(57)【要約】【課題】膜堆積工程におけるコストダウンと安全性の向上【解決手段】本発明は、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜、または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。方法は、ケイ素を含有する前駆体、炭素を含有する前駆体および化学修飾剤を使用することを含む。本発明は、また有機シラン前駆体および化学修飾剤を使用することを含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素膜、または窒化ケイ素膜の堆積方法を開示する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素を含有する構造前駆体を用意すること；
炭素を含有するドーパント前駆体を用意すること；
該炭素を含有するドーパント前駆体と該ケイ素を含有する構造前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該ケイ素を含有する構造前駆体に加えられた該炭素を含有するドーパント前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を生成させること、
を含んでなる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法。
【請求項２】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項３】
該堆積が、堆積速度を上げるために、混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項４】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項５】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項６】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項７】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項８】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる請求項１の方法。
【請求項９】
該化学修飾剤が、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１０】
該ケイ素を含有する構造前駆体が、ビス（第３ブチル）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１１】
該堆積が、原子層堆積法（ＡＬＤ）、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、およびリモートダウンストリームプロセスからなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１２】
ビス（第３ブチル）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチル）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該ビス（第３ブチル）シラン前駆体に加えられた該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること;そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項１３】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１４】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１５】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１６】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１７】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該流量比Ｒ２を高めるることを含む請求項１２の方法。
【請求項１８】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１９】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる請求項１２の方法。
【請求項２０】
Ｆｓの流量を有する、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される有機シラン前駆体を用意すること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ１=Ｆｓ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ１を有していること；そして
高められたエッチ耐性を有する該酸化ケイ素膜または該窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素または窒化ケイ素膜の堆積のための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項２１】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ１を高めることを含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、処理温度を上昇させることを含む請求項２０の方法。
【請求項２３】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる請求項２０の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願へのクロスリファレンス
この出願は２００６年１１月２８日に出願された米国特許仮出願第６０/８６１,３２７号明細書の利益を主張する。この仮出願の開示を、参照することにより本明細書中に取り込む。
【０００２】
酸化ケイ素膜は、集積回路ためのトランジスター構造の製造での種々の用途に用いられる。これらの用途は、イオン注入ためのハードマスク、コンタクトホールのエッチングを制御するエッチ停止部、ゲートに沿ったサイドウォールスペーサー膜、エッチングまたはクリーニング工程から生じるダメージから、隣接した材料を遮蔽する保護膜、環境バリアー、および外縁部の静電容量を低下させる誘電体材料としての使用を含む。これらの多くの必要性に取り組むために、これらの膜の化学的特性および物理的特性を調整することが必要である。
【背景技術】
【０００３】
酸化ケイ素および窒化ケイ素を製造するためのより低温の方法が、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）、ビス（第３ブチル）シラン（ＢＴＢＡＳ）およびジエチルシラン（ＬＴＯ−４１０）等の化学的前駆体を使用することによって開発されてきた。しかし、誘電率、密度、これらの化学品でできた膜の湿式エッチ速度等の特性を変更するために有用な工程柔軟性がほとんどない。
【０００４】
米国特許出願第２００６/０２２８９０３Ａ１号明細書は、炭素をドープした窒化ケイ素膜を作るために、２種の前駆体化学品を合わせた使用を教示する。前駆体１は、膜構造を作るために使用され、そして前駆体２は、膜に炭素を添加するために利用される。開示に含まれるものは、ＢＴＢＡＳ、ジクロロシラン（ＤＣＳ）,ＨＣＤＳ、および他のアミノシラン等の、構造を形成する前駆体である。多くのアルキルシラン前駆体が炭素をドープする前駆体としての使用のために特定される。これらは、メチルシラン（１ＭＳ）、ジメチルシラン（２ＭＳ）、トリメチルシラン（３ＭＳ）、およびテトラメチルシラン（４ＭＳ）を含む。さらに、特定された前駆体の他の同族物は、アルキルジシランおよびハロゲン含有アルキルシランを含む。特許出願は、種々の潜在的な添加物を特定するが、該アプローチの実現可能性を確認するための実験データがない。例えば、ケイ素に結合した、いくつかのアルキル基の結合解離エネルギーは非常に弱く、したがって堆積された膜中に取り込まれることができないであろうことは公知である。
【０００５】
米国特許出願第２００５/０２３６６９４Ａ１号明細書は、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）により、３ＭＳおよび４ＭＳを使用する炭素エッチ停止（ＣＥＳ）膜の堆積を教示する。この方法によって炭素をドープした酸化ケイ素および炭素をドープした窒化ケイ素は、５００℃未満温度で誘電率を変化させて、堆積させることができる。ＰＥＣＶＤは、まさに特性を変化させることでより低い温度材料を堆積させる方法を可能にする。しかし、トランジスターの近くに膜を堆積させるためには、非常に好ましい方法ではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
米国特許出願第２００５/０２５５７１４Ａ１号明細書は、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）により窒化ケイ素および酸化ケイ素を堆積させるためのアミノジシラン類、シリルアジド類、およびシリルヒドラジン類の使用を教示する。該出願はこれらの前駆体の実現可能性を提言するが、集積回路の製造において利用されることが必要な所有コストに取り組む方式で、これらの前駆体から支持膜を製造できることを示す実験データは存在しない。さらに、安全取り扱いおよび材料の使用に関連した問題がある場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、
ケイ素を含有する構造前駆体を用意すること；
炭素を含有するドーパント前駆体を用意すること；
該炭素を含有するドーパント前駆体と該ケイ素を含有する構造前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該ケイ素を含有する構造前駆体に加えられた該炭素を含有するドーパント前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を生成させること、
を含んでなる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法である。
【０００８】
炭素の取り込みを増加させるために、混合比Ｒｍは高くなる。エッチ耐性は、混合比Ｒｍを高めることにより高まる。エッチ耐性は、流量比Ｒ２を高めることによりさらに高まる。堆積速度は、混合比Ｒｍを高めることにより上昇し、そして流量比Ｒ２を高めることによりさらに上昇する。膜密度は、混合比Ｒｍを高めることにより低下し、そして流量比Ｒ２を高めることによりさらに高まる。
【０００９】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる。
【００１０】
堆積の方法は、原子層堆積法（ＡＬＤ）、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、およびリモートダウンストリームプロセス（Ｒｅｍｏｔｅ  Ｄｏｗｎｓｔｒｅａｍ  Ｐｒｏｃｅｅｓ）からなる群から選択される。
【００１１】
化学修飾剤は、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される。ケイ素を含有する構造前駆体は、ビス（第３ブチル）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される。
【００１２】
本発明の別の態様は、ビス（第３ブチル）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチル）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該ビス（第３ブチル）シラン前駆体に加えられた該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）である。
【００１３】
炭素の取り込みを増加させるために、混合比Ｒｍは高くなる。エッチ耐性は、混合比Ｒｍを高めることにより高まる。エッチ耐性は、流量比Ｒ２を高めることによりさらに高まる。堆積速度は、混合比Ｒｍを高めることにより上昇し、そして流量比Ｒ２を高めることによりさらに上昇する。膜密度は、混合比Ｒｍを高めることにより低下し、そして流量比Ｒ２を高めることによりさらに高まる。
【００１４】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる。
【００１５】
また、本発明の別の態様は、
Ｆｓの流量を有する、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される有機シラン前駆体を用意すること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ１=Ｆｓ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ１を有していること；そして
高められたエッチ耐性を有する該酸化ケイ素膜または該窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素または窒化ケイ素膜の堆積のための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）である。
【００１６】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および０.２トール〜１０トールの圧力で行われる。エッチ耐性は、流量比Ｒ１を高めることによって高まる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
ロジックおよびメモリーデバイスの製造の前半部において、酸化ケイ素および窒化ケイ素膜の用途が出現する。用途は、犠牲膜、ハードマスク、サイドウォールスペーサー、および環境バリアーとしてのそれらの使用にわたる。これらの使用は、これらの膜の化学的特性および物理的特性への変化を必要とする。
これらは、湿式エッチ速度を下げること、湿式エッチ速度を上げること、誘電率を変えること、および膜応力を変えることを含む。これらの複数膜の必要性：改質酸化ケイ素または改質窒化ケイ素の堆積を可能にする、前駆体化学品を生成する新規な構造の使用、および前駆体を形成する構造のベース膜の特徴に対する変化を促進する添加物化学品を有するそうした膜を、堆積させるために既に使用された前駆体を形成する構造の組み合わせに取り組むために、２つの経路が探索されてきた。第２のアプローチの利点は、さらなる調整柔軟度が可能なことである、なぜなら化学品および処理条件は、いずれも誘電体膜の特性を変更するために使用できるからである。
【００１８】
この発明における化学品は、前記化学品により得られたものと、異なる特性を有する酸化ケイ素および窒化ケイ素膜の堆積を可能にする。さらに、前記の化学的前駆体とこれらの化学品とを混合することにより、これらの前駆体を生成する構造でできた誘電体膜の物理的および化学的特性を変更することが可能である。
有機シラン前駆体の同族物は、これら両方のアプローチを可能にすることが確認された。
【００１９】
この発明は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、および炭化ケイ素の誘電体膜を製造するための２つのアプローチを利用する。
【００２０】
第１のアプローチは、例えば、ＳｉＯ２を製造するための酸素源、Ｓｉ３Ｎ４を製造するための窒素源、およびＳｉＣを製造するためのヘリウム等の不活性ガス等の化学修飾剤と組み合わせた有機シランベースの前駆体を使用する。このアプローチを式（１）,（２）、および（３）に示す。
有機シラン前駆体＋Ｏ２＋キャリアガス（任意選択的）→改質されたＳｉＯ２（１）
有機シラン前駆体＋ＮＨ３＋キャリアガス（任意選択的）→改質されたＳｉＮ（２）
有機シラン前駆体＋不活性ガス＋キャリアガス（任意選択的）→改質されたＳｉＣ（３）
【００２１】
低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）がこの出願の引用例で使用されるが、これらの誘電体膜を堆積させるために、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、原子層堆積法（ＡＬＤ）、およびリモートダウンストリームプロセスを使用するこれらの有機シラン前駆体を用いることも可能である。
【００２２】
改質されたＳｉＯ２、ＳｉＮおよびＳｉＣ膜は、それぞれの材料の純粋な膜に類似する形態的構造を有する膜として定義されるが、しかし、最終の膜における追加的な炭素および／または窒素の存在により、その全体の化学的組成が変化してきた。これらの種の存在は、生じる膜の屈折率、および密度を変更する。これらの変化は、非改質ＳｉＯ２およびＳｉｇｇ３Ｎ４より高いかまたは低いかの、いずれかの誘電率を有する膜となる。これらの変化は、ＨＦ（フッ化水素酸）またはＨ３ＰＯ４を含有する酸性溶液における湿式エッチング速度等の性能特性の変化にもなる。
【００２３】
理論に拘束されるものではないが、これらの用途のために最もよく作用するこれらの有機シラン前駆体は、フェニルシラン（計算された結合解離エネルギー［ＢＤＥ］=８９Ｋｃａｌ/ｍｏｌｅ）などに存在する非常に強いＳｉ−Ｃ結合、またはテトラビニルシラン等の複数のＳｉ−Ｃ結合のいずれかが、Ｓｉ−Ｃ結合が膜構造の中に取り込まれることを確かにするために、存在するものである。
【００２４】
改質されたＳｉＯ２およびＳｉＮ膜を製造するための別のアプローチは、膜特性において所望の変化を可能にする第２のドーパント前駆体および化学修飾剤でドープしながら、必須のベース膜を作るために、ケイ素を含有する前駆体を生成する構造を利用することである。
【００２５】
例えば、ＢＴＢＡＳ、ＨＣＤＳ、およびＤＣＳは、酸化ケイ素および窒化ケイ素膜を製造するための周知のケイ素を含有する構造前駆体である。これらの前駆体の化学的構造により、利用される工程の枠は、生じる膜が狭い値の範囲内の屈折率、誘電率、および湿式エッチ速度を有するであろうようになっている。前駆体の温度、圧力、流量および添加物（すなわち、Ｏ２,Ｎ２、および不活性ガス）等の処理条件を変更すれば、典型的には最適な処理条件下で堆積された膜と、程遠い特性を有する膜を作らない。
【００２６】
これらの前駆体の１種でできた膜の特性を変えるために、我々のアプローチは、"ドープ"すること、または（炭素を含有する）第２のドーパント前駆体を該工程に加えることである。例えば、フェニルシラン等の第２有機シラン前駆体が、ＢＴＢＡＳからＳｉＯ２を製造するための基準工程でドーパントとして利用できる。式（４）および（５）に、この工程アプローチを具体的に示す。
構造前駆体＋有機シラン＋Ｏ２＋キャリアガス（任意選択的）→改質されたＳｉＯ２（４）
構造前駆体＋有機シラン＋ＮＨ３＋キャリアガス（任意選択的）→改質されたＳｉＮ（５）
【００２７】
炭素を最終の膜に取り込むために第２のドーパント前駆体を使用する利点は、基材上に形成されるにつれて、炭素が化学的結合を介して膜の中に張り巡らされることである。高温の表面（典型的には４００℃超）は、表面上への小さい炭素分子の凝集を促進しないであろうため、しばしばアセチレン、エチレン、エタン、プロピレンなど等の小さい炭化水素分子の添加を介して、少量の炭素を薄膜の中へドープすることは困難である。さらに、炭素が形成されるにつれて膜内で"自由"である場合、膜の表面または下地基材界面のいずれかに向かって起こる炭素移動の機会もある。
【００２８】
ケイ素または窒素原子等の別の官能基に繋がる炭素間の結合が弱い場合、この効果も起こることができる。膜形成の間に分子は表面上に凝集するので、炭素官能基は自由になりそして移動できるであろう。ＢＴＢＡＳにおける例では、窒素に結合した第３ブチル基は、熱でかなり変化しやすい。結合解離エネルギー（ＢＤＥ）計算は、窒素とｔ−ブチル基との間の結合の結合強度を７５.１Ｋｃａｌ/ｍｏｌｅと推定する。ＢＴＢＡＳ内に存在する最も弱い結合の１つである。したがって、ＣＶＤ法において最初に開裂するものの一つと見込まれる。しかし、自由な炭素が次に基材界面に移動できて、そしてインプラントドーパントの拡散に対してバリアーとして働くという点で、この結合の開裂に代わりとなる利益がある。
【００２９】
膜の構造の中に炭素を張り巡らすことによって、炭素は、さらに誘電体薄膜中に一様に分散する。この分散体は、膜ためのさらに均一な湿式エッチング速度、および膜の全体的な密度の低下を可能にするのに役立つであろう。
【実施例】
【００３０】
以下の例は、さらに本発明を具体的に説明する目的で提供されるが、決して本発明を限定することを目的としない。
【００３１】
例１は、ＬＰＣＶＤ法を使用して、ＢＴＢＡＳからＳｉＯ２を製造するための基準工程である。この例を、他のデータの基準として行った。
【００３２】
例２〜５は、酸素源と組み合わせた有機シラン含有する前駆体を通して、改質された酸化ケイ素を製造する本発明における第１のアプローチの裏付けデータである。
【００３３】
例６〜９は、炭素ドーピングを通して酸化ケイ素または窒化ケイ素を改質する、本発明の第２のアプローチの裏付けデータである。さらに具体的に言うと、堆積工程が、フェニルシラン等の（炭素を含有する）有機シランで、ドープされたＢＴＢＡＳ等の既存の前駆体化学品を使用して酸化ケイ素または窒化ケイ素を改質した。このアプローチの利点は、膜が、既に使用されている化学品から誘導されていることである。したがって、全く新規な化学品が組み入れられる場合より、取り組むべき設定および工程は少ない。さらに、調合物と存在する２つの化学品の比を変更することによって、最終の膜特性を、必要とされる工程に合うようにさらに調整できる。
【００３４】
例１：基準工程−ＢＴＢＡＳからの酸化ケイ素の堆積
これは、ＬＰＣＶＤ法を使用してＢＴＢＡＳからＳｉＯ２を製造するための基準工程である。この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５５０℃で、圧力は２５０ミリトールであり、Ｏ２：前駆体（ＢＴＢＡＳ）の流量比は２：１であった。結果を表１示す。
表１
【表１】
2008135755.tif 000003
【００３５】
例２：フェニルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は、
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は４００℃〜５００℃であり、圧力は６００ミリトールであり、前駆体（フェニルシラン）：Ｏ２の流量比は２：１〜４：１であった。結果を表２に示す。
表２
【表２】
2008135755.tif 000004
【００３６】
例３：テトラビニルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は５００℃〜６００℃であり、圧力範囲は６００ミリトール〜１トール圧であり、前駆体（テトラビニルシラン）：Ｏ２の流量比は１：１〜１：２であった。結果を表３に示す。
表３
【表３】
2008135755.tif 000005
ＮＤ：エッチ速度が検出されず、０Å/秒と推定される。
【００３７】
例４：シクロヘキシルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例ために処理条件は、：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は５００℃〜６００℃であり、圧力は６００ミリトールであり、前駆体（シクロヘキシルシラン）：Ｏ２の流量比は、１.３：１〜２.５：１であった。結果を表４に示す。
表４
【表４】
2008135755.tif 000006
【００３８】
例５：ｔｅｒｔ−ブチルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は４５０℃〜５００℃であり、圧力は６００ミリトールであり、前駆体（ｔｅｒｔ−ブチルシラン）：Ｏ２の流量比は１.７：１であった。
表５
【表５】
2008135755.tif 000007
【００３９】
例２〜５は、酸化ケイ素膜が、ＢＴＢＡＳ−誘導膜が堆積されたより遅く（より低い湿式エッチ速度によって示される）エッチすることを示した。これは、流量比（Ｏ２の流量と比較した前駆体の流量）を高めること、および工程の処理温度を上げることによって達成された。さらに具体的に言うと、流量比が高くなった場合、および／または工程の温度が上昇した場合、他の条件を変えずに、湿式エッチ速度が下がり、したがってエッチ耐性は、工程で高まった。
【００４０】
例６：ＢＴＢＡＳおよびフェニルシランからの炭素含有酸化ケイ素の堆積
この例では、材料特性を変えるために、前駆体を生成する第１構造としてＢＴＢＡＳおよびドーパント前駆体としてのフェニルシランを用いる。２種の化学品がフェニルシランをＢＴＢＡＳに重量で加えることによって予め混合された。混合比は０％〜７５％であった。
【００４１】
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５５０℃であり、圧力は２５０ミリトールであり、ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物のフローは１４ｓｃｃｍであり、Ｏ２フローは５ｓｃｃｍであり、そしてヘリウムフローは１０ｓｃｃｍであった。表６に膜組成物および湿式エッチ性能速度のデータをまとめた。
表６
【表６】
2008135755.tif 000008
【００４２】
結果は、ＢＴＢＡＳへのフェニルシランのより高い添加（より高い混合比）は、得られた酸化物膜の密度の低下、そして同時に膜のＨＦ湿式エッチ速度の低下、したがってエッチ耐性の向上となったことを示す。最も重要なことは、この研究は、酸化物膜への炭素の取り込みを促進する手段として、フェニルシランの能力を具体的に示した。調合物におけるより多量のフェニルシランは、膜構造に取り込まれるより多量の炭素となる。したがって、調合物中のフェニルシランの濃度をＢＴＢＡＳで操作することによって、この調合物で堆積された酸化物膜内に存在する生じた炭素の濃度に対するさらなる制御を得ることができるであろう。
【００４３】
これを確認するために、より低い濃度のフェニルシランをＢＴＢＡＳに加え、次に生じた混合物で酸化ケイ素膜を堆積した追跡研究を行った。
【００４４】
上で述べたような同一の処理温度および圧力条件を、この研究のために再び利用した。ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物のフローは１４ｓｃｃｍであり、Ｏ２フローは２０ｓｃｃｍであり、ヘリウムフローは１０ｓｃｃｍに保たれた。
【００４５】
表７に工程データをまとめ、そして表８に組成物および膜性能データをまとめた。
表７
【表７】
2008135755.tif 000009
表８
【表８】
2008135755.tif 000010
【００４６】
図１は、前駆体混合比の関数として１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示した。混合比が高まるにつれて、すなわち混合物が、比較的多くのフェニルシランを含む場合、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度は低下した。
【００４７】
図２は、膜中で検出される炭素の原子分率の関数として、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示した。さらに多くの原子分率の炭素が酸化ケイ素膜の構造に取り込まれるにつれて、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度が低下した。したがって、エッチ耐性は、膜構造中に炭素を取り込むことにより高められた。
【００４８】
結果は、２５％までのフェニルシランを前駆体調合物に加えることによって、堆積された膜で湿式エッチング速度が実質的に下がったことを示した。この研究から驚くべき発見は、この変化が膜の全体的な密度の約１０％の低下と同時に起こったことであった。典型的には、より遅いＨＦ湿式エッチング速度は、より厚い膜の指標である。現在の組成分析は、１００％ＢＴＢＡＳから、７５％ＢＴＢＡＳおよび２５％フェニルシランを含有する調合物になるにつれて、炭素の濃度は原子量で３％から１０％へ増加した。理論に拘束されるわけではないが、膜内に存在する添加された炭素は、膜の湿式エッチング速度の低下を助けと考えられている。
【００４９】
図３は、７５％ＢＴＢＡＳと２５％フェニルシランとの混合物で堆積された、ＳｉＯ２から得られたＦＴ−ＩＲスペクトルを示した。スペクトルは、Ｓｉ−Ｃバンドの肩部を有する１０８０ｃｍ−１の強いＳｉ−Ｏ伸縮吸収、および膜がいくらかの取り込まれた炭素を有するＳｉＯ２であることを確認する１１００ｃｍ−１の吸収を示した。前方散乱により測定すると１８％水素が膜中にあるにもかかわらず、興味深いことに、スペクトル中に非常に小さいＳｉ−Ｈが存在するようである。我々は、水素がＳｉＯ２ネットワーク中で結合するよりむしろ、主にフェニル基に結合すると考える。
【００５０】
図４に示される５０％ＢＴＢＡＳおよび５０％フェニルシランを使用して堆積された膜から得られた炭素１ｓ  ＸＰＳスペクトルで、膜内のそこなわれていないフェニル基の存在が確認される。ここで２８８.５ｅＶ近辺に位置するΠｔｏΠ＊ｓｈａｋｅ−ｕｐの特徴は、芳香族炭化水素構造の存在を非常に良く示す。
【００５１】
例７：ＢＴＢＡＳおよびフェニルシランからの炭素含有窒化ケイ素の堆積
この有機シラン前駆体を使用する炭素ドーピングと同じ工程は、炭素をドープした窒化ケイ素膜を堆積させるためにも用いることができる。
【００５２】
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５７０℃であり、圧力は２５０ミリトールであり、ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物フローは９ｓｃｃｍであり、ＮＨ３フローは４０ｓｃｃｍであり、ＮＨ３：前駆体混合物の流量比は０.２２５であり、そしてヘリウムスイープは１０ｓｃｃｍであった。
【００５３】
表９に工程データをまとめ、そして表１０に組成物および膜性能データをまとめた
表９
【表９】
2008135755.tif 000011
表１０
【表１０】
2008135755.tif 000012
【００５４】
炭素をドープした酸化ケイ素では、この方法論を介して炭素を含めると、広範な条件にわたって制御可能であることを、我々は観察した。フェニルシランの量が０％から２５％に増加するにつれて、窒化ケイ素膜の密度が１５％低下することを観察した。同時に、膜のＨＦ湿式エッチ速度において目立った低下があった。典型的には、より遅い湿式エッチ速度は、より厚い窒化ケイ素膜が原因と考えられる。
【００５５】
図５は、７５％ＢＴＢＡＳと２５％フェニルシランとの混合物を使用して堆積された、窒化ケイ素膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを示した。図は８７０ｃｍ−１でＳｉ−Ｃバンドの肩部を有する強いＳｉ−Ｎ伸縮吸収および膜が取り込まれたいくらかの炭素を有する窒化ケイ素膜であることを確認する１１００ｃｍ−１での吸収を示した。
【００５６】
例９：ＢＴＢＡＳおよびフェニルシランからの窒化ケイ素の堆積：
アンモニア（ＮＨ３）フローに対し、より多い前駆体混合物
窒化ケイ素の膜を、ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの混合物で堆積した。ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物フローは１４ｓｃｃｍであり、ＮＨ３フローは２０ｓｃｃｍであった。アンモニアフローに対する前駆体混合物フローの比率は、例８の０.２２５からこの例で０.７に高まった。この例の他の処理条件は、例８におけるのと同じである。さらに、２つの追加的なフェニルシランのドーピング濃度を、前に記載した例に示される値と比較して１０％〜２５％で加えた。
【００５７】
表１１に処理データをまとめ、そして表１２に組成物および膜性能データをまとめた。
表１１
【表１１】
2008135755.tif 000013
表１２
【表１２】
2008135755.tif 000014
【００５８】
アンモニアに対して前駆体混合物をより多く流すと、膜堆積速度はほぼ５倍となった。より速い前駆体フロー条件での屈折率は、より遅い前駆体フロー条件で観察されたものより低かった。これは、化学的および処理制御変数の組み合わせを使用して、炭素をドープした窒化ケイ素膜の誘電率を下げることができたことを示すであろう。
【００５９】
図６は、前駆体混合比の関数として１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示した。表９〜１２のデータを、すべて図中にプロットした。混合比が高まる、すなわち、混合物が相対的にさらにフェニルシランを含むにつれて、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度は低下した。
【００６０】
図７は、膜中で検出される炭素の原子分率の関数として、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示した。データは、表９〜１２からであった。より多くの原子分率の炭素が、窒化ケイ素膜の構造の中に取り込まれるにつれて、１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度は低下した。
【００６１】
例６〜９は、基準となるＢＴＢＡＳ堆積工程に、２％〜７５％のフェニルシランを加えることによって、堆積速度を上昇させ、膜の密度を低下させ、そして膜の湿式エッチ速度を低下させることができたことを示した。より低い密度、およびより遅い湿式エッチング速度の驚くべき観察は、堆積された膜内の、原子量で１％〜３５％の炭素の存在によると考えられる。したがって、これらの炭素をドープした酸化ケイ素および炭素をドープした窒化ケイ素膜は、湿式エッチ工程用エッチ停止バリアーとして使用できる。
【００６２】
先の例および態様の記載は、請求項により規定された本発明の限定としてより、むしろ具体的な説明として理解されることが好ましい。容易に適用されるであろう様に、上記で説明した特徴の数多くの変化および組み合わせは、本発明に記載の請求項から離れることなく利用できる。そうした変化は、本発明の精神および範囲から離れると見なされず、そしてすべてのそうした変化は、請求項の範囲内に含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】図１は、前駆体混合比の関数として、炭素含有酸化ケイ素膜の１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示す。
【図２】図２は、膜において検出される原子分率の炭素の関数として、炭素含有酸化ケイ素膜の１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示す。
【図３】図３は、７５％ＢＴＢＡＳおよび２５％フェニルシランの混合物で堆積されたＳｉＯ２から得られたＦＴ−ＩＲスペクトルを示す。
【図４】図４は、５０％ＢＴＢＡＳおよび５０％フェニルシランを使用して堆積された膜から得られた炭素１ＸＰＳスペクトルを示す。
【図５】図５は、７５％ＢＴＢＡＳおよび２５％フェニルシランの混合物を使用して堆積された窒化ケイ素膜のＦＴ−ＩＲスペクトルを示す。
【図６】図６は、前駆体混合比の関数として、１％ＨＦ湿式エッチ速度および炭素含有窒化ケイ素膜の密度を示す。
【図７】図７は、膜において検出される原子分率の炭素の関数として、炭素含有窒化ケイ素膜の１％ＨＦ湿式エッチ速度および密度を示す。
【図１】
2008135755.tif 000015
【図２】
2008135755.tif 000016
【図３】
2008135755.tif 000017
【図４】
2008135755.tif 000018
【図５】
2008135755.tif 000019
【図６】
2008135755.tif 000020
【図７】
2008135755.tif 000021
【手続補正書】
【提出日】平成20年1月23日(2008.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケイ素を含有する構造前駆体を用意すること；
炭素を含有するドーパント前駆体を用意すること；
該炭素を含有するドーパント前駆体と該ケイ素を含有する構造前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該炭素を含有するドーパント前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を生成させること、
を含んでなる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法。
【請求項２】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項３】
該堆積が、堆積速度を上げるために、混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項４】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１の方法。
【請求項５】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項６】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項７】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１の方法。
【請求項８】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項１の方法。
【請求項９】
該化学修飾剤が、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１０】
該ケイ素を含有する構造前駆体が、ビス（第３ブチル）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１１】
該堆積が、原子層堆積法（ＡＬＤ）、化学気相堆積法（ＣＶＤ）、低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）、プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、およびリモートダウンストリームプロセスからなる群から選択される請求項１の方法。
【請求項１２】
ビス（第３ブチル）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチル）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること;そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項１３】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１４】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１５】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該混合比Ｒｍを高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１６】
該堆積が、該エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１７】
該堆積が、堆積速度を上げるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１８】
該堆積が、膜密度を低下させるために、該流量比Ｒ２を高めることを含む請求項１２の方法。
【請求項１９】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項１２の方法。
【請求項２０】
Ｆｓの流量を有する、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される有機シラン前駆体を用意すること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ１=Ｆｓ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ１を有していること；そして
高められたエッチ耐性を有する該酸化ケイ素膜または該窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する酸化ケイ素または窒化ケイ素膜の堆積のための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）。
【請求項２１】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、該流量比Ｒ１を高めることを含む請求項２０の方法。
【請求項２２】
該堆積が、エッチ耐性を高めるために、処理温度を上昇させることを含む請求項２０の方法。
【請求項２３】
該堆積が、３５０℃〜７００℃の温度、および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる請求項２０の方法。
【請求項２４】
該ケイ素を含有するドーパント前駆体が、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される請求項１の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一態様は、
ケイ素を含有する構造前駆体を用意すること；
炭素を含有するドーパント前駆体を用意すること；
該炭素を含有するドーパント前駆体と該ケイ素を含有する構造前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該炭素を含有するドーパント前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が炭素の取り込みを増加させることで高まる、高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を生成させること、
を含んでなる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
化学修飾剤は、酸素、窒素、アンモニア、ヘリウム、アルゴン、キセノン、水素およびそれらの混合物からなる群から選択される。ケイ素を含有する構造前駆体は、ビス（第３ブチル）シラン、テトラエチルオルトシリケート、ジクロロシラン、ヘキサクロロジシランおよびそれらの混合物からなる群から選択され、該炭素を含有するドーパント前駆体は、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、テトラメチルシラン、テトラビニルシラン、フェニルシラン、シクロヘキシルシランおよびそれらの混合物からなる群から選択される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の別の態様は、ビス（第３ブチル）シラン前駆体を用意すること；
フェニルシラン前駆体を用意すること；
該フェニルシラン前駆体と該ビス（第３ブチル）シラン前駆体とを混合させて、２％〜８５％のＲｍ（該混合物中の該フェニルシラン前駆体の重量％）の混合比およびＦｍの流量を有する混合物を得ること；
Ｆｃの流量を有する、酸素、窒素、アンモニアおよびそれらの混合物からなる群から選択される化学修飾剤を用意すること；
Ｒ２=Ｆｍ/Ｆｃとして定義された、２５％〜７５％の流量比Ｒ２を有していること；そして
エッチ耐性が該炭素の取り込みを増加させることで高まる高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜を製造すること、
を含んで成る高められたエッチ耐性を有する炭素含有酸化ケイ素膜または炭素含有窒化ケイ素膜の堆積ための低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ）である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
堆積方法は、３５０℃〜７００℃の温度および２６．７Ｐａ（０.２トール）〜１３３３Ｐａ（１０トール）の圧力で行われる。エッチ耐性は、流量比Ｒ１を高めることによって高まる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
例１：基準工程−ＢＴＢＡＳからの酸化ケイ素の堆積
これは、ＬＰＣＶＤ法を使用してＢＴＢＡＳからＳｉＯ２を製造するための基準工程である。この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５５０℃で、圧力は３３．３Ｐａ（２５０ミリトール）であり、Ｏ２：前駆体（ＢＴＢＡＳ）の流量比は２：１であった。結果を表１示す。
表１
【表１】
2008135755.tif 000022
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
例２：フェニルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は、
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は４００℃〜５００℃であり、圧力は８０．０Ｐａ（６００ミリトール）であり、前駆体（フェニルシラン）：Ｏ２の流量比は２：１〜４：１であった。結果を表２に示す。
表２
【表２】
2008135755.tif 000023
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
例３：テトラビニルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は５００℃〜６００℃であり、圧力範囲は８０．０Ｐａ（６００ミリトール）〜１３３．３Ｐａ（１トール）圧であり、前駆体（テトラビニルシラン）：Ｏ２の流量比は１：１〜１：２であった。結果を表３に示す。
表３
【表３】
2008135755.tif 000024
ＮＤ：エッチ速度が検出されず、０Å/秒と推定される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
例４：シクロヘキシルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例ために処理条件は、：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は５００℃〜６００℃であり、圧力は８０．０Ｐａ（６００ミリトール）であり、前駆体（シクロヘキシルシラン）：Ｏ２の流量比は、１.３：１〜２.５：１であった。結果を表４に示す。
表４
【表４】
2008135755.tif 000025
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
例５：ｔｅｒｔ−ブチルシランからの酸化ケイ素の堆積
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度範囲は４５０℃〜５００℃であり、圧力は８０．０Ｐａ（６００ミリトール）であり、前駆体（ｔｅｒｔ−ブチルシラン）：Ｏ２の流量比は１.７：１であった。
表５
【表５】
2008135755.tif 000026
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５５０℃であり、圧力は３３．３Ｐａ（２５０ミリトール）であり、ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物のフローは１４ｓｃｃｍであり、Ｏ２フローは５ｓｃｃｍであり、そしてヘリウムフローは１０ｓｃｃｍであった。表６に膜組成物および湿式エッチ性能速度のデータをまとめた。
表６
【表６】
2008135755.tif 000027
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
この例の処理条件は：
ＬＰＣＶＤ堆積、温度は５７０℃であり、圧力は３３．３Ｐａ（２５０ミリトール）であり、ＢＴＢＡＳとフェニルシランとの前駆体混合物フローは９ｓｃｃｍであり、ＮＨ３フローは４０ｓｃｃｍであり、ＮＨ３：前駆体混合物の流量比は０.２２５であり、そしてヘリウムスイープは１０ｓｃｃｍであった。
【外国語明細書】
2008135755000001.pdf