(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される組成が、下記式（２）〜（１０）を満足し、
ｕＲｗＢａＣｘＧａｚＡｌｖＣｏｑＴｉｇＦｅｊＭ      （１）
（Ｒは希土類元素の少なくとも一種でありＮｄを必ず含み、Ｍは不可避的不純物と、必要に応じてＣｕ、Ｎｉ、Ａｇ、ＡｕおよびＭｏから選択される１種以上であり、ｕ、ｗ、ａ、ｘ、ｚ、ｖ、ｑ、ｇ、ｊは質量％を示す）
２９．０≦ｕ≦３４．０    （２）
（ただし、重希土類元素ＲＨはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の１０質量％以下）
０．８０≦ｗ≦０．９２    （３）
０．１０≦ａ≦０．２０    （４）
０．３≦ｘ≦０．８    （５）
０．０５≦ｚ≦０．５    （６）
０≦ｖ≦３．０    （７）
０．１５≦ｑ≦０．２９    （８）
５８．２９≦ｇ≦６９．６０    （９）
０≦ｊ≦２．０    （１０）
ｇをＦｅの原子量で割った値をｇ’、ｖをＣｏの原子量で割った値をｖ’、ｚをＡｌの原子量で割った値をｚ’、ｗをＢの原子量で割った値をｗ’、ａをＣの原子量で割った値をａ’、ｑをＴｉの原子量で割った値をｑ’としたときに下記式（Ａ）及び（Ｂ）を満足することを特徴とする、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。
−０．０２≦（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−２×ｑ’））    （Ａ）  ０．０２≧（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−ｑ’））        （Ｂ）
【請求項２】
０．１８≦ｑ≦０．２８である、請求項１に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。
【請求項３】
Ｃｕを０．０５質量％以上１．０質量％以下含有する請求項１または２に記載のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物を主相とするＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（Ｒは希土類元素の少なくとも一種でありＮｄを必ず含み、Ｔは遷移金属元素のうち少なくとも一種でありＦｅを必ず含む）は、永久磁石の中で最も高性能な磁石として知られており、ハードディスクドライブのボイスコイルモータ（ＶＣＭ）、電気自動車用（ＥＶ、ＨＶ、ＰＨＶなど）モータ、産業用モータなどの各種モータ等に使用されている。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、高温で保磁力ＨｃＪ（以下、単に「ＨｃＪ」と記載する場合がある）が低下し、不可逆熱減磁が起こる。そのため、特に電気自動車用や電気自動車用モータに使用される場合、高温下でも高いＨｃＪを維持することが要求されている。そして高温下での不可逆熱減磁を抑制するため、すなわち高温下でも高いＨｃＪを維持するために、室温においてより高いＨｃＪを得ることが求められている。
【０００３】
従来、ＨｃＪ向上のために、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に重希土類元素ＲＨ（主としてＤｙ）が多量に添加されていたが、残留磁束密度Ｂｒ（以下、単に「Ｂｒ」と記載する場合がある）が低下するという問題があった。そのため、近年、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面から内部に重希土類元素を拡散させて主相結晶粒の外殻部に重希土類元素を濃化してＢｒの低下を抑制しつつ、高いＨｃＪを得る方法が採られている。
【０００４】
しかし、Ｄｙは、産出地が限定されている等の理由から、供給が不安定である、又は価格が変動するなどの問題を有している。そのため、Ｄｙなどの重希土類元素をできるだけ使用せずに（使用量をできるだけ少なくして）Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＨｃＪを向上させる技術が求められている。
【０００５】
特許文献１には、通常のＲ−Ｔ−Ｂ系合金よりもＢ量を少なくするとともに、Ａｌ、Ｇａ、Ｃｕのうちから選ばれる１種以上の金属元素Ｍを含有させることによりＲ２Ｔ１７相を生成させ、該Ｒ２Ｔ１７相を原料として生成させた遷移金属リッチ相（Ｒ６Ｔ１３Ｍ）の体積率を充分に確保することにより、Ｄｙの含有量を抑制しつつ、保磁力の高いＲ−Ｔ−Ｂ系希土類焼結磁石が得られることが記載されている。
特許文献２には、通常のＲ−Ｔ−Ｂ系合金よりもＢ量を少なくするとともに、Ｂ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｇａ、Ｃ、Ｏの量を所定の範囲にし、さらにＢに対するＮｄ及びＰｒ、並びにＧa及びＣの原子比がそれぞれ特定の関係を満たすことによって高い残留磁束密度及び保磁力が得られることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２０１３／００８７５６号
【特許文献２】国際公開第２０１３／１９１２７６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１、２に記載されているような、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）し、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は、Ｂ量が少し変化しただけで大きくＨｃＪが変化してしまうという問題があることを本発明者らは見いだした。
例えば、Ｂ量が０．０１質量％変化しただけでＨｃＪが約１００ｋＡ／ｍ変化することがある。これに対し、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも多くのＢを含む）は、Ｂ量が０．１質量％変わってもＨｃＪは、ほとんど変化しない。
【０００８】
このため、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なくし、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は、ＨｃＪの変化を抑制するためにＢ量を例えば０．０１質量％の高い精度で管理する必要がある。しかし、量産設備において、原料合金を溶解、鋳造する際にＢ量を例えば０．０１質量％の精度で管理するのは非常に困難である。
本発明は、このような、問題を解決するためになされたものであり、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が小さく、かつ高いＢｒと高いＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の態様１は、下記式（１）で示される組成が、下記式（２）〜（１０）を満足し、
ｕＲｗＢａＣｘＧａｚＡｌｖＣｏｑＴｉｇＦｅｊＭ      （１）
（Ｒは希土類元素の少なくとも一種でありＮｄを必ず含み、ＭはＲ、Ｃ、Ｂ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ及びＦｅ以外の元素であり、ｕ、ｗ、ａ、ｘ、ｚ、ｖ、ｑ、ｇ、ｊは質量％を示す）
２９．０≦ｕ≦３４．０    （２）
（ただし、重希土類元素ＲＨはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の１０質量％以下）
０．８０≦ｗ≦０．９２    （３）
０．１０≦ａ≦０．２０    （４）
０．３≦ｘ≦０．８    （５）
０．０５≦ｚ≦０．５    （６）
０≦ｖ≦３．０    （７）
０．１５≦ｑ≦０．２９    （８）
５８．２９≦ｇ≦６９．６０    （９）
０≦ｊ≦２．０    （１０）
ｇをＦｅの原子量で割った値をｇ’、ｖをＣｏの原子量で割った値をｖ’、ｚをＡｌの原子量で割った値をｚ’、ｗをＢの原子量で割った値をｗ’、ａをＣの原子量で割った値をａ’、ｑをＴｉの原子量で割った値をｑ’としたときに下記式（Ａ）及び（Ｂ）を満足することを特徴とする、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石である。
−０．０２≦（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−２×ｑ’））    （Ａ）
０．０２≧（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−ｑ’））        （Ｂ）
【００１０】
本発明の態様１において、好ましくは、０．１８≦ｑ≦０．２８である。
【発明の効果】
【００１１】
Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が小さく、かつ高いＢｒと高いＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の態様は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石においてＴｉ量、Ｂ量、Ｃ量を適切な範囲とすることにより、製造工程の中でＴｉの硼化物を生成させて、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が小さく、かつ高いＢｒと高いＨｃＪを有するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を提供できることを見出したものである。
【００１３】
１．Ｔｉ及びＣの添加について
本発明者らは、本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石において、Ｔｉの硼化物（ＴｉＢ及び／又はＴｉＢ２）が形成されることを確認している。そして、本発明の態様は、後述するＢＣｅｆｆ量が一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量よりも少なくなるよう、Ｔｉの硼化物を生成させている。これらを踏まえて本発明者らが考える、所定の含有量のＴｉを含むことにより、Ｂ量が変動してもＨｃＪの変化が抑制されるメカニズムは以下の通りである。ただし、以下に示すメカニズムは本発明の技術的範囲を制限することを意図するものではないことに留意されたい。
【００１４】
上述したように、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なく）し、さらに、Ｇａ等を添加した組成を採用した焼結磁石は、高いＨｃＪを得ることができる。
これは、Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比を下回ると、Ｒ及びＴが余剰となってＲ２Ｔ１７相が生成され、通常は、Ｂ量の低下とともに急激に磁気特性が低下するが、磁石組成にＧａが含有されていると、Ｒ２Ｔ１７相の代わりにＲ−Ｔ−Ｇａ相が生成され、これにより高いＨｃＪが得られるものと考えられる。
また、一般的Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石ではＣを多く含有すると高いＨｃＪを得ることができないことから、このようなＢ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも低いＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石においてもＣを多く含有すると高いＨｃＪを得ることができないと考えられていた。しかし、本発明者らは、Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比を下回る場合は、Ｃを不可避不純物量レベル（約０．０３〜０．０９質量％）を超える量まで増加させたとしてもＴｉ量、Ｂ量、Ｃ量が本発明の式（１）〜（１０）、（Ａ）および（Ｂ）の関係を満たすことで高いＨｃＪを得ることができることを見出した。Ｃは、成形時に添加する離型剤等により不可避不純物量レベルを超える含有量となることがあり、それにより高いＨｃＪが得られない場合がある。このような場合においても、本発明の態様は、高いＨｃＪを得ることができる。
【００１５】
Ｃを不可避不純物量レベルを超える量まで増加させたとしても高いＨｃＪを得ることができるのは、Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも多い場合には主に希土類炭化物などの粒界相となっていたＣが、Ｂ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも少ない場合にはＢの代わりにＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物のＢサイトの一部に置換するからだと考えられる。なお、上述したようにＢ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも少ない場合は、ＢサイトがＢの代わりにＣにより置換され易いため、特にＣを不可避不純物量レベル（約０．０３〜０．０９質量％）以上に増加させた場合はＢ量とＣ量の合計（Ｂ量＋Ｃ量）がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりも少ないかどうか管理する。さらに本発明者は検討の結果、特定の範囲内の含有量となるようにＴｉを添加して製造工程の中でＴｉの硼化物を生成させることにより、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量＋Ｃ量から製造工程の中でＴｉと結合することにより消費されたＢ量を差し引いたＢ量＋Ｃ量（以下、Ｔｉと結合しなかった残りのＢ量＋Ｃ量を「有効Ｂ量＋Ｃ量」として「ＢＣｅｆｆ量」と記載することがある）を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石全体のＢ量＋Ｃ量より少なく（Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量＋Ｃ量よりも少なく）するとともに、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が抑制されること見いだした。
【００１６】
上述したように、一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石よりもＢ量を少なくし、さらに、Ｇａ等を添加した組成の焼結磁石は、Ｂ量が変化するとＨｃＪが大きく変化する。これは、Ｂ量＋Ｃ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりもどのくらい少なくなるか（Ｒ、Ｔがどのくらい余剰となるか）によりＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が大きく変化するため、ＨｃＪのＢ量依存性が大きくなっているものと考えられるが、焼結磁石中にＴｉを添加して硼化物（ＴｉＢ及び／又はＴｉＢ２）を形成することによって前記ＢＣｅｆｆ量をＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なくした場合には、ＨｃＪの磁石全体のＢ量に対する依存性を小さくできることが分かった。
これは、本発明の態様のように、Ｔｉの硼化物を形成することによってＢＣｅｆｆ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量よりも少なくした場合、Ｇａの添加によりＲ２Ｔ１７相などの生成が抑制されてＲ−Ｔ−Ｇａが生成され、結果、ＨｃＪが向上するが、このとき、磁石全体組成のＢ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量に対して変わると、ＴｉＢとＴｉＢ２の生成比が変わる、すなわち、磁石全体組成のＢ量とＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比から求まるＢ量との差が小さい（すなわち、含有しているＢ量がより少ない）場合は、ＴｉＢ２よりもＴｉＢが多く生成され、逆に、磁石全体組成のＢ量とＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比から求まるＢ量との差が大きい場合（すなわち、含有しているＢ量がより多い場合）は、ＴｉＢよりもＴｉＢ２が多く生成されると考えられる。このようにＢが多いほどＢリッチなＴｉ硼化物（ＴｉＢ２）が生成され、Ｂが少ないほどＢプアなＴｉ硼化物（ＴｉＢ）が生成されることで、磁石全体のＢ量が変動しても、磁石中でＴｉと化合物を生成していないＢ量＋Ｃ量（ＢＣｅｆｆ量）の変化を小さくすることができ、この結果、Ｂ量の変化に対するＲ−Ｔ−Ｇａ相の生成量の変化を小さくすることができ、ＨｃＪの変化を抑制することができたと考えられる。
そして、本発明者らは、このようなＴｉの添加を行ったとき、Ｒ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比よりもＢ量＋Ｃ量を少なくし、Ｇａを添加した焼結磁石（特許文献１、２に記載されているような焼結磁石）で見られる効果と同様に、高いＢｒと高いＨｃＪが得られることも確認した。
ここで、本明細書における「Ｒ−Ｔ−Ｇａ相」とは、Ｒ２０原子％以上３５原子％以下、Ｔ５５原子％以上７５原子％以下、Ｇａ３原子％以上１５原子％以下を含むものであって、典型的にはＲ６Ｔ１３Ｇａ１化合物が挙げられる。なお、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相は、不可避不純物としてＡｌ、Ｓｉ等が混入する場合があるため、例えば、Ｒ６Ｔ１３（Ｇａ１−ｉ−ｙＡｌｉＳｉｙ）化合物になっている場合がある。
【００１７】
これらを踏まえて、さらに、検討した結果、Ｔｉ量、Ｂ量、Ｃ量が式（Ａ）と式（Ｂ）を満足することにより、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成量を適切な範囲にすることができるため、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化を抑制しつつ高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができることを見いだした。
−０．０２≦（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−２×ｑ’））    （Ａ）
０．０２≧（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−ｑ’））        （Ｂ）
ここで、ｇ’は、ｇをＦｅの原子量（５５．８４５）で割った値であり、ｖ’は、ｖをＣｏの原子量（５８．９３３）で割った値であり、ｚ’は、ｚをＡｌの原子量（２６．９８２）で割った値であり、ｗ’は、ｗをＢ（１０．８１１）の原子量で割った値であり、ａ’は、ａをＣの原子量（１２．０１０７）で割った値であり、ｑ’は、ｑをＴｉの原子量（４７．８６７）で割った値である。
【００１８】
式（Ａ）及び式（Ｂ）について説明する。
前記ＢＣｅｆｆ量がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比を下回ると、Ｆｅと、主相のＦｅサイトを容易に置換することができるＣｏ、Ａｌが余剰となる（ＦｅとＣｏとＡｌの合計がＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＴ量よりも余剰となる）。よって、全てのＴｉがＴｉＢ２になった場合（つまりＴｉが最も多くのＢと結合した場合）、前記ＢＣｅｆｆ量をＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物の化学量論比のＢ量よりも少なくするためには、［（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−２×ｑ’））］（主相を形成しないＦｅ、Ｃｏ、Ａｌの合計）が０よりも大きい（ＦｅとＣｏとＡｌが余剰になる）必要がある。ただし、Ｃは必ずしもすべてがＲ２Ｔ１４Ｂ型化合物に使われるとは限らないため、［（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−２×ｑ’））］（主相を形成しないＦｅ、Ｃｏ、Ａｌの合計）が０を若干下回っても、ＦｅとＣｏとＡｌが余剰になる場合を考慮して、−０．０２以上であれば本発明の効果が得られる。そのため、この主相を形成していないＦｅ、Ｃｏ、Ａｌの合計が、−０．０２以上であることを規定しているのが式（Ａ）である。−０．０２以上とすることにより、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相を適切に生成させることができる。また、式（Ａ）は、Ｆｅ（ｇ）、Ｃｏ（ｖ）、Ａｌ（ｚ）、Ｂ（ｗ）、Ｃ（ａ）、Ｔｉ（ｑ）の分析値にそれぞれ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｂ、Ｃ、Ｔｉの原子量で割った値（ｇ’、ｖ’、ｚ’、ｗ’、 ａ’、ｑ’）を用いて計算することにより求めることができる。後述する式（Ｂ）も同様である。
【００１９】
さらに、本発明は、全てのＴｉがＴｉＢになった場合（つまりＴｉが最も少ないＢと結合した場合）、［（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ ａ’−ｑ’））］（主相を形成しないＦｅ、Ｃｏ、Ａｌの合計）が０．０２以下であることを式（Ｂ）で規定する。主相を形成していないＦｅ、Ｃｏ、Ａｌの合計が０．０２を超えると、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の比率が高くなり過ぎて主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない恐れがあるからである。
【００２０】
２．組成
次に本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成の詳細を説明する。
上述したように、本発明はＴｉを添加して、Ｔｉの硼化物を生成させることで、前記ＢＣｅｆｆ量を一般的なＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のＢ量よりも少なくするとともに、Ｇａ等を含有させている。これにより、粒界にＲ−Ｔ−Ｇａ相が生成し、喩え、Ｄｙなどの重希土類元素の含有量を抑制しても、高いＨｃＪを得ることができる。
【００２１】
本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の組成は式（１）により示すことができる。
ｕＲｗＢａＣｘＧａｚＡｌｖＣｏｑＴｉｇＦｅｊＭ      （１）
（Ｒは希土類元素の少なくとも一種でありＮｄを必ず含み、ＭはＲ、Ｂ、Ｃ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ及びＦｅ以外の元素であり、ｕ、ｗ、ａ、ｘ、ｚ、ｖ、ｑ、ｇ、ｊは質量％を示す）
２９．０≦ｕ≦３４．０    （２）
（ただし、重希土類元素ＲＨはＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の１０質量％以下）
０．８０≦ｗ≦０．９２    （３）
０．１０≦ａ≦０．２０    （４）
０．３≦ｘ≦０．８    （５）
０．０５≦ｚ≦０．５    （６）
０≦ｖ≦３．０    （７）
０．１５≦ｑ≦０．２９    （８）
５８．２９≦ｇ≦６９．６０    （９）
０≦ｊ≦２．０    （１０）
以下に個々の元素の組成範囲、すなわちｕ、ｗ、ａ、ｘ、ｚ、ｖ、ｑ、ｇ、ｊの数値範囲について説明する。
【００２２】
１）希土類元素（Ｒ）
本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石におけるＲは、希土類元素のうち少なくとも一種でありＮｄを必ず含む。本発明に係るＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は重希土類元素ＲＨを使用しなくても高いＢｒと高いＨｃＪを得ることができるため、より高いＨｃＪを求められる場合でも重希土類元素ＲＨの添加量を削減でき、典型的には重希土類元素ＲＨは１０質量％以下、好ましくは５質量％以下とすることができる。
Ｒの含有量は、式（２）に示すように２９．０質量％〜３４．０質量％であり、好ましくは、２９．０質量％〜３２．０質量％である。
２９．０≦ｕ≦３４．０    （２）
Ｒが、２９．０質量％未満では、十分な量のＲ−Ｔ−Ｇａ相を生成するのに必要なＲが確保できず高いＨｃＪを得ることができない恐れがあり、３４．０質量％を超えると主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない。
【００２３】
２）ボロン（Ｂ）、カーボン（Ｃ）
Ｂの含有量は、式（３）に示すように０．８０質量％〜０．９２質量％である。
Ｃの含有量は、式（４）に示すように０．１０質量％〜０．２０質量％である。
０．８０≦ｗ≦０．９２    （３）
０．１０≦ａ≦０．２０    （４）
Ｂが、０．８０質量％未満ではＣを多量に添加しないと前記ＢＣｅｆｆ量が少なくなりすぎる。一方、Ｃ量が０．２０質量％を超えると粒界相に配分されるカーボンの割合が増加するため、Ｂ量が０．８０質量％未満でＣを多量に添加してもＢＣｅｆｆ量が少なくなりＲ２Ｔ１７相が析出して高いＨｃＪが得られない又は主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない。Ｂ量が０．９２質量％を超えるとＲ−Ｔ−Ｇａ相が十分に生成されずに高いＨｃＪが得られない恐れがある。
【００２４】
３）ガリウム（Ｇａ）
Ｇａの含有量は、式（５）に示すように０．３質量％〜０．８質量％である。
０．３≦ｘ≦０．８    （５）
Ｇａが、０．３質量％未満であると、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相の生成量が少なすぎて、Ｒ２Ｔ１７相を消失させることができず、高いＨｃＪを得ることができない恐れがあり、０．８質量％を超えると、不要なＧａが存在することになり、主相比率が低下してＢｒが低下する恐れがある。
【００２５】
４）アルミニウム（Ａｌ）
Ａｌの含有量は、式（６）に示すように０．０５質量％〜０．５質量％である。
０．０５≦ｚ≦０．５    （６）
Ａｌを含有することにより、ＨｃＪを向上させることができる。Ａｌは不可避的不純物として含有されてもよいし、積極的に添加して含有させてもよい。Ａｌが０．５質量％を超えるとＢｒが低下する恐れがある。不可避的不純物で含有される量と積極的に添加した量の合計で０．０５質量％以上０．５質量％以下含有させる。
【００２６】
５）コバルト（Ｃｏ）
Ｃｏの含有量は、式（７）に示すように、３．０質量％以下である。
０≦ｖ≦３．０    （７）
Ｃｏは、３．０質量％以下まで含有してもよい。Ｃｏは温度特性の向上、耐食性の向上に有効であるが、Ｃｏの含有量が３．０質量％を超えると高いＢｒを得ることができない恐れがある。
【００２７】
６）チタン（Ｔｉ）
Ｔｉの含有量は、式（８）に示すように０．１５質量％〜０．２９質量％である。
０．１５≦ｑ≦０．２９    （８）
Ｔｉは、０．１５質量％未満では、Ｂ量の変化によるＨｃＪの変化を抑制できない恐れがあり、０．２９質量％を超えると、主相比率が低下して高いＢｒを得ることができない恐れがある。好ましくは、下記の式（１１）に示すように０．１８質量％以上０．２８質量％以下である。よりＢ量の変化によるＨｃＪの変化を抑制することができる。
０．１８≦ｑ≦０．２８    （１１）
【００２８】
７）鉄（Ｆｅ）
Ｆｅの含有量は、式（９）に示すように５８．２９質量％〜６９．６０質量％であり、好ましくは、６０．２９質量％〜６９．６０質量％である。
５８．２９≦ｇ≦６９．６０    （９）
Ｆｅは、５８．２９質量％未満では、主相比率が低下して高いＢｒが得ることが出来ない恐れがあり、６９．６０質量％を超えると、Ｒ−Ｔ−Ｇａ相などが必要以上に生成することにより主相比率が低下して高いＢｒが得られない恐れがある。
【００２９】
８）元素Ｍ
Ｍは、Ｒ、Ｂ、Ｃ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ及びＦｅ以外の元素である。
式（１０）に示すように、Ｒ、Ｂ、Ｃ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ及びＦｅ以外の元素Ｍを合計で２．０質量％以下含んでもよい。
０≦ｊ≦２．０    （１０）
すなわち、式（１０）は、得られるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の特性の改善等を目的に、任意の元素（複数の種類の元素であってもよい）と不可避的不純物（Ａｌが不可避的不純物の場合はＡｌを除く）とを合計で２．０質量％まで含んでよいことを示している。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の特性を改善する元素として、例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ａｕ、Ｍｏ等を０質量％〜２．０質量％含んでよい。
特にＣｕを含有することが好ましい。Ｃｕを含有することにより高いＨｃＪを得ることができる。Ｃｕのより好ましい含有量は、０．０５質量％以上１．０質量％以下である。
【００３０】
なお、Ｍの好ましい実施形態の１つは、Ｍは不可避的不純物から成る（但し、上述したようにＣｕは含有することが好ましい）。本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が含む不可避的不純物として、ジジム合金（Ｎｄ−Ｐｒ合金）、電解鉄、フェロボロンなど工業的に用いられる原料に通常含有される不可避的不純物を例示できる。このような不可避的不純物としてＣｒ、Ｍｎ、Ｓｉなどを例示できる。さらに、製造工程中の不可避的不純物として、Ｏ（酸素）、Ｎ（窒素）などを例示できる。
【００３１】
なお、式（１）に示されるＲ、Ｂ、Ｃ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｆｅ及びＭのそれぞれの含有量（質量％）であるｕ、ｗ、ａ、ｘ、ｚ、ｖ、ｑ、ｇ及びｊの評価には、例えば高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ発光分光分析法、ＩＣＰ−ＯＥＳ）を採用することができる。また酸素量の評価には例えば、ガス融解−赤外線吸収法、窒素量の評価には例えば、ガス融解−熱伝導法、Ｃ量の評価には例えば、燃焼−赤外線吸収法によるガス分析装置を採用することが出来る。
【００３２】
３．Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法
本発明のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法の一例を説明する。Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法は、合金粉末を得る工程、成形工程、焼結工程及び熱処理工程を含む。以下、各工程について説明する。
【００３３】
（１）合金粉末を得る工程
所定の組成となるようにそれぞれの元素の金属又は合金を準備し、溶解、鋳造を行って所定の組成の合金を得る。典型的には、ストリップキャスティング法等を用いて、フレーク状の合金を製造する。得られたフレーク状の原料合金を水素粉砕（粗粉砕）し、粗粉砕粉のサイズを例えば１．０ｍｍ以下とする。次に、粗粉砕粉をジェットミル等により微粉砕することで、例えば粒径Ｄ５０（気流分散法によるレーザー回折法で得られた体積基準メジアン径）が３〜７μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得る。合金粉末は、１種類の合金粉末（単合金粉末）を用いてもよいし、２種類以上の合金粉末を混合することにより合金粉末（混合合金粉末）を得る、いわゆる２合金法を用いてもよく、公知の方法などを用いて本発明の組成となるように合金粉末を作製すればよい。ジェットミル粉砕前の粗粉砕粉、ジェットミル粉砕中及びジェットミル粉砕後の合金粉末に助剤として既知の潤滑剤を使用してもよい。
【００３４】
なお、Ｔｉの添加については、ストリップキャスティング法等を用いた原料合金の作製において、鋳造を行うための溶融金属を得る際にＴｉメタル、Ｔｉ合金又はＴｉ含有化合物等の形態で添加し、Ｔｉを含む溶融金属を得た後、これを凝固させることで得てもよい。また、これに代えて、原料合金作製後から成形前までの間に、Ｔｉメタル、Ｔｉ合金又はＴｉ含有化合物等の形態で添加してもよく、例えば、水素粉砕前後やジェットミル粉砕後の合金粉末にＴｉの水素化物（ＴｉＨ２等）を添加する方法が挙げられる。
【００３５】
（２）成形工程
得られた合金粉末を用いて磁界中成形を行い、成形体を得る。磁界中成形は、金型のキャビティー内に乾燥した合金粉末を挿入し、磁界を印加しながら成形する乾式成形法、金型のキャビティー内に、合金粉末を分散させたスラリーを注入し、スラリーの分散媒を排出しながら磁界中で成形する湿式成形法を含む既知の任意の磁界中成形方法を用いてよい。
【００３６】
（３）焼結工程
成形体を焼結することにより焼結磁石を得る。成形体の焼結は公知の方法を用いることができる。なお、焼結時の雰囲気による酸化を防止するために、焼結は真空雰囲気中又は不活性ガス中で行うことが好ましい。不活性ガスは、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを用いることが好ましい。
【００３７】
（４）熱処理工程
得られた焼結磁石に対し、磁気特性を向上させることを目的とした熱処理を行うことが好ましい。熱処理温度、熱処理時間などは公知の条件を採用することができる。最終的な製品形状にするなどの目的で、得られた焼結磁石に研削などの機械加工を施してもよい。その場合、熱処理は機械加工前でも機械加工後でもよい。さらに、得られた焼結磁石に、表面処理を施してもよい。表面処理は、公知の表面処理であってよく、例えばＡｌ蒸着や電気Ｎｉめっきや樹脂塗装などの表面処理を行うことができる。
【実施例】
【００３８】
＜実験例１＞
Ｎｄメタル、Ｐｒメタル、フェロボロン合金、フェロカーボン合金、Ｇａメタル、Ｃｕメタル、Ａｌメタル、電解Ｃｏ、Ｔｉメタル及び電解鉄を用いて（メタルはいずれも純度９９％以上）、表１に示す組成となるように配合し、それらの原料を溶解してストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２〜０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金を、水素加圧雰囲気で水素粉砕し、５５０℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。
次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量部に対して０．０４質量部添加、混合した後、ジェットミル装置を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、本実験例では、粉砕時の窒素ガス中の酸素濃度を５０ｐｐｍ以下とすることにより、最終的に得られる焼結磁石の酸素量が０．１質量％前後となるようにした。また、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた値（体積基準メジアン径）である。
【００３９】
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００質量部に対して０．０５質量部添加、混合した後、磁界中で成形し、成形体を得た。成形装置は、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
得られた成形体を組成に応じて、真空中、１０７０℃〜１０９０℃で４時間保持して焼結した後、急冷し、焼結磁石を得た。
焼結磁石の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３以上であった。得られた焼結磁石の成分の分析結果を表１に示す。なお、表１における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素量）は、ガス融解−赤外線吸収法、Ｎ（窒素量）は、ガス融解−熱伝導法、Ｃ（炭素量）は、燃焼−赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。また、表１において、Ｎｄ、Ｐｒの量を合計した値がＲ量（ｕ）であり、Ｒ、Ｂ、Ｃ、Ｇａ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｆｅ以外の元素である、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｏ、Ｎの量を合計した値がＭ量（ｊ）である。後述する表３、５および７においても同じである。また、Ｆｅ（ｇ）、Ｃｏ（ｖ）、Ａｌ（ｚ）、Ｂ（ｗ）、Ｃ（ａ）、Ｔｉ（ｑ）の分析値をそれぞれ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ａｌ、Ｂ、Ｔｉの原子量で割った値（ｇ’、ｖ’、ｚ’、ｗ’、ａ’、ｑ’）と、その値を用いて式（Ａ）の（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ａ’−２×ｑ’））及び式（Ｂ）の（ｇ’＋ ｖ’＋ｚ’）−（１４×（ｗ’＋ａ’−ｑ’））を計算し、本発明の範囲内である場合は「○」、本発明の範囲外の場合は「×」と、表１の「式Ａ」及び「式Ｂ」の欄に記載した。以下に示す表３、５および７においても同様である。なお、表１に示す様に、試料Ｎｏ．１〜３、４および５、６および７、８および９、１１〜１４、１７および１８、２０および２１は、Ｂ量が異なる以外はほぼ同じ組成である。
【００４０】
【表１】
0006627555.tif 000002
【００４１】
得られた焼結磁石に対し、９００℃で２時間保持した後、室温まで冷却し、次いで４８０℃で２時間保持した後、室温まで冷却する熱処理を施した。熱処理後の焼結磁石に機械加工を施し、縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み７ｍｍの試料を作製し、３．２ＭＡ／ｍのパルス磁界で着磁した後、Ｂ−Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表２に示す。なお、Ｂｒ及びＨｃＪを測定したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、ガス分析を行ったところ、表１のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石素材の成分、ガス分析結果と同等であった。
さらに、試料Ｎｏ．１〜３、４および５、６および７、８および９、１１〜１４、１７および１８、２０および２１それぞれにおける、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化を以下の様にして求めた。
まず、各試料のうち（Ｂ量以外ほぼ同じ組成のうち）２つのサンプルのＢ量の差を求め、さらに、同じ２つのサンプルのＨｃＪとの差を求めて、ＨｃＪの差をＢ量の差で割ることにより、Ｂ量が０．０１質量％変化するときＨｃＪがいくら変化するのかを求めた。複数の試料がある場合にはＢ量が０．０１質量％変化するときのＨｃＪ変化が最も大きい値を選んだ。例えば、試料Ｎｏ．１１〜１４におけるＨｃＪの変化は以下の様に求めた。
まず、試料Ｎｏ．１１〜１４においては、試料Ｎｏ．１１のＢ量０．８３質量％と試料Ｎｏ．１２のＢ量０．８６質量％の差０．０３質量％で、試料Ｎｏ．１１のＨｃＪ１３８０ｋＡ／ｍと試料Ｎｏ．１２のＨｃＪ１４３１ｋＡ／ｍの差５１ｋＡ／ｍを割ることでＢ量が０．０１質量％変化するとＨｃＪが１７ｋＡ／ｍ（５１／（０．０３×１００））変化するという値が得られる。これが試料Ｎｏ．１１〜１４の４つのサンプルのうちから２つ選んだ組み合わせのなかで最も大きな値となる。
同様にして、試料Ｎｏ．１〜３、４および５、６および７、８および９、１７および１８、２０および２１も求めた。結果を表２の「△ＨｃＪ／０．０１Ｂ」の欄に示す。以下に示す表６および表８の△ＨｃＪ／０．０１Ｂも同様にして求めた。
【００４２】
【表２】
0006627555.tif 000003
【００４３】
表２に示すように本発明に係る実施例サンプルである、試料Ｎｏ．６および７、８および９、１１〜１４、１７および１８は、△ＨｃＪ／０．０１Ｂが２９ｋＡ／ｍ以下とＢ量の変化に対するＨｃＪの変化が小さく、かつ、高いＢｒと高いＨｃＪを得ている。これに対し、Ｔｉ量が本発明の範囲より低い試料Ｎｏ．１〜３、４および５は△ＨｃＪ／０．０１Ｂが５２ｋＡ／ｍ以上であり、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が実施例サンプルよりも大きく、そのため、Ｂ量が増加するとＨｃＪが低下して（例えば、試料Ｎｏ．３は、１３２８ｋＡ／ｍ）高いＨｃＪを得ることができず、また、Ｔｉ量が本発明の範囲より高い試料Ｎｏ．２０および２１も同様に、Ｂ量の変化に対するＨｃＪの変化が実施例サンプルよりも大きく、さらに実施例サンプルと比べ高いＢｒと高いＨｃＪが得られていない。また、本発明に係る実施例サンプルである試料Ｎｏ．１１〜１４、１７および１８から明らかな様に、Ｔｉが０．１９質量％以上であると、△ＨｃＪ／０．０１Ｂが１７ｋＡ／ｍ以下と、さらにＢ量の変化に対するＨｃＪの変化が小さい。
さらに、表２に示すように試料Ｎｏ．１０、１５のように式（Ａ）及び式（Ｂ）のいずれかを満たさない比較例サンプルやＢ量が本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１６、Ｃ量が本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１９の比較例サンプルは、本発明の実施例サンプルと比べてＨｃＪが大きく低下している。
【００４４】
＜実験例２＞
Ｎｄメタル、Ｐｒメタル、フェロボロン合金、フェロカーボン合金、Ｇａメタル、Ｃｕメタル、Ａｌメタル、電解Ｃｏ及び電解鉄を用いて（メタルはいずれも純度９９％以上）、表３の組成となるように配合し、それらの原料を溶解してストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２〜０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金に水素加圧雰囲気で水素粉砕し、５５０℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量部に対して０．０４質量部添加、混合した後、ジェットミル装置を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、本実験例では、粉砕時の窒素ガス中の酸素濃度を１００ｐｐｍ以下とすることにより、最終的に得られる焼結磁石の酸素量が０．１５質量％前後となるようにした。また、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた値（体積基準メジアン径）である。
前記微粉砕粉に、粒径Ｄ５０が１０μｍ以下のＴｉＨ２粉末を０〜０．２９質量％添加し、さらに潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００質量部に対して０．０５質量部添加、混合した後、磁界中で成形し、成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
【００４５】
得られた成形体を、真空中、１０４０℃で４時間保持して焼結した後急冷し、焼結磁石を得た。焼結磁石の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３ 以上であった。得られた焼結磁石の成分の分析結果を表３に示す。なお、表３における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素量）は、ガス融解−赤外線吸収法、Ｎ（窒素量）は、ガス融解−熱伝導法、Ｃ（炭素量）は、燃焼−赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。また、分析結果から計算した式（Ａ）及び式（Ｂ）の結果を表３に示す。表３に示すように試料Ｎｏ．２５〜２７は、Ｔｉ量が異なる以外は、ほぼ同じ組成である。
【００４６】
【表３】
0006627555.tif 000004
【００４７】
得られた焼結磁石に対し、９００℃で２時間保持した後、室温まで冷却し、次いで４８０℃で２時間保持した後、室温まで冷却する熱処理を施した。熱処理後の焼結磁石に機械加工を施し、縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み７ｍｍの試料を作製し、３．２ＭＡ／ｍのパルス磁界で着磁した後、Ｂ−Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表４に示す。なお、Ｂｒ及びＨｃＪを測定したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、ガス分析を行ったところ、表４のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石素材の成分、ガス分析結果と同等であった。
【００４８】
【表４】
0006627555.tif 000005
【００４９】
表４に示すように式（Ａ）を満たさない比較例サンプルである試料Ｎｏ．２５は、式（Ａ）および式（Ｂ）の両方を満たす本発明の実施例サンプルである試料Ｎｏ．２６および２７と比べてＨｃＪが大きく低下している。
【００５０】
＜実験例３＞
Ｎｄメタル、Ｐｒメタル、Ｄｙメタル、フェロボロン合金、フェロカーボン合金、Ｇａメタル、Ｃｕメタル、Ａｌメタル、電解Ｃｏ、Ｔｉメタル及び電解鉄を用いて（メタルはいずれも純度９９％以上）、表５に示す組成となるように配合し、それらの原料を溶解してストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２〜０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金に水素粉砕し、５５０℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量部に対して０．０４質量部添加、混合した後、ジェットミル装置を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。なお、本実験例では、粉砕時の窒素ガス中の酸素濃度を５０ｐｐｍ以下とすることにより、最終的に得られる焼結磁石の酸素量が０．１質量％前後となるようにした。また、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた値（体積基準メジアン径）である。
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００質量部に対して０．０５質量部添加、混合した後、磁界中で成形し、成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
得られた成形体を、真空中、１１００℃で４時間保持して焼結した後急冷し、焼結磁石を得た。
焼結磁石の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３ 以上であった。得られた焼結磁石の成分、ガス分析（Ｏ（酸素量）、Ｎ（窒素量）、Ｃ（炭素量））の結果を表５に示す。なお、表５における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素量）は、ガス融解−赤外線吸収法、Ｎ（窒素量）は、ガス融解−熱伝導法、Ｃ（炭素量）は、燃焼−赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。また、分析結果から計算した式（Ａ）及び式（Ｂ）の結果を表５に示す。表５に示すように、試料Ｎｏ．３０、３１は、Ｂ量が異なる以外は、ほぼ同じ組成である。
【００５１】
【表５】
0006627555.tif 000006
【００５２】
得られた焼結磁石に対し、９００℃で２時間保持した後、室温まで冷却し、次いで５００℃で２時間保持した後、室温まで冷却する熱処理を施した。熱処理後の焼結磁石に機械加工を施し、縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み７ｍｍの試料を作製し、３．２ＭＡ／ｍのパルス磁界で着磁した後、Ｂ−Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表６に示す。なお、Ｂｒ及びＨｃＪを測定したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、ガス分析を行ったところ、表５のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石素材の成分、ガス分析結果と同等であった。測定結果を表６に示す。
【００５３】
【表６】
0006627555.tif 000007
【００５４】
表６に示すように本発明の実施例に係るサンプルは△ＨｃＪ／０．０１Ｂが２１ｋＡ／ｍしか変化しておらず、かつ、高いＢｒと高いＨｃＪを有している。
【００５５】
＜実験例４＞
Ｎｄメタル、Ｐｒメタル、Ｄｙメタル、フェロボロン合金、フェロカーボン合金、Ｇａメタル、Ｃｕメタル、Ａｌメタル、電解Ｃｏ、Ｔｉメタル及び電解鉄を用いて（メタルはいずれも純度９９％以上）、表７に示す組成となるように配合し、それらの原料を溶解してストリップキャスト法により鋳造し、厚み０．２〜０．４ｍｍのフレーク状の原料合金を得た。得られたフレーク状の原料合金に水素粉砕し、５５０℃まで真空中で加熱、冷却する脱水素処理を施し、粗粉砕粉を得た。次に、得られた粗粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を粗粉砕粉１００質量部に対して０．０４質量部添加、混合した後、ジェットミル装置を用いて、窒素気流中で乾式粉砕し、粒径Ｄ５０が４μｍの微粉砕粉（合金粉末）を得た。また、粒径Ｄ５０は、気流分散法によるレーザー回折法で得られた値（体積基準メジアン径）である。
前記微粉砕粉に、潤滑剤としてステアリン酸亜鉛を微粉砕粉１００質量部に対して０．０５質量部添加、混合した後、磁界中で成形し、成形体を得た。なお、成形装置には、磁界印加方向と加圧方向とが直交する、いわゆる直角磁界成形装置（横磁界成形装置）を用いた。
得られた成形体を、真空中、１０９０℃で４時間保持して焼結した後急冷し、焼結磁石を得た。
焼結磁石の密度は７．５Ｍｇ／ｍ３ 以上であった。得られた焼結磁石の成分、ガス分析（Ｏ（酸素量）、Ｎ（窒素量）、Ｃ（炭素量））の結果を表７に示す。なお、表７における各成分は、高周波誘導結合プラズマ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）を使用して測定した。また、Ｏ（酸素量）は、ガス融解−赤外線吸収法、Ｎ（窒素量）は、ガス融解−熱伝導法、Ｃ（炭素量）は、燃焼−赤外線吸収法、によるガス分析装置を使用して測定した。また、分析結果から計算した式（Ａ）及び式（Ｂ）の結果を表７に示す。表７に示すように、試料Ｎｏ．３２、３３は、Ｂ量が異なる以外は、ほぼ同じ組成である。
【００５６】
【表７】
0006627555.tif 000008
【００５７】
得られた焼結磁石に対し、９００℃で２時間保持した後、室温まで冷却し、次いで５００℃で２時間保持した後、室温まで冷却する熱処理を施した。熱処理後の焼結磁石に機械加工を施し、縦７ｍｍ、横７ｍｍ、厚み７ｍｍの試料を作製し、３．２ＭＡ／ｍのパルス磁界で着磁した後、Ｂ−Ｈトレーサによって各試料のＢｒ及びＨｃＪを測定した。測定結果を表８に示す。なお、Ｂｒ及びＨｃＪを測定したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、ガス分析を行ったところ、表７のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石素材の成分、ガス分析結果と同等であった。測定結果を表８に示す。
【００５８】
【表８】
0006627555.tif 000009
【００５９】
表８に示すように本発明の実施例に係るサンプルは△ＨｃＪ／０．０１Ｂが２５ｋＡ／ｍしか変化しておらず、かつ、高いＢｒと高いＨｃＪを有している。