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【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直に延長する第１電極プラグと、
水平的に配置されて前記第１電極プラグの上部面を覆い、前記第１電極プラグを覆う部分の最小幅が前記第１電極プラグの直径より大きい抵抗メモリ要素パターンと、
前記抵抗メモリ要素パターン上に配置される第２電極と、を含むことを特徴とする抵抗メモリセル。
【請求項２】
前記第１電極プラグの直径は前記第２電極の最小幅より小さいことを特徴とする請求項１に記載の抵抗メモリセル。
【請求項３】
前記抵抗メモリ要素パターンは、ぺロブスカイト結晶相を示す絶縁物質、遷移金属酸化物、またはこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の抵抗メモリセル。
【請求項４】
前記第１電極プラグと前記抵抗メモリ要素パターンの重畳による面積は前記第２電極と前記抵抗メモリ要素パターンの重畳による面積より小さいことを特徴とする請求項３に記載の抵抗メモリセル。
【請求項５】
前記第２電極の最小幅は前記抵抗メモリ要素パターンの最小幅より広いことを特徴とする請求項３に記載の抵抗メモリセル。
【請求項６】
前記第１電極プラグは絶縁膜に形成されたコンタクトホール内に位置し、
前記コンタクトホールと前記第１電極プラグとの間に絶縁性スペーサが位置することを特徴とする請求項３に記載の抵抗メモリセル。
【請求項７】
前記第１電極プラグは前記コンタクトホールの一部を満たし、
前記抵抗メモリ要素パターンは前記コンタクトホールの残りの部分を満たすことを特徴とする請求項６に記載の抵抗メモリセル。
【請求項８】
互いに平行する複数個の第１電極ラインと、
前記第１電極ラインと直交して互いに平行する複数個の第２電極ラインと、
互いに向き合う前記第１電極ライン及び前記第２電極ラインの面のうちのいずれか一つの電極ラインの面に各々配置された抵抗メモリ要素パターンと、
前記第１電極ラインと第２電極ラインとが交差する部分で前記第１電極ラインまたは前記第２電極ラインのうちのいずれか一つと前記抵抗メモリ要素パターンを連結する複数個の電極プラグと、を含むことを特徴とする抵抗メモリ配列。
【請求項９】
絶縁膜によって絶縁されて、積層され、隣接する層の間で互いに交差するように配置される互いに平行する複数個の電極ラインと、
前記各層の電極ラインと絶縁膜との間に配置された抵抗メモリ要素パターンと、
前記交差する電極ラインの交点部分の絶縁膜を貫通して隣接する層の電極ライン及び抵抗メモリ要素パターンを連結させる複数個の電極プラグと、を含むことを特徴とする多層抵抗メモリ配列。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の機能素子が構成されている半導体装置において、
前記基板の周囲に沿って配され、前記複数の機能素子の駆動配線を含む回路に接続され、導電検査時に基準電圧が印加される周囲配線を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記周囲配線は前記基板の切断結果の良否をチェックするための配線である半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、前記周囲配線は導電検査のためのパット部に接続されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記基板上に、前記機能素子としてＴＦＴ素子と光電変換素子とが構成されており、前記周囲配線は、該光電変換素子のバイアス配線と接続されている半導体装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記基板はガラス基板である半導体装置。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置において、前記機能素子上に蛍光体を有する半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記多重共振器は、３つの共振素子を直列接続した構造であり、
前記共振素子の光路長をＬ０，Ｌ１，Ｌ２、バーニヤ次数をＭ１＞１，Ｍ２＞１、前記光路長
2006279030.tif 000001
とし、変化した光路長を一波長分の光路長によって規格化した位相量Phaseであって、光路長が変更される２つの共振素子に対するそれぞれの位相量PhaseをPhaseM1，PhaseM2とした場合、
前記波長可変手段は、
前記位相量PhaseM1，PhaseM2の増減分を
2006279030.tif 000002
の傾きをもつ一次関数に基づいて制御することを特徴とする請求項１に記載の波長可変共振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
波長可変光源１０は、波長可変手段１６，１７，１８の制御の下に多重リング共振器２０とＳＯＡ１５とによって、所望の波長を自由に選択することができる。基本となるリング共振素子２１の光路長Ｌ0は、例えばＦＳＲが５０ＧＨｚになるように約４ｍｍ程度に設定する。このとき、リング共振素子２２，２３の光路長Ｌ1，Ｌ2は、バーニヤ次数Ｍ1，Ｍ2を用いて、
2006279030.tif 000003
2006279030.tif 000004
の式から与えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
ＴＯ位相シフタ１６，１７の温度特性を利用して、リング共振素子２２，２３相互の光路長を同時に変更して多重共振器の共振波長を制御する。リング共振素子２１，２２，２３の光路長をＬ０，Ｌ１，Ｌ２、バーニヤ次数をＭ１＞１，Ｍ２＞１、前記光路長
2006279030.tif 000005
とし、変化した光路長を一波長分の光路長によって規格化した位相量Phaseであって、光路長が変更される２つのリング共振素子２２，２３に対するそれぞれの位相量をPhaseM1，PhaseM2とした場合、
前記波長可変手段（１６，１７，１８）は、
前記位相量PhaseM1，PhaseM2の増減分を
2006279030.tif 000006
傾きをもつ一次関数に基づいて制御する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
エッチングガスの雰囲気下において、物理的な力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を前記基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチングガスを吹きつけて前記剥離層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記剥離層を除去する際に前記エッチングガスを吹き付けるノズルによって前記基板を押さえることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記基板に対し前記エッチングガスを吹き付けるノズルを相対的に移動させながら前記剥離層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
エッチング液中において、物理的な力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を前記基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対してエッチング液を供給して前記剥離層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
第１のエッチング液中において、物理的な力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を前記基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対して第２のエッチング液を供給して前記剥離層を除去し、
前記第２のエッチング液は、前記第１のエッチング液よりも前記剥離層と反応する成分の含有量が多いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
第１のエッチング液中において、物理的な力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を前記基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対して第２のエッチング液を供給して前記剥離層を除去し、
前記第２のエッチング液の温度は、前記第１のエッチング液の温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜集積回路を含む被剥離層を形成し、
第１のエッチング液中において、物理的な力を加えて前記剥離層上に設けられた被剥離層を前記基板から剥離しつつ、同時に、前記剥離層に対して第２のエッチング液を供給して前記剥離層を除去し、
前記剥離しながら前記被剥離層を前記第１のエッチング液中から引き上げることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記剥離層は、Ｓｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｄ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１及至８のいずれか一において、前記被剥離層を形成した後に被剥離層の一部に開口部を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記開口部をエッチング処理またはレーザアブレーション処理で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、アンテナを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記物理的な力は、電気によって操作される装置によって加えられることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月30日(2009.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面モータを用いて基板を搭載した可動子を駆動するステージ装置を備える露光装置であって、前記ステージ装置はコイル群を有する固定子ユニットと、前記固定子ユニット上を移動する可動子とを有し、前記固定子ユニットは、前記基板を露光するための第１領域と、前記基板をアライメント計測するための第２領域とを有し、前記第１領域のコイル群と前記第２領域のコイル群は独立に温調されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記固定子ユニット内のコイル群は、前記コイル群を包囲する冷却ジャケット内で冷媒を循環することによって冷却されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記コイル群を冷却する冷媒は、前記第１領域と前記第２領域で冷媒の流れる方向が異なることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記コイル群を冷却する冷媒は、前記第１領域と前記第２領域で冷媒の流量、温度、媒体のうち少なくとも１つが異なることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１領域で前記コイル群を冷却する冷却量は、前記第２領域で前記コイル群を冷却する冷却量よりも大きいことを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記固定子ユニットは、前記第１領域と前記第２領域で分割されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記可動子は２つの可動子からなり、該２つの可動子は前記第１領域と前記第２領域で入れ替え可能に構成されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記可動子は、前記固定子ユニットと対向する面に磁石群を有し、該磁石群は前記固定子ユニットのコイル群との間で力を発生することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
デバイス製造方法であって、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
カメラボディ側にストロボを有するカメラでは、カメラボディから突出するレンズ鏡筒やレンズフード等によって、ストロボが発光する光の一部が遮られる（けられる）おそれがある。特に、ストロボ装置がカメラボディに内蔵されたタイプでは、ストロボと撮影レンズの位置が近接しているのでストロボ光が遮られやすい。この対策として、特開平４−３５５７３６号公報や特開平５−２８８９７７号公報のように、撮影時の焦点距離等の情報に基づいてストロボ光のけられの発生可能性を判定し、発生が予想される場合に警告を出す機能を備えたカメラが提案されている。具体的には、レンズ鏡筒によってストロボ光のけられが発生するか否かを決める条件は、ストロボの位置、焦点距離、撮影距離、及びレンズ鏡筒先端部（フィルタ枠やレンズフードを含む）の位置であり、これらの条件をデータとして読み込んでストロボ光のけられの発生を予想していた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  結晶性ポリオレフィン、架橋剤及び発泡剤を含有する樹脂組成物からなる連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法であって、上記結晶性ポリオレフィンを１００質量部とした場合に、又は非晶性ポリオレフィンを併用するときは該結晶性ポリオレフィンと該非晶性ポリオレフィンとの合計量を１００質量部とした場合に、上記架橋剤は０．８〜３．０質量部であり、上記樹脂組成物を、常圧下、加熱し、架橋、発泡させて発泡体とする架橋・発泡工程を備えることを特徴とする連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項２】  上記架橋・発泡工程の後、上記発泡体を圧縮して破泡させる請求項１記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項３】  上記発泡剤が分解しない状態で、上記架橋剤を分解させ、架橋することにより、上記樹脂組成物の粘度を制御しながら、該発泡剤を分解させ、発泡させる請求項１又は２に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項４】  上記発泡剤の分解温度が、上記架橋剤の分解温度より１０〜３０℃高い請求項１乃至３のいずれか１項に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項５】  一段発泡法により発泡させる請求項１乃至４のいずれか1項に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項６】  上記発泡剤の分解温度が、上記架橋剤の分解温度より１０〜３０℃高く、該発泡剤が分解しない状態で、該架橋剤を分解させ、架橋することにより、上記樹脂組成物の粘度を制御しながら、該発泡剤を分解させ、一段発泡法により発泡させ、上記架橋・発泡工程の後、上記発泡体を圧縮して破泡させる請求項１に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項７】  上記架橋剤の含有量が０．９〜１．８質量部である請求項１乃至６のいずれか１項に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【請求項８】  上記結晶性ポリオレフィンが、エチレン−酢酸ビニル共重合体及び／又はエチレン−アクリル酸エステル共重合体である請求項１乃至７のいずれか1項に記載の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法は、結晶性ポリオレフィン、架橋剤及び発泡剤を含有する樹脂組成物からなる連続気泡架橋ポリオレフィン発泡体の製造方法であって、上記結晶性ポリオレフィンを１００質量部とした場合に、又は非晶性ポリオレフィンを併用するときは該結晶性ポリオレフィンと該非晶性ポリオレフィンとの合計量を１００質量部とした場合に、上記架橋剤は０．８〜３．０質量部であり、上記樹脂組成物を、常圧下、加熱し、架橋、発泡させて発泡体とする架橋・発泡工程を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の連続気泡発泡体の製造方法では、結晶性ポリオレフィンを１００質量部とした場合に、又は非晶性ポリオレフィンを併用するときは該結晶性ポリオレフィンと該非晶性ポリオレフィンとの合計量を１００質量部とした場合に、０．８〜３．０質量部、好ましくは０．９〜１．８質量部と過剰量の架橋剤を配合する。このようにすれば、常圧下、加熱することにより、結晶性ポリオレフィンが架橋し、樹脂組成物の粘度が制御された状態で、発泡剤を分解させ、発泡させることができる。従って、外部から内部にかけての樹脂膜の厚さ及び気泡径等を均一にすることができ、発泡体の外部及び内部の気泡が同様に破泡し易くなり、均質な連続気泡発泡体とすることができる。尚、常圧下とは、特に加圧することなく、通常、大気圧下に架橋、発泡させることを意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を貯溜する第１の槽と、
前記第１の槽から液晶が移送される第２の槽とを備え、
前記第１の槽と前記第２の槽との圧力差により、前記第１の槽から前記第２の槽へ液晶を移送することを特徴とする液晶移送装置。
【請求項２】
前記第２の槽から液晶が移送される第３の槽を備え、
前記第２の槽と前記第３の槽との圧力差により、前記第２の槽から前記第３の槽へ液晶を移送することを特徴とする請求項１記載の液晶移送装置。
【請求項３】
前記第１の槽を、脱気前の液晶を貯溜する貯溜槽とし、
前記第２の槽を、液晶を減圧雰囲気下で脱気して貯溜すると共に減圧状態を解除可能な脱気槽とし、
前記第３の槽を、減圧雰囲気下において液晶装置の一方の基板上に液晶を供給する供給槽とすることを特徴とする請求項２記載の液晶移送装置。
【請求項４】
前記圧力差で移送される液晶の移送量を制御する制御部を設けることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶移送装置。
【請求項５】
前記第１又は第２の槽に貯溜される液晶の液面下に一端を配置する移送管で液晶を移送することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の液晶移送装置。
【請求項６】
前記移送管の一端を前記貯溜される液晶の底部近傍に配置することを特徴とする請求項５記載の液晶移送装置。
【請求項７】
前記供給槽へ移送するために前記脱気槽に貯溜される脱気後の液晶の液面下に前記移送管の一端を配置することを特徴とする請求項５又は６記載の液晶移送装置。
【請求項８】
前記脱気槽内に吐出された液晶が前記減圧雰囲気と接触しながら沿うように流れ、前記減圧雰囲気と液晶との接触を促進する接触促進部を備えることを特徴とする請求項３〜７の何れかに記載の液晶移送装置。
【請求項９】
前記接触促進部として、前記吐出された液晶が略放射状に拡がるように流れる吐出受面を有することを特徴とする請求項８記載の液晶移送装置。
【請求項１０】
前記吐出受面を回転させ、前記吐出受面の中心近傍に液晶を吐出することを特徴とする請求項９記載の液晶移送装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れかに記載の液晶移送装置で液晶を移送して液晶装置に充填することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶移送装置及び液晶装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を減圧雰囲気下で脱気する脱気槽と、
前記脱気槽内において、一方の面に液晶が供給されることにより、前記減圧雰囲気と液晶との接触を促進する接触促進部とを備えることを特徴とする液晶脱気装置。
【請求項２】
前記接触促進部は、前記吐出された液晶が略放射状に拡がるように流れる吐出受面を有することを特徴とする請求項１記載の液晶脱気装置。
【請求項３】
前記吐出受面を回転させ、前記吐出受面の中心近傍に液晶を吐出することを特徴とする請求項２記載の液晶脱気装置。
【請求項４】
前記吐出受面の回転速度を６００〜１５００ｒｐｍとすることを特徴とする請求項３記載の液晶脱気装置。
【請求項５】
前記吐出受面を撥水性の素材で形成することを特徴とする請求項２〜４の何れかに記載の液晶脱気装置。
【請求項６】
前記接触促進部は、前記吐出された液晶が伝って落下する落下面を有することを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の液晶脱気装置。
【請求項７】
前記吐出受面又は前記落下面の少なくとも一部に凹凸を形成することを特徴とする請求項６に記載の液晶脱気装置。
【請求項８】
前記接触促進部は、前記吐出された液晶が流れる溝経路を有することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の液晶脱気装置。
【請求項９】
前記脱気槽内に吐出される液晶が常温より昇温されていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載の液晶脱気装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかに記載の液晶脱気装置で脱気した液晶を液晶装置に充填することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶脱気装置及び液晶装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の液晶脱気装置は、液晶を減圧雰囲気下で脱気する脱気槽と、前記脱気槽内において、一方の面に液晶が供給されることにより、前記減圧雰囲気と液晶との接触を促進する接触促進部とを備えることを特徴とする。本発明によれば、液晶が接触促進部に沿うように流れ、表面積の大きい状態で減圧雰囲気と接触する時間が延び、減圧雰囲気と液晶の接触量が増加するので、高い処理能力で液晶を脱気することができる。更に、液晶が沿うように流れる接触促進部で脱気を促進できることから、脱気チューブに液晶を圧送するための圧送ポンプや、そのための配管等の器具が不要となり、装置の小型化による省スペース化、装置コストの低減を図ることができる。また、脱気槽内に所要量だけ液晶を吐出して脱気することが可能であり、脱気量に制限が無く、少量の液晶も脱気することができる。また、余剰の液晶の残存や、液晶への不純物混入の虞が無く、メンテナンス性にも優れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光束を射出する光源装置、前記光源装置からの前記照明光束を複数の部分光束に分割する複数の第１小レンズを有する第１レンズアレイ、前記第１レンズアレイの各第１小レンズに対応する第２小レンズを有する第２レンズアレイ及び前記第２レンズアレイからのそれぞれの光を被照明領域で重畳させる重畳レンズを有する照明装置と、
前記照明装置からの光を画像情報に応じて変調する電気光学変調装置と、
前記電気光学変調装置により変調された光を投写する投写光学系とを備え、
前記第２レンズアレイと前記重畳レンズとの間には、誘電体多層膜からなる光学フィルタが配置されていることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
請求項1に記載のプロジェクタにおいて、
前記照明装置は、前記第２レンズアレイと前記重畳レンズとの間に配置され、前記第２レンズアレイからのそれぞれの部分光束を略１種類の直線偏光成分を有する光に変換する偏光変換素子をさらに有し、
前記光学フィルタは、前記第２レンズアレイと前記偏光変換素子との間に配置されていることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載のプロジェクタにおいて、
前記光学フィルタは、ＵＶカットフィルタ、ＩＲカットフィルタ、ＮＤフィルタ又は色補正フィルタであることを特徴とするプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板上に設けられ、光信号の伝送を行う光導波路と、前記光信号を反射させるミラーと、を備えた光電気混載基板の製造方法であって、
前記配線基板上に平滑な傾斜面を有した絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
前記平滑な傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
前記絶縁部材とは別体とされた前記光導波路を準備する光導波路準備工程と、
前記ミラー形成工程後に、前記配線基板上に前記光導波路を接着する光導波路接着工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁部材形成工程は、前記絶縁部材の形状に対応する溝部を有すると共に、紫外線を透過させる絶縁部材形成用型体を準備する絶縁部材形成用型体準備工程と、
前記溝部と前記配線基板とが対向するように絶縁部材形成用型体を前記配線基板に押し当てた後、前記溝部に液状の紫外線硬化樹脂を充填する液状樹脂充填工程と、
前記配線基板に押し当てられた前記絶縁部材形成用型体を介して、前記液状の紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して、前記液状の紫外線硬化樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、
前記配線基板から前記絶縁部材形成用型体を取り外す絶縁部材形成用型体取外工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項３】
前記溝部に対応する部分の前記絶縁部材形成用型体の面は、平滑な面であることを特徴とする請求項２記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項４】
前記配線基板は、前記ミラーの形成領域に対応する部分に段差部を有しており、
前記絶縁部材形成工程は、前記絶縁部材の形状に対応する切り欠き部を有すると共に、紫外線を透過させる絶縁部材形成用型体を準備する絶縁部材形成用型体準備工程と、
前記切り欠き部が形成された部分の前記絶縁部材形成用型体と前記配線基板の前記段差部とが対向するように、前記絶縁部材形成用型体を前記配線基板に押し当てた後、前記絶縁部材形成用型体と前記段差部とにより形成される空間に液状の紫外線硬化樹脂を充填する液状樹脂充填工程と、
前記配線基板に押し当てられた前記絶縁部材形成用型体を介して、前記液状の紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して、前記液状の紫外線硬化樹脂を硬化させる樹脂硬化工程と、
前記配線基板から前記絶縁部材形成用型体を取り外す絶縁部材形成用型体取外工程と、を含むことを特徴とする請求項１記載の光電気混載基板の製造方法。
【請求項５】
前記切り欠き部に対応する部分の前記絶縁部材形成用型体の面は、平滑な面であることを特徴とする請求項４記載の光電気混載基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一観点によれば、配線基板と、前記配線基板上に設けられ、光信号の伝送を行う光導波路と、前記光信号を反射させるミラーと、を備えた光電気混載基板の製造方法であって、
前記配線基板上に平滑な傾斜面を有した絶縁部材を形成する絶縁部材形成工程と、
前記平滑な傾斜面に前記ミラーを形成するミラー形成工程と、
前記絶縁部材とは別体とされた前記光導波路を準備する光導波路準備工程と、
前記ミラー形成工程後に、前記配線基板上に前記光導波路を接着する光導波路接着工程と、を含むことを特徴とする光電気混載基板の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザが求める商品に関連する他の商品の情報を抽出する装置であって、
ユーザ端末から、インターネット上でのオークションの応札若しくは商品検索において、前記ユーザが選択した商品情報を取得して該商品情報から商品キーワードを取得するユーザ選択商品情報取得部と、
前記商品キーワードに基づいて、ネットワーク上のブログ・サイトに対して検索を行うブログ検索部と、
前記ブログ検索部によって得られたブログのコンテンツから、そのコンテンツのページ内で頻出する商品名のキーワードを抽出するキーワード商品名抽出部と、
前記抽出したキーワードと商品記述データベースに格納されている販売用商品情報とを比較し、その適合度を求める抽出キーワード／商品ＤＢマッチング部と、
前記適合度が所定の値よりも高い商品キーワードを前記ユーザに対する推薦商品として決定する推薦商品決定部と、
を備える装置。
【請求項２】
ユーザが求める商品に関連する他の商品の情報を抽出する装置であって、
ユーザ端末から、インターネット上でのオークションの応札若しくは商品検索において、前記ユーザが選択した商品情報を取得して該商品情報から商品キーワードを取得するユーザ選択商品情報取得部と、
前記ユーザのクリックした商品情報ページと同じページをクリックした他のユーザがクリックした前記商品情報ページとは別のページを取得するクリックページ取得部と、
前記別のページで頻出する他商品のキーワードを抽出する他商品キーワード抽出部と、
前記他商品のキーワードと商品記述データベースに格納されている販売用商品情報との適合度を求める商品ＤＢ／クリックページマッチング部と、
前記適合度が所定の値よりも高い商品情報をユーザが求めた商品と関連する推薦商品として決定する推薦商品決定部と、
を備える装置。
【請求項３】
前記頻出する商品のキーワードは、ＴＦ＊ＩＤＦ値を計算することによって求める、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記クリックページ取得部は、前記ユーザのクリックした商品情報ページに替えて、前記ユーザの参照した参照ニュースページ若しくは参照記事ページと同じページをクリックした他のユーザがクリックした前記商品情報ページとは別のページを抽出する、請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層に基板面方向の電界を印加して液晶分子の配向制御を行う、第１の画素電極および第２の画素電極を備える横電界方式の液晶素子と、
各画素回路に設けられ、第１の電圧および第２の電圧の供給源として機能するメモリ回路と、
各画素回路に設けられ、前記メモリ回路から供給される前記第１および第２の電圧の各々を、前記液晶素子の前記第１の画素電極および前記第２の画素電極のいずれに供給するかを切り換えることにより、前記液晶素子に印加される電圧を反転させる印加電圧反転回路と、を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶装置であって、
前記印加電圧反転回路は、
前記メモリ回路の前記第１および第２の電圧の供給端と、基準電源電位との間に直列に接続された、第１および第２のスイッチ素子と、
前記メモリ回路の前記第１および第２の電圧の供給端と、前記基準電源電位との間に直列に接続された、第３および第４のスイッチ素子と、を有し、
前記第１および第２のスイッチ素子の共通接続点および前記第３および第４のスイッチ素子の共通接続点の各々に、前記液晶素子の前記第１の画素電極および第２の画素電極の各々が接続されると共に、
前記第１および第４のスイッチ素子を選択的にオンさせるか、あるいは、前記第２および第３のスイッチ素子を選択的にオンさせるかを、切換制御信号によって制御することを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶装置であって、
前記第１、第２、第３および第４のスイッチ素子の各々は、同一導電型のトランジスタによって構成され、
前記切換制御信号は、互いに逆相のクロック信号であることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３記載の液晶装置であって、
前記切換制御信号の電圧レベルは、前記第１および第３の各トランジスタを十分にオンさせるに足る電圧レベルに設定され、これによって、前記メモリ回路から供給される前記第１の電圧は、前記液晶素子の前記第１または第２の画素電極に、電圧値が低下することなく印加されることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項２〜請求項４のいずれか記載の液晶装置であって、
前記印加電圧反転回路は、
前記切換制御信号の電圧レベルが変化するタイミングにおいて、前記メモリ回路からの電圧供給を遮断するスイッチ素子を、さらに有することを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項２から請求項５のいずれか記載の液晶装置であって、
前記液晶装置は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）駆動によって階調重み付けされるデジタル駆動方式の液晶装置であり、前記切換制御信号は、前記デジタル駆動のためのタイミングパルスに基づいて得られることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項２〜請求項６のいずれか記載の液晶装置であって、
前記メモリ回路および前記印加電圧反転回路における前記基準電源電位は、前記画素回路内の共通の電源配線を介して供給されることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか記載の液晶装置であって、
前記メモリ回路は、１ビットデータを保持するＳＲＡＭ型のメモリセルであることを特徴とする液晶装置。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか記載の液晶装置であって、
前記横電界方式の液晶素子は、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶素子であることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか記載の液晶装置であって、
前記液晶装置は反射型の液晶装置であり、
前記メモリ回路および前記印加電圧反転回路は、光を反射する材料からなる前記第１および第２の画素電極の下側の素子形成領域に配設されることを特徴とする液晶装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか記載の液晶装置であって、
前記印加電圧反転回路は、前記液晶素子に画像を表示しているときに、所定のタイミングで、前記液晶素子の前記第１および第２の電極の電圧を反転させることを特徴とする液晶装置。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか記載の液晶装置を搭載した電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶装置および電子機器
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウスピースを有するハウジングと、
上記マウスピースと流体連通する流路構成であって、スレッショルドバルブを有し、該スレッショルドバルブは第１真空レベルで開き、第２真空レベルで閉じるように構成されている、流路構成と、
を具備するエアゾール化装置において、
上記ハウジングは、上記流路構成と流体連通して粉末を保持するようにされている領域を含み、一旦第１真空レベルを超えると上記マウスピースを通って吸い込まれる空気がスレッショルドバルブを開き、真空度が上記第２真空レベル以下に下がるまで開いたままにし、上記第１真空レベルは約1961 Pa (約２０水柱センチメートル)から約4903 Pa (約５０水柱センチメートル)の範囲にあり、第２真空レベルは約0 Pa (約０水柱センチメートル)から約1177 Pa (約１２水柱センチメートル)の範囲にある、エアゾール化装置。
【請求項２】
上記流路構成が更に流量調整バルブを有し、上記マウスピースを通って吸い込まれる空気の流量が、上記スレッショルドバルブを開いたままにしつつ、上記流量調整バルブによって調整されて所定範囲内に維持される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記流量の上記所定範囲は、約1471 Pa (約１５水柱センチメートル)から約7845 Pa (約８０水柱センチメートル)の真空度に対して、約１２リットル／分から約１６リットル／分である、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
上記流量調整バルブは、少なくとも一つの変形可能壁と反対表面とを有し、上記変形可能壁は、上記流量調整バルブの下流の真空度が増大した時に上記反対表面の方へ移動して流量を調整するようにする、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
上記流路構成は第２流路と第３流路へと分割される第１流路を有し、上記スレッショルドバルブは上記第１流路にあり、上記流量調整バルブは上記第２流路にあって、上記粉末が上記第３流路へとつながれている、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
上記第２流路と上記第３流路とが上記マウスピースへ接続される第４流路へと結合される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
上記第２真空レベルは約785 Pa (約８水柱センチメートル)未満である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記領域内に保持されるレセプタクルを更に備え、上記レセプタクルは上記粉末を保持するようにされているチャンバーを有している、請求項１に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザを認証するユーザ認証部と、
このユーザ認証部による認証が成功したユーザが選択可能なドキュメントデータのリストを取得するリスト取得部と、
このリスト取得部により取得したドキュメントデータのリストから１つのドキュメントデータが選択された場合、選択されたドキュメントデータに添付する画像データを取得する画像取得部と、
この画像取得部により取得した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する登録部と、
を有する画像処理装置。
【請求項２】
前記リスト取得部は、前記ユーザ認証部による認証が成功したユーザが編集し、特定の記憶装置に記憶されているドキュメントデータのうち画像データの添付可能なドキュメントデータのリストを取得し、
前記登録部は、前記画像取得部により取得した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する、
ことを特徴とする前記請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記リスト取得部は、前記ユーザ認証部による認証が成功したユーザが使用可能なドキュメントデータとしてのテンプレートのリストを取得し、
前記登録部は、前記画像取得部により取得した画像データを選択されたテンプレートに基づくドキュメントデータの添付データとして登録する、
ことを特徴とする前記請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
さらに、前記画像取得部により取得した画像データに電子署名を施す署名部を有し、
前記登録部は、前記署名部により電子署名を施した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する、
ことを特徴とする前記請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記署名部は、当該画像処理装置が処理したことを保証する装置署名部と前記ユーザ認証部により認証されたユーザを保証するユーザ署名部とからなる、
ことを特徴とする前記請求項４に記載の画像処理装置。
【請求項６】
さらに、前記画像取得部により取得した画像データにおける少なくとも一部の領域を暗号化する暗号化部を有し、
前記登録部は、前記暗号化部により暗号化を施した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する、
ことを特徴とする前記請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項７】
さらに、前記画像取得部により取得した画像データにおいて暗号化すべき領域の候補を抽出するレイアウト解析部を有し、
前記暗号化部は、前記画像取得部により取得した画像データにおいて、前記レイアウト解析部により抽出された領域の候補から指定された領域を暗号化する、
ことを特徴とする前記請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像処理装置と前記画像処理装置と通信が可能な端末装置とを有する画像処理システムであって、
前記画像処理装置は、
ユーザを認証するユーザ認証部と、
このユーザ認証部による認証が成功したユーザが選択可能なドキュメントデータのリストを取得するリスト取得部と、
このリスト取得部により取得したドキュメントデータのリストから１つのドキュメントデータが選択された場合、選択されたドキュメントデータに添付する画像データを取得する画像取得部と、
この画像取得部により取得した画像データにおいて、前記端末装置から通知される暗号化すべき領域を暗号化する暗号化部と、
前記暗号化部により暗号化を施した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する登録部と、を有し、
前記端末装置は、
前記画像処理装置が前記画像取得部により取得した画像データにおいて、暗号化すべき領域の指定を受け付けるための操作部と、
この操作部により指定された暗号化すべき領域を前記画像処理装置へ通知する処理部と、を有する、
ことを特徴する画像処理システム。
【請求項９】
ユーザを認証し、
このユーザ認証が成功したユーザが選択可能なドキュメントデータのリストを取得し、
取得したドキュメントデータのリストから１つのドキュメントデータが選択された場合、選択されたドキュメントデータに添付する画像データを取得し、
取得した画像データを選択されているドキュメントデータの添付データとして登録する、
ことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理資源によってサポートされるデータベースを構築する方法であって、
通信ネットワークの基地局によって提供されるサービス・エリア内にあって、前記処理資源から遠隔に位置する通信端末と前記処理資源が通信するステップと、
前記通信端末が、前記サービス・エリアをグローバルに識別するネットワーク・データを前記通信ネットワークから得るステップと、
前記通信端末が、前記通信ネットワークとは無関係な位置判定システムを利用して、前記サービス・エリア内における前記通信端末の位置を判定するステップと、
前記処理資源に前記通信端末の位置を通信するステップと、
前記処理資源に前記ネットワーク・データを通信するステップと、
前記データベースに、前記通信端末の位置を識別するデータ及び前記ネットワーク・データを記憶し、前記ネットワーク・データ及び前記通信端末が在圏している位置の関連づけを与えるステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記通信端末が、前記通信ネットワークとは異なるホーム通信ネットワークに関連しており、前記ホーム通信ネットワークは、データベースにも関連している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記通信ネットワークが在圏通信ネットワークである、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記通信端末がローミングしている、請求項１から３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
前記通信端末が移動通信端末である、請求項１から４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記位置判定システムが衛星ベースの位置判定システムである、請求項１から５のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データベースの構築方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第２の移動端末の起動中に、第２のエージェント１１６は、第２の基地局１２４から第２のネットワーク・データを定期的に取得して（ステップ３００）、サービス・サーバ１０８との通信を確立し（ステップ３０２）、サービス・サーバ１０８に第２のネットワーク・データを通信する。第２のネットワーク・データは、やはり、第２の移動通信端末１１２が世界中で利用可能なセルラ通信ネットワーク内において、第２のサービス・エリア１２２をグローバルに識別するのに役立つ。この例の場合、第２のネットワーク・データは、世界中の全てのセルラ通信ネットワークの中から第２のサービス・エリア１２２を識別するので、第２のネットワーク・データは、ＭＣＣ、ＭＮＣ、及び、セルＩＤタプルである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、光学異方性、即ち複屈折の制御方法として、正の複屈折率材料と負の複屈折率材料をブレンドあるいは共重合化することによって、低複屈折化した検討が報告されている（例えば非特許文献１、非特許文献２、非特許文献３参照。）。また、透明かつ低複屈折性で、耐熱性及び表面硬度などに優れるものとして、特定のＮ−フェニル置換マレイミド単位、特定のＮ−アルキルマレイミド単位及び特定のα−オレフィン単位からなる特定のマレイミド系共重合体が提案されている（例えば特許文献６参照。）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【非特許文献１】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．１３．ｐｐ２５４１．１９６９
【非特許文献２】Ｐｌａｓｔｅ  ｕｎｄ  Ｋａｕｔｓｃｈｕｋ．２９．ｐｐ６１８．１９８２
【非特許文献３】機能材料．３月号．１９８７
【特許文献１】特開２００２−０７１９５６号公報
【非特許文献４】Ｐｏｌｙｍｅｒ．３５．Ｎｏ．７．ｐｐ１４５２〜１４６１．１９９４
【非特許文献５】Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ．Ｊａｐａｎ．３９．Ｎｏ１０．ｐｐ３８２４．１９９０
【非特許文献６】高分子の固体構造ＩＩ．ｐｐ３９０（共立出版）
【特許文献２】特開２０００−１６２４３６号公報
【特許文献３】特開２０００−３０４９２４号公報
【特許文献４】特開２０００−３０４９２５号公報
【特許文献５】特開２０００−３２９９３９号公報
【特許文献６】特開平０５−１１７３３４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファンデーション容器において
容器の内周に、ファンデーションを最後まで使い切ることが出来るように円形に底に流れ降りる「のり」を設けたことを特徴とするプラスチック製ファンデーション容器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出プロセスが測定データ（ＭＤ）を検出し、計算プロセスが検出された測定データ（ＭＤ）を基礎とし、計算プロセスの実行に並行して他の測定データ（ＭＤ）が検出可能であり、両プロセスがインターフェース（１１）を介して連絡を行なう検出および計算の複合プロセスの最適化のための方法であって、次の方法ステップ、
・計算プロセスを計算パケット（１２−１，１２−２，・・・，１２−ｎ）に分解する方法ステップ、
・計算パケット（１２−１，１２−２，・・・，１２−ｎ）間の全ての論理的依存性を確定することによって、すなわちそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）の実行のためにどの条件が満たされなければならないか、ないしどの測定データ（ＭＤ）が幾つ検出されなければならないかを確定することによって、各計算パケット（１２−ｉ）のための規則を定義する方法ステップ、
・計算パケット（１２−ｉ）およびそれらの規則に基づいて計算プロセスを進行構成に再構成する方法ステップ、
・進行構成に基づいて、自動的に可能な限り早い時点でそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）を実行させることによって、計算プロセスを制御する方法ステップ、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
次の少なくとも２つの同期点、
・計算パケット（１２−ｉ）の実行のための全ての条件、検出プロセスへの全ての論理的依存性を考慮するブロッカー、
・それぞれの計算パケット（１２−ｉ）のためのブロッカーがもはや阻止状態でなくなるや否やできる限り早い時点で自動的にそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）が実行されるように、それぞれの計算パケット（１２−ｉ）の実行を検出するコレクター、
がそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）のために定義されていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
計算プロセスが、測定データ検出の順序および速度に関係なく制御されることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
計算プロセスが、任意の計算アルゴリズムを基礎にすることができることを特徴とする請求項１乃至３の１つに記載の方法。
【請求項５】
計算プロセスが、再構成プロセスであり、磁気共鳴画像データ、超音波画像データおよび／またはコンピュータ断層撮影データを発生することを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
規則が、計算プロセスの基礎をなしている課題の完全な記述であることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
計算プロセスおよび／または測定データ検出プロセスが多数の並行に走るスレッドに分配されることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
方法が自動的に編成を行い、検出プロセスと計算プロセスとの間の外部の同期化を必要としないことを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の方法。
【請求項９】
計算プロセスの進行構成が規則に基づいて評価されることによって、方法が付加的に検出プロセスを制御し、それによって計算パケット（１２−ｉ）が必要時に必要な測定データ（ＭＤ）を要求しかつ相応の測定過程を開始させることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
方法のためのコンピュータアーキテクチャが、単一プロセッサシステムまたはマルチプロセッサシステムであること、ないし方法がそれぞれのコンピュータアーキテクチャに最適に適合化されていることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの方法ステップが自動的に行なわれることを特徴とする請求項１乃至１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
方法の結果、または中間結果ないし発生された進行構成が、方向づけされたグラフ、または依存性ツリー、または表の形にて表示されることを特徴とする請求項１乃至１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
方法が、中間結果、検出プロセスの結果ないし再構成プロセスの結果を、バッファメモリにおいて記憶することないし検出プロセスのリアルタイム制御のために使用することを特徴とする請求項１乃至１２の１つに記載の方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の１つに記載の方法において使用するための計算プロセスのためのデータ構成において、
・下位課題に分解された計算プロセスの課題を実行する多数の計算パケット（１２−ｉ）、
・計算パケット（１２−ｉ）間の全ての論理的依存性が定義されかつそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）の実行が記録される各計算パケット（１２−ｉ）のためのそれぞれ少なくとも２つの同期点、
・それぞれ１つの計算パケット（１２−ｉ）と両同期点との間の関連付け。
を有することを特徴とするデータ構成。
【請求項１５】
検出ユニット（１０）が測定データ（ＭＤ）を検出し、計算ユニット（１２）が検出された測定データ（ＭＤ）を基礎とし、計算ユニット（１２）の実行に並行して他の測定データ（ＭＤ）が検出ユニット（１０）によって検出可能であり、両ユニット（１０、１２）間の連絡のためのインターフェース（１１）が設けられている検出および計算の複合ユニット（１０、１２）の最適化のための装置において、
・計算ユニット（１２）における計算パケット（１２−ｉ）に分解された課題を実行するように定められていて、かつ異なるスレッドに分配可能である多数の計算モジュール、
・他の計算パケット（１２−ｉ）からおよび他の計算パケット（１２−ｉ）へのどのような論理依存性が存在するのかを各計算パケットに対して決定するように定められている少なくとも１つの同期化ユニット（１４）、
・同期化ユニット（１４）に基づいた計算ユニット（１２）の計算パケット（１２−ｉ）の進行のためのデータ構成、
・データ構成に基づいて、それぞれの計算パケット（１２−ｉ）の同期化ユニット（１４）が実行を指示するや否や自動的にできる限り早い時点でそれぞれの計算パケット（１２−ｉ）を実行させることによって、計算ユニット（１２）を制御するように定められている少なくとも１つの制御ユニット（１６）、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１３の少なくとも１つに記載の特徴を備えた方法を実行するための装置。