(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、
絶縁性を有する基板上に所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、
前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程と、
前記第１金属層および前記第２金属層の組み合わせ体を前記基板から分離させる分離工程と、を備え、
前記第２成膜工程は、
前記基板上および前記第１金属層上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける工程と、
前記基板のうち前記レジスト膜が設けられている側とは反対の側から前記基板に入射させた光を前記レジスト膜に照射して、前記レジスト膜を露光する露光工程と、
前記レジスト膜を現像して、前記第１金属層上に形成された隙間を有するレジストパターンを形成する現像工程と、
前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含む、蒸着マスク製造方法。
【請求項２】
前記基板上には、前記第１金属層に対応するパターンを有する導電性パターンが形成されており、
前記第１成膜工程は、前記基板上において前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させるめっき処理工程を含む、請求項１に記載の蒸着マスク製造方法。
【請求項３】
前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記導電性パターンに電流を流すことによって前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、請求項２に記載の蒸着マスク製造方法。
【請求項４】
前記第２成膜工程の前記めっき処理工程は、前記第１金属層に電流を流すことによって前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させる電解めっき処理工程を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
【請求項５】
前記第１金属層のうち前記第２金属層に接続される部分の厚みは、５μｍ以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
【請求項６】
前記第２金属層の厚みは、３〜５０μｍの範囲内である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
【請求項７】
前記第１成膜工程において、前記第１金属層は、前記蒸着マスクの第１面側に形成され、
前記第２成膜工程において、前記第２金属層は、前記蒸着マスクの第２面側に形成され、
前記第１面における前記第１金属層の前記第１開口部および前記第２面における前記第２金属層の前記第２開口部はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成される輪郭を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の蒸着マスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスク、および、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が４００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラフルハイビジョンに対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが求められる。
【０００３】
応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔を含む蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料などの蒸着を行う。この場合、高い画素密度を有する有機ＥＬ表示装置を精密に作製するためには、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することや、蒸着マスクの厚みを小さくすることが求められる。
【０００４】
蒸着マスクの製造方法としては、例えば特許文献１に開示されているように、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第１面上に第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１凹部を形成する。その後、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２凹部を形成する。この際、第１凹部と第２凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。なお金属板の第１面とは、有機ＥＬ表示装置用の基板（以下、有機ＥＬ基板とも称する）と対向する蒸着マスクの第１面を構成するようになる面のことである。また金属板の第２面とは、蒸着材料を保持するるつぼなどの蒸着源側に位置する蒸着マスクの第２面を構成するようになる面のことである。
【０００５】
ところでエッチング工程において、金属板の浸食は、金属板の法線方向のみに進むのではなく、金属板の板面に沿った方向にも進んでいく。すなわち、金属板のうちレジストパターンによって覆われている部分においても、金属板の浸食が少なくとも部分的に生じる。従って、エッチングを用いた方法においては、レジストパターンのとおりに金属板に貫通孔を形成することができず、このため蒸着マスクの貫通孔の形状を設計に沿って精密に再現することは困難である。また、金属面の第１面側と第２面側とで貫通孔の寸法が異なる場合など、貫通孔が複雑な形状を有する場合は、実際に作製される蒸着マスクの貫通孔の、設計に対する再現性がさらに低下してしまう。
【０００６】
またエッチングを用いて蒸着マスクを製造する場合、金属板の法線方向におけるエッチングが完了するまでの時間の長短に応じて、金属板の板面に沿った方向における金属板の浸食の程度が変化する。すなわち、金属板の厚みに応じて、貫通孔の形状が変動する。このため、金属板の厚み、すなわち蒸着マスクの厚み、および貫通孔の形状の両者を精密に再現することは容易ではない。
【０００７】
蒸着マスクの製造方法としては、上述のエッチングを用いた方法以外にも、例えば特許文献２に開示されているように、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えば特許文献２に記載の方法においては、はじめに、導電性を有する母型板を準備する。次に、母型板の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって母型板の上に金属層を析出させる。その後、金属層を母型板から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。
【０００８】
めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法によれば、レジストパターンのとおりに金属板に貫通孔を形成することができる。すなわち、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状を設計に沿って精密に再現することができる。また、めっき処理を継続する時間を調整することにより、蒸着マスクの貫通孔の位置や形状とは独立に、蒸着マスクの厚みを設定することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第５３８２２５９号公報
【特許文献２】特開２００１−２３４３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
蒸着工程においてシャドーが発生することを抑制したり、有機ＥＬ基板に付着する蒸着材料の面積、形状や厚みを精密に制御したりするためには、蒸着マスクの貫通孔の形状や寸法が位置に応じて変化することが必要になることがある。例えば上述の特許文献１においては、蒸着マスクの第１面側における貫通孔の開口寸法が、第２面側における貫通孔の開口寸法よりも小さくなっている例が示されている。しかしながら、特許文献２に記載の方法によっては、このような複雑な形状を有する貫通孔が形成された蒸着マスクを作製することはできない。
【００１１】
本発明は、このような課題を考慮してなされたものであり、複雑な形状を有する貫通孔が形成された蒸着マスクを、めっき処理を利用して製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、絶縁性を有する基板上に所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層を形成する第１成膜工程と、前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層を前記第１金属層上に形成する第２成膜工程と、前記第１金属層および前記第２金属層の組み合わせ体を前記基板から分離させる分離工程と、を備え、前記第２成膜工程は、前記基板上および前記第１金属層上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける工程と、前記基板のうち前記レジスト膜が設けられている側とは反対の側から前記基板に入射させた光を前記レジスト膜に照射して、前記レジスト膜を露光する露光工程と、前記レジスト膜を現像して、前記第１金属層上に形成された隙間を有するレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンの前記隙間において前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含む、蒸着マスク製造方法である。
【００１３】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記基板上には、前記第１金属層に対応するパターンを有する導電性パターンが形成されており、前記第１成膜工程は、前記基板上において前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させるめっき処理工程を含んでいてもよい。
【００１４】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記第１成膜工程の前記めっき処理工程は、前記導電性パターンに電流を流すことによって前記導電性パターン上に前記第１金属層を析出させる電解めっき処理工程を含んでいてもよい。
【００１５】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記第２成膜工程の前記めっき処理工程は、前記第１金属層に電流を流すことによって前記第１金属層上に前記第２金属層を析出させる電解めっき処理工程を含んでいてもよい。
【００１６】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記第１金属層のうち前記第２金属層に接続される部分の厚みは、５μｍ以下であってもよい。
【００１７】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記第２金属層の厚みは、３〜５０μｍの範囲内、より好ましくは３〜３０μｍの範囲内、さらに好ましくは３〜２５μｍの範囲内であってもよい。
【００１８】
第１の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記第１成膜工程において、前記第１金属層は、前記蒸着マスクの第１面側に形成され、前記第２成膜工程において、前記第２金属層は、前記蒸着マスクの第２面側に形成され、前記第１面における前記第１金属層の前記第１開口部および前記第２面における前記第２金属層の前記第２開口部はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成される輪郭を有していてもよい。
【００１９】
第２の本発明は、第１面から第２面に至る複数の貫通孔が形成された蒸着マスクであって、前記第１面側に位置し、所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層と、前記第２面側に位置し、前記第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層と、を備え、前記第２金属層は、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲うよう構成されており、前記第１面における前記第１開口部の輪郭および前記第２面における前記第２開口部の輪郭はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成されており、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１開口部の隣接する２つの前記線状部が繋げられる結合部と、前記第２開口部の隣接する２つの前記線状部が繋げられる結合部との間の最短距離が、前記第１開口部の前記線状部の中間点と前記第２開口部の前記線状部の中間点との間の距離よりも小さくなっている、蒸着マスクである。
【００２０】
第２の本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１面における前記第１開口部の輪郭および前記第２面における前記第２開口部の輪郭はいずれも、複数の直線状の前記線状部を結合させることによって形成される多角形状になっていてもよい。
【００２１】
第２の本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１面における前記第１開口部の輪郭および前記第２面における前記第２開口部の輪郭は、曲線状の前記線状部を含んでいてもよい。
【００２２】
第３の本発明は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する蒸着マスク製造方法であって、遮光性を有する所定の遮光性パターンが形成された基板を準備する工程と、前記基板上に、所定のパターンで前記貫通孔が設けられた金属層を形成する成膜工程と、前記金属層を前記基板から分離させる分離工程と、を備え、前記成膜工程は、前記基板の面のうち前記遮光性パターンが形成された側の面上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける工程と、前記基板のうち前記レジスト膜が設けられている側とは反対の側から前記基板に入射させた光を前記レジスト膜に照射して、前記レジスト膜を露光する露光工程と、前記レジスト膜を現像して、前記遮光性パターン上に形成された隙間を有するレジストパターンを形成する現像工程と、前記レジストパターンの前記隙間において前記遮光性パターン上に前記金属層を析出させるめっき処理工程と、を含む、蒸着マスク製造方法である。
【００２３】
第３の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記基板に形成された前記遮光性パターンは、遮光性および導電性を有する導電性パターンであり、前記成膜工程の前記めっき処理工程は、前記導電性パターンに電流を流すことによって前記導電性パターン上に前記金属層を析出させる電解めっき処理工程を含んでいてもよい。
【００２４】
第３の本発明による蒸着マスクの製造方法において、前記貫通孔のうち前記蒸着マスクの第１面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記蒸着マスクの第２面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記金属層の前記第１開口部および前記第２開口部はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成される輪郭を有していてもよい。
【００２５】
第４の本発明は、第１面から第２面に至る複数の貫通孔が形成された蒸着マスクであって、所定のパターンで前記貫通孔が形成された金属層を備え、前記貫通孔のうち前記第１面上に位置する部分を第１開口部と称し、前記貫通孔のうち前記第２面上に位置する部分を第２開口部と称する場合、前記貫通孔は、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第２開口部の輪郭が前記第１開口部の輪郭を囲うよう構成されており、前記第１開口部の輪郭および前記第２開口部の輪郭はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成されており、前記蒸着マスクの法線方向に沿って前記蒸着マスクを見た場合に、前記第１開口部の隣接する２つの前記線状部が繋げられる結合部と、前記第２開口部の隣接する２つの前記線状部が繋げられる結合部との間の最短距離が、前記第１開口部の前記線状部の中間点と前記第２開口部の前記線状部の中間点との間の距離よりも小さくなっている、蒸着マスクである。
【００２６】
第４の本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１開口部の輪郭および前記第２開口部の輪郭はいずれも、複数の直線状の前記線状部を結合させることによって形成される多角形状になっていてもよい。
【００２７】
第４の本発明による蒸着マスクにおいて、前記第１開口部の輪郭および前記第２開口部の輪郭は、曲線状の前記線状部を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２８】
第１の本発明において、蒸着マスクは、所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層と、第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層と、を備えている。
このため、蒸着マスクの貫通孔に、第１金属層の第１開口部によって画定される形状、および、第２金属層の第２開口部によって画定される形状の両方を付与することができる。
従って、複雑な形状を有する貫通孔を形成することができる。また第１の本発明において、第２金属層を第１金属層上に形成する第２成膜工程は、基板上および基板上に形成された第１金属層上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける工程と、基板のうちレジスト膜が設けられている側とは反対の側から基板に入射させた光をレジスト膜に照射して、レジスト膜を露光する露光工程と、レジスト膜を現像して、第１金属層上に形成された隙間を有するレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、第１金属層上に第２金属層を析出させるめっき処理工程と、を含んでいる。この場合、基板上に形成された第１金属層が、レジスト膜に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。このため、レジストパターンの隙間を、第１金属層上に正確に形成することができる。従って、第２金属層を、第１金属層に対して高い位置精度で形成することができる。このことにより、複雑な形状を有する貫通孔を精密に形成することができる。
【００２９】
第２の本発明において、蒸着マスクは、所定のパターンで第１開口部が設けられた第１金属層と、第１開口部に連通する第２開口部が設けられた第２金属層と、を備えている。
このため、蒸着マスクの貫通孔に、第１金属層の第１開口部によって画定される形状、および、第２金属層の第２開口部によって画定される形状の両方を付与することができる。
従って、複雑な形状を有する貫通孔を形成することができる。また第２の本発明において、第１開口部の輪郭および第２開口部の輪郭はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成されている。また、第１開口部の隣接する２つの線状部が繋げられる結合部と、第２開口部の隣接する２つの線状部が繋げられる結合部との間の最短距離は、第１開口部の線状部の中間点と第２開口部の線状部の中間点との間の距離よりも小さくなっている。このため、第１開口部の輪郭と第２開口部の輪郭との間の距離が位置に依らず一定である場合に比べて、第２金属層のうち複数の第２開口部の結合部に接する部分の面積を増大させることができる。従って、第２開口部が設けられる側における蒸着マスクの強度を高めることができる。
【００３０】
第３の本発明において、所定のパターンで前記貫通孔が設けられた金属層を形成する成膜工程は、所定の遮光性パターンが形成された基板上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜を設ける工程と、基板のうち前記レジスト膜が設けられている側とは反対の側から前記基板に入射させた光を前記レジスト膜に照射して、前記レジスト膜を露光する露光工程と、レジスト膜を現像して、遮光性パターン上に形成された隙間を有するレジストパターンを形成する現像工程と、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、遮光性パターン上に金属層を析出させるめっき処理工程と、を含んでいる。この場合、金属層を析出させる際に土台となる遮光性パターンが、レジスト膜に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。このため、レジストパターンの隙間を、遮光性パターン上に正確に形成することができる。従って、高い位置精度で形成された貫通孔を有する蒸着マスクを提供することができる。
【００３１】
第４の本発明において蒸着マスクの第１面側における貫通孔の第１開口部の輪郭、および、蒸着マスクの第２面側における貫通孔の第２開口部の輪郭はいずれも、複数の線状部を結合させることによって形成されている。また、第１開口部の隣接する２つの線状部が繋げられる結合部と、第２開口部の隣接する２つの線状部が繋げられる結合部との間の最短距離は、第１開口部の線状部の中間点と第２開口部の線状部の中間点との間の距離よりも小さくなっている。このため、第１開口部の輪郭と第２開口部の輪郭との間の距離が位置に依らず一定である場合に比べて、第２金属層のうち複数の第２開口部の結合部に接する部分の面積を増大させることができる。従って、第２面側における蒸着マスクの強度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の実施の形態において、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す概略平面図。
【図２】図２は、図１に示す蒸着マスク装置を用いて蒸着する方法を説明するための図。
【図３Ａ】図３Ａは、図１に示された蒸着マスクを示す部分平面図。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図３Ａに示す第１開口部および第２開口部の輪郭を拡大して示す図。
【図４】図４は、図３ＡのＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図。
【図５】図５は、図４に示す蒸着マスクの第１金属層および第２金属層の一部を拡大して示す断面図。
【図６】図６は、導電性パターンが形成された基板を示す断面図。
【図７Ａ】図７Ａは、導電性パターン上に第１金属層を析出させる第１めっき処理工程を示す断面図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａの第１金属層を示す平面図。
【図８】図８は、基板上および第１金属層上にレジスト膜を設ける工程を示す断面図。
【図９】図９は、レジスト膜を露光する露光工程を示す断面図。
【図１０Ａ】図１０Ａは、基板上および第１金属層上に形成されたレジストパターンを示す断面図。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは、図１０Ａのレジストパターンを示す平面図。
【図１１】図１１は、第１金属層上に第２金属層を析出させる第２めっき処理工程を示す断面図。
【図１２】図１２は、レジストパターンを除去する除去工程を示す図。
【図１３Ａ】図１３Ａは、第１金属層および第２金属層の組み合わせ体をパターン基板から分離させる分離工程を示す図。
【図１３Ｂ】図１３Ｂは、図１３Ａの蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。
【図１４】図１４は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、基板上に第１金属層を形成する第１成膜工程を示す断面図。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、レジスト膜を露光する露光工程を示す断面図。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、基板上および第１金属層上に形成されたレジストパターンを示す断面図。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態の第１の変形例において、第１金属層上に第２金属層を析出させる第２めっき処理工程を示す断面図。
【図１８】図１８は、本発明の実施の形態の第１の変形例における蒸着マスクを示す断面図。
【図１９】図１９は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、遮光性を有する導電性パターンが形成された基板上にレジスト膜を設ける工程を示す断面図。
【図２０】図２０は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、レジスト膜を露光する露光工程を示す断面図。
【図２１】図２１は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、基板上に形成されたレジストパターンを示す断面図。
【図２２】図２２は、本発明の実施の形態の第２の変形例において、遮光性を有する導電性パターン上に金属層を析出させるめっき処理工程を示す断面図。
【図２３Ａ】図２３Ａは、本発明の実施の形態の第２の変形例における蒸着マスクを示す断面図。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、図２３Ａの蒸着マスクを第２面側から見た場合を示す平面図。
【図２４】図２４は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図２５】図２５は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図２６】図２６は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図２７】図２７は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図２８】図２８は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図２９】図２９は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図３０】図３０は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図３１】図３１は、貫通孔の第１開口部の形状の一変形例を示す図。
【図３２】図３２は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
【００３４】
図１〜図３２は、本発明による一実施の形態およびその変形例を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクの製造方法に対し、本発明を適用することができる。
【００３５】
なお本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
【００３６】
（蒸着マスク装置）
まず、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例について、図１〜図４を参照して説明する。ここで、図１は、蒸着マスクを含む蒸着マスク装置の一例を示す平面図であり、図２は、図１に示す蒸着マスク装置の使用方法を説明するための図である。図３Ａは、蒸着マスクを第１面の側から示す平面図であり、図４は、図３ＡのＩＶ−ＩＶ線に沿った断面図である。
【００３７】
図１及び図２に示された蒸着マスク装置１０は、平面視において略矩形状の形状を有する複数の蒸着マスク２０と、複数の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられたフレーム１５と、を備えている。各蒸着マスク２０には、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が設けられている。この蒸着マスク装置１０は、図２に示すように、蒸着マスク２０が蒸着対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２の下面に対面するようにして蒸着装置９０内に支持され、有機ＥＬ基板９２への蒸着材料の蒸着に使用される。
【００３８】
蒸着装置９０内では、不図示の磁石からの磁力によって、蒸着マスク２０と有機ＥＬ基板９２とが密着するようになる。蒸着装置９０内には、蒸着マスク装置１０の下方に、蒸着材料（一例として、有機発光材料）９８を収容するるつぼ９４と、るつぼ９４を加熱するヒータ９６とが配置されている。るつぼ９４内の蒸着材料９８は、ヒータ９６からの加熱により、気化または昇華して有機ＥＬ基板９２の表面に付着するようになる。上述したように、蒸着マスク２０には多数の貫通孔２５が形成されており、蒸着材料９８はこの貫通孔２５を介して有機ＥＬ基板９２に付着する。この結果、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２の表面に成膜される。図２において、蒸着マスク２０の面のうち蒸着工程の際に有機ＥＬ基板９２と対向する面（以下、第１面とも称する）が符号２０ａで表されている。また、蒸着マスク２０の面のうち蒸着材料９８の蒸着源（ここではるつぼ９４）側に位置する面（以下、第２面とも称する）が符号２０ｂで表されている。
【００３９】
上述したように、本実施の形態では、貫通孔２５が各有効領域２２において所定のパターンで配置されている。なお、カラー表示を行いたい場合には、貫通孔２５の配列方向（前述の一方向）に沿って蒸着マスク２０（蒸着マスク装置１０）と有機ＥＬ基板９２とを少しずつ相対移動させ、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に蒸着させていってもよい。
【００４０】
なお、蒸着マスク装置１０のフレーム１５は、矩形状の蒸着マスク２０の周縁部に取り付けられている。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように蒸着マスク２０を張った状態に保持する。蒸着マスク２０とフレーム１５とは、例えばスポット溶接により互いに対して固定されている。
【００４１】
ところで蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。
この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、３４〜３８質量％のニッケルを含むインバー材や３０〜３４質量％のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材などの鉄合金や、３８〜５４質量％のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として用いることができる。なお本明細書において、「〜」という記号によって表現される数値範囲は、「〜」という符号の前後に置かれた数値を含んでいる。例えば、「３４〜３８質量％」という表現によって画定される数値範囲は、「３４質量％以上かつ３８質量％以下」という表現によって画定される数値範囲と同一である。
【００４２】
なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する後述する第１金属層３２および第２金属層３７の材料として、上述のニッケルを含む鉄合金以外の様々な材料を用いることができる。例えば、クロムを含む鉄合金、ニッケル、ニッケル−コバルト合金などを用いることができる。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。
【００４３】
（蒸着マスク）
次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図１に示すように、本実施の形態において、蒸着マスク２０は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。蒸着マスク２０は、規則的な配列で貫通孔２５が形成された有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいる。周囲領域２３は、有効領域２２を支持するための領域であり、基板へ蒸着されることを意図された蒸着材料が通過する領域ではない。例えば、有機ＥＬ表示装置用の有機発光材料の蒸着に用いられる蒸着マスク２０においては、有効領域２２は、有機発光材料が蒸着して画素を形成するようになる有機ＥＬ基板９２の表示領域となる区域に対面する、蒸着マスク２０内の領域のことである。ただし、種々の目的から、周囲領域２３に貫通孔や凹部が形成されていてもよい。図１に示された例において、各有効領域２２は、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有している。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。
【００４４】
図示された例において、蒸着マスク２０の複数の有効領域２２は、蒸着マスク２０の長手方向と平行な一方向に沿って所定の間隔を空けて一列に配列されている。図示された例では、一つの有効領域２２が一つの有機ＥＬ表示装置に対応するようになっている。すなわち、図１に示された蒸着マスク装置１０（蒸着マスク２０）によれば、多面付蒸着が可能となっている。
【００４５】
図３Ａに示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。この貫通孔２５の形状などについて、図３Ａおよび図４を参照して更に詳述する。
【００４６】
図３Ａおよび図４に示すように、蒸着マスク２０は、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えている。第２金属層３７は、第１金属層３２よりも蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側に配置されている。図４に示す例においては、第１金属層３２が蒸着マスク２０の第１面２０ａを構成し、第２金属層３７が蒸着マスク２０の第２面２０ｂを構成している。
【００４７】
本実施の形態においては、第１開口部３０と第２開口部３５とが互いに連通することにより、蒸着マスク２０を貫通する貫通孔２５が構成されている。この場合、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される。一方、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側における貫通孔２５の開口寸法や開口形状は、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される。言い換えると、貫通孔２５には、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方が付与されている。
【００４８】
図３Ａに示すように、貫通孔２５を構成する第１開口部３０は、平面視において、すなわち蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０の貫通孔２５を見た場合に、複数の直線状の線状部３０ａを結合させることによって形成される多角形状の輪郭を有している。同様に第２開口部３５は、平面視において、複数の直線状の線状部３５ａを結合させることによって形成される多角形状の輪郭を有している。図３Ａにおいて、符号３０ｂは、第１開口部３０の隣接する２つの線状部３０ａが繋げられる結合部を表している。同様に符号３５ｂは、第２開口部３５の隣接する２つの線状部３５ａが繋げられる結合部を表している。図３Ａに示すように、第１開口部３０および第２開口部３５は、蒸着マスク２０の法線方向に沿って蒸着マスク２０を見た場合に、第２開口部３５の輪郭が第１開口部３０の輪郭を囲うよう構成されている。
【００４９】
本実施の形態においては、第１開口部３０および第２開口部３５が、四角形状、より具体的には正方形状になっている例が示されている。また第１開口部３０や第２開口部３５は、六角形状や八角形状など、その他の多角形状になっていてもよい。なお「多角形状」とは、上述の結合部３０ｂや結合部３５ｂが角張った形状になっている場合だけでなく、結合部３０ｂや結合部３５ｂが丸められた形状になっている場合をも含む概念である。また図示はしないが、第１開口部３０や第２開口部３５は、円形状になっていてもよい。また、平面視において第２開口部３５が第１開口部３０を囲う輪郭を有する限りにおいて、第１開口部３０の形状と第２開口部３５の形状が相似形になっている必要はない。
【００５０】
以下、第１開口部３０の線状部３０ａおよび結合部３０ｂ、並びに第２開口部３５の線状部３５ａおよび結合部３５ｂについて、図３Ａに加えて図３Ｂを参照して説明する。図３Ｂは、図３Ａに示す第１開口部および第２開口部の輪郭を拡大して示す図である。図３Ｂにおいて、符号φは、多角形状の第１開口部３０における内角を示す。
【００５１】
本実施の形態において、第１開口部３０の線状部３０ａは、直線状に延びている。この場合、第２開口部３５の線状部３５ａは、図３Ｂに示すように、第２開口部３５の輪郭のうち、対応する第１開口部３０の線状部３０ａの一端および他端において線状部３０ａに直交する２本の直線Ｌｒの間に位置する部分として定義され得る。また、第２開口部３５の結合部３５ｂは、線状部３０ａに直交する直線Ｌｒよりも外側に位置する部分として定義され得る。
【００５２】
以下、第１開口部３０の輪郭および第２開口部３５の輪郭についてさらに詳細に説明する。図３Ａおよび図３Ｂにおいて、平面視における、第１開口部３０の線状部３０ａの中間点Ｐ１と第２開口部３５の線状部３５ａの中間点Ｐ２との間の距離が、符号ｄ１で表されている。また、平面視における、第１開口部３０の結合部３０ｂと第２開口部３５の結合部３５ｂとの間の最短距離が、符号ｄ２で表されている。好ましくは、最短距離ｄ２が距離ｄ１よりも小さくなるよう、第１開口部３０および第２開口部３５が構成されている。例えば、距離ｄ１から最短距離ｄ２を引いた値は、０μｍよりも大きく、かつ５μｍ以下の値になっている。このことは、第１開口部３０の輪郭と第２開口部３５の輪郭との間の距離が位置に依らず一定である場合に比べて、第２金属層３７のうち複数の第２開口部３５の結合部３５ｂに接する部分の面積を増大させることができる。このことは、第２面２０ｂ側における蒸着マスク２０の強度を増大させるという効果をもたらすことができる。
【００５３】
例えば上述のように、蒸着マスク２０を用いて蒸着工程を実施する際、蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないよう、フレーム１５によって張られた状態で保持される。この場合、蒸着マスク２０に加えられる張力に起因して蒸着マスク２０に発生する応力は一般に、第１開口部３０の線状部３０ａが繋げられる結合部３０ｂや、第２開口部３５の線状部３５ａが繋げられる結合部３５ｂに集中すると考えられる。この場合であっても、本実施の形態によれば、最短距離ｄ２を小さく設定することによって、第２金属層３７のうち複数の第２開口部３５の結合部３５ｂに接する部分の面積がより大きく確保されている。従って、第２開口部が設けられる側における蒸着マスクの強度を高めることができる。例えば、第２開口部３５の結合部３５ｂなどが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。
【００５４】
好ましくは、第２開口部３５の結合部３５ｂは、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有している。すなわち結合部３５ｂにおいて、第２開口部３５の隣接する２つの線状部３５ａが滑らかに繋げられている。このため、蒸着マスク２０を用いて蒸着工程を実施する際、第２開口部３５の結合部３５ｂに応力が集中してしまうことを抑制することができる。このことによっても、第２開口部３５の結合部３５ｂが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。第１開口部３０の結合部３０ｂも同様に、好ましくは、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有している。
【００５５】
次に蒸着マスク２０の断面構造について詳細に説明する。図４において、符号４１は、第１金属層３２と第２金属層３７とが接続される接続部を表している。なお図４においては、第１金属層３２と第２金属層３７とが接している例を示したが、これに限られることはなく、第１金属層３２と第２金属層３７との間にその他の層が介在されていてもよい。
例えば、第１金属層３２と第２金属層３７との間に、第１金属層３２上における第２金属層３７の析出を促進させるための触媒層が設けられていてもよい。
【００５６】
図５は、図４の第１金属層３２および第２金属層３７の一部を拡大して示す図である。
図５に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂにおける第２金属層３７の幅Ｍ２は、蒸着マスク２０の第１面２０ａにおける第１金属層３２の幅Ｍ１よりも小さくなっている。言い換えると、第２面２０ｂにおける貫通孔２５（第２開口部３５）の開口寸法Ｓ２は、第１面２０ａにおける貫通孔２５（第１開口部３０）の開口寸法Ｓ１よりも大きくなっている。以下、このように第１金属層３２および第２金属層３７を構成することの利点について説明する。
【００５７】
蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から飛来する蒸着材料９８は、貫通孔２５の第２開口部３５および第１開口部３０を順に通って有機ＥＬ基板９２に付着する。有機ＥＬ基板９２のうち蒸着材料９８が付着する領域は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１や開口形状によって主に定められる。ところで、図４において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印Ｌ１で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。ここで、仮に第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２が第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と同一であるとすると、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８の多くは、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の第２開口部３５の壁面３６に到達して付着してしまう。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、第２開口部３５の開口寸法Ｓ２を大きくすること、すなわち第２金属層３７の幅Ｍ２を小さくすることが好ましいと言える。
【００５８】
図４において、第２金属層３７の端部３８および第１金属層３２の端部３３を通る直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、第２開口部３５の壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、第１金属層３２の幅Ｍ１に比べて第２金属層３７の幅Ｍ２を小さくすることが有効である。また図から明らかなように、角度θ１を大きくする上では、第１金属層３２の厚みＴ１や第２金属層３７の厚みＴ２を小さくすることも有効である。ここで「第１金属層３２の厚みＴ１」は、第１金属層３２のうち第２金属層３７に接続される部分における厚みを意味している。なお第２金属層３７の幅Ｍ２、第１金属層３２の厚みＴ１や第２金属層３７の厚みＴ２を過剰に小さくしてしまうと、蒸着マスク２０の強度が低下し、このため搬送時や使用時に蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。例えば、蒸着マスク２０をフレーム１５に張設する際に蒸着マスク２０に加えられる引張り応力によって、蒸着マスク２０が破損してしまうことが考えられる。これらの点を考慮すると、第１金属層３２および第２金属層３７の寸法が以下の範囲に設定されることが好ましいと言える。これによって、上述の角度θ１を例えば４５°以上にすることができる。
【００５９】
・第１金属層３２の幅Ｍ１：５〜２５μｍ
・第２金属層３７の幅Ｍ２：２〜２０μｍ
・蒸着マスク２０の厚みＴ０：５〜５０μｍ
・第１金属層３２の厚みＴ１：５μｍ以下
・第２金属層３７の厚みＴ２：２〜５０μｍ、より好ましくは３〜５０μｍ、さらに好ましくは３〜３０μｍ、さらに好ましくは３〜２５μｍ
【００６０】
表１に、５インチの有機ＥＬ表示装置において、表示画素数、および表示画素数に応じて求められる、第１金属層３２および第２金属層３７の寸法の値の例を示す。なお「FHD」は、Full High Definitionを意味し、「WQHD」は、Wide Quad High Definitionを意味し、「UHD」は、Ultra High Definitionを意味している。
【表１】
0006728733.tif 000002
【００６１】
次に、第１金属層３２の形状についてより詳細に説明する。仮に図５において点線で示すように、端部３３において第１金属層３２が、第２面２０ｂ側へ向かって大きく切り立った形状を有している場合、貫通孔２５の第２開口部３５を通過した後の蒸着材料９８の多くが第１金属層３２の壁面３１に到達して付着してしまうことが考えられる。このような、端部３３近傍における第１金属層３２への蒸着材料９８の付着を抑制するため、図５に示すように、第１金属層３２は、端部３３およびその近傍において、第１金属層３２のうち第２金属層３７に接続される部分における厚みＴ１よりも小さな厚みを有することが好ましい。例えば図５に示すように、第１金属層３２の厚みが、第１金属層３２のうち第２金属層３７に接続される部分から端部３３に向かうにつれて単調に減少していることが好ましい。このような第１金属層３２の形状は、後述するように、めっき処理によって第１金属層３２を形成することによって実現され得る。
【００６２】
図５において、符号θ２は、第１金属層３２の壁面３１への接平面Ｌ２と蒸着マスク２０の法線方向Ｎとが端部３３において成す角度を表している。貫通孔２５の第２開口部３５を通過した後の蒸着材料９８が第１金属層３２の壁面３１に付着することを抑制する上では、角度θ２を０°よりも大きくすることも有効である。好ましくは、角度θ２は、３０°以上になっており、より好ましくは４５°以上になっている。このような角度θ２も、めっき処理によって第１金属層３２を形成することによって実現され得る。なお「壁面３１」とは、第１金属層３２の面のうち第１開口部３０を画成する面のことである。上述の「壁面３６」も同様に、第２金属層３７の面のうち第２開口部３５を画成する面のことである。
【００６３】
次に、第２金属層３７の形状についてより詳細に説明する。好ましくは、図５に示すように第２金属層３７は、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて先細になる形状を有している。このため、第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法Ｓ０よりも大きくなっている。
上述の角度θ１は、第１面２０ａにおける第１金属層３２の幅Ｍ１と第２面２０ｂにおける第２金属層３７の幅Ｍ２との関係に基づいて決定される。言い換えると、上述の角度θ１は、第１面２０ａにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ１と第２面２０ｂにおける貫通孔２５の開口寸法Ｓ２との関係に基づいて決定される。すなわち、上述の角度θ１は、第１金属層３２と第２金属層３７との接続部４１における貫通孔２５の寸法Ｓ０の影響は受けない。一方、接続部４１における貫通孔２５の寸法Ｓ０が小さくなるほど、第２金属層３７の体積は大きくなり、この結果、蒸着マスク２０の強度が増加する。従って、第２金属層３７が、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて先細になる形状を有することは、第２金属層３７の体積を十分に確保しながら、角度θ１を効率的に大きくすることができることを意味している。
【００６４】
（蒸着マスクの製造方法）
次に、以上のような構成からなる蒸着マスク２０を製造する方法について、図６〜図１３Ｂを参照して説明する。
【００６５】
（第１成膜工程）
はじめに、絶縁性を有する基板５１上に所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を形成する第１成膜工程について説明する。まず図６に示すように、絶縁性を有する基板５１を準備する。基板５１には、第１金属層３２に対応するパターンを有し、かつ導電性を有する導電性パターン５２が形成されている。絶縁性および適切な強度を有する限りにおいて、基板５１を構成する材料や基板５１の厚みが特に限られることはない。例えば基板５１を構成する材料として、ガラスや合成樹脂などを用いることができる。
【００６６】
導電性パターン５２を構成する材料としては、金属材料や酸化物導電性等の導電性を有する材料が適宜用いられる。金属材料の例としては、例えばクロムや銅などを挙げることができる。好ましくは、後述するレジストパターン５５に対する高い密着性を有する材料が、導電性パターン５２を構成する材料として用いられる。例えばレジストパターン５５が、アクリル系光硬化性樹脂を含むレジスト膜など、いわゆるドライフィルムと称されるものをパターニングすることによって作製される場合、導電性パターン５２を構成する材料として、ドライフィルムに対する高い密着性を有する銅が用いられることが好ましい。
【００６７】
後述するように、導電性パターン５２の上には、導電性パターン５２を覆うように第１金属層３２が形成され、この第１金属層３２はその後の工程で導電性パターン５２から分離される。このため、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と接する側の面の上には、通常、導電性パターン５２の厚みに対応する窪みが形成される。この点を考慮すると、電解めっき処理に必要な導電性を導電性パターン５２が有する限りにおいて、導電性パターン５２の厚みは小さい方が好ましい。例えば導電性パターン５２の厚みは、５０〜５００ｎｍの範囲内になっている。
【００６８】
次に、導電性パターン５２が形成された基板５１上に第１めっき液を供給して、導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基板５１を、第１めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって図７Ａに示すように、基板５１上に、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を得ることができる。図７Ｂは、基板５１上に形成された第１金属層３２を示す平面図である。
【００６９】
なおめっき処理の特性上、図７Ａに示すように、第１金属層３２は、基板５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重なる部分だけでなく、導電性パターン５２と重ならない部分にも形成され得る。これは、導電性パターン５２の端部５３と重なる部分に析出した第１金属層３２の表面にさらに第１金属層３２が析出するためである。この結果、図７Ａに示すように、第１金属層３２の端部３３は、基板５１の法線方向に沿って見た場合に導電性パターン５２と重ならない部分に位置するようになり得る。一方、金属の析出が厚み方向でなく基板５１の板面方向に進んだ分だけ、端部３３における第１金属層３２の厚みは、中央部における厚みに比べて小さくなる。例えば図７Ａに示すように、第１金属層３２の中央部から端部３３に向かうにつれて第１金属層３２の厚みが少なくとも部分的に単調に減少する。この結果、上述の角度θ２が、０°よりも大きな値になる。
【００７０】
図７Ａにおいて、第１金属層３２のうち導電性パターン５２と重ならない部分の幅が符号ｗで表されている。幅ｗは、例えば０．５〜５．０μｍの範囲内になる。導電性パターン５２の寸法は、この幅ｗを考慮して設定される。幅ｗの上限である５．０μｍという値は、例えば第１金属層３２の厚みＴ１が５．０μｍの場合に設定される。
【００７１】
導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させることができる限りにおいて、第１めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば第１めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第１めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第１めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられる。
電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
【００７２】
用いられる第１めっき液の成分は、第１金属層３２に求められる特性に応じて適宜定められる。例えば第１金属層３２が、ニッケルを含む鉄合金によって構成される場合、第１めっき液として、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。
【００７３】
（第２成膜工程）
次に、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７を第１金属層３２上に形成する第２成膜工程を実施する。まず図８に示すように、基板５１および第１金属層３２上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜５４を設ける工程を実施する。例えば、基板５１上および第１金属層３２上にドライフィルムを貼り付けることによって、ネガ型のレジスト膜５４を形成する。ドライフィルムの例としては、例えば日立化成製のＲＹ３３１０など、アクリル系光硬化性樹脂を含むものを挙げることができる。
【００７４】
次に図９に示すように、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光をレジスト膜５４に照射して、レジスト膜５４を露光する露光工程を実施する。このように露光工程において、光は、基板５１側から、すなわち基板５１上に形成された第１金属層３２側からレジスト膜５４に照射される。この場合、第１金属層３２は遮光性を有しているので、第１金属層３２に到達した光は、レジスト膜５４に到達することなく第１金属層３２によって遮られる。すなわち、基板５１上に形成されている第１金属層３２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。なお図９においては、基板５１に向けて照射される光が、基板５１の法線方向に沿って進む平行光Ｅである例が示されている。
【００７５】
その後、レジスト膜５４を現像する現像工程を実施する。図１０Ａは、レジスト膜５４を現像することによって基板５１上および第１金属層３２上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。また図１０Ｂは、図１０Ａのレジストパターン５５を示す平面図である。上述のように、露光工程の際、レジスト膜５４に向けて照射された光が第１金属層３２によって遮られるので、レジストパターン５５は、第１金属層３２上に形成された隙間５６を有している。また隙間５６は、第１金属層３２を露光マスクとして利用した露光工程を経て形成されたものであるので、レジストパターン５５の隙間５６は、第１金属層３２上に正確に形成されている。すなわち、第１金属層３２に対するレジストパターン５５の隙間５６の相対的な位置精度が極めて高くなっている。
【００７６】
ところで上述の露光工程においては、光が第１金属層３２の端部３３近傍を通過する際、光の回り込み、すなわち回折が生じる。この結果、図９に示すように、レジスト膜５４に照射される光には、平行光Ｅだけでなく、基板５１の法線方向に対して傾斜した方向に進む傾斜光Ｅ１も含まれるようになる。このため図１０Ａに示すように、レジストパターン５５の隙間５６を画成するレジストパターン５５の側面５７の間の間隔が、基板５１から遠ざかるにつれて狭くなることがある。すなわち、レジストパターン５５が、基板５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有することがある。この結果、後述するように、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて先細になる形状を有する第２金属層３７を備えた蒸着マスク２０を作製することができる。
【００７７】
なお一般に、第１金属層３２に形成されている第１開口部３０の線状部３０ａの近傍の位置の方が、第１金属層３２に形成されている第１開口部３０の結合部３０ｂの近傍の位置に比べて、光が第１金属層３２の端部３３近傍を通過する際に生じる回折光の影響を大きく受ける。この理由としては、光の近接効果などが考えられる。
図１０Ｂにおいて、符号ｄ３は、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭と第１開口部３０の輪郭の線状部３０ａの中間点Ｐ１との間の、平面視における最短距離を表している。また符号ｄ４は、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭と第１開口部３０の輪郭の結合部３０ｂとの間の、平面視における最短距離を表している。上述のように、第１開口部３０の結合部３０ｂの近傍の位置において回折光の影響が小さくなる場合、図１０Ｂに示すように、最短距離ｄ４が最短距離ｄ３よりも小さくなる。
また光の近接効果に基づいて、図１０Ｂに示すように、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭は、第１開口部３０の結合部３０ｂに対応する部分において、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有するようになる。
【００７８】
なお、レジストパターン５５を基板５１および第１金属層３２に対してより強固に密着させるため、現像工程の後にレジストパターン５５を加熱する熱処理工程を実施してもよい。
【００７９】
次に、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基板５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１１に示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。
【００８０】
第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることができる限りにおいて、第２めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、第２めっき処理工程は、第１金属層３２に電流を流すことによって第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、第２めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なお第２めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、第１金属層３２上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、第１金属層３２上に触媒層が設けられていてもよい。
【００８１】
第２めっき液としては、上述の第１めっき液と同一のめっき液が用いられてもよい。若しくは、第１めっき液とは異なるめっき液が第２めっき液として用いられてもよい。第１めっき液の組成と第２めっき液の組成とが同一である場合、第１金属層３２を構成する金属の組成と、第２金属層３７を構成する金属の組成も同一になる。
【００８２】
なお図１１においては、レジストパターン５５の外面５８と第２金属層３７の外面とが一致するようになるまで第２めっき処理工程が継続される例を示したが、これに限られることはない。第２金属層３７の外面がレジストパターン５５の外面５８よりも下方に位置する状態で、第２めっき処理工程が停止されてもよい。
【００８３】
（除去工程）
その後、図１２に示すように、レジストパターン５５を除去する除去工程を実施する。
例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、レジストパターン５５を基板５１、第１金属層３２や第２金属層３７から剥離させることができる。
【００８４】
（分離工程）
次に、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を基板５１から分離させる分離工程を実施する。これによって、図１３Ａに示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。図１３Ｂは、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。
【００８５】
以下、分離工程の一例について詳細に説明する。はじめに、粘着性を有する物質が塗工などによって設けられているフィルムを、基板５１上に形成された第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体に貼り付ける。次に、フィルムを引き上げたり巻き取ったりすることにより、フィルムを基板５１から引き離し、これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体をパターン基板５０の基板５１から分離させる。その後、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす。
【００８６】
なお粘着性を有する物質としては、ＵＶなどの光を照射されることによって、または加熱されることによって粘着性を喪失する物質を使用してもよい。この場合、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体を基板５１から分離させた後、フィルムに光を照射する工程やフィルムを加熱する工程を実施する。これによって、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体からフィルムを剥がす工程を容易化することができる。例えば、フィルムと第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体とを可能な限り互いに平行な状態に維持した状態で、フィルムを剥がすことができる。これによって、フィルムを剥がす際に第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体が湾曲することを抑制することができ、このことにより、蒸着マスク２０に湾曲などの変形のくせがついてしまうことを抑制することができる。
その他にも、分離工程においては、はじめに、第１金属層３２および第２金属層３７の組み合わせ体と基板５１との間に、分離のきっかけとなる間隙を形成し、次に、この間隙にエアを吹き付け、これによって分離工程を促進してもよい。
【００８７】
本実施の形態によれば、上述のように、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させることによって、蒸着マスク２０が作製される。このため、蒸着マスク２０の貫通孔２５に、第１金属層３２の第１開口部３０によって画定される形状、および、第２金属層３７の第２開口部３５によって画定される形状の両方を付与することができる。従って、複雑な形状を有する貫通孔２５を精密に形成することができる。例えば、上述の角度θ１を大きくすることが可能な貫通孔２５を得ることができる。これによって、蒸着材料９８の利用効率を高めることができる。また、めっき処理を利用して第２金属層３７を形成することにより、貫通孔２５の形状とは独立に、蒸着マスク２０の厚みＴ０を任意に設定することができる。このため、十分な強度を蒸着マスク２０に持たせることができる。従って、高精細な有機ＥＬ表示装置を製造することができ、かつ耐久性に優れた蒸着マスク２０を提供することができる。
【００８８】
また本実施の形態によれば、基板５１上および第１金属層３２上にレジストパターン５５を形成するための露光工程において、基板５１上に形成された第１金属層３２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして利用される。このため、レジストパターン５５の隙間５６を、第１金属層３２上に正確に形成することができる。
従って、第２金属層３７を、第１金属層３２に対して高い位置精度で形成することができる。このことにより、複雑な形状を有する貫通孔２５を精密に形成することができる。
【００８９】
また本実施の形態によれば、露光工程において、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光がレジスト膜５４に照射される。
また、基板５１とレジスト膜５４との間に位置する第１金属層３２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。このため、第１金属層３２の端部３３における光の回折が生じると、レジストパターン５５が、基板５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有するようになる。このため上述の図１１に示されるように、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて先細になる形状を有する第２金属層３７を得ることができる。このことにより、第２金属層３７の体積を十分に確保しながら、角度θ１を効率的に大きくすることが可能になる。
【００９０】
また本実施の形態によれば、露光工程において、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光がレジスト膜５４に照射されるので、光の回折の程度の差に基づく、レジスト膜５４の被露光領域の形状の特徴が、レジストパターン５５の外面５８において顕著に発現するようになる。このため上述の図１０Ｂに示されるように、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭と第１開口部３０の輪郭の結合部３０ｂとの間の、平面視における最短距離が、第１開口部３０の結合部３０ｂに対応する部分において最小になる。このようなレジストパターン５５の隙間５６を利用した上述の第２めっき処理工程によって第２金属層３７を形成すると、図３Ａや図１３Ｂに示すように、第１面２０ａにおける第１開口部３０の輪郭と第２面２０ｂにおける第２開口部３５の輪郭との間の、平面視における最短距離が、第２開口部３５の結合部３５ｂに対応する部分において最小になる。これによって、第２金属層３７のうち複数の第２開口部３５の結合部３５ｂに接する部分の面積をより大きくすることができる。このことにより、第２面２０ｂ側における蒸着マスク２０の強度を向上させることができる。例えば、第２開口部３５の結合部３５ｂなどが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。
【００９１】
また本実施の形態によれば、光の回折の程度の差に基づく、レジスト膜５４の被露光領域の形状の特徴が、レジストパターン５５の外面５８において顕著に発現するようになるので、上述の図１０Ｂに示すように、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭が、第１開口部３０の結合部３０ｂに対応する部分において、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有するようになる。この結果、第２開口部３５の結合部３５ｂも同様に、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有するようになる。このことによっても、第２開口部３５の結合部３５ｂが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。
【００９２】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００９３】
（第１の変形例）
上述の本実施の形態においては、第１成膜工程が、基板５１上に形成された導電性パターン５２上に第１金属層３２を析出させる第１めっき処理工程を含む例を示した。すなわち、めっき処理によって第１金属層３２が形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、その他の方法によって第１金属層３２が形成されてもよい。
【００９４】
例えば、はじめに絶縁性を有する基板５１を準備し、次に、基板５１の全域にわたって第１金属層３２を設ける。基板５１上に第１金属層３２を形成する方法としては、スパッタリングなどの物理製膜法や、化学成膜法などを適宜用いることができる。その後、第１金属層３２のうち第１開口部３０が形成されるべき部分以外の部分の上にレジストパターンを形成し、次に第１金属層３２をエッチングする。このように第１金属層３２をパターニングすることによって、図１４に示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２を基板５１上に形成することができる。この場合、基板５１上に上述の導電性パターン５２が形成されている必要はない。
【００９５】
その後、基板５１および第１金属層３２上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜５４を設ける。次に図１５に示すように、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光をレジスト膜５４に照射して、レジスト膜５４を露光する露光工程を実施する。本変形例においても、基板５１上に形成されている第１金属層３２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。
【００９６】
次に、レジスト膜５４を現像する現像工程を実施する。図１６は、図１５に示すレジスト膜５４を現像することによって基板５１上および第１金属層３２上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。本変形例においても、上述の本実施の形態の場合と同様に、露光工程の際、レジスト膜５４に向けて照射された光が第１金属層３２によって遮られるので、レジストパターン５５は、第１金属層３２上に形成された隙間５６を有している。
【００９７】
その後、レジストパターン５５の隙間５６に第２めっき液を供給して、第１金属層３２上に第２金属層３７を析出させる第２めっき処理工程を実施する。例えば、第１金属層３２が形成された基板５１を、第２めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図１７に示すように、第１金属層３２上に第２金属層３７を形成することができる。
【００９８】
その後、本実施の形態における上述の除去工程および分離工程を実施することにより、図１８に示すように、所定のパターンで第１開口部３０が設けられた第１金属層３２と、第１開口部３０に連通する第２開口部３５が設けられた第２金属層３７と、を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。
【００９９】
（第２の変形例）
上述の本実施の形態および第１の変形例においては、蒸着マスク２０が、第１金属層３２および第２金属層３７という、少なくとも２つの金属層を積層させることによって構成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、蒸着マスク２０は、所定のパターンで複数の貫通孔２５が形成された１つの金属層２７によって構成されていてもよい。以下、図１９〜図２３Ｂを参照して、蒸着マスク２０が１つの金属層２７を備える例について説明する。なお本変形例においては、蒸着マスク２０の第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５のうち第１面２０ａ上に位置する部分を第１開口部３０と称し、貫通孔２５のうち第２面２０ｂ上に位置する部分を第２開口部３５と称する。また本変形例においても、第１開口部３０の輪郭は、複数の直線状の線状部３０ａを結合させることによって形成される多角形状になっており、また第２開口部３５の輪郭も、複数の直線状の線状部３５ａを結合させることによって形成される多角形状になっている。
【０１００】
はじめに、本変形例による蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
【０１０１】
まず図１９に示すように、絶縁性を有する基板５１を準備する。基板５１には、金属層２７に対応するパターンを有し、かつ導電性および遮光性を有する導電性パターン５２が形成されている。導電性パターン５２を構成する材料としては、導電性および遮光性を有する材料が用いられ、例えばクロムや銅などが用いられる。
【０１０２】
（成膜工程）
次に、基板５１上に、所定のパターンで貫通孔２５が設けられた金属層２７を形成する成膜工程を実施する。まず図２０に示すように、基板５１の面のうち導電性パターン５２が形成された側の面上に、光硬化性樹脂を含むレジスト膜５４を設ける工程を実施する。
次に図２０に示すように、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光をレジスト膜５４に照射して、レジスト膜５４を露光する露光工程を実施する。本変形例においては、露光工程の際、レジスト膜５４に向けて照射された光は、基板５１上に形成された導電性パターン５２によって遮られる。すなわち、基板５１上に形成された導電性パターン５２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。
【０１０３】
その後、レジスト膜５４を現像する現像工程を実施する。図２１は、レジスト膜５４を現像することによって、導電性パターン５２が形成された基板５１上に形成されたレジストパターン５５を示す断面図である。上述のように、露光工程の際、レジスト膜５４に向けて照射された光が導電性パターン５２によって遮られるので、レジストパターン５５は、導電性パターン５２上に形成された隙間５６を有している。また隙間５６は、導電性パターン５２を露光マスクとして利用した露光工程を経て形成されたものであるので、レジストパターン５５の隙間５６は、導電性パターン５２上に正確に形成されている。すなわち、導電性パターン５２に対するレジストパターン５５の隙間５６の相対的な位置精度が極めて高くなっている。
【０１０４】
また本変形例の露光工程においても、上述の本実施の形態および第１の変形例の場合と同様に、光が導電性パターン５２の端部５３近傍を通過する際、光の回り込み、すなわち回折が生じる。この結果、図２０に示すように、レジスト膜５４に照射される光には、平行光Ｅだけでなく、基板５１の法線方向に対して傾斜した方向に進む傾斜光Ｅ１も含まれるようになる。このため図２１に示すように、レジストパターン５５の隙間５６を画成するレジストパターン５５の側面５７の間の間隔が、基板５１から遠ざかるにつれて狭くなる。すなわち、レジストパターン５５が、基板５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有するようになる。
【０１０５】
次に、レジストパターン５５の隙間５６にめっき液を供給して、導電性パターン５２上に金属層２７を析出させるめっき処理工程を実施する。例えば、導電性パターン５２が形成された基板５１を、めっき液が充填されためっき槽に浸す。これによって、図２２に示すように、導電性パターン５２上に金属層２７を形成することができる。
【０１０６】
導電性パターン５２上に金属層２７を析出させることができる限りにおいて、めっき処理工程の具体的な方法が特に限られることとはない。例えば、めっき処理工程は、導電性パターン５２に電流を流すことによって導電性パターン５２上に金属層２７を析出させる、いわゆる電解めっき処理工程として実施されてもよい。若しくは、めっき処理工程は、無電解めっき処理工程であってもよい。なおめっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、導電性パターン５２上には適切な触媒層が設けられる。電解めっき処理工程が実施される場合にも、導電性パターン５２上に触媒層が設けられていてもよい。
【０１０７】
本変形例のめっき液としては、上述の本実施の形態における第１めっき液や第２めっき液と同一のめっき液が用いられ得る。
【０１０８】
その後、本実施の形態における上述の除去工程および分離工程を実施することにより、図２３Ａに示すように、所定のパターンで貫通孔２５が設けられた金属層２７を備えた蒸着マスク２０を得ることができる。図２３Ｂは、蒸着マスク２０を第２面２０ｂ側から見た場合を示す平面図である。
【０１０９】
本変形例によれば、上述のように、導電性パターン５２が形成された基板５１上にレジストパターン５５を形成するための露光工程において、基板５１上に形成された導電性パターン５２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして利用される。すなわち、金属層２７を析出させる際に土台となる導電性パターン５２が、レジスト膜５４に照射される光を部分的に遮光する露光マスクとして機能する。このため、レジストパターン５５の隙間５６を、導電性パターン５２上に正確に形成することができる。従って、高い位置精度で形成された貫通孔２５を有する蒸着マスク２０を提供することができる。
【０１１０】
また本変形例においても、上述の本実施の形態および第１の変形例の場合と同様に、光が導電性パターン５２の端部５３近傍を通過する際、光の回り込みが生じる。このため、レジストパターン５５が、基板５１から遠ざかるにつれてレジストパターン５５の幅が広くなる形状、いわゆる逆テーパ形状を有するようになる。このため図２３Ａに示すように、金属層２７は、第１面２０ａ側から第２面２０ｂ側に向かうにつれて先細になる形状を有するようになる。この結果、図２３Ｂに示すように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿って蒸着マスク２０を見た場合に、第２開口部３５の輪郭が第１開口部３０の輪郭を囲うようになる。このため、上述の本実施の形態および第１の変形例の場合と同様に、図２３Ａに示す角度θ１を確保することができる。これによって、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動する蒸着材料９８が、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に、貫通孔２５の壁面２６に到達して付着してしまうことを抑制することができる。このことにより、蒸着材料９８の利用効率を高めることができる。
【０１１１】
また本変形例の露光工程において、基板５１のうちレジスト膜５４が設けられている側とは反対の側から基板５１に入射させた光がレジスト膜５４に照射されるので、光の回折の程度の差に基づく、レジスト膜５４の被露光領域の形状の特徴が、レジストパターン５５の外面５８において顕著に発現するようになる。
このため本変形例においても、図２３Ｂに示すように、最短距離ｄ２が距離ｄ１よりも小さくなるよう、第１開口部３０および第２開口部３５が構成される。これによって、金属層２７のうち複数の第２開口部３５の結合部３５ｂに接する部分の面積をより大きくすることができる。このことにより、第２面２０ｂ側における蒸着マスク２０の強度を向上させることができる。例えば、第２開口部３５の結合部３５ｂなどが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。
また本変形例においても、レジストパターン５５の外面５８におけるレジストパターン５５の輪郭が、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有するようになる。この結果、第２開口部３５の結合部３５ｂも同様に、丸められた形状、例えば湾曲した形状を有するようになる。このことによっても、第２開口部３５の結合部３５ｂが、蒸着マスク２０に加えられる張力に基づいて破損してしまうことを抑制することができる。
【０１１２】
なお本変形例においては、基板５１上に、導電性および遮光性を有する導電性パターン５２が形成され、この導電性パターン５２上にめっき処理によって金属層２７が形成される例を示した。しかしながら、めっき処理工程が無電解めっき処理工程である場合、めっき処理工程において金属層２７を析出させる際に土台となるパターンが、導電性を有している必要は必ずしもない。従って、導電性パターン５２の代わりに、導電性は有さないが遮光性を有するパターンが用いられてもよい。すなわち本変形例において、めっき処理工程において金属層２７を析出させる際に土台となるパターンは、遮光性を有する遮光性パターンであればよい。上述の導電性パターン５２は、遮光性パターンの一例である。
【０１１３】
（第１開口部の形状の変形例）
また上述の本実施の形態および各変形例においては、第１開口部３０が、四角形状の輪郭を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２４に示すように、第１開口部３０は、六角形状の輪郭を有していてもよい。この場合にも、平面視における、第１開口部３０の結合部３０ｂと第２開口部３５の結合部３５ｂとの間の最短距離ｄ２は、第１開口部３０の線状部３０ａの中間点と第２開口部３５の線状部３５ａの中間点との間の距離ｄ１よりも小さくなっている。
【０１１４】
また上述の本実施の形態および各変形例においては、第１開口部３０の輪郭を構成する線状部３０ａが、直線状に延びる例、すなわち、第１開口部３０の輪郭が多角形状である例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２５や図２６に示すように、第１開口部３０の輪郭が、曲線状の線状部３０ａを含んでいてもよい。図２５においては、線状部３０ａが全域にわたって湾曲する例が示されている。一方、図２６においては、線状部３０ａが、湾曲した部分と、直線状の部分３０ａｓとを含む例が示されている。
【０１１５】
なお、線状部３０ａが曲線状の部分を含む場合、第２開口部３５の線状部３５ａは、以下のようにして定義してもよい。まず、図２５に示すように、第１開口部３０の輪郭に存在する２つの頂点を結ぶ直線Ｌｈを描く。続いて、直線Ｌｈの一端および他端において直線Ｌｈに直交する２本の直線Ｌｒを描く。このとき、第２開口部３５の輪郭のうち、２本の直線Ｌｒの間に位置する部分を、第２開口部３５の線状部３５ａとして定義する。また、第２開口部３５の結合部３５ｂを、直線Ｌｒよりも外側に位置する部分として定義する。
【０１１６】
また上述の図２５および図２６においては、第１開口部３０の輪郭を構成する線状部３０ａが、第１開口部３０の中心に向かって凸になるよう湾曲した部分を含み、これによって、線状部３０ａが第１開口部３０の中心に向かって窪む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２７に示すように、複数の直線状の部分３０ａｓを組み合わせて線状部３０ａを構成することにより、線状部３０ａが第１開口部３０の中心に向かって窪む形態を実現してもよい。
【０１１７】
また上述の図２５〜図２７においては、線状部３０ａが第１開口部３０の中心に向かって窪む例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図２８に示すように、線状部３０ａが第１開口部３０の中心から離れる方向へ膨らむよう、第１開口部３０が構成されていてもよい。また図２９に示すように、結合部３０ｂの部分において第１開口部３０の輪郭が外側へ膨らむよう、第１開口部３０が構成されていてもよい。
【０１１８】
なお上述の図２５〜図２９においては、第１開口部３０が、４つの線状部３０ａを結合させることによって形成される略四角形状の輪郭を有する例を示した。しかしながら、図２５〜図２９に示される第１開口部３０の輪郭の特徴は、略六角形状や略八角形状など、その他の略多角形状の輪郭を有する第１開口部３０に適用されてもよい。なお、「略多角形状」とは、第１開口部３０に含まれる複数の線状部３０ａが直線状の場合だけでなく曲線状の場合をも含む概念である。
【０１１９】
また上述の本実施の形態および各変形例においては、第１開口部３０が、全ての内角φの大きさが１８０度未満である、いわゆる凸多角形状の輪郭を有する例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図３０や図３１に示すように、第１開口部３０は、少なくとも１つの内角φの大きさが１８０度を超えている、いわゆる凹多角形状の輪郭を有していてもよい。なお、内角のφ大きさが１８０度を超える箇所においては、第１開口部３０の結合部３０ｂと第２開口部３５の結合部３５ｂとの間の最短距離ｄ２が、第１開口部３０の線状部３０ａの中間点Ｐ１と第２開口部３５の線状部３５ａの中間点Ｐ２との間の距離ｄ１よりも小さくならないことがある。内角φの大きさが１８０度未満となる箇所においては、第１開口部３０の結合部３０ｂと第２開口部３５の結合部３５ｂとの間の最短距離ｄ２が、第１開口部３０の線状部３０ａの中間点Ｐ１と第２開口部３５の線状部３５ａの中間点Ｐ２との間の距離ｄ１よりも小さくなる。
【０１２０】
（その他の変形例）
また上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０の長手方向に複数の有効領域２２が割り付けられる例を示した。また、蒸着工程において、複数の蒸着マスク２０がフレーム１５に取り付けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、図３２に示すように、幅方向および長手方向の両方に沿って格子状に配置された複数の有効領域２２を有する蒸着マスク２０が用いられてもよい。
【０１２１】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【０１２２】
２０  蒸着マスク
２０ａ  第１面
２０ｂ  第２面
２２  有効領域
２３  周囲領域
２５  貫通孔
２６  壁面
２７  金属層
３０  第１開口部
３０ａ  線状部
３０ｂ  結合部
３１  壁面
３２  第１金属層
３３  端部
３５  第２開口部
３５ａ  線状部
３５ｂ  結合部
３６  壁面
３７  第２金属層
３８  端部
４１  接続部
５１  基板
５２  導電性パターン
５３  端部
５４  レジスト膜
５５  レジストパターン
５６  隙間
５７  側面
５８  外面
５８ａ  線状部
５８ｂ  結合部
９２  有機ＥＬ基板
９８  蒸着材料
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３Ａ】
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【図１３Ｂ】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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