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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶または１軸配向結晶の圧電体であり、該圧電体の単位格子の３つの格子長さａ、ｂ、ｃが、それぞれ同温度かつ同組成のバルク状単結晶体の単位格子の格子長さａ0、ｂ0、ｃ0より小さく、かつ前記圧電体の単位格子の体積が、同温度かつ同組成のバルク状単結晶体の単位格子の体積より小さいことを特徴とする圧電体。
【請求項２】
前記圧電体が、ペロブスカイト型構造を有するマグネシウム酸ニオブ酸チタン酸鉛の単結晶または１軸配向結晶から成り、該マグネシウム酸ニオブ酸チタン酸鉛を構成するＭｇ、Ｎｂ、Ｔｉの元素比をそれぞれＸ、Ｙ、Ｚとしたとき、該元素比Ｘ、Ｙ、Ｚが、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１かつ０．２＜Ｚ＜０．８を満たし、温度３００Ｋにおける該マグネシウム酸ニオブ酸チタン酸鉛の単位格子の体積が、６３．５（Å3）以上であり、かつ、温度３００Ｋにおける該マグネシウム酸ニオブ酸チタン酸鉛の単位格子の体積が、０．２＜Ｚ＜０．３３では下記式（１）により求められる値Ｖ1（Å3）以下であり、０．３３≦Ｚ＜０．８では下記式（２）により求められる値Ｖ2（Å3）以下であることを特徴とする請求項１に記載の圧電体。
Ｖ1＝−５．３９×Ｚ＋６６．３  （１）
Ｖ2＝−１．８５×Ｚ＋６５．１  （２）
【請求項３】
０．３３≦Ｚ＜０．５を満たすことを特徴とする請求項２に記載の圧電体。
【請求項４】
前記圧電体が、１μｍ以上１０μｍ以下の膜厚であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に接する１対の電極とを有することを特徴とする圧電素子。
【請求項６】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が請求項５に記載の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電体の製造方法であって、
ターゲットのスパッタリング面に垂直な方向においてターゲット領域を投影した領域外に配置した基板を４００℃以上８００℃以下に加熱する工程と、
前記基板面に、マグネトロンスパッタリング法により前記圧電体を形成する工程と、を含むことを特徴とする圧電体の製造方法。
【請求項８】
前記ターゲットは、間隔をおいて平行に対向配置された一対のターゲットであり、
前記基板面に前記圧電体を形成する工程において、
前記一対のターゲットに対してそれぞれ設けられた極性の異なる磁界発生手段によって発せられた磁界によってプラズマ中の電子を集束させることを特徴とする請求項７に記載の圧電体の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的は、単結晶または１軸配向結晶の圧電体であり、該圧電体の単位格子の３つの格子長さａ、ｂ、ｃが、それぞれ同温度かつ同組成のバルク状単結晶体の単位格子の格子長さａ0、ｂ0、ｃ0より小さく、かつ前記圧電体の単位格子の体積が、同温度かつ同組成のバルク状単結晶体の単位格子の体積より小さいことを特徴とする圧電体によって達成される。
また、上記目的は、上記本発明の圧電体と、該圧電体に接する１対の電極とを有することを特徴とする圧電素子によって達成される。
また、上記目的は、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が上記本発明の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッドによって達成される。
また、上記目的は、上記本発明の圧電体の製造方法であって、ターゲットのスパッタリング面に垂直な方向においてターゲット領域を投影した領域外に配置した基板を４００℃以上８００℃以下に加熱する工程と、前記基板面に、マグネトロンスパッタリング法により前記圧電体を形成する工程と、を含むことを特徴とする圧電体の製造方法によって達成される。
また、上記目的は、上記本発明の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
＜液体吐出ヘッド＞
次に、本実施形態の液体吐出ヘッドについて説明する。
本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであり、前記圧電素子が前記本実施形態の圧電素子であることを特徴とする。より詳細には、本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口と、吐出口に連通する個別液室と、個別液室の一部を構成する振動板と、個別液室の外部に設けられた振動板に振動を付与するための圧電素子とを有する。上述の振動板により生じる個別液室内の体積変化によって個別液室内の液体を吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が本実施形態の圧電素子である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶または１軸配向結晶の圧電体であって、
前記圧電体が、一般式ABO3で記述され、Aサイトの主成分がPbであり、Bサイトの主成分がMg、Zn、Sc、In、Yb、Ni、Nb、Ti、及びTaの中から選ばれる少なくとも３種類の元素を含むペロブスカイト型酸化物を有し、
前記圧電体の、２５℃、１ｋＨｚにおける比誘電率をεRT、並びに２００℃以下、１ｋＨｚにおける比誘電率の最大値をεMAX、及び該比誘電率の最大値を示す温度をｔMAXとしたとき、
１０＞（εMAX−εRT）/(tMAX−２５)＞０.１
を満たすことを特徴とする圧電体。
【請求項２】
前記圧電体の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下である請求項１に記載の圧電体。
【請求項３】
前記圧電体のキュリー温度をTｃthin、前記圧電体とPb以外の金属原子数比が同じバルク状圧電体のキュリー温度をTｃbulk、としたとき、
Tｃthin＞Tｃbulk+５０
を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電体。
【請求項４】
単結晶または１軸配向結晶の圧電体であって、
前記圧電体が、一般式ABO3で記述され、Aサイトの主成分がPbであり、Bサイトの主成分がMg、Zn、Sc、In、Yb、Ni、Nb、Ti、及びTaの中から選ばれる少なくとも３種類の元素を含むペロブスカイト型酸化物を有し、
前記圧電体の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記圧電体のキュリー温度をTｃthin、前記圧電体とPb以外の金属原子数比が同じバルク状圧電体のキュリー温度をTｃbulk、としたとき、
Tｃthin＞Tｃbulk+５０
を満たすことを特徴とする圧電体。
【請求項５】
前記圧電体の、２５℃、１ｋＨｚにおける比誘電率をεRTとしたとき、
εRT＜１２００
を満たすことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電体。
【請求項６】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Mgm,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.1<m<0.3, 0.3<n<0.5, 0.2<o<0.4, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi, 及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Sc, In, Yb, Ni, Ta, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項７】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Znm,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.2<m<0.4, 0.5<n<0.7, 0.05<o<0.2, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi, 及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Sc, Yb, Ta, Mg, Ni, Co, W, Fe, Sn, 及びInのいずれかの元素を含むこと特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項８】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Nim,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.1<m<0.3, 0.3<n<0.5, 0.3<o<0.5, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi, 及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Sc, In, Yb, Mg, Ta, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項９】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Scm,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.1<m<0.4, 0.1<n<0.4, 0.3<o<0.5, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi, 及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Ta, In, Yb, Mg, Ni, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項１０】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Scm,Tan,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.1<m<0.4, 0.1<n<0.4, 0.3<o<0.5, 0≦p<0.3を全て満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi, 及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Nb, In, Yb, Mg, Ni, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項１１】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Ybm,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.1<m<0.4, 0.1<n<0.4, 0.4<o<0.6, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi,及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Sc, In, Ta, Mg, Ni, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項１２】
前記一般式ABO3で記述されるペロブスカイト型酸化物が（Pbk,αl）x(Inm,Nbn,Tio,βp)yO3で表すことができ、1≦x/y<1.5, k+l=1, 0.7≦k≦1, 0≦l≦0.3, m+n+o+p=1, 0.2<m<0.4, 0.2<n<0.4, 0.2<o<0.5, 0≦p<0.3を満たし、且つαがLa, Ca, Ba, Sr, Bi,及びSbのいずれかの元素を含み、βがPb, Sc, Yb, Ta, Mg, Ni, Co, W, Fe, Sn, 及びZnのいずれかの元素を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電体。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に接する一対の電極と、を有することを特徴とする圧電体素子。
【請求項１４】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電体素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電体素子として請求項１３に記載の圧電体素子を用いることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体が、
Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3（１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比  Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体。
【請求項２】
前記圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ0がＴｃ＞Ｔｃ0＋５０℃の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の圧電体。
【請求項３】
前記圧電体の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の圧電体。
【請求項４】
前記圧電体の格子定数ａ、ｃが１．００５＜ｃ／ａ＜１．０５の関係を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電体。
【請求項５】
前記圧電体が１軸配向結晶又は単結晶であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧電体。
【請求項６】
前記圧電体が＜１００＞配向であることを特徴とする請求項５記載の圧電体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に接する一対の電極とを有することを特徴とする圧電素子。
【請求項８】
前記電極の少なくとも一方が＜１００＞配向したペロブスカイト型構造の酸化物電極を含むことを特徴とする請求項７に記載の圧電素子。
【請求項９】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が請求項７又は８に記載の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置であって、請求項９記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
［１］上記目的は、圧電体が、
Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3（１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比  Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．５以上０．８以下であり、かつ該圧電体が少なくとも単斜晶系のペロブスカイト型構造を有することを特徴とする圧電体によって達成される。
［２］また、上記目的は、上記本発明の圧電体と、該圧電体に接する一対の電極とを有することを特徴とする圧電素子によって達成される。
［３］また、上記目的は、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が上記本発明の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッドによって達成される。
［４］また、上記目的は、上記本発明の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置によって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本明細書中における、バルク状の圧電体とは、セラミックスの製造方法として一般的に用いられる、焼結法、加圧焼結法により得られる圧電体をさす。また、バインダーを加熱除去後に焼結を行う、グリーンシートを用いて得られた圧電体も広義にバルク体とみなす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、本実施形態の液体吐出ヘッドについて説明する。
本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドである。そして前記圧電素子が本実施形態の圧電素子であることを特徴とする。詳細には、本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口と、吐出口に連通する個別液室と、個別液室に対応して設けられた圧電素子と、前記個別液室と前記圧電素子との間に設けられた振動板と、を有する。そして、前記振動板により生じる前記個別液室内の体積変化によって前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出し、前記圧電素子が本実施形態の圧電素子である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
次に、本実施形態の液体吐出装置について説明する。本実施形態の液体吐出装置は、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置である。そして、上記本実施形態の液体吐出ヘッドを有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体が、
Ｐｂ（ＺｒxＴｉ1-x）Ｏ3  （１）
（式中、ｘは、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）を表す。）
で表されるペロブスカイト型構造を有するジルコン酸チタン酸鉛を主成分とし、かつ該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０５以上であり、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．２以上０．８以下であり、かつ該圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ0がＴｃ＞Ｔｃ0＋５０℃の関係を満たすことを特徴とする圧電体。
【請求項２】
前記圧電体の膜厚が１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の圧電体。
【請求項３】
前記圧電体の格子定数ａ、ｃが１．００５＜ｃ／ａ＜１．０５の関係を満たすことを特徴とする請求項１又は２記載の圧電体。
【請求項４】
前記圧電体が１軸配向結晶又は単結晶であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の圧電体。
【請求項５】
前記圧電体が＜１００＞配向であることを特徴とする請求項４記載の圧電体。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の圧電体と、該圧電体に接する一対の電極とを有することを特徴とする圧電素子。
【請求項７】
前記電極の少なくとも一方が＜１００＞配向したペロブスカイト型構造の酸化物電極を含むことを特徴とする請求項６に記載の圧電素子。
【請求項８】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、
前記圧電素子は、請求項６または７に記載の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項９】
基板上又は基板上に形成されたバッファー層の上に第一の電極膜を形成する工程と、前記第一の電極膜の上に圧電体を形成する工程と、前記圧電体の上に第二の電極膜を形成する工程と、を有する圧電素子の製造方法であって、
前記圧電体がジルコン酸チタン酸鉛を主成分とするターゲットを用いてスパッタリング法により形成され、該圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が、ターゲットのＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比｛Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）｝ターゲットに対しＰｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）＞｛Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）｝ターゲットの関係を満たすことを特徴とする圧電素子の製造方法。
【請求項１０】
前記圧電体は、ターゲット密度が９０％以下であるジルコン酸チタン酸鉛を主成分とするターゲットを用いたスパッタリング法により形成されることを特徴とする請求項９記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１１】
前記圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０５以上であり、
前記圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．２以上０．８以下であり、
前記圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ0がＴｃ＞Ｔｃ0＋５０℃の関係を満たすことを特徴とする請求項９又は１０記載の圧電素子の製造方法。
【請求項１２】
吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置であって、請求項８記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［３］また、上記目的は、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が上記本発明の圧電素子であることを特徴とする液体吐出ヘッドによって達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
［５］また、上記目的は、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドを有する液体吐出装置であって、上記本発明の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置によって達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明における、バルク状の圧電体とは、セラミックスの製造方法として一般的に用いられる、焼結法、加圧焼結法により得られる圧電体をさす。また、バインダーを加熱除去後に焼結を行う、グリーンシートを用いて得られた圧電体も広義にバルク状の圧電体とみなす。
図１の曲線ＡＢＣに示されているように、ＡＢＯ3で構成されるペロブスカイト型構造を有するＰＺＴは、バルク状態の場合、Ｚｒ、Ｔｉの元素比によって２３０℃から４９０℃のキュリー温度Ｔｃ0を持つ。
ここで、本発明の実施形態において、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｚｒ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が０．２以上０．８以下で、圧電体のキュリー温度Ｔｃと該圧電体のＺｒ、Ｔｉの元素比に於けるバルク状態でのキュリー温度Ｔｃ0がＴｃ＞Ｔｃ0＋５０℃の関係を満たす場合は、次のような現象が考えられる。つまり、圧電体のＰｂ、Ｚｒ、Ｔｉの元素比Ｐｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ）が１．０５以上であっても、過剰Ｐｂがリークサイトとしては働かず、リーク電流が増大することがない為、より過剰にＰｂを含有させることが出来るようになる。その結果、ＰｂのＡサイト欠陥がより少なくなり、圧電性が向上するもの等が例えば考えられる。本発明の圧電体のＴｃの上昇はこの過剰Ｐｂがリークサイトとしては働かない状態になっていることによると考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子を有し、前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、前記圧電素子が、本実施形態の圧電素子であることを特徴とする。より詳細には、本実施形態の液体吐出ヘッドは、吐出口と、吐出口に連通する個別液室と、個別液室に対応して設けられた圧電素子と、前記個別液室と前記圧電素子との間に設けられた振動板と、を有する。さらに、前記振動板により生じる前記個別液室内の体積変化によって前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出し、前記圧電素子が本実施形態の圧電素子であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小球を中に分散させたポリマーマトリックスを含むケミカルメカニカル研磨パッドであって、
前記ポリマーマトリックスが、
水性ポリマーのブレンドで形成されており、透過性基材に適用され、水性ウレタン分散系とアクリル分散系との重量％比３：１〜１：３のブレンドを含む研磨パッド。
【請求項２】
前記微小球が、ポリビニルアルコール、ペクチン、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリヒドロキシエーテルアクリライト、デンプン、マレイン酸コポリマー、ポリエチレンオキシド、ポリウレタン、シクロデキストリン、ポリビニリデンジクロリド、ポリアクリロニトリル及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記微小球が前記研磨パッドの少なくとも０．３容量％を構成する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記ポリマーマトリックスが、消泡剤、レオロジー変性剤、皮張り防止剤又は融合助剤をさらに含む、請求項１記載の研磨パッド。    
【請求項５】
気孔又は充填材を中に分散させたポリマーマトリックスを含むケミカルメカニカル研磨パッドであって、
前記ポリマーマトリックスが、
水性ウレタン分散系とアクリル分散系との重量％比３：１〜１：３のブレンドで形成されており、透過性基材に適用され、該透過性基材に浸透及び結合する研磨パッド。
【請求項６】
前記ポリマーマトリックスが、前記透過性基材に浸透及び結合する、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記透過性基材が、織りウェブ又は不織ウェブである、請求項１記載の研磨パッド。
【請求項８】
ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
微小球を含む水性流体相ポリマー組成物であって、透過性基材に浸透及び結合し、さらに、水性ウレタン分散系とアクリル分散系との重量％比３：１〜１：３のブレンドを含むポリマー組成物である、微小球を含む水性流体相ポリマー組成物を連続的に輸送される透過性基材の上に供給する工程、
前記輸送される透過性基材の上の前記ポリマー組成物を所定の厚さを有する流体相研磨層に成形する工程、及び
前記輸送される透過性基材の上の前記ポリマー組成物を硬化オーブン中で硬化させて前記ポリマー組成物を研磨パッドの固相研磨層に転換する工程
を含む方法。
【請求項９】
前記微小球が、ポリビニルアルコール、ペクチン、ポリビニルピロリドン、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリヒドロキシエーテルアクリライト、デンプン、マレイン酸コポリマー、ポリエチレンオキシド、ポリウレタン、シクロデキストリン、ポリビニリデンジクロリド、ポリアクリロニトリル及びこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含む半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続された電極又は配線とを有し、
前記半導体膜は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲であり、且つ前記所定の深さよりも浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲よりも高い第２の範囲であり、
前記半導体膜の、前記電極又は配線と接する部分よりも深い領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含むソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域及びドレイン領域上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続された電極又は配線とを有し、
前記ソース領域及びドレイン領域は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲であり、且つ前記所定の深さよりも浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲よりも高い第２の範囲であり、
前記ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方の、前記電極又は配線と接する部分よりも深い領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含むソース領域及びドレイン領域が形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続された電極又は配線とを有し、
前記ソース領域及びドレイン領域は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲であり、且つ前記所定の深さよりも浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲よりも高い第２の範囲であり、
前記ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方の、前記電極又は配線と接する部分の真下である第１の領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲であり、
前記第１の領域の厚さは、前記第１の領域を除く前記ソース領域及びドレイン領域のいずれか一方の第２の領域の厚さより薄く、前記第２の領域の厚さの５０％を下限とすることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１又は請求項３において、前記不純物元素はリンであり、前記半導体膜はシリコンを主成分とする膜であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項５】
請求項２において、前記不純物元素はリンであり、前記ソース領域及びドレイン領域はシリコン基板に形成されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の範囲は１×１０２０／ｃｍ３以下、前記第２の範囲は１×１０２０／ｃｍ３を超え１×１０２１／ｃｍ３以下であることを特徴とするトランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４、請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを少なくとも画素に用いた液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４、請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを少なくとも画素に用いたエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項４、請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを少なくとも画素に用いた液晶表示装置が搭載された電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項４、請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタは薄膜トランジスタであり、前記薄膜トランジスタを少なくとも画素に用いたエレクトロルミネッセンス表示装置が搭載された電子機器。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタを用いた半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載のトランジスタを用いた無線ＩＣタグ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁層と、
前記半導体層上に設けられ、前記半導体層の表面及び端部に接する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第２の絶縁層は、前記半導体層と前記第１の絶縁層との間に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられ、前記半導体層の表面に接する第１の絶縁層と、
前記半導体層の端部に接する第２の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に設けられたゲート電極と、を有し、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層上に接して設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記半導体層が有するチャネル形成領域の側面と前記第２の絶縁層とが接することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層よりも実効膜厚が厚いことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の絶縁層は、酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項７において記載された電子機器とは、カメラ、携帯電話、デジタルプレーヤー、又は電子ペーパーであることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層の端部を露出させ、
酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を行って、少なくとも前記半導体層の端部に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
マスクを用いて、前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層の端部を露出させ、
前記マスクを除去し、
酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を行って、前記半導体層の表面及び端部に接する第２の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁層を形成し、
マスクを用いて、前記半導体層及び前記第１の絶縁層をエッチングして、前記半導体層の端部を露出させ、
前記マスクを用いて、酸素を含む雰囲気下でプラズマ処理を行って、前記半導体層の端部に接する第２の絶縁層を形成し、
前記マスクを除去し、
前記第１の絶縁層上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記半導体層が有するチャネル形成領域の側面と前記第２の絶縁層とが接することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下で、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下のプラズマを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記酸素を含む雰囲気は、酸素と希ガスとの混合ガス雰囲気、酸素と水素と希ガスとの混合ガス雰囲気、一酸化二窒素と希ガスとの混合ガス雰囲気、又は一酸化二窒素と水素と希ガスとの混合ガス雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基体の表面片面側に金属薄膜電極が形成され、前記金属薄膜電極これを覆うように脆性材料からなる構造物が形成された静電機能部材であって、
前記構造物がエアロゾルデポジション法で形成された多結晶体であり、
前記セラミック基体に設けられ、おいて前記構造物が形成された面前記セラミック基体の前記表面からその裏面まで貫通したひとつ以上の孔とを有し、
前記セラミック基体の前記表面から埋没させつつ前記孔内部に埋め込まれた導電性の電極端子とを有し、を備え
前記孔内部に位置する前記電極端子の表面に設けられ、前記金属薄膜電極と前記電極端子とをが導電体により導電的に接合しつつ、前記セラミック基体と接着するように金属めっきによって構成された導電体で前記孔を埋めたされていることを特徴とする静電機能部材。
【請求項２】
請求項１に記載の静電機能部材であって、
前記孔の前記導電体が形成される部分に、前記セラミック基体表面に向かって径が大きくなるようにおいて前記構造物形成面側の開口部にテーパを設けたことを特徴とする静電機能部材。
【請求項３】
請求項１乃至３のいずれかに記載の静電機能部材であって、
前記金属めっきは、前記金属めっきと前記セラミック基体との密着性を高めるようが前記孔の領域の前記基体表面に形成された金属薄膜層を介して前記セラミック基体と接着されていることを特徴とする静電機能部材。
【請求項４】
請求項１乃至４のいずれかに記載の静電機能部材であって、
前記構造物が酸化アルミニウム、酸化イットリウム、酸化ケイ素、炭化珪素、窒化珪素の群から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする静電機能部材。
【請求項５】
セラミック基体の表面片面側に金属薄膜電極が形成され、前記金属薄膜電極これを覆うように脆性材料からなる構造物が形成された静電機能部材の製造方法であって、
前記セラミック基体に前記セラミック基体の前記表面から裏面まで貫通したひとつ以上の孔を設けるとともに前記孔の前記セラミック基体の表面近傍に、前記セラミック基体表面に向かって径が大きくなるようにの前記脆性材料からなる構造物を形成する面にテーパ状の開口を形成し、
次いでこのテーパ面に金属薄膜層を形成する工程と、
前記セラミック基体の前記表面から埋没させつつ前記孔内部に導電性の電極端子を埋め込む工程と、
前記孔内部に位置する前記電極端子の表面に、前記金属薄膜層と前記電極端子とをが導電的に接続しつつ、前記セラミック基体と接着するように金属めっきによって構成されたされるように導電体で前記孔を埋めるを形成させる工程と、
前記脆性材料からなる構造物をエアロゾルデポジション法によって形成させる工程と、を有することを特徴とする静電機能部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決すべく本発明では、セラミック基体の表面片面側に金属薄膜電極が形成され、前記金属薄膜電極これを覆うように脆性材料からなる構造物が形成された静電機能部材であって、構造物がエアロゾルデポジション法で形成された多結晶体であり、セラミック基体に設けられ、おいて前記構造物が形成された面前記セラミック基体の前記表面からその裏面まで貫通したひとつ以上の孔とを有し、前記セラミック基体の前記表面から埋没させつつ孔内部に埋め込まれた導電性の電極端子とを備えを有し、前記孔内部に位置する前記電極端子の表面に設けられ、金属薄膜電極と電極端子とをが導電体により導電的に接合しつつ、前記セラミック基体と接着するように金属めっきによって構成された導電体で前記孔を埋めたされていることを特徴とする静電機能部材とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また前記孔の前記導電体が形成される部分に、前記セラミック基体表面に向かって径が大きくなるよう開口部において構造物形成面側にテーパを設けた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
またこの金属めっきは、前記金属めっきと前記セラミック基体との密着性を高めるようが孔の領域の基体表面に形成された金属薄膜層を介して前記セラミック基体と接着されているものとした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このような静電機能部材の製造方法としては、セラミック基体に前記セラミック基体の前記表面から裏面まで貫通したひとつ以上の孔を設けるとともに孔の前記セラミック基体の表面近傍に、前記セラミック基体表面に向かって径が大きくなるように前記脆性材料からなる構造物を形成する面にテーパ状の開口を形成し、次いでこのテーパ面に金属薄膜層を形成する工程と、前記セラミック基体の前記表面から埋没させつつ孔内部に導電性の電極端子を埋め込む工程と、前記孔内部に位置する前記電極端子の表面に、金属薄膜層と電極端子とをが導電的に接続しつつ、前記セラミック基体と接着するように金属めっきによって構成されたされるように導電体で前記孔を埋めるを形成させる工程と、脆性材料からなる構造物をエアロゾルデポジション法によって形成させる工程と、を有することとした。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記(ａ)段階は、
(ａ１)前記ドングルが、変数、ＨＳＰ(Ｈｅａｄｓｅｔ  Ｐｒｏｆｉｌｅ)及びＳＰＰ(Ｓｅｒｉａｌ  Ｐｏｒｔ  Ｐｒｏｆｉｌｅ)又はＡＶＲＣＰ(ＡＶ ｒｅｍｏｔｅ ｃｏｎｔｒｏｌ ｐｒｏｆｉｌｅ)を初期化する段階、
(ａ２)前記ドングルが前記ヘッドセット及び前記ＰＴＴキー装置への接続を試みる段階及び、
(ａ３)前記(ａ２)段階で接続に失敗した場合、 インクワイアリーを行った後、再接続を試みる段階を含めることを特徴とする請求項６に記載のブルートゥースを利用した遠隔ＰＴＴ装置及びハンズフリー通信システムの提供方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイルデバイスが接続し得る無線ネットワークの識別子を決定するための方法であって、該方法は、
少なくとも一つの無線ネットワークに対して、そのネットワーク内のコンポーネントに対する識別子および少なくとも一つのアドレスを該モバイルデバイス上に格納すること
を包含し、
該モバイルデバイスがアクセスし得る利用可能な無線ネットワークの位置決めをするために走査を実行し、利用可能なネットワーク内の利用可能なコンポーネントのアドレスを含む該走査の結果を受信することと、
各利用可能なコンポーネントのアドレスに対して、
該コンポーネントの該アドレスが、該ネットワークに対する識別子なしで受信される場合、
（ａ）該受信されたアドレスを少なくとも一つの格納されているアドレスと比較することと、
（ｂ）該受信されたアドレスが、該少なくとも一つの格納されているアドレスのうちの一つと合致する場合、そのアドレスと関連して格納されている該識別子を得、該識別子を該走査の結果に追加することと、
該追加後に、該走査の結果、識別子のないまま残っているアドレスがある場合、該少なくとも一つの無線ネットワークの該格納されている識別子を用いることにより、提供されることを期待されない格納された識別子を有する少なくとも一つの無線ネットワークの利用可能性に対する指向性探査を行うことと、
該指向性探査に応答して受信されたアドレスを、該探査が行われた該ネットワークと関連して格納された少なくとも一つのアドレスと比較することと、
該ネットワークと関連して、該少なくとも一つの格納されたアドレスのいずれとも合致しない該指向性探査に応答して受信された任意のアドレスを格納することと
を特徴とする、方法。
【請求項２】
前記少なくとも一つのネットワークのそれぞれに対して、該ネットワークに対する前記識別子が、該ネットワークのコンポーネントに対するアドレスと一緒に提供されることが期待されるか否かの表示を格納することをさらに包含し、
前記少なくとも一つの格納されているアドレスは、提供されることが期待されない識別子を有するように表示されるネットワークと関連する少なくとも一つのアドレスを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記利用可能なネットワークの前記コンポーネントの前記アドレスが、該利用可能なネットワークに対する識別子とともに受信される場合、該受信された識別子を少なくとも一つの格納されている識別子と比較することと、
該受信された識別子が、該少なくとも一つの格納されている識別子と合致する場合、該少なくとも一つの格納されている識別子のプロファイルを更新して、該識別子は提供されることが期待されることを表示することと
をさらに包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
任意のアドレスが、該アドレスと関連する前記ネットワークそれぞれに対する識別子とともに受信される場合、前記走査からの前記結果における前記識別子を、前記少なくとも一つの無線ネットワークの前記格納されている識別子と比較することと、
格納されている識別子が、該結果に見出された場合、該格納されている識別子のプロファイルを更新して、そのネットワークに対する該識別子は提供されることが期待されることを表示することと
をさらに包含する、請求項２または請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ネットワークは、無線ローカルエリアネットワーク「ＷＬＡＮ」である、請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記コンポーネントは、アクセスポイント「ＡＰ」である、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記識別子は、サービス設定識別子「ＳＳＩＤ」である、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記アドレスは、媒体アクセス制御「ＭＡＣ」アドレスである、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
モバイルデバイスが接続し得る無線ネットワークの識別子を決定するためのコンピュータ読み取り可能な媒体であって、該コンピュータ読み取り可能な媒体は、該モバイルデバイスに請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の方法を実行させるコンピュータ読み取り可能な命令を含む、コンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１０】
少なくとも一つの無線ネットワークに接続されるように適合されているモバイルデバイスであって、該モバイルデバイスは、
該少なくとも一つの無線ネットワークと通信するための無線アクセスラジオと、
少なくとも一つのネットワークに対して、そのネットワーク内のコンポーネントに対する識別子および少なくとも一つのアドレスを自身の上に格納しているメモリと、
該メモリから、アドレスと関連して格納されている識別子を得るためのアドレス比較機能と、
該アドレス比較機能をインプリメントするため、ならびに該メモリおよび該アドレス比較機能を制御して、請求項１〜請求項８のいずれか１項に記載の方法を実行するためのプロセッサと
を備える、モバイルデバイス。
【請求項１１】
接続するために、無線ネットワークを選択することをユーザに許可するように適合されているユーザインタフェースをさらに備える、請求項１０に記載のモバイルデバイス。
【請求項１２】
モバイルデバイスに対するユーザプロファイルテーブルを更新するための方法であって、該方法は、
利用可能な無線ネットワーク全てに対する走査を行うことと、
該走査から前記結果の中のネットワークに対する識別子を、該ユーザプロファイルテーブル内にある無線ネットワークの識別子と比較することと、
該ユーザプロファイルテーブルからのネットワークに対する識別子が、該結果に見出された場合、該ユーザプロファイルテーブルを更新して、そのネットワークに対する識別子が隠れていないことを示すことと、
前記ネットワークの前記識別子を有するコンポーネントに対するアドレスを、該ネットワークに対する前記ユーザプロファイルテーブル内の該ネットワークに対するエントリに追加することと、
前記ユーザプロファイルテーブルからのネットワークに対する識別子が見つからない場合、そのネットワークに対する指向性探査を行うことと
を包含する、方法。
【請求項１３】
前記ネットワークが前記指向性探査を用いて見出される場合、前記ユーザプロファイルテーブルを更新し、そのネットワークに対する前記識別子が隠されていることを表示することをさらに包含する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記指向性探査において、得られたアドレスを、前記ユーザプロファイルテーブル内の前記ネットワークに対するエントリに追加することをさらに包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータ読み取り可能な媒体であって、請求項１２〜請求項１４のいずれか１項に記載の方法をインプリメントするために、プロセッサ上の実行のため、該媒体上に格納されたコンピュータ実行可能な命令を有する、コンピュータ読み取り可能な媒体。
【請求項１６】
請求項１２〜請求項１４のいずれか１項に記載の方法をインプリメントするように構成されている、モバイルデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
請求項１から３、５から７のいずれかに記載の画像ファイル作成装置と、
複数の視点から同一被写体を撮影し、該撮影した複数の画像を前記画像取得手段に出力する撮像手段と、
前記立体画像ファイル作成手段によって作成された立体画像ファイルと前記サムネイル画像ファイル作成手段によって作成されたサムネイル画像ファイルとを記録媒体に記録する記録手段と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
前記立体画像は、複数の画像が１枚の画像として統合された統合画像、又は各視点に対応する画像を分離して連結された画像であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のファイル構造。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１０に係る撮像装置は、請求項１から３、５から７のいずれかに記載の画像ファイル作成装置と、複数の視点から同一被写体を撮影し、該撮影した複数の画像を前記画像取得手段に出力する撮像手段と、前記立体画像ファイル作成手段によって作成された立体画像ファイルと前記サムネイル画像ファイル作成手段によって作成されたサムネイル画像ファイルとを記録媒体に記録する記録手段と、を備えたことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１４に示すように請求項１２又は１３に記載のファイル構造において、前記立体画像は、複数の画像が１枚の画像として統合された統合画像、又は各視点に対応する画像を分離して連結された画像であることを特徴としている。