(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板、圧電性単結晶基板、および前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えている接合体であって、
前記圧電性単結晶基板の材質がＬｉＡＯ３であり（Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である）、
前記接合層の材質がニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物であり、
前記圧電性単結晶基板と前記接合層との境界に沿って、ＥｘＯ（１−ｘ）（Ｅは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、０．２９≦ｘ≦０．８９である）の組成を有する界面層が設けられており、
前記界面層と前記圧電性単結晶基板との間に、ＧｙＯ（１−ｙ）（Ｇは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、ｘ＜ｙ≦０．９１である。）の組成を有する基板側中間層があることを特徴とする、接合体。
【請求項２】
前記接合層の前記材質がＤ２Ｏ５であり、Ｄはニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であることを特徴とする、請求項１記載の接合体。
【請求項３】
前記圧電性単結晶基板の前記材質がＬｉＴａＯ３であり、前記接合層の材質がＴａ２Ｏ５であり、前記界面層の組成がＴａｘＯ（１−ｘ）であることを特徴とする、請求項１または２記載の接合体。
【請求項４】
支持基板、圧電性単結晶基板、および前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えている接合体であって、
前記圧電性単結晶基板の材質がＬｉＡＯ３であり（Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である）、
前記接合層の材質がニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物であり、
前記圧電性単結晶基板と前記接合層との境界に沿って、ＥｘＯ（１−ｘ）（Ｅは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、０．２９≦ｘ≦０．８９である）の組成を有する界面層が設けられており、
前記界面層と前記接合層との間に、ＪｚＯ（１−ｚ）（Ｊは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、ｘ＜ｚ≦０．９５である。）の組成を有する接合層側中間層があることを特徴とする、接合体。
【請求項５】
前記接合層の前記材質がＤ２Ｏ５であり、Ｄはニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であることを特徴とする、請求項４記載の接合体。
【請求項６】
前記圧電性単結晶基板の前記材質がＬｉＴａＯ３であり、前記接合層の材質がＴａ２Ｏ５であり、前記界面層の組成がＴａｘＯ（１−ｘ）であることを特徴とする、請求項４または５記載の接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の圧電性単結晶基板と支持基板との接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等に使用されるフィルタ素子や発振子として機能させることができる弾性表面波デバイスや、圧電薄膜を用いたラム波素子や薄膜共振子（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）などの弾性波デバイスが知られている。こうした弾性波デバイスとしては、支持基板と弾性表面波を伝搬させる圧電基板とを貼り合わせ、圧電基板の表面に弾性表面波を励振可能な櫛形電極を設けたものが知られている。このように圧電基板よりも小さな熱膨張係数を持つ支持基板を圧電基板に貼付けることにより、温度が変化したときの圧電基板の大きさの変化を抑制し、弾性表面波デバイスとしての周波数特性の変化を抑制している。【０００３】
例えば、特許文献１には、圧電基板とシリコン基板とをエポキシ接着剤からなる接着層によって貼り合わせた構造の弾性表面波デバイスが提案されている。【０００４】
ここで、圧電基板とシリコン基板とを接合するのに際して、圧電基板表面に酸化珪素膜を形成し、酸化珪素膜を介して圧電基板とシリコン基板とを直接接合することが知られている（特許文献２）。この接合の際には、酸化珪素膜表面とシリコン基板表面とにプラズマビームを照射して表面を活性化し、直接接合を行う（プラズマ活性化法）。【０００５】
また、圧電基板の表面を粗面とし、その粗面上に充填層を設けて平坦化し、この充填層を接着層を介してシリコン基板に接着することが知られている（特許文献３）。この方法では、充填層、接着層にはエポキシ系、アクリル系の樹脂を使用しており、圧電基板の接合面を粗面にすることで、バルク波の反射を抑制し、スプリアスを低減している。【０００６】
また、いわゆるＦＡＢ(Fast Atom Beam)方式の直接接合法が知られている（特許文献４）。この方法では、中性化原子ビームを常温で各接合面に照射して活性化し、直接接合する。【０００７】
一方、特許文献５では、圧電性単結晶基板を、シリコン基板ではなく、セラミックス（アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素）からなる支持基板に対して、中間層を介して直接接合することが記載されている。この中間層の材質は、珪素、酸化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウムとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−１８７３７３
【特許文献２】米国特許第７２１３３１４Ｂ２
【特許文献３】特許第５８１４７２７
【特許文献４】特開２０１４−０８６４００
【特許文献５】特許第３７７４７８２
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、特にニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性単結晶基板を支持基板に対して強固に安定して接合することは困難である。【００１０】
本発明の課題は、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電性単結晶基板と、支持基板とを強固に接合できる微構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、支持基板、圧電性単結晶基板、および前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えている接合体であって、
前記圧電性単結晶基板の材質がＬｉＡＯ３であり（Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である）、
前記接合層の材質がニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物であり、
前記圧電性単結晶基板と前記接合層との境界に沿って、ＥｘＯ（１−ｘ）（Ｅは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、０．２９≦ｘ≦０．８９である。）の組成を有する界面層が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムなどからなる圧電性単結晶基板と、支持基板とを、強固に接合可能な微構造を提供することに成功した。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る接合体７を示す模式図であり、（ｂ）は、接合体７の要部を示す拡大図であり、（ｃ）は、他の接合体の要部を示す拡大図である。
【図２】本発明の実施形態に係る接合体の要部を示す写真である。
【図３】（ａ）は、支持基板１上に接合層２を設けた状態を示し、（ｂ）は、接合層３の表面３ａを平坦化加工した状態を示し、（ｃ）は、平坦面４を中性化ビームＡによって活性化した状態を示す。
【図４】（ａ）は、圧電性単結晶基板６の表面６ｃを中性化ビームＡによって活性化した状態を示し、（ｂ）は、圧電性単結晶基板６の表面６ａが活性化された状態を示す。
【図５】（ａ）は、圧電性単結晶基板６と支持基板１を接合した状態を示し、（ｂ）は、圧電性単結晶基板６Ａを加工によって薄くした状態を示し、（ｃ）は、圧電性単結晶基板６Ａ上に電極１０を設けた状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、適宜図面を参照しつつ、本発明を詳細に説明する。
本発明の接合体は、支持基板、圧電性単結晶基板、および前記支持基板と前記圧電性単結晶基板との間に設けられた接合層を備えている。例えば、図１（ａ）に示す接合体７においては、支持基板１の表面１ａ上に接合層３Ａを介して圧電性単結晶基板６の活性化面６ａが接合されている。１ｂは、支持基板１の表面１ａと反対側の表面である。
【００１５】
圧電性単結晶基板の材質はＬｉＡＯ３とする。ここで、Ａは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素である。このため、ＬｉＡＯ３は、ニオブ酸リチウムであってよく、タンタル酸リチウムであってよく、ニオブ酸リチウム−タンタル酸リチウム固溶体であってよい。
【００１６】
また、接合層の材質はニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物とする。この酸化物は、タンタルの酸化物であってよく、ニオブの酸化物であってよく、タンタルとニオブとの複合酸化物であってよい。
【００１７】
本発明においては、圧電性単結晶基板と接合層との境界に沿って、ＥｘＯ（１−ｘ）（Ｅは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、０．２９≦ｘ≦０．８９である。）の組成を有する界面層が設けられている。ここで、ＥｘＯ（１−ｘ）の元素Ｅはニオブ単独であってよく、タンタル単独であってよく、またニオブとタンタルとの両方を含んでいて良い。
【００１８】
すなわち、図１（ｂ）に示す例では、圧電性単結晶基板６の活性化面６ａと接合層３Ａの活性化面４との間に、ＥｘＯ（１−ｘ）（Ｅは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、０．２９≦ｘ≦０．８９である。）の組成を有する界面層１２が設けられている。
【００１９】
更に、好適な実施形態においては、界面層と圧電性単結晶基板との間に、ＧｙＯ（１−ｙ）（Ｇは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、ｘ＜ｙ≦０．９１である。）の組成を有する基板側中間層が設けられている。また、好適な実施形態においては、界面層と接合層との間に、ＪｚＯ（１−ｚ）（Ｊは、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素であり、ｘ＜ｚ≦０．９５である。）の組成を有する接合層側中間層が設けられている。
【００２０】
すなわち、図１（ｃ）の例では、界面層１２と圧電性単結晶基板６との間に、ＧｙＯ（１−ｙ）の組成を有する基板側中間層１４が設けられており、界面層１２と接合層３Ａとの間に、ＪｚＯ（１−ｚ）の組成を有する接合層側中間層１３が設けられている。
【００２１】
ここで、圧電性単結晶基板と接合層との間に設けられた界面層の組成はＥｘＯ（１−ｘ）であるが、これは圧電性単結晶基板や接合層のＴａ、Ｎｂ比率よりもＴａ、Ｎｂ比率の高い組成の界面層を生成させることを意味する。このような界面層が設けられた場合には、圧電性単結晶基板と接合層との界面における強度が極めて高くなり、高いクラックオープニング強度が得られることを見いだした。
【００２２】
本発明の観点からは、ｘを０．２９以上とするが、０．３４以上とすることが好ましい。また、更に本発明の観点からは、ｘを０．８９以下とするが、０．６４以下とすることが好ましい。
【００２３】
更に、ＧｙＯ（１−ｙ）の組成を有する基板側中間層およびＪｚＯ（１−ｚ）の組成を有する接合層側中間層においては、本発明の観点からは、ｙ、ｚをｘより大きくするが、この差を０．０１以上とすることが好ましく、０．０２以上とすることが一層好ましい。また、更に本発明の観点からは、ｙを０．３０以上とすることが好ましく、またｙの上限は０．９１であるが、０．８９以下とすることが好ましい。また、ｚを０．３５以上とすることが好ましく、またｚの上限は０．９５以下であるが、０．８９以下とすることが好ましい。
【００２４】
図２に、本発明の実施形態に係る接合体の要部を示す。
本例は、図１（ｃ）に示すような形態に対応する。すなわち、下側に接合層３Ａがあり、上側に圧電性単結晶基板６がある。そして、接合層３Ａ（下側）から圧電性単結晶基板６（上側）へと向かって順番に接合層側中間層１３、界面層１２、基板側中間層１４が設けられている。
【００２５】
ここで、好適な実施形態においては、たとえば図２に示すように、界面層１２が明るく、接合層側中間層１３と基板側中間層１４とが暗くなっている。ただし、この写真は、透過型電子顕微鏡の明視野像であり、以下の条件で撮影するものとする。
測定装置：
透過型電子顕微鏡（日本電子製 ＪＥＭ−ＡＲＭ２００Ｆ）を用いて微構造観察する。
測定条件：
ＦＩＢ（集束イオンビーム）法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧２００ｋＶにて観察する。
【００２６】
ここで、ＥｘＯ（１−ｘ）、ＧｙＯ（１−ｙ）、ＪｚＯ（１−ｚ）の各タンタルおよびニオブの合計比率ｘ、ｙ、ｚは、以下のようにして決定する。
測定装置：
元素分析装置（日本電子製ＪＥＤ−２３００Ｔ）を用いて元素分析を行う。
測定条件：
ＦＩＢ（集束イオンビーム）法にて薄片化したサンプルに対して、加速電圧２００ｋＶにて観察する。
測定値の処理：
酸素およびタンタル（ニオブ）の量を、圧電性単結晶基板、基板側中間層、界面層、接合層側中間層の各部分で測定する。ここで、圧電性単結晶基板における酸素量とタンタルおよびニオブの合計量との比率を、化学式ＬｉＡＯ３に合わせて３：１に標準化する。すなわち、圧電性単結晶基板におけるニオブおよびタンタルＡの合計量に対して相関計数αを乗算することで、Ａの比率が０．２５（２５atom％）になるように調整する。そして、基板側中間層、界面層、接合層側中間層の各部分におけるＡの測定量に対してそれぞれ相関計数αを乗算することで、ｘ、ｙ、ｚをそれぞれ算出する。
【００２７】
以下、本発明の接合体の好適な製造例について述べる。
図３〜図５は、支持基板上に接合層を設け、これを圧電性単結晶基板の表面に直接接合する製造例を説明するための模式図である。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、支持基板１の表面１ａに接合層２を設ける。この時点では、接合層２の表面２ａには凹凸があってもよい。次いで、接合層２の表面２ａを平坦化加工することによって、平坦面３ａを形成する。この平坦化加工によって、通常、接合層２の厚さは小さくなり、より薄い接合層３になる（図３（ｂ）参照）。
【００２９】
次いで、図３（ｃ）に示すように、平坦面３ａに対して矢印Ａのように中性化ビームを照射し、接合層３Ａの表面を活性化して活性化面４とする。
【００３０】
一方、図４（ａ）に示すように、圧電性単結晶基板６の表面６ｃに中性化ビームＡを照射することによって活性化し、活性化面６ａが形成された圧電性単結晶基板６を得る（図４（ｂ））。次いで、図５（ａ）に示すように、圧電性単結晶基板６の活性化面６ａと接合層３Ａの活性化面４とを直接接合することによって、接合体７を得る。
【００３１】
好適な実施形態においては、接合体７の圧電性単結晶基板の表面６ｂを更に研磨加工し、図５（ｂ）に示すように圧電性単結晶基板６Ａの厚さを小さくし、接合体８を得る。６ｃは研磨面である。
【００３２】
図５（ｃ）では、圧電性単結晶基板６Ａの研磨面６ｃ上に所定の電極１０を形成することによって、弾性表面波素子９を作製している。
【００３３】
以下、本発明の各構成要素について更に説明する。
本発明の接合体の用途は特に限定されず、例えば、弾性波素子や光学素子に好適に適用できる。
【００３４】
弾性波素子としては、弾性表面波デバイスやラム波素子、薄膜共振子（ＦＢＡＲ）などが知られている。例えば、弾性表面波デバイスは、圧電性材料基板の表面に、弾性表面波を励振する入力側のＩＤＴ（Interdigital Transducer）電極（櫛形電極、すだれ状電極ともいう）と弾性表面波を受信する出力側のＩＤＴ電極とを設けたものである。入力側のＩＤＴ電極に高周波信号を印加すると、電極間に電界が発生し、弾性表面波が励振されて圧電基板上を伝搬していく。そして、伝搬方向に設けられた出力側のＩＤＴ電極から、伝搬された弾性表面波を電気信号として取り出すことができる。
【００３５】
圧電性単結晶基板の底面に金属膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとしてラム波素子を製造した際に、圧電基板の裏面近傍の電気機械結合係数を大きくする役割を果たす。この場合、ラム波素子は、圧電性単結晶基板の表面に櫛歯電極が形成され、支持基板に設けられたキャビティによって圧電基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えばアルミニウム、アルミニウム合金、銅、金などが挙げられる。なお、ラム波素子を製造する場合、底面に金属膜を有さない圧電性単結晶基板を備えた複合基板を用いてもよい。
【００３６】
また、圧電性単結晶基板の底面に金属膜と絶縁膜を有していてもよい。金属膜は、弾性波デバイスとして薄膜共振子を製造した際に、電極の役割を果たす。この場合、薄膜共振子は、圧電基板の表裏面に電極が形成され、絶縁膜をキャビティにすることによって圧電基板の金属膜が露出した構造となる。こうした金属膜の材質としては、例えば、モリブデン、ルテニウム、タングステン、クロム、アルミニウムなどが挙げられる。また、絶縁膜の材質としては、例えば、二酸化ケイ素、リンシリカガラス、ボロンリンシリカガラスなどが挙げられる。
【００３７】
また、光学素子としては、光スイッチング素子、波長変換素子、光変調素子を例示できる。また、圧電性材料基板中に周期分極反転構造を形成することができる。
【００３８】
好適な製造例では、中性化ビームによって圧電性単結晶基板の表面を活性化できる。特に圧電性単結晶基板の表面が平坦面である場合には、この表面を接合層に対して直接接合できる。
【００３９】
本発明の対象が弾性波素子であり、圧電性単結晶基板の材質がタンタル酸リチウムである場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に３６〜４７°（例えば４２°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。
また圧電性単結晶基板がニオブ酸リチウムからなる場合には、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に６０〜６８°（例えば６４°）回転した方向のものを用いるのが伝搬損失が小さいため好ましい。更に、圧電性単結晶基板の大きさは、特に限定されないが、例えば、直径５０〜１５０ｍｍ，厚さが０．２〜６０μｍである。
【００４０】
支持基板の材質は、単結晶もしくはセラミックスとする。これは、好ましくは、シリコン、サファイア、ムライト、コージェライト、透光性アルミナ、ＳｉＡｌＯＮ、ＡｌＮおよびＳｉ３Ｎ４からなる群より選ばれた材質を例示できる。
【００４１】
支持基板上に接合層を形成する際には、接合層の成膜方法は限定されないが、スパッタリング(sputtering)法、化学的気相成長法（CVD）、蒸着を例示できるが、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物を効率よく成膜する観点から、スパッタリング法、蒸着が好ましい。
【００４２】
スパッタリング法は、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素からなる金属ターゲットを用いて酸素を含む雰囲気で成膜して酸化物薄膜を形成する反応性スパッタ法や、ニオブおよびタンタルからなる群より選ばれた一種以上の元素の酸化物をターゲットとして成膜する方法などが例示できる。
【００４３】
次いで、好ましくは、接合層の表面を平坦化して平坦面を得る。ここで、接合層の表面を平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面は、Ra≦1nmが好ましく、0.3nm以下にすると更に好ましい。
【００４４】
また、圧電性単結晶基板の表面を平坦化して平坦面を得る。ここで、圧電性単結晶基板の表面を平坦化する方法は、ラップ(lap)研磨、化学機械研磨加工(CMP)などがある。また、平坦面は、Ra≦1nmが好ましく、0.3nm以下にすると更に好ましい。
【００４５】
次いで、好適な実施形態においては、接合層の平坦面に中性化ビームを照射することで、接合層の平坦面を活性化する。また、圧電性単結晶基板の表面に中性化ビームを照射することで、平坦面を活性化する。
【００４６】
中性化ビームによる表面活性化を行う際には、特許文献４に記載のような装置を使用して中性化ビームを発生させ、照射することが好ましい。すなわち、ビーム源として、サドルフィールド型の高速原子ビーム源を使用する。そして、チャンバーに不活性ガスを導入し、電極へ直流電源から高電圧を印加する。これにより、電極（正極）と筺体（負極）との間に生じるサドルフィールド型の電界により、電子ｅが運動して、不活性ガスによる原子とイオンのビームが生成される。グリッドに達したビームのうち、イオンビームはグリッドで中和されるので、中性原子のビームが高速原子ビーム源から出射される。ビームを構成する原子種は、不活性ガス（アルゴン、窒素等）が好ましい。
ビーム照射による活性化時の電圧は0.5〜2.0kVとすることが好ましく、電流は50〜200mAとすることが好ましい。
【００４７】
次いで、真空雰囲気で、活性化面同士を接触させ、接合する。この際の温度は常温であるが、具体的には40℃以下が好ましく、30℃以下が更に好ましい。また、接合時の温度は20℃以上、25℃以下が特に好ましい。接合時の圧力は、100〜20000Nが好ましい。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
図３〜図５を参照しつつ説明した方法に従い、図１（ｃ）および図２に示す接合体を得た。
具体的には、オリエンテーションフラット部（ＯＦ部）を有し、直径が４インチ、厚さが２５０μｍのタンタル酸リチウム（ＬＴ）からなる圧電性単結晶基板６を準備した。基板６は、弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬方向をＸとし、切り出し角が回転Ｙカット板である４６°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用いた。圧電性単結晶基板６の表面６ｃは、算術平均粗さＲａが１ｎｍとなるように鏡面研磨しておいた。【００４９】
また、支持基板１として、ＯＦ部を有し、直径が４インチ，厚さが２３０μｍのムライト基板を準備した。ムライトからなる支持基板１の表面１ａの算術平均粗さＲａは２ｎｍである。算術平均粗さは原子間力顕微鏡(AFM)で、縦１０μｍ×横１０μｍの正方形の視野を評価した。【００５０】
次いで、支持基板１をスクラブ洗浄機にて洗浄した。洗浄液にはアセトンとＩＰＡの混合溶液を用いた。次いで、支持基板１の表面１ａに、五酸化タンタルからなる接合層２を0.2μm、マグネトロン式平行平板型スパッタ成膜装置にて成膜した。ターゲットは五酸化タンタルを用い、アルゴンと酸素の混合雰囲気下で、全圧0.5Paにて成膜した。成膜後のＲａは2.0nmであった。次に、接合層２を化学機械研磨加工（CMP）し、膜厚を0.15μmとし、Raを0.3nmとした。【００５１】
次いで、接合層３の平坦面３ａと圧電性単結晶基板６の表面６ａとを洗浄し、汚れを取った後、真空チャンバーに導入した。１０−６Ｐａ台まで真空引きした後、それぞれの基板の接合面に高速原子ビーム（加速電圧１ｋＶ、Ａｒ流量27ｓｃｃｍ）を120ｓｅｃ間照射した。ついで、接合層３Ａのビーム照射面（活性化面）４と圧電性単結晶基板６の活性化面６ａとを接触させた後、10000Ｎで２分間加圧して両基板を接合した（図５（ａ））。【００５２】
次いで、圧電性単結晶基板６の表面６ｂを厚みが当初の２５０μｍから２０μｍになるように研削及び研磨した。研削および研磨工程中に接合部分の剥がれは確認できなかった。またクラックオープニング法で接合強度を評価した所、１．８Ｊ／ｍ２であった。【００５３】
次いで、接合した複合基板の断面をFIBより切り出し、断面をTEM(日本電子製JEM-ARM200F)で観察し、微構造と組成を確認した。この断面写真を図２に示す。また、各部分における元素ＯとＴａとの比率（ａｔｏｍ％）を表１に示す。【００５４】
（実施例２〜５）
実施例１と同様にして接合体を製造した。ただし、接合時に基板の接合面に照射する高速電子ビームの加速電圧を表１に記載した値に変更した。
得られた各接合体の各部分における元素比率およびクラックオープニング法による接合強度を表１に示す。【００５５】
（比較例１）
実施例１と同様にして接合体を製造した。ただし、接合時に基板の接合面に照射する高速電子ビームの加速電圧を表１に記載した値に変更した。
得られた接合体においては、接合層と圧電性単結晶基板との間に本発明の界面層が観察されなかった。この接合体のクラックオープニング法による接合強度を表１に示す。【００５６】
【表１】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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