(57)【要約】      （修正有）【課題】はんだ流れによるモジュール変位を防止可能なパワー半導体モジュール実装構造を提供すること。【解決手段】パワー半導体モジュール１は、放熱金属板１１と、一側面から突出する５本のリード１２a〜１２eと、他側面から突出する５本のリード１３a〜１３eと、パワー半導体チップ１４と、角形の樹脂モールド部１５とを有している。リード１２ａ〜１２ｅとリード１３ａ〜１３ｅとは、モジュール１の互いに平行な２つの側面から個別に点対称状態にて突出し、バスバー２、３にはんだ接合されている。放熱金属板１１もバスバー２にハンダ接合されている。ほぼ等しい熱容量をもつリード１２ａ〜１２ｄ、１３ａ〜１３ｄはほぼ同時に溶融はんだに接触することになり、溶融はんだによるリード１２ａ〜１２ｄ、１３ａ〜１３ｄのバランスがとれるため、溶融はんだによるリード引っ張り力によるモジュール１の変位を防止することができる。【選択図】図１
2008118035.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面に露出する良熱伝導性の放熱金属板と、側面から突出する複数のリードと、前記リードに接続される電極部を有して前記放熱板に熱伝達良好に配置されたパワー半導体チップと、前記放熱金属板、リード及び前記パワー半導体チップを一体化するとともに前記パワー半導体チップを封止する角形の樹脂モールド部とを有するパワー半導体モジュールと、
前記パワー半導体モジュールの前記放熱金属板、及び、前記各リードがはんだ接合される複数のバスバーが配列されてなるバスバー群と、
を備え、
前記各リードのはんだ接合部は、前記放熱金属板の略中央部を中心点として点対称に配置されていることを特徴とするパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項２】
請求項１記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記各リードは、
前記バスバーのはんだ接合部に向けて湾曲した後、前記バスバーから離れる向きに湾曲した波形の先端部形状を有するパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項３】
請求項２記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記各リードは、
前記バスバーから離れる向きに湾曲した後、再び前記バスバーに接近する向きに湾曲し、
前記各リードの先端は、
前記バスバーのはんだ接合部にはんだ接合される部分、及び、前記放熱金属板よりも前記バスバーに突出して前記バスバーの上面にはんだ接合されることなく当接しているパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項４】
請求項１記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記リードは、
前記バスバーのはんだ接合部に形成された貫通孔又は凹部に向けて湾曲し、
前期各リードの先端は、
前記バスバーのはんだ接合部にはんだ接合される部分、及び、前記放熱金属板よりも前記バスバーに向けて突出して前記貫通孔又は凹部に挿入されるパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項５】
請求項４記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記各リードは、
前記貫通孔を貫通しているパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項６】
請求項１記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記リードの少なくとも一個は、
前記樹脂モールド部の側面から３方に突出するパワー半導体モジュール実装構造。
【請求項７】
請求項１記載のパワー半導体モジュール実装構造において、
前記パワー半導体チップの主電極部は、
主電極部接続用の前記リードである主電極リードと、モニタ配線用の前記リードであるモニタリードとに個別に接続されているパワー半導体モジュール実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体モジュール実装構造に関し、詳しくは銅やアルミを素材として成形したバスバー配線に実装されるパワー半導体モジュール実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーダイオード、パワートランジスタなどが形成されたパワー半導体チップを内蔵する従来のパワー半導体モジュールは、底面に露出する良熱伝導性の放熱金属板と、側面から突出する複数のリードと、各リードに接続される電極部を有して放熱板に熱伝達良好に配置されたパワー半導体チップと、これらを一体化しパワー半導体チップを封止する角形の樹脂モールド部とを有しており、各リードは、パワー半導体チップの一対の主電極部に個別に少なくとも接続される。以下、このリードを主電極リードとも言う。その他、パワートランジスタチップの場合には、パワー半導体チップの制御電極部に接続されるリードも設けられる。以下、このリードを制御電極リードとも言う。この種のパワー半導体モジュールが、下記の特許文献１に記載されている。
【０００３】
従来のパワー半導体モジュールでは、これら主電極リードや制御電極は、モジュールの一側面から平行に突出していた。以下、この形式のパワー半導体モジュールを一側面リード取り出し方式とも言う。この一側面リード取り出し方式では、主電極リードや制御電極リードをリード突出側の配線基板に実装することが容易となる。その他、これらのリードをモジュールの複数の側面を利用して個別に取り出すことも考えられる。その他、パワー半導体モジュールの樹脂モールド部の底面と上面とに主電極板をそれぞれ露出させたパワー半導体モジュールが知られている。以下、このパワー半導体モジュールをカード型モジュールとも言う。このパワー半導体モジュールを一対のバスバーにより弾性力により挟圧するパワー半導体モジュール実装構造も知られている。
【０００４】
近年のパワー半導体モジュール実装構造の簡素化、コンパクト化、コストダウンを図るため、パワー半導体モジュールをバスバー、たとえばその一つの主電極リードに接続されるバスバーにはんだ接合する実装構造が提案されている。以下、このパワー半導体モジュール実装構造をバスバー実装構造とも称する。このバスバー実装構造を採用すれば、所定パターンに配列された各バスバー上に多数のパワー半導体モジュールをはんだ接合し、各パワー半導体モジュールのリードを隣接バスバーなどにはんだ接合することにより、三相インバータ装置などの複雑なパワー電子回路装置をバスバーとパワー半導体モジュールにより実質的に実現でき、コンパクトかつ放熱性能に優れたパワー電子回路装置を実現することができる。
【特許文献１】特表２００４−５３４３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者らは、上記一側面リード取り出し方式のパワー半導体モジュールを用いて上記したバスバー実装構造を製作すると、はんだ接合後にパワー半導体モジュールの反リード側の位置がずれたり、バスバーから浮き上がるという問題が生じることを見出した。また、樹脂モールド部の複数の側面からリードをそれぞれ取り出す構造のパワー半導体モジュールにおいても同様の問題が生じることを見出した。
【０００６】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、はんだ接合時におけるバスバー上のパワー半導体モジュールの変位を良好に抑止可能なパワー半導体モジュール実装構造を提供することをその目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する本発明のパワー半導体モジュール実装構造は、底面に露出する良熱伝導性の放熱金属板と、側面から突出する複数のリードと、前記リードに接続される電極部を有して前記放熱板に熱伝達良好に配置されたパワー半導体チップと、前記放熱金属板、リード及び前記パワー半導体チップを一体化するとともに前記パワー半導体チップを封止する角形の樹脂モールド部とを有するパワー半導体モジュールと、前記パワー半導体モジュールの前記放熱金属板、及び、前記各リードがはんだ接合される複数のバスバーが配列されてなるバスバー群とを備え、前記パワー半導体モジュールの複数のリード端子のはんだ接合部が、前記放熱金属板の略中央部を中心点として点対称に配置されていることを、その特徴としている。
【０００８】
すなわち、この発明のパワー半導体モジュールは、各リードが樹脂モールド部の底面に露出する放熱金属板の露出面の中央部を基準点として点対称配置（１８０度回転対称配置）されている。試験によれば、このリード配置を採用することにより、上記したはんだ接合時のパワー半導体モジュールの変位、特に回動的変位やバスバーからの浮き上がりをほぼ根絶できることが判明した。
【０００９】
以下、この問題を更に詳しく説明する。
【００１０】
まず、はんだ接合後に一側面リード取り出し方式のパワー半導体モジュールの反リード側が回動的変位やバスバーから浮き上がる理由について、本発明者の検討結果を以下に説明する。
【００１１】
この種のモジュールをバスバーにはんだにより面的接合するには、パワー半導体モジュール側のリード及び放熱金属板とバスバーとの一方にクリームはんだを塗布した後、リフロー炉などで一括溶融し、炉外に出すなどして冷却して接合させるのが通常である。
【００１２】
クリームはんだの溶融において、リード側の配線よりも、反リード側の配線の方が太いため、溶融したはんだの濡れ現象が反リード側の方が発生し易い、このときリード側を支点にして部品が回転する。また、バスバーから浮き上がる理由としては、リードは放熱金属板よりも熱容量が小さいため、モジュール底面の放熱金属板が溶融はんだの表面張力を介してバスバーに結合されるより早く、リードのはんだが溶融する。はんだは溶融するとその濡れ現象により各リードの周囲に集まる。このリード周囲に集まった溶融はんだ液はリードを全体として下方すなわちバスバー側に引っ張ることになる。この時、放熱金属板のはんだは上記したようにまだ凝固していないため、放熱金属板の下の溶融はんだが放熱金属板各部を均一に強く下方に引っ張る力はまだ発生していない。その結果、モジュールのリード側の側面は沈み込み、反リード側の側面は逆に浮き上がる。したがって、その後、放熱金属板のはんだが溶融しても、それが、リード側に移動したりしてモールドの底面全面を均一厚さのハンダによりバスバーに接合することができなくなる。この問題は、程度は小さいものの、モジュールの複数の側面からリードを取り出すパワー半導体モジュールにおいても観察された。
【００１３】
本発明者らは、パワー半導体モジュールのバスバー実装における上記不具合と、上記したその理由の発見とに鑑み、パワー半導体モジュールのリードを放熱金属板の中心点を基準として略点対称配置として試験を行った。なお、ここで言う略点対称配置とは、完全な点対称配置に対して１０％未満の角度公差を許容する範囲を言うものとする。
【００１４】
その結果、上記したモジュールの回動的変位やバスバー上面よりのパワー半導体モジュールの浮き上がり現象を根絶することができることを発見した。本発明者らはその理由を次のように考えている。熱容量が同程度とされ、点対称配置された２つのリードは、ほぼ同時に溶融し、モジュールを放熱金属板の中心の両側で同時にバスバー側に引っ張る。したがって、この時に２つのリードに作用するモーメントは、方向がほぼ反対で大きさがほぼ等しくなり、互いに相殺される。他の点対称配置されたリードペアについても同じ現象が生じる。これにより、リードのはんだが放熱金属板のはんだより早期に凝固しても問題なく、正常な姿勢にてパワー半導体モジュールをバスバーに一括はんだ接合することができ、実装歩留まりを改善することができる。
【００１５】
なお、互いに点対称配置された一対の前記リードの一方は、前記パワー半導体モジュールの一対の主電極部の一方に接続され、互いに点対称配置された一対の前記リードの他方は、前記パワー半導体モジュールの一対の主電極部の他方に接続されることが好適であるが、それに限定されるものではない。
【００１６】
好適な態様において、前記各リードは、前記バスバーのはんだ接合部に向けて湾曲した後、前記バスバーから離れる向きに湾曲した波形の先端部形状を有する。この態様のリード先端部形状を採用すると、従来のリードの先端部形状に比べて、リードのはんだ接合部への溶融はんだの集まりが良くなり、またその接合性が改善される。その上、目視検査も容易となる。
【００１７】
更に説明すると、従来のパワー半導体モジュールのリードは、モジュール（樹脂モールド部）側面から横方向に出た後、はんだ接合部に向けて下方に湾曲し、はんだ接合部近傍にてハンダ接合部の上面に接触しつつ横方向に延在している。このため、はんだ接合部とリードとの間の隙間がほとんどなく、この部位のはんだの集まり具合の視認が簡単ではない。
【００１８】
これに対して、この態様では、はんだ接合部に向けて湾曲し、はんだ接合部に接触した後、はんだ接合部から離れる向きに湾曲する。このため、はんだ接合部とリードとの間の隙間が確保でき、この隙間に溶融はんだを集めることができ、はんだ接合状態の視認が容易となる。
【００１９】
好適な態様において、前記各リードは、前記バスバーから離れる向きに湾曲した後、再び前記バスバーに接近する向きに湾曲し、前記各リードの先端は、前記バスバーのはんだ接合部にはんだ接合される部分、及び、前記放熱金属板よりも前記バスバーに突出して前記バスバーの上面にはんだ接合されることなく当接している。なお、好適には、各バスバーは、モジュールを挟んでその両側に設けられる。
【００２０】
このようにすれば、はんだ溶融前にパワー半導体モジュールはバスバー上面に各リードの先端により支持されることになる。この部位にははんだが塗布されていないため、各リードの温度上昇に時間差が生じたりしたとしても、各リードの先端がハンダを介することなくバスバーに当接しているため、これらリード先端が溶融はんだにより特定方向へ変位することがなく、モジュールの姿勢を安定に保持することができる。また、放熱金属板及びリードのはんだ接合部の溶融はんだがその表面張力（濡れ性）や搬送動作により移動しても、それにより、パワー半導体モジュールがバスバーに対して相対変位するのを抑止することができる。
【００２１】
好適な態様において、前記リードは、前記バスバーのはんだ接合部に形成された貫通孔又は凹部に向けて湾曲し、前期各リードの先端は、前記バスバーのはんだ接合部にはんだ接合される部分、及び、前記放熱金属板よりも前記バスバーに向けて突出して前記貫通孔又は凹部に挿入される。この態様のリード形状を採用すると、バスバー上の貫通穴、もしくはくぼみに挿入された前記リードにて、モジュールの位置が支持されるため、溶融はんだにより特定方向へ変位することがなく、モジュールの姿勢を安定に保持することができる。また、前記バスバー上の貫通穴、もしくはくぼみのはんだの視認により、はんだ接合状態の確認が容易となる。
【００２２】
好適な態様において、前記各リードは、前記貫通孔を貫通している。このようにすると、はんだ接合前のバスバーとリードとの結合性を一層確実とすることができる。
【００２３】
好適な態様において、前記リードの少なくとも一個は、前記樹脂モールド部の側面から３方に突出する。このようにすれば、このリードに接続するべきバスバーの位置設計の自由度が向上する。なお、このリードの３方に突出した部分それぞれを共通のバスバーに接続することも可能であり、この場合には、リードの電気抵抗を低減することができる。
【００２４】
好適な態様において、前記パワー半導体チップの主電極部は、主電極部接続用の前記リードである主電極リードと、モニタ配線用の前記リードであるモニタリードとに個別に接続されている。このようにすれば、樹脂モールド部から出た主電極リードに接続されるバスバーと、モニタ用のバスバー（モニター用の信号線でもよい）とを分離できるため、主電極リードに接続されるバスバーに重畳したノイズがモニタリードに流れ込むのを抑止することができる。モニター用の信号線の配線、接続も容易となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明のパワー半導体モジュールのバスバー実装構造の好適実施形態を図面を参照して説明する。
【００２６】
（実施形態１）
実施形態１を図１を参照して説明する。図１（a）は、この実施例のパワー半導体モジュール実装構造の側面図、図１（ｂ）はその平面図である。
【００２７】
このパワー半導体モジュール実装構造は、パワー半導体モジュール１と、バスバー２、３とを有している。４は電気絶縁樹脂シート、５は冷却用金属基板を兼ねる筐体の底面部、６ははんだである。
【００２８】
パワー半導体モジュール（以下、単にモジュールとも言う）１は、モジュール１底面に露出する良熱伝導性の放熱金属板１１と、モジュール１の一側面から突出する５本のリード１２a〜１２eと、モジュール１の他側面から突出する５本のリード１３a〜１３eと、パワー半導体チップ１４と、パワー半導体チップを封止する角形の樹脂モールド部１５とを有している。リード１２ａ〜１２ｅとリード１３ａ〜１３ｅとは、モジュール１の互いに平行な２つの側面から個別に突出している。
【００２９】
パワー半導体チップ１４は、パワートランジスタ又はパワーダイオードなどの大電力用半導体素子を有して放熱金属板１１の上面にたとえばはんだ接合されている。なお、パワー半導体チップ１４を電気絶縁可能に放熱金属板１１の上面に固定してもよい。
【００３０】
この実施形態では、説明を簡単とするために、パワー半導体チップ１４には、パワーダイオードが形成されているものとし、パワーダイオードの一対の主電極部であるアノード領域とカソード領域とはパワー半導体チップ１４の表面部に形成されているものとする。もちろん、パワー半導体チップ１４の一方の主電極部をパワー半導体チップ１４の底面側に設けてもよい。この場合には、放熱金属板１１上に電気絶縁可能にこの底面側の主電極部に接合されるリードを設けても良い。
【００３１】
この実施形態では、リード１２ａ〜１２ｅはパワー半導体チップ１４の表面のアノード領域にワイヤボンディングされ、リード１３ａ〜１３ｅはパワー半導体チップ１４の表面のカソード領域にワイヤボンディングされているものとする。
【００３２】
バスバー２、３は、良熱伝導性の電気絶縁樹脂シート４を介して冷却用金属基板を兼ねる筐体の底面部５にたとえばねじにより固定されている。モジュール１は、放熱金属板１１をバスバー２の上面にはんだ接合することにより固定されている。リード１２ａ〜１２ｅはバスバー２にはんだ接合され、リード１３ａ〜１３ｅはバスバー３によりはんだ接合されている。
【００３３】
この実施形態のパワー半導体モジュール実装構造の特徴は、モジュール１のリード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの各はんだ接合部が放熱金属板１１の略中心の点Ｐを基準点として回転対称位置に配置されている点にある。
【００３４】
次に、このモジュール１の製造方法を説明する。
【００３５】
治具の上面に図１の状態で配置されたバスバー２、３のはんだ接合部にクリームはんだを塗り、その上に図１の状態でモジュール１を載せ、はんだリフロー炉にて所定温度、所定時間加熱してクリームはんだを溶融させ、その後、炉外にて所定の温度低下率で徐冷し、バスバー２と放熱金属板１１及びリード１２ａ〜１２ｅとを接合し、バスバー３とリード１３ａ〜１３ｅとを接合する。
【００３６】
この実施形態によれば、リード１２ａ〜１２ｅ、リード１３ａ〜１３ｅが点対称（回転対称）配置をもつため、既述したようにはんだ溶融時間差によりモジュール１が変位することを良好に防止できる。
【００３７】
（実施形態２）
実施形態２を図２を参照して説明する。図２は、この実施形態のパワー半導体モジュール実装構造の側面図である。このパワー半導体モジュール実装構造は、図１に示すパワー半導体モジュール実装構造において、リード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの形状を変更した点をその特徴としている。
【００３８】
更に詳しく説明する。
【００３９】
銅製のリード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅは、バスバー２、３のはんだ接合部２１、３１に向けて湾曲した後、バスバー２、３から離れる向きに湾曲した第１波形部１００と、この第１波形部１００から再びバスバー２、３に接近する向きに湾曲する第２波形部１０１とをもち、リード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの先端は、第１波形部１００のバスバー２、３側の面、及び、放熱金属板１１の下面よりもバスバー２、３側に突出して、バスバー２、３の上面に当接している。
【００４０】
これにより、第１波形部１００とバスバー２、３の上面との間には僅かな隙間が形成され、放熱金属板１１の下面とバスバー２の上面との間にも僅かな隙間が形成されることになる。なお、これらの隙間の大きさは、これら隙間近傍にてバスバー２、３の上面に塗布されたクリームはんだが溶融した場合に、第１波形部１００や放熱金属板１１の下面が濡れることができる程度とされる。
【００４１】
このようにすれば、リード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの部分のはんだが溶融する際において、各リード１２ａ〜１２ｅ、１３ａ〜１３ｅの先端がバスバー２、３に当接しているため、溶融時間差や溶融はんだの移動によりモジュール１が移動するのを規制することができる。
【００４２】
そのうえ、波形部１００や放熱金属板１１の下方には溶融はんだが集まって厚く形成されるため従来より目視検査が容易となり、かつ、はんだ接合も確実となる。
【００４３】
（実施形態３）
実施形態３を図３を参照して説明する。このパワー半導体モジュール実装構造は、図３に示すように、バスバー側の貫通孔を導入した点をその特徴としている。
【００４４】
さらに詳しく説明する。
【００４５】
銅製のリード１６、１７は、バスバー２、３の貫通穴（はんだ接続部を兼ねる）１１０、１１１に向けて湾曲している。また、リード１６、１７の先端は、バスバー２、３側の面、及び、放熱金属板１１の下面よりもバスバー２、３側に突出して、貫通穴に挿入されている。これにより、リード１６、１７によりモジュール１は支持されため、溶融時間差や溶融はんだの移動によりモジュール１が移動するのを規制することができる。そのうえ、貫通穴１１０、１１１のはんだ形状を確認することにより、はんだ接合の目視検査が容易となる。
【００４６】
（実施形態４）
実施形態4を図4を参照して説明する。図4（a）はこの実施例のパワー半導体モジュール実装構造のAA線矢視断面図、図4（b）はその側面図である。このパワー半導体モジュール実装構造は、図１に示すパワー半導体モジュール実装構造において、リード形状を変更した点に主な特徴を有する。
【００４７】
以下、更に説明する。
【００４８】
パワー半導体チップ１４は、パワーダイオードであって、その上面にはアノード電極部が形成され、また、チップ底面はカソード電極部を構成している。
【００４９】
モジュール１は、主電極リード１２０、１３０を有する。主電極リード１２０と主電極リード１３０とはパワー半導体チップ１４を挟んで両側に配置されている。主電極リード１２０は３つの外部突出部分（外部リード部とも言う）１２１、１２２、１２３をもち、主電極リード１３０も３つの外部突出部分（外部リード部とも言う）１３１、１３２、１３３をもつ。主電極リード１２０、１３０の３つの外部リード部は、図４に示すように樹脂モールド部１５の３つの側面からそれぞれ独立に突出している。外部リード部１２１と外部リード部１３１とは樹脂モールド部１５の同一側面から突出し、外部リード部１２３と外部リード部１３３とは樹脂モールド部１５の同一側面から突出している。主電極リード１２０はパワー半導体チップ１４の上面のアノード電極部にワイヤボンディングされ、主電極リード１３０はパワー半導体チップ１４の底面のカソード電極部にはんだ接合されている。
【００５０】
このようにすれば、主電極リード１２０にはんだ接合するべきバスバーの配置自由度、及び、主電極リード１３０にはんだ接合するべきバスバーの配置自由度を向上することができる。すなわち、これらバスバーは、外部リード部１２１〜１２３又は１３１〜１３３のどれに接続してもよい。また、バスバー配置が可能であれば、同一のバスバーの２乃至すべての外部リード部にバスバーをはんだ接合して、電気抵抗を減らすようにしてもよい。なお、図４において、主電極リード１２０、１３０の他に制御電極リードやモニタ用リードなどを追加配置し、これらを別のバスバーなどに接続してもよいことはもちろんである。
【００５１】
（実施形態５）
実施形態5を図5を参照して説明する。図5はこの実施形態のパワー半導体モジュール実装構造の横断面図である。このパワー半導体モジュール実装構造は、図４に示すパワー半導体モジュール実装構造において、リード構造及びリードとパワー半導体チップ１４との接続構造を変更した点に主な特徴を有する。
【００５２】
以下、更に説明する。
【００５３】
パワー半導体チップ１４は、パワーダイオードであって、その上面にはアノード電極部１４１が形成され、また、チップ底面はカソード電極部を構成している。図５では、図示されていないが、カソード電極部は、図１に示すごとき放熱金属板１１にはんだ接続されてこの放熱金属板１１を通じてバスバーにはんだ接続されている。
【００５４】
パワー半導体チップ１４は、リード１２ａ〜１２ｄ、１３ａ〜１３ｄをもち、リード１２ａ〜１２ｄ、１３ａ〜１３ｄは既述した点対称配置されている。
【００５５】
パワー半導体チップ１４の上面に形成されたアノード電極部１４１の大部分の領域は、Cuリボンと呼ばれる所定厚さの銅箔板２００にはんだ付けされている。また、銅箔板２００は、リード１２ａ〜１２ｄにはんだ接合されている。アノード電極部１４１の残った小領域は、リード１３ａ〜１３ｄにボンディングワイヤ２０１により接続されている。
【００５６】
リード１２ａ〜１２ｄは、図略の大電力用バスバーにはんだ接合され、リード１３ａ〜１３ｄは、図示省略された細幅のモニター用バスバーにはんだ接合されている。なお、このモニター用バスバーとは、アノード電極部１４１の電位を検出して図示しない制御装置に出力するためのものである。
【００５７】
このようにすれば、パワー半導体チップ１４内にてその共通電極部分（ここではアノード電極部１４１）に、電力用バスバーに接続するリード１２ａ〜１２ｄと、モニター用バスバーに接続するリード１３ａ〜１３ｄとを別々に設けてあるため、従来のようにモジュール１の外部にて電力用バスバーからモニター用バスバーを分離する必要がない。
【００５８】
このため、上記バスバー分岐の場合に問題となる電力用バスバー重畳ノイズがモニター用バスバー（信号線でもよい）に流れ込むのを抑止することができる他、モニター用バスバーがモジュール１の近傍にて分岐された複雑な形状の電力用バスバーをモジュール１の近傍に配置する必要が無いので、モニターの精度向上、およびバスバーの製造、配列が容易となる。
【００５９】
（変形態様）
上記実施形態では、バスバー２、３上におけるはんだ流れ規制のためのグリーンシートを使用しなかったが、使用してもよいことはもちろんである。また、電気絶縁シート４は、既成の薄い良熱伝導性樹脂シートの他、樹脂塗布などの手法により形成してもよい。パワー半導体モジュール１内に複数の半導体チップを配置できることも当然である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】実施形態１を説明する説明図であり、図１（a）はパワー半導体モジュール実装構造の側面図、図１（ｂ）はその平面図である。
【図２】実施形態２のパワー半導体モジュール実装構造を示す側面図である。
【図３】実施形態３のパワー半導体モジュール実装構造を示す図である。
【図４】実施形態４を説明する説明図であり、図４（a）はパワー半導体モジュール実装構造のAA線矢視断面図、図4（ｂ）はその側面図である。
【図５】実施形態５のパワー半導体モジュール実装構造を示す横断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１      パワー半導体モジュール（モジュール）
２      バスバー
３      バスバー
４      電気絶縁シート
５      筐体の底面部
６      はんだ
１１      放熱金属板
１２a〜１２e      リード
１３a〜１３e      リード
１４      パワー半導体チップ
１５      樹脂モールド部
１６      リード
１７      リード
２１      はんだ接合部
３１      はんだ接合部
１００      第１波形部
１０１      第２波形部
１１０      貫通穴、兼はんだ接合部
１１１      貫通穴、兼はんだ接合部
１２０      主電極リード
１２１〜１２３      外部リード部
１３０      主電極リード
１３１〜１３３      外部リード部
１４１      アノード電極部
２００      銅箔板
２０１      ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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