(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を水平な姿勢で保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の主面の中央部を鉛直に通る所定の第１の回転軸線回りに回転する回転ユニットと、
所定の第２の回転軸線回りに自転可能に設けられ、前記基板の主面に向けて処理流体を吐出するノズルであって、前記第２の回転軸線から離れた位置に配置された複数の吐出口を有するノズルと、
前記ノズルを支持するノズルアームと、
前記第２の回転軸線回りに前記ノズルを自転させるノズル自転ユニットと、
前記複数の吐出口に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、
前記ノズルアームを移動させることにより、前記ノズルから吐出される処理流体が基板の主面の中央部に供給される中央部処理位置と、前記ノズルから吐出される処理流体が前記基板の主面の周縁部に供給される周縁部処理位置との間で、前記ノズルを移動させるノズル移動ユニットとを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記処理流体供給ユニットは、前記複数の吐出口に、互いに種類の異なる処理流体を供給する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、前記ノズル自転ユニットにより前記ノズルの回転方向姿勢を制御する第１の姿勢制御ユニットをさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記周縁部処理位置において、前記複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口が、その他の吐出口よりも前記第１の回転軸線から離反する位置に配置されるように、前記ノズル自転ユニットにより前記ノズルの回転方向姿勢を制御する第２の姿勢制御ユニットをさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の吐出口は、前記第２の回転軸線からの距離が互いに等しくされている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記複数の吐出口は、前記第２の回転軸線から距離が互いに異ならされている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板保持ユニットに保持されている基板の主面の中央部を通る所定の第１の回転軸線に沿う所定の第２の回転軸線回りに自転可能に設けられ、前記基板の主面に向けて処理流体を吐出するノズルであって、前記第２の回転軸線から離れた位置に配置された複数の吐出口を有するノズルを準備する工程と、前記ノズルを、前記基板の主面の中央部に対向する中央部処理位置と、前記基板の主面の周縁部に対向する周縁部処理位置との間で、前記基板の主面に沿って移動させるノズル移動工程と、前記ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、前記ノズルを前記第２の回転軸線回りに自転させて、当該ノズルの回転方向姿勢を制御する姿勢制御工程とを含む、基板処理方法。
【請求項８】
前記姿勢制御工程は、前記複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口を、その他の吐出口よりも前記第１の回転軸線から離反する位置に配置するように、前記ノズルを前記第２の回転軸線回りに自転させて、当該ノズルの回転方向姿勢を制御する工程を含む、請求項７に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の主面を、処理流体を用いて処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板等が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板などの基板の主面に処理液による処理を施すために、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。
この枚葉式の基板処理装置は、たとえば、基板をほぼ水平姿勢に保持しつつ回転させるためのスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の主面に向けて処理液を吐出するためのノズルと、ノズルを支持するノズルアームと、ノズルアームを移動させて、基板の回転中心を通る所定の軌跡に沿って、ノズルから吐出される処理液の着液位置を移動させるノズル移動ユニットとを含む。基板処理に複数の処理液を用いる場合、各処理液に対応してノズルを設ける。
【０００３】
スループットの向上のために、ノズルアームの本数を低減させることが望まれており、そのため、従来から、下記特許文献１，２のように、互いに異なる処理液用の吐出口を１つのノズルアームに保持させた構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１４−０７２２３４号公報
【特許文献２】特開２０１４−０７２４３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１および特許文献２のように、複数の吐出口を有するノズルを１つのノズルアームに保持させる場合、ノズルが、基板の主面の周縁部に対向する周縁部処理位置に配置された状態において、複数の吐出口の回転軸線からの距離が互いに異なる。この場合、一の吐出口から吐出された処理液が基板の周縁領域（周端縁近傍の狭い領域）に向けて吐出されるようにノズルの周縁部処理位置が設定されていると、他の吐出口から吐出された処理液の供給位置が、前記周縁領域からずれるおそれがある。前記供給位置が、前記周縁領域に対し回転半径方向の内方にずれている場合には、前記周縁領域が処理されないおそれがある。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、ノズルの複数の吐出口のうちいずれの吐出口から処理流体を吐出させる場合にも、当該吐出口から吐出された処理流体を基板の主面の周縁部に良好に供給することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、基板を水平な姿勢で保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持されている基板を、当該基板の主面の中央部を鉛直に通る所定の第１の回転軸線回りに回転する回転ユニットと、所定の第２の回転軸線回りに自転可能に設けられ、前記基板の主面に向けて処理流体を吐出するノズルであって、前記第２の回転軸線から離れた位置に配置された複数の吐出口を有するノズルと、前記ノズルを支持するノズルアームと、前記第２の回転軸線回りに前記ノズルを自転させるノズル自転ユニットと、前記複数の吐出口に処理流体を供給する処理流体供給ユニットと、前記ノズルアームを移動させることにより、前記ノズルから吐出される処理流体が基板の主面の中央部に供給される中央部処理位置と、前記ノズルから吐出される処理流体が前記基板の主面の周縁部に供給される周縁部処理位置との間で、前記ノズルを移動させるノズル移動ユニットとを含む、基板処理装置を提供する。
【０００８】
この構成によれば、複数の吐出口を有するノズルが、中央部処理位置と周縁部処理位置との間で移動させられる。また、このノズルは、第２の回転軸線まわりに自転可能に設けられている。ノズルを自転させることにより、複数の吐出口のうち所望の吐出口について、当該吐出口と第１の回転軸線との間の距離を変更できる。そのため、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち所望の吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することが可能である。これにより、ノズルの複数の吐出口のうちいずれの吐出口から処理流体を吐出させる場合にも、当該吐出口から吐出された処理流体を基板の主面の周縁部に良好に供給することができる。
【０００９】
この発明の一実施形態では、前記処理流体供給ユニットは、前記複数の吐出口に、互いに種類の異なる処理流体を供給する。
この構成によれば、複数の吐出口から、互いに種類の異なる処理流体が吐出される。ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち所望の吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することが可能である。ゆえに、ノズルからいずれの種類の処理流体を吐出させる場合にも、ノズルからの処理流体を基板の主面の周縁部に良好に供給することが可能である。
【００１０】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、前記ノズル自転ユニットにより前記ノズルの回転方向姿勢を制御する第１の姿勢制御ユニットをさらに含む。
この構成によれば、ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、ノズルの回転方向姿勢が制御される。この場合、吐出対象の処理流体が吐出される吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することが可能である。これにより、ノズルから複数種類の処理流体を吐出させる場合にも、吐出対象の処理流体を基板の主面の周縁部に良好に供給することが可能である。
【００１１】
この発明の一実施形態では、前記基板処理装置は、前記周縁部処理位置において、前記複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口が、その他の吐出口よりも前記第１の回転軸線から離反する位置に配置されるように、前記ノズル自転ユニットにより前記ノズルの回転方向姿勢を制御する第２の姿勢制御ユニットをさらに含む。
【００１２】
この構成によれば、処理流体が用いられる工程に際し、ノズルの回転方向姿勢が、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口がその他の吐出口よりも第１の回転軸線から離反する所定の回転方向姿勢に制御される。これにより、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち所望の吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することができる。
【００１３】
この発明の一実施形態では、前記複数の吐出口は、前記第２の回転軸線からの距離が互いに等しくされている。
この構成によれば、ノズルの周縁部処理位置において、ノズルを自転させて、当該ノズルの回転方向姿勢を変更することにより、複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口の、基板に対する相対位置を一定の位置に保つことができる。これにより、当該吐出口から吐出された処理流体を基板の主面の周縁部に、より一層精度良く供給できる。
【００１４】
この発明の一実施形態では、前記複数の吐出口は、前記第２の回転軸線から距離が互いに異ならされている。
この構成によれば、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口を、微小量だけ異なる位置に配置することができる。
この発明は、基板保持ユニットに保持されている基板の主面の中央部を通る所定の第１の回転軸線に沿う所定の第２の回転軸線回りに自転可能に設けられ、前記基板の主面に向けて処理流体を吐出するノズルであって、前記第２の回転軸線から離れた位置に配置された複数の吐出口を有するノズルを準備する工程と、前記ノズルを、前記基板の主面の中央部に対向する中央部処理位置と、前記基板の主面の周縁部に対向する周縁部処理位置との間で、前記基板の主面に沿って移動させるノズル移動工程と、前記ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、前記ノズルを前記第２の回転軸線回りに自転させて、当該ノズルの回転方向姿勢を制御する姿勢制御工程とを含む、基板処理方法を提供する。
【００１５】
この方法によれば、処理流体が用いられる工程に際し、ノズルから吐出すべき処理流体の種類に応じて、ノズルの回転方向姿勢が制御される。この場合、吐出対象の処理流体が吐出される吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することが可能である。これにより、ノズルの複数の吐出口のうちいずれの吐出口から処理流体を吐出させる場合にも、当該吐出口から吐出された処理流体を基板の主面の周縁部に良好に供給することが可能である。
【００１６】
この発明の一実施形態では、前記姿勢制御工程は、前記複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口を、その他の吐出口よりも前記第１の回転軸線から離反する位置に配置するように、前記ノズルを前記第２の回転軸線回りに自転させて、当該ノズルの回転方向姿勢を制御する工程を含む。
この方法によれば、処理流体が用いられる工程に際し、ノズルの回転方向姿勢が、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち吐出対象の吐出口がその他の吐出口よりも第１の回転軸線から離反する所定の回転方向姿勢に制御される。これにより、ノズルの周縁部処理位置において、複数の吐出口のうち所望の吐出口を、当該吐出口から吐出される処理流体が基板の主面の周縁部に供給されるように配置することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置を水平方向に見た図である。
【図２】図２は、前記基板処理装置に備えられた前記ノズル周辺の構成を示す断面図である。
【図３】図３は、前記ノズルのノズルボディの底面図である。
【図４】図４は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
【図５】図５は、基板処理装置によって行われる第１の基板処理例を説明するための流れ図である。
【図６】図６は、第１の処理流体が用いられる工程における前記ノズルの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【図７】図７は、第２の処理流体が用いられる工程における前記ノズルの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【図８】図８は、第３の処理流体が用いられる工程における前記ノズルの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【図９】図９は、第４の処理流体が用いられる工程における前記ノズルの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【図１０】図１０は、基板処理装置によって行われる第２の基板処理例を説明するための流れ図である。
【図１１】図１１は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置に備えられたノズルの底面図である。
【図１２】図１２は、第１〜第４の処理流体が用いられる工程におけるノズルの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【図１３】図１３は、前記基板処理装置によって行われる基板処理例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を水平方向に見た図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを、処理流体（処理液や処理ガス）によって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗを、処理液を用いて処理する処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉等を制御する制御ユニット（第１および第２の姿勢制御ユニット）３とを含む。
【００１９】
各処理ユニット２は、枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバ４と、チャンバ４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線（第１の回転軸線）Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗの上面（主面）に処理流体を供給するためのノズル６と、ノズル６を支持するノズルアーム７と、鉛直な揺動軸線Ａ２まわりにノズルアーム７を揺動（移動）させることにより、ノズル６を基板Ｗの上面に沿って移動させるノズル移動ユニット８と、ノズル６に処理流体を供給する処理流体供給ユニット９と、スピンチャック５の周囲を取り囲む筒状のカップ１０とを含む。
【００２０】
チャンバ４は、スピンチャック５やノズル６を収容する箱状の隔壁１１と、隔壁１１の上部から隔壁１１内に清浄空気（フィルタによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１２と、隔壁１１の下部からチャンバ４内の気体を排出する排気ダクト１３とを含む。ＦＦＵ１２は、隔壁１１の上方に配置されており、隔壁１１の天井に取り付けられている。ＦＦＵ１２は、隔壁１１の天井からチャンバ４内に下向きに清浄空気を送る。排気ダクト１３は、カップ１０の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気処理設備に向けてチャンバ４内の気体を導出する。したがって、チャンバ４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ１２および排気ダクト１３によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバ４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
【００２１】
スピンチャック５として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック５は、スピンモータ（基板回転手段）１４と、このスピンモータ１４の駆動軸と一体化されたスピン軸１５と、スピン軸１５の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１６とを含む。
スピンベース１６の上面には、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１７が配置されている。複数個の挟持部材１７は、スピンベース１６の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
【００２２】
また、スピンチャック５としては、挟持式のものに限らず、たとえば、基板Ｗの裏面を真空吸着することにより、基板Ｗを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な回転軸線まわりに回転することにより、スピンチャック５に保持されている基板Ｗを回転させる真空吸着式のもの（バキュームチャック）が採用されてもよい。
ノズル６は、基板Ｗの上面における処理流体の供給位置を変更できるスキャンノズルとしての基本形態を有している。ノズル６は、ノズルアーム７の先端部に取り付けられている。ノズルアーム７は、ノズル６を上方から支持している。ノズル移動ユニット８は、カップ１０の側方で鉛直に延びる揺動軸線Ａ２まわりにノズルアーム７を揺動させることにより、処理位置に配置されているノズル６からの処理流体の供給位置（処理液の着液位置または処理ガスの吹き付け位置）を、平面視で基板Ｗの中央部を通る円弧状の軌跡Ｘに沿って水平に移動させることができる。
【００２３】
ノズル移動ユニット８は、ノズル６から吐出された処理流体が基板Ｗの上面に供給される処理位置と、平面視でスピンチャック５の周囲に設定されたホーム位置との間でノズル６を移動させる。さらに、ノズル移動ユニット８は、ノズル６から吐出された処理流体が基板Ｗの上面中央部に供給される（ノズル６の下面（ノズルボディ２１の下面２１ａ）が基板Ｗの上面の中央部に対向する）中央部処理位置ＰＣ（図６〜図９において破線で示す位置。換言すると、ノズル６の後述する回転軸線（第２の回転軸線）Ａ３が、回転軸線Ａ１と略一致する位置）と、ノズル６から吐出される処理流体が基板Ｗの上面の周縁部に供給される（ノズル６の下面（ノズルボディ２１の下面２１ａ）が基板Ｗの上面の周縁部に対向する）周縁部処理位置ＰＥ（図６〜図９において実線で示す位置）との間で、ノズル６を水平に移動させる。中央部処理位置ＰＣおよび周縁部処理位置ＰＥは、いずれも処理位置である。
【００２４】
図２は、ノズル６周辺の構成を示す断面図である。図３は、ノズル６のノズルボディ２１の底面図である。
ノズル６は、第１の吐出口３１、第２の吐出口３６、第３の吐出口４１および第４の吐出口４６（以下、これらの吐出口を総称するときは、「吐出口３１，３６，４１，４６」という場合がある。）を有するノズルボディ２１と、ノズルボディ２１の側方を取り囲む筒状のカバー２２とを含む。ノズルボディ２１は、ノズルアーム７に、回転軸線（第２の回転軸線）Ａ３まわりに自転可能に支持されている。これに対し、カバー２２はノズルアーム７に静止状態で支持されている。
【００２５】
ノズルボディ２１は、上下に延びる外郭筒状（この実施形態では円柱状）に構成されている。各吐出口３１，３６，４１，４６は、ノズルボディ２１の下面２１ａに形成され、鉛直下向きに処理流体を吐出する。図３に示すように、複数の吐出口３１，３６，４１，４６は、円周方向に等間隔に配置されている。複数の吐出口３１，３６，４１，４６は、回転軸線Ａ３からの距離が互いに等しくされている。
【００２６】
図２に示すように、ノズルアーム７の先端部に、鉛直方向に延びるノズル回転軸２３が回転軸線Ａ３まわりに回転可能に設けられている。ノズル回転軸２３には、ノズル回転軸２３を回転させるためのノズル自転ユニット２４が結合されている。一方、ノズル回転軸２３には、ホルダ２５が取り付けられている。ホルダ２５の下方にノズルボディ２１が取り付けられている。
【００２７】
ノズルボディ２１の内部には、第１の処理流体配管３２、第２の処理流体配管３７、第３の処理流体配管４２および第４の処理流体配管４７が挿通している。第１〜第４の処理流体配管３２，３７，４２，４７は、上下方向に延びている。第１の処理流体配管３２の下流端に設けられた開口が、第１の吐出口３１を形成している。第２の処理流体配管３７の下流端に設けられた開口が、第２の吐出口３６を形成している。第３の処理流体配管４２の下流端に設けられた開口が、第３の吐出口４１を形成している。第４の処理流体配管４７の下流端に設けられた開口が、第４の吐出口４６を形成している。すなわち、第１〜第４の処理流体配管３２，３７，４２，４７は、それぞれ処理流体ノズルとしての機能を有している。
【００２８】
図２に示すように、処理流体供給ユニット９は、第１の処理流体配管３２に接続された第１の処理流体供給配管３３と、第２の処理流体配管３７に接続された第２の処理流体供給配管３８と、第３の処理流体配管４２に接続された第３の処理流体供給配管４３と、第４の処理流体配管４７に接続された第４の処理流体供給配管４８とを含む。第１〜第４の処理流体供給配管３３，３８，４３，４８のうち、それぞれ対応する第１〜第４の処理流体配管３２，３７，４２，４７との接続部分は、フレキシブルチューブを用いて形成されている。そのため、ノズルボディ２１の自転が所定角度範囲内で許容される。したがって、ノズルボディ２１（ノズル６）は、その回転方向姿勢が変更可能である。
【００２９】
第１の処理流体供給配管３３には、第１の処理流体供給配管３３を開閉して、第１の吐出口３１への処理流体を供給／供給停止するための第１の処理流体バルブ３４と、第１の処理流体供給配管３３の開度を調節して、第１の吐出口３１に供給される処理流体の流量を調整するための第１の流量調整バルブ３５とが介装されている。図示はしないが、第１の流量調整バルブ３５は、弁座が内部に設けられたバルブボディと、弁座を開閉する弁体と、開位置と閉位置との間で弁体を移動させるアクチュエータとを含む。他の流量調整バルブについても同様である。
【００３０】
第２の処理流体供給配管３８には、第２の処理流体供給配管３８を開閉して、第２の吐出口３６への処理流体を供給／供給停止するための第２の処理流体バルブ３９と、第２の処理流体供給配管３８の開度を調節して、第２の吐出口３６に供給される処理流体の流量を調整するための第２の流量調整バルブ４０とが介装されている。第３の処理流体供給配管４３には、第３の処理流体供給配管４３を開閉して、第３の吐出口４１への処理流体を供給／供給停止するための第３の処理流体バルブ４４と、第３の処理流体供給配管４３の開度を調節して、第３の吐出口４１に供給される処理流体の流量を調整するための第３の流量調整バルブ４５とが介装されている。第４の処理流体供給配管４８には、第４の処理流体供給配管４８を開閉して、第４の吐出口４６への処理流体を供給／供給停止するための第４の処理流体バルブ４９と、第４の処理流体供給配管４８の開度を調節して、第４の吐出口４６に供給される処理流体の流量を調整するための第４の流量調整バルブ５０とが介装されている。
【００３１】
第１の処理流体、第２の処理流体、第３の処理流体および第４の処理流体は、互い種類の異なる処理流体である。これらの処理流体は、処理液または処理ガスである。
処理液は、薬液（洗浄薬液またはエッチング液）または水である。薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＰＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液を例示できる。水は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００３２】
処理ガスは、不活性ガスまたは処理液の蒸気を含む。不活性ガスは、窒素ガス、アルゴンガス、乾燥空気、清浄空気、ヘリウムガスのうち少なくとも１つを含む気体を例示できる。
第１の処理流体バルブ３４を開くことにより、第１の吐出口３１から第１の処理流体が吐出される。このとき、他の処理流体バルブ（第２〜第４の処理流体バルブ３９，４４，４９）を閉じることにより、ノズル６から第１の処理流体を吐出させることができる。
【００３３】
第２の処理流体バルブ３９を開くことにより、第２の吐出口３６から第２の処理流体が吐出される。このとき、他の処理流体バルブ（第１、第３および第４の処理流体バルブ３４，４４，４９）を閉じることにより、ノズル６から第２の処理流体を吐出させることができる。
第３の処理流体バルブ４４を開くことにより、第３の吐出口４１から第３の処理流体が吐出される。このとき、他の処理流体バルブ（第１、第２および第４の処理流体バルブ３４，３９，４９）を閉じることにより、ノズル６から第３の処理流体を吐出させることができる。
【００３４】
第４の処理流体バルブ４９を開くことにより、第４の吐出口４６から第４の処理流体が吐出される。このとき、他の処理流体バルブ（第１〜第３の処理流体バルブ３４，３９，４４）を閉じることにより、ノズル６から第４の処理流体を吐出させることができる。
ノズル自転ユニット２４は、後述する各処理工程（Ｓ３〜Ｓ８，Ｔ３〜Ｔ９）の処理内容に応じて、ノズルボディ２１の回転方向姿勢を選択する。この実施形態では、一つの処理工程（Ｓ３〜Ｓ８，Ｔ３〜Ｔ９）中において、ノズル６の回転方向姿勢は、変更されずに一定に保持される。
【００３５】
この実施形態では、ノズル自転ユニット２４は、ノズル６の回転方向姿勢を、第１の姿勢Ｐ１（図６に示す姿勢）、第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）、第３の姿勢Ｐ３（図８に示す姿勢）および第４の姿勢Ｐ４（図９に示す姿勢）の合計４つの姿勢の間で切り換える。第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４（以下、「姿勢Ｐ１〜Ｐ４」を総称するときは、「吐出口３１，３６，４１，４６」という場合がある。）は、回転軸線Ａ３まわりの回転方向に９０°ずつ位相が異ならされている。
【００３６】
ノズル６の第１の姿勢Ｐ１（図６に示す姿勢）は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、第１の吐出口３１が、他の吐出口３６，４１，４６よりも回転軸線Ａ１から離反する位置に配置されるような姿勢である。より具体的には、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、さらに、第１の吐出口３１からの第１の処理流体の供給位置が軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。ノズル６から第１の処理流体が吐出される工程（たとえば後述するＨＦ工程（Ｓ３，Ｔ３））において、ノズル６は第１の姿勢Ｐ１（図６に示す姿勢）をなす。
【００３７】
ノズル６の第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、第２の吐出口３６が、他の吐出口３１，４１，４６よりも回転軸線Ａ１から離反する位置に配置されるような姿勢である。より具体的には、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、さらに、第２の吐出口３６からの第２の処理流体の供給位置が軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。ノズル６から第２の処理流体が吐出される工程（たとえば後述するリンス工程（Ｓ４，Ｓ６，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ８））において、ノズル６は第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）をなす。
【００３８】
ノズル６の第３の姿勢Ｐ３（図８に示す姿勢）は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、第３の吐出口４１が、他の吐出口３１，３６，４６よりも回転軸線Ａ１から離反する位置に配置されるような姿勢である。より具体的には、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、さらに、第３の吐出口４１からの第３の処理流体の供給位置が軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。ノズル６から第３の処理流体が吐出される工程（たとえば後述するＳＣ１工程（Ｓ５，Ｔ５））において、ノズル６は第３の姿勢Ｐ３（図８に示す姿勢）をなす。
【００３９】
ノズル６の第４の姿勢Ｐ４（図９に示す姿勢）は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、第４の吐出口４６が、他の吐出口３１，３６，４１よりも回転軸線Ａ１から離反する位置に配置されるような姿勢である。より具体的には、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６の配置状態で、さらに、第４の吐出口４６からの第４の処理流体の供給位置が軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。ノズル６から第４の処理流体が吐出される工程（たとえば後述するスピンドライ工程（Ｓ６）および後述するＳＣ２工程（Ｔ７））において、ノズル６は第４の姿勢Ｐ４（図９に示す姿勢）をなす。
【００４０】
この実施形態では、前述のように、複数の吐出口３１，３６，４１，４６は、回転軸線Ａ３からの距離が互いに等しくされている。また、第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４において、吐出対象の吐出口から吐出された処理流体の供給位置は、他の吐出口から吐出された処理流体の供給位置よりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ軌跡Ｘ上の位置に配置される。すなわち、ノズル６の周縁部処理位置ＰＥにおいて、第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４における吐出対象の吐出口から吐出される処理流体の供給位置は、一定である。
【００４１】
カップ１０は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ１０は、スピンベース１６を取り囲んでいる。スピンチャック５が基板Ｗを回転させている状態で、ノズル６から処理流体として処理液（薬液またはリンス液）が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いたカップ１０の上端部１０ａは、スピンベース１６よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された処理液は、カップ１０によって受け止められる。そして、カップ１０に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００４２】
図４は、基板処理装置１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御ユニット３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御ユニット３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
【００４３】
制御ユニット３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１４、ノズル移動ユニット８、ノズル自転ユニット２４等の動作を制御する。さらに、制御ユニット３は、第１の処理流体バルブ３４、第２の処理流体バルブ３９、第３の処理流体バルブ４４および第４の処理流体バルブ４９の開閉動作、ならびに第１の流量調整バルブ３５、第２の流量調整バルブ４０、第３の流量調整バルブ４５および第４の流量調整バルブ５０の流量調整を制御する。
【００４４】
図５は、基板処理装置１によって行われる第１の基板処理例を説明するための流れ図である。図６は、ＨＦ工程（Ｓ３：第１の処理流体が用いられる工程）におけるノズル６（ノズルボディ２１）の回転方向姿勢を説明するための平面図である。図７は、リンス工程（Ｓ４，Ｓ６：第２の処理流体が用いられる工程）におけるノズル６（ノズルボディ２１）の回転方向姿勢を説明するための平面図である。図８は、ＳＣ１工程（Ｓ５：第３の処理流体が用いられる工程）におけるノズル６（ノズルボディ２１）の回転方向姿勢を説明するための平面図である。図９は、スピンドライ工程（Ｓ７：第４の処理流体が用いられる工程）におけるノズル６（ノズルボディ２１）の回転方向姿勢を説明するための平面図である。
【００４５】
以下、図１、図４および図５を参照しながら、第１の基板処理例について説明する。図６〜図９については適宜参照する。第１の基板処理例は洗浄処理である。
第１の基板処理例では、処理流体として、洗浄薬液としてのフッ酸（希釈フッ酸）およびＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）と、リンス液としての水と、不活性ガスとしての窒素ガスが用いられる。具体的には、第１の処理流体供給配管３３から第１の処理流体配管３２に供給されて第１の吐出口３１から吐出される処理流体はフッ酸である。第２の処理流体供給配管３８から第２の処理流体配管３７に供給されて第２の吐出口３６から吐出される処理流体は水である。第３の処理流体供給配管４３から第３の処理流体配管４２に供給されて第３の吐出口４１から吐出される処理流体はＳＣ１である。第４の処理流体供給配管４８から第４の処理流体配管４７に供給されて第４の吐出口４６から吐出される処理流体は窒素ガスである。
【００４６】
洗浄処理に際しては、チャンバ４の内部に未洗浄の基板Ｗが搬入される（ステップＳ１）。具体的には、制御ユニット３は、ノズル６がスピンチャック５の上方から退避している退避位置に配置された状態で、基板Ｗを保持している基板搬送ロボット（図示しない）のハンド（図示しない）をチャンバ４の内部に進入させる。これにより、基板Ｗが処理対象となる主面（処理対象面。たとえば、デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡され、スピンチャック５に保持される。
【００４７】
スピンチャック５に基板Ｗが保持された後、制御ユニット３は、スピンモータ１４によって回転方向Ｒ１に基板Ｗを回転開始させる（ステップＳ２）。基板Ｗは予め定める液処理速度（たとえば約３００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
また、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズル６を退避位置から前述の処理位置に移動させる。これにより、ノズル６が処理位置に配置される。
【００４８】
次いで、フッ酸（ＨＦ）を基板Ｗの上面に供給するＨＦ工程が実行される（ステップＳ３）。制御ユニット３は、ＨＦ工程（Ｓ３）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第１の姿勢Ｐ１（図６に示す姿勢）に制御する（姿勢制御工程）。
具体的には、ＨＦ工程（Ｓ３）を実行すべく、制御ユニット３は、第１の処理流体バルブ３４を開く。これにより、ノズル６の第１の吐出口３１からフッ酸が、第１の流量調整バルブ３５による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出されたフッ酸は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、ＨＦ工程（Ｓ３）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対するフッ酸の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、フッ酸の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域にフッ酸が供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第１の吐出口３１は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第１の吐出口３１から吐出されるフッ酸（ノズル６から吐出されるフッ酸）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に着液する。
【００４９】
フッ酸の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第１の処理流体バルブ３４を閉じて、フッ酸の吐出を停止する。これにより、ＨＦ工程（Ｓ３）が終了する。
次いで、リンス液としての水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程が実行される（ステップＳ４）。制御ユニット３は、リンス工程（Ｓ４）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）に制御する（姿勢制御工程）。
【００５０】
具体的には、リンス工程（Ｓ４）を実行すべく、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を開く。これにより、ノズル６の第２の吐出口３６から水が、第２の流量調整バルブ４０による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出された水は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、リンス工程（Ｓ４）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対する水の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、水の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域に水が供給され、基板Ｗの上面全域において、フッ酸が水に置換される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第２の吐出口３６は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第２の吐出口３６から吐出される水（ノズル６から吐出される水）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に着液する。
【００５１】
水の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を閉じて、水の吐出を停止する。これにより、リンス工程（Ｓ４）が終了する。
次いで、ＳＣ１を基板Ｗの上面に供給するＳＣ１工程が実行される（ステップＳ５）。制御ユニット３は、ＳＣ１工程（Ｓ５）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第３の姿勢Ｐ３（図８に示す姿勢）に制御する（姿勢制御工程）。
【００５２】
具体的には、ＳＣ１工程（Ｓ５）を実行すべく、制御ユニット３は、第３の処理流体バルブ４４を開く。これにより、ノズル６の第３の吐出口４１からＳＣ１が、第３の流量調整バルブ４５による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出されたＳＣ１は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、ＳＣ１工程（Ｓ５）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ１の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、ＳＣ１の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域にＳＣ１が供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第３の吐出口４１は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第３の吐出口４１から吐出されるフッ酸（ノズル６から吐出されるＳＣ１）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に着液する。
【００５３】
ＳＣ１の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第３の処理流体バルブ４４を閉じて、ＳＣ１の吐出を停止する。これにより、ＳＣ１工程（Ｓ５）が終了する。
次いで、リンス液としての水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程が実行される（ステップＳ６）。制御ユニット３は、リンス工程（Ｓ６）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）に制御する。
【００５４】
具体的には、リンス工程（Ｓ６）を実行すべく、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を開く。これにより、ノズル６の第２の吐出口３６から水が、第２の流量調整バルブ４０による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出された水は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、リンス工程（Ｓ６）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対する水の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、水の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域に水が供給され、基板Ｗの上面全域において、ＳＣ１が水に置換される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第２の吐出口３６は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第２の吐出口３６から吐出される水（ノズル６から吐出される水）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に着液する。
【００５５】
水の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を閉じて、水の吐出を停止する。これにより、リンス工程（Ｓ６）が終了する。
次いで、基板Ｗを振り切り乾燥させるスピンドライ工程（ステップＳ７）が実行される。制御ユニット３は、スピンドライ工程（Ｓ７）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第４の姿勢Ｐ４（図９に示す姿勢）に制御する（姿勢制御工程）。
【００５６】
具体的には、スピンドライ工程（Ｓ７）を実行すべく、制御ユニット３は、スピンモータ１４を制御して、乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、基板Ｗの回転を乾燥回転速度に維持する。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られる。また、スピンドライ工程（Ｓ７）の実行に並行して、基板Ｗの乾燥を促進させるべく、制御ユニット３は基板Ｗの上面に窒素ガスを吐出する。具体的には、制御ユニット３は、第４の処理流体バルブ４９を開く。これにより、ノズル６の第４の吐出口４６から窒素ガスが、第４の流量調整バルブ５０による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出された窒素ガスは、基板Ｗの上面に吹き付けられる。さらに、スピンドライ工程（Ｓ７）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対する窒素ガスの吹き付け位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、窒素ガスの吹き付け位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域に窒素ガスが供給され、基板Ｗの上面全域において、乾燥が促進される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第４の吐出口４６は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第４の吐出口４６から吐出されるフッ酸（ノズル６から吐出される窒素ガス）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に吹き付けられる。
【００５７】
スピンドライ工程（Ｓ７）が予め定める期間に亘って行われると、制御ユニット３は、スピンモータ１４を制御して、スピンチャック５の回転（基板Ｗの回転）を停止させる（ステップＳ８）。これにより、一枚の基板Ｗに対する処理（洗浄処理）が終了し、搬送ロボットによって、処理済みの基板Ｗがチャンバ４から搬出される（ステップＳ９）。
図１０は、基板処理装置１によって行われる第２の基板処理例を説明するための流れ図である。以下、図１０、図４および図５を参照しながら、第２の基板処理例について説明する。図６〜図９については適宜参照する。第２の基板処理例は洗浄処理である。
【００５８】
第２の基板処理例では、処理流体として、洗浄薬液としてのフッ酸（希釈フッ酸）、ＳＣ１およびＳＣ２（ＨＣｌとＨ２Ｏ２とを含む混合液）と、リンス液としての水とが用いられる。具体的には、第１の処理流体供給配管３３から第１の処理流体配管３２に供給されて第１の吐出口３１から吐出される処理流体はフッ酸である。第２の処理流体供給配管３８から第２の処理流体配管３７に供給されて第２の吐出口３６から吐出される処理流体は水である。第３の処理流体供給配管４３から第３の処理流体配管４２に供給されて第３の吐出口４１から吐出される処理流体はＳＣ１である。第４の処理流体供給配管４８から第４の処理流体配管４７に供給されて第４の吐出口４６から吐出される処理流体はＳＣ２である。
【００５９】
洗浄処理に際しては、チャンバ４の内部に未洗浄の基板Ｗが搬入される（ステップＴ１）。これにより、基板Ｗが処理対象となる主面（処理対象面。たとえば、デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック５に受け渡され、スピンチャック５に保持される。
スピンチャック５に基板が保持された後、制御ユニット３は、スピンモータ１４によって回転方向Ｒ１に基板Ｗを回転開始させる（ステップＴ２）。
【００６０】
また、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズル６を退避位置から前述の処理位置に移動させる。これにより、ノズル６が処理位置に配置される。
次いで、フッ酸（ＨＦ）を基板Ｗの上面に供給するＨＦ工程が実行される（ステップＴ３）。制御ユニット３は、ＨＦ工程（Ｔ３）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第１の姿勢Ｐ１（図６に示す姿勢）に制御する。
【００６１】
ＨＦ工程（Ｔ３）の終了後、リンス液としての水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程が実行される（ステップＴ４）。制御ユニット３は、リンス工程（Ｔ４）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）に制御する。
リンス工程（Ｔ４）の終了後、ＳＣ１を基板Ｗの上面に供給するＳＣ１工程が実行される（ステップＴ５）。制御ユニット３は、ＳＣ１工程（Ｔ５）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第３の姿勢Ｐ３（図８に示す姿勢）に制御する。
【００６２】
ＳＣ１工程（Ｔ５）の終了後、リンス液としての水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程が実行される（ステップＴ６）。制御ユニット３は、リンス工程（Ｔ６）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）に制御する。
図１０に示す第２の基板処理例の各工程のうち、ステップＴ１〜Ｔ６の工程は、それそれ、図５に示す第１の基板処理例の、ステップＳ１〜Ｓ６と同等の工程であるので、説明を省略する。
【００６３】
次いで、ＳＣ２を基板Ｗの上面に供給するＳＣ２工程が実行される（ステップＴ７）。制御ユニット３は、ＳＣ２工程（Ｔ７）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第４の姿勢Ｐ４（図９に示す姿勢）に制御する（姿勢制御工程）。これにより、第４の吐出口４６が、他の吐出口３１，３６，４１よりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ軌跡Ｘ上の位置に配置される。
【００６４】
具体的には、ＳＣ２工程（Ｔ７）を実行すべく、制御ユニット３は、第３の処理流体バルブ４４を開く。これにより、ノズル６の第３の吐出口４１からＳＣ２が、第３の流量調整バルブ４５による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出されたＳＣ２は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、ＳＣ２工程（Ｔ７）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対するＳＣ２の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、ＳＣ２の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域にＳＣ２が供給され、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。ノズル６が周縁部処理位置ＰＥに配置されているときには、第４の吐出口４６は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に対向している。このとき、第４の吐出口４６から吐出されるＳＣ２（ノズル６から吐出されるＳＣ２）は、基板Ｗの上面の周縁部（とくに基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈ）に着液する。
【００６５】
ＳＣ２の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第４の処理流体バルブ４９を閉じて、ＳＣ２の吐出を停止する。これにより、ＳＣ２工程（Ｔ７）が終了する。
次いで、リンス液としての水を基板Ｗの上面に供給するリンス工程が実行される（ステップＴ８）。制御ユニット３は、リンス工程（Ｔ８）の実行に先立って、ノズル自転ユニット２４を制御して、ノズル６の回転方向姿勢を第２の姿勢Ｐ２（図７に示す姿勢）に制御する。
【００６６】
具体的には、リンス工程（Ｔ８）を実行すべく、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を開く。これにより、ノズル６の第２の吐出口３６から水が、第２の流量調整バルブ４０による調整済みの流量で吐出される。ノズル６から吐出された水は、基板Ｗの上面に着液する。さらに、リンス工程（Ｔ８）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６を中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させる。これにより、基板Ｗの上面に対する水の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。ゆえに、水の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査され、基板Ｗの上面全域に水が供給され、基板Ｗの上面全域において、ＳＣ２が水に置換される。
【００６７】
水の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御ユニット３は、第２の処理流体バルブ３９を閉じて、水の吐出を停止する。これにより、リンス工程（Ｔ８）が終了する。
次いで、基板Ｗを振り切り乾燥させるスピンドライ工程（ステップＴ９）が実行される。具体的には、制御ユニット３は、スピンモータ１４を制御して、乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、基板Ｗの回転を乾燥回転速度に維持する。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液体に加わり、基板Ｗに付着している液体が基板Ｗの周囲に振り切られて、基板Ｗが乾燥させられる。
【００６８】
スピンドライ工程（Ｔ９）が予め定める期間に亘って行われると、制御ユニット３は、スピンモータ１４を制御して、スピンチャック５の回転（基板Ｗの回転）を停止させる（ステップＴ１０）。これにより、一枚の基板Ｗに対する処理（洗浄処理）が終了し、搬送ロボットによって、処理済みの基板Ｗがチャンバ４から搬出される（ステップＴ１１）。
以上により、この実施形態によれば、複数の吐出口３１，３６，４１，４６を有するノズル６が、中央部処理位置ＰＣと周縁部処理位置ＰＥとの間で移動させられる。また、ノズル６は、回転軸線Ａ３まわりに自転可能に設けられている。ノズル６を自転させることにより、複数の吐出口３１，３６，４１，４６のうち所望の吐出口について、当該吐出口と回転軸線Ａ１との間の距離を変更できる。
【００６９】
そして、処理流体が用いられる工程に際し、ノズル６の回転方向姿勢が、ノズル６の周縁部処理位置ＰＥにおいて、複数の吐出口３１，３６，４１，４６のうち吐出対象の吐出口がその他の吐出口よりも回転軸線Ａ１から離反する所定の姿勢Ｐ１〜Ｐ４に制御される。当該姿勢Ｐ１〜Ｐ４では、吐出対象の吐出口が、基板Ｗの上面の周縁部に対向する。これにより、ノズル６の周縁部処理位置ＰＥにおいて、複数の吐出口３１，３６，４１，４６のうち所望の吐出口を基板Ｗの上面の周縁部に対向させることができ、これにより、ノズル６の複数の吐出口３１，３６，４１，４６のうちいずれの吐出口から処理流体を吐出させる場合にも、当該吐出口から吐出された処理流体を基板Ｗの上面の周縁部に良好に供給することができる。
【００７０】
また、複数の吐出口３１，３６，４１，４６から、互いに種類の異なる処理流体が吐出される。また、ノズル６の周縁部処理位置ＰＥにおいて、複数の吐出口３１，３６，４１，４６のうち所望の吐出口を基板Ｗの上面の周縁部に対向させることが可能である。
そして、処理流体が用いられる工程に際し、ノズル６から吐出すべき処理流体の種類に応じて、ノズル６の回転方向姿勢が、ノズル６の周縁部処理位置ＰＥにおいて、吐出対象の処理流体が吐出される吐出口が基板Ｗの上面の周縁部に対向する所定の姿勢Ｐ１〜Ｐ４に制御される。これにより、ノズル６から複数種類の処理流体を吐出させる場合にも、吐出対象の処理流体を基板Ｗの上面の周縁部に良好に供給することができる。
【００７１】
また、この実施形態では、複数の吐出口３１，３６，４１，４６は、回転軸線Ａ３からの距離が互いに等しくされており、かつ第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４において、吐出対象の吐出口は、他の吐出口よりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ軌跡Ｘ上の位置に配置される。すなわち、第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４において、吐出対象の吐出口は、基板Ｗに対する相対位置が一定である。そのため、第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４のうち１つの回転方向姿勢（たとえば第１の姿勢Ｐ１）において、周縁部処理位置ＰＥにおける、処理対象の吐出口（たとえば第１の吐出口３１）の位置を、基板Ｗの外周端より数ｍｍ幅の周縁領域Ｐｈに対向する位置に設定することにより、当該吐出口から吐出された処理流体を当該周縁領域に精度良く供給できる。
【００７２】
図１１は、本発明の他の実施形態に係る基板処理装置に備えられたノズル６Ｂの底面図である。図１２は、第１〜第４の処理流体が用いられる工程におけるノズル６Ｂの回転方向姿勢を説明するための平面図である。
図１１および図１２に示す実施形態において、図１〜図１０に示す実施形態に示された各部に対応する部分には、図１〜図１０の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
【００７３】
他の実施形態に係るノズル６Ｂが、前述の実施形態に係るノズル６と相違する点は、ノズルボディ２１の下面２１ａに形成される複数の吐出口（第１の吐出口３１Ｂ、第２の吐出口３６Ｂ、第３の吐出口４１Ｂおよび第４の吐出口４６Ｂ（以下、これらの吐出口を総称するときは、「吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂ」という場合がある。）の、回転軸線Ａ３からの距離が互いに異ならされている点である。複数の吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂは、円周方向に等間隔に配置されている。
【００７４】
ノズル自転ユニット２４は、図１〜図１０に示す実施形態の場合と同様、ノズル６Ｂの回転方向姿勢を、第１の姿勢Ｐ１１（図１２（ａ）に示す姿勢）、第２の姿勢Ｐ１２（図１２（ｂ）に示す姿勢）、第３の姿勢Ｐ１３（図１２（ｃ）に示す姿勢）および第４の姿勢Ｐ１４（図１２（ｄ）に示す姿勢）の合計４つの姿勢の間で切り換える。
第１の吐出口３１Ｂは、前述の第１の吐出口３１（図３参照）に対応する吐出口であり、第１の吐出口３１Ｂからは、第１の処理流体が吐出される。ノズル６Ｂから第１の処理流体が吐出される工程（たとえばＨＦ工程（Ｓ３，Ｔ３））において、ノズル６Ｂは第１の姿勢Ｐ１１をなす。ノズル６Ｂの第１の姿勢Ｐ１１は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６Ｂの配置状態で、第１の吐出口３１Ｂからの第１の処理流体の供給位置が、他の吐出口３６Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂよりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ、第１の吐出口３１Ｂが軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。
【００７５】
第２の吐出口３６Ｂは、前述の第２の吐出口３６（図３参照）に対応する吐出口であり、第２の吐出口３６Ｂからは、第２の処理流体が吐出される。ノズル６Ｂから第２の処理流体が吐出される工程（たとえばリンス工程（Ｓ４，Ｓ６，Ｔ４，Ｔ６，Ｔ８））において、ノズル６Ｂは第２の姿勢Ｐ１２をなす。ノズル６Ｂの第２の姿勢Ｐ１２は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６Ｂの配置状態で、第２の吐出口３６Ｂからの第２の処理流体の供給位置が、他の吐出口３１Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂよりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ、第２の吐出口３６Ｂが軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。
【００７６】
第３の吐出口４１Ｂは、前述の第３の吐出口４１（図３参照）に対応する吐出口であり、第３の吐出口４１Ｂからは、第３の処理流体が吐出される。ノズル６Ｂから第３の処理流体が吐出される工程（たとえばＳＣ１工程（Ｓ５，Ｔ５））において、ノズル６Ｂは第３の姿勢Ｐ１３をなす。ノズル６Ｂの第３の姿勢Ｐ１３は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６Ｂの配置状態で、第３の吐出口４１Ｂからの第３の処理流体の供給位置が、他の吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４６Ｂよりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ、第３の吐出口４１Ｂが軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。
【００７７】
第４の吐出口４６Ｂは、前述の第４の吐出口４６（図３参照）に対応する吐出口であり、第４の吐出口４６Ｂからは、第４の処理流体が吐出される。ノズル６Ｂから第４の処理流体が吐出される工程（たとえばスピンドライ工程（Ｓ７）およびＳＣ２工程（Ｔ７））において、ノズル６Ｂは第４の姿勢Ｐ１４をなす。ノズル６の第４の姿勢Ｐ１４は、周縁部処理位置ＰＥへのノズル６Ｂの配置状態で、第４の吐出口４６Ｂからの第４の処理流体の供給位置が、他の吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４１Ｂよりも回転軸線Ａ１から離反し、かつ、第４の吐出口４６Ｂが軌跡Ｘ上に位置するような姿勢である。
【００７８】
この実施形態では、また、第２の吐出口３６Ｂは第１の吐出口３１Ｂよりも、回転軸線Ａ３からの距離が短くされている。第３の吐出口４１Ｂは第２の吐出口３６Ｂよりも、回転軸線Ａ３からの距離が短くされている。第４の吐出口４６Ｂは第３の吐出口４１Ｂよりも、回転軸線Ａ３からの距離が短くされている。したがって、ノズル６Ｂの周縁部処理位置ＰＥにおいて、第１〜第４の姿勢Ｐ１〜Ｐ４における吐出対象の吐出口は、基板Ｗに対する相対位置が互いに異なっている。
【００７９】
図１３は、ノズル６Ｂを備えた基板処理装置によって行われる基板処理例を説明するための断面図である。
処理対象の基板として、シリコン基板５１の上面に、当該上面を覆うＳｉＯ２膜５２が配置されており、ＳｉＯ２膜５２の上面に、当該上面を覆うＴｉＮ膜５３が配置されている基板Ｗ１を想定する。この場合、基板Ｗの上面の周縁部において、図１３に示すように、ＳｉＯ２膜５２に対し処理流体（たとえばフッ酸）を供給したい位置と、ＴｉＮ膜５３に対し処理流体（たとえばＳＣ１）を供給したい位置とが互いに、基板Ｗの径方向に関し異なっていることがある。この基板Ｗ１を、第１の基板処理例（図５参照）または第２の基板処理例（図１０参照）を用いて処理する。
【００８０】
第１のおよび第２の基板処理例において、ＨＦ工程（Ｓ３，Ｔ３）においてＳｉＯ２膜５２をエッチング除去するような洗浄を行い、ＳＣ１工程（Ｓ５，Ｔ５）においてＴｉＮ膜５３をエッチング除去するような洗浄を行う。
ＨＦ工程（Ｓ３，Ｔ３）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６Ｂを中央部処理位置ＰＣ（図１２（ａ）において破線で示す位置）と周縁部処理位置ＰＥ（図１２（ａ）において実線で示す位置）との間で移動させる。これにより、基板Ｗ１の上面に対するフッ酸の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。このとき、ノズル６Ｂの周縁部処理位置ＰＥにおいて、第１の吐出口３１Ｂから吐出されるフッ酸（ノズル６Ｂから吐出されるフッ酸）は、基板Ｗの上面の第１の周縁領域Ｐｈ１に着液する。
【００８１】
ＳＣ１工程（Ｓ５，Ｔ５）では、制御ユニット３は、ノズル移動ユニット８を制御することにより、ノズルアーム７を揺動させて、ノズル６Ｂを中央部処理位置ＰＣ（図１２（ｃ）において破線で示す位置）と周縁部処理位置ＰＥ（図１２（ｃ）において実線で示す位置）との間で移動させる。これにより、基板Ｗ１の上面に対するＳＣ１の着液位置が、軌跡Ｘに沿って基板Ｗの上面の中央部と当該上面の周縁部との間で移動させられる。このとき、ノズル６Ｂの周縁部処理位置ＰＥにおいて、第３の吐出口４１Ｂから吐出されるＳＣ１（ノズル６Ｂから吐出されるＳＣ１）は、第１の周縁領域Ｐｈ１よりも内側に隣接する第２の周縁領域Ｐｈ２に着液する。
【００８２】
以上により、この実施形態によれば、前述の図１〜図１０に示す実施形態で述べた作用効果と同等の作用効果に加え、ノズル６Ｂの周縁部処理位置ＰＥにおいて、処理流体に応じて、吐出対象の吐出口から吐出された処理流体の供給位置を微小量だけ異ならせることができる。
以上、この発明の２つの実施形態について説明したが、この発明はさらに他の形態でも実施できる。
【００８３】
たとえば、第２の実施形態において、複数の吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂの全ての吐出口の回転軸線Ａ３からの距離が互いに異なっている必要はなく、複数の吐出口３１Ｂ，３６Ｂ，４１Ｂ，４６Ｂのうち１つの吐出口の回転軸線Ａ３からの距離が、他の吐出口と異なっていればよい。
また、前述の各実施形態において、複数個の吐出口を有するノズル６，６Ｂを、１つのノズルボディ２１に複数個の吐出口を設けた構成としたが、所定の個数（たとえば１つ）の吐出口を有するノズルボディを複数個設けることにより構成してもよい。
【００８４】
また、前述の各実施形態において、各吐出口を鉛直下方に処理流体を吐出する吐出口として説明したが、各吐出口から斜め下方に処理流体が吐出されるようになっていてもよい。
また、前述の各実施形態において、ノズル６，６Ｂに設けられた吐出口の個数は４つでなく、２つや３つであってもよいし、５つ以上であってもよい。
【００８５】
また、前述の各実施形態において、ノズル６，６Ｂを備えたノズルアーム７を１つ備えられる場合を例に挙げたが、ノズル６，６Ｂを備えたノズルアーム７が２つ以上備えられていてもよい。
また、ノズル移動ユニット８が、ノズル６，６Ｂを揺動軸線Ａ２まわりに揺動させる構成を例に挙げたが、ノズル６，６Ｂを、水平方向に直線移動させる構成が採用されていてもよい。
【００８６】
また、処理流体供給ユニット９として、複数の吐出口に、互いに種類の異なる処理流体を供給するものを例に挙げて説明したが、複数の吐出口に供給される処理流体が同じ種類のものであってもよい。この場合、複数の吐出口ごとに、処理流体の温度が異なられていてもよい。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置１が円板状の基板Ｗ，Ｗ１を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
【００８７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能で
ある。
【符号の説明】
【００８８】
１      ：基板処理装置
３      ：制御ユニット（第１および第２の姿勢制御ユニット）
５      ：スピンチャック（基板保持ユニット）
６      ：ノズル
６Ｂ    ：ノズル
７      ：ノズルアーム
８      ：ノズル移動ユニット
９      ：処理流体供給ユニット
２４    ：ノズル自転ユニット
３１    ：第１の吐出口
３１Ｂ  ：第１の吐出口
３６    ：第２の吐出口
３６Ｂ  ：第２の吐出口
４１    ：第３の吐出口
４１Ｂ  ：第３の吐出口
４６    ：第４の吐出口
４６Ｂ  ：第４の吐出口
Ａ１    ：回転軸線（第１の回転軸線）
Ａ３    ：回転軸線（第２の回転軸線）
ＰＣ    ：中央部処理位置
ＰＥ    ：周縁部処理位置
Ｗ      ：基板
Ｗ１    ：基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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