(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、前記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、前記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、
前記表面電極の外周部と前記被覆セラミック層の間に、金属成分及びセラミック成分を共に含むアンカー層が設けられ、
前記アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分は、それぞれ、前記表面電極を構成する金属成分及び前記被覆セラミック層を構成するセラミック成分と同一の成分を含むことを特徴とするセラミック電子部品。
【請求項２】
前記アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分は、前記アンカー層中にそれぞれ分散して存在している、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分は、前記金属成分の周囲を前記セラミック成分が被覆する、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記アンカー層の厚みが５μｍ以上１０μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
前記被覆セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項６】
前記基材セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含み、
前記被覆セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料は、前記基材セラミック層を構成する低温焼結セラミック材料と同一である、請求項５に記載のセラミック電子部品。
【請求項７】
前記表面電極は、前記電子部品の上面に設けられた第１焼結層と、前記第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層とを含む少なくとも２層構造を有し、前記第１焼結層中の金属酸化物の含有量は、前記第２焼結層中の金属酸化物の含有量よりも多い、請求項１乃至６のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項８】
前記第１焼結層中の導電成分を構成する金属の粒子と金属酸化物の粒子とが分散して存在する、請求項７に記載のセラミック電子部品。
【請求項９】
前記第１焼結層中の金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されている、請求項７に記載のセラミック電子部品。
【請求項１０】
前記表面電極の第１焼結層に含有される導電成分と前記表面電極の第２焼結層に含有される導電成分は同じである、請求項７乃至９のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項１１】
前記アンカー層は、前記表面電極の外周部と前記被覆セラミック層の間のみに設けられている請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【請求項１２】
前記アンカー層を構成する金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合は、１０％以上、９０％以下である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のセラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品本体の表面に表面電極が設けられたセラミック電子部品として、例えば、多層セラミック基板のような積層型セラミック電子部品が挙げられる。【０００３】
このようなセラミック電子部品においては、表面電極の高周波特性の劣化防止、表面電極が受ける応力緩和やめっき侵食への耐性劣化防止、すなわち表面電極の信頼性を高めるために、いわゆるフレーミング層と呼ばれる被覆セラミック層を表面電極の外周部に設けることが行われている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−１８６２６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記被覆セラミック層は、表面電極の外周部に加えて、電子部品本体のセラミック層（以下、基材セラミック層という）上にも設けられる。
通常、被覆セラミック層は、被覆セラミック層形成用のセラミックグリーンシートを所定箇所に載置して焼成するか、又は、被覆セラミック層形成用のセラミックペーストを所定箇所に塗布して焼成することにより形成され、電子部品本体及び表面電極を得るための焼成と同時に焼成することによって形成されることが好ましいとされている。【０００６】
しかし、表面電極上と基材セラミック層上とでは、セラミックグリーンシート又はセラミックペーストの焼結性が異なるため、焼成後に得られる被覆セラミック層の強度に差が生じるという問題があった。具体的には、表面電極上の被覆セラミック層の強度が基材セラミック層上の被覆セラミック層の強度よりも低くなり、その結果、焼成により形成された被覆セラミック層が表面電極から剥離してしまうという問題があった。【０００７】
本発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高く、表面電極からの被覆セラミック層の剥離を防止することができるセラミック電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
焼成後に得られる被覆セラミック層の強度に差が生じる原因は、基材セラミック層、表面電極及び被覆セラミック層の焼結性の違いに起因すると考えられる。
基材セラミック層と被覆セラミック層は互いにセラミック同士であるから、焼結性は互いに類似しており、基材セラミック層上に形成された被覆セラミック層には剥離等の問題は発生しにくいと考えられる。一方、表面電極と被覆セラミック層とを対比すると、被覆セラミック層がセラミックリッチの組成であるのに対して、表面電極が金属リッチの組成となっていることから、表面電極と被覆セラミック層とでは焼結性が互いに異なると考えられる。すなわち、本発明者は、表面電極と被覆セラミック層の焼結性の違いによって、表面電極と被覆セラミック層との接合強度が低下し、剥離の原因になっているのではないかと考えた。【０００９】
そこで、本発明者は、表面電極上の被覆セラミック層と表面電極の間に、表面電極と被覆セラミック層との中間の性質を有するアンカー層を設けることによって、表面電極上に形成された被覆セラミック層の接合強度を向上させて、被覆セラミック層の剥離を防止することができることを見出し、本発明を完成した。【００１０】
本発明のセラミック電子部品は、表面に基材セラミック層を有する電子部品本体と、上記電子部品本体の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備えるセラミック電子部品であって、上記表面電極の外周部と上記被覆セラミック層の間に、金属成分及びセラミック成分を共に含むアンカー層が設けられていることを特徴とする。【００１１】
本発明のセラミック電子部品は、表面電極の外周部に金属成分とセラミック成分とを共に有するアンカー層が設けられていることにより、被覆セラミック層とアンカー層との接合強度が、被覆セラミック層と表面電極との接合強度よりも高くなる。その結果、セラミック電子部品を焼成した際に、被覆セラミック層が剥離しにくくなる。【００１２】
また、被覆セラミック層とアンカー層との間の接合強度が高いと、被覆セラミック層を形成した後にめっき層を形成する場合であっても、めっき層を形成する前の表面電極と被覆セラミック層との間にめっき液が侵入しにくくなるため、異常析出のリスクが低下する。【００１３】
アンカー層は、金属成分とセラミック成分とを共に含んでいるため、アンカー層と被覆セラミック層の境界付近においては、アンカー層のセラミック成分が被覆セラミック層と焼結する。また、アンカー層と表面電極の境界付近においては、アンカー層の金属成分が表面電極と焼結する。すなわち、それぞれの境界付近において、アンカー層中の金属成分又はセラミック成分のうち片方だけが優先的に焼結反応を起こすため、アンカー層と被覆セラミック層の境界付近及びアンカー層と表面電極の境界付近において物理的なアンカー構造が形成され、アンカー層及び被覆セラミック層並びにアンカー層及び表面電極が強固に接合されることとなる。
また、アンカー層は、金属成分とセラミック成分とを共に含んでいるため、アンカー層中の金属成分の本来の焼結開始温度を超えても、アンカー層中のセラミック成分の焼結開始温度に達するまでは焼結が始まらない。そのため、被覆セラミック層中の低融点成分（液相成分ともいう）が先に溶融し、アンカー層に浸入しながら焼結が進行する。このとき、液相成分がアンカー層に浸入しながら焼結が進行することで、被覆セラミック層とアンカー層の境界付近で物理的なアンカー構造を形成して、被覆セラミック層とアンカー層とが強固に接合される。【００１４】
本発明のセラミック電子部品において、上記アンカー層は、上記表面電極の外周部と上記被覆セラミック層の間のみに設けられていることが好ましい。
アンカー層が、表面電極の外周部と被覆セラミック層の間にのみに設けられていると、表面電極のうち被覆セラミック層が設けられていない箇所は、表面電極が露出していることとなるため、表面電極のめっき付性が低下することがない。従って、被覆セラミック層の接合強度を保ったまま、表面電極のめっき付性の低下を抑制することができる。【００１５】
本発明のセラミック電子部品において、上記アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分は、それぞれ、上記表面電極を構成する金属成分及び上記被覆セラミック層を構成するセラミック成分と同一の成分を含むことが好ましい。
アンカー層を構成する金属成分が表面電極を構成する金属成分と同一の成分を含んでいると、アンカー層と表面電極との反応性が向上し、接合強度が向上する。また、アンカー層を構成するセラミック成分が被覆セラミック層を構成するセラミック成分と同一の成分を含んでいると、アンカー層と被覆セラミック層との反応性が向上し、接合強度が向上する。従って、アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分が、それぞれ、表面電極を構成する金属成分及び被覆セラミック層を構成するセラミック成分と同一の成分を含むと、表面電極と被覆セラミック層との接合強度が向上し、剥離をさらに抑制できる。【００１６】
本発明のセラミック電子部品において、上記アンカー層を構成する金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合は、１０％以上、９０％以下であることが好ましい。
アンカー層を構成する金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合が、１０％以上、９０％以下であると、アンカー層が表面電極及び被覆セラミック層のどちらに対しても充分な接合強度を有することとなる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高く、表面電極からの被覆セラミック層の剥離を防止することができるセラミック電子部品を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明のセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｂは、図１に示すセラミック電子部品１の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のセラミック電子部品の別の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明のセラミック電子部品について説明する。
しかしながら、本発明は、以下の構成に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。
以下において記載する本発明の個々の望ましい構成を２つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
【００２０】
以下の実施形態では、セラミック電子部品が、多層セラミック基板等の積層型セラミック電子部品である場合、すなわち、電子部品本体が、複数のセラミック層が積層された積層構造を有する場合について説明する。しかし、本発明は、積層型セラミック電子部品に限らず、電子部品本体が表面に基材セラミック層を有し、電子部品本体の表面に表面電極が設けられた種々のセラミック電子部品に対して適用することが可能である。
【００２１】
図１は、本発明のセラミック電子部品の一例を模式的に示す断面図である。
図１には全体的な構成が示されていないが、セラミック電子部品１は、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、電子部品本体１０の表面に設けられた表面電極２０と、表面電極２０の外周部を被覆する被覆セラミック層４０とを備えている。
そして、アンカー層３０が、表面電極２０の外周部（図１中、両矢印Ｗ１で示す領域）と被覆セラミック層４０の間に設けられている。図１に示すように、表面電極２０の外周部は被覆セラミック層４０により被覆されている。なお、表面電極２０のうち、外周部ではない領域を中央部（図１中、両矢印Ｗ２で示す領域）とする。
【００２２】
図１では、電子部品本体１０は、複数の基材セラミック層１１が積層された積層構造を有しており、電子部品本体１０の内部には、内部配線導体としての内部導体膜１２及びビアホール導体１３が設けられている。内部導体膜１２はビアホール導体１３と電気的に接続されており、ビアホール導体１３は表面電極２０と電気的に接続されている。
【００２３】
本明細書において、表面電極の上面にアンカー層が配置され、アンカー層を介して表面電極上に被覆セラミック層が配置されている場合であっても、表面電極が被覆セラミック層で被覆されているという。
【００２４】
電子部品本体を構成する基材セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。
低温焼結セラミック材料とは、セラミック材料のうち、１０００℃以下の温度で焼結可能であり、ＡｇやＣｕとの同時焼成が可能である材料を意味する。
【００２５】
基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料としては、例えば、クオーツやアルミナ、フォルステライト等のセラミック材料にホウ珪酸ガラスを混合してなるガラス複合系低温焼結セラミック材料、ＺｎＯ−ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系の結晶化ガラスを用いた結晶化ガラス系低温焼結セラミック材料、ＢａＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２系セラミック材料やＡｌ２Ｏ３−ＣａＯ−ＳｉＯ２−ＭｇＯ−Ｂ２Ｏ３系セラミック材料等を用いた非ガラス系低温焼結セラミック材料等が挙げられる。
【００２６】
電子部品本体の内部に設けられる内部配線導体（内部導体膜及びビアホール導体）は、導電成分を含有する。内部配線導体に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。内部配線導体は、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。Ａｕ、Ａｇ及びＣｕは低抵抗であるため、特に、セラミック電子部品が高周波用途である場合に適している。
【００２７】
電子部品本体の表面に設けられた表面電極は、配線基板又は搭載部品のような他の電子部品と接続されるためのものである。表面電極と他の電子部品とは、半田付け等によって接続される。
【００２８】
表面電極に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。表面電極は、内部配線導体と同じ導電成分を含有することが好ましく、具体的には、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。
【００２９】
表面電極の外周部の幅（図１中、Ｗ１で表される長さ）は特に限定されないが、４０μｍ以上、１００μｍ以下であることが好ましい。
【００３０】
表面電極は、１層構造を有していてもよいし、複層構造を有していてもよいが、複層構造を有していることが好ましい。
表面電極が１層構造を有する場合、焼結層のみからなることが好ましい。
焼結層は、導電性ペーストを基材セラミック層、アンカー層、被覆セラミック層と同時焼成させることによって形成されたものである。
【００３１】
以下、表面電極の焼結層について説明する。
表面電極を構成する焼結層は、導電成分を含有する。焼結層には、電子部品本体との接合強度を高くするため、金属酸化物をさらに含有してもよい。
焼結層を複層構造とする場合、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、第１焼結層の上面に設けられた第２焼結層とを含む少なくとも２層構造を有していることがより好ましい。
【００３２】
第１焼結層に含有される導電成分としては、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられる。第１焼結層は、内部配線導体と同じ導電成分を含有することが好ましく、具体的には、導電成分として、Ａｕ、Ａｇ又はＣｕを含有することが好ましく、Ａｇ又はＣｕを含有することがより好ましい。
【００３３】
第１焼結層に含有される金属酸化物としては、例えば、Ａｌ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｉ及び、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含むものが挙げられる。上記金属酸化物は、１種でもよく、２種以上でもよい。これらの中では、Ａｌ、Ｚｒ及びＴｉからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を含むものが好ましく、Ａｌを含む金属酸化物がより好ましい。
【００３４】
第１焼結層中の金属酸化物の含有量は特に限定されないが、第２焼結層中の金属酸化物の含有量よりも多いことが好ましい。具体的には、第１焼結層中の金属酸化物の含有量は、１重量％以上が好ましく、３重量％以上がより好ましい。一方、第１焼結層中の金属酸化物の含有量は、１０重量％未満が好ましく、５重量％未満がより好ましい。
【００３５】
第１焼結層が金属酸化物を含有する場合、導電成分を構成する金属の粒子と金属酸化物の粒子とが分散して存在していてもよく、金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されていてもよいが、金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されていることが好ましい。金属の粒子の周囲に金属酸化物が被覆されている場合、金属酸化物の含有量が少なくても、電子部品本体との接合強度を高くすることができる。
【００３６】
第１焼結層の平面視形状は特に限定されず、例えば、矩形をはじめとする四角形のほか、四角形以外の多角形、円形、楕円形等が挙げられる。
【００３７】
表面電極を構成する第２焼結層は、導電成分を含有する。第２焼結層に含有される導電成分は、第１焼結層に含有される導電成分と同じであることが好ましい。
【００３８】
第２焼結層は、第１焼結層に含有される金属酸化物と同じ金属酸化物を含有していてもよいが、金属酸化物の含有量が多くなると、第２焼結層の上面にめっきが付着しにくくなる。そのため、第２焼結層は、第１焼結層よりも少ない金属酸化物を含有することが好ましく、上記金属酸化物を実質的に含有しないことがより好ましい。第２焼結層が金属酸化物を含有する場合において、第１焼結層中の金属酸化物の含有量が１重量％以上１０重量％未満であるときは、第２焼結層中の金属酸化物の含有量は、１重量％未満であることが好ましい。また、第１焼結層中の金属酸化物の含有量が３重量％以上５重量％未満であるときは、第２焼結層中の金属酸化物の含有量は、３重量％未満であることが好ましい。
【００３９】
第２焼結層の上面の面積は、第１焼結層の上面の面積と実質的に同じであることが好ましい。すなわち、第２焼結層の平面視形状は、第１焼結層の平面視形状と実質的に同じであることが好ましい。
【００４０】
なお、焼結層の数は２層に限定されず、基材セラミック層の上面に設けられた第１焼結層と、上面にめっき層が設けられる第２焼結層との間に他の焼結層が設けられていてもよい。
【００４１】
続いて、表面電極上に設けられるアンカー層について説明する。
アンカー層は、金属成分とセラミック成分とを共に有する層であり、金属成分とセラミック成分とを含むペースト材料を表面電極の上面、又は、表面電極となる導電性ペースト膜の上面に形成し、焼成することで得られる。
【００４２】
アンカー層を構成する金属成分は特に限定されないが、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｒｕ及びこれらの金属の１種を主成分とする合金等が挙げられ、表面電極を構成する金属成分と同一の成分を含むことが好ましく、アンカー層を構成する金属成分と表面電極を構成する金属成分とが同一であることがより好ましい。なお、表面電極が複層構造である場合、アンカー層を構成する金属成分は、最も外側（アンカー層に近い側）の焼結層を構成する金属成分と同一の成分を含むことが好ましく、アンカー層を構成する金属成分と最も外側（アンカー層に近い側）の焼結層を構成する金属成分とが同一であることがより好ましい。
【００４３】
アンカー層を構成するセラミック成分は特に限定されないが、被覆セラミック層を構成するセラミック成分と同一の成分を含むことが好ましく、アンカー層を構成するセラミック成分と被覆セラミック層を構成するセラミック成分とが同一であることがより好ましい。
アンカー層は金属成分とセラミック成分とを共に有するから、表面電極及び被覆セラミック層のいずれと接合した場合であっても、良好な接合強度を保つことができる。
【００４４】
アンカー層を構成する金属成分とセラミック成分との割合は特に限定されないが、金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合が５％以上、９５％以下であることが好ましく、１０％以上、９０％以下であることがより好ましく、４０％以上、６０％以下であることがさらに好ましい。
金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合が５％以上、９５％以下であると、アンカー層を表面電極及び被覆セラミック層に接合することができる。
【００４５】
アンカー層を構成する金属成分及びセラミック成分は、アンカー層中でそれぞれ分散して存在していてもよく、金属成分の周囲をセラミック成分が覆う形態であってもよい。
【００４６】
アンカー層の厚みは特に限定されないが、５μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
アンカー層は表面電極上の全域に形成されていてもよいが、表面電極の外周部のみに形成されていることが好ましい。すなわち、アンカー層は、表面電極の中央部には設けられず、表面電極の外周部と被覆セラミック層の間のみに設けられていることが好ましい。
表面電極上にさらにめっき層を形成する場合、表面電極の中央部にアンカー層が設けられているとめっき付性が低下する。
【００４８】
表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層は、電子部品本体の表面に位置する基材セラミック層上と表面電極上とに設けられている。表面電極上には上述したアンカー層が配置されているため、表面電極上に設けられた被覆セラミック層は、アンカー層を介して表面電極上に設けられている。
【００４９】
被覆セラミック層は、低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。この場合、被覆セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料は、基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料と同一であっても異なっていてもよいが、基材セラミック層に含有される低温焼結セラミック材料と同一であることが好ましい。
【００５０】
アンカー層上に形成された被覆セラミック層の厚みは特に限定されないが、２μｍ以上、２０μｍ以下であることが好ましい。
なお、アンカー層上に形成された被覆セラミック層の厚みが変動している場合、被覆セラミック層が形成された外周部の面積と、外周部に存在する被覆セラミック層の体積から求めた被覆セラミック層の平均厚みを、アンカー層上に形成された被覆セラミック層の厚みとする。
【００５１】
表面電極の表面にはさらに、めっき層が形成されていてもよい。
めっき層は、表面電極上に電解めっき又は無電解めっきを施すことによって形成されるものである。めっき層は、通常、焼結層、アンカー層及び被覆セラミック層を形成した後に形成されるため、めっき層は被覆セラミック層によって被覆されていない。
【００５２】
めっき層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｓｎ又はこれらの金属を含む合金からなることが好ましい。めっき層は、表面電極側から１層目がＮｉ、２層目がＡｕであるＮｉ／Ａｕめっき層、表面電極側から１層目がＮｉ、２層目がＳｎであるＮｉ／Ｓｎめっき層、表面電極側から１層目がＮｉ、２層目がＰｄ、３層目がＡｕであるＮｉ／Ｐｄ／Ａｕめっき層等の複数層からなるめっき層であってもよい。
【００５３】
めっき層の厚みは特に限定されないが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
図１に示すセラミック電子部品１は、好ましくは以下のように製造される。
図２Ａ〜図２Ｂは、図１に示すセラミック電子部品１の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【００５５】
まず、図２Ａに示す未焼結の積層体１００を作製する。
未焼結の積層体１００を作製するため、複数の基材セラミックグリーンシート１１１を準備する。基材セラミックグリーンシート１１１は、焼成後に基材セラミック層１１となるものである。
【００５６】
基材セラミックグリーンシートは、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、有機バインダと溶剤とを含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。上記スラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。
【００５７】
上記スラリーに含有される有機バインダとしては、例えば、ブチラール樹脂（ポリビニルブチラール）、アクリル樹脂、メタクリル樹脂等を用いることができる。溶剤としては、例えば、トルエン、イソプロピルアルコール等のアルコール等を用いることができる。可塑剤としては、例えば、ジ−ｎ−ブチルフタレート等を用いることができる。
【００５８】
次に、特定の基材セラミックグリーンシート１１１に、ビアホール導体１３のための貫通孔を形成する。該貫通孔に、例えばＡｇ又はＣｕを導電成分として含有する導電性ペーストを充填することにより、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３を形成する。
【００５９】
また、上記導電性ペーストと同じ組成の導電性ペーストを用いて、例えばスクリーン印刷等の方法によって、特定の基材セラミックグリーンシート１１１に、内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２を形成する。
【００６０】
さらに、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上に、焼成により表面電極２０となるべき導電性ペースト膜１２０を形成する。焼成により表面電極２０となるべき導電性ペースト膜１２０は、例えばＡｇ又はＣｕを導電成分として含有する導電性ペーストを用いて、スクリーン印刷等の方法によって形成することができる。なお焼成により表面電極２０となるべき導電性ペースト膜１２０は、基材セラミックグリーンシート１１１を積層した後、焼成する前に形成してもよい。
【００６１】
なお、表面電極を複層構造とする場合には、第１焼結層となるべき導電性ペースト膜上に、第２焼結層となるべき導電性ペースト膜を、スクリーン印刷等の方法によって形成することができる。
【００６２】
その後、焼成により表面電極２０となるべき導電性ペースト膜１２０の外周部にのみ、アンカー層３０となるアンカー層ペースト膜１３０を形成する。アンカー層ペースト膜１３０は、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、導電成分としてＡｇ又はＣｕを含有する粉末とを、有機バインダと溶剤との混合物に分散させたアンカー層ペースト、又は、導電成分であるＡｇ又はＣｕの表面にセラミックコートを施したセラミックコート金属粒子を有機バインダと溶剤との混合物に分散させたアンカー層ペーストを用いて、スクリーン印刷等の方法によって形成することができる。
【００６３】
別途、被覆セラミックグリーンシート１４０を準備する。被覆セラミックグリーンシート１４０は、焼成後に被覆セラミック層４０となるものである。
【００６４】
被覆セラミックグリーンシートは、例えば低温焼結セラミック材料のようなセラミック原料の粉末と、有機バインダと溶剤とを含有するスラリーを、ドクターブレード法等によってシート状に成形したものである。上記スラリーには、分散剤、可塑剤等の種々の添加剤が含有されていてもよい。なお、被覆セラミックグリーンシートを作製するためのスラリーとして、基材セラミックグリーンシートを作製するためのスラリーを使用することもできる。 
【００６５】
続いて、ビアホール導体１３となるべき導電性ペースト体１１３又は内部導体膜１２となるべき導電性ペースト膜１１２が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、焼成により表面電極２０となるべき導電性ペースト膜１２０が形成された基材セラミックグリーンシート１１１と、被覆セラミックグリーンシート１４０とを積層し、圧着することにより、未焼結の積層体１００を作製する。被覆セラミックグリーンシート１４０は、積層後に表面に配置される基材セラミックグリーンシート１１１上とアンカー層３０となるべきアンカー層ペースト膜１３０上とに配置する。
【００６６】
なお、被覆セラミックグリーンシート１４０に代えて、ペースト状組成物を、未焼結の積層体１００の表面に位置する基材セラミックグリーンシート１１１上とアンカー層３０となるべきアンカー層ペースト膜１３０上とに塗布することによっても、未焼結の積層体１００を作製することができる。この場合、積層する前の基材セラミックグリーンシート１１１上とアンカー層３０となるべきアンカー層ペースト膜１３０上とにペースト状組成物を塗布してもよい。
【００６７】
その後、未焼結の積層体１００を焼成する。これによって、図２Ｂに示すように、表面に基材セラミック層１１を有する電子部品本体１０と、基材セラミック層１１の表面に設けられた表面電極２０と、表面電極２０の外周部を被覆する被覆セラミック層４０と、表面電極２０と被覆セラミック層４０の間に設けられたアンカー層３０とを備える積層体であるセラミック電子部品１が得られる。
【００６８】
なお、表面電極は、焼結後の電子部品本体の表面に導電性ペースト膜を形成し、焼成することによっても形成することができる。アンカー層は、焼結後の表面電極の表面にアンカー層ペースト膜を形成し、焼成することによっても形成することができる。また、被覆セラミック層は、焼結後のアンカー層上に被覆セラミックグリーンシートを配置し、この被覆セラミックグリーンシートを焼成することによっても形成することができる。ただし、電子部品本体を得るための焼成によって、表面電極、アンカー層及び被覆セラミック層を電子部品本体と同時に焼成してセラミック電子部品を得ることが好ましい。表面電極、アンカー層及び被覆セラミック層を電子部品本体と同時に焼成して形成する方が、製造工程の効率化及び低コスト化にとって有利であり、また、電子部品本体と表面電極との間の接合強度、表面電極とアンカー層との接合強度、アンカー層と被覆セラミック層の接合強度、及び、電子部品本体と被覆セラミック層との間の接合強度を高くすることができる。表面電極、アンカー層及び被覆セラミック層を同時焼成によって形成する場合には、電子部品本体を構成する基材セラミック層は、上述したように低温焼結セラミック材料を含有することが好ましい。
【００６９】
また、未焼結の積層体１００の焼結温度では実質的に焼結しない金属酸化物（Ａｌ２Ｏ３等）を主成分とする拘束グリーンシートを準備し、未焼結の積層体１００の最表面に拘束グリーンシートを配置した状態で未焼結の積層体１００を焼成してもよい。この場合、拘束グリーンシートは、焼成時において実質的に焼結しないので収縮が生じず、積層体に対して主面方向での収縮を抑制するように作用する。
【００７０】
本発明のセラミック電子部品では、表面電極の外周部と被覆セラミック層の間にアンカー層が配置されている。その結果、表面電極上の被覆セラミック層の焼結性が向上し、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度が高くなるため、セラミック電子部品を焼成した場合に、被覆セラミック層が表面電極から剥離しにくくなる。
【００７１】
図３は、本発明のセラミック電子部品の別の一例を模式的に示す断面図である。
図３に示すセラミック電子部品２では、アンカー層３０が表面電極２０上の全域に形成されておらず、表面電極２０の外周部と被覆セラミック層４０の間のみに設けられている。そのため、表面電極２０上にめっき層を形成する場合において、めっき付性が低下することがない。
【実施例】
【００７２】
以下、本発明のセラミック電子部品をより具体的に開示した実施例を示す。なお、本発明は、これらの実施例のみに限定されるものではない。【００７３】
［アンカー層による効果の確認］
図２Ａ及び図２Ｂで説明した方法により、基材セラミック層の表面に設けられた表面電極と、上記表面電極の外周部を被覆する被覆セラミック層とを備え、上記表面電極上にアンカー層が配置されたセラミック電子部品１−１〜１−２を作製した。
表面電極上の全域にアンカー層を配置したものをセラミック電子部品１−１とし、表面電極の外周部と被覆セラミック層の間のみにアンカー層を配置した以外は全てセラミック電子部品１−１と同様としたものをセラミック電子部品１−２とした。また、アンカー層を配置せず、表面電極の外周部に直接被覆セラミック層を配置したものをセラミック電子部品１−３とした。
それぞれ１０００個のセラミック電子部品について、焼成後のセラミック電子部品の断面を観察し、被覆セラミック層が表面電極から剥離しているかどうかを目視で判定し、剥離が発生していないものの割合（良品率）を判定した。良品率が９０％以上のものを◎（優：剥離が極めて起こりにくい）、８０％以上９０％未満のものを○（良：剥離が起こりにくい）、６０％以上８０％未満のものを△（可：多少剥離がみられる）、６０％未満のものを×（不良：剥離が起こりやすい）として評価した。結果を表１に示す。【００７４】
【表１】
0006773114.tif 000002
【００７５】
表１より、表面電極上にアンカー層を配置することにより、被覆セラミック層の剥離を大幅に抑制することができ、被覆セラミック層と表面電極との間の接合強度を高められたことが確認された。
また、アンカー層は表面電極上の全域に設けることは必須ではなく、表面電極の外周部と被覆セラミック層の間にのみアンカー層を設けることで充分な効果を発揮することが確認された。【００７６】
［アンカー層の組成による効果の確認］
セラミック電子部品１−１から、表面電極及びアンカー層の組成を変更したセラミック電子部品１−４〜１−９を作製し、［アンカー層による効果の確認］と同様の方法で、良品率を評価した。
表面電極、アンカー層及び被覆セラミック層の組成並びに良品率の評価結果を表２に示す。【００７７】
【表２】
0006773114.tif 000003
【００７８】
表２より、アンカー層を構成する金属成分とセラミック成分との合計体積に対する金属成分の体積の割合が１０％以上、９０％以下であるセラミック電子部品１−１及び１−４〜１−７では、良品率が○（良）以上であり、被覆セラミック層の剥離がより抑制されることが確認された。また、セラミック電子部品１−１及び１−６〜１−７の対比により、アンカー層の金属成分と表面電極の金属成分とが同一である場合、及び、アンカー層のセラミック成分と被覆セラミック層のセラミック成分とが同一である場合に、被覆セラミック層の剥離がより抑制されることが確認された。
【符号の説明】
【００７９】
１、２  セラミック電子部品
１０  電子部品本体
１１  基材セラミック層
２０  表面電極
３０  アンカー層
４０  被覆セラミック層
Ｗ１  表面電極の外周部
Ｗ２  表面電極の中央部
【図１】
0006773114.tif 000004
【図２】
0006773114.tif 000005
【図３】
0006773114.tif 000006