【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための方法であって、
Ａ）初期設定レシピを用いて前記レーザを基にしたシステムのレーザーによって前記複数の半導体部品における個別の部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別の部品を処理する前に、前記初期設定レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の初期処理結果を取得するステップであって、前記初期設定レシピは、前記複数の半導体部品を処理するための前記レーザを基にしたシステムのパラメータの共通のグループを含み、前記個別の部品に対して行うべき加工は前記複数の半導体部品の残りの部品の少なくとも１つに対して行うべき加工と異なるステップと、
Ｂ）前記初期設定レシピのパラメータを変更し、個別部品特有レシピを前記パラメータに関連付けて作成するステップであって、このパラメータは前記個別の部品に対して行うべき加工の計画に影響を与えるステップと、
Ｃ）前記個別部品特有レシピを用いてレーザーによって前記個別部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別部品を処理する前に、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の代替処理結果を取得するステップと、
Ｄ）前記初期処理結果及び前記代替処理結果のいずれが望ましい処理結果に近似するかに基づいて、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するステップと、
Ｅ）前記レーザーを基にしたシステムにおいて前記選択したレシピを用いて前記個別部品に行うべき加工を実行するステップと、
を備えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
さらに、前記複数の半導体部品のそれぞれと該複数の半導体部品のそれぞれに対して行うべき加工のそれぞれに対して前記Ａ）〜Ｄ）を実行するステップと、
代替レシピにおいて、前記複数の半導体部品のそれぞれについて選択したレシピを組み合わせるステップと、
前記レーザーを基にしたシステムにおいて前記代替レシピを用いて前記複数の半導体部品のそれぞれに対して行うべき加工のそれぞれを実行するステップと、
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記代替処理結果は、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品に行うべき加工が完了する処理時間である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の部品は、複数枚の半導体ウェーハを含み、前記個別の部品は一枚の半導体ウェーハであり、レーザーによって行う加工は、前記半導体ウェーハ上に位置するメモリ用の修正データを含む、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記初期設定レシピは、レーザーを前記半導体ウェーハに対して、第一の方向及び前記第一の方向と直交する第二の方向において位置決めするための位置合わせフィールドの初期レイアウトを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、少なくとも前記第一の方向及び前記第二の方向のいずれかに前記位置合わせフィールドの初期レイアウトを調整して前記個別部品特有レシピにおいて前記位置合わせフィールドの変更されたレイアウトを作成することを含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記初期設定レシピは、前記半導体ウェーハのメモリ修正のためのリンクランを処理するためのフィールドサイズを規定する処理フィールドを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記ウェーハに対して行うべき加工に基づいて、前記初期設定レシピにおける前記処理フィールドの数から、前記半導体ウェーハ用の前記処理フィールドの数を減らすことを含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記初期設定レシピは、前記半導体ウェーハのメモリ修正のためのリンクランを処理するためのフィールドサイズを規定する処理フィールドを含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記ウェーハに対して行うべき加工に基づいて、前記初期設定レシピにおける前記処理フィールドの処理の順序から、前記半導体ウェーハ用の前記処理フィールドの順序を変更することを含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記パラメータに関連して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記パラメータを複数回変更して前記パラメータの変更のそれぞれに関連付けされた複数の個別部品特有レシピを作成することを含み、前記個別部品特有レシピを用いてレーザーによって前記個別部品に対して行うべき加工を分析するステップは、前記複数の個別部品特有レシピのそれぞれを用いてレーザーによって前記個別部品に行うべき加工を分析して前記複数の個別部品特有レシピのそれぞれに関連付けされたそれぞれの代替処理結果を得ることを含み、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するステップは、前記初期処理結果または前記複数の個別部品特有レシピに関連付けされた前記代替処理結果のそれぞれのいずれが前記個別部品に対してより速い処理時間を含むか否かに基づいて、前記初期設定レシピまたは前記複数の個別部品特有レシピのいずれかを選択することを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記初期設定レシピは、前記レーザーを基にしたシステムの部品支持構造に対して前記個別部品を位置合わせするために用いる基準フィールドを含み、前記基準フィールドは、目標位置を含み、前記初期設定レシピのパラメータを変更して前記個別部品特有レシピを作成するステップは、前記初期設定レシピにおける前記基準フィールドのサイズ及び位置から、前記基準フィールドのサイズ及び位置の少なくとも一つを調整して前記目標位置が、レーザーを第一の方向及び前記第一の方向に直交する第二の方向に位置決めするための位置合わせフィールド、及び、レーザーを前記個別部品に対して前記第一及び第二の方向に直交する第三の方向に位置決めするための焦点フィールドの少なくとも一つと共通の物理的目標を規定し、前記調整が前記個別部品に対して行うべき加工に基づいて行われる、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
レーザーを基にしたシステムにおいて複数の半導体部品を処理するための装置であって、
Ａ）初期設定レシピを用いて前記レーザを基にしたシステムのレーザーによって前記複数の半導体部品における個別の部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別の部品を処理する前に、前記初期設定レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の初期処理結果を取得するための手段であって、前記初期設定レシピは、前記複数の半導体部品を処理するための前記レーザを基にしたシステムのパラメータの共通のグループを含み、前記個別の部品に対して行うべき加工は前記複数の半導体部品の残りの部品の少なくとも１つに対して行うべき加工と異なる手段と、
Ｂ）前記初期設定レシピのパラメータを変更し、個別部品特有レシピを前記パラメータに関連付けて作成するための手段であって、このパラメータは前記個別の部品に対して行うべき加工の計画に影響を与える手段と、
Ｃ）前記個別部品特有レシピを用いて前記レーザーを基にしたによって前記個別部品に対して行うべき加工を該加工のコンピュータシミュレーションを実行することによって分析し、前記個別部品を処理する前に、前記個別部品特有レシピを用いて前記個別部品を処理した場合の代替処理結果を取得するための手段と、
Ｄ）前記初期処理結果及び前記代替処理結果のいずれが望ましい処理結果に近似するかに基づいて、前記個別部品を処理するために前記初期設定レシピ及び前記個別部品特有レシピのいずれかを選択するための手段と、
を備え、
前記レーザーを基にしたシステムは、前記選択されたレシピを用いて前記個別部品に対して行うべき加工を実行する、
ことを特徴とする装置。