【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の導電性透明膜の製造方法において、
−第１の材料により基板を被覆して、前記基板の表面の少なくとも１つの領域上に前記第１の材料の未乾燥塗膜を形成する工程と、
−接触点において前記膜内の前記第１の材料を置換することができる少なくとも１つの第２の材料により前記膜を処理し、これにより前記接触点から前記膜材の置換および前記基板の露出をもたらし、前記膜内に離間されたリングボイドのアレイを設ける工程と、
−前記第１の材料を導電性にするために前記膜を随意的に処理する工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記第１の材料は導電性材料であり、
−基板の表面の少なくとも１つの領域上に導電性膜を形成するために前記基板を導電性材料により被覆する工程と、
−接触点において前記導電性膜内の前記導電性材料を置換することができる少なくとも１つの材料により前記導電性膜を処理し、これにより前記接触点から前記膜材の置換および前記基板の露出をもたらし、前記膜内に離間された材料のリングボイドのアレイを設ける工程と、を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、前記基板は二次元または三次元の表面であることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、前記基板はガラス、紙、半導体無機または有機材料、高分子材料、セラミック材から選択された材料の基板であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記第１の材料は金属、遷移金属、半導体、合金、金属間材料、導電性高分子、カーボンベースの材料から選択されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項２に記載の方法において、前記導電性材料は金属、遷移金属、半導体、合金、金属間材料、導電性高分子、カーボンベースの材料から選択されることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項２に記載の方法において、前記導電性材料はカーボンブラック、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、黒鉛、グラフェン、フラーレン、炭素同素体から選択されたカーボンべ−スの材料であることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、前記導電性材料は導電性高分子材料であることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法において、前記第１の材料または導電性材料はインクジェット、噴霧、ブラッシング、ディッピング、ドクターブレード法、スピン、ロールツーロール被覆から選択された方法により前記基板上に塗布されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法において、前記第１の材料または導電性材料は粒子の形態であることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１または２に記載の方法において、
前記膜は、接触すると前記膜内の前記第１の材料を置換することができる少なくとも１つの第２の材料により処理され、
前記少なくとも１つの第２の材料は、接触すると前記膜からの材料の置換を可能にする少なくとも１つの化学的または物理的性質を有する、ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記化学的または物理的性質は親水性、疎水性、濡れ挙動、表面張力、界面エネルギー、拡張係数、蒸着速度、粘度から選択されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項２に記載の方法において、前記導電性膜内の前記ボイド間の幅は５０マイクロメートル未満であることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法において、前記幅は最大で２０マイクロメートルであることを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項２に記載の方法において、ボイド縁の高さは１０マイクロメートル未満であることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項２に記載の方法において、平均ボイド径は５００マイクロメートル未満であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法において、ボイド径は１０〜３００マイクロメートルであることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項２に記載の方法において、離間された材料無しボイドのアレイを有する前記導電性膜は０．００４オーム／□〜５ｋオーム／□のシート抵抗を有することを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、前記抵抗は５０オーム／□未満であることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法において、前記抵抗は２０オーム／□未満であることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、前記抵抗は７オーム／□以下であることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項２に記載の方法において、離間された材料無しボイドのアレイを有する前記導電性膜は少なくとも３０％の光透過率を有することを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、前記導電性膜は少なくとも９５％の光透過率を有することを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項２に記載の方法において、離間された材料のリングボイドのアレイを有する前記導電性膜は９５％の透過率と０．００４オーム／□〜５ｋオーム／□のシート抵抗を有することを特徴とする方法。
【請求項２５】
複数の離間した材料無しボイドを有する材料の導電性透明膜により被覆された基板において、前記複数の離間したボイドのそれぞれの縁は１０マイクロメートル未満であり、平均ボイド径は５００マイクロメートル未満であることを特徴とする基板。
【請求項２６】
請求項２５に記載の基板において、平均ボイド径は１０〜３００マイクロメートルであることを特徴とする基板。
【請求項２７】
請求項２５に記載の基板において、
ａ．５０マイクロメートル未満のボイド間隔、
ｂ．０．００４オーム／□〜５ｋオーム／□のシート抵抗、
ｃ．少なくとも３０％の光透過率、の少なくとも１つを有することを特徴とする基板。
【請求項２８】
複数の離間した材料無しボイドを有する材料の導電性透明膜により被覆された基板において、
前記複数の離間したボイドのそれぞれの間隔は１０マイクロメートル未満であり、平均ボイド径は５００マイクロメートル未満であり、
前記膜は９５％の全体透過率と０．００４オーム／□〜５ｋオーム／□のシート抵抗を有することを特徴とする基板。
【請求項２９】
基板上の導電性透明パターンの製造方法において、
導電性材料の複数の液滴で基板を処理する工程と、
前記液滴が前記基板上に交差リング構造のアレイを形成できるようにする工程と、を含み、
前記導電性材料は（１）１つまたは複数の金属またはその前駆体の合成物、（２）半導電材料、（３）カーボンベースの材料、（４）量子ドット、（５）前記のものの任意の混合物から選択され、これにより前記基板上に導電性透明パターンを得る、ことを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法において、前記導電性透明パターンは前記導電性材料の自己集合により得られることを特徴とする方法。
【請求項３１】
導電性透明膜で被覆された基板において、
前記膜は（１）１つまたは複数の金属またはその前駆体の合成物、（２）半導電材料、（３）カーボンベースの材料、（４）量子ドット、（５）前記ものの任意の混合物から選択された導電性材料の交差リング構造のパターンを有し
各リング構造の縁は約１〜５マイクロメートルの幅を有し、
各リング構造の直径は約１００〜２００マイクロメートルである、ことを特徴とする基板。
【請求項３２】
請求項３１に記載の基板において、
前記膜は、
ａ．０．００４オーム／□〜５ｋオーム／□のシート抵抗、
ｂ．少なくとも３０％の光透過率、の少なくとも１つにより特徴付けられることを特徴とする基板。
【請求項３３】
少なくとも１つの導電性材料の交差リング構造のパターンを有する導電性透明膜を実装することを特徴とする装置。
【請求項３４】
請求項３３に記載の装置において、前記導電性材料は金属、遷移金属、半導体、合金、金属間材料、導電性高分子、カーボンベースの材料から選択されることを特徴とする装置。
【請求項３５】
請求項３３に記載の装置において、前記導電性材料は遷移金属であるかあるいはそれを含むことを特徴とする装置。
【請求項３６】
導電性透明多層を実装する装置において、
前記多層は複数の膜からなり、
前記多層の各膜は複数のリング構造からなり、異なる材料または材料形態の膜である、ことを特徴とする装置。
【請求項３７】
請求項３６に記載の装置において、前記装置は電子装置または光電子装置であることを特徴とする装置。
【請求項３８】
光伝導体、フォトダイオード、太陽電池、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機発光ダイオード、レーザー、光センサ、トランジスタ、有機トランジスタ、無機トランジスタ、ハイブリッドトランジスタ、タッチスクリーン、ディスプレイバックプレーン、大面積ディスプレイアレイ、フレキシブルディスプレイ、電磁干渉（ＥＭＩ）遮蔽層および電子新聞から選択されることを特徴とする請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
請求項３８に記載の装置において、前記光電子装置は光起電力太陽電池であることを特徴とする装置。