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【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを研磨する研磨装置の研磨パッドにおいて、
色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色されていることを特徴とする研磨パッド。
【請求項２】
研磨装置の研磨パッド表面をドレッシングするパッドドレッシングのドレッシング状態を評価するパッドドレッシング評価方法において、
色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドを用い、
所定時間パッドドレッシングを行い、
パッドドレッシングによって削られた前記研磨パッド表面の色むらを基に、前記パッド
ドレッシングのドレッシング状態を評価することを特徴とするパッドドレッシング評価方法。
【請求項３】
パッドドレッシングによって削られた前記研磨パッド表面の色を複数個所で測定して定量化することによって、前記研磨パッド表面の色むらを求めることを特徴とする請求項２に記載のパッドドレッシング評価方法。
【請求項４】
前記ドレッシング状態の評価は、前記研磨パッドの面内におけるドレッシングの均一性の評価であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のパッドドレッシング評価方法。
【請求項５】
ワークを研磨する研磨装置において、
色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドと、
該研磨パッドをドレッシングするパッドドレッサーと、
前記研磨パッドの表面を観察する観察手段と、が設けられたことを特徴とする研磨装置。
【請求項６】
ワークを研磨する研磨装置において、
色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドと、
該研磨パッドをドレッシングするパッドドレッサーと、
前記研磨パッドの表面の色を測定して定量化する測定手段と、が設けられたことを特徴とする研磨装置。
【請求項７】
前記定量化された値が予め設定した範囲内か否かを判別して、ワークの研磨を実施するか否かを判断する判断手段を有することを特徴とする請求項６に記載の研磨装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明は前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、ワークを研磨する研磨装置の研磨パッドにおいて、色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色されていることを特徴とする研磨パッドを提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項２に記載の発明は、研磨装置の研磨パッド表面をドレッシングするパッドドレッシングのドレッシング状態を評価するパッドドレッシング評価方法において、色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドを用い、所定時間パッドドレッシングを行い、パッドドレッシングによって削られた前記研磨パッド表面の色むらを基に、前記パッドドレッシングのドレッシング状態を評価することを特徴とするパッドドレッシング評価方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項５に記載の発明は、ワークを研磨する研磨装置において、色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドと、該研磨パッドをドレッシングするパッドドレッサーと、前記研磨パッドの表面を観察する観察手段と、が設けられたことを特徴とする研磨装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、請求項６に記載の発明は、ワークを研磨する研磨装置において、色彩材料を表面に着色することにより、該表面から所定厚み範囲に、表面から厚み方向に彩度が徐々に減少するように境界なく着色された研磨パッドと、該研磨パッドをドレッシングするパッドドレッサーと、前記研磨パッドの表面の色を測定して定量化する測定手段と、が設けられたことを特徴とする研磨装置を提供する。請求項６の発明 においては、前記定量化された値が予め設定した範囲内か否かを判別して、ワークの研磨を実施するか否かを判断する判断手段を設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定形状の耐熱部材と、この耐熱部材の軟化点より低い軟化点を有するガラスまたはガラスセラミックの絶縁素材とを当接し、前記絶縁素材を軟化溶融状態に加熱し、重し荷重を付与して前記絶縁素材に前記耐熱部材が食込んだ合体部材を融着形成し、徐冷後に前記合体部材を表面研磨してなる絶縁基板。
【請求項２】
前記耐熱部材が金属導体または光ファイバーであり、前記絶縁素材のガラスまたはガラスセラミックに金属導体または光ファイバーを貫通埋設したことを特徴とする請求項１に記載の絶縁基板。
【請求項３】
所定形状の耐熱部材と、この耐熱部材の軟化点より低い軟化点を有するガラスまたはガラスセラミックの絶縁素材とを当接し、前記絶縁素材を軟化溶融状態に加熱し、重し荷重を付与して前記絶縁素材に前記耐熱部材が食込んだ合体部材を融着形成し、徐冷後に前記合体部材を表面研磨し、さらに、前記耐熱部材の溶解液に浸漬して前記耐熱部材を溶出除去して孔明き絶縁基板とした絶縁基板。
【請求項４】
耐熱部材、絶縁素材および荷重付与の重しを互いに当接する状態で第１および第２治具の間に配置する組立工程、この組立体を前記重しにより荷重を付与して通炉する加熱工程、加熱により軟化または溶融した前記絶縁素材に前記耐熱部材を植設する押し込み工程、前記耐熱部材が前記絶縁素材に植設した合体部材を形成する工程、徐冷後に前記合体部材を前記第１と第２治具から分離する分解工程、および分解して取り出した前記合体部材を所望する表面状態に研磨する仕上工程を含む絶縁基板の製造方法。
【請求項５】
前記組立工程は前記絶縁素材の表面に前記耐熱部材を垂直に載置し、前記加熱工程で前記重しの重力作用により前記耐熱部材を軟化・溶融状態の絶縁素材に押し込んで合体することを特徴とする請求項４に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項６】
前記組立工程は前記耐熱部材に線材を使用し、その先端側に前記絶縁素材を載置し、前記加熱工程で軟化した前記絶縁素材を、前記重しの垂直荷重作用で、前記線材に圧入して合体することを特徴とする請求項４に記載の絶縁基板の製造方法。
【請求項７】
耐熱部材の金属線材を多数の貫通孔を有する第１治具に挿入する工程、絶縁素材のガラスを所定形状の第２治具に位置決めする工程、重しを前記第１および第２治具に組み込む組立工程、組立体を通炉して前記金属線材の先端部分を前記ガラスに植設して合体する加熱工程、前記ガラスに前記金属線材を融着植設して合体ガラス板を形成する工程、徐冷後に組立用の治具を分離して前記合体ガラス板を取り出す工程、前記合体ガラス板を前記金属線材の端面と面一に表面処理する研磨工程、および前記合体ガラス板を所望する形態にする成形工程を含む貫通導体付絶縁基板の製造方法。
【請求項８】
さらに、前記合体部材を耐熱部材の溶解液に浸漬して前記耐熱部材を溶解除去する溶出工程を含み孔明き絶縁基板としたことを特徴とする請求項４または７に記載の絶縁基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の別の観点によれば、上述する貫通導体付絶縁基板または孔明き絶縁基板の製造方法であって、耐熱部材と絶縁素材と重しとを互いに当接状態で配置する組立工程、この組立体を重しにより荷重を付与して通炉する加熱工程、加熱により軟化または溶融状態にした絶縁素材に耐熱部材を埋入し植設する工程、耐熱部材が絶縁素材に植設し融着して合体部材とする工程、徐冷後組立体から合体部材を分離する分解工程、および分離した合体部材を所望する表面状態に研磨する仕上工程を含む絶縁基板の製造方法が提案される。ここで、前記組立工程は絶縁素材の表面に耐熱部材を垂直にして載置され、加熱工程で重しの重力作用により耐熱部材を軟化状態の絶縁素材に押し込み埋入して合体することを提案し、組立工程は前記耐熱部材の線材先端部に絶縁素材を載置し、加熱工程で重しによる垂直荷重により軟化状態の絶縁素材を線材先端部に圧入植設して合体することを提示する。すなわち、耐熱金属線材を多数の貫通孔を有する第１治具に挿入する工程、ガラス絶縁板材を所定形状の第２治具に位置決めする工程、重し治具を前記第１および第２治具に組み込む組立工程、組立体を通炉して金属線材の先端部分をガラス絶縁板材に植設して合体する加熱工程、ガラス絶縁板材に前記金属線材が植設された合体ガラス板を徐冷して分離する分解工程、合体ガラス板を金属線材の端面と面一に表面処理する研磨工程、および合体ガラス板を所望する形態にする成形工程を含む絶縁基板の製造方法である。なお、前記耐熱部材としては耐熱金属材、耐熱セラミック材、耐熱ガラス材およびファイバ材があり、かつ前記絶縁素材はガラス材およびガラスセラミック材がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記の実施例では金属線材にタングステン線材を使用したが、金属線材としてモリブデン、コバール、ステンレス鋼、および鉄ニッケル等が使用できる。また、耐熱部材として金属線材の他に耐熱ガラスや耐熱セラミックなどの絶縁素材より高い温度に耐える材料が使用できる。さらに、耐熱部材は形状として、ストレート状やテーパ状の線材のほかに線材の断面は円形の丸線材や長方形のフラット線材があり、さらにはボール状の球体としてもよい。また端部の面積を広げた釘状の線材としても良い。使用する形状は絶縁基板内の配線状態に応じて決められる。また、絶縁素材がほう珪酸系ガラスである場合、９００〜１１００℃の加熱状態で所望する粘性が得られることが判明した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上のエピタキシャル層と、
光を受容するための、前記エピタキシャル層内に拡がる複数のピクセルと、
前記基板内に発生したキャリアが前記エピタキシャル層に移動するのを防ぐための、前記基板と前記エピタキシャル層の間の水平方向の障壁層と、前記エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の複数の横方向の障壁層との少なくとも一方と、を含むＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項２】
前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との前記少なくとも一方が、少なくとも前記水平方向の障壁層からなり、前記水平方向の障壁層が非常に高濃度にドープされたシリコンを含む請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項３】
前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との前記少なくとも一方が、少なくとも前記水平方向の障壁層からなり、前記水平方向の障壁層が、炭素を含む層によって一方又は両方の側部を封入されている請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項４】
前記エピタキシャル層内のドーピングが、空乏層の深さより下で傾斜して、キャリアを方向付ける電界をもたらす請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項５】
前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との前記少なくとも一方が、少なくとも前記複数の横方向の障壁層からなり、前記複数の横方向の障壁層のそれぞれが、前記エピ層内に約２μｍから約２０μｍの深さまで拡がる隣接するピクセル間の深いＰ井戸からなる請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項６】
前記複数の横方向の障壁層のそれぞれが、さらに前記深いＰ井戸にトレンチを含む請求項５に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項７】
前記ＣＭＯＳイメージセンサが、前記基板内に発生したキャリアが前記エピタキシャル層に移動するのを防ぐための、前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との両方を含む請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサ。
【請求項８】
基板と、該基板上のエピタキシャル層と、該エピタキシャル層内に拡がる複数のピクセルとを含むＣＭＯＳイメージセンサを製造する方法であって、
前記基板内に発生したキャリアが前記エピタキシャル層に移動するのを防ぐための、前記基板と前記エピタキシャル層の間の水平方向の障壁層と、前記エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の複数の横方向の障壁層との少なくとも一方を形成することを含む方法。
【請求項９】
前記基板内に発生したキャリアが前記エピタキシャル層に移動するのを防ぐための、前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との前記少なくとも一方を形成することが、非常に高濃度にドープされたシリコンを利用して前記水平方向の障壁層を形成することを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板内に発生したキャリアが前記エピタキシャル層に移動するのを防ぐための、前記基板と前記エピタキシャル層の間の前記水平方向の障壁層と、前記エピタキシャル層内の電子の横方向への拡散を防ぐための、前記複数のピクセルの隣接するもの同士の間の前記複数の横方向の障壁層との前記少なくとも一方を形成することが、深いＰ井戸及び該Ｐ井戸内の横方向のトレンチを含むように前記複数の横方向の障壁層を形成することを含む請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような無線通信基地局アンテナはその方向，傾斜及び高さによって無線通信端末の通信状態が変化するので，アンテナの資源状態を計測するためには，管理者がビルディングや高層構造物上に設置されている基地局アンテナに直接登って羅針盤により手作業で磁北基準の方位角を測定する。そして，アンテナの傾斜状態を器具を使用して目盛りにより手動で測定する。また、米国特許第５４５５６７０明細書には、レーザレンジファインダを使用して目標物までの距離を計測する装置が開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スマートカードとコントローラモジュールとの間で通信するスマートカードシステムであって、
前記コントローラモジュールを取り外せるように嵌め込むように適合されたハウジングと、
前記ハウジングに接続され、前記コントローラモジュールのインターフェイスに接続するように構成されたコネクタと、
前記ハウジング内のトランシーバと、を有し、
前記トランシーバは、
アンテナと、
前記アンテナに接続され、前記スマートカードから受信したデータ信号を復調し、前記スマートカードに送信するデータ信号を変調するＲＦ回路と、
マイクロプロセッサを含み、前記コネクタ及び前記ＲＦ回路に接続されたデジタル回路と、を有し、
前記マイクロプロセッサは、
第１のプロトコルを用いて前記スマートカードと通信リンクを確立し、
前記ＲＦ回路から復調されたデータを受信し、前記復調されたデータは前記スマートカードから受信したデータ信号からのものであり、
第１のプロトコルとは異なる第２のプロトコルを用いて前記復調されたデータの少なくともいくつかにおいて前記コネクタを介して前記コントローラモジュールと通信する、ように構成されたスマートカードシステム。
【請求項２】
前記マイクロプロセッサが前記コントローラモジュールからの制御信号を前記コネクタを介して受信するようにさらに構成された請求項１に記載のスマートカードシステム。
【請求項３】
前記マイクロプロセッサが前記通信リンクを確立することによって前記制御信号に応答するようにさらに構成された請求項２に記載のスマートカードシステム。
【請求項４】
前記ハウジングが前記コントローラモジュールを保持する受け台部を有し、前記コネクタは、前記ハウジングがコントローラモジュールを嵌めこんだとき、前記トランシーバと前記コントローラモジュールとの間で信号を伝達するように構成されている請求項１に記載のスマートカードシステム。
【請求項５】
前記ハウジングは、前記ハウジングが前記コントローラモジュールを嵌め込むとき、前記コントローラモジュールを前記スマートカードトランシーバアセンブリに固定するように適合された受け台部を有する、請求項１に記載のスマートカードシステム。
【請求項６】
前記ハウジングがさらに前記トランシーバを取り囲むように適合されたトランシーバ領域を有する、請求項５に記載のスマートカードシステム。
【請求項７】
前記コントローラモジュールがパーソナル・デジタル・アシスタントである請求項１に記載のスマートカードシステム。
【請求項８】
パーソナル・デジタル・アシスタントを収容するために適合された受け台部を有するハウジングと、
前記ハウジングに搭載され、前記パーソナル・デジタル・アシスタントにインターフェイスで接続するために適合されたコネクタと、
前記コネクタを通して前記パーソナル・データ・アシスタントに電気的に接続されるハウジング内のトランシーバとからなり、
前記トランシーバは、マイクロプロセッサを含むデジタル回路を有し、前記デジタル回路は、
第１のプロトコルを用いて前記スマートカードと通信リンクを確立し、
第１のプロトコルとは異なる第２のプロトコルを用いて前記コントローラモジュールからの制御信号を前記コネクタを介して受信し、
前記制御信号に応じて前記スマートカードと前記通信リンクを介して通信する、
ように構成された、近接カードトランシーバアセンブリ。
【請求項９】
前記ハウジングは、前記パーソナル・デジタル・アシスタントを前記ハウジングの受け台部に固定するためのラッチを有する、請求項８に記載の近接カードトランシーバアセンブリ。
【請求項１０】
前記アンテナは、前記スマートカードシステムの近接において前記スマートカードに電力を供給するＲＦ場を継続的に送り、前記スマートカードの電力はさらに前記スマートカードからの応答を喚起する、請求項１に記載のスマートカードシステム。
【請求項１１】
前記マイクロプロセッサは、前記第１のプロトコルを用いて前記スマートカードにデータを書き込むようにさらに構成された、請求項１記載のスマートカードシステム。
【請求項１２】
前記マイクロプロセッサは、前記第２のプロトコルを用いて前記制御モジュールからの制御信号を受信して前記トランシーバの動作を制御する、請求項１記載のスマートカードシステム。
【請求項１３】
前記制御モジュールから受信した制御信号は、前記トランシーバに前記スマートカードからデータを読み出すように指示する、請求項１記載のスマートカードシステム。
【請求項１４】
前記制御モジュールから受信した制御信号は、前記トランシーバに前記スマートカードからデータを書き込むように指示する、請求項１記載のスマートカードシステム。
【請求項１５】
前記マイクロプロセッサは、前記制御モジュールと前記コネクタを介して入力制御信号を通信するようにさらに構成され、前記入力制御信号はユーザからの入力を入力ボタンとタッチスクリーンの少なくとも一つから求める、請求項１記載のスマートカードシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
登録されたユーザの種々の属性情報（オブジェクト情報）の、他者に対する開示可否（パーミッション）の設定値を、該パーミッションのレベルに応じて分類し、階層的に管理するプレゼンスサーバと、前記ユーザに対してサービスを提供するためのサービス提供サーバと、前記ユーザがサービス提供を受けるための端末とを有し、
前記サービス提供サーバは、前記プレゼンスサーバに対して、サービスを提供しようとしているユーザの所定のオブジェクト情報に対しアクセス要求を行ない、
前記プレゼンスサーバは、該アクセス要求のあったオブジェクト情報に対し、パーミッションの設定値の範囲内で与えることのできるオブジェクト情報を前記サービス提供サーバに対して送信し、
該サービス提供サーバは、受信したオブジェクト情報を元にユーザに対してサービスを提供することを特徴とするサービス提供システム。
【請求項２】
登録されたユーザの種々の属性情報（オブジェクト情報）の、他者に対する開示可否（パーミッション）の設定値を、該パーミッションのレベルに応じて分類し、階層的に管理するプレゼンスサーバと、前記ユーザに対してサービスを提供するためのサービス提供サーバと、前記ユーザがサービス提供を受けるための端末とを少なくとも含むシステムを用いたサービス提供方法であって、
前記サービス提供サーバは、前記プレゼンスサーバに対して、サービスを提供しようとしているユーザの所定のオブジェクト情報に対しアクセス要求を行ない、
前記プレゼンスサーバは、該アクセス要求のあったオブジェクト情報に対し、パーミッションの設定値の範囲内で与えることのできるオブジェクト情報を前記サービス提供サーバに対して送信し、
該サービス提供サーバは、受信したオブジェクト情報を元にユーザに対してサービスを提供することを特徴とするサービス提供方法。
【請求項３】
前記オブジェクト情報は、ユーザのアベイラビリティ情報またはプレゼンス情報であることを特徴とする請求項２記載のサービス提供方法。
【請求項４】
ユーザの端末と他の端末とにネットワークを介して接続されるサーバであって、  ユーザの端末の識別情報及び該端末のアベイラビリティ情報及び該端末の位置情報のうち少なくともいずれか一方を記憶する記憶手段と制御部と、を有し、
上記記憶手段はさらに、該端末の識別情報の他の端末への開示可否を示す開示可否情報と該端末の前記アベイラビリティ情報または位置情報の他の端末への開示可否を示す開示可否情報との間の上下関係と、該端末の識別情報と前記アベイラビリティ情報または位置情報とのそれぞれの開示可否の設定値を記憶しており、
上記上下関係は、上記端末の識別情報の開示可否情報が上位、上記端末の前記アベイラビリティ情報または位置情報の開示可否情報が下位であり、
前記制御部は、
上記端末の前記アベイラビリティ情報の上記設定値が開示否から開示可に変更された場合は、上記端末の識別情報の上記設定値を開示可に変更し、
また、上記端末の識別情報の上記設定値が開示可から開示否に変更された場合は、上記端末の前記アベイラビリティ情報または位置情報の上記設定値を開示否に変更することを特徴とするサーバ。
【請求項５】
ユーザの端末と他の端末とにネットワークを介して接続されるサーバであって、  ユーザの端末の識別情報及び該端末のプレゼンス情報及び該端末の位置情報のうち少なくともいずれか一方を記憶する記憶手段と制御部と、を有し、
上記記憶手段はさらに、該端末の識別情報の他の端末への開示可否を示す開示可否情報と該端末の前記プレゼンス情報または位置情報の他の端末への開示可否を示す開示可否情報との間の上下関係と、該端末の識別情報と前記プレゼンス情報または位置情報とのそれぞれの開示可否の設定値を記憶しており、
上記上下関係は、上記端末の識別情報の開示可否情報が上位、上記端末の前記プレゼンス情報または位置情報の開示可否情報が下位であり、
前記制御部は、
上記端末の前記プレゼンス情報の上記設定値が開示否から開示可に変更された場合は、上記端末の識別情報の上記設定値を開示可に変更し、
また、上記端末の識別情報の上記設定値が開示可から開示否に変更された場合は、上記端末の前記プレゼンス情報または位置情報の上記設定値を開示否に変更することを特徴とするサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月10日(2008.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者の頭頸部にコーンビームＸ線を照射してＸ線ＣＴ撮影を行う頭頸用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置において、
コーンビームＸ線を照射するＸ線発生器と、前記被検者を透過したコーンビームＸ線を検知するＦＰ型２次元センサーとを対向配置した旋回アームと、前記旋回アームを旋回するための垂直方向に延設する旋回軸と、前記旋回軸を中心に前記旋回アームを旋回駆動する旋回駆動ユニットとを備え、
前記ＦＰ型２次元センサーは、前記被検者の肩部上方に配置され、入力面が前記旋回軸に対して平行な垂直方向に配置され、
前記Ｘ線発生器の焦点と前記ＦＰ型２次元センサーの入力面の上下幅中心とを結ぶ直線が、水平線に対して上方向に角度θを有するように配置され、
ＣＴ撮影の際に、前記角度θに上下方向の投影角度を補正して画像再構成する処理手段を備えることを特徴とする頭頸部用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置。
【請求項２】
前記旋回アームと前記旋回軸との連結部に、水平方向に前記Ｘ線発生器の焦点と前記旋回軸の中心との間の寸法を所定範囲に任意に可変移動するための旋回軸位置可変機構と、前記旋回軸位置可変機構の駆動を制御する制御手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載の頭頸部用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置。
【請求項３】
請求項２に記載の頭頸部用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置において、
前記処理手段は、前記旋回軸位置可変機構が前記Ｘ線発生器の焦点と前記旋回軸の中心との間を寸法変化して拡大撮影を行う際、予め設定された基準値との比較演算処理によって拡大率を補正して画像再構成することを特徴とする頭頸部用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
更に、特願２００４−２１９８７８の装置は、上記３件の装置とは別に、イメージインテンシファイア及びカメラ系からなる受像装置に変えてＦＰ型２次元センサーを用い、その有効視野をできる限り有効に活用するために、従来の旋回アームとその旋回軸中心とを被検者の撮影対象部位へ移動する手段として旋回駆動ユニット内に設けられたＸ／Ｙ方向の水平方向移動手段とは別に、さらに、旋回駆動ユニットから垂下する旋回軸と旋回アームとの連結部に旋回軸位置可変機構を設けた。旋回軸位置可変機構は、旋回軸を位置固定した状態で、旋回アームをＸ線主線平行方向（水平方向）に前後変位可能にする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
しかしながら前記装置は、全て、前記Ｘ線発生器の焦点から、前記イメージインテンシファイア及びカメラ系からなる受像装置の入力面の中心、あるいは、前記Ｘ線発生器の焦点から、前記ＦＰ型２次元センサー等の受像装置の入力面の左右上下幅の中心を結ぶ直線(Ｘ線の主線の入射角)が、前記Ｘ線発生器の焦点を起点とする水平線上に一致するように前記Ｘ線発生器と、前記ＦＰ型２次元センサーが位置づけされているため、受像装置下方部分の被写体への干渉防止対策として旋回アームの回転中心から前記受像装置前面までの距離を有る程度、即ち肩幅程度に広くすることが必須条件であった。
【特許文献１】特開２０００−１３９９０２
【特許文献２】特開２００２−２１９１２７
【特許文献３】特開２００３−１７５０３１
【特許文献４】特願２００４−２１９８７８
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、被検者の頭頸部にコーンビームＸ線を照射してＸ線ＣＴ撮影を行う頭頸用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置において、
コーンビームＸ線を照射するＸ線発生器と、被検者を透過したコーンビームＸ線を検知するＦＰ型２次元センサーとを対向配置した旋回アームと、旋回アームを旋回するための垂直方向に延設する旋回軸と、旋回軸を中心に旋回アームを旋回駆動する旋回駆動ユニットとを備え、
ＦＰ型２次元センサーは、被検者の肩部上方に配置され、入力面が旋回軸に対して平行な垂直方向に配置され、
Ｘ線発生器の焦点とＦＰ型２次元センサーの入力面の上下幅中心とを結ぶ直線が、水平線に対して上方向に角度θを有するように配置され、
ＣＴ撮影の際に、角度θに上下方向の投影角度を補正して画像再構成する処理手段を備えることを特徴とする頭頸部用コーンビームＸ線ＣＴ撮影装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
好ましくは、旋回アームと旋回軸との連結部に、水平方向にＸ線発生器の焦点と旋回軸の中心との間の寸法を所定範囲に任意に可変移動するための旋回軸位置可変機構と、旋回軸位置可変機構の駆動を制御する制御手段とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに好ましくは、処理手段は、旋回軸位置可変機構がＸ線発生器の焦点と旋回軸の中心との間を寸法変化して拡大撮影を行う際、予め設定された基準値との比較演算処理によって拡大率を補正して画像再構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子に接続するリード電極と、そのリード電極を保持する支持部と、を有する支持体と、前記支持部により設けられた凹部内に配置された半導体素子を被覆する封止部材と、を備えた半導体装置であって、
前記支持部は、前記凹部の開口部を形成する第一の側壁と、その第一の側壁に接続し、かつ、前記リード電極の主面の一部上まで前記凹部内を延在して設けられた第二の側壁と、さらに、
前記凹部底面における正負一対のリード電極の端部間において、または、前記リード電極のうち少なくとも一方の厚さ方向に貫通された孔の上において、前記支持部と接続して前記凹部の底面を横断する壁部と、を有しており、
前記第二の側壁の少なくとも一部が、前記壁部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記壁部は、前記半導体素子の搭載部と、前記半導体素子およびリード電極を接続する導電性ワイヤの接続部と、の間に設けられている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持部は、前記第二の側壁に向かい合う方向に第三の側壁を有しており、前記壁部の両端部が前記第一の側壁および第二の側壁にそれぞれ接続されている請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記支持体は、前記第一の側壁の内側に、前記開口部の内周縁に沿って延伸された突出部を有しており、
前記第二の側壁の前記凹部底面からの高さは、前記支持体の突出部の外側に設けられた底面の高さ以上であり、かつ、前記突出部の高さよりも低い請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記支持体は、前記リード電極が突出された支持部の側面において、その一部が突出されている請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記壁部は、上記半導体素子の搭載部と、上記半導体素子およびリード電極を接続する導電性ワイヤの接続部と、の間に設けられていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記支持部は、上記第二の側壁に向かい合う方向に第三の側壁を有しており、上記壁部
の両端部が上記第一の側壁および第二の側壁にそれぞれ接続されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記支持体は、上記第一の側壁の内側に、上記開口部の内周縁に沿って延伸された突出部を有しており、上記第二の側壁の上記凹部底面からの高さは、上記支持体の突出部の外側に設けられた底面の高さ以上であり、かつ、上記突出部の高さよりも低いことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記支持体は、上記リード電極が突出された支持部の側面において、その一部が突出されていることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に前記光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に設けられた光導波路とを有する撮像素子であって、
前記光導波路と前記光電変換手段との間に、前記光電変換手段側から第１の薄膜、第２の薄膜及び第３の薄膜の３つの薄膜が積層されてなる反射防止層が配置されており、
前記第１の薄膜の屈折率をｎ１、前記第２の薄膜の屈折率をｎ２、及び前記第３の薄膜の屈折率をｎ３とすると、
各薄膜の屈折率は、
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１
を満足することを特徴とする撮像素子。
【請求項２】
前記第２の薄膜は窒化シリコン膜、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の撮像素子。
【請求項３】
前記第２の薄膜が窒化シリコン膜であり、前記第２の薄膜の膜厚は、前記第１乃至第３の薄膜のうちで最も厚いことを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の撮像素子と、
前記撮像素子の近傍に被写体像を結像する光学系と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【請求項５】
光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に前記光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に設けられた光導波路とを有する撮像素子の製造方法であって、
前記光電変換手段が設けられた基板上に第１の薄膜を形成する工程と、
前記第１の薄膜上に第２の薄膜を形成する工程と、
前記第２の薄膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜に前記光導波路を形成するための開口部を形成する工程と、
前記層間絶縁膜の前記開口部の内側に第３の薄膜を形成する工程と、
前記第３の薄膜が形成された開口部を光導波路材料で埋め込んで前記光導波路を形成する工程と、
前記光導波路の上に前記マイクロレンズを形成する工程と、
を含み、
前記第１の薄膜の屈折率をｎ１、前記第２の薄膜の屈折率をｎ２、及び前記第３の薄膜の屈折率をｎ３とすると、
各薄膜の屈折率は、
ｎ２＞ｎ３≧ｎ１
を満足することを特徴とする撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面は、光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に前記光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に設けられた光導波路とを有する撮像素子であって、前記光導波路と前記光電変換手段との間に、前記光電変換手段側から第１の薄膜、第２の薄膜及び第３の薄膜の３つの薄膜が積層されてなる反射防止層が配置されており、前記第１の薄膜の屈折率をｎ１、前記第２の薄膜の屈折率をｎ２、及び前記第３の薄膜の屈折率をｎ３とすると、各薄膜の屈折率は、ｎ２＞ｎ３≧ｎ１を満足することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の側面は、光を信号電荷に変換して蓄積する光電変換手段と、前記光電変換手段に前記光を集光するマイクロレンズと、前記マイクロレンズと前記光電変換手段との間に設けられた光導波路とを有する撮像素子の製造方法であって、前記光電変換手段が設けられた基板上に第１の薄膜を形成する工程と、前記第１の薄膜上に第２の薄膜を形成する工程と、前記第２の薄膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜に前記光導波路を形成するための開口部を形成する工程と、前記層間絶縁膜の前記開口部の内側に第３の薄膜を形成する工程と、前記第３の薄膜が形成された開口部を光導波路材料で埋め込んで前記光導波路を形成する工程と、前記光導波路の上に前記マイクロレンズを形成する工程と、を含み、前記第１の薄膜の屈折率をｎ１、前記第２の薄膜の屈折率をｎ２、及び前記第３の薄膜の屈折率をｎ３とすると、各薄膜の屈折率は、ｎ２＞ｎ３≧ｎ１を満足することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第３の側面は、撮像システムに係り、上記の撮像素子と、撮像素子の近傍に被写体像を結像する光学系と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ステム本体２０の上面にはレーザーダイオード４０が放出した光を検出するためのモニタ素子５０が搭載されている。モニタ素子５０も、ステム本体２０に取り付けられたサブマウント３４を介してステム本体２０に搭載されている。サブマウント３４の取り付け部は前方が低位となる傾斜凹部に形成されているので、サブマウント３４はステム本体２０の上面に対して傾斜させた状態で取り付けられる。モニタ素子５０もまた半導体素子により構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月4日(2009.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する低弾性樹脂部材と、
前記低弾性樹脂部材に形成され、前記外部接続用パッドが配設される貫通部と、を設け、
前記半導体チップと前記低弾性樹脂部材との第１の間隔を、前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記低弾性樹脂部材との間に前記アンダーフィル樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記低弾性樹脂部材の弾性率は、０．１ＭＰａ〜１００ＭＰａであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記外部接続用パッドの厚さは、前記低弾性樹脂部材の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記低弾性樹脂部材に、複数の前記外部接続用パッド間を電気的に接続する配線を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップと対向する側の前記配線の面は、前記低弾性樹脂部材に覆われていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面に配置された低弾性樹脂部材と、
前記低弾性樹脂部材に形成され、前記内部接続端子、前記アンダーフィル樹脂、及び前記外部接続用パッドが配置される貫通部と、を設け、
前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に位置する部分の前記貫通部に、前記内部接続端子及び前記アンダーフィル樹脂を配置したことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記低弾性樹脂部材の弾性率は、０．１ＭＰａ〜１００ＭＰａであることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記低弾性樹脂部材に、複数の前記外部接続用パッド間を電気的に接続する配線を設けたことを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップと対向する側の前記配線の面は、前記低弾性樹脂部材に覆われていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の一観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する低弾性樹脂部材と、
前記低弾性樹脂部材に形成され、前記外部接続用パッドが配設される貫通部と、を設け、
前記半導体チップと前記低弾性樹脂部材との第１の間隔を、前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記低弾性樹脂部材との間に前記アンダーフィル樹脂を充填したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の他の観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面に配置された低弾性樹脂部材と、
前記低弾性樹脂部材に形成され、前記内部接続端子、前記アンダーフィル樹脂、及び前記外部接続用パッドが配置される貫通部と、を設け、
前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に位置する部分の前記貫通部に、前記内部接続端子及び前記アンダーフィル樹脂を配置したことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
低弾性樹脂部材１１には、貫通部２１，２２が形成されている。貫通部２１は、低弾性樹脂部材１１の外周付近に形成されている。貫通部２１は、平面視略円形状とされている（図４参照）。貫通部２１は、平面視した状態において、貫通部２２よりも幅広形状とされている。貫通部２１は、外部接続用パッド１２を配設すると共に、電極パッド２８と対向する側の外部接続用パッド１２部分を露出している。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
擬似光源部となるアパーチャを有した灯体ケースと；
この灯体ケースに収容され多数個のＬＥＤを有して前記アパーチャに向けて光を出射する光源部と；
この光源部で蓋をされるように設けられる入り側開口及びこの入り側開口より小さく形成されて前記アパーチャに連続する出側開口を有して前記灯体ケースに収容され、前記光源部の光出力を前記アパーチャに集光させる光路を区画形成した導光管と；
この導光管の外側に位置して前記灯体ケースに収容されたＬＥＤ点灯回路と；
前記アパーチャを通過した光を集光して出射するレンズと；
前記光路以外の前記灯体ケース内とは区画されるとともに前記アパーチャを介して前記光路のみと連通するように前記灯体ケースに対して配置され前記アパーチャを通過した光を前記レンズに向けて導く導管を備えて、前記レンズと前記アパーチャとの間に出し入れ可能に配置された光形状付与ユニットと；
を具備したことを特徴とするスポットライト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、アパーチャでの光出力の効率を向上できるとともに、アパーチャの温度上昇を抑制できるスポットライトを提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に係る発明のスポットライトは、擬似光源部となるアパーチャを有した灯体ケースと；この灯体ケースに収容され多数個のＬＥＤを有して前記アパーチャに向けて光を出射する光源部と；この光源部で蓋をされるように設けられる入り側開口及びこの入り側開口より小さく形成されて前記アパーチャに連続する出側開口を有して前記灯体ケースに収容され、前記光源部の光出力を前記アパーチャに集光させる光路を区画形成した導光管と；この導光管の外側に位置して前記灯体ケースに収容されたＬＥＤ点灯回路と；前記アパーチャを通過した光を集光して出射するレンズと；前記光路以外の前記灯体ケース内とは区画されるとともに前記アパーチャを介して前記光路のみと連通するように前記灯体ケースに対して配置され前記アパーチャを通過した光を前記レンズに向けて導く導管を備えて、前記レンズと前記アパーチャとの間に出し入れ可能に配置された光形状付与ユニットと；を具備したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明では、光源部の各ＬＥＤから出射された光を導光管によりアパーチャに向けて集光させながら導くので、この導光管内面での光の反射により光の混合を促進させつつ、擬似光源となるアパーチャでの光出力の効率を向上でき、そして、アパーチャを通った光をレンズに集光させスポットライト光として外部に出射できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
又、光源部が有した各ＬＥＤはハロゲン電球や放電ランプに比較して輻射熱が少ないことに加えて、ＬＥＤ点灯回路を基点とする灯体ケース内での熱の対流が導光管を通ることを光源部によって抑制できるとともに、灯体ケース内に対し区画して配置された光形状付与ユニットが、灯体ケース内のＬＥＤ点灯回路が放出した熱を受け難いので、アパーチャの温度上昇を抑制できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のスポットライトによれば、アパーチャでの光出力の効率を向上できるとともに、アパーチャの温度上昇を抑制できる、という効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子と、この電子素子のマウントスペースを形成する側壁を有する絶縁性べース部材と、前記電子素子の表面側を密閉する封止部材とを具備するパッケージ本体、および前記絶縁性ベース部材に装着して前記電子素子と熱的結合した異方性熱伝導率を有する金属放熱部材の放熱体とからなり、前記放熱体は金属放熱部材の垂直方向を高熱伝導率方向（ｚ軸）として配置したことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
前記封止部材は透光性樹脂であり、前記電子素子は前記金属放熱部材上に搭載され、前記絶縁性ベース部材の配線パターンに電気的接続された光半導体素子であり、その発光を前記パッケージ本体の前方側に放射出力させ、その発熱を前記金属放熱部材の異方性熱伝導率の垂直方向に誘導して前記放熱体の後方側から熱放散させることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項３】
電子素子と、その電子素子のマウントスペースを形成する側壁を有する絶縁性べース部材と、前記電子素子の表面側を密閉する封止部材とを具備する複数個のパッケージ本体部を縦列ｙ軸状に配列したパッケージアレイ体と、異方性熱伝導率を有する金属放熱部材を前記絶縁性ベース部材に装着して前記電子素子と熱的結合した単一の放熱体とからなり、前記金属放熱部材は垂直方向に高熱伝導率方向（ｚ軸）、水平方向に低熱伝導率方向（ｘ−ｙ軸）を配置した電子部品用パッケージ。
【請求項４】
前記放熱体は金属放熱部材が前記パッケージ本体部の隣り合った境界に溝または切欠き等の熱抵抗手段を具備し、前記金属放熱部材を水平方向に熱伝導抵抗を付与したことを特徴とする請求項３に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項５】
前記パッケージアレイ体が横列ｘ軸状に複数個を配列したパッケージマトリクス体であり、このパッケージマトリクス体に前記放熱体を装着したことを特徴とする請求項３または４に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項６】
前記絶縁性ベース部材は、配線パターンを有するセラミック基板部と前記マウントスペースを形成するセラミック側壁部とを合体したパッケージ本体を有し、このパッケージ本体に光半導体素子を収容し、前記セラミック基板部の裏面側に前記金属放熱部材の単一の放熱体を装着したことを特徴とする請求項１ないし５に記載の電子部品用パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円周状に構成され上端側開口および下端側開口を有する第１の磁極および電磁コイルを備える第１の磁場レンズと、
円周状に構成され上端側開口および下端側開口を有する第２の磁極および電磁コイルを備え、前記第１の磁場レンズの光軸方向の下側に隣接される第２の磁場レンズと、を有する荷電粒子線装置において、
前記第１の磁極の下端側開口のボア径は、前記第１の磁極の上端側開口のボア径、前記第２の磁極の上端側開口のボア径、および、前記第２の磁極の下端側開口のボア径のいずれよりも大きいことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項２】
前記第２の磁極の上端側開口のボア径は、前記第１の磁極の上端側開口のボア径、前記第１の磁極の下端側開口のボア径、および、前記第２の磁極の下端側開口のボア径のいずれよりも小さい請求項１記載の荷電粒子線装置。
【請求項３】
前記第１の磁極の上端側開口のボア径と前記第２の磁極の下端側開口のボア径とは等しい請求項１または２記載の荷電粒子線装置。
【請求項４】
前記第２の磁極の上端側開口のボア径は前記第２の磁極の下端側開口のボア径より小さく、前記第２の磁極の上端側開口のボア径と前記第２の磁極の下端側開口のボア径との差の絶対値と、前記第１の磁極の下端側開口のボア径と前記第１の磁極の上端側開口のボア径との差の絶対値とは等しい請求項３に記載の荷電粒子線装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置は、荷電粒子線を用いて被露光基板を露光する露光装置であることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
請求項５に記載の露光装置を用いて前記被露光基板に露光を行う工程と、露光された前記被露光基板を現像する工程と、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記の目的を達成するため、本発明の荷電粒子線装置は、円周状に構成され上端側開口および下端側開口を有する第１の磁極および電磁コイルを備える第１の磁場レンズと、円周状に構成され上端側開口および下端側開口を有する第２の磁極および電磁コイルを備え、前記第１の磁場レンズの光軸方向の下側に隣接される第２の磁場レンズと、を有し、前記第１の磁極の下端側開口のボア径は、前記第１の磁極の上端側開口のボア径、前記第２の磁極の上端側開口のボア径、および、前記第２の磁極の下端側開口のボア径のいずれよりも大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
基板の上に、第１の窒化物半導体層、前記第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層及びｐ型の第３の窒化物半導体層を順次形成する工程（ａ）と、
前記第３の窒化物半導体層におけるゲート電極形成領域を除く部分であって、その上部を選択的に除去することにより、前記第３の窒化物半導体層から前記ゲート電極形成領域を形成する工程（ｂ）と、
前記ゲート電極形成領域の両側方の領域であって、前記第３の窒化物半導体層の残部、前記第２の窒化物半導体層及び前記第１の窒化物半導体の上部を選択的に除去することにより、凹状のソースドレイン電極形成領域を形成する工程（ｃ）と、
前記ソースドレイン形成領域に金属膜を形成することにより、前記第２の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体層の界面とそれぞれに接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程（ｄ）と、
前記ゲート電極形成領域の上にゲート電極を形成する工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする窒化物半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明に係る第２の窒化物半導体装置の製造方法は、基板の上に、第１の窒化物半導体層、第１の窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きい第２の窒化物半導体層及びｐ型の第３の窒化物半導体層を順次形成する工程（ａ）と、第３の窒化物半導体層におけるゲート電極形成領域を除く部分であって、その上部を選択的に除去することにより、第３の窒化物半導体層からゲート電極形成領域を形成する工程（ｂ）と、ゲート電極形成領域の両側方の領域であって、第３の窒化物半導体層の残部、第２の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体の上部を選択的に除去することにより、凹状のソースドレイン電極形成領域を形成する工程（ｃ）と、ソースドレイン形成領域に金属膜を形成することにより、第２の窒化物半導体層及び第１の窒化物半導体層の界面とそれぞれに接するソース電極及びドレイン電極を形成する工程（ｄ）と、ゲート電極形成領域の上にゲート電極を形成する工程（ｅ）とを備えていることを特徴とする。