(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶミラー用基板において、前記基板が酸化チタンドープ石英ガラスからなり、その表面で、統計的分布から逸脱するゼロ交差温度のプロファイルを有し、ここで、前記ゼロ交差温度のプロファイルは、少なくとも１つの局所ピークを有し、ミラーの動作温度のプロファイルに適合させられており、
前記基板は、前記表面で最小ゼロ交差温度（Ｔzcmin）と最大ゼロ交差温度（Ｔzcmax）とを有しており、これらの温度の差が１．５Ｋを上回り、周縁部から隔たった領域においてゼロ交差温度Ｔzc1を有し、周縁部ではゼロ交差温度Ｔzc2を有し、Ｔzc1が、Ｔzc2より少なくとも１．５Ｋ高く、
前記基板のＯＨ含有量のプロファイル、仮想温度のプロファイル、又は酸化チタン濃度のプロファイルのいずれかが、前記ゼロ交差温度を所望のプロファイルとするために調整されている
ことを特徴とする、前記基板。
【請求項２】
前記基板が、当該基板の全質量に対して５質量％〜１２質量％の量で二酸化チタンを有することを特徴とする、請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記基板が、複数の層を含むことを特徴とする、請求項１又は２記載の基板。
【請求項４】
ＴzcmaxとＴzcminとの差が、少なくとも２Ｋであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の基板。
【請求項５】
ＴzcmaxとＴzcminとの差が、２〜１０Ｋの範囲にあることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の基板。
【請求項６】
前記ゼロ交差温度のプロファイルは、少なくとも部分的にほぼ一定したプロファイルを有していることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の基板。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項記載のＥＵＶミラー用基板の製造方法であって、以下の工程：
ａ）前記基板の径方向にゼロ交差温度の不均一なプロファイルを予め定義する工程、
ｂ）前記基板を、前記ゼロ交差温度の予め定義した位置依存の前記プロファイルを調節しながら製造する工程
を含み、前記基板の製造は、以下の工程：
ｉ）シリコンを含有する出発物質及びチタンを含有する出発物質を堆積させて、ＴｉＯ2ドープスート体を形成する工程、
ｉｉ）前記スート体を乾燥する工程、
ｉｉｉ）前記スート体を焼結して円柱状のブランクを形成する工程、
ｉｖ）前記円柱状のブランクを均質化する工程及び
ｖ）基板を形成する工程
を含む方法において、
前記ゼロ交差温度のプロファイルの調節を、前記スート体の乾燥中の拡散プロセスによるＯＨ含有量の調節、前記基板の熱処理による仮想温度の調節、又は前記チタンを含有する出発物質の量を前記堆積中に変えることによる酸化チタンの濃度の調節のいずれかにより行う
ことを特徴とする、前記方法。
【請求項８】
前記出発物質を、円柱状のブランク上で層状に堆積させることを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記ゼロ交差温度のプロファイルを、統計的分布から逸脱する酸化チタンドープによって調節することを特徴とする、請求項７又は８記載の方法。
【請求項１０】
前記仮想温度を、リングによる加熱処理、人為的な寸法拡大及び／又は強制冷却によって調節することを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項１１】
請求項１から６までのいずれか１項記載の基板、又は請求項７から１０までのいずれか１項記載の方法によって得られた基板の、リソグラフィ法におけるＥＵＶミラーとしての使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学的に利用される基板の表面でのゼロ交差温度(Nulldurchgangstemperatur)の分布が統計的分布から逸脱し、かつこの基板が当該表面でそれぞれ最小ゼロ交差温度と最大ゼロ交差温度とを有することを特徴とするＥＵＶミラー用基板に関する。更に本発明は、ゼロ交差温度の不均一な基準温度プロファイル(Soll-Temperaturverlauf)が予め定義されているＥＵＶミラー用基板の製造方法並びにフォトリソグラフィにおける本発明による基板の使用に関する。
【０００２】
ＥＵＶリソグラフィにおいては、高集積構造が電磁放射によって作り出される。その際、用いられる放射の波長は、約１３ｎｍの範囲、つまり極端紫外光（ＥＵＶ）の範囲内にある。ＥＵＶ投影システム用ＥＵＶミラーが使用され、その際、ＥＵＶミラーは、少なくとも１つの基板と当該基板に施与された反射性多層コーティングとを有する。このために基板は規則的にゼロ膨張材料を有し、かつ当該基板において位置に依存しない熱膨張のゼロ交差温度を有する。このＥＵＶミラーは、ＥＵＶ投影システムにおける極端紫外放射による照射に曝されたときに、当該ＥＵＶミラーにおいて位置に依存する動作温度を有する。
【０００３】
ミラー基板は、通常、二酸化チタンでドープされている高ケイ酸含有ガラスから成る。実際のミラーは、基板の機械加工及び多層コーティングによる当該基板のコーティングによって取得される。その際、ＥＵＶミラー部材の最大（理論）反射率は、約７０％であり、そのため放射エネルギーの約３０％がミラー基板のコーティング内で又は表面付近の層内で吸収されて、そこで熱に変換される。ミラー基板内に入り込む放射は、熱による基板体積の変化をもたらし、その際、表面の変形が起こり得る。１ｎｍの範囲の極めて小さい体積変化ですら、像質の目立った悪化と歪みとを生じ得る。その際、その表面は、放射が当たる周辺領域が特に負荷を受ける。
【０００４】
ＤＥ１０２０１０００９５８９Ｂ４は、ＥＵＶリソグラフィにおいて用いるための、チタンドープの高ケイ酸含有ガラス製のミラー基板用ブランクの製造方法を記載している。このミラー基板は、鏡面加工されるべき表面領域を有し、その際、この表面領域のガラスが火炎加水分解によって作り出され、そして予め定義された含水量が設定される。
【０００５】
ＵＳ２０１２／０２６４５８４Ａ１は、２つの相対する表面を有し、それらのゼロ交差温度が少なくとも５℃異なるＥＵＶリソグラフィ投影システム用基板を開示している。
【０００６】
ＤＥ１０２０１１０８５３５８Ｂ３は、ＥＵＶリソグラフィ用光学配置並びに当該配置を構成する方法に関する。その際、この光学配置、例えば投影レンズは、それぞれ異なる熱膨張係数を有する２つのミラー基板を、これらのミラーの変形によって引き起こされる歪みが補償されるように配置して含む。
【０００７】
ＥＵＶミラーにおける使用に適しており、かつ殊に半導体工業における、マイクロエレクトロニクス部品、例えば集積回路の正確な加工を可能にするＥＵＶミラー基板を提供する必要性がますます高まっている。それゆえ、本発明の課題は、ＥＵＶミラー用基板及び、例えばＥＵＶリソグラフィ法において用いたときに、定義されたＥＵＶ照射条件下で膨張を示さないか又は少なくとも最小の膨張しか示さず、かつ高い像質を可能にする基板の製造方法を提供することである。
【０００８】
この課題は、本発明により、位置に依存する基板のゼロ交差温度が当該基板の表面にわたって変化し、かつ前記ゼロ交差温度に不均一な非統計的分布が付与されることによって解決される。この分布は、理想的には、予測されるミラー動作温度の分布に相当する。
【０００９】
それゆえ、本発明の対象は、ＥＵＶミラー用基板であって、当該基板が統計的分布から逸脱するゼロ交差温度をその表面で有し、ここで、前記基板は、互いの差が１．５Ｋを上回る最小ゼロ交差温度（Ｔzcmin）と最大ゼロ交差温度（Ｔzcmax）とを表面で有する前記ＥＵＶミラー用基板である。
【００１０】
統計的分布から逸脱するとは、本発明の意味においては、任意ではない非線形の不均一分布を意味するものとする。好ましくは、ゼロ交差温度は、ミラー動作温度の予測されるプロファイル及び／又は予測される分布に対応した規定のプロファイル及び／又は規定の分布に従う。
【００１１】
基板の表面には、ＥＵＶミラーにおいて、ミラーの表面とも呼ばれ得る反射性多層コーティングが備わっている。ミラーの表面は、動作条件に直接曝されている。本発明の枠内における基板の表面は、ＥＵＶミラーにおいて多層コーティングの方に向いている基板の表面を意味するものとする。本発明の意味における表面とは、二次元の寸法に関するものであっても、体積要素に関するものであってもよい。“基板の表面”との用語が、体積要素に関するものである場合、この体積要素は、好ましくは、例えば２ｃｍ〜４ｃｍの厚さを有し、かつ動作の方に向いている基板の外側境界を構成する要素である。
【００１２】
本発明の意味における基板とは、実際のＥＵＶミラーの前駆体及び／又はブランクとしてみなされる成形体を意味するものとする。この前駆体から、更なる方法工程によって、例えば凹面のミラー形状を施して研磨し、そして反射性コーティングをそれに施すことによって、実際のＥＵＶミラーが取得されることができる。
【００１３】
ＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる基板には、当該基板が曝される短波長放射に基づき、材料の高い要求が課せられる。この高い要求を満たす材料グループが、ドープ石英ガラスである。さらに、この石英ガラスの特性は、様々なドープ剤を導入することによって、そのつどの要求に適合させることができる。例えばドープ剤の適切な選択によって、ガラスの屈折率又は粘度を変化させることができる。殊に二酸化チタンによるドープは、この石英ガラスの熱膨張を更に最小限に抑えることに寄与する。
【００１４】
それゆえ、基板が、酸化チタンドープ石英ガラスを含む本発明の実施形態が有利である。
【００１５】
本発明の有利な実施形態においては、基板は、そのつど当該基板の全質量に対して５質量％〜１２質量％、好ましくは６質量％〜１０質量％の量で二酸化チタンを有する。
【００１６】
当然のことながら、基板は、更なるドープ剤を含有してよい。例えば、とりわけアルカリ金属が、基板中でのシュリーレン(Schlieren)による影響を減らすために使用されることができる。さらに、例えば、基板の粘度又は屈折率を動作条件に応じて適合させるために更なるドープ剤を用いることができる。
【００１７】
更なる有利な実施形態においては、基板は、ガラス相に対する結晶相の比が、これらの異なる相の熱膨張係数がほぼ打ち消し合うように調節されているガラスセラミックを含む。
【００１８】
基板が層状に構成されていると好ましいことが判明した。これらの層は、そのゼロ交差温度、当該ゼロ交差温度の分布又は他の特徴、例えば気泡の点で異なり得る。それゆえ、基板が複数の層を含む本発明の実施形態が有利である。その際、個々の層の厚さは変化してよく、かつ基板の所望の特性を考慮しながら自由に選択してよい。ここで、層の数は、例えば２〜４であってよい。
【００１９】
ＥＵＶ放射によるミラーの露光によってミラーは動作中に加熱され、その際、ミラーは、空間強度分布を有する膨張したＥＵＶビームスポットによる不均一な投光に基づき、ＥＵＶビームスポットの当たる面及び／又は強度分布に依存する温度分布及び／又は温度プロファイルを有する。この温度プロファイルは、基板の表面でも同じように存在する。その際、ビームスポットは、ミラー表面全体或いはまたその一部のみを照射し得る。
【００２０】
それゆえ、熱に起因する基板及び／又はミラーの変形を阻止するために、ゼロ交差温度の分布が前記温度プロファイル及び／又は前記温度分布に適合させられていることが所望される。したがって、基板の表面が異なるゼロ交差温度を有し、その際、このゼロ交差温度が、好ましくは少なくとも１つのピークを有する実施形態が有利である。
【００２１】
それゆえ、基板が、周縁部から隔たった領域においてゼロ交差温度Ｔzc1を有し、かつ周縁部ではゼロ交差温度Ｔzc2を有し、ここで、Ｔzc1が、Ｔzc2より少なくとも１．５℃高い実施形態が有利である。
【００２２】
実際には、ＥＵＶ放射場は、通常、１つ以上の強度ピークを有する。それによって、異なる位置が異なる温度を有することを本質的に特徴とする温度プロファイルが生じ、このことが、ゼロ交差温度も同様に異なり、かつ基板の表面で最大ゼロ交差温度と最小ゼロ交差温度とが存在することにつながる。ＥＵＶミラーに当たる放射が複数の強度ピークを有する場合、ＥＵＶミラー表面での温度分布も同様に複数のピークを有し、その際、ミラーの表面でのこれらのピークは、放射の強度ピークと一致する。
【００２３】
したがって、ＴzcmaxとＴzcminとの差が、少なくとも２Ｋ、更に有利には３Ｋである実施形態が有利である。
【００２４】
更に有利なのは、ＴzcmaxとＴzcminとの差が、２〜１０Ｋ、殊に２．５〜７Ｋの範囲にある基板の実施形態である。
【００２５】
基板が曝される通常の動作条件から、基板の表面では、当該基板が少なくとも１つの最大温度を有する少なくとも１つの箇所が一般に生じる。それゆえ、基板の表面でのゼロ交差温度の分布が少なくとも１つの局所ピークを有する実施形態が有利である。
【００２６】
更に有利なのは、ゼロ交差温度の分布が、ほぼ一定したプロファイルを少なくとも部分的に有する実施形態である。そうして、このゼロ交差温度は、例えばＥＵＶ放射領域の照射面を考慮して、その真ん中から外側に向かって連続的に低下し得る。その際、基板の表面でのゼロ交差温度の分布が適合させられているミラー表面での温度分布は、通常、ＥＵＶ放射領域による照射に基づくミラーの加熱と環境への熱放散との相互作用によって生じる。さらに、この温度分布を、ミラーの適切な冷却によって影響を及ぼすことが可能である。
【００２７】
ＥＵＶリソグラフィにおいて用いられる基板には、高い要求が課せられる。この基板は、例えば熱膨張係数又はゼロ交差温度といった特性を有していなければならず、これには、基板の特性の正確な調節と綿密な製造が欠かせない。
【００２８】
したがって、本発明の更なる対象は、以下の工程：
ａ）基板のゼロ交差温度の不均一な基準温度プロファイルを予め定義する工程、
ｂ）基板を、ゼロ交差温度の予め定義した、位置に依存する基準プロファイルを調節しながら製造する工程
を含む、ＥＵＶミラー用基板の製造方法である。
【００２９】
本発明の意味における基準温度プロファイルとは、基板の製造前に規定される温度プロファイルを意味するものとする。その際、この規定は、例えば測定又は計算によって行われることができる。この基準温度プロファイルは、例えば、放射源、放射源の数及び配置並びに更なるプロセス条件に依存して変化し得る、予測されるミラー動作温度に対応している。あとの基板におけるゼロ交差温度の分布は、このプロファイルに適合させられている。その際、好ましくは、基板が、動作条件下で熱に起因する変形を示さないように適合させられる。この場合、通常起こる変形は、基板において及び／又はその表面でゼロ交差温度を相応して調節することによって大体が補償される。
【００３０】
有利な実施形態においては、基準温度のプロファイルは、径方向に延びる。本発明の意味における径方向プロファイルとは、殊に、基準温度が基板の表面での規定された温度プロファイルに従うプロファイルを意味するものとする。
【００３１】
有利な実施態様においては、本発明による方法は、以下の工程：
ｉ）シリコンを含有する出発物質及びチタンを含有する出発物質を堆積させて、ＴｉＯ2ドープスート体を形成する工程、
ｉｉ）スート体を乾燥する工程、
ｉｉｉ）スート体を焼結してブランクを形成する工程、
ｉｖ）ブランクを均質化する工程及び場合により
ｖ）基板を形成する工程
を含む。
【００３２】
本発明の意味におけるスート体は、多孔質で未焼結の石英ガラス体である。
【００３３】
本発明の意味におけるブランクとは、更なる加工用である石英ガラス製の焼結されたワークピースを意味するものとする。その際、この更なる加工は、例えば形状付与法を含んでよい。
【００３４】
好ましくは、シリコンを含有する出発物質は、オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）及び四塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4）から成る群から選択される。
【００３５】
チタンを含有する出発物質は、好ましくは、チタンイソプロポキシド［Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4］及び四塩化チタン（ＴｉＣｌ4）から成る群から選択される。
【００３６】
シリコンを含有する出発物質及びチタンを含有する出発物質の堆積は、先行技術において知られている通常の方法によって行われることができる。好ましくは、火炎加水分解によって、特に有利にはＣＶＤ法、ＯＶＤ法又はＶＡＤ法によって堆積させられる。
【００３７】
更なる方法工程においては、工程ｉ）で得られたスート体が乾燥させられる。その際、乾燥は、標準圧（１ｂａｒ）でも減圧下でも行うことができる。さらに、乾燥は、不活性ガス、例えば窒素又は希ガスの存在下で行うことができる。同様に、例えばＴｉ4+からＴｉ3+への還元反応を回避するために（なぜなら、Ｔｉ3+は後々、基板の透過率の低下につながるからである）、酸化雰囲気中で乾燥を実施することも可能である。改善された乾燥作用を達成するために、乾燥は、場合により塩素含有雰囲気中で行われることができる。
【００３８】
好ましくは、スート体の焼結は、工程ｉｉｉ）において１０００〜１７００℃の範囲の温度で、好ましくは１３００〜１５００℃の範囲の温度で行われる。
【００３９】
ブランクの均質化後に、これは、場合により、例えば形状付与法又は更なる方法工程によって、基板へと更に加工することができる。
【００４０】
ゼロ交差温度の分布を調節するために、出発物質を円柱状のブランク上で層状に堆積させる実施形態が有利である。このようにして、後の基板表面におけるゼロ交差温度のプロファイルは、前もって規定された要求事項に従って調節することができる。
【００４１】
ゼロ交差温度の分布は、とりわけ基板中のＴｉＯ2濃度に依存することが判明した。したがって、ＴｉＯ2含有量を様々に変えることによってゼロ交差温度の分布に影響を及ぼすことが可能である。それゆえ、チタンを含有する出発物質の量を堆積中に変化させる、本発明による方法の実施形態が有利である。
【００４２】
ゼロ交差温度の分布は、好ましくは非統計的分布に従う。したがって、ゼロ交差温度の分布を、統計的分布から逸脱する酸化チタンドープによって調節する実施形態が有利である。
【００４３】
さらに、基板のゼロ交差温度及びその分布は、スート体中のＯＨ含有量によって影響を及ぼすことができることがわかった。それに従って、ゼロ交差温度の分布を、統計的分布から逸脱するスート体中のＯＨ含有量の分布によって調節する実施形態が有利である。
【００４４】
スート体の乾燥中の拡散プロセスに起因して、通常、スート体は、壁の真ん中でピークを有し、かつ表面に向かって減少するＯＨ含有量の分布を有する。それゆえ、プロセスパラメータ、例えば温度、時間及び圧力の適した選択によって、ＯＨプロファイルは、それがゼロ交差温度のプロファイルに関する前もって規定された所望の基準値に相当するように影響を及ぼされる。
【００４５】
更に有利なのは、ゼロ交差温度の分布を、統計的分布から逸脱するハロゲン共ドープ剤の分布によって調節する本発明の実施形態である。適したハロゲン共ドープ剤は、例えば四フッ化ケイ素（ＳｉＦ4）、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）及びヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）である。このハロゲン共ドープ剤は、例えば乾燥プロセス中に導入されることができる。
【００４６】
更なる有利な実施形態においては、ゼロ交差温度のプロファイルは、基板の仮想温度によって調節される。本発明の枠内における仮想温度は、その温度を下回ると結合角がガラスにおける冷却プロセス時にもはや変化しない温度であり、すなわち、結合角は、そのつどの仮想温度のときに“凍結”される。
【００４７】
この仮想温度は、冷却プロセス中の適切な措置によって影響を及ぼすことができることが判明した。それゆえ、仮想温度は、好ましくは、リングによる熱処理、人為的な寸法拡大(kuenstliches Uebermass)及び／又は強制冷却によって調節される。特に有利には、仮想温度は、そのプロファイルが、前もって規定された、あとの基板におけるゼロ交差温度の所望のプロファイルに相当するプロファイルに従うように調節される。
【００４８】
本発明による基板及び本発明による方法によって得られる基板は、熱変形が少ないという点で際立っている。それゆえ、本発明の更なる対象は、本発明による基板又は本発明による方法によって得られる基板の、ＥＵＶミラー用の又はリソグラフィ法、例えばＥＵＶリソグラフィ法における、好ましくは電気回路又はストリップ導体を製造するための使用である。
【００４９】
リソグラフィプロセスにおいてＥＵＶミラーが用いられる場合、ミラーがプロセス中に変形しないことが望まれる。なぜなら、変形すると、像質を損なう可能性があるからである。それに従って、ミラーの土台を成す基板は、加熱されたときでも形状安定性を示すという点で際立っていなければならない。
【００５０】
それゆえ、基板におけるゼロ交差温度のプロファイルが、ミラーの動作温度のプロファイルに適合させられていることを特徴とする、本発明による基板又は本発明による方法によって得られた基板の使用が維持される実施形態が有利である。このようにして、場合により生じるミラーの変形が、基板によって確実に補償され、従って全体的に見た時に形状変化は観察されなくなる。
【００５１】
本発明の更なる対象は、以下の工程：
ａ）基板を有するＥＵＶミラーを準備する工程及び
ｂ）動作中にＥＵＶミラーに作用する少なくとも１つの光源を準備する工程
を含むリソグラフィ法であり、ここで、基板におけるゼロ交差温度の分布及び／又はプロファイルは、ミラーの動作温度の分布に適合させられている。
【００５２】
好ましくは、基板におけるゼロ交差温度の分布及び／又はプロファイルは、ミラーが総じて形状変化を示さないように動作温度のプロファイルに適合させられている。
【００５３】
本発明を、以下の例及び図面に基づいて詳細に説明するが、ただし、これらは本発明の思想を制限するものとして理解されるべきではない。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】図１は、基板の中心点を通って延びる軸に沿って中心を照射したときのＥＵＶミラーの動作温度のプロファイルを示す。
【図２】図２は、基板の中心点を通って延びる軸に沿った基板のゼロ交差温度（Ｔzc）のプロファイルを示す。
【図３】図３は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に示した基板のＯＨ含有量のプロファイルを示す。
【図４】図４は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に示したゼロ交差温度のプロファイルを有する基板の仮想温度のプロファイルを示す。
【図５】図５は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に表したゼロ温度プロファイルを有する基板のＴｉＯ2濃度のプロファイルを示す。
【００５５】
例１：人為的な寸法拡大をともなった熱処理によるゼロ交差温度の分布の調節
ＯＶＤ法を用いたＳｉＯ2−ＴｉＯ2粒子の形成のための出発物質としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）及びチタンイソプロポキシド［Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4］の火炎加水分解によって、約８質量％のＴｉＯ2でドープされているスート体を製造する。
【００５６】
このスート体を、グラファイトから成る加熱素子を使って加熱炉内で１１５０℃の温度にて真空下に脱水する。この脱水処理は２時間後に終了する。
【００５７】
その後、このようして乾燥したスート体を、焼結炉内で約１５００℃の温度にて減圧下（１０-2ｍｂａｒ）にガラス化して、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスから成る透明なブランクとした。このガラスの平均ＯＨ含有量は、約１７０質量ｐｐｍである。
【００５８】
引き続き、このガラスを、熱機械的均質化（ツイスト加工）及びＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスから成る円柱体の形成によって均質化する。このために、ロッド状の出発体を、例えばＥＰ６７３８８８Ａ１において層を完全に除去する目的で記載されているように、酸水素ガスバーナーが備わったガラス旋盤に固定し、かつ変形プロセスに基づき均質化する。ここで、この出発体は、酸水素ガスバーナーによって局所的に２０００℃より高く加熱し、その際に軟化する。この場合、酸水素ガスバーナーには、酸素１モルにつき水素１．８モルを供給し、ひいては酸化作用する酸水素ガス火炎を作り出す。
【００５９】
２つのブラケット同士の相対運動によって、この出発体をその縦軸を中心にツイスト加工し、その際、軟化したガラス材料を、半径方向に強力に混合してツイスト体を形成する。このようにして、約９０ｍｍの直径及び約６３５ｍｍの長さを有する縦長のツイスト体が得られる。
【００６０】
その後、このブランクから、直径３０ｃｍ及び厚さ５．７ｃｍを有し、かつＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスから成る円形プレートを形作る。
【００６１】
機械的応力をなくすために及び所定の仮想温度を調節するために、このガラスプレートを加熱処理に供する。その際、仮想温度は、ブランクの外側で膨張係数のより低いゼロ交差温度を達成するために、ブランクの真ん中より周縁部で低くなければならない。このために、ブランクの周囲長に沿った前面と最も外側の５０ｍｍを、５０ｍｍ厚の石英ガラスから成る補助ピースによって遮断し、そのようにしてから熱処理炉内に取り付ける。ここで、ガラスプレートは、８時間の滞留時間の間ずっと空気中及び大気圧下で１０８０℃に加熱し、引き続き４℃／ｈの冷却速度で８５０℃の温度に冷却する。この冷却中、絶縁に基づき、ブランクの周縁領域における仮想温度は、表面の真ん中より長く（低く）緩和することができ、それによって所望の分布が達成される。その後にＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスプレートを、５０℃／ｈのより高い冷却速度で３００℃の温度に冷却し、それに続けて炉を停止し、かつガラスプレートを炉の自然冷却下に置く。
【００６２】
更なる加工のために、２９．４ｃｍの直径及び５．１ｃｍの厚さｄが生ずるように機械加工によってガラスプレートの表面層を取り除く。
【００６３】
このようにして得られたプレートは、特に高品質の均質化された、８質量％の酸化チタンを含有する高ケイ酸含有ガラスから成る。ＯＨ含有量は１７０質量ｐｐｍである。厚さ全体にわたって測定した平均仮想温度は９６８℃であり、かつ周縁部に向かって６℃低下する。それにより、ゼロ交差温度は中心から半径方向で外側に向かって２℃低下する。
【００６４】
例２：酸化チタン分布を適合させたゼロ交差温度の分布の調節
ＳｉＯ2−ＴｉＯ2粒子の形成のための出発物質としてオクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ）及びチタンイソプロポキシド［Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4］の火炎加水分解によって、ＯＶＤ法を用いてスート体を製造する。作製している間、チタン前駆体［Ｔｉ（ＯｉＰｒ）4］の割合を、ＴｉＯ2濃度が初め８．２０％であり、かつ時間とともに減少し、そうして当該濃度が終わり頃には僅か８．０５％になる程度に下げる。
【００６５】
このスート体を、グラファイトから成る加熱素子を使って加熱炉内で１１５０℃の温度にて真空下に脱水する。この脱水処理は２時間後に終わる。
【００６６】
その後、このようして乾燥したスート体を、焼結炉内で約１５００℃の温度にて減圧下（１０-2ｍｂａｒ）にガラス化して、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスから成る透明なブランクとした。このガラスの平均ＯＨ含有量は、約１８０質量ｐｐｍである。
【００６７】
引き続き、このガラスを、例１と同じように均質化する。約９０ｍｍの直径及び約６２０ｍｍの長さを有する縦長のツイスト体が得られる。この均質化によって、酸化チタン分布は回転対称である。粗製体における酸化チタン濃度の勾配に基づき、酸化チタンの分布は、真ん中から半径方向で外側に向かって０．０５％低下する。この低下の度合いは、火炎加水分解中に容易に調節することができる。
【００６８】
その後、このブランクから、直径３０ｃｍ及び厚さ５．５ｃｍを有する、ＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスから成る円形プレートを形成する。
【００６９】
機械的応力をなくし、かつ所定の仮想温度を調節するために、このガラスプレートを加熱処理に供する。その際、ガラスプレートは、８時間の滞留時間の間ずっと空気中及び大気圧下で１０８０℃に加熱し、引き続き４℃／ｈの冷却速度で９５０℃の温度に冷却する。この温度でプレートを、仮想温度の局所変化を回避するために４時間保つ。その後にＴｉＯ2−ＳｉＯ2ガラスプレートを、５０℃／ｈのより高い冷却速度で３００℃の温度に冷却し、それに続けて炉を停止し、かつガラスプレートを炉の自然冷却下に置く。
【００７０】
更なる加工のために、２８．６ｃｍの直径及び５．０ｃｍの厚さｄが生ずるように機械加工によってガラスプレートの表面層を取り除く。
【００７１】
このようにして得られたプレートは、特に高品質の均質化された、平均して約８．１１質量％の酸化チタンを含有する高ケイ酸含有ガラスから成る。酸化チタン割合は、中心から半径方向で外側に向かって０．０５％低下する。ＯＨ含有量は１８０質量ｐｐｍである。厚さ全体にわたって測定した平均仮想温度は９７２℃であり、かつ周縁部に向かって１℃未満低下する。それにより、ゼロ交差温度は中心から半径方向で外側に向かって２．２℃低下する。
【００７２】
図１は、基板の中心点を通って延びる軸に沿って中心を照射したときのＥＵＶミラーの動作温度のプロファイルを示し、ここで、ミラーは、主に中心で加熱される。
【００７３】
図２は、基板の中心点を通って延びる軸に沿った基板のゼロ交差温度（Ｔzc）のプロファイルを示し、ここで、ゼロ交差温度のプロファイルは、図１におけるミラーの動作温度のプロファイルに相当する。このようにして、ミラーの歪みを最小限にすることができる。
【００７４】
図３は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に示した基板のＯＨ含有量のプロファイルを示す。ＯＨ含有量のプロファイルは、ＳｉＯ2スート体の適切な乾燥によって調節することができる。この場合、基板の仮想温度（Ｔf）は、当該仮想温度にＯＨ含有量がマイナスの、すなわち、逆の影響を及ぼすことを防止するために、可能な限り平坦なプロファイルを示す場合に好ましい。仮想温度のこの平坦なプロファイルは、例えば、加熱処理、つまり、一定温度で長く保つことによって達成することができる。
【００７５】
既に述べた通り、基板におけるゼロ交差温度のプロファイルは、選択的に基板における仮想温度によって規定することができる。図４は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に示したゼロ交差温度のプロファイルを有する基板の仮想温度のプロファイルを示す。図４に示した通り、外側に向かって低下する仮想温度のプロファイルは、例えば、冷却中に、例えば加熱処理リングによって基板周囲の絶縁を行うことによって得ることができる。選択的に、基板のより大きい面、殊に表面を、空気流によって強制冷却することでより高い仮想温度を調節することができる。さらに、仮想温度の径方向プロファイルをカバープレート又はサンドバスによって影響を及ぼすことが可能である。このためにカバープレートは、例えば表面の特定の範囲のみを覆ってよい。同様に仮想温度は、異なる厚さひいては異なる絶縁挙動を有するカバープレートの使用によって調節してもよい。
【００７６】
基板における仮想温度の軸方向プロファイルは、例えば加熱処理炉内のヒートシンクを基板の高さにわたって適切に利用することによって調節することができる。
【００７７】
図５は、基板の中心点を通って延びる軸に沿う、図２に表したゼロ温度プロファイルを有する基板のＴｉＯ2濃度のプロファイルを示す。このＴｉＯ2濃度プロファイルは、例えば基板を層状に作製し、その製造に際してＴｉＯ2を含有する出発化合物の濃度を堆積プロセス中に変化させることによって達成することができる。
【図１】
0006655008.tif 000002
【図２】
0006655008.tif 000003
【図３】
0006655008.tif 000004
【図４】
0006655008.tif 000005
【図５】
0006655008.tif 000006