Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷装置の機能制限情報を含むアクセス制限情報に基づいて印刷ジョブの実行の可否を判断する印刷装置に対してクライアント端末が送信するための前記アクセス制限情報を作成する制限情報作成装置であって、
要求元のクライアント端末から受信したユーザ情報で特定されるユーザに対して直接的に割り当てられている機能制限情報と、間接的に割り当てられている機能制限情報とを、制限情報管理サーバから取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した機能制限情報を合成したアクセス制限情報を作成する合成手段と、
前記合成手段で作成したアクセス制限情報を、前記クライアント端末へ送信する送信手段と
を備えることを特徴とする制限情報作成装置。
【請求項２】
前記合成手段は、前記機能制限情報の項目毎に、前記取得手段で取得した機能制限情報のうちで最も制約の小さい値を設定したアクセス制限情報を作成することを特徴とする請求項１に記載の制限情報作成装置。
【請求項３】
前記合成手段は、前記機能制限情報の項目毎に、前記取得手段で取得した機能制限情報のうちで最も制約の大きい値を設定したアクセス制限情報を作成することを特徴とする請求項１に記載の制限情報作成装置。
【請求項４】
前記ユーザに間接的に割り当てられている機能制限情報には、前記ユーザが直接的または間接的に所属しているグループに割り当てられている機能制限情報が含まれることを特徴とする請求項１に記載の制限情報作成装置。
【請求項５】
前記ユーザに明示的に割り当てられた機能制限情報がない場合、既定の機能制限情報を、前記ユーザに直接的に割り当てられた機能制限情報とすることを特徴とする請求項１の制限情報作成装置。
【請求項６】
印刷装置の機能制限情報を含むアクセス制限情報に基づいて印刷ジョブの実行の可否を判断する印刷装置に対してクライアント端末が送信するための前記アクセス制限情報を作成する制限情報作成装置において、
要求元のクライアント端末から受信したユーザ情報で特定されるユーザに対して直接的に割り当てられている機能制限情報と、間接的に割り当てられている機能制限情報とを、制限情報管理サーバから取得する取得ステップと、
前記取得ステップで取得した機能制限情報を合成したアクセス制限情報を作成する合成ステップと、
前記合成ステップで作成したアクセス制限情報を、前記クライアント端末へ送信する送信ステップと
を有することを特徴とする制限情報作成方法。
【請求項７】
印刷装置の機能制限情報を含むアクセス制限情報に基づいて印刷ジョブの実行の可否を判断する印刷装置に対してクライアント端末が送信するための前記アクセス制限情報を作成するためのプログラムであって、
要求元のクライアント端末から受信したユーザ情報で特定されるユーザに対して直接的に割り当てられている機能制限情報と、間接的に割り当てられている機能制限情報とを、制限情報管理サーバから取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した機能制限情報を合成したアクセス制限情報を作成する合成手段と、
前記合成手段で作成したアクセス制限情報を、前記クライアント端末へ送信する送信手段と
してコンピュータを機能させるためのプログラム。
【請求項８】
印刷装置の機能制限情報を含むアクセス制限情報に基づいて印刷ジョブの実行の可否を判断する印刷装置と、
前記印刷装置に対して前記アクセス制限情報を送信するクライアント端末と、
ユーザあるいはグループが割り当てられた役割ごとに対応する機能制限情報を保存する制限情報管理サーバと、
制限情報作成装置とを具備し、
前記制限情報作成装置は、
前記クライアント端末から受信したユーザ情報で特定されるユーザに直接的に割り当てられている役割に対応する機能制限情報と、該ユーザに間接的に割り当てられている役割に対応する機能制限情報とを、制限情報管理サーバから取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した機能制限情報を合成したアクセス制限情報を作成する合成手段と、
前記合成手段で作成したアクセス制限情報を、前記クライアント端末へ送信する送信手段と
を備えることを特徴とする機能制限付き印刷システム。
【請求項９】
クライアント端末と、制限情報管理サーバと、ユーザあるいはグループが割り当てられた役割ごとに対応する機能制限情報を保存する制限情報作成装置と、印刷装置とを有する機能制限付き印刷システムにおいて、
前記クライアント端末が、前記制限情報作成装置に対して、ユーザＩＤとともにアクセス制限情報の作成要求を送信する要求工程と、
前記制限情報作成装置が、前記クライアント端末から受信したユーザＩＤで特定されるユーザに直接的に割り当てられている役割に対応する機能制限情報と、該ユーザに間接的に割り当てられている役割に対応する機能制限情報とを、制限情報管理サーバから取得する取得工程と、
前記制限情報作成装置が、前記取得工程で取得した機能制限情報を合成したアクセス制限情報を作成する合成工程と、
前記制限情報作成装置が、前記合成工程で作成したアクセス制限情報を、前記クライアント端末へ送信する送信工程と
前クライアント端末が、前記印刷装置に対して印刷ジョブとともに前記アクセス制限情報を送信する送信工程と、
印刷装置が、印刷装置の機能制限情報を含むアクセス制限情報に基づいて印刷ジョブの実行の可否を判断する判断工程と
を備えることを特徴とする印刷認証方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３色の信号灯を縦に配置して構成し、従来の高い位置に信号灯を設置してある信号機支柱の低い位置に設置したことを特徴とする細長式信号機。
【請求項２】
前記３色の信号灯を縦に細長い形の枠に嵌め込んで構成したことを特徴とする、請求項１に記載の細長式信号機。
【請求項３】
前記３色の信号灯のそれぞれを角形としたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の細長式信号機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】本発明の細長式信号機は、３色の信号灯を縦に配置して構成し、この信号機を従来の信号灯を設置してある信号機支柱の低い位置に設置することを特徴とする。
また、３色の信号灯は縦に細長い形の枠に嵌め込んで構成する。
また、３色の信号灯のそれぞれを角形とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】（比較例３）実施例１と同様の被処理物を用い、同様の前処理をした後、電解浴として混酸浴（遊離硫酸１２０ｇ／Ｌ、遊離シュウ酸１０ｇ／Ｌ、溶存アルミニウム４ｇ／Ｌ）を用い、浴温５℃、直流電流密度１．２Ａ／ｄｍ２で３０分電解処理し、流水振動法にて１０分水洗後、封孔なしにて低温乾燥した。皮膜厚さは１０±１μｍ、塩水噴霧試験３６０時間Ｒ．Ｎ．９．８以上あった。純水中に６０℃、３６０時間浸漬後横河電機（株）製の導電率計ＳＣ８２にて計測したところ、１３．３μＳ／ｃｍ／１８ｃｍ２であった。
（実施例６）アルミニウム合金（Ａ６０６１、片側面積２５ｃｍ２）を脱脂、エッチング、脱スマット後、第一電解；硫酸浴（遊離硫酸濃度１３０ｇ／Ｌ、溶存アルミニウム濃度５ｇ／Ｌ、浴温２１℃、電圧１４Ｖ、）で被処理材を陽極に、対極としてカーボンを陰極に直流電解を３０分間行った後、超音波にて５分洗浄、更に被処理材を陰極に、対極としてカーボンを陽極とする逆電洗浄法（１０±０．５Ｖ，ケイフッ化ソーダ７ｇ／Ｌ，１５℃、５分）を行い、更に超音波にて５分洗浄後沸騰水仮封孔（８０℃、５分）、蒸気封孔（０．５ＭＰａ、１５分）を行い、ＮＧＫキルンテック（株）社製インフラスタインＢヒーター使用のバッチ形遠赤外炉で遠赤外線を１５分照射封孔し、乾燥した。皮膜厚さは１０±１μｍ、塩水噴霧試験３６０時間でＲ．Ｎ．９．８以上あった。純度１μＳ／ｃｍの純水５００ｍｌ中に６０℃、３６０時間浸漬後横河電機（株）製の導電率計ＳＣ８２にて計測したところ、２．８μＳ／ｃｍ／１８ｃｍ２であった。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
杯細胞の過形成を抑制するためのロキソプロフェンを含有する医薬組成物。
【請求項２】
鎮咳去痰のためのロキソプロフェンを含有する医薬組成物。
【請求項３】
杯細胞の過形成の抑制と鎮咳去痰とを同時に行うためのロキソプロフェンを含有する医薬組成物。
【請求項４】
フドステインを含有する請求項１乃至請求項３から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ロキソプロフェンがロキソプロフェンナトリウムである請求項１乃至請求項４から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ロキソプロフェンがロキソプロフェンナトリウム・２水和物である請求項１乃至請求項４から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
感冒剤として用いるための請求項１乃至請求項６から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
急性又は慢性気管支炎の治療に用いるための請求項１乃至請求項６から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
慢性気道疾患患者における急性呼吸器感染症の治療に用いるための請求項１乃至請求項６から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
ロキソプロフェンを含有する医薬組成物とフドステインを含有する医薬組成物とからなるキットである請求項４乃至請求項９から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ロキソプロフェンとフドステインとの配合剤である請求項４乃至請求項９から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物の製造方法。
【請求項１２】
感冒剤を製造するための請求項４乃至請求項９から選ばれるいずれか１項に記載の医薬組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項２】
ＣｕＫα線を用いて測定された２θ：9.7、14.6、16.3、35.8および39.5での特異的なピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項１に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項３】
２θ：12.4、12.9、18.1、31.1または40.8での少なくとも１つの追加のピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項２に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項４】
２θ：9.7、10.2、11.6、12.0、12.4、12.9、14.6、15.3、15.9、16.3、18.1、18.7、1
9.3、19.9、20.5、22.1、23.1、23.7、24.4、25.5、26.5、27.5、28.1、29.4、31.1、31.
5、32.9、34.4、35.8、36.6、37.8、39.5および40.8での特異的なピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項１に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項５】
２θ：11.1、13.7、17.6、27.0および33.2での特異的なピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項１に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項６】
２θ：14.1、17.0、17.6、19.0、20.0および23.8での少なくとも１つの追加のピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項５に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項７】
２θ：10.5、11.1、12.0、13.0、13.7、14.1、15.0、15.2、16.4、17.0、17.6、18.7、
19.0、19.5、20.0、20.5、21.2、22.4、23.2、23.8、24.6、25.7、26.2、27.0、27.9、28.6、29.5、30.4、31.6、32.3、33.2、33.8、35.2、36.5および37.4での特異的なピークを伴うＸ線粉末回析パターンを有する、請求項１に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート塩、および製薬的に受容できる担体を含む、医薬組成物。
【請求項９】
哺乳類の中枢神経系の障害を治療するための、請求項１〜７のいずれか１項に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート塩を含む医薬組成物。
【請求項１０】
中枢神経系の障害が、大うつ病、シングルエピソードうつ病、再発性うつ病、児童虐待誘発性うつ病、産後うつ病、気分変調、循環気質、双極性障害、統合失調症、分裂情動性障害、妄想性障害、物質誘発性精神異常、短期の精神障害、境界性精神障害、全身性の医学的症状に起因する精神障害、分裂病様障害、自閉症、共有性発達障害、注意欠陥過活動性障害（ADHD）、全般性不安障害、パニック障害、強迫性障害、外傷後ストレス障害、ならびに、社会恐怖症、広場恐怖症、および特定の恐怖症のような恐怖症からなる群から選択される、請求項９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
障害が統合失調症または双極性障害である、請求項１０記載の医薬組成物。
【請求項１２】
哺乳類がヒトである、請求項１１記載の医薬組成物。
【請求項１３】
結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェートが請求項２〜４のいずれか１項に記載の結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェート塩である、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
リン酸を溶媒中の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オンの溶液に加えることを含む、結晶型の７−［４−（４−ナフタレン−１−イル−ピペラジン−１−イル）−ブトキシ］−３，４−ジヒドロ−１Ｈ−［１，８］ナフチリジン−２−オン・モノホスフェートの製造方法。
【請求項１５】
溶媒がエタノール、アセトニトリル、またはアセトニトリルと水の混合物である、請求項１４記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
（実施例２、参考例１）
ゼラチンを粒子上に吸着したニッケル化合物粒子を不活性ガス雰囲気下に加熱処理して、ニッケルの金属化する際のゼラチン吸着量の影響を検証した。
ゼラチン吸着処理で用いたゼラチン水溶液の濃度を変えて、ゼラチンを吸着した水酸化ニッケル粒子のゼラチン吸着量を、１．６、４．４、又は７．９重量％に変化させたこと、及びゼラチンを吸着した水酸化ニッケル粒子の加熱処理において、加熱最高温度を、３００〜４５０℃の間で変化させたこと以外は実施例１と同様に行ない、ゼラチンを粒子上に吸着したニッケル化合物粒子を調製した。次に、各試料のＴＧＡによる重量減少曲線を得て、それぞれ加熱処理後の微粒子のニッケル１モル当たりの酸素モル数を表すモル数基準での酸素含有量を求めた。結果を図３に示す。図３は、ゼラチン吸着量を１．６、４．４、又は７．９重量％に変化させた場合のゼラチンを吸着した水酸化ニッケル粒子の加熱最高温度と加熱処理後の微粒子のモル数基準での酸素含有量の関係を表す（実施例２）。なお、参考例として、実施例１と同様の手順で合成した水酸化ニッケル粒子を用いてゼラチン処理を行なわないで加熱処理したときの関係も示す（参考例１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
（実施例３）
実施例２で得られた粒子上にゼラチン処理を施した水酸化ニッケル粒子（ゼラチン吸着量：１．６、４．４、又は７．９重量％）を窒素ガス中で加熱処理して得られた微粒子を用いて、ＴＧＡ装置（Ｐｅｒｋｉｎ  Ｅｌｍｅｒ製）で水素ガスによる還元処理を行ない、得られた微粒ニッケル粉末の酸素含有量を求めた。なお、還元は、水素濃度５容量％の水素―窒素混合ガス下、温度１９０℃で時間１５０分間で行なわれた。結果を図４に示す。図４は、ゼラチン吸着量が１．６、４．４、又は７．９重量％における、窒素ガス中加熱処理での最高加熱温度と水素／窒素混合ガス下での還元で得られた微粒ニッケル粉末のニッケル１モル当たりの酸素モル数を表すモル数基準での酸素含有量の関係を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月1日(2009.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここでシリカの粒径とプラズマ重量減少においても相関がみられ、粒径が細かいほうが優位であるものの、上記した耐熱性にすぐれるシアノ基含有パーフルオロエラストマーへの使用にあっては、使用される加硫剤との相溶性が悪いため、加硫後製品表面に析出物が出るといった不具合を生ずる。従って、上記特許文献４記載の発明において、フッ素系エラストマーとしてシアノ基含有パーフルオロエラストマーを用いた場合には、プラズマ重量減少と加硫剤の相溶性とのバランスを満足させるといったことが困難であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
架橋剤(B)としては、下記一般式［Ｉ］〜［IV］で表わされる化合物のいずれかが含フッ素エラストマー100重量部当り0.1〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部の割合で用いられる。
2007126568.tif 000001
R1：炭素数1〜6のアルキリデン基、炭素数1〜10のパーフルオロアルキリデン基、
-SO2-基、-O-基、-C(=O)-基または２つのベンゼン環を直接結合させる炭素−
炭素結合
X：水酸基またはアミノ基
2007126568.tif 000002
n：1〜10の整数
2007126568.tif 000003
R2：H、NH2
n：1〜10の整数
好ましい化合物〔III〕は、次の化合物である。
2007126568.tif 000004
2007126568.tif 000005
2007126568.tif 000006
R3：H、OH
R4：H、NH2
好ましい化合物〔IV〕は、次の化合物である。
2007126568.tif 000007
2007126568.tif 000008
2007126568.tif 000009
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例１
下記共重合組成を有する含フッ素エラストマーA
テトラフルオロエチレン                              68.4モル％
パーフルオロ(メチルビニルエーテル)                  30.5モル％
パーフルオロ(2-シアノ-3,7-ジオキサ-8-ノネン)         1.1モル％
ポリマームーニー粘度＠121℃                       80pts
100重量部に対して、前記架橋剤〔I〕としての2,2-ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン1.4重量部、一次粒径7nmのシリカ(デグサ製品AEROSIL 300V)15重量部および一次粒径12nmのシリカ(同社製品AEROSIL 200V)5重量部を、２本ロールミルを用いて40〜60℃で混練してコンパウンドを得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
実施例２
実施例１において、含フッ素エラストマーAの代わりに、下記共重合組成を有する含フッ素エラストマーB
テトラフルオロエチレン                              71.5モル％
パーフルオロ(メチルビニルエーテル)                  27.7モル％
パーフルオロ(1-シアノ-6-オキサ-7-オクテン)           0.8モル％
ポリマームーニー粘度＠121℃                         90pts 
が同量用いられ、また前記架橋剤〔II〕としての2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロヘキサンジアミドキシム1重量部がさらに用いられた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
比較例６
比較例１において、含フッ素エラストマーAの代わりに、実施例２記載の含フッ素エラストマーBが同量用いられ、また前記架橋剤〔II〕としての2,2,3,3,4,4,5,5−オクタフルオロヘキサンジアミドキシム1重量部がさらに用いられた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
アプリケーションプログラムの解析によりアクセス頻度が高いと推定されたデータがアクセス頻度が低いデータよりデータ処理装置とのデータ伝送距離が短いメモリの物理アドレスに割り付けられる
請求項１記載の集積装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
本メモリアクセスシステム１Ａは、図１０に示すように、データ処理装置２Ａ、メモリバンク(マクロ)３Ａ−０〜３Ａ−３を含むメモリ（マクロ）３Ａ、メモリインタフェース（ＭＩ／Ｆ）４、データコントローラ５、外部インタフェース（Ｉ／Ｆ）６、およびバス７を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
本システム１Ａにおいて、メモリ３Ａへのデータロード、ストアは、ＤＭＡ等のデータコントローラ５で実行される。
演算器を含むデータ処理装置２Ａは、メモリ３Ａ上のデータを、メモリインタフェース４を介して読み出して演算し、演算結果をメモリインタフェース４を介してメモリ３Ａに書き戻す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
この場合、データ処理装置２Ａとの距離の関係（配線長）は、メモリバンク３Ａ−０が最も近く、メモリバンク３Ａ−１が２番目に近く、メモリバンク３Ａ−２が３番目に近く、メモリバンク３Ａ−３が最も遠い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
この例は、２５６要素の配列Ａ，Ｂ，Ｃをそれぞれ以下のような回数をもってリード(読み出し)、ライト(書き込み)を行う場合である。
すなわち、配列Ａをデータ処理装置２−１で２００回、配列Ｂをデータ処理装置２−０で６５回、配列Ｃをデータ処理装置２−０で５回、データ処理装置２−１で２回、リード(読み出し)、ライト(書き込み)を行う場合である。
本実施形態においては、メモリアドレスと消費電力が相関関係を持つようにレイアウトされることから、データ処理装置２−１でアクセス回数が２００回と多い配列Ａが、メモリバンク３Ｂ−３にアロケーション（配置）される。また、たとえばアクセス回数がデータ処理装置２−１で２回と少ない配列データＣがメモリバンク３Ｂ−２にアロケーション（配置）される。
また、データ処理装置２−０でアクセス回数が６５回と多い配列Ｂがメモリバンク３Ａ−０にアロケーション（配置）され、アクセス回数がデータ処理装置２−０で５回と少ない配列データＣがメモリバンク３Ｂ−１にアロケーション（配置）される。
これにより、低消費電力化が図られている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月4日(2009.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空状態を有する基板移送チャンバーと、
真空状態の基板移送チャンバー内部の直線状の駆動トラックと、
直線状の駆動トラック上に乗るサポート機構と、
サポート機構に連結されたサポートアームと、
チャンバーの壁部を介して真空外部から作用し、サポートアームに直線及び回転動作をもたらす駆動機構と、を備える基板処理システム。
【請求項２】
前記駆動機構が、サポート機構に配置された磁気ヘッドと、前記壁部の外側に配置されたドライバを有する、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記基板処理システムは、真空外部に配置された外側レールをさらに備え、前記ドライバは該外側レール上に乗っている、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記基板処理システムは、回転モータをさらに備え、該回転モータによって前記回転動作が行われる、請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記基板処理システムは、
前記直線状の駆動トラック上に乗る第２のサポート機構と、
前記第２のサポート機構に連結された第２のサポートアームと、
チャンバーの壁部を介して真空外部から作用し、前記第２のサポートに直線及び回転動作をもたらす第２の駆動機構と、をさらに備える請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記サポートアームは互い接触することなく上下に通過するようそれぞれ配置されている、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記サポートアームは互いに接近して通過可能である、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記サポート機構は前記直線状の駆動トラック上に独立して乗っており、各アームは互いに独立して移動及び作動する、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項９】
前記直線状の駆動トラックは直線状のレールを有し、前記サポートアームは該直線状のレールに沿って移動する、請求項５に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
ロードロックと、
前記ロードロックに連結され、真空状態を有する基板移送チャンバーと、
真空状態の基板移送チャンバー内部の直線状の駆動トラックと、
前記直線状の駆動トラック上に乗る第１及び第２のサポート機構と、
前記第１及び第２のサポート機構に連結された第１及び第２のサポートアームと、
チャンバーの壁部を介して真空外部から作用し、各サポートアームに直線及び回転動作をもたらす磁気連結器と、を備える基板処理システム。
【請求項１１】
前記磁気連結器は、前記サポート機構上に配置された磁気ヘッドと、真空壁部の外側に配置されたドライバとを有する、請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
前記基板処理システムは、真空の外側に位置する外側レールをさらに備え、該外側レール上に前記ドライバが乗っている、請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板処理システムは、回転モータをさらに備え、該回転モータによって前記回転動作が行われる、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１４】
前記サポートアームは互い接触することなく上下に通過するようそれぞれ配置されている、請求項１３に記載の基板処理システム。
【請求項１５】
前記サポートアームは互いに接近して通過可能である、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１６】
前記サポート機構は前記直線状の駆動トラック上に独立して乗っており、各アームは互いに独立して移動及び作動する、請求項１２に記載の基板処理システム。
【請求項１７】
前記直線状の駆動トラックは直線状のレールを有し、前記サポートアームは該直線状のレールに沿って移動する、請求項１０に記載の基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、
基板と、
前記基板上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層と、該III族窒化物系化合物半導体層の最上層上に形成されたドレイン電極と、ソース電極と、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の前記III族窒化物系化合物半導体層に形成されるチャネルを有した高電子移動度トランジスタを構成する定電流素子層と、
前記定電流素子層のチャネル以外の領域の最上層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部と、
を有し、 
前記発光部のｎ電極と前記ドレイン電極とが共通化されている
ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
高電子移動度トランジスタはノーマリオン型のトランジスタであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間には、ゲート電極が存在しないことを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記定電流素子層の最上層上には、ドレイン電極とソース電極との間に、ゲート電極を有することを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
ダイオードである前記発光部を５個以上有し、
４つの端子点Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄに対し、ＡＢ間、ＢＤ間、ＤＣ間、ＣＢ間、ＤＡ間に、各々１個の前記発光部が接続されるか、又は複数個の前記発光部が直列接続されており、
Ａ点が高電位でＣ点が低電位である場合にＡＢ間、ＢＤ間、ＤＣ間の前記発光部が全て順方向の直列接続を形成し、
Ｃ点が高電位でＡ点が低電位である場合にＣＢ間、ＢＤ間、ＤＡ間の前記発光部が全て順方向の直列接続を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部を有するIII族窒化物系化合物半導体発光素子において、基板と、基板上に積層されたIII族窒化物系化合物半導体層と、該III族窒化物系化合物半導体層の最上層上に形成されたドレイン電極と、ソース電極と、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間の前記III族窒化物系化合物半導体層に形成されるチャネルを有した高電子移動度トランジスタを構成する定電流素子層と、定電流素子層のチャネル以外の領域の最上層上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体の積層構造から成る発光部と、を有し、発光部のｎ電極と前記ドレイン電極とが共通化されていることを特徴とする。
また、請求項２に係る発明は、請求項１の発明において、高電子移動度トランジスタはノーマリオン型のトランジスタであって、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間には、ゲート電極が存在しないことを特徴とする。
また、請求項３の発明は、請求項１の発明において、定電流素子層の最上層上には、ドレイン電極とソース電極との間に、ゲート電極を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信チャンネル及びパイロットチャンネルを含む通信システム内で受信された送信の信号対雑音比を決定する方法であって、第１の時間間隔にわたって該送信の信号対干渉比を測定し、第２の時間間隔にわたって該送信の雑音対干渉比を測定し、そして該測定された信号対干渉比を該測定された雑音対干渉比で割ることを含む方法。
【請求項２】
第１の時間間隔にわたって該送信の前記信号対干渉比を測定することは、１フレームにわたって信号対干渉比を測定することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１の時間間隔にわたって該送信の前記信号対干渉比を測定することは、フレームの一部を含む時間間隔にわたって信号対干渉比を測定することを含み、通信チャンネル信号送信利得に対するパイロット信号送信利得の比は一定である請求項１記載の方法。
【請求項４】
第１の時間間隔にわたって該送信の前記信号対干渉比を測定することは、第1のファクターでスケーリングされた信号対干渉比を決定し、そして該第１のファクターを除去することを含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記第１のファクターでスケーリングされた信号対干渉比を決定することは、データを得るために該通信チャネルを通して受信された該信号を復号し、シンボルを得るために該データを符号化し、そして該通信チャンネルを通して受信された前記信号と該シンボルとの間の第１のドット積を計算することを含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
該第１のファクターを除去することは、パイロットチャンネルを通して受信された信号の第２のドット積を計算し、そして該第１のドット積を該第２のドット積により割ることを含む請求項５記載の方法。
【請求項７】
第２の時間間隔にわたって該送信の雑音対干渉比を測定することは、パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記該パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分することは、該パイロットチャンネルを通して受信された該信号を反転し、前記反転された信号をシフトし、そして該パイロットチャンネルを通して受信された該信号と前記シフトされた信号とを合計する請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記該パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分することは、該パイロットチャンネルを通して受信された信号をディカバーし、そして前記ディカバーされた信号を第２の予め定められた時間量にわたって積分することを含む請求項７記載の方法。
【請求項１０】
該第１の予め定められた時間量内のシンボルの数によって信号対ノイズ比を割ることをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項１１】
通信チャンネル及びパイロットチャンネルを含む通信システム内で受信された送信の信号対雑音比を決定する装置であって、第１の時間間隔にわたって該送信の信号対干渉比を測定する手段、第２の時間間隔にわたって該送信の雑音対干渉比を測定する手段、そして該測定された送信対干渉比を該測定された雑音対干渉比で割る手段を含む装置。
【請求項１２】
第１の時間間隔にわたって前記該送信の信号対干渉比を測定する手段は、１フレームにわたって信号対干渉比を測定する手段を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
第１の時間間隔にわたって該送信の信号対干渉比を測定する前記手段は、フレームの一部を含む時間間隔にわたって信号対干渉比を測定する手段を含み、通信チャンネル信号送信利得に対するパイロット信号送信利得の比は一定である請求項１１記載の装置。
【請求項１４】
所定の時間間隔にわたって前記該信号対干渉比を測定する手段は、第１のファクターでスケーリングされた信号対干渉比を決定する手段を含み、そして該第１のファクターを除去する手段を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
前記第1のファクターでスケーリングされた信号対干渉比を決定する手段は、通信リンクを通る信号を受信する受信機、前記受信機と通信するように結合され、データを得るために該通信チャネルを通して受信された前記信号を復号するように構成された復号器、前記復号器と通信するように結合され、シンボルを得るために該データを符号化するように構成された符号器、そして前記符号器および前記受信機と通信するように結合され、該通信チャンネルを通して受信された該信号と該シンボルとの間の第１のドット積を計算するように構成されたプロセッサとを含む請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
該第１のファクターを除去する前記手段は、通信リンクを通して信号を受信する受信機と、前記受信機と通信するように結合され、パイロットチャンネルを通して受信された信号の第２のドット積を計算し、そして該第１のドット積を該第２のドット積により割るように構成されたプロセッサを含む請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
該パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分する前記手段は、該パイロットチャンネルを通して受信された該信号を反転する手段、前記反転された信号をシフトする手段、および該パイロットチャンネルを通して受信された該信号と前記シフトされた信号を合計する手段とを含む請求項１６記載の装置。
【請求項１８】
第２の時間間隔にわたって前記送信の雑音対干渉比を測定する手段は、パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分する手段を含む請求項１１記載の装置。
【請求項１９】
該パイロットチャンネルを通して受信された信号を微分する前記手段は、該パイロットチャンネルを通して受信された信号をディカバーする手段、そして第２の予め定められた時間量にわたって前記ディカバーされた信号を積分する手段を含む請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
該第１の予め定められた時間量内のシンボルの数によって信号対ノイズ比を割る手段をさらに含む請求項１１記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュール
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールに関し、特に太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルの裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルの裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルを接続するための太陽電池用サブストレートであって、複数の孔が形成された絶縁体と、孔を介して絶縁体の太陽電池セル配置面と反対側に太陽電池セルの電極と電気的に接続するための導電体とを含む太陽電池用サブストレートである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、上記の太陽電池用サブストレートの太陽電池セル配置面に半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが配置されており、太陽電池セルのｐ電極およびｎ電極が絶縁体の導電体と電気的に接続されている太陽電池モジュールである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが接続された太陽電池用サブストレートが透明樹脂を用いて封止されており、単一の太陽電池用サブストレートに太陽電池セルが縦方向および横方向のいずれの方向にも複数配置されている太陽電池モジュールである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明は、半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが接続された太陽電池用サブストレートが透明樹脂を用いて封止されており、太陽電池セルが一方向に複数配置された単一の太陽電池用サブストレートが一方向とは直交する方向に複数配置されている太陽電池モジュールである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルの裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールを提供することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明によれば太陽電池モジュールを構成する太陽電池セルの裏面の面積が大きくなった場合でも出力の低下を有効に抑止することができる太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールを提供することができることから、本発明は裏面接合型の太陽電池セルを複数電気的に接続した太陽電池用サブストレートおよび太陽電池モジュールに好適に利用することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルを接続するための太陽電池用サブストレートであって、
複数の孔が形成された絶縁体と、
前記孔を介して前記絶縁体の太陽電池セル配置面と反対側に太陽電池セルの電極と電気的に接続するための導電体と、を含む、太陽電池用サブストレート。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池用サブストレートの前記太陽電池セル配置面に半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが配置されており、
前記太陽電池セルの前記ｐ電極および前記ｎ電極が前記絶縁体の前記導電体と電気的に接続されている、太陽電池モジュール。
【請求項３】
半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが接続された太陽電池用サブストレートが透明樹脂を用いて封止されており、
単一の前記太陽電池用サブストレートに前記太陽電池セルが縦方向および横方向のいずれの方向にも複数配置されている、太陽電池モジュール。
【請求項４】
半導体基板の一方の面側にｐ電極とｎ電極とが形成された太陽電池セルが接続された太陽電池用サブストレートが透明樹脂を用いて封止されており、
前記太陽電池セルが一方向に複数配置された単一の前記太陽電池用サブストレートが前記一方向とは直交する方向に複数配置されている、太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁性抵抗効果素子の製造方法において、
最上層にＴａ層、上から２番目にＲｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｉｒ（イリジウム）、及びＲｅ（レニウム）のいずれか１つの金属からなる保護層を設けた磁性多層膜を形成し、
レジストパターンを用いて前記Ｔａ層をエッチングして、Ｔａのハードマスクを形成した後、
該Ｔａのハードマスクを用いて、前記保護層及びこの保護層より下側の層をエッチングし、該エッチングと共に又は該エッチングの後に、前記Ｔａのハードマスクを除去して前記保護層を最上層として露出させることを特徴とする磁性抵抗効果素子の製造方法。
【請求項２】
前記Ｔａのハードマスクを用いたエッチングを、酸素原子を含むエッチングガスを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の磁性抵抗効果素子の製造方法。
【請求項３】
前記酸素原子を含むエッチングガスが、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガス、又は水酸基を少なくとも１つ含むアルコール系のガスであることを特徴とする請求項２に記載の磁性抵抗効果素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第１の磁気抵抗効果素子の製造方法（請求項１に対応）は、少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁性抵抗効果素子の製造方法において、
最上層にＴａ層、上から２番目にＲｕ（ルテニウム）、Ｒｈ（ロジウム）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｉｒ（イリジウム）、及びＲｅ（レニウム）のいずれか１つの金属からなる保護層を設けた磁性多層膜を形成し、
レジストパターンを用いて前記Ｔａ層をエッチングして、Ｔａのハードマスクを形成した後、
該Ｔａのハードマスクを用いて、前記保護層及びこの保護層より下側の層をエッチングし、該エッチングと共に又は該エッチングの後に、前記Ｔａのハードマスクを除去して前記保護層を最上層として露出させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第２の磁気抵抗効果素子の製造方法（請求項２に対応）は、前記Ｔａのハードマスクを用いたエッチングを、酸素原子を含むエッチングガスを用いて行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第３の磁気効果抵抗素子の製造方法（請求項３に対応）は、前記酸素原子を含むエッチングガスが、一酸化炭素と含窒素化合物の混合ガス、又は水酸基を少なくとも１つ含むアルコール系のガスであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
機器に装着される容器本体内に、液体収容部と、前記機器側の液体噴射部に接続される液体供給部と、前記液体収容部に貯留した液体を前記液体供給部に誘導する液体誘導路と、前記液体収容部内の液体の消費に伴って外部から大気を前記液体収容部内に導入する大気連通孔と、を備える大気開放タイプの液体収容体であって、
前記液体誘導路に流入した気体を検出することで前記液体収容部の液体の有無を検出するセンサが、前記液体誘導路の途中に設けられ、
液体の流れを約９０度ずつ方向変換する複数の方向変換部を有し液体に混入した気泡を捕捉する気泡トラップ流路が、前記センサによる検出位置と前記液体収容部との間の前記液体誘導路に設けられていることを特徴とする液体収容体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決することのできる本発明に係る液体収容体は、機器に装着される容器本体内に、液体収容部と、前記機器側の液体噴射部に接続される液体供給部と、前記液体収容部に貯留した液体を前記液体供給部に誘導する液体誘導路と、前記液体収容部内の液体の消費に伴って外部から大気を前記液体収容部内に導入する大気連通孔と、を備える大気開放タイプの液体収容体であって、前記液体誘導路に流入した気体を検出することで前記液体収容部の液体の有無を検出するセンサが、前記液体誘導路の途中に設けられ、液体の流れを約９０度ずつ方向変換する複数の方向変換部を有し液体に混入した気泡を捕捉する気泡トラップ流路が、前記センサによる検出位置と前記液体収容部との間の前記液体誘導路に設けられていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物モルに関し無水物ベースとして表される、ＸＯ２：ｍＹ２Ｏ３の一般式（式中、Ｘはケイ素、スズおよびチタンから選択される１以上の４価元素を示し、Ｙはアルミニウム、ホウ素、鉄、インジウムおよびガリウムから選択される少なくとも１種の３価元素を示し、ｍはＹ２Ｏ３のモル数を示し、ここで、ｍは０〜３００である）によって定義される化学組成を有し、
か焼された形態で、ｄｈｋｌの値について下記のピークを含むＸ線回折図を有する、固体結晶ＣＯＫ−７。
【表１】
2006248892.tif 000001
【請求項２】
Ｘがケイ素であり、Ｙがアルミニウムである、請求項１に記載の固体結晶アルミノケイ酸塩性ＣＯＫ−７。
【請求項３】
１．６〜２．２の改変された束縛指数ＣＩ°を有し、ここで、ＣＩ°は、５％ｎ−デカン異性化での２−メチルＣ９の５−メチルＣ９異性体に対する比に相当する、請求項２に記載の固体結晶アルミノケイ酸塩性ＣＯＫ−７。
【請求項４】
Ｘがケイ素である、請求項１または２に記載の固体結晶ケイ酸性ＣＯＫ−７。
【請求項５】
合成された時の状態の形態で、窒素含有有機テンプレートＲ、その分解生成物、またはその前駆体を含有する、請求項１〜４のいずれか１つに記載の固体結晶ＣＯＫ−７。
【請求項６】
有機テンプレートＲは、１〜２０の炭素原子を含む、請求項５に記載の固体結晶ＣＯＫ−７。
【請求項７】
Ｒは、アミン類からのテンプレートである、請求項５または６に記載の固体結晶ＣＯＫ−７。
【請求項８】
Ｒは、アルキルアミン、アルキルジアミン、アルキルトリアミン、アルキルテトラミン、ピロシジン、ピペリジン、アミノピペラジン、アルキルペンタミン、アルキルヘキサミンおよびそれらの誘導体から選択される、請求項７に記載の固体結晶ＣＯＫ−７。
【請求項９】
ゼオライト固体である、請求項１〜８のいずれか１つに記載の固体結晶ＣＯＫ−７。
【請求項１０】
固体結晶ＣＯＫ−７を製造する方法であって、
少なくとも１種の酸化物ＸＯ２源と、任意の少なくとも１種の酸化物ＹＯ２源と、少なくとも１種の窒素含有有機テンプレートＲとを含有する水性の混合物が反応させられ、該混合物は、好ましくは、下記のモル組成を有し：
ｍＸＯ２：ｎＹ２Ｏ３：ｐＨ２Ｏ：ｑＲ
・ｍ＝１０であり；
・ｎは０〜１０であり；
・ｐは０〜１６０であり；
・ｑは０．０５〜２０である；
ここで、Ｘはケイ素、スズおよびチタンから選択される１種以上の４価元素であり、Ｙはアルミニウム、鉄、ホウ素、インジウムおよびガリウムによって形成される群から選択される１種以上の３価元素である、方法。
【請求項１１】
Ｘはケイ素であり、Ｙはアルミニウムである、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
窒素含有有機テンプレートＲは、アミン類から選択される、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
窒素含有有機テンプレートＲは、アルキルアミン、アルキルジアミン、アルキルトリアミン、アルキルテトラミン、ピロリジン、ピペラジン、アミノピペラジン、アルキルペンタミン、アルキルヘキサミンおよびそれらの誘導体から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
水熱条件の下、自発の反応圧力下に、場合によっては、ガスを加えて、１００〜２００℃の温度に、固体ＣＯＫ−７の結晶が形成されるまで、攪拌しながらまたは攪拌することなく、ゲルが置かれる、請求項１０〜１３のいずれか１つに記載の製造方法。
【請求項１５】
固体結晶を含む種が混合物に加えられる、請求項１０〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
固体結晶は、固体ＣＯＫ−７の結晶である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
結晶種は、反応混合物において用いられる酸化物ＸＯ２の０．０１〜１０重量％の比率で加えられる、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
結晶化後に、冷水での急冷によって０〜１５℃の温度まで、１０分〜４時間の継続時間にわたりオートクレーブが冷却される、請求項１０〜１７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１９】
結晶化工程で得られる生成物は、
・固定を結晶化混合物から分離する工程；
・固体を洗浄する工程；および
・固体を乾燥させる工程
の少なくとも１つを経る、請求項１０〜１８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２０】
固体は、合成の最後にか焼工程を経る、請求項１０〜１９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２１】
か焼工程は、空気中または純粋な酸素（酸化媒質）中、３００〜８００℃の温度で行われる、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
ケイ素源および少なくとも１種のジアミンを含む水性の混合物が反応させられる、請求項１０〜２１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２３】
ジアミンは、ヘキサメチレンジアミンである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
ケイ素源および少なくとも１種のアミンを含む水性の混合物が水の存在下に反応させられる、請求項１０〜２１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２５】
アミンは、トリエチレンテトラミンである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
トリエチレンテトラミンおよびヘキシルアミンの混合物を含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１〜９のいずれかつに記載の固体または請求項１０〜２６のいずれか１つに記載の方法を用いて製造された固体の、精油および石油化学における炭化水素の変換のための使用。
【請求項２８】
炭化水素の水素化異性化のための請求項２７に記載の使用。
【請求項２９】
炭化水素の接触脱ろうのための請求項２７に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記本発明の固体結晶ＣＯＫ−７は、合成された時の状態の形態で、窒素含有有機テンプレートＲ、その分解生成物、またはその前駆体を含有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明の固体結晶ＣＯＫ−７が合成された時の形態で存在する、すなわち、合成から、かつ、当業者に周知のか焼および／またはイオン交換のためのあらゆる工程の前に直接的に得られる場合、該固体ＣＯＫ−７は、下記に記載されるように窒素含有有機テンプレート、それを分解した生成物、またはその前駆体を含む。