Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月9日(2012.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外側領域で支持部材に固定される超薄型シートの材料を具える物品を生成する方法であって、当該方法が：基板上に超薄型シートを提供するステップと；前記超薄型シートの前記外側領域が前記支持部材と前記基板との間に挟持され、かつ前記支持部材に接着されるように前記超薄型シートの前記外側領域上に前記支持部材を形成するステップと；前記物品を残すように前記基板を除去するステップと；を具え、
前記超薄型シートが前記外側領域の内側に少なくとも１の領域（空き面積）を有し、前記超薄型シートがその他の材料によって覆われないことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記領域、あるいはこのような領域の前記空き面積が少なくとも５００μｍ２であることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記領域、あるいはこのような領域の前記空き面積が少なくとも１，５００μｍ２であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法において、前記基板が気化によって除去されることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の方法において、前記基板が溶剤を用いるステップである溶解ステップによって除去されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、前記基板が剥離層と基層とを有し、前記剥離層及び前記基層がそれぞれ選択された溶剤に可溶性及び不溶性であり、前記剥離層が前記超薄型シートと接触することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項２又は３、及び請求項６に記載の方法において、前記空き面積が前記選択された溶剤に可溶な材料の一部によって遮蔽され、前記一部及び前記剥離層が同一動作で前記溶剤に溶解されるか、あるいは個別動作で異なる溶剤に溶解されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の方法において、前記支持部材が前記超薄型シートの周りの前記基板の領域に、かつ前記超薄型シートの前記外側領域に形成されるが、前記超薄型シートの中央領域には形成されないことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の方法において、前記支持部材が前記超薄型シートの前記外側領域と接触するが、前記中央領域と接触しない下層と；当該下層上に形成される上層と；を具えることを特徴とする方法。
【請求項１０】
外側領域で支持部材に固定される超薄型シートを具える物品であって、前記超薄型シートが前記外側領域の内側に少なくとも１の領域を有し、前記内側の領域がその他の材料で覆われないことを特徴とする物品。
【請求項１１】
基板を一方の側面上に；及び、遮蔽領域を包囲する支持部材を他方の側面上に；有する超薄型シートを具える物品であって、前記超薄型シートの中央領域が前記遮蔽領域によって覆われ、前記超薄型シートの外側領域及び前記基板の外側領域が前記支持部材によって覆われ、前記支持部材及び前記遮蔽領域が除去可能であることを特徴とする物品。
【請求項１２】
請求項１１に記載の物品において、前記遮蔽領域が溶剤又は気化によって除去可能であることを特徴とする物品。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の物品を生成する方法であって、前記遮蔽領域が前記超薄型シート上に形成され、前記超薄型シートの前記外側領域が露出されたままで残され、担持部材が後に形成されて、前記遮蔽領域が形成材として作用することを特徴とする方法。
【請求項１４】
物品を生成する方法であって、
ａ）第１の溶剤に可溶な剥離層を、前記第１の溶剤に難溶又は不溶な基層の上に有する基板を提供するステップと、
ｂ）前記基板の前記剥離層上に超薄型シートを置くステップと、
ｃ）前記超薄型シートと前記剥離層の露出領域とを覆うために、第２の溶剤に可溶な第２の材料のイメージング層で中間物の前記物品を全体コーティングするステップであって、前記第２の溶剤に前記剥離層が難溶又は不溶であるステップと、
ｄ）前記超薄型シートの周縁部のみを露出させるように、リソグラフィックイメージング及び展開により前記第２の溶剤で前記イメージング層の外側領域を除去し、前記超薄型シート上の前記第２の材料の中央領域を残すステップと、
ｅ）支持材料の下層をステップｄ）の前記中間物の物品の上方領域に全体適用するステップと、
ｆ）前記超薄型シートを露出するように、溶剤を用いて前記第２の材料の中央領域を除去するステップであって、前記周縁部のみが前記下層と接触するステップと、
ｇ）前で露出された、前記超薄型シートの前記中央領域上に遮蔽領域を形成するステップであって、前記遮蔽領域が前記第１の材料、又は前記第１の溶剤に可溶な更なる材料であるステップと、
ｈ）前記下層上に前記支持材料の残りを形成するステップと、
ｉ）前記遮蔽領域と前記基板の前記剥離層を除去するために前記第１の溶剤を用いるステップであって、前記超薄型シートの空き面積を具え、除去された前記遮蔽領域の位置に対応し、支持部材によって前記周縁部で支持される物品を残すステップと、
を具えることを特徴とする方法。
【請求項１５】
物品を生成する方法であって、
ａ）気化可能な剥離層を、基層の上に有する基板を提供するステップと、
ｂ）前記基板の前記剥離層上に超薄型シートを置くステップと、
ｃ）前記超薄型シートと前記剥離層の露出領域とを覆うために、溶剤に可溶な材料のイメージング層で中間物の前記物品を全体コーティングするステップであって、前記溶剤に前記剥離層が難溶又は不溶であるステップと、
ｄ）前記超薄型シートの周縁部のみを露出させるように、リソグラフィックイメージング及び現像により前記溶剤で前記イメージング層の外側領域を除去し、前記超薄型シート上の前記別の材料の中央領域を残すステップと、
ｅ）支持材料の下層をステップｄ）の前記中間物の物品の上方領域に全体適用するステップと
ｆ）前記超薄型シートを露出するように、前記溶剤を用いて前記別の材料の中央領域を除去するステップであって、前記周縁部のみが前記下層と接触するステップと、
ｇ）前で露出された、前記超薄型シートの前記中央領域上に遮蔽領域を形成するステップであって、前記遮蔽領域が溶剤に可溶であるか、あるいは気化可能な材料であるステップと、
ｈ）前記下層上に前記支持材料の残りを形成するステップと、
ｉ）前記遮蔽領域を溶剤で溶解するか、あるいは気化し、かつ前記基板の前記剥離層を気化するステップであって、前記超薄型シートの空き面積を具え、除去された前記遮蔽領域の位置に対応し、支持部材によって周縁部で支持される物品を残すステップと、
を具えることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月6日(2012.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凍結乾燥なしで医薬品を安定化させる方法であって、
カルバペネムを水およびシクロデキストリンと合わせてカルバペネム水溶液を形成するステップであって、該シクロデキストリンが、該カルバペネム水溶液を該カルバペネム水溶液のガラス転移温度未満の温度に冷却した際に該カルバペネム水溶液の非晶質固形物の形成を促進するために約１％〜約３０％の量で存在するステップと、
該カルバペネム水溶液を約−２５℃〜約−１０℃の温度に冷却して、該カルバペネム水溶液の該非晶質固形物を形成するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記カルバペネム水溶液を冷却前に容器中に無菌充填するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記カルバペネム水溶液が、保管後、約１０パーセント未満の劣化を呈する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記カルバペネムが室温の水溶液中で不安定である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記シクロデキストリンが２−ヒドロキシプロピル−β−シクロデキストリンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記溶液が、解凍時に即時使用される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記溶液が濃縮物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記濃縮物を希釈して患者体内への注入に適した溶液を提供するステップをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
凍結乾燥なしで常温で安定な医薬品を作製する方法であって、
カルバペネムを水およびデキストランと合わせてカルバペネム水溶液を形成するステップであって、該デキストランが、該医薬品に少なくとも１カ月の有効期間をもたらすように１％〜３０％の量で存在するステップと、
該カルバペネム水溶液を約−２５℃〜約−１０℃の温度に冷却して、該カルバペネム水溶液の非晶質固形物を形成するステップと
を含む方法。
【請求項１０】
前記常温で安定な医薬品の有効期間が最低３カ月である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記常温で安定な医薬品の有効期間が最低６カ月である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
水と、室温の水溶液中で不安定なカルバペネムとを含む医薬水溶液、および
該医薬水溶液を該医薬水溶液のガラス転移温度未満の温度に冷却した際に該医薬水溶液の非晶質固形物の形成を促進するために１％〜３０％の量で存在する、シクロデキストリン、デキストラン、およびこれらの組合せからなる群から選択される少なくとも１つのガラス化用添加剤
を含む凍結乾燥されていない医薬製剤。
【請求項１３】
前記ガラス化用添加剤が２−ヒドロキシプロピル−β−シクロデキストリンである、請求項１２に記載の医薬製剤。
【請求項１４】
前記カルバペネムがメロペネムである、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記カルバペネムがメロペネムである、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記ガラス化用添加剤がメロペネムである、請求項１２に記載の医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月28日(2012.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
(xiii)  炎症性、アレルギー性および／または増殖性過程と同時に起こる血液疾患：
後天性溶血性貧血
例えば特発性血小板減少症のような血小板減少症
Ｍ.ホジキンまたは非ホジキンリンパ腫、
血小板血症(thrombocythemias)、
赤血球増加症(erythrocytoses)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３６】
実施例３
３−[５−({(１Ｒ,２Ｓ)−２−[(２,２−ジフルオロプロパノイル)アミノ]−１−フェニルプロピル}オキシ)−１Ｈ−インダゾール−１−イル]−Ｎ−(２−ヒドロキシエチル)ベンズアミド
【化２３】
2011520954.tif 000001
３−[５−({(１Ｒ,２Ｓ)−２−[(２,２−ジフルオロプロパノイル)アミノ]−１−フェニルプロピル}オキシ)−１Ｈ−インダゾール−１−イル]安息香酸(３ａ)のＤＣＭ３mLおよびＮＭＰ  ０.１mL中の溶液を、ＨＢＴＵ(１２７mg、０.３３mmol)および２−アミノエタノール(３０mg、０.５０mmol)の混合物に添加した。ＴＥＡ(０.１４０mL、１.００mmol)を混合物に添加し、溶液を週末の間撹拌した。混合物を１５％ＮａＨＳＯ４(２ml)で希釈し、有機層を分離し(相分離機)、水層をＤＣＭ  ３mLで逆抽出し、合わせた有機層を蒸発させた。粗生成物をＭｅＣＮ  ３mLに溶解し、分取ＨＰＬＣ系Ａを使用して質量特異的(mass ridected)オートプレパレーション(autopreparartion)により精製し、純粋フラクションを合わせ、凍結乾燥して、表題化合物(４０mg、４６％)を得た。
APCI-MS: m/z = 523 [MH+]
1H NMR (300 MHz, DMSO-d6) δ 8.72 (1H, d), 8.61 (1H, t), 8.22 (1H, d), 8.16 (1H, t), 7.89 - 7.82 (2H, m), 7.78 (1H, d), 7.64 (1H, t), 7.44 - 7.39 (2H, m), 7.37 - 7.31 (2H, m), 7.29 - 7.20 (2H, m), 7.13 (1H, d), 5.28 (1H, d), 4.74 (1H, t), 4.27 - 4.18 (1H, m), 3.52 (2H, q), 3.43 - 3.38 (2H, m), 1.49 (3H, t), 1.32 (3H, d)。
LC(方法Ａ) rt = 9.5分
LC(方法Ｂ) rt = 8.9分
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月2日(2013.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス流を水素リッチ蒸気流及び二酸化炭素リッチ流に分離する製造方法において、
（ａ）二相混合物が形成される温度に二酸化炭素と４０乃至６５モル％の水素とを含む合成ガス流を冷却するステップと、
（ｂ）ステップ（ａ）で形成された冷却された流を直接又は間接的に第一気液セパレータ容器を通過するステップであって、１５０バージ未満の圧力を有する気液セパレータ容器への供給と、
（ｃ）セパレータ容器から水素リッチ蒸気流を及びセパレータ容器からの液体ＣＯ２流を引き抜くステップと、
（ｄ）少なくとも一つの膨張機を含む膨張システムに分離された水素リッチ蒸気流を供給し、水素リッチ蒸気流をシステムの膨張機において膨張させ、水素リッチ蒸気流を低下させた温度と圧力で膨張機から引き抜き、
（ｅ）膨張された水素リッチ蒸気流を冷却材として使用するステップ、を含む製造方法。
【請求項２】
合成ガス供給流の二酸化炭素の総モルの７５乃至８５％が、プロセスで合成ガス供給流から分離されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
合成ガス供給流の二酸化炭素の総モルの６５乃至８０％が、プロセスで合成ガス供給流から分離されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
気液セパレータ容器への流が８０バール未満の圧力を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項５】
冷却するステップは、プロセスで順次生産される内部冷却材流との熱交換器関係で、合成ガスを熱交換器システムに供給することを含み、内部冷却材流が水素リッチ蒸気流及び濃厚二酸化炭素流から成る群から選択されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
直列に配置された複数の膨張機を含む膨張システムに分離された水素リッチ蒸気流を供給し、連続する膨張機それぞれで水素リッチ蒸気流を膨張させ、膨張された水素リッチ蒸気流を各膨張機から低下された温度と続いて低下された圧力で引き抜かれるステップ、および少なくとも一つの膨張水素リッチ蒸気を冷却材として使用するステップを含むことを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の製造方法。
【請求項７】
膨張された水素リッチ蒸気流は、水素リッチガス流、二酸化炭素流、及び合成ガス流から選択された一つ以上の流を冷却するために使用されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
膨張機は、連続する膨張機それぞれの水素リッチ蒸気に対し等エントロピー膨張をもたらし、原動力を生み出すことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項９】
分離された二酸化炭素流の圧力を増加させることを更に含む請求項１乃至８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
分離された水素リッチ流を直接的に又は間接的に別のガス液体セパレータ容器を通過させ、第二分離された水素リッチ蒸気流をセパレータ容器から第二液体ＣＯ２流をセパレータ容器から引き抜くことを更に含む請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
第二セパレータ容器の上流の分離された水素リッチ流を冷却することを更に含む請求項１０の製造方法。
【請求項１２】
合成ガス供給流は、合成ガス供給流を多チャネル熱交換器の少なくとも一つのチャネルを介して及び複数の低温のプロセス流を多チャネル熱交換器の別のチャネルを介して通過することによって、冷却されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１３】
セパレータを出る水素リッチガス蒸気流は、多チャネル熱交換器のチャネルを介して、合成ガス供給流との熱交換器関係で通過させ膨張により冷却され、多チャネル熱交換器の別のチャネルに供給される前に第一ターボ膨張機の圧力を下げることを特徴とする請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
ステップ（ａ）の合成ガスの冷却の全て又は略全てが一つ以上の内部冷却流を用いて実行されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１５】
合成ガス流を水素リッチ蒸気流及び二酸化炭素リッチ流に分離するシステムにおいて、
（ａ）二相混合物が形成される温度に二酸化炭素と４０乃至６５モル％の水素とを含む合成ガス流を冷却する冷却システムと、
（ｂ）配置された第一気液セパレータ容器であって、直接又は間接的に冷却流を受け、１５０バージ未満の圧力を有する気液セパレータ容器への供給と、第一水素リッチ蒸気流及び液体ＣＯ２流を出力し、
（ｃ）少なくとも一つの膨張機を含む膨張システムであって、水素リッチ蒸気流を受け、システムの膨張機において膨張させ、膨張された水素リッチ蒸気流が膨張機から低下した温度と圧力とで引き抜かれ、
（ｄ）膨張された水素リッチ蒸気流を冷却システムに供給する流路と、を含むシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層、熱収縮性フィルムであって、
ａ．バルク層と、
ｂ．多数のミクロ層を含むミクロ層部と
を含み、
前記ミクロ層部が、少なくとも１０のミクロ層を含み、
前記ミクロ層のそれぞれおよび前記バルク層が厚みを有し、前記ミクロ層のいずれかの厚みの前記バルク層の厚みに対する比率が約１：２から約１：４０に及ぶものであり；並びに
前記熱収縮性フィルムが、０．７ミル未満の厚みと、前記フィルムの長さまたは幅寸法に沿って少なくとも一方向で測定して少なくとも１０グラムのエルメンドルフ引裂値（ＡＳＴＭ  Ｄ１９２２−０６ａ）とを有するものである
多層、熱収縮性フィルム。
【請求項２】
フィルムの長さまたは幅寸法に沿って少なくとも一方向で測定して、前記フィルムが少なくとも３の配向比を有する、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項３】
前記ミクロ層の少なくとも１つが、再循環ポリマーを含む、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項４】
前記ミクロ層部が、このフィルムの総重量に基づき、１重量パーセントと５０重量パーセントの間の再循環ポリマーを含む、請求項３に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項５】
前記ミクロ層のいずれかの厚みの前記バルク層の厚みに対する比率が、約１：５から約１：３０に及ぶ、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項６】
前記フィルムが、少なくとも第二のバルク層をさらに含み；および
前記バルク層の間に前記ミクロ層部が位置する、
請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項７】
前記ミクロ層それぞれが、約０．００１から約０．０１５ミルに及ぶ厚みを有する、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項８】
前記フィルムが、２００°Ｆで少なくとも約１０％の全自由収縮（ＡＳＴＭ  Ｄ２７３２−０３）を有する、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項９】
多層、熱収縮性フィルムを製造する方法であって、
ａ．バルク層を押し出す工程と；
ｂ．少なくとも１０のミクロ層を共押し出ししてミクロ層部を形成する工程と；
ｃ．前記バルク層と前記ミクロ層部を合流させて多層フィルムを形成する工程と；
ｄ．前記多層フィルムを、前記フィルムに熱収縮性を付与する条件下で延伸配向させる工程と
を含み、
前記ミクロ層のそれぞれおよび前記バルク層が厚みを有し、前記ミクロ層のいずれかの厚みの前記バルク層の厚みに対する比率が約１：２から約１：４０に及ぶものであり；
前記フィルムが、２００°Ｆで少なくとも約１０％の全自由収縮（ＡＳＴＭ  Ｄ２７３２−０３）を有するものであり；並びに
前記熱収縮性フィルムが、前記フィルムの長さまたは幅寸法に沿って少なくとも一方向で測定して少なくとも３０グラム／ミルのエルメンドルフ引裂値（ＡＳＴＭ  Ｄ１９２２−０６ａ）を有するものである
多層、熱収縮性フィルムを製造する方法。
【請求項１０】
前記ミクロ層の少なくとも１つが、もう２つのポリマーのブレンドを含み、および少なくとも１つの他のミクロ層とは異なる組成を有する、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項１１】
前記フィルムの長さまたは幅寸法に沿って少なくとも一方向で測定して少なくとも約３０グラム／ミルのエルメンドルフ引裂値（ＡＳＴＭ  Ｄ１９２２−０６ａ）を有する、請求項１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項１２】
前記ミクロ層部が、構造：
Ａ／Ｂ
〔この場合、
Ａは、１つ以上のポリマーを含むミクロ層を表し、
Ｂは、２つ以上のポリマーのブレンドを含むミクロ層を表し、および
Ａは、Ｂのものとは異なる組成を有する〕
によって表される層の反復配列を含む、請求項１１に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項１３】
ＡおよびＢが、エチレン／アルファ−オレフィンコポリマー、エチレン／酢酸ビニルコポリマー、ポリプロピレンホモポリマーもしくはコポリマー、エチレン／メタクリル酸コポリマー、無水マレイン酸グラフト化ポリエチレン、ポリアミド、または低密度ポリエチレンのうちの１つ以上を含む、請求項１２に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項１４】
Ｂが、フィルムの総重量に基づき、１重量パーセントと５０重量パーセントの間の再循環ポリマーを含む、請求項１２に記載の熱収縮性フィルム。
【請求項１５】
請求項９に記載の方法で製造された熱収縮性フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセサリーを車両パネルに固定するためのクリップであって、該クリップは金属その他のプレート材料をプレス加工して形成された略矩形の基部（２）を具備し、該基部の両側部から複数の可撓性フィン（４）から成る弾性固定構造が突出して成るクリップにおいて、
下側に設けられ上方に延びる第２のフィン（５）に対して、上側に設けられ逆方向に下方に延びるフィンを具備し、
対向する中間部品の端部接触によって形成される矩形の補強ケース部（６）が前記基部（２）に隣接した領域に設けられ、
前記固定パネルに対して弾性的に作用する複数の固定腕部（３）が、それぞれ前記基部（２）の端部から延設されており、
前記矩形のケース部（６）は、前記中間部品の各々の各側部に１つ設けられたフィンガー部（９）を係合させることによって形成され、
前記フィンガーは、前記ケース部の壁に対して平行に且つ前記ケース部（６）の内側に延在するように、前記対向する部品の縁部に対して略ジグザグ条の二重ひだ様に形成されており、
前記対向する部品の反対側の部品は、同様の構成を有する対称的なフィンガー部（９）を具備しており、
前記固定腕部は屈曲部（１０）を具備しており、該屈曲部によって、当初の方向とは異なる方向にラグ部（３）が延在するようにしたクリップ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶液中の電解質農薬混合物(EPM)の相溶化濃度を増加させるための方法であって、前記EPMは、少なくとも第一の電解質農薬、及び第二の電解質農薬を含み、約30〜約300 g/Lの少なくとも1つのアルキルポリグリコシド(APG)を前記溶液に添加することを含む、方法。
【請求項２】
前記増加が、前記EPM相溶化濃度を約100 g a.e./L〜約600 g a.e./Lに増加させる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記増加が、前記EPM相溶化濃度を約150 g a.e./L〜約500 g a.e./Lに増加させる、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記増加が、前記EPM相溶化濃度を約200 g a.e./L〜約500 g a.e./Lに増加させる、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第一の電解質農薬が、アシフルオルフェン、アクロレイン、アミノピラリド、アミトロール、アスラム、ベナゾリン、ベンタゾン、ビアラホス、ブロマシル、ブロモキシニルカリウム、クロランベン、クロロ酢酸、クロピラリド、2,4-D、2,4-DB、ダラポン、ジカンバ、ジクロルプロップ、ジフェンゾコート、エンドタール、フェナック、フェノキサプロップ、フラムプロップ、フルミクロラック、フルオログリコフェン、フルプロパナート、ホメサフェン、ホサミン、グルホシナート、グリホサート、イマザメタ、イマザメタベンズ、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、イマザキン、及びイマゼタピルなどのイミダゾリノン、イオキシニル、MCPA、MCPB、メコプロップ、メチルアルソン酸、ナプタラム、ノナン酸、フェノキシ系除草剤、ピクロラム、キンクロラック、スルファミン酸、2,3,6-TBA、トリクロピル、及び式：
【化１】
2012519699.tif 000001
の化合物の水溶性塩から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記第二の電解質農薬が、前記第一の電解質農薬と異なり、アシフルオルフェン、アクロレイン、アミノピラリド、アミトロール、アスラム、ベナゾリン、ベンタゾン、ビアラホス、ブロマシル、ブロモキシニルカリウム、クロランベン、クロロ酢酸、クロピラリド、2,4-D、2,4-DB、ダラポン、ジカンバ、ジクロルプロップ、ジフェンゾコート、エンドタール、フェナック、フェノキサプロップ、フラムプロップ、フルミクロラック、フルオログリコフェン、フルプロパナート、ホメサフェン、ホサミン、グルホシナート、グリホサート、イマザメタ、イマザメタベンズ、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、イマザキン、及びイマゼタピルなどのイミダゾリノン、イオキシニル、MCPA、MCPB、メコプロップ、メチルアルソン酸、ナプタラム、ノナン酸、フェノキシ系除草剤、ピクロラム、キンクロラック、スルファミン酸、2,3,6-TBA、トリクロピル、及び式：
【化２】
2012519699.tif 000002
の化合物の水溶性塩から選択される、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記EPMの第一の電解質農薬が、グリホサート及びグルホシナートの水溶性塩から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記EPMの第二の電解質農薬が、2,4-D；ジカンバ及びホメサフェンからなる群から選択される、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
キシレンスルホン酸塩、クメンスルホン酸塩、及びトルエンスルホン酸塩から選択される少なくとも1つのヒドロトロープを、重量/体積％で約1％〜約15％添加することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
水溶液中の電解質農薬混合物（EPM）の相溶化濃度を形成する方法であって、前記EPMは少なくとも第一の電解質農薬、及び第二の段階質農薬を含み、大量の水に、以下： 
約30〜約300 g/Lの少なくとも1つのアルキルポリグリコシド（APG）；
約75〜約500 g a.e/Lの第一の電解質農薬；及び
約10〜約400 g a.e/Lの第二の電解質農薬、
を添加することを含む、方法。
【請求項１１】
前記第一の電解質農薬が、アシフルオルフェン、アクロレイン、アミノピラリド、アミトロール、アスラム、ベナゾリン、ベンタゾン、ビアラホス、ブロマシル、ブロモキシニルカリウム、クロランベン、クロロ酢酸、クロピラリド、2,4-D、2,4-DB、ダラポン、ジカンバ、ジクロルプロップ、ジフェンゾコート、エンドタール、フェナック、フェノキサプロップ、フラムプロップ、フルミクロラック、フルオログリコフェン、フルプロパナート、ホメサフェン、ホサミン、グルホシナート、グリホサート、イマザメタ、イマザメタベンズ、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、イマザキン、及びイマゼタピルなどのイミダゾリノン、イオキシニル、MCPA、MCPB、メコプロップ、メチルアルソン酸、ナプタラム、ノナン酸、フェノキシ系除草剤、ピクロラム、キンクロラック、スルファミン酸、2,3,6-TBA、トリクロピル、及び式：
【化３】
2012519699.tif 000003
の化合物の水溶性塩から選択される、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二の電解質農薬が、前記第一の電解質農薬と異なり、アシフルオルフェン、アクロレイン、アミノピラリド、アミトロール、アスラム、ベナゾリン、ベンタゾン、ビアラホス、ブロマシル、ブロモキシニルカリウム、クロランベン、クロロ酢酸、クロピラリド、2,4-D、2,4-DB、ダラポン、ジカンバ、ジクロルプロップ、ジフェンゾコート、エンドタール、フェナック、フェノキサプロップ、フラムプロップ、フルミクロラック、フルオログリコフェン、フルプロパナート、ホメサフェン、ホサミン、グルホシナート、グリホサート、イマザメタ、イマザメタベンズ、イマザモックス、イマザピック、イマザピル、イマザキン、及びイマゼタピルなどのイミダゾリノン、イオキシニル、MCPA、MCPB、メコプロップ、メチルアルソン酸、ナプタラム、ノナン酸、フェノキシ系除草剤、ピクロラム、キンクロラック、スルファミン酸、2,3,6-TBA、トリクロピル、及び式：
【化４】
2012519699.tif 000004
の化合物の水溶性塩から選択される、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記EPMの第一の電解質農薬がグリホサート及びグルホシナートの水溶性塩から選択される、請求項10に記載の方法。
【請求項１４】
前記EPMの第二の電解質農薬が2,4-D；ジカンバ及びホメサフェンからなる群から選択される、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
キシレンスルホン酸塩、クメンスルホン酸塩、及びトルエンスルホン酸塩から選択される少なくとも1つのヒドロトロープを、重量/体積％で約1％〜約15％添加することをさらに含む、請求項10に記載の方法。
【請求項１６】
相溶化水性農薬製剤であって、以下：
約30〜約300 g/Lの少なくとも1つのアルキルポリグリコシド（APG）；並びに
少なくとも第一の電解質農薬及び第二の電解質農薬を含む、約85〜約600 g a.e/Lの電解質農薬混合物（EPM）、
を含む、相溶化水性農薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともシリコンと酸素を含む、層構造のシリケートを製造する方法であって、
（１）シリカ及び／又は少なくとも１種のシリカ前駆体、水、ジエチルジメチルアンモニウム化合物、トリエチルメチルアンモニウム化合物、及びジエシルジメチルアンモニウムとトリエチルメチルアンモニウム化合物の混合物から成る群から選ばれる、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び少なくとも１種の塩基、及び任意に、少なくとも１種の適切な種材料を含む混合物を準備する工程；
（２）工程（１）に従い得られた混合物を、自己生成の圧力下に、１２０〜１６０℃の範囲の温度に、５〜１０日間加熱し、層構造のシリケートを含む懸濁液を得る工程、
を含み、及び工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．３〜０．７）：（９〜１５）のモル割合であることを特徴とする方法。
【請求項２】
工程（１）に従い使用される水溶液が、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド、又はジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシドとトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドの混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．４〜０．６）：（９〜１５）のモル割合であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水として、１：（０．４５〜０．５５）：（９．５〜１０．５）のモル割合で含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
混合物が、工程（２）に従い、８．５〜９．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
混合物が、工程（２）に従い、５．５〜６．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
混合物が、工程（２）に従い、６．７〜７．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
工程（１）に従い得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも１種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を含み、且つ前記混合物は、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水が、１：（０．４５〜０．５５）：（１２．０〜１３．０）のモル割合であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
工混合物が工程（２）に従い、７．５〜８．５日間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
混合物が、工程（２）に従い、１３０〜１５０℃の範囲の温度に加熱されることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（１）に従い、非結晶質のシリカが使用されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
工程（１）に従う混合物が、追加的に、層構造のシリケート中のＳｉ原子の少なくとも一部を同形置換するのに適切な、少なくとも１種の元素の供給源を少なくとも１種含むことを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
（３）工程（２）で得られた懸濁液からシリケートを分離し、及び任意に更に、
（４）分離されたシリケートを洗浄する工程、及び／又は
（５）分離され、及び任意に洗浄されたシリケートを乾燥させる工程、
を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
分離され、及び任意に洗浄され、及び／又は乾燥されたシリケートが後処理され、これにより、層構造シリケート中のＳｉが、少なくとも１種の適切な元素で、少なくとも部分的に同形置換されることを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
（６）（２）又は（３）又は（４）又は（５）に従い得られたシリケートをか焼する工程、
を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
か焼されたシリケートが後処理され、これにより、か焼されたシリケート中のＳｉが、少なくとも１種の適切な元素で同形置換されることを含む請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１４の何れか１項に記載された方法によって得ることができる層構造のシリケート。
【請求項１８】
少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
【表１】
2012519640.tif 000001
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。
【請求項１９】
少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
【表２】
2012519640.tif 000002
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。
【請求項２０】
少なくとも以下の反射を含むＸ−線回折パターンを有し、
【表３】
2012519640.tif 000003
１００％は、Ｘ−線回折パターン中の最大ピークの強度を示す、層構造のシリケート。
【請求項２１】
請求項１５又は１６の何れかに記載の方法によって得ることができるテクトシリケート。
【請求項２２】
請求項１７〜２０の何れか１項に記載の層構造のシリケート、又は請求項２１に記載のテクトシリケートを、分子篩、触媒、触媒担体、又はこれらのバインダー、吸着材として、イオン交換のために、セラミックスの製造のために、又はポリマーに使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同形置換されたＲＵＢ−３６層状ケイ酸塩の製造方法であって、
（１）シリカ、及び／又は少なくとも一種のシリカ前駆体と、水と、
ジエチルジメチルアンモニウム化合物、トリエチルメチルアンモニウム化合物、およびジエチルジメチルアンモニウムとトリエチルメチルアンモニウム化合物との混合物からなる群から選ばれる少なくとも一種のテトラアルキルアンモニウム化合物と、必要に応じて少なくとも一種の塩基とを含む混合物を供給する工程、
（２）（１）で得られる混合物を水熱条件下で加熱して、ＲＵＢ−３６ケイ酸塩を含む懸濁液を与える工程、
（３）（２）により得られる懸濁液からＲＵＢ−３６ケイ酸塩を分離し、必要に応じて  （４）洗浄及び／又は（５）乾燥する工程
を含み、且つ
（ａ）（１）の混合物が、ケイ酸塩中のＳｉ原子の少なくとも一部を同形置換するのに好適な少なくとも一種の元素の少なくとも一種の供給源を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
（ｂ）（３）において分離された、また必要に応じて洗浄及び／又は乾燥されたＲＵＢ−３６ケイ酸塩を後処理し、ケイ酸塩中のＳｉ原子の少なくとも一部を同形置換するのに好適な少なくとも一種の好適な元素で同形置換する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記同形置換に好適な少なくとも一種の元素が、Ａｌ、Ｂ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、およびこれらの二種以上の混合物からなる群から選ばれる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
（１）の水混合物が、ジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルメチルアンモニウムヒドロキシド、またはジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシドとトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドの混合物を含む請求項１〜３のいずれか1項に記載の方法。
【請求項５】
非晶質シリカが（１）で使用される請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
（１）により得られる混合物が、ＳｉＯ２またはＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体、少なくとも一種のテトラアルキルアンモニウム化合物、及び水を、ＳｉＯ２：テトラアルキルアンモニウム化合物：水のモル比で１：（０．４５〜０．５５）：（０．５〜２０）で含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
（１）により得られる混合物が、少なくとも一種の適当な種結晶材料を含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
（１）により得られる混合物が、ＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体と種結晶材料とを、質量比で１：（０．０１〜０．２）で含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
（２）の混合物を１〜１８日間の範囲の期間加熱する請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（２）の混合物を１３５〜１４５℃の範囲の温度に加熱する請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、
（４）当該分離されたケイ酸塩を洗浄し、及び／又は
（５）当該分離され、必要に応じて洗浄されたケイ酸塩を乾燥する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
（１）の反応混合物中のＳｉＯ２及び／又はＳｉＯ２として計算されるシリカ前駆体と同形置換に好適な少なくとも一種の元素（１）のモル比が、１：（０．０００１〜０．１）である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
（１）において用いられる水混合物がさらに過酸化水素を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記同形置換に好適な少なくとも一種の元素がＴｉであり、少なくとも一つのＴｉの供給源：過酸化水素のモル比が０．００５〜０．０１の範囲にある請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
Ｔｉの供給源が、テトラアルキルオルソチタネートまたは２つ以上のテトラアルキルオルソチタネートの混合物である請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記後処理が、分離の直後に、または必要に応じて洗浄及び／又は乾燥の直後に行われる請求項２〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
（６）（３）または（４）または（５）で得られるケイ酸塩を焼成する工程を更に含む請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法により得られる同形置換されたＲＵＢ−３６ケイ酸塩。
【請求項１９】
ケイ酸塩中のＳｉ原子の少なくとも一部が少なくとも一種の適当な元素で同形置換されたＲＵＢ−３６ケイ酸塩。
【請求項２０】
前記少なくとも一種の適当な元素が、Ａｌ、Ｂ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、およびこれらの二種以上の混合物からなる群から選ばれる請求項１８または１９に記載のケイ酸塩。
【請求項２１】
前記層状ケイ酸塩中のＳｉ：適当な元素、好ましくはＴｉまたはＡｌまたはＢの原子比が、１：（０．０００１〜０．１）の範囲である請求項１８〜２０のいずれか一項に記載のＲＵＢ−３６ケイ酸塩。
【請求項２２】
少なくとも以下の反射を有するＸ線回折パターンをもつ請求項１８〜２１のいずれか一項に記載のケイ酸塩。
【表１】
2012519638.tif 000001
表中、１００％は、Ｘ線回折パターン中の最大のピークの強度である。
【請求項２３】
請求項１７に記載の方法によって得られる同形置換されたＲＵＢ−３７ケイ酸塩。
【請求項２４】
ケイ酸塩中のＳｉ原子の少なくとも一部が少なくとも一種の適当な元素で同形置換されたＲＵＢ−３７ケイ酸塩。
【請求項２５】
層状ケイ酸塩中のＳｉ：適当な元素の原子比が、１：（０．０００１〜０．１）の範囲である請求項２３〜２４のいずれか一項に記載のＲＵＢ−３７ケイ酸塩。
【請求項２６】
少なくとも以下の反射を有するＸ線回折パターンをもつ請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のケイ酸塩。
【表２】
2012519638.tif 000002
表中、１００％は、Ｘ線回折パターン中の最大のピークの強度である。
【請求項２７】
ＤＩＮ６６１３５により求めたＢＥＴ表面積が、１５０〜５００ｍ２／ｇの範囲にある請求項２３〜２６のいずれか一項に記載のケイ酸塩。
【請求項２８】
成型物中に含まれる請求項１８〜２７のいずれか一項に記載のケイ酸塩。
【請求項２９】
請求項１８〜２８のいずれか一項に記載のケイ酸塩の、モレキュラーシーブ、触媒、触媒支持体またはそのバインダー、吸着剤、顔料、洗剤の添加物、建材の添加物としての、塗装用ペーストや仕上げ剤にチキソトロピー性を与えるための外部および内部潤滑剤としての、難燃剤、紙状物の助剤や充填材としての、殺菌及び／又は殺真菌及び／又は除草剤組成物中での、イオン交換のための、セラミックスの製造のための、ポリマー中での、電気的、光学的または電気光学的部品や開閉素子またはセンサーとしての使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）少なくとも一種の層状ケイ酸塩を供給する工程、  
（２）上記層状ケイ酸塩を水および少なくとも一種の式（Ｉ）のケイ素含有化合物：と混合し、
Ｒ4-mＳｉ［−（ＳｉＲ2）n−Ｒ］m  （Ｉ）  
（式中
ｍは、１、２、３または４であり、
ｎは、０以上の整数であり、
ｎが０の時、少なくとも一つの基Ｒが脱離基であり、いずれの基ＲもＳｉを含まない）と混合する工程、
（３）（２）で得られた混合物を水熱条件に付す工程を含むケイ酸塩化合物の製造方法。
【請求項２】
脱離基が、工程（２）及び／又は（３）の過程で、前記少なくとも一種のケイ素含有化合物から解離する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒが、相互に独立して、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基と脱離基とからなる群から選ばれる請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも一種の層状ケイ酸塩が、ＲＵＢ−１５とＲＵＢ−３６、ＲＵＢ−３９、ＢＬＳ−１、ＢＬＳ−３からなる群から選ばれる請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも一種の式（Ｉ）のケイ素含有化合物が、ジクロロジメチルシラン、ジメトキシジメチルシラン、ジエトキシジメチルシラン、ジクロロジエチルシラン、ジメトキシジエチルシラン、ジエトキシジエチルシラン、トリメチルシラン、トリエチルシラン、クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、メトキシトリメチルシラン、メトキシトリエチルシラン、エトキシトリメチルシラン、エトキシトリエチルシラン、ヘキサメチルジシランからなる群から選ばれる請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ｎが０の時、基Ｒの一つのみが脱離基である請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ｎが１以上である請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ｍが１である請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一種の層状ケイ酸塩が、同形置換されている請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
（２）で得られる混合物中で、層状ケイ酸塩と水の重量比（層状ケイ酸塩：水）が１：（２０〜８０）の範囲である請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
（２）で得られる混合物中で、前記少なくとも一種の式（Ｉ）のケイ素含有化合物中のケイ素と水のモル比（ケイ素：水）が１：（５００〜３０００）の範囲である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
（３）の水熱処理にかけられる混合物のｐＨが、０．１〜５の範囲に調整されている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
工程（３）での水熱処理が１２０〜２００℃の範囲の温度で行われる請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（３）での水熱処理の温度が１時間〜４８時間維持される請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
さらに、
（４）（３）で得られた懸濁液から柱状化ケイ酸塩を分離する工程、
（５）濾過により（４）で得られた柱状化ケイ酸塩を洗浄する工程、
（６）必要に応じて分離された及び／又は必要に応じて洗浄された柱状化ケイ酸塩を乾燥する工程を含む請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、
（７）上記必要に応じて分離された及び／又は必要に応じて洗浄された及び／又は乾燥された、工程（２）または（３）または（４）または（５）または（６）で得られる生成物を焼成する工程を含む請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法で得られるケイ酸塩化合物。
【請求項１８】
回折試験においてＣｕ  Ｋ（α１）波長を用いた場合、極大ピーク（１００％強度）を、２θ回折角で７．２０〜８．００°の範囲にもつエックス線粉末回折パターンを示す請求項１７に記載のケイ酸塩。
【請求項１９】
少なくとも以下の他の反射を含むＸ線回折パターンをもつケイ酸塩：
【表１】
2012519637.tif 000001
表中、１００％は、Ｘ線回折パターン中の最大のピークの強度である。
【請求項２０】
ＤＩＮ６６１３５に準じて求めたＢＥＴ表面積が２００〜６００ｍ2／ｇの範囲にある
請求項１９に記載のケイ酸塩。
【請求項２１】
少なくとも以下の他の反射を含むＸ線回折パターンをもつケイ酸塩：
【表２】
2012519637.tif 000002
表中、１００％は、Ｘ線回折パターン中の最大のピークの強度である。
【請求項２２】
ＤＩＮ６６１３５に準じて求めたＢＥＴ表面積が１５０〜６００ｍ2／ｇの範囲にある
請求項２１に記載のケイ酸塩。
【請求項２３】
少なくとも以下の他の反射を含むＸ線回折パターンをもつケイ酸塩：
【表３】
2012519637.tif 000003
表中、１００％は、Ｘ線回折パターン中の最大のピークの強度である。
【請求項２４】
ＤＩＮ６６１３５に準じて求めたＢＥＴ表面積が１５０〜６００ｍ2／ｇの範囲にある請求項２３に記載のケイ酸塩。
【請求項２５】
成型物中に含まれている請求項１７〜２４のいずれか一項に記載のケイ酸塩。
【請求項２６】
請求項１７〜２５のいずれか一項に記載のケイ酸塩を、モレキュラーシーブ、触媒、触媒成分、触媒支持体またはそのバインダーとして、吸着剤として、イオン交換用に、セラミックスの生産用に、ポリマー中で使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（１）シリカ又はその前駆体、層構造シリケートの結晶化を可能とするための少なくとも１種の構造指向剤（ＳＤＡ）、及び水を提供する工程、
（２）熱水的な条件下で、工程（１）に従って得られた混合物を加熱し、前駆体懸濁物を得る工程、
（３）層構造のシリケート中のＳｉ原子の少なくとも一部を同形置換するために適切な、少なくとも１種の元素の少なくとも１種の供給源を、前駆体懸濁物に加える工程、
（４）工程（３）に従い得られた混合物を、熱水的な条件下で加熱し、層構造のシリケートを得る工程、
を含むことを特徴とする同形置換された層構造のシリケートを製造する方法。
【請求項２】
工程（１）で、非結晶質シリカが使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１種の構造指向剤が、ジメチルジ−ｎ−プロピルアンモニウムヒドロキシド（ＤＭＤＰＡＯＨ）であるか、又はジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド、トリエチル−メチルアンモニウムヒドロキシド、及びジエチルジメチルアンモニウムヒドロキシド及びトリエチルメチルアンモニウムヒドロキシドの混合物から成る群から選ばれることを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の方法。
【請求項４】
工程（１）に従う混合物が、追加的に、少なくとも１種の塩基を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
工程（１）に従う混合物が、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２として計算される、ＳｉＯ２の前駆体、及び塩基を、ＳｉＯ２：塩基として、１：（０．０１〜０．５）のモル割合で含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程（１）に従う混合物が、追加的に、少なくとも１種の適切な種材料を含むことを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程（１）に従う混合物が、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２として計算されるＳｉＯ２の前駆体、及び種材料を、ＳｉＯ２：種材料の質量割合として、１：（０．００５〜０．２）の質量割合で含むことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
工程（１）に従う混合物が、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２として計算されるＳｉＯ２の前駆体、構造指向剤、及び水を、ＳｉＯ２：ＳＤＡ：Ｈ２Ｏのモル割合として、１：（０．４５〜０．５５）：（５〜２０）のモル割合で含むことを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
工程（１）に従う混合物が、工程（２）に従い、１２〜７２時間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
混合物が、工程（２）に従い、１３０〜１６０℃の範囲の温度で加熱されることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
同形置換のために適切な少なくとも１種の元素が、Ａｌ、Ｂ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ及びこれらの２種以上の混合物から成る群から選ばれることを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
同形置換のために適切な、少なくとも１種の元素の供給源が、アルミネートであることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
工程（３）に従う混合物が、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２として計算されるＳｉＯ２の前駆体、及び少なくとも１種の適切な元素を、ＳｉＯ２：元素のモル割合として１：（０．００１〜０．５）のモル割合で含むことを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（３）に従う混合物が、ＳｉＯ２又はＳｉＯ２として計算されるＳｉＯ２の前駆体、構造指向剤、及び水を、ＳｉＯ２：ＳＤＡ：Ｈ２Ｏのモル割合として１：（０．４５〜０．５５）：（５〜２０）のモル割合で含むことを特徴とする請求項１〜１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
工程（３）に従う混合物が、工程（４）に従い、１２〜１３２時間の範囲の期間、加熱されることを特徴とする請求項１〜１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
混合物が工程（２）に従い、１３５〜１４５℃の範囲の温度に加熱されることを特徴とする請求項１〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
（５）工程（４）に従い得られた懸濁物から層構造のシリケートを分離する工程、
（６）任意に、分離された層構造のシリケートを洗浄する工程、及び／又は
（７）任意に、分離され及び任意に洗浄された層構造のシリケートを乾燥させる工程、を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
（８）（４）又は（５）又は（６）又は（７）に従い得られたシリケートをか焼する工程、
を追加的に含むことを特徴とする請求項１〜１７の何れか１項に記載の方法。
【請求項１９】
請求項１〜１７の何れか１項に記載の方法で得ることができる、ＲＵＢ−３６構造を有する、同形置換された層構造のシリケート。
【請求項２０】
層構造のシリケートの、Ｓｉ：適切な元素の原子割合が、１：（０．００１〜０．５）の範囲であることを特徴とする請求項１９に記載の層構造のシリケート。
【請求項２１】
請求項１８に記載の方法で得ることができる、ＲＵＢ−３７構造を有する、同形置換されたテクトシリケート。
【請求項２２】
テクトシリケート中の、Ｓｉ：適切な元素の原子割合が、１：（０．００１〜０．５）の範囲であることを特徴とする請求項２１に記載のテクトシリケート。
【請求項２３】
請求項１９〜２２の何れか１項に記載のシリケートを含む成形物。
【請求項２４】
請求項１９〜２３の何れか１項に記載のシリケートを、分子篩、触媒、触媒成分、触媒担体、又はこれらのバインダーとして、吸着剤、顔料、洗剤の添加剤、建築材料の添加剤として、被覆ペースト、及び仕上げ物に揺変性の特性を与えるために、及び外部及び内部滑剤として、耐炎剤、紙製品への助剤及び充填剤として、バクテリシダル殺菌性及び／又はフンギシダル殺菌性及び／又は除草組成物中に、イオン交換のために、セラミックスの製造のために、ポリマーに、電気、光学、又は電子工学的な成分及びスイッチイング素子又はセンサーに使用する方法。
【請求項２５】
アミノ化反応のため、又はＭＴＯ（メタノール−ツー−オレフィン）変換のための触媒、又は触媒成分としての、請求項２４に記載の使用方法。