(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列する複数の光伝播用のコアと、それら複数の光伝播用のコアのうち隣り合うコアとコアとの間にそれらコアと非接触状態で設けられた光吸収部とを備えた光導波路であって、
上記コアは光の伝播方向に延びる帯状で、その第１端部は、光出射部材と接続する光出射部材接続部になっており、
上記光吸収部は、少なくとも、隣り合う両コアの第１端部の上記光出射部材接続部の近傍に位置決めされ、コアの長手方向に沿った全ての位置には位置決めされていないとともに、上記光出射部材から出射される光の吸収能を有する光吸収剤を含有しており、
上記光出射部材接続部に最も近い光吸収部の端部が、上記光出射部材接続部と面一になっているか、上記光出射部材接続部から１ｍｍ以下の距離だけ内側に設けられているか、あるいは上記光出射部材接続部より外側に突出していることを特徴とする光導波路。
【請求項２】
上記光吸収部が、隣り合う両コアの他端部の、光入射部材と接続する光入射部材接続部の近傍にも位置決めされている請求項１記載の光導波路。
【請求項３】
上記コアと上記光吸収部との非接触状態が、コアを囲うクラッドによってなされている請求項１または２記載の光導波路。
【請求項４】
上記クラッドが、樹脂によって形成されている請求項３記載の光導波路。
【請求項５】
上記クラッドが、上記光吸収部で被覆されている請求項４記載の光導波路。
【請求項６】
上記クラッドが、空気によって形成されている請求項３記載の光導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信，光情報処理，その他一般光学の分野で用いられる光導波路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光導波路Ｗ１９は、一般に、図１６（ａ）に平面図で示し、図１６（ｂ）に図１６（ａ）のＤ−Ｄ断面図で示すように、アンダークラッド１の表面に、光伝播用の線状のコア２が所定パターンに突出形成され、そのコア２を被覆した状態で、オーバークラッド３が形成されている。そして、上記光導波路Ｗ１９は、コア２の一端部の光入射部２ａから光を入射させ、その光をコア２の他端部の光出射部２ｂから出射させるようになっている。すなわち、コア２の一端部の光入射部２ａには、光ファイバ，発光素子等の光出射部材１０が接続され、その光出射部材１０から出射した光が、コア２の一端部の光入射部２ａから入射し、図示していないが、アンダークラッド１との界面およびオーバークラッド３との界面で反射を繰り返しながら、コア２の中を他端部の光出射部２ｂまで伝播する。なお、上記光出射部材１０として、図１６（ａ）では光ファイバを図示している。また、図１６（ｂ）において、符号７は、上記光導波路Ｗ１９を作製する際に用いられる基板である。
【０００３】
ところで、上記光出射部材１０とコア２の光入射部２ａとを接続した状態において、実際には、その両者のサイズが僅かに異なったり、調芯が僅かにずれたりする場合がある。そのうち、上記光出射部材１０とコア２の光入射部２ａのサイズが僅かに異なる場合〔図１６（ａ）の左端部分参照〕は、光出射部材１０から出射した光の一部が、コア２に入射せず、そのコア２の周囲のオーバークラッド３に入射することがある（２点鎖線で示す矢印Ｌ１参照）。また、光出射部材１０とコア２との調芯が僅かにずれた場合〔図１６（ａ）の右端部分参照〕でも、光出射部材１０から出射した光の一部が、コア２に入射せず、そのコア２の周囲のオーバークラッド３に入射することがある（２点鎖線で示す矢印Ｌ２参照）。
【０００４】
ここで、複数の光伝播用のコア２が並列に形成されている光導波路Ｗ１９において、上記のように、光出射部材１０から出射した光の一部が、所定のコア２に入射せずオーバークラッド３に入射すると、その光が隣のコア２に混入する、いわゆる「クロストーク」が発生する。隣のコア２に混入した光は、隣のコア２を伝播する光（信号Ｓ）にとってノイズ（Ｎ）であり、Ｓ／Ｎ比を悪化させ、光通信を不安定にする。
【０００５】
また、図１７に平面図で示すように、コア２の他端部の光出射部２ｂに、その光出射部２ｂから出射した光を入射する光ファイバ，受光素子等の光入射部材２０が接続される場合がある。その場合においても、クロストークが発生することがある。すなわち、所定のコア２からオーバークラッド３に光が漏れることがあり、その漏れた光が、隣のコア２の他端部の光出射部２ｂに接続されている光入射部材２０に混入することがある（２点鎖線で示す矢印Ｌ３，Ｌ４参照）。なお、図１７では、左端部分において、光入射部材２０とコア２の光出射部２ｂのサイズが僅かに異なっており、右端部分において、光入射部材２０とコア２との調芯が僅かにずれている。
【０００６】
そこで、図１８（ａ）に平面図で示し、図１８（ｂ）に図１８（ａ）のＥ−Ｅ断面図で示すように、隣り合う光伝播用のコア２とコア２との間に、そのコア２と同じ形成材料を用いて、光伝播に用いないダミーコア２０を設け、そのダミーコア２０により、クロストークを抑制した光導波路Ｗ２０が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このものは、ダミーコア２０の屈折率が、コア２と同様、アンダークラッド１およびオーバークラッド３の屈折率よりも大きいことから、図示していないが、コア２に入射せずオーバークラッド３に入射した光がダミーコア２０に侵入すると、その光がダミーコア２０から漏れにくくなることを図ったものである。なお、図１８（ａ）では、コア２およびダミーコア２０の配置を明確にするために、それらコア２およびダミーコア２０に破線で斜線を入れ、その斜線の間隔は、ダミーコア２０の方をコア２よりも広くしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１４−２２１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記ダミーコア２０を設けた従来の光導波路Ｗ２０でも、実際には、コア２に入射せずオーバークラッド３に入射した光の殆どが、ダミーコア２０を透過し（２点鎖線で示す矢印Ｌ５，Ｌ６参照）、クロストークを充分に抑制することができない。すなわち、上記光導波路Ｗ２０の作製過程において、ダミーコア２０に異物が混入したり、ダミーコア２０とオーバークラッド３との界面が粗面に形成されたりすることがある。ダミーコア２０に異物が混入していると、ダミーコア２０に侵入した光が、その異物に当たった際に、異常な方向に反射し、上記界面で反射せず、上記界面を透過する（ダミーコア２０から漏れる）ことがある（矢印Ｌ５参照）。また、上記界面が粗面に形成されていると、上記界面に到達した光が、上記界面で反射せず、上記界面を透過する（ダミーコア２０から漏れる）ことがある（矢印Ｌ６参照）。そのため、コア２に入射せずオーバークラッド３に入射した光がダミーコア２０に侵入したとしても、その光がダミーコア２０を透過するという不具合がしばしばみられる。
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、光出射部材からの出射光が所定のコアに入射しない場合において、クロストークの抑制を向上させることができる光導波路の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するため、本発明の光導波路は、並列する複数の光伝播用のコアと、それら複数の光伝播用のコアのうち隣り合うコアとコアとの間にそれらコアと非接触状態で設けられた光吸収部とを備え、その光吸収部は、隣り合う両コアの一端部の、光出射部材と接続する光出射部材接続部の近傍に位置決めされているとともに、上記光出射部材から出射される光の吸収能を有する光吸収剤を含有しているという構成をとる。
【００１１】
本発明者らは、複数の光伝播用のコアが並列する光導波路において、光出射部材からの出射光が所定のコアに入射しない場合において、クロストークの抑制を向上させるべく、光導波路の構造について研究を重ねた。その研究の過程で、隣り合うコアとコアとの間であって、それら両コアの一端部の、光出射部材と接続する光出射部材接続部の近傍に、光吸収部を設けることを着想した。その光吸収部は、上記光出射部材から出射される光の吸収能を有する光吸収剤を含有しているものとした。その結果、光出射部材から出射し所定のコアに入射しない光が光吸収部に当たると、その光は光吸収部で吸収され、隣のコアに混入しなくなり、クロストークの抑制が向上可能であることを突き止めた。しかし、光吸収部をコアと接触した状態で設けると、コアに入射してコア内を伝播する光が、光吸収部との界面で反射する度に、光吸収部で吸収されて減衰するという知見を得た。すなわち、光吸収部がコアと接触していると、クロストークの抑制が向上可能であっても、コア内での光伝播は適正になされないのである。そこで、光吸収部をコアと非接触状態で設けた結果、クロストークの抑制を向上させることができるとともに、コア内の光伝播も適正になされることを見出し、本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光導波路は、並列する複数の光伝播用のコアを有し、隣り合うコアとコアとの間であって、それら両コアの一端部の、光出射部材と接続する光出射部材接続部の近傍に、光吸収部が設けられている。そして、その光吸収部は、上記光出射部材から出射される光の吸収能を有する光吸収剤を含有している。それにより、光出射部材から出射し所定のコアに入射しない光は、光吸収部に当たることにより、その光吸収部に吸収され、隣のコアに混入しなくなっている。そのため、本発明の光導波路は、クロストークの抑制効果を奏する。そのうえ、本発明の光導波路は、上記光吸収部を上記コアと非接触状態で設けている。そのため、コアに入射してコア内を伝播する光が、光吸収部に吸収されて減衰することなく、コア内を伝播することができる。
【００１３】
さらに、上記光吸収部が、隣り合う両コアの他端部の、光入射部材と接続する光入射部材接続部の近傍にも位置決めされている場合には、所定のコアから漏れた光が、隣のコアに接続されている光入射部材に混入すること（クロストーク）を、上記他端部の光吸収部により、抑制することができる。
【００１４】
特に、上記コアと上記光吸収部との非接触状態が、コアを囲うクラッドによってなされている場合には、そのクラッドが光導波路に一般的に用いられるものであることから、大きなコストをかけることなく、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００１５】
なかでも、上記クラッドが、樹脂によって形成されている場合には、上記コアと上記光吸収部との非接触状態を、より確実に維持することができる。そのため、コア内を伝播する光の減衰を、より確実に防止することができる。
【００１６】
さらに、上記クラッドが、上記光吸収部で被覆されている場合には、隣り合う両コアの一端部の光出射部材接続部の近傍において、光吸収部の面積を広くとることができる。そのため、光吸収部に当たって吸収される光の量を多くすることができ、クロストークの抑制をより向上させることができる。
【００１７】
また、上記クラッドが、空気によって形成されている場合には、コアと空気（エアクラッド）との屈折率差がより大きくなるため、コア内を伝播する光が、コアから漏れにくくなり、クロストークの抑制をより向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、その光導波路の正面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、上記光導波路の製法を模式的に示す説明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図８】本発明の第７の実施の形態の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、その光導波路の正面図である。
【図９】本発明の第８の実施の形態の光導波路を模式的に示す正面図である。
【図１０】上記第７および第８の実施の形態の光導波路の変形例を模式的に示す正面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、上記第７の実施の形態の光導波路の他の変形例を模式的に示す平面図である。
【図１２】（ａ）は、上記第１の実施の形態の光導波路の変形例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、上記第７の実施の形態の光導波路のさらに他の変形例を模式的に示す平面図である。
【図１３】（ａ）は、図１２（ａ）の光導波路の変形例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、図１２（ｂ）の光導波路の変形例を模式的に示す平面図である。
【図１４】本発明の第９の実施の形態の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図１５】本発明の第１０の実施の形態の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【図１６】従来の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図１７】従来の他の光導波路を模式的に示す平面図である。
【図１８】従来のさらに他の光導波路を模式的に示し、（ａ）は、その光導波路の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＥ−Ｅ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。
【００２０】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の光導波路Ｗ１を示す平面図であり、図１（ｂ）は、その光導波路Ｗ１の正面図〔図１（ａ）の矢印Ａの方向から見た矢視図〕である。この第１の実施の形態の光導波路Ｗ１は、アンダークラッド１，光路用のコア２，オーバークラッド３，および光吸収部４を備えている。なお、図１（ｂ）において、符号７は、上記光導波路Ｗ１を作製する際に用いられる基板である。
【００２１】
上記光導波路Ｗ１の構成について、より詳しく説明すると、上記アンダークラッド１は、並列する複数（図では４本）の帯状に形成されている。上記光路用のコア２は、各アンダークラッド１の表面にそのアンダークラッド１の長手方向に沿って１本ずつ形成されている。各コア２の長手方向の一端部〔図１（ａ）の下端部〕は、光ファイバ，発光素子等の光出射部材１０が接続される光出射部材接続部になっているとともに、その光出射部材１０から出射した光を入射する光入射部２ａになっており、他端部〔図１（ａ）の上端部〕は、光出射部２ｂになっている。そして、光出射部材１０から出射し上記光入射部２ａからコア２の中に入射した光は、そのコア２の中を通り、上記光出射部２ｂまで伝播するようになっている。上記オーバークラッド３は、各コア２の側面および頂面に沿ってそのコア２を被覆した状態で上記アンダークラッド１の表面に形成されている。上記光吸収部４は、上記コア２の一端部の光入射部（光出射部材接続部）２ａの近傍に、光導波路Ｗ１を横切るように所定幅（Ｔ１）で位置決めされており、この第１の実施の形態では、光導波路Ｗ１の一端面において、上記コア２の一端部の光入射部２ａと面一になっている。そして、上記光吸収部４は、上記各アンダークラッド１の側面ならびに上記オーバークラッド３の側面および頂面を被覆した状態で一体に形成されている。その光吸収部４は、上記光出射部材１０から出射される光の吸収能を有する光吸収剤を含有している。なお、図１（ａ）では、上記光出射部材１０として、光ファイバを図示している。
【００２２】
この第１の実施の形態では、光出射部材１０から出射した光が、所定のコア２に入射しなかったとしても、その光の大部分は、光吸収部４に当たって吸収され、隣のコア２に混入しない（２点鎖線で示すＬ７，Ｌ８参照）。そのため、クロストークの抑制を向上させることができる。なお、図１（ａ）では、左端部分において、光出射部材１０とコア２の光入射部２ａのサイズが僅かに異なっており、右端部分において、光出射部材１０とコア２との調芯が僅かにずれている。これは、以下の図面でも同様である。
【００２３】
そして、隣り合うオーバークラッド３とオーバークラッド３とで挟まれている光吸収部４の部分の幅を狭くすることにより、コア２の小ピッチ化が可能になる。すなわち、コア２を小ピッチ化しても、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００２４】
また、上記光吸収部４は、隣り合うコア２とコア２との間に、オーバークラッド３を介して設けられ、コア２と非接触状態になっているため、コア２に入射してコア２の中を伝播する光が光吸収部４に吸収されて減衰することがなく、適正な光伝播がなされる。
【００２５】
上記光吸収部４について、より詳しく説明すると、上記光吸収剤としては、例えば、ジイモニウム塩，シアニン系色素，ナフタロシアニン系色素，フタロシアニン系色素等があげられる。上記光吸収部４に含有させる光吸収剤は、吸収する光の波長（すなわち光出射部材１０から出射される光の波長）によって決まり、上記に例示した光吸収剤は、波長７５０〜１０００ｎｍの範囲内の光の吸収に適したものとなっている。上記光吸収部４の形成材料としては、例えば、光硬化性樹脂，熱硬化性樹脂等があげられ、上記光吸収剤の含有率は、例えば、光硬化性樹脂では０．３〜２．０重量％、熱硬化性樹脂では０．５〜３０．０重量％に設定される。上記光吸収剤は、単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００２６】
上記光吸収部４の寸法は、例えば、光導波路Ｗ１の一端面からの奥行き長さＴ１が、０（零）を超え、３０ｍｍ以下に、好ましくは１００μｍ〜２０ｍｍの範囲内に設定される。上記オーバークラッド３の頂面からの光吸収部４の厚みＴ２は、０（零）を超え、２００μｍ以下に設定される。隣り合うオーバークラッド３とオーバークラッド３とで挟まれている光吸収部４の部分の幅Ｔ３は、０（零）を超え、４００μｍ以下に、好ましくは３０〜２５０μｍの範囲内に設定される。
【００２７】
上記光導波路Ｗ１の製法の一例について、以下に詳しく説明する。
【００２８】
まず、基板７〔図２（ａ）参照〕を準備する。この基板７の形成材料としては、例えば、金属，樹脂，ガラス，石英，シリコン等があげられる。上記基板７の厚みは、例えば、１０〜１０００μｍの範囲内に設定される。
【００２９】
ついで、図２（ａ）に示すように、上記基板７の表面に、アンダークラッド１の形成材料である感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィ法により、並列する複数の帯状のアンダークラッド１を形成する。このアンダークラッド１の寸法は、例えば、厚みが５〜５０μｍの範囲内に設定され、幅が３０〜５００μｍの範囲内に設定され、隣り合うアンダークラッド１とアンダークラッド１との隙間の幅が２０μｍ以上に設定される。
【００３０】
つぎに、図２（ｂ）に示すように、各アンダークラッド１の表面に、コア２の形成材料である感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィ法により、そのアンダークラッド１の長手方向に沿って、コア２を１本ずつ形成する。このコア２の寸法は、例えば、厚みが１０〜８０μｍの範囲内に設定され、幅が上記アンダークラッド１の幅の８〜９０％の範囲内に設定され、隣り合うコア２とコア２との隙間の幅が２０〜５００μｍの範囲内に設定される。このコア２の形成材料としては、上記アンダークラッド１および下記オーバークラッド３〔図２（ｃ）参照〕の形成材料よりも屈折率が高い感光性樹脂が用いられる。
【００３１】
つづいて、図２（ｃ）に示すように、各アンダークラッド１の表面に、オーバークラッド３の形成材料である感光性樹脂を用い、フォトリソグラフィ法により、各コア２の側面および頂面に沿ってそのコア２を被覆した状態で、オーバークラッド３を形成する。このオーバークラッド３の厚みは、例えば、コア２の側面を被覆する部分が３〜５００μｍの範囲内に設定され、コア２の頂面を被覆する部分が３〜５０μｍの範囲内に設定される。
【００３２】
そして、図２（ｄ）に示すように、上記基板７の表面の一端部〔図１（ａ）の下端部〕に、上記アンダークラッド１の側面および上記オーバークラッド３の側面および頂面を被覆した状態で、光吸収部４を一体に形成する。この光吸収部４は、その光吸収部４の前記形成材料（光硬化性樹脂，熱硬化性樹脂等）に応じた製法により形成され、前記寸法に設定される。
【００３３】
このようにして、上記基板７の表面に、上記アンダークラッド１，コア２，オーバークラッド３および光吸収部４からなる光導波路Ｗ１を作製することができる。この光導波路Ｗ１は、上記基板７の表面に接触した状態で用いてもよいし、上記基板７から剥離して用いてもよい。
【００３４】
図３は、本発明の第２の実施の形態の光導波路Ｗ２を示す正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第２の実施の形態は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態において、アンダークラッド１と基板７との間にも、光吸収部４の層を設けたものとなっている。すなわち、上記基板７の表面全体に、１層の光吸収部４の層を形成し、その光吸収部４の層の表面に、上記アンダークラッド１を形成したものとなっている。上記光吸収部４の層も、光導波路Ｗ２の構成の一部である。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００３５】
この第２の実施の形態では、アンダークラッド１と基板７との間に光吸収部４の層が設けられていることにより、上記第１の実施の形態よりも、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲の光吸収部４の面積が広くなっている。そのため、光出射部材１０から出射し所定のコア２に入射しなかった光が、光吸収部４に当たる確率が高くなり、その光吸収部４で吸収される光の量が多くなる。その結果、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。さらに、コア２の中を伝播する光が漏れ、その漏れた光がアンダークラッド１の底面からさらに漏れたとしても、その光を上記光吸収部４の層で吸収することができる。この点でも、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。
【００３６】
図４は、本発明の第３の実施の形態の光導波路Ｗ３を示す正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第３の実施の形態は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態において、基板７を、光吸収部４の形成材料で形成したものとなっている。この第３の実施の形態では、光導波路Ｗ３を上記基板７の表面に接触した状態で用いる。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００３７】
この第３の実施の形態では、基板７を光吸収部４の形成材料で形成することにより、上記第１の実施の形態よりも、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲において、光を吸収できる光吸収部４および基板７の部分の面積が広くなっている。そのため、上記第２の実施の形態と同様、上記光吸収部４および基板７で吸収される光の量が多くなり、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。さらに、上記第２の実施の形態と同様、アンダークラッド１の底面から漏れた光をも、上記基板７で吸収することができ、この点でも、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。
【００３８】
図５は、本発明の第４の実施の形態の光導波路Ｗ４を示す正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第４の実施の形態は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態において、アンダークラッド１を、並列する複数の帯状に形成するのではなく、一体の層として形成した状態となっている。そして、光吸収部４は、コア２およびオーバークラッド３を除く、アンダークラッド１の表面の一端部〔図１（ａ）の下端部に相当する部分〕に設けられている。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００３９】
この第４の実施の形態では、上記第１の実施の形態よりも、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲の光吸収部４の面積が狭くなっているものの、隣り合う光入射部２ａと光入射部２ａとの間に光吸収部４が位置している。そのため、上記第１の実施の形態と同様、光出射部材１０から出射した光が、所定のコア２に入射しなかったとしても、その光の大部分は、光吸収部４に当たって吸収される。その結果、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００４０】
図６は、本発明の第５の実施の形態の光導波路Ｗ５を示す正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第５の実施の形態は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態において、光吸収部４を、コア２に対応させて、それぞれ独立させたものとなっている。すなわち、隣り合う光吸収部４と光吸収部４との間に、隙間を設け、各光吸収部４が、各アンダークラッド１の側面ならびに各オーバークラッド３の側面および頂面を被覆した状態となっている。この第５の実施の形態では、光導波路Ｗ５を上記基板７の表面に接触した状態で用いる。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４１】
この第５の実施の形態では、隣り合う光吸収部４と光吸収部４との間に隙間を設けている分、上記第１の実施の形態よりも、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲の光吸収部４の面積が狭くなっているものの、隣り合う光入射部２ａと光入射部２ａとの間に光吸収部４が位置している。しかも、光出射部材１０から出射した光が、隣り合う光吸収部４と光吸収部４との間の上記隙間に入ったとしても、その光は、光吸収部４の側面に当たって吸収される。そのため、上記第１の実施の形態と同様、光出射部材１０から出射した光が、所定のコア２に入射しなかったとしても、その光の大部分は、光吸収部４に当たって吸収される。その結果、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００４２】
上記隣り合う光吸収部４と光吸収部４との隙間の形成は、光吸収部４の形成工程〔図２（ｄ）参照〕において、フォトリソグラフィ法により光吸収部４をパターン形成することによりなされる。または、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態の光導波路Ｗ１の光吸収部４を切削することにより、上記隙間を形成してもよい。上記隙間の幅Ｔ４は、０（零）を超えていればよく、好ましくは５〜２００μｍの範囲内である。
【００４３】
図７は、本発明の第６の実施の形態の光導波路Ｗ６を示す正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第６の実施の形態は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態において、光吸収部４の厚みを薄くして、光吸収部４を、オーバークラッド３の頂面を被覆しない状態で形成したものである。そして、この第６の実施の形態では、上記光吸収部４の表面の高さ位置を、コア２の底面の高さ位置（アンダークラッド１の表面の高さ位置）よりも高く設定している。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４４】
この第６の実施の形態では、上記第１の実施の形態よりも、光吸収部４の厚みが薄くなっている分、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲の光吸収部４の面積が狭くなっている。しかし、上記第１の実施の形態と同様、光出射部材１０から出射した光が、所定のコア２に入射しなかったとしても、その光の一部は、光吸収部４に当たって吸収される。その結果、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００４５】
この第６の実施の形態では、図７に示すように、光吸収部４の表面の高さ位置を、コア２の頂面の高さ位置に設定することが、クロストークの抑制をさらに向上させることができる観点から、好ましい。なお、上記光吸収部４の表面の高さ位置を、コア２の頂面の高さ位置よりも高く設定してもよい。
【００４６】
また、上記第２〜第５の実施の形態についても、光吸収部４の表面の高さ位置を、上記第６の実施の形態と同様に設定してもよい。
【００４７】
図８（ａ）は、本発明の第７の実施の形態の光導波路Ｗ７を示す平面図であり、図８（ｂ）は、その光導波路Ｗ７の正面図〔図１（ｂ）に相当する正面図〕である。この第７の実施の形態の光導波路Ｗ７では、アンダークラッド１が１層に形成されており、そのアンダークラッド１の表面の所定位置に、並列する複数（図では４本）の線状のコア２が形成されている。また、光吸収部４は、隣り合うコア２とコア２との間であって、それらコア２の一端部の光入射部（光出射部材接続部）２ａの近傍の、上記アンダークラッド１の表面部分に、それらコア２と非接触状態で設けられている。この第７の実施の形態では、上記コア２と上記光吸収部４とが同じ厚みに形成されている。そして、オーバークラッド３は、上記コア２および光吸収部４を被覆した状態で、上記アンダークラッド１の表面に形成されている。それ以外の部分は、図１（ａ），（ｂ）に示す上記第１の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している。
【００４８】
この第７の実施の形態では、上記第１の実施の形態よりも、コア２の一端部の光入射部２ａの周囲の光吸収部４の面積が狭くなっているものの、隣り合う光入射部２ａと光入射部２ａとの間に光吸収部４が位置している。そのため、上記第１の実施の形態と同様、光出射部材１０から出射した光が、所定のコア２に入射しなかったとしても、その光の大部分は、光吸収部４に当たって吸収される。その結果、クロストークの抑制を向上させることができる。
【００４９】
また、この第７の実施の形態では、上記第１〜第６の実施の形態よりも、光吸収部４の体積を小さくして形成することができ、その光吸収部４の形成材料を節約することができる。
【００５０】
この第７の実施の形態の光導波路Ｗ７の製法は、まず、基板７の表面にアンダークラッド１を形成する。ついで、そのアンダークラッド１の表面にコア２を形成する。つぎに、上記アンダークラッド１の表面の一端部〔図８（ａ）の下端部〕に、上記コア２と隙間をあけて、光吸収部４を形成する。そして、上記コア２および光吸収部４を被覆した状態で、上記アンダークラッド１の表面にオーバークラッド３を形成する。このようにして、上記基板７の表面に、上記光導波路Ｗ７を作製することができる。なお、上記コア２と上記光吸収部４の形成順番は、逆でもよい。上記光吸収部４の幅Ｔ５は、０（零）を超えていればよく、好ましくは３０〜２５０μｍの範囲内である。隣り合う上記コア２と上記光吸収部４との隙間の幅Ｔ６は、０（零）を超えていればよく、好ましくは５〜１００μｍの範囲内である。
【００５１】
図９は、本発明の第８の実施の形態の光導波路Ｗ８を示す正面図〔図８（ｂ）に相当する正面図〕である。この第８の実施の形態は、図８（ａ），（ｂ）に示す上記第７の実施の形態において、オーバークラッド３を、コア２に対応させて、それぞれ独立させたものとなっている。すなわち、各コア２を、１個のオーバークラッド３で被覆し、光吸収部４をオーバークラッド３で被覆しないものとなっている。そして、この第８の実施の形態では、隣り合うオーバークラッド３と光吸収部４との間に、隙間を設けている。それ以外の部分は、図８（ａ），（ｂ）に示す上記第７の実施の形態と同様であり、同様の部分には、同じ符号を付している
【００５２】
この第８の実施の形態でも、上記第７の実施の形態と同様の、光吸収部４による光吸収効果を奏する。そのため、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。
【００５３】
上記隣り合うオーバークラッド３と光吸収部４との隙間の形成は、図８に示す上記第７の実施の形態の光導波路Ｗ７の製法において、オーバークラッド３を、フォトリソグラフィ法によりパターン形成することによりなされる。上記隙間の幅Ｔ７は、０（零）を超えていればよく、好ましくは５〜２００μｍの範囲内である。
【００５４】
なお、上記第７および第８の実施の形態では、光吸収部４の厚みをコア２の厚みと同じとしたが、光吸収部４の厚みは、０（零）を超えていればよく、光吸収部４の厚みの上限は、コア２の厚み未満であってもよいし、コア２の厚みを超えていてもよい。
【００５５】
また、上記第７および第８の実施の形態では、樹脂からなるオーバークラッド３を形成したが、図１０に正面図〔図８（ｂ）に相当する正面図〕で示す光導波路Ｗ９のように、そのオーバークラッド３を形成しなくてもよい。すなわち、樹脂からなるオーバークラッド３に代えて、空気からなるクラッド（エアクラッド）３０としてもよい。このようすると、コア２と空気（エアクラッド３０）との屈折率差がより大きくなるため、コア２の中を伝播する光が、コア２から漏れにくくなり、クロストークの抑制をより向上させることができる。
【００５６】
そして、上記第１〜第８の実施の形態では、光導波路Ｗ１〜Ｗ９の一端面において、光吸収部４を、上記コア２の一端部の光入射部２ａと面一としたが、面一でなくてもよい。例えば、図１１（ａ）に平面図で示す光導波路Ｗ１０のように、光吸収部４を、上記コア２の一端部の光入射部２ａよりも奥側に配置してもよい。この場合、その光入射部２ａと光吸収部４との距離Ｔ８は、１ｍｍ以下とすることが好ましい。その距離Ｔ８が大き過ぎると、クロストークの抑制を向上させることが困難になるからである。また、図１１（ｂ）に平面図で示す光導波路Ｗ１１のように、光吸収部４を、上記光入射部２ａよりも突出させてもよい。この場合、その突出量は、０（零）を超えていればよい。なお、図１１（ａ），（ｂ）では、第７の実施の形態〔図８（ａ）参照〕の変形例を図示している。
【００５７】
また、上記第１〜第８の実施の形態では、光吸収部４を、光導波路Ｗ１〜Ｗ９の一端部に設けたが、例えば、図１２（ａ），（ｂ）に平面図で示す光導波路Ｗ１２，Ｗ１３のように、他端部にも、同様に光吸収部５を設けてもよい。すなわち、コア２の他端部の光出射部２ｂに、その光出射部２ｂから出射した光を入射する光ファイバ，受光素子等の光入射部材２０が接続される場合がある。その場合において、上記コア２の他端部の光出射部（光入射部材接続部）２ｂの近傍に、上記光吸収部５を位置決めしてもよい。このように他端部に光吸収部５を設けることにより、所定のコア２から漏れた光が、隣のコア２の他端部の光出射部２ｂに接続されている光入射部材２０に混入すること（クロストーク）を、抑制することができる。なお、図１２（ａ）では、第１の実施の形態〔図１（ａ）参照〕の変形例を図示し、図１２（ｂ）では、第７の実施の形態〔図８（ａ）参照〕の変形例を図示している。また、図１２（ａ），（ｂ）では、左端部分において、光入射部材２０とコア２の光出射部２ｂのサイズが僅かに異なっており、右端部分において、光入射部材２０とコア２との調芯が僅かにずれている。これは、以下の図面でも同様である。
【００５８】
さらに、図１３（ａ），（ｂ）に平面図で示す光導波路Ｗ１４，Ｗ１５のように、図１２（ａ），（ｂ）において、両端部の光吸収部４，５の間に、その光吸収部４，５よりも幅の狭い光吸収部６を断続的〔図１３（ａ）参照〕または連続的〔図１３（ｂ）参照〕に形成してもよい。この場合、両端部の光吸収部４，５で吸収されなかった光を、中間部の光吸収部６で吸収することができるようになるため、クロストークの抑制をさらに向上させることができる。
【００５９】
また、図１２（ａ），（ｂ）では、光出射部材１０および光入射部材２０として光ファイバを図示しているが、それら光ファイバに代えて、光素子を用いてもよい。その場合、例えば、図１４（ａ）に平面図で示し、図１４（ｂ）に図１４（ａ）のＢ−Ｂ断面図で示すように、電気回路基板Ｖ１の表面に、上記光素子として、発光素子１５および受光素子２５が実装され、その電気回路基板Ｖ１の裏面に、本発明の第９の実施の形態の光導波路Ｗ１６が形成される。
【００６０】
すなわち、この第９の実施の形態の光導波路Ｗ１６は、コア２の一端面が、傾斜した光反射面に形成され、その光反射面での光の反射により、発光素子１５とコア２との間で光伝播が可能になっている〔図１４（ｂ）の２点鎖線で示す矢印Ｌ９参照〕。そして、その光反射面と発光素子１５との間にある、コア２の一端部の表面部分が、発光素子１５との接続部になっているとともに、光入射部２ａになっている。その光入射部２ａと発光素子１５との間には、僅かな隙間１２を設けており、その隙間１２の長さは、例えば、３〜１００μｍの範囲内に設定される。また、コア２の他端面も、傾斜した光反射面に形成され、その光反射面での光の反射により、上記受光素子２５とコア２との間で光伝播が可能になっている〔図１４（ｂ）の２点鎖線で示す矢印Ｌ１０参照〕。そして、その光反射面と受光素子２５との間にある、コア２の一端部の表面部分が、受光素子２５との接続部になっているとともに、光出射部２ｂになっている。その光出射部２ｂと受光素子２５との間にも、上記隙間１２と同様の隙間２２が設けられている。この第９の実施の形態の光導波路Ｗ１６では、光吸収部４，５を、コア２の長手方向の両端部〔光入射部（発光素子１５との接続部）２ａおよび光出射部（受光素子２５との接続部）２ｂ〕の近傍に設けている。
【００６１】
なお、上記第９の実施の形態では、光吸収部４，５を、コア２の長手方向の両端部の近傍に設けたが、上記コア２の一端部の光入射部（発光素子１５との接続部）２ａの近傍にのみ、光吸収部４を設けてもよい（図示せず）。
【００６２】
さらに、光出射部材１０および光入射部材２０として、光ファイバと光素子の両方を用いてもよい。その場合、例えば、図１５（ａ）に平面図で示し、図１５（ｂ）に図１５（ａ）のＣ−Ｃ断面図で示すように、本発明の第１０の実施の形態の２個の光導波路Ｗ１７，Ｗ１８のコア２同士が光ファイバＦで接続される。そして、各光導波路Ｗ１７，Ｗ１８の表面に電気回路基板Ｖ２，Ｖ３が設けられ、一方の電気回路基板Ｖ２の表面に発光素子１５が実装され、他方の電気回路基板Ｖ３の表面に受光素子２５が実装される。
【００６３】
すなわち、この第１０の実施の形態では、一方の光導波路Ｗ１７は、コア２の一端部が、図１４（ａ），（ｂ）に示す上記第９の実施の形態の光導波路Ｗ１６のコア２の一端部と同様、傾斜した光反射面および光入射部２ａを有する端部に形成されており、そのコア２の他端部が、コア２の長手方向に直角な光出射部２ｂに形成されている。他方の光導波路Ｗ１８は、コア２の一端部が、コア２の長手方向に直角な光入射部２ａに形成されており、そのコア２の他端部が、図１４（ａ），（ｂ）に示す上記第９の実施の形態の光導波路Ｗ１６のコア２の他端部と同様、傾斜した光反射面および光出射部２ｂを有する端部に形成されている。
【００６４】
そして、この第１０の実施の形態では、上記発光素子１５から発光された光は、一方の光導波路Ｗ１７のコア２、上記光ファイバＦ、他方の光導波路Ｗ１８のコア２を、この順で通過した後、上記受光素子２５で受光される。この第１０の実施の形態の光導波路Ｗ１７，Ｗ１８では、光吸収部４を、一方の光導波路Ｗ１７のコア２の一端部の光入射部（発光素子１５との接続部）２ａの近傍、および他方の光導波路Ｗ１８のコア２の一端部の光入射部（光ファイバＦとの接続部）２ａの近傍に設けている。
【００６５】
なお、上記第１０の実施の形態では、各光導波路Ｗ１７，Ｗ１８のコア２の長手方向の一端部の近傍に設けたが、光導波路Ｗ１７のコア２の他端部の光出射部（光ファイバＦとの接続部）２ｂの近傍、および他方の光導波路Ｗ１８のコア２の他端部の光出射部（受光素子２５との接続部）２ｂの近傍にも、光吸収部５を設けてもよい（図示せず）。
【００６６】
つぎに、実施例について従来例と併せて説明する。但し、本発明は、実施例に限定されるものではない。
【実施例】
【００６７】
〔アンダークラッドおよびオーバークラッドの形成材料〕
成分ａ：エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１００１）７０ｇ。
成分ｂ：エポキシ樹脂（ダイセル社製、ＥＨＰＥ３１５０）２０ｇ。
成分ｃ：エポキシ樹脂（ＤＩＣ社製、ＥＸＡ−４８１６）１０ｇ。
成分ｄ：光酸発生剤（サンアプロ社製、ＣＰＩ−１０１Ａ）０．５ｇ。
成分ｅ：酸化防止剤（共同薬品社製、Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０）０．５ｇ。
成分ｆ：酸化防止剤（三光社製、ＨＣＡ）０．５ｇ。
成分ｇ：乳酸エチル（溶剤）５０ｇ。
これら成分ａ〜ｇを混合することにより、アンダークラッドおよびオーバークラッドの形成材料を調製した。
【００６８】
〔コアの形成材料〕
成分ｈ：エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＤＣＮ−７００−３）５０ｇ。
成分ｉ：エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１００２）３０ｇ。
成分ｊ：エポキシ樹脂（大阪ガスケミカル社製、オグソールＰＧ−１００）２０ｇ。
成分ｋ：光酸発生剤（サンアプロ社製、ＣＰＩ−１０１Ａ）０．５ｇ。
成分ｌ：酸化防止剤（共同薬品社製、Ｓｏｎｇｎｏｘ１０１０）０．５ｇ。
成分ｍ：酸化防止剤（三光社製、ＨＣＡ）０．１２５ｇ。
成分ｎ：乳酸エチル（溶剤）５０ｇ。
これら成分ｈ〜ｎを混合することにより、コアの形成材料を調製した。
【００６９】
〔光吸収部の形成材料〕
成分ｏ：エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＤＣＮ−７００−３）５０ｇ。
成分ｐ：エポキシ樹脂（三菱化学社製、ｊＥＲ１００２）３０ｇ。
成分ｑ：エポキシ樹脂（大阪ガスケミカル社製、オグソールＰＧ−１００）２０ｇ。
成分ｒ：光酸発生剤（サンアプロ社製、ＣＰＩ−１０１Ａ）０．５ｇ。
成分ｓ：光吸収剤（日東電工社製、ＮＴ−ＭＢ−ＩＲＬ３８０１）２．２５ｇ。
成分ｔ：乳酸エチル（溶剤）５０ｇ。
これら成分ｏ〜ｔを混合することにより、光吸収部の形成材料を調製した。
【００７０】
〔実施例１〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図１（ａ），（ｂ）に示す第１の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。アンダークラッドの寸法は、厚み４０μｍ、幅１００μｍ、隣り合うアンダークラッドとアンダークラッドとの隙間の幅を１５０μｍとした。コアの寸法は、厚み４０μｍ、幅４０μｍ、形成ピッチ２５０μｍとした。オーバークラッドの厚みは、コアの側面を被覆する部分を３０μｍ、コアの頂面を被覆する部分を３０μｍとした。光吸収部の寸法は、光導波路の一端面からの奥行き長さを１０ｍｍ、隣り合うオーバークラッドとオーバークラッドとで挟まれている部分の幅を１５０μｍ、オーバークラッドの頂面からの厚みを１５μｍとした。
【００７１】
〔実施例２〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図３に示す第２の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。アンダークラッドと基板との間に設けられた光吸収部の層の厚みを２０μｍとした。それ以外の部分の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７２】
〔実施例３〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図５に示す第４の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。コア等の構成の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７３】
〔実施例４〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図６に示す第５の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。隣り合う光吸収部と光吸収部との隙間の幅を５０μｍとした。それ以外の部分の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７４】
〔実施例５〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図８（ａ），（ｂ）に示す第７の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。光吸収部の寸法は、光導波路の一端面からの奥行き長さ１０ｍｍ、幅１５０μｍ、厚み４０μｍとした。また、隣り合う光吸収部とコアとの間の隙間の幅を３０μｍとした。それ以外の部分の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７５】
〔実施例６〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図９に示す第８の実施の形態の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。光吸収部の寸法は、光導波路の一端面からの奥行き長さ１０ｍｍ、幅１００μｍ、厚み４０μｍとした。また、隣り合うオーバークラッドと光吸収部との間の隙間の幅を２５μｍとした。それ以外の部分の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７６】
〔実施例７〕
上記実施例１において、光吸収部の形成材料を、下記の熱硬化性のものに代えた。それ以外の部分は、上記実施例１と同様とした。
【００７７】
〔実施例８〕
上記実施例２において、光吸収部の形成材料を、下記の熱硬化性のものに代えた。それ以外の部分は、上記実施例２と同様とした。
【００７８】
〔実施例９〕
上記実施例１の形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図１０に示す、第７および第８の実施の形態の変形例の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。コア等の構成の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００７９】
〔実施例１０〕
上記実施例１の形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図１２（ａ）に示す、第１の実施の形態の変形例の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。コア等の構成の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００８０】
〔光吸収部の熱硬化性の形成材料〕
第１液（樹脂）と第２液（硬化剤）とを混合させるエポキシ樹脂（日東電工社製、ＮＴ−８０３８）を準備し、その第１液５０ｇと第２液５０ｇとともに、前記成分ｓの光吸収剤１１ｇを混合することにより、光吸収部の熱硬化性の形成材料を調製した。
【００８１】
〔従来例〕
上記形成材料を用いて、樹脂製基板の表面に、図１６（ａ），（ｂ）に示す、光吸収部が設けられていない従来の光導波路（長さ５０ｍｍ）を作製した。コアの頂面からのオーバークラッドの厚みを３０μｍとした。それ以外の部分の寸法は、上記実施例１と同様とした。
【００８２】
〔クロストーク抑制値の算出〕
ＶＣＳＥＬ光源（三喜社製、OP250-LS-850-MM50-SC、発光波長８５０ｎｍ）を接続したＧＩ型直径５０μｍのマルチモード光ファイバ（第１の光ファイバ）と、光パワーメータ（アドバンステスト社製、Ｑ８２２１）を接続したＳＩ直径１０５μｍのマルチモード光ファイバ（第２の光ファイバ）とを準備した。そして、上記第１の光ファイバの先端と上記第２の光ファイバの先端とを突き合わせ、上記ＶＣＳＥＬ光源からの光を上記光パワーメータで受光し、その受光強度（Ｉ0 ）を測定した。
【００８３】
ついで、上記第１の光ファイバの先端を、上記実施例１〜８および上記従来例の光導波路における１本のコアの光入射部（一端部）に仮接続するとともに、上記第２の光ファイバの先端を、上記コアの光出射部（他端部）に仮接続した。そして、上記両光ファイバの先端の位置を変えながら、上記ＶＣＳＥＬ光源からの光を上記光パワーメータで受光し、その受光強度が最大となる位置で、上記第１の光ファイバの先端を上記コアの光入射部（一端部）に固定した。これにより、上記第１の光ファイバを調芯状態に位置決めした。
【００８４】
つぎに、上記第１の光ファイバの先端部を、上記コアの隣のコア側に１０μｍ移動させ、その第１の光ファイバの先端部から出射される光が、上記コアの周囲のオーバークラッドに入射しやすくし、クロストークが発生しやすい状態にした。ついで、上記第２の光ファイバの先端部を、上記コアの隣のコアの光出射部（他端部）に接続し、その状態での受光強度（Ｉ）を上記光パワーメータで測定した。そして、測定した上記受光強度から〔−１０×ｌｏｇ（Ｉ／Ｉ0 ）〕を算出し、その値をクロストーク抑制値とした。その結果を下記の表１に示した。
【００８５】
【表１】
0006694205.tif 000002
【００８６】
上記表１の結果から、光吸収部を備えた実施例１〜８は、光吸収部を備えていない従来例よりも、クロストークが抑制されていることがわかる。特に、光吸収部の形成材料として熱硬化性のものを用いた実施例７，８では、光吸収部に光吸収剤を多く含有させることができるため、クロストークの抑制により優れていることがわかる。また、実施例１と実施例１０とを比較すると、光導波路の両端部に光吸収部を設けた実施例１０は、光導波路の一端部に光吸収部を設けた実施例１よりも、クロストークの抑制により優れていることがわかる。
【００８７】
また、図４、図７、図１１（ａ），（ｂ）、図１２（ｂ）、図１３（ａ），（ｂ）、図１４（ａ），（ｂ）、図１５（ａ），（ｂ）に示す光導波路でも、上記実施例と同様の傾向を示す結果が得られた。
【００８８】
そのうち、両端部に光吸収部を設けた図１２（ａ），（ｂ）、図１３（ａ），（ｂ）、図１４（ａ），（ｂ）に示す光導波路については、上記クロストークの測定の際に、さらに、上記第２の光ファイバの先端部を、第１の光ファイバが接続されているコア側に１０μｍ移動させ、クロストークがより一層発生しやすい状態にした。このような場合でも、上記実施例と同様の傾向を示す結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明の光導波路は、クロストークの抑制を向上させる場合に利用可能である。
【符号の説明】
【００９０】
Ｗ１  光導波路
１  アンダークラッド
２  コア
３  オーバークラッド
４  光吸収部
７  基板
１０  光出射部材
【図１】
0006694205.tif 000003
【図２】
0006694205.tif 000004
【図３】
0006694205.tif 000005
【図４】
0006694205.tif 000006
【図５】
0006694205.tif 000007
【図６】
0006694205.tif 000008
【図７】
0006694205.tif 000009
【図８】
0006694205.tif 000010
【図９】
0006694205.tif 000011
【図１０】
0006694205.tif 000012
【図１１】
0006694205.tif 000013
【図１２】
0006694205.tif 000014
【図１３】
0006694205.tif 000015
【図１４】
0006694205.tif 000016
【図１５】
0006694205.tif 000017
【図１６】
0006694205.tif 000018
【図１７】
0006694205.tif 000019
【図１８】
0006694205.tif 000020