【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の処理チャンバ内に配置された１つ以上の基板上に第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第３の処理チャンバ内で前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項２】
前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層上に第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層が、前記第３の処理チャンバ内で前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１の処理チャンバ内の前記１つ以上の基板上に形成される前記第ＩＩＩ−Ｖ族層が、第３のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、
第ＩＩＩ族塩化物を含む反応性ガスを流すステップと、
前記第１の処理チャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面へ前記形成された第１の反応生成物を流すステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１の処理チャンバ内に配置された１つ以上の基板の表面へアンモニアおよびハロゲンガスを含むガス混合物を流しながら、前記１つ以上の基板へ熱を送達するステップと、
前記第１の処理チャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面上に第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第３の処理チャンバ内で前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層上に第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項７】
前記ハロゲンガスが、フッ素または塩素を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１の処理チャンバ内の前記１つ以上の基板上に形成される前記第ＩＩＩ−Ｖ族層が、第３のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、
第ＩＩＩ族塩化物を含む反応性ガスを流すステップと、
前記第１の処理チャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面へ前記第ＩＩＩ族塩化物を流すステップと、
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
エピタキシャルプロセスによって第１の処理チャンバ内で１つ以上の基板上に第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記１つ以上の基板を第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記１つ以上の基板上に三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記１つ以上の基板を第３の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第３の処理チャンバ内で前記１つ以上の基板上にｐドープ三元第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記１つ以上の基板上にｐドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項１１】
前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、ガス分配装置への第１通路および第２通路を通って前記第２の処理チャンバのプロセス体積内へ２つ以上のプロセスガスを流して、前記１つ以上の基板上に１つまたは複数の膜を堆積させるステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、
複数の同心状の熱区間を形成するように構成されたランプアレイを含む熱源を使用して前記１つ以上の基板を加熱するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
１つ以上の基板の表面へキャリアガスを含むガス混合物を流しながら、前記１つ以上の基板へ熱を送達するステップと、
エピタキシャルチャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面へ第１の第ＩＩＩ族含有反応生成物および第１の第Ｖ族含有前駆体を流して、前記表面上に第１の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップであって、前記第１の反応生成物が反応性第ＩＩＩ族塩化物を流すことにより形成される、ステップと、
前記１つ以上の基板を大気に露出させないで前記エピタキシャルチャンバから前記１つ以上の基板を取り出すステップと、
前記１つ以上の基板を第２のチャンバ内へ移動させるステップと、
前記第２のチャンバ内へ第１の第ＩＩＩ族含有前駆体、第２の第ＩＩＩ族含有前駆体、および第２の第Ｖ族含有前駆体を流して、前記第１の第ＩＩＩ−Ｖ層を覆って第１の三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記１つ以上の基板を大気に露出させないで前記第２のチャンバから前記１つ以上の基板を取り出すステップと、
前記１つ以上の基板を第３のチャンバ内へ移動させるステップと、
前記第３のチャンバ内へ第３の第ＩＩＩ族含有前駆体、第４の第ＩＩＩ族含有前駆体、および第３の第Ｖ族含有前駆体を流して、前記第１の三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第２の三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項１４】
前記第１の三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、ガス分配装置への第１通路および第２通路を通って前記第３のチャンバのプロセス体積内へ２つ以上のプロセスガスを流して、前記１つ以上の基板上に１つまたは複数の膜を堆積させるステップを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、
複数の同心状の熱区間を形成するように構成されたランプアレイを含む熱源を使用して前記１つ以上の基板を加熱するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１の処理チャンバ内に配置された１つ以上の基板上に第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第２の処理チャンバから第３の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第３の処理チャンバ内で前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第３の処理チャンバから第４の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第４の処理チャンバ内で前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層上に第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項１７】
第１の処理チャンバ内の前記１つ以上の基板上に形成される前記第ＩＩＩ−Ｖ族層が、第３のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記１つ以上の基板上に前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成する前に、前記１つ以上の基板へ熱を送達し、かつ、前記１つ以上の基板の表面へハロゲンガスを含むガス混合物を流すステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップが、
第ＩＩＩ塩化物を含む反応性ガスを流すステップと、
前記第１の処理チャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面へ前記第ＩＩＩ塩化物を流すステップと、
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
第１の処理チャンバ内に配置された１つ以上の基板上に三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記三元の第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層上に第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項２１】
第２のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層が、前記第３の処理チャンバ内で前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って形成される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
１つ以上の基板へ熱を送達し、かつ、第１の処理チャンバ内に配置された前記１つ以上の基板の表面へハロゲンガスを含むガス混合物を流すステップと、
前記第１の処理チャンバ内で前記１つ以上の基板の各々の表面上に第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
制御された環境内で前記１つ以上の基板を前記第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移動させるステップと、
前記第２の処理チャンバ内で前記第ＩＩＩ−Ｖ族層を覆って第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層を形成するステップと、
を含む、化合物半導体構造を製作する方法。
【請求項２３】
前記第１のドープ第ＩＩＩ−Ｖ族層が、二元第ＩＩＩ−Ｖ族層を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
移動領域を画定する密閉容器と、
前記移動領域と移動可能に連通しているエピタキシャルチャンバであって、前記エピタキシャルチャンバが、
処理中、前記エピタキシャルチャンバの処理領域内に配置されたキャリア板を加熱するように位置した加熱源であって、前記キャリア板が１つまたは複数の基板を受け取るように構成されている、加熱源、および、
前記エピタキシャルチャンバに結合されている塩素ガス源、を含む、エピタキシャルチャンバと、
前記移動領域と移動可能に連通しており、かつ、前記１つまたは複数の基板上に１つまたは複数の化合物半導体層を形成するように動作可能な第２のチャンバであって、前記第２の処理チャンバが、
前記チャンバの処理領域内に位置した基板支持体、
前記処理領域の頂部を画定するシャワーヘッド、
前記シャワーヘッドを通って前記処理領域と結合している第１の有機金属第ＩＩＩ族含有供給源および第２の有機金属第ＩＩＩ族含有供給源、ならびに、
前記処理領域の下に位置し、かつ、前記基板支持体の方へ放射熱を誘導するように位置された１つまたは複数の加熱区間を形成する複数の加熱源、を含む、第２のチャンバと、
前記移動領域と移動可能に連通しており、かつ、前記１つまたは複数の基板上に１つまたは複数の化合物半導体層を形成するように動作可能な第３のチャンバであって、前記第３のチャンバが、
前記チャンバの処理領域内に位置した基板支持体、
前記処理領域の頂部を画定するシャワーヘッド、
前記シャワーヘッドを通って前記処理領域と結合している第３の有機金属第ＩＩＩ族含有供給源、Ｃｐ２Ｍｇ含有供給源および第４の有機金属第ＩＩＩ族含有供給源、ならびに、
前記処理領域の下に位置し、かつ、前記基板支持体の方へ放射熱を誘導するように位置された１つまたは複数の加熱区間を形成する複数の加熱源、を含む、第３のチャンバと、
前記移動領域と移動可能に連通している空胴を画定するロードロックチャンバであって、前記空胴が複数のキャリア板を受け取るように構成されており、かつ、前記空胴内に配置された前記基板へ清浄ガスを送達するように適合された清浄ガス源と流体連通している、ロードロックチャンバと、
を含む、化合物半導体構造を製作するシステム。