(57)【要約】【課題】開口率と透過率に優れた液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明は液晶表示装置に関するものであって、第１絶縁基板と、第１絶縁基板の上に形成されたゲート線およびデータ線を含む配線と、ゲート線およびデータ線に電気的に接続されており、前記データ線の延長方向に隣接して配置されている第１画素電極および第２画素電極とゲート線の延長方向に第１画素電極および第２画素電極とそれぞれ部分的に対向する第３画素電極を含む画素電極とを含むことを特徴とする。【選択図】    図１
2008009384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、
前記第１絶縁基板の上に形成されたゲート線およびデータ線を含む配線と、
前記ゲート線およびデータ線に電気的に接続されており、前記データ線の延長方向に隣接して配置されている第１画素電極および第２画素電極と前記ゲート線の延長方向に前記第１画素電極および第２画素電極とそれぞれ部分的に対向して配置される第３画素電極を含む画素電極と
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記第３画素電極はそれぞれ互いに異なる前記ゲート線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第３画素電極に接続されている前記ゲート線は前記第１画素電極および前記第２画素電極の境界を通過することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記第３画素電極は同一の前記データ線に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記データ線のうちのいずれか一つに接続されている前記画素電極は前記データ線の左右に交互に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記ゲート線に接続されて前記ゲート線に駆動信号を印加する前記第１絶縁基板の上に形成されているシフトレジスタをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記データ線の延長方向の前記画素電極の側辺はジグザグ形状であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記データ線は前記画素電極の側辺に沿って延長されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記画素電極の側辺は前記ゲート線の延長方向と４０〜５０度をなすことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記画素電極には前記ゲート線の延長方向に沿って画素電極切開パターンが形成されていることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極と対向する第２絶縁基板をさらに含み、
前記画素電極と前記第２絶縁基板の間に形成されるＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）タイプの液晶層をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第２絶縁基板の上に形成されている共通電極をさらに含み、
前記共通電極には前記画素電極の側辺と並んだ共通電極切開パターンが形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記第３画素電極は順次に駆動されることを特徴とする請求項１または請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
複数の画素電極を含む液晶表示装置において、
前記画素電極は山カッコ形状であり、第１方向に隣接配置されている第１画素電極および第２画素電極と前記第１方向に対して垂直方向である第２方向に前記第１画素電極および第２画素電極とそれぞれ部分的に対向して配置される第３画素電極を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１５】
前記画素電極は上部部分と前記上部部分から折り曲げ延長されている下部部分とを含み、
前記第３画素電極の上部部分は前記第１画素電極の下部部分と対向し、前記第３画素電極の下部部分は前記第２画素電極の上部部分と対向して配置されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
前記第１画素電極、前記第２画素電極および前記第３画素電極は順次に駆動されることを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【請求項１７】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成されたゲート線およびデータ線を含む配線と、
前記ゲート線およびデータ線に接続されている画素電極とを含み、
前記データ線のうちのいずれか一つに接続されている画素電極は前記データ線の左側に配置される第１画素電極と前記データ線の右側に配置される第２画素電極とを含み、前記第１画素電極と前記第２画素電極は前記ゲート線の延長方向に互いに対向し、
前記画素電極は山カッコ形状であり、
前記データ線は前記画素電極の周縁に沿って形成されたことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は液晶表示パネルとバックライトユニットとを含む。液晶表示パネルは薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタが形成されているカラーフィルタ基板、そしてこれらの間に液晶層を含む。液晶表示パネルは非発光素子でありバックライトユニットから光の供給を受ける。
【０００３】
最近、テレビのようなディスプレイ装置に液晶表示装置が適用されている。これはＣＲＴ、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ  Ｄｉｓｐｌａｙ  Ｐａｎｅｌ）などと比較して液晶表示装置の視野角、色再現性、輝度などの特性が大きく向上したことを現わすが、液晶表示装置の応答速度は依然として改善が要求されている。
【０００４】
ＰＶＡ（ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）モードは視野角を改善するためのモードであって、画素電極と共通電極にそれぞれ切開パターンを形成したものである。これら切開パターンによって形成されるフリンジフィールド（ｆｒｉｎｇｅ  ｆｉｅｌｄ）を用いて液晶分子が配向する方向を調節することによって視野角が向上する。
【０００５】
しかし、ＰＶＡモードをはじめとする従来の液晶表示装置は開口率および透過率が低いという問題がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明の目的は開口率および透過率が増加された液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的は、第１絶縁基板と第１絶縁基板の上に形成されたゲート線およびデータ線を含む配線と、ゲート線およびデータ線に電気的に接続されており、データ線の延長方向に隣接配置されている第１画素電極および第２画素電極とゲート線の延長方向に第１画素電極および第２画素電極とそれぞれ部分的に対向して配置される第３画素電極を含む画素電極とを含むことを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【０００８】
第１画素電極、第２画素電極および第３画素電極はそれぞれ互いに異なるゲート線に接続されていることが好ましい。
【０００９】
第３画素電極に接続されているゲート線は第１画素電極および第２画素電極の境界を通過することが好ましい。
【００１０】
第１画素電極、第２画素電極および第３画素電極は同一のデータ線に接続されていることが好ましい。
【００１１】
データ線のうちのいずれか一つに接続されている画素電極はデータ線の左右に交互に配置されていることが好ましい。
【００１２】
ゲート線に接続されてゲート線に駆動信号を印加し、第１絶縁基板の上に形成されているシフトレジスタがさらに含まれていることが好ましい。
【００１３】
データ線の延長方向への画素電極の側辺はジグザグ形状であることが好ましい。
【００１４】
データ線は画素電極の側辺に沿って延長されていることが好ましい。
【００１５】
画素電極の側辺はゲート線の延長方向と４０〜５０度をなすことが好ましい。
【００１６】
画素電極にはゲート線の延長方向に沿って画素電極切開パターンが形成されていることが好ましい。
【００１７】
画素電極と対向する第２絶縁基板をさらに含み、画素電極と第２絶縁基板の間に形成されるＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌ  ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）タイプの液晶層をさらに含むことが好ましい。
【００１８】
第２絶縁基板の上に形成されている共通電極がさらに含まれ、共通電極には画素電極の側辺と並んだ共通電極切開パターンが形成されていることが好ましい。
【００１９】
第１画素電極、第２画素電極および第３画素電極は順次に駆動されることが好ましい。
【００２０】
目的は、複数の画素電極を含む液晶表示装置において、画素電極は山カッコ形状であり、第１方向に隣接配置されている第１画素電極および第２画素電極と第１方向に対して垂直方向である第２方向に第１画素電極および第２画素電極とそれぞれ部分的に対向して配置される第３画素電極を含むことによっても達成される。
【００２１】
画素電極は上部部分と上部部分から折り曲げられて延長されている下部部分とを含み、第３画素電極の上部部分は第１画素電極の下部部分と対向し、第３画素電極の下部部分は第２画素電極の上部部分と対向することが好ましい。
【００２２】
第１画素電極、第２画素電極および第３画素電極は順次に駆動されることが好ましい。
【００２３】
本発明の目的は、絶縁基板と、絶縁基板の上に形成されたゲート線およびデータ線を含む配線と、ゲート線およびデータ線に接続されている画素電極とを含み、データ線のうちのいずれか一つに接続されている画素電極はデータ線の左側に配置される第１画素電極と前記データ線の右側に配置される第２画素電極とを含み、第１画素電極と第２画素電極はゲート線の延長方向に互いに対向し、画素電極は山カッコ形状であり、データ線は画素電極の周縁に沿って形成された液晶表示装置によっても達成される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、透過率および開口率が増加された液晶表示装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して本発明をさらに詳しく説明する。詳細な説明に先立ち、色々な実施形態において同一の構成要素には同一の参照番号を付与した。同一の構成要素については第１実施形態で代表的に説明し、その他の実施形態では説明を省略する。
【００２６】
図１乃至図３を参照して本発明の第１実施形態による液晶表示装置を説明する。
【００２７】
液晶表示装置１は、互いに対向する薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００と、そして両基板１００、２００の間に位置する液晶層３００とを含む。
【００２８】
薄膜トランジスタ基板１００を見ると、第１絶縁基板１１１の上にゲート配線１２１、１２２が形成されている。ゲート配線１２１は金属単一層または多重層であってもよい。ゲート配線１２１は横方向にのびているゲート線１２１およびゲート線１２１に接続されているゲート電極１２２を含む。
【００２９】
図示されていないが、ゲート配線１２１、１２２は画素電極１５１と重なって蓄積キャパシタを形成する蓄積電極（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅ）をさらに含んでもよい。
【００３０】
第１絶縁基板１１１の上には窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１３１がゲート配線１２１を覆っている。
【００３１】
ゲート電極１２２のゲート絶縁膜１３１の上部にはアモリファスシリコンなどの半導体からなる半導体層１３２が形成されており、半導体層１３２の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化アモルファスシリコンなどの物質で形成されたオーミックコンタクト層１３３が形成されている。オーミックコンタクト層１３３は２つの部分に分離されている。
【００３２】
オーミックコンタクト層１３３およびゲート絶縁膜１３１の上にはデータ配線１４１、１４２、１４３が形成されている。データ配線１４１、１４２、１４３も金属層からなる単一層または多重層であってもよい。データ配線１４１、１４２、１４３は、縦方向に形成されてゲート線１２１と交差するデータ線１４１、データ線１４１の分枝でありオーミックコンタクト層１３３の上部まで延長されているソース電極１４２、ソース電極１４２と分離されて一方の抵抗接触層１３３の上部に形成されているドレイン電極１４３を含む。
【００３３】
ここで、データ線１４１は全体的に上下方向に延びているが、画素電極１６１の側辺に沿ってジグザグに折り曲げられている。ソース電極１４２はデータ線１４１の左側および右側にそれぞれ延びている。
【００３４】
データ配線１４１、１４２、１４３およびこれらによって覆われていない半導体層１３２の上部には、窒化シリコン、ＰＥＣＶＤ法によって蒸着されたａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ膜またはａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆ膜もしくはアクリル系有機絶縁膜などからなる保護膜１５１が形成される。保護膜１５１にはドレイン電極１４３を露出するコンタクトホール１５２が形成される。
【００３５】
保護膜１５１の上部には画素電極１６１が形成される。画素電極１６１は通常ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。
【００３６】
画素電極１６１には画素電極切開パターン１６２が形成される。画素電極切開パターン１６２は後述する共通電極切開パターン２５２と共に液晶層３００を多数のドメインに分割するために形成されているものである。画素電極切開パターン１６２はゲート線１２１と並んで延長されている。
【００３７】
以上で説明したゲート線１２１、データ線１４１および画素電極１６１の配置関係を詳しく説明する。
【００３８】
画素電極１６１は山カッコ形状を有し、３つのサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃはそれぞれサブ画素（ｓｕｂ−ｐｉｘｅｌ）に該当する。３つのサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃが集まって一つの画素（ｐｉｘｅｌ）を形成する。各サブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃはデータ線の延長方向(ＥＸＴＥＮＤＩＮＧ ＤＩＲＥＣＴＩＯＮ  ＯＦ  ＤＡＴＡ  ＬＩＮＥ)で上部に位置する上部部分Ａおよびデータ線の延長方向（ＥＸＴＥＮＤＩＮＧ
ＤＩＲＥＣＴＩＯＮ  ＯＦ  ＧＡＴＥ  ＬＩＮＥ)で下部に位置する下部部分Ｂからなる。
【００３９】
一つの画素を形成する３つのサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃは全体的に三角形形状をなしている。第１サブ画素電極１６１ａおよび第２サブ画素電極１６１ｂはデータ線延長方向に、互いに隣接するように配置されている。第３サブ画素電極１６１ｃは第１サブ画素電極１６１ａおよび第２サブ画素電極１６１ｂとそれぞれゲート線延長方向にそれぞれ部分的に対向している。
さらに詳しくは、第３サブ画素電極１６１ｃの上部部分Ａは第１サブ画素電極１６１ａの下部部分Ｂと対向しており、第３サブ画素電極１６１ｃの下部部分Ｂは第２サブ画素電極１６１ｂの上部部分Ａと対向している。画素電極１６１の側辺とゲート線１２１とがなす角（θ）は４０〜５０度である。
【００４０】
データ線１４１はサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃの境界に沿って延長されている。つまり、データ線１４１はサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃと重ならずジグザグに折り曲げられている。
【００４１】
ゲート線１２１は第１サブ画素電極１６１ａおよび第２サブ画素電極１６１ｂの境界を通過して、第３サブ画素電極１６１ｃの中心部を通過する。実施形態でゲート線１２１は第３サブ画素電極１６１ｃの画素電極切開パターン１６２に対応するように形成されている。
【００４２】
以上で一つの画素をなすサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃは全て同一のデータ線１４１に接続されている。さらに詳しくは、サブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃはデータ線延長方向に沿って第１サブ画素電極１６１ａ、第３サブ画素電極１６１ｃおよび第２サブ画素電極１６１ｂの順にデータ線１４１に接続されている。また、サブ画素電極１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃはデータ線の延長方向に沿って左右側で交互にデータ線１４１に接続されている。
【００４３】
カラーフィルタ基板２００を見ると、第２絶縁基板２１１の上にブラックマトリックス２２１が形成されている。ブラックマトリックス２２１は一般に赤色、緑色および青色フィルタの間を区分し、薄膜トランジスタ基板１００に配置される薄膜トランジスタＴへの直接的な光照射を遮断する役割を果たす。ブラックマトリックス２２１は通常黒色顔料が添加された感光性有機物質からなる。黒色顔料としてはカーボンブラックやチタニウムオキシドなどを用いる。
【００４４】
カラーフィルタ２３１はブラックマトリックス２２１を境界にして形成されており、それぞれ赤色、緑色および青色を有する３つのサブ層２３１ａ、２３１ｂおよび２３１ｃを含む。カラーフィルタ２３１はバックライトユニット（図示せず）から照射されて液晶層３００を通過した光に色を付与する役割を果たす。カラーフィルタ２３１は通常感光性有機物質からなる。
【００４５】
カラーフィルタ２３１とブラックマトリックス２２１の上にはオーバーコート層２４１が形成される。オーバーコート層２４１は有機物質からなり、平坦な表面を提供する。
【００４６】
オーバーコート層２４１の上には共通電極２５１が形成される。共通電極２５１はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明な導電物質からなる。共通電極２５１は薄膜トランジスタ基板の画素電極１６１と共に液晶層３００に直接電圧を印加する。共通電極２５１には共通電極切開パターン２５２が形成されている。共通電極切開パターン２５２は画素電極１６１の画素電極切開パターン１６２と共に液晶層３００を多数のドメインに分ける役割を果たす。
【００４７】
共通電極切開パターン２５２は、データ線１４１と平行して形成されている第１サブ切開パターン２５２ａと、ゲート線１２１と並んで形成されている第２サブ切開パターン２５２ｂとを含む。
【００４８】
画素電極切開パターン１６２と共通電極切開パターン２５２を第１サブ画素電極１６１ａを例に挙げて詳しく説明する。
【００４９】
画素電極切開パターン１６２と第２サブ切開パターン２５２ｂはゲート線１２１の上で一直線をなす。画素電極切開パターン１６２と第２サブ切開パターン２５２ｂによって第１サブ画素電極１６１ａは上下に二等分される。一方、第１サブ切開パターン２５２ａは、データ線１４１、即ち、第１サブ画素電極１６１ａの側辺と並んで延長され、第１サブ画素電極１６１ａを左右に二等分させる。
【００５０】
画素電極切開パターン１６２と共通電極切開パターン２５２によって画素電極１６１は４つのドメインに分割される。分割された４つのドメインは実質的に同一の面積を有している。画素電極１６１は以上のようにマルチ−ドメインに分割されて液晶表示装置１の視野角が向上される。
【００５１】
薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００の間に液晶層３００が位置する。液晶層３００はＶＡ（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ）モードであって、液晶分子は電圧が加えられない状態では長手方向が薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルタ基板２００に対して垂直をなしている。
【００５２】
電圧が加えられると、液晶分子は負の誘電率異方性であるため電界に対して垂直方向に配向する。しかし、画素電極切開パターン１６２と共通電極切開パターン２５２が形成されていなければ、液晶分子は配向する方位角が決定されず多様な方向に無秩序に配列するようになり、配向方向が異なる境界面で線上欠陥（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ  ｌｉｎｅ）が発生する。画素電極切開パターン１６２と共通電極切開パターン２５２は液晶層３００に電圧がかかるときにフリンジフィールドを形成して液晶配向の方位角を決定する。また、液晶層３００は画素電極切開パターン１６２と共通電極切開パターン２５２の配置によって多重領域に分けられる。
【００５３】
第１実施形態によれば、データ線１４１、共通電極切開パターン２５２および画素電極１６１の側辺は全て並んで配置されている。つまり、データ線１４１が形成する電界方向と共通電極切開パターン２５２および画素電極１６１の側辺が形成する電界方向が一致する。これによって、液晶層３００中のうち制御されずに透過率を低下する部分が減少する。したがって液晶表示装置１の透過率が増加する。
【００５４】
一方、データ線１４１は画素電極１６１の間に形成されていて、画素電極１６１の表示領域を減少させない。これによって、液晶表示装置１の開口率が増加する。
【００５５】
図４は本発明の第１実施形態による液晶表示装置における画素電極と配線の接続を示した図面である。
【００５６】
画素電極１６１は、右側に開かれた山カッコ形状を有しデータ線の延長方向に配置されている（ａ）列と、左側に開かれた山カッコ形状を有しデータ線の延長方向に延長されている（ｂ）列を含む。（ａ）列の画素電極１６１はそれぞれ２つの（ｂ）列の画素電極１６１と対向している。つまり、（ａ）列の画素電極１６１と（ｂ）列の画素電極１６１は互いに交互に配置される。（ｃ）列および（ｄ）列の関係は（ａ）列および（ｂ）列の関係と同一である。
【００５７】
各画素電極１６１は薄膜トランジスタＴに接続されており、薄膜トランジスタＴはゲート線１２１およびデータ線１４１に接続される。（ａ）列と（ｂ）列の画素電極１６１は全て同一のデータ線１４１に接続される。（ａ）列と（ｂ）列の画素電極１６１に接続されている薄膜トランジスタＴは左右に交互に配置される。
【００５８】
データ線１４１は（ａ）列の画素電極１６１と（ｂ）列の画素電極１６１の間に延びている。ゲート線１２１のうちの一部は（ａ）列および（ｃ）列の画素電極１６１の中間を通過し、他の一部は（ｂ）列および（ｄ）列の画素電極１６１の中間を通過する。
【００５９】
ゲート線１２１の末端にはシフトレジスタ（ｓｈｉｆｔ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ）１２３が接続される。シフトレジスタ１２３はゲート線１２１を駆動し、ゲート線１２１にゲートオン電圧もしくはゲートオフ電圧を供給する。シフトレジスタ１２３は第１絶縁基板１１１の上に形成され、薄膜トランジスタＴの形成時に共に形成される。
【００６０】
三角形をなしている一つのピクセルを見ると、一つのデータ線１４１および３つのゲート線１２１に接続されている。一つの画素をなす３つのサブ画素、即ち、３つの画素電極が横方向に配置されている従来のピクセルは３つのデータ線と１つのゲート線に接続されている。本発明によれば、データ線１４１は従来の１／３に減少する反面、ゲート線１２１は３倍に増加する。
【００６１】
一般に、データ線１４１を駆動するための回路はゲート線１２１を駆動するための回路より複雑で高価である。本発明によれば、データ線１４１が１／３に減少するので、データ線１４１の駆動のための回路を減少させて製造費用を減少させることができる。
【００６２】
データ線１４１と異なりゲート線１２１は３倍に増加するので、ゲート線１２１を駆動するための回路費用は増加することがある。しかし、本発明によればゲート線１２１は絶縁基板１１１の上に形成されるシフトレジスタ１２３を利用して駆動されるため、回路費用は増加しない。
【００６３】
図５は本発明の第１実施形態による液晶表示装置の駆動方法を説明するための図面である。
【００６４】
（ｎ−１）番目のゲート線１２１にゲートオン電圧が供給されると、ここに接続されている薄膜トランジスタＴがオンされる。これによって、（ｎ−１）番目のゲート線１２１に接続されている（ａ'）行の画素電極１６１がオンされる（ｎ−１ｔｈ  ＧＡＴＥ  ＬＩＮＥ  ＯＮ）。
【００６５】
その後、（ｎ）番目のゲート線１２１にゲートオン電圧が供給され、これによって（ｎ）番目のゲート線１２１に接続された（ｂ'）行の画素電極１６１がオンされる（ｎｔｈ  ＧＡＴＥ  ＬＩＮＥ  ＯＮ）。
【００６６】
その後、同一の方法で（ｎ＋１）番目のゲート線１２１にゲートオン電圧が供給されると、（ｃ'）行の画素電極がオンされる（ｎ＋１ｔｈ  ＧＡＴＥ  ＬＩＮＥ  ＯＮ）。これによって一つの画素（ｐｉｘｅｌ）表示が完成される。一つの画素表示のために３つのゲート線１２１が順次に駆動され、データ線１４１は各画素電極１６１に該当するデータ電圧をゲート線１２１の駆動に合わせて供給する。
【００６７】
以上で説明したように、一つの画素をなす３つの画素電極１６１は同時に駆動されず、順次に駆動される。また、３回のゲートオン信号で一つの画素が表現される。
【００６８】
以上の第１実施形態による液晶表示装置１はカーナビゲーションシステム（ｃａｒ  ｎａｖｉｇａｔｉｏｎ  ｓｙｓｔｅｍ）等の中小型表示装置に適合する。
【００６９】
中小型表示装置は通常１２０〜１５０ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌ  ｐｅｒ  ｉｎｃｈ）が適用されるが、第１実施形態による液晶表示装置１を適用した結果、開口率が４７％以上という良好な値が得られ、透過率、応答時間などでも良好な結果が得ることができた。
【００７０】
図６は本発明の第２実施形態による液晶表示装置における画素電極の配置を示した図面である。
【００７１】
画素電極１６１は全体的には山カッコ形状であり、側辺が傾斜している上部の上部部分Ｃおよび下部の下部部分Ｅを含む。上部部分Ｃと下部部分Ｅの間にはデータ線延長方向と並んだ側辺を有する中間部Ｄを含む。右側のサブ画素電極１６１ｃは左側のサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂのそれぞれとゲート線の延長方向に部分的に対向するように配置されている。
【００７２】
図示していないが、第２実施形態でデータ線１４１は画素電極１６１の側辺に沿って形成したり、一直線に形成してもよい。
【００７３】
図７は本発明の第３実施形態による液晶表示装置における画素電極の配置を示した図面である。
【００７４】
画素電極１６１はデータ線の延長方向に長辺を有する長方形形状である。右側のサブ画素電極１６１ｃは左側のサブ画素電極１６１ａ、１６１ｂのそれぞれとゲート線の延長方向に部分的に対向するように配置されている。
【００７５】
図示していないが、第３実施形態でデータ線１４１は一直線に形成してもよい。
【００７６】
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示され説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば本発明の原則や精神から外れずに本実施形態を変形できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による液晶表示装置における画素電極と配線との接続を示した図面である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の駆動方法を説明するための図面である。
【図６】本発明の第２実施形態による液晶表示装置における画素電極の配置を示した図面である。
【図７】本発明の第３実施形態による液晶表示装置における画素電極の配置を示した図面である。
【符号の説明】
【００７８】
１００      薄膜トランジスタ基板
１２１      ゲート線
１４１      データ線
１６１      画素電極
１６２      画素電極切開パターン
２００      カラーフィルタ基板
２５１      共通電極
２５２      共通電極切開パターン
３００      液晶層
【図１】
2008009384.tif 000003
【図２】
2008009384.tif 000004
【図３】
2008009384.tif 000005
【図４】
2008009384.tif 000006
【図５】
2008009384.tif 000007
【図６】
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【図７】
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