Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
いかなる理論にも束縛されることを望まないが、ＰＰＣ強化ホスファチジルコリンは、ポリペプチドまたは高分子を包む二重層を形成して局所医薬伝達組成物をなし、活性分子の安定化を助け、浸透を高めるものと考えられる。さらに、この局所医薬伝達組成物は、ＰＰＣ強化ホスファチジルコリンがマルチラメラの形態に緩く配置され、その中に形成された複数の脂質二重層内に米国特許出願第１０／４４８，６３２号明細書に記載されているようにポリペプチドまたは高分子が結合し捕捉されている液晶相であり得る。このとき、緩く配置されているが安定なＰＰＣ強化ホスファチジルコリン−医薬錯体が形成され、これにより、表皮の脈管構造へのポリペプチドまたは高分子の浸透及び伝達はさらに増大する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
本発明の局所医薬伝達組成物は、かなり容易かつ楽に、従来のインスリン注射より顕著な改善である投与経路をもたらす。本発明の組成物はまた室温で安定であり、それは過去において市販の冷凍されたインスリン製品を取り扱わねばならなかったインスリンの使用者にとりかなりな好都合をもたらすというさらなる利点である。また、本発明によるインスリン組成物は、長い貯蔵寿命（室温で貯蔵されてもまたは冷凍されても）を有し、そして従来のインスリン治療におけるような室温で変性しないだろう。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インスリンを捕捉するポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリン及びポリグリコール（Ｅ２００及びＥ４００）混合物を含む室温で安定な経皮伝達用のインスリン組成物。
【請求項２】
前記混合物は、４５％ｗ／ｗのポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリン、５０％ｗ／ｗのポリグリコールＥ２００及び５％ｗ／ｗのポリグリコールＥ４００を含む請求項１に記載のインスリン組成物。
【請求項３】
シロキシレート化ポリエーテル界面活性剤、シリコーン流体潤滑剤、及びメチルパラベンをさらに含む請求項１又は２に記載のインスリン組成物。
【請求項４】
ポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリン及びポリグリコール（Ｅ２００及びＥ４００）混合物を調製し、そしてインスリンを前記混合物中に捕捉させて前記インスリンを室温で安定化させることを特徴とする室温で安定な経皮伝達用のインスリン組成物を処方する方法。
【請求項５】
前記ポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリン及びポリグリコール（Ｅ２００及びＥ４００）混合物を調整することは、
ポリグリコールＥ２００及びポリグリコールＥ４００を混ぜ合わせてポリグリコール混合物を形成し、
ポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリンを前記ポリグリコール混合物に混ぜ合わせてホスファチジルコリン混合物を形成し、
前記ホスファチジルコリン混合物にメチルパラベンを添加し、そして
透明になるまで前記ホスファチジルコリン混合物を混合することを含む請求項４に記載のインスリン組成物を処方する方法。
【請求項６】
前記ポリエニルホスファチジルコリン−富化ホスファチジルコリン及びポリグリコール（Ｅ２００及びＥ４００）混合物を調整することは、
前記ホスファチジルコリン混合物を４０℃に加温しそして加温した前記ホスファチジルコリン混合物を摩砕し、
界面活性剤及び潤滑剤を混ぜ合わせて流体を形成し、
前記流体を前記加温したホスファチジルコリン混合物に添加しそして前記ホスファチジルコリン混合物が透明になるまで摩砕し、
メチルパラベンを前記ホスファチジルコリン混合物に添加しそして該メチルパラベンが前記ホスファチジルコリン混合物に溶解するまで摩砕し、
水を４０℃に加温しそして加温した前記水を前記ホスファチジルコリン混合物に徐々に添加し、そして
前記ホスファチジルコリン混合物の摩砕を止めそして室温に冷えるまで前記ホスファチジルコリン混合物を撹拌することをさらに含む請求項５に記載のインスリン組成物を処方する方法。
【請求項７】
前記インスリンは、５０ｍｇ／ｍＬで０．０１ＮのＨＣｌ中に調製されたヒト組み換えインスリンであり、且つ
前記インスリンは、前記混合物中少なくとも１時間室温で混合される請求項４から６のいずれか１項に記載のインスリン組成物を処方する方法。
【請求項８】
前記インスリン組成物は、２０ｍｇ／ｍＬの濃度のインスリンを含有する請求項４から７のいずれか１項に記載のインスリン組成物を処方する方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラム陰性菌を検出するための検出培地であって、該培地は
・グラム陰性菌のグループに特異的な代謝活性ための基質；
・β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ基質；
・β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質を含んでなり、
前記誘導物質はグルコースにベータ位で結合する炭水化物で構成される炭水化物又はβ−グルコシド・サブユニットを有する炭水化物であり、検出培地はシトロバクター属とグラム陰性菌のその他の属又は種とを区別することができる、検出培地。
【請求項２】
前記β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質はセロビオース、セルロース、デンプン、セロトリオース及びトレハロースから選択される、請求項１に記載の培地。
【請求項３】
前記β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質が濃度１００ｎｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌである、請求項１又は２に記載の培地。
【請求項４】
前記β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質が濃度１０ｍｇ／Ｌから３ｇ／Ｌである、請求項１から３の何れか一項に記載の培地。
【請求項５】
前記β−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質がセロビオースである、請求項１から４の何れか一項に記載の培地。
【請求項６】
前記グラム陰性菌のグループが腸内細菌を含む、請求項１から５の何れか一項に記載の培地。
【請求項７】
腸内細菌が大腸菌である、請求項６に記載の培地。
【請求項８】
前記代謝活性のための基質が大腸菌に特異的であり、
β−グルクロニダーゼ、β−ガラクトシダーゼ又はα−ガラクトシダーゼのための基質、
ラクトースの酸性化のための基質、あるいは
トリプトファナーゼ、β−リボシダーゼ、ホスファターゼ、Ｌ−アラニンアミノペプチダーゼまたはＬ−ロイシンアミノペプチダーゼのための基質から選択される、請求項７に記載の培地。
【請求項９】
腸内細菌がサルモネラ属である、請求項６に記載の培地。
【請求項１０】
前記代謝活性のための基質がサルモネラ属に特異的であり、α−ガラクトシダーゼ、エステラーゼ、又はマンニトール、メリビオース、プロパンジオール、ソルビトール、又はグルクロネートの酸性化のための基質から選択される、請求項９に記載の培地。
【請求項１１】
前記グラム陰性菌のグループが緑膿菌を含む、請求項１から５の何れか一項に記載の培地。
【請求項１２】
前記代謝活性のための基質が緑膿菌に特異的であり、エステラーゼ、アミノペプチダーゼまたはオキシダーゼのための基質から選択される、請求項１１に記載の培地。
【請求項１３】
検出培地がグラム陰性菌に特異的な前記代謝活性の誘導物質を更に含む、請求項１から１２の何れか一項に記載の培地。
【請求項１４】
検出培地が第２のβ−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質を更に含む、請求項１から１３の何れか一項に記載の培地。
【請求項１５】
第２のβ−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質が、メチル−β−グルコシド、イソプロピル−β−チオグルコシド、インドキシル−β−グルコシドまたはメチル−β−チオグルコシドである、請求項１４に記載の培地。
【請求項１６】
β−グルコシダーゼ基質、及び
１０ｍｇ／Ｌと３ｇ／Ｌとの間の濃度のβ−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質を含む培養培地であって、前記誘導物質はグルコースにベータ位で結合する炭水化物で構成される炭水化物またはβ−グルコシドサブユニットを有する炭水化物である、培養培地。
【請求項１７】
前記誘導物質は、セロビオース、セルロース、デンプン、セロトリオース及びトレハロースから選択される、請求項１６に記載の培養培地。
【請求項１８】
シトロバクター属とグラム陰性菌のその他の属又は種とを識別するための、請求項１から１７の何れか一項に記載の培地の使用。
【請求項１９】
β−グルコシダーゼ基質及びβ−グルコシダーゼまたはセロビオシダーゼ誘導物質を含む培養培地の使用であって、前記誘導物質はグルコースにベータ位で結合する炭水化物で構成される炭水化物またはβ−グルコシドサブユニットを有する炭水化物である、培養培地の使用。
【請求項２０】
前記誘導物質は、セロビオース、セルロース、デンプン、セロトリオース及びトレハロースから選択される誘導物質である、請求項１９に記載の培養培地の使用。
【請求項２１】
生物試料中の、シトロバクター属とグラム陰性菌のその他の属又は種とを識別するための方法であって、
（ａ）細菌コロニーを得るために、生物試料は、請求項１から１５の何れか一項に記載の検出培地に接種すること、
（ｂ）前記β−グルコシダーゼ基質と反応するコロニーはシトロバクター属に属すると同定され、グラム陰性菌に特異的な前記基質と反応するコロニーはグラム陰性菌のその他の属又は種に属すると同定される方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
固体支持体（フィルター、寒天、電気泳動ゲル）に適している色素生産性基質として、オシダーゼとエステラーゼ活性の検出を可能にする、インドキシルとその誘導体を主成分とした基質、及びヒドロキシキノリン又はエスクレチンとそれらの誘導体を主成分とした基質を挙げることが出来る。また、ニトロフェノール及びニトロアニリン及びその誘導体を主成分とする基質を挙げることができ、ニトロフェノールに基づく基質の場合はオキシダーゼとエステラーゼ活性を検出するためであり、ニトロアニリンに基づく基質の場合はペプチダーゼ活性を検出するためである。最後に、ナフトールとナフチルアミンとそれらの誘導体を主成分とする基質を挙げることができ、ナフトールによってオシダーゼとエステラーゼ活性を検出することが可能であり、ナフチルアミンによってペプチダーゼ活性を検出することが可能である。この基質は、オシダーゼ、ペプチダーゼ、エステラーゼ等の活性のような酵素活性の検出を特に可能にすることができるが、これに制限されるものではない。
また、酵素基質は、その加水分解の生成物が直接的または間接的に検出される天然の基質であってもよい。天然の基質としては、特に、トリプトファナーゼまたはデアミナーゼ活性を検出するためのトリプトファン、デアミナーゼ活性を検出するための環状アミノ酸（トリプトファン、フェニルアラニン、ヒスチジン、チロシン）、ホスホリパーゼ活性を検出するためのホスファチジルイノシトール等を挙げることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
表2中、Ab1は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5アミノ酸の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#1の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。Ab2は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#7の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。Ab3は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5アミノ酸の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#2の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。Ab4は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#3の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。Ab5は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5アミノ酸の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#4の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。Ab6は、IgG1骨格内にヒト化抗CXCR3 V44D7 VHリード#5の重鎖配列およびヒト化抗CXCR3 V44D7 VKリード#5の軽鎖配列（非公式の配列表を参照のこと）を有する。
非公式な配列表
オリジナルのマウス抗CXCR3 V44D7 VH ヌクレオチド
2010517531.tif 000001
マウス抗CXCR3 V44D7 VH アミノ酸
2010517531.tif 000002
マウス抗CXCR3 V44D7 VK ヌクレオチド
2010517531.tif 000003
マウス抗CXCR3 V44D7 VK アミノ酸
2010517531.tif 000004
ヒト化マウスVH配列
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#1ヌクレオチド
2010517531.tif 000005
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#1アミノ酸
2010517531.tif 000006
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#2ヌクレオチド
2010517531.tif 000007
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#2アミノ酸
2010517531.tif 000008
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#3ヌクレオチド
2010517531.tif 000009
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#3アミノ酸
2010517531.tif 000010
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#4ヌクレオチド
2010517531.tif 000011
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#4アミノ酸
2010517531.tif 000012
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#5ヌクレオチド
2010517531.tif 000013
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#5アミノ酸
2010517531.tif 000014
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#6ヌクレオチド
2010517531.tif 000015
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VH リード#6アミノ酸
2010517531.tif 000016
ヒト化マウスVK配列
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#1ヌクレオチド
2010517531.tif 000017
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#1アミノ酸
2010517531.tif 000018
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#2ヌクレオチド
2010517531.tif 000019
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#2アミノ酸
2010517531.tif 000020
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#3ヌクレオチド
2010517531.tif 000021
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#3アミノ酸
2010517531.tif 000022
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#4ヌクレオチド
2010517531.tif 000023
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#4アミノ酸
2010517531.tif 000024
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#5ヌクレオチド
2010517531.tif 000025
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#5アミノ酸
2010517531.tif 000026
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#6ヌクレオチド
2010517531.tif 000027
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#6アミノ酸
2010517531.tif 000028
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#7ヌクレオチド
2010517531.tif 000029
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#7アミノ酸
2010517531.tif 000030
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#8ヌクレオチド
2010517531.tif 000031
ヒト化抗CXCR3 V44D7 VK リード#8アミノ酸
2010517531.tif 000032
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
尿試料中の大腸菌を検出および／または同定する方法であって、  
ａ）・β−グルクロニダーゼ基質である第１の基質と
・β‐ガラクトシダーゼ基質である第２の基質と
・β−グルコシダーゼ基質、β−ラクトシダーゼ基質、Ｎ−アセチルヘキソサミニダーゼ基質、エステラーゼ基質、スルファターゼ基質、β−キシロシダーゼ基質、フォスフォリパーゼ基質、α−マンノシダーゼ基質、β−マンノシダーゼ基質、β−セロビオシダーゼ基質、α−グルコシダーゼ基質、トリプトファナーゼ基質、デアミナーゼ基質、オキシダーゼ基質、色素合成基質及びペプチダーゼ基質から選択される第３の基質とを含む検出培地に、大腸菌を含むことが疑われる尿試料を接種すること、及び
ｂ）第１の基質、第２の基質および／または第３の基質により特定の呈色を示すコロニーを大腸菌のコロニーとして同定すること、及び前記試料中に存在する他の大腸菌群から大腸菌のコロニーを区別すること
を含み、検出培地が使用準備済みのゲル培地又は固体培地である、方法。
【請求項２】
前記第１の基質が濃度２０から１０００ｍｇ／Ｌであり、前記第２の基質が濃度１０ｍｇ／Ｌから３０ｇ／Ｌであり、前記第３の基質が濃度１０ｍｇ／Ｌから１０００ｍｇ／Ｌである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第３の基質がβ−グルコシダーゼ基質である、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
検出培地が誘導物質を更に含む、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記誘導物質がセロビオースを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
検出培地が阻害物質を更に含む、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
「基質」なる用語は、微生物の酵素又は代謝活性による検出可能なシグナルを直接的に又は間接的に生じることができる何らかの分子を意味することを目的とする。  
基質は特に代謝基質、例えば炭素または窒素源であってもよく、代謝の生成物のうちの１つの存在下で呈色反応を生じる指示薬に結合されてもよい。  
また、基質は酵素基質であってもよく、基質は微生物の直接的または間接的な検出を可能にする生成物を与えるために酵素によって加水分解され得る基質であってもよい。この基質は、明らかにされる酵素活性に特異的な第１の部分及び標識として作用する第２の部分（以下では標識部分とする）を含んでもよい。この標識部分は色素生産性、蛍光発生性、発光性等でもよい。固体支持体（フィルター、寒天、電気泳動ゲル）に適している色素生産性基質として、オシダーゼとエステラーゼ活性の検出を可能にする、インドキシルとその誘導体を主成分とした基質、及びヒドロキシキノリン又はエスクレチンとそれらの誘導体を主成分とした基質を挙げることが出来る。また、ニトロフェノール及びニトロアニリン及びその誘導体を主成分とする基質を挙げることができ、ニトロフェノールに基づく基質の場合はオシダーゼとエステラーゼ活性を検出するためであり、ニトロアニリンに基づく基質の場合はペプチダーゼ活性を検出するためである。最後に、ナフトールとナフチルアミンとそれらの誘導体を主成分とする基質を挙げることができ、ナフトールによってオシダーゼとエステラーゼ活性を検出することが可能であり、ナフチルアミンによってペプチダーゼ活性を検出することが可能である。この基質は、オシダーゼ、ペプチダーゼ、エステラーゼ等の活性のような酵素活性の検出を特に可能にすることができるが、これに制限されるものではない。
また、酵素基質は、その加水分解の生成物が直接的または間接的に検出される天然の基質であってもよい。天然の基質としては、特に、トリプトファナーゼまたはデアミナーゼ活性を検出するためのトリプトファン、デアミナーゼ活性を検出するための環状アミノ酸（トリプトファン、フェニルアラニン、ヒスチジン、チロシン）、ホスホリパーゼ活性を検出するためのホスファチジルイノシトール等を挙げることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
表１：CPS ID 3培地中の６−クロロ−３−インドリル−β−グルクロニドと５−ブロモ−６−クロロ−３−インドリル−β−ガラクトシドの組合せのコロニー呈色反応への影響
表１
2010517552.tif 000001
ＮＡ＝適用なし、−＝無色、Ｉｎｈ＝阻害された、Ｐ＝ピンク色、Ｐｐ＝薄ピンク色、ＧＰ＝灰色がかったピンク、ＧＧ＝灰色がかった緑色、ＧＢ＝灰色がかった青色、ＢＧ＝青っぽい緑色、Ｖｉ＝紫色、Ｏ＝オレンジ色がかった茶色、Ｔ＝青緑色
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月24日(2013.6.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
ＷＴＲＵにおける不連続受信を制御するための方法および装置が開示される。この方法は、複数のＤＲＸレベルを定義することであって、各ＤＲＸレベルがそれぞれのＤＲＸサイクル長を含むことと、１組の基準に基づいて、ＤＲＸレベル間を移行することとを含むことができる。移行は、黙示的なルールによってトリガすることができる。トリガは、例えば測定イベント、タイマ、カウンタまたはダウンリンクコマンドによって呼び出すことができる。ＤＲＸ状態間の移行は、明示のシグナリングなしに生じ得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
ｅＮＢ１２０は、ネットワークトラフィック監視動作および分析に基づいて、ＤＲＸパラメータを構成することができる。黙示的なＤＲＸ移行動作のために定義されるデフォルトのシステム値の組を含めることによるなど、パラメータ値を選択するためのいくつかの方法が存在する。任意選択で、パラメータは、システム情報ブロードキャストの中で公開されたり、またはそのときそのときでｅＮＢ１２０によって決定され、および、目的のＤＲＸモード期間より前に、上位層のシグナリングを介して、特定のＷＴＲＵ１１０へロードされたりすることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの植物品種の植物の健康を向上させる方法であって、該方法は、そこから植物が生長する植物繁殖材料に、成分（Ｂ）の少なくとも一つの殺虫剤を施用し、そして植物に、それが生長段階ＢＢＣＨ０９〜４９にある時又は開花若しくは花成の間に、成分(Ａ)の少なくとも一つの化合物Ｉ及び任意により少なくとも一つのアゾール殺菌剤（成分（Ｃ））を１回で又は数回に分けて施用することを含み：
（Ａ）は式Ｉの化合物
【化１】
2010517978.tif 000001
〔式中、
ＴはＣＨ又はＮであり；
Ｒａ及びＲｂは互いに独立して、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ４−アルキル又はＣ１−Ｃ４−ハロアルキルであり；
ｘは０、１又は２であり；そして
ｙは０又は１である〕；
又はその農業上許容される塩であり；
そして
（Ｂ）はＧＡＢＡ拮抗剤から選択される少なくとも一つの殺虫剤であり、
前記繁殖材料が、種子、塊茎、根茎及び挿し木から選択され、
植物の健康が、該植物が生物的ストレスを受けていない場合にも改善される方法。
【請求項２】
ＴがＣＨである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ＲａがＣ１−Ｃ４−アルキルであり、Ｒｂがハロゲン、Ｃ１−Ｃ４−アルキル又はＣ１−Ｃ４−ハロアルキルである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ｙが０である、請求項１〜３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
ｘが０又は１である、請求項１〜４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
式Ｉの化合物がピラクロストロビンである、請求項１〜５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
ＧＡＢＡ拮抗剤が、アセトプロール、エンドスルファン、バニリプロール、ピラフルプロール、ピリプロール、式ＩＩのフェニルピラゾール化合物
【化２】
2010517978.tif 000002
〔式中、各Ｒｃは独立してＣ１−Ｃ４−アルキル又はＣ１−Ｃ４−ハロアルキルである〕；
又はその農業上許容される塩；
及び式ＩＩＩのフェニルピラゾール化合物
【化３】
2010517978.tif 000003
又はその農業上許容される塩
から選択される、請求項１〜６の何れかに記載の方法。
【請求項８】
Ｒｃがエチル又はトリフルオロメチルである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
式ＩＩの化合物がフィプロニルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記の
（Ｃ）少なくとも一つのアゾール殺菌剤
を前記植物に、それが生長段階ＢＢＣＨ０９〜４９にある時又は開花若しくは花成の間に、１回で又は数回に分けて施用する、請求項１〜９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】
アゾール殺菌剤がエポキシコナゾールである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも一つの植物品種の収穫量を増加するための、及び／又は活力を向上させるための、請求項１〜１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも一つの植物品種の老化を遅延するための、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
光合成活性期間を延長するための、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
生物的及び／又は非生物的ストレス因子に対する植物の寛容性及び／又は耐性を強化するための、請求項１〜１１の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
植物が農作植物、林業植物及び観賞植物から選択される、請求項１〜１５の何れかに記載の方法。
【請求項１７】
農作植物がダイズ、トウモロコシ、コムギ、ライコムギ、オオムギ、オートムギ、ライムギ、セイヨウアブラナ、雑穀、イネ、ヒマワリ、ワタ、サトウダイコン、ナシ状果類、核果類、柑橘類、バナナ、イチゴ、ブルーベリー、アーモンド、ブドウ、マンゴー、パパイヤ、ラッカセイ、ジャガイモ、トマト、ピーマン、ウリ科植物、キュウリ、メロン、スイカ、ニンニク、タマネギ、ニンジン、キャベツ、マメ類、エンドウマメ、レンズマメ、アルファルファ、ツメクサ、クローバー、アマ、エレファントグラス、牧草、レタス、サトウキビ、チャ、タバコ及びコーヒーから選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
農作植物がダイズ、コムギ、トウモロコシ及びセイヨウアブラナから選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
農作植物が遺伝子組み換え又は非遺伝子組み換えダイズである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
植物が非遺伝子組み換え植物であるか、又は少なくとも一つ遺伝子組み換えイベントを有する、請求項１〜１９の何れかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
繁殖材料 (propagules) は、全ての種類の植物繁殖材料である。この用語は、種子、穀粒、果実、塊茎、根茎、胞子、挿し木、側枝、分裂組織、単独及び複数の植物細胞、並びに完全な植物を得ることのできる任意の他の植物組織を包含する。一つの特別な繁殖材料は、種子である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
ラマン分光装置の例は特許文献１（Batchelderら）に示されている。レーザー光源からの光はサンプル上のある場所に焦点が合わせられる。光とサンプルの分子との間の相互作用は、励起レーザー周波数に対してシフトされた周波数および波数を有するスペクトルにラマン散乱を起す。レーザー周波数をフィルタリングで除去した後、回折格子のような分散素子は、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）の方式の２次元光検出器アレイを横切る散乱ラマンスペクトルを分散させる。異なる分子種は、異なる独特のラマンスペクトルを有するので、その効果はそこにある分子種を分析するために用いられ得る。ラマンスペクトルは、サンプルの局所応力や局所歪みのような他の情報も与えることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
別の好ましい実施形態において、検出器は、９０°まで回転可能であるとよい。そして、上記特許文献１において説明されているように、所望のとき、データのステッピングが、代わりに、分散の方向に行われるように、検出器が回転されるとよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
好ましい２次元光検出器３４は、ＣＣＤ検出器である。しかし、２次元ＣＭＯＳ検出器アレイのような他の検出器が、可能である。回折格子３９は、方向Ｘ´において、ＣＣＤ３４の表面を横切る散乱光のスペクトルを分散させる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図４（Ｂ）は、ＣＣＤ検出器３４の検出要素（ピクセル）の対応配列の表示である。図４（Ａ）のライン３８における各点に関して、ラマンスペクトルは、ＣＣＤ検出器アレイの行に従うＸ´方向に、例えば行４６に示されるように、分散させられる。図４（Ｃ）に示されるように、このスペクトルは、サンプル２６の対応位置での対象物質に対応し得る。図４（Ａ）および４（Ｂ）で示されているピクセルの大きさは図４（Ｃ）と比べて誇張されていて、現実にはこのピクセルの数の何倍もあることが理解されるべきである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラインフォーカスの長さより長い寸法を有し、分析されるべきサンプルの範囲にラインフォーカスを生み出し、それから散乱光のスペクトルを発生させるように配置された励起光の光源であって、該ラインフォーカスおよび該サンプルが互いに対して可動である、光源と、
少なくとも１つの行または列に配列された複数の検出要素を有する検出器と、
該サンプルと該検出器との間の光路であって、前記ラインフォーカスと前記行または列とが、前記ラインフォーカスの異なる部分から散乱された光が前記行または列内の異なる検出要素にそれぞれ向けられるように調整された光路と、
を備え、
前記ラインフォーカスは、前記サンプルに対して、該ラインフォーカスの長手方向に少なくとも動くように決められ、かつ、
前記ラインフォーカスがラインフォーカスの短手方向の隣接する位置にステップ的に進められる前に、前記ラインフォーカスが前記分析されるべき範囲の全長さを横切るまで、前記サンプルにわたる前記ラインフォーカスの長手方向の相対的な動きに同期して、前記サンプルの所与のポイントまたは領域からのデータが、前記相対的な動きの間、蓄積するように、データが、前記検出器内でシフトされる
ことを特徴とする分光装置。
【請求項２】
データは、検出要素の前記行または列の一端部から、順次、読まれることを特徴とする請求項１に記載の分光装置。
【請求項３】
各要素からのデータは、ある１つの要素から次のへと前記行または列に沿って連続して推移することを特徴とする請求項１または２に記載の分光装置。
【請求項４】
前記検出器は、２次元配列の検出要素を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の分光装置。
【請求項５】
前記検出器は、電荷結合素子を備えることを特徴とする請求項４に記載の分光装置。
【請求項６】
分散素子は、前記行または列に直交する方向に前記検出器と交わるように、前記ラインフォーカスの任意の所与のポイントまたは領域からのスペクトルを分散させることを特徴とする請求項４または５に記載の分光装置。
【請求項７】
前記スペクトルに広がる複数の波数に相当するデータが、前記２次元配列のそれぞれの行または列において、前記サンプル上の前記ラインフォーカスの相対的な動きに同期して、該それぞれの行または列に沿って各波数に関する該データを動かす間、同時に取得されることを特徴とする請求項６に記載の分光装置。
【請求項８】
前記検出器は、９０°まで回転可能であり、所望のとき、前記データのシフトが前記スペクトルの分散の方向に行われるように、該検出器が回転され得ることを特徴とする請求項６または７に記載の分光装置。
【請求項９】
前記スペクトルは、ラマン散乱光のスペクトルであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の分光装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月9日(2012.11.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作用流体用の少なくとも１つのチャネルシステム（２）を有し、前記チャネルシステム（２）内を一方向（２３）に流れる前記作用流体の水蒸気含有量を調整するためのデバイス（１２、２２）を有し、前記デバイス（１２、２２）が、前記チャネルシステム（２）内の実際の湿度を示すセンサを含む燃料電池システムであって、前記チャネルシステム（２）内を流れる前記作用流体の実際の湿度を測定するために、超音波検出器（１６、１７）が設けられること、および前記実際の湿度と基準湿度の差が、前記デバイス（１２、２２）を使用して、前記作用流体に水蒸気を付加するための弁の開閉の範囲を大きくしたり小さくしたりすることによって補償されることを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
前記超音波検出器が、主要な送信方向を有する超音波送信器（１６）と、主要な受信方向を有する超音波受信器（１７）とで構成され、前記主要な送信方向と主要な受信方向とが、前記作用流体の前記流れの方向（２３）を横切るように配置されることを特徴とする、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記超音波検出器が、主要な送信方向を有する超音波送信器（１６）と、主要な受信方向を有する超音波受信器（１７）とで構成され、前記主要な送信方向と主要な受信方向とが、前記作用流体の前記流れの方向（２３）に平行に配置されることを特徴とする、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項４】
２つの超音波検出器（１６．１、１７．１；１６．２、１７．２）が、対向する送信方向および受信方向を有して設けられることを特徴とする、請求項３に記載の燃料電池システム。
【請求項５】
前記超音波検出器が、共通の筐体内に配置された超音波送信器（１６）と超音波受信器（１７）とで構成されることを特徴とする、請求項１に記載の燃料電池システム。
【請求項６】
前記超音波送信器（１６）および前記超音波受信器（１７）から所定の距離に超音波反射体（２５）が設けられることを特徴とする、請求項５に記載の燃料電池システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、チャネルシステム内を一方向に流れる作用流体の水蒸気含有量を調整するデバイスを備え、実際の湿度の信頼できる動的な測定を可能にする燃料電池システムを開発することである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料からなる基板（３）上に金属層（９）を有する電子的構成部材において、金属層（９）と基板（３）との間に拡散遮断層（７）が形成され、この拡散遮断層は、金属層（９）の金属に対して、拡散遮断層の層厚をｄとし、要求される寿命をｔＬとし、金属層の金属が絶縁層または半導体の範囲内を拡散する際の拡散係数をＤとするとき、ｄ／√（Ｄ・ｔＬ）＞４．３８の式で表される小さな拡散係数を有する材料から完成され、これにより、電子的構成部材の寿命ｔＬに関して金属層の金属の移動による機能損失を生じないことを特徴とする、半導体材料からなる基板（３）上に金属層（９）を有する電子的構成部材。
【請求項２】
拡散遮断層（７）が本質的に細孔不含である、請求項１記載の電子的構成部材。
【請求項３】
拡散遮断層（７）が導電性である材料から完成されている、請求項１または２記載の電子的構成部材。
【請求項４】
拡散遮断層（７）の材料がケイ化物、チタン窒化ケイ素またはタングステン窒化ケイ素である、請求項１から３までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項５】
ケイ化物がケイ化タンタルまたはケイ化タングステンである、請求項４記載の電子的構成部材。
【請求項６】
基板（３）の半導体材料が窒化ガリウムである、請求項１から５までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項７】
金属層（９）の材料が、元素の周期律表の第９族、第１０族または第１１族の金属、またはこれらの金属の少なくとも２つからなる混合物である、請求項１から６までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項８】
金属層（９）の材料が、白金、パラジウム、イリジウム、金、銀、ロジウムまたはこれらの金属の少なくとも２つからなる混合物である、請求項１から７までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項９】
さらに、基板（３）と金属層（９）との間には、電気絶縁層（５）が収容されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項１０】
電気絶縁層（５）がＳｉ3Ｎ4から完成されている、請求項９記載の電子的構成部材。
【請求項１１】
金属層（９）が電極、殊にゲート電極である、請求項１から１０までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項１２】
拡散遮断層（７）上に付加的に保護層が塗布されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【請求項１３】
付加的な保護層のための材料がＳｉ3Ｎ4である、請求項１から１２までのいずれか１項記載の電子的構成部材。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
例えば、さらに寿命ｔL〜１０００時間および層厚ｄ＝１０ｎｍを取る場合には、拡散遮断層中の金属の拡散係数Ｄは、次の値がもたらされる：
Ｄ＜１．５・１０-20ｃｍ2/秒
金属が電気絶縁層中または基板の半導体材料中に拡散しないようにするために、それによって電子的構成部材は使用不可能になるかもしれないが、拡散遮断層は、特に細孔不含であるか、または層が貫通する通路によって貫通していないという意味において閉鎖された細孔を単に示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月28日(2013.5.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学顕微鏡を提供するステップと、
倒立型光学顕微鏡に入力される光学照明のための付随するイメージング波長を有する第１のレーザ光線を生成するステップと、
複数の光トラップを生成するステップであって、改良点として、第２のレーザ光線を用いて前記複数の光トラップを生成し、所望の光トラッピングパタンを符号化する位相限定ホログラムを有する付随するトラッピング波長を持つトラッピング用レーザ光線の波面を用いることを含む、ステップと、
前記倒立型光学顕微鏡の対物レンズを提供するステップであって、当該対物レンズが、前記複数の光トラップを投影するとともに前記トラップされた構造のインラインホログラフィック像を収集する、ステップと、
前記トラップされた構造の像をＣＣＤカメラに提供するとともに前記レイリー・ゾンマーフェルト形式を前記トラップされた構造の３Ｄホログラフィック顕微鏡法に用いてそれらの画像を解析するステップと
を含む、レイリー・ゾンマーフェルト形式を用いて光トラップされた構造を解析する３Ｄ（３次元）ホログラフィック顕微鏡法を実行する方法。
【請求項２】
前記対物レンズと前記ＣＣＤカメラとの間に、前記トラッピング用レーザ光線のトラッピング波長に合わせたダイクロイックミラーを間置するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画像は前記トラップされた構造を焦点面から並進移動させることによって最小化可能なゴーストを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記イメージング用レーザ光線は平行光線出力を有するヘリウムネオンレーザによって提供される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記倒立型光学顕微鏡は焦点面を含み、当該方法は、トラップされた構造の３次元ホログラフィック顕微鏡法を実行する機械的な動きを一切含まない請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＣＤカメラにおいて形成された画像から参照画像を差し引くステップを更に含み、それにより、トラップされた構造が一切存在しないときの変動するバックグランド照明が除去される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記トラップされた構造の画像は３次元複素数値ライトフィールドを再構成するための２次元実数値画像を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記レイリー・ゾンマーフェルト形式は前記倒立型光学顕微鏡の光軸に沿ったトラップされた構造の伝搬を解析することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記トラップされた構造は前記光学顕微鏡の焦点面の上流距離ｚのところに対象物により散乱された散乱フィールドｕ（ｒ，ｚ）を生み出し、該散乱フィールドｕ（ｒ，ｚ）は、
【数１】
2010517102.tif 000001
によって再構成される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記画像の３Ｄライトフィールドｖ（ｒ、ｚ）を
【数２】
2010517102.tif 000002
を解くことによって再構成するステップを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ライトフィールドｖ（ｒ、ｚ）は前記画像の単一ホログラフィックスナップショットから再構成される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記トラップされた構造の動きを追跡するステップを更に含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記トラップされた構造は遮られた複数のオブジェクトを含み、その３次元画像が再構成され、前記複数のオブジェクトは再構成されたライトフィールドの中で全て分解される請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記光学顕微鏡の複数の焦点面から画像データを取得するステップと、前記トラップされた構造を複数のアングルから照明するステップの少なくとも１つのステップを更に含み、それにより、前記トラップされた構造の画像の精度を高めるようにした請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
光学顕微鏡と、
トラッピング用レーザ光線を生み出すためのレーザ源と、
前記トラッピング用レーザ光線にインプリントするための位相限定ホログラムを提供するための空間光変調器と、
イメージング用レーザ光線を生み出すためのレーザ源とを備え、
改良点として、前記イメージング用レーザ光線に対して、所望の光トラッピングパタンを符号化する位相限定ホログラムを有するトラッピング用レーザ光線を形成するために異なるレーザ光線を用いるものであり、さらに
倒立型光学顕微鏡を構成する、前記光学顕微鏡に付随する対物レンズと、
前記トラップされた構造のイメージングから生じるレーザ光を検出し、画像データを出力するＣＣＤカメラと、
前記レイリー・ゾンマーフェルト形式を適用して前記画像データを解析するコンピュータソフトウェアを実行して前記画像データを解析するためのコンピュータと
を備える、レイリー・ゾンマーフェルト形式を用いて光トラップされた構造を解析する３Ｄ（３次元）ホログラフィック顕微鏡法を実行するシステム。
【請求項１６】
前記レーザ源はコヒーレント光の平行光線を生み出すレーザを含む請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記対物レンズと前記ＣＣＤカメラとの間に間置されたダイクロイックミラーを更に備える請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
レイリー・ゾンマーフェルト計算は、
【数３】
2010517102.tif 000003
を計算するためにコンピュータによって実行される埋込型コンピュータソフトウェアを含む請求項１５に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
好ましくは、鋼ストリップは、式：
Ａ80≧-0.05＊ＹＳ＋40
を特徴とし、Ａ80は、ストリップの薄肉部における全伸びであり、ＹＳは、ストリップの薄肉部における降伏強度である。この式は、厚さが変化する連続的焼きなまししたストリップが、必要とされることが多い製品特性、すなわち高い総伸長と組み合わされた高い降伏強度、を有することを示している。高い総伸長は、例えばスタンピング部品に必要とされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
【表２】
2010533787.tif 000001
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４５】
例3で、比較として、高強度鋼を線速度50 m/分で製造する。厚肉部における温度が、完全な再結晶を確保するには低すぎることが分かる。その結果、例えば全伸びが僅か14％であることから分かるように、機械的特性が不十分である。選択的加熱により、厚肉部の温度を結晶化温度より上に増加させることができる。このようにして、薄肉部の温度を上昇させずに、厚肉部の機械的特性を改良することができる。薄肉部の温度は800℃より十分に高く、薄肉部の温度上昇は強度低下につながることがあるので、選択的加熱は、妥当な線速度でTRBを製造するのに効果的な方法である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ストリップが反復的な厚さ変化を有するように少なくとも複数の厚肉部及び複数の薄肉部を備えることで長さ方向において厚さが変化する鋼ストリップであって、ストリップが冷間圧延されて厚肉部及び薄肉部を形成しており、一つの厚肉部及び一つの薄肉部が数メートル以下の長さを有し、そのストリップが焼きなましされており、焼きなましが連続焼きなましにより行われ、そのストリップがテーラーロールドブランク用であることを特徴とする鋼ストリップ。
【請求項２】
厚肉部の降伏強度が、薄肉部の降伏強度と等しいか、またはそれより高い、請求項１に記載の鋼ストリップ。
【請求項３】
鋼ストリップが二相組織鋼、TRIP鋼または多相高強度鋼である、請求項１または２に記載の鋼ストリップ。
【請求項４】
鋼ストリップがHSLA鋼または低炭素鋼である、請求項１または２に記載の鋼ストリップ。
【請求項５】
鋼が、重量％で下記の組成：
Ｃ    0.03〜0.08
Ｍｎ  0.1〜1.2
Ｓｉ  ≦1.0
Ｐ    ≦0.1
Ｎｂ  ≦0.07
Ｖ    ≦0.5
Ｔｉ  ≦0.1
を有し、残部が鉄及び不可避不純物である、請求項４に記載の鋼ストリップ。
【請求項６】
鋼が、式：
ＹＳ≧250＋225(Ｍｎ/6＋Ｓｉ/24)＋716Ｐ＋2938Ｎｂ＋600Ｖ＋2000Ｔｉ[MPa]
を特徴とし、Ｍｎ、Ｓｉ、Ｐ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉが重量％で表され、ＹＳがストリップの薄肉部における降伏強度である、請求項５に記載の鋼ストリップ。
【請求項７】
ＹＳ≧270＋225(Ｍｎ/6＋Ｓｉ/24)＋716Ｐ＋2938Ｎｂ＋600Ｖ＋2000Ｔｉ[MPa]である、請求項６に記載の鋼ストリップ。
【請求項８】
Ａ80≧-0.05＊ＹＳ＋40
であり、Ａ80が、ストリップの薄肉部における全伸びであり、ＹＳが、ストリップの薄肉部における降伏強度（ＭＰａ）である、請求項４〜７のいずれか一項に記載の鋼ストリップ。
【請求項９】
薄肉部における鋼が600 MPaを超える引張強度及び400 MPa未満の降伏強度を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の鋼ストリップ。
【請求項１０】
薄肉部における鋼が600 MPaを超える引張強度及び300 MPa未満の降伏強度を有する、請求項９に記載の鋼ストリップ。
【請求項１１】
薄肉部における鋼が800 MPaを超える引張強度及び550 MPa未満の降伏強度を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の鋼ストリップ。
【請求項１２】
薄肉部における鋼が800 MPaを超える引張強度及び450 MPa未満の降伏強度を有する、請求項１１に記載の鋼ストリップ。
【請求項１３】
薄肉部における鋼が980 MPaを超える引張強度及び750 MPa未満の降伏強度を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の鋼ストリップ。
【請求項１４】
薄肉部における鋼が980 MPaを超える引張強度及び650 MPa未満の降伏強度を有する、請求項１３に記載の鋼ストリップ。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載のストリップから製造されたテーラーロールドブランク。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる化学的又は物理的性質を含む、２又はそれ以上の実質的に均質な分子内セグメント又はブロックを含む、エチレン／α−オレフィンインターポリマーであって、前記分子内セグメントは最確分子量分布を有することを特徴とし、前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーがハードセグメント及びソフトセグメントを含み、且つ
（ａ）１．７〜３．５のＭｗ／Ｍｎを有し；
（ｂ）ハードセグメントにおいて、前記ハードセグメント中の全モノマー含有量に基づいて７５重量パーセント〜８５重量パーセントの範囲内のエチレン含有量を有し；
（ｃ）（ｉ）少なくとも４０％の量のハードセグメント、摂氏温度で表された少なくとも一つの融点Ｔｍ、及び重量パーセントで表されたエチレンの量Ｃ２重量％としての前記エチレン含有量を有し、Ｔｍ及びＣ２重量％の数値が関係：
９０℃≧Ｔｍ≧４．１２７６（Ｃ２重量％）−２４４．７６
に相当するか；又は
（ｉｉ）４０％未満のハードセグメント組成、摂氏温度で表された少なくとも一つの融点Ｔｍ、及び重量パーセントで表されたエチレンの量Ｃ２重量％としての前記エチレン含有量を有し、Ｔｍ及びＣ２重量％の数値が関係：
８０℃≧Ｔｍ≦４．１２７６（Ｃ２重量％）−２６４．９５
に相当するか；又は
（ｖ）前記エチレン含有量対ＧＰＣ−ＩＲによって測定される分子量の対数がプロットされた線が、４以下の傾き絶対値ｍを有するような、重量パーセントで表された前記エチレン含有量と分子量の対数との関係を有し；且つ
（ｄ）比較用コポリマーの濁度測定値以下である、油中の前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーの１．０重量パーセント溶液又はドデカン中の１．５重量パーセント溶液の濁度測定値を有し（この場合、前記比較用コポリマーは、５５℃より高い温度において±５Ｊ／ｇ以内で同じＤＳＣエンタルピ（Ｊ／ｇ）及び１０％以内で同じ総エチレン含有量を有する）、
ブロックコポリマーが、制御されたブロック配列分布を有し、前記ソフトセグメントが、前記ソフトセグメント中の全モノマー含有量に基づいて３５重量パーセント〜８０重量パーセントの範囲内のコモノマーを有する、
エチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項２】
異なる化学的又は物理的性質を含む、２又はそれ以上の実質的に均質な分子内セグメント又はブロックを含む、エチレン／α−オレフィンインターポリマーであって、前記分子内セグメントは最確分子量分布を有することを特徴とし、前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーがハードセグメント及びソフトセグメントを含み、且つ
（ａ）１．７〜３．５のＭｗ／Ｍｎを有し；
（ｂ）ハードセグメントにおいて、前記ハードセグメント中の全モノマー含有量に基づいて７０重量パーセント〜８５重量パーセントの範囲内のエチレン含有量を有し；
（ｃ）（ｉ）少なくとも４０％の量のハードセグメント、摂氏温度で表された少なくとも一つの融点Ｔｍ、及び重量パーセントで表されたエチレンの量Ｃ２重量％としての前記エチレン含有量を有し、Ｔｍ及びＣ２重量％の数値が関係：
０℃≧Ｔｍ≧３．４４０５（Ｃ２重量％）−２１８．９９
に相当するか；又は
（ｉｉ）４０％未満のハードセグメント組成、摂氏温度で表された少なくとも一つの融点Ｔｍ、及び重量パーセントで表されたエチレンの量Ｃ２重量％としての前記エチレン含有量を有し、Ｔｍ及びＣ２重量％の数値が関係：
８０℃≧Ｔｍ≦４．１２７６（Ｃ２重量％）−２６４．９５
に相当するか；又は
（ｖ）前記エチレン含有量対ＧＰＣ−ＩＲによって測定される分子量の対数がプロットされた線が、４以下の傾き絶対値ｍを有するような、重量パーセントで表された前記エチレン含有量と分子量の対数との間の関係を有し；且つ
（ｄ）比較用コポリマーの濁度測定値以下である、油中の前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーの１．０重量パーセント溶液又はドデカン中の１．５重量パーセント溶液の濁度測定値を有し（この場合、前記比較用コポリマーは、５５℃より高い温度において±５Ｊ／ｇ以内で同じＤＳＣエンタルピ（Ｊ／ｇ）及び１０％以内で同じ総エチレン含有量を有する）、
ブロックコポリマーが、制御されたブロック配列分布を有し、前記ソフトセグメントが、前記ソフトセグメント中の全モノマー含有量に基づいて３５重量パーセント〜８０重量パーセントの範囲内のコモノマーを有する、
エチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項３】
エチレンを５５重量パーセント〜７５重量パーセントの範囲内の量で含む、請求項１又は２に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項４】
エチレンを６０重量パーセント〜７３重量パーセントの範囲内の量で含む、請求項１又は２に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項５】
−２５℃〜１００℃の範囲内のＴｍを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項６】
３０℃〜８０℃の範囲内のＴｍを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項７】
３５℃〜７５℃の範囲内のＴｍを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項８】
コモノマーの総重量パーセントが前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーのそれの１０重量パーセント以内である比較用ランダムインターポリマーのＴｍよりも低いＴｍを有する、請求項１から７のいずれか一項に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【請求項９】
油中の前記エチレン／α−オレフィンインターポリマーの１．０重量パーセント溶液又はドデカン中の１．５重量パーセント溶液において、１．５ＮＴＵ未満の濁度を有し、且つ５５℃より高い温度において２Ｊ／ｇ未満のＤＳＣエンタルピを有する、請求項１から８のいずれか一項に記載のエチレン／α−オレフィンインターポリマー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
助触媒1 長鎖トリアルキルアミン（Ａｒｍｅｅｎ（商標）Ｍ２ＨＴ、Ａｋｚｏ−Ｎｏｂｅｌ，Ｉｎｃから入手可能）、ＨＣｌ及びＬｉ［Ｂ（Ｃ６Ｆ５）４］の反応により、実質的に米国特許第５，９１９，９８８３の実施例２に開示されているように調製される、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボラートのメチルジ（Ｃ１４−１８アルキル）アンモニウム塩の混合物（以下、アルメエニウムボレート）。