Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテキストを有し且つコンテンツを持ったアプリケーションを更に有するシステムにおいて、モデル駆動手法を使用する柔軟性のあるデータ・アーカイブのための方法であって、コンピュータが、
前記アプリケーションのコンテンツを分析するステップと、
前記アプリケーションの前記コンテンツに基づいて、第１のデータ・アーカイブ仕様モデルを作成するステップであって、前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルは標準化された汎用モデル言語において生成され、前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルは、アーカイブ・データが保存されるべきか又はパージされるべきかどうかを示すアーカイブ・オペレーション・スケジュールを含む、前記作成するステップと、
前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルを変形させ、グラフィカル・モデル化ツールに基づいて前記アーカイブ・データをモデル化するステップと、
前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルから第２のデータ・アーカイブ仕様モデルを生成するステップと、
前記第２のデータ・アーカイブ仕様モデル及び前記コンテキストに基づいてアーカイブ・アプリケーションを構成するステップと、
前記アーカイブ・アプリケーションをデプロイし、データ・アーカイブを作成するステップと
を実行することを含む、前記方法。
【請求項２】
前記コンピュータが、
データ・アーカイブ要件を識別するステップと、
データ・タイプ、関連性、及びアーカイブ・ルールに関連する情報を捕捉するステップと
を実行することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記コンピュータが、
データ、データ・タイプ、関連性、データ・フィルタリング条件、アーカイブ・ルール、並びに、データ・ソース及びアーカイブ・リポジトリに基づいて前記第２のデータ・アーカイブ仕様モデルを定義するステップ
を実行することを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コンピュータが、
前記データ・アーカイブをテストするステップ
を実行することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記コンピュータが、
アーカイブ結果を観察するステップと、
アーカイブ・モデル最適化のために前記アーカイブ結果をフィード・バックするステップと
を実行することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
柔軟性のあるデータ・アーカイブのためのグラフィカル・データ・アーカイブ・メタモデルを使用する方法であって、コンピュータが、
アプリケーションのコンテンツを分析するステップと、
前記アプリケーションの前記コンテンツに基づいて、第１のデータ・アーカイブ仕様モデルを作成するステップであって、前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルは標準化された汎用モデル言語において生成され、前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルは、グラフィカル・データ・アーカイブ・メタモデルに基づく、前記生成するステップと、
１又はそれ以上の前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルに基づいてアーカイブ・データをモデル化するステップであって、前記グラフィカル・データ・アーカイブ・メタモデルは、下記命令を含むアーカイブ・スケジューリング・オペレーションを含み、当該命令が、
データをアーカイブする及びパージするステップと、
いつアーカイブ手順の実行を開始すべきかを表すステップと、
何がアーカイブされるべきかを表すステップと、
何をアーカイブすべきか及びアーカイブすべき量を識別するステップと、
を含む、前記モデル化ステップと
を実行することを含み、前記コンピュータが、前記第１のデータ・アーカイブ仕様モデルを変形させ、前記第２のデータ・アーカイブ仕様モデルを作成する、前記方法。
【請求項７】
前記アーカイブする及びパージするステップが、
前記パージ特性が真にセットされているとき、前記アーカイブされているデータをパージし、前記パージ特性が真にセットされていないとき、前記データをアーカイブするステップ
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記いつアーカイブ手順の実行を開始すべきかを表すステップが、
いつアーカイブ・プロセスの実行を開始すべきかを識別するステップと、
アーカイブ・プロセスの２つ実行相互間のインターバルを識別するステップと
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記何がアーカイブされるべきかを表すステップが、
一意的な識別標識（ＩＤ）を有するオブジェクトを関連付けるステップと、
前記オブジェクトをファイル又はテーブルとして分類するステップと
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行するシステム。
【請求項１１】
コンピュータに、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行させる、コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機械（２）用のドライバ回路（３）の端子電圧を測定するために電圧測定を較正する方法において、
−  前記ドライバ回路（３）をスイッチオンして、第１の所定の電位が、端子接続部に印加されるようにし、
−  第１電圧データを得るために第１の所定の電位を印加した状態で原動機端子における電圧（Ｕ１，Ｕ２）を測定し、ただし前記第１電圧データは、第１の所定の電位を印加し、処理回路（８）によって処理される端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）を測定することによって得られるものであり、当該電圧は、原動機端子に印加される電圧をマッピングすることによって得られる電圧であり、
−  前記ドライバ回路（３）をスイッチオンして、第２の所定の電位が端子接続部に印加されるようにし、
−  第２電圧データを得るために第２の所定の電位を印加した状態で原動機端子における電圧（Ｕ１，Ｕ２）を測定し、ただし前記第２電圧データは、第２の所定の電位を印加した状態で前記処理回路によって処理される端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）を測定することによって得られるものであり、該電圧は、原動機端子に印加される電圧（Ｕ１，Ｕ２）をマッピングすることによって得られるものであり、
−  前記第１電圧データおよび第２電圧データによって定められる直線の傾きとして補正係数を求め、当該補正係数を、原動機端子において前記処理回路（８）を介して測定した電圧に適用して実際の端子電圧を得る、
ことを特徴とする、電圧測定を較正する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記第１の所定の電位は、第１給電電位（ＶH）に等しく、
前記第２の所定の電位は、第２給電電位（ＶL）に等しく、
前記給電電圧（ＵDC）は、第１給電電位（ＶH）と第２給電電位（ＶL）との間の電圧差分に等しく
前記補正係数を求めるため、前記給電電圧を測定し、
前記補正係数は、給電電圧（ＵDC）と、差分との比として求められ、
ただし当該差分は、前記処理される２つの端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）間の差分である、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
さらに第１電圧データおよび第２電圧データからオフセットを求め、
ただし当該オフセットは、実際の端子電圧を得るために、原動機端子において測定した電圧に適用することができる、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
実際の端子電圧を求める方法において、
該方法は、以下のステップ、すなわち、
−  電圧データを得るために前記原動機端子における電圧を測定するステップと、
−  前記電圧データと、請求項１から３までのいずれか１項に記載した方法にしたがって求めた補正係数とから実際の端子電圧を求めるステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
電気機械（２）用のドライバ回路（３）の端子電圧を測定するために電圧測定を較正する装置において、
−  制御装置（６）が含まれており、該制御装置は、
−  第１の測定に対して前記ドライバ回路（３）が駆動制御されて、第１の所定の電位が、端子接続部に印加され、
−  第２の測定に対して前記ドライバ回路（３）が駆動制御されて、第２の所定の電位が、端子接続部に印加されるように構成されており、
前記装置はさらに
−  前記電位によって前記端子接続部において求めた電圧（Ｕ１，Ｕ２）を変更して処理した端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）を得るための処理回路（８）と、
−  測定ユニット（１１）とを有しており、
該測定ユニットは、
−  前記第１の測定の際に、第１の所定の電位を印加した状態で前記処理した端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）を測定して第１電圧データを得るためのものであり、
−  前記第２の測定の際に、第２の所定の電位を印加した状態で前記処理した端子電圧（U1＿adc，U2＿adc）を測定して第２電圧データを得るためのものであり、
前記制御装置（６）は、補正係数が第１電圧データおよび第２電圧データによって定められる直線の傾きとして求められるように構成されており、ただし実際の端子電圧を得るため、当該補正係数を原動機端子において測定した電圧に適用可能である、
ことを特徴とする電圧測定を較正する装置。
【請求項６】
電気機械（２）および請求項５に記載の装置を有する、
ことを特徴とする原動機システム。
【請求項７】
コンピュータプログラムがデータ処理ユニットで実行される場合に、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法を実施するためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数の大面積ソリッドステート光源に給電するための電子ドライバ装置であって、
制御入力に基づいて少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源にＤＣ電流を供給するように動作するＤＣ電源と、
前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源の所望の輝度レベルを示す、連続的な調光レベル設定信号又は設定値を受け取るコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、調光レベル設定信号又は設定値の少なくとも幾つかの値について、前記調光レベル設定信号又は設定値に基づいてパルス変調制御入力を前記電源に供給し、
前記パルス変調制御入力は、複数のパルス幅変調のそれぞれにおいて、少なくとも２つの制御入力値間の周期的な遷移部を有するパルス変調波形として、前記コントローラから供給され、
前記周期的な遷移部は、制御入力値間に約１００μｓ以上、及び約２ｍｓ以下の上昇時間値を有する制御された上昇プロファイルを有し、且つ制御入力値間に約１００μｓ以上、及び約２ｍｓ以下の下降時間値を有する制御された下降プロファイルを有して、前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源の大きなサージ電流を軽減し、
前記連続的な調光レベル設定信号又は設定値は、パルス幅変調の複数の周期を含む期間の間、実質的に一定である、
電子ドライバ装置。
【請求項２】
前記上昇時間値と前記下降時間値とが同一である請求項に記載の電子ドライバ装置。
【請求項３】
前記上昇時間値と前記下降時間値とが約１ｍｓである請求項２に記載の電子ドライバ装置。
【請求項４】
前記上昇プロファイルと前記下降プロファイルの少なくとも一方が線形である請求項３に記載の電子ドライバ装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源に供給されるＤＣ電流を検知し、前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源に供給される前記ＤＣ電流を示す前記コントローラにフィードバック信号を供給するように動作するフィードバック回路を更に備え、前記コントローラが前記設定信号又は設定値の少なくとも幾つかの値について少なくとも部分的に前記フィードバック信号に基づいてパルス変調制御入力を供給する請求項１に記載の電子ドライバ装置。
【請求項６】
前記上昇時間値と前記下降時間値とが等しくない請求項１に記載の電子ドライバ装置。
【請求項７】
前記上昇時間値が前記下降時間値よりも長い請求項６に記載の電子ドライバ装置。
【請求項８】
前記上昇時間値が前記下降時間値よりも短い請求項６に記載の電子ドライバ装置。
【請求項９】
前記コントローラが、前記設定信号又は設定値の少なくとも幾つかの値について約１００Ｈｚ以上、及び約２ｋＨｚ以下の変調周波数で前記パルス変調制御入力を前記電源に供給する請求項１に記載の電子ドライバ装置。
【請求項１０】
前記上昇プロファイルと前記下降プロファイルの少なくとも一方が線形である請求項１に記載の電子ドライバ装置。
【請求項１１】
前記前記上昇プロファイルと前記下降プロファイルの少なくとも一方が非線形である請求項１に記載の電子ドライバ装置。
【請求項１２】
少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源に給電する方法であって、
制御入力に基づいて少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源に給電するためのＤＣ電流を供給するためにＤＣ電源を制御するステップと、
前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源の所望の輝度レベルを示す、連続的な調光レベル設定信号又は設定値を受け取るステップと、
前記調光レベル設定信号又は設定値の少なくとも幾つかの値について、少なくとも２つの制御入力値間の周期的な遷移部を有するパルス変調波形として、パルス変調制御入力を前記調光レベル設定信号又は設定値に応じて前記電源に供給するステップと、
を含み、
前記周期的な遷移部は、制御入力値間に約１００μｓ以上、及び約２ｍｓ以下の上昇時間値を有する制御された上昇プロファイルを有し、且つ制御入力値間に約１００μｓ以上、及び約２ｍｓ以下の下降時間値を有する制御された下降プロファイルを有して、前記少なくとも１つの大面積ソリッドステート光源の大きなサージ電流を軽減し、
前記連続的な調光レベル設定信号又は設定値は、パルス幅変調の複数の周期を含む期間の間、実質的に一定である、
方法。
【請求項１３】
前記上昇時間値と前記下降時間値とが約１ｍｓである請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記上昇時間値と前記下降時間値とが等しくない請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記上昇プロファイルと前記下降プロファイルの少なくとも一方が線形である請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記上昇プロファイルと前記下降プロファイルの少なくとも一部が非線形である請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパーク点火装置であって、
中心軸に沿って延在する管状のセラミック絶縁体と；
前記セラミック絶縁体の少なくとも一部を囲む金属シェルと；
前記シェルに作動的に取付けられる接地電極とを含み、前記接地電極は接地電極スパーク端を有し；前記スパーク点火装置はさらに、
中心スパーク端を含み、前記中心スパーク端および前記接地電極スパーク端は、スパークギャップをあたえ、前記スパーク点火装置はさらに；
前記中心スパーク端と電気的に通じる状態で配され、電源との電気的接続のために構成される第１の端子と；
前記第１の端子から間隔を置かれ、前記第１の端子と電気的に通じる状態において配され、電源との電気的接続のために構成される第２の端子と；
前記第１の端子を前記第２の端子と電気的に通じる状態にもたらし、電気的回路を前記第１の端子と前記第２の端子との間において完成するヒータ要素とを含み、前記ヒータ要素は、前記第１および第２の端子より大きな抵抗を有する、スパーク点火装置。
【請求項２】
前記絶縁体は前記中心スパーク端に近接するコアノーズに延在し、前記ヒータ要素は前記コアノーズで受けられる、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項３】
前記第１の端子は前記中心軸に沿って同軸で延在し、前記第２の端子は前記第１の端子から径方向に外方向に間隔を置かれる、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項４】
前記ヒータ要素は前記第１の端子から径方向に外方向に間隔を置かれる、請求項３に記載のスパーク点火装置。
【請求項５】
前記中心軸に沿って自由端に延在する長尺の本体を有する中心電極をさらに含み、前記ヒータ要素は、前記中心軸のまわりに延在する環状リングとして構成され、前記中心電極の前記自由端と前記中心スパーク端との間に配置される、請求項４に記載のスパーク点火装置。
【請求項６】
長尺の本体を有する中心電極をさらに含み、前記第１の端子は前記中心軸に沿って前記中心電極を実質的に通って延在する、請求項３に記載のスパーク点火装置。
【請求項７】
前記第１の端子は前記中心スパーク端に取付けられる、請求項６に記載のスパーク点火装置。
【請求項８】
前記第１の端子および前記中心スパーク端は単一体の材料片として構築される、請求項７に記載のスパーク点火装置。
【請求項９】
前記ヒータ要素は対向する端部間において延在し、前記第１の端子は前記端部の１つに取付けられる、請求項７に記載のスパーク点火装置。
【請求項１０】
前記第１の端子の反対側の前記ヒータ要素の端部は前記中心スパーク端を形成する、請求項９に記載のスパーク点火装置。
【請求項１１】
前記第１の端子の反対側の前記ヒータ要素の端部は、前記中心スパーク端に動作可能に取付けられる、請求項９に記載のスパーク点火装置。
【請求項１２】
前記中心軸に沿って延在する中心電極をさらに含み、前記第１の端子の反対側の前記ヒ
ータ要素の端部は、前記中心電極に取付けられる、請求項９に記載のスパーク点火装置。
【請求項１３】
前記中心電極は、前記中心軸に沿って延在するポケットを有し、前記ヒータ要素は、前記ポケットで少なくとも一部が受けられる、請求項１２に記載のスパーク点火装置。
【請求項１４】
前記中心軸に沿って延在する中心電極と、前記第１の端子と前記中心電極との間に延在し、前記第１の端子と前記中心電極との間に封止された環状チャンバをあたえる環状封止とをさらに含む、請求項３に記載のスパーク点火装置。
【請求項１５】
前記封止された環状チャンバに配置される熱伝導性の絶縁材料をさらに含む、請求項１４に記載のスパーク点火装置。
【請求項１６】
前記ヒータ要素は、外方向に前記絶縁体から前記中心軸に沿って前記接地電極に近接して延在する、請求項１に記載のスパーク点火装置。
【請求項１７】
前記スパーク端は、前記ヒータ要素によってあたえられる、請求項１６に記載のスパーク点火装置。
【請求項１８】
スパーク点火装置のための中心電極アセンブリであって：
電源との電気的接続のために構成されて配される第１の端子と；
前記第１の端子から間隔を置かれ、前記第１の端子と電気的に通じる状態において配され、電源との電気的接続のために構成される第２の端子と；
前記第１の端子を前記第２の端子と電気的に通じる状態にもたらし、電気的回路を前記第１の端子と前記第２の端子との間において完成するヒータ要素とを含む、中心電極アセンブリ。
【請求項１９】
前記第１の端子は前記中心軸に沿って同軸で延在し、前記第２の端子は前記第１の端子から径方向に外方向に間隔を置かれる、請求項１８に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２０】
前記ヒータ要素は前記第１の端子から径方向に外方向に間隔を置かれる、請求項１９に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２１】
中心スパーク端と、前記中心軸に沿って自由端に延在する長尺の中心電極本体とをさらに含み、前記ヒータ要素は、前記中心軸のまわりに延在する環状リングとして構成され、前記中心電極本体の前記自由端と前記中心スパーク端との間に配置される、請求項２０に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２２】
中心スパーク端と、長尺の中心電極本体とをさらに含み、前記第１の端子は前記中心軸に沿って前記中心電極本体を実質的に通って延在する、請求項２０に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２３】
前記第１の端子は前記中心スパーク端に取付けられる、請求項２２に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２４】
前記ヒータ要素は対向する端部間において延在し、前記第１の端子は前記端部の１つに取付けられる、請求項１８に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２５】
前記第１の端子の反対側の前記ヒータ要素の端部は中心スパーク端を形成する、請求項２４に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２６】
前記中心軸に沿って延在する中心電極本体をさらに含み、前記第１の端子の反対側の前記ヒータ要素の端部は、前記中心電極本体に取付けられる、請求項２４に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２７】
前記中心電極本体は、前記中心軸に沿って延在するポケットを有し、前記ヒータ要素は、前記ポケットで少なくとも一部が受けられる、請求項２６に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２８】
前記中心軸に沿って延在する中心電極本体と、前記第１の端子と前記中心電極本体との間に延在し、前記第１の端子と前記中心電極本体との間に封止された環状チャンバをあたえる環状封止とをさらに含む、請求項１８に記載の中心電極アセンブリ。
【請求項２９】
前記封止された環状チャンバに配置される熱伝導性の絶縁材料をさらに含む、請求項２８に記載の中心電極アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光ダイオードと、
前記複数の発光ダイオードの少なくとも２つの発光ダイオードの出射光をビーム成形する一次元リニアバットウィングレンズであって、直線方向に一つの方向に延びる一次元リニアバットウィングレンズと、を備え、
前記複数の発光ダイオードが、前記一次元リニアバットウィングレンズの前記直線方向に延びる中央部の下の領域に設けられ、前記複数の発光ダイオードから、ビーム成形を介して、実質的にバットウィング及び／又はバットウィング様の光分布を生じさせる、後付型ランプ。
【請求項２】
前記一次元リニアバットウィングレンズが押出成形される、請求項１に記載の後付型ランプ。
【請求項３】
前記押出成形の一次元リニアバットウィングレンズが同時押出成形される、請求項２に記載の後付型ランプ。
【請求項４】
前記同時押出成形の一次元リニアバットウィングレンズが、第１部分及び第２部分を備え、前記第１部分が、第１材料から構成され、前記第２部分が第２材料から構成される、請求項３に記載の後付型ランプ。
【請求項５】
前記同時押出成型の一次元リニアバットウィングレンズが、第１部分及び第２部分を備え、前記第１部分及び第２部分が、単一の材料から構成され、前記第１部分が、第１フィルターを含み、前記第２部分が第２フィルターを含む、請求項３に記載の後付型ランプ。
【請求項６】
前記一次元リニアバットウィングレンズが、前記複数の発光ダイオードの発光ダイオード数に応じてサイズ変更可能である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の後付型ランプ。
【請求項７】
前記一次元リニアバットウィングレンズが、上部及び下部を含み、前記上部が前記下部よりも前記複数の発光ダイオードから離れて設けられ、前記上部が、第１非平面セクション及び第２非平面セクションに分割される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の後付型ランプ。
【請求項８】
前記第１非平面セクション及び前記第２非平面セクションが同様に形状付けられる、請求項７に記載の後付型ランプ。
【請求項９】
前記第１非平面セクション及び前記第２非平面セクションが異形状である、請求項７に記載の後付型ランプ。
【請求項１０】
前記一次元リニアバットウィングレンズが、上部及び下部を含み、前記上部が前記下部よりも前記複数の発光ダイオードから離れて設けられ、前記上部が窪みを有する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の後付型ランプ。
【請求項１１】
前記窪みが、角度により特徴付けられる、請求項１０に記載の後付型ランプ。
【請求項１２】
ハウジングを更に備え、前記複数の発光ダイオードが、前記ハウジングにより部分的に画定される空間内に配置される、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の後付型ランプ。
【請求項１３】
前記一次元リニアバットウィングレンズが、前記ハウジングに連結される、請求項１２に記載の後付型ランプ。
【請求項１４】
電気コネクタの組を更に備え、前記電気コネクタの組の一つ目が前記ハウジングの第１端に取付けられ、前記電気コネクタの組の２つ目が前記ハウジングの第２端に取付けられる、請求項１２に記載の後付型ランプ。
【請求項１５】
前記一次元リニアバットウィングレンズが前記ハウジングに連結してレンズ−ハウジング連結体を形成し、前記電気コネクタの組が、前記レンズ−ハウジング連結体に取付けられる、請求項１４に記載の後付型ランプ。
【請求項１６】
エンドキャップを更に備え、当該エンドキャップが、前記電気コネクタの組の一方と前記レンズ−ハウジング連結体の間を接続可能である、請求項１５に記載の後付型ランプ。
【請求項１７】
ハウジングと、
前記ハウジングに接続可能な電源と、
請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の後付型ランプと、
を備える、閉じた格納構造の光器具。
【請求項１８】
前記一次元リニアバットウィングレンズが、前記複数の発光ダイオードの出射光のビーム成形により、閉じた格納構造により部分的に画定される空間内で実質的に均一な光の分布を生成する、請求項１７に記載の閉じた格納構造の光器具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）であって、
−  放射取り出し領域（６）を有し、前記半導体チップ（３）において生成される電磁放射の少なくとも一部分が、前記放射取り出し領域（６）を通じて前記半導体チップ（３）から出る、少なくとも１つの放射放出半導体チップ（３）と、
−  前記半導体チップ（３）の下流、前記放射取り出し領域（６）に配置されており、前記半導体チップ（３）によって放出される前記電磁放射を変換し、前記放射取り出し領域（６）とは反対側の第１の面（７）を有する、少なくとも１つの変換要素（４）と、
−  反射性の封止体（５）と、
を備えており、
−  前記反射性の封止体（５）が、側面（３３，４４）において、前記半導体チップ（３）と、前記変換要素（４）の少なくとも一部分とを、密着状態に封止しており、
−  前記変換要素（４）の前記第１の面（７）に前記反射性の封止体（５）が存在せず、
−  前記変換要素（４）の前記第１の面（７）が、少なくとも部分的に構造化されており、
−  前記側面領域（３３，４４）に垂直な方向における前記反射性の封止体（５）の大きさが、１０００μｍより大きい、
オプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項２】
−  前記放射放出半導体チップ（３）が、電磁放射のスペクトルのうち青色から紫外領域における光を放出し、
−  前記反射性の封止体（５）が、シリコーン、シリコーンの混合物、またはエポキシドによって形成されており、このような材料に放射を反射する粒子が中に導入されており、放射を反射する前記粒子が、少なくともＺｒＯ２からなる、または少なくともＺｒＯ２を含んでおり、
−  前記反射性の封止体（５）がポッティングであり、前記側面領域（３３，４４）に垂直な方向における前記ポッティングの大きさが、前記側面領域（３３，４４）に沿って、少なくとも部分的に異なる、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項３】
前記封止体（５）が、横方向において前記変換要素（４）よりも突き出していない、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項４】
前記変換要素（４）がセラミック材料によって形成されている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項５】
前記変換要素（４）が、前記半導体チップ（３）の垂直方向における厚さのオーダーの少なくとも２倍の、垂直方向における厚さを有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項６】
前記変換要素（４）が、少なくとも５０μｍから最大で５００μｍの、垂直方向における厚さを有する、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項７】
前記変換要素（４）から放出される前記電磁放射のうちの少なくとも１０％が、前記変換要素（４）の前記側面領域（４４）において放出され、前記反射性の封止体（５）によって反射される、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項８】
前記半導体チップ（３）と前記変換要素（４）との間に、放射に対して透過性の接着層（８）が配置されている、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項９】
前記反射性の封止体（５）が、前記半導体チップ（３）の前記側面領域（３３）と、前記接着層（８）の側面領域（８８）とを完全に覆っている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１０】
前記反射性の封止体（５）が、ジェット工程によって形成されている、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１１】
前記反射性の封止体（５）が、シリコーン、シリコーンの混合物、またはエポキシドによって形成されており、このような材料に、放射を反射する粒子が導入されており、放射を反射する前記粒子が、材料ＴｉＯ２、ＢａＳＯ４、ＺｎＯ、ＡｌｘＯｙ、ＺｒＯ２のうちの少なくとも１種類からなる、またはこれらの材料のうちの１種類を含んでいる、
請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【請求項１２】
前記反射性の封止体（５）がポッティングであり、前記側面領域（３３，４４）に垂直な方向における前記ポッティングの大きさが、前記側面領域（３３，４４）に沿って、少なくとも部分的に異なる、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射を生成するために設けられている活性領域（２０）を備えている半導体基体（２）とウェブ状の領域（３）とを有している半導体レーザ（１）において、
前記半導体基体は第１の側面（１５）及び第２の側面（１６）を備えており、該第１の側面（１５）及び該第２の側面（１６）は横断方向における前記半導体基体の境界を成しており、
前記ウェブ状の領域は放射方向に沿って延在する長手軸（３０）を有しており、
前記長手軸は、放射方向に延在する前記半導体基体の中心軸（２５）に関して、横断方向にずらされて配置されており、
横断方向におけるエッチピット密度がエッチピット密度勾配を有しており、それにより前記エッチピット密度は前記第１の側面から前記第２の側面の方向に向かって増加することを特徴とする、半導体レーザ（１）。
【請求項２】
前記ウェブ状の領域の前記長手軸は、前記エッチピット密度が比較的低い前記中心軸の側に配置されている、請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記ウェブ状の領域の前記長手軸は前記半導体基体の前記中心軸に関して少なくとも１０μｍずらされて配置されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記ウェブ状の領域の前記長手軸は前記半導体基体の前記中心軸に関して少なくとも２０μｍずらされて配置されている、請求項１又は２に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記半導体基体上にコンタクト層（４）が配置されており、該コンタクト層（４）は、前記活性領域への外部からの電気的な接触接続のために、前記ウェブ状の領域の上面に対向する側から設けられており、前記コンタクト層は前記ウェブ状の領域の側にコンタクト面（４０）を形成しており、該コンタクト面（４０）の拡張部は横断方向において少なくとも部分的に、前記半導体基体の拡張部の少なくとも０．４倍である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記活性領域は窒化化合物半導体材料を基礎とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
複数の半導体基体を製造する方法において、
ａ）分離線（７）によって相互に分離されている複数の素子領域を備えている支持体（５）を準備するステップと、
ｂ）放射を生成するために設けられている活性領域（２０）を備えている半導体積層体（２００）を析出するステップと、
ｃ）隣接する二つの分離線の間において、前記分離線に対して垂直に延びる方向に第１のウェブ状の領域（３１）及び第２のウェブ状の領域（３２）が並んで形成されるように複数のウェブ状の領域（３）を前記半導体積層体から形成するステップであって、前記分離線を、エッチピット密度が前記分離線間に延在する領域に比べて高められている、前記支持体の領域に沿って延在させ、且つ、前記ウェブ状の領域の内の少なくとも一つを、該ウェブ状の領域に一番近い分離線よりも、隣接する分離線間に延びる中心線（８）の近くに配置するステップと、
ｄ）前記半導体積層体を、それぞれが少なくとも一つのウェブ状の領域を備えている複数の半導体基体（２）に個別化するステップであって、該個別化を前記分離線及び前記中心線に沿って行なうステップとを備えていることを特徴とする、複数の半導体基体を製造する方法。
【請求項８】
二つのウェブ状の領域をそれぞれ一番近い分離線よりも前記中心線の近くに配置する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記支持体のエッチピット密度を前記中心線から前記分離線の方向に向かって増加させる、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
外部との電気的な接触接続のために設けられているコンタクト面（４０）が、前記中心線とは反対側において、それぞれのウェブ状の領域に対応付けられているように、コンタクト層（４）を前記半導体積層体上に形成する、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のウェブ状の領域を備えている半導体基体と前記第２のウェブ状の領域を備えている半導体基体を光学的に区別できるように前記コンタクト層（４）を形成する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のウェブ状の領域を備えている半導体基体及び前記第２のウェブ状の領域を備えている半導体基体を自動的な光学識別によって相互に区別する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記コンタクト面の拡張部は二つの分離線間の距離の少なくとも２０％である、請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記支持体はＧａＮを基礎としている、請求項７乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体レーザを製造する、請求項７乃至１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングシステムであって、
カスタマによってクラウドコンピューティング環境にアップロードされたクラウドアプリケーションを実行するようクラウドコンピューティング環境を提供するように構成されるハードウェアファブリックの１または複数のコンピューティングデバイスと、
前記クラウドコンピューティング環境内に実装され、前記クラウドアプリケーションにリンクされるモニタリングフレームワークと、を備え、
前記モニタリングフレームワークは、前記クラウドアプリケーションにより生成されたパフォーマンス情報を収集し、企業の情報インフラストラクチャ内に置かれるコンピューティングデバイス上で動作するモニタリングアプリケーションによるアクセスのために前記クラウドコンピューティング環境内にパフォーマンス情報をストアするよう構成され、
前記モニタリングアプリケーションは、ワイドエリアネットワーク上で前記クラウドコンピューティング環境から前記パフォーマンス情報を検索するよう構成され、
前記モニタリングアプリケーションは、前記企業の情報インフラストラクチャ内に置かれるオンプレミス（ｏｎ  ｐｒｅｍｉｓｅ）のコンポーネントから前記モニタリングアプリケーションにより収集された他のパフォーマンス情報を用いて、前記クラウドコンピューティング環境から検索された前記パフォーマンス情報を集約するよう構成されている、
ことを特徴とするコンピューティングシステム。
【請求項２】
前記パフォーマンス情報は、前記クラウドコンピューティング環境内でメッセージキューにストアされることを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項３】
前記モニタリングアプリケーションは前記メッセージキューへ加入することを特徴とする請求項２に記載のコンピューティングシステム。
【請求項４】
前記モニタリングアプリケーションは認証トークンを提示して前記メッセージキューに加入することを特徴とする請求項３に記載のコンピューティングシステム。
【請求項５】
前記モニタリングフレームワークは前記クラウドコンピューティング環境に関するランタイム環境に含まれていることを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項６】
前記モニタリングフレームワークは前記クラウドアプリケーションにダイナミックにリンクされ、前記クラウドアプリケーションによりコールされることを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項７】
前記クラウドコンピューティング環境内の前記モニタリングフレームワークは、前記モニタリングフレームワークのランタイムバージョンであり、
前記クラウドアプリケーションは、前記モニタリングフレームワークの開発バージョンを含む開発プラットフォームからアップロードされることを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項８】
前記モニタリングフレームワークは、前記クラウドアプリケーションによって投入される例外を収集しストアするよう構成され、
前記モニタリングアプリケーションは、前記クラウドアプリケーションによって投入された前記例外に対しアラートを生成するよう構成される
ことを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項９】
前記モニタリングフレームワークは、前記クラウドアプリケーションがデバッギングモードで動作しているときに生成されるデバッギング情報を収集しストアするよう構成されることを特徴とする請求項１に記載のコンピューティングシステム。
【請求項１０】
コンピュータにより実行される方法であって、
ハードウェアファブリックの１または複数のコンピューティングデバイスによって、カスタマによりクラウドコンピューティング環境へアップロードされたクラウドアプリケーションを実行するためのクラウドコンピューティング環境を供給するステップと、
前記クラウドコンピューティング環境内にモニタリングフレームワークを実装するステップと、
前記クラウドコンピューティング環境内の前記クラウドアプリケーションに前記モニタリングフレームワークをリンクするステップと、
前記モニタリングフレームワークにより、前記クラウドアプリケーションにより生成されたパフォーマンス情報を収集するステップと、
前記モニタリングフレームワークにより、前記クラウドコンピューティング環境内に前記パフォーマンス情報をストアするステップと、
企業の情報インフラストラクチャ内に置かれるコンピューティングデバイス上で動作するモニタリングアプリケーションにより、前記パフォーマンス情報をアクセス可能にするステップと、を備え、
前記モニタリングアプリケーションは、ワイドエリアネットワーク上で前記クラウドコンピューティング環境から前記パフォーマンス情報を検索するよう構成され、
前記モニタリングアプリケーションは、前記企業の情報インフラストラクチャ内に置かれるオンプレミス（ｏｎ  ｐｒｅｍｉｓｅ）のコンポーネントから前記モニタリングアプリケーションにより収集された他のパフォーマンス情報を用いて、前記クラウドコンピューティング環境から検索された前記パフォーマンス情報を集約するよう構成されている
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記モニタリングフレームワークは前記クラウドコンピューティング環境に関するランタイム環境に含まれることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記パフォーマンス情報は前記クラウドコンピューティング環境内のメッセージキューにストアされることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記モニタリングアプリケーションからの、前記メッセージキューに加入するための加入リクエストを認証するステップをさらに含むこと特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記クラウドコンピューティング環境内の前記モニタリングフレームワークは、前記モニタリングフレームワークのランタイムバージョンであり、
前記クラウドアプリケーションは、前記モニタリングフレームワークの開発バージョンを含む開発プラットフォームからアップロードされる
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記モニタリングフレームワークは、前記クラウドアプリケーションによって投入される例外を収集しストアするよう構成され、
前記モニタリングアプリケーションは、前記クラウドアプリケーションによって投入された前記例外に対しアラートを生成するよう構成される
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記モニタリングフレームワークは、前記クラウドアプリケーションがデバッギングモードで動作しているときに生成されるデバッギング情報を収集しストアするよう構成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記クラウドコンピューティング環境は前記クラウドアプリケーションの複数のインスタンスを含み、
前記モニタリングフレームワークは前記クラウドアプリケーションの前記複数のインスタンスにより生成されるパフォーマンス情報を集約するよう構成される
ことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層構造と対話するユーザインターフェースを提供するためのコンピューティング装置の少なくとも一部において実行される方法であって、
前記階層構造の表示させる部分を判定するステップと、
回転コーン提示のための最初の大きさを判定して前記階層構造の前記部分を表示するステップと、
前記回転コーンを採用する前記階層構造の前記部分を表示して、ユーザが回転動作およびナビゲーション動作を介して前記階層構造のノードおよびノードの組み合わせと対話することを可能にするステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
本発明をその好ましい実施形態を参照しながら説明してきたが、当業者は、本開示を読みそして理解した際に、上記のとおり又は以下の特許請求されたとおりの発明の範囲及び精神を逸脱することなく適切な変化及び変更がなされてよいことを理解するであろう。
（態様）
（態様１）
変性された炭素担体の表面が、表面共有結合炭化物を含む、変性炭素担持金属触媒。
（態様２）
前記表面共有結合炭化物が、炭化ケイ素を含む、態様１に記載の変性炭素担持金属触媒。
（態様３）
前記表面共有結合炭化物が、炭化ホウ素を含む、態様１に記載の変性炭素担持金属触媒。
（態様４）
前記金属が、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）のうちの１種以上を含む、態様１、２又は３に記載の変性炭素担持金属触媒。
（態様５）
前記金属が、白金（Ｐｔ）である、態様４に記載の変性炭素担持金属触媒。
（態様６）
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）又はクロム（Ｃｒ）をも含む混合触媒が使用される、態様４に記載の変性炭素担持金属触媒。
（態様７）
ａ．溶剤中に炭化物前駆体を溶解させ、炭化物前駆体含有溶液を形成すること、
ｂ．炭化物前駆体含有溶液を１，０００℃未満の温度で滴下して、炭素担体材料に添加すること、
ｃ．炭化物前駆体含有溶液及び炭素担体材料を焼成して、変性炭素担体を形成すること、
ｄ．塩化白金酸及びエタノール溶液を変性炭素担体に滴下して添加し、変性炭素担持触媒を形成すること、
ｅ．変性炭素担持白金触媒を乾燥すること、及び、
ｆ．還元剤を用いて変性炭素担持白金触媒を還元し、活性化変性炭素担持白金触媒を形成すること、
の工程を含む、態様１に記載の変性炭素担持Ｐｔ触媒の調製方法。
（態様８）
前記炭化物前駆体が、９５０℃未満の温度で分解して、炭化ケイ素を形成する、態様７に記載の方法。
（態様９）
前記炭化物前駆体が、アリルヒドリドポリカルボシラン又は超分岐ポリカルボシランである、態様８に記載の方法。
（態様１０）
前記炭素担体材料が、カーボンブラックである、態様７に記載の方法。
（態様１１）
態様１又は２に記載の変性炭素担持金属触媒を含む、触媒された電極。
（態様１２）
態様１０に記載の触媒された電極を含む、ポリマー電解質燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変性された炭素担体の表面が、表面共有結合炭化物を含む、変性炭素担持金属触媒。
【請求項２】
前記表面共有結合炭化物が、炭化ケイ素または炭化ホウ素を含む、請求項１に記載の変性炭素担持金属触媒。
【請求項３】
前記金属が、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、金（Ａｕ）及び銀（Ａｇ）のうちの１種以上を含む、請求項１又は２に記載の変性炭素担持金属触媒。
【請求項４】
前記金属が、白金（Ｐｔ）である、請求項３に記載の変性炭素担持金属触媒。
【請求項５】
コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）又はクロム（Ｃｒ）をも含む混合触媒が使用される、請求項３に記載の変性炭素担持金属触媒。
【請求項６】
ａ．溶剤中に炭化物前駆体を溶解させ、炭化物前駆体含有溶液を形成すること、
ｂ．炭化物前駆体含有溶液を１，０００℃未満の温度で滴下して、炭素担体材料に添加すること、
ｃ．炭化物前駆体含有溶液及び炭素担体材料を焼成して、変性炭素担体を形成すること、
ｄ．塩化白金酸及びエタノール溶液を変性炭素担体に滴下して添加し、変性炭素担持触媒を形成すること、
ｅ．変性炭素担持白金触媒を乾燥すること、及び、
ｆ．還元剤を用いて変性炭素担持白金触媒を還元し、活性化変性炭素担持白金触媒を形成すること、
の工程を含む、請求項１に記載の変性炭素担持Ｐｔ触媒の調製方法。
【請求項７】
前記炭化物前駆体が、９５０℃未満の温度で分解して、炭化ケイ素を形成する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記炭化物前駆体が、アリルヒドリドポリカルボシラン又は超分岐ポリカルボシランである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記炭素担体材料が、カーボンブラックである、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載の変性炭素担持金属触媒を含む、触媒された電極。
【請求項１１】
請求項９に記載の触媒された電極を含む、ポリマー電解質燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素の水素化反応および／または脱水素反応の実施に適した金属含有触媒組成物を製造する方法であり、当該方法が、
（ａ）メソ多孔性結晶質材料を非晶質の結合剤と組み合わせて含む触媒担体を供給する工程と、
（ｂ）前記触媒担体の表面に結合し、かつ金属成分にも結合することができるリンを含むアンカー材料で前記触媒担体を処理する工程と、
（ｃ）前記触媒担体の表面に、前記金属成分の前駆体を析出させる工程と、
（ｄ）前記前駆体を前記金属成分に変換し、なおかつ、前記リンを含むアンカー材料を前記担体の表面に結合し、かつ前記金属成分にも結合させるのに有効な条件に、前記の処理された触媒担体上に前記前駆体が析出している触媒担体を供する工程であって、それにより、工程（ｄ）の後に測定される酸素化学吸着の増加によって示される通り、前記工程（ｂ）を行わずに製造した触媒と比べて前記金属成分の焼結を減少させる工程とを含む、方法。
【請求項２】
前記多孔性結晶質材料が、ケイ酸塩またはアルミノケイ酸塩である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記メソ多孔性結晶質材料が、ＭＣＭ−４１、ＭＣＭ−４８、ＭＣＭ−５０およびそれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記非晶質の結合剤が、無機酸化物材料である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記リンを含むアンカー材料が、酸化リン、リン酸素酸、オキシハロゲン化リンおよびそれらの混合物から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記金属成分が、元素周期表の第６族〜第１０族から選択される少なくとも１種の金属ならびにそれらの化合物および混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記金属成分が、白金、パラジウムならびにそれらの化合物および混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記前駆体が、前記金属成分の錯体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記析出工程（ｃ）が、含浸またはイオン交換によって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理工程（ｂ）および前記析出工程（ｃ）が、同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記工程（ｄ）が、前記処理触媒担体を酸素含有雰囲気中で加熱し、前記前駆体を前記金属成分の酸化物に変換する工程と、次いで、前記処理触媒担体を水素含有雰囲気中で加熱して、前記酸化物を前記金属成分に変換する工程とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記メソ多孔性結晶質材料がＭＣＭ−４１、ＭＣＭ−４８、ＭＣＭ−５０およびそれらの混合物からなる群から選択され、前記金属成分が白金および／またはパラジウムを含み、前記リンを含むアンカー材料が酸化リン、リン酸素酸、オキシハロゲン化リンおよびそれらの混合物から選択される、請求項１に記載の方法。