(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光で基板を露光する露光装置であって、
前記光源から前記露光装置に供給された光を減衰して通過させるフィルタと、
前記フィルタの透過率を示す情報を記憶する記憶部と、
前記情報、前記フィルタを介して前記基板に行われる露光処理の間に取得された前記基板の露光量、及び、目標露光量に基づいて決定された、前記光源が出力すべき光の強度を指示する指示値を前記光源に与える指示部と、
前記露光処理で前記フィルタによって減衰された光の減衰量を取得し、前記減衰量が予め定められた範囲に収まっていない場合に、前記減衰量に基づいて前記情報の更新を行う制御部と、
前記光源から前記露光装置に供給される光が前記フィルタを通過する前に、当該光の強度を計測する計測部と、
を有し、
前記制御部は、前記指示値から予測される前記計測部で計測される強度の予測値と、前記露光処理において前記計測部で計測された強度の実測値との差を、前記減衰量として取得することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記光源から前記露光装置に供給される光が前記フィルタを通過した後に、当該光の強度を計測する第２計測部を更に有し、
前記指示部は、前記第２計測部により計測された前記強度の実測値に基づき前記基板の露光量を取得することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記露光処理において前記基板上のショット領域ごとに前記計測部で計測された強度の統計値を前記実測値とすることを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記統計値は、前記ショット領域ごとに前記計測部で計測された強度の平均値、又は、前記ショット領域ごとに前記計測部で計測された強度のうちの最大値又は最小値を含むことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記差に基づいて前記フィルタの透過率を算出し、当該透過率の算出値で前記情報の更新を行うことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記情報が示す前記フィルタの透過率をＮＤＴｒ、前記実測値をＲＥ、前記予測値をＥＰＶとしたときに、ＮＤＴｒ×（ＥＰＶ÷ＲＥ）に従って前記算出値を算出することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光源は、パルス光源を含み、
前記制御部は、前記光源から出力される光の強度のパルスごとのばらつきに基づいて、前記算出値に重み付けを行うことを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記光源は、パルス光源を含み、
前記制御部は、前記光源から出力される光の強度のパルスごとのばらつきが予め定められた範囲を超える場合には、前記情報の更新を行わないことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記指示値をパルスごとに制御することを特徴とする請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及び物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスなどを製造する際に、原版（マスク又はレチクル）のパターンを、投影光学系を介して基板上の各ショット領域に投影（転写）する露光装置が使用されている。露光装置における基本的な機能の１つとして、各ショット領域（各点）に対する露光量を許容範囲内に維持するための露光量制御がある。
【０００３】
露光装置の露光量制御では、基板に露光光を照射しながら、露光光の一部を分岐して検出器（例えば、インテグレータセンサ）に導き、かかる検出器を介して基板上での露光量を間接的に検出している。そして、検出器での検出結果の積算値が必要な露光量（目標露光量）に達するまで基板への露光光の照射を継続する。
【０００４】
露光光の光源としてパルス光源を用いる場合、パルス光ごとにエネルギーのばらつきがあるため、一定の数（最小パルス数）以上のパルス光で基板を露光することで、露光量制御の精度（再現性）を保証している。従って、目標露光量が小さいと、パルス光源からのパルス光をそのまま用いた場合に、最小パルス数以上のパルス光で基板を露光することができないことがある。このような場合には、パルス光源自体の出力を下げる、或いは、光学フィルタなどのエネルギー変調器を光路に配置することで、パルス光（露光光）を減衰して最小パルス数以上のパルス光で基板を露光するようにしている。なお、パルス光の減衰レベルを可変とするために、互いに透過率が異なる複数の光学フィルタをターレット（レボルバ）に設けるのが一般的である。
【０００５】
光学フィルタは、パルス光の照射に起因する局所的な損傷や光学フィルタを切り替える際の位置決め誤差によって、その透過率が短期的及び長期的に変動することがある。そこで、基板を露光する前に、基板上での露光量を間接的に検出する検出器を用いて光学フィルタの透過率を計測し、かかる計測結果に基づいて、基板上での露光量を制御する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−１４８２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来技術では、基板を露光する前に、その透過率を検出器で計測しなければならないため、スループット（生産性）が低下してしまう。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、スループットの点で有利な露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光で基板を露光する露光装置であって、前記光源から前記露光装置に供給された光を減衰して通過させるフィルタと、前記フィルタの透過率を示す情報を記憶する記憶部と、前記情報、前記フィルタを介して前記基板に行われる露光処理の間に取得された前記基板の露光量、及び、目標露光量に基づいて決定された、前記光源が出力すべき光の強度を指示する指示値を前記光源に与える指示部と、前記露光処理で前記フィルタによって減衰された光の減衰量を取得し、前記減衰量が予め定められた範囲に収まっていない場合に、前記減衰量に基づいて前記情報の更新を行う制御部と、前記光源から前記露光装置に供給される光が前記フィルタを通過する前に、当該光の強度を計測する計測部と、を有し、前記制御部は、前記指示値から予測される前記計測部で計測される強度の予測値と、前記露光処理において前記計測部で計測された強度の実測値との差を、前記減衰量として取得することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、スループットの点で有利な露光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一側面としての露光装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す露光装置における露光処理を説明するためのフローチャートである。
【図３】図１に示す露光装置の計測部の出力値と基板上の照度（露光量）との関係を示す図である。
【図４】基板を露光しているときの計測結果、露光条件及び光学フィルタの透過率を示す図である。
【図５】７０％の透過率を有する光学フィルタに対応する露光条件を示す図である。
【図６】６０％の透過率を有する光学フィルタに対応する露光条件を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、本発明の一側面としての露光装置１０の構成を示す概略図である。露光装置１０は、光源装置２０からの光で基板を露光するリソグラフィ装置である。露光装置１０は、一括露光型の露光装置（ステッパー）であってもよいし、原版と基板とを同期して走査する走査露光型の露光装置（スキャナー）であってもよい。露光装置１０は、図１に示すように、指示部１１と、光学フィルタ部１２と、計測部１３と、原版ステージ１４と、投影光学系１５と、基板ステージ１６と、記憶部１７と、制御部１８とを有する。
【００１５】
指示部１１は、光源装置２０が出力すべき光の強度を指示する指示値を光源装置２０に与える。本実施形態では、指示部１１は、指示値として、目標電圧値ＴＶを光源装置２０に与える。光学フィルタ部１２は、光源装置２０から露光装置１０に供給された光を減衰して通過させる光学フィルタを含む。光学フィルタ部１２は、互いに異なる透過率を有する複数の光学フィルタがターレット（レボルバ）に配置された構成を有していてもよい。複数の光学フィルタが配置されたターレットを複数段組み合わせることで、光源装置２０から露光装置１０に供給された光の減衰レベル（即ち、光学フィルタ部１２で設定可能な透過率）をより細かく調整することができる。
【００１６】
計測部１３は、光学フィルタ部１２よりも後段の光路に配置されている。計測部１３は、光源装置２０から露光装置１０に供給される光が光学フィルタ部１２を通過した後に、かかる光（即ち、光学フィルタ部１２によって減衰された光）の強度、本実施形態では、照度を計測（モニタ）する。原版ステージ１４は、原版（マスク又はレチクル）を保持する。投影光学系１５は、原版のパターンを基板に投影する。基板ステージ１６は、基板を保持する。記憶部１７は、光学フィルタ部１２における複数の光学フィルタのそれぞれの透過率を示す情報を記憶する。記憶部１７に記憶される情報が示す光学フィルタの透過率は、初期段階では、予め光学フィルタを計測して得られた計測値であってもよいし、設計値であってもよい。制御部１８は、ＣＰＵやメモリなどを含み、露光装置１０の全体を制御する。本実施形態では、制御部１８は、光学フィルタ部１２を介して基板に行われる露光処理で光学フィルタ部１２によって減衰された光の減衰量を取得する。そして制御部１８は、減衰量が予め定められた範囲に収まっていない場合に、かかる減衰量に基づいて、記憶部１７に記憶されている情報の更新、即ち、光学フィルタ部１２におけるフィルタの透過率の校正を行う。
【００１７】
光源装置２０は、露光装置１０に光を供給するパルス光源であって、光源部２１と、パルス電源部２２と、計測部２３と、制御部２４とを有する。光源部２１は、放電電極と、かかる放電電極を収容するチャンバとを含む。パルス電源部２２は、放電電極間に、パルス放電の繰り返し周波数に同期した高周波電圧を印加する。計測部２３は、光源部２１から出力された光の強度を計測する。計測部２３は、光源装置２０から露光装置１０に供給される光が光学フィルタ部１２を通過する前に、かかる光の強度を計測する。制御部２４は、パルス電源部２２の電圧制御、レーザ波長制御、レーザガス供給制御などを行う。
【００１８】
ここで、露光装置１０での露光量制御を含む露光処理について説明する。露光量制御において、指示部１１は、記憶部１７に記憶された光学フィルタの透過率を示す情報に基づいて、光学フィルタ部１２を介して基板に行われる露光処理での基板の露光量が目標露光量となるように、目標電圧値ＴＶを光源装置２０の制御部２４に与える。また、本実施形態では、目標電圧値ＴＶから予測される計測部２３で計測される強度の予測値と、露光処理において計測部２３で計測された強度の実測値との差を、光学フィルタ部１２によって減衰された光の減衰量とする場合を例に説明する。
【００１９】
まず、指示部１１は、目標露光量、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率、基板を定格エネルギー値（光源装置２０の基準エネルギー値）で露光した際の計測部１３の出力値、基板を露光するのに必要となる最小パルス数に基づいて、露光条件を求める。これにより、目標露光量を実現するための計測部１３の目標出力値、光学フィルタの透過率、基板上の１つのショット領域に照射する光のパルス数が求まる。この際、制御部１８は、基板を露光しているときに計測部２３で計測される光の強度（パルスエネルギー値）の予測値を求める。
【００２０】
次に、制御部１８は、光学フィルタ部１２で設定される透過率が露光条件を求める際に得られた透過率（即ち、基板を露光するときに使用する透過率）となるように光学フィルタを駆動する駆動指令ＳＭを、光学フィルタ部１２に与える。また、制御部１８は、原版ステージ１４、投影光学系１５及び基板ステージ１６に対して駆動指令ＳＭを与えて、基板を露光する。
【００２１】
次に、指示部１１は、基板を露光している間、パルスごとに、計測部１３の出力値（照度）ＩＬを取得する。そして、指示部１１は、計測部１３の出力値ＩＬの積算値が目標露光量となるように、パルスごとに、パルス電源部２２の目標電圧値ＴＶを光源装置２０の制御部２４に与える。制御部２４は、目標電圧値ＴＶをパルス電源部２２に与え、パルスごとに、光源部２１から出力される光の強度（パルスエネルギー値）を変化させる。
【００２２】
次に、制御部１８は、基板を露光したときに計測部２３で計測された光の強度（パルスエネルギー値）の実測値ＲＥを取得する。そして、制御部１８は、基板を露光しているときに計測部２３で計測される光の強度の予測値と、基板を露光したときに計測部２３で計測された光の強度の実測値ＲＥとを比較する。予測値と実測値ＲＥとの差がある場合には、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率が記憶部１７に記憶されている情報が示す透過率から変動していると判定し、記憶部１７に記憶されている情報の更新を行う（透過率を校正する）。
【００２３】
このように、本実施形態では、基板を露光する前に、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率を計測しなくても、露光処理を行う間に光学フィルタの透過率を随時校正することができる。従って、光学フィルタの透過率の計測に起因するスループットの低下を低減することができる。また、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率が随時校正されるため、露光量制御において適切な露光条件を求めることが可能となり、光源装置２０に対して過度な出力を指示することを抑制することができる。これにより、露光量制御の精度の低下を抑えることができる。
【００２４】
以下、図２（ａ）及び図２（ｂ）を参照して、露光装置１０における露光処理について具体的に説明する。図２（ａ）は、露光装置１０における露光処理を説明するためのフローチャートである。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す照度計測の詳細なフローチャートである。
【００２５】
図２（ａ）を参照するに、Ｓ１０１では、光学フィルタ部１２（光学フィルタ）以外に起因する露光装置１０の照度変動（投影光学系１５の透過率の低下や光路上の光学部品の透過率の低下など）を計測するために、照度計測を行う。
【００２６】
照度計測では、図２（ｂ）に示すように、Ｓ２０１において、光学フィルタ部１２で設定される透過率が１００％となるように、光学フィルタを光路から退避させる。Ｓ２０２において、光源装置２０の制御部２４に対して、定格エネルギー値（例えば、１０ｍＪ）でレーザ発振するように指示する。Ｓ２０３において、光源装置２０がレーザ発振しているときの計測部１３の出力値（即ち、光源装置２０から露光装置１０に供給された光の強度）を取得する。
【００２７】
計測部１３の出力値と基板上の実照度（実露光量）との関係は、絶対照度計（基準照度計）を用いた計測によって予め取得して露光装置１０に記憶されている。これにより、計測部１３の出力値から間接的に基板上の照度（露光量）を求めることが可能となる。
【００２８】
例えば、図３に示すように、絶対照度計で基板上の照度を計測したときに、パルスエネルギー値が１０ｍＪ（定格エネルギー値）、計測部１３の出力値が２００００ｂｉｔ、基板上の照度（絶対照度計の出力値）が２０Ｊ／ｍ２であったとする。そして、露光装置１０の照度変動が生じ、計測部１３の出力値が１８０００ｂｉｔであるとすると、基板上の照度は１８Ｊ／ｍ２であるということがわかるようにする。
【００２９】
なお、光学フィルタ以外に起因する露光装置１０の照度変動を計測するための照度計測は、本実施形態に関わらず、露光装置において一般的に行われている。従って、照度計測に起因するスループットの低下は、本実施形態の影響の範囲外である。
【００３０】
図２（ａ）に戻って、Ｓ１０２では、指示部１１は、目標露光量、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率、Ｓ２０３で取得した計測部１３の出力値及び最小パルス数に基づいて、露光条件を求める。具体的には、計測部１３の目標出力値ＴａｒｇｅｔＩＬ、光学フィルタの透過率ＮＤＴｒ、基板上の１つのショット領域に照射する光のパルス数Ｐｌｓ、基板を露光しているときに計測部２３で計測される光の強度の予測値ＥＰＶを求める。
【００３１】
ここで、図４乃至図６を参照して、露光条件を求める処理（Ｓ１０２）の具体例を説明する。図４に示すように、基板を露光しているときの計測結果を、パルスエネルギー値＝１０ｍＪ、計測部１３の出力値＝２００００ｂｉｔ、基板上の照度＝２０Ｊ／ｍ２とする。また、目標露光量を１００Ｊ／ｍ２、最小パルス数を８Ｐｕｌｓｅとする。この場合、以下の計算によって、図５に示すＴａｒｇｅｔＩＬ、ＮＤＴｒ、Ｐｌｓ及びＥＰＶを求めることができる。
【００３２】
最低露光量＝基板上の照度×最小パルス数
＝２０（Ｊ／ｍ２）×８（ｐｕｌｓｅ）＝１６０（Ｊ／ｍ２）  ・・・（※１）
最小パルス数を満たすようにすると、基板上での最低露光量が１６０Ｊ／ｍ２となり、目標露光量（１００Ｊ／ｍ２）を超えるため、光源装置２０から露光装置１０に供給された光を光学フィルタ部１２における光学フィルタで減衰する。具体的には、図４に示すように、互いに異なる透過率を有する複数の光学フィルタから、目標露光量に最も近くなる透過率を有する光学フィルタを選択する。ここでは、７０％の透過率を有する光学フィルタ（フィルタ番号４）を選択する。
【００３３】
減衰後の最低露光量＝（※１）×ＮＤＴｒ
＝１６０（Ｊ／ｍ２）×０．７＝１１２（Ｊ／ｍ２）  ・・・（※２）
光学フィルタ（フィルタ番号４）で減衰しても、最低露光量が１１２Ｊ／ｍ２となり、目標露光量（１００Ｊ／ｍ２）を超えてしまう。このような場合には、計測部１３の目標出力値ＴａｒｇｅｔＩＬを変更する（下げる）。変更後のＴａｒｇｅｔＩＬは、以下の計算によって求まる。
【００３４】
ＴａｒｇｅｔＩＬ＝計測部１３の出力値（定格エネルギー値）×（目標露光量÷（※２））
＝２００００（ｂｉｔ）×（１００（Ｊ／ｍ２））÷１１２（Ｊ／ｍ２）≒１７８５７（ｂｉｔ）  ・・・（※３）
更に、（※３）から、以下の計算によって、基板を露光しているときに計測部２３で計測される光の強度の予測値（パルスエネルギー値）ＥＰＶを求めることができる。
【００３５】
ＥＰＶ＝定格パルスエネルギー値×（（※３）÷計測部１３の出力値（定格エネルギー値））
＝１０（ｍＪ）×（１７８５７（ｂｉｔ）÷２００００（ｂｉｔ））≒８．９２９（ｍＪ）  ・・・（※４）
但し、（※２）の計算において、６０％の透過率を有する光学フィルタ（フィルタ番号５）を選択し、計測部１３の目標出力値ＴａｒｇｅｔＩＬを上げることで目標露光量に対して足りない分を補ってもよい。この場合、上述した計算によって、図６に示すＴａｒｇｅｔＩＬ、ＮＤＴｒ、Ｐｌｓ及びＥＰＶを求めることができる。
【００３６】
図２（ａ）に戻って、Ｓ１０３では、制御部１８は、Ｓ１０２で求めた露光条件に従って、光学フィルタ部１２における複数の光学フィルタから露光に使用する光学フィルタを選択して光路に配置する。
【００３７】
Ｓ１０４では、制御部１８は、Ｓ１０２で求めた露光条件に従って、基板を露光するための原版ステージ１４、投影光学系１５及び基板ステージ１６の準備処理を行う。
【００３８】
Ｓ１０５では、Ｓ１０２で求めた露光条件に従って、基板を露光する。基板を露光している間においては、計測部１３の出力値ＩＬがＳ１０２で求めた目標出力値ＴａｒｇｅｔＩＬとなるように、パルスごとに、光源装置２０に与える目標電力値ＴＶを制御する。
【００３９】
Ｓ１０６では、制御部１８は、計測部２３から、Ｓ１０５で基板を露光したときに計測部２３で計測された光の強度（実測値ＲＥ）を取得する。
【００４０】
Ｓ１０７では、制御部１８は、Ｓ１０２で求めた計測部２３で計測される光の強度の予測値ＥＰＶと、Ｓ１０６で取得した計測部２３で計測された光の強度の実測値ＲＥとの差に基づいて、光学フィルタ部１２における光学フィルタの透過率を校正する。但し、光学フィルタの透過率の校正は、予測値ＥＰＶと実測値ＲＥとの差が予め定められた範囲に収まっていない場合に行われるようにするとよい。換言すれば、予測値ＥＰＶと実測値ＲＥとの差が小さい場合には、光学フィルタの透過率を校正しなくてもよい。
【００４１】
フィルタの透過率の校正（Ｓ１０７）の具体例を説明する。７０％の透過率を有する光学フィルタ（ＮＤＴｒ＝７０％）を介して基板を露光したときに計測部２３で計測された光の強度の実測値ＲＥが９．１ｍＪであったとする。計測部２３で計測される光の強度の予測値ＥＰＶは、光学フィルタ以外の露光装置１０の全体の照度変動を考慮して求めた値である。このため、予測値ＥＰＶと実測値ＲＥとの差は、記憶部１７に記憶されている情報が示す光学フィルタの透過率と実際の透過率との差であると考えられる。従って、記憶部１７に記憶されている情報が示す光学フィルタの透過率をＮＤＴｒ、実際の光学フィルタの透過率をＮＤＴｒ’とすると、以下の計算によって、露光に使用した光学フィルタの透過率を校正することができる。
【００４２】
ＮＤＴｒ’＝ＮＤＴｒ×（ＥＰＶ÷ＲＥ）
＝０．７×（８．９２９（ｍＪ）÷９．１（ｍＪ））≒０．６８７  ・・・（※５）
この場合、図４に示すように、記憶部１７に記憶されている、複数の光学フィルタのそれぞれの透過率を示す情報において、フィルタ番号４の光学フィルタの透過率を７０％から６８．７％に更新する。このように、予測値ＥＰＶと実測値ＲＥとの差に基づいて光学フィルタの透過率を算出し、かかる透過率の算出値で記憶部１７に記憶されている情報の更新を行う。なお、光学フィルタの校正が必要である場合には、ユーザにエラーを通知したり、露光処理を停止したりしてもよい。
【００４３】
また、実測値ＲＥは、基板上のショット領域ごとに計測部２３で計測された強度の統計値としてもよい。かかる統計値は、例えば、ショット領域ごとに計測部２３で計測された強度の平均値、又は、ショット領域ごとに計測部２３で計測された強度のうちの最大値又は最小値を含む。
【００４４】
同じ露光条件で基板を露光しているにもかかわらず、基板上の複数のショット領域において、計測部２３で計測された光の強度の実測値のばらつきが大きい場合がある。このような場合には、光源装置２０に問題が発生していると判定し、露光に使用した光学フィルタの透過率を校正しないようにしてもよい。換言すれば、光源装置２０から出力される光の強度のパルスごとのばらつきが予め定められた範囲を超える場合には、記憶部１７に記憶されている情報の更新を行わなくてもよい。
【００４５】
また、光源装置２０から出力される光の強度のパルスごとのばらつきを考慮して、上述した計算によって算出される光学フィルタの透過率に重み付けを行ってもよい。例えば、（※５）において、以下のように、重み付け（係数）αを乗算してもよい。
【００４６】
ＮＤＴｒ’＝ＮＤＴｒ−（ＮＤＴｒ−（※５））×α
ここで、α＝０．５（予測値ＥＰＶと実測値ＲＥの半分）とすると、ＮＤＴｒ’＝０．７−（０．７−０．６８７）×０．５≒０．６９４となる。この場合、図４に示すように、記憶部１７に記憶されている、複数の光学フィルタのそれぞれの透過率を示す情報において、フィルタ番号４の光学フィルタの透過率を７０％から６９．４％に更新する。
【００４７】
ここで、実際の光学フィルタの透過率が、記憶部１７に記憶されている情報が示す透過率よりも５％高かった場合を考える。この場合、フィルタ番号４の光学フィルタを介して基板を露光すると、計測部２３で計測される光の強度の予測値ＲＥは、８．９２９（ｍＪ）×（１−０．０５）＝８．４８３（ｍＪ）となる。このパルスエネルギー値が、光源装置２０から出力される光の安定性（例えば、ばらつき）を保証できない値である場合には、露光量制御の精度を低下させる可能性がある。従って、このような場合には、フィルタ番号４の光学フィルタよりも低い透過率を有する光学フィルタ、例えば、フィルタ番号５の光学フィルタを用いるようにする必要がある。
【００４８】
このように、本実施形態では、露光に使用する光学フィルタの透過率を計測することなく、記憶部１７に記憶されている、光学フィルタの透過率を示す情報を常に最新の状態に更新することができる。従って、光学フィルタの透過率の計測に起因するスループットの低下を低減することができる。また、光学フィルタの透過率の変動を起因する露光量制御の精度の低下を抑えることができる。
【００４９】
本実施形態では、光源装置２０から出力される光の強度としてパルスエネルギー値を採用しているが、電圧値を採用してもよい。この場合、指示部１１は、光源装置２０の制御部２４に対して、パルスごとに目標パルスエネルギー値を指示し、制御部１８は、計測部２３から基板を露光しているときの電圧値を取得することになる。
【００５０】
また、本実施形態では、光学フィルタ部１２によって減衰された光の減衰量を、目標電圧値ＴＶから予測される計測部２３で計測される強度の予測値と、露光処理において計測部２３で計測された強度の実測値との差として説明した。但し、光学フィルタ部１２によって減衰された光の減衰量を、目標電圧値ＴＶ及び光学フィルタの透過率から予測される計測部１３で計測される強度の予測値と、露光処理において計測部１３で計測された強度の実測値との差としてもよい。
【００５１】
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、デバイス（半導体素子、磁気記憶媒体、液晶表示素子など）などの物品を製造するのに好適である。かかる製造方法は、露光装置１０を用いて、感光剤が塗布された基板を露光する工程と、露光された基板を現像する工程を含む。また、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００５２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１０：露光装置    １１：指示部    １２：光学フィルタ部      １３：計測部    １７：記憶部    １８：制御部    ２０：光源装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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