Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内輪と、外輪と、複数の転動体とを備え、前記内輪及び前記外輪の軌道面と前記転動体の転動面が潤滑剤により潤滑される転がり軸受において、
前記軌道面と前記転動面とのうち少なくとも一方の転がり面に、Ｃｒ，Ｗ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｆｅから選択される少なくとも一種の金属からなる金属層と、前記金属層を構成する金属と炭素との化合物からなる複合層と、ダイヤモンドライクカーボン層と、撥油層と、がこの順で形成され、
前記撥油層は、前記潤滑剤との接触角が５０°以上となっていることを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】
前記金属層の厚さが０．１〜５μｍ、前記複合層の厚さが０．１〜５μｍ、前記ダイヤモンドライクカーボン層の厚さが０．８〜８μｍ、前記撥油層の厚さが０．０１〜５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受。
【請求項３】
前記撥油層は、フッ素系界面活性剤、フッ素系シランカップリング剤、及びフッ素系ポリマーのいずれかの撥油剤からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この接触角θは１８０°に近づく程、油をはじく能力（撥油性）が向上するため、接触角θは出来るだけ大きくすることが好ましい。一方、転がり軸受が高速回転下で使用されても、潤滑性能を維持しつつ、低トルク化及び発熱量の低減を図るために、接触角θを５０°以上とする必要がある。ここで、撥油層の形成コストを考慮して、接触角θを１６０°以下とすることが好ましい。
本発明の転がり軸受は、例えば、工作機械、自動車等のトランスミッション、ターボチャージャ、風力発電機の回転部を支持する転がり軸受として好適に用いることができる。  また、本発明で用いられる潤滑剤としては、特に限定されないが、例えば、潤滑油やグリースが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被メッキ部材をメッキ液が充填されたメッキ槽に浸漬し、前記メッキ槽の気泡発生手段から気泡を発生させることで前記被メッキ部材の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域に気泡の流れを発生させることを特徴とするメッキ方法。
【請求項２】
前記メッキ液は還元剤を含有しており、
前記気泡が、少なくとも酸素を含有する気体からなることを特徴とする請求項１記載のメッキ方法。
【請求項３】
前記メッキ部材のメッキ領域には金属層が設けられており、
前記気泡の流れを前記金属槽の延びる方向に向かって発生させることを特徴とする請求項１又は２記載のメッキ方法。
【請求項４】
前記メッキ層を形成しない非メッキ領域の前記気泡の流れを、前記メッキ領域に比べて強くすることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のメッキ方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のメッキ方法により、前記メッキ層をシリコン単結晶基板からなる前記被メッキ部材に形成したことを特徴とするシリコンデバイスの製造方法。
【請求項６】
被メッキ部材が浸漬されるメッキ液が充填されたメッキ槽と、前記被メッキ部材の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域に気泡の流れを発生させる気泡発生手段とを具備することを特徴とするメッキ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、被メッキ部材をメッキ液が充填されたメッキ槽に浸漬し、前記メッキ槽の気泡発生手段から気泡を発生させることで前記被メッキ部材の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域に気泡の流れを発生させることを特徴とするメッキ方法にある。
かかる第１の態様では、気泡によって非メッキ領域の異物や汚れを除去してメッキ層の異常析出及び析出不良を防止することができると共に選択的にメッキ層を高速で形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の態様は、前記メッキ液は還元剤を含有しており、前記気泡が、少なくとも酸素を含有する気体からなることを特徴とする第１の態様のメッキ方法にある。
かかる第２の態様では、メッキ領域の活性化を図ることができると共に、メッキ液中の余分な還元剤を酸化させて、非メッキ領域にメッキ層が異常析出及び析出不良されるのを防止することができると共に、選択的にメッキ層を高速で形成することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の態様は、前記メッキ部材のメッキ領域には金属層が設けられており、
前記気泡の流れを前記金属槽の延びる方向に向かって発生させることを特徴とする第１又は２の態様のメッキ方法にある。
かかる第３の態様では、気泡をメッキ領域に均一に流すことができ、メッキ層のムラを防止することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第４の態様は、前記メッキ層を形成しない非メッキ領域の前記気泡の流れを、前記メッキ領域に比べて強くすることを特徴とする第１〜３の何れかの態様のメッキ方法にある。
かかる第４の態様では、非メッキ領域にメッキ層が異常析出及び析出不良するのを確実に防止することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様のメッキ方法により、前記メッキ層をシリコン単結晶基板からなる前記被メッキ部材に形成したことを特徴とするシリコンデバイスの製造方法にある。
かかる第５の態様では、高精度で良好なメッキ層が形成されたシリコンデバイスを得ることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第６の態様は、被メッキ部材が浸漬されるメッキ液が充填されたメッキ槽と、前記被メッキ部材の少なくともメッキ層を形成するメッキ領域に気泡の流れを発生させる気泡発生手段とを具備することを特徴とするメッキ装置にある。
かかる第６の態様では、非メッキ領域にメッキ層の異常析出及び析出不良するのを防止して、選択的にメッキ層を高速で形成することができる。また、メッキ液の劣化を防止して、コストを低減することができると共に環境破壊を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
平均粒子径が５μｍ以下で、粒子径が１０μｍ以上の粒子を含まない１次粒子の集合粒子からなり、かつその集合粒子の平均粒子径が１５０μｍ以下で、粒子径が２５０μｍ以上の集合粒子を含まず、さらにポリビニルアセタールの１９０℃におけるメルトフローレートが１〜２００ｇ／１０分であるポリビニルアセタール粉体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、上記目的は、平均粒子径が５μｍ以下で、粒子径が１０μｍ以上の粒子を含まない１次粒子の集合粒子からなり、かつその集合粒子の平均粒子径が１５０μｍ以下で、粒子径が２５０μｍ以上の集合粒子を含まず、さらにポリビニルアセタールの１９０℃におけるメルトフローレートが１〜２００ｇ／１０分であるポリビニルアセタール粉体、とくに該ポリビニルアセタール粉体を含む粉体塗料によって達成されることを見出し、本発明を完成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明のポリビニルアセタール粉体は１次粒子の集合粒子からなり、１次粒子は平均粒子径が５μｍ以下で、粒子径が１０μｍ以上の粒子を含まず、集合粒子は平均粒子径が１５０μｍ以下で、粒子径が２５０μｍ以上の集合粒子を含まない。ポリビニルアセタール粉体の１次粒子とは、ポリビニルアセタールを製造する際のビニルアルコール系重合体のアセタール化反応において、最初に生成する粒子である。
本発明において特に重要なのは、ポリビニルアセタール粉体の１次粒子の平均粒子径が５μｍ以下で、粒子径が１０μｍ以上の粒子を含まない１次粒子であることである。このようにポリビニルアセタール粉体の１次粒子が微小の粒子であり、これに加えて、１次粒子の集合粒子について平均粒子径が１５０μｍ以下で、粒子径が２５０μｍ以上の集合粒子を含まないことにより、流動性が優れたものとなり、さらに均一な厚みを有する塗膜を形成することができるようになる。ポリビニルアセタール粉体の１次粒子と集合粒子の粒子径が上記条件を満足しない場合は、流動性が不十分となり、また塗膜の厚みの均一性も低下する。前記ポリビニルアセタール粉体における集合粒子の平均粒子径は、好ましくは１３０μｍ以下であり、より好ましくは１００μｍ以下である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
チタニア（４価の酸化チタン：ＴｉＯ2 ）膜は、各種基材の透明保護膜、光触媒膜、着色膜、機能性膜として使用されている。下記の特許文献１には、このチタニア膜を基材上に形成するための「チタニア膜形成用液体」として、水酸化チタンゾルと過酸化水素とを反応させて得られたペルオキソチタン酸（過酸化チタン）水溶液が記載されている。
特許文献１には、四塩化チタン水溶液にアンモニア水を添加して析出させた水酸化チタンゾルの洗浄後に、過酸化水素水を添加することでペルオキソチタン酸水溶液を得たこと、その液性はｐＨが６．４の中性であったことが記載されている。また、このペルオキソチタン酸水溶液を基材に塗布して２００℃以上で加熱処理すると、結晶構造がアナターゼ型である結晶質のチタニア膜が得られるが、室温乾燥や２００℃より低い温度での加熱処理では、非晶質のチタニア膜が得られることが記載されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述のように、ペルオキソチタン酸水溶液を主成分とするチタニア膜形成用液体を、合成樹脂製の疎水性の基材に塗布してチタニア膜を形成するためには、ペルオキソチタン酸水溶液に界面活性剤を添加することが有用であると考えられる。しかしながら、使用する界面活性剤の種類や添加量、添加方法によっては、疎水性の基材に対する濡れ性が不十分となったり、チタニア膜形成用液体の貯蔵安定性や透明性が不良となったり、基材に塗布した後に加熱処理することで形成されるチタニア膜の硬度や基材に対する付着性が不十分になることがある。
本発明の課題は、ペルオキソチタン酸水溶液を主成分とするチタニア膜形成用液体として、合成樹脂製の基材に塗布可能であって、貯蔵安定性や透明性が良好であり、基材に塗布した後に加熱処理することで、硬度や基材に対する付着性が優れたチタニア膜を形成できるものを提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、ペルオキソチタン酸水溶液を主成分とするチタニア膜形成用液体であって、非イオン界面活性剤が、ペルオキソチタン酸のＴｉＯ2 換算量に対して０．１０質量％以上２０．０質量％以下の割合で含まれていることを特徴とするチタニア膜形成用液体を提供する。
本発明によれば、ペルオキソチタン酸水溶液を主成分とするチタニア膜形成用液体に、界面活性剤として非イオン界面活性剤を、ペルオキソチタン酸のＴｉＯ2 換算量に対して０．１０質量％以上２０．０質量％以下の割合で添加することにより、疎水性基材の表面に対する濡れ性が改善されて、合成樹脂製の基材に塗布できるようになり、チタニア膜形成用液体の貯蔵安定性や透明性が良好であり、基材に塗布した後に加熱処理することで、硬度や基材に対する付着性が優れたチタニア膜を形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ペルオキソチタン酸水溶液に陽イオン界面活性剤や陰イオン界面活性剤を添加すると、ペルオキソチタン酸水溶液の粘度が増加したり、ペルオキソチタン酸水溶液がゲル化したり、ペルオキソチタン酸水溶液から水酸化チタンが析出したりして、チタニア膜形成用液体の貯蔵安定性や透明性が低下する。これに対して、ペルオキソチタン酸水溶液に非イオン界面活性剤を添加すると、これらの現象が生じないため、チタニア膜形成用液体の貯蔵安定性や透明性が良好となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
非イオン界面活性剤の添加率を、ペルオキソチタン酸のＴｉＯ2 換算量に対して０．１０質量％以上２０．０質量％以下にすることにより、チタニア膜形成用液体が合成樹脂製の基材に塗布できるようになり、基材に塗布した後に加熱処理することで、硬度や基材に対する付着性が優れたチタニア膜を形成することができる。非イオン界面活性剤の添加率がペルオキソチタン酸のＴｉＯ2 換算量に対して０．１０質量％未満であると、非イオン界面活性剤の添加による、疎水性基材に対する濡れ性改善作用が実質的に得られず、２０．０質量％を超えると、塗膜中のペルオキソチタン酸含有率が低くなりすぎて、形成されたチタニア膜の硬度が不十分となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のチタニア膜形成用液体は、合成樹脂製の基材に塗布可能で、貯蔵安定性や透明性も良好であり、本発明のチタニア膜形成用液体を合成樹脂製の基材に塗布した後に加熱処理することで、硬度や基材に対する付着性に優れたチタニア膜を形成することができる。
本発明の方法によれば、本発明のチタニア膜形成用液体として、貯蔵安定性や透明性が良好なものを製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記香料化合物群から選ばれる１種以上の香料化合物を含む香料組成物、無機酸及び水を含有し、２０℃におけるｐＨが１以下の硬質表面用洗浄剤。
〔香料化合物群〕
2,2,5,5-テトラメチル-4-イソプロピル-1,3-ジオキサン、フェニルエチルメチルエーテル、エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-2-イルカルボキシレート、ベンズアルデヒド、アセトフェノン、γ-ノナラクトン、n-オクタナール、アリルアミルグリコレート、ドデカヒドロ-3a,6,6,9a-テトラメチルナフト[2,1-b]フラン、酢酸アニシル、カシュメラン、クマリン、デセノール、2,6-ジメチルヘプタノール、エチル2-tert-ブチルシクロヘキシルカルボネート、γ-デカラクトン、γ-ドデカラクトン、3,3,5-トリメチルシクロヘキシルエチルエーテル、ジャスモラクトン、アセトキシアミルテトラヒドロピラン、メチレンテトラメチルヘプタノン、メチルアミルケトン、メチルヘキシルケトン、クレオゾール、フェニル酢酸、フェニルエチルアルコール、p-t-ブチルシクロヘキサノン、2,4-ジメチル-4-フェニルテトラヒドロフラン、2-メチル-2-ペンテノ酸、2,2,5-トリメチル-5-ペンチルシクロペンタノン
【請求項２】
前記香料化合物群から選ばれる香料化合物が、2,2,5,5-テトラメチル-4-イソプロピル-1,3-ジオキサン、フェニルエチルメチルエーテル、エチルトリシクロ[5.2.1.02,6]デカン-2-イルカルボキシレート及びベンズアルデヒドの１種以上である請求項１記載の硬質表面用洗浄剤。
【請求項３】
香料組成物中、前記香料化合物群から選ばれる香料化合物の合計含有量が50〜100質量％である請求項１又は２に記載の硬質表面用洗浄剤。
【請求項４】
無機酸濃度が５質量％以上である請求項１〜３のいずれかに記載の硬質表面用洗浄剤。
【請求項５】
更に、分子中に、アミノ基及び４級アンモニウム基から選ばれる基を１種以上有するモノマー単位を、全モノマー単位に対して10〜100モル％有し、且つ重量平均分子量が1,000〜100,000である重合体を含有する請求項１〜４のいずれかに記載の硬質表面用洗浄剤。
【請求項６】
前記重合体のアミノ基及び４級アンモニウム基から選ばれる基を１種以上有するモノマー単位が、下記一般式（１）で表される化合物及び／又は一般式（２）で表される化合物に由来する請求項５に記載の硬質表面用洗浄剤。
【化１】
2007177121.tif 000001
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又はヒドロキシアルキル基である。Ｘ、Ｙは、それぞれ独立して、炭素数１〜12のアルキレン基、−ＣＯＯＲ12−、−ＣＯＮＨＲ12−、−ＯＣＯＲ12−、−Ｒ13−ＯＣＯ−Ｒ12−から選ばれる基である。ここでＲ12、Ｒ13は、それぞれ独立して、炭素数１〜５のアルキレン基である。Ｒ4は炭素数１〜３のアルキル基又はヒドロキシアルキル基又はＲ1Ｒ2Ｃ＝Ｃ(Ｒ3)−Ｘ−である。Ｒ5は炭素数１〜３のアルキル基、ヒドロキシアルキル基、ベンジル基であり、Ｒ6はヒドロキシ基、カルボキシル基、スルホン酸基、硫酸エステル基で置換されていてもよい炭素数１〜10のアルキル基、又はベンジル基であり、Ｒ6がアルキル基、ヒドロキシアルキル基、又はベンジル基の場合は、Ｚ-は陰イオンを示す。Ｒ6がカルボキシル基、スルホン酸基、硫酸エステル基を含む場合、Ｚ-は存在せず、Ｒ6中のこれらの基は陰イオンとなる。Ｒ10は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基もしくはヒドロキシアルキル基又はＲ7Ｒ8Ｃ＝Ｃ(Ｒ9)−Ｙ−である。Ｒ11は水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又はヒドロキシアルキル基、ベンジル基である。〕
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリ乳酸系樹脂とシリコーンアクリル複合ゴムとを主成分として含有し、このポリ乳酸系樹脂とシリコーンアクリル複合ゴムとの質量比が９５／５〜５０／５０である混合樹脂からなり、又はこの混合樹脂層を少なくとも１層有し、上記ポリ乳酸系樹脂は、Ｄ−乳酸とＬ−乳酸との共重合体、又はこの共重合体の混合樹脂からなり、Ｄ−乳酸とＬ−乳酸のＤ／Ｌ比が、３／９７〜１５／８５、又は８５／１５〜９７／３であり、少なくとも一方向に延伸され、かつ８０℃温水中に１０秒浸漬したときの主収縮方向の熱収縮率が２０％以上である熱収縮性フィルム。
【請求項２】
上記混合樹脂層が、上記混合樹脂の総量に対し、５質量％以上３０質量％以下の（メタ）アクリル系樹脂を含有する請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項３】
上記混合樹脂層が、上記混合樹脂の総量に対し、５質量％以上３０質量％以下のポリ乳酸系樹脂を除く脂肪族ポリエステル系樹脂を含有する請求項１又は２に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項４】
雰囲気温度０℃、引張速度１００ｍｍ／分にて測定した際の主収縮方向に直行する方向の引張破断伸度が、１００％以上である請求項１乃至３のいずれかに記載の熱収縮性フィルム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の熱収縮性フィルムを基材として用いた成形品。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の熱収縮性フィルムを基材として用いた熱収縮性ラベル。
【請求項７】
請求項５に記載の成形品又は請求項６に記載の熱収縮性ラベルを装着した容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、ポリ乳酸系樹脂にゴム質重合体とビニル系単体とをグラフト重合して得られたグラフト共重合体を配合する手法が提案されている（特許文献１２参照）が、熱収縮フィルムとしては十分なものではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
＜混合樹脂への添加物＞
さらにこの発明では、上記混合樹脂中に、この発明の効果を著しく阻害しない範囲で、（メタ）アクリル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリスチレン系樹脂（ＧＰＰＳ（汎用ポリスチレン）、ＨＩＰＳ（耐衝撃性ポリスチレン）、ＳＢＳ（スチレン−ブタジエン共重合体）、ＳＩＳ（スチレン−イソプレン共重合体）、ＳＥＢＳ（スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合）、ＳＥＰＳ（スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン共重合体）、スチレン−カルボン酸共重合体等）、ポリアミド系樹脂、ポリオキシメチレン系樹脂などの熱可塑化性樹脂を少なくとも１種以上さらに含有することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
上記ポリ乳酸系樹脂を除く脂肪族ポリエステル系樹脂の含有量は、５質量％以上、好ましくは１０質量％以上、さらに好ましくは１５質量％以上であり、かつ３０質量％以下、好ましくは２５質量％以下、より好ましくは２０質量％以下である。上記ポリ乳酸系樹脂を除く脂肪族ポリエステル系樹脂の含有量が５質量％以上であれば、延伸方向と垂直方向の収縮を抑える効果を発現し、収縮仕上がり性を改善でき、また３０質量％以下であれば透明性の低下を抑えることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
この発明のフィルムにおいて、好適な層構成は層（II）がポリ乳酸系樹脂を主成分とする層の場合である。特に（II）層を構成するポリ乳酸系樹脂のＤ／Ｌ比は、層（Ｉ）を構成するポリ乳酸系樹脂のＤ／Ｌ比と異なることが好ましい。（Ｉ）層と（II）層において、Ｄ／Ｌ比を変化させ結晶性を異なるように調整することにより、より良好な収縮仕上がり性を実現させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
また、各実施例、比較例で使用した原材料は、下記の通りである。
（ポリ乳酸系樹脂）
・ポリ乳酸系樹脂…Ｎａｔｕｒｅ ＷｏｒｋｓＬＬＣ社製 商品名：ＮａｔｕｒｅＷｏｒｋｓ４０５０、Ｌ体／Ｄ体量＝９５／５、以下、「Ａ−１」と略する。
・ポリ乳酸系樹脂…Ｎａｔｕｒｅ ＷｏｒｋｓＬＬＣ社製 商品名：ＮａｔｕｒｅＷｏｒｋｓ４０６０、Ｌ体／Ｄ体量＝８８／１２、以下、「Ａ−２」と略する。
・ポリ乳酸系樹脂…Ｎａｔｕｒｅ ＷｏｒｋｓＬＬＣ社製 商品名：ＮａｔｕｒｅＷｏｒｋｓ４０３２Ｄ、Ｌ体／Ｄ体量＝９８．５／１．５、以下、「Ａ−３」と略する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
化学式：ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ，Ｎａ
で表されるセリウム（Ｃｅ）およびナトリウム（Ｎａ）で付活されたチオガレート蛍光体を主体とし、加速電圧が１５ｋＶ以下の電子線により励起されて発光する青色蛍光体であることを特徴とする表示装置用蛍光体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の表示装置用蛍光体は、化学式：ＳｒＧａ2Ｓ4：Ｃｅ，Ｎａで表されるセリウム（Ｃｅ）およびナトリウム（Ｎａ）で付活されたチオガレート蛍光体を主体とし、加速電圧が１５ｋＶ以下の電子線により励起されて発光する青色蛍光体であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月13日(2009.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ１）や、現像処理後のウエハＷの水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニット等と呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ１）等が含まれている。これら加熱ユニット（ＰＥＢ１、ＰＯＳＴ１）等の各処理ユニットは、それぞれ処理容器３５内に収容されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、上記処理容器が３段ずつ積層されて構成され、各処理容器の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口３６が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009016727.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂からなる群から選択される１種又は２種以上からなり、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００に対して金属粉４００〜１３００として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有することを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。
【請求項２】
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂からなる群から選択される１種又は２種以上からなり、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００に対して金属粉４００〜１３００として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールは、
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなり、
前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂からなる群から選択される１種又は２種以上からなり、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００に対して金属粉４００〜１３００として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド層が従来のメタルキャップに比して厚さを薄くできるので、それを用いる装置全体のスペースを軽減することができ、また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
また、このシールド及び放熱性を有する高周波モジュールによると、シールド性と放熱性のさらに優れた高周波モジュールが得られる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２のシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法は、
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に導電性ペーストを印刷して導電性樹脂層を形成する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程において、
前記導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂を含有し、
前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された１種類又は２種類以上からなり、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、メラミン樹脂、アクリレート樹脂、シリコーン樹脂からなる群から選択される１種又は２種以上からなり、
前記金属粉と前記熱硬化性樹脂との配合比率は、熱硬化性樹脂１００に対して金属粉４００〜１３００として、
前記導電性樹脂層の体積抵抗率が１×１０-4Ω・ｃｍ以下、熱伝導率が５Ｗ／ｍ・Ｋ以上の高導電性、高熱伝導性を有し、
前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板に固定されている結晶粒子と、
外形が扁平状を示し、広い面が半円形を示し、狭い面が楕円形、長方形、放物面形または三叉状を示し、発する光線が扁楕円状散乱を示すものである透明封止体と、
を備える発光ダイオード素子であって、
前記透明封止体の三叉状を示す狭い面が主突出部および該主突出部の両側に位置してそれぞれ外側へ凹んでいる曲面斜面を備えていることを特徴とする発光ダイオード素子。
【請求項２】
発光ダイオード素子を用いた照明系であって、
出光面と、
それぞれが、外形が扁平状を示す透明封止体を備え、発する光線が扁楕円状散乱を示すものである複数の発光ダイオード素子と、
該発光ダイオード素子の各々が発する光線を前記出光面で反射する少なくとも１つの反射器と、
を備える照明系。
【請求項３】
前記透明封止体の広い面が半円形を示し、前記透明封止体の狭い面が楕円形、長方形、放物面形または三叉状を示し、前記透明封止体の三叉状を示す狭い面が、主突出部および該主突出部の両側に位置してそれぞれ外側へ凹んでいる曲面斜面を備えており、前記複数の発光ダイオード素子が該反射器の側辺に設けられており、前記反射器が、中央が隆起している曲面または斜曲面であり、前記反射器が複数の突起部を備えており、前記突起部の各々が斜面を有し、該斜面と前記出光面とが４５°の夾角をなしていることを特徴とする請求項２記載の照明系。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指向性のある複数の光源を装着した基板を一面に複数並べて備える照明装置において、
前記光源及び／又は前記基板は、前記基板が設けられる面において光が均一に発光されるように配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
指向性のある複数の光源を装着する基板において、
前記複数の光源の間に、基板を係止する係止部又は前記複数の光源に電気的に接続される電子部品の少なくとも一方を装着するための装着部を備えてなることを特徴とする基板。
【請求項３】
前記光源からの光を拡散する拡散板を備え、
前記光源から前記拡散板までの距離が、前記複数の光源間の距離より大きいことを特徴とする請求項１に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録された映像音声コンテンツを再生する再生装置であって、
前記記録媒体には、第１の画像音声コンテンツと、前記第１の画像音声コンテンツを識別するための識別情報と、前記第１の画像音声コンテンツに関連した第２のコンテンツの取得先を示すＵＲＬ情報と、前記第２のコンテンツを取得あるいは出力させるための付加データが記録されており、
前記記録媒体を再生する再生手段と、
ネットワーク通信手段と、
前記再生手段により再生したコンテンツあるいは前記ネットワーク手段により取得したコンテンツを出力する出力手段と、
前記再生手段およびネットワーク通信手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記再生手段により再生した前記付加データにより、前記第２のコンテンツを取得する指示があった場合、前記ネットワーク通信手段を前記再生手段により再生した前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記再生手段により再生した前記識別情報を前記取得先に送信し、前記第２のコンテンツを取得させ、
前記制御手段は、前記再生手段により再生した前記付加データにより、前記第２のコンテンツを出力する指示があった場合、前記ネットワーク通信手段を前記再生手段により再生した前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記再生手段により再生した前記識別情報を前記取得先に送信し、前記第２のコンテンツを取得し出力させることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
記録媒体に記録された映像音声コンテンツを再生する再生方法であって、
前記記録媒体には、第１の画像音声コンテンツと、前記第１の画像音声コンテンツを識別するための識別情報と、前記第１の画像音声コンテンツに関連した第２のコンテンツの取得先を示すＵＲＬ情報と、前記第２のコンテンツを取得あるいは出力させるための付加データが記録されており、
前記記録媒体を再生するステップと、
ネットワークを介して通信するステップと、
前記記録媒体より再生したコンテンツあるいは前記ネットワークを介して取得したコンテンツを出力するステップとを有し、
前記記録媒体より再生した前記付加データにより、前記第２のコンテンツを取得する指示があった場合、前記ネットワークを介して前記記録媒体より再生した前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記記録媒体より再生した前記識別情報を前記取得先に送信して前記第２のコンテンツを取得し、
前記記録媒体より再生した前記付加データにより、前記第２のコンテンツを出力する指示があった場合、前記ネットワークを介して前記記録媒体より再生した前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記記録媒体より再生した前記識別情報を前記取得先に送信して前記第２のコンテンツを取得し出力することを特徴とする再生方法。
【請求項３】
記録媒体に映像音声コンテンツを記録する記録方法であって、
第１の画像音声コンテンツと、
前記第１の画像音声コンテンツを識別するための識別情報と、
前記第１の画像音声コンテンツに関連した第２のコンテンツの取得先を示すＵＲＬ情報と、
前記第２のコンテンツを取得あるいは出力するための付加データとを前記記録媒体に記録し、
前記付加データが前記第２のコンテンツを取得するための付加データであるときには、前記付加データは、前記第１の画像音声コンテンツを再生する再生装置を前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記識別情報を前記接続先に送信して前記第２のコンテンツを取得するために用いられるものであり、
前記付加データが前記第２のコンテンツを出力するための付加データであるときには、前記付加データは、前記第１の画像音声コンテンツを再生する再生装置を前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記識別情報を前記接続先に送信して前記第２のコンテンツを取得し出力するために用いられるものであることを特徴とする記録方法。
【請求項４】
映像音声コンテンツが記録された記録媒体であって、
第１の画像音声コンテンツと、
前記第１の画像音声コンテンツを識別するための識別情報と、
前記第１の画像音声コンテンツに関連した第２のコンテンツの取得先を示すＵＲＬ情報と、
前記第２のコンテンツを取得あるいは出力するための付加データとが記録され、
前記付加データは、前記付加データにより前記第２のコンテンツを取得する指示があった場合、前記第１の画像音声コンテンツを再生する再生装置を前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記識別情報を前記接続先に送信して前記第２のコンテンツを取得するために用いられるものであり、
前記付加データは、前記付加データにより前記第２のコンテンツを出力する指示があった場合、前記第１の画像音声コンテンツを再生する再生装置を前記ＵＲＬ情報で示される前記第２のコンテンツの取得先に接続させ、前記識別情報を前記接続先に送信して前記第２のコンテンツを取得し出力するために用いられるものであることを特徴とする記録媒体。
【請求項５】
画像音声情報と、
前記画像音声情報を識別するための識別情報と、
前記画像音声情報に関するＵＲＬ情報と、が記録された記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
利得制御応答速度判断部４８は、波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下の場合、入力モニタ部３２および出力モニタ部４２に応答速度切り替え信号を値１として供給する。一方、波長数が２より大きい、もしくは、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓを超える場合、応答速度切り替え信号は値０とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
入力モニタ部３２および出力モニタ部４２それぞれのモニタ回路３４，４４は、通常、応答速度を数μｓｅｃ以下として高速動作を行い、上記値１の応答速度切り替え信号を供給されると応答速度を数十μｓｅｃ以上に切り替えて低速動作を行う。利得制御部３５は応答速度が数μｓｅｃ以下の高速動作を行うが、モニタ回路３４，４４の応答速度の切替により、ＡＧＣ制御の応答速度は波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下のとき、数十μｓｅｃ以上となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
利得制御応答速度判断部４８は、波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下の場合、利得制御部３５の利得制御回路１３６に応答速度切り替え信号を値１として供給する。一方、波長数が２より大きい、もしくは、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓを超える場合、応答速度切り替え信号は値０とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
このため、端局５１内に利得制御応答速度判断部１４８を設け、波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下であるか否かを判別して応答速度切り替え信号を生成し、この応答速度切り替え信号を監視信号に含めて光増幅器５３１〜５３ｎおよび端局５２に供給する。この応答速度切り替え信号は波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下の場合は値１であり、波長数が２より大きい、もしくは、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓを超える場合は値０である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
入力モニタ部３２および出力モニタ部４２それぞれは、通常、応答速度を数μｓｅｃ以下として高速動作を行い、上記値１の応答速度切り替え信号を供給されると応答速度を数十μｓｅｃ以上に切り替えて低速動作を行う。利得制御部３５は応答速度が数μｓｅｃ以下の高速動作を行うが、入力モニタ部３２および出力モニタ部４２の応答速度の切替により、ＡＧＣ制御の応答速度は波長数が２以下、かつ、全波長の信号速度の最大値が１５５Ｍｂｐｓ以下のとき、数十μｓｅｃ以上となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に関連する処理である画像関連処理を実行する画像関連処理システムであって、
前記画像関連処理の実行を指令するユーザを認証するための処理を行うユーザ認証手段と、
前記ユーザ認証手段によって認証されたユーザが指令した前記画像関連処理を実行するための制御処理を行う画像関連処理実行制御手段と、
前記実行された画像関連処理の内容および当該実行された画像関連処理を指令したユーザを示す履歴情報を記憶する履歴情報記憶手段と、
ユーザごとの、前記画像関連処理システムの使用状況をカウントするための第１のカウンタと、
前記実行された画像関連処理の内容に基づいて、当該実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタを更新する第１のカウンタ更新手段と、
前記履歴情報記憶手段から、所定の期間に実行されかつ前記第１のカウンタのないユーザが指令した前記画像関連処理についての前記履歴情報を取得する取得手段と、
前記取得された履歴情報に示される数値を積算することによって、前記第１のカウンタのないユーザごとの前記画像関連処理システムの使用状況を解析する使用状況解析手段と、
前記解析された使用状況を出力する出力手段と、
を有することを特徴とする画像関連処理システム。
【請求項２】
前記第１のカウンタがないユーザによる前記画像関連処理システムの使用状況を纏めてカウントするための第２のカウンタと、
前記実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタがない場合に、当該実行された画像関連処理の内容に基づいて前記第２のカウンタを更新する、第２のカウンタ更新手段と、を有する、
請求項１記載の画像関連処理システム。
【請求項３】
画像に関連する処理である画像関連処理を実行する画像関連処理により実行される画像関連処理方法であって、
ユーザごとの、前記画像関連処理システムの使用状況をカウントするための第１のカウンタを用意しておき、
前記画像関連処理の実行を指令するユーザを認証する処理を行い、
前記認証されたユーザが指令した前記画像関連処理を実行するための制御処理を行い、
前記実行された画像関連処理の内容および当該実行された画像関連処理を指令したユーザを示す履歴情報を記憶し、
前記実行された画像関連処理の内容に基づいて、当該実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタを更新し、
前記記憶された履歴情報から、所定の期間に実行されかつ前記第１のカウンタのないユーザが指令した前記画像関連処理についての前記履歴情報を取得し、
前記取得された履歴情報に示される数値を積算することによって、前記第１のカウンタのないユーザごとの前記画像関連処理システムの使用状況を解析し、
前記解析された使用状況を出力する、
ことを特徴とする画像関連処理方法。
【請求項４】
前記第１のカウンタがないユーザによる前記画像関連処理システムの使用状況を纏めてカウントするための第２のカウンタを用意しておき、
実行されたジョブを指令したユーザの前記第１のカウンタがない場合に、当該実行されたジョブの内容に基づいて前記第２のカウンタを更新する、
請求項３記載の画像関連処理方法。
【請求項５】
ネットワークを介して接続された画像形成装置とコンピュータとにより構成され、画像に関連する処理である画像関連処理を実行する画像関連処理システムに関する情報を取得するためのコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータに、
ユーザごとの、前記画像関連処理システムの使用状況をカウントするための第１のカウンタを用意する処理、
認証されたユーザからの実行指令を受けて前記画像形成装置により実行された画像関連処理の内容に基づいて、当該実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタを更新する処理、
前記画像形成装置により実行された画像関連処理の内容および当該実行された画像関連処理を指令したユーザを示す履歴情報の中から、所定の期間に実行されかつ前記第１のカウンタのないユーザが指令した前記画像関連処理についての前記履歴情報を取得する処理、
前記取得された履歴情報に示される数値を積算することによって、前記第１のカウンタのないユーザごとの前記画像関連処理システムの使用状況を解析する処理、及び、
前記解析された使用状況を出力する処理を実行させる、
ことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項６】
前記コンピュータに、更に、
前記第１のカウンタがないユーザによる前記画像関連処理システムの使用状況を纏めてカウントするための第２のカウンタを用意する処理、及び、
前記実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタがない場合に、当該実行された画像関連処理の内容に基づいて前記第２のカウンタを更新する処理を実行させる、
請求項５記載のコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像関連処理システム、画像関連処理方法、およびコンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る画像関連処理システムは、画像に関連する処理である画像関連処理を実行する画像関連処理システムであって、前記画像関連処理の実行を指令するユーザを認証するための処理を行うユーザ認証手段と、前記ユーザ認証手段によって認証されたユーザが指令した前記画像関連処理を実行するための制御処理を行う画像関連処理実行制御手段と、前記実行された画像関連処理の内容および当該実行された画像関連処理を指令したユーザを示す履歴情報を記憶する履歴情報記憶手段と、ユーザごとの、前記画像関連処理システムの使用状況をカウントするための第１のカウンタと、前記実行された画像関連処理の内容に基づいて、当該実行された画像関連処理を指令したユーザの前記第１のカウンタを更新する第１のカウンタ更新手段と、前記履歴情報記憶手段から、所定の期間に実行されかつ前記第１のカウンタのないユーザが指令した前記画像関連処理についての前記履歴情報を取得する取得手段と、前記取得された履歴情報に示される数値を積算することによって、前記第１のカウンタのないユーザごとの前記画像関連処理システムの使用状況を解析する使用状況解析手段と、前記解析された使用状況を出力する出力手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願発明によると、複雑なネットワーク環境においてカウンタの設置が上手く行われていなくても、管理者にユーザの使用状況を的確に把握させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を表示する画像表示装置であって、
画像情報と前記画像情報に関連した関連情報とを組み合わせた単位表示情報を画面に表示する画像表示部と、
前記関連情報に対応する項目名の一覧を前記単位表示情報が表示されるのと同じ画面における別の領域に表示する項目名表示部と、を備え、
前記項目名表示部は、前記単位表示情報として前記画像情報に対応付けて表示させる前記項目名をユーザに指定させる表示項目指定部を含むことを備える画像表示装置。
【請求項２】
前記項目名表示部は、前記関連情報が前記単位表示情報に組み込まれるべく指定されたか否かを視覚的に表す指定指標を、前記複数の項目名に付加して表示する請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記単位表示情報を、前記関連情報を用いてソートするソート処理部をさらに備え、
前記ソート処理部は、前記項目名表示部により表示される前記複数の項目名のうち、指定された前記関連情報に対応する前記項目名を、ソートに用いる前記関連情報として表示する請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記単位表示情報を格納する格納部をさらに備える請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記画像表示部は、指定された前記関連情報の数が多いほど、前記単位表示情報を大きく表示する請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
画像を表示する画像表示方法であって、
画像情報と前記画像情報に関連した関連情報とを組み合わせた単位表示情報を画面に表示する手順と、
前記関連情報に対応する項目名の一覧を前記単位表示情報が表示されるのと同じ画面における別の領域に表示する項目名表示手順と、を備え、
前記項目名表示手順は、前記単位表示情報として前記画像情報に対応付けて表示させる前記項目名をユーザに指定させる手順を備える画像表示方法。
【請求項７】
画像を表示する画像表示装置を制御するプログラムであって、前記画像表示装置に、
画像情報と前記画像情報に関連した関連情報とを組み合わせた単位表示情報を画面に表示する機能と、
前記関連情報に対応する項目名の一覧を前記単位表示情報が表示されるのと同じ画面における別の領域に表示する項目名表示機能と、を含み、
前記項目名表示機能は、前記単位表示情報として前記画像情報に対応付けて表示させる前記項目名をユーザに指定させる機能
を実現させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板内に配置されて第１幅を有する上部活性領域と、
前記上部活性領域の下部に接続されて前記第１幅よりも大きい第２幅を有する下部活性領域と、
前記基板内に配置されて前記上部活性領域及び下部活性領域を確定する素子分離膜と、
前記上部活性領域を貫通して前記下部活性領域内に延長され、前記上部活性領域及び下部活性領域を横切る絶縁されたゲート電極と、
を含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記絶縁されたゲート電極は、
前記上部活性領域内に配置されて前記上部活性領域を横切る上部ゲート延長部と、
前記上部ゲート延長部の下部に延長されて前記下部活性領域を横切る下部ゲート延長部と、を含み、前記下部ゲート延長部は前記第２幅と実質的に同じ幅を具備することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記上部ゲート延長部及び下部ゲート延長部は、フラスコ形状であることを特徴とする請求項２記載の半導体素子。
【請求項４】
前記素子分離膜は、
前記上部活性領域を確定する上部素子分離膜と、
前記上部素子分離膜の下部に延長されて前記下部活性領域を確定する下部素子分離膜と、を含み、前記下部素子分離膜は前記上部素子分離膜よりも狭い幅を有することを特徴とする請求項２記載の半導体素子。
【請求項５】
前記下部素子分離膜は、写真工程の限界解像度よりも狭い幅を有することを特徴とする請求項４記載の半導体素子。
【請求項６】
前記上部ゲート延長部の互いに向かい合う側壁は、前記上部素子分離膜と接触することを特徴とする請求項４記載の半導体素子。
【請求項７】
前記下部ゲート延長部の互いに向かい合う側壁は、前記下部素子分離膜と接触することを特徴とする請求項４記載の半導体素子。
【請求項８】
前記絶縁されたゲート電極両側の前記基板内に提供されたソース／ドレイン領域を、さらに含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項９】
前記ソース／ドレイン領域の底は、前記上部活性領域よりも下レベルに位置することを特徴とする請求項８記載の半導体素子。