(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸としたとき、
基板と、
前記基板に対して対向して、前記Ｚ軸方向に変位可能に設けられている可動体と、
前記可動体に対向して前記基板に配置されている電極と、
複数の突起部と、
を備え、
前記Ｚ軸方向からの平面視で、前記可動体の中心を通り、前記Ｘ軸に沿う直線を中心線としたとき、２つの前記突起部は、前記可動体の前記Ｙ軸方向の両側の端部にそれぞれ重なり、且つ、前記中心線に対して対称となる位置に配置されており、
前記突起部は、
前記電極と同電位の導体層と、
前記導体層に対して前記基板とは反対側に設けられている絶縁層と、
を含むことを特徴とする物理量センサー。
【請求項２】
前記突起部は、前記Ｚ軸方向からの平面視で前記電極と重なる位置に配置され、
前記導体層は、前記電極と一体で構成されている請求項１に記載の物理量センサー。
【請求項３】
前記突起部は、前記導体層に対して前記基板側にて前記基板と一体で構成されている凸部を有する請求項１または２に記載の物理量センサー。
【請求項４】
前記絶縁層は、シリコン酸化膜である請求項１ないし３のいずれか一項に記載の物理量センサー。
【請求項５】
前記可動体は、前記Ｙ軸に沿った揺動中心軸まわりに揺動可能に設けられ、前記Ｚ軸方向からの平面視で前記揺動中心軸を境界として第１可動部と第２可動部とに区分され、
前記電極は、
前記第１可動部に対向して前記基板に配置されている第１電極と、
前記第２可動部に対向して前記基板に配置されている第２電極と、 
を含む請求項１ないし４のいずれか一項に記載の物理量センサー。
【請求項６】
前記Ｚ軸方向からの平面視で前記第２可動部の面積が前記第１可動部の面積よりも大きい請求項５に記載の物理量センサー。
【請求項７】
互いに直交する３つの軸をＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸としたとき、
第１基板上に、前記第１基板に対して対向して、前記Ｚ軸方向に変位可能な可動体と、前記可動体に対向する電極と、を形成するとともに、複数の突起部を形成する工程と、
前記可動体と前記電極とを電気的に接続する工程と、
前記可動体と前記電極とを電気的に接続した状態で、前記可動体を収納する空間を前記第１基板とともに形成する第２基板を前記第１基板に接合する工程と、
前記可動体と前記電極との電気的接続を解除する工程と、を有し、
前記Ｚ軸方向からの平面視で、前記可動体の中心を通り、前記Ｘ軸に沿う直線を中心線としたとき、２つの前記突起部は、前記可動体の前記Ｙ軸方向の両側の端部にそれぞれ重なり、且つ、前記中心線に対して対称となる位置に配置されており、
前記突起部は、
前記電極と同電位の導体層と、
前記導体層に対して前記第１基板とは反対側に設けられている絶縁層と、を有することを特徴とする物理量センサーの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の物理量センサーと、
前記物理量センサーに電気的に接続されている電子部品と、を有していることを特徴とするセンサーデバイス。
【請求項９】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の物理量センサーを備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
加速度、角速度等の物理量を検出する物理量センサーとして、基板に対向して変位可能な可動体を設けた構成のセンサーが知られている（例えば、特許文献１参照）。例えば、特許文献１に記載の物理量センサーは、基板と、基板の上方に設けられている揺動体と、揺動体を揺動可能に支持する支持部と、基板に設けられ揺動体に対向配置されている検出電極と、を含む。このような物理量センサーでは、揺動体と検出電極との間の静電容量に基づいて、加速度を検出する。
【０００３】
また、特許文献１に記載の物理量センサーでは、揺動体の揺動中心軸と交差する方向での両端の側面に突起部が設けられている。これにより、揺動体の過度の変位を抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１５６１２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述したような特許文献１に記載の物理量センサーでは、基板の検出電極から露出した部分に突起部が接触するため、揺動体と基板との張り付きが生じやすいという問題があった。また、突起部が揺動体と一体で構成されているため、突起部が基板に接触した際に損傷しやすいという問題があった。
【０００６】
本発明の目的は、可動体と基板との張り付きを良好に防止または低減することができる物理量センサーおよびその製造方法を提供すること、また、かかる物理量センサーを備えるセンサーデバイス、電子機器および移動体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の物理量センサーは、基板と、
前記基板に対して対向して変位可能に設けられている可動体と、
前記可動体に対向して前記基板に配置されている電極と、
前記基板の前記可動体側に平面視で前記可動体と重なる位置に配置されている突起部と、を備え、
前記突起部は、
前記電極と同電位の導体層と、
前記導体層に対して前記基板とは反対側に設けられている絶縁層と、を有することを特徴とする。
【０００８】
このような物理量センサーによれば、基板の可動体側に平面視で可動体と重なる位置に突起部が配置されているため、可動体が基板に張り付くのを突起部により防止または低減することができる。ここで、突起部が可動体側ではなく基板側に設けられているため、突起部の靱性を高めて、突起部の損傷を低減することができる。また、突起部の導体層が電極と同電位であるため、物理量センサーの製造時において、例えば、基板と他の基板とを陽極接合する際、可動体と電極とを電気的に接続することにより、可動体と基板との張り付きを防止または低減することができる。
【０００９】
また、突起部の絶縁層が導体層に対して突起部の先端側に設けられているため、可動体が突起部に接触しても、可動体と電極との短絡を防止することができる。
【００１０】
さらに、可動体の過剰な変位を突起部により規制して、可動体の損傷等を防止または低減することもできる。
【００１１】
本発明の物理量センサーでは、前記突起部は、前記平面視で前記電極と重なる位置に配置され、
前記導体層は、前記電極と一体で構成されていることが好ましい。
【００１２】
これにより、突起部の導体層を電極と一括して形成することができる。そのため、突起部の形成に伴う物理量センサーの製造工程の複雑化を低減することができる。
【００１３】
本発明の物理量センサーでは、前記突起部は、前記導体層に対して前記基板側にて前記基板と一体で構成されている凸部を有することが好ましい。
これにより、突起部の高さを容易に高くすることができる。
【００１４】
本発明の物理量センサーでは、前記絶縁層は、シリコン酸化膜であることが好ましい。
これにより、優れた絶縁性を有する絶縁層を成膜法により簡単かつ高精度に形成することができる。
【００１５】
本発明の物理量センサーでは、前記可動体は、揺動中心軸まわりに揺動可能に設けられ、前記基板の厚さ方向から見た平面視で前記揺動中心軸を境界として第１可動部と第２可動部とに区分され、
前記電極は、
前記第１可動部に対向して前記基板に配置されている第１電極と、
前記第２可動部に対向して前記基板に配置されている第２電極と、を有することが好ましい。
【００１６】
これにより、いわゆるシーソー型の静電容量方式の加速度センサーを実現することができる。
【００１７】
本発明の物理量センサーでは、前記平面視で前記第２可動部の面積が前記第１可動部の面積よりも大きいことが好ましい。
【００１８】
これにより、第１可動部および第２可動部の揺動中心軸まわりのモーメントを容易に異ならせることができる。また、このような第１可動部および第２可動部を有する可動体は、第２可動部が基板に接触しやすい。そのため、このような場合に、本発明を適用することにより、その効果が顕著となる。
【００１９】
本発明の物理量センサーの製造方法は、第１基板上に、前記第１基板に対して対向して変位可能な可動体と、前記可動体に対向する電極と、を形成するとともに、前記第１基板の前記可動体側に平面視で前記可動体と重なる突起部を形成する工程と、
前記可動体と前記電極とを電気的に接続する工程と、
前記可動体と前記電極とを電気的に接続した状態で、前記可動体を収納する空間を前記第１基板とともに形成する第２基板を前記第１基板に接合する工程と、
前記可動体と前記電極との電気的接続を解除する工程と、を有し、
前記突起部は、
前記電極と同電位の導体層と、
前記導体層に対して前記第１基板とは反対側に設けられている絶縁層と、を有することを特徴とする。
【００２０】
このような物理量センサーの製造方法によれば、第１基板と第２基板とを陽極接合する場合においても、可動体が第１基板に張り付くのを防止または低減することができる。
【００２１】
本発明のセンサーデバイスは、本発明の物理量センサーと、
前記物理量センサーに電気的に接続されている電子部品と、を有していることを特徴とする。
【００２２】
このようなセンサーデバイスによれば、可動体が基板に張り付くのを防止または低減することにより、信頼性を高めることができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、本発明の物理量センサーを備えていることを特徴とする。
このような電子機器によれば、可動体が基板に張り付くのを防止または低減することにより、信頼性を高めることができる。
【００２４】
本発明の移動体は、本発明の物理量センサーを備えていることを特徴とする。
このような移動体によれば、可動体が基板に張り付くのを防止または低減することにより、信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す平面図（上面図）である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す物理量センサーが備える突起部を説明するための拡大断面図である。
【図４】図１に示す物理量センサーの製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】図４に示す可動体と電極との接続工程を説明するための平面図（上面図）である。
【図６】図４に示す陽極接合工程を説明するための断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す平面図（上面図）である。
【図８】図７中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図９】本発明のセンサーデバイスの一例を示す断面図である。
【図１０】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【図１１】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１２】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図１３】本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体を添付図面に示す実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００２７】
１．物理量センサー
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る物理量センサーを示す平面図（上面図）である。図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図である。なお、各図には、説明の便宜上、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸が図示されており、各軸を表す矢印の先端側を「＋」、基端側を「−」とする。また、以下では、Ｘ軸に平行な方向を「Ｘ軸方向」、Ｙ軸に平行な方向を「Ｙ軸方向」、Ｚ軸に平行な方向を「Ｚ軸方向」と言う。また、＋Ｚ軸方向側を「上」、−Ｚ軸方向側を「下」とも言う。
【００２８】
図１および図２に示す物理量センサー１は、例えば、慣性センサーとして用いられ、具体的には、Ｚ軸方向の加速度を測定するための加速度センサーとして用いられる。この物理量センサー１は、ベース基板２（第１基板）と、蓋体３（第２基板）と、これらによって形成されている内部空間Ｓに配置されている揺動構造体４（可動電極）と、ベース基板２上に配置されている導体パターン５と、ベース基板２と揺動構造体４との張り付きを防止する機能を有する複数の突起部６と、を有している。以下、物理量センサー１の各部を順次説明する。
【００２９】
（ベース基板）
ベース基板２は、板状をなし、このベース基板２の上面には、凹部２１が形成されている。この凹部２１は、後述する揺動構造体４の可動部４２および連結部４３、４４がベース基板２に接触を防止する逃げ部として機能する。また、凹部２１の底面は、後に詳述するが、深さの異なる２つの部分２１１、２１２を有する。また、凹部２１の底面（部分２１１）の中央部には、突出した凸部２１３が設けられている。この凸部２１３には、後述する揺動構造体４の支持部４１が固定されている。また、凹部２１の側面および凸部２１３の側面は、傾斜面で構成されている。これにより、凹部２１の底面からベース基板２の上面への配線の引き回しを容易とするとともに、配線の形成不良や断線等を低減している。また、ベース基板２には、凹部２１の周囲に配置された凹部２２、２３、２４が形成されている。これら凹部２２、２３、２４内には、後述する導体パターン５の配線５３、５４、５５の一部および端子５６、５７、５８が配置されている。
【００３０】
このようなベース基板２は、絶縁性を有していることが好ましく、例えば、ガラス材料で構成されている。特に、ベース基板２が硼珪酸ガラスのようなアルカリ金属イオンを含むガラス材料で構成されていると、蓋体３や揺動構造体４がシリコンを用いて構成されている場合、これらとベース基板２との接合を陽極接合により行うことができる。なお、ベース基板２の構成材料としては、ガラス材料に限定されず、例えば、高抵抗なシリコン材料を用いてもよい。また、ベース基板２の表面には、必要に応じて、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜が形成されていてもよい。
【００３１】
（導体パターン）
導体パターン５は、ベース基板２の上面に設けられている。この導体パターン５は、電極として、凹部２１の底面に配置されている第１固定電極５１（第１電極）および第２固定電極５２（第２電極）を有している。また、導体パターン５は、配線として、凹部２１内で第１固定電極５１と接続され、凹部２２内に引き回されている配線５３と、凹部２１内で第２固定電極５２と接続され、凹部２３内に引き回されている配線５４と、凸部２１３で揺動構造体４と接続され、凹部２４内に引き回されている配線５５と、を有している。ここで、配線５５は、凸部２１３の上面（頂面）に形成された溝内において、導電性のバンプ５９を介して揺動構造体４に接続されている。また、導体パターン５は、端子として、凹部２２内に配置され、配線５３と接続されている端子５６と、凹部２３内に配置され、配線５４と接続されている端子５７と、凹部２４内に配置され、配線５５と接続されている端子５８と、を有している。ここで、端子５６、５７、５８は、内部空間Ｓの外側に配置されている。これにより、導体パターン５と外部（例えば後述するＩＣチップ１０２）とのコンタクトが可能となっている。
【００３２】
このような導体パターン５の構成材料としては、導電性を有していれば、特に限定されず、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ３Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｓｂ含有ＳｎＯ２、Ａｌ含有ＺｎＯ等の酸化物（透明電極材料）、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
（揺動構造体）
揺動構造体４は、図１および図２に示すように、ベース基板２の上方に設けられている。この揺動構造体４は、支持部４１と、ベース基板２に対して対向して配置された板状の可動部４２（可動体）と、可動部４２を支持部４１に対して揺動可能とするように可動部４２と支持部４１とを連結する１対の連結部４３、４４と、を有している。そして、連結部４３、４４に沿った軸ａＹを揺動中心軸として、可動部４２が支持部４１に対してシーソー揺動可能に構成されている。
【００３４】
可動部４２は、Ｘ軸方向に延びる長手形状（略長方形状）をなしている。この可動部４２は、ベース基板２または可動部４２の厚さ方向から見た平面視（以下、単に「平面視」という）で、揺動中心軸である軸ａＹを境界として、−Ｘ軸方向（一方）側に位置する第１可動部４２１と、＋Ｘ軸方向（他方）側に位置する第２可動部４２２と、区分される。
【００３５】
ここで、平面視で、第１可動部４２１が第１固定電極５１に重なっており、一方、第２可動部４２２が第２固定電極５２に重なっている。すなわち、第１固定電極５１は、第１可動部４２１と対向してベース基板２に配置されていて、第１可動部４２１との間に静電容量Ｃａを形成している。また、第２固定電極５２は、第２可動部４２２と対向してベース基板２に配置されていて、第２可動部４２２との間に静電容量Ｃｂを形成している。
【００３６】
また、第１可動部４２１には、Ｙ軸方向に延在している複数のスリット４２３がＸ軸方向に並んで形成され、同様に、第２可動部４２２には、複数のスリット４２４が形成されている。これにより、可動部４２とベース基板２および蓋体３との間のガスダンピングを低減することができる。また、可動部４２の第１可動部４２１と第２可動部４２２との間には、開口部４１３が形成されている。この開口部４１３の内側には、支持部４１および連結部４３、４４が配置されている。
【００３７】
また、第１可動部４２１および第２可動部４２２は、Ｚ軸方向の加速度が加わったときの軸ａＹまわりの回転モーメント（慣性モーメント）が互いに異なっている。これにより、Ｚ軸方向の加速度を受けると、可動部４２が軸ａＹまわりにシーソー揺動し、加えられた加速度に応じて可動部４２に所定の傾きが生じる。本実施形態では、第１可動部４２１および第２可動部４２２のＺ軸方向での厚さおよびＹ軸方向の幅が互いに等しいが、第２可動部４２２のＸ軸方向での長さが第１可動部４２１のＸ軸方向での長さよりも長くなっている。これにより、第１可動部４２１の回転モーメントよりも第２可動部４２２の回転モーメントが大きくなっている。このような設計とすることにより、比較的簡単に、第１可動部４２１および第２可動部４２２の回転モーメントを互いに異ならせることができる。
【００３８】
また、前述したように、第１可動部４２１および第２可動部４２２のＹ軸方向の幅が互いに等しいが、第２可動部４２２のＸ軸方向での長さが第１可動部４２１のＸ軸方向での長さよりも長くなっていることから、平面視で、第１可動部４２１の面積よりも第２可動部４２２の面積が大きくなっている。
【００３９】
なお、第１可動部４２１および第２可動部４２２の形状としては、前述したように、軸ａＹまわりの回転モーメントが互いに異なれば、前述したものに限定されず、例えば、第１可動部４２１および第２可動部４２２の厚さが互いに異なっていれば、平面視形状が同じ（軸ａＹに対して対称な形状）であってもよい。また、第１可動部４２１および第２可動部４２２の形状が同じであっても、第１可動部４２１または第２可動部４２２のいずれかに錘部を配置することで、第１可動部４２１および第２可動部４２２の軸ａＹまわりの回転モーメントを互いに異ならせることができる。かかる錘部は、例えば、タングステン、モリブテン等の錘材料を別体として配置してもよいし、可動部４２と一体的に形成されていてもよい。
【００４０】
また、前述したように開口部４１３内に配置された支持部４１のＹ軸方向での中央部は、ベース基板２の凸部２１３に接合されている。また、支持部４１とともに開口部４１３内に配置された連結部４３、４４によって、支持部４１と可動部４２とが連結されている。また、連結部４３、４４は、支持部４１の両側に同軸的に設けられている。そして、連結部４３、４４は、可動部４２が軸ａＹまわりにシーソー揺動する際、捩りバネとして機能する。
【００４１】
また、支持部４１のＹ軸方向での両端側の部分は、ベース基板２に対して離間しており、当該部分には、貫通孔４１１、４１２が形成されている。これら貫通孔４１１、４１２は、軸ａＹ上に配置されている。これにより、例えば、ベース基板２と揺動構造体４との線膨張係数差に起因して生じる応力が連結部４３、４４に与える影響を低減することができる。なお、支持部４１の形状は、前述したものに限定されず、例えば、貫通孔４１１、４１２を省略してもよい。
【００４２】
このような揺動構造体４は、例えば、リン、ボロン等の不純物をドープしたシリコンで構成されている。これにより、シリコン基板をエッチングによって加工することにより、優れた寸法精度の揺動構造体４を実現することができる。また、ベース基板２がガラス材料で構成されている場合、揺動構造体４とベース基板２との接合を陽極接合により行うことができる。なお、揺動構造体４の構成材料としては、シリコンに限定されない。また、揺動構造体４の母材自体が導電性を有していなくてもよく、この場合、例えば、可動部４２の表面に金属等の導体層を形成すればよい。
【００４３】
（蓋体）
蓋体３は、前述した揺動構造体４の可動部４２に対してベース基板２とは反対側に配置されている。そして、蓋体３は、ベース基板２に接合されている。蓋体３は、板状をなし、この蓋体３の下面（ベース基板２側の面）には、凹部３１が形成されている。この凹部３１は、前述したベース基板２の凹部２１とともに内部空間Ｓを形成している。また、凹部３１の底面は、深さの異なる２つの部分３１１、３１２を有する。
【００４４】
このような蓋体３は、例えば、シリコンで構成されている。これにより、ベース基板２がガラス材料で構成されている場合、蓋体３とベース基板２との接合を陽極接合により行うことができる。前述したように、ベース基板２の上面には、内部空間Ｓの内外を跨る凹部２２、２３、２４が形成されているため、蓋体３をベース基板２に接合しただけの状態では、凹部２２、２３、２４を介して内部空間Ｓの内外が連通されてしまう。そこで、本実施形態では、図２に示すように、ＴＥＯＳＣＶＤ法等で形成されたＳｉＯ２膜のような封止部１１によって凹部２２、２３、２４を塞いで、内部空間Ｓを気密封止している。
【００４５】
以上、物理量センサー１の構成について簡単に説明した。このように構成された物理量センサー１では、以下のようにしてＺ軸方向の加速度を検出する。
【００４６】
物理量センサー１にＺ軸方向の加速度が加わると、第１可動部４２１および第２可動部４２２の軸ａＹまわりの回転モーメントが互いに異なることから、可動部４２は、軸ａＹを揺動中心軸としてシーソー揺動する。このとき、第１可動部４２１の回転モーメントよりも第２可動部４２２の回転モーメントが大きいことから、物理量センサー１に加わった加速度の方向が−Ｚ軸方向である場合、第１可動部４２１が第１固定電極５１から遠ざかるとともに第２可動部４２２が第２固定電極５２に近づくように、可動部４２が軸ａＹまわりにシーソー揺動する。一方、物理量センサー１に加わった加速度の方向が＋Ｚ軸方向である場合、第１可動部４２１が第１固定電極５１に近づくとともに第２可動部４２２が第２固定電極５２から遠ざかるように、可動部４２が軸ａＹまわりにシーソー揺動する。
【００４７】
このように、物理量センサー１に加わった加速度の方向および大きさに応じて、第１可動部４２１と第１固定電極５１との離間距離、および、第２可動部４２２と第２固定電極５２との離間距離がそれぞれ変化し、これに伴って、静電容量Ｃａ、Ｃｂが変化する。そのため、これら静電容量Ｃａ、Ｃｂの変化量（例えば静電容量Ｃａ、Ｃｂの差動信号）に基づいて加速度の値を検出することができる。
【００４８】
このように、物理量センサー１では、いわゆるシーソー型の静電容量方式の加速度センサーを実現することができる。
【００４９】
（突起部）
物理量センサー１は、可動部４２がベース基板２に張り付くのを防止または低減する複数の突起部６を有する。ここで、平面視で第２可動部４２２の面積が第１可動部４２１の面積よりも大きいため、第２可動部４２２がベース基板２に接触しやすい。
【００５０】
複数（本実施形態では４つ）の突起部６は、図１に示すように、ベース基板２の可動部４２側に平面視で可動部４２と重なる位置に配置されている。これにより、可動部４２がベース基板２に張り付くのを突起部６により防止または低減することができる。ここで、突起部６が可動部４２側ではなくベース基板２側に設けられているため、突起部６の靱性を高めて、突起部６の損傷を低減することができる。また、可動部４２の過剰な変位を突起部６により規制して、可動部４２を含む構造体である揺動構造体４の損傷等を防止または低減することもできる。
【００５１】
また、複数の突起部６は、平面視で、可動部４２のＹ軸方向での端部に重なって配置されている。また、複数の突起部６は、平面視で軸ａＹに対して対称となるように配置されている。ここで、４つの突起部のうち、２つの突起部６が平面視で第１可動部４２１および第１固定電極５１に重なって配置され、残りの２つの突起部６が第２可動部４２２および第２固定電極５２に重なって配置されている。以下、平面視で第１可動部４２１および第１固定電極５１に重なって配置された突起部６について詳述する。なお、平面視で第２可動部４２２および第２固定電極５２に重なって配置された突起部６は、平面視で第１可動部４２１および第１固定電極５１に重なって配置された突起部６と同様であるため、その説明を省略する。
【００５２】
図３は、図１に示す物理量センサーが備える突起部を説明するための拡大断面図である。
【００５３】
各突起部６は、図３に示すように、ベース基板２に形成された凸部６１と、凸部６１を覆う導体層６２と、導体層６２の凸部６１とは反対側に設けられた絶縁層６３と、を有している。
【００５４】
ここで、導体層６２は、第１固定電極５１と同電位である。これにより、後に詳述するような物理量センサー１の製造時において、例えば、ベース基板２と蓋体（他の基板）とを陽極接合する際、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とを電気的に接続することにより、可動部４２とベース基板２との張り付きを防止または低減することができる。
【００５５】
また、絶縁層６３は、導体層６２に対してベース基板２とは反対側（より具体的には突起部６の先端側）に設けられている。これにより、可動部４２が突起部６に接触しても、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２との短絡を防止することができる。
【００５６】
また、導体層６２は、第１固定電極５１と一体で構成されている。これにより、突起部６の導体層６２を第１固定電極５１と一括して形成することができる。そのため、突起部６の形成に伴う物理量センサー１の製造工程の複雑化を低減することができる。
【００５７】
また、凸部６１は、導体層６２に対してベース基板２側にてベース基板２と一体で構成されている。これにより、ベース基板２をエッチングを用いて形成する際に比較的高さのある凸部６１を容易に形成することができ、その結果、突起部６の高さを容易に高くすることができる。
【００５８】
また、絶縁層６３は、絶縁性を有していればよく、樹脂材料、金属酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸化物等の各種絶縁性材料で構成することができるが、シリコン酸化膜であることが好ましい。これにより、優れた絶縁性を有する絶縁層６３を成膜法により簡単かつ高精度に形成することができる。
【００５９】
以上説明したように構成された物理量センサー１によれば、ベース基板２の可動部４２側に平面視で可動部４２と重なる位置に複数の突起部６が配置されているため、可動部４２がベース基板２に張り付くのを突起部６により防止または低減することができる。ここで、突起部６が可動部４２側ではなくベース基板２側に設けられているため、突起部６の靱性を高めて、突起部６の損傷を低減することができる。また、突起部６の導体層６２が第１固定電極５１および第２固定電極５２と同電位であるため、物理量センサー１の製造時において、例えば、ベース基板２と蓋体３とを陽極接合する際、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とを電気的に接続することにより、可動部４２とベース基板２との張り付きを防止または低減することができる。
【００６０】
また、突起部６の絶縁層６３が導体層６２に対して突起部６の先端側に設けられているため、可動部４２の突起部６に接触しても、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２との短絡を防止することができる。
【００６１】
さらに、可動部４２の過剰な変位を突起部６により規制して、揺動構造体４の損傷等を防止または低減することもできる。
【００６２】
（物理量センサーの製造方法）
以下、本発明の物理量センサーの製造方法について、前述した物理量センサー１を製造する場合を例に説明する。
【００６３】
図４は、図１に示す物理量センサーの製造方法を説明するためのフローチャートである。図５は、図４に示す可動体と電極との接続工程を説明するための平面図（上面図）である。図６は、図４に示す陽極接合工程を説明するための断面図である。
【００６４】
物理量センサー１の製造方法は、［１］ベース基板２上に揺動構造体４および導体パターン５を形成する工程（ステップＳ１）と、［２］導体パターン５の各部同士を電気的に接続する工程（ステップＳ２）と、［３］ベース基板２と蓋体３とを接合する工程（ステップＳ３）と、［４］工程［２］での電気的接続を解除する工程（ステップＳ４）と、を有する。以下、各工程を順次説明する。
【００６５】
［１］
まず、ベース基板２上に揺動構造体４および導体パターン５を形成する。これにより、ベース基板２上に可動部４２、第１固定電極５１および第２固定電極５２が形成される（ステップＳ１）。
【００６６】
具体的に説明すると、本工程では、例えば、まず、ガラス基板をエッチングすることによりベース基板２を形成する。このとき、ベース基板２の形成に伴って突起部６の凸部６１が形成される。そして、ベース基板２上に金属膜を形成し、その金属膜をエッチングすることにより、導体パターン５を形成する。このとき、導体パターン５の形成に伴って突起部６の導体層６２が形成される。その後、ＣＶＤ法等により絶縁層６３を形成して突起部６を形成した後、ベース基板２の導体パターン５側の面にシリコン基板を陽極接合により接合し、そのシリコン基板をエッチングするとともに不純物をイオン注入することにより、揺動構造体４を形成する。
【００６７】
以上のようにして、本工程［１］では、ベース基板２（第１基板）上に、ベース基板２に対して対向して変位可能な可動部４２と、可動部４２に対向する第１固定電極５１および第２固定電極５２（電極）と、を形成するとともに、ベース基板２の可動部４２側に平面視で可動部４２と重なる突起部６を形成する。
【００６８】
［２］
次に、導体パターン５の各部同士を電気的に接続する。これにより、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とを電気的に接続する（ステップＳ２）。
【００６９】
具体的に説明すると、例えば、図５に示すように、端子５６、５７と端子５８とを配線Ｗで電気的に接続する。この配線Ｗは、ボンディングワイヤーのようにベース基板２に対して離間した部分を有するものであってもよいし、ベース基板２上に導体パターン５と一体で形成されていてもよい。
【００７０】
以上のようにして、本工程［２］では、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とを電気的に接続する。なお、本工程は、前述した工程［１］と同時に行うことができる。例えば、配線Ｗを導体パターン５と一体で形成する場合には、前述した工程［１］の導体パターン５の形成と一括して（同時に）行われる。
【００７１】
［３］
次に、前述した工程［２］での電気的接続状態を維持したまま、ベース基板２と蓋体３とを接合する（ステップＳ３）。より具体的に説明すると、例えば、ガラスで構成されたベース基板２と、シリコンで構成された蓋体３とを陽極接合する。このとき、図６に示すように、ベース基板２と蓋体３との間には、電界が印加される。前述したように、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とが電気的に接続されているため、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とが同電位となる。そのため、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２との間では、前述した電界が低減される。その結果、可動部４２がベース基板２に張り付くのを防止または低減することができる。
【００７２】
以上のようにして、本工程［３］では、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２とを電気的に接続した状態で、蓋体３をベース基板２に接合する。
【００７３】
［４］
次に、工程［２］での電気的接続を解除する。これにより、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２との電気的接続が解除され（ステップＳ４）。
【００７４】
本工程［４］では、例えば、前述した配線Ｗを工具、レーザー等を用いて切断または除去する。
【００７５】
以上のようにして、本工程［４］では、可動部４２と第１固定電極５１および第２固定電極５２との電気的接続を解除する。その後、封止部１１を形成する。なお、封止部１１の形成は、工程［３］と工程［４］との間であってもよい。
【００７６】
以上説明したような工程［１］〜［４］を経ることで、物理量センサー１を得ることができる。
【００７７】
以上説明したような物理量センサー１の製造方法によれば、ベース基板２と蓋体３とを陽極接合する場合においても、可動部４２がベース基板２に張り付くのを防止または低減することができる。
【００７８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００７９】
図７は、本発明の第２実施形態に係る物理量センサーを示す平面図（上面図）である。図８は、図７中のＢ−Ｂ線断面図である。
【００８０】
本実施形態は、ジャイロセンサーに本発明を適用した以外は、前述した第１実施形態と同様である。
【００８１】
なお、以下の説明では、第２実施形態に関し、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項に関してはその説明を省略する。
【００８２】
図７に示す物理量センサー１Ａは、Ｙ軸まわりの角速度を検出するジャイロセンサーである。この物理量センサー１Ａは、図７および図８に示すように、ベース基板２Ａ（第１基板）と、蓋体３Ａ（第２基板）と、振動構造体４Ａ（可動電極）と、振動構造体４Ａを駆動振動させる駆動電極５１Ａと、振動構造体４Ａの検出振動を検出する１対の検出電極７と、振動構造体４Ａの駆動状態を検出するモニター電極５２Ａと、ベース基板２Ａと振動構造体４Ａとの張り付きを防止する機能を有する複数の突起部６Ａと、を有している。
【００８３】
ベース基板２Ａおよび蓋体３Ａは、互いに接合されており、ベース基板２Ａと蓋体３Ａとの間には、振動構造体４Ａおよび１対の検出電極７を収納している空間が形成されている。
【００８４】
ベース基板２Ａおよび蓋体３Ａは、それぞれ、板状をなし、Ｘ軸およびＹ軸を含む平面であるＸＹ平面（基準面）に沿って配置されている。また、ベース基板２Ａの上面には、振動構造体４Ａの可動部分がベース基板２Ａに接触するのを防止する機能を有する凹部２１Ａが設けられている。また、蓋体３Ａの下面には、振動構造体４Ａおよび１対の検出電極７を非接触で覆うように形成されている凹部３１Ａが設けられている。
【００８５】
振動構造体４Ａは、検出部４２Ａ（可動体）と、ベース基板２Ａに固定された４つの固定部４１Ａと、検出部４２Ａと４つの固定部４１Ａとを接続している４つの梁部４３Ａ（第２梁部）と、駆動部４５（可動体）と、検出部４２Ａと駆動部４５とを接続している４つの梁部４６（第１梁部）と、を有し、これらが一体で形成されている。
【００８６】
検出部４２Ａは、平面視で枠状をなすフレーム部と、そのフレーム部から外側にＹ軸方向に沿って延出している複数の電極指で構成された検出用可動電極部と、を有している。
【００８７】
４つの固定部４１Ａは、前述したベース基板２Ａの凹部２１Ａの外側にてベース基板２Ａの上面に接合・固定されている。４つの固定部４１Ａは、平面視において、それぞれ、検出部４２Ａの外側で互いに離間して配置されている。
【００８８】
４つの梁部４３Ａは、４つの固定部４１Ａに対応して設けられ、それぞれ、対応する固定部４１Ａと検出部４２Ａとを連結している。各梁部４３Ａは、平面視において、Ｙ軸方向に往復しながらＸ軸方向に沿って延びている蛇行形状をなしている。これにより、小型化を図りつつ、各梁部４３Ａの長さを長くすることができる。また、各梁部４３Ａの長さを長くすることにより、各梁部４３Ａの曲げ変形を伴う検出部４２ＡのＸ軸方向の変位を容易なものとすることができる。なお、各梁部４３Ａは、前述したように蛇行形状をなしていなくてもよく、例えば、平面視においてＹ軸方向に沿って延びている形状であってもよい。
【００８９】
駆動部４５は、平面視で、前述した検出部４２Ａの内側に配置されている。駆動部４５は、前述したベース基板２Ａの上面を基準面として、当該基準面に沿った板状をなしている。
【００９０】
４つの梁部４６は、それぞれ、検出部４２Ａと駆動部４５とを連結している。各梁部４６は、Ｘ軸方向に往復しながらＹ軸方向に延びている蛇行形状をなしている。これにより、小型化を図りつつ、各梁部４６の長さを長くすることができる。また、各梁部４６の長さを長くすることにより、各梁部４６の曲げ変形を伴う駆動部４５のＺ軸方向の変位を容易なものとすることができる。
【００９１】
駆動電極５１Ａは、前述したベース基板２Ａに形成された凹部２１Ａの底面に固定されている。この駆動電極５１Ａは、駆動部４５に対して間隔を隔てて対向して配置されている。ここで、駆動電極５１Ａは、平面視において、駆動部４５に重なる位置に配置されている。このような駆動電極５１Ａは、配線５３Ａを介して、ベース基板２Ａの上面の凹部２１Ａの外側に設けられた端子５６Ａに電気的に接続されている。
【００９２】
１対の検出電極７は、それぞれ、前述したベース基板２Ａの凹部２１Ａの外側にてベース基板２Ａの上面に接合・固定されている。この１対の検出電極７は、振動構造体４Ａを挟むようにして、Ｙ軸方向に並んで配置されている。このような１対の検出電極７は、１つの基板（例えばシリコン基板）を加工（例えばエッチング加工）することにより、振動構造体４Ａとともに一括して形成される。
【００９３】
各検出電極７は、Ｘ軸方向に沿って交互に並んで配置されている複数の電極指と、複数の電極指の振動構造体４Ａとは反対側の端部同士を１つおきに接続している接続部と、で構成されている。各電極指は、Ｙ軸方向に沿って延びている。そして、接続部で接続された各電極指は、前述した検出部４２Ａの電極指の一方の側面に対向しており、一方、接続部で接続されていない各電極指は、検出部４２Ａの電極指の他方の側面に対向している。
【００９４】
このような検出電極７は、配線５５Ａを介して、ベース基板２Ａの上面の凹部２１Ａの外側に設けられた端子５８Ａに電気的に接続されている。
【００９５】
モニター電極５２Ａは、前述したベース基板２Ａに形成された凹部２１Ａの底面に接合・固定されている。このモニター電極５２Ａは、平面視において、駆動部４５に重なる位置に配置されている。このようなモニター電極５２Ａは、配線５４Ａを介して、ベース基板２Ａの上面の凹部２１Ａの外側に設けられた端子５７Ａに電気的に接続されている。
以上のようにして構成された物理量センサー１Ａは、以下のようにして動作する。
【００９６】
互いに対向している駆動電極５１Ａと駆動部４５との間に周期的に変化する電圧（例えば交番電圧）を駆動電圧として印加する。すると、駆動電極５１Ａと駆動部４５との間に周期的に強度が変化する静電引力が生じ、これにより、梁部４６の弾性変形を伴って、駆動部４５がＺ軸方向に振動する。このとき、モニター電極５２Ａと駆動部４５との間の静電容量を検出し、その検出結果に基づき、必要に応じて、駆動電圧を制御する。これにより、駆動部４５の振動が所望の振動となるように制御することができる。
【００９７】
このように駆動部４５を振動させた状態で、Ｙ軸まわりの角速度が物理量センサー１Ａに加わると、駆動部４５にＸ軸方向のコリオリ力が生じ、そのコリオリ力の作用により、検出部４２ＡがＸ軸方向に振動する。これにより、検出電極７と検出部４２Ａとの間の静電容量が変化する。したがって、かかる静電容量に基づいて、物理量センサー１Ａに加わった角速度を検出することができる。
【００９８】
複数（本実施形態では４つ）の突起部６Ａは、図７に示すように、ベース基板２Ａの駆動部４５側に平面視で駆動部４５と重なる位置に配置されている。これにより、駆動部４５がベース基板２Ａに張り付くのを突起部６Ａにより防止または低減することができる。
ここで、突起部６Ａが駆動部４５側ではなくベース基板２Ａ側に設けられているため、突起部６Ａの靱性を高めて、突起部６Ａの損傷を低減することができる。また、駆動部４５の過剰な変位を突起部６Ａにより規制して、駆動部４５を含む構造体である振動構造体４Ａの損傷等を防止または低減することもできる。
【００９９】
また、複数の突起部６Ａは、平面視で、駆動部４５の外周部に重なって配置されている。
【０１００】
２．センサーデバイス
次に、本発明のセンサーデバイスを説明する。
【０１０１】
図９は、本発明のセンサーデバイスの一例を示す断面図である。
図９に示すセンサーデバイス１００は、基板１０１と、接着層１０３を介して基板１０１の上面に固定されている物理量センサー１と、接着層１０４を介して物理量センサー１の上面に固定されているＩＣチップ（電子部品）１０２と、を有している。そして、物理量センサー１およびＩＣチップ１０２が基板１０１の下面を露出させた状態で、モールド材１０９によってモールドされている。なお、接着層１０３、１０４としては、例えば、半田、銀ペースト、樹脂系接着剤（ダイアタッチ剤）等を用いることができる。また、モールド材１０９としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂を用いることができ、例えば、トランスファーモールド法によってモールドすることができる。
【０１０２】
また、基板１０１の上面には複数の端子１０７が配置されており、下面には図示しない内部配線やキャスタレーションを介して端子１０７に接続されている複数の実装端子１０８が配置されている。このような基板１０１としては、特に限定されないが、例えば、シリコン基板、セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、ガラスエポキシ基板等を用いることができる。
【０１０３】
また、ＩＣチップ１０２には、例えば、物理量センサー１を駆動する駆動回路や、静電容量Ｃａ、Ｃｂの差動信号を補正する補正回路や、静電容量Ｃａ、Ｃｂの差動信号から加速度を検出する検出回路や、検出回路からの信号を所定の信号に変換して出力する出力回路等が含まれている。このようなＩＣチップ１０２は、ボンディングワイヤー１０５を介して物理量センサー１の端子５６、５７、５８と電気的に接続されており、ボンディングワイヤー１０６を介して基板１０１の端子１０７に電気的に接続されている。
【０１０４】
このようなセンサーデバイス１００は、物理量センサー１を備えているので、優れた信頼性を有している。
【０１０５】
３．電子機器
次に、本発明の電子機器を説明する。
【０１０６】
図１０は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図である。
【０１０７】
この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１１０８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する物理量センサー１が搭載されている。このように、上述した物理量センサー１を搭載することで、信頼性の高いパーソナルコンピューター１１００を得ることができる。
【０１０８】
図１１は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【０１０９】
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ（図示せず）、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。このような携帯電話機１２００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する物理量センサー１が搭載されている。このように、上述した物理量センサー１を搭載することで、信頼性の高い携帯電話機１２００を得ることができる。
【０１１０】
図１２は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【０１１１】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【０１１２】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３１０が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３１０は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
【０１１３】
撮影者が表示部１３１０に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなディジタルスチルカメラ１３００には、その落下や傾斜を計測するための加速度や角速度等の物理量を計測する物理量センサー１が搭載されている。このように、上述した物理量センサー１を搭載することで、信頼性の高いディジタルスチルカメラ１３００を得ることができる。
【０１１４】
なお、本発明の電子機器は、図１０のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、スマートフォン、タブレット端末、時計、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレータ等に適用することができる。
【０１１５】
４．移動体
次に、本発明の移動体を説明する。
【０１１６】
図１３は、本発明の移動体を適用した自動車を示す斜視図である。
自動車１５００には物理量センサー１が内蔵されており、例えば、物理量センサー１によって車体１５０１の姿勢を検出することができる。物理量センサー１の検出信号は、車体姿勢制御装置１５０２に供給され、車体姿勢制御装置１５０２は、その信号に基づいて車体１５０１の姿勢を検出し、検出結果に応じてサスペンションの硬軟を制御したり、個々の車輪１５０３のブレーキを制御したりすることができる。
【０１１７】
以上、本発明の物理量センサー、物理量センサーの製造方法、センサーデバイス、電子機器および移動体を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
【０１１８】
前述した実施形態では、シーソー型の物理量センサーおよび平行平板型のジャイロセンサーに本発明を適用した場合を例に説明したが、本発明の物理量センサーは、基板に対して可動体が変位可能に設けられているものであればよく、前述した実施形態の構造に限定されるものではなく、例えば、フラップ型の物理量センサーにも適用可能である。
【符号の説明】
【０１１９】
１…物理量センサー、１Ａ…物理量センサー、２…ベース基板、２Ａ…ベース基板、３…蓋体、３Ａ…蓋体、４…揺動構造体、４Ａ…振動構造体、５…導体パターン、６…突起部、６Ａ…突起部、７…検出電極、１１…封止部、２１…凹部、２１Ａ…凹部、２２…凹部、２３…凹部、２４…凹部、３１…凹部、３１Ａ…凹部、４１…支持部、４１Ａ…固定部、４２…可動部、４２Ａ…検出部、４３…連結部、４４…連結部、４３Ａ…梁部、４５…駆動部、４６…梁部、５１…第１固定電極、５１Ａ…駆動電極、５２…第２固定電極、５２Ａ…モニター電極、５３…配線、５３Ａ…配線、５４…配線、５４Ａ…配線、５５…配線、５５Ａ…配線、５６…端子、５６Ａ…端子、５７…端子、５７Ａ…端子、５８…端子、５８Ａ…端子、５９…バンプ、６１…凸部、６２…導体層、６３…絶縁層、１００…センサーデバイス、１０１…基板、１０２…ＩＣチップ、１０３…接着層、１０４…接着層、１０５…ボンディングワイヤー、１０６…ボンディングワイヤー、１０７…端子、１０８…実装端子、１０９…モールド材、２１１…部分、２１２…部分、２１３…凸部、３１１…部分、３１２…部分、４１１…貫通孔、４１２…貫通孔、４１３…開口部、４２１…第１可動部、４２２…第２可動部、４２３…スリット、４２４…スリット、４２５…開口、１１００…パーソナルコンピューター、１１０２…キーボード、１１０４…本体部、１１０６…表示ユニット、１１０８…表示部、１２００…携帯電話機、１２０２…操作ボタン、１２０４…受話口、１２０６…送話口、１２０８…表示部、１３００…ディジタルスチルカメラ、１３０２…ケース、１３０４…受光ユニット、１３０６…シャッタボタン、１３０８…メモリ、１３１０…表示部、１３１２…ビデオ信号出力端子、１３１４…入出力端子、１４３０…テレビモニタ、１４４０…パーソナルコンピューター、１５００…自動車、１５０１…車体、１５０２…車体姿勢制御装置、１５０３…車輪、ａＹ…軸（揺動中心軸）、Ｓ…内部空間、Ｗ…配線、Ｓ１…ステップ、Ｓ２…ステップ、Ｓ３…ステップ、Ｓ４…ステップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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