【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、
一般式：Ｍ（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａおよびｘは０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項２】
Ｔｉ，ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも１種のＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末、さらにはＣｒの酸化物粉末または窒化物粉末の少なくとも１種を混合、成形した後、焼結する工程を具備することにより、
一般式：（Ｍ1-aＣｒa）（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａ、ｘおよびｚは０．１≦ａ≦０．５、０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
で表される組成を有するスパッタリングターゲットを得ることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
スパッタリングターゲットの純度が９５％以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
不純物としてのＦｅ、ＮｉおよびＣｏの合計含有量が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
相変化光記録媒体における界面層膜の形成用ターゲットであることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
焼結温度が８００℃以上であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
焼結後の冷却速度が６００℃／時間未満であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
各粉末の平均粒子径が７５μｍ以下であることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法において、
Ｍ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合する工程において、金属Ｍ元素粉末を混合することを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法により作製したスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気中、もしくは酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタ成膜することを特徴とする金属酸窒化膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の金属酸窒化膜の製造方法において、
前記金属酸窒化膜は、
一般式：Ｍ（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａおよびｘは０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
または
一般式：（Ｍ1-aＣｒa）（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａ、ｘおよびｚは０．１≦ａ≦０．５、０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
で表される組成を有することを特徴とする金属酸窒化膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項９のいずれか１項記載のスパッタリングターゲットの製造方法により作製したスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気中、もしくは酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中で金属酸窒化膜からなる界面層をスパッタ成膜する工程を具備することを特徴とする相変化光記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の相変化光記録媒体の製造方法において、
前記金属酸窒化膜は、
一般式：Ｍ（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａおよびｘは０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
または
一般式：（Ｍ1-aＣｒa）（Ｏ1-xＮx）z
（式中、ＭはＴｉ、ＺｒおよびＨｆから選ばれる少なくとも1種の元素を示し、ａ、ｘおよびｚは０．１≦ａ≦０．５、０＜ｘ≦０．７、０．５≦ｚ≦２．０（原子比）を満足する数である）
で表される組成を有することを特徴とする相変化光記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパッタリングターゲットの製造方法、金属酸窒化膜の製造方法、および相変化光記録媒体の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば相変化光記録媒体の界面層膜の形成に用いられるスパッタリングターゲットの製造方法、金属酸窒化膜の製造方法、および相変化光記録媒体の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、例えば相変化記録媒体の界面層膜として使用するにあたって、結晶化促進機能と光学的特性とを両立させた金属化合物膜を得ることを可能にしたスパッタリングターゲットの製造方法、金属酸窒化膜の製造方法、および相変化光記録媒体の製造方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法はスパッタリングターゲットの純度が９５％以上であることが好ましい。また、不純物としてのＦｅ、ＮｉおよびＣｏの合計含有量が１０００ｐｐｍ以下であることが好ましい。相変化光記録媒体における界面層膜の形成用ターゲットに好適である。焼結温度は８００℃以上であることが好ましい。焼結後の冷却速度は６００℃／時間未満であることが好ましい。各粉末の平均粒子径は７５μｍ以下であることが好ましい。また、必要に応じてＭ元素の酸化物粉末とＭ元素の窒化物粉末を混合する工程において、金属Ｍ元素粉末を混合することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の態様に係る金属酸窒化膜の製造方法は、本発明の態様に係るスパッタリングターゲットの製造方法により作製したスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気中、もしくは酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中でスパッタ成膜することを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の態様に係る相変化光記録媒体の製造方法は、本発明の態様に係るスパッタリングターゲットの製造方法により作製したスパッタリングターゲットを用いて、不活性ガス雰囲気中、もしくは酸素および窒素の少なくとも一方を含む不活性ガス雰囲気中で金属酸窒化膜からなる界面層をスパッタ成膜する工程を具備することを特徴としている。