(57)【要約】      （修正有）【課題】上部ダマシン銅配線と下部配線のダマシン・タングステンとの間の、信頼性ある、低抵抗な接続形成方法および構造の提供。【解決手段】下部ダマシン・タングステン配線に接続するデュアル・ダマシン銅相互接続部を製造するための方法であり、半導体基板１１０上に第１の層を形成し、第１の層上に窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上に二酸化ケイ素層１５０を形成する。第１の層は絶縁材料によって電気的に絶縁されたタングステン相互接続部を含む。二酸化ケイ素層と窒化ケイ素層とを通る２つの接続トラフをエッチングし、下部タングステン相互接続部を露出させ、２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の最上部をエッチングすることによって、連続スペースを形成する。２つの接続トラフ間の二酸化ケイ素層の角部が低減される。連続スペースにダマシン銅を充填すれば、デュアル・ダマシン銅相互接続部が、露出した下部タングステン相互接続部と電気的に接続する。【選択図】図１
2008135758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板（１１０）を用意するステップと、
（ｂ）前記半導体基板（１１０）上に第１の層（９０）を形成するステップであって、前記第１の層（９０）は、電気絶縁性材料（１３０）によって分離されたタングステンの複数の導電性領域（１２０）を含むステップと、
（ｃ）前記第１の層（９０）上にエッチ・ストップ層（１４０）を形成するステップと、
（ｄ）前記エッチ・ストップ層（１４０）上に電気絶縁体層（１５０）を形成するステップと、
（ｅ）前記絶縁体層（１５０）を通って前記エッチ・ストップ層（１４０）まで延びるコンタクト・ビア（９１０）を、対応する導電性領域（１２０）の上方に形成するステップと、
（ｆ）前記絶縁体層（１５０、４５０）の最上部をエッチングして、前記絶縁体層（１５０、４５０）の高さ低減部分を各コンタクト・ビア（９１０）に隣接して残し、各コンタクト・ビアと前記絶縁体層の高さ低減部分の上方のスペースを含む連続スペース（６３０）を形成するステップと、
（ｇ）前記コンタクト・ビア（９１０）の底部の前記エッチ・ストップ層（１４０）をエッチングして、前記コンタクト・ビア（９１０）の下方の対応する前記導電性領域（１２０）の最上面を露出させ、前記コンタクト・ビア（９１０）における前記絶縁体層（１５０、４５０）の前記高さ低減部分上に、丸みが付けられた角縁を形成するステップと、
（ｈ）前記コンタクト・ビア（９１０）における前記絶縁層（１５０、４５０）の前記高さ低減部分とは反対側に前記半導体基板（１１０）に対して垂直なコンタクト側壁（８３０）を形成するステップと、
（ｉ）前記コンタクト・ビア（９１０）に高融点金属ライナ（１１１０、１１１５）とダマシン銅（１１２０、１２５１））とを、前記コンタクト・ビア（９１０）内にダマシン銅相互接続部（１２５０）が形成されるように充填するステップであって、前記ダマシン銅相互接続部（１２５０）を前記導電性領域（１２０）の最上部と電気的接続状態にするステップと、を含む電子構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上に製造される集積回路には通常、半導体基板上の離散半導体デバイスを電気的に相互接続するために多層レベルの金属相互接続が必要である。基板層内および基板層上に存在する半導体デバイス間の局所的な相互接続を得るためには、ダマシン・タングステン・コンタクトの下部配線レベルを用いるのが普通である。残念ながら、上部レベルのダマシン銅配線と下部配線レベルのダマシン・タングステン・コンタクトとの間に、信頼性のある低抵抗コンタクトを形成するのは難しい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上部レベルのダマシン銅配線と下部配線レベルのダマシン・タングステン・コンタクトとの間に、信頼性のある低抵抗コンタクトを形成する方法および構造が必要とされている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、
（ａ）半導体基板を用意するステップと、
（ｂ）半導体基板上に第１の層を形成するステップであって、第１の層は、電気絶縁性材料によって分離されたタングステンの複数の導電性領域を含むステップと、
（ｃ）第１の層上にエッチ・ストップ層を形成するステップと、
（ｄ）エッチ・ストップ層上に電気絶縁体層を形成するステップと、
（ｅ）絶縁体層を通ってエッチ・ストップ層まで延びるコンタクト・ビアを、対応する導電性領域の上方に形成するステップと、
（ｆ）コンタクト・ビアの底部のエッチ・ストップ層をエッチングして、コンタクト・ビアの下方の対応する導電性領域の最上面を露出させるステップと、
（ｇ）コンタクト・ビアに高融点金属ライナとダマシン銅とを、コンタクト・ビア内にダマシン銅相互接続部が形成されるように充填するステップであって、ダマシン銅相互接続部を導電性領域の最上部と電気的接続状態にするステップと、を含む電子構造の製造方法を含む。
【０００５】
また本発明は、あるボリュームの材料の表面を洗浄する方法であって、  高融点金属またはシリコンを含むあるボリュームの材料を用意するステップと、  あるボリュームの材料の表面をフッ酸で酸洗浄するステップと、を含む方法を提供する。
【０００６】
本発明の利点は、上部レベルのダマシン銅配線と下部配線レベルのダマシン・タングステン・コンタクトとの間の信頼性のある低抵抗コンタクトを提供することができる点である。
【０００７】
本発明の実施形態を、添付の図面を参照しながら、例として説明する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本実施形態は、ダマシン・タングステン局所配線レベルに電気的に結合する高アスペクト比のデュアル・ダマシン銅相互接続部を製造する構造および関連する方法を開示する。この明細書を通して、語句「ダマシン・タングステン」は、わかりやすいように用いており、本発明を限定するためのものではない。ダマシン・タングステン配線レベル内のタングステンの代わりに、好適であればどんなダマシン導体（特にポリシリコンなど）を用いても良い。また語句「ダマシン銅」は、１つまたは複数のトレンチが誘電体層内に作られ、１つまたは複数のレベルの高融点金属ライナがトレンチ内に堆積され、トレンチに銅が充填されて平坦に研磨され、ライナおよび銅がトレンチ内に残されていることを意味するものと解する。また本発明は、２つのコンタクト・ビアおよびトラフ（troughs）に関して記述する。これは、わかりやすいように行っており、本発明を限定するためのものではない。当業者であれば、１つまたは複数のコンタクト・ビアが存在し得ること、および１つまたは複数のトラフを用いても良いことを理解するであろう。
【０００９】
次に図面を参照して図１から始めると、半導体構造またはウェハ１００の断面図が示されている。ウェハ１００は基板１１０を有している。基板１１０は、好ましい実施形態ではシリコン基板であるが、特にｐ型またはｎ型の単結晶シリコン、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）、石英、サファイア、ガリウムヒ素などを含んでいても良い。数多くのデバイス（図示せず）たとえばゲート、トランジスタ、拡散、コンデンサなどが、基板１１０内に埋め込まれていても良い。
【００１０】
基板１１０内のデバイスは、ダマシン・タングステン局所配線レベル９０内に形成されたダマシン・タングステン導電性相互接続部１２０によって、標準的な加工を用いて、コンタクトされている。導体の中でも、チタンまたは窒化チタンによってライニングされたタングステンまたはドープド・ポリシリコンが、配線レベル９０内の導体として用いられている。本開示においては、タングステンが好ましい実施形態であると仮定する。ダマシン・タングステン配線レベル９０は、ダマシン高融点金属局所相互接続層を表す例である。ダマシン・タングステン相互接続部１２０は、絶縁性誘電体材料１３０、たとえば、特にホウ素リン珪酸ガラス（ＢＰＳＧ）、またはリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）によって、互いに隔離されている。次に、ダマシン・タングステン局所配線レベル９０（すなわちダマシン・タングステン相互接続部１２０と絶縁性誘電体材料１３０とからなる）の表面１２２を、既知の技術を用いて平坦化する。結果として生じるこの平坦な表面１２２は、本発明で開示される加工手順の基礎をなす。
【００１１】
比較的薄い（たとえば、特に約５０ｎｍの）層の膜１４０を、ダマシン・タングステン相互接続部１２０と絶縁性誘電体材料１３０との層の上に堆積する。この膜１４０（通常は窒化ケイ素膜）は、プラズマ励起化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）、高密度プラズマ化学気相成長法（ＨＤＰＣＶＤ）、低圧化学気相成長法（ＬＰＣＶＤ）、または当技術分野で知られている他の好適な加工技術を用いて堆積しても良い。
【００１２】
膜１４０の後に、比較的厚い（たとえば約１５０から１０００ｎｍの）二酸化ケイ素層１５０を設ける。膜１４０と二酸化ケイ素層１５０との膜は好ましくは、低帯電ダメージのプロセスを用いて、好ましくは低圧ＲＦパワー密度のシラン−酸化物ベースの化学反応、または高圧（すなわち約１４Ｔｏｒｒ）のテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）化学反応ＰＥＣＶＤを用いて、堆積する。あるいは、誘電定数を下げるために、フッ素ドープまたは炭素ドープされた誘電体を用いることもできる。膜１４０は、好ましくは後述するように、その後のエッチングに対する反応性イオン・エッチング（ＲＩＥ）ストップとして機能するためのものであり、また銅拡散バリアとしても機能する。膜１４０は、層１５０（たとえば、特に二酸化ケイ素、フッ素化された二酸化ケイ素、リン珪酸ガラス、ホウ素リン珪酸ガラス、ＣＨ３−ドープされた二酸化ケイ素、ＳｉＣｘＨｙまたはＳｉＣｘＨｙＮｚ）のエッチングの間にＲＩＥストップとして機能するものであればどんな誘電体であっても良い。
【００１３】
図３は、当技術分野で知られている何らかの方法で、二酸化ケイ素層１５０を研磨して高さを低減し洗浄した後の図１を示す。たとえば化学的機械研磨（ＣＭＰ）を用いて、二酸化ケイ素層１５０の一部をたとえば、特に１５０ｎｍだけ、研磨除去しても良い。この研磨ステップの目的は、ダマシン・タングステン相互接続部１２０を形成するために用いるプロセスから生じ得るわずかな起伏も除去するために、二酸化ケイ素層１５０を平坦化することである。一般に、ダマシン・タングステン相互接続部を形成するためにダマシン加工を用いる場合、２つの問題が生じる可能性がある。図１を参照すると、第１の問題は、絶縁性誘電体材料１３０がスクラッチ（scratched）される場合があり、そして絶縁性誘電体材料１３０内のこれらスクラッチが、次の二酸化ケイ素層１５０内に複製される可能性があることである。第２の問題は、ダマシン・タングステン相互接続部１２０が、絶縁性誘電体材料１３０の上方に少量だけ突き出る場合があるか、または絶縁性誘電体材料１３０表面の下方に少量だけ引っ込む場合があることである。ダマシン・タングステン相互接続部１２０のプロセス欠陥（たとえばスクラッチ、突出部、または不十分なタングステン充填量、引っ込んだダマシン・タングステン層など）に起因するこの少量の起伏を、研磨加工ステップによって取り除く。以上のように、この二酸化ケイ素研磨ステップの目的は、前述した小さな起伏を除去することである。
【００１４】
図２に、図１と同様にシリコン基板１０８上にダマシン・タングステン配線レベル１０７を有する電子構造１０９の断面図の変形を示す。この図では、隆起部１０１、凹部１０２、継ぎ目（seam）１０３、スクラッチ１０４、および埋め込み粒子１０６などの様々な望ましくない製造上の起伏が示されている。
【００１５】
ＣＭＰステップが最適化されていること、およびＣＭＰステップは、その後の銅／窒化タンタル／タンタルのＣＭＰステップが絶縁体層１５０内へ過剰研磨するように変更されている場合には、回避できることに留意されたい。このアプローチの不利な点は、これによって、ダマシン銅ワイヤの抵抗と静電容量の変動とがはるかに増大することである。
【００１６】
ＣＭＰステップの後に、ブラシ洗浄加工ステップ、あるいはフッ化水素（ＨＦ）酸エッチを行う。これは特に、５００：１バッファードフッ化水素（ＢＨＦ）酸エッチであっても良い。これらのステップの目的は３つの部分からなる。残留する研磨スラリ、可動イオンなどをウェハから取り除くこと、二酸化ケイ素層１５０の小部分をエッチング除去して、ウェハ表面からさらに汚染物質を除去すること、後述するように、その後の二酸化ケイ素キャップ堆積物の付着力を高めること、である。
【００１７】
またＣＭＰ後厚みの測定技術を用いて、結果として生じる、すなわち「出て行く（outgoing）」二酸化ケイ素層１５０の厚みを制御する。出て行く二酸化ケイ素層１５０の厚みが良好に制御されていないと、その後のコンタクトＲＩＥアンダーエッチ／オーバーエッチ・プロセス・ウィンドウが小さくなるかまたは無くなってしまう。好ましいＣＭＰ除去は約１５０±３０ｎｍであるが、それを超えるかまたはそれ未満のＣＭＰ除去も許容範囲である。
【００１８】
図４に、任意選択の二酸化ケイ素ＣＭＰ後ＰＥＣＶＤ二酸化ケイ素キャップ層３５０の堆積を行った後のウェハ１００を例示する。二酸化ケイ素キャップ層３５０はアンドープであっても良いし、二酸化ケイ素キャップ層３５０材料の誘電定数を小さくするためにドーピング（たとえばフッ素または炭素）を含んでいても良い。この二酸化ケイ素キャップ層３５０の堆積は、必須ではないが有益である。というのは、二酸化ケイ素層１５０のＣＭＰの間に発生し得るわずかなスクラッチに起因する、その後に堆積される銅層内での電気短絡が、キャップ層３５０によって減少するからである。この二酸化ケイ素キャップ層３５０の最終厚みは、その後に形成されるコンタクトおよび銅層の高さが最適化されるように調整する。たとえば、２５０ｎｍ幅のコンタクトおよび銅層の場合、考えられる高さの１つの組は、コンタクトおよび銅層に対して、それぞれ４００ｎｍおよび３００ｎｍである。
【００１９】
二酸化ケイ素キャップ層３５０の特徴は、表面層スクラッチの伝搬をさらに減らすことである。すなわち図５に示すように、スクラッチ１５７は、下部の二酸化ケイ素層１５０内にあっても、共形またはほぼ共形な二酸化ケイ素キャップ層３５０の堆積によって取り除かれる。
【００２０】
図６に、二酸化ケイ素キャップ層３５０（図４を参照）上にフォトレジスト層４４０を堆積し、当技術分野で知られる標準的な手順を用いて、フォトレジスト層４４０の部分４１０および４２０の下方にコンタクト・ビアをパターン形成した後の図４の構造を示す。図６では、説明を簡単にするために、図４の二酸化ケイ素層１５０と二酸化ケイ素キャップ層３５０とを組み合わせて、二酸化ケイ素層４５０で置き換えている。フォトレジスト層４４０には、二酸化ケイ素層４５０上に堆積される第１の反射防止コーティング（ＡＲＣ）層４６０を用いても良い。一般的に、ＡＲＣ層によって、フォトレジストを露光するときに小さいフィーチャを解像する能力が向上する。
【００２１】
図７に、二酸化ケイ素層４５０を選択エッチングして、二酸化ケイ素層４５０を通って膜１４０まで延びる２つのコンタクト・ビア・ホール５１０を形成した後の図６の構造を示す。コンタクト・ビア・ホール５１０は、図６の部分４１０および４２０の真下に位置する。選択的な二酸化ケイ素ＲＩＥ化学反応を用いて、コンタクト・ビア・ホール５１０が、膜１４０までは延びるが膜１４０を通っては延びないようにする。このプロセス段階は実際には、２ステップの反応性イオン・エッチ（ＲＩＥ）を伴っている。第１のステップでは、第１のＡＲＣ層４６０（図６を参照）のエッチングを、ＲＩＥを用いてまたは任意選択で選択エッチ化学反応を用いて行って、エッチが二酸化ケイ素層４５０上で停止するようにする。エッチの第２のステップでは、二酸化ケイ素４５０のエッチングを、当技術分野で知られるように、およそ１０：１またはそれ以上の選択性で実質的に膜１４０上で停止する選択エッチ化学反応を用いて行う。「選択性」は、エッチングしたい材料のエッチ・レートを、エッチングしたくない材料のエッチ・レートで割ったものとして定義される。エッチングが完了した後に、フォトレジスト層４４０を、好ましくは酸素プラズマまたはダウンストリーム・プラズマ・ドリップ・プロセスを用いて、剥離する。標準的なウェット・ケミカルなフォトレジスト剥離方法、たとえば硫酸と過酸化水素とを混合したものは、膜１４０のピンホールを通して１２０の導体をエッチングする場合があるので、使用してはならないことに留意されたい。フォトレジストの除去を、角４５５（図１２を参照）が丸まらないように無指向性の剥離プロセスを用いて行うことが、非常に望ましい。角が丸まっていなければ、銅の充填量がより良くなる。また、４５５における角は、丸まっていないかまたは角張っていることが望ましい。というのは、これらの点での電気短絡が発生することが回避できるからである。
【００２２】
このデュアル・ダマシン・プロセスの第２のステップ（すなわち、ワイヤ・トラフのプリンティングおよびＲＩＥエッチングを伴う）の間にフォトレジストを剥離することは、ワイヤ・トラフの上部の角を丸める心配があるので、重要なプロセスである。上部のワイヤ・トラフの角が実質的に丸まっていると、ワイヤ間が電気短絡する可能性が高まる。これは以下のことを意味している。すなわち、フォトレジスト剥離ステップは、リソグラフィ・プリンティングまたは位置合わせ問題（リソグラフィ再加工（rework）と言う）があるためにワイヤ・トラフをＲＩＥエッチングする前にワイヤ・トラフ・フォトレジストを剥離するときに用いるか、またはトラフのＲＩＥエッチ後に用いるかのいずれかであるが、フォトレジスト剥離のうちウェハ上にレジストが残っている部分の間は実質的に無指向性でなくてはならない。フォトレジスト剥離は、２つのステップに分かれることに留意されたい。第１のステップでは、ウェハ上のブランケット表面からフォトレジストを除去する。第２のステップでは、ウェハ上のトレンチまたは他の起伏フィーチャからフォトレジストを除去する。また第２のステップには、フォトレジストが完全に除去されているにもかかわらずフォトレジスト剥離プロセスが行われ続ける過剰剥離の部分が含まれる。第１のフォトレジスト・ステップの間は、プラズマ剥離ツール内で行われる場合、剥離されたフォトレジストまたはＲＩＥエッチ残留物あるいはその両方が剥離化学反応と混ざって、著しいスパッタおよびＲＩＥ成分がフォトレジスト剥離プロセスに付加される可能性がある。実質的なウェハ・バイアスを伴うプラズマ剥離プロセスを用いる場合、ウェハ・バイアスによってウェハ上へのイオン衝撃が増加し、その結果、ワイヤ・トラフの角の丸み付けが増加する。この問題は、第１のフォトレジスト・ステップを、非プラズマ環境内で行うか（すなわち、溶剤剥離、ダウンストリーム・プラズマ、オゾン剥離など）、またはウェハに印加するウェハＲＦバイアス・パワーを最小限にして行うことによって、著しく低減することができる。最適なプラズマ・フォトレジスト剥離プロセスにおいては、ウェハ・プラズマ剥離の第１ステップで、非プラズマまたは低ＲＦバイアス・パワーを用い、その後に高ＲＦバイアス・パワーを第２ステップとしてのウェハ・プラズマ剥離で用いる。高ＲＦバイアス・パワーの第２のステップは、フォトレジスト、ＡＲＣ、またはＲＩＥエッチ残留物を、ウェハ上のトレンチまたは他の起伏フィーチャから除去するのに必要である。
【００２３】
次に、特に１００：１の希釈ＨＦ酸エッチ液を用いるエッチからなる任意選択のステップを行って、約５から１０ｎｍの二酸化ケイ素を除去しても良い。このステップによって、前の第２のステップのエッチのエッチ残留物が除去される。あるいは、ＨＦ酸水溶液の代わりに、脱イオン水、またはエッチ残留物の洗浄に対して有効であると当技術分野で知られる他のどんな溶媒も、用いることができる。
【００２４】
図８に、ダマシン・ビア５１０の内部を含むウェハ１００の全表面を覆う第２の反射防止コーティング層６２０を、当技術分野で知られる技術を用いて堆積させた後の図７の構造を示す。第２のＡＲＣ層６２０は、既知の技術（たとえばビア・ファースト（via-first）・デュアル・ダマシン加工）、すなわちビア・ファースト・デュアル・ダマシン加工に関連して当技術分野で知られるように、反射防止コーティング材料をコンタクト・ホールまたはダマシン・ビア５１０内部へ低温（たとえば約１７０から２３０℃）でリフローする技術を用いて、処理する。このＡＲＣ層６２０の堆積に続いて、その後に、第２の反射防止層６２０内に連続スペース６３０を選択的に開口するために用いられるフォトレジスト層６１０の堆積およびパターン形成を行う。パターン形成されたフォトレジスト層６１０は、ＡＲＣ層６２０の最上部に位置し、所望のダマシン・ワイヤ・パターンを用いてパターン形成されている。
【００２５】
次に図９を参照して、第２の反射防止コーティング層６２０の露出部分を、第２の反射防止コーティング層６２０は選択領域においてエッチングするが二酸化ケイ素層４５０は実質的にエッチングしないプロセスを用いてエッチングした後の図８の構造が示されている。
【００２６】
図１０に、ダマシン・トラフ間に存在する二酸化ケイ素層４５０の一部分の高さが低減されるまで引き続いてＲＩＥエッチングし、そしてその後の加工ステップにおける良好なライナおよび銅充填を促すために二酸化ケイ素層４５０の角８１０（透視図で示す）を丸めるようにさらにエッチングした後の図９の構造を示す。高さが低減されるまで二酸化ケイ素層４５０の一部分をエッチングした結果、連続スペース６３０が増えて、ダマシン・ビア５１０と二酸化ケイ素層４５０との間に広がっている。このステップで用いるエッチは、特に、所望の最終深さよりも（たとえば約５０ｎｍだけ）深い深さまでダマシン・ビア５１０をエッチングするために用いる二酸化ケイ素ＲＩＥであっても良い。このＲＩＥは、二酸化ケイ素４５０の角８１０を丸める一方で、ほぼ垂直なコンタクト側壁８３０をダマシン・ビア５１０の上に残すように、最適化されている。
【００２７】
図１１に、フォトレジスト層６１０と第２の反射防止コーティング層６２０の両方とも剥離除去して、コンタクト・ビア９１０を残した後の図１０の構造を示す。フォトレジスト層６１０の剥離ステップは、ウェハ１００上へのイオン衝撃を最小限にして角８１０の丸み付けが最小限になるように行う。無指向性剥離たとえば特に低ウェハ・バイアス・プラズマ剥離を用いることができる。フォトレジスト層６１０の剥離ステップでは、コンタクト・ビア９１０内のＡＲＣ層６２０が除去されるように、注意を払わなければならない。これは、発光（または何でも）によるレジスト剥離エンドポイント測定を用いてレジスト剥離時間を制御する場合、長い過剰剥離（通常１００から２００％）を用いなければならないことを意味する。連続スペース６３０は、コンタクト・ビア９１０を含むように広げられている。
【００２８】
角の丸み付けをさらに最小限にするために、高圧剥離プロセス・ステップを行っても良い。高周波（ＲＦ）パワーを用いるデュアル電極システムにおいては、ウェハ・イオン衝撃を最小限にするために、ＲＦパワーの殆どまたは全部を上部電極に結合させなければならない。あるいは、２ステップ剥離プロセスを、フォトレジスト層６１０のレジストが剥離された２ステップ剥離の２番目のステップの間だけ、ＲＦパワーを電極に結合して使用することができる。２ステップ剥離プロセスは、コンタクト・ビア９１０からのポリマーまたは残留ＡＲＣの除去を助けることになる。単一電極システムにおいては、イオン衝撃に誘発される角の丸み付けを最小限にするために、ＲＦパワーを、レジスト剥離ステップの間、単一電極システムで用いる過剰剥離ステップよりも前において、最小限にしなければならない。全てのレジスト剥離プロセスにおいて、フッ素化されたレジストがウェハ１００上に残っている間は角の丸み付けが促進され、制御のための重要なパラメータは、レジスト過剰剥離ステップよりも前においては、レジスト剥離ステップ中のイオン衝撃密度／エネルギーであることに留意されたい。
【００２９】
図１２に、業界標準のＲＩＥ化学反応を用いて、各コンタクト・ビア９１０の底部における膜１４０をエッチングして、ダマシン・タングステン相互接続部１２０の最上面１２５まで各コンタクト・ビア９１０を延ばした後の図１１の構造を示す。したがって連続スペース６３０は、延長されたコンタクト・ビア９１０を含むように、さらに広げられている。図１３〜１４と関連して後述するように、デュアル・ダマシン銅相互接続部を連続スペース６３０内に形成する。したがって各コンタクト・ビア９１０の底部においては、その後に形成されるデュアル・ダマシン銅相互接続部によって、ダマシン・タングステン相互接続部１２０の最上面１２５との電気コンタクトが可能になる。ＲＩＥプロセス方法の１つの実施形態においては、ダマシン・ビア５１０のＲＩＥ（図９を参照）、フォトレジスト層６１０のレジスト剥離（図１０を参照）、および膜１４０のＲＩＥを全て、単一のＲＩＥチャンバまたはツール内で行う。
【００３０】
プロセスの次のステップでは、約１０ｎｍの二酸化ケイ素を、ウェハ１００から取り除くために、特にダマシン・タングステン相互接続部１２０上から取り除くために、フッ化水素（ＨＦ）酸洗浄（たとえばフッ化水素酸の希釈１％溶液を用いる）を必要とする。この酸洗浄は、表面のフッ素除去を行うために、またわずかな残留ポリマーも除去するために行う。フッ化水素酸の濃度としては、特に約１０：１から約５００：１、好ましくは約１００：１が含まれていても良い。１００：１希釈は、本明細書においては、ＨＦをビンから出したときに希釈することを指す。実際には、製造業者から入手したときには、約１部の水対１部のＨＦである。本明細書において記載される希釈は、ビンからのＨＦに対するものである。
【００３１】
フッ化水素酸を用いてコンタクトを、タングステンまたはシリコンに至るまで洗浄することは、当技術分野では知られていない。というのは、溶剤洗浄たとえばＡＺ（商標）またはＮＭＰ（商標）が通常、タングステンまたはシリサイド化されたシリコン表面を洗浄するために行われているからである。フッ化水素酸が、高融点金属酸化物または他のこのような生成物（チタン、タングステン、コバルトなどから形成される酸化物）をエッチングすることは、知られていない。これらのデュアル・ダマシン構造に対しては、シングル・ダマシン構造に対して行っている標準的なＡＺ（商標）または他の溶剤洗浄では、高融点金属のコンタクト・レミッタンス（remittance）がはっきりと劣化する（すなわち減少する）。これは恐らく、ダマシンの局所的なタングステン相互接続部内のボイドから溶剤を完全に除去することができないためか、またはタングステン表面上の損傷領域を除去できないためである。
【００３２】
図１２のエッチ・ステップの後に、アルゴン（Ａｒ）スパッタ洗浄を行っても良い。これは、ダマシン・タングステン相互接続部１２０の上部またはウェハ１００のどこか他の場所の二酸化ケイ素または他のエッチ残留物たとえば酸化タングステンをスパッタ除去するためである。通常、このアルゴン・スパッタ洗浄によって、平坦な表面から約１０ｎｍの二酸化ケイ素を除去する。またアルゴン・ガスは、他のドーパント・ガスたとえば特に水素またはヘリウムを含んでいても良い。またスパッタ洗浄は、ウェハ１００から残留物を完全に除去するのに十分に長い時間、続ける必要がある。経験的にわかっていることによれば、５ｎｍの残留物のスパッタ除去に必要な時間では、不要な残留物の除去には不十分であるが、１０ｎｍのスパッタ除去に必要な時間であれば十分である。しかしアルゴン・スパッタ洗浄によって二酸化ケイ素を過剰に除去してしまうと、エッチングされた構造の角の丸み付けが起こる可能性があるという問題が生じる。したがって、十分な量がスパッタ洗浄されるが過剰な量とはならないように、バランスを見出さなければならない。過剰の例は約２０ｎｍであろう。過少の例は約５ｎｍであろう。
【００３３】
スパッタ前洗浄の後、また次に図１３を参照して、窒化タンタルおよびタンタルからなる層１１１０（銅拡散バリア）と、薄い銅スパッタ層１１１５とからなる、露出するウェハ１００表面を覆う積層膜１１２５を堆積した後の図１２の構造が示される。この積層膜１１２５によって、良好な側壁カバレージが得られる。窒化タンタル／タンタル／銅（ＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕ）堆積プロセス、たとえばイオン化物理的気相成長法（ＩＰＶＤ）、ホロー・カソード・マグネトロン（ＨＣＭ）、化学気相成長法（ＣＶＤ）、ロング・スロー・スパッタ法、またはこれらの組み合わせを用いる。本開示で論じる幾何形状については、ＩＰＶＤを用いた１０ｎｍ／４０ｎｍ／１００ｎｍのＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕ積層膜を堆積したが、他の多くのＴａＮ／Ｔａ／Ｃｕ厚みの組み合わせを用いても良い。本明細書ではＴａを記載したが、Ｔａの代わりに他のどんな高融点金属または金属の組み合わせを用いても良い。たとえば、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、タングステンなどである。
【００３４】
ＴａＮ／Ｔａ層１１１０を、何らかの高融点金属（前述した）を用いて何らかの標準的な銅拡散バリアとして堆積させた後に、薄い銅スパッタ層１１１５を設ける。薄い銅スパッタ層１１１５は、その後の銅メッキに対するシード膜として機能する。銅スパッタ層１１１５の代わりに無電界メッキ銅であっても良い。次に、ウェハ表面全体上に厚い銅層１１２０を電気メッキして、全ての凹部に充填する。ＴａＮ／Ｔａ層１１１０の窒化タンタル部分に対する公称厚みは約１０ｎｍであり、ＴａＮ／Ｔａ層１１１０のタンタル部分に対しては約４０ｎｍであり、銅スパッタ層１１１５に対しては約１００ｎｍである。しかしこれらの厚みは、製造プロセスにおいて望ましい特定の寸法に対して調整することができる。コンタクト・ビア９１０の典型的な深さは約４５０ｎｍであり、コンタクト・ビア９１０の最小限のトラフ幅は約２５０ｎｍである。ダマシン・タングステン相互接続部１２０に対する最小限のコンタクト幅は約２５０ｎｍであり、コンタクト高さは約５００ｎｍである。図１４に示すような電気メッキされた銅層１１２０の最終的な高さは、およそ積層全体の高さ、すなわち膜１４０足す二酸化ケイ素層４５０の高さである。この例では、膜１４０と二酸化ケイ素４５０との高さが約７５０ｎｍの場合には、電気メッキ銅層１１２０の厚みは約７５０ｎｍよりもわずかに厚い。電気メッキ銅層１１２０が、膜１４０と二酸化ケイ素層４５０とを組み合わせた高さよりもわずかに厚くなくてはならない理由は、電気メッキ銅層１１２０が、全ての表面上に均一に形成されるわけではない非共形な充填を生じる傾向にあるからである。したがって電気メッキ銅層１１２０が適切に合致することを保証するために、膜１４０と二酸化ケイ素層４５０とを組み合わせた高さよりもわずかに厚く（約１０％だけ厚く）、メッキしなければならない。通常は、誤差（たとえば許容差）およびウェハ間の厚み変動があるために、電気メッキ銅層１１２０は、今述べた厚みよりもさらに厚くなることが考えられる。銅充填の他の方法たとえばＰＶＤとＣＶＤとの組み合わせを、電気メッキの代わりに用いることができる。電気メッキ銅層１１２０を堆積した後に、電気メッキ銅層１１２０を結晶化するために、任意選択のアニールたとえば特に１００℃で１時間を行う。
【００３５】
図１４に、銅の化学的機械研磨プロセスを用いてウェハ１００の上面を平坦化した後の図１３の構造を示す。この平坦化プロセスは、電気メッキ銅層１１２０の上部とともにＴａＮ／Ｔａ層１１１０の最上部を除去するために用いるウェット機械研磨プロセスであっても良い。電気メッキ銅層１１２０を、業界標準の既知のプロセスを用いて研磨して、ＴａＮ／Ｔａ層１１１０上で停止する。一般に、銅を研磨してライナまたはエンドポイント上で停止し、次にプロセスを切り換えてライナを研磨することが、当技術分野では良く知られている。次にウェハをＣＭＰして、窒化タンタルおよびタンタルの銅拡散バリアを除去することができる。あるいは、窒化タンタル／タンタルの銅拡散バリアの両方を単一ステップで除去する単一ステップのＣＭＰプロセスを用いることができる。
【００３６】
しかしデュアル・ダマシン・プロセスを行ったので、電気メッキ銅層１１２０の研磨を行う時間を、シングル・ダマシン・プロセスの場合よりも長くすることが好ましい。シングル・ダマシン・プロセスとデュアル・ダマシン・プロセスとを比較すると、エンドポイントの銅研磨を用いる場合、デュアル・ダマシン・プロセスの場合の過剰研磨を、シングル・ダマシン・プロセスの場合よりも３０から１００％だけ長くしなければならない。この長くなった研磨時間は、近接して間隔をあけて配置されたダマシン・コンタクト間の銅を除去するために必要であり、これはこれらの構造内に角の丸み付けが存在するためである。最も望ましいのは、化学エッチ成分を増やした銅研磨プロセス、たとえば４％過酸化水素を用いるものを、利用することである。
【００３７】
銅研磨ステップの後に、他の研磨ステップを用いて、ＴａＮ／Ｔａ層１１１０の最上部を除去する。この研磨ステップは、二酸化ケイ素層４５０に至るまで続ける。このステップでは通常、多少（たとえば約５０ｎｍ）の二酸化ケイ素層４５０も除去される。平坦化／研磨の後、電気メッキ銅層１１２０、銅スパッタ（または無電界）層１１１５、およびＴａＮ／Ｔａ層１１１０の残留部分によって、一括して、本発明のデュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０が構成される。
【００３８】
最後に、ＣＭＰの後に、結果として生じるデュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０（ダマシン・タングステン相互接続部１２０と導電性コンタクト状態にある）のテスタビリティを高めるために任意選択の３００から４５０℃のアニールを用いる。
【００３９】
図１４において、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０は、コンタクト・ビア１２５１と１２５２とを有する。コンタクト・ビア１２５１と１２５２とは、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０の、ダマシン・タングステン相互接続部１２０と直接的に電気接続する部分である。通常の１８０ｎｍ技術の場合には、コンタクト・ビア１２５１と１２５２とはそれぞれ、約２５０ｎｍの幅ＷＬ、約３００ｎｍの高さＨＬとを有する。また図１４において、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０は、約２５０ｎｍの全体の幅ＷＴと、約３２０ｎｍの全体の高さＨＴとを有する。
【００４０】
図１４では、第１の部分１４１、第２の部分１４２、および第３の部分１４３を有する膜１４０が示されている。また図１４では、第１の部分４５１、第２の部分４５２、および第３の部分４５３を有する二酸化ケイ素層４５０が示されている。二酸化ケイ素層４５０の第１の部分４５１は、膜１４０の第１の部分１４１上にあり、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０の第１の表面１２５１とコンタクトしている。二酸化ケイ素層４５０の第２の部分４５２は、膜１４０の第２の部分１４２上にあり、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０の第２の表面１２５２とコンタクトしている。二酸化ケイ素層４５０の第３の部分４５３は、膜１４０の第３の部分１４３上にあり、デュアル・ダマシン銅相互接続部１２５０と膜１４０の第３の部分１４３との間に配置されている。
【００４１】
本発明の代替的な実施形態においては（図１５）、図１〜１４のダマシン・タングステン相互接続部１２０の代わりに、拡散、トランジスタ、および他の受動または能動素子を含み得るシリコン体積１３１０および１３２０とすることができる。この実施形態においては、銅がＴａＮ／Ｔａライナ１１１０を通ってシリコン体積１３１０および１３２０内へ拡散しないように注意しなければならない。というのは、どのタイプのトランジスタについても、特に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタについて、その適切な使用状態が、銅によって劣化するからである。以上のように、ダマシン・タングステン相互接続部１２０を、特にダマシン高融点金属相互接続部（たとえばダマシン・タングステン相互接続部）または半導体材料（たとえばシリコン）を含む導電性領域１２０に一般化し、またこのような導電性領域１２０として識別しても良い。
【００４２】
図１４の変形として、図１６および図１７に、多数のデュアル・ダマシン銅ワイヤ１２５０とコンタクト・ビア１２５１、１２５２、１４１０との断面図および関連する平面図を、それぞれ示す。コンタクト・ビア１２５１、１２５２、１４１０は、下方のダマシン・タングステン配線レベル９０と、ダマシン・タングステン相互接続部１２０で接続している。図１７に示すダマシン・銅ワイヤ１２５０は、ゼロ、１つ、または１を超えるデュアル・ダマシン・コンタクト・ビア１２５１、１２５２、１４１０を有することができる。図１７に、ダマシン銅ワイヤ１２５０と（隠れている）デュアル・ダマシン・コンタクト・ビアとの平面図を示す（コンタクト・ビアの下方のダマシン・タングステン配線レベルは示していない）。銅ワイヤ１２５０のサイズに制限はなく、特に接地面などの導電性レベルを形成するように、大きくしても良い。
【００４３】
本明細書では、膜１４０が窒化ケイ素を含んでいると説明してきたが、膜１４０は一般的に、図７と関連して前述したように、上方の二酸化ケイ素層４５０の選択エッチングに対するエッチ・ストップ層であると考えても良い。したがって膜１４０は、エッチ・ストップ絶縁性材料、たとえば特に窒化ケイ素、炭化ケイ素（ＳｉＣｘＨｙ）、またはケイ素炭素−水素−窒素の化合物（ＳｉＣｘＨｙＮｚ）を含んでいても良い。
【００４４】
本明細書では、図１〜５の二酸化ケイ素層１５０、図４および５の二酸化ケイ素キャップ層３５０、および図６〜１５の二酸化ケイ素層４５０はそれぞれ、二酸化ケイ素を含んでいると説明してきたが、層１５０、３５０、および４５０は一般的に、特に二酸化ケイ素などの絶縁性材料を含む電気絶縁層であると考えても良く、酸化物の誘電定数を下げるために、フッ素ドープまたは炭素ドープされた誘電体を用いることもできる。
【００４５】
本明細書では、説明を目的として本発明の実施形態を記載してきたが、多くの変更および変形が当業者には明らかとなる。したがって添付の特許請求の範囲が、本発明の真の趣旨および範囲に含まれる変更および変形を全て包含することが、意図されている。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】シリコン基板上のダマシン・タングステン配線レベル、ダマシン・タングステン配線レベル上の窒化ケイ素層、窒化ケイ素層上の二酸化ケイ素層を有する電子構造を示す断面図である。
【図２】図１と同様にシリコン基板上にダマシン・タングステン配線レベルを有する電子構造を示す断面図であり、隆起部、凹部、継ぎ目、スクラッチ、および埋め込み粒子などの様々な種類の望ましくない製造上の起伏を示す。
【図３】前のレベルのスクラッチおよび起伏を除去または低減するために、二酸化ケイ素層を研磨して高さを低減し、洗浄した後の図２を示す図である。
【図４】二酸化ケイ素層上に二酸化ケイ素キャップを堆積した後の図３を示す図である。
【図５】１つの層内のスクラッチまたは他の起伏が２番目の層内に複製された図４を示す図である。
【図６】二酸化ケイ素キャップ上にレジスト層が堆積された後の図４を示す図である。
【図７】レジストをエッチングしてコンタクト・ビアを窒化ケイ素層に対して形成し、レジスト層を除去した後の図６を示す図である。
【図８】コンタクト・ビアの内部を含むウェハ表面の全体を覆う反射防止コーティング層を堆積してリフローし、反射防止コーティング層上にフォトレジスト層を堆積した後にフォトレジストのリソグラフィ・パターン形成と開口とを行った後の図７を示す図である。
【図９】反射防止コーティングはエッチングするが二酸化ケイ素はエッチングしないプロセスを用いて反射防止コーティングのエッチングを行った後の図８を示す図である。
【図１０】コンタクト・トラフ間の二酸化ケイ素の最上部をエッチングし、良好なライナおよび銅充填を促すために二酸化ケイ素の角を丸めるようにエッチングした後の図９を示す図である。
【図１１】フォトレジスト層と反射防止層とを剥離除去した後の図１０を示す図である。
【図１２】各コンタクト・トラフの底部の窒化ケイ素層をエッチングした後の図１１を示す図である。
【図１３】ウェハ表面全体の上に、窒化タンタルとタンタルとの層からなる積層膜を含む標準的な銅拡散バリアを堆積し、銅シード層を堆積し、銅シード・バリア上に電気メッキ銅を堆積した後の図１２を示す図である。
【図１４】ウェハ上の銅の上部を、窒化タンタルとタンタルとの銅拡散バリアは除去しないＣＭＰプロセスで除去し、残りの露出表面を平坦化した後の図１３を示す図である。
【図１５】ダマシン・タングステン相互接続部の代わりに半導体材料とし、半導体デバイスが含まれる、図１４の代替的な実施形態を示す図である。
【図１６】複数のデュアル・ダマシン銅ワイヤとコンタクト・ビアとを示す本発明の代替的な実施形態を示す断面図である。
【図１７】図１６に示した構造を示す平面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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