(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体が、
銅と、ニッケルとを含有する合金層と、
銅層とを有し、
前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、
前記積層体は、前記合金層として、第１の合金層及び第２の合金層を有し、
前記銅層は、前記第１の合金層と、前記第２の合金層との間に配置され、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である積層体基板。
【請求項２】
前記合金層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項１に記載の積層体基板。
【請求項３】
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
前記金属細線が、
銅と、ニッケルとを含有する合金配線層と、
銅配線層とを備えた積層体であり、
前記合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、
前記金属細線は、前記合金配線層として、第１の合金配線層及び第２の合金配線層を有し、
前記銅配線層は、前記第１の合金配線層と、前記第２の合金配線層との間に配置され、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である導電性基板。
【請求項４】
前記合金配線層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項３に記載の導電性基板。
【請求項５】
透明基材を準備する透明基材準備工程と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程とを有し、
前記積層体形成工程は、
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップと、
銅と、ニッケルと含有する合金層を堆積する合金層成膜手段により合金層を成膜する合金層形成ステップと、を含み、
前記合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施し、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、
前記積層体は、前記合金層として、第１の合金層及び第２の合金層を有し、
前記銅層は、前記第１の合金層と、前記第２の合金層との間に配置され、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である積層体基板の製造方法。
【請求項６】
前記合金層が、銅とニッケルと亜鉛とを含み、前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、亜鉛の割合が１０質量％以上３０質量％以下である請求項５に記載の積層体基板の製造方法。
【請求項７】
前記合金層成膜手段がスパッタリング成膜法である請求項５または６に記載の積層体基板の製造方法。
【請求項８】
前記合金層は厚さが１０ｎｍ以上である請求項５乃至７のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の前記銅層と、前記合金層とをエッチングし、銅配線層と、合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有し、
前記エッチング工程により、前記銅層及び前記合金層に開口部を形成する導電性基板の製造方法。
【請求項１０】
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である請求項９に記載の導電性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法
に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から各種表示デバイスが検討されており、例えば自発光型のプラズマディスプレイパネルや、非発光型の液晶ディスプレイ、電子ペーパー等が知られている。中でも、非発光型の表示デバイスである液晶ディスプレイや、電子ペーパー等については近年特に需要が高まっており、各種検討がなされている。
【０００３】
なお、非発光型の表示デバイスでは、表示物を視認させるためには光源が必要となるが、光源により透過型と、反射型とに分けることができる。透過型は、例えば表示デバイスの背面に配置したバックライトにより光を供給し、表示デバイスの背面から表面である表示面に向かって光を透過させる構造を有する。また、反射型は、例えば表示デバイスの表面である表示面側から入射した光を、背面に設けた反射板で反射させ、再び表面側に向かって光を透過させる構造を有する。
【０００４】
非発光型の表示デバイスである電子ペーパーとしては、例えば電気泳動表示装置の一種であるマイクロカプセル型電気泳動表示装置が知られている。特許文献１には、電気泳動現象を利用した電気泳動表示装置について以下のように説明がなされている。
【０００５】
電気泳動現象とは、液相分散媒中に微粒子を分散させた分散液に電界を加えたときに、分散によって自然に帯電した粒子（電気泳動粒子）がクーロン力により泳動する現象である。
【０００６】
電気泳動表示装置の基本的な構造では、一方の電極と他方の電極とを所定の間隔で対向させ、その間に前記分散液（電気泳動分散液）を封入している。また、少なくとも一方の電極を透明にして、この透明電極側を観察面としている。この両電極間に電位差を与えると、電気泳動粒子が電界の向きによってどちらか一方の電極に引きつけられる。
【０００７】
そのため、この構造で、分散媒を染料で染色するとともに電気泳動粒子を顔料粒子で構成すれば、透明な観察面から、電界の方向に応じて電気泳動粒子の色または染料の色が見える。したがって、電極を各画素に対応させたパターンで形成して、各画素電極に加える電圧を制御することにより、画像を表示することができる。
【０００８】
そして、電子ペーパーの一方式として知られ、電気泳動表示装置の一種であるマイクロカプセル型電気泳動表示装置は、対向する電極間に電気泳動層として、電気泳動分散液を内包する複数のマイクロカプセルからなる層が配置された構造を有している。
【０００９】
このような電気泳動表示装置は、構成が簡便であり、広視野角、低消費電力、並びに表示画像保持性能（メモリー性）等の利点を有する。
【００１０】
ところで、電子ペーパーにおいても直観的な情報入力のため、タッチパネルを備えた電子ペーパーが検討されている。
【００１１】
例えば、特許文献２には上部基板と下部基板の間に備えられた電子インク；上部基板の下面に備えられて電子インクを駆動し、信号を発生させる上部電極；下部基板の上面に備えられて電子インクを駆動する下部電極；及び上部基板の上側に備えられて、信号によって上部電極と静電容量が形成され、入力手段がタッチする時に静電容量の変化を感知するセンシング電極；を含むことを特徴とするタッチパネル一体型電子ペーパーが開示されている。また、センシング電極は導電性高分子で形成されている旨も開示されている。
【００１２】
そして、タッチパネルを備えた表示デバイスとして、バックライトを備えた透過型液晶ディスプレイにタッチパネルを配置した表示デバイスが、従来から広く用いられている。
【００１３】
タッチパネルを備えた液晶ディスプレイでは、例えば特許文献３に開示されているように、高分子フィルム等の透明基材上に、金属酸化物からなる透明導電膜であるＩＴＯ（酸化インジウム−酸化スズ）膜を設けたタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
【００１４】
ところで、タッチパネルを備えた透過型液晶ディスプレイの大画面化が近年は特に進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
【００１５】
このため、例えば特許文献４、５に開示されているようにＩＴＯ膜の配線にかえて、銅等の金属配線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属配線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
【００１６】
そこで、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。係る導電性基板によれば、透過型液晶ディスプレイ等に適用した場合でも、黒化層により金属配線表面での光の反射を抑制し、ディスプレイの視認性を高めることが可能になる。
【００１７】
そして、透過型液晶ディスプレイ以外の表示装置、例えば反射型ディスプレイにおいても画面の大型化等に対応するため、タッチパネル用の透明導電性フィルムにおいて、電気抵抗値を低くすることが求められている。このため、上述の、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板を適用することが検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００４−２５８３７０号公報
【特許文献２】特開２０１２−０２７８９０号公報
【特許文献３】特開２００３−１５１３５８号公報
【特許文献４】特開２０１１−０１８１９４号公報
【特許文献５】特開２０１３−０６９２６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
しかしながら、反射型ディスプレイでは、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した場合、かえってディスプレイの視認性が低下する場合があった。
【００２０】
上記従来技術の問題に鑑み、本発明は、銅層を含み、反射型ディスプレイに適用した場合でもディスプレイの視認性の低下を抑制できる、積層体基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するため本発明は、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
前記積層体が、
銅と、ニッケルとを含有する合金層と、
銅層とを有し、
前記合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であり、
前記積層体は、前記合金層として、第１の合金層及び第２の合金層を有し、
前記銅層は、前記第１の合金層と、前記第２の合金層との間に配置され、
Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、前記合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上である積層体基板を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、本発明は、銅層を含み、反射型ディスプレイに適用した場合でもディスプレイの視認性の低下を抑制できる、積層体基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。
【図３】本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の上面図。
【図４】図３のＡ−Ａ´線における断面図。
【図５】ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、および導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体が、銅と、ニッケルとを含有する合金層と、銅層とを有し、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合を１０質量％以上２５質量％以下とすることができる。
【００２５】
なお、本実施形態における積層体基板とは、透明基材の表面に、パターニングする前の銅層や合金層を有する基板である。また、導電性基板とは、透明基材の表面に、パターニングして配線の形状にした銅配線層や合金配線層を有する配線基板である。
【００２６】
ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。
【００２７】
透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
【００２８】
可視光を透過する高分子フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルムを好ましく用いることができる。
【００２９】
透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特に電子ペーパー等の反射型ディスプレイの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。電子ペーパー等の反射型ディスプレイの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
次に積層体について説明する。積層体は、透明基材の少なくとも一方の面側に形成され、合金層と、銅層とを有することができる。
【００３１】
ここではまず銅層について説明する。
【００３２】
銅層については特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と合金層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
【００３３】
他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を銅層とすることができる。
【００３４】
また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法で銅薄膜層を形成した後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または合金層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅層は銅薄膜層と、銅めっき層とを有することになる。
【００３５】
上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
【００３６】
銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線の電気抵抗値や配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に充分に電気が流れるように銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチングが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【００３７】
次に、合金層について説明する。
【００３８】
銅層は金属光沢を有するため、透明基材上に銅層をエッチングした配線である銅配線層を形成したのみでは上述のように銅が光を反射し、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。
【００３９】
このため、既述の様に、透過型ディスプレイに用いる導電性基板では、銅等の金属配線と共に、金属配線の透明基材の表面と平行な面に黒色の材料により構成される黒化層を形成した導電性基板が検討されている。しかしながら、反射型ディスプレイに係る黒化層を配置した導電性基板を適用した場合、かえってディスプレイの視認性が低下する場合があった。
【００４０】
そこで、本発明の発明者らが反射型ディスプレイに適用した場合に、ディスプレイの視認性の低下を抑制できる、銅層を含む積層体基板について検討を行った。
【００４１】
その結果、銅と、ニッケルとを含有する合金層を有することで、銅層表面における長波長の光、例えば６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長の光の反射を抑制できる積層体基板とすることができ、該積層体基板を用いることにより、反射型ディスプレイの視認性の低下を抑制できることを見出した。そして、積層体基板において波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上となる所定の組成の合金層を配置することで、銅層表面での長波長の光の反射を特に抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
【００４２】
このため、本実施形態の積層体基板に配置した合金層は、銅とニッケルとを必須成分として含有する合金により構成できる。
【００４３】
そして、合金層に含まれる金属成分のうち、すなわち合金層を構成する合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、合金層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【００４４】
具体的には、例えば合金層が金属成分として、銅と、ニッケルとのみを含有する場合には、銅とニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの含有割合が上記範囲であることが好ましい。
【００４５】
また、合金層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともできる。すなわち、合金層を構成する合金は、銅及びニッケルに加えて、亜鉛を含有することもできる。
【００４６】
合金層を構成する合金が亜鉛をさらに含有する場合、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。つまり、該合金層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
【００４７】
なお、この場合の合金層を構成する合金中の金属成分の合計とは、例えば銅とニッケルと亜鉛との含有量の合計を意味する。
【００４８】
合金層を構成する合金が、上述の様に銅、ニッケル、及び亜鉛を含有し、該合金中の金属成分の含有量を１００質量％とした場合のニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下の場合、係る合金としては例えば白銅や洋白等を好適に用いることができる。
【００４９】
既述の様に、本実施形態の積層体基板を所望の配線パターンを有する導電性基板とし、反射型ディスプレイ用の配線基板とする場合、ディスプレイの視認性を高めるためＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下が好ましい。また、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のＬ＊は８０以上が好ましい。
【００５０】
ところが、合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％未満では、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊を９以下とすることができない場合がある。一方、合金層に含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が２５質量％を超えて配合されるとニッケルが過剰で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のＬ＊を８０以上とすることができない場合がある。
【００５１】
このため上述の様に、本実施形態の積層体基板の合金層を構成する合金は、金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
【００５２】
なお、合金層を構成する合金は、金属種として上述の様に銅及びニッケルを含有することができ、合金層を構成する合金が含有する金属種は、銅及びニッケルのみから構成することもできるが、銅、及びニッケルのみに限定されるものではない。例えば合金層を構成する合金は、金属種として上述の様にさらに亜鉛を含有したり、１質量％以下の不可避不純物を含有していてもよい。
【００５３】
また、合金層を構成する合金は、銅、及びニッケルを含有していればよく、各成分がどのような状態で含まれているかは特に限定されるものではない。
【００５４】
本実施形態の積層体基板から得られる導電性基板の銅配線層と合金配線層とはそれぞれ、本実施形態の積層体基板の銅層と合金層との特徴を維持することができる。
【００５５】
本実施形態の導電性基板に配置する合金層の成膜方法は特に限定されるものではない。合金層は例えば、スパッタリング法等の乾式成膜法により形成することが好ましい。
【００５６】
合金層をスパッタリング法により成膜する場合、例えば銅−ニッケル合金のターゲットを用い、チャンバー内にスパッタリングガスとして用いられる不活性ガスを供給しながら成膜することができる。
【００５７】
スパッタリング時に銅−ニッケル合金のターゲットを用いた場合、銅−ニッケル合金中に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、銅−ニッケル合金中の金属成分である銅と、ニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【００５８】
これは成膜する合金層に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうちの、ニッケルの割合と、該合金層を成膜する際に用いた銅−ニッケル合金のターゲットの、銅−ニッケル合金中に含まれる金属成分である銅及びニッケルのうちのニッケルの割合が同じになるためである。
【００５９】
合金層を成膜する際の不活性ガスとしては特に限定されるものではなく、例えばアルゴンガスやキセノンガス等を用いることができるが、アルゴンガスを好適に用いることができる。
【００６０】
本実施形態の積層体基板において形成する合金層の厚さは特に限定されるものではなく、例えば、積層体基板に要求される銅層表面での長波長の光、例えば６００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の波長の光の反射を抑制する程度等に応じて任意に選択することができる。
【００６１】
合金層の厚さの下限値は、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上であることがより好ましい。合金層の厚さの上限値は例えば７０ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下である。
【００６２】
合金層は上述のように銅層表面における特に長波長の光の反射を抑制する層として機能することができるが、合金層の厚さが薄い場合には、銅層による長波長の光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、合金層の厚さを１０ｎｍ以上とすることにより、銅層表面における長波長の光の反射をより確実に抑制できる。
【００６３】
合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、合金層の厚さは上述の様に７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００６４】
次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。
【００６５】
上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層及び合金層を有する積層体と、を有することができる。この際、積層体内の銅層と合金層とを透明基材上に配置する順番や、その層の数は特に限定されるものではない。つまり、例えば透明基材の少なくとも一方の面側に、銅層と合金層と一層ずつ任意の順番に積層することもできる。また、積層体内で銅層および／または合金層を複数層配置することもできる。
【００６６】
ただし、積層体内で銅層と、合金層とを配置する際、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち長波長の光の反射を特に抑制したい面に合金層が配置されていることが好ましい。
【００６７】
特に合金層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、具体的には例えば、積層体は、合金層として、第１の合金層及び第２の合金層の２つの合金層を有し、銅層は第１の合金層と、第２の合金層との間に配置されていることが好ましい。
【００６８】
具体的な構成例について、図１、図２を用いて以下に説明する。図１および、図２は、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、合金層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
【００６９】
例えば、図１（ａ）に示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、合金層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１（ｂ）に示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、合金層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１（ａ）、（ｂ）の例に限定されず、透明基材１１側から、合金層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
【００７０】
また、既述のように例えば合金層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２（ａ）に示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の合金層１３１と、銅層１２と、第２の合金層１３２と、をその順に積層することができる。
【００７１】
このように合金層として、第１の合金層１３１及び第２の合金層１３２を有し、銅層１２を第１の合金層１３１と、第２の合金層１３２との間に配置することで、銅層１２の上面側、及び下面側から入射する光の反射をより確実に抑制することが可能になる。
【００７２】
この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の合金層、第２の合金層を積層した構成とすることができる。具体的には図２（ｂ）に示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の合金層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の合金層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
【００７３】
なお、第１の合金層１３１（１３１Ａ、１３１Ｂ）と、第２の合金層１３２（１３２Ａ、１３２Ｂ）とは、共に銅と、ニッケルとを含有する合金層とすることができ、同じ製造方法により製造することができる。
【００７４】
透明基材の両面に銅層と、合金層と、を積層した、図１（ｂ）、図２（ｂ）の構成例においては、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）において、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１（ｂ）の構成と同様に、銅層１２Ａと、合金層１３Ａと、をその順に積層した形態とし、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側を第１の合金層１３１Ｂと、銅層１２Ｂと、第２の合金層１３２Ｂと、をその順に積層した形態として、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
【００７５】
本実施形態の積層体基板の合金層のＬ＊ａ＊ｂ＊表色系の色度ａ＊、及び明度Ｌ＊は、既述のように銅層表面での長波長の光の反射を十分に抑制するため、例えば波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることが好ましい。これは合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば本実施形態の積層体基板を、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でも反射型ディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
【００７６】
積層体基板のａ＊、Ｌ＊の測定は、合金層に光を照射するようにして測定した反射率から算出することができる。すなわち、積層体基板に含まれる銅層及び合金層のうち、合金層側から光を照射して測定した反射率から算出できる。具体的には例えば図１（ａ）のように透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、合金層１３の順に積層した場合、合金層１３に光を照射できるように、合金層１３の表面Ａに対して光を照射して測定できる。また、図１（ａ）の場合と銅層１２と合金層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに合金層１３、銅層１２の順に積層した場合、透明基材１１の面１１ｂ側から合金層１３に光を照射し、測定した反射率からａ＊、Ｌ＊を算出できる。
【００７７】
さらに、図２（ａ）の積層体基板の合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊とは、透明基材を除いた場合に最表面に配置されている、第１の合金層１３１、または第２の合金層１３２のいずれかにおいて、表面光が入射する側の表面における反射率から算出したａ＊、Ｌ＊を意味する。
【００７８】
すなわち、図２（ａ）のような、透明基材を除いた場合の表面に複数の合金層を有する積層体基板においては、表面に位置する合金層のうち、少なくとも一方の合金層について、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることが好ましい。特に、表面に位置する両方の合金層について、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下であり、Ｌ＊が８０以上であることがより好ましい。
【００７９】
また、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊とは、３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて測定を行った際の反射率の測定結果から、算出した色度、明度を意味している。反射率の測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。
【００８０】
なお、後述のように積層体基板は銅層及び合金層をエッチングにより配線加工することにより金属細線を形成して導電性基板とすることができる。導電性基板における合金配線層の光のａ＊、Ｌ＊とは、透明基材を除いた場合に、最表面に配置されている合金配線層の、光が入射する側の表面における反射率から算出したａ＊、Ｌ＊を意味する。
【００８１】
このため、エッチング処理を行った後の導電性基板であれば、銅層及び合金層が残存している部分での測定値が上記範囲を満たしていることが好ましい。
【００８２】
次に、本実施形態の導電性基板について説明する。
【００８３】
本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線が、銅と、ニッケルとを含有する合金配線層と、銅配線層とを備えた積層体であり、合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合を１０質量％以上２５質量％以下とすることができる。
【００８４】
本実施形態の導電性基板は、例えば既述の積層体基板を配線加工して得ることができる。そして、本実施形態の導電性基板においては、透明基材上に銅配線層と、合金配線層と、を設けているため、銅配線層の表面での長波長の光の反射を抑制することができる。従って、合金配線層を設けることにより、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイに用いた場合に良好なディスプレイの視認性を有することができる。
【００８５】
本実施形態の導電性基板は例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は既述の積層体基板における銅層、及び合金層に開口部を設けることで形成した配線パターンを有する構成とすることができる。より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
【００８６】
開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板は、ここまで説明した積層体基板の銅層及び合金層をエッチングすることにより得ることができる。そして、例えば二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板とすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、及び合金配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｘ軸方向に平行な複数の銅配線層３１ＢとＹ軸方向に平行な銅配線層３１Ａとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、既述の積層体基板をエッチングすることで形成でき、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない合金配線層が形成されている。また、合金配線層は銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされている。
【００８７】
透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図４に示す。図４は図３のＡ−Ａ´線での断面図に当たる。
【００８８】
例えば、図４に示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４に示した導電性基板の場合、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１側には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとほぼ同じ形状にエッチングされた第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂが配置されている。また、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの透明基材１１とは反対側の面には、第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂが配置されている。
【００８９】
従って、図４に示した導電性基板においては、金属細線は、合金配線層として第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂ及び第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂの２つの層を有しており、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは、第１の合金配線層３２１Ａ、３２１Ｂと、第２の合金配線層３２２Ａ、３２２Ｂとの間に配置されていることになる。
【００９０】
なお、ここでは第１の合金配線層、及び第２の合金配線層を設けた例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば第１の合金配線層、または第２の合金配線層いずれか一方のみを設けることもできる。
【００９１】
図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は例えば、図１（ｂ）、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、合金層１３Ａ、１３Ｂ（１３１Ａ、１３２Ａ、１３１Ｂ、１３２Ｂ）と、を備えた積層体基板から形成できる。
【００９２】
なお、例えば図４に示した第１の合金配線層と第２の合金配線層とを備えた導電性基板は、図２（ｂ）に示した積層体基板から形成することができる。
【００９３】
そこで、図２（ｂ）の積層体基板を用いて形成した場合を例に説明する。
【００９４】
まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ、第１の合金層１３１Ａ、及び第２の合金層１３２Ａを、図２（ｂ）中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングする。なお、図２（ｂ）中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を指す。また、図２（ｂ）中のＸ軸方向とは各層の幅方向と平行な方向を意味している。
【００９５】
そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ、第１の合金層１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ｂを図２（ｂ）中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
【００９６】
以上の操作により図３、図４に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、第１の合金層１３１Ａ、１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ａ、１３２Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
【００９７】
図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、図１（ａ）または図２（ａ）に示した積層体基板を２枚用いることにより形成することもできる。図２（ａ）の積層体基板を用いた場合を例に説明すると、図２（ａ）に示した導電性基板２枚についてそれぞれ、銅層１２、第１の合金層１３１、及び第２の合金層１３２を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンがＹ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により形成した各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることができる。２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。
【００９８】
例えば、２枚の導電性基板について、図２（ａ）における透明基材１１の銅層１２等が積層されていない面１１ｂ同士を貼り合せることで、図４に示した構成とすることができる。
【００９９】
ここまで図３、図４においては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
【０１００】
なお、図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に必要な電気抵抗値等に応じて選択することができる。
【０１０１】
また、本実施形態の導電性基板の銅配線層と合金配線層とはそれぞれ、既述の積層体基板の銅層と合金層との特徴を維持することができる。
【０１０２】
このため、上述のように、合金配線層に含まれる金属成分のうち、すなわち合金配線層を構成する合金に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。なお、ニッケルの割合とは、合金配線層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの割合を示している。
【０１０３】
具体的には、例えば合金配線層が金属成分として、銅と、ニッケルとのみを含有する場合には、銅とニッケルとの含有量の合計を１００質量％とした場合のニッケルの含有割合が上記範囲であることが好ましい。
【０１０４】
また、合金配線層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともできる。すなわち、合金配線層を構成する合金は、銅及びニッケルに加えて、亜鉛を含有することもできる。
【０１０５】
合金配線層を構成する合金が亜鉛をさらに含有する場合、合金配線層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。つまり、該合金配線層を構成する合金中の金属成分の含有量の合計を１００質量％とした場合に、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
【０１０６】
なお、この場合の合金配線層を構成する合金中の金属成分の合計とは、例えば銅とニッケルと亜鉛との含有量の合計を意味する。
【０１０７】
また、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、本実施形態の導電性基板の合金配線層の色度ａ＊、及び明度Ｌ＊は、例えば波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、Ｌ＊は８０以上であることが好ましい。これは、合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
【０１０８】
ここまで説明した本実施形態の導電性基板、すなわち例えば２層の配線から構成されるメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式の電子ペーパー等反射型ディスプレイ用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の積層体基板の製造方法の構成例について説明する。
【０１０９】
本実施形態の積層体基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。  
透明基材を準備する透明基材準備工程。  
透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する積層体形成工程。  
そして、上記積層体形成工程は以下のステップを含むことができる。  
銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成する銅層形成ステップ。  
銅と、ニッケルとを含有する合金層を堆積する合金層成膜手段により合金層を成膜する合金層形成ステップ。
【０１１０】
そして、合金層形成ステップは減圧雰囲気下において実施することが好ましい。また、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
【０１１１】
以下に本実施形態の積層体基板の製造方法について説明するが、以下に説明する点以外については上述の積層体基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略している。
【０１１２】
上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、合金層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、合金層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成ステップと、合金層形成ステップと、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
【０１１３】
透明基材を準備する工程は、例えば可視光を透過する高分子フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の各工程、ステップに供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。なお、可視光を透過する高分子フィルムとして好適に用いることができるものについては既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１１４】
次に積層体形成工程について説明する。積層体形成工程は透明基材の少なくとも一方の面側に積層体を形成する工程であり、銅層形成ステップと、合金層形成ステップとを有する。このため、各ステップについて以下に説明する。
【０１１５】
まず、銅層形成ステップについて説明する。
【０１１６】
銅層形成ステップでは透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する銅層成膜手段により銅層を形成することができる。
【０１１７】
銅層形成ステップでは、乾式めっき法を用いて銅薄膜層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき法により銅薄膜層を形成後に湿式めっき法を用いてさらに銅めっき層を形成することが好ましい。
【０１１８】
このため、銅層形成ステップは、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップを有することができる。また、銅層形成ステップは、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する銅薄膜層形成ステップと、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する銅めっき層形成ステップと、を有していてもよい。
【０１１９】
従って、上述の銅層成膜手段としては１つの成膜手段に限定されるものではなく、複数の成膜手段を組み合わせて用いることもできる。
【０１２０】
上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または合金層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
【０１２１】
乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、減圧雰囲気下において、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。
【０１２２】
特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、厚さの制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわちこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段としてスパッタリング成膜手段（スパッタリング成膜法）を好ましく用いることができる。
【０１２３】
銅薄膜層は、例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に銅薄膜層を形成する工程を説明する。
【０１２４】
図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０−３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０−４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域のみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
【０１２５】
筐体５１内には、銅薄膜層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。また、銅薄膜層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ〜５８ｈや、ヒーター５９等を設けることもできる。
【０１２６】
巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって銅薄膜層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
【０１２７】
キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
【０１２８】
テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ〜５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
【０１２９】
スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄの銅薄膜層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する銅薄膜層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
【０１３０】
銅薄膜層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄで銅薄膜層が成膜される。
【０１３１】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて銅薄膜層を成膜する場合の手順について説明する。
【０１３２】
まず、銅ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、銅薄膜層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。
【０１３３】
そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴン等のスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。なお、気体供給手段６１の構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６１１ａ、６１１ｂ、及びバルブ６１２ａ、６１２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
【０１３４】
そして、気体供給手段６１によりスパッタリングガスを筐体５１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度と、を調整して装置内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜を実施することが好ましい。
【０１３５】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の銅薄膜層を連続成膜することができる。
【０１３６】
なお、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体５１内の圧力を測定するための圧力計６３ａ、６３ｂや、ベントバルブ６４ａ、６４ｂを設けることもできる。
【０１３７】
また、既述のように乾式めっき後に湿式めっき法を用いてさらに銅層（銅めっき層）を成膜することができる。
【０１３８】
湿式めっき法により銅めっき層を成膜する場合、上述した乾式めっきにより成膜した銅薄膜層を給電層とすることができる。そしてこの場合、銅層形成ステップにおける銅を堆積させる銅層成膜手段として、電気めっき成膜手段を好ましく用いることができる。
【０１３９】
銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
【０１４０】
次に、合金層形成ステップについて説明する。
【０１４１】
合金層形成ステップは既述のように、透明基材の少なくとも一方の面側に、銅と、ニッケルとを含有する合金層を成膜する合金層成膜手段により合金層を成膜するステップである。合金層形成ステップにおける銅と、ニッケルとを含有する合金層を堆積する合金層成膜手段は特に限定されるものではないが、例えば減圧雰囲気下におけるスパッタリング成膜手段、すなわちスパッタリング成膜法であることが好ましい。
【０１４２】
合金層は例えば図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
【０１４３】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて合金層を成膜する場合の手順の構成例について説明する。
【０１４４】
まず、例えば銅−ニッケル合金ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに装着し、合金層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより真空排気する。そしてその後、不活性ガス、例えばアルゴンからなるスパッタリングガスを気体供給手段６１により筐体５１内に導入する。この際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２の開度とを調整して筐体５１内を例えば０．１３Ｐａ以上１３Ｐａ以下に保持して成膜を実施することが好ましい。
【０１４５】
この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分０．５ｍ以上１０ｍ以下程度の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の合金層を連続成膜することができる。
【０１４６】
なお、既述のように、合金層は銅と、ニッケルとを含有することができ、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下であることが好ましい。
【０１４７】
また、合金層は、銅とニッケルと亜鉛とを含むこともでき、合金層が亜鉛をさらに含有する場合、合金層に含まれる金属成分のうち、ニッケルの割合は１０質量％以上２５質量％以下、亜鉛の割合は１０質量％以上３０質量％以下であることが好ましい。
【０１４８】
このため、合金層を成膜する際に用いるターゲットは、上述の銅−ニッケル合金ターゲットに限定されるものではなく、成膜する合金層の組成にあったターゲットを用いることができる。例えばさらに亜鉛を含有する銅−ニッケル−亜鉛合金ターゲット等を用いることができる。
【０１４９】
ここまで、本実施形態の積層体基板の製造方法に含まれる各工程、ステップについて説明した。
【０１５０】
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上とすることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、銅層の厚さは５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
【０１５１】
また、合金層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１０ｎｍ以上であることが好ましく、１５ｎｍ以上とすることがより好ましい。合金層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【０１５２】
本実施形態の積層体基板の製造方法により得られる積層体基板を用いて、銅層及び合金層に開口部を備えた配線パターンが形成された導電性基板とすることができる。導電性基板は、より好ましくは、メッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
【０１５３】
係る本実施形態の導電性基板の製造方法は、上述の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板の銅層と、合金層と、をエッチングし、銅配線層と、合金配線層とを備えた積層体である金属細線を有する配線パターンを形成するエッチング工程を有することができる。そして、係るエッチング工程により、銅層及び合金層に開口部を形成できる。
【０１５４】
エッチング工程では例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成する。例えば、図２（ａ）に示した積層体基板の場合、積層体基板に配置した銅層１２の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
【０１５５】
次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、第１の合金層１３１、及び第２の合金層１３２のエッチングを実施することができる。
【０１５６】
なお、図２（ｂ）のように透明基材１１の両面に銅層、及び合金層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂにそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、合金層を同時にエッチングしてもよい。また、透明基材１１の両側に形成された銅層及び合金層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ、第１の合金層１３１Ａ、及び第２の合金層１３２Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ、第１の合金層１３１Ｂ、及び第２の合金層１３２Ｂのエッチングを行うこともできる。
【０１５７】
エッチング工程で用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。
【０１５８】
エッチング工程で用いるエッチング液としては例えば、硫酸、過酸化水素水、塩酸、塩化第二銅、及び塩化第二鉄から選択された１種類を含む水溶液、または上記硫酸等から選択された２種類以上を含む混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の各成分の含有量は、特に限定されるものではない。
【０１５９】
エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることができる。
【０１６０】
上述したエッチング工程により得られるメッシュ状の配線パターンの具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
【０１６１】
また、図１（ａ）、図２（ａ）に示した、透明基材１１の一方の面側に銅層、合金層を有する２枚の積層体基板をエッチング工程に供して導電性基板とした後、２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とする場合、導電性基板を貼り合せる工程をさらに設けることができる。この際、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば光学接着剤（ＯＣＡ）等を用いて接着することができる。
【０１６２】
なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により得られる導電性基板は、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、Ｌ＊は８０以上であることが好ましい。
【０１６３】
これは合金配線層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊が９以下、Ｌ＊が８０以上の場合、例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。また、ａ＊が９を超えると、赤みを帯び視覚上好ましくない場合があるからである。
【０１６４】
以上に本実施形態の積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。係る積層体基板、または積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、合金層を設けることで銅層による長波長の光の反射を抑制することができる。
【０１６５】
そして、係る積層体基板から例えば電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合に、ディスプレイの視認性の低下を抑制することができる。このため、良好な視認性を有する導電性基板とすることができる。
【実施例】
【０１６６】
以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板についてａ＊、Ｌ＊の測定を行った。
【０１６７】
測定は、紫外可視分光光度計（株式会社  島津製作所製  型式：ＵＶ−２６００）に積分球付属装置を設置して行った。
【０１６８】
各実施例で図２（ａ）の構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図２（ａ）における第２の合金層１３２の外部に露出した表面Ａに対して、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて各波長の光について測定を行った。そして、測定した反射率から該導電性基板のａ＊、Ｌ＊を算出した。
（試料の作製条件）
実施例、比較例として、以下に説明する条件で積層体基板を作製し、上述の評価方法により評価を行った。
［実施例１］
図２（ａ）に示した構造を有する積層体基板を作製した。
【０１６９】
まず、透明基材準備工程を実施した。
【０１７０】
具体的には、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍの光学用ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。
【０１７１】
次に、積層体形成工程を実施した。
【０１７２】
積層体形成工程として、第１の合金層形成ステップ、銅層形成ステップ、第２の合金層形成ステップを実施した。以下に具体的に説明する。
【０１７３】
まず第１の合金層形成ステップを実施した。
【０１７４】
準備した透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。また、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに、銅−１０質量％Ｎｉ合金ターゲット（住友金属鉱山（株）製）を装着した。
【０１７５】
そして、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
【０１７６】
続いて筐体５１内を１×１０−４Ｐａまで真空ポンプ６０ａ、６０ｂにより排気した後、気体供給手段６１によりアルゴンガスの流量が２４０ｓｃｃｍとなるようにしてアルゴンガスを筐体５１内に導入した。そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ〜５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に所望の第１の合金層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に第１の合金層１３１を厚さ２０ｎｍとなるように形成した。
【０１７７】
続いて、銅層形成ステップを実施した。
【０１７８】
銅層形成ステップでは、スパッタリングカソードに装着するターゲットを銅ターゲット（住友金属鉱山（株）製）に変えた点以外は第１の合金層の場合と同様にして第１の合金層の上面に銅層を厚さ２００ｎｍとなるように形成した。
【０１７９】
なお、銅層を形成する基材としては、第１の合金層形成工程で、透明基材上に第１の合金層を形成した基材を用いた。
【０１８０】
そして次に第２の合金層形成ステップを実施した。
【０１８１】
第２の合金層形成ステップでは、第１の合金層１３１と同条件で銅層１２の上面に第２の合金層１３２を形成した（図２（ａ）参照）。
【０１８２】
作製した積層体基板の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊、Ｌ＊を、上述の手順により測定、算出したところ、波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は７、Ｌ＊は８５であった。
【０１８３】
評価結果を表１に示す。
［実施例２〜実施例６］
第１、第２の合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１８４】
結果を表１に示す。
［比較例１、比較例２］
第１、第２の合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットの組成を表１に示したように変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価を行った。
【０１８５】
結果を表１に示す。
【０１８６】
【表１】
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表１に示した結果によると、実施例１〜実施例４においては、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である。また、実施例５、実施例６においては、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅、及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％以上２５質量％以下である。そして、成膜した合金層においても同様の組成となっている。このため、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系で、合金層の波長３８０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の光のａ＊は９以下であり、かつＬ＊は８０以上となることが確認された。従って、係る積層体基板をエッチングにより配線加工を行い、導電性基板とし、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合、ディスプレイの視認性を特に高めることができる。  
これに対して、比較例１は、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる金属成分である銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が１０質量％未満であり、成膜した合金層においても同様の組成であったため、ａ＊が９を超えてしまった。また、比較例２は、合金層を成膜する際に用いたスパッタリングターゲットに含まれる銅及びニッケルのうち、ニッケルの割合が２５質量％を超えており、成膜した合金層においても同様の組成であったため、Ｌ＊が８０未満となった。
【０１８７】
このため、比較例１、比較例２で作製した積層体基板をエッチングにより配線加工を行い、導電性基板とし、電子ペーパー等の反射型ディスプレイ用の導電性基板とした場合、ディスプレイの視認性が低下することになる。
【符号の説明】
【０１８８】
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ                                        積層体基板
１１                                                                  透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ                                                  銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ  合金層
３０                                                                  導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ                                                        銅配線層
３２１Ａ、３２１Ｂ、３２２Ａ、３２２Ｂ                                合金配線層
【図１】
0006627551.tif 000003
【図２】
0006627551.tif 000004
【図３】
0006627551.tif 000005
【図４】
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【図５】
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