【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エピタキシャル酸化物膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが５°未満である
ことを特徴とするエピタキシャル酸化物膜。
【請求項２】
前記エピタキシャル酸化物膜中に、前記Ａドメイン及び前記Ｂドメインに加えて、Ｃドメイン及びＤドメインを更に有し、これらのドメインの結晶方位にズレがあり、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが５°未満である請求項１に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項３】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが２°未満である請求項１に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項４】
前記エピタキシャル酸化物膜中に、前記Ａドメイン及び前記Ｂドメインに加えて、Ｃドメイン及びＤドメインを更に有し、これらのドメインの結晶方位にズレがあり、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが２°未満である請求項３に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項５】
少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル酸化物膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインとＣドメインとＤドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインおよび前記Ｂドメインは［００１］配向であり、前記Ｃドメインおよび前記Ｄドメインは［１００］配向であり、
前記Ａドメインと前記Ｃドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝であり、
前記Ｂドメインと前記Ｄドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝である
ことを特徴とするエピタキシャル酸化物膜。
【請求項６】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが５°未満であり、かつ前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが５°未満であることを特徴とする請求項５に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項７】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが２°未満であり、かつ前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが２°未満であることを特徴とする請求項５に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項８】
チタン酸鉛もしくはジルコン酸チタン酸鉛を主成分とする請求項３に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項９】
チタン酸鉛もしくはジルコン酸チタン酸鉛を主成分とする請求項４または７に記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項１０】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレをＸ°、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインの結晶方位のズレをＹ°とした場合
Ｘ＝Ｙ
の関係を満たす請求項２、４乃至７、及び９のいずれかに記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項１１】
少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル膜である酸化物膜において、
前記Ａドメインの［１００］方位の膜面内方向ベクトル成分と前記Ｂドメインの［００１］方位の膜面内方向ベクトル成分との膜面内方向の回転ズレをＶ°、前記Ｃドメインの［００１］方位の面内方向ベクトル成分と前記Ｄドメインの［１００］方位の膜面内方向ベクトル成分との膜面内方向の回転ズレをＷ°とした場合、
０＜Ｖ＝Ｗ≦４５
の関係を満たす請求項２、４乃至７、９、及び１０のいずれかに記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項１２】
膜厚が０．６μｍ以上である請求項１乃至１１のいずれかに記載のエピタキシャル酸化物膜。
【請求項１３】
エピタキシャル酸化物膜からなる圧電膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが５°未満である
ことを特徴とする圧電膜。
【請求項１４】
前記エピタキシャル酸化物膜中に、前記Ａドメイン及び前記Ｂドメインに加えて、Ｃドメイン及びＤドメインを更に有し、これらのドメインの結晶方位にズレがあり、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが５°未満である請求項１３に記載の圧電膜。
【請求項１５】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが２°未満である請求項１３に記載の圧電膜。
【請求項１６】
前記エピタキシャル酸化物膜中に、前記Ａドメイン及び前記Ｂドメインに加えて、Ｃドメイン及びＤドメインを更に有し、これらのドメインの結晶方位にズレがあり、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが２°未満である請求項１５に記載の圧電膜。
【請求項１７】
少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル酸化物膜からなる圧電膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインとＣドメインとＤドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインおよび前記Ｂドメインは［００１］配向であり、前記Ｃドメインおよび前記Ｄドメインは［１００］配向であり、
前記Ａドメインと前記Ｃドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝であり、
前記Ｂドメインと前記Ｄドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝である
ことを特徴とする圧電膜。
【請求項１８】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが５°未満であり、かつ前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが５°未満であることを特徴とする請求項１７に記載の圧電膜。
【請求項１９】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレが２°未満であり、かつ前記Ｃドメインと前記Ｄドメインとの結晶方位のズレが２°未満であることを特徴とする請求項１７に記載の圧電膜。
【請求項２０】
前記エピタキシャル酸化物膜の主成分がチタン酸鉛もしくはジルコン酸チタン酸鉛である請求項１５に記載の圧電膜。
【請求項２１】
前記エピタキシャル酸化物膜の主成分がチタン酸鉛もしくはジルコン酸チタン酸鉛である請求項１６または１９に記載の圧電膜。
【請求項２２】
前記Ａドメインと前記Ｂドメインの結晶方位のズレをＸ°、前記Ｃドメインと前記Ｄドメインの結晶方位のズレをＹ°とした場合
Ｘ＝Ｙ
の関係を満す請求項１４、１６乃至１９、及び２１のいずれかに記載の圧電膜。
【請求項２３】
前記エピタキシャル酸化物膜が、少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル膜である酸化物膜であって、
前記Ａドメインの［１００］方位の膜面内方向ベクトル成分と前記Ｂドメインの［００１］方位の膜面内方向ベクトル成分との膜面内方向の回転ズレをＶ°、前記Ｃドメインの［００１］方位の面内方向ベクトル成分と前記Ｄドメインの［１００］方位の膜面内方向ベクトル成分との膜面内方向の回転ズレをＷ°とした場合、
０＜Ｖ＝Ｗ≦４５
の関係を満たす請求項１４、１６乃至１９、２１、及び２２のいずれかに記載の圧電膜。
【請求項２４】
９０°ドメイン構造を有する請求項１３乃至２３のいずれかに記載の圧電膜。
【請求項２５】
膜厚が０．６μｍ以上である請求項１３乃至２４のいずれかに記載の圧電膜。
【請求項２６】
請求項１３乃至２５のいずれかに記載の圧電膜と、該圧電膜に接する一対の電極と、を有することを特徴とする圧電膜素子。
【請求項２７】
吐出口と、吐出口に連通する個別液室と、該個別液室に対応して設けられた圧電素子と、前記個別液室と前記圧電素子との間に設けられた振動板とを有し、前記振動板により生じる前記個別液室内の体積変化によって前記個別液室内の液体を前記吐出口から吐出する液体吐出ヘッドであって、
前記圧電素子が請求項２６に記載の圧電膜素子であることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２８】
請求項２７記載の液体吐出ヘッドを有することを特徴とする液体吐出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明のエピタキシャル酸化物膜の他の態様は、
少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル酸化物膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインとＣドメインとＤドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインおよび前記Ｂドメインは［００１］配向であり、前記Ｃドメインおよび前記Ｄドメインは［１００］配向であり、
前記Ａドメインと前記Ｃドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝であり、
前記Ｂドメインと前記Ｄドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝である
ことを特徴とするエピタキシャル酸化物膜である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の圧電膜の他の態様は、
少なくとも正方晶を有し、＜１００＞配向のエピタキシャル酸化物膜からなる圧電膜において、
一般式ＡＢＯ3で表わされるペロブスカイト複合酸化物から成り、
互いに結晶方位のズレを有するＡドメインとＢドメインとＣドメインとＤドメインを少なくとも有し、
前記Ａドメインおよび前記Ｂドメインは［００１］配向であり、前記Ｃドメインおよび前記Ｄドメインは［１００］配向であり、
前記Ａドメインと前記Ｃドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝であり、
前記Ｂドメインと前記Ｄドメインは少なくとも双晶の鏡像関係を有し、前記双晶の双晶面が｛１１０｝である
ことを特徴とする圧電膜である。