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【手続補正書】
【提出日】平成21年10月29日(2009.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされることを特徴とする配電用アモルファス変圧器。
【請求項２】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
鉄心成形後の焼鈍時の磁界強度が８００Ａ／ｍ以上であることを特徴とする配電用アモルファス変圧器。
【請求項３】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
前記アモルファス合金薄帯は、焼鈍後の飽和磁束密度が１．６０Ｔ以上である配電用アモルファス変圧器。
【請求項４】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
前記アモルファス合金薄帯のフリー面及びロール面、表面から内部にかけてＣの濃度分布を測定すると、２〜２０ｎｍの深さの範囲内にＣの濃度分布のピーク値が存在する配電用アモルファス変圧器。
【請求項５】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
前記鉄心は、焼鈍後の外部磁界８０Ａ／ｍの磁束密度が１．５５Ｔ以上である配電用アモルファス変圧器。
【請求項６】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
前記鉄心は、焼鈍後の磁束密度１．４Ｔ，周波数５０Ｈｚでのトロイダル試料の鉄損Ｗ１４／５０が０．２８Ｗ／Ｋｇ以下である配電用アモルファス変圧器。
【請求項７】
アモルファス合金薄帯からなる鉄心と巻線を備えた配電用アモルファス変圧器において、
前記アモルファス合金薄帯は、アモルファス合金が合金組成ＦｅａＳｉｂＢｃＣｄ（Ｆｅ鉄、Ｓｉ珪素、Ｂホウ素、Ｃ炭素）で表され、原子％で８０≦ａ≦８３％、０＜ｂ≦５％、１２≦ｃ≦１８％、０．０１≦ｄ≦３％及び不可避不純物からなり、
さらに、Ｓｉ量ｂとＣ量ｄが、ｂ≦（０．５×ａ−３６）×ｄ１／３を満足し、
前記鉄心は、鉄心成形後の焼鈍時の鉄心中心部温度が３００〜３４０℃で、３０〜１５０分の保持時間となる焼鈍処理がなされ、
前記鉄心は、焼鈍後の破壊歪εが０．０２０以上である配電用アモルファス変圧器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２９４２０８号公報（特願２００４−１１１１８４号明細書）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、下記に示す一般式１で表されるイソキノリン系化合物と、一般式２で表されるイミダゾール系化合物とを含んでなる、３０℃での粘度が５０ｃＰ以下であるイオン液体により前記課題を解決するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によるイオン液体、即ち、前記一般式１で表されるイソキノリン系化合物と、一般式２で表されるイミダゾール系化合物とを含んでなる、３０℃での粘度が５０ｃＰ以下であるイオン液体は、これを電解質としてＥＤＬＣに適用したとき、静電容量の高いＥＤＬＣを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出力される光を略平行光にするコリメートレンズと、
前記略平行光を情報媒体へ集光させる集光レンズと、
前記集光レンズの位置を変化させる駆動部と、
前記コリメートレンズに設けられた熱伝導部材と、
前記コリメートレンズを固定するベースと、
を備えた光ピックアップ装置であって、
前記熱伝導部材の少なくとも一部は前記コリメートレンズの外周部に設けられ、
さらに前記熱伝導部材の一部は前記ベースに設けられていることを特徴とする、光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記駆動部は、前記集光レンズの位置を変化させるコイル部および磁石を備え、
前記熱伝導部材の少なくとも一部は、前記コリメートレンズの前記コイル部側に設けられている、請求項１に記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記熱伝導部材の熱伝導率は、前記コリメートレンズの熱伝導率よりも高い、請求項１または２に記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記熱伝導部材の熱伝導率は約１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である、請求項１から３のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記コリメートレンズを摺動させる摺動部をさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の光ピックアップ装置と、
前記情報媒体を回転させるモーターと、
前記駆動部を制御するための制御部と
を備えた、光ディスク装置。
【請求項７】
光を出力する光源と、
前記光源から出力された前記光を略平行光にするコリメートレンズと、
前記略平行光を情報媒体へ集光させる集光レンズと、
前記光源を駆動する駆動部と、
前記コリメートレンズに設けられた熱伝導部材と、
前記コリメートレンズを固定するベースと、
を備えた光ピックアップ装置であって、
前記熱伝導部材の少なくとも一部は前記コリメートレンズの外周部に設けられ、
さらに前記熱伝導部材の一部は前記ベースに設けられていることを特徴とする、光ピックアップ装置。
【請求項８】
前記熱伝導部材の少なくとも一部は、前記コリメートレンズの前記駆動部側に設けられている、請求項７に記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
前記熱伝導部材の熱伝導率は、前記コリメートレンズの熱伝導率よりも高い、請求項７または８に記載の光ピックアップ装置。
【請求項１０】
前記熱伝導部材の熱伝導率は約１Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である、請求項７から９のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項１１】
前記コリメートレンズを摺動させる摺動部をさらに備える、請求項７から１０のいずれかに記載の光ピックアップ装置。
【請求項１２】
請求項７から１１のいずれかに記載の光ピックアップ装置と、
前記情報媒体を回転させるモーターと、
前記駆動部を制御するための制御部と
を備えた、光ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の光ピックアップ装置は、光源から出力される光を略平行光にするコリメートレ
ンズと、前記略平行光を情報媒体へ集光させる集光レンズと、前記集光レンズの位置を変
化させる駆動部と、前記コリメートレンズに設けられた熱伝導部材と、前記コリメートレンズを固定するベースとを備えた光ピックアップ装置であって、前記熱伝導部材の少なくとも一部は前記コリメートレンズの外周部に設けられ、さらに前記熱伝導部材の一部は前記ベースに設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の光ピックアップ装置は、光を出力する光源と、前記光源から出力された前記光
を略平行光にするコリメートレンズと、前記略平行光を情報媒体へ集光させる集光レンズ
と、前記光源を駆動する駆動部と、前記コリメートレンズに設けられた熱伝導部材と、前記コリメートレンズを固定するベースとを備えた光ピックアップ装置であって、前記熱伝導部材の少なくとも一部は前記コリメートレンズの外周部に設けられ、さらに前記熱伝導部材の一部は前記ベースに設けられていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オゾンにより表面に酸化膜が形成されたシリコンウエハを、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリンのうちいずれか一種以上の薬品と過酸化水素との混合液で洗浄することを特徴とする、シリコンウエハの洗浄方法。
【請求項２】
前記酸化膜の初期厚さ未満の厚みの酸化膜をアンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム、コリンのうちいずれか一種以上の薬品と過酸化水素との混合液で洗浄してエッチングすることを特徴とする、シリコンウエハの洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の表面に搭載された電子部品と、
前記配線基板の表面に設けられ、前記電子部品を封止する封止樹脂とを備え、
以下の数式１を用いて算出された前記封止樹脂の平均線膨張係数αが、１７×１０-６/℃以上１１０×１０-６/ ℃以下であることを特徴とする電子部品内蔵モジュール。
α＝｛α１×（Ｔｇ−Ｔｒ）＋α２×（Ｔｐ−Ｔｇ）｝／（Ｔｐ−Ｔｒ）・・・数式１
ここで、数式１において、
α１；ガラス転移温度以下の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
α２；ガラス転位温度以上の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
Ｔｇ；前記封止樹脂のガラス転移温度
Ｔｒ；室内温度
Ｔｐ；リフローにおけるピーク温度、である
【請求項２】
前記電子部品を前記配線基板の表面に電気的に接続する半田を備えている請求項１に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項３】
前記電子部品は、コンデンサ、抵抗およびコイルから選択された少なくとも１つである請求項１または２に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項４】
前記封止樹脂には、無機フィラーが含まれており、
前記封止樹脂に対する前記無機フィラーの含有量は、質量に換算して、７０％以上９０％以下である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項５】
前記無機フィラーは、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＢＮ、ＡｌＮおよびＳｉＯ2から選択された少なくとも１つを含んでいる請求項４に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項６】
前記封止樹脂の粘度が、２５℃において５０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下であり、
前記封止樹脂のチクソ比が、２５℃において０．８以上１．５以下である請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項７】
前記封止樹脂は、エポキシ樹脂およびシリコーン樹脂から選択された少なくとも１つを含む請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項８】
前記配線基板は、樹脂配線基板である請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項９】
前記配線基板は、セラミック配線基板である請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュール。
【請求項１０】
配線基板の表面に電子部品を搭載する搭載工程と、
前記配線基板の表面に封止樹脂を設け、前記電子部品を封止する封止工程とを備え
前記封止工程では、前記封止樹脂として、以下の数式１を用いて算出された平均線膨張係数αが１７×１０-６/ ℃以上１１０×１０-６/ ℃以下である樹脂を用いることを特徴とする電子部品内蔵モジュールの製造方法。
α＝｛α１×（Ｔｇ−Ｔｒ）＋α２×（Ｔｐ−Ｔｇ）｝／（Ｔｐ−Ｔｒ）・・・数式１
ここで、数式１において、
α１；ガラス転移温度以下の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
α２；ガラス転位温度以上の温度における前記封止樹脂の線膨張係数の値
Ｔｇ；前記封止樹脂のガラス転移温度
Ｔｒ；室内温度
Ｔｐ；リフローにおけるピーク温度、である
【請求項１１】
前記搭載工程では、半田を用いて、前記配線基板の表面に前記電子部品を電気的に接続する請求項１０に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１２】
酸素およびアルゴンガスから選択された少なくとも１つを含むガスを用いてプラズマを発生させ、該プラズマを用いて前記配線基板の表面を洗浄する洗浄工程を備えている請求項１０または１１に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１３】
前記封止工程では、印刷法により前記配線基板の表面に前記封止樹脂を設けることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１４】
前記封止工程では、減圧下で前記電子部品および前記半田を封止することを特徴とする請求項１１に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【請求項１５】
前記搭載工程では、所定形状の配線が形成された領域が表面に複数存在する母材基板を前記配線基板として用い、複数の該領域内の該所定形状の配線にそれぞれ複数個の前記電子部品を電気的に接続し、
前記封止工程の後に、前記母材基板を前記領域ごとに分割して一枚の前記母材基板から複数個の電子部品内蔵モジュールを製造する分割工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１０から１４のいずれか１項に記載の電子部品内蔵モジュールの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月7日(2009.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極が埋設されたチップの表面に設けられ、前記ゲート電極に接続された複数のゲート接続線、及び
前記ゲート接続線と接触可能に配設され、前記ゲート接続線に接続された前記ゲート電極を複数の領域毎に通電制御する複数のゲート配線、
を具備する半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート接続線がチップ表面において並行に配線された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
チップ表面において、少なくとも２つのゲート配線が互いに絶縁状態を保持して配設され、いずれかの前記ゲート配線が複数の前記ゲート接続線のいずれかと電気的に接続された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
並行に配線された前記ゲート接続線が、所定本数毎に複数の前記ゲート電極に順次接続された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
並行に配線された前記ゲート接続線が、１本毎に２つのゲート電極に交互に接続された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ゲート配線により通電制御される前記ゲート電極が、チップ表面において２つの領域に分割された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート配線により通電制御される前記ゲート電極が、チップ表面における中央領域とその周りの外周領域に分割された請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
チップ表面の温度検出を行う温度検出手段が設けられた請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記中央領域と前記外周領域の表面温度の検出を行う温度検出手段が設けられ、前記中央領域と前記外周領域の表面温度を所定温度に制御する回路を有する請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記中央領域の表面温度の検出を行う第１の温度検出手段と、
前記外周領域の表面温度の検出を行う第２の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段と前記第２の温度検出手段の出力を比較する比較検出回路と、
前記比較検出回路からの信号に基づき、前記ゲート配線への印加電圧を制御するゲート電圧制御回路と、
をさらに具備する請求項１に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法において、
前記ポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像し、
撮像された映像信号の青色成分の信号強度特性を得、前記信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーを前記レーザ光の最適エネルギーとするようにした
レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法。
【請求項２】
請求項１記載のレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法において、
前記青色成分の信号強度特性は、前記レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー密度を順次所定量変えて複数個所に照射して複数のポリシリコン膜の測定パターンを形成し、前記複数の測定パターンの前記青色成分信号の信号強度より得るようにした
レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法。
【請求項３】
アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置において、
前記ポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段より映像信号の青色成分の信号強度特性を得る信号強度特性形成手段と、
前記信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーを最適エネルギーと決定する決定手段とを有する
レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置。
【請求項４】
アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置において、
前記ポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像手段を用いて撮像し、
前記撮像手段の映像信号の青色成分の信号強度特性を得、前記信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーを前記レーザ光の最適エネルギーとするようにしたレーザアニール装置。
【請求項５】
アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、
前記ポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像し、
撮像された映像信号の青色成分の信号強度特性を得、前記信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーを前記レーザ光のエネルギーに決定し、
決定された前記エネルギーで前記アモルファスシリコン膜に前記レーザ光を照射して前記ポリシリコン膜を得る
薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法、レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置及びレーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の製造等に用いられるレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法、レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置、レーザアニール装置及び薄膜トランジスタの製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定方法において、このポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像し、撮像された映像信号の青色成分の信号強度特性を得、この信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをこのレーザ光の最適エネルギーとするようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明レーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置のレーザ光のエネルギー決定装置において、このポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像する撮像手段と、この撮像手段より映像信号の青色成分の信号強度特性を得る信号強度特性形成手段と、この信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーを最適エネルギーと決定する決定手段とを有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明レーザアニール装置は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置において、このポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像手段を用いて撮像し、この撮像手段の映像信号の青色成分の信号強度特性を得、この信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをこのレーザ光の最適エネルギーとするようにしたものである。
本発明薄膜トランジスタの製造方法は、アモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るレーザアニール装置を用いた薄膜トランジスタの製造方法において、ポリシリコン膜の表面からの暗視野経路の散乱光を撮像し、撮像された映像信号の青色成分の信号強度特性を得、この信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをレーザ光のエネルギーに決定し、決定されたエネルギーでアモルファスシリコン膜にレーザ光を照射してポリシリコン膜を得るものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明によれば、青色成分の信号強度特性を得、この信号強度特性の第１及び第２の極大値間の極小値に対応するエネルギーの近傍のエネルギーをこのレーザ光の最適エネルギーとするようにしているので、グレーンサイズの良好なポリシリコン膜を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャッピング層を有する光学素子が配置された容器を備えていて、前記光学素子を使って基板を露光する露光装置であって、
前記キャッピング層を補修するための材料を前記容器内に供給する供給部と、
前記光学素子に電磁波を提供する提供部と、
を備え、前記電磁波によって前記材料に光化学反応を起こさせることにより前記キャッピング層上に層を成長させて前記キャッピング層を補修することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
基板を露光する露光モードと、前記キャッピング層を補修する補修モードとを有し、前記補修モードにおいて、前記供給部が前記容器内に前記材料を供給するとともに前記提供部が前記光学素子に電磁波を提供することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記提供部は、前記光学素子に電磁波を照射する際の照射条件を調整する照射条件調整部を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記照射条件は、前記電磁波の波長、照射強度、照射領域の少なくとも１つに関することを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記供給部は、前記材料が前記光学素子に供給される際の供給条件を調整する供給条件調整部を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記供給条件は、前記供給部から前記容器内に供給される前記材料が前記光学素子に供給される位置及び領域並びに前記材料の種類及び量の少なくとも１つに関することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記キャッピング層の状態を計測する計測部と、
前記計測部による計測結果に基づいて前記キャッピング層の補修のための動作を制御する制御部と、
を更に備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記計測部による計測結果に基づいて前記キャッピング層の補修条件を決定することを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記計測部による計測結果に基づいて前記キャッピング層の補修の完了を判断することを特徴とする請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記電磁波は、基板を露光するための露光光を発生する光源が発生する光であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記計測部は、計測光を使って前記キャッピング層の状態を計測するように構成され、
前記電磁波及び前記計測光は、基板を露光するための露光光を発生する光源が発生する光であることを特徴とする請求項８又は９に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記光源は、ＥＵＶ光源であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記ＥＵＶ光源は、波長が１１ｎｍ以上かつ１５ｎｍ以下の範囲内の光を発生することを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記キャッピング層が炭素で構成されていることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記材料が炭素を含む物質であることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記容器内における前記炭素を含む物質のガス分圧が１．５×１０−８Ｐａ以上かつ１．０×１０−２Ｐａ以下の範囲内に制御されることを特徴とする請求項１５に記載の露光装置。
【請求項１７】
キャッピング層を有する光学素子が配置された容器を備える露光装置の制御方法であって、
前記光学素子を使って基板を露光する露光工程と、
前記キャッピング層を補修するための材料を前記容器内に供給するとともに、前記光学素子に電磁波を提供し、前記電磁波によって前記材料に光化学反応を起こさせることにより前記キャッピング層上に層を成長させて前記キャッピング層を補修する補修工程と、
を含むことを特徴とする露光装置の制御方法。
【請求項１８】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する露光工程と、
前記基板を現像する現像工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１９】
デバイス製造方法であって、
キャッピング層を有する光学素子が配置された容器を備えていて、前記光学素子を使って基板を露光する露光装置によって基板を露光する露光工程と、
前記基板を現像する現像工程と、
前記キャッピング層を補修するための材料を前記容器内に供給するとともに、前記光学素子に電磁波を提供し、前記電磁波によって前記材料に光化学反応を起こさせることにより前記キャッピング層上に層を成長させて前記キャッピング層を補修する補修工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の好適な実施形態によれば、前記供給部は、前記材料が前記光学素子に供給される際の供給条件を調整する供給条件調整部を含むことが好ましい。前記供給条件は、例えば、前記供給部から前記容器内に供給される前記材料が前記光学素子に供給される位置及び領域並びに前記材料の種類及び量の少なくとも１つに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間に液体が満たされた状態で前記基板を露光する液浸露光装置であって、
前記投影光学系と前記基板との間に液体を供給する供給部と、
前記供給部により供給された液体を回収する回収部と、
前記回収部による液体の回収量を検知する検知部を含む制御部とを備え、
前記回収部により液体を回収する際に、液体と共に気体も回収され、
前記回収部は、前記回収部により回収された液体が入れられる容器と、前記容器内の液体の量を計測する液量センサとを含み、
前記検知部は、前記液量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知することを特徴とする液浸露光装置。
【請求項２】
前記回収部は、前記容器内の液体を排出する排出路と、前記排出路を通して排出される液体の流量を計測する流量センサとを更に含み、
前記検知部は、前記液量センサの出力の他、前記流量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項３】
前記回収部は、前記排出路を通して排出される液体の流量を調整する調整バルブを更に含み、
前記制御部は、前記容器内の液体の量が一定に維持されるように、前記液量センサの出力に基づいて前記調整バルブを制御することを特徴とする請求項２に記載の液浸露光装置。
【請求項４】
前記回収部は、前記容器内の液体を排出する排出路と、前記排出路に設けられたバルブとを更に含み、
前記制御部は、露光動作中は、前記容器から液体が排出されないように前記バルブを閉じ、前記検知部は、前記バルブが閉じられた状態で前記液量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項５】
前記回収部は、前記容器内の圧力を一定に維持する圧力調整部を更に含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか1項に記載の液浸露光装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記供給部による液体の供給量と前記検知部によって検知された前記回収部による液体の回収量との差に基づいて前記供給部及び前記回収部の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記供給部による液体の供給量と前記検知部によって検知された前記回収部による液体の回収量との差が予め設定された許容範囲を超えた場合に、前記供給部による液体の供給を停止させることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項８】
デバイス製造方法であって、
感光剤が塗布された基板を請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液浸露光装置によって露光する工程と、
前記感光剤を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第１の側面は、投影光学系と基板との間に液体が満たされた状態で前記基板を露光する液浸露光装置に関する。前記液浸露光装置は、前記投影光学系と前記基板との間に液体を供給する供給部と、記供給部により供給された液体を回収する回収部と、前記回収部による液体の回収量を検知する検知部を含む制御部とを備えうる。前記回収部により液体を回収する際に、液体と共に気体も回収されうる。前記回収部は、前記回収部により回収された液体が入れられる容器と、前記容器内の液体の量を計測する液量センサとを含みうる。前記検知部は、例えば、前記液量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知するように構成されうる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収部は、例えば、前記容器内の液体を排出する排出路と、前記排出路を通して排出される液体の流量を計測する流量センサとを更に含みうる。前記検知部は、前記液量センサの出力の他、前記流量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知するように構成されうる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収部は、前記排出路を通して排出される液体の流量を調整する調整バルブを更に含みうる。前記制御部は、前記容器内の液体の量が一定に維持されるように、前記液量センサの出力に基づいて前記調整バルブを制御するように構成されうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収部は、前記容器内の液体を排出する排出路と、前記排出路に設けられたバルブとを更に含みうる。前記制御部は、露光動作中は、前記容器から液体が排出されないように前記バルブを閉じ、前記検知部は、前記バルブが閉じられた状態で前記液量センサの出力に基づいて前記回収部による液体の回収量を検知するように構成されうる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収部は、前記容器内の圧力を一定に維持する圧力調整部を更に含むことが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の好適な実施形態によれば、前記制御部は、前記供給部による液体の供給量と前記検知部によって検知された前記回収部による液体の回収量との差に基づいて前記供給部及び前記回収部の少なくとも一方を制御するように構成されうる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記制御部は、前記供給部による液体の供給量と前記検知部によって検知された前記回収部による液体の回収量との差が予め設定された許容範囲を超えた場合に、前記供給部による液体の供給を停止させるように構成されうる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線の形成方法であって、
前記配線が複数形成される配線形成領域を複数有した基板に設けられた絶縁層上に、リフトオフ法により、複数の前記配線形成領域内の前記配線が形成される部分の前記絶縁層上に配置される第１のシード層と、複数の前記配線形成領域間に位置する部分の前記絶縁層上に配置され、前記第１のシード層と一体的に構成される第２のシード層とを同時に形成するシード層形成工程と、
前記第２のシード層を給電層とする電解めっき法により、前記第１のシード層上に導電金属を析出成長させる導電金属形成工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
前記導電金属形成工程の前に、前記第２のシード層を覆うレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程を設けたことを特徴とする請求項１記載の配線の形成方法。
【請求項３】
前記導電金属形成工程後に、前記第２のシード層を除去する第２のシード層除去工程をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２記載の配線の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一観点によれば、配線の形成方法であって、前記配線が複数形成される配線形成領域を複数有した基板に設けられた絶縁層上に、リフトオフ法により、複数の前記配線形成領域内の前記配線が形成される部分の前記絶縁層上に配置される第１のシード層と、複数の前記配線形成領域間に位置する部分の前記絶縁層上に配置され、前記第１のシード層と一体的に構成される第２のシード層とを同時に形成するシード層形成工程と、前記第２のシード層を給電層とする電解めっき法により、前記第１のシード層上に導電金属を析出成長させる導電金属形成工程とを含むことを特徴とする配線の形成方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、リフトオフ法により、複数の配線形成領域内の配線が形成される部分の絶縁層上に配置される第１のシード層と、複数の配線形成領域間に位置する部分の絶縁層上に配置され、第１のシード層と一体的に構成される第２のシード層とを同時に形成することにより、配線間のスペース幅の狭い領域にシード層が形成されることがないため、配線間のスペース幅の狭い領域に設けられたシード層を除去する工程が不要となるので、配線間のスペース幅が狭い場合でも、微細な配線を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法において、
ポリシリコン膜またはタングステンシリサイド膜からなる被エッチング材の上に設けたＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２、またはホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２等の無機膜からなるマスクパターンを用いて前記被エッチング材をエッチングするドライエッチング方法であって、
エッチングガスとして、塩素含有ガスまたは臭素含有ガスのハロゲン系ガスと、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＳＦ６、ＮＦ３からなるフッ素含有ガスうちの少なくとも一つのフッ素含有ガスとの混合ガスをそのガス比を調整して用い、
前記被エッチング材の加工中に前記マスクパターンと前記被エッチング材の加工寸法を同じ程度に縮小化させることを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記フッ素含有ガスを前記混合ガスの４０〜９０％の比率で用い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項３】
請求項１に記載のドライエッチング方法において、
前記加工寸法の縮小化を、前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して行い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項４】
プラズマエッチング装置を使用して半導体基板に配線加工を行うドライエッチング方法において、
ポリシリコン膜、タングステンシリサイド膜からなる被エッチング材の上に設けたホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２の無機膜からなるマスクパターンを用いて前記被エッチング材をエッチングするドライエッチング方法であって、
前記ホトレジストを用いて形成したマスクパターンをＯ２ガスを用いて縮小化する第１の工程と、
前記縮小化したホトレジストを用いて形成したマスクパターンを使用してＣＦ４およびＣＨＦ３の混合ガスを用いてＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２の無機膜の前記マスクパターンを異方性エッチングする第２の工程と、
前記ホトレジストおよびＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２の無機膜のマスクパターンを使用してＣｌ２およびＣＦ４の混合ガスをそのガス比を調整して用いて前記被エッチング材をエッチングするとともに前記マスクパターンを縮小化する第３の工程と、
該第３の工程に続いてＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＳｉＯ２の無機膜のマスクパターンを使用してＨＢｒおよびＯ２の混合ガスを用いて前記被エッチング材をエッチングする第４の工程と、
を有することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項５】
請求項４記載のドライエッチング方法において、
前記第３の工程に用いるＣＦ４を、混合ガスの４０〜９０％の比率で用い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項６】
請求項４に記載のドライエッチング方法において、
前記第３の工程の縮小化を、前記プラズマエッチング装置のＲＦバイアスを制御して行い、前記被エッチング材の縮小化率を調整することを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光学要素と、
第２の光学要素と、
前記第１及び第２の光学要素を支持する支持体と、
前記支持体に対する前記第１の光学要素の位置を計測する第１計測器と、
前記支持体に対する前記第２の光学要素の位置を計測する第２計測器と、
前記支持体の変形を計測する第３計測器と、
前記第１計測器と前記第２計測器と前記第３計測器との計測結果に基づいて、前記第１及び第２の光学要素の間の相対位置が保持されるように前記相対位置を制御する制御器とを備える光学装置。
【請求項２】
前記第１の光学要素と前記第２の光学要素とは、（ｘ、ｙ、ｚ）座標系においてＸ方向に沿って配置され、
前記第３計測器が、前記支持体の変形による前記第１の光学要素と前記第２の光学要素との間のＺ方向の相対変位を計測するＺ計測器を３個以上含むことを特徴とする請求項１に記載される光学装置。
【請求項３】
前記Ｚ計測器は、ヘテロダイン型レーザー干渉計であって、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記反射光をさらに反射させる反射ミラーと、前記反射ミラーで反射された光を反射する面がＺ方向と垂直な方向に沿い、前記第１の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定された第１の計測ミラーと、前記透過光を反射する面がＺ方向と垂直な方向に沿い、前記第２の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定された第２の計測ミラーとを含み、前記偏向ビームスプリッタと前記反射ミラーとが前記支持体に取り付けられた同一支持部材に固定されていることを特徴とする請求項２に記載される光学装置。
【請求項４】
前記第３計測器が、前記支持体の変形による前記第１の光学要素と前記第２の光学要素との間のＸ方向の相対変位を計測する２個以上のＸ計測器と、前記第１の光学要素と前記第２の光学要素との間のＹ方向の相対変位を計測する１個以上のＹ計測器とをさらに含む、又は、前記支持体の変形による前記第１の光学要素と前記第２の光学要素との間のＸ方向の相対変位を計測する１個以上のＸ計測器と、前記第１の光学要素と前記第２の光学要素との間のＹ方向の相対変位を計測する２個以上のＹ計測器とをさらに含む、ことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載される光学装置。
【請求項５】
前記Ｘ計測器又はＹ計測器は、ヘテロダイン型レーザー干渉計であって、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記反射光をさらに反射する面がＺ方向に沿い、前記第１の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように配置された計測ミラーと、前記透過光を受光し前記第２の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定されたプリズムと、前記プリズムを通過した前記透過光を前記プリズムに向けて反射する反射ミラーとを含み、前記偏向ビームスプリッタと前記反射ミラーと前記計測ミラーとが前記支持体に取り付けられた同一支持部材に固定されていることを特徴とする請求項４に記載される光学装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光学装置を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いてウエハを露光する工程と、前記ウエハを現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、第１の光学要素と、第２の光学要素と、第１及び第２の光学要素を有する光学系を支持する支持体と、支持体に対する第１及び第２の光学要素の位置を計測する第１及び第２計測器と、支持体の変形を計測する第３計測器と、制御器とを備える光学装置である。そして、制御器は、第１〜３計測器の計測結果に基づいて、第１及び第２の光学要素の間の相対位置が保持されるように前記相対位置を制御することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の実施態様によれば、第１の光学要素と第２の光学要素とは、（ｘ、ｙ、ｚ）座標系においてＸ方向に沿って配置され、第３計測器は支持体の変形による第１の光学要素と第２の光学要素との間のＺ方向の相対変位を計測するＺ計測器を３個以上含むことが好ましい。Ｚ計測器は、ヘテロダイン型レーザー干渉計であって、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記反射光をさらに反射させる反射ミラーと、前記反射ミラーで反射された光を反射する面がＺ方向と垂直な方向に沿い、前記第１の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定された第１の計測ミラーと、前記透過光を反射する面がＺ方向と垂直な方向に沿い、前記第２の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定された第２の計測ミラーとを含みうる。そして、偏向ビームスプリッタと反射ミラーとは支持体に取り付けられた同一支持部材に固定されていることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の実施態様によれば、第３計測器は、支持体の変形による第１の光学要素と第２の光学要素との間のＸ方向の相対変位を計測する２個以上のＸ計測器と、第１の光学要素と第２の光学要素との間のＹ方向の相対変位を計測する１個以上のＹ計測器とをさらに含みうる。また、第３計測器は、支持体の変形による第１の光学要素と第２の光学要素との間のＸ方向の相対変位を計測する１個以上のＸ計測器と、第１の光学要素と第２の光学要素との間のＹ方向の相対変位を計測する２個以上のＹ計測器とをさらに含みうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の実施形態によれば、Ｘ計測器又はＹ計測器はヘテロダイン型レーザー干渉計であることが好ましい。その場合、Ｘ計測器又はＹ計測器は、レーザーヘッドから出射されたレーザー光を反射光及び透過光に分割する偏向ビームスプリッタと、前記反射光をさらに反射する面がＺ方向に沿い、前記第１の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように配置された計測ミラーと、前記透過光を受光し前記第２の光学要素とＺ方向の位置が同じであるように前記支持体に固定されたプリズムと、前記プリズムを通過した前記透過光を前記プリズムに向けて反射する反射ミラーとを含みうる。そして、偏向ビームスプリッタと反射ミラーと計測ミラーとは支持体に取り付けられた同一支持部材に固定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の発光素子を有し、少なくとも一部の隣接する発光素子間は電気的に分離されている発光素子アレイにおいて、
金属反射層を前記基板と複数の前記発光素子との間に備え、且つ
電気的分離のための抵抗層を前記発光素子と前記金属反射層との間に備えていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子アレイは、前記発光素子を含み構成される複数のブロックを備え、
前記発光素子間の電気的分離とは、互いに異なるブロックに属し、且つ隣接する前記発光素子間の電気的分離であることを特徴とする請求項１記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
電気的に分離される前記隣接する発光素子間には分離溝が設けられ、該分離溝は少なくとも前記抵抗層まで到達していることを特徴とする請求項１あるいは２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
電気的に分離されている前記発光素子間の抵抗値が、前記発光素子を構成し前記抵抗層と接する領域の抵抗値よりも大きくなるように、該抵抗値は設定されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
前記抵抗層がドープされていない、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、あるいはＡｌ２Ｏ３からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項６】
基板上に、それぞれ、複数の発光素子からなる第１及び第２の発光素子群を有するアレイ状光源であって、
前記第１及び第２の発光素子群は、共通の金属層を介して、前記基板に設けられており、
前記第１及び第２の発光素子群と、前記金属層との間には、前記金属層と、該第１及び該第２の発光素子群とを、それぞれ電気的に分離するための層を有し、
前記第１の発光素子群と前記第２の発光素子群との間には、両者を電気的に分離するための分離溝を備え、且つ
該分離溝は、前記発光素子側から前記基板側に向かって、前記電気的に分離するための層に達するように設けられていることを特徴とするアレイ状光源。
【請求項７】
基板上に互いに電気的に分離された複数の発光素子を含み構成される複数のブロックを備え、前記ブロック毎に前記複数の発光素子の第１の電極と電気的に接続される共通電極を有し、かつ互いに異なる前記ブロック間は電気的に分離されている発光素子アレイであって、
前記基板と前記複数の前記発光素子との間に、複数の該発光素子に共通する金属反射層を備え、且つ
前記金属反射層と前記発光素子間の電気的分離のための抵抗層を、複数の前記発光素子と前記金属反射層との間に備えており、
前記異なる前記ブロック間の電気的な分離は、前記互いに異なるブロック間に設けられ、少なくとも前記抵抗層まで達する分離溝によって電気的に分離されていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項８】
前記抵抗層が、アンドープのＡｌＧａＡｓ半導体であることを特徴とする請求項７に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記抵抗層はｐ型のＡｌＧａＡｓ半導体であり、該ｐ型不純物のドーピング濃度は１×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
前記抵抗層はｎ型のＡｌＧａＡｓ半導体であり、該ｎ型不純物のドーピング濃度は３×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
前記金属層が多層構造を有することを特徴とすることを特徴とする請求項７に記載の発光素子アレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、基板上に複数の発光素子部を有し、少なくとも一部の隣接する発光素子部間は発光素子部間の電気的分離がされる発光素子アレイにおいて、
金属反射層を前記基板上かつ複数の発光素子部下に備え、且つ電気的分離のための抵抗層を前記電気的に分離されている発光素子間に備え、さらに電気的分離のための抵抗層を前記複数の発光素子と前記金属反射層との間に備えていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態を示す発光素子アレイの断面図である。図１に示すように、Si基板51上に、白金層61、金層62、銀層63、アンドープAlGaAs抵抗層(金属層と、第１及び第２の発光素子群とを、それぞれ電気的に分離するための層となる)64を有する。さらにその上に、n型AlGaAs層13、AlGaAs量子井戸活性層14、p型AlGaAs層15、p型GaAsコンタクト層16、p側電極17（「第１の電極」とする）を有する。19は絶縁膜である。素子分離のためにn型AlGaAs層13まで到達するように第1の分離溝（素子分離用溝）18が形成される。さらに、第１の電極と電気的に接続されるn側共通電極を分離するためにアンドープAlGaAs抵抗層64まで到達するように第2の分離溝（ｎ型電極分離用溝）32が形成される。この第2の分離溝32はn側電極間の十分な抵抗をとり、電気的に分離するためのものであり、少なくとも分離溝がアンドープAlGaAs抵抗層64まで到達していれば良い。また、分離溝32が金属反射層となる銀層63まで到達していても良い。分離溝18は隣接する発光素子間を電気的に分離するために設けられ、分離溝32は発光素子をブロック単位で電気的に分離するために設けられる。分離溝32は第１の発光素子群（一のブロック内の複数の発光素子）と第２の発光素子群（他のブロック内の複数の発光素子）を擁するブロック間の、分離溝となり、両発光素子群を電気的に分離する。なお、この図１では簡略のためにn側電極が描かれていない（図２にn側電極11として示されている）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ここで時分割駆動により所望の素子の駆動が可能になるためには、隣り合うn側電極間の抵抗がp側およびn側電極間の抵抗より高ければよい。言い換えれば、AlGaAs抵抗層がp型AlGaAs層やn型AlGaAs層よりも高い抵抗値であれば、内在する金属層へ流れる電流を防ぐことができる。好ましくはAlGaAs抵抗層の抵抗値は、p型AlGaAs層やn型AlGaAs層の抵抗値の10倍以上がよい。さらに好ましくはAlGaAs抵抗層の抵抗値は、p型AlGaAs層やn型AlGaAs層の抵抗値の50倍以上が良い。ここではアンドープAlGaAs抵抗層64のキャリア密度は1×1016cm-3以下である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
十分な抵抗を得るために、この抵抗層のキャリア濃度、すなわちドーピング濃度はp型の場合にはそのドーピング濃度が1×1017cm-3以下が望ましい。またｎ型の場合にはそのドーピング濃度が3×1016cm-3以下であることが望ましい。ドーパントは、ｐ型としては、C、Zn、Mg、Beなど、n型としては、Si、Ge、Te、Se、Sなどが挙げられる。