【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固を実施して、シリコン検査インゴットを形成する工程；
該シリコン検査インゴットの上部から底部までの抵抗率を測定する工程；
該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする工程；
該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルに基づいて、該UMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する工程
を含む、UMG-Si原料の品質を評価するための管理方法。
【請求項２】
前記シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルに基づいて、前記選択されたUMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する前記工程が、該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから決定される該シリコン検査インゴットの収率に基づいて、該選択されたUMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する工程をさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記選択されたUMG-Si原料バッチのボロンおよびリン濃度に基づいて、インゴット収率を上げかつ適切な抵抗率プロファイルを生成するために使用する共ドーパントを決定する工程をさらに含む、請求項1〜2のいずれか一項記載の方法。
【請求項４】
IR撮像分析により、前記シリコン検査インゴット中のSiC含有を決定する工程をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項記載の方法。
【請求項５】
前記シリコン検査インゴットから検査ウエハを生成する工程をさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
前記UMG-Si原料バッチに対する前記シリコン検査インゴットの重量比が、2×10-3を上回る、請求項1〜5のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコン検査インゴットの上部および片側に不純物を濃縮させる双方向性凝固炉を使用する、請求項1〜6のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、複数のシリコン検査インゴットを形成する工程であって、該複数のシリコン検査インゴットがそれぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している、工程；
該シリコン検査インゴットそれぞれの上部から底部までの抵抗率を測定する工程;
該シリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルをマッピングする工程;
該対応するシリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルに基づいて、該UMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する工程
を含む、UMG-Si原料の品質を評価するための管理方法。
【請求項９】
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している複数のシリコン検査インゴットを形成する前記工程が、
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を、単一の多るつぼ結晶成長器において実施して、複数のシリコン検査インゴットを形成する工程
をさらに含む、請求項8記載の方法。
【請求項１０】
対応するシリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルに基づいて、UMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する前記工程が、
該シリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルから決定されるシリコン検査インゴットそれぞれの収率に基づいて、該選択されたUMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する工程
をさらに含む、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
前記選択されたUMG-Si原料バッチのボロンおよびリン濃度に基づいて、インゴット収率を上げかつ適切な抵抗率プロファイルを生成するために使用する共ドーパントを決定する工程をさらに含む、請求項1〜10のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
IR撮像分析により、前記シリコン検査インゴット中のSiC含有を決定する工程をさらに含む、請求項1〜11のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン検査インゴットのそれぞれから検査ウエハを生成する工程をさらに含む、請求項1〜12のいずれか一項記載の方法。
【請求項１４】
方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコン検査インゴットそれぞれの上部および片側に不純物を濃縮させる双方向性凝固炉を使用する、請求項1〜13のいずれか一項記載の方法。
【請求項１５】
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している複数のシリコン検査インゴットを形成する工程が、
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を、N×Nるつぼ構成を有する単一の多るつぼ結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応する複数のシリコン検査インゴットを形成する工程
をさらに含む、請求項1〜14のいずれか一項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
[本発明1001]
UMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの方向性凝固を実施して、シリコン検査インゴットを形成する工程；
該シリコン検査インゴットの上部から底部までの抵抗率を測定する工程；
該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルをマッピングする工程；
該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルに基づいて、該UMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する工程
を含む、UMG-Si原料の品質を評価するための管理方法。
[本発明1002]
前記シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルに基づいて、前記選択されたUMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する前記工程が、該シリコン検査インゴットの抵抗率プロファイルから決定される該シリコン検査インゴットの収率に基づいて、該選択されたUMG-Si原料バッチのリンおよびボロン濃度を算出する工程をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
前記選択されたUMG-Si原料バッチのボロンおよびリン濃度に基づいて、インゴット収率を上げかつ適切な抵抗率プロファイルを生成するために使用する共ドーパントを決定する工程をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1004]
IR撮像分析により、前記シリコン検査インゴット中のSiC含有を決定する工程をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1005]
前記シリコン検査インゴットから検査ウエハを生成する工程をさらに含む、本発明1001の方法。
[本発明1006]
前記UMG-Si原料バッチに対する前記シリコン検査インゴットの重量比が、2×10-3を上回る、本発明1001の方法。
[本発明1007]
前記シリコン検査インゴットが約15kgの重さである、本発明1001の方法。
[本発明1008]
方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコン検査インゴットの上部および片側に不純物を濃縮させる双方向性凝固炉を使用する、本発明1001の方法。
[本発明1009]
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、複数のシリコン検査インゴットを形成する工程であって、該複数のシリコン検査インゴットがそれぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している、工程；
該シリコン検査インゴットそれぞれの上部から底部までの抵抗率を測定する工程;
該シリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルをマッピングする工程;
該対応するシリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルに基づいて、該UMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する工程
を含む、UMG-Si原料の品質を評価するための管理方法。
[本発明1010]
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している複数のシリコン検査インゴットを形成する前記工程が、
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を、単一の多るつぼ結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応する複数のシリコン検査インゴットを形成する工程
をさらに含む、本発明1009の方法。
[本発明1011]
対応するシリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルに基づいて、UMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する前記工程が、
該シリコン検査インゴットそれぞれの抵抗率プロファイルから決定されるシリコン検査インゴットそれぞれの収率に基づいて、該選択されたUMG-Si原料バッチそれぞれのリンおよびボロン濃度を算出する工程
をさらに含む、本発明1009の方法。
[本発明1012]
前記選択されたUMG-Si原料バッチのボロンおよびリン濃度に基づいて、インゴット収率を上げかつ適切な抵抗率プロファイルを生成するために使用する共ドーパントを決定する工程をさらに含む、本発明1009の方法。
[本発明1013]
IR撮像分析により、前記シリコン検査インゴット中のSiC含有を決定する工程をさらに含む、本発明1009の方法。
[本発明1014]
前記シリコン検査インゴットのそれぞれから検査ウエハを生成する工程をさらに含む、本発明1009の方法。
[本発明1015]
前記対応するUMG-Si原料バッチそれぞれに対する前記シリコン検査インゴットそれぞれの重量比が、2×10-3を上回る、本発明1009の方法。
[本発明1016]
前記シリコン検査インゴットがそれぞれ約15kgの重さである、本発明1009の方法。
[本発明1017]
方向性凝固を実施する前記工程が、前記シリコン検査インゴットそれぞれの上部および片側に不純物を濃縮させる双方向性凝固炉を使用する、本発明1009の方法。
[本発明1018]
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を単結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応している複数のシリコン検査インゴットを形成する工程が、
複数のUMG-Si原料バッチから得た溶融UMG-Siの同時方向性凝固を、N×Nるつぼ構成を有する単一の多るつぼ結晶成長器において実施して、それぞれ特定のUMG-Si原料バッチに対応する複数のシリコン検査インゴットを形成する工程
をさらに含む、本発明1009の方法。
開示の主題、および追加の新規特徴は、本明細書で提供する説明から明らかになろう。本概要の意図は、主張する主題の包括的な説明となるものではなく、むしろ主題の機能性の一部の簡単な概説を提供するものである。本発明のその他のシステム、方法、特徴、および利点は、以下の図面および詳細な説明から当業者には明らかとなろう。このような追加のシステム、方法、特徴、および利点は全て、本明細書に含まれ、添付の特許請求の範囲内にあることを意図する。