(57)【要約】【課題】良好な発光特性が得られる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】隔壁は下層部と上層部とからなる２段構造である。前記下層部は、膜厚が５０ｎｍ以上で、かつ有機化合物層の膜厚よりも薄く、前記下層部の斜面と下部電極の平面とのなす角度は３５°以下である。前記上層部の膜厚は有機化合物層の膜厚よりも厚く、前記下層部と前記上層部とを合わせた隔壁の膜厚は７００ｎｍ以下で、前記上層部の上端と前記下層部の上端とを結ぶ線と、下部電極の平面とのなす角度は８５°乃至１００°となるように形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
2008210653.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に保持された有機化合物層と、前記下部電極の周縁に沿って形成された隔壁とを備えた有機ＥＬ素子において、
前記隔壁は下層部と上層部とからなる２段構造であり、
前記下層部は、膜厚が５０ｎｍ以上で、かつ前記有機化合物層の膜厚よりも薄く、前記下層部の斜面と前記下部電極の平面とのなす角度は３５°以下であり、
前記上層部の膜厚は前記有機化合物層の膜厚よりも厚く、前記下層部と前記上層部とを合わせた隔壁の膜厚は７００ｎｍ以下で、前記上層部の上端と前記下層部の上端とを結ぶ線と、前記下部電極の平面とのなす角度は８５°乃至１００°となるように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
有機化合物層は、低分子材料の有機化合物が真空蒸着法にて形成されてなることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、主に開発が進められている有機ＥＬ素子の構成は、陽極／発光層／陰極の積層を基本とし、ガラス板などを用いた基板上に透明陽極（下部電極）を形成し、発光を基板側から取り出すいわゆるボトムエミッション型である。また最近になって発光画素ごとに駆動用トランジスタを設けた方式（アクティブマトリックス方式）のパネルの検討が進んでいる。ところが基板側より光を取り出す場合、これらの駆動回路、配線部が光を遮るため、画素の開口率（素子内で実際に発光する部分の面積比）が小さくなるという問題がある。
【０００３】
そこで特許文献１、特許文献２で開示されているように、有機化合物層上の陰極（上部電極）を透明な電子注入金属層と非晶質透明導電性酸化物層とで形成し、陰極側から光を取り出すいわゆるトップエミッション型の素子構成が試みられている。このトップエミッション型の素子構成は、ＴＦＴ駆動回路基板の上に画素電極（陽極（下部電極））を形成し、さらに有機化合物層、透明陰極（上部電極）を設けるものである。光は陰極から取り出されるので、開口率の低下の問題は解決される。
【０００４】
ボトムエミッション型、トップエミッション型の素子ともに画素間を分離するための隔壁が形成された構成が一般的である。隔壁に求められる機能としては、画素間を分離し発光を分離すること、画素上に均一に高分子有機材料を塗布形成すること（高分子有機材料の有機ＥＬ素子）、上部電極と下部電極との間のショートを防止することが挙げられる。
【０００５】
上記機能を達成するための隔壁の構造について数多く提案されている。
【０００６】
特許文献３では、側面（テーパー部）を順テーパー形状とした２段構成の隔壁としている。基板と隔壁とのなす角度を下層部では１０°以上３０°以下、上層部では７０°以下として、下層部の隔壁の高さ（膜厚）を有機化合物層の膜厚よりも厚くすることにより、高分子有機材料の塗布均一性を向上する提案がされている。
【０００７】
特許文献４では段差を有した隔壁とし、隔壁の最上段の側面（テーパー部）を逆テーパー形状としている。又は最上段の側面（テーパー部）を順テーパー形状とし、他段の隔壁の側面（テーパー部）を順テーパー形状としている。スリットコート法により高分子有機材料を塗布したときに発生する塗布液が隔壁の裾部分に溜まることを防止する提案がされている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−１６２９５９号公報
【特許文献２】特開２００１−０４３９８０号公報
【特許文献３】特開２００６−４７４３号公報
【特許文献４】特開２００６−４８９８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献３及び特許文献４の構成では、隔壁のテーパー部の基板表面に対する水平方向の距離が大きいことから、テーパー部で発生する外光反射量が大きくパネルのコントラスト比が低下するという問題がある。
【００１０】
本発明は、良好な発光特性が得られる有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【００１１】
即ち隔壁を有する有機ＥＬ素子において隔壁の構造を規定することにより、下部電極と上部電極とのショートを防止するとともに、隔壁のテーパー部で発生する外光反射を防止し、コントラスト比の高い良好な発光特性を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機ＥＬ素子は、
基板の上に下部電極と、上部電極と、前記下部電極と前記上部電極との間に保持された有機化合物層と、前記下部電極の周縁に沿って形成された隔壁とを備えた有機ＥＬ素子において、
前記隔壁は下層部と上層部とからなる２段構造であり、
前記下層部は、膜厚が５０ｎｍ以上で、かつ前記有機化合物層の膜厚よりも薄く、前記下層部の斜面と前記下部電極の平面とのなす角度は３５°以下であり、
前記上層部の膜厚は前記有機化合物層の膜厚よりも厚く、前記下層部と前記上層部とを合わせた隔壁の膜厚は７００ｎｍ以下で、前記上層部の上端と前記下層部の上端とを結ぶ線と、前記下部電極の平面とのなす角度は８５°乃至１００°となるように形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、画素を分離している隔壁の下部電極に接する端部で発生する下部電極と上部電極とのショートを防止することができる。それと共に、隔壁のテーパー部より発生する外光反射を低減したコントラスト比の高い良好な発光特性を有する有機ＥＬ素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図１及び図２を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００１５】
図１は本発明にかかるトップエミッション型の有機ＥＬ素子の基本的な構成を示す断面図である。図２は隔壁の詳細の断面図である。
【００１６】
図１のトップミッション型の有機ＥＬ素子は、ガラス基板１上に薄膜トランジスタ２と、陽極である下部電極４と、陰極である上部電極７と、両者の間に保持された有機化合物層６とを有する。さらに、下部電極４の周縁部に沿って形成され画素を分離している隔壁５と、外気から素子を遮断する封止ガラス８とを有するいわゆるアクティブマトリクス型の有機ＥＬ素子である。
【００１７】
有機化合物層６は下部電極４から供給される正孔と上部電極７から供給される電子との再結合によって発光する発光層６２を含んでいる。さらに正孔輸送層６１、電子輸送層６３、電子注入層６４を含んでおり、これら各層を合計した有機化合物層６の膜厚は一般的には６０乃至１５０ｎｍ程度である。
【００１８】
封止ガラス８の内側には吸湿材９が配置されている。
【００１９】
本発明の特徴となる隔壁５について説明する。図２に示すように隔壁５は下層部５１と上層部５２からなる２段構造である。下層部５１の側面（（斜面）テーパー部）は順テーパー形状で、下層部５１の斜面と下部電極４の平面とのなす角度（テーパー角度）は３５°以下である。そして、下層部５１の膜厚は５０ｎｍ以上で、かつ有機化合物層６よりも薄い。実質的には５０乃至１４０ｎｍである。
【００２０】
上層部５２の膜厚は有機化合物層６の膜厚よりも厚く、下層部５１と上層部５２とを合わせた隔壁５の膜厚は７００ｎｍ以下である。そして、上層部５２の上端と下層部５１の上端とを結ぶ線と、下部電極４の平面とのなす角度（つまり上層部５２のテーパー角度）は８５°乃至１００°となるように形成されている。その結果、下層部５１と下部電極４の平面との平行な距離は実質的に７０ｎｍ乃至１７０ｎｍとなる。
【００２１】
このような構造とすることにより、隔壁５のシャドウ効果による下層部５１のテーパー部への着膜不良を防止するとともに、下部電極４と接する下層部５１のエッジ部（画素を分離している隔壁の下部電極４に接する端部）における段切れが発生しない。そのため、上部電極７の回りこみによる下部電極４と上部電極７とのショートを防止することができる。また、マスクの発光部への接触による傷が原因となるショート、非点灯欠陥の発生を防止することができる。そして、このような構造では隔壁５の高さ方向が異なる斜面の長さを小さくすることが可能であることから、隔壁５の斜面で発生する外光反射の発生を防止することができる。
【００２２】
隔壁５の材質としてはアクリル系、及びポリイミド等の樹脂材料、又はシリコン窒化膜、シリコン酸化膜等の無機材料を用いることができる。
【００２３】
隔壁５として樹脂系の材料を用いた場合の形成方法としては、下層部５１はポジ型の感光性樹脂をスピンコート法で塗布しプリベーク後、所定のパターンのフォトマスクを用いてＵＶ露光し現像した後、加熱硬化する。下層部５１のテーパー角度が３５°以下の形状とするためには、露光にマスクアライナーを用い、フォーカス条件をプラス側にデフォーカスして行うことにより得られる。
【００２４】
上層部５２はＵＶ吸収剤を混合したネガ型の感光材料をスピンコート法で塗布しプリベーク後、所定のパターンのフォトマスクを用いてＵＶ露光し現像する。その後、加熱硬化することによりテーパー角度が８５°乃至１００°と下部電極４の平面に対して略垂直な形状が得られる。
【００２５】
隔壁５として無機系の材料を用いた場合の形成方法としては、下層部５１はＣＶＤ法を用い成膜時に材料ガスの組成を可変して、膜の深さ方向に膜組成が連続的に異なるようにシリコン窒化膜を形成する。続いて前記シリコン窒化膜上に感光性のレジストをスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光する。露光後、現像し加熱硬化して所定のレジストパターンを形成する。続いてドライエッチング法によりシリコン窒化膜をエッチングし、所定のパターンのシリコン窒化膜からなる下層部５１を形成する。下層部５１のシリコン窒化膜は、膜の厚さ方向に膜組成が連続的に変化しておりドライエッチングによるエッチングレートが異なるため順テーパー形状を得ることができる。
【００２６】
上層部５２はＣＶＤ法によりシリコン窒化膜を形成するが、下層部５１とは異なり成膜時に材料ガスの組成を一定として、膜の厚さ方向に膜組成が変化することなく形成する。続いて前記シリコン窒化膜上に感光性のレジストをスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光する。露光後、現像し加熱硬化して所定のレジストパターンを形成する。続いてドライエッチング法によりシリコン窒化膜をエッチングし、所定のパターンのシリコン窒化膜からなる上層部５２を形成する。上層部５２のシリコン窒化膜は、膜の厚さ方向に膜組成が一定であり、ドライエッチング法により上層部５２のパターン側面が下部電極４に対して略垂直に形成できる。
【００２７】
下部電極４としては、仕事関数の大きなものが望ましく、例えば金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、セレン（Ｓｅ）、イリジウム（Ｉｒ）、ヨウ化銅等や、合金等を用いることができる。また、高反射率の金属又は合金の上に透明導電性酸化物（ＩＴＯ、ＩＺＯ等）を形成した積層、例えばＡｇ／ＩＺＯ、Ａｌ／ＩＴＯ、ＡｇＮｄＣｕ／ＩＴＯ、ＡｌＮｄ／ＩＺＯ等を用いることができる。
【００２８】
正孔輸送層６１の材料として使用できる有機化合物は、特に限定はないが、例えばトリフェニルジアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ポリフィリル誘導体、スチルベン誘導体等を用いることができるが、これに限られるものではない。
【００２９】
発光層６２の材料として使用できる有機化合物は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等を採用できる。さらに、これらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体等から採用できる。また、これらの発光材料の一種以上を正孔注入層や、正孔輸送層又は、電子輸送層にドーピングして用いることもできる。これら材料、構成は、いずれもこれに限定されない。
【００３０】
電子輸送層６３の材料として使用できる有機化合物は、フェナントロリン化合物、キノリン誘導体、フェニルアントラセン誘導体等を用いることが可能であるが、特にフェナントロリン化合物が好ましい。
【００３１】
電子注入層６４の材料として使用できる有機化合物は、炭酸セシウム、炭酸リチウム等の炭酸塩がドーピングされた有機化合物であり、特にフェナントロリン化合物に炭酸塩がドーピングされた有機化合物が好ましい。
【００３２】
正孔輸送層６１、発光層６２、電子輸送層６３、電子注入層６４を形成するにあたっては、抵抗加熱、クヌーセンセル又はバルブセルを使用した蒸着装置を用いることが好適である。また、発光層６２、電子注入層６４においては、ドーピング材料と有機化合物を同時に加熱蒸着する共蒸着法を用いることが好適である。
【００３３】
上部電極７としては、透明性が高く低抵抗なＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化膜が好ましい。上部電極７を形成するにあたっては、良質の膜が形成可能なマグネトロンスパッタリング装置を用いることが好適である。具体的にはＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明導電性酸化膜材料のターゲットを用いてＯ2ガスをドーパントとして導入し反応させるＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法にて電子注入層６４上に透明導電性酸化膜を形成する。また、上部電極７の成膜法としては、マグネトロンスパッタリング法の他にプラズマ銃を用い、同様にＯ2ガスをドーパントとして導入し反応させるイオンプレーティング法も採用可能である。なお、ＲＦマグネトロンリアクティブスパッタリング法も採用可能であるが、基板温度の上昇が少なく良質の膜が得られるＤＣマグネトロンスパッタリング法が好適である。
【００３４】
封止ガラス８はアクリル系の接着剤を用いて外周部でガラス基板１に接着されている。封止ガラス８の素子側の面には発光部から離れたところにシート状の吸湿材９を貼り付けられており、素子部の気密が保たれる構造となっている。なお、吸湿材９の替わりにＳｒＯ、ＣａＯ等の吸湿膜を形成した構造を採用することもできる。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の実施例について図１及び図２を援用しながら説明する。
【００３６】
＜実施例１＞
［平坦化層３の形成］
画素毎に薄膜トランジタ２が形成されたガラスアレイ基板１上に、感光性のアクリル樹脂をスピンコート法で３．０μｍの厚さとなるように塗布しプリベーク後、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光した。露光後、現像しオーブンにて加熱硬化した。このようにして薄膜トランジスタ２のドレインの一部のみが露出する形（コンタクトホール形成）でアレイ基板１表面をアクリル樹脂で平坦化した。加熱硬化後の平坦化層３の膜厚は２．５μｍであった。上記と同様の処理をしたガラスアレイ基板１を複数枚作製した。
【００３７】
［Ａｌ電極（下部電極４）の形成］
平坦化層３を形成した複数枚のガラスアレイ基板１上に、ＡｌターゲットをＤＣスパッタし１００ｎｍの厚さにＡｌ膜を成膜した。続いて感光性のレジストをスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光した。露光後、現像し加熱硬化して所定のレジストパターンを形成した。続いて混酸のエッチング液を用いてＡｌ膜をエッチングし所定のＡｌ膜のパターンを形成した後、レジストを剥離液で除去した。その後ガラスアレイ基板１をスパッタ装置に移送しＡｌパターン上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、膜厚２０ｎｍのＩＴＯ膜を成膜した。続いて感光性のレジストをスピンコート法で塗布して乾燥し、所定のパターンのフォトマスクを用いて露光した。露光後、現像し加熱硬化して所定のレジストパターンを形成した。続いてエッチング液を用いてＩＴＯ膜をエッチングしＡｌ膜上にＡｌと同様のＩＴＯ膜のパターンを形成した後、レジストを剥離液で除去した。このようにしてＡｌ膜とＩＴＯ膜の積層の下部電極４を形成した。
【００３８】
［隔壁５の形成］
下部電極４が形成された複数枚のガラスアレイ基板１上に、ポジ型の感光性ポリイミド樹脂を１５０ｎｍの厚さとなるようにスピンコート法で塗布しプリベークした。その後、所定のパターンのフォトマスク（個々の画素中心部が露出し周縁を覆う形状）を用いてマスクアライナーにて露光した。基板毎に異なるテーパー角度となるように、露光時は基板毎にデフォーカスの条件をして行った。露光後、現像しオーブンにて加熱硬化した。このようにして形成した下層部５１の線幅は１５μｍ、膜厚は１００ｎｍ、テーパー角度は２０°乃至４５°であった。
【００３９】
テーパー角度が異なる下層部５１を形成した複数枚のガラスアレイ基板１に、ネガ型の感光性ポリイミド樹脂を６００ｎｍの厚さとなるようにスピンコート法で塗布した。さらに、ＵＶ吸収剤を混合したネガ型の感光性ポリイミド樹脂をスピンコート法で塗布しプリベーク後、所定のパターンのフォトマスク（下層部５１と同様のパターン）を用いてＵＶ露光した。その後、現像し加熱硬化して上層部５２を形成した。このようにして形成した上層部５２の膜厚は４００ｎｍ、テーパー角度は９０°と下部電極４の平面に対して略垂直であった。
【００４０】
［洗浄］
次に複数枚のガラスアレイ基板１をインライン型の基板洗浄機に移送しメガソニック洗浄、２流体ノズル洗浄し、続いてガラスアレイ基板１を真空オーブンに移送し２００℃で３時間真空乾燥を行った。
【００４１】
［前処理］
複数枚のガラスアレイ基板１を有機ＥＬ蒸着装置へ移し真空排気し、前処理室で基板付近に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行った。酸素圧力は０．６Ｐａ、処理時間は４０秒であった。
【００４２】
［正孔輸送層６１の形成］
複数枚のガラスアレイ基板１を前処理室より成膜室へ移動し、成膜室を、１Ｅ-4Ｐａまで排気した後、正孔輸送性を有するα−ＮＰＤを抵抗加熱蒸着法により成膜速度０．２乃至０．３ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜し膜厚３５ｎｍの正孔輸送層６１を形成した。なお、正孔輸送層６１、電子輸送層６３、及び電子注入層６４は、同一の蒸着マスクを用いることにより所定の部分に蒸着した。
【００４３】
［発光層６２の蒸着］
続いて正孔輸送層６１上に、所定のパターンの蒸着マスクを用いてアルキレート錯体であるＡｌｑ３を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層６１と同様の成膜条件で膜厚３５ｎｍ成膜し発光層６２を形成した。成膜速度は〜０．５ｎｍ／Ｓで成膜した。
【００４４】
［電子輸送層６３の形成］
次に発光層６２上に、フェナントロリン化合物を抵抗加熱蒸着法により正孔輸送層６１と同様の成膜条件で膜厚１０ｎｍ成膜し電子輸送層６３を形成した。成膜速度は〜０．５ｎｍ／Ｓで成膜した。
【００４５】
［電子注入層６４の形成］
次に電子輸送層６３上に、抵抗加熱共蒸着法によりフェナントロリン化合物と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを膜厚比９：１の割合で膜中に均一に混合されるよう、各々の蒸着速度を調整して成膜し膜厚４０ｎｍの電子注入層６４を形成した。詳しくは、それぞれの蒸着ボートにセットした材料を抵抗加熱方式で蒸発させ、それぞれのボート電流値を調整することで、合わせて〜０．５ｎｍ／Ｓの蒸着速度で膜形成を行った。
【００４６】
［上部電極７（透明導電性酸化膜）の形成］
別の成膜室（スパッタ室）にガラスアレイ基板１を移送し、電子注入層６４上にＩＴＯターゲットを用いてＤＣマグネトロンリアクティブスパッタリング法により、膜厚１３０ｎｍの上部電極７を形成した。
【００４７】
成膜条件としては、基板加熱なしの室温成膜で成膜圧力を１．０Ｐａ、Ａｒ、及びＯ2ガスを用いそれぞれの流量は１００、１．０ｓｃｃｍとし、ターゲットに印加する投入パワーは５００ｗで成膜を行った。上部電極７の単膜の特性としては、透過率は８６％（ａｔ．４５０ｎｍ）、比抵抗値は６．５Ｅ-4Ωｃｍであった。
【００４８】
［封止ガラス８による封止］
グローブボックスにガラスアレイ基板１を移送しＮ2リークして、吸湿材９を素子面側に貼り付けておいた封止ガラス８をガラスアレイ基板１にＵＶ硬化系のアクリル系の接着剤１０を用いて接着し封止した。
【００４９】
［素子の評価］
このようにして、薄膜トランジスタ２が形成されているガラスアレイ基板１上に、平坦化層３、下部電極４、下層部５１及び上層部５２を備えた隔壁５を設けた。さらに、正孔輸送層６１、発光層６２、電子輸送層６３、電子注入層６４、上部電極７、封止ガラス８を設け単色の発光素子を複数枚得た。
【００５０】
続いてこの発光素子において、下部電極４を陽極、上部電極７を陰極として直流電圧を印加し素子の発光特性を調べた。隔壁５の下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び下部電極４と接する隔壁５の下層部５１のエッジ部における段切れにより発生した下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素数と、コントラスト比を測定した。結果を表１に示す。
【００５１】
【表１】
2008210653.tif 000003
【００５２】
表１からわかるように、隔壁５の下層部５１のテーパー角度を３５°以下とした場合は、下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良に起因する非点灯画素数は０個であった。しかも、下層部５１のエッジ部における段切れにより発生した下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素数も０個であった。また、隔壁５の斜面部分により発生する外光反射が少ないことから良好なコントラスト比が得られている。
【００５３】
＜実施例２＞
隔壁５の下層部５１のテーパー角度を３０°一定とし、上層部５２を形成するにあたりポジ型の感光性ポリイミド樹脂をスピンコート法で塗布しもの、及びＵＶ吸収剤を混合したネガ型の感光性ポリイミド樹脂をスピンコート法で塗布したものを複数枚作製した。それぞれ露光条件を変更して上層部５２のテーパー角度が異なる隔壁５としたことを除き実施例１と同様の条件で作製した発光素子を複数枚作製した。上層部５２のテーパー角度は５０°乃至１１０°であった。
【００５４】
実施例１と同様に下部電極４を陽極、上部電極７を陰極として直流電圧を印加し素子の発光特性を調べた。隔壁５の下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び下部電極４と接する隔壁５の下層部５１のエッジ部における段切れにより発生した下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素数と、コントラスト比及びＶ−Ｌ特性を測定した。結果を表２に示す。
【００５５】
【表２】
2008210653.tif 000004
【００５６】
表２からわかるように、上層部５２のテーパー角度が８５°乃至１００°の発光素子においては、隔壁５の下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び隔壁５の下層部５１の段切れによる非点灯画素は全ての発光素子で発生せず良好であった。しかも、外光反射が小さく良好なコントラスト比が得られた。
【００５７】
しかし、上層部５２のテーパー角度が８０°以下の発光素子においては外光反射が上昇しコントラスト比が悪化した。しかも、上層部５２のテーパー角度を１０５°以上とした発光素子では、下層部５１のテーパー部への有機化合物層６の着膜不良の発生による下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素が発生した。さらに、上層部５２側面への上部電極７のＩＴＯ膜の付着量減少により、上部電極７の抵抗値が増加し微弱発光及び非点灯画素が発生した。
【００５８】
＜実施例３＞
隔壁５の下層部５１を形成するにあたりテーパー角度を３０°一定とし、ポジ型感光性ポリイミドのスピンコート塗布条件を変更したことを除き、実施例１と同様の条件で発光素子を複数枚作製した。隔壁５の下層部５１の膜厚は２０ｎｍ乃至２００ｎｍであった。
【００５９】
実施例１と同様に下部電極４を陽極、上部電極７を陰極として直流電圧を印加し素子の発光特性を調べた。下部電極４と接する隔壁５の下層部５１のエッジ部における段切れにより発生した下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素数と、コントラスト比を測定した。結果を表３に示す。
【００６０】
【表３】
2008210653.tif 000005
【００６１】
表３からわかるように、隔壁５の下層部５１の膜厚が５０ｎｍ乃至１４０ｎｍの発光素子においては、隔壁５の下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び隔壁５の下層部５１の段切れによる非点灯画素は全ての発光素子で発生せず良好であった。しかも、外光反射が小さく良好なコントラスト比が得られた。
【００６２】
しかし、下層部５１の膜厚が４０ｎｍ以下の発光素子においては、外光反射が小さく良好なコントラスト比は得られたが、下層部５１のテーパー部への有機化合物層６の着膜不良の発生による下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素が発生した。その一方で、下層部５１の膜厚が１５０ｎｍ以上の発光素子においては下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び隔壁５の下層部５１の段切れによる非点灯画素は全ての発光素子で発生せず良好であった。ところが、外光反射が上昇しコントラスト比が悪化した。
【００６３】
＜実施例４＞
隔壁５の下層部５１のテーパー角度を３０°一定とし、隔壁５の上層部５２を形成するにあたりネガ型感光性ポリイミドのスピンコート塗布条件を変更したことを除き、実施例１と同様の条件で発光素子を複数枚作製した。隔壁５の上層部５２の膜厚は８０ｎｍ乃至１０００ｎｍであった。
【００６４】
実施例１と同様に下部電極４を陽極、上部電極７を陰極として直流電圧を印加し素子の発光特性を調べた。結果を表４に示す。
【００６５】
【表４】
2008210653.tif 000006
【００６６】
表４からわかるように、隔壁５の膜厚が１３０ｎｍ乃至７００ｎｍの発光素子においては、隔壁５の下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良及び隔壁５の下層部５１の段切れによる非点灯画素は全ての発光素子で発生せず良好であった。しかも、外光反射が小さく良好なコントラスト比が得られた。
【００６７】
しかし、上層部５２の膜厚が有機化合物層６の膜厚１２０ｎｍよりも薄い発光素子においては、発光部へのマスクの接触により発生した傷が原因と思われる非点灯画素が多数発生した。しかも、上層部５２の膜厚が７５０ｎｍより厚い発光素子においては外光反射が小さく良好なコントラスト比は得られたが、上層部５２のシャドウ効果により下層部５１のテーパー部における有機化合物層６の着膜不良が発生した。そのため、下部電極４と上部電極７とのショート起因の非点灯画素が発生した。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子の積層構造例を示す模式図である。
【図２】隔壁を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    ガラス基板
２    薄膜トランジスタ
３    平坦化膜
４    下部電極
５    隔壁
５１  隔壁の下層部
５２  隔壁の上層部
６    有機化合物層
６１  正孔輸送層
６２  発光層
６３  電子輸送層
６４  電子注入層
７    上部電極
８    封止ガラス
９    吸着材
１０  接着剤
【図１】
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【図２】
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