【手続補正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記憶媒体に接触するための摺動面を有する磁気抵抗読取ヘッドであって、
磁気抵抗センサと、
前記磁気抵抗センサの表面上に配置され、前記摺動面の一部を形成する絶縁体層とを備える、磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項２】
前記磁気抵抗センサは前記摺動面に面する斜面を含み、前記絶縁体層は前記斜面上に配置される、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３】
前記斜面は５°から３０°の間の角度を付けられる、請求項２に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項４】
前記絶縁体層は、前記斜面上の前記磁気抵抗センサの露出要素を腐食から保護する、請求項２に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項５】
前記磁気抵抗センサは実質的に酸化物に浸食されない、請求項２に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項６】
前記絶縁体層は前記磁気抵抗センサと同じレベルに配置される、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項７】
前記磁気抵抗センサは第１の読取ギャップ層と第２の読取ギャップ層との間に配置され、前記第１および第２の読取ギャップ層はほぼ均一な厚みを有する、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項８】
前記絶縁体層は、前記磁気抵抗センサの少なくとも一部が前記摺動面に露出するのを防止する、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項９】
前記磁気抵抗センサは、５００Åの最小距離をあけて前記摺動面から引込められる、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項１０】
前記絶縁体層はアルミナまたは二酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項１１】
前記磁気抵抗センサは巨大磁気抵抗センサを含む、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項１２】
前記磁気抵抗センサはトンネル巨大磁気抵抗センサを含む、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項１３】
前記トンネル巨大磁気抵抗センサは絶縁体スペーサを含み、前記絶縁体スペーサは前記絶縁体層によってスミアリングから保護される、請求項１２に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項１４】
磁気抵抗センサを製造するための方法であって、
読取ギャップ層の上に薄膜積層体を形成するステップと、
斜面を含むように薄膜積層体の一部を除去するステップと、
薄膜積層体と同じレベルに絶縁体層を配置するステップと、
前記絶縁体層と前記読取ギャップ層とをラッピングして摺動面を形成するステップとを含み、前記絶縁体層は前記薄膜積層体の前記斜面と前記摺動面との間に配置される、方法。
【請求項１５】
前記薄膜積層体は、５００Åの最小距離をあけてテープ摺動面から引込められる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
薄膜積層体を処理するステップは、前記薄膜積層体のストライプ高さを規定するステップをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記斜面は５°から３０°の間の角度を付けられる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記薄膜積層体および前記絶縁体層の上に第２の読取ギャップ層を堆積するステップをさらに含み、酸化物の侵食は前記絶縁体層の存在によって低減される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の読取ギャップ層は実質的に均一な厚みである、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の読取ギャップ層の厚みと前記第２の読取ギャップ層の厚みとは、所望の非対称のために異なる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
磁気ヘッドを製造するための方法であって、
複数の磁気抵抗素子、基準素子および監視素子を基板上に形成するステップと、
前記基板の摺動面から材料を除去するステップと、
前記監視素子の特徴と前記基準素子の特徴を比較するステップとを含み、前記監視素子の前記特徴は、材料が前記摺動面から除去されると変化する、方法。
【請求項２２】
前記監視素子は、材料を除去する前は前記基準素子よりも大きなストライプ高さを有するように形成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記監視素子は、前記複数の磁気抵抗素子の読取要素とストライプ高さが等しくなるように形成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
前記監視素子および前記基準素子は、前記磁気抵抗素子と同じレベルに形成される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
前記基準素子の前記特徴および前記監視素子の前記特徴は、前記基準素子および前記監視素子の電気測定値を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
前記摺動面から材料を除去する動作は、前記監視素子の前記特徴が前記基準素子の前記特徴と等しくなると停止される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
磁気記憶媒体に接触するための摺動面を有する磁気抵抗読取ヘッドであって、
磁気抵抗センサと、
前記磁気抵抗センサと前記摺動面との間に配置されて、前記摺動面に対する露出からの前記磁気抵抗センサの保護を与える絶縁体層とを備え、
前記磁気抵抗センサは前記摺動面に面する斜面を含み、前記絶縁体層は前記斜面上に配置され、
前記磁気抵抗センサは第１の読取ギャップ層と第２の読取ギャップ層との間に配置され、前記第１および第２の読取ギャップ層はほぼ均一な厚みを有する、磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項２８】
磁気記憶媒体に接触するための摺動面を有する磁気抵抗読取ヘッドであって、前記磁気抵抗読取ヘッドは、
磁気抵抗センサと、
前記磁気抵抗センサと前記摺動面との間に配置される絶縁体層とを備え、前記絶縁体層は前記磁気抵抗センサを前記摺動面に対する露出から保護し、
前記磁気抵抗センサは、０Åより大きく約７５０Åに満たない距離をあけて前記摺動面から引込められる一部を含む、磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項２９】
前記磁気抵抗センサの前記一部は、１００Åから４００Åの間の距離をあけて前記摺動面から引込められ、
前記絶縁体層は、前記磁気抵抗センサの少なくとも前記一部が前記摺動面に露出するのを抑制し、
前記磁気抵抗センサは前記摺動面に面する斜面を含み、前記絶縁体層は前記斜面上に配置され、
前記斜面は約５°から３０°の間の角度を付けられ、
前記絶縁体層は前記磁気抵抗センサと同じレベルに配置される、請求項２８に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３０】
磁気記憶媒体に接触するための摺動面を有する磁気抵抗読取ヘッドであって、前記磁気抵抗読取ヘッドは、
前記摺動面に面する斜面を含む磁気抵抗センサと、
前記斜面上に配置される絶縁体層とを備え、前記絶縁体層は前記磁気抵抗センサから前記摺動面へ延在する、磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３１】
前記磁気抵抗センサの一部は、０Åより大きく約７５０Åに満たない距離をあけて前記摺動面から引込められ、
前記斜面は約５°から３０°の間の角度を付けられ、
前記絶縁体層は前記磁気抵抗センサと同じレベルに配置され、
前記磁気抵抗センサは巨大磁気抵抗センサを含み、
前記磁気抵抗センサはトンネル巨大磁気抵抗センサを含む、請求項３０に記載の磁気抵
抗読取ヘッド。
【請求項３２】
前記磁気抵抗センサの一部は、１００Åから４００Åの間の距離をあけて前記摺動面から引込められる、請求項１に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３３】
磁気記憶媒体に接触するための摺動面を有する磁気抵抗読取ヘッドであって、
材料除去プロセスの間に用いるための監視素子および基準素子と、
複数の磁気抵抗センサとを備え、前記複数の磁気抵抗センサのうち少なくとも１つは前記摺動面に面する斜面を含み、前記斜面上に絶縁体層が配置される、磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３４】
前記少なくとも１つの磁気抵抗センサの一部は７５０Å以下の距離をあけて前記摺動面から引込められる、または
前記少なくとも１つの磁気抵抗センサの一部は１００Åから４００Åの間の距離をあけて前記摺動面から引込められる、請求項３３に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３５】
前記絶縁体層はアルミナまたは二酸化ケイ素を含む、請求項３３に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３６】
前記斜面は５°から３０°の間の角度を付けられ、
前記少なくとも１つの磁気抵抗センサは第１の読取ギャップ層と第２の読取ギャップ層との間に配置され、前記第１および第２の読取ギャップ層はほぼ均一な厚みを有し、
前記少なくとも１つの磁気抵抗センサは巨大磁気抵抗センサを含み、
前記少なくとも１つの磁気抵抗センサはトンネル巨大磁気抵抗センサを含み、
前記トンネル巨大磁気抵抗センサは絶縁体スペーサを含み、前記絶縁体スペーサは前記絶縁体層によってスミアリングから保護され、
前記監視素子および前記基準素子は各々読取要素を含む、請求項３３に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３７】
前記監視素子および前記基準素子は前記磁気抵抗センサの読取要素と同じレベルに配置される、または
前記監視素子および監視基準素子は前記磁気抵抗センサに隣接して前記磁気抵抗センサと同じピッチで配置される、請求項３３に記載の磁気抵抗読取ヘッド。
【請求項３８】
前記磁気抵抗センサは、異方性磁気抵抗センサまたは巨大磁気抵抗センサを含む、請求項３３に記載の磁気抵抗読取ヘッド。