Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、骨の成長および骨のミネラル化を改善するため、および／または軟骨成長の改善のための薬剤。
【請求項２】
家畜、飼育動物、および／または肥育動物に用いることを特徴とする、請求項１に記載の薬剤。
【請求項３】
前記薬剤が粉末、顆粒、錠剤、カプセル、ペレット、溶液、ジュース、またはゼリー製品を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の薬剤。
【請求項４】
前記薬剤が、コリンおよび／またはベタインと組み合わせたグアニジノ酢酸、および／またはグアニジノ酢酸塩を加えた食用マトリックスを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の薬剤。
【請求項５】
前記食用マトリックスが、コリンおよび／またはベタインと組み合せたグアニジノ酢酸、および／またはグアニジノ酢酸塩を製造工程において混合または溶解により加えた、工業的に製造される食料品、飲料または飼料であることを特徴とする、請求項４に記載の薬剤。
【請求項６】
前記薬剤が、炭水化物、脂肪、アミノ酸、タンパク質、ビタミン、無機物質、微量元素、カフェイン、タウリン、およびこれらの混合物から選択されているさらなる生理活性栄養物質を含むことを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項７】
前記グアニジノ酢酸塩が、リンゴ酸、アスパラギン酸、アスコルビン酸、コハク酸、焦性ブドウ酸、フマル酸、グルコン酸、α−ケトグルタル酸、シュウ酸、ピログルタミン酸、３−ニコチン酸、乳酸、クエン酸、マレイン酸、硫酸、酢酸、ギ酸、塩酸、リン酸、２−ヒドロキ安息香酸、Ｌ−カルニチン、アセチル−Ｌ−カルニチン、タウリン、ベタイン、コリン、メチオニン、および／またはリポ酸との、ならびにナトリウム、カリウム、またはカルシウムとの塩であることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項８】
前記グアニジノ酢酸（塩）を、ジメチルグリシン、サルコシン、葉酸、およびメチオニン、またはこれらの成分の混合物の群の、さらなるメチル基供与体と組み合わせることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項９】
前記グアニジノ酢酸、および／またはグアニジノ酢酸塩が、各回服用量に体重１ｋｇあたり０．００１〜０．３ｇ含まれていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１０】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、脳機能を改善するための薬剤。
【請求項１１】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、老化プロセスの緩和のための薬剤。
【請求項１２】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、抗酸化性がある神経保護作用物質としての薬剤。
【請求項１３】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、コレステロール値とトリグリセリド値を低下させるための薬剤。
【請求項１４】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、炎症プロセスの予防のための薬剤。
【請求項１５】
コリンおよび／またはベタインと組み合わせた、グアニジノ酢酸および／またはグアニジノ酢酸の塩を含み、グアニジノ酢酸対コリンおよび／またはベタインの量のモル比が、１：１〜２：１の範囲である、ヒトもしくは脊椎動物における、血糖値を低下させるための薬剤。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明による使用目的に含まれるグアニジノ酢酸塩のうち、とりわけ有用であると実証されている塩は、アスパラギン酸、アスコルビン酸、焦性ブドウ酸、コハク酸、フマル酸、グルコン酸、α−ケトグルタル酸、シュウ酸、ピログルタミン酸、３−ニコチン酸、乳酸、クエン酸、マレイン酸、硫酸、酢酸、ギ酸、塩酸、およびリン酸、２−ヒドロキシ安息香酸、Ｌ−カルニチン、アセチル−Ｌ−カルニチン、タウリン、ベタイン、コリン、メチオニン、およびリポ酸により得られる塩であり、この際グアニジノ酢酸カリウム、グアニジノ酢酸カルシウム、またはグアニジノ酢酸ナトリウムが、特に適している。また、グアニジノ酢酸と、上記塩の１またはそれ以上の塩との混合物、または上記塩から成る混合物も使用することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月19日(2013.6.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
質量について０．００２〜０．０１５％の炭素（Ｃ）、２〜１５％のコバルト（Ｃｏ）、７．０〜１４．０％のニッケル（Ｎｉ）、８．０〜１５．０％のクロム（Ｃｒ）、０．５〜２．６％のモリブデン（Ｍｏ）、０．４〜０．７５％のチタン（Ｔｉ）、０．５％未満のタングステン（Ｗ）、０．７％未満のアルミニウム（Ａｌ）、残りの鉄（Ｆｅ）ならびに不可避的不純物からなる組成を有し、銅（Ｃｕ）を構成成分として回避するステンレス鋼合金であって、前記合金は、
高温のＦＣＣ単相界に保持して前記合金を均質化するステップと、
高温のＦＣＣの単相界からＴｉＣ＋ＦＣＣの２相界でのＴｉＣソルバス温度より低い温度まで冷却された後で微小構造を精製する前記合金を鍛造するステップと、
金属間相を溶解させる前記合金の溶体化処理ステップと、
冷間加工を要することなくＮｉ３Ｔｉη相を析出させる前記合金の焼戻しステップと、
前記合金を不動態化するステップと、
を含むステップにより処理され、
これによって、前記合金は、ラスマルテンサイト微小構造を有し、残留オーステナイトの体積分率が１５％未満であり、トポロジカル最密（ＴＣＰ）金属間相を含まない、前記炭素（Ｃ）が０．０２〜０．１５体積％のＴｉＣカーバイド粒子の分散であり、Ｎｉ３Ｔｉη相の金属間粒子の分散を強化相としてさらに含むことを特徴とする、ステンレス鋼合金。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
［１７］
上述の微細構造特徴を備えた本発明の合金は、当業者に公知の従来の処理技法を使用する大規模インゴットの生産に適切である。合金は、均質化処置に続き、次に鍛造することができる。合金は、高温からの焼入れ時に冷間加工を必要とせずに約８５％超の所望のマルテンサイト相構造に変態するように設計されている。一部の用途では、合金は真空中でニアネット形状部品へインベストメント鋳造できる。ＣまたはＮなどの格子間元素と比較して、Ａｌ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｎｉ、またはＴｉなどの置換元素の低い固体−溶液強化効果のために、本発明の焼入れたままの（ａｓ−ｑｕｅｎｃｈｅｄ）非侵入型マルテンサイト鋼は比較的軟質であり、したがって炭素含有マルテンサイト鋼よりも容易に機械加工される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
必要な耐破壊性を達成するために、本発明による方法において、少なくとも５００Ｎの耐破壊性（本願明細書中に開示された方法で測定して）を有する少なくとも１種の合成又は天然のポリマー（Ｃ）を使用する。好ましくは、このために、ポリアルキレンオキシド、好ましくはポリメチレンオキシド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリアクリラート、これらの共重合体及び少なくとも２種の前記ポリマーからなる混合物を有するグループから選択される少なくとも１種のポリマーを使用する。高分子量の熱可塑性のポリアルキレンオキシドが好ましい。流動学的測定により決定して、少なくとも０．５Ｍｉｏ．、好ましくは少なくとも１Ｍｉｏ．から１５Ｍｉｏ．の分子量を有する高分子量のポリエチレンオキシドが特に有利である。このポリマーは、ブルックフィールド粘度計、モデルＲＶＦ（スピンドル番号２／回転速度２ｒｐｍ）を用いて５重量％の水溶液に関して測定して、２５℃で好ましくは４５００〜１７６００ｃＰの粘度を有し、粘度計（スピンドル番号１もしくは３／回転速度１０ｒｐｍ）を用いて２重量％の水溶液に関して測定して４００〜４０００ｃＰ、もしくは粘度計（スピンドル番号２／回転速度２ｒｐｍ）を用いて１重量％の水溶液に関して測定して１６５０〜１００００ｃＰを有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未加工材料の表面を機械的に加工することによって初期の平均的な表面粗度Ｒａ,０を発生し、かつこのように加工された構成部品表面がエッチング処理を受けることによって、半導体製造において使用するための石英ガラスからなる構成部品を形成する方法において、
機械的な加工によって、少なくとも０．３μｍかつ最大で１．６μｍの初期の平均的な表面粗度Ｒａ,０を設定し、かつエッチング処理の強度と期間を、１５μｍと１２０μｍの間の範囲内でエッチング深さがＲａ,０に従って定められた最小エッチング深さｍｉｎよりも大きいように、設定することを特徴とする石英ガラスからなる構成部品を形成する方法。
【請求項２】
０．４μｍまたはそれより大きい初期の平均の表面粗度Ｒａ,０において、以下の寸法基準の最小エッチング深さｍｉｎ：
最小エッチング深さｍｉｎ［単位  μｍ］＝７０＋６０×ｌｎ（Ｒａ,０［単位  μｍ］）
を満足することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
以下の寸法基準の最小エッチング深さｍｉｎ：
最小エッチング深さｍｉｎ［単位  μｍ］＝７５＋６０×ｌｎ（Ｒａ,０［単位  μｍ］）
を満足することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
最小エッチング深さｍｉｎが、２０μｍと１００μｍの間の範囲内にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
エッチング処理の強度と期間を、エッチング深さが最小エッチング深さｍｉｎよりも最大で２０μｍ大きいように設定することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
表面の機械的な加工によって、０．８μｍの初期の平均的な表面粗度Ｒａ,０を発生することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
これに関して、０．４μｍまたはそれより大きい初期の平均的な表面粗度Ｒａ,０から始まって、以下の寸法基準：
最小エッチング深さｍｉｎ＝７０＋６０×ｌｎ  （Ｒａ,０［単位  μｍ］）を満足し、好ましくは以下の寸法基準：
最小エッチング深さｍｉｎ＝７５＋６０×ｌｎ  （Ｒａ,０［単位  μｍ］）を満足する、
処理方法が、特に効果的であることが明らかにされている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
表１に挙げたデータに基づいて、エッチング処理の必要な強度と期間は、以下の寸法基準を用いて見積もることができる：
最小エッチング深さｍｉｎ［単位  μｍ］＝７０＋６０×ｌｎ  （Ｒａ,０［単位  μｍ］）
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
反応管中に重ねて配置された４つの触媒層を有する、カルボン酸および／またはカルボン酸無水物を製造するための触媒系において、前記触媒層が
ａ）無孔性および／または多孔性の担体材料上の最も低い活性の触媒からなる第１の触媒層、この場合、前記触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１１質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ４〜１１質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０．１〜１．１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有しており、
ｂ）流れ方向にａ）の次の層として配置された、無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒からなる第２の触媒層、この場合、前記触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ４〜１５質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０．１〜１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有しており、
ｃ）流れ方向にｂ）の次の層として配置された、無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒からなる第３の触媒層、この場合、前記触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ５〜１３質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０〜０．４質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有しており、および、
ｄ）流れ方向にｃ）の次の層として配置された、無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒からなる第４の触媒層、この場合、前記触媒は、全触媒に対して活性材料を８〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  １０〜３０質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０〜０．１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有している、であって、
第１の触媒層ａ）および第２の触媒層ｂ）を合わせた堆積厚の第３の触媒層ｃ）および第４の触媒層ｄ）を合わせた堆積厚に対する比が１．５〜１．８であり、かつ、触媒系の全堆積厚が２．５〜４ｍである、前記触媒系。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
第１の触媒層ａ）が全触媒堆積物の３０〜５０％の厚さを有し、第２の触媒層ｂ）が全触媒堆積物の１８〜２５％の厚さを有し、第３の触媒層ｃ）および第４の触媒層ｄ）がそれぞれ全触媒堆積物の１５〜２２％の厚さを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の触媒系。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
無水フタル酸を製造するための４層触媒系の好ましい実施態様によれば、
ａ）無孔性および／または多孔性の担体材料上の最も低い活性の触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１１質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ４〜１１質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０．１〜１．１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有し、
ｂ）直ぐ次の、流れ方向に配置された無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ４〜１５質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０．１〜１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有し、
ｃ）直ぐ次の、流れ方向に配置された無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒は、全触媒に対して活性材料を７〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  ５〜１３質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０〜０．４質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有し、
ｄ）直ぐ次の、流れ方向に配置された無孔性および／または多孔性の担体材料上の触媒は、全触媒に対して活性材料を８〜１２質量％有し、前記活性材料は、Ｖ2Ｏ5  １０〜３０質量％、Ｓｂ2Ｏ3またはＮｂ2Ｏ5  ０〜４質量％、Ｐ  ０〜０．５質量％、アルカリ（アルカリ金属として計算した）０〜０．１質量％および残分としてアナターゼ型のＴｉＯ2を含有し、
その際、アルカリ金属として、有利にセシウムが使用される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３１】
本発明の１つまたは複数の実施の形態によれば、厚い誘電体は穿孔されていなくてもよい。即ち、誘電体の断面は連続的であってもよい。厚い誘電体は、その断面が不連続となって現れる原因となる穴または穿孔を持たないように形成されてもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
例
例１
１３６ｋｇ／ｈｒのハンマー粉砕した麦芽グリストの流れを７０Ｌの連続して攪拌されるタンクリアクターに投入し、３１３ｋｇ／ｈｒで醸造用水と温度５０℃で混合する。当該混合物の一部分（この後、これを「マッシュ」と称す）を垂直円筒プラグリアクターに送る（３４０Ｌ／ｈｒ）この麦芽マッシュ流が、必要な酵素（デンプン分解アミラーゼ）を提供し、当該リアクターでの加熱処理の間の粘度を減少する。使用される当該リアクターの種類は、ハイネケンによる以前の特許に記載されている（WO 92/12231）。当該マッシュの残りを、５０Ｌの連続して攪拌されるタンクリアクターにポンプで押し出し、そこにおいて、５９ｋｇ／ｈｒのトウモロコシ粗粒流れを１４０ｋｇ／ｈｒの水と共に投入する。その併合した流れは５０℃の温度を有し、これは当該トウモロコシデンプンの糊化温度よりも十分に低い。酵素の作用によりトウモロコシのデンプンの糊化および液化するために、麦芽マッシュの懸濁物、トウモロコシ粗粒および水を直接的な蒸気注入に供し、その温度を７８℃に上昇した。この温度で、有意な量のデンプンが糊化され、同時に当該麦芽酵素により液化される。これらの酵素なしで、当該デンプンは装置に直ちに濃いペーストと障害物を形成する。この最初の温度を上昇した後に、１メーターのプラグフローリアクターにおいて当該酵素をデンプンにおいて５分間作用させる。その後、もう１度の直接蒸気注入処理を経て、温度を１００℃に上げ、同様のプラグフローリアクターにおいて当該デンプン顆粒をこの温度で５分間寝かせることにより十分に糊化する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５８】
１００ｋｇ／ｈｒの流速でコメ粗粒の形態の麦芽処理してない添加物を５０Lの連続攪拌タンクリアクターに投入し、水の２１０ｋｇの流れを加えた。加熱抵抗デンプン分解アミラーゼ酵素の流れを投入し、次の加熱処理において粘度を減少する。得られた混合物は５０℃の温度であり、これはコメデンプンの糊化温度よりも十分に低い。コメのデンプンを酵素作用により糊化および液化するために、コメ粗粒の懸濁物、酵素および水を直接蒸気注入に供し、温度を７８℃に上げる。この温度で、デンプンの有意な量が糊化し、また、デンプン分解酵素により液化される。酵素なしで、当該デンプンは直ちに濃いペーストと当該装置に障害物（clogs）を形成する。この最初の温度の上昇の後に、当該酵素を、１ｍ長のプラグフローリアクターで５分間のデンプンにおいて作用させる。その後、もう１回の直接蒸気注入処理が続き、それが１００℃に温度を上げ、同様のプラグフローリアクターでこの温度で５分間寝かせることによりデンプン顆粒は十分に糊化される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエーテルポリオールの製造方法であって、
以下の出発原料： 
ａ）一種以上のアルキレンオキシドと、必要に応じて二酸化炭素と、
ｂ）一種以上のＨ官能性出発物質
とを、触媒の存在下で、
相互に平行に並ぶ複数の層ＡとＢを有する（これらの層は、それぞれの層が相互に平行に配置され、プレートの一方の面からその反対側の面に通じる連続流路を形成する複数の流路を有するように微細構造が形成されている）反応装置中において、
出発原料の一部または全部と、必要に応じて触媒とを、反応温度未満の温度で流路外にあるミキサー中で前混合し、
次いでこの混合物を、その装置のプレートの一方の面の層Ａの流路中に供給し、
その反応混合物をその他方の面から抜き出し、また、
伝熱媒体を、その一方の面の、層Ａと交互に配置された層Ｂの流路中に供給し、これらの他方の面から抜き出して、反応させ、
その際、出発原料と触媒とを導入するための分配装置が、層Ａの流路の一末端に取り付けられ、反応混合物の収集装置が他方の末端に取り付けられてあり、
層Ａの流路の圧力が１〜２０ＭＰａ（１０〜２００ｂａｒ）(絶対圧）の範囲にあり、温度が６０〜２００℃の範囲にあり、反応混合物の滞留時間が１〜６００秒の範囲にあり、
前記分配装置および収集装置が、それぞれ層ＡとＢの重層物の内部に設けられ、各々の層Ａの平行流路は、これらの両末端のそれぞれの領域に設けられた平行流路間を連結する横方向の流路を持っており、層ＡとＢの重層内のすべての横方向の流路が、層ＡとＢの面に垂直に形成された収集流路により連結されることを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記の層ＡとＢがプレート状である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層ＡとＢの交互配列が、一層の層Ａの後に一層の層Ｂが続くか、二層の連続する層Ａの後に一層の層Ｂが続くか、二層の連続する層Ｂの後に一層の層Ａが続くものである請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
層Ａの分配装置および収集装置に対応する分配装置と収集装置が、伝熱媒体が流れる流路を持つ層Ｂに対しても設けられる請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。  
【請求項５】
反応器の外部にあり、出発原料の一部または全部、及び必要に応じて触媒が前混合されるミキサーが微細構造ミキサーである請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。  
【請求項６】
前記微細構造ミキサーが、層状拡散ミキサー、多層ミキサー、壁面構造を持つマイクロミキサー、または分割再結合ミキサーである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
伝熱媒体の適当な加熱／冷却のために層Ｂに設けられた、加熱または冷却ゾーン当たり少なくとも一台の分配装置および収集装置を有する２つ以上の加熱または冷却ゾーンにより、各層Ａの流路に沿って温度勾配が形成されている請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記反応混合物が、収集装置から反応器の上流に位置するミキサーに再循環される請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
ポリエーテルポリオールの製造方法であって、
以下の出発原料：
ａ）一種以上のアルキレンオキシドと、必要に応じて二酸化炭素と、
ｂ）一種以上のＨ官能性出発物質
とを、触媒の存在下で、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の定義に対応する２つ以上の反応装置をブロック的に操作して、反応させ、
１）出発原料ａ）とｂ）を第一の反応装置に供給し、第一の反応混合物を得て、
２）第一の反応混合物が第一の反応装置を出た後、
３）一種以上の出発原料とは異なる他の出発原料を工程段階１）に導入し、または工程段階１）と同一ではあるが工程段階１）とは混合比率が異なる出発原料を混合し、第二の反応混合物を得て、第二の反応混合物を第二の反応装置に供給し、
４）得られた反応混合物を、必要に応じて他の反応装置に供給し、工程段階２）と３）が適当な回数繰り返すことを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
前記一種以上のアルキレンオキシドおよび、必要に応じて二酸化炭素を、まず、第一の混合工程において反応器外部のミキサー中で触媒とともに前混合し、前記一種以上のＨ官能性出発物質を第二の混合工程で混合する請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
出発原料ａ）のアルキレンオキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、ペンテンオキシド、グリシジルエーテル、ヘキセンオキシド、およびスチレンオキシドまたはこれらの混合物からなる群より選ばれる一種以上の物質である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。  
【請求項１２】
官能基数が１〜８である一種以上のアルコールをＨ官能性出発物質として使用する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
官能基数が１で一般式Ｒ−ＯＨ（式中、Ｒは、炭素原子数が１〜６０の飽和又は不飽和のアルキル、アリール、アラルキルまたはアルキルアリール基である）で表される一種以上のアルコールが、一種以上のＨ官能性出発物質として使用される請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
官能基数が２〜８の一種以上のアルコール類から選ばれる一種以上の物質が、Ｈ官能性出発物質として使用される請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
多金属シアン化物錯体触媒が触媒として使用される請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
水酸化カリウム、アルカリ金属アルコキシドまたはアミンの塩基性触媒が、触媒として使用される請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記多金属シアン化物錯体触媒が、単一反応装置から出る、又は複数の反応装置の最後から出る反応生成混合物の膜クロスフロー濾過により回収され、プロセス内に再循環される請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法により製造されたポリエーテルポリオールのポリウレタン製造への使用方法。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法により製造されたポリエーテルポリオールの表面活物質、洗濯洗剤や洗浄剤、鉱業用化学物質、石油分野用化学物質、繊維助剤、皮革加工助剤、塗料添加物、作物保護剤用助剤、化粧品及び個人ケア用助剤、ヒトや動物用の栄養助剤、製造助剤、医薬品の助剤、または燃料添加物としての使用方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
【表４】
2009537687.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
【表５】
2009537687.tif 000002
但し、表５の上段の実験結果は参考例であり、下段の実験結果は実施例である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
【表６】
2009537687.tif 000003
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月14日(2012.11.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エフリン受容体キナーゼの活性に依存する疾患を処置するための、式Ｉ
【化１】
2009537606.tif 000001
〔式中、
Ｒ１は、水素、低級アルキル、低級アルコキシ−低級アルキル、アシルオキシ−低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、またはフェニル−低級アルキルであり；
Ｒ２は、水素、所望により１個以上の同一または異なるラジカルＲ３で置換されていてよい低級アルキル、シクロアルキル、ベンズシクロアルキル、ヘテロシクリル、アリール基、または０個、１個、２個または３個の環窒素原子および０個または１個の酸素原子および０個または１個の硫黄原子を含む単または二環式ヘテロアリール基であり、これらの基はいずれの場合も置換されていないか、または一もしくは多置換されており；
そしてＲ３はヒドロキシ、低級アルコキシ、アシルオキシ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ,Ｎ−ジ置換カルバモイル、アミノ、モノ−またはジ置換アミノ、シクロアルキル、ヘテロシクリル、アリール基、または０個、１個、２個または３個の環窒素原子および０個または１個の酸素原子および０個または１個の硫黄原子を含む単または二環式ヘテロアリール基であり、これらの基はいずれの場合も置換されていないか、または一もしくは多置換されており；
または、Ｒ１およびＲ２は一体となって、所望により低級アルキル、シクロアルキル、ヘテロシクリル、フェニル、ヒドロキシ、低級アルコキシ、アミノ、モノ−またはジ置換アミノ、オキソ、ピリジル、ピラジニルまたはピリミジニルで一または二置換されていてよい４個、５個または６個の炭素原子のアルキレン；４個または５個の炭素原子のベンズアルキレン；１個の酸素原子および３個または４個の炭素原子のオキサアルキレン；または１個の窒素および３個または４個の炭素原子のアザアルキレンであり、ここで、窒素は置換されていないか、または低級アルキル、フェニル−低級アルキル、低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、カルバモイル−低級アルキル、Ｎ−モノ−またはＮ,Ｎ−ジ置換カルバモイル−低級アルキル、シクロアルキル、低級アルコキシカルボニル、カルボキシ、フェニル、置換フェニル、ピリジニル、ピリミジニル、またはピラジニルで置換されており；
Ｒ４は水素、低級アルキル、またはハロゲンである。〕
の化合物、またはそれらのＮ−オキシドもしくは薬学的に許容される塩を含む、医薬であって、前記疾患が黒色腫である、医薬。
【請求項２】
式Ｉの化合物が４−メチル−３−[[４−(３−ピリジニル)−２−ピリミジニル]アミノ]−Ｎ−[５−(４−メチル−１Ｈ−イミダゾール−１−イル)−３−(トリフルオロメチル)フェニル]−ベンズアミドである、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
エフリン受容体キナーゼがＥｐｈＢ４である、請求項１に記載の医薬。
【請求項４】
黒色腫の処置が、黒色腫の腫瘍転移の形成および増殖の予防である、請求項１に記載の医薬。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
発明の詳細な説明
本発明は、例えば、１種以上の増殖性疾患を処置する医薬として、キナーゼ依存性疾患、とりわけエフリン受容体キナーゼ依存性疾患の処置用医薬組成物の製造のための、式
【化１】
2009537606.tif 000002
のＩＮＮＯ−４０６または、式Ｉ：
【化２】
2009537606.tif 000003
〔式中、
Ｒ１は、水素、低級アルキル、低級アルコキシ−低級アルキル、アシルオキシ−低級アルキル、カルボキシ−低級アルキル、低級アルコキシカルボニル−低級アルキル、またはフェニル−低級アルキルであり；
Ｒ２は、水素、所望により１個以上の同一または異なるラジカルＲ３で置換されていてよい低級アルキル、シクロアルキル、ベンズシクロアルキル、ヘテロシクリル、アリール基、または０個、１個、２個または３個の環窒素原子および０個または１個の酸素原子および０個または１個の硫黄原子を含む単または二環式ヘテロアリール基であり、これらの基はいずれの場合も置換されていないか、または一もしくは多置換されており；
そしてＲ３は、ヒドロキシ、低級アルコキシ、アシルオキシ、カルボキシ、低級アルコキシカルボニル、カルバモイル、Ｎ−モノ−またはＮ,Ｎ−ジ置換カルバモイル、アミノ、モノ−またはジ置換アミノ、シクロアルキル、ヘテロシクリル、アリール基、または０個、１個、２個または３個の環窒素原子および０個または１個の酸素原子および０個または１個の硫黄原子を含む単または二環式ヘテロアリール基であり、これらの基はいずれの場合も置換されていないか、または一もしくは多置換されており；
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
いずれの場合も置換されていないか、または一もしくは多置換されている０個、１個、２個または３個の環窒素原子および０個または１個の酸素原子および０個または１個の硫黄原子を含む単または二環式ヘテロアリール基は、ヘテロアリールラジカルを式Ｉの残りの分子に結合する環で不飽和であるヘテロ環式部分を意味し、好ましくは、結合している環だけでなく、所望により何らかの縮合している環において、少なくとも１個の炭素原子が窒素、酸素および硫黄から成る群から選択されるヘテロ原子で置換されている環であり；ここで、結合している環は、好ましくは５〜１２個、より好ましくは５個または６個の環原子を有し；そして、置換されていないか、またはアリールの置換基として上記で定義の基から選択される１個以上、とりわけ１個または２個の置換基で、最も好ましくは低級アルキル、例えばメチル、低級アルコキシ、例えばメトキシまたはエトキシ、またはヒドロキシで置換されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
当業者には明らかなように、配列番号３７及び３８に示されるアクセプターフレームワークは、それぞれＶＨ遺伝子及びＶκ遺伝子によってコードされる免疫グロブリンのアミノ酸を構成する。これらはそれ自体がアクセプター抗体のフレームワーク領域及びＣＤＲを含む。アクセプター抗体のＣＤＲを配列番号１、２、３、４、５及び６に示されるドナーＣＤＲと置換し、そして得られる配列を好適なフレームワーク４の配列（配列番号３９及び配列番号４０に示される配列など）と結合させて、完全な免疫グロブリン可変領域（配列番号１１及び配列番号１５に示されるものなど）を生成することは当業者の能力の範囲内である。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
７．２．ヒト化
７．２．１．軽鎖ヒト化手順
ラット２Ｃ１０可変軽鎖配列について、ラット２Ｃ１０可変軽鎖配列と６４％の同一性（ＣＤＲ含む）を有するヒト生殖細胞系アクセプターフレームワークを選択した（Ｆ＿ＩＧＫＶ１Ｄ−１２−１、配列番号３８）。生殖系列Ｖ領域は、配列類似性に基づき、コンピューターで（in silico）好適なＦＲ４、この場合はＪ領域κ２ミニ遺伝子（Kabat Vol.II）（配列番号４０）と組み合わせた。３個のヒト化変異体は、配列比較、及び抗体機能への潜在的影響に基づき生成した。構築体Ｌ１は、上で選択したヒトアクセプターフレームワーク中にラットＣＤＲ（Ｋａｂａｔ定義を使用）を線状に移植（straight graft）したものであった。構築体Ｌ２は、Ｌ１を基礎にして、残基７１に１個の追加の復帰突然変異を有した。構築体Ｌ３は、Ｌ２を基礎にして、残基４５、８３、８４及び８５に４個の追加の復帰突然変異を有した。表１を参照されたい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８２】
７．２．２．重鎖のヒト化手順
ラット２Ｃ１０可変重鎖配列について、ラット２Ｃ１０可変重鎖と５９％の同一性（ＣＤＲ含む）を有する、ヒト生殖細胞系アクセプターフレームワークを選択した（Ｆｐ＿ＩＧＨＶ１−ｆ＿２、配列番号３７）。生殖系列Ｖ領域は、配列類似性に基づき、コンピューターで好適なＦＲ４、この場合はＪＨ６ミニ遺伝子（Kabat Vol.II）（配列番号３９）と組み合わせた。このフレームワークに基づき、３個のヒト化可変重鎖変異体を設計した。Ｈ１は、残基２７、２８、２９及び９３に４個の追加の復帰突然変異を有するラットＣＤＲ（Ｋａｂａｔ定義を使用）の移植体である。これにより、（Ｃｈｏｔｈｉａが定義するように）ＣＤＲの一部を構成しうる親（すなわちドナー）抗体のＣＤＲ１の直上流に、極めて珍しいアミノ酸配列を得ることができる。Ｈ２は、Ｈ１を基礎にして、残基３９及び４０に２個の追加の復帰突然変異を有した。次いで、Ｈ３は、Ｈ２を基礎にして、残基３６、７１、８９及び９１に別の４個の追加の復帰突然変異を有した。表２を参照されたい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の主な原料(略称、原料)は、20(R)-ジンセノサイドRg3である。
本発明の副原料(略称、副原料)はA、Bの二種類で、A類はデオキシコール酸（ナトリウム）、ドデシル硫（スルホン）酸ナトリウムとアルギニンである。
B類はシクロデキストリンで、以下のものが含まれる。
<1>シクロデキストリン及びその誘導体、例えばシクロデキストリンポリマーのナノ微粒子、シクロデキストリンポリマー、分岐鎖シクロデキストリン。
<2>β-シクロデキストリン及びその誘導体、例えばβ-シクロデキストリン(β-CD)、2，6-ジメチル-β-シクロデキストリン(DM-β-CD)、グルコシル-β-シクロデキストリン(G1-β-CD)、β-シクロデキストリンに基づくナノ組織体（nano based β-cyclodextrin）、スルフォブチルエーテル-β-シクロデキストリン(SBE-β-CD)、メチル-β-シクロデキストリン（M-β-CD）、ランダムメチル-β-シクロデキストリン(RM-β-CD)。
<3>ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン及びその誘導体、例えば2-ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン、3-ヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン誘導体、2，3-ジヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン、2，3，6-トリヒドロキシプロピル-β-シクロデキストリン。
<4>ヒドロキシエチル-β-シクロデキストリン。
<5>シクロデキストリン及びその誘導体混合副原料、上述したシクロデキストリン、β-シクロデキストリン、ヒドロキシプロピルとヒドロキシエチル-β-シクロデキストリン及びこれらの誘導体間で、いろいろな組み合わせ方によって混合された混合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
【表２】
2009537572.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起磁場を発生させる手段を備える導電部品（４）の非破壊検査装置（１）において、前記発生手段が、部品の形状に合わせることにより被検査部品の表面の一部位を覆うことができるようになっているフレキシブルハウジング内に組み込まれ、
前記ハウジングが部品の部位の表面上にある時、前記励起磁場を受ける前記被検査部品から発せられる漏えい磁場の分布を測定する手段を備え、前記測定手段が前記発生手段に重ねられ、
前記測定手段が、磁場に感応する液晶膜（７）と、前記液晶膜（７）に重ねられた光電子マイクロセンサ網（３）とを備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記光電子マイクロセンサが、前記部品の表面における漏えい磁場の分布のマップを生成することができることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
検出が求められる最小寸法を有する不良が存在することにより生じる漏えい磁場の部分の変化量を検出することができるよう前記光電子マイクロセンサの寸法および配置が決定されることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記励起磁場の前記発生手段がマイクロコイル網（６）を備え、前記励起磁場を発生させるために前記マイクロコイルのそれぞれに交流電流が通ることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記励起磁場の前記発生手段がマイクロ磁石網を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
各光電子マイクロセンサ（３）が、受信した光放射を電荷に変換するための感光セルを含み、前記セルが電荷を収集するための電荷移動装置に結合されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
さらに前記装置が、前記測定手段を記録メモリ（１１）に接続するインタフェース電子装置（１０）を備えることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
一体型検査装置（１）が作製されるよう前記インタフェース電子装置（１０）および前記メモリ（１１）が前記フレキシブルハウジング（２）内に組み込まれることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記検査装置（１）がマイクロプロセッサシステムなどの演算システム（１３）を備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記演算システム（１３）がフレキシブルハウジング（２）内に組み込まれず、前記検査装置が、記録メモリ（１１）内に記録された振動波を表す電気信号を、有線リンクまたはワイヤレスリンク、無線、赤外線を使用して、前記演算システム（１３）に送信するための送信手段を含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記演算システム（１３）が前記フレキシブルハウジング（２）内に組み込まれ、前記インタフェース電子装置（１０）と前記記録メモリ（１１）との間に接続されることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
演算システム（１３）が、単数または複数の部品の基準磁場の分布についての少なくとも１つのマップを含むメモリと、前記演算システムによって受信された電気信号を漏えい磁場の分布に変換する演算手段と、基準磁場の分布に対しマイクロセンサによって測定された磁場の前記分布を解析する手段とを備えることを特徴とする請求項９から１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記解析手段が、測定された磁場の分布と基準磁場の分布との間の比較解析手段を備えることを特徴とする請求項１２に記載の検査装置。
【請求項１４】
前記比較解析手段が、状態信号Ｓおよび部品内に存在する不良に関する情報を生成するための手段を含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
検査装置（１）の前記フレキシブルハウジング（２）が接着材により被検査部品（４）の表面に固定されることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の検査装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年9月25日(2012.9.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動部（１０）により空気式切換クラッチ（１２）を介して駆動可能なコンプレッサ（１４）と、
圧力供給管路（１１２）を介して前記クラッチの切替入力側（２０）へ圧縮空気を選択的に供給するための、電気信号（１６）によって操作可能なバルブ（１８）とを有している、商用車のための圧縮空気供給装置において、
前記切替入力側（２０）に前記バルブ（１８）を介して供給される圧縮空気が、逆止弁（４０）と、該逆止弁（４０）に後置接続されている圧力供給管路（１１２）とを介して圧縮空気処理ユニット（２６，２８，３０）から取り入れられ、その際前記逆止弁（４０）が、圧力供給管路（１１２）内で、圧縮空気供給装置とこれに接続している負荷の領域におけるその他の作用に基づく圧力低減を阻止し、さらに前記逆止弁（４０）が圧力供給管路（１１２）内で、前記圧縮空気処理ユニット（２６，２８，３０）とこれに接続している負荷の領域におけるその他の作用に基づく圧力低減を阻止するように構成されていることを特徴とする圧縮空気供給装置。
【請求項２】
前記逆止弁（４０）は、圧縮空気処理ユニット（２６，２８，３０）内に集積ないし統合されている、請求項１記載の圧縮空気供給装置。
【請求項３】
前記バルブ（１８）はコンプレッサ（１４）への吸気ダクト（２２）の領域に配設されている、請求項１または２記載の圧縮空気供給装置。
【請求項４】
前記バルブ（１８）は電気的にパイロット制御可能な空気式バルブである、請求項１から３いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項５】
電気信号が、圧縮空気処理ユニット（２６，２８，３０）内の圧力に反応する圧力スイッチ（２４）によって使用される、請求項１から４いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項６】
前記電気信号は、圧力依存性の入力信号を受取る電子制御部（３２，３４，３６，３８）によって使用される、請求項１から５いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項７】
前記電気信号は、温度依存性の入力信号を受取る電子制御部（３２，３４，３６，３８）によって使用される、請求項１から６いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項８】
前記電気信号は、クラッチの入力側回転数及び／又は出力側回転数に依存する入力信号を受取る電子制御部（３２，３４，３６，３８）によって使用される、請求項１から７いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項９】
電子制御部（３２）が、圧縮空気処理ユニット（２６）に集積ないし統合されている、請求項１から８いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項１０】
電子制御部（３６）が、インターフェースを介して、圧縮空気処理ユニット（２８）に集積ないし統合されている制御部（３４）と通信する、請求項１から６いずれか１項記載の圧縮空気供給装置。
【請求項１１】
請求項１から１０いずれか１項記載の圧縮空気供給装置を備えていることを特徴とする商用車。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は請求項１の上位概念による圧縮空気供給装置において、切替え入力側にバルブを介して供給される圧縮空気が逆止弁を介して圧縮圧力処理ユニットから取出されるように構成されている。空気式バルブにおける高い切替え速度を保証するために、空気式バルブへのリード線路が有利には所期の圧力レベルに保持される。それと共にバルブの開放の際には直ぐに十分な圧力が準備され、この圧力はクラッチまでの短い管路を介してクラッチの切替えを迅速に作用せしめる。クラッチを切替えるための圧縮空気は有利には他の負荷へも圧縮空気を供給する圧縮空気処理ユニットから取出されるので、換気ないし通気過程中の十分な圧力レベルは空気式バルブに接続する管路内において頻繁に付加的圧力蓄積容器によって保証されている。このことは、切替え入力側にバルブを介して供給される圧縮空気が逆止弁を介して取出されるならば、不要となる。というのもこの逆止弁が、圧縮空気処理ユニットとそれに接続されている負荷の領域内のその他の作用に基づく圧力供給管路内の圧力低減を阻止するからである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
通常の基部層１４は、モノフィラメント、撚りをかけたモノフィラメント、マルチフィラメント又は撚りをかけたマルチフィラメントの糸や繊維から織られる又は編まれる。そういった糸は一般的に、ポリアミドやポリエステルの樹脂といった合成重合体樹脂の１つから押し出し成形され、前記樹脂はこの目的のために当業者によって一般的に使用されるものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
従来技術に関する分析結果に基づき、本発明者は、本発明の目的となる材料が、下記の種々の観点を組み合わることに起因する真の新規性を有するということについて検討した：
１）本発明による材料においては、ＳＭＡ粉末粒子は、主要成分を構成し含有率は４５％〜７０％であり、この点に起因して、複合材料の高い減衰率がもたらされる。
２）粉末粒子は銅を基材とするＳＭＡであって、調整可能な温度範囲内において固有のマルテンサイト変態を示す。
３）複合材料の減衰最大値に対する温度範囲は非常に広く（＞５０℃）、該温度範囲はＳＭＡ粉末粒子の組成を調節することによって調整することができる。
４）マトリックスは低融点金属マトリックスでなければならず、また、ＳＭＡ粒子のマルテンサイト変態温度において延性を示さなければならない。
５）マトリックスは減衰のバックグラウンドに寄与し、また、粒子の減衰に関して増幅効果をもたらす。従来の刊行物においては、このような点については全く言及されていない。
６）得られる複合材料は、広い温度範囲内において最適化することができるｔａｎ（φ）・Ｅ関係式を示し、この点は、現在明らかにされている他のいずれの材料に比べても優れている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月30日(2013.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨アンカー装置において、
生体適合性の被覆体を含む軸部と、
前記被覆体内に収容され且つ密封され、非剛性形態を有する硬化性材料と、
前記硬化性材料がバルーンの外側に存在するように、前記被覆体内に収容された加圧可能なバルーンとを備え、
前記骨アンカー装置が患者の体内に移植する前およびその間は変形可能であり、
前記硬化性材料を硬化させるのに有効な開始エネルギーの量を前記硬化性材料に与えた後に、前記硬化性材料が剛性形態に変化可能であり、
前記エネルギーを与えた後、かつ前記剛性形態に完全に変化する前に、前記硬化性材料が少なくとも１分の加工時間を示し、
骨部分内に予め形成された空洞内に前記軸部が配置された後に、加圧流体が前記バルーン内に導入されて前記バルーンが加圧されると、外向きの圧力が前記硬化性材料及び前記被覆体に加えられ、前記軸部が前記空洞の形状に一致され、前記硬化性材料の硬化によって、前記骨アンカー装置が前記骨部分に係合される、骨アンカー装置。
【請求項２】
前記骨アンカー装置が滅菌される、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項３】
前記骨アンカー装置はパッケージをさらに含み、前記骨アンカー装置が前記パッケージ内に収容される、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項４】
前記骨アンカー装置および前記パッケージが滅菌される、請求項３に記載の骨アンカー装置。
【請求項５】
前記骨アンカー装置は、前記開始エネルギーを与えた後、前記骨アンカー装置が前記剛性形態に完全に変化する前に１分から６０分の加工時間を有する、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項６】
前記骨アンカー装置は、前記開始エネルギーを与えた後、前記骨アンカー装置が前記剛性形態に完全に変化する前に少なくとも２分の加工時間を有する、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項７】
前記材料が単一成分のエポキシを含む、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項８】
前記開始エネルギーが、電磁放射、熱エネルギー、電気エネルギー、化学エネルギー、および機械的エネルギーからなるグループから選択される、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項９】
前記電磁放射が、可視光、紫外光、赤外光、γ放射、Ｘ線放射、および高周波からなるグループから選択される、請求項８に記載の骨アンカー装置。
【請求項１０】
前記被覆体が、前記被覆体を通して前記開始エネルギーを送るように構成される、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１１】
前記被覆体がセルフシール材料からなり、前記開始が硬化の開始に有効な化学開始剤の量を前記硬化性材料へ注入することを含む、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１２】
前記硬化が温度２０℃から７０℃で行われる、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１３】
前記被覆体が、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、シリコーン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、ポリ乳酸、およびポリグリコライドからなるグループから選択される材料を含む、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１４】
前記被覆体が生体吸収性材料を含む、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１５】
前記骨アンカー装置は、前記被覆体内に含まれた補強部材をさらに含み、前記補強部材は、硬化後に追加の強度を提供する、請求項１に記載の骨アンカー装置。
【請求項１６】
前記補強部材がマトリクス材料を含む、請求項１５に記載の骨アンカー装置。
【請求項１７】
前記マトリクス材料が炭素繊維を含む、請求項１６に記載の骨アンカー装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
本出願では、被覆体がセルフシール材料からなり、硬化の開始に有効な量の化学開始剤を硬化性材料に注入することによって硬化が開始される実施形態も企図される。
それぞれの実施形態において、光、電気、または他のタイプのエネルギーを送出しても、リード１２９１、１２９２、または１２９６を装置に接続して硬化を開始させることができ、次いで、比較的大きい外科的に作成された開口、または最小限の侵襲的処置で使用するのに適した内視鏡機器もしくは放射線によって案内される機器を使用して１つもしくは複数の比較的小さい開口を通して、装置を生体内の部位に挿入することができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
この実施形態の文脈では、前記バラスト濃度Ｙは、以下の式、
Ｙ＝０．４２０８×Ｘ０．３６６７
を用いて、計算機４２によって計算される。ここで、Ｘは、「全ＳＳ」濃度に対応している。