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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免疫グロブリンの製造性を向上させる方法であって、
ＶＬドメインおよびＶＨドメインを有する親免疫グロブリンを同定するステップ、
前記親免疫グロブリンのＶＬドメイン中のフレームワーク易凝集性セグメントおよび／またはＣＤＲ３易凝集性セグメント中に置換を導入するステップ、および／または
前記親免疫グロブリンのＶＨドメイン中のフレームワーク領域易凝集性セグメントおよび／またはＣＤＲ３易凝集性セグメント中に置換を導入するステップ、および／または
前記親免疫グロブリンのＣＨ１ドメイン中の定常領域易凝集性セグメント中に置換を導入するステップ
を含み、それにより、前記親免疫グロブリンに対して製造性の向上を示す、ＶＬドメインおよびＶＨドメインを有する変異免疫グロブリンを製造する方法。
【請求項２】
フレームワーク（ＦＲ）易凝集性セグメントおよび／または相補性決定領域３（ＣＤＲ３）易凝集性セグメントに置換を含む軽鎖可変（ＶＬ）ドメイン、
フレームワーク領域易凝集性セグメントおよび／またはＣＤＲ３易凝集性セグメントに置換を含む重鎖可変（ＶＨ）ドメイン、および／または、
重鎖定常領域１（ＣＨ１）易凝集性セグメントに置換を含むＣＨ１ドメイン
を含む、変異免疫グロブリン。
【請求項３】
変異免疫グロブリンが、発現時に親免疫グロブリンに対して凝集傾向の減少および生産性の増加の両方を示す、請求項１に記載の方法または請求項２に記載の変異免疫グロブリン。
【請求項４】
置換が、親免疫グロブリンのＶＬドメイン中のＶＬポジション３７易凝集性セグメントおよび／またはＶＬポジション４５易凝集性セグメントに導入される、および／または
置換が、親免疫グロブリンのＶＨドメイン中のＶＨ  ＦＲ１易凝集性セグメント、ＶＨポジション９５易凝集性セグメント、およびＶＨ  ＣＤＲ３易凝集性セグメントに導入される、請求項３に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項５】
前記置換が、ＶＨドメイン配列の１、１７、９４、９５、９６、１００、１００ｄおよび１０２からなる群から選択されるポジションおよび／またはＶＬドメイン配列の３７、４５および４６からなる群から選択されるポジションに導入され、
任意に、ＶＬドメイン配列中のポジション３７の残基が、ＱまたはＮで置換され、
任意に、ＶＬドメイン配列中のポジション４５の残基が、Ｅ、Ｋ、Ｒ、ＱまたはＶで置換され、
任意に、ＶＬドメイン配列中のポジション４６の残基が、ＬまたはＹで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション１の残基が、Ｅ、Ｑ、Ｄ、ＡまたはＶで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション１７の残基が、Ｒで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション９４の残基が、Ｒで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション９５の残基が、Ｄで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション９６の残基が、Ａで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション１００ｄの残基が、Ｆ、Ｇ、Ｌ、ＰまたはＭで置換され、
任意に、ＶＨドメイン配列中のポジション１０２の残基が、Ａ、Ｆ、Ｈ、Ｉ、Ｌ、ＶまたはＹで置換される、
請求項４に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項６】
ＶＨドメインの配列が、ＶＨ  ＦＲ１易凝集性セグメントおよびＶＨ  ＣＤＲ３易凝集性セグメント中の置換、ＶＨポジション９５易凝集性セグメントおよびＶＨ  ＣＤＲ３易凝集性セグメント中の置換、又はＶＨ  ＣＤＲ３易凝集性セグメント中の２つ以上の置換を含む、
請求項３から５のいずれか一項に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項７】
ＶＨドメインの配列が、ポジション１およびポジション１０２の置換、ポジション９５およびポジション１０２の置換、又はポジション１００ｄおよび１０２の置換を含み、
任意に、ポジション１０２の残基が、Ａ、Ｆ、Ｈ、Ｉ、Ｌ、ＶまたはＹで置換され、ポジション１の残基が、Ｅ、Ｑ、Ｄ、ＡまたはＶで置換されるか、又はポジション１０２の残基が、Ａ、Ｆ、Ｈ、Ｉ、Ｌ、ＶまたはＹで置換され、ポジション９５の残基が、ＥまたはＤで置換される、
請求項６に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項８】
ＶＨドメインが、ポジション９４および１００の置換をさらに含み、
任意に、ポジション９４の残基が、Ｒで置換され、ポジション１００の残基が、Ｆで置換される、
請求項７に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項９】
変異免疫グロブリンのＶＬドメインの配列が、ポジション３７易凝集性セグメントおよびポジション４５易凝集性セグメント中に置換を含み、
任意に、ポジション３７の残基が、ＱまたはＮで置換され、ポジション４５の残基が、Ｒ、ＫまたはＥで置換される、
請求項３から８のいずれか一項に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項１０】
ＶＨドメインが、ＶＨポジション９５易凝集性セグメント中の１つまたは複数の置換を含み、ＶＬドメインが、ポジション４５易凝集性セグメント中の１つまたは複数の置換を含み、
任意に、ＶＨドメイン中のポジション９４の残基が、Ｒ、ＫまたはＴで置換され、ＶＨドメイン中のポジション９５の残基が、ＥまたはＤで置換され、ＶＬドメイン中のポジション４６の残基が、Ｋ、Ｒ、Ｈ、ＦまたはＳで置換される、
請求項３から９のいずれか一項に記載の変異免疫グロブリンまたは方法。
【請求項１１】
免疫グロブリンの製造性を評価する方法であって、
免疫グロブリンのＶＬドメイン中のポジション３７、４５および４６、ＶＨドメイン中のポジション１、１７、９４、９５、９６、１００、１００ｄおよび１０２からなる群から選択される１つまたは複数のポジションのアミノ酸残基を同定するステップ
を含み、
前記免疫グロブリンのＶＬドメインにおける、ポジション３７のＱ以外の残基、ポジション４５のＥ、Ｋ、Ｒ、ＱまたはＶ、好ましくはＫまたはＲ、ポジション４６のＬまたはＹ、好ましくはＬの存在、および／または
前記免疫グロブリンのＶＨドメインにおける、ポジション１のＡ、Ｄ、Ｅ、ＱまたはＶ以外の残基、ポジション１７のＲ、ポジション９４のＲ、ポジション９６のＡ、ポジション１００ｄのＦ、Ｇ、Ｌ、ＭまたはＰ、好ましくはＦまたはＭ、ポジション１０２のＡ、Ｆ、Ｈ、Ｉ、Ｌ、ＶまたはＹ、好ましくはＶまたはＹの存在
が、前記免疫グロブリンの製造性が最適ではないという指標となる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出口面を有する照明光学系であって、光を受け入れ、受光角度の範囲内で受け入れられた光について、前記受け入れられた光の方向を変えて平行にし、方向を変えて平行にされた受け入れられた光を前記出口面から投影するように構成された、照明光学系と、
前記受光角度の範囲より大きな範囲の放射角度の光を放射するように構成された光源と、
前記光源からの光を前記照明光学系の前記受光角度の範囲へと集中させ、前記照明光学系へ前記集中された光を結合するように構成され、反射防止層を介して前記照明光学系に結合される集光器と
を備える光学系。
【請求項２】
前記放射角度の範囲はランバート放射プロファイルに実質的に一致する請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
前記光源は白色発光ダイオードを含む請求項１に記載の光学系。
【請求項４】
前記受光角度の範囲は、第１の平面に投影された第１の極限の光線角度、及び前記第１の平面に垂直な第２の平面に投影された第２の極限の光線角度によって定義され、前記第１の極限の光線角度は前記第２の極限の光線角度より大きい請求項１に記載の光学系。
【請求項５】
前記集光器の収集領域は、前記光源からの光を前記第１の極限の光線角度より小さい角度へ集中させるように構成された対向する面の第１の鏡像対を含む請求項４に記載の光学系。
【請求項６】
前記集光器の収集領域は、前記光源からの光を前記第２の極限の光線角度より小さい角度へ集中させるように構成された対向する面の第２の鏡像対を含む請求項５に記載の光学系。
【請求項７】
対向する面の前記第１及び第２の鏡像対のうちの少なくとも１つは平面領域を含む請求項６に記載の光学系。
【請求項８】
前記光源は前記集光器に機械的に及び光学的に結合される請求項１に記載の光学系。
【請求項９】
前記集光器は少なくとも１つの光学的に透明なゲルの層を介して前記照明光学系に結合される請求項１に記載の光学系。
【請求項１０】
前記照明光学系から投影された光のうちのいくらかを画像領域上に形成された画像として選択的に透過するように構成された画像変調層をさらに含む請求項１に記載の光学系。
【請求項１１】
前記画像変調層及び前記光源に動作可能に結合され、前記画像領域上に形成された前記画像を制御するように構成されたコンピューターをさらに含む請求項１０に記載の光学系。
【請求項１２】
前記画像領域はキーボード領域を含む請求項１１に記載の光学系。
【請求項１３】
前記キーボード領域は１つ以上の押し下げ可能なキーを含む請求項１２に記載の光学系。
【請求項１４】
光源からの光を照明光学系へ結合するように構成された集光器であって、前記照明光学系は、第１の平面上に投影された第１の極限の光線角度未満且つ前記第１の平面に垂直な第２の平面上に投影された第２のより小さい極限の光線角度未満で受け入れられた光を投影するように構成され、前記集光器は、
対向する面の第１及び第２の鏡像対を含む収集領域であって、各面は曲がった領域及び平面領域を含み、前記第１の対は光源からの光を前記第１の極限の光線角度より小さい角度へ集中させるように構成され、前記第２の対は前記光源からの光を前記第２の極限の光線角度より小さい角度へ集中させるように構成される、収集領域と、
前記照明光学系に機械的に結合し、前記収集領域からの光を前記照明光学系へ透過するように構成される隣接領域と、
前記隣接領域に取り付けられて光学的に結合され、所望の受光角度の範囲の外の光を屈折させるように構成されるモードストリッパーと
を備える集光器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行光を走査するシステムであって、
光導波路であって、
第１の端部、
前記第１の端部に対向する第２の端部、
前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも部分的に延在する表示面、
前記表示面に対向する背面、及び
前記光導波路の前記第２の端部に配置された平行端部反射器
を含む、光導波路と、
前記光導波路の前記第１の端部に光を注入するように構成された光注入系と、
前記光注入系が光を注入する前記光導波路の前記第１の端部に沿った位置を制御するように構成された制御部と
を備えるシステム。
【請求項２】
前記光注入系は、前記光導波路の前記第１の端部に沿って配置された複数の光源を含み、各光源は、前記光導波路の前記第１の端部に沿って異なる位置において前記光導波路の前記第１の端部に光を注入するように構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記制御部は、１つより多くの方向に沿って画像を表示するために、前記複数の光源のうちの２つ以上の光源を同時に照らすように構成される請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記制御部は、１つの方向に沿って画像を表示するために、前記複数の光源のうちの１つの光源を照らすように構成される請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記制御部は、オートステレオスコピックな画像を表示するために、前記複数の光源を連続して照らすように構成される請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
頭部追跡カメラをさらに備え、前記制御部は、前記頭部追跡カメラからデータを受信して頭部追跡データを作成するようにさらに構成される請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記システムは、プライベートモード及びパブリックモードを含む２つ以上の選択可能なモードをさらに含み、前記プライベートモードは単一の観察者の方へ平行光を向け、前記パブリックモードは１人より多くの観察者の方へ平行光を向け、
前記制御部は、前記システムの前記モード及び前記頭部追跡データに従って、前記複数の光源のうちの１つ以上の光源を照らすようにさらに構成される請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記制御部は、１人以上の観察者に対して１つ以上の画像を表示するために、前記複数の光源を連続的に照らすようにさらに構成される請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
前記光注入系は、前記光導波路の前記第１の端部に沿って配置された拡散スクリーンと、前記拡散スクリーンに沿って走査されるレーザービームを生成するように構成された光源とを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記表示面に隣接して配置され、前記表示面から光を受けて前記表示面から受けた光の方向を変えるように構成された光リダイレクターをさらに備える請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
第１の端部、前記第１の端部に対向し平行端部反射器を含む第２の端部、前記第１の端部と前記第２の端部との間に延在する表示面、及び前記表示面に対向する背面を含む光導波路によって平行光を走査する方法であって、
前記光導波路の前記第１の端部に光を注入するステップと、
全反射によって前記端部反射器に前記光を伝えるステップと、
前記平行端部反射器から前記光を内部反射するステップと、
反射の臨界角で前記表示面からの光の第１の部分を放射するステップと、
前記反射の臨界角と等しい角度で前記背面からの光の第２の部分を内部反射し、次いで、前記背面からの光の前記第２の部分を内部反射した後に前記表示面から光の前記第２の部分を放射するステップと、
光が前記光導波路に注入される前記光導波路の前記第１の端部に沿った位置を変えるステップと
を含む方法。
【請求項１２】
前記第１の端部に光を注入する前記ステップは、前記光導波路の前記第１の端部に沿って配置された拡散スクリーンに沿って走査されるレーザービームを生成するように構成された光源から光を注入するステップを含み、光が前記光導波路に注入される前記光導波路の前記第１の端部に沿った位置を変える前記ステップは、前記拡散スクリーンに沿って前記レーザービームを走査するステップを含む請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の端部に光を注入する前記ステップは、複数の光源から光を注入するステップを含み、光が前記光導波路に注入される前記光導波路の前記第１の端部に沿った位置を変える前記ステップは、前記複数の光源のうちの光源を選択的に照らすステップを含む請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を含む電気化学電池であって、
該電極が、集電体、電気活性物質層、および剥離層を有し、集電体が電気活性物質層と剥離層との間に配置されている電気化学電池。
【請求項２】
上記集電体が、剥離層に隣接して配置され、電気活性物質層が集電体に隣接して配置されている請求項１記載の電気化学電池。
【請求項３】
上記剥離層がポリマー材料を含む請求項１または２に記載の電気化学電池。
【請求項４】
上記剥離層が、ヒドロキシル官能基を有するポリマー材料を含む請求項１から３のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項５】
上記剥離層が、ポリビニルアルコールを含む請求項１から４のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項６】
上記剥離層が、約１０ミクロン以下の厚さを有する請求項１から５のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項７】
上記剥離層が、約３ミクロン以下の厚さを有する請求項１から６のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項８】
上記剥離層が、水溶性である請求項１から７のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項９】
上記剥離層が、界面活性剤を含む請求項１から８のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１０】
上記剥離層の少なくとも８０重量％が、紫外線硬化性材料ではない請求項１から９のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１１】
上記集電体が、約１２ミクロン以下の厚さを有する請求項１から１０のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１２】
上記集電体が、金属層である請求項１から１１のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１３】
上記集電体が、電気化学的に不活性である請求項１から１２のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１４】
上記集電体が、電気化学的に活性な材料を含む請求項１から１２のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１５】
上記電気活性物質層が、リチウムを含む請求項１から１４のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１６】
上記電気活性物質層が、金属リチウムを含む請求項１から１５のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１７】
上記電気活性物質層が、硫黄を含む請求項１から１６のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１８】
上記電気活性物質層が、約１５ミクロンよりも大きい厚さを有する請求項１から１７のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項１９】
上記電気活性物質層に隣接して１つまたは複数の保護層をさらに含む請求項１から１８のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一つに記載の電気化学電池であって、
前記電気活性物質層が第１の電気活性物質層であり、
前記集電体が第１の集電体であり、
前記剥離層が第１の剥離層であり、
電極が、該第１の剥離層に隣接する第２の集電体、および該第２の集電体に隣接する第２の電気活性物質層をさらに有する、該電気化学電池。
【請求項２１】
第１の剥離層と第２の集電体との間に配置された第２の剥離層をさらに含む請求項２０記載の電気化学電池。
【請求項２２】
第１の集電体と第２の集電体との間に配置された接着促進剤をさらに含む請求項２０または２１に記載の電気化学電池。
【請求項２３】
第１の剥離層と第２の剥離層との間に配置された接着促進剤をさらに含む請求項２０から２２のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項２４】
第１の剥離層および/または第２の剥離層の中に分散された接着促進剤をさらに含む請求項２０から２３のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項２５】
上記電極がアノードであり、電気化学電池が、カソード活物質として硫黄を含むカソードをさらに含む請求項１から２４のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項２６】
少なくとも集電体と電気活性物質を含む電極の作製方法であって、
キャリア基材の表面に剥離層を配置し、
該剥離層の表面に集電体を配置し、
該集電体に隣接して電気活性物質層を配置し、および
該キャリア基材から電極を剥離する、電極の作製方法。
【請求項２７】
以下の工程を含む電気化学電池の作製方法：
第１の電気活性物質層、第１の集電体、および第１の剥離層を含む第１の電極部を用意し；
第２の電気活性物質層、第２の集電体、および第２の剥離層を含む第２の電極部を用意し；および
第１の電極部と第２の電極部を積層して、第１の剥離部と第２の剥離部が対向するアセンブリを作製し、これにより第１の剥離層と第２の剥離層が電気化学電池の中に含まれる。
【請求項２８】
上記剥離層の上記ポリマー材料が、５０，０００〜１００，０００ｇ/ｍｏｌの分子量を有する請求項３から５のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【請求項２９】
上記ポリマー材料が、８０％を超えて加水分解されている請求項３から５のいずれか一つまたは請求項２８に記載の電気化学電池。
【請求項３０】
上記集電体の厚さが約３ミクロン以下である請求項１から２５のいずれか一つあるいは請求項２８または２９に記載の電気化学電池。
【請求項３１】
上記集電体の厚さが約１ミクロン以下である請求項１から２５のいずれか一つあるいは請求項２８または２９に記載の電気化学電池。
【請求項３２】
上記剥離層の厚さが１〜５ミクロンの間である請求項１から２５のいずれか一つまたは請求項２８から３１のいずれか一つに記載の電気化学電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の光インターフェースを含む第１の端部と、
前記第１の端部に対向する第２の端部と、
前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも部分的に延在する第２の光インターフェースを含む表示面であって、前記第２の光インターフェースは前記表示面の法線に対して内部反射の第１の臨界角を有する、表示面と、
前記表示面に対向する背面と、
前記光導波路の前記第２の端部に配置された平行端部反射器であって、カットされたレンズ構造を含む、平行端部反射器と
を有する光導波路を備える光コリメーター。
【請求項２】
前記光導波路の第１の端部は薄い端部であり、前記光導波路の第２の端部は厚い端部である請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項３】
前記平行端部反射器は第１の方向において第２の方向とは異なる湾曲を含むる請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項４】
前記平行端部反射器の前記カットされたレンズ構造は、前記表示面に面する複数のファセット及び前記背面に面する複数のファセットを含み、前記表示面に面する各ファセットは前記背面に面するファセットに隣接して配置される請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項５】
前記表示面に面する各ファセットは、９０度と前記第１の臨界角との間の差の８分の３の、前記端部反射器の表面の法線に対する角度を形成する請求項４に記載の光コリメーター。
【請求項６】
前記背面に面する各ファセットは、９０度と前記第１の臨界角との間の差の８分の３に等しい、前記端部反射器の表面の法線に関する角度を形成する請求項４に記載の光コリメーター。
【請求項７】
前記表示面に面する各ファセットは５００ミクロン未満の高さを有し、前記背面に面する各ファセットは５００ミクロン未満の高さを有する請求項４に記載の光コリメーター。
【請求項８】
前記背面は前記背面の法線に対して内部反射の第２の臨界角を含み、前記内部反射の第２の臨界角は前記内部反射の第１の臨界角未満である請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項９】
前記光導波路の前記表示面はクラッドを含む請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項１０】
前記光導波路の前記背面はクラッドを含む請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項１１】
前記光導波路の前記背面はミラーを含む請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項１２】
前記光導波路は第１の反射性の側面及び第２の反射性の側面をさらに含み、前記第１の反射性の側面は前記第２の反射性の側面に対向し、各々の反射性の側面は、前記第１の端部から前記第２の端部及び前記表示面から前記背面に延在する請求項１に記載の光コリメーター。
【請求項１３】
光導波路を介してコリメートされた光によって画像を表示する方法であって、前記光導波路は、第１の端部、前記第１の端部に対向する第２の端部、平行端部反射器、前記第１の端部と前記第２の端部との間に延在する表示面、及び前記表示面に対向する背面を含み、前記方法は、
前記光導波路の前記第１の端部へ光を入射するステップと、
全反射によって前記平行端部反射器へ光を伝えるステップと、
前記平行端部反射器から前記光を内部に反射することによってコリメートされた光を形成するステップと、
反射の臨界角で前記表示面からコリメートされた光の第１の部分を放射するステップと、
前記反射の臨界角と等しい角度で前記背面からコリメートされた光の第２の部分を内部に反射するステップと、
前記背面からコリメートされた光の前記第２の部分を内部に反射した後に前記表示面からコリメートされた光の前記第２の部分を放射するステップと、
コリメートされた光の前記第１の部分及びコリメートされた光の前記第２の部分を光変調器を介して導くステップと
を含む方法。
【請求項１４】
前記平行端部反射器から光を反射する前記ステップは、前記平行端部反射器に形成された第１の組のファセット及び第２の組のファセットから光を反射するステップを含み、前記第１の組のファセットの各ファセットは前記表示面を少なくとも部分的に指す法線を含み、前記第２の組のファセットの各ファセットは前記背面を少なくとも部分的に指す法線を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の組のファセットの各々は９０度と前記反射の臨界角との間の差の８分の３の角度を有し、前記第２の組のファセットの各々は９０度と前記反射の臨界角との間の差の８分の３の角度を有する請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリシステム内での操作方法であって、
第１のメモリデバイス内でメンテナンス操作の実行を有効にすることに備えて、メモリシステム内で前記第１のメモリデバイスから、前記メモリシステム内で１つ以上の他のメモリデバイスへデータを退避することと、
前記第１のメモリデバイスからのデータ退避後、前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行することと、
を含む、方法。
【請求項２】
退避データが、前記第１のメモリデバイスに向けられたデータ書き込み操作を前記１つ以上の他のメモリデバイスへリダイレクトすることにより、前記第１のメモリデバイスから受動的にデータを退避することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
退避データが、前記第１のメモリデバイスからデータを読み出すこと、および読み出された前記データを前記１つ以上の他のメモリデバイスへ書き込むことにより、前記第１のメモリデバイスから前記データを能動的に退避することを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のメモリデバイスからデータを読み出すことは、前記メモリシステムの外部のソースからのいかなるメモリアクセス要求も保留中ではないアイドル間隔の間に、前記第１のメモリデバイスからデータを読み出すことを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行することは、前記第１のメモリデバイスを用いた反復データ格納操作により、少なくとも部分的に引き起こされる酸化物損害を覆す温度に前記第１のメモリデバイスを加熱することを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のメモリデバイスを加熱するのと同時に、前記１つ以上の他のメモリデバイスのうちの少なくとも１つの中でメモリアクセスを実行することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行することは、前記第１のメモリデバイスの１つ以上の記憶セル内のデータの損失をもたらすことが予期される操作を実行することを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のメモリデバイスが、電荷トラップ原理で動作する不揮発性メモリを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記１つ以上の他のメモリデバイスのそれぞれが、前記電荷トラップ原理で動作する不揮発性メモリを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行することが、前記第１のメモリデバイス内のデータを消去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行することが、前記第１のメモリデバイス内で更新操作を実行することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
メモリシステムは、
第１および第２のメモリデバイスと、
前記第１および第２のメモリデバイスと連結し、メンテナンス操作が前記第１のメモリデバイス内で必要とされるという判定に応じて、前記第１のメモリデバイスから前記第２のメモリデバイスへデータを退避するための論理を有するメモリコントローラと、
を備える、メモリシステム。
【請求項１３】
前記論理が少なくとも１つの回路または命令論理を含み、前記メモリコントローラがメンテナンス操作が前記第２のメモリデバイス内で必要とされる判定に応じて、前記第２のメモリデバイスから前記第１のメモリデバイスへデータを退避させるための少なくとも１つの回路または命令論理をさらに含む、請求項１２に記載のメモリシステム。
【請求項１４】
前記第１のメモリデバイス内の前記メンテナンス操作が、前記第１のメモリデバイスの１つ以上の記憶セル内のデータの損失をもたらすことが予期される、請求項１２または１３に記載のメモリシステム。
【請求項１５】
前記第１のメモリデバイス内で前記メンテナンス操作を実行する論理からさらになり、前記第１のメモリデバイス内での前記メンテナンス操作の実行と同時に前記第２のメモリデバイスからデータを読み取る論理を含む前記メモリコントローラである、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【請求項１６】
前記メンテナンス操作を実行する論理は、アニール温度へ前記第１のメモリデバイスを加熱するための加熱回路を含む、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【請求項１７】
前記第１のメモリデバイスが、電荷トラップ原理で動作する不揮発性メモリを含む、請求項１２〜１６のいずれか１項に記載のメモリシステム。
【請求項１８】
前記第２のメモリデバイスが、前記電荷トラップ原理で動作する不揮発性メモリを含む、請求項１７に記載のメモリシステム。
【請求項１９】
前記第１のメモリデバイスを加熱するための前記加熱回路を動作させるのと同時に、前記メモリシステムの１つ以上の他のメモリデバイスの中でメモリアクセスを実行するための回路をさらに含み、前記第２のメモリデバイスは、前記メモリシステムの前記１つ以上の他のメモリデバイスのうちの１つを構成する、請求項１６に記載のメモリシステム。
【請求項２０】
前記メンテナンス操作を実行するための前記論理が、前記第１のメモリデバイス内のデータを消去するための回路を含む、請求項１２に記載のメモリシステム。
【請求項２１】
前記メンテナンス操作を実行するための前記論理が、前記第１のメモリデバイス内で更新操作を実行するための回路を含む、請求項１２に記載のメモリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ処理システムにより少なくとも部分的に実行される、デジタル画像ファイルに関連される地理的な位置情報を処理する方法であって、
ａ）デジタル画像ファイルに関連する関連付けされた地理的な位置情報を少なくとも有する前記デジタル画像ファイルを受信するステップと、
ｂ）複数の場所についての地理的な境界を表す多角形を記憶する場所データベースを設けるステップと、
ｃ）前記関連付けされた地理的な位置情報を前記場所データベースに記憶されている地理的な境界を表す多角形と比較することで、前記デジタル画像ファイルが捕捉された場所を識別するステップと、
ｄ）識別された場所の示唆を与えるメタデータタグを前記デジタル画像ファイルに付加するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記場所に関するメッセージを送信するステップ、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記デジタル画像ファイルは、捕捉時間の情報に関連付けされており、
当該方法は、
ｅ）前記場所データベースに記憶されている場所で行われているイベントに関連する時間間隔を記憶するイベントデータベースを設けるステップと、
ｆ）前記識別された場所で行われているイベントについて、前記捕捉時間の情報を、前記イベントデータベースに記憶されている時間間隔に比較することで、前記デジタル画像ファイルが捕捉されたイベントを識別するステップと、
ｇ）識別されたイベントの示唆を与えるメタデータタグを前記デジタル画像ファイルに付加するステップと、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記メタデータタグは、前記識別された場所の示唆を与えるテキスト文字列を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記メッセージは、前記場所に関連する製品又はサービスの提供を含み、前記方法は、
前記送信されたメッセージに応答して、前記提供される製品又はサービスの注文を受信するステップ、
を更に含む請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記メッセージは、前記場所に関連する広告、前記場所の画像又はそれらの両者を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記場所を識別するステップは、前記地理的な位置情報を少なくとも使用して前記場所の一部を識別する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記場所の一部に関するメッセージを送信するステップ、を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記メッセージは、前記場所の一部に関連する広告、前記場所の一部の画像、又はそれらの両者を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記識別された場所の一部の示唆を与えるメタデータタグを前記デジタル画像ファイルに付加するステップ、を更に含む請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記イベントに関するメッセージを送信するステップ、を更に含む請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
前記メッセージは、前記イベントに関連する広告、前記イベントの画像、又はそれらの両者を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記イベントに関連するメッセージは、スポンサー、代理店、所有者又はイベント若しくは場所の関係者に関連付けされたデータ処理システムにより送信される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記デジタル画像ファイルは、捕捉の向きの情報と関連されており、
当該方法は、前記捕捉の向きの情報と前記地理的な位置情報とに少なくとも使用して、前記デジタル画像ファイルにより捕捉された場所の一部を識別し、識別された場所の一部の示唆をプロセッサがアクセス可能なメモリシステムに記憶するステップ、を更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
プロセッサがアクセス可能なメモリシステムであって、
複数の場所の地理的な境界を表す多角形を記憶する場所データベースと、
デジタル画像ファイルに関連する地理的な位置情報を処理する方法をデータ処理システムに実行させる命令とを記憶し、
前記命令は、
前記デジタル画像ファイルに関連付けされた地理的な位置情報を少なくとも有するデジタル画像ファイルを受信する命令と、
前記関連付けされた地理的な位置情報を、前記場所データベースに記憶されている地理的な境界を表す多角形と比較することで、前記デジタル画像ファイルが捕捉された場所を識別する命令と、
識別された場所の示唆を与えるメタデータタグを前記デジタル画像ファイルに付加する命令と、を含む、ことを特徴とするプロセッサがアクセス可能なメモリシステム。
【請求項１６】
データ処理システムと、
前記データ処理システムに通信可能に接続されるメモリシステムとを備えるシステムであって、
前記メモリシステムは、
複数の場所の地理的な境界を表す多角形を記憶する場所データベースと、
デジタル画像ファイルに関連する地理的な位置情報を処理する方法を前記データ処理システムに実行させる命令とを記憶し、
前記命令は、
前記デジタル画像ファイルに関連付けされた地理的な位置情報を少なくとも有するデジタル画像ファイルを受信する命令と、
前記関連付けされた地理的な位置情報を、前記場所データベースに記憶されている地理的な境界を表す多角形と比較することで、前記デジタル画像ファイルが捕捉された場所を識別する命令と、
識別された場所の示唆を与えるメタデータタグを前記デジタル画像ファイルに付加する命令と、
を含む、ことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスにおける方法であって、
前記デバイスがロックされている間にアプリケーションを表示することを求めるユーザーの要求を、前記デバイスがロックされていない時に受けるステップであって、前記デバイスがロックされている間に表示可能な前記デバイス上のアプリケーションは、少なくともカレンダーアプリケーションと他のアプリケーションを含む、ステップと、
前記デバイスがロックされている間に前記他のアプリケーションを表示することを求めるユーザーの要求に応答して、
前記デバイスがロックされている間に前記他のアプリケーションが発生した画像を入手するステップと、
前記デバイスがロックされている間に前記他のアプリケーションが発生した画像を汎用画像に代えて表示するステップと、
前記デバイスがロックされている間に受け取った入力を無視するステップであって、前記受け取った入力は、前記デバイスがロックされていない時に前記画像に関して前記他のアプリケーションによって動作を実行するのに有効である、ステップと、
を備えている、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、前記他のアプリケーションが、前記デバイス上で実行する多数のアプリケーションの内の１つであり、前記他のアプリケーションが、前記ユーザーの要求を受けたときにおける前記多数のアプリケーションの内最上位のアプリケーションである、方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、前記ユーザーの要求を受けるステップが、メニュー項目のユーザー選択を受けるステップを含む、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記ユーザーの要求を受けるステップが、前記デバイスのタッチスクリーン上においてユーザーが入力したジェスチャーを受け取るステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、更に、前記デバイスがロックされている間、前記他のアプリケーションが発生する多数の追加の画像について、前記入手し表示するステップを繰り返すステップを備えている、方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、多数の追加の画像について前記入手し表示するステップを繰り返すステップが、特定の間隔で、前記他のアプリケーションが発生する多数の画像から選択し、選択した画像を表示するステップを含む、方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法において、多数の追加の画像について前記入手し表示するステップを繰り返すステップが、前記デバイスがロックされていないときと同様に、前記他のアプリケーションが発生する多数の画像を表示するステップを含む、方法。
【請求項８】
請求項１記載の方法であって、更に、
前記デバイスの画面を消す節電モードに、前記デバイスを入らせるステップと、
前記デバイスが前記節電モードから再開するときに、前記他のアプリケーションが発生する追加の画像を表示するステップと、
を備えている、方法。
【請求項９】
請求項１記載の方法であって、更に、アプリケーション・プログラミング・インターフェースを前記他のアプリケーションに露出するステップを備えており、前記画像を入手するステップが、前記他のアプリケーションが前記アプリケーション・プログラミング・インターフェースのメソッドを呼び出したときに、前記他のアプリケーションが供給した画像を入手するステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１記載の方法において、前記デバイスが、移動体通信デバイスを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１記載の方法であって、更に、前記ユーザーの要求に応答して、前記デバイスをロックするステップを備えている、方法。
【請求項１２】
プロセッサーと、
多数の命令が格納されているコンピューター読み取り可能媒体と、
を備えているデバイスであって、前記命令を前記プロセッサーによって実行すると、このプロセッサーに、
節電モードから動作を再開するときにアプリケーションを表示する指示を受け取るステップであって、前記アプリケーションは多数のアプリケーションのうちの１つであり、前記指示は、少なくとも１つの他のアプリケーションに関して受け取り可能であって前記節電モードから動作を再開するときに表示するために前記少なくとも１つの他のアプリケーションを指示する、ステップと、
前記節電モードから動作を再開したことに応答して、前記節電モードから再開した後に、前記アプリケーションが発生する画像を表示させるステップであって、前記デバイスは前記節電モードから動作を再開した後に前記画像に関してユーザー入力を防止するようにロックされる、ステップと、
を行わせる、デバイス。
【請求項１３】
請求項１２記載のデバイスにおいて、前記画像の表示は、前記デバイスがロックされている間前記アプリケーションが発生する画像を表示することである、デバイス。
【請求項１４】
請求項１２記載のデバイスにおいて、前記節電モードから動作を再開するときに表示する前記アプリケーションが、前記デバイスのユーザー・コンフィギュレーション設定において特定される、デバイス。
【請求項１５】
請求項１２記載のデバイスにおいて、移動体通信デバイスを含む、デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体であって、
基板と、
基板の上に配置された積層とを備え、積層は基板の上に積層される順に、
磁気的に軟らかい下地層を含み、下地層は積層構造であって、上に積層される順に、
ａ．）第一層と、
ｂ．）反強磁性結合層である第二層と、
ｃ．）第三層とを有し、
ｉ．）第一層は高透磁率領域とその上に積層される低透磁率領域とを有し、第三層は低い透磁率を有し、第一層と第三層とは不均衡で反強磁的に結合される、または、
ｉｉ．）第一層は低い透磁率を有し、第三層は低透磁率領域とその上に積層される高透磁率領域とを有し、第一層と第三層とは不均衡で反強磁的に結合され、高透磁率領域は低透磁率領域よりも高い透磁率を有する、磁気記録媒体。
【請求項２】
条件ｉ．）が真の場合、前記第一層の前記低透磁率領域と前記第三層とは同じ磁気厚み（Ｂｓｔ）を有し、
条件ｉｉ．）が真の場合、第一層と第三層の低透磁率領域とは同じ磁気厚み（Ｂｓｔ）を有し、磁気厚み（Ｂｓｔ）は磁気モーメント（Ｂｓ）と層厚み（ｔ）との積に等しい、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは同じ厚み（ｔ）を有し、
条件ｉｉ．）が真の場合、第一層と第三層の低透磁率領域とは同じ厚み（ｔ）を有する、請求項２に記載の記録媒体。
【請求項４】
第一層と第三層とは等しくない磁気厚み（Ｂｓｔ）を有する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項５】
第一層と第三層とは等しい磁気モーメント（Ｂｓ）を有する、請求項４に記載の記録媒体。
【請求項６】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは共に１００より低い透磁率（μ）と２ｍｅｍｕ／ｃｍ２未満の磁気厚み（Ｂｓｔ）とを有し、
条件ｉｉ．）が真の場合、第一層と第三層の低透磁率領域とは共に１００より低い透磁率（μ）と２ｍｅｍｕ／ｃｍ２未満の磁気厚み（Ｂｓｔ）とを有する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項７】
下地層の全厚みは２００オングストロームと４００オングストロームとの間であり、第三層の厚みは下地層の全厚みの４３．７５パーセントよりも小さい、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項８】
反強磁性結合層はルテニウムまたはルテニウム合金である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項９】
下地層は、
ｉ．）第一層の下方または第三層の上方に位置する第四層と、
ｉｉ．）第四層と第一層との間、または第四層と第三層との間に位置する第五層非磁性スペーサ材料とをさらに有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項１０】
積層される順に、
ｉ．）第三層の上に積層される第四層非磁性スペーサ材料と、
ｉｉ．）第五層と、
ｉｉｉ．）反強磁性結合層である第六層と、
ｉｖ．）第七層とをさらに有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項１１】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは共に１００より低い透磁率（μ）を有し、第一層の高透磁率領域は１００より高い透磁率（μ）を有する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項１２】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは共に５０より低い透磁率（μ）を有し、第一層の高透磁率領域は２００より高い透磁率（μ）を有する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項１３】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは共に第一層の高透磁率領域の磁気厚み（Ｂｓｔ）よりも小さい磁気厚み（Ｂｓｔ）を有し、磁気厚み（Ｂｓｔ）は磁気厚み（Ｂｓ）と層厚み（ｔ）の積に等しい、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項１４】
条件ｉ．）が真の場合、第一層の低透磁率領域と第三層とは共に１０ｎｍよりも小さい厚みと、１ナノウェーバーよりも小さい磁気厚み（Ｂｓｔ）とを有する、請求項１に記載の記録媒体。
【請求項１５】
積層される順に、
ａ．）下地層の上に積層される非晶質または結晶性の非磁性種層と、
ｂ．）中間層構造と、
ｃ．）結晶学的に配向され、磁気的に硬い少なくとも一つの垂直磁気記録層とをさらに含む、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの電流コレクタが引き出されたシート状の包装体を備える電極スタックから実質的に成り立っているガルバニ電池のためのフレームであって、前記電池の製造時に前記電池の前記包装体とヒートシール工程により粘接着式に結合することができるように構成されていることを特徴とするフレーム。
【請求項２】
前記電池の製造時に、追加の物質を添加することなく、前記電池の前記包装体とヒートシール工程により粘接着式に結合することができるように構成されている、請求項１に記載のフレーム。
【請求項３】
電池ブロックを構成するときに、前記フレームを備える前記電池の同一平面上での配列を補助する構造を有している、先行請求項のうちいずれか１項に記載のフレーム。
【請求項４】
電池ブロックを構成するときに、前記フレームを備える前記電池の側方に補正された配向を補助する構造を有している、先行請求項のうちいずれか１項に記載のフレーム。
【請求項５】
電池ブロックを構成するときに引張アンカーを挿通するための貫通部を有している、先行請求項のうちいずれか１項に記載のフレーム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載のフレームを有しているガルバニ電池。
【請求項７】
包装体が内側面で前記フレームと結合されている、請求項６に記載のガルバニ電池。
【請求項８】
包装体が外側面で前記フレームと結合されている、請求項６に記載のガルバニ電池。
【請求項９】
少なくとも２つの電流コレクタが引き出されたシート状の包装体の中に電極スタックが封入される、ガルバニ電池を製造する方法において、前記包装体を閉止するときにフレームが前記包装体とヒートシール工程により粘接着式に結合されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記フレームが、前記電池の製造時に、追加の物質を添加することなく前記電池の前記包装体とヒートシール工程により粘接着式に結合される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記フレームと前記包装体との結合が、熱可塑性樹脂層の部分的溶融と、これに続き行われる押圧下での冷却によって行われる、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記フレームと前記電池の前記包装体が上下方向に配置され、加熱可能な印圧部によって相互に押圧される、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
能動的に冷却されるシールバーによって後続の冷却が促進される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記包装体の閉止と、前記包装体と前記フレームとの結合とが１つの作業ステップで行われる、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項３に記載のフレームを備えた複数のガルバニ電池からなるブロックを構成する方法において、前記電池が前記フレームの構造によって同一平面上に配列される方法。
【請求項１６】
請求項４に記載のフレームを備えた複数のガルバニ電池からなるブロックを構成する方法において、前記電池は前記フレームの構造によって側方に補正されて配列される方法。
【請求項１７】
請求項５に記載のフレームを備えた複数のガルバニ電池からなるブロックを構成する方法において、前記ブロックが前記電池の前記フレームの貫通部へ挿通される引張アンカーによって安定化される方法。
【請求項１８】
複数のガルバニ電池からなるブロックを構成する方法において、請求項１５及び１７の構成要件を有している方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月12日(2013.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレータによって互いに分離されている少なくとも２つの電極を有する電極積層体（５）と、液体に対して密閉されて閉鎖されている、少なくとも２つの部分（４）から成る被覆体（２）と、電気的にこれらの電極と接合されており、前記被覆体（２）を通って外部に向かって延伸する、少なくとも２つの導電体（３）とを備え、
第１の方法ステップにおいて、前記導電体（３）は、成形プロセスによって、成形部分（６，７，８）と接合され、第２の方法ステップにおいて、該成形部分（６，７，８）は前記被覆体（２）と接合される電気化学的セル（１）の製造方法であって、
前記成形部分は、周回するシーリングフレーム（８）の形状で形成されており、該シーリングフレームは、周回して閉鎖された形状を備え、該形状に、それぞれ異なる２つの側から被覆体の２つの半部がフランジ取り付けされる方法。
【請求項２】
前記成形部分（６，７，８）は、前記被覆体（２）の開口部（１１）で該被覆体（２）と接合される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
成形プロセスは、少なくとも１つの鋳造法、特に射出成形法を含む請求項１あるいは２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも１つの導電体（３）、特に２つあるいは複数の導電体（３）が鋳型に入れられ、続いて鋳造物質によって少なくとも部分的に取り囲まれ、特にインサート射出成形される請求項３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの導電体（３）が、成形プロセスの間、少なくとも部分的に前記成形部分（６，７，８）によって取り囲まれ、特にインサート射出成形される請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
少なくとも２つの導電体（３）が、同一の成形部分（７，８）によって少なくとも部分的に取り囲まれ、特にインサート射出成形される請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の方法によって製造されている電気化学的セル（１）であって、
前記成形部分は、周回するシーリングフレーム（８）の形状で形成されており、該シーリングフレームは、周回して閉鎖された形状を備え、該形状に、それぞれ異なる２つの側から被覆体の２つの半部がフランジ取り付けされている電気化学的セル。
【請求項８】
前記成形部分（６，７，８）は、特に前記導電体（３）を少なくとも部分的に取り囲む射出成形部分である請求項７に記載の電気化学的セル。
【請求項９】
少なくとも１つの前記成形部分（６，７，８）は、少なくとも前記開口部（１１）の領域において、前記被覆体（２）より高くなっている請求項７あるいは８に記載の電気化学的セル。
【請求項１０】
請求項７から９のいずれか一項に記載の少なくとも１つの電気化学的セル（１）を有するバッテリー構造体。