(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的に透明で電気絶縁性の基板（１）、該基板上に配列された少なくとも１つの光学的に透明で導電性のセンサ要素（２ｘ、２ｙ）、及び前記光学的に透明なセンサ要素に電気的に接触させるための少なくとも１つの接触構造（４、４’）を有するタッチセンサ装置（１０）であって、前記接触構造が組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄ（ここで、０＜ｂ≦０．２５ａ、０．５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、且つ、ｃ＋ｄ≦０．８であり、Ｘは、ニオブ及びタンタルからなる元素群から選ばれる１種又は２種の元素である。）を有する金属オキシニトリドからなる少なくとも１つの層を有することを特徴とするタッチセンサ装置。
【請求項２】
前記組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄを有する金属オキシニトリドからなる層が２０％未満の反射率を有することを特徴とする請求項１に記載のタッチセンサ装置。
【請求項３】
前記組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄを有する金属オキシニトリドが窒素原子の３倍以上、９倍以下の酸素原子を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のタッチセンサ装置。
【請求項４】
前記接触構造が複数層状に構成されており、更に、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又はこれらの金属の１つに基づく合金からなる金属層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項５】
センサ電極として形成された前記センサ要素が格子状に配列されており、複数の第一のセンサ要素が第一の方向において異なる位置に配列されており、複数の第二のセンサ要素が第二の方向において異なる位置に配列されており、前記センサ電極が、それぞれ、交点において少なくとも１つの電気絶縁層により互いに分離されており、前記複数の第一のセンサ電極が前記交点において金属オキシニトリドを有する前記接触構造（４）により接触していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項６】
前記接触構造（４’）が前記センサ要素を活性化エレクトロニクス又は解析エレクトロニクスに電気的に接続するための接触端子として形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項７】
投影型容量式タッチセンサとして形成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のタッチセンサ装置を有するタッチセンサディスプレイユニット（タッチパネル）であって、該タッチセンサ装置がディスプレイユニットの上流に搭載され（アウトセル）又はディスプレイユニット中に組み込まれている（オンセル、インセル）タッチセンサディスプレイユニット。
【請求項９】
前記接触構造が少なくとも１つの金属層及び少なくとも１つの前記組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄを有する金属オキシニトリドからなる層を有し、層の順序において、前記組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄを有する金属オキシニトリドからなる層が、前記金属層からの間隔よりも更に大きい間隔をおいて前記ディスプレイユニットから離れて配置されている請求項８に記載のタッチセンサディスプレイユニット。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のタッチセンサ装置の接触構造を製造するためのスパッタリングターゲットＭｏ１−ｚＸｚ（ここで、Ｘは、ニオブ及びタンタルからなる元素群から選ばれる１種又は２種の元素であり、０＜ｚ≦０．２である。）。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のタッチセンサ装置を製造するための方法であって、前記組成ＭｏａＸｂＯｃＮｄを有する金属オキシニトリドからなる層が、酸素及び窒素の供給下に、スパッタリングターゲットＭｏ１−ｚＸｚ（ここで、Ｘは、ニオブ及びタンタルからなる元素群から選ばれる１種又は２種の元素であり、０＜ｚ≦０．２である。）を用いて、気相蒸着法により製造される方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
タッチセンサは、種々の電子デバイス、例えば、ナビゲーションシステム、コピー装置、ＰＣシステムに使用され、また、近年では、移動電話、スマートフォン、タブレットＰＣ、ＰＤＡ（パーソナルデジタルアシスタント；携帯情報端末）、携帯音楽プレーヤー等の携帯機器に頻繁に用いられている。この場合、タッチセンサは、しばしば、例えば、液晶（ＬＣＤ）又はＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイスクリーン等のディスプレイユニット上に配列されるか、そのようなディスプレイユニットに組み込まれて、タッチスクリーンとも呼ばれる所謂タッチパネルを形成する。そのようなタッチパネルにより、ユーザーが直感的に電子デバイスを操作することが可能となり、ユーザーは、指、ペンや他の物体を用いて、タッチセンサの表面に触れることにより、電子デバイスと通信することができる。
【０００２】
タッチポイントを検知するには種々の物理的方法が知られており、それらは、例えば、光学式、音響式、抵抗式又は容量式検知に基づく。市場で入手可能なタッチパネルの大半は、抵抗式（抵抗）検知又は容量検知に基づいている。容量タッチセンサ装置の基本構造は、少なくとも２つの導電層からなり、これらが電気的絶縁基板に適用され、選択的に活性化可能であり、タッチセンサの電極として機能する。もし、絶縁性材料又は導電性材料がセンサの直近に移動されると、２つの導電層の間の静電容量の変化が引き起こされ、これが対応する分析ユニットを用いて検知され解析される。２つの導電層は、特許文献１に開示されているように、基板の対向する面に適用されるか、又は、基板の片面に適用される。基板の片面上の装置の場合、電極は、典型的には、二次元格子に配列され、そこでは、個々の電極は格子状に配列して交差し、互いに重なっていて、重複点で、電気絶縁層によって互いに分離されている。
【０００３】
タッチスクリーンにおけるタッチセンサの適用のためには、タッチセンサは、使用者ができる限り妨げられずにディスプレイユニットを視認できるように、光領域において透明に実装されていなければならない。このために、透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、例えば、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）若しくはアルミニウム−亜鉛酸化物（ＡＺＯ）、導電性ポリマーフィルム、又は同様の材料から、電極を製造することが知られている。これらの材料の低導電性及び製造工程における困難性の結果、実際の適用においては、電極を、それらが交差するところで、金属ブリッジとも呼ばれる金属接触構造により橋架けすることが必要である。最も簡単な態様において、これらの橋架け接触構造は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又は良好な電導度を有するこれらの金属の合金から、単層として構築される。更に、多層の実施態様も知られている。特に、接触構造の透明電極への付着を改善するために、Ａｌ、Ｃｕ又はＡｇ等の良好な電導度を有する金属製の層と接触させるべき透明電極との間に、ＭＯｘ・Ｔａｙ（特許文献２）又はＭＯｘ・Ｎｂｙ製の金属中間層を設けてもよい。
【０００４】
金属接触構造は、確かに、タッチスクリーンの機能としては十分に電導度を増加させるが、可視範囲における反射性の結果、タッチスクリーンの外観を損なうという欠点を有している。タッチスクリーンは、その不活性化状態において、ディスプレイユニットが暗いときは、周囲の明かりで使用者に見えるようになる。というのは、金属構造が周囲光を強く反射するからである。これらの望まない反射を抑制するために、ＭｏＯｘ、ＭＯｘＴａｙＯｚ又はＭｏｘＮｂｙＯｚ等の金属酸化物で作られた光吸収層を接触構造中に積層することが知られている。特許文献１には、例えば、Ｍｏ等の金属層とＭｏＯｘ等の金属酸化物で作られた光吸収層とから作られた多層接触構造が開示されており、そこでは、光吸収酸化物層が金属層と重なり、それによって、望ましくない反射の一部が抑制される。
【０００５】
この薄い導電性層及び接触構造の両方とも、典型的には、適切なスパッタリングターゲットを用いる気相蒸着法に依って製造されるが、ここで、引き続く個々の層の構造化は、湿式化学エッチングプロセスを併用するフォトリソグラフィーによって行なわれる。多層接触構造を造るには、接触構造の個々の層の材料が、似通ったエッチング速度を有していると有利である。というのは、この場合、エッチングプロセスを一工程で実施することができ、エッチング媒体を個々の層の構造に適応させる必要がなく、それにより、製造コストが減少できるからである。エッチング特性は、特に上述の例のＭｏ／ＭｏＯｘの場合には、不満足なものである。というのは、酸化物層ＭｏＯｘのエッチング速度は、（製造工程において典型的に用いられるリン酸、酢酸及び硝酸に基づくエッチング溶液における）金属層のエッチング速度とは顕著に異なるからである。
【０００６】
光学的要求性能及び有利なエッチング挙動に加えて、接触構造は、更なる要求性能を満たさなければならない。特に、可動性装置は、稼働中に環境の影響により高度のストレス（腐食、湿気、汗等々）に曝され、接触構造への損傷が、腐食又はその他の反応により起こり、これが電気的特性を変化させ、タッチセンサの機能を損なうことがあり得る。
【０００７】
要するに、タッチセンサの接触構造は、多種多様の電気的、化学的及び光学的要求特性に合致しなければならない。センサの十分な測定精度及び測定速度のために、接触構造は、十分に高い電導度を有していなければならず、接触すべき透明な導電性電極に対するできる限り低い境界抵抗を満たさなければならない。接触構造は、更に、もし可能ならば、その背後に配列されたディスプレイユニットとの稼働中にも、ディスプレイユニットが稼働していないときにも、ユーザーによって視覚的に認識されるべきではない。更に、用いられる材料は、高度の耐腐食性と外部の影響に対する抵抗性能を有さねばならず、他方、接触構造の材料は、エッチング法による製造中に良好に加工できなければならない。即ち、接触構造の材料は、良好にエッチングされ又は良好なエッチング挙動を有していなければならない。更に、多層接触構造の場合には、より費用効果的な生産のために、個々の層において用いられる該材料のエッチング特性が類似していなければならない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平２０１３−２０３４７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開２０１１／０１９９３４１Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、上述の要求性能に関してできる限り有利な特性を有する接触構造を備えるタッチセンサ装置を提供することである。
【００１０】
この目的は、請求項１によるタッチセンサ装置により達成される。有利な改良は、従属請求項から推論することができる。タッチセンサディスプレイユニット及び本発明によるタッチセンサ装置の接触構造の製造方法も、また、本発明の一部である。
【００１１】
本発明によるタッチセンサ装置は、光学的に透明で電気絶縁性の基板を有し、この基板の上に少なくとも１つの光学的に透明で導電性のセンサ要素が配列されている。典型的には、複数のセンサ要素が備えられており、これらは、選択的に、電気的に活性化することができ、接触を厳密に局在化させることができる。更に、タッチセンサ装置は、前記光学的に透明で導電性の要素（群）に電気的に接触するための少なくとも１つの接触構造を有し、本発明によれば、この接触構造は、金属オキシニトリド製の少なくとも１つの層を有している。ここで、オキシニトリドを形成する金属は、１つの元素又はニオブ、タンタル、バナジウム、タングステン、クロム、レニウム、ハフニウム、チタン及びジルコニウムからなる元素群から選ばれる複数の元素の組合せを含有する。従って、金属オキシニトリドは、ＭｏａＸｂＯｃＮｄの型の組成物（ここで、Ｘは、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｔｉ及びＺｒの群から選ばれる元素又はこのＮｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｔｉ及びＺｒの群から選ばれる複数の元素の組合せである。）を有する。式ＭｏａＸｂＯｃＮｄは、厳密な意味での化学式ではなく、むしろ、単に金属オキシニトリドの相対的な原子組成を表すと理解すべきである。従って、添え字ａ、ｂ、ｃ及びｄは、原子パーセントの規定であり、合計して１になる。Ｘは、存在しなくてもよく、従って、ｂの相対比率は、０であり得る。好ましくは、Ｘは、ニオブ又はタンタルである。或いは、好ましくはｂ＝０である。ここで、留意すべきは、金属オキシニトリドは、極端に純粋な組成を有している必要はなく、むしろ、他の元素による汚染が存在してよいことである。ここで、前記オキシニトリドで製造された層の反射率は、２０％未満であり、特には、１０％未満である。
【００１２】
「接触」とは、直接的な物理的接触によって直接に触れることばかりではなく、むしろ、センサ要素の近辺への物体の接近をも意味すると理解すべきである。従って、タッチセンサ装置は、指、針（スタイラス）又は他の物体を用いてタッチセンサ装置に触れたときにだけ検知するのではなく、それらがタッチセンサ要素の近辺に持ち込まれたときにも検知する装置であると、理解すべきである。タッチセンサ装置は、特に、接触の容量式又は抵抗式検知のために提供することができる。
【００１３】
「光学的に透明」とは、各層又は各構造が可視電磁スペクトルの全て又はその一部を実質的に、透過させることを意味すると理解すべきである。
【００１４】
「反射率」とは、反射光束と入射光束との比と理解すべきである。散乱反射光及び後方散乱光も、また、反射光束の中に考慮すべきである。これは、光学測定の寸法であり、そこでは、層の反射性能がヒトの目の波長依存性の感度を考慮して特徴付けられる（昼日光、明所視の場合）。第一近似において、５５０ｎｍにおける反射率Ｒ（％）は、本発明によって製造された層の反射率の測定に用いられた。ヒトの目の感度（明るさ感度、Ｖラムダ曲線）は、この波長において最も高い。
【００１５】
光学的に透明で導電性のセンサ要素は、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）又はアルミニウム−亜鉛酸化物（ＡＺＯ）等の透明導電性酸化物（ＴＣＯ）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）ポリ（スチレンスルフォネート））等の透明導電性ポリマー、カーボンナノチューブ又はグラフェンを有していてもよい。
【００１６】
接触構造の層又は中間層における金属オキシニトリドの使用は、応用面（有利な光学反射挙動、十分な高導電性）及びタッチセンサ装置の製造の観点の両方から有利である。タッチセンサ装置の層は、典型的には、（複数の）層が、先ず，ＰＶＤ（物理的蒸着）又はＣＶＤ（化学蒸着）等の既知の薄膜被覆技術により、基板の大面積上に析出され、次いで、フォトリソグラフィープロセスにより構造化され、更に引き続くエッチングプロセスにおいて加工されることによって、製造される。ここで、金属オキシニトリド製の層は、モリブデン又はモリブデン合金製の金属ターゲットを用いて、反応性ガスとして酸素又は窒素の供給下に蒸着する（所謂反応性スパッタリング）ことができる。窒素の追加的な使用により、（例えば、特許文献１で提案されているような）酸素供給下においてのみ起こりプロセスパラメータの変動に対して非常に鋭敏に反応する金属酸化物層の製造プロセスと比較して、安定性及び被覆プロセスの再現性の改善をもたらすことができる。金属オキシニトリド製の層のエッチング特性は、製造プロセスにおいて、更に有利な特性として言及しなければならない。金属オキシニトリド製の層は、工業的に使用されるリン酸、硝酸及び酢酸からなる混合物中において、良好なエッチング特性を示し、従って、工業的に一般的な湿潤化学エッチング法において良好に構造化することができる。
【００１７】
原子％で表わした窒素に対する酸素の比率が３：１〜９：１、即ち、層の中に窒素原子の数の少なくとも３倍から最大９倍の数の酸素原子が含まれる金属オキシニトリド層は、反射特性、導電性並びにリン酸、硝酸及び酢酸からなる混合物中でのエッチング特性に関して、全体的に、非常に有利な特性を示すということが認められている。ＭｏａＸｂＯｃＮｄ製のこの層について、３≦ｃ／ｄ≦９が当てはまる。酸素又は窒素比率の変化により、個々の工業的材料特性を最適化することができる。純粋な窒化モリブデンがその電気的特性に関して明確な金属的性質を示す（導電性は金属の場合よりも低いが、電気抵抗は金属導体の範囲内で推移し、窒化モリブデンは光学的範囲内において強く反射する）のに対して、例えば、特許文献１において、本願の用途について提案されているような、適切な準化学量論的酸素比を有する純粋な酸化モリブデンの電気的特性は、顕著にそれから乖離する。それらは、暗色で、光学的範囲において、低い反射率を有する。導電性は、より低く、イオン電導により特徴づけられる。酸素原子を部分的に窒素原子で置換することにより、タッチセンサにおける応用に必要とされる電気抵抗値（電気抵抗Ｒｓ≦３，０００Ω／面積）を維持し又は改善しつつ、光学反射挙動の点で酸化モリブデンの有利な特性が達成できることが見出されている。同時に、酸素に対する窒素の比率を変化させて、自由度が得られ、これを用いて、モリブデンオキシニトリドのエッチング速度を特定範囲内で変化させることができ、モリブデン又はモリブデン合金のエッチング速度に適応させることができる。
【００１８】
金属オキシニトリド層ＭｏａＸｂＯｃＮｄの好ましい実施態様において、以下の関係が成立する。０≦ｂ≦０．２５ａ、０．５≦ｃ≦０．７５、０．０１≦ｄ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１及びｃ＋ｄ≦０．８。特に好ましくは、金属オキシニトリド層について、以下の関係が成立する。０≦ｂ≦０．２ａ、０．５５≦ｃ≦０．７、０．０１≦ｄ≦０．１５、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１及びｃ＋ｄ≦０．８。この場合、上述の利点が達成される度合いが特に大きい。
【００１９】
接触構造は、金属オキシニトリド製の層に加えて、１又はそれ以上の材料で作られた１又はそれ以上の層を有していてもよい。好ましい実施態様において、接触構造は、多重層、特に２層又は３層、に構築されてもよい、金属オキシニトリド製の層に加えて、接触構造は、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又はこれらの金属の１つに基づく合金（「基づく」とは、その合金の主成分の比率が９０原子％より大きいことを意味する。）で作られた金属層を有していてもよく、これにより、接触構造のより高い導電性が達成される。ここで、金属オキシニトリド製の層は、タッチセンサ装置の有利な反射挙動を達成するために（タッチセンサ装置の使用者の視線方向で）金属層の上流に搭載される。接触構造の反射特性は、金属オキシニトリド層の層厚の変化による干渉効果を利用することにより、更に、最適化することができる。
【００２０】
タッチセンサ装置は、本発明による例示的実施態様において、タッチポイント（接触点）の抵抗式又は容量式検知のために、実施することができる。タッチセンサ装置は、好適には、例えば、特許文献１に記述されている投影型電導容量式タッチセンサとして具体化される。ここで、タッチセンサ装置は、複数のセンサ要素を有するが、これらのセンサ要素は、２つのグループに分かれ格子状に配列され、タッチセンサの電極として機能する。「格子状に配列されている」とは、タッチセンサ要素が、例えば、チェス盤のような、あらかじめ定義されたパターンで、基板の表面の異なる位置に配列されていることを意味すると理解すべきである。しかしながら、格子は、直角配列に限定されない。従って、複数の第一センサ電極が第一の方向に異なる位置に配列され、複数の第二センサ電極が第二の方向に異なる位置に配列され、このとき、各場合において、センサ電極は、交点において、互いに、電気絶縁層により分離されている。一群のセンサ電極は、交点において、電気絶縁層により、遮断されている。金属オキシニトリドを有する接触構造は、元々は電気的に分離されているこれらの電極を橋架けするか又は接触させる。
【００２１】
透明電極の交点における橋架け接触に加えて、金属オキシニトリド層を有する本発明の接触構造は、電気的信号の更なる処理のための活性化及び分析ユニットとの透明電極の電気的接触を提供してもよい。金属層との結合により、このようにして、タッチセンサ装置の可視範囲において高度の導電性を有する電気的接触が達成され、このことが、同時に、光学反射に関する高度の要求特性に合致する。
【００２２】
本発明によれば、タッチセンサ装置は、タッチセンサユニット、所謂タッチパネル、の一部を構成してもよい。ここで、タッチセンサ装置は、別個のユニットとして具体化されてもよく、また、液晶（ＬＣＤ）又はＯＬＥＤ（有機発光ダイオード）ディスプレイスクリーンのようなディスプレイユニットに付着させて所謂「アウトセル」タッチセンサ装置を形成してもよい（特許文献１、図３ａ参照）。より薄いタッチパネルを形成するために、タッチセンサ装置は、より強固にディスプレイユニットに組み込んでもよい。従って、例えば、タッチセンサ装置の個々の部品、例えば透明基板、は、同時に、ＬＣＤディスプレイスクリーンの部品を形成してもよく（「オンセル」タッチセンサ装置。タッチセンサ装置は、従って、その背後に位置するディスプレイスクリーンと基板を共有し、ディスプレイスクリーンとは別個の基板を有することはない。特許文献１、図３ｂ参照）、また、ディスプレイユニットに更に強固に組み込んでもよい（「インセル」タッチセンサ装置。米国特許第８２４３０２７号参照）。金属層及び金属オキシニトリド層で作られた本発明による接触構造の多層実施態様の場合、層の連続において、金属オキシニトリドを有する層は、金属層製のディスプレイユニットから、金属層よりもより離れて配置することに留意すべきである。タッチパネルの使用者の視線方向において、金属オキシニトリド層は、従って、金属層の上流に搭載され、金属層を隠す。
【００２３】
この後、本発明を、図１ａ、図１ｂ、図２ａ及び図２ｂを参照しつつ、例示的実施態様に基づいて、より詳細に記述する。図１ａ及び図２ａは、同一であり、本発明によるタッチセンサ装置の構造の平面図を概観的に示し、図１ｂ及び図２ｂにおいて、それぞれ、種々の接触構造の層状構造を断面図で拡大して示す。ここで、タッチセンサ装置の断面を、図１ａ及び図２ａに示すが、これは、点線で示されている。タッチセンサ装置１０は、タッチパネルの一部であり、電気絶縁性の材料、例えばガラス又は透明プラスチック、で作られた光学的に透明な基板１を有している。「オンセル」タッチセンサ装置としての実施態様の範囲内において、タッチセンサ装置の基板は、同時に、ＬＣＤディスプレイスクリーンのカラーフィルタ基板を形成する。しかしながら、基板は、また、別個の基板として形成してもよい。例示的実施態様は、タッチの容量式検知に基づいており、機能及び構造において、特許文献１における投影型の静電容量式タッチパネルに対応する。容量式検知のために必要とされる電極は、複数の層状タッチセンサ要素２ｘ及び２ｙで形成され、これらは、基板の同一面上の行（横列）及び列（縦列）で構成された格子にチェス盤様のパターンで配列され、光学的に透明で導電性の材料、例えばインジウム−スズ酸化物、から構築されている。説明のために、図中において、２つの電極は、異なる陰影を付している。電極は、交点において、電気絶縁層３によって互いに電気的に分離されている。ここで、タッチセンサ要素の１つのグループ、例えば２ｙ、は、各コーナーにおいて、垂直方向に、互いに導電的に結合されており、他方、タッチセンサの他のグループ２ｘは、当初は、電気的に遮断されている。これは、電気絶縁層３によって起きる。タッチセンサ要素２ｘのグループは、橋架け接触構造４によって水平方向に電気的に接触している。本例示的実施態様において、これは、３層から構築されており、モリブデンオキシニトリド製の層５及びＡｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又はこれらの金属の１つに基づく合金で作られた高導電性金属製の金属層６を有している。更に、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ若しくはＴａ又はこれらの金属の１つに基づく合金で作られた更なる金属層７が被覆層として設けられている。ここで、オキシニトリド層で使用されているのと同じ金属又は同じ合金が使用されるのが好ましい。層７は、拡散障壁及び／又はその下に横たわる高導電性金属製の層６の（機械的損傷、腐食、湿気、汗等々に関する）保護層として用いられる。モリブデンオキシニトリド製の層は、タッチパネルの使用者の視線方向２０において２つの金属層の上流に搭載され、それらを隠ぺいする。
【００２４】
タッチセンサ要素２ｘの各横列は、タッチセンサ要素２ｙの各縦列と同様に、活性化及び解析エレクトロニクス（図中には示していない。）に、電気的に接続されている。活性化及び解析エレクトロニクスは、タッチによって誘起される容量の変化を検知し、それをタッチの位置に関して解析する。電気的接続は、少なくとも使用者に見えるタッチパネルの領域において、接触構造４’により、起きる。接触構造４’は、橋架け接触構造４と同様に、３層に構築されており、モリブデンオキシニトリド製の層５、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｇ若しくはＡｕ又はこれらの金属の１つに基づく合金で作られた金属層６及びＭｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｎｂ若しくはＴａ又はこれらの金属の１つに基づく合金で作られた金属層７を有している。
【００２５】
タッチセンサ要素の層及び接触構造４又は４’は、広範囲に亘って、対応するターゲットを用いたスパッタ析出により蒸着され、ここで、金属オキシニトリドの形成は、酸素及び窒素の供給下に起きる。塗被された層は、フォトリソグラフィー及び引き続くリン酸、硝酸及び酢酸からなるエッチング溶液（ＰＡＮエッチング溶液）を用いる湿式化学エッチング法により構造化される。
【００２６】
一連の実験の範囲内において、異なる組成を有するモリブデンオキシニトリドの種々の層を製造し、それらの特性を、表１において、対応する金属層、金属酸化物層及び金属窒化物層と比較した。各事例において、純粋なモリブデン製のターゲット、６原子％のタンタルを有するモリブデン合金製のターゲット又は１０原子％のニオブを有するモリブデン合金製のターゲットをスパッタリングターゲットとして用いた。モリブデンオキシニトリド層は、金属ターゲットから、空気／Ｏ２／Ｎ２混合物を用いて反応スパッタリングした。ここで、プロセスにおける反応性ガスの相対的比率は、酸化物についてＯ２約３３体積％であり、オキシニトリドについてＯ２約２３体積％及びＮ２約１５体積％であった。プロセスガス圧は、約５×１０−３ミリバールであった。
【００２７】
反射率を決定するために、ガラス基板（コーニング  イーグルＸＧ、５０×５０×０．７ｍｍ３）をモリブデンオキシニトリド又は参照材料及び２５０ｎｍＡｌ製の被覆層で塗被した。ここで、第三の金属層は省略した。というのは、それが測定結果に何ら影響しないからである。反射率は、（観察者２０の視線方向で）ガラス基板を通して、パーキンエルマーラムダ９５０フォトスペクトロメーターを用いて測定した。できる限り低い反射率を得るために、モリブデンオキシニトリドの層厚は、３５〜７５ｎｍの範囲で変化させたが、最良の結果は、４０〜６０ｎｍの範囲内で達成された。
【００２８】
モリブデンオキシニトリド及び参照材料の電気抵抗は、ガラス基板を５５ｎｍの厚さの層で塗被した試料に基づいて測定した。測定は、４点法（市場で入手できる４点測定ヘッド）を用いて実行した。
【００２９】
湿式エッチング速度を測定するために、各事例において、３００ｎｍの厚さの層を使用した。湿式エッチング速度は、４０℃において、６６％リン酸、１０％酢酸及び５％硝酸及び水（残部）を有する撹拌下のＰＡＮ溶液中で測定した。ここで、試料は、それぞれ、エッチング溶液に５秒間浸漬し、次いでリンスし、乾燥した。乾燥した試料を次に精密秤で秤量した。これらのステップを層全体が溶解するまで繰り返した。エッチング速度は、エッチング時間に対する質量減少から計算した。
【００３０】
【表１】
0006747970.tif 000002
＊は、本発明の実施例であることを示す。
【００３１】
モリブデンオキシニトリドを有する試料は、酸化モリブデンに対して改良された反射挙動を示した。更に、モリブデンオキシニトリド又はモリブデンタンタルオキシニトリドの場合、金属又は合金の湿式エッチング速度と対応するオキシニトリドの湿式速度の相違は、縮小することができた。
【図１ａ−１ｂ】
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【図２ａ−２ｂ】
0006747970.tif 000004