Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に発光層と、前記第１の電極に接する混合層とを有し、
前記発光層は、発光物質を含み、
前記混合層は、正孔輸送性物質と、モリブデン酸化物とを含み、１２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の厚さであり、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極に電圧を印加したときに、前記発光物質が発光することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に発光層と、前記第１の電極に接する混合層とを有し、
前記発光層は、発光物質を含み、
前記混合層は、正孔輸送性物質と三酸化モリブデンとを用いて、１２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の厚さで形成され、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極に電圧を印加したときに、前記発光物質が発光することを特徴とする発光素子。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、前記第１の電極に接する混合層を有し、
前記混合層と前記第２の電極の間には、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順に積層して設けられ、
前記発光層は、発光物質を含み、
前記混合層は、正孔輸送性物質と、モリブデン酸化物とを含み、１２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の厚さであり、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極に電圧を印加したときに、前記発光物質が発光することを特徴とする発光素子。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極との間に、前記第１の電極に接する混合層を有し、
前記混合層と前記第２の電極の間には、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とが順に積層して設けられ、
前記発光層は、発光物質を含み、
前記混合層は、正孔輸送性物質と三酸化モリブデンとを用いて、１２０ｎｍ以上１８０ｎｍ以下の厚さで形成され、
前記第１の電極の電位が前記第２の電極の電位よりも高くなるように、前記第１の電極と前記第２の電極に電圧を印加したときに、前記発光物質が発光することを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１または請求項３において、前記モリブデン酸化物は、前記正孔輸送性物質と前記モリブデン酸化物とをあわせた体積に対して３体積％以上２４体積％以下の濃度で前記混合層に含まれていることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、前記三酸化モリブデンは、前記正孔輸送性物質と前記三酸化モリブデンとをあわせた体積に対して３体積％以上２４体積％以下の濃度で前記混合層に含まれていることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記正孔輸送性物質は、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ−カルバゾリル）トリフェニルアミン、４，４’−ビス｛Ｎ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ−ｍ−トリルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝ビフェニルのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記発光物質は、燐光発光することを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記発光物質は、緑色に発光することを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項９において、前記緑色に発光する発光物質は、クマリン６であることを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の発光素子を用いていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１及び第２の導電膜を順に積層し、
前記第２の導電膜上に、回折格子パターン、あるいは半透部を有するフォトマスクを用いて、第１の領域と、片側側部に前記第１の領域より膜厚の薄い第２の領域と、を有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて前記第１及び第２の導電膜のエッチングを選択的に行って、前記第１の導電膜の前記レジストパターンと重なる領域を残存させるとともに、前記第２の導電膜の前記レジストパターンの第１の領域と重なる領域を残存させることによって、膜厚の薄い領域と厚い領域を有するゲート電極を形成し、
前記レジストパターンを除去し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を導入することによって、前記半導体層の前記ゲート電極と重ならない領域にはソース領域及びドレイン領域を形成するとともに、前記半導体層の前記ゲート電極の薄い領域とのみ重なる領域には低濃度不純物領域を形成し、且つ前記半導体層の前記ゲート電極の厚い領域と重なる領域にはチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質構造を有する第１の半導体層を形成し、
非晶質構造を有する前記第１の半導体層に結晶化を促進する触媒作用のある金属元素を導入し、加熱処理を行うことによって前記第１の半導体層の結晶化率を高め、
前記第１の半導体層に複数の開口部を形成するとともに、島状にパターニングし、
パターニングした前記第１の半導体層上に希ガス元素を含む第２の半導体層を形成し、
加熱処理を行うことによって、前記第１の半導体層に含まれる金属元素を前記第２の半導体層に移動させ、
前記第２の半導体層を除去し、
前記第１の半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第１及び第２の導電膜を順に積層し、
前記第２の導電膜上に、回折格子パターン、あるいは半透部を有するフォトマスクを用いて、第１の領域と、片側側部に前記第１の領域より膜厚の薄い第２の領域と、を有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて前記第１及び第２の導電膜のエッチングを選択的に行って、前記第１の導電膜の前記レジストパターンと重なる領域を残存させるとともに、前記第２の導電膜の前記レジストパターンの第１の領域と重なる領域を残存させることによって、膜厚の薄い領域と厚い領域を有するゲート電極を形成し、
前記レジストパターンを除去し、
前記ゲート電極をマスクとして前記第１の半導体層に不純物元素を導入することによって、前記第１の半導体層の前記ゲート電極と重ならない領域にはソース領域及びドレイン領域を形成するとともに、前記第１の半導体層の前記ゲート電極の薄い領域とのみ重なる領域には低濃度不純物領域を形成し、且つ前記第１の半導体層の前記ゲート電極の厚い領域と重なる領域にはチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記レジストパターンの断面形状はゲート電極の幅または長さ方向に非対称である半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１及び第２の半導体層上に絶縁膜を積層し、
前記絶縁膜上に第１及び第２の導電膜を順に積層し、
前記第２の導電膜を介して前記第１の半導体層上に回折格子パターン、あるいは半透部を有するフォトマスクを用いて、第１の領域と、前記第１の領域の片側側部に設けられた前記第１の領域より膜厚の薄い第２の領域と、を有する第１のレジストパターンを形成するとともに、前記第２の導電膜を介して前記第２の半導体層上に回折格子パターン、あるいは半透部を有するフォトマスクを用いて、第３の領域と、前記第３の領域を間に介して両側に設けられた前記第３の領域より膜厚の薄い第４の領域、及び第５の領域と、を形成し、
前記第１及び第２のレジストパターンを用いて前記第１及び第２の導電膜のエッチングを選択的に行って、前記第１の導電膜の前記第１及び第２のレジストパターンと重なる領域を残存させるとともに、前記第２の導電膜の前記第１レジストパターンの第１の領域及び前記第２のレジストパターンの第３の領域と重なる領域を残存させることによって、膜厚の薄い領域及び厚い領域をそれぞれ有する第１及び第２のゲート電極を前記第１及び第２の半導体層上にそれぞれ形成し、
前記第１及び第２のレジストマスクを除去し、
前記第１及び第２のゲート電極をマスクとして前記第１及び第２の半導体層にそれぞれ不純物元素を導入することによって、前記第１の半導体層の前記第１のゲート電極と重ならない領域及び前記第２の半導体層の前記第２のゲート電極と重ならない領域にはソース領域及びドレイン領域を形成するとともに、前記第１及び第２の半導体層の前記第１及び第２のゲート電極の薄い領域とのみ重なる領域には低濃度不純物領域を形成し、且つ前記第１及び第２の半導体層の前記第１及び第２のゲート電極の厚い領域と重なる領域にはチャネル形成領域を形成して第１のトランジスタ及び第２のトランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第１のレジストパターンの断面形状はゲート電極の幅または長さ方向に非対称である半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置は、配線部を有し、前記配線部は前記第１及び第２の導電膜の積層と同じ材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下記の構造式１を有する、３〜２０質量％のシルセスキオキサンオリゴマー、３〜２０質量％の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物を塗布してスピンオンガラス膜を形成する工程、並びに
前記スピンオンガラス膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する工程、
を含む多孔性シリコン酸化膜の製造方法：
【化１】
2007019486.tif 000001
前記構造式１において、Ｙ１及びＹ２はそれぞれ独立的に加水分解が可能なアルコキシ基であり、Ｒは低級アルキル基であり、ｎ及びｍはそれぞれ独立的に１〜９の整数である。
【請求項２】
前記構造式１において、ｎとｍの比が、１：０．４〜１：２．４であることを特徴とする請求項１記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項３】
前記アルコキシ基が、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、及びブトキシ基からなる群より選択されるいずれか一つであり、前記低級アルキル基は、メチル基、エチル基、プロピル基、及びブチル基からなる群より選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項１または２記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項４】
前記基板上に化学気相蒸着工程を行って酸化膜を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項５】
前記基板上に導電性パターンを形成する段階を、さらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項６】
前記スピンオンガラス組成物が、４〜１２質量％の前記シルセスキオキサンオリゴマー、４〜１２質量％の前記気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項７】
前記スピンオンガラス膜を硬化させる工程が、
前記スピンオンガラス膜に含まれる溶媒の除去、及び気孔生成剤の熱分解のために、前記基板を７０〜３５０℃の温度にて予備ベイキングする工程、並びに
前記予備ベイキングしたスピンオンガラス膜をシリコン酸化膜に転換するために、前記基板を３５０〜５５０℃の温度にて主ベイキングする工程、
を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項８】
前記予備ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて３〜１５分間行われることを特徴とする請求項７記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項９】
前記予備ベイキング工程が、
７０〜１５０℃の温度にて前記溶媒を除去するための第１予備ベイキング工程、及び
１５０〜３５０℃の温度にて前記気孔生成剤を熱分解させるための第２予備ベイキング工程、
を含むことを特徴とする請求項７または８記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項１０】
前記主ベイキング工程が、不活性ガスの雰囲気下にて１０〜１００分間行われることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の製造方法。
【請求項１１】
前記多孔性シリコン酸化膜が、Ｓｉ−Ｈ結合及びＳｉ−Ｒ結合（Ｒは低級アルキル基である）を、１：０．４〜１：２．４のモル比で含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項記載の多孔性シリコン酸化膜の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】膜厚の決定方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子と、色変換層とを有し、
前記色変換層は、前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含み、
前記発光層内に発光領域を有し、
前記一対の電極は、一方が反射電極であり、他方が透明電極である発光装置における前記バッファ層の膜厚の決定方法であって、
前記発光領域と前記反射電極との光学的距離Ｌが下記式を満たすように前記バッファ層の膜厚を決定することを特徴とする膜厚の決定方法。
【数１】
2007019487.tif 000001
（但し、ｍは１以上の自然数であり、λは前記発光素子から発する光の極大波長である。）
【請求項２】
請求項１において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする膜厚の決定方法。
【請求項３】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子と、色変換層とを有し、
前記色変換層は、前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含み、
前記発光層内に発光領域を有し、
前記一対の電極は、一方が反射電極であり、他方が透明電極である発光装置の作製方法であって、
前記発光領域と前記反射電極との光学的距離Ｌが下記式を満たすように前記バッファ層の膜厚を決定する段階と、
前記一対の電極の一方を形成する段階と、
前記一対の電極の一方の上に、決定したそれぞれの膜厚になるように前記有機化合物層を形成する段階と、
前記有機化合物層の上に、前記一対の電極の他方を形成する段階と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【数２】
2007019487.tif 000002
（但し、ｍは１以上の自然数であり、λは前記発光素子から発する光の極大波長である。）
【請求項４】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子と、色変換層とを有し、
前記色変換層は、前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含み、
前記発光層内に発光領域を有し、
前記一対の電極は、一方が反射電極であり、他方が透明電極である発光装置の作製方法であって、
前記発光領域と前記反射電極との光学的距離Ｌが下記式を満たすように前記バッファ層の膜厚を決定する段階と、
前記一対の電極の他方を形成する段階と、
前記一対の電極の他方の上に、決定したそれぞれの膜厚になるように前記有機化合物層を形成する段階と、
前記有機化合物層の上に、前記一対の電極の一方を形成する段階と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【数３】
2007019487.tif 000003
（但し、ｍは１以上の自然数であり、λは前記発光素子から発する光の極大波長である。）
【請求項５】
請求項３または４において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物とを含む層を有する発光素子と、
前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発する色変換層とを有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物とを含む層を有する発光素子と、
前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発する色変換層とを有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含み、
前記バッファ層の膜厚は、発光効率が高くなるように決定されたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
一対の電極と、前記一対の電極間に挟まれた有機化合物とを含む層を有する発光素子と、
前記発光素子から発する光を吸収し、前記光の波長より長い波長の光を発する色変換層とを有し、
前記有機化合物を含む層は、発光層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む複合材料を有するバッファ層とを含み、
前記発光層における発光領域と、前記発光層を基準として前記バッファ層が形成されている方の電極との光学的距離Ｌは前記バッファ層の厚さによって調節されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８において、前記発光領域と前記電極との光学的距離Ｌが、下記式を満たすことを特徴とする発光装置。
【数４】
2007019487.tif 000004
（但し、ｍは１以上の自然数であり、λは前記発光素子から発する光の極大波長である。）
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記発光層を基準として前記バッファ層が形成されている方の電極は反射電極であり、他方の電極は透明電極であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記反射電極は、発光層から発する光に対する反射率が７０％以上であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物もしくは窒化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記バッファ層は、電子を発生する機能を有する層と、正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む層とを有し、
前記電子を発生する機能を有する層は、前記発光層に接して設けられ、
前記正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物とを含む層は、前記電子を発生する機能を有する層に接して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項６乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記色変換層は、青色領域の光を吸収して赤色領域の蛍光を発する物質を有する材料を用いて形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項６乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記色変換層は、青色領域の光を吸収して緑色領域の蛍光を発する物質を有する材料を用いて形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項６乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記色変換層は、光を取り出す側の基板と前記発光素子との間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記色変換層は、前記透明電極に接して形成されることを特徴する発光装置。
【請求項１８】
請求項６乃至請求項１７に記載の発光装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長面（２２２）、
前記成長面（２２２）上に設けられ、周期的な格子の輪郭形状（２３５、２３６）を有する細長い成長窓（２３４）を画定する成長マスク（２３０）、
前記成長窓（２３４）内に配置され、台形の断面形状を有している光導波コアメサ（２４０）、および
前記光導波コアメサ（２４０）を覆い、前記成長マスク（２３０）の少なくとも一部上に延びているクラッド層（１６０）を備えているデバイス（１００）。
【請求項２】
前記成長面（２２２）が［１００］結晶配向を有しており、
前記光導波コアメサ（２４０）が、［１１１］結晶配向を有するサイドウォールを有している、請求項１に記載のデバイス（１００）。
【請求項３】
前記成長マスク（２３０）が、前記成長面（２２２）の［０１１］結晶配向に平行に整列された向かい合うエッジを有している、請求項２に記載のデバイス（１００）。
【請求項４】
前記光導波コアメサ（２４０）が、構造内で均一であり、前記クラッド層（１６０）より大きい屈折率を有している、請求項１に記載のデバイス（１００）。
【請求項５】
分布帰還型（ＤＦＢ）レーザであり、
前記光導波コアメサ（２４０）が、量子井戸構造（１５４）を有している、請求項１に記載のデバイス（１００）。
【請求項６】
前記量子井戸構造（１５４）が、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む量子井戸層（１５７）を有している、請求項５に記載のデバイス（１００）。
【請求項７】
前記量子井戸構造（１５４）が、ガリウム、インジウム、ヒ素およびリンを含む量子井戸層（１５７）を有している、請求項５に記載のデバイス（１００）。
【請求項８】
前記光導波コアメサ（２４０）が、分離閉じ込めヘテロ構造（１５９）を追加的に有しており、該構造内に前記量子井戸が配置されている、請求項５に記載のデバイス（１００）。
【請求項９】
前記光導波コアメサ（２４０）が、クラッド層（１６０）より大きな屈折率を有する材料を含み、前記周期的な格子の輪郭形状（２３５、２３６）が、０．００１〜０．００２の屈折率差をもたらす、請求項５に記載のデバイス（１００）。
【請求項１０】
成長チャンバを準備し、
成長面（２２２）を有しているウェハ（２１０）を設け、
前記成長面（２２２）上に成長マスク（２３０）を形成し、該成長マスク（２３０）が、周期的な格子の輪郭形状（２３５、２３６）を有する細長い成長窓（２３４）を画定し、
前記成長チャンバにおいて製造プロセスを行うことを含む、デバイス（１００）の製造方法であって、
前記製造プロセスが、
マイクロ選択領域成長によって前記成長面（２２２）上に光導波コアメサ（２４０）を成長させ、
製造後に前記成長チャンバからウェハ（２１０）を取り出すことなく、前記光導波コアメサ（２４０）を前記クラッド材料（１６０）で覆うことを含む、デバイス（１００）の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記多層材料は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する磁化可能な材料の複数の層を含み、隣接する前記または各Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有する
多層材料。
【請求項２】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いる多層材料であって、前記多層材料は、コバルト、白金、およびリン（Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ）を有する磁化可能な材料の複数の層を含み、隣接する前記または各Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有する
多層材料。
【請求項３】
前記隣接するＣｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ層の組の間の前記磁化不可能な電気伝導性材料は、銅（Ｃｕ）である
請求項１に記載の多層材料。
【請求項４】
前記隣接するＣｏ−Ｐｔ−Ｐ層の組の間の前記磁化不可能な電気伝導性材料は、金（Ａｕ）である
請求項２に記載の多層材料。
【請求項５】
前記多層材料は少なくとも５層の磁化可能な材料の層を有し、その各層は、その間の磁化不可能な電気伝導性材料の各層により、隣接する前記または各磁化可能な材料の層から離間している
請求項１〜４のいずれかに記載の多層材料。
【請求項６】
前記多層材料は、前記またはもう一つの磁化不可能な電気伝導性材料のベース層を含み、前記ベース層は、前記多層材料の残りの部分を基板に結合させるシード層として作用する
請求項１〜５のいずれかに記載の多層材料。
【請求項７】
前記磁化可能な材料の層は、それぞれ０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さを有する
請求項１〜６のいずれかに記載の多層材料。
【請求項８】
前記磁化可能な材料の隣接する一組の層の間に配置された前記磁化不可能な電気伝導性材料の層は、それぞれ０．１μｍ〜０．５μｍの範囲の厚さを有する
請求項１〜７のいずれかに記載の多層材料。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにかかる多層材料を含むマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置。
【請求項１０】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料であって、前記多層材料は、磁化可能な材料からなる複数の層を含み、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組は、その間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有し、少なくとも、前記磁化可能な材料の層は、０．１μｍ〜２μｍの範囲の厚さである
多層材料。
【請求項１１】
前記磁化可能な材料は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する
請求項１０に記載の多層材料。
【請求項１２】
前記磁化可能な材料は、コバルト、白金、およびリン（Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ）を有する
請求項１０に記載の多層材料。
【請求項１３】
前記磁化可能な材料の層は、０．５μｍ〜１．５μｍの範囲の厚さである
請求項１０〜１２のいずれかに記載の多層材料。
【請求項１４】
マイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）装置に用いられる多層材料の製造方法であって、前記多層材料の製造方法は、磁化可能な材料の複数の層と、磁化不可能な電気伝導性材料の複数の層とを、互いに異なる層が互いの上層に交互に、隣接する前記または各磁化可能な材料の層の組がその間に磁化不可能な電気伝導性材料の各層を有するように、形成する工程を含む
多層材料の製造方法。
【請求項１５】
前記磁化可能な材料の層は、コバルト、ニッケル、レニウム、タングステン、およびリン（Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ−Ｗ−Ｐ）を有する
請求項１４に記載の多層材料の製造方法。
【請求項１６】
前記磁化可能な材料は、コバルト、白金、およびリン（Ｃｏ−Ｐｔ−Ｐ）を有する
請求項１４に記載の多層材料の製造方法。
【請求項１７】
前記磁化可能な材料の層を電解めっきで形成する工程を含む
請求項１４〜１６のいずれかに記載の多層材料の製造方法。
【請求項１８】
前記磁化不可能な電気伝導性材料の層を無電解めっきで形成する工程を含む
請求項１４〜１７のいずれかに記載の多層材料の製造方法。
【請求項１９】
前記磁化可能な材料の層および前記磁化不可能な電気伝導性材料の層が形成される基板を電気化学浴内に配置し、それによって前記基板上にそれらの層を形成する工程を含む
請求項１４〜１８のいずれかに記載の多層材料の方法。
【請求項２０】
前記磁化可能な材料の層を、それぞれ０．１から２μｍの範囲の厚さまで形成する
請求項１４〜１９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間を真空に保持した外囲器の製造方法であって、
チャンバー内に、第１基板と第２基板とを間隔をおいて対向配置する第１工程と、
前記チャンバー内を真空排気しながら、前記第１基板の中央部分が前記第２基板に向かって凸になるように、前記第１基板の周縁部分を前記第２基板の周縁部分から離す第２工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間が真空排気された状態で、前記第１基板の前記周縁部分を前記第２基板の前記周縁部分に近づけた後、前記第１基板と前記第２基板とを封着する第３工程と、
をこの順序で行うことを特徴とする外囲器の製造方法。
【請求項２】
前記第１乃至第３工程において、前記第１基板は前記第２基板の鉛直方向の上側に配置されており、前記第２工程において、前記第１基板の隅部を持ち上げて前記第１基板を反らせることにより、前記第１基板の前記中央部分が前記第２基板に向かって凸になるように、前記第１基板の前記周縁部分を前記第２基板の前記周縁部分から離すことを特徴とする請求項１に記載の外囲器の製造方法。
【請求項３】
前記第２工程において、前記第１基板の前記周縁部分の温度が前記第１基板の前記中央部分の温度よりも高くなるように前記第１基板を加熱して前記第１基板を反らせることにより、前記第１基板の前記中央部分が前記第２基板に向かって凸になるように、前記第１基板の前記周縁部分を前記第２基板の前記周縁部分から離すことを特徴とする請求項１又は２に記載の外囲器の製造方法。
【請求項４】
外囲器を備える画像表示装置の製造方法であって、前記外囲器を、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法にて製造することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
電子放出素子と前記電子放出素子から放出された電子が照射される蛍光膜とを内蔵する外囲器を備える画像表示装置の製造方法であって、前記外囲器を、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法にて製造する特徴とする画像表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】外囲器の製造方法および画像表示装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで本発明は、基板間にデッドストロークを生じさせずに基板間の空間を排気することを可能にする外囲器の製造方法および画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の外囲器の製造方法は、第１基板と第２基板との間を真空に保持した外囲器の製造方法であって、チャンバー内に、第１基板と第２基板とを間隔をおいて対向配置する第１工程と、前記チャンバー内を真空排気しながら、前記第１基板の中央部分が前記第２基板に向かって凸になるように、前記第１基板の周縁部分を前記第２基板の周縁部分から離す第２工程と、前記第１基板と前記第２基板との間が真空排気された状態で、前記第１基板の前記周縁部分を前記第２基板の前記周縁部分に近づけた後、前記第１基板と前記第２基板とを封着する第３工程と、をこの順序で行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に形成された透光性電極および該透光性電極上に形成されたボンディングパッド電極からなり、該ボンディングパッド電極が少なくとも透光性電極と接する面に反射層を有することを特徴とする半導体発光素子用の正極。
【請求項２】
反射層と透光性電極との密着強度が、剥離強度で４９０ｍＮ（５０ｇｆ）以上である請求項１に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項３】
透光性電極の、素子が発光する発光波長における光の透過率が６０％以上である請求項１または２に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項４】
反射層がＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ族金属およびこれらの金属の少くとも一種を含む合金からなる群より選ばれた金属からなる請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項５】
半導体発光素子が窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項６】
反射層がＡｌ、Ａｇ、Ｐｔ、およびこれらの金属の少なくとも一種を含む合金からなる群より選ばれた金属である請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項７】
反射層の厚さが２０〜３０００ｎｍである請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項８】
ボンディングパッド電極が層状構造であり、反射層に加えて、Ｔｉ、ＣｒもしくはＡｌからなるバリア層、および／またはＡｕもしくはＡｌからなる最上層を有する請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項９】
透光性電極のボンディングパッド電極側が金属からなる層である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１０】
透光性電極のボンディングパッド電極側が透明材料からなる層である請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１１】
透光性電極が、金属以外の透明材料のみからなる請求項１０に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１２】
透光性電極の最表面層に光を取り出すための加工が施されている請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１３】
透光性電極の最表面層が透明材料である請求項１２に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１４】
透光性電極がｐ型半導体層に接するコンタクト層および該コンタクト層上の電流拡散層を有する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１５】
コンタクト層が白金族金属またはその合金である請求項１４に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１６】
コンタクト層が白金である請求項１５に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１７】
コンタクト層の厚さが０．１〜７．５ｎｍである請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１８】
コンタクト層の厚さが０．５〜２．５ｎｍである請求項１７に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項１９】
電流拡散層が金、銀および銅からなる群から選ばれた金属または少なくともそれらの一種を含む合金である請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２０】
電流拡散層が金または金合金である請求項１９に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２１】
電流拡散層の厚さが１〜２０ｎｍである請求項１４〜２０のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２２】
電流拡散層の厚さが３〜６ｎｍである請求項２１に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２３】
電流拡散層が導電性の透明材料である請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２４】
透明材料がＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛、フッ素ドープ酸化錫、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化ビスマスおよび酸化マグネシウムからなる群から選ばれた少なくとも１種類である請求項１０、１１、１３および２３のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２５】
透明材料がＩＴＯ、酸化亜鉛、酸化アルミニウム亜鉛およびフッ素ドープ酸化錫からなる群から選ばれた少なくとも１種類である請求項２４に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２６】
透明材料の厚さが１０〜５０００ｎｍである請求項１０、１１、１３および２３〜２５のいずれか一項に記載の半導体発光素子用の正極。
【請求項２７】
透明材料の厚さが１００〜１０００ｎｍである請求項２６に記載の半導体発光素子用の正極。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】遊技者に有利となる特典の当落を抽選する抽選手段と、前記抽選手段による抽選結果を遊技者に認識させるための複数の抽選用図柄を表示する表示手段を備える遊技機において、  前記表示手段は、    前記複数の抽選用図柄を変動表示する第１のステップと、    前記複数の抽選用図柄のうち変動表示後に停止表示された抽選用図柄を遮蔽して識別不能な状態にする遮蔽表示を行う第２のステップと、    前記第２のステップにより識別不能となった前記抽選用図柄を、他の抽選用図柄に変更する第３のステップと、    前記第３のステップの後、遮蔽表示を解消することで、変更した後の抽選用図柄を識別可能な状態に表示する第４のステップと、  を実現することを特徴とする遊技機。    【請求項２】  請求項１に記載の遊技機であって、  始動口と、  制御プログラムを実行する制御部と、  を備え、  前記制御部は、制御プログラムの実行により、    前記始動口への入賞に応じて大当り判定用乱数を取得するステップと、    前記大当り判定用乱数に基づいて、複数の抽選用図柄を大当り図柄配列で停止表示させるか否か決定するステップと、  を実現し、  前記表示手段は、前記制御部の決定に従って抽選用図柄の表示を行い、前記制御部で、前記大当り図柄配列で停止表示させると決定されている場合、前記第２のステップで複数の抽選用図柄を遮蔽するための各遮蔽図柄が関連性を有するものとすることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に処理槽を有し、前側面の間口巾より側面側の巾が広く、かつ側面側の巾よりも縦長の外枠本体と、
前記処理槽に備わる回転自在なる撹拌体と、
記前側面に設けられ、かつ処理槽に連通するコンポスト排出口と、
前記前面側に着脱自在に取り付けられ、かつ前記コンポスト排出口を覆う前パネルカバーを有することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項２】
請求項１記載の厨芥処理機において、
前パネルカバーは、横断面が前方に膨出する円弧曲形状を有することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項３】
請求項１記載の厨芥処理機において、
前パネルカバーは、裏面側に付属品の収納ボックスを有することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項４】
請求項３記載の厨芥処理機において、
前記収納ボックスが、前記前パネルカバーの裏面と、前パネルカバーの裏面側に設けた仕切り板で形成されることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項５】
請求項１記載の厨芥処理機において、
前記外枠本体の下部側には、前記前面側よりも前方に突き出し、かつ前記パネルカバーの下側を載せるパネルカバー支持台を設け、
前記外枠本体の下部側には、前記前面側よりも前方に突き出た前記前パネルカバーの上側を保持するパネルカバー保持台を設けたことを特徴とする厨芥処理機。
【請求項６】
請求項５記載の厨芥処理機において、
パネルカバー支持台およびパネルカバー保持台の表面側が、前記前パネルカバーの表面側と面一であることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項７】
請求項５記載の厨芥処理機において、
前記前パネルカバーの上側および下側が、前記パネルカバー保持台と前記外枠本体の前面にそれぞれ着脱自在に係止されていることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項８】
請求項７記載の厨芥処理機において、
前記前パネルカバーの上側には、前記パネルカバー保持台の係止穴に着脱自在に係合する係合突起を設け、
前記前パネルカバーの下側には、前記外枠本体の前面側の係止溝に着脱自在に係合する弾性の係合爪を設けたことを特徴とする厨芥処理機。
【請求項９】
請求項５記載の厨芥処理機において、
前記パネルカバー保持台の上面側に、小物等が入る程度の大きさを有する小物入凹部を設けたことを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１０】
請求項５記載の厨芥処理機において、
前記外枠本体前面の上部に設けられたパネルカバー保持台の内部の空間部に芳香剤、除虫剤、脱臭剤、除湿剤、マイナスイオン発生器、などを収容することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１１】
請求項８記載の厨芥処理機において、
前記前パネルカバーの下側には、前記係合爪の近傍に指がかかる取っ手を設けたことを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１２】
請求項５記載の厨芥処理機において、
前記パネルカバー支持台は、前記外枠本体の底に取り付ける底ベースと一体に形成されていることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１３】
請求項１２記載の厨芥処理機において、
前記底ベースの外周側面に、前記外枠本体の内部に備わる機器等から発生する熱を逃がす排気口を有することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１４】
請求項１２記載の厨芥処理機において、
キャスタが付く載置台を備え、
前記載置台に生ごみ処理機の本体を載置することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１５】
請求項１２記載の厨芥処理機において、
キャスタが付き、かつ収納部を有する丈のある載置台を備え、
前記載置台に生ごみ処理機の本体を載置することを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１６】
請求項１５記載の厨芥処理機において、
前記載置台と前記底ベースは、外周側が面一であることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１７】
請求項１４または１５記載の厨芥処理機において、
前記載置台と生ごみ処理機の本体はロック手段で結合されることを特徴とする厨芥処理機。
【請求項１８】
内部に処理槽を有する外枠本体と、前記処理槽内に備わる回転自在なる撹拌体と、前記外枠本体の前面側に設けられ、かつ前記処理槽に連通するコンポスト排出口と、前記コンポスト排出口から排出されるコンポストが収められるコンポスト収納袋の口部を保持する保持部を備え、前記コンポスト収納袋に装着する輪ゴムでコンポスト収納袋の口部を窄めさせて当該コンポスト収納袋を前記保持部に保持させる厨芥処理機において、
前記保持部は、前記コンポスト排出口の表面の上部側に設けられる上向きの立上部をもつ係止突起部と、前記コンポスト排出口の表面の下部側から斜め下向き前方に突き出し前記コンポスト収納袋の内部まで入るように延在するコンポス取出ガイドを有し、
前記コンポスト収納袋の口部が前記コンポスト排出口の表面から突き出す前記コンポス取出ガイドの付け根と前記係止突起部に前記輪ゴムで締め着けられて、コンポスト収納袋が前記保持部に装着されることを特徴とする厨芥処理機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月5日(2009.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明のガラスは各成分の原料として、それぞれ相当する単一酸化物、複酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩などを使用し、所望の組成の割合となるように秤量し、十分に混合したものをガラス調合原料とする。ここで重要なのは、ガラス各成分、特にＡｇ２Ｏの成分に対応する出発原料が他の成分に対応する出発原料と十分均質化されていることである。
このガラス調合原料をアルミナ製もしくは化学的耐久性と耐熱性に優れたセラミックス製の坩堝に投入して、電気炉で１０００〜１２５０℃に加熱して溶融し、アルミナ製もしくは化学的耐久性と耐熱性に優れたセラミックス製の攪拌棒で適時攪拌して均質化を図り、清澄化してから適当な温度に予熟した金型等に鋳込んだ後、徐冷してガラスを製造する。溶融温度はガラス融液や揮発成分によって、坩堝、攪拌棒および電気炉などの溶融設備への損傷を防ぐため、なるべく低く保つことが望ましい。なお、脱泡のために少量のＳｂ２Ｏ３等を加えたり、電気炉の外の気体をガラス融液中に吹き込んだりしても良い。
イオン交換処理は一般に、上記のようにして得られたガラス体をＮａＮＯ３、ＫＮＯ３、Ｎａ２ＳＯ４、Ｋ２ＳＯ４等の１種類以上を混合した溶融塩中に３１０〜４１０℃で適当な時間浸漬することにより行う。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の方向に並ぶ複数の伝送線においてグランド線が連続して並ぶグランド線群を含む第１ケーブルと、
前記第１ケーブルに対向するように配置され、前記所定の方向に複数の伝送線が並ぶ第２ケーブルであって、電圧変化する伝送線が前記グランド線群を包括する領域に対向するように配置される第２ケーブルと、
を備える液体吐出装置。
【請求項２】
前記グランド線群において連続して並ぶ前記グランド線の本数は、前記電圧変化する伝送線の本数よりも少なくとも２本多く、
前記第２ケーブルにおいて、さらに、前記電圧変化する伝送線を挟み込むようにグランド線が配置される、請求項１に記載の液体吐出装置。
【請求項３】
前記電圧変化する伝送線は、送信する信号と該送信する信号を反転した信号とで構成される差動信号を伝送する、請求項１又は２に記載の液体吐出装置。
【請求項４】
前記第１ケーブルの一方の端部と前記第２ケーブルの一方の端部とが接続する第１部材と、前記第１ケーブルの他方の端部と前記第２ケーブルの他方の端部とが接続する第２部材とは、互いに相対的に移動する部材である、請求項１〜３のいずれかに記載の液体吐出装置。
【請求項５】
前記第１ケーブルの一方の端部と前記第２ケーブルの一方の端部とが接続する第１の接続部と、前記第１ケーブルの他方の端部と前記第２ケーブルの他方の端部とが接続する第２の接続部とは、互いに相対的に移動しない接続部である、請求項１〜３のいずれかに記載の液体吐出装置。
【請求項６】
所定の方向に並ぶ複数の伝送線においてグランド線が連続して並ぶグランド線群を含む第１ケーブルと、
前記第１ケーブルに対向するように配置され、前記所定の方向に複数の伝送線が並ぶ第２ケーブルであって、電圧変化する伝送線が前記グランド線群を包括する領域に対向するように配置される第２ケーブルと、
を備える信号伝送路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザを感光体に照射することにより感光体上に潜像を作成する印刷装置において、前記印刷装置は、レーザ出力任意設定部とレーザ特性記憶部とレーザ発光回路と演算回路とレーザ強度設定回路を有する制御部と、レーザドライバとレーザからなるレーザユニットを有し、前記レーザはレーザダイオードとレーザ光の発光強度をモニタするフォトダイオードから構成され、前記フォトダイオードは、レーザ光をモニタ電流に変換し、前記制御部は（モニタ電流Ｉ／レーザ出力Ｐ）を前記レーザユニットの個体ごとのパラメータとして前記レーザ特性記憶部に記憶させ、前記レーザ出力任意設定部に設定されたレーザ出力任意設定値と前記レーザ特性記憶部に記憶されたパラメータの値とを前記演算回路にて演算することで、前記レーザ出力任意設定値での前記フォトダイオードのモニタ電流を算出し、前記レーザドライバは、前記算出されたフォトダイオードのモニタ電流と実際のフォトダイオードのモニタ電流の出力が一致するように、前記レーザダイオードを駆動することを特徴とする印刷装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、半導体レーザを感光体に照射することにより感光体上に潜像を作成する印刷装置において、前記印刷装置は、レーザ出力任意設定部とレーザ特性記憶部とレーザ発光回路と演算回路とレーザ強度設定回路を有する制御部と、レーザドライバとレーザからなるレーザユニットを有し、前記レーザはレーザダイオードとレーザ光の発光強度をモニタするフォトダイオードから構成され、前記フォトダイオードは、レーザ光をモニタ電流に変換し、前記制御部は（モニタ電流Ｉ／レーザ出力Ｐ）を前記レーザユニットの個体ごとのパラメータとして前記レーザ特性記憶部に記憶させ、前記レーザ出力任意設定部に設定されたレーザ出力任意設定値と前記レーザ特性記憶部に記憶されたパラメータの値とを前記演算回路にて演算することで、前記レーザ出力任意設定値での前記フォトダイオードのモニタ電流を算出し、前記レーザドライバは、前記算出されたフォトダイオードのモニタ電流と実際のフォトダイオードのモニタ電流の出力が一致するように、前記レーザダイオードを駆動すること、また、半導体レーザのスロープ効率を考慮したパワーコントロールを行うことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記パワーコントロールは、レーザ発光強度を検出するフォトダイオードまたはフォトトランジスタの特性、およびレーザダイオードとフォトダイオードまたはフォトトランジスタ間の伝達係数の個体差によってレーザ発光強度が同じでもフォトダイオードまたはフォトトランジスタのモニタ電流が異なってくることを補正してレーザ出力を制御することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、制御部５の説明を行う。制御部５内のレーザ出力任意設定部９のレーザ出力任意設定値は実際に使用するオペレータなどが設定できる値であり、印刷装置のオペレータパネル（図示せず）より設定、もしくは印刷装置自身が温度や湿度などの環境条件を検出し設定する値である。レーザ特性記憶部１０は前記のレーザユニット６のパラメータ（モニタ電流Ｉ／レーザ出力Ｐ）を記憶する部分でありＮＶ−ＳＲＡＭ等の記憶素子が使用される。演算回路１２はレーザ出力任意設定部９に設定された値とレーザ特性記憶部１０の値を演算する部位であり、（モニタ電流Ｉ／レーザ出力Ｐ）×（レーザ出力任意設定値）からレーザダイオード１４のレーザ出力任意設定値でのフォトダイオード１５のモニタ電流を算出する。算出はデジタルデータで行われるためＤ／Ａ変換回路１３でアナログ変換され、レーザ出力任意設定値でレーザ１４が発光した場合のフォトダイオード１５のモニタ電流をレーザドライバ７に出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
５…制御部、６…レーザユニット、７…レーザドライバ、８…レーザ、９…レーザ出力任意設定部、１０…レーザ特性記憶部、１１…レーザ発光回路、１２…演算回路、１３…Ｄ／Ａ変換回路、１４…レーザダイオード、１５…フォトダイオード、１６…半導体レーザ、１７…ベース金属板、１８…電気的絶縁材、１９…コリメータレンズ、２０…アパーチャ、２１…プリンタ回路基板、２２…レーザユニット、２３…モニタ出力増幅器、２５…基準電圧発生回路、２６…フォトダイオード、２８…比較器、２９…駆動回路、３１…オペアンプ、３２…利得調整用可変抵抗器、３３…抵抗、３４…ツェナダイオード、３５…パワーメータ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の中空シャフトと、
軸本体部の一端に設けた細径部の先端に前記中空シャフトの孔よりも大径のツバ部を設けることによって周回する溝部を設けると共に、前記細径部に少なくとも一箇所以上の凹部を設けた、前記中空シャフトよりも高耐熱性を有する金属製の軸部材とからなり、
この軸部材と同一軸上に配置され、軸心を中心にして前記軸部材に対して相対的に回転している前記中空シャフトの端部の孔内へ前記軸部材のツバ部を圧入し、前記中空シャフトの一部を溶融させ、その溶融部分で前記溝部および前記凹部を埋めることにより、前記中空シャフトと前記軸部材とを一体化した、
ことを特徴とするローラ。
【請求項２】
請求項１に記載のローラにおいて、
前記ツバ部を、先端に向かって縮閉する円錐台形状にした、
ことを特徴とするローラ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のローラにおいて、
前記軸部材を、前記中空シャフトの回転方向と逆方向へ回転させた、
ことを特徴とするローラ。
【請求項４】
金属製の中空シャフトと、軸本体部の一端に設けた細径部の先端に前記中空シャフトの孔よりも大径のツバ部を設けることによって周回する溝部を設けると共に、前記細径部に少なくとも一箇所以上の凹部を設けた、前記中空シャフトよりも高耐熱性を有する金属製の軸部材とを同一軸上に配置し、
前記中空シャフトを、軸心を中心にして前記軸部材に対して相対的に回転させ、
前記軸部材のツバ部を前記中空シャフトの端部の孔内へ圧入して前記中空シャフトの一部を溶融させ、その溶融部分で前記溝部および前記凹部を埋めることにより、前記中空シャフトと前記軸部材とを一体化する、
ことを特徴とするローラの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載のローラの製造方法において、
前記ツバ部を、先端に向かって縮閉する円錐台形状にした、
ことを特徴とするローラの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５に記載のローラの製造方法において、
前記軸部材を、前記中空シャフトの回転方向と逆方向へ回転させる、
ことを特徴とするローラの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】