【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックスの製造方法であって、下記の工程：
(a)ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末を、950℃〜1050℃の温度で、1分間〜10分間、少なくとも50 MPaの圧力で、瞬間焼結させる工程であって、
前記ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末が共沈によって得られたものである工程、および
(b)こうして得られた前記材料を、800℃〜900℃の温度で、2時間〜24時間、空気雰囲気または酸化性雰囲気中で熱処理する工程
を含んでなる、製造方法。
【請求項２】
前記工程(a)を、温度1050℃で3分間行う、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
工程(a)における焼結温度に、室温で出発し、毎分50℃の昇温速度を使用して到達する、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記工程(b)を温度850℃で、2時間、空気雰囲気中で行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末が、式ＬａｘＢａ（１−ｘ）Ｔｉ（１−ｘ／４）Ｏ３に合致し、ｘ＝0.048である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記ランタンがドープされたチタン酸バリウム粉末が、
−  ＴｉＣｌ３およびＢａＣｌ２・2Ｈ２ＯをＬａＣｌ３・7Ｈ２Ｏで、シュウ酸のエタノール溶液の存在下で、5時間30分共沈させ、その後、
−  850℃でか焼すること
により得られる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法により得られる、ランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス。
【請求項８】
前記セラミックスの相対的誘電率の実数部が、1 kHz で100,000を超える、請求項７に記載のランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス。
【請求項９】
前記セラミックスの粒子径が150 nm未満である、請求項７または８に記載のランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス。
【請求項１０】
−100℃〜＋200℃の温度範囲で強誘電挙動が無い、請求項７〜９のいずれか一項に記載のランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックス。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか一項に記載のセラミックスを含む、コンデンサ。
【請求項１２】
前記コンデンサの静電容量が、1 kHz、室温、厚さ1.5 mmおよび表面積0.2 cm２で、少なくとも40 nFである、請求項１１に記載の単層コンデンサ。
【請求項１３】
前記コンデンサの単位体積あたりの静電容量が、厚さ1.5 mmに対して、耐容量約1 kV以上で、300 nF/cm３である、請求項１１に記載の単層コンデンサ。
【請求項１４】
請求項７〜１０のいずれか一項に記載のセラミックスの、集積受動素子を製造するための使用。
【請求項１５】
請求項７〜１０のいずれか一項に記載のセラミックスの、コンデンサを製造するための使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
この目的に、特にＢａＴｉＯ３を基材とするセラミックスの強誘電特性に影響を及ぼす重要なファクターを突き止めることに、多くの研究がなされている。例えば、これらのセラミックスの性能は、特定のパラメータ、例えばＢａＴｉＯ３粒子径または均質性、を制御することにより、改良できることが立証されている。ナノ−サイズのＢａＴｉＯ３を使用することにより、マイクロ−サイズのＢａＴｉＯ３から調製された材料と比較して、得られるセラミックスの相対的誘電率の実数部(real part)が著しく増加する(米国特許第6,905,649号)。製造方法も、得られる材料のパラメータに影響を及ぼす。従って、従来の焼結と比較して、幾つかの研究が、従来の技術を使用した場合に加熱の際に見られる過度の粒子成長を回避する、瞬間(flash)焼結技術(J. Mat. Sri., 36, 2001, 2329-2334)の利点を立証している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
セラミックス特性を改良するためのもう一つの手段は、使用する材料にドーピング元素を添加することである。ＢａＴｉＯ３の場合、ランタンが、特に相対的誘電率の実数部の値を増加することにより、およびCurie温度を下げることにより、得られるセラミックスの電気的特性および伝導特性に著しい影響を及ぼすことが分かっている。例えば、1 kHzおよびCurie温度で測定した誘電率は、約10,000である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
セラミックスの相対的誘電率の実数部をさらに増加するために、本出願者は、驚くべきことに、セラミックスの製造手順を適切に選択することにより、得られる材料の誘電性能が大きく改良されることを立証した。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の方法の第二工程は、マトリックスの汚染物から生じる痕跡量の炭素を除去するため、および試料の酸素含有量を再調節するために必要である。上記の具体的な熱処理条件は、この目的を達成するのみならず、得られるセラミックスの電気的特性にも影響を及ぼし、特にセラミックスに絶縁性を与える。この工程は、酸化性雰囲気中、または、その代わりに、空気雰囲気中で行う。この工程における、不均質分布につながると考えられる酸素の拡散により、最も重要なことに、相対的誘電率の実数部に対する、これまで観察されていない値が得られる。本発明の方法により得られるセラミックスは、相対的誘電率の実数部が100,000を超える。特に、この値は、1 kHzで測定して、広い範囲の温度にわたって270,000である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明は、上記の方法により得られるセラミックスにも関する。上記のように、これらの材料の誘電特性が改良される。これは、相対的誘電率の実数部の場合で、最も顕著であり、これまで観察されていない値に達している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
例えば、本発明は、相対的誘電率の実数部が、1 kHzで測定して、100,000を超えるランタンがドープされたチタン酸バリウムを基材とするセラミックスに関する。好ましい実施態様では、この値は、1 kHzで測定して、270,000である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明は、上記のようなセラミックスの、集積受動素子、特に単層または多層コンデンサ、を製造するための使用にも関する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
−相対的誘電率の実数部ε'ｒの測定
相対的誘電率の実数部および損失ファクターを測定するために、簡単なモデルを一般的に使用し、その際、誘電体を、表面Sおよび厚さeの有限寸法の完全静電容量および抵抗により代表される不完全コンデンサと比較する。これによって、
【数１】
2009534281.tif 000001
および
【数２】
2009534281.tif 000002
が得られ、式中、ε０は真空の誘電率であり、
ε'ｒは相対的誘電率の実数部であり、
ε”ｒは相対的誘電率の虚数部であり、
Ｒは抵抗値であり、
Ｃは静電容量値であり、
ωは、式ω＝２Πｆにより決定されるパルス周波数であり、式中、ｆは使用する信号周波数である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
結果
相対的誘電率の実数部の測定結果を図２Ａに示し、損失ファクターの測定結果を図２Ｂに示す。本発明のセラミックス製造方法の再現性は、図３に示す。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
相対的誘電率の実数部の測定値は、全ての温度にわたって、周波数1 Hz〜10の Hzで非常に高い。その上、これらの値は、試験した最初の3周波数に対して、事実上一定である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
【図１Ａ】本発明の組成Ｂａ０．９５２Ｌａ０．０４８Ｔｉ０．９８８Ｏ３を有する粉末のFEG-SEM顕微鏡写真である。
【図１Ｂ】本発明により得たセラミックスの表面のFEG-SEM顕微鏡写真である。
【図２Ａ】温度−100℃〜＋150℃、様々な周波数で測定した、相対的誘電率の実数部である。
【図２Ｂ】様々な周波数で測定した、損失ファクターと温度の関係を示す。
【図３】同じ条件下で、2種類の試料、ＡおよびＢ、に関して相対的誘電率の実数部を測定することによる、本発明の方法の再現性を示す。