(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と、発光物質と、を含み、
前記第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格と、を有し、前記ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介して前記正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有し、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジアリールアミノ基またはπ過剰型複素芳香環である、発光素子。
【請求項２】
陽極と陰極との間に発光層を有し、
前記発光層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、発光物質と、を含み、
前記第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格と、を有し、前記ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介して前記正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有し、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジアリールアミノ基またはπ過剰型複素芳香環である、発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記π過剰型複素芳香環は、５員環の複素芳香環を含む、発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、またはカルバゾール骨格を有する環である、発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、およびカルバゾール骨格を有する環から選ばれる環が複数結合した構造を有する、発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記発光物質は、燐光性化合物である、発光素子。
【請求項７】
式（Ｇ１）で表される有機化合物。
【化１】
0006690931.tif 000029
（式中、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格を有する環、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格を有する環、または置換または無置換のカルバゾール骨格を有する環を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。）
【請求項８】
請求項７において、
前記式（Ｇ１）中のＢは、下記式（Ｂ１）乃至（Ｂ４）のいずれか一である有機化合物。
【化２】
0006690931.tif 000030
（式中、ｍは、１または２を表す。また、Ｑは、Ｓ、Ｎ−Ｒ１５、Ｏのいずれかであり、Ｒ１５は、水素、置換または無置換のフェニル基、のいずれかを表す。また、（Ｂ１）〜（Ｂ４）中のベンゼン環は置換基を有していても良く、前記置換基は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかである。）
【請求項９】
式（１００）または（１２３）で表される有機化合物。
【化３】
0006690931.tif 000031
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の有機化合物を用いた発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６、または請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、トランジスタ、または、基板と、を有する、発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項６、または請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、接続端子、または、操作キーと、を有する、電子機器。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６、または請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子と、筐体、カバー、または、支持台と、を有する、照明装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、物、物質、方法、または、製造方法に関する。また、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明の一態様は、発光素子、有機化合物、発光装置、電子機器、および照明装置に関する。なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法等、を一例として挙げることができる。
【背景技術】
【０００２】
有機化合物を発光体として用い、薄型軽量、高速応答、低駆動電圧などの特徴を有する発光素子は、次世代のフラットパネルディスプレイへの応用が期待されている。特に、複数の発光素子を配置してなる発光装置は、従来の液晶表示装置と比較して、視野角が広く視認性が優れる点に優位性があると考えられている。
【０００３】
発光素子の発光機構は、一対の電極間に発光体を含むＥＬ層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔がＥＬ層の発光中心で再結合して分子励起子を形成し、その分子励起子が基底状態に緩和する際にエネルギーを放出して発光するといわれている。励起状態には一重項励起と三重項励起が知られ、発光はどちらの励起状態を経ても可能であると考えられている。
【０００４】
この様な発光素子に関しては、その素子特性を向上させる為に、素子構造の改良や材料開発等が盛んに行われている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１８２６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発光素子の開発において、発光素子に用いる有機化合物は、その特性や信頼性を高める上で非常に重要である。そこで、本発明の一態様では、新規な有機化合物を提供する。すなわち、素子特性や信頼性を高める上で有効な新規の有機化合物を提供する。また、本発明の一態様では、発光素子に用いることができる新規な有機化合物を提供する。また、本発明の一態様では、発光素子のＥＬ層に用いることができる、新規な有機化合物を提供する。また、本発明の一態様である新規な有機化合物を用いた高効率で信頼性の高い新規な発光素子を提供する。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供する。なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、陽極と、陰極と、の間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物と、発光物質と、を含み、第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有することを特徴とする発光素子である。
【０００８】
本発明の別の一態様は、陽極と、陰極と、の間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、発光物質と、を含み、第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有することを特徴とする発光素子である。
【０００９】
本発明の別の一態様は、陽極と、陰極と、の間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物と、発光物質と、を含み、第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環の２位が、正孔輸送性を有する骨格と直接結合した構造を有するか、または、単数または複数のアリーレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有することを特徴とする発光素子である。
【００１０】
本発明の別の一態様は、陽極と、陰極と、の間にＥＬ層を有し、ＥＬ層は、発光層を有し、発光層は、第１の有機化合物と、正孔輸送性を有する第２の有機化合物と、発光物質と、を含み、第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環の２位が、正孔輸送性を有する骨格と直接結合した構造を有するか、または、単数または複数のアリーレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有する、ことを特徴とする発光素子である。
【００１１】
なお、上記各構成において、正孔輸送性を有する骨格は、ジアリールアミノ基であるか、または、π過剰型複素芳香環であることを特徴とする。また、π過剰型複素芳香環は、５員環の複素芳香環を含むことを特徴とする。
【００１２】
また、上記各構成において、正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、またはカルバゾール骨格を有する環であることを特徴とする。
【００１３】
さらに、上記各構成において、正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、およびカルバゾール骨格を有する環から選ばれる環が複数結合した構造を有することを特徴とする。
【００１４】
また、上記各構成において、発光物質は、燐光性化合物であることを特徴とする。
【００１５】
また、上記各構成において、第１の有機化合物は、下記一般式（Ｇ１）で示されることを特徴とする。
【００１６】
【化１】
0006690931.tif 000002
【００１７】
但し、一般式（Ｇ１）中、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格、または置換または無置換のカルバゾール骨格を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。
【００１８】
上述の一般式（Ｇ１）に示す第１の有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有するため、一重項準位（Ｓ１）、および三重項準位（Ｔ１）を高くし、エネルギーギャップを広くでき、好ましい。また、一般式（Ｇ１）に示す第１の有機化合物を発光素子に用いる場合、ジベンゾキナゾリン環の２位が１，４−フェニレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有する有機化合物に比べてキャリアバランスを整えやすく、キャリアの抜けを防ぐため、発光効率の高い発光素子を得るために好適である。
【００１９】
また、本発明の別の一態様は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有することを特徴とする有機化合物であり、より好ましくは、ジベンゾキナゾリン環の２位が、正孔輸送性を有する骨格と直接結合した構造を有するか、または、単数または複数のアリーレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有することを特徴とする有機化合物である。
【００２０】
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。
【００２１】
【化２】
0006690931.tif 000003
【００２２】
但し、一般式（Ｇ１）中、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格を有する環、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格を有する環、または置換または無置換のカルバゾール骨格を有する環を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。
【００２３】
また、本発明の別の一態様は、上記一般式（Ｇ１）中のＢが、下記一般式（Ｂ１）乃至一般式（Ｂ４）のいずれか一である。
【００２４】
【化３】
0006690931.tif 000004
【００２５】
但し、上記一般式（Ｂ１）〜一般式（Ｂ４）中、ｍは、１または２を表す。また、Ｑは、Ｓ、Ｎ−Ｒ１５、Ｏのいずれかであり、Ｒ１５は、水素、置換または無置換のフェニル基、のいずれかを表す。また、（Ｂ１）〜（Ｂ４）中のベンゼン環は置換基を有していても良く、前記置換基は、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかである。
【００２６】
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１００）または構造式（１２３）で表される有機化合物である。
【００２７】
【化４】
0006690931.tif 000005
【００２８】
また、本発明の一態様である有機化合物は燐光を発光する発光物質（燐光性化合物）と組み合わせて発光素子の発光層に用いることができる。すなわち、発光層から三重項励起状態からの発光を得ることが可能であるため、発光素子の高効率化が可能となり、非常に有効である。したがって、本発明の一態様である有機化合物と、燐光性化合物と、を発光層に用いた発光素子は、本発明の一態様に含まれるものとする。また、上記発光層には、さらに第３の物質を加えた構成としてもよい。
【００２９】
また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の一態様は、新規な有機化合物を提供することができる。すなわち、素子特性や信頼性を高める上で有効な新規の有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様では、発光素子に用いることができる新規な有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様では、発光素子のＥＬ層に用いることができる、新規な有機化合物を提供することができる。また、本発明の一態様である新規な有機化合物を用いた高効率で信頼性の高い新規な発光素子を提供することができる。または、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供することができる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】発光素子の構造について説明する図。
【図２】発光素子の構造について説明する図。
【図３】発光装置について説明する図。
【図４】電子機器について説明する図。
【図５】電子機器について説明する図。
【図６】照明装置について説明する図。
【図７】照明装置について説明する図。
【図８】タッチパネルの一例を示す図。
【図９】タッチパネルの一例を示す図。
【図１０】タッチパネルの一例を示す図。
【図１１】タッチセンサのブロック図及びタイミングチャート。
【図１２】タッチセンサの回路図。
【図１３】構造式（１００）に示す有機化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１４】構造式（１００）に示す有機化合物のトルエン溶液中の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１５】構造式（１００）に示す有機化合物の固体薄膜の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１６】発光素子について説明する図。
【図１７】発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。
【図１８】発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。
【図１９】発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２０】発光素子１の電圧−電流特性を示す図。
【図２１】発光素子１の発光スペクトルを示す図。
【図２２】構造式（１２３）に示す有機化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図２３】構造式（１２３）に示す有機化合物のトルエン溶液中の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図２４】構造式（１２３）に示す有機化合物の固体薄膜の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図２５】発光素子２の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２６】発光素子２の電圧−輝度特性を示す図。
【図２７】発光素子２の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２８】発光素子２の電圧−電流特性を示す図。
【図２９】発光素子２の発光スペクトルを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３３】
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
【００３４】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物について説明する。
【００３５】
本発明の一態様である有機化合物は、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有する。あるいは、ジベンゾキナゾリン環の２位が、正孔輸送性を有する骨格と直接結合するか、または、単数または複数のアリーレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有する。ジベンゾキナゾリン環は電子輸送性を有しているため、本発明の一態様である有機化合物は、正孔輸送性と電子輸送性を有する化合物である。したがって、発光素子等に用いる有機化合物としてキャリア輸送性に優れ、有用である。
【００３６】
正孔輸送性を有する骨格としては、ジアリールアミノ基やπ過剰型複素芳香環であることが好ましい。π過剰型複素芳香環とは、複素原子の非共有電子対がπ電子密度を上昇させる環のことであり、フランやチオフェン、ピロールのような複素原子を一つ有する５員環の複素芳香環を含むことが好ましい。
【００３７】
正孔輸送性を有する骨格として、より具体的には、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、またはカルバゾール骨格を有する環が、耐熱性・化学的安定性に優れているため好ましい。特に、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、およびカルバゾール骨格を有する環から選ばれる環が複数結合した構造を有することにより、耐熱性のみならず正孔輸送性も向上する。なお、本実施の形態の一態様におけるジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格、およびカルバゾール骨格を有する環とは、それぞれジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、およびカルバゾール環に更にベンゼン環やナフタレン環等が縮合したものも含むものとする。すなわち、正孔輸送性を有する骨格は、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環のみならず、ベンゾナフトフラン環、ジナフトフラン環、ベンゾナフトチオフェン環、ジナフトチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環等も含む。
【００３８】
また、本実施の形態で説明する有機化合物の一態様は、下記一般式（Ｇ１）で表される構造を有する有機化合物である。
【００３９】
【化５】
0006690931.tif 000006
【００４０】
一般式（Ｇ１）において、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格を有する環、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格を有する環、または置換または無置換のカルバゾール骨格を有する環を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。より具体的には、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン環、置換または無置換のジベンゾチオフェン環、または置換または無置換のカルバゾール環を表す。また、上記構成における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基のような炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基のような炭素数６〜１２のアリール基のような置換基による置換を表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例えば、前記アリーレン基が、置換基として９位に二つのフェニル基を有する２，７−フルオレニレン基である場合、該フェニル基が互いに結合し、スピロ−９，９’−ビフルオレン−２，７−ジイル基となっても良い。
【００４１】
なお、上記一般式（Ｇ１）中の置換または無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基としては、置換または無置換のフェニレン基、置換または無置換のビフェニレン基、置換または無置換のナフチレン基、置換または無置換のフルオレニレン基、置換または無置換のフェナントレニレン基が挙げられる。これらの基がさらに置換基を有する場合の置換基の具体例は、上述した通りである。より具体的には、１，２−または１，３−または１，４−フェニレン基、２，６−または３，５−または２，４−トルイレン基、４，６−ジメチルベンゼン−１，３−ジイル基、２，４，６−トリメチルベンゼン−１，３−ジイル基、２，３，５，６−テトラメチルベンゼン−１，４−ジイル基、３，３’−または３，４’−または４，４’−ビフェニレン基、１，４−または１，５−または２，６−または２，７−ナフチレン基、２，７−フルオレニレン基、９，９−ジメチル−２，７−フルオレニレン基、９，９−ジフェニル−２，７−フルオレニレン基、９，９−ジメチル−１，４−フルオレニレン基、スピロ−９，９’−ビフルオレン−２，７−ジイル基、９，１０−ジヒドロ−２，７−フェナントレニレン基などが挙げられる。
【００４２】
また、前記一般式（Ｇ１）中のＢは、下記一般式（Ｂ１）乃至一般式（Ｂ４）のいずれか一であることが好ましい。
【化６】
0006690931.tif 000007
（式中、ｍは、１または２を表す。また、Ｑは、Ｓ、Ｎ−Ｒ１５、Ｏのいずれかであり、Ｒ１５は、水素、置換または無置換のフェニル基、のいずれかを表す。また、（Ｂ１）〜（Ｂ４）中のベンゼン環は置換基を有していても良く、前記置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかである。）
【００４３】
なお、上記構成における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基のような炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基のような炭素数６〜１２のアリール基のような置換基による置換を表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例えば、前記アリール基が、置換基として９位に二つのフェニル基を有する２−フルオレニル基である場合、該フェニル基が互いに結合し、スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル基となっても良い。
【００４４】
また、本実施の形態で説明する有機化合物の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。
【００４５】
【化７】
0006690931.tif 000008
【００４６】
一般式（Ｇ２）において、ｎは、０〜３のいずれかを表し、ｍは、１または２を表す。Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｑは、Ｓ、Ｎ、Ｏのいずれかであり、ＱがＮの場合には、置換または無置換のフェニル基を置換基として有していてもよい。また、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。
【００４７】
なお、上記構成における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基のような炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基のような炭素数６〜１２のアリール基のような置換基による置換を表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例えば、前記アリーレン基が、置換基として９位に二つのフェニル基を有する２，７−フルオレニレン基である場合、該フェニル基が互いに結合し、スピロ−９，９’−ビフルオレン−２，７−ジイル基となっても良い。
【００４８】
なお、上記一般式（Ｇ１）、（Ｇ２）中の、Ｒ１〜Ｒ１４における炭素数１〜６のアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ−ヘキシル基、ｔｅｒｔ−ヘキシル基、ネオヘキシル基、３−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、２−エチルブチル基、１，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基等が挙げられる。
【００４９】
なお、上記一般式（Ｇ１）、（Ｇ２）中の、Ｒ１〜Ｒ１４における炭素数５〜７のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などが挙げられる。
【００５０】
なお、上記一般式（Ｇ１）、（Ｇ２）中の、Ｒ１〜Ｒ１４における置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基の具体例としては、置換または無置換のフェニル基、置換または無置換のビフェニル基、置換または無置換のナフチル基、置換または無置換のフルオレニル基、置換または無置換のフェナントリル基、置換または無置換のインデニル基が挙げられる。なお、上記構成における置換とは、好ましくは、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基のような炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ビフェニル基、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基のような炭素数６〜１２のアリール基のような置換基による置換を表す。また、これらの置換基は互いに結合し、環を形成していても良い。例えば、前記アリール基が、置換基として９位に二つのフェニル基を有する２−フルオレニル基である場合、該フェニル基が互いに結合し、スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル基となっても良い。より具体的には、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、ビフェニル基、インデニル基、ナフチル基、フルオレニル基などが挙げられる。
【００５１】
次に、上述した本発明の一態様である有機化合物の具体的な構造式を下記に示す。ただし、本発明はこれらに限定されることはない。
【００５２】
【化８】
0006690931.tif 000009
【００５３】
【化９】
0006690931.tif 000010
【００５４】
【化１０】
0006690931.tif 000011
【００５５】
【化１１】
0006690931.tif 000012
【００５６】
なお、上記構造式（１００）〜（１２４）で表される有機化合物は、上記一般式（Ｇ１）、（Ｇ２）で表される有機化合物に含まれる一例であり、本発明の一態様である有機化合物は、これに限られない。
【００５７】
次に、本発明の一態様である有機化合物の合成方法の一例について説明する。
【００５８】
≪一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物の合成方法≫
まず、下記一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物の合成方法の一例について説明する。
【００５９】
【化１２】
0006690931.tif 000013
【００６０】
一般式（Ｇ１）において、Ａは、単結合、または置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリーレン基を表し、Ｂは、置換または無置換のジベンゾフラン骨格、置換または無置換のジベンゾチオフェン骨格、または置換または無置換のカルバゾール骨格を表し、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。
【００６１】
以下に、一般式（Ｇ１）で表される複素環化合物の合成スキーム（ａ）を示す。なお、合成スキーム（ａ）に示すように、フェニル基、もしくはその誘導体で置換されたジベンゾキナゾリン誘導体のハロゲン化合物（Ａ１）とジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、カルバゾール、もしくはその誘導体で置換されたアリールボロン酸化合物（Ａ２）とを反応させることにより得られる。
【００６２】
【化１３】
0006690931.tif 000014
【００６３】
また、合成スキーム（ｂ）に示すように、アリール基で置換されたジベンゾキナゾリン誘導体のハロゲン化合物（Ｂ１）と、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、カルバゾール、もしくはその誘導体のボロン酸化合物（Ｂ２）とを反応させても良い。
【００６４】
【化１４】
0006690931.tif 000015
【００６５】
なお、上記合成スキーム（ｂ）において、化合物（Ｂ１）は、合成スキーム（ｃ）に示すように合成することができる。すなわち、ジベンゾキナゾリン誘導体のハロゲン化合物（Ｃ１）と、アリールボロン酸化合物（Ｃ２）とを反応させることにより得られる。また、フェナントレン、もしくはその誘導体で置換されたアリールアミジン誘導体のハロゲン化合物（Ｃ３）をＮ，Ｎ’−ジメチルホルムアミドジエチルアセタールと反応させても良い。
【００６６】
【化１５】
0006690931.tif 000016
【００６７】
なお、上記合成スキーム（ａ）および合成スキーム（ｂ）および合成スキーム（ｃ）において、Ｒ１〜Ｒ１４は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数５〜７のシクロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数６〜１３のアリール基、のいずれかを表す。また、式中Ｘはハロゲン元素を表し、塩素、臭素、またはヨウ素が好ましい。また、Ｙはボロン酸またはボロン酸エステルまたは環状トリオールボレート塩等を表す。環状トリオールボレート塩はリチウム塩の他に、カリウム塩、ナトリウム塩を用いても良い。
【００６８】
その他、ここではスキームで示さないが、アリール基で置換されたジベンゾキナゾリン誘導体のハロゲン化合物と、ジベンゾチオフェン、ジベンゾフラン、カルバゾール、もしくはその誘導体で置換されたアリールボロン酸化合物を反応させても良い。
【００６９】
上記合成スキーム（ａ）および合成スキーム（ｂ）および合成スキーム（ｃ）において、化合物（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）は、様々な種類が市販されているか、あるいは合成可能であるため、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様である有機化合物は、バリエーションが豊富であるという特徴がある。
【００７０】
なお、上述の化合物（Ｂ１）は、本発明の一態様である有機化合物の合成において有用な新規化合物であり、本発明の一態様に含まれる。
【００７１】
以上、本発明の一態様として複素環化合物の合成方法の一例について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成されたものであっても良い。
【００７２】
なお、上述した本発明の一態様である有機化合物は、電子輸送性及び正孔輸送性を有するため、発光層のホスト材料として、あるいは電子輸送層、正孔輸送層にも用いることができる。また、Ｔ１準位の高い材料であることから、燐光を発光する物質（燐光材料）と組み合わせて、ホスト材料として用いることが好ましい。また、蛍光発光を示すため、それ自体、発光素子の発光物質として使うことも可能である。従って、これらの有機化合物を含む発光素子も本発明の一態様に含まれる。
【００７３】
また、本発明の一態様である有機化合物を用いることで、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。また、消費電力が低い発光素子、発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。
【００７４】
なお、本実施の形態において、本発明の一態様について述べた。また、他の実施の形態において、本発明の一態様について述べる。ただし、本発明の一態様は、これらに限定されない。つまり、本実施の形態および他の実施の形態では、様々な発明の態様が記載されているため、本発明の一態様は、特定の態様に限定されない。例えば、本発明の一態様として、発光素子に適用した場合の例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。また、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子以外のものに適用してもよい。また、状況に応じて、本発明の一態様は、発光素子に適用しなくてもよい。
【００７５】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００７６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で示した有機化合物を用いた発光素子について図１を用いて説明する。
【００７７】
本実施の形態に示す発光素子は、一対の電極（第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔（または、ホール）注入層１１１、正孔（または、ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５などを含んで形成される。
【００７８】
そして、発光素子に対して電圧を印加すると、第１の電極１０１側から注入された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合し、それにより生じたエネルギーに起因して、発光層１１３に含まれる発光物質が発光する。
【００７９】
以下に、本実施の形態に示す発光素子の具体的な一例について説明する。
【００８０】
第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。
【００８１】
正孔注入層１１１、および正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性の高い物質としては、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール誘導体、等を用いることができる。なお、実施の形態１で示した、本発明の一態様である有機化合物も正孔輸送性を有するため、同様に用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【００８２】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【００８３】
また、正孔注入層１１１に用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
【００８４】
発光層１１３は、発光物質を含む層である。なお、発光層１１３は、電子輸送性および正孔輸送性を有する第１の有機化合物（ホスト材料）と、発光物質（ゲスト材料）とを含む構成とすることができる。本発明の一態様である有機化合物は、実施の形態１で示したように、ジベンゾキナゾリン環と、正孔輸送性を有する骨格とを有するため、電子輸送性と正孔輸送性を有する化合物である。したがって、正孔及び電子の双方を流すことが求められる発光層のホスト材料として好適である。また特に、電子（還元）に対して安定なジベンゾキナゾリン環が電子を受け取り、正孔（ホール）に対して安定な正孔輸送性を有する骨格が正孔を受け取り、再結合するため、電気励起に対して安定であり、発光素子の長寿命化をもたらすことができる。さらに、ジベンゾキナゾリン環は三重項励起エネルギーが高く、ＬＵＭＯ準位も高いため、燐光性化合物を効率よく励起することができる。したがって、発光層のホスト材料として実施の形態１で示したような本発明の一態様の有機化合物を、ゲスト材料として燐光性化合物を用いた発光素子は、高効率を達成することができる。なお、正孔輸送性を有する骨格の具体的な構成については、実施の形態１で述べたとおりである。
【００８５】
さらに、発光層１１３においては、電子輸送性および正孔輸送性を有する第１の有機化合物（ホスト材料）と、発光物質（ゲスト材料）に加えて、正孔輸送性を有する第２の有機化合物を含む構成とすることもできる。但し、この場合、第１の有機化合物および第２の有機化合物は、発光層におけるキャリア（電子及びホール）の再結合の際に励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成することができる組み合わせとする。なお、発光層において、励起錯体が形成されることにより、第１の有機化合物の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物の蛍光スペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物と第２の有機化合物とを選択することで、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体から発光物質へのエネルギー移動が生じると考えられる。
【００８６】
第１の有機化合物及び第２の有機化合物としては、励起錯体を生じる組み合わせであればよいが、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホールを受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）とを組み合わせることが好ましい。なお、上記第１の有機化合物は、電子のみならず正孔もトラップ（あるいは輸送）できることが好ましいことから、実施の形態１で示した有機化合物を用いることができる。また、第２の有機化合物としては、ホールを受け取りやすい化合物であることが好ましい。
【００８７】
ホールを受け取りやすい化合物としては、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）等のトリアリールアミン骨格を有する化合物が挙げられる。
【００８８】
上述した第１の有機化合物及び第２の有機化合物は、これらの具体例に限定されることなく、励起錯体を形成できる組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、発光物質の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、発光物質の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。
【００８９】
なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合物と第２の有機化合物を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９〜９：１の範囲が好ましい。
【００９０】
発光層１１３において、発光物質として用いることが可能な材料には、一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質、または三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質等を各々単独または組み合わせて用いることができる。なお、上記発光物質および発光中心物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【００９１】
一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、蛍光を発する物質（蛍光性化合物）が挙げられる。
【００９２】
蛍光を発する物質としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）、クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【００９３】
三重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、例えば、燐光を発する物質（燐光性化合物）や熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）を示すＴＡＤＦ材料（熱活性化遅延蛍光性化合物）が挙げられる。なお、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０−６秒以上、好ましくは１×１０−３秒以上である。
【００９４】
燐光を発する物質としては、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−ａ］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）などが挙げられる。
【００９５】
また、ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレンやその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。該金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ  ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ  ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ  ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ  ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ  Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。さらに、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（ＰＩＣ−ＴＲＺ）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いることもできる。なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、Ｓ１とＴ１のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
【００９６】
なお、発光層１１３は、図１（Ａ）に示す単層構造だけに限らず、図１（Ｂ）に示すような２層以上の積層構造であってもよい。但し、この場合には、積層された各層からそれぞれの発光が得られる構成とする。例えば、１層目の発光層１１３（ａ１）からは、蛍光発光が得られる構成とし、１層目に積層される２層目の発光層１１３（ａ２）からは燐光発光が得られる構成とすればよい。なお、積層順については、この逆であってもよい。また、燐光発光が得られる層においては、励起錯体からドーパントへのエネルギー移動による発光が得られる構成とするのが好ましい。また、発光色については、一方の層から青色発光が得られる構成とする場合、他方の層からは橙色発光または黄色発光などが得られる構成とすることができる。また、各層において、複数種のドーパントが含まれる構成としてもよい。
【００９７】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質（電子輸送性化合物ともいう）を含む層である。電子輸送層１１４には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４’’−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１１４として用いてもよい。
【００９８】
また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層された構造としてもよい。
【００９９】
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、電子注入層１１５にエレクトライドを用いてもよい。該エレクトライドとしては、例えば、カルシウムとアルミニウムの混合酸化物に電子を高濃度添加した物質等が挙げられる。なお、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。
【０１００】
また、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１０１】
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法等の方法を単独または組み合わせて用いて形成することができる。
【０１０２】
上述した発光素子は、ＥＬ層１０２において得られた発光が、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
【０１０３】
以上により説明した発光素子は、本発明の一態様である有機化合物をＥＬ層に用いることができるため、高効率な発光素子を実現することができる。
【０１０４】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１０５】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物をＥＬ材料としてＥＬ層に用い、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。
【０１０６】
本実施の形態に示す発光素子は、図２（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極２０１および第２の電極２０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層２０２（１）、第２のＥＬ層２０２（２））を有するタンデム型発光素子である。
【０１０７】
本実施の形態において、第１の電極２０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極２０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極２０１および第２の電極２０４は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層２０２（１）、第２のＥＬ層２０２（２））は、実施の形態２で示したＥＬ層と両方とも同様な構成であっても良いが、いずれか一方が同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層２０２（１）と第２のＥＬ層２０２（２）は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２と同様なものを適用することができる。
【０１０８】
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層２０２（１）、第２のＥＬ層２０２（２））の間には、電荷発生層２０５が設けられている。電荷発生層２０５は、第１の電極２０１と第２の電極２０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極２０１に第２の電極２０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層２０５から第１のＥＬ層２０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層２０２（２）に正孔が注入される。
【０１０９】
なお、電荷発生層２０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層２０５の可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層２０５は、第１の電極２０１や第２の電極２０４よりも低い導電率であっても機能する。
【０１１０】
電荷発生層２０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１１１】
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１１２】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１１３】
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１１４】
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【０１１５】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層２０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。また、電荷発生層２０５の形成方法としては、蒸着法（真空蒸着法を含む）、印刷法（例えば、凸版印刷法、凹版印刷法、グラビア印刷法、平版印刷法、孔版印刷法等）、インクジェット法、塗布法等の方法を単独または組み合わせて用いて形成することができる。
【０１１６】
本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図２（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層（２０２（１）〜２０２（ｎ））を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間にそれぞれ電荷発生層（２０５（１）〜２０５（ｎ−１））を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。
【０１１７】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色の光を互いに混合すると、白色発光を得ることができる。具体的には、第１のＥＬ層から青色発光が得られ、第２のＥＬ層から黄色発光または橙色発光が得られる組み合わせが挙げられる。この場合、青色発光と黄色発光（または橙色発光）が両方とも同じ蛍光発光、または燐光発光である必要はなく、青色発光が蛍光発光であり、黄色発光（または橙色発光）が燐光発光である組み合わせや、その逆の組み合わせとしてもよい。
【０１１８】
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【０１１９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１２０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物をＥＬ層に用いた発光素子を有する発光装置について説明する。
【０１２１】
なお、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。また、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【０１２２】
本実施の形態では、まずアクティブマトリクス型の発光装置について図３を用いて説明する。
【０１２３】
なお、図３（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。発光装置は、素子基板３０１上に設けられた画素部３０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）３０４（３０４ａ及び３０４ｂ）と、を有する。画素部３０２、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４は、シール材３０５によって、素子基板３０１と封止基板３０６との間に封止されている。
【０１２４】
また、素子基板３０１上には、駆動回路部３０３、及び駆動回路部３０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線３０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）３０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１２５】
次に、断面構造について図３（Ｂ）を用いて説明する。素子基板３０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部３０３と、画素部３０２が示されている。
【０１２６】
駆動回路部３０３はＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを組み合わせた構成について例示している。なお、駆動回路部３０３は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１２７】
また、画素部３０２はスイッチング用ＦＥＴ３１１と、電流制御用ＦＥＴ３１２と電流制御用ＦＥＴ３１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極（陽極）３１３とを含む複数の画素により形成される。また、本実施の形態においては、画素部３０２はスイッチング用ＦＥＴ３１１と、電流制御用ＦＥＴ３１２との２つのＦＥＴにより画素部３０２を構成する例について示したが、これに限定されない。例えば、３つ以上のＦＥＴと、容量素子とを組み合わせた画素部３０２としてもよい。
【０１２８】
ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２としては、例えば、スタガ型や逆スタガ型のトランジスタを適用することができる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２に用いることのできる半導体材料としては、例えば、第１３族半導体、第１４族（ケイ素等）半導体、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体材料を用いることができる。また、該半導体材料の結晶性については、特に限定されず、例えば、非晶質半導体膜、または結晶性半導体膜を用いることができる。特に、ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２としては、酸化物半導体を用いると好ましい。該酸化物半導体としては、例えば、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚｒ、Ｌａ、Ｃｅ、またはＮｄ）等が挙げられる。ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２として、例えば、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、さらに好ましくは３ｅＶ以上の酸化物半導体材料を用いることで、トランジスタのオフ電流を低減することができる。
【０１２９】
また、第１の電極３１３の端部を覆って絶縁物３１４が形成されている。ここでは、絶縁物３１４として、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。また、本実施の形態においては、第１の電極３１３を陽極として用いる。
【０１３０】
また、絶縁物３１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。絶縁物３１４の形状を上記のように形成することで、絶縁物３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。例えば、絶縁物３１４の材料として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれかを使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等を使用することができる。
【０１３１】
発光素子３１７は、第１の電極（陽極）３１３、ＥＬ層３１５及び第２の電極（陰極）３１６との積層構造であり、ＥＬ層３１５は、少なくとも発光層が設けられている。また、ＥＬ層３１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。
【０１３２】
なお、第１の電極（陽極）３１３、ＥＬ層３１５及び第２の電極（陰極）３１６に用いる材料としては、実施の形態２に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）３１６は外部入力端子であるＦＰＣ３０８に電気的に接続されている。
【０１３３】
また、図３（Ｂ）に示す断面図では発光素子３１７を１つのみ図示しているが、画素部３０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子の他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光素子を形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子に上述の数種類の発光が得られる発光素子を追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果を得ることができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。さらに、量子ドットとの組み合わせにより発光効率を向上させ、消費電力を低減させた発光装置としてもよい。
【０１３４】
さらに、シール材３０５で封止基板３０６を素子基板３０１と貼り合わせることにより、素子基板３０１、封止基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８に発光素子３１７が備えられた構造になっている。なお、空間３１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材３０５で充填される構成も含むものとする。また、シール材を塗布して貼り合わせる場合には、ＵＶ処理や熱処理等のいずれか、またはこれらを組み合わせて行うのが好ましい。
【０１３５】
なお、シール材３０５にはエポキシ系樹脂やガラスフリットを用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板３０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から素子基板３０１及び封止基板３０６はガラス基板であることが好ましい。
【０１３６】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１３７】
また、本発明の一態様である有機化合物をＥＬ層に用いた発光素子を有する発光装置としては、上述したアクティブマトリクス型の発光装置のみならずパッシブマトリクス型の発光装置とすることもできる。
【０１３８】
パッシブマトリクス型の発光装置の場合における画素部の断面図を図３（Ｃ）に示す。
【０１３９】
図３（Ｃ）に示すように、基板３５１上には、第１の電極３５２と、ＥＬ層３５４と、第２の電極３５３とを有する発光素子３５０が形成される。なお、第１の電極３５２は、島状であり、一方向にストライプ状に複数形成されている。また、第１の電極３５２上の一部に絶縁膜３５５が形成されている。
【０１４０】
また、絶縁膜３５５上には絶縁材料を用いてなる隔壁３５６が設けられる。隔壁３５６の側壁は、基板面に近くなるに伴って、一方の側壁と他方の側壁との間隔が狭くなるような傾斜を有する。つまり、隔壁３５６の短辺方向の断面は、台形状であり、底辺（絶縁膜３５５の面方向と同様の方向を向き、絶縁膜３５５と接する辺）の方が上辺（絶縁膜３５５の面方向と同様の方向を向き、絶縁膜３５５と接しない辺）よりも短い。このように、隔壁３５６を設けることで、静電気等に起因した発光素子の不良を防ぐことができる。なお、この絶縁膜３５５は、第１の電極３５２上の一部に開口部を有しており、隔壁３５６を形成した後、ＥＬ層３５４を形成することによりその開口部において、第１の電極３５２と接するＥＬ層３５４が形成される。
【０１４１】
さらに、ＥＬ層３５４形成後、第２の電極３５３が形成される。従って、第２の電極３５３は、ＥＬ層３５４上、場合によっては、絶縁膜３５５上に第１の電極３５２と接することなく形成される。なお、ＥＬ層３５４と第２の電極３５３は、隔壁３５６を形成した後に形成されるので、隔壁３５６上にも順次積層される。
【０１４２】
なお、封止の方法については、アクティブマトリクス型の発光装置の場合と同様に行うことができるので、説明は省略する。
【０１４３】
以上のようにして、パッシブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１４４】
例えば、本明細書等において、様々な基板を用いて、トランジスタまたは発光素子を形成することが出来る。基板の種類は、特定のものに限定されることはない。その基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどがある。可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、以下のものがあげられる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）に代表されるプラスチックがある。または、一例としては、アクリル等の合成樹脂などがある。または、一例としては、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルなどがある。または、一例としては、ポリアミド、ポリイミド、アラミド、エポキシ、無機蒸着フィルム、又は紙類などがある。特に、半導体基板、単結晶基板、又はＳＯＩ基板などを用いてトランジスタを製造することによって、特性、サイズ、又は形状などのばらつきが少なく、電流供給能力が高く、サイズの小さいトランジスタを製造することができる。このようなトランジスタによって回路を構成すると、回路の低消費電力化、又は回路の高集積化を図ることができる。
【０１４５】
また、基板として、可撓性基板を用い、可撓性基板上に直接、トランジスタまたは発光素子を形成してもよい。または、基板とトランジスタまたは発光素子との間に剥離層を設けてもよい。剥離層は、その上に半導体装置を一部あるいは全部完成させた後、基板より分離し、他の基板に転載するために用いることができる。その際、トランジスタまたは発光素子は耐熱性の劣る基板や可撓性の基板にも転載できる。なお、上述の剥離層には、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層構造の構成や、基板上にポリイミド等の有機樹脂膜が形成された構成等を用いることができる。
【０１４６】
つまり、ある基板を用いてトランジスタまたは発光素子を形成し、その後、別の基板にトランジスタまたは発光素子を転置し、別の基板上にトランジスタまたは発光素子を配置してもよい。トランジスタまたは発光素子が転置される基板の一例としては、上述したトランジスタまたは発光素子を形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、石材基板、木材基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などがある。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタの形成、消費電力の小さいトランジスタの形成、壊れにくい装置の製造、耐熱性の付与、軽量化、又は薄型化を図ることができる。
【０１４７】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１４８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置を適用して完成させた様々な電子機器の一例について、図４、図５を用いて説明する。
【０１４９】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラなどのカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図４に示す。
【０１５０】
図４（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。なお、本発明の一態様である発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１５１】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１５２】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１５３】
図４（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様である発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製することができる。また、表示部７２０３は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
【０１５４】
図４（Ｃ）は、スマートウオッチであり、筐体７３０２、表示部７３０４、操作ボタン７３１１、７３１２、接続端子７３１３、バンド７３２１、留め金７３２２、等を有する。
【０１５５】
ベゼル部分を兼ねる筐体７３０２に搭載された表示部７３０４は、非矩形状の表示領域を有している。表示部７３０４は、時刻を表すアイコン７３０５、その他のアイコン７３０６等を表示することができる。また、表示部７３０４は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
【０１５６】
なお、図４（Ｃ）に示すスマートウオッチは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
【０１５７】
また、筐体７３０２の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。なお、スマートウオッチは、発光装置をその表示部７３０４に用いることにより作製することができる。
【０１５８】
図４（Ｄ）は、携帯電話機（スマートフォンを含む）の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に、表示部７４０２、マイク７４０６、スピーカ７４０５、カメラ７４０７、外部接続部７４０４、操作用ボタン７４０３などを備えている。また、本発明の一態様に係る発光素子を、可撓性を有する基板に形成して発光装置を作製した場合、図４（Ｄ）に示すような曲面を有する表示部７４０２に適用することが可能である。
【０１５９】
図４（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１６０】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１６１】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０１６２】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサや加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１６３】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作用ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１６４】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１６５】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１６６】
さらに、携帯電話機（スマートフォンを含む）の別の構成として、図４（Ｄ’−１）や図４（Ｄ’−２）のような構造を有する携帯電話機に適用することもできる。
【０１６７】
なお、図４（Ｄ’−１）や図４（Ｄ’−２）のような構造を有する場合には、文字情報や画像情報などを筐体７５００（１）、７５００（２）の第１面７５０１（１）、７５０１（２）だけでなく、第２面７５０２（１）、７５０２（２）に表示させることができる。このような構造を有することにより、携帯電話機を胸ポケットに収納したままの状態で、第２面７５０２（１）、７５０２（２）などに表示された文字情報や画像情報などを使用者が容易に確認することができる。
【０１６８】
また、図５（Ａ）〜（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ｂ）に展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。図５（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
【０１６９】
表示部９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の一態様の発光装置を表示部９３１１に用いることができる。表示部９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコンや使用頻度の高いアプリやプログラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認やアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
【０１７０】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。なお、適用できる電子機器は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０１７１】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１７２】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を適用して作製される照明装置の構成について図６を用いて説明する。
【０１７３】
図６（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）には、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図６（Ａ）、（Ｂ）は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図６（Ｃ）、（Ｄ）は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
【０１７４】
図６（Ａ）に示す照明装置４０００は、基板４００１上に発光素子４００２を有する。また、基板４００１の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光素子４００２は、第１の電極４００４と、ＥＬ層４００５と、第２の電極４００６を有する。
【０１７５】
第１の電極４００４は、電極４００７と電気的に接続され、第２の電極４００６は電極４００８と電気的に接続される。また、第１の電極４００４と電気的に接続される補助配線４００９を設けてもよい。なお、補助配線４００９上には、絶縁層４０１０が形成されている。
【０１７６】
また、基板４００１と封止基板４０１１は、シール材４０１２で接着されている。また、封止基板４０１１と発光素子４００２の間には、乾燥剤４０１３が設けられていることが好ましい。なお、基板４００３は、図６（Ａ）のような凹凸を有するため、発光素子４００２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
【０１７７】
また、基板４００３に代えて、図６（Ｂ）の照明装置４１００のように、基板４００１の外側に拡散板４０１５を設けてもよい。
【０１７８】
図６（Ｃ）の照明装置４２００は、基板４２０１上に発光素子４２０２を有する。発光素子４２０２は第１の電極４２０４と、ＥＬ層４２０５と、第２の電極４２０６とを有する。
【０１７９】
第１の電極４２０４は、電極４２０７と電気的に接続され、第２の電極４２０６は電極４２０８と電気的に接続される。また第２の電極４２０６と電気的に接続される補助配線４２０９を設けてもよい。また、補助配線４２０９の下部に、絶縁層４２１０を設けてもよい。
【０１８０】
基板４２０１と凹凸のある封止基板４２１１は、シール材４２１２で接着されている。また、封止基板４２１１と発光素子４２０２の間にバリア膜４２１３および平坦化膜４２１４を設けてもよい。なお、封止基板４２１１は、図６（Ｃ）のような凹凸を有するため、発光素子４２０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
【０１８１】
また、封止基板４２１１に代えて、図６（Ｄ）の照明装置４３００のように、発光素子４２０２の上に拡散板４２１５を設けてもよい。
【０１８２】
なお、本実施の形態で示すＥＬ層４００５、４２０５に、本発明の一態様である有機化合物を適用することができる。この場合、消費電力の低い照明装置を提供することができる。
【０１８３】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８４】
（実施の形態７）
本実施の形態では、実施の形態４で説明した発光装置を適用した応用品である照明装置の一例について、図７を用いて説明する。
【０１８５】
図７は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
【０１８６】
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【０１８７】
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
【０１８８】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８９】
（実施の形態８）
本実施の形態においては、本発明の一態様の発光素子または本発明の一態様の発光装置を有するタッチパネルについて、図８〜図１２を用いて説明を行う。
【０１９０】
図８（Ａ）（Ｂ）は、タッチパネル２０００の斜視図である。なお、図８（Ａ）（Ｂ）において、明瞭化のため、タッチパネル２０００の代表的な構成要素を示す。
【０１９１】
タッチパネル２０００は、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを有する（図８（Ｂ）参照）。また、タッチパネル２０００は、基板２５１０、基板２５７０、及び基板２５９０を有する。
【０１９２】
表示パネル２５０１は、基板２５１０上に複数の画素及び該画素に信号を供給することができる複数の配線２５１１を有する。複数の配線２５１１は、基板２５１０の外周部にまで引き回され、その一部が端子２５１９を構成している。端子２５１９はＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続する。
【０１９３】
基板２５９０には、タッチセンサ２５９５と、タッチセンサ２５９５と電気的に接続する複数の配線２５９８とを有する。複数の配線２５９８は、基板２５９０の外周部に引き回され、その一部は端子２５９９を構成する。そして、端子２５９９はＦＰＣ２５０９（２）と電気的に接続される。なお、図８（Ｂ）では明瞭化のため、基板２５９０の裏面側（基板２５１０と対向する面側）に設けられるタッチセンサ２５９５の電極や配線等を実線で示している。
【０１９４】
タッチセンサ２５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。
【０１９５】
投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
【０１９６】
まず、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図８（Ｂ）を用いて説明する。なお、投影型静電容量方式の場合には、指等の検知対象の近接または接触を検知することができる、様々なセンサを適用することができる。
【０１９７】
投影型静電容量方式のタッチセンサ２５９５は、電極２５９１と電極２５９２とを有する。電極２５９１と電極２５９２は、複数の配線２５９８のうちそれぞれ異なる配線と電気的に接続する。また、電極２５９２は、図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で配線２５９４により、一方向に接続される形状を有する。電極２５９１も同様に複数の四辺形が角部で接続される形状を有するが、接続される方向は、電極２５９２が接続される方向と交差する方向となる。なお、電極２５９１が接続される方向と、電極２５９２が接続される方向とは、必ずしも直交する関係にある必要はなく、０度を超えて９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
【０１９８】
なお、配線２５９４の電極２５９２との交差部の面積は、できるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のバラツキを低減できる。その結果、タッチセンサ２５９５を透過する光の輝度のバラツキを低減することができる。
【０１９９】
なお、電極２５９１及び電極２５９２の形状はこれに限定されず、様々な形状を取りうる。例えば、複数の電極２５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極２５９２を複数設ける構成としてもよい。このとき、隣接する２つの電極２５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。
【０２００】
次に、図９を用いて、タッチパネル２０００の詳細について説明する。図９は、図８（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図に相当する。
【０２０１】
タッチパネル２０００は、タッチセンサ２５９５と表示パネル２５０１とを有する。
【０２０２】
タッチセンサ２５９５は、基板２５９０に接して千鳥格子状に配置された電極２５９１及び電極２５９２と、電極２５９１及び電極２５９２を覆う絶縁層２５９３と、隣り合う電極２５９１を電気的に接続する配線２５９４とを有する。なお、隣り合う電極２５９１の間には、電極２５９２が設けられている。
【０２０３】
電極２５９１及び電極２５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成することができる。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。また、グラフェン化合物を用いることもできる。なお、グラフェン化合物を用いる場合は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法やレーザーを照射する方法等を挙げることができる。
【０２０４】
電極２５９１及び電極２５９２の形成方法としては、例えば、透光性を有する導電性材料を基板２５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去することで形成することができる。
【０２０５】
絶縁層２５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。
【０２０６】
また、絶縁層２５９３の一部に形成された配線２５９４により、隣接する電極２５９１が電気的に接続される。なお、配線２５９４に用いる材料は、電極２５９１及び電極２５９２に用いる材料よりも導電性の高い材料を用いることにより電気抵抗を低減することができるため好ましい。
【０２０７】
また、配線２５９８は、電極２５９１または電極２５９２と電気的に接続される。なお、配線２５９８の一部は、端子として機能する。配線２５９８には、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。
【０２０８】
また、端子２５９９により、配線２５９８とＦＰＣ２５０９（２）とが電気的に接続される。なお、端子２５９９には、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
【０２０９】
また、配線２５９４に接して接着層２５９７が設けられる。すなわち、タッチセンサ２５９５は、接着層２５９７を介して、表示パネル２５０１に重なるように貼り合わされる。なお、接着層２５９７と隣り合う表示パネル２５０１の表面は、図９（Ａ）に示すように基板２５７０を有していてもよいが、必ずしも必要ではない。
【０２１０】
接着層２５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル系樹脂、ウレタン系樹脂、エポキシ系樹脂、またはシロキサン系樹脂を用いることができる。
【０２１１】
図９（Ａ）に示す表示パネル２５０１は、基板２５１０と基板２５７０との間にマトリクス状に配置された複数の画素と駆動回路とを有する。また、各画素は発光素子と、発光素子を駆動する画素回路とを有する。
【０２１２】
図９（Ａ）には、表示パネル２５０１の画素の一例として、画素２５０２Ｒを示し、駆動回路の一例として走査線駆動回路２５０３ｇを示す。
【０２１３】
画素２５０２Ｒは、発光素子２５５０Ｒと、発光素子２５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ２５０２ｔとを有する。
【０２１４】
トランジスタ２５０２ｔは、絶縁層２５２１で覆われている。なお、絶縁層２５２１は、先に形成されたトランジスタ等に起因する凹凸を平坦化するための機能を有する。また、絶縁層２５２１に不純物の拡散を抑制できる機能を付与してもよい。この場合、不純物の拡散によるトランジスタ等の信頼性の低下を抑制できるので好ましい。
【０２１５】
発光素子２５５０Ｒは、トランジスタ２５０２ｔと配線を介して電気的に接続される。なお、配線と直接接続されるのは、発光素子２５５０Ｒの一方の電極である。なお、発光素子２５５０Ｒの一方の電極端部は、絶縁体２５２８で覆われている。
【０２１６】
発光素子２５５０Ｒは、一対の電極間にＥＬ層を有してなる。また、発光素子２５５０Ｒと重なる位置に着色層２５６７Ｒが設けられており、発光素子２５５０Ｒが発する光の一部は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向に射出される。また、着色層の端部に遮光層２５６７ＢＭが設けられており、発光素子２５５０Ｒと着色層２５６７Ｒとの間には、封止層２５６０を有する。
【０２１７】
なお、発光素子２５５０Ｒからの光を取り出す方向に封止層２５６０が設けられている場合には、封止層２５６０は、透光性を有するのが好ましい。また、封止層２５６０は、空気より大きい屈折率を有すると好ましい。
【０２１８】
走査線駆動回路２５０３ｇは、トランジスタ２５０３ｔと、容量素子２５０３ｃとを有する。なお、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。従って、画素回路のトランジスタ２５０２ｔと同様に、駆動回路（走査線駆動回路２５０３ｇ）のトランジスタ２５０３ｔも絶縁層２５２１で覆われている。
【０２１９】
また、トランジスタ２５０３ｔに信号を供給することができる配線２５１１が設けられている。なお、配線２５１１と接して端子２５１９が設けられる。また、端子２５１９は、ＦＰＣ２５０９（１）と電気的に接続されており、ＦＰＣ２５０９（１）は、画素信号及び同期信号等の信号を供給する機能を有する。なお、ＦＰＣ２５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。
【０２２０】
図９（Ａ）において示す表示パネル２５０１には、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について示したが、トランジスタの構造はこれに限られることはなく様々な構造のトランジスタを適用することができる。また、図９（Ａ）に示す、トランジスタ２５０２ｔ及びトランジスタ２５０３ｔには、酸化物半導体を含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。その他、アモルファスシリコンを含む半導体層や、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層をチャネル領域として用いることができる。
【０２２１】
また、図９（Ａ）において示すボトムゲート型のトランジスタとは異なるトップゲート型のトランジスタを表示パネル２５０１に適用する場合の構成について、図９（Ｂ）に示す。なお、トランジスタの構造が変わった場合でも、チャネル領域に用いることができるバリエーションについては同様とする。
【０２２２】
図９（Ａ）で示したタッチパネル２０００は、図９（Ａ）に示すように画素からの光が外部に射出される側の表面に、少なくとも画素と重なるように反射防止層２５６７ｐを有するのが好ましい。なお、反射防止層２５６７ｐとして、円偏光板等を用いることができる。
【０２２３】
図９（Ａ）で示した基板２５１０、基板２５７０、基板２５９０としては、例えば、水蒸気の透過率が１×１０−５ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０−６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下である可撓性を有する材料を好適に用いることができる。または、これらの基板の熱膨張率が、およそ等しい材料を用いることが好ましい。例えば、線膨張率が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である材料が挙げられる。
【０２２４】
次に、図９に示すタッチパネル２０００と構成の異なるタッチパネル２０００’について、図１０を用いて説明する。なお、タッチパネル２０００’もタッチパネル２０００と同様に適用することができる。
【０２２５】
図１０には、タッチパネル２０００’の断面図を示す。図１０に示すタッチパネル２０００’は、図９に示すタッチパネル２０００と、表示パネル２５０１に対するタッチセンサ２５９５の位置が異なる。ここでは異なる構成についてのみ説明し、同様の構成を用いることができる部分は、タッチパネル２０００の説明を援用することとする。
【０２２６】
着色層２５６７Ｒは、発光素子２５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１０（Ａ）に示す発光素子２５５０Ｒからの光は、トランジスタ２５０２ｔが設けられている方向に射出される。すなわち、発光素子２５５０Ｒからの光（一部）は、着色層２５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向に射出される。なお、着色層２５６７Ｒの端部には遮光層２５６７ＢＭが設けられている。
【０２２７】
また、タッチセンサ２５９５は、表示パネル２５０１の発光素子２５５０Ｒから見てトランジスタ２５０２ｔが設けられている側に設けられている（図１０（Ａ）参照）。
【０２２８】
また、接着層２５９７は、表示パネル２５０１が有する基板２５１０と接しており、図１０（Ａ）に示す構造の場合には、表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５とを貼り合わせている。但し、接着層２５９７により貼り合わされる表示パネル２５０１とタッチセンサ２５９５との間に基板２５１０を設けない構成としてもよい。
【０２２９】
また、タッチパネル２０００の場合と同様にタッチパネル２０００’の場合も表示パネル２５０１には、様々な構造のトランジスタを適用することができる。なお、図１０（Ａ）においては、ボトムゲート型のトランジスタを適用する場合について示したが、図１０（Ｂ）に示すようにトップゲート型のトランジスタを適用してもよい。
【０２３０】
次に、タッチパネルの駆動方法の一例について、図１１を用いて説明を行う。
【０２３１】
図１１（Ａ）は、相互容量方式のタッチセンサの構成を示すブロック図である。図１１（Ａ）では、パルス電圧出力回路２６０１、電流検出回路２６０２を示している。なお、図１１（Ａ）では、パルス電圧が与えられる電極２６２１をＸ１−Ｘ６として、電流の変化を検知する電極２６２２をＹ１−Ｙ６として、それぞれ６本の配線で例示している。また、図１１（Ａ）は、電極２６２１と、電極２６２２とが重畳することで形成される容量２６０３を示している。なお、電極２６２１と電極２６２２とはその機能を互いに置き換えてもよい。
【０２３２】
パルス電圧出力回路２６０１は、Ｘ１−Ｘ６の配線に順にパルスを印加するための回路である。Ｘ１−Ｘ６の配線にパルス電圧が印加されることで、容量２６０３を形成する電極２６２１と電極２６２２との間に電界が生じる。この電極間に生じる電界が遮蔽等により容量２６０３の相互容量に変化を生じさせることを利用して、被検知体の近接、または接触を検出することができる。
【０２３３】
電流検出回路２６０２は、容量２６０３での相互容量の変化による、Ｙ１〜Ｙ６の配線での電流の変化を検出するための回路である。Ｙ１−Ｙ６の配線では、被検知体の近接、または接触がないと検出される電流値に変化はないが、検出する被検知体の近接、または接触により相互容量が減少する場合には電流値が減少する変化を検出する。なお電流の検出は、積分回路等を用いて行えばよい。
【０２３４】
次に、図１１（Ｂ）には、図１１（Ａ）で示す相互容量方式のタッチセンサにおける入出力波形のタイミングチャートを示す。図１１（Ｂ）では、１フレーム期間で各行列での被検知体の検出を行うものとする。また図１１（Ｂ）では、被検知体を検出しない場合（非タッチ）と被検知体を検出する場合（タッチ）との２つの場合について示している。なおＹ１−Ｙ６の配線については、検出される電流値に対応する電圧値とした波形を示している。
【０２３５】
Ｘ１−Ｘ６の配線には、順にパルス電圧が与えられ、該パルス電圧にしたがってＹ１−Ｙ６の配線での波形が変化する。被検知体の近接または接触がない場合には、Ｘ１−Ｘ６の配線の電圧変化に応じてＹ１−Ｙ６の波形が一様に変化する。一方、被検知体が近接または接触する箇所では、電流値が減少するため、これに対応する電圧値の波形も変化する。このように、相互容量の変化を検出することにより、被検知体の近接または接触を検知することができる。
【０２３６】
また、図１１（Ａ）ではタッチセンサとして配線の交差部に容量２６０３のみを設けるパッシブ型のタッチセンサの構成を示したが、トランジスタと容量とを備えたアクティブ型のタッチセンサとしてもよい。図１２にアクティブ型のタッチセンサに含まれる一つのセンサ回路の例を示している。
【０２３７】
図１２に示すセンサ回路は、容量２６０３と、トランジスタ２６１１と、トランジスタ２６１２と、トランジスタ２６１３とを有する。
【０２３８】
トランジスタ２６１３はゲートに信号Ｇ２が与えられ、ソースまたはドレインの一方に電圧ＶＲＥＳが与えられ、他方が容量２６０３の一方の電極およびトランジスタ２６１１のゲートと電気的に接続する。トランジスタ２６１１は、ソースまたはドレインの一方がトランジスタ２６１２のソースまたはドレインの一方と電気的に接続し、他方に電圧ＶＳＳが与えられる。トランジスタ２６１２は、ゲートに信号Ｇ１が与えられ、ソースまたはドレインの他方が配線ＭＬと電気的に接続する。容量２６０３の他方の電極には電圧ＶＳＳが与えられる。
【０２３９】
次に、図１２に示すセンサ回路の動作について説明する。まず信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオン状態とする電位が与えられることで、トランジスタ２６１１のゲートが接続されるノードｎに電圧ＶＲＥＳに対応した電位が与えられる。次に、信号Ｇ２としてトランジスタ２６１３をオフ状態とする電位が与えられることで、ノードｎの電位が保持される。続いて、指等の被検知体の近接または接触により、容量２６０３の相互容量が変化することに伴い、ノードｎの電位がＶＲＥＳから変化する。
【０２４０】
読み出し動作は、信号Ｇ１にトランジスタ２６１２をオン状態とする電位を与える。ノードｎの電位に応じてトランジスタ２６１１に流れる電流、すなわち配線ＭＬに流れる電流が変化する。この電流を検出することにより、被検知体の近接または接触を検出することができる。
【０２４１】
トランジスタ２６１１、トランジスタ２６１２、及びトランジスタ２６１３としては、酸化物半導体層をチャネル領域が形成される半導体層に用いることが好ましい。とくにトランジスタ２６１３にこのようなトランジスタを適用することにより、ノードｎの電位を長期間に亘って保持することが可能となり、ノードｎにＶＲＥＳを供給しなおす動作（リフレッシュ動作）の頻度を減らすことができる。
【０２４２】
本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
【実施例１】
【０２４３】
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機化合物、２−［３’−（ジベンゾジオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン（略称：２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ）の合成方法について説明する。なお、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚの構造を以下に示す。
【０２４４】
【化１６】
0006690931.tif 000017
【０２４５】
＜ステップ１：Ｎ−（フェナントレン−９−イル）−３−クロロベンズアミジンの合成＞
３−クロロベンズアミジン塩酸塩３．２７ｇ（１７ｍｍｏｌ）、９−ヨードフェナントレン５．２ｇ（１７ｍｍｏｌ）、ヨウ化銅０．３１ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム１６ｇ（４９ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン０．２９ｇ（３．３ｍｍｏｌ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）８０ｍＬをフラスコに入れフラスコ内を窒素置換し、１００℃で２１時間加熱撹拌した。さらに、ヨウ化銅０．３１ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエチレンジアミン０．２９ｇ（３．３ｍｍｏｌ）を加え、１１０℃で８．５時間加熱撹拌した。得られた反応溶液を吸引ろ過して、固体をトルエンで洗浄した。得られたろ液を水で洗浄し、有機層を飽和食塩水で洗浄した。有機層に硫酸マグネシウムを加えて乾燥させ、得られた混合物を自然ろ過してろ液を得た。このろ液を濃縮して目的物を得た（褐色油状物、収率５０％）。ステップ１の合成スキームを下記式（ａ−１）に示す。
【０２４６】
【化１７】
0006690931.tif 000018
【０２４７】
＜ステップ２：２−（３−クロロフェニル）ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリンの合成＞
次に、Ｎ−（フェナントレン−９−イル）−３−クロロベンズアミジン２．８ｇ（８．４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド  ジエチルアセタール５０ｍＬを３００ｍＬフラスコに入れ、１２０℃で１時間加熱還流した。所定時間経過後、得られた反応溶液を吸引ろ過し、得られた固体をエタノールで洗浄した。この固体をトルエンで再結晶して、目的物を得た（淡赤色固体、収率７７％）。ステップ２の合成スキームを下記式（ａ−２）に示す。
【０２４８】
【化１８】
0006690931.tif 000019
【０２４９】
＜ステップ３：２−［３’−（ジベンゾジオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン（略称：２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ）の合成＞
次に、２−（３−クロロフェニル）ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン２．１ｇ（６．２ｍｍｏｌ）、４−ジベンゾチオフェン−４−イル−フェニルボロン酸２．１ｇ（６．８ｍｍｏｌ）、ジ（１−アダマンチル）−ｎ−ブチルホスフィン（ｃａｔａＣＸｉｕｍ）（登録商標）４４ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ），リン酸三カリウム３．９ｇ（１９ｍｍｏｌ）、ジオキサン４１ｍＬ、ｔｅｒｔ−ブタノール１．４ｇ（１９ｍｍｏｌ）を三口フラスコに入れ、フラスコ内を脱気、窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）１４ｍｇ（０．０６２ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で４時間、１００℃で１９時間加熱撹拌した。得られた反応溶液を吸引ろ過し、得られた固体を水、エタノールで洗浄した。得られた固体をトルエンに溶解し、積層したセライト・アルミナ・セライトを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体を、熱トルエンで洗浄して目的物を得た（白色固体、収率５２％）。ステップ３の合成スキームを下記式（ａ−３）に示す。
【０２５０】
【化１９】
0006690931.tif 000020
【０２５１】
得られた固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力２．５×１０−２Ｐａ、加熱温度２９０℃にて行った。昇華精製後、白色固体の目的物を回収率４６％で得た。
【０２５２】
上記ステップ３で得られた白色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１３に示す。この結果から、本合成例により、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機化合物２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑｚが得られたことがわかった。
【０２５３】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．４７−７．５０（ｍ，２Ｈ），７．６１−７．６３（ｍ，２Ｈ），７．６８−７．８９（ｍ，１０Ｈ），８．１８−８．２３（ｍ，３Ｈ），８．６７（ｄ，１Ｈ），８．７０（ｄｄ，２Ｈ），８．７９（ｄ，１Ｈ），９．１１（ｓ，１Ｈ），９．５４（ｄ，１Ｈ），１０．１（ｓ，１Ｈ）．
【０２５４】
次に、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製  Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製  ＦＳ９２０）を用いた。得られたトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図１４に示す。横軸は波長、縦軸は吸光度および発光強度を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図１５に示す。横軸は波長、縦軸は吸光度および発光強度を表す。
【０２５５】
図１４の結果より、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚのトルエン溶液では、３３１ｎｍ、及び３５６ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、３６０ｎｍ、及び３７７ｎｍ付近に発光波長のピークが見られた。また、図１５の結果より、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚの固体薄膜では、３３８ｎｍ及び３６３ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、３９４ｎｍ付近に発光波長のピークが見られた。
【実施例２】
【０２５６】
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ（構造式（１００））を発光層に用いた発光素子１を作製し、発光スペクトルの測定を行った。なお、発光素子１の作製については、図１６を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２５７】
【化２０】
0006690931.tif 000021
【０２５８】
≪発光素子１の作製≫
まず、ガラス製の基板９００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＯ−１）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極９０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２５９】
次に、基板９００上に発光素子１を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２６０】
その後、１×１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板９００を３０分程度放冷した。
【０２６１】
次に、第１の電極９０１が形成された面が下方となるように、基板９００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層９０２を構成する正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、電子注入層９１５が順次形成される場合について説明する。
【０２６２】
真空蒸着装置内を１×１０−４Ｐａに減圧した後、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンとを、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝４：２（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極９０１上に正孔注入層９１１を形成した。膜厚は２０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
【０２６３】
次に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層９１２を形成した。
【０２６４】
次に、正孔輸送層９１２上に発光層９１３を形成した。２−［３’−（ジベンゾジオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン（略称：２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］を、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．７：０．３：０．０５（質量比）となるように共蒸着した。なお、膜厚は、２０ｎｍの膜厚とした。さらに、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚ：ＰＣＢＢｉＦ：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］＝０．８：０．２：０．０５（質量比）となるように共蒸着した。なお、膜厚は、２０ｎｍの膜厚とした。従って、発光層９１３は、膜厚４０ｎｍの積層構造を有する。
【０２６５】
次に、発光層９１３上に２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚを２０ｎｍ蒸着した後、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層９１４を形成した。さらに電子輸送層９１４上に、フッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層９１５を形成した。
【０２６６】
最後に、電子注入層９１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極９０３形成し、発光素子１を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０２６７】
以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。
【０２６８】
【表１】
0006690931.tif 000022
【０２６９】
また、作製した発光素子１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、及び８０℃にて１時間熱処理）。
【０２７０】
≪発光素子１の動作特性≫
作製した発光素子１の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２７１】
発光素子１の電流密度−輝度特性を図１７、発光素子１の電圧−輝度特性を図１８、発光素子１の輝度−電流効率特性を図１９、発光素子１の電圧−電流特性を図２０にそれぞれ示す。
【０２７２】
これらの結果より、本発明の一態様である発光素子１は、高効率な素子であることがわかった。また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１の主な初期特性値を以下の表２に示す。
【０２７３】
【表２】
0006690931.tif 000023
【０２７４】
上記結果から、本実施例で作製した発光素子１は、良好な電流効率と高い外部量子効率を示していることが分かる。
【０２７５】
また、発光素子１に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２１に示す。図２１に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは５４１ｎｍ付近にピークを有しており、発光層９１３に含まれる有機金属錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の発光に由来していることが示唆される。なお、本実施例において発光層および電子輸送層に用いた２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚは、本発明の一態様である有機化合物であり、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚは、ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介する構造を有し、一重項準位（Ｓ１）、および三重項準位（Ｔ１）を高くし、エネルギーギャップを広くできるため１，４−フェニレン基を介するよりもキャリアバランスを整えやすく、キャリアの抜けを防ぐことができる。従って、本実施例における発光素子１の発光効率の向上は、２ｍＤＢｔＢＰＤＢｑｚを用いた効果であるということができる。
【実施例３】
【０２７６】
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１２３）で表される本発明の一態様である有機化合物、２−［３−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン（略称：２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚ）の合成方法について説明する。なお、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚの構造を以下に示す。
【０２７７】
【化２１】
0006690931.tif 000024
【０２７８】
２−（３−クロロフェニル）ジベンゾ［ｆ，ｈ］キナゾリン２．５ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、９−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール３．０ｇ（７．３ｍｍｏｌ）、ナトリウム  ｔｅｒｔ−ブトキシド２．１ｇ（２２ｍｍｏｌ），２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（Ｓ−Ｐｈｏｓ）１２０ｍｇ（０．３０ｍｍｏｌ）、メシチレン３７ｍＬを三口フラスコに入れ、フラスコ内を脱気、窒素置換した。この混合物に、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）８４ｍｇ（０．１４６ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で２１時間加熱撹拌した。
【０２７９】
得られた反応溶液を吸引ろ過し、固体を水、エタノールで洗浄した。この固体をトルエンに溶解し、積層したセライト・アルミナ・セライトを通して吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮して得た固体をトルエンで再結晶して目的物を得た（白色固体、収率５１％）。本合成方法の合成スキームを下記（ｂ−１）に示す。
【０２８０】
【化２２】
0006690931.tif 000025
【０２８１】
得られた固体をトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製条件は、圧力３．４Ｐａ、アルゴンガスを流量１５ｍＬ／ｍｉｎ，加熱温度３８５℃にて行った。昇華精製後、黄色固体の目的物を回収率７４％で得た。
【０２８２】
上記合成方法で得られた黄色固体の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図２２に示す。この結果から、本合成例により、上述の構造式（１２３）で表される本発明の一態様である有機化合物２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚが得られたことがわかった。
【０２８３】
１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ３）：７．３３（ｔ，１Ｈ），７．３７（ｔ，１Ｈ），７．４２−７．５１（ｍ，４Ｈ），７．５４（ｄ，１Ｈ），７．５９（ｄ，１Ｈ），７．６３−７．６７（ｍ，５Ｈ），７．７５−７．８８（ｍ，８Ｈ），８．２８（ｄｄ，２Ｈ），８．５０（ｄｄ，２Ｈ），８．６８（ｄ，１Ｈ），８．７０（ｔ，２Ｈ），８．９０（ｄ，１Ｈ），９．０６（ｓ，１Ｈ），９．４６（ｄ，１Ｈ），１０．１（ｓ，１Ｈ）．
【０２８４】
次に、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚのトルエン溶液および固体薄膜の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。固体薄膜は石英基板上に真空蒸着法にて作製した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製  Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製  ＦＳ９２０）を用いた。得られたトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図２３に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、固体薄膜の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図２４に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。
【０２８５】
図２３の結果より、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚのトルエン溶液では、２８１ｎｍ、及び３０４ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４４７ｎｍ付近に発光波長のピーク（励起波長３０４ｎｍ）が見られた。また、図２４の結果より、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚの固体薄膜では、３４６ｎｍ及び３６２ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、４８０ｎｍ付近に発光波長のピークが見られた。
【実施例４】
【０２８６】
本実施例では、本発明の一態様である有機化合物２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚ（構造式（１２３））を発光層に用いた発光素子２を作製し、発光スペクトルの測定を行った。なお、発光素子２の作製について、実施例２に示す発光素子１と同様な部分については、説明を省略する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２８７】
【化２３】
0006690931.tif 000026
【０２８８】
≪発光素子２の作製≫
本実施例で作製した発光素子２の素子構造を表３に示す。なお、発光素子２の第１の電極には、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＯ−２）を用いてスパッタリング法により成膜し、形成した。また、発光素子２の発光層および電子輸送層には、実施例３で合成した２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚを用いた。
【０２８９】
【表３】
0006690931.tif 000027
【０２９０】
また、作製した発光素子２は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時にＵＶ処理、及び８０℃にて１時間熱処理）。
【０２９１】
≪発光素子２の動作特性≫
作製した発光素子２の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２９２】
発光素子２の電流密度−輝度特性を図２５、電圧−輝度特性を図２６、輝度−電流効率特性を図２７、電圧−電流特性を図２８にそれぞれ示す。
【０２９３】
これらの結果より、本発明の一態様である発光素子２は、高効率な素子であることがわかった。また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子２の主な初期特性値を以下の表４に示す。
【０２９４】
【表４】
0006690931.tif 000028
【０２９５】
上記結果から、本実施例で作製した発光素子２は、良好な電流効率と高い外部量子効率を示していることが分かる。
【０２９６】
また、発光素子２に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２９に示す。図２９に示す通り、発光素子２の発光スペクトルは５４５ｎｍ付近にピークを有しており、発光層９１３に含まれる有機金属錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］の発光に由来していることが示唆される。なお、本実施例において発光層および電子輸送層に用いた２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚは、本発明の一態様である有機化合物であり、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚは、ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造を有し、三重項準位（Ｔ１）を高く保てるため、高効率な素子を得ることができる。また、ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，３−フェニレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造は、ジベンゾキナゾリン環の２位が、１，４−フェニレン基を介して正孔輸送性を有する骨格と結合した構造と比べてバンドギャップ、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯ準位にあまり差はない傾向にあるが、１，４−フェニレン基を介する構造よりも、キャリアバランスを整えやすく、キャリアの抜けを防ぐことができるため、高効率で信頼性の良い素子が得られ、ホスト材料として用いやすい。従って、本実施例の発光素子２の発光効率の向上は、２ｍＰＣＣｚＰＤＢｑｚを用いた効果であるということができる。
【符号の説明】
【０２９７】
１０１    第１の電極
１０２    ＥＬ層
１０３    第２の電極
１１１    正孔注入層
１１２    正孔輸送層
１１３    発光層
１１４    電子輸送層
１１５    電子注入層
２０１    第１の電極
２０２（１）    第１のＥＬ層
２０２（２）    第２のＥＬ層
２０２（ｎ−１）    第（ｎ−１）のＥＬ層
２０２（ｎ）    第（ｎ）のＥＬ層
２０４    第２の電極
２０５    電荷発生層
２０５（１）    第１の電荷発生層
２０５（２）    第２の電荷発生層
２０５（ｎ−２）    第（ｎ−２）の電荷発生層
２０５（ｎ−１）    第（ｎ−１）の電荷発生層
３０１    素子基板
３０２    画素部
３０３    駆動回路部（ソース線駆動回路）
３０４ａ、３０４ｂ    駆動回路部（ゲート線駆動回路）
３０５    シール材
３０６    封止基板
３０７    配線
３０８    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
３０９    ＦＥＴ
３１０    ＦＥＴ
３１１    スイッチング用ＦＥＴ
３１２    電流制御用ＦＥＴ
３１３    第１の電極（陽極）
３１４    絶縁物
３１５    ＥＬ層
３１６    第２の電極（陰極）
３１７    発光素子
３１８    空間
３５１    基板
３５２    第１の電極
３５３    第２の電極
３５４    ＥＬ層
３５５    絶縁膜
３５６    隔壁
９００    基板
９０１    第１の電極
９０２    ＥＬ層
９０３    第２の電極
９１１    正孔注入層
９１２    正孔輸送層
９１３    発光層
９１４    電子輸送層
９１５    電子注入層
２０００    タッチパネル
２５０１    表示パネル
２５０２Ｒ    画素
２５０２ｔ    トランジスタ
２５０３ｃ    容量素子
２５０３ｇ    走査線駆動回路
２５０３ｔ    トランジスタ
２５０９    ＦＰＣ
２５１０    基板
２５１１    配線
２５１９    端子
２５２１    絶縁層
２５２８    絶縁体
２５５０Ｒ    発光素子
２５６０    封止層
２５６７ＢＭ    遮光層
２５６７ｐ    反射防止層
２５６７Ｒ    着色層
２５７０    基板
２５９０    基板
２５９１    電極
２５９２    電極
２５９３    絶縁層
２５９４    配線
２５９５    タッチセンサ
２５９７    接着層
２５９８    配線
２５９９    端子
２６０１    パルス電圧出力回路
２６０２    電流検出回路
２６０３    容量
２６１１    トランジスタ
２６１２    トランジスタ
２６１３    トランジスタ
２６２１    電極
２６２２    電極
４０００    照明装置
４００１    基板
４００２    発光素子
４００３    基板
４００４    電極
４００５    ＥＬ層
４００６    電極
４００７    電極
４００８    電極
４００９    補助配線
４０１０    絶縁層
４０１１    封止基板
４０１２    シール材
４０１３    乾燥剤
４０１５    拡散板
４１００    照明装置
４２００    照明装置
４２０１    基板
４２０２    発光素子
４２０４    電極
４２０５    ＥＬ層
４２０６    電極
４２０７    電極
４２０８    電極
４２０９    補助配線
４２１０    絶縁層
４２１１    封止基板
４２１２    シール材
４２１３    バリア膜
４２１４    平坦化膜
４２１５    拡散板
４３００    照明装置
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０３    表示部
７１０５    スタンド
７１０７    表示部
７１０９    操作キー
７１１０    リモコン操作機
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３０２    筐体
７３０４    表示部
７３０５    時刻を表すアイコン
７３０６    その他のアイコン
７３１１    操作ボタン
７３１２    操作ボタン
７３１３    接続端子
７３２１    バンド
７３２２    留め金
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作用ボタン
７４０４    外部接続部
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７４０７    カメラ
７５００（１）、７５００（２）    筐体
７５０１（１）、７５０１（２）    第１面
７５０２（１）、７５０２（２）    第２面
８００１    照明装置
８００２    照明装置
８００３    照明装置
８００４    照明装置
９３１０    携帯情報端末
９３１１    表示部
９３１２    表示領域
９３１３    ヒンジ
９３１５    筐体
【図１】
0006690931.tif 000032
【図２】
0006690931.tif 000033
【図３】
0006690931.tif 000034
【図４】
0006690931.tif 000035
【図５】
0006690931.tif 000036
【図６】
0006690931.tif 000037
【図７】
0006690931.tif 000038
【図８】
0006690931.tif 000039
【図９】
0006690931.tif 000040
【図１０】
0006690931.tif 000041
【図１１】
0006690931.tif 000042
【図１２】
0006690931.tif 000043
【図１３】
0006690931.tif 000044
【図１４】
0006690931.tif 000045
【図１５】
0006690931.tif 000046
【図１６】
0006690931.tif 000047
【図１７】
0006690931.tif 000048
【図１８】
0006690931.tif 000049
【図１９】
0006690931.tif 000050
【図２０】
0006690931.tif 000051
【図２１】
0006690931.tif 000052
【図２２】
0006690931.tif 000053
【図２３】
0006690931.tif 000054
【図２４】
0006690931.tif 000055
【図２５】
0006690931.tif 000056
【図２６】
0006690931.tif 000057
【図２７】
0006690931.tif 000058
【図２８】
0006690931.tif 000059
【図２９】
0006690931.tif 000060