【手続補正書】
【提出日】平成21年7月1日(2009.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に凹部が設けられた基板上に、前記一方の面および前記凹部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板の凹部と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記凹部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記ソースおよびドレイン領域の一方と接続し、前記凹部に形成されるように、前記層間絶縁膜上、前記第１の開口部および前記第２の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた前記導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
一方の面に凹部が設けられた基板上に、前記一方の面および前記凹部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板の凹部と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第１の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記凹部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記第２の開口部に形成されるように、前記層間絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の開口部より前記第２の開口部を大きく形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記凹部は、前記基板にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の開口部は、レーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、前記基板の一方の面および前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記第１の開口部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第３の開口部を形成し、
前記第２の開口部を介して前記ソースおよびドレイン領域の一方と接続し、前記第３の開口部に形成されるように、前記層間絶縁膜上、前記第２の開口部および前記第３の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第３の開口部に設けられた前記導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
一方の面から他方の面に貫通する第１の開口部が設けられた基板上に、前記基板の一方の面および前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第２の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第２の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記第１の開口部上に設けられるように、前記層間絶縁膜に第３の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記第３の開口部に形成されるように、前記層間絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第３の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第２の開口部より前記第３の開口部を大きく形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の開口部は、前記基板にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第３の開口部は、レーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２または請求項７において、
前記第２の導電膜は、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面に凹部が形成されるように第２の開口部を形成し、
前記ソースおよびドレイン領域の一方と接続し、前記凹部に形成されるように、前記層間絶縁膜上、前記第１の開口部および前記第２の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面から他方の面に貫通するように第２の開口部を形成し、
前記ソースおよびドレイン領域の一方と接続し、前記第２の開口部における基板に接するように、前記層間絶縁膜上、前記第１の開口部および前記第２の開口部に導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第１の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面に凹部が形成されるように第２の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記凹部に形成されるように、前記層間絶縁膜上および前記第２の開口部に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にソースおよびドレイン領域を有する薄膜トランジスタを形成し、
前記基板と前記薄膜トランジスタを覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記薄膜トランジスタのソースおよびドレイン領域の一方に達するように、前記層間絶縁膜に第１の開口部を形成し、
前記層間絶縁膜上および前記第１の開口部に第１の導電膜を形成し、
前記第１の開口部と異なる位置に、前記基板の一方の面から他方の面に貫通するように第２の開口部を形成し、
前記第１の導電膜と接続し、前記第２の開口部における基板と接するように、前記層間絶縁膜上および前記第２の開口部に第２の導電膜を形成し、
前記基板を他方の面から薄膜化することによって、前記第２の開口部に設けられた前記第２の導電膜の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
前記第２の導電膜は、スクリーン印刷法、液滴吐出法またはディスペンサ法で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の開口部より前記第２の開口部を大きく形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記第２の開口部は、前記基板にレーザ光を照射して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記基板の薄膜化は、研削処理、研磨処理または化学処理によるエッチングにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。