【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が電流供給線に接続され、ソース又はドレインの他方が第３のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が前記電流供給線に接続された第３のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が電源線に接続され、ソース又はドレインの他方が第３のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が電流供給線に接続された第３のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記電源線の電位と前記電流供給線の電位は異なることを特徴とする請求項２に記載された半導体装置。
【請求項４】
前記第３のトランジスタのゲートと前記電流供給線の間には保持容量が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載された半導体装置。
【請求項５】
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであり、前記第３のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載された半導体装置。
【請求項６】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第４のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方が第２のトランジスタおよび第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
電流供給線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１の走査線に接続された第３のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が前記電流供給線に接続された第４のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第４のトランジスタのゲートと前記電流供給線の間には、保持容量が設けられていることを特徴とする請求項６に記載された半導体装置。
【請求項８】
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであり、前記第３のトランジスタ及び前記第４のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであることを特徴とする請求項６または７に記載された半導体装置。
【請求項９】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第３のトランジスタのソース又はドレインの他方および第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に接続され、ソース又はドレインの他方が第５のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第５のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方がゲートおよび電流供給線に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方がゲートおよび前記第１の走査線に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第４のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が電流供給線に接続された第５のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子と
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第５のトランジスタのゲートと前記電流供給線の間には保持容量が設けられていることを特徴とする請求項９に記載された半導体装置。
【請求項１１】
前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、前記第３のトランジスタ、及び前記第４のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであり、前記第５のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであることを特徴とする請求項９または１０に記載された半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の走査信号の振幅は、前記第２の走査信号の振幅より大きいことを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載された半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の半導体装置を各画素に具備することを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が電流供給線に接続され、ソース又はドレインの他方が第３のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第３のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が電流供給線に接続された第３のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子とを含む半導体装置において、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタがオンとなる信号を印加し、前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加し、結果として前記第３のトランジスタがオフとなる第１の期間と、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタがオフとなる信号を印加すると共に、前記第２の走査線に前記データ線に印加される電位の内の消灯と対応する電位と等しい所定電位が印加され、前記データ線の電位と前記第２のトランジスタのしきい値との和が前記所定電位より低いときにのみ前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタがオンになる第２の期間
を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１６】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が電源線に接続され、ソース又はドレインの他方が第３のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第３のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が電流供給線に接続された第３のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子とを含む半導体装置において、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタがオンとなる信号を印加し、前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加し、結果として前記第３のトランジスタがオフとなる第１の期間と、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタがオフとなる信号を印加すると共に、前記第２の走査線に前記データ線に印加される電位の内の消灯と対応する電位と等しい所定電位が印加され、前記データ線の電位と前記第２のトランジスタのしきい値との和が前記所定電位より低いときにのみ前記第２のトランジスタおよび前記第３のトランジスタがオンになる第２の期間を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１７】
更に、前記第１の期間と前記第２の期間の間に、前記第１の走査線に前記第１のトランジスタがオフとなる信号を印加し、且つ前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加する第３の期間を含むことを特徴とする請求項１５又は１６のいずれかに記載された半導体装置の駆動方法。
【請求項１８】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第４のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方が第２のトランジスタおよび第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
電流供給線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１の走査線に接続された第３のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が前記電流供給線に接続された第４のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子と
を含む半導体装置において、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタおよび前記第３のトランジスタがオンとなる信号を印加し、前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加し、結果として前記第４のトランジスタがオフとなる第１の期間と、
前記第１の走査線に前記第３のトランジスタがオフとなる信号を印加すると共に、前記第２の走査線に前記データ線に印加される電位の内の消灯と対応する電位と等しい所定電位が印加され、前記データ線の電位と前記第２のトランジスタのしきい値との和が前記所定電位より低いときにのみ前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタおよび前記第４のトランジスタがオンになる第２の期間を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１９】
更に、前記第１の期間と前記第２の期間の間に、前記第１の走査線に前記第３のトランジスタがオフとなる信号を印加し、且つ前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加する第３の期間を含むことを特徴とする請求項１８に記載された半導体装置の駆動方法。
【請求項２０】
第１の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第３のトランジスタのソース又はドレインの他方および第４のトランジスタのソース又はドレインの他方に接続され、ソース又はドレインの他方が第５のトランジスタのゲートに接続された第１のトランジスタと、
第２の走査線がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が第５のトランジスタのゲートに接続され、ソース又はドレインの他方がデータ線に接続された第２のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方がゲートおよび電流供給線に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第３のトランジスタと、
ソース又はドレインの一方がゲートおよび前記第１の走査線に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第４のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの他方および前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方がゲートに接続され、ソース又はドレインの一方が画素電極に接続され、ソース又はドレインの他方が電流供給線に接続された第５のトランジスタと、
前記画素電極に接続され、前記画素電極を介して流れる駆動電流によって発光する発光素子とを含む半導体装置において、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタ及び第４のトランジスタがオンとなる信号を印加し、前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加し、結果として前記第５のトランジスタがオフとなる第１の期間と、
前記第１の走査線に前記第１のトランジスタ及び第４のトランジスタがオフとなる信号を印加すると共に、前記第２の走査線に前記データ線に印加される電位の内の消灯と対応する電位と等しい所定電位が印加され、前記データ線の電位と前記第２のトランジスタのしきい値との和が前記所定電位より低いときにのみ前記第２のトランジスタおよび前記第５のトランジスタがオンになる第２の期間を含むことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項２１】
更に、前記第１の期間と前記第２の期間の間に、前記第１の走査線に前記第１のトランジスタ及び第４のトランジスタがオフとなる信号を印加し、且つ前記第２の走査線に前記第２のトランジスタがオフとなる信号を印加する第３の期間を含むことを特徴とする請求項２０に記載された半導体装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記第１の走査信号の振幅は、前記第２の走査信号の振幅より大きいことを特徴とする請求項１５乃至２１のいずれかに記載された半導体装置の駆動方法。