(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持アセンブリであって、
ワークピース支持面と底面とを有する静電チャックと、
冷却ベースであって、
上面と、
冷却ベースの上面で外径に配置されたリップとを含む冷却ベースと、
静電チャックの底面の下に配置され、リップ内に嵌合するサイズの金属プレートと、
金属プレートと冷却ベースの上面とを固定する接合層であって、
底面に接着され、３００℃の温度を含む動作温度を有する第１の層と、
第１の層の下に配置され、２５０℃未満の最高動作温度を有する第２の層とを含んでいる接合層と、
接合層を保護するための接合保護Ｏリングであって、静電チャックと冷却ベースのリップの間に配置され、金属プレートに外接している接合保護Ｏリングと、
金属プレートと冷却ベースとの間にシールを提供し、接合層に外接している真空シールＯリングとを含む基板支持アセンブリ。
【請求項２】
接合層は、
第２の層の下に配置され、冷却ベースに接合された第３の層を含み、第３の層は、２００℃未満の最高動作温度を有する、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
第１の層は、２５０℃〜３２５℃の温度を含む動作温度を有する、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
接合層の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍＫである、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項５】
第３の層は、１７０℃〜６０℃の温度を含む動作温度を有する、請求項２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項６】
第１の層は、ペルフルオロ化合物から構成される、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
第１層の厚さは、０．３ｍｍ〜５ｍｍである、請求項６記載の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
第２の層は、ポリイミド又はシリコーンを含む、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
第２の層は、１Ｗ／ｍＫ未満の熱伝導率を有する、請求項１記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
第３の層は、シリコーンを含む、請求項２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１１】
第１の層の熱膨張係数は、第２の層又は第３の層の熱膨張係数よりも大きい、請求項２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１２】
基板支持アセンブリであって、
ヒータと、ワークピース支持面と、底面とを有する静電チャックと、
冷却ベースであって、
上面と、
冷却ベースの上面で外径に配置されたリップとを含む冷却ベースと、
静電チャックの底面の下に配置され、リップ内に嵌合するサイズの金属プレートと、
金属プレートと冷却ベースの上面とを固定する接合層であって、
底面に接着され、３００℃の温度を含む動作温度を有する第１の層と、
第１の層の下に配置され、第１の層の最高動作温度よりも低い最高動作温度を有する第２の層と、
第２の層の下に配置され、冷却ベースと接触する第３の層であって、第２の層の最高動作温度よりも低い最高動作温度を有する第３の層とを含む接合層と、
接合層を保護するための接合保護Ｏリングであって、静電チャックと冷却ベースのリップの間に配置され、金属プレートに外接している接合保護Ｏリングと、
金属プレートと冷却ベースとの間にシールを提供し、接合層に外接している真空シールＯリングとを含む基板支持アセンブリ。
【請求項１３】
接合層の熱伝導率は０．２Ｗ／ｍＫである、請求項１２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１４】
第３の層は、１７０℃〜６０℃の温度を含む動作温度を有する、請求項１２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１５】
第１の層は、ペルフルオロポリマー化合物から構成される、請求項１２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１６】
第２の層は、ペルフルオロポリマー化合物、シリコーン、ポリイミド、及び多孔質グラファイトのうちの少なくとも１つを含む、請求項１２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１７】
第２の層は、１Ｗ／ｍＫ未満の熱伝導率を有する、請求項１２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１８】
基板支持アセンブリであって、
ヒータと、ワークピース支持面と、底面とを有する静電チャックと、
上面と、上面に沿ったリップとを有する冷却ベースと、
静電チャックの底面の下に配置され、リップ内に嵌合するサイズの金属プレートと、
金属プレートと冷却ベースの上面との間に配置された接合層であって、
底面に接着され、３００℃の温度を含む動作温度を有する第１の層と、
第１の層の下に配置され、第１の層の最高動作温度よりも低い最高動作温度を有する第２の層とを含む接合層と、
接合層を保護するための接合保護Ｏリングであって、静電チャックと冷却ベースのリップの間に配置され、金属プレートに外接している接合保護Ｏリングと、
金属プレートと冷却ベースとの間にシールを提供し、接合層に外接している真空シールＯリングとを含む基板支持アセンブリ。
【請求項１９】
基板支持アセンブリであって、
ワークピース支持面と底面とを有する静電チャックと、
冷却ベースであって、
上面と、
冷却ベースの上面で外径に配置されたリップとを含む冷却ベースと、
静電チャックの底面の下に配置され、リップ内に嵌合するサイズの金属プレートと、
金属プレートと冷却ベースの上面とを固定する接合層であって、
底面に接着され、３００℃の温度を含む動作温度を有する第１の層と、
第１の層の下に積層され、冷却ベースに結合された第２の層であって、第１の層の最高動作温度よりも低い最高動作温度を有する第２の層とを含む接合層と、
接合層を保護するための接合保護Ｏリングであって、静電チャックと冷却ベースのリップの間に配置され、金属プレートに外接している接合保護Ｏリングと、
金属プレートと冷却ベースとの間にシールを提供し、接合層に外接している真空シールＯリングとを含む基板支持アセンブリ。
【請求項２０】
接合層は、第２の層と第１の層との間に配置された第３の層であって、３００℃未満の最高動作温度を有する第３の層を含む、請求項１９記載の基板支持アセンブリ。
【請求項２１】
接合層の熱伝導率は、０．２Ｗ／ｍＫである、請求項１９記載の基板支持アセンブリ。
【請求項２２】
第１の層は、ペルフルオロ化合物を含む、請求項１９記載の基板支持アセンブリ。
【請求項２３】
第２の層は、ポリイミド又はシリコーンを含む、請求項２２記載の基板支持アセンブリ。
【請求項２４】
第２の層は、ペルフルオロ化合物を含む、請求項２２記載の基板支持アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【背景】
【０００１】
（分野）
本明細書に記載の実施形態は、概して、半導体製造に関し、より詳細には、高温半導体製造に適した基板支持アセンブリに関する。
（関連技術の説明）
【０００２】
ナノメートル以下の構造（フィーチャ）を信頼性高く製造することは、半導体デバイスの次世代の超大規模集積化（ＶＬＳＩ）及び超々大規模集積化（ＵＬＳＩ）に対する重要な技術課題の１つである。しかしながら、回路技術の限界が押し進められるにつれて、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの相互接続技術の縮小された寸法は、処理能力に対する更なる要求を課している。基板上のゲート構造の信頼性の高い形成は、ＶＬＳＩ及びＵＬＳＩの成功にとって、および個々の基板及びダイの回路密度及び品質を向上させるための継続的な努力にとって重要である。
【０００３】
製造コストを下げるために、集積チップ（ＩＣ）製造業者は、処理される全てのシリコン基板からより高いスループットとより良好なデバイス歩留まり及び性能を要求する。現在開発中の次世代デバイスのために探究されている製造技術の中には、３００℃を超える温度での処理が必要である。従来の静電チャックは、典型的には、基板支持アセンブリ内の冷却プレートに接合され、この接合の誘電特性は、高温に敏感である。しかしながら、従来の静電チャックは、２５０℃に近い又はそれ以上の温度で基板支持アセンブリ内において接合の問題に見舞われることがある。接合は、処理容積の中にガスを出して、チャンバ内の汚染を引き起こすか、又は層間剥離の問題を有する可能性がある。また、接合が完全に失敗して、真空の喪失又は基板支持体内の移動を引き起こす可能性がある。チャンバは、これらの欠陥を修正するためのダウンタイムを必要とし、コスト、歩留まり、及び性能に影響を及ぼす可能性がある。
【０００４】
したがって、２５０℃以上の処理温度での使用に適した改良された基板支持アセンブリが必要とされている。
【概要】
【０００５】
本明細書で説明される実施形態は、高温処理を可能にする基板支持アセンブリを提供する。基板支持アセンブリは、接合層によって冷却ベースに固定された静電チャックを含む。接合層は、第１の層及び第２の層を有する。第１の層は、約３００℃の温度を含む動作温度を有する。第２の層は、２５０℃未満である最高動作温度を有する。
【０００６】
別の一実施形態では、基板支持アセンブリは、接合層によって冷却ベースに固定された静電チャックを含む。接合層は、第１の層、第２の層、及び第３の層を有する。第１の層は、静電チャックと接触しており、約３００℃の温度を含む動作温度を有する。第２の層は、第１の層と第３の層との間に配置され、２５０℃未満である最高動作温度を有する。第３の層は、冷却プレートと接触して配置され、第２の層の最高動作温度よりも低い最高動作温度を有する。
【０００７】
更に別の一実施形態では、基板支持アセンブリは、冷却ベースに固定された静電チャックを含む。金属プレートが、静電チャックの底面の下に配置される。接合層は、金属プレートと冷却プレートの上面との間に配置される。接合層は、第１の層及び第２の層を有する。第１の層は、静電チャックと接触しており、約３００℃の温度を含む動作温度を有する。第２の層は、２５０℃未満である最高動作温度を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
本発明の上述した構成を詳細に理解することができるように、上記に簡単に要約した本発明のより具体的な説明を、実施形態を参照して行う。実施形態のいくつかは添付図面に示されている。しかしながら、添付図面は本発明の典型的な実施形態を示しているに過ぎず、したがってこの範囲を制限していると解釈されるべきではなく、本発明は他の等しく有効な実施形態を含み得ることに留意すべきである。
【図１】基板支持アセンブリの一実施形態を有する処理チャンバの断面概略側面図である。
【図２】静電基板支持体と冷却ベースとの間に配置された接合層の一実施形態を詳述する基板支持アセンブリの部分断面概略側面図である。
【図３】静電基板支持体の底面図における電気ソケットを示す。
【図４】静電基板支持体と冷却ベースとの間に配置された接合層の別の一実施形態を詳述する基板支持アセンブリの部分断面概略側面図である。
【０００９】
理解を促進するために、図面に共通する同一の要素を示す際には可能な限り同一の参照番号を使用している。一実施形態で開示された要素を特定の説明なしに他の実施形態に有益に使用してもよいと理解される。
【詳細な説明】
【００１０】
本明細書で説明する実施形態は、静電チャックの高温動作を可能にする基板支持アセンブリを提供する。高温とは、約１５０℃を超える温度（例えば、約２５０℃を超える温度（例えば、約２５０℃〜約３００℃の温度））を指すことが意図される。基板支持アセンブリは、接合層によって冷却ベースに結合された静電チャックを有する。接合層は、静電チャックを高温で動作させることができるいくつかの別個の層から形成される。別個の層のうちの少なくとも１つは、静電チャックと冷却プレートとの間の界面からの熱伝達を最小にするために、低い熱伝導率（すなわち、約０．２Ｗ／ｍＫ未満の熱伝導率）を有する。層を構成する材料はまた、約１５０℃以上の温度（例えば、約２５０℃以上の温度）で静電チャックを冷却ベースに固定する接合層の破損を防止するように選択される。基板支持アセンブリは、エッチング処理チャンバ内で以下に説明されるが、基板支持アセンブリは、他のタイプのプラズマ処理チャンバ（例えば、とりわけ、物理蒸着チャンバ、化学蒸着チャンバ、イオン注入チャンバ）及び高温（すなわち、１５０℃を超える温度）処理が生じる他のシステムで使用することができる。
【００１１】
図１は、基板支持アセンブリ１２６を有するエッチングチャンバとして構成されるように図示された例示的なプラズマ処理チャンバ１００の断面概略図である。基板支持アセンブリ１２６は、他のタイプの処理プラズマチャンバ（例えば、とりわけ、プラズマ処理チャンバ、アニーリングチャンバ、物理蒸着チャンバ、化学蒸着チャンバ、及びイオン注入チャンバ）、ならびに表面又はワークピース（例えば、基板）の処理均一性を制御できることが望ましい他のシステム内で使用可能である。高温範囲における基板支持体の誘電特性ｔａｎ（δ）（すなわち、誘電損失）又はρ（すなわち、体積抵抗率）の制御は、その上の基板１２４の方位角方向の処理均一性を有利に可能にする。
【００１２】
プラズマ処理チャンバ１００は、処理領域１１０を囲む側壁１０４、底部１０６、及び蓋１０８を有するチャンバ本体１０２を含む。注入装置１１２は、チャンバ本体の側壁１０４及び／又は蓋１０８に結合される。ガスパネル１１４は、注入装置１１２に結合され、処理ガスが処理領域１１０に供給されることを可能にする。注入装置１１２は、１以上のノズル又は注入口、あるいは代替的にシャワーヘッドとすることができる。処理ガスは、任意の処理副産物とともに、処理チャンバ本体１０２の側壁１０４又は底部１０６に形成された排気ポート１２８を通して処理領域１１０から除去される。排気ポート１２８は、ポンピングシステム１３２に結合され、ポンピングシステム１３２は、処理領域１１０内の真空レベルを制御するために利用されるスロットルバルブ及びポンプを含む。
【００１３】
処理ガスは、処理領域１１０内でプラズマを形成するために励起させることができる。処理ガスは、ＲＦ電力を処理ガスに容量結合又は誘導結合させることによって励起させることができる。図１に示される実施形態では、複数のコイル１１６が、プラズマ処理チャンバ１００の蓋１０８の上に配置され、整合回路１１８を介してＲＦ電源１２０に結合される。
【００１４】
基板支持アセンブリ１２６は、注入装置１１２の下の処理領域１１０内に配置される。基板支持アセンブリ１２６は、静電チャック１７４及び冷却ベース１３０を含む。冷却ベース１３０は、ベースプレート１７６によって支持される。ベースプレート１７６は、処理チャンバの側壁１０４又は底部１０６のうちの１つによって支持される。基板支持アセンブリ１２６は、ヒータセンブリ（図示せず）を更に含むことができる。更に、基板支持アセンブリ１２６は、冷却ベース１３０とベースプレート１７６との間に配置されたファシリティプレート１４５及び／又は絶縁プレート（図示せず）を含むことができる。
【００１５】
冷却ベース１３０は、金属材料又は他の適切な材料から形成することができる。例えば、冷却ベース１３０は、アルミニウム（Ａｌ）で形成されてもよい。冷却ベース１３０は、内部に形成された冷却チャネル１９０を含むことができる。冷却チャネル１９０は、熱伝達流体源１２２に接続させることができる。熱伝達流体源１２２は、熱伝達流体（例えば、液体、気体、又はそれらの組み合わせ）を提供し、熱伝達流体は、冷却ベース１３０内に配置された１以上の冷却チャネル１９０を通して循環される。隣接する冷却チャネル１９０を通って流れる流体は、静電チャック１７４と冷却ベース１３０の異なる領域との間の熱伝達の局所的な制御を可能にするために分離することができ、これは基板１２４の横方向の温度プロファイルの制御を助長する。一実施形態では、冷却ベース１３０のチャネル１９０を通って循環する熱伝達流体は、冷却ベース１３０を約９０℃〜約８０℃の温度、又は９０℃未満の温度に維持する。
【００１６】
静電チャック１７４は、誘電体１７５内に配置されたチャッキング電極１８６を含む。誘電体１７５は、ワークピース支持面１３７と、ワークピース支持面１３７とは反対側の底面１３３とを有する。静電チャック１７４の誘電体１７５は、セラミックス材料（例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、又は他の適切な材料）から製造することができる。あるいはまた、誘電体１７５は、ポリマー（例えば、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトン）から製造することができる。
【００１７】
誘電体１７５はまた、内部に埋設された１以上の抵抗ヒータ１８８を含むことができる。抵抗ヒータ１８８は、基板支持アセンブリ１２６の温度を、基板支持アセンブリ１２６のワークピース支持面１３７上に配置された基板１２４を処理するのに適した温度に上昇させるために提供することができる。抵抗ヒータ１８８は、ファシリティプレート１４５を介してヒータ電源１８９に結合される。ヒータ電源１８９は、９００ワット以上の電力を抵抗ヒータ１８８に供給することができる。コントローラー（図示せず）は、ヒータ電源１８９の動作を制御することができ、一般的に、基板１２４を所定の温度に加熱するように設定される。一実施形態では、抵抗ヒータ１８８は、複数の横方向に分離された加熱ゾーンを含み、コントローラは、抵抗ヒータ１８８の少なくとも１つのゾーンが、１以上の他のゾーンに配置された抵抗ヒータ１８８に対して優先的に加熱されることを可能にする。例えば、抵抗ヒータ１８８は、複数の分離された加熱ゾーンに同心円状に配置されてもよい。抵抗ヒータ１８８は、基板１２４を処理に適した温度（例えば、約１８０℃〜約５００℃（例えば、約２５０℃以上（例えば、約２５０℃〜約３００℃）））に維持することができる。
【００１８】
静電チャック１７４は、一般的に、誘電体１７５に埋設されたチャッキング電極１８６を含む。チャッキング電極１８６は、モノポーラ又はバイポーラ電極、又は他の適切な構成として構成することができる。チャッキング電極１８６は、ＲＦフィルタを介してチャッキング電源１８７に結合され、チャッキング電源１８７は、基板１２４を静電チャック１７４のワークピース支持面１３７に静電的に固定するためのＲＦ又はＤＣ電力を供給する。ＲＦフィルタは、プラズマ処理チャンバ１００内のプラズマ（図示せず）を形成するために使用されるＲＦ電力が、電気機器に損傷を与える、又はチャンバの外部に電気的危険をもたらすのを防止する。
【００１９】
静電チャック１７４のワークピース支持面１３７は、基板１２４と静電チャック１７４のワークピース支持面１３７との間に画定された間隙に裏面熱伝達ガスを供給するためのガス通路（図示せず）を含むことができる。静電チャック１７４はまた、静電チャック１７４のワークピース支持面１３７の上方に基板１２４を持ち上げて、プラズマ処理チャンバ１００の内外へのロボット搬送を促進するためのリフトピン（図示せず）を収容するためのリフトピン穴を含むことができる。
【００２０】
接合層１５０は、静電チャック１７４と冷却ベース１３０との間に配置される。接合層１５０は、約０．１Ｗ／ｍＫ〜約１Ｗ／ｍＫ（例えば、約０．１７Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有することができる。接合層１５０は、静電チャック１７４と冷却ベース１３０の異なる熱膨張を提供するいくつかの層から形成することができる。接合層１５０を構成する層は、異なる材料から形成することができ、図２を参照して説明する。図２は、静電チャック１７４と冷却ベース１３０との間に配置された接合層１５０の一実施形態を詳述する基板支持アセンブリ１２６の部分断面概略側面図である。
【００２１】
電気ソケット２６０は、誘電体１７５内に埋設された抵抗ヒータ１８８及びチャッキング電極１８６への接続を提供することができる。抵抗ヒータ１８８は、静電チャック１７４の底面１３３を、２５０℃を超える温度に加熱することができる。
【００２２】
図３を簡単に説明すると、図３は、静電チャック１７４の底面図における電気ソケット２６０を示す。電気ソケット２６０は、ハウジング３１０及び複数のコネクタ３２０を有することができる。コネクタ３２０は、ヒータ及びチャッキング電極に電気的連続性を提供する。コネクタ３２０は、ハウジング３１０内に埋設される。
【００２３】
ハウジング３１０は、低い熱伝導率を有する材料から形成することができる。一実施形態では、ハウジング３１０は、ポリイミド材料（例えば、ＭＥＬＤＩＮ（商標名）、ＶＥＳＰＥＬ（商標名）、又はＲＥＸＯＬＩＴＥ（商標名））又は他の適切な材料から形成される。ハウジング３１０は、約３．０×１０−５／℃〜約５×１０−５／℃の熱膨張係数を有することができる。ハウジングは、約０．２Ｗ／ｍＫ〜約１．８Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有することができる。ハウジング３１０は、コネクタ３２０を静電チャック１７４からの高温から絶縁することができる。
【００２４】
図２に戻って、電気ソケット２６０は、接合層１５０を通って延び、冷却ベース１３０とインターフェース接続することができる。
【００２５】
接合層１５０は、冷却ベース１３０と静電チャック１７４との間に配置され、これらに取り付けられる／接合される。接合層１５０は、静電チャック１７４の底面１３３と冷却ベース１３０の上面１６１との間で約６０℃〜約２５０℃の温度勾配を有することができる。接合層１５０は、静電チャック１７４及び冷却ベース１３０の外径２５２のほぼ直径まで延在することができる。接合層１５０は、熱膨張静電チャック１７４と冷却ベース１３０との間の熱膨張に対処するようにフレキシブルであり、静電チャック１７４又は冷却ベース１３０に亀裂が生じる又は結合破壊するのを防止する。
【００２６】
接合層１５０は、２以上の材料層から構成されていてもよい。接合層１５０は、１以上のＯリングをオプションで含むことができる。一実施形態では、接合層１５０は、第１の層２１０、第２の層２２０、及び第３の層２３０を含む。しかしながら、他の実施形態では、接合層１５０は、第１の層２１０及び第２の層２２０、又は第２の層２２０及び第３の層２３０を含むことができる。接合層１５０は、３を超える層を含んでいてもよい。接合層１５０における２以上の層の作用は、第１の層２１０及び第２の層２２０及び第３の層２３０を用いて以下で説明される。
【００２７】
第１の層２１０、第２の層２２０、及び第３の層２３０は、外周部２５０を有することができる。接合層１５０は、第１の層２１０、第２の層２２０、及第３の層２３０の外周部２５０の周りに配置されたＯリング２４０を更に含むことができる。外周部２５０と静電チャック１７４の外径２５２との間には空間２４２が形成されている。空間２４２は、Ｏリング２４０が静電チャック１７４と冷却ベース１３０を密閉係合可能とする大きさとすることができる。一実施形態では、接合層１５０は、第１の層２１０、第２の層２２０、第３の層２３０、及びＯリング２４０のうちの１以上を含む。
【００２８】
Ｏリング２４０は、ペルフルオロエラストマー材料又は他の適切な材料から形成することができる。例えば、Ｏリング２４０の材料は、ＣＨＥＭＲＡＺ（商標名）又はＸＰＥ（商標名）シーリングＯリングとすることができる。Ｏリング２４０の材料は、真空シールを作るのに十分に柔らかい約７０デュロメータのショア硬度を有することができる。Ｏリング２４０は、静電チャック１７４及び冷却ベース１３０に対して真空気密シールを形成することができる。Ｏリング２４０によって形成される真空気密シールは、基板支持アセンブリ１２６を通る処理環境のための真空の損失を防止することができる。更に、Ｏリング２４０は、プラズマ環境への曝露から基板支持アセンブリ１２６の内側部分を保護することができる。すなわち、Ｏリング２４０は、接合層１５０の第１の層２１０、第２の層２２０、及び第３の層２３０をプラズマから保護する。Ｏリング２４０は、第１の層２１０、第２の層２２０、及び第３の層２３０からの揮発ガスがプラズマ環境を汚染することを更に防止することができる。あるいはまた、第１の層２１０、第２の層２２０、及び第３の層２３０は、静電チャック１７４及び冷却ベース１３０と接合され、Ｏリング２４０無しで真空シールを形成する。
【００２９】
第１の層２１０は、上面２１１及び底面２１３を有することができる。上面２１１は、静電チャック１７４の底面１３３と接触している。第１の層２１０の上面２１１は、静電チャック１７４の底面１３３の温度（すなわち、約１５０℃〜約３００℃）とすることができる。静電チャックの高温に適応するために、第１の層２１０は、１５０℃を超える動作温度を有する材料から製造することができる。例えば、第１の層２１０は、約２５０℃の動作温度を含む材料から製造することができ、又は別の例では、約３００℃の動作温度を含む材料から製造することができる。更に別の一例では、第１の層２１０は、約２５０℃〜約３２５℃の温度を含む動作温度を有する材料から製造することができる。
【００３０】
底面２１３は、第２の層２２０と接触していてもよい。第１の層２１０は、静電チャック１７４の底面１３３と高温接合層を形成することができる。第１の層２１０は、第２の層２２０に更に接合することができる。第１の層２１０は、ペルフルオロ化合物又は他の適切な高温化合物から形成することができる。例えば、第１の層２１０は、ペルフルオロメチルビニルエーテル、アルコキシビニルエーテル、ＴＥＦＺＥＬ（商標名）、又は他の適切な接合剤から形成することができる。第１の層２１０は、高温シリコーンから形成することができる。有利には、ペルフルオロ化合物のフッ素−炭素結合は非常に安定であり、高い熱的安定性及び化学的安定性を付与する。ペルフルオロ化合物は、セラミックスによく接着し、硬くなく、圧縮が最小であり、ひずみを取る能力を有する。第１の層２１０は、高い動作温度（例えば、１５０℃を超える動作温度（例えば、約２５０℃を超える動作温度））のために静電チャック１７４の膨張とともに熱膨張するように構成される。第１の層２１０は、静電チャック１７４の底面１３３に合わせたサイズにすることができる。あるいはまた、第１の層は、Ｏリング２４０が静電チャック１７４と密封係合するのに十分な空間を提供するようなサイズにすることができる。
【００３１】
第１の層２１０はシート状に形成することができる。第１の層２１０は、約１ｍｍ未満（例えば、約５ミル（約０．１２７ｍｍ））の厚さ２１２を有することができる。一実施形態では、第１の層２１０は、３００℃を超える温度に適したペルフルオロポリマー接合剤とすることができる。第１の層２１０は、０．１〜０．５Ｗ／ｍＫの範囲の高い処理温度のために選択された熱伝導率を有することができる。例示的な一実施形態では、第１の層２１０の熱伝導率は、約０．２４Ｗ／ｍＫである。
【００３２】
第２の層２２０は、第１の層２１０によって静電チャック１７４の高温から分離される。したがって、第２の層２２０は、第１の層２１０の動作温度よりも低い動作温度を有してもよい。例えば、第２の層２２０の最大動作温度は、第１の層２１０の最大動作温度よりも低くてもよい。別の一例では、第２の層２２０の最大動作温度は、約２５０℃未満とすることができる。
【００３３】
第２の層２２０は、上面２２１及び底面２２３を有することができる。第２の層２２０の上面２２１は、第１の層２１０の底面２１３と接触する。上面２２１は、オプションで第１の層２１０の底面２１３と高温接合を形成することができる。第２の層２２０の底面２２３は、第３の層２３０と接触することができる。第２の層２２０は、第１の層２１０の底面２１３との接合を形成する。一例では、第２の層２２０は、接着剤である必要はなく、上層２１０の剛性よりも高い剛性を有する材料とすることができる。第２の層２２０は、ポリイミド、ペルフルオロ化合物、シリコーン、又は他の適切な高温材料から形成することができる。例えば、第２の層２２０は、ＣＩＲＬＥＸ（商標名）、ＴＥＦＺＥＬ（商標名）、ＫＡＰＴＯＮ（商標名）、ＶＥＳＰＥＬ（商標名）、ＫＥＲＩＭＩＤ（商標名）、ポリエチレン、又は他の適切な材料から形成することができる。ポリイミドシートは、ペルフルオロシートよりも硬く、またペルフルオロシートより低い熱膨張及びコンダクタンスも有する。有利には、第２の層２２０のために選択される材料は、低い熱コンダクタンスを有し、断熱材として作用する。第２の層２２０の熱コンダクタンスが低ければ低いほど、第２の層２２０を横切る潜在的な温度差は大きくなる。
【００３４】
第２の層２２０は、約１ｍｍ〜約３ｍｍ（例えば、約１．５ｍｍ）の厚さ２２２を有することができる。一実施形態では、第２の層２２０は、ポリイミドシートである。第２の層２２０は、約０．１〜約０．３５Ｗ／ｍＫの範囲内で選択された熱伝導率を有することができ、一実施形態では、約０．１７Ｗ／ｍＫである。
【００３５】
第３の層２３０は、第１の層２１０及び第２の層２２０によって静電チャック１７４の高温から分離される。したがって、第３の層２３０は、第２の層２２０の動作温度よりも低い動作温度を有することができる。例えば、第３の層２３０の最大動作温度は、第２の層２２０の最大動作温度よりも低くてもよい。別の一例では、第３の層２３０の最大動作温度は、約２００℃未満とすることができる。
【００３６】
第３の層２３０は、上面２３１及び底面２３３を有することができる。第３の層２３０は、第２の層２２０と冷却ベース１３０との間に配置することができる。第３の層２３０の上面２３１は、オプションで、第２の層２２０の底面２２３と接合することができ、第３の層２３０の底面２３３は、オプションで、冷却ベース１３０に接合することができる。第３の層の底面２３３は、冷却ベース１３０の温度（すなわち、約８０℃〜約６０℃）とすることができる。一実施形態では、第３の層２３０は、冷却ベース１３０との低温接合層を形成する。
【００３７】
第３の層２３０は、ペルフルオロ化合物、シリコーン、多孔質グラファイト、又はアクリル化合物、又は他の適切な材料から形成することができる。第３の層２３０用の材料は、第３の層２３０が曝露される低い動作温度（すなわち、約８０℃）、及び場合によっては第３の層２３０が接合される材料に基づいて選択される。第３の層２３０は、第１の層２１０又は第２の層２２０のうちの１つからの静電チャック１７４の高い熱から保護される。したがって、第３の層２３０の材料がシリコーンである実施形態では、第１の層２１０及び／又は第２の層２３０は、第３の層２３０のシリコーン材料がガス放出又は揮発するのを防止する。第３の層２３０は、約１ｍｍ未満（例えば、約５ミル（約０．１２７ｍｍ））の厚さ２３２を有することができる。一実施形態では、第３の層２３０は、シリコーン材料である。第３の層２３０は、約２．０〜約７．８×１０−６／℃の範囲の熱膨張係数を有することができる。第３の層２３０は、約０．１０〜約０．４Ｗ／ｍＫの範囲内で選択される熱伝導率を有することができ、一実施形態では、約０．１２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。
【００３８】
有利には、接合層１５０は、静電チャック１７４及び冷却ベース１３０からの熱膨張係数及び熱伝導率の勾配を生成する明確な特性を有する層を含む。接合層１５０は、真空シールを生成し、基板支持アセンブリ１２６を通したチャンバのガス放出を防止することができる。更に、接合層が静電チャック１７４及び冷却ベース１３０に接合される実施形態における、ポリマーの可撓性、接合層１５０の低弾性率は、静電チャック１７４から冷却ベース１３０までの大きな温度勾配のため、接合及び／又は接合層１５０の分解又は破壊を緩和する。したがって、接合層１５０は、大きな温度勾配のために異なる熱膨張を有する隣接する位置での熱誘発応力による損傷のために、基板支持アセンブリ１２６を修復するための停止時間の必要性を最小にする。
【００３９】
図４は、接合層１５０の第２の実施形態を示し、静電チャック１７４と冷却ベース４６０との間に配置された接合層４５０の第２の実施形態を詳述する基板支持アセンブリ１２６の部分断面概略側面図である。冷却ベース４６０は、冷却ベース１３０と同様に構成されている。冷却ベース４６０は、冷却ベース４６０の外径２５２に配置されたリップ４６２を更に有する。リップ４６２は、接合層４５０の厚さと同様に、上面１６１の上に高さ４６４を有することができる。
【００４０】
接合保護Ｏリング４４２は、冷却ベース４６０のリップ４６２と静電チャック１７４との間に配置することができる。接合保護リング４４２は、接合層４５０及び基板支持体の他の内部構造（例えば、金属プレート４１０）をプラズマ環境から保護する。接合保護Ｏリング４４２は、プラズマ環境に適した材料とすることができ、更に圧縮可能である。例えば、接合保護Ｏリング４４２は、ペルフルオロポリマー（例えば、ＫＡＬＲＥＺ（商標名）、ＣＨＥＭＲＡＺ（商標名）、又はＸＰＥ（商標名））から形成することができる。
【００４１】
金属プレート４１０は、接合層４５０間に更に配置される。金属プレート４１０は、静電チャック１７４の底部１３３に接合することができる。金属プレート４１０は、静電チャック１７４と同様の動作温度を達成可能であり、すなわち、金属プレート４１０の温度は、約１８０℃〜約３００℃（例えば、２５０℃）とすることができる。金属プレート４１０は、接合保護Ｏリング４４２の直径と同様の厚さ４１２を有することができる。金属プレート４１０は、冷却ベース４６０のリップ４６２内に嵌合するようなサイズにすることができる。したがって、接合保護Ｏリング４４２が圧縮されるとき、金属プレート４１０は、冷却ベース４６０のリップ４６２に接触することによる接合保護Ｏリング４４２の圧縮の妨害を引き起こすことは無い。
【００４２】
接合層４５０は、１以上の層を有してもよい。層は、ガスケット、シート、及び／又は接着剤を含むことができる。接合層４５０は、オプションとして、Ｏリング真空シール４４４も含むことができる。Ｏリング真空シール４４４は、金属プレート４１０及び冷却ベース４６０と接触することができる。Ｏリング真空シール４４４は、圧縮されて金属プレート４１０と冷却ベース４６０との間に真空シールを生成することができる。Ｏリング真空シール４４４によって生成された真空シールは、プラズマ処理チャンバ１００の処理領域１１０内の真空の損失が基板支持アセンブリ１２６を通って逃げるのを防止する。Ｏリング真空シール４４４によって生成された真空シールはまた、汚染又はガスが処理領域１１０に入るのを防ぐことができる。Ｏリング真空シール４４４は、圧縮可能な材料（例えば、ペルフルオロポリマー又は他の適切な材料）から形成することができる。一実施形態では、Ｏリング真空シール４４４は、ＣＨＥＭＲＡＺ（商標名）又はＸＰＥ（商標名）から形成される。Ｏリング真空シール４４４は、最大約３５ミル（Ｏリングの元のサイズの１０〜２８％）圧縮することができる。あるいはまた、真空シールは、接合層４５０のうちの１以上の層によって作られる。
【００４３】
接合層４５０の１以上の層は、複合ガスケット４７０を形成することができる。複合ガスケット４７０は、金属プレート４１０及び冷却ベース４６０と接触していてもよい。複合ガスケット４７０は、電気ソケット２６０が貫通して嵌合するのに適した中心部４７２を有する。複合ガスケット４７０は、冷却ベース４６０と接触していてもよい。複合ガスケット４７０は、外縁部４５２を有し、リップ４６２の内部となるようなサイズに作られることができる。外縁部４５２及びリップ４６２は、Ｏリング真空シール４４４がそれらの間に嵌合するのに適した空間４６６を形成することができる。複合ガスケット４７０は、静電チャック１７４から冷却ベース４６０までの温度勾配が約１７０℃以上（例えば、２７０℃）であってもよい。複合ガスケット４７０は、約０．１０Ｗ／ｍＫ〜約０．２０Ｗ／ｍＫ（例えば、約０．２０Ｗ／ｍＫ）の熱伝導率を有することができる。したがって、複合ガスケット４７０は、静電チャック１７４から冷却ベース４６０への温度損失を防止する。複合ガスケット４７０は、金属プレート４１０と冷却ベース４６０との間で圧縮されてもよい。いくつかの実施形態において、複合ガスケット４７０は、２０％も圧縮することができる。
【００４４】
複合ガスケット４７０は、１以上の層（例えば、第１の層４２０及び第２の層４３０）を有することができる。第１の層４２０は、ペルフルオロ材料から形成することができる。第１の層４２０は、金属プレート４１０を介して静電チャック１７４の温度（すなわち、最高約３００℃の動作温度）に曝される可能性がある。第１の層４２０は、約１ｍｍ〜約２ｍｍの厚さ４２２を有することができる。第１の層４２０は、約２００ミクロン〜約４００ミクロン圧縮することができる。一実施形態では、第１の層４２０の厚さ４２２は約１ｍｍであり、第１の層は約２００ミクロン圧縮する。第２の実施形態では、第１の層４２０の厚さ４２２は約２ｍｍであり、第１の層４２０は約４００ミクロン圧縮する。第１の層４２０は、低い熱伝導率を有する。一実施形態では、厚さ１ｍｍの第１の層４２０の上面４２１は約２５０℃の動作温度を有することができ、一方、第１の層４２０の底面４２３は、約１００℃の温度勾配に対して約１５０℃の動作温度を有することができる。
【００４５】
複合ガスケット４７０の第２の層４３０は、ペルフルオロ、多孔性グラファイト、又はシリコーン材料から形成することができる。第２の層４３０は、第１の層４２０及び冷却ベース４６０の温度に接触して曝露されることができる。すなわち、第２の層４３０は、それぞれ約１５０℃及び約８０℃の動作温度に曝されることができる。第２の層４３０は、約０．５ｍｍ〜約１．５ｍｍの厚さ４３２を有することができる。第２の層４３０は、約２００ミクロンまで圧縮可能とすることができる。
【００４６】
一実施形態では、複合ガスケット４７０は、厚さ２ｍｍのペルフルオロの第１の層４２０と、シリコンの第２の層４３０とを有する。別の一実施形態では、複合ガスケット４７０は、厚さ１ｍｍのペルフルオロの第１の層４２０と、厚さ１ｍｍのペルフルオロの第２の層４３０とを有する。更に別の一実施形態では、複合ガスケット４７０は、厚さ１ｍｍのペルフルオロの第１の層４２０及び厚さ１ｍｍの多孔質グラファイトの第２の層４３０とを有する。複合ガスケット４７０の第１の層４２０及び第２の層４３０の組み合わせは、Ｏリング真空シール４４４と実質的に同様な圧縮を有する。いくつかの実施形態では、第１の層４２０は金属プレート４１０に接合され、第２の層４３０は冷却ベース４６０に接合され、Ｏリング真空シール４４４は存在しない。
【００４７】
有利には、１８０℃を超える温度（例えば、約２５０℃）の静電チャック１７４の高い動作温度は、真空シールに破壊をもたらす、又は複合ガスケット４７０を形成する１以上の層のガス放出を引き起こす複合ガスケットを傷つけない。複合ガスケットは、チャンバ内の汚染、又は処理の歩留まり及び操業コストに影響を及ぼす可能性のあるチャンバの停止時間を防止する。
【００４８】
上記は本発明の実施形態を対象としているが、本発明の他の及び更なる実施形態は本発明の基本的範囲を逸脱することなく創作することができ、その範囲は以下の特許請求の範囲に基づいて定められる。
【図１】
0006728196.tif 000002
【図２】
0006728196.tif 000003
【図３】
0006728196.tif 000004
【図４】
0006728196.tif 000005