(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（ｉ）
【化１】
0006681035.tif 000115
（式中、Ｘｉ１及びＸｉ２はそれぞれフッ素原子を表し、
Ｙｉ１及びＹｉ２はそれぞれ独立して−Ｏ−を表し、
Ｗｉ１は−ＣＨ２ＣＨ２−を表し、
Ｗｉ２は単結合を表し、
Ｌｉ１及びＬｉ２はそれぞれ独立して水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、Ｌｉ１及びＬｉ２中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−により置き換えられても良く、また、アルキル基又はアルケニル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５はそれぞれ独立して水素原子を表す。）
で表される化合物。
【請求項２】
一般式（ｉ）において、Ｌｉ１及びＬｉ２がそれぞれ独立して炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表す、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の化合物を一種又は二種以上含有する組成物。
【請求項４】
請求項３記載の組成物を使用した液晶表示素子。
【請求項５】
一般式（ｉ−ｒ３）
【化２】
0006681035.tif 000116
（式中、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５は一般式（ｉ）におけるＸｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ１、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、）
で表される化合物中のOH基が塩基により脱プロトン化されて生成したO‐が分子内反応することによる、一般式（ｉ）で表される化合物の製造方法。
【請求項６】
一般式（ｉ−ｒ１）
【化３】
0006681035.tif 000117
（式中、Ｘｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｌｉ２及びＬｉ５は一般式（ｉ）におけるＸｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｌｉ２及びＬｉ５とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｒｉ３及びＲｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲｉ３及びＲｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、又は−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−を表し、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表す。）
で表される化合物と、一般式（ｉ−ｒ２）
【化４】
0006681035.tif 000118
（式中、Ｘｉ１、Ｌｉ１、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＷｉ２は一般式（ｉ）におけるＸｉ１、Ｌｉ１、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＷｉ２とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｘｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）
で表される化合物を遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより、一般式（ｉ−ｒ３）で表される化合物を得る、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
一般式（ｉ−ｒ３）
【化５】
0006681035.tif 000119
（式中、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５は一般式（ｉ）におけるＸｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５とそれぞれ同じ意味を表す。）
で表される化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電子材料や医農薬、特に液晶表示素子用材料として有用な縮合環を有する化合物及びこれらを用いた液晶組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、時計、電卓をはじめとして、各種測定機器、自動車用パネル、ワードプロセッサー、電子手帳、プリンター、コンピューター、テレビ、時計、広告表示板等に用いられている。液晶表示方式としては、その代表的なものにＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いた垂直配向型やＩＰＳ（イン・プレーン・スイッチング）型等の駆動方式がある。これらの液晶表示素子に用いられる液晶組成物は水分、空気、熱、光などの外的要因に対して安定であること、また、室温を中心としてできるだけ広い温度範囲で液晶相（ネマチック相、スメクチック相及びブルー相等）を示し、低粘性であり、かつ駆動電圧が低いことが求められる。更に液晶組成物は個々の表示素子にあわせて誘電率異方性（Δε）及び屈折率異方性（Δｎ）等を最適な値とするために、数種類から数十種類の化合物を選択し、構成されている。【０００３】
液晶組成物を表示素子等として使用する際には、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことが求められる。広い温度範囲にてネマチック相を維持するためには、液晶組成物を構成する個々の成分が他の成分との高い混和性を持つこと、及び高い透明点（Ｔｎｉ）を持つ事が求められる。  また、液晶組成物を表示素子等として使用する際には、可能な限り回転粘性係数（γ１）が低いことが求められる。γ１の低い液晶組成物を得るためには様々な方法があるが、その一つとして大きな｜Δε｜（外挿値）を有する化合物を用いる事が知られている。この理由について以下に説明する。液晶組成物のγ１を低下させるためには、｜Δε｜（外挿値）がほぼ０であり低いγ１（外挿値）を示す非極性化合物の使用量を可能な限り増やすことが有効である。一般的に必要とされる組成物のΔεは液晶パネルごとに決まっており、Δεを付与するためにγ１（外挿値）の大きな極性化合物を添加している。したがって、大きな｜Δε｜（外挿値）を示す化合物に置き換える事で、非極性化合物の使用量を増やすことが出来るため、結果として液晶組成物のγ１低下を達成することが出来る。【０００４】
このように、高いＴｎｉを示し、また、大きな｜Δε｜（外挿値）を示す化合物の開発が求められている。これまで、ジベンゾフラン構造を有する下記のような化合物が報告されているが、Ｔｎｉが十分に大きくないという課題があった（特許文献１及び特許文献２）。【０００５】
【化１】
0006681035.tif 000002
【０００６】
（式中、Ｒ１及びＲ２は各々独立して炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルキニル基を表し、ｍ及びｎは各々独立して０又は１を表す。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】独国特許出願公開第１０２０１５００２２９８号明細書
【特許文献２】独国特許出願公開第１０２０１５００３４１１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、高いＴｎｉを示し、また、大きなΔεを有する化合物を提供し、併せて当該化合物を構成部材とする液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本願発明者らは種々の化合物の検討を行った結果、下記縮合環を有する化合物が効果的に課題を解決できることを見出し、本願発明の完成に至った。【００１０】
本願発明は、一般式（ｉ）【００１１】
【化２】
0006681035.tif 000003
【００１２】
（式中、Ｘｉ１及びＸｉ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基を表し、
Ｙｉ１及びＹｉ２はそれぞれ独立して−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯＯ−、−ＣＦ２−、−ＣＯ−、−ＣＸｉ３Ｘｉ４−を表し、ただし、Ｙｉ１及びＹｉ２のいずれか一つ以上は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯＯ−を表し、
Ｘｉ３、Ｘｉ４はそれぞれ独立してＸｉ１と同じ意味を表し、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表し、
Ｗｉ１は破線が存在しない場合、−ＣＬｉ６Ｌｉ７−ＣＬｉ８Ｌｉ９−、−ＣＬｉ６Ｌｉ７−Ｏ−、−Ｏ−ＣＬｉ８Ｌｉ９−、−ＣＬｉ６Ｌｉ７−Ｓ−、−Ｓ−ＣＬｉ８Ｌｉ９−、又は−ＣＬｉ６＝ＣＬｉ８−を表し、
破線が存在する場合、−ＣＬｉ６Ｌｉ７−ＣＬｉ８＝、−Ｏ−ＣＬｉ８＝、−Ｓ−ＣＬｉ８＝を表し、
Ｗｉ２は単結合又は−ＣＬｉ１０Ｌｉ１１−を表し、
Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４、Ｌｉ５、Ｌｉ６、Ｌｉ７、Ｌｉ８、Ｌｉ９、Ｌｉ１０及びＬｉ１１はそれぞれ独立して水素原子、臭素原子、よう素原子、水酸基、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基又は【００１３】
【化３】
0006681035.tif 000004
【００１４】
（式中、Ｒｉ１は水素原子、臭素原子、よう素原子、水酸基、炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、
Ａｉ１は
（ａ）１，４−シクロへキシレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｏ−又は−Ｓ−に置き換えられても良い。）
（ｂ）１，４−フェニレン基（この基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良く、この基中に存在する１つの水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
（ｃ）１，４−シクロヘキセニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル基（これらの基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、また、ナフタレン−２，６−ジイル基又は１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル基中に存在する１個の−ＣＨ＝又は隣接していない２個以上の−ＣＨ＝は−Ｎ＝に置き換えられても良い。）
からなる群より選ばれる基を表し、
Ｚｉ１は、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２ＣＦ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−又は単結合を表し、
ｎｉ１は１又は２を表すが、ｎｉ１が２を表しＡｉ１及びＺｉ１が複数存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。）
で表される基を表し、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４、Ｌｉ５、Ｌｉ６、Ｌｉ７、Ｌｉ８、Ｌｉ９、Ｌｉ１０及びＬｉ１１中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、また、アルキル基又はアルケニル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良い。）
で表される基を表す。）
で表される化合物を提供し、併せて当該化合物を含有する液晶組成物及び当該液晶組成物を用いた液晶表示素子、並びに当該化合物の製造方法及びその中間体を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により提供される、一般式（ｉ）で表される化合物は、高い透明点（Ｔｎｉ）を有する。従って、一般式（ｉ）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、広い温度範囲において安定なネマチック相を示すことができる。また、本発明により提供される、一般式（ｉ）で表される化合物は、大きな｜Δε｜を示しさらに化学的に高い安定性を併せ持つ。従って、一般式（ｉ）で表される化合物を液晶組成物の成分として用いる事により、低いγ１を示す液晶組成物を得ることができる。このため、高速応答が求められる液晶表示素子用の液晶組成物の構成成分として非常に有用である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
Ｘｉ１及びＸｉ２はそれぞれ独立して、フッ素原子を表すことが好ましく、より負に大きなΔεを示すにはＸｉ１及びＸｉ２が共にフッ素原子を表すことがより好ましい。
【００１７】
Ｙｉ１及びＹｉ２はそれぞれ独立して、酸素原子または硫黄原子を表すことが好ましく、より負に大きなΔεを示すにはＹｉ１及びＹｉ２が共に酸素原子または硫黄原子を表すことがより好ましい。負に大きなΔεを示しつつ液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには共に酸素原子であることが好ましい。γ１を重視する場合にはＹｉ１及びＹｉ２のいずれかが−ＣＨ２−であることが好ましく、Ｙｉ２が−ＣＨ２−であることがより好ましい。より大きなΔｎを示すには共に硫黄原子であることが好ましい。
【００１８】
Ｗｉ１は−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝、−ＯＣＨ＝であることが好ましく、Ｔｎｉ及びγ１を重視する場合には−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝であることがより好ましく、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには−ＣＨ２ＣＨ２−であることがより好ましく、大きなΔｎを示すには−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ２−ＣＨ＝であることがより好ましい。
【００１９】
Ｗｉ２は単結合又は−ＣＨ２ＣＨ２−を表すことが好ましい。
【００２０】
Ｌｉ１及びＬｉ２はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、γ１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。｜Δε｜を大きくさせるためには、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることが特に好ましい。他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｌｉ１及びＬｉ２が異なることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基はＬｉ１及びＬｉ２のいずれか一方であることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基はＬｉ１であることが特に好ましい。Ｌｉ１及びＬｉ２中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、フッ素原子に置換されていないことが好ましい。
【００２１】
また、Ｌｉ１及びＬｉ２は
【００２２】
【化４】
0006681035.tif 000005
【００２３】
を表すことが好ましい。
【００２４】
Ｒｉ１はγ１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。｜Δε｜を大きくさせるためには、炭素原子数１〜８のアルコキシ基又は炭素原子数２〜８のアルケニルオキシ基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルコキシ基又は炭素原子数２〜５のアルケニルオキシ基であることが特に好ましい。Ｒｉ１が複数存在する場合、他の液晶成分との混和性を上昇させるためには、Ｒｉ１が互いに異なることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基は複数存在するＲｉ１のうちいずれか一つであることが好ましく、アルコキシ基又はアルケニルオキシ基はＬｉ１中のＲｉ１であることが特に好ましい。Ｒｉ１中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されていても良いが、フッ素原子に置換されていないことが好ましい。
【００２５】
Ａｉ１は
【００２６】
【化５】
0006681035.tif 000006
【００２７】
から選ばれる基を表すことが好ましい。具体的には、Ａ１はγ１を低下させる為にはトランス−１，４−シクロヘキシレン基、無置換の１，４−フェニレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましく、トランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが特に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、２−フルオロ−１，４−フェニレン基又は３−フルオロ−１，４−フェニレン基であることが好ましい。Ｔｎｉを上昇させる為には、無置換の１，４−フェニレン基、無置換の１，４−シクロヘキシレン基、１，４−シクロヘキセニレン基又は無置換のナフタレン−２，６−ジイル基であることが好ましい。負に大きなΔεを示すためには、２−フルオロ−１，４−フェニレン基、３−フルオロ−１，４−フェニレン基又は２，３−ジフルオロー１，４−フェニレン基であることが好ましい。負に大きなΔεを示しながら、他の液晶成分との混和性を両立させるためには、Ａｉ１中に存在するフッ素原子の数の合計は、１〜４であることが好ましく、１〜３であることが特に好ましい。
【００２８】
Ｚｉ１は、γ１を低下させる為には単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−又は−ＯＣＨ２−であることが好ましく、単結合又は−ＣＨ２ＣＨ２−であることが更に好ましい。Ｔｎｉを上昇させるためには、単結合、−ＣＯＯ−，−ＯＣＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが好ましく、単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−であることが更に好ましい。他の液晶成分との混和性を向上させる為には、単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−又は−ＯＣＨ２−であることが好ましい。液晶表示素子とした際の長期信頼性を向上させるには単結合であることが好ましい。
【００２９】
ｎｉ１が２を表す場合、複数存在するＺｉ１のいずれか一つ以上が単結合を表すことが好ましい。ｎｉ１はγ１を重視する場合には１であることが好ましい。Ｔｎｉを重視する場合には２であることが好ましい。
【００３０】
Ｌｉ３は水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、γ１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。
【００３１】
また、Ｌｉ１が水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表す場合、Ｌｉ３は
【００３２】
【化６】
0006681035.tif 000007
【００３３】
を表すことが好ましい。
【００３４】
Ｌｉ４及びＬｉ５はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、水素原子を表すことがより好ましい。
【００３５】
Ｌｉ６及びＬｉ７はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、γ１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。
【００３６】
Ｌｉ８又はＬｉ９はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数１から１５のアルコキシ基、炭素原子数２から１５のアルケニル基、炭素原子数２から１５のアルケニルオキシ基を表すことが好ましく、γ１を低下させる為には、炭素原子数１〜８のアルキル基又は炭素原子数２〜８のアルケニル基であることが好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基又は炭素原子数２〜５のアルケニル基であることが特に好ましい。また、直鎖状であることが好ましい。
【００３７】
また、Ｌｉ２が水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表す場合、Ｌｉ８又はＬｉ９のいずれか一方が、
【００３８】
【化７】
0006681035.tif 000008
【００３９】
を表すことが好ましい。
【００４０】
Ｌｉ１０及びＬｉ１１はそれぞれ独立して、水素原子、炭素原子数１から１５のアルキル基、炭素原子数２から１５のアルケニル基を表すことが好ましく、水素原子を表すことがより好ましい。
【００４１】
一般式（ｉ）で表される化合物において
【００４２】
【化８】
0006681035.tif 000009
【００４３】
で表される基が存在する場合、他の液晶成分との混和性を高くする為に、当該基の数は２つ以下であることが好ましい。一般式（ｉ）中に当該基の数が２つ存在する場合、Ｌｉ１及びＬｉ２、Ｌｉ１及びＬｉ８、Ｌｉ３及びＬｉ２、又はＬｉ３及びＬｉ８の位置に存在することが好ましい。一般式（ｉ）中に当該基の数が２つ存在する場合、Ｌｉ１及びＬｉ２の位置に存在することが好ましい。  なお、一般式（ｉ）で表される化合物において、ヘテロ原子同士が直接結合する構造となることはない。
一般式（ｉ）の中では以下の一般式（ｉ−１）〜一般式（ｉ−１０００）で表される各化合物が好ましい。その中で特に好ましい化合物は、（ｉ−１）、（ｉ−２）、（ｉ−３）、（ｉ−４）、（ｉ−５）、（ｉ−６）、（ｉ−７）、（ｉ−８）、（ｉ−９）、（ｉ−１０）、（ｉ−１１）、（ｉ−１２）、（ｉ−８９５）、（ｉ−８９６）、（ｉ−８９７）、（ｉ−８９８）、（ｉ−８９９）、（ｉ−９００）である。
【００４４】
【化９】
0006681035.tif 000010
【００４５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００４６】
【化１０】
0006681035.tif 000011
【００４７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００４８】
【化１１】
0006681035.tif 000012
【００４９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００５０】
【化１２】
0006681035.tif 000013
【００５１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００５２】
【化１３】
0006681035.tif 000014
【００５３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００５４】
【化１４】
0006681035.tif 000015
【００５５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００５６】
【化１５】
0006681035.tif 000016
【００５７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００５８】
【化１６】
0006681035.tif 000017
【００５９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００６０】
【化１７】
0006681035.tif 000018
【００６１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００６２】
【化１８】
0006681035.tif 000019
【００６３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００６４】
【化１９】
0006681035.tif 000020
【００６５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００６６】
【化２０】
0006681035.tif 000021
【００６７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００６８】
【化２１】
0006681035.tif 000022
【００６９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００７０】
【化２２】
0006681035.tif 000023
【００７１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００７２】
【化２３】
0006681035.tif 000024
【００７３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００７４】
【化２４】
0006681035.tif 000025
【００７５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００７６】
【化２５】
0006681035.tif 000026
【００７７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００７８】
【化２６】
0006681035.tif 000027
【００７９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００８０】
【化２７】
0006681035.tif 000028
【００８１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００８２】
【化２８】
0006681035.tif 000029
【００８３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００８４】
【化２９】
0006681035.tif 000030
【００８５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００８６】
【化３０】
0006681035.tif 000031
【００８７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００８８】
【化３１】
0006681035.tif 000032
【００８９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００９０】
【化３２】
0006681035.tif 000033
【００９１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００９２】
【化３３】
0006681035.tif 000034
【００９３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００９４】
【化３４】
0006681035.tif 000035
【００９５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００９６】
【化３５】
0006681035.tif 000036
【００９７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【００９８】
【化３６】
0006681035.tif 000037
【００９９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１００】
【化３７】
0006681035.tif 000038
【０１０１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１０２】
【化３８】
0006681035.tif 000039
【０１０３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１０４】
【化３９】
0006681035.tif 000040
【０１０５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１０６】
【化４０】
0006681035.tif 000041
【０１０７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１０８】
【化４１】
0006681035.tif 000042
【０１０９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１１０】
【化４２】
0006681035.tif 000043
【０１１１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１１２】
【化４３】
0006681035.tif 000044
【０１１３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１１４】
【化４４】
0006681035.tif 000045
【０１１５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１１６】
【化４５】
0006681035.tif 000046
【０１１７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１１８】
【化４６】
0006681035.tif 000047
【０１１９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１２０】
【化４７】
0006681035.tif 000048
【０１２１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１２２】
【化４８】
0006681035.tif 000049
【０１２３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１２４】
【化４９】
0006681035.tif 000050
【０１２５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１２６】
【化５０】
0006681035.tif 000051
【０１２７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１２８】
【化５１】
0006681035.tif 000052
【０１２９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１３０】
【化５２】
0006681035.tif 000053
【０１３１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１３２】
【化５３】
0006681035.tif 000054
【０１３３】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１３４】
【化５４】
0006681035.tif 000055
【０１３５】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１３６】
【化５５】
0006681035.tif 000056
【０１３７】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１３８】
【化５６】
0006681035.tif 000057
【０１３９】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１４０】
【化５７】
0006681035.tif 000058
【０１４１】
（式中、Ｒｉ１及びＲｉ２は、一般式（ｉ）におけるＲｉ１と同じ意味を表す。）
【０１４２】
【化５８】
0006681035.tif 000059
【０１４３】
本発明において、一般式（ｉ）で表される化合物は、例えば、一般式（ｉ−ｒ１）
【０１４４】
【化５９】
0006681035.tif 000060
【０１４５】
（式中Ｘｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｌｉ２及びＬｉ５は一般式（ｉ）におけるＸｉ２、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｌｉ２及びＬｉ５とそれぞれ同じ意味を表すが、複数存在するＸｉ２は同一であっても異なっていてもよく、
Ｒｉ３及びＲｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲｉ３及びＲｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、又は−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−を表し、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表す。）
で表される化合物と、一般式（ｉ−ｒ２）
【０１４６】
【化６０】
0006681035.tif 000061
【０１４７】
（式中Ｘｉ１、Ｙｉ１、Ｌｉ１、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＷｉ２は一般式（ｉ）におけるＸｉ１、Ｙｉ１、Ｌｉ１、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＷｉ２とそれぞれ同じ意味を表し、
Ｘｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す。）
で表される化合物を遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより、一般式（ｉ−ｒ３）
【０１４８】
【化６１】
0006681035.tif 000062
【０１４９】
（式中Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ１、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５は一般式（ｉ）におけるＸｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ１、Ｙｉ２、Ｗｉ１、Ｗｉ２、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｌｉ３、Ｌｉ４及びＬｉ５とそれぞれ同じ意味を表すが、複数存在するＸｉ２は同一であっても異なっていてもよく、
破線は結合が存在しなくても良く、存在しても良いことを表す。）
で表される化合物を得た後、該一般式（ｉ−ｒ３）中の−Ｙｉ１−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで分子内反応させることによって得られる。より具体的には、以下のようにして製造することができる。勿論本発明の趣旨及び適用範囲は、これら製造例により制限されるものではない。
（製造方法１）
【０１５０】
【化６２】
0006681035.tif 000063
【０１５１】
（式中、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１と同じ意味を表し、
Ｒｉ３及びＲｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲｉ３及びＲｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、又は−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−を表し、
Ｘｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｘｉ４は臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｙｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１）で表される化合物をほう素化することにより一般式（Ｓ−２）で表される化合物を得ることができる。このほう素化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。
【０１５２】
有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム  ジイソプロピルアミドおよびリチウム  ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
【０１５３】
ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−２）で表される化合物を（Ｓ−３）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−４）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。
【０１５４】
使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。
【０１５５】
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。
【０１５６】
反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
一般式（Ｓ−４）で表される化合物を分子内反応させることによって一般式（Ｓ−５）で表される化合物を得ることができる。この分子内反応は一般式（Ｓ−４）の−Ｙｉ３−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで行うことができる。
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属りん酸塩としてはりん酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
【０１５７】
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０１５８】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−５）で表される化合物をハロゲン化することにより一般式（Ｓ−６）で表される化合物を得ることができる。このハロゲン化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、臭素又はよう素と反応させてハロゲン化合物とすることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。
【０１５９】
有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム  ジイソプロピルアミドおよびリチウム  ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
一般式（Ｓ−６）で表される化合物を（Ｓ−７）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−８）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。
【０１６０】
使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。
【０１６１】
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。
【０１６２】
反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
（製造方法２）
【０１６３】
【化６３】
0006681035.tif 000064
【０１６４】
（式中、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１と同じ意味を表し、
Ｘｉ５は塩素、臭素、よう素、ベンゼンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、メタンスルホニルオキシ基又はトリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｙｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表し、
Ｒｉ２は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表す。）
一般式（Ｓ−５）で表される化合物を酸化することにより一般式（Ｓ−９）で表される化合物を得ることができる。この酸化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とし、その後酸化剤を作用させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム  ジイソプロピルアミドおよびリチウム  ２，２，４，４−テトラメルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
【０１６５】
ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。得られたほう素化合物は一度単離してもよく、単離せずそのまま酸化剤と反応させてもよい。また、得られたほう素化合物を加水分解してほう酸化合物へと変換した後に酸化剤と反応させても構わない。
【０１６６】
酸化剤としては、過酸化水素水、過酢酸または過ギ酸を用いるのが好ましい。反応温度は−７８℃から７０℃が好ましく、０℃から５０℃がより好ましい。また、酸化剤との反応時には、溶媒に水が含まれていても構わない。
【０１６７】
一般式（Ｓ−９）で表される化合物に一般式（Ｓ−１０）で表される化合物を反応させることによって一般式（Ｓ−１１）で表される化合物を得ることができる。この反応は一般式（Ｓ−９）の水酸基を塩基によりフェノラートとして一般式（Ｓ−１０）と反応させることで行うことができる
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属リン酸塩としてはリン酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。  
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０１６８】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。なお、生成したフェノラートを一度単離してから一般式（Ｓ−５）で表される化合物と反応させてもよく、単離せずに反応させてもよいが、作業の容易さから単離せずに反応させたほうがよい。
（製造方法３）
【０１６９】
【化６４】
0006681035.tif 000065
【０１７０】
（式中、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１１は、一般式（ｉ）におけるＬｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１と同じ意味を表し、
Ｙｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−５）で表される化合物を一般式（Ｓ−１１）で表される化合物と反応させることにより一般式（Ｓ−１２）で表される化合物を得ることができる。この反応は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、一般式（Ｓ−１１）と反応させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。
有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム  ジイソプロピルアミドおよびリチウム  ２，２，４，４−テトラメチルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
【０１７１】
一般式（Ｓ−１２）で表される化合物を脱水することにより一般式（Ｓ−１３）で表される化合物を得ることができる。脱水の方法としては、酸の存在下で加熱する方法が挙げられる。酸としては、例えば塩酸、硫酸、重硫酸カリウムなどの無機酸や、酢酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸などの有機酸、トリフッ化ホウ素などのルイス酸が挙げられる。あるいは、脱水の方法として、水酸基をｐ−トルエンスルホン酸クロリド、トリフルオロメタンスルホン酸クロリド、トリホスゲンなどと反応させて脱離基に変換した後、脱離反応を行うことで脱水することもできる。
一般式（Ｓ−１３）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させる事で一般式（Ｓ−１４）で表される化合物を得ることが出来る。
【０１７２】
使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。
【０１７３】
反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。
【０１７４】
使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。
【０１７５】
反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
（製造方法４）
【０１７６】
【化６５】
0006681035.tif 000066
【０１７７】
（式中、Ｌｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１は、一般式（ｉ）におけるＬｉ２、Ｘｉ１、Ｘｉ２、Ｙｉ２及びＷｉ１と同じ意味を表し、
Ｒｉ３は炭素原子数１から１５のアルキル基又は炭素原子数２から１５のアルケニル基を表し、アルキル基又はアルケニル基中に存在する１個の−ＣＨ２−又は隣接していない２個以上の−ＣＨ２−は−Ｃ≡Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯ−により置き換えられても良く、アルキル基又はアルケニル基中に存在する水素原子はフッ素原子に置換されても良く、
Ｘｉ４は臭素原子又はよう素原子を表し、
Ｘｉ５は塩素原子又は臭素原子を表し、
Ｙｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−６）で表される化合物を（Ｓ−１５）で表される化合物と遷移金属触媒存在下反応させることにより一般式（Ｓ−１６）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ニッケル（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。
【０１７８】
使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。
【０１７９】
反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
（製造方法５）
【０１８０】
【化６６】
0006681035.tif 000067
【０１８１】
（式中、Ｌｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１及びＸｉ２は、一般式（ｉ）におけるＬｉ１、Ｌｉ２、Ｘｉ１及びＸｉ２と同じ意味を表し、
Ｒｉ３及びＲｉ４はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、もしくはプロピル基を表すか、またはＲｉ３及びＲｉ４は互いに結合して環状の構造となり−ＣＨ２−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−、又は−ＣＨ２−Ｃ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−を表し、
Ｘｉ３は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表し、
Ｘｉ４は塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基または水酸基を表し、
Ｙｉ３は−Ｏ−又は−Ｓ−を表す。）
一般式（Ｓ−１７）で表される化合物を（Ｓ−１８）で表される化合物と遷移金属触媒及び塩基存在下反応させることにより一般式（Ｓ−１９）で表される化合物を得ることができる。
使用する遷移金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、二塩化ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）が好ましく、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、二塩化［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）又は二塩化ビス［ジ−ｔｅｒｔ−ブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン］パラジウム（ＩＩ）であることが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じてトリフェニルホスフィン等のホスフィン系配位子を添加しても良い。
【０１８２】
使用する反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、エタノール、トルエンが更に好ましい。また、反応を好適に進行させるため、必要に応じて水を用いても良い。
【０１８３】
使用する塩基としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム等の炭酸塩、りん酸三カリウム、りん酸二水素カリウム等のりん酸塩が好ましく、炭酸カリウム、炭酸セシウム、りん酸三カリウムが更に好ましい。
【０１８４】
反応温度としては、反応を好適に進行させるものであれば何度でも構わないが、室温から使用している溶媒が還流する温度までが好ましく、４０℃から溶媒が還流するまでの温度が更に好ましく、６０℃から溶媒が還流するまでの温度であることが特に好ましい。
一般式（Ｓ−１９）で表される化合物を分子内反応させることによって一般式（Ｓ−２０）で表される化合物を得ることができる。この分子内反応は一般式（Ｓ−１９）の−Ｙｉ３−Ｈを塩基により脱プロトン化しアニオンを生成することで行うことができる。
この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属りん酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属りん酸塩としてはりん酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
【０１８５】
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ−ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０１８６】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。
【０１８７】
一般式（Ｓ−２０）で表される化合物を酸化することにより一般式（Ｓ−２１）で表される化合物を得ることができる。この酸化は、有機金属試薬により脱プロトン化した後、ほう酸トリアルキルと反応させてほう素化合物とし、その後酸化剤を作用させることによって行うことができる。
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒および炭化水素系溶媒等を挙げることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ−ブチルメチルエーテル等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等が挙げられ、中でもテトラヒドロフランが好ましい。有機金属試薬としてはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、メチルリチウム、リチウム  ジイソプロピルアミドおよびリチウム  ２，２，４，４−テトラメルピペリジド等を挙げることができ、入手および取り扱いの容易さからｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドが好ましく、効率的に脱プロトン化が可能であるｓｅｃ−ブチルリチウムおよびリチウム  ジイソプロピルアミドがより好ましい。また、脱プロトン化の際には、上記有機金属試薬と共にカリウム−ｔ−ブトキシド、テトラメチルエチレンジアミン等の塩基を添加剤として用いてもよい。脱プロトン化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。
【０１８８】
ほう酸トリアルキルとしては、ほう酸トリメチル、ほう酸トリエチル、ほう酸トリプロピルおよびほう酸トリイソプロピルを用いるのが好ましいが、入手および取り扱いの容易さからほう酸トリメチルおよびほう酸トリイソプロピルがより好ましい。ほう酸トリアルキルと有機金属試薬の組み合わせとしては、上記で挙げたいずれの組み合わせも可能であるが、ｓｅｃ−ブチルリチウムとほう酸トリメチルの組み合わせ、およびリチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせが好ましく、リチウム  ジイソプロピルアミドとほう酸トリイソプロピルの組み合わせがより好ましい。ほう素化の際の反応温度は−１００℃から−２０℃が好ましく、−７８℃から−４０℃がより好ましい。得られたほう素化合物は一度単離してもよく、単離せずそのまま酸化剤と反応させてもよい。また、得られたほう素化合物を加水分解してほう酸化合物へと変換した後に酸化剤と反応させても構わない。
【０１８９】
酸化剤としては、過酸化水素水、過酢酸または過ギ酸を用いるのが好ましい。反応温度は−７８℃から７０℃が好ましく、０℃から５０℃がより好ましい。また、酸化剤との反応時には、溶媒に水が含まれていても構わない。
【０１９０】
一般式（Ｓ−２１）で表される化合物に一般式（Ｓ−２２）で表される化合物を反応させることによって一般式（Ｓ−２３）で表される化合物を得るが、一般式（Ｓ−２２）におけるＸｉ４の置換基の選択により幾つかの反応を用いることが可能である。
【０１９１】
Ｘｉ４が塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、メタンスルホニルオキシ基、ｐ−トルエンスルホニルオキシ基、トリフルオロメタンスルホニルオキシ基を表す化合物を用いた場合、一般式（Ｓ−２１）の水酸基を塩基によりフェノラートとして一般式（Ｓ−２２）と反応させる方法を用いることができる。この場合に使用する塩基としては金属水素化物、金属炭酸塩、金属リン酸塩、金属水酸化物、金属カルボン酸塩、金属アミド及び金属等を挙げることができ、中でもアルカリ金属水素化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属アミド及びアルカリ金属が好ましく、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水素化物及びアルカリ金属炭酸塩は更に好ましい。アルカリ金属水素化物としては水素化リチウム、水素化ナトリウム及び水素化カリウムを、アルカリ金属リン酸塩としてはリン酸三カリウムを、アルカリ金属炭酸塩としては炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸セシウム、炭酸カリウム及び炭酸水素カリウムをそれぞれ好ましく挙げることができる。
【０１９２】
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ-ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル等のエーテル系溶媒及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０１９３】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、３０℃から１２０℃がより好ましい。なお、生成したフェノラートを一度単離してから一般式（Ｓ−２２）で表される化合物と反応させてもよく、単離せずに反応させてもよいが、作業の容易さから単離せずに反応させたほうがよい。
【０１９４】
Ｘｉ４が水酸基を表す場合、光延反応を用いることが可能である。光延反応はアルコールと活性プロトンを持つ多種多様な求核剤とを脱水的に縮合させる反応であり、トリフェニルホスフィンと、アゾジカルボン酸誘導体又はマレイン酸誘導体を組み合わせて用いる。具体的には、一般式（Ｓ−２１）で表される化合物と一般式（Ｓ−２２）で表されるアルコール誘導体を三置換ホスフィン誘導体及びアゾジカルボン酸誘導体存在下に反応させることにより一般式（Ｓ−２３）で表される化合物を得る。
【０１９５】
三置換ホスフィン誘導体としては、トリアルキルホスフィン、トリフェニルホスフィン等が挙げられるがトリフェニルホスフィンが好ましい。又、アゾジカルボン酸誘導体としては種々の化合物が用いられており、アゾジカルボン酸誘導体に替えてマレイン酸誘導体を用いることが可能であるが、取り扱いの容易さよりトリフェニルホスフィンとアゾジカルボン酸誘導体の組み合わせが望ましい。アゾジカルボン酸誘導体としてはジエチル  アゾジカルボキシレート、ジイソプロピル  アゾジカルボキシレート、テトラメチル  アゾジカルボキシアミド、テトラプロピル  アゾジカルボキシアミド、１，１‘−（アゾジカルボニル）ジピペリジンが挙げられるが、入手の容易さよりジエチル  アゾジカルボキシレートおよびジイソプロピル  アゾジカルボキシレートが好ましく、取り扱いの容易さよりジイソプロピル  アゾジカルボキシレートがより好ましい。
【０１９６】
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒および芳香族系溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテルおよびｔ-ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタンおよび四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタンおよびオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼンおよびジクロロベンゼン等を好例として挙げることができる。中でも、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒およびトルエン等の芳香族系溶媒等がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０１９７】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、０℃から１５０℃が好ましく、０℃から３０℃がより好ましい。
【０１９８】
一般式（Ｓ−２３）で表される化合物をシグマトロピー転位させることによって一般式（Ｓ−２４）で表される化合物を得ることができる。
【０１９９】
反応溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、エーテル系溶媒、塩素系溶媒、炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒及び極性溶媒等を好ましく用いることができる。エーテル系溶媒としては、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル及びｔ-ブチルメチルエーテル等を、塩素系溶媒としてはジクロロメタン、１，２−ジクロロエタン及び四塩化炭素等を、炭化水素系溶媒としてはペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、ヘプタン及びオクタン等を、芳香族系溶媒としてはベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン及びジクロロベンゼン等を、極性溶媒としてはＮ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及びスルホラン等を好例として挙げることができる。中でも、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン等の極性溶媒がより好ましい。また、前記の各溶媒を単独で使用しても、２種もしくはそれ以上の溶媒を混合して使用してもよい。
【０２００】
反応温度は溶媒の凝固点から還流温度範囲で行うことができるが、１００℃から２５０℃が好ましく、１５０℃から２５０℃がより好ましい。
【０２０１】
一般式（Ｓ−２４）で表される化合物を有機溶媒中、金属触媒存在下、水素ガスと反応させることにより一般式（Ｓ−２５）で表される化合物を得ることができる。
【０２０２】
使用する有機溶媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、ジイソプロピルエーテル、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサン又はテトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、トルエン又はキシレン等の炭化水素系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール又はブタノール等のアルコール系溶媒、酢酸エチル又は酢酸ブチル等のエステル系溶媒が好ましく、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ヘプタン、トルエン、エタノール又は酢酸エチルが好ましい。また、必要に応じて塩酸、酢酸又は硫酸等の酸を添加する事も好ましい。
【０２０３】
反応温度としては、反応を好適に進行させる温度であればいずれでも構わないが、０℃から８０℃が好ましく、室温から６０℃が更に好ましい。
【０２０４】
使用する金属触媒としては、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、パラジウム炭素、ルテニウム炭素、白金黒又は酸化白金が好ましく、パラジウム炭素が更に好ましい。
【０２０５】
反応する際の水素圧は、反応を好適に進行させるものであればいずれでも構わないが、大気圧から０．５ＭＰａであることが好ましく、０．２ＭＰａから０．５ＭＰａであることが更に好ましい。
【０２０６】
このように、一般式（ｉ）で表される化合物と混合して使用することのできる化合物の好ましい代表例としては、本発明の提供する組成物においては、その第一成分として一般式（ｉ）で表される化合物を少なくとも１種含有するが、その他の成分として特に以下の第二から第四成分から少なくとも１種含有することが好ましい。
【０２０７】
即ち、第二成分は誘電率異方性が負のいわゆるｎ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ３）〜一般式（ＬＣ５）で示される化合物を挙げることができる。
【０２０８】
【化６７】
0006681035.tif 000068
【０２０９】
（式中、ＲＬＣ３１、ＲＬＣ３２、ＲＬＣ４１、ＲＬＣ４２、ＲＬＣ５１及びＲＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、ＡＬＣ３１、ＡＬＣ３２、ＡＬＣ４１、ＡＬＣ４２、ＡＬＣ５１及びＡＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【０２１０】
【化６８】
0006681035.tif 000069
【０２１１】
（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、ＺＬＣ３１、ＺＬＣ３２、ＺＬＣ４１、ＺＬＣ４２、ＺＬＣ５１及びＺＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、Ｚ５は−ＣＨ２−又は酸素原子を表し、ＸＬＣ４１は水素原子又はフッ素原子を表し、ｍＬＣ３１、ｍＬＣ３２、ｍＬＣ４１、ｍＬＣ４２、ｍＬＣ５１及びｍＬＣ５２はそれぞれ独立して０〜３を表し、ｍＬＣ３１＋ｍＬＣ３２、ｍＬＣ４１＋ｍＬＣ４２及びｍＬＣ５１＋ｍＬＣ５２は１、２又は３であり、ＡＬＣ３１〜ＡＬＣ５２、ＺＬＣ３１〜ＺＬＣ５２が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
ＲＬＣ３１〜ＲＬＣ５２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、
【０２１２】
【化６９】
0006681035.tif 000070
【０２１３】
（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
ＡＬＣ３１〜ＡＬＣ５２はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、
【０２１４】
【化７０】
0006681035.tif 000071
【０２１５】
ＺＬＣ３１〜ＺＬＣ５１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＯＣＨ２−が好ましい。
【０２１６】
一般式（ＬＣ３）は、下記一般式（ＬＣ３−ａ）及び一般式（ＬＣ３−ｂ）
【０２１７】
【化７１】
0006681035.tif 000072
【０２１８】
（式中、ＲＬＣ３１、ＲＬＣ３２、ＡＬＣ３１及びＺＬＣ３１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲＬＣ３１、ＲＬＣ３２、ＡＬＣ３１及びＺＬＣ３１と同じ意味を表し、ＸＬＣ３ｂ１〜ＸＬＣ３ｂ６は水素原子又はフッ素原子を表すが、ＸＬＣ３ｂ１及びＸＬＣ３ｂ２又はＸＬＣ３ｂ３及びＸＬＣ３ｂ４のうちの少なくとも一方の組み合わせは共にフッ素原子を表し、ｍＬＣ３ａ１は１、２又は３であり、ｍＬＣ３ｂ１は０又は１を表し、ＡＬＣ３１及びＺＬＣ３１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。ただし、一般式（ＬＣ３−ａ）において一般式（ＬＣ３−ｂ）で表される群より選ばれる化合物を除く。）で表される化合物群から選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
ＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【０２１９】
ＡＬＣ３１は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表すことが好ましく、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基を表すことがより好ましい。
【０２２０】
ＺＬＣ３１は単結合、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。
【０２２１】
一般式（ＬＣ３−ａ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ａ１）〜一般式（ＬＣ３−ａ４）を表すことが好ましい。
【０２２２】
【化７２】
0006681035.tif 000073
【０２２３】
（式中、ＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２と同じ意味を表す。）
ＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、ＲＬＣ３１が炭素原子数１〜７のアルキル基を表し、ＲＬＣ３２が炭素原子数１〜７のアルコキシ基を表すことがより好ましい。
【０２２４】
一般式（ＬＣ３−ｂ）としては、下記一般式（ＬＣ３−ｂ１）〜一般式（ＬＣ３−ｂ１２）を表すことが好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）、一般式（ＬＣ３−ｂ６）、一般式（ＬＣ３−ｂ８）、一般式（ＬＣ３−ｂ１１）を表すことがより好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）及び一般式（ＬＣ３−ｂ６）を表すことがさらに好ましく、一般式（ＬＣ３−ｂ１）を表すことが最も好ましい。
【０２２５】
【化７３】
0006681035.tif 000074
【０２２６】
（式中、ＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ３）におけるＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２と同じ意味を表す。）
ＲＬＣ３１及びＲＬＣ３２はそれぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、ＲＬＣ３１が炭素原子数２又は３のアルキル基を表し、ＲＬＣ３２が炭素原子数２のアルキル基を表すことがより好ましい。
【０２２７】
一般式（ＬＣ４）は下記一般式（ＬＣ４−ａ）から一般式（ＬＣ４−ｃ）、一般式（ＬＣ５）は下記一般式（ＬＣ５−ａ）から一般式（ＬＣ５−ｃ）
【０２２８】
【化７４】
0006681035.tif 000075
【０２２９】
（式中、ＲＬＣ４１、ＲＬＣ４２及びＸＬＣ４１はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ４）におけるＲＬＣ４１、ＲＬＣ４２及びＸＬＣ４１と同じ意味を表し、ＲＬＣ５１及びＲＬＣ５２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ５）におけるＲＬＣ５１及びＲＬＣ５２と同じ意味を表し、ＺＬＣ４ａ１、ＺＬＣ４ｂ１、ＺＬＣ４ｃ１、ＺＬＣ５ａ１、ＺＬＣ５ｂ１及びＺＬＣ５ｃ１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。
【０２３０】
ＲＬＣ４１、ＲＬＣ４２、ＲＬＣ５１及びＲＬＣ５２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表すことが好ましい。
【０２３１】
ＺＬＣ４ａ１〜ＺＬＣ５ｃ１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−を表すことが好ましく、単結合を表すことがより好ましい。
【０２３２】
第三成分は誘電率異方性が０程度である、いわゆる非極性液晶化合物であり、以下の一般式（ＬＣ６）で示される化合物を挙げることができる。
【０２３３】
【化７５】
0006681035.tif 000076
【０２３４】
（式中、ＲＬＣ６１及びＲＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン置換されていてもよく、ＡＬＣ６１〜ＡＬＣ６３はそれぞれ独立して下記
【０２３５】
【化７６】
0006681035.tif 000077
【０２３６】
（該構造中シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２ＣＨ２−は−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中１つ又は２つ以上のＣＨ基は窒素原子で置換されていてもよい。）のいずれかを表し、ＺＬＣ６１及びＺＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−を表し、ｍＬｃ６は０〜３を表す。ただし、一般式（ＬＣ１）〜一般式（ＬＣ５）で表される化合物、及び一般式（ｉ）を除く。）
ＲＬＣ６１及びＲＬＣ６２は、それぞれ独立して、炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましく、
【０２３７】
【化７７】
0006681035.tif 000078
【０２３８】
（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
ＡＬＣ６１〜ＡＬＣ６３はそれぞれ独立して下記の構造が好ましく、
【０２３９】
【化７８】
0006681035.tif 000079
【０２４０】
ＺＬＣ６１及びＺＬＣ６２はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−が好ましい。
【０２４１】
一般式（ＬＣ６）は、一般式（ＬＣ６−ａ）から一般式（ＬＣ６−ｍ）
【０２４２】
【化７９】
0006681035.tif 000080
【０２４３】
（式中、ＲＬＣ６１及びＲＬＣ６２はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基又は炭素原子数２〜７のアルケニルオキシ基を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのがより好ましい。
【０２４４】
第四成分は誘電率異方性が正のいわゆるｐ型液晶化合物であって、以下の一般式（ＬＣ１）及び一般式（ＬＣ２）で示される化合物を挙げることができる。
【０２４５】
【化８０】
0006681035.tif 000081
【０２４６】
（式中、ＲＬＣ１１及びＲＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜１５のアルキル基を表し、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２−は、酸素原子が直接隣接しないように、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置換されてよく、該アルキル基中の１つ又は２つ以上の水素原子は任意にハロゲン原子によって置換されていてもよく、ＡＬＣ１１、及びＡＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の何れかの構造
【０２４７】
【化８１】
0006681035.tif 000082
【０２４８】
（該構造中、シクロヘキシレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ２−は酸素原子で置換されていてもよく、１，４−フェニレン基中の１つ又は２つ以上の−ＣＨ−は窒素原子で置換されていてもよく、また、該構造中の１つ又は２つ以上の水素原子はフッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３で置換されていてもよい。）を表し、ＸＬＣ１１、ＸＬＣ１２、ＸＬＣ２１〜ＸＬＣ２３はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表し、ＹＬＣ１１及びＹＬＣ２１はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、−ＣＦ３、−ＯＣＨ２Ｆ、−ＯＣＨＦ２又は−ＯＣＦ３を表し、ＺＬＣ１１及びＺＬＣ２１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、ｍＬＣ１１及びｍＬＣ２１はそれぞれ独立して１〜４の整数を表し、ＡＬＣ１１、ＡＬＣ２１、ＺＬＣ１１及びＺＬＣ２１が複数存在する場合は、それらは同一であっても異なっていても良い。）
ＲＬＣ１１及びＲＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましく、直鎖状であることが更に好ましく、アルケニル基としては下記構造を表すことが最も好ましい。
【０２４９】
【化８２】
0006681035.tif 000083
【０２５０】
（式中、環構造へは右端で結合するものとする。）
ＡＬＣ１１及びＡＬＣ２１はそれぞれ独立して下記の構造が好ましい。
【０２５１】
【化８３】
0006681035.tif 000084
【０２５２】
ＹＬＣ１１及びＹＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、シアノ基、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３が好ましく、フッ素原子又は−ＯＣＦ３が好ましく、フッ素原子が特に好ましい。
【０２５３】
ＺＬＣ１１及びＺＬＣ２１は単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＣＨ２ＣＨ２−、−ＯＣＨ２−、−ＯＣＦ２−又は−ＣＦ２Ｏ−が好ましく、単結合、−ＯＣＨ２−又は−ＣＦ２Ｏ−がより好ましい。
【０２５４】
ｍＬＣ１１及びｍＬＣ２１は１、２又は３が好ましく、低温での保存安定性、応答速度を重視する場合には１又は２が好ましく、ネマチック相上限温度の上限値を改善するには２又は３が好ましい。
【０２５５】
一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ａ）から一般式（ＬＣ１−ｃ）
【０２５６】
【化８４】
0006681035.tif 000085
【０２５７】
（式中、ＲＬＣ１１、ＹＬＣ１１、ＸＬＣ１１及びＸＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲＬＣ１１、ＹＬＣ１１、ＸＬＣ１１及びＸＬＣ１２と同じ意味を表し、ＡＬＣ１ａ１、ＡＬＣ１ａ２及びＡＬＣ１ｂ１は、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、ＸＬＣ１ｂ１、ＸＬＣ１ｂ２、ＸＬＣ１ｃ１〜ＸＬＣ１ｃ４はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であることが好ましい。
【０２５８】
ＲＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。
【０２５９】
ＸＬＣ１１〜ＸＬＣ１ｃ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。
【０２６０】
ＹＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３が好ましい。
【０２６１】
また、一般式（ＬＣ１）は、下記一般式（ＬＣ１−ｄ）から一般式（ＬＣ１−ｍ）
【０２６２】
【化８５】
0006681035.tif 000086
【０２６３】
（式中、ＲＬＣ１１、ＹＬＣ１１、ＸＬＣ１１及びＸＬＣ１２はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ１）におけるＲＬＣ１１、ＹＬＣ１１、ＸＬＣ１１及びＸＬＣ１２と同じ意味を表し、ＡＬＣ１ｄ１、ＡＬＣ１ｆ１、ＡＬＣ１ｇ１、ＡＬＣ１ｊ１、ＡＬＣ１ｋ１、ＡＬＣ１ｋ２、ＡＬＣ１ｍ１〜ＡＬＣ１ｍ３は、１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル基、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル基を表し、ＸＬＣ１ｄ１、ＸＬＣ１ｄ２、ＸＬＣ１ｆ１、ＸＬＣ１ｆ２、ＸＬＣ１ｇ１、ＸＬＣ１ｇ２、ＸＬＣ１ｈ１、ＸＬＣ１ｈ２、ＸＬＣ１ｉ１、ＸＬＣ１ｉ２、ＸＬＣ１ｊ１〜ＸＬＣ１ｊ４、ＸＬＣ１ｋ１、ＸＬＣ１ｋ２、ＸＬＣ１ｍ１及びＸＬＣ１ｍ２はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表し、ＺＬＣ１ｄ１、ＺＬＣ１ｅ１、ＺＬＣ１ｊ１、ＺＬＣ１ｋ１、ＺＬＣ１ｍ１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。
【０２６４】
ＲＬＣ１１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。
【０２６５】
ＸＬＣ１１〜ＸＬＣ１ｍ２はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましい。
【０２６６】
ＹＬＣ１１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３が好ましい。
【０２６７】
ＺＬＣ１ｄ１〜ＺＬＣ１ｍ１はそれぞれ独立して−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−が好ましい。
一般式（ＬＣ２）は、下記一般式（ＬＣ２−ａ）から一般式（ＬＣ２−ｇ）
【０２６８】
【化８６】
0006681035.tif 000087
【０２６９】
（式中、ＲＬＣ２１、ＹＬＣ２１、ＸＬＣ２１〜ＸＬＣ２３はそれぞれ独立して前記一般式（ＬＣ２）におけるＲＬＣ２１、ＹＬＣ２１、ＸＬＣ２１〜ＸＬＣ２３と同じ意味を表し、ＸＬＣ２ｄ１〜ＸＬＣ２ｄ４、ＸＬＣ２ｅ１〜ＸＬＣ２ｅ４、ＸＬＣ２ｆ１〜ＸＬＣ２ｆ４及びＸＬＣ２ｇ１〜ＸＬＣ２ｇ４はそれぞれ独立して水素原子、フッ素原子、塩素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３を表し、ＺＬＣ２ａ１、ＺＬＣ２ｂ１、ＺＬＣ２ｃ１、ＺＬＣ２ｄ１、ＺＬＣ２ｅ１、ＺＬＣ２ｆ１及びＺＬＣ２ｇ１はそれぞれ独立して単結合、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−ＯＣＨ２−、−ＣＨ２Ｏ−、−ＯＣＦ２−、−ＣＦ２Ｏ−、−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表す。）で表される化合物からなる群より選ばれる１種又は２種以上の化合物であるのが好ましい。
【０２７０】
ＲＬＣ２１はそれぞれ独立して炭素原子数１〜７のアルキル基、炭素原子数１〜７のアルコキシ基、炭素原子数２〜７のアルケニル基が好ましく、炭素原子数１〜５のアルキル基、炭素原子数１〜５のアルコキシ基、炭素原子数２〜５のアルケニル基がより好ましい。
【０２７１】
ＸＬＣ２１〜ＸＬＣ２ｇ４はそれぞれ独立して水素原子又はフッ素原子が好ましく、
ＹＬＣ２１はそれぞれ独立してフッ素原子、−ＣＦ３又は−ＯＣＦ３が好ましい。
【０２７２】
ＺＬＣ２ａ１〜ＺＬＣ２ｇ４はそれぞれ独立して−ＣＦ２Ｏ−、−ＯＣＨ２−が好ましい。  本発明の組成物は、分子内に過酸（−ＣＯ−ＯＯ−）構造等の酸素原子同士が結合した構造を持つ化合物を含有しないことが好ましい。
【０２７３】
組成物の信頼性及び長期安定性を重視する場合にはカルボニル基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して５％以下とすることが好ましく、３％以下とすることがより好ましく、１％以下とすることが更に好ましく、実質的に含有しないことが最も好ましい。
【０２７４】
ＵＶ照射による安定性を重視する場合、塩素原子が置換している化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１５％以下とすることが好ましく、１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０２７５】
組成物の酸化による劣化を抑えるためには、環構造としてシクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を少なくすることが好ましく、シクロヘキセニレン基を有する化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０２７６】
粘度の改善及びＴＮＩの改善を重視する場合には、水素原子がハロゲンに置換されていてもよい２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を少なくすることが好ましく、前記２−メチルベンゼン−１，４−ジイル基を分子内に持つ化合物の含有量を前記組成物の総質量に対して１０％以下とすることが好ましく、８％以下とすることが好ましく、５％以下とすることがより好ましく、３％以下とすることが好ましく、実質的に含有しないことが更に好ましい。
【０２７７】
本願において実質的に含有しないとは、意図せずに含有する物を除いて含有しないという意味である。
【０２７８】
本発明の第一実施形態の組成物に含有される化合物が、側鎖としてアルケニル基を有する場合、前記アルケニル基がシクロヘキサンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は２〜５であることが好ましく、前記アルケニル基がベンゼンに結合している場合には当該アルケニル基の炭素原子数は４〜５であることが好ましく、前記アルケニル基の不飽和結合とベンゼンは直接結合していないことが好ましい。
【０２７９】
本発明に使用される液晶組成物の平均弾性定数（ＫＡＶＧ）は１０から２５が好ましいが、その下限値としては、１０が好ましく、１０．５が好ましく、１１が好ましく、１１．５が好ましく、１２が好ましく、１２．３が好ましく、１２．５が好ましく、１２．８が好ましく、１３が好ましく、１３．３が好ましく、１３．５が好ましく、１３．８が好ましく、１４が好ましく、１４．３が好ましく、１４．５が好ましく、１４．８が好ましく、１５が好ましく、１５．３が好ましく、１５．５が好ましく、１５．８が好ましく、１６が好ましく、１６．３が好ましく、１６．５が好ましく、１６．８が好ましく、１７が好ましく、１７．３が好ましく、１７．５が好ましく、１７．８が好ましく、１８が好ましく、その上限値としては、２５が好ましく、２４．５が好ましく、２４が好ましく、２３．５が好ましく、２３が好ましく、２２．８が好ましく、２２．５が好ましく、２２．３が好ましく、２２が好ましく、２１．８が好ましく、２１．５が好ましく、２１．３が好ましく、２１が好ましく、２０．８が好ましく、２０．５が好ましく、２０．３が好ましく、２０が好ましく、１９．８が好ましく、１９．５が好ましく、１９．３が好ましく、１９が好ましく、１８．８が好ましく、１８．５が好ましく、１８．３が好ましく、１８が好ましく、１７．８が好ましく、１７．５が好ましく、１７．３が好ましく、１７が好ましい。消費電力削減を重視する場合にはバックライトの光量を抑えることが有効であり、液晶表示素子は光の透過率を向上させることが好ましく、そのためにはＫＡＶＧの値を低めに設定することが好ましい。応答速度の改善を重視する場合にはＫＡＶＧの値を高めに設定することが好ましい。  本発明の液晶組成物は、２０℃における屈折率異方性（Δｎ）が０．０８から０．１４であるが、０．０９から０．１３がより好ましく、０．０９から０．１２が特に好ましい。更に詳述すると、薄いセルギャップに対応する場合は０．１０から０．１３であることが好ましく、厚いセルギャップに対応する場合は０．０８から０．１０であることが好ましい。
【０２８０】
本発明の液晶組成物は、２０℃における粘度（η）が１０から３０ｍＰａ・ｓであるが、１０から２５ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、１０から２２ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
【０２８１】
本発明の液晶組成物は、２０℃における回転粘性（γ１）が６０から２００ｍＰａ・ｓであるが、６０から１２０ｍＰａ・ｓであることがより好ましく、６０から１００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。
【０２８２】
本発明の液晶組成物は、ネマチック相−等方性液体相転移温度（Ｔｎｉ）が６０℃から１２０℃であるが、７０℃から１００℃がより好ましく、７０℃から８５℃が特に好ましい。加えて、２０℃においてネマチック液晶を示す事が好ましい。
【０２８３】
本発明の液晶組成物は、上述の化合物以外に、通常のネマチック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶、酸化防止剤、紫外線吸収剤、赤外線吸収剤、重合性モノマー又は光安定剤等を含有してもよい。  本発明の化合物を含有する液晶組成物を用いた液晶表示素子は、高速応答と表示不良の抑制を両立させた有用なものであり、特に、アクティブマトリックス駆動用液晶表示素子に有用であり、ＶＡモード、ＰＳＶＡモード、ＰＳＡモード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード又はＥＣＢモード用等の種々のモードの液晶表示素子に適用できる。
【実施例】
【０２８４】
以下、実施例を挙げて本発明を更に詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。また、以下の実施例及び比較例の組成物における「％」は『質量％』を意味する。相転移温度の測定は温度調節ステージを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を併用して行った。【０２８５】
Ｔｎ−ｉはネマチック相−等方相の転移温度を表す。【０２８６】
化合物記載に下記の略号を使用する。
ＴＨＦ：テトラヒドロフラン
ＬＤＡ：リチウム  ジイソプロピルアミド
Ｍｅ：メチル基、Ｅｔ：エチル基、Ｐｒ：ｎ−プロピル基、Ｂｕ：ｎ−ブチル基、
Ｐｅｎｔ：ｎ−ペンチル基
（実施例１）化合物１−２−５の合成【０２８７】
【化８７】
0006681035.tif 000088
【０２８８】
（化合物１−２−５の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、ＬＤＡ（１５．８ｇ）およびＴＨＦ（１２０ｍｌ）を加え、−１５℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液（８６．７ｍｌ）を−１５℃にて滴下し、１時間攪拌し、次にあらかじめＴＨＦ（２５ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−１−５（２５．０ｇ）およびホウ酸トリイソプロピル（２９．４ｇ）を−５℃にて同時に滴下し、１時間攪拌した。この反応混合物を０℃に昇温した後、１０％塩酸（１２０ｍｌ）を加えて攪拌し、有機層を分けとった。さらに水層をトルエン（１００ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物２の粗体（３１．０ｇ）を得た。ヘキサン／酢酸エチル混合溶媒を用いて再結晶を行うことで、化合物１−２−５（１６．４ｇ）を得た。
（実施例２〜１８）化合物１−２−０〜化合物４−２−８の合成
実施例１と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２（化合物１−２−０）〜実施例１８（化合物３−２−８）を合成した。【０２８９】
【化８８】
0006681035.tif 000089
【０２９０】
【化８９】
0006681035.tif 000090
【０２９１】
（実施例１９）化合物１−５−５の合成【０２９２】
【化９０】
0006681035.tif 000091
【０２９３】
（化合物１−４−５の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、３−フルオロ−２−ヒドロキシクロロベンゼン（６．１ｇ）、ビス（ジターシャリーブチル（４−ジメチルアミノフェニル）ホスフィン）塩化パラジウム（ＩＩ）錯体（０．８８ｇ）、ＴＨＦ（５０ｍｌ）および２Ｍ炭酸セシウム水溶液（４０ｍｌ）を加え、攪拌しながら６０℃に昇温した。反応混合物にあらかじめＴＨＦ（４５ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−３−５（１５．２ｇ）を滴下した。６０℃で７時間攪拌後、加熱を止め溶液温度を室温に戻した。その後、１０％塩酸（５０ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮後、トルエン（４０ｍｌ）を加えて溶解した溶液を、シリカゲル（１０ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにトルエン（６０ｍｌ）を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物１−４−５（１７．６ｇ）を得た。【０２９４】
（化合物１−５−５の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、水素化ナトリウム（６０％ミネラルオイル分散）（２．５ｇ）およびＤＭＦ（３０ｍｌ）を加え、攪拌しながら氷冷した。そこにあらかじめＤＭＦ（９０ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−４−５（１７．６ｇ）を滴下した。その後室温に戻し、１時間かけて溶液温度を５０℃に加熱した。その後さらに１．５時間かけて溶液温度を１０５℃まで加熱した。１０５℃で８時間攪拌後、溶液温度を１０℃以下まで冷却した。反応溶液に水（２５０ｍｌ）を加えた。結晶をろ過し、メタノールで洗浄し、真空乾燥した。得られた結晶にトルエン（１７ｍｌ）を加えて溶解した溶液を、シリカゲル（１０ｇ）を詰めたカラムを通過させ、さらにトルエン（６０ｍｌ）を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物１−５−５（７．２ｇ）を得た。
（実施例２０）化合物１−７−２０５の合成【０２９５】
【化９１】
0006681035.tif 000092
【０２９６】
（化合物１−６−５の合成）
実施例１９と同様の方法で、化合物１−５−５を得た。【０２９７】
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に、ジイソプロピルアミン（３．３ｇ）およびＴＨＦ（３０ｍｌ）を加え、−１０℃に冷却した。１．６Ｍブチルリチウム／ヘキサン溶液（１７．７ｍｌ）を−１０℃にて滴下し、１時間攪拌し、次にあらかじめＴＨＦ（２５ｍｌ）に溶解しておいた化合物１−５−５（７．２ｇ）およびホウ酸トリイソプロピル（６．１ｇ）を−１０℃にて同時に滴下し、１時間攪拌した。この反応混合物を０℃に昇温した後、１０％塩酸（１００ｍｌ）を加えて攪拌し、有機層を分けとった。撹拌装置、温度計、滴下ロートを備えた反応容器に該有機層を加え、３０％過酸化水素水（１０ｍｌ）を滴下した。室温で１時間攪拌後、溶液温度を０℃に冷却し、１５％チオ硫酸ナトリウム水溶液（１００ｍｌ）を加えた。有機層を分け取り、さらに水層をトルエン（５０ｍｌ）で抽出した。得られた有機層を合わせた後、水と飽和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮し、化合物１−６−５（７．３ｇ）を得た。【０２９８】
（化合物１−７−２０５の合成）
窒素雰囲気下、撹拌装置、温度計、滴下ロート、冷却管を備えた反応容器に、化合物１−６−５（５．０ｇ）、ヨウ化エチル（２．５ｇ）、炭酸セシウム（５．４ｇ）およびＤＭＦ（１５ｍｌ）を加え、攪拌しながら６０℃に加熱した。６０℃で１．５時間攪拌後、溶液温度を１０℃以下まで冷却した。反応溶液に水（５０ｍｌ）およびトルエン（３０ｍｌ）を加えた。有機層を分けとり、さらに水層をトルエン（３０ｍｌ）で再抽出した。得られた有機層を合わせた後、水、飽和食塩水の順に洗浄し、無水硫酸ナトリウムを加えて乾燥した。得られた溶液を濃縮後、ヘキサン／トルエン混合溶媒（体積比１／１）（２０ｍｌ）を加えて５０℃で溶解した溶液を、シリカゲル（５．５ｇ）を詰め５０℃に加温したカラムを通過させ、ヘキサン／トルエン混合溶媒（体積比１／１）（３０ｍｌ）を通過させた。得られたカラム通過溶液を濃縮し、化合物１−７−２０５の粗体（５．０ｇ）を得た。アセトン／メタノール混合溶媒を用いて再結晶を繰り返すことで、化合物１−７−２０５（１．０ｇ）を得た。相転移温度はＣｒ８７Ｉｓｏ。
（実施例２１〜１８１）化合物１−５−０〜化合物３−７−８０８の合成
実施例１９、実施例２０と同様の反応、および必要に応じて公知の方法に準拠した方法を用いて、実施例２１（化合物１−５−０）〜実施例３５１（化合物４−７−８０８）を合成した。【０２９９】
【化９２】
0006681035.tif 000093
【０３００】
【化９３】
0006681035.tif 000094
【０３０１】
【化９４】
0006681035.tif 000095
【０３０２】
【化９５】
0006681035.tif 000096
【０３０３】
【化９６】
0006681035.tif 000097
【０３０４】
【化９７】
0006681035.tif 000098
【０３０５】
【化９８】
0006681035.tif 000099
【０３０６】
【化９９】
0006681035.tif 000100
【０３０７】
【化１００】
0006681035.tif 000101
【０３０８】
【化１０１】
0006681035.tif 000102
【０３０９】
【化１０２】
0006681035.tif 000103
【０３１０】
【化１０３】
0006681035.tif 000104
【０３１１】
【化１０４】
0006681035.tif 000105
【０３１２】
【化１０５】
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【０３１３】
【化１０６】
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【０３１４】
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【０３１５】
【化１０７】
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【０３１６】
【化１０８】
0006681035.tif 000110
【０３１７】
【化１０９】
0006681035.tif 000111
【０３１８】
【化１１０】
0006681035.tif 000112
【０３１９】
（実施例３５２）液晶組成物の調製−１
以下の物性値を示すホスト液晶（Ｈ）
を調製した。値はいずれも実測値である。【０３２０】
Ｔｎ−ｉ（ネマチック相−等方性液体相転移温度）：７３．８℃
Δε（２５℃における誘電率異方性）  ：−２．７９
Δｎ（２５℃における屈折率異方性）  ：０．１０１
γ１  （２５℃における回転粘性係数）：１１８
この母体液晶（Ｈ）９７％と、実施例１で得られた化合物（１−７−２０５）３％からなる液晶組成物（Ｍ−Ａ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ａ）のＴｎ−ｉ、Δε、Δｎ及びγ１の値を測定し母体液晶からの変化量をもとに、実施例１で得られた化合物（１−７−２０５）の各物性値の外挿値を求めると、以下のとおりであった。【０３２１】
外挿Ｔｎ−ｉ：２３．８℃
外挿Δε：−１４．６
外挿Δｎ：０．１６７
外挿γ１：３７６ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ａ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。【０３２２】
さらに、液晶組成物（Ｍ−Ａ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。【０３２３】
（実施例３５３）液晶組成物の調製―２
母体液晶（Ｈ）９５％と、実施例６０で得られた化合物（１−７−４０５）５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を調製した。この組成物（Ｍ−Ｂ）より、実施例６０で得られた化合物（１−７−４０５）の外挿Ｔｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ１の値は以下のとおりである。【０３２４】
外挿Ｔｎ−ｉ：２１．８℃
外挿Δε：−１４．０
外挿Δｎ：０．１５８
外挿γ１：３６０ｍＰａ・ｓ
また、調製した液晶組成物（Ｍ−Ｂ）は、室温にて一ヶ月間以上均一なネマチック液晶状態を維持した。【０３２５】
さらに、液晶組成物（Ｍ−Ｂ）を用いて作製した液晶表示装置は、優れた表示特性を示し、長期にわたり安定な表示特性を保ち、高い信頼性を示した。【０３２６】
（比較例１）液晶組成物の調製―３
母体液晶（Ｈ）８５％と、以下に示す化合物（Ａ）１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｃ）を調製した。【０３２７】
【化１１１】
0006681035.tif 000113
【０３２８】
この組成物（Ｍ−Ｃ）より、上記化合物（Ａ）の外挿Ｔｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ１の値は以下のとおりである。【０３２９】
外挿Ｔｎ−ｉ：１８．３℃
外挿Δε：−１５．７
外挿Δｎ：０．１８４
外挿γ１：２４１ｍＰａ・ｓ
上記結果を実施例３５２および実施例３５３と比較するとΔεは同程度でありながら、Ｔｎ−ｉが低いことが分かる。【０３３０】
（比較例２）液晶組成物の調製―４
母体液晶（Ｈ）８５％と、以下に示す化合物（Ｂ）１５％からなる液晶組成物（Ｍ−Ｄ）を調製した。【０３３１】
【化１１２】
0006681035.tif 000114
【０３３２】
この組成物（Ｍ−Ｄ）より、上記化合物（Ｂ）の外挿Ｔｎ−ｉ、外挿Δε、外挿Δｎ、外挿γ１の値は以下のとおりである。【０３３３】
外挿Ｔｎ−ｉ：３．２℃
外挿Δε：−９．７
外挿Δｎ：０．０７３
外挿γ１：９４ｍＰａ・ｓ
上記結果を実施例３５２および実施例３５３と比較すると｜Δε｜が大幅に小さくなり、Ｔｎ−ｉも大幅に低いことが分かる。