(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の一方の面にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、
該バッファ層形成工程で形成したバッファ層の表面に発光層を形成する発光層形成工程と、
該発光層形成工程の後、シリコン基板の他方の面の中央を研削し凹部を形成することにより該凹部の外側に環状補強部を形成する環状補強部形成工程と、
該環状補強部形成工程の後、該凹部の底面に反射膜を形成することによって該反射膜と該シリコン基板とに熱歪みによる反りが生じて該シリコン基板が割れないように該環状補強部により該シリコン基板の反りを抑えた状態で該凹部の底面に該反射膜を形成する反射膜形成工程と、
該反射膜形成工程で形成された該反射膜の表面に電極を形成する電極形成工程と、
該電極形成工程の後、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、
を有するＬＥＤ基板の形成方法。
【請求項２】
該電極形成工程において、該電極は、該反射膜を貫通して該発光層に直に接続されるように形成されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ基板の形成方法。
【請求項３】
該分割工程において、該電極又は該発光層を上方に向けた状態で該シリコン基板をチャックテーブルに保持させ、該電極側又は該発光層側からダイシングすることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＬＥＤ基板の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ基板の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来は、ｎ−ＧａＮ層、活性層、ｐ−ＧａＮ層から成る発光層をサファイア基板上に積層してＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）基板が形成される。ＬＥＤ基板としては、絶縁性を有するサファイア基板を分離せずに、ｐ型電極の隣にｎ型電極を配置した水平構造のＬＥＤ基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。水平構造のＬＥＤ基板は、ｐ−ＧａＮ層側をエッチングしてｎ−ＧａＮ層を部分的に露出させ、ｐ−ＧａＮ層の表面とｎ−ＧａＮ層の表面にそれぞれｐ型電極とｎ型電極を配置している。ｐ型電極からｎ型電極が向かう際に電流が集中して、ＬＥＤ基板の耐久性が低下する可能性がある。
【０００３】
また、ＬＥＤ基板としては、絶縁性を有するサファイア基板を分離して、ｐ型電極とｎ型電極を垂直に配置した垂直構造のＬＥＤ基板が知られている（例えば、特許文献２参照）。垂直構造のＬＥＤ基板は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ：Laser  Lift  Off）によってｎ−ＧａＮ層からサファイア基板を分離させ、ｐ−ＧａＮ層の表面とｎ−ＧａＮ層の裏面にそれぞれｐ型電極とｎ型電極を配置した後にサポート基板によって支持される。このため、水平構造のＬＥＤ基板と異なり、ｐ型電極からｎ型電極が向かう際に電流が集中することがなく、ＬＥＤの耐久性が向上されている。
【０００４】
近年では、サファイア基板の代わりに、シリコン基板上にバッファ層を介して発光層を積層してＬＥＤ基板を形成する技術（Gan  on  Silicon技術）も開発されている（例えば、特許文献３、４参照）。シリコン基板はサファイア基板と比較して、エピタキシ基板として安価であり、ＬＥＤ基板の製造時のコストを大幅に削減することが可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０９−１１６１９２号公報
【特許文献２】特許第５６５３３２７号公報
【特許文献３】特開２０１２−２４３８０７号公報
【特許文献４】特許第５７５２８５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シリコン基板とＧａＮでは、格子不整合が大きいため、ＧａＮ層を積層するためにはシリコン基板上にバッファ層を何層にも形成する必要がある。また、垂直構造のＬＥＤ基板を形成する場合には、上記したレーザリフトオフを使用してＬＥＤ基板からシリコン基板を分離することが難しい。仮に、ＬＥＤ基板からシリコン基板を分離して、シリコン基板からサポート基板に貼り換えることができたとしても、貼り替え作業が発生する分だけ作業が煩雑になるという問題があった。
【０００７】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、簡易な作業で安価にＬＥＤ基板を形成することができるＬＥＤ基板の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のＬＥＤ基板の形成方法は、シリコン基板の一方の面にバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、該バッファ層形成工程で形成したバッファ層の表面に発光層を形成する発光層形成工程と、該発光層形成工程の後、シリコン基板の他方の面の中央を研削し凹部を形成することにより該凹部の外側に環状補強部を形成する環状補強部形成工程と、該環状補強部形成工程の後、該凹部の底面に反射膜を形成することによって該反射膜と該シリコン基板とに熱歪みによる反りが生じて該シリコン基板が割れないように該環状補強部により該シリコン基板の反りを抑えた状態で該凹部の底面に該反射膜を形成する反射膜形成工程と、該反射膜形成工程で形成された該反射膜の表面に電極を形成する電極形成工程と、該電極形成工程の後、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する分割工程と、を有する。
【０００９】
この構成によれば、シリコン基板の他方の面の中央部分が研削され、中央部分の周囲に環状補強部が形成される。環状補強部によってシリコン基板の剛性が確保されているため、シリコン基板の中央部分が薄くても反りが生じることがない。よって、シリコン基板からサポート基板への基板の貼り替え作業が生じることがない。また、シリコン基板の中央部分が薄いため、発光層の裏面から発光した光がシリコン基板を透過して反射膜で反射することで発光効率が向上される。また、シリコン基板をエピタキシ基板とすることで、コストを大幅に削減することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、シリコン基板の他方の面の中央部分が研削されることで、中央部分の周囲に環状補強部が形成される。これにより、安価なシリコン基板をエピタキシ基板として使用することができ、発光層をシリコン基板からサポート基板への貼り替え作業を発生させない。また、シリコン基板を薄く研削する事で発光層の裏面からの光を、シリコン基板を透過させて反射膜で反射させ再びシリコン基板を透過させることで輝度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】比較例のＬＥＤ構造の説明図である。
【図２】本実施の形態のバッファ層形成工程の一例を示す図である。
【図３】本実施の形態の発光層形成工程の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態の環状補強部形成工程の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態の反射膜形成工程の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態の電極形成工程の一例を示す図である。
【図７】本実施の形態の分割工程の一例を示す図である。
【図８】第１の変形例の電極形成工程の一例を示す図である。
【図９】第２の変形例の電極形成工程の一例を示す図である。
【図１０】本実施の形態の分割工程の他の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本実施の形態について説明する前に、比較例のＬＥＤ構造について簡単に説明する。図１は、比較例のＬＥＤ構造の説明図である。なお、比較例のＬＥＤ構造においては説明の便宜上、本実施の形態と同じ符号を使用して説明する。
【００１３】
図１Ａに示すように、シリコン基板１０上にバッファ層２０が形成され、バッファ層２０上にｎ−ＧａＮ層３１、活性層３２、ｐ−ＧａＮ層３３からなる発光層（ＬＥＤ発光層）３０が形成されている。シリコン基板１０は、サファイア基板と比較して大口径であり、さらにエピタキシ基板としてサファイア基板よりも安価である。また、シリコン基板１０とｎ−ＧａＮ層３１の間には、シリコンとＧａＮとの格子不整合の違いを吸収するためにバッファ層２０が何層にも形成されている。この構造では、レーザリフトオフを用いて発光層３０からシリコン基板１０を分離して、垂直構造のＬＥＤ基板を形成することが難しい。
【００１４】
通常、レーザリフトオフは発光層を積層したサファイア基板に使用され、ｎ−ＧａＮ層にレーザ光線を集光することで、発光層からサファイア基板を分離させている。本構造では、ｎ−ＧａＮ層３１に対してレーザ光線を直に集光できず、発光層３０からシリコン基板１０を分離することが難しい。この場合、シリコン基板１０をｎ−ＧａＮ層３１から分離させずに、サポート基板として利用することも考えられる。これにより、サポート基板の貼り替えを無くして作業を簡略化できるが、シリコン基板１０が厚いままでは、発光層３０の裏面から発光した光がシリコン基板１０に吸収されて発光効率が低下する。
【００１５】
一方で、図１Ｂに示すように、シリコン基板１０の裏面を研削して薄くすることも考えられる。これにより、シリコン基板１０による光の吸収量が低減されるが、電極５１、５２の蒸着時にシリコンとＧａＮとが加熱され薄く研削されたシリコン基板１０が割れる問題が有る。
【００１６】
そこで、本実施の形態では、サファイア基板と比べてシリコン基板１０が研削し易いという点に着目し、シリコン基板１０の外周を残して中央部分だけを研削することでシリコン基板１０の剛性を確保している。これにより、シリコン基板１０の割れを抑えつつ、シリコン基板１０による発光層３０からの光の吸収量を抑えるようにしている。さらに、シリコン基板１０の裏面に反射膜を形成して、薄厚のシリコン基板１０を透過した光を反射膜で反射させている。
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本実施の形態のＬＥＤ基板の形成方法について詳細に説明する。図２はバッファ層形成工程、図３は発光層形成工程、図４は環状補強部形成工程、図５は反射膜形成工程、図６は電極形成工程、図７は分割工程のそれぞれ一例を示す図である。
【００１８】
図２に示すように、先ずバッファ層形成工程が実施される。バッファ層形成工程では、シリコン基板１０の一方の面（表面）にバッファ層２０が形成される。バッファ層２０の形成方法としては、ＭＯＣＶＤ（Metal  Organic  Chemical  Vapor  Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular  Beam  Epitaxy）法、ＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法、スパッタリング法等の気層製膜法を利用することができる。なお、バッファ層２０は、ＧａＮ形成後の冷却時に生じるクラックを防止するために、多層構造で形成されることが好ましい。
【００１９】
図３に示すように、バッファ層形成工程の後には発光層形成工程が実施される。発光層形成工程では、バッファ層２０の表面に発光層３０が形成される。発光層３０は、バッファ層２０の表面にｎ−ＧａＮ層３１、活性層３２、ｐ−ＧａＮ層３３がこの順に積層されて形成される。なお、発光層３０の形成方法としては、例えば、上記したＭＯＶＣＤ法やＭＢＥ法を利用することができる。このように、シリコン基板１０の一方の面にバッファ層２０を介して発光層３０が積層されることで、シリコンとＧａＮとの格子不整合から生じるクラックが抑えられている。また、発光層（Ｅｐｉ層）の積層順は、バッファ層２０の表面にｐ−ＧａＮ層３３、活性層３２、ｎ−ＧａＮ層３１であってもよい。
【００２０】
図４に示すように、発光層形成工程の後には環状補強部形成工程が実施される。環状補強部形成工程では、シリコン基板１０の他方の面（裏面）の中央が研削されて凹部１１が形成され、凹部１１の外側に環状補強部１２が形成される。この場合、図４Ａに示すように、シリコン基板１０に積層された発光層３０に保護テープＴ１が貼着され、この保護テープＴ１付きのシリコン基板１０が研削装置（不図示）に搬入される。研削装置では、シリコン基板１０の他方の面を上方に向けた状態で、保護テープＴ１を介してチャックテーブル６１にシリコン基板１０が吸引保持される。
【００２１】
図４Ｂに示すように、研削ユニット６２の研削ホイール６３が回転しながらチャックテーブル６１に近づけられて、研削ホイール６３とシリコン基板１０の他方の面とが回転接触することでシリコン基板１０が研削される。このとき、シリコン基板１０の半径よりも小径な研削ホイール６３を使用して、シリコン基板１０の他方の面の中で、最終的にＬＥＤデバイスとして使用される中央部分のみが研削される。これにより、シリコン基板１０の他方の面には、円形の凹部１１が形成されると共に、シリコン基板１０の外周部分に環状補強部１２が形成される。
【００２２】
図４Ｃに示すように、シリコン基板１０は、凹部１１によって中央部分が薄化されて、凹部１１を囲む環状補強部１２によって剛性が確保されている。ＬＥＤデバイスとして使用されるシリコン基板１０の中央部分が薄化されるため、シリコンの中央部分おける光の吸収量が抑えられている。なお、このシリコン基板１０の中央部分は、光を透過させるために１［μｍ］−４０［μｍ］の厚みになるまで研削されることが好ましい。また、シリコン基板１０が環状補強部１２によって剛性が確保されるため、シリコン基板１０の反りが抑えられて、蒸着による電極形成時の熱や搬送時の破損等が防止される。
【００２３】
図５に示すように、環状補強部形成工程の後には反射膜形成工程が実施される。反射膜形成工程では、シリコン基板１０の他方の面に形成された凹部１１の底面に反射膜４０が形成される。これにより、発光層３０の裏面で発行した光がシリコン基板１０を透過して反射膜４０で反射し、反射光が再びシリコン基板１０を透過して発光層３０の表面側から出射することで発光効率が向上される。なお、反射膜４０の形成方法としては、スパッタリングや蒸着法等を利用することができる。また、反射膜４０は、金属膜で形成されるが、シリコン基板１０を透過した光を反射可能であれば、他の材料で形成されてもよい。
【００２４】
図６に示すように、反射膜形成工程の後には電極形成工程が実施される。電極形成工程では、反射膜４０の表面にｎ型電極５１が形成される。また、反射膜４０の表面にｎ型電極５１が形成された後、発光層３０の表面から保護テープＴ１（図５参照）が剥がされて、発光層３０の表面にｐ型電極５２が形成される。ｎ型電極５１、ｐ型電極５２は蒸着法によって形成されるが、環状補強部１２でシリコン基板１０の剛性が確保されるため、シリコンとＧａＮの熱膨張係数が異なっていても蒸着時の熱でシリコン基板１０が反ることがない。したがって、シリコン基板１０を薄くしても反りが発生しないため、容易に電極形成することができる。
【００２５】
なお、本実施の形態では、発光層３０の表面から保護テープＴ１（図５参照）を剥がした後に、発光層３０の表面にｐ型電極５２が形成される構成にしたが、この構成に限定されない。発光層３０の表面に保護テープＴ１が貼着される前に、発光層３０の表面にｐ型電極５２が形成されてもよい。すなわち、発光層形成工程と環状補強部形成工程との合間に、発光層３０の表面にｐ型電極５２が形成されてもよい。なお、ｎ型電極５１、ｐ型電極５２の形成方法は、蒸着法に限らず、スパッタリング等を利用することもできる。
【００２６】
図７に示すように、電極形成工程の後には分割工程が実施される。分割工程では、シリコン基板１０が分割予定ライン（不図示）に沿って個々のチップＣ（ＬＥＤ基板）に分割される。この場合、図７Ａに示すように、リングフレーム（不図示）の開口部を覆うダイシングテープＴ２に発光層３０の表面が貼着され、リングフレームに支持されたシリコン基板１０が切削装置（不図示）に搬入される。切削装置では、シリコン基板１０の他方の面、すなわちｎ型電極５１を上方に向けた状態で、ダイシングテープＴ２を介してチャックテーブル７１にシリコン基板１０が吸引保持される。この場合、分割予定ラインが確認できるように、透明のチャックテーブル７１が使用され、チャックテーブル７１の下方でアライメントされる。
【００２７】
図７Ｂに示すように、切削ブレード７２がシリコン基板１０の分割予定ラインに対して位置合わせされ、シリコン基板１０の径方向外側においてダイシングテープＴ２の途中まで切り込み可能な高さまで切削ブレード７２が下降される。そして、高速回転する切削ブレード７２に対してチャックテーブル７１が切削送りされることで、分割予定ラインに沿ってシリコン基板１０及び発光層３０がフルカットされる。一本の分割予定ラインに沿ってシリコン基板１０及び発光層３０がフルカットされると、隣の分割予定ラインに切削ブレード７２が位置合わせされてシリコン基板１０及び発光層３０がフルカットされる。
【００２８】
この切削動作が繰り返されることで、全ての分割予定ラインに沿ってシリコン基板１０及び発光層３０がフルカットされる。この結果、シリコン基板１０が分割予定ラインに沿って個々のチップＣに分割される。なお、分割工程は、シリコン基板１０を個々のチップＣに分割可能であればよく、例えば、レーザ光線によるアブレーション加工で分割予定ラインに沿ってシリコン基板１０を分割してもよい。また、レーザ光線でシリコン基板１０内に分割予定ラインに沿った改質層を形成して、この改質層を分割起点としてシリコン基板１０に外力を付与して分割してもよい。
【００２９】
なお、上記したように、反射膜４０を上向きにしてチャックテーブル７１に保持して切削する場合には、反射膜４０で分割予定ラインが確認できないため透明のチャックテーブル７１を用いてチャックテーブル７１側からアライメントする必要が有る。その為、図１０Ａ及び図１０Ｂに示すように、チャックテーブル７１に吸引保持されるシリコン基板１０の面を逆にしてもよい。この場合、リングフレームの開口部を覆うダイシングテープＴ２に反射膜４０（電極）の表面が貼着され、リングフレームに支持されたシリコン基板１０の表面、すなわち発光層３０を上方に向けた状態でダイシングテープＴ２介してチャックテーブル７１にシリコン基板１０を吸引保持させる。このように、シリコン基板１０の上方からアライメントして切削しても良い。
【００３０】
また、環状補強部１２のみを先に除去したのち、リングフレームの開口部を覆うダイシングテープＴ２にシリコン基板１０を貼着させ分割しても良い。なお、環状補強部１２の除去は、環状補強部１２を研削して薄くしても良いし、環状補強部１２の内周を切削ブレードで切削または、環状補強部１２の内周にレーザ光線を照射させ、凹部１１と環状補強部１２とを分離させても良い。
【００３１】
以上のように、本実施の形態のＬＥＤ基板の形成方法は、シリコン基板１０をサポート基板として利用することで、シリコン基板１０からサポート基板への貼り替え作業を無くして作業効率を高めている。また、シリコン基板１０の外周部分を残して中央部分だけを研削することで、シリコン基板１０の剛性を確保しつつ薄く形成されている。よって、ＬＥＤデバイスに必要な箇所のシリコン基板１０を薄くしたにも関わらず、サポート基板として剛性が低下することがない。シリコン基板１０の他方の面に反射膜４０を形成することで、薄くなったシリコン基板１０を透過する光を反射膜４０で前方に反射させて発光効率を向上させている。また、シリコン基板１０をエピタキシ基板とすることで、サファイア基板をエピタキシ基板にする構成と比較して、コストを削減することができる。
【００３２】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３３】
例えば、シリコン基板の他方の面のｎ型電極をＳｉ貫通電極（TSV：Through-Silicon  Via）を通じてｎ−ＧａＮ層に接続してもよい。以下、図８を参照して、第１の変形例のＬＥＤ基板の形成方法について説明する。図８は、第１の変形例の電極形成工程の一例を示す図である。第１の変形例は、電極形成工程についてのみ本実施の形態と相違している。したがって、電極形成工程についてのみ簡単に説明する。
【００３４】
図８に示すように、第１の変形例の電極形成工程では、反射膜４０側からエッチングされて、反射膜４０からｎ−ＧａＮ層３１まで達する貫通孔１５が形成される。貫通孔１５に金属等の導電性材料が充填されることでＳｉ貫通電極５３が形成され、さらにＳｉ貫通電極５３に接続するｎ型電極５１が形成される。これにより、ｎ型電極５１とｎ−ＧａＮ層３１が直に接続され、ｎ型電極５１とｎ−ＧａＮ層３１との間の抵抗を小さくすることができる。よって、少ない消費電力でＬＥＤ基板の輝度を向上することができる。
【００３５】
また、シリコン基板の他方の面にｎ型電極とｐ型電極とを形成し、それぞれＳｉ貫通電極でｎ−ＧａＮ層とｐ−ＧａＮ層に接続してもよい。以下、図９を参照して、第２の変形例のＬＥＤ基板の形成方法について説明する。図９は、第２の変形例の電極形成工程の一例を示す図である。第２の変形例は、電極形成工程についてのみ本実施の形態と相違している。したがって、電極形成工程についてのみ簡単に説明する。
【００３６】
図９に示すように、第２の変形例の電極形成工程では、反射膜４０側からエッチングされて、反射膜４０からｎ−ＧａＮ層３１まで達する貫通孔１５と、反射膜４０からｐ−ＧａＮ層３３まで達する貫通孔１６とが形成される。貫通孔１５、１６に金属等の導電性材料が充電されることでＳｉ貫通電極５３、５４が形成され、さらにＳｉ貫通電極５３、５４に接続するｎ型電極５１、ｐ型電極５２が形成される。これにより、ｎ型電極５１とｎ−ＧａＮ層３１とが直に接続されると共に、ｐ型電極５２とｐ−ＧａＮ層３３とが直に接続される。よって、ｎ型電極５１とｎ−ＧａＮ層３１との間、ｐ型電極５１とｐ−ＧａＮ層３３との間の抵抗を小さくして、ＬＥＤ基板の消費電力を減らすことができる。また、発光層３０の表面による発光がｐ型電極５２に遮られることがなく、発光層３０の発光面積を増やすことができる。よって、第１の変形例よりも、さらにＬＥＤ基板の輝度を向上することができる。
【００３７】
また、上記の実施の形態では、保護テープＴ１からダイシングテープＴ２に貼り換える構成にしたが、この構成に限定されない。保護テープＴ１の貼着前に、発光層３０の表面にｐ型電極５２が形成されていれば、保護テープＴ１を外さずに保護テープＴ１の表面にダイシングテープＴ２が貼着されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上説明したように、本発明は、簡易な作業で安価にＬＥＤ基板を形成することができるという効果を有し、特に、シリコン基板をエピタキシ基板として発光層を形成したＬＥＤ基板の形成方法に有用である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  シリコン基板
１１  凹部
１２  環状補強部
２０  バッファ層
３０  発光層
３１  ｎ−ＧａＮ層
３２  活性層
３３  ｐ−ＧａＮ層
４０  反射膜
５１  ｎ型電極（電極）
５２  ｐ型電極（電極）
Ｃ  チップ
【図１】
0006661330.tif 000002
【図２】
0006661330.tif 000003
【図３】
0006661330.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
0006661330.tif 000008
【図８】
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【図９】
0006661330.tif 000010
【図１０】
0006661330.tif 000011