(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための装置であって、
貫通して形成された２つの開口部を有するツインチャンバハウジングと、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの一方と同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材と、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの他方と同軸に整列した第２のポンプインターフェース部材と、を備え、前記第１及び第２のポンプインターフェース部材の各々が、前記２つの開口部のそれぞれの中心線と同心である３つのチャネルを含み、各チャネルは前記２つの開口部のそれぞれの対応する中心線に整列されかつ前記中心線に平行であるスロットで分離され、周辺部品を固定するための複数の連結部材が前記スロット内に少なくとも部分的に配置される、装置。
【請求項２】
前記３つのチャネルの各々が、実質的に等しい容積を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、真空ポンプと選択的に連通している、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、前記真空ポンプと選択的に連通している、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、第１の真空ポンプと選択的に連通しており、前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、第２の真空ポンプと選択的に連通している、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のポンプインターフェース部材及び前記第２のポンプインターフェース部材が、内部空間を有するアダプタハウジングに連結されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記内部空間が、前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルと前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの間で共有されている、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記アダプタハウジングが、第１のハウジング及び第２のハウジングを備える、請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記内部空間が、前記第２のハウジングの内部空間から分離されている前記第１のハウジング内の内部空間を含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
基板を処理するための装置であって、
流体チャネルが内部に形成された本体を有するツインチャンバハウジングと、
モジュール式ポンピングインターフェースと、を備え、
前記モジュール式ポンピングインターフェースが、第１のポンプインターフェース部材と第２のポンプインターフェース部材とを備え、各ポンプインターフェース部材は３つのチャネルを含み、各チャネルはスロットで分離され、周辺部品を固定するための複数の連結部材が各スロット内に少なくとも部分的に配置され、
前記モジュール式ポンピングインターフェースがさらに、少なくとも２つの分離された内部空間であって、前記ツインチャンバハウジングに連結され、前記ツインチャンバハウジング内に２つの分離した処理空間を提供する、少なくとも２つの分離された内部空間を備えた、装置。
【請求項１１】
前記第１のポンプインターフェース部材が、前記ツインチャンバハウジングに形成された２つの開口部のうちの一方と同軸に整列され、
前記第２のポンプインターフェース部材が、前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの他方と同軸に整列される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記３つのチャネルが、前記２つの開口部の中心線と同心である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、実質的に同じである容積を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、実質的に同じである容積を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネル及び前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルが、実質的に同じである容積を含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
基板を処理するための装置であって、
貫通して形成された２つの開口部を有するチャンバ本体を備えるツインチャンバハウジングと、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの一方と同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材と、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの他方と同軸に整列した第２のポンプインターフェース部材であって、前記第１及び第２のポンプインターフェース部材の各々が、前記２つの開口部のそれぞれの中心線と同心である３つのチャネルを含み、各チャネルは前記２つの開口部のそれぞれの対応する中心線に整列されかつ前記中心線に平行であるスロットで分離され、周辺部品を固定するための複数の連結部材が前記スロット内に少なくとも部分的に配置され、前記第１のポンプインターフェースと前記第２のポンプインターフェースとが、内部空間を有するアダプタハウジングに連結されている、第２のポンプインターフェース部材と、
前記それぞれのポンプインターフェース部材と前記アダプタハウジングの前記内部空間との間に配置された対称のバルブ本体と、を備えた、装置。
【請求項１７】
基板を処理するための装置であって、
流体チャネルが内部に形成された本体を有するツインチャンバハウジングと、
モジュール式ポンピングインターフェースと、を備え、
前記モジュール式ポンピングインターフェースが、第１のポンプインターフェース部材と第２のポンプインターフェース部材とを備え、各ポンプインターフェース部材は３つのチャネルを含み、各チャネルはスロットで分離され、周辺部品を固定するための複数の連結部材が各スロット内に少なくとも部分的に配置され、
前記モジュール式ポンピングインターフェースがさらに、少なくとも２つの分離された内部空間であって、前記ツインチャンバハウジングに連結され、前記ツインチャンバハウジング内に２つの分離した処理空間を提供する、少なくとも２つの分離された内部空間と、
前記内部空間のそれぞれと単一の真空ポンプとの間に結合され、対称のバルブ本体内の独立して動作するバルブと、を備えた、装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に記載の実施形態は、一般に、２つのチャンバのそれぞれにおいて独立した処理を提供するモジュール式２チャンバ設計に関する。より具体的には、本明細書で開示される実施形態は、デュアルチャンバアーキテクチャにおいて複数のプロセスレジームに対して独立した可変ギャップ処理容積を提供するエッチングプラズマチャンバ技術およびハードウェア設計アーキテクチャに関する。
【背景技術】
【０００２】
テクノロジーノードが進み、デバイスの形状寸法が小さくなるにつれて、入力パラメータの正確な制御を有するエッチングプラズマ処理チャンバが必要となる。入力パラメータには、電気、高周波（ＲＦ）、ガス流および熱の制御が含まれる。１つ以上の入力パラメータにおける対称性が、ウェハ上の均一性および歩留まりを改善するために重要である。入力パラメータの対称性は、改善されたチャンバハードウェアによって提供され得る。
【０００３】
したがって、改良されたチャンバおよびそれを使用する方法が、当技術分野において必要とされている。
【発明の概要】
【０００４】
基板を処理するための装置が開示され、一実施形態では、貫通して形成された２つの開口部を有するツインチャンバハウジングと、ツインチャンバハウジングに形成された２つの開口部のうちの１つと同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材と、ツインチャンバハウジングに形成された２つの開口部のうちの他の１つと同軸に整列した第２のポンプインターフェース部材とを含み、ポンプインターフェース部材の各々が、２つの開口部の中心線と同心の３つのチャネルを含む。
【０００５】
別の実施形態で、基板を処理するための装置が提供される。装置は、ツインチャンバハウジングと、ツインチャンバハウジングに連結され、ツインチャンバハウジング内に２つの別々の処理空間を提供する、少なくとも２つの分離された内部空間を有するモジュール式ポンピングインターフェースとを含む。
【０００６】
別の実施形態では、ツイン空間基板処理チャンバが提供される。ツイン空間基板処理チャンバは、貫通して形成された第１の開口部及び第２の開口部を有するチャンバ本体と、第１の開口部の中心線と同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材であって、中心線に平行に形成された複数の第１のチャネルを有する第１のポンプインターフェース部材と、第２の開口部の中心線と同軸に整列し、第１のポンプインターフェース部材から流体的に分離された第２のポンプインターフェース部材であって、中心線に平行に形成された複数の第２のチャネルを有する第２のポンプインターフェース部材と、を含む。
【０００７】
本開示の上述の特徴を詳細に理解できるように、上記で簡単に要約した本開示のより詳細な説明が、実施形態を参照することによって得られ、実施形態の幾つかは添付の図面に示される。しかしながら、添付の図面は、本開示の代表的な実施形態のみを示しており、従って、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、本開示は他の等しく有効な実施形態を許容しうることに、留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】ツインチャンバハウジングの等角図を示す。
【図１Ｂ】図１Ａに示されたツインチャンバハウジングの分解図を示す。
【図２Ａ】チャンバ本体の平面図である。
【図２Ｂ】図２Ａのチャンバ本体の側面図である。
【図２Ｃ】図２Ａの線２Ｃ−２Ｃに沿ったチャンバ本体の側面断面図である。
【図３Ａ】チャンバ本体の開口部と軸方向に整列したポンプインターフェース部材を有するツインチャンバハウジングの平面図である。
【図３Ｂ】ポンプインターフェース部材の一実施形態の等角図である。
【図４Ａ】チャンバ本体の断面平面図である。
【図４Ｂ】図４Ａの線４Ｂ−４Ｂに沿ったチャンバ本体の等角断面図である。
【図５】一実施形態による処理チャンバシステムの概略断面図である。
【図６】ポンプインターフェースの一実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材の一部分の概略側面断面図である。
【図７】ポンプインターフェースの別の実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材の一部分の概略側面断面図である。
【図８】ポンプインターフェースの別の実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材の一部分の概略側面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
理解を容易にするために、可能な場合には、図に共通の同一の要素を示すために同一の参照番号を使用している。一つの実施形態の要素及び特徴が、更なる詳述がなくとも、他の実施形態に有利に組入れられ得るということが、意図される。
【００１０】
本明細書に記載された実施形態は、一般に、改善された流れコンダクタンスを可能にするために、処理された副生成物をチャンバの内部から排出し、真空を維持するための対称的な流れの設計を有するチャンバハードウェアおよび関連する方法に関する。本明細書に記載の実施形態はまた、ガスが軸方向に排出される前のガス流の移動のための平均自由行程がより短いチャンバを提供する。本明細書で提供されるような軸に関して対称的なチャンバハードウェアは、ウエハ上のスキューを低減するのに役立ち、流れコンダクタンスを改善する。本明細書で開示される実施形態は、処理部およびフローブロック部を含むツインチャンバ本体の設計を含む。フローブロック部は、軸に関して対称的な流れを提供し、複数のアプリケーション及びプロセスレジームに対して可変処理容積を提供することができる。フローブロック設計はまた、モジュール式設計ソリューション及び／又は費用効果の高い製造を可能にし得る。
【００１１】
図１Ａは、ツインチャンバハウジング１００の等角図を示す。図１Ｂは、図１Ａに示されたツインチャンバハウジング１００の分解図を示す。ツインチャンバハウジング１００は、デュアル処理空間１１０Ａ及び１１０Ｂを有するチャンバ本体１０５を含む。処理空間１１０Ａ及び１１０Ｂの各々が、チャンバ側壁１１５及びリッドインターフェース１２０に連結するリッド（図示せず）によって境界を定められ得る。ツインチャンバハウジング１００はまた、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの境界を形成する２つのポンプインターフェース部材１３０を含むモジュール式ポンピングインターフェース１２５を含む。ツインチャンバハウジング１００は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から市販されているＰＲＯＤＵＣＥＲ（登録商標）処理システムが利用される既存の半導体基板製造プラットフォーム上に設置または追加導入することができる。ツインチャンバ処理ハウジング１００が使用され得るプラットフォームの例は、カリフォルニア州サンタクララのアプライドマテリアルズ社から入手可能なＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）プラットフォームを含む。ツインチャンバ処理ハウジング１００の実施形態は、他の製造業者からのものを含めて、中央移送チャンバの周りに配置された処理チャンバを有する他の適切に適合された処理システムまたはプラットフォームで利用されてもよい。本明細書で説明するツインチャンバハウジング１００は、プラットフォームまたは処理システムの設置面積を増加させることなく、プラットフォームまたは処理システムに連結することができる。
【００１２】
ツインチャンバハウジング１００は、基板上の材料の堆積、基板上の材料の除去、基板の加熱、または基板上で実行される他のプロセスによって個々の半導体基板を処理することができる別個のデュアル処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂを含む。処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々は、エッチング、堆積または他の熱処理などのプロセスを可能にするために、シャワーヘッドおよび基板支持体（両方とも図示せず）を備えていてもよい。処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂは、処理パラメータが各処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂにおいて別個に制御され得るように環境的に分離される。ツインチャンバハウジング１００は、アルミニウムまたは他のプロセス適合性の金属で作ることができる。処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々は、２００ミリメートル（ｍｍ）の直径、３００ｍｍの直径、または４５０ｍｍの直径を有する基板を処理するようなサイズにすることができる。
【００１３】
リッドインターフェース１２０は、チャンバ本体１０５に連結するリッド（図示せず）との間の密封を容易にするＯリングなどの密封部材１３５を含むことができる。いくつかの実施形態では、リッドが、チャンバ本体１０５にヒンジ式に連結されてもよい。他の実施形態では、リッドは、チャンバ本体１０５に形成されたネジ穴１４０に連結されたファスナを利用して、チャンバ本体１０５に連結されてもよい。処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂへの基板の出し入れのために、チャンバ本体１０５には開口部１４５が形成されている。
【００１４】
図１Ｂに示すように、ポンプインターフェース部材１３０のそれぞれは、その対向する端部にフランジ１４２Ａおよび１４２Ｂを含むことができる。第１のフランジ１４２Ａ（上部フランジ）は、個々のポンプインターフェース部材１３０のチャンバ本体１０５への連結を容易にするためにその中に形成された開口部１４５を含むことができる。第２のフランジ１４２Ｂ（下部フランジ）は、個々のポンプインターフェース部材１３０の真空ポンプ（図示せず）への連結を容易にするためにその中に形成された開口部１４５を含むことができる。ポンプインターフェース部材１３０は、その中に形成されたスロット１５０を含み、スロット１５０は、個々のポンピングチャネル１５５によって囲まれている。図示の実施形態では、ポンプインターフェース部材１３０のそれぞれは、３つのスロット１５０と３つのポンピングチャネル１５５を有する。スロット１５０および／またはポンピングチャネル１５５は、互いに対して等間隔に配置されてもよい。
【００１５】
ツインチャンバハウジング１００は、チャンバ本体１０５内に形成された１対の第１の開口部１６０Ａと、１組の第２の開口部１６０Ｂ（ポンプインターフェース部材１３０のポンピングチャネル１５５に対応する）とを含み、それらが処理空間１１０Ａ及び１１０Ｂ（図１Ａに示される）を形成する。ポンピングチャネル１５５の各々の容積は、いくつかの実施形態において、実質的に等しくてもよい。ポンピングチャネル１５５に関連する「実質的に等しい」とは、等しいか、または互いから約１％〜約５％以内の容積計量値を含む。ツインチャンバハウジング１００の中心線１６５は、第１の開口部１６０Ａの各々とポンプインターフェース部材１３０の各々とによって共有される。ポンピングチャネル１５５は、中心線１６５に対して同心または同軸である。したがって、第１の開口部１６０Ａおよび複数の第２の開口部１６０Ｂによって形成される処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂは、軸に関して対称的であり、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂのそれぞれにおいてポンピングおよび／または誘導の向上を可能にする。
【００１６】
再び図１Ａを参照すると、チャンバ本体１０５は、上述したようなＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）プラットフォームなどのプラットフォームに連結するための開口部１７２を含む。チャンバ本体１０５はまた、リッド（図示せず）に連結するためのヒンジ特徴部１７４を含むことができる。チャンバ本体１０５はまた、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂのそれぞれについて、終点検出デバイスなどのセンサ用のポート１７５ならびにビューポート１７０を含むことができる。処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々に対して、圧力感知デバイスのためのポート１８０が含まれてもよい。
【００１７】
図２Ａ、図２Ｂおよび図２Ｃは、ツインチャンバハウジング１００のチャンバ本体１０５の様々な図である。図２Ａは、チャンバ本体１０５の平面図である。図２Ｂは、チャンバ本体１０５の側面図である。図２Ｃは、図２Ａの線２Ｃ−２Ｃに沿ったチャンバ本体１０５の側面断面図である。
【００１８】
図２Ｃに示すように、チャンバ本体１０５は、開口部１４５内で移動可能なドア２００を含む。ドア２００は、上述したようなＣＥＮＴＵＲＡ（登録商標）プラットフォームなどのプラットフォーム上の移送チャンバ（図示せず）とインターフェースすることができる。開口部１４５はまた、ライナアセンブリ２０５を含むことができる。流体チャネル２１０が、チャンバ本体１０５を冷却するために、チャンバ本体１０５に形成されてもよい。
【００１９】
図３Ａは、チャンバ本体１０５の開口部１６０Ａと軸方向に整列したポンプインターフェース部材１３０を有するツインチャンバハウジング１００の平面図である。ポンプインターフェース部材１３０の各ポンピングチャネル１５５（第２の開口部１６０Ｂ）は、中心線１６５と同心である。
【００２０】
図３Ｂは、ポンプインターフェース部材１３０の一実施形態の等角図である。ポンプインターフェース部材１３０は、スロット１５０に隣接する複数のポンピングチャネル１５５を含む。スロット１５０は、基板支持体またはペデスタルなどの処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂ（図１Ａに示される）で使用され得るデバイスを設置および／または保守するために利用され得る。スロット１５０は、大気圧及び大気温度に開放されており、基板支持体又はペデスタルへの制御接続部（電気、油圧、空気圧ライン等）を提供するために使用されてもよい。
【００２１】
各ポンピングチャネル１５５は、内側側壁３００と外側側壁３０５とによって囲まれている。ＯリングまたはＯリングチャネル若しくは溝などの第１の密封インターフェース３１０Ａが、内側側壁３００およびポンプインターフェース部材１３０の底部３２０によって画定される大気領域３１５を囲むように含まれてもよい。ＯリングまたはＯリングチャネル若しくは溝などの第２の密封インターフェース３１０Ｂが、各ポンピングチャネル１５５の周囲を囲むように含まれてもよい。複数の連結部材３２５が、スロット１５０内に少なくとも部分的に配置されてもよい。連結部材３２５は、基板支持体もしくはペデスタルなどの周辺部品または基板支持体もしくはペデスタルへの制御接続部（電気、油圧、空気圧ライン等）をポンプインターフェース部材１３０に固定するために使用され得る。
【００２２】
図４Ａは、チャンバ本体１０５の断面平面図であり、図４Ｂは、図４Ａの線４Ｂ−４Ｂに沿ったチャンバ本体１０５の等角断面図である。
【００２３】
第１の開口部１６０Ａの各々を少なくとも部分的に囲む流体チャネル２１０が、チャンバ本体１０５内に示されている。流体チャネル２１０は、ガンドリル加工によって形成することができる。図４Ｂに示すように。流体チャネル２１０は、入口４００および出口４０５を介して流体源に連結されてもよい。
【００２４】
図５は、一実施形態による処理チャンバシステム５００の概略断面図である。処理チャンバシステム５００は、本明細書に記載の実施形態によるツインチャンバハウジング１００を含む。しかしながら、この断面図では、ツインチャンバハウジング１００の片側のみが示されている。処理チャンバシステム５００は、エッチングプロセスを実行するように構成されてもよいが、化学気相堆積プロセス、エピタキシャル堆積プロセス、スルービアシリコンプロセス、または基板上の電子デバイスの製造に利用される他の熱プロセスを実行するために利用されてもよい。
【００２５】
処理チャンバシステム５００は、第１の開口部１６０Ａおよびポンプインターフェース部材１３０の複数のポンピングチャネル１５５からなる処理空間１１０Ａを含む。基板支持体またはペデスタル５０５が、ポンプインターフェース部材１３０の大気領域３１５および第１の開口部１６０Ａ内に少なくとも部分的に配置されているのが示されている。ガス分配プレートまたはシャワーヘッド５１０が、第１の開口部１６０Ａ内に配置されてもよい。いくつかの実施形態では、シャワーヘッド５１０が、アノード電極として機能し、ペデスタル５０５の基板支持面５１５が、カソードとして機能することができる。ガスが、ガス源５２０から処理空間１１０Ａに供給され、シャワーヘッド５１０によって処理空間１１０Ａじゅうに分配され得る。リッド５１２が、処理空間１１０Ａを囲むようにチャンバ本体１０５に連結されてもよい。真空ポンプ５２５が、ポンプインターフェース部材１３０に連結されてもよく、いくつかの実施形態では、対称的なバルブ本体５３０が、真空ポンプ５２５とポンプインターフェース部材１３０との間に配置される。真空ポンプ５２５は、ターボ分子ポンプであってもよく、バルブ本体５３０は、球形のフローバルブであってもよい。
【００２６】
いくつかの実施形態では、ペデスタル５０５は、ペデスタル５０５の基板支持面５１５をシャワーヘッド５１０に対して垂直（Ｚ方向）に移動させるリフトモータに連結される。支持面５１５の垂直移動は、ペデスタル５０５の基板支持面５１５上に配置された基板（図示せず）とシャワーヘッド５１０との間の間隙を調整するために使用され得る。ポンプインターフェース部材１３０の高さＨは、ペデスタル５０５の垂直ストロークに基づいて選択することができる。ストローク長がより短いまたは長い（またはストローク長が全くない）ペデスタルの場合、ポンピングチャネル１５５の容積を拡大または最小化するために、高さＨを変更することができる。
【００２７】
図６は、ポンプインターフェース６００の一実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材１３０の一部分の概略側面断面図である。ポンプインターフェース６００は、ポンプインターフェース部材１３０と単一の真空ポンプ５２５とに連結されたアダプタハウジング６０５を含む。アダプタハウジング６０５は、ポンピングチャネル１５５を介して処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂ（図１Ａに示す）と選択的に流体連通する内部空間６１０を含む。アダプタハウジング６０５は、処理空間１１０Ａと内部空間６１０との間の流体連通を制御するように動作可能な第１のバルブ６１５Ａを含む。アダプタハウジング６０５はまた、処理空間１１０Ｂと内部空間６１０との間の流体連通を制御するように動作可能な第２のバルブ６１５Ｂを含む。第１のバルブ６１５Ａおよび第２のバルブ６１５Ｂの各々は、それぞれ専用アクチュエータ６２０Ａおよび６２０Ｂによって選択的に開閉されてもよい。各アクチュエータ６２０Ａ、６２０Ｂは、バルブ６１５Ａおよび６１５Ｂの開閉を独立して制御するコントローラ６２５に連結されてもよい。一実施形態では、バルブ６１５Ａおよび６１５Ｂが開状態にあるとき、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの一方または両方が、内部空間６１０と流体連通している。別の実施形態では、バルブ６１５Ａまたは６１５Ｂのうちの１つが閉じられると、それぞれの処理空間（１１０Ａまたは１１０Ｂ）のみが内部空間６１０と流体連通する。いくつかの実施形態では、バルブ６１５Ａおよび６１５Ｂは、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々とのスロットルバルブとして機能するように部分的に開いていてもよい。
【００２８】
図７は、ポンプインターフェース７００の別の実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材１３０の一部分の概略側面断面図である。ポンプインターフェース７００は、ポンプインターフェース部材１３０と単一の真空ポンプ５２５とに連結されたアダプタハウジング７０５を含む。アダプタハウジング７０５は、処理空間１１０Ａ（図１Ａに示される）及び中央または第３の内部空間７１０Ｃと選択的に流体連通する第１の内部空間７１０Ａを含む。アダプタハウジング７０５は、処理空間１１０Ｂ（図１Ａに示される）及び第３の内部空間７１０Ｃと選択的に流体連通する第２の内部空間７１０Ｂを含む。アダプタハウジング７０５は、処理空間１１０Ａと第３の内部空間７１０Ｃとの間の流体連通を制御するように動作可能な第１のバルブ７１５Ａを含む。アダプタハウジング７０５はまた、処理空間１１０Ｂと内部空間７１０Ｃとの間の流体連通を制御するように動作可能な第２のバルブ７１５Ｂを含む。第１のバルブ７１５Ａおよび第２のバルブ７１５Ｂの各々は、それぞれ専用アクチュエータ７２０Ａおよび７２０Ｂによって選択的に開閉されてもよい。各アクチュエータ７２０Ａ、７２０Ｂは、バルブ７１５Ａおよび７１５Ｂの開閉を独立して制御するコントローラ６２５に連結されてもよい。一実施形態では、バルブ７１５Ａおよび７１５Ｂが開状態にあるとき、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの一方または両方が、第３の内部空間７１０Ｃと流体連通している。別の実施形態では、バルブ７１５Ａまたは７１５Ｂのうちの１つが閉じられると、それぞれの処理空間（１１０Ａまたは１１０Ｂ）のみが第３の内部空間７１０Ｃと流体連通する。いくつかの実施形態では、バルブ７１５Ａおよび７１５Ｂは、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々とのスロットルバルブとして機能するように部分的に開いていてもよい。
【００２９】
図８は、ポンプインターフェース８００の別の実施形態に連結された２つのポンプインターフェース部材１３０の一部分の概略側面断面図である。ポンプインターフェース８００は、それぞれの内部空間８１０Ａ、８１０Ｂを有する２つのアダプタハウジング８０５Ａおよび８０５Ｂを含む。各アダプタハウジング８０５Ａおよび８０５Ｂは、専用の真空ポンプ５２５に連結される。内部空間８１０Ａは、処理空間１１０Ａ（図１Ａに示す）と選択的に流体連通し、内部空間８１０Ｂは、処理空間１１０Ｂ（図１Ａに示す）と選択的に流体連通している。アダプタハウジング８０５Ａは、ポンピングチャネル１５５を介して処理空間１１０Ａと選択的に流体連通するように動作可能な第１のバルブ８１５Ａを含む。同様に、アダプタハウジング８０５Ａは、ポンピングチャネル１５５を介して処理空間１１０Ｂと選択的に流体連通するように動作可能な第２のバルブ８１５Ｂを含む。第１のバルブ８１５Ａおよび第２のバルブ６１５Ｂの各々が、それぞれ専用アクチュエータ８２０Ａおよび８２０Ｂによって選択的に開閉される。各アクチュエータ８２０Ａ、８２０Ｂは、バルブ８１５Ａおよび８１５Ｂの開閉を独立して制御するコントローラ６２５に連結されてもよい。
【００３０】
図６〜図８に示し説明したポンプインターフェース６００、７００および８００の実施形態は、図１Ａのツインチャンバハウジング１００の処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々への独立した真空の適用を提供する。アダプタハウジング６０５、７０５、および８０５Ａおよび８０５Ｂは、それぞれのバルブの作動によって独立した流れのレジームを提供するために利用されてもよい。したがって、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂのそれぞれに、異なるまたは類似の圧力を提供することができる。いくつかの実施形態では、所望であれば、他方の処理空間を使用できるように、一方の処理空間（すなわち、１１０Ａまたは１１０Ｂ）を閉じてもよく、これは、ツインチャンバハウジング１００の１つのチャンバの利用を提供する。
【００３１】
本明細書に記載されたツインチャンバハウジング１００の実施形態は、処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂ内部の処理流の均一性／コンダクタンスを改善することができる処理チャンバハードウェアの、軸に関して対称的な位置決めを含む。ツインチャンバハウジング１００のモジュール性は、様々なサイズ（すなわち、容積および／または高さ）のポンプインターフェース部材１３０の容易な取り外しおよび取り付けを提供する。例えば、ポンプインターフェース部材１３０は、ポンプインターフェース部材１３０の製造された高さＨ（図５）に基づいて、ポンピングチャネル１５５内に可変容積を含むことができる。高さＨは、ペデスタル５０５のストローク長に基づくことができる。さらに、ツインチャンバハウジング１００のポンプインターフェース部材１３０は、基板支持体、ＲＦ／ＤＣフィード、水ライン、ヘリウム供給ライン（裏面冷却用）等の構成要素を収容するための３つのスロット１５０および大気領域３１５を提供する。ポンプインターフェース部材１３０への対称的なポンプインターフェース６００、７００または８００および真空ポンプ（複数可）５２５の取り付けは、ツインチャンバーハウジング１００の処理空間１１０Ａおよび１１０Ｂの各々において対称的な流れおよびコンダクタンスを提供する。さらに、ツールの設置面積は、実質的に変化しない。
【００３２】
本明細書で説明したツインチャンバハウジング１００はまた、ガスの誘導の問題を最小限に抑えるか、または除去し、良好なプロセス制御およびウェハ上の均一性を提供する。ツインチャンバハウジング１００の基本的な軸に関する対称性は、ウエハ上のスキューを減少させ、チャンバ内の流れコンダクタンスを改善する。さらに、ツインチャンバハウジング１００によって提供される解決策は、単純でスケーラブルであり、追加導入可能であり、プロセストランスペアレントである。チャンバ本体を２つの別々の部品（一方がチャンバ本体１０５であり、他方がポンプインターフェース部材１３０である）に単純化することにより、ハンドリングの問題、仕上げの問題、ツーリングの問題、及び／又は設置面積の問題のうちの１つ以上が減少し、製造コストが最小化される。ポンプインターフェース部材１３０によって促進される可変チャンバ容積は、１６ナノメートル（ｎｍ）ノードに対して改善された均一性と制御を提供し、将来の持続性／アプリケーションの拡大（１０ｎｍノード未満）を提供する。
【００３３】
上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他のさらなる実施形態を考え出すこともでき、本開示の範囲は、特許請求の範囲によって決定される。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
基板を処理するための装置であって、
貫通して形成された２つの開口部を有するツインチャンバハウジングと、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの一方と同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材と、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの他方と同軸に整列した第２のポンプインターフェース部材と
を備え、前記ポンプインターフェース部材の各々が、前記２つの開口部の中心線と同心である３つのチャネルを含む、装置。
（態様２）
前記３つのチャネルの各々が、実質的に等しい容積を有する、態様１に記載の装置。
（態様３）
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、真空ポンプと選択的に連通している、態様１に記載の装置。
（態様４）
前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、前記真空ポンプと選択的に連通している、態様３に記載の装置。
（態様５）
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、第１の真空ポンプと選択的に連通しており、前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、第２の真空ポンプと選択的に連通している、態様３に記載の装置。
（態様６）
前記第１のポンプインターフェース部材及び前記第２のポンプインターフェース部材が、内部空間を有するアダプタハウジングに連結されている、態様１に記載の装置。
（態様７）
前記内部空間が、前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルと前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの間で共有されている、態様６に記載の装置。
（態様８）
前記アダプタハウジングが、第１のハウジング及び第２のハウジングを備える、態様６に記載の装置。
（態様９）
前記内部空間が、前記第２のハウジングの内部空間から分離されている前記第１のハウジング内の内部空間を含む、態様８に記載の装置。
（態様１０）
基板を処理するための装置であって、
ツインチャンバハウジングと、
少なくとも２つの分離された内部空間を備え、前記ツインチャンバハウジングに連結され、前記ツインチャンバハウジング内に２つの分離した処理空間を提供する、モジュール式ポンピングインターフェースと
を備える装置。
（態様１１）
前記モジュール式ポンピングインターフェースが、
前記ツインチャンバハウジングに形成された２つの開口部のうちの一方と同軸に整列した第１のポンプインターフェース部材と、
前記ツインチャンバハウジングに形成された前記２つの開口部のうちの他方と同軸に整列した第２のポンプインターフェース部材と
を備える、態様１０に記載の装置。
（態様１２）
前記ポンプインターフェース部材の各々が、前記２つの開口部の中心線と同心である３つのチャネルを含む、態様１１に記載の装置。
（態様１３）
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、実質的に同じである容積を含む、態様１２に記載の装置。
（態様１４）
前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルの各々が、実質的に同じである容積を含む、態様１２に記載の装置。
（態様１５）
前記第１のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネル及び前記第２のポンプインターフェース部材の前記３つのチャネルが、実質的に同じである容積を含む、態様１２に記載の装置。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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