(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂基材と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層と、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料からなる透明導電膜と、を順次に含む透明導電性積層体であって、
前記透明導電膜における、インジウムのドープ量（原子％）を［Ｉｎ］とし、ガリウムのドープ量（原子％）を［Ｇａ］とした場合に、［Ｉｎ］／［Ｇａ］で表わされる比率を０．１５〜１とすること、及び、
前記透明導電膜の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠して測定される算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする透明導電性積層体。
【請求項２】
前記ガリウムのドープ量（原子％）が前記インジウムのドープ量（原子％）よりも多い場合であって、亜鉛、ガリウム、インジウムの合計量を１００原子％としたときに、ガリウムのドープ量が１〜１５原子％であり、インジウムのドープ量が０．１〜５原子％である、請求項１に記載の透明導電性積層体。
【請求項３】
前記透明樹脂基材と、前記透明ガスバリア層と、の間に、算術平均粗さが０．５ｎｍ以下である表面粗さ調整層を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の透明導電性積層体。
【請求項４】
前記透明樹脂基材の表面における算術平均粗さが２ｎｍ以下の値であり、前記透明ガスバリア層の表面における算術平均粗さが１．２ｎｍ以下の値であって、かつ、前記透明導電膜の表面における算術平均粗さが０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の透明導電性積層体。
【請求項５】
前記透明樹脂基材の厚さが０．５〜５００μｍの範囲内の値であり、前記透明ガスバリア層の厚さが２０〜１０００ｎｍの範囲内の値であり、かつ、前記透明導電膜の厚さが１０ｎｍ〜５０μｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の透明導電性積層体。
【請求項６】
前記透明樹脂基材が、ポリエチレンナフタレート樹脂を主成分としたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の透明導電性積層体。
【請求項７】
透明樹脂基材と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層と、イオンプレーティング法により形成してなる、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料からなる透明導電膜と、を順次に含み、前記透明導電膜における、インジウムのドープ量（原子％）を［Ｉｎ］とし、ガリウムのドープ量（原子％）を［Ｇａ］とした場合に、［Ｉｎ］／［Ｇａ］で表わされる比率が０．１５〜１であり、透明導電膜の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１に準拠して測定される算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値としてなる透明導電性積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を順次に含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
（１）算術平均粗さが２ｎｍ以下である透明樹脂基材を準備する工程
（２）前記透明樹脂基材の上側に、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層を形成する工程
（３）イオンプレーティング法により、前記透明ガスバリア層の上側に、前記透明導電膜を成膜する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性積層体及び透明導電性積層体の製造方法に関する。特に、基材として、透明樹脂基材を用いた場合であっても、優れた湿熱特性を有する透明導電膜を備えた透明導電性積層体及びそのような透明導電性積層体の効率的な製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶デバイスや有機エレクトロルミネッセンスデバイスを備えた画像表示装置において、錫ドープ酸化インジウムからなる透明導電膜を備えた透明導電性フィルムが広く用いられている。
一方、希少金属であり高価なインジウムを多量に含む錫ドープ酸化インジウムを用いた透明導電膜の代替として、酸化亜鉛を用いた透明導電膜が提案されている（例えば、特許文献１〜２参照）。
【０００３】
より具体的には、特許文献１には、有機高分子フィルム基材上にＡｌ2Ｏ3薄膜が成膜されており、その上にＧａをドープしたＺｎＯであるＧＺＯ薄膜が成膜された透明導電性フィルムが提案されている。
また、特許文献２には、酸化亜鉛を主成分とし、濃度制御が容易なドーパントによって、抵抗率の低下を目的とした低抵抗率透明導電性積層体が提案されている。
すなわち、酸化亜鉛、酸化インジウム及び酸化ガリウムからなる透明導電性積層体であって、酸素を除いて、インジウムの元素濃度を０．５〜１．５原子％の範囲内の値、及びガリウムの元素濃度を０．５〜３．５原子％の範囲内の値とした低抵抗率透明導電性積層体が提案されている。
【０００４】
さらに、タッチパネルに適し、透明性や導電性に優れた、基材、下地膜及び透明導電膜を含んでなる透明導電性積層体であって、原子間力顕微鏡による平均面粗さ（Ｒａ）を所定範囲とした透明導電性積層体が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
より具体的には、ガラス基板等の基材に、平均面粗さ（Ｒａ）が０．７〜５ｎｍの範囲の酸化亜鉛や酸化第二スズ等からなる下地層を設け、さらに、平均面粗さ（Ｒａ）が１〜５ｎｍの範囲のインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）等からなる透明導電膜を形成してなる透明導電性積層体である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４９１７８９７号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献２】特開２００６−１４７３２５号公報（特許請求の範囲等）
【特許文献３】特開２００７−２８７４５０号公報（特許請求の範囲等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に開示された透明導電性フィルムは、アンダーコート層としてＡｌ2Ｏ3薄膜を必須としているとともに、ガリウムのみをドープした酸化亜鉛膜は、未だ湿熱特性が不十分であるという問題が見られた。
また、特許文献２に開示された低抵抗率透明導電性積層体であれば、初期抵抗率をそれなりに改善することができたものの、ガリウムの元素濃度が少なすぎるため、湿熱特性については、未だ改善されていないという問題が見られた。
その上、特許文献１〜２に開示された透明導電性フィルム等において、透明導電膜の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）を考慮して、湿熱特性を向上させ、ひいては、優れた導電性と、優れた湿熱特性と、のバランスをとるという意図は何ら見出せていなかった。
それに対して、特許文献３に開示された透明導電性積層体は、平均面粗さ（Ｒａ）が所定範囲の下地層及び透明導電膜を設けることを考慮しているものの、透明導電膜におけるＲａの下限値が１ｎｍであって、良好な湿熱特性が得られないという問題が見られた。
【０００７】
そこで、本発明者らは、このような問題を検討した結果、所定の透明樹脂基材上に形成してなる透明ガスバリア層の上に、所定方法で透明導電膜をさらに形成し、かつ、その表面における算術平均粗さ（Ｒａ）を所定範囲の値に規定することにより、優れた導電性と、優れた湿熱特性と、のバランスが取れることを見出し、本発明を完成させたものである。
すなわち、本発明は、透明導電性積層体を、所定の透明樹脂基材／透明ガスバリア層／透明導電膜の構成とし、かつ、透明導電膜の表面粗さ／厚さを制御するという簡易な制御方法でもって、比較的良好な初期比抵抗値を示すとともに、６０℃、９５％ＲＨや８５℃、８５％ＲＨの条件下に、それぞれ５００時間保管した場合であっても、比抵抗値の増加を効果的に抑制できる透明導電性積層体、及び、そのような透明導電性積層体の効率的な製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、透明樹脂基材と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層と、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料からなる透明導電膜と、を順次に含んでなる透明導電性積層体であって、透明導電膜の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１：２００１（以下、単に、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１と称する場合がある。）に準拠して測定される算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする透明導電性積層体が提供され、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、本発明の透明導電性積層体であれば、下地が透明樹脂基材であっても、その上側に、所定の透明ガスバリア層及び透明導電膜がそれぞれ形成してあることによって、優れたガスバリア性を発揮するとともに、優れた湿熱導電性についても発揮することができる。
より具体的には、透明樹脂基材上に、所定の透明ガスバリア層が形成してあり、かつ、その上側に、直接的又は間接的に、所定の透明導電膜が形成してあることによって、透明導電膜の表面における表面粗さを低減することができ、ひいては、湿熱環境下における水分子の物理吸着を低減することができる。
したがって、湿熱特性として、６０℃、９５％ＲＨや、８５℃、８５％ＲＨの条件下にそれぞれ５００時間保管した場合であっても、比抵抗の増加を効果的に抑制することができる。
【０００９】
また、本発明の透明導電性積層体を構成するにあたり、透明導電膜における、インジウムのドープ量（原子％）を[Ｉｎ]とし、ガリウムのドープ量（原子％）を[Ｇａ]とした場合に、[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率を０．０１以上の値とすることが好ましい。
このように、形成された透明導電膜中の[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率を制限することによって、透明導電膜において所定の平滑性が得られ、ひいては、良好な湿熱特性を得ることができる。
【００１０】
また、本発明の透明導電性積層体を構成するにあたり、透明樹脂基材と、透明ガスバリア層と、の間に、算術平均粗さが０．５ｎｍ以下である表面粗さ調整層を設けることが好ましい。
このように所定算術平均粗さを有する表面粗さ調整層を設けることによって、透明導電性積層体において、さらに優れたガスバリア性を発揮するとともに、透明導電膜の表面における表面粗さを低減することができ、ひいては、湿熱導電性についても向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の透明導電性積層体を構成するにあたり、透明樹脂基材の表面における算術平均粗さが２ｎｍ以下の値であり、透明ガスバリア層の表面における算術平均粗さが１．２ｎｍ以下の値であって、かつ、透明導電膜の表面における算術平均粗さが０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。
このように透明樹脂基材、透明ガスバリア層、及び透明導電膜の算術平均粗さを数値として制御することによって、結果として、透明導電膜の表面粗さの調整が容易になり、それにより、湿熱導電性についても向上させることができる。
【００１２】
また、本発明の透明導電性積層体を構成するにあたり、透明樹脂基材の厚さが０．５〜５００μｍの範囲内の値であり、透明ガスバリア層の厚さが２０〜１０００ｎｍの範囲内の値であり、かつ、透明導電膜の厚さが１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。
このように透明樹脂基材、透明ガスバリア層、及び透明導電膜の厚さを数値として制御することによって、結果として、透明導電膜の表面粗さの調整が容易になり、それにより、湿熱導電性についても向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の透明導電性積層体を構成するにあたり、透明樹脂基材が、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）を主成分としたものであることが好ましい。
このように透明樹脂基材を、ＰＥＮを主成分として構成することによって、透明樹脂基材の表面粗さの調整のみならず、透明ガスバリア層及び透明導電膜の表面粗さの調整も容易になって、ひいては、透明導電膜の湿熱導電性についても向上させることができる。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、透明樹脂基材と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層と、イオンプレーティング法により形成してなる、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料からなる透明導電膜と、を順次に含み、透明導電膜の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値としてなる透明導電性積層体の製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を順次に含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
（１）算術平均粗さが２ｎｍ以下である透明樹脂基材を準備する工程
（２）透明樹脂基材の上側に、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層を形成する工程
（３）イオンプレーティング法により、透明ガスバリア層の上側に、透明導電膜を成膜する工程
このような透明導電性積層体の製造方法であれば、下地が透明樹脂基材であっても、その上側に、所定の透明ガスバリア層及び透明導電膜をそれぞれ形成することによって、優れたガスバリア性や湿熱導電性を発揮する透明導電性積層体を効率的に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、本願発明の透明導電性積層体の態様を説明するために供する図である。
【図２】図２（ａ）は、Ｉｎ2Ｏ3を含まない酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を説明するために供する図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）の縦軸（１〜１０原子％）の部分拡大図である。
【図３】図３（ａ）は、Ｉｎ2Ｏ3を１重量％含む酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を説明するために供する図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）の縦軸（１〜１０原子％）の部分拡大図である。
【図４】図４（ａ）は、Ｉｎ2Ｏ3を２．５重量％含む酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を説明するために供する図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）の縦軸（１〜１０原子％）の部分拡大図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｂ）は、酸化亜鉛材料からなる焼結体におけるＩｎ2Ｏ3配合量と、ＸＰＳ測定によるＩｎ量及びＧａ量の関係を、それぞれ説明するために供する図である。
【図６】図６は、透明導電膜のＲａと、比抵抗の比率ρ1／ρ0と、の関係を説明するために供する図である。
【図７】図７は、透明導電膜のＲａと、比抵抗の比率ρ2／ρ0と、の関係を説明するために供する図である。
【図８】図８は、透明導電膜のＲｚと、比抵抗の比率ρ1／ρ0と、の関係を説明するために供する図である。
【図９】図９は、透明導電膜のＲｚと、比抵抗の比率ρ2／ρ0と、の関係を説明するために供する図である。
【図１０】図１０は、透明導電膜におけるＩｎ2Ｏ3配合量（重量％）と、Ｒａと、の関係を説明するために供する図である。
【図１１】図１１は、透明導電膜におけるＩｎ2Ｏ3配合量（重量％）と、Ｒｚと、の関係を説明するために供する図である。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｃ）は、透明導電性積層体の製造方法の一例を示す図である。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｂ）は、イオンプレーティング法及びスパッタリング法で形成してなる透明導電膜の、それぞれの深さ方向における各元素（ＧａやＩｎ等）の検出強度に関する特性曲線を説明するために供する図である。
【図１４】図１４は、透明導電膜（実施例１）のＳＰＭ(Scanning Probe Microscope)観察像である。
【図１５】図１５（ａ）〜（ｂ）は、透明導電膜（実施例２）のＸ線回折チャートである。
【図１６】図１６は、透明導電膜（実施例２）のＳＰＭ観察像である。
【図１７】図１７は、透明導電膜（実施例３）のＳＰＭ観察像である。
【図１８】図１８は、透明導電膜（実施例４）のＳＰＭ観察像である。
【図１９】図１９は、透明導電膜（比較例１）のＳＰＭ観察像である。
【図２０】図２０（ａ）〜（ｂ）は、透明導電膜（比較例１）のＸ線回折チャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［第１の実施形態］
第１の実施形態は、図１（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、透明樹脂基材１０と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層１２、１２ａと、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料を主成分としてなる透明導電膜１４と、を順次に含む透明導電性積層体５０、５０ａ、５０ｂであって、透明導電膜１４の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする透明導電性積層体５０、５０ａ、５０ｂである。
以下、第１の実施形態の透明導電性積層体について、適宜図面を参照して具体的に説明する。
【００１７】
１．透明樹脂基材
（１）基本的態様／透明性
図１（ａ）〜（ｃ）に例示される透明樹脂基材１０の基本的態様としては、透明性に優れるとともに、算術平均粗さが所定値以下のものであれば特に限定されないものの、典型的には、樹脂フィルムが挙げられる。
より具体的には、透明樹脂基材の透明性に関して、所定厚さ（１〜１０００μｍ）において、可視光透過率（例えば、波長５５０ｎｍ）が８０％以上であれば好ましく、８５％以上であればより好ましく、９０％以上であればさらに好ましいと言える。
但し、かかる可視光透過率の値が過度に大きくなると、樹脂フィルムの種類が過度に制限されたり、樹脂フィルムのコストが高くなったりする場合がある。
したがって、樹脂フィルムの可視光透過率の上限を１００％以下とすることが好ましく、９９．９％以下の値とすることがより好ましく、９９．８％以下の値とすることがさらに好ましい。
【００１８】
（２）構成材料
また、透明樹脂基材の構成材料としては、特に制限されるものではないが、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を主成分としたものが挙げられる。
例えば、好適な熱可塑性樹脂としては、ポリオレフィン樹脂（アクリル系樹脂やメタクリル樹脂等のアクリル樹脂、シクロオレフィン系ポリマー、シクロオレフィン系コポリマー等を含む。）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリナフタレンテレフタレート樹脂等を含む。）、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、芳香族系樹脂等の一種単独または二種以上の組み合わせが挙げられる。
また、好適な熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の少なくとも一つが挙げられる。
さらに、好適な光硬化性樹脂としては、光硬化性アクリル樹脂、光硬化性ウレタン樹脂、光硬化性エポキシ樹脂等の少なくとも一つが挙げられる。
そして、これらの構成材料のうち、製造容易性等の観点から熱可塑性樹脂がより好ましい。
【００１９】
特に、ポリナフタレンテレフタレート樹脂の一つであるポリエチレン−２，６−ナフタレート樹脂（単に、ＰＥＮと称する場合がある。）であれば、製造容易性を有し、かつ、比較的耐熱性にも優れている。
したがって、表面粗さ調整層、透明ガスバリア層、及び透明導電膜の形成時における、熱等の影響を緩和することができる。すなわち、透明樹脂基材としての表面粗さの調整が容易になって、ひいては、透明導電膜の湿熱導電性についても向上させることができる。
また、かかるＰＥＮであれば、同じ厚さのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）と比較した場合に、透湿度および酸素透過率がそれぞれ小さくなることから、かかるＰＥＮを用いて透明導電性積層体を構成した場合、ガスバリア性についても向上させることができる。
【００２０】
（３）算術平均粗さ（Ｒａ又はＲａ１）
また、透明樹脂基材のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さ（Ｒａ、但し、他と区別するために、Ｒａ１と称する場合がある。以下、同様である。）を２ｎｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、透明樹脂基材の算術平均粗さが２ｎｍを超えると、透明ガスバリア層及び透明導電膜の表面粗さの調整についてもそれぞれ困難になり、ひいては、透明導電膜の湿熱導電性についての向上が期待できないためである。
したがって、透明樹脂基材の算術平均粗さを１．５ｎｍ以下の値とすることが好ましく、１．３ｎｍ以下の値とすることがより好ましく、１．２ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
但し、下限の値をかなり小さくすると、透明樹脂基材の歩留まりが低下する場合がある。
したがって、透明樹脂基材の算術平均粗さを０．０１ｎｍ以上とすることが好ましく、０．０５ｎｍ以上とすることがより好ましく、０．１ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。
なお、透明樹脂基材のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される最大高さ粗さ（Ｒｚ、但し、他と区別するために、Ｒｚ１と称する場合がある。以下、同様である。）については、０．５〜５００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、１〜３００ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、２〜１００ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２１】
（４）厚さ（ｔ１）
また、図１（ａ）に例示されるように、透明樹脂基材１０の厚さ（ｔ１）としては、１〜１０００μｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、透明樹脂基材の厚さが所定範囲内の値であれば、算術平均粗さを調整しやすいばかりか、所定の機械的特性や耐熱性、あるいは、透明性が得られるためである。
したがって、透明樹脂基材の厚さを１０〜５００μｍの範囲内の値とすることがより好ましく、５０〜２００μｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２２】
（５）その他
その上、透明樹脂基材の片面あるいは両面において、上述した算術平均粗さが０．５ｎｍ以下の値である表面粗さ調整層とは異なる層であって、かつ、従来公知のハードコート層、光学調整層、プライマー層等の他の層を含むことができる。
逆に言えば、ハードコート層、光学調整層、プライマー層等の他の層の算術平均粗さが０．５ｎｍ以下の値であって、透明導電膜の算術平均粗さを調整する機能を発揮する場合には、上述した表面粗さ調整層に含めることができる。
【００２３】
２．透明ガスバリア層
（１）主成分／透明性
図１（ａ）〜（ｃ）に例示される透明ガスバリア層１２、１２ａの主成分としてのガスバリア材料は、所定のガスバリア性が得られるのであれば特に制限されるものではないが、例えば、ポリシラザン化合物、ポリカルボシラン化合物、ポリシラン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、テトラオルガノシラン化合物等のケイ素化合物；酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ジルコニウム等の無機酸化物；窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物；酸化窒化ケイ素等の無機酸化窒化物；アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、スズ等の金属等が挙げられる。
これらは１種単独であっても、あるいは２種以上を組み合わせても使用することができる。そして、２種以上組み合わせて使用する場合、複数のガスバリア材料が均一に分散されていても良く、あるいは、厚さ方向に沿って、複数のガスバリア材料の配合組成が、漸次変化していてもよい。
【００２４】
また、透明ガスバリア層を形成する方法についても、使用するガスバリア材料の種類等に応じて適宜選択すればよい。
例えば、比較的低分子材料であれば、ガスバリア材料を、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等により、基材フィルム上に形成する方法が好ましい。
また、ケイ素化合物等であれば、有機溶剤に溶解した溶液を、基材フィルムに塗布し、得られた塗膜に対してプラズマイオン注入する方法等も好適である。
ここで、プラズマイオン注入法にて注入されるイオンの種類としては、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガス、フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン；金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の金属のイオン等が挙げられる。
【００２５】
より具体的には、分子内に−Ｓｉ−Ｎ−結合（シラザン結合）を含む繰り返し単位を有するポリシラザン化合物に対して、プラズマイオン注入法により改質することにより得られる透明ガスバリア層であることが好ましい。
そして、かかるポリシラザン化合物として、パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を用いることが特に好ましい。
この理由は、パーヒドロポリシラザンであれば、透明性に優れるとともに、良好なガスバリア性や機械的特性を得ることができるためである。
したがって、基材上に、塗布法等でパーヒドロポリシラザン層を形成した後、それに対して、プラズマイオン注入法を施すと、変性ポリシラザン層としてのガスバリアフィルムが得られるが、そのようなガスバリアフィルムであれば、ガスバリア性に優れるばかりか、透明性や機械的特性にも優れているためである。
【００２６】
なお、透明ガスバリア層の透明性に関して、所定厚さ（２０〜１０００ｎｍ）において、可視光透過率（例えば、５５０ｎｍ）が８０％以上であれば好ましく、８５％以上であればより好ましく、９０％以上であればさらに好ましいと言える。
但し、可視光透過率の値が過度に大きくなると、透明ガスバリア層の構成材料等の種類が過度に制限されたり、歩留まりが低下して、製造コストが高くなったりする場合がある。
したがって、透明ガスバリア層の可視光透過率の上限を１００％以下とすることが好ましく、９９．９％以下の値とすることがより好ましく、９９．８％以下の値とすることがさらに好ましい。
【００２７】
（２）多層構造
また、図１（ａ）及び（ｃ）に例示されるように、透明ガスバリア層１２は、単層であっても良いが、図１（ｂ）に例示されるように、複数の薄膜からなる透明ガスバリア層１２ａが、上下方向に２〜８層並行配置してなる、多層構造であることが好ましい。
この理由は、単層の透明ガスバリア層よりも、多層構造の透明ガスバリア層とするほうが、透明導電性積層体において、さらに優れたガスバリア性を発揮するためである。
また、透明導電膜における表面粗さの低減によって、透明導電膜の表面側からの水分等による劣化を抑制することに加えて、劣化因子である水分等を基材側から効果的に遮断することができ、ひいては、湿熱導電性についても向上させることができるためである。
より具体的には、樹脂基材上に単層の透明ガスバリア層（約１５０ｎｍ）が形成してある場合、所定条件下（４０℃、９０％ＲＨ）の水蒸気透過率は１×１０-2ｇ／ｄａｙ程度である。
それが２層の透明ガスバリア層（合計して約３００ｎｍ）となると、水蒸気透過率が１×１０-3ｇ／ｄａｙ程度となって、著しく低下し、良好なガスバリア性を得ることができる。
また、それが４層の透明ガスバリア層（合計して約６００ｎｍ）となると、水蒸気透過率が５×１０-4ｇ／ｄａｙ以下とさらに低下し、さらに良好なガスバリア性を得ることができる。
また、透明ガスバリア層は、基本的に無機材料、例えば、パーヒドロポリシラザンから形成してあることから、密着性に優れており、多層構造にしたとしても、各層が剥離するおそれがない。
その上、透明ガスバリア層の厚さはｎｍオーダーであって相当薄いため、２〜８層程度の多層構造にしたとしても、全体として、過度に厚くなることもない。
【００２８】
（３）厚さ（ｔ２）
また、図１（ａ）に例示されるように、透明ガスバリア層１２の厚さ（ｔ２）を２０〜１０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、厚さがかかる範囲内の値であれば、優れたガスバリア性と、優れた湿熱特性とを、さらに安定的に両立させることができるためである。
すなわち、かかる厚さが２０ｎｍ未満の値となると、ガスバリア性が劣り、表面粗さが粗くなる場合があるためである。
一方、かかる厚さが１０００ｎｍを超えると、膜応力が大きくなり、クラック等により膜自体が損傷する場合があるためである。
したがって、透明ガスバリア層の厚さを３０ｎｍ以上の値とすることがより好ましく、５０ｎｍ以上の値とすることがさらに好ましい。
また、かかる透明ガスバリア層の厚さを８００ｎｍ以下の値とすることがより好ましく、６００ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
【００２９】
（４）算術平均粗さ（Ｒａ又はＲａ２）
また、透明ガスバリア層は、単層であっても多層であっても良いが、その最表面において、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さ（Ｒａ、但し、他と区別するために、Ｒａ２と称する場合がある。以下、同様である。）を１．２ｎｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる算術平均粗さを所定値以下とすることにより、その上に、直接的又は間接的に形成する透明導電膜についての算術平均粗さの調整が容易になり、ひいては、優れた湿熱特性を得ることができるためである。
すなわち、透明ガスバリア層の算術平均粗さを所定以下の値とすることにより、透明導電膜についての算術平均粗さも所望範囲の値となる。よって、透明導電膜の表面の平滑性が向上し、湿熱環境下において水分子が透明導電膜中へ物理吸着することを効果的に防ぐものと推察される。
したがって、かかる透明ガスバリア層の算術平均粗さを１ｎｍ以下の値とすることがより好ましく、０．７ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましく、０．５ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
一方、かかる算術平均粗さを過度に小さくしようとすると、透明導電膜を成膜する工程が複雑になり、生産コストを著しく増加させてしまう場合がある。
したがって、かかる透明ガスバリア層の算術平均粗さを０．０１ｎｍ以上の値とすることが好ましく、０．０２ｎｍ以上の値とすることがより好ましく、０．０５ｎｍ以上の値とすることがさらに好ましい。
なお、透明ガスバリア層のＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される最大高さ粗さ（Ｒｚ、但し、他と区別するために、Ｒｚ２と称する場合がある。以下、同様である。）については、０．１〜２０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、０．５〜１５ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１〜１０ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３０】
３．透明導電膜
（１）主成分／透明性
図１（ａ）〜（ｃ）に例示される透明導電膜１４は、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料を主成分とすることを特徴とする。
この理由は、酸化亜鉛材料を主成分とすることにより、透明導電膜を成膜した場合に、優れた導電性や透明性を、低コストにて得ることができるためである。
より具体的には、透明導電膜の透明性に関して、厚さが２０〜６００ｎｍの場合に、波長５５０ｎｍの光線透過率が７０％以上の値であることが好ましく、８０％以上の値であることがより好ましく、９０％以上の値であることがさらに好ましい。
但し、可視光透過率の値が過度に大きくなると、透明導電膜の構成材料等の種類が過度に制限されたり、歩留まりが低下して、製造コストが高くなったりする場合がある。
したがって、透明導電膜の可視光透過率の上限を１００％以下とすることが好ましく、９９．９％以下の値とすることがより好ましく、９９．８％以下の値とすることがさらに好ましい。
【００３１】
（２）ドーパント
本発明の透明導電膜は、その主成分としての酸化亜鉛に対して、少なくともインジウム及びガリウムを含む２種以上のドーパントをドープすることが好ましい。
この理由は、酸化亜鉛を主成分とした透明導電膜では、初期的な導電性が良好になるものの、湿熱特性としては、不十分な場合が多いためである。したがって、少なくともインジウム及びガリウムを選択することにより、良好な初期的導電性を維持しつつ、良好な湿熱特性を発揮することができる。
なお、インジウム及びガリウム以外のドーパントの種類については、特に限定されるものではないが、例えば、ホウ素、マグネシウム、アルミニウム、チタン、バナジウム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、テクネチウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、スズ、アンチモン、ランタノイド、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウム、イリジウム、白金、金、ビスマス、アクチノイド、タリウム等から選択することができる。
【００３２】
そして、酸化亜鉛に対して、ガリウムやインジウムをドープする場合、その配合比率に関しては、所望の導電性等が得られれば、特に制限されるものではないが、透明導電膜中のインジウムのドープ量（原子％）を[Ｉｎ]とし、ガリウムのドープ量（原子％）を[Ｇａ]とした場合に、[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率を０．０１以上の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率を制限することにより、透明導電膜において所定の平滑性が得られ、ひいては、良好な湿熱特性を得ることができるためである。
但し、かかる[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率が過度に大きくなる、すなわち、インジウムのドープ量が過度に大きくなることを意味しているが、結果として、透明導電膜の初期の比抵抗値が大きくなる場合がある。
したがって、透明導電膜中の[Ｉｎ]／[Ｇａ]で表わされる比率を０．０２〜５の範囲内の値とすることがより好ましく、０．０５〜２の範囲内の値とすることがさらに好ましく、０．１５〜１の範囲内の値とすることが最も好ましい。
【００３３】
その他、ガリウムのドープ量（原子％）を、インジウムのドープ量（原子％）よりも多くなるように配合する場合、酸素を除いて、全体量（亜鉛＋ガリウム＋インジウム）を１００原子％としたときに、ガリウムのドープ量を１〜１５原子％の範囲内の値とすることが好ましく、２〜１０原子％の範囲内の値とすることがより好ましく、３〜７原子％の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、酸素を除いて、全体量を１００原子％としたときに、インジウムのドープ量を０．１〜５原子％の範囲内の値とすることが好ましく、０．５〜４原子％の範囲内の値とすることがより好ましく、１〜３原子％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
すなわち、かかる所定量のガリウム及びインジウムをドープし、かつ、ガリウムのドープ量を、インジウムのそれよりも多くすることにより、初期的導電性や透明性、あるいは耐熱性等と、湿熱特性との間のバランスをさらに良好なものとすることができるためである。
【００３４】
（３）元素比
また、透明導電膜の好適な配合組成に関して、ＸＰＳの元素分析測定を用いて、制御することができる。
すなわち、ドーパントがインジウム及びガリウムである場合には、亜鉛量［Ｚｎ］、ガリウム量［Ｇａ］、インジウム量［Ｉｎ］の合計量に対するガリウム量［Ｇａ］の割合（［Ｇａ］×１００／（［Ｚｎ］＋［Ｇａ］＋［Ｉｎ］）を０．１〜２０％の範囲内の値とするとともに、インジウム量［Ｉｎ］の割合（［Ｉｎ］×１００／（［Ｚｎ］＋［Ｇａ］＋［Ｉｎ］）を０．１〜２０％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる［Ｉｎ］や［Ｇａ］の割合がそれぞれ０．１％未満の値となると、透明導電膜の算術平均粗さＲａが十分に低減せず、十分な湿熱特性を得ることが困難になる場合があるためである。
一方、かかる［Ｉｎ］や［Ｇａ］の割合がそれぞれ２０％を超えた値となると、比抵抗が過度に大きな値となり、十分な導電性を得ることが困難になる場合があるためである。
したがって、かかる［Ｉｎ］や［Ｇａ］の割合をそれぞれ０．１％以上の値とすることがより好ましく、０．５％以上の値とすることがさらに好ましい。
また、かかる［Ｉｎ］や［Ｇａ］の割合をそれぞれ１０％以下の値とすることがより好ましく、７％以下の値とすることがさらに好ましい。
【００３５】
なお、図２（ａ）〜（ｂ）に、Ｉｎ2Ｏ3を含まない酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を示す。
また、図３（ａ）〜（ｂ）に、Ｉｎ2Ｏ3を１重量％含む酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を示す。
また、図４（ａ）〜（ｂ）に、Ｉｎ2Ｏ3を２．５重量％含む酸化亜鉛材料からなる焼結体に由来した透明導電膜における、ＸＰＳ測定によるエッチング時間に伴う元素量の変化を示す。
すなわち、図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、Ｉｎ2Ｏ3を所定量、例えば、０．１重量％〜１０重量％の範囲、より好ましくは、０．５重量％〜４重量％の範囲で含む酸化亜鉛材料からなる焼結体を用いることにより、透明導電膜における表面付近のＩｎ量やＧａ量等を、それぞれ精度良く制御することができる。
【００３６】
（４）厚さ（ｔ３）
また、図１（ａ）に例示されるように、透明導電膜１４の厚さ（ｔ３）を２０〜３００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、透明導電膜の厚さ（ｔ３）をかかる範囲内の値とすることにより、優れた導電性と、優れた湿熱特性とを、さらに安定的に両立させることができるためである。
すなわち、かかる厚さが２０ｎｍ未満の値となると、導電性が劣り、表面粗さが粗くなる場合があるためである。一方、かかる厚さが３００ｎｍを超えた値となると、膜応力が大きくなり、クラック等により膜自体が損傷する場合があるためである。
したがって、かかる厚さを３０ｎｍ以上の値とすることがより好ましく、５０ｎｍ以上の値とすることがさらに好ましい。
また、かかる厚さを２５０ｎｍ以下の値とすることがより好ましく、２００ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
【００３７】
（５）算術平均粗さ（Ｒａ又はＲａ３）
また、図１（ａ）に例示されるように、透明導電膜１４につき、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さ（Ｒａ、但し、他と区別するために、Ｒａ３と称する場合がある。以下、同様である。）を０．１ｎｍ〜０．８ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする。
この理由は、かかる算術平均粗さを所定範囲内の値とすることにより、水分子の物理吸着を効果的に防ぎ、優れた湿熱特性が得られるためである。
すなわち、かかる算術平均粗さを所定以下の値とすることにより、表面の平滑性が良好となり、湿熱環境下において水分子が透明導電膜中へ物理吸着することを効果的に防ぎ、透明導電膜の劣化を抑制できると推察される。
したがって、図６に示すように、６０℃、９５％ＲＨの条件下で５００時間保管した場合であっても、あるいは、図７に示すように、８５℃、８５％ＲＨの条件下で５００時間保管した場合であっても、それぞれ初期の比抵抗に対する比抵抗の増加を効果的に抑制することができる。
すなわち、透明導電膜の初期の比抵抗ρ0に対して、ρ1（Ω・ｃｍ）は、６０℃、９５％ＲＨの条件下、５００時間経過した後における透明導電膜の比抵抗であり、ρ2（Ω・ｃｍ）は、８５℃、８５％ＲＨの条件下、５００時間経過した後における透明導電膜の比抵抗であり、これらの比抵抗の比率（ρ1／ρ0あるいはρ2／ρ0）を湿熱特性の指標とすることができる。
【００３８】
ここで、湿熱環境下における水の存在形態は、１分子から数分子が水素結合したクラスター状態に至るまで、様々であると類推される。したがって、水１分子におけるファンデルワールス径は約０．２８ｎｍであることから、算術平均粗さが可能な限り０．２８ｎｍに近づくように平滑性を向上させることが望ましいと言える。
よって、かかる透明導電膜の算術平均粗さを０．７ｎｍ以下の値とすることがより好ましく、０．６ｎｍ以下の値とすることがさらに好ましい。
一方、かかる透明導電膜の算術平均粗さを過度に小さくしようとすると、透明導電膜を成膜する工程が複雑になり、生産コストを著しく増加させてしまう場合がある。
したがって、かかる透明導電膜の算術平均粗さを０．１ｎｍ以上の値とすることが好ましく、０．３ｎｍ以上の値とすることがより好ましい。
【００３９】
なお、本発明における透明導電膜の算術平均粗さ（Ｒａ）は、透明導電膜の露出した表面を対象とし、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ:Scanning Probe Microscope）を用いて、走査範囲を１μｍ2とし、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される値を意味する。
そして、透明導電膜の算術平均粗さ（Ｒａ）は、図１０に示すように、酸化亜鉛材料に対するＩｎ2Ｏ3の配合量を所定範囲（例えば、０を超えて、５重量％以下の範囲内の値とする。）で変えたり、透明導電膜の厚さを所定範囲（例えば、５０〜３００ｎｍの範囲内の値とする。）で変えたりすることによって、適宜調整することができる。
【００４０】
（６）最大高さ粗さ（Ｒｚ又はＲｚ３）
また、図１（ａ）〜（ｃ）に例示される透明導電膜１４につき、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される最大高さ粗さ（Ｒｚ、但し、他と区別するために、Ｒｚ３と称する場合がある。以下、同様である。）を９．２ｎｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる最大高さ粗さを所定以下の値とすることにより、水分子の物理吸着を効果的に防ぐと推察されることから、６０℃、９５％ＲＨ、あるいは、８５℃、８５％ＲＨの条件下、それぞれ５００時間保管した場合であっても、比抵抗の増加を効果的に抑制できるような、優れた湿熱特性を得ることができるためである。
【００４１】
すなわち、かかる最大高さ粗さが９ｎｍを超えた値となると、水分子の物理吸着を効果的に防ぐことができず、湿熱特性が過度に低下する場合があるとためである。
より具体的には、図８より、透明導電膜の最大高さ粗さが９ｎｍ以下の場合、比抵抗の比率ρ1／ρ0は、全て２未満の低い値を維持しているが、かかる最大高さ粗さが９ｎｍを超えた値になると、比抵抗の比率ρ1／ρ0は急激に上昇することが分かる。
【００４２】
同様に、図９より、透明導電膜の最大高さ粗さが９ｎｍ以下の場合、比抵抗の比率ρ2／ρ0は、全て２．５未満の低い値を維持しているが、かかる最大高さ粗さが９ｎｍを超えた値になると、比抵抗の比率ρ2／ρ0は急激に上昇することが分かる。
すなわち、かかる透明導電膜の最大高さ粗さを８ｎｍ以下とすることがより好ましく、７ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
一方、かかる最大高さ粗さが過度に小さくしようとすると、透明導電膜を成膜する工程が複雑になり、生産コストを著しく増加させてしまう場合がある。
したがって、かかる最大高さ粗さを１ｎｍ以上の値とすることが好ましく、２ｎｍ以上の値とすることがより好ましく、３ｎｍ以上の値とすることがさらに好ましい。
【００４３】
なお、本発明における最大高さ粗さは、透明導電膜の露出した表面を対象とし、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて、走査範囲を１μｍ2とし、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される値を意味する。
そして、透明導電膜の最大高さ粗さ（Ｒｚ）は、図１１に示すように、焼結体におけるＩｎ2Ｏ3配合量を所定範囲（例えば、０を超えて、５重量％以下）で変えたり、透明導電膜の厚さを所定範囲（例えば、５０〜３００ｎｍ）で変えたりすることによって、適宜調整することができる。
【００４４】
（７）比抵抗
また、透明導電膜の初期の比抵抗ρ0を５×１０-4Ω・ｃｍを超えて、１×１０-1Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる比抵抗ρ0を所定の範囲内の値とすることにより、上述したように、優れた導電性と、優れた湿熱特性とを、さらに安定的に両立させることができるためである。
すなわち、かかる比抵抗ρ0が５×１０-4Ω・ｃｍ以下の値となると、成膜条件が複雑になる場合があるためである。
一方、かかる比抵抗ρ0が１×１０-1Ω・ｃｍを超えた値となると、十分な導電性を得ることが困難になる場合があるためである。
したがって、かかる比抵抗ρ0を５．５×１０-4Ω・ｃｍ以上の値とすることがより好ましく、６×１０-4Ω・ｃｍ以上の値とすることがさらに好ましい。
また、かかる比抵抗ρ0を１×１０-2Ω・ｃｍ以下の値とすることがより好ましく、５×１０-3Ω・ｃｍ以下の値とすることが好ましい。
【００４５】
（８）膜密度
また、透明導電膜の膜密度を５．４ｇ／ｃｍ3以上、６．０ｇ／ｃｍ3以下の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる膜密度の値を所定の範囲内の値とすることにより、優れた導電性と、優れた湿熱特性と、優れた表面特性を、さらに安定的に満たすことができるためである。すなわち、かかる膜密度が５．４ｇ／ｃｍ3より小さい値となると、所定量のガリウムとインジウムを含んだ場合においても、所望の表面特性を得ることができず、所望の湿熱特性を得ることが困難になる場合があるためである。
一方、かかる膜密度が６．０ｇ／ｃｍ3を超えた値となると、例えば、Ｇａ2Ｏ3添加量固定して、Ｉｎ2Ｏ3添加量を増加させた場合に、Ｉｎ2Ｏ3添加量が増加するに従って、膜密度は増加する傾向を示すため、初期の比抵抗が増加し、十分な導電性を得ることが困難になる場合が予測されるためである。
したがって、かかる膜密度の下限に関し、５．５ｇ／ｃｍ3以上とすることがより好ましく、５．６ｇ／ｃｍ3以上とすることがさらに好ましく、５．７ｇ／ｃｍ3以上とすることが最も好ましい。
また、かかる膜密度の上限に関し、５．９５ｇ／ｃｍ3より小さくすることがより好ましく、５．９ｇ／ｃｍ3より小さくすることがさらに好ましいと言える。
なお、膜密度の測定方法について、本願の実施例等では、簡便なＸ線反射率法（ＸＲＲ法）を選択したが、これに限定されるものではない。
【００４６】
４．表面粗さ調整層
また、図１（ｃ）に例示されるように、透明樹脂基材１０と、透明導電膜１４と、の間に形成される表面粗さ調整層１６は、任意に設けることができる。
より具体的には、透明導電膜１４における表面平滑性の向上に寄与する層であって、所定厚さにおいて、可視光透過率（例えば、波長５５０ｎｍ）が少なくとも８５％以上の値を有していれば、その構成については、特に制限されるものではない。
但し、表面平滑性の向上に寄与しやすくなるため、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して、ＳＰＭを用いて測定される、表面粗さ調整層１６の算術平均粗さ（Ｒａ）を０．５ｎｍ以下の値とすることが好ましく、０．１〜０．４５ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、０．２〜０．４ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
また、表面粗さ調整層１６の厚さを３０〜５０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましく、５０〜４０００ｎｍの範囲内の値とすることがより好ましく、１００〜３０００ｎｍの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
したがって、ハードコート層やプライマー層であっても、これらの算術平均粗さ（Ｒａ）が０．５ｎｍ以下の値であって、かつ、可視光透過率が少なくとも８５％以上であれば、表面粗さ調整層そのもの、又はその一部とすることができる。
【００４７】
その他、表面粗さ調整層１６は、単層であってもよく、あるいは、同一又は異種構成材料からなる複数層であってもよい。
すなわち、表面粗さ調整層の構成材料としては、ケイ素含有化合物（シリコーン化合物）、アクリル化合物、エステル化合物、ウレタン化合物、エポキシ化合物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。
その上、溶剤の使用量を少なくした場合であっても、均一な厚さに形成できることから、表面粗さ調整層の構成材料として、紫外線硬化樹脂を構成すべく、ラジカル発生剤を含んでなるケイ素含有化合物（シリコーン化合物）等であることがより好ましい。
【００４８】
５．透明導電性積層体
（１）基本的構成
図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、所定の透明導電膜１４及び透明ガスバリア層１２が、透明樹脂基材１０の片面又は両面に成膜されて、透明導電性積層体５０を構成することができる。
そして、かかる透明導電性積層体の透明性としては、厚さが１μｍ〜１ｍｍの場合において、可視光透過率（例えば、波長５５０ｎｍ）が５０％以上であることが好ましく、６０％以上の値であることがより好ましく、７０％以上の値であることがさらに好ましい。
但し、かかる可視光透過率の値が過度に大きくなると、透明樹脂層、透明ガスバリア層、及び透明導電膜等の構成材料の種類が過度に制限されたり、歩留まりが低下して、製造コストが高くなったりする場合がある。
したがって、かかる透明導電性積層体の可視光透過率の上限を９９％以下とすることが好ましく、９８％以下の値とすることがより好ましく、９７％以下の値とすることがさらに好ましい。
【００４９】
（２）関係式
また、透明導電性積層体を構成するにあたり、透明樹脂基材の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さをＲａ１とし、透明ガスバリア層の表面における、同算術平均粗さをＲａ２とし、透明導電膜の表面における同算術平均粗さをＲａ３としたときに、以下の関係式（１）および関係式（２）を満足することが好ましい。
Ｒａ２＜Ｒａ１  （１）
Ｒａ３＜Ｒａ１  （２）
この理由は、各透明樹脂基材、透明ガスバリア層、及び透明導電膜が、算術平均粗さに関して、所定の関係式を満足することによって、結果として、透明導電膜の表面粗さの調整が容易になり、それによって、湿熱導電性についても向上させることができるためである。
【００５０】
［第２の実施形態］
第２の実施形態は、図１２（ａ）〜（ｃ）に例示されるように、第１の実施形態の透明導電性積層体５０、５０ａ、５０ｂの製造方法であって、透明樹脂基材１０と、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層１２と、イオンプレーティング法により形成してなる、少なくともインジウム及びガリウムをドーパントとして含む酸化亜鉛材料からなる透明導電膜１４と、を順次に含み、透明導電膜１４の表面におけるＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定される算術平均粗さを０．１ｎｍ以上、０．８ｎｍ以下の範囲内の値としてなる透明導電性積層体５０、５０ａ、５０ｂの製造方法であって、下記工程（１）〜（３）を順次に含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
（１）算術平均粗さが２ｎｍ以下である透明樹脂基材１０を準備する工程
（２）透明樹脂基材１０の上側に、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層１２ａを形成する工程
（３）イオンプレーティング法により、透明ガスバリア層１２ａの上側に、透明導電膜１４を成膜する工程
以下、第２の実施形態の透明導電膜の製造方法について、具体的に説明する。
【００５１】
１．工程（１）
工程（１）は、図１２（ａ）に例示されるように、算術平均粗さ（Ｒａ１）が２ｎｍ以下である透明樹脂基材１０を準備する工程である。
すなわち、一部上述したように、かかる透明樹脂基材の算術平均粗さ（Ｒａ１）が２ｎｍを超えた値になると、透明ガスバリア層の算術平均粗さ（Ｒａ２）や透明導電膜の算術平均粗さ（Ｒａ３）の調整が困難となるばかりか、ひいては、透明導電性積層体の湿熱特性が低下する場合があるためである。
【００５２】
ここで、透明樹脂基材としては、可視光透過率が所定範囲内の値であるとともに、算術平均粗さが所定値以下のものであれば特に限定されないが、典型的には、第１の実施形態において詳述したのと同様の樹脂フィルムが挙げられる。
なお、透明樹脂基材の片面あるいは両面において、第１の実施形態において詳述した表面粗さ調整層、あるいは、それ以外のハードコート層、光学調整層、プライマー層等を含んでもよい。
【００５３】
２．工程（２）
また、工程（２）は、図１２（ｂ）に例示されるように、透明樹脂基材１０の上側に、無機材料を主成分としてなる透明ガスバリア層１２を形成する工程である。
すなわち、透明樹脂基材１０の上側に、無機材料を塗布し、次いで、プラズマイオン注入法によって、無機材料を変性させて、算術平均粗さ（Ｒａ）が所定範囲の値である透明ガスバリア層１２を形成する工程である。
すなわち、算術平均粗さを１．２ｎｍ以下の値とした透明ガスバリア層１２を形成することが好ましい。
【００５４】
３．工程（３）
また、工程（３）は、図１２（ｃ）に例示されるように、イオンプレーティング法（ＲＰＤ法と称する場合がある。）により、透明ガスバリア層１２の上側に、透明導電膜１４を成膜して、透明導電性積層体５０とする工程である。
すなわち、算術平均粗さを０．１〜０．８ｎｍの範囲内の値とした透明ガスバリア層１２を、所定方法で形成することが好ましい。
この理由は、透明樹脂基材の上に透明導電膜を成膜する方法を、イオンプレーティング法に制限するのは、成膜される透明導電膜の組成を容易に制御することができ、かつ、効率よく超薄膜の透明導電膜が成膜できるためである。
また、透明導電膜における算術平均粗さを所定範囲内の値とするのは、良好な湿熱特性を得るためである。
以下、イオンプレーティング法を用いた透明導電膜１４の成膜法を詳述する。
【００５５】
すなわち、イオンプレーティング法の条件としては、特に限定されないが、背圧としては、１×１０-2Ｐａ以下の値とすることが好ましく、１×１０-3Ｐａ以下の値とすることがより好ましい。
さらに、系内に導入するガス種としては、アルゴン（Ａｒ）もしくはアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いることが生産コスト上好ましいが、Ａｒ以外の希ガスや窒素（Ｎ2）等を用いてもよい。
また、アルゴンと酸素の混合ガスを用いる場合、混合比（Ｏ2／（Ａｒ＋Ｏ2））を０．０１〜２０の範囲内の値とすることが好ましく、０．１〜１０の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
この理由は、アルゴンと酸素の混合比がかかる上述した範囲内の値であれば、成膜される透明導電膜の組成を容易に制御することができることから、比抵抗が低く、かつ、湿熱特性に優れ、さらに、透明導電性積層体に最適な屈折率を有する透明導電膜を成膜することができるためである。
【００５６】
また、イオンプレーティング法における成膜圧力は、所定の導電性、並びに、算術平均粗さが得られれば、特に限定されないが、０．１〜１Ｐａの範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、成膜圧力をかかる範囲内の値とすることにより、所定の算術平均粗さＲａを有する所定の透明導電膜を、より効率的かつ安定的に製造することができるためである。
すなわち、成膜圧力が０．１Ｐａ未満の値となると、系内に導入したガス種の電離が継続的に行なわれず、系内のプラズマ状態が維持できなくなる場合があるためである。
一方、成膜圧力が１Ｐａを超えた値となると、系内における、成膜に寄与する粒子の平均自由行程が小さくなり、基材近傍においても、粒子同士の衝突頻度が高くなるため、結果として、粒子が基材に飛来する角度が、基材に対して鋭角となり、所定の算術平均粗さを超え、膜密度が小さい透明導電膜となる場合があるためである。
したがって、成膜圧力を０．１２Ｐａ以上の値とすることがより好ましく、０．１５Ｐａ以上の値とすることがさらに好ましい。
また、成膜圧力を０．９５Ｐａ以下の値とすることがより好ましく、０．９Ｐａ以下の値とすることがさらに好ましい。
【００５７】
また、イオンプレーティング法における成膜する際の温度を１０〜３００℃の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、かかる成膜温度を所定範囲内の値とすることにより、所定の算術平均粗さＲａを有する所定の透明導電膜を、より効率的かつ安定的に製造することができるためである。
すなわち、成膜温度が１０℃未満の値となると、飛来した成膜粒子の拡散が不十分になると推察され、安定的に所望の表面粗さが得られない場合があるためである。一方、成膜温度が３００℃を超えた値となると、透明樹脂基材等が軟化し、所望の表面粗さが得られない場合があるためである。
したがって、成膜温度を１２℃以上の値とすることがより好ましく、１５℃以上の値とすることがさらに好ましい。
一方、成膜温度を２５０℃以下の値とすることがより好ましく、２００℃以下の値とすることがさらに好ましい。
但し、基材の変形等が発生しない程度であれば、工程（２）の前に、基材中に含まれるアウトガスを除去し、より効率的かつ安定的に透明導電膜を成膜するためのプレアニール処理を実施してもよい。
また、基材の変形や透明導電膜の割れ等が発生しない程度であれば、工程（２）の後に、さらに精密に表面粗さを制御するためのアニール処理やプラズマ処理、あるいは、機械的研磨処理を実施してもよい。
【００５８】
さらに、イオンプレーティング法を実施するに際して、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含む焼結体（ターゲット）を用いることが特に好ましい。
すなわち、かかる焼結体において、当該焼結体の全体量に対して、酸化亜鉛の配合量を７０〜９９．９８重量％の範囲内の値とし、酸化ガリウムの配合量を０．０１〜１５重量％の範囲内の値とし、かつ、酸化インジウムの配合量を０．０１〜１５重量％の範囲内の値とすることが好ましい。
この理由は、配合量が制御された酸化亜鉛−酸化ガリウム−酸化インジウムの三元系焼結体を用いることにより、湿熱特性に優れた透明導電膜を効率的に成膜することができ、ひいては、生産効率を向上させることができるためである。
より具体的には、焼結体の全体量に対して、酸化インジウムの配合量が０．０１重量％未満の値となると、成膜後の透明導電膜に含まれるインジウムの量が過度に少なくなるためである。したがって、得られる透明導電膜の算術平均粗さＲａが低減せず、水分子の物理吸着を有効に抑制することが困難になると推察され、十分な湿熱特性を得ることができなくなる場合があるためである。
一方、酸化インジウムの量が１５重量％を超えた値となると、成膜後の透明導電膜に含まれるインジウムの量が増加することにより、比抵抗が過度に大きな値となる場合があるためである。
したがって、焼結体の全体量に対して、酸化亜鉛の配合量を７８〜９９．４重量％の範囲内の値とし、酸化ガリウムの配合量を０．５〜１２重量％の範囲内の値とし、かつ、酸化インジウムの配合量を０．１〜１０重量％の範囲内の値とすることがより好ましい。
また、焼結体の全体量に対して、酸化亜鉛の配合量を８２〜９８．７重量％の範囲内の値とし、酸化ガリウムの配合量を１〜１０重量％の範囲内の値とし、かつ、酸化インジウムの配合量を０．３〜８重量％の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００５９】
なお、図１３（ａ）〜（ｂ）に、かかるイオンプレーティング法及びスパッタリング法で形成してなる透明導電膜のＳＩＭＳチャートをそれぞれ示す。
それぞれの方法で成膜してなる透明導電膜の深さ方向における各元素の検出強度（ｃｐｓ）を表している。
そして、例えば、図１３（ａ）に示すＳＩＭＳチャートは、イオンプレーティング法で成膜された透明導電膜に対応するが、ラインＡで示されるＧａ、および、ラインＢで示されるＩｎの検出強度は表層側で減少が認められ、ラインＤで示されるＯの検出強度は逆に表層側で増加が認められることから、少なくとも表層にドーパントの偏析は見られない。
一方、図１３（ｂ）に示すＳＩＭＳチャートは、スパッタリング法で成膜された透明導電膜に対応するが、特に、ラインＢで示されるＩｎの検出強度とラインＤで示されるＯの検出強度に差異が見られ、ドーパントであるＩｎの表層側での偏析が認められる。
よって、かかるＳＩＭＳチャートの特性曲線の相違から、透明導電膜が、イオンプレーティング法あるいはスパッタリング法で成膜されたか否かの判断情報になると言える。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例によってさらに詳細に説明する。但し、本発明はこれらの記載に制限されるものではない。
【００６１】
［実施例１］
１．透明導電性積層体の製造
（１）透明樹脂基材の準備工程
透明樹脂基材として、厚さ７５μｍのポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルム（帝人デュポン社製、ＰＥＮＱ６５ＨＷＡ）を準備した。
ここで、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して、ポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルムのＲａ、Ｒｚを測定したところ、それぞれ、１．１ｎｍ、及び２３．４ｎｍであった。
【００６２】
次いで、当該基材上に、厚さ２５００ｎｍのシリコーン硬化材料からなる表面粗さ調整層を設けた。
すなわち、トリメトキシメチルシラン（ＡＺＭＡＸ社製）５．７８ｇ（４２．５ｍｍｏｌ）、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン（信越化学社製、ＫＢＭ−５０３）１．７７ｇ（７．５ｍｍｏｌ）を酢酸エチル５０ｍｌに溶解させ、蒸留水２５ｍｌを加えて撹拌した。
次いで、触媒としてリン酸数滴を加え、そのまま室温で１８時間撹拌した。
この得られた溶液に、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加えて中和した後、水層を除去するとともに、得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。
次いで、硫酸マグネシウムをろ別した後、ろ液を減圧濃縮し、ｎ−ヘキサンを用いて再沈殿法により精製した。
次いで、精製物を、酢酸エチルに溶解させた後、光重合性開始剤として、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−ホスフィンオキシド（ＢＡＳＦ社製、Ｌｕｃｉｒｉｎ（登録商標）ＴＰＯ）を固形分に対し１重量％、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトンを固形分に対し２重量％添加して、表面粗さ調整層溶液とした。
次いで、得られた表面粗さ調整層用溶液を、ポリエチレン−２，６−ナフタレートフィルム上に、塗布した。
次いで、１２０℃、１分間の加熱乾燥を行った後、ＵＶ光照射ラインを用いてＵＶ光照射を行ない（高圧水銀灯、ライン速度、２０ｍ／ｍｉｎ、積算光量１００ｍＪ、ピーク強度１．４６６Ｗ、パス回数２回）、表面粗さ調整層を形成した。
ここで、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して、表面粗さ調整層のＲａ、Ｒｚを測定したところ、それぞれ、０．３３ｎｍ、及び３．３ｎｍであった。
【００６３】
（２）焼結体の準備工程
次いで、イオンプレーティング用の焼結体（タイプ１）として、を酸化亜鉛−酸化ガリウム−酸化インジウムの三元系焼結体（ＺｎＯ：９６重量％、ドーパントとしてのＧａ2Ｏ3：３重量％、及びドーパントとしてのＩｎ2Ｏ3：１重量％）を準備した。
【００６４】
（３）透明ガスバリア層の形成工程
次いで、表面粗さ調整層上に、ペルヒドロポリシラザン溶液（アクアミカＮＬ１１０Ａ−２０）を塗布し、１２０℃、１分間の加熱乾燥を行い、ケイ素系高分子層（厚み１５０ｎｍ）を形成した。
次に、プラズマイオン注入装置を用いて、このケイ素系高分子層の表面に、Ａｒをプラズマイオン注入して、透明ガスバリア層を形成した。
なお、透明ガスバリア層を形成するために用いたプラズマイオン注入装置及びプラズマイオン注入条件は、以下の通りである。
ＲＦ電源：日本電子社製、型番号「ＲＦ」５６０００
高電圧パルス電源：栗田製作所社製、「ＰＶ−３−ＨＳＨＶ−０８３５」
プラズマ生成ガス：Ａｒ
ガス流量：１００ｓｃｃｍ
Ｄｕｔｙ比：０．５％
繰り返し周波数：１０００Ｈｚ
印加電圧：−６ｋＶ
ＲＦ電源：周波数  １３．５６ＭＨｚ、印加電力  １０００Ｗ
チャンバー内圧：０．２Ｐａ
パルス幅：５μｓｅｃ
処理時間（イオン注入時間）：５分間
搬送速度：０．２ｍ／ｍｉｎ
すなわち、実施例１では、かかるガスバリア形成工程を合計４回繰り返し、表面粗さ調整層及び多層構造（４層）からなる透明ガスバリア層を形成した透明樹脂基材を準備した。そして、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して、透明ガスバリア層のＲａ及びＲｚを測定したところ、それぞれ０．４１ｎｍ、及び４．４ｎｍであった。
【００６５】
（４）透明導電膜の成膜工程
表面粗さ調整層及び多層構造（４層）の透明ガスバリア層（合計厚さ：１５０ｎｍ×４）を設けてなる透明樹脂基材に対して、下記成膜条件にて、厚さが１２０ｎｍの透明導電膜を成膜した。
基板温度：２５℃
放電電流：１５０Ａ
キャリアガス：アルゴン（Ａｒ）、酸素（Ｏ２）
酸素比率：全ガス流量に対して６％
成膜圧力：０．２Ｐａ
成膜時間：３５ｓｅｃ．
【００６６】
２．透明導電膜の評価
得られた透明導電膜につき、以下の測定を行い、評価した。
【００６７】
（１）Ｘ線回折測定
得られた透明導電膜における結晶構造を、Ｘ線回折装置（（株）リガク製、全自動水平型多目的Ｘ線回折装置  Ｓｍａｒｔ  Ｌａｂ）を用いて、Ｉｎ  ｐｌａｎｅ法（透明導電膜面のａ軸方向に由来する結晶面の回折ピークを測定する方法）及びＯｕｔ  ｏｆ  ｐｌａｎｅ法（透明導電膜面のｃ軸方向に由来する結晶面の回折ピークを測定する方法）により確認した。
その結果、インジウム由来のピークは確認されず、主成分である酸化亜鉛由来の六方晶系ウルツ鉱型の多結晶構造を有しており、基材上で、結晶成長を伴いながら成膜することが確認された。
【００６８】
（２）ＳＰＭ観察
得られた透明導電膜の表面の１μｍ2において、走査型プローブ顕微鏡（島津製作所（株）製、ＳＰＭ９７００）によって、図１４に示されるＳＰＭ(Scanning Probe Microscope)観察像を得た。
かかるＳＰＭ観察像により、透明導電膜におけるインジウム量が多くなるほど、透明導電膜の表面凹凸が小さくなることが確認された。
【００６９】
（３）ＸＰＳ分析
下記ＸＰＳ測定装置を用い、所定の測定条件等において、得られた透明導電膜における亜鉛、ガリウム及びインジウムの元素分析としてのＸＰＳ分析を行った。得られた結果を表１に示す。
（ＸＰＳ測定装置）
機種名：ＰＨＩ Ｑｕａｎｔｅｒａ ＳＸＭ(アルバックファイ社製)
Ｘ線源：ＡｌＫα（１４８６．６ｅＶ）
Ｘ線ビーム径：１００μｍ
【００７０】
（測定条件）
電力値：２５Ｗ
電圧：１５ｋＶ
取り出し角度：４５度
真空度：５．０×１０-8Ｐａ
Pass Energy：１１２ｅＶ
Time Per Step：２０ｍｓｅｃ
eV step：０．１ｅＶ
【００７１】
（スパッタリング条件）
スパッタリングガス：アルゴン
印加電圧：−４ｋＶ
スパッタリング時間：５ｍｉｎ
インターバル時間：０．２ｍｉｎ
【００７２】
(測定元素ピーク)
Ｉｎ：Ｉｎ３ｄ5/2
Ｚｎ：Ｚｎ２ｐ3/2
Ｇａ：Ｇａ２ｐ3/2
【００７３】
（４）算術平均粗さ（Ｒａ）及び最大高さ粗さ（Ｒｚ）の測定
得られた透明導電膜の露出面におけるＲａおよびＲｚを、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）を用いて、走査範囲を１μｍ2とし、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１に準拠して測定した。得られた結果を表１に示す。
【００７４】
（５）抵抗値の測定
得られた透明導電膜における初期の表面抵抗率Ｒ0（Ω／□）を、表面抵抗測定装置（三菱化学（株）製、ＬＯＲＥＳＴＡ−ＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００）及びプローブ（三菱化学アナリテック（株）製、ＰＲＯＢＥ  ＴＹＰＥ  ＡＳＰ）を用いて、２３℃、５０％ＲＨの環境下において測定した。
次いで、得られた透明導電膜を、６０℃、９５％ＲＨの湿熱環境下に５００時間載置した後、２３℃、５０％ＲＨの環境下で１日調温・調湿を行い、湿熱試験（以下、「湿熱試験１」と称する場合がある。）の後の表面抵抗率Ｒ1（Ω／□）を測定した。
また、得られた透明導電膜を、８５℃、８５％ＲＨの湿熱環境下に５００時間載置した後、２３℃、ＲＨ５０％の環境下で１日調温・調湿を行い、湿熱試験１とは別の湿熱試験（以下、「湿熱試験２」と称する場合がある。）の後の表面抵抗率Ｒ2（Ω／□）を測定した。
次いで、得られた初期の表面抵抗率Ｒ0、湿熱試験１後の表面抵抗率Ｒ1及び湿熱試験２後の表面抵抗率Ｒ2のそれぞれに対して透明導電膜の厚さ１２０ｎｍを掛けて、初期の比抵抗ρ0（Ω・ｃｍ）、湿熱試験１後の比抵抗ρ1（Ω・ｃｍ）及び湿熱試験２後の比抵抗ρ2（Ω・ｃｍ）を算出するとともに、ρ1／ρ0（−）及びρ2／ρ0も算出した。得られた結果を表１に示す。
【００７５】
（６）膜密度の測定
得られた透明導電膜における膜密度をＸ線反射率法（ＸＲＲ法）により測定した。すなわち、下記Ｘ線回折装置を用いて、下記測定条件にしたがって測定した。得られた結果を表１に示す。
測定装置：薄膜評価用試料水平型Ｘ線回折装置、「ＳｍａｒｔＬａｂ」、（株）リガク製
Ｘ線源；Ｃｕ−Ｋα１（波長：１．５４０５９Å）
光学系；並行ビーム光学系
入射側スリット系；Ｇｅ（２２０）２結晶、高さ制限スリット５ｍｍ、入射スリット０．０５ｍｍ
受光側スリット系；受光スリット  ０．１０ｍｍ、ソーラースリット  ５°
検出器；シンチレーションカウンター
管電圧・管電流；４５ｋＶ−２００ｍＡ
走査軸；２θ／θ
走査モード；連続スキャン
走査範囲；０．１〜３．０ｄｅｇ．
走査速度；１ｄｅｇ．／ｍｉｎ．
サンプリング間隔；０．００２°／ｓｔｅｐ
【００７６】
［実施例２］
実施例２では、イオンプレーティング用の焼結体（タイプ２）として、酸化亜鉛−酸化ガリウム−酸化インジウムの三元系焼結体（ＺｎＯ：９４．５重量％、ドーパントとしてのＧａ2Ｏ3：３重量％、及びドーパントとしてのＩｎ2Ｏ3：２．５重量％）を準備したほかは、実施例１と同様に、透明導電性積層体を成膜し、評価した。
なお、図１５（ａ）〜（ｂ）に、透明導電性積層体におけるＩｎ  ｐｌａｎｅ法及びＯｕｔ  ｏｆ  ｐｌａｎｅ法によって得られたＸ線回折チャートをそれぞれ示す。
さらに、図１６に、透明導電性積層体におけるＳＰＭ観察像（実施例２）を示す。
【００７７】
［実施例３〜４］
実施例３〜４では、透明ガスバリア層を２層とした以外は、実施例１及び２と同様に、それぞれ透明導電性積層体を成膜し、評価した。
なお、図１７〜図１８に、それぞれ得られた透明導電性積層体の表面（透明導電膜）におけるＳＰＭ観察像を示す。
【００７８】
［比較例１］
比較例１では、透明ガスバリア層を０層とするとともに、イオンプレーティング用の焼結体（タイプ３）として、酸化亜鉛−酸化ガリウムの二元系焼結体（ＺｎＯ：９７重量％、ドーパントとしてのＧａ2Ｏ3：３重量％）を準備した以外は、実施例１と同様に、透明導電性積層体を成膜し、評価した。
なお、図１９に、得られた透明導電性積層体の表面（透明導電膜）におけるＳＰＭ観察像を示す。
さらに、図２０（ａ）〜（ｂ）に、透明導電性積層体におけるＩｎ  ｐｌａｎｅ法及びＯｕｔ  ｏｆ  ｐｌａｎｅ法によって得られたＸ線回折チャートをそれぞれ示す。
【００７９】
【表１】
0006689584.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００８０】
以上、詳述したように、本発明の透明導電性積層体によれば、透明樹脂基材を用いた場合であっても、酸化亜鉛材料を主成分とした透明導電膜において、その表面における算術平均粗さ（Ｒａ）を所定範囲内の値に規定することにより、優れた湿熱特性を得ることができるようになった。
また、透明樹脂基材と、透明導電膜との間に、表面粗さ調整層を設けることによって、透明導電膜の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）を所定範囲内の値に容易に調節できるようになった。
さらに、例えば、ＰＥＮを主成分としてなる透明樹脂基材と、透明導電膜との間に、単層又は多層の透明ガスバリア層を設けることによって、透明導電膜の表面における算術平均粗さ（Ｒａ）を所定範囲内の値に維持したまま、良好なガスバリア性が得られるようになった。
よって、本発明の透明導電膜は、所定の湿熱特性が所望される電気製品、電子部品、画像表示装置（有機ＥＬディスプレイ、無機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、電子ペーパー等）太陽電池等の各種用途において、透明電極等として、有効に使用されることが期待される。
【符号の説明】
【００８１】
１０：透明樹脂基材
１２、１２ａ：透明ガスバリア層
１４：透明導電膜
１６：表面粗さ調整層
５０、５０ａ、５０ｂ：透明導電性積層体
【図１】
0006689584.tif 000003
【図２】
0006689584.tif 000004
【図３】
0006689584.tif 000005
【図４】
0006689584.tif 000006
【図５】
0006689584.tif 000007
【図６】
0006689584.tif 000008
【図７】
0006689584.tif 000009
【図８】
0006689584.tif 000010
【図９】
0006689584.tif 000011
【図１０】
0006689584.tif 000012
【図１１】
0006689584.tif 000013
【図１２】
0006689584.tif 000014
【図１３】
0006689584.tif 000015
【図１４】
0006689584.tif 000016
【図１５】
0006689584.tif 000017
【図１６】
0006689584.tif 000018
【図１７】
0006689584.tif 000019
【図１８】
0006689584.tif 000020
【図１９】
0006689584.tif 000021
【図２０】
0006689584.tif 000022