【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び前記絶縁層に開口部を有する可撓性基板を接着し、
前記可撓性基板の開口部において、前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記導電層及び前記絶縁層から前記基板を剥離し、
前記導電層及び前記絶縁層に開口部を有する可撓性基板を接着し、
前記可撓性基板の開口部において、前記導電層及び絶縁層に集積回路とその接続端子とを電気的に接続すると共に、前記可撓性基板と前記集積回路を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、前記導電層は、アンテナとして機能することを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項において、前記導電層は、画素電極として機能することを特徴とする機能性を有する層を有する基板の形成方法。
【請求項９】
第１の基板上にシランカップリング剤を用いて剥離層を形成し、
前記剥離層上に着色層を形成し、
前記着色層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層上に配向膜を形成し、
前記配向膜に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記着色層、前記絶縁層、前記導電層、及び前記配向膜から前記第１の基板を剥離し、
前記着色層、前記絶縁層、及び前記導電層に可撓性基板を貼り付けて第２の基板を形成し、
前記第２の基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第２の基板及びアクティブマトリクス基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する剥離層を形成し、
前記剥離層上に着色層を形成し、
前記着色層を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、導電層を形成し、
前記導電層上に配向膜を形成し、
前記配向膜に粘着部材を貼りつけ、
前記剥離層において、前記着色層、前記絶縁層、前記導電層、及び前記配向膜から前記第１の基板を剥離し、
前記着色層、前記絶縁層、及び前記導電層に可撓性基板を貼り付けて第２の基板を形成し、
前記第２の基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第２の基板及びアクティブマトリクス基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の基板上にシランカップリング剤を用いて第１の剥離層を形成し、
前記第１の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆う第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に第１の粘着部材を貼りつけ、
前記第１の剥離層において、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層から前記第１の基板を剥離し、
前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、前記第1 の導電層及び第１の絶縁層を有する第１の可撓性基板を形成し、
第２の基板上にシランカップリング剤を用いて第２の剥離層を形成し、
前記第２の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に第２の粘着部材を貼り付け、
前記第２の剥離層において、前記第２の導電層及び前記第２の絶縁層から前記第２の基板を剥離し、
前記第２の導電層及び前記第２の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、第２の可撓性基板を形成し、
前記第１の可撓性基板または前記第２の可撓性基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
第１の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する第１の剥離層を形成し、
前記第１の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆う第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に第１の粘着部材を貼りつけ、
前記第１の剥離層において、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層から前記第１の基板を剥離し、
前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、前記第1 の導電層及び第１の絶縁層を有する第１の可撓性基板を形成し、
第２の基板上に酸素及び珪素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合する第２の剥離層を形成し、
前記第２の剥離層上に印刷法により金属元素を有する粒子を含む組成物を塗布し、２００〜４００℃で焼成することにより、第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に第２の粘着部材を貼り付け、
前記第２の剥離層において、前記第２の導電層及び前記第２の絶縁層から前記第２の基板を剥離し、
前記第２の導電層及び前記第２の絶縁層に可撓性基板を貼り付けることにより、第２の可撓性基板を形成し、
前記第１の可撓性基板または前記第２の可撓性基板上にシール材を形成し、
前記シール材及び前記第１の絶縁層または前記第２の絶縁層で囲まれる領域に液晶材料を塗布し、
前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板を前記シール材により貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。