(57)【要約】【課題】光源から射出される光のエネルギを高効率的に利用できるようにする。【解決手段】パルス光を射出する光源ＬＳと、配列的に配置された複数の微少な可動ミラーを有し、該可動ミラーの動作状態を選択的に変化させることにより、任意のパターンを形成する可変成形マスク８とを備え、前記光源から射出され、前記可変成形マスクを介した光で基板Ｐを露光する露光装置であって、前記可動ミラーの動作状態を変化させる動作タイミングと前記光源から射出されるパルス光のパルスの照射タイミングとが同期するように制御する制御装置１００を備えて構成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出され、任意のパターンを形成する可変成形マスクを介した光で基板を露光する露光方法であって、
前記可変成形マスクの動作状態に合わせて、前記光源から射出される光の照射を行うことを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記光源は、前記可変成形マスクの動作状態に合わせて照射可能なＱスイッチレーザでパルス光の照射を行うことを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記可変成形マスクの動作状態がデータ更新後の安定状態時に、前記光源からの光の照射を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光方法。
【請求項４】
前記可変成形マスクの動作状態を検出し、該可変成形マスクが安定状態にあるか否かを判断することを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記可変成形マスクの動作を開始させる駆動信号から前記可変成形マスクの安定状態までの経過時間を計測し、前記駆動信号から前記経過時間経過後を前記可変成形マスクの安定状態と判断することを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項６】
前記可変成形マスクの動作により複数の階調が設定可能で、所望の階調が得られる安定状態に合わせて、前記光源から射出される光の照射を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項７】
前記可変成形マスクが、配列的に配置された複数の可動ミラーにより構成され、
前記複数の可動ミラーの動作状態に合わせて、前記光源からの光の照射を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の露光方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の露光方法により所定のパターンを基板上に露光転写する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【請求項９】
光を射出する光源と、
可変成形マスクの動作状態を選択的に変化させることにより、任意のパターンを形成する可変成形マスクとを備え、
前記光源から射出され、前記可変成形マスクを介した光で基板を露光する露光装置であって、
前記可変成形マスクの動作状態に合わせて前記光源から射出される光の照射を行うように制御する制御装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記光源は、前記可変成形マスクの動作状態に合わせて照射可能なＱスイッチレーザでパルス光の照射を行うことを特徴とする請求項９に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記可変成形マスクが動作後、安定状態にあるか否かを判断する安定状態判断装置を更に備え、
前記制御装置は、前記安定状態判断装置の判断に基づいて、前記光源を制御することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記光源は、複数の光源ユニットから成り、
前記制御装置は、可変成形マスクの動作状態に合わせて、順照射動作を行うことを特徴とする請求項９乃至請求項１１の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記制御装置は、前記安定状態の一期間内に複数回照射を行うことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記安定状態判断装置は、可変成形マスクの動作状態を検出する検出装置を有することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記安定状態判断装置は、可変成形マスクの動作を開始させる駆動信号から可変成形マスクの安定状態までの経過時間を計測し、前記駆動信号から前記経過時間経過後を可変成形マスクの安定状態と判断することを特徴とする請求項１１に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記可変成形マスクは、複数の階調を発生させることが可能であり、
前記制御装置は、所望の階調が得られる安定状態に合わせて、前記光源から射出される光の照射を行うことを特徴とする請求項９乃至請求項１５の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１７】
前記可変成形マスクは、配列的に配置された複数の可動ミラーにより構成されることを特徴とする請求項９乃至請求項１６の何れか一項に記載の露光装置。
【請求項１８】
請求項９乃至請求項１７に記載の露光装置を用い、所定のパターンを基板上に露光転写する露光工程と、
前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示素子等のフラットパネル表示素子等のマイクロデバイスをリソグラフィ工程で製造するための露光方法及び露光装置並びにこれらを用いたマイクロデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロデバイスの一つである液晶表示素子等を製造する場合において、マスク（レチクル、フォトマスク等）のパターンを、投影光学系を介してフォトレジスト等が塗布されたプレート（ガラスプレート、半導体ウエハ等）上に投影露光する投影露光装置が使用されている。
【０００３】
従来は、プレート上の各ショット領域にそれぞれマスクのパターンを一括して露光するステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）が多用されていた。近年、１つの大型の投影光学系を使用する代わりに、複数の小型の投影光学ユニットを走査方向に沿って所定間隔で複数列に配置し、マスクステージと基板ステージとを同期走査しつつ、各投影光学ユニットにおいてそれぞれのマスクのパターンを連続的にプレート上に露光転写するステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平７−５７９８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、プレートは液晶表示素子の大型化に伴い大型化しており、現在では１ｍ角以上のプレート（ガラス基板）も用いられており、同時にマスクも大型化している。露光装置に要求されるデバイスのパターンルールが一定であれば大型のマスクにも小型のマスクと同様の平面度が要求されるため、大型のマスクのたわみやうねりを小型のマスクのたわみやうねりと同程度に抑えるために大型のマスクの厚さを小型のマスクよりも大幅に厚くする必要がある。また、一般にＴＦＴ（Thin Film Transistor）で使用されているマスクは、コスト高の石英ガラスであるため、大型化すれば製造コストが増大する。更に、マスクの平面度を維持するためのコスト、マスクパターンの検査時間の拡大等によるコスト等が増大している。
【０００５】
そこで、マスクの代わりにＤＭＤ（Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device）等を用いてパターンを基板上に露光転写するマスクレス露光装置が提案されている。ＤＭＤは複数の二次元アレイ状に配置された微少な可動ミラー（マイクロミラー）を備えており、各マイクロミラーは鏡面をねじれ軸周りに例えば±１２度傾斜させることができ、鏡面下部に設けた電極を駆動することによりオン（＋１２度）とオフ（−１２度）の二つの状態を持たせることができる。ミラーがオンのときは光源からの光を投影光学系の方向へ反射し、オフのときは光を内部の吸収体に反射し、外部には投射されないようになっている。従って、各ミラーを個別に駆動することにより、任意のパターンを形成する可変成形マスクとして機能させることができる。
【０００６】
可動ミラーの状態は、動作時間（ミラーが傾きを変える時間＋セットリング時間）と安定時間（ミラーの位置が決まり安定している時間）に分けることができる。動作時間はミラーの傾きが変化している状態や振動している状態で不安定なため、反射光の位置が安定しない。そのため、ビーム位置が安定した反射光が使用できるのは、安定時間に限られる。つまり、動作時間の間、反射光は露光に寄与できないため、スキャン方式の直描露光装置では、照度低下の原因になる。光源として連続光を照射するものを用いた場合、動作時間中の照射は無駄になる。描画に必要なエネルギを確保するためには、大出力のレーザを用いるか、スキャン速度を下げて安定時間を長くする必要が生じ、コストの増加やスループットの低下の原因になるという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、光源から射出される光のエネルギを高効率的に利用できるようにして、照度の低下、光源の大出力化、処理速度の低下を抑制し、コストの低減や生産効率の向上を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様に従えば、光源（ＬＳ）から射出され、任意のパターンを形成する可変成形マスク（８）を介した光で基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、前記可変成形マスクの動作状態に合わせて、前記光源から射出される光の照射を行うようにした露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様に従えば、光を射出する光源（ＬＳ）と、当該可変成形マスクの動作状態を選択的に変化させることにより、任意のパターンを形成する可変成形マスク（８）とを備え、前記光源から射出され、前記可変成形マスクを介した光で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、前記可変成形マスクの動作状態に合わせて前記光源から射出される光の照射を行うように制御する制御装置（１００）を備える露光装置が提供される。
【００１０】
本発明の第１の態様に従う露光方法及び第２の態様に従う露光装置によれば、可変成形マスクの動作状態に合わせて、光源から射出される光の照射を行うようにしたので、可動ミラーが動作時間を経て、露光に寄与する安定時間に入っている間に光の照射を行うようにでき、動作時間中に光を照射することがなくなるので、光源から射出される光のエネルギを高効率的に利用することができるようになる。特に、光源としてＱスイッチレーザを用い、可動ミラーの動作時間中はスイッチをオフにしてエネルギをレーザ内に蓄え、可動ミラーの安定時間に合わせてスイッチをオンすることにより、大パワーのパルスの照射が可能となり、高効率的である。
【００１１】
本発明の第３の態様に従えば、上述した本発明の第１の態様に従う露光方法又は本発明の第２の態様に従う露光装置により所定のパターンを基板（Ｐ）上に露光転写する露光工程（Ｓ１０３）と、前記露光工程により露光された前記感光基板を現像する現像工程（Ｓ１０４）とを含むマイクロデバイスの製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第３の態様に従うマイクロデバイスの製造方法によれば、光源のエネルギ利用効率が高いので、マイクロデバイスを低コストで生産性良く製造することができるようになる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光源から射出される光のエネルギを高効率的に利用できるようになるので、照度の低下、光源の大出力化、処理速度の低下を抑制し、コストの低減や生産効率の向上を図ることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、この発明の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。図１は、この実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。この実施の形態においては、複数の露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３に対してプレートＰを相対的に移動させつつ液晶表示素子等のパターンを感光性材料（フォトレジスト）が塗布された基板としてのプレートＰ上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の走査型投影露光装置を例に挙げて説明する。
【００１５】
また、以下の説明においては、図１中に示した直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸がプレートＰに対して平行となるよう設定され、Ｚ軸がプレートＰに対して直交する方向に設定されている。図中のＸＹＺ直交座標系は、実際にはＸＹ平面が水平面に平行な面に設定され、Ｚ軸が鉛直方向に設定される。また、この実施の形態では、プレートＰを移動させる方向（走査方向）をＸ方向に設定している。
【００１６】
この走査型露光装置はプレートＰ上に任意のパターンを露光転写するための露光光学系を備えており、露光光学系は複数の露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３を備えている。複数の露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３は、それぞれ筐体に収容されており、コラム１に搭載されている。各筐体には筐体内に収容されている光学部材を冷却する図示しない冷却装置が設けられている。露光光学ユニットＬ１，Ｌ３，Ｌ５，Ｌ７，Ｌ９，Ｌ１１，Ｌ１３は、走査方向の後方側（−Ｘ方向側）であって、Ｙ方向（非走査方向）に並んで配置されている。露光光学ユニットＬ２，Ｌ４，Ｌ６，Ｌ８，Ｌ１０，Ｌ１２は、走査方向の前方側（＋Ｘ方向側）であって、Ｙ方向に並んで配置されている。なお、ここでは１３個の露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３を備えるものについて説明するが、プレートのサイズに合わせて、その他の数としても勿論よい。
【００１７】
図２は露光光学ユニットＬ１の概略構成を示す図である。露光光学ユニットＬ１は光源ＬＳを備え、この光源ＬＳとしては、この実施の形態では、固体レーザにＱスイッチ法を適用したＱスイッチレーザを用いている。Ｑスイッチとは、ジャイアントパルス（エネルギの高いレーザ光）を得るために使用されるレーザ技術である。一般的に、通常の固体レーザでは常時発振しているため、強力なパルスを得ることができない。Ｑスイッチ法では非常に多数の原子が励起状態になるまでＱ値（品質因子）を低くして発振を抑え、十分に多くなった後（例えば、反転分布が最大になった時）に再びＱ値を高くし発振させる方法である。Ｑスイッチの具体的な実現方式としては、レーザ媒質と出力ミラーの間に回転プリズムや吸収体を置いたり、出力ミラー自身の位置を変えるといった機械的方式、電圧を加えると屈折率が変化する結晶（例えば、ポッケルス結晶）を用いて印加する電圧を制御する電気光学的方式、あるいは超音波で透過率を変える音響工学的方式等の何れを用いてもよい。
【００１８】
光源ＬＳを構成する固体レーザとしては、特に限定されないが、この実施の形態では、ＹＡＧレーザ（発振波長１．０６μｍ）を用いている。ここで、液晶表示素子や半導体デバイス等の製造を対象とする露光装置では、回路の微細化等に伴い、短波長化されてきており、露光光として、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、更にはＦ２レーザ（１５７ｎｍ）が用いられるようになっている。従って、ＹＡＧレーザ等の固体レーザでは感光性材料の感度や形成するパターンの解像力を考慮すると、発振波長が長すぎるので、固体レーザから射出された赤外光を、非線形光学結晶等を用いて所望の紫外光に波長変換した高調波を用いる。このため、この実施の形態の光源ＬＳは、このような波長変換装置をも備えている。この実施の形態では、光源ＬＳから出力されるパルス光の周波数は、１０ｋＨｚ程度に設定され、パルス光のパルス幅は数十ｎｓｅｃ程度に設定される。これらの周波数及びパルス幅は、ＱスイッチＱＳＷを制御することにより、ある程度変更可能である。ＱスイッチＱＳＷの制御は、この露光装置を統括的に制御するメイン制御装置１００の制御の下、レーザ制御部１１０によって行われる。
【００１９】
光源ＬＳから射出されるパルスレーザ光（以下、光ビームと言うこともある）は、アッテネータ（可変減光器）２、コリメート光学系４及びミラー６を介して、露光光学ユニットＬ１を構成するＤＭＤ（Digital Micromirror DeviceまたはDeformable Micromirror Device）８を均一に照明する。なお、ＤＭＤ８を露光光学ユニットＬ１とは別に設けるようにしてもよい。また、アッテネータ２による射出光の光量調整は、メイン制御装置１００の制御の下、光量制御部１２０によって行われる。
【００２０】
図３は、ＤＭＤ８の構成を示す図である。ＤＭＤ８は、微小領域に区分されたデバイスとしての多数のマイクロミラー（反射部材）８ａを有している。各マイクロミラー８ａは鏡面をねじれ軸周りに傾斜（例えば、±１２度）させることができ、鏡面下部に設けた電極を駆動することによりオン（＋１２度）とオフ（−１２度）の二つの状態を持たせることができる。ミラーがオンのときは光源ＬＳからの光を所定の方向（ここでは、投影光学系ＰＬ１の方向）へ反射し、オフのときは光を他の所定の方向（投影光学系ＰＬ１以外の方向）に反射する。各ミラーを個別に制御・駆動することにより、プレートＰ上に転写される任意のパターンを含む光ビームを形成する可変成形マスクとして機能する。即ち、プレートＰの走査に同期して、反射光が投影光学系に導かれるように一部のマイクロミラー８ａの角度を変化させ、反射光が投影光学系とは異なる方向に進行するように他部のマイクロミラー８ａの角度を変化させることにより、対応する露光領域に投影される転写パターンを順次生成する。ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作の制御は、メイン制御装置１００の制御の下、ＤＭＤ駆動部１３０によって行われる。
【００２１】
ＤＭＤ８（一部のマイクロミラー８ａ）により反射された光ビームは、不図示のリレー光学系を経てマイクロレンズアレイ１６に入射する。図４は、マイクロレンズアレイ１６及び後述する点像視野絞り１８の一部の構成を示す図である。マイクロレンズアレイ１６は、ＤＭＤ８を構成するマイクロミラー８ａのそれぞれに対応する多数の要素レンズ１６ａを有しており、プレートＰと光学的に共役な位置またはその近傍に配置されている。また、マイクロレンズアレイ１６は、ＸＹ平面に平行な方向及びＺ方向に移動可能、かつＸＹ平面に対して傾斜可能に構成されている。
【００２２】
マイクロレンズアレイ１６の各要素レンズ１６ａを通過した光ビームは、点像視野絞り１８を通過する。点像視野絞り１８は、図４に示すように、マイクロレンズアレイ１６を構成する要素レンズ１６ａのそれぞれに対応して設けられた多数の開口部１８ａを有している。点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過することにより、露光光学ユニットＬ１内で発生するゴースト及びＤＭＤ８のオン／オフ時に発生する像流れによる露光への悪影響を防止することができる。
【００２３】
点像視野絞り１８の開口部１８ａの径は、マイクロレンズアレイ１６により開口部１８ａに送られる光ビームの径よりも若干小さく形成されており、その差分だけ開口部１８ａの位置を調整することができるようになっている。点像視野絞り１８は、図５に示すように、駆動系（開口駆動系）Ｄｘ１，Ｄｘ２，Ｄｙ１により支持されたステージＡＳＴ上に設けられており、Ｘ方向、Ｙ方向、及びθ方向に位置調整ができるようになっている。点像視野絞り１８の位置及び姿勢は、不図示の干渉計や駆動系内に設置されたエンコーダで検出できるようになっている。なお、点像視野絞り１８は、多数の開口部１８ａの代わりに、マイクロレンズアレイ１６の要素レンズ１６ａのそれぞれに対応して設けられた多数の光透過部を有するようにしてもよい。
【００２４】
図２に示すように、この実施の形態では、露光光学ユニットＬ１には、ミラー位置検出器１５０（検出装置）が設けられている。ミラー位置検出器１５０は、ＤＭＤ８の動作状態を検出する装置であり、位置検出用光源１５１、ビームスプリッタ１５２，１５３、集光光学系１５４、小開口板１５５、及び受光部１５６を備えて構成されている。位置検出用光源１５１は、赤色光を射出する連続光源（ＣＷ）であり、アッテネータ２とコリメートレンズ系４の間に設けられているビームスプリッタ１５２を介して露光光学ユニットＬ１の光学系に赤色光を供給する。
【００２５】
ビームスプリッタ１５３は、ＤＭＤ８とマイクロレンズアレイ１６との間に設けられており、光源ＬＳからの紫外光を透過し、位置検出用光源１５１からの赤色光を反射する。ビームスプリッタ１５３で反射された赤色光は集光レンズ系１５４及び小開口板１５５を介して受光部１５６に入射し、受光部１５６で検出される赤色光の光量をモニタすることにより、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作状態をモニタする。このモニタ結果はメイン制御装置１００に送られ、マイクロミラー８ａが動作時間中であるか、安定時間中であるかを判断する。なお、小開口板１５５を設ける代わりに、位置センサ（スポットの位置により抵抗値が変わるセンサ）や４分割センサを配置してもよい。また、点像視野絞り１８と投影光学系ＰＬ１との間には、赤色光をカットするフィルタ１５７を設けている。
【００２６】
他の露光光学ユニットＬ２〜Ｌ１３も、ＤＭＤ、リレー光学系、マイクロレンズアレイ点像視野絞り、及びミラー位置検出器を備えており、これらＤＭＤ、リレー光学系、マイクロレンズアレイ、点像視野絞り、及びミラー位置検出器は、ＤＭＤ８、リレー光学系１０、マイクロレンズアレイ１６、点像視野絞り１８、ミラー位置検出器１５０と同様の構成を有している。なお、各露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３の隣り合う光学系は、図６に示すように、マルチビーム（ＤＭＤ８の各マイクロミラー８ａによる反射光）が連続して整列するように配置してもよいし、図７に示すように、マルチビームがスキャン方向（Ｘ方向）に距離を置いて配置してもよい。
【００２７】
点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームは、図２に示すように、投影光学系ＰＬ１に入射する。図８は、露光光学ユニットＬ１を構成する投影光学系ＰＬ１及び露光光学ユニットＬ２を構成する投影光学系ＰＬ２の構成を示す図である。投影光学系ＰＬ１に入射した光ビームは、投影光学系ＰＬ１を構成するフォーカス調整機構２０に入射する。フォーカス調整機構２０は、第１光学部材２０ａと第２光学部材２０ｂを備えている。第１光学部材２０ａ及び第２光学部材２０ｂは、くさび状に形成された光ビームを透過可能なガラス板であり、一対のくさび型光学部材を構成している。また、第１光学部材２０ａ及び第２光学部材２０ｂは、相対的に移動可能に構成されている。第２光学部材２０ｂに対して第１光学部材２０ａをＸ方向にスライドするように移動させることにより、投影光学系ＰＬ１の像面位置がＺ方向に移動する。
【００２８】
フォーカス調整機構２０を通過した光ビームは、シフト調整機構２２に入射する。シフト調整機構２２は、Ｙ軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板２２ａと、Ｘ軸まわりに回転可能に構成されている平行平面ガラス板２２ｂを備えている。平行平面ガラス板２２ａがＹ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＸ軸方向にシフトする。平行平面ガラス板２２ｂがＸ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＹ軸方向にシフトする。
【００２９】
シフト調整機構２２を通過した光ビームは、回転調整機構としての直角プリズム２４に入射する。直角プリズム２４は、Ｚ軸まわりに回転可能に構成されている。直角プリズム２４がＺ軸まわりに回転することによりプレートＰ上におけるパターンの像はＺ軸まわりに回転する。直角プリズム２４により反射された光ビームは、レンズ群２６を介してミラー２８により反射される。ミラー２８により反射された光ビームは、再びレンズ群２６及び直角プリズム２４を介して、倍率調整機構３０に入射する。
【００３０】
倍率調整機構３０は、パワーの小さい例えば３つのレンズ３０ａ，３０ｂ，３０ｃを備えている。３つのレンズ３０ａ〜３０ｃは例えば凹レンズ３０ａ、凸レンズ３０ｂ、凹レンズ３０ｃから構成されており、凸レンズ３０ｂをＺ方向に移動させることによりプレートＰ上に形成されるパターン像の倍率の調整を行なうことができる。倍率調整機構３０を通過した光ビームは、外径が５００ｍｍよりも大きい、つまり一辺もしくは対角線が５００ｍｍよりも大きいフラットパネルディスプレイ用のプレートＰ上の所定の露光領域に所定のパターン像を形成する。なお、他の露光光学ユニットＬ２〜Ｌ１３を構成する投影光学系（以下、投影光学系ＰＬ２〜ＰＬ１３という）は、投影光学系ＰＬ１と同一の構成を有する。
【００３１】
図９は、プレートＰ上における投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１３のそれぞれによる投影領域４８ａ〜４８ｍを示す平面図である。各投影領域４８ａ〜４８ｍは、投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ１３の視野領域に対応して所定の形状（六角形、菱形、平行四辺形等）に設定されており、この実施の形態においては台形形状を有している。投影領域４８ａ、４８ｃ，４８ｅ，４８ｇ，４８ｉ，４８ｋ，４８ｍと投影領域４８ｂ，４８ｄ，４８ｆ，４８ｈ，４８ｊ，４８ｌとはＸ方向に対向して配置されている。さらに、投影領域４８ａ〜４８ｍのそれぞれは隣り合う投影領域の端部（境界部）どうしがＹ方向に重ね合わせるように並列配置されている。
【００３２】
図１に示すように、プレートＰを載置するプレートステージＰＳＴは、防振台３２ａ，３２ｂ及び図示しない防振台（以下、防振台３２ｃという）に支持されているベース３４上に設けられている。防振台３２ａ〜３２ｃは、外部からの振動を露光装置に伝えないようにし、通常３つ以上設置される。プレートステージＰＳＴは、リニアモータ３６により走査方向（Ｘ方向）に移動可能に構成されており、ガイド３７に対してエアギャップで浮上させる所謂エアステージの構成を有している。また、プレートステージＰＳＴは、非走査方向（Ｙ方向）に微量移動可能に構成されている図示しない微動ステージをも有している。
【００３３】
また、コラム１に固定されている露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３に対するプレートステージＰＳＴのＸ方向における位置を、移動鏡４０ａ，４０ｂを用いて計測及び制御するＸレーザ干渉計３８を備えている。更に、露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３に対するプレートＰＳＴのＹ方向における位置を、移動鏡４２を用いて計測及び制御するＹレーザ干渉計（図示せず）を備えている。
【００３４】
露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３の走査方向の後方側（−Ｘ方向側）には、プレートＰに設けられているアライメントマークを検出する複数のアライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６及びプレートＰのＺ方向における位置を検出するオートフォーカス系ＡＦ１〜ＡＦ６がＹ方向（非走査方向）に並んで配置されている。また、プレートステージＰＳＴの−Ｘ方向の端部には、Ｙ方向に複数並んだＡＩＳマークを有する基準部材４４が設けられている。基準部材４４の下方には空間像計測センサ（ＡＩＳ）が設けられており、空間像計測センサはプレートステージＰＳＴに埋設されている。
【００３５】
空間像計測センサは、各ＤＭＤの位置と、各ＤＭＤにより形成される転写パターン（露光パターンデータ）の像がプレートＰ上に投影される位置の関係を求めるために用いられる。即ち、ＤＭＤにより形成される基準マークとＡＩＳマークが一致するようにプレートステージＰＳＴを移動し、基準マークの像とＡＩＳマークとを空間像計測センサで検出し、この検出結果に基づいてＤＭＤの位置とＤＭＤにより形成される転写パターンの像がプレートＰ上に投影される位置との関係を求める。なお、この場合にＤＭＤにより形成される基準マークは、メイン制御装置１００が備える記憶部（不図示）に記憶されているものであり、プレートステージＰＳＴの位置はＸレーザ干渉計３８及びＹレーザ干渉計により検出される。
【００３６】
また、空間像計測センサは、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６の位置とプレートステージＰＳＴの位置の関係を求めるために用いられる。即ち、プレートステージＰＳＴを移動し、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６の計測領域中心（具体的には計測領域に設けられている指標マーク）にＡＩＳマークを一致させ、このときのプレートステージＰＳＴの位置をＸレーザ干渉計３８及びＹレーザ干渉計で検出する。この検出結果に基づいて、アライメント系ＡＬ１〜ＡＬ６の位置とプレートステージＰＳＴの位置の関係を求める。
【００３７】
プレートステージＰＳＴの近傍には、各露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３を介した光ビームの照度を計測する少なくとも１つの照度計（図示せず）が設けられている。照度計は、ＸＹ平面上を移動可能に構成されており、各露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３から射出される光ビームを計測できる位置に移動し、各露光光学ユニットＬ１〜Ｌ１３から射出される光ビームの照度を計測する。照度計による計測結果は、メイン制御装置１００に対して出力される。
【００３８】
ところで、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａ、マイクロレンズアレイ１６の各要素レンズ１６ａ及び点像視野絞り１８の各開口部１８ａは、ＸＹ平面内においてＸ方向及びＹ方向に平行な方向に二次元的に配列されている場合、点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームのそれぞれがＸ方向及びＹ方向の二次元的に配列されたまま投影光学系ＰＬを介してプレートＰに到達することになる。この状態で走査露光した場合、Ｘ方向に平行な線状のパターンを形成することができるが、Ｙ方向に平行な線状のパターンを形成することができない。したがって、Ｙ方向に平行な線状のパターンも露光することができるように、この実施の形態では、これらをＺ軸まわりに所定角度α回転させて設置し、図１０に示すように、回転させた点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームがプレートＰ上に到達するようにしている。これにより、結像された点の位置が微少量ずれることになり、それらを所定の位置で順次オンさせることにより、Ｘ方向及びＹ方向に平行な線状のパターンを形成することができる。
【００３９】
なお、不図示の直角プリズム駆動部を介して直角プリズム２４をＺ軸まわりに回転駆動させることにより、点像視野絞り１８の各開口部１８ａを通過した光ビームがＺ軸まわりに所定角度回転されてプレートＰ上に到達するようにしてもよい。また、この実施の形態においては、ＸＹ平面内において直交二軸方向に二次元的に配列された点像視野絞り１８の開口部１８ａを備えているが、ＸＹ平面内において当該直交二軸に対して４５度傾斜した方向に二次元的に配列された点像視野絞りの開口部を備えてもよい。この場合おいても、点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームが、例えば図１１に示すように、Ｚ軸まわりに所定角度α回転させてプレートＰ上に到達するようにする。
【００４０】
図２に示すメイン制御装置１００は、何れも図示は省略しているが、ＤＭＤ８において形成する転写パターン、アライメントや空間像計測に用いられる基準マーク、その他の露光データを記憶する記憶部を備えており、レーザ制御部１１０、光量制御部１２０、ＤＭＤ駆動部１３０、ステージ駆動部１４０を含む各部を統括的に管理・制御する。
【００４１】
次に、メイン制御装置１００によるＤＭＤ８の動作状態を変化させる動作タイミングと光源ＬＳから射出されるパルス光のパルスの照射タイミングとを同期させるための処理について説明する。この実施の形態では、光源ＬＳから射出されるパルス光の周期とＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作の周期を実質的に一致させることにより、ミラーの動作タイミングとパルスの照射タイミングとを同期させている。このように同期させるのは、以下の理由による。
【００４２】
図１２はＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作を示している。同図において、縦軸はマイクロミラー８ａの傾斜角度、横軸は時間であり、ａはミラー反転時の動作を、ｂはミラーホールド時の動作である。ミラー反転時の状態は図中ａを付した線図に示すように、時間ｔ１でメイン制御装置１００からミラーの駆動開始信号がＤＭＤ駆動部１３０に出力され、ＤＭＤ駆動部１３０が電極を駆動することによりマイクロミラー８ａの反転動作が開始され、時間ｔ２で最大角度に至った後、振動を伴いつつ収束し、時間ｔ３で安定状態、即ち静止した状態に至り、次の駆動が開始される時間ｔ４まで、この安定状態が保持される。なお、時間ｔ３〜ｔ４までの安定時間中にＤＭＤ８（マイクロミラー８ａ）の次の動作のためのデータが更新され、時間ｔ４の後にＤＭＤ８の次の動作が開始される。
【００４３】
ここでは、ミラーの挙動が不安定な時間ｔ１〜ｔ３を動作時間Ａと、マイクロミラー８ａが静止している時間ｔ３〜ｔ４を安定時間Ｂとしている。なお、動作時間Ａのうちマイクロミラー８ａの駆動開始から最大角度に至るまでの時間ｔ１〜ｔ２（ミラーが傾きを変える時間Ａ１）は例えば５μｓｅｃであり、マイクロミラー８ａが最大角度から振動しつつ収束するまでの時間ｔ２〜ｔ３（セットリング時間Ａ２）は例えば１０μｓｅｃである。動作時間Ａ中はマイクロミラー８ａの傾きが不定のため、反射光の位置が安定しない。このため、ビーム位置が安定した反射光が使用できるのは、安定時間Ｂに限られる。
【００４４】
つまり、動作時間Ａの間は、反射光は露光に寄与できないため、スキャン方式の露光装置では、照度低下の原因になる。ここで、図１３は連続光による照射の様子を示している。同図の上部に表示されている点線矢印及び実線矢印は、連続光（ＣＷ）の照射であることを概念的に示しており、ａ１〜ａ３はマイクロミラー８ａの動作（３周期分）を示している。同図から明らかなように、各周期のミラーの動作ａ１〜ａ３において、照射される光のうち露光に寄与できるのは安定時間Ｂ中に照射される光（実線矢印）のみであり、動作時間Ａ中に照射される光（点線矢印）は露光には寄与できず、全く無駄に消費されることになる。
【００４５】
従って、安定時間Ｂ中に必要な露光量を確保するためには、パワーの大きい光源（レーザ）を用いるか、あるいはスキャン速度を低下させて、安定時間Ｂを長くする必要が生じる。パワーの大きい光源を用いる場合には、そのような光源は一般に高額であるから、装置のコストが増大するとともに、露光に寄与できない動作時間Ａ中も照射され続けるため、光の照射に伴う各部の温度上昇や劣化を招き、その寿命が短くなるという懸念もある。また、スキャン速度を低下させる場合には、スループット（単位時間当たりの生産量）を低下させてしまうことになる。
【００４６】
そこで、この実施の形態では、図１４に示すように、光源ＬＳとしてＱスイッチレーザを用い、パルスの射出を安定時間Ｂ中に行うことにより、マイクロミラー８ａの動作時間Ａ中はＱスイッチをオフにしてレーザ内にエネルギを蓄え、マイクロミラー８ａの安定時間Ｂ中にＱスイッチをオンにして蓄えたエネルギを一機に放出して大パワーのパルスを照射するようにしている。
【００４７】
従って、露光に寄与しない動作時間Ａ中は光の照射がなされず、露光に寄与する安定時間Ｂ中にのみ光の照射が行われ、しかもＱスイッチを用いることにより、少なくとも動作時間Ａ中はそのエネルギが蓄えられるので、エネルギが無駄に消費されることもなく、エネルギの利用効率を高くすることができる。これにより、コストの低減及びスループットの向上を図ることができる。なお、光源ＬＳから射出されるパルス光の周波数、及びマイクロミラー８ａの動作の周波数は、プレートＰの移動速度（スキャン速度）との関係で決定されるが、この実施の形態では、それぞれ１０ｋＨｚとしている。
【００４８】
光源ＬＳのパルスの射出のタイミングと、ＱスイッチＱＳＷの制御及びＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作のタイミングとの同期制御は、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作のタイミングに、光源ＬＳからのパルスの射出のタイミングが同期するように、メイン制御装置１００がレーザ制御部１１０を介してＱスイッチＱＳＷを制御することにより実現してもよく、若しくはこれとは逆に、光源ＬＳのパルスの射出のタイミングに、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作のタイミングが同期するように、メイン制御装置１００がＤＭＤ駆動部１３０を介してＤＭＤ８を制御することにより実現してもよく、又は両者を制御することにより実現するようにしてもよい。
【００４９】
この実施の形態では、図２に示したように、ミラー位置検出器１５０を設けて、位置検出用光源１５１から射出され、ＤＭＤ８で反射された光をミラー位置検出器１５０で検出することにより、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作状態（動作時間Ａ中であるか、安定時間Ｂ中であるか）をモニタできるようにしたので、メイン制御装置１００が備える機能モジュールとしての安定状態判断装置（不図示）は、このミラー位置検出器１５０による検出結果に基づいて、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａが安定状態にあるか否かを判断し、安定時間Ｂ中にあるときに、光源ＬＳからパルスが射出されるようにレーザ制御部１１０を介してＱスイッチＱＳＷの動作を動的に制御することにより、ミラーの実際の挙動に応じて、安定時間Ｂ中に確実にパルスを照射することができるようにしている。
【００５０】
但し、安定状態判断装置は、このような制御に代えて、以下のような制御を行うようにしてもよい。即ち、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの挙動は各動作毎にそれ程大きく変化することはないので、ミラーの駆動開始信号から一定時間経過した時点で、パルスを照射するようにしてもよい。例えば、ミラーの駆動開始信号から約５μｓｅｃで最大角度まで回転し、その後約１０μｓｅｃで安定する場合には、ミラー駆動開始信号の出力から１７〜２０μｓｅｃ以上経過し、次のミラー駆動開始信号の出力までの間に、パルスを射出するようにしてもよい。なお、駆動開始信号から安定状態に至るまでの経過時間は、上述したミラー位置検出器１５０が設けられている場合にはこれを用いて計測し、あるいはオフラインで計測するようにしてもよく、更にはＤＭＤ８の供給メーカーが提供する仕様上の数値を用いるようにしてもよい。また、可変成形マスクを構成する複数の可動ミラーに、位置モニター用の信号線が設けられている場合には、安定状態判断装置は、この信号線を介してミラー状態に関する信号を受け取り、これに基づき安定状態か否かを判断するようにしてもよい。また、本実施の形態では、ミラー駆動の際のミラーの振動が主であるが、外部からの機械振動を受けミラーの振動が発生することも考えられ、この様な事態が発生しても充分に対応可能である。
【００５１】
次に、図１５を参照して、本発明の他の実施の形態にかかる走査型露光装置について説明する。上述した実施の形態では、光源ＬＳとして単一のＱスイッチレーザを備えたものを用いているが、他の実施の形態では、複数、ここでは３個のＱスイッチレーザ（光源ユニット）を備えたものを用いている。なお、図２と実質的に同一の構成部分には同一の番号を付して、その説明は省略する。即ち、同図に示すように、第１レーザＬｚａ、第２レーザＬｚｂ及び第３レーザＬｚｃの３個のＱスイッチレーザを設けている。各レーザＬｚａ、Ｌｚｂ，Ｌｚｃは上述した光源ＬＳに用いたＱスイッチレーザと同様であり、波長変換装置により紫外パルス光を射出する。各レーザＬｚａ、Ｌｚｂ，Ｌｚｃから射出されるパルス光は、それぞれ対応するアッテネータ（可変減光器）２ａ，２ｂ，２ｃ及び光路結合用のビームスプリッタＢａ，Ｂｂ，Ｂｃを介して同一光路上に導かれ、コリメートレンズ系４に供給される。
【００５２】
各レーザＬｚａ，Ｌｚｂ，ＬｚｃのＱスイッチの制御は、レーザ制御部１１０が備えるＱＳＷタイミング発生器により行われる。ＱＳＷタイミング発生器によって、各レーザＬｚａ，Ｌｚｂ，Ｌｚｃが同時にパルスを射出するようにすれば、これら３つのレーザ光を合成した大パワーを得ることができるとともに、各レーザＬｚａ，Ｌｚｂ，Ｌｚｃのパワーのバラツキを平均化することができるので、照明の均一性を向上することができる。なお、これらの３つのレーザＬｚａ，Ｌｚｂ，Ｌｚｃのパルスの射出タイミングを一致させることにより得られる大パワーのパルスの射出タイミングは、上述した実施の形態と同様に、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作が安定時間Ｂ中に行われることは上述した通りである。
【００５３】
また、Ｑスイッチレーザは、Ｑスイッチの作動を制御することにより、出力されるパルス光の周波数を微少な範囲で、ある程度調整することは可能であるが、そのレーザに効率のよい周波数が存在する。
【００５４】
しかしながら、本他の実施の形態によれば、例えば、レーザＬｚａ，Ｌｚｂ，Ｌｚｃがパルス光の周波数が約１０ｋＨｚで効率のよいものであり、ＤＭＤ８のマイクロミラー８ａの動作の周波数が３０ｋＨｚと高速動作が可能な場合には、３つのレーザＬｚａ、Ｌｚｂ，Ｌｚｃによるパルスの射出を順次ずらして行うことにより、パルス光の周波数を３０ｋＨｚとすることができるので、ＤＭＤ８の動作タイミングにパルスの射出タイミングを同期させることができる。なお、このようにパルスの射出時期をずらして全体として高い周波数のパルス光を生成する場合には、アッテネータ２ａ，２ｂ，２ｃをそれぞれ調整することにより、各レーザＬｚａ，Ｌｚｂ，Ｌｚｃからのパルス光の出力を互いに揃えることが望ましい。
【００５５】
レーザの数は、ここでは３個としたが、２個でも、４個以上でもよく、その組み合わせ方も任意である。例えば、レーザを６個として、そのうちの２個ずつを１つのグループとして同時にパルスを射出するようにし、各グループ毎にパルスの射出時期をずらすことにより、全体として、レーザ出力を大きくし、且つパルス光の周波数を高くすることが可能である。なお、照明の均一性を目的とする場合には、一つのレーザを複数に分岐させた後に再合成したり、アッテネータに代えて、２次元に光学的に透過率が補正されたフィルタを設置してもよい。
【００５６】
なお、上述した説明では、可変成形マスク（ＤＭＤ）の動作状態に合わせて、可動ミラーが動作後安定状態にあるときに、１回のパルス照射を行うものとして説明したが、安定状態の一定期間内に複数回、即ち２回以上のパルス照射を行うようにしてもよい。
【００５７】
また、可変成形マスク（ＤＭＤ）の各可動ミラーの制御は、基本的にオン／オフの２値制御であるが、オン／オフの動作をスキャン速度との関係で十分高速に行うとともに、オン／オフの時間比率（所定時間内に可変成形マスクを透過させたり、反射させたりする光の比率）を変えることで、中間階調（グレースケール）のパターン像を形成することが可能である。この場合においても、所望の階調が得られるように高速動作中の各安定状態に合わせて光（パルス）を照射する。オン／オフの時間比率との関係で、各安定状態にあるときに照射するパルスの幅、エネルギ密度、数を変化させることにより、更に中間階調を調整することも可能である。
【００５８】
また、可変成形マスクの動作状態に合わせて、光源から射出される光の照射を行う方法として、光の照射の所定時間前にあらかじめ可変成形マルクを動作させて、動作状態を確認後光を照射するように制御してもよい。本実施の形態では、ＤＭＤ８として、オン時に投影光学系ＰＬ１の方向へ反射させるものを用いたが、その逆に、オフ時に投影光学系ＰＬ１の方向へ反射させるものを用いてもよい。
【００５９】
上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、投影光学系を用いて可変成形マスクにより形成された転写用のパターンを感光基板（プレート）に露光転写する露光工程を行い、さらに露光転写されたパターンを現像する現像工程を行うことにより、マイクロデバイス（液晶表示素子、半導体素子、撮像素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて感光基板としてのプレート等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図１６のフローチャートを参照して説明する。
【００６０】
まず、図１６のステップＳ１０１において、１ロットのプレート上に金属膜が蒸着される。次のステップＳ１０２において、その１ロットのプレート上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップＳ１０３において、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて、可変成形マスクにより形成されたパターンの像が投影光学系を介して、その１ロットのプレート上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップＳ１０４において、その１ロットのプレート上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップＳ１０５において、その１ロットのプレート上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、可変成形マスクにより形成されたパターンに対応する回路パターンが、各プレート上に形成される。
【００６１】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、光源のエネルギ利用効率が高いので、半導体デバイスを低コストで生産性良く製造することができる。なお、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０５では、プレート上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、プレート上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００６２】
また、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図１７のフローチャートを参照して、このときの手法の一例につき説明する。まず、図１７において、パターン形成工程Ｓ２０１では、上述の各実施の形態にかかる走査型露光装置を用いて可変成形マスクにより形成されたパターンを感光基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィ工程によって、感光基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルタ形成工程Ｓ２０２へ移行する。
【００６３】
次に、カラーフィルタ形成工程Ｓ２０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルタの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルタを形成する。そして、カラーフィルタ形成工程Ｓ２０２の後に、セル組み立て工程Ｓ２０３が実行される。セル組み立て工程Ｓ２０３では、例えば、パターン形成工程Ｓ２０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルタ形成工程Ｓ２０２にて得られたカラーフィルタとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。
【００６４】
その後、モジュール組み立て工程Ｓ２０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、光源のエネルギ利用効率が高いので、液晶表示素子を低コストで生産性良く製造することができるようになる。
【００６５】
なお、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施の形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる走査型露光装置の概略構成を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態にかかる露光光学ユニットの構成を示す図である。
【図３】本発明の実施の形態にかかるＤＭＤの構成を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズアレイ及び点像視野絞りの一部の構成を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態にかかる点像視野絞りの駆動系の構成を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態にかかる隣接する光学系の配置を説明するための図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかる隣接する光学系の他の配置を説明するための図である。
【図８】本発明の実施の形態にかかる投影光学系の構成を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態にかかるプレート上における各投影光学系による投影領域を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施の形態にかかる点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームがプレート上に到達する位置を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施の形態にかかる点像視野絞りの各開口部を通過した光ビームがプレート上に到達する位置を説明するための図である。
【図１２】本発明の実施の形態にかかるＤＭＤのマイクロミラーの挙動を示す図である。
【図１３】従来の連続光源を用いた場合の不具合を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施の形態にかかるパルスの照射タイミングとミラーの動作タイミングを説明するための図である。
【図１５】本発明の他の実施の形態にかかる露光光学ユニットの構成を示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての半導体デバイスの製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の実施の形態にかかるマイクロデバイスとしての液晶表示素子の製造方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００６７】
ＬＳ…光源、ＱＳＷ…Ｑスイッチ、Ｌ１〜Ｌ１３…露光光学ユニット、ＰＬ１〜ＰＬ１３…投影光学系、Ｐ…プレート、ＰＳＴ…プレートステージ、２…アッテネータ、４…コリメート光学系、８…ＤＭＤ、８ａ…マイクロミラー、１６…マイクロレンズアレイ、１８…点像視野絞り、１００…メイン制御装置、１１０…レーザ制御部、１３０…ＤＭＤ駆動部、１５０…ミラー位置検出器、１５１…位置検出用光源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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