(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、
前記コア基板に積層される層間絶縁樹脂層と、
前記コア基板あるいは前記層間絶縁樹脂層の上に積層された配線層と、
前記コア基板の上に形成された応力緩和樹脂とを含む配線基板であって、
前記応力緩和樹脂は、前記配線基板の個片化切断ラインに沿うように、線状に設けられる応力緩和樹脂パターンであり、
前記応力緩和樹脂パターンは、個片化後、前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むようになることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記応力緩和樹脂の幅は２００μｍ以上である、請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記コア基板は、ガラスである、請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
コア基板と、
前記コア基板に積層される層間絶縁樹脂層と、
前記コア基板あるいは前記層間絶縁樹脂層の上に積層された配線層と、
前記コア基板の上に形成された応力緩和樹脂とを含む配線基板の製造方法であって、
前記コア基板の上に、前記層間絶縁樹脂層と、前記配線層とを積層する工程と、
前記コア基板の上に、前記配線基板の個片化切断ラインに沿い線状に設けられ、個片化後の前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むように応力緩和樹脂を形成する工程とを含む、配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記応力緩和樹脂の幅は２００μｍ以上である、請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記コア基板は、ガラスである、請求項４または５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
コア基板と、
前記コア基板に積層される層間絶縁樹脂層と、
前記コア基板あるいは前記層間絶縁樹脂層の上に積層された配線層と、
前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むように、切断された前記コア基板の上の周辺部に形成された応力緩和樹脂とを含み、
前記コア基板側面と、前記応力緩和樹脂層側面の一部、もしくはすべてが同一平面を形成する、パッケージ用基板。
【請求項８】
前記応力緩和樹脂の幅は２５μｍ以上である、請求項７に記載のパッケージ用基板。
【請求項９】
前記応力緩和樹脂は、コア基板の表面端部まで形成されている、請求項７または８に記載のパッケージ用基板。
【請求項１０】
前記コア基板は、ガラスである、請求項７から９のいずれかに記載のパッケージ用基板。
【請求項１１】
前記請求項４から６のいずれかに記載の配線基板の製造方法に加え、
前記配線基板を個片化する工程を含むパッケージ用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記個片化する工程において、前記応力緩和樹脂を切断するように前記配線基板を個片化する請求項１１に記載のパッケージ用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記個片化する工程において、少なくとも２種類のダイシングブレードを用い、個片化する際に用いる前記ダイシングブレードの幅は、他のダイシングブレードより幅が狭い、請求項１１または１２に記載のパッケージ用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板、およびその製造方法に関する
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ、および、外部接続用部材を用いた半導体装置が、画像処理、通信、車載などのさまざま分野で用いられている。また、半導体装置の高性能化、小型軽量化が進む中で、半導体装置に用いられる半導体配線基板においても小型化、多ピン化、外部端子のファインピッチ化が求められており、高密度配線基板の要求が高まっている。
【０００３】
従来のコア材料には、ガラスエポキシ樹脂に代表される有機コア材料、シリコン材料が用いられてきたが、近年ガラスが注目を浴びている。これはガラスがシリコンと同様に平坦かつ平滑な特性が有機材料よりも微細配線形成に適し、吸湿や熱時の変形が少なく、また、シリコンより電気的に優位であることが挙げられる。
【０００４】
配線基板は、生産性において支持体となるコア基板に配線層と層間絶縁樹脂層４０を複数回積層し大判の配線基板を形成した後、配線基板を所要寸法にダイシングして配線基板に個片化する。
【０００５】
しかしながら、ガラスは寸法安定性、電気的特性には優れるものの切断面が脆弱な材料であり割れが生じやすい。
配線基板の構造上、該ガラス基板と線膨張係数の異なる樹脂層と配線層を複数回積層するため、温度変化があると線膨張係数の差により樹脂層、配線層、コア基板で線膨張係数が変わり、各層内部に内部応力が生じることとなる。内部応力は大判の配線基板では、物体の平衡状態を保つため正負の応力がつりあった状態にあるが、個片化する際に亀裂（クラック）が生じた部分があると応力集中部となりやすい。よって割れの起きやすいガラスなどの脆性材料の場合、個片化の際の衝撃によりコア基板断面に微小なクラックが生じることが知られている。このコア基板断面のクラックは、個片化後、該クラック部分をきっかけにコア基板内部に蓄積された内部応力が開放され、コア基板が裂ける方向に割れが進展する可能性がある。
【０００６】
このような割れを発生させない個片化法としては、例えばコア基板のパッケージ用基板外周部にあたる部分に金属層を形成し、個片化後に露出した金属層をエッチング処理により取り除き、コア基板と絶縁層で確定される溝部を作製する。この溝部はコア基板の外周付近に応力が加わることを抑制することができる。これによりコア基板に破壊が生じることを、簡易な構成によって効果的に抑制することができる（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
しかしながら、この方法はコア基板上の金属層をダイシングブレードで切断するため、ダイシングブレードの目詰まりによる切削力の低下から、コア基板断面に多くのクラックを発生させてしまう懸念がある。また、ダイシング工程により個片化した直後にコア基板の破壊が発生する懸念がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−２３１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
そこで本願発明は、脆性材料からなるコア基板に、層間絶縁樹脂層４０と配線層を積層した配線基板を個片化する際またはその後の温度変化によって、コア基板の切断面に破壊を生じることのない配線基板の提供およびその個片化方法、ならびにこの方法により製造した半導体パッケージ用途の配線基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、鋭意検討の結果、上記のような従来の課題を解決することができた。
【００１１】
本発明の請求項１に記載の発明は、コア基板と、前記コア基板に積層される層間絶縁樹脂層と、前記コア基板あるいは前記層間絶縁樹脂層の上に積層された配線層と、前記コア基板の上に形成された応力緩和樹脂とを含む配線基板であって、
前記応力緩和樹脂は、前記配線基板の個片化切断ラインに沿うように、線状に設けられる応力緩和樹脂パターンであり、前記応力緩和樹脂パターンは、個片化後、前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むようになることを特徴とする配線基板である。
【００１２】
本発明の別の一態様は、コア基板の上に、配線層と、層間絶縁樹脂層とを積層する工程と、前記コア基板の上に、前記配線基板の個片化切断ラインに沿い線状に設けられる、個片化後、前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むように応力緩和樹脂を形成する工程とを含む、配線基板の製造方法である。
【００１３】
本発明の別の一態様は、コア基板と、前記コア基板に積層される層間絶縁樹脂層と、前記コア基板あるいは前記層間絶縁樹脂層の上に積層された配線層と、前記層間絶縁樹脂層及び前記配線層を囲むように、切断された前記コア基板の上の周辺部に形成された応力緩和樹脂とを含むパッケージ用基板である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明にかかる配線基板の個片化方法によれば、脆弱材料をコア材料として用いる配線基板であっても、個片化した後の配線基板に対して、作製時や実装時において、大きな温度変化があっても、コア基板外周からの断面の割れを抑制し、信頼性の高い配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】配線基板の概略構成の切断部端面を示す図である。
【図２】実施例１により配線基板を個片化した状態の切断部端面を示す図である。
【図３】実施例２により配線基板を個片化した状態の切断部端面を示す図である。
【図４】配線基板の切断部端面を拡大した図である。
【図５】実施例１にて配線基板の一方の面に分離溝を形成した状態を示す図である。
【図６】実施例１にて配線基板の両面へ分離溝を形成した状態を示す図である。
【図７】実施例１にて配線基板を個片化した部分を拡大した図である。
【図８】実施例２にて配線基板を個片化した部分を拡大した図である。
【図９】本発明の一実施形態における、応力緩和樹脂をコア基板に形成した状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明にかかる配線基板とその製造方法の実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
なお、以下に示す実施形態は、本発明の単なる一例であって、当業者であれば、適宜設計変更可能である。
本明細書において、「パッケージ用基板」とは、個片化された積層体をいう。また、「配線基板」とは、ダイシングにより個片化される前のパッケージ基板が連結された状態のものをいう。
【００１７】
（配線基板の構成）
図１は、配線基板の一実施形態の概略構成の切断部端面を示す図である。
本実施形態における配線基板１００は、コア基板１０とコア基板１０の厚さ方向の両面に積層された配線層３０と層間絶縁樹脂層４０、そして、応力緩和樹脂２０を含む。
【００１８】
（コア基板の加工）
コア基板１０は、配線基板１００および該配線基板を個片化した後のパッケージ用基板２００、あるいは２０２の電気特性を向上させる材料であればよい。例えば、コア基板１０として、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板、プラスチック板、プラスチックテープ等を用いることができる。好ましくはガラス基板である。例えば、ソーダライムガラスやアルミノ珪酸塩ガラスが挙げられる。本発明のコア基板１０に用いるガラス基板は、表面を当分野で一般的に行われている方法により処理されたものであってもよい。例えば、表面に粗化処理を行ったものでも、フッ酸で処理したものでもよく、また、ガラス基板表面にシリコン処理を施したものでもよい。本発明の一実施形態において、コア基板１０に用いるガラス基板は表面に下地層を形成してもよい。
コア基板１０の厚さｈ１は、特に限定されないが、好ましくは５０μｍ〜７００μｍである。
また、コア基板に貫通孔を開口し、その後、めっきや充填法などによって、電気的な接続を行ってもよい。
【００１９】
（配線層の形成）
配線層３０は、コア基板１０の厚さ方向の表面上または層間絶縁樹脂層４０の表面上に形成される。本発明の一実施形態において、少なくとも一部の配線層３０はコア基板１０に接するように形成される。また、本発明の他の実施形態において、配線層３０はコア基板と接しなくてもよい。配線層３０は一層または、複数層であってもよい。また、配線層がコア基板の表裏で電気的に接続される部分では、コア基板を貫通する形式がとられる。
配線層３０は、当分野で通常用いられる導電性材料を用いて形成することができる。具体的には、配線層３０は、銅、銀、すず、金、タングステン、導電性樹脂などを用いて形成することができる。好ましくは銅が用いられる。
【００２０】
また、配線層３０は、当分野で一般的に行われている方法により形成することができる。配線層３０の形成方法は、これらに限定されないが、無電解めっき、電気めっきを用いて行うサブトラクティブ法、セミアディティブ法やインクジェット法、スクリーン印刷、グラビアオフセット印刷を用いることができる。好ましくはセミアディティブ法である。
セミアディティブ法では以下の方法を用いる。まずコア基板１０に銅層などのシード層を形成する。次に、所望のパターンを有するレジストをシード層上に形成する。続いて、シード層の露出した開口部に電解めっき等を用いて、パターン状に形成された配線層となるめっき膜を形成する。その後、レジストを除去し、薄いシード層をエッチングして、配線層３０を得る。形成される配線層３０の厚さは、形成方法にもよるが、１μｍから１００μｍである。
本発明の一実施形態では、コスト、電気特性、および、製造容易性の観点から、セミアディティブ法を用いて微細配線を形成し、金属種には銅を用いることが好ましい。
【００２１】
（応力緩和樹脂パターンの形成）
本発明において、コア基板の切断面の表裏に応力緩和樹脂２０を用いてパターンを形成する。形成方法については、ここに限定しないが、スクリーン印刷法、転写法、描画法などが考えられる。形成される配線幅は限定されないが、例えば２５０μｍから４００μｍである。後述するダイシングブレードＢの幅として１５０μｍ程度が挙げられるため、応力緩和樹脂の幅は２００μｍ程度以上あることが好ましい。本発明の一実施形態では、コスト、および、製造容易性の観点から、スクリーン印刷法を用いて、ダイシングにより個片化するラインよりも広い幅で形成される。また、この厚さｈ５に関しては、配線層３０のうちコア基板に近い側から数えて１層目の高さ以上であることが好ましい。応力緩和樹脂２０のパターンは配線基板１００の個片化切断ラインに沿うように設けることが好ましい。図９では、配線層３０を囲むように応力緩和樹脂２０を形成した状態を模式的に示している。後述するが、配線基板をダイシングした後に残る応力緩和樹脂の幅は２５μｍ以上が好ましい。図７や図８に示されるように、応力緩和樹脂をダイシングするため、応力緩和樹脂はコア基板の表面端部まで形成された状態である。ダイシングの条件によっては、応力緩和樹脂が一部剥がれてコア基板の端部まで形成されていない事もあり得るが、それは本発明の範囲に含まれると言える。
【００２２】
応力緩和樹脂２０の線膨張係数は、１０００ｐｐｍ以下が好ましい。層間絶縁樹脂層４０と同程度の線膨張係数を持つことがより好ましい。また、応力緩和樹脂は、層間絶縁樹脂層４０より低弾性率の材料であることが好ましい。これにより、配線基板１００をダイシングする際に、また半導体チップの実装時において、配線基板１００あるいはパッケージ用基板２００に大きな温度変化があっても、コア基板外周からの断面の割れを抑制することができる。材料としては、ウレタン樹脂などを主に含む材料が挙げられる。
【００２３】
（層間絶縁樹脂層４０の形成）
本発明の一実施形態において、層間絶縁樹脂層４０は配線層３０上に形成される。
本発明の他の実施形態において、層間絶縁樹脂層４０はコア基板１０上にも形成される。
層間絶縁樹脂層４０は一層、また複数であってもよい。
【００２４】
層間絶縁樹脂層４０は、当分野で通常用いられる絶縁性材料を用いて形成することができる。具体的には、層間絶縁樹脂層４０は、エポキシ樹脂系材料、エポキシアクリレート系樹脂、ポリイミド系樹脂などを用いて形成することができる。これらの絶縁性材料は、充填剤を含んでもよい。本発明の層間絶縁樹脂層４０を形成する絶縁性材料には線膨張係数が７ｐｐｍ〜１３０ｐｐｍのエポキシ配合樹脂が一般的に入手し易く好ましい。
【００２５】
層間絶縁樹脂層４０の形成方法としては、たとえば印刷法、真空プレス法、真空ラミネート法、ロールラミネート法、スピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、フォトリソグラフィー法、ドクターブレード法、スクリーン印刷などの公知の方法が挙げられる。
本発明の一実施形態では、製造容易性の観点から、スピンコート法、真空ラミネート法、真空プレス法が用いられる。層間絶縁樹脂層４０の厚さの合計は限定されない。形成方法によるが、例えば１０μｍ〜９０μｍである。上記のように形成された層間絶縁樹脂層４０は、加熱または光照射により硬化させてもよい。
【００２６】
厚さｈ１のコア基板上に層間絶縁樹脂層４０と配線層３０を形成し、個片化（ダイシング）を行った場合、コア基板１０との界面付近にクラックが発生し易いことが知られている。これは、ダイシングの際に発生する衝撃によりコア基板端面に微小なクラックが発生し、これに配線層３０と層間絶縁樹脂層４０の複合層である配線樹脂複合層の熱応力がコア基板１０に対する引っ張り応力として働き、コア基板１０のクラックを拡大させるためである。
【００２７】
そこで、実験では層間絶縁樹脂層４０を切断面から任意の位置まで除去を行った上で、ガラスへの切削を実施する手順で個片化を行う。
【００２８】
本発明の一実施形態である配線基板は、これらに限定されるものではないが、多面付けされた配線基板１００の該配線基板の切削部を拡大した、図４〜図８に示す工程にしたがって形成することができる。
【００２９】
図１は、コア基板１０の厚さ方向の表面に、上述した方法を用いて、配線層３０、応力緩和樹脂２０、層間絶縁樹脂層４０をそれぞれ形成した状態を示す。
ついで、配線基板１００において所定の切削位置に、幅ｗ２を有するダイシングブレードＡ５０を用いて、複数の配線用パッケージ用基板２００にを個片化する。
【００３０】
図４は、配線基板１００の切断部端面を拡大した図である。コア基板１０の両面にそれぞれ積層された配線層３０と層間絶縁樹脂層４０の厚みの合計は、それぞれｈ２、ｈ３である。まず、ダイシングブレードＡ５０でコア基板１０の一方の面に積層された厚みｈ５の応力緩和樹脂２０と厚みの合計がｈ４である層間絶縁樹脂４０を切削する。厚さｈ６は、コア基板１０の表面と、そこから最も離れた層間絶縁樹脂層４０との距離である。図４の場合、ｈ４とｈ５の和である。ダイシングブレードＡは、配線層３０同士の間、図４ではｗ１の幅がある部分を切削し、配線基板１００を各パッケージ用基板２００に個片化する。
ダイシングブレードＡは一般的なダイシング方法に用いられる物であればよく、例えば樹脂などにダイヤモンド砥粒を埋没させたダイヤモンドブレードである。ダイシングブレードＡの幅ｗ２は、制限はないが、好ましくは２００μｍである。
【００３１】
切削部を拡大した図５では、コア基板１０に配線層３０を積層した配線基板１００の片側面から基板の厚さ方向に、深さｈ８の溝を形成する。この溝が分離溝６０となる。
【００３２】
図５に示されるように、分離溝６０の形成後、コア基板１０の表層には、幅ｗ３の応力緩和樹脂２０が厚さｈ７で残存する。このため、コア基板１０にダイシングブレードＡ５０が接触することを防ぐことができる。さらに分離溝６０の形成によって応力が不均衡となる配線樹脂複合層の引張応力の発現により、コア層１０界面のクラックが進展することを防ぐことができる。
【００３３】
図６では、配線基板１００の図５に示される分離溝６０と反対側からも同様に分離溝６０を形成された状態を示す。
その後、図７に示すように、分離溝６０の溝において、その幅内の中央部分の位置で、ダイシングブレードＢ７０によって配線基板１００をダイシングして個片化する。これにより、応力緩和樹脂２０は段差を持った形状になる（以下、段差部２２と呼ぶ）。ダイシングブレードＢ７０の先端の幅ｗ４は、分離溝６０の上端面幅寸法ｗ２よりも小さい幅寸法であり、ｗ１＞ｗ２＞ｗ４であればこの値は問わない。例えば１５０μｍである。ダイシングブレードＢと分離溝の隙間ｗ５は５０μｍ以下であることが好ましい。
このときダイシングブレードＢ７０により、コア基板１０の外側面を被覆している層間絶縁樹脂層４０が削りとられてしまわないようにする必要がある。
【００３４】
また、他の実施形態として、図８に示すように図５の段階で、ダイシングブレードＡを用いて、分離溝を開口する工程で、そのままコア基板への切削を行ってもよい。この場合、０μｍ≦ｗ３＜１００μｍが好ましく、より好ましくは２５μｍ＜ｗ３≦５０μｍである。また、この場合は応力緩和樹脂２０に段差は形成されず、配線層３０あるいは層間絶縁樹脂３０を被覆した状態となる。以下、この応力緩和樹脂２０を被覆部と呼ぶことがある。
【００３５】
図２に示されるパッケージ用基板２００、図３に示される、個片化方法を変えたパッケージ用基板２０２において、これらの切断面の一部が応力緩和樹脂２０からなる。図５では段差部２２、図８では被覆部２４として示される。段差部２２と被覆部２４は、配線層３０との界面からそれぞれｗ３＋ｗ５、ｗ３の幅で形成される。また段差部２２において厚さが薄い部分、被覆部２４はそれぞれ厚さｈ７である。厚さｈ２、ｈ３の厚さを持つ配線樹脂混合層とコア基板１０の熱膨張の違いからくる熱応力の差を低減する構造としていることで、コア基板１０を切削する際、また個片化後にかかる熱時にその切削界面に生じる配線層３０と層間絶縁樹脂層４０からなる配線樹脂混合層ｈ２、ｈ３の積層体の引張応力を緩和することができる。
【００３６】
本発明の一実施形態は、配線基板を個片化する工程において、応力緩和樹脂を切断するように配線基板を個片化するパッケージ用基板の製造方法である。
【００３７】
さらに、この個片化する工程において、少なくとも２種類のダイシングブレードを用い、個片化する際に用いるダイシングブレードの幅は、他のダイシングブレードより幅が狭い、パッケージ用基板の製造方法であることが好ましい。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明を用いた実施例について詳細に説明する。
【００３９】
（実施例１）
コア基板１０（アルミノ珪酸塩ガラス）の板厚寸法を３００μｍとした。
コア基板１０の厚さ方向の表面に銅めっきにより４．５μｍの厚さの配線層３０をセミアディティブ法により形成した。３００μｍの幅の応力緩和樹脂２０を印刷法で幅ｗ１を３００μｍ、４．５μｍ厚で配線層３０を囲むように形成した。応力緩和樹脂２０として、ウレタン樹脂（日立化成株式会社製、電子・電気部品注型用ウレタン樹脂ＫＵ−７００２）を用いた。応力緩和樹脂２０の線膨張係数は１５０ｐｐｍ、２５℃におけるヤング率は０．０７ＭＰａ、２５℃における引っ張り強さは０．０８ＭＰａだった。配線層３０を形成後、表裏面に線膨張係数が３４ｐｐｍのエポキシ配合樹脂である絶縁性材料を真空ラミネートすることにより積層し、層間絶縁樹脂層４０を形成した。配線層の形成と層間絶縁樹脂層の形成を繰り返すことで、配線基板１００を得た。
【００４０】
次に、図５に示すように、あとでパッケージ用基板２００に個片化すべき所定の位置で、ダイシングブレードＡ５０により、この配線基板１００の片側面から板厚方向において、２００μｍ幅、深さ２５μｍの分離溝６０を設けた。また、図６に示すように、この配線基板１００のもう一方の面からも、２５０μｍ幅、深さ２５μｍの分離溝６０を設けた。
分離溝６０の作製後、図７に示すように分離溝６０の溝幅内の中央部分の位置で、ダイシングブレードＢ７０によって配線基板１００をダイシングしてパッケージ用基板２００を得た。ダイシングブレードＢ７０の先端の幅は、１５０μｍとした。
実施例１によるパッケージ用基板１０個に対し、１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｈを１０００サイクル行った。その結果、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。
【００４１】
（実施例２）
実施例１と同様に配線基板１００を作製し、その後、２５０μｍの幅のダイシングブレードＡ５０で配線基板１００を図３に示すように、配線基板１００の厚さ方向に切削し個片化を行った。
実施例１と同様に１０個の配線基板で１２５℃から−５５℃の温度変化を与える試験を行った。その結果、コア基板の割れなど信頼性の低下は起きなかった。
【００４２】
（比較例１）
比較例として用いる配線基板は、実施例１、実施例２と違い、コア基板１０上に応力緩和樹脂層を形成しなかった。比較例１による配線基板は、３日常温で放置した所、１０個の内７個コア基板の割れが起きた。
【００４３】
以上のように、パッケージ用基板２００の側面において、応力緩和樹脂２０の一部を除去した形状である本実施例であるパッケージ用基板２００は、ダイシング段階での配線樹脂混合層ｈ２、ｈ５の応力不均衡を応力緩和層２０で分散し、コア基板１０の割れにつながる微小なクラックの発生を低減し、さらに個片化後に応力緩和樹脂２０が残存することによって厚みがそれぞれｈ２、ｈ５である配線樹脂混合層とコア基板１０の線膨張係数の差より生じる応力によるクラック進展を抑制できたと考えられる。
【符号の説明】
【００４４】
１０    コア基板
２０    応力緩和樹脂
２２    段差部（応力緩和樹脂からなる）  
２４    被覆部（応力緩和樹脂からなる）
３０    配線層
４０    層間絶縁樹脂層
５０    ダイシングブレードＡ
６０    分離溝
７０    ダイシングブレードＢ
１００  本発明の配線基板
２００  個片化配線基板（段差あり）
２０２  個片化配線基板（段差なし）
【図１】
0006805511.tif 000002
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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