(57)【要約】【課題】ダイシングにより切断された半導体チップをダイシングテープから剥離し、半導体チップにおけるダイシングテープが貼り付いていた面を、はんだを介して基板にはんだ付けするようにした半導体チップの実装方法において、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行えるようにする。【解決手段】半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離する工程では、ダイシングテープ２００の接着剤２０２が、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いていた面２１の全体ではなく一部に残るように、半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ（１００）の一面にダイシングテープ（２００）を貼り付け、この半導体ウェハ（１００）を前記ダイシングテープ（２００）とは反対側の面から切断することにより、半導体チップ（２０）を形成した後、
前記半導体チップ（２０）を前記ダイシングテープ（２００）から剥離し、
前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）を、はんだ（３０）を介して基板（１０）に対向させ、前記半導体チップ（２０）と前記基板（１０）とを前記はんだ（３０）により接続する半導体チップの実装方法において、
前記ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、前記ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）が、前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）の全体ではなく一部に残るように、前記半導体チップ（２０）を前記ダイシングテープ（２００）から剥離することを特徴とする半導体チップの実装方法。
【請求項２】
前記ダイシングテープ（２００）として、前記半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記半導体チップ（２０）の周辺部となる部位に対向する部位に前記接着剤（２０２）が部分的に配置されたものを、前記半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付け、
前記ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、前記接着剤（２０２）が、前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）の周辺部に残るように、前記剥離を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項３】
前記ダイシングテープ（２００）として、前記半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記半導体チップ（２０）となる部位に対向する部位に、前記接着剤（２０２）がメッシュ形状に配置されたものを、前記半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付けることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項４】
前記ダイシングテープ（２００）として、前記半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記半導体チップ（２０）となる部位に対向する部位に、前記接着剤（２０２）が複数個の点形状に配置されたものを、前記半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付けることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハ（１００）として、当該半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記半導体チップ（２０）となる部位に凸部（１０１）と凹部（１０２）とを形成したものを用意し、
この半導体ウェハ（１００）の一面に前記ダイシングテープ（２００）を貼り付けることにより、前記接着剤（２０２）が半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記凸部（１０１）にのみ貼り付くようにし、
前記ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、前記接着剤（２０２）が、前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）のうち前記凸部（１０１）に残るように、前記剥離を行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【請求項６】
前記用意される半導体ウェハ（１００）において、当該半導体ウェハ（１００）の一面のうち前記半導体チップ（２０）の周辺部となる部位を前記凸部（１０１）とし、前記半導体チップ（２０）の中央部側となる部位を前記凹部（１０２）とすることを特徴とする請求項５に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
前記半導体ウェハ（１００）の一面が金属膜（２２）により構成されており、前記凸部（１０１）では前記凹部（１０２）よりも前記金属膜（２２）の厚さを大きくすることにより、前記凸部（１０１）および前記凹部（１０２）が構成されていることを特徴とする請求項５または６に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項８】
前記ダイシングテープ（２００）として、前記接着剤（２０２）が紫外線照射により接着性が低下するものを、前記半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付け、
前記ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いている面（２１）の一部の領域にて、前記ダイシングテープ（２００）の前記接着剤（２０２）に対して紫外線を照射した後、前記半導体チップ（２０）を前記ダイシングテープ（２００）から剥離させることにより、
前記ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）のうち前記紫外線が照射されなかった部分が、前記半導体チップ（２０）における前記ダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）に残るようにすることを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングにより切断された半導体チップをダイシングテープから剥離し、半導体チップにおけるダイシングテープが貼り付いていた面を、はんだを介して基板にはんだ付けするようにした半導体チップの実装方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の一般的な実装方法は次の通りである。半導体ウェハの一面にダイシングテープを貼り付け、この半導体ウェハをダイシングテープとは反対側の面から切断することにより、半導体チップを形成する。
【０００３】
その後、半導体チップをダイシングテープから剥離し、半導体チップにおけるダイシングテープが貼り付いていた面すなわちはんだ付け面を、はんだを介して基板に対向させ、この状態で半導体チップと基板とをはんだにより接続する。
【０００４】
さらに、特許文献１では、上記した一般的な実装方法において、半導体チップのはんだ付け面に残渣として残る接着剤を除去する目的で、はんだダイボンダ装置上にクリ−ニング剤を含浸した含浸体を設置し、この含浸体にて半導体チップのはんだ付け面を洗浄した後、はんだ付けする方法が提案されている。
【特許文献１】特開平７−２９７２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記した一般的な実装方法では、半導体チップのはんだ付け面に接着剤の残渣が残り、半導体チップをはんだ付けする際にはんだ濡れの劣化という問題が発生していた。
【０００６】
特に、加熱した基板の導体上にフラックスの無いはんだを設置して溶融し、ダイシングテープ上からコレットで半導体チップを拾い上げ、はんだ上に半導体チップを載せて基板の導体と接合するという、はんだダイボンド装置を使用する方法の場合は、半導体チップのはんだ付け面の接着剤残渣を除去する工程が無いため、上記したはんだが濡れないという問題が顕著となる。
【０００７】
この問題について、本発明者は、試作検討を行った。図１２は、本発明者が試作した実装方法を示す概略断面図である。基板１０としてはセラミック基板を用いた。この場合、セラミック基板１０上の導体１１は、ガラス中に銀や銅の酸化物などの金属酸化物を含む導体を塗布・焼成したものであり、セラミック基板１０における一般的な導体である。
【０００８】
また、半導体チップ２０はシリコン半導体などよりなる一般的なＩＣチップなどであり、そのはんだ付け面２１は、はんだ３０の濡れ性を確保するためのＮｉや金などよりなる金属膜２２により構成されている。
【０００９】
この半導体チップ２０のはんだ付け面２１は、ダイシングテープが貼り付けられていた面であり、ダイシングテープから半導体チップ２０を拾い上げた後では、図１２に示されるように、はんだ付け面２１に接着剤２０２が残っている。この接着剤２０２は顕微鏡観察により認識されるもので、本発明者によれば、接着剤２０２は、はんだ付け面２１の全面に残渣として残る。
【００１０】
ここで、金属基板上でのはんだ付けの場合、金属基板上ははんだ濡れ性が良いため、はんだは金属基板上を広がり、その上に半導体チップを載せれば、はんだ不濡れの問題は少ない。
【００１１】
しかし、本発明者の試作した実装方法のように、セラミック基板１０上へはんだ付けを行う場合には、セラミック基板１０上の導体１１がガラス質であるため、導体１１上でのはんだ３０の濡れが悪く、広がりにくい。また、半導体チップ２０のはんだ付け面２１についても、はんだ濡れ性を確保すべき金属膜２２の全面に接着剤２０２が残っているため、はんだ３０の濡れが悪い。
【００１２】
そのため、図１２（ａ）に示すような、はんだ３０の不濡れの状態から、コレットＫ１を降下させてスクラブを行うことで、図１２（ｂ）に示されるように、はんだ３０を介した接合を行うが、はんだ３０の不濡れにより、フィレットが形成されない「フィレットなし」の部分や、余分なはんだ３０がはみ出す「はんだはみ出し」の部分が発生する。
【００１３】
ここで、接着剤の残渣によるはんだ不濡れの対策として、上記特許文献１では、半導体チップのはんだ付け面を含浸体で洗浄した後、はんだ付けを行っているものの、含浸体には、洗浄により除去された接着剤が含まれ、この接着剤が次に洗浄されるはんだ付け面に付着することがある。この場合、含浸体を交換すればよいが、その都度、頻繁にはんだダイボンドを止める必要があり、また、交換の手間もかかる。
【００１４】
また、従来では、共晶はんだが多く使用されてきたが、近年では、Ｐｂフリーはんだの使用が義務づけられている。このＰｂフリーはんだは、共晶はんだに比べ、はんだ濡れ性に劣るため、特に、上記したようなはんだ不濡れが発生しやすい。
【００１５】
本発明は、上記したような問題に鑑みてなされたものであり、ダイシングにより切断された半導体チップをダイシングテープから剥離し、半導体チップにおけるダイシングテープが貼り付いていた面を、はんだを介して基板にはんだ付けするようにした半導体チップの実装方法において、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行えるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するため、本発明は、半導体チップ（２０）をダイシングテープ（２００）から剥離する工程では、ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）が、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）の全体ではなく一部に残るように、半導体チップ（２０）をダイシングテープ（２００）から剥離することを特徴とする。
【００１７】
それによれば、ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）は、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）、すなわち、半導体チップ（２０）のはんだ付け面（２１）の全体ではなく一部にしか残渣として残らないため、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行うことができる。
【００１８】
ここで、ダイシングテープ（２００）として、半導体ウェハ（１００）の一面のうち半導体チップ（２０）の周辺部となる部位に対向する部位に接着剤（２０２）が部分的に配置されたものを、半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付け、ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、接着剤（２０２）が、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）の周辺部に残るように、剥離を行うようにすることができる。
【００１９】
また、ダイシングテープ（２００）として、半導体ウェハ（１００）の一面のうち半導体チップ（２０）となる部位に対向する部位に、接着剤（２０２）がメッシュ形状に配置されたものを、半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付けるようにしてもよい。
【００２０】
また、ダイシングテープ（２００）として、半導体ウェハ（１００）の一面のうち半導体チップ（２０）となる部位に対向する部位に、接着剤（２０２）が複数個の点形状に配置されたものを、半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付けるようにしてもよい。これらによっても、半導体チップ（２０）のはんだ付け面（２１）の全体ではなく一部にしか残渣として残らないようにすることができる。
【００２１】
また、半導体ウェハ（１００）として、当該半導体ウェハ（１００）の一面のうち半導体チップ（２０）となる部位に凸部（１０１）と凹部（１０２）とを形成したものを用意し、この半導体ウェハ（１００）の一面にダイシングテープ（２００）を貼り付けることにより、接着剤（２０２）が半導体ウェハ（１００）の一面のうち凸部（１０１）にのみ貼り付くようにし、ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、接着剤（２０２）が、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）のうち凸部（１０１）に残るように、剥離を行うようにしてもよい。
【００２２】
それによれば、ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）は、半導体ウェハ（１００）の一面のうち凸部（１０１）にのみ貼り付き、凹部（１０２）には付かないため、剥離工程後においては、半導体チップ（２０）のはんだ付け面（２１）における凹部（１０２）では、接着剤残渣が残らない。
【００２３】
また、この場合、用意される半導体ウェハ（１００）において、当該半導体ウェハ（１００）の一面のうち半導体チップ（２０）の周辺部となる部位を凸部（１０１）とし、半導体チップ（２０）の中央部側となる部位を凹部（１０２）としてもよい。
【００２４】
それによれば、上述したものと同様に、ダイシングテープ（２００）の剥離工程にて、接着剤（２０２）が、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）の周辺部に残るように、剥離を行うことができる。
【００２５】
また、この場合、半導体ウェハ（１００）の一面が金属膜（２２）により構成されたものとすれば、凸部（１０１）では凹部（１０２）よりも金属膜（２２）の厚さを大きくすることにより、凸部（１０１）および凹部（１０２）を構成することができる。
【００２６】
また、ダイシングテープ（２００）として、接着剤（２０２）が紫外線照射により接着性が低下するものを、半導体ウェハ（１００）の一面に貼り付け、ダイシングテープ（２００）の剥離工程では、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いている面（２１）の一部の領域にて、ダイシングテープ（２００）の接着剤（２０２）に対して紫外線を照射した後、半導体チップ（２０）をダイシングテープ（２００）から剥離させるようにしてもよい。
【００２７】
それによれば、接着剤（２０２）のうち紫外線が照射されなかった部分が、半導体チップ（２０）におけるダイシングテープ（２００）が貼り付いていた面（２１）に残るため、接着剤（２０２）を、半導体チップ（２０）のはんだ付け面（２１）の全体ではなく一部にしか残渣として残らないようにすることができる。
【００２８】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体チップ２０の実装構造を示す概略断面図である。この実装構造においては、基板１０の一面上に、半導体チップ２０が搭載され、はんだ３０を介して接合されてなる。
【００３１】
基板１０は、アルミナなどよりなるセラミック基板であり、その一面上には、導体１１が設けられている。この導体１１は、セラミック基板における一般的な導体材料、すなわち、ガラス中に銀や銅の酸化物などの金属酸化物を含む導体を塗布・焼成することにより形成されたものである。
【００３２】
また、半導体チップ２０は、シリコン半導体などよりなる一般的なＩＣチップなどよりなる。そして、半導体チップ２０は、そのはんだ付け面２１を導体１１に対向させた状態でセラミック基板１０の一面上に搭載されており、半導体チップ２０のはんだ付け面２１と導体１１とが、はんだ３０を介して接続されている。
【００３３】
半導体チップ２０のはんだ付け面２１は、はんだ３０の濡れ性を確保するための金属膜２２により構成されている。この金属膜２２は、蒸着やスパッタなどにより形成されたＮｉや金などよりなる膜であり、最表面は金であることが望ましい。たとえば、金属膜２２は、下地側からＴｉ、Ｎｉ、金が積層された膜として構成されている。
【００３４】
この半導体チップ２０のはんだ付け面２１は、後述するダイシングテープ（図２参照）が貼り付けられていた面であり、当該ダイシングテープから半導体チップ２０を拾い上げた後では、図１に示されるように、はんだ付け面２１にダイシングテープの接着剤２０２が残っている。
【００３５】
この接着剤２０２は顕微鏡観察により認識されるもので、たとえばアクリル系樹脂などよりなる。本実施形態では、接着剤２０２は、はんだ付け面２１の全面ではなく一部に残渣として残っている。
【００３６】
特に、本実施形態では、はんだ付け面２１の中央部側の部位には接着剤２０２は存在せず、周辺部に接着剤２０２が残っている。つまり、はんだ付け面２１の中央部側の部位では、清浄な金属膜２２によって良好な濡れ性を以て、はんだ３０が接合されており、接合強度が十分に確保された接合形態となっている。
【００３７】
また、はんだ３０は、本実施形態では、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の全体と基板１０の導体１１との間に介在し、半導体チップ２０とセラミック基板１０とを接合しているが、このはんだ３０としては、一般的なはんだ、特にＰｂフリーはんだを採用することができる。
【００３８】
また、本実施形態では、半導体チップ２０のはんだ付け面と反対側の面には、図示しない電極が設けられており、この電極とセラミック基板１０のパッド１２とがボンディングワイヤ４０によって結線され、これら両者はワイヤ４０を介して、電気的に接続されている。
【００３９】
次に、本実施形態における実装構造を形成するための実装方法について述べる。図２は、本実装方法を示す工程図である。図２において、（ａ）は半導体ウェハ１００の断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００の貼り付け面側の平面図、（ｃ）は半導体ウェハ１００にダイシングテープ２００を貼り付けたワークを示す断面図、（ｄ）は（ｃ）に示されるワークをダイシングした後の状態を示す断面図、（ｅ）はダイシング後の半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離した状態で示す断面図である。
【００４０】
図２（ａ）に示されるように、半導体ウェハ１００は、複数個の半導体チップ２０がダイシングされる領域であるスクライブラインＤＬにて連結されたものである。
【００４１】
ここで、半導体ウェハ１００の下面は、各半導体チップ２０におけるはんだ付け面２１となる面であり、この面には上記金属膜２２が形成されている。そして、最終的には、スクライブラインＤＬにて、半導体ウェハ１００を切断することにより、個片化された半導体チップ２０ができあがる。
【００４２】
また、図２に示されるように、ダイシングテープ２００は、一般的なこの種のものと同様に、塩化ビニルやポリオレフィンなどよりなるテープ基部２０１と、テープ基部２０１の貼り付け面側に設けられたアクリル系樹脂などよりなる上記接着剤２０２とを備えて構成されている。
【００４３】
そして、半導体ウェハ１００の一面にダイシングテープ２００を貼り付けるのであるが（図２（ｃ）参照）、本実施形態では、図２（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ダイシングテープ２００として、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０の周辺部となる部位に対向する部位、および、半導体ウェハの切断部としてのスクライブラインＤＬに対向する部位にのみ、接着剤２０２が部分的に配置されたものを用いている。
【００４４】
このように、貼り付け面の全体ではなく一部に接着剤２０２が設けられたダイシングテープ２００は、テープ基部２０１に対して、マスクを用いて接着剤２０２を印刷することにより作成される。
【００４５】
ここで、半導体チップ２０の周辺部に位置する接着剤２０２は、その幅Ｌ１が狭い方が接着剤２０２の残りが少なくなることから、はんだ付け性の面ではいいが、狭すぎることにより、ダイシング工程において、半導体ウェハ１００がダイシングテープ２００から剥れやすくなる。そこで、半導体チップ２０の１辺の長さをＬ２とすると、接着剤２０の幅Ｌ１は、長さＬ２の１／５〜１／１０程度の大きさであることが望ましい。
【００４６】
そして、本実装方法では、このような半導体ウェハ１００とダイシングテープ２００とを用いて、図２（ｃ）に示されるように位置あわせして、半導体ウェハ１００の一面にダイシングテープ２００を貼り付ける（テープ貼り付け工程）。
【００４７】
次に、本実装方法では、図２（ｄ）に示されるように、半導体ウェハ１００をダイシングテープ２００とは反対側の面から切断することにより、個片化された半導体チップ２０を形成する（ダイシング工程）。
【００４８】
ここでは、ダイシングテープ２００はハーフカットとしており、切断されてはいない。なお、図３は、このダイシング工程を示す模式的な俯瞰図である。ダイシングブレードＫによって、半導体ウェハ１００がスクライブラインＤＬに沿って切断される。
【００４９】
その後、図２（ｅ）に示されるように、個々の半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離して拾い上げる（ダイシングテープの剥離工程）。この剥離工程では、上記したダイシングテープ２００の接着剤２０２の配置構成によって、接着剤２０２が、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いていた面、すなわちはんだ付け面２１の周辺部に残るように、剥離が行われる。
【００５０】
次に、この拾い上げられた半導体チップ２０を、セラミック基板１０の一面上に搭載し、はんだ接合する。図４は、本実装方法における（ａ）チップ搭載工程、（ｂ）はんだ接合工程を示す工程図である。
【００５１】
まず、図４（ａ）に示されるように、半導体チップ２０をコレットＫ１で吸着し、セラミック基板１０の一面上に持ってくる。このコレットＫ１は、一般的なはんだダイボンド装置のものと同様であり、半導体チップ２０を吸着し且つ昇降機能およびスクラブ機能を持つものである。
【００５２】
そして、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いていた面２１すなわちはんだ付け面２１を、導体１１に位置あわせし、はんだ３０を介してセラミック基板１０に対向させる。ここで、はんだ３０は、はんだワイヤを導体１１上に設置して溶融させたものである。
【００５３】
ここまでがチップ搭載工程であり、図４（ａ）に示される状態となる。次に、図４（ｂ）に示されるように、コレットＫ１によって半導体チップ２０を下降させ、半導体チップ２０とセラミック基板１０の導体１１とをはんだ３０により接続する。これがはんだ接合工程である。
【００５４】
こうして半導体チップ２０とセラミック基板１０とがはんだ付けされた後、上記図１に示されるように、必要に応じて半導体チップ２０とセラミック基板１０との間でワイヤボンディングを行い、ワイヤ４０による接続を行う。こうして、本実施形態の実装構造ができあがる。
【００５５】
ところで、本実施形態では、ダイシングテープ２００の剥離工程では、ダイシングテープ２００の接着剤２０２が、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いていたはんだ付け面２１の全体ではなく一部に残るように、半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離している。
【００５６】
それによれば、ダイシングテープ２００の接着剤２０２は、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の全体ではなく一部にしか残渣として残らないため、この残渣が残っていない部分にて、はんだ濡れ性を確保することができ、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行うことができる。
【００５７】
特に、本実施形態では、セラミック基板１０上の導体１１がガラス質であるため、導体１１上では、はんだ３０の濡れが悪く、広がりにくい。しかし、本実施形態では、半導体チップ２０のはんだ付け面２１については、はんだ濡れ性を確保すべき金属膜２２の一部しか接着剤２０２が残っていないため、接着剤２０２が無い部分の清浄な金属膜２２にて、はんだ３０を濡れ広がらせることができる。
【００５８】
また、本実施形態では、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の中央部側の部位にて、はんだ３０が濡れて十分な接合が行われるため、はんだ接合強度を確保するうえで好ましく、接合信頼性の向上が図れる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、ダイシングテープ２００の接着剤２０２は、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０の周辺部となる部位に対向する部位と、スクライブラインＤＬに対向する部位とに、部分的に配置されたが、スクライブラインＤＬに対向する部位には接着剤２０２が存在しないものであってもよい。
【００６０】
（第２実施形態）
図５は、本発明の第２実施形態に係る半導体チップの実装方法の要部を示す工程図である。図５において、（ａ）は半導体ウェハ１００の断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００の貼り付け面側の平面図である。
【００６１】
図５に示されるように、本実施形態では、ダイシングテープ２００として、半導体ウェハ２０の一面のうち半導体チップ２０となる部位に対向する部位に、接着剤２０２がメッシュ形状に配置されたものを用いる。
【００６２】
ここで、スクライブラインＤＬに対向する部位では、一般的なものと同様に隙間無く接着剤２０２の配置がなされている。このようなメッシュ状の接着剤２０２の配置は、テープ基部２０１に対して、メッシュ状の開口部を有するマスクを用いて接着剤２０２を印刷することにより作成される。
【００６３】
そして、本実施形態では、このような半導体ウェハ１００とダイシングテープ２００とを用いて、上記第１実施形態と同様に、テープ貼り付け工程、ダイシング工程、ダイシングテープの剥離工程、さらには、チップ搭載工程、はんだ接合工程を行う。それにより、上記第１実施形態と同様の実装構造ができあがる。
【００６４】
ただし、本実施形態では、半導体チップ２０のはんだ付け面２１に残る接着剤２０２が、図５（ｂ）に対応してメッシュ状に残った状態となる。つまり、本実施形態によれば、ダイシングテープの剥離工程では、半導体チップ２０におけるはんだ付け面２１のうち、メッシュ形状の接着剤２０２以外の部分では、実質的に接着剤２０２の残渣が存在しない状態が実現される。
【００６５】
このように、本実施形態によっても、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の全体ではなく一部にしか、接着剤２０２が残渣として残らないため、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行うことができる。
【００６６】
また、図６は、本第２実施形態に係る半導体チップの実装方法のもう一つの例の要部を示す工程図である。図６において、（ａ）は半導体ウェハ１００の断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００の貼り付け面側の平面図である。
【００６７】
本実施形態においては、この図６に示されるように、ダイシングテープ２００として、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０となる部位に対向する部位に、接着剤２０２が複数個の点形状に配置されたものを用いる。このような接着剤２０２の配置も、マスクを用いた印刷により形成できる。
【００６８】
この場合も、ダイシングテープの剥離工程では、半導体チップ２０におけるはんだ付け面２１のうち、実質的に接着剤２０２が配置されている部位以外は残渣が存在しない状態が実現されるため、上記図５の例と同様の作用効果が得られる。
【００６９】
なお、上記図５、図６に示される例では、半導体チップ２０のはんだ付け面２１と接着剤２０２との接触面積を、従来のような全面に接着剤２０２を配置した場合に比べて、１／２程度以下とすることが適当である。
【００７０】
（第３実施形態）
上記各実施形態では、ダイシングテープ２００側から接着剤残渣の対策を行ったが、本発明の第３実施形態は、半導体チップ２０側から対策を行うものである。
【００７１】
図７は、本第３実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハ１００およびダイシングテープ２００を示す図であり、（ａ）は半導体ウェハ１００の断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００の貼り付け面側の平面図である。
【００７２】
なお、図７（ｂ）では、半導体ウェハ１００にダイシングテープ２００を貼り付けたときの両者の接着領域の外形、すなわち半導体チウェハ１００の凸部１０１の外形を破線にて示してある。また、図８は、本実施形態に係る半導体チップの実装方法を示す工程図である。
【００７３】
本実施形態では、図７に示されるように、ダイシングテープ２００は、従来のものと同様に、貼り付け面側の全体に接着剤２０２が設けられたものを用いる。一方、半導体ウェハ１００として、当該半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０となる部位に凸部１０１と凹部１０２とを形成したものを用意する。
【００７４】
ここでは、用意される半導体ウェハ１００において、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０の周辺部となる部位を凸部１０１とし、半導体チップの中央部側となる部位を凹部１０２としている。
【００７５】
より具体的に述べると、１つの半導体チップ２０をみたとき、図７（ｂ）に示されるように、凸部１０１の平面パターンは矩形枠状であり、この凸部１０１の内周部に、矩形状の平面パターンをなす凹部１０２が配置された形となっている。
【００７６】
ここでは、半導体ウェハ１００における半導体の部分に凹凸を形成して、凸部１０１、凹部１０２を構成しており、これら凸部１０１および凹部１０２の表面は、上記各実施形態と同様に、金の膜を最表面とする金属膜２２により構成されている。つまり、本実施形態においても、半導体チップ２０のはんだ付け面２１は、その全体が金属膜２２により構成されている。
【００７７】
このような半導体ウェハ１００は、図８（ａ）〜（ｃ）に示される工程にて作られる。まず、半導体ウェハ１００における一面のうち凸部１０１となる部位のみに、スパッタや蒸着などにより酸化膜１０３を付ける（図８（ａ）参照）。
【００７８】
次に、半導体ウェハ１００の一面をＫＯＨやＮａＯＨなどのエッチング液に浸して、凹部１０２を形成するとともに、フッ酸などのエッチングにより酸化膜１０３を除去する。これにより、図８（ｂ）に示されるように、半導体ウェハ１００に凸部１０１、凹部１０２が形成される。
【００７９】
その後、半導体ウェハ１００の凸部１０１および凹部１０２の表面に金属膜２２を形成する（図８（ｃ）参照）。これにより、図７に示されるような半導体ウェハ１００ができあがる。
【００８０】
そして、本実施形態の実装方法では、この半導体ウェハ１００の一面にダイシングテープ２００を貼り付ける。このとき、本実施形態では、上記図７（ｂ）に示されるように、接着剤２０２が半導体ウェハ１００の一面のうち凸部１０１にのみ貼り付き、凹部１０２には貼り付かない。
【００８１】
ここで、半導体チップ２０の厚さをＨ１とし、凹部１０２の深さをＨ２とすると、凹部１０２の深さＨ２が半導体チップ２０の厚さＨ１の１／１０以上であるならば、凹部１０２が接着剤２０２に接することはない。
【００８２】
なお、図７において、半導体チップ２０の周辺部に位置する凸部１０２の幅Ｌ３は、半導体チップ２０の１辺の長さＬ２の１／５〜１／１０程度の大きさであることが望ましい。その理由は、上記第１実施形態における寸法Ｌ１、Ｌ２の関係（上記図４参照）と同様である。
【００８３】
その後は、本実装方法においても、上記第１実施形態と同様に、ダイシング工程、ダイシングテープの剥離工程を行う。本実施形態では、ダイシングテープ２００の接着剤２０２は、半導体ウェハ１００の一面のうち凸部１０１にのみ貼り付いているため、ダイシングテープの剥離工程後においては、半導体チップ２０のはんだ付け面２１における凹部１０２では、接着剤２０２の残渣が残らない（図８（ｄ）参照）。
【００８４】
そして、さらに、図８（ｄ）、（ｅ）に示されるように、本実装方法においても、上記第１実施形態と同様の要領で、チップ搭載工程、はんだ接合工程を行う。それにより、図８（ｅ）に示されるような実装構造ができあがる。この実装構造においては、半導体チップ２０に凸部１０１および凹部１０２が形成されているが、接着剤２０２の残り方については、上記第１実施形態と同様である。
【００８５】
このように、本実施形態の実装方法によっても、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の全体ではなく一部にしか、接着剤２０２が残渣として残らないため、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行うことができる。
【００８６】
また、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様に、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の中央部側の部位にて、はんだ３０が濡れて十分な接合が行われるため、はんだ接合強度を確保するうえで好ましい。
【００８７】
（第４実施形態）
図９は、本発明の第４実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハ１００を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００が貼り付けられる一面の平面図である。
【００８８】
本実施形態も上記第３実施形態と同様に、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０となる部位に凸部１０１と凹部１０２とを形成したものである。ここで、上記第３実施形態では、半導体ウェハ１００における半導体の部分に凹凸部１０１、１０２を形成したが、本実施形態では、金属膜２２の厚さを変えることにより、凸部１０１および凹部１０２を構成している。
【００８９】
図９に示される例では、半導体ウェハ１００の一面は、Ｎｉ膜２２ａと金膜２２ｂとが積層された膜としての金属膜２２により構成されており、このうちのＮｉ膜２２ａの厚さを、凸部１０１では凹部１０２よりも大きくすることにより、凸部１０１および凹部１０２を構成している。
【００９０】
そして、本実施形態によれば、このような半導体ウェハ１００を用いて上記第３実施形態と同様の実装工程を行うことにより、同様の作用効果が得られる。
【００９１】
なお、金属膜２２が単層の膜であっても、スパッタや蒸着などの成膜方法において部分的にマスクをするなどの方法により、膜厚を変えることは可能であるため、金属膜２２の厚さを変えて凸部１０１および凹部１０２を構成することは可能である。
【００９２】
（第５実施形態）
図１０は、本発明の第５実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハ１００を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）はダイシングテープ２００が貼り付けられる一面の平面図である。
【００９３】
本実施形態も上記第３実施形態と同様に、半導体ウェハ１００の一面のうち半導体チップ２０となる部位に凸部１０１と凹部１０２とを形成したものである。ここで、本実施形態では、半導体チップ２０の全体に点状に配置された凸部１０１を形成している。
【００９４】
この場合、凸部１０１、凹部１０２の形成方法は、上記第３実施形態のように半導体に凹凸を形成するものでもよいし、金属膜２２の厚さを変えるものであってもよい。本実施形態では、半導体チップ２０の中心部および周辺部ともに、はんだ濡れが良くなることが期待される。
【００９５】
なお、上記の各実施形態では、半導体ウェハ１００の一面にダイシングテープ２００を貼り付ける工程において、ダイシングテープ２００における接着剤２０２の配置パターンを工夫したり、半導体ウェハ１００におけるダイシングテープ２００が貼り付けられる一面に凹凸部１０１、１０２を形成したりすることにより、半導体ウェハ１００の当該一面のうち半導体チップ２０となる部位の全体ではなく、一部のみに接着剤２０２が貼り付くようにしていた。そして、その結果として、剥離工程では、接着剤２０２が、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の一部に残るように、剥離していた。
【００９６】
（第６実施形態）
図１１は、本発明の第６実施形態に係る半導体チップの実装方法の要部を示す概略断面図である。
【００９７】
本実施形態では、ダイシングテープ２００として、接着剤２０２が紫外線照射により接着性が低下するものを用いる。このような接着剤２０２は、たとえば、紫外線硬化型のアクリル樹脂やエポキシ樹脂などの紫外線硬化性樹脂よりなるものである。
【００９８】
そして、このダイシングテープ２００を半導体ウェハ１００の一面に貼り付け、ダイシング工程を行う。そして、図１１に示されるように、ダイシングテープ２００の剥離工程では、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いている面２１の一部の領域にて、接着剤２０２に対して紫外線ＵＶを照射する。
【００９９】
それにより、接着剤２０２のうち紫外線照射された部分が、硬化などにより接着性が低下した部分２０２ａとなる。その後、半導体チップ２０をダイシングテープ２００から剥離させることにより、接着剤２０２のうち紫外線が照射されなかった部分が、半導体チップ２０におけるはんだ付け面２１に残る。
【０１００】
その後は、上記第１実施形態と同様に、チップ搭載工程、はんだ接合工程を行うことにより、本実施形態においても、半導体チップ２０が基板にはんだ接合されてなる実装構造が完成する。
【０１０１】
このように、本実施形態によれば、接着剤２０２のうち紫外線が照射されなかった部分が、半導体チップ２０におけるダイシングテープ２００が貼り付いていた面に残るため、接着剤２０２を、半導体チップ２０のはんだ付け面２１の全体ではなく一部にしか残渣として残らないようにすることができ、従来よりもはんだ濡れ性に優れた実装を行うことができる。
【０１０２】
（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態などのように、ダイシングテープ２００側にて接着剤２０２を部分的に配置する形態と、上記第３実施形態などのように、半導体チップ２０側に凹凸部１０１、１０２を設ける形態とを、可能な範囲で組み合わせて行ってもよい。
【０１０３】
たとえば、上記図１０に示される凹凸部１０１、１０２を有する半導体ウェハ１００と、上記図５に示されるメッシュ状の接着剤２０２を有するダイシングテープ２００とを、組み合わせてもよい。
【０１０４】
また、基板１０としては、セラミック基板以外にも、プリント基板、金属基板など各種の配線基板を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの実装構造を示す概略断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体チップの実装方法を示す工程図である。
【図３】ダイシング工程を示す模式的な俯瞰図である。
【図４】第１実施形態に係る実装方法における（ａ）チップ搭載工程、（ｂ）はんだ接合工程を示す工程図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの実装方法の要部を示す工程図である。
【図６】第２実施形態に係る半導体チップの実装方法のもう一つの例の要部を示す工程図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハおよびダイシングテープを示す図である。
【図８】第３実施形態に係る半導体チップの実装方法を示す工程図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハを示す図である。
【図１０】本発明の第５実施形態に係る半導体チップの実装方法に用いる半導体ウェハを示す図である。
【図１１】本発明の第６実施形態に係る半導体チップの実装方法の要部を示す概略断面図である。
【図１２】本発明者が試作した実装方法を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１０…基板としてのセラミック基板、２０…半導体チップ、
２１…半導体チップにおけるダイシングテープが貼り付いていた面としてのはんだ付け面、
２２…金属膜、３０…はんだ、１００…半導体ウェハ、
１０１…凸部、１０２…凹部、２００…ダイシングテープ、２０２…接着剤。
【図１】
2008135612.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008135612.tif 000009
【図８】
2008135612.tif 000010
【図９】
2008135612.tif 000011
【図１０】
2008135612.tif 000012
【図１１】
2008135612.tif 000013
【図１２】
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