(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子を持たない複数のダミー画素及び複数のオプティカルブラック画素を持つ固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の有効画素の黒レベルを補正するための基準黒レベル信号を取得する取得手段と、
を備え、
前記取得手段は、
前記複数のオプティカルブラック画素の信号に基づいて前記基準黒レベル信号を取得する場合と比べて前記基準黒レベル信号のばらつきが小さくなるように、各前記ダミー画素の読み出し回数を所定の２以上の回数に設定し、設定された回数だけ読み出された各ダミー画素の信号のうちの少なくとも一部の信号に基づいて前記基準黒レベル信号を取得する、
撮影装置。
【請求項２】
前記取得手段は、
前記各ダミー画素より出力される信号を、設定された回数だけＡ／Ｄ変換し、
Ａ/Ｄ変換された、前記設定された回数分の信号に基づいて所定の基準値を計算し、
計算された基準値を前記基準黒レベル信号として取得する、
請求項１に記載の撮影装置。
【請求項３】
前記有効画素の出力信号に含まれる暗電流成分を推定する推定手段と、
推定された暗電流成分に基づいて、前記各ダミー画素に基づいて取得された基準黒レベル信号を補正する補正手段と、
を備える、
請求項１又は請求項２に記載の撮影装置。
【請求項４】
前記固体撮像素子に入射される光の量を制御するためのメカニカルシャッタ
を備え、
前記取得手段は、
前記各ダミー画素の少なくとも一部の読み出しを前記メカニカルシャッタが開いている期間に行う、
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の撮影装置。
【請求項５】
前記取得手段は、
前記固体撮像素子の全ての有効画素を読み出した後に前記各ダミー画素の読み出しを行う、
請求項１から請求項３の何れか一項に記載の撮影装置。
【請求項６】
前記取得手段は、
撮影条件が所定の条件を満たすとき、前記各ダミー画素に基づいて前記基準黒レベル信号を取得し、
前記撮影条件が所定の条件を満たさないとき、前記各ダミー画素の信号に代えて、前記各オプティカルブラック画素の信号を読み出し、読み出された各オプティカルブラック画素の信号に基づいて前記基準黒レベル信号を取得する、
請求項１から請求項５の何れか一項に記載の撮影装置。
【請求項７】
前記所定の条件は、
前記固体撮像素子に設定されているＩＳＯ感度が所定感度を超えている、
前記固体撮像素子の撮影時温度が所定温度を超えている、
前記固体撮像素子の露光時間が所定時間を超えている、
の少なくとも１つを含む、
請求項６に記載の撮影装置。
【請求項８】
前記取得手段は、
前記各ダミー画素の信号を読み出す場合には前記各オプティカルブラック画素の読み出し行数を初期的に設定されている読み出し行数から減らし、
前記各オプティカルブラック画素の信号を読み出す場合には前記各ダミー画素の読み出し行数を初期的に設定されている読み出し行数から減らす、
請求項６又は請求項７に記載の撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダミー画素を用いて有効画素の黒レベルを取得する撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
撮影装置には、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサやＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の固体撮像素子が搭載されている。この種の固体撮像素子の出力信号には、感度や撮影時温度、露光時間等に依存して暗電流が発生する。そのため、有効画素の黒レベルのオフセット成分がばらつく。そこで、固体撮像素子には、光電変換素子を持つ通常の有効画素以外に、光電変換素子を遮光膜にて遮光したオプティカルブラック（以下、ＯＢ（Optical Black）と記す。）画素が形成されている。
【０００３】
ＯＢ画素の出力信号には、感度や撮影時温度、露光時間等に依存して有効画素の出力信号と同等の暗電流成分が含まれる。そのため、ＯＢ画素の信号出力レベルを黒レベルとしてクランプし、クランプされた黒レベルで有効画素の出力信号を減算することにより、暗電流に起因する黒レベルのオフセット成分の、フレーム間やフィールド間のばらつきが抑えられる。
【０００４】
また、光電変換素子を持たないダミー画素を持つ固体撮像素子も知られている。ダミー画素の信号出力レベルを黒レベルとしてクランプすることにより、ＯＢ画素が画素欠陥を持つ場合に起こり得る不適正なクランプが避けられる。
【０００５】
特許文献１に、ダミー画素の信号出力レベルを黒レベルとしてクランプすることが可能な具体的構成例が記載されている。特許文献１には、ダミー画素の出力信号に基づきクランプされた有効画素の出力信号に対してＯＢ画素とダミー画素との信号出力差を加算又は減算することによって黒レベルを調整する構成が例示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＯＢ画素は、固体撮像素子の小型化や有効画素領域の大面積化を達成するため、配置可能な数に制約がある。そのため、例えば、制約上少数しか配置されなかったＯＢ画素の出力信号を例えば平均化して黒レベルとしてクランプした場合であっても、有効画素の出力信号の黒レベルを精度良く補正することが難しいという問題が指摘される。
【０００８】
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ＯＢ画素が少数しか配置されてない構成であっても、有効画素信号の黒レベルを精度良く取得するのに好適に構成された撮影装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態に係る撮影装置は、光電変換素子を持たない複数のダミー画素を持つ固体撮像素子と、撮影条件に応じて、各ダミー画素の読み出し回数を複数回に設定し、設定された回数だけ読み出された各ダミー画素の信号のうちの少なくとも一部の信号に基づいて、固体撮像素子の有効画素の黒レベルを補正するための基準黒レベル信号を取得する取得手段とを備える。
【００１０】
また、本発明の一実施形態において、取得手段は、各ダミー画素より出力される信号を、設定された回数だけＡ／Ｄ変換し、Ａ/Ｄ変換された複数回分の信号に基づいて所定の基準値を計算し、計算された基準値を基準黒レベル信号として取得する構成としてもよい。
【００１１】
また、本発明の一実施形態に係る撮影装置は、有効画素の出力信号に含まれる暗電流成分を推定する推定手段と、推定された暗電流成分に基づいて、各ダミー画素に基づいて取得された基準黒レベル信号を補正する補正手段とを備える構成としてもよい。
【００１２】
また、本発明の一実施形態に係る撮影装置は、固体撮像素子に入射される光の量を制御するためのメカニカルシャッタを備える構成としてもよい。この構成において、取得手段は、各ダミー画素の少なくとも一部の読み出しをメカニカルシャッタが開いている期間に行ってもよい。
【００１３】
また、本発明の一実施形態において、取得手段は、固体撮像素子の全ての有効画素を読み出した後に各ダミー画素の読み出しを行う構成としてもよい。
【００１４】
また、本発明の一実施形態において、固体撮像素子は、複数のオプティカルブラック画素を持つ構成としてもよい。この構成において、取得手段は、撮影条件が所定の条件を満たすとき、各ダミー画素に基づいて基準黒レベル信号を取得し、撮影条件が所定の条件を満たさないとき、各ダミー画素の信号に代えて、各オプティカルブラック画素の信号を読み出し、読み出された各オプティカルブラック画素の信号に基づいて基準黒レベル信号を取得してもよい。
【００１５】
ここで、上記の所定の条件は、例えば、
固体撮像素子に設定されているＩＳＯ感度が所定感度を超えている、
固体撮像素子の撮影時温度が所定温度を超えている、
固体撮像素子の露光時間が所定時間を超えている、
の少なくとも１つを含む。
【００１６】
また、本発明の一実施形態において、取得手段は、各ダミー画素の信号を読み出す場合には各オプティカルブラック画素の読み出し行数を初期的に設定されている読み出し行数から減らし、各オプティカルブラック画素の信号を読み出す場合には各ダミー画素の読み出し行数を初期的に設定されている読み出し行数から減らす構成としてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の一実施形態によれば、ＯＢ画素が少数しか配置されてない構成であっても、有効画素信号の黒レベルを精度良く取得するのに好適に構成された撮影装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る撮影装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る撮影装置に備えられる撮像素子の撮像面の構成を模式的に示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る撮影装置により実行される画像生成処理のフローチャートを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る撮影装置による撮影時の駆動シーケンスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係る撮影装置について図面を参照しながら説明する。以下においては、本発明の一実施形態として、デジタル一眼レフカメラについて説明する。なお、撮影装置は、デジタル一眼レフカメラに限らず、例えば、ミラーレス一眼カメラ、コンパクトデジタルカメラ、ビデオカメラ、カムコーダ、タブレット端末、ＰＨＳ（Personal Handy phone System）、スマートフォン、フィーチャフォン、携帯ゲーム機など、撮影機能を有する別の形態の装置に置き換えてもよい。
【００２０】
［撮影装置１の構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る撮影装置１の構成を示すブロック図である。図１に示されるように、撮影装置１は、撮影レンズ系１０（撮影レンズ１１及び１２）を備えている。撮影レンズ１１と撮影レンズ１２との間には絞り１３が配置されている。撮影レンズ系１０の後方には、ミラー１４が配置されている。ミラー１４はハーフミラーであり、ハーフミラー面が撮影レンズ系１０の光軸ＡＸに対して約４５°をなす姿勢で配置されている。
【００２１】
被写体からの光束（被写体光束）は、撮影レンズ系１０を透過してミラー１４に入射される。ミラー１４の後方には、ミラー１４側から順に、フォーカルプレーンシャッタ１５、固体撮像素子１６が配置されている。ミラー１４の上方には、ミラー１４側から順に、拡散板（焦点板又はピント板）１８、ペンタプリズム１７が配置されている。
【００２２】
ミラー１４に入射された被写体光束の一部はミラー１４により反射され、拡散板１８を介してペンタプリズム１７に入射される。拡散板１８は、固体撮像素子１６の撮像面と等価な位置に配置されている。そのため、拡散板１８には、撮影レンズ系１０を通過した被写体光束が結像する。ペンタプリズム１７は、複数の反射面を持ち、拡散板１８に結像して入射した被写体像を各反射面で反射させることで正立像とし、接眼レンズ１９に向けて射出する。接眼レンズ１９は、拡散板１８上に結像されてペンタプリズム１７により正立化された被写体像を、撮影者の観察に適する虚像に再結像する。これにより、撮影者は、接眼レンズ１９を覗くことで被写体像を観察することができる。
【００２３】
操作部材３２には、電源スイッチやレリーズスイッチ、撮影モードスイッチ、ズームスイッチなど、ユーザが撮影装置１を操作するために必要な各種スイッチが含まれる。ユーザにより電源スイッチが押されると、図示省略されたバッテリから撮影装置１の各種回路に電源ラインを通じて電源供給が行われる。ＣＰＵ（Central Processing Unit）３１は電源供給後、所定のメモリ領域（不図示）にアクセスして制御プログラムを読み出してワークエリアにロードし、ロードされた制御プログラムを実行することにより、撮影装置１全体の制御を行う。
【００２４】
ＣＰＵ３１は、ＴＴＬ（Through The Lens）露出計等の測光センサ２６で測定された測光値に基づき適正露出が得られるように、絞り駆動回路２２を介して絞り１３を駆動制御する。状態表示装置３３（例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display））には、撮影モードやその時点での適正な露光時間、Ｆ値等が表示される。
【００２５】
レリーズスイッチが半押し操作されると、ＣＰＵ３１は、ＡＦ（Autofocus）センサ２５の検出結果に基づきレンズ制御回路２１を介して、光軸ＡＸ上における撮影レンズ１１と撮影レンズ１２の位置及び位置関係を制御する。これにより、撮影レンズ系１０の合焦状態が調整される。次いで、レリーズスイッチが全押し操作されると、ＣＰＵ３１は、シャッタ駆動回路２４を介してフォーカルプレーンシャッタ１５を駆動制御すると共にミラー１４をクイックリターンさせる。すなわち、ＣＰＵ３１は、フォーカルプレーンシャッタ１５の先幕走行開始直前から後幕走行終了直後の期間に限り、ミラー駆動回路２３を介してミラー１４をアップすることにより、撮影レンズ系１０の光軸ＡＸと平行な光路からミラー１４を退避させる。
【００２６】
撮影レンズ系１０を透過した被写体光束は、フォーカルプレーンシャッタ１５が開いている期間、固体撮像素子１６の撮像面上で結像される。固体撮像素子１６は、例えばＣＣＤイメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサであり、撮像面上の各画素で結像した光学像を光量に応じた電荷として蓄積する。固体撮像素子１６は、蓄積された電荷をフローティングディフュージョンアンプにて電圧（ここでは「画素信号」と記す。）に変換し、変換された画素信号をＡ／Ｄ変換回路２７に出力する。Ａ／Ｄ変換回路２７は、入力された画素信号をＡ／Ｄ変換してＤＳＰ（Digital Signal Processor）４１に出力する。
【００２７】
ＤＳＰ４１は、固体撮像素子１６の電荷蓄積動作及び画素信号の読み出し動作を制御すると共に、Ａ／Ｄ変換回路２７より入力される画素信号に対して所定の信号処理を施す。具体的には、ＤＳＰ４１は、Ａ／Ｄ変換回路２７より入力される画素信号に対して色補間、マトリクス演算、Ｙ／Ｃ分離等の所定の信号処理を施して輝度信号Ｙ、色差信号Ｃｂ、Ｃｒを生成し、ＪＰＥＧ（Joint Photographic Experts Group）等の所定のフォーマットで圧縮する。バッファメモリ４２は、例えば、ＤＳＰ４１による処理の実行時、処理データの一時的な保存場所として用いられる。
【００２８】
カードインタフェース４３のカードスロットにはメモリカード５０が着脱可能に装填される。ＤＳＰ４１は、カードインタフェース４３を介してメモリカード５０と通信可能である。ＤＳＰ４１は、生成された圧縮画像信号（撮影画像データ）をメモリカード５０（又は撮影装置１に備えられる不図示の内蔵メモリ）に保存する。
【００２９】
また、ＤＳＰ４１は、Ｙ／Ｃ分離後の信号に所定の信号処理を施して、フレームメモリ（不図示）にフレーム単位でバッファリングする。ＤＳＰ４１は、バッファリングされた信号を所定のタイミングで各フレームメモリから掃き出して所定のフォーマットのビデオ信号に変換し、モニタインタフェース４４を介してＬＣＤ制御回路４５に出力する。ＬＣＤ制御回路４５は、ＤＳＰ４１より入力される撮影画像データを基に液晶を変調制御すると共にバックライト４７を発光制御する。これにより、被写体の撮影画像がＬＣＤ４６の表示画面に表示される。ユーザは、適正なピントで撮影された適正な輝度のリアルタイムのスルー画をＬＣＤ４６の表示画面を通じて視認することができる。
【００３０】
［撮像面の画素配置］
図２（ａ）は、固体撮像素子１６の撮像面の構成を模式的に示す図である。図２（ａ）に示されるように、固体撮像素子１６の撮像面上には、有効画素領域１６Ａ、ＯＢ画素領域１６Ｂ及びダミー画素領域１６Ｃが形成されている。
【００３１】
有効画素領域１６Ａは、撮影された被写体の画像を形成するための領域であり、被写体の情報を電気的に蓄積して信号出力する光電変換素子を備えた複数の有効画素が配列されている。
【００３２】
ＯＢ画素領域１６Ｂは、有効画素領域１６Ａに配列された有効画素と同一の構造に遮光膜（例えばアルミ遮光膜）を被膜したもの（ＯＢ画素）が複数配列された領域であり、撮影画像中に黒点として現れないように有効画素領域外に配置されている。なお、本実施形態において、ＯＢ画素領域１６Ｂは、矩形の有効画素領域１６Ａの四辺を囲う領域となっているが、別の実施形態では、有効画素領域１６Ａの一辺だけ又は二辺だけ又は三辺だけに接する領域であってもよい。
【００３３】
ＯＢ画素は、有効画素と同一の光電変換素子を持つ。そのため、ＯＢ画素より出力される画素信号（以下、「ＯＢ画素信号」と記す。）には、感度や撮影時温度、露光時間等に依存して有効画素の画素信号（以下、「有効画素信号」と記す。）と同等の暗電流成分が含まれる。例えば、不図示のクランプ回路により、ＯＢ画素領域１６Ｂの少なくとも一部の領域内に含まれるＯＢ画素信号の平均レベルがＯＢ検波値（基準黒レベル信号）として計算される。クランプ回路は、ＯＢ検波値を黒レベルとしてクランプし、クランプされた黒レベルで有効画素信号を減算することにより、暗電流に起因する黒レベルのオフセット成分の、フレーム間やフィールド間のばらつきを抑えることができる。
【００３４】
なお、各画素の出力は、一度読み出されるとリセットされる。そのため、有効画素と同等の暗電流成分の情報を得るには、物理的な手段としてＯＢ画素が必要となる。ここで、黒レベルの真値に対するＯＢ検波値（基準黒レベル信号）のばらつきは、ＯＢ画素のノイズ量とサンプル数によって決まる。そのため、ＯＢ検波値（基準黒レベル信号）のばらつきを低減するには、ＯＢ画素の数を増やすことが望ましい。しかし、固体撮像素子の小型化や有効画素領域の大面積化の要請に応えるため、ＯＢ画素の数を容易には増やすことができない。
【００３５】
ダミー画素領域１６Ｃは、光電変換素子を持たない複数のダミー画素が配列された領域であり、本実施形態では、ＯＢ画素領域１６Ｂより外側に配置されている。本実施形態では、黒レベルの検波値（基準黒レベル信号）のばらつきを抑えるため、ダミー画素より出力される画素信号（以下、「ダミー画素信号」と記す。）が利用される。
【００３６】
［画像生成処理］
次に、ばらつきの抑えられた検波値（基準黒レベル信号）に基づいて黒レベルを補正する処理を含む画像生成処理について説明する。図３は、本発明の一実施形態に係る撮影装置１による画像生成処理のフローチャートを示す図である。図３に示される画像生成処理は、例えば、レリーズスイッチが全押しされた時点で開始される。
【００３７】
［図３のＳ１１（露光の開始）］
本処理ステップＳ１１では、設定された条件下で固体撮像素子１６の露光が開始される。設定される条件には、例えば、露光時間、Ｆ値、ＩＳＯ感度等が挙げられる。これらの条件は、ＡＥ（Automatic Exposure）プログラムに従い自動で又はユーザによる操作部材３２の操作に応じて設定される。
【００３８】
［図３のＳ１２（露光の終了）］
本処理ステップＳ１２では、設定された条件下での固体撮像素子１６の露光が終了される。
【００３９】
［図３のＳ１３（撮影条件の判定）］
本処理ステップＳ１３では、所定の撮影条件が満たされるか否かが判定される。ここで判定される撮影条件には、例えば、次の３つの条件のうち少なくとも１つの条件が含まれる。
・固体撮像素子１６に設定されているＩＳＯ感度が所定感度を超えている。
・固体撮像素子１６の撮影時温度が所定温度を超えている。
・固体撮像素子１６の露光時間が所定時間を超えている。
【００４０】
固体撮像素子１６の撮影時温度は、固体撮像素子１６の基板に取り付けられた温度センサ２８の出力レベルに基づいて検知される。なお、温度センサ２８は、固体撮像素子１６に内蔵されたものであってもよい。
【００４１】
［図３のＳ１４（ＯＢ検波値の取得）］
本処理ステップＳ１４は、処理ステップＳ１３（撮影条件の判定）にて所定の撮影条件が満たされないと判定された場合（Ｓ１３：ＮＯ）に実行される。
【００４２】
本処理ステップＳ１４では、黒レベルの検波値（基準黒レベル信号）のばらつきよりも暗電流に起因する黒レベルのオフセット成分のばらつきを優先して抑えるため、有効画素信号と同等の暗電流成分が含まれるＯＢ画素信号に基づいてＯＢ検波値（基準黒レベル信号）が取得される。例示的には、ＯＢ画素領域１６Ｂの少なくとも一部の領域内に含まれるＯＢ画素信号がＡ／Ｄ変換回路２７においてＡ／Ｄ変換されると、バッファメモリ４２にバッファされる。次いで、バッファされたこれらのＯＢ画素信号の平均値が計算され、計算された平均値がＯＢ検波値（基準黒レベル信号）として取得される。なお、ＯＢ画素信号の平均値に代えて、ＯＢ画素領域１６Ｂの少なくとも一部の領域内に含まれるＯＢ画素信号から求められる１つの代表値をＯＢ検波値（基準黒レベル信号）としてもよい。
【００４３】
［図３のＳ１５（ダミー検波値の取得）］
本処理ステップＳ１５は、処理ステップＳ１３（撮影条件の判定）にて所定の撮影条件が満たされると判定された場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）に実行される。
【００４４】
本処理ステップＳ１５では、暗電流に起因する黒レベルのオフセット成分のばらつきよりも黒レベルの検波値（基準黒レベル信号）のばらつきを優先して抑えるため、Ａ／Ｄ変換回路２７による各ダミー画素信号のＡ／Ｄ変換の回数が所定の回数（２以上の回数）に設定される。これにより、Ａ／Ｄ変換回路２７では、固体撮像素子１６より入力されるダミー画素信号毎にＡ／Ｄ変換が複数回行われる。なお、それ以外の画素に対するＡ／Ｄ変換は、通常通り一回行われる。複数回Ａ／Ｄ変換された各回分のダミー画素信号はバッファメモリ４２にバッファされる。次いで、バッファされた複数回分のダミー画素信号に基づいて所定の基準値（ここでは平均値）が計算され、計算された平均値がダミー検波値（基準黒レベル信号）として取得される。なお、平均値は、バッファされた複数回分の全てのダミー画素信号でなく、その中の一部のダミー画素信号だけを用いて計算されてもよい。
【００４５】
図２（ｂ）は、固体撮像素子１６の各読み出しラインを概念的に示す図である。図２（ｂ）に示されるように、本処理ステップＳ１５では、ダミー画素ラインが複数回読み出されることにより（複数回Ａ／Ｄ変換されることにより）、ダミー画素ラインが擬似的に増加される。すなわち、ダミー画素のサンプル数が擬似的に増加されるため、固体撮像素子を大型化したり有効画素領域の面積を低減したりすることなく、ダミー検波値（基準黒レベル信号）の計算精度が向上する。
【００４６】
補足すると、ダミー画素信号は、ダミー画素が光電変換素子を持たないことから、光電変換素子に由来するノイズを含まない。そのため、ＯＢ画素信号よりもノイズが少なく、この点も、ダミー検波値（基準黒レベル信号）の計算精度の向上に寄与する。
【００４７】
なお、ダミー画素信号には暗電流成分が含まれないため、そのままのダミー検波値（基準黒レベル信号）では有効画素信号に含まれる暗電流成分を除去することができない。そこで、本実施形態では、撮影時温度や露光時間等の撮影条件から有効画素信号に含まれる暗電流成分が推定され、推定された暗電流成分がダミー検波値（基準黒レベル信号）に加算されることによって基準黒レベル信号が補正される。これにより、適正な基準黒レベル信号が取得される。なお、暗電流成分の推定方法としては、例示的には、調整工程にて求められた暗電流成分とその時の撮影条件（感度、温度、露光時間等）がメモリに保存され、撮影時の撮影条件と調整工程時の撮影条件の比率から暗電流成分が推定されるものが挙げられる。
【００４８】
また、有効画素信号とダミー画素信号との間には、暗電流成分以外に個体毎のオフセット成分が潜在的に含まれている。この種のオフセット成分の情報は、予め取得され、例えば工場出荷時等に不図示のメモリに保持されている。ダミー検波値（基準黒レベル信号）の計算後、メモリに保持されたオフセット成分の情報が読み出されて、ダミー検波値（基準黒レベル信号）に含まれるオフセット成分が除去される。
【００４９】
［図３のＳ１６（有効画素信号の補正）］
本処理ステップＳ１６では、処理ステップＳ１４（ＯＢ検波値の取得）又は処理ステップＳ１５（ダミー検波値の取得）にて取得された基準黒レベル信号に基づいて有効画素信号の黒レベルが補正される。
【００５０】
［図３のＳ１７（撮影画像データの生成及び保存）］
本処理ステップＳ１７では、黒レベル補正後の有効画素信号に基づいて撮影画像データが生成され、生成された撮影画像データがメモリカード５０（又は撮影装置１に備えられる不図示の内蔵メモリ）に保存される。
【００５１】
図４は、撮影装置１による撮影時の駆動シーケンスを示す図である。図４（ａ）は、フォーカルプレーンシャッタ１５の動作タイミングを示し、図４（ｂ）は、ＶＤ（Vertical Driving pulse）のタイミングを示し、図４（ｃ）〜（ｆ）は、各画素の読み出しタイミングを示す。
【００５２】
図４（ｃ）は、図３の処理ステップＳ１４（ＯＢ検波値の取得）の実行時における各画素の読み出しタイミングを示す。図４（ｃ）に示されるように、処理ステップＳ１４（ＯＢ検波値の取得）の実行時には、ダミー画素の読み出し行数が初期的に設定されている読み出し行数から設定可能な最小行数に設定される。ここでは、０行に設定されるため、ダミー画素信号の読み出し（Ａ/Ｄ変換）が行われない。具体的には、後幕走行が終了してフォーカルプレーンシャッタ１５が閉じると、ダミー画素の読み出し行が０行に設定され、次いで、ＯＢ画素信号、有効画素信号の読み出しが順次行われる。図４（ｃ）の例では、ダミー画素信号が読み出されない分、トータルの読み出し時間が短縮される。
【００５３】
図４（ｄ）は、図３の処理ステップＳ１５（ダミー検波値の取得）の実行時における各画素の読み出しタイミングを示す。図４（ｄ）に示されるように、処理ステップＳ１５（ダミー検波値の取得）の実行時には、ＯＢ画素の読み出し行数が初期的に設定されている読み出し行数から設定可能な最小行数に設定される。ここでは、０行に設定されるため、ＯＢ画素信号の読み出し（Ａ/Ｄ変換）が行われない。具体的には、後幕走行が終了してフォーカルプレーンシャッタ１５が閉じると、ダミー画素信号が読み出され、次いで、ＯＢ画素の読み出し行が０行に設定されると、最期に、有効画素信号の読み出しが行われる。図４（ｄ）の例においても、ＯＢ画素信号が読み出されない分、トータルの読み出し時間が短縮される。
【００５４】
図４（ｅ）は、図４（ｄ）の変形例を示す。ダミー画素は光電変換素子を持たないため、フォーカルプレーンシャッタ１５が開いている期間であっても感光しない。そのため、ダミー画素信号は、連写時など、フォーカルプレーンシャッタ１５が開いている状態であっても読み出すことができる。
【００５５】
そこで、図４（ｅ）の例では、フォーカルプレーンシャッタ１５が閉じ切る前に、ダミー画素信号の読み出しが開始される。すなわち、フォーカルプレーンシャッタ１５が閉じ切る前に、ダミー画素領域１６Ｃ内の少なくとも一部のダミー画素が読み出される。これにより、フォーカルプレーンシャッタ１５が閉じてから有効画素信号の読み出しが完了にするまでの時間が短縮される。かかる時間が短縮されることにより、例えば連写可能なコマ数を増加させることができる。
【００５６】
図４（ｆ）は、図４（ｄ）の変形例を示す。有効画素信号がダミー画素信号よりも後に読み出されると、読み出し動作時の発熱によって固体撮像素子１６等の回路周辺の出力が浮き、有効画素信号の画素値が浮くことがある。これにより、画質が劣化する虞がある。
【００５７】
そこで、図４（ｆ）の例では、有効画素信号がダミー画素信号よりも前に読み出される。これにより、発熱に伴う有効画素信号の画素値の浮きが抑えられて、画素値の浮きによる画質の劣化が抑えられる。
【００５８】
以上が本発明の例示的な実施形態の説明である。本発明の実施形態は、上記に説明したものに限定されず、本発明の技術的思想の範囲において様々な変形が可能である。例えば明細書中に例示的に明示される実施形態等又は自明な実施形態等を適宜組み合わせた内容も本願の実施形態に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
１  撮影装置
１０  撮影レンズ系
１１、１２  撮影レンズ
１３  絞り
１４  ミラー
１５  フォーカルプレーンシャッタ
１６  撮像素子
１７  ペンタプリズム
１８  拡散板
１９  接眼レンズ
２１  レンズ制御回路
２２  絞り駆動回路
２３  ミラー駆動回路
２４  シャッタ駆動回路
２５  ＡＦセンサ
２６  測光センサ
２７  Ａ／Ｄ変換回路
２８  温度センサ
３１  ＣＰＵ
３２  操作部材
３３  状態表示装置
４１  ＤＳＰ
４２  バッファメモリ
４３  カードインタフェース
４４  モニタインタフェース
４５  ＬＣＤ制御回路
４６  ＬＣＤ
４７  バックライト
５０  メモリカード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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