【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に形成された、第１の領域および前記第１の領域と接した第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、前記第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜と、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および第２の導電膜との接続する部分の前記第１の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第１の領域、第２の領域および第３の領域に不純物元素が導入されており、
前記第１の領域と前記第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上に形成された、第１の領域および前記第１の領域と接した第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、前記第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜と、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および第２の導電膜との接続する部分の前記第１の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第１の領域と前記第２の領域の一方は真性半導体を含んでおり、前記第１の領域と第２の領域の他方および前記第３の領域は不純物元素が導入された不純物半導体を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上に形成された、第１の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の領域とを有する第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜および第２の導電膜と、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および第２の導電膜との接続する部分の前記第１の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第１の領域と第２の領域に不純物元素が導入されており、
前記第１の領域と前記第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上に形成された、第１の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソース領域またはドレイン領域として機能する第２の領域とを有する第２の半導体膜と、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、且つ前記第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜および第２の導電膜と、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および第２の導電膜との接続する部分の前記第１の半導体膜の表面に形成されたシリサイドとを有し、
前記第１の領域は真性半導体を含んでおり、前記第２の領域は不純物元素が導入された不純物半導体を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記第１の領域または前記第２の領域に含まれる不純物元素の濃度のうちいずれか一方は、前記第３の領域に含まれる不純物元素の濃度と同じであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１、２、または５のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および前記第２の導電膜との接続する部分の一方にショットキーバリアダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３または４において、
前記第１の半導体膜と前記第１の導電膜および前記第２の導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記シリサイドは、ニッケルシリサイド、コバルトシリサイドまたは白金シリサイドのいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８に記載した半導体装置のいずれか一を用いた温度センサー。
【請求項１０】
基板上に第１の半導体膜と第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の半導体膜の上方に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入することにより、前記第１の半導体膜に第１の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜全体をレジストで覆い、前記レジストと前記ゲート電極をマスクとして前記第２の半導体膜に第２の不純物元素を導入することにより、前記第２の半導体膜に第２の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第１の半導体膜の前記第１の不純物領域および前記第２の半導体膜の前記第２の不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成し、
前記第１の不純物元素の濃度を前記第２の不純物元素の濃度より小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に第１の半導体膜と第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第１の半導体膜に第１の不純物元素を導入することにより、前記第１の半導体膜に第１の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜の一部をレジストで覆い、前記レジストと前記ゲート電極をマスクとして第２の不純物元素を導入することにより、前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜に選択的に第２の不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成して前記第１の半導体膜の前記第１の不純物領域および前記第２の不純物領域と、前記第２の半導体膜の前記第２の不純物領域とを露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成し、
前記第１の不純物元素の濃度を前記第２の不純物元素の濃度より小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に第１の半導体膜と第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第１の半導体膜の一部をレジストで覆い、前記レジストおよび前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入することにより、前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜に選択的に不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜の前記不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に第１の半導体膜と第２の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜と前記第２の半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記第１の半導体膜全体をレジストで覆い、前記レジストおよび前記ゲート電極をマスクとして不純物元素を導入することにより、前記第２の半導体膜に不純物領域を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、および前記ゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に選択的に開口部を形成することにより、前記第１の半導体膜の一部および前記第２の半導体膜の前記不純物領域を露出させ、
前記開口部に選択的に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０または１１において、
前記第１の半導体膜の前記第１の不純物領域と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２において、
前記第１の半導体膜の前記不純物元素が導入されていない領域と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１３において、
前記第１の半導体膜と前記導電膜との接続する部分にショットキーバリアダイオードを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜として、シリコンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記導電膜として、ニッケル、コバルトまたは白金のいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
例えば、半導体膜２０３ｃの全面に第１の不純物元素２３１を導入し、当該半導体膜２０３ｃを第１の不純物領域２０６で設けた構造とすることもできる（図５（Ａ））。この場合、第１の不純物領域２０６に導入する不純物元素の濃度を調整することにより、図３に示す半導体膜２０３ｃにおける第１の領域２２０ａと導電膜２１６との接続および第２の領域２２０ｂと導電膜２１６との接続の双方にショットキーバリアダイオードが形成される。なお、図５（Ａ）に示す構造は、図２（Ｅ）において、半導体膜２０３ａ、２０３ｃに第３の不純物元素２３３を導入する際に、半導体膜２０３ｃ全体をレジスト２０９で覆い当該半導体膜２０３ｃに第３の不純物元素２３３  が導入されないようにすることによ
り設けることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
他にも、半導体膜２０３の第２の領域に第２の不純物元素２３２を導入し、ｎ型の第１の不純物元素が導入された第１の領域２２０ａと、ｐ型の第２の不純物元素が導入された第２の領域２２０ｂとからなる構造とすることもできる（図５（Ｂ））。この場合、図３（Ｅ）に示す半導体膜２０３ｃにおける第１の領域２２０ａと導電膜２１６との接続にショットキーバリアダイオードが形成され、第２の領域２２０ｂと導電膜２１６との接続がオーミック接触となる。なお、図５（Ｂ）に示す構造は、図２（Ｄ）において、半導体膜２０３ｂに第２の不純物元素２３２を導入する際に、半導体膜２０３ｃの一部にも同時に第２の不純物元素２３２を導入し、図２（Ｅ）において半導体膜２０３ｃに第３の不純物元素２３３を導入しないようにすることにより設けることができる。