【手続補正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に形成された圧電層であって、前記圧電層の少なくとも一部が２つの電極の間に配置され、前記圧電層が、活性的内部領域および周辺のカラー領域の２つの画定された領域を有する、圧電層と、
前記圧電層の上、前記圧電層の下、または前記圧電層の上および下の両方のいずれかに形成され、前記圧電層と少なくとも同一の広がりを持つ横方向の広がりを有するブラッグ構造と、
前記活性的内部領域の前記横方向の広がりを画定する誘電体スペーサと
を備える、共振器。
【請求項２】
前記スペーサが前記圧電層の前記周辺に隣接する、請求項１に記載の共振器。
【請求項３】
窓が、下部の前記電極で終端する前記スペーサの中に形成され、導電性材料が、前記窓の中に配置される、請求項２に記載の共振器。
【請求項４】
前記導電性材料が、前記２つの電極と前記基板上に形成された接触パッドとの間の電気的相互接続をもたらす、請求項３に記載の共振器。
【請求項５】
前記導電性材料が、下部の前記電極と前記基板に形成された活性的デバイスとの間に電気的相互接続をもたらす、請求項３に記載の共振器。
【請求項６】
前記導電性材料が、上部の前記ブラッグ構造と接触する、請求項３に記載の共振器。
【請求項７】
上部の前記ブラッグ層および前記導電性材料の上に形成された不動態化層をさらに備える、請求項６に記載の共振器。
【請求項８】
絶縁材料が前記不動態化層の上に形成される、請求項７に記載の共振器。
【請求項９】
前記カラー領域、前記ブラッグ構造、前記不動態化層、および前記絶縁材料が共に、前記共振器の前記活性的内部領域内の前記圧電材料を、外部環境から隔離する、請求項８に記載の共振器。
【請求項１０】
前記共振器が配置されるプラスティック・パッケージをさらに備える、請求項９に記載の共振器。
【請求項１１】
前記圧電層上に形成された温度補償層をさらに備える、請求項１に記載の共振器。
【請求項１２】
動作中に、周波数の関数としての前記共振器のインピーダンス応答において、約５ｐｐｍ／年以下の速度で転移を示す、請求項１に記載の共振器。
【請求項１３】
基板と、
前記基板の上に形成された圧電層であって、前記圧電層の少なくとも一部が２つの電極の間に配置され、前記圧電層が、活性的内部領域および周辺のカラー領域の２つの画定された領域を有し、前記領域がスペーサで画定される、圧電層と、
前記圧電層の上に形成されたキャップ層であって、前記圧電層が前記基板と分離され、前記キャップ層で前記基板上に支持される、キャップ層と
を備える、共振器。
【請求項１４】
前記キャップ層がブラッグ層として構築される、請求項１３に記載の共振器。
【請求項１５】
動作中に、周波数の関数としての前記共振器のインピーダンス応答において、約５ｐｐｍ／年以下の速度で転移を示す、請求項１３に記載の共振器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ある実施形態では、パッケージ応力および環境的応力が減衰され、それにより、主たる共振器構造に到達するのが防止される。減衰は、共振器機能部位の上および周りに形成された１層または複数層の保護要素を設けることによって達成される。これらの層は、本明細書でより詳細に説明するように、ブラッグ層、スペーサ層、応力緩和層もしくは封止層、またはそれらの何らかの組合せである。
ある実施形態は、上部電極から空隙で分離されるキャップ構造を備える。
ある実施形態では、上部ブラッグ構造が、基板から延びる柱で支持される。
ある実施形態では、上部ブラッグ構造が、その上に形成されたキャップ層を有する。
ある実施形態は、基板と、前記基板の上に形成された圧電層であって、前記圧電層の少なくとも一部が２つの電極の間に配置される、圧電層と、前記圧電層および電極を取り囲む温度補償層であって、前記圧電材料が、接触パッドまたは前記基板上の半導体デバイスの一方を上部の前記電極と電気的に相互接続させる導電性材料構造によって前記基板上に支持される、温度補償層と、前記温度補償層で取り囲まれた前記圧電材料の上に形成されるが前記圧電材料と接触しないキャップ層とを備える。
ある実施形態では、キャップ層がブラッグ層として構築される。
ある実施形態では、動作中に、周波数の関数としての共振器のインピーダンス応答において約５ｐｐｍ／年以下の速度で転移を示す。
ある実施形態では、キャップ層が、導電層から隔置され、共振器が、基板と圧電層との間の基板かまたはキャップ層の下側のいずれかに接して配置され、かつキャップ層と圧電材料との間に配置された導電層を備える。
ある実施形態では、導電層が、キャップ層の下側に接して形成され、容量結合および誘導結合からなる群から選択されるやり方で上部電極に電気的に結合される。
ある実施形態では、導電層が、基板の上に形成され、容量結合および誘導結合からなる前記群から選択されるやり方で下部電極に電気的に結合される。
ある実施形態は、基板と、前記基板の上に形成された圧電層であって、前記圧電層の少なくとも一部が２つの電極の間に配置される、圧電層と、前記圧電層および電極を実質的に取り囲む温度補償層であって、前記上部電極が、前記温度補償材料の中の窓を通して前記基板上の接触パッドまたは半導体デバイスの一方と電気的に相互接続され、前記圧電材料が、前記圧電層と横方向の完全に同一の広がりより狭い支柱で基板上に支持される、温度補償層と、前記温度補償層で取り囲まれた前記圧電材料の上に形成されるが前記圧電材料と接触しないキャップ層とを備える。
ある実施形態は、基板と、前記基板の上に形成された圧電層であって、前記圧電層の少なくとも一部が２つの電極の間に配置される、圧電層と、前記圧電層およびその関連する電極の上に形成された保護要素であって、共振器が動作中に並列共振および直列共振の両方を有し、前記保護要素が、前記共振器が動作中に周波数の関数としての前記共振器のインピーダンス応答において約５ｐｐｍ／年以下の速度で転移を示すように構成される、保護要素とを備える。
ある実施形態では、保護要素が、圧電材料の活性的内部領域を取り囲む圧電材料のカラーである。
ある実施形態は、圧電層の上、圧電層の下、または圧電層の上および下の両方のいずれかに形成され、圧電層と少なくとも同一の広がりを持つ横方向の広がりを有するブラッグ構造を備える。
ある実施形態は、圧電材料の活性的内部領域の横方向の広がりを画定する誘電体スペーサを備える。
ある実施形態は、圧電層および電極を取り囲む温度補償層を備え、圧電材料が、接触パッドまたは基板上の半導体デバイスの一方を上部電極と電気的に相互接続させる導電性材料構造によって基板上に支持される。
ある実施形態は、温度補償層で取り囲まれた圧電材料の上に形成されるが圧電材料と接触しないキャップ層を備える。
ある実施形態は、圧電層の上に形成されたキャップ層をさらに備え、圧電層が前記基板と分離され、キャップ層で基板上に支持される。
ある実施形態は、共振器の上に形成された低音響インピーダンス材料の層を備える。
ある実施形態では、不動態化層が、共振器と低音響インピーダンス材料の層との間に介挿される。
ある実施形態は、圧電層を覆って形成された電極に隣接する温度補償層を備える。
ある実施形態は、動作中に、並列共振および直列共振の両方を有し、並列共振および直列共振の少なくとも一方が、長期にわたって約５ｐｐｍ／年以下の速度で変化する。