(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
モールドを用いて基板の上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
前記モールドを保持するモールド保持部と、
前記モールド保持部に保持された前記モールドの側面を加圧する加圧部と、
を含み、
前記モールド保持部の前記モールドに接触する接触面の一部分は、フッ素系高分子材料、ダイヤモンドライクカーボン、および潤滑性金属のうちいずれかの低摩擦係数材料で構成され、
前記モールド保持部の前記接触面の他の部分は、前記低摩擦係数材料以外の材料で構成されている
ことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記モールド保持部は、前記接触面の一部分の表面粗さが前記接触面の他の部分の表面粗さより小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記モールド保持部は、前記接触面の一部分と前記モールドとの間の摩擦係数が、前記接触面の他の部分と前記モールドとの間の摩擦係数より小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記接触面の一部分と前記モールドとの間の摩擦係数は、０．１から０．１５の間であり、前記接触面の他の部分と前記モールドとの間の摩擦係数は、０．２から０．３の間であることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記モールド保持部の前記接触面の一部分は、前記接触面の他の部分よりも外側に位置していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記モールド保持部は、
前記モールドを吸着させるための吸着溝と、
前記吸着溝の凹部から突出して、前記モールドが前記モールド保持部に吸着された際にそれぞれの一端が前記モールドに当接する複数のピンと、
を含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記複数のピンは、前記モールドに当接する端部の表面粗さが前記接触面の他の部分の表面粗さより小さくなるように構成されていることを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記モールド保持部と前記モールドとの間に形成される閉空間における負圧状態を調整することで前記モールドの前記接触面への保持力を制御する保持力制御部を含み、
前記保持力制御部は、前記加圧部により前記モールドの側面を加圧するときは、加圧しないときよりも負圧圧力を弱める
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記モールドは、石英で構成され、前記接触面の他の部分は、セラミック系材料で構成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターン形成を基板に行う工程と、
前記工程で前記パターン形成を行われた前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント装置は一般に、半導体プロセス中に発生するパターン形状の誤差を補正する補正機構を備える。これは、モールドの外周部から外力を与えてモールド自体を変形させ、モールドに形成されているパターンの形状を補正するものである。
【０００３】
ここで、モールドはモールド保持部に例えば真空吸着されて保持される。モールドがモールド保持部によって保持された状態で形状の補正が行われると、モールドとモールド保持部との接触面の摩耗に伴うパーティクルが発生する。発生したパーティクルがモールドのパターン面に付着した場合には、基板上に形成されるパターンが歪み、程度によっては転写欠陥が発生してしまう。したがって、このようなパーティクルの発生を抑えることは、高精度なパターン形成を実現するための重要な要請である。
【０００４】
特許文献１は、上記パーティクルの発生を抑えるため、モールドを吸着保持する吸着部を、補正機構によってモールドに加えられる力の方向に変位可能にした構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−１６０６３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の構成では、吸着部の変形を許容するための構造が複雑になる。
【０００７】
本発明は、例えば、モールドとモールド保持部との接触面における発塵を抑制しつつ、モールドの側面に加える力をモールドに効率よく伝達させるのに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、モールドを用いて基板の上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドを保持するモールド保持部と、前記モールド保持部に保持された前記モールドの側面を加圧する加圧部とを含み、前記モールド保持部の前記モールドに接触する接触面の一部分は、フッ素系高分子材料、ダイヤモンドライクカーボン、および潤滑性金属のうちいずれかの低摩擦係数材料で構成され、前記モールド保持部の前記接触面の他の部分は、前記低摩擦係数材料以外の材料で構成されていることを特徴とするインプリント装置が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、モールドとモールド保持部との接触面における発塵を抑制しつつ、モールドの側面に印加する力をモールドに効率よく伝達させるのに有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態におけるインプリント装置の構成図。
【図２】、
【図３】実施形態におけるインプリント動作を説明する図。
【図４】基板上の複数のショット領域に行われるインプリント動作を説明する図。
【図５】実施形態における補正機構の構成を示す図。
【図６】実施形態におけるモールド保持部のモールド保持面の構成を説明する図。
【図７】モールド保持部の構成の変形例を示す図。
【図８】低摩擦係数材料の配置例を説明する図。
【図９】低摩擦係数材料の配置による効果を説明する図。
【図１０】実施形態による効果を説明する図。
【図１１】保持力制御部の構成を示す図。
【図１２】保持力制御部によるモールド保持部側に発生する垂直抗力の制御を説明する図。
【図１３】実施形態による効果を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施に有利な具体例を示すにすぎない。また、以下の実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の課題解決のために必須のものであるとは限らない。
【００１２】
図１に実施形態におけるインプリント装置の構成を示す。本実施形態におけるインプリント装置は例えば、光（例えば、紫外光）の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化型インプリント装置である。ただし本発明は、他のエネルギー（例えば、熱）によってインプリント材を硬化させるインプリント装置に適用することも可能である。
【００１３】
インプリント装置１００は、インプリント動作を繰り返すことによって基板の上の複数のショット領域にパターンを形成するように構成されている。ここで、１つのインプリント動作は、モールドをインプリント材に接触させた状態でインプリント材を硬化させることによって基板の１つのショット領域にパターンを形成する動作である。
【００１４】
基板微動ステージ２は、基板１をＸＹ方向及びＺ方向を回転軸とする回転方向に微小量（例えばＸＹ方向に１ｍｍ程度、回転方向に数度程度）駆動可能なステージである。基板粗動ステージ３は、基板１をＸＹ方向に大きく移動させるステージで、互いに直交する方向で基板１の搬入搬出位置から基板全面へのインプリント領域を移動させることができる。インプリント装置のベースフレーム４は、基板微動ステージ２及び基板粗動ステージ３を保持する。
【００１５】
モールド５の表面には凹凸状のパターンが形成されている。インプリント装置１００は、このモールド５を用いて基板１の上のインプリント材を成形する。駆動装置５ａは、モールド５の上下駆動を行う装置であり、基板上のインプリント材（硬化性組成物）にモールド５を接触させる動作を行う。紫外光発生装置６は、モールド５を介してインプリント材に紫外光を照射してインプリント材を硬化させる。紫外光発生装置６は、例えばｉ線、ｇ線を発生するハロゲンランプなどの光源と、光源から発生した光を集光成形する機能を含む。
【００１６】
ディスペンサ７は、インプリント材を微小液滴化して吐出することで、基板上に所定量のインプリント材を供給（塗布）することができる。インプリント材はタンク８に貯蔵されており、配管９を介してディスペンサ７に供給される。移動装置１０は、ディスペンサ７を、吐出位置と退避位置（メンテナンス位置）との間で移動させる。通常の吐出動作時は移動装置１０はディスペンサ７を所定の吐出位置に位置決めする。ディスペンサ７をメンテナンスする際には、移動装置１０はディスペンサ７を基板１の上部から外れた所定の退避位置に移動する。
【００１７】
アライメントスコープ１１は、ディスペンサ７によってインプリント材が基板上に供給（吐出）された後に、モールド５と基板１とのパターンの位置を合わせるための顕微鏡である。モールド５に設けられたアライメントマークと基板上のアライメントマークとの重ね合わせ状態をアライメントスコープ１１で計測することで、相互の位置合わせが行われる。上記したモールド５、駆動装置５ａ、紫外光発生装置６、ディスペンサ７、タンク８、移動装置１０、アライメントスコープ１１はそれぞれ、定盤１２に支持固定される。
【００１８】
本実施形態におけるインプリント装置１００の構成は概ね上記のとおりである。次に、インプリント装置１００によるインプリント動作を図２及び図３を参照して説明する。
【００１９】
まず、図２（Ａ）に示されるように、基板微動ステージ２及び基板粗動ステージ３の上に基板１が搭載される。このとき基板１は不図示の基板チャックによって保持される。次に、図２（Ｂ）に示されるように、基板微動ステージ２及び基板粗動ステージ３は、基板１がディスペンサ７の下に来るように位置決めを行う。次に、図２（Ｃ）に示されるように、ディスペンサ７が所定量のインプリント材を基板１の上に塗布する。次に、図２（Ｄ）に示されるように、アライメントスコープ１１によりモールド５のアライメントマークと基板１上のアライメントマークとを検出し、その検出結果に基づいてインプリント装置は基板１とモールド５の相対位置の調整を行う。
【００２０】
次に、図３（Ｅ）に示されるように、駆動装置５ａにより、モールド５を基板１の方向に降下させ、基板１の上のインプリント材にモールド５のパターン部を接触させる。次に、図３（Ｆ）に示されるように、紫外光発生装置６が紫外光６ａを上から照射する。紫外光６ａはモールド５を透過してインプリント材に照射される。この段階で、インプリント材が硬化する。そして、図３（Ｇ）に示されるように、モールド５を上方向に剥離（離型）させることで、基板１の上にパターニングされたインプリント材が形成され、インプリント動作が終了する。上述したように、本実施形態におけるインプリント装置１００は、インプリント動作を繰り返すことによって基板上の複数のショット領域にパターンを形成するように構成されている。例えば、図４に示されるように、基板１に対して連続したショット番号１，２，３，…の順に、上記インプリント動作が繰り返される。
【００２１】
図５に、本実施形態におけるモールド５の補正機構の構成を示す。図５（Ａ）において、モールド５はモールド保持部５１に保持されている。また、モールド５の周囲４面には、モールド５の側面を加圧する加圧部を構成する複数のピエゾアクチュエータ５２が配置されている。
【００２２】
図５（Ｂ）及び（Ｃ）は、図５（Ａ）のＡ−Ａ’断面図である。モールド保持部５１のモールド保持面５１ａは、モールド５のパターン部５３の外周部に当接する位置に形成されており、モールド保持面５１ａには、モールド５を負圧吸着により引き付けるための吸着溝５１ｂが、パターン部５３に沿って周状に形成されている。つまり、吸着溝５１ｂは、Ｚ方向から見てパターン部５３を囲むように設けられている。ここで、図５（Ｂ）はモールド５がモールド保持部５１の直下に搬送された後で、まだモールド保持部５１に保持されていない状態を示している。このとき、ピエゾアクチュエータ５２は、モールド５の外形より外側に離間した退避位置にある。その後、モールド５が矢印Ｆの方向にリフトアップされることで、図５（Ｃ）に示されるようにモールド保持部５１により吸着保持される。ここで、それぞれのピエゾアクチュエータ５２によりモールド５の側面に力を加えることで、モールド５のパターン部５３の倍率が補正される。また、補正機構は、モールド５のパターン部５３の倍率に限らず、パターン部５３の形状を変形させることで、パターン部５３の形状を補正することもできる。上述したインプリント動作は、このようにモールド５の補正が行われた状態で実行される。
【００２３】
次に、本実施形態におけるモールド保持部５１におけるモールド保持面の詳細構成について説明する。図６（Ａ）は、図５（Ｃ）と同じく、それぞれのピエゾアクチュエータ５２によりモールド５の側面に力を加えてモールド５のパターン部５３を補正している状態を示している。図６（Ｂ）に、図６（Ａ）における破線で囲まれた領域Ｒの拡大図を示す。ここで、本実施形態では、モールド保持部５１は、モールド保持面５１ａの少なくとも一部の表面粗さがモールド保持部５１におけるモールド保持面以外の面５１ｃの表面粗さより小さくなるように構成されている。そうすることで、モールド５の側面に力を加える際に、モールド保持部５１のモールド保持面５１ａとモールド５との間の滑り移動がスムーズに行われ、発塵を抑制することができる。モールド保持面５１ａの一部の表面粗さがモールド保持面以外の面５１ｃの表面粗さより小さくなるように構成されていてもよいし、モールド保持面５１ａ全面の表面粗さがモールド保持面以外の面５１ｃの表面粗さより小さくなるように構成されていてもよい。また、モールド保持面５１ａの一部の表面粗さがモールド保持面５ａの他の部分の表面粗さより小さくなるように構成されてもよい。
【００２４】
本実施形態では、モールド保持面５１ａのモールド５に対する摩擦係数を下げることによって、モールド保持面５１ａとモールド５との間の滑り移動のスムースネスを確保する。例えば、モールド保持面５１ａの少なくとも一部を、低摩擦係数材料５４で構成する。低摩擦係数材料５４は、例えばセラミック系材料より摩擦係数の低い材料で形成される。あるいは、低摩擦係数材料５４は、そのような摩擦係数を低くするための加工（コーティング、メッキ、蒸着、又は接合等）が施された材料で形成される。そのような材料として、ＰＴＦＥ樹脂、ＰＦＡ樹脂等のフッ素系高分子材料を用いることができる。あるいは、そのような材料として、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、Ｎｉメッキ等の潤滑金属材料、あるいはセレン化物相を用いることができる。なお、セレン化物相は、Mo，Ｗ，Ｖ，Nb，Ta，Ti，Zr，Hf，Re，Th，Ｕ，Teよりなるグループのうちの１つ以上を含有する。
【００２５】
モールド５が石英で構成され、モールド保持部５１がセラミック系材料で構成された場合、両者間の摩擦係数は０．２〜０．３程度であった。これに対し本実施形態によれば、モールド保持部５１のモールド５と接触するモールド保持面の少なくとも一部を低摩擦係数材料５４で構成することにより、摩擦係数を０．１０〜０．１５程度に低下させることができる。
【００２６】
本実施形態によれば、モールド５の補正を行う際に、モールド保持部５１のモールド保持面とモールドとの間のすべり移動がスムーズに行われる。これにより、補正機構のピエゾアクチュエータ５２によって印加する力が小さくて済むためモールド保持部とモールドとの間の摩擦力の発生が小さく、摩擦粉等の発生を抑えることが可能になる。したがって、モールド周囲からのパーティクルの発生が低減され、モールドのパターン面へのパーティクルの付着に起因する欠陥の発生を抑えることができる。
【００２７】
また、本実施形態によれば、モールド５の補正を行う際に、モールド保持部５１のモールド保持面とモールドとの間のとりわけモールドの外周部での最初のすべり移動がスムーズに行われる。これにより、モールド内周部への力の伝達もスムーズに行われ、ピエゾアクチュエータ５２を小型化できるという効果も得られる。
【００２８】
なお、図６（Ｂ）の例では、モールド保持面５１ａの一部に低摩擦係数材料５４を使用したが、図７（Ａ）に示すように、モールド保持面５１ａの全面に低摩擦係数材料５４を使用してもよい。なお、本実施形態では、モールド保持部５１は、モールド５をモールド保持面５１ａに吸着させるための吸着溝５１ｂを有する。ここで、図７（Ｂ）に示すように、吸着溝５１ｂの凹部から突出し、モールド５がモールド保持面５１ａに吸着された際にそれぞれの一端がモールド５に当接する複数のピン５５が設けられていてもよい（ピンチャック）。このとき、複数のピン５５のモールド５に当接する端部の表面粗さが他の部分の表面粗さより小さくなるように構成されていてもよい。具体例として、図７（Ｃ）に示すように、複数のピン５５における、モールド５と当接する部分の表面にも低摩擦係数材料５５ａがコーティングされるようにしてもよい。
【００２９】
モールドの補正をせずにインプリント動作を行う場合を考えると、パターン部５３のパターン面に対しては鉛直方向の力が主にかかる。このとき、モールド５を保持する際の不要な横ズレを発生させてはならない。この点に関しては、図７（Ａ）の如くモールド保持面５１ａの全てに低摩擦係数材料５４を使用した場合には不利となりうる。その点では、図６（Ｂ）のように、モールド保持面５１ａの全てではなく一部に低摩擦係数材料５４を使用し、他の部分は従来どおりの大きめの摩擦係数の材料（例えば、セラミック材料）を使用することが有利となりうる。すなわち、モールドの補正による発塵の抑制と、インプリント動作時におけるモールドの不要な水平移動の防止との両立を図るためには、モールド保持面の全てではなく一部に低摩擦係数材料を使用するとよい。
【００３０】
では、モールド保持面の一部に低摩擦係数材料を使用する場合の、その位置について考察する。図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、モールド保持部５１とモールド５との間の摩擦係数を下げるために、モールド保持部５１のモールド５と当接するモールド保持面の一部に低摩擦係数材料５４を配置した例を示している。この場合、モールド保持部５１側の低摩擦係数材料５４のコート面とモールド５との間の摩擦係数は従来構成の０．２〜０．５程度から、０．１０〜０．１５程度に低下させることができる。
【００３１】
第８（Ａ）に示す構成例１では、モールド保持面５１ａにおける、パターン部５３から面内方向で最も離れた位置にある部分５６に低摩擦係数材料５４がコーティングされる。この低摩擦係数材料５４がコーティングされる部分５６は、モールド保持面のうちのピエゾアクチュエータ５２に最も近い位置である。一方、パターン部５３から近い位置にある部分５７には低摩擦係数材料は使用されていない。この例において、低摩擦係数材料５４がコーティングされる部分５６は、モールド５のパターン部５３の外周部のうちの最外周部に位置している。この場合、ピエゾアクチュエータ５２からの補正用の力Ｆ１がモールド保持部５１側に発生する垂直抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が軽減される。このとき、図８（Ａ）に示すように、低摩擦係数材料５４がコーティングされた部分５６と低摩擦係数材料を使用しない部分５７との間の領域には、低摩擦係数材料を全く使用しない従来例（図８（Ｃ））と比べて低μで変位する長い領域が確保される。したがって、図８（Ａ）の構成例１によれば、補正を効率よく行うことができる。図８（Ａ）では、力Ｆ１に対して、変位ｍ１が得られることを示している。
【００３２】
この構成例１によれば、図９（Ａ）に示すように、ピエゾアクチュエータ５２からの補正用の力Ｆ１が、モールド保持部５１側に発生する垂直抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が軽減される。そのため、力Ｆ１がモールド５に伝達される割合が多くなる。その結果、効率的な力Ｆ１で変位ｍ１が得られる。
【００３３】
一方、図８（Ｂ）に示す構成例２では、モールド保持面のうち、パターン部５３から最も離れた位置にある部分５６には低摩擦係数材料が使用されず、パターン部５３から近い位置にある部分５７に低摩擦係数材料５４がコーティングされている。この場合、ピエゾアクチュエータ５２からの力Ｆ１がモールド保持部５１側に発生する垂直抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が軽減される領域は、低摩擦係数材料５４が使用された部分５７からパターン部５３までの間の短い領域になる。そのため、図８（Ａ）に示す構成と比較すると低μで変位する領域が小さくなり補正の効率は劣る。そのため、図８（Ｂ）の構成例２では、図８（Ａ）と同等の変位ｍ１を得るためには力Ｆ１より大きな力Ｆ２が必要である。
【００３４】
この構成例２によれば、図９（Ｂ）に示すように、ピエゾアクチュエータ５２からの補正用の力Ｆ１が、モールド保持部５１側に発生する垂直抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が図９（Ａ）の構成に比べると大きい。したがって、印加した力によって得られる変位の効率は劣ることになる。
【００３５】
図８（Ｂ）に示すように、パターン部５３から離れた位置にあるモールド保持面の部分５６が従来と同じセラミック材の場合には、そこで摩擦力が大きく発生する。そのため、補正用にモールド５に印加される力Ｆ１は摩擦力によって減少し、モールド５に効率よく伝達されない。その結果、図９（Ｂ）に示すように、補正による変位はｍ１より小さいｍ２となる。つまり同じ力Ｆ１を印加しても、補正による変位は、図８（Ａ）の構成よりも小さくなる。
【００３６】
図８（Ｃ）は、保持面の全てが例えばセラミック材で構成され、低摩擦係数材料５４が使用されない従来例を示している。この場合、図９（Ｃ）に示すように、ピエゾアクチュエータ５２からの補正用に印加される力Ｆ１が、モールド保持部５１側に発生する垂直抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が大きく、上記した低μで変位する領域が確保されない。そのため、補正用に印加される力がモールド５に効率よく伝達されない。その結果、図９（Ｃ）に示すように、印加する力を同じくＦ１とした場合、印加力は摩擦力により減少し、力Ｆ１を印加した場合の補正による変位は、ｍ１，ｍ２より小さいｍ３にとどまる。図８（Ｃ）は、図８（Ａ），（Ｂ）と同等の変位ｍ１を得るためには、力Ｆ１，Ｆ２よりも大きな力Ｆ３を印加する必要があることを示している。
【００３７】
図１０に、図８（Ａ）〜（Ｃ）の各構成について、補正時のピエゾアクチュエータ５２によってモールドに印加される力と、それによるモールドの変位との関係を示す。ここで、補正時に、ピエゾアクチュエータ５２により、モールド５に力Ｆ１を印加したとする。構成例１（図８（Ａ））では、印加される力Ｆ１がモールド保持部５１側に発生する抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が少なく、力Ｆ１がモールド５に効率よく伝達される。その結果得られるモールド５の変位はｍ１である。構成例２（図８（Ｂ））では、印加される力Ｆ１がモールド保持部５１側に発生する抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が構成例１よりは大きく、モールド５の変位はｍ１よりは小さいｍ２である。従来例（図８（Ｃ））では、印加される力Ｆ１がモールド保持部５１側に発生する抗力と摩擦係数により発生する摩擦力に変換される割合が構成例２よりも更に大きく、モールド５の変位はｍ２より更に小さいｍ３となる。
【００３８】
本実施形態によれば、モールドの補正時のモールドとモールド保持部との摩擦に起因する発塵を低減することが可能になる。これにより、モールドのパターン面へのパーティクルの付着による欠陥の発生を抑制することができる。
【００３９】
また、本実施形態によれば、モールドの補正を行う際に、ピエゾアクチュエータによって印加される力がモールドに効率よく伝達されるので、モールドの変位がスムーズに行われる。したがって、補正用の力を発生させるピエゾアクチュエータを、従来の構成と比較して相対的に小型化することも可能になる。
【００４０】
モールドの補正を行う際に、モールド保持部側に発生する垂直抗力を制御することにより、モールドとモールド保持部との摩擦力を効果的に低減することも考えられる。以下、これを構成例３として説明する。
【００４１】
実施形態において、モールド保持部５１によるモールド５の保持力を制御する機構を備えてもよい。図１１に、モールド保持部５１の保持力を制御する保持力制御部１３を示す。保持力制御部１３は、例えば、モールド保持部５１における吸着溝５１ｂとモールドとの間に形成される閉空間における負圧状態を調整することでモールド５の保持力を制御する。
【００４２】
図１２を参照して、保持力制御部１３によるモールド保持部側に発生する垂直抗力の制御の方法を説明する。保持力制御部１３は、モールド５の補正を行わない期間中は、負圧圧力をＰ２に設定している。そして、モールド５の補正時のみ、保持力制御部１３は負圧圧力をＰ１まで弱める。負圧圧力を弱めることで、モールド保持部側に発生する垂直抗力をＮ２からＮ１に小さくすることができる。その結果、モールド保持面の摩擦力をより小さくすることができ、ピエゾアクチュエータ５２が発生する力を更に低減することが可能となる。
【００４３】
図１３に、従来例及び構成例１〜３の各構成について、補正時のピエゾアクチュエータ５２によってモールドに印加される力と、それによるモールドの変位との関係を示す。これは、図１０に構成例３のグラフを追加したものである。構成例３によれば、補正時にモールド５に対する負圧吸引力を弱くするよう制御するので、補正のために印加される力Ｆ１がモールド５に更に効率よく伝達される。その結果得られるモールド５の変位はｍ１より大きいｍ１’となる。したがって、構成例３によれば、上述した他の構成例と比べて、補正で同じ変位を得るためには、モールドに印加する力は更に小さな力で済む。
【００４４】
このように、構成３によれば、モールド保持面の摩擦力を更に小さくすることができるので、モールドの補正時のモールドとモールド保持部との摩擦に起因する発塵をよりいっそう低減することが可能になる。
【００４５】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板上のインプリント材に上記インプリント装置を用いてパターン形成を行う工程（インプリント処理を基板に行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板（インプリント処理を行われた基板）を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００４６】
１００：インプリント装置、１：基板、５：モールド、５１：モールド保持部、５４：低摩擦係数材料
【図１】
0006677495.tif 000002
【図２】
0006677495.tif 000003
【図３】
0006677495.tif 000004
【図４】
0006677495.tif 000005
【図５】
0006677495.tif 000006
【図６】
0006677495.tif 000007
【図７】
0006677495.tif 000008
【図８】
0006677495.tif 000009
【図９】
0006677495.tif 000010
【図１０】
0006677495.tif 000011
【図１１】
0006677495.tif 000012
【図１２】
0006677495.tif 000013
【図１３】
0006677495.tif 000014