【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
幅に対する長さの寸法比が10より小さくない合金基板；
該基板の上に横たわる柔軟層、該柔軟層は50nmより大きくない平均の粒子サイズを持つアモルファスまたはナノ結晶性であるセラミック材料からなる；
該柔軟層の上に横たわるIBADバッファ層、該IBADバッファ層は２軸結晶テクスチャを持ち、蛍石タイプ材料、黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化材料からなるグループからの材料からなる；および
該IBADバッファ層の上に横たわる超伝導体層、
からなる超伝導体構成素子。
【請求項２】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層は40nmより大きくない平均の粒子サイズを持つ。
【請求項３】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層は30nmより大きくない平均の粒子サイズを持つ。
【請求項４】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層は20nmより大きくない平均の粒子サイズを持つ。
【請求項５】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層はテクスチャ化されていない。
【請求項６】
請求項１の超伝導体構成素子において、IBADバッファ層が、十分に安定化されたZrO2、CeO2のグループからの蛍石タイプ材料からなる。
【請求項７】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は化学式RE2Zr2O7を持つ黄緑石タイプからなる、ここでＲＥはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなるグループから選択される希土類元素である。
【請求項８】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は希土類酸化物Ｃタイプ材料からなる。
【請求項９】
請求項８の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層はY2O3からなる。
【請求項１０】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は正方晶構造を持つ非立方体構造化材料からなる。
【請求項１１】
請求項１０の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は正方晶の金紅石材料からなる。
【請求項１２】
請求項１１の超伝導体構成素子において、上記正方晶の金紅石材料はTiO2である。
【請求項１３】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は層構造化材料からなる。
【請求項１４】
請求項１３の超伝導体構成素子において、上記層構造化材料はK2NiF4構造を持つ材料からなる。
【請求項１５】
請求項１４の超伝導体構成素子において、上記層構造化材料はLa2CuO4とK2NiF4からなるグループから選択される。
【請求項１６】
請求項１３の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層はNd2CuO4を持つ材料からなる。
【請求項１７】
請求項１６の超伝導体構成素子において、上記Nd2CuO4構造材料はNd2CuO4からなる。
【請求項１８】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層はおよそ100nmよりも小さくない厚さを持つ。
【請求項１９】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層はおよそ150nmよりも小さくない厚さを持つ。
【請求項２０】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層はおよそ200nmよりも小さくない厚さを持つ。
【請求項２１】
請求項１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層がAl2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、SiO2、B2O3、Sc2O3、Cr2O3、ReZrO、Re2O3、ここでReは少なくとも１つの希土類元素（Sc とＹを含む）からなる、およびその組み合わせからなるグループから選択された材料からなる。
【請求項２２】
請求項２１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層はAl2O3からなり、該Al2O3は主にアモルファスである。
【請求項２３】
請求項２１の超伝導体構成素子において、上記柔軟層は安定化ZrO2からなり、該安定化ZrO2は、ほとんど20nmより大きくない平均の粒子サイズを持つナノ結晶性イットリア安定化ZrO2よりなる。
【請求項２４】
請求項２３の超伝導体構成素子において、上記平均の粒子サイズは10nmより大きくない。
【請求項２５】
請求項１の超伝導体構成素子において、さらに上記超伝導体層の上に横たわる安定化層を備え、該安定化層は伝導性の金属からなる。
【請求項２６】
請求項１の超伝導体構成素子において、物品は、動力変圧器であり、該動力変圧器は、少なくとも一次巻線と二次巻線を備え、該一次巻線と二次巻線の少なくとも一つが、超伝導性テープの巻きコイルからなり、該超伝導性テープは、上記基板、上記柔軟層、上記IBADバッファ層、および上記超伝導体層からなる。
【請求項２７】
請求項１の超伝導体構成素子において、物品は、回転機械であり、該回転機械は、少なくとも１つの巻線を備え、該少なくとも１つの巻線は、上記基板、上記柔軟層、上記IBADバッファ層、および上記超伝導体層からなる超伝導性テープからなる。
【請求項２８】
請求項１の超伝導体構成素子において、構成素子は、電力ケーブルであり、該電力ケーブルは、複数の伝導体を含み、各伝導体は、上記基板、上記柔軟層、上記IBADバッファ層、および上記超伝導体層からなる。
【請求項２９】
幅に対する長さの寸法比が100よりも小さくない合金基板；
該基板の上に横たわる柔軟層、該柔軟層は、Al2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、SiO2、B2O3、Sc2O3、Cr2O3、ReZrO、Re2O3、ここでReは少なくとも一つの希土類元素（ScおよびYを含む）からなる、およびその組み合わせからなるグループから選択された、50nmより大きくない平均の粒子サイズを持つアモルファス材料またはナノ結晶性セラミック材料からなる；
該該柔軟層の上に横たわるIBADバッファ層、該IBADバッファ層は、蛍石タイプ材料、黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化材料からなるグループからの材料からなる；および
該IBADバッファ層の上に横たわる超伝導体層、
からなる超伝導体構成素子。
【請求項３０】
請求項２９の超伝導体構成素子において、上記IBADバッファ層は、イットリア安定化ZrO2およびGd2Zr2O7からなるグループから選択される。
【請求項３１】
幅に対する長さの寸法比が10よりも小さくない合金基板を提供すること；
該基板の上に横たわる柔軟層を300℃よりも高くない温度で堆積すること、該柔軟層は50nmより大きくない平均の粒子サイズを持つアモルファスまたはナノ結晶性である；
該柔軟層の上に横たわるIBADバッファ層をイオンビーム補助堆積により堆積すること、該IBADバッファ層は２軸結晶テクスチャを持ち、蛍石タイプ材料、黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化材料からなるグループからの材料からなる；および
該IBADバッファ層の上に横たわる超伝導体層を堆積すること、
からなる超伝導体構成素子を製造する方法。
【請求項３２】
請求項３１の方法において、上記柔軟層は100℃よりも高くない温度で堆積される。
【請求項３３】
請求項３１の方法において、上記柔軟層はおよそ室温で堆積される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
一つの側面によれば、超伝導体構成素子は、10以下でない寸法比を持つ基板、該基板の上に横たわる柔軟層、該柔軟層は50nmより大きくない均一なグレインサイズを持つアモルファスまたはナノ結晶性であるセラミック材料からなり、かつ、該柔軟層の上に横たわるIBADバッファ層を含んでなる。該IBADバッファ層は２軸結晶テクスチャを持ち、蛍石タイプ材料、黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化された材料からなるグループからの材料からなる。超伝導体層は、該IBADバッファ層の上に横たわる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
他の側面によれば、超伝導体構成素子は、100以下でない寸法比を持つ基板、該基板の上に横たわる柔軟層、該柔軟層は、Al2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、SiO2、B2O3、Sc2O3、Cr2O3、ReZrO、Re2O3、ここでReは少なくとも一つの希土類元素（ScおよびYを含む）からなる、およびその組み合わせからなるグループから選択された、50nmより大きくない平均の粒子サイズを持つアモルファス材料またはナノ結晶性材料からなり、さらに、該柔軟層の上に横たわるIBADバッファ層を含んでなり、該IBADバッファ層は２軸結晶テクスチャを持ち、蛍石タイプ材料、黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化材料からなるグループからの材料からなる。超伝導体層は、該IBADバッファ層の上に横たわる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
他の側面によれば、超伝導体構成素子の製造方法は、10以下でない寸法比を持つ基板を準備すること、該基板の上に横たわる柔軟層を300℃を超えない温度で堆積すること、ここで、該柔軟層は50nmより大きくない平均の粒子サイズを持つアモルファスまたはナノ結晶性であるものである、を含んでなる。さらに、イオンビーム補助堆積によりIBADバッファ層が上記柔軟層の上に横たわるように堆積され、該IBADバッファ層は２軸結晶テクスチャを持ち、蛍石タイプの材料、黄緑石タイプの材料、希土類酸化物Ｃタイプの材料、非立方体構造化された材料、および層構造化された材料から成るグループからの材料からなる。超伝導体層は、該IBADバッファ層の上に横たわるように堆積される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
図１を参照して、本発明の１実施形態による超伝導性物品の一般化された層構造が、描かれている。超伝導性物品１は、基板１０、基板１０の上に横たわる柔軟層１１、柔軟層１１の上に横たわるバッファ層１２、超伝導層１４、および代表的には、たとえば銅等の非貴金属よりなる安定化層１８を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ここでの実施形態の特別の展開によれば、柔軟層１１は基板１０とバッファ層１２の間に横たわるように設けられる。柔軟層１１に関する追加の詳細は下で与えられる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
進展的なテクスチャ展開膜もまたIBADにより堆積されうるが、しかし、核形成テクスチャ展開膜と違って、典型的には、所望の低いモザイク拡散を持つ許容可能な２軸テクスチャを展開するために、かなりの厚みを必要とする。従って、進展的なテクスチャ展開膜は、一般に、150nmあるいはさらに200nmよりも大きいような、100nmよりも大きい厚みを持ち、核形成テクスチャ展開膜よりも厚い。実施形態は、300あるいは400 nmあるいはそれより大きいようなより厚い層厚を持っていてもよい。特定の実施形態は、500から700 nmのオーダーでの進展的テクスチャ展開膜を持つことができる。さらに、ある特定のタイプの進展的テクスチャ展開膜は一般に、上述した岩塩核形成テクスチャ展開膜と異なり、非等方性、かつ非立方体である。特定の材料は、例えば、Al2O3、Y2O3、MgO、ZrO2、SiO2、B2O3、Sc2O3、Cr2O3、ReZrOおよびRe2O3 、ここで、Reは少なくとも１つの希土類元素（ScおよびＹを含む）からなる、およびそれらの組み合わせを含む。進展的テクスチャ展開膜のカテゴリに入る特定のクラスの材料は、ZrO2（一般に、立方体形状で、十分に安定化されている）やCeO2などの蛍石タイプの材料、特定の例がEu2Zr2O7およびGd2Zr2O7である，化学式RE2Zr2O7を持つ、ここで、REはLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなるグループから選ばれた希土類元素である、黄緑石タイプの材料、Y2O3のような希土類酸化物Ｃタイプの材料、特に正方晶の金紅石材料（TiO2のような）を含む正方結晶構造材料のような非立方体構造化材料、変形ペロブスカイト材料、およびK2NiF4構造化材料（La2CuOを含む）、およびNd2CuO4構造化材料を含む層構造材料を含む。ジルコニアの特別のケースにおいて、典型的にジルコニアは、立方体構造にあるように安定せられる。種々の安定化剤を利用できるが、イットリアは共通の安定化剤であり、イットリア安定化ジルコニアは、ときどき略称YSZで称呼される。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明者らは、高温超伝導物品の機械的な構造安定性が、超伝導テープの機械的な損失にさらに抵抗する従順な性質を持つ中間層の含蓄によって大いに改善されうることを認識した。この柔軟層は弾性的であり、それにより、膜処理の間にかかるストレスを和らげ、金属基板に対する接着の要求を低減し、層間剥離を妨げることができる。この点に関し、それぞれ大規模な層間剥離および局所的な層間剥離を示し、基板とIBADバッファ膜の間の界面での不具合を顕著に示している、図２と３を参照されたい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
特定の特徴によれば、柔軟層の柔軟性を増やすために、本発明の実施形態は、75nmあるいは50nmより大きくないような、およそ100nmより大きくない平均の結晶粒子サイズによって特徴づけられる微小構造を持つ、アモルファスまたはナノ結晶性の柔軟層１１を利用する。実際、実施形態は、30nm、20nm、あるいは10nmより大きくない平均の結晶グレインサイズを持っていてよい。実施形態は、粒子の表面又は境界領域がゆがめられ、あるいは緩められており、かつ、粒子の結晶構造領域よりもより弾性的であり、該粒子の結晶領域はより硬く、ストレスで割れやすい、という概念に基づいている。 アモルファス膜は、この概念の極点であり、バルク結晶性を持っていない。実際、ある実施形態によれば、柔軟層１１は、アモルファスであり、実質的に、定義された結晶グレインを持たない。通常、このような柔軟層の密度は、より大きい結晶粒子（例えば、１ミクロン平均粒子サイズより大きい）を持つ同じ材料の密度よりも小さく、アモルファス、あるいはナノ結晶層は、細かく分配された微細孔のかたちの孔内容を持つものであり、これにより、従順な／弾性特性に寄与するものである。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明者らは、技術の状態による接着層は、機械的な完全性を改善するが、一方、さらなる改善は、取り扱うストレス（例えば、テープを細く切り裂くことから生じる）、及びHTS導体の構成層における誘導されるストレス及びストレイン（例えば、形成技術、CTE不整合、または微細構造ストレインによる）を吸収するように、機械的な柔軟性を与える微小構造を利用することによって、持たれ得ることを発見した。この点に関し、ここに記述された柔軟層の使用は、進展的テクスチャ展開膜、特に上記のような実質的な厚みを持つ進展的テクスチャ展開膜の文脈において特に有利であるであろうことが発見された。さらに、ここに記述された柔軟層の利用は、一般にかなり厚い安定化層を含む完成されたHTS伝導体の文脈において特に有益である。この点に関し、第２世代のHTS伝導体の大規模な取り扱い及びフィールドテストは安定化層で完結し、まだ安定化層を持っていない、評価のみの限定された長さの伝導体より、層間剥離するずっと大きい傾向をもつ。任意の特定の理論によって限定されることは望まないが、柔軟層は技術の接着層と比較して、減少した密度、および／または、増加された多孔性を持ち、これによりHTS導体の基板とその上に横たわる構成層との間の従順特徴を与えるもの、と信じられる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
結晶構造のおよびアモルファスの材料が、岩塩膜（特にMgO を含む）のようなIBAD膜の核形成展開の文脈で利用されてきたが、このような層は一般に、IBAD核形成展開膜の成長の間に起こる望ましくない鋳型効果を防止するために含蓄されて来た。ここでの実施形態による進展するテクスチャ展開膜において、アモルファスあるいはナノ結晶柔軟層は、形では類似であるが、機能およびその上に横たわるIBADテクスチャ膜に関しての両方において、IBAD MgOタイプ処理におけるアモルファスまたは結晶構造シード層と異なっている。柔軟層は、抗層間剥離目的で作用し、また、上に横たわるIBADテクスチャ膜は、岩塩あるいは岩塩のような材料ではなく、蛍石タイプ材料、 黄緑石タイプ材料、希土類酸化物Ｃタイプ材料、非立方体構造化材料、および層構造化材料で構成されている。 おそらく付随する比較的大きい厚みのIBAD進展テクスチャ展開膜により、上記のような柔軟層の使用は、進展的テクスチャ展開膜の文脈において特定の重要性を持つ。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
典型的に、柔軟層１１は、10℃から100℃の範囲内のような、約100℃よりも大きくない、室温でのスパッタ堆積や蒸着やレーザ堆積のような、物理的気相成長により堆積され得る。柔軟層の柔軟性及び強度に影響を与える、柱状構造成長及び過剰な多孔性（上記した多孔性を越える）を妨げるために、イオンビーム照射のような、エネルギー源を持つ任意の照射が、多孔性を低減し、また柱状構造を破壊するために用いられる。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
金属基板上への柔軟層の堆積の例が以下のように記述される。堆積は、IBAD YSZ あるいは Ga2Zr2O7 のためと同じIBAD室で行うことができる。このIBADコーティングシステムは、真空を開かないでターゲットを変えることのできるターゲットセットアップを備えている。反応性イオンビームスパッタリングにより、磨かれた金属テープ上に柔軟層アルミナを堆積するよう、Alターゲットが用いられる。60cmのRFイオン源が、1200eVのイオンエネルギーと900mAのイオン電流でAlターゲットを照射するために使われる。純粋なArがイオン源を通して流され、O2がテープ基板の近くに供給される。テープは、堆積エリアのテープホルダの周りのらせん巻き取りを通って、100m/hの速度で１つのスプールから他のスプールまで移動される。テープホルダは水冷式である。結果として生じるアルミナの柔軟層は、〜70nmの厚さのアモルファスである。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
バッファ層はIBAD膜に加えて、付加的な膜を含むことができ、このようなものはときどきバッファスタックと呼ばれる。バッファ層は、IBAD膜と基板の少なくとも１つと直接接触し、IBAD膜と基板の間に置かれるように与えられたバリア膜を含むことができる。この点に関し、バリア膜は有利に、イットリアのような酸化物で形成することができ、基板をIBAD膜から隔離するよう機能する。バリア膜はまた、シリコン窒化物のような非酸化物で形成することができる。バリア膜の堆積のための適当な技術は、化学的気相成長、及びスパッタリングを含む物理的気相成長を含む。バリア障壁膜の典型的な層厚は約100−200オングストロームの範囲内にあってよい。あるいは、前記した柔軟層がバリア機能を持つ場合は、バリア膜は排除できる。さらに、バッファ層はまた、IBAD膜の上に形成された、１つ又はそれ以上のエピタキシャル成長膜を含むことができる。この文脈において、このようなエピタキシャル成長膜はIBAD層のテクスチャを改善するために効果的であり、そして原則的にはIBAD層のために利用されたのと同じ材料よりなることが望ましい。