(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材粒子と、
前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、
前記導電部が外表面に、複数の突起本体を有し、
前記突起本体が外表面に、複数の突起を有し、
前記突起本体の平均高さの、前記突起本体の外表面に存在する前記突起の平均高さに対する比が、３以上、１０００以下である、導電性粒子。
【請求項２】
前記突起本体の基部の平均径が、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項１に記載の導電性粒子。
【請求項３】
前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起本体がある部分の表面積が３０％以上である、請求項１又は２に記載の導電性粒子。
【請求項４】
前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項５】
前記芯物質の材料のモース硬度が５以上である、請求項４に記載の導電性粒子。
【請求項６】
前記突起本体が、塊状粒子の凝集体ではなく、前記突起本体の外表面は、１つの連続した導電部分である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項７】
前記突起本体の平均高さが、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項８】
前記導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、リチウム、鉄、ルテニウム、白金、銀、ロジウム、イリジウム、金、モリブデン、タングステン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項９】
前記突起本体の外表面に存在する前記突起が、１種の金属原子を９９．９重量％以上で含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１０】
前記突起本体の外表面に存在する前記突起が、１種の金属原子としてニッケルを９９．９重量％以上で含む、請求項９に記載の導電性粒子。
【請求項１１】
前記突起本体に最も多く含まれる金属原子と、前記突起本体の外表面に存在する前記突起に最も多く含まれる金属原子とが、同じである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１２】
前記突起本体の外表面に存在する複数の前記突起の少なくとも一部が先細りしている針状であり、
前記突起本体の外表面に存在する複数の前記突起の少なくとも一部の先端が、点状である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１３】
前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の導電性粒子。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料。
【請求項１５】
第１の接続対象部材と、
第２の接続対象部材と、
前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、
前記接続部の材料が、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子に関する。また、本発明は、上記導電性粒子を用いた導電材料及び接続構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電ペースト及び異方性導電フィルム等の異方性導電材料が広く知られている。これらの異方性導電材料では、バインダー樹脂中に導電性粒子が分散されている。
【０００３】
上記異方性導電材料は、各種の接続構造体を得るために、例えば、フレキシブルプリント基板とガラス基板との接続（ＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、半導体チップとフレキシブルプリント基板との接続（ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｆｉｌｍ））、半導体チップとガラス基板との接続（ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ））、並びにフレキシブルプリント基板とガラスエポキシ基板との接続（ＦＯＢ（Ｆｉｌｍ  ｏｎ  Ｂｏａｒｄ））等に使用されている。
【０００４】
上記導電性粒子の一例として、下記の特許文献１には、基材粒子と、該基材粒子の表面に形成された導電層とを備える導電性粒子が開示されている。上記導電層は、ニッケル又はニッケル合金を含有する。上記導電層は、表面に塊状微粒子の凝集体である突起を有する。
【０００５】
下記の特許文献２には、芯材粒子の表面に、金属又は合金の皮膜が形成された導電性粒子が開示されている。この導電性粒子は、上記皮膜の表面から突出した突起部を複数有する。上記突起部は、上記金属又は合金の粒子が列状に複数個連結した粒子連結体から構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３０２７１６号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１３８５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１，２に記載の導電性粒子では、導電部の外表面に突起が形成されている。しかしながら、特許文献１，２に記載のような導電性粒子とは全く異なる新たな導電性粒子の開発が望まれている。例えば、導電性粒子における導電部の外表面の突起の形状が異なれば、導電性粒子に異なる性質が付与される可能性がある。
【０００８】
特に、導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、一般に、電極間に導電性粒子を配置して、加熱及び加圧が行われる。特許文献１，２に記載の導電性粒子では、突起が折れやすく、電極間の接続抵抗が高くなることがある。また、折れた突起によって、絶縁不良が生じることがある。
【０００９】
本発明の目的は、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起を有する導電性粒子において、導電部の外表面の突起全体の形状が従来の形状とは異なる新規な導電性粒子を提供することである。
【００１０】
また、本発明の限定的な目的は、導通信頼性及び絶縁信頼性を高めることができる導電性粒子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の広い局面によれば、基材粒子と、前記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、前記導電部が外表面に、複数の突起本体を有し、前記突起本体が外表面に、複数の突起を有する、導電性粒子が提供される。
【００１２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体の平均高さの、前記突起本体の外表面に存在する前記突起の平均高さに対する比が、３以上、１０００以下である。
【００１３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体の基部の平均径が、１０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。
【００１４】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部の外表面の全表面積１００％中、前記突起本体がある部分の表面積が３０％以上である。
【００１５】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面を隆起させている複数の芯物質を備える。
【００１６】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記芯物質の材料のモース硬度が５以上である。
【００１７】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体が、塊状粒子の凝集体ではなく、前記突起本体の外表面は、１つの連続した導電部分である。
【００１８】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前突起本体の平均高さが、５ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下である。
【００１９】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電部が、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、リチウム、鉄、ルテニウム、白金、銀、ロジウム、イリジウム、金、モリブデン、タングステン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
【００２０】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体の外表面に存在する前記突起が、１種の金属原子を９９．９重量％以上で含み、好ましくは、前記突起本体の外表面に存在する前記突起が、１種の金属原子としてニッケルを９９．９重量％以上で含む。
【００２１】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体に最も多く含まれる金属原子と、前記突起本体の外表面に存在する前記突起に最も多く含まれる金属原子とが、同じである。
【００２２】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記突起本体の外表面に存在する複数の前記突起の少なくとも一部が先細りしている針状であり、前記突起本体の外表面に存在する複数の前記突起の少なくとも一部の先端が、点状である。
【００２３】
本発明に係る導電性粒子のある特定の局面では、前記導電性粒子は、前記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質をさらに備える。
【００２４】
本発明の広い局面によれば、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む、導電材料が提供される。
【００２５】
本発明の広い局面によれば、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、前記第１の接続対象部材と前記第２の接続対象部材とを接続している接続部とを備え、前記接続部の材料が、上述した導電性粒子であるか、又は前記導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である、接続構造体が提供される。
【発明の効果】
【００２６】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備え、上記導電部が外表面に、複数の突起本体を有し、上記突起本体が外表面に、複数の突起を有するので、上記導電部の外表面の上記突起全体の形状が従来の形状とは異なり、新しい上記突起本体の形状による新たな効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図４】図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図５】図５は、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図７】図７は、本発明の第７の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第８の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【図９】図９は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に示す正面断面図である。
【図１０】図１０は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１１】図１１は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１２】図１２は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１３】図１３は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１４】図１４は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１５】図１５は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１６】図１６は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１７】図１７は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１８】図１８は、製造された導電性粒子の画像である。
【図１９】図１９は、製造された導電性粒子の画像である。
【図２０】図２０は、製造された導電性粒子の画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の詳細を説明する。
【００２９】
本発明に係る導電性粒子は、基材粒子と、上記基材粒子の表面上に配置された導電部とを備える。上記導電部は外表面に、複数の突起本体を有する。上記突起本体は、外表面に、複数の突起を有する。上記突起本体は、上記突起本体の外表面にある上記突起と区別して、突起本体と呼ぶ（但し、本明細書において、突起本体を突起と記載することがある）。上記突起は、例えば、上記突起本体の外表面上に形成された小突起である。上記突起本体は、例えば、外表面に上記突起が形成されている大突起である。
【００３０】
なお、上記突起本体の基部は、上記突起本体の、導電部の上記突起本体が形成されていない部分に連なる部分である。上記突起本体の先端は、上記突起本体の、導電性粒子の中心から離れた位置であり、外側の位置である。
【００３１】
本発明では、基材粒子の表面上に導電部が配置されており、かつ上記導電部が外表面に複数の突起（本発明では突起本体）を有する導電性粒子において、導電部の外表面の突起全体（突起本体と突起本体の外表面上の突起）の形状が従来の形状とは異なる新規な導電性粒子が提供されている。本発明では、突起（突起本体と突起本体の外表面上の突起）を全体でみた形状が、従来の形状とは異なる。本発明に係る導電性粒子では、上記導電部の外表面の上記突起全体の形状が従来の形状とは異なり、新しい上記突起全体の形状に起因する新たな効果が発揮される。
【００３２】
例えば、外表面に複数の突起を有する突起全体の形状によって、突起が先に接触する結果、突起本体が折れにくくなる。上記導電性粒子は、このような性能が求められる用途に好適に用いられる。例えば、導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続する際には、一般に、電極間に導電性粒子を配置して、加熱及び加圧が行われる。本発明に係る導電性粒子を用いて電極間を電気的に接続した場合に、突起本体が折れにくく、接続抵抗を低くすることができる。特に、導電性粒子の表面及び電極の表面に、酸化膜が形成されていることが多い。本発明に係る導電性粒子を用いれば、突起本体の外表面上の突起が、導電性粒子の表面及び電極の表面の酸化膜を貫通しやすいため、電極間の接続抵抗を低くすることができ、導通信頼性を高めることができる。さらに、電極を表面に有する接続対象部材によっては、高い圧力での電極間の電気的な接続が求められることがある。本発明に係る導電性粒子を用いることで、電極間を高い圧力で接続したとしても、接続後に接続抵抗を効果的に低くすることができる。さらに、折れた突起本体による絶縁不良の発生を抑えることができ、絶縁信頼性を高めることができる。
【００３３】
なお、本発明に係る導電性粒子では、表面に導電部が形成されているので、導電性粒子と呼ぶが、本発明に係る導電性粒子の用途は、導電接続用途に限定されない。本発明に係る導電性粒子は、導電性が求められる用途以外にも用いることができる。例えば、本発明に係る導電性粒子は、ギャップ制御材（スペーサ）としても用いることができる。
【００３４】
なお、本発明に係る導電性粒子では、上記導電層は、外表面に突起を有する突起本体（第１の突起部）とは別に、外表面に突起を有さない第２の突起部を有していてもよい。
【００３５】
導通信頼性及び絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記突起本体が、塊状粒子の凝集体ではないことが好ましく、上記突起本体の外表面は、１つの連続した導電部分であることが好ましい。芯物質がある場合に、上記突起本体が、芯物質部分を除いて、１つの連続した導電部分であることが好ましい。
【００３６】
複数の上記突起本体の平均高さＡは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは５００ｎｍ以下である。上記突起本体の平均高さＡが上記下限以上であると、突起本体による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記突起本体の平均高さＡが上記上限以下であると、突起本体が過度に折れにくくなる。なお、折れた突起本体は、電極間の接続抵抗を上昇させることがある。
【００３７】
上記突起本体の平均高さＡは、導電性粒子１個に含まれる突起本体の高さの平均である。上記突起本体の高さは、導電性粒子の中心と突起本体の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、突起本体（及び第２の突起部）が無いと想定した場合の導電部の仮想線（図１に示す破線Ｌ２）上（突起本体（及び第２の突起部）が無いと想定した場合の球状の導電性粒子の外表面上）から突起本体の先端までの距離を示す。すなわち、図１においては、破線Ｌ１と破線Ｌ２との交点から突起本体の先端までの距離を示す。
【００３８】
上記突起本体の外表面に存在する複数の上記突起（突起本体の外表面上の突起）の平均高さａは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上であり、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、更に好ましくは１００ｎｍ以下である。上記突起の平均高さａが上記下限以上であると、突起本体による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記突起の平均高さａが上記上限以下であると、突起本体が過度に折れにくくなる。なお、折れた突起本体は、電極間の接続抵抗を上昇させることがある。
【００３９】
上記突起の平均高さａは、導電性粒子１個に含まれる突起の高さの平均である。上記突起の高さは、突起本体上における、突起が無いと想定した場合の突起本体の仮想線上から、突起の延びる方向にむかって、突起の先端までの距離を示す。
【００４０】
複数の上記突起本体の基部の平均径Ｂは、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは５０ｎｍ以上、更に好ましくは１００ｎｍ以上、特に好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下である。上記平均径Ｂが上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記平均径Ｂが上記上限以下であると、突起本体による接触性及び貫通性がより一層高くなる。
【００４１】
上記突起本体の基部の平均径Ｂは、導電性粒子１個に含まれる突起本体の基部の径の平均である。基部の径は、突起本体における基部のそれぞれの最大径である。導電性粒子の中心と突起の先端とを結ぶ線（図１に示す破線Ｌ１）上における、突起本体（及び第２の突起部）が無いと想定した場合の導電部の仮想線部分（図１に示す破線Ｌ２）の端部が、上記突起本体の基部であり、上記仮想線部分の端部間距離が突起本体の径である。
【００４２】
複数の上記突起本体の平均高さＡの、複数の上記突起の平均高さａに対する比（平均高さＡ／平均高さａ）は、好ましくは３以上、より好ましくは５以上、更に好ましくは１０以上、特に好ましくは１００以上であり、好ましくは１００００以下、より好ましくは１０００以下である。上記比（平均高さＡ／平均高さａ）が上記下限以上であると、突起本体による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記比（平均高さＡ／平均高さａ）が上記上限以下であると、突起本体が過度に折れにくくなる。また、上記比（平均高さＡ／平均高さａ）が上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間を電気的に接続したときに、接続されてはならない横方向に隣接する電極間が電気的に接続され難い。
【００４３】
複数の上記突起本体の平均高さＡの、複数の上記突起本体の基部の平均径Ｂに対する比（平均高さＡ／平均径Ｂ）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．５以上であり、好ましくは５．０以下、より好ましくは３．０以下である。上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記下限以上であると、突起本体による接触性及び貫通性がより一層高くなる。上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記上限以下であると、突起本体が過度に折れにくくなる。また、上記比（平均高さＡ／平均径Ｂ）が上記上限以下であると、接続されるべき上下の電極間を電気的に接続したときに、接続されてはならない横方向に隣接する電極間が電気的に接続され難い。
【００４４】
上記導電性粒子１個あたりの上記導電部の外表面の、上記突起本体は、好ましくは３個以上、より好ましくは５個以上である。上記突起本体の数の上限は特に限定されない。上記突起本体の数の上限は導電性粒子の粒子径等を考慮して適宜選択できる。
【００４５】
導通信頼性及び絶縁信頼性を効果的に高める観点からは、上記導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起本体がある部分の表面積は好ましくは１０％以上、より好ましくは２０％以上、更に好ましくは３０％以上である。上記導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起本体がある部分の表面積の占める割合の上限は特に限定されない。上記導電部の外表面の全表面積１００％中、上記突起本体がある部分の表面積は好ましくは９９％以下、より好ましくは９５％以下である。
【００４６】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明する。なお、各実施形態における異なる部分構成は、適宜置き換えて、組み合わせることが可能である。
【００４７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００４８】
図１に示すように、導電性粒子１は、基材粒子２と、導電部３と、芯物質４とを備える。
【００４９】
導電部３は、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１は、基材粒子２の表面が導電部３により被覆された被覆粒子である。導電部３は連続皮膜である。
【００５０】
導電性粒子１は導電性の表面に、複数の突起を有する。導電部３は外表面に、複数の突起本体３ａを有する。複数の突起本体３ａの形状は、上述した形状である。複数の突起本体３ａは外表面に、複数の突起３ａａを有する。導電部３は外表面に、第２の突起部３ｂを有する。
【００５１】
複数の芯物質４が、基材粒子２の表面上に配置されている。複数の芯物質４は、導電部３の内側に配置されており、導電部３内に埋め込まれている。芯物質４は、突起本体３ａの内側に配置されている。導電部３は、複数の芯物質４を被覆している。複数の芯物質４により導電部３の外表面が隆起されており、突起本体３ａが形成されている。
【００５２】
図２は、本発明の第２の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００５３】
図２に示すように、導電性粒子１Ａは、基材粒子２と、導電部３Ａとを備える。
【００５４】
導電部３Ａは、基材粒子２の表面上に配置されている。導電性粒子１Ａは導電性の表面に、複数の突起を有する。導電部３Ａは外表面に、複数の突起本体３Ａａを有する。複数の突起本体３Ａａは外表面に、複数の突起３Ａａａを有する。導電部３Ａは外表面に、第２の突起部を有さない。
【００５５】
導電性粒子１Ａは、芯物質を備えていない。導電部３Ａは、第１の部分と、該第１の部分よりも厚みが厚い第２の部分とを有する。複数の突起本体３Ａａを除く部分（第２の突起部がある場合には第２の突起部も除く部分）が、導電部３Ａの上記第１の部分である。複数の突起本体３Ａａ（第１の突起部）は、導電部３Ａの厚みが厚い上記第２の部分である（第２の突起部がある場合には第２の突起部も第２の部分である）。
【００５６】
導電性粒子１，１Ａのように、第２の突起部３ｂが存在していてもよく、第２の突起部３ｂが存在していなくてもよい。
【００５７】
図３は、本発明の第３の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００５８】
図３に示すように、導電性粒子１Ｂは、基材粒子２と、導電部３Ｂと、芯物質４とを備える。導電性粒子１Ｂは導電性の表面に、複数の突起を有する。
【００５９】
導電性粒子１と導電性粒子１Ｂとでは、導電部のみが異なっている。すなわち、導電性粒子１では、１層構造の導電部３が形成されているのに対し、導電性粒子１Ｂでは、多層（２層）の導電部３Ｂが形成されている。
【００６０】
導電部３Ｂは、第１の導電部３ＢＡ及び第２の導電部３ＢＢを有する。第１，第２の導電部３ＢＡ，３ＢＢは、基材粒子２の表面上に配置されている。基材粒子２と第２の導電部３ＢＢとの間に、第１の導電部３ＢＡが配置されている。従って、基材粒子２の表面上に第１の導電部３ＢＡが配置されており、第１の導電部３ＢＡの表面上に第２の導電部３ＢＢが配置されている。第１の導電部３ＢＡの外形は球状である。導電性粒子１Ｂは導電性の表面に、複数の第２の突起部３Ｂｂを有する。導電部３Ｂは、外表面に複数の突起本体３Ｂａを有する。第２の導電部３ＢＢは外表面に、複数の突起本体３ＢＢａを有する。第２の導電部３ＢＢは外表面に、複数の第２の突起部３ＢＢｂを有する。複数の突起本体３Ｂａは外表面に、複数の突起３Ｂａａを有する。複数の突起本体３ＢＢａは外表面に、複数の突起３ＢＢａａを有する。
【００６１】
図４は、本発明の第４の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００６２】
図４に示すように、導電性粒子１Ｃは、基材粒子２と、導電部３と、芯物質４と、絶縁性物質５を備える。
【００６３】
導電性粒子１Ｃは、導電性粒子１の外表面に絶縁性物質５が配置された導電性粒子である。導電部３の外表面上に、絶縁性物質５が配置されている。本実施形態では、絶縁性物質５は、絶縁性粒子である。導電部３の外表面の少なくとも一部の領域が、絶縁性物質５により被覆されている。絶縁性物質５は絶縁性を有する材料により形成されている。このように、本発明に係る導電性粒子は、導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を有することが好ましい。
【００６４】
図５は、本発明の第５の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００６５】
図５に示すように、導電性粒子１Ｄは、基材粒子２と、導電部３Ｄと、芯物質４とを備える。導電部３Ｄは、外表面に複数の突起本体３Ｄａを有する。複数の突起本体３Ｄａは外表面に、複数の突起３Ｄａａを有する。導電部３は外表面に、第２の突起部３Ｄｂを有する。
【００６６】
導電性粒子１と導電性粒子１Ｄとでは、突起本体３ａ，３Ｄａの外表面に存在する突起３ａａ，３Ｄａａのみが異なっている。導電性粒子１では、突起３ａａは先細りしている針状ではないのに対して、導電性粒子１Ｄでは、突起３Ｄａａは先細りしている針状である。突起３Ｄａａの先端は、点状である。
【００６７】
図６は、本発明の第６の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００６８】
図６に示すように、導電性粒子１Ｅは、基材粒子２と、導電部３Ｅとを備える。導電部３Ｅは、外表面に複数の突起本体３Ｅａを有する。複数の突起本体３Ｅａは外表面に、複数の突起３Ｅａａを有する。
【００６９】
導電性粒子１Ａと導電性粒子１Ｅとでは、突起本体３Ａａ，３Ｅａの外表面に存在する突起３Ａａａ，３Ｅａａのみが異なっている。導電性粒子１Ａでは、突起３Ａａａは先細りしている針状ではないのに対して、導電性粒子１Ｅでは、突起３Ｅａａは先細りしている針状である。突起３Ｅａａの先端は、点状である。
【００７０】
図７は、本発明の第７の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００７１】
図７に示すように、導電性粒子１Ｆは、基材粒子２と、導電部３Ｆと、芯物質４とを備える。導電部３Ｆは、外表面に複数の突起本体３Ｆａを有する。複数の突起本体３Ｆａは外表面に、複数の突起３Ｆａａを有する。導電部３Ｆは、第１の導電部３ＦＡ及び第２の導電部３ＦＢを有する。第２の導電部３ＦＢは外表面に、複数の突起本体３ＦＢａを有する。複数の突起本体３ＦＢａは外表面に、複数の突起３ＦＢａａを有する。第２の導電部３ＦＢは外表面に、複数の第２の突起部３ＦＢｂを有する。
【００７２】
導電性粒子１Ｂと導電性粒子１Ｆとでは、突起本体３Ｂａ，３Ｆａの外表面に存在する突起３Ｂａａ，３Ｆａａのみが異なっている。突起３Ｂａａ，３Ｆａａの相違は、突起３ＢＢａａ，突起３ＦＢａａの相違に由来する。導電性粒子１Ｂでは、突起３Ｂａａは先細りしている針状ではないのに対して、導電性粒子１Ｆでは、突起３Ｆａａは先細りしている針状である。突起３Ｆａａの先端は、点状である。
【００７３】
図８は、本発明の第８の実施形態に係る導電性粒子を模式的に示す断面図である。
【００７４】
図８に示すように、導電性粒子１Ｇは、基材粒子２と、導電部３Ｄと、芯物質４と、絶縁性物質５を備える。
【００７５】
導電性粒子１Ｇは、導電性粒子１Ｄの外表面に絶縁性物質５が配置された導電性粒子である。
【００７６】
また、図１０〜２０に、実際に製造された導電性粒子の画像を示した。図１０〜２０に示す導電性粒子は、導電部の外表面に複数の突起本体を少なくとも有する。
【００７７】
以下、導電性粒子をより詳しく説明する。
【００７８】
（導電性粒子）
［基材粒子］
上記基材粒子としては、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子、有機無機ハイブリッド粒子及び金属粒子等が挙げられる。上記基材粒子は、金属粒子を除く基材粒子であることが好ましく、樹脂粒子、金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることがより好ましい。上記基材粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有していてもよく、コアシェル粒子であってもよい。上記コアが有機コアであってもよく、上記シェルが無機シェルであってもよい。
【００７９】
上記基材粒子は、樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であることが更に好ましく、樹脂粒子であってもよく、有機無機ハイブリッド粒子であってもよい。これらの好ましい基材粒子の使用により、電極間の電気的な接続に、より一層適した導電性粒子が得られる。
【００８０】
上記導電性粒子を用いて電極間を接続する際には、上記導電性粒子を電極間に配置した後、圧着することにより上記導電性粒子を圧縮させる。基材粒子が樹脂粒子又は有機無機ハイブリッド粒子であると、上記圧着の際に上記導電性粒子が変形しやすく、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなる。このため、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【００８１】
上記樹脂粒子を形成するための樹脂として、種々の有機物が好適に用いられる。上記樹脂粒子を形成するための樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン等のポリオレフィン樹脂；ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート等のアクリル樹脂；ポリアルキレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、飽和ポリエステル樹脂、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリアセタール、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルスルホン、及び、エチレン性不飽和基を有する種々の重合性単量体を１種もしくは２種以上重合させて得られる重合体等が挙げられる。導電材料に適した任意の圧縮時の物性を有する樹脂粒子を設計及び合成することができ、かつ基材粒子の硬度を好適な範囲に容易に制御できるので、上記樹脂粒子を形成するための樹脂は、エチレン性不飽和基を複数有する重合性単量体を１種又は２種以上重合させた重合体であることが好ましい。
【００８２】
上記樹脂粒子を、エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を重合させて得る場合には、上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体としては、非架橋性の単量体と架橋性の単量体とが挙げられる。
【００８３】
上記非架橋性の単量体としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレン等のスチレン系単量体；（メタ）アクリル酸、マレイン酸、無水マレイン酸等のカルボキシル基含有単量体；メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等のアルキル（メタ）アクリレート類；２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、グリセロール（メタ）アクリレート、ポリオキシエチレン（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート等の酸素原子含有（メタ）アクリレート類；（メタ）アクリロニトリル等のニトリル含有単量体；メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、プロピルビニルエーテル等のビニルエーテル類；酢酸ビニル、酪酸ビニル、ラウリン酸ビニル、ステアリン酸ビニル等の酸ビニルエステル類；エチレン、プロピレン、イソプレン、ブタジエン等の不飽和炭化水素；トリフルオロメチル（メタ）アクリレート、ペンタフルオロエチル（メタ）アクリレート、塩化ビニル、フッ化ビニル、クロルスチレン等のハロゲン含有単量体等が挙げられる。
【００８４】
上記架橋性の単量体としては、例えば、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、グリセロールトリ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等の多官能（メタ）アクリレート類；トリアリル（イソ）シアヌレート、トリアリルトリメリテート、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、ジアリルアクリルアミド、ジアリルエーテル、γ−（メタ）アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルスチレン、ビニルトリメトキシシラン等のシラン含有単量体等が挙げられる。
【００８５】
上記エチレン性不飽和基を有する重合性単量体を、公知の方法により重合させることで、上記樹脂粒子を得ることができる。この方法としては、例えば、ラジカル重合開始剤の存在下で懸濁重合する方法、並びに非架橋の種粒子を用いてラジカル重合開始剤とともに単量体を膨潤させて重合する方法等が挙げられる。
【００８６】
上記基材粒子が金属粒子を除く無機粒子又は有機無機ハイブリッド粒子である場合に、上記基材粒子を形成するための無機物としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム、ジルコニア及びカーボンブラック等が挙げられる。上記無機物は金属ではないことが好ましい。上記シリカにより形成された粒子としては特に限定されないが、例えば、加水分解性のアルコキシシリル基を２つ以上持つケイ素化合物を加水分解して架橋重合体粒子を形成した後に、必要に応じて焼成を行うことにより得られる粒子が挙げられる。上記有機無機ハイブリッド粒子としては、例えば、架橋したアルコキシシリルポリマーとアクリル樹脂とにより形成された有機無機ハイブリッド粒子等が挙げられる。
【００８７】
上記有機無機ハイブリッド粒子は、コアと、該コアの表面上に配置されたシェルとを有するコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。上記コアが有機コアであることが好ましい。上記シェルが無機シェルであることが好ましい。電極間の接続抵抗を効果的に低くする観点からは、上記基材粒子は、有機コアと上記有機コアの表面上に配置された無機シェルとを有する有機無機ハイブリッド粒子であることが好ましい。
【００８８】
上記有機コアを形成するための材料としては、上述した樹脂粒子を形成するための樹脂等が挙げられる。
【００８９】
上記無機シェルを形成するための材料としては、上述した基材粒子を形成するための無機物が挙げられる。上記無機シェルを形成するための材料は、シリカであることが好ましい。上記無機シェルは、上記コアの表面上で、金属アルコキシドをゾルゲル法によりシェル状物とした後、該シェル状物を焼結させることにより形成されていることが好ましい。上記金属アルコキシドはシランアルコキシドであることが好ましい。上記無機シェルはシランアルコキシドにより形成されていることが好ましい。
【００９０】
上記コアの粒径は、好ましくは０．５μｍ以上、より好ましくは１μｍ以上であり、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、特に好ましくは２０μｍ以下、最も好ましくは１０μｍ以下である。上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。例えば、上記コアの粒径が上記下限以上及び上記上限以下であると、上記導電性粒子を用いて電極間を接続した場合に、導電性粒子と電極との接触面積が充分に大きくなり、かつ導電部を形成する際に凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。また、導電性粒子を介して接続された電極間の間隔が大きくなりすぎず、かつ導電部が基材粒子の表面から剥離し難くなる。
【００９１】
上記コアの粒径は、上記コアが真球状である場合には直径を意味し、上記コアが真球状以外の形状である場合には、最大径を意味する。また、コアの粒径は、コアを任意の粒径測定装置により測定した平均粒径を意味する。例えば、レーザー光散乱、電気抵抗値変化、撮像後の画像解析などの原理を用いた粒度分布測定機が利用できる。
【００９２】
上記シェルの厚みは、好ましくは１００ｎｍ以上、より好ましくは２００ｎｍ以上であり、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。上記シェルの厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の電気的な接続により一層適した導電性粒子が得られ、基材粒子を導電性粒子の用途に好適に使用可能になる。上記シェルの厚みは、基材粒子１個あたりの平均厚みである。ゾルゲル法の制御によって、上記シェルの厚みを制御可能である。
【００９３】
上記基材粒子が金属粒子である場合に、該金属粒子を形成するための金属としては、銀、銅、ニッケル、ケイ素、金及びチタン等が挙げられる。但し、上記基材粒子は金属粒子ではないことが好ましい。
【００９４】
上記基材粒子の粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上、より一層好ましくは１μｍ以上、更に好ましくは１．５μｍ以上、特に好ましくは２μｍ以上であり、好ましくは１０００μｍ以下、より好ましくは５００μｍ以下、より一層好ましくは３００μｍ以下、更に好ましくは１００μｍ以下、更に好ましくは５０μｍ以下、更に一層好ましくは３０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下、最も好ましくは３μｍ以下である。上記基材粒子の粒子径が上記下限以上であると、導電性粒子と電極との接触面積が大きくなるため、電極間の導通信頼性がより一層高くなり、導電性粒子を介して接続された電極間の接続抵抗がより一層低くなる。さらに、基材粒子の表面に導電部を無電解めっきにより形成する際に凝集し難くなり、凝集した導電性粒子が形成されにくくなる。基材粒子の平均粒子径が上記上限以下であると、導電性粒子が充分に圧縮されやすく、電極間の接続抵抗がより一層低くなり、更に電極間の間隔が狭くなる。
【００９５】
上記基材粒子の粒子径は、基材粒子が真球状である場合には、直径を示し、基材粒子が真球状ではない場合には、最大径を示す。
【００９６】
［導電部］
上記導電部の上記突起本体（及び上記第２の突起部）が無い部分の厚みは、好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．３μｍ以下である。上記導電部の上記突起本体が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、充分な導電性が得られ、かつ導電性粒子が硬くなりすぎずに、電極間の接続の際に導電性粒子が充分に変形する。
【００９７】
上記導電部が複数の層により形成されている場合に、最外層の導電層の上記突起本体（及び上記第２の突起部）が無い部分の厚みは、特に最外層が金層である場合の金層の厚みは、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは０．５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以下である。上記最外層の導電層の上記突起本体が無い部分の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電層による被覆が均一になり、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が内層の導電部よりも高価である場合に、最外層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。
【００９８】
上記導電部の上記突起本体（及び上記第２の突起部）が無い部分の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定できる。
【００９９】
上記基材粒子の表面上に上記導電部を形成する方法としては、無電解めっきにより上記導電部を形成する方法、並びに電気めっきにより上記導電部を形成する方法等が挙げられる。
【０１００】
上記導電部は導電層であることが好ましい。上記導電部の材料である金属は特に限定されない。上記導電部の材料である金属としては、金、銀、銅、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、イリジウム、リチウム、白金、亜鉛、鉄、錫、鉛、アルミニウム、コバルト、インジウム、ニッケル、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、タリウム、ゲルマニウム、カドミウム、ケイ素、タングステン、モリブデン及びこれらの合金等が挙げられる。また、上記金属としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）及びはんだ等が挙げられる。
【０１０１】
電極間の接続抵抗をより一層低くすることができるので、錫を含む合金、ニッケル、パラジウム、銅又は金が好ましく、ニッケル又はパラジウム、銅がより好ましい。突起本体を有する上記導電部は、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、リチウム、鉄、ルテニウム、白金、銀、ロジウム、イリジウム、金、モリブデン、タングステン、リン及びホウ素からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましく、銅と、ニッケルと、リン又はボロン（ホウ素）とを含むことがより好ましい。上記導電部の材料は、リン及びボロンなどを含む合金であってもよい。上記導電部では、ニッケルとタングステン又はモリブデンとが合金化していてもよい。
【０１０２】
電極間の接続抵抗を効果的に低くし、上記導電部における結晶化度をより一層好適な範囲に制御する観点からは、上記導電部は、銅又はニッケルを含むことが好ましく、ニッケルを含むことがより好ましい。この場合、ニッケルなどの金属は、他の金属と合金化していてもよい。
【０１０３】
外表面に複数の突起本体を有する上記導電部１００重量％中、銅又はニッケルの含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは２５重量％以上、更に好ましくは４０重量％以上であり、好ましくは１００重量％（全量）以下である。上記導電部におけるニッケルの含有量が上記下限以上、及び上記上限以下であることが好ましい。
【０１０４】
上記導電部はニッケルを主金属として含むことが好ましい。ニッケルを含む導電部全体１００重量％中、ニッケルの含有量は５０重量％以上であることが好ましい。ニッケルを含む導電部１００重量％中、ニッケルの含有量は好ましくは６５重量％以上、より好ましくは８０重量％以上、更に好ましくは９０重量％以上である。ニッケルの含有量が上記下限以上であると、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１０５】
突起本体を有する上記導電部はリン又はボロンを含むことが好ましく、上記ニッケルを含む導電部はリン又はボロンを含むことが好ましい。上記導電部がリン又はボロンを含む場合に、リン又はボロンを含む導電部１００重量％中、リンとボロンとの合計の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは１重量％以上、更に好ましくは３重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下である。リンとボロンとの合計の含有量が上記上限以下であると、導電部の抵抗がより一層低くなり、またニッケルなどの金属の含有量が相対的に多くなるので、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。
【０１０６】
特に、リンの含有量が５重量％以上であると、接続抵抗の信頼性がより一層高くなり、リンの含有量が１０重量％を超えると、密着性が向上し、接続抵抗の信頼性がより一層高くなる。
【０１０７】
上記導電部におけるニッケル、ボロン及びリンの含有量を制御する方法としては、例えば、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ニッケルめっき液のｐＨを制御する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、ボロン含有還元剤の濃度を調整する方法、無電解ニッケルめっきにより導電部を形成する際に、リン含有還元剤の濃度を調整する方法、並びにニッケルめっき液中のニッケル濃度を調整する方法等が挙げられる。
【０１０８】
電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記突起本体の外表面に存在する複数の上記突起が、１種の金属原子を９９重量％以上で含むことが好ましく、１種の金属原子を９９．９重量％以上で含むことがより好ましい。
【０１０９】
電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記突起本体の外表面に存在する複数の上記突起が、ニッケルを９９重量％以上で含むことが好ましく、ニッケルを９９．９重量％以上で含むことがより好ましい。
【０１１０】
突起の過度の折れを抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記突起本体に最も多く含まれる金属原子と、上記突起本体の外表面に存在する上記突起に最も多く含まれる金属原子とが、同じであることが好ましい。突起の過度の折れを抑え、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記突起本体に最も多く含まれる金属原子と、上記突起本体の外表面に存在する上記突起に最も多く含まれる金属原子とがそれぞれ、ニッケルであることが好ましい。
【０１１１】
電極に突起による凹部を形成し、電極間の接続抵抗をより一層低くする観点からは、上記突起本体の外表面に存在する複数の上記突起の少なくとも一部が先細りしている針状であることが好ましく、上記突起本体の外表面に存在する複数の上記突起の少なくとも一部の先端が、点状であることが好ましい。また、針状の突起によって、突起部分の表面積を増加させることができ、導通性を効果的に高め、電極間の接続抵抗を効果的に低くすることができる。
【０１１２】
突起本体の外表面上の突起の合計数１００％中、針状の突起は好ましくは３０％以上、より好ましくは５０％以上、更に好ましくは７０％以上、好ましくは１００％以下である。
【０１１３】
針状の形状を有する複数の上記突起の頂角の平均Ｃは好ましくは１０°以上、より好ましくは２０°以上、好ましくは６０°以下、より好ましくは４５°以下である。上記頂角の平均Ｃが上記下限以上であると、突起が過度に折れにくくなる。上記頂角の平均Ｃが上記上限以下であると、突起による接触性及び貫通性がより一層高くなる。なお、折れた突起は、電極間の接続抵抗を上昇させることがある。
【０１１４】
上記導電部は、１つの層により形成されていてもよく、複数の層（多層）により形成されていてもよい。すなわち、導電部は、単層であってもよく、２層以上の積層構造を有していてもよい。導電部が多層の導電部である場合に、導電部の最も外側に位置する導電部が、外表面に複数の突起本体を有する。導電部が複数の層により形成されている場合には、耐腐食性がより一層高くする観点から、最外層は、金層、ニッケル層、パラジウム層、銅層又は錫と銀とを含む合金層であることが好ましく、金層又はパラジウム層であることがより好ましく、金層であることが特に好ましい。最外層がこれらの好ましい導電部である場合には、電極間の接続抵抗がより一層低くなる。また、最外層が金層である場合には、耐腐食性がより一層高くなる。
【０１１５】
粒子の表面上に導電部を形成する方法は特に限定されない。導電部を形成する方法としては、例えば、無電解めっきによる方法、電気めっきによる方法、物理的蒸着による方法、並びに金属粉末もしくは金属粉末とバインダーとを含むペーストを粒子の表面にコーティングする方法等が挙げられる。導電部の形成が簡便であるので、無電解めっきによる方法が好ましい。上記物理的蒸着による方法としては、真空蒸着、イオンプレーティング及びイオンスパッタリング等の方法が挙げられる。
【０１１６】
導電部の外表面に突起本体を形成する方法としては、下記の方法が挙げられる。
【０１１７】
還元剤を用いて金属錯体の還元反応により金属核を生成し、金属核を導電部に吸着させることで析出突起を形成する方法、並びに金属芯材又は無機芯材をめっき液中に添加して複合めっきにより複合突起を形成する方法等が挙げられる。
【０１１８】
突起本体が全体で、例えば、基部から先端に向けて先細りしている形状を有するようにする観点では、還元剤を用いて金属錯体との還元反応により、柱状結晶成長を促進させ、非イオン性界面活性剤の吸着により、局部的にめっき反応抑制面とめっき反応促進面を形成することにより先細りしている突起形状を形成する方法が好ましい。
【０１１９】
導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法としては、下記の方法が挙げられる。
【０１２０】
還元剤としてヒドラジンを用いた無電解高純度ニッケルめっきによる方法、還元剤としてヒドラジンを用いた無電解パラジウム−ニッケル合金による方法、還元剤として次亜リン酸化合物を用いた無電解ＣｏＮｉＰ合金めっき方法、並びに還元剤として次亜リン酸化合物を用いた無電解銅−ニッケル−リン合金めっきによる方法等が挙げられる。
【０１２１】
無電解めっきにより形成する方法では、一般的に、触媒化工程と、無電解めっき工程とが行われる。以下、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、銅及びニッケルを含む合金めっき層及び導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。
【０１２２】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１２３】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。
【０１２４】
上記無電解めっき工程では、銅含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解銅−ニッケル−リン合金めっき方法において、還元剤として次亜リン酸化合物を含み、還元剤の反応開始金属触媒としてニッケル含有化合物を含み、かつ非イオン系界面活性剤を含む銅−ニッケル−リン合金めっき液を用いることが好ましい。
【０１２５】
銅−ニッケル−リン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、銅−ニッケル−リン合金を析出させることができ、銅、ニッケル及びリンを含む導電層を形成できる。
【０１２６】
上記銅含有化合物としては、硫酸銅、塩化第二銅、及び硝酸銅等が挙げられる。上記銅含有化合物は、硫酸銅であることが好ましい。
【０１２７】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。
【０１２８】
上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。
【０１２９】
上記錯化剤は、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも１種の錯化剤を含有することが好ましい。
【０１３０】
上記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤が挙げられ、特に非イオン性界面活性剤が好適である。好ましい非イオン性界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましい非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。好ましくは、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール又はフェノールエトキシレートである。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００のポリプロピレングリコールが特に好ましい。
【０１３１】
導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、銅化合物とニッケル化合物のモル比を制御することが望ましい。上記の銅化合物の使用量は、ニッケル化合物に対するモル比で２倍から１００倍であることが好ましい。
【０１３２】
また、上記の非イオン系界面活性剤等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、非イオン系界面活性剤を用いることが好ましく、分子量１０００のポリプロピレングリコールを用いることが特に好ましい。
【０１３３】
また、分子量の違う非イオン系界面活性剤を複数添加する事により、突起の形状を制御することが好ましい。
【０１３４】
例えば、分子量４００のポリプロピレングリコールと分子量１０００のポリプロピレングリコールと分子量２０００のポリプロピレングリコールの３種類をめっき液に添加すると三角柱状の突起を形成できる。
【０１３５】
また、例えば、分子量２０００のポリプロピレングリコール２０００と分子量３０００のポリプロピレングリコール３０００の２種類をめっき液に添加すると四角柱状の突起を形成できる。
【０１３６】
上記の非イオン系界面活性剤の使用量は、主金属化合物に対するモル比で０．５倍から１００倍であることが好ましい。
【０１３７】
複数の突起の平均高さａの、複数の上記突起の基部の平均径Ｃに対する比（平均高さａ／平均径Ｃ）は、導電部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。
【０１３８】
次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、高純度ニッケルめっき層及び導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。
【０１３９】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１４０】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。
【０１４１】
上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解高純度ニッケルめっき方法において、還元剤としてヒドラジンを含む高純度ニッケルめっき液が好適に用いられる。
【０１４２】
高純度ニッケルめっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、高純度ニッケルめっきを析出させることができ、高純度ニッケルの導電層を形成できる。
【０１４３】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、塩化ニッケルであることが好ましい。
【０１４４】
上記の還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが挙げられる。上記の還元剤は、ヒドラジン一水和物であることが好ましい。
【０１４５】
上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、トリカルボン酸系であるクエン酸ナトリウムであることが好ましい。
【０１４６】
導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、めっき液のｐＨを８．０以上に調整することが好ましい。還元剤としてヒドラジンを用いる無電解めっき液では、ヒドラジンの酸化反応によりニッケルを還元する際にｐＨの急激な低下をともなう。上記のｐＨの急激な低下を抑制するために、リン酸、ホウ酸、炭酸等の緩衝剤を用いることが好ましい。上記緩衝剤は、ｐＨ８．０以上の緩衝作用の効果があるホウ酸であることが好ましい。
【０１４７】
上記界面活性剤としては、アニオン系、カチオン系、ノニオン系又は両性の界面活性剤が挙げられ、特に非イオン性界面活性剤が好適である。好ましい非イオン性界面活性剤は、エーテル酸素原子を含むポリエーテルである。好ましい非イオン性界面活性剤としては、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコール、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルアミン、及びエチレンジアミンのポリオキシアルキレン付加物等が挙げられる。好ましくは、ポリオキシエチレンモノブチルエーテル、ポリオキシプロピレンモノブチルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレングリコールモノブチルエーテルなどのポリオキシエチレンモノアルキルエーテル、ポリエチレングリコール又はフェノールエトキシレートである。上記界面活性剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。分子量１０００のポリエチレングリコールが特に好ましい。
【０１４８】
また、上記の非イオン系界面活性剤等を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには、非イオン系界面活性剤を用いることが好ましく、分子量１０００のポリエチレングリコールを用いることが特に好ましい。
【０１４９】
また、分子量の違う非イオン系界面活性剤を複数添加することにより、突起の形状をコントロールすることが好ましい。
【０１５０】
例えば、分子量２００のポリエチレングリコール２００と分子量２０００のポリエチレングリコール２との２種類をめっき液に添加するとフレーク状の突起を形成できる。
【０１５１】
上記の非イオン系界面活性剤の使用量は、主金属化合物に対するモル比で０．００１倍から１０倍であることが好ましい。
【０１５２】
複数の突起の平均高さａの、複数の上記突起の基部の平均径Ｃに対する比（平均高さａ／平均径Ｃ）は、導電部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は、好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。
【０１５３】
次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、パラジウム−ニッケル合金めっき層及び導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の例を説明する。
【０１５４】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１５５】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。
【０１５６】
上記無電解めっき工程では、ニッケル含有化合物、パラジウム化合物、安定剤、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解パラジウム−ニッケルめっき方法において、還元剤としてヒドラジンを含むパラジウム−ニッケル合金めっき液が好適に用いられる。
【０１５７】
パラジウム−ニッケル合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、パラジウム−ニッケル合金めっきを析出させることができ、パラジウム−ニッケルの導電層を形成できる。
【０１５８】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。
【０１５９】
上記パラジウム含有化合物としては、ジクロロエチレンジアミンパラジウム（ＩＩ）、塩化パラジウム、ジクロロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、ジニトロジアンミンパラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硝酸塩、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）硫酸塩、オキザラトジアンミンパラジウム（ＩＩ）、テトラアンミンパラジウム（ＩＩ）シュウ酸塩、及びテトラアンミンパラジウム（ＩＩ）クロライド等が挙げられる。上記パラジウム含有化合物は、塩化パラジウムであることが好ましい。
【０１６０】
上記安定剤としては、鉛化合物、ビスマス化合物、及びタリウム化合物等が挙げられる。これらの化合物としては、具体的には、化合物を構成する金属（鉛、ビスマス、タリウム）の硫酸塩、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、及び塩酸塩等が挙げられる。環境への影響を考慮すると、ビスマス化合物及びタリウム化合物の内の少なくとも１種が好ましい。
【０１６１】
上記の還元剤としては、ヒドラジン一水和物、塩酸ヒドラジン、及び硫酸ヒドラジンが挙げられる。上記の還元剤は、ヒドラジン一水和物であることが好ましい。
【０１６２】
上記錯化剤としては、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤等が挙げられる。上記錯化剤は、アミノ酸系であるエチレンジアミンであることが好ましい。
【０１６３】
導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、めっき液のｐＨを８．０から１０．０に調整することが好ましい。ｐＨ７．５以下では、めっき液の安定性が低下し、浴分解を引き起こすため、ｐＨ８．０以上にすることが好ましい。
【０１６４】
複数の突起の平均高さａの、複数の上記突起の基部の平均径Ｃに対する比（平均高さａ／平均径Ｃ）は、導電部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。
【０１６５】
次に、無電解めっきにより、樹脂粒子の表面に、コバルトとニッケルを含む合金めっき層及び導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成する方法の一例を説明する。
【０１６６】
上記触媒化工程では、無電解めっきによりめっき層を形成するための起点となる触媒を、樹脂粒子の表面に形成させる。
【０１６７】
上記触媒を樹脂粒子の表面に形成させる方法としては、例えば、塩化パラジウムと塩化スズとを含む溶液に、樹脂粒子を添加した後、酸溶液又はアルカリ溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法、並びに硫酸パラジウムとアミノピリジンとを含有する溶液に、樹脂粒子を添加した後、還元剤を含む溶液により樹脂粒子の表面を活性化させて、樹脂粒子の表面にパラジウムを析出させる方法等が挙げられる。上記還元剤として、リン含有還元剤が用いられる。また、上記還元剤として、リン含有還元剤を用いることで、リンを含む導電層を形成できる。
【０１６８】
上記無電解めっき工程では、コバルト含有化合物、無機添加剤、錯化剤及び還元剤を含有するめっき液を用いる無電解コバルト−ニッケル−リン合金めっき方法において、還元剤として次亜リン酸化合物を含み、還元剤の反応開始金属触媒としてコバルト含有化合物を含むコバルト−ニッケル−リン合金めっき液が好適に用いられる。
【０１６９】
コバルト−ニッケル−リン合金めっき浴中に樹脂粒子を浸漬することにより、触媒が表面に形成された樹脂粒子の表面に、コバルト−ニッケル−リン合金を析出させることができ、コバルト、ニッケル、及びリンを含む導電層を形成できる。
【０１７０】
上記コバルト含有化合物は、硫酸コバルト、塩化コバルト、硝酸コバルト、酢酸コバルト、炭酸コバルであることが好ましい。上記コバルト含有化合物は、硫酸コバルトであることが好ましい。
【０１７１】
上記ニッケル含有化合物としては、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、炭酸ニッケル、スルファミン酸ニッケル、及び硝酸ニッケル等が挙げられる。上記ニッケル含有化合物は、硫酸ニッケルであることが好ましい。
【０１７２】
上記リン含有還元剤としては、次亜リン酸、及び次亜リン酸ナトリウム等が挙げられる。上記リン含有還元剤に加えて、ボロン含有還元剤を用いてもよい。上記ボロン含有還元剤としては、ジメチルアミンボラン、水素化ホウ素ナトリウム及び水素化ホウ素カリウム等が挙げられる。
【０１７３】
上記錯化剤は、酢酸ナトリウム、プロピオン酸ナトリウム等のモノカルボン酸系錯化剤、マロン酸ニナトリウム等のジカルボン酸系錯化剤、コハク酸ニナトリウム等のトリカルボン酸系錯化剤、乳酸、ＤＬ−リンゴ酸、ロシェル塩、クエン酸ナトリウム、グルコン酸ナトリウム等のヒドロキシ酸系錯化剤、グリシン、ＥＤＴＡ等のアミノ酸系錯化剤、エチレンジアミン等のアミン系錯化剤、マレイン酸等の有機酸系錯化剤、並びに、これらの塩からなる群より選択される少なくとも１種の錯化剤を含有することが好ましい。
【０１７４】
上記無機添加剤は、硫酸アンモニウム、塩化アンモニウム、及びホウ酸からなる群より選択された少なくとも１種であることが好ましい。上記無機添加剤は、無電解コバルトめっき層の析出を促進させる作用をするものと考えられる。
【０１７５】
導電部の外表面に先細りしている針状の形状を有する突起を形成するためには、コバルト化合物とニッケル化合物とのモル比を制御することが望ましい。上記のコバルト化合物の使用量は、ニッケル化合物に対するモル比で２倍から１００倍であることが好ましい。
【０１７６】
また、上記の無機添加剤を用いなくても、針状の形状を有する突起が得られる。より頂角が小さく、鋭利に先細りしている形状の突起を形成するためには無機添加剤を用いることが好ましく、硫酸アンモニウムを用いることが特に好ましい。
【０１７７】
複数の突起の平均高さａの、複数の上記突起の基部の平均径Ｃに対する比（平均高さａ／平均径Ｃ）は、導電部の厚みに依存し、めっき浴への浸漬時間で制御することができる。めっき温度は好ましくは３０℃以上、好ましくは１００℃以下であり、まためっき浴への浸漬時間は好ましくは５分以上である。
【０１７８】
上記突起が無い部分における導電部全体の厚みは、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、更に好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは５０ｎｍ以上、好ましくは１０００ｎｍ以下、より好ましくは８００ｎｍ以下、更に好ましくは５００ｎｍ以下、特に好ましくは４００ｎｍ以下、最も好ましくは３００ｎｍ以下である。導電部全体の厚みが上記下限以上であると、導電性粒子の導電性がより一層良好になる。導電部全体の厚みが上記上限以下であると、基材粒子と導電部との熱膨張率の差が小さくなり、基材粒子から導電部が剥離し難くなる。上記導電部の厚みは、導電部が複数の導電部（第１の導電部と第２の導電部）を有する場合には、導電部全体の厚み（第１，第２の導電部の合計の厚み）を示す。
【０１７９】
上記導電部が複数の導電部を有する場合に、最外層の上記突起が無い部分における導電部の厚みは、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、好ましくは５００ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下である。上記最外層の導電部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、最外層の導電部による被覆を均一にでき、耐腐食性が充分に高くなり、かつ電極間の接続抵抗が充分に低くなる。また、上記最外層が内層の導電部よりも高価である場合に、最外層の厚みが薄いほど、コストが低くなる。
【０１８０】
上記導電部の厚みは、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて、導電性粒子の断面を観察することにより測定可能である。
【０１８１】
［芯物質］
上記導電性粒子は、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることが好ましく、上記導電部内において、複数の上記突起を形成するように、上記導電部の表面を隆起させている複数の芯物質を備えることがより好ましい。上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子及び導電部の外表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。例えば、無電解めっきにより芯物質を用いずに突起を形成する方法として、無電解めっきにより金属核を発生させ、基材粒子又は導電部の表面に金属核を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。
【０１８２】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法等が挙げられる。
【０１８３】
上記基材粒子の表面上に芯物質を配置する方法としては、例えば、基材粒子の分散液中に、芯物質を添加し、基材粒子の表面に芯物質を、例えば、ファンデルワールス力により集積させ、付着させる方法、並びに基材粒子を入れた容器に、芯物質を添加し、容器の回転等による機械的な作用により基材粒子の表面に芯物質を付着させる方法等が挙げられる。なかでも、付着させる芯物質の量を制御しやすいため、分散液中の基材粒子の表面に芯物質を集積させ、付着させる方法が好ましい。
【０１８４】
上記芯物質が上記導電部中に埋め込まれていることによって、上記導電部が外表面に複数の突起を有するようにすることが容易である。但し、導電性粒子の導電性の表面及び導電部の表面に突起を形成するために、芯物質を必ずしも用いなくてもよい。
【０１８５】
上記突起を形成する方法としては、基材粒子の表面に芯物質を付着させた後、無電解めっきにより導電部を形成する方法、基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成した後、芯物質を付着させ、更に無電解めっきにより導電部を形成する方法、並びに基材粒子の表面に無電解めっきにより導電部を形成する途中段階で芯物質を添加する方法等が挙げられる。
【０１８６】
上記芯物質の材料としては、導電性物質及び非導電性物質が挙げられる。上記導電性物質としては、例えば、金属、金属の酸化物、黒鉛等の導電性非金属及び導電性ポリマー等が挙げられる。上記導電性ポリマーとしては、ポリアセチレン等が挙げられる。上記非導電性物質としては、シリカ、アルミナ、チタン酸バリウム及びジルコニア等が挙げられる。なかでも、導電性を高めることができ、更に接続抵抗を効果的に低くすることができるので、金属が好ましい。上記芯物質は金属粒子であることが好ましい。上記芯物質の材料である金属としては、上記導電材料の材料として挙げた金属を適宜使用可能である。
【０１８７】
上記芯物質の材料の具体例としては、チタン酸バリウム（モース硬度４．５）、ニッケル（モース硬度５）、シリカ（二酸化珪素、モース硬度６〜７）、酸化チタン（モース硬度７）、ジルコニア（モース硬度８〜９）、アルミナ（モース硬度９）、炭化タングステン（モース硬度９）及びダイヤモンド（モース硬度１０）等が挙げられる。上記無機粒子は、ニッケル、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが好ましく、シリカ、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることがより好ましく、酸化チタン、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが更に好ましく、ジルコニア、アルミナ、炭化タングステン又はダイヤモンドであることが特に好ましい。上記芯物質の材料のモース硬度は好ましくは５以上、より好ましくは６以上、更に好ましくは７以上、特に好ましくは７．５以上である。
【０１８８】
上記芯物質の形状は特に限定されない。芯物質の形状は塊状であることが好ましい。芯物質としては、例えば、粒子状の塊、複数の微小粒子が凝集した凝集塊、及び不定形の塊等が挙げられる。
【０１８９】
上記芯物質の平均径（平均粒子径）は、好ましくは０．００１μｍ以上、より好ましくは０．０５μｍ以上であり、好ましくは０．９μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以下である。上記芯物質の平均径が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の接続抵抗が効果的に低くなる。
【０１９０】
上記芯物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。芯物質の平均径は、任意の芯物質５０個を電子顕微鏡又は光学顕微鏡にて観察し、平均値を算出することにより求められる。
【０１９１】
［絶縁性物質］
本発明に係る導電性粒子は、上記導電部の外表面上に配置された絶縁性物質を備えることが好ましい。この場合には、導電性粒子を電極間の接続に用いると、隣接する電極間の短絡を防止できる。具体的には、複数の導電性粒子が接触したときに、複数の電極間に絶縁性物質が存在するので、上下の電極間ではなく横方向に隣り合う電極間の短絡を防止できる。なお、電極間の接続の際に、２つの電極で導電性粒子を加圧することにより、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。導電部が外表面に複数の突起本体を有するので、導電性粒子の導電部と電極との間の絶縁性物質を容易に排除できる。
【０１９２】
電極間の圧着時に上記絶縁性物質をより一層容易に排除できることから、上記絶縁性物質は、絶縁性粒子であることが好ましい。
【０１９３】
上記絶縁性物質の材料である絶縁性樹脂の具体例としては、ポリオレフィン類、（メタ）アクリレート重合体、（メタ）アクリレート共重合体、ブロックポリマー、熱可塑性樹脂、熱可塑性樹脂の架橋物、熱硬化性樹脂及び水溶性樹脂等が挙げられる。
【０１９４】
上記ポリオレフィン類としては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びエチレン−アクリル酸エステル共重合体等が挙げられる。上記（メタ）アクリレート重合体としては、ポリメチル（メタ）アクリレート、ポリエチル（メタ）アクリレート及びポリブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。上記ブロックポリマーとしては、ポリスチレン、スチレン−アクリル酸エステル共重合体、ＳＢ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、及びＳＢＳ型スチレン−ブタジエンブロック共重合体、並びにこれらの水素添加物等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、ビニル重合体及びビニル共重合体等が挙げられる。上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びメラミン樹脂等が挙げられる。上記水溶性樹脂としては、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンオキシド及びメチルセルロース等が挙げられる。なかでも、水溶性樹脂が好ましく、ポリビニルアルコールがより好ましい。
【０１９５】
上記導電部の表面上に絶縁性物質を配置する方法としては、化学的方法、及び物理的もしくは機械的方法等が挙げられる。上記化学的方法としては、例えば、界面重合法、粒子存在下での懸濁重合法及び乳化重合法等が挙げられる。上記物理的もしくは機械的方法としては、スプレードライ、ハイブリダイゼーション、静電付着法、噴霧法、ディッピング及び真空蒸着による方法等が挙げられる。なかでも、絶縁性物質が脱離し難いことから、上記導電部の表面に、化学結合を介して上記絶縁性物質を配置する方法が好ましい。
【０１９６】
上記導電部の外表面、及び絶縁性粒子の表面はそれぞれ、反応性官能基を有する化合物によって被覆されていてもよい。導電部の外表面と絶縁性粒子の表面とは、直接化学結合していなくてもよく、反応性官能基を有する化合物によって間接的に化学結合していてもよい。導電部の外表面にカルボキシル基を導入した後、該カルボキシル基がポリエチレンイミンなどの高分子電解質を介して絶縁性粒子の表面の官能基と化学結合していても構わない。
【０１９７】
上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は、導電性粒子の粒子径及び導電性粒子の用途等によって適宜選択できる。上記絶縁性物質の平均径（平均粒子径）は好ましくは０．００５μｍ以上、より好ましくは０．０１μｍ以上であり、好ましくは１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ以下である。絶縁性物質の平均径が上記下限以上であると、導電性粒子がバインダー樹脂中に分散されたときに、複数の導電性粒子における導電部同士が接触し難くなる。絶縁性粒子の平均径が上記上限以下であると、電極間の接続の際に、電極と導電性粒子との間の絶縁性物質を排除するために、圧力を高くしすぎる必要がなくなり、高温に加熱する必要もなくなる。
【０１９８】
上記絶縁性物質の「平均径（平均粒子径）」は、数平均径（数平均粒子径）を示す。絶縁性物質の平均径は、粒度分布測定装置等を用いて求められる。
【０１９９】
（導電材料）
本発明に係る導電材料は、上述した導電性粒子と、バインダー樹脂とを含む。上記導電性粒子は、バインダー樹脂中に分散され、導電材料として用いられることが好ましい。上記導電材料は、異方性導電材料であることが好ましい。上記導電材料は、電極の電気的な接続に好適に用いられる。上記導電材料は回路接続材料であることが好ましい。
【０２００】
上記バインダー樹脂は特に限定されない。上記バインダー樹脂は、熱可塑性成分（熱可塑性化合物）又は硬化性成分を含むことが好ましく、硬化性成分を含むことがより好ましい。上記硬化性成分としては、光硬化性成分及び熱硬化性成分が挙げられる。上記光硬化性成分は、光硬化性化合物及び光重合開始剤を含むことが好ましい。上記熱硬化性成分は、熱硬化性化合物及び熱硬化剤を含むことが好ましい。上記バインダー樹脂として、公知の絶縁性の樹脂が用いられる。上記バインダー樹脂としては、例えば、ビニル樹脂、熱可塑性樹脂、硬化性樹脂、熱可塑性ブロック共重合体及びエラストマー等が挙げられる。上記バインダー樹脂は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【０２０１】
上記ビニル樹脂としては、例えば、酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂及びスチレン樹脂等が挙げられる。上記熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体及びポリアミド樹脂等が挙げられる。上記硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂及び不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。なお、上記硬化性樹脂は、常温硬化性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂又は湿気硬化性樹脂であってもよい。上記硬化性樹脂は、硬化剤と併用されてもよい。上記熱可塑性ブロック共重合体としては、例えば、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体の水素添加物、及びスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体の水素添加物等が挙げられる。上記エラストマーとしては、例えば、スチレン−ブタジエン共重合ゴム、及びアクリロニトリル−スチレンブロック共重合ゴム等が挙げられる。
【０２０２】
上記導電材料は、上記導電性粒子及び上記バインダー樹脂の他に、例えば、充填剤、増量剤、軟化剤、可塑剤、重合触媒、硬化触媒、着色剤、酸化防止剤、熱安定剤、光安定剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤及び難燃剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。
【０２０３】
本発明に係る導電材料は、導電ペースト及び導電フィルム等として使用され得る。本発明に係る導電材料が、導電フィルムである場合には、導電性粒子を含む導電フィルムに、導電性粒子を含まないフィルムが積層されていてもよい。上記導電ペーストは、異方性導電ペーストであることが好ましい。上記導電フィルムは、異方性導電フィルムであることが好ましい。
【０２０４】
上記導電材料１００重量％中、上記バインダー樹脂の含有量は好ましくは１０重量％以上、より好ましくは３０重量％以上、更に好ましくは５０重量％以上、特に好ましくは７０重量％以上であり、好ましくは９９．９９重量％以下、より好ましくは９９．９重量％以下である。上記バインダー樹脂の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間に導電性粒子が効率的に配置され、導電材料により接続された接続対象部材の接続信頼性がより一層高くなる。
【０２０５】
上記導電材料１００重量％中、上記導電性粒子の含有量は好ましくは０．０１重量％以上、より好ましくは０．１重量％以上であり、好ましくは８０重量％以下、より好ましくは６０重量％以下、更に好ましくは４０重量％以下、特に好ましくは２０重量％以下、最も好ましくは１０重量％以下である。上記導電性粒子の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、電極間の導通信頼性がより一層高くなる。
【０２０６】
（接続構造体）
本発明に係る導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料を用いて、接続対象部材を接続することにより、接続構造体を得ることができる。
【０２０７】
上記接続構造体は、第１の接続対象部材と、第２の接続対象部材と、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材を接続している接続部とを備え、該接続部の材料が上述した導電性粒子であるか、又は、上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料である接続構造体であることが好ましい。上記接続部が上述した導電性粒子により形成されているか、又は、上述した導電性粒子とバインダー樹脂とを含む導電材料により形成されている接続構造体であることが好ましい。
【０２０８】
図９に、本発明の第１の実施形態に係る導電性粒子を用いた接続構造体を模式的に正面断面図で示す。
【０２０９】
図９に示す接続構造体５１は、第１の接続対象部材５２と、第２の接続対象部材５３と、第１，第２の接続対象部材５２，５３を接続している接続部５４とを備える。接続部５４は、導電性粒子１とバインダー樹脂（硬化したバインダー樹脂など）とを含む。接続部５４は、導電性粒子１を含む導電材料により形成されている。接続部５４は、導電材料を硬化させることにより形成されていることが好ましい。なお、図９では、導電性粒子１は、図示の便宜上、略図的に示されている。導電性粒子１にかえて、導電性粒子１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇなどの他の導電性粒子を用いてもよい。
【０２１０】
第１の接続対象部材５２は表面（上面）に、複数の第１の電極５２ａを有する。第２の接続対象部材５３は表面（下面）に、複数の第２の電極５３ａを有する。第１の電極５２ａと第２の電極５３ａとが、１つ又は複数の導電性粒子１により電気的に接続されている。従って、第１，第２の接続対象部材５２，５３が導電性粒子１により電気的に接続されている。
【０２１１】
上記接続構造体の製造方法は特に限定されない。接続構造体の製造方法の一例としては、第１の接続対象部材と第２の接続対象部材との間に上記導電材料を配置し、積層体を得た後、該積層体を加熱及び加圧する方法等が挙げられる。上記加圧の圧力は９．８×１０４〜４．９×１０６Ｐａ程度である。上記加熱の温度は、１２０〜２２０℃程度である。
【０２１２】
上記接続対象部材としては、具体的には、半導体チップ、コンデンサ及びダイオード等の電子部品、並びにプリント基板、フレキシブルプリント基板、ガラスエポキシ基板及びガラス基板等の回路基板である電子部品等が挙げられる。上記接続対象部材は電子部品であることが好ましい。上記導電性粒子は、電子部品における電極の電気的な接続に用いられることが好ましい。
【０２１３】
上記接続対象部材に設けられている電極としては、金電極、ニッケル電極、錫電極、アルミニウム電極、銅電極、銀電極、ＳＵＳ電極、モリブデン電極及びタングステン電極等の金属電極が挙げられる。上記接続対象部材がフレキシブルプリント基板である場合には、上記電極は金電極、ニッケル電極、錫電極又は銅電極であることが好ましい。上記接続対象部材がガラス基板である場合には、上記電極はアルミニウム電極、銅電極、モリブデン電極又はタングステン電極であることが好ましい。なお、上記電極がアルミニウム電極である場合には、アルミニウムのみで形成された電極であってもよく、金属酸化物層の表面にアルミニウム層が積層された電極であってもよい。上記金属酸化物層の材料としては、３価の金属元素がドープされた酸化インジウム及び３価の金属元素がドープされた酸化亜鉛等が挙げられる。上記３価の金属元素としては、Ｓｎ、Ａｌ及びＧａ等が挙げられる。
【０２１４】
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例のみに限定されない。
【０２１５】
（実施例１）
基材粒子Ａとして、粒子径が３．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０３」）を用意した。
【０２１６】
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。
【０２１７】
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２１８】
また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２１９】
また、無電解ニッケル−ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２２０】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）を得た。
【０２２１】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層を配置して、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）を得た。
【０２２２】
次に、４０℃に調整した分散状態の樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層を配置して、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起形成工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層が配置され、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２２３】
その後、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｈ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、懸濁液（Ｉ）を得た。
【０２２４】
その後、懸濁液（Ｉ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を配置して、表面が複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備える導電性粒子を得た。
【０２２５】
（実施例２）
金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて、実施例１で得られた懸濁液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。
【０２２６】
懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。
【０２２７】
また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｄ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２２８】
また、硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン１０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケめっき液（Ｅ）（ｐＨ８．０）を用意した。
【０２２９】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記ニッケルめっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｅ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２３０】
次に、４０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｇ）に上記突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起形成工程）。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備える粒子（Ｈ）を得た。
【０２３１】
その後、導電層を狙いの厚みにするために、分散状態の樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備える粒子（Ｈ）に上記ニッケルめっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｅ）の滴下速度は５ｍＬ／分、滴下時間は１０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。このようにして、懸濁液を得た。
【０２３２】
その後、懸濁液をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を配置して、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備える導電性粒子を得た。
【０２３３】
（実施例３）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２３４】
また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２３５】
無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム２ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、めっき安定剤（ビスマス化合物）１０ｍｌ／Ｌ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２３６】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１１に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｅ）を用意した。
【０２３７】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起本体の形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）を得た。
【０２３８】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）に上記無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２３９】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｈ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子混合液（Ｉ）を得た。
【０２４０】
その後、粒子混合液（Ｉ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面が複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２４１】
（実施例４）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２４２】
また、ジメチルアミンボラン１００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｃ）（ｐＨ１０．０）を用意した。
【０２４３】
無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム２ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、めっき安定剤（ビスマス化合物）１０ｍｌ／Ｌ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２４４】
針状突起形成用めっき液として、硫酸銅２０ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル２ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、及び非イオン系界面活性剤としてポリプロピレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８に調整した無電解銅−ニッケル−リン合金めっき液である針状突起形成用めっき液（Ｅ）を用意した。
【０２４５】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起本体の形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）を得た。
【０２４６】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｆ）に上記無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は７０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｇ）を得た。粒子（Ｇ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、粒子混合液（Ｈ）を得た。
【０２４７】
次に、８０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｈ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１ｍＬ／分、滴下時間は３０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子混合液（Ｉ）を得た。
【０２４８】
その後、粒子混合液（Ｉ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面が複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２４９】
（実施例５）
金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて、実施例１で得られた懸濁液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。
【０２５０】
懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。
【０２５１】
無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、タングステン酸ナトリウム２ｇ／Ｌ、ジメチルアミンボラン３０ｇ／Ｌ、めっき安定剤（ビスマス化合物）１０ｍｌ／Ｌ、及びクエン酸３ナトリウム３０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６に調整した無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２５２】
フレーク突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３水和物５０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール２００（分子量：２００）１００ｍｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール２０００（分子量：２０００）５ｍｇ／Ｌ、ホウ酸２０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液であるフレーク突起形成用めっき液（Ｅ）を用意した。
【０２５３】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっきを行った。無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解ニッケル−タングステン−ボロン合金めっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２５４】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｇ）に上記フレーク突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。フレーク突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２５５】
その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２５６】
（実施例６）
金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて、実施例１で得られた懸濁液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。
【０２５７】
懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。
【０２５８】
無電解高純度ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム４０ｇ／Ｌ、及びホウ酸２０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）を用意した。
【０２５９】
フレーク突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール２００（分子量：２００）１００ｍｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール２０００（分子量：２０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液であるフレーク突起形成用めっき液（Ｅ）を用意した。
【０２６０】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解高純度ニッケルめっきを行った。無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２６１】
次に、６０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｇ）に上記フレーク突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。フレーク突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２６２】
その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２６３】
（実施例７）
金属ニッケル粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）をアルミナ粒子スラリー（平均粒子径１５０ｎｍ）に変更したこと以外は実施例６と同様にして、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を配置して、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える導電性粒子を得た。
【０２６４】
（実施例８）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２６５】
フレーク状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール２００（分子量：２００）１００ｍｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール２０００（分子量：２０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液であるフレーク状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０２６６】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２６７】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記フレーク状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、フレーク状突起形成及び高純度ニッケルめっきを行った。フレーク状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（フレーク状突起形成及びニッケルめっき）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０２６８】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２６９】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２７０】
（実施例９）
次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて、実施例１で得られた懸濁液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。
【０２７１】
懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。
【０２７２】
無電解高純度ニッケルめっき液として、硫酸ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム４０ｇ／Ｌ、及びホウ酸２０ｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ６．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）を用意した。
【０２７３】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｅ）を用意した。
【０２７４】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解高純度ニッケルめっきを行った。無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｆ）を得た。粒子（Ｆ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２７５】
次に、６０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｇ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｅ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｅ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｈ）を得た。
【０２７６】
その後、懸濁液（Ｈ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２７７】
（実施例１０）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２７８】
針状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、及び非イオン系界面活性剤としてポリプロピレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ９に調整した無電解銅−ニッケル−リン合金めっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０２７９】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２８０】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅−ニッケル−リン合金めっきを行った（針状突起形成及び銅−ニッケル−リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０２８１】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２８２】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２８３】
（実施例１１）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２８４】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル１００ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０２８５】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２８６】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起形成及び高純度ニッケルめっきを行った。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解高純度ニッケルめっきを行った（針状突起形成及びニッケルめっき）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０２８７】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に高純度ニッケル導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２８８】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２８９】
（実施例１２）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２９０】
三角柱状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌと、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、非イオン系界面活性剤としてポリプロピレングリコール４００（分子量：４００）３０ｍｇ／Ｌ、ポリプロピレングリコール１０００（分子量：１０００）１０ｍｇ／Ｌ、及びポリプロピレングリコール２０００（分子量：２０００）１０ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ９に調整した無電解銅−ニッケル−リン合金めっき液である三角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０２９１】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液（Ｄ）を用意した。
【０２９２】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記三角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、三角柱状突起形成を行った。三角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅−ニッケル−リン合金めっきを行った（三角柱状突起形成及び銅−ニッケル−リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０２９３】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０２９４】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０２９５】
（実施例１３）
実施例１で得られた懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０２９６】
四角柱状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、非イオン系界面活性剤としてポリプロピレングリコール２０００（分子量：２０００）５００ｍｇ／Ｌ、及びポリプロピレングリコール３０００（分子量：３０００）１００ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ９に調整した無電解銅−ニッケル−リン合金めっき液である四角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０２９７】
針状突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム２０ｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ１０．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液である針状突起形成用めっき液（Ｄ）を用意した。
【０２９８】
４０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記四角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、四角柱状突起形成を行った。四角柱状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅−ニッケル−リン合金めっきを行った（四角柱状突起形成及び銅−ニッケル−リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０２９９】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０３００】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０３０１】
（実施例１４）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。
【０３０２】
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０３０３】
針状突起形成用めっき液として、硫酸銅１００ｇ／Ｌ、硫酸ニッケル１０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム７０ｇ／Ｌ、ホウ酸１０ｇ／Ｌ、及び非イオン系界面活性剤としてポリプロピレングリコール１０００（分子量：１０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ９に調整した無電解銅−ニッケル−リン合金めっき液である針状突起形成用めっき液（Ｃ）を用意した。
【０３０４】
フレーク突起形成用めっき液として、塩化ニッケル２０ｇ／Ｌ、ヒドラジン一水和物１００ｇ／Ｌ、クエン酸３ナトリウム５０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール２００（分子量：２００）１００ｍｇ／Ｌ、及びポリエチレングリコール２０００（分子量：２０００）５ｍｇ／Ｌを含む混合液を水酸化ナトリウムにてｐＨ８．０に調整した無電解高純度ニッケルめっき液であるフレーク突起形成用めっき液（Ｄ）を用意した。
【０３０５】
６０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記針状突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、針状突起形成を行った。針状突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は６０分間で、無電解銅−ニッケル−リン合金めっきを行った（針状突起形成及び銅−ニッケル−リン合金めっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える粒子（Ｅ）を得た。粒子（Ｅ）を蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ｆ）を得た。
【０３０６】
次に、８０℃に調整した分散状態の懸濁液（Ｆ）に上記フレーク突起形成用めっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。フレーク突起形成用めっき液（Ｄ）の滴下速度は１０ｍＬ／分、滴下時間は２０分間で、突起形成を行った。このようにして、樹脂粒子の表面に銅−ニッケル−リン合金導電層を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える粒子を含む懸濁液（Ｇ）を得た。
【０３０７】
その後、懸濁液（Ｇ）をろ過することにより、粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、表面に複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数のフレーク突起が形成された導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０３０８】
（実施例１５）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が２．５μｍである基材粒子Ｂに変更したこと以外は実施例３と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン導電層を配置して、表面が複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（導電層の厚み：０．３μｍ）を得た。
【０３０９】
（実施例１６）
基材粒子Ａと粒子径のみが異なり、粒子径が１０．０μｍである基材粒子Ｃに変更したこと以外は実施例３と同様にして、導電性粒子を得た。このようにして、樹脂粒子の表面にニッケル−タングステン−ボロン導電層を配置して、表面が複数の突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の針状突起が形成された導電層を備える導電性粒子（導電層の厚み：０．３μｍ）を得た。
【０３１０】
（実施例１７）
粒子径が２．０μｍであるジビニルベンゼン共重合体樹脂粒子（積水化学工業社製「ミクロパールＳＰ−２０２０」）の表面を、ゾルゲル反応による縮合反応を用いて無機シェル（厚み２５０ｎｍ）により被覆したコアシェル型の有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｄ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｄに変更したこと以外は実施例３と同様にして、導電性粒子を得た。
【０３１１】
（実施例１８）
攪拌機及び温度計が取り付けられた５００ｍＬの反応容器内に、０．１３重量％のアンモニア水溶液３００ｇを入れた。次に、反応容器内のアンモニア水溶液中に、メチルトリメトキシシラン４．１ｇと、ビニルトリメトキシシラン１９．２ｇと、シリコーンアルコキシオリゴマー（信越化学工業社製「Ｘ−４１−１０５３」）０．７ｇとの混合物をゆっくりと添加した。撹拌しながら、加水分解及び縮合反応を進行させた後、２５重量％アンモニア水溶液２．４ｍＬを添加した後、アンモニア水溶液中から粒子を単離して、得られた粒子を酸素分圧１０−１７ａｔｍ、３５０℃で２時間焼成して、粒子径が２．５μｍの有機無機ハイブリッド粒子（基材粒子Ｅ）を得た。上記基材粒子Ａを上記基材粒子Ｅに変更したこと以外は実施例３と同様にして、導電性粒子を得た。
【０３１２】
（実施例１９）
４ツ口セパラブルカバー、攪拌翼、三方コック、冷却管及び温度プローブが取り付けられた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、メタクリル酸メチル１００ｍｍｏｌと、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリメチル−Ｎ−２−メタクリロイルオキシエチルアンモニウムクロライド１ｍｍｏｌと、２，２’−アゾビス（２−アミジノプロパン）二塩酸塩１ｍｍｏｌとを含むモノマー組成物を固形分率が５重量％となるようにイオン交換水に秤取した後、２００ｒｐｍで攪拌し、窒素雰囲気下７０℃で２４時間重合を行った。反応終了後、凍結乾燥して、表面にアンモニウム基を有し、平均粒子径２２０ｎｍ及びＣＶ値１０％の絶縁性粒子を得た。
【０３１３】
絶縁性粒子を超音波照射下でイオン交換水に分散させ、絶縁性粒子の１０重量％水分散液を得た。
【０３１４】
実施例１で得られた導電性粒子１０ｇをイオン交換水５００ｍＬに分散させ、絶縁性粒子の水分散液４ｇを添加し、室温で６時間攪拌した。３μｍのメッシュフィルターでろ過した後、更にメタノールで洗浄し、乾燥し、絶縁性粒子が付着した導電性粒子を得た。
【０３１５】
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察したところ、導電性粒子の表面に絶縁性粒子による被覆層が１層のみ形成されていた。画像解析により導電性粒子の中心より２．５μｍの面積に対する絶縁性粒子の被覆面積（即ち絶縁性粒子の粒子径の投影面積）を算出したところ、被覆率は３０％であった。
【０３１６】
上記の変更をしたこと以外は実施例１と同様にして、導電性粒子を得た。すなわち、樹脂粒子の表面にニッケル−ボロン導電層（厚み０．１μｍ）を配置して、表面に突起本体を有し、突起本体の表面上に複数の突起が形成された導電層を備え、導電層の外表面に絶縁性粒子を備える導電性粒子を得た。
【０３１７】
（比較例１）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、上記基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、分散液（Ａ）を得た。
【０３１８】
次に、金属ニッケル粒子スラリー（三井金属社製「２０２０ＳＵＳ」、平均粒子径１５０ｎｍ）１ｇを３分間かけて上記分散液（Ａ）に添加し、芯物質が付着された基材粒子Ａを含む懸濁液（Ｂ）を得た。
【０３１９】
懸濁液（Ｂ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｃ）を得た。
【０３２０】
また、硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ６．０）を用意した。
【０３２１】
５５℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｃ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は９０分間で、無電解ニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−リン導電層が配置され、表面に突起本体を有する導電層を備える導電層を備える粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０３２２】
（比較例２）
パラジウム触媒液５重量％を含むアルカリ溶液１００重量部に、基材粒子Ａ１０重量部を、超音波分散器を用いて分散させた後、溶液をろ過することにより、基材粒子Ａを取り出した。次いで、基材粒子Ａをジメチルアミンボラン１重量％溶液１００重量部に添加し、基材粒子Ａの表面を活性化させた。表面が活性化された基材粒子Ａを十分に水洗した後、蒸留水５００重量部に加え、分散させることにより、懸濁液（Ａ）を得た。
【０３２３】
懸濁液（Ａ）を、硫酸ニッケル５０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム３０ｐｐｍ及び硝酸ビスマス２０ｐｐｍを含む溶液中に入れ、粒子混合液（Ｂ）を得た。
【０３２４】
また、次亜リン酸ナトリウム３００ｇ／Ｌ、及び水酸化ナトリウム０．５ｇ／Ｌを含む突起形成用めっき液（Ｃ）（ｐＨ１２．０）を用意した。
【０３２５】
また、硫酸ニッケル２５０ｇ／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム８５ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム３０ｇ／Ｌ、硝酸タリウム１００ｐｐｍ、及び硝酸ビスマス３０ｐｐｍを含むニッケルめっき液（Ｄ）（ｐＨ６．０）を用意した。
【０３２６】
５０℃に調整した分散状態の粒子混合液（Ｂ）に上記突起形成用めっき液（Ｃ）を徐々に滴下し、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は５分間で、突起形成を行った。突起形成用めっき液（Ｃ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（突起形成工程）。このようにして、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）を得た。
【０３２７】
その後、分散状態のＮｉ突起核及び粒子混合液（Ｅ）に上記ニッケルめっき液（Ｄ）を徐々に滴下し、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下速度は２０ｍＬ／分、滴下時間は９０分間で、無電解ニッケルめっきを行った。ニッケルめっき液（Ｄ）の滴下中は、発生したＮｉ突起核を超音波攪拌により分散しながらニッケルめっきを行った（Ｎｉめっき工程）。その後、ろ過することにより粒子を取り出し、水洗し、乾燥することにより、樹脂粒子の表面にニッケル−リン導電層を配置して、表面に突起本体を有する導電層を備える導電性粒子（突起が無い部分における導電部全体の厚み：０．１μｍ）を得た。
【０３２８】
（評価）
（１）導通信頼性１（接続抵抗の評価）
得られた導電性粒子を含有量が１０重量％となるように、三井化学社製「ストラクトボンドＸＮ−５Ａ」に添加し、分散させて、異方性導電ペーストを作製した。
【０３２９】
Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍであるＩＴＯ電極パターンを上面に有する透明ガラス基板を用意した。また、Ｌ／Ｓが３０μｍ／３０μｍである銅電極パターンを下面に有する半導体チップを用意した。
【０３３０】
上記透明ガラス基板上に、作製直後の異方性導電ペーストを厚さ３０μｍとなるように塗工し、異方性導電ペースト層を形成した。次に、異方性導電ペースト層上に上記半導体チップを、電極同士が対向するように積層した。その後、異方性導電ペースト層の温度が１８５℃となるようにヘッドの温度を調整しながら、半導体チップの上面に加圧加熱ヘッドを載せ、０．５ＭＰａの圧力をかけて異方性導電ペースト層を１８５℃で硬化させて、接続構造体を得た。接続構造体を得るために、電極間を０．５ＭＰａの低圧で接続した。
【０３３１】
得られた接続構造体１５個の上下の電極間の接続抵抗を、４端子法により測定した。接続抵抗の平均値を算出した。なお、電圧＝電流×抵抗の関係から、一定の電流を流した時の電圧を測定することにより接続抵抗を求めることができる。導通信頼性１を下記の基準で判定した。
【０３３２】
［導通信頼性１の判定基準］
○○○：接続抵抗が２．０Ω以下
○○：接続抵抗が２．０Ωを超え、３．０Ω以下
○：接続抵抗が３．０Ωを超え、５．０Ω以下
△：接続抵抗が５．０Ωを超え、１０Ω以下
×：接続抵抗が１０Ωを超える
【０３３３】
（２）導通信頼性２（接続抵抗の評価）
接続構造体を得る際の加圧条件を、０．５ＭＰａの低圧から５ＭＰａの高圧に変更したこと以外は導通信頼性１の評価と同様にして、同様の判定基準で評価を行った。
【０３３４】
（３）絶縁信頼性１
上記（１）の評価で得られた接続構造体１５個を、８５℃及び湿度８５％にて５００時間放置した。放置後の接続構造体において、隣接する電極間に、５Ｖを印加し、抵抗値を２５箇所で測定して、絶縁抵抗の平均値を算出した。絶縁信頼性１を下記の基準で判定した。
【０３３５】
［絶縁信頼性１の判定基準］
○○：絶縁抵抗が１０００ＭΩ以上
○：絶縁抵抗が１００ＭΩ以上、１０００ＭΩ未満
△：絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、１００ＭΩ未満
×：絶縁抵抗が１０ＭΩ未満
【０３３６】
（４）絶縁信頼性２
上記（２）の評価で得られた接続構造体を用いたこと以外は絶縁信頼性１の評価と同様にして、同様の判定基準で評価を行った。
【０３３７】
（５）突起の頂角の測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０３３８】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率１００万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起部を観察した。得られた導電性粒子における突起部の突起の頂角を計測し、それを算術平均して突起の平均頂角とした。
【０３３９】
（６）突起の高さの測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０３４０】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起部を観察した。得られた導電性粒子における突起部の突起の高さを計測し、それを算術平均して突起の平均高さとした。
【０３４１】
（７）突起の基部径の測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０３４２】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起部を観察した。得られた導電性粒子における突起部の突起の基部径を計測し、それを算術平均して突起の平均基部径とした。
【０３４３】
（８）突起の形状の観察
走査型電子顕微鏡（ＦＥ−ＳＥＭ）を用いて、画像倍率を２５０００倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起部を観察し、全ての突起の属する形状の種類を調査した。
【０３４４】
（９）突起における最も含有量が多い金属原子の平均含有量
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０３４５】
導電層の厚み方向における、金属の含有量の分布を測定した。集束イオンビームを用いて、得られた導電性粒子の薄膜切片を作製した。透過型電子顕微鏡ＦＥ−ＴＥＭ（日本電子社製「ＪＥＭ−２０１０ＦＥＦ」）を用いて、エネルギー分散型Ｘ線分析装置（ＥＤＳ）により、導電層の厚み方向における含有する各種金属の含有量を測定した。この結果から、突起部における最も含有量が多い金属の平均含有量を求めた。
【０３４６】
（１０）突起が無い部分における導電部全体の厚みの測定
得られた導電性粒子を含有量が３０重量％となるように、Ｋｕｌｚｅｒ社製「テクノビット４０００」に添加し、分散させて、導電性粒子検査用埋め込み樹脂を作製した。その検査用樹脂中の分散した導電性粒子の中心付近を通るようにイオンミリング装置（日立ハイテクノロジーズ社製「ＩＭ４０００」）を用いて、導電性粒子の断面を切り出した。
【０３４７】
そして、電界放射型透過電子顕微鏡（ＦＥ−ＴＥＭ）（日本電子社製「ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ」）を用いて、画像倍率５万倍に設定し、２０個の導電性粒子を無作為に選択し、それぞれの導電性粒子の突起が無い部分における導電部を観察した。得られた導電性粒子における突起が無い部分における導電部全体の厚みを計測し、それを算術平均して突起の平均基部径とした。
【０３４８】
詳細及び結果を下記の表１，２に示す。下記の表１，２では、上記突起本体がある部分の表面積の割合、複数の上記突起本体の平均高さＡ、複数の上記突起の平均高さａ、複数の上記突起本体の基部の平均径Ｂ、突起の頂角の平均Ｃ、及び、突起における最も含有量が多い金属原子の含有量を示した。なお、全ての実施例において、上記突起本体が、塊状粒子の凝集体ではなく、突起本体の外表面は、１つの連続した導電部分であった。なお、突起本体の外表面に針状の突起が存在している場合に、該針状の突起は、先細りしている。
【０３４９】
【表１】
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【０３５０】
【表２】
0006747816.tif 000003
【符号の説明】
【０３５１】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ，１Ｇ…導電性粒子
２…基材粒子
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｄ，３Ｅ，３Ｆ…導電部（導電層）
３ａ，３Ａａ，３Ｂａ，３Ｄａ，３Ｅａ，３Ｆａ…突起本体
３ａａ，３Ａａａ，３Ｂａａ，３Ｄａａ，３Ｅａａ，３Ｆａａ…突起
３ｂ，３Ｂｂ，３Ｄｂ，３Ｆｂ…第２の突起部
３ＢＡ，３ＦＡ…第１の導電部
３ＢＢ，３ＦＢ…第２の導電部
３ＢＢａ，３ＦＢａ…突起本体
３ＢＢａａ，３ＦＢａａ…突起
３ＢＢｂ，３ＦＢｂ…第２の突起部
４…芯物質
５…絶縁性物質
５１…接続構造体
５２…第１の接続対象部材
５２ａ…第１の電極
５３…第２の接続対象部材
５３ａ…第２の電極
５４…接続部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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