(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、
前記多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島と
を備え、
前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、
前記第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、
前記第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、
前記第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、前記第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、
前記電流狭窄層は、前記第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び前記第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、
前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、
前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、
前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有する
ことを特徴とする発光部品。
【請求項２】
前記第１分離部と交差し、前記第２分離部と交差しないように配線が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光部品。
【請求項３】
基板と、当該基板上に第１多層膜反射鏡と電流狭窄層と第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、当該多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島と、を備える発光手段と、
前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段と、を備え、
前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、当該第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、当該第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、当該電流狭窄層は、当該第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び当該第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、
前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、
前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、
前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有する
ことを特徴とするプリントヘッド。
【請求項４】
像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電手段と、
基板と、当該基板上に第１多層膜反射鏡と電流狭窄層と第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、当該多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島と、を備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、
前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、
前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と、を備え、
前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、当該第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、当該第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、当該電流狭窄層は、当該第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び当該第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、
前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、
前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、
前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有する
ことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光部品、プリントヘッドおよび画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板側から順に、ｐ型の第１多層膜反射鏡、電流狭窄層、ｐ型の第２多層膜反射鏡、ｎ型ゲート層、ｐ型ゲート層、カソード層が積層された発光サイリスタが記載されている。
【０００３】
特許文献２には、電流狭窄層に到達しない深さの第１のメサ構造と、前記電流狭窄層に到達する深さの第２のメサ構造と、前記第１のメサ構造内に形成されたシフト部サイリスタと、前記第２のメサ構造内に形成され、前記第２のメサ構造の側面から前記電流狭窄層が酸化され形成された電流狭窄構造を有する発光部サイリスタと、を備える自己走査型発光素子アレイが記載されている。
【０００４】
特許文献３には、下部多層膜反射鏡、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層および上部多層膜反射鏡を順に含むと共に酸化狭窄層を含む積層構造を備え、前記下部多層膜反射鏡のうち前記メサ部の裾野に、複数の層の端面が露出した非平坦面を有し、前記下部多層膜反射鏡は、Ａｌ（アルミニウム）組成の高い低屈折率層と、Ａｌ組成の低い高屈折率層とを交互に積層して構成され、前記下部多層膜反射鏡に含まれる複数の低屈折率層のうち前記非平坦面内に露出する層の少なくとも一層が、前記下部多層膜反射鏡に含まれる複数の低屈折率層のうち前記非平坦面内に露出しない層のＡｌ組成比よりも小さな組成比のＡｌを含む酸化抑制層となっている面発光型半導体レーザが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１５−０３２８１２号公報
【特許文献２】特許第５３２７３７７号明細書
【特許文献３】特開２００９−２６６９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、発光ダイオード、発光サイリスタなどの発光素子を用いた発光部品においては、出射する光量の向上が求められる。そこで、発光素子に分布ブラッグ反射層を設け、発光素子が出射方向と異なる方向に向かう光を出射方向に反射させて、光取り出し効率を向上させることが行われる。さらに、電流狭窄層を設け、電流狭窄により発光素子の中央部に電流を集中させ、発光効率を向上させることが行われる。電流狭窄は、例えば、発光素子を構成する材料におけるアルミニウムを酸化させ、電流経路を絞ることが行なわれる。
このような構成において、エッチングによって分布ブラッグ反射層が露出した状態で電流狭窄層を酸化させる場合があるが、この場合、分布ブラッグ反射層における低屈折率層（高アルミニウム組成層）も一緒に酸化され、その結果、例えば、分布ブラッグ反射層上に形成する絶縁層の密着性が弱くなる場合があった。一方、分布ブラッグ反射層が酸化されないように分布ブラッグ反射層における高アルミニウム組成層のアルミニウムの組成比を下げると、反射率が低下して所望の反射率を得づらかった。
そこで本発明は、分布ブラッグ反射層を構成する高アルミニウム組成層を全て同じアルミニウム組成比で構成する場合と比較し、露出した分布ブラッグ反射層の酸化抑制と分布ブラッグ反射層の反射率低下の抑制とを両立しやすい発光部品などを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上に、第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、前記多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島とを備え、前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、前記第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、前記第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、前記第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、前記第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、前記電流狭窄層は、前記第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び前記第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有することを特徴とする発光部品である。
請求項２に記載の発明は、前記第１分離部と交差し、前記第２分離部と交差しないように配線が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の発光部品である。
請求項３に記載の発明は、基板と、当該基板上に第１多層膜反射鏡と電流狭窄層と第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、当該多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島と、を備える発光手段と、前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段と、を備え、前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、当該第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、当該第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、当該電流狭窄層は、当該第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び当該第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有することを特徴とするプリントヘッドである。
請求項４に記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、基板と、当該基板上に第１多層膜反射鏡と電流狭窄層と第２多層膜反射鏡とがこの順で積層された多層膜反射鏡と、当該多層膜反射鏡上に積層された導電型が異なる複数の半導体層と当該多層膜反射鏡とが分離されて構成された島と、を備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と、を備え、前記多層膜反射鏡の第１多層膜反射鏡と、電流狭窄層と、第２多層膜反射鏡とは、アルミニウムを含む化合物半導体層を含んで構成され、当該第１多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡はアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層とアルミニウムを低組成比で含む化合物半導体層とが交互に積層されて構成され、当該第２多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層は、当該第１多層膜反射鏡のアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層よりアルミニウム組成比が低く、当該電流狭窄層は、当該第１多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層及び当該第２多層膜反射鏡を構成する化合物半導体層のいずれよりもアルミニウムを高組成比で含み、前記島は、前記多層膜反射鏡の前記第２多層膜反射鏡に到達するが前記電流狭窄層に到達しない深さの第１分離部と、当該多層膜反射鏡の当該電流狭窄層に到達する深さの第２分離部とで分離され、前記第２分離部で分離された部分における前記複数の半導体層により発光素子が構成され、前記電流狭窄層は、前記第２分離部から酸化された前記発光素子に流れる電流の流れを阻止する素子部と、酸化されないで当該発光素子に流れる電流の流れを通過させる電流通過部と、を有することを特徴とする画像形成装置である。
【発明の効果】
【０００８】
請求項１の発明によれば、分布ブラッグ反射層を構成するアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層の全てを同じアルミニウム組成比で構成する場合と比較し、露出した分布ブラッグ反射層の酸化抑制と分布ブラッグ反射層の反射率低下の抑制とを両立させやすい。
請求項２の発明によれば、第２分離部と交差するように配線を設ける場合に比較し、配線の形成が容易になる。
請求項３の発明によれば、分布ブラッグ反射層を構成するアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層の全てを同じアルミニウム組成比で構成する場合と比較し、プリントヘッドの信頼性が向上する。
請求項４の発明によれば、分布ブラッグ反射層を構成するアルミニウムを高組成比で含む化合物半導体層の全てを同じアルミニウム組成比で構成する場合と比較し、画像形成装置の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成の一例を示した図である。
【図２】プリントヘッドの構成を示した断面図である。
【図３】発光装置の上面図である。
【図４】発光チップの構成、発光装置の信号発生回路の構成および回路基板上の配線（ライン）の構成を示した図である。（ａ）は、発光チップＣの構成を示し、（ｂ）は、発光装置の信号発生回路の構成および回路基板上の配線（ライン）の構成を示す。
【図５】本実施の形態における自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）が搭載された発光チップの回路構成を説明するための等価回路図である。
【図６】本実施の形態が適用される発光チップの平面レイアウト図および断面図の一例である。（ａ）は、発光チップの平面レイアウト図、（ｂ）は、（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線での断面図である。
【図７】発光装置および発光チップの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図８】第１多層膜反射鏡、電流狭窄層、第２多層膜反射鏡を説明する図である。（ａ）は、第１分離部を示し、（ｂ）は、第２分離部を示している。
【図９】ゲート出しエッチング工程までの工程を説明する図である。（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）は、図６（ａ）におけるＰ−Ｐ線での断面図である。（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）は、図６（ａ）におけるＱ−Ｑ線での断面図である。
【図１０】ゲート出しエッチングの後の工程を説明する図である。（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）は、図６（ａ）におけるＰ−Ｐ線での断面図である。（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）は、図６（ａ）におけるＱ−Ｑ線での断面図である。
【図１１】本実施の形態の発光チップの変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段により照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行われる。かかる光記録手段として、レーザを用い、主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、装置の小型化の要請を受けて発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）を主走査方向に複数、配列して発光素子アレイとしたＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ：LED Print Head）を用いた記録装置が採用されている。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
なお、以下では、アルミニウムをＡｌとするなど、元素記号を用いて表記する。
【００１１】
（画像形成装置１）
図１は、本実施の形態が適用される画像形成装置１の全体構成の一例を示した図である。図１に示す画像形成装置１は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置１は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部１０、画像形成プロセス部１０を制御する画像出力制御部３０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部４０を備えている。
【００１２】
画像形成プロセス部１０は、予め定められた間隔を置いて並列に配置される複数のエンジンを含む画像形成ユニット１１を備えている。この画像形成ユニット１１は、４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋから構成されている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する像保持体の一例としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を予め定められた電位で帯電する帯電手段の一例としての帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を露光するプリントヘッド１４、プリントヘッド１４によって得られた静電潜像を現像する現像手段の一例としての現像器１５を備えている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれがイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
また、画像形成プロセス部１０は、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの感光体ドラム１２にて形成された各色のトナー像を被転写体の一例としての記録用紙２５に多重転写させるために、この記録用紙２５を搬送する用紙搬送ベルト２１と、用紙搬送ベルト２１を駆動させるロールである駆動ロール２２と、感光体ドラム１２のトナー像を記録用紙２５に転写させる転写手段の一例としての転写ロール２３と、記録用紙２５にトナー像を定着させる定着器２４とを備えている。
【００１３】
この画像形成装置１において、画像形成プロセス部１０は、画像出力制御部３０から供給される各種の制御信号に基づいて画像形成動作を行う。そして、画像出力制御部３０による制御の下で、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３から受信された画像データは、画像処理部４０によって画像処理が施され、画像形成ユニット１１に供給される。そして、例えば黒（Ｋ）色の画像形成ユニット１１Ｋでは、感光体ドラム１２が矢印Ａ方向に回転しながら、帯電器１３により予め定められた電位に帯電され、画像処理部４０から供給された画像データに基づいて発光するプリントヘッド１４により露光される。これにより、感光体ドラム１２上には、黒（Ｋ）色画像に関する静電潜像が形成される。そして、感光体ドラム１２上に形成された静電潜像は現像器１５により現像され、感光体ドラム１２上には黒（Ｋ）色のトナー像が形成される。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃにおいても、それぞれイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各色トナー像が形成される。
【００１４】
各画像形成ユニット１１で形成された感光体ドラム１２上の各色トナー像は、矢印Ｂ方向に移動する用紙搬送ベルト２１の移動に伴って供給された記録用紙２５に、転写ロール２３に印加された転写電界により、順次静電転写され、記録用紙２５上に各色トナーが重畳された合成トナー像が形成される。
その後、合成トナー像が静電転写された記録用紙２５は、定着器２４まで搬送される。定着器２４に搬送された記録用紙２５上の合成トナー像は、定着器２４によって熱および圧力による定着処理を受けて記録用紙２５上に定着され、画像形成装置１から排出される。
【００１５】
（プリントヘッド１４）
図２は、プリントヘッド１４の構成を示した断面図である。露光手段の一例としてのプリントヘッド１４は、ハウジング６１、感光体ドラム１２を露光する複数の発光素子（本実施の形態では、発光素子の一例としての発光サイリスタ）を備える光源部６３を備えた発光手段の一例としての発光装置６５、光源部６３から出射された光を感光体ドラム１２の表面に結像させる光学手段の一例としてのロッドレンズアレイ６４を備えている。
発光装置６５は、前述した光源部６３、光源部６３を駆動する信号発生回路１１０（後述の図３参照）等を搭載する回路基板６２を備えている。
【００１６】
ハウジング６１は、例えば金属で形成され、回路基板６２およびロッドレンズアレイ６４を支持し、光源部６３の発光素子の発光面がロッドレンズアレイ６４の焦点面となるように設定されている。また、ロッドレンズアレイ６４は、感光体ドラム１２の軸方向（主走査方向であって、後述する図３、図４（ｂ）のＸ方向）に沿って配置されている。
【００１７】
（発光装置６５）
図３は、発光装置６５の上面図である。
図３に例として示す発光装置６５では、光源部６３は、回路基板６２上に、４０個の発光部品の一例としての発光チップＣ１〜Ｃ４０が、主走査方向であるＸ方向に二列に千鳥状に配置して構成されている。
本明細書では、「〜」は、番号によってそれぞれが区別された複数の構成要素を示すもので、「〜」の前後に記載されたものおよびその間の番号のものを含むことを意味する。例えば、発光チップＣ１〜Ｃ４０は、発光チップＣ１から番号順に発光チップＣ４０までを含む。
【００１８】
発光チップＣ１〜Ｃ４０の構成は同じであってよい。よって、発光チップＣ１〜Ｃ４０をそれぞれ区別しないときは、発光チップＣと呼ぶ。
なお、本実施の形態では、発光チップＣの数として、合計４０個を用いたが、これに限定されない。
そして、発光装置６５は、光源部６３を駆動する信号発生回路１１０を搭載している。信号発生回路１１０は、例えば集積回路（ＩＣ）などで構成されている。なお、発光装置６５が信号発生回路１１０を搭載していなくともよい。このときは、信号発生回路１１０は、発光装置６５の外部に設けられ、発光チップＣ１〜Ｃ４０を制御する制御信号などを、ケーブルなどを介して供給する。ここでは、発光装置６５は信号発生回路１１０を備えているとして説明する。
発光チップＣ１〜Ｃ４０の配列についての詳細は後述する。
【００１９】
図４は、発光チップＣの構成、発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を示した図である。図４（ａ）は発光チップＣの構成を示し、図４（ｂ）は発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を示す。なお、図４（ｂ）では、発光チップＣ１〜Ｃ４０の内、発光チップＣ１〜Ｃ９の部分を示している。
【００２０】
はじめに、図４（ａ）に示す発光チップＣの構成を説明する。
発光チップＣは、表面形状が矩形である基板８０の表面において、長辺の一辺に近い側に長辺に沿って列状に設けられた複数の発光素子（本実施の形態では発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８）から構成される発光部１０２を備えている。さらに、発光チップＣは、基板８０の表面の長辺方向の両端部に、各種の制御信号等を取り込むための複数のボンディングパッドである端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）を備えている。なお、これらの端子は、基板８０の一端部からφＩ端子、φ１端子の順に設けられ、基板８０の他端部からＶｇａ端子、φ２端子の順に設けられている。そして、発光部１０２は、φ１端子とφ２端子との間に設けられている。さらに、基板８０の裏面にはＶｓｕｂ端子として裏面電極８８（後述する図６参照）が設けられている。
【００２１】
なお、「列状」とは、図４（ａ）に示したように複数の発光素子が一直線上に配置されている場合に限らず、複数の発光素子のそれぞれの発光素子が、列方向と直交する方向に対して、互いに異なるずれ量を有して配置されている状態でもよい。例えば、発光素子の発光面（後述する図６における発光サイリスタＬのカソード領域３１１）を画素としたとき、それぞれの発光素子が、列方向と直交する方向に数画素分または数十画素分のずれ量をもって配置されていてもよい。また、隣接する発光素子間で交互に、または複数の発光素子毎に、ジグザグに配置されていてもよい。
【００２２】
次に、図４（ｂ）により、発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を説明する。
前述したように、発光装置６５の回路基板６２には、信号発生回路１１０および発光チップＣ１〜Ｃ４０が搭載され、信号発生回路１１０と発光チップＣ１〜Ｃ４０とを接続する配線（ライン）が設けられている。
【００２３】
まず、信号発生回路１１０の構成について説明する。
信号発生回路１１０には、画像出力制御部３０および画像処理部４０（図１参照）より、画像処理された画像データおよび各種の制御信号が入力される。信号発生回路１１０は、これらの画像データおよび各種の制御信号に基づいて、画像データの並び替えや光量の補正等を行う。
そして、信号発生回路１１０は、各種の制御信号に基づき、発光チップＣ１〜Ｃ４０に、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２を送信する転送信号発生部１２０を備えている。
そしてまた、信号発生回路１１０は、各種の制御信号に基づき、発光チップＣ１〜Ｃ４０に、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ送信する点灯信号発生部１４０を備えている。なお、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ区別しないときは点灯信号φＩと表記する。
さらにまた、信号発生回路１１０は、発光チップＣ１〜Ｃ４０に電位の基準となる基準電位Ｖｓｕｂを供給する基準電位供給部１６０、発光チップＣ１〜Ｃ４０の駆動のための電源電位Ｖｇａを供給する電源電位供給部１７０を備えている。
【００２４】
次に、発光チップＣ１〜Ｃ４０の配列について説明する。
奇数番号の発光チップＣ１、Ｃ３、Ｃ５、…は、それぞれの基板８０の長辺方向に間隔を設けて一列に配列されている。偶数番号の発光チップＣ２、Ｃ４、Ｃ６、…も、同様にそれぞれの基板８０の長辺の方向に間隔を設けて一列に配列されている。そして、奇数番号の発光チップＣ１、Ｃ３、Ｃ５、…と偶数番号の発光チップＣ２、Ｃ４、Ｃ６、…とは、発光チップＣに設けられた発光部１０２側の長辺が向かい合うように、互いに１８０°回転した状態で千鳥状に配列されている。そして、発光チップＣ間においても発光素子が主走査方向（Ｘ方向）に予め定められた間隔で並ぶように位置が設定されている。なお、図４（ｂ）の発光チップＣ１〜Ｃ４０に、図４（ａ）に示した発光部１０２の発光素子の並び（本実施の形態では発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８の番号順）の方向を矢印で示している。
【００２５】
信号発生回路１１０と発光チップＣ１〜Ｃ４０とを接続する配線（ライン）について説明する。
回路基板６２には、発光チップＣの基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子である裏面電極８８（後述の図６参照）に接続され、基準電位Ｖｓｕｂを供給する電源ライン２００ａが設けられている。
そして、回路基板６２には、発光チップＣに設けられたＶｇａ端子に接続され、駆動のための電源電位Ｖｇａを供給する電源ライン２００ｂが設けられている。
【００２６】
回路基板６２には、信号発生回路１１０の転送信号発生部１２０から、発光チップＣ１〜Ｃ４０のφ１端子に第１転送信号φ１を送信するための第１転送信号ライン２０１、発光チップＣ１〜Ｃ４０のφ２端子に第２転送信号φ２を送信するための第２転送信号ライン２０２が設けられている。第１転送信号φ１、第２転送信号φ２は、発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通（並列）に送信される。
【００２７】
そしてまた、回路基板６２には、信号発生回路１１０の点灯信号発生部１４０から、各発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのφＩ端子に、それぞれ電流制限抵抗ＲＩを介して、点灯信号φＩ１〜φＩ４０を送信する点灯信号ライン２０４−１〜２０４−４０が設けられている。
【００２８】
以上説明したように、回路基板６２上のすべての発光チップＣ１〜Ｃ４０に、基準電位Ｖｓｕｂ、電源電位Ｖｇａが共通に供給される。第１転送信号φ１、第２転送信号φ２も、発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通（並列）に送信される。一方、点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、発光チップＣ１〜Ｃ４０にそれぞれ個別に送信される。
【００２９】
（発光チップＣ）
図５は、本実施の形態における自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）が搭載された発光チップＣの回路構成を説明するための等価回路図である。以下において説明する各素子は、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）を除き、発光チップＣ上のレイアウト（後述する図６参照）に基づいて配置されている。なお、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）の位置は、図４（ａ）と異なるが、信号発生回路１１０との接続の関係の説明のため、図中左端に示している。そして、基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子を、基板８０の外に引き出して示している。
ここでは、信号発生回路１１０との関係において発光チップＣ１を例に、発光チップＣを説明する。そこで、図５において、発光チップＣを発光チップＣ１（Ｃ）と表記する。他の発光チップＣ２〜Ｃ４０の構成は、発光チップＣ１と同じである。
【００３０】
発光チップＣ１（Ｃ）は、前述したように基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８から構成される発光サイリスタ列（発光部１０２（図４（ａ）参照））を備えている。
そして、発光チップＣ１（Ｃ）は、発光サイリスタ列と同様に列状に配列された転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８から構成される転送サイリスタ列を備えている。
【００３１】
また、発光チップＣ１（Ｃ）は、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８をそれぞれ番号順に２つをペアにして、それぞれのペアの間に結合ダイオードＤｘ１〜Ｄｘ１２７を備えている。
さらに、発光チップＣ１（Ｃ）は、電源線抵抗Ｒｇｘ１〜Ｒｇｘ１２８を備えている。
【００３２】
また、発光チップＣ１（Ｃ）は、１個のスタートダイオードＤｘ０を備えている。そして、後述する第１転送信号φ１が送信される第１転送信号線７２と第２転送信号φ２が送信される第２転送信号線７３とに過剰な電流が流れるのを防止するために設けられた電流制限抵抗Ｒ１、Ｒ２を備えている。
【００３３】
発光サイリスタ列の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８、転送サイリスタ列の転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８は、図５中において、左側から番号順に配列されている。さらに、結合ダイオードＤｘ１〜Ｄｘ１２７、電源線抵抗Ｒｇｘ１〜Ｒｇｘ１２８も、図中左側から番号順に配列されている。
そして、発光サイリスタ列、転送サイリスタ列は、図５において上から、転送サイリスタ列、発光サイリスタ列の順に並べられている。
【００３４】
ここでは、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８、転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８、結合ダイオードＤｘ１〜Ｄｘ１２７、電源線抵抗Ｒｇｘ１〜Ｒｇｘ１２８をそれぞれ区別しないときは、発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ、電源線抵抗Ｒｇｘと表記する。
【００３５】
本実施の形態では、発光サイリスタ列における発光サイリスタＬ、転送サイリスタ列における転送サイリスタＴ、電源線抵抗Ｒｇｘはそれぞれ１２８個とした。しかし、結合ダイオードＤｘの数は、転送サイリスタＴの数より１少ない１２７個である。
なお、発光サイリスタＬなどの数は、上記に限らず、予め定められた個数とすればよい。
そして、転送サイリスタＴの数は、発光サイリスタＬの数より多くてもよい。
【００３６】
上記のサイリスタ（発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ）は、ゲート端子、アノード端子、カソード端子の３端子を有する半導体素子である。
【００３７】
では次に、発光チップＣ１（Ｃ）における各素子の電気的な接続について説明する。
転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのそれぞれのアノード端子は、発光チップＣ１（Ｃ）の基板８０に接続されている（アノードコモン）。
そして、これらのアノード端子は、基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子である裏面電極８８（後述の図６参照）を介して電源ライン２００ａ（図４（ｂ）参照）に接続されている。この電源ライン２００ａは、基準電位供給部１６０から基準電位Ｖｓｕｂが供給される。
【００３８】
転送サイリスタＴの配列に沿って、奇数番号の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…のカソード端子は、第１転送信号線７２に接続されている。そして、第１転送信号線７２は、電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている。このφ１端子には、第１転送信号ライン２０１（図４（ｂ）参照）が接続され、転送信号発生部１２０から第１転送信号φ１が送信される。
一方、転送サイリスタＴの配列に沿って、偶数番号の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…のカソード端子は、第２転送信号線７３に接続されている。そして、第２転送信号線７３は、電流制限抵抗Ｒ２を介してφ２端子に接続されている。このφ２端子には、第２転送信号ライン２０２（図４（ｂ）参照）が接続され、転送信号発生部１２０から第２転送信号φ２が送信される。
【００３９】
発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のカソード端子は、点灯信号線７５に接続されている。点灯信号線７５は、φＩ端子に接続されている。発光チップＣ１では、φＩ端子は、電流制限抵抗ＲＩを介して点灯信号ライン２０４−１に接続され、点灯信号発生部１４０から点灯信号φＩ１が送信される（図４（ｂ）参照）。点灯信号φＩ１は、発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８に点灯のための電流を供給する。なお、他の発光チップＣ２〜Ｃ４０のφＩ端子には、それぞれ電流制限抵抗ＲＩを介して点灯信号ライン２０４−２〜２０４−４０が接続され、点灯信号発生部１４０から点灯信号φＩ２〜φＩ４０が送信される（図４（ｂ）参照）。
【００４０】
転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のそれぞれのゲート端子Ｇｔ１〜Ｇｔ１２８は、同じ番号の発光サイリスタＬ１〜Ｌ１２８のゲート端子Ｇｌ１〜Ｇｌ１２８に、１対１で接続されている。よって、ゲート端子Ｇｔ１〜Ｇｔ１２８とゲート端子Ｇｌ１〜Ｇｌ１２８とは、同じ番号のものが電気的に同電位になっている。よって、例えばゲート端子Ｇｔ１（ゲート端子Ｇｌ１）と表記して、電位が同じであることを示す。
【００４１】
ここでも、ゲート端子Ｇｔ１〜Ｇｔ１２８、ゲート端子Ｇｌ１〜Ｇｌ１２８をそれぞれ区別しないときは、ゲート端子Ｇｔ、ゲート端子Ｇｌと表記する。そして、ゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）と表記して、電位が同じであることを示す。
【００４２】
転送サイリスタＴ１〜Ｔ１２８のそれぞれのゲート端子Ｇｔ１〜Ｇｔ１２８を番号順に２個ずつペアとしたゲート端子Ｇｔ間に、結合ダイオードＤｘ１〜Ｄｘ１２７がそれぞれ接続されている。すなわち、結合ダイオードＤｘ１〜Ｄｘ１２７はそれぞれがゲート端子Ｇｔ１〜Ｇｔ１２８のそれぞれの間に挟まれるように直列接続されている。そして、結合ダイオードＤｘ１の向きは、ゲート端子Ｇｔ１からゲート端子Ｇｔ２に向かって電流が流れる方向に接続されている。他の結合ダイオードＤｘ２〜Ｄｘ１２７についても同様である。
【００４３】
転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）は、転送サイリスタＴのそれぞれに対応して設けられた電源線抵抗Ｒｇｘを介して、電源線７１に接続されている。電源線７１はＶｇａ端子に接続されている。Ｖｇａ端子には、電源ライン２００ｂ（図４（ｂ）参照）が接続され、電源電位供給部１７０から電源電位Ｖｇａが供給される。
【００４４】
そして、転送サイリスタ列の一端側の転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇｔ１は、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子に接続されている。一方、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子は、第２転送信号線７３に接続されている。
【００４５】
図５において、発光チップＣ１（Ｃ）の転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ、電源線抵抗Ｒｇｘ、スタートダイオードＤｘ０、電流制限抵抗Ｒ１、Ｒ２を備える部分を転送部１０１と表記する。そして、発光サイリスタＬを備える部分が発光部１０２に該当する。
【００４６】
図６は、本実施の形態が適用される発光チップＣの平面レイアウト図および断面図の一例である。図６（ａ）は、発光チップＣの平面レイアウト図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線での断面図である。ここでは、発光チップＣと信号発生回路１１０との接続関係を示さないので、発光チップＣ１を例とすることを要しない。よって、発光チップＣと表記する。
図６（ａ）では、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４、転送サイリスタＴ１〜Ｔ４を中心とした部分を示している。なお、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）の位置は、図４（ａ）と異なるが、説明の便宜上、図中左端部に示している。そして、基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子（裏面電極８８）は、基板８０の外に引き出して示している。図４（ａ）に対応させて端子を設けるとすると、φ２端子、φＩ端子、電流制限抵抗Ｒ２は、基板８０の右端部に設けられる。また、スタートダイオードＤｘ０は基板８０の右端部に設けられてもよい。
【００４７】
図６（ａ）のＶＩＢ−ＶＩＢ線での断面図である図６（ｂ）では、図中下より発光サイリスタＬ１、転送サイリスタＴ１、結合ダイオードＤｘ１及び電源線抵抗Ｒｇｘ１が示されている。なお、図６（ａ）および（ｂ）の図中には、主要な素子や端子を名前により表記している。
【００４８】
まず、発光チップＣの断面構造を、図６（ｂ）により説明する。
発光チップＣは、ｐ型の基板８０上に、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３、ｎ型の第１半導体層８４、ｐ型の第２半導体層８５及びｎ型の第３半導体層８６が順に積層されて構成され、互いに分離された複数の島（アイランド）（後述する第１アイランド３０１、第２アイランド３０２、第３アイランド３０３など）から構成されている。なお、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２及び第２多層膜反射鏡８３を多層膜反射鏡と呼ぶことがある。そして、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２及び第２多層膜反射鏡８３は、ｐ型の半導体層として機能する。
なお、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２及び第２多層膜反射鏡８３については、後述する。
【００４９】
これらのアイランドは、ｐ型の基板８０上に、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３、ｎ型の第１半導体層８４、ｐ型の第２半導体層８５及びｎ型の第３半導体層８６がエピタキシャル成長により順に積層されたのち、アイランドの間の層をエッチングにより除去することで相互に分離される。このようなアイランドはメサと呼ばれる。
ここでは、アイランド間のエッチングされた部分を分離部と表記する。電流狭窄層８２に到達することなく、第２多層膜反射鏡８３の一部まで除かれた第１分離部Ｍ１と、電流狭窄層８２を越えて、第１多層膜反射鏡８１の一部まで除かれた第２分離部Ｍ２とがある。なお、第２分離部Ｍ２は、少なくとも電流狭窄層８２に到達していればよい。ここでは、第２分離部Ｍ２は、第１多層膜反射鏡８１の一部まで除かれて構成されているとする。
第１分離部Ｍ１及び第２分離部Ｍ２をそれぞれ区別しない場合は、分離部と表記する。
【００５０】
そして、複数のアイランドには、ｎ型の第３半導体層８６を部分的に有しているもの（例えば、後述する第１アイランド３０１）と、ｎ型の第３半導体層８６を有していないもの（例えば、後述する第３アイランド３０３）とがある。
【００５１】
発光チップＣには、これらのアイランドの表面および側面を覆うように設けられた絶縁層８７が設けられている。そして、これらのアイランドと電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５などの配線とが、絶縁層８７に設けられたスルーホール（図６（ａ）では○で示す。）を介して接続されている。なお、図６（ａ）、（ｂ）では、配線を破線で示し、配線の下側が見えるようにしている。以下の説明では、絶縁層８７およびスルーホールについての説明を省略する。
【００５２】
そして、電流狭窄層８２は、電流が流れる電流通過部８２ａと電流の流れを阻止する電流阻止部８２ｂとを備えている。電流阻止部８２ｂは、発光サイリスタＬ１の周囲をコ字状に囲むように設けられている。他の部分は、電流通過部８２ａとなっている。
さらに、ｐ型の基板８０の裏面にはＶｓｕｂ端子となる裏面電極８８が設けられている。
【００５３】
なお、それぞれのアイランドは、図６（ａ）の発光サイリスタＬ４に示すように、発光サイリスタＬの側面（発光サイリスタＬ４の矢印α、β、γで示す側面）を三方からコ字状に囲うように、第２分離部Ｍ２が構成され、他の部分が第１分離部Ｍ１で分離されている。
【００５４】
次に、発光チップＣの平面構造を、図６（ｂ）を参照しつつ、図６（ａ）により説明する。
第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１、転送サイリスタＴ１及び結合ダイオードＤｘ１が設けられている。第２アイランド３０２には、電源線抵抗Ｒｇｘ１が設けられている。第３アイランド３０３には、スタートダイオードＤｘ０が設けられている。第４アイランド３０４には電流制限抵抗Ｒ１が、第５アイランド３０５には電流制限抵抗Ｒ２が設けられている。
そして、発光チップＣには、第１アイランド３０１、第２アイランド３０２と同様なアイランドが複数、並列して設けられている。これらのアイランドには、発光サイリスタＬ２〜Ｌ１２８、転送サイリスタＴ２〜Ｔ１２８、結合ダイオードＤｘ２〜Ｄｘ１２７及び電源線抵抗Ｒｇｘ２〜Ｒｇｘ１２８が設けられている。なお、図６（ａ）には、発光サイリスタＬ２〜Ｌ４、転送サイリスタＴ２〜Ｔ４、結合ダイオードＤｘ２〜Ｄｘ４及び電源線抵抗Ｒｇｘ２〜Ｒｇｘ４のみを示している。
【００５５】
第１アイランド３０１に設けられた発光サイリスタＬ１は、ｎ型の第１半導体層８４（ｎ型ゲート層）とｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）がゲートとして機能するが、ここでは、ｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）をゲートとして、ゲート端子Ｇｌ１を介して制御する。そして、ｎ型の第１半導体層８４（ｎ型ゲート層）とｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）との間で発光する。ｐ型の基板８０、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３がアノード（アノード層）として機能する。アノード（アノード層）は、ｐ型の基板８０の裏面に設けられた裏面電極８８に繋がっている。裏面電極８８はアノード端子である。
発光サイリスタＬ１は、ｎ型の第３半導体層８６がカソード（カソード層）として機能する。なお、ｎ型の第３半導体層８６は、島（アイランド）状に構成されて、カソード領域３１１となっている。そして、カソード領域３１１上に設けられたｎ型オーミック電極３２１をカソード端子とする。
ｎ型の第３半導体層８６を除去して露出させたｐ型の第２半導体層８５上に設けられたｐ型オーミック電極３３１をゲート端子Ｇｌ１とする。
光は、ｐ型オーミック電極３３１で覆われていないカソード領域３１１から、絶縁層８７を通して出射する。
【００５６】
また、第１アイランド３０１に設けられた転送サイリスタＴ１は、ｎ型の第１半導体層８４（ｎ型ゲート層）とｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）がゲートとして機能するが、発光サイリスタＬ１と同様に、ｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）をゲートとして、ゲート端子Ｇｔ１を介して制御する。発光サイリスタＬ１と同様に、ｐ型の基板８０、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３がアノード（アノード層）として機能する。アノード（アノード層）は、裏面電極８８に繋がっている。裏面電極８８はアノード端子である。
転送サイリスタＴ１は、ｎ型の第３半導体層８６がカソード（カソード層）として機能する。なお、ｎ型の第３半導体層８６は、島（アイランド）状に構成されて、カソード領域３１２となっている。そして、カソード領域３１２上に設けられたｎ型オーミック電極３２２をカソード端子とする。
ｎ型の第３半導体層８６を除去して露出させたｐ型の第２半導体層８５上に設けられたｐ型オーミック電極３３１をゲート端子Ｇｔ１とする。
【００５７】
同じく、第１アイランド３０１に設けられた結合ダイオードＤｘ１は、ｐ型の第２半導体層８５がアノード（アノード層）として機能する。そして、ｎ型の第３半導体層８６を除去して露出させたｐ型の第２半導体層８５上に設けられたｐ型オーミック電極３３１をアノード端子とする。
結合ダイオードＤｘ１は、ｎ型の第３半導体層８６がカソード（カソード層）として機能する。なお、ｎ型の第３半導体層８６は、島（アイランド）状に構成されて、カソード領域３１３となっている。そして、カソード領域３１３上に設けられたｎ型オーミック電極３２３をカソード端子とする。
【００５８】
なお、図６（ｂ）に示すように、発光サイリスタＬ１、転送サイリスタＴ１及び結合ダイオードＤｘ１において、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３、ｎ型の第１半導体層８４、ｐ型の第２半導体層８５は、繋がっている。そして、発光サイリスタＬ１のゲート端子Ｇｌ１、転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇｔ１、結合ダイオードＤｘ１のアノード端子は、ｐ型オーミック電極３３１で共通である。ここでは、ｐ型オーミック電極３３１をゲート端子Ｇｔ１／Ｇｌ１と表記することがある。
【００５９】
第２アイランド３０２に設けられた電源線抵抗Ｒｇｘ１は、ｎ型の第３半導体層８６を除去して露出させたｐ型の第２半導体層８５上に設けられたｐ型オーミック電極３３２とｐ型オーミック電極３３３との間のｐ型の第２半導体層８５を抵抗とする。
【００６０】
第３アイランド３０３に設けられたスタートダイオードＤｘ０は、ｐ型の第２半導体層８５がアノード（アノード層）として機能する。そして、ｎ型の第３半導体層８６を除去して露出させたｐ型の第２半導体層８５上に設けられたｐ型オーミック電極３３４をアノード端子とする。
スタートダイオードＤｘ０は、ｎ型の第３半導体層８６がカソード（カソード層）として機能する。なお、ｎ型の第３半導体層８６は、島（アイランド）状に構成されて、カソード領域３１４となっている。そして、カソード領域３１４上に設けられたｎ型オーミック電極３２４をカソード端子とする。
【００６１】
第４アイランド３０４に設けられた電流制限抵抗Ｒ１及び第５アイランド３０５に設けられた電流制限抵抗Ｒ２は、第２アイランド３０２に設けられた電源線抵抗Ｒｇｘ１と同様に、それぞれが２個のｐ型オーミック電極（符号なし）間のｐ型の第２半導体層８５を抵抗とする。
【００６２】
図６（ａ）において、各素子間の接続関係を説明する。
点灯信号線７５は、幹部７５ａと複数の枝部７５ｂとを備えている。幹部７５ａは発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられている。枝部７５ｂは幹部７５ａから枝分かれして、第１アイランド３０１に設けられた発光サイリスタＬ１のカソード端子であるｎ型オーミック電極３２１と接続されている。他の発光サイリスタＬのカソード端子も同様である。
点灯信号線７５は、発光サイリスタ列において、発光サイリスタＬ１側に設けられたφＩ端子から接続されている。
【００６３】
第１転送信号線７２は、第１アイランド３０１に設けられた転送サイリスタＴ１のカソード端子であるｎ型オーミック電極３２２に接続されている。また、第１転送信号線７２は、第１アイランド３０１と同様なアイランドに設けられた、他の奇数番号の転送サイリスタＴのカソード端子にも接続されている。そして、第１転送信号線７２は、第４アイランド３０４に設けられた電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている。
一方、第２転送信号線７３は、符号を付さないアイランドに設けられた偶数番号の転送サイリスタＴのカソード端子であるｎ型オーミック電極（符号なし）に接続されている。第２転送信号線７３は、第５アイランド３０５に設けられた電流制限抵抗Ｒ２を介してφ２端子に接続されている。
【００６４】
電源線７１は、第２アイランド３０２に設けられた電源線抵抗Ｒｇｘ１の一方の端子であるｐ型オーミック電極３３３に接続されている。他の電源線抵抗Ｒｇｘの一方の端子も電源線７１に接続されている。電源線７１はＶｇａ端子に接続されている。
【００６５】
第１アイランド３０１における発光サイリスタＬ２及び転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇｔ１／Ｇｌ１であるｐ型オーミック電極３３１は、第２アイランド３０２における電源線抵抗Ｒｇｘ１の他方の端子であるｐ型オーミック電極３３２に接続配線７６で接続されている。また、ｐ型オーミック電極３３１は、第３アイランド３０３におけるスタートダイオードＤｘ０のカソード端子であるｎ型オーミック電極３２４に接続配線７６で接続されている。
また、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子であるｐ型オーミック電極３３４は、第２転送信号線７３に接続されている。
【００６６】
第１アイランド３０１に設けられた結合ダイオードＤｘ１のカソード端子であるｎ型オーミック電極３２３は、隣接して設けられている発光サイリスタＬ２及び転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇｔ２／Ｇｌ２であるｐ型オーミック電極（符号なし）に接続配線７７で接続されている。
ここでは説明を省略するが、他の発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ及び電源線抵抗Ｒｇｘについても同様である。
【００６７】
なお、電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５及び接続配線７６、７７などの配線は、第２分離部Ｍ２と交差せず、第１分離部Ｍ１と交差するように設けられている。
【００６８】
（発光装置６５の動作）
次に、発光装置６５の動作について説明する。
前述したように、発光装置６５は発光チップＣ１〜Ｃ４０を備えている（図３、４参照）。
発光チップＣ１〜Ｃ４０は並列に駆動されるので、発光チップＣ１の動作を説明すれば足りる。
【００６９】
＜サイリスタ＞
発光チップＣ１の動作を説明する前に、サイリスタ（転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬ）の基本的な動作を説明する。サイリスタは、前述したように、アノード端子、カソード端子、ゲート端子の３端子を有する半導体素子である。
以下では、一例として、Ｖｓｕｂ端子である裏面電極８８（図５、図６参照）に供給される基準電位Ｖｓｕｂをハイレベルの電位（以下では「Ｈ」と表記する。）として０Ｖ、Ｖｇａ端子に供給される電源電位Ｖｇａをローレベルの電位（以下では「Ｌ」と表記する。）として−３．３Ｖとして説明する。
サイリスタのアノード端子は、裏面電極８８に供給される基準電位Ｖｓｕｂ（「Ｈ」（０Ｖ））である。
【００７０】
サイリスタは、例えば、図６に示したように、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＡｓなどによるｐ型半導体層（第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３及びｐ型の第２半導体層８５）、ｎ型半導体層（ｎ型の第１半導体層８４及びｎ型の第３半導体層８６）をｐ型の基板８０上に積層して構成される。つまり、サイリスタは、ｐｎｐｎ構造を成している。ここでは、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とで構成されるｐｎ接合の順方向電位（拡散電位）Ｖｄを一例として１．５Ｖとして説明する。
【００７１】
アノード端子とカソード端子との間に電流が流れていないオフ状態のサイリスタは、しきい電圧より低い電位（絶対値が大きい負の電位）がカソード端子に印加されるとオン状態に移行（ターンオン）する。ここで、サイリスタのしきい電圧は、ゲート端子の電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値である。
オン状態のサイリスタのゲート端子の電位は、アノード端子の電位に近い電位になる。ここでは、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂ（「Ｈ」（０Ｖ））に設定しているので、ゲート端子の電位は０Ｖ（「Ｈ」）になるとする。また、オン状態のサイリスタのカソード端子は、アノード端子の電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた電位に近い電位となる。ここでは、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂ（「Ｈ」（０Ｖ））に設定しているので、オン状態のサイリスタのカソード端子の電位は−１．５Ｖに近い電位（絶対値が１．５Ｖより大きい負の電位）となる。なお、カソード端子の電位は、オン状態のサイリスタに電流を供給する電源との関係で設定される。
【００７２】
オン状態のサイリスタは、カソード端子が、オン状態を維持するために必要な電位（上記の−１．５Ｖに近い電位）より高い電位（絶対値が小さい負の電位、０Ｖまたは正の電位）になると、オフ状態に移行（ターンオフ）する。
一方、オン状態のサイリスタのカソード端子に、オン状態を維持するために必要な電位より低い電位（絶対値が大きい負の電位）が継続的に印加され、オン状態を維持しうる電流（維持電流）が供給されると、サイリスタはオン状態を維持する。
そして、発光サイリスタＬは、ターンオンにより点灯（発光）し、ターンオフにより消灯（非点灯）する。オン状態の発光サイリスタＬが出射する光の量は、カソード領域（発光サイリスタＬ１のカソード領域３１１）の面積およびカソード端子とアノード端子との間に流す電流によって決まる。
なお、転送サイリスタＴも、発光サイリスタＬと同様に発光するが、カソード領域（転送サイリスタＴ１のカソード領域３１２）の面積を小さくしたり、電極（転送サイリスタＴ１のｎ型オーミック電極３２２）などで遮光したりすることにより、不要な光の発生が抑制されている。
【００７３】
＜タイミングチャート＞
図７は、発光装置６５および発光チップＣの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図７では、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１〜Ｌ５の５個の発光サイリスタＬの点灯または非点灯を制御（点灯制御と表記する。）する部分のタイミングチャートを示している。なお、図７では、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ５を点灯させ、発光サイリスタＬ４を消灯（非点灯）としている。
【００７４】
図７において、時刻ａから時刻ｋへとアルファベット順に時刻が経過するとする。発光サイリスタＬ１は、期間Ｔ（１）において、発光サイリスタＬ２は、期間Ｔ（２）において、発光サイリスタＬ３は、期間Ｔ（３）において、発光サイリスタＬ４は、期間Ｔ（４）において点灯または非点灯の制御（点灯制御）がされる。以下、同様にして番号が５以上の発光サイリスタＬが点灯制御される。
ここでは、期間Ｔ（１）、Ｔ（２）、Ｔ（３）、…は同じ長さの期間とし、それぞれを区別しないときは期間Ｔと呼ぶ。
【００７５】
φ１端子（図５、図６参照）に送信される第１転送信号φ１およびφ２端子（図５、図６参照）に送信される第２転送信号φ２は、「Ｈ」と「Ｌ」との２つの電位を有する信号である。そして、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２は、連続する２つの期間Ｔ（例えば、期間Ｔ（１）と期間Ｔ（２））を単位として波形が繰り返される。
【００７６】
第１転送信号φ１は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂで「Ｈ」から「Ｌ」に移行し、時刻ｆで「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。そして、期間Ｔ（２）の終了時刻ｉにおいて、「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。
第２転送信号φ２は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂにおいて「Ｈ」であって、時刻ｅで「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。そして、期間Ｔ（２）の終了時刻ｉにおいて「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。
第１転送信号φ１と第２転送信号φ２とを比較すると、第２転送信号φ２は、第１転送信号φ１を時間軸上で期間Ｔ後ろにずらしたものに当たる。一方、第２転送信号φ２は、期間Ｔ（１）において、破線で示す波形および期間Ｔ（２）での波形が、期間Ｔ（３）以降において繰り返す。第２転送信号φ２の期間Ｔ（１）の波形が期間Ｔ（３）以降と異なるのは、期間Ｔ（１）は発光装置６５が動作を開始する期間であるためである。
【００７７】
第１転送信号φ１と第２転送信号φ２との一組の転送信号は、後述するように、転送サイリスタＴを番号順にオン状態を伝播させることにより、オン状態の転送サイリスタＴと同じ番号の発光サイリスタＬを、点灯または非点灯の制御（点灯制御）の対象として指定する。
【００７８】
次に、発光チップＣ１のφＩ端子に送信される点灯信号φＩ１について説明する。なお、他の発光チップＣ２〜Ｃ４０には、それぞれ点灯信号φＩ２〜φＩ４０が送信される。点灯信号φＩ１は、「Ｈ」と「Ｌ」との２つの電位を有する信号である。
ここでは、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１に対する点灯制御の期間Ｔ（１）において、点灯信号φＩ１を説明する。点灯信号φＩ１は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂにおいて「Ｈ」であって、時刻ｃで「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。そして、時刻ｄで「Ｌ」から「Ｈ」に移行し、時刻ｅにおいて「Ｈ」を維持する。
【００７９】
図４、図５を参照しつつ、図７に示したタイミングチャートにしたがって、発光装置６５および発光チップＣ１の動作を説明する。なお、以下では、発光サイリスタＬ１およびＬ２を点灯制御する期間Ｔ（１）およびＴ（２）について説明する。
（１）時刻ａ
＜発光装置６５＞
時刻ａにおいて、発光装置６５の信号発生回路１１０の基準電位供給部１６０は、基準電位Ｖｓｕｂを「Ｈ」（０Ｖ）に設定する。電源電位供給部１７０は、電源電位Ｖｇａを「Ｌ」（−３．３Ｖ）に設定する。すると、発光装置６５の回路基板６２上の電源ライン２００ａは基準電位Ｖｓｕｂの「Ｈ」になり、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのＶｓｕｂ端子は「Ｈ」になる。同様に、電源ライン２００ｂは電源電位Ｖｇａの「Ｌ」になり、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのＶｇａ端子は「Ｌ」になる（図４参照）。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれの電源線７１は「Ｌ」になる（図５参照）。
【００８０】
そして、信号発生回路１１０の転送信号発生部１２０は第１転送信号φ１、第２転送信号φ２をそれぞれ「Ｈ」に設定する。すると、第１転送信号ライン２０１および第２転送信号ライン２０２が「Ｈ」になる（図４参照）。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのφ１端子およびφ２端子が「Ｈ」になる。電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている第１転送信号線７２の電位も「Ｈ」になり、電流制限抵抗Ｒ２を介してφ１端子に接続されている第２転送信号線７３も「Ｈ」になる（図５参照）。
【００８１】
さらに、信号発生回路１１０の点灯信号発生部１４０は、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ「Ｈ」に設定する。すると、点灯信号ライン２０４−１〜２０４−４０が「Ｈ」になる（図４参照）。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのφＩ端子が、電流制限抵抗ＲＩを介して「Ｈ」になり、φＩ端子に接続された点灯信号線７５も「Ｈ」になる（図５参照）。
【００８２】
次に、発光チップＣ１の動作を説明する。
【００８３】
＜発光チップＣ１＞
転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのアノード端子はＶｓｕｂ端子に接続されているので、「Ｈ」に設定される。
【００８４】
奇数番号の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、Ｔ５、…のそれぞれのカソード端子は、第１転送信号線７２に接続され、「Ｈ」に設定されている。偶数番号の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、Ｔ６、…のそれぞれのカソード端子は、第２転送信号線７３に接続され、「Ｈ」に設定されている。よって、転送サイリスタＴは、アノード端子およびカソード端子がともに「Ｈ」であるためオフ状態にある。
【００８５】
発光サイリスタＬのカソード端子は、「Ｈ」の点灯信号線７５に接続されている。よって、発光サイリスタＬも、アノード端子およびカソード端子がともに「Ｈ」であるためオフ状態にある。
【００８６】
図５中の転送サイリスタ列の一端のゲート端子Ｇｔ１は、前述したように、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子に接続されている。ゲート端子Ｇｔ１は、電源線抵抗Ｒｇｘ１を介して、電源電位Ｖｇａ（「Ｌ」）の電源線７１に接続されている。そして、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子は第２転送信号線７３に接続され、電流制限抵抗Ｒ２を介して、「Ｈ」のφ２端子に接続されている。よって、スタートダイオードＤｘ０は順バイアスであり、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子（ゲート端子Ｇｔ１）は、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子の電位（「Ｈ」）からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値（−１．５Ｖ）になる。また、ゲート端子Ｇｔ１が−１．５Ｖになると、結合ダイオードＤｘ１は、アノード端子（ゲート端子Ｇｔ１）が−１．５Ｖで、カソード端子が電源線抵抗Ｒｇｘ２を介して電源線７１（「Ｌ」（−３．３Ｖ））に接続されているので、順バイアスになる。よって、ゲート端子Ｇｔ２の電位は、ゲート端子Ｇｔ１の電位（−１．５Ｖ）からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた−３Ｖになる。しかし、３以上の番号のゲート端子Ｇｔには、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子が「Ｈ」（０Ｖ）であることの影響は及ばず、これらのゲート端子Ｇｔの電位は、電源線７１の電位である「Ｌ」（−３．３Ｖ）になっている。
【００８７】
なお、ゲート端子Ｇｔはゲート端子Ｇｌであるので、ゲート端子Ｇｌの電位は、ゲート端子Ｇｔの電位と同じである。よって、転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧は、ゲート端子Ｇｔ、Ｇｌの電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値となる。すなわち、転送サイリスタＴ１、発光サイリスタＬ１のしきい電圧は−３Ｖ、転送サイリスタＴ２、発光サイリスタＬ２のしきい電圧は−４．５Ｖ、番号が３以上の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧は−４．８Ｖとなっている。
【００８８】
（２）時刻ｂ
図７に示す時刻ｂにおいて、第１転送信号φ１が、「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行する。これにより発光装置６５は、動作を開始する。
第１転送信号φ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、φ１端子および電流制限抵抗Ｒ１を介して、第１転送信号線７２の電位が、「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。すると、しきい電圧が−３Ｖである転送サイリスタＴ１がターンオンする。しかし、第１転送信号線７２にカソード端子が接続された、番号が３以上の奇数番号の転送サイリスタＴは、しきい電圧が−４．８Ｖであるのでターンオンできない。一方、偶数番号の転送サイリスタＴは、第２転送信号φ２が「Ｈ」（０Ｖ）であって、第２転送信号線７３が「Ｈ」であるのでターンオンできない。
転送サイリスタＴ１がターンオンすることで、第１転送信号線７２の電位は、アノード端子の電位（「Ｈ」（０Ｖ））からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた−１．５Ｖになる。
【００８９】
転送サイリスタＴ１がターンオンすると、ゲート端子Ｇｔ１／Ｇｌ１の電位は、転送サイリスタＴ１のアノード端子の電位である「Ｈ」になる。そして、ゲート端子Ｇｔ２（ゲート端子Ｇｌ２）の電位が−１．５Ｖ、ゲート端子Ｇｔ３（ゲート端子Ｇｌ３）の電位が−３Ｖ、番号が４以上のゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）の電位が「Ｌ」になる。
これにより、発光サイリスタＬ１のしきい電圧が−１．５Ｖ、転送サイリスタＴ２、発光サイリスタＬ２のしきい電圧が−３Ｖ、転送サイリスタＴ３、発光サイリスタＬ３のしきい電圧が−４．５Ｖ、番号が４以上の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧が−４．８Ｖになる。
しかし、第１転送信号線７２は、オン状態の転送サイリスタＴ１により−１．５Ｖになっているので、オフ状態の奇数番号の転送サイリスタＴはターンオンしない。第２転送信号線７３は、「Ｈ」であるので、偶数番号の転送サイリスタＴはターンオンしない。点灯信号線７５は「Ｈ」であるので、発光サイリスタＬはいずれもターンオンしない。
【００９０】
時刻ｂの直後（ここでは、時刻ｂにおける信号の電位の変化によってサイリスタなどの変化が生じた後、定常状態になったときをいう。）において、転送サイリスタＴ１がオン状態にあって、他の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬはオフ状態にある。
【００９１】
（３）時刻ｃ
時刻ｃにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行する。
点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、電流制限抵抗ＲＩおよびφＩ端子を介して、点灯信号線７５が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。すると、しきい電圧が−１．５Ｖである発光サイリスタＬ１がターンオンして、点灯（発光）する。これにより、点灯信号線７５の電位が−１．５Ｖに近い電位（絶対値が１．５Ｖより大きい負の電位）になる。なお、発光サイリスタＬ２はしきい電圧が−３Ｖであるが、しきい電圧が−１．５Ｖと高い（絶対値が小さい負の電位である）発光サイリスタＬ１がターンオンして、点灯信号線７５が−１．５Ｖに近い電位になるので、発光サイリスタＬ２はターンオンしない。
時刻ｃの直後において、転送サイリスタＴ１がオン状態にあって、発光サイリスタＬ１がオン状態で点灯（発光）している。
【００９２】
（４）時刻ｄ
時刻ｄにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｌ」（−３．３Ｖ）から「Ｈ」（０Ｖ）に移行する。
点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行すると、電流制限抵抗ＲＩおよびφＩ端子を介して、点灯信号線７５の電位が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。すると、発光サイリスタＬ１は、アノード端子とカソード端子とがともに「Ｈ」になるのでターンオフして消灯（非点灯）する。発光サイリスタＬ１の点灯期間は、点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行した時刻ｃから、点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する時刻ｄまでの、点灯信号φＩ１が「Ｌ」である期間となる。
時刻ｄの直後において、転送サイリスタＴ１がオン状態にある。
【００９３】
（５）時刻ｅ
時刻ｅにおいて、第２転送信号φ２が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行する。ここで、発光サイリスタＬ１を点灯制御する期間Ｔ（１）が終了し、発光サイリスタＬ２を点灯制御する期間Ｔ（２）が開始する。
第２転送信号φ２が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、φ２端子を介して第２転送信号線７３の電位が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。前述したように、転送サイリスタＴ２は、しきい電圧が−３Ｖになっているので、ターンオンする。これにより、ゲート端子Ｇｔ２（ゲート端子Ｇｌ２）の電位が「Ｈ」（０Ｖ）、ゲート端子Ｇｔ３（ゲート端子Ｇｌ３）の電位が−１．５Ｖ、ゲート端子Ｇｔ４（ゲート端子Ｇｌ４）の電位が−３Ｖになる。そして、番号が５以上のゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）の電位が−３．３Ｖになる。
時刻ｅの直後において、転送サイリスタＴ１およびＴ２がオン状態にある。
【００９４】
（６）時刻ｆ
時刻ｆにおいて、第１転送信号φ１が「Ｌ」（−３．３Ｖ）から「Ｈ」（０Ｖ）に移行する。
第１転送信号φ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行すると、φ１端子を介して第１転送信号線７２の電位が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。すると、オン状態の転送サイリスタＴ１は、アノード端子とカソード端子とがともに「Ｈ」になって、ターンオフする。すると、ゲート端子Ｇｔ１（ゲート端子Ｇｌ１）の電位は、電源線抵抗Ｒｇｘ１を介して、電源線７１の電源電位Ｖｇａ（「Ｌ」（−３．３Ｖ））に向かって変化する。これにより、結合ダイオードＤｘ１が電流が流れない方向に電位が加えられた状態（逆バイアス）になる。よって、ゲート端子Ｇｔ２（ゲート端子Ｇｌ２）が「Ｈ」（０Ｖ）である影響は、ゲート端子Ｇｔ１（ゲート端子Ｇｌ１）には及ばなくなる。すなわち、逆バイアスの結合ダイオードＤｘで接続されたゲート端子Ｇｔを有する転送サイリスタＴは、しきい電圧が−４．８Ｖになって、「Ｌ」（−３．３Ｖ）の第１転送信号φ１または第２転送信号φ２ではターンオンしなくなる。
時刻ｆの直後において、転送サイリスタＴ２がオン状態にある。
【００９５】
（７）その他
時刻ｇにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行すると、時刻ｃでの発光サイリスタＬ１と同様に、発光サイリスタＬ２がターンオンして、点灯（発光）する。
そして、時刻ｈにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｌ」（−３．３Ｖ）から「Ｈ」（０Ｖ）に移行すると、時刻ｄでの発光サイリスタＬ１と同様に、発光サイリスタＬ２がターンオフして消灯する。
さらに、時刻ｉにおいて、第１転送信号φ１が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行すると、時刻ｂでの転送サイリスタＴ１または時刻ｅでの転送サイリスタＴ２と同様に、しきい電圧が−３Ｖの転送サイリスタＴ３がターンオンする。時刻ｉで、発光サイリスタＬ２を点灯制御する期間Ｔ（２）が終了し、発光サイリスタＬ３を点灯制御する期間Ｔ（３）が開始する。
以降は、これまで説明したことの繰り返しとなる。
【００９６】
なお、発光サイリスタＬを点灯（発光）させないで、消灯（非点灯）のままとするときは、図７の発光サイリスタＬ４を点灯制御する期間Ｔ（４）における時刻ｊから時刻ｋに示す点灯信号φＩ１のように、点灯信号φＩを「Ｈ」（０Ｖ）のままとすればよい。このようにすることで、発光サイリスタＬ４のしきい電圧が−１．５Ｖであっても、発光サイリスタＬ４は消灯（非点灯）のままとなる。
【００９７】
以上説明したように、転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔは結合ダイオードＤｘによって相互に接続されている。よって、ゲート端子Ｇｔの電位が変化すると、電位が変化したゲート端子Ｇｔに、順バイアスの結合ダイオードＤｘを介して接続されたゲート端子Ｇｔの電位が変化する。そして、電位が変化したゲート端子を有する転送サイリスタＴのしきい電圧が変化する。転送サイリスタＴは、しきい電圧が「Ｌ」（−３．３Ｖ）より高い（絶対値が小さい負の値）と、第１転送信号φ１または第２転送信号φ２が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行するタイミングにおいてターンオンする。
そして、オン状態の転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔにゲート端子Ｇｌが接続された発光サイリスタＬは、しきい電圧が−１．５Ｖであるので、点灯信号φＩが「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行すると、ターンオンして点灯（発光）する。
すなわち、転送サイリスタＴはオン状態になることで、点灯制御の対象である発光サイリスタＬを指定し、点灯信号φＩは、点灯制御の対象の発光サイリスタＬを点灯または非点灯に設定する。
このように、画像データに応じて点灯信号φＩの波形を設定して、各発光サイリスタＬの点灯または非点灯を制御している。
【００９８】
以下では、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３の詳細を説明する。
（第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３）
図８は、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３を説明する図である。図８（ａ）は、第１分離部Ｍ１を示し、図８（ｂ）は、第２分離部Ｍ２を示している。
第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３は、ｐ型の基板８０上に順に積層されている。そして、第２多層膜反射鏡８３上にｐ型の第１半導体層８４が積層されている。
そして、図８（ａ）に示す第１分離部Ｍ１では、電流狭窄層８２に到達することなく、第２多層膜反射鏡８３の一部までが除かれて構成されている。図８（ｂ）に示す第２分離部Ｍ２は、電流狭窄層８２を越えて、第１多層膜反射鏡８１の一部まで除かれて構成されている。
【００９９】
第１多層膜反射鏡８１及び第２多層膜反射鏡８３は、屈折率の異なる複数の層を積層した誘電体ミラーであって、層間で生じるブラッグ反射を利用する。すなわち、第１多層膜反射鏡８１及び第２多層膜反射鏡８３は、複数の層を積層した分布ブラッグ反射鏡（ＤＢＲ：Distributed Bragg Reflector）である。
そして、発光サイリスタＬにおいて、ｐ型の基板８０と第１半導体層８４（ｐ型ゲート層）との間に設けることで、ｐ型の基板８０側に向かう光を反射して、図２に示したロッドレンズアレイ６４に向かう光量を増加させる。すなわち、発光サイリスタＬからの光取り出し効率を向上させる。
【０１００】
一方、電流狭窄層８２は、発光サイリスタＬの周囲の三方（図６（ａ）の発光サイリスタＬ４の矢印α、β、γで示す側面）に電流の流れを阻止する電流阻止部８２ｂを設ける。これにより、発光サイリスタＬに流れる電流を中央部に集中させる（狭窄する）ことで、キャリア密度を高くして正孔と電子との結合効率を高くすることで、発光効率を向上させる。
【０１０１】
すなわち、本実施の形態の発光チップＣでは、電流狭窄層８２を設けて発光サイリスタＬの発光効率を向上させるとともに、第１多層膜反射鏡８１及び第２多層膜反射鏡８３により、光取り出し効率を向上させている。これらにより、発光チップＣが出射する光量を向上させている。
【０１０２】
図８（ａ）、（ｂ）において、層構成を説明する。
発光チップＣは、例えばＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＡｓなど、ＩＩＩ−Ｖ族の化合物半導体を用いて構成される。なお、化合物半導体の導電型及び濃度は、添加される不純物により設定される。
【０１０３】
ｐ型の基板８０は、例えばＧａＡｓで構成されている。
第１多層膜反射鏡８１は、低屈折率層８１ａと高屈折率層８１ｂとが交互に例えば１０対（ペア）積層されて構成されている。低屈折率層８１ａは、例えばＡｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓの高Ａｌ組成層であり、高屈折率層８１ｂは、例えばｐ型のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓの低Ａｌ組成層である。なお、低屈折率層８１ａと高屈折率層８１ｂの膜厚（光路長）は、反射させる光の中心波長λに対して、例えば０．２５（１／４）λに設定されている。なお、低屈折率層８１ａと高屈折率層８１ｂとの１対（ペア）の膜厚は、約１２０ｎｍである。
屈折率は、Ａｌ組成比によって変化し、Ａｌ組成比が大きいほど小さい。よって、Ａｌ組成比の異なるＡｌＧａＡｓ層を交互に積層することで、分布ブラッグ反射鏡が構成される。
なお、反射率は、積層されるＡｌＧａＡｓ層の屈折率差が大きいほど大きい。
【０１０４】
第２多層膜反射鏡８３は、低屈折率層８３ａと高屈折率層８３ｂとが交互に例えば３対（ペア）積層されて構成されている。低屈折率層８３ａは、例えばＡｌ０．８Ｇａ０．２Ａｓの高Ａｌ組成層であり、高屈折率層８３ｂは、例えばｐ型のＡｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓの低Ａｌ組成層である。なお、低屈折率層８３ａと高屈折率層８３ｂの膜厚（光路長）は、反射させる光の中心波長λに対して、例えば０．２５（１／４）λに設定されている。なお、低屈折率層８３ａと高屈折率層８３ｂとの１対（ペア）の膜厚は、約１２０ｎｍである。
【０１０５】
電流狭窄層８２は、例えばｐ型のＡｌＡｓである。電流狭窄層８２の膜厚（光路長）は、例えば０．７５（３／４）λに設定されている。
Ａｌ組成比が大きい（濃度が高い）ほど、後述する水蒸気酸化などの方法により、Ａｌが酸化されやすい。そして、酸化の速度（酸化されやすさ）は、Ａｌ組成比が高くなればなるほど急激に増加する。
【０１０６】
そして、Ａｌの酸化によって生成される酸化物（Ａｌ２Ｏ３）は、電流を通しにくい。すなわち、電流狭窄層８２は、Ａｌが酸化された酸化物（Ａｌ２Ｏ３）により、電流の流れを阻止する電流阻止部８２ｂを形成する。なお、電流狭窄層８２のＡｌが酸化されていない部分は、電流が流れる電流通過部８２ａである。
【０１０７】
以上説明したように、電流狭窄層８２は、Ａｌの酸化物を生成させることで、電流阻止部８２ｂを形成する。よって、Ａｌ組成比は、第１多層膜反射鏡８１の低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）及び第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のいずれのＡｌ組成比よりも大きく設定されている。よって、電流狭窄層８２には、ＡｌＡｓのようにＡｌ組成比が高い材料を使用するのがよい。例えば、Ａｌ組成比が９８％以上のＡｌＧａＡｓであってもよい。
【０１０８】
なお、第１多層膜反射鏡８１の低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）と第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比は異なっている。つまり、第２多層膜反射鏡８３における低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比が、第１多層膜反射鏡８１における低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）より、小さく設定されている。
これは、配線（電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５、接続配線７６、７７など）を、第２分離部Ｍ２に交差させず、第１分離部Ｍ１に交差して設けるためである。
以下では、この理由を説明する。
【０１０９】
電流狭窄層８２の電流阻止部８２ｂは、組成中のＡｌを酸化して形成される。そして、電流狭窄層８２は、第１多層膜反射鏡８１と第２多層膜反射鏡８３とで挟まれている。
そして、電流狭窄層８２の酸化は、電流狭窄層８２の側面を露出させて、側面から酸化させて行う。
このため、図８（ｂ）に示すように、電流狭窄層８２を越えて、第１多層膜反射鏡８１の一部まで除かれた第２分離部Ｍ２を設けて、電流狭窄層８２の側面を露出させることになる。このとき、第２分離部Ｍ２に第１多層膜反射鏡８１が露出した面Ｍ２Ｓが形成される。なお、面Ｍ２Ｓには、第１多層膜反射鏡８１の露出した側面が含まれるが、ここでは、第２分離部Ｍ２の底面として説明する。
【０１１０】
電流狭窄層８２は、前述したように、電流阻止部８２ｂによって、発光サイリスタＬに流れる電流を中央部に集中させて、発光効率を向上させる。よって、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘなどには、電流阻止部８２ｂを設けることを要しない。逆に、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘなどでは、電流阻止部８２ｂを設けると、オン状態の抵抗が増加して、動作を阻害してしまう。
よって、発光サイリスタＬ以外の素子に対しては、図８（ａ）に示すように、電流狭窄層８２に到達することなく、第２多層膜反射鏡８３の一部まで除かれた第１分離部Ｍ１を設けて、電流狭窄層８２の側面を露出させないようにしている。
【０１１１】
なお、第２多層膜反射鏡８３を構成する低屈折率層８３ａと高屈折率層８３ｂとの１対（ペア）の膜厚は、約１２０ｎｍである。すると、第１分離部Ｍ１を形成するエッチングの精度から、露出する面Ｍ１Ｓを、高屈折率層８３ｂ（低Ａｌ組成層）とすることは難しい。すなわち、露出する面Ｍ１Ｓには、高屈折率層８３ｂ（低Ａｌ組成層）が現れたり、低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）が現れたりする。また、面Ｍ１Ｓの一部が低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）で残りが高屈折率層８３ｂ（低Ａｌ組成層）になったり、逆の状態になったりする。
【０１１２】
すると、第１分離部Ｍ１の露出した面Ｍ１Ｓにおいて、電流狭窄層８２の酸化にともなって、低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ成分が酸化され、表面が荒れたり、黒く変色したりする。そして、その上に設けられる絶縁層８７（図６（ｂ）参照）の密着性が低下して、配線（電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５など）の形成を難しくする。また、発光チップＣの信頼性を低下させる。さらに、プリントヘッド１４及び画像形成装置１の信頼性も低下する。
【０１１３】
そこで、本実施の形態では、第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を、第１多層膜反射鏡８１の低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）に比べて、低く設定し、第１分離部Ｍ１の露出した面Ｍ１Ｓの酸化を抑制している。そして、第１分離部Ｍ１と交差するように、配線を設けている。
前述したように、Ａｌ組成比が高いほど、Ａｌ成分が酸化されやすく、且つ、Ａｌ組成比によって、Ａｌ成分の酸化速度（酸化されやすさ）が大きく変化する。
例えば、第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を、例えば前述した値（０．８）に設定することで、Ａｌ成分の酸化を抑制し、絶縁層８７及び配線を形成するのに支障がないようにしている。
そして、第１多層膜反射鏡８１の低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）に含まれるＡｌ成分が、電流狭窄層８２の酸化の際に酸化されたとしても、配線は、第１分離部Ｍ１と交差するため、配線の形成に影響を与えない。
よって、発光チップＣの歩留まりや信頼性が向上し、プリントヘッド１４及び画像形成装置１の信頼性が向上する。
【０１１４】
しかし、第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を低くすると、屈折率が高くなって、分布ブラッグ反射鏡としての反射率が低下する。このため、第２多層膜反射鏡８３のペア数を少なくするとよい。例えば、３ペアとすれば、反射率の低下が小さく抑えられるとともに、第１分離部Ｍ１のエッチングにおいて、第２多層膜反射鏡８３内に面Ｍ１Ｓが設けられる。
また、発光サイリスタＬでは、ｎ型の第１半導体層８４（ｎ型ゲート層）とｐ型の第２半導体層８５（ｐ型ゲート層）との境界で発光が生じる。よって、この境界にキャリアが効率的に注入されることがよい。よって、この境界と電流狭窄層８２との距離は近いほどよい。このことからも、第２多層膜反射鏡８３の膜厚（ペア数）は小さいほどよい。
【０１１５】
一方、図８（ｂ）に示す第２分離部Ｍ２の面Ｍ２Ｓを交差するように、配線を設けないため、面Ｍ２Ｓに荒れが生じても許容される。よって、第１多層膜反射鏡８１では、低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を高くし、高い反射率が得られるようにしている。
【０１１６】
図８（ａ）、（ｂ）に示すように、電流狭窄層８２は、第１多層膜反射鏡８１及び第２多層膜反射鏡８３との間にあって、低屈折率層（高Ａｌ組成層）として機能する。つまり、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２及び第２多層膜反射鏡８３が、全体として多層膜反射鏡として捉えられる。
そして、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）は、低屈折率層８１ａ、８３ａと同様に、０．２５（１／４）λであってもよい。しかし、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）が薄いと、酸化の進行が遅くなるとともに、膜厚のばらつきの影響を受けやすくなる。よって、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）は、０．２５（１／４）λの整数倍に設定されるとよい。
【０１１７】
なお、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）が０．２５（１／４）λの奇数倍である場合は、電流狭窄層８２の下側が第１多層膜反射鏡８１の高屈折率層８１ｂ（低Ａｌ組成層）、上側が第２多層膜反射鏡８３の高屈折率層８３ｂ（低Ａｌ組成層）で挟まれているとよい。図８（ａ）、（ｂ）は、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）を０．７５（３／４）λとした場合であるので、この構成になっている。
【０１１８】
一方、電流狭窄層８２の膜厚（光路長）が０．２５（１／４）λの偶数倍である場合は、電流狭窄層８２の下側が第１多層膜反射鏡８１の高屈折率層８１ｂ（低Ａｌ組成層）、上側が第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）で挟まれているとよい。
【０１１９】
（発光チップＣの製造方法）
発光チップＣの製造方法について説明する。
ここでは、図６（ａ）のＰ−Ｐ線での断面（Ｐ−Ｐ断面）と、Ｑ−Ｑ線での断面（Ｑ−Ｑ断面）とで説明する。Ｐ−Ｐ線での断面は、第１分離部Ｍ１での断面であって、転送サイリスタＴ１の断面である。Ｑ−Ｑ線での断面は、第２分離部Ｍ２での断面であって、発光サイリスタＬ１の断面である。
【０１２０】
図９は、ゲート出しエッチング工程までの工程を説明する図である。図９（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）は、図６（ａ）におけるＰ−Ｐ線での断面図、図９（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）は、図６（ａ）におけるＱ−Ｑ線での断面図である。（ａｎ）、（ｂｎ）、（ｃｎ）の順に工程が進行する。ｎは、１又は２である。
【０１２１】
図９（ａ１）、（ａ２）に示すように、ｐ型の基板８０上に、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３、ｎ型の第１半導体層８４、ｐ型の第２半導体層８５、ｎ型の第３半導体層８６が積層される。
なお、ｐ型の基板８０、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３については、既に説明した。第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３は、ｐ型の半導体層である。
ｎ型の第１半導体層８４は、例えば膜厚（光路長）が１．２５（５／４）λのｎ型のＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓである。ｐ型の第２半導体層８５は、例えば膜厚（光路長）が２．２５（９／４）λのｐ型のＡｌ０．１４Ｇａ０．８６Ａｓである。ｎ型の第３半導体層８６は、ｎ型のＧａＡｓ又はＡｌＧａＡｓである。
【０１２２】
次に、図９（ｂ１）、（ｂ２）に示すように、ｎ型の第３半導体層８６上に、ｎ型の第３半導体層８６とオーミックコンタクトするＡｕＧｅなどによるｎ型オーミック電極３２１、３２２をリフトオフ法などにより形成する。
【０１２３】
そして、図９（ｃ１）、（ｃ２）に示すように、一部のｎ型の第３半導体層８６をエッチングにより除去して、ｐ型の第２半導体層８５を露出させる。この工程は、ゲート出しエッチングと呼ばれる。
まず、フォトリソグラフィにより、図９（ｃ１）では、転送サイリスタＴ１のカソード領域３１２に対応するフォトレジストのマスクパタン９１が形成され、図９（ｃ２）では、発光サイリスタＬ１のカソード領域３１１に対応するフォトレジストのマスクパタン９２が形成される。そして、例えば、硫酸系のエッチング液（重量比において硫酸：過酸化水素水：水＝１：１０：３００）によるウエットエッチングが行われる。これにより、図９（ｃ１）では、転送サイリスタＴ１のカソード領域３１２が形成され、図９（ｃ２）では、発光サイリスタＬ１のカソード領域３１１が形成される。
この後、マスクパタン９１、９２は除去される。
【０１２４】
この後に、図示していないが、露出したｐ型の第２半導体層８５上に、ｐ型の第２半導体層８５とオーミックコンタクトするＡｕＺｎなどによるｐ型オーミック電極３３１などをリフトオフ法などにより形成する。
【０１２５】
図１０は、ゲート出しエッチングの後の工程を説明する図である。図１０（ａ１）、（ｂ１）、（ｃ１）は、図６（ａ）におけるＰ−Ｐ線での断面図、図１０（ａ２）、（ｂ２）、（ｃ２）は、図６（ａ）におけるＱ−Ｑ線での断面図である。（ａｎ）、（ｂｎ）、（ｃｎ）の順に工程が進行する。ｎは、１又は２である。
【０１２６】
図１０（ａ１）、（ａ２）では、エッチングにより第１分離部Ｍ１が形成される。
まず、フォトリソグラフィにより、図１０（ａ１）、（ａ２）では、第１アイランド３０１の平面形状に対応するフォトレジストのマスクパタン９３が形成される。マスクパタン９３は、図６（ａ）から分かるように、発光サイリスタＬ１の部分から転送サイリスタＴ１の部分まで繋がって形成される。なお、図示していないが、他の第２アイランド３０２などのアイランドに対応するマスクパタンも同時に形成される。
そして、例えば、硫酸系のエッチング液（重量比において硫酸：過酸化水素水：水＝１：１０：３００）によるウエットエッチングにより、第２多層膜反射鏡８３を露出させる。これにより、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第１アイランド３０１、第２アイランド３０２などのアイランドが分離される。
この後、マスクパタン９３が除去される。
【０１２７】
次に、図１０（ｂ２）では、第２分離部Ｍ２が形成される。
まず、フォトリソグラフィにより、発光サイリスタＬ１の三方の側面（図６（ａ）の発光サイリスタＬ４における矢印α、β、γの側面）を露出させるように、フォトレジストのマスクパタン９４が形成される。他の発光サイリスタＬについても同様である。なお、図１０（ｂ１）に示すように、Ｐ−Ｐ線での断面図に現れた転送サイリスタＴ１などは、エッチングされないように、マスクパタン９４で覆われている。マスクパタン９４は、図６（ａ）から分かるように、発光サイリスタＬ１の部分から転送サイリスタＴ１の部分まで繋がって形成される。
そして、例えば、リン系のエッチング液（重量比においてリン酸：過酸化水素水：水＝１：１０：６０）によるウエットエッチングにより、露出した第２多層膜反射鏡８３、電流狭窄層８２を除去し、第１多層膜反射鏡８１を露出させる。これにより、発光サイリスタＬ１の三方の側面において電流狭窄層８２の側面が露出する。しかし、転送サイリスタＴ１などの側面は、マスクパタン９４で覆われているので、電流狭窄層８２の側面が露出することがない。
この後、マスクパタン９４が除去される。
【０１２８】
なお、第２分離部Ｍ２を形成するエッチングを、例えば塩化ホウ素を用いた異方性ドライエッチングで行ってもよい。なお、異方性ドライエッチングで第１分離部Ｍ１又は第２分離部Ｍ２を形成すると、適切な表面処理を行わないと、第１分離部Ｍ１又は第２分離部Ｍ２の表面において、電流が流れやすくなり、サイリスタがターンオンしやすくなる。発光サイリスタＬは、ターンオンしやすくてもよいが、転送サイリスタＴは、ターンオンしやすいと、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２による転送が正常に行われなくなる。よって、第１分離部Ｍ１を形成するエッチングは、ウエットエッチングで行うことがよい。
【０１２９】
そして、図１０（ｃ２）に示すように、第２分離部Ｍ２の側面に露出した電流狭窄層８２を側面から酸化して、電流を阻止する電流阻止部８２ｂを形成する。酸化されないで残った部分が電流通過部８２ａとなる。
例えば、３００〜４００℃での水蒸気酸化により、ＡｌＡｓである電流狭窄層８２の露出した側面から酸化が進行し、発光サイリスタＬの三方の周囲にＡｌの酸化物であるＡｌ２Ｏ３による電流阻止部８２ｂが形成される。
そして、ｐ型の基板８０の裏面に、裏面電極８８が形成される。
【０１３０】
この後、図示しないが、絶縁層８７が形成される。次いで、ｎ型オーミック電極３２１、３２２やｐ型オーミック電極３３１などの電極に対して、絶縁層８７にスルーホールが形成される（図６（ａ）の〇。）。そして、配線（電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５、接続配線７６、７７など）が形成される。
【０１３１】
以上説明したように、発光サイリスタＬの周囲（周辺部）の三方から電流狭窄層８２を酸化して、電流を阻止する電流阻止部８２ｂを形成し、発光サイリスタＬの中心部に電流を集中させ（狭窄して）、発光効率を向上させるともに、第１多層膜反射鏡８１及び第２多層膜反射鏡８３により、基板８０側に向かう光を反射させて、光取り出し効率を向上させている。これらにより、発光サイリスタＬの出射する光量を増加させている。
さらに、第２多層膜反射鏡８３において低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を、第１多層膜反射鏡８１において低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比に比べて、低くすることで、第１分離部Ｍ１の面Ｍ１Ｓが酸化によって荒れて絶縁層８７や配線の形成を妨げることを抑制している。
【０１３２】
（変形例）
図９に示した本実施の形態では、第２多層膜反射鏡８３は、低屈折率層８３ａと高屈折率層８３ｂとを交互に積層して構成されていた。そして、低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）は、第１多層膜反射鏡８１における低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）より、Ａｌ組成比が低く設定されていた。
しかし、前述したように、第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）は、第１分離部Ｍ１の露出した面Ｍ１Ｓに、酸化によって荒れた表面が形成されることが抑制されればよい。すなわち、面Ｍ１Ｓとなりうる第２多層膜反射鏡８３の部分における、低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比を他の部分に比べて低くして、酸化を抑制してもよい。
【０１３３】
図１１は、本実施の形態の発光チップＣの変形例を示す断面図である。ここでは、図１１では、基板８０、第１多層膜反射鏡８１、電流狭窄層８２、第２多層膜反射鏡８３、ｎ型の第１半導体層８４を示している。
そして、第２多層膜反射鏡８３は、上部８３Ａと下部８３Ｂとを備えている。そして、上部８３Ａは、低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）と高屈折率層８３ｂ（低Ａｌ組成層）とが繰り返し積層されている。そして、下部８３Ｂは、低屈折率層８３ｃ（高Ａｌ組成層）と高屈折率層８３ｄ（低Ａｌ組成層）とが繰り返し積層されている。
そして、上部８３Ａの低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比は、下部８３Ｂの低屈折率層８３ｃ（高Ａｌ組成層）より、低く設定されている。なお、下部８３Ｂの低屈折率層８３ｃ（高Ａｌ組成層）のＡｌ組成比は、第１多層膜反射鏡８１の低屈折率層８１ａ（高Ａｌ組成層）と同じとしてもよい。
そして、第１分離部Ｍ１の面Ｍ１Ｓが第２多層膜反射鏡８３の上部８３Ａ内に形成されるようにしている。よって、第１分離部Ｍ１の面Ｍ１Ｓには、下部８３Ｂの低屈折率層８３ｃ（高Ａｌ組成層）が露出することが抑制される。
【０１３４】
すなわち、第１分離部Ｍ１の面Ｍ１Ｓに現れる第２多層膜反射鏡８３の低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）は、酸化によって荒れなどが生じないＡｌ組成比であればよい。
そして、第２多層膜反射鏡８３において、酸化の影響が及ぶ範囲（厚さ）、すなわち荒れなどが生じる範囲（厚さ）において、Ａｌ組成比が低い低屈折率層８３ａ（高Ａｌ組成層）を含むように構成されればよい。
【０１３５】
以上説明したように、本実施の形態の発光チップＣでは、露出した分布ブラック反射層の酸化防止と分布ブラック反射層の反射率低下の抑制とを両立させている。
【０１３６】
本実施の形態では、発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ及び結合ダイオードＤｘを、一つのアイランドに形成したが、発光サイリスタＬのアイランドと転送サイリスタＴ及び結合ダイオードＤｘのアイランドとしてもよい。すなわち、発光サイリスタＬの周辺部に第２分離部Ｍ２が形成され、第２分離部Ｍ２から電流狭窄層８２が酸化され、電流を阻止すればよい。そして、第１分離部Ｍ１と交差するように、配線が形成されればよい。
【０１３７】
本実施の形態では、サイリスタ（転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬ）は、アノード端子が基板８０に接続されたアノードコモンとして説明した。サイリスタ（転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬ）は、回路の極性を変更することによって、カソード端子が基板８０に接続されたカソードコモンとしてもよい。
また、発光サイリスタＬのカソード領域３１１の中央に、ｎ型オーミック電極３２１が設けられているとしたが、ｎ型オーミック電極３２１はカソード領域３１１の中央からずれたところに、設けられていてもよい。
また、ｎ型オーミック電極３２１が設けられていなくてもよい。
【０１３８】
さらに、本実施の形態では、発光サイリスタＬと転送サイリスタＴとから構成される自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）で説明したが、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）は、発光サイリスタＬと転送サイリスタＴの他に、制御用のサイリスタおよび／またはダイオード、抵抗などの他の部材を含んでいてもよい。
また、本実施の形態では、転送サイリスタＴの間を結合ダイオードＤｘで接続したが、抵抗など電位の変化を伝達できる部材であってもよい。
【０１３９】
そして、本実施の形態では、発光素子を発光サイリスタＬとしたが、発光素子はｐ型の半導体層とｎ型の半導体層とが積層された発光ダイオード（ＬＥＤ）であってもよい。
【符号の説明】
【０１４０】
１…画像形成装置、１０…画像形成プロセス部、１１…画像形成ユニット、１２…感光体ドラム、１４…プリントヘッド、３０…画像出力制御部、４０…画像処理部、６２…回路基板、６３…光源部、６４…ロッドレンズアレイ、６５…発光装置、７１…電源線、７２…第１転送信号線、７３…第２転送信号線、７５…点灯信号線、７５ａ…幹部、７５ｂ…枝部、８１…第１多層膜反射鏡、８２…電流狭窄層、８２ａ…電流通過部、８２ｂ…電流阻止部、８３…第２多層膜反射鏡、８４…第１半導体層、８５…第２半導体層、８６…第３半導体層、８７…絶縁層、８８…裏面電極、９１、９２、９３、９４…マスクパタン、１１０…信号発生回路、１２０…転送信号発生部、１４０…点灯信号発生部、１６０…基準電位供給部、１７０…電源電位供給部、φ１…第１転送信号、φ２…第２転送信号、φＩ（φＩ１〜φＩ４０）…点灯信号、Ｃ（Ｃ１〜Ｃ４０）…発光チップ、Ｄｘ…結合ダイオード、Ｌ…発光サイリスタ、Ｍ１…第１分離部、Ｍ２…第２分離部、Ｔ…転送サイリスタ、Ｖｇａ…電源電位、Ｖｓｕｂ…基準電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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