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【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層内において互いに離隔されて形成された、ソース領域及びドレイン領域と、
前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間の領域を露出する少なくとも一つの開口部を有するゲート電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ソース領域は第１濃度を有する第１型の不純物を含み、
前記半導体層は第２濃度を有する第１型の不純物を含む低濃度ドーピング領域を含み、
前記第２濃度は前記第１濃度より低く、前記低濃度ドーピング領域は前記ソース領域に隣接し、前記ゲート電極に部分的に重畳される第１部分と、前記ドレイン領域に隣接し、前記ゲート電極に部分的に重畳される第２部分と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体層はポリシリコンからなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に設けられた、互いに交差しながら画素を画定する複数のゲートラインと複数のデータラインと、
前記画素の各々に具備された第１薄膜トランジスタと、
前記基板の、前記画素が画定された画素領域以外の領域に位置する第２薄膜トランジスタとを含み、
前記第２薄膜トランジスタはソース領域、ドレイン領域、及び、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の一つまたは複数の領域を露出するように位置する少なくとも一つの開口部を有するゲート電極を含む、ことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記第２薄膜トランジスタは前記基板の縁領域に位置することを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
光を発生するバックライトユニットと、
前記バックライトユニットに付着されて映像を表示するディスプレイパネルと、
前記ディスプレイパネルの縁部分を囲むように結合する固定型（シャーシ）と、を含み、
前記ディスプレイパネルは第１領域には第１薄膜トランジスタが形成され、第２領域には第２薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板を含み、前記第２薄膜トランジスタはソース領域、ドレイン領域、及び、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の一つまたは複数の領域を露出するように位置する少なくも一つの開口部を有するゲート電極を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタ基板は相互交差し、前記第１領域を画定する複数のゲートラインと複数のデータラインと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２領域は前記バックライトユニットから発生する光を遮断するように位置することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記バックライトユニットから発生する光は第１方向に伝送され、第２薄膜トランジスタは前記第１方向と反対である第２方向から前記ディスプレイパネルに入射される光を感知するように動作することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１薄膜トランジスタと前記第２薄膜トランジスタのうちのいずれかはソース領域とドレイン領域が形成され、ポリシリコンからなる半導体層を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、及び液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、及び液晶表示装置に係り、さらに詳細には、光センサ機能を備えた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）を含む、薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ基板、及び液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、光に対する感知能力が優れた特性を有する薄膜トランジスタを提供することにある。
また、上のような薄膜トランジスタを光センサとして使う薄膜トランジスタ基板、及びこれを利用する液晶表示装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、低濃度ドーピング領域は薄膜トランジスタの受光面積を増加させる役目を果たす。
図４に示したように、低濃度ドーピング領域４５はゲート電極６０に一部重畳するが、残りの領域はゲート電極６０によって覆われないからである。
また、低濃度ドーピング領域４５はソース領域３０やドレイン領域４０と異なり、別途の金属電極で覆われないため、外部の光が照射されるからである。
即ち、低濃度ドーピング領域４５に入射された光によって生成される電子正孔対によっても光を感知する信号である光電流が発生する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光感知素子と、
前記光感知素子に連結され、各々がゲート及びその両側に低濃度領域と高濃度領域からなる不純物領域を有する複数個のトランジスタとを含み、
前記複数のトランジスタのうちの少なくとも一つ以上のトランジスタはそのゲート両側に互いに幅が異なる低濃度領域を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記低濃度領域のうち相対的に高い電圧が印加される低濃度領域の幅が大きいことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記幅が異なる低濃度領域の間にソースフォロワーゲートまたはリセットゲートが位置することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイメージセンサ
【請求項４】
前記複数個のトランジスタはトランスファトランジスタ、リセットトランジスタ、ソースフォロワートランジスタ及びセレクトトランジスタを含み、
前記リセットトランジスタ及びソースフォロワートランジスタのうちの少なくとも一つ以上が幅が互いに異なる低濃度領域を備えることを請求項１または請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記複数個のトランジスタの各々はゲート側壁にスペーサをさらに含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
前記互いに異なる幅の低濃度領域を有するトランジスタの高濃度領域のうち幅が狭い低濃度領域に結合した高濃度領域はそのゲート側壁のスペーサに自己整列され、幅が広い低濃度領域に結合した高濃度領域はそのゲート側壁のスペーサから離隔されて形成されたことを特徴とする請求項５に記載のイメージセンサ。
【請求項７】
前記低濃度領域の各々は前記ゲートに自己整列されて形成されたことを特徴とする請求項６に記載のイメージセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ素子及び前記イメージ素子の周辺に配置される複数のボンディングパッドから構成される複数のダイを備える半導体基板を提供するステップと、
前記イメージ素子が選択的に覆われるように保護膜を形成するステップと、
前記イメージ素子を取り囲むように接着パターンを形成するステップと、
前記保護膜上に残留する接着パターンの残留物を除去するステップと、
前記正常ダイ上に透明カバーを順次に仮付着するステップと、
前記半導体基板を硬化して複数の透明カバーを一括で永久付着するステップと、を含む光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記イメージ素子は、
受光素子と、
前記受光素子上に配置されるマイクロレンズと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成するステップは、
前記イメージ素子上に前記マイクロレンズの表面に沿って透明膜を蒸着するステップであることを特徴とする請求項２に記載の光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記透明膜は、１００ないし２００℃の温度で蒸着される酸化膜であることを特徴とする請求項３に記載の光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記イメージ素子の上部に保護膜を選択的に形成するステップは、
前記半導体基板の結果物の上部に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜を前記イメージ素子の上部にのみ存在するように所定部分をエッチングするステップと、を含む請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記接着パターンを形成するステップは、
前記保護膜が形成された半導体基板の結果物の上部に接着層を形成するステップと、
前記イメージ素子と前記ボンディングパッドとの間に、前記イメージ素子を取り囲むように前記接着層をパターニングするステップと、を含む請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記接着層は、１０ないし３０μｍの厚さに形成することを特徴とする請求項６に記載の光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記接着層は、感光性ポリマーであることを特徴とする請求項６に記載の光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記接着層をパターニングするステップは、
前記接着層の所定部分を露光するステップ及び前記露光された部分を現像するステップを含むことを特徴とする請求項６に記載の光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記接着パターンの残留物を除去するステップは、アッシングまたはデスカム方式で除去することを特徴とする請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記透明カバーを仮付着するステップは、
ダイボンダを利用して、前記透明カバーを前記ダイのイメージ素子が対応するようにアラインするステップと、
前記アラインされた透明カバーを前記接着パターン上に配置するステップと、を含む請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記透明カバーを配置するステップにおいて、
前記基板は１０ないし１００℃程度を維持して、前記透明カバーは１００ないし２００℃の温度範囲を維持することを特徴とする請求項１１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記透明カバーを一括永久付着させるための硬化ステップは、前記半導体基板の結果物を１００ないし２５０℃の温度を維持するオーブンで３０分ないし９０分間硬化させることを特徴とする請求項１に記載の光学装置の製造方法。
【請求項１４】
イメージ素子及び前記イメージ素子の周辺に配置される複数のボンディングパッドから構成される複数のダイを備える半導体基板を提供するステップと、
前記イメージ素子が選択的に覆われるように保護膜を形成するステップと、
前記イメージ素子を取り囲むように接着パターンを形成するステップと、
前記接着パターンにより前記イメージ素子と対応するように透明カバーを２ステップで付着するステップと、
前記半導体基板を個別ダイでソーイングするステップと、
前記それぞれのダイを基板上に実装するステップと、
前記それぞれのダイ及び前記基板を電気的に連結するステップと、
前記基板上にレンズを設置するステップと、を含む光学装置モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記保護膜は、１００ないし２００℃の温度で形成される低温酸化膜であることを特徴とする請求項１４に記載の光学装置モジュールの製造方法。
【請求項１６】
前記接着パターンは、感光性ポリマーから形成されることを特徴とする請求項１４に記載の光学装置モジュールの製造方法。
【請求項１７】
前記接着パターンを形成するステップと、前記透明カバーを付着するステップとの間に、前記保護膜の上部の接着パターンの残留物を除去するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の光学装置モジュールの製造方法。
【請求項１８】
前記透明カバーを付着するステップは、
ダイボンダにより前記透明カバーを前記イメージ素子に接着するステップと、
前記半導体基板の結果物を１００ないし２００℃の温度で硬化させるステップと、を含む請求項１４に記載の光学装置モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリトランジスタ領域及び選択トランジスタ領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板のメモリトランジスタ領域上に配置されるワードラインと、
前記半導体基板の選択トランジスタ領域上に配置される選択ラインと、
前記ワードラインと前記半導体基板との間に介在されるトンネル絶縁膜と、
前記選択ラインと前記半導体基板との間に介在される前記トンネル絶縁膜より薄い選択ゲート絶縁膜と、を含み、
前記選択ゲート絶縁膜の厚さは端部より中央部で薄いことを特徴とするＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項２】
前記選択ラインは前記ワードラインより広い幅を有することを特徴とする請求項１に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項３】
前記選択ラインの幅は少なくとも前記選択ゲート絶縁膜の厚さが前記トンネル絶縁膜の最も薄い厚さと同一になる位置から前記選択ラインの側壁までの離隔距離の２倍であることを特徴とする請求項１または２に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項４】
メモリトランジスタ領域、選択トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域を含む半導体基板と、
前記半導体基板のメモリトランジスタ領域上に配置されるワードラインと、
前記半導体基板の選択トランジスタ領域上に配置される選択ラインと、
前記半導体基板の低電圧トランジスタ領域上に配置される低電圧ゲート電極と、
前記ワードラインと前記半導体基板との間に介在されるトンネル絶縁膜と、
前記選択ラインと前記半導体基板との間に介在される前記トンネル絶縁膜より薄い選択ゲート絶縁膜と、
前記低電圧ゲート電極と前記半導体基板との間に介在される低電圧ゲート絶縁膜と、を含み、
前記選択ゲート絶縁膜の厚さは端部より中央部で薄いことを特徴とするＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項５】
前記選択ゲート絶縁膜は前記低電圧ゲート絶縁膜と同一の厚さを有することを特徴とする請求項４に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項６】
前記ワードラインは前記選択ライン及び前記低電圧ゲート電極より狭い幅を有することを特徴とする請求項４または５に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項７】
前記選択ラインの幅は少なくとも前記選択ゲート絶縁膜の厚さが前記トンネル絶縁膜の最も薄い厚さと同一になる位置から前記選択ラインの側壁までの離隔距離の２倍であり、
前記低電圧ゲート電極の幅は少なくともその下部に配置された前記低電圧ゲート絶縁膜の厚さが前記トンネル絶縁膜の最も薄い厚さと同一になる位置から前記低電圧ゲート電極の側壁までの離隔距離の２倍であることを特徴とする請求項４から６の何れか一項に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項８】
前記低電圧ゲート電極は前記選択ゲート電極と同一の厚さ及び同一の物質からなることを特徴とする請求項４から７の何れか一項に記載のＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置。
【請求項９】
メモリトランジスタ領域、選択トランジスタ領域及び低電圧トランジスタ領域を含む半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜パターンを形成する段階と、
前記活性領域上に前記メモリトランジスタ領域を覆う第１絶縁膜パターンを形成する段階と、
前記第１絶縁膜パターンが形成された活性領域の全面に第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第２絶縁膜上に、前記メモリトランジスタ領域の上部に配置されるワードライン、前記選択トランジスタ領域の上部に配置される選択ライン及び前記低電圧トランジスタ領域上に配置される低電圧ゲート電極を形成する段階と、を含むことを特徴とするＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているゲート線と、
前記基板上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記基板上に形成されている半導体層と、
前記半導体層上に形成されており、ソース電極を含むデータ線と、
前記半導体層上に形成されており、前記ソース電極と対向しているドレイン電極と、
前記ドレイン電極と接続されている画素電極とを含み、
前記データ線は、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、並びに前記アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層の下部及び上部のうちの少なくとも一つに形成されているモリブデン（Ｍｏ）を含む導電層を含み、
前記半導体層は、前記データ線及び前記ドレイン電極と平面形状が実質的に同一な第１部分、及び前記データ線及び前記ドレイン電極で覆われず、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する第２部分を含み、
前記第２部分は、３乃至２０ａｔ％の塩素原子（Ｃｌ）を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記モリブデン（Ｍｏ）を含む導電層は、モリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、モリブデン−ニオビウム（ＭｏＮｂ）、モリブデン−バナジウム（ＭｏＶ）、モリブデン−チタニウム（ＭｏＴｉ）、モリブデン−タングステン（ＭｏＷ）から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層は、アルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記データ線は、モリブデン（Ｍｏ）を含む第１導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２導電層、及びモリブデン（Ｍｏ）を含む第３導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記ゲート線は、アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層、及びモリブデン（Ｍｏ）を含む導電層を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記アルミニウム（Ａｌ）を含む導電層は、アルミニウム−ネオジム（ＡｌＮｄ）であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
基板上にゲート線を形成し、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びオーミックコンタクト層を形成し、
前記オーミックコンタクト層上にモリブデン（Ｍｏ）を含む第１導電層、アルミニウム（Ａｌ）を含む第２導電層、及びモリブデン（Ｍｏ）を含む第３導電層を形成し、
前記第３導電層上に第１感光膜パターンを形成し、
前記第１感光膜パターンをエッチングマスクとして用い、前記第１導電層、前記第２導電層、前記第３導電層、前記オーミックコンタクト層、及び前記半導体層をエッチングし、
前記第１感光膜パターンを所定の厚さだけ除去して、第２感光膜パターンを形成し、
前記第２感光膜パターンをエッチングマスクとして用い、前記第１導電層、前記第２導電層、及び前記第３導電層をエッチングし、前記オーミックコンタクト層の一部を露出し、
前記露出したオーミックコンタクト層を塩素（Ｃｌ）系ガス及びフッ素（Ｆ）系ガスでエッチングすることを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記塩素系ガスは、Ｃｌ２、ＨＣｌ、ＣＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＳｉＣｌ２Ｈ２から選択される少なくともいずれか一つであることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記フッ素系ガスは、ＳＦ６またはＣＦ４であることを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記露出したオーミックコンタクト層をエッチングすることは、１００乃至８００ｍＴの圧力下で行うことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ポリマー組成物を形成するためにポリマーマトリックスと共に使用される被覆粒子を含むＥＭＩ遮蔽用の粒状の導電性充填剤であって、各被覆粒子が、天然黒鉛、合成黒鉛、カーボンブラックおよびそれらの混合物からなる群から選ばれる炭素系コアと、該中心の炭素系コアの上の導電性の金属被覆または複合金属被覆を含んでおり、炭素系コアは３５０〜１０００ミクロンの範囲内の平均サイズ、好ましくは４００〜８００ミクロンの範囲内の平均サイズを有する、前記粒状充填剤。
【請求項２】
前記の導電性の金属被覆はニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、亜鉛、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、インジウム、イリジウムおよびそれらの合金からなる群から選ばれた一つまたはそれ以上の金属を含み、そして複合金属被覆は炭素系コアを被覆するニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、インジウムおよび亜鉛からなる群から選ばれた非貴金属被覆と、該非貴金属被覆を包み込む金、銀、白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからなる群から選ばれた貴金属とを含み、そして／または導電性金属またはその合金が被覆粒子の２０〜９０重量％、好ましくは約４０〜９０重量％を構成する、請求項１の粒状充填剤。
【請求項３】
前記導電性金属被覆がニッケルであり、そして前記中心の炭素系コアが天然黒鉛または合成黒鉛であり、好ましくは、ニッケルが被覆粒子の４０〜８０重量％でありそして炭素系コアを包み込んでいる、請求項１または２の粒状充填剤。
【請求項４】
前記複合金属被覆が炭素系コアを被覆するニッケルと該ニッケル被覆を包み込む金または銀を含んでいる、請求項１〜３のいずれか一項の粒状充填剤。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の粒状の導電性充填剤をポリマーマトリックスの中に含有している導電性ポリマー組成物であって、前記粒状の導電性充填剤が導電性ポリマー組成物の２５〜３５容積％を構成している、前記導電性ポリマー組成物。
【請求項６】
前記ポリマーマトリックスが炭化水素ゴム（ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、ブチルなど）、ニトリルゴム、ポリクロロプレン、アクリル、フルオロおよびクロロスルホン化ポリエチレン、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリスルフィド、ニトロソゴム、シリコーンおよびフルオロシリコーンからなる群から選ばれ、そして／または前記導電性金属がニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、亜鉛、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、インジウムおよびそれらの合金からなる群から選ばれた一つまたはそれ以上の金属であり、そして／または導電性金属またはその合金が、好ましくは、被覆粒子の２０〜９０重量％、好ましくは４０〜９０重量％を構成する、請求項５の導電性ポリマー組成物。
【請求項７】
前記導電性金属被覆がニッケルであり、そして前記中心の炭素系コアが天然黒鉛または合成黒鉛であり、前記ニッケル被覆が天然または合成黒鉛を包み込み、そして／または前記ポリマーマトリックスが好ましくはシリコーンポリマーであり、そして／または好ましくは、ニッケルが被覆粒子の４０〜８０重量％を構成しそして炭素系コアを包み込んでおり、前記粒状充填剤が導電性ポリマー組成物の約３０容積％を構成する、請求項５または６の導電性ポリマー組成物。
【請求項８】
複合金属被覆が、炭素系コアを被覆するニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、インジウムおよび亜鉛からなる群から選ばれた非貴金属被覆と、該非貴金属被覆を包み込む金、銀、白金、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムからなる群から選ばれた貴金属とから構成され、そして／または黒鉛粉末が好ましくは約６００ミクロンの平均サイズを有し、そしてニッケルが被覆粒子の約６０重量％を構成し、そして／または更に、好ましくは、２０〜２００ミクロンの範囲の大きさを有する銀被覆ガラス球によって代表される粒状の導電性充填剤を１〜３０重量％含んでいる、請求項５〜７のいずれか一項の導電性ポリマー組成物。
【請求項９】
基体への適用に向くＥＭＩ遮蔽を提供する方法であって、ポリマーマトリックスと該ポリマーマトリックスの中に均一に分散された粒状導電性充填剤との複合材料を形成し、
前記粒状充填剤は、天然黒鉛、合成黒鉛、カーボンブラックおよびそれらの混合物からなる群から選ばれた中心の炭素系コアと、前記炭素系コアを包み込む金属の導電性の金属被覆または複合金属被覆とを含んでおり、
前記複合材料は２５〜３５容積％の粒状導電性充填剤を含み、前記ポリマーマトリックスが炭化水素ゴム（ＥＰＭ、ＥＰＤＭ、ブチルなど）、ニトリルゴム、ポリクロロプレン、アクリル、フルオロおよびクロロスルホン化ポリエチレン、ポリウレタン、ポリエーテル、ポリスルフィド、ニトロソゴム、シリコーンおよびフルオロシリコーンからなる群から選ばれ、前記金属の導電性の金属被覆または複合金属被覆がニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、亜鉛、金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウム、インジウムおよびそれらの合金からなる群から選ばれた一つまたはそれ以上であり、そして前記炭素系コアが３５０〜１０００ミクロンの範囲内の平均サイズ、好ましくは４００〜８００ミクロンの範囲内の平均サイズを有する、前記方法。
【請求項１０】
金属被覆、複合金属被覆またはそれらの合金が被覆粒子の２０〜９０重量％、好ましくは約４０〜９０重量％を構成し、そして／または、好ましくは、導電性金属がニッケルであり、そして中心の炭素系コアが約６００ミクロンの平均粒子サイズを有する天然黒鉛または合成黒鉛であり、前記ニッケルが被覆粒子の約６０重量％を構成し、そして導電性充填剤が複合材料の約３０容積％を構成し、そして／または、好ましくは、複合金属被覆が、炭素系コアを被覆するニッケル、銅、アルミニウム、錫、コバルト、インジウムおよび亜鉛からなる群から選ばれた非貴金属、好ましくはニッケル、と、該非貴金属被覆を包み込む金、銀、白金、パラジウム、ロジウム、イリジウムおよびそれらの合金からなる群から選ばれた貴金属、好ましくは金または銀、とから構成され、そして／または、好ましくは、ポリマーはシリコーンであり、そして複合材料が炭素系コアを被覆するニッケルと該ニッケルを包み込む金または銀とを含んでおり、そして／または、好ましくは、粒状充填剤が更に、２０〜２００ミクロンの範囲の大きさを有する銀被覆ガラス球によって代表される粒状の導電性充填剤１〜３０重量％を含んでいる、請求項９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインモードで表示パネルのメイン表示部に第１光を出射して、サブモードでオフされる第１バックライトユニットと、
メインモード及びサブモードで前記表示パネルのサブ表示部に第２光を出射する第２バックライトユニットと、
前記第１バックライトユニットと前記第２バックライトユニットとの間に配置された光遮断部材と、を有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記第１バックライトユニットは、前記第１光を出射する第１光源、及び前記第１光を前記メイン表示部に導く第１光ガイドユニットを含み、
前記第２バックライトユニットは、前記第２光を出射する第２光源、及び前記第２光を前記サブ表示部に導く第２光ガイドユニットを含むことを特徴とする請求項１記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
第１光を出射する第１光源及び該第１光と異なる色を有する第２光を出射する第２光源を含む光源ユニットと、
前記光源ユニットから提供された前記第１光及び第２光を導いて出射する光ガイドユニットと、を有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記第１光源は、白色光を出射する第１発光ダイオードを含み、
前記第２光源は、赤色光、緑色光、及び青色光のうち、いずれか一つの光を出射する第２発光ダイオードを含むことを特徴とする請求項３記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記光源ユニット及び光ガイドユニットを収納する収納容器を更に有し、
前記光ガイドユニットは、
前記収納容器の底板に配置される導光板と、
前記導光板上に配置され前記導光板から出射する光の輝度均一性及び正面輝度を向上させる光学シートと、を含むことを特徴とする請求項３記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記第１光源及び第２光源に電源電流を供給する電源供給部を更に有し、
前記電源供給部は、メインモード時、前記第１光源の駆動のための電源電流を供給し、
サブモード時、前記第２光源の駆動のための電源電流を供給することを特徴とする請求項３記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記光源ユニット及び光ガイドユニットを収納する収納容器を更に有し、
前記光ガイドユニットは、
前記第１光源が配置され、前記第１光を導いて出射するメイン導光板と、
前記第２光源が配置され、前記第２光を導いて出射するサブ導光板と、
前記メイン導光板及びサブ導光板上に配置された光学シートと、を含むことを特徴とする請求項３記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記収納容器は、底板、及び前記底板から前記メイン導光板及びサブ導光板の間に突出して形成された遮断壁を含むことを特徴とする請求項７記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記光ガイドユニットは前記メイン導光板とサブ導光板との間に配置され、前記メイン導光板とサブ導光板との間に光が流出することを遮断する反射膜を更に含むことを特徴とする請求項７記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
選択的にメイン画像データを表示するメイン表示部、及び常時に付加画像データを表示するサブ表示部を含む表示パネルと、
前記メイン表示部に第１光を出射する第１バックライトユニット、及び前記サブ表示部に第２光を出射する第２バックライトユニットを含むバックライトアセンブリと、
メインモード時、前記第１バックライトユニットに駆動電源を提供し、メインモード及びサブモード時、前記第２バックライトユニットに駆動電源を提供するように前記第１及び第２バックライトユニットを制御する駆動回路部と、を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、バックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置に係り、より詳細には、消費電力が低減されたバックライトアセンブリ及びこれを有する表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、
前記スイッチング素子と前記光電変換素子との間に配置された絶縁層と、を備えた光電変換装置であって、
前記光電変換素子上の一部に、前記スイッチング素子の位置に対応する領域を有するように配置された、前記スイッチング素子の位置を示すための部材を有することを特徴とする電磁波検出装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有し、
前記部材の位置は、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記ゲート電極に対応する上方に配置されることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項３】
前記部材は、絶縁性部材であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項４】
前記部材は、光透過性部材であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項５】
前記部材は、金属材料であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項６】
前記部材は、絶縁性の有機膜であることを特徴とする請求項１に記載の電磁波検出装置。
【請求項７】
前記光透過性部材は、導電性部材であることを特徴とする請求項４に記載の電磁波検出装置。
【請求項８】
前記部材は、レーザー照射時のガイドとなることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電磁波検出装置。
【請求項９】
前記スイッチング素子はＴＦＴであることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電磁波検出装置。
【請求項１０】
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に配置されたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、
前記スイッチング素子と前記光電変換素子との間に配置された絶縁層と、
前記光電変換素子上に配置された、放射線を光に変換する波長変換体と、を有する放射線検出装置であって、
前記光電変換素子と前記波長変換体との間の一部に、前記スイッチング素子の位置に対応する領域を有するように配置された、前記スイッチング素子の位置を示すための部材を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１１】
前記光電変換素子は、ＭＩＳ型の光電変換素子であることを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
前記光電変換素子は、ＰＩＮ型の光電変換素子であることを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出装置。
【請求項１３】
前記波長変換体は、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｇｄ２Ｏ３及びＣｓＩのうちのいずれか１つを主成分とする材料からなることを特徴とする請求項１０に記載の放射線検出装置。
【請求項１４】
請求項１０から１３のいずれか１項に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１５】
絶縁性基板上に配置されたＴＦＴと、
該ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、
前記ＴＦＴと前記変換素子との間に配置された絶縁層と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法において、
前記変換素子上の一部に配置された、前記ＴＦＴの位置を示すための部材をガイドとして利用して、前記ＴＦＴと配線とを切断することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項１６】
絶縁性基板上に配置されたＴＦＴと、
該ＴＦＴ上に配置された光を電気信号に変換するための光電変換素子と、
前記ＴＦＴと前記光電変換素子との間に配置された絶縁層と、
該光電変換素子上に放射線を光に変換する波長変換体と、を有する放射線検出装置のレーザ加工方法において、
前記光電変換素子上の一部に配置された、前記ＴＦＴの位置を示すための部材をガイドとして利用して、前記ＴＦＴと配線とを切断することを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項１７】
絶縁基板上に配置されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、前記ＴＦＴと前記変換素子との間に配置された絶縁層と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法において、
前記変換素子上の一部に前記ＴＦＴの位置を示すための部材を設ける工程と、
欠陥を有するスイッチング素子の前記部材を認識する工程と、
認識した前記部材にレーザを照射する工程と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、絶縁性基板と、絶縁性基板上に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、前記スイッチング素子と前記光電変換素子との間に配置された絶縁層と、を備え、前記光電変換素子上の一部に、前記スイッチング素子の位置に対応する領域を有するように配置された、前記スイッチング素子の位置を示すための部材を含む電磁波検出装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、絶縁性基板と、絶縁性基板上に配置されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された光電変換素子と、前記スイッチング素子と前記光電変換素子との間に配置された絶縁層と、前記光電変換素子上に配置された放射線を光に変換する波長変換体と、を備え、前記光電変換素子と前記波長変換体との間の一部に、前記スイッチング素子の位置に対応する領域を有するように配置された、前記スイッチング素子の位置を示すための部材を含む放射線検出装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、絶縁性基板と、絶縁性基板上に配置されたＴＦＴと、前記ＴＦＴ上に配置された電磁波を電気信号に変換するための変換素子と、前記ＴＦＴと前記変換素子との間に配置された絶縁層と、を有する電磁波検出装置のレーザ加工方法は、前記変換素子上の一部に前記ＴＦＴの位置を示すための部材を設ける工程と、欠陥を有するスイッチング素子の前記部材を認識する工程と、認識した前記部材にレーザを照射する工程と、を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、本発明により副産物的な効果として、ドライブレコーダでは事故当事者のあやふやな記憶などに頼らざる負えない部分がクリアになるため、警察での実況見分の効率化、損害保険会社の事故調査費の大幅な圧縮、従来であれば加害者の「逃げ徳」になってしまうような事故などでも、そのデータが証拠として採用されることにより、被害者の精神的な苦悩を大幅に軽減できるものと考える。また、これにより損害保険会社などの事故調査費用などを著しく軽減させることができるため、その発明での車載主装置などを搭載した車両の保険掛金割引などの優遇などのメリットも生まれる可能性があり、事故や犯罪、救急を扱う公的機関だけでなく、損害保険会社やその顧客にまでメリットを生むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に消去及びプログラム可能な不揮発メモリを有する不揮発性メモリ記憶装置からデータを読み出すための方法であって、
（Ａ）前記記憶装置のシステムインターフェースユニットと、ホストコンピュータとの間において、外部バスを介してコマンドを伝達し合い、ここで、該コマンドは、該記憶装置の該不揮発性メモリからデータを読み出すためのリードコマンドを含むものであり、
（Ｂ）前記システムインターフェースユニットによって前記ホストコンピュータから受け取ったコマンドを、前記記憶装置のコントローラにより分析し、ここで、該記憶装置内において実行されることになる動作を該コントローラが制御し、
（Ｃ）受け取ったコマンドが、前記ホストコンピュータからのリードコマンドを含むことを、前記コントローラにより検出し、及び、
（Ｄ）前記記憶装置の前記不揮発性メモリに結合されたエラー訂正ユニットによる誤り検出及び誤り訂正動作の後に前記不揮発性メモリの第１の部分から前記ホストコンピュータへと前記システムインターフェースユニットを介したデータのデータ転送と、前記不揮発性メモリの第２の部分から前記エラー訂正ユニットへの前記誤り検出及び誤り訂正動作のための後続するデータのデータ転送との並行動作を、前記ホストコンピュータからの前記リードコマンドに応答して前記コントローラが実行する
ことを含むことからなる、方法。
【請求項２】
前記不揮発性メモリの前記第１の部分が、第１のメモリを含み、
前記不揮発性メモリの前記第２の部分が、第２のメモリを含むことからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
データ切り替え手段が、前記第１のメモリのメモリバスを、前記システムインターフェースユニットと前記エラー訂正ユニットとのうちの一方に選択的に接続し、及び前記第２のメモリのメモリバスを、他方に選択的に接続し、
前記ホストコンピュータからのリードコマンドに応答して、前記コントローラが、前記データ切り替え手段に切り替えを行わせている間、前記コントローラが、前記第１及び第２のメモリのセクタデータを読み出すことからなる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ホストコンピュータからのライトコマンドに応答して、書き込みバッファが、一時的にセクタデータを格納することを含み、
前記セクタデータが、前記書き込みバッファを介して前記第１及び第２メモリ内へと各能されることからなる、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記不揮発性メモリの第１の部分が、上位メモリ部分を含み、前記不揮発性メモリの第２の部分が、下位メモリ部分を含み、前記ホストコンピュータからのライトコマンドに応答して前記コントローラが、前記ライトコマンドに付随した複数のセクタデータのうちの奇数番目のセクタデータを前記不揮発性メモリの前記上位メモリ部分内へと格納し、及び偶数番目のセクタデータを前記不揮発性メモリの前記下位メモリ部分内へと格納し、
前記ホストコンピュータからのリードコマンドに応答して前記コントローラが、該リードコマンドにより要求された複数のセクタデータのうちの第１のセクタデータを、前記上記メモリ部分から読み出して、前記エラー訂正ユニットに提供し、その後、前記コントローラが、前記上位メモリ部分と前記下位メモリ部分のセクタデータの読み出しを同時に行い、その結果、Ｎ番目（Ｎは自然数）のセクタデータが、前記上位メモリ部分と前記下位メモリ部分とのうちの一方から前記システムインターフェースユニットへと転送される間、Ｎ＋１番目のセクタデータが、他方から前記エラー訂正ユニットへと転送されることからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記データ切り替え手段が、上位メモリバスを、前記システムインターフェースユニットと前記エラー訂正ユニットとのうちの一方に選択的に接続し、下位メモリバスを、他方に選択的に接続し、
前記ホストコンピュータからのリードコマンドに応答して、前記コントローラが、前記データ切り替え手段に切り替えを行わせている間、前記コントローラが、前記上位メモリ部分と前記下位メモリ部分のセクタデータを読み出すことからなる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ホストコンピュータからのライトコマンドに応答して、書き込みバッファが、一時的にセクタデータを格納し、
前記セクタデータが、前記書き込みバッファを介して前記上記メモリ部分内及び前記下位メモリ部分内へと格納されることからなる、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記不揮発性メモリの前記第１の部分から転送されたデータが、前記ホストコンピュータに転送される前にバッファメモリ内に一時的に格納されることからなる、請求項１か、４か、又は７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を処理するように動作する処理装置と情報を通信するためのインターフェースと、
それぞれ１つのタイプの光学媒体と関連付けられている複数のレーザと、
光学ドライブと関連付けられており、複数のレーザの第１のものによって光学媒体を照射して複数のレーザの第２のものと関連があるとして光学媒体に埋設された光学媒体を識別する情報を検出するように動作する光学媒体識別モジュールとを具備している光学媒体を受取る準備がなされている光学ドライブにおいて、
前記光学媒体識別モジュールは、第１のレーザが第２のレーザに関連付けされている識別情報を検出できない場合に複数のレーザの第１のものに関連付けされている検出アルゴリズムを実行するように動作し、
前記光学媒体識別モジュールは、前記検出アルゴリズムが第１のレーザに関連付けされている識別情報を検出できない場合に第３のレーザによって複数のレーザの第３のものに関連付けされている検出アルゴリズムを実行するように動作する光学ドライブ。
【請求項２】
第１のレーザは赤色レーザで構成され、第２のレーザは青色レーザで構成されている請求項１記載の光学ドライブ。
【請求項３】
光学媒体識別モジュールはさらに、赤色レーザが青色レーザに関連した識別情報を検出した場合に、光学媒体に対する青色レーザの使用を開始するように動作する請求項２記載の光学ドライブ。
【請求項４】
第１のレーザはＩＲレーザで構成され、第２のレーザは青色レーザで構成されている請求項１記載の光学ドライブ。
【請求項５】
光学媒体識別モジュールはさらに、ＩＲレーザが青色レーザに関連した識別情報を検出した場合に、光学媒体に対する青色レーザの使用を開始するように動作する請求項４記載の光学ドライブ。
【請求項６】
光学媒体識別モジュールはさらに、赤外線レーザが青色レーザに関連した識別情報の検出に失敗した場合に、ＣＤ検出アルゴリズムを行うように動作する請求項５記載の光学ドライブ。
【請求項７】
複数のレーザはさらに赤色レーザを含み、光学媒体識別モジュールはさらに、ＣＤ検出アルゴリズムが光学媒体をＣＤとして識別できなかった場合に、赤色レーザによりＤＶＤ検出アルゴリズムを行うように動作する請求項６記載の光学ドライブ。
【請求項８】
光学媒体を照射するために複数のレーザの第１のレーザを選択し、
その第１のレーザにより、複数のレーザの第２のレーザと関連付けられた光学媒体から識別情報の読出しを試み、
第１のレーザによる識別情報を読出す試みが成功した場合、その識別情報にしたがって第２のレーザの使用を開始し、
識別情報を読出す試みが失敗した場合、第１のレーザにより検出アルゴリズムを行い、この第１のレーザ検出アルゴリズムによって光学媒体を第１のレーザに関連したものとして識別することを試み、
第１のレーザ検出アルゴリズムが成功した場合、第１のレーザの使用を開始し、
第１のレーザ検出アルゴリズムが失敗した場合、第３のレーザにより検出アルゴリズムを行い、この第３のレーザ検出アルゴリズムによって光学媒体を第３のレーザと関連したものとして識別することを試みる、複数のレーザを有する光学ドライブ中に挿入される光学媒体を識別する方法。
【請求項９】
第１のレーザは赤色レーザを含み、第２のレーザは青色レーザを含み、第３のレーザは赤外線レーザを含んでいる請求項８記載の方法。
【請求項１０】
第１のレーザは赤外線レーザを含み、第２のレーザは青色レーザを含み、第３のレーザは赤色レーザを含んでいる請求項８記載の方法。
【請求項１１】
第１のレーザと関連付けられた光学媒体はＤＶＤを含み、第３のレーザと関連付けられた光学媒体はＣＤを含んでいる請求項８記載の方法。
【請求項１２】
第１のレーザと関連付けられた光学媒体はＣＤを含み、第３のレーザと関連付けられた光学媒体はＤＶＤを含んでいる請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電記録プロセスにより記録媒体上に形成された樹脂微粒子を記録媒体に定着させるフォーム状の定着液であって、
前記フォーム状の定着液は、前記樹脂微粒子の少なくとも一部を溶解又は膨潤させて前記樹脂微粒子を軟化させる軟化剤と、起泡剤及び増泡剤とを含有することを特徴とする定着液。
【請求項２】
前記定着液は、前記軟化剤を希釈する希釈溶媒を含有する請求項１記載の定着液。
【請求項３】
前記軟化剤は、前記希釈溶媒に溶解している請求項２記載の定着液。
【請求項４】
前記軟化剤は、前記希釈溶媒に分散している請求項２記載の定着液。
【請求項５】
前記定着液に、液化ガス又は圧縮ガスを溶解又は分散する請求項１〜４のいずれかに記載の定着液。
【請求項６】
前記軟化剤は、脂肪族エステルを含む請求項１〜４のいずれかに記載の定着液。
【請求項７】
前記脂肪族エステルは、飽和脂肪族エステルを含む請求項６記載の定着液。
【請求項８】
前記飽和脂肪族エステルは、一般式
Ｒ１ＣＯＯＲ２
で表される化合物を含み、
Ｒ１は、炭素数が１１以上１４以下のアルキル基であり、
Ｒ２は、炭素数が１以上６以下のアルキル基である請求項７記載の定着液。
【請求項９】
前記脂肪族エステルは、脂肪族ジカルボン酸エステルを含む請求項６記載の定着液。
【請求項１０】
前記脂肪族ジカルボン酸エステルは、一般式
Ｒ３（ＣＯＯＲ４）２
で表される化合物を含み、
Ｒ３は、炭素数が３以上８以下のアルキレン基であり、
Ｒ４は、炭素数が２以上５以下のアルキル基である請求項９記載の定着液。
【請求項１１】
前記脂肪族エステルは、脂肪族ジカルボン酸ジアルコキシアルキルを含む請求項６記載の定着液。
【請求項１２】
前記脂肪族ジカルボン酸ジアルコキシアルキルは、一般式
Ｒ５（ＣＯＯＲ６−Ｏ−Ｒ７）２
で表される化合物を含み、
Ｒ５は、炭素数が２以上８以下のアルキレン基であり、
Ｒ６は、炭素数が２以上４以下のアルキレン基であり、
Ｒ７は、炭素数が１以上４以下のアルキル基である請求項１１記載の定着液。
【請求項１３】
前記軟化剤の希釈溶媒は、水及び１価もしくは多価のアルコール類を含む請求項１〜１２のいずれかに記載の定着液。
【請求項１４】
前記軟化剤の希釈溶媒は、オレフィン系化合物を含む請求項１〜１２のいずれかに記載の定着液。
【請求項１５】
前記軟化剤の希釈溶媒は、ジメチルシリコーンを含む請求項１〜１２のいずれかに記載の定着液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記問題点を解決するために、本発明の定着液は、静電記録プロセスにより記録媒体上に形成された樹脂微粒子を記録媒体に定着させるフォーム状の定着液であって、このフォーム状の定着液は、樹脂微粒子の少なくとも一部を溶解又は膨潤させて樹脂微粒子を軟化させる軟化剤と、起泡剤及び増泡剤とを含有することに特徴がある。よって、フォーム状の定着液の気泡をより細かく、また粒径の均一性に優れた気泡層が形成でき、定着の信頼性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単繊維繊度が０．０００１〜０．５ｄｔｅｘの不織布の少なくとも一方の表面に、シロキサン結合を有するウレタン樹脂Ａが非膜状に独立分散して存在し、付着した樹脂Ａの最大内接円の径が１００μｍ以下であることを特徴とする立毛調シート。
【請求項２】
前記樹脂Ａの含有率が前記不織布の繊維重量に対し０．１〜１０重量％であることを特徴とする請求項１に記載の立毛調シート。
【請求項３】
前記不織布を構成する極細繊維の繊維長が１０〜１００ｍｍであることを特徴とする請求項１および２のいずれか１項に記載の立毛調シート。
【請求項４】
洗濯試験後における耐摩耗性評価において、外観が３級以上であり、減量が１０ｍｇ以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の立毛調シート。
【請求項５】
ドライクリーニング試験後における耐摩耗性評価において、外観が３級以上であり、減量が１０ｍｇ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の立毛調シート。
【請求項６】
ニードルパンチ法により単繊維繊度が１〜５０ｄｔｅｘの複合繊維からなる不織布Ｂを製造し、次いで極細繊維発現処理により、単繊維繊度が０．０００１〜０．５ｄｔｅｘの極細繊維からなる不織布Ｃとし、さらに高速流体処理を行って、不織布Ｄとした後、シロキサン結合を有するウレタン樹脂Ａを０．１〜１０重量％付与することを特徴とする立毛調シートの製造方法。
【請求項７】
前記不織布Ｄを染色した後にシロキサン結合を有するウレタン樹脂Ａを付与することを特徴とする請求項６に記載の立毛調シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するため、主として以下の構成を有する。すなわち本発明の立毛調シートは、単繊維繊度が０．０００１〜０．５ｄｔｅｘの極細繊維不織布の少なくとも一方の表面に、シロキサン結合を有するウレタン樹脂Ａが非膜状に独立分散して存在し、付着した樹脂Ａの最大内接円の径が１００μｍ以下であることを特徴とするものである。
また、本発明の立毛調シートの製造方法は、ニードルパンチ法により単繊維繊度が１〜５０ｄｔｅｘの複合繊維からなる不織布Ｂを製造し、次いで極細繊維発現処理により、単繊維繊度が０．０００１〜０．５ｄｔｅｘの極細繊維からなる不織布Ｃとし、さらに高速流体処理を行って、極細繊維不織布Ｄとした後、シロキサン結合を有するウレタン樹脂Ａを０．１〜１０重量％付与することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】クリーニングドクター装置、並びにこれを用いた家庭用薄葉紙の製造方法及びこの方法により製造された家庭用薄葉紙
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２５℃±２℃、５５％±５％ＲＨの条件下において二軸張架ロールで５％伸長した際、下記式（１）で表される張架力減衰率が５０％未満であることを特徴とする半導電性ゴムベルト。
張架力減衰率（％）＝｛（初期張架力−２年後の張架力予測値）／初期張架力｝×１００  …式（１）
（ここで、２年後の張架力予測値とは、前記条件下において３０日間張架力測定を行った結果から得られる対数近似式より計算される値である。）
【請求項２】
イオン伝導性及び／又は電子伝導性の導電剤を含有することを特徴とする請求項１に記載の半導電性ゴムベルト。
【請求項３】
表面に１層以上の層を有する請求項１又は２に記載の半導電性ゴムベルト。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の半導電性ゴムベルトを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
前記半導電性ゴムベルトを中間転写ベルト及び／又は用紙搬送ベルトとして備えることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
半導電性ゴムベルトを形成した後に、該半導電性ゴムベルトを２％以上伸長した状態で加熱処理を行う加熱工程を有することを特徴とする半導電性ゴムベルトの製造方法。
【請求項７】
半導電性ゴムベルト表面に１層以上の層を形成した後に前記加熱工程を行うことを特徴とする請求項６に記載の半導電性ゴムベルトの製造方法。