【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、
ｐ型コンタクト層と、
前記ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、
前記ｎ型コンタクト層と前記活性領域との間に介在する超格子層と、
前記超格子層と前記ｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、
前記非ドープ中間層と前記超格子層との間に介在する電子補強層と、を備え、
前記超格子層は、前記活性領域に最も近い最終層にのみ意図的にシリコンがドープされ、前記最終層のシリコンドーピング濃度は、前記ｎ型コンタクト層のシリコンドーピング濃度よりも高いことを特徴とする発光ダイオード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記ｎ型コンタクト層がＧａＮ層を有し、前記非ドープ中間層がＧａＮで形成されたことを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、
ｐ型コンタクト層と、
前記ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、
前記ｎ型コンタクト層と前記活性領域との間に介在する超格子層と、
前記超格子層と前記ｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、
前記非ドープ中間層と前記超格子層との間に介在する電子補強層と、を備え、
前記ｎ型コンタクト層が、ｎ型ＧａＮ層及び前記ｎ型ＧａＮ層間に介在するｎ型ＡｌＧａＮ層を有することを特徴とする発光ダイオード。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記スペーサ層は、Ｉｎを含み、前記Ｉｎ含量は、前記活性領域の障壁層でのＩｎ含量よりも高く、前記井戸層でのＩｎ含量よりは低いことを特徴とする請求項２１に記載の発光ダイオード。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の一態様による発光ダイオードは、シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、前記ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、前記ｎ型コンタクト層と前記活性領域との間に介在する超格子層と、前記超格子層と前記ｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、前記非ドープ中間層と前記超格子層との間に介在する電子補強層と、を備える。また、前記超格子層は、前記活性領域に最も近い最終層にのみ意図的にシリコンがドープされ、前記最終層のシリコンドーピング濃度は、前記ｎ型コンタクト層のシリコンドーピング濃度よりも高い。活性領域に近く位置する超格子層の殆ど全ての層にシリコンを意図的にドープしていないので、漏れ電流を減少させることができ、活性領域に最も近い最終層に高濃度のシリコンをドープすることにより、接合特性が悪くなることを防ぎ、静電放電特性を改善することができる。特に、前記超格子層の最終層は、前記活性領域に接することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の他の態様による発光ダイオードは、シリコンがドープされたｎ型コンタクト層と、ｐ型コンタクト層と、前記ｎ型コンタクト層とｐ型コンタクト層との間に介在する活性領域と、前記ｎ型コンタクト層と前記活性領域との間に介在する超格子層と、前記超格子層と前記ｎ型コンタクト層との間に介在する非ドープ中間層と、前記非ドープ中間層と前記超格子層との間に介在する電子補強層と、を備える。また、前記ｎ型コンタクト層は、ｎ型ＧａＮ層及び前記ｎ型ＧａＮ層間に介在するｎ型ＡｌＧａＮ層を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
前記スペーサ層は、Ｉｎを含み、前記Ｉｎ含量は、前記活性領域の障壁層でのＩｎ含量よりも高く、前記井戸層でのＩｎ含量よりは低くてもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
スペーサ層１２８は、活性領域１２９の障壁層に比べてバンドギャップが小さく、井戸層に比べてバンドギャップの大きな（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ系III族窒化物半導体層からなってもよい。例えば、スペーサ層１２８は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）を含んでもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
この際、前記スペーサ層１２８の成長方向を基準とするとき、活性領域１２９と隣接した一部の厚さの領域にｎ型不純物をドープするようにする。また、ｎ型不純物がドープされた厚さの領域を除いた残りの厚さの領域は、ｎ型不純物を非ドープするようにする。スペーサ層１２８の全厚さの領域中において、活性領域１２９に隣接した一部の厚さの領域にのみｎ型不純物がドープされることにより、スペーサ層１２８から活性領域１２９内に電子を円滑に注入することができる。また、前記ｎ型不純物がドープされた領域でのドーピング濃度は、前記ｎ型コンタクト層１２６の不純物ドーピング濃度よりも相対的に高い、例えば、９×１０１９ａｔｍ／ｃｍ３であってもよい。これにより、スペーサ層１２８の抵抗増加を防止することができ、その内部で生成した電子により、活性領域１２９内への電子注入効率を高めることができる。一方、スペーサ層１２８は、図８に示すように、活性領域１２９の障壁層に比べてバンドギャップが小さく、井戸層に比べてバンドギャップの大きい（Ａｌ、Ｉｎ、Ｇａ）Ｎ系III族窒化物半導体層１２８ａ、１２８ｂが交互に積層された構造を有してもよい。例えば、スペーサ層１２８は、異なる組成のＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）１２８ａとＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）１２８ｂが交互に積層されてもよい。ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）１２８aは、例えば、３０〜４０Åの厚さで、ＩｎｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）１２８ｂは、１５〜２０Åの厚さで形成されてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
一方、中間層１２７は、図１１に示すように、ｎ‐ＡｌＧａＮ層１２７ｂとスペーサ層１２８との間に２００〜３００Åの厚さで積層されたｎ‐ＧａＮ１２７aを有してもよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、中間層１２７は、図１３に示すように、スペーサ層１２８とｎ型コンタクト層１２６との間に、ｎ‐ＧａＮ１２７ａ、ｎ‐ＡｌＧａＮ層１２７ｂ、非ドープされたＧａＮ層１２７ｃ、ロードープされたｎ‐ＧａＮ層１２７ｄを有してもよい。非ドープされたＧａＮ層１２７ｃは、意図的に不純物がドープされていないＧａＮであり、１００〜５０００Åの厚さで形成されてもよい。非ドープされたＧａＮ層１２７ｃは、不純物がドープされていないので、ｎ型コンタクト層１２６に比べて相対的に比抵抗が高い。したがって、ｎ型コンタクト層１２６から活性領域１２９に流入する電子が、非ドープされたＧａＮ層１２７ｃを通過する前に、ｎ型コンタクト層１２６内において均一に分散され得る。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
ロードープされたｎ‐ＧａＮ層１２７ｄは、ｎ型コンタクト層１２６に比べて不純物が低い濃度でドープされるので、ｎ型コンタクト層１２６に比べて相対的に比抵抗が高い。したがって、ｎ型コンタクト層１２６から活性領域１２９に流入する電子が、ロードープされたｎ‐ＧａＮ層１２７ｄを通過する前に、ｎ型コンタクト層１２６内において均一に分散され得る。