【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号光波長λｓｉｇｎａｌが２５℃において１５５０ｎｍの半導体レーザと、該レーザの出力光を加えられる、井戸層がＩｎＧａＡｌＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡｓのいずれかであり、障壁層がＩｎＧａＡｌＡｓ、あるいはＩｎＡｌＡｓのいずれかである量子井戸構造からなる利得ピーク波長λＥＡの電界吸収効果型光変調器とを有する半導体光集積素子において、前記レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が、４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下であることを特徴とする半導体光集積素子。
【請求項２】
前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌが１４５０ｎｍ以上１６３０ｎｍ以下であり、前記電界吸収効果型光変調器の利得ピーク波長λＥＡを、信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下となるように設定したものである請求項１に記載の半導体光集積素子。
【請求項３】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項１に記載の半導体光集積素子。
【請求項４】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項２に記載の半導体光集積素子。
【請求項５】
半導体レーザと、該半導体レーザの発生する光を通過させる光導波路と、該光導波路を通過した光を与えられる電圧信号により変調する電界吸収効果型光変調器とから構成され、半導体基板上にカスケードに配置された半導体光集積素子であって、前記半導体レーザは２５℃における発光波長が１５５０ｎｍである量子井戸構造、前記光導波路層はＩｎＧａＡｓＰ、あるいはＩｎＧａＡｌＡｓから構成される光導波路層、前記電界吸収効果型光変調器は２５℃における発光波長が１４７０ｎｍである量子井戸構造、をそれぞれ備えて、互いに隣接して配置されるとともに、前記半導体発光装置の多重量子井戸活性層、前記導波路コアおよび前記変調器の光変調器コア層が、それぞれ、実質的に同一の面に位置するように形成され、且つ、各要素はそれぞれの最上層の上にリッジを形成されていることを特徴とする半導体光集積素子。
【請求項６】
前記レーザが分布帰還型半導体レーザである請求項５に記載の半導体光集積素子。
【請求項７】
前記レーザが分布反射型半導体レーザである請求項５に記載の半導体光集積素子。
【請求項８】
前記レーザが波長可変機能を有する波長可変型半導体レーザである請求項５に記載の半導体光集積素子。
【請求項９】
前記電界吸収効果型光変調器の光出射端面側に、窓構造を備えている請求項５に記載の半導体光集積素子。
【請求項１０】
前記レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が、４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下である請求項５に記載の半導体光集積素子。
【請求項１１】
前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌが１４５０ｎｍ以上１６３０ｎｍ以下であり、前記電界吸収効果型光変調器の利得ピーク波長λＥＡを、信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下となるように設定したものである請求項１０に記載の半導体光集積素子。
【請求項１２】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項１０に記載の半導体光集積素子。
【請求項１３】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項１１に記載の半導体光集積素子。
【請求項１４】
信号光波長λｓｉｇｎａｌが２５℃において１５５０ｎｍの半導体レーザと、該レーザの出力光を加えられる、井戸層がＩｎＧａＡｌＡｓあるいはＩｎＧａＡｓＰあるいはＩｎＧａＡｓのいずれかであり、障壁層がＩｎＧａＡｌＡｓ，あるいはＩｎＡｌＡｓのいずれかである量子井戸構造からなる利得ピーク波長λＥＡの電界吸収効果型光変調器とを有する半導体光集積素子において、前記レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が、４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下とされた半導体光集積素子であるとともに、該半導体光集積素子の配置された周辺の温度を検出するための感温素子および前記半導体レーザの背面における後方光出力を検出するモニタ用受光素子を備え、前記感温素子の出力信号に応じてλｓｉｇｎａｌ-λＥＡが設定されている最高動作温度における特性となるように前記電界吸収効果型光変調器に加える電圧を制御し、前記モニタ用受光素子の出力信号に応じて前記半導体レーザが設定されている２５℃における特性となるように前記半導体レーザに加える電圧を制御することを特徴とする半導体光集積デバイス。
【請求項１５】
前記レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が、４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下である請求項１４に記載の半導体光集積デバイス。
【請求項１６】
前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌが１４５０ｎｍ以上１６３０ｎｍ以下であり、前記電界吸収効果型光変調器の利得ピーク波長λＥＡを、信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌと、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡとの差（ＥＥＡ−Ｅｓｉｇｎａｌ）が４０ｍｅＶ以上７０ｍｅＶ以下となるように設定したものである請求項１４に記載の半導体光集積デバイス。
【請求項１７】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項１４に記載の半導体光集積デバイス。
【請求項１８】
前記電界吸収効果型光変調器が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造の２５℃における障壁層の組成波長λｂａｒｒｉｅｒに相当するエネルギーＥｂａｒｒｉｅｒが、前記電界吸収効果型光変調器の２５℃における利得ピーク波長λＥＡに相当するエネルギーＥＥＡと、前記半導体レーザの２５℃における信号光波長λｓｉｇｎａｌに相当するエネルギーＥｓｉｇｎａｌとを用いて、
（Ｅｓｉｇｎａｌ＋１２０ｍｅＶ）＜Ｅｂａｒｒｉｅｒ＜（ＥＥＡ＋３５０ｍｅＶ）
に設定されたものである請求項１７に記載の半導体光集積デバイス。