(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークと、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークとを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項３】
粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、
粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークと、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークとを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項４】
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする請求項１に記載の導電性ペースト。
【請求項５】
前記フレーク状銀粉Ａ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２５．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする請求項２に記載の導電性ペースト。
【請求項６】
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする請求項３に記載の導電性ペースト。
【請求項７】
Ｃｕ基板又はＣｕ電極、請求項１〜６のいずれか１つに記載の導電性ペースト、及び導電体を含む積層体。
【請求項８】
Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法であって、
請求項１〜６のいずれか１つに記載の導電性ペーストをＣｕ基板又はＣｕ電極に塗布する工程、
前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極上の前記導電性ペーストに導電体を重ね合わせ、前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極、前記導電性ペースト、及び前記導電体を含む積層体を形成する工程、及び
前記積層体を１５０〜３５０℃の温度において１分以上１００分未満の時間で加熱することにより前記導電性ペーストを焼結させる工程
を含むことを特徴とする前記方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性ペースト、積層体、及びＣｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、μｍサイズ（以下、「ミクロンサイズ」ということがある。）又はｎｍサイズ（以下、「ナノサイズ」ということがある。）の金属粉を用いた導電性ペーストは、導電性材料として広く用いられている。このようなミクロンサイズ又はナノサイズの金属粉を用いた導電性ペーストは、例えば、プリント配線基板における電極、配線などの電子回路の形成や、電子基板と電子部品との間の接合に使用されている。
【０００３】
上記導電性ペーストを適用する基板として、Ａｇ（銀）めっきを施したＣｕ（銅）基板が用いられることがある。また、電子基板上に設けられる電極について、現在はＡｇめっきを施したＣｕ電極が主流となっている。しかしながら、近年、コスト削減や製造工程の短縮のために、めっき工程を経ずに製造した、めっき層を有しないＣｕ基板又はＣｕ電極が使用されるようになってきている。
このようなめっき層を有しないＣｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを導電性ペーストにより接合させる際に、Ｃｕ基板又はＣｕ電極の表面に直接導電性ペーストを塗布し、大気雰囲気下で導電性ペーストの焼結を行うと、Ｃｕ基板又はＣｕ電極の表面においてＣｕが酸化されて酸化銅の層が形成されてしまう。このようにＣｕ基板又はＣｕ電極の表面に酸化銅の層が形成されると、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電性ペーストの焼結体との界面における十分な接合が得られない。このような場合、Ｃｕ基板又はＣｕ電極表面における酸化銅の層の形成を防ぐために、大気雰囲気下ではなく窒素雰囲気下で導電性ペーストの焼結が行われる。
【０００４】
金属粉を用いた導電性ペーストとして、本願と同一の出願人による特許文献１においては、１５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉、２５μｍ以上のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉、及び溶剤を含む導電性ペースト、並びに１５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉、２５μｍ以上のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉、０．１μｍ〜０．５μｍと１μｍ〜１５μｍとにピークを有する二峰性の粒度分布を有する銀粉、及び溶剤を含む導電性ペーストが提案されている。しかし、本願の比較例１３において後述するように、特許文献１に記載されているような、上記導電性ペーストは、めっき層を有しない銅基板と電子部品（Ｓｉチップ）とを導電性ペーストにより接合させる際に、銅基板の表面に直接導電性ペーストを塗布し、窒素雰囲気下で導電性ペーストの焼結を行うと、銅基板と電子部品との間の十分な接合強度が得られないという問題があることがわかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２０２０／００８６８９号
【０００６】
上述のように、従来の導電性ペーストは、めっき層を有しないＣｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを導電性ペーストにより接合する際に、Ｃｕ基板又はＣｕ電極の表面に直接導電性ペーストを塗布し、窒素雰囲気下で導電性ペーストの焼結を行った場合に、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と上記部品とを接合した際の接合強度が十分ではないという問題がある。
【０００７】
したがって、上記の問題を解決し、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れた導電性ペーストが望まれている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れた導電性ペースト、積層体、及びＣｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意研究した結果、異なる粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０を有する複数の銀粉の組み合わせを最適化することで上記課題を解決できることを知見し、本発明を完成するに至った。
本発明の具体的態様は以下のとおりである。
なお、本願において、「Ｘ〜Ｙ」を用いて数値範囲を表す際は、その範囲は両端の数値であるＸ及びＹを含むものとする。
【００１０】
[１]  粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
[２]  粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークと、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークとを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
[３]  粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、
粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークと、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークとを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
[４]  前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする[１]に記載の導電性ペースト。
[５]  前記フレーク状銀粉Ａ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２５．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする[２]に記載の導電性ペースト。
[６]  前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下であることを特徴とする[３]に記載の導電性ペースト。
[７]  Ｃｕ基板又はＣｕ電極、[１]〜[６]のいずれか１つに記載の導電性ペースト、及び導電体を含む積層体。
[８]  Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法であって、
[１]〜[６]のいずれか１つに記載の導電性ペーストをＣｕ基板又はＣｕ電極に塗布する工程、
前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極上の前記導電性ペーストに導電体を重ね合わせ、前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極、前記導電性ペースト、及び前記導電体を含む積層体を形成する工程、及び
前記積層体を１５０〜３５０℃の温度において１分以上１００分未満の時間で加熱することにより前記導電性ペーストを焼結させる工程
を含むことを特徴とする前記方法。
【００１１】
従来の導電性銀ペーストは、窒素雰囲気下では焼結が十分に進まずに、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電性ペーストの焼結体との界面における十分な接合が得られないことがある。これは、窒素雰囲気下で焼結を行うと、大気雰囲気下での焼結よりも、導電性ペースト中の金属粉同士が十分に融着せず金属粉の間に隙間が多く残ってしまうためと考えられる。
理論に縛られるものではないが、本発明の導電性ペーストに含まれる粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃは、粒径が小さいため、複数の他の銀粉の間の隙間や、他の銀粉と接合対象である基板又は電極との間の隙間を埋めることができると推察される。そのため、本発明の導電性ペーストは、窒素雰囲気下での焼結を行う場合やめっき層を有しないＣｕ基板又はＣｕ電極を使用する場合であっても、上記隙間を埋めることができ、Ｃｕ基板又はＣｕ電極との十分な接合が得られると推察される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の導電性ペーストは、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例におけるせん断強度の評価に用いた試料の概要図である。
【図２】実施例における電気抵抗値の評価に用いた配線の概要図である。
【図３Ａ】実施例における銀粉（Ａ）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：５０００倍）により撮影した画像である。
【図３Ｂ】比較例における銀粉（Ａ’）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：５０００倍）により撮影した画像である。
【図４】実施例における銀粉（Ｂ）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：１０００倍）により撮影した画像である。
【図５】実施例における銀粉（Ｄ）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：５０００倍）により撮影した画像である。
【図６Ａ】実施例における銀粉（Ｃ）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：５０００倍）により撮影した画像である。
【図６Ｂ】実施例における銀粉（Ｃ）の表面を走査型電子顕微鏡（倍率：２００００倍）により撮影した画像である。
【図７】実施例における銀粉（Ｃ）及び（Ｄ）の粒度分布の測定結果である。
【図８】実施例における導電性ペースト（１）〜（３）（実施例１〜２１及び比較例１８〜２３）のせん断強度のグラフである。
【図９】実施例における導電性ペースト（１）〜（３）（実施例３、１０、１７、及び２５〜３３）の焼結温度ごとのせん断強度を示すグラフである。
【図１０Ａ】実施例１１の焼結後のせん断強度測定用試料の断面を走査型電子顕微鏡（倍率：３０００倍）により撮影した画像である。
【図１０Ｂ】実施例１１の焼結後のせん断強度測定用試料の断面を走査型電子顕微鏡（倍率：１００００倍）により撮影した画像である。
【図１０Ｃ】実施例１１の焼結後のせん断強度測定用試料の断面を走査型電子顕微鏡（倍率：１００００倍）により撮影した画像である。
【図１１】実施例３の焼結後のせん断強度測定用試料の断面の各元素のマッピング測定の結果を示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の導電性ペースト、積層体、及びＣｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法について説明する。
【００１５】
[第一の実施形態（導電性ペースト）]
第一の実施形態の導電性ペーストは、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である。
第一の実施形態の導電性ペーストは、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃを含み、銀粉Ｃの含有量が特定の範囲であることにより、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れる。
第一の実施形態の導電性ペーストは、金属成分として、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃからなるものでもよいし、他の金属成分を含むものでもよい。
【００１６】
フレーク状銀粉Ａの粒径の範囲は、１μｍ以上１５μｍ以下であり、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、２μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。
フレーク状銀粉Ａのメディアン径Ｄ５０は、２μｍ以上５μｍ以下であり、２．５μｍ以上４．５μｍ以下が好ましく、２．５μｍ以上３．５μｍ以下がより好ましい。
フレーク状銀粉Ａの粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストを適度な粘度に調整することができ、また、導電性ペーストにおける銀粉の充填密度を上げることができる。
【００１７】
本発明において、フレーク状銀粉Ａは、ＳＥＭにより観察してフレーク状（薄片状又は剥片状）と認められるものであればよい。ＳＥＭの倍率は、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａの形状がわかるように、５０００倍、１００００倍などに適宜設定することができる。ここで、フレーク状（薄片状又は剥片状）の粒子とは、アスペクト比（最も長い長径／最も短い短径の比）が５〜３００である粒子を意味する。
本発明の導電性ペーストは、球状の銀粉のみではなくフレーク状銀粉Ａを含むことにより、隣接する球状粉の間に生じる空隙にフレーク状銀粒子が充填され、連続的な銀粉同士の接点が形成され、導電性を向上させることができ、また、導電性ペーストにおける各銀粉の分散を均一にすることができる。
【００１８】
銀粉Ｂの粒径の範囲は、２５μｍ以上１００μｍ以下であり、２５μｍ以上８０μｍ以下が好ましく、２５μｍ以上７０μｍ以下がより好ましい。
銀粉Ｂのメディアン径Ｄ５０は、３０μｍ以上４０μｍ以下であり、３０μｍ以上３８μｍ以下が好ましく、３３μｍ以上３７μｍ以下がより好ましい。
銀粉Ｂの粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストにおける銀粉の充填密度を上げることができ、また、導電体ペーストをＣｕ基板又はＣｕ電極に塗布した時の厚みを十分な範囲に維持することができ、また、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手の熱特性及び電気特性を向上させることができる。
【００１９】
銀粉Ｂの形状は、ＳＥＭにより観察して確認することができる。ＳＥＭの倍率は、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂの形状がわかるように、５０００倍、１００００倍などに適宜設定することができる。銀粉Ｂの形状は、特に限定されないが、球状及び非球状のいずれでもよい。非球状の例としては、フレーク状、針状、角状、樹枝状、粒状、不規則形状、涙滴状、板状、極薄板状、六角板状、柱状、棒状、多孔状、繊維状、塊状、海綿状、けい角状、丸み状、又はそれらの組み合わせが挙げられる。このような形状の中でも、球状、柱状、又はそれらの組み合わせが好ましい。
【００２０】
銀粉Ｃの粒径の範囲は、１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下が好ましく、３０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下がより好ましい。
銀粉Ｃのメディアン径Ｄ５０は、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であり、６０ｎｍ以上１３０ｎｍ以下が好ましく、７０ｎｍ以上１２０ｎｍ以下がより好ましい。
【００２１】
銀粉Ｃの形状は、ＳＥＭにより観察して確認することができる。ＳＥＭの倍率は、粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃの形状がわかるように、５０００倍、１００００倍などに適宜設定することができる。銀粉Ｃの形状は、特に限定されないが、球状、非球状（例えば、フレーク状、針状、角状、板状など）、又はそれらの組み合わせが挙げられる。このような形状の中でも、球状、フレーク状、針状、板状、又はそれらの組み合わせが好ましい。
【００２２】
銀粉Ｃの含有量は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、５．０質量部を超え９０．０質量部未満であり、１０．０〜７０．０質量部が好ましく、２０．０〜６５．０質量部がより好ましい。
【００２３】
銀粉Ｃの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及び含有量が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストの粘度及び銀粉の充填密度を適度なものに調整することができ、また、低温においても導電体ペーストの焼結を十分に進行させることができ、また、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手の熱特性及び電気特性を向上させることができる。
【００２４】
また、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対する、銀粉Ｃの含有量を２０．０質量部以上６５．０質量部以下とすることにより、基板又は電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度をより優れたものとすることができる。
【００２５】
フレーク状銀粉Ａの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜８３質量部が好ましく、１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜６０質量部が最も好ましい。
【００２６】
銀粉Ｂの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜８３質量部が好ましく、１０〜７５質量部がより好ましく、１５〜６０質量部が最も好ましい。
【００２７】
導電性ペースト１００質量部に対するフレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計の含有量は、４０〜９８質量部が好ましく、６０〜９５質量部がより好ましく、８０〜９５質量部が最も好ましい。
【００２８】
導電体ペーストに含まれる溶剤としては、水、アルコール系溶剤、グリコールエーテル系溶剤、テルピネオール類、又はそれらの混合物が挙げられる。
アルコール系溶剤としては、イソプロピルアルコール、１，２−ブタンジオール、イソボルニルシクロヘキサノール、２，４−ジエチル−１，５−ペンタンジオール、２，２−ジメチル−１，３−プロパンジオール、２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオール、２，５−ジメチル−３−ヘキシン−２，５−ジオール、２，３−ジメチル−２，３−ブタンジオール、１，１，１−トリス（ヒドロキシメチル）エタン、２−エチル−２−ヒドロキシメチル−１，３−プロパンジオール、２，２′−オキシビス（メチレン）ビス（２−エチル−１，３−プロパンジオール）、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオール、１，２，６−トリヒドロキシヘキサン、ビス［２，２，２−トリス（ヒドロキシメチル）エチル］エーテル、１−エチニル−１−シクロヘキサノール、１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、エリトリトール、トレイトール、グアヤコールグリセロールエーテル、３，６−ジメチル−４−オクチン−３，６−ジオール、２，４，７，９−テトラメチル−５−デシン−４，７−ジオール、又はそれらの混合物が挙げられる。この中でも、ペーストの印刷性、濡れ性の観点より、エチレングリコール又はエタノールが好ましく、エチレングリコールがより好ましい。
グリコールエーテル系溶剤としては、ジエチレングリコールモノ−２−エチルヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、２−メチルペンタン−２，４−ジオール、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、又はそれらの混合物が挙げられる。
テルピネオール類としては、カユプテ油、松根油、プチグレン油、又はそれらの混合物が挙げられる。
【００２９】
導電性ペースト１００質量部に対する溶剤の含有量は、５〜３０質量部が好ましく、５〜１５質量部がより好ましく、５〜１０質量部が最も好ましい。溶剤の含有量が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストの塗布性（印刷性）を良好とする適度な粘度に調整することができる。
【００３０】
[第二の実施形態（導電性ペースト）]
第二の実施形態の導電性ペーストは、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第１のピーク）と、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第２のピーク）とを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、前記フレーク状銀粉Ａ、前記球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である。
第二の実施形態の導電性ペーストは、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃを含み、銀粉Ｃの含有量が特定の範囲であることにより、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れる。
第二の実施形態の導電性ペーストは、金属成分として、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃからなるものでもよいし、他の金属成分を含むものでもよい。
【００３１】
フレーク状銀粉Ａの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及びフレーク形状の定義、銀粉Ｃの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及び形状、並びに溶剤の種類及び含有量としては、上記第一の実施形態に示したものを使用することができる。
【００３２】
球状銀粉Ｄの第１のピークの粒径の範囲は、２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下であり、２００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下がより好ましい。球状銀粉Ｄの第２のピークの粒径の範囲は、１μｍ以上１５μｍ以下であり、１．５μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、２μｍ以上８μｍ以下がより好ましい。
球状銀粉Ｄの第１のピークのメディアン径Ｄ５０は、３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下であり、３００ｎｍ以上５００ｎｍ以下が好ましく、３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下がより好ましい。球状銀粉Ｄの第２のピークのメディアン径Ｄ５０は、１．５μｍ以上４μｍ以下であり、１．５μｍ以上３．５μｍ以下が好ましく、２μｍ以上３μｍ以下がより好ましい。
球状銀粉Ｄの第１のピーク及び第２のピークの粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストの粘度及び銀粉の充填密度を適度なものに調整することができ、また、導電性ペーストの焼結を十分に進行させることができ、また、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手の熱特性及び電気特性を向上させることができる。
【００３３】
球状銀粉Ｄ：１００質量部に対する第１のピークの含有量は、５〜５０質量部が好ましく、１０〜３０質量部がより好ましく、１５〜２５質量部が最も好ましい。球状銀粉Ｄ：１００質量部に対する第２のピークの含有量は、５０〜９５質量部が好ましく、７０〜９０質量部がより好ましく、７５〜８５質量部が最も好ましい。
第１のピーク及び第２のピークの含有量が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストにおける銀粉の充填密度を上げることができ、焼結体とした際により緻密な構造を形成することができる。
【００３４】
球状銀粉Ｄの形状は、ＳＥＭにより観察して確認することができる。ＳＥＭの倍率は、球状銀粉Ｄの形状がわかるように、５０００倍、１００００倍などに適宜設定することができる。球状銀粉Ｄの形状は、真球状のものに限られず、アスペクト比（長径／短径の比）が１．０〜１．３であればよい。
【００３５】
銀粉Ｃの含有量は、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、５．０質量部を超え９０．０質量部未満であり、１０．０質量部を超え８０．０質量部未満が好ましく、２０．０〜７０．０質量部がより好ましく、２５．０〜６０．０質量部が最も好ましい。
銀粉Ｃの含有量が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストの粘度及び銀粉の充填密度を適度なものに調整することができ、また、低温においても導電性ペーストの焼結を十分に進行させることができ、また、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手の熱特性及び電気特性を向上させることができる。
【００３６】
また、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対する、銀粉Ｃの含有量を２５．０質量部以上６５．０質量部以下とすることにより、基板又は電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度をより優れたものとすることができる。
【００３７】
フレーク状銀粉Ａの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜７８質量部が好ましく、１０〜６５質量部がより好ましく、２０〜５５質量部が最も好ましい。
【００３８】
球状銀粉Ｄの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜７８質量部が好ましく、１０〜６５質量部がより好ましく、２０〜５５質量部が最も好ましい。
【００３９】
導電性ペースト１００質量部に対するフレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計の含有量は、４０〜９８質量部が好ましく、６０〜９５質量部がより好ましく、８０〜９５質量部が最も好ましい。
【００４０】
[第三の実施形態（導電性ペースト）]
第三の実施形態の導電性ペーストは、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第１のピーク）と、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第２のピーク）とを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、前記球状銀粉Ｄ、及び前記銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である。
第三の実施形態の導電性ペーストは、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃを含み、銀粉Ｃの含有量が特定の範囲であることにより、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度に優れる。
第三の実施形態の導電性ペーストは、金属成分として、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃからなるものでもよいし、他の金属成分を含むものでもよい。
【００４１】
フレーク状銀粉Ａの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及びフレーク形状の定義、銀粉Ｂの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及び形状、球状銀粉Ｄの第１のピーク及び第２のピークの粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０、球状銀粉Ｄの球状の定義、球状銀粉Ｄ：１００質量部に対する第１のピーク及び第２のピークの含有量、銀粉Ｃの粒径の範囲、メディアン径Ｄ５０、及び形状、並びに溶剤の種類及び含有量としては、第一の実施形態及び／又は第二の実施形態に示したものを使用することができる。
【００４２】
銀粉Ｃの含有量は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、５．０質量部を超え９０．０質量部未満であり、１０．０〜８０．０質量部が好ましく、２０．０〜６５．０質量部がより好ましい。
銀粉Ｃの含有量が上記数値範囲内であることにより、導電性ペーストの粘度及び銀粉の充填密度を適度なものに調整することができ、また、低温においても導電性ペーストの焼結を十分に進行させることができ、また、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手の熱特性及び電気特性を向上させることができる。
【００４３】
また、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対する、銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下であることにより、基板又は電極と電子部品などの他の部品とを接合した際の接合強度をより優れたものとすることができる。
【００４４】
フレーク状銀粉Ａの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜８０質量部が好ましく、１０〜７０質量部がより好ましく、１５〜６５質量部が最も好ましい。
【００４５】
銀粉Ｂの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜８０質量部が好ましく、１０〜７０質量部がより好ましく、１５〜５０質量部が最も好ましい。
【００４６】
球状銀粉Ｄの含有量は、特に限定されないが、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、３〜８０質量部が好ましく、１０〜７０質量部がより好ましく、２０〜６０質量部が最も好ましい。
【００４７】
導電性ペースト１００質量部に対するフレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計の含有量は、４０〜９８質量部が好ましく、６０〜９５質量部がより好ましく、８０〜９５質量部が最も好ましい。
【００４８】
上記第一〜三の実施形態の導電性ペーストにおいて、各銀粉の粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０は、ＳＡＬＤ−２３００（島津製作所製）を用いて、下記条件に基づいてレーザー回折法により測定したものを意味する。
（測定条件）
銀粉０．１ｇを１０ｍｌのエタノールに溶解し、超音波で分散しながら、測定を行う。得られた測定結果をソフトウェアＷｉｎｇＳＡＬＤII（島津製作所製）により解析を行うことにより粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０を得る。
【００４９】
上記第一〜三の実施形態の導電性ペーストは、上述の各銀粉及び溶剤を、例えば、ＡＲＶ−３１０（株式会社シンキー製）装置を用いて、混錬し、作製することができる。
【００５０】
第一〜三の実施形態の導電性ペーストは、窒素雰囲気下での焼結用、及び大気雰囲気下での焼結用のいずれの用途でも使用することができる。第一〜三の実施形態の導電性ペーストは、Ｃｕ基板又はＣｕ電極に導電体を接合させるために、めっき層を介さずにＣｕ基板又はＣｕ電極に直接塗布して焼結することができる。焼結する際の雰囲気条件は、真空状態、窒素雰囲気下、及び大気雰囲気下のいずれでも良い。第一〜三の実施形態の導電性ペーストは、窒素雰囲気下でめっき層を介さずに、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合に使用できる。
【００５１】
Ｃｕ基板の上に、又はＣｕ基板に設けられたＣｕ電極の上に、導電性ペーストを塗布（印刷）した後に、当該導電性ペーストを焼結することができる。導電性ペーストを焼結して得られる焼結体は、導電性を有しているため、Ｃｕ基板若しくはＣｕ電極上の配線（電子回路）、又は導電性の接合部（接着部）として機能する。導電性ペーストを塗布（印刷）する方法としては、特に限定されないが、ディスペンス塗布、スクリーン印刷、スプレー塗布、はけ塗り、注入、又はそれらの組み合わせが挙げられる。
【００５２】
上記Ｃｕ基板としては、特に限定されず、ＤＢＣ（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｏｎｄｅｄ  Ｃｏｐｐｅｒ）などのセラミックス基板、Ｃｕリードフレームなどが挙げられる。上記Ｃｕ基板には電子部品などの他の部品を搭載することができる。
Ｃｕ基板又はＣｕ電極の表面に存在する酸化銅の層を洗浄、研磨などにより除去してから上記導電性ペーストを塗布して焼結するのが好ましい。Ｃｕ基板又はＣｕ電極の表面に存在する酸化銅の層を除去することにより、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電性ペーストの焼結体との十分な接合を得ることができる。上記Ｃｕ基板又はＣｕ電極上には、Ａｇめっき層を設けることもできるが、コスト削減や製造工程の短縮の観点より、めっき層を設けないことが好ましい。
【００５３】
本発明の導電性ペーストは、めっき層を必要とせず、表面の酸化銅の層が除去されたＣｕ基板又はＣｕ電極の表面に直接塗布して焼結を行っても、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と焼結体との界面において十分な接合を得ることができる。もちろん、本発明の導電性ペーストは、Ａｇめっき層を介してＣｕ基板又はＣｕ電極に塗布する場合でも、同等又はそれ以上の接合強度で、Ｃｕ基板又はＣｕ電極に対して十分な接合を付与することができる。導電性ペーストを、Ｃｕ基板又はＣｕ電極にＡｇめっき層を介して塗布し、更に大気雰囲気下で焼結を行うと、めっき層の存在によりＣｕ基板又はＣｕ電極表面に酸化銅の層が形成されず、また、窒素雰囲気下に比べて焼結が進みやすいため、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電性ペーストの焼結体との界面における接合強度がより優れたものとなる。
【００５４】
導電性ペーストを焼結する際の雰囲気条件は、特に限定されず、窒素雰囲気下、大気雰囲気下、真空等を採用することができ、この中でも、Ｃｕの酸化による酸化銅の層の形成を抑制してＣｕ基板又はＣｕ電極との間の接合性を向上させる観点より、窒素雰囲気下で行うのが好ましい。
導電性ペーストを焼結する際の加熱温度は、特に限定されないが、緻密な構造の焼結体を得る観点より、１５０〜３５０℃が好ましく、１８０〜３００℃がより好ましく、２００〜３００℃が最も好ましい。
導電性ペーストを焼結する際の加熱時間は、特に限定されないが、緻密な構造の焼結体を得る観点より、１分以上１００分未満が好ましく、５分以上６０分未満がより好ましく、１０分以上４５分未満が最も好ましい。
導電性ペーストを焼結する際の圧力条件は、特に限定されないが、圧力を加えない状態又は圧力を加えた状態のいずれかとすることができる。
【００５５】
導電性ペーストを焼結して得られる配線又は接合部の形状としては、特に限定されないが、シート状、フィルム状、テープ状、線状、円盤状、ブロック状、スポット状、不定形状、又はそれらの組み合わせが挙げられる。
【００５６】
導電性ペーストを焼結して得られる配線又は接合部が示す電気抵抗値は、８．５μΩ・ｃｍ以下が好ましく、７．０μΩ・ｃｍ以下がより好ましく、５．０μΩ・ｃｍ以下が最も好ましい。焼結体の電気抵抗値は、後述の「１．評価方法」の「（２）電気抵抗値の評価」に記載の方法により測定することができる。
【００５７】
Ｃｕ基板又はＣｕ電極、上記第一〜三の実施形態のいずれか１つの導電性ペースト、及び導電体を含む積層体とすることもできる。
また、上記第一〜三の実施形態のいずれか１つの導電性ペーストをＣｕ基板又はＣｕ電極に塗布する工程、  前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極上の前記導電性ペーストに導電体を重ね合わせ、前記Ｃｕ基板又はＣｕ電極、前記導電性ペースト、及び前記導電体を含む積層体を形成する工程、及び  前記積層体を１５０〜３５０℃の温度において１分以上１００分未満の時間で加熱することにより前記導電性ペーストを焼結させる工程を含む方法により、Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体とを接合することができる。
【００５８】
導電性ペーストを焼結して得られる焼結体の部分は、導電性を有し、かつＣｕ基板又はＣｕ電極と導電体とを接合しているため、導電性の接合部（接着部）として機能する。また、接合される導電体としては、コンデンサ、抵抗などのチップ部品、ウエハに抵抗、トランジスタ、コンデンサ、集積回路などの半導体素子を形成した後に当該ウエハから各半導体素子の区画を切り出したチップ、又はそれらの組み合わせが挙げられる。
【００５９】
上記Ｃｕ基板又はＣｕ電極との接合方法において導電性ペーストを焼結する際の条件（雰囲気条件、加熱温度、加熱時間、圧力条件など）は、特に限定されず、上述のものを使用することができる。
【００６０】
上記Ｃｕ基板又はＣｕ電極と導電体との継手が示すせん断強度は、１２．０ＭＰａ以上が好ましく、１５．０ＭＰａ以上がより好ましく、２０．０ＭＰａ以上がより好ましく、３０．０ＭＰａ以上が最も好ましい。本発明において、せん断強度は、ＪＩＳ  Ｚ  ３１９８に準拠した方法により測定されたものを意味し、焼結後の上記積層体の接合強度（せん断強度）は、後述の「１．評価方法」の「（１）せん断強度の評価」に記載の方法により測定することができる。
【００６１】
以下、本発明について実施例により具体的に説明するが、本発明は実施例に記載の内容に限定されるものではない。
【実施例】
【００６２】
１．評価方法
（１）せん断強度の評価
【００６３】
（１−１）実施例１〜２１及び比較例１〜２３のせん断強度
銅基板（縦×横の寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ）の全体を５重量％の塩酸濃度のエタノール溶液に浸漬させて、浸漬させた状態で５分間放置した。浸漬処理した銅基板を上記エタノール溶液から取り出し、室温（２５℃）で１分間放置することにより上記エタノール溶液を飛ばして乾燥させ、洗浄後の銅基板（以下、試験片（１）という）を得た。このようにして得られた試験片（１）は、表面の酸化銅が除去された状態となっている。導電性ペーストを、試験片（１）の表面に直接、メタルマスク（厚み１００μｍ）を用いてスクリーン印刷した。
一方、Ｓｉチップ側から順に、Ｔｉ層（厚み４０ｎｍ）及びＡｇ層（厚み１０００ｎｍ）がスパッタリングにより積層されたＳｉチップ（縦×横の寸法：３ｍｍ×３ｍｍ）（電子部品に相当）（以下、試験片（２）という）を準備した。
そして、試験片（１）に塗布された導電性ペーストの上に、チップマウンター（製品名ＳＭＴ―６４ＲＨ、奥原電気株式会社製）を用いて、試験片（２）のＡｇ層側を積層させて、試験片（１）、導電性ペースト、及び試験片（２）を含む試料を得た。得られた試料を、窒素雰囲気下、大気圧下にて、２５０℃で６０分間加熱し、焼結を行った。
得られた焼結後の試料の概要図を図１に示す。
そして、焼結後の試料について、万能型ボンドテスター  ＮｏｒｄｓｏｎＤＡＧＥ  Ｓｅｒｉｅｓ４０００（Ｎｏｅｄｏｎ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製）を使用して、室温（２５℃）条件下、ＪＩＳ  Ｚ  ３１９８に準拠した方法で、試験片（１）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。各試料についてそれぞれ８回測定を行い、せん断強度（ＭＰａ）の平均値を算出した。
試料のせん断強度の平均値が１２．０ＭＰａ以上であれば、試験片同士の接合性が良好であるといえる。また、試料のせん断強度の平均値が５．０ＭＰａ以下である場合には、試験片同士が十分に接合できておらず、測定値がばらついて算出した平均値に数値として有意差はない。そのため具体的な数値ではなく５．０ＭＰａ以下として表記した。
ただし、溶剤としてエタノールを使用した比較例７については、チップマウンターを使用すると、導電性ペーストの上に試験片（２）を積層させる前に溶剤が揮発してしまい試験片（２）を接合させることができず、また、窒素雰囲気下、大気圧下で焼結を行うと溶剤の揮発が早いために試験片（２）を接合させることができなかった。そのため、比較例７については、導電性ペーストの上への試験片（２）の積層を手動で素早く行い、焼結時の圧力を０．４ＭＰａとし、それ以外の条件は上記と同様にして焼結後の試料を得て、せん断強度を測定した。
【００６４】
（１−２）実施例２２〜２４のせん断強度
実施例２２は、試験片（１）の代わりに、銅基板側から順に、Ｔｉ層（厚み４０ｎｍ）及びＡｇ層（厚み１０００ｎｍ）（めっき層に相当）がスパッタリングにより積層された銅基板（縦×横の寸法：５０ｍｍ×５０ｍｍ）（以下、試験片（１’）という）を使用した以外は、上述の実施例１〜２１及び比較例１〜２３と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１’）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
実施例２３は、焼結時の雰囲気条件として、窒素雰囲気下の代わりに、大気雰囲気下を採用した以外は、上述の実施例１〜２１及び比較例１〜２３と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
実施例２４は、試験片（１）の代わりに、上記試験片（１’）を使用し、焼結時の雰囲気条件として、窒素雰囲気下の代わりに、大気雰囲気下を採用した以外は、上述の実施例１〜２１及び比較例１〜２３と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１’）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
【００６５】
（１−３）実施例２５〜３３のせん断強度
実施例２５〜２７は、焼結温度として、２５０℃の代わりにそれぞれ２００℃、２８０℃、及び３００℃を採用した以外は、実施例３と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
実施例２８〜３０は、焼結温度として、２５０℃の代わりにそれぞれ２００℃、２８０℃、及び３００℃を採用した以外は、実施例１０と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
実施例３１〜３３は、焼結温度として、２５０℃の代わりにそれぞれ２００℃、２８０℃、及び３００℃を採用した以外は、実施例１７と同様にして、焼結後の試料を得たものである。当該試料における試験片（１）と試験片（２）との間のせん断強度（ＭＰａ）の測定を行った。
【００６６】
（２）電気抵抗値の評価
実施例３、１０、及び１７、並びに比較例１３それぞれの導電性ペーストを、ガラス基板（厚み２ｍｍ）に、メタルマスク（厚み１００μｍ）を用いたスクリーン印刷により塗布した。導電性ペーストが塗布されたガラス基板を、大気雰囲気下、大気圧下にて、２５０℃で３０分間加熱し、焼結を行って配線を形成した。このようにして得られた導電性ペーストの焼結体による配線は、縦×横の寸法：３ｍｍ×３０ｍｍであった。得られた配線の概要図を図２に示す。
このようにして得られた実施例３、１０、及び１７、並びに比較例１３それぞれの焼結体による配線の厚みを、室温（２５℃）及び相対湿度５０％の条件下、標準外側マイクロメーターＭ１１０（株式会社ミツトヨ製）を用いて測定した。そして、各配線の電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）を、室温（２５℃）及び相対湿度５０％の条件下、ｌｏｚｅｓｔａ−ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６１０（三菱化学株式会社製）を用いて、４端子法にて測定した。電気抵抗値の測定における４端子プローブとしては、ＥＳＰプローブ（三菱化学株式会社製、ＭＣＰ−ＴＰ０８Ｐ、Ｎｏ．０１４０５２Ｂ）を用いた。各配線について３回測定を行い、電気抵抗値（μΩ・ｃｍ）の平均値を算出した。
配線の電気抵抗値の平均値が８．５μΩ・ｃｍ以下であれば、導電性が良好であるといえる。
【００６７】
２．銀粉について
フレーク状銀粉としては、市販の製品名ＡｇＣ２３９（福田金属箔粉工業株式会社製、粒径の範囲：１μｍ以上１５μｍ以下、メディアン径Ｄ５０：２．５μｍ、フレーク状）（以下「銀粉（Ａ）」という）を使用した。銀粉（Ａ）について、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（日本電子製  ＪＳＭ−７０００Ｆ）により撮影した画像を図３Ａに示す。図３Ａは、銀粉（Ａ）の表面を倍率５０００倍で撮影したものである。
【００６８】
また、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する非フレーク状銀粉（以下「銀粉（Ａ’）」という）、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉（以下「銀粉（Ｂ）」という）、粒径が２５μｍ未満の範囲内にあり、３０μｍ未満のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉（以下「銀粉（Ｂ’）」という）、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉（以下「銀粉（Ｄ）」という）、及び粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉（以下「銀粉（Ｃ）」という）は以下の手順により調製した。
【００６９】
・銀粉（Ａ’）の製造
銀粉（Ａ’）を下記製造方法にて作製した。
１５０ｇのエチレングリコール中に、市販の銀粉であるＳ２１１Ａ−１０（大研化学工業株式会社製、メディアン径Ｄ５０：０．５４μｍ、球状（非真球））  １ｇ、及びポリビニルピロリドン  １ｇを分散させた。得られた分散液を１５０℃（反応温度）まで昇温させた後、２０ｇのエチレングリコール溶液（５ｇの硝酸銀を含有）を加え、混合した。得られた混合液を、温度を１５０℃に保ちつつ５００ｒｐｍの回転速度で撹拌しながら３時間反応を行った。得られた反応液を、室温まで冷却し、冷却後の反応液に含まれる析出物（銀粉を含む）を、遠心分離機により分離した。分離した析出物をエタノールを用いて３回洗浄して、銀粉（Ａ’）を得た。
【００７０】
・銀粉（Ｂ）の製造
銀を加熱して溶融状態とし、この溶融した銀を噴霧して冷却する方法（溶融噴霧法）により、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、メディアン径Ｄ５０：３６．３４μｍの球状の銀粉（銀粉（Ｂ））を作製した。
【００７１】
・銀粉（Ｂ’）の製造
銀を加熱して溶融状態とし、この溶融した銀を噴霧して冷却する方法（溶融噴霧法）により、粒径が２５μｍ未満の範囲内にあり、メディアン径Ｄ５０：１３．６７μｍの球状の銀粉（銀粉（Ｂ’））を作製した。
【００７２】
得られた銀粉（Ａ’）及び（Ｂ）について、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（日本電子製  ＪＳＭ−７０００Ｆ）により撮影した画像をそれぞれ図３Ｂ及び４に示す。図３Ｂは、銀粉（Ａ’）の表面を倍率５０００倍で撮影したものであり、また、図４は、銀粉（Ｂ）の表面を倍率１０００倍で撮影したものである。
【００７３】
・銀粉（Ｄ）の製造
粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第１のピーク）と、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピーク（第２のピーク）とを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉（銀粉（Ｄ））について下記製造方法にて作製した。
【００７４】
５０ｇのエチレングリコール（多価アルコール）中に硝酸銀（銀化合物）を１．０ｇ溶解させた後、エチレングリコール中にポリビニルピロリドン（分散剤）を０．５ｇ分散させた。得られたエチレングリコール溶液を、１５０℃（反応温度）まで昇温させた後、温度を１５０℃に保ちつつ５００ｒｐｍの回転速度で撹拌しながら１時間反応を行った。得られた反応液に含まれる銀粉を、金属メッシュを用いてエチレングリコール（多価アルコール）から分離させ、分離した銀粉をエタノールを用いて洗浄し、銀粉（Ｉ）を得た。
そして、５００ｒｐｍの回転速度で５０ｇのエチレングリコールを撹拌しながら、エチレングリコール中に硝酸銀を２．０ｇ溶解させた後、更にエチレングリコール中に銀粉（Ｉ）を０．０５ｇ分散させた。得られたエチレングリコール溶液を、１５０℃（反応温度）まで昇温させた後、反応温度を１５０℃に保ちつつ５００ｒｐｍの回転速度で撹拌しながら１時間反応を行った。得られた反応液に含まれる銀粉を、金属メッシュを用いてエチレングリコールから分離させ、分離した銀粉をエタノールを用いて洗浄し、銀粉（Ｄ）を得た。
【００７５】
得られた銀粉（Ｄ）について、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（日本電子製  ＪＳＭ−７０００Ｆ）により撮影した画像を図５に示す。図５は、銀粉（Ｄ）の表面を倍率５０００倍で撮影したものである。なお、銀粉（Ｄ）：１００質量部に対する上記第１のピーク及び上記第２のピークの含有量は、それぞれ約２０質量部及び約８０質量部である。
【００７６】
・銀粉（Ｃ）の製造
銀粉（Ｃ）を下記製造方法にて作製した。
ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）  ０.２５ｇ、純水  １００ｇ、硝酸銀  １．１ｇ、及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）  １５０ｇを、反応容器内に仕込み、混合した。得られた混合液を、１００℃まで昇温させた後、温度を１００℃に保ちつつ４００ｒｐｍの回転速度で撹拌しながら１時間反応を行った。得られた反応液を室温まで冷却し、冷却後の反応液に含まれる析出物（銀粉を含む）を、遠心分離機により分離した。分離した析出物をエタノールを用いて３回洗浄して、銀粉（Ｃ）を得た。
【００７７】
得られた銀粉（Ｃ）について、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（日本電子製  ＪＳＭ−７０００Ｆ）により撮影した画像を図６Ａ及び６Ｂに示す。図６Ａ及び６Ｂは、銀粉（Ｃ）の表面をそれぞれ倍率５０００倍及び２００００倍で撮影したものである。
【００７８】
また、銀粉（Ｃ）及び（Ｄ）について、ＳＡＬＤ−２３００（島津製作所製）を用いて、下記条件に基づいてレーザー回折法により測定した粒度分布を図７に示す。
（測定条件）
銀粉０．１ｇを１０ｍｌのエタノールに溶解し、超音波で分散しながら、測定を行う。得られた測定結果をソフトウェアＷｉｎｇＳＡＬＤII（島津製作所製）により解析を行うことにより粒度分布を得る。
【００７９】
なお、本実施例及び比較例において用いる銀粉（Ａ）、（Ａ’）、（Ｂ）、（Ｂ’）、（Ｄ）、及び（Ｃ）の粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０は、ＳＡＬＤ−２３００（島津製作所製）を用いて、下記条件に基づいてレーザー回折法により測定したものを意味する。
（測定条件）
銀粉０．１ｇを１０ｍｌのエタノールに溶解し、超音波で分散しながら、測定を行う。得られた測定結果をソフトウェアＷｉｎｇＳＡＬＤII（島津製作所製）により解析を行うことにより粒径の範囲及びメディアン径Ｄ５０を得る。
【００８０】
３．導電性ペーストの製造
以下の表１〜８に示す組成で実施例１〜３３及び比較例１〜２３の導電性ペーストを調製した。
なお、以下の表１〜８中の各成分の数値は、銀粉の合計を１００質量部とした時の各成分の質量部を表す。
【００８１】
（１）実施例１〜２１及び比較例１〜２３
実施例１〜２１及び比較例１〜２３それぞれの導電性ペーストについて、上記のせん断強度の評価を行った。評価結果を以下の表１〜６に示す。
【００８２】
【表１】
0006778389.tif 000002
【００８３】
【表２】
0006778389.tif 000003
【００８４】
【表３】
0006778389.tif 000004
【００８５】
【表４】
0006778389.tif 000005
【００８６】
【表５】
0006778389.tif 000006
【００８７】
【表６】
0006778389.tif 000007
【００８８】
表１に示した実施例１〜７の導電性ペーストは、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペーストである。
上記表１の結果より、実施例１〜７の導電性ペーストは、焼結体がせん断強度に優れ、良好な接合性を有することがわかった。
その中でも特に、実施例２〜６は、焼結体が２３．８ＭＰａ以上のせん断強度を示し、より良好な接合性を有することがわかった。実施例２〜６は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下である導電性ペーストである。
【００８９】
表２に示した実施例８〜１４の導電性ペーストは、フレーク状銀粉Ａ、粒径が２００ｎｍ以上８００ｎｍ以下の範囲内にあり３００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークと、粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり１．５μｍ以上４μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するピークとを有する、二峰性の粒度分布を有する球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペーストである。
上記表２の結果より、実施例８〜１４の導電性ペーストは、焼結体がせん断強度に優れ、良好な接合性を有することがわかった。
その中でも特に、実施例１０〜１３は、焼結体が３０．１ＭＰａ以上のせん断強度を示し、より良好な接合性を有することがわかった。実施例１０〜１３は、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が２５．０質量部以上６５．０質量部以下である導電性ペーストである。
【００９０】
表３に示した実施例１５〜２１の導電性ペーストは、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペーストである。
上記表３の結果より、実施例１５〜２１の導電性ペーストは、焼結体がせん断強度に優れ、良好な接合性を有することがわかった。
その中でも特に、実施例１６〜２０は、焼結体が２８．９ＭＰａ以上のせん断強度を示し、より良好な接合性を有することがわかった。実施例１６〜２０は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が２０．０質量部以上６５．０質量部以下である導電性ペーストである。
【００９１】
一方、表４に示した比較例１〜４は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃのいずれか１つのみを含む導電性ペーストである。
表５に示した比較例５〜７及び１２〜１５は、フレーク状銀粉Ａを含むものの、銀粉Ｃを含まない導電性ペーストである。
表５に示した比較例８は、フレーク状銀粉Ａ及び銀粉Ｃの両方を含まない導電性ペーストである。
表５に示した比較例９〜１１及び１６は、銀粉Ｃを含むものの、フレーク状銀粉Ａを含まない導電性ペーストである。なお、比較例９〜１１は、銀粉Ｂではなく、３０μｍ未満のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉（銀粉（Ｂ’））を含む。また、比較例１６は、フレーク状銀粉Ａではなく、非フレーク状銀粉（銀粉（Ａ’））を含む。
表５に示した比較例１７は、フレーク状銀粉Ａ及び銀粉Ｃを含むものの、銀粉Ｂ及び球状銀粉Ｄを含まない導電性ペーストである。
上記表４及び５の結果より、比較例１〜１７の導電性ペーストにおいては、焼結体のせん断強度が低く、接合性に劣っていた。
【００９２】
表６に示した比較例１８及び１９は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃを含むものの、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部以下又は９０．０質量部以上である導電性ペーストである。
表６に示した比較例２０及び２１は、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃを含むものの、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部以下又は９０．０質量部以上である導電性ペーストである。
表６に示した比較例２２及び２３は、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃを含むものの、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部以下又は９０．０質量部以上である導電性ペーストである。
上記表６の結果からわかるように、比較例１８〜２３の導電性ペーストは、実施例１〜２１の導電性ペーストに比べて、焼結体のせん断強度が低く、接合性に劣っていた。
【００９３】
フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含む導電性ペースト（以下「導電性ペースト（１）」という）に関する実施例１〜７、並びに比較例１８及び１９、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含む導電性ペースト（以下「導電性ペースト（２）」という）に関する実施例８〜１４、並びに比較例２０及び２１、並びにフレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含む導電性ペースト（以下「導電性ペースト（３）」という）に関する実施例１５〜２１、並びに比較例２２及び２３に関して、せん断強度の実験データをグラフとしたものを図８に示す。
【００９４】
（２）実施例２２〜２４
実施例２２〜２４それぞれの導電性ペーストについて、上記のせん断強度の評価を行った。評価結果を以下の表７に示す。
【００９５】
【表７】
0006778389.tif 000008
【００９６】
表７に示した実施例２２〜２４の導電性ペーストは、実施例３の導電性ペーストと同様の組成を有している。
上記「１．評価方法」の「（１）せん断強度の評価」に示したように、実施例２２は、試験片（１）の代わりに試験片（１’）を使用したものである。実施例２３は、焼結時の雰囲気条件として、窒素雰囲気下の代わりに、大気雰囲気下を採用したものである。実施例２４は、試験片（１）の代わりに試験片（１’）を使用し、焼結時の雰囲気条件として、窒素雰囲気下の代わりに大気雰囲気下を採用したものである。
上記表１の実施例３と上記表７の実施例２２〜２４との比較より、めっき層であるＡｇ層を有さず、表面の酸化銅が除去された状態の銅基板（試験片（１））の代わりにＡｇ層を有する銅基板（試験片（１’））を用いた場合、及び焼結時の雰囲気条件として窒素雰囲気下の代わりに大気雰囲気下の条件を用いた場合には、焼結体が更に優れたせん断強度を示し、より良好な接合性を有することがわかった。その中でも特に、上記試験片（１’）を用い、かつ焼結時の雰囲気条件として大気雰囲気下の条件を用いた実施例２４は、焼結体が際立って優れたせん断強度を示し、極めて良好な接合性を有することがわかった。
以上より、めっき層であるＡｇ層を有さない銅基板を使用し、焼結時の雰囲気条件として窒素雰囲気下を用いた場合に優れたせん断強度を示す本発明の導電性ペーストは、Ａｇ層を有する銅基板を用いた場合や焼結時の雰囲気条件として大気雰囲気下を用いた場合でも、同様か又はそれ以上の優れたせん断強度を示すことがわかった。
【００９７】
（３）実施例２５〜３３
実施例２５〜３３それぞれの導電性ペーストについて、上記のせん断強度の評価を行った。評価結果を以下の表８に示す。
【００９８】
【表８】
0006778389.tif 000009
【００９９】
上記「１．評価方法」の「（１）せん断強度の評価」に示したように、実施例２５〜３３の導電性ペーストは、それぞれ実施例３、１０、及び１７の導電性ペーストと同様の組成を有しており、焼結温度として、２５０℃の代わりに２００℃、２８０℃、又は３００℃を採用したものである。
実施例３、１０、１７、及び２５〜３３のせん断強度の測定結果をまとめ、上述の導電性ペースト（１）〜（３）に関するグラフとしたものを図９に示す。
表１〜３及び８に示した実施例３、１０、１７、及び２５〜３３の結果、並びに図９より、２００〜３００℃のいずれの焼結温度においても良好なせん断強度を示すことがわかった。特に、２００℃という低温の焼結温度でも焼結が進み十分なせん断強度を示すことが確認できた。
【０１００】
（４）焼結体による配線の電気抵抗値（実施例３、１０、及び１７、並びに比較例１３）
実施例３、１０、及び１７、並びに比較例１３について、上記「１．評価方法」の「（２）電気抵抗値の評価」に示したように、焼結体による配線の電気抵抗値の評価も行った。評価結果を以下の表９に示す。
【０１０１】
【表９】
0006778389.tif 000010
【０１０２】
上記表９の結果より、実施例３、１０、及び１７の導電性ペーストは、焼結体による配線の電気抵抗値が低く、良好な導電性を有することがわかった。一方、比較例１３の導電性ペーストは、焼結体による配線の電気抵抗値が高く、導電性が不十分であった。
【０１０３】
（５）各試料の状態
実施例１１のせん断強度測定用試料について、電界放出形走査電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）（日本電子製  ＪＳＭ−７０００Ｆ）により撮影した画像を図１０Ａ〜１０Ｃに示す。
図１０Ａ〜１０Ｃは、実施例１１の試料の断面をそれぞれ倍率３０００倍、１００００倍、及び１００００倍で撮影したものである。
図１０Ａ〜１０Ｃより、各銀粒子が互いに十分に接触及び融合し、良好な焼結体が得られ、当該焼結体により、Ｓｉチップと銅基板との接合が十分になされていることが確認できた。
【０１０４】
また、実施例３のせん断強度測定用試料について、ＳＥＭのエネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）を用いて加速電圧２５ｋＶの条件で測定を行い各元素のマッピングを行った画像を図１１に示す。
図１１からわかるように、図１１の下側に位置する銅基板と、図１１の中央に位置する焼結体との界面には酸素原子が見られないことから、当該界面には酸化銅が形成されておらず、銅基板と焼結体との強固な接合が実現できていることが確認できた。
【０１０５】
以上の結果より、（１）フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペースト、（２）フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペースト、並びに（３）フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、銀粉Ｃ、及び溶剤を含み、フレーク状銀粉Ａ、銀粉Ｂ、球状銀粉Ｄ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満である導電性ペーストは、Ｃｕ基板又はＣｕ電極に塗布して焼結することにより良好な接合性を示すことがわかった。
【要約】
【課題】本発明は、電子基板等を接合した際の接合強度に優れた導電性ペースト、積層体、及びＣｕ基板又はＣｕ電極と導電体との接合方法を提供することを目的とする。
【解決手段】  粒径が１μｍ以上１５μｍ以下の範囲内にあり、２μｍ以上５μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有するフレーク状銀粉Ａ、
粒径が２５μｍ以上１００μｍ以下の範囲内にあり、３０μｍ以上４０μｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｂ、
粒径が１０ｎｍ以上１９０ｎｍ以下の範囲内にあり、５０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下のメディアン径Ｄ５０を有する銀粉Ｃ、及び
溶剤を含み、
前記フレーク状銀粉Ａ、前記銀粉Ｂ、及び銀粉Ｃの合計１００質量部に対して、前記銀粉Ｃの含有量が５．０質量部を超え９０．０質量部未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【選択図】なし【図１】
0006778389.tif 000011
【図２】
0006778389.tif 000012
【図３Ａ】
0006778389.tif 000013
【図３Ｂ】
0006778389.tif 000014
【図４】
0006778389.tif 000015
【図５】
0006778389.tif 000016
【図６Ａ】
0006778389.tif 000017
【図６Ｂ】
0006778389.tif 000018
【図７】
0006778389.tif 000019
【図８】
0006778389.tif 000020
【図９】
0006778389.tif 000021
【図１０Ａ】
0006778389.tif 000022
【図１０Ｂ】
0006778389.tif 000023
【図１０Ｃ】
0006778389.tif 000024
【図１１】
0006778389.tif 000025