(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、
前記ベース上に設けられた、半導体チップを含む少なくとも１つの電子部品と、
前記ベース上に設けられ、前記電子部品を囲む枠体と、
前記ベース上に設けられ、前記電子部品と電気的に接続され、前記枠体の開口部に挿入されたフィードスルーと、を備え、
前記フィードスルーは、前記開口部に挿入される前記開口部より狭い部分と一体に形成されるとともに、前記枠体の内側および外側の少なくとも一方において、前記開口部の両側の前記枠体の壁に沿って前記開口部より広い幅で突出する突出部を有する半導体装置の製造方法において、
前記ベース上に少なくとも１つの前記電子部品を搭載する第１工程と、
前記ベース上にロウ材からなる第１のペレットを配置する第２の工程と、
前記第１のペレット上にフィードスルーを配置する第３の工程と、
前記フィードスルーの側面および上面を包囲する第２のペレットを配置する第４の工程と、
前記ベース上および前記第２のペレット上に、前記突出部と前記枠体が接触し、前記枠体の前記開口部が前記フィードスルーの前記側面および前記突出部に勘合して配置する第５の工程と、
前記ベースを加熱炉に投入する第６の工程と、
前記加熱炉を前記ロウ材の融点以上に加熱することで、前記第１および前記第２のペレットが溶融する第７の工程と、
前記加熱炉を前記ロウ材の前記融点未満に冷却することで、前記第１および前記第２のペレットが固化し、前記ベースおよび前記枠体、前記フィードスルーが固定されてなる第８の工程と、
前記加熱炉から前記ベースを取り出す第９の工程と、を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記枠体は、前記開口部に前記フィードスルーを挿入した後に前記ベースと接合される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記フィードスルーは、前記枠体と前記ベースとが接合された後に、前記枠体の前記開口部に挿入される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記フィードスルーは、前記枠体の内側および外側それぞれに前記突出部を有する請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
半導体装置では、水分および異物からの保護のため、半導体チップおよびチップなどの電子部品を気密封止することがある。封止された電子部品との信号の入力および出力はフィードスルーを介して行う。特許文献１には、銀（Ａｇ）のナノ粒子を含む接合部を用いてフィードスルー端子を基板および枠体に固定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１４−４９７００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、フィードスルーが回転し、所望の位置からずれてしまうことがある。フィードスルーの回転を考慮して電子部品を配置すると、電子部品が大型化する。
【０００５】
本願発明は、上記課題に鑑み、フィードスルーの回転を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態は、ベースと、前記ベース上に設けられた、半導体チップを含む少なくとも１つの電子部品と、前記ベース上に設けられ、前記電子部品を囲む枠体と、前記ベース上に設けられ、前記電子部品と電気的に接続され、前記枠体の開口部に挿入されたフィードスルーと、を備え、前記フィードスルーは、前記開口部に挿入される部分と一体に形成されるとともに、前記枠体の内側および外側の少なくとも一方において、前記開口部の両側の前記枠体の壁に沿って前記開口部より広い幅で突出する突出部を有する半導体装置である。
【発明の効果】
【０００７】
上記発明によれば、フィードスルーの回転を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１Ａ】図１Ａは実施例１に係る半導体装置を例示する平面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは図１Ａの線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは図１Ａの円Ｃ１で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは図２Ａの線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。
【図３】図３は図２Ａの線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。
【図４Ａ】図４Ａはパッケージの製造方法を例示する正面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂはパッケージの製造方法を例示する正面図である。
【図５Ａ】図５Ａはパッケージの製造方法を例示する正面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂはパッケージの製造方法を例示する正面図である。
【図６】図６は比較例に係る半導体装置を例示する平面図である。
【図７】図７は図６の円Ｃ２で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【図８】図８は実施例１に係る半導体装置を例示する平面図である。
【図９】図９は図８の円Ｃ３で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【図１０Ａ】図１０Ａは実施例２に係る半導体装置を例示する平面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ｂは図１０Ａの円Ｃ４で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは実施例３に係る半導体装置を例示する平面図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは図１１Ａの円Ｃ５で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の一形態は、（１）ベースと、前記ベース上に設けられた、半導体チップを含む少なくとも１つの電子部品と、前記ベース上に設けられ、前記電子部品を囲む枠体と、前記ベース上に設けられ、前記電子部品と電気的に接続され、前記枠体の開口部に挿入されたフィードスルーと、を備え、前記フィードスルーは、前記開口部に挿入される部分と一体に形成されるとともに、前記枠体の内側および外側の少なくとも一方において、前記開口部の両側の前記枠体の壁に沿って前記開口部より広い幅で突出する突出部を有する半導体装置である。フィードスルーが開口部内で回転しようとすると、突出部が枠体の壁に接触する。これにより、フィードスルーの回転が抑制される。
（２）前記枠体は、前記開口部に前記フィードスルーを挿入した後に前記ベースと接合されることが好ましい。これにより、フィードスルーの回転が抑制される。
（３）前記フィードスルーは、前記枠体と前記ベースとが接合された後に、前記枠体の前記開口部に挿入されることが好ましい。これにより、フィードスルーの回転が抑制される。
（４）前記フィードスルーは、前記枠体の内側および外側それぞれに前記突出部を有することが好ましい。これにより、フィードスルーの回転が効果的に抑制される。
【００１０】
本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００１１】
図１Ａは実施例１に係る半導体装置１００を例示する平面図である。図１Ｂは図１Ａの線Ａ−Ａに沿った断面図である。図１Ａおよび図１Ｂに示すように、半導体装置１００は、ベース１０、枠体１２、チップ１４、１６、２０および２２、半導体チップ１８、ならびに２つのフィードスルー３０を備える。２つのフィードスルー３０のうち＋Ｘ側のものをフィードスルー３０ａ、−Ｘ側のものをフィードスルー３０ｂとする。Ｘ方向は２つのフィードスルー３０ａおよび３０ｂが並ぶ方向である。Ｙ方向は、枠体１２の壁のうちフィードスルー３０の設けられる壁が延伸する方向である。Ｚ方向はＸＹ平面の法線方向である。
【００１２】
図１Ｂに示すように枠体１２上側（Ｚ側）には、例えばコバールなどの金属により形成されたリッド１３が設けられている。図１Ａではリッド１３を透視している。また図１Ａおよび図１Ｂでは金属層３８およびロウ材４２の図示は省略している。
【００１３】
ベース１０は、例えばモリブデン／銅／モリブデン（Ｍｏ／Ｃｕ／Ｍｏ）の積層体の表面に金（Ａｕ）メッキ層を形成したものである。ベース１０は他の金属により形成されてもよい。ベース１０の±Ｙ側の側面には凹部１１が設けられている。凹部１１に例えばネジをはめ込むことで、ベース１０を基板に実装する。
【００１４】
ベース１０、枠体１２、リッド１３およびフィードスルー３０はパッケージを構成する。パッケージに収納される電子部品は、例えばチップ１４、１６、２０および２２、半導体チップ１８である。これらの電子部品はベース１０の上面に搭載される。枠体１２は、リング状の部材であり、例えばコバールなどの金属により形成されている。図１Ａに示すように、枠体１２は、ＸＹ平面内において、チップ１４、１６、２０および２２、半導体チップ１８を囲んでいる。ベース１０、枠体１２およびリッド１３により、チップ１４、１６、２０および２２、半導体チップ１８は気密封止される。
【００１５】
図１Ａに示すように、枠体１２のＸ方向において対向する２つの壁には開口部１２ａが設けられており、２つの開口部１２ａのそれぞれにはフィードスルー３０が挿入されている。
【００１６】
図１Ａに示すように、フィードスルー３０ａの配線パターン３６とチップ１４、チップ１４とチップ１６、チップ１６と半導体チップ１８、半導体チップ１８とチップ２０、チップ２０とチップ２２、チップ２２とフィードスルー３０ｂが有する配線パターン３６とは、それぞれボンディングワイヤ２４により電気的に接続されている。ボンディングワイヤ２４は例えばＡｕなどの金属により形成されている。
【００１７】
半導体チップ１８は例えば窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ（Field Effect Transistor：ＦＥＴ）を含む。例えば半導体チップ１８のチャネル層は窒化ガリウム（ＧａＮ）、電子供給層は窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）により形成されている。チップ１４、１６、２０および２２は例えばインダクタおよびキャパシタなどを含む。チップ１４および１６は、フィードスルー３０ａと半導体チップ１８との間のインピーダンスを整合する整合回路として機能する。チップ２０および２２は、フィードスルー３０ｂと半導体チップ１８との間のインピーダンスを整合する整合回路として機能する。
【００１８】
２つのリード４０の一方から配線パターン３６に、例えば高周波（Radio Frequency：ＲＦ）信号が入力され、２つのリード４０のうち他方からＲＦ信号が出力される。またリード４０には、半導体チップ１８のＦＥＴのバイアス電圧が入力される。フィードスルー３０は伝送線路として機能し、ＲＦ信号がフィードスルー３０を流れる。半導体装置１００は例えばＲＦ信号を増幅する増幅器として機能する。
【００１９】
図２Ａは図１Ａの円Ｃ１で囲んだ部分を拡大した平面図である。図２Ｂは図２Ａの線Ｂ−Ｂに沿った断面図である。図２Ｂに示すように、フィードスルー３０は、ボディ３２および３４、配線パターン３６、ならびに金属層３８を備える。ボディ３４はボディ３２の上に配置されている。図２Ａに示すように、ボディ３２は、突出部３２ａを有するＴ字形状の部材である。突出部３２ａは、ボディ３２と一体である。突出部３２ａは開口部１２ａのＹ方向の両側において枠体１２の外壁に沿って、開口部１２ａより広い幅で突出する。突出部３２ａの突出量Ｌ１は例えば０．５ｍｍである。ボディ３２および３４は、例えばセラミック等の絶縁体により形成されている。
【００２０】
図２Ａおよび図２Ｂに示すように、配線パターン３６は、ボディ３２の上面に設けられ、Ｘ方向に伸びている。配線パターン３６の一部はボディ３２および３４の間に位置する。配線パターン３６にはＲＦ信号が流れる。金属層３８は、ボディ３２の下面および側面、ボディ３４の側面および上面に設けられている。金属層３８は基準電位（例えばグランド電位）を有する。配線パターン３６と金属層３８とは電気的に接続されていない。フィードスルー３０は、開口部１２ａ内では同軸ケーブルと同様の機能の伝送線路、開口部１２ａの外ではマイクロストリップラインなどの伝送線路として機能する。配線パターン３６にはリード４０が電気的に接続されている。配線パターン３６および金属層３８は例えば金（Ａｕ）などの金属により形成されている。リード４０は例えば銅（Ｃｕ）などの金属により形成されている。
【００２１】
図３は図２Ａの線Ｄ−Ｄに沿った断面図である。図３に示す高さＨ１は例えば２．２ｍｍ、高さＨ２は例えば２．０１ｍｍ、幅Ｗ１は例えば３．２ｍｍ、幅Ｗ２は例えば３．０１ｍｍである。開口部１２ａの高さＨ１はフィードスルー３０の高さＨ２より大きい。開口部１２ａの幅Ｗ１はフィードスルー３０の幅Ｗ２より大きい。これにより、フィードスルー３０の寸法の固有差、および加熱時のフィードスルー３０の膨張がある場合でも、フィードスルー３０の開口部１２ａへの挿入が可能である。図２Ｂおよび図３に示すように、ロウ材４２がフィードスルー３０の金属層３８と枠体１２との間に設けられ、フィードスルー３０を固定する。具体的に、ロウ材４２は、フィードスルー３０のボディ３２および３４の側面、およびボディ３４の上面と、枠体１２の内壁との間に充填され、またボディ３２の下面とベース１０の上面との間に充填されている。ロウ材４２は例えば銀（Ａｇ）、金および錫（Ａｕ−Ｓｎ）の合金、または半田など金属により形成されている。
【００２２】
次に半導体装置１００のパッケージの製造方法について説明する。図４Ａから図５Ｂはパッケージの製造方法を例示する正面図である。
【００２３】
図４Ａに示すように、ベース１０上にロウ材のペレット４４を配置する。図４Ｂに示すように、ペレット４４の上にフィードスルー３０を配置する。図５Ａに示すように、フィードスルー３０のボディ３２および３４の側面にペレット４６を配置する。またフィードスルー３０のボディ３４の上面にペレット４８を配置する。図５Ｂに示すように、枠体１２をベース１０の上に配置する。フィードスルー３０、ペレット４４、４６および４８は、枠体１２の開口部１２ａの内側に位置することになる。枠体１２は、例えばロウ材または接着剤などでベース１０の上面に固定される。
【００２４】
ベース１０を炉に投入し、ロウ材の融点以上の温度まで加熱する。これによりペレット４４、４６および４８が溶融し、ロウ材４２としてフィードスルー３０の金属層３８に濡れ広がる。炉内の温度がロウ材４２の融点以下まで低下すると、ロウ材４２が固化する。これにより、フィードスルー３０はベース１０の上面および枠体１２の開口部１２ａの内周面に固定される。ロウ材４２の固化の後、ベース１０を炉から取り出す。これによりパッケージが形成される。
【００２５】
その後、例えば接着剤またはロウ材などを用いて、ベース１０の上面にチップ１４、１６、２０および２２、ならびに半導体チップ１８を固定する。さらに、ワイヤボンディングを行う。これにより、チップ１４および１６の間、チップ２０および２２の間、チップ１６および２０と半導体チップ１８との間を、図１Ａおよび図１Ｂに示したボンディングワイヤ２４を用いて電気的に接続する。また、チップ１４および２２とフィードスルー３０の配線パターン３６との間を、ボンディングワイヤ２４を用いて電気的に接続する。なお、枠体１２およびフィードスルー３０を設ける前に、チップ１４、１６、２０および２２、ならびに半導体チップ１８をベース１０上に固定してもよい。
【００２６】
枠体１２の上にリッド１３（図１Ｂ参照）を設け、ロウ材などで枠体１２に固定する。これにより、枠体１２の内側の電子部品は気密封止される。以上の方法により半導体装置１００が形成される。
【００２７】
次にフィードスルーの回転について説明する。図６は比較例に係る半導体装置１００Ｒを例示する平面図である。図７は図６の円Ｃ２で囲んだ部分を拡大した平面図である。図７および後述の図９においては、図の簡略化のため、リード４０およびロウ材４２を省略している。
【００２８】
図６および図７に示すように、比較例に係るフィードスルー３０Ｒは突出部３２ａを有していない。他の構成は、実施例１と同じである。図４Ａから図５Ｂに示した製造方法で、フィードスルー３０Ｒは枠体１２に挿入される。
【００２９】
図４Ｂのようにフィードスルー３０Ｒをベース１０上に配置する際、所定の位置から傾いてしまうことがある。また図３において説明したように、枠体１２の開口部１２ａの幅はフィードスルーの幅よりも大きい。このため、図５Ｂに示したように枠体１２をフィードスルー３０Ｒにかぶせた際、作業者などの接触または周囲からの振動などにより、ロウ材４２による固定前のフィードスルー３０ＲがＸＹ平面内で回転することもある。フィードスルー３０Ｒは、突出部を有さないため、例えばボディ３２側面の金属層３８が枠体１２に接触するまで回転する。比較例におけるフィードスルー３０ＲのＸ方向に対する回転角度θ１は例えば２５°である。
【００３０】
図７に示すように、フィードスルー３０Ｒが回転することで、フィードスルー３０Ｒが斜めに配置される。このため、枠体１２の内壁からのフィードスルー３０Ｒの枠体１２からの突出量Ｌ２が大きくなる。回転しない際のフィードスルー３０Ｒとチップ１４との距離と比較して、回転した際のフィードスルー３０Ｒとチップ１４との距離Ｄ１は小さくなる。フィードスルー３０Ｒが大きく回転すると、フィードスルー３０Ｒとチップ１４とが接触することもある。また、複数の半導体装置１００Ｒにおいてフィードスルー３０Ｒの回転角度にばらつきが生じることで、突出量Ｌ２にばらつきが生じる。フィードスルー３０Ｒの回転角度が大きいことを想定し、接触などを抑制するためのマージンを距離Ｄ１に加えると、距離Ｄ１が大きくなる。これによりフィードスルー３０Ｒが回転しても、フィードスルー３０Ｒとチップ１４との間隔を広げることができる。しかしこの場合、ベース１０および枠体１２を大型化することになるため、半導体装置１００Ｒが大型化する。
【００３１】
また、フィードスルー３０Ｒの回転により、ボンディングワイヤ２４の長さにもばらつきが生じる。ボンディングワイヤ２４はインダクタ成分を有しているため、ボンディングワイヤ２４の長さがばらつくと、ボンディングワイヤ２４のインダクタンスもばらつく。ボンディングワイヤ２４のインダクタンスは、半導体装置１００Ｒに入力および出力されるＲＦ信号の周波数においては無視できない。したがって、半導体装置１００Ｒの高周波特性にもばらつきが生じてしまう。
【００３２】
図８は実施例１に係る半導体装置１００を例示する平面図である。図９は図８の円Ｃ３で囲んだ部分を拡大した平面図である。図８および図９に示すように、実施例１によれば、突出部３２ａが枠体１２に接触するためフィードスルー３０ａの回転が抑制される。また図８に示すように、フィードスルー３０ｂの回転も抑制される。このように、突出部３２ａは±Ｙ方向に突出しているため、フィードスルー３０のＸＹ平面内における時計回り方向の回転および反時計回り方向の回転が抑制される。
【００３３】
図９に示すように、フィードスルー３０ａの回転角度θ２は例えば３°であり、比較例における回転角度θ１より小さい。したがって、フィードスルー３０ａが最も回転したときの突出量Ｌ３は、比較例における突出量Ｌ２より小さくなる。このため、フィードスルー３０ａとチップ１４との接触が抑制される。図８に示すように、フィードスルー３０ｂの回転も抑制されるため、フィードスルー３０ｂとチップ２２との接触も抑制される。また、複数の半導体装置１００において、フィードスルー３０の回転角度θ２のばらつきが小さくなる。したがって、接触などを抑制するためのマージンを小さくすることができ、距離Ｄ１を小さくすることができる。この結果、半導体装置１００の小型化が可能となる。
【００３４】
フィードスルー３０の回転が抑制されるため、ボンディングワイヤ２４の長さのばらつきも抑制される。これにより、ボンディングワイヤ２４のインダクタンスのばらつきが抑制され、半導体装置１００の高周波特性のばらつきが抑制される。
【００３５】
図１Ａおよび図１Ｂに示したように、枠体１２の対向する壁のそれぞれに開口部１２ａが設けられ、２つの開口部１２ａのそれぞれにフィードスルー３０が挿入されている。Ｘ方向において対向する２つのフィードスルー３０の回転が抑制されるため、Ｘ方向において半導体装置１００の小型化が可能である。なお、枠体１２の１つの壁に開口部１２ａが設けられ、１つの開口部１２ａにフィードスルー３０が挿入されていてもよい。また枠体１２の３つ以上の壁に開口部１２ａが設けられ、複数の開口部１２ａのそれぞれにフィードスルー３０が挿入されていてもよい。
【００３６】
半導体チップ１８、チップ１４、１６、２０および２２は、２つのフィードスルー３０の対向する方向であるＸ方向に沿って配置されている。フィードスルー３０の回転が抑制されるため、Ｘ方向におけるフィードスルー３０ａとチップ１４との距離およびフィードスルー３０ｂとチップ２２との距離を大きくしなくてよい。このためＸ方向において半導体装置１００を小型化することができる。一方、半導体装置１００を小型化しない場合、Ｘ方向において、パッケージ内のより広い領域に電子部品を搭載することができる。このため、Ｘ方向において電子部品の配置の自由度が高くなる。なお、電子部品は、Ｘ方向に沿って配置されなくてもよく、例えばＹ方向に沿って配置されるものを含んでもよい。
【００３７】
半導体装置１００は、半導体チップ１８、チップ１４、１６、２０および２２を含むとしたが，他の部品を含んでもよい。また半導体チップは２つ以上でもよく、チップの数は３つ以下でもよいし、５つ以上でもよい。またチップは整合回路以外の機能を有していてもよい。半導体装置１００は半導体チップ１８を含む少なくとも１つの電子部品を有していればよい。
【００３８】
図３に示すように、フィードスルー３０と開口部１２ａの内壁との間にロウ材４２が設けられる。ロウ材４２が固化することで、フィードスルー３０の回転が抑制された状態で、フィードスルー３０が固定される。これにより、半導体装置１００の小型化が可能であり、高周波特性の変化も抑制される。図４Ａ〜図５Ｂの工程では、フィードスルー３０を開口部１２ａに挿入した後、枠体１２をベース１０に接合する。これにより枠体１２を配置する際のフィードスルー３０の回転が抑制される。枠体１２をベース１０に接合した後、フィードスルー３０を開口部１２ａに挿入してもよい。これによりフィードスルー３０を挿入する際の回転が抑制される。
【００３９】
ロウ材４２によりフィードスルー３０をベース１０および枠体１２に接合する。したがって、ベース１０、枠体１２、リッド１３、フィードスルー３０により、電子部品を気密封止し、異物および水分などから保護することができる。また、金属により形成されたベース１０、枠体１２およびリッド１３により電子部品を封止するため、電気的なノイズを遮断し、かつ信号の入力および出力はフィードスルー３０を介して行うことができる。なお、ベース１０、枠体１２およびリッド１３の少なくとも１つは絶縁体により形成されてもよい。
【実施例２】
【００４０】
実施例２は、フィードスルーが枠体１２の内側に突出部を有する例である。図１０Ａは実施例２に係る半導体装置２００を例示する平面図である。図１０Ｂは図１０Ａの円Ｃ４で囲んだ部分を拡大した平面図である。実施例１と同じ構成については、説明を省略する。
【００４１】
図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、実施例２におけるフィードスルー５０は、突出部３２ａに代えて、突出部３２ｂを備える。突出部３２ｂは、開口部１２ａのＹ方向の両側において、枠体１２の内壁に沿って突出する。
【００４２】
実施例２によれば、フィードスルー５０が回転しようとすると、突出部３２ｂが枠体１２の内壁に接触する。このため、実施例１と同様に、フィードスルー５０の回転が抑制される。
【実施例３】
【００４３】
実施例３は、フィードスルーが枠体の内側および外側の両方において突出部を有する例である。図１１Ａは実施例３に係る半導体装置３００を例示する平面図である。図１１Ｂは図１１Ａの円Ｃ５で囲んだ部分を拡大した平面図である。
【００４４】
図１１Ａおよび図１１Ｂに示すように、実施例３におけるフィードスルー６０は、突出部３２ａおよび突出部３２ｂを備える。突出部３２ａは、開口部１２ａのＹ方向の両側において、枠体１２の外壁に沿って突出する。突出部３２ｂは、開口部１２ａのＹ方向の両側において、枠体１２の内壁に沿って突出する。
【００４５】
実施例３によれば、フィードスルー６０が回転しようとすると、突出部３２ａが枠体１２の外壁に接触し、また突出部３２ｂが枠体１２の内壁に接触する。このため、実施例１と同様に、フィードスルー６０の回転が抑制される。
【００４６】
フィードスルーは、枠体１２の内側および外側の少なくとも一方において、枠体１２の壁に沿って突出する突出部を有していればよい。また、実施例１〜３を組み合わせてもよい。例えば、半導体装置の備える複数のフィードスルーが、フィードスルー３０、５０および６０のうち２つを含んでいてもよい。
【００４７】
実施例１〜３において、半導体チップ１８には、例えば窒化物半導体を含むＦＥＴなどが形成されている。窒化物半導体とは、窒素（Ｎ）を含む半導体であり、例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、および窒化アルミニウムインジウムガリウム（ＡｌＩｎＧａＮ）などがある。半導体チップ１８には、窒化物半導体以外に、例えば砒素系半導体などの化合物半導体を用いてもよい。砒素系半導体とはガリウム砒素（ＧａＡｓ）など砒素（Ａｓ）を含む半導体である。また半導体チップ１８にはＦＥＴ以外のトランジスタなどが形成されていてもよい。半導体装置は例えば増幅器として機能するが、他の機能を有してもよい。
【００４８】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１０                                ベース
１１                                凹部
１２                                枠体
１２ａ                              開口部
１４、１６、２０、２２              チップ
１８                                半導体チップ
２４                                ボンディングワイヤ
３０、３０ａ、３０ｂ、５０、６０    フィードスルー
３２、３４                          ボディ
３２ａ、３２ｂ                      突出部
３６                                配線パターン
３８                                金属層
４０                                リード
４２                                ロウ材
４４、４６、４８                    ペレット
１００、２００、３００              半導体装置
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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