【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）５〜１５０ミクロンの厚さを有するポリイミドフィルムと、
Ｂ）前記ポリイミドフィルムによって支持された電極と、を備えるアセンブリであって、
前記ポリイミドフィルムが、
ａ）ｉ）剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、
ｉｉ）剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分と、から誘導されるポリイミドであって、
前記ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比が４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率が２０〜８０：８０〜２０である、
ポリイミドと、
ｂ）ｉ）少なくとも１つの寸法で、（数平均で）５５０ナノメートル未満であり、
ｉｉ）３：１を超えるアスペクト比を有し、
ｉｉｉ）全ての寸法で前記ポリイミドフィルムの厚さ未満であり、
ｉｖ）前記ポリイミドフィルムの１０〜４５容積％の量で存在する、
サブミクロン充填材と、を含む、
アセンブリ。
【請求項２】
光吸収体層をさらに備え、前記電極が前記光吸収体層と前記ポリイミドフィルムとの間にあり、そして前記電極が前記光吸収体層と電気的に連通している、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項３】
前記光吸収体層が、ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光吸収体層である、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項４】
複数のモノリシック集積化ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光電池をさらに備える、請求項３に記載のアセンブリ。
【請求項５】
前記光吸収体層が非晶質シリコン、微結晶質シリコン、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅまたはＨｇＺｎＳｅである、請求項２に記載のアセンブリ。
【請求項６】
前記サブミクロン充填材が、酸化物、窒化物、炭化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項７】
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項８】
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７０モルパーセントが、ピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分の少なくとも７０モルパーセントが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルである、請求項１に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記ポリイミドがブロックコポリマーである、請求項１に記載のアセンブリであって、
前記ブロックコポリマーが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、から誘導される、
または、
前記ブロックコポリマーが、
ａ）１０〜４０モル％の、ピロメリット酸二無水物および１，４−ジアミノベンゼンのブロックと、
ｂ）９０〜６０モル％の、ピロメリット酸二無水物および４，４'−ジアミノジフェニルエーテルのブロックとから誘導される、アセンブリ。
【請求項１０】
前記ポリイミドが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、から誘導されるランダムコポリマーである、
または、
前記ポリイミドが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物と、から誘導されるランダムコポリマーである、請求項１に記載のアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
いくつかの実施形態において、１種またはそれ以上の反射防止コーティング（図示せず）を、格子接触２４の暴露表面、および格子接触と接触していない透明導電性酸化物層２３の暴露表面に適用することができる。もう１つの実施形態において、反射防止コーティングを、格子接触と接触していない透明導電性酸化物層２３の暴露表面のみに適用することができる。反射防止コーティングは、薄膜太陽電池１０による入射光の収集を改善する。当業者によって理解されるように、いずれの適切な反射防止コーティングも本開示の範囲内である。
以下、本明細書に記載の発明につき列記する。
［１］
Ａ）５〜１５０ミクロンの厚さを有するポリイミドフィルムと、
Ｂ）前記ポリイミドフィルムによって支持された電極と、を備えるアセンブリであって、
前記ポリイミドフィルムが、
ａ）ｉ）剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、
ｉｉ）剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分と、から誘導されるポリイミドであって、
前記ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比が４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率が２０〜８０：８０〜２０である、
ポリイミドと、
ｂ）ｉ）少なくとも１つの寸法で、（数平均で）５５０ナノメートル未満であり、
ｉｉ）３：１を超えるアスペクト比を有し、
ｉｉｉ）全ての寸法で前記ポリイミドフィルムの厚さ未満であり、
ｉｖ）前記ポリイミドフィルムの１０〜４５容積％の量で存在する、
サブミクロン充填材と、を含む、
アセンブリ。
［２］
光吸収体層をさらに備え、前記電極が前記光吸収体層と前記ポリイミドフィルムとの間にあり、そして前記電極が前記光吸収体層と電気的に連通している、前記［１］に記載のアセンブリ。
［３］
前記光吸収体層が、ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光吸収体層である、前記［２］に記載のアセンブリ。
［４］
複数のモノリシック集積化ＣＩＧＳ／ＣＩＳ光電池をさらに備える、前記［３］に記載のアセンブリ。
［５］
前記光吸収体層が非晶質シリコンまたは微結晶質シリコンである、前記［２］に記載のアセンブリ。
［６］
前記吸収体層が、ＣｄＺｎＴｅ、ＨｇＣｄＴｅ、ＨｇＺｎＴｅまたはＨｇＺｎＳｅである、前記［２］に記載のアセンブリ。
［７］
前記光吸収体層がＣｕＺｎＳｎＳ4またはＣｕＺｎＳｎＳｅ4である、前記［２］に記載のアセンブリ。
［８］
前記サブミクロン充填材が、少なくとも１つの寸法で４００ナノメートル未満である、前記［１］に記載のアセンブリ。
［９］
前記サブミクロン充填材が、酸化物、窒化物、炭化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１０］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１１］
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７０モルパーセントが、ピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分の少なくとも７０モルパーセントが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルである、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１２］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１３］
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７５モルパーセントがピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分としては、７０モル％の４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび３０モル％の１，４−ジアミノベンゼンである、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１４］
前記ポリイミドがブロックコポリマーである、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１５］
前記ブロックコポリマーが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、から誘導される、前記［１４］に記載のアセンブリ。
［１６］
前記ブロックコポリマーが、
ａ）１０〜４０モル％の、ピロメリット酸二無水物および１，４−ジアミノベンゼンのブロックと、
ｂ）９０〜６０モル％の、ピロメリット酸二無水物および４，４'−ジアミノジフェニルエーテルのブロックとから誘導される、前記［１４］に記載のアセンブリ。
［１７］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［１６］に記載のアセンブリ。
［１８］
前記サブミクロン充填材が、カップリング剤、分散剤またはそれらの組み合わせによってコーティングされている、前記［１］に記載のアセンブリ。
［１９］
前記ポリイミドが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と、から誘導されるランダムコポリマーである、前記［１］に記載のアセンブリ。
［２０］
前記ポリイミドが、４，４'−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物と、から誘導されるランダムコポリマーである、前記［１］に記載のアセンブリ。