(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体（１００）であり、
・第一の表面と呼ばれる第一の主面（１１）を有し、屈折率ｎ1が１．４５〜１．８である、有機又は無機ガラス製のガラス基材（１）、
・前記ガラス基材により支持されかつ前記第一の表面（１１）の側にある電極であって、該電極は、金属材料から製作され、１０Ω/□未満のシート抵抗を示し、厚さｅ2が少なくとも１００ｎｍである、金属グリッドと呼ばれるグリッド（２）として配置された層を含み、該グリッドはストランド（２０）から形成されていて、該ストランドは５０μｍ以下の幅Ａを有し、そして５０００μｍ以下でかつ少なくとも５０μｍのストランド間距離Ｂによって分離されており、これらのストランドは、前記基材から一番遠い上部表面と呼ばれる表面(３４、３４’)を有する複数の電気絶縁性非導電性ドメイン（３１、３’）によって分離されている、電極、
を含み、
そして当該導電性支持体は、前記第一の表面（１１）の側で、所与の無機組成の第一の層（３）を含み、該第一の層は、前記第一の表面の直ぐ上にあるか、又は前記第一の表面の上且つ前記第一の層の下に存在する下層（４）の上にあり、該第一の層は、前記金属グリッドを少なくとも部分的に固定するため、該第一の層の厚さの一部分又は全部に入り込んだ、幅Ｗｃの横方向に延在する穴又はキャビティを有しており、前記上部表面が該第一の層の表面であるか又は該第一の層の上の、無機の、上層の表面である、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体（１００）であって、
前記ストランド（２０）は、その長さに沿って、前記上部表面(３４、３４’)と同一の高さにある側方領域（２２、２２’）間の中央領域（２１）を有し、該中央領域（２１）の表面粗さは該側方領域（２２、２２’）の表面粗さよりも大きく、
前記支持体は、さらに、
・無機物質から製作された導電性コーティング（５）であって、前記上部表面(３４、３４’)を覆い、前記側方領域の上方にありそして該側方領域と電気的に接触しており、厚さｅ5が５００ｎｍ以下であり、抵抗率ρ5が２０Ω・ｃｍ未満であって前記金属グリッドの抵抗率よりも大きく、そして屈折率ｎ5が少なくとも１．５である、導電性コーティング（５）、
を含み、
そして前記中央領域（２１）において、前記ストランド（２０）表面の中央及び前記上部表面が、前記第一の表面（１１）に垂直に測定されて５００ｎｍ以下である垂直距離Ｈだけ離れている、
導電性支持体（１００）。
【請求項２】
前記側方領域（２２、２２’）の粗さパラメータＲｑが最大で５ｎｍであることを特徴とする、請求項１記載の導電性支持体（１００）。
【請求項３】
電気絶縁性材料から製作された、パッシベーション層（６）と呼ばれる不連続層を含み、該層は前記ストランドの中央領域（２１）の上方にある絶縁性トラックのグリッドを形成していて、前記ストランドの外側縁を横方向に越えておらず、又は前記ストランドの外側縁を最大で１μｍだけ横方向に越えていることを特徴とする、請求項１又は２記載の導電性支持体（１００）。
【請求項４】
前記パッシベーション層（６）が、前記中央領域（２１）の上方に、１０ｎｍ未満の粗さパラメータＲｑを示す、上方表面（６ｓ）と呼ばれる表面を有することを特徴とする、請求項３記載の導電性支持体（１００）。
【請求項５】
前記パッシベーション層（６）が、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物の層、及び／又は該材料の窒化物の層であることを特徴とする、請求項３又は４記載の導電性支持体（１００）。
【請求項６】
前記導電性コーティングが不連続であり、前記中央領域に存在せず、そしてこの場合Ｈは、前記ストランド（２０）の表面の中央と前記導電性コーティングの表面との間で規定されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項７】
前記電気絶縁性材料がポジ型感光性材料であって、前記導電性コーティング上での厚さｅ6が１０００ｎｍ未満であり、次の材料、すなわち、ポリイミド、ポリシロキサン、フェノール−ホルムアルデヒド又はポリメチルメタクリレートのうちの少なくとも１つをベースとしていることを特徴とする、請求項３又は４記載の導電性支持体（１００）。
【請求項８】
前記パッシベーション層が前記中央領域と前記導電性コーティングとの間にあることを特徴とする、請求項３又は４記載の導電性支持体（１００）。
【請求項９】
前記第一の層が、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物の電気絶縁層、及び／又は該材料の窒化物の電気絶縁層であるか、あるいはまた透明導電性酸化物の層であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１０】
前記中央領域（２１）が上部表面（３４、３４’）よりくぼんでおり、そしてＨが１００ｎｍより大きいことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１１】
Ｈが１００ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１２】
前記金属グリッド（２、２０）が自己触媒的な被着により得られたものであることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１３】
前記金属グリッド（２、２０）が、２５％未満の被覆度Ｔを示すことを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１４】
前記金属グリッド（２、２０）が不規則パターンを示していることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１５】
前記金属グリッド（２、２０）の厚さｅ2が１５００ｎｍ未満であり、そして幅Ａが３０μｍ未満であることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１６】
前記金属グリッド（２０）の材料（１種又は複数種）が、銀、銅、ニッケル及びこれらの金属をベースとする合金から形成される群より選ばれていることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１つに項記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１７】
前記導電性コーティング（５）が、透明導電性酸化物から製作されている、屈折率ｎaが１．７と２．３の間で厚さが１５０ｎｍ未満の無機層を含むことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１８】
前記第一の層（３）が、前記第一の層の厚さの全部に入り込んだ、幅Ｗｃの横方向に延在する穴を有していることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項１９】
前記第一の層（３）が、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域（３０）、
・非導電性ドメインを形成していて、幅Ｗｃのキャビティを有する構造化領域（３１）、
から形成されることにより、前記第一の層の厚さの一部分に入り込んだ穴又はキャビティを有していることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項２０】
前記非導電性ドメインが、
・電気絶縁性材料から製作された上層であり、横方向に延在する穴を画定している不連続の上層（３’）であって、前記非導電性ドメインの一部を形成し、前記上部表面が該上層の表面である、上層（３’）、
・第一の層であって、
・前記上層と該第一の層との界面において、該第一の層の厚さの全体に入り込んだ、幅Ｗｃの横方向に延在する穴を有しているか、
・又は、該第一の層の厚さの一部分に入り込んだ、幅Ｗｃの横方向に延在する穴を有していて、
次のものから、すなわち、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域（３０）、
・前記上層の下にある構造化された領域（３１）、すなわち、前記横方向に延在する穴に面していて、前記上層と該第一の層との界面における幅Ｗｃのキャビティを有する領域（３１）、
から形成されている、
第一の層、
を含み、前記上層と前記第一の層との界面で、前記上層の横方向に延在する穴は幅Ｗ１であり、
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、縁部領域（２２ａ、２２’ａ）と呼ばれるストランドの領域は前記側方領域と隣接しており、前記側方領域よりも周辺にあって、かつ前記上層の下のキャビティ内にあり、
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、前記側方領域は幅Ｌ１であり、幅Ｌ１は点Ｘ”とＹ’間の距離として規定され、前記縁部領域は幅Ｌ２であり、Ｌ２は点Ｘ’とＹ間の距離として規定され、Ｙ”は前記側方領域（２２、２２’）の表面の平面におけるＹの正投影であり、そしてＬ３はＸ”とＹ”間の距離であり、Ｌ３は合計高さｅc＋ｅ’cより大きくて、Ｌ３≦２（ｅc＋ｅ’c）であり、ｅcは前記第一の層の横方向に延在する穴又はキャビティの高さ、そしてｅ’cは前記穴の高さである、
ことを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）を取り入れ固体又は液体電解質を用いたエレクトロクロミックデバイスであって、前記金属グリッド（２）を含む電極が、前記基材の第一の表面（１１）に最も近い、下部電極と呼ばれる電極を形成しており、及び／又は、液体電解質の場合には、該デバイスは請求項１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体を取り入れ、前記金属グリッド（２）を含む電極が上部電極を形成している、エレクトロクロミックデバイス。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体（１００）の製造方法。
・前記第一の層の組成物から製作された連続のアンカー層（３ａ）を含む基材（１）を準備する段階
・前記アンカー層（３ａ）にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、表面が前記上部表面（３４）となる第一の層（３）を形成する段階であって、
・側壁（６１）を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層（６０）を前記アンカー層の上に作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記アンカー層（３ａ）のウエットエッチングを行い、前記キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして前記キャビティ（３２、３３）に面している前記マスキング層（６０）の、内表面と呼ばれる表面の部分（６２、６２’）を画定すること、
を含む段階
・前記キャビティ又は横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着することを含む、前記金属グリッド（２）の形成段階であって、該第一の材料を該キャビティ又は横方向に延在する穴の側壁（３２）上に、及び前記マスキング層（６０）の内表面（６２、６２’）の全体に被着させて、前記上部表面（３４）と同一の高さでありそして前記中央ストランド領域（２１）よりも粗くない側方ストランド領域（２２、２２’）を形成する段階
・前記マスキング層（６０）を除去する段階  
【請求項２３】
請求項１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体（１００）の製造方法。
・次のものを含む基材（１）を準備する段階
・前記第一の層の組成物から製作された連続の「アンカー」層（３ａ）
・前記アンカー層（３ａ）上の、前記上層（３’）の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層（３’ａ）
・前記追加の層（３’ａ）に横方向に延在する穴を形成して、該追加の層の厚さの一部分又は全部に入り込んだ穴又はキャビティを有する上層（３’）を形成する段階であって、
・側壁を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層（６０）を前記追加の層（３’ａ）の上に作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部（６１）を通して、第一のエッチング液を用いて前記追加の層（３’ａ）をウエットエッチングし、前記横方向に延在する穴の上方に張り出した前記マスキング層の領域を作り、こうして前記横方向に延在する穴に面している前記マスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分（６２、６２’）を画定すること、
を含む段階
・前記アンカー層（３ａ）に前記キャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Ｗｃ＞Ｗ１の第一の部分的に構造化された層（３）を形成する段階であって、
・前記マスキング層（６０）の横方向に延在する開口部及び前記上層の横方向に延在する穴を通して、第二のエッチング液を用いて前記アンカー層（３ａ）のウエットエッチングを行い、前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分（２２ａ、２２’ａ）を画定すること、
を含む段階
・前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び前記上層の横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させて、前記内表面（６２、６２’）の下の前記上部表面（３４’）と同一の高さである一方で前記中央ストランド領域（２１）よりも粗くない側方ストランド領域を形成することを含み、前記第一の材料を前記上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、前記上層（３）の他の内部表面（２２ａ、２２ａ）の全体に被着させ、かつ前記マスキング層（６０）の内表面（６２、６２’）上に被着させて、縁部領域（２２ａ、２２’ａ）及び側方ストランド領域（２２、２２’）を形成する、前記金属グリッド（２）の形成段階
・前記マスキング層（６０）を除去する段階  
【請求項２４】
前記第一の金属材料の液体ルートによる被着が銀めっきであることを特徴とする、請求項２２又は２３記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
【請求項２５】
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層（６）をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要表面（１２）の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記パッシベーション層（６）を形成するため、前記ポジ型感光性材料の層が不連続にされ、該ポジ型感光性材料が前記金属グリッド（２）の上に残るまで、液で現像すること、
を含むことを特徴とする、請求項２２〜２４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
【請求項２６】
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・該破れのない層の上に、横方向に延在する開口部の所与の配置でポジ型感光性材料から製作された別の不連続マスキング層を、
・該パッシベーション層の材料の破れのない層を覆う前記ポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面（１２）の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記ポジ型感光性材料の露光された層が不連続にされ、その後前記金属グリッドのストランドの上方に位置するまで、液で現像すること、
により作製すること、
・前記別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記破れのない層をウエットエッチングし、前記絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより前記別のマスキング層を除去すること、
を含むことを特徴とする、請求項２２〜２４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
【請求項２７】
前記金属グリッドの形成後の前記マスキング層（６０）の除去で、前記金属グリッドの側方領域（２２、２２’）の内側縁と隣接し高さが少なくとも１０ｎｍである突出部が作られ、そして該方法が、前記マスキング層（６０）の除去後及び前記導電性コーティングの被着前に、該突出部を除去するためにウエットエッチングの段階を含むことを特徴とする、請求項２２〜２６のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の主題は、導電性支持体、それを組み込んだエレクトロクロミックデバイス及びその製造である。
【背景技術】
【０００２】
従来から、エレクトロクロミックグレージングの下部電極は、酸化インジウムをベースとする、一般にはＩＴＯの略語でよりよく知られているスズがドープされた酸化インジウムをベースとする、透明層であり、厚さが１００〜６００ｎｍ程度であり、そしてシート抵抗は１０〜１５オームを超える。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
１メートルよりも大きい２つの金属コンタクト間の距離を有する大きいサイズのエレクトロクロミックモジュールを製造するため、そして着色状態と無色状態の間の満足できる切換え時間を保持するためには、７０％を超える透明度を維持しながら、シート抵抗を５Ω／□未満の値に低下させることが望ましい。
【０００４】
さらに、製造方法は、エレクトロクロミックデバイスの光学的及び電気的性能を損なうことなく、実際にはさらには改善しながら、簡素化されかつ工業的規模で信頼できるものであるべきである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的のために、本発明は、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体を提供し、該支持体は、
・第一の表面と呼ばれる第一の主面を有する、屈折率ｎ1が１．４５〜１．８の範囲にある有機又は無機ガラス製のガラス基材（透明であり、場合により、特に表面がテクスチャ加工された場合には、半透明であるもの）、
・金属グリッドと呼ばれる、グリッドとして配置された層を含み、金属材料（純粋なもの又は合金で、好ましくは単層であり、実際にはさらに多層である）で製作されて、１０Ω／□未満、なおもより好ましくは５Ω／□未満のシート抵抗を示す、電極であって、該金属グリッドは少なくとも１００ｎｍ、好ましくは最大で１５００ｎｍの厚さｅ2を有し、該金属グリッドは、５０μｍ以下の幅Ａを有するストランド（さもなければトラックと呼ばれる）であって、５０００μｍ以下及び少なくとも５０μｍであるストランド間距離Ｂによって分離されたストランドから形成されており、これらのストランドは複数の電気絶縁性非導電性ドメインによって分離されていて、該ドメインは基材から最も遠い上部表面と呼ばれる表面を有し、該ドメインは屈折率が好ましくは１．６５より大きい、電極、
を含む。
【０００６】
導電性支持体は、第一の表面の側に、所与の組成の、好ましくは電気絶縁性である、第一の無機層を含み、該第一の層は第一の表面の直ぐ上にあるか、又は下層の上にあり、該下層は特に単層又は多層のバリア層、湿分に対する（プラスチック基材の場合）又はアルカリ金属に対する（ガラスの場合）無機のバリア層であり、第一の層は幅Ｗｃの横方向に延在する穴又はキャビティで厚さ方向に部分的に又は完全に構造化されて、それにより金属グリッドを少なくとも部分的に固定しており、上部表面は第一の層の表面であるか、又は無機の上層の表面であり、好ましくは厚さが２００ｎｍ以下である。
【０００７】
ストランドは、その長さに沿って、側方（平坦）領域の間の中央領域を有し、該側方領域は上部表面と同一の高さにあり、そして中央領域の表面粗さは側方（滑らかな）領域の表面粗さよりも大きく、側方領域の粗さパラメータＲｑは好ましくは最大で５ｎｍである。
【０００８】
導電性支持体はさらに、無機物質（単一又は複数材料）から製作された導電性コーティングを含み、該導電性コーティングは上部表面を、好ましくは直接、覆って、側方領域の上方にあって側方領域と電気的に接触しており、そして場合により、中央領域の上方に存在しそして中央領域と電気的に接触しており、厚さｅ5が５００ｎｍ以下、なおもより良好には２００ｎｍ以下であり、抵抗率ρ5が２０Ω・ｃｍ未満で、金属グリッドの抵抗率よりも大きく、そして屈折率ｎ5が少なくとも１．５、なおもより良好には少なくもと１．５５であり、さらには少なくとも１．７である。
【０００９】
さらに、中央領域において、ストランド中央の表面と上部表面とは垂直距離Ｈだけ離れており、Ｈは第一の表面に垂直であって、そして中央領域が上部表面からはみ出している場合には、５００ｎｍ以下、なおもより良好には３００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以下である。
【００１０】
金属グリッド（その中央領域）は、好ましくは少なくとも部分的に第一の層に固定されており、そして場合により、第一の層上の場合により存在する電気絶縁性の上層（単層又は多層）に完全に固定されている。上部表面、すなわち第一の層の表面又は場合により存在する上層の表面は、漏洩電流を低減するために、できるかぎり滑らかであるように選択される。
【００１１】
（第一の層又は上層の）上部表面は、好ましくは、１０ｎｍ未満、なおもより良好には５ｎｍ未満、そしてさらには２ｎｍ未満の粗さＲｑを有することができる、Ｒｑは、標準規格ＩＳＯ  ４２８７により規定することができ、そして原子間力顕微鏡により測定することができる。
【００１２】
Ｈは、プロファイルをできるだけ急変の少ないものとするため、くぼみが５００ｎｍに制限される。はみ出しは、層を固定しそして非導電性ドメインによるグリッド側壁のパッシベーションを可能にするため、できるだけ低減される。
【００１３】
好ましくは、側方（平坦）領域の（表面の）粗さパラメータＲｑは最大で５ｎｍ、さらには最大で３ｎｍ、そして最大で２ｎｍ又は１ｎｍであり、そして好ましくは、各側方（平坦）領域におけるＲｍａｘ (最大高さ)は最大で２０ｎｍであり、さらには最大で１０ｎｍである。
【００１４】
グリッド材料の被着のための、側方領域の表面粗さより大きい中央領域の粗さは、特に液体ルート、例えば自己触媒的な被着（例えば銀めっきなど）により得られる。中央領域の粗さは金属グリッドの厚さとともに増加する（側方領域の平坦性は厚さに無関係）。
【００１５】
中央領域の粗さパラメータＲｑ（又はｒｍｓ）は、少なくとも１０ｎｍ、さらには少なくとも２０ｎｍ、そして好ましくは最大で６０ｎｍであることができ、そしてさらに中央領域における粗さパラメータＲｍａｘ（最大高さ）は少なくとも１００ｎｍ、さらには少なくとも１５０ｎｍ、そして好ましくは最大で５００ｎｍであることができる。
【００１６】
金属グリッドのＲｍａｘ及びＲｑは標準規格ＩＳＯ  ４２８７により規定することができ、そして原子間力顕微鏡により測定することができる。
【００１７】
本発明によると、上部表面と同一の高さである側方領域は上部表面と厳密に同一の平面にあることができ、又はそれから最大で１０ｎｍ、なおもより良好には最大で５ｎｍだけ逸れていてもよい。
【００１８】
各側方（平坦）領域が上部表面と同一の高さであることは、金属塩の溶液中での還元をベースとする自己触媒的（無電解）被着などの、金属の液体ルートによる被着によるものでもあり、この被着はウエットエッチングにより（部分的に又は完全に）構造化された層の上のマスキング層の開口部を通して行われる。同一高さにするこの現象は、金属の厚さと無関係である。
【００１９】
特に、自己触媒的被着（銀めっきなど）の例では、銀などの金属を（部分的又は完全に）構造化された層（上層のみ、又は上層及び第一の層）の穴に被着させる。この穴は、ウエットエッチングによる構造化された層の形成の間に起こる側方エッチングの結果として、マスキング層の開口部よりも幅が広い。銀は、各穴の上方にあるマスキング層の側壁上及び「内」表面上に、すなわち上部表面の平面にあってこのため各穴の側壁を越えている内表面上に被着される。
【００２０】
上部表面と同一の高さである側方領域は、それ自体が滑らかな内表面を有するマスキング層との接触の結果として、平坦かつ滑らかである。その点で、内表面は上部表面の滑らかかつ平坦な特性を複製する。ウエットエッチングは、内表面及び滑らかな側壁及びキャビティ底部に有意の粗さを生じさせない（これらの潜在的に生じうる粗さは、滑らかな表面上への被着に関して、グリッド表面の粗さを増加させない）。
【００２１】
マグネトロン陰極スパッタリングなどの物理的気相成長（ＰＶＤ）の際には、（フォト）レジンなどのマスキング層の開口部を通したシェード効果により、ストランドの側方領域はディッシュ形状となり、（部分的に又は完全に）構造化された層のキャビティの高さに相当する深さのモルホロジーに裂け目を生じさせ、これはその後エレクトロクロミックデバイスが製造されたときに短絡を生じさせかねない。このタイプの被着においては、くぼんだ又ははみ出したグリッドの場合にストランドに上部表面と同一高さの滑らかな側方領域はできない。
【００２２】
さらに、銀めっきは簡単であり、物理的気相成長ＰＶＤよりも手間がかからず（真空設備がないなど）、そして任意のサイズの金属グリッドに適切である。さらに、銀めっきにより被着した銀の導電率は十分である（典型的に、ＰＶＤにより製作した銀グリッドの導電率よりも３０％〜４０％低い）。
【００２３】
好ましい実施形態では、信頼性がありそして製造が単純であることから、中央領域は上部表面よりもくぼんでおり、そしてＨは１００ｎｍより大きく、さらには１５０ｎｍより大きい。
【００２４】
試験を行う間に、出願人の会社は中央領域の金属グリッドの表面と上部表面との間の十分な間隙の利点を見いだした。これは、はみ出した金属グリッド又はくぼんだ金属グリッドで、Ｈの値がより小さいものの場合には、側方領域の内側縁に隣接して約２０ｎｍ〜２００ｎｍの高さＨ１及び約２０〜５００ｎｍの中間高さ幅Ｗ１を有する金属突出部が出現することを出願人の会社が観察したからである。これらの突出部は連続又は不連続である。これらの突出部は、漏洩電流を増加させることがあるので有害である。本発明によると、１００ｎｍを超え、さらには１５０ｎｍを超える間隙Ｈが、これらの突出部及びその高さを有意に低減し、実際のところさらにはそれらを抑制することを可能にする。
【００２５】
本発明によると、金属グリッドが上部表面よりもくぼんでいて、Ｈが１００ｎｍより大きく、実際のところさらには１５０ｎｍより大きい場合に、本発明による金属ストランドの多く及びさらには各金属ストランドにこれらの突出部はない。本発明によると、金属ストランド表面、好ましくは銀は、側方領域の内側縁に隣接するこれらの突出部の高さが１０ｎｍ未満であるときに、突出部はないと見なされる。
【００２６】
別の実施形態では、Ｈは１００ｎｍ以下であり、そしてさらに好ましくは、中央領域は上部表面よりもくぼんでおり、好ましくは金属ストランド表面に側方領域の内側縁（中央領域側）に隣接する１０ｎｍよりも大きい高さの（金属）突出部はない。
【００２７】
小さい間隙Ｈでは、マスキング層を除去する間に突出部が作り出される。間隙Ｈが小さい（事実上くぼんでいるストランド）場合に、（部分的又は完全に）構造化された層の穴に被着したグリッド金属（銀）とマスキング層の側壁上のそれとの間の裂け目は、グリッド金属とマスキング層上の金属との接触の領域がより大きいために、実施する上でより問題となることが想定される。しかしながら、これらの突出部は化学的攻撃により除去することができる。
【００２８】
有利なことに、導電性支持体はパッシベーション層と呼ばれる不連続層を含むことができ、この層は非導電性材料から製作され、ストランドの中央領域の上方及び場合により側方領域の上方にある絶縁性トラックのグリッドを形成して、中央領域を完全にカバーしそして場合により側方領域を部分的に又は完全にカバーし、そしてストランドの（上部面の上方の）外側縁を側方に越えず、又はストランドの（上部表面の上の）外側縁を最大で１μｍ、さらには最大で５００ｎｍ、又は最大で２００ｎｍだけ側方に越え、実際のところさらには中央領域を越えない。
【００２９】
さらに、本発明による絶縁性グリッドは潜在的に、漏洩電流を制限し、したがってエレクトロクロミックデバイスの寿命低下を制限するのを可能にする。さらに、絶縁性グリッドの表面が滑らか（例えば、ゾルゲルルート又は他の液体ルートの方法により得られる層）である場合には、漏洩電流の起点となる大きな欠陥を平坦化することができる。
【００３０】
金属グリッドは、目に見えないことができる小さい幅Ａのストランドを有し、そして好ましくは不規則であり、そしてなおもより良好にはランダムであって、それにより可能性のある回折現象を抑制する。さらに、パッシベーション層がストランドの上方にある。絶縁性トラックが金属ストランドを越えて側方に延在していない（又は、１μｍ未満だけ、わずかに延在している）ならば、絶縁性トラックは活性表面の喪失を生じさない（又は、本発明によるストランドの幅の可能性のある側方オーバーシュートに対する比の観点から、若干しか生じさせない）。
【００３１】
中央領域より滑らかな側方領域の存在は、さらに、本発明による支持体の主要な利点を提供する。側方領域は、それ自体がパッシベーションされる必要がない（それらは滑らかなので）。本発明による製造方法は、絶縁性トラックを部分的に又は完全に側方領域上に局部集中させ、こうして粗い中央領域を完全にカバーすることを可能にする。側方領域が滑らかであり、そして漏洩電流を生じさせないならば、場合により部分的のみであるその被覆は面倒なことにならない。部分的にのみカバーする可能性はまた、処理パラメータの選択の許容度を与えることにより、製造プロセスの点で利点を提供するのを可能にする。
【００３２】
それが大きいほど、許容度は大きくなる。このため、絶縁性トラックは、中央領域が完全にカバーされているかぎり、区別なく側方領域を完全に又は部分的にカバーすることができる。
【００３３】
中央領域の幅は、各側方領域の幅（上部表面のレベルで規定される）より大きくても、それと等しくても、又はそれより小さいてもよい。これはｅ2、Ｈ及び金属グリッドを受け入れる穴の幅に依存する。
【００３４】
好ましくは、パッシベーション層は、中央領域の上方で、上方表面と呼ばれる表面を有し、該表面は粗さパラメータＲｑが１０ｎｍ未満、なおもより良好には５ｎｍ未満、さらには２ｎｍ未満であり、さらには粗さパラメータＲｍａｘが１００ｎｍ未満、なおもより良好には５０ｎｍ未満、さらには２０ｎｍ未満である。さらに、パッシベーション層は好ましくは、粗さパラメータＲｑが１０ｎｍ未満、さらには５ｎｍ未満、なおもより良好には２ｎｍ未満であり、さらには粗さパラメータＲｍａｘが１００ｎｍ未満、なおもより良好には５０ｎｍ未満、さらには２０ｎｍ未満である側壁を有する。
【００３５】
パッシベーション層は単層でよく、実際のところさらには多層でもよく、透明又は不透明（多かれ少なかれ吸収性）でよく、任意の屈折率を有することができる。
【００３６】
パッシベーション層は有機であることができ、特にポリマーであることができる。
【００３７】
パッシベーション層の第一の実施形態において、電気絶縁性材料はポジ型の（アニールされた）感光性材料であり、厚さｅ6が１０００ｎｍ未満、さらには最大で６００ｎｍ、そしてさらには最大で３００ｎｍであって、導電性コーティング上にある。
【００３８】
感光性材料は、マスキング層のためにフォトリソグラフィーにおいて従来から使用されており、フォトレジストと呼ばれている。それは、一般にはフォトレジンである。
【００３９】
「ポジ型」感光性材料は、標準的に、ＵＶ光で露光された部分が現像剤（現像液）に可溶性となり、露光されていない感光性材料の部分が不溶性のままであるタイプの感光性材料である。
【００４０】
「ネガ型」感光性材料は、標準的に、露光された部分が現像剤に対して不溶性となり、露光されていない感光性材料の部分が可溶性のままであるタイプの感光性材料である。
【００４１】
パッシベーション層は単層でよく、実際のところさらには多層でもよく、透明又は不透明（多かれ少なかれ吸収性）でよく、任意の屈折率を有することができる。
【００４２】
絶縁性トラックは斜めの側壁を示し、それはポジ型感光性材料の現像によりもたらされる。具体的に言うと、絶縁性トラックの底部は上部表面との角度αが最大で６０°、さらには４０°と５０°の間でよく、それにより絶縁性トラックは第一の表面から離れるにつれて幅が減少する。パッシベーション層の断面は、典型的にはドーム型であって、鋭い角度を持たない。
【００４３】
すべての予期に反して、ポジ型感光性材料はエレクトロクロミックデバイスの製造のその後の段階との相性がよい。
【００４４】
平坦化材料の厚さは、好ましくは金属グリッドのＲｍａｘ値の大きさ程度である。
【００４５】
この第一の実施形態の好ましい実施において、パッシベーション層は以下の材料、すなわち、ポリイミド、ポリシロキサン、フェノール−ホルムアルデヒド（ノボラック樹脂の名称で知られている）又はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、のうちの少なくとも１種をベースとする層である。
【００４６】
第二の実施形態では、パッシベーション層は無機であり、そしてより詳しく言えば、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物及び／又は窒化物の層であり、この酸化物は好ましくはゾルゲルルートにより得られ、そしてパッシベーション層は好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化ニオブ及びそれらの混合物の層である。
【００４７】
絶縁性トラックの材料は、様々な方法（例えば、陰極スパッタリング又はゾルゲル）により被着させることができる。より低コストであること及びゾルゲルルートによる材料の平坦化特性の理由から、ゾルゲル法が好ましい。
【００４８】
パッシベーション層に関しては２つの形態が可能である。
【００４９】
第一の形態では、パッシベーション層は、導電性であって好ましくは無機であるコーティング上にある。
【００５０】
第二の形態では、パッシベーション層は、導電性であって好ましくは無機であるコーティングと中央領域（及びさらには側方領域）との間にある。
【００５１】
一つの形態において、導電性コーティング、好ましくはインジウムをベースとする層は、不連続であり、そして中央領域に存在しない。
【００５２】
導電性コーティングは、不連続であって中央領域に存在しなくてよく、そしてこの場合、Ｈはストランド表面の中央と導電性コーティングの表面との間で規定される。
【００５３】
第一の層は、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物及び／又は窒化物の層でよく、この酸化物は好ましくはゾルゲルルートにより得られ、そして第一の層は好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素及びそれらの混合物の層でよく、又は、特に亜鉛をベースとする、透明導電性酸化物の層でもよい。
【００５４】
本発明による場合により部分的に構造化されている第一の層は、大きい表面積を覆って存在することができ、例えば０．００５ｍ2以上、実際のところさらには０．５ｍ2又は１ｍ2以上の表面積を覆って存在することができる。本発明によるグリッドは、大きい表面積を覆って存在することができ、例えば０．０２ｍ2以上、実際のところさらには０．５ｍ2又は１ｍ2以上の表面積を覆って存在することができる。
【００５５】
湿分に対する下層バリア層を、プラスチックから選択された基材に加えることができる。バリア層は、窒化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸炭窒化ケイ素、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化スズ、窒化アルミニウム又は窒化チタンをベースとすることができ、例えば厚さが１０ｎｍ以下で、好ましくは３ｎｍ以上、実際のところさらには５ｎｍ以上である。それは多層であることができる。
【００５６】
本発明において、全ての屈折率は５５０ｎｍで規定される。
【００５７】
金属グリッドに関して言うと、ストランドは長尺であり、連結されておらず、又は好ましくは相互連結されており(少なくとも活性領域において)、特にメッシュとして相互連結されている。絶縁性トラックは同じ構造を有する。
【００５８】
好ましくは、金属グリッドは自己触媒的な被着により、好ましくは銀めっきにより、得られる。
【００５９】
有利なことに、本発明による金属グリッドは１０Ω／□未満、好ましくは５Ω／□以下、さらには１Ω／□以下のシート抵抗を示すことができる。
【００６０】
特に、小さいＲ□を得ることは、エレクトロクロミックモジュールの従来のサイズを増大させること及び着色状態／無色状態の切換え時間を低下させることを可能にする。
【００６１】
金属グリッドの材料（１種又は複数種）は、銀、銅及びニッケルにより形成される群から選択され、特に純粋な材料であり、又はこれらの金属をベースとする合金でもよい。グリッドは、好ましくは銀をベースとする。
【００６２】
金属グリッドは、好ましくは単層（銀）でよく、実際のところさらには多層（好ましくは少なくとも８０％、さらには９０％の銀を含む）であってもよい。
【００６３】
金属グリッドは多層、特に銀の多層であることができ、そして以下のもの、すなわち、
・第一の金属層（キャビティの底の直ぐ上の、又はキャビティの底に最も近い金属層）であって、好ましくは第一の金属材料製であり、該金属材料は好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から構成され、グリッドの合計厚さｅ2の１５％未満、さらには１０％未満を形成し、及び／又は少なくとも３ｎｍ、５ｎｍ、実際のところさらには少なくとも１０ｎｍ、かつ好ましくは１００ｎｍ未満、実際のところさらには５０ｎｍ未満である、第一の金属層、
・第二の金属層（基材から離れる方向に進んで第一の層上の）であり、特に第一の層との識別できる界面を有し、第二の金属材料をベースとしていて、該第二の金属材料は好ましくは銀、アルミニウム又は銅から選択され、グリッドの合計厚さｅ2の少なくとも７０％、８０％及びさらには９０％を形成している第二の金属層であって、該第二の層は好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から構成され、特に第一の層と同様である、第二の層、
をこの順に含む（実際のところさらにはこれらから構成される）ことができる。
【００６４】
具体的に言うと、第一の被着法により、例えば、銀めっきにより、好ましくは少なくとも２０ｎｍ、さらには少なくとも３０ｎｍの厚さで被着させるか、又は真空被着（スパッタリング）により被着させることによって、銀をベースとする第一の金属層を形成することが可能であり、そして好ましくは電着である第二の被着法により、銀をベースとする第二の層を少なくとも３ｎｍ、実際のところさらには５ｎｍの厚さで形成することが可能である。電着の利点は、銀めっきよりも銀の使用レベルが高く、そしてスパッタリングよりも安価な方法であることである。
【００６５】
金属グリッドは、相異なる材料から作製された層を有する多層であることができ、例えば、下層の金属層と異なる、特に銀と相異なる材料で作製されて、厚さが１０ｎｍ未満、なおもより良好には５ｎｍ未満又はさらには３ｎｍ未満である、腐食（水及び／又は空気）に対して保護するための最終層、例えば金属層、を含む多層であることができる。この層は、銀をベースとするグリットのために特に使用されるものである。
【００６６】
金属グリッドはさらに、二重層などの相異なる材料から作製された２つの層を含む多層であることができ、そして下記のもの、すなわち、
・上述の材料から作製され、好ましくは銀をベースとし、実際のところさらには銀から作製され、好ましくは例えば銀めっき又は真空被着（スパッタリング）により被着された、厚さが少なくとも１００ｎｍの、（単一の）金属層、及び、
・腐食（水及び／又は空気）に対する保護のための上層、例えば、上記金属層とは相異なる材料、特に銀とは相異なる材料から製作されて、厚さが１０ｎｍ未満、なおもより良好には５ｎｍ未満又はさらには３ｎｍ未満である上層、例えば金属の上層、
から構成することができる。
【００６７】
金属グリッドは、例えば銀などの、金属層であることができ、そして保護する上層、特に一次的なもの、特にポリマーの上層で被覆することができる。
【００６８】
金属グリッドは、選択された第一の部分的に構造化された層上に好ましくは直接被着させることができ、実際にはさらに、誘電性の下層の上に、特に結合用の下層（グリッド材料の被着を促進するために結合機能を有する）の上に被着させることができる。下層は、部分的に構造化された層のキャビティ（キャビティの底部と、その側壁の好ましくはすべて又は一部）の直ぐ上にあり、そして部分的に構造化された層の、好ましくは無機の、特に酸化物の、例えば透明導電性酸化物の、結合層の表面には存在しないのが好ましい。誘電性の下層は、厚さｅAが３０ｎｍ未満、実際のところさらには１０ｎｍ未満である。この結合層は、マグネトロン陰極スパッタリングにより容易に被着される。
【００６９】
単純化のために、金属グリッドは構造化された層と直接接触している（グリッドとキャビティの底部との間に層がない）ことが好ましい。
【００７０】
Ａは、ストランドが肉眼で見えるのを制限するため５０μｍ以下であるように選択され、そしてｅ2は、小さなＲ□という目標をより容易に達成するため少なくとも１００ｎｍであるように選択される。
【００７１】
金属ストランドは、エレクトロクロミックデバイスの活性領域において相互連結されるか、又はその端部を介して（のみ）電気接点に接続される。
【００７２】
金属グリッドは、不規則形状及び／又は不規則サイズであり、なおもより良好にはランダムサイズである、閉じたパターン又はメッシュの形態のストランドの形態であることができる（互いに相互接続されて閉じたパターンを画定しているストランド）。
【００７３】
厚さｅ2は、ストランドの幅に沿ってキャビティ内で必ずしも均一でない。好ましくは、それはストランドの表面の中央で規定される。幅Ａは、所与のキャビティにおいて必ずしも均一でない。Ｂは、特にメッシュの２つの点の間の最大距離に相当する、ストランド間の最大距離として規定することができる。
【００７４】
ＡとＢは、ストランドごとにいろいろでよい。金属グリッドは不規則であることができるので、それゆえ寸法Ａは、ｅ2が平均であるのと全く同様に、好ましくはストランド全体の平均寸法である。
【００７５】
厚さｅ2（ストランドの表面の中央で規定される）は、１５００ｎｍ未満、なおもより良好には１０００ｎｍ未満、特に１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内であることができ、又は、構造化された層がゾルゲルである場合、８００ｎｍ未満、特に２００ｎｍ〜８００ｎｍ、とりわけ１００〜５００ｎｍ又はさらには１００〜３００ｎｍの範囲内であることができる。
【００７６】
幅Ａは、この場合もやはりストランドが肉眼で見えるのを制限するため、好ましくは３０μｍ未満である。Ａは、好ましくは１〜２０μｍ、より好ましくはやはり１．５μｍ〜２０μｍ、又はさらには３μｍ〜１５μｍの範囲内である。Ｂは、少なくとも５０μｍ、そしてさらには少なくとも２００μｍであり、かつＢは５０００μｍ未満、なおもより良好には２０００μｍ未満、さらには１０００μｍ未満である。
【００７７】
本発明による金属グリッドの別の特性は、被覆度Ｄであり、それは好ましくは２５％未満、なおもより良好には１０％未満、さらには６％未満又は２％未満である。さらに、絶縁性グリッドは、Ｄ以下であって、２５％未満又は１０％未満、さらには６％未満である、被覆度Ｄ’を示すことが好ましい。
【００７８】
特に、ｅ2が８００ｎｍと１５００ｎｍの間であり、そしてＡが１０μｍと５０μｍの間である場合には、２０００μｍと５０００μｍの間のＢが望ましかろう。これは０．４％と６．０％の間の被覆度に相当する。
【００７９】
特に、ｅ2が５００ｎｍ未満であり、そしてＡが３μｍと２０μｍの間又は３μｍと１０μｍの間である場合には、２００μｍと１０００μｍの間のＢが望ましかろう。これは０．５％と２２％の間、又は０．５％と１１％の間の被覆度に相当する。
【００８０】
所与のＲ□については、透明性を増すために、ストランドの大きな幅Ａのところで金属グリッドの厚さｅ2が大きいことが好ましい。
【００８１】
特に、非導電性ドメインにおける金属グリッドの固定に関して幾つかの実施形態が可能である。
【００８２】
第一の実施形態では、好ましくは電気絶縁性であり、さらに好ましくはゾルゲルである第一の層は、幅Ｗｃの横方向に延在する穴で厚さ方向に完全に構造化されており、そして好ましくは、場合により存在するバリアの下層は構造化されない。
【００８３】
第二の実施形態では、好ましくは電気絶縁性であり、さらに好ましくはゾルゲルである第一の層は、下記のものから形成されることによって、すなわち、
・金属グリッドの下にある、底部領域と呼ばれる領域、
・構造化領域であって、該領域は非導電性ドメインを形成し、幅Ｗｃのキャビティ、ひいては閉塞された穴を有し、好ましくは、側方領域が第一の層と隣接していて幅Ｌ１を有し、Ｌ１はキャビティの高さｅcより大きくて、Ｌ１≦２ｅcであり、さらにはＬ１≦１．４ｅcである、構造化領域、
から形成されることによって、厚さ方向に部分的に構造化されており、電気絶縁性である。
【００８４】
第三の実施形態では、下記のものが存在し、すなわち、
・電気絶縁性材料、好ましくは無機材料から製作された上層（単層又は多層）であり、不連続であって横方向に延在する穴を画定している上層であって、非導電性ドメインの一部を形成し、上部表面が該上層の表面であり、厚さｅzが最大で５００ｎｍ、さらには３００ｎｍ、又は最大で１００ｎｍであり、そして好ましくは少なくとも２０ｎｍである、上層、
・第一の、好ましくは無機の、電気絶縁性層であって、
・上層と第一の層との界面において幅Ｗｃの横方向に延在する穴、すなわち金属グリッドの（中央領域の）少なくとも下方部分を受け入れるキャビティ（金属グリッドの中央領域の上方部分が場合により上層の横方向に延在する開口部中に延在し、実際のところさらには上部表面を越えて延在している）、で厚さ方向に完全に構造化されており、
・又は、厚さ方向で部分的に構造化されていて、次のものから、すなわち、
・金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域、
・上層の下（かつ底部領域の上）にある構造化領域、すなわち、横方向に延在する穴に面している幅Ｗｃのキャビティ（ひいては閉塞された開口部）、特に金属グリッドの（中央領域）の少なくとも下方部分を受け入れるキャビティを有する領域（金属グリッドの中央領域の上方部分は場合により、上層の横方向に延在する開口部中に延在し、実際のところさらには上部表面を越えて延在している）、
から形成されている、
第一の電気絶縁性層、
が存在し、上層と第一の層との界面（上層−構造化領域界面）の、横方向に延在する穴は、幅Ｗ１であり、キャビティは幅Ｗｃであり、好ましくはＷｃ≧Ｗ１、さらにはＷｃ＞Ｗ１である。
【００８５】
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、縁部領域と呼ばれるストランドの領域は、側方領域と隣接しており、側方領域よりも周辺にあって、上層の下のキャビティ内にあり、このようにして第一の層の表面と同一の高さにある（側方領域は厚さｅz の縁部領域の突出部を形成している）。
【００８６】
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、側方領域は幅Ｌ１であり、幅Ｌ１は点Ｘ”とＹ’間の距離として規定され、縁部領域は幅Ｌ２であり、Ｌ２は点Ｘ’とＹ間の距離として規定され、Ｙ”は側方領域表面の平面へのＹの正投影であり、そしてＬ３はＸ”とＹ”間の距離であり、Ｌ３は合計高さｅc＋ｅ’cより大きくて、Ｌ３≦２（ｅc＋ｅ’c)、さらにはＬ３≦１．４（ｅc＋ｅ’c)であり、ｅcはキャビティの高さ（中央で測定）、そしてｅ’cは層３’の高さである。
【００８７】
好ましくは、Ａは、Ｗ１＞Ｗｃである場合には上部表面で規定され、Ｗ１≦Ｗｃである場合には第一の層の表面で規定される。好ましくは、Ｂは、Ｗ１＞Ｗｃである場合には上部表面で規定され、Ｗ１≦Ｗｃである場合には第一の層の表面で規定される。
【００８８】
第一の層が厚さ方向に部分的に構造化されて、高さｅcが好ましくは２００ｎｍより大きいキャビティの境界が好ましくは口を広げた側壁により画定され、キャビティがプラスチック基材から離れるにつれて広がっている場合には、ｅcより大きい水平距離Ｌを、Ｌ≦２ｅcとして規定することができる。Ｌは点ＸとＹとの間であり、Ｙは側壁の最上点であり、Ｘはキャビティ底部の末端での点である。
【００８９】
高さｅ’cの上層の穴は、プラスチック基材から離れるにつれて広がる、口を広げた側壁により境界を画定することができ、ｅ’cより大きくてＬ’≦２ｅ’cである水平距離Ｌ’を有することができる。
【００９０】
第一の層が厚さ方向に部分的に構造化された層であり、その上方表面が場合により上部表面を形成している場合には、キャビティが深くなるほど、側方領域が大きくなる。
【００９１】
上層は透明であり、できるかぎり低い吸収率を有する。
【００９２】
好ましくは、上層は無機であり、そして特に、金属及び／又はケイ素酸化物、金属及び／又はケイ素窒化物、あるいは金属及び／又はケイ素酸窒化物（ＳｉＯＮ）の層を含む。その厚さｅzは、２００ｎｍ未満、１５０ｎｍ未満、１００ｎｍ未満、そしてさらには５又は２０ｎｍ〜８０ｎｍであることができる。それは、特に金属酸化物の又は金属酸化物と金属窒化物（例えばＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4など）の、単層又は多層であることができる。
【００９３】
上層は、例えば、酸エッチングための、例として導電性被覆のために使用されるＩＴＯをエッチングするための標準的な液である王水などのための、バリア（保護）層である。好ましくは、上層は、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びそれらの混合物あるいはまたＳｎの、酸化物の少なくとも１つの層を含み、場合によりケイ素を含む。
【００９４】
これらの酸化物は、気相成長、特にマグネトロンスパッタリングにより、あるいはまたゾルゲルルートにより、被着させることができる。好ましくは、上層は屈折率が１．７より大きい。多層の場合には、好ましくは１．７を超える平均屈折率が規定される。多層の場合には、１．７未満の屈折率を有する層は厚さが５０ｎｍ未満であることが好ましい。
【００９５】
上層は、閉塞された穴を有し、又は好ましくは横方向に延在する穴を有する。
【００９６】
穴は、高さｅ’cが２０ｎｍより大きく、さらには少なくとも５０ｎｍ又は１００ｎｍで、かつ好ましくは３００ｎｍ未満でよく、幅Ａ’cが３０μｍ以下でよい。ｅ’cは穴の中央で測定される。
【００９７】
穴は、任意の形状の、例えば直線状の又は曲がりくねった、規則的に又は不規則的に間隔を開け、特に連結されていない（少なくとも活性領域において）、溝（一方向性の）を形成することができる。
【００９８】
穴は、任意の形状、特に幾何学的形状（正方形、長方形、ハニカム）の、規則的又は不規則的メッシュの、周期的又は非周期的な、メッシュ組織を形成することができ、すなわち相互連結された（二次元の）開口部の網状組織を形成することができる。メッシュは、メッシュの２つの点の間の最大幅により規定することができる。
【００９９】
第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴（グリッドとして形成され、金属グリッドの配置を規定している）には、金属グリッドが好ましくは部分的に充填される。キャビティは、底部と側壁とにより境界を定められ、一般にディッシュを形成している。
【０１００】
非導電性ドメインを分離する第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴は、２００ｎｍを超え、さらには少なくとも２５０ｎｍ又は５００ｎｍであり、そして好ましくは１５００ｎｍ又は１２００ｎｍ未満である高さｅc、及び３０μｍ以下の幅Ａcを有することができる。ｅcは、キャビティの中央で測定される。Ａcは、好ましくはキャビティの底部で測定される。
【０１０１】
第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴は、任意の形状の、例えば直線状の又は曲がりくねった、規則的に又は不規則的に間隔を開けた、特に連結されていない（少なくとも活性領域において）、溝（一方向性の）を形成することができる。
【０１０２】
第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴は、任意の形状、特に幾何学的形状（正方形、長方形、ハニカム）の、規則的又は不規則的メッシュの、周期的又は非周期的な、メッシュ組織を形成することができ、すなわち相互連結された（二次元の）開口部の網状組織を形成することができる。メッシュは、メッシュの２つの点Ｂc間の最大幅により規定することができる。
【０１０３】
好ましくは、ｅcは２００ｎｍを超え、さらには２５０ｎｍ又は５００ｎｍを超える。ｅcは好ましくはサブミクロンである。好ましくは、ｅ’cは１００ｎｍを超え、さらには２５０ｎｍを超え、かつ５００ｎｍ以下である。ｅ’cは好ましくはサブミクロンである。
【０１０４】
本発明の目的の範囲内で、層又はコーティング（１以上の層を含む）の被着が別の被着層の直ぐ下又は直ぐ上で行われることが特定される場合には、これらの２つの被着層の間にいかなる層も介在することができない。
【０１０５】
本発明では、すべての屈折率は５５０ｎｍで規定される。
【０１０６】
導電性コーティングは、２０Ω・ｃｍ未満、さらには１０Ω・ｃｍ未満又は１Ω・ｃｍ未満、そしてさらには１０-1Ω・ｃｍ未満であって、金属グリッドの抵抗率より大きい抵抗率ρ5を有し、そして少なくとも１．５５、なおもより良好には１．６、さらになおもより良好には１．７の所与の屈折率ｎ5を有する。
【０１０７】
ストランド間の距離の関数として、抵抗率を調節することが好ましい。それはＢが増加するにつれて小さくなる。
【０１０８】
例えば、Ｂ＝１０００μｍ及びｅ5＝１００ｎｍでは、０．１Ω・ｃｍ未満の抵抗率が好ましい。Ｂが２００μｍ及びｅ5＝１００ｎｍでは、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率が好ましい。
【０１０９】
本発明による導電性コーティングは、電流のより良好な分配に寄与する。
【０１１０】
導電性コーティングは、好ましくは多層であるよりも単層である。
【０１１１】
コーティングの表面は、グリッドの表面粗さを複製することができ、特に気相成長により得られる。中央領域の上方のコーティングは、上部表面よりもへこませることができる。
【０１１２】
例えば、導電性コーティングは、屈折率ｎaが１．７と２．３の間である無機層を含むことができ（又は好ましくはそれから構成され）、好ましくは該無機層はコーティングの最終層であり（基材から最も遠い）、そしてさらには唯一の層であり、好ましくは厚さが１５０ｎｍ未満であり、単純な酸化物又は混合酸化物である透明導電性酸化物をベースとし、
・特に、場合によりドープされた、次の金属酸化物、すなわち、酸化スズ、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデンＭｏＯ3、酸化タングステンＷＯ3又は酸化バナジウムＶ2Ｏ5、のうちの少なくとも１種をベースとし、
・ＩＴＯ（好ましくは）をベースとし、また例えば、酸化スズ亜鉛ＳｎＺｎＯをベースとし、又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯで表す）をベースとし、又は酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯで表す）をベースとする、層（特に非晶質）をベースとする。
【０１１３】
好ましくは、酸化亜鉛をベースとする層はアルミニウム及び／又はガリウムをドープされる(ＡＺＯ又はＧＺＯ)。
【０１１４】
亜鉛の酸化物ＺｎＯから作製された層は、好ましくはＡｌをドープされ（ＡＺＯ）及び／又はＧａをドープされ（ＧＺＯ）、Ｚｎ＋Ａｌ又はＺｎ＋Ｇａ又はＺｎ＋Ｇａ＋Ａｌ又はＺｎ＋その他のドーピング剤の重量百分率の合計は金属の合計重量を基準として少なくとも９０％、なおもより良好には少なくとも９５％、さらには少なくとも９７％であり、ここでのその他のドーピング剤は、好ましくはＢ、Ｓｃ又はＳｂから、あるいはまたＹ、Ｆ、Ｖ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ又はＨｆから、さらにはＩｎから選択される。
【０１１５】
本発明によるＡＺＯ層については、Ａｌ／（Ａｌ＋Ｚｎ）とも称される、アルミニウムと亜鉛の重量百分率の合計に対するアルミニウムの重量百分率は、好ましくは１０％未満、より好ましくは５％以下であろう。
【０１１６】
こうするためには、酸化亜鉛と酸化アルミニウムの重量百分率の合計に対する酸化アルミニウムの重量百分率、典型的にはＡｌ2Ｏ3／(Ａｌ2Ｏ3＋ＺｎＯ)が、１４％未満、好ましくは７％以下であるように、酸化アルミニウムと酸化亜鉛のセラミックターゲットを使用することが好ましかろう。
【０１１７】
本発明によるＧＺＯについては、Ｇａ／（Ｇａ＋Ｚｎ）とも称される、亜鉛とガリウムの重量百分率の合計に対するガリウムの重量百分率が、１０％未満であることが好ましく、より好ましくは５％以下であろう。
【０１１８】
こうするためには、酸化亜鉛と酸化ガリウムの重量百分率の合計に対する酸化ガリウムの重量百分率、典型的にはＧａ2Ｏ3／(Ｇａ2Ｏ3+ＺｎＯ)が、１１％未満、好ましくは５％以下であるように、酸化亜鉛と酸化ガリウムのセラミックターゲットを使用することが好ましかろう。
【０１１９】
酸化スズ亜鉛（ＳｎＺｎＯ）をベースとして選択される層においては、金属の合計重量基準のＳｎの百分率は、好ましくは２０％から９０％まで幅があり(そしてＺｎに関しては好ましくは８０〜１０％)、 特に３０〜８０％ (そしてＺｎに関しては好ましくは７０〜２０％)であり、具体的に言えばＳｎ／（Ｓｎ＋Ｚｎ）の重量比は好ましくは２０〜９０％、とりわけ３０〜８０％である。
【０１２０】
無機層、好ましくはＩＴＯ層又は酸化亜鉛をベースとする層は、好ましくは６０ｎｍ以下、５０ｎｍ以下、実際のところさらには４０ｎｍ以下、又はさらには３０ｎｍ以下、そしてさらには１０ｎｍ以下の厚さを有し、１０-1Ω・ｃｍ未満の抵抗率を有する。好ましくは、物理的気相成長により、特にマグネトロンスパッタリングにより被着された、ＩＴＯ及びＺｎＯ（ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＡＧＺＯ）、実際のところさらにはＭｏＯ3、ＷＯ3又はＶ2Ｏ5から選ばれる、層を選択する。
【０１２１】
酸化インジウムスズ（あるいはスズをドープした酸化インジウム又はＩＴＯ）は、好ましくは、混合酸化物を意味し、又はインジウム（ＩＩＩ）の酸化物（Ｉｎ2Ｏ3）及びスズ（ＩＶ）の酸化物（ＳｎＯ2）から、好ましくは第一の酸化物が７０〜９５％及び第二の酸化物が５〜２０％の重量割合で得られる混合物を意味するものと理解される。典型的な重量割合は、約１０重量％のＳｎＯ2に対し約９０重量％のＩｎ2Ｏ3である。
【０１２２】
導電性コーティングは、屈折率ｎaが１．７〜２．３であって、それゆえｎ5に等しい、無機層から構成することができる。
【０１２３】
導電性コーティングは多層であることができ、そして上記の無機層（具体的に言えば最終層）の下に、金属グリッド（単層又は多層グリッド）の直ぐ上の第一の層を、（好ましくは直接）含み、この第一の層は透明導電性酸化物から製作され、厚さｅ’5が２００ｎｍ未満、そして屈折率ｎ’5が１．７と２．３の間であり、特に下記のものから、すなわち、
・好ましくは、特にアルミニウム及び／又はガリウムをドープされた酸化亜鉛（ＡＺＯ又はＧＺＯ）をベースとする、又は場合によりＩＴＺＯをベースとする層、
・及び／又は、例えば酸化スズ亜鉛ＳｎＺｎＯをベースとし、好ましくは厚さが１００ｎｍ未満である、又は酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯで表す）をベースとする、又は酸化インジウムスズ亜鉛（ＩＴＺＯで表す）をベースとする、層（特に非晶質の）、
から選ばれる。
【０１２４】
ＡＺＯ又はＧＺＯ層は、例えば、無機層の、特にＩＴＯ層の厚さを５０ｎｍ未満に低減することを可能にする。
【０１２５】
特に、ＩＴＯ／Ａ（Ｇ）ＺＯ又はＧＺＯ二重層、あるいはまた（Ａ）ＧＺＯ又はＡＺＯ／ＩＴＯ二重層を有することが可能である。
【０１２６】
基材は平坦であっても湾曲していてもよく、さらに剛性、可撓性又は半可撓性であることができる。
【０１２７】
その主面は、長方形、正方形、又はさらには他の任意の形状（円形、楕円形、多角形など）であることができる。この基材は、サイズが大きくてよく、例えば表面積が０．０２ｍ2より大きく、実際のところさらには０．５ｍ2又は１ｍ2より大きくてよく、そして実質的に表面を占有（構造化領域を除いて）する下部電極を有する。
【０１２８】
ポリカーボネートＰＣ又はポリメチルメタクリレートＰＭＭＡあるいはまたＰＥＴ、ポリビニルブチラールＰＶＢ、ポリウレタンＰＵ、ポリテトラフルオロエチレンＰＴＦＥなどのプラスチックから製作された基材は、実質的に透明であることができる。
【０１２９】
基材の厚さは、少なくとも０．１ｍｍ、好ましくは０．１〜６ｍｍ、特に０．３〜３ｍｍの範囲内であることができる。
【０１３０】
上記に規定されるとおりの支持体は、さらに、導電性コーティング及びパッシベーション層上に（好ましくは直接）被着されたエレクトロクロミックシステムを含むことができる。
【０１３１】
本発明はまた、上記のとおりの導電性支持体と、第一の表面に最も近い「下部」電極、一般にはアノード、を形成している金属グリッドを備えた電極とを含み、該電極は特にエレクトロクロミックシステムにより覆われ、このシステムが上部電極、通常は厚いＩＴＯ層によって覆われている、エレクトロクロミックデバイスに関する。
【０１３２】
上部電極のためには、液体電解質の場合に、本発明による上記のとおりの導電性支持体を代わりに又は追加して使用することも可能である。
【０１３３】
最後に、本発明は、上記のとおりの導電性支持体の製造方法に関し、この方法は下記の段階を下記の順序で含む。
・次のものを含む基材を準備する段階。
・第一の表面上に場合により存在する下層（湿分に対するバリアなど）
・第一の層の組成物から製作される連続の「アンカー層」
・アンカー層にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、その表面が上部表面となる、第一の層を形成する段階であって、
・側壁を有し横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料（ネガ型又はポジ型）から作製された不連続のマスキング層をアンカー層の上に、特に、
・感光性材料を破れのない層として被着すること、
・第一の表面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・マスキング層の横方向に延在する開口部（この開口部の幅Ｗ０は上部表面におけるキャビティ又は横方向に延在する穴の幅Ｗｃよりも小さい）を通してアンカー層のウエットエッチングを行い、キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうしてキャビティ又は横方向に延在する穴に面しているマスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む段階。
・金属グリッドを形成する段階であって、キャビティ又は横方向に延在する穴内にグリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させること、好ましくは自己触媒的に被着させることを含み、第一の材料をキャビティの（第一の境界画定層の）側壁上に、及びマスキング層の内表面の全体に被着させて、上部表面と同一の高さでありそして中央ストランド領域よりも粗くない側方ストランド領域を形成する、金属グリッドの形成段階。
・マスキング層を、特に液体ルートにより、除去する段階。
・好ましくは、無機であるのが好ましい導電性コーティングを、例えば物理的気相成長により、被着する段階。
・場合により、ストランドの中央領域の上方に、好ましくは中央領域上に存在する導電性コーティング上に、パッシベーション層を絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとして形成する段階。
【０１３４】
エッチングは、ウエットエッチング法により行われる。キャビティの深さは液の濃度、液のタイプ、エッチングの時間及び／又は液の温度により調節される。このとき、（光）感受性マスキング材料はエッチング液に対して耐性である。
【０１３５】
ウエット液によるエッチングは、エッチング液がすべての方向において攻撃する（えぐる）という意味で、垂直かつ横向きである。エッチングプロファイルは、半球型のディッシュ状となることができる。
【０１３６】
キャビティは、基材に対して反対方向に口を広げた（基材から離れるにつれて広くなる）側壁を有する。断面はディッシュ状であることができ、もっと言えば半球状（タイプ）であることができる。
【０１３７】
次に、第一の層上の、その表面が上部表面を形成する、先に説明した構造化された上層に関連する同様の製造方法を説明する。
【０１３８】
このように、本発明はまた、上記のとおりの導電性支持体（第一の層の上に上層を有する）の製造方法にも関し、この方法は下記の段階を下記の順序で含む。
・次のものを含む基材を準備する段階。
・第一の表面上に場合により存在する下層（湿分に対するバリアなど）
・第一の層の組成物から製作される連続の「アンカー層」
・アンカー層の（直ぐ）上の、上層の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層
・追加の層に閉塞された又は横方向に延在する開口部を形成して、厚さ方向に完全に又は部分的に構造化された上層を形成する段階であって、
・追加の層の上に、側壁を有し横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料（ネガ型又はポジ型）から作製された不連続のマスキング層を、特に、
・感光性材料を破れのない層として被着すること、
・第一の表面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・マスキング層の横方向に延在する開口部を通して、第一のエッチング液を用いて追加の層をウエットエッチングし、閉塞された又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして閉塞された又は横方向に延在する穴に面しているマスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む、上層を形成する段階。
・アンカー層にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Ｗｃ＞Ｗ１の第一の部分的に構造化された層を形成する段階であって、
・マスキング層の横方向に延在する開口部及び上層の横方向に延在する穴を通して、好ましくは第一の液とは異なりかつ好ましくは上層をエッチングしない、第二のエッチング液を用いてアンカー層のウエットエッチングを行い、第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分を画定すること、
を含む、第一の部分的に構造化された層を形成する段階。
・金属グリッドを形成する段階であって、第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び上層の横方向に延在する穴内にグリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させること、好ましくは自己触媒的に被着させることを含み、第一の材料を上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、上層の他の内表面の全体に被着させ、かつマスキング層の内表面上に被着させて、縁部領域及び側方ストランド領域を形成し、内表面の下に上部表面と同一の高さである一方で中央ストランド領域よりも粗くない側方ストランド領域を形成する、金属グリッドを形成する段階。
・マスキング層を、特に液体ルートにより、除去する段階。
・好ましくは、無機であるのが好ましい導電性コーティングを、例えば物理的気相成長により、被着する段階。
・好ましくは、ストランドの中央領域の上方に、好ましくは中央領域上に存在する導電性コーティング上に、パッシベーション層を絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとして形成する段階。
【０１３９】
キャビティ（及び／又は上層の穴）の深さは、液の濃度、液のタイプ、エッチングの時間及び／又は液の温度により調節される。（光）感受性マスキング層は、エッチング液（第一のエッチング液及び第二のエッチング液）に対して耐性である。キャビティ（及び／又は上層の穴）は、基材の反対方向に口を広げている（基材から離れるにつれて広がっている）。
【０１４０】
ウエット液によるエッチングは、エッチング液がすべての方向において攻撃する（えぐる）という意味で、垂直かつ横向きである。エッチングプロファイルは、半球型のディッシュ状となることができる。この全方向の攻撃が、キャビティ又は閉塞されたもしくは横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を生じさせる発端となる。
【０１４１】
このように滑らかである上部表面と同一高さの周囲側方領域を作るることがより容易であるので、Ｗｃ＞Ｗ１が好ましい。
【０１４２】
導電性コーティングは、無機であることが好ましい。と言うのは、それが感光性材料から製作される層の化学的現像及び／又は感光性材料から製作される層の一部の除去の段階の間に使用される水性化学溶液により良く耐えるからである。
【０１４３】
有利には、製造方法は、パッシベーション層をストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして形成することを含み、そして、
・導電性コーティングを覆うパッシベーション層をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・パッシベーション層を形成するため、金属グリッドの上方に位置しているポジ型感光性材料の層が不連続となるまで液で現像すること、
を含む。
【０１４４】
このパッシベーション法はフォトリソグラフィーの段階を含むが、追加のコスト及び複雑さを生じさせるリソグラフィーマスク又は位置合わせの段階に頼らない。第二の面側のＵＶ露光の間に、各（不透明）金属ストランドがＵＶ線に対するスクリーンを形成して、ストランドの上方のポジ型感光性材料が露光されず現像液に不溶性であるという結果をもたらす。このようにして、金属グリッド上で絶縁性グリッドが自己整合される。現像に依存して、側壁は多かれ少なかれ傾斜しており、一般に絶縁性ストランドの幅が厚さとともに減少するようになる。
【０１４５】
絶縁性トラックの幅は、エッジ効果から解放されることにより漏洩電流をより効果的に抑制するため中央ストランド領域の幅よりも大きくなるように、ポジ型感光性材料の層のＵＶ照射及び現像の条件により制御することができる。
【０１４６】
絶縁性トラックの高さは、パッシベーション感光性材料の溶液の濃度により、またここでもＵＶ照射の条件及び／又は現像の条件（時間及び濃度）により、制御することができる。
【０１４７】
パッシベーション層の形成は、特に単純でかつ迅速である。と言うのは、その後に完全に除去しなければならない別の犠牲材料の被着の段階を必要としないからである。
【０１４８】
別の実施において、ストランドの中央領域上に絶縁トラックから形成される絶縁グリッドとしてのパッシベーション層の形成は、
・導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・破れのない層の上に、横方向に延在する穴の所与の配置でポジ型感光性材料から製作される別の不連続マスキング層を、
・パッシベーション層の材料の破れのない層を覆うポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・金属グリッドのストランドの上方に位置する、ポジ型感光性材料の露光された層が不連続となるまで、液で現像すること、
により作製すること、
・別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して破れのない層をウエットエッチングし、絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより別のマスキング層を除去すること、
を含む。
【０１４９】
特にＨが最大で１００ｎｍである場合には、マスキング層の除去（導電性コーティングの被着前の）は、金属グリッドの側方領域の内側縁との境をなし、少なくとも１０ｎｍの高さである金属の突出部を生じさせ、そして該方法は、マスキング層の除去後及び導電性コーティングの被着前に、該突出部を除去するためのウエットエッチングの段階を含む。
【０１５０】
第一の金属材料の液体ルートによる被着は、好ましくは銀めっきであり、そしてグリッドは好ましくは単層である。
【０１５１】
有利には、液体ルートによる被着（好ましくは、金属グリッドのための唯一の被着）は銀めっきでよく、そして好ましくはグリッドは単層であり、そしてさらに第一の材料（銀をベースとする）はキャビティ又は閉塞された穴の底部に直接被着される。
【０１５２】
銀めっき段階のための溶液は、銀塩、銀イオンのための還元剤、そしてさらにはキレート化剤を含むことができる。銀めっき段階は、ミラーの製造分野で一般に使用されている通常の手順により、例えばＭａｌｌｏｒｙ，  Ｇｌｅｎｎ  Ｏ．及びＨａｊｄｕ，  Ｊｕａｎ  Ｂ．編の著作物“Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｐｌａｔｉｎｇ  −  Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ”，  （１９９０），  Ｗｉｌｌｉａｍ  Ａｎｄｒｅｗ  Ｐｕｂｌｉｓｈｉｎｇ／Ｎｏｙｅｓの第１７章に記載されているものにより、行うことができる。
【０１５３】
好ましい実施形態では、銀めっき段階は、場合により存在する下層、第一の層、場合により存在する上層及び横方向に延在する開口部を含むマスキング層を有する基材を、２つの水溶液の混合物と接触させること（浴に浸漬することによる又は溶液をスプレイすることによる）を含み、２つの水溶液は、一方が例えば硝酸銀などの金属塩を含み、そして他方が金属イオン（Ａｇ+イオン）のための還元剤、例えばナトリウム、カリウム、アルデヒド、アルコール又は糖を含む。
【０１５４】
最も一般的に使用される還元剤は、ロッシェル塩（酒石酸カリウムナトリウムＫＮａＣ4Ｈ4Ｏ6・４Ｈ2Ｏ)、グルコース、グルコン酸ナトリウム及びホルムアルデヒドである。
【０１５５】
好ましくは、この接触操作の前に、銀めっき段階は、好ましくはスズ塩による処理を含む、増感段階（上層のキャビティ及び／又は穴の表面の増感）を含み、及び／又は、好ましくはパラジウム塩による処理を含む、活性化段階（上層のキャビティ及び／又は穴の表面の活性化）を含む。これらの処理の役割は、本質的にその後の金属化（銀めっきによる）を促進すること、そして形成された銀金属層（上層のキャビティ及び／又は穴内の）の密着性を増加させることである。これらの増感及び活性化段階の詳細な説明については、例えば米国特許出願公開第２００１／０３３９３５号明細書を参照することができる。
【０１５６】
より具体的に言えば、銀めっきは、場合により存在する下層、第一の層、場合により存在する上層、及び（フォト）レジンから製作された横方向に延在する開口部を含むマスキング層を有する基材を、各々下記の３つの溶液のうちの１つを含む槽に下記の順序で浸漬させることにより行うことができる。
・第一のＳｎＣｌ2水溶液（増感）。好ましくは撹拌され（好ましくは５分未満、例えば０．５〜３分間）、次いで水（蒸留水）でリンスされる。
・第二のＰｄＣｌ2水溶液（活性化）。好ましくは撹拌され（好ましくは５分未満、例えば０．５〜３分間）、次いで水（蒸留水）でリンスされる。
・銀塩、好ましくは硝酸銀の溶液と、銀のための還元剤、好ましくはグルコン酸ナトリウムの溶液との混合物である、第三の溶液。好ましくは撹拌され（好ましくは１５分未満、さらには５分未満、例えば０．５〜３分間）、次いで水（蒸留水）でリンスされる。
【０１５７】
次いで、被覆されかつこうして銀めっきされた基材を最終の浴から取り出し、そして水（蒸留水）でリンスする。
【０１５８】
別の実施形態は、場合により存在する下層、第一の層、場合により存在する上層、及び（フォト）レジンから製作された横方向に延在する開口部を含むマスキング層を有する基材を浸漬させるのではなく、上記の３つの溶液を上記と同一の順序でスプレイするものである。
【０１５９】
マスキング層の除去（導電性コーティング被着前の）は、好ましくは液体ルートにより、特に溶媒（アセトンなど）中での超音波処理により行われる。
【０１６０】
グリッド上への直接の、及び第一の層又は場合により存在する上層上への（直接の）、導電性コーティングの被着、単層もしくは多層及び／又は単一材料もしくは複数材料のコーティングの被着は、物理的気相成長、特に陰極スパッタリングによることができ、ＳｎＺｎＯ又はＡＺＯを場合により最初に被着させ、そしてＩＴＯの、又はＺｎＯ（ドープされたもの）をベースとする、実際のところさらにはＭｏＯ3、ＷＯ3又はＶ2Ｏ5をベースとする、二番目の又は最終的な又は好ましくは単一の被着を行う。
【０１６１】
該方法は、導電性コーティングの被着前に、好ましくは１５０℃と５５０℃の間の、好ましくは５分と１２０分の間の時間、特に１５分と９０分の間の時間の、加熱する段階を含むことができ、及び／又は、無機の導電性コーティングの被着後で、パッシベーション層の被着の前又は後に、好ましくは１５０℃と５５０℃の間の温度で、好ましくは５分と１２０分の間の時間、特に１５分と９０分の間の時間の、加熱する段階を含むことができる。
【０１６２】
次に、非限定的な例及び図面を用いて、本発明をより詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【０１６３】
【図１】中央ストランド領域が上部表面よりもくぼんでいる本発明の第一の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図１ａ】パッシベーション層なしの図１の詳細図である。
【図１ｂ】出願人の会社が行った比較例においてＰＶＤにより被着したグリッドのストランドを有する第一の部分的に構造化された層のキャビティの詳細断面図である。
【図２】第一の層を完全に構造化させた本発明の第二の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図３】パッシベーションが中央領域と導電性コーティングの間にある本発明の第三の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図４】グリッドが上部表面と同一の高さにある本発明の第四の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図５】中央領域にない導電性コーティングの表面とグリッドが同一の高さにある本発明の第五の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図６】グリッドが第一の構造化された層及び構造化された上層に固定された第六の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図である。
【図６ａ】図６の詳細図である。
【図７ａ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｂ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｃ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｄ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｅ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｆ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｇ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｈ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【図７ｉ】第一の実施形態に関連した導電性支持体の製造方法の段階を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【０１６４】
明瞭にする目的で、図示した対象の種々の構成要素は一定の縮尺で再現されていないことを明記しておく。
【０１６５】
図解している図１は、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体１００を横断面で示している。
【０１６６】
この支持体１００は、第一の表面と呼ばれる第一の主要面１１を有する屈折率ｎsが１．４５〜１．８である滑らかなガラス基材を含み、該基材から離れるにつれて下記の順序で下記のものを有する。
・場合により存在する、例えば窒化ケイ素４１などの、湿分に対するバリア層４、又は薄層のスタック。
・無機であり、好ましくは電気絶縁性材料であり、好ましくはミクロン又はサブミクロンの厚さｅ3である、厚さ方向に部分的に構造化された第一の層３であって、下記のもの、すなわち、
・ここでは下層の直ぐ上にあり、所与の（好ましくはミクロンの）厚さｅ’3であって、下層の表面を覆っている、底部領域と呼ばれる（連続の）領域３０、
・盛り上がった又はえぐられた、構造化領域３１であって、盛り上がり部分は平坦な上部表面３４を画定しており、キャビティ又はくぼみの境界が底部３３（底面を画定)及び側壁３２により画定されており、キャビティは上部表面３４での幅がＷｃであり、中央で測定される高さｅcが好ましくは最大で１５００ｎｍであって、かつ好ましくは１００ｎｍより大きく、規則的な又は不規則的な所与の配置構成に従ってキャビティが散開しており（不連続ストリップ、メッシングなど）、上部表面が局所的に平らである、構造化領域３１、
を含む第一の層３。
・自己触媒的な被着により得られた金属材料から製作され、好ましくは銀の単層（銀めっきにより得られる）である、金属グリッドと呼ばれるグリッド２として配置された層を含む電極２であって、該グリッドは、この例では、キャビティに固定された、トラックとも呼ばれる、ストランド２０から形成された単層であり、該ストランドは上部表面３４における幅Ａが５０μｍ未満、なおもより良好には３０μｍ以下であり、(そして少なくとも１μｍであり)、かつ上部表面３４において５０００μｍ以下そして少なくとも５０μｍの距離Ｂだけ分離されており、グリッドはストランドの中央で規定される厚さｅ2が少なくとも１００ｎｍ、そして好ましくは１５００ｎｍ未満であり、該金属グリッドが１０Ω／□未満、そしてさらには５Ω／□未満又は１Ω／□未満のシート抵抗を示す、電極２。
・無機の導電性コーティング５であって、好ましくは単層であり、厚さｅ5が５００ｎｍ以下又は１００ｎｍ以下、なおもより良好には６０ｎｍ以下であり、抵抗率ρ5が２０Ω・ｃｍ未満であって金属グリッドの抵抗率より高く、少なくとも１．５、なおもより良好には１．７の所与の屈折率ｎ5を有し、この例ではグリッド２及び上部表面３４の上にＩＴＯ（又はＡＺＯ又はＧＺＯ、ＡＧＺＯ）から製作された無機層から構成されている、無機の導電性コーティング５。
・導電性コーティング５の直ぐ上のパッシベーション層６であって、不連続であり、好ましくはポジ型フォトレジンから製作されて、厚さｅ6（キャビティの中央で測定される）が１０００ｎｍ未満である、パッシベーション層６。
【０１６７】
キャビティは、下記で詳細に説明する第一の部分的に構造化された層の形成の際の連続層のウエットエッチング処理の結果として、口を広げた側壁を有する。
【０１６８】
ストランド２０は、その長さに沿って、上部表面３４と同一の高さにある側方領域２２、２２’の間に中央領域２１を有し、そして中央領域２１の表面粗さは側方領域２２、２２’の表面粗さよりも大きい。
【０１６９】
図１ａ（パッシベーション層を含まない図１の詳細図）に示したように、金属グリッド２の特性を示すために、Ａ、Ｂ、ｅ2、そしてまた中央領域の幅Ａm、そしてキャビティに関して、キャビティの底部における幅Ａcとキャビティの底部の中央から始まる高さｅcを代表に取る。
【０１７０】
側壁は口を広げて（基材１から離れるにつれて広くなって）おり、Ｘが側壁の最も高い点であり、Ｙがキャビティの底部の末端の点であるようなＸとＹとの間の水平距離Ｌが規定される。Ｌはｅcより大きく、Ｌ≦２ｅcであり、さらにはＬ≦１．４ｅcである。
【０１７１】
中央領域２１において、ストランド表面の中央と上部表面とは、第一の表面に垂直に測定される垂直距離Ｈだけ離れており、このＨは５００ｎｍ以下である。この例では、中央領域２１は上部表面３４よりくぼんでいる。
【０１７２】
ストランドは、銀めっきなどの自己触媒的な被着の結果として側方領域よりも粗い中央領域２１を有し、そして幅Ｌ１の滑らかな側方領域２２、２２’を有する。中央領域の幅Ａmは必ずしもＬ１より大きくなく、これはＡ、Ｈ及びｅcの値に依存する。
【０１７３】
中央領域及び平坦な側方領域の粗さパラメータの例を、下記の表に厚さｅ2の関数として報告する。
【０１７４】
【表１】
0006677717.tif 000002
【０１７５】
ＩＴＯコーティング５は、好ましくはマグネトロン陰極スパッタリングにより被着され、この場合その表面は下層の表面に形状が一致し、すなわち、第一の部分的に構造化された層３、平坦でかつ滑らかな側方領域２２、２２’及び側方領域よりも粗い中央領域２１の表面形状に一致する。
【０１７６】
パッシベーション層６は、ストランドの中央領域２１の上方及び側方領域２２、２２’の上方の局所的な絶縁性トラックのグリッドを形成し、中央領域を覆うとともに側方領域を部分的に又は完全に覆い、そしてストランドの外側縁を側方に越えず、又はストランドの外側縁を側方に最大で１μｍだけ越える。この例では、各絶縁性トラックの側壁６ｆは傾斜しており、上部表面３４との角度αは約４５°である。各絶縁性トラックの断面はドーム形状であり、鋭い角度がない。各絶縁性トラックの上方表面６ｓ及び各絶縁性トラックの側壁６ｆは滑らかであるから、パッシベーション層６は中央領域２１を平坦化し、そして側方領域２２、２２’の滑らかな特性を保持している。
【０１７７】
エレクトロクロミックデバイス、エレクトロクロミックシステムをその後製造するために、上部電極を追加し、それは液体電解質の場合には同一であることができる。
【０１７８】
金属グリッドは好ましくはランダムなパターンを有する。
【０１７９】
第一の実施形態（図１の）と関連する例１では、下記の特性を選択する。
【０１８０】
ガラス基材１は平坦でかつ滑らかであって、屈折率が１．５であり、例えば厚さが２ｍｍであり、そしてＴLが少なくとも９０％である。
【０１８１】
バリア層は、金属又はケイ素の酸化物又は窒化物の薄層のスタックである。
【０１８２】
第一の層はＴｉＯxのゾルゲル層であって、厚さが４００ｎｍである。この層は、もう一つの方法として、陰極スパッタリングにより被着させてもよい。
【０１８３】
厚さｅcは３５０ｎｍである。第一の層３のキャビティは、下記で詳細に説明するように、エッチングにより得られる。
【０１８４】
第一の部分的に構造化された層３は、局所的に平坦である。上部表面３４の粗さは、４ｎｍ未満のＲｑにより規定される。
【０１８５】
グリッド２は、下記で詳細に説明するように、銀めっきによりキャビティ内に直接被着された銀の単層である。銀は、この例では、キャビティを部分的に充填し、ｅ2は約３００ｎｍに等しい。Ｈは、例えば５０ｎｍに等しい。メッシングであるグリッドのパターンは六角形である。幅Ａは１２μｍに等しく、最大距離Ｂは５６０μｍに等しい。被覆度Ｔは４．５％である。
【０１８６】
導電性コーティング５は、５０ｎｍの酸化インジウムスズＩＴＯの層から構成され、屈折率が約２、抵抗率ρ5が１０-1Ω・ｃｍ未満である。
【０１８７】
通常の４点法により測定される組立体（１５０℃で３０分間のアニーリング後）のＲ□は約２．５Ω／□である。
【０１８８】
局所的な絶縁性グリッドを形成しているパッシベーション層は、ｅ6が約３００ｎｍのポジ型感光性ポリイミド層である。
【０１８９】
その後、厚さ４００ｎｍのＩＴＯから製作された上部電極を有するエレクトロクロミックシステムを加える。
【０１９０】
図７ａ〜７ｉは、特に例１と関連した、第一の実施形態による導電性支持体の製造を図解する図（一定縮尺でない）であり、化学的エッチングにより第一の部分的に構造化された層を製作し、そして銀めっきにより銀グリッドを製作する。
【０１９１】
図７ａに示した第一の段階は、下層により被覆されたガラス基材１から出発して、
・下層上に、第一の層の材料を含むアンカー層３ａを形成し、
・層３ａに、スピンコーティングにより、液体状態のマスキング材料、すなわちポジ型感光性材料の樹脂ＡＺ（登録商標）１５０５の層６０を適用する、
というものである。
【０１９２】
被着した感光性材料を、その後、対流炉において１００℃で２０分間ベークする。感光性材料の厚さは８００ｎｍである。
【０１９３】
図７ｂに示した第二の段階は、フォトレジンのパターンを生じさせるものである。これを行うために、不連続部７１を有するフォトリソグラフィーマスク７０を樹脂６０に適用し、そして第一の主要面１１の側で、不規則な、なおもより良好にはランダムな配置構成に従って、２０ｍＷ/ｃｍ2（３６５ｎｍにて）の水銀ランプを用い不連続部７１を通して１０秒間、樹脂６０にＵＶ線を照射する。
【０１９４】
図７ｃに示した第三の段階は、感光性材料６０に横方向に延在する開口部を作り出すことからなる。照射した領域を、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）をベースとする特定の現像液に溶解させることにより除去し、そして脱イオン水でリンスして、フォトレジンを通して横方向に延在する開口部を形成する。横方向に延在する開口部の境界を画定している感光性材料の側壁６１は、基材から離れるにつれて口を広げている。このように、感光性材料６０の外側の又は上方の表面６３で、横方向に延在する各開口部の幅は上部表面３４における幅Ｗ０よりも大きい。
【０１９５】
あるいは、ネガ型感光性材料及び逆フォトエッチングマスクを使用してもよい（開口部を形成するために非照射領域を除去する）。
【０１９６】
図７ｄに示した第四の段階は、好ましくは誘電性であり、例えばＴｉＯx層である、連続のアンカー層３ａにキャビティを作ることからなる。ドライエッチングよりもウエットエッチングにより、周囲温度で第一の部分的に構造化された層を形成することが好ましい。このため、選択される樹脂６０は、この例ではＮＨ3及びＨ2Ｏ2をベースとする溶液であるエッチング液に対して耐性である。このエッチングは、側壁３２を有する深さｅcのキャビティを形成し、そしてこのキャビティはガラス１から離れるにつれて口を広げている。例１について言えば、ｅcは３５０ｎｍである。
【０１９７】
エッチング液は、すべての方向に、すなわち垂直及び横向きの方向に攻撃する（えぐる）。
【０１９８】
エッチングプロファイルはディッシュ型である。アンカー層３ａのウエットエッチングは、キャビティの上方に張り出したマスキング層の領域を作りだし、このようにして、キャビティ３２に面するマスキング層６０の内表面６２、６２’と呼ばれる表面の部分を画定する。各キャビティは、幅Ｗｃ（上部表面における）が幅Ｗ０よりも大きい。内表面６２、６２’は、幅Ｌ０が実質的にＬと等しい。キャビティの底部３３は平坦である。
【０１９９】
図７ｅに示した第五の段階は、液体ルートによる、より詳細には自己触媒的被着による、例えば好ましくは銀めっきによる、グリッド材料２の被着からなる。被着は、ここに例示されるように、好ましくは部分的にキャビティを充填するため、キャビティにおいて感光性材料６０（エッチングに対して耐性）の開口部を通して行われる。
【０２００】
銀は、キャビティの底部、キャビティの側壁、感光性材料の内表面６２、６２’、感光性材料の側壁及び不連続の上方表面６３に被着される（そして層３の上部表面には存在しない）。
【０２０１】
より詳細には、銀めっきは各キャビティを部分的に充填し、そして底部、側壁に被着され、且つマスキング層の内表面６２、６２’の全体に被着されて、上部表面と同一の高さでありそして横方向に延在する開口部に面する中央ストランド領域２１よりも粗くない側方ストランド領域２２、２２’を形成する。各側方領域２２、２２’の幅Ｌ１は、ほぼＬ０＋ｅ2に等しい。
【０２０２】
例１に関して言うと、約３００ｎｍの厚さｅ2（Ｈは５０ｎｍに等しく、そして中央領域はくぼんでいるもの）の場合、下記の手順により、第一の部分的に構造化された層３に銀層を被着させる。
・銀めっき溶液（Ｄｒ．−Ｉｎｇ．  Ｓｃｈｍｉｔｔ，  ＧＭＢＨ社，  Ｄｉｅｓｅｌｓｔｒ．  １６，  ６４８０７  Ｄｉｅｂｕｒｇ／Ｇｅｒｍａｎｙにより提供される希釈可能溶液）を、下記に従って希釈する。
・２５０ｃｍ3の小型ガラス瓶中に１００μｌのＭｉｒａｆｌｅｘ（登録商標）  １２００（ＳｎＣｌ2溶液）（溶液番号１）
・２５０ｃｍ3の小型ガラス瓶中に２００μｌのＭｉｒａｆｌｅｘ（登録商標）  ＰＤ（ＰｄＣｌ2溶液）（溶液番号２）
・２５０ｃｍ3の小型ガラス瓶中に１５ｍｌのＭｉｒａｆｌｅｘ（登録商標）  ＲＶ（還元剤グルコン酸ナトリウムの溶液）（溶液番号３）
・２５０ｃｍ3の小型ガラス瓶中に１５ｍｌのＭｉｒａｆｌｅｘ（登録商標）  Ｓ（硝酸銀溶液）（溶液番号４）
・上記の溶液を周囲温度で使用する。
・基材（層４、３を有する）を、溶液番号１の内容物を注ぎ入れた槽に入れ、１分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
・基材（層４、３を有する）を、溶液番号２の内容物を注ぎ入れた第二の槽に入れ、１分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
・基材（層４、３を有する）を、溶液番号３及び４の内容物を注ぎ入れた最終の槽に入れ、２分間撹拌し、その後蒸留水でリンスする。
【０２０３】
図７ｆに示した第六の段階は、アセトン溶媒を用いそして超音波を使用する液体ルートによる感光性材料の除去からなる。
【０２０４】
銀の突出をなくすために、導電性支持体をその後Ｈ2Ｏ：Ｈ2Ｏ2：ＮＨ3（５００：２０：１）の溶液中に周囲温度で３〜５分間浸漬するのが好ましい。この化学的処理は、Ｈが１００ｎｍ未満であるくぼみのあるグリッドの場合、又はグリッドがはみ出している場合に、特に推奨される。
【０２０５】
図７ｇに示した第七の段階は、導電性コーティング５の陰極スパッタリングによる被着からなる。例１について言うと、それは酸化インジウムスズＩＴＯの層である。このＩＴＯは、１％Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2）のアルゴンと酸素との混合物下に、２×１０-3ｍｂａｒの圧力で酸化インジウム（９０重量％）及び酸化スズ（１０重量％）から製作されたセラミックターゲットを用いたマグネトロン陰極スパッタリングにより被着される。
【０２０６】
別形態では、ＡＺＯ、ＧＺＯ又はＡＧＺＯが選択される。
【０２０７】
その後、第一のアニーリングを２５０℃で３０分間行う。
【０２０８】
第八の段階は、
・例１について言えば感光性ポリイミド（Ｐｉｍｅｌ（商標）ポリイミドシリーズＩ−７００）であるポジ型感光性材料から製作される層６ａを、スピンコーティングにより被着させて、導電性コーティング５を覆い、次いで対流炉においてアニーリング（１００℃、２０分）する段階を行うこと、
・第二の主要面１２の側で、例１について言えば２０ｍＷ／ｃｍ2（３６５ｎｍで）の水銀ランプである紫外線源を使用して、図７ｈに示したように紫外線で露光すること、
からなる。
【０２０９】
図７ｉに示した第九の段階は、ポリイミド層６が不連続となるまでテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）をベースとする溶液でポジ型感光性材料を現像することと、脱イオン水でリンスする段階からなり、銀ストランド２０の上方にある導電性コーティング５の領域に露光されていないポリイミド（銀ストランドによる遮蔽の結果として露光されていない）を残す。
【０２１０】
局所的な絶縁性グリッドを形成するポリイミドから製作されたパッシベーション層６は、約３００ｎｍの厚さである。
【０２１１】
その後、第一のアニーリングを省略し又は省略せずに、第二のアニーリングを３００℃にて６０分間行う。この第二のアニーリング後に、ポリイミドから製作されたパッシベーション層の厚さは３８０ｎｍから３００ｎｍに減少する。
【０２１２】
このように、本発明による導電性支持体は、より良好な切り換え時間を有する大きいサイズのエレクトロクロミックデバイスの製造を可能にし（低シート抵抗の達成によって）、これは金属グリッドのパッシベーションの結果、漏洩電流の悪化を伴わずに行われる。
【０２１３】
図１ｂは、本出願人の会社が行った比較例においてＰＶＤにより被着したグリッドのストランドを有する第一の部分的に構造化された層のキャビティの断面の詳細図を示しており、第一の構造化された層における上部表面３４及び固定されたストランド（例１におけるように）を示している。
【０２１４】
銀は、アルゴン下に圧力８×１０-3ｍｂａｒで銀ターゲットを用いたマグネトロン陰極スパッタリングにより被着される。
【０２１５】
マスキング層によるシェード効果により、ストランドの側方領域２２”ａ及び２２”ｂはディッシュ形状である。これらのディッシュは漏洩電流を発生させる。
【０２１６】
側方領域２２”ａ及び２２”ｂは、漏洩電流を発生させるモルホロジーの破れを生じさせる。
【０２１７】
図２は、本発明の第二の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図であり、ここでは、第一の層３が完全に構造化されており、そして下層は省略されている。例１の製造条件は、ｅcを３５０ｎｍから４００ｎｍに増加させるため、第一のアンカー層のエッチング時間が変更される。
【０２１８】
図３は、本発明の第三の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図であり、ここでは、パッシベーション６が中央領域２１と導電性コーティング５との間にある。
【０２１９】
図４は、本発明の第四の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図であり、この実施形態は中央ストランド領域が上部表面３４からはみ出ている点で第一の実施形態と異なる。例１の製造条件は、ｅcを３５０ｎｍから２５０ｎｍに低減させるために、第一のアンカー層のエッチング時間が変更される。
【０２２０】
図５は、本発明の第五の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図であり、ここでは、グリッドが、不連続であって中央領域２１にない導電性コーティングの表面と同一の高さである。このコーティングは、金属グリッド及びパッシベーション層の形成前に被着されており、ウエットエッチングにより不連続性を生じさせることが可能である。
【０２２１】
図６は、本発明の第六の実施形態によるエレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体の断面図であり、この実施形態は、銀めっきなどの自己触媒的被着により被着されたグリッド２が第一の部分的に構造化された層に固定され、そしてまた第一の層３上の構造化された上層３’に固定されている点で、第一の実施形態と異なる。
【０２２２】
銀ストランド間の非導電性ドメインの上部表面が上層の表面３４’であるので、この場合Ｈは中央ストランド領域の表面２１と上層の表面３４’との間で規定される。
【０２２３】
電気絶縁性材料、好ましくは無機材料から製作される上層３’は、不連続に構造化されて横方向に延在する穴を画定しており、厚さｅzが２０〜１００ｎｍである。
【０２２４】
界面３４（上層３’と第一の層３との界面）で、横方向に延在する穴は幅Ｗ１であり、Ｗｃ＞Ｗ１である。
【０２２５】
縁部領域２２ａ、２２’ａと呼ばれるストランド領域が、側方領域２２、２２’と隣接しており、側方領域よりも周辺にあり、そしてキャビティ内で上層の下にあって、第一の層３の表面３４と同一の高さにある。
【０２２６】
図６ａの詳細図に示したように、
・側方領域２２、２２’は点Ｘ”とＹ’の間の距離として規定される幅Ｌ１であり、
・縁部領域２２ａ、２２’ａは点Ｘ’とＹの間の距離として規定される幅Ｌ２であり、
・Ｌ３はＸ”とＹ”の間の距離であって、Ｙ”は側方領域２２、２２’の表面の平面におけるＹの正投影である。
【０２２７】
Ｌ３は合計高さｅc＋ｅ’cより大きく、そしてＬ３≦２（ｅc＋ｅ’c）であり、ここで、ｅcはキャビティの高さであり、ｅ’cは上層３の穴の高さである。
【０２２８】
１つの例において、第一の層は４００ｎｍの酸化チタンの層であり、そして上層は、例えばＰＶＤ又はゾルゲル法により被着される、３０ｎｍに等しい厚さｅzのシリカの層であり、あるいは、できるかぎり薄いシリカ層である。これは多層でもよい。一般に、ｅcはｅ’c（ｅz）より大きい。
本発明の代表的な態様としては、以下を挙げることができる：
《態様１》
エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体（１００）であり、
・第一の表面と呼ばれる第一の主面（１１）を有し、屈折率ｎ1が１．４５〜１．８である、有機又は無機ガラス製のガラス基材（１）、
・前記ガラス基材により支持されかつ前記第一の表面（１１）の側にある電極であって、該電極は、金属材料から製作され、１０Ω/□未満のシート抵抗を示し、厚さｅ2が少なくとも１００ｎｍである、金属グリッドと呼ばれるグリッド（２）として配置された層を含み、該グリッドはストランド（２０）から形成されていて、該ストランドは５０μｍ以下の幅Ａを有し、そして５０００μｍ以下でかつ少なくとも５０μｍのストランド間距離Ｂによって分離されており、これらのストランドは、前記基材から一番遠い上部表面と呼ばれる表面(３４、３４’)を有する複数の電気絶縁性非導電性ドメイン（３１、３’）によって分離されている、電極、
を含み、
そして当該導電性支持体は、前記第一の表面（１１）の側で、所与の無機組成の、好ましくは電気絶縁性である、第一の層を含み、該第一の層は前記第一の表面の直ぐ上にあるか又は下層（４）の上にあり、該第一の層は、前記金属グリッドを少なくとも部分的に固定するため、幅Ｗｃの横方向に延在する穴又はキャビティで厚さ方向に部分的に又は完全に構造化されており、前記上部表面が該第一の層の表面であるか又は該第一の層の上の、無機の、上層の表面である、エレクトロクロミックデバイスのための導電性支持体（１００）であって、
前記ストランド（２０）は、その長さに沿って、前記上部表面(３４、３４’)と同一の高さにある側方領域（２２、２２’）間の中央領域（２１）を有し、該中央領域（２１）の表面粗さは該側方領域（２２、２２’）の表面粗さよりも大きく、
前記支持体は、さらに、
・無機物質から製作された導電性コーティング（５）であって、前記上部表面(３４、３４’)を好ましくは直接覆い、前記側方領域の上方にありそして該側方領域と電気的に接触しており、そして場合により、前記中央領域の上方に存在しそして該中央領域（２１）と電気的に接触しており、厚さｅ5が５００ｎｍ以下であり、抵抗率ρ5が２０Ω・ｃｍ未満であって前記金属グリッドの抵抗率よりも大きく、そして屈折率ｎ5が少なくとも１．５である、導電性コーティング（５）、
を含み、
そして前記中央領域（２１）において、前記ストランド（２０）表面の中央及び前記上部表面が、前記第一の表面（１１）に垂直に測定されて５００ｎｍ以下である垂直距離Ｈだけ離れている、
導電性支持体（１００）。
《態様２》
前記側方領域（２２、２２’）の粗さパラメータＲｑが最大で５ｎｍであることを特徴とする、態様１に記載の導電性支持体（１００）。
《態様３》
電気絶縁材料から製作された、パッシベーション層（６）と呼ばれる不連続層を含み、該層は前記ストランドの中央領域（２１）の上方及び場合により側方領域（２２、２２’）の上方にある絶縁性トラックのグリッドを形成していて、前記ストランドの外側縁を横方向に越えておらず、又は前記ストランドの外側縁を最大で１μｍだけ横方向に越えていることを特徴とする、態様１又は２に記載の導電性支持体（１００）。
《態様４》
前記パッシベーション層（６）が、前記中央領域（２１）の上方に、１０ｎｍ未満の粗さパラメータＲｑを示す、上方表面（６ｓ）と呼ばれる表面を有することを特徴とする、態様３に記載の導電性支持体（１００）。
《態様５》
前記パッシベーション層（６）が、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物、好ましくはゾルゲルルートによる酸化物の層、及び／又は該材料の窒化物の層であり、そして好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化ニオブ及びそれらの混合物の層であることを特徴とする、態様３又は４に記載の導電性支持体（１００）。
《態様６》
前記導電性コーティングが不連続であり、前記中央領域に存在せず、そしてこの場合Ｈは、前記ストランド（２０）の表面の中央と前記導電性コーティングの表面との間で規定されることを特徴とする、態様１〜５のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様７》
前記電気絶縁性材料がポジ型感光性材料であって、前記導電性コーティング上での厚さｅ6が１０００ｎｍ未満であり、次の材料、すなわち、ポリイミド、ポリシロキサン、フェノール−ホルムアルデヒド又はポリメチルメタクリレートのうちの少なくとも１つをベースとしていることを特徴とする、態様３又は４に記載の導電性支持体（１００）。
《態様８》
前記パッシベーション層が前記中央領域と前記導電性コーティングとの間にあることを特徴とする、態様３又は４に記載の導電性支持体（１００）。
《態様９》
前記第一の層が、金属及び／又はケイ素である材料の酸化物の電気絶縁性層、好ましくはゾルゲルルートによる酸化物の電気絶縁性層、及び／又は該材料の窒化物の電気絶縁性層であり、そして好ましくは、窒化ケイ素、窒化チタン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化ニオブ及びそれらの混合物の層であるか、あるいはまた透明導電性酸化物の層であることを特徴とする、態様１〜８のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１０》
前記中央領域（２１）が上部表面（３４、３４’）よりくぼんでおり、そしてＨが１００ｎｍより大きく、さらには１５０ｎｍよりも大きいことを特徴とする、態様１〜９のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１１》
Ｈが１００ｎｍ以下であり、そしてさらに好ましくは、前記中央領域が前記上部表面よりくぼんでおり、好ましくは前記ストランド（２０）の表面が、前記側方領域（２２、２２）の内側縁（中央領域側）と隣接している、１０ｎｍを超える高さの突出部を有しないことを特徴とする、態様１〜９のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１２》
前記金属グリッド（２、２０）が自己触媒的な被着により得られたもの、好ましくは銀めっきにより得られたものであることを特徴とする、態様１〜１１のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１３》
前記金属グリッド（２、２０）、好ましくは銀から製作されたものが、２５％未満又は１０％未満そしてさらには６％未満の被覆度Ｔを示すことを特徴とする、態様１〜１２のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１４》
前記金属グリッド（２、２０）が不規則パターンを示し、好ましくはランダムパターンを示していることを特徴とする、態様１〜１３のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１５》
前記金属グリッド（２、２０）の厚さｅ2が１５００ｎｍ未満であり、好ましくは１００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、特に２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内にあり、そして幅Ａが３０μｍ未満であり、好ましくは１．５μｍ〜２０μｍの範囲内にあることを特徴とする、態様１〜１４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１６》
前記金属グリッド（２０）の材料（１種又は複数種）が、銀、銅、ニッケル及びこれらの金属をベースとする合金から形成される群より選ばれ、好ましくは銀をベースとしていることを特徴とする、態様１〜１５のいずれか１つに項記載の導電性支持体（１００）。
《態様１７》
前記導電性コーティング（５）が、透明導電性酸化物から製作され、好ましくは酸化インジウムスズをベースとし又は酸化亜鉛をベースとする、屈折率ｎaが１．７と２．３の間で厚さが１５０ｎｍ未満の無機層を含むことを特徴とする、態様１〜１６のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１８》
前記第一の層（３）が幅Ｗｃの横方向に延在する穴により厚さ方向に完全に構造化されており、そして好ましくは、場合により存在するバリア下層が構造化されていないことを特徴とする、態様１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様１９》
前記第一の層（３）が、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域（３０）、
・非導電性ドメインを形成していて、幅Ｗｃのキャビティを有する構造化領域（３１）であって、そして好ましくは、前記側方領域が前記第一の層と隣接していて幅Ｌ１を有しており、Ｌ１は該キャビティの高さｅcより大きく、そしてＬ１≦２ｅcである、構造化領域（３１）、
から形成されることにより、厚さ方向に部分的に構造化されていることを特徴とする、態様１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様２０》
前記非導電性ドメインが、
・電気絶縁性材料、好ましくは無機材料から製作された上層であり、横方向に延在する穴を画定している不連続の上層（３’）であって、前記非導電性ドメインの一部を形成し、前記上部表面が該上層の表面であり、そして好ましくは少なくとも２０ｎｍである、上層（３’）、
・好ましくは電気絶縁性であり、好ましくは無機の、第一の層であって、
・前記上層と該第一の層との界面において幅Ｗｃの横方向に延在する穴で、厚さ方向に完全に構造化されており（３）、
・又は、厚さ方向に部分的に構造化されていて（３）、次のものから、すなわち、
・前記金属グリッドの下の、底部領域と呼ばれる領域（３０）、
・前記上層の下にある構造化された領域（３１）、すなわち、前記横方向に延在する穴に面していて、前記上層と該第一の層との界面における幅Ｗｃのキャビティを有する領域（３１）、
から形成されている、
第一の層、
を含み、前記上層と前記第一の層との界面で、前記上層の横方向に延在する穴は幅Ｗ１であり、好ましくはＷｃ≧Ｗ１であり、
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、縁部領域（２２ａ、２２’ａ）と呼ばれるストランドの領域は前記側方領域と隣接しており、前記側方領域よりも周辺にあって、かつ前記上層の下のキャビティ内にあり、
Ｗｃ＞Ｗ１である場合、前記側方領域は幅Ｌ１であり、幅Ｌ１は点Ｘ”とＹ’間の距離として規定され、前記縁部領域は幅Ｌ２であり、Ｌ２は点Ｘ’とＹ間の距離として規定され、Ｙ”は前記側方領域（２２、２２’）の表面の平面におけるＹの正投影であり、そしてＬ３はＸ”とＹ”間の距離であり、Ｌ３は合計高さｅc＋ｅ’cより大きくて、Ｌ３≦２（ｅc＋ｅ’c）であり、ｅcは前記第一の層の横方向に延在する穴又はキャビティの高さ、そしてｅ’cは前記穴の高さである、
ことを特徴とする、態様１〜１７のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）。
《態様２１》
態様１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）を取り入れ固体又は液体電解質を用いたエレクトロクロミックデバイスであって、前記金属グリッド（２）を含む電極が、前記基材の第一の表面（１１）に最も近い、下部電極と呼ばれる電極を形成しており、及び／又は、液体電解質の場合には、該デバイスは態様１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体を取り入れ、前記金属グリッド（２）を含む電極が上部電極を形成している、エレクトロクロミックデバイス。
《態様２２》
態様１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体（１００）の製造方法。
・次のものをこの順序で含む基材（１）を準備する段階
・前記第一の表面（１１）上に場合により存在する下層
・前記第一の層の組成物から製作された連続のアンカー層（３ａ）
・前記アンカー層（３ａ）にキャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に構造化され、表面が前記上部表面（３４）となる第一の層（３）を形成する段階であって、
・側壁（６１）を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層（６０）を前記アンカー層の上に、特に、
・該感光性材料を破れのない層として被着すること、
・前記第一の表面（１１）側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記アンカー層（３ａ）のウエットエッチングを行い、前記キャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層の領域を作り、こうして前記キャビティ（３２、３３）に面している前記マスキング層（６０）の、内表面と呼ばれる表面の部分（６２、６２’）を画定すること、
を含む段階
・前記キャビティ又は横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着すること、好ましくは自己触媒的に被着することを含む、前記金属グリッド（２）の形成段階であって、該第一の材料を該キャビティ又は横方向に延在する穴の側壁（３２）上に、及び前記マスキング層（６０）の内表面（６２、６２’）の全体に被着させて、前記上部表面（３４）と同一の高さでありそして前記中央ストランド領域（２１）よりも粗くない側方ストランド領域（２２、２２’）を形成する段階
・前記マスキング層（６０）を、特に液体ルートにより、除去する段階
・好ましくは、前記ストランドの中央領域の上方に、好ましくは前記中央領域上に存在する前記導電性コーティング上に、絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとしてパッシベーション層を形成する段階
《態様２３》
態様１〜２０のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法であって、下記の段階を下記の順序で含むことを特徴とする導電性支持体（１００）の製造方法。
・次のものを含む基材（１）を準備する段階
・前記第一の表面（１１）上に場合により存在する下層
・前記第一の層の組成物から製作された連続の「アンカー」層（３ａ）
・前記アンカー層（３ａ）上の、前記上層（３’）の材料から製作された、追加の層と呼ばれる、連続の電気絶縁層（３’ａ）
・前記追加の層（３’ａ）に横方向に延在する穴を形成して、厚さ方向に完全に又は部分的に構造化された上層（３’）を形成する段階であって、
・側壁を有する横方向に延在する開口部の所与の配置で感光性材料から作製された不連続のマスキング層（６０）を前記追加の層（３’ａ）の上に、特に、
・該感光性材料を破れのない層としての被着すること、
・前記第一の表面（１１）の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
により作製すること、
・前記マスキング層の横方向に延在する開口部（６１）を通して、第一のエッチング液を用いて前記追加の層（３’ａ）をウエットエッチングし、前記横方向に延在する穴の上方に張り出した前記マスキング層の領域を作り、こうして前記横方向に延在する穴に面している前記マスキング層の、内表面と呼ばれる表面の部分（６２、６２’）を画定すること、
を含む段階
・前記アンカー層（３ａ）に前記キャビティ又は横方向に延在する穴を形成して、Ｗｃ＞Ｗ１の第一の部分的に構造化された層（３）を形成する段階であって、
・前記マスキング層（６０）の横方向に延在する開口部及び前記上層の横方向に延在する穴を通して、好ましくは前記第一の液とは異なりかつ好ましくは前記上層をエッチングしない、第二のエッチング液を用いて前記アンカー層（３）のウエットエッチングを行い、前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴の上方に張り出したマスキング層及び上層の領域を作り、こうして前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴に面している上層の、他の内表面と呼ばれる表面の部分（２２ａ、２２’ａ）を画定すること、
を含む段階
・前記第一の層のキャビティ又は横方向に延在する穴内及び前記上層の横方向に延在する穴内に前記グリッドの第一の金属材料を液体ルートにより被着させて、好ましくは自己触媒的に被着させて、前記内表面（６２、６２’）の下の前記上部表面（３４’）と同一の高さである一方で前記中央ストランド領域（２１）よりも粗くない側方ストランド領域を形成することを含み、前記第一の材料を前記上層の横方向に延在する穴の側壁上に被着させ、前記上層（３）の他の内部表面（２２ａ、２２ａ）の全体に被着させ、かつ前記マスキング層（６０）の内表面（６２、６２’）上に被着させて、縁部領域（２２ａ、２２’ａ）及び側方ストランド領域（２２、２２’）を形成する、前記金属グリッド（２）の形成段階
・前記マスキング層（６０）を、特に液体ルートにより、除去する段階
・好ましくは、前記ストランドの中央領域の上方に、好ましくは前記中央領域上に存在する前記導電性コーティング上に、絶縁性トラックから形成される絶縁性グリッドとしてパッシベーション層を形成する段階
《態様２４》
前記第一の金属材料の液体ルートによる被着が銀めっきであり、そして好ましくは、前記グリッド（２）が単層であることを特徴とする、態様２２又は２３に記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
《態様２５》
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層（６）をポジ型感光性材料の破れのない層として被着すること、
・第二の主要表面（１２）の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記パッシベーション層（６）を形成するため、前記ポジ型感光性材料の層が不連続にされ、該ポジ型感光性材料が前記金属グリッド（２）の上に残るまで、液で現像すること、
を含むことを特徴とする、態様２２〜２４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
《態様２６》
前記ストランドの中央領域上に絶縁性トラックから形成された絶縁性グリッドとして前記パッシベーション層を形成することが、
・前記導電性コーティングを覆うパッシベーション層の材料を破れのない層として被着すること、
・該破れのない層の上に、横方向に延在する開口部の所与の配置でポジ型感光性材料から製作された別の不連続マスキング層を、
・該パッシベーション層の材料の破れのない層を覆う前記ポジ型感光性材料を被着させること、
・第二の主要面（１２）の側の紫外線源を用いて紫外線で露光すること、
・前記ポジ型感光性材料の露光された層が不連続にされ、その後前記金属グリッドのストランドの上方に位置するまで、液で現像すること、
により作製すること、
・前記別のマスキング層の横方向に延在する開口部を通して前記破れのない層をウエットエッチングし、前記絶縁性トラックを形成すること、
・液体ルートにより前記別のマスキング層を除去すること、
を含むことを特徴とする、態様２２〜２４のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
《態様２７》
特にＨが最大で１００ｎｍである場合に、前記金属グリッドの形成後の前記マスキング層（６０）の除去で、前記金属グリッドの側方領域（２２、２２’）の内側縁と隣接し高さが少なくとも１０ｎｍである突出部が作られ、そして該方法が、前記マスキング層（６０）の除去後及び前記導電性コーティングの被着前に、該突出部を除去するためにウエットエッチングの段階を含むことを特徴とする、態様２２〜２６のいずれか１つに記載の導電性支持体（１００）の製造方法。
【図１】
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【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図６ａ】
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【図７ａ】
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【図７ｂ】
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【図７ｃ】
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【図７ｄ】
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【図７ｅ】
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【図７ｆ】
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【図７ｇ】
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【図７ｈ】
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【図７ｉ】
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