(57)【要約】【課題】製造ばらつき及び経時劣化に影響されることなく、遊技球発射後の駆動部への電流供給を停止して、駆動部及びその制御回路からの発熱を抑制可能な、遊技球の発射装置及びその発射装置に使用される制御回路を提供する。【解決手段】遊技球の発射装置１は、遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材６と、弾球部材６を駆動する駆動部２と、遊技球を発射する場合に、駆動部２に電流を供給する制御回路３と、弾球部材６が遊技球の発射位置に到達したことを検知すると、検知信号を出力するセンサ４とを有する。また制御回路３は、センサ４から検知信号を受信すると、駆動部２への電流供給を停止する遮断回路３５を有する。【選択図】図１
2008228872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、
前記弾球部材を駆動する駆動部と、
遊技球を発射する場合に、前記駆動部に電流を供給する制御回路と、
前記弾球部材が遊技球の発射位置に到達したことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有し、
前記制御回路は、前記センサから前記検知信号を受信すると、前記駆動部への電流供給を停止する遮断回路を有することを特徴とする遊技球の発射装置。
【請求項２】
遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、
前記弾球部材を駆動する駆動部と、
遊技球を発射する場合に、前記駆動部に電流を供給する制御回路と、
前記遊技球が発射されたことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有し、
前記制御回路は、前記センサから前記検知信号を受信すると、前記駆動部への電流供給を停止する遮断回路を有することを特徴とする遊技球の発射装置。
【請求項３】
前記遮断回路は、前記検知信号を保持する信号状態保持手段を有し、かつ、前記遮断回路は、前記センサから前記検知信号を受信すると、該信号状態保持手段によって前記検知信号受信期間よりも長い所定期間の間、前記駆動部への電流供給の停止を継続させる、請求項１または２に記載の発射装置。
【請求項４】
遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、電流供給されている間、該弾球部材を駆動する駆動部と、前記弾球部材が遊技球の発射位置に到達したこと、または前記遊技球が発射されたことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有する遊技球の発射装置に用いられる制御回路であって、
所定の周期にてパルス信号を出力するパルス生成回路と、
前記パルス信号の出力中、前記駆動部へ電流を供給する駆動回路と、
前記センサから前記検知信号を受信すると、前記駆動部への電流供給を停止する遮断回路と、
を有することを特徴とする制御回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊技機の発射装置及びその発射装置に用いられる制御回路に関し、より詳しくは、遊技球発射時に電流を流すことによって弾球部材を駆動する駆動部を有する発射装置及びその発射装置に用いられる制御回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ遊技機やアレンジボール遊技機に代表される弾球遊技機では、遊技者の意図を正確に反映し、安定した力で遊技球を発射するために、電動式の遊技球発射装置が採用されている。そのような発射装置では、遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材を駆動する駆動部として、ステッピングモータ、ロータリーソレノイド又は直進ソレノイドなどが一般に使用されている。近年では、設置スペースが少なくて済むこと、及び発射速度、すなわち、遊技球の飛距離を電子制御できることから、駆動部として、ロータリーソレノイド又は直進ソレノイドが多用されるようになってきている。
【０００３】
このような、ロータリーソレノイド又は直進ソレノイドを用いた発射装置において、ソレノイドを駆動する方式の一つとして、所望の発射強度に応じてソレノイドを流れる励磁電流量を可変制御する駆動方式が採用されている。このような駆動方式では、遊技球の発射を連続して行うと、ソレノイド及びソレノイドの駆動回路が発熱する。また発熱によってソレノイド自体の温度が上昇すると、ソレノイドが弾球部材に与える力が低下するので望ましくない。そこで、そのような発熱を抑制するパチンコ機の遊技球発射装置が開発されている（特許文献１〜３参照）。特許文献１に記載された打球発射装置は、弾球部材である発射杵が発射位置に到達する直前でロータリーソレノイドへの電流供給を停止するよう励磁時間を設定する。また、励磁時間は、発射杵の重量などに基づいて予め設定される。
【０００４】
また、特許文献２に記載された弾球発射装置は、ロータリーソレノイドに弾球発射のパルス信号を出力する演算装置内に、弾球の指令発射速度に応じて設定された導通時間を設定するレジスタを有し、ロータリーソレノイドへの導通時間の計測値がそのレジスタ内の設定値と等しくなった時点で電流供給を停止する。
【０００５】
さらに、特許文献３に記載された玉発射制御装置は、遊技球の発射強度が強い場合（すなわち、発射速度が速い場合）には、ロータリーソレノイドの励磁時間を短く設定し、遊技球の発射強度が弱い場合（すなわち、発射速度が遅い場合）には、ロータリーソレノイドの励磁時間を長く設定する。
【０００６】
【特許文献１】特開平５−２３４１９号公報
【特許文献２】特開２００２−１５９６４６号公報
【特許文献３】特開２００６−３４６２８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した何れの発射装置あるいは発射制御装置も、遊技球の発射後におけるロータリーソレノイドへの電流供給を停止して、ロータリーソレノイド及び駆動回路での電力消費及び発熱を抑制することを目的としている。その目的を達成するために、遊技球の発射速度、弾球部材の重量、ロータリーソレノイドの性能などに基づいて、ロータリーソレノイドの励磁時間を予め設定するものである。
【０００８】
しかし、実際の発射装置では、製造ばらつきなどに起因して、弾球部材が待機位置から発射位置に到達するまでの時間は個々の発射装置によって変動する。さらに、可動部品の磨耗、潤滑剤枯渇、塵の侵入などによる経時劣化によっても、その時間は変動してしまう。そのため、上述したような、事前かつ一律に励磁時間を設定する構成では、個々の発射装置に対して適切な励磁時間を設定することは困難であった。場合によっては、弾球部材が発射位置に到達する遥か以前でロータリーソレノイドへの電流供給が停止されてしまい、弾球動作不良を生じるおそれがあった。また、このような弾球動作不良を防止するために、励磁時間に余裕を持たせて長めに設定すると、発熱抑制の効果を十分に発揮できないという問題点があった。
【０００９】
上記の問題点に鑑み、本発明の目的は、製造ばらつき及び経時劣化に影響されることなく、遊技球発射後の駆動部への電流供給を停止して、駆動部及びその制御回路からの発熱を抑制可能な、遊技球の発射装置及びその発射装置に使用される制御回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の一つの実施形態に係る遊技球の発射装置は、遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、弾球部材を駆動する駆動部と、遊技球を発射する場合に、駆動部に電流を供給する制御回路と、弾球部材が遊技球の発射位置に到達したことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有する。また制御回路は、センサから検知信号を受信すると、駆動部への電流供給を停止する遮断回路を有する。
【００１１】
また、本発明の他の実施形態に係る遊技球の発射装置は、遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、弾球部材を駆動する駆動部と、遊技球を発射する場合に、駆動部に電流を供給する制御回路と、遊技球が発射されたことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有する。また制御回路は、センサから検知信号を受信すると、駆動部への電流供給を停止する遮断回路を有する。
【００１２】
また、本発明によれば、遮断回路は、受信した検知信号を保持する信号状態保持手段を有し、かつ、遮断回路は、センサから検知信号を受信すると、その信号状態保持手段によって検知信号受信期間よりも長い所定期間の間、駆動部への電流供給の停止を継続させることが好ましい。
【００１３】
また、本発明のさらに他の実施形態では、遊技球に加速度を与えて発射させる弾球部材と、電流供給されている間、その弾球部材を駆動する駆動部と、弾球部材が遊技球の発射位置に到達したこと、または遊技球が発射されたことを検知すると、検知信号を出力するセンサとを有する遊技球の発射装置に用いられる制御回路が提供される。係る制御回路は、所定の周期にてパルス信号を出力するパルス生成回路と、そのパルス信号の出力中、駆動部へ電流を供給する駆動回路と、センサから検知信号を受信すると、駆動部への電流供給を停止する遮断回路とを有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、製造ばらつき及び経時劣化に影響されることなく、遊技球発射後の駆動部への電流供給を停止して、駆動部及びその制御回路からの発熱を抑制可能な、遊技球の発射装置及びその発射装置に使用される制御回路を提供することが可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明を適用した遊技球の発射装置について詳細に説明する。本発明を適用した発射装置は、センサにより、弾球部材が遊技球の発射位置に到達したことを検知し、弾球部材を駆動するロータリーソレノイドへの遊技球の発射後における電流供給を停止して、余分な発熱の発生を抑制するものである。
【００１６】
図１に、本発明を適用した発射装置１の回路構成図を示す。発射装置１は、遊技球を弾いて発射させる弾球鎚（図示せず）を駆動する駆動部である発射ソレノイド２と、発射ソレノイド２に所定の励磁電流を供給する制御回路３と、弾球鎚が遊技球の発射位置に到達した場合に検知信号を出力するセンサ４と、遊技球を待機通路から発射位置まで運ぶ玉送りソレノイド５を有する。
【００１７】
発射ソレノイド２は、それ自体に流れる励磁電流の強度に応じた力を発生させるものであり、その力を弾球鎚に伝達することにより、所定の発射速度で遊技球を発射させる。本実施形態では、発射ソレノイド２をロータリーソレノイドで構成した。発射ソレノイド２の回転軸には、弾球鎚が取り付けられる。発射ソレノイド２は、それ自体に流れる励磁電流の強度に応じたトルクを発生して、回転軸を回転中心として弾球鎚を回転させ、発射位置に待機している遊技球を発射する。
【００１８】
制御回路３は、所定の発射周期にて、遊技機の回転ハンドル（図示せず）を通じて指定された発射速度で遊技球を発射するように、発射ソレノイド２に供給する励磁電流の量を制御する。そのために、制御回路３は、水晶発振器３１からの発振信号に基づいて、所定の発射周期のパルス信号を生成する発射タイミングパルス生成回路３２と、外部からの信号に応じて、遊技球の発射を許可するか否かを判定し、許可する場合にのみ上記のパルス信号の発振を許可する判定回路３３と、上記の発射周期にて、回転ハンドルからの発射速度の指示及び発射パルス信号に応じた励磁電流を発射ソレノイド２に供給する駆動回路３４と、センサ４からの検知信号に基づいて、制御回路３による発射ソレノイド２への電流供給を停止する遮断回路３５を有する。
【００１９】
発射タイミングパルス生成回路３２は、例えば公知の分周回路などで構成される。そして、水晶発振器３１から供給された高周波の発振信号に基づいて、例えば１分間に100回弱の発射周波数にて繰り返され、約30msecの幅を有するパルス信号を生成する。そのパルス信号は、出力端子x1を通じて判定回路３３に供給される。また、発射タイミングパルス生成回路３２は、出力端子x1から出力されるパルス信号と同周期で位相がずれたパルス信号を、出力端子x2を通じて電界効果トランジスタFET2に供給する。そして、電界効果トランジスタFET2は、出力端子x2からパルス信号が供給されている間ＯＮとなり、玉送りソレノイド５に励磁電流を供給する。また、発射タイミングパルス生成回路３２は、LowアクティブであるCLR端子にLow信号が入力されている間、パルス信号の出力を停止する。
【００２０】
判定回路３３は、遊技者が遊技球の飛距離を設定するための回転ハンドル（図示せず）に設けられたタッチスイッチ、ストップスイッチからの信号、及び払出し機構部（図示せず）から送信された発射停止信号など、遊技球の発射を許可するか否かを示すスイッチおよびセンサからの信号を入力とするアンド回路AND1と、Ｄ型フリップフロップFF1と、インバータINV1で構成される。そして、アンド回路AND1の全ての入力がHigh（すなわち、遊技球の発射を許可）のとき、アンド回路AND1の出力はHighとなる。一方、何れかの入力がLow（すなわち、遊技球の発射を許可しない）のとき、アンド回路AND1の出力はLowとなる。アンド回路AND1の出力は、フリップフロップFF1のプリセット端子に入力される。
【００２１】
また、判定回路３３では、発射タイミングパルス生成回路３２のx1端子から出力されたパルス信号を、インバータINV1で反転させて出力する。また、そのx1端子からの出力は、フリップフロップFF1のCK端子にも接続される。さらにフリップフロップFF1のD端子は接地され、Q端子からの出力は、発射タイミングパルス生成回路３２のLowアクティブであるCLR端子に接続される。
【００２２】
そのため、上記のアンド回路AND1の出力がLowの場合、すなわち、フリップフロップFF1のプリセット端子の入力がLowの場合、フリップフロップFF1のD端子が接地されているので、Q端子からの出力はLowとなる。すなわち、発射タイミングパルス生成回路３２のCLR端子の入力がLowとなるので、発射タイミングパルス生成回路３２はクリアされ、パルス信号を出力しない。
一方、アンド回路AND1から発射許可信号が出力されている間、すなわち、フリップフロップFF1のプリセット端子の入力がHighとなっている間、フリップフロップFF1のQ端子からの出力は常にHighとなるので、発射タイミングパルス生成回路３２はパルス信号を供給する。その結果、判定回路３３は、遊技球の発射が許可される場合に限り、上記の発射周期にて、パルス信号の出力を繰り返す。
【００２３】
駆動回路３４は、回転ハンドルの回転量に応じた励磁電流を発射ソレノイド２に供給する。そのために、駆動回路３４は、オペアンプAMP1と、トランジスタTr1と、電界効果トランジスタFET1などで構成される。そして、回転ハンドル内に配置され、回転ハンドルの回転量に応じて抵抗値が変化する可変抵抗Volの出力が、バッファBUF1及び抵抗R1を介してオペアンプAMP1の非反転入力端子に接続される。また、オペアンプAMP1の非反転入力端子には、ＮＰＮ型のトランジスタTr1のコレクタも接続される。一方トランジスタTr1のエミッタは接地されている。そして、トランジスタTr1のベースには、判定回路３３のインバータINV1の出力端子が接続される。
【００２４】
また、オペアンプAMP1の出力端子は、抵抗R3を介して電界効果トランジスタFET1のゲートに接続される。さらに、オペアンプAMP1の反転入力端子は電界効果トランジスタFET1のソースに接続される。また電界効果トランジスタFET1のソースは、抵抗R4を介して接地される。そして、電界効果トランジスタFET1のドレインには発射ソレノイド２の一端が接続され、発射ソレノイド２の他端は電源に接続される。
【００２５】
ここで、トランジスタTr1がＯＦＦの場合、可変抵抗Volの抵抗値に応じた印加電圧がオペアンプAMP1の非反転入力端子に印加される。そのため、オペアンプAMP1の出力端子の電圧は、その印加電圧に比例して増減する。さらに、オペアンプAMP1の出力端子は抵抗R3を介して電界効果トランジスタFET1のゲートに接続されているので、オペアンプAMP1の出力電圧が一定以上高くなれば、電界効果トランジスタFET1はＯＮとなってドレイン−ソース間に電流が流れるようになる。すなわち、発射ソレノイド２に励磁電流が供給される。
さらに、オペアンプAMP1は、反転入力端子の電圧と非反転入力端子の電圧が等しくなるように振舞うため、非反転入力端子に可変抵抗Volの抵抗値に応じて定まる電圧が加わると、抵抗R4の両端にも非反転入力端子に印加される電圧と略等しい電圧が印加される。そのため、抵抗R4を流れる電流量、すなわち、発射ソレノイド２に供給される励磁電流量は、可変抵抗Volの抵抗値に応じて定まる電圧に略比例する。したがって、回転ハンドルの回転量に略比例した励磁電流が発射ソレノイド２に供給されるので、発射装置１は、回転ハンドルの回転量に略比例した発射速度で遊技球を発射することができる。
【００２６】
一方、トランジスタTr1がＯＮの場合、トランジスタTr1のコレクタ電位、すなわち、オペアンプAMP1の非反転入力端子の電位はグランドレベルに低下する。そのため、電界効果トランジスタFET1のゲート電位もグランドレベルとなり、電界効果トランジスタFET1はＯＦＦとなるので、発射ソレノイド２には励磁電流が供給されなくなる。
【００２７】
上記のように、トランジスタTr1のベースは判定回路３３のインバータINV1の出力端子と接続されているので、トランジスタTr1は、発射タイミングパルス生成回路３２のx1端子からパルス信号が出力されている間だけＯＦＦとなる。結果として、発射タイミングパルス生成回路３２がx1端子からパルス信号を出力している間、回転ハンドルの回転量に応じた励磁電流が、発射ソレノイド２に供給される。
【００２８】
遮断回路３５は、センサ４からの検知信号を一定期間保持する信号状態保持手段であるオフディレイタイマ５１とＮＰＮ型のトランジスタTr2などで構成され、センサ４が弾球鎚が発射位置に到達したことを検知した場合、それ以後の制御回路３による発射ソレノイド２への励磁電流供給を、次の発射パルス信号が送出されるまで停止させる回路である。そのために、オフディレイタイマ５１には、センサ４から検知信号が入力される。そして、オフディレイタイマ５１は、センサ４から検知信号が入力されると、一定期間の間、その出力をHighのまま継続する。このオフディレイタイマ５１の出力は、トランジスタTr2のベースに接続されるので、オフディレイタイマ５１の出力がHighの間、トランジスタTr2はＯＮとなる。ここで、トランジスタTr2のコレクタは、駆動回路３４のオペアンプAMP1の非反転入力端子に接続され、トランジスタTr2のエミッタは接地される。そのため、トランジスタTr2がＯＮとなっている間、オペアンプAMP1の非反転入力端子の電位はグランドレベルに低下する。したがって、発射タイミングパルス生成回路３２からのパルス信号の有無にかかわらず、発射ソレノイド２への励磁電流の供給は停止される。
【００２９】
また、一旦センサ４から検知信号を受信すると、オフディレイタイマ５１は一定期間の間、好ましくは、上記のパルス信号幅に相当する期間、出力をHighに保ち、その間遮断回路３５は、発射ソレノイド２への励磁電流供給の停止を継続させる。そのため、発射タイミングパルス生成回路３２からパルス信号が出力されている間に、発射ソレノイド２への励磁電流供給が停止されて弾球鎚が落下し、センサ４の検知範囲から弾球鎚６が外れても、次のパルス信号が入力されるまで、発射ソレノイド２への励磁電流供給が再開されることはない。
【００３０】
図２に、オフディレイタイマ５１の回路構成の一例を示す。この例では、オフディレイタイマ５１は、コンパレータCOM1、ダイオードD1、コンデンサC及び抵抗R11〜R16などで構成される。そして、センサ４から検知信号が出力されると（本実施形態では、センサ４の出力端子電圧V6がLowになると）、コンパレータCOM1の反転入力端子への入力電圧も低下し、ある時点で非反転入力端子への入力電圧よりも低くなる。そして、コンパレータCOM1の出力電圧、すなわち、オフディレイタイマ５１の出力電圧がHighとなる。同時に、コンデンサCは充電される。
【００３１】
オフディレイタイマ５１の出力電圧がHighとなった状態において、センサ４が検知信号を出力しなくなると、すなわち、センサ４の出力端子電圧V6がHighになると、コンデンサCが放電するので、コンパレータCOM1の反転入力端子の電圧は指数変化に基づき徐々に上昇する。そして、その電圧がコンパレータCOM1の非反転入力端子の電圧を上回った時点でコンパレータCOM1の出力電圧はLowとなる。そのため、センサ４が検知信号を出力しなくなってから、オフディレイタイマ５１の出力がLowとなるまでには、一定の遅延が生じる。この遅延時間は、R15、R16及びCの時定数を調整することにより、一つのパルス信号が駆動回路３４に入力されている間中継続するように、適切な値に設定することができる。
【００３２】
センサ４は、弾球鎚が発射位置に到達したことを検知して、検知信号を出力するものであり、例えば、金属検知タイプの近接センサ、光学センサなどで構成される。本実施形態では、センサ４として近接センサを用いた。
【００３３】
図３は、センサ４と弾球鎚６の配置を示す概略構成図である。弾球鎚６は、一端に設けられた回転軸６１にて発射ソレノイド２の回転軸に取り付けられる。また、弾球鎚６の他端には、遊技球を弾く突起状の鎚部分６２が形成されている。そして、弾球鎚６の少なくとも鎚部分６２は、鉄などの金属で形成される。
弾球鎚６の待機位置には、第１受け部材６３が配置され、発射ソレノイド２が駆動されない場合には、弾球鎚６が第１受け部材６３に接触した状態で静止するように構成されている。また、弾球鎚６の発射位置には、第２受け部材６４が配置される。そして、発射ソレノイド２の回転軸の回転に伴って、弾球鎚６がその回転軸６１を回転中心として回動し、発射位置にある遊技球６５を弾いた後、第２受け部材６４に接触して停止するように構成される。
【００３４】
センサ４は、弾球鎚６の発射位置に近接して設置される。そのため、弾球鎚６の鎚部分６２が遊技球６５に接触する直前、あるいは接触した直後の位置まで到達すると、弾球鎚６を検知する。そして、センサ４は、弾球鎚６を検知している間、検知信号を出力する。本実施形態では、上記の遮断回路３５と整合性をとるために、検知信号が出力されている状態では、センサ４の出力端子電圧V6はLowとなり、検知信号が出力されていない状態では、Highとなるように設定した。
【００３５】
以下、図４を参照しつつ、発射装置１の動作を説明する。図４は、発射装置１の各部における電圧の変位を示すタイムチャートである。図４（ａ）は、１回のパルス信号出力に相当する発射タイミングパルス生成回路３２のx1端子の電圧を示す。図４（ｂ）は、相対的に遊技球の発射速度が遅い場合における、センサ４の出力電圧V6及び遮断回路３５のオフディレイタイマ５１の出力電圧V7を示す。図４（ｃ）は、図４（ｂ）の場合に対応する、オペアンプAMP1の出力端子電圧V2、オペアンプAMP1の非反転入力端子電圧V3、及び電界効果トランジスタFET1のソース電圧V4を示す。図４（ｄ）は、相対的に遊技球の発射速度が速い場合における、センサ４の出力電圧V6及び遮断回路３５のオフディレイタイマ５１の出力電圧V7を示す。図４（ｅ）は、図４（ｄ）の場合に対応する、オペアンプAMP1の出力端子電圧V2、オペアンプAMP1の非反転入力端子電圧V3、及び電界効果トランジスタFET1のソース電圧V4を示す。図４（ａ）〜（ｅ）の各図において、横軸は経過時間を示し、縦軸は電圧を示す。
【００３６】
まず、相対的に遊技球の発射速度が遅い場合について説明する。発射タイミングパルス生成回路３２のx1端子から、時間t1においてパルス信号が供給されると、トランジスタTr1はＯＦＦとなる。そのため、図４（ｃ）に示すように、オペアンプAMP1の非反転入力端子の電圧V3は、回転ハンドルの回転角に応じた値に立ち上がる。それに伴い、オペアンプAMP1の出力端子の電圧V2も立ち上がる。そして、電界効果トランジスタFET1がＯＮになるので、そのソース電圧V4も、t1から徐々に上昇し、オペアンプAMP1でのフィードバック制御によってオペアンプAMP1の非反転入力端子電圧V3と略等しい値に収束する。その収束に伴い、オペアンプAMP1の出力電圧V2も若干低下して、安定電圧となる。
【００３７】
図４（ｂ）に示すように、その後、時間t2において、センサ４が、弾球鎚が発射位置に到達したことを検知すると、センサ４の出力電圧V6はLowとなる。これに伴い、オフディレイタイマ５１の出力電圧V7はHighとなる。そのため、図４（ｃ）に示すように、トランジスタTr2がＯＮとなって電圧V3がLowとなり、これに伴って電圧V2、V4もLowとなる。そして、発射ソレノイド２への励磁電流供給が停止される。その後、時間t3において弾球鎚がセンサ４の検知範囲から外れ、電圧V6がHighとなっても、オフディレイタイマ５１の出力電圧V7は、そのオフディレイタイムの間はHighに保たれる。そのため、トランジスタTr2もＯＮの状態が保たれ、電圧V2〜V4はLowのままとなり、発射ソレノイド２への励磁電流供給も停止されたままとなる。
【００３８】
次に、相対的に遊技球の発射速度が速い場合について説明する。この場合も同様に、時間t1においてパルス信号が供給されると、図４（ｅ）に示すように、それに伴って電圧V2〜V4も立ち上がる。その後、図４（ｄ）に示すように、時間t4においてセンサ４が、弾球鎚が発射位置に到達したことを検知すると、センサ４の出力電圧V6はLowとなる。これに伴い、オフディレイタイマ５１の出力電圧V7はHighとなる。そのため、図４（ｅ）に示すように、トランジスタTr2がＯＮとなって電圧V3がLowとなり、これに伴って電圧V2、V4もLowとなる。そして、発射ソレノイド２への励磁電流供給が停止される。その後、時間t5において弾球鎚がセンサ４の検知範囲から外れ、電圧V6がHighとなっても、オフディレイタイマ５１の出力電圧V7は、そのオフディレイタイムの間はHighに保たれる。そのため、トランジスタTr2もＯＮの状態が保たれ、電圧V2〜V4はLowのままとなり、発射ソレノイド２への励磁電流供給も停止されたままとなる。このように、遊技球の発射速度が速ければ、その分だけ早期に発射ソレノイド２への励磁電流供給が停止される。
【００３９】
以上説明してきたように、本発明を適用した遊技球の発射装置１は、励磁電流の供給停止の判断を、実際に弾球鎚が発射位置に到達したことで判断するため、発射装置１の製造ばらつきや、経時劣化が生じても、励磁電流の供給を停止するタイミングを、遊技球の発射直前あるいは発射直後に安定的に設定できる。したがって、発射ソレノイド２への励磁電流供給を遊技球の発射直後において確実に停止するので、遊技球の弾球動作不良を生じることなく、発射ソレノイド２及び駆動回路３４の発熱を効率良く抑制できる。
【００４０】
なお、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。図５に、本発明の他の実施形態に係る発射装置１１の回路構成図を示す。図５において、図１に示す実施形態と同様の構成を有するものには、同一の参照番号を付した。また図５において、簡単化のために、球送りソレノイド及びその駆動回路の図示を省略した。図５に示す発射装置１１と、図１に示す発射装置１とでは、遮断回路３５をオペアンプAMP1の非反転入力端子に接続する代わりに、出力端子に接続した点のみで相違する。この場合でも、センサ４が弾球鎚を検知することにより、センサ４からの検知信号によってトランジスタTr2がＯＮとなって、オペアンプAMP1の出力端子電圧V2はグランド電位に低下するので、電界効果トランジスタFET1はＯＦＦとなり、発射ソレノイド２への励磁電流供給は停止される。
【００４１】
図６に、本発明のさらに他の実施形態に係る発射装置１２の回路構成図を示す。図６において、図１に示す実施形態と同様の構成を有するものには、同一の参照番号を付した。また図６において、簡単化のために、球送りソレノイド及びその駆動回路の図示を省略した。図６に示す発射装置１２は、図１に示す発射装置１における、遮断回路３５のオフディレイタイマ５１の代わりにＤ型フリップフロップFF2を用いて、信号状態保持手段を構成したものである。なお、この実施形態では、上記の実施形態とは逆に、検知信号が出力されている状態では、センサ４の出力端子電圧V6はHighとなり、検知信号が出力されていない状態では、Lowとなるように設定した。発射装置１２では、センサ４の出力がフリップフロップFF2のプリセット端子に入力されるので、センサ４が弾球鎚を検知して、その出力がHighとなると、フリップフロップFF2のQ端子の出力はHighとなる。したがって、トランジスタTr2がＯＮとなり、発射ソレノイド２への励磁電流供給は停止される。Q端子の出力は、発射タイミングパルス生成回路３２から次のパルス信号がCK端子に入力されるまでHighのまま保持される。そして、フリップフロップFF2のD端子は接地されているので、パルス信号がCK端子に入力された時点、すなわち、CK端子の入力電圧がLowからHighに立ち上がった時点で、Q端子の出力がLowとなる。したがって、トランジスタTr2がＯＦＦとなり、発射ソレノイド２への励磁電流供給が開始される。
【００４２】
このように、図５及び図６に示した実施形態についても、センサ４による弾球鎚の検知により、直ちに発射ソレノイド２への励磁電流供給が停止されるので、発射ソレノイド２等の発熱を抑制することができる。
【００４３】
また、センサは、弾球鎚が発射位置に到達したことを検知する代わりに、遊技球が発射されたことを検知するように構成してもよい。この場合、例えば、センサを遊技球検知用の公知の近接センサなどで構成し、遊技球が発射時に通過する発射通路に設置する。そして、遊技球がセンサの近傍を通過すると、そのセンサは遊技球を検知して、その検知信号を遮断回路に送信する。
あるいは、センサを、発射位置にいる遊技球を検知するように構成してもよい。この場合、遊技球が発射されると、信号が出力されなくなるので、センサからの検知信号をインバータで反転して遮断回路に送信する。このように構成すると、次の遊技球が発射位置に供給されるまで、検知信号が出力されない状態が継続されるので、オフディレイタイマは不要となる。
【００４４】
さらに、制御回路３の一部を、デジタル集積回路で構成してもよい。例えば、発射タイミングパルス生成回路３２、フリップフロップFF1（実施形態によってはFF2も）、インバータINV1、トランジスタTr1、Tr2及びそれらの間に接続される抵抗を、一つの集積回路に組み込んで、制御回路３を小型化することができる。同様に、発射タイミングパルス生成回路３２と遮断回路３５、あるいは、発射タイミングパルス生成回路３２、判定回路３３と遮断回路３５を一つの集積回路に組み込んでもよい。
このような修正は、当業者にとっては本発明の範囲内で容易に行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明を適用した遊技球の発射装置の回路構成図である。
【図２】オフディレイタイマの回路構成の一例を示す図である。
【図３】弾球鎚とセンサの配置を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、本発明を適用した遊技球の発射装置の回路の各部における電圧の遷移を示すタイムチャートである。
【図５】本発明の他の実施例に係る遊技球の発射装置の回路構成図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る遊技球の発射装置の回路構成図である。
【符号の説明】
【００４６】
１、１１、１２    発射装置
２    発射ソレノイド（駆動部）
３    制御回路
４    センサ
５    玉送りソレノイド
６    弾球鎚（弾球部材）
３１    水晶発振器
３２    発射タイミングパルス生成回路
３３    判定回路
３４    駆動回路
３５    遮断回路
５１    オフディレイタイマ（信号状態保持手段）
６１    回転軸
６２    鎚部分
６３、６４    受け部材
６５    遊技球
R1〜R8、R11〜R16    抵抗
C    コンデンサ
D1    ダイオード
Tr1、Tr2    トランジスタ
FF1、FF2    フリップフロップ
FET1、FET2    電界効果トランジスタ
AND1    アンド回路
INV1    インバータ
AMP1    オペアンプ
BUF1    バッファ
COM1    コンパレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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