【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサを含む少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ層と、
少なくとも１つの平面型コンデンサ積層板と
を備え、
少なくとも１つの平面型コンデンサ積層板が、少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサに電荷を供給するための低インダクタンス経路として働き、
前記埋込み個別化コンデンサが、前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続されることを特徴とする電力コア。
【請求項２】
電力コア構造を作製するための方法であって、
少なくとも１つのパターン形成された側を有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
電力コア構造を作製するための方法であって、
パターン形成された側とパターン形成されない側とを有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する、箔上で形成された個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造の前記構成部品側を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
電力コア構造を作製するための方法であって、
第１のパターン形成された側と第２のパターン形成された側とを有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する、箔上で形成された個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造の前記構成部品側を前記平面型コンデンサ積層板の前記第１のパターン形成された側に積層するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
電力コア構造を作製するための方法であって、
少なくとも１つのパターン形成された側を有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する少なくとも１つの、箔上で形成された個別化コンデンサを備える少なくとも１つの箔構造を用意するステップと、
前記箔構造の前記箔側を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記箔構造の前記箔側をエッチングし、前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成されない側をエッチングするステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
５０個のＳＭＴコンデンサおよび誘電率３．８の平面型基板についての電力平面上の電圧変動には、約−０．１２ボルトから＋０．１２ボルトの、電力平面上のピーク間電圧変動があった。７５個のＳＭＴコンデンサおよび誘電率３．８の平面型基板についての電力平面上の電圧変動には、約−０．１ボルトから＋０．１ボルトの、電力平面上のピーク間電圧変動があった。１００個のＳＭＴコンデンサおよび誘電率３．８の平面型基板についての電力平面上の電圧変動には、約−０．０７５ボルトから＋０．１ボルトの、電力平面上のピーク間電圧変動があった。４つのＳＭＴコンデンサ構成すべてにおいて、出力ドライバの同時スイッチングの結果として、２５個のコンデンサおよび誘電率１１の電力平面を有する埋込みディスクリートコンデンサ構成より高い電力平面ノイズ、または電圧変動が生じた。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサを含む少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサ層と、
少なくとも１つの平面型コンデンサ積層板と
を備え、
少なくとも１つの平面型コンデンサ積層板が、少なくとも１つの埋込み個別化コンデンサに電荷を供給するための低インダクタンス経路として働き、
前記埋込み個別化コンデンサが、前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続されることを特徴とする電力コア。
［２］  前記埋込み個別化コンデンサは、箔上で形成されたセラミックコンデンサであることを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［３］  前記埋込み個別化コンデンサは、箔上で硬化された、セラミックで充填されたポリマーを主成分とするコンデンサであることを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［４］  前記平面型コンデンサ積層板は、有機誘電層を含むことを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［５］  前記平面型コンデンサ積層板は、セラミック誘電層を含むことを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［６］  前記平面型コンデンサ積層板は、セラミック材料で充填された有機誘電層を含み、前記層の前記セラミック材料は、５００より大きい誘電率を有することを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［７］  前記平面型コンデンサ積層板は、セラミック材料で充填された有機誘電層を含み、前記層の前記セラミック材料は、５００より小さい誘電率を有することを特徴とする［［１］に記載の電力コア。
［８］  前記平面型コンデンサ積層板は、銅−誘電体−銅積層板であることを特徴とする［１］に記載の電力コア。
［９］  前記銅−誘電体−銅積層板は、有機層、セラミックで充填された有機層、セラミック層、およびそれらの混合物から選択された１つまたは複数の誘電層を含むことを特徴とする［８］に記載の電力コア。
［１０］  電力コア構造を作製するための方法であって、
少なくとも１つのパターン形成された側を有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
［１１］  電力コア構造を作製するための方法であって、
パターン形成された側とパターン形成されない側とを有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する、箔上で形成された個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造の前記構成部品側を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
［１２］  電力コア構造を作製するための方法であって、
第１のパターン形成された側と第２のパターン形成された側とを有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する、箔上で形成された個別化コンデンサ構造を用意するステップと、
前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造の前記構成部品側を前記平面型コンデンサ積層板の前記第１のパターン形成された側に積層するステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
［１３］  電力コア構造を作製するための方法であって、
少なくとも１つのパターン形成された側を有する平面型コンデンサ積層板を用意するステップと、
箔側と構成部品側とを有する少なくとも１つの、箔上で形成された個別化コンデンサを備える少なくとも１つの箔構造を用意するステップと、
前記箔構造の前記箔側を前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成された側に積層するステップと、
前記箔構造の前記箔側をエッチングし、前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成されない側をエッチングするステップと、
前記個別化コンデンサ構造を前記平面型コンデンサ積層板に並列で接続するステップと
を含むことを特徴とする方法。
［１４］  前記平面型コンデンサ積層板の前記パターン形成されない側と、前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造の前記箔側とを共にパターン形成するステップをさらに含むことを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１５］  信号ラインが、前記個別化コンデンサ構造と同じ層上で組み込まれ相互接続されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１６］  抵抗が、前記個別化コンデンサ構造と同じ層上で組み込まれ相互接続されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１７］  抵抗性要素が前記平面型コンデンサ積層板内に組み込まれて、抵抗コンデンサ要素を形成することを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１８］  前記箔上で形成された個別化コンデンサ構造が、
金属の箔を用意するステップと、
前記箔を覆って少なくとも１つの第１の誘電体を形成するステップと、
前記第１の誘電体を覆って少なくとも１つの第１の電極を形成するステップと、
前記第１の誘電体および前記第１の電極を同時焼成するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［１９］  前記個別化コンデンサ構造が、
金属の箔を用意するステップと、
前記箔を覆って少なくとも１つの第１の誘電体を形成し、前記誘電体を硬化させるステップと、
前記第１の誘電体を覆って少なくとも１つの第１の電極を形成するステップと、
前記第１の電極を硬化させるステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２０］  前記個別化コンデンサ構造が、
金属の箔を用意するステップと、
前記箔を覆って少なくとも１つの第１の誘電体を形成し、前記誘電体を焼成するステップと、
前記第１の誘電体を覆って第１の電極を形成するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２１］  前記個別化コンデンサ構造は、アンダープリント層で処理された金属の箔を備えることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２２］  前記平面型コンデンサ積層板が、
第１の金属の箔を用意するステップと、
前記第１の金属の箔上で第１の誘電層を用意し、第１の被覆された金属の箔を形成するステップと、
第２の金属の箔を用意するステップと、
前記第２の金属の箔上で第２の誘電層を用意し、第２の被覆された金属の箔を形成するステップと、
前記第１および第２の被覆された金属の箔を共に積層するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２３］  前記平面型コンデンサ積層板が、
第１の金属の箔を用意するステップと、
前記第１の金属の箔上で誘電層を用意し、誘電層側と金属の箔側とを有する被覆された金属の箔を形成するステップと、
第２の金属の箔を用意するステップと、
前記第２の金属の箔を前記被覆された金属の箔の前記誘電層側に積層するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２４］  前記平面型コンデンサ積層板が、
第１の金属の箔を用意するステップと、
第１の側と第２の側とを有する第１の誘電層を用意するステップと、
第２の金属の箔を用意するステップと、
前記第１の金属の箔を前記誘電層の前記第１の側に、前記第２の金属の箔を前記誘電層の前記第２の側に同時に積層するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２５］  前記平面型コンデンサ積層板が、
第１の金属の箔を用意するステップと、
前記第１の金属の箔上で第１の誘電体を用意し、前記誘電体を焼成し、それによって第１の被覆された金属の箔を形成するステップと、
前記焼成された誘電体を覆って第１の電極を形成するステップと
を含む方法によって形成されることを特徴とする［１０］に記載の方法。
［２６］
前記平面型コンデンサ積層板は、第１の金属層と、誘電層と、第２の金属層とを備え、少なくとも１つの金属層が、スパッタリングおよびめっきによって形成されることを特徴とする［１１］に記載の方法。
［２７］  前記個別化コンデンサ構造は、銅、インバー、ニッケル、ニッケル被覆銅、および、厚膜ペーストのための焼成温度を越える融点を有する他の金属から選択された金属の箔を含むことを特徴とする［１０］に記載の方法。