Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン材料を含む基板と、
前記基板に結合された利得媒質であって、化合物半導体材料を含む利得媒質と、
前記基板内に配置され、前記利得媒質に光結合された導波路と、
第１の反射率スペクトルによって特徴付けられ、前記基板内に配置された第１の波長選択性素子と、
第２の反射率スペクトルによって特徴付けられ、前記基板内に配置された第２の波長選択性素子と、
前記基板内に配置され、前記第１の波長選択性素子と前記第２の波長選択性素子と前記導波路とを接合する光カプラと、
出力ミラーと
を備えるチューナブルレーザ。
【請求項２】
前記第１の波長選択性素子が、第１の変調型グレーティング反射器を備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の変調型グレーティング反射器を備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項３】
前記第１の変調型グレーティング反射器が、モード間の第１の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項２に記載のチューナブルレーザ。
【請求項４】
前記第２の変調型グレーティング反射器が、モード間の前記第１の波長間隔とは異なるモード間の第２の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項３に記載のチューナブルレーザ。
【請求項５】
前記シリコン材料が、シリコンオンインシュレータウェハを含む、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項６】
前記シリコンオンインシュレータウェハが、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置された酸化物層と、前記酸化物層上に配置されたシリコン層とを含み、前記第１の波長選択性素子及び前記第２の波長選択性素子が、前記シリコン層中に配置される、請求項５に記載のチューナブルレーザ。
【請求項７】
前記利得媒質と前記基板との間に半導体／半導体界面をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項８】
前記第１の波長選択性素子が、第１の屈折率調節デバイスを備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の屈折率調節デバイスを備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項９】
前記第１の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備え、
前記第２の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備える、請求項８に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１０】
前記第１の波長選択性素子が、第１の温度センサをさらに備え、
前記第２の波長選択性素子が、第２の温度センサをさらに備える、請求項８に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１１】
前記導波路と前記光カプラとの間に光結合された位相調節部をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１２】
前記第１の波長選択性素子と前記第２の波長選択性素子のうちの少なくとも１つにおける光学的位相を変更するように動作する第２の位相調節部をさらに備える、請求項１に記載のチューナブルレーザ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のチューナブルレーザを動作させる方法であって、
第１の変調型グレーティング反射器をチューニングするステップであり、前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の複数の反射率ピークを含む第１の反射率スペクトルによって特徴付けられる、チューニングするステップと、
第２の変調型グレーティング反射器をチューニングするステップであり、前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の複数の反射率ピークを含む第２の反射率スペクトルによって特徴付けられる、チューニングするステップと、
化合物半導体材料を含む利得媒質から光放出を発生させるステップと、
前記光放出を導波して、光カプラを通過させるステップと、
前記第１の複数の反射率ピークのうちの１つと前記第２の複数の反射率ピークのうちの１つとの重なりによって規定されるスペクトル帯域幅を有する前記光放出の一部を反射するステップと、
前記利得媒質中で前記光放出の前記一部を増幅するステップと、
出力ミラーを介して前記増幅された光放出の一部を伝送するステップと
を含む方法。
【請求項１４】
前記第１の変調型グレーティング反射器及び前記第２の変調型グレーティング反射器が、シリコンオンインシュレータウェハ中に配置される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シリコンオンインシュレータウェハが、シリコン基板と、前記シリコン基板上に配置された酸化物層と、前記酸化物層上に配置されたシリコン層とを含み、前記第１の変調型グレーティング反射器及び前記第２の変調型グレーティング反射器が、前記シリコン層中に配置される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記利得媒質と前記シリコンオンインシュレータウェハとの間に半導体／半導体界面を形成するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の変調型グレーティング反射器が、モード間の第１の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の変調型グレーティング反射器が、モード間の前記第１の波長間隔とは異なるモード間の第２の波長間隔によって特徴付けられる超構造グレーティングを備える、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の屈折率調節デバイスを備え、
前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の屈折率調節デバイスを備える、請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備え、
前記第２の屈折率調節デバイスが、熱デバイスを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記第１の変調型グレーティング反射器が、第１の温度センサをさらに備え、
前記第２の変調型グレーティング反射器が、第２の温度センサを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記光放出を位相調節するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉａ）または（Ｉｂ）
【化１】
2013507424.tif 000001
【化２】
2013507424.tif 000002
［式中、Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8およびＲ9およびＲ10は、次の意味を有する：
Ａは、互いに独立してＮまたはＣを表わし、
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は、互いに独立して水素、１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖状または分枝鎖状の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により少なくとも１個の官能基を有するアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基を表わし、
Ｒ4は、互いに独立して、１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖状または分枝鎖状の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により少なくとも１個の官能基を有するアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリール基、全部で５〜１８個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基を表わし、
Ｒ5、Ｒ6は、互いに独立して、ＡがＮである場合に遊離電子対、またはＡがＣである場合に、水素、１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖状または分枝鎖状の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により少なくとも１個の官能基を有するアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリール基、全部で５〜１８個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基を表わし、
または
Ｒ4およびＲ5またはＲ5およびＲ6は、ＮおよびＡと一緒に、またはＡおよびＡと一緒に、全部で５〜１８個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する、場合により少なくとも１個の他のヘテロ原子によって中断された、飽和、不飽和または芳香環を表わし、
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10は、互いに独立して、水素、１〜２０個の炭素原子を有する、直鎖状または分枝鎖状の、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により少なくとも１個の官能基を有するアルキル基、３〜２０個の炭素原子を有するシクロアルキル基、６〜３０個の炭素原子を有する置換または非置換アリール基、全部で５〜１８個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基、エーテル−、アミノ−、チオ−、エステル−、カルボニル−、ニトロ−またはハロゲン基から選択された官能基を表わし、
または
Ｒ7およびＲ8またはＲ8およびＲ9またはＲ9およびＲ10は、一緒になって、全部で５〜１８個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により置換された、飽和、不飽和または芳香環を表わし、
および／または
Ｒ6およびＲ7は、一緒になって、場合によりヘテロ原子、芳香族単位、ヘテロ芳香族単位および／または官能基を有する、全部で１〜３０個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する、飽和または不飽和の、直鎖状または分枝鎖状の橋を形成し、この橋には、場合により炭素−および／またはヘテロ原子を含有する、置換または非置換の５員ないし８員の環が縮合している］で示される二核Ｐｔカルベン錯体またはこの異性体。
【請求項２】
Ａ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8およびＲ9およびＲ10が、次の意味を有する：
Ａが、互いに独立してＮまたはＣを表わし、
Ｒ1、Ｒ3が、互いに独立して、水素、１〜４個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基を表わし、
Ｒ2が、水素を表わし、
Ｒ4が、互いに独立して、１〜４個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状のアルキル基、６個の炭素原子を有する置換または非置換アリール基、５個の炭素原子および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基を表わし、
Ｒ5、Ｒ6が、互いに独立して、ＡがＮである場合に遊離電子対、またはＡがＣである場合に、水素、１〜４個の炭素原子を有する、直鎖状または分枝鎖状アルキル基、６個の炭素原子を有する置換または非置換アリール基、または５個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する置換または非置換ヘテロアリール基を表わし、
または
Ｒ5およびＲ6が、ＡおよびＡと一緒になって、場合により少なくとも１個の他のヘテロ原子によって中断された、全部で５〜１０個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する芳香環を形成し、
Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10が、互いに独立して、水素を表わし、
または
Ｒ7およびＲ8が、一緒になって、場合により少なくとも１個のヘテロ原子によって中断された、場合により置換された、全部で５〜１２個の炭素−および／またはヘテロ原子を有する不飽和環または芳香環を形成する、請求項１記載の二核Ｐｔカルベン錯体。
【請求項３】
前記二核Ｐｔカルベン錯体が次の式（Ｉａ）、（Ｉｂ）、（Ｉｃ）、（Ｉｄ）、（Ｉｅ）または（Ｉｆ）：
【化３】
2013507424.tif 000003
【化４】
2013507424.tif 000004
【化５】
2013507424.tif 000005
またはその異性体に対応する、請求項１または２記載の二核Ｐｔカルベン錯体。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の二核Ｐｔカルベン錯体を製造する方法であって、適当なＰｔ化合物と相応する配位子または配位子前駆物質および／またはピラゾールまたは相応するピラゾール誘導体とを接触させることによって請求項１から３までのいずれか１項に記載の二核Ｐｔカルベン錯体を製造する方法。
【請求項５】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の少なくとも１つの二核Ｐｔカルベン錯体を含有する有機エレクトロニクス部品。
【請求項６】
前記有機エレクトロニクス部品が有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）、有機光電池（ＯＰＶ）、有機電界効果トランジスタ（ＯＦＥＴ）または発光電気化学電池（ＬＥＥＣ）である、請求項５記載の有機エレクトロニクス部品。
【請求項７】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の少なくとも１つの二核Ｐｔカルベン錯体を含有する発光層。
【請求項８】
請求項７記載の発光層を有するＯＬＥＤ。
【請求項９】
請求項６または８記載のＯＬＥＤを有する、据置型ディスプレイ、モバイル型ディスプレイおよび照明手段からなる群から選択されたデバイス。
【請求項１０】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の二核Ｐｔカルベン錯体を、エミッタ、マトリックス材料、電荷輸送材料および／または電荷ブロッカーとして有するＯＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の式（Ｉ）を有する化合物またはその医薬的に許容可能な塩
【化１】
2013507423.tif 000001
［式中、
Ｗは、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ３）−またはピペラジンであり、
Ｘは、結合、−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｓ（＝Ｏ）２−であり、
Ｙは、Ｃ３−７アルキレンであり、および
Ｚは、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−または−Ｏ−である］。
【請求項２】
Ｗが、−ＮＨ−または−Ｎ（ＣＨ３）−である、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項３】
Ｘが、結合または−Ｓ（＝Ｏ）２−である、請求項１または２に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項４】
Ｙが、Ｃ４−５アルキレンである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項５】
Ｗがピペラジンである場合、Ｘは、−Ｃ（＝Ｏ）−であり、Ｙは、Ｃ３−４アルキレンである、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項６】
Ｚが、−Ｏ−である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項７】
Ｚが、−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項８】
−Ｗ−Ｘ−Ｙ−Ｚ−リンカーが、８または９個の原子長である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項９】
−Ｗ−Ｘ−Ｙ−Ｚ−が、
−−−ＮＨ−Ｃ５−７アルキレン−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−−−、
−−−Ｎ（ＣＨ３）−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｃ４−５アルキレン−ＮＨ−Ｃ（＝Ｏ）−−−、
−−−Ｎ（ＣＨ３）−Ｓ（＝Ｏ）２−Ｃ４−５アルキレン−Ｏ−−−、
【化２】
2013507423.tif 000002
および
【化３】
2013507423.tif 000003
から選択される、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩。
【請求項１０】
下式を有する、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩
【化４】
2013507423.tif 000004
。
【請求項１１】
下式を有する、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩
【化５】
2013507423.tif 000005
。
【請求項１２】
下式を有する、請求項１に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩
【化６−１】
2013507423.tif 000006
【化６−２】
2013507423.tif 000007
。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩、および担体を含む、医薬組成物。
【請求項１４】
治療に使用するための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩を含む、医薬組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物またはその医薬的に許容可能な塩を含む、ＨＩＶ複製の阻害剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象において抗ウイルス効果を有する組成物の調製のためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５の単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの併用での使用。
【請求項２】
組成物が医薬品、食品または飼料製品である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
組成物が医薬組成物である、請求項２に記載の使用。
【請求項４】
組成物が、対象における呼吸器感染症の治療および／または予防のためにある、請求項１−３のいずれか１項に記載の使用。
【請求項５】
組成物が、対象において呼吸器感染症を引き起こすウイルスに対する抵抗力を増大させるためにある、請求項１−４のいずれか１項に記載の使用。
【請求項６】
組成物が、抗ウイルス性タンパク質の発現を増加する、請求項１−５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項７】
組成物が、呼吸器感染症に感染する、または、感染している対象において、抗ウイルス性サイトカインを増加させるためにある、請求項１−５のいずれか１項に記載の使用。
【請求項８】
抗ウイルス性サイトカインが、ＩＦＮ−α、ＩＦＮ−β、ＩＬ−１β、ＴＮＦ−α、およびＩＰ−１０からなる群から選択される、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
呼吸器感染症が一般的な風邪（インフルエンザ）ウイルス、ライノウイルス、アデノウイルス、パラインフルエンザウイルス、呼吸器合胞体ウイルス、エンテロウイルス、コロナウイルスおよびエプスタイン・バール・ウイルスからなる群から選択されるウイルスによって引き起こされる、請求項４−８のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１０】
呼吸器感染症がインフルエンザウイルス感染症である、請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
インフルエンザウイルスがインフルエンザウイルスＡおよびインフルエンザウイルスＢからなる群から選択される、請求項１０に記載の使用。
【請求項１２】
組成物がインフルエンザウイルスの増殖を防ぐため、かつ／または、対象におけるインフルエンザウイルスの複製を減少させ、遅延させ、または阻害するためにある、請求項９−１１のいずれか１つに記載の使用。
【請求項１３】
対象が幼児、子供または成人である、請求項１−１２のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】
プロバイオティクスとしてラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５を含む抗ウイルス性組成物。
【請求項１５】
ラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５およびラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧからなるプロバイオティクスを含む抗ウイルス性組成物。
【請求項１６】
対象における呼吸器感染症の治療および／または予防のためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの組合せ。
【請求項１７】
対象において呼吸器感染症を引き起こすウイルスに対する抵抗力を増大させるためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの組合せ。
【請求項１８】
抗ウイルス性タンパク質の発現を増加させるためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの組合せ。
【請求項１９】
呼吸器感染症に感染する、または、感染している対象において、抗ウイルス性サイトカインを増加させるためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの組合せ。
【請求項２０】
インフルエンザウイルスの増殖を防ぐため、かつ／または、対象におけるインフルエンザウイルスの複製を減少させ、遅延させ、または阻害するためのラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＬＣ７０５単独またはラクトバチルス・ラムノサス（Ｌａｃｔｏｂａｃｉｌｌｕｓ  ｒｈａｍｎｏｓｕｓ）  ＧＧとの組合せ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療上有効な量の式(I):
【化１】
2013507439.tif 000001
の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩、および治療上有効な量の式(II):
【化２】
2013507439.tif 000002
の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩、ならびに医薬的に許容される担体を含有する、HCV感染を処置するための医薬組成物。
【請求項２】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:3〜約3:1である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:2.5〜約2.5:1である、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:1である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:2.5である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項６】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約2.5:1である、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項７】
抗HCV活性を有する１または２個のさらなる化合物をさらに含有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
該さらなる化合物のうち少なくとも１つがインターフェロンまたはリバビリンである、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
該インターフェロンが、インターフェロンα2B、ペグインターフェロンα、コンセンサスインターフェロン、インターフェロンα2A、インターフェロンλ、ペグインターフェロンλ、またはリンパ芽球様インターフェロンタウから選択される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療上有効な量の式(I):
【化３】
2013507439.tif 000003
の化合物もしくはその医薬的に許容される塩および治療上有効な量の式(II):
【化４】
2013507439.tif 000004
の化合物もしくはその医薬的に許容される塩と、抗HCV活性を有する1もしくは2個のさらなる化合物を組み合わせて含有する、HCV感染症を処置するための剤であって、該さらなる化合物を該式(I)の化合物もしくはその医薬的に許容される塩および該式(II)の化合物もしくはその医薬的に許容される塩より前、後、または同時に投与することを特徴とする、該剤。
【請求項１１】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:3〜約3:1である、請求項１０に記載の剤。
【請求項１２】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:2.5〜約2.5:1である、請求項１１に記載の剤。
【請求項１３】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:1である、請求項１２に記載の剤。
【請求項１４】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約1:2.5である、請求項１２に記載の剤。
【請求項１５】
式(II)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩に対する式(I)の化合物もしくは医薬的に許容されるその塩の比率が約2.5:1である、請求項１２に記載の剤。
【請求項１６】
該さらなる化合物のうち少なくとも１つがインターフェロンまたはリバビリンである、請求項１０に記載の剤。
【請求項１７】
該インターフェロンが、インターフェロンα2B、ペグインターフェロンα、コンセンサスインターフェロン、インターフェロンα2A、インターフェロンλ、ペグインターフェロンλ、またはリンパ芽球様インターフェロンタウから選択される、請求項１６に記載の剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式の化合物または薬学的に許容できるその塩：
【化１】
2013507434.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１〜Ｃ３アルキルによって表され、
Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ３アルキルによって表され、
Ｘは、ＣＨ２、Ｏ、ＮＨ、ＳまたはＳＯ２によって表され、
Ａは、下記に示されているフェニルまたは６員のヘテロアリールによって表され：
【化２】
2013507434.tif 000002
Ｒ３は、水素、ハロゲン、ニトロ、シアノ、ヒドロキシ、アミノ、（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル、（Ｃ１〜Ｃ６）アルコキシ、トリフルオロメチルおよびトリフルオロメトキシからなる群から独立に選択され、
Ｌは存在しないか、またはＳ、ＳＨ、ＯＨ、−（ＣＨ２）ｐ−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ、−（ＣＨ２）ｐ−Ｏ−（ＣＨ２）ｚ−Ｏ−（ＣＨ２）ｎ−、Ｓ−（ＣＨ２）ｚまたは（ＣＨ２）ｚ−Ｓによって表され、
ｎは、０から３の範囲の整数によって表され、
ｐは、０から３の範囲の整数によって表され、
ｚは、１から３の範囲の整数によって表され、
Ｄは、存在しないか、または
ｉ）置換されていてもよい（Ｃ３〜Ｃ１０）シクロアルキル、
ｉｉ）（Ｃ３〜Ｃ１０）シクロアルキル（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル（前記アルキルおよびシクロアルキル部分はそれぞれ、置換されていてもよい）、
ｉｉｉ）置換されていてもよい（Ｃ６〜Ｃ１０）アリール、
ｉｖ）（Ｃ６〜Ｃ１０）アリール（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル（前記アルキルおよびアリール部分はそれぞれ、置換されていてもよい）、
ｖ）置換されていてもよいヘテロアリール、
ｖｉ）ヘテロアリール（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル（前記ヘテロアリールおよびアルキル部分はそれぞれ、置換されていてもよい）、
ｖｉｉ）置換されていてもよい複素環、
ｖｉｉｉ）複素環式（Ｃ１〜Ｃ６）アルキル（前記アルキルおよび複素環式部分はそれぞれ、置換されていてもよい）
からなる群から選択される置換基によって表され、
Ｔは、存在しないか、または−（ＣＨ２）ｚ−、−（ＣＨ２）ｎ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）ｐ−、Ｏ−（ＣＨ２）ｚ−、−（ＣＨ２）ｚ−Ｏ−または−Ｏ−（ＣＨ２）ｐ−Ｃ（Ｏ）−（ＣＨ２）ｎ−によって表され、
Ｇは、存在しないか、または
ｉ）置換されていてもよい（Ｃ３〜Ｃ１０）シクロアルキル、
ｉｉ）置換されていてもよい（Ｃ６〜Ｃ１０）アリール、
ｉｉｉ）置換されていてもよいヘテロアリール、または
ｉｖ）置換されていてもよい複素環
からなる群から選択される置換基によって表されるが、但し、
ａ）ＤまたはＬの少なくとも一方は、存在しなければならず、
ｂ）Ｄが存在しない場合、ＴおよびＧも存在しない］。
【請求項２】
ＸがＣＨ２である、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれメチルである、請求項１または２に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項４】
Ａがフェニルである、請求項１、２または３に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項５】
Ａが６員のヘテロアリールである、請求項１、２または３に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項６】
Ｌが存在しない、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項７】
Ｄが、置換されていてもよいフェニルである、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項８】
Ｄが、置換されていてもよいヘテロアリールである、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項９】
Ｄが、置換されていてもよい複素環である、請求項１から６のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項１０】
ＧおよびＴが両方とも存在しない、請求項１から９のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項１１】
Ｇが、置換されていてもよいヘテロアリールである、請求項１から９のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項１２】
Ｒ鏡像異性体である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容できるその塩を、少なくとも１種の薬学的に許容できる添加剤と混合された状態で含む医薬組成物。
【請求項１４】
細菌感染を治療するための請求項１３に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
-(a)少なくとも1つの酸素原子を含む極性官能基を含有する基によって鎖末端官能基化されるか、カップリングされるかまたは星状分枝されるジエンエラストマーおよび少なくとも1つの極性ブロックを含むジエンブロックエラストマーより選ばれる極性セグメントをもつ少なくとも1つの変性ジエンエラストマー、
-(b)グリセロール、および
-(c)無機充填剤を含む少なくとも1つの補強充填剤
に少なくとも基づく補強されたゴム組成物。
【請求項２】
少なくとも1つの酸素原子を含む極性官能基が、シラノール、アルコキシシラン、アミン基をもつアルコキシシラン、エポキシド、エーテル、エステル、ヒドロキシル、カルボン酸によって形成される群より選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
変性ジエンエラストマーが、シラノール官能基をもつエラストマーより選ばれ、シラノール官能基が鎖の末端に、または鎖の中央に位置していることを特徴とする、請求項2に記載の組成物。
【請求項４】
変性ジエンエラストマーが、下記一般式に対応する物質によってジエンエラストマーの官能基化から得られる鎖末端官能基化された、カップリングされたまたは星状分枝されたエラストマーより選ばれることを特徴とする、請求項2に記載の組成物:
(Y)m−R1−Si(OR2)3-n−R3n
(式中、
【化１】
2013507496.tif 000001
- R1は、炭素原子1から10個までを有するアルキル残基、シクロアルキル残基またはアリール残基を示し、
- R2は、炭素原子1から12個までを有するアルキル残基、アリール残基、シクロアルキル残基、アルカリール残基またはアラルキル残基を示し、
- R3は、炭素原子1から12個までを有するアルキル残基、アリール残基またはアルカリール残基を示し、
- R4は、炭素原子1から6個までの炭化水素系残基を示し、これは炭化水素系鎖に1つ以上の酸素原子を含んでもよく、
- nは、数値0または1より選ばれる整数であり、
- mは、数値1または2より選ばれる整数であり、
- pおよびqは、数値0、1、2、3または4より選ばれる整数であり、p + qの和が2から5までの整数を示さなければならないことは理解される)。
【請求項５】
変性ジエンエラストマーが、環状または非環状の第三級、第二級または第一級アミンをもつアルコキシシランタイプの物質によってジエンエラストマーの官能基化から得られる鎖末端官能基化された、カップリングされたまたは星状分枝されたエラストマーより選ばれることを特徴とする、請求項2に記載の組成物。
【請求項６】
変性ジエンエラストマーが、ポリマー鎖の末端にまたは鎖の中央に少なくとも1つのポリエーテルブロックを含むブロックエラストマーおよび2つよりも多いポリマー鎖が結合されている少なくとも1つの中心極性ブロックを含むブロックエラストマーより選ばれることを特徴とする、請求項1に記載の組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物を含むタイヤトレッドの調製方法であって、以下の段階:
(i)130℃と200℃の間の最高温度で、架橋系を除き、官能基化ジエンエラストマー、グリセロールおよび補強充填剤を含む、請求項1〜６のいずれか1項に記載の、架橋系を除く組成物の必要なベース成分の熱機械的加工の第一工程を行う工程、
(ii)前記第一工程の前記最高温度よりも低い温度で、その間に前記架橋系が組み入れられている機械的加工の第二工程を行う工程、および
(iii)このようにして得られたゴム組成物をタイヤトレッドの形に押出しまたはカレンダー加工する工程
を含むことを特徴とする、前記方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物を含む半仕上げゴム製品を含むことを特徴とするタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
実施例２
Ｓａｓｏｌ  Ｄｅｕｔｓｃｈｌａｎｄ  ＧｍｂＨからの１．７ｎｍの層間隔を有するＰｌｕｒａｌ  ＭＧ  ６３  ＡＢＳＡを、ハイドロタルサイト物質として用いたことを除き、実施例１の場合と同じプロセス工程を行った。この材料は、６３重量％のＭｇＯおよび３７重量％のＡｌ２Ｏ３を含む。０．７ｎｍ〜１．７ｎｍの個々のハイドロタルサイト層間の間隔を増加させるために、メタ−アミノベンゼンスルホン酸を、ハイドロタルサイトの製造の間に添加した。炭化後に得られた物質は、実施例１において得られた物質と比較して炭素のより高い比率を有するため、完全に黒色である。これは、より多くのグラフェンが挿入できるハイドロタルサイト物質の著しく大きい層間隔に起因する。図２の透過型電子顕微鏡写真は、図１における構造と同様の構造を示す。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］  層状複水酸化物または板状ケイ酸塩、およびグラフェン層へ少なくとも部分的に分解され、およびポリアクリロニトリルの相対分子量を基準として２０％未満の窒素の質量による相対比率を有するポリアクリロニトリルの複合材料。
［２］  層状複水酸化物およびグラフェン層へ少なくとも部分的に分解されたポリアクリロニトリルの複合材料。
［３］  複合材料は、ハイドロタルサイトおよび／またはハイドロタルサイト状構造を有する化合物からなる群から選択される層状複水酸化物を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の複合材料。
［４］  ハイドロタルサイトは、一般式：
Ｍ２ｘ２＋Ｍ２３＋（Ｏ）（４ｘ＋４）／２
（式中、Ｍ２ｘ２＋は、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃａおよび／またはＦｅからなる群から選択される２価金属であり、Ｍ２３＋は、Ａｌ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｌａ、Ｃｅおよび／またはＣｒからなる群から選択される３価金属であり、およびｘは、０．５の間隔で０．５〜１０の数である）
を有することを特徴とする、請求項３に記載の複合材料。
［５］  層状複水酸化物は、０．５〜２．５ｎｍの層間隔を有することを特徴とする、請求項２〜４のいずれかに記載の複合材料。
［６］  アクリロニトリルを、第１工程において層状複水酸化物または板状ケイ酸塩へ添加し、該アクリロニトリルを、第２工程においてポリアクリロニトリルへ重合し、次いでポリアクリロニトリルを、か焼により、ポリアクリロニトリルの相対分子量を基準として２０％未満の窒素の質量による相対比率を有する複合材料を形成するように少なくとも部分的にグラフェン層へ分解する、グラフェン層を有する複合材料の製造方法。
［７］  アクリロニトリルを、第１工程において層状複水酸化物へ添加し、該アクリロニトリルを、第２工程においてポリアクリロニトリルへ重合し、次いで該ポリアクリロニトリルを、か焼により少なくとも部分的にグラフェン層へ分解する、グラフェン層を有する複合材料の製造方法。
［８］  か焼工程は、ポリアクリロニトリルを安定化するために２００℃〜５００℃への温度上昇、特に段階的温度上昇、およびポリアクリロニトリルをグラフェン層へ少なくとも部分的に分解する少なくとも８００℃への引き続きの温度上昇を含むことを特徴とする、請求項６に記載のグラフェン層を有する複合材料の製造方法。
［９］  か焼工程は、ポリアクリロニトリルを安定化するために２００℃〜５００℃への温度上昇、特に段階的温度上昇、およびポリアクリロニトリルをグラフェン層へ少なくとも部分的に分解する少なくとも７００℃への引き続きの温度上昇を含むことを特徴とする、請求項７に記載のグラフェン層を有する複合材料の製造方法。
［１０］  アクリロニトリルを、重合開始剤と共に、層状複水酸化物または板状ケイ酸塩へ添加することを特徴とする、請求項６〜９のいずれかに記載のグラフェン層を有する複合材料の製造方法。
［１１］  請求項６〜１０のいずれかに記載の方法により製造されたグラフェン層を有する複合材料。
［１２］  請求項１〜５および／または１１のいずれかに記載のグラフェン層を有する複合材料の酸またはアルカリ処理によるグラフェン層の製造方法。
［１３］  グラフェン層を製造するための請求項１〜５および／または１１のいずれかに記載のグラフェン層を有する複合材料の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状複水酸化物または板状ケイ酸塩、およびグラフェン層へ少なくとも部分的に分解され、およびポリアクリロニトリルの相対分子量を基準として２０％未満の窒素の質量による相対比率を有するポリアクリロニトリルの複合材料。
【請求項２】
アクリロニトリルを、第１工程において層状複水酸化物または板状ケイ酸塩へ添加し、該アクリロニトリルを、第２工程においてポリアクリロニトリルへ重合し、次いでポリアクリロニトリルを、か焼により、ポリアクリロニトリルの相対分子量を基準として２０％未満の窒素の質量による相対比率を有する複合材料を形成するように少なくとも部分的にグラフェン層へ分解する、グラフェン層を有する複合材料の製造方法。
【請求項３】
アクリロニトリルを、第１工程において層状複水酸化物へ添加し、該アクリロニトリルを、第２工程においてポリアクリロニトリルへ重合し、次いで該ポリアクリロニトリルを、か焼により少なくとも部分的にグラフェン層へ分解する、グラフェン層を有する複合材料の製造方法。
【請求項４】
請求項２または３に記載の方法により製造されたグラフェン層を有する複合材料。
【請求項５】
請求項１または４に記載のグラフェン層を有する複合材料の酸またはアルカリ処理によるグラフェン層の製造方法。
【請求項６】
グラフェン層を製造するための請求項１または４に記載のグラフェン層を有する複合材料の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（重量％で）
Ａ）６０％〜９５％の結晶性プロピレンコポリマーであって、２．０％〜１０．０％のエチレン誘導単位を含有し、溶融点が１４８℃〜１６０℃の範囲を示すプロピレンコポリマー；
ここで、溶融温度Ｔｍを、反応器中そのままのポリマーについてＤＳＣにより測定する、
Ｂ）５％〜４０％の、エチレンのコポリマーであって、７０％〜８５％のエチレン誘導単位を有し、０．８〜３ｄｌ／ｇの範囲の固有粘度を有するコポリマー；
を含むプロピレン組成物。
【請求項２】
成分Ａ）が３．０〜６．０重量％のエチレン誘導単位を含有するプロピレンコポリマーであり、成分Ｂ）が７０〜８２重量％のプロピレン誘導単位を含有するエチレンのコポリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
成分Ａ）のエチレン含量（Ｃ２）および溶融点（Ｔｍ）が、下記の関係：
Ｔｍ＞Ｃ２＊−０．５６＋１５０．５
を満たす、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
成分Ａ）の溶融点が１４９℃〜１６０℃の範囲である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項５】
エチレン誘導単位Ｃ２含量および溶融点Ｔｍ間の関係が
Ｔｍ＞Ｃ２＊−０．５６＋１５０．８
である、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
室温におけるキシレン中の可溶性画分（全組成物を基準）の固有粘度［Ｉ．Ｖ．］が１．２〜４．５である、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
２５％より低い曇り度を示す、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のプロピレンポリマー組成物を含む熱成形物品
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(rac)-トラマドール・HClと、セレコキシブ又は薬学的に許容されるセレコキシブの塩又は水和物との相乗的組み合わせからなる医薬組成物であって、
前記(rac)-トラマドール・HClと前記セレコキシブとの分子比が、モル比で１：１から１：５、又は１：１から５：１である医薬組成物。
【請求項２】
前記セレコキシブが中性型である、請求項１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シアノピリジンの製造方法であって、
（Ａ）シアノピリジンを含む気体反応生成物をリアクタ（１）内で製造し、
（Ｂ）前記気体反応生成物をカラム（２）内で水を用いてクエンチし、前記シアノピリジンの少なくとも一部が減少した気相を得て、
（Ｃ）前記気相を凝縮器（７）に移し、ここで凝縮物を得て、前記気相は前記水の少なくとも一部が減少し、
（Ｄ）前記凝縮器（７）からの気相を少なくとも１つの熱交換器（９）に通す
方法。
【請求項２】
工程（Ｄ）において、前記少なくとも１つの熱交換器（９）は８０℃〜３５０℃の温度を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの熱交換器（９）に蓄積する固体凝縮物の量をモニタし、予め定めた量の固体が蓄積したときに前記少なくとも１つの熱交換器（９）を洗浄する請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記洗浄を水または前記方法中に得られる水溶液を用いて行う請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記気相を前記凝縮器（７）から前記少なくとも１つの熱交換器（９）に１分未満で移す請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程（Ｄ）において、前記気相を並列に配置した少なくとも２つの熱交換器に通す請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの熱交換器（９ａ）の洗浄中、少なくとも１つの熱交換器（９ｂ）を洗浄しない請求項３または６に記載の方法。
【請求項８】
工程（Ｃ）で得られた前記凝縮物を前記カラム（２）に供給するおよび／または工程（Ｄ）で前記少なくとも１つの熱交換器（９）を通過した前記気相の少なくとも一部を前記リアクタ（１）に供給する請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記リアクタ（１）内で、アルキルピリジンの酸化性アンモノリシスを行う請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記アルキルピリジンは３−メチルピリジンであり、前記シアノピリジンは３−シアノピリジンである請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（Ｂ）は
（ａ）吸収セクション（３）およびストリッピングセクション（４）を含むカラム（２）であって、前記吸収セクションは、前記吸収セクション（３）を通過した液体が前記ストリッピングセクション（４）に入るように前記ストリッピングセクションの上方に位置しているカラム（２）を用意することと、
（ｂ）シアノピリジンを含む気体反応生成物を前記カラム（２）に供給することと、
（ｃ）前記吸収セクション（３）において前記気相を水溶液に接触させて、前記シアノピリジンの少なくとも一部を前記水溶液に溶解させることと、
（ｄ）前記ストリッピングセクション（４）において、工程（ｃ）で前記吸収セクション（３）から得られた水溶液をストリッピングガスでストリッピングすることと、
（ｅ）前記水溶液を前記カラム（２）の底部から抜き出すことと
を含む請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法は閉鎖式プロセスであり、工程（ｅ）で前記カラム（２）から抜き出されない水相を還流する、および／または前記気相の少なくとも一部、好ましくは５０体積％超を還流する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
シアノピリジンの製造デバイスであって、
（ｉ）シアノピリジンを含む気体反応生成物を製造するリアクタ（１）と、
（ｉｉ）前記気体反応生成物を水を用いてクエンチして、それにより前記シアノピリジンの少なくとも一部が減少した気相を得るカラム（２）と、
（iii）前記カラム（２）から得られた前記気相から前記水の少なくとも一部を減少させて凝縮物を得る凝縮器と、
（ｉｖ）前記凝縮器から得られた気相が通る、少なくとも１つの熱交換器（９）と
を含むデバイス。
【請求項１４】
前記カラム（２）は
吸収セクション（３）およびストリッピングセクション（４）であって、前記吸収セクション（３）は、前記吸収セクション（３）を通過した液体が前記ストリッピングセクション（４）に入るように前記ストリッピングセクション（４）の上方に位置している吸収セクション（３）およびストリッピングセクション（４）と、
シアノピリジンを含む前記気体反応生成物を前記カラム（２）に供給する手段であって、
前記吸収セクション（３）は、前記気相を水溶液に接触させて、それにより前記シアノピリジンの少なくとも一部を前記水溶液に溶解させるように適合されており、
前記ストリッピングセクション（４）は、前記吸収セクション（３）から得られた前記水溶液をストリッピングガスでストリッピングするように適合している
手段と、
前記カラム（２）の底部にある、前記水溶液を抜き出す手段（１１、１４）と
を含む請求項１３に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記凝縮器（７）は含水凝縮物を前記凝縮器（７）から前記カラム（２）の前記吸収セクション（３）に供給する手段（１６）、および／または前記少なくとも１つの熱交換器（９）を通過した気相を前記リアクタ（１）に移す手段（２０、２５）を含む請求項１３または１４に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
味がマスクされた日焼け止め組成物を含むリップトリートメント組成物であって、その味がマスクされた日焼け止め組成物が少なくとも１種類の日焼け止めおよびクモ状エステルを含み、その日焼け止めおよびそのクモ状エステルが密接に会合しており、
前記密接な会合が、前記リップトリートメント組成物の他の構成要素と組み合わせる前に、少なくとも１種類の日焼け止めとクモ状エステルとを、光安定剤の存在下または非存在下に混合して予備混合物を形成することにより達成され、
前記少なくとも１種類の日焼け止めがアボベンゾンであり、
日焼け止めの総量のクモ状エステルに対する比率が重量により約０．６〜約２であり、
そのクモ状エステルがソルビトールの共通の連結基を有し、
さらにユビキノン、オランダセンニチ花抽出物、ヒアルロン酸、ヒアルロン酸塩およびそれらの混合物から選択される少なくとも１種類の成分を含む、
前記リップトリートメント組成物。
【請求項２】
前記日焼け止め組成物中の日焼け止めが、いずれも有機性日焼け止めである、請求項１に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項３】
短いポリオキシアルケン鎖がその共通の連結基のそれぞれの酸素原子に結合している、請求項１または２に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項４】
そのポリオキシアルケン鎖が、エチレンオキシド単位、プロピレンオキシド単位およびそれらの混合物から選択されるオキシアルケン単位を有し、それぞれの鎖中のポリオキシアルケン単位の数が１〜５単位である、請求項３に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項５】
さらに光安定剤を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載されたリップトリートメント組成物を含み、そのリップトリートメントが、伸ばすことができ、引っ込めることができる、リップバームスティック。
【請求項７】
さらにパラフィンろう、カルナウバろう、カンデリラろうおよびそれらの混合物から選択される構造物質を含む、請求項６に記載のリップバームスティック。
【請求項８】
少なくとも１種類の日焼け止めをクモ状エステルと密接な会合状態で組み合わせることを含む、日焼け止め組成物の味をマスクする方法であって、
前記少なくとも１種類の日焼け止めがアボベンゾンであり、
日焼け止めの総量のクモ状エステルに対する比率が重量により約０．６〜約２であり、
そのクモ状エステルがソルビトールの共通の連結基を有し、
前記密接な会合が、前記日焼け止め組成物の他の構成要素と組み合わせる前に、少なくとも１種類の日焼け止めとクモ状エステルとを、光安定剤の存在下または非存在下に、混合し、約４０℃〜約８０℃に加熱して予備混合物を形成することにより達成され、
前記日焼け止め組成物がさらにユビキノン、オランダセンニチ花抽出物、ヒアルロン酸、ヒアルロン酸塩およびそれらの混合物から選択される少なくとも１種類の成分を含む、
方法。
【請求項９】
短いポリオキシアルケン鎖がその共通の連結基のそれぞれの酸素原子に結合している、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
そのポリオキシアルケン鎖が、エチレンオキシド単位、プロピレンオキシド単位またはそれらの混合物から選択されるオキシアルケン単位を有し、それぞれの鎖中のポリオキシアルケン単位の数が１〜５単位である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
さらに、味がマスクされた日焼け止め組成物を少なくとも１種類の融解した構造物質であるろう剤と組み合わせ、スティックリップバームを形成することを含む、請求項８〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
味がマスクされた日焼け止め組成物を含むリップトリートメント組成物であって、その味がマスクされた日焼け止め組成物が：
（ａ）その日焼け止め組成物の約５〜約３０％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類のクモ状エステル；
（ｂ）その日焼け止め組成物の約０．１５〜約５０％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類の皮膚保護剤；
（ｃ）その日焼け止め組成物の約３〜約３０％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類の日焼け止め剤；
（ｄ）その日焼け止め組成物の約０．１〜約５％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類の光安定剤；
（ｅ）その日焼け止め組成物の約０．１〜約３０％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類の増粘剤；
（ｆ）その日焼け止め組成物の約１〜約６５％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類のスキンコンディショニング剤；および
（ｇ）その日焼け止め組成物の約０．１〜約３％ｗｔ／ｗｔを構成する少なくとも１種類の抗酸化剤；
を含み、
前記少なくとも１種類の日焼け止めがアボベンゾンであり、
日焼け止めの総量のクモ状エステルに対する比率が重量により約０．６〜約２であり、
そのクモ状エステルがソルビトールの共通の連結基を有し、
前記リップトリートメント組成物の他の構成要素と組み合わせる前に、少なくとも１種類の日焼け止めとクモ状エステルとが、光安定剤の存在下または非存在下で混合されて密接な会合を形成している、
リップトリートメント組成物。
【請求項１３】
前記味がマスクされた日焼け止め組成物がさらに香味料を含む、請求項１２に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項１４】
前記味がマスクされた日焼け止め組成物がさらに着色剤を含む、請求項１２または１３に記載のリップトリートメント組成物。
【請求項１５】
その着色剤が二酸化チタンを含有する、請求項１４に記載のリップトリートメント組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートリッジと、
前記カートリッジ内で前記カートリッジの入口から出口まで延在し、酸素浸透性膜で形成され、赤血球を受け入れ、運搬するのに適している複数の中空ファイバと、
前記カートリッジ内に詰め込まれ、前記複数の中空ファイバに接触し、前記複数の中空ファイバの間にあり、前記赤血球が前記中空ファイバ内を流れる、脱酸素剤と、
を備える酸素減損装置。
【請求項２】
フラッシングガスを受け入れ、放出するのに適している吸気口及び排気口を有している固形物質の容器と、
前記容器内で前記容器の入口から出口まで延在し、赤血球を受け入れ、運搬するのに適し、前記赤血球が中空ファイバ内を流れる、前記複数の中空ファイバと、
を備える酸素減損装置。
【請求項３】
前記中空ファイバは、実質的に平行であり、前記カートリッジ内で前記入口から前記出口まで縦方向に配置されている、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記容器の前記入口と連通しているフラッシングガスの供給源を更に備える、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
酸素減損装置の中に赤血球を通過させることを備え、
前記装置は、
カートリッジと、
前記カートリッジ内で前記カートリッジの入口から出口まで延在し、前記赤血球を受け入れ、運搬するのに適している複数の中空ファイバと、
前記カートリッジ内に詰め込まれ、前記複数の中空ファイバに接触し、前記複数の中空ファイバの間にあり、前記赤血球が前記中空ファイバ内を流れる、脱酸素剤と、
を備える、赤血球から酸素を除去する方法。
【請求項６】
酸素減損装置の中に赤血球を通過させることを備え、
前記装置は、
フラッシングガスを受け入れ、放出するのに適している吸気口及び排気口を有している固形物質の容器と、
前記容器内で前記容器の入口から出口まで延在し、赤血球を受け入れ、運搬するのに適し、前記赤血球が中空ファイバ内を流れる、前記複数の中空ファイバと、
を備える、赤血球から酸素を除去する方法。
【請求項７】
前記脱酸素剤が第一鉄である、請求項１に記載の酸素減損装置。
【請求項８】
前記複数の中空ファイバが、ポリオレフィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリスルホン、疎水性ポリマー、及び無機セラミックからなる群から選択される酸素透過性物質から形成されている、請求項１又は２に記載の酸素減損装置。
【請求項９】
前記複数の中空ファイバが、直線状スパイラル、縦方向スパイラル、及びコイルからなる群から選択される構成で配置される、請求項１又は２に記載の酸素減損装置。
【請求項１０】
前記脱酸素剤が第一鉄である、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記複数の中空ファイバが、ポリオレフィン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）、ポリスルホン、疎水性ポリマー、及び無機セラミックからなる群から選択される酸素透過性物質から形成されている、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数の中空ファイバが、直線状スパイラル、縦方向スパイラル、及びコイルからなる群から選択される構成で配置される、請求項５又は６に記載の方法。