(57)【要約】【課題】  電子モジュール取付に関する。【解決手段】  電子モジュールとシャーシ／モジュール取付が開示される。この取付けは金属入熱領域を含むシャーシからなる。電子部品を含む電子モジュールはシャーシに接続されるように適合される。連続した熱経路はモジュールの電子部品をシャーシの入熱領域に熱的に結合する。熱経路はチムニーと、チムニーに熱的に接続された熱チャンネルと、熱チャンネルに熱的に接続された出熱ブロックからなる。第１電気絶縁非金属層はチムニーを電子部品に熱的に結合する。第２電気絶縁非金属層は出熱ブロックをシャーシ入熱領域に熱的に結合する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子モジュールを受け入れる少なくとも１つのスロットを形成する金属シャーシであり、且つ前記シャーシに対して入熱領域を形成する後部壁の露出金属領域からなる金属シャーシと；
前記少なくとも１つのスロットに動作可能に設けられた電子モジュールであり、前記電子モジュールは電子部品を有するプリント回路基板を受け入れる内部空間を形成するカバーアセンブリからなり、前記カバーアセンブリが（ｉ）熱チャンネル、（ｉｉ）前記電子部品の少なくとも１つの近傍にあり且つ熱的に形成されたベースを含むチムニー、及び（ｉｉｉ）前記チムニーから離間し且つ出熱ブロックを少なくとも部分的に形成する突出テイル部からなる熱経路を含む電子モジュールと；
を具備し、前記出熱ブロックが前記金属シャーシの前記入熱領域の近傍にあり且つ熱的に結合され、
前記チムニーの前記ベースが熱を前記熱結合された電子部品から前記熱チャンネルに伝導し、前記出熱ブロックが前記入熱領域を介して熱を前記熱チャンネルから前記シャーシへ伝導することを特徴とする電子モジュール取付。
【請求項２】
前記シャーシの前記入熱領域は前記後壁部の近傍に配置されたチャーシプリント回路基板の下端部と前記シャーシの底壁部との間にある前記後壁部の前記露出金属領域により形成されるので、前記入熱領域が前記シャーシプリント回路基板に対して奥まっていることを特徴とする請求項１記載の電子モジュール取付。
【請求項３】
前記入熱領域は前記プリント回路基板の前記下端部と前記シャーシ底壁部間の最小の高さを規定し、前記出熱ブロックは前記入熱領域最小高さの少なくとも９０％である最大の高さを規定することを特徴とする請求項２記載の電子モジュール取付。
【請求項４】
前記熱チャンネルは前記カバーアセンブリのヒートシンクカバー部の外壁の少なくとも一部により形成され、前記チムニーは前記外壁の内表面から突出し、前記チムニーの前記ベースは前記ヒートシンクカバー部の前記外壁から内方向に離間しており、前記チムニーは前記ヒートシンクカバー部の前記外壁から前記チムニーの前記ベースに延長する複数のフィンからなることを特徴とする請求項１記載の電子モジュール取付。
【請求項５】
前記複数のフィンは互いに離間しているので、少なくとも１つの通風チャンネルが２つの離間したフィン間に形成されることを特徴とする請求項４記載の電子モジュール取付。
【請求項６】
前記複数のフィンは互いに平行であり、前記電子モジュールの垂直軸と平行に伸びているので、前記少なくとも１つの通風チャンネルは前記垂直軸と平行に伸び、前記カバーアセンブリの垂直方向に離間した上部及び底部端部は垂直気流が前記少なくとも１つの通風チャンネルに出入りするように開口していることを特徴とする請求項５記載の電子モジュール取付。
【請求項７】
ヒートシンクカバー部は前記チムニーの前記ベースとフィン及び前記外壁及び前記突出テイル部を含む一体金属構造体として形成されることを特徴とする請求項４記載の電子モジュール取付。
【請求項８】
前記一体金属構造体はアルミ合金からなることを特徴とする請求項７記載の電子モジュール取付。
【請求項９】
前記チムニーの前記ベースは前記チムニーの前記ベースと前記少なくとも１つの電子部品間で且つと接触して配置された非金属電気絶縁材料の第１層により前記少なくとも１つの電子部品に熱的に結合され、
前記出熱ブロックは前記出熱ブロックと前記入熱領域間で且つと接触して配置された非金属電気絶縁材料の第２層により前記金属シャーシの前記入熱領域に熱的に結合されていることを特徴とする請求項１記載の電子モジュール取付。
【請求項１０】
電子部品と；
前記電子部品が配置された空間を形成するカバーアセンブリと；
前記電子部品から熱を引き出し、前記モジュールを解放可能に受けるように適合された付随の金属シャーシに熱を伝導するための熱経路と；
を具備し、前記熱経路が、
チムニーと；
前記チムニーに熱的に結合された熱チャンネルと；
前記熱チャンネルに熱的に結合された出熱ブロックと；
前記チムニーを前記電子部品に熱的に結合する電子絶縁非金属層と；
を具備し、前記熱経路の前記チムニーと前記熱チャンネルと出熱ブロックが前記カバーアセンブリのヒートシンクカバー部により一体金属構造体として形成されることを特徴とする電子モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
熱的な制約は顧客が冷却ファン又は冷却のための他の強制通風の使用を認めない産業用のシステムにおいて重大である。これらの制約は、技術的な傾向が電子モジュール設計をより高い電力損及び生じた熱の出力に向かう方向に強制しているので、満足させることがますます困難になっている。これらの技術的制約は（ｉ）より高いクロック速度で動作する市販ＣＰＵへのより低いクロック速度で動作する従来の専用独自仕様ＡＳＩＣの置換、（ｉｉ）リーク電流の増大をもたらすＣＰＵのますます縮小するシリコン寸法、及び（ｉｉｉ）ＣＰＵ等のシリコンパッケージ技術がシリコンの動作可能な許容接合温度を強制的に減少させると共に、６０度以上の許容環境温度仕様を増加させるための顧客願望で、産業用電子モジュールの設置場所に関するますます厳しくなる顧客環境を含んでいる。  
【背景技術】
【０００２】
産業用電子モジュールを冷却する問題は産業用電子システムが典型的には従来のヒートシンクの効率を制限するモジュール内及び近傍にほとんど又はまったく流れない空気流（通風）状態のモジュール方式である事実により悪化する。例えば、モジュール内に配置され且つＣＰＵに接続された伝導のみを利用した、従来のヒートシンクは冷却のために不十分である。更に、各産業用電子モジュールのカバーに対する熱伝導はモジュールの周辺の気流の不足により及びモジュール間の間隔を増加させたくない要望により冷却に不十分であることが分かった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述のように、ファン又は他の強制空冷システムの使用は満足なものでない。ある場合において、顧客の要求は単にファンの使用を許可しないことである。さらに、ファンの使用はファンの信頼性の問題及びファンが埃や他の汚染物質を電子部品に引き込む傾向のため好ましくない。放射システム、閉ループ相変化システム等の様な他の冷却システムは既知であるが、空間とコストで手が出せず、現在の関心事は電子部品の一部として使用される場合である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様によれば、電子モジュール取付は電子モジュールを受け入れるように適合された少なくとも１つのスロットを形成する金属シャーシからなる。シャーシはシャーシに対して入熱領域を形成する後壁の露出金属領域を含んでいる。電子モジュールはスロット内に動作可能に配置される。モジュールは電子部品を有するプリント回路基板が受け入れられる内部空間を形成するカバーアセンブリからなる。カバーアセンブリは（ｉ）熱チャンネルと、（ｉｉ）電子部品の少なくとも１つに近接し且つ熱的に結合されたベースを含むチムニー（煙突状柱）と、（ｉｉｉ）チムニーから離間し、出熱ブロックを少なくとも一部を形成する突出テイル（尾部）部を具備した熱経路を含む。出熱ブロックは金属シャーシの入熱領域に近接し且つ熱的に結合されている。チムニーのベースは熱を熱的に結合された電子部品から熱チャンネルに伝導する。出熱ブロックは前記入熱領域を介して熱を熱チャンネルからシャーシに伝導する。
【０００５】
本発明の他の態様によれば、電子モジュールは電子部品と、電子部品から熱を引き出し且つモジュールを解放可能に受け入れるように適合された付随の金属シャーシに熱を伝導するための熱経路を具備している。熱経路はチムニーと、チムニーに熱的に結合された熱チャンネルと、熱チャンネルに熱的に接続された出熱ブロックとを具備している。電気絶縁非金属層はチムニーを電子部品に熱的に結合している。
【０００６】
本発明の他の態様において、電子モジュール取付は金属入熱領域からなるシャーシを具備している。電子モジュールはシャーシに対して除去可能に接続される。電子モジュールは電子部品からなる。連続熱経路は電子部品をシャーシの入熱領域に熱的に接続する。熱経路は金属チムニーと、チムニーに熱的に接続された金属熱チャンネルと、熱チャンネルに熱的に接続された金属出熱ブロックを具備している。第１及び第２電気絶縁非金属層はそれぞれチムニーを電子部品に且つ出熱ブロックをシャーシ入熱領域に熱的に接続する。
【０００７】
本開発は種々のコンポーネント、コンポーネントの配置、及び／又は種々の工程、工程の配列からなり、その好ましい実施例が添付図面を参照してここに開示されている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
図１Ａと図１Ｂは制御システム等用の従来の産業用電子モジュールを受け入れるように適合された従来の金属シャーシを示している。当技術で全般的に知られるように、シャーシはモジュールを矢印Ａ１により示されるシャーシの後部壁ＲＷに向かう動きにより挿入できる複数のスロット又はモジュール受入部位Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４を規定する。産業用電子モジュールの上部及び底部はシャーシの上部及び底部壁ＴＷ、ＢＷと係合するクリップを含み、モジュールはそれぞれ各スロットＳ１−Ｓ４の対応するプラグＰ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と結合する電気用プラグを含んでいる。プラグＰ１−Ｐ４がシャーシの左側壁ＷＬと右側壁ＷＲ間で横方向に伸びるプリント回路基板ＰＣＢ１に接続されることに注目すべきである。プリント回路基板ＰＣＢ１の下端部Ｅ１とシャーシＣの底部壁ＢＷ間で、シャーシの金属後部壁ＲＷは回路基板ＰＣＢ１に対して露出され且つ奥まっている。シャーシＣのスロットＳ１−Ｓ４に挿入された従来の金属又はプラスチックモジュールはモジュールからシャーシへの専用熱伝導経路を設けるためにシャーシ後部壁ＲＷの露出金属領域と結合し且つ熱的に結合するための構造を含んでいない。
【０００９】
図２は本開発に従って形成された産業用電子モジュール１０を示している。モジュール１０は従来の搭載シャーシＣのスロットＳ１−Ｓ４の何れか１つに受け入れられるように適合され、上部及び底部シャーシ壁ＴＷ、ＢＷにそれぞれ係合する従来の上部及び底部クリップＣＬ１、ＣＬ２を含んでいる。しかしながら、従来のモジュールと異なり、モジュール１０は、熱をモジュール１０の熱経路からシャーシＣに伝導させるため、熱をモジュール内の電子部品から引き出し且つシャーシＣの入熱領域ＨＩと参照されるシャーシ後部壁ＲＷの露出部分と密着する出熱ブロック１２ｃを含む熱経路を具備している。
【００１０】
特に、モジュール１０はモジュールの電子部品からシャーシに熱を伝達するための熱経路を具備している。例示された実施例において、熱経路はカバーアセンブリ１２の一部として設けられる。カバーアセンブリ１２は（ｉ）熱を引き出し且つ送るヒートシンクカバー部１２ａ及び（ｉｉ）ベースカバー部１２ｂのような１つ又は複数のカバー部分を含んでいる。ヒートシンク部１２ａ及び好ましくは部分１２ａ、１２ｂはアルミ又は他の熱伝導金属のような金属から形成され及び／又はを具備している。カバー部１２ａ、１２ｂは互いに相互に結合され、内部空間１４を含むカバーアセンブリ形成する。プリント回路基板ＰＣＢ２はベースカバー部１２ｂに接続され及び／又はの近傍に設けられ、ＣＰＵ２０及び内部空間１４に接続され且つ内に配置された複数の他の熱発生電子装置２２を含んでいる。インターフェースプラグＩはモジュール１０がＣＰＵ２０や他の電子部品２２をプラグＰ１−Ｐ４や動作可能に接続された他の電子部品に動作可能に接続するためシャーシＣのスロットＳ１−Ｓ４に挿入されるとシャーシプラグＰ１−Ｐ４の１つと結合するように適合される。ＣＰＵ２０及び他の装置２２はヒートシンクカバー部１２ａから離間しているがその方向に向いている。カバーアセンブリ１２はヒートシンクカバー部１２ａの少なくとも突出テイル部１２ａ１により形成される出熱ブロック１２ｃを含んでいる。ここで示されるように、カバー部１２ａ、１２ｂはアルミ又は他の熱伝導金属から形成され、カバー部１２ａ、１２ｂは、それぞれ、互いに隣接し且つカバーアセンブリ１２の出熱ブロック１２ｃを形成するため協働する突出テイル部１２ａ１、１２ｂ１を含んでいる。従来の面板２４はカバーアセンブリ１２に接続され、且つユーザー状態ライト／サウンド、ユーザー入力ボタン／スイッチ等に要求されるデータのようなデータの入／出力のためのプリント回路基板ＰＣＢ２に動作可能に接続されている。この面板２４はユーザーをカバーアセンブリ１２の熱から絶縁するプラスチック構造体を具備している。
【００１１】
図３を参照すると、面板２４をモジュール１０の前面等角図で取り除くと、カバーアセンブリ１２は別の視野から示される。カバー部１２ａ、１２ｂはベースカバー部１２ｂを介してヒートシンクカバー部の締付けボス２６に伸びる締付け具（図示せず）により相互に接続される（ヒートシンクカバー部１２ａが単独で示されている図４も参照のこと）。プリント回路基板ＰＣＢ２は適当な手段によりベースカバー部１２ｂに接続され及び／又はカバー部１２ａ、１２ｂが相互に接続され、ベースカバー部１２ｂに近傍にある場合カバー部１２ｂと締付けボス２６間に締付け可能である。カバー部１２ａ、１２ｂは互いに平行に離間して配置されその間に内部空間を形成する外壁１２ａｗ、１２ｂｗを具備している。カバーアセンブリ１２の上端部及び下端部１２ｄ、１２ｅは実質的に開口し、矢印Ａ２で示されるような冷却に好ましいカバーアセンブリの内部空間１４内に且つを貫通する空気流を促進させる。
【００１２】
ヒートシンクカバー部１２ａはプリント回路基板ＰＣＢ２から離間しているが、壁１２ａｗの内表面からベースカバー部１２ｂに向かって内方向に突出する少なくとも１つのチムニー３０を有するので、チムニーのベース部３０ｂはプリント回路基板ＰＣＢ２上の対応する電子部品に密接し且つ熱的に結合される。例示された実施例に示されるように、ヒートシンクカバー部１２ａはＣＰＵ２０に密接し且つ熱的に結合されたベース３０ｂを有する単一チムニー３０を有するが、カバー部１２ａは代案として複数の電子部品２０、２２に熱的に結合された複数のチムニーを有することが可能である。良好な熱結合のため、ベース３０ｂは実質的に少なくともＣＰＵ２０の全上面２０ｕを密接して覆うように一致させ、寸法決めされる。ベース３０ｂは直に接触させてＣＰＵ２０に熱的に結合可能であるが、好ましくは、熱伝導電気絶縁機械柔軟層ＥＬ１がチムニーベース３０ｂとＣＰＵ２０の上表面２０ｕ間に配置され且つと接触し、要求された熱結合を提供し且つ実効的な解決を提供する鍵であるチムニーベース３０ｂとＣＰＵ２０の上表面２０ｕ間の機械的な不一致に起因する空間を補償する。一実施例において、層ＥＬ１はレアード  テクノロジーズ（Ｌａｉｒｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ）（ｗｗｗ．ｌａｉｒｄｔｅｃｈ．ｃｏｍ）から市販で入手でき、商標Ｔ＝ＧＡＲＤ５０００で販売されているセラミック含有高温シリコンゴムでコートされたポリイミドフィルムを含むエラストマーに基く層であるが、本開発ではこのような製品に限定することを意図していない。一実施例において、エラストマー層ＥＬ１はチムニーベース３０ｂに接着され、カバーアセンブリ１２が取り付けられた場合にＣＰＵと接触する。当業者は、チムニーがＣＰＵ内で電気的な干渉を生じさせることなく、エラストマー層ＥＬ１が熱をＣＰＵ２０からチムニー３０に転送させることを理解するであろう。
【００１３】
図２−図４を参照すると、チムニー３０は好ましくは、チムニーからヒートシンクカバー部１２ａの他の部分への熱転送を最大にするため、（図４で単独で示されるように）ヒートシンクカバー部１２ａ内で一体構造として形成される。チムニー３０は、例えば、ソリッドブロック、複数の突出部等の任意の形状が可能である。チムニー３０は壁１２ａｗと一体であり又は一体構成物として形成する必要はなく、熱をカバー部１２ａに及び／又は他の金属熱伝導路を介してシャーシＣに伝導できる。ここで示されているように、チムニーは間に気流（通風）チャンネル３４を形成する複数の離間したフィン３２からなる。フィン３２は互いに平行に配置され、フィンと通風チャンネルがモジュール１０の垂直軸Ｘ（図２、図５Ｂ）に対して平行に伸びるように向けられる。ここで、モジュール１０は通風チャンネルがカバーアセンブリ１２の開口上端部及び下端部１２ｄ、１２ｅと整列させ、フィン３２間のチャンネル３４を通して流れる気流の冷却を促進させる。チムニーベース３０ｂは好ましくは全てのフィン３２に接続し且つ相互接続する連続した平坦部材である。この方法で、ベース３０ｂに入る熱は各フィン３２に伝達される。
【００１４】
ＣＰＵ２０からチムニー３０に伝導する熱はカバーアセンブリ１２の（図２の破線で概略的に示される）熱チャンネル４０を通してカバーアセンブリの出熱ブロック１２ｃに更に伝導される。例示の実施例において、ヒートシンクカバー部１２ａの壁部ａｗ自身は、単独又は追加のテイル部１２ｂ１で、出熱ブロック１２ｃを形成するテイル部１２ａ１に要求された熱チャンネル４０を提供する。ヒートシンクカバー部１２ａは更に壁部１２ａｗを介して通気チャンネル３４に開口するスロット３６を含んでいる。近傍のモジュールの存在に依存して、スロット３６は潜在的に追加の冷却効果のため通風チャンネル３４に出入りする追加の気流を可能にする。スロットはカバー部１２ａ及びそのチムニー３０の製造を容易にする。変形実施例において、チムニー３０を出熱ブロック１２ｃに相互接続する熱チャンネルは、壁部１２ａｗが金属である必要のない場合に、カバー部の壁部１２ａｗに接続され又はから分離する金属経路により設けられる。そのようなものとして、チムニー３０、壁部１２ａｗ又は他の熱チャンネル４０、及び出熱ブロック１２が本開発による熱経路を形成することが理解される。
【００１５】
図５Ａ及び図５Ｂは本開発により形成されたモジュール１０がシャーシＣ内に挿入されると、出熱ブロック１２ｃがシャーシＣの金属入熱領域ＨＩの近傍にあり且つ熱的に結合されていることを示している。モジュール１０は部分的に示され、シャーシＣの部分はシャーシＣ内のモジュール１０のはめ合い部、特に、これら２つの金属間の良好な熱伝導を補償するエラストマー層を有する出熱ブロック１２ｃとシャーシ入熱領域ＨＩ間の密接はめ合い部を暴露するために示されていない。シャーシＣに対する出熱ブロック１２ｃの熱結合は、代案として、ブロック１２ｃと領域ＨＩ間の直接的な金属対金属接触を介して実施できるが、好ましくは、熱伝導エラストマー層ＥＬ２は界面として使用される。層ＥＬ２は好ましくは上述の熱伝導エラストマー層ＥＬ１と同一又は類似の材料であり、出熱ブロック１２ｃとシャーシ入熱領域ＨＩ間に配置され且つ接触する。図２に示されるように、例示の実施例において、エラストマー層ＥＬ２は出熱ブロック１２ｃの後部平坦面１２ｃ１に接着されるので、モジュール１０が要求された熱結合のためにシャーシ内に配置される場合及び実行可能な実際の解を提供するために重要である出熱ブロック１２ｃとシャーシ入熱領域ＨＩ間の機械的不整合に起因する空間を補償するため、エラストマー層ＥＬ２はシャーシＣの入熱領域ＨＩと接触する。図１Ｂに示されるように、入熱領域ＨＩはプリント回路基板ＰＣＢ１と底部壁部ＢＷ間の最小高さＤ１を規定し、出熱ブロック１２ｃはシャーシ入熱領域ＨＩに対する熱伝導を最大にするため且つシャーシ内へのモジュール１０の滑動挿入／配置で妨害しない、入熱領域高さＤ１の少なくとも９０％である最大高さＤ２（図５Ａ）を規定することが好ましい。典型的には、出熱ブロック１２ｃがシャーシＣ内へのモジュール１０の滑動挿入で妨害しないことを補償するため、出熱ブロックの側方寸法Ｄ３（図２）はモジュール１０自身の最大側方寸法Ｄ４に等しいかそれ以下であり、即ち、出熱ブロック１２ｃはカバー部１２ａ、１２ｂの壁部１２ａｗ、１２ｂｗを超えて側方且つ外方向に突出しない。当業者はヒートシンクカバー１２ａのチムニー３０が壁部１２ａｗ、出熱ブロック１２ｃ、及びシャーシ入熱領域ＨＩのような、熱チャンネルを介してシャーシＣに熱的に結合されることを理解するであろう。これにより熱をＣＰＵ２０からシャーシＣへのモジュール１０外に伝導させる。底面図である図５Ｂは気流をチムニー３０のフィン３２に且つフィン間のチャンネルを通して流すカバーアセンブリ１２の開口底端部１２ｅを明らかにしている。さらに、熱伝送層ＥＬ１、ＥＬ２は電気又は論理接地基準を規定するためにある場合において有益であるシャーシＣからモジュール１０を電気的に絶縁するように非導電である。
【００１６】
図６は、従来技術と比較される、本開発により形成されたモジュールの温度低下を示す実験結果を示すグラフである。そこで、従来技術（ベースライン）モジュールＭと本開発により形成されたモジュール１０の関して、ＣＰＵ２０とモジュールＭ、１０の空間１４内の他の電子部品２２の計測温度は、ＣＰＵ２０に関してΔＴ＝１４℃で、６０℃の任意の周辺温度でΔＴだけ減少した。ＣＰＵ２０のみが上述のようにチムニー構造３０を介してヒートシンクカバー部１２ａに熱的に結合されていても、部品２２に関するΔＴ値が生じることを留意すべきである。
【００１７】
当業者は本開発が電子モジュール及び／又はモジュール／シャーシ取付を提供することが理解するであろう。本取付は金属入熱領域ＨＩを有するシャーシＣからなる。電子部品２０を有する電子モジュール１０はシャーシＣに接続される。連続した熱経路は電子部品２０をシャーシＣの入熱領域ＨＩに熱的に接続する。熱経路は金属チムニー３０、チムニー３０に熱的に接続された金属熱チャンネル４０、及び熱チャンネル４０に熱的に接続された金属出熱ブロック１２ｃからなる。第１及び第２電気絶縁非金属ＦＬ１、ＦＬ２はそれぞれチムニー３０を電子部品２０に且つ出熱ブロック１２ｃをシャーシ入熱領域ＨＩに熱的に結合する。
【００１８】
本開発は好ましい実施例を参照して説明された。当業者は好ましい実施例に対する変形及び変更が可能であることを認識するであろう。開示された好ましい実施例は、文言どおり又は均等論により、できるだけ広義に解釈されるべき、特許請求の範囲を限定することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】図１Ａは産業用電子モジュールを受けるように適合された従来の金属シャーシの等角前面立面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは産業用電子モジュールを受けるように適合された従来の金属シャーシの等角前面立面図である。
【図２】図２は本開発に従って形成された産業用電子モジュールの底部等角図である。
【図３】図３は図２の産業用電子モジュールの前部等角図（モジュールの面板は図３では除かれ、プリント回路基板とカバーアセンブリに対する関係を示している）である。
【図４】図４は図２のモジュールのヒートシンクカバー部分を示す等角図である。
【図５Ａ】図５Ａは図１Ａ及び図１Ｂのシャーシに搭載された図２のモジュールを示す側面図（モジュールは部分的に示され、シャーシの上壁部及び底壁部はシャーシ内のモジュールの嵌め合い部を暴露するために示されていない）である。
【図５Ｂ】図５Ｂは図１Ａ及び図１Ｂのシャーシに搭載された図２のモジュールを示す底面図（モジュールは部分的に示され、シャーシの上壁部及び底壁部はシャーシ内のモジュールの嵌め合い部を暴露するために示されていない）である。
【図６】図６は従来技術のモジュールと比較される本開発によって形成されたモジュールでの温度減少を示す実験結果のグラフである。
【符号の説明】
【００２０】
１０    電子モジュール
１２    カバーアセンブリ
１２ａ    ヒートシンクカバー部
１２ｂ    ベースカバー部
１４    内部空間
２０    ＣＰＵ
２２    電子装置
２４    面板
３０    チムニー
３２    フィン
３４    通気チャンネル
３６    スロット
４０    熱チャンネル
【図１Ａ】
2008118117.tif 000003
【図１Ｂ】
2008118117.tif 000004
【図２】
2008118117.tif 000005
【図３】
2008118117.tif 000006
【図４】
2008118117.tif 000007
【図５Ａ】
2008118117.tif 000008
【図５Ｂ】
2008118117.tif 000009
【図６】
2008118117.tif 000010
【外国語明細書】
2008118117.tif 000011
2008118117.tif 000012
2008118117.tif 000013
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