【手続補正書】
【提出日】平成25年9月18日(2013.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある種の導電率を有する基板と、
基板の上の、表面を有する真性領域と、
前記真性領域の表面の一部の上の金属層であって、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成できる厚さを有する金属層と
を含む装置。
【請求項２】
前記ある種の導電率が第１種の導電率であって、
第２種の導電率を有するエリアであって、表面から真性領域まで延在し、金属層周囲の真性領域の表面の一部を囲んでおり、エリアによって囲まれた真性領域の外側の表面を横切って流れる電流を低減するエリア
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
金属層が位置する表面の隆起部であって、前記隆起部の外側の表面を横切って流れる電流を低減する隆起部
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
金属層の上の物質の層であって、前記物質とぶつかる複数の光子の反射を低減する物質の層
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記物質の層が反射防止膜である、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記金属層が第１金属層であり、
真性領域の表面とは反対側で基板の表面と接触する第２金属層
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記金属層が第１金属層であり、
前記第１金属層の表面の一部と接触する第２金属層
をさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
基板、真性領域、及び金属層がショットキーバリアダイオードを形成する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記金属層が、金及びインジウムスズ酸化物のうちの少なくとも一つのグループから選択される物質を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
光学検波器を形成する方法であって、
ある種の導電率を有する基板を形成するステップ、
前記基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップ、並びに
前記真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップであって、金属層が、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成することができる厚さを有するステップ
を含む方法。
【請求項１１】
前記基板の上に真性領域を形成するステップが、
前記基板の上に半導体物質の層を成長させて、真性領域を形成するステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板の上に真性領域を形成するステップが、
前記基板の上に半導体物質の層を付着させて前記真性領域を形成するステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
フォトリソグラフィーマスクを使用して真性領域の表面の一部の上に前記金属層を付着させることによって、前記真性領域の表面の一部の上に前記金属層を形成するステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
ある種の導電率が第１種の導電率であって、
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップであって、エリアが金属層周囲の真性領域の一部を囲んでおり、エリアによって囲まれた真性領域の外側の表面を横切って流れる電流を低減するステップ
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップが、
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップであって、第１種の導電率がｎ型であり、第２種の導電率がｐ型であるステップ
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
金属層上に物質の層を形成するステップであって、前記物質が、ぶつかる複数の光子の反射を低減させるステップ
をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップであって、基板、真性領域、及び金属層がショットキーバリアダイオードを形成し、前記金属層が、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成することができる厚さを有するステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
約５０〜１００オングストロームの厚さを有する金属層を、真性領域の表面の一部の上に形成するステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】
基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップが、
基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップであって、真性領域は基本的に純シリコンで構成されており、真性領域内のドーパント濃度が一立方センチメートル当たり約１×１０１５ドーパント原子以下であるステップ
を含む、請求項１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６５】
異なる有利な実施形態の記載は、図示及び説明の目的のために提示されたものであり、包括的、又は開示された形の実施形態に限定するように意図されたものではない。当業者には多数の修正及び変形例が明らかである。さらに、他の有利な実施形態と比較して、異なる有利な実施形態により異なる利点を得ることが可能である。選択された一又は複数の実施形態は、実施形態及び実際の応用形態の原理を最適に説明するため、また、当業者が、考えられる特定の使用に好適である様々な修正を施した様々な実施形態の開示内容を理解できるように選択され記載されたものである。
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
ある種の導電率を有する基板と、
基板の上の、表面を有する真性領域と、
前記真性領域の表面の一部の上の金属層であって、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成できる厚さを有する金属層と
を含む装置。
（態様２）
前記ある種の導電率が第１種の導電率であって、
第２種の導電率を有するエリアであって、表面から真性領域まで延在し、金属層周囲の真性領域の表面の一部を囲んでおり、エリアによって囲まれた真性領域の外側の表面を横切って流れる電流を低減するエリア
をさらに含む、態様１に記載の装置。
（態様３）
金属層が位置する表面の隆起部であって、前記隆起部の外側の表面を横切って流れる電流を低減する隆起部
をさらに含む、態様１に記載の装置。
（態様４）
金属層の上の物質の層であって、前記物質とぶつかる複数の光子の反射を低減する物質の層
をさらに含む、態様１に記載の装置。
（態様５）
前記物質の層が反射防止膜である、態様４に記載の装置。
（態様６）
前記金属層が第１金属層であり、
真性領域の表面とは反対側で基板の表面と接触する第２金属層
をさらに含む、態様１に記載の装置。
（態様７）
前記金属層が第１金属層であり、
前記第１金属層の表面の一部と接触する第２金属層
をさらに含む、態様１に記載の装置。
（態様８）
基板、真性領域、及び金属層がショットキーバリアダイオードを形成する、態様１に記載の装置。
（態様９）
前記金属層が、金及びインジウムスズ酸化物のうちの少なくとも一つのグループから選択される物質を含む、態様１に記載の装置。
（態様１０）
ｎ型導電率を有する基板と、
前記基板の上の、表面を有する真性領域と、
前記真性領域の表面の一部の上の金属層であって、約５０〜１００オングストロームの厚さを有し、前記厚さにより複数の光子が金属層を通って真性領域に達し前記真性領域と整流性接触を形成できる金属層と、
ｐ型導電率を有するエリアであって、表面から真性領域まで延在し、金属層周囲の真性領域の表面の一部を囲んでおり、エリアによって囲まれた真性領域の外側の表面を横切って流れる電流を低減するエリア
を含む装置。
（態様１１）
金属層上の物質の層であって、前記物質が、ぶつかる複数の光子の反射を低減させる層
をさらに含む、態様１０に記載の装置。
（態様１２）
光学検波器を形成する方法であって、
ある種の導電率を有する基板を形成するステップ、
前記基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップ、並びに
前記真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップであって、金属層が、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成することができる厚さを有するステップ
を含む方法。
（態様１３）
前記基板の上に真性領域を形成するステップが、
前記基板の上に半導体物質の層を成長させて、真性領域を形成するステップ
を含む、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
前記基板の上に真性領域を形成するステップが、
前記基板の上に半導体物質の層を付着させて前記真性領域を形成するステップ
を含む、態様１２に記載の方法。
（態様１５）
前記真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
フォトリソグラフィーマスクを使用して真性領域の表面の一部の上に前記金属層を付着させることによって、前記真性領域の表面の一部の上に前記金属層を形成するステップ
を含む、態様１２に記載の方法。
（態様１６）
ある種の導電率が第１種の導電率であって、
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップであって、エリアが金属層周囲の真性領域の一部を囲んでおり、エリアによって囲まれた真性領域の外側の表面を横切って流れる電流を低減するステップ
をさらに含む、態様１２に記載の方法。
（態様１７）
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップが、
表面から第２種の導電率を有する真性領域まで延在するエリアを形成するステップであって、第１種の導電率がｎ型であり、第２種の導電率がｐ型であるステップ
を含む、態様１６に記載の方法。
（態様１８）
金属層上に物質の層を形成するステップであって、前記物質が、ぶつかる複数の光子の反射を低減させるステップ
をさらに含む、態様１２に記載の方法。
（態様１９）
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップであって、基板、真性領域、及び金属層がショットキーバリアダイオードを形成し、前記金属層が、複数の光子が金属層を通って真性領域に達し真性領域と整流性接触を形成することができる厚さを有するステップ
を含む、態様１２に記載の方法。
（態様２０）
真性領域の表面の一部の上に金属層を形成するステップが、
約５０〜１００オングストロームの厚さを有する金属層を、真性領域の表面の一部の上に形成するステップ
を含む、態様１２に記載の方法。
（態様２１）
基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップが、
基板の上に、表面を有する真性領域を形成するステップであって、真性領域は基本的に純シリコンで構成されており、真性領域内のドーパント濃度が一立方センチメートル当たり約１×１０１５ドーパント原子以下であるステップ
を含む、態様１２に記載の方法。