(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨されるべき基板表面を有する基板を保持する支持体と、
前記基板表面と接触するようにして研磨パッドの研磨面を保持するキャリアと、
前記研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記圧力アプリケータは、第１アクチュエータ、第２アクチュエータ、及び、前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域に対して接離すべく前記第１アクチュエータによって動作され、また、前記キャリアに対して横方向に前記第２アクチュエータによって動作されるように構成された本体を含む、圧力アプリケータと
を備える、研磨システム。
【請求項２】
研磨されるべき基板表面を有する基板を保持する支持体と、
前記基板表面と接触するようにして研磨パッドの研磨面を保持するキャリアと、
前記研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記圧力アプリケータは、アクチュエータ及び、前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域に対して接離すべく前記アクチュエータによって動作されるように構成された本体を含む、圧力アプリケータと
を備え、
前記キャリアは、前記基板よりも大きい幅を有する前記研磨パッドを保持し、それによって、研磨の間、研磨パッドが前記基板のほぼ全体に接触するように構成されており、
前記キャリアは、前記研磨パッドのリムでのみ前記研磨パッドに固定されるように構成され、前記リム内の前記研磨パッドの前記裏面の残りの部分は、チャンバ内の流体に対して開放されている、研磨システム。
【請求項３】
研磨されるべき基板表面を有する基板を保持する支持体と、
前記基板表面と接触するようにして研磨パッドの研磨面を保持するキャリアと、
前記研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記圧力アプリケータは、アクチュエータ及び、前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域に対して接離すべく前記アクチュエータによって動作されるように構成された本体を含む、圧力アプリケータと
を備え、
前記圧力アプリケータは、前記研磨パッドに対して横方向に移動可能な圧力制御パッドを備える、研磨システム。
【請求項４】
前記圧力アプリケータは、複数の圧力制御パッドを備え、各圧力制御パッドは他の圧力制御パッドから独立して横方向に移動可能である、請求項３に記載の研磨システム。
【請求項５】
前記圧力アプリケータは、前記基板が前記基板支持体によって保持されているときに、前記基板表面の中心に対して連係して移動可能な１対の圧力制御パッドを備える、請求項３に記載の研磨システム。
【請求項６】
研磨されるべき基板表面を有する基板を保持する支持体と、
前記基板表面と接触するようにして研磨パッドの研磨面を保持するキャリアと、
前記研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記圧力アプリケータは、アクチュエータ及び、前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域に対して接離すべく前記アクチュエータによって動作されるように構成された本体を含む、圧力アプリケータと
を備え、
前記圧力アプリケータは、頂部構造及び底部構造を有する可撓リングを備え、前記頂部構造は固定の直径を有し、前記底部構造は前記研磨パッドの前記裏面に接触する断面を有し、調整可能な直径を有する、研磨システム。
【請求項７】
前記可撓リングは、リブ及び移動機構をさらに備え、各リブは前記移動機構に接続された一端と、本体の隣り合うスロット間の箇所において前記本体の前記底部に接続された他端を有し、前記底部において前記本体の前記直径を調整するため、前記移動機構は前記本体の長軸に沿って移動するように構成されている、請求項６に記載の研磨システム。
【請求項８】
研磨品を支持する回転可能なプラテン及び、
基板表面を前記研磨品の研磨面に接触させて前記基板を保持し、１つ以上の制御可能なゾーンを有するキャリアヘッド
を備えるバルク研磨ステーションと、
研磨されるべき基板表面を有する前記基板を保持する支持体、
前記基板表面と接触するようにして研磨パッドの研磨面を保持するキャリア、及び
前記研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記圧力アプリケータはアクチュエータ及び、前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域に対して接離すべく前記アクチュエータによって動作されるように構成されている本体を含む、圧力アプリケータ
を備える調節ステーションと、
前記バルク研磨ステーションと前記調節ステーションとの間で前記基板を移送するように構成されている移送機構と
を備える研磨ツール。
【請求項９】
請求項１に記載の研磨システムを用いて基板を研磨する研磨方法であって、
基板の表面を研磨パッドの研磨面との接触に至らしめることであって、前記基板の前記表面は１つ以上の研磨不足領域を備え、前記研磨パッドは前記基板の前記表面にわたって広がる、至らしめることと、
前記研磨面の裏面の残り部分にはほぼ圧力を印加することなしに、前記研磨パッドの前記裏面の１つ以上の選択された領域に圧力を印加することであって、前記裏面は前記研磨面の反対側であり、前記裏面の前記１つ以上の選択された領域は前記１つ以上の研磨不足領域に対応する、印加することと、
前記１つ以上の研磨不足領域の研磨を生じさせるため、前記基板と研磨パッドとの間の相対運動を生成することと、
前記圧力アプリケータの前記本体を前記第２アクチュエータによって横方向に移動することにより、前記研磨パッドの前記裏面の前記圧力を印加する領域を、前記基板に対して横方向に移動することと、
を含む、研磨方法。
【請求項１０】
圧力を印加することは、前記第１アクチュエータで前記本体を移動させて前記研磨パッドの前記裏面の前記選択された領域と接触させることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
圧力を印加することは、前記研磨パッドの前記裏面を圧力制御パッドの表面と接触させることを含み、前記表面は、前記基板の前記表面の前記１つ以上の研磨不足領域に対応するサイズ及び形状を有する、請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、化学機械研磨に関する。具体的には、基板の厚さプロファイルの調節に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路は通常、シリコンウエハ上に導電層、半導電層、または絶縁層を連続的に堆積することによって、基板上に形成される。様々な製造プロセスにおいて、基板上の層を平坦化することが求められる。例えば、１つの製造ステップは、非平面の表面上に充填層を堆積して、充填層を平坦化することを伴う。特定の応用例では、充填層は、パターン層の頂面が露出するまで平坦化される。例えば、パターニングされた絶縁層上に金属層を堆積して、絶縁層内のトレンチ及び孔を充填することができる。平坦化後、パターニングされた層のトレンチ及び孔の中に残っている金属の部分によって、基板上の薄膜回路間の導電経路を提供するビア、プラグ、およびラインが形成される。
【０００３】
化学機械研磨（ＣＭＰ）は、受け入れられた平坦化方法の１つである。この平坦化の方法では通常、基板がキャリアヘッドに取り付けられることが必要である。通常、基板は露出面が回転している研磨パッドに接するようにして置かれる。キャリアヘッドが基板の裏側に制御可能な荷重をかけ、基板の前面を研磨パッドに押し付ける。通常、研磨粒子を含む研磨スラリが、研磨パッドの表面に供給される。
【発明の概要】
【０００４】
市販の研磨システムでは、基板は裏側に圧力を受け、その圧力によって基板の露出面が回転している研磨パッドに押し付けられる。しかし基板は比較的高い剛性を有し、それによって、基板の裏側にかかる圧力は、基板の前表面上のより大きな区域に分散する。例えば、基板の裏側にある直径１ｍｍの点に印加された圧力は、例えば３０ｍｍの直径を有するゾーンをカバーするまで分散し得る。この結果、裏側からの圧力を用いて基板の露出面上の圧力分布を精密に制御することは、難しい。露出面上の小さいゾーン内に位置する望ましくない（１または複数の）凹凸を補正することは、困難になり得る。この問題に対処するための技法は、基板に対する研磨パッドの圧力を制御することである。
【０００５】
一態様では、研磨システムは、研磨される基板表面を有する基板を保持する支持体と、この基板表面と接するようにして研磨パッドを保持するキャリアと、研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータとを含む。裏面は、研磨面の反対側である。圧力アプリケータは、アクチュエータと、研磨パッドの裏面の選択された領域に対して接離すべくこのアクチュエータによって動作されるように構成された、本体とを含む。
【０００６】
別の態様では、研磨ツールは、バルク研磨ステーションと、調節ステーションと、バルク研磨ステーションと調節ステーションとの間で基板を移送するように構成された移送メカニズムとを含む。バルク研磨ステーションは、研磨品を支持する回転可能なプラテンと、基板表面を研磨品の研磨面に接触させて基板を保持し、１つ以上の制御可能なゾーンを有するキャリアヘッドとを含む。調節ステーションは、研磨される基板表面を有する基板を保持する支持体と、この基板表面と接するようにして研磨パッドを保持するキャリアと、研磨パッドの裏面の選択された領域に圧力を印加する圧力アプリケータであって、裏面は研磨面の反対側であり、圧力アプリケータはアクチュエータ及び、研磨パッドの裏面の選択された領域に対して接離すべくこのアクチュエータによって動作されるように構成された本体を含む、圧力アプリケータとを含む。
【０００７】
別の実施態様では、研磨方法は、基板の表面を研磨パッドの研磨面との接触に至らしめることであって、基板の表面は１つ以上の研磨不足領域を備え、研磨パッドは基板の表面にわたって広がる、至らしめることと、研磨面の裏側の残り部分にはほぼ圧力を印加することなしに、研磨パッドの裏面の１つ以上の選択された領域に圧力を印加することであって、裏面は研磨面の反対側であり、裏面の１つ以上の選択された領域は１つ以上の研磨不足領域に対応する、印加することと、１つ以上の研磨不足領域の研磨を生じさせるため、基板と研磨パッドとの間の相対運動を生成することと、を含む。
【０００８】
別の態様では、研磨システムは、研磨される基板表面を有する基板を保持する支持体と、研磨パッドをコンディショニングするコンディショニングシステムであって、１つ以上のコンディショニングヘッドを備えるコンディショニングシステムと、可動支持構造体と、研磨パッドを保持するキャリアとを含む。キャリアは可動支持構造体から懸架され、支持構造体は、基板を保持する支持体とコンディショニングシステムとの間でキャリアを移動させるように構成されている。
【０００９】
実施形態は、下記の利点のうちの１つ以上を含み得る。研磨されている基板表面の前側から、基板を通過することなく、局所的圧力が印加され得る。基板表面上の圧力分布が、基板を通って分散することなく、精密に制御され得、それによって、局所的な厚さの調節が正確に実施され得る。厚さの調節を必要とする基板上の領域のサイズ及び形状に対応する、選択されたサイズ及び形状を有する圧力制御パッドによって、局所的圧力が印加され得る。複数の箇所において基板の厚さを調節するため、圧力制御パッドは、基板に対して移動可能である。厚さの調節を必要とする基板上の領域のサイズ及び／または形状に基づいてサイズ決め及び／または形状決めされた研磨パッドの使用によって、圧力の分散はさらに低減され得る。代わりにまたは加えて、研磨パッド及び基板に局所的圧力を印加して所望の箇所で基板の厚さを微調節するために、１つ以上の可撓性リングが用いられ得る。厚さ調節は、追加で研磨パッドコンディショニングシステムを一体的に含む調節ステーションにおいて、実施され得る。１つ以上の研磨パッドをコンディショニングしている間に、１つ以上の基板の厚さが調節される、マルチクロス処理が実施され得る。
【００１０】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細を、添付の図面および以下の記述で説明する。本発明の他の特徴、目的及び利点は、これらの記述及び図面から、並びに特許請求の範囲から明らかになろう。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】研磨システムの一例の概略断面図である。
【図２】調節ステーションの一例のブロック図である。
【図３】調節ステーションの一部の概略上面図である。
【図４】調節ステーションの一部の概略上面図である。
【図５】図５Ａ及び５Ｂは、圧力制御パッドの概略断面図である。
【図６】可撓リングの一例の概略斜視図 である。
【図６Ａ】可撓リングの概略断面図である。
【図７】基板の厚さプロファイルを調節する例示のプロセスのフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
概説
基板の表面が化学機械研磨処理を用いて研磨されるとき、時として、基板上の種々の箇所における（１または複数の）基板材料は、種々の比率で取り除かれる。例えば、基板の端部付近の表面領域内にある（１または複数の）基板材料は、基板の中心付近の表面領域内にあるものよりも、より高い比率で取り除かれ得る。別の例では、研磨される表面は、例えば１０ｍｍ以下の線寸法を有するゾーンといった小さい局所的なゾーン内に、望ましくない、研磨不足の凸部または過研磨された凹部を含み得る。こうした凸部または凹部は、研磨処理または研磨装置が不完全であることによって生じ得る。
【００１３】
議論を簡潔にするため、基板の表面をほぼ平坦化し（即ち下にあるパターンによって生じるステップ高低差をほぼ取り除き）、取り除くことが意図された材料の大部分を取り除く研磨処理を、バルク研磨と称する。
【００１４】
本開示による化学機械研磨処理は、基板のバルク研磨の前、間、及び／または後に、基板の厚さプロファイルを調節する、１つ以上の追加のステップを含む。これらの処理においては、裏側の圧力に代えてまたは加えて、研磨されている表面は、圧力が基板を通過することなく、前面からの圧力を受ける。前面圧力は研磨パッドを通じて印加され、研磨パッドを通じて分散することは、ほぼない。研磨されている表面に達する圧力は、研磨パッドに印加される圧力の区域及び量を精密に制御することによって、精密に制御される。基板の厚さプロファイルの調節は、高度に局所化され得、調正可能であり得る。例えば基板表面の径方向のゾーンといった種々のゾーンに対して実施され得る。局所的圧力は、１つ以上の圧力制御パッド、及び／または１つ以上の可撓リングを用いて印加され得る。ある実施形態では、裏側圧力と前面圧力は、組み合わされて用いられ得る。
【００１５】
厚さ調節は、機械的に、化学的に、または化学機械的に実施され得る。ある実施形態では、１つ以上の追加のステップは、研磨されている表面上の圧力分布が精密に制御されている点を除いて、バルク研磨で用いられているものと同様である化学機械研磨ステップを含み、それによって、化学機械研磨が表面の所望の局所的ゾーンにおいてのみ行われる。
【００１６】
この１つ以上のステップはまた、厚さ調節に用いられる研磨パッドをコンディショニングすることも、含み得る。コンディショニングは、厚さ調節処理が実施されるのと同じステーションにおいて、便利に実施され得る。コンディショニングは時として、対応する箇所において基板の厚さ調節が行われた、研磨パッドの選択された箇所のみにおいて行われる。
【００１７】
例示の研磨システム
図１は、バルク研磨装置１０４及び調節ステーション１０２を含む、研磨システム１００の一例を示す。研磨されるべき基板１０は、厚さ調節及びバルク研磨のため、調節ステーション１０２とバルク研磨装置１０４の間で移送されることができる。例えば、基板は、研磨装置１０４における基板１０のバルク研磨の前、最中、または後に、調節ステーション１０２に向けられることができる。ステーション１０２と装置１０４との間の基板１０の移送は、例えばロード／アンロードアセンブリまたはロボットアームといったメカニズムを用いて、行われ得る。ある実施形態では、調節ステーション１０２はスタンドアローンのシステムである。この場合、調節ステーション１０２は、バルク研磨装置１０４の付近（例えば同一の処理室内）に設置され得る。図示されてはいないが、ステーション１０２は装置１０４に一体化されていることもできる。
【００１８】
バルク研磨装置 
研磨装置１０４は、１つ以上のキャリアヘッド１４０を含む（１つのみを図示する）。各キャリアヘッド１４０は、ウエハなどの基板１０を研磨パッド１１０に接触して保持するように操作可能である。各キャリアヘッド１４０は、各基板それぞれに関連づけられた研磨パラメータ、例えば圧力を、個別に制御することができる。各キャリアヘッド１４０は、基板１０を研磨パッド１１０上で且つ可撓膜１４４の下方である、適所に保持する保持リング１４２を含む。
【００１９】
各キャリアヘッド１４０はまた、オプションで、膜によって画定された、個別制御可能で加圧可能な複数のチャンバ（例えば３つのチャンバ１４６Ａ〜１４６Ｃ）を含み、これらのチャンバは、可撓膜１４４上の（したがって基板１０上の）関連するゾーンに、個別に制御可能な圧力を印加することができる。
【００２０】
各キャリアヘッド１４０は、例えばカルーセルまたはトラックといった支持構造体１５０から懸架されており、ドライブシャフト１５２によってキャリアヘッドの回転モータ１５４に接続されている。これによって、キャリアヘッドが軸１５５を中心にして回転することができる。各キャリアヘッド１４０はオプションで、カルーセル自体の回転振動によって、またはキャリアヘッド１４０をトラックに沿って支持する運び台の動きによって、例えばカルーセル１５０のスライダー上で横方向に振動することができる。
【００２１】
研磨装置１０４に含まれるプラテン１２０は、回転可能な円盤形のプラテンであり、その上に研磨パッド１１０が位置している。プラテンは、軸１２５を中心にして回転するように操作可能である。例えば、モータ１２１はドライブシャフト１２４を回して、プラテン１２０を回転させることができる。研磨パッド１１０は、外側研磨層１１２及びより軟性のバッキング層１１４を有する、２層研磨パッドであることができる。
【００２２】
研磨装置１０２は、スラリなどの研磨流体１３２を研磨パッド１１０上にパッドに対して分注するための、ポート１３０を含むことができる。研磨装置はまた、研磨パッド１１０を磨いて研磨パッド１１０を一貫した研磨状態に維持する、研磨パッドコンディショナーも含むことができる。
【００２３】
動作中、プラテンはその中心軸１２５を中心にして回転する。各キャリアヘッドはその中心軸１５５を中心にして回転し、研磨パッドの頂面を横切って横方向に平行移動する。
【００２４】
１つのキャリアヘッド１４０のみが示されているが、追加の基板を保持するためにより多くのキャリアヘッドを設けることができ、それによって研磨パッド１１０の表面積が効率的に使用され得る。従って、同時研磨処理のために基板を保持するように適合されるキャリアヘッドアセンブリの数は、少なくとも部分的に、研磨パッド１１０の表面積に基づき得る。
【００２５】
ある実施形態では、研磨装置は、インシトゥモニタシステム１６０を含む。インシトゥモニタシステムは、例えば分光モニタシステムといった、研磨中の基板から反射した光のスペクトルの測定に用いられ得る光学モニタシステムであることができる。研磨パッドを通る光アクセスは、開孔（すなわちパッドを貫通する孔）、またはソリッドな窓１１８を含むことによって設けられる。インシトゥモニタシステムは、代わりにまたは追加で、渦電流モニタシステムを含むことができる。
【００２６】
ある実施形態では、光学モニタシステム１６０は、２つの研磨装置の間、または研磨装置と移送ステーションとの間に位置するプローブ（図示せず）を有する、インシーケンス光学モニタシステム１６０である。モニタシステム１６０は、研磨中、基板のゾーンの１つ以上の特徴を、連続してまたは周期的にモニタすることができる。例えば、１つの特徴は、基板の各ゾーンの厚さである。
【００２７】
インシトゥまたはインシーケンス光学モニタシステム１６０のいずれかの実施形態では、光学モニタシステム１６０は、光源１６２、光検出器１６４、及び例えばコンピュータといった遠隔コントローラ１９０と光源１６２と光検出器１６４の間で信号を送受信するための、回路１６６を含むことができる。１つ以上の光ファイバー１７０を用いて、光源１６２からの光を研磨パッド内の光アクセスに伝送し、基板１０から反射された光を検出器１６４に伝送することができる。
【００２８】
調節ステーション
調節ステーション１０２は、基板１０を受容する表面１０８が設けられた、支持構造体１０６を含む。基板１０はまた、例えば真空チャックまたはクランプによって、支持構造体１０６に固定されていてもよい。
【００２９】
精密制御研磨ヘッド３００は、基板１０の表面３０８の種々の箇所において厚さを選択的に調節するように、コントローラ３０２によって制御され得る。基板１０の表面３０８は、研磨パッド３０６を研磨面３０４と接触させることができ、この２つの表面３０４、３０６の間に、スラリが供給され得る。研磨中、研磨パッド３０６の別々の領域に印加される圧力は、（１または複数の）圧力アプリケータ３０５によって制御される。このように、精密制御研磨ヘッド３００は、局所的領域において基板１０の厚さを調節するため、研磨パッド３０６の選択された箇所に対して圧力を印加することができる。例えば、基板上の領域は、約１〜１０ｍｍ、例えば５ｍｍの横方向サイズ（表面に平行）を有することができる。厚さ調節によって、これらの領域内の材料を、例えば２〜１００ｎｍ、１０〜１００ｎｍ、または５０〜１００ｎｍといったナノメータのオーダーの量で取り除くことができる。
【００３０】
コントローラ３０２は、あらかじめ定められた基板１０の厚さプロファイルを保存し得、保存されたプロファイルに基づいて、基板の厚さの調節を制御し得る。例えば、基板１０の保存されたプロファイルと実際の厚さプロファイルまたは予測された厚さプロファイルとを用いて、基板１０の厚さが保存されたプロファイルに達するように調節することを、精密制御研磨ヘッド３００に命じることができる。調節されるべき基板の実際の厚さプロファイルは、調節プロセスが開始される前に、ドライな計量またはウエットな測定を用いて得ることができる。ある実施形態では、コントローラ３０２は、例えば各タイプの基板に関して実施されるべき厚さ調節の量及びタイプに関する情報を含む、ルックアップテーブルの形態でデータを保存する。
【００３１】
調節ステーション１０２はまた、厚さ調節のインシトゥ測定またはインライン測定を提供する、モニタシステム３０４を含むこともできる。ある実施形態では、モニタシステム３０４は、バルク研磨装置１０４のモニタシステム１６０と同様である。例えば、モニタシステム３０４は、光学モニタシステムであることができる。モニタシステム３０４の光ファイバーは、研磨パッド３０６の開口部を通って突出することができ、２つのパッドのセクション間に位置し得るか、または研磨パッドと接していない基板の部分を走査するように位置し得る。光ファイバーは、基板上に光を投影し、基板から光の反射を受光することができる。
【００３２】
モニタシステムは、コントローラ３０２と通信して、調節プロセスにフィードバックを提供し、調節プロセスを制御することができる。基板１０のバルク研磨処理の前または間に調節が実施される状況では、調節が正確である必要はなくてよい。厚さ調節は、基板１０の厚さを変更するだけでなく、調節後に実施されるバルク研磨処理の研磨ダイナミクスをも変更する。バルク研磨処理は、均一なウエハ内研磨に至ることができる。
【００３３】
調節ステーション１０２は、追加で、研磨パッド３０６のコンディショニング用の研磨パッドコンディショニングシステム３０９を含むことができる。ある実施形態では、調節ステーション１０２は、同一の支持体メカニズム１０６上の、または異なる支持体メカニズム上の複数の基板を同時に調節するため、複数の精密制御研磨ヘッド３００を含む。時として、ある基板が研磨されている間に、他の研磨パッドがコンディショニングされる。
【００３４】
基板の厚さプロファイルの調節
図２を参照すると、例示的な調節ステーション２００は精密制御研磨ヘッド２０２を含み、その上には研磨パッド２０４が取り付けられている。ペデスタル２１０は、研磨パッド２０４によって研磨される基板２１２を保持する。基板２１２は、ウエハのロード／アンロードアセンブリ２２４を用いて、バルク研磨システムからロードされることができる。基板２１２は、他の製造ツールからロードされることができる。基板は、バルク研磨処理の実施の前、間、または後にロードされることができる。ペデスタル２１０は、矢印２０８で示す垂直方向に沿って、基板２１２を上下に移動することができる。例えば、ペデスタル２１０は、基板の上表面２１４を研磨するため、上表面２１４を研磨パッド２０４の研磨面２１６と接触させることができる。ペデスタル２１０はさらに、研磨の間、オプションで上向きの力を行使し、表面２１４と表面２１６との間の研磨インターフェースに対して裏側からの圧力を加えることができる。ペデスタルはさらに、スラリを内包し、表面２１４と表面２１６との間の研磨インターフェースに対してスラリを分注することができる。
【００３５】
調節ステーション２００は、矢印２０８で示すように垂直方向上下に、ヘッド２０２と研磨パッド２０４を移動するためのモータ２０６を含むことができる。
【００３６】
調節ステーション２００はまた、研磨の間、基板と研磨パッドとの間の相対運動を生成するためのモータを含むこともできる。例えば、調節ステーションは、ヘッド２０２及び研磨パッド２０４を回転または揺動させるためのモータを含むことができる。代わりにまたは追加で、相対運動を提供するためにモータはペデスタル２１０を回転または揺動させることができる。基板２１２に対する研磨パッドの回転または揺動によって、基板の表面２１４が研磨される。研磨中、精密制御研磨ヘッド２０２によって印加される下向きの力によって、表面２１４と表面２１６との間の研磨インターフェースに対する前面の圧力が生み出される。
【００３７】
精密制御研磨ヘッド２０２は、研磨パッド２０４を保持するように構成されている。研磨パッドは、基板の幅全体にわたるよう、十分に幅広であることができる。研磨ヘッド２０４の裏面２１８（即ち研磨面２１６の反対の面）は、接着剤によって精密制御研磨ヘッド２０２に固定されているか、１つ以上のクランプによってヘッド２０２上に保持されていることができる。ある実施形態では、研磨パッド２０４のリムだけが、精密制御研磨ヘッド２０２に固定されている。この場合、裏面２１８の（下記の制御パッドが接触している領域を除く）残りの部分は、研磨パッド２０４とヘッド２０２との間の内側チャンバ内で、例えば空気といった流体に曝されていることができる。ヘッド２０２内の内側チャンバは、大気に通気されていることができる。
【００３８】
精密制御研磨ヘッド２０２は、研磨パッド２０４の表面２１８上に局所的な力を行使するための、１つ以上の圧力アプリケータ２２０を含む。各圧力アプリケータは、アクチュエータ及び、研磨パッド２０４の表面２１８と接触して表面２１８に対して圧力を印加するように制御可能に機械的に駆動された、本体を含む。このように、研磨パッド２０４は圧力アプリケータ２２０と基板２１２との間に設置されている。アクチュエータはリニアアクチュエータであることができ、ヘッド２０２に取り付けられたときに、研磨パッド２０４の裏面２１８と垂直な方向に、本体を動かすように構成されることができる。
【００３９】
研磨パッド２０４の表面２１８と接触する圧力アプリケータ２２０の本体は、「圧力制御パッド」と称することができるが、圧力制御パッドは、軟らかいかまたは薄い物体でなくてよい。図２に示す例では、ヘッド２０２は２つの圧力制御パッド２２０Ａ、２２０Ｂを含んでいるが、他の数の圧力制御パットが用いられ得る。例えば、２つのパッド２２１、２２０Ｂの代わりに、単一の環状の制御パッドであることができる。概して、研磨パッド２０４は基板２１２よりも軟らかく、圧力制御パッドによって印加される前面の圧力は、著しく分散することなく、研磨パッドを通り抜ける。結果として、基板表面２１４が受ける圧力は、圧力制御パッド２２０と表面２１８との間の接触区域のサイズにほぼ限定される。
【００４０】
圧力制御パッド２２０の接触区域または断面の、サイズと形状を選択することによって、研磨されるべき基板表面２１４上の区域のサイズと形状が微調整され得る。ある実施形態では、接触区域または圧力制御パッド２２０の断面のサイズは、表面２１４の平滑度の所望のレゾリューションに基づいて選択される。例えば、表面２１４の所望の平滑度が１０ｍｍまでである場合、１０ｍｍ以上のサイズを有する任意の局所的な凸部または凹部は、精密に磨いて除去する必要がある。圧力制御パッド２２０は、局所的な凸部と同じ大きさのサイズを有するように選択され得る。このように、こうした凸部に局所的圧力を印加して凸部を平滑化することができる。
【００４１】
圧力制御パッド２２０の断面に関する好適な形状の例が、図５Ａ及び５Ｂに示されている。具体的には、図５Ａは、圧力制御パッド２２０と研磨パッド表面２１８との間の接触領域（図２参照）に対応する、円弧形を有する水平断面５００を示す。断面５００の円弧形は、異なる曲率を有し、２端５０８、５１０で接している、外周５０４及び内周５０６を有する。外周５０４及び内周５０６は、円筒または他の構造体の一部であることができる。円弧の最大幅部分において、外周５０４及び内周５０６は、例えば約１ｍｍ〜１０ｍｍ、１ｍｍ〜５ｍｍ、または３ｍｍである幅Ｗによって離間している。
【００４２】
図５Ｂは、同様に円弧形を有する、別の断面５０２を示す。断面５０２を有する圧力制御パッド２２０は、中空の円筒の一部として作られていることができる。円筒の外半径Ｒは、基板のサイズに基づいて選択されることができ、例えば約１３０ｍｍ〜約１５０ｍｍ、約１４０ｍｍ〜約１５０ｍｍ、または約１４５ｍｍであることができる。円筒の幅Ｗは、例えば約１ｍｍ〜１０ｍｍ、約１ｍｍ〜５ｍｍ、または約３ｍｍであることができる。図５Ｂの円弧は、約１０度〜約６０度である円筒の中心からの角度Αに対応し得る。
【００４３】
種々の欠陥及び種々の基板に対して用いるため、図２の精密制御研磨ヘッド２０２に対して、種々のサイズと形状を有する複数の圧力制御パッドを用意することができる。使用前に、適切な形状とサイズを有する（例えば取り除くことが意図される欠陥のうちの最小のサイズに相当する）１つ以上の圧力制御パッドを選択し、精密研磨制御ヘッド２０２で用いるためにマウントすることができる。
【００４４】
圧力制御パッドは、基板の局所的研磨にとって望ましい局所的圧力を有する箇所に移動されることができる。ある実施形態では、圧力制御パッドは、精密制御研磨ヘッド２０２内における横位置が固定されており、したがって圧力制御パッドを所望の領域に配置するためには、精密制御研磨ヘッドを移動する必要がある。ある実施形態では、圧力制御パッドは、例えばヘッド２０２内のリニアアクチュエータによって、精密制御研磨ヘッド２０２内で移動可能である。例えば、各圧力制御パッドは、他の圧力制御パッドから独立して移動することができる。
【００４５】
ある実施形態では、２つの圧力制御パッドは一対を形成し、連係して配置されている。例えば、２つの圧力制御パッド２２０Ａ、２２０Ｂは、基板２１２の直径に沿って、または研磨パッド２０４の直径に沿って配設されることができ、直径に沿って互いに対して近づいたり遠ざかったりすることができる。ある実施形態では、制御パッド２２０Ａ、２２０Ｂは、直径に沿って移動する間、基板２１２または研磨パッド２０４の中心点から等距離のままであることができる。ある実施形態では、精密制御研磨ヘッド２０２は回転し、一対のパッドは回転軸から等距離にある。
【００４６】
研磨工程の間、圧力制御パッドは、精密制御研磨ヘッド２０２に対して静止して保持されることができるが、精密制御研磨ヘッド２０２と共に移動することもできる。
【００４７】
一対の連係する圧力制御パッドの例３１２、３１４を、図３に示す。この例では、各対の圧力制御パッド３１２、３１４は、基板２１２の直径に沿って、基板の中心Ｃをまたいで反対側に位置している。圧力制御パッド３１２、３１４は、例えばステップモータ、リニアアクチュエータ、または空気圧シリンダといった、同一の移動機構に接続され得、矢印３１６で示す方向に沿って、同時に、中心Ｃに対して同じ量だけ移動し得る。ある実施形態では、一対の圧力制御パッドは、矢印３１８、３１０で示すように、基板２１２の種々の直径に対応する種々の箇所に、連携して移動され得る。直径が種々である場合にも、圧力制御パッド３１２、３１４は、種々の直径に沿って移動され得る。
【００４８】
上記のように、精密制御研磨ヘッド２０２及び研磨パッド２０４は、研磨中、基板２１２に対して回転し得る。この結果、圧力制御パッド２２０もまた、基板２１２に対して回転する。圧力制御パッド２２０によって印加された局所的圧力による局所的研磨は、径方向の円周全体に沿って行われ得る。ある実施形態では、研磨ヘッド２０２及び研磨パッド２０４を回転する代わりに、モータ２０６が研磨パッドを振動させて、圧力制御パッド２２０に対応する箇所の基板表面２１４から材料を取り除く。その後、圧力制御パッド２２０は、異なる箇所から材料を取り除くため、その異なる箇所へと移動され得る。圧力制御パッドの箇所は、基板の所望の厚さプロファイルと実際の厚さプロファイルとに基づいて、あらかじめ決められていることができる。
【００４９】
ある実施形態では、図２の精密制御研磨ヘッド２０２は、種々の直径に沿って配設され、種々の距離で離間された、複数の対の圧力制御パッドを含み得る。例えば、図４は、基板２１２の１つの直径に沿って配設された４０２、４０４と、基板２１２の別の直径に沿って配設された４０６、４０８の、二対の圧力制御パッドを示す。圧力制御パッドの各対は、図３の圧力制御パッド３０２、３０４と同様の特徴を有することができる。パッド４０６と４０８は、パッド４０２と４０４よりも互いに近接している。研磨パッド２０４が基板２１２に対して回転するとき、二対の圧力制御パッドによって、中心Ｃに対して異なる半径を有する、２つの円形の領域が研磨される。研磨パッド２０４が振動するとき、この二対の圧力制御パッドは、基板表面２１４上の４つの異なる箇所を、同時に且つ効率的に研磨する。
【００５０】
ある実施形態によると、図２の精密制御研磨ヘッド２０２は、複数の独立した圧力制御パッドを含む。独立した各圧力制御パッドは、基板２１２に対する（例えば基板２１２の中心Ｃに対する）位置と、研磨パッド表面２１８に印加される圧力と、圧力が印加される時間の長さとに関して、独立して制御されることができる。
【００５１】
ある状況では、（１または複数の）圧力制御パッドまたは（１または複数の）対の圧力制御パッドは、研磨中、研磨パッド２０４に対して静止している代わりに、例えば経路に沿ってスイープするように、研磨パッドに対して移動することができる。
【００５２】
ある実施形態では、所望の厚さ及び平滑度プロファイルを達成するのに必要な局所的研磨の量に応じて、基板の種々の箇所において、独立した圧力制御パッドまたは独立した対の圧力制御パッドによって、種々の量の圧力が印加され及び／または種々の長さの研磨時間が適用される。例えば、基板のバルク研磨によって、時として基板がいわゆる非対称問題を有するということが生じる。非対称問題がある場合には、バルク研磨された基板の端部付近において、基板の中心領域におけるよりも厚さの変動が大きい。基板表面２１４内の均一な厚さを達成するために、厚さの調節は、基板の中心領域と端部領域とで、異なるやり方で実施されることができる。
【００５３】
図３及び４に示すものとは異なるある実施形態では、研磨パッド２０４のサイズは、局所的研磨を必要としている区域のサイズと同様であり、基盤２１２のサイズよりは小さいものが選択されている。例えば、研磨パッド２０４は、約１２０ｍｍ〜約１５０ｍｍの直径を有することができる。ヘッド２０２のような精密研磨制御ヘッドは、種々のサイズを有する複数の研磨パッドを有することができる。使用の際には、適切な研磨パッドが選択され、基板表面２１４上の１つの箇所から別の箇所へと移動され、これらの箇所で材料を局所的に取り除くことができる。研磨パッド２１２のサイズが小さいことにより、圧力制御パッドによって印加された前面圧力の起こり得る分散を、さらに低減することができる。研磨は、他の領域に影響することなく、選択された領域内に適用されることができる。
【００５４】
図６及び図６Ａを参照すると、上記の圧力制御パッド２２０に代えてまたは加えて、圧力アプリケータは、局所的前面圧力を研磨パッド表面２１８に印加するために用いられる可撓リング６００を含むことができる。可撓リング６００は、固定の上部半径６０４を有する上部外側リング６０２と、上部外側リング６０２に接続された可撓本体６０６とを有する。可撓本体６０６及び上部外側リング６０２は、一体的に形成されていることができる。可撓本体は、上部外側リング６０２から可撓本体６０６の底部に延伸するスロット６０８を含む。それによって、可撓本体６０６が上部外側リング６０２と接続している可撓本体の頂部６２０が、半径６０４と同一である固定の半径を有し、底部６２２のスロット６０８のサイズを増大または減少することによって、可撓本体６０６の底部６２２が収縮または拡張することができる。
【００５５】
可撓リング６００は、移動機構６１４及びこの移動機構に接続されたリング６１２を含む、中心ハブ６１０もまた含む。中心ハブ６１０は、リング６１２から延伸するリブ（複数）６１６によって、可撓本体６０６の底部６２２に接続されている。モータ、リニアアクチュエータ、またはエアシリンダであることができる移動機構６１４は、上部外側リングの表面に対して垂直であり、本体６０６の長軸に対して平行である方向６１８に沿って、上下に移動することができる。リブ６１６は可撓であることができ、それによって、中心ハブ６１０が上部外側リング６０２に向かって上方に移動するのにつれて、リブ６１６が本体６０６を内向きに引く。それによって、例えば位置Ａにおける、底部６２２の直径は縮小する。中心ハブ６１０が上部外側リング６０２から離れて下方に移動するのにつれて、リブ６１６は本体６０６を外向きに押す。それによって、例えば位置Ｂにおける、底部６２２の直径は増大する。
【００５６】
この結果、可撓リング６００は図２の圧力制御パッド２２０に代替することができ、可撓リング６００の底部６２２は、研磨パッドの表面２１８に接触して基板２１２の所望の径方向の箇所に局所的圧力を作り出すことができる。最も内径側の箇所では、局所的圧力は、対応する円に沿って均一に分布することができる。底部６２２の径方向の範囲は、基板２１２の必要に基づいて選択することができる。例えば、径方向の範囲は、約１４０ｍｍ〜約１５０ｍｍであることができる。所望の径方向の範囲を作り出すため、リブ６１６の寸法及び材料、上部外側リング及び本体６０６の寸法及び材料、モータの移動範囲、並びに／またはスロットのサイズを含む、１つ以上の要因が検討され得る。例えば、上部外側リング６０２、本体６０６、及びリブ６１６の適切な材料は、良好な曲げ疲労を有する可塑性の材料を含む。リブの材料の例は、ナイロン、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、及びポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）を含む。底部６２２は、例えば約１ｍｍ〜約１０ｍｍ、約１ｍｍ〜約５ｍｍ、または約３ｍｍといった、圧力制御パッド２２０の幅と同様の幅を有することができる。
【００５７】
ある実施形態では、本体６０６の底部６２２は追加で、研磨パッド表面２１８と直接接触する別個の特徴６３０を含む。特徴６３０は、所望の形状とサイズ、例えば圧力制御パッド２２０と同様の形状とサイズを有することができる。ある実施形態では、底部６２２の種々の箇所における種々の特徴は、同一のまたは異なる形状及び／サイズを有することができる。特徴は、本体６０６に恒常的に取り付けられているか、もしくは本体６０６と一体的に形成されていてよく、または取り外し可能であってよい。それによって、ユーザが基板２１２上で圧力を印加する箇所を選択し得る。
【００５８】
ある実施形態では、図２の調節ステーション２００は、１つよりも多い可撓リング６００を含むことができる。各可撓リングは、選択された径方向の範囲に局所的圧力を印加するように構成されることができ、異なる可撓リングは異なる径方向の範囲に対応することができる。調節ステーション２００は、（１または複数の）可撓リング６００と圧力制御パッド２２０（複数）との組合せもまた含むことができる。
【００５９】
図７を参照すると、化学機械的にバルク研磨されるべき、あるいはされている、あるいはされた、基板の厚さプロファイルを調節するために用いられる例示的なプロセス７００が示されている。最初に、基板がバルク研磨される前、されている間、またはされた後、調節される必要がある基板の厚さプロファイルが決定されるときに、基板は調節ステーションに移送される（７０２）。基板が研磨されている間またはされた後、基板はバルク研磨装置の研磨ヘッドから移送されることができる。基板が研磨される前、基板は、研磨されるべき基板の処理が行われた別の処理ステーションから移送されることができる。次いで、基板の厚さプロファイルは化学機械的に調節される（７０４）。具体的には、調節は、基板の表面の１つ以上の局所的領域に対して実施されることができる。例えば取り除かれるべき材料の量、取り除かれる位置などの調節プロファイルは、種々のタイプの基板及び研磨システム用に保存されたデータの中から調べることができるか、またはインシトゥ（その場）で決定することができる。所望の厚さプロファイルに到達したかどうかを判定するため、調節をインシトゥまたはオフラインでモニタすることができる。時として、例えば調節された基板をこれから研磨するまたはさらに研磨する場合、調節は正確（例えばナノメータ以下）である必要はなく、１０ナノメータ以下またはそれより大きい程度まで正確でありさえすればよい。最後に、基板は化学機械研磨処理を継続する（７０６）ため移送される。基板が完全に研磨された後に調節が実施される状況では、これで処理全体が終了する。
【００６０】
研磨パッドコンディショニングシステム
再び図２を参照すると、調節ステーション２００は、追加で研磨パッドコンディショニングシステム２４０を含むことができる。研磨パッドコンディショニングシステム２４０は、研磨パッド表面２１６を研磨して、研磨パッド２０４を一貫した研磨状態に維持し、パッド表面２１６から夾雑物を取り除くことができる。コンディショニングシステム２４０は、パッドの表面２１６を直す（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２と、コンディショニングに役立つため、研磨パッド表面２１６に水及び／または化学薬品を送達するリンスアセンブリ２４４とを含む。例えば、水及び／または化学薬品は、パッド表面２１６をすすぎ、パッド表面２１６から夾雑物を洗い去ることができる。コンディショニングシステム２４０は、調節ステーション２００から分離されていることができ、研磨パッド２０４は、基板調節処理の合間にシステム２４０に移動してコンディショニングされることができる。
【００６１】
図２に示す例では、コンディショニングシステム２４０は、調節ステーション２００内に一体化されている。（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２及びリンスアセンブリ２４４は、調節処理が基板２１２に適用される前または適用されている間、ペデスタル２１０の開放チャンバ内に格納されていることができる。基板２１２が厚さ調節を完了した後、（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２及びリンスアセンブリ２４４は、上げられて、研磨パッド表面２１６に対して露出させられるか、研磨パッド表面と接触させられることができる。代わりに、（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２は、研磨パッド２０４及び基板２１２よりも大きい半径で、２０８の方向と垂直な方向に、横方向に設置されることができる。調節処理の間、（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２は、基板２１２または研磨パッド２０４とは接触しない。調節処理が完了した後、（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２は、研磨表面２１６の下になって研磨表面２１６をコンディショニングするため、横方向に移動することができる。
【００６２】
時として、研磨パッド表面２１６が調節プロセス中に選択された箇所のみでしか用いられないため、（１または複数の）コンディショニングヘッド２４２は、研磨パッド表面２１６のこれらの選択された箇所へ、横方向に調整されることができる。次いで、パッド表面２１６全体の代わりに、これらの選択された箇所でコンディショニングが実施され得る。上記のように、研磨パッド表面２１６は、厚さ調節が必要な基板の局所的区域をカバーするには小さいサイズを有していてよい。こうした状況では、研磨パッドの表面２１６全体がコンディショニングされ得る。例えばシステム２４０の（１または複数の）コンディショナーヘッド２４２といった、コンディショニングシステムで用いられるコンディショナーヘッドの記載は、米国特許第６，０３６，５８３号で見ることができる。その内容全体は、ここに参照によって援用される。
【００６３】
ある実施形態では、システムは複数のステーションを含む。図２に示す例では、システム２００は、調節ステーション２００Ａ及びコンディショニングステーション２００Ｂを含む。調節ステーション２００Ａは、基板支持体２１０を含む。コンディショニングステーション２００Ｂは、コンディショニングシステム２４０を含む。研磨キャリア２０２は、調節ステーション２００Ａとコンディショニングステーション２００Ｂの間でキャリア２０２を搬送するように構成された、例えば回転可能なカルーセルといった可動支持体から懸架されていることができる。システムのこれらのステーションは、カルーセルの回転軸の周りに、均等な角度間隔で配置されていることができる。
【００６４】
ある実施形態では、調節ステーション２００は、図２を参照して上記された調節ステーションと同一の特徴を有する、複数の調節ステーションを含む。
【００６５】
カルーセル２６０は、高スループットで研磨パッドを生み出すために、ステーション２００Ａと２００Ｂによって実施される処理を連係させることができる。例えば、サブ調節ステーション２００Ａが基板２１２の厚さプロファイルを調節しているとき、サブ調節ステーション２００Ｂは、研磨パッド２０４をコンディショニングする。
【００６６】
本明細書で使用される基板という用語は、例えば、製品基板（例えば、複数のメモリまたはプロセッサダイを含む）、テスト基板、ベア基板、及びゲーティング基板を含み得る。基板は、集積回路の製造の様々な段階のものであってよく、例えば、基板はベアウエハであってよく、または基板は１つ以上の堆積層及び／またはパターン層を含むことができる。基板という用語は、円板及び矩形薄板を含むことができる。
【００６７】
上記の研磨装置及び方法は、種々の研磨システムに対して適用することができる。研磨パッドもしくはキャリアヘッドのいずれか、またはこれらの両方が移動して、研磨面と基板との間の相対運動を起こすことができる。例えば、プラテンは、回転ではなく、周回することができる。研磨パッドは、プラテンに固定された円形（または何か他の形状）のパッドであることができる。終点検出システムのいくつかの態様は、例えば、研磨パッドが、直線的に移動する連続ベルトまたはオープンリールベルトであるような、直線的研磨システムに適用可能であり得る。研磨層は、標準の（例えば、充填材を伴うもしくは伴わないポリウレタン）研磨材料、軟性材料、または固定砥粒材料であってよい。相対配置に関する用語が使用されているが、研磨面及び基板は、垂直の配向に、または他の何らかの配向に保持され得ることは理解されるべきである。
【００６８】
上記の説明では、化学機械研磨システムの制御に焦点が当てられているが、調節ステーションは、他の種類の基板処理システム、例えばエッチングまたは堆積システムに適用可能であり得る。
【００６９】
本明細書に記載された様々なシステム及びプロセス、またはこれらの一部の制御を、１つ以上の非一時的コンピュータ可読記憶媒体に記憶され、１つ以上の処理デバイスにおいて実行可能な命令を含むコンピュータプログラム製品において実行することができる。本明細書に記載されるシステム、またはそれらの一部は、本明細書に記載された動作を実施する実行可能な命令を記憶させる１つ以上の処理デバイス及びメモリを含むことができる装置、方法、または電気システムとして実行することができる。
【００７０】
本明細書は特定の実行形態の詳細を多数包含しているが、これらは本発明のいかなる範囲、または特許請求の範囲においても限定するものとして解釈すべきでなく、特定の発明の特定の実施形態に特有であり得る特徴の説明として解釈すべきである。別々の実施形態に関連して本明細書に記載された特定の特徴を、単一の実施形態において組み合わせて実行することも可能である。反対に、単一の実施形態に関連して記載される様々な特徴を、複数の実施形態に別々に、または任意の適切なサブコンビネーションにおいて実行することもできる。さらに、特徴は特定の組み合わせにおいて作用するものとして上記されたかもしれず、そのように特許請求されさえしているかもしれないが、特許請求された組み合わせの中の１または複数の特徴が、ある場合にはその組み合わせから除外され得るし、特許請求された組み合わせが、組み合わせの一部または組み合わせの一部の変形に向けられてもよい。
【００７１】
同様に、図面には操作が特定の順番で示されているが、所望の結果を得るために、上記操作を示された特定の順番に、もしくは起こる順番に実行する必要がある、または記載された操作をすべて実行する必要があると、理解されるべきではない。特定の状況においては、マルチタスク及び並行処理が有利であり得る。さらに、上記の実施形態で様々なシステムモジュール及びコンポーネントが分離されていることで、すべての実施形態でこうした分離が必要であると理解されるべきではない。また、記載のプログラムコンポーネント及びシステムが、一般に単一のソフトウェア製品に統合できる、または複数のソフトウェア製品にパッケージ化し得ることは、理解されるべきである。
【００７２】
本発明の特定の実施形態を説明してきた。他の実施形態は、下記の特許請求の範囲内に収まる。例えば、特許請求の範囲に列挙される作用を異なる順番で実行しても、所望の結果を得ることができる。一例として、添付の図面に図示されるプロセスは必ずしも、所望の結果を得るために図示した特定の順番、または生じた順番であることを必要としない。ある場合には、マルチタスク及び並行処理は有利であり得る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６Ａ】
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【図７】
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