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【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子溶液を連続的に処理して熱的に分離する方法であって、
前記連続処理は、蒸発主体の処理と脱気処理に区分され、前記蒸発主体の処理は蒸発混練器（４）において行われ、且つ脱気処理は混練器（１２）において行われ、
蒸発混練器（４）内において濃縮された混合物は、取出し機構（８）を介して連続的に取出され，蒸発混練器（４）から取出された混合物は、加圧機構により、好ましくはギアポンプ（９）により０．１バール以上、好ましくは１バール以上に加圧されることを特徴とする方法。
【請求項２】
加圧された混合物に液体又は気体の添加物が投入されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
混合物に投入された添加物は、混合管（１０）、静的混合器又は動的混合器により均一に混合されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
加圧下において添加物と均一に混合された混合物は、ノズル板（１１）を通して次工程の脱気処理を行う脱気混練器（１２）へ解放されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の方法。
【請求項５】
蒸発した揮発成分の蒸気は、混練器（４、１２）から取出されて蒸気ドーム（６、１４）に送られ、凝縮可能な成分はスプレー式の凝縮器に送られてほぼ完全に凝縮されて系外に取出され、凝縮不能な成分は別の工程に送られて処理されることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
脱気混練器（１２）において濃縮された混合物は、揮発成分を含まない塊状物として取出し機構（１５）を介して連続的に取出されて加圧機構、好ましくはギアポンプ（１６）により０．１バール以上、好ましくは１バール以上に加圧されることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記塊状物は、ノズル板を通った後に切断装置（１７）、好ましくは粒状化装置により所望の形状にされることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
蒸発混練器（４）及び脱気混練器（１２）は、それぞれが異なった絶対圧力１〜１０，０００ミリバール、より好ましくは絶対圧力１０〜２，０００ミリバール、−１００〜３００℃、好ましくは６０〜２５０℃、充填度が２０〜８０％において連続的に操作されることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
混練器（４、１２）は、回転数５〜１５０ｒｐｍ、並びに単位体積あたりのトルク１〜２００Ｎｍ／ｌ、好ましく１〜１００Ｎｍ／ｌのそれぞれが異なった回転数及びトルクで操作可能であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
混合物の揮発成分は、混練器（４、１２）の全長に渉って少量の添加物を添加することにより完全に分離されることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
揮発成分の蒸発冷却によって過熱による高分子の損傷を防ぐように、加圧力を絶対圧力１０〜２，０００ミリバールに選定することを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
蒸発混練器（４）の加熱温度及び混合物の最高温度は、製品の損傷温度に達するか又は超えないように制御されることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記添加物は、混合物の全長に均一に又は部分的に投入されるか、又は混練器の全長に渉って投入されることを特徴とする請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
蒸発主体の処理前の混合物が、予備濃縮されることを特徴とする請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
予備濃縮前の混合物の濃度は５〜８０％、好ましくは５〜５０％であり、管状循環式蒸発器（２）における熱的処理により、５〜９０％、好ましくは２０〜８０％で依然としてポンプ輸送可能な濃度にまで濃縮されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
予備濃縮により濃縮された混合物は、次工程の蒸発混練器（４）に投入され、残留揮発成分が２０％以下、好ましくは２〜１２％に達するまで蒸発処理されることを特徴とする請求項１４又は請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
予備濃縮された混合物は、蒸発混練器（４）へ１箇所から投入されるか又は複数の箇所から同時に投入されることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
蒸発混練器（４）及び／又は脱気混練器（１２）の取出し機構（８）に、１軸又は多軸の螺旋状の取出し装置が備えられ、該取り出し装置にギアポンプ（９、１６）が連結されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ギアポンプ（９、１６）の回転数を変化させることにより、混練器の充填度又はトルクが調整されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ギアポンプ（９、１６）の流入口に所定の圧力が生じて該ギアポンプに製品がほぼ満杯に充填されるように、前記螺旋状の取出し装置の回転数が調製されることを特徴とする請求項１８又は請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記螺旋状の取出し装置の回転数を変化させることにより、混練器の充填度又はトルクが調整されることを特徴とする請求項１８ないし請求項２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記ギアポンプ（９、１６）の流入口に所定の圧力が生じて該ギアポンプに製品がほぼ満杯に充填されるように、前記ギアポンプの回転数が調製されることを特徴とする請求項１８ないし請求項２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
混練器の充填度又はトルクが均一に保たれるように混練器の回転数が調製されることを特徴とする請求項１８ないし請求項２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記螺旋状の取出し装置は所定の回転数で駆動されて、混練器から排出された製品が滞留することなく直ちに取出されることを特徴とする請求項１８ないし請求項２３のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】歯科用インプラントのための支台
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
支台の材料応力は、図１２〜図１７に示され、支台の長手軸線に対して３０°の角度で作用する定力が加わる。図１３〜図１５に従って、本発明の支台では、肩部分またはインサート部分に与えられる最大応力を１００％とすると、図１２〜図１４に従う比較例において、対応する部分の最大応力は、実質的に１２４％以下の応力である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックを含有する少なくとも１つの層および
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックと、レーザ感応性添加剤として少なくとも１つの黒色顔料とを含有する少なくとも１つの層を備え、
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックを含有する層はレーザ感応性添加剤を含まず、少なくとも１つの熱可塑性プラスチックと、レーザ感応性添加剤として少なくとも１つの黒色顔料とを含有する層は、５〜３０μｍの層厚を有し、黒色顔料は、その層内に４０〜１８０ｐｐｍの量で存在することを特徴とする
層構造。
【請求項２】
請求項１記載の少なくとも１つの層構造を含むセキュリティ書類、好ましくは認証書類。
【請求項３】
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックを含有する少なくとも１つの層および
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックと少なくとも１つのレーザ感応性添加剤とを含有する少なくとも１つの層
を備え、
少なくとも１つの熱可塑性プラスチックと少なくとも１つのレーザ感応性添加剤とを含有する層は、５〜３０μｍの層厚を有し、レーザ感応性添加剤は、その層内に４０〜１８０ｐｐｍの量で存在することを特徴とする
共押出しフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバコネクタを研磨するための研磨装置であって、前記光ファイバコネクタが、コネクタハウジング及びフェルールを備え、
前記光コネクタを受容及び保持するためのマウントと、
研磨媒体を支持するプラテンを備える研磨機を格納するための、研磨機ハウジングであって、前記プラテンが、遊星歯車システムに連結され、前記マウントが、カバーが閉鎖位置に位置付けられる時に、前記研磨機ハウジングを取り囲む前記カバー上に配置される研磨機ハウジングと、
前記研磨機ハウジングを支持するためのベースであって、回転ノブが前記ベースの一部で露出され、前記回転ノブが、前記遊星歯車システムを回動させるように、該遊星歯車システムと係合され、前記研磨媒体が、前記カバーが前記閉鎖位置に位置付けられる時に、前記マウントに配置される前記光コネクタの前記フェルールの端面から延在する、ファイバ先端に近接して配置されるベースと、を備える、研磨装置。
【請求項２】
１つ以上の対応バッキングパッドが、前記研磨媒体と前記プラテンとの間に配置され、前記１つ以上の対応バッキングパッドが、前記研磨媒体と第２の対応バッキングパッドとの間に配置される、第１の対応バッキングパッドを備える、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記第１の対応バッキングパッドが、約０．８ｍｍの厚さ及び約６０〜約８０の硬度（ショアーＡ）を有し、前記第２の対応バッキングパッドは、約３ｍｍの厚さ及び約３０〜約５０の硬度（ショアー００）を有する、請求項２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記ファイバ先端が、前記光コネクタが前記マウントに配置され、前記カバーが前記閉鎖位置に位置付けられる時に、約１００グラムの力（０．９８Ｎ）〜約１５０グラムの力（１．４７Ｎ）の接触力を受ける、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項５】
前記研磨機ハウジング及び前記ベースが、単一ユニットとして一体的に形成される、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項６】
前記コネクタが、所定の角度で前記マウント内に保持され、前記所定の角度が、前記ファイバの前記長手方向に垂直な平面研磨及び角度付研磨の一方をもたらし、前記角度付研磨が、垂直から約２°〜約１２°の角度を含む、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項７】
押圧作動可能なインターロックボタンを更に備え、前記インターロックボタンが、前記回転ノブを解放し、前記インターロックが更なる回転を防止するように再係合されるまで、所定の回転のための前記回転ノブの回転を可能にするように押し下げられ、一方向のみの回転を可能にするように、前記回転ノブに連結されるラチェットを更に備える、請求項１に記載の研磨装置。
【請求項８】
剥離された端末末端部を有する光ファイバを提供する工程と、
コネクタ本体及びフェルールを通して前記ファイバを挿入する工程と、
ファイバ先端を生成するように、前記光ファイバの露出端部を切断する工程と、
前記フェルールの端部から前記ファイバ先端の突出部を設定する工程と、
前記光コネクタに前記光ファイバを固定する工程と、
研磨装置のマウント部分に前記光コネクタをマウントする工程であって、前記研磨装置が、研磨媒体を支持するプラテンを備える研磨機を含み、前記プラテンが、遊星歯車システムに連結され、前記マウントが、カバーが閉鎖位置に位置付けられる時に、前記研磨機ハウジングを取り囲む前記カバー上に配置される工程と、
前記遊星歯車システムを回動させるように、前記遊星歯車システムに係合する回転ノブを回転させる工程であって、前記研磨媒体が、前記カバーが前記閉鎖位置に位置付けられる時に、前記マウントに配置される前記光コネクタの前記フェルールの端面から延在する、ファイバ先端に近接して配置され、前記ノブを回転させる工程が、前記研磨媒体に対して前記突出ファイバ先端を研磨し、前記研磨が、所定の移動距離を含む工程と、を含む、光コネクタを研磨するための方法。
【請求項９】
前記ノブを回転させる工程が、非重複パターンで前記研磨媒体に対して前記突出ファイバ先端を研磨する、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリカーボネートまたはコポリカーボネートから成る少なくとも１つの層を有し、ポリカーボネートまたはコポリカーボネートは一般式（１）〜（８）の化合物の群：
【化１】
2012516792.tif 000001
（ここで、Ｒ１は互いに独立して、Ｃ１０〜Ｃ２５−アルキル、Ｃ１０〜Ｃ２５−アルコキシ、およびＣ１０〜Ｃ２５−アルキル置換アリールから成る群から選択され、
Ｒ２は互いに独立して、Ｃ１０〜Ｃ２５−アルキルカルボニルまたは水素の群から選択され、
Ｒ３は互いに独立して、Ｃ１０〜２５−アルキルの群から選択される）
から選択される１以上の添加剤をも含有することを特徴とする多層ホイルコンポジット。
【請求項２】
請求項１による多層ホイルコンポジットを備えるスマートＩＤカード、認証書類、ポータブルデータキャリア、ＥＣカード、健康保険証、クレジットカード、携帯電話カード。
【請求項３】
請求項１による多層ホイルコンポジットの、スマートＩＤカード、認証書類、ポータブルデータキャリア、ＥＣカード、健康保険証、クレジットカードまたは携帯電話カードとしての使用。
【請求項４】
請求項１による層を備えるホイルを、別のホイルにラミネートすることを特徴とする請求項１による多層ホイルコンポジットの製造方法。
【請求項５】
１〜１０重量％の一般式（１）〜（８）の１以上の化合物を含有するポリカーボネート組成物またはコポリカーボネート組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼燃料の火炎ゾーンを提供する燃焼チャンバと、
第１燃料排出口、及び、前記第１燃料排出口の下流で前記火炎ゾーンへ液体を散布する第２液体ノズル、を有する燃料ノズルアセンブリと、
前記第１燃料排出口と連通し、前記第１燃料排出口へ燃料を供給する燃料経路と、
前記燃料経路と連通し、前記第１燃料排出口の上流で前記燃料経路中に水を供給して燃料と混合する第１水経路と、
前記第２液体燃料ノズルと連通し、前記第２液体ノズルを通して前記火炎ゾーンへ水を供給する第２水経路と、
を備える、タービンエンジンの燃焼システム。
【請求項２】
前記第２液体ノズルは、前記燃料ノズルアセンブリの中心線と整列させてある、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第２液体ノズルは、中空円錐散布パターンで燃焼器内へ水を分配する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第２ノズルへ第２燃料又は水のいずれかを供給する第２経路をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２燃料がオイル燃料である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記第１燃料排出口への燃料が気体である、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記燃料ノズルアセンブリは、前記第２燃料ノズルを取り巻く複数の孔を有する霧化エアキャップを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記液体ノズルが±３％で流れ調整される、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
第１燃料排出口、及び、前記第１燃料排出口の下流で液体を散布する第２液体ノズル、を有する燃料ノズルアセンブリと、
前記第１燃料排出口と連通し、前記第１燃料排出口へ燃料を供給する燃料経路と、
前記燃料経路と連通し、前記第１燃料排出口の上流で前記燃料経路中に水を供給して燃料と混合する第１水経路と、
前記第２液体ノズルと連通し、前記第２燃料ノズルを通して燃料又は水のいずれかを供給する第２水経路と、
を備える、タービンエンジンの燃焼システム用の燃料ノズルアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２液体ノズルは、前記燃料ノズルアセンブリの中心線と整列させてある、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ノズルは、気体燃料運転中、中空円錐散布パターンで水を分配する、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記第２液体ノズルへ第２燃料を供給する第２燃料経路をさらに備える、請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記第２燃料がオイル燃料である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１燃料排出口への燃料が気体である、請求項９に記載のシステム。
【請求項１５】
前記燃料ノズルアセンブリは、前記第２液体ノズルを取り巻く複数の孔を有する霧化エアキャップを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
タービン燃焼器における排出物を抑制する方法であって、
第１気体燃料流へ水を噴射し、
該水を噴射した第１燃料流を、燃料ノズルアセンブリを通して燃焼チャンバへ供給し、
火炎ゾーンで前記第１燃料流を燃焼させ、
水を中空円錐散布パターンで前記火炎ゾーンへ噴射する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】拡散燃焼システム用の第２の水噴射システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ＮＯｘは、モノナイトロジェンオキサイドＮＯ及びＮＯ2（一酸化窒素及び二酸化窒素）の総称である。燃焼器の進歩は、ＮＯｘ排気物質がシステム設計全体の一部をなす他の重要な領域に影響を与えることのないように対処することに焦点が当てられている。拡散炎燃焼器では、ＮＯｘ排出物を抑制するために燃焼器内へ水又は水蒸気を噴射可能である。水の噴射は、高い燃焼器動特性（dynamics）の形態において、好ましくない安定性の問題や、ライナー亀裂に関連した耐久性の問題を引き起こし得る。このようなシステムの進歩の結果、排出物、動特性、ハードウェア寿命などの相反する設計基準のデリケートなバランスが要求されるようになった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第２液体（水）経路８が、水などの第２流体１３を、燃料ノズルアセンブリ１へ供給することが可能である。第２水経路８（８Ａ）は、単独で、あるいは、第１水経路４とのコンビネーションで、使用することができる。第１水経路４及び第２水経路８Ａは、同一の又は異なる水源７から供給を受け得る。燃焼タービンが天然ガスで運転している場合、第１水経路４と第２水経路８Ａとを経る二箇所で水を噴射するのが有効である。第１水経路４及び第２水経路８Ａの両方が使用される場合、水の供給は、第１と第２の二箇所の噴射位置間でおおよそ等分される。異なる散布比も使用可能である。例えば、第２水経路８Ａの水供給に対する第１水経路４の水供給の比は、５０：５０、６０：４０、７０：３０、８０：２０、９０：１０、１００：０、４０：６０、３０：７０、２０：８０、１０：９０、又は０：１００、さらにはその他のコンビネーションとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013530371.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
前記問題点を解決するために、本発明は、含浸される化粧料組成物の安定性及び化粧料組成物含浸後の安定性を高く維持することができる、化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品を提供しようとするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一側面は、化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係るポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品は、化粧料組成物含浸後にも優れた安定性を維持し、化粧料組成物の携帯性及び使用感を増加させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面は、化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを提供する。本発明の他の一側面において、ポリエーテル系ウレタンフォームは、化粧料組成物を入れて保持する担体として機能してよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化粧料組成物が含浸されたポリエーテル系ウレタンフォームを含む化粧品であって、
ポリエーテル系ウレタンフォームは、網状型構造を有することを特徴とする、化粧品。
【請求項２】
ポリエーテル系ウレタンフォームの密度は、１〜３ｐｃｆであることを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【請求項３】
ポリエーテル系ウレタンフォームは、７０〜１２０ｐｐｉ（１インチあたりのポア数）のポア（ｐｏｒｅ）数を有することを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【請求項４】
ポリエーテル系ウレタンフォームは、アスカー硬度計基準で１０〜７０の硬度を有することを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【請求項５】
ポリエーテル系ウレタンフォームは、オープンセル（ｏｐｅｎ  ｃｅｌｌ）構造を有することを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【請求項６】
化粧料組成物は、Ｗ／Ｏ（油中水）型又はＯ／Ｗ（水中油）型の乳化化粧料組成物であることを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【請求項７】
乳化化粧料組成物は、５０００〜１５０００ｃｐｓの粘度を有することを特徴とする、請求項６に記載の化粧品。
【請求項８】
化粧料組成物は、メイクアッププライマー、メイクアップベース、ファンデーション、パウダー、ツインケーキ、リップスティック、リップグロス、アイシャドウ、アイブロウ、コンシーラー又はブラッシャーであることを特徴とする、請求項１に記載の化粧品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月17日(2013.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料であって、
活性化前の状態を有し、前記材料は、前記活性化前状態において、
約２〜約８０重量パーセントのエポキシ樹脂を含み、
約８０℃〜約１２０℃の温度で約１００Ｐａ*Ｓ以上の粘度を有し、
前記材料は、前記活性化前状態において、約１．５×１０5Ｐａ以上の圧力でアプリケータのオリフィスを通って流れ、前記材料は製品に設けられた複数の貫通穴を通って動き、前記材料が前記１つ又は２つ以上の貫通穴に合致して前記材料が引き抜きに抵抗するよう前記製品に自己固定される、材料。
【請求項２】
前記活性化前状態の前記材料の前記粘度は、前記材料が大気圧よりも高い圧力を受けなければ流動することがないほど低い、請求項１記載の材料。
【請求項３】
前記材料は、活性化可能であり、前記材料は、耐衝撃性改良剤とエポキシ樹脂の両方を含み、前記エポキシ樹脂は固体エポキシと液体エポキシの両方である、請求項１又は２記載の材料
【請求項４】
方法であって、
ａ．複数個の貫通穴を有する製品を用意するステップと、
ｂ．請求項１〜３のうちいずれか一に記載の材料をアプリケータに提供するステップと、
ｃ．前記材料を前記複数個の貫通穴相互間を跨ぐ連続ビードの状態で前記製品に塗布するステップと、
ｄ．前記材料を前記複数個の貫通穴中に押し通して前記製品と前記材料との間にインターロック関係が生じるようにするステップと、
ｅ．前記材料を硬化させるステップとを有する、方法。
【請求項５】
前記アプリケータは、ミニアプリケータであり、前記活性化可能材料は、ミニアプリケータを用いて前記製品に直接塗布され、
前記活性化可能材料及び前記製品には、前記材料を前記製品に固定的に連結する機械的締結具が存在しない、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記材料を前記製品に塗布するステップの実施中、前記材料の粘度を調節するステップを更に有する、請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】
前記材料を前記製品に塗布するステップの実施中、前記材料に加えられる圧力を調節するステップを更に有する、請求項４〜６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
前記材料は、ＵＶ光への暴露によって硬化される、請求項４〜７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
前記製品は、前記複数個の貫通穴の周りにロゼット（rosette ）を有し、前記活性化可能材料を前記貫通穴中に押し通しているときに前記活性化可能材料が前記ロゼット内で互いに絡み合い状態になって活性化可能材料が自己固定されるようにする、請求項４〜８のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、
ｉ）前記材料の塗布中、１つ又は２つ以上のシステム条件を測定するステップと、
ｉｉ）前記材料の塗布中、前記測定したシステム条件のうちの１つ又は２つ以上に基づいて前記アプリケータのオリフィスサイズを調節するステップと、
ｉｉｉ）前記材料の塗布中、前記測定したシステム条件のうちの１つ又は２つ以上に基づいて前記アプリケータの温度を調節するステップとを有する、請求項４〜９のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法は、
前記アプリケータの速度の調節、前記製品の速度の調節又はこれら両方の調節を行って前記貫通穴中に押し通される前記材料の量の変化、前記材料のサイズの変化及びこれら両方の変化を生じさせるステップを有し、
前記測定されるシステム条件は、温度、粘度、剪断速度、圧力又はこれらの組み合わせである、請求項４〜１０のうちいずれか一に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型の半導体材料の基板層と、
前記基板層の上側表面上の前記第１の導電型の半導体材料のチャネル層であって、前記チャネル層が前記チャネル層の隣接面から上に延びる１つまたは複数の隆起領域を備え、１つまたは複数の隆起領域は各々第１の側壁と第２の側壁を備え、前記１つまたは複数の隆起領域の前記第１の側壁および前記第２の側壁は内向きにテーパーし、前記基板層の前記上側表面に対して垂直方向から少なくとも５°の角度を形成し、前記１つまたは複数の隆起領域の各々が、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型の導電率である前記隆起領域の前記半導体材料にドーパントをドープする半導体材料の注入領域を備え、前記注入領域の各々が前記第１の側壁および前記第２の側壁の各々に隣接している、チャネル層と、
前記チャネル層の隣接する表面がそれぞれ下方に延びて形成されるゲート領域と、
前記１つまたは複数の隆起領域の各々の前記上側表面上の前記第１の導電型の半導体材料のソース層と、
を備える、半導体デバイスであって、
第２導電型の導電性を付与するドーパントが、前記ソース層の各々の中に注入されないように、前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域が前記ソース層の各々から下方にオフセットしている、
半導体デバイス。
【請求項２】
実質的に前記１つまたは複数の隆起領域の内側の領域のドーピング濃度と同じドーピング濃度を有する前記第１の導電型の半導体材料の領域によって、前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域の各々が前記ソース層の各々からオフセットしている、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記ソース層および前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域は、それぞれドーピング濃度が少なくとも１×１０19ｃｍ-3である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域が、前記ソース層の各々から０．５μｍ以下だけオフセットしている、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記１つまたは複数の隆起領域の前記上側表面に接する各々の前記注入領域と、
前記隆起領域の内側部分上に前記ソース層があり、
前記デバイスが、前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域に隣接する前記隆起領域の前記上側表面上に酸化物をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記１つまたは複数の隆起領域の前記上側表面に隣接する前記第１側壁および前記第２の側壁は、前記基板層の前記上側表面に対して垂直方向から５°未満の角度で配向される、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１側壁および前記第２の側壁の各々は内向きにテーパーし、前記ゲート領域の少なくとも１つの下側表面と前記１つまたは複数の隆起領域の各々の前記上側表面との間の距離の少なくとも１／２にわたって、前記基板層の上側表面に対して垂直方向から少なくとも５°の角度を形成する、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記チャネル層の前記下側表面と前記１つまたは複数の隆起領域の前記上側表面の各々との間の垂直距離が０．５〜５μｍであり、前記注入領域の外で前記チャネル層のドーピング濃度が１×１０16〜１×１０18ｃｍ-3である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記基板層は、厚さが１００〜５００μｍであり、ドーピング濃度が１×１０19〜５×ｌ０19ｃｍ-3である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記ソース層は、厚さが０．１〜１．０μｍであり、ドーピング濃度が１×１０18〜１×ｌ０20ｃｍ-3である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記１つまたは複数の隆起領域の前記注入領域および前記ゲート領域はそれぞれ、ドーピング濃度が５×ｌ０18〜１×１０20ｃｍ-3である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記基板層と前記チャネル層との間に前記第１の導電型の半導体材料のドリフト層をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
前記ドリフト層は、厚さが５〜１００μｍであり、ドーピング濃度が１×１０14〜２×１０16ｃｍ-3である、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記基板層と前記チャネル層との間にバッファ層をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記バッファ層は、厚さが０．１〜１μｍであり、ドーピング濃度が５×ｌ０17〜５×ｌ０18ｃｍ-3である、請求項１４に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
前記半導体デバイスが複数の隆起領域を備え、前記複数の隆起領域は細長く、フィンガーとして離間した関係で配列される、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１７】
前記第１の導電型の前記半導体材料はｎ型半導体材料であり、
前記第２の導電型の前記半導体材料はｐ型半導体材料であり、
第２の導電型の導電性を付与するドーパントはアルミニウムイオンを含む、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記半導体材料が広バンドギャップ半導体材料である、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項１９】
前記チャネル層の第１の前記隣接面上の第１のゲートコンタクトと、
前記ソース層上のソースコンタクトと、
前記チャネル層に対向する前記基板層の表面上のドレインコンタクトと
をさらに備える、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項２０】
第１の導電型の半導体材料のチャネル層にイオンを選択的に注入して、前記第１の導電型とは異なる第２の導電型の半導体材料にドーパントをドープする注入ゲート領域を形成することであって、前記チャネル層が基板層の上側表面上にあり、前記チャネル層がチャネル層の隣接面から上方に延びる１つまたは複数の隆起領域を備え、前記１つまたは複数の隆起領域は各々第１の側壁および第２の側壁とを備え、前記１つまたは複数の隆起領域の前記第１の側壁および前記第２の側壁は内向きにテーパーし、前記基板層の前記上側表面に対して垂直方向から少なくとも５°の角度を形成し、前記１つまたは複数の隆起領域の各々の前記上側表面上に前記第１の導電型の半導体材料のソース領域があり、前記ソース領域の各々は、前記第１の側壁および前記第２の側壁に隣接する側壁と上側表面とを備え、前記ソース領域の前記上側表面上に注入マスクがあり、前記注入マスクは、イオンの注入の間に前記ソース領域の前記下側表面中に形成され、前記注入マスクは、前記側壁中、および前記チャネル層の前記隣接面中に形成され、前記注入ゲート領域は、前記１つまたは複数の隆起領域の前記上側表面の各々から下方にオフセットされ、１つ以上の第２の導電型の導電性を付与する前記ドーパントが各々のソース領域内に注入されないように領域を隆起して、前記注入マスクを除去することを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月18日(2013.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２−（（３Ｒ，５Ｒ，６Ｓ）−５−（３−クロロフェニル）−６−（４−クロロフェニル）−１−（（Ｓ）−１−（イソプロピルスルホニル）−３−メチルブタン−２−イル）−３−メチル−２−オキソピペリジン−３−イル）酢酸、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項２】
２−（（３Ｒ，５Ｒ，６Ｓ）−５−（３−クロロフェニル）−６−（４−クロロフェニル）−１−（（Ｓ）−１−（イソプロピルスルホニル）−３−メチルブタン−２−イル）−３−メチル−２−オキソピペリジン−３−イル）酢酸またはその薬学的に許容される塩を、薬学的に許容される賦形剤、希釈剤または担体と共に含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月12日(2013.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面が疎水性コーティングで被覆されていることを特徴とする粒状軽石。
【請求項２】
前記コーティングが、シラン、シロキサン、またはそれらの任意の混合物からなることを特徴とする、請求項１に記載の軽石。
【請求項３】
シランとして、
Ａ１）一般式
Ｒ３−Ｓｉ−（ＯＲ２）３
（式中、
Ｒ２は、メチルもしくはエチル基であり、
Ｒ３は、３〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、もしくは
１〜６個の炭素原子を有するアミノアルキル基、もしくは
一般式  Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）ｘＲ４−（ＣＨ２）ｙ−で表される基
（式中、
Ｒ４は、酸素、硫黄、−ＮＨ−、または−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＨ−基であり、
ｘ≧２であり、
ｙ≧２である）、もしくは
一般式  （Ｒ２Ｏ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ−で表される基
（Ｒ２およびｘは上で定義された通りである）、
【化１】
2013529171.tif 000001
（式中、ｎは１〜５の整数である）である）
で表されるシランが使用されること、または
シロキサンとして、
Ａ２）一般式
【化２】
2013529171.tif 000002
（式中、
Ｒ５は、メチルまたはフェニル基であるが、Ｒ５基の少なくとも９０％がメチル基であり、ｍ＝２０〜２５０である）
で表されるポリシロキサンまたはシロキサノールが使用されること、かつ
使用される混合物が、Ａ１）のシランとＡ２）のシロキサンとからなり、Ａ１）とＡ２）の比が、前記化合物Ａ２）の１個のＳｉＯＨ基が前記化合物Ａ１）の１＜〜３個のＯＲ２基に対応するように維持され、Ｒ２が１〜４個の炭素原子を有するアルキル基であることを特徴とする、請求項２に記載の軽石。
【請求項４】
前記コーティングが、さらに、少なくとも１種の有機脂肪酸または少なくとも１種の有機脂肪酸の塩からなることを特徴とする、請求項１に記載の軽石。
【請求項５】
前記コーティングが、さらに、鉱油または鉱油エマルジョンからなることを特徴とする、請求項１に記載の軽石。
【請求項６】
前記コーティングが、さらに、少なくとも１種のアルカンからなることを特徴とする、請求項１に記載の軽石。
【請求項７】
前記コーティングが、さらに、ビチューメンまたはビチューメンエマルジョンからなることを特徴とする、請求項１に記載の軽石。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の粒状軽石を含む軽量骨材。
【請求項９】
前記粒状軽石を外相中に分散され、かつ、内相を形成する少なくとも１種の疎水化剤を含むエマルジョンで濡らし、次いで前記粒状軽石を乾燥させて、前記疎水化剤で前記軽石粒の表面に疎水性コーティングを形成させることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の軽石を製造する方法。
【請求項１０】
前記エマルジョンが散布されることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記エマルジョンの添加中または添加後、前記軽石を混合することを特徴とする、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記混合時間が１分〜２５分、特に１０分〜１５分であることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記濡らした軽石を、０〜２００℃、好ましくは１３０〜１８０℃の温度で、特に約１５０℃で乾燥させることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
疎水化剤として、少なくとも１種のシラン、少なくとも１種のシロキサン、またはそれらの任意の混合物を使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
シランとして、
Ａ１）一般式
Ｒ３−Ｓｉ−（ＯＲ２）３
（式中、
Ｒ２は、メチルもしくはエチル基であり、
Ｒ３は、３〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、もしくは
１〜６個の炭素原子を有するアミノアルキル基、もしくは
一般式  Ｈ２Ｎ−（ＣＨ２）ｘＲ４−（ＣＨ２）ｙ−で表される基
（式中、
Ｒ４は酸素、硫黄、−ＮＨ−、または−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＮＨ−基であり、
ｘ≧２であり、
ｙ≧２である）、もしくは
一般式  （Ｒ２Ｏ）３Ｓｉ−（ＣＨ２）ｘ−ＮＨ（ＣＨ２）ｘ−で表される基
（Ｒ２およびｘは、上で定義された通りである）、
【化３】
2013529171.tif 000003
（式中、ｎは１〜５の整数である）である）
で表されるシランを使用すること、または
シロキサンとして、
Ａ２）一般式
【化４】
2013529171.tif 000004
（式中、
Ｒ５は、メチルまたはフェニル基であるが、Ｒ５基の少なくとも９０％がメチル基であり、ｍ＝２０〜２５０である）
で表されるポリシロキサンまたはシロキサノールを使用すること、または
少なくとも１種のＡ１）のシランと少なくとも１種のＡ２）のシロキサンとを含む混合物を使用することを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
さらに、少なくとも１種の有機脂肪酸または少なくとも１種の有機脂肪酸塩からなる疎水化剤を使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
さらに、疎水化剤として、鉱油を使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
さらに、疎水化剤として、アルカンを使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、疎水化剤として、ビチューメンを使用することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
前記外相が水であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項２１】
前記エマルジョン中の疎水化剤の含有量（ｇ）が、濡らすべき軽石の量（ｇ）の０．１％〜２．５％、特に０．３％〜１％であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項２２】
外相、特に水の量（ｇ）が、濡らすべき軽石の量（ｇ）の１／５〜１／３、特に１／４であることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトＣＳＦ−１Ｒ変異体（配列番号１５）を特異的に結合し、配列ＳＹＧＭＨ（配列番号１）を含むＣＤＲＨ１、配列ＶＩＷＹＤＧＳＮＫＹＹＡＤＳＶＫＧ（配列番号２）を含むＣＤＲＨ２、配列ＧＤＹＥＶＤＹＧＭＤＶ（配列番号３）を含むＣＤＲＨ３、配列ＲＡＳＱＧＩＳＮＡＬＡ（配列番号４）を含むＣＤＲＬ１、配列ＤＡＳＳＬＥＳ（配列番号５）を含むＣＤＲＬ２、および配列ＱＱＦＮＳＹＰＷＴ（配列番号６）を含むＣＤＲＬ３を含む、抗体またはその断片。
【請求項２】
アミノ酸配列：
ＡＩＱＬＴＱＳＰＳＳＬＳＡＳＶＧＤＲＶＴＩＴＣＲＡＳＱＧＩＳＮＡＬＡＷＹＱＱＫＰＧＫＡＰＫＬＬＩＹＤＡＳＳＬＥＳＧＶＰＳＲＦＳＧＳＧＳＧＴＤＦＴＬＴＩＳＳＬＱＰＥＤＦＡＴＹＹＣＱＱＦＮＳＹＰＷＴＦＧＱＧＴＫＶＥＩＫ（配列番号８）を含むＶＬ、
およびアミノ酸配列：
ＱＤＱＬＶＥＳＧＧＧＶＶＱＰＧＲＳＬＲＬＳＣＡＡＳＧＦＴＦＳＳＹＧＭＨＷＶＲＱＡＰＧＥＧＬＥＷＶＡＶＩＷＹＤＧＳＮＫＹＹＡＤＳＶＫＧＲＦＴＩＳＲＤＮＳＫＮＴＬＹＬＱＭＮＳＬＲＡＥＤＴＡＶＹＹＣＡＲＧＤＹＥＶＤＹＧＭＤＶＷＧＱＧＴＴＶＴＶＡＳ（配列番号７）を含むＶＨ
を含む、請求項１に記載の抗体またはその断片。
【請求項３】
配列番号９のアミノ酸配列を含む重鎖および配列番号１０のアミノ酸配列を含む軽鎖を含む、請求項１または２に記載の抗体またはその断片。
【請求項４】
配列番号９のアミノ酸配列を各々含む２個の重鎖および配列番号１０のアミノ酸配列を各々含む２個の軽鎖を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の抗体またはその断片。
【請求項５】
癌の治療のための請求項１〜４のいずれか一項に記載の抗体またはその断片を含む医薬組成物。
【請求項６】
前記癌が、白血病、乳癌、子宮内膜癌、前立腺癌、卵巣癌、結腸直腸癌、肝細胞癌、腎臓癌、多発性骨髄腫またはホジキンリンパ腫である、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記癌が、白血病、乳癌、子宮内膜癌または前立腺癌である、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記抗体またはその断片が、他の抗癌治療による治療法の開始の前、その間、実質的にそれと同時、またはその後に投与される、請求項５〜７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記抗癌治療が、ドセタキセル、パクリタキセル、Ｈｅｒｃｅｐｔｉｎ（登録商標）およびドキソルビシンからなる群から選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
癌を有する被験体が抗ＣＳＦ−１Ｒ抗体ベースの癌治療レジメンのための候補かどうかを決定する方法であって、該抗体が請求項１〜４のいずれか一項に記載の抗体であり、該方法が、
サンプルを血液、血清、血漿、腫瘍細胞および循環性腫瘍細胞からなる群から選択し、前記被験体の前記サンプルにおけるＣＳＦ−１もしくはＩＬ−３４または両者のレベルをエクスビボまたはインビトロで決定することを含み、
癌を患わない個体におけるＣＳＦ−１もしくはＩＬ−３４または両者のレベルと比較して、ＣＳＦ−１もしくはＩＬ−３４または両者のレベルの増加は前記被験体が抗ＣＳＦ−１Ｒ抗体ベースの癌治療レジメンのための候補であることを示す、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記他の送信シナリオは、シングルセル・マルチユーザ多入力・多出力（ＭＵ−ＭＩＭＯ）、協調マルチポイント（ＣｏＭＰ）及びリレー／ヘテロジニアス・ネットワーク（ＨｅｔＮｅｔ）から成るグループから選択されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
送信機（100）からの下りリンク送信で使用される送信ランク値を受信機（140）に知らせるよう機能する、前記送信機（100）であって、
下りリンク制御情報（ＤＣＩ）フォーマットのメッセージを送信するように、送信回路（Tx）に指示するよう機能する処理回路（120）を備え、
前記ＤＣＩフォーマットは、１ビットの新規データ・インジケータ（ＮＤＩ）（14）と、１ビットのスクランブリング識別子（ＳＩ）（16）と、無効化または有効化された複数のトランスポート・ブロック（ＴＢ）（12）と、２つの追加ビット（20）とを含み、
前記１ビットのスクランブリング識別子（16）及び前記２つの追加ビット（20）は、３から８までの前記送信ランク値を黙示的に示すように一緒に符号化されている
ことを特徴とする送信機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２７】
前記他の送信シナリオは、シングルセル・マルチユーザ多入力・多出力（ＭＵ−ＭＩＭＯ）、協調マルチポイント（ＣｏＭＰ）及びリレー／ヘテロジニアス・ネットワーク（ＨｅｔＮｅｔ）から成るグループから選択されることを特徴とする請求項２６に記載の送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミノ−ホスフェートを吸着剤として有する吸着容器を含む、余熱及び／または吸着熱管理を伴った乾燥装置。
【請求項２】
前記アルミノ−ホスフェートは、再生可能なシリコ−アルミノ−ホスフェート（ＳＡＰＯ）であることを特徴とする、請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項３】
前記シリコ−アルミノ−ホスフェートは、ＳＡＰＯ−５、ＳＡＰＯ−８、ＳＡＰＯ−１１、ＳＡＰＯ−１６、ＳＡＰＯ−１７、ＳＡＰＯ−１８、ＳＡＰＯ−２０、ＳＡＰＯ−３１、ＳＡＰＯ−３４、ＳＡＰＯ−３５、ＳＡＰＯ−３６、ＳＡＰＯ−３７、ＳＡＰＯ−４０、ＳＡＰＯ−４１、ＳＡＰＯ−４２、ＳＡＰＯ−４４、ＳＡＰＯ−４７、ＳＡＰＯ−５６型の微小孔性のシリコ−アルミノ−ホスフェート（ＳＡＰＯ）であることを特徴とする、請求項２に記載の乾燥装置。
【請求項４】
前記シリコ−アルミノ−ホスフェートは、ケイ素、チタン、鉄、マンガン、コバルト、銅、クロム、亜鉛およびニッケルから選択される少なくとも１つのさらなる金属を含むことを特徴とする、請求項２または３に記載の乾燥装置。
【請求項５】
前記アルミノ−ホスフェートは、ケイ素、チタン、鉄、マンガン、銅、クロム、亜鉛、コバルトおよびニッケルからなる群から選択される少なくとも１つの金属または半金属をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項６】
前記アルミノ−ホスフェートは、ＭＡＰＳＯ−５、ＭＡＰＳＯ−１１またはＭＡＰＳＯ−３４から選択され、ＭがＴｉ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｃｏ、Ｎｉであることを特徴とする請求項１に記載の乾燥装置。
【請求項７】
前記アルミノ−ホスフェートは、固定床またはバルク材料フィードで存在する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項８】
前記アルミノ−ホスフェートは、バルクバインダー含有の粒状材料またはバインダーを含まない粒状材料として存在することを特徴とする、請求項７に記載の乾燥装置。
【請求項９】
前記アルミノ−ホスフェートは、予め成形した部分上のコーティング内に存在する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１０】
乾燥しようとする対象物および器具のための少なくとも１つの受容空間が含まれることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの受容空間は、少なくとも２つの互いに連結された受容空間を含み、当該少なくとも２つの受容空間のうち少なくとも１つは吸着容器を含むことを特徴とする、請求項１０に記載の乾燥装置。
【請求項１２】
加熱装置を有する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１３】
空気流動を形成するための送風機をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１４】
前記受容空間が、大気圧より高い圧力または大気圧より低い圧力にされていることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１５】
食器洗浄機または回転式乾燥機である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の乾燥装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の乾燥装置を用いて、残留水分を伴った対象物および器具を乾燥するための方法であって、下記工程：
ａ）乾燥しようとする残留水分を伴った対象物を提供する工程；
ｂ）吸着装置中のアルミノ−ホスフェートによって残留水分を吸収し、含水のアルミノ−ホスフェートを得る工程；
ｃ）乾燥された対象物を得る工程
を含む、方法。
【請求項１７】
前記アルミノ−ホスフェートは、付着している残留水分の５％〜３０％を可逆的に吸着することを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記アルミノ−ホスフェートは、０．１ｋｇ〜１０ｋｇの重量で用いられることを特徴とする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記アルミノ−ホスフェートは、乾燥装置中の余熱及び／または吸着熱を用いて再生され、下記工程：
ａ）熱処理によって、含水のアルミノ−ホスフェートを再生する工程；
ｂ）吸着装置中の再生されたアルミノ−ホスフェートおよび含水の空気を得る工程；
ｃ）空気の流動によって、含水の空気を除去する工程
を含むことを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記熱処理は５０℃〜１００℃で実施される、請求項１９に記載の方法。