【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電構造体を製造する方法であって、
-第一の熱電材料（２０）から成る複数の第一の熱電層の生成
-第二の熱電材料（３０）から成る複数の第二の熱電層の生成
-第一と第二の熱電層を交互に配置し、
-それぞれが、少なくとも一つの第一初期層（２）と少なくとも一つの第二初期層（３，４）を含む第一および/または第二の熱電層を形成する、熱電構造体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第一および/または第二の熱電層を生成する際に、第一と第二の熱電層の間に、第一および第二の熱電材料（２０，３０）を含む中間層（５０）を生成することを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第一および第二初期層（２，３，４）の生成が、５０℃から２５０℃の温度でなされることを特徴とする方法。
【請求項４】
先行する請求項のいずれか一項において、第一および第二初期層（２，３，４）がスパッタリング、蒸着または分子線エピタキシャル成長により生成することを特徴とする方法。
【請求項５】
熱電構造体を製造する方法であって、
-第一の熱電材料（２０）から成る複数の第一の熱電層を生成する工程と、
-第二の熱電材料（３０）から成る複数の第二の熱電層を生成する工程を備え、
-前記第一の熱電層と第二の熱電層とが交互に配置されることで、
-第一と第二の熱電材料（２０，３０）から成る中間層（５０）を第一の熱電層と第二の熱電層の間に生成し
-この第一および/または第二の熱電材料（２０，３０）は、周期律表の第５の主族内の元素の少なくとも一つと、第６の主族内の元素の少なくとも一つとの化合物である。
【請求項６】
請求項５において、前記第一と第二の熱電層をスパッタリングで生成することを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６において、基材を  第一のスパッター・ターゲットの付着領域と第二のスパッター・ターゲットの付着領域とに交互に移動させることにより、前記第一と第二の熱電層を基材の上に生成することを特徴とする方法。
【請求項８】
次のような層構造を持つ熱電構造体 ：
-第一の熱電材料(２０)から成る複数の第一の熱電層と、
-第二の熱電材料(３０)から成る複数の第二の熱電層とを備え、
-前記第一の熱電層と第二の熱電層が交互に配置され、かつ
-第一と第二の熱電層の間に、第一と第二の熱電材料（２０，３０）から成る中間層（５０）を生成し、
前記第一および/または第二の熱電材料（２０，３０）が、周期律表の第５の主族内の少なくとも一つの元素と周期律表の第６の主族内の少なくとも一つの元素との化合物である。
【請求項９】
請求項８において、前記第一の材料（２０）がテルル化ビスマスまたはセレン化ビスマスであることを特徴とする熱電構造体。
【請求項１０】
請求項８または９において、前記第二の材料（３０）が、テルル化アンチモンまたはテルル化アンチモン-ビスマスであることを特徴とする熱電構造体。
【請求項１１】
熱電構造体を製造する方法であって、
-第一の熱電材料（２０）から成る複数の第一の熱電層を生成する工程と、
-第二の熱電材料（３０）から成る複数の第二の熱電層を生成する工程を備え、
-前記第一の熱電層と第二の熱電層とが交互に配置されることで、
-第一と第二の熱電材料（２０，３０）から成る中間層（５０）を第一の熱電層と第二の熱電層の間に生成し
-この第一および/または第二の熱電材料（２０，３０）は、周期律表の第５の主族内の元素の少なくとも一つと、第６の主族内の元素の少なくとも一つとの化合物、または第４の主族の元素の少なくとも一つと、第６の主族内の元素の少なくとも一つとの化合物であり、
基材を第一のスパッター・ターゲットの付着領域と第二のスパッター・ターゲットの付着領域とに交互に移動させることにより、前記第一と第二の熱電層を基材の上に生成することを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
とりわけ、第一と第二の熱電層の間に中間層を生成するこの方法において、他の初期層、例えばテルル層の代わりにセレン層を使用して中間層を生成することもできる。
上記の実施形態はつぎの態様１〜２０を含む。
[態様１]（出願当初の請求項４）
前記第一および/または第二の熱電層の生成が第一及び第二初期層（２，３，４）の焼き戻しを含み、前記初期層は１００℃以上、特に２００℃以上、または１００℃から５００℃の間、特に２００℃から５００℃の温度にさらされる。
[態様２]（同請求項５）
前記焼き戻しより、第一及び第二の熱電層の間に、同時に中間層（５０）を生成する。
[態様３]（同請求項６）
前記第一初期層（２）が周期律表の第６の主族内の少なくとも一つの元素から成り、第二初期層（３，４）が周期律表の第５の主族内の少なくとも一つの元素から成る。
[態様４]（同請求項７）
前記第一の熱電層の一つを生成するために、第５の主族の元素がビスマス、第６の主族の元素がテルル（Ｔｅ）であり、第一の熱電層がテルル化ビスマスにより生成される。
[態様５]（同請求項８）
前記第二の熱電層の一つを生成するために、第５の主族の元素がアンチモン（Ｓｂ）またはアンチモンとビスマス（Ｂｉ）であり、第６の主族の元素がテルル（Ｔｅ）であり、第一の熱電層がテルル化アンチモン-ビスマスにより生成される。
[態様６]（同請求項１０）
基材を第一のスパッター・ターゲットの付着領域と第二のスパッター・ターゲットの付着領域との間で交互に移動させて、前記第一および第二初期層（２，３，４）を基材の上に生成する。
[態様７]（同請求項１１）
前記第一スパッター・ターゲットが第一初期層の材料、前記第二スパッター・ターゲットが第二初期層の材料である。
[態様８]（同請求項１２）
前記基材を回転させ、第一のスパッター・ターゲットの付着領域と第二のスパッター・ターゲットの付着領域を交互に通過させる。
[態様９]（同請求項１３）
前記第一と第二初期層の厚さがそれぞれ、３nm以上、５nm以上または１０nm以上である。
[態様１０]（同請求項１７）
前記第一と第二のスパッター・ターゲットが混合ターゲットであり、第一のスパッター・ターゲットが、周期律表の第５の主族内の少なくとも一つの元素と第６の主族内の少なくとも一つの元素とからなる第一の化合物を含み、第二のスパッター・ターゲットが前記第一の化合物と異なる成分の第二の化合物を含む。
[態様１１]（同請求項１８）
前記第一の化合物がテルル化ビスマス、第二の化合物がテルル化アンチモンまたはテルル化アンチモン-ビスマスである。
[態様１２]（同請求項１９）
前記第一と第二の熱電層の生成を２０℃から３００℃の間で行う。
[態様１３]（同請求項２０）
前記第一と第二の熱電層を、生成後に焼き戻し工程、特に１００℃以上、２００℃以上または３００℃以上に加熱した焼き戻し工程にかける。
[態様１４]（同請求項２１）
前記第一の熱電材料（２０）がシリコン（Ｓｉ）で、第二の熱電材料（３０）がゲルマニウム（Ｇｅ）である。
[態様１５]（同請求項２３）
前記第一と第二の熱電層が規則格子を生成する。
[態様１６]（同請求項２４）
前記中間層の厚みが３nm以上である。
[態様１７]（同請求項２８）
前記第一および/または第二の熱電材料（２０，３０）が、周期律表の第４の主族内の少なくとも一つの元素と周期律表の第６の主族内の少なくとも一つの元素との化合物である。
[態様１８]（同請求項２９）
前記第一の材料（２０）がシリコン（Ｓｉ）であり、第二の材料（３０）がゲルマニウム（Ｇｅ）である。
[態様１９]（同請求項３０）
前記第一の熱電層と第二の熱電層が互いに隣接し、第一の熱電層の第一の材料が、隣接する第二の熱電層に拡散、あるいは、逆に第二の熱電層の第二の材料が、隣接する第一の熱電層に拡散する。
[態様２０]（同請求項３１）
前記第一および第二の熱電層は、全体の厚さが約５−２０μmの層構造体である。