Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
なお、評価は下記の方法によった。
（１）透明性
ＡＳＴＭ  Ｄ１００３に基づき、ヘーズメーター（日本電色工業社製ＮＤＨ−１００１Ｄ
Ｐ型）を用いてヘーズを測定し、成形品内のヘーズ（単位：％）の最大値で示した。１％
以下を合格とした。
（２）色相
色差計（日本電色工業社製Σ―８０）を用いてｂ値を測定し、成形品内のｂ値の最大値で
示した。１以下を合格とした。
（３）複屈折
位相差測定装置（王子計測社製ＫＯＢＲＡ−ＷＲ）を用いてリタデーション（Ｒe）を測
定し、成形品内のＲｅ（単位：ｎｍ）の最大値で示した。９５ｎｍ以下を合格とした。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2007224087.tif 000001
［式中、ｎは０〜３の整数、ａ、ｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、Ｒｆ１及びＲｆ２はそれぞれ同じであっても異なっていても良い炭素数８以下の含フッ素アルキル基を表し、芳香環内のＦはその芳香環の水素原子が全てフッ素原子で置換されていることを表す。］
で示される含フッ素芳香族化合物（Ａ）と、
フェノール性水酸基を２個以上有するフェノール系化合物（Ｂ）とを、脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させて得られる光学樹脂材料組成物。
【請求項２】
前記フェノール系化合物（Ｂ）が、それぞれのフェノール性水酸基が同じ芳香環に存在しないフェノール系化合物（Ｂ１）である請求項１に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項３】
前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが０である含フッ素芳香族化合物（Ａ−１）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせ、又は、前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが１である含フッ素芳香族化合物（Ａ−２）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせを用いる請求項１又は２に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項４】
前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが３である含フッ素芳香族化合物（Ａ−４）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を２個有するフェノール系化合物（Ｂ−２）との組み合わせ、又は、前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが３である含フッ素芳香族化合物（Ａ−４）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせを用いる請求項１又は２に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の光学樹脂材料組成物を精製し、溶媒に溶解し、不純物を除去し、得られた光学樹脂溶液を光学部材要素に塗工する光学部材の製造方法。
【請求項６】
前記光学部材要素の塗工対象面が凹凸を有し、塗工して得られた表面が平面である請求項５に記載の光学部材の製造方法。
【請求項７】
下記式（１）
【化２】
2007224087.tif 000002
［式中、ｎは０〜３の整数、ａ、ｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を表し、Ｒｆ１及びＲｆ２はそれぞれ同じであっても異なっていても良い炭素数８以下の含フッ素アルキル基を表し、芳香環内のＦはその芳香環の水素原子が全てフッ素原子で置換されていることを表す。］
で示される含フッ素芳香族化合物（Ａ）と、
フェノール性水酸基を２個以上有するフェノール系化合物（Ｂ）とのみを、
脱ＨＦ剤存在下に縮合反応させて得られる光学樹脂材料組成物。
【請求項８】
前記フェノール系化合物（Ｂ）が、それぞれのフェノール性水酸基が同じ芳香環に存在しないフェノール系化合物（Ｂ１）である請求項７に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項９】
前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが０である含フッ素芳香族化合物（Ａ−１）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせ、又は、前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが１である含フッ素芳香族化合物（Ａ−２）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせを用いる請求項７又は８に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項１０】
前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが３である含フッ素芳香族化合物（Ａ−４）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を２個有するフェノール系化合物（Ｂ−２）との組み合わせ、又は、前記含フッ素芳香族化合物（Ａ）であって前記ｎが３である含フッ素芳香族化合物（Ａ−４）と、前記フェノール系化合物（Ｂ）であってフェノール性水酸基を３個有するフェノール系化合物（Ｂ−３）との組み合わせを用いる請求項７又は８に記載の光学樹脂材料組成物。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれかに記載の光学樹脂材料組成物を精製し、溶媒に溶解し、不純物を除去し、得られた光学樹脂溶液を光学部材要素に塗工する光学部材の製造方法。
【請求項１２】
前記光学部材要素の塗工対象面が凹凸を有し、塗工して得られた表面が平面である請求項１１に記載の光学部材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室に水素と酸素と単原子ガスからなる作動ガスとを供給して同水素を燃焼させるとともに、同燃焼室から排出された排ガス中の作動ガスを同燃焼室に循環経路を通して循環させる作動ガス循環型水素エンジンであって、
前記循環経路内に前記燃焼室にて発生したＨ２Ｏ以外の生成物を除去する生成物除去手段を備えた水素エンジンにおいて、
前記循環経路は主経路と同主経路から分岐点にて分岐し且つ同分岐点より下流側の合流点にて同主経路に合流するバイパス経路とを含み、
前記生成物除去手段は前記バイパス経路に配設され、更に、
前記分岐点よりも上流の主経路内を流れるガスを同分岐点から前記合流点までの間において同主経路を通過させるか前記バイパス経路を通過させるかの何れかに切り換える経路切換手段を備えた水素エンジン。
【請求項２】
請求項１に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記生成物除去手段は、前記燃焼室にて発生したＨ２Ｏ以外の生成物としての二酸化炭素を除去するように構成されてなる水素エンジン。
【請求項３】
請求項２に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記生成物除去手段は、
前記循環経路の一部を構成する流路を備える容器と、
前記容器の流路に収容されたモノエタノールアミン溶液又はゼオライト系吸着剤と、
を備える水素エンジン。
【請求項４】
請求項１に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記生成物除去手段は、
前記生成物を吸収する吸収物質と、
前記吸収物質に吸収された生成物を同吸収物質から離脱させるように同吸収物質に物理的作用を加える離脱促進手段と、
前記離脱促進手段により離脱させられた生成物を前記循環経路外へ排出する排出口と、
を備えた水素エンジン。
【請求項５】
請求項４に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記吸収物質は前記生成物としての二酸化炭素を溶解して吸収するモノエタノールアミン溶液又は同二酸化炭素を吸着して吸収するゼオライト系吸着剤であり、
前記離脱促進手段は前記吸収物質を加熱する加熱手段である水素エンジン。
【請求項６】
請求項２に記載の作動ガス循環型水素エンジンであって、
前記主経路を流れるガスに含まれる二酸化炭素の濃度を取得する二酸化炭素濃度取得手段と、
前記取得された二酸化炭素の濃度が所定濃度以上であるとき、前記分岐点から前記合流点までの間、同分岐点よりも上流の主経路内を流れるガスが前記バイパス経路を通過するように前記経路切換手段を切り換える切換制御手段と、
備えた水素エンジン。
【請求項７】
請求項６に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記二酸化炭素濃度取得手段は、二酸化炭素濃度を測定する二酸化炭素濃度センサである水素エンジン。
【請求項８】
請求項６に記載の作動ガス循環型水素エンジンにおいて、
前記二酸化炭素濃度取得手段は、前記水素エンジンの運転時間の積算時間に基づいて前記二酸化炭素濃度を推定する二酸化炭素濃度推定手段である水素エンジン。
【請求項９】
請求項１に記載の作動ガス循環型水素エンジンであって、
前記エンジンのクランク角が圧縮上死点近傍の所定クランク角度であるときの前記燃焼室内の圧力である筒内圧を取得する筒内圧取得手段と、
前記取得された筒内圧が所定圧力より小さいとき、前記分岐点から前記合流点までの間、同分岐点よりも上流の主経路内を流れるガスが前記バイパス経路を通過するように前記経路切換手段を切り換える切換制御手段と、
備えた水素エンジン。
【請求項１０】
請求項１に記載の作動ガス循環型水素エンジンであって、
前記エンジンの燃焼状態を表す燃焼状態指標値を取得する燃焼状態指標値取得手段と、
前記取得された燃焼状態指標値が所定の燃焼状態よりも悪化した状態であることを示したとき、前記分岐点から前記合流点までの間、同分岐点よりも上流の主経路内を流れるガスが前記バイパス経路を通過するように前記経路切換手段を切り換える切換制御手段と、
備えた水素エンジン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更に、上記水素エンジンにおいて、
前記循環経路は主経路と同主経路から分岐点にて分岐し且つ同分岐点より下流側の合流点にて同主経路に合流するバイパス経路とを含み、
前記生成物除去手段は前記バイパス経路に配設され、その水素エンジンは、
前記分岐点よりも上流の主経路内を流れるガスを同分岐点から前記合流点までの間において同主経路を通過させるか前記バイパス経路を通過させるかの何れかに切り換える経路切換手段を備える。
これによれば、必要に応じて、循環ガスが流れる前記分岐点から前記合流点までの間の経路が経路切換手段によってバイパス経路に設定され、これにより、バイパス経路に配設された生成物除去手段によって循環ガス中に含まれる生成物が除去される。この結果、循環ガス中の生成物の濃度を小さくすることができる。一方、循環ガスが流れる前記分岐点から前記合流点までの間の経路が経路切換手段によって主経路に設定された場合には、生成物除去手段を循環ガスが通過しない。この結果、循環ガスが流路抵抗の高いバイパス経路及び生成物除去手段を通過しないので、エンジンの効率が低下することを防止することもできる。
この場合、前記生成物除去手段は、前記燃焼室にて発生したＨ２Ｏ以外の生成物としての二酸化炭素を除去するように構成されることが好適である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理炭素繊維束を、電解液を満たした単数もしくは複数の電解槽内に走行せしめる表面酸化炭素繊維束の製造方法であって、電解液を電解槽内へ供給する供給ラインに加熱および冷却手段を備えた電解液供給装置を有する電解表面処理装置を用い、供給する電解液を前記電解槽内の電解液の平均温度が５℃以上６０℃以下、かつ、前記電解槽内の電解液の最高温度と最低温度の季節間および昼夜間での温度変動幅を５℃以下とすることを特徴とする表面酸化炭素繊維束の製造方法。
【請求項２】
前記電解表面処理装置が、断熱材で構成された囲いにより、周囲の雰囲気と遮断され、かつ、該囲いの中の温度が制御されている請求項１に記載の表面酸化炭素繊維束の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決するために次のような手段を採用するものである。すなわち、本発明の表面酸化炭素繊維束の製造方法は、被処理炭素繊維束を、電解液を満たした単数もしくは複数の電解槽内に走行せしめる表面酸化炭素繊維束の製造方法であって、電解液を電解槽内へ供給する供給ラインに加熱および冷却手段を備えた電解液供給装置を有する電解表面処理装置を用い、供給する電解液を前記電解槽内の電解液の平均温度が５℃以上６０℃以下、かつ、前記電解槽内の電解液の最高温度と最低温度の季節間および昼夜間での温度変動幅を５℃以下とすることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
かかる表面酸化炭素繊維束の製造方法の好ましい態様は、
（１）該電解表面処理装置が、断熱材で構成された囲いにより、周囲の雰囲気と遮断されており、かつ、該囲いの中の温度が制御されていること、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従来からの抜染剤である「Rongalit C」や「ＲＲレジスト」は、水溶液の状態では酸化してｐＨが下がり、ｐＨ８未満となると不安定で短寿命となり、１〜７日程度の安定性しか有していないことも経験上知られている。このため、ユーザはインクを調整して即日使用を要求されるので、不経済である。これらの抜染剤を使用する場合、溶液にアルカリ剤を配合してｐＨ１１程度の強アルカリ性を保つようにｐＨ調整すれば、綿に対する抜染の効果が向上して色抜けが良くなり、溶液の安定性も向上することも知られている。しかしながら、ｐＨ１１程度の強アルカリ性に調整すると、抜染剤溶液としては安定するけれども、金属製や合成樹脂製などの機械部品に対する腐食リスクが大きく、インクジェットプリンタの配管経路やヘッドなどを傷めてしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で表されるピレン化合物を含有することを特徴とする発光素子材料。
【化１】
2007224171.tif 000001
（Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基の中から選ばれる。Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも一つはシアノ基との連結に用いられる。ｎは１〜４の整数である。）
【請求項２】
Ｒ１、Ｒ３、Ｒ６、Ｒ８のうちの少なくとも一つがシアノ基との連結に用いられることを特徴とする請求項１記載の発光素子材料。
【請求項３】
Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも一つが、アリール基またはヘテロアリール基であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する発光素子であって、発光素子が請求項１〜３のいずれか記載の発光素子材料を含有することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
発光層がホスト材料とドーパント材料を有し、一般式（１）で表される発光素子材料がドーパント材料であることを特徴とする請求項４記載の発光素子。
【請求項６】
発光層と陰極の間に少なくとも電子輸送層が存在し、電子輸送層が、電子受容性窒素を含み、さらに炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成されるヘテロアリール環構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項４記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
Ｒ１〜Ｒ１０はそれぞれ同じでも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アリール基またはヘテロアリール基の中から選ばれる。Ｒ１〜Ｒ１０の少なくとも一つはシアノ基との連結に用いられる。ｎは１〜４の整数である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本方法では、回路基板１２の片面側のみ封止する場合には、硬化性シリコーン組成物に接する剥離性フィルムは上型３４に供給する剥離性フィルム４０ａである。下型２３の金型面を覆うように剥離性フィルム４０ｂを供給するのは、剥離性フィルム４０ｂの圧縮性、弾性を利用して回路基板１２の厚さのばらつきを効果的に吸収できるようにし、これによってばり等を生じさせることなく確実に封止できるようにするためである。もちろん、上型３４側にのみ剥離性フィルム４０ａを供給して封止することも可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、上式中、Ａは、平均単位式：
(ＸＲ42ＳiＯ1/2)d(ＳiＯ4/2)e
で表されるシロキサン残基である。上式中、Ｒ4は脂肪族不飽和結合を有さない置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、前記と同様の基が例示され、好ましくはアルキル基であり、特に好ましくはメチル基である。また、上式中、Ｘは単結合、水素原子、前記Ｒ1で表される基、エポキシ基含有一価有機基、またはアルコキシシリルアルキル基であり、このＲ1で表される基としては、前記と同様の基が例示され、エポキシ基含有一価有機基としては、２−グリシドキシエチル基、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基等のグリシドキシアルキル基；２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基等の３,４−エポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル基、８−オキシラニルオクチル基等のオキシラニルアルキル基が例示され、アルコキシシリルアルキル基としては、トリメトキシシリルエチル基、トリメトキシシリルプロピル基、ジメトキシメチルシリルプロピル基、メトキシジメチルシリルプロピル基、トリエトキシシリルエチル基、トリプロポキシシリルプロピル基が例示される。但し、一分子中、少なくとも１個のＸは単結合であり、この単結合を介して上記ジオルガノポリシロキサン中のＲ5に結合している。また、一分子中の少なくとも２個のＸはエポキシ基含有一価有機基であることが必要であり、好ましくはグリシドキシアルキル基であり、特に好ましくは３−グリシドキシプロピル基である。また、上式中、ｄは正数であり、ｅは正数であり、ｄ／ｅは０.２〜４の正数である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池と、
回路基板と、
前記電池と前記回路基板の間に設けられ、前記回路基板に貼り付けられたシールと、
前記回路基板に設けられた複数の配線で構成されたパターンと、
前記パターンの一部を覆うレジストと、を有し、
前記回路基板の前記シールが貼り付けられた領域は、前記パターンで形成された第一の溝部と、前記レジストで形成された第二の溝部とを備え、
前記第一の溝部と前記第二の溝部とが連通し、前記第二の溝部のみが前記シールが貼り付けられた領域からはみ出るように構成された携帯電話装置。
【請求項２】
前記パターンで形成された第一の溝部の形状は格子状であることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話装置。
【請求項３】
前記パターンで形成された第一の溝部の形状は放射状であることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話装置。
【請求項４】
前記パターンで形成された第一の溝部の形状はドット状であることを特徴とする請求項１に記載の携帯電話装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯電話装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ放射線を生成するための配列装置であって、真空チャンバーの内部に、空間的に明確に限定された高温プラズマを一次線源位置として生成するプラズマ生成装置が設けられており、前記真空チャンバーが、後置される照射系のための均質に照らされる二次線源位置を画定する出口開口部を有しており、さらに前記プラズマと前記出口開口部との間に少なくとも一つのデブリフィルタが配置されている、配列装置において、
プラズマ（３）が、集光光学系（５）なしに前記真空チャンバー（１１）の前記出口開口部（６）を直接照らす体積エミッターとして構成され、前記出口開口部（６）の直径（Ｄ）よりも大きい横方向の寸法（ｄ）を有すること、
前記プラズマ（３）と前記出口開口部（６）の間の径の差異が、前記後置される照射系がその開口数（ＮＡ）のために受け入れ可能な最大放射線コーンビームである放射線コーンビームによって画定されており、および放射線コーンビームの視野角（２ｕ）によって、少なくとも前記出口開口部（６）を照らすのに要するプラズマ（３）の横方向寸法（ｄ）が、前記プラズマ（３）と前記出口開口部（６）の間の所望距離（Ｌ）に応じて、決められること
を特徴とする、配列装置。
【請求項２】
ＥＵＶ放出プラズマ（３）が、ほぼ（Ｄ＋２Ｌ・ＮＡ）の横方向の寸法（ｄ）を有し、その際、Ｄは出口開口部（６）の径であり、Ｌは出口開口部（６）とプラズマ（３）の横方向最大寸法の間の距離であり、ＮＡは後置される照射系の開口数であることを特徴とする、請求項１に記載の配列装置。
【請求項３】
ＥＵＶ放出プラズマ（３）が、ガス放電プラズマとして、電極配列（２）のところに構成されることを特徴とする、請求項１に記載の配列装置。
【請求項４】
ＥＵＶ放出プラズマ（３）が、陽極（２２）と陰極（２１）間のガス体積中に生成されることを特徴とする、請求項３に記載の配列装置。
【請求項５】
陰極（２１）が、円筒形状または若干円錐形状の中空陰極として構成され、陽極（２２）が、その前方の前記出口開口部（６）寄りに配置される環状電極であることを特徴とする、請求項４に記載の配列装置。
【請求項６】
デブリフィルタ（４）が、陽極（２２）として、スイッチされることを特徴とする、請求項５に記載の配列装置。
【請求項７】
ＥＵＶ放出プラズマ（３２）が、表面放電として、アイソレータ（２３）上に生成されることを特徴とする、請求項３に記載の配列装置。
【請求項８】
陰極（２１）が中央電極として構成され、その周囲に管状のアイソレータ（２３）と前記陽極（２２）が実質的に共軸で配置されること、またその際には放電が、前記電極配列の端面のところで、アイソレータ表面に沿って放射状に行われることを特徴とする、請求項７に記載の配列装置。
【請求項９】
アイソレータ（２３）が、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ホウケイ酸鉛、またはホウケイ酸鉛亜鉛のような誘電率が高い材料から成ることを特徴とする、請求項７に記載の配列装置。
【請求項１０】
アイソレータ（２３）が、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＺｒ、ＡｌＴｉ、ＢｅＯ、ＳｉＣまたはサファイアのような高絶縁性セラミックスから製造されることを特徴とする、請求項７に記載の配列装置。
【請求項１１】
ＥＵＶ放出プラズマ（３）が、高周波励起により生成されることを特徴とする、請求項１に記載の配列装置。
【請求項１２】
ＥＵＶ放出プラズマ（３３）が、電子サイクロトロン共鳴加熱（ＥＣＲＨ）による励起を利用して生成されることを特徴とする、請求項１または１１に記載の配列装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この課題は、本発明により、真空チャンバーの内部に、空間的に明確に限定された高温プラズマを一次線源位置として生成するプラズマ生成装置が設けられており、この真空チャンバーが、後置される照射系のための均質に照らされる二次線源位置を定義付ける出口開口部を有しており、さらにプラズマとこの出口開口部との間に少なくとも一つのデブリフィルタが配置されている、ＥＵＶ放射線を生成するための配列装置において、プラズマが、集光光学系を不要として真空チャンバーの出口開口部を直接くまなく照らすようになっている体積エミッターとして構成され、プラズマの横方向の寸法が出口開口部の直径よりも大きくなっていること、またその際にプラズマと出口開口部の間の径の差異が、後置される照射系がその開口数のために受け入れ可能な最大放射線コーンビームである放射線コーンビームによって画定されており、および放射線コーンビームの視野角によって、少なくとも出口開口部を照らすのに要するプラズマの横方向寸法が、プラズマと出口開口部の間の所望距離に応じて、決められることにより、解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理容器内の電極上に載置された被処理基板にプロセスガスによるプラズマ処理を施す以前に、
前記被処理基板を前記電極から離した状態で、前記プラズマ処理容器内に不活性ガスを主体とするガスを導入し、前記電極に前記第１の高周波電力を印加することで前記プラズマ処理容器内に前記プラズマ処理よりも微弱なプラズマを発生させ、前記被処理基板を前記微弱なプラズマに曝した後、前記被処理基板を前記電極表面に載置し、前記第１の高周波電力よりも大の第２の高周波電力を前記電極に印加することで前記被処理基板をプラズマ処理すること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
前記被処理基板と前記電極とはリフトピンによって離間される
請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
前記不活性ガスはＡｒ、Ｈｅ、Ｎ２、気化したＨ２Ｏガスの少なくとも１つのガスである
請求項１又は２に記載のプラズマ処理方法。
【請求項４】
上記微弱プラズマに前記被処理基板を曝すことで、上記被処理基板の表裏両面と上記電極の表面とを同電位すること
を特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、
前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表すものとしてライブラリにあるパターン群から選択された第２のパターンとの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする決定方法。
【請求項２】
光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、
前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表すものとして予めインストールされたパターン群から選択された第２のパターンとの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする決定方法。
【請求項３】
前記決定ステップを第１の露光装置の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンについて行い、
前記第１の露光装置とは異なる第２の露光装置において、前記回路パターンを前記被露光体に形成するために、該決定されたレチクルのパターンを部分的に変更するステップと、
前記レチクルのパターンの変更情報を取得するステップと、
該取得した変更情報に基づいて、前記第２の露光装置の露光パラメータを決定するステップと
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
【請求項４】
前記決定ステップを第１の露光装置の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンについて行い、
該決定された露光パラメータ及びレチクルのパターンを用いて、前記第１の露光装置における露光結果をシミュレーションするステップと、
該決定された露光パラメータを前記第１の露光装置とは異なる第２の露光装置に設定し、該決定されたレチクルのパターン及び前記第２の露光装置を用いて、前記第２の露光装置における露光結果を取得するステップと、
前記第１の露光装置におけるシミュレーション結果と、前記第２の露光装置における露光結果とを比較し、前記第１及び第２の露光装置によって異なる、前記レチクルのパターンに対する解像性能の情報を取得するステップと
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
【請求項５】
前記第２のパターンがＯＰＣ抽出パターンを兼ねることを特徴とする請求項１又は２に記載の決定方法。
【請求項６】
光源からの光と光学系を用いてレチクルパターンを被露光体に露光する露光方法であって、
請求項１又は２に記載の決定方法により露光パラメータ及びレチクルパターンを決定するステップと、
該決定された前記露光パラメータを露光装置に設定して、前記レチクルのパターンを前記被露光体に露光する露光ステップと
を有することを特徴とする露光方法。
【請求項７】
請求項６に記載の露光方法により被露光体を露光するステップと、
該露光された被露光体を用いてデバイスを形成するステップと
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンの決定をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表すものとしてライブラリにあるパターン群から選択された第２のパターンとの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定するステップを前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンの決定をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表すものとして予めインストールされたパターン群から選択された第２のパターンとの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定するステップを前記コンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての決定方法は、光源からの光と光学系を用いてレチクルのパターンを被露光体に露光する際の露光パラメータ及び前記レチクルパターンを決定する決定方法であって、前記被露光体に露光すべき回路パターンの機能セルパターンを表す第１のパターンと、前記第１のパターンとは異なり、前記回路パターンのうち周辺回路パターンを表すものとしてライブラリにあるパターン群から選択された第２のパターンとの情報を用いて、前記光源及び前記光学系のうち少なくとも一方の露光パラメータ及び前記レチクルのパターンを決定する決定ステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
転写結果が存在しない場合、既存露光装置（第１の露光装置）で使用されていた露光条件と新たな露光装置（第２の露光装置）で最適化された露光条件でのモデルベースＯＰＣ抽出パターンの寸法差異を計算確認する。これにより、新規露光条件でのランダムロジック部転写状況を大まかに把握することができる。システムにはモデルベースＯＰＣ抽出パターンがインストールされている。但し、好ましくは、その各種パターンに対し、パラメータを変化させたパターン（変更情報）を含むレチクルを作成し、既存露光装置でこれらのパターンを実験転写してシステムに入力する。そして、実験転写したパターンに対して計算結果を算出し、両者を比較する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌｉを含み、さらにＮｉおよび／またはＣｏおよび／またはＭｎを含むα−ＮａＦｅＯ2型の結晶構造を有する複合酸化物である非水二次電池用活物質を被覆材で被覆してなる電極材料であって、該被覆材が少なくともアルミニウムと酸素とＬｉおよび／または遷移金属元素とを含む被覆化合物からなり、該被覆材の試料をマジック角の回りに高速回転させて測定した場合における固体核磁気共鳴スペクトルのアルミニウム２７に由来するピークが以下の（１）および（２）に示す条件を満たすことを特徴とする非水二次電池用電極材料。
（１）α−アルミナの主ピーク位置を０ｐｐｍとしたとき、−３〜＋５ｐｐｍの位置に１本の主ピークを持ち（主ピークＡと称する。）、かつ、５０〜１００ｐｐｍの位置の主ピーク（主ピークＢと称する。）の強度が主ピークＡの強度の２０％未満であるかまたは主ピークＢが存在しない。
（２）第一回転サイドバンドと主ピークとの間隔が５０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下となるように試料を回転しながら測定した場合、主ピークＡの高磁場側の第一回転サイドバンドの強度を主ピークＡの強度で除した値が、α−アルミナを前記測定と同一の磁場、同一の回転数で測定して得られる主ピークの高磁場側の第一回転サイドバンドの強度をα−アルミナの主ピークの強度で除した値の９倍以上である。
【請求項２】
遷移金属元素がＴｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＡｇおよびＺｎからなる群から選ばれる１種類以上の元素である請求項１に記載の電極材料。
【請求項３】
アルミニウムおよびアルカリ金属の両者以外の全金属のアルミニウムに対する光電子分光法で求めたモル比が２．０以下である請求項１または２に記載の電極材料。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の非水二次電池用電極材料を用いてなることを特徴とする非水二次電池。
【請求項５】
Ｌｉを含み、さらにＮｉおよび／またはＣｏおよび／またはＭｎを含むα−ＮａＦｅＯ2型の結晶構造を有する複合酸化物である非水二次電池用活物質の粒子を遷移アルミナの微粒子で被覆処理した後、熱処理を行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の非水二次電池用電極材料の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、Ｌｉを含み、さらにＮｉおよび／またはＣｏおよび／またはＭｎを含むα−ＮａＦｅＯ2型の結晶構造を有する複合酸化物である非水二次電池用活物質を被覆材で被覆してなる電極材料であって、該被覆材が少なくともアルミニウムと酸素とＬｉおよび／または遷移金属元素とを含む化合物からなり、該被覆材の試料をマジック角の回りに回転させて測定した場合における固体核磁気共鳴スペクトル（以下ＭＡＳ−ＮＭＲスペクトルと呼ぶことがある。）のアルミニウム２７に由来するピークが以下の（１）および（２）に示す条件を満たすことを特徴とする電極材料を提供する。
（１）α−アルミナの主ピーク位置を０ｐｐｍとしたとき、−３〜＋５ｐｐｍの位置に１本の主ピークを持ち（主ピークＡと称する。）、かつ、５０〜１００ｐｐｍの位置の主ピーク（主ピークＢと称する。）の強度が主ピークＡの強度の２０％未満であるかまたは主ピークＢが存在しない。
（２）第一回転サイドバンドと主ピークとの間隔が５０ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下となるように試料を回転しながら測定した場合、主ピークＡの高磁場側の第一回転サイドバンドの強度を主ピークＡの強度で除した値（以下Ｒとすることがある。）が、α−アルミナを前記測定と同一の磁場、同一の回転数で測定して得られる主ピークの高磁場側の第一回転サイドバンドの強度をα−アルミナの主ピークの強度で除した値（以下ｒとすることがある。）の９倍以上である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、アルミニウムおよびアルカリ金属の両者以外の全金属のアルミニウムに対する光電子分光法で求めたモル比が２．０以下である上記に記載の電極材料を提供する。
また本発明は、上記いずれかに記載の非水二次電池用電極材料を用いてなる非水二次電池を提供する。
さらに本発明は、Ｌｉを含み、さらにＮｉおよび／またはＣｏおよび／またはＭｎを含むα−ＮａＦｅＯ2型の結晶構造を有する複合酸化物である非水二次電池用活物質の粒子を遷移アルミナの微粒子で被覆処理した後、熱処理を行う上記いずれかに記載の非水二次電池用電極材料の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像復号方法および画像復号装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の技術手段は、再構成された画像内の、隣接する２つのブロック間の境界を選択的にフィルタリングする画像復号方法であって、前記再構成された画像を用い、復号対象ブロック毎に動き補償予測を行なう動き補償予測ステップと、前記隣接する２つのブロックの各々に属する符号化パラメータを用いて、前記境界にフィルタリングを行なうか否かを境界毎に判定する判定ステップと備え、前記判定ステップは、前記境界に隣接するブロック間で同じ基準画像をポイントしている動きベクトルが互いに同一か否かまたは類似するか否かを評価し、前記評価に基づいて前記境界にフィルタリングを行なうか否かを判定し、前記境界に隣接するブロック間で動きベクトルが互いに異なるかまたは類似しない場合には、前記境界にフィルタリングを行なうことを特徴としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再構成された画像内の、隣接する２つのブロック間の境界を選択的にフィルタリングする画像復号方法であって、
前記再構成された画像を用い、復号対象ブロック毎に動き補償予測を行なう動き補償予測ステップと、
前記隣接する２つのブロックの各々に属する符号化パラメータを用いて、前記境界にフィルタリングを行なうか否かを境界毎に判定する判定ステップと備え、
前記判定ステップは、前記境界に隣接するブロック間で同じ基準画像をポイントしている動きベクトルが互いに同一か否かまたは類似するか否かを評価し、前記評価に基づいて前記境界にフィルタリングを行なうか否かを判定し、
前記境界に隣接するブロック間で動きベクトルが互いに異なるかまたは類似しない場合には、前記境界にフィルタリングを行なうことを特徴とする画像復号方法。
【請求項２】
再構成された画像内の、隣接する２つのブロック間の境界を選択的にフィルタリングする画像復号装置であって、
前記再構成された画像を用い、復号対象ブロック毎に動き補償予測を行なう動き補償予測手段と、
前記隣接する２つのブロックの各々に属する符号化パラメータを用いて、前記境界にフィルタリングを行なうか否かを境界毎に判定する判定手段と備え、
前記判定手段は、前記境界に隣接するブロック間で同じ基準画像をポイントしている動きベクトルが互いに同一か否かまたは類似するか否かを評価し、前記評価に基づいて前記境界にフィルタリングを行なうか否かを判定し、
前記境界に隣接するブロック間で動きベクトルが互いに異なるかまたは類似しない場合には、前記境界にフィルタリングを行なうことを特徴とする画像復号装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２入力と２出力を有するデュアルポートインバータであって、当該２入力は１組の入力信号を受け取り、当該１組の入力信号は当該デュアルポートインバータの２入力にそれぞれ第１のトランスミッションゲート（６Ｓ１）及び第２のトランスミッションゲート（６Ｓ２）を介して結合したデュアルポートインバータ（６ＩＰ１）と、
前記デュアルポートインバータ（６ＩＰ１）の前記２出力に２入力で結合した、２出力を有するデュアルポートクロックドインバータ（６ＩＰ２）と、
前記デュアルポートインバータ（６ＩＰ１）の前記２出力及び前記デュアルポートクロックドインバータ（６ＩＰ２）の前記２出力の少なくとも１つに接続した出力と、を有し、
前記デュアルポートインバータ（６ＩＰ１）は、第１のインバータ（６Ｉ９）及び第２のインバータ（６Ｉ１１）を含み、
前記第１のインバータ（６Ｉ９）は第２のトランジスタ（６Ｎ１６）に直列に接続された第１のトランジスタ（６Ｐ１６）を含み、前記第２のインバータ（６Ｉ１１）は第４のトランジスタ（６Ｎ２０）に直列に接続された第３のトランジスタ（６Ｐ２０）を含み、  前記第１及び第３のトランジスタ（６Ｐ１６，６Ｐ２０）はｐチャネルトランジスタで、前記第２及び第４のトランジスタ（６Ｎ１６，６Ｎ２０）はｎチャネルトランジスタであり、
前記第１のトランジスタ（６Ｐ１６）のゲートは、前記第４のトランジスタ（６Ｎ２０）のゲートに接続されて第１のインバータ入力を提供し、前記第２のトランジスタ（６Ｎ１６）のゲートは、前記第３のトランジスタ（６Ｐ２０）のゲートに接続されて第２のインバータ入力を提供し、
前記第１及び第２のトランジスタ（６Ｐ１６，６Ｎ１６）は、第１のインバータ出力を提供し、前記第３及び第４のトランジスタ（６Ｐ２０，６Ｎ２０）は、第２のインバータ出力を提供し、
前記第１及び第２のインバータ入力は同じ論理レベルの信号を受け取った場合に、確定した論理レベルの信号を前記第１のインバータ出力又は前記第２のインバータ出力に提供するものであり、
第３のインバータ（６Ｉ６）と、
前記第３のインバータと入力がお互いに接続された第４のインバータ（６Ｉ７）と、をさらに有し、
前記第３のインバータ（６Ｉ６）の出力は、前記第１のトランスミッションゲート（６Ｓ１）を介して前記第１のインバータ入力に接続され、
前記第４のインバータ（６Ｉ７）の出力は、前記第２のトランスミッションゲート（６Ｓ２）を介して前記第２のインバータ入力に接続されることを特徴とするシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項２】
請求項１に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記デュアルポートクロックドインバータ（６ＩＰ２）は第１のクロックドインバータ（６Ｉ８）及び第２のクロックドインバータ（６Ｉ１０）を含むシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項３】
請求項２に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記第１のクロックドインバータ（６Ｉ８）は第５、第６、第７、及び第８のその順番に直列に接続されたトランジスタ（６Ｐ１３，６Ｐ１４，６Ｎ１３，６Ｎ１４）を含み、前記第２のクロックドインバータ（６Ｉ１０）は第９、第１０、第１１、及び第１２のその順番に直列に接続されたトランジスタ（６Ｐ１７，６Ｐ１８，６Ｎ１７，６Ｎ１８）を含むシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項４】
請求項３に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記第５（６Ｐ１３）、第６（６Ｐ１４）、第９（６Ｐ１７）、及び第１０（６Ｐ１８）のトランジスタはｐチャネルトランジスタで、前記第７（６Ｎ１３）、第８（６Ｎ１４）、第１１（６Ｎ１７）、及び第１２（６Ｎ１８）のトランジスタはｎチャネルトランジスタであるシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項５】
請求項４に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記第５（６Ｐ１３）又は第６（６Ｐ１４）のいずれか一方のトランジスタのゲートは前記第１１（６Ｎ１７）又は第１２（６Ｎ１８）のいずれか一方のトランジスタのゲートに接続されて第３のインバータ入力を提供し、
前記第７（６Ｎ１３）又は第８（６Ｎ１４）のいずれか一方のトランジスタのゲートは前記第９（６Ｐ１７）又は第１０（６Ｐ１８）のいずれか一方のトランジスタのゲートに接続されて第４のインバータ入力を提供し、
前記第５（６Ｐ１３）又は第６（６Ｐ１４）の他方のトランジスタのゲートと前記第７（６Ｎ１３）又は第８（６Ｎ１４）の他方のトランジスタのゲートには、お互いに相補な論理値の第１の相補クロック信号（ＣＫＢ１，ＣＫ１）が入力され、
前記第９（６Ｐ１７）又は第１０（６Ｐ１８）の他方のトランジスタのゲートと前記第１１（６Ｎ１７）又は第１２（６Ｎ１８）の他方のトランジスタのゲートには、お互いに相補な論理値の第３の相補クロック信号（ＣＫＢ３，ＣＫ３）が入力され、
前記第１のトランスミッションゲート（６Ｓ１）は、それに含まれるｐチャネルトランジスタ（６Ｐ１５）とｎチャネルトランジスタ（６Ｎ１５）のそれぞれのゲートに前記第１のクロックドインバータ（６Ｉ８）と相反するオンオフ動作をする極性で前記第１の相補クロック信号が入力され、
前記第２のトランスミッションゲート（６Ｓ２）は、それに含まれるｐチャネルトランジスタ（６Ｐ１９）とｎチャネルトランジスタ（６Ｎ１９）のそれぞれのゲートに前記第２のクロックドインバータ（６Ｉ１０）と相反するオンオフ動作をする極性で前記第３の相補クロック信号が入力されるシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項６】
請求項５に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記第５（６Ｐ１３）、第６（６Ｐ１４）、第７（６Ｎ１３）、及び第８（６Ｎ１４）のトランジスタは第３のインバータ出力を提供し、前記第９（６Ｐ１７）、第１０（６Ｐ１８）、第１１（６Ｎ１７）、及び第１２（６Ｎ１８）のトランジスタのトランジスタは第４のインバータ出力を提供するシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項７】
請求項６に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記第３及び第４のインバータ入力は同じ論理レベルの信号を受け取った場合に、前記第３のインバータ出力又は前記第４のインバータ出力に確定した論理レベルの信号を提供するシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項８】
請求項１に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、出力が入力に直接的に接続されているインバータとクロックドインバータの組のそれぞれにおいて、当該インバータに含まれるｐチャネル及びｎチャネルトランジスタと、前記クロックドインバータに含まれるそれぞれｎチャネル及びｐチャネルトランジスタとの間の対角線距離は、その対角線距離が最小となるようなレイアウトにおける対角線距離より大きい所定の離隔距離であるシングルイベント耐性ラッチ回路。
【請求項９】
請求項８に記載のシングルイベント耐性ラッチ回路において、前記所定の離隔距離は、２．０マイクロメートル以上であるシングルイベント耐性ラッチ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シングルイベント耐性のラッチ回路
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイト、マイカの群より選択された１種以上であることを特徴とする請求項１記載のダイボンドペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項６記載の蛍光表示管において、前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイト、マイカの群より選択された１種以上であることを特徴とする蛍光表示管。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項５記載のダイボンドペーストは、請求項１記載のダイボンドペーストにおいて、  前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイト、マイカの群より選択された１種以上であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項８記載の蛍光表示管は、請求項６記載の蛍光表示管において、
前記層状鉱物は、カオリナイト、タルク、セリサイト、マスコバイト、フロゴバイト、バイオタイト、マイカの群より選択された１種以上であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月29日(2009.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置であって、
非接触通信型の携帯式情報記憶装置に記憶されている情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段により読み取った情報のうちの第１の情報を、撮影画像に関連づけて記憶する制御手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記携帯式情報記憶装置に記憶されている情報は、時刻に関連づけられて記憶されている時間関連情報を含み、
前記制御手段は、前記撮影画像の撮影時刻と前記読取手段により読み取られた前記時間関連情報とに基づいて、前記第１の情報を決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記携帯式情報記憶装置に記憶されている情報は、場所情報と当該場所情報に対応する時刻とが関連づけられて記憶されている時間関連情報を含み、
前記制御手段は、前記撮影画像の撮影時刻と前記読取手段により読み取られた前記時間関連情報とに基づいて、前記場所情報を前記第１の情報として決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項２に記載の撮像装置において、
前記時間関連情報は、公共交通機関の利用記録を含み、
前記制御手段は、前記利用記録に含まれる時刻情報と前記撮影画像の撮影時刻とに基づいて前記第１の情報を決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像装置において、
前記制御手段は、前記撮影画像の撮影時刻に最も近い時刻の利用記録に関する場所情報を前記第１の情報として決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像装置において、
前記制御手段は、前記撮影画像の撮影時刻よりも前であって且つ最も新しい時刻に退場した退場駅の情報を、前記撮影画像に関連づけて記憶することを特徴とする撮像装置。
【請求項７】
請求項２に記載の撮像装置において、
前記時間関連情報は、電子マネーを用いた購入記録を含み、
前記制御手段は、前記購入記録に含まれる時刻情報と前記撮影画像の撮影時刻とに基づいて前記第１の情報を決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項８】
請求項７に記載の撮像装置において、
前記制御手段は、前記撮影画像の撮影時刻に最も近い時刻の購入記録に関する情報を前記第１の情報として決定することを特徴とする撮像装置。
【請求項９】
撮像システムであって、
非接触通信型の携帯式情報記憶装置と、
撮像装置と、
を備え、
前記撮像装置は、
前記携帯式情報記憶装置に記憶されている情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段により読み取った情報を撮影画像に関連づけて記憶する制御手段と、
を有することを特徴とする撮像システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の撮像システムにおいて、
前記携帯式情報記憶装置は、非接触型ＩＣカードであることを特徴とする撮像システム。
【請求項１１】
請求項９に記載の撮像システムにおいて、
前記携帯式情報記憶装置は、記憶領域を有するＩＣチップを内蔵した携帯電話機であって前記撮像装置との非接触通信が可能な携帯電話機であることを特徴とする撮像システム。
【請求項１２】
電子機器であって、
非接触通信型の携帯式情報記憶装置に記憶されている情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段により読み取った情報を撮影画像に関連づけて記憶する制御手段と、
を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
撮影画像管理システムであって、
非接触通信型の携帯式情報記憶装置と、
電子機器と、
を備え、
前記電子機器は、
前記携帯式情報記憶装置に記憶されている情報を読み取る読取手段と、
前記読取手段により読み取った情報を撮影画像に関連づけて記憶する制御手段と、
を有することを特徴とする撮影画像管理システム。
【請求項１４】
コンピュータに、
a)非接触通信型の携帯式情報記憶装置に記憶されている情報を読み取る工程と、
b)前記工程a)で読み取った情報を撮影画像に関連づけて記憶する工程と、
を実行させるためのプログラム。
【請求項１５】
携帯電話機に内蔵されたコンピュータで実行可能なプログラムであって、
a)前記携帯電話機に設けられた入力手段による情報入力を受け付け、入力された情報を一時的に記憶する工程と、
b)撮像装置との間で非接触通信を実行し、前記工程a)で一時的に記憶されている情報を、前記撮像装置に格納された画像データに関連づけるべき情報として前記撮像装置に送信する工程と、
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影中の映像を保持する第１のメモリ手段と、
前記第１のメモリ手段に保持された映像を記録媒体に記録する手段と、
前記撮影中の映像を、前記記録媒体に記録しながらメイン画面に表示すると共に、前記撮影中の映像を、前記記録媒体に記録しながら撮影開始から一定時間分の映像を前記メイン画面の一部であるサブ画面に表示する表示手段を有することを特徴とするビデオカメラ。
【請求項２】
前記撮影開始から一定時間分の映像を保持する第２のメモリ手段を有し、
前記撮影開始から一定時間分の映像は、前記第２のメモリ手段から読み出され、前記表示手段により前記サブ画面に表示されることを特徴とする請求項１に記載のビデオカメラ。
【請求項３】
前記撮影開始から一定時間分の映像が保持されている前記第１のメモリ手段の領域を上書き禁止エリアに設定する手段を有し、
前記撮影開始から一定時間分の映像は、前記第１のメモリ手段から読み出され、前記表示手段により前記サブ画面に表示されることを特徴とする請求項１に記載のビデオカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明に係るビデオカメラは、撮影中の映像を保持する第１のメモリ手段と、前記第１のメモリ手段に保持された映像を記録媒体に記録する手段と、前記撮影中の映像を、前記記録媒体に記録しながらメイン画面に表示すると共に、前記撮影中の映像を、前記記録媒体に記録しながら撮影開始から一定時間分の映像を前記メイン画面の一部であるサブ画面に表示する表示手段を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、ビデオカメラで動画を撮影する際に、撮影中の映像を記録しながら撮影開始からの一定時間分の映像を画面に表示している。これにより、撮影中に撮影開始直後の映像を画面で確認できるので、撮影の成否を迅速に確認でき、撮り直す場合でもすぐに次の撮影準備を行うことができる。