(57)【要約】【課題】ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るラン側配管内の圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管内に供給し得るようにする。【解決手段】反応管１へのガスの供給経路であるランライン２と、前記ガスの排気経路であるベントライン３とを用い、原料ガスを前記ランライン２へ流しつつ前記ベントライン３にダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントライン３へ流しつつ前記ランライン２に前記ダミーガスを流すかの流路切り換えを行う気相成長装置において、前記流路切り換えに起因する前記ランライン２の圧力変動を検出する変動検出手段１２と、前記変動検出手段１２による検出結果を記憶する記憶手段２２と、前記流路切り換えのタイミングに合わせて前記記憶手段２２の記憶内容を基にした前記ランライン２のガス流量調整を行うシーケンシャル制御手段２３とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気相成長による成膜を行うための反応管と、
前記反応管へのガスの供給経路として機能するランラインと、
前記ガスの排気経路として機能するベントラインと、
前記気相成長に必要な原料ガスを前記ランラインへ流しつつ前記ベントラインにダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントラインへ流しつつ前記ランラインに前記ダミーガスを流すかを切り換える切換手段とを具備する気相成長装置において、
前記切換手段による流路切り換えに起因して生じる前記ランラインにおける圧力変動またはガス流量変動を検出する変動検出手段と、
前記変動検出手段による検出結果または当該検出結果から一意に導き出せる値を記憶する記憶手段と、
前記切換手段に流路切り換えの動作指示を与えるとともに当該切換手段による流路切り換えタイミングに合わせて前記記憶手段の記憶内容を基にした前記ランラインにおけるガス流量の調整を行うシーケンシャル制御手段と
を備えることを特徴とする気相成長装置。
【請求項２】
前記変動検出手段が検出する圧力変動を相殺するように前記ランラインにおけるガス流量の調整を行い、当該調整の結果から前記ランラインにおけるガス流量変動の値を得るフィードバック制御手段を備えることを特徴とする請求項１記載の気相成長装置。
【請求項３】
反応管へのガスの供給経路として機能するランラインと、前記ガスの排気経路として機能するベントラインとを用い、原料ガスを前記ランラインへ流しつつ前記ベントラインにダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントラインへ流しつつ前記ランラインに前記ダミーガスを流すかの流路切り換えを経て、前記反応管内にて気相成長による成膜を行う気相成長方法において、
前記気相成長による成膜を行う際と同条件で前記流路切り換えを行い、当該流路切り換えに起因して生じる前記ランラインにおける圧力変動またはガス流量変動を検出する変動検出ステップと、
前記変動検出ステップでの検出結果または当該検出結果から一意に導き出せる値を記憶する記憶ステップと、
前記気相成長による成膜を行う際の流路切り換えタイミングに合わせて前記記憶ステップによる記憶内容を基にした前記ランラインにおけるガス流量の調整を行うシーケンシャル制御ステップと
を含むことを特徴とする気相成長方法。
【請求項４】
前記変動検出ステップで検出した圧力変動を相殺するように前記ランラインにおけるガス流量の調整を行い、当該調整の結果から前記ランラインにおけるガス流量変動の値を得るフィードバック制御ステップを含むことを特徴とする請求項３記載の気相成長方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長による成膜を行う気相成長装置および気相成長方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
気相成長により２種類以上の結晶構造を続けて成長させる場合には、当該気相成長による成膜を行うための反応管内に、第１の結晶層に必要な原料ガスを供給した後、その原料ガスを第２の結晶層に必要なものに切り換えればよい。このような２種類以上の結晶構造の成長を行うのに適した気相成長装置としては、いわゆるラン／ベント方式のものが知られている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
図４は、従来におけるラン／ベント方式の気相成長装置の構成例を示す説明図である。図例のように、ラン／ベント方式の気相成長装置は、反応管１に接続するランライン２と、反応管１をバイパスするベントライン３とを備えている。これらランライン２およびベントライン３には、流路切換機構４を介して、原料ガスの供給機構５に繋がる原料ライン６が接続されている。そして、流路切換機構４における流路切り換えによって、原料ライン６は、気相成長時にはランライン２に連通され、気相成長を停止するときにはベントライン３に連通される。これにより、ランライン２は反応管１への原料ガスの供給経路として機能し、ベントライン３は原料ガスの排気経路として機能することになる。また、ランライン２およびベントライン３には、各原料ライン６のそれぞれに対応して設けられたダミーライン７も、流路切換機構４を介して接続されている。ダミーライン７には、通常、対応する原料ライン６中のガスの流量と同じ流量のガスが流される。そして、流路切換機構４における流路切り換えによって、このダミーライン７を、対応する原料ライン６がランライン２に連通されているときにはベントライン３に、逆に原料ライン６がベントライン３に連通されているときにはランライン２に連通させるのである。このような構成により、ラン／ベント方式の気相成長装置では、反応管１への原料ガスの供給を切り換えた瞬間に、前の原料ガスは速やかに排気されてその気相成長反応はただちに終了し、新たに供給された別種の原料ガスに基づく気相成長反応だけがただちに進行し始めることになる。
【０００４】
ところで、ラン／ベント方式の気相成長装置では、流路切換機構４における流路切り換えによって反応管１へ供給する原料ガスの種類が変化した場合であっても、その反応管１への供給ガスの総流量が変化しないようにすること、すなわち反応管１内や配管におけるガスの圧力変動が起こらないようにガス流量を制御することが必要である。
ただし、ランライン２とベントライン３では、流れるガスの粘性の違い等により、流路切換機構４における流路切り換え時に差圧が発生する。このような圧力差が発生している状況で流路切り換えを行うと、圧力が高い側と低い側とで流れ易さに差が生じることから、安定した反応管１へのガス供給ができなくなるおそれがある。
このことから、従来、ラン／ベント方式の気相成長装置には、ランライン２とベントライン３との圧力差を差圧計１２等によりリアルタイムに検知しながら、その検知信号をベントライン３上に設けられたマス・フロー・コントローラ（以下「ＭＦＣ」と略す）９へ送り、そのＭＦＣ９を用いてベントライン３におけるガス流量を変化させることで、ランライン２とベントライン３との圧力差を打ち消す、いわゆるフィードバック制御を行うように構成されたものがある。
【０００５】
【特許文献１】特開平４−３２４６２３号公報
【特許文献２】特開平８−２８８２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、フィードバック制御を行うラン／ベント方式の気相成長装置では、例えば図５に示すように、ランライン２とベントライン３との圧力差を収束するために、ＭＦＣ９の流量が振動するように変化する。そのため、圧力差の収束までに、数秒程度の時間を必要としてしまう。したがって、例えば成長時間が圧力の収束時間よりも短い薄い膜を成長させる場合を考えると、その場合には、気相成長による成膜の際の組成や膜厚等が狙い通りに得られなくなるおそれがある。
【０００７】
また、上述した従来におけるフィードバック制御では、ベントライン３上に設けられたＭＦＣ９を用いてベントライン３におけるガス流量を制御しているため、実際に反応が行われる反応管１と繋がるランライン２の圧力変動については制御することができない。したがって、成長中にランライン２の側での圧力変化が起こるために、反応管１への原料ガスの供給が安定的に行われなくなる可能性がある。
【０００８】
そこで、本発明は、ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るラン側配管内の圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管内に供給することを可能にするとともに、短い間隔で連続して流路切り換えを行った場合であっても、流量収束までの時間がかからずに反応管内にて急峻な界面の成長を可能とする気相成長装置および気相成長方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために案出された気相成長装置である。すなわち、気相成長による成膜を行うための反応管と、前記反応管へのガスの供給経路として機能するランラインと、前記ガスの排気経路として機能するベントラインと、前記気相成長に必要な原料ガスを前記ランラインへ流しつつ前記ベントラインにダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントラインへ流しつつ前記ランラインに前記ダミーガスを流すかを切り換える切換手段とを具備する気相成長装置において、前記切換手段による流路切り換えに起因して生じる前記ランラインにおけるガス流量の変動値を検出する変動値検出手段と、前記変動値検出手段が検出した変動値または当該変動値から一意に導き出せる補正値を記憶する記憶手段と、前記切換手段による流路切り換えタイミングにて、前記記憶手段が記憶する変動値または補正値を基に、当該変動値を相殺するように前記ランラインにおけるガス流量の調整を行うシーケンシャル制御手段とを備えることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明は、上記目的を達成するために案出された気相成長方法である。すなわち、反応管へのガスの供給経路として機能するランラインと、前記ガスの排気経路として機能するベントラインとを用い、原料ガスを前記ランラインへ流しつつ前記ベントラインにダミーガスを流すか、あるいは前記原料ガスを前記ベントラインへ流しつつ前記ランラインに前記ダミーガスを流すかの流路切り換えを経て、前記反応管内にて気相成長による成膜を行う気相成長方法において、前記気相成長による成膜を行う際と同条件で前記流路切り換えを行い、当該流路切り換えに起因して生じる前記ランラインにおける圧力変動またはガス流量変動を検出する変動検出ステップと、前記変動検出ステップでの検出結果または当該検出結果から一意に導き出せる値を記憶する記憶ステップと、前記気相成長による成膜を行う際の流路切り換えタイミングに合わせて前記記憶ステップによる記憶内容を基にした前記ランラインにおけるガス流量の調整を行うシーケンシャル制御ステップとを含むことを特徴とする。
【００１１】
上記構成の気相成長装置および上記手順の気相成長方法では、ベントラインの側ではなく、ランラインにおけるガス流量を調整することから、反応管内へのガス供給の安定化を直接的に図ることになる。しかも、事前に圧力変動またはガス流量変動を検出しておき、その検出結果を用いて、気相成長による成膜を行う際のランラインにおけるガス流量について、いわゆるシーケンシャル制御を行うようになっている。したがって、流路切り換えタイミングに合わせてガス流量を調整することになり、流路切り換え後から反応管内へのガス供給が安定するまでに要する時間が、圧力変動またはガス流量変動の検出結果に応じてフィードバック制御を行う場合に比べて短くなる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、反応管内へのガス供給の安定化を直接的に図ることで、ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るラン側配管内の圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管内に供給することを可能になるので、反応管内での気相成長による成膜を良好に行うことが実現可能となる。しかも、事前の圧力変動またはガス流量変動の検出結果を用いてランラインのガス流量をシーケンシャルに制御するので、流路切り換えタイミングに合わせて調整すべき流量を瞬時に決定することができ、従来のようなフィードバック制御の場合に比べてガス供給が安定するまでの時間が短くて済む。したがって、短い間隔で連続して流路切り換えを行えるので、気相成長による成膜の際の組成や膜厚等が狙い通りに得られ、その結果、反応管内にて急峻な界面の成長を実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面に基づき本発明に係る気相成長装置および気相成長方法について説明する。
【００１４】
先ず、気相成長装置の概略構成例を説明する。図１は、本発明に係る気相成長装置の構成例を示す説明図である。なお、図中において、従来のもの（図４参照）と同様の構成要素については、同一の符号を付している。
【００１５】
図１に示すように、本実施形態で例に挙げて説明する気相成長装置は、気相成長による成膜を行うための反応管１へのガスの供給経路として機能するランライン２と、そのガスの排気経路として機能するベントライン３とを備えた、ラン／ベント方式のものである。そして、ランライン２およびベントライン３には、例えば電磁バルブからなる流路切換機構４が設けられており、その流路切換機構４が、反応管１での気相成長に必要な原料ガス、すなわち原料ガスの供給機構５に繋がる原料ライン６からの原料ガスをランライン２へ流しつつ、その原料ライン６に対応するダミーライン７からのダミーガスをベントライン３に流すか、あるいは原料ライン６からの原料ガスをベントライン３へ流しつつ、ランライン２にダミーライン７からのダミーガスを流すかを切り換えるようになっている。
【００１６】
原料ガスの供給機構５としては、有機金属やガスソース等が用いることが考えられる。このような供給機構５からの原料ガスを反応管１に供給することで、その反応管１内では、例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成するための成膜を行うことが可能となる。さらに詳しくは、反応管１内にて、例えば有機金属化学気相成長による成膜を行って、レーザ発光素子として機能するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成することが可能となるのである。
【００１７】
このような供給機構５からの原料ガスを反応管１内へ運ぶために、ランライン２には、キャリアガスが流れるようになっている。キャリアガスとしては、例えば水素ガスを用いることが考えられるが、これに限定されるものではない。また、ランライン２だけではなく、ベントライン３にも、同様のキャリアガスが流れるものとする。
【００１８】
また、ランライン２には、流路切換機構４よりもガス流れ方向の上流側に、当該ランライン２におけるガス流量を調整するためのＭＦＣ８が設けられている。なお、これと同様にベントライン３上にもＭＦＣ９を設けておくことが考えられるが、このベントライン３におけるＭＦＣ９については必須ではない。このことは、原料ライン６およびダミーライン７におけるＭＦＣ１０、１１についても同様である。
【００１９】
さらに、ランライン２には、流路切換機構４よりもガス流れ方向の下流側で、かつ、反応管１よりもガス流れ方向の上流側にて、流路切換機構４による流路切り換えに起因して生じる当該ランライン２における圧力変動を検出するための圧力計１２が設けられている。圧力計１２は、ランライン２とベントライン３とにおける圧力差をリアルタイムに検出する差圧計を用いることが考えられるが、絶対圧計をランライン２に取り付けてその絶対圧計が計測する絶対圧を検出結果としてもよい。また、絶対圧計の差分を採るような構成であってもよい。つまり、圧力計１２は、反応管１に供給されるガスの圧力変動を検出し得るものであればよい。圧力変動を検出するのは、ランライン２における圧力変動とガス流量の変動とが一意に対応しており、理想気体の状態方程式や質量保存則等を利用したり、あるいは後述するフィードバック制御を利用することで、圧力変動値からガス流量の変動値を導き出せるからである。このことは、圧力計１２の代わりに、ランライン２とベントライン３とに流量計を設け、それぞれの総流量をモニターして、ランライン２におけるガス流量の変動値を特定したり、あるいは圧力計と流量計を併用してランライン２におけるガス流量の変動値を特定してもよいことを意味する。つまり、ランライン２上における流路切換機構４と反応管１の間には、当該ランライン２における圧力変動またはガス流量変動の少なくとも一方を検出するための手段が設けられていればよい。なお、このようなランライン２における変動を検出する手段の一例である圧力計１２は、その検出結果を、当該圧力計１２と有線または無線による通信線を介して接続する制御部２０に対して通知するようになっている。
【００２０】
制御部２０は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の組み合わせにより実現される、所定プログラムを実行するコンピュータ装置としての機能を有したものであり、当該所定プログラムを実行することにより、フィードバック制御手段２１、記憶手段２２およびシーケンシャル制御手段２３として機能するようになっている。
【００２１】
フィードバック制御手段２１は、圧力計１２が検出する圧力変動を相殺するようにランライン２におけるガス流量の調整を行うべく、当該ランライン２上に設けられているＭＦＣ８に対して動作指示を与えるものである。すなわち、フィードバック制御手段２１は、圧力計１２による検出結果を基に、ランライン２から反応管１内へのガス流量を常に一定にするようなフィードバック制御を行う。なお、フィードバック制御自体については、公知技術を利用すればよいため、ここではその説明を省略する。
また、フィードバック制御手段２１は、フィードバック制御を通じて、ランライン２におけるガス流量変動の値を得るようになっている。すなわち、フィードバック制御手段２１では、圧力計１２が検出する圧力変動を相殺するためのＭＦＣ８におけるガス流量の調整量を、流路切換機構４による流路切り換えに起因して生じるランライン２におけるガス流量変動量とする。
【００２２】
記憶手段２２は、圧力計１２による検出結果が制御部２０に通知されると、その検出結果についての記憶保持を行うものである。ここでいう検出結果は、圧力計１２が検出する圧力変動の値の他に、当該圧力変動の値から一意に導き出せる値をも含む。一意に導き出せる値としては、圧力計１２による検出結果に基づきフィードバック制御手段２１がフィードバック制御を行って得られるガス流量変動の値や、詳細を後述する補正値等が挙げられる。
【００２３】
シーケンシャル制御手段２３は、気相成長により２種類以上の結晶構造を続けて成長させるべく、流路切換機構４に流路切り換えの動作指示を与えるとともに、その流路切り換えタイミングに合わせて、ランライン２上に設けられているＭＦＣ８に対して、記憶手段２２の記憶内容を基にした動作指示を与えるものである。すなわち、シーケンシャル制御手段２３は、予め記憶手段２２に記憶されている記憶内容を用いて、ランライン２におけるガス流量を調整するシーケンシャル制御を行うのである。
【００２４】
次に、以上のような構成の気相成長装置における処理動作例、すなわち当該気相成長装置を用いて実行する気相成長方法について説明する。
【００２５】
気相成長装置の利用にあたっては、当該気相成長装置を用いた気相成長による成膜処理を行うのに先立ち、先ず、流路切換機構４による流路切り換え時の圧力変動および流量変動のデータ取りを行う。
【００２６】
データ取りは、気相成長による成膜処理を行う場合と全く同じ条件によるシーケンス動作中に行う。すなわち、制御部２０は、成膜処理を行う場合と同じ動作タイミングで、流路切換機構４に流路切り換えを行わせる。また、ランライン２およびベントライン３並びに原料ライン６およびダミーライン７を流れるガス流量についても、全て、成膜処理を行う場合と同じにする。このとき、ベントライン３にＭＦＣ９が設けられていれば、そのＭＦＣ９を用いてベントライン３におけるガス流量が常時一定となるようにしておく。一方、ランライン２におけるガス流量については、圧力計１２から通知される検出結果を基にしつつ、フィードバック制御手段２１が当該ランライン２上のＭＦＣ８に対して動作指示を与え、これによりベントライン３との差圧が常に「０」となるようにしておく。そして、フィードバック制御手段２１からに指示に応じたＭＦＣ８によるガス流量の調整結果、すなわちランライン２に対するガス流量の調整量については、例えば制御部２０内におけるデータコレクタとしての機能を用いて、その記録を行い得るようにしておく。
【００２７】
このような状況下で、成膜処理を行う場合と同じ動作タイミングで流路切換機構４が流路切り換えを行うと、その流路切り換え時にはランライン２とベントライン３を流れるガス粘性の違い等に起因してそれぞれの間に圧力差が生じるが、その圧力差を無くすために、ＭＦＣ８は、フィードバック制御手段２１からに指示に従いつつ、ランライン２におけるガス流量を調整することになる。そして、この調整によって、データコレクタには、ガス流量の調整量が時系列で記録されるのである。
【００２８】
図２は、ガス流量の変動量の記録結果の一具体例を示す説明図である。図例では、時間「０」の時点で流路切換機構４による流路切り換えがあり、その流路切り換えに起因するランライン２とベントライン３の差圧を無くすために、フィードバック制御手段２１からに指示に従いつつ、ＭＦＣ８がランライン２におけるガス流量を調整している場合を示している。この調整によって、ランライン２におけるガス流量は、例えば０[a.u.]→１[a.u.]に増大する。ただし、その増大は、フィードバック制御によるものであるため、振動しながらやがて収束点に安定する、といった変化の過程を経る。
【００２９】
このようにして、ランライン２におけるガス流量の調整量が記録されると、フィードバック制御手段２１は、その記録結果から一意に導き出せる補正値を特定する。図３は、ガス流量変動から一意に導き出せる補正値の一具体例を示す説明図である。補正値は、例えば、データコレクタにおける記録結果のうち、流路切り換え前の値と、流路切り換え後に流量が安定した状態での値との差分に基づいて特定することが考えられる。具体的には、図２のようなガス流量の調整結果がデータコレクタに記録されている場合であれば、図３に示すように、時間「０」の時点で＋１[a.u.]、という導き出すことが考えられる。
【００３０】
データ取りでは、一連のシーケンス動作中において、流路切換機構４が流路切り換えを行う全てのタイミングについて、上述したようなガス流量変動に対する調整量の記録および当該調整量から一意に導き出せる補正値の特定を行う。そして、これら調整量および補正値のうち、少なくとも補正値については、それ以降に行う気相成長による成膜処理の際に活用すべく、記憶手段２２内に記憶保持しておく。
【００３１】
このような手順によるデータ取りを行った後は、気相成長装置を用いた気相成長による成膜処理を行うことが可能となる。
【００３２】
気相成長による成膜処理を行う際には、ＭＦＣ８によるランライン２のガス流量の調整について、フィードバック制御手段２１が制御を行うのではなく、シーケンシャル制御手段２３が制御を行うようにする。すなわち、シーケンシャル制御手段２３は、気相成長により２種類以上の結晶構造を続けて成長させるべく、流路切換機構４に流路切り換えの動作指示を与えるとともに、その流路切り換えタイミングに合わせて、ランライン２上に設けられているＭＦＣ８にガス流量の調整を行わせるのである。このとき、シーケンシャル制御手段２３は、記憶手段２２に記憶されている記憶内容を用いて、ＭＦＣ８にガス流量の調整を行わせる。具体的には、図３に示す補正値が記憶手段２２内に記憶されている場合であれば、シーケンシャル制御手段２３は、時間「０」の時点で＋１[a.u.]だけ流量を増大させるように、ＭＦＣ８におけるガス流量調整を制御する。これにより、ＭＦＣ８は、流路切換機構４による流路切り換えタイミングに同期して、ランライン２におけるガス流量を瞬時に変動させることになる。
【００３３】
以上のように、本実施形態で説明した気相成長装置および気相成長方法では、安定した反応管１へのガス供給を行うために、ベントライン３の側ではなく、ランライン２におけるガス流量を調整する。したがって、反応管１内へのガス供給の安定化を直接的に図ることになるので、ラン／ベント方式における流路切り換え時に発生し得るランライン２の側における圧力変動を無くし、原料ガスを安定的に反応管１内に供給することを可能になり、その結果、反応管１内での気相成長による成膜を良好に行うことが実現可能となる。
【００３４】
しかも、本実施形態で説明した気相成長装置および気相成長方法では、ランライン２におけるガス流量の調整にあたり、事前に圧力変動またはガス流量変動を検出しておき、その検出結果を用いて、気相成長による成膜を行う際のランライン２におけるガス流量について、いわゆるシーケンシャル制御を行う。したがって、流路切り換えタイミングに合わせて調整すべき流量を瞬時に決定することができ、フィードバック制御の場合のようにガス流量の振動→収束という過程を経ないので、フィードバック制御の場合に比べてガス供給が安定するまでの時間が短くて済む。つまり、短い間隔で連続して流路切り換えを行うことが可能となり、気相成長による成膜の際の組成や膜厚等が狙い通りに得られ、その結果、反応管１内にて急峻な界面の成長を実現することが可能となるのである。
【００３５】
また、本実施形態で説明した気相成長装置および気相成長方法では、事前のデータ取りが必須となるが、そのデータ取りの際に、フィードバック制御手段２１によるフィードバック制御の結果を利用している。したがって、そのデータ取りを、圧力計１２による圧力変動の検出結果を基にして容易に行うことができ、しかも高精度に行うことが可能となるのである。
【００３６】
なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではない。
例えば、本実施形態で図示した原料ライン６やダミーライン７等の設置数については、気相成長により成長させる結晶構造の層数に対応したものであればよく、特に限定されるものではない。
また、反応管１内で行う気相成長による成膜処理についても、本実施形態で例に挙げたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を形成するためのものに限定されることはなく、他の半導体装置に適用することが考えられる。
さらに、本実施形態では、事前のデータ取りの際にフィードバック制御を利用し、その後に行う気相成長の際にシーケンシャル制御を行う場合を例に挙げたが、当該気相成長による成膜の際に、シーケンシャル制御に加えて、フィードバック制御手段２１によるフィードバック制御を併用し、これにより更なる制御性の向上を図るようにすることも考えられる。
このように、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る気相成長装置の構成例を示す説明図である。
【図２】ガス流量の変動量の記録結果の一具体例を示す説明図である。
【図３】ガス流量変動から一意に導き出せる補正値の一具体例を示す説明図である。
【図４】従来におけるラン／ベント方式の気相成長装置の構成例を示す説明図である。
【図５】従来のフィードバック制御による流量変動の一具体例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…反応管、２…ランライン、３…ベントライン、４…流路切換機構、５…供給機構、６…原料ライン、７…ダミーライン、８，９，１０，１１…ＭＦＣ、１２…圧力計、２０…制御部、２１…フィードバック制御手段、２２…記憶手段、２３…シーケンシャル制御手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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