(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆い、酸化チタンを含む被覆膜と、
を備え、
前記有機層の端部の少なくとも一部及び前記第２電極の端部の少なくとも一部は前記絶縁層の上に位置し、
前記被覆膜と前記有機層の前記端部の少なくとも一部は前記絶縁層の上で接しており、
前記絶縁層のうち前記有機層と重なる領域の上面の少なくとも一部は凹凸を有しており、
前記有機層のうち前記凹凸と重なる領域の上面は凹凸を有している発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
前記有機層及び前記第２電極は、前記絶縁層の上で分断しており、
前記有機層の２つの端部の少なくとも一方は前記第２電極によって覆われていない発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
前記絶縁層の上に位置する隔壁を備え、
前記隔壁に沿って前記有機層及び前記第２電極は分断している発光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置において、
前記隔壁が延在する方向に対して垂直な断面において、前記隔壁の上面の幅は前記隔壁の下面の幅よりも広い発光装置。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の発光装置において、
前記被覆膜は、前記隔壁の両側に位置する前記第２電極、並びに前記隔壁の側面及び上面を連続して覆っている発光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記被覆膜は酸化チタン膜と酸化アルミニウム膜とを少なくとも１層ずつ有する発光装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記絶縁層は無機材料からなる発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置において、
前記無機材料は、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つを含む発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明装置や表示装置などの発光装置の光源の一つに、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極の間に有機層を配置した構成を有している。有機ＥＬ素子を有する発光装置において、有機ＥＬ素子の発光部を画定するために絶縁層が用いられることがある（例えば特許文献１）。
【０００３】
特許文献１には、さらに、有機ＥＬ素子を封止するために封止膜を用いることが記載されている。特許文献１において、封止膜は窒化ケイ素を用いて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５０５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
有機ＥＬ素子の発光部を画定するための絶縁層の上に、有機層の端部及び第２電極の端部が位置することがある。本発明者が検討した結果、このような構造を有する発光装置において、封止膜など、発光部を覆う被覆膜を形成したときに、絶縁層の上で封止膜と有機層が接触していると、有機層のうち封止膜と接触している部分から有機層が劣化することが判明した。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題としては、発光部を覆う被覆膜を有する発光装置において、有機層の端部のうち絶縁層の上に位置する部分から有機層が劣化しないようにすることが一例として挙げられる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、基板と、
前記基板上に形成され、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極の間に位置する有機層を有する発光部と、
前記発光部を画定する絶縁層と、
前記発光部、及び前記絶縁層の少なくとも一部を覆う被覆膜と、
を備え、
前記有機層の端部の少なくとも一部は前記絶縁層の上に位置し、
前記絶縁層のうち前記有機層と重なる領域の上面の少なくとも一部は凹凸を有している発光装置である。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。
【図２】発光装置の製造方法の一例を示す断面図である。
【図３】実施例に係る発光装置の平面図である。
【図４】図３から被覆膜を取り除いた図である。
【図５】図４から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。
【図６】図３のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図３のＢ−Ｂ断面図である。
【図８】図３のＣ−Ｃ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、絶縁層１５０、及び被覆膜２００を備えている。発光部１４０は基板１００の上に形成されており、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁層１５０は発光部１４０を画定している。被覆膜２００は、発光部１４０、及び絶縁層１５０の少なくとも一部を覆っている。有機層１２０の端部の少なくとも一部は絶縁層１５０の上に位置している。そして絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の上面の少なくとも一部は凹凸１５１を有している。以下、発光装置１０について詳細に説明する。
【００１１】
発光装置１０は、ボトムエミッション型の発光装置及びトップエミッション型の発光装置のいずれであってもよい。発光装置１０がボトムエミッション型である場合、基板１００は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されており、基板１００のうち第１電極１１０とは逆側の面が発光装置１０の光取出面になっている。一方、発光装置１０がトップエミッション型である場合、基板１００は上述した透光性の材料で形成されていてもよいし、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。また、基板１００は可撓性を有していてもよい。基板１００が可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。特に基板１００をガラス材料で可撓性を持たせる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００を樹脂材料で可撓性を持たせる場合は、基板１００の材料として、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを含ませて形成されている。また、基板１００が樹脂材料を含む場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも発光面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されている。
【００１２】
発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。
【００１３】
第１電極１１０及び第２電極１３０のうち少なくとも光が射出する側の電極は、光透過性を有する透明電極である。なお、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方が透明電極であってもよい。
【００１４】
透明電極を構成する透明導電材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｕｎｇｓｔｅｎ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
【００１５】
第１電極１１０及び第２電極１３０のうち透光性を有していない電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。また、この電極は、金属層と透明導電層をこの順に積層した構造であってもよい。
【００１６】
以下、第１電極１１０が透光性を有しており、第２電極１３０が透光性を有していないとして、説明を行う。この場合、第２電極１３０の厚さは、例えば６０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１７】
有機層１２０は、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。正孔注入層及び正孔輸送層は、正孔が移動する材料（正孔移動性の有機材料）を用いて形成されている。正孔注入層の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。正孔輸送層は正孔注入層より薄く、その厚さは例えば２０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。発光層は、電子と正孔の再結合に伴って発光する材料を用いて形成されている。発光層の発光色は何色であってもよい。このため、発光層の材料は発光性の有機材料であれば何であってもよい。電子輸送層は、電子が移動する材料（電子移動性の有機材料）を用いて形成されている。電子輸送層の厚さは、例えば５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。電子注入層は、例えばＬｉＦなどのアルカリ金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、又はリチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体を用いて形成される。電子注入層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。なお、有機層１２０全体の厚さは、例えば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００１８】
なお、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は無くてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方はなくてもよい。
【００１９】
有機層１２０を構成する各層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されてもよい。ここで用いられる成膜方法は、例えば、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法である。例えば、有機層１２０のうち正孔注入層、正孔輸送層、及び発光層の少なくとも一つ（全てであってもよい）は、塗布材料を用いて形成されてもよい。なお、有機層１２０の残りの層は、蒸着法を用いて形成されている。
【００２０】
基板１００のうち発光部１４０が形成されるべき領域は、絶縁層１５０によって囲まれている。具体的には、絶縁層１５０は第１電極１１０を覆っている。そして絶縁層１５０は、第１電極１１０と重なる領域の一部に開口１５２を有している。開口１５２内において、第１電極１１０は有機層１２０と接している。言い換えると、絶縁層１５０の開口１５２と重なる部分において、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０が重なっており、この積層部によって有機ＥＬ素子すなわち発光部１４０が形成されている。
【００２１】
絶縁層１５０は、例えば無機材料を用いて形成されており、その厚さは例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。絶縁層１５０に無機材料を用いる理由は、有機層１２０の端部と被覆膜２００の接触することにより発生した劣化因子が絶縁層１５０を介して発光部１４０へ伝達しないようにするためである。絶縁層１５０の材料としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、及び酸窒化シリコンの少なくとも一つである。また、絶縁層１５０は、これらのうち少なくとも２つを含んでいてもよい。絶縁層１５０の開口１５２は、例えば絶縁層１５０を、ＣＶＤ法やスパッタリング法などの気相法を用いて形成する際に、開口１５２となる領域をマスクパターンで覆えばよい。なお、開口１５２は、レジストパターンを用いたエッチング処理により形成されてもよい。ただし、絶縁層１５０の材料は、無機材料に限定されない。
【００２２】
そして、発光部１４０は、被覆膜２００によって封止されている。被覆膜２００は、基板１００のうち、少なくとも発光部１４０が形成されている面に形成されており、発光部１４０を覆っている。被覆膜２００は、例えば絶縁材料、さらに具体的には酸化アルミニウムや酸化チタンなどの金属酸化物によって形成されている。また、被覆膜２００の厚さは、好ましくは３００ｎｍ以下である。また被覆膜２００の厚さは、例えば５０ｎｍ以上である。
【００２３】
被覆膜２００は、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。この場合、被覆膜２００の段差被覆性は高くなる。またこの場合、被覆膜２００は、複数の層を積層した多層構造を有していてもよい。この場合、第１の材料（例えば酸化アルミニウム）からなる第１封止層と、第２の材料（例えば酸化チタン）からなる第２封止層とを繰り返し積層した構造を有していてもよい。最下層は第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、最上層も第１封止層及び第２封止層のいずれであってもよい。また、被覆膜２００は第１の材料と第２の材料の混在する単層であってもよい。
【００２４】
ただし、被覆膜２００は、他の成膜法、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、被覆膜２００は、ＳｉＯ２又はＳｉＮなど絶縁膜によって形成されており、その膜厚は、例えば１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。
【００２５】
なお、被覆膜２００の上に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。この樹脂層は、エポキシ系又はアクリル系などの樹脂を用いて形成される。
【００２６】
本図に示す例において、有機層１２０の端部は絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、有機層１２０の端部は絶縁層１５０と重なっている。また、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０の上に位置している。言い換えると、第２電極１３０の端部も絶縁層１５０と重なっている。ただし、第２電極１３０の端部は、有機層１２０の端部よりも発光部１４０の近くに位置している。このため、第２電極１３０は有機層１２０の端部を覆っていない。そのため、少なくとも有機層１２０の端部は被覆膜２００と接触している。なお、有機層１２０の一方の端部は第２電極１３０によって覆われていてもよい。
【００２７】
そして、絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の上面の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。基板１００の厚さ方向の断面における凹凸１５１の高低差の平均値は、例えば絶縁層１５０の膜厚の５％以上２０％以下である。本図に示す例において、凹凸１５１は絶縁層１５０の上面の全面に形成されている。ただし、凹凸１５１は、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重なる領域及びその周囲にのみ形成されていてもよい。言い換えると、絶縁層１５０の上面には、凹凸１５１が形成されていない領域があってもよい。
【００２８】
絶縁層１５０の凹凸は規則的に繰り返されていてもよい。この場合、凹凸１５１は、例えばレジストパターンを用いて絶縁層１５０の表層をエッチングすることにより、形成される。また、絶縁層１５０の凹凸は不規則に繰り返されていてもよい。この場合、凹凸１５１は、例えばマスクを用いずに絶縁層１５０の表層をエッチングしたり、サンドブラスト法を用いて絶縁層１５０の表面を荒らすことにより、形成される。なお、凹凸１５１は、開口１５２の側面には形成されていない。
【００２９】
有機層１２０のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。また、第２電極１３０のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。また、被覆膜２００のうち凹凸１５１と重なる領域の表面に、凹凸１５１に起因した凹凸が形成される場合もある。
【００３０】
図２は、発光装置１０の製造方法の一例を示す断面図である。まず、図２（ａ）に示すように、基板１００の上に第１電極１１０を形成する。次いで、第１電極１１０の上に絶縁層１５０を形成する。次いで、図２（ｂ）に示すように、絶縁層１５０の表面に凹凸１５１を形成する。
【００３１】
次いで、凹凸１５１の上にマスクパターン（図示せず）を形成し、このマスクパターンを用いて絶縁層１５０をエッチングする。これにより、図２（ｃ）に示すように、絶縁層１５０には開口１５２が形成される。その後、マスクパターンを除去する。次いで、第１電極１１０の上に有機層１２０を形成し、さらに第２電極１３０を形成する。この工程において、有機層１２０の少なくとも端部が第２電極１３０から露出する。
【００３２】
次いで、被覆膜２００を形成する。この工程において、被覆膜２００は有機層１２０の端部を覆い、かつ絶縁層１５０に接する。このようにして、図１に示した発光装置１０が形成される。
【００３３】
なお、凹凸１５１を形成する工程は、開口１５２が形成された後に行われてもよい。
【００３４】
本発明者が検討した結果、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域を有している場合、少なくとも有機層１２０の上層（例えば電子注入層や電子輸送層）は、被覆膜２００と接している部分から劣化因子が発生する場合があることが判明した。このような劣化因子が生じた場合、発光部１４０の輝度は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接している領域に近い部分から低下してしまう。また、この輝度の低下は、有機層１２０と被覆膜２００が直接接する領域が大きいほど、顕著になっていた。例えば被覆膜２００に酸化チタンが含まれている場合（例えば酸化チタン層を含む場合）、上記した現象が確認された。この場合、酸化チタン層が有機層１２０に触れていなくても、上記した現象が確認された。このような現象が生じる理由は、有機層１２０のうち被覆膜２００と接している部分に酸素原子が到達するため、と推定されるが、そのメカニズムは判明していない。
【００３５】
これに対して、本実施形態では、絶縁層１５０のうち有機層１２０と重なる領域の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。このため、凹凸１５１が形成されていない場合と比較して、有機層１２０の端部から発光部１４０までの実質的な距離は長くなる。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。
【００３６】
（実施例）
図３は、実施例に係る発光装置１０の平面図である。図４は、図３から被覆膜２００を取り除いた図である。図５は、図４から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図６は図３のＡ−Ａ断面図であり、図７は図３のＢ−Ｂ断面図であり、図８は図３のＣ−Ｃ断面図である。
【００３７】
本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、複数の隔壁１７０、及び被覆膜２００を有している。
【００３８】
第１電極１１０は、第１方向（図５におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
【００３９】
引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして第１端子１１２の上及び引出配線１１４の上には、導体層１８０が形成されている。導体層１８０は、第１電極１１０よりも抵抗の低い金属、例えばＡｌ又はＡｇを用いて形成されている。ただし、導体層１８０は、複数の膜を積層した積層膜、例えば、Ｍｏ合金層、Ａｌ合金層、及びＭｏ合金層をこの順に積層した積層膜であってもよい。なお、引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４０】
第１端子１１２は発光部１４０の第１電極１１０に電気的に接続されており、第２端子１３２は発光部１４０の第２電極１３０に接続されている。第１端子１１２は引出配線１１４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１１４と一体になっている。また、第２端子１３２は引出配線１３４の端部に位置しており、少なくとも一部の層が引出配線１３４と一体になっている。
【００４１】
絶縁層１５０は、図４、及び図６〜図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０の上面には、凹凸１５１が形成されている。ただし、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重ならない領域には、凹凸１５１が形成されていない領域があってもよい。
【００４２】
絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。
【００４３】
複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。そして、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されている。上記した凹凸１５１は、開口１５２の側面には形成されていない。
【００４４】
開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。なお、絶縁層１５０のうち開口１５２の縁を画定する部分（側面）は傾斜しており、この部分の上にも有機層１２０及び第２電極１３０が位置している。しかし有機層１２０は第１電極１１０に接していないため、この部分は発光部１４０を構成しない。
【００４５】
なお、図６及び図７に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
【００４６】
開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。上記した凹凸１５１は、開口１５４の側面には形成されていない。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
【００４７】
引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして、第２端子１３２の上及び引出配線１３４の上にも、導体層１８０が形成されている。なお、引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
【００４８】
第２電極１３０は、図４、図６〜図８に示すように、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
【００４９】
隔壁１７０が延在する方向に対して垂直な断面において、隔壁１７０は、台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
【００５０】
そして、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０、及び隔壁１７０は、被覆膜２００によって覆われている。また、引出配線１１４の一部及び引出配線１３４の一部も、被覆膜２００によって覆われている。
【００５１】
図６及び図８に示すように、隔壁１７０に交わる方向の断面において、有機層１２０及び第２電極１３０は、いずれも絶縁層１５０の上で分断している。そして、これら分断している有機層１２０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。又、これら分断している第２電極１３０の２つの端部の間に、隔壁１７０が位置している。言い換えると、有機層１２０は隔壁１７０に沿って分断しており、第２電極１３０も隔壁１７０に沿って分断している。
【００５２】
第２電極１３０の端部は隔壁１７０に接触していない。一方、有機層１２０の端部は、隔壁１７０に接触していてもよいし、接触していなくてもよい。そして、第２電極１３０の端部及び有機層１２０の端部は、いずれも、被覆膜２００によって覆われている。このようにするためには、段差被覆性が高い成膜方法、例えばＡＬＤ法を用いて被覆膜２００を形成すればよい。
【００５３】
なお、本実施例においても、実施形態と同様に、被覆膜２００を保護するための樹脂層を設けてもよい。
【００５４】
次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。これらの形成方法は、実施形態において第１電極１１０を形成する方法と同様である。次いで、引出配線１１４の上、第１端子１１２の上、引出配線１３４の上、及び第２端子１３２の上に、導体層１８０を形成する。
【００５５】
次いで、絶縁層１５０、凹凸１５１、及び開口１５２，１５４をこの順に形成する。開口１５４は、開口１５２と同一工程で形成される。さらに、絶縁層１５０の上に隔壁１７０を形成する。
【００５６】
次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。この際、隔壁１７０の上面がマスクとなり、第２電極１３０は分断される。また、有機層１２０に蒸着法を用いて形成される層が含まれている場合、この層も、隔壁１７０の上面がマスクとなって分断される。次いで、被覆膜２００を、例えばＡＬＤ法を用いて形成する。
【００５７】
本実施例においても、絶縁層１５０の上面のうち有機層１２０と重なる領域の少なくとも一部には、凹凸１５１が形成されている。このため、実施形態と同様に、凹凸１５１が形成されていない場合と比較して、有機層１２０の端部から発光部１４０までの実質的な距離は長くなる。従って、発光部１４０に上記した劣化が生じることを抑制できる。
【００５８】
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５９】
１０  発光装置
１００  基板
１１０  第１電極
１２０  有機層
１３０  第２電極
１４０  発光部
１５０  絶縁層
１５１  凹凸
１７０  隔壁
２００  被覆膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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