(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜と、
エポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物を含む材料で構成された樹脂層とを備え、
ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される前記樹脂層についての曲げ弾性率が、１０ＭＰａ以上であり、
ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される前記樹脂層について引張伸び（破断伸度）が３％以上であり、
ＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率が５％以下であり、
前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物が反応したものであることを特徴とする樹脂層付き金属膜。
【請求項２】
金属膜と、
エポキシ基を有する硬化性樹脂を含む材料で構成された樹脂層とを備え、
ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される前記樹脂層についての曲げ弾性率が、１０ＭＰａ以上であり、
ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される前記樹脂層について引張伸び（破断伸度）が３％以上であり、
前記硬化性樹脂を硬化させた状態でのＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率が５％以下であり、
前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物が反応したものであることを特徴とする樹脂層付き金属膜。
【請求項３】
前記樹脂層は、柔軟成分を含むものである請求項１または２に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項４】
前記柔軟成分は、前記硬化性樹脂と反応し得る官能基により、前記硬化性樹脂と反応し、前記樹脂層中において、硬化物の分子の一部を構成するものである請求項３に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項５】
前記樹脂層中における前記柔軟成分の含有率は、２０質量％以上６０質量％以下である請求項３または４に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項６】
前記樹脂層は、無機フィラーを５質量部以上６５質量部以下含むものである請求項１ないし５のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項７】
前記硬化性樹脂が硬化した状態での前記樹脂層の１００℃における引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である請求項１ないし６のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項８】
前記硬化性樹脂のエポキシ当量が１００以上である請求項１ないし７のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項９】
前記樹脂層の体積抵抗率が１×１０１３Ω・ｃｍ以上である請求項１ないし８のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項１０】
前記樹脂層の厚さが１０μｍ以上１０００μｍ以下である請求項１ないし９のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項１１】
前記金属膜の厚さが５μｍ以上１０００μｍ以下である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の樹脂層付き金属膜を用いて、電子部品を実装して得られたことを特徴とする実装基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂層付き金属膜および実装基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品等が実装される基板としては、回路形成用の金属膜と、絶縁性の樹脂材料で構成された樹脂層とを有する樹脂層付き金属膜が用いられている。
【０００３】
このような基板（樹脂層付き金属膜）としては、安価なリジッド基板が広く用いられている。
【０００４】
しかしながら、モバイル機器の内部のような狭い空間に設置される基板や、発光面が曲面部を有するＬＥＤ照明機器に用いられる基板、自動車のリアランプ用・デイライト用の基板等には、ある程度の屈曲性が求められ、リジッド基板を適用するのは困難である。
【０００５】
このため、上記のような用途では、高価なフレキシブル基板が用いられていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
フレキシブル基板は、一般に、３００℃以上の耐熱性を有し、多数回の屈曲にも耐える耐久性を有する等、非常に高い性能を有するものである。
【０００７】
しかしながら、上記のような用途では、このような過剰な性能は求められず、現状では、過剰性能のフレキシブル基板を用いており、費用対効果が著しく低いものであった。
【０００８】
また、電子部品等を実装する際の作業性の観点から、基板には反りが生じていないことが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１３−２４３０２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、安価で十分な屈曲耐性、耐熱性を有し、不本意な反りの発生が防止された樹脂層付き金属膜を提供すること、また、安価で十分な屈曲耐性、耐熱性を有し、不本意な反りの発生が防止された実装基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
このような目的は、下記（１）〜（１２）の本発明により達成される。
（１）  金属膜と、
エポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物を含む材料で構成された樹脂層とを備え、
ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される前記樹脂層についての曲げ弾性率が、１０ＭＰａ以上であり、
ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される前記樹脂層について引張伸び（破断伸度）が３％以上であり、
ＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率が５％以下であり、
前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物が反応したものであることを特徴とする樹脂層付き金属膜。
【００１２】
（２）  金属膜と、
エポキシ基を有する硬化性樹脂を含む材料で構成された樹脂層とを備え、
ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される前記樹脂層についての曲げ弾性率が、１０ＭＰａ以上であり、
ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される前記樹脂層について引張伸び（破断伸度）が３％以上であり、
前記硬化性樹脂を硬化させた状態でのＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率が５％以下であり、
前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物が反応したものであることを特徴とする樹脂層付き金属膜。
【００１３】
（３）  前記樹脂層は、柔軟成分を含むものである上記（１）または（２）に記載の樹脂層付き金属膜。
【００１４】
（４）  前記柔軟成分は、前記硬化性樹脂と反応し得る官能基により、前記硬化性樹脂と反応し、前記樹脂層中において、硬化物の分子の一部を構成するものである上記（３）に記載の樹脂層付き金属膜。
【００１５】
（５）  前記樹脂層中における前記柔軟成分の含有率は、２０質量％以上６０質量％以下である上記（３）または（４）に記載の樹脂層付き金属膜。
【００１６】
（６）  前記樹脂層は、無機フィラーを５質量部以上６５質量部以下含むものである上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００１７】
（７）  前記硬化性樹脂が硬化した状態での前記樹脂層の１００℃における引張貯蔵弾性率が１ＭＰａ以上である上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００１８】
（８）  前記硬化性樹脂のエポキシ当量が１００以上である上記（１）ないし（７）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００２０】
（９）  前記樹脂層の体積抵抗率が１×１０１３Ω・ｃｍ以上である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００２１】
（１０）  前記樹脂層の厚さが１０μｍ以上１０００μｍ以下である上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００２２】
（１１）  前記金属膜の厚さが５μｍ以上１０００μｍ以下である上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜。
【００２３】
（１２）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の樹脂層付き金属膜を用いて、電子部品を実装して得られたことを特徴とする実装基板。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、安価で十分な屈曲耐性、耐熱性を有し、不本意な反りの発生が防止された樹脂層付き金属膜を提供すること、また、安価で十分な屈曲耐性、耐熱性を有し、不本意な反りの発生が防止された実装基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の樹脂層付き金属膜の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実装基板の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
≪樹脂層付き金属膜≫
まず、本発明の樹脂層付き金属膜について説明する。
【００２７】
図１は、本発明の樹脂層付き金属膜の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
なお、本明細書で参照する図面は、構成の一部を誇張して示したものであり、実際の寸法比率等を正確に反映したものではない。
【００２８】
樹脂層付き金属膜１０は、金属膜１と、絶縁性を有する樹脂層２とを備えている。
樹脂層付き金属膜１０は、回路基板、実装基板の製造に用いられるものである。
【００２９】
＜金属膜＞
金属膜１は、樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される回路基板において、回路層となるものである。
【００３０】
金属膜１は、金属材料で構成されたものであればよく、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄、錫等から構成され、２種以上含んでいてもよいが、好ましくは、ＣｕまたはＣｕ合金で構成されたものである。
【００３１】
これにより、回路層の形成を容易に行うことができるとともに、回路層の導電性を特に優れたものとすることができる。また、樹脂層付き金属膜１０の創造コストを抑制する観点からも好ましい。
【００３２】
金属膜１の厚さは、特に限定されないが、５μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましい。
【００３３】
金属膜１の厚さが前記範囲内の値であると、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の耐久性等を特に優れたものとしつつ、柔軟性・屈曲性を特に優れたものとすることができる。また、金属膜１の厚さが前記範囲内の値であると、金属膜１を回路に加工する際の加工性を優れたものとしつつ、形成される回路を高電流用途にも好適に適用することができる。
【００３４】
金属膜１は、各部位で均一な組成を有するものであってもよいし、組成の異なる部位を有するものであってもよい。例えば、金属膜１は、組成の異なる複数の層を有する積層体であってもよいし、組成が厚さ方向に傾斜的に変化する傾斜材料で構成されたものであってもよい。
【００３５】
＜樹脂層＞
樹脂層２は、回路基板、実装基板において、絶縁層として機能するものである。
【００３６】
樹脂層２は、エポキシ基を有する硬化性樹脂（Ｂステージの樹脂材料）、エポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物（Ｃステージの樹脂材料）のうち少なくとも一方を含む材料で構成されたものである。
【００３７】
樹脂層２が、エポキシ基を有する硬化性樹脂（Ｂステージの樹脂材料）を含むものである場合、電子部品が実装された実装基板の使用時においては、硬化反応により、前記硬化性樹脂（Ｂステージの樹脂材料）は硬化した状態（Ｃステージ）となっている。
【００３８】
エポキシ基を有する硬化性樹脂は、一般に、フレキシブル基板に用いられているポリイミド等に比べて安価であり、樹脂層付き金属膜のコストを低減させるうえで有利である。
【００３９】
また、エポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物（Ｃステージの樹脂材料）は、一般に、十分な絶縁性、耐熱性を有しており、特殊な用途（例えば、２５０℃以上の環境温度で用いられるもの、数十万回の屈曲耐性が求められるもの等）でない限り、回路基板の絶縁層に求められる特性を十分に満足するものである。
そして、樹脂層２は、以下の条件を満足するものである。
【００４０】
すなわち、ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される樹脂層２についての曲げ弾性率が、１０ＭＰａ以上であり、かつ、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される樹脂層２について引張伸び（破断伸度）が３％以上である。
【００４１】
このような条件を満足することにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板は、十分な柔軟性・屈曲耐性を有するものとなり、例えば、モバイル機器の内部のような狭い空間に設置される基板や、発光面が曲面部を有するＬＥＤ照明機器に用いられる基板、自動車のリアランプ用・デイライト用の基板等のように、ある程度の屈曲性が求められる基板に好適に適用することができる。
【００４２】
これに対し、これらの条件を満足しない場合には、前述したような優れた効果が得られない。
【００４３】
すなわち、樹脂層２についての曲げ弾性率が小さすぎると、十分なコシ（張り）が得られず、部品実装やハンドリングが困難となる。
【００４４】
また、樹脂層２について引張伸び（破断伸度）が小さすぎると、十分な屈曲性が得られず、前述したような用途に適用することが困難となる。
【００４５】
上記のように、ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定される樹脂層２についての曲げ弾性率は、１０ＭＰａ以上であればよいが、１０ＭＰａ以上１０ＧＰａ以下であるのが好ましい。
【００４６】
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮されるとともに、樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される回路基板に電子部品を実装する際の作業性を特に優れたものとすることができる。
【００４７】
また、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定される樹脂層２について引張伸び（破断伸度）は、３％以上であればよいが、５％以上であるのが好ましく、３０％以上３００％以下であるのがより好ましい。
【００４８】
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮されるとともに、樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される回路基板に電子部品を実装する際の作業性を特に優れたものとすることができる。
【００４９】
なお、曲げ弾性率は、例えば、テンシロンによる三点曲げ試験等を用いた測定により求めることができる。
【００５０】
また、引張伸び（破断伸度）は、例えば、テンシロンによる引張り試験等を用いた測定により求めることができる。
【００５１】
前述したように、樹脂層２は、エポキシ基を有する硬化性樹脂（Ｂステージの樹脂材料）、エポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物（Ｃステージの樹脂材料）のうち少なくとも一方を含む材料で構成されたものであればよいが、樹脂層２がエポキシ基を有する硬化性樹脂（Ｂステージの樹脂材料）を含む材料で構成されたものである場合、Ｂステージの樹脂材料は優れた接合性（接着性）を発揮することができるため、樹脂層２側に部材を好適に接合（接着）することができる。より具体的には、例えば、樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される実装基板を、樹脂層２側に放熱部材（例えば、Ａｌ等の熱伝導率を有する材料で構成された放熱部材）が接合されたものとして好適に得ることができる。
【００５２】
また、樹脂層２がエポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物（Ｃステージの樹脂材料）を含む材料で構成されたものである場合、樹脂層付き金属膜、樹脂層付き金属膜を用いて製造される回路基板の寸法精度をより優れたものとすることができ、実装基板の製造時における電子部品の実装をより好適に行うことができる。また、リフロー耐熱性をより優れたものとすることができる。
【００５３】
前述したエポキシ基を有する硬化性樹脂の硬化物（Ｃステージの樹脂材料）のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以上であるのが好ましく、７０℃以上２５０℃以下であるのがより好ましい。
【００５４】
これにより、前述したような幅広い用途において、十分な耐熱性、耐久性を十分に発揮することができるとともに、樹脂層付き金属膜１０の生産コストを抑制することができる。また、Ｃステージの樹脂材料を含む樹脂層付き金属膜１０等（回路基板、実装基板を含む）、Ｂステージの樹脂材料がＣステージとなった状態の樹脂層付き金属膜１０等（回路基板、実装基板を含む）の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとすることができる。
【００５５】
なお、ガラス転移温度は、例えば、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に基づいて、以下のようにして計測することができる。
【００５６】
すなわち、動的粘弾性測定装置（例えば、ティー・エイ・インスツルメント社製ＤＭＡ／９８３等）を用いて窒素雰囲気（２００ｍｌ／分）のもと引張荷重をかけて、周波数１Ｈｚ、−５０℃から３００℃の温度範囲を昇温速度５℃／分の条件で測定し、ｔａｎδのピーク位置よりガラス転移温度Ｔｇを求めることができる。
【００５７】
また、樹脂層２の絶縁破壊電圧は、３０ｋＶ／ｍｍ以上であるのが好ましく、５０ｋＶ／ｍｍ以上であるのがより好ましい。
【００５８】
エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。
【００５９】
エポキシ基を有する硬化性樹脂のエポキシ当量は、１００以上であるのが好ましく、１５０以上５０００以下であるのがより好ましい。
【００６０】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性、屈曲耐性、耐熱性を特に優れたものとすることができる。
【００６１】
エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
【００６２】
このようなエポキシ樹脂を使用することで、ガラス転移温度を高くするとともに、樹脂層２の強度、熱伝導性を特に優れたものとすることができる。
【００６３】
芳香環あるいは脂肪環構造を有するエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＥ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＭ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＰ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＺ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタン型ノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂等が挙げられる。これらの中の１種類を単独で用いることもできるし、２種類以上を併用したりすることもできる。
【００６４】
また、ガラス転移温度をより一層高くでき、樹脂層２のボイドの発生を抑制し、樹脂層２の強度、熱伝導性をさらに優れたものとすることができ、かつ絶縁破壊電圧を向上できる観点から、エポキシ樹脂としては、ナフタレン型エポキシ樹脂が特に好ましい。ここで、ナフタレン型エポキシ樹脂とは、ナフタレン環骨格を有し、かつ、グリシジル基（エポキシ基）を２つ以上有するものをいう。
【００６５】
前記硬化性樹脂を構成する全エポキシ樹脂：１００質量部に対するナフタレン型エポキシ樹脂の含有量は、好ましくは２０質量部以上８０質量部以下であり、より好ましくは４０質量部以上６０質量部以下である。これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００６６】
ナフタレン型エポキシ樹脂としては、例えば、以下の下記式（５）で表されるもの、下記式（６）で表されるもの、下記式（７）で表されるもの等を用いることができる。なお、下記式（６）において、ｍ、ｎはナフタレン環上の置換基の個数を示し、それぞれ独立して１以上７以下の整数を示している。また、下記式（７）においては、Ｍｅはメチル基を示し、ｌ、ｍ、ｎは１以上の整数である。ただし、ｌ、ｍ、ｎは１０以下であることが好ましい。
【００６７】
【化１】
0006627284.tif 000002
【００６８】
【化２】
0006627284.tif 000003
【００６９】
【化３】
0006627284.tif 000004
【００７０】
なお、上記式（６）の化合物の中でも、特に、下記式（６−１）、下記式（６−２）、下記式（６−３）で表されるものが好ましい。
【００７１】
【化４】
0006627284.tif 000005
【００７２】
また、ナフタレン型エポキシ樹脂としては、以下の下記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂も使用できる。
【００７３】
【化５】
0006627284.tif 000006
（上記式（８）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、ｌは１以上２以下の整数であり、Ｒ１はそれぞれ独立に水素原子、ベンジル基、アルキル基または下記式（９）で表される構造であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基である。）
【００７４】
【化６】
0006627284.tif 000007
（上記式（９）において、Ａｒはそれぞれ独立にフェニレン基またはナフチレン基であり、Ｒ２はそれぞれ独立に水素原子またはメチル基であり、ｍは１または２の整数である。）
【００７５】
上記式（８）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の中でも特に好ましいものとしては、例えば、下記式（１０）で表されるものが挙げられる。
【００７６】
【化７】
0006627284.tif 000008
（上記式（１０）において、ｎは１以上２０以下の整数であり、好ましくは１以上１０以下の整数であり、より好ましくは１以上３以下の整数である。Ｒはそれぞれ独立に水素原子または下記式（１１）で表される構造であり、好ましくは水素原子である。）
【００７７】
【化８】
0006627284.tif 000009
（上記式（１１）において、ｍは１または２の整数である。）
【００７８】
上記式（１０）で表されるナフチレンエーテル型エポキシ樹脂の中でも特に好ましいものとしては、例えば、下記式（１２）、下記式（１３）、下記式（１４）、下記式（１５）、下記式（１６）で表されるものが挙げられる。
【００７９】
【化９】
0006627284.tif 000010
【００８０】
【化１０】
0006627284.tif 000011
【００８１】
【化１１】
0006627284.tif 000012
【００８２】
【化１２】
0006627284.tif 000013
【００８３】
【化１３】
0006627284.tif 000014
【００８４】
また、エポキシ樹脂としては、前述したようなエポキシ樹脂よりも柔軟性の高いエポキシ樹脂（柔軟成分としてのエポキシ樹脂）を用いることができる。例えば、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）を有しない脂肪族エポキシ樹脂、ポリジエン骨格を有するエポキシ樹脂、炭素数が４以上のｎ−アルキレン基を有するエポキシ樹脂等を用いることができる。
【００８５】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の絶縁性、耐久性等を十分に優れたものとしつつ、柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとすることができる。
【００８６】
特に、ポリジエン系骨格を有するエポキシ樹脂を用いることにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性、金属膜１と樹脂層２との密着性を特に優れたものとすることができる。
【００８７】
また、炭素数が４以上のｎ−アルキレン基を有するエポキシ樹脂を用いることにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性、金属膜１と樹脂層２との密着性を特に優れたものとすることができる。
【００８８】
ポリジエン系骨格を有するエポキシ樹脂としては、例えば、下記式（１８）、下記式（２６）で表されるものが挙げられる。
【００８９】
【化１４】
0006627284.tif 000015
（式（１８）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒは、それぞれ独立に０以上の整数、ただし、ｌ、ｍ、ｎがすべて０の場合を除く。また、ｐ、ｑ、ｒがすべて０の場合も除く。）
【００９０】
【化１５】
0006627284.tif 000016
（式（２６）において、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０以上の整数、ただし、ｌ、ｍ、ｎがすべて０の場合を除く。）
【００９１】
このようなエポキシ樹脂を含むことにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００９２】
式（１８）において、ｌ、ｍ、ｎ、ｐ、ｑ、ｒは、それぞれ独立に０以上の整数であればよいが、ｌは１以上５以下の整数であるのが好ましく、ｍは５以上２０以下の整数であるのが好ましく、ｎは０以上８以下の整数であるのが好ましく、ｐは０以上８以下の整数であるのが好ましく、ｑは３以上１２以下の整数であるのが好ましく、ｒは０以上４以下の整数であるのが好ましい。
【００９３】
また、式（２６）において、ｌ、ｍ、ｎは、それぞれ独立に０以上の整数であればよいが、ｌは１以上１２以下の整数であるのが好ましく、ｍは８以上３０以下の整数であるのが好ましく、ｎは０以上１０以下の整数であるのが好ましい。
【００９４】
炭素数が４以上のｎ−アルキレン基を有するエポキシ樹脂としては、例えば、下記式（１９）、下記式（２０）で表されるものが挙げられる。
【００９５】
【化１６】
0006627284.tif 000017
【００９６】
【化１７】
0006627284.tif 000018
【００９７】
このようなエポキシ樹脂を含むことにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【００９８】
また、芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂と、上述したような柔軟性の高いエポキシ樹脂とを併用することにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【００９９】
芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂と、上述したような柔軟性の高いエポキシ樹脂（柔軟性エポキシ樹脂）とを併用する場合、樹脂層２を構成する硬化性樹脂が硬化した状態（Ｃステージの状態）における硬化物中に含まれる芳香環構造および脂環構造（脂環式の炭素環構造）の少なくともいずれか一方を有するエポキシ樹脂の含有率をＸｃ［質量％］、樹脂層２を構成する硬化性樹脂が硬化した状態（Ｃステージの状態）における硬化物中に含まれる上述したような柔軟性の高いエポキシ樹脂（柔軟性エポキシ樹脂）の含有率をＸｆ［質量％］としたとき、０．１≦Ｘｃ／Ｘｆ≦０．８の関係を満足するのが好ましく、０．３≦Ｘｃ／Ｘｆ≦０．７の関係を満足するのがより好ましい。
これにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。
【０１００】
エポキシ基を有する硬化性樹脂としては、フェノキシ樹脂を用いてもよい。
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとすることができる。
【０１０１】
フェノキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノール骨格を有するフェノキシ樹脂、ナフタレン骨格を有するフェノキシ樹脂、アントラセン骨格を有するフェノキシ樹脂、ビフェニル骨格を有するフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂等が挙げられる。また、これらの骨格を複数種有した構造のフェノキシ樹脂を用いることもできる。
【０１０２】
これらの中でも、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型のフェノキシ樹脂、イミド骨格を有するフェノキシ樹脂、ビスフェノールアセトフェノン骨格を有するフェノキシ樹脂を用いるのが好ましい。また、上記のうち複数の骨格を有するフェノキシ樹脂を用いてもよい。
【０１０３】
フェノキシ樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、５．０×１０３以上８．０×１０４以下が好ましい。
【０１０４】
なお、本明細書において、重量平均分子量とは、特に断りのない限り、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定したポリスチレン換算の値である。
【０１０５】
また、前述したようなエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とを併用してもよい。
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【０１０６】
特に、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物を反応させて得られたものであるのが好ましい。
【０１０７】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【０１０８】
前述したようなエポキシ樹脂と、フェノキシ樹脂とを併用する場合、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物中に含まれる前記エポキシ樹脂の含有率をＸｅ［質量％］、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物中に含まれる前記フェノキシ樹脂の含有率をＸｐ［質量％］としたとき、０．４≦Ｘｅ／Ｘｐ≦２．８の関係を満足するのが好ましく、０．５≦Ｘｅ／Ｘｐ≦２．５の関係を満足するのがより好ましい。
【０１０９】
これにより、前述したようなエポキシ樹脂とフェノキシ樹脂とを併用することによる効果がより顕著に発揮される。
【０１１０】
また、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、その一部に、前述したようなエポキシ基を有する硬化性樹脂以外の成分を含むものであってもよい。
【０１１１】
例えば、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、その分子内に、エポキシ基を有する硬化性樹脂と反応し得る官能基を有し、当該官能基により硬化性樹脂と反応した柔軟成分（樹脂層２を柔軟にさせる機能を有する成分）を含むものであってもよい。
【０１１２】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【０１１３】
このような柔軟成分（硬化物の一部を構成する柔軟成分）としては、例えば、末端にカルボキシル基を含有する、アクリロニトリルとブタジエンとの共重合体（ＣＴＢＮ、例えば、下記の式（１７）で示され、ｘが０．０５以上０．２以下、ｙが０．８以上０．９５以下（ｘとｙはモル比を示し、ｘ＋ｙ＝１である）、ｚが５０以上７０以下である化合物。例えば、商品名ＣＴＢＮ１３００Ｘ（宇部興産社製））、フェノール性水酸基含有芳香族ポリアミド−ポリ（ブタジエン−アクリロニトリル）ブロック共重合体（例えば、商品名ＫＡＹＡＦＬＥＸ  ＢＰＡＭ−１５５（日本化薬社製、末端はアミド基））等が挙げられる。
【０１１４】
【化１８】
0006627284.tif 000019
【０１１５】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【０１１６】
特に、前記硬化性樹脂が硬化した硬化物は、エポキシ当量が５０００以上のフェノキシ樹脂に、多官能エポキシ化合物を反応させて得られたものであるのが好ましい。
【０１１７】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとしつつ、耐熱性等も特に優れたものとすることができる。
【０１１８】
樹脂層２は、前述した硬化物または硬化物を構成する硬化性樹脂以外の成分を含むものであってもよい。
【０１１９】
このような成分としては、例えば、充填剤、柔軟成分（硬化物の一部を構成するものではない柔軟成分）、酸化防止剤、カップリング剤、消泡剤、レベリング剤等が挙げられる。
【０１２０】
樹脂層２を構成する充填剤（フィラー）としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩；酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩；水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩；ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩；窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物；チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等が挙げられる。
【０１２１】
充填剤は、例えば、球形、針状、ファイバー状、ストランド状、鱗片状等、いかなる形状をなすものであってもよい。
【０１２２】
また、樹脂層２は、ガラス不織布、アラミド不織布等、シート状部材（特に、硬化性樹脂等が含浸する空隙を有するもの）を含むものであってもよい。これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の耐久性等を特に優れたものとすることができる。
【０１２３】
特に、樹脂層２が、無機材料で構成されたフィラー（無機フィラー）を含むものであると、樹脂層付き金属膜１０の重量（比重）が大きくなることや樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性が損なわれることを十分に防止しつつ、強度、耐久性を特に優れたものとすることができるとともに、樹脂層２の熱伝導性を特に優れたものとすることができる。また、樹脂層２の熱膨張係数を特に低いものとすることができる。このような効果は、各種無機フィラーの中でもタルクを含む場合に、より顕著に発揮される。
【０１２４】
充填剤の平均粒子径は、特に限定されないが、０．１μｍ以上５０μｍ以下であるのが好ましい。
【０１２５】
本明細書において、平均粒子径とは、特に断りのない限り、体積基準の平均粒子径のことを指す。
【０１２６】
なお、粒子径は、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置ＳＡＬＤ−７０００を用いて、水中に対象粒子を１分間超音波処理することにより分散させ、測定することができる。
【０１２７】
樹脂層２が充填剤を含むものである場合、樹脂層２中における充填剤の含有率は、５質量％以上８０質量％以下であるのが好ましい。
【０１２８】
これにより、前述したようなエポキシ基を有する硬化性樹脂またはその硬化物を含むことによる効果を確実に発揮させつつ、充填剤を含むことによる効果がより顕著に発揮される。
【０１２９】
樹脂層２が各種充填剤の中でも無機フィラーを含むものである場合、樹脂層２中における無機フィラーの含有率は、５質量％以上６５質量％以下であるのが好ましい。
【０１３０】
これにより、前述したようなエポキシ基を有する硬化性樹脂またはその硬化物を含むことによる効果を確実に発揮させつつ、無機フィラーを含むことによる効果がより顕著に発揮される。
【０１３１】
また、硬化物の一部を構成するものではない柔軟成分を含むことにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性や、耐熱性等の各種特性の調整をより簡単に行うことができる。
【０１３２】
このような柔軟成分（硬化物の一部を構成するものではない柔軟成分）としては、例えば、アクリルゴム、ニトリルゴム（ＮＢＲ）等の各種ゴム、ゴム変性ポリアミド、アクリル系熱可塑性エラストマー等の各種熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【０１３３】
なお、カルボン酸変性エチレンアクリルゴムは、例えば、下記式（１）、下記式（２）および下記式（３）で示される各部分構造を有するものである。
【０１３４】
【化１９】
0006627284.tif 000020
【０１３５】
樹脂層２中における柔軟成分（硬化物の一部を構成するものとして含まれるもの、および、硬化物の一部を構成するものではないものとして含まれるもの）の含有率は、２０質量％以上６０質量％以下であるのが好ましく、２３質量％以上５５質量％以下であるのがより好ましい。
【０１３６】
これにより、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の耐久性等を十分に優れたものとしつつ、柔軟性・屈曲性を特に優れたものとすることができる。
【０１３７】
樹脂層２の形成に用いる組成物（層形成用組成物）としては、前述した成分（硬化性樹脂、充填剤、柔軟成分等）に加え、他の成分を用いてもよい。
【０１３８】
このような成分としては、例えば、硬化剤、カップリング剤、各種溶媒、消泡剤、レベリング剤等が挙げられる。
【０１３９】
硬化剤を用いることにより、硬化性樹脂の硬化反応を比較的穏やかな条件で、速やかに進行させることができ、樹脂層２の形成効率、樹脂層付き金属膜１０の生産性を特に優れたものとすることができる。
【０１４０】
また、カップリング剤を用いることにより、金属膜１と樹脂層２との密着性、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の耐久性、信頼性を特に優れたものとすることができる。
【０１４１】
硬化剤としては、例えば、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）、トリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等の有機金属塩；ジシアンジアミド、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシリレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジエチルジフェニルメタン、メタフェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン、イソフォロンジアミン、ノルボルネンジアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ［２，２，２］オクタン等のアミン系硬化剤；２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−エチル−４−エチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシイミダゾール等のイミダゾール系硬化剤；トリフェニルホスフィン、トリ−ｐ−トリルホスフィン、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボラン、１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン等の有機リン化合物；フェノール、ビスフェノールＡ、ノニルフェノール等のフェノール化合物；酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸等の有機酸や、これらの誘導体等が挙げられる。硬化剤として、これらの中のから選択される１種類を単独で用いることもできるし、これらの中から２種類以上を併用したりすることもできる。
【０１４２】
これらの中でも、接着性に優れ、かつ比較的低温で反応し、耐熱性が優れた硬化物が得られる点で、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤が好ましい。
【０１４３】
カップリング剤としては、例えば、カップリング剤として知られている各種材料を用いることができるが、具体的には、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤の中から選ばれる１種以上のカップリング剤を使用することが好ましい。
【０１４４】
溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、メタノール、エタノール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセロソルブ、メトキシプロパノール、シクロヘキサノン、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等を挙げることができる。
【０１４５】
前記硬化性樹脂が硬化した状態での樹脂層２の１００℃における引張貯蔵弾性率は、１ＭＰａ以上であるのが好ましく、２ＭＰａ以上４０ＭＰａ以下であるのがより好ましく、４ＭＰａ以上３５ＭＰａ以下であるのがさらに好ましい。
これにより、樹脂層２の耐熱性をより優れたものとすることができる。
【０１４６】
引張貯蔵弾性率の値は、ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４（ＩＳＯ  ６７２１）に準拠した測定により求めることができ、より具体的には、例えば、動的粘弾性自動測定器を用いて、−１００℃から２００℃まで１℃／分で等速昇温し、周波数１０Ｈｚで求めることができる。
【０１４７】
樹脂層２の体積抵抗率は、１×１０１３Ω・ｃｍ以上であるのが好ましく、１×１０１５Ω・ｃｍ以上１×１０１６Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。
これにより、樹脂層２の絶縁性を十分に優れたものとすることができる。
【０１４８】
樹脂層２の厚さは、特に限定されないが、１０μｍ以上１０００μｍ以下であるのが好ましく、２０μｍ以上３００μｍ以下であるのがより好ましい。
【０１４９】
樹脂層２の厚さが前記範囲内の値であると、十分な絶縁性を確保しつつ、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の柔軟性・屈曲耐性を特に優れたものとすることができる。また、樹脂層付き金属膜１０の全体としての放熱性を特に優れたものとすることができるとともに、金属膜１と樹脂層２との熱膨張率差による熱応力の発生をより効果的に緩和することができ、金属膜１と樹脂層２と密着性、樹脂層付き金属膜１０やこれを用いて製造される回路基板、実装基板の耐久性を特に優れたものとすることができる。
【０１５０】
樹脂層２は、各部位で均一な組成を有するものであってもよいし、組成の異なる部位を有するものであってもよい。例えば、樹脂層２は、組成の異なる複数の層を有する積層体であってもよいし、組成が厚さ方向に傾斜的に変化する傾斜材料で構成されたものであってもよい。
【０１５１】
また、樹脂層付き金属膜１０は、以下のような条件を満足する。
すなわち、樹脂層付き金属膜１０は、樹脂層２を構成する硬化性樹脂が硬化した状態（Ｃステージ）でのＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率が５％以下のものである。
【０１５２】
これにより、樹脂層付き金属膜１０や樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される回路基板の不本意な反り（カール）が効果的に防止され、平坦性が高く、電子部品等を実装する際の作業性を優れたものとすることができる。
【０１５３】
これに対し、樹脂層付き金属膜１０の反り率が大きすぎると、樹脂層付き金属膜１０や樹脂層付き金属膜１０を用いて製造される回路基板に不本意な反りが生じ易く、電子部品等を実装する際の作業性が急激に低下し、樹脂層付き金属膜１０、回路基板の取扱いのし易さ（取扱い性）、実装基板の生産性が著しく低下する。
【０１５４】
ＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される樹脂層付き金属膜１０についての反り率は、５％以下であればよいが、４％以下であるのが好ましく、３％以下であるのがより好ましい。
これにより、前述した効果がより顕著に発揮される。
【０１５５】
なお、樹脂層２がＢステージの樹脂材料を含むものである場合、樹脂層付き金属膜１０の反り率の測定（前述した引張貯蔵弾性率の測定についても同様）に際して、Ｂステージの樹脂材料の硬化は、例えば、１９５℃×１〜２時間という加熱処理により行うことができる。
【０１５６】
≪回路基板≫
次に、前述したような本発明の樹脂層付き金属膜を用いて製造される回路基板について説明する。
【０１５７】
上述したような樹脂層付き金属膜１０は、エッチング等により、金属膜１を所定のパターンにすることにより、回路を形成して回路基板として用いる。また、樹脂層付き金属膜１０（エッチング等により金属膜１を所定のパターンとした樹脂層付き金属膜１０）は、積層して用いることにより、多層回路基板が得られる。この場合、樹脂層付き金属膜１０の間に、絶縁シートを介挿して多層回路基板を製造してもよい。
【０１５８】
前述したような条件を満足するものであることにより、回路基板は、不本意な反りが効果的に防止されたものであり、電子部品等を実装する際の作業性に優れている。したがって、実装基板の生産性を優れたものとすることができる。
【０１５９】
≪実装基板≫
次に、本発明の実装基板について説明する。
【０１６０】
図２は、本発明の実装基板の好適な実施形態を模式的に示す断面図である。
実装基板１００は、上記のような回路基板５０（樹脂層付き金属膜１０の金属膜１をパターニングして得られた回路を有するもの）に、電子部品６０が実装されたものである。
【０１６１】
このような実装基板１００は、前述したような樹脂層付き金属膜１０を用いて製造されたものであるため、安価で十分な屈曲耐性、耐熱性を有し、不本意な反りの発生が防止されたものとなる。
【０１６２】
実装基板１００の製造においては、例えば、最外層にソルダーレジストを形成し、露光・現像により電子部品６０が実装できるよう接続用電極部を露出させてもよい。
【０１６３】
また、実装基板１００は、例えば、回路基板５０の樹脂層（絶縁層）２側（例えば、実装基板１００を平面視した際に発熱部品と重なり有る部位）に、Ａｌ等の熱伝導率を有する材料で構成された放熱部材（図示せず）を備えるものであってもよい。
【０１６４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【０１６５】
例えば、本発明の樹脂層付き金属膜は、前述したような金属膜（回路形成用の金属膜）、樹脂層（絶縁層として機能する樹脂層）に加え、放熱層として機能する金属板を備えるものとであってよい。
【０１６６】
また、前述した実施形態では、樹脂層付き金属膜を加工すること（樹脂層付き金属膜の金属膜をパターニングすること）により、回路基板を得る場合について代表的に説明したが、例えば、樹脂層付き金属膜の製造時において、所定のパターンのマスクを用いて、樹脂層上に金属膜を形成することにより、所定のパターンの金属膜を有する樹脂層付き金属膜を得てもよい。言い換えると、樹脂層付き金属膜を、そのまま回路基板として用いてもよい。
【実施例】
【０１６７】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１６８】
［１］樹脂層形成用組成物の調製
（調製例１）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：５０．２質量部、柔軟成分としての変性液状エポキシ樹脂（三菱化学製、ＹＸ７１０５、エポキシ当量：４８７）：２９．０質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．１質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：０．６質量部、タルク（平均粒子径：１８μｍ、富士タルク工業製、ＰＫＰ−５３）：２０．１質量部を、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が６４質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１６９】
（調製例２）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：４１．３質量部、柔軟成分としての低弾性液状エポキシ樹脂（旭化成イーマテリアルズ製、ＡＥＲ９０００、エポキシ当量：３８０）：２６．８質量部、液状フェノールノボラック（明和化成製、ＭＥＨ−８００５、水酸基当量：１３５）：９．５質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：２．６質量部、タルク（平均粒子径：１８μｍ、富士タルク工業製、ＰＫＰ−５３）：１９．８質量部を、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が７０質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７０】
（調製例３）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：６２．７質量部、柔軟成分としての変性液状エポキシ樹脂（三菱化学製、ＹＸ７１０５、エポキシ当量：４８７）：３６．３質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．２質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：０．８質量部を、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が５５質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７１】
（調製例４）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：５５．０質量部、柔軟成分としての低弾性液状エポキシ樹脂（旭化成イーマテリアルズ製、ＡＥＲ９０００、エポキシ当量：３８０）：３１．１質量部、液状フェノールノボラック（明和化成製、ＭＥＨ−８００５、水酸基当量：１３５）：１１．１質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：２．８質量部を、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が６０質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７２】
（調製例５）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：６３．６質量部、シリコーン樹脂（モメンティブパフォーマンズ製ＸＥ１４−Ａ０４２５（Ａ）、ポリアルキルアルケニルシロキサン）：８．５質量部、シリコーン樹脂（モメンティブパフォーマンズ製ＸＥ１４−Ａ０４２５（Ｂ）、ポリアルキル水素シロキサン）：８．５質量部、柔軟成分としての変性液状エポキシ樹脂（三菱化学製、ＹＸ７１０５、エポキシ当量：４８７）：１８．９質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．１質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：０．４質量部を、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が５５質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７３】
（調製例６）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：４９．８質量部、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（ＤＩＣ製、８３０Ｓ、エポキシ当量：１７０）：２６．８質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．４質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：１．５質量部、タルク（平均粒子径：１８μｍ、富士タルク工業製、ＰＫＰ−５３）：２１．５質量部を、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が６１質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７４】
（調製例７）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：８７．８質量部、柔軟成分としての低弾性液状エポキシ樹脂（旭化成イーマテリアルズ製、ＡＥＲ９０００、エポキシ当量：３８０）：８．６質量部、液状フェノールノボラック（明和化成製、ＭＥＨ−８００５、水酸基当量：１３５）：２．９質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．７質量部を、シクロヘキサノン、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が３８質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７５】
（調製例８）
柔軟成分としての変性液状エポキシ樹脂（三菱化学製、ＹＸ７１０５、エポキシ当量：４８７）：９７．４質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．５質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：２．１質量部を、メチルエチルケトン、ジメチルホルムアミドに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が９８質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７６】
（調製例９）
ビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（新日鐵住金化学製、ＹＰ−５５Ｕ、重量平均分子量４．２×１０４、エポキシ当量：２１０００）：１７．１質量部、柔軟成分としての変性液状エポキシ樹脂（三菱化学製、ＹＸ７１０５、エポキシ当量：４８７）：１１．３質量部、硬化触媒としての２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成製）：０．１質量部、硬化剤としてのジシアンジアミド（デグサ製）：０．３質量部、タルク（平均粒子径：１８μｍ、富士タルク工業製、ＰＫＰ−５３）：７１．３質量部を、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、メチルエチルケトンに溶解・混合させ、高速撹拌装置を用い撹拌して、不揮発性成分量が８７質量％のワニス状の樹脂層形成用組成物を得た。
【０１７７】
［２］樹脂層付き金属膜の製造
（実施例１〜５）
それぞれ、前記調製例１〜５で得られたワニス状の樹脂層形成用組成物を用い、以下のようにして樹脂層付き金属膜を製造した。
【０１７８】
まず、厚さ：３５μｍの銅箔を用意した。
この銅箔の表面に、ダイコーターにより、樹脂層形成用組成物を付与し、１２０℃に加熱し、溶媒を除去した。
【０１７９】
その後、１９５℃で１．５時間加熱し、樹脂層形成用組成物を硬化させ、Ｃステージの樹脂材料（硬化物）を含む材料で構成された樹脂層を形成し、樹脂層付き金属膜を得た。
【０１８０】
（実施例６〜１０）
それぞれ、前記調製例１〜５で得られたワニス状の樹脂層形成用組成物を用い、以下のようにして樹脂層付き金属膜を製造した。
【０１８１】
まず、厚さ：３５μｍの銅箔を用意した。
この銅箔の表面に、ダイコーターにより、樹脂層形成用組成物を付与し、１２０℃に加熱し、溶媒を除去し、Ｂステージの樹脂材料を含む材料で構成された樹脂層を形成し、樹脂層付き金属膜を得た。
【０１８２】
（比較例１〜４）
それぞれ、樹脂層形成用組成物として、前記調整例６〜９で調製したものを用いた以外は、前記実施例１と同様にして樹脂層付き金属膜を得た。
【０１８３】
（比較例５〜８）
それぞれ、樹脂層形成用組成物として、前記調整例６〜９で調製したものを用いた以外は、前記実施例６と同様にして樹脂層付き金属膜を得た。
【０１８４】
前記実施例および比較例の樹脂層付き金属膜について、製造に用いた樹脂層形成用組成物、ＡＳＴＭ−Ｄ−７９０に準じて測定した樹脂層についての曲げ弾性率、ＡＳＴＭ−Ｄ−８８２に準じて測定した樹脂層についての引張伸び（破断伸度）、ＪＩＳ−Ｃ−６４７１記載の方法で測定される反り率を表１にまとめて示した。なお、実施例６〜１０、比較例５〜８については、上記のようにして製造した樹脂層付き金属膜に対し、１９５℃×１．５時間の加熱処理を施して硬化性樹脂を完全硬化させた後の測定により、反り率の値を求めた。
【０１８５】
また、表１には、硬化性樹脂が硬化した状態での樹脂層の１００℃における引張貯蔵弾性率の値（ＪＩＳ  Ｋ７２４４−４（ＩＳＯ  ６７２１）に準拠した測定で、動的粘弾性自動測定器（ＤＭＳ６１００（エスアイアイ・ナノテクノロジー社製））を用いて、−１００℃から２００℃まで１℃／分で等速昇温し、周波数１０Ｈｚという条件で求めた値）も示した。実施例６〜１０、比較例５〜８については、上記のようにして製造した樹脂層付き金属膜に対し、１９５℃×１．５時間の加熱処理を施して硬化性樹脂を完全硬化させた後の測定により、引張貯蔵弾性率の値を求めた。
【０１８６】
なお、曲げ弾性率、引張伸び（破断伸度）、引張貯蔵弾性率の測定は、エッチングにより樹脂層付き金属膜から金属膜（銅箔）を除去することにより得られた試料について行った。曲げ弾性率の測定には、テンシロン（ヤマト科学社製）を用い、引張伸び（破断伸度）の測定には、テンシロン（ヤマト科学社製）を用いた。
【０１８７】
【表１】
0006627284.tif 000021
【０１８８】
［３］評価
［３．１］耐熱性
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、５０ｍｍ×５０ｍｍの大きさに押切カッターでカットした後、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に基づき、２６０℃のはんだ槽に１２０秒間浮かべたときの、樹脂層付き金属膜の様子を目視で観察し、以下の評価基準に従い評価した。
【０１８９】
○：膨れ、はがれなどの異常が無い。
×：膨れ、はがれなどの異常が認められる。
【０１９０】
［３．２］屈曲耐性
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×２５ｍｍの大きさに押切カッターでカットした後、樹脂層を外側にして、中央付近をＲ＝０．５ｍｍの丸棒に押し当て９０°に屈曲させ、屈曲部の様子を目視により観察し、以下の基準に従い評価した。
【０１９１】
Ａ：屈曲部において、樹脂層のひび割れが全く認められない。
Ｂ：屈曲部において、樹脂層のひび割れがほとんど認められない。
Ｃ：屈曲部において、樹脂層の微小なひび割れがわずかに認められる。
Ｄ：屈曲部において、樹脂層の微小なひび割れが認められるものの、大きなひび割れ
（長さ：２ｍｍ以上）は認められない。
Ｅ：屈曲部において、樹脂層の大きなひび割れ（長さ：２ｍｍ以上）または剥離がは
っきりと認められる。
【０１９２】
［３．３］反復屈曲耐性
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×２５ｍｍの大きさに押切カッターでカットした。次に、樹脂層を外側にして、Ｒ＝５．０ｍｍで９０°に屈曲させた後、樹脂層を内側にして、Ｒ＝５．０ｍｍで９０°に屈曲させる操作を繰り返し行い、目視による観察で、樹脂層に長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが生じるまでの前記操作の回数を求め、以下の基準に従い評価した。
【０１９３】
Ａ：前記操作を４回行っても、長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが発生しなかった。
Ｂ：前記操作を４回行った時点で、長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが発生した。
Ｃ：前記操作を３回行った時点で、長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが発生した。
Ｄ：前記操作を２回行った時点で、長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが発生した。
Ｅ：前記操作を１回行った時点で、長さ１．０ｍｍ以上のひび割れが発生した。
【０１９４】
［３．４］導体密着力
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×２５ｍｍの大きさに押切カッターでカットした。次に、１００ｍｍ×１０ｍｍの金属膜を残すようにエッチング後、ＪＩＳ  Ｃ  ６４８１に基づき、９０°ピール試験により引き剥がし強さを以下の基準に従い評価した。
【０１９５】
Ａ：引き剥がし強さが２．０ｋＮ／ｍ以上であった。
Ｂ：引き剥がし強さが１．５ｋＮ／ｍ以上２．０ｋＮ／ｍ未満であった。
Ｃ：引き剥がし強さが１．０ｋＮ／ｍ以上１．５ｋＮ／ｍ未満であった。
Ｄ：引き剥がし強さが０．５ｋＮ／ｍ以上１．０ｋＮ／ｍ未満であった。
Ｅ：引き剥がし強さが０．５ｋＮ／ｍ未満であった。
【０１９６】
［３．５］絶縁性評価
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに押切カッターでカットした後、金属膜（銅箔）をエッチングにより除去し、試料を作製した。耐電圧試験器（ＭＯＤＥＬ７４７３、ＥＸＴＥＣＨ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いて、樹脂層とアルミニウム板に電極を接触せしめて、両電極に０．５ｋＶ／秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。樹脂層付き金属膜の樹脂層が破壊した電圧を樹脂層の厚みで割り、単位厚み（ｍｍ）あたりの絶縁破壊電圧（ｋＷ／ｍｍ）を求め、以下の基準に従い評価した。絶縁破壊電圧が大きいほど、絶縁性に優れているといえる。
【０１９７】
Ａ：絶縁破壊電圧が５０ｋＷ／ｍｍ以上であった。
Ｂ：絶縁破壊電圧が４０ｋＷ／ｍｍ以上５０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｃ：絶縁破壊電圧が３０ｋＷ／ｍｍ以上４０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｄ：絶縁破壊電圧が２０ｋＷ／ｍｍ以上３０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｅ：絶縁破壊電圧が２０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
【０１９８】
［３．６］屈曲後の絶縁性評価
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに押切カッターでカットした後、樹脂層を外側にして、中央付近をＲ＝３．０ｍｍの丸棒に押し当て９０°に屈曲させた。次に、金属膜にローラーを押し当て平板状とした後、金属膜（銅箔）をエッチングにより除去し、試料を作製した。耐電圧試験器（ＭＯＤＥＬ７４７３、ＥＸＴＥＣＨ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製）を用いて、樹脂層とアルミニウム板に電極を接触せしめて、両電極に０．５ｋＶ／秒の速度で電圧が上昇するように、交流電圧を印加した。樹脂層付き金属膜の樹脂層が破壊した電圧を樹脂層の厚みで割り、単位厚み（ｍｍ）あたりの絶縁破壊電圧（ｋＷ／ｍｍ）を求め、以下の基準に従い評価した。
【０１９９】
Ａ：絶縁破壊電圧が５０ｋＷ／ｍｍ以上であった。
Ｂ：絶縁破壊電圧が４０ｋＷ／ｍｍ以上５０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｃ：絶縁破壊電圧が３０ｋＷ／ｍｍ以上４０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｄ：絶縁破壊電圧が２０ｋＷ／ｍｍ以上３０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
Ｅ：絶縁破壊電圧が２０ｋＷ／ｍｍ未満であった。
【０２００】
［３．７］回路基板への電子部品の実装のしやすさ（反り作業性）
上記［２］で製造した各実施例および各比較例にかかる樹脂層付き金属膜を、それぞれ、１００ｍｍ×１００ｍｍの大きさに押切カッターでカットした後、金属膜面上にドライフィルムタイプのエッチングレジストをラミネートし露光、現像後、塩化第二鉄系銅エッチング液を用いてサブトラクティブ法により金属膜を所定のパターンに加工して回路を作製し、回路基板を得た。
【０２０１】
このようにして得られた回路基板に電子部品としてのＬＥＤ素子（ＬＶＹＥ６７Ｆ  オスラム社製）を実装する際の作業性（回路基板への電子部品の実装のしやすさ）を評価し、回路基板（樹脂層付き金属膜）の不本意な反りが防止されており作業性（回路基板への電子部品の実装のしやすさ）に優れるものを○、回路基板（樹脂層付き金属膜）に不本意な反りが生じており作業性（回路基板への電子部品の実装のしやすさ）に劣るものを×とした。
これらの結果を、表２に示した。
【０２０２】
【表２】
0006627284.tif 000022
【０２０３】
本発明（各実施例）では、十分な耐熱性を有するとともに、屈曲耐性に優れ、かつ、不本意な反りの発生が防止されていた。また、本発明（各実施例）では、金属膜と樹脂層との密着性に優れ、樹脂層が十分な絶縁性を有するものであった。また、本発明（各実施例）では、樹脂層の体積抵抗率は、いずれも、１×１０１５Ω・ｃｍ以上１×１０１６Ω・ｃｍ以下の範囲内の値であった。なお、本発明（各実施例）では、樹脂層を構成する硬化性樹脂が硬化した状態での硬化性樹脂の硬化物のガラス転移温度は、いずれも、１３０℃以上２５０℃以下の範囲内の値であった。
これに対し、比較例では、満足な結果が得られなかった。
【０２０４】
また、上記［３．７］で製造した各実施例および各比較例の実装基板について、上記［３．１］〜［３．６］と同様の評価を行ったところ、上記と同様の結果（樹脂層付き金属膜についての結果と同様の結果）が得られた。
【符号の説明】
【０２０５】
１０      ：樹脂層付き金属膜
１        ：金属膜
２        ：樹脂層（絶縁層）
５０      ：回路基板
６０      ：電子部品
１００    ：実装基板
【図１】
0006627284.tif 000023
【図２】
0006627284.tif 000024