合される第１流路ユニット１５は、連通基板２４とノズルプレート２１とを有している。連通基板２４は、シリコン製の板材であり、本実施形態では、表面（上面及び下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。連通基板２４には、リザーバー１８に連通され各圧力室３０に共通なインクが貯留される共通液室２５と、共通液室２５を介してリザーバー１８からのインクを各圧力室３０に個別に供給する個別連通路２６とが、エッチングにより形成されている。共通液室２５は、ノズル列方向に沿った長尺な空部であり、２列に並設された圧力室３０の列に対応して２列形成されている。共通液室２５は、連通基板２４の板厚方向を貫通した第１液室２５ａと、連通基板２４の下面側から上面側に向けて当該連通基板２４の板厚方向の途中まで窪ませ、上面側に薄板部を残した状態で形成された第２液室２５ｂと、から構成される。個別連通路２６は、第２液室２５ｂの薄板部において、圧力室３０に対応して当該圧力室３０の並設方向に沿って複数形成されている。この個別連通路２６は、連通基板２４と第２流路ユニット２９とが接合された状態で、対応する圧力室３０の長手方向における一方の端部と連通する。
【００３３】
また、連通基板２４の各ノズル２２に対応する位置には、連通基板２４の板厚方向を貫通したノズル連通路２７が形成されている。すなわち、ノズル連通路２７は、ノズル列に対応して当該ノズル列方向に沿って複数形成されている。このノズル連通路２７によって、圧力室３０とノズル２２とが連通する。ノズル連通路２７は、連通基板２４と第２流路ユニット２９とが接合された状態で、対応する圧力室３０の長手方向における他方の端部（個別連通路２６側と反対側の端部）と連通する。
【００３４】
ノズルプレート２１は、連通基板２４の下面（第２流路ユニット２９側と反対側の面）に接合されたシリコン製の基板（例えば、シリコン単結晶基板）である。本実施形態では、ノズルプレート２１により、共通液室２５となる空間の下面側の開口が封止されている。また、ノズルプレート２１には、複数のノズル２２が直線状（列状）に開設されている。本実施形態では、２列に形成された圧力室３０の列に対応して、ノズル列が２列形成されている。この並設された複数のノズル２２（ノズル列）は、一端側のノズル２２から他端側のノズル２２までドット形成密度に対応したピッチ（例えば６００ｄｐｉ）で、主走査方向に直交する副走査方向に沿って等間隔に設けられている。
【００３５】
なお、ノズルプレートを連通基板における共通液室から内側に外れた領域に接合し、共通液室となる空間の下面側の開口を例えば可撓性を有するコンプライアンスシート等の部材で封止することもできる。このようにすれば、ノズルプレートを可及的に小さくできる。
【００３６】
電子デバイス１４は、各圧力室３０内のインクに圧力変動を生じさせるアクチュエーターとして機能する薄板状のデバイスである。つまり、電子デバイス１４は、各圧力室３０内のインクに圧力変動を生じさせ、各圧力室３０に連通されたノズル２２からインクを噴射させる。
【００３７】
電子デバイス１４は、第２流路ユニット２９と、第１基板３３と、駆動ＩＣ３４とが順に積層されてユニット化された構成を有している。さらに、第２流路ユニット２９は、圧力室形成基板２８と振動板３１と圧電素子３２とが順に積層された構成を有している。
なお、圧力室形成基板２８は、「第２基板」の一例である。圧電素子３２は、「機能素子」の一例である。
【００３８】
圧力室形成基板２８は、シリコン製の硬質な板材であり、表面（上面及び下面）の結晶面方位を（１１０）面としたシリコン単結晶基板から作製されている。圧力室形成基板２８は、圧力室３０となる貫通口３０ａを有している。貫通口３０ａは、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を板厚方向にエッチングすることで形成されている。貫通口３０ａは、圧力室３０になる空間である。
【００３９】
詳細は後述するが、第１基板３３もシリコン製の硬質な板材からなり、第２流路ユニット２９に積層配置されている。さらに、振動板３１は、圧力室形成基板２８と第１基板３３との間で圧力室形成基板２８を覆うように配置されている。圧電素子３２は、振動板３１（圧力室形成基板２８）と第１基板３３との間に配置されている。
【００４０】
圧力室形成基板２８は第１基板３３よりも小さく、平面視で、圧力室形成基板２８の端部は第１基板３３の端部の内側に配置されている。換言すれば、第１基板３３は圧力室形成基板２８よりも大きく、平面視で第１基板３３の端部は圧力室形成基板２８の端部から張り出している。すなわち、第１基板３３は、圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じないように、圧力室形成基板２８を保護する。
【００４１】
圧力室形成基板２８（第２流路ユニット２９）は、連通基板２４及びヘッドケース１６とで、記録ヘッド３におけるインク流路を形成する。仮に、圧力室形成基板２８が厚く、圧力室３０の容積が大きくなると、各圧力室３０内のインクの圧力変動を適正に制御することが難しくなり、ノズル２２からインクが適正に噴射されにくくなる。このために、圧力室形成基板２８の厚さは、第１基板３３の厚さよりも薄くなっている。すなわち、第１基板３３の厚さは、圧力室形成基板２８の厚さよりも厚くなっている。詳しくは、圧力室形成基板２８の厚さは概略１００μｍよりも小さく、第１基板３３の厚さは、概略３００μｍよりも大きい。
【００４２】
第１基板３３の厚さを圧力室形成基板２８の厚さよりも厚くすることによって、第１基板３３の厚さが圧力室形成基板２８の厚さよりも薄い場合と比べて、第１基板３３の機械的強度を高め、第１基板３３の機械的衝撃に対する耐性を高めることができる。機械的衝撃に対する耐性が高められた第１基板３３によって圧力室形成基板２８を保護することで、圧力室形成基板２８に機械的損傷がより生じにくくなる。
詳細は後述するが、例えば、記録ヘッド３を製造する工程において電子デバイス１４（圧力室形成基板２８、第１基板３３）をハンドリングする際に、圧力室形成基板２８の端部に機械的衝撃が加わり、圧力室形成基板２８の端部が欠けるなどの機械的損傷が生じにくくなり、記録ヘッド３の製造歩留を高め、記録ヘッド３の品質を高めることができる。
【００４３】
振動板３１は、弾性を有する薄膜状の部材であり、圧力室形成基板２８の上面（連通基板２４側とは反対側の面）に積層されている。詳しくは、振動板３１は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を熱酸化することによって形成された酸化シリコン（弾性膜）と、例えばスパッタ法などの方法で形成された酸化ジルコニウム（絶縁膜）との積層膜である。振動板３１は、圧力室形成基板２８と第１基板３３との間で圧力室形成基板２８を覆い、貫通口３０ａの一方の開口を封止する。
【００４４】
すなわち、圧力室形成基板２８の貫通口３０ａの一方の開口は振動板３１によって封止され、圧力室形成基板２８の貫通口３０ａの他方の開口は連通基板２４によって封止されている。圧力室形成基板２８の貫通口３０ａと、振動板３１と、連通基板２４とで囲まれた空間が圧力室３０になる。圧力室３０は、２列に形成されたノズル列に対応して２列に形成されている。各圧力室３０は、ノズル列方向に直交する方向に長尺な空部（空間）であり、長手方向の一方の端部に個別連通路２６が連通すると共に、他方の端部にノズル連通路２７が連通する。
【００４５】
振動板３１における圧力室３０に対応する領域（振動板３１と圧力室形成基板２８とが接さない領域）は、圧電素子３２の撓み変形に伴ってノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に変位する変位部として機能する。すなわち、振動板３１における圧力室３０に対応する領域（振動板３１と圧力室形成基板２８とが接さない領域）が、撓み変形が許容される駆動領域３５となる。一方、振動板３１における圧力室３０から外れた領域（振動板３１と圧力室形成基板２８とが接する領域）が、撓み変形が阻害される非駆動領域３６となる。
【００４６】
上述したように、振動板３１は、第２流路ユニット２９の上面に形成された酸化シリコンからなる弾性膜と、この弾性膜上に形成された酸化ジルコニウムからなる絶縁膜と、から成る。そして、この絶縁膜上（振動板３１の圧力室形成基板２８側と反対側の面）における各圧力室３０に対応する領域（駆動領域３５）に、圧電素子３２が積層されている。圧電素子３２は、ノズル列方向に沿って２列に並設された圧力室３０に対応して、当該ノズル列方向に沿って２列に形成されている。
【００４７】
圧電素子３２は、所謂撓みモードの圧電素子である。すなわち、圧電素子３２は、振動板３１（圧力室形成基板２８）と第１基板３３との間に配置され、振動板３１を撓み変形させる。圧電素子３２は、例えば、振動板３１上に順に積層された、下電極層（個別電極）と、圧電体層と、上電極層（共通電極）とで構成される。圧電素子３２は、下電極層と上電極層との間の電位差に応じた電界が圧電体層に付与されると、ノズル２２から遠ざかる方向あるいは近接する方向に撓み変形する。
【００４８】
圧電素子３２を構成する下電極層は、圧電素子３２より外側の非駆動領域３６まで延設されて個別配線３７を構成する。一方、圧電素子３２を構成する上電極層は、圧電素子３２の列間における非駆動領域３６まで延設されて共通配線３８を構成する。すなわち、圧電素子３２の長手方向において、当該圧電素子３２よりも外側に個別配線３７が形成され、内側に共通配線３８が形成されている。そして、この個別配線３７及び共通配線３８に、それぞれ対応する樹脂コアバンプ４０が接合されている。なお、本実施形態では、一側の圧電素子３２の列から延設された共通配線３８と、他側の圧電素子３２の列から延設された共通配線３８とは、圧電素子３２の列間における非駆動領域３６で接続されている。すなわち、圧電素子３２の列間における非駆動領域３６には、両側の圧電素子３２に共通な共通配線３８が形成されている。
【００４９】
第１基板３３は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板から作製され、振動板３１や圧電素子３２に対して間隔を開けて配置されている。すなわち、第１基板３３は、圧力室形成基板２８に積層配置されている。第１基板３３の圧電素子３２と反対側の面（上面）４２には、圧電素子３２を駆動する信号を出力する駆動ＩＣ３４が配置されている。第１基板３３の圧電素子３２側の面（下面）４１には、圧電素子３２が積層された振動板３１が間隔を開けて配置されている。
【００５０】
第１基板３３の面４１には、駆動ＩＣ３４等からの駆動信号を圧電素子３２側に出力する複数の樹脂コアバンプ４０が形成されている。樹脂コアバンプ４０は、一方の圧電素子３２の外側まで延設された一方の個別配線３７に対応する位置、他方の圧電素子３２の外側まで延設された他方の個別配線３７に対応する位置、及び両方の圧電素子３２の列間に形成された複数の圧電素子３２に共通の共通配線３８に対応する位置に、それぞれノズル列方向に沿って複数形成されている。そして、各樹脂コアバンプ４０は、それぞれ対応する個別配線３７及び共通配線３８に接続されている。
【００５１】
樹脂コアバンプ４０は、弾性を有しており、第１基板３３の表面から振動板３１側に向けて突設されている。詳しくは、樹脂コアバンプ４０は、弾性を有する内部樹脂４０ａと、内部樹脂４０ａの少なくとも一部の表面を覆う下面側配線４７からなる導電膜４０ｂと、を備えている。内部樹脂４０ａは、第１基板３３の表面においてノズル列方向に沿って突条に形成されている。また、個別配線３７に導通する導電膜４０ｂは、ノズル列方向に沿って並設された圧電素子３２に対応して、当該ノズル列方向に沿って複数形成されている。すなわち、個別配線３７に導通する樹脂コアバンプ４０は、ノズル列方向に沿って複数形成されている。各導電膜４０ｂは、内部樹脂４０ａ上から内側（圧電素子３２側）に延びて、下面側配線４７となる。そして、下面側配線４７の樹脂コアバンプ４０とは反対側の端部は、後述する貫通配線４５に接続されている。
【００５２】
共通配線３８に対応する樹脂コアバンプ４０は、第１基板３３の面４１に埋め込まれた下面側埋設配線５１上に複数形成されている。具体的には、ノズル列方向に沿って延設された下面側埋設配線５１上に当該下面側埋設配線５１の幅（ノズル列方向に直交する方向の寸法）よりも狭い幅で内部樹脂４０ａが同方向に沿って形成されている。そして、導電膜４０ｂは、この内部樹脂４０ａ上から当該内部樹脂４０ａの幅方向の両側にはみ出て下面側埋設配線５１と導通するように形成されている。この導電膜４０ｂは、ノズル列方向に沿って複数形成されている。すなわち、共通配線３８に導通する樹脂コアバンプ４０は、ノズル列方向に沿って複数形成されている。なお、内部樹脂４０ａとしては、例えば、ポリイミド樹脂等の樹脂が用いられる。また、下面側埋設配線５１は、銅（Ｃｕ）等の金属からなる。
【００５３】
このような第１基板３３と第２流路ユニット２９（詳しくは、振動板３１と圧電素子３２とが積層された圧力室形成基板２８）とは、樹脂コアバンプ４０を介在させた状態で、熱硬化性及び感光性の両方の特性を有する感光性接着剤４３により接合されている。本実施形態では、ノズル列方向に対して直交する方向における各樹脂コアバンプ４０の内部樹脂４０ａの両側に、感光性接着剤４３が形成されている。また、各感光性接着剤４３は、樹脂コアバンプ４０に対して離間した状態でノズル列方向に沿って帯状に形成されている。感光性接着剤４３としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂、スチレン樹脂等を主成分に含む樹脂が好適に用いられる。
【００５４】
さらに、第１基板３３と第２流路ユニット２９との間には、感光性接着剤４４が配置され、第１基板３３と第２流路ユニット２９とは感光性接着剤４４によっても接合されている。感光性接着剤４４は、感光性接着剤４３と同じ材料、同じ工程で形成されている。感光性接着剤４４は、第１基板３３の周縁部と圧力室形成基板２８の周縁部との間に配置されている。感光性接着剤４４は、圧電素子３２を囲むように額縁状に形成され、圧電素子３２が配置された領域への水分侵入を抑制し、水分侵入による圧電素子３２の劣化を抑制する。
なお、感光性接着剤４４は、「接着剤層」の一例である。
【００５５】
また、第１基板３３の面４２における中央部には、駆動ＩＣ３４に電力（例えば、ＶＤＤ１（低電圧回路の電源）、ＶＤＤ２（高電圧回路の電源）、ＶＳＳ１（低電圧回路の電源）、ＶＳＳ２（高電圧回路の電源））を供給する電源配線５３が複数（本実施形態では４つ）形成されている。各電源配線５３は、ノズル列方向、すなわち駆動ＩＣ３４の長手方向に沿って延設され、当該長手方向における端部においてフレキシブルケーブル等の配線基板（図示省略）を介して外部電源等（図示省略）と接続されている。そして、この電源配線５３上に、対応する駆動ＩＣ３４の電源バンプ電極５６が電気的に接続される。
【００５６】
さらに、第１基板３３の面４２における両端側の領域（電源配線５３が形成された領域から外側に外れた領域）には、駆動ＩＣ３４の個別バンプ電極５７が接続されて、駆動ＩＣ３４からの信号が入力される個別接続端子５４が形成されている。この個別接続端子５４は、圧電素子３２に対応して、ノズル列方向に沿って複数形成されている。各個別接続端子５４からは、内側（圧電素子３２側）に向けて上面側配線４６が延設されている。この上面側配線４６の個別接続端子５４側とは反対側の端部は、貫通配線４５を介して、対応する下面側配線４７と接続されている。
【００５７】
貫通配線４５は、第１基板３３の面４１と面４２との間を中継する配線であり、第１基板３３を板厚方向に貫通した貫通孔４５ａと、当該貫通孔４５ａの内部に形成された金属等の導体からなる導体部４５ｂとからなる。導体部４５ｂは、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなり、貫通孔４５ａ内に充填されている。この導体部４５ｂのうち貫通孔４５ａの面４１側の開口部に露出した部分は、対応する下面側配線４７により被覆される。一方、導体部４５ｂのうち貫通孔４５ａの面４２側の開口部に露出した部分は、対応する上面側配線４６により被覆される。このため、貫通配線４５により、個別接続端子５４から延設された上面側配線４６と、これに対応する樹脂コアバンプ４０から延設された下面側配線４７とが電気的に接続される。すなわち、上面側配線４６、貫通配線４５及び下面側配線４７からなる一連の配線により、個別接続端子５４と樹脂コアバンプ４０とが接続される。なお、貫通配線４５の導体部４５ｂは、貫通孔４５ａ内に充填される必要は無く、少なくとも貫通孔４５ａ内の一部に形成されていればよい。
【００５８】
駆動ＩＣ３４は、圧電素子３２を駆動するためのＩＣチップであり、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）等の接着剤５９を介して第１基板３３の面４２上に積層されている。駆動ＩＣ３４の第１基板３３側の面には、電源配線５３に接続される電源バンプ電極５６及び個別接続端子５４に接続される個別バンプ電極５７が、ノズル列方向に沿って複数並設されている。この電源バンプ電極５６により、電源配線５３からの電力（電圧）が駆動ＩＣ３４に供給される。
【００５９】
駆動ＩＣ３４は、各圧電素子３２を個別に駆動するための信号（駆動信号）を生成する。駆動ＩＣ３４の出力側には、個別バンプ電極５７が配置され、駆動ＩＣ３４からの信号が個別バンプ電極５７、個別接続端子５４、及び第１基板３３に形成された配線等を介して対応する圧電素子３２へ出力される。
【００６０】
そして、上記のように形成された記録ヘッド３は、インクカートリッジ７からのインクをインク導入路、リザーバー１８、共通液室２５及び個別連通路２６を介して圧力室３０に導入する。この状態で、駆動ＩＣ３４からの駆動信号を、第１基板３３に形成された各配線を介して圧電素子３２に供給することで、圧電素子３２を駆動させて圧力室３０に圧力変動を生じさせる。この圧力変動を利用することで、記録ヘッド３はノズル連通路２７を介してノズル２２からインク滴を噴射する。
【００６１】
「記録ヘッドの製造方法」
次に、本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法を説明する。
図３は、本実施形態に係る記録ヘッドの製造方法を示す工程フローである。
図３に示すように、本実施形態に係る記録ヘッド３の製造方法は、第４基板７１と第３基板８２とを接合する工程（ステップＳ１）と、第４基板７１に溝７２を形成する工程（ステップＳ２）と、第３基板８２にステルスダイシング（登録商標）用改質部８４を形成する工程（ステップＳ３）と、第３基板８２にステルスダイシング用粘着シート８５を貼り合せる工程（ステップＳ４）と、第４基板７１及び第３基板８２を分割する工程(ステップＳ５)と、を含む。なお、以降の説明において、「ステルスダイシング」と記載あるものは「ステルスダイシング（登録商標）」を指す。
【００６２】
図４は第４基板の概略平面図である。図５は第３基板の概略平面図である。図６は、ステップＳ１を経た後の基板の状態を示す概略平面図である。図６では、第４基板７１が下側に配置され、第３基板８２は上側に配置されている。図７は、図６のＡ−Ａに沿った概略断面図であり、ステップＳ１を経た後の基板の状態を示す概略断面図である。
【００６３】
なお、図４において、破線は圧力室形成基板２８の輪郭を示し、二点鎖線は第２流路ユニット２９（例えば、振動板３１）の輪郭を示す。図５において、一点鎖線は第１基板３３の輪郭を示す。すなわち、図４において、破線で囲まれた領域は圧力室形成基板２８が配置される領域であり、二点鎖線で囲まれた領域は第２流路ユニット２９（例えば、振動板３１）が配置される領域である。図５において、一点鎖線で囲まれた領域は第１基板３３が配置される領域である。
【００６４】
ステップＳ１を経た後では、平面視で第２流路ユニット２９（例えば、振動板３１）の輪郭と第１基板３３の輪郭とが重なるように配置されるので、図６では第２流路ユニット２９の輪郭（二点鎖線）の図示が省略されている。さらに、図４乃至図６では、説明に必要な構成要素が図示され、説明に不要な構成要素の図示が省略されている。
【００６５】
さらに、第４基板７１及び第３基板８２はオリフラを有し、オリフラに沿った方向をＸ方向と称し、Ｘ方向に交差する方向をＹ方向と称す。Ｘ方向及びＹ方向に交差する方向、すなわち第４基板７１から第３基板８２に向かう方向をＺ方向と称す。また、Ｚ方向は、第１流路ユニット１５と電子デバイス１４とが積層された方向（上下方向）である。よって、Ｚ方向から見ることは、上下方向から見ることと同じであり、「平面視」の一例である。
また、方向を示す矢印の先端側を（＋）方向、方向を示す矢印の基端側を（−）方向と称す場合がある。
【００６６】
図４に示すように、第４基板７１は複数の第２流路ユニット２９（複数の圧力室形成基板２８）が形成された面方位（１１０）のシリコン単結晶基板（マザー基板）である。第４基板７１では、振動板３１は複数の圧力室形成基板２８に跨って形成され、圧電素子３２は複数の圧力室形成基板２８のそれぞれに形成されている。すなわち、第４基板７１は、圧力室形成基板及び前記圧電素子が複数形成された構成を有している。
図５に示すように、第３基板８２は、複数の第１基板３３が形成された面方位（１１０）のシリコン単結晶基板（マザー基板）である。上述したように、複数の第１基板３３のそれぞれには、樹脂コアバンプ４０、貫通配線４５、上面側配線４６、下面側配線４７、上面側埋設配線５０、及び下面側埋設配線５１などが形成されている（図２参照）。
【００６７】
本実施形態では、第４基板７１及び第３基板８２に、９個の第２流路ユニット２９（圧力室形成基板２８）及び９個の第１基板３３が形成されているが、第２流路ユニット２９（圧力室形成基板２８）及び第１基板３３の数は９個よりも少なくてもよく、９個よりも多くてもよい。
【００６８】
さらに、第４基板７１の中央に形成される圧力室形成基板２８を圧力室形成基板２８Ａと称し、圧力室形成基板２８ＡのＸ方向側に配置される圧力室形成基板２８を圧力室形成基板２８Ｂと称し、圧力室形成基板２８ＡのＹ方向側に配置される圧力室形成基板２８を圧力室形成基板２８Ｃと称す。第３基板８２の中央に形成される第１基板３３を第１基板３３Ａと称し、第１基板３３ＡのＸ方向側に配置される第１基板３３を第１基板３３Ｂと称し、第１基板３３ＡのＹ方向側に配置される第１基板３３を第１基板３３Ｃと称す。
【００６９】
なお、圧力室形成基板２８Ａは「一の圧力室形成基板」及び「一の第２基板」の一例であり、圧力室形成基板２８Ｂ，２８Ｃは「一の圧力室形成基板と隣り合う圧力室形成基板」及び「一の第２基板と隣り合う第２基板」の一例である。第１基板３３Ａは「一の第１基板」の一例であり、第１基板３３Ａ，３３Ｂは「一の第１基板と隣り合う第１基板」の一例である。
さらに、圧力室形成基板２８Ａ、圧力室形成基板２８Ｂ、及び圧力室形成基板２８Ｃをまとめて圧力室形成基板２８と称す場合がある。第１基板３３Ａ、第１基板３３Ｂ、及び第１基板３３Ｃをまとめて、第１基板３３と称す場合がある。
【００７０】
図４に示すように、第４基板７１では、複数の第２流路ユニット２９は互いに接して配置され、複数の圧力室形成基板２８はそれぞれ離間して配置されている。圧力室形成基板２８Ａと圧力室形成基板２８Ｂとの離間距離、及び圧力室形成基板２８Ａと圧力室形成基板２８Ｃとの離間距離はそれぞれＬ１である。つまり、複数の圧力室形成基板２８のそれぞれの離間距離はＬ１である。
以降の説明では、圧力室形成基板２８が離間した領域（例えば、圧力室形成基板２８Ａと圧力室形成基板２８Ｂとの間の領域、圧力室形成基板２８Ａと圧力室形成基板２８Ｃとの間の領域）を領域Ｒと称す。領域Ｒの幅方向の寸法はＬ１である。
【００７１】
図５に示すように、第３基板８２において、複数の第１基板３３は互いに接して配置されている。例えば、第１基板３３Ｂは第１基板３３Ａに接して配置され、第１基板３３Ｃは第１基板３３Ａに接して配置されている。
以降の説明では、第３基板８２において、それぞれの第１基板３３の輪郭（図中の一点鎖線）を分割線ＳＬと称す。第１基板３３Ａ及び第１基板３３Ｂ、並びに第１基板３３Ａ及び第１基板３３Ｃは、分割線ＳＬを挟んで配置されている。
なお、分割線ＳＬは、「一の第１基板と一の第１基板と隣り合う第１基板との境界」の一例である。
【００７２】
図示を省略するが、ステップＳ１では、第３基板８２に感光性接着剤４３，４４を塗布し、フォトリソグラフィ法によってパターニングして、分割線ＳＬを覆う格子形状に感光性接着剤４４と、樹脂コアバンプ４０の内部樹脂４０ａの近くに帯状の感光性接着剤４３とを形成する。
続いて、図６及び図７に示すように、第２流路ユニット２９の輪郭と第１基板３３の輪郭とが重なるように第４基板７１と第３基板８２とを貼り合せ、感光性接着剤４３，４４を硬化させ、第４基板７１と第３基板８２とを接合する（接着する）。すなわち、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置されるように、第４基板７１と第３基板８２とを接合する（接着する）。
分割線ＳＬは第１基板３３の輪郭に相当し、領域Ｒは圧力室形成基板２８が離間した領域に相当するので、平面視で分割線ＳＬが領域Ｒの内側に配置されると、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置されるようになる。
換言すれば、ステップＳ１は、第４基板７１と第３基板８２との間に感光性接着剤４４を配置し、第４基板７１と第３基板８２とを接合する工程である。
【００７３】
さらに、ステップＳ１では、ＣＭＰ（化学機械研磨）法、グラインドによる研磨とスピンエッチャーによるエッチングの組み合わせ、を用いて、第４基板７１のＺ（−）方向側の面を研削し、第４基板７１を所定の厚さに薄膜化する。つまり、第４基板７１の厚さが、第３基板８２の厚さよりも薄くなるように、薄膜化処理を施す。
なお、ステップＳ１は、第３基板８２の厚さよりも薄い第４基板７１と、第３基板８２とを貼り合せる構成であってもよい。
【００７４】
図８は、図７に対応する図であり、ステップＳ２を経た後の基板の状態を示す概略断面図である。図９は、図７に対応する図であり、ステップＳ３を経た後の基板の状態を示す概略断面図である。図１０は、図７に対応する図であり、ステップＳ４を経た後の基板の状態を示す概略断面図である。図１１は、図７に対応する図であり、ステップＳ５を経た後の基板の状態を示す概略断面図である。
【００７５】
図８に示すように、ステップＳ２では、第４基板７１のＺ（−）方向側の面に異方性エッチングを施し、圧力室形成基板２８の表面の（１１０）面に対して直交する２つの（１１１）面によって区画された貫通口３０ａと溝７２とを一括形成する。例えば、ＫＯＨを用いたウエットエッチングを施し、貫通口３０ａと溝７２とを一括形成する。ＫＯＨを用いたウエットエッチングでは、振動板３１の圧力室面側（酸化シリコン）は殆どエッチングされず、圧力室形成基板２８（シリコン）を選択的にエッチングすることができる。
【００７６】
ステップＳ２では、圧力室３０に対応する領域の圧力室形成基板２８をＺ方向にエッチングすることによって、貫通口３０ａを形成する。領域Ｒの圧力室形成基板２８をＺ方向にエッチングすることによって、溝７２を形成する。溝７２を形成すると、圧力室形成基板２８Ａ、圧力室形成基板２８Ｂ、圧力室形成基板２８Ｃはそれぞれ分割される。すなわち、ステップＳ２は、第４基板７１（圧力室形成基板２８）に選択エッチングを施し、複数の圧力室形成基板２８を単体の圧力室形成基板２８に分割する工程である。さらに換言すれば、ステップＳ２は、第４基板７１（圧力室形成基板２８）をエッチングし、一の圧力室形成基板２８（圧力室形成基板２８Ａ）と一の圧力室形成基板２８（圧力室形成基板２８Ａ）と隣り合う圧力室形成基板２８（圧力室形成基板２８Ｂ，２８Ｃ）との間に溝７２を形成する工程である。
【００７７】
ステップＳ２では、貫通口３０ａと溝７２とを一括形成するので、貫通口３０ａと溝７２とを別々に形成する場合と比べて、製造工程を簡略化することができる。
第４基板７１は、感光性接着剤４３，４４によって第３基板８２に接合（接着）され、第３基板８２によって補強されているので、圧力室形成基板２８に溝７２や貫通口３０ａなどの空間を形成しても、第４基板７１の機械的強度が低下し、第４基板７１が破損するなどの不具合が抑制される。
【００７８】
図９に示すように、ステップＳ３では、第３基板８２のＸ（＋）方向側の面に、分割線ＳＬに沿って図中の矢印で示されたレーザー光８３を照射し、第３基板８２の内部にステルスダイシング用改質部８４を形成する。詳しくは、レーザー光８３を第３基板８２の内部に集光して、第３基板８２の内部にステルスダイシング用改質部８４を形成する。ステルスダイシング用改質部８４は、ステルスダイシングによる分断の起点となり、分割線ＳＬに沿って形成される。
換言すれば、平面視で溝７２の内側に配置される一の第１基板３３（第１基板３３Ａ）と一の第１基板３３（第１基板３３Ａ）と隣り合う第１基板３３（第１基板３３Ｂ，３３Ｃ）との境界（分割線ＳＬ）に、レーザー光を照射し、第３基板８２にステルスダイシング用改質部８４を形成する工程である。
【００７９】
図１０に示すように、ステップＳ４では、第３基板８２のＺ（＋）方向側の面に、ステルスダイシング用粘着シート８５を貼り合せる。ステルスダイシング用粘着シート８５は、伸縮性を有する樹脂シートであり、例えばポリ塩化ビニルフィルムを使用することができる。
なお、ステップＳ４は、第４基板７１のＺ（−）方向側の面に、ステルスダイシング用粘着シート８５を貼り合せる構成であってもよい。換言すれば、ステップＳ４は、第４基板７１または第３基板８２のいずれかにステルスダイシング用粘着シート８５を貼り合せる工程である。
【００８０】
図１１に示すように、ステップＳ５では、ステルスダイシング用粘着シート８５のエキスパンドにより、第４基板７１と第３基板８２とを分割する。詳しくは、ステルスダイシング用粘着シート８５をＺ方向と交差する方向に引き伸ばし、第３基板８２にＺ方向と交差する力を作用させる。すると、ステルスダイシング用改質部８４が分断の起点となり、複数の第１基板３３が分割線ＳＬに沿って分断され、単体の第１基板３３に分割される。同時に、圧力室形成基板２８と第１基板３３との間に配置される構成要素（例えば、振動板３１、個別配線３７、感光性接着剤４４など）も、分割線ＳＬに沿って分断される。
【００８１】
ステップＳ２において複数の圧力室形成基板２８が単体の圧力室形成基板２８に分割されているので、ステップＳ５を経ることによって、複数の圧力室形成基板２８及び第１基板３３を、単体の圧力室形成基板２８及び第１基板３３に分割することができる。さらに、ステップＳ１において、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置されるように、第４基板７１と第３基板８２とが接合されているので、ステップＳ５によって第４基板７１と第３基板８２とを分割することによって、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置され、圧力室形成基板２８と第１基板３３とが感光性接着剤４４によって接合された基板を安定して製造することができる。
換言すれば、ステップＳ５は、ステルスダイシング用粘着シート８５のエキスパンドにより、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置された状態に第４基板７１と第３基板８２とを分割する工程である。
【００８２】
そして、ステルスダイシング用粘着シート８５を除去した後に、第１基板３３のＺ（＋）方向側の面に、接着剤５９を用いて駆動ＩＣ３４を接合して電子デバイス１４を製造する。さらに、電子デバイス１４がヘッドケース１６に収容された状態で、ヘッドケース１６と第１流路ユニット１５とを接合することで、記録ヘッド３を製造する。
【００８３】
電子デバイス１４では、圧力室形成基板２８は第１基板３３よりも小さく、平面視で圧力室形成基板２８の端部は第１基板３３の端部の内側に配置されるように、圧力室形成基板２８と第１基板３３とが接合され、圧力室形成基板２８は第１基板３３によって保護されているので、圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じにくい。
【００８４】
従って、ステルスダイシング用粘着シート８５を除去する工程、駆動ＩＣ３４を接合する工程、ヘッドケース１６と第１流路ユニット１５とを接合する工程などにおいて、電子デバイス１４をハンドリングしても、圧力室形成基板２８の端部が欠けるなどの機械的損傷が生じにくく、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の外側に配置される構成と比べて、記録ヘッド３の製造歩留や品質を高めることができる。
【００８５】
以上述べたように、本実施形態に係る製造方法は以下に示す効果を得ることができる。
１）複数の基板（圧力室形成基板２８、第１基板３３）が形成されたマザー基板（第４基板７１、第３基板８２）を個片に分割して単体の基板（圧力室形成基板２８、第１基板３３）を形成するので、マザー基板（第４基板７１、第３基板８２）を用いずに単体の基板（圧力室形成基板２８、第１基板３３）を形成する場合と比べて、単体の基板（圧力室形成基板２８、第１基板３３）の生産性を高めることができる。
【００８６】
２）ステップＳ１において平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置されるように第４基板７１と第３基板８２とを接合した後に、ステップＳ２において圧力室形成基板２８を個片化し、ステップＳ５において第１基板３３を個片化するので、平面視で圧力室形成基板２８の端部が第１基板３３の端部の内側に配置され、圧力室形成基板２８と第１基板３３とが感光性接着剤４４によって接合された基板を安定して製造することができる。
【００８７】
３）圧力室形成基板２８の貫通口３０ａと溝７２とを同じ工程（ステップＳ２）で形成するので、貫通口３０ａと溝７２とを別の工程で形成する場合と比べて、製造工程を簡略化し、生産性を高めることができる。
【００８８】
４）圧力室形成基板２８が第１基板３３よりも機械的強度が弱い構成（圧力室形成基板２８の厚さが第１基板３３の厚さよりも薄い構成）であっても、平面視で圧力室形成基板２８の端部は第１基板３３の端部の内側に配置され、圧力室形成基板２８は第１基板３３によって保護されているので、圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じにくい。従って、電子デバイス１４のハンドリングによって圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じにくく、記録ヘッド３の製造歩留を高めることができる。
【００８９】
なお、駆動ＩＣ３４が予め接合された第３基板８２を用いて、上述したステップＳ１〜ステップＳ５の処理を施す構成であってもよい。すなわち、圧力室形成基板２８と第１基板３３とを接合した後に駆動ＩＣ３４を接合してもよく、圧力室形成基板２８と第１基板３３とを接合する前に駆動ＩＣ３４を接合してもよい。
【００９０】
分割線ＳＬを跨いで（覆うように）、格子形状に感光性接着剤４４を形成した。分割線ＳＬを覆わないように、感光性接着剤４４を分割線ＳＬから離間して形成してもよい。すなわち、感光性接着剤４４を、単体の圧力室形成基板２８及び単体の第１基板３３のそれぞれに分割して形成してもよい。例えば、分割線ＳＬに沿って感光性接着剤４４の分断が難しい場合、感光性接着剤４４を分割線ＳＬから離間して形成すると、第４基板７１と第３基板８２とを良好に分断することができる。
【００９１】
（実施形態２）
図１２は、実施形態２に係る記録ヘッドの構成を示す概略断面図である。
本実施形態に係る記録ヘッド３Ａでは、第１基板３３Ｇの中に圧電素子３２を駆動する駆動回路３９が形成されている（内蔵されている）。実施形態１に係る記録ヘッド３では、圧電素子３２を駆動する駆動回路は第１基板３３と別の基板（駆動ＩＣ３４）に形成されている。この点が本実施形態に係る記録ヘッド３Ａと実施形態１に係る記録ヘッド３との相違点であり、他の構成は本実施形態と実施形態１とで同じである。
以下、図１２を参照し、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａの概要を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００９２】
図１２に示すように、記録ヘッド３Ａは、第１流路ユニット１５と、電子デバイス１４Ａと、ヘッドケース１６とを有している。電子デバイス１４Ａは、圧力室３０内のインクに圧力変動を生じさせるアクチュエーターとして機能する薄板状のデバイスであり、第２流路ユニット２９と、第１基板３３Ｇとが順に積層されてユニット化された構成を有している。さらに、第２流路ユニット２９は、圧力室形成基板２８と振動板３１と圧電素子３２とが順に積層された構成を有している。
【００９３】
圧力室形成基板２８は、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板から作製され、圧力室３０となる貫通口３０ａを有している。第１基板３３Ｇは、シリコン単結晶基板を基材とする半導体回路基板であり、駆動回路３９が形成されている。さらに、第１基板３３Ｇには、各種配線（図示省略）や各種電極（図示省略）などが形成されている。駆動回路３９からの信号は、樹脂コアバンプ４０を介して圧電素子３２に供給され、圧電素子３２を駆動する。
【００９４】
圧力室形成基板２８は第１基板３３Ｇよりも小さく、平面視で、圧力室形成基板２８の端部は第１基板３３Ｇの端部の内側に配置されている、すなわち、圧力室形成基板２８は第１基板３３Ｇによって保護されているので、圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じにくい。
【００９５】
圧力室形成基板２８の厚さは、第１基板３３Ｇの厚さよりも薄く、ノズル２２からインクが適正に噴射されやすくなっている。換言すれば、第１基板３３Ｇの厚さは圧力室形成基板２８の厚さよりも厚く、第１基板３３Ｇの厚さが圧力室形成基板２８の厚さよりも薄い場合と比べて、第１基板３３Ｇの機械的強度を高め、第１基板３３Ｇの機械的衝撃に対する耐性を高めることができる。機械的衝撃に対する耐性が高められた第１基板３３Ｇによって圧力室形成基板２８を保護することで、圧力室形成基板２８に機械的損傷が生じにくくなる。
【００９６】
従って、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａでは、記録ヘッド３Ａを製造する工程において、電子デバイス１４（圧力室形成基板２８、第１基板３３Ｇ）をハンドリングする際に、圧力室形成基板２８に機械的衝撃が加わり、圧力室形成基板２８の端部が欠けるなどの機械的損傷が生じにくいという実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００９７】
さらに、本実施形態に係る記録ヘッド３Ａでは、第１基板３３Ｇが圧電素子３２を駆動する駆動回路３９を内蔵しているので、圧電素子３２を駆動する駆動回路が第１基板３３と別の基板（駆動ＩＣ３４）に形成されている実施形態１に係る記録ヘッド３と比べて、記録ヘッド３Ａを薄型化することができる。
【００９８】
さらに、本発明は、広くヘッド全般を対象としたものであり、例えばプリンターなどの画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式記録ヘッドなどの記録ヘッド、液晶ディスプレイなどのカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）などの電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッドなどにも本発明を適用させることができ、本発明の技術的適用範囲である。
【００９９】
また、本発明は、広くＭＥＭＳデバイスを対象としたものであり、上述した記録ヘッド３，３Ａ以外のＭＥＭＳデバイスにも適用することができる。例えば、ＳＡＷデバイス（表面弾性波デバイス）、超音波デバイス、モーター、圧力センサー、焦電素子、及び強誘電体素子は、ＭＥＭＳデバイスの一例であり、本発明を適用させることができ、本発明の技術的適用範囲である。
【０１００】
また、これらのＭＥＭＳデバイスを利用した完成体、例えば上述した記録ヘッド３，３Ａを利用した液体噴射装置、上記ＳＡＷデバイスを利用したＳＡＷ発振器、上記超音波デバイスを利用した超音波センサー、上記モーターを駆動源として利用したロボット、上記焦電素子を利用したＩＲセンサー、強誘電体素子を利用した強誘電体メモリーなども、本発明を適用させることができ、本発明の技術的適用範囲である。
【符号の説明】
【０１０１】
１…プリンター、３…記録ヘッド、１４…電子デバイス、１５…第１流路ユニット、１６…ヘッドケース、１８…リザーバー、２１…ノズルプレート、２２…ノズル、２４…連通基板、２５…共通液室、２６…個別連通路、２８…圧力室形成基板、２９…第２流路ユニット、３０…圧力室、３０ａ…貫通口、３１…振動板、３２…圧電素子、３３…第１基板、３７…個別配線、３８…共通配線、４０…樹脂コアバンプ、４３，４４…感光性接着剤、４５…貫通配線、４６…上面側配線、４７…下面側配線、５０…上面側埋設配線、５１…下面側埋設配線、５３…電源配線、５４…個別接続端子、５６…電源バンプ電極、５７…個別バンプ電極、５９…接着剤。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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