【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを形成する方法であって、
第一の電極層の上に材料物質を堆積することと、
前記材料物質の上に第二の層を堆積することであって、前記第二の層は、前記第二の層を貫通する複数の開口を備え、前記開口は、前記材料物質を露出するように構成されていることと、
前記開口を介してエッチング液を流すことと、
前記材料物質をエッチングして、前記材料物質の犠牲部分を除去し、少なくとも一つのサポート構造及び各々がキャビティ縁部を有する複数のキャビティを形成することであって、
前記サポート構造は、前記材料物質の残る部分を含み、前記エッチングすることは、前記材料物質の犠牲部分と残る部分との間で非選択的であり、少なくとも一つのキャビティ縁部は、一つ又は複数の他のキャビティ縁部と合流して前記サポート構造を形成することと
を備えた方法。
【請求項２】
前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは干渉変調器を備えている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記材料物質は、モリブデン及びシリコンから選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記材料物質をエッチングすることは、前記第二の層に対して選択的である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチングすることは、前記材料物質を前記開口から横方向に凹ませることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチングすることは、等方的にエッチングすることである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング液はＸｅＦ２を含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、
前記第二の層をエッチングして、前記複数の開口を形成することを更に備えた方法。
【請求項９】
前記第一の電極層は第一のミラーを備えた請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第二の層は第二の電極を備えた請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第二の層は更に第二のミラーを備えた請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第二の層はメカニカル層を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
ミラー層を堆積することであって、前記ミラー層の少なくとも一部は、エッチングして前記材料物質の犠牲部分を除去した後、前記メカニカル層から吊下されることを更に備えた方法。
【請求項１４】
前記エッチングして前記犠牲部分を除去することは、前記ミラー層に対して選択的である請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記サポート構造が凹断面を持つ請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチングすることは、時間指定されたエッチングを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記サポート構造は、支柱を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法によって形成される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１９】
リリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板であって、
下層材料物質と、
アレイ状に構成された複数の開口部を備えたオーバレイ層とを備え、
前記オーバレイ層は、前記下層材料物質の犠牲部分がキャビティを形成するために除去可能なように構成されており、
前記オーバレイ層は更に、前記犠牲部分が除去されると、前記下層材料物質の残る部分が干渉変調器の支柱構造のアレイを形成するように構成され、前記残る部分と前記犠牲部分とは実質的に均一な特性を持っているリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２０】
前記材料物質はモリブデン又はシリコンを含む請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２１】
前記開口部は、ビア、トレンチ又はチャネルのうちの一つを備えている請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２２】
前記下層材料物質は基板を覆い、前記基板は、前記下層材料物質を露出するように構成された開口部を備えている請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２３】
前記オーバレイ層はミラー層を備えた請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２４】
前記オーバレイ層は電極を備えた請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２５】
前記オーバレイ層はメカニカル層を備えた請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２６】
第一のミラー層と第二のミラー層とを更に備え、前記材料物質の少なくとも一部が、前記第一のミラー層と、前記第二のミラー層との間に位置している請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２７】
前記オーバレイ層が前記第二のミラー層を備えている請求項２６に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２８】
前記犠牲部分が除去されると、前記第二のミラー層の少なくとも一部が、前記オーバレイ層から吊下される請求項２６に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項２９】
前記支柱構造が凹断面を持つ請求項１９に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）基板。
【請求項３０】
干渉変調器を形成する方法であって、前記干渉変調器は少なくとも、第一のミラーと、各々がキャビティ縁部を有する複数のキャビティによって前記第一のミラーから隔離された第二のミラーと、前記キャビティの側部に配置され、前記第一のミラーから離間された前記第二のミラーを支持するように構成された少なくとも一つのサポート構造とを備えており、前記方法は、
基板を提供することであって、前記基板は、前記第一のミラーの下にあるように構成された第一の領域と、前記サポート構造の下にあるように構成された第二の領域とを有していることと、
少なくとも前記第一の領域の上に第一のミラー層を堆積することと、
前記第一の領域の上、及び前記第二の領域の上に材料物質を堆積することと、
前記第一の領域上の少なくとも前記材料物質の上に第二のミラー層を堆積することと、
前記第一の領域上の材料物質へのエッチング液の流れを促進するように構成された複数の開口を形成することとを備え、
前記第一の領域上の材料物質は、前記エッチング液によって除去可能であり、これによって前記複数のキャビティ及び前記サポート構造を形成し、前記サポート構造は、前記第二の領域上の材料物質を含み、前記犠牲部分及び残る部分が、実質的に均一な特性を持つ材料物質から形成されており、少なくとも一つのキャビティ縁部は、一つ又は複数の他のキャビティ縁部と合流して前記サポート構造を形成する方法。
【請求項３１】
少なくとも一つの前記材料物質がモリブデン及びシリコンから選択される請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記第一の領域上の材料物質のうちの少なくとも一部を除去して前記キャビティを形成することを更に備えた請求項３１に記載の方法。
【請求項３３】
前記第一の領域上の材料物質のうちの少なくとも一部を除去して前記複数のキャビティを形成することは、時間指定されたエッチングを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記第一の領域上の材料物質のうちの少なくとも一部を除去して前記複数のキャビティを形成することは、前記材料物質を前記複数の開口から横方向に凹ませることを含む請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
前記エッチング液はＸｅＦ２を含む請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記複数の開口は、前記第二のミラー層を通って形成される請求項３０に記載の方法。
【請求項３７】
前記第一の領域上の少なくとも前記材料物質の上にメカニカル層を形成することを更に備えた請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
前記複数の開口はビアを備えた請求項３０に記載の方法。
【請求項３９】
前記複数の開口は、複数の交差チャネルを備えた請求項３０に記載の方法。
【請求項４０】
凹断面を持つ支柱構造を備えた干渉変調器。
【請求項４１】
前記支柱構造は全体的に凹面形状の断面を持つ請求項４０に記載の干渉変調器。
【請求項４２】
前記支柱構造は全体的に凸面形状の断面を持つ請求項４０に記載の干渉変調器。
【請求項４３】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
アレイ状に構成された複数の開口部と、
干渉変調器の少なくとも一部を支持する手段とを備え、
前記支持する手段は、実質的に均一の特性を持つ材料物質の犠牲部分を選択的に除去すると残る部分であり、前記開口部は、前記材料物質の犠牲部分に対応する部分に形成され、前記犠牲部分は、前記材料物質の前記残る部分を残すために選択的に除去される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項４４】
前記支持する手段は、支柱構造を備えている請求項４３に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項４５】
請求項３０に記載の方法によって形成される干渉変調器。
【請求項４６】
請求項４５に記載の干渉変調器を備えたシステム。
【請求項４７】
請求項４６に記載のシステムにおいて、
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成されたプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備えたシステム。
【請求項４８】
少なくとも一つの信号を前記ディスプレイへ送るように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項４７に記載のシステム。
【請求項４９】
前記画像データのうちの少なくとも一部を前記ドライバ回路へ送るように構成されたコントローラを更に備えた請求項４８に記載のシステム。
【請求項５０】
前記画像データを前記プロセッサへ送るように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項４７に記載のシステム。
【請求項５１】
前記画像ソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも一つを備えている請求項５０に記載のシステム。
【請求項５２】
入力データを受け取り、前記入力データを前記プロセッサへ通信するように構成された入力装置を更に備えた請求項４７に記載のシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
別の局面は、干渉変調器を形成する方法を提供する。この干渉変調器は、少なくとも、第１のミラーと、キャビティによって第１のミラーから隔離された第２のミラーと、キャビティの側部に位置し、かつ第１のミラーから離間した前記第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを含む。この干渉変調器を形成する方法は、第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を設けることと、少なくとも第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上に、かつ第２の領域の上に材料物質を堆積することと、少なくとも第１の領域上の材料物質上に第２のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上の材料物質へのエッチング液の流れを促進するように構成された複数の開口を形成することを含む。第１の領域上の材料物質は、エッチング液により除去可能であり、それによってキャビティ及び支柱構造が形成される。この場合、支柱構造は、第２の領域上の材料物質を含み、犠牲部分及び残る部分は、実質的に均一な特性を有する材料物質で形成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図１７Ａは、対応するビア（例えば、ビア１６０９）からなるアレイを介したＸｅＦ２の導入を含む「時間指定されたエッチング（ｔｉｍｅｄ  ｅｔｃｈ）」の結果として生じる、干渉変調器基板のモリブデン材料中の略円形の断面を有する（キャビティ１６０５を含む）キャビティからなる配列を示す。図１７Ａに示す顕微鏡写真は、ＸｅＦ２エッチング液が、前記ビア（例えば、ビア１６０９）を通って導入された約１分後に撮影された。図１７Ｂ、図１７Ｃ、図１７Ｄ及び図１７Ｅは、様々な期間、ＸｅＦ２エッチング液にさらされた異なる干渉変調器基板の顕微鏡写真を示す。図１７Ｂから図１７Ｅに示すエッチングされた基板は、ビア１６０９、１６１０、及び１６１５を介してＸｅＦ２エッチング液を導入し、それによって、それぞれ、約２分間、４分間、６分間、及び８分間、モリブデン材料をエッチングしたときの効果を示すものである。当業者は、異なる干渉変調器基板（及びそれに伴って異なるビア）が、一連の対応する顕微鏡写真で示されているため、図１７Ａ、図１７Ｄ及び図１７Ｅのビアを指すのに、異なる参照符号が用いられていることを理解するであろう。ビアの直径は約４ミクロン（μｍ）であり、チャンバ圧力は、図１７に示すエッチングプロセスの間、約２０ｍＴｏｒｒから２Ｔｏｒｒであった。図１７の一連の顕微鏡写真は、キャビティの縁部（例えば、キャビティ縁部１６０７）が互いに離れている初期の段階から、キャビティの縁部が交わりかつ合流する後の段階まで、エッチングが進行するにつれて、キャビティの直径が増加する傾向がある様子を示している。キャビティ縁部が合流した後で、かつモリブデン材料の除去が完了する前に、エッチングを停止することにより、残っている材料物質が残されて、支柱が形成される。例えば、図１７Ｅにおけるダイヤモンド状の支柱１６２０は、対応するキャビティが合流するまで、ビア１６１５を介してＸｅＦ２エッチング液を導入することによって形成することができる。