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【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の端子電極を有する素子と、
各前記端子電極に電気的に接続されるリード端子とを有する電子部品において、
少なくとも一方の前記端子電極には突部が設けられ、前記突部が設けられた端子電極に接続されるリード端子は、前記突部と電気的に接触し、前記突部は、前記素子の主材と同材質の粉体を含むことを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記端子電極の主材に対する前記粉体の添加割合が、５ｗｔ％〜３０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にかかる電子部品は、一対の端子電極を有する素子と、各端子電極に電気的に接続されるリード端子とを有する電子部品において、少なくとも一方の端子電極には突部が設けられ、突部が設けられた端子電極に接続されるリード端子は、突部と電気的に接触し、突部は、素子の主材と同材質の粉体を含むことを特徴とする電子部品である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、突部が、素子の主材と同材質の粉体を含むことにより、素子に設けられた端子電極と突部との密着性を向上させることができるという作用を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の請求項２の電子部品は、請求項１に記載の電子部品において、端子電極の主材に対する粉体の添加割合が、５ｗｔ％〜３０ｗｔ％である。この構成により、端子電極の突部を適度の材料の割合で作製でき、端子電極とリード端子との点接触を確保して電気的接続強度の向上、物理的強度の向上を実現できるという作用を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、突部が、端子電極と同材質の粉体を主材として形成されている。この構成により、端子電極とリード端子との点接触を容易に実現でき、電気的接続強度を向上させることができるという作用を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、端子電極が、ディップ方式で形成されている。この構成により、突部がある端子電極を基板の積層体の外側面に容易に均一に形成することができるという作用を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、端子電極が、捺印方式で形成されている。この構成により、突部がある端子電極を、積層体の外側面に比較的薄く容易に均一に作製することができるという作用を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、端子電極が、塗布方式で形成されている。この構成により、容易に突部がある端子電極を積層体に設けることができるという作用を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、端子電極とリード端子の接続部分において、突部の周囲は接合材が充填されている。この構成により、電気的接続強度の向上に加えて、物理的接続強度も向上させるという作用を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、端子電極が、素子の対向する２側面にそれぞれ形成され、一対のリード端子が、端子電極に対してそれぞれ平行に延び素子の底面の一部に及んでこの底部にも接続されている。この構成により、素子を底受けすることができて電子部品の接続安定性が高まるという作用を有する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、素子が、内部電極が形成された誘電体基板が複数積層されて成る積層体である。この構成により、高容量のコンデンサや、積層インダクタなどのバリエーションに富んだ電子部品でありながら、電気的接続強度および物理的接続強度の向上を実現することができるという作用を有する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、素子およびリード端子の接続端が、外装材により封止されている。この構成により、耐久性の向上を図る事ができるという作用を有する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、素子が、誘電体基板を有する単板コンデンサである。この構成により、コンデンサの電気的接続強度および物理的接続強度の向上を図る事ができるという作用を有する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、素子が、積層された誘電体基板を有する積層コンデンサである。この構成により、高容量コンデンサの電気的接続強度および物理的接続強度の向上を図る事ができるという作用を有する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、突部が、端子電極表面に複数存在する。この構成により、点接触部位を増加させて電気的接続強度の更なる向上が図られるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理装置であって、
演算部を備え、該演算部が実行する処理を変更可能なリコンフィギュアラブル演算手段と、
前記演算部にロードされるべき複数種類のプログラムを記憶する記憶手段と、
前記画像処理装置に接続される画像処理デバイスを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別結果に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数種類のプログラムから、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定する特定手段と、
を有し、
前記リコンフィギュアラブル演算手段は、前記特定手段により特定されたプログラムを、前記記憶手段から前記演算部にロードして該演算部が実行する処理を変更することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記リコンフィギュアラブル演算手段は、複数の演算部を備え、
前記特定手段は、前記判別手段による判別結果に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数種類のプログラムから、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるための複数のプログラムを特定するとともに、該複数のプログラムがロードされるべき複数の前記演算部を特定し、
前記リコンフィギュラブル演算手段は、前記特定手段により特定された複数のプログラムを、前記特定手段により特定された前記複数の演算部に前記記憶手段からロードして、該複数の演算部が実行する処理を変更することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記画像処理デバイスは、画像データを入力する画像入力デバイスであり、
前記特定手段は、前記画像入力デバイスにより入力された画像データに対する画像処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記判別手段は、前記画像処理装置に接続される前記画像入力デバイスがカラースキャナであるか白黒スキャナであるかを判別し、
前記特定手段は、前記画像処理装置に接続される前記画像入力デバイスがカラースキャナであるか白黒スキャナであるかに基づいて、前記画像入力デバイスにより入力された画像データに対する画像処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記画像処理装置に接続される画像処理デバイスは、画像データを出力する画像出力デバイスであり、
前記特定手段は、前記画像出力デバイスにより出力されるべき画像データを生成する処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記判別手段は、前記画像処理装置に接続される前記画像出力デバイスがカラープリンタであるか白黒プリンタであるかを判別し、
前記特定手段は、前記画像処理装置に接続される前記画像出力デバイスがカラープリンタであるか白黒プリンタであるかに基づいて、前記画像出力デバイスにより出力されるべき画像データを生成する処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記画像処理装置に接続された画像処理デバイスを用いて実行すべき処理の処理内容を設定する設定手段を有し、
前記特定手段は、前記判別手段による判別結果と前記設定手段により設定された処理内容とに基づいて、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記特定手段は、前記設定手段により設定された処理内容の実行に必要な画像処理デバイスが接続されていると前記判別手段により判別された場合、前記設定された処理内容を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記判別手段は、前記画像処理装置に接続される画像処理デバイスの状態を判別し、
前記特定手段は、前記画像処理装置に接続される前記画像処理デバイスの状態に基づいて、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
演算部を備え、該演算部の処理内容を変更可能なリコンフィギュアラブル演算手段と、前記演算部にロードされるべき複数種類のプログラムを記憶する記憶手段とを有する画像処理装置における画像処理方法であって、
前記画像処理装置に接続される画像処理デバイスを判別する判別工程と、
前記判別工程による判別結果に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数種類のプログラムから、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定する特定工程と、
前記特定工程により特定されたプログラムを、前記記憶手段から前記演算部にロードして該演算部が実行する処理を変更する変更工程と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置及び画像処理方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明による画像処理装置は以下の構成を備える。即ち、
画像処理装置であって、
演算部を備え、該演算部が実行する処理を変更可能なリコンフィギュアラブル演算手段と、
前記演算部にロードされるべき複数種類のプログラムを記憶する記憶手段と、
前記画像処理装置に接続される画像処理デバイスを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別結果に基づいて、前記記憶手段に記憶された前記複数種類のプログラムから、前記画像処理デバイスを用いた処理を前記演算部に実行させるためのプログラムを特定する特定手段と、
を有し、
前記リコンフィギュアラブル演算手段は、前記特定手段により特定されたプログラムを、前記記憶手段から前記演算部にロードして該演算部が実行する処理を変更することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力されるジョブを実行可能な情報処理装置であって、
ユーザを識別するためのユーザ情報を受付ける受付手段と、
前記ユーザ情報の受付順序に基づいて、各ユーザによる前記情報処理装置の使用順序を決定する決定手段と、
前記使用順序に従って、ユーザに対して前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知する通知手段と、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザからジョブの実行が指示された場合に、該指示されたジョブを実行する実行手段と、を備え、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより、一定時間ジョブの実行が指示されなかった場合に、前記通知手段は、前記使用順序に従って、該ユーザの次の順番のユーザに対して、前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより、一定時間ジョブの実行が指示されなかった場合に、前記決定された使用順序を変更する変更手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記決定された使用順序を各ユーザに対応させて登録する登録手段をさらに備え、前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより指示されたジョブの実行が完了した場合に、前記登録された使用順序から、該ユーザの情報を削除する削除手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより指示されたジョブの実行完了を入力する入力手段を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記決定手段により使用順序が決定されたユーザごとにパスワードを発行する発行手段を更に備え、
前記通知手段は、前記ユーザに対応するパスワードを通知することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記実行手段は、前記通知手段により通知したパスワードが入力された場合に、前記通知手段による通知を受けたユーザからジョブの実行が指示されたと判断することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記実行手段は、
前記通知手段による通知がなされたことを契機として、前記ユーザからジョブの実行が指示されたか否かを判断することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記通知手段による通知に対する応答を受信する受信手段を更に備え、
前記実行手段は、前記受信手段による受信を契機として、前記ユーザからジョブの実行が指示されたか否かを判断することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記変更手段により使用順序が変更されたことを契機として、前記実行手段は、前記ユーザからジョブの実行が指示されたか否かの判断を終了することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記削除手段により、前記ユーザの情報が削除されたことを契機として、前記実行手段は、前記ユーザからジョブの実行が指示されたか否かの判断を終了することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
入力されるジョブを実行可能な情報処理装置と、該情報処理装置と通信可能な外部装置と、を備える情報処理システムであって、
前記外部装置は、
ユーザを識別するためのユーザ情報を前記情報処理装置に送信する送信手段を備え、
前記情報処理装置は、
前記送信手段により送信されたユーザ情報を受付ける受付手段と、前記ユーザ情報の受付順序に基づいて、各ユーザによる前記情報処理装置の使用順序を決定する決定手段と、
前記使用順序に従って、ユーザに対して前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知する通知手段と、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザからジョブの実行が指示された場合に、該指示されたジョブを実行する実行手段と、を備え、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより、一定時間ジョブの実行が指示されなかった場合に、前記通知手段は、前記使用順序に従って、該ユーザの次の順番のユーザに対して、前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知することを特徴とする情報処理システム。
【請求項１２】
入力されるジョブを実行可能な情報処理装置における情報処理方法であって、
ユーザを識別するためのユーザ情報を受付ける受付工程と、
前記ユーザ情報の受付順序に基づいて、各ユーザによる前記情報処理装置の使用順序を決定する決定工程と、
前記使用順序に従って、ユーザに対して前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知する通知工程と、
前記通知工程による通知を受けた前記ユーザからジョブの実行が指示された場合に、該指示されたジョブを実行する実行工程と、を備え、
前記通知工程による通知を受けた前記ユーザより、一定時間ジョブの実行が指示されなかった場合に、前記通知工程は、前記使用順序に従って、該ユーザの次の順番のユーザに対して、前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の情報処理方法をコンピュータによって実現させるための制御プログラムを格納した記憶媒体。
【請求項１４】
請求項１２に記載の情報処理方法をコンピュータによって実現させるための制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の目的を達成するために本発明に係る情報処理装置は以下のような構成を備える。即ち、
入力されるジョブを実行可能な情報処理装置であって、
ユーザを識別するためのユーザ情報を受付ける受付手段と、
前記ユーザ情報の受付順序に基づいて、各ユーザによる前記情報処理装置の使用順序を決定する決定手段と、
前記使用順序に従って、ユーザに対して前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知する通知手段と、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザからジョブの実行が指示された場合に、該指示されたジョブを実行する実行手段と、を備え、
前記通知手段による通知を受けた前記ユーザより、一定時間ジョブの実行が指示されなかった場合に、前記通知手段は、前記使用順序に従って、該ユーザの次の順番のユーザに対して、前記情報処理装置の使用を許可する旨を通知することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂フィルム上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種以上を合計で０．０１〜１０．０原子％含有する銅合金層を形成してなることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層体。
【請求項２】
樹脂フィルム上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種〜３種を合計で０．０１〜１０．０原子％含有し、かつ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＡｌのうち１種又は２種を合計で０．０１〜８．０原子％含有する銅合金層を形成してなることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層体。
【請求項３】
樹脂フィルム上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種以上を合計で０．０１〜１０．０原子％含有する銅合金層を形成し、該銅合金層上に銅スパッタ層及び／又は銅めっき層を形成してなることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層体。
【請求項４】
樹脂フィルム上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種〜３種を合計で０．０１〜１０．０原子％含有し、かつ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＡｌのうち１種又は２種を合計で０．０１〜８．０原子％含有する銅合金層を形成し、該銅合金層上に銅スパッタ層及び／又は銅めっき層を形成してなることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層体。
【請求項５】
請求項１、３に記載の銅合金層を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種以上を合計で０．０１〜１０．０原子％含有するＣｕ合金よりなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項２、４に記載の銅合金層を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種〜３種を合計で０．０１〜１０．０原子％含有し、かつ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＡｌのうち１種又は２種を合計で０．０１〜８．０原子％含有するＣｕ合金よりなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フレキシブルプリント配線板用積層体及び該積層体の銅合金層の形成に用いるＣｕ合金スパッタリングターゲット
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、フレキシブルプリント配線板の素材であって、樹脂フィルム（ベースフィルム）上に接着剤を用いずに導体層を形成してなる２層構造タイプのフレキシブルプリント配線板用積層体及び該積層体の銅合金層の形成に用いるＣｕ合金スパッタリングターゲットに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項４の発明は、樹脂フィルム上に、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種〜３種を合計で０．０１〜１０．０原子％含有し、かつ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＡｌのうち１種又は２種を合計で０．０１〜８．０原子％含有する銅合金層を形成し、該銅合金層上に銅スパッタ層及び／又は銅めっき層を形成してなることを特徴とするフレキシブルプリント配線板用積層体である。請求項５の発明は、請求項１、３に記載の銅合金層を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種以上を合計で０．０１〜１０．０原子％含有するＣｕ合金よりなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲットである。請求項６の発明は、請求項２、４に記載の銅合金層を形成するためのスパッタリングターゲットであって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｖ、Ｙ、Ｃｏ及びＮｄのうち１種〜３種を合計で０．０１〜１０．０原子％含有し、かつ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｍｇ及びＡｌのうち１種又は２種を合計で０．０１〜８．０原子％含有するＣｕ合金よりなることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲットである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ照射によりエピタキシャル成長基板から分離され、支持基板に接合されたIII族窒化物系化合物半導体光素子において、
III族窒化物系化合物半導体層に接合された少なくとも一方の電極が、当該III族窒化物系化合物半導体層に直接接合された高反射性の第１の電極層と、それを覆うように形成された、窒素と反応性を有する金属から成る第２の電極層とから成り、
当該第２の電極層と前記III族窒化物系化合物半導体層とが接合している領域が存在することを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項２】
前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導層と、III族窒化物系化合物半導体光素子の外周部で接合していることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項３】
前記第１の電極層は複数の孔部を有し、前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導体層と、当該孔部で接合していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項４】
前記第１の電極層は、個々に分離された複数の領域に形成されており、前記第２の電極層は、前記III族窒化物系化合物半導体層と、個々に分離された前記第１の電極層の外周部で接合していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項５】
前記第１の電極層はイリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項６】
前記第１の電極層は多重層であって、前記III族窒化物系化合物半導体層に直接接合された透光性電極層と、高反射性金属層とを少なくとも含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【請求項７】
前記第２の電極層は、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）のいずれか、又はそれらの合金、或いはそれらの多重層から成ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、レーザ照射によりエピタキシャル成長基板から分離され、支持基板に接合されたIII族窒化物系化合物半導体光素子において、III族窒化物系化合物半導体層に接合された少なくとも一方の電極が、当該III族窒化物系化合物半導体層に直接接合された高反射性の第１の電極層と、それを覆うように形成された、窒素と反応性を有する金属から成る第２の電極層とから成り、当該第２の電極層と前記III族窒化物系化合物半導体層とが接合している領域が存在することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層とゲート絶縁膜とを有する電界効果型トランジスタであって、
該活性層は、
非晶質領域と、
結晶領域と、
を含む非晶質酸化物層からなり、且つ
前記結晶領域は、前記非晶質酸化物層と該ゲート絶縁膜との界面である第１の界面近傍にあるか、または前記第１の界面に接して存在しており、
前記非晶質酸化物層の前記第１の界面と対向する第２の界面近傍には存在しないことを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記第１の界面近傍は、当該界面からの距離が活性層の層厚の１／２以内で、かつ、活性層とゲート絶縁膜との界面から３００ｎｍ以内の領域であることを特徴とする請求項１記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記非晶質酸化物は、ＩｎとＺｎとＧａとを含む酸化物である請求項１あるいは２記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
前記非晶質酸化物層の厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る電界効果型トランジスタは、
活性層とゲート絶縁膜とを有する電界効果型トランジスタであって、
該活性層は、
非晶質領域と、
結晶領域と、
を含む非晶質酸化物層からなり、且つ
前記結晶領域は、前記非晶質酸化物層と該ゲート絶縁膜との界面である第１の界面近傍にあるか、または前記第１の界面に接して存在しており、
前記非晶質酸化物層の前記第１の界面と対向する第２の界面近傍には存在しないことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去した直後に、前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、
前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、
前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第１の加熱処理により、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を形成し、
前記第１の加熱処理の際に前記結晶性半導体膜上に形成された第１の酸化膜を除去した直後に、前記結晶性半導体膜を純水洗浄せずに、前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成し、
前記第２の酸化膜表面を純水洗浄し、
前記第２の酸化膜表面を乾燥し、
前記第２の酸化膜が形成された前記結晶性半導体膜に第１のレーザ光を照射し、
前記第２の酸化膜上に希ガス元素を含む半導体膜を形成し、
第２の加熱処理により、前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を前記希ガス元素を含む半導体膜にゲッタリングし、
前記希ガス元素を含む半導体膜および前記第２の酸化膜を除去し、
前記結晶性半導体膜に第２のレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１の酸化膜をフッ酸により除去した直後に、オゾン含有水溶液により前記結晶性半導体膜上に第２の酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１のレーザ光を酸素を含む雰囲気下で照射し、
前記第２のレーザ光を窒素雰囲気下または真空中で照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第２のレーザ光を照射した前記結晶性半導体膜をエッチングして島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２のレーザ光のショット数は前記第１のレーザ光のショット数よりも少なくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第１のレーザ光照射は、前記第１の酸化膜除去から２時間以内に行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記結晶化を助長する金属元素として鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、又は金（Ａｕ）のいずれか１つ又は複数の元素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の表面に酸化処理を行い、
酸化処理が行われた前記第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成して、前記第１の導電層、前記有機化合物層、及び前記第２の導電層を含む記憶素子を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の少なくとも一方は、インジウム、錫、鉛、ビスマス、カルシウム、マンガン、及び亜鉛から選択された一種又は複数種を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の表面に酸化処理を行い、
酸化処理が行われた前記第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成して、前記第１の導電層、前記有機化合物層、及び前記第２の導電層を含む記憶素子を形成し、
前記第２の導電層に可撓性を有する第２の基板を接着し、
前記記憶素子を前記第１の基板より剥離し、
接着層によって前記記憶素子を第３の基板に接着し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の少なくとも一方は、インジウム、錫、鉛、ビスマス、カルシウム、マンガン、及び亜鉛から選択された一種又は複数種を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第２の導電層を酸素雰囲気下で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の導電層は前記第１の基板上に剥離層を介して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上の第１の導電層と、
前記第１の導電層上の酸化物を含む膜と、
前記酸化物を含む膜上の有機化合物層と、
前記有機化合物層上の第２の導電層と、を含む記憶素子を有し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の少なくとも一方は、インジウム、錫、鉛、ビスマス、カルシウム、マンガン、及び亜鉛から選択された一種又は複数種を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の導電層はチタンを含み、前記酸化物を含む膜は酸化チタンを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記基板は可撓性を有する基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一項において、
前記基板と前記第１の導電層の間に接着層が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、
遮光されたオプティカルブラック領域と、
電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域と、
前記黒基準画素領域の出力信号の基準レベルを、前記開口画素領域及び前記オプティカルブラック領域の出力信号の基準レベルに近づく方向にシフトさせるレベルシフト手段と
を有することを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、
遮光されたオプティカルブラック領域と、
電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域とを有する固体撮像装置の処理方法であって、
前記黒基準画素領域の出力信号の基準レベルを、前記開口画素領域及び前記オプティカルブラック領域の出力信号の基準レベルに近づく方向にシフトさせるレベルシフトステップを有することを特徴とする固体撮像装置の処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の固体撮像装置は、入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、遮光されたオプティカルブラック領域と、電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域と、前記黒基準画素領域の出力信号の基準レベルを、前記開口画素領域及び前記オプティカルブラック領域の出力信号の基準レベルに近づく方向にシフトさせるレベルシフト手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置の処理方法は、入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、遮光されたオプティカルブラック領域と、電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域とを有する固体撮像装置の処理方法であって、前記黒基準画素領域の出力信号の基準レベルを、前記開口画素領域及び前記オプティカルブラック領域の出力信号の基準レベルに近づく方向にシフトさせるレベルシフトステップを有することを特徴とする。
また、本発明の撮像システムは、入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、遮光されたオプティカルブラック領域と、電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域とを有する固体撮像装置と、前記オプティカルブラック領域の出力信号に応じて前記固体撮像装置の出力信号をクランプするクランプ手段と、前記固体撮像装置の出力信号から前記黒基準画素領域の出力信号の平均値を減算する減算手段とを有することを特徴とする。
また、本発明の固体撮像装置を用いた処理方法は、入射光に応じて発生した電荷を蓄積して出力する開口画素領域と、遮光されたオプティカルブラック領域と、電荷を蓄積するための不純物領域を形成しない黒基準画素領域とを有する固体撮像装置を用いた処理方法であって、前記オプティカルブラック領域の出力信号に応じて前記固体撮像装置の出力信号をクランプするクランプステップと、前記固体撮像装置の出力信号から前記黒基準画素領域の出力信号の平均値を減算する減算ステップとを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子から出力された画像信号をデジタル画像データに変換するＡ／Ｄ変換手段と、
前記デジタル画像データを色補間する色補間手段と、
前記色補間手段により色補間されたデジタル画像データを輝度成分データと色差成分データとに分離する分離手段と、
前記分離手段によって分離された輝度成分データと色差成分データの画像サイズを変換する画像サイズ変換手段と、
前記画像サイズ変換手段により生成された輝度成分データと色差成分データを圧縮して圧縮データを生成する圧縮手段と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記圧縮手段は、可逆圧縮することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記輝度成分を間引きせずに、色差成分データを間引きする間引き手段をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記輝度成分データと色差成分データは、Ｙ、Ｃｂ、Ｃｒ信号であることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記圧縮手段は、前記画像サイズ変換手段により生成された輝度成分データと前記間引き手段によって間引きされた色差成分データを拡張ＪＰＥＧ形式により不可逆圧縮して拡張ＪＰＥＧ圧縮データを生成することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記画像サイズ変換手段により生成された輝度成分データと色差成分データが１２ビットより大きなビット数のデータである場合、上位１２ビットは、前記拡張ＪＰＥＧ形式で圧縮し、下位２ビットは全ての画素分のデータをまとめて格納することを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記画像サイズ変換手段によって変換された輝度成分データと前記間引き手段によって間引きされた色差成分データとのタイミングを調整してＲＧＢのベイヤー配列に再配列を行う再配列手段をさらに具備することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記分離手段によって分離された輝度成分データと色差成分データに画像処理を行なう画像処理手段と、
前記画像処理手段によって画像処理された輝度成分データと色差成分データに非可逆ＪＰＥＧ圧縮を行なったＪＰＥＧ圧縮画像データを生成するＪＰＥＧ圧縮手段と、
前記圧縮手段によって生成された圧縮データと、前記ＪＰＥＧ圧縮手段によって生成されたＪＰＥＧ圧縮画像データとを記憶媒体に格納する記憶手段とをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項９】
光学像を電気信号に変換する撮像素子から出力された画像信号をデジタル画像データに変換するＡ／Ｄ変換工程と、
前記デジタル画像データを色補間する色補間工程と、
前記色補間工程において色補間されたデジタル画像データを輝度成分データと色差成分データとに分離する分離工程と、
前記分離工程において分離された輝度成分データと色差成分データの画像サイズを変換する画像サイズ変換工程と、
前記画像サイズ変換工程において生成された輝度成分データと色差成分データを圧縮する圧縮工程と、
を具備することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の画像処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプログラムを記憶したことを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる撮像装置は、光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子から出力された画像信号をデジタル画像データに変換するＡ／Ｄ変換手段と、前記デジタル画像データを色補間する色補間手段と、前記色補間手段により色補間されたデジタル画像データを輝度成分データと色差成分データとに分離する分離手段と、前記分離手段によって分離された輝度成分データと色差成分データの画像サイズを変換する画像サイズ変換手段と、前記画像サイズ変換手段により生成された輝度成分データと色差成分データを圧縮して圧縮データを生成する圧縮手段と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係わる画像処理方法は、光学像を電気信号に変換する撮像素子から出力された画像信号をデジタル画像データに変換するＡ／Ｄ変換工程と、前記デジタル画像データを色補間する色補間工程と、前記色補間工程において色補間されたデジタル画像データを輝度成分データと色差成分データとに分離する分離工程と、前記分離工程において分離された輝度成分データと色差成分データの画像サイズを変換する画像サイズ変換工程と、前記画像サイズ変換工程において生成された輝度成分データと色差成分データを圧縮する圧縮工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを圧縮符号化し、電子ファイルとして保存する画像処理装置であって、
複数ページ分の画像データを入力する入力手段と、
入力された各ページの画像データを文字画像と背景画像とに分離する第１の分離手段と、
分離された文字画像については２値化し、２値画像用の圧縮符号化を行なう第１の圧縮符号化手段と、
分離した各ページの背景画像を比較し、共通な背景画像部分と、各ページ固有の背景画像部分とに分離する第２の分離手段と、
共通な背景画像部分及びページ固有の背景画像部分に対して多値画像用圧縮符号化を行なう第２の圧縮符号化手段と、
各ページに対して、ページ固有の文字及び背景画像部分についてはそれぞれの符号化データを対応付け、且つ、各ページに共通な背景画像部分については１つの共通な背景画像の符号化データへのリンクを対応付けることによって、複数ページを記述可能な１つの電子ファイルを生成するファイル生成手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の分離手段は、文字画像については文字画像の色毎に分離することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記第１の分離手段は、文字画像としての有意な画素が存在していた画素領域を、周辺の背景画像の色の画素値で塗りつぶして背景画像を生成することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第２の分離手段は、各ページの背景画像をｎ×ｍ画素ブロックのサイズに分割し、各ページの同一位置の画素ブロック同士の差分値を演算する差分演算手段と、
該差分演算手段の差分値が第１の許容範囲内にあると判断した場合には、当該画素ブロックを共通な背景画像部分を構成する画素ブロックとして判定し、前記差分値が予め設定された許容範囲を越えると判断した場合には、ページ固有の背景画像部分を構成する画素ブロックとして判定し、それぞれの画素ブロックを分類することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第２の分離手段は、前記差分値が前記許容範囲を越えると判断された画素ブロックを細分割し、細分割した細分割ブロック同士の差分値が第２の許容範囲にある細分割ブロックについては共通な背景画像部分を構成する細分割ブロックとして判定し、前記第２の許容範囲を越えると判断した場合には、ページ固有の背景画像部分を構成する画素ブロックとして判定し、それぞれの画素ブロックを分類することを特徴とする請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
画像データを圧縮符号化し、電子ファイルとして保存する画像処理装置の制御方法であって、
複数ページ分の画像データを入力する入力工程と、
入力された各ページの画像データを文字画像と背景画像とに分離する第１の分離工程と、
分離された文字画像については２値化し、２値画像用の圧縮符号化を行なう第１の圧縮符号化工程と、
分離した各ページの背景画像を比較し、共通な背景画像部分と、各ページ固有の背景画像部分とに分離する第２の分離工程と、
共通な背景画像部分及びページ固有の背景画像部分に対して多値画像用圧縮符号化を行なう第２の圧縮符号化工程と、
各ページに対して、ページ固有の文字及び背景画像部分についてはそれぞれの符号化データを対応付け、且つ、各ページに共通な背景画像部分については１つの共通な背景画像の符号化データへのリンクを対応付けることによって、複数ページを記述可能な１つの電子ファイルを生成するファイル生成工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
コンピュータが読み込み実行することで、画像データを圧縮符号化し、電子ファイルとして保存する画像処理装置として機能させるコンピュータプログラムあって、
複数ページ分の画像データを入力する入力手段と、
入力された各ページの画像データを文字画像と背景画像とに分離する第１の分離手段と、
分離された文字画像については２値化し、２値画像用の圧縮符号化を行なう第１の圧縮符号化手段と、
分離した各ページの背景画像を比較し、共通な背景画像部分と、各ページ固有の背景画像部分とに分離する第２の分離手段と、
共通な背景画像部分及びページ固有の背景画像部分に対して多値画像用圧縮符号化を行なう第２の圧縮符号化手段と、
各ページに対して、ページ固有の文字及び背景画像部分についてはそれぞれの符号化データを対応付け、且つ、各ページに共通な背景画像部分については１つの共通な背景画像の符号化データへのリンクを対応付けることによって、複数ページを記述可能な１つの電子ファイルを生成するファイル生成手段
としてコンピュータに機能させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め指定した順序で複数の画像を自動表示する自動画像表示機能を備える画像表示装置において、
複数の異なる画像表示方法に関する情報と、該複数の画像表示方法にそれぞれ対応し、対応する画像表示方法を実行するための複数の表示条件に関する情報とが格納された記憶手段と、
前記自動画像表示機能を実行する場合、前記複数の表示条件のうちのいずれの条件が満たされるかを判別する条件判別手段と、
前記条件判別手段によって満たされると判別された表示条件に対応する画像表示方法に関する情報を前記記憶手段から読み出し、該読み出された画像表示方法に関する情報に従って自動画像表示を行う画像表示手段と
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記複数の画像表示方法の１つは、予め指定された画像を前記自動画像表示の対象とすることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記複数の画像表示方法の他の１つは、前記予め指定された画像を前記自動画像表示の対象としないようにすることを特徴とする請求項２記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記複数の画像表示方法の１つは、前記自動画像表示が行われるたびに所定の複数の画像の中から無作為に画像を選択して、該選択された画像を前記自動画像表示の対象とすることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記記憶手段は、複数の異なる画像表示方法に関する情報を、該複数の画像表示方法に関する情報にそれぞれ識別符号を付与して記憶し、
前記画像表示手段は、指定された識別符号に対応する画像表示方法に関する情報を前記記憶手段から読み出し、該読み出された画像表示方法に関する情報に従って自動画像表示を行うことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項６】
予め指定した順序で複数の画像を自動表示する自動画像表示機能を備えるとともに、複数の異なる画像表示方法に関する情報と、該複数の画像表示方法にそれぞれ対応し、対応する画像表示方法を実行するための複数の表示条件に関する情報とが格納された記憶装置を有する画像表示装置に適用される自動画像表示方法において、
前記自動画像表示機能を実行する場合、前記複数の表示条件のうちのいずれの条件が満たされるかを判別する条件判別ステップと、
前記条件判別ステップにおいて満たされると判別された表示条件に対応する画像表示方法に関する情報を前記記憶装置から読み出し、該読み出された画像表示方法に関する情報に従って自動画像表示を行う画像表示ステップと
を有することを特徴とする自動画像表示方法。
【請求項７】
前記複数の画像表示方法の１つは、予め指定された画像を前記自動画像表示の対象とすることを特徴とする請求項６記載の自動画像表示方法。
【請求項８】
前記複数の画像表示方法の他の１つは、前記予め指定された画像を前記自動画像表示の対象としないようにすることを特徴とする請求項７記載の自動画像表示方法。
【請求項９】
前記複数の画像表示方法の１つは、前記自動画像表示が行われるたびに所定の複数の画像の中から無作為に画像を選択して、該選択された画像を前記自動画像表示の対象とすることを特徴とする請求項６記載の自動画像表示方法。
【請求項１０】
前記記憶手段は、複数の異なる画像表示方法に関する情報を、該複数の画像表示方法に関する情報にそれぞれ識別符号を付与して記憶し、
前記画像表示ステップにおいて、指定された識別符号に対応する画像表示方法に関する情報は前記記憶手段から読み出され、該読み出された画像表示方法に関する情報に従って自動画像表示を行うことを特徴とする請求項６記載の自動画像表示方法。
【請求項１１】
コンピュータを請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の自動画像処理装置として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを記憶したコンピュータが読み出し可能な記憶媒体。