(57)【要約】【課題】半透過型液晶表示装置において、透明電極膜と反射電極膜とが電食反応により消失し、表示不良となることを抑制するための保護膜パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜１に隣接して、表示領域の周囲に帯状の形状を有する保護膜パターン３を配置する。保護膜パターン３は、透明電極膜１と同層上に設けられ、透明電極膜１の形成時に透明電極膜１と同じ材料で形成することが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層と、この下層上に形成された第１の金属材料からなる第１の金属膜と、前記下層上に形成され前記第１の金属材料よりもイオン化傾向が高い第２の金属材料からなる第２の金属膜と、前記下層上における前記第１の金属膜の周囲の一部又は全部に形成され前記第２の金属材料よりもイオン化傾向が低い第３の金属材料からなる第３の金属膜と、を有し、前記第３の金属膜は、電極又は配線として機能しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の金属膜は、前記第１の金属膜と接続していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の金属膜は、半導体装置における電極又は配線であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１及び第３の金属膜は、金属を含む物質又は金属の誘導体により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の金属材料と前記第３の金属材料とが同じ材料であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３の金属膜は、前記第１の金属膜が前記第２の金属膜と電食反応を起こして消失することを防ぐ保護膜であり、前記電食反応は、フォトリソグラフィ法により前記第２の金属膜をパターニングするためのレジストパターン形成時に使用される現像液を介して生じることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
アクティブマトリクス方式の反射型又は半透過型液晶表示装置に使用されるものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１及び第３の金属膜は、共に透明導電性材料により形成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記透明導電性材料は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ合金）であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の金属材料は、Ａｌ（アルミニウム）を含むことを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の金属膜は、画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の金属膜は、画素の反射表示領域に設けられた反射電極膜であることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第３の金属膜は、画像表示領域を囲むように画像非表示領域に形成されていることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第３の金属膜は、帯状の形状を有することを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第３の金属膜は、幅０．５μｍ以上の連続したパターンで形成されていることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１の金属膜と、これに隣接する前記第３の金属膜との距離が５μｍ未満であることを特徴とする請求項７乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
電極又は配線となる第１の金属材料からなる第１の金属膜を下層上に形成すると共に、前記下層上における前記第１の金属膜の周囲の一部又は全部に設けられ電極又は配線としては機能しない第３の金属材料からなる第３の金属膜を形成する工程と、前記第１及び第３の金属材料よりもイオン化傾向が高い第２の金属材料からなる金属膜を前記第１及び前記第３の金属膜を含む前記下層上の全面に成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して前記金属膜上にレジスト膜を形成した後に、露光、現像することにより前記第２の金属材料からなる第２の金属膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１及び第３の金属膜は、金属を含む物質又は金属の誘導体により形成されていることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第１の金属材料と前記第３の金属材料とが同じ材料であることを特徴とする請求項１７又は１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
アクティブマトリクス方式の反射型又は半透過型液晶表示装置の製造方法であることを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１及び第３の金属膜は、共に透明導電性材料により形成されていることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記透明導電性材料は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ合金）であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第２の金属材料は、Ａｌ（アルミニウム）を含むことを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１の金属膜は、画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜であることを特徴とする請求項２１乃至２３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第２の金属膜は、画素の反射表示領域に設けられた反射電極膜であることを特徴とする請求項２０乃至２４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第３の金属膜を、画像表示領域を囲むように画像非表示領域に形成することを特徴とする請求項２０乃至２５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第３の金属膜は、帯状の形状を有することを特徴とする請求項２０乃至２６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
前記第３の金属膜は、幅０．５μｍ以上の連続したパターンで形成されていることを特徴とする請求項２７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記第１の金属膜と、これに隣接する前記第３の金属膜との距離が５μｍ未満であることを特徴とする請求項２０乃至２８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素領域に反射領域を備えた半透過型液晶表示装置に用いられる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、小型、薄型、低消費電力等の利点から、ＯＡ(Office Automation)機器、携帯機器等の幅広い分野で実用化が進められている。液晶表示装置は、アクティブマトリクス（Active Matrix）方式及び単純マトリクス（Passive Matrix）方式の２つの駆動方式が知られているが、近時は、高品質の画像を表示できる前者が広く採用されている。また、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、透過型と反射型とに分類されるが、いずれも、液晶表示装置を構成する液晶パネルが電子シャッターとして働き、外部から入射された光を通過又は遮断させることにより画像を表示することを基本的な原理としている。このため、液晶表示装置は、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）及びＥＬ（Electroluminescence）表示装置等とは異なり、自ら発光する機能を有していない。従って、液晶表示装置により画像を表示する場合は、いずれのタイプにおいても別途に光源を必要とする。例えば、透過型液晶表示装置は、液晶パネルの背面にバックライトからなる光源を設けて、液晶パネルによりバックライトから入射した光の透過／遮断を切り替えることにより、表示が制御されるように構成されている。
【０００３】
このような透過型液晶表示装置においては、バックライト光を常に使用することにより、透過型液晶表示装置を使用する場所の周囲の明るさに無関係に明るい画面を得ることができるが、一般にバックライト光源の消費電力は大きく、透過型液晶表示装置の電力の半分近くがバックライト光源により消費されるため、消費電力増大の要因となっている。特に、透過型液晶表示装置をバッテリーで駆動するタイプのものでは、使用可能時間が短くなり、使用可能時間を延長すべく大型のバッテリーを搭載すると、装置全体の重量が大きくなるため、表示装置の小型化及び軽量化の妨げとなる。
【０００４】
そこで、透過型液晶表示装置におけるバックライト光源の消費電力の問題を解決するために、液晶表示装置を使用する場所の周囲に存在している光（以下、外部周囲光という）を光源として利用するように構成した液晶表示装置、即ち、反射型液晶表示装置が提案されている。この反射型液晶表示装置は、液晶パネルの内部に反射板を設け、液晶パネルの内部に入射し、その反射板により反射された外部周囲光の透過／遮断を切り替えることにより、表示が制御されるように構成されている。この反射型液晶表示装置においては、透過型液晶表示装置におけるバックライト光源が不要となり、消費電力の低減、並びに、表示装置の小型化及び軽量化を図ることができる。しかしながら、反射型液晶表示装置は、周囲が暗い場合には外部周囲光が光源として十分に働かなくなるため、視認性が著しく低下してしまうという問題を有している。
【０００５】
このように、透過型及び反射型液晶表示装置には夫々一長一短があり、安定した表示を得るためにはバックライト光源が欠かせないが、バックライトのみを光源とすると上述したように消費電力の増大が避けられない。そこで、バックライト光源の消費電力を抑え、且つ外部周囲光が暗い場合でも視認性を向上させることができるように、液晶パネルの画素領域に透過領域と反射領域とを備えて、透過型及び反射型液晶表示装置としての動作を一つの液晶パネルで実現するように構成した半透過型液晶表示装置が提案されている。
【０００６】
半透過型液晶表示装置によれば、液晶パネルの画素領域に透過領域と反射領域とを備えることにより、外部周囲光が暗い場合にはバックライトを点灯し、上記透過領域を利用して透過型液晶表示装置として動作させることで、周囲が暗い場合でも視認性向上という透過型液晶表示装置の特性を発揮させることができる。一方、外部周囲光が十分に明るい場合には、バックライトを消灯し、上記反射領域を利用して反射型液晶表示装置として動作させることで、低消費電力という反射型液晶表示装置の特性を発揮させることができる。
【０００７】
この半透過型液晶表示装置においては、透過型液晶表示装置として動作させるための透過領域においてはバックライトからの入射光が液晶層を透過し、一方、反射型液晶表示装置として動作させるための反射領域においては外部周囲光である入射光が液晶パネルの液晶層を往復して通過するために、液晶層における上記両入射光間には光路差が生ずる。このため、半透過型液晶表示装置においては、反射領域における液晶層の膜厚である第１のギャップ（反射領域ギャップ）寸法と、透過領域における液晶層の膜厚である第２のギャップ（透過領域ギャップ）寸法とを、液晶のツイスト角に応じて最適値に設定する必要がある。これは、第１及び第２のギャップ寸法を夫々最適値に設定しない場合には、反射領域及び透過領域におけるリタデーションの相違によって、表示面から出射する出射光の強度を最適化できないからである。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−０４６２２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の従来の技術には、以下に示すような問題点がある。
【００１０】
従来の半透過型液晶表示装置においては、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等からなる透明電極膜上にＡｌ又はＡｌ合金等からなる反射電極膜が形成されている。フォトリソグラフィ法を用いた反射電極膜の形成工程においては、透明電極膜を含む基板の全面にＡｌ又はＡｌ合金膜を成膜して、更に、反射電極膜を加工（パターニング）するために、レジストパターン形成する。この際、透明電極膜上のＡｌ又はＡｌ合金膜にピンホール等の欠陥が存在すると、この欠陥を通して現像液がＡｌ及びＩＴＯの双方に接触し、Ａｌ／現像液／ＩＴＯの反応により、Ａｌ及びＩＴＯの双方が浸食（以下、電食という）されてしまうという問題点が生じる。
【００１１】
ここで、電食反応について詳細に説明する。例えば、従来の半透過型液晶表示装置の構造においては、透明電極膜を、反射電極膜を介してＴＦＴ（Thin Film Transistor）のソース電極と接続するため、各画素の内部において、透明電極膜と反射電極膜とがオーバーラップするように形成される。しかしながら、隣接する画素間では、各画素間を電気的に分離する必要があるため、ある画素の透明電極膜と隣接する画素の反射電極膜とはオーバーラップさせることができない。従って、反射電極膜を加工するためのレジストパターンを形成する際には、予め全面に形成した反射電極膜用導電膜のうち、各画素の反射領域側のみを覆うように形成しなければならない。しかしながら、先に形成した透明電極膜の端部領域上の反射電極膜に何らかの原因で亀裂が生じた場合に、この亀裂から現像液が浸透してしまうことになる。
【００１２】
図９は、特許文献１に記載の従来の半透過型液晶表示装置の製造時における構成の一部を示す断面図であり、前述の問題点を説明するための図である。図９（ａ）に示すように、透明絶縁基板１０８上にはゲート電極１０１ａが形成されており、このゲート電極１０１ａを覆うようにして透明絶縁基板１０８の上には、ゲート絶縁膜１０９が形成されている。このゲート絶縁膜１０９上には、半導体層１０３ａ、ドレイン電極１０２ａ、ソース電極１０２ｂが形成されており、これらとゲート電極１０１ａ、ゲート絶縁膜１０９とにより薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０３が構成されている。この薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０３を覆うようにしてゲート絶縁膜１０９上には、パッシベーション膜１１０が形成されており、このパッシベーション膜１１０上における画素の透過領域には透明電極膜１０５が形成されている。この透明電極膜１０５の端部上から反射領域に延設される反射電極膜１０６ａを形成するには、反射領域に凹凸膜１１１を積層し、透明電極膜１０５及び凹凸膜１１１を含む基板の全面に反射電極膜用の導電膜を成膜した後に、反射電極膜１０６ａをパターニングするためのレジストパターン１２１を形成する。しかしながら、図９（ｂ）に示すように、透明電極膜１０５を覆う反射電極膜１０６ａには、透明電極膜１０５の端部において段差が形成されており、この端部領域においては亀裂１２７等の欠陥が生じやすいため、この亀裂１２７から現像液１２６が浸透してしまうことになる。
【００１３】
ここで、反射電極膜であるＡｌ又はＡｌ合金は、反応性に富み、酸素と容易に反応し易い性質を有するため、上述のように亀裂１２７から現像液が浸透すると、Ａｌ又はＡｌ合金が透明電極膜を構成している酸化物導電体であるＩＴＯと反応する。この結果、現像液を電解液として電食反応と呼ばれるＡｌの腐食（酸化）とＩＴＯの溶解（還元）とが発生し、ＡｌとＩＴＯとの間でコンタクト不良が生じたり、密着性の悪い透明電極とパッシベーション膜との間で剥離が生じることもある。この電食反応は、以下に述べるようなメカニズムにより発生するものと考えられる。
【００１４】
（１）格子欠陥又は不純物の多いＡｌ部分が局部アノードとして溶解し、ピンホールが発生する。
【００１５】
（２）形成されたピンホールを通じて、現像液が下層のＩＴＯと接触する。
【００１６】
（３）現像液中におけるＡｌの酸化電位とＩＴＯの還元電位との電位差が反応の駆動力となって、下記の化学反応式で表されるＡｌの酸化及びＩＴＯの還元が促進される。
【００１７】
Ａｌ＋４ＯＨ−  →  Ｈ２ＡｌＯ３＋Ｈ２Ｏ＋４ｅ−
【００１８】
Ｉｎ２Ｏ３＋３Ｈ２Ｏ＋６ｅ−  →  ２Ｉｎ＋６ＯＨ−
【００１９】
この電食反応は、透明電極膜及び反射電極膜のレイアウト（ＩＴＯとＡｌとの重なり方）を考慮することにより、ある程度抑制することができるが、ＩＴＯ上にＡｌ又はＡｌ合金が形成された構造における本質的な問題であり、この電食反応の発生を確実に防止することできる構造の提案が望まれている。
【００２０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、半透過型液晶表示装置において、透明電極膜と反射電極膜とが電食反応により消失し、表示不良となることを抑制するための保護膜パターンが形成された半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明に係る半導体装置は、下層と、この下層上に形成された第１の金属材料からなる第１の金属膜と、前記下層上に形成され前記第１の金属材料よりもイオン化傾向が高い第２の金属材料からなる第２の金属膜と、前記下層上における前記第１の金属膜の周囲の一部又は全部に形成され前記第２の金属材料よりもイオン化傾向が低い第３の金属材料からなる第３の金属膜と、を有し、前記第３の金属膜は、電極又は配線として機能しないことを特徴とする。
【００２２】
また、前記第２の金属膜は、前記第１の金属膜と接続していてもよい。
【００２３】
また、前記第１の金属膜は、半導体装置における電極又は配線とすることができる。
【００２４】
また、前記第１及び第３の金属膜は、金属を含む物質又は金属の誘導体により形成されていてもよい。
【００２５】
また、前記第１の金属材料と前記第３の金属材料とが同じ材料であることが好ましい。
【００２６】
また、前記第３の金属膜は、前記第１の金属膜が前記第２の金属膜と電食反応を起こして消失することを防ぐ保護膜であり、前記電食反応は、フォトリソグラフィ法により前記第２の金属膜をパターニングするためのレジストパターン形成時に使用される現像液を介して生じるものとすることができる。
【００２７】
アクティブマトリクス方式の反射型又は半透過型液晶表示装置に使用される半導体装置とすることができる。
【００２８】
また、前記第１及び第３の金属膜は、共に透明導電性材料により形成されるように構成することができる。
【００２９】
また、前記透明導電性材料は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ合金）であってもよい。
【００３０】
また、前記第２の金属材料は、Ａｌ（アルミニウム）を含むものであってもよい。
【００３１】
また、前記第１の金属膜は、画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜とすることができる。
【００３２】
また、前記第２の金属膜は、画素の反射表示領域に設けられた反射電極膜とすることができる。
【００３３】
また、前記第３の金属膜は、画像表示領域を囲むように画像非表示領域に形成することが好ましい。
【００３４】
また、前記第３の金属膜は、帯状の形状とすることができる。
【００３５】
また、前記第３の金属膜は、幅０．５μｍ以上の連続したパターンで形成されていることが好ましい。
【００３６】
また、前記第１の金属膜と、これに隣接する前記第３の金属膜との距離が５μｍ未満であることが好ましい。
【００３７】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、電極又は配線となる第１の金属材料からなる第１の金属膜を下層上に形成すると共に、前記下層上における前記第１の金属膜の周囲の一部又は全部に設けられ電極又は配線としては機能しない第３の金属材料からなる第３の金属膜を形成する工程と、前記第１及び第３の金属材料よりもイオン化傾向が高い第２の金属材料からなる金属膜を前記第１及び前記第３の金属膜を含む前記下層上の全面に成膜し、フォトリソグラフィ法を利用して前記金属膜上にレジスト膜を形成した後に、露光、現像することにより前記第２の金属材料からなる第２の金属膜をパターニングする工程と、を有することを特徴とする。
【００３８】
また、前記第１及び第３の金属膜は、金属を含む物質又は金属の誘導体により形成されていてもよい。
【００３９】
また、前記第１の金属材料と前記第３の金属材料とが同じ材料であることが好ましい。
【００４０】
アクティブマトリクス方式の反射型又は半透過型液晶表示装置の製造方法とすることができる。
【００４１】
また、前記第１及び第３の金属膜は、共に透明導電性材料により形成されるように構成することができる。
【００４２】
また、前記透明導電性材料は、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ合金）であってもよい。
【００４３】
また、前記第２の金属材料は、Ａｌ（アルミニウム）を含むものであってもよい。
【００４４】
また、前記第１の金属膜は、画素の透過表示領域に設けられた透明電極膜とすることができる。
【００４５】
また、前記第２の金属膜は、画素の反射表示領域に設けられた反射電極膜とすることができる。
【００４６】
また、前記第３の金属膜は、画像表示領域を囲むように画像非表示領域に形成することが好ましい。
【００４７】
また、前記第３の金属膜は、帯状の形状とすることができる。
【００４８】
また、前記第３の金属膜は、幅０．５μｍ以上の連続したパターンで形成されていることが好ましい。
【００４９】
また、前記第１の金属膜と、これに隣接する前記第３の金属膜との距離が５μｍ未満であることが好ましい。
【発明の効果】
【００５０】
本発明においては、透明電極膜が形成された層と同じ層上に、この透明電極膜に隣接する保護膜パターンを設けることにより、透明電極膜も含め前記層上に成膜された反射電極膜用の導電膜に対して、その段差となり欠陥を生じやすい箇所となる透明電極膜の端部において、透明電極膜に隣接する保護膜パターンが反射電極膜用の導電膜を更に下から支える構造を実現している。これにより、被保護膜パターンである透明電極膜の端部は段差としての効果を失い、代わって保護膜パターンにおける透明電極膜側とは反対側の端部が段差となるため、透明電極膜に生じる電食反応は保護膜パターンにおける電食反応に代替され、結果として透明電極膜での電食反応が抑制される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５１】
以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して詳細に説明する。先ず、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置について説明する。図６は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の画素の構成を示す断面図であり、図１は、第１の実施形態において、透明電極の周囲に保護膜パターンが形成された基板を示す概略平面図であり、図７は、第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【００５２】
本実施形態における半透過型液晶表示装置は、走査線及び信号線により区画された複数の画素及び各画素に設けられた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を有するアクティブマトリクス型の液晶表示装置である。
【００５３】
図６に示すように、本実施形態における半透過型液晶表示装置には、ガラス等の透明絶縁基板５０上において、下地となるＳｉＯ２（二酸化ケイ素）又はＳｉＮ（窒化ケイ素）等の膜（図示せず）を介して、ソース・ドレイン領域を有するポリシリコン膜１１が形成されている。このポリシリコン膜１１は、基板の全面に成膜したシリコン薄膜に、ＣＷ（Continuous Wave）レーザ光又はパルスレーザ光を使用したレーザアニール法により形成されたものであり、公知のフォトリソグラフィ法及びエッチング法により、アイランド状にパターニングされている。このポリシリコン膜１１が形成された基板には、ゲート絶縁膜１２が形成されている。
【００５４】
ゲート絶縁膜１２上の所定の箇所には、下層ゲート電極となるマイクロクリスタルシリコン薄膜１３、上層ゲート電極となるクロム電極１４が順次積層され、ゲート電極が構成されている。このゲート電極を含む基板上には、例えばＳｉＯ２からなるゲートカバー層間膜１５が形成されており、更に、ゲートカバー層間膜１５上には、例えばＡｌ（アルミニウム）からなるアルミニウム配線１６が形成されている。このアルミニウム配線１６は、ゲートカバー層間膜１５上に成膜されたＡｌ金属薄膜をパターニングして得られたソース電極、ドレイン電極、及びデータ線等を模式的に示すものである。また、ゲートカバー層間膜１５には、第１のコンタクトホール５１が形成されている。
【００５５】
このアルミニウム配線１６が形成された基板上には、パッシベーション膜である例えば窒化ケイ素膜１７が形成されており、この窒化ケイ素膜１７上にはアクリル樹脂１８が形成され、その表面が平坦化されている。また、窒化ケイ素膜１７、アクリル樹脂１８を貫通するようにして、第２のコンタクトホール５２が形成されている。そして、アクリル樹脂１８上の所定の箇所には、透明電極膜１９が形成され、この透明電極膜１９は、例えばＩＴＯから形成されている。
【００５６】
ここで、透明電極膜１９について詳細に説明する。本実施形態における透明電極膜１９は、主に、画素における透過表示領域に形成された透明電極膜と、これらの透明電極膜の周囲における画像非表示領域に形成された保護膜パターンとからなる。本実施形態においては、表示領域における透明電極膜の形状は一例として長方形状であり、保護膜パターンは、この透明電極膜を囲むように形成されており、前記透明電極膜の４辺に対して夫々平行に配置された帯状の領域からなる枠状の透明電極膜である。また、保護膜パターンは、表示領域における透明電極膜とは分離しており、画像表示には用いられず、電極又は配線等としては機能しない。このような保護膜パターンは、少なくとも画素の表示領域全体を囲む中空の枠状パターンを含むフォトマスクを使用し、レジストパターンを形成した後、このレジストパターンをマスクとして透明電極膜をドライエッチングするにより得られる。
【００５７】
図１は、前述のフォトマスクを用いて、透明電極膜を形成した様子を示す概略平面図である。図１に示すように、透明絶縁基板（図示せず）上には、複数の透明電極膜１がマトリクス状に配列されており、これらは表示領域に設けられた透明電極膜を示すものである。そして、これら１群の透明電極膜１が形成された領域の周囲を囲むように、帯状の連続した形状を有する透明導電膜である保護膜パターン３が形成されている。また、各画素に接続され信号線及び走査線等を示すアルミニウム配線２が形成されており、これらは表示領域外部に設けられたドライバＩＣ４に接続されている。なお、図１においては、表示領域の一部のみを示しているため、保護膜パターン３の一部のみが示されている。
【００５８】
更に、図６に示すように、画素の反射表示領域には凹凸膜２０が形成されており、図示例では、凹凸膜２０は透明電極膜１９上の一部及び第２のコンタクトホール５２の内部に形成されている。そして、凹凸膜２０上には、例えばＡｌ等の金属薄膜からなる反射電極膜２１が形成されており、この反射電極膜２１は外光を反射して表示を行う反射板として機能する。反射電極膜２１は、画素の透過表示領域に形成された透明電極膜１９の端部上から延設されている。更に、これらの透明電極膜１９及び反射電極膜２１が形成された基板上には配向膜２２が形成されている。以上のようにして、ＴＦＴを有するＴＦＴ基板が構成されている。
【００５９】
このＴＦＴ基板と対向するようにして、透明絶縁基板５３が配置されており、この透明絶縁基板５３におけるＴＦＴ基板と対向する面上には、カラーフィルタ２４及び画素間の遮光領域を形成するブラックマトリックス２５が設けられており、これらを覆うようにして、トランスファ電極等の透明電極膜（対向基板側）２３が形成されている。更に、透明電極膜（対向基板側）２３を含む基板全体を覆うようにして、配向膜２２が形成されている。そして、ＴＦＴ基板とカラーフィルタが形成された対向基板は、ポストセルスペーサ２６を介して一定の間隔で張り合わされており、これらの基板間には液晶層５４が封止されている。
【００６０】
本実施形態に係る半透過型液晶表示装置は、例えば、図７に示すように、駆動回路一体型の表示装置として実現することができる。図７に示すように、この駆動回路一体型の表示装置は、マトリクス状に配列された複数の画素からなる表示部３６と、走査線駆動回路である行方向の走査回路３９と、データ線駆動回路である列方向の走査回路３１と、データレベルレジスタ３２と、ラッチ回路３３と、デジタル／アナログ変換を行うアナログ信号を出力するＤＡＣ回路３４と、セレクタ回路３５と、レベルシフタ３７と、レベルシフタ／タイミングバッファ３８とを備えており、これらの回路が表示デバイス基板上に一体化されて形成されている。このような構成によれば、表示デバイス基板の外部に実装されるコントローラＩＣは、高い電圧を使用するＤＡＣ回路を含まず、メモリ、出力バッファ、コントローラ等の低電圧の回路素子で構成可能である。図示はしていないが、表示部３６における透明電極膜の周囲には、本実施形態における保護膜パターンが形成されている。
【００６１】
次に、上述の如く形成された本実施形態の動作について説明する。なお、半透過型液晶表示装置の動作は、従来の半透過型液晶表示装置の動作と同様であるため省略し、以下では、画素の透過表示領域に形成された透明電極膜１９と同層上に形成された保護膜パターン３の動作について説明する。
【００６２】
図６に示すように、透明電極膜１９上には凹凸膜２０を介して、反射電極膜２１が形成されている。この反射電極膜２１は、透明電極膜１９及び凹凸膜２０が設けられた基板上の全面に例えばＡｌからなる金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて所定の形状に加工（パターニング）して得られる。このような工程は、図９の従来技術に示す工程と同様であり、反射電極膜１０６ａ上にレジストパターン１２１を形成し、その他の領域、特に透過表示領域における透明電極膜１０５上のレジスト膜は現像液により除去される。
【００６３】
次に、図８を参照して、反射電極膜の形成時における本実施形態の保護膜パターンの役割について説明する。図８は、本実施形態における保護膜パターンの役割を示す模式図であり、（ａ）は従来の問題点を示す断面図、（ｂ）は本実施形態による解決法を示す断面図である。
【００６４】
図８（ａ）においては、基板５５上に透明電極膜１が形成されており、この透明電極膜１を覆うようにして、反射電極膜５６が形成されている。基板５５は一層として描かれているが、図６に示すように、種々の膜が形成された多層を示すものであってよい。また、反射電極膜５６は、所定の形状にパターニングする前の状態を示している。また、透明電極膜１は、例えばＩＴＯから形成されており、反射電極膜５６は、例えばＡｌから形成されている。この透明電極膜１は、例えば、図９に示すような半透過型液晶表示装置の画素における透明電極膜の端部を示しており、現像液により、反射電極膜５６上からはレジスト膜が除去された状態を示している。
【００６５】
図８（ａ）に示すように、透明電極膜１の端部における反射電極膜５６には、段差５７が形成されている。そして、段差５７には、亀裂及びピンホール等の欠陥が生じやすくなり、亀裂及びピンホール等が生じると、これらを通して現像液が浸透することにより、透明電極膜１を形成するＩＴＯと反射電極膜５６を形成するＡｌとが電食反応を起こし、透明電極膜１の消失が起こる。
【００６６】
一方、図８（ｂ）においては、図８（ａ）と同様の構成に加えて、基板５５上には透明電極膜１と同じ材質からなる保護膜パターン３が形成されており、この保護膜パターン３は透明電極膜１の端部に沿って帯状に形成されている。この保護膜パターン３は、電極又は配線としては機能しない。このような構成においては、反射電極膜５６には３箇所の段差が生じている。即ち、透明電極膜１と保護膜パターン３とが相互に対向する側における段差５８及び５９と、保護膜パターン３に対して透明電極膜１側とは反対側の端部に形成された段差６０である。
【００６７】
ここで、透明電極膜１と保護膜パターン３の夫々対向する端部間の距離Ｌが小さければ、保護膜パターン３は反射電極膜５６を更に下から支える構造を実現しており、これにより、段差５８及び５９は、図８（ａ）に示す段差５７より緩やかな傾斜をなし、亀裂及びピンホール等の欠陥の発生が抑制される。このため、亀裂及びピンホール等を通して現像液が浸透することにより、透明電極膜１を形成するＩＴＯと反射電極膜５６を形成するＡｌとが電食反応を起こし、透明電極膜１が消失することが抑制される。
【００６８】
これに対して、段差６０の傾斜は、図８（ａ）における段差５７の傾斜と同様の傾斜を有しており、この箇所には亀裂及びピンホール等が生じやすい。従って、この箇所に形成された亀裂及びピンホール等を通して現像液が浸透し、Ａｌ及びＩＴＯが電食反応を起こすことにより、保護膜パターン３の一部が消失する可能性がある。しかしながら、この保護膜パターン３は、画像表示には利用していないため、消失しても問題はない。
【００６９】
このように、保護膜パターン３を設けることにより、被保護膜パターンである透明電極膜１の端部は、段差としての効果を失い、代わって保護膜パターン３の透明電極膜１とは反対側の端部が段差となるため、透明電極膜１において生じる可能性の高い電食反応が、保護膜パターン３における電食反応に代替されている。
【００７０】
この際、透明電極膜１の端部と保護膜パターン３の端部との間の距離Ｌが大きいと、上述のような効果は失われる。また、保護膜パターン３の幅Ｄが小さいと、電食反応により消失する可能性があり、保護膜としての機能を果たせなくなる。このような観点から、半透過型液晶表示装置においては、例えば、距離Ｌは５μｍ未満であることが好ましく、また、幅Ｄは０．５μｍ以上であることが好ましい。従って、図１においては、保護膜パターン３の幅は上記範囲にあるものとし、また、保護膜パターン３の端部と、これに対向する透明電極膜１の端部との間の距離は上記範囲にあるものとする。
【００７１】
次に、保護膜パターン３の配置箇所について説明する。図１においては、保護膜パターン３は、各透明電極膜１の周囲に沿っては形成されておらず、一群の透明電極膜１の最外周部を囲むように形成されている。これは、透明電極膜１間の距離が、例えば５μｍ未満に形成されていることを仮定しているからであり、被保護膜パターンである透明電極膜１が相互に保護膜パターンとして機能し、透明電極膜１間の端部は段差としての効果を失うからである。従って、保護膜パターン３を、一群の透明電極膜１の最外周部を連続的に囲むように設置すればよい。
【００７２】
また、本実施形態においては、透明電極膜はＩＴＯ、反射電極膜はＡｌからなるとしたが、これに限らず、夫々、金属、金属を含む物質、又は金属の誘電体等であってよく、透明電極膜を形成する材質のイオン化傾向が、反射電極膜を形成する材質のイオン化傾向よりも小さければ、本発明を同様に適用することができる。
【００７３】
本実施形態におけるように、画素の表示領域に形成された透明電極膜と非表示領域に形成された保護膜パターンは同じ材質から形成されていることが好ましい。これは、フォトリソグラフィ法により、画素の表示領域に形成された透明電極膜の形成時に、保護膜パターンも同時に形成できるからである。しかしながら、両者の材質が異なっていてもよく、保護膜パターンを形成する材質のイオン化傾向が、反射電極膜を形成する材質のイオン化傾向よりも大きければよい。
【００７４】
なお、本実施形態においては、画素が透過表示領域と反射表示領域とからなる半透過型液晶表示装置について説明したが、本発明は、反射型液晶表示装置に対しても適用可能であり、ＩＴＯ等からなる配線等の透明導電膜が形成された層上に反射電極膜を形成する場合には、同様の方法で透明導電膜と反射電極膜との電食反応を防止することができる。
【００７５】
また、本発明の適用範囲は液晶表示装置に限らず、例えば、図８に示すような構成を有する半導体装置にも適用できることは言うまでもない。更に、上述のイオン化傾向の相互関係を満たせば、図８における透明電極膜１に限らず、透明性を有しない材質に対しても本発明を適用することができる。
【００７６】
次に、本実施形態の効果について説明する。電食反応は、ＩＴＯとアルミニウム等の反応性が高い金属膜と、フォトリソグラフィにおける現像液等に代表されるアルカリ性の液体とが接触したときに生じるものであり、一般的な反射型又は半透過型液晶表示装置の製造工程においては、反射膜のフォトリソグラフィ中に起こる。
【００７７】
但し、反射型又は半透過型液晶表示装置の製造工程においても、反射電極膜が、ごく理想的な成膜状態であり、亀裂及びピンホール等を生じることがなければ、一般に起こる可能性はかなり低くなる。逆に、反射電極膜における亀裂及びピンホール等の欠陥を生じやすい段差が形成された箇所においては、電食反応による透明電極膜の消失が起こる可能性は高くなる。
【００７８】
本実施形態は、透明電極膜と同じ層に形成された保護膜パターンにより、透明電極膜上に成膜される反射電極膜の状態を改善し、亀裂及びピンホール等の欠陥の発生を低減させることができる。即ち、保護膜パターンにより表示領域に存在する透明電極膜を囲むことにより、反射電極膜加工時における電食反応による透明電極膜の消失を抑制することが可能となる。
【００７９】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法について、図４（ａ）乃至（ｃ）、図５（ｄ）乃至（ｆ）、及び図６を参照して説明する。図４は、第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図であり、図５は、図４に続く製造方法を工程順に示す断面図である。また、この製造方法により実際に本実施形態における半透過型液晶表示装置を製造し、その特性を評価した結果について説明する。
【００８０】
図４（ａ）に示すように、透明絶縁基板５０上に、下地絶縁膜となる二酸化ケイ素薄膜（図示せず）を全面に成膜する。透明絶縁基板５０は、低温ガラス基板とし、日本電気硝子社製ＯＡ−１０（商標名）基板を用いた。二酸化シリコン薄膜の膜厚は３００ｎｍとして、ＳｉＨ４及びＮ２Ｏを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成した。
【００８１】
次に、減圧ＣＶＤ法により、Ｓｉ２Ｈ６を原料ガスとして、アモルファスシリコン薄膜（図示せず）を６０ｎｍ堆積した。堆積条件としては、Ｓｉ２Ｈ６の流量２００ｓｃｃｍ、圧力１３Ｐａ、基板温度４５０℃の条件で、５０分間堆積を行った。このアモルファスシリコン薄膜に、波長３０８ｎｍのＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射するレーザアニール法を用いることにより、ポリシリコン薄膜１１を形成した。レーザ照射条件としては、エネルギー密度３９６ｍＪ／ｃｍ２、ビーム重ね率９０％の条件で、ビームをスキャン照射した。ポリシリコン薄膜１１は通常のフォトレジスト工程によるパターニング後に、ドライエッチング法によりアイランド化した。
【００８２】
次に、ポリシリコン薄膜１１に対して、イオンドーピングを行い、ソース・ドレイン領域を形成した後、アイランド化されたポリシリコン薄膜１１上に、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＨ４及びＯ２を原料ガスとして、ゲート絶縁膜１２となる二酸化シリコン薄膜を１２０ｎｍ堆積した。堆積条件としてはＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）の流量１８５ｓｃｃｍ、Ｏ２の流量３５００ｓｃｃｍ、Ｈｅの流量１００ｓｃｃｍ、圧力１２５Ｐａ、基板温度４１０℃、放電電力０．３３Ｗ／ｃｍ２の条件で７０秒間堆積を行った。
【００８３】
次に、プラズマＣＶＤ法により、ＳｉＨ４、ＰＨ３（Ｈ２希釈５％）及びＨ２を原料ガスとして、下層ゲート電極となるマイクロクリスタルシリコン薄膜を１００ｎｍ堆積した。堆積条件としては、ＳｉＨ４の流量２０ｓｃｃｍ、ＰＨ３の流量６５ｓｃｃｍ、Ｈ２の流量２５００ｓｃｃｍ、圧力２６０Ｐａ、放電電力密度１．３７Ｗ／ｃｍ２、基板温度３９０℃の条件で４分間堆積した。
【００８４】
次に、スパッタリング法により、上層ゲート電極となるクロム薄膜を２００ｎｍ堆積した。スパッタリングガスにはＡｒ（アルゴン）を使用しており、堆積条件としては、Ａｒの流量１００ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ、放電電力密度２Ｗ／ｃｍ２、基板温度１５０℃の条件で０．２３分間堆積した。このとき、膜の抵抗率としては、９×１０−３Ωｃｍの値であった。
【００８５】
次に、通常のフォトリソグラフィ法により、上層のクロム電極１４及び下層のマイクロクリスタルシリコン電極１３についてパターニングを行い、ゲート電極及びゲート配線（図示せず）を形成した後、Ｂ（ボロン）ドーピングを行い、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）（図示せず）を形成した。
【００８６】
その後、４５０℃で基板をアニールし、続いて水素プラズマを用いた水素化を行った。更に、再び減圧ＣＶＤ法により、ＳｉＯ２からなるゲートカバー層間膜１５を３００ｎｍ堆積した後、ドライエッチング法により第１のコンタクトホール５１を形成した。次に、スパッタ法により基板全面にＡｌ膜を４００ｎｍ堆積し、パターニングしてアルミニウム配線１６を形成した（図４（ｂ）を参照）。
【００８７】
次に、ＳｉＨ４、ＮＨ３、及びＮ２を材料とするＣＶＤ法により、基板全面にＳｉＮ膜１７を３００ｎｍ堆積し、更に、スピン塗布法により熱硬化のアクリル樹脂１８を塗布し、平坦性を向上させ（図４（ｃ）を参照）、第２のコンタクトホール５２を形成した後（図５（ｄ）を参照）、スパッタ法によりＩＴＯ（Indium Thin Oxide）からなる透明導電膜を８０ｎｍ堆積した。
【００８８】
次に、このＩＴＯからなる透明導電膜について、少なくとも表示領域を取り囲むような中空の帯状パターンを含むフォトマスクを使用したフォトリソグラフィ法によりレジストを形成した後に、このレジストをマスクとしてドライエッチングすることにより、ＩＴＯからなる透明電極膜１９を形成した（図５（ｅ）を参照）。この工程により、表示領域における透過表示に使用される透明電極膜と、表示領域の周囲に配置された帯状の保護膜パターンが形成される。
【００８９】
次に、スピン塗布法によりノボラック感光性樹脂を塗布し、フォトグラフィ法により画素領域の凹凸膜２０を形成した。このとき、凹凸膜２０のノボラック感光性樹脂はＡＺエレクトロマテリアルズ社製ＡＲＰ５０２（商標名）、塗布膜厚は２．０μｍ、現像液は東京応化製現像液ＴＦＲ−ＤＥ（商標名）、現像時間を６０秒として、アップフロー方式で行った。
【００９０】
次に、図５（ｆ）に示すように、凹凸膜２０の上に、反射電極膜となるＭｏ（モリブデン）薄膜３００ｎｍとＡｌ膜１００ｎｍとを基板全面に堆積し、フォトリソグラフィ法により反射電極膜のマスクパターンを形成し、パターニングして反射電極膜２１を形成した。反射電極膜形成に用いたフォトレジストは東京応化製のｉ線用レジストＴＤＭＲ−ＡＲ６８ＨＰ（商標名）、レジスト塗布膜厚は１．９μｍ、現像液は東京応化製現像液ＴＦＲ−ＤＥ（商標名）であり、現像はシャワー方式を用いて３０秒間行った。一連の反射電極膜２１のフォトリソグラフィにおいて、その周囲に保護膜パターンが形成された画素領域においては、電食反応によるＩＴＯの消失は見られなかった。以上のフォトリソグラフィに続き、前記フォトレジストをマスクとしたウェットエッチング法により反射電極膜２１を形成して、ＴＦＴ基板の作成を完了した。
【００９１】
このＴＦＴ基板に配向膜２２を塗布し、ポストセルスペーサ２６、カラーフィルタ２４及びブラックマトリクス２５、及びトランスファ電極等を有する対向基板と貼り合わせ、製品様に切断することで図６に示される半透過型液晶表示装置を得る。
【００９２】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法について説明する。本実施形態は、フォトリソグラフィ法及びエッチング法による第２のコンタクトホール形成までは（図５（ｄ）を参照）、第１の実施形態と同様である。
【００９３】
本実施形態においては、第２のコンタクトホール５２の形成後に、透明導電膜１９の堆積を加熱条件下で行う（図５（ｅ）を参照）。具体的な温度は、例えば１５０乃至２００℃である。続いて、前記透明導電膜の上にフォトレジストを塗布し、画素領域を囲む中空の帯状パターンと、それに加えて、ＩＣ（Integrated Circuit）実装時の端子部分を囲む中空の帯状のパターンとを含むマスクを用いて、フォトレジストを露光、現像し、このフォトレジストをマスクとしてエッチングすることにより、画素領域のみならず、ＩＣ実装時の端子部も同時に保護することができる透明電極のパターンを得る。
【００９４】
図２は、第２の実施形態に係る半導体装置において、ＩＣ実装端子部分に保護膜パターンを有する透明電極膜のパターンを示す概略平面図である。図２に示すように、ＩＣ実装時の端子部分である透明電極膜１及びアルミニウム配線２に対して、透明電極膜１の周囲には帯状の保護膜パターン３が配置されている。透明電極膜１は、例えばＩＴＯから形成されており、保護膜パターン３も透明電極膜１と同じ材質、即ち、ＩＴＯから形成されている。この保護膜パターン３は、透明電極膜１と同層上に設けられ、アルミニウム配線２の形成時に、透明電極膜１とアルミニウム配線２の電食反応による透明電極膜１の消失を抑制するものである。なお、保護膜パターン３の作用は、図８における作用と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【００９５】
以後は、第１の実施形態と同様に、凹凸膜２１及び反射電極膜２２を形成し、対向基板と貼り合わせて切断し、液晶を注入することで、目的の液晶表示装置を得る。
【００９６】
次に、本実施形態の半透過型液晶表示装置を試作した結果について、図４乃至図６を参照して説明する。先ず、第１の実施形態と同様にして、ガラス基板上にポリシリコン薄膜１１を形成してアイランド化し、イオンドーピングによってソース・ドレイン領域を形成した後、ゲート絶縁膜１２、マイクロクリスタルシリコン薄膜及びクロム薄膜を形成し、パターニングしてゲート配線及びゲート電極を形成した。
【００９７】
続いて、第１の実施形態と同様にして、イオンドーピングによりＬＤＤを形成した後、ＳｉＯ２膜を堆積し、第１のコンタクトホール５１を形成し、アルミニウム薄膜を堆積してパターニングによりデータ線を形成した。次に、窒化ケイ素膜１７を堆積し、アクリル樹脂１８による平坦化を行い、更に、第２のコンタクトホール５２を形成した。
【００９８】
次に、チャンバー内のヒータを３５０℃に加熱し、基板温度を１５０℃にした状態でＩＴＯ薄膜を４０ｎｍ堆積した。加熱環境下でＩＴＯを堆積することにより、電食反応への耐性が増すとともに、物理的強度を増強できるため、薄膜化によるＩＴＯ配線の破損の危険性を回避することができる。
【００９９】
続いて、フォトレジストを塗布し、画素領域を囲む中空帯状のパターンと、ＩＣ実装部を囲む中空帯状のパターンとを含むフォトマスクを用いて、フォトレジストのパターニングを行った。このフォトレジストをマスクとして、ウェットエッチング法により、ＩＴＯをエッチングし、透明電極と配線を得た。
【０１００】
以後は、第１の実施形態と同様に、凹凸膜２０及び反射電極膜２１を形成し、対向基板と張り合わせて切断し、液晶を注入することで目的の半透過型液晶表示装置を得た。以上の工程において、周囲に保護膜パターンが形成された画素電極に加えて、ＩＣ実装部のＩＴＯ電極についても電食反応によるＩＴＯの消失は観察されなかった。
【０１０１】
次に、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法について説明する。先ず、第１の実施形態と同様の方法で、窒化ケイ素膜１７、アクリル樹脂１８による平坦化、及び第２のコンタクトホール５２の形成までを行い、図５（ｄ）の構造を得る。これに続いて、ヘリウムプラズマによる基板の表面処理を行い、次に、ＩＴＯからなる透明導電膜を８０ｎｍ堆積する。透明導電膜の堆積前にヘリウムプラズマによる表面処理を行うことにより、透明導電膜とアクリル樹脂との密着性を向上することができる。
【０１０２】
次に、透明導電膜の上にフォトレジストを形成するが、このとき、フォトマスクには、ＩＣ実装部の下端のみを保護するために直線状のパターンを含むフォトマスクを使用する。このことにより、実装時に必要な接続部の下端幅を確保することができる。
【０１０３】
以後は、第１の実施形態と同様に透明導電膜のエッチングを行い、凹凸２０膜及び反射電極膜２１を形成して、ＴＦＴ基板の作成を完了する。これを第１の実施形態と同様に、対向基板と張り合わせて切断し、液晶を注入することで、半透過型液晶表示装置の作成を完了する。
【０１０４】
次に、本実施形態の半透過型液晶表示装置を試作した結果について、図４乃至図６を参照して説明する。第１の実施形態と同様にして、ガラス基板上にポリシリコン薄膜１１を形成してアイランド化し、イオンドーピングによってソース・ドレイン領域を形成した。次に、ゲート絶縁膜１２、クロム薄膜を形成し、パターニングしてゲート配線及びゲート電極を形成した。
【０１０５】
次に、第１の実施形態と同様にして、イオンドーピングによりＬＤＤを形成した後、ＳｉＯ２膜を堆積し、第１のコンタクトホール５１を形成し、アルミニウム薄膜を堆積してパターニングによりデータ線を形成した。続いて、窒化ケイ素膜１７を堆積し、アクリル樹脂１８による平坦化を行い、更に、第２のコンタクトホール５２を形成した。
【０１０６】
このアクリル樹脂表面をＲＦ１２００Ｗのヘリウムプラズマによって２０秒間処理した後、ＩＴＯを８０ｎｍ成膜した。ＩＴＯのパターニングは、ＩＣ実装端子の１端部にのみに直線状の保護膜パターンを有するフォトマスクを使用して行った。アクリル樹脂表面のヘリウムプラズマ処理により、ＩＴＯとアクリル樹脂との間の密着性が向上し、逆テーパ等、加工及び積層の際に不利となる構造の発生を抑えることができた。
【０１０７】
図３は、第３の実施形態に係る半導体装置において、ＩＣ実装端子下端部に保護パターンを有する透明電極のパターンを示す概略平面図である。図３においては、ＩＣ実装時における複数の（図示例では４個の）端子部分が配置されており、各端子部分は、透明電極膜１とそれに接続されたアルミニウム配線２とからなる。そして、透明電極膜１のアルミニウム配線２が接続された側とは反対側には、各透明電極１の端部に沿って直線状の連続した保護膜パターン３が形成されている。透明電極膜１は、例えばＩＴＯから形成されており、保護膜パターン３も透明電極膜１と同じ材質、即ち、ＩＴＯから形成されている。この保護膜パターン３は、透明電極膜１と同層上に設けられ、アルミニウム配線２の形成時に、透明電極膜１とアルミニウム配線２の電食反応による透明電極膜１の消失を抑制するものである。なお、保護膜パターン３の作用は、図８における作用と同様であるため、その詳細な説明は省略する。
【０１０８】
このように、連続した保護膜パターンを、一部の端部のみに隣接させることで、効率的に電食反応を抑制することも可能である。特に、ある規則を持って配置された端子群等においては、本実施形態に記載の通り、１端部のみに隣接させることで、端子全体において、電食反応を抑制することができる。
【０１０９】
次に、第１の実施形態と同様の方法により、感光性ノボラック樹脂により凹凸膜２０を形成し、その上に反射電極膜２１となるＡｌ膜を堆積し、フォトリソグラフィ法とエッチング法とにより反射電極膜２１を形成して、ＴＦＴ基板の作成を完了した。続いて、前記ＴＦＴ基板と、対向基板とを貼り合わせて切断し、液晶を注入することで、半透過型液晶表示装置の作成を完了する。
【０１１０】
なお、本発明は、上述の実施形態に限定されないことはもちろんである。例えば、凹凸膜２０の材質として、感光性ノボラック樹脂を使用しているが、アクリル樹脂を使用し、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法を用いて凹凸膜を形成しても同じ効果が得られた。また、対向基板として、ポストセルスペーサを用いず、ミクロパールを用いた場合も、同じ効果が得られた。
【０１１１】
以上説明したように、透明電極に隣接して、保護膜パターンを配置することにより、反射電極膜と透明電極膜との間に生じる電食反応を大幅に抑制することができた。
【産業上の利用可能性】
【０１１２】
本発明は、画素に反射電極を有する反射型及び半透過型液晶表示装置に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】第１の実施形態において、透明電極の周囲に保護膜パターンが形成された基板を示す概略平面図である。
【図２】第２の実施形態において、ＩＣ実装端子部分に保護膜パターンを有する透明電極膜のパターンを示す概略平面図である。
【図３】第３の実施形態において、ＩＣ実装端子下端部に保護膜パターンを有する透明電極のパターンを示す概略平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図５】図４に続く製造方法を工程順に示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の画素の構成を示す断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る半導体装置を備えた半透過型液晶表示装置の構成を示す平面図である。
【図８】本実施形態における保護膜パターンの役割を示す模式図であり、（ａ）は従来の問題点を示す断面図、（ｂ）は本実施形態における解決法を示す断面図である。
【図９】特許文献１に記載の従来の半透過型液晶表示装置の製造時における構成の一部を示す断面図であり
【符号の説明】
【０１１４】
１；透明電極膜
２；アルミニウム配線
３；保護膜パターン
４；ドライバＩＣ
１１；ポリシリコン薄膜
１２；ゲート絶縁膜
１３；マイクロクリスタルシリコン電極
１４；クロム電極
１５；ゲートカバー層間膜
１６；アルミニウム配線
１７；窒化ケイ素膜
１８；アクリル樹脂
１９；透明電極膜
２０；凹凸膜
２１；反射電極膜
２２；配向膜
２３；透明電極膜（対向基板側）
２４；カラーフィルタ
２５；ブラックマトリクス
２６；ポストセルスペーサ
３１；走査回路
３２；データレジスタ
３３；ラッチ回路
３４；ＤＡＣ回路
３５；セレクタ回路
３６；表示部
３７；レベルシフタ
３８；レベルシフタ／タイミングバッファ
３９；走査回路
５０、５３；透明絶縁基板
【図１】
2008009082.tif 000003
【図２】
2008009082.tif 000004
【図３】
2008009082.tif 000005
【図４】
2008009082.tif 000006
【図５】
2008009082.tif 000007
【図６】
2008009082.tif 000008
【図７】
2008009082.tif 000009
【図８】
2008009082.tif 000010
【図９】
2008009082.tif 000011