【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電デバイスであり、
基板と、
前記基板に隣接する、ドーパントがドープされたフロントコンタクト層と、
前記ドープドフロントコンタクト層に隣接する、テルル化カドミウムを含む半導体吸収層とを備えることを特徴とする光起電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の光起電デバイスであり、
前記フロントコンタクト層は、前記基板に隣接する透明導電性酸化物層と、
前記透明導電性酸化物層に隣接するバッファ層とを有することを特徴とする光起電デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載の光起電デバイスであり、
前記フロントコンタクト層は、前記バッファ層に隣接する半導体窓層を有することを特徴とする光起電デバイス。
【請求項４】
請求項２に記載の光起電デバイスであり、
前記透明導電性酸化物層は酸化亜鉛を含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項５】
請求項２に記載の光起電デバイスであり、
前記透明導電性酸化物層は酸化スズを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載の光起電デバイスであり、
前記ドーパントはＮ型ドーパントを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載の光起電デバイスであり、
前記ドーパントはインジウムを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載の光起電デバイスであり、
前記ドーパントは、アルミニウム、ホウ素、銅、塩素、ガリウム、フッ素、及びマグネシウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項９】
請求項２に記載の光起電デバイスであり、
前記バッファ層はテルル化亜鉛及びテルル化カドミウム亜鉛のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項１０】
請求項２に記載の光起電デバイスであり、
前記バッファ層は硫化カドミウムを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項１１】
請求項３に記載の光起電デバイスであり、
前記窓層は硫化カドミウム亜鉛を含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項１２】
請求項３に記載の光起電デバイスであり、
前記窓層は、硫化カドミウム、テルル化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化亜鉛マグネシウム、硫化カドミウムマグネシウム、及び酸化カドミウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする光起電デバイス。
【請求項１３】
光起電デバイスの製造方法であり、
基板に隣接する透明導電性酸化物層を堆積させ、堆積後に該透明導電性酸化物層の表面が形成されるようにするステップと、
前記透明導電性酸化物層の表面をドーパントに晒し、該表面上にドーパント層が残存できるようにするステップと、
前記ドーパント層に隣接する窓層を堆積させるステップと、
前記窓層に前記ドーパントを注入するステップと、
前記窓層に隣接するテルル化カドミウムを含む吸収層を堆積させるステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であり、
前記窓層を堆積させるステップは、スパッタリングプロセス及び蒸気輸送蒸着プロセスのうちの１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１３に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層の表面を晒す前記ステップは、該表面を前記ドーパントの塩で洗浄するステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の方法であり、
前記塩はホウ酸塩を含むことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の方法であり、
前記ドーパントはＮ型ドーパントを含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１３に記載の方法であり、
前記ドーパントはインジウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１３に記載の方法であり、
前記ドーパントは、アルミニウム、ホウ素、銅、塩素、ガリウム、フッ素、及びマグネシウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１３に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化亜鉛を含むことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１３に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化スズを含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１３に記載の方法であり、
前記窓層は硫化カドミウム亜鉛を含むことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１３に記載の方法であり、
前記窓層は、硫化カドミウム、テルル化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化亜鉛マグネシウム、硫化カドミウムマグネシウム、及び酸化カドミウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
請求項１３に記載の方法であり、
前記窓層はＭ1-xＧxＯy半導体であって、Ｍは亜鉛およびスズからなる群から選択され、Ｇはアルミニウム、シリコンおよびジルコニウムからなる群から選択される、Ｍ1-xＧxＯy半導体を含むことを特徴とする方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であり、
前記窓層は、酸化亜鉛アルミニウム、酸化亜鉛シリコン、酸化亜鉛ジルコニウム、酸化スズアルミニウム、酸化スズシリコン、及び酸化スズジルコニウムのうちの１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｚｎ1-xＡｌxＯyで表される式であって、式中ｘは０．０５〜０．３０である式を有する酸化亜鉛アルミニウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｚｎ1-xＳｉxＯy表される式であって、式中ｘは０．１０〜０．２５である、式を有する酸化亜鉛シリコンを含むこと特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｚｎ1-xＺｒxＯy表される式であって、式中ｘは０．３０〜０．５０である、式を有する酸化亜鉛ジルコニウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｓｎ1-xＡｌxＯy表される式であって、式中ｘは０．１０〜０．３０である、式を有する酸化スズアルミニウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項３０】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｓｎ1-xＳｉxＯyで表される式であって、式中ｘは０．０５〜０．２５である、式を有する酸化スズシリコンを含むことを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項２５に記載の方法であり、
前記窓層は、Ｓｎ1-xＺｒxＯyで表される式であって、式中ｘは０．３０〜０．６０である、式を有する酸化スズジルコニウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項３２】
請求項１３に記載の方法であり、
前記窓層を堆積させるステップは、前記ドーパント層に隣接する硫化カドミウム窓層を堆積させるステップと、前記硫化カドミウム窓層上に亜鉛含有層を堆積させるステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項３３】
請求項１４に記載の方法であり、
前記スパッタリングプロセスは、不活性雰囲気中でセラミックターゲットからスパッタリングを行うステップ及び金属ターゲットから反応性スパッタリングを行うステップのうちの１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項３４】
請求項１３に記載の方法であり、
アニールステップを更に備えることを特徴とする方法。
【請求項３５】
光起電デバイスの製造方法であり、
基板に隣接する透明導電性酸化物層を堆積させるステップと、
ドーパントがドープされたドープドターゲットからのスパッタリングにより、前記透明導電性酸化物層に隣接する窓層を堆積させるステップと、
前記窓層に隣接するテルル化カドミウムを含む吸収層を堆積させるステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であり、
前記ドーパントはＮ型ドーパントを含むことを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項３５に記載の方法であり、
前記ドーパントはインジウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項３５に記載の方法であり、
前記ドーパントは、アルミニウム、ホウ素、銅、塩素、ガリウム、フッ素、及びマグネシウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項３５に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化亜鉛を含むことを特徴とする方法。
【請求項４０】
請求項３５に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化スズを含むことを特徴とする方法。
【請求項４１】
請求項３５に記載の方法であり、
前記窓層は硫化カドミウム亜鉛を含むことを特徴とする方法。
【請求項４２】
請求項３５に記載の方法であり、
前記窓層は、硫化カドミウム、テルル化亜鉛、酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化亜鉛マグネシウム、硫化カドミウムマグネシウム、及び酸化カドミウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項４３】
請求項３５に記載の方法であり、
前記窓層を堆積させるステップは、不活性雰囲気中でセラミックターゲットからスパッタリングを行うステップ及び金属ターゲットから反応性スパッタリングを行うステップのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項４４】
請求項３５に記載の方法であり、
アニールステップを更に備えることを特徴とする方法。
【請求項４５】
光起電デバイスの製造方法であり、
基板に隣接する透明導電性酸化物層を堆積させるステップと、
ドーパントがドープされたドープドターゲットからのスパッタリングにより、前記透明導電性酸化物層に隣接する前駆体層を堆積させるステップと、
前記前駆体層に隣接するバッファ層を堆積させるステップと、
前記前駆体層および前記バッファ層をアニールしてドープドバッファ層を形成するステップと、
前記ドープドバッファ層に隣接するテルル化カドミウムを含む吸収層を堆積させるステップとを備えることを特徴とする方法。
【請求項４６】
請求項４５に記載の方法であり、
前記ドーパントはＮ型ドーパントを含むことを特徴とする方法。
【請求項４７】
請求項４５に記載の方法であり、
前記ドーパントはインジウムを含むことを特徴とする方法。
【請求項４８】
請求項４５に記載の方法であり、
前記ドーパントは、アルミニウム、ホウ素、銅、塩素、ガリウム、フッ素、及びマグネシウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項４９】
請求項４５に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化亜鉛を含むことを特徴とする方法。
【請求項５０】
請求項４５に記載の方法であり、
前記透明導電性酸化物層は酸化スズを含むことを特徴とする方法。
【請求項５１】
請求項４５に記載の方法であり、
前記前駆体層は、硫化カドミウム及び酸化カドミウムのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項５２】
請求項４５に記載の方法であり、
前記バッファ層は、テルル化亜鉛及びテルル化カドミウム亜鉛のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。
【請求項５３】
請求項４５に記載の方法であり、
前記前駆体層を堆積させるステップは、不活性雰囲気中でセラミックターゲットからスパッタリングを行うステップ及び金属ターゲットから反応性スパッタリングを行うステップのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする方法。