(57)【要約】【課題】上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがなく、機能素子としての抵抗体を十分に保護することができ、低抵抗のチップ抵抗器に適したチップ抵抗器を提供する。【解決手段】第１上面電極３０の上側には第２上面電極３２が形成されていて、第１上面電極３０と第２上面電極３２との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置にカバーコート９２が形成されている。第１上面電極３０と第２上面電極３２とは、ともに抵抗体８０に接続している。保護膜９８は、抵抗体の平面領域を全て被覆している。【選択図】図１
2008135502.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
絶縁基板に設けられた一対の電極部で、
絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第１上面電極と、
各第１上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第１上面電極と接している第２上面電極と、を有する電極部と、
一対の第１上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第２上面電極の下面に接続された抵抗体と、
抵抗体の平面領域を全て被覆するとともに、電極間方向の端部が第２上面電極の上面に形成された保護膜と、
第１上面電極とその上側の第２上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
絶縁基板に設けられた一対の電極部で、
絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第１上面電極と、
各第１上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第１上面電極と接している第２上面電極と、
各第２上面電極の上側に形成された第３上面電極と、を有する電極部と、
一対の第１上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第２上面電極の下面に接続された抵抗体と、
抵抗体の平面領域を全て被覆するとともに、電極間方向の端部が第３上面電極の上面に形成された保護膜と、
第１上面電極とその上側の第２上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、
第２上面電極とその上側の第３上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に第２カバーコートを有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
第３上面電極における抵抗体側の端部の下面は、第２上面電極の上面に接しており、第３上面電極における反対側の端部の下面は、第２上面電極の上面に接していることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項４】
第２カバーコートは、保護膜の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体の上面の少なくとも一部の領域とを含む領域に一体に形成されていて、第３上面電極の下面と第２上面電極の上面とは、絶縁基板の電極間方向における端部側において接していることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
第２カバーコートは、保護膜の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体の上面の少なくとも一部の領域とを含んで絶縁基板の電極間方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されていて、第３上面電極の全ての領域は第２カバーコートの上面に形成されていることを特徴とする請求項２に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
第２カバーコートの厚みは１μｍ〜５μｍに形成されていて、第２上面電極と第３上面電極とは第２カバーコートを介して電気的に導通可能であることを特徴とする請求項５に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
第２カバーコートにおける保護膜の端部位置よりも電極間方向に外側の位置に、挿通孔が設けられ、該挿通孔内に第２上面電極と第３上面電極とを接続する接続部が形成されていることを特徴とする請求項５又は６に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、耐硫化特性を有するチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来におけるチップ抵抗器は、例えば、図８に示すような構成により形成されている。つまり、チップ抵抗器５０５は、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体８０と、カバーコート９０と、保護膜９８とを有しており、電極部２０は、絶縁基板１０の左右に一対設けられており、上面電極３０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有している。このメッキ７０は、ニッケルメッキ７２と、錫メッキ７４の２層により形成されている。ここで、メッキ７０の端部は、保護膜９８の端部に接する状態で固定されており、一般に腐食しやすい上面電極３０が露出しないように形成されている。
【０００３】
なお、出願人は、先行技術文献として、以下の特許文献１〜４を知得している。
【特許文献１】特開平１０−１８９３０３号公報
【特許文献２】特開平１０−１８９３０２号公報
【特許文献３】特開平６−５３００３号公報
【特許文献４】特開２００６−２４５２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、図８の構成において、保護膜９８に接するメッキ７０と保護膜９８との接着強度は一般に低いことから、熱ストレスなどによる収縮膨張の繰り返しにより、この保護膜９８とメッキ７０の間に隙間が形成される。この隙間が上面電極３０まで達すると、一般に銀系厚膜で形成されている上面電極３０は、硫化ガス（例えば、硫化水素）が多く存在するような腐食雰囲気で使用された場合に、上面電極３０に含まれる銀と、その硫化ガスとが反応して絶縁物である硫化銀（Ａｇ2Ｓ）が生成されて、上面電極３０が腐食されてしまう。つまり、銀が硫化ガスと反応して硫化して、Ａｇ2Ｓウィスカが形成され、このＡｇ2Ｓウィスカの成長に伴い上面電極が部分的に消失してしまって、導体としての機能を充分果たせなくなる。つまり、上面電極３０が断線状態となることにより、チップ抵抗器の抵抗値が変化してしまう等故障の原因となる可能性がある。
【０００５】
このように、保護膜９８の端部は、いわゆる硫化ポイントとなり、硫化ガスは、保護膜９８とメッキ７０の僅かな隙間から侵入して、その濃度と時間により上面電極３０の銀を徐々に深く侵していき、硫化ガスが多く存在する雰囲気においては、１〜３年で上面電極の銀が消失して断線することがある。
【０００６】
また、上面電極３０の銀が抵抗体８０の焼成時に抵抗体８０に拡散してチップ抵抗器の特性が劣化することを防止するために、上面電極３０中に微量のパラジウムを含有させる場合があるが、上面電極３０の硫化対策としては必ずしも十分ではなく、また、上面電極３０にパラジウムを銀に対して２０重量％以上を含有させるとほとんど上面電極３０が硫化されなくなるとされているが、上面電極３０の抵抗値が高くなってしまい、低抵抗のチップ抵抗器を製造する場合に適さず、また、パラジウム自体が高価であるため使用用途が限定されてしまうという問題がある。
【０００７】
また、上記特許文献１及び特許文献２のチップ型抵抗器においては、オーバーコートと補助上面電極との境界位置の下方にアンダーコートやミドルコートが設けられているが、補助上面電極は抵抗膜に接続されていないので、補助上面電極は上面電極全体の抵抗値を低くすることには作用せず、低抵抗のチップ抵抗器には必ずしも適していない。
【０００８】
また、上記特許文献３のチップ抵抗器においては、ミドルコートガラス層が抵抗膜層のほかに上面電極のほぼ全面を覆い、アルミナ基板の上面端縁近傍まで形成されているが、この場合であっても、ミドルコートガラス層とメッキ（ニッケル皮膜層、半田皮膜層）との境界位置で上面電極が硫化する可能性はある。
【０００９】
また、上記特許文献４のチップ抵抗器においては、上面電極の耐腐食性を向上させるために、第２の上面電極を抵抗膜の端部に重なるように形成するとともに、カバーコートの両端を、第２の上面電極のうち抵抗膜の上面に重なる部分に対して重なるように構成しているが、カバーコートが機能素子としての抵抗体の平面領域を全て被覆していないので、カバーコートによる抵抗体の保護が十分ではないという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがなく、機能素子としての抵抗体を十分に保護することができ、低抵抗のチップ抵抗器に適したチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた一対の電極部で、絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第１上面電極と、各第１上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第１上面電極と接している第２上面電極と、を有する電極部と、一対の第１上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第２上面電極の下面に接続された抵抗体と、抵抗体の平面領域を全て被覆するとともに、電極間方向の端部が第２上面電極の上面に形成された保護膜と、第１上面電極とその上側の第２上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、を有することを特徴とする。
【００１２】
この第１の構成のチップ抵抗器においては、保護膜の電極間方向における端部位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、第２上面電極の銀が硫化して仮に第２上面電極が該硫化ポイントの下方位置において断線してしまっても、第２上面電極の下側にはカバーコートが設けられているので、このカバーコートにより第１上面電極が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。
【００１３】
また、第１上面電極のみならず、第２上面電極も抵抗体に接続されていて、第１上面電極と第２上面電極とが抵抗体に対して電気的に並列に接続されているので、第１上面電極と第２上面電極とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００１４】
また、保護膜は、抵抗体の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体を十分に保護することができる。
【００１５】
また、第２には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた一対の電極部で、絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第１上面電極と、各第１上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第１上面電極と接している第２上面電極と、各第２上面電極の上側に形成された第３上面電極と、を有する電極部と、一対の第１上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第２上面電極の下面に接続された抵抗体と、抵抗体の平面領域を全て被覆するとともに、電極間方向の端部が第３上面電極の上面に形成された保護膜と、第１上面電極とその上側の第２上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、第２上面電極とその上側の第３上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に第２カバーコートを有することを特徴とする。
【００１６】
この第２の構成のチップ抵抗器においては、保護膜の電極間方向における端部位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、第３上面電極の銀が硫化して仮に第３上面電極が該硫化ポイントの下方位置において断線してしまっても、第３上面電極の下側には第２カバーコートが設けられているので、この第２カバーコートにより第２上面電極が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。
【００１７】
また、第１上面電極のみならず、第２上面電極も抵抗体に接続されていて、第１上面電極と第２上面電極とが抵抗体に対して電気的に並列に接続されているので、第１上面電極と第２上面電極とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００１８】
また、保護膜は、抵抗体の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体を十分に保護することができる。
【００１９】
なお、上記第１及び第２の構成において、カバーコート及び／又は第２カバーコートは、電極間方向とは直角の方向に少なくとも第１上面電極の一方の端部から他方の端部にまで形成されたものとするのが好ましい。
【００２０】
また、第３には、上記第２の構成において、第３上面電極における抵抗体側の端部の下面は、第２上面電極の上面に接しており、第３上面電極における反対側の端部の下面は、第２上面電極の上面に接していることを特徴とする。これにより、第１上面電極と第２上面電極と第３上面電極とが抵抗体に対して電気的に並列に接続された構成となるので、第１上面電極と第２上面電極と第３上面電極とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００２１】
また、第４には、上記第２の構成において、第２カバーコートは、保護膜の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体の上面の少なくとも一部の領域とを含む領域に一体に形成されていて、第３上面電極の下面と第２上面電極の上面とは、絶縁基板の電極間方向における端部側において接していることを特徴とする。よって、第２カバーコートは、抵抗体を保護する機能とともに硫化対策の機能を有することから１つのカバーコートで２つの機能を果たすことができ、製造等において効率のよい構成とすることができる。
【００２２】
また、第５には、上記第２の構成において、第２カバーコートは、保護膜の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体の上面の少なくとも一部の領域とを含んで絶縁基板の電極間方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されていて、第３上面電極の全ての領域は第２カバーコートの上面に形成されていることを特徴とする。
【００２３】
よって、第３上面電極が硫化しても第２カバーコートにより第２上面電極の硫化を防止することができ、特に、第２カバーコートは、絶縁基板の電極間方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されているので、第２上面電極の硫化を十分に防止することができる。
【００２４】
また、第６には、上記第５の構成において、第２カバーコートの厚みは１μｍ〜５μｍに形成されていて、第２上面電極と第３上面電極とは第２カバーコートを介して電気的に導通可能であることを特徴とする。よって、第３上面電極もカバーコートを介して第２上面電極と導通するので、第３上面電極も上面電極として機能させることができ、また、第１上面電極と第２上面電極と第３上面電極とが抵抗体に対して電気的に並列に接続されることになり、第１上面電極と第２上面電極と第３上面電極とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００２５】
なお、上記第６の構成を独立項の形で示すと、以下のようになる。すなわち、「チップ抵抗器であって、絶縁基板と、絶縁基板に設けられた一対の電極部で、絶縁基板の上面の電極間方向の両側に形成された第１上面電極と、各第１上面電極の上側に形成され、少なくとも一部が第１上面電極と接している第２上面電極と、各第２上面電極の上側に形成された第３上面電極と、を有する電極部と、一対の第１上面電極の上面に接続されているとともに、一対の第２上面電極の下面に接続された抵抗体と、抵抗体を被覆するとともに、電極間方向の端部が第２上面電極の上面に形成された保護膜と、第１上面電極とその上側の第２上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置に形成されたカバーコートと、第２上面電極とその上側の第３上面電極との間で、保護膜の電極間方向の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体の上面の少なくとも一部の領域とを含んで絶縁基板の電極間方向の一方の端部から他方の端部にまで形成され、１μｍ〜５μｍの厚みに形成された第２カバーコートと、を有し、第３上面電極の全ての領域は第２カバーコートの上面に形成され、第２上面電極と第３上面電極とは第２カバーコートを介して電気的に導通可能であることを特徴とするチップ抵抗器。」となる。
【００２６】
また、第７には、上記第５の構成において、第２カバーコートにおける保護膜の端部位置よりも電極間方向に外側の位置に、挿通孔が設けられ、該挿通孔内に第２上面電極と第３上面電極とを接続する接続部が形成されていることを特徴とする。よって、第２上面電極と第３上面電極とが接続部を介して十分導通するので、第３上面電極を上面電極として機能させることができる。また、硫化ポイントとなる保護膜の端部位置よりも電極間方向に外側の位置に接続部が形成されているので、第３上面電極が硫化ポイントの下方において硫化しても接続部が硫化するのを防止することができる。
【００２７】
なお、上記第７の構成において、挿通孔は、第３上面電極形成前に第２カバーコートにレーザー加工することにより設けられ、接続部は、第３上面電極形成時に第３上面電極の電極ペーストを印刷することにより該挿通孔に電極ペーストを充填させて焼成することにより形成されたものであるものとするのが好ましい。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、保護膜の電極間方向における端部位置である硫化ポイントより硫化ガスが侵入して、最上位置の上面電極（つまり、第２上面電極又は第３上面電極）の銀が硫化して仮に最上位置の上面電極が該硫化ポイントの下方位置において断線してしまっても、該上面電極の下側にはカバーコート（又は第２カバーコート）が設けられているので、該カバーコート（又は第２カバーコート）の下側の第１上面電極（又は第２上面電極）が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。
【００２９】
また、第１上面電極のみならず、第２上面電極も抵抗体に接続されていて、第１上面電極と第２上面電極とが抵抗体に対して電気的に並列に接続されているので、第１上面電極と第２上面電極とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００３０】
また、保護膜は、抵抗体の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体を十分に保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明においては、上面電極が硫化ガスにより硫化された場合でも、チップ抵抗器の電気的特性を損なうことがなく、機能素子としての抵抗体を十分に保護することができ、低抵抗のチップ抵抗器に適したチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【実施例１】
【００３２】
本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器を図１を使用して説明する。なお、図１（ａ）は、図１（ｂ）におけるＡ−Ａ断面図であり、図１（ｂ）における一点鎖線は、第１上面電極３０や第２上面電極３２や抵抗体８０やカバーコート９２の最外郭の輪郭を示すものである。また、図面中において、Ｙ１−Ｙ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向に直角な方向であり、Ｚ１−Ｚ２方向は、Ｘ１−Ｘ２方向及びＹ１−Ｙ２方向に直角な方向である。
【００３３】
本発明に基づくチップ抵抗器５は、図１に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体８０と、カバーコート９０と、カバーコート９２と、保護膜９８とを有している。
【００３４】
ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、全体には、略直方体形状を呈している。なお、図１に示す例では、絶縁基板１０は平面視では長方形状を呈するが、他の形状、例えば、正方形状でもよい。
【００３５】
また、電極部２０は、図１に示すように、絶縁基板１０の相対する辺部に沿って計一対設けられている。具体的には、絶縁基板１０の一方の短手辺（Ｙ１−Ｙ２方向の辺）に沿って電極部２０が設けられているとともに、他方の短手辺に沿って電極部２０が設けられている。なお、電極部２０は、短手辺に沿って形成されているとしたが、長手辺に沿って形成されたものとしてもよい。
【００３６】
ここで、電極部２０は、図１に示すように、第１上面電極３０と、第２上面電極３２と、下面電極４０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有している。
【００３７】
第１上面電極３０は、絶縁基板１０の上面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、平面視において略方形状を呈している。つまり、一方の第１上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の第１上面電極３０は、絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部から所定長さに形成されている。この第１上面電極３０は、具体的には、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。また、第１上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向（幅方向）の幅は、抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも若干大きく形成されていて、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。また、Ｙ１−Ｙ２方向には、上面電極３０と絶縁基板１０の端部には隙間が形成されている。なお、この第１上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の幅を抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅と同一としてもよい。
【００３８】
また、第２上面電極３２は、第１上面電極３０の上側に形成されていて、カバーコート９２を挟んで第１上面電極３０の上面に形成されている。すなわち、後述するように、第１上面電極３０の上面に重なってカバーコート９２が形成されており、カバーコート９２の上面に重なって第１上面電極３０と略同一の平面領域に第２上面電極３２が形成されている。つまり、図１（ｂ）に示すように、第２上面電極３２のＸ１−Ｘ２方向の内側の端部は、第１上面電極３０よりもやや短く形成されているが、Ｙ１−Ｙ２方向の両側の端部や、Ｘ１−Ｘ２方向における外側の端部は、第１上面電極３０と一致している。これにより、第２上面電極３２の下面と第１上面電極３０の上面とは、カバーコート９２を挟んでＸ１−Ｘ２方向に外側と内側において互いに接していて、第２上面電極３２と第１上面電極３０とは互いに接続している。また、第２上面電極３２の内側の端部は、抵抗体８０に上から重なっている。これにより、第１上面電極３０のみならず、第２上面電極３２も抵抗体８０と接続されていて、第１上面電極３０と第２上面電極３２とは、抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されている。
【００３９】
また、第２上面電極３２は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されているが、パラジウムを含有させたものとしてもよい。すなわち、第２上面電極３２の全体重量に対して、７重量％〜２０重量％のパラジウムを含有させることにより、第２上面電極３２を硫化されにくくすることができる。なお、以下の実施例において、パラジウムを含有させるとした場合の含有量も同様である。
【００４０】
また、下面電極４０は、図１に示すように、前記絶縁基板１０の下面の長手方向（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））の両端部領域に一対形成されていて、底面視において略方形状を呈している。つまり、一方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ１側の端部から所定の長さに形成されているとともに、他方の下面電極４０は、絶縁基板１０の下面のＸ２側の端部から所定の長さに形成されている。この下面電極４０の長さ（Ｘ１−Ｘ２方向の長さ）は、第１上面電極３０と略同一の長さに形成されているが、下面電極４０の長さは任意である。また、下面電極４０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅と略同一に形成されている。この下面電極４０は、銀系厚膜（銀系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。
【００４１】
また、側面電極６０は、第２上面電極３２の一部と、下面電極４０の一部と、絶縁基板１０の側面（つまり、Ｘ１側の側面と、Ｘ２側の側面）を被覆するように断面略コ字状に層状に形成されている。この側面電極６０は、Ｘ１側の端部とＸ２側の端部にそれぞれ設けられている。
【００４２】
また、メッキ７０は、ニッケルメッキ（Ｎｉメッキ）７２と、錫メッキ７４とから構成されていて、Ｘ１側の端部領域とＸ２側の端部領域にそれぞれ設けられている。つまり、チップ抵抗器の接続用の電極部の表面にメッキ７０が設けられていて、内側層がニッケルメッキ７２で、外側層が錫メッキ７４となっている。
【００４３】
ここで、ニッケルメッキ７２は、第２上面電極３２の一部と、側面電極６０と、下面電極４０の一部とを被覆するように形成されている。つまり、第２上面電極３２と側面電極６０と下面電極４０の露出部分を被覆するように形成されている。このニッケルメッキ７２は、電気メッキにより略均一の膜厚で形成されている。このニッケルメッキ７２は、ニッケルにて形成されており、第２上面電極３２等の内部電極のはんだ食われを防止するために形成されている。このニッケルメッキは、ニッケル以外にも銅メッキが用いられる場合もある。
【００４４】
また、錫メッキ７４は、ニッケルメッキ７２の表面を被覆するように略均一の膜厚で配設されている。なお、錫メッキ以外にはんだメッキが用いられる場合もある。
【００４５】
また、抵抗体８０は、図１に示すように、基本的に前記絶縁基板１０の上面に設けられていて、Ｘ１−Ｘ２方向の両端部は第１上面電極３０の上面に接続して形成されている。つまり、抵抗体８０は、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））に帯状に形成されていて、平面視において略長方形状に形成されている。抵抗体８０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、第１上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されている。また、抵抗体８０の両端部には第２上面電極３２が積層し、抵抗体８０は第２上面電極３２の下面に接続して形成されている。これにより、抵抗体８０は、一対の第１上面電極３０及び第２上面電極３２間を接続するように形成されている。また、抵抗体８０は、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜により形成されている。
【００４６】
また、カバーコート９０は、抵抗体８０の上面に形成され、抵抗体８０へのトリミング時の熱衝撃を緩和するために形成されている。このカバーコート９０は、ガラス系材料により形成されていて、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。
【００４７】
また、カバーコート９２は、第１上面電極３０と第２上面電極３２との間に設けられ、保護膜９８とメッキ７０の境界位置の下方位置にＹ１−Ｙ２方向に帯状に形成されている。つまり、カバーコート９２は、平面視において保護膜９８とメッキ７０の境界位置を跨ぐように、Ｘ１−Ｘ２方向には、少なくとも第１上面電極３０や第２上面電極３２の長さよりも短い幅に形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。なお、カバーコート９２は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されているとしたが、これには限られず、少なくとも第１上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されていればよい。このカバーコート９２は、ガラス系材料により形成されていて、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。なお、このカバーコート９２の厚みは、５〜１０μｍ（好適には７〜８μｍ）である。すなわち、カバーコート９２はカバーコート９０と同時に形成する関係から、カバーコート９０に通常用いられる厚みと同等の厚みとする。なお、カバーコート９２は、薄くても硫化に対しては十分効果があるので、１〜５μｍ程度の厚みがあればよい。
【００４８】
また、保護膜９８は、図１に示すように、主に、カバーコート９０と抵抗体８０を被覆するように設けられている。すなわち、この保護膜９８の形成位置をさらに詳しく説明すると、Ｙ１−Ｙ２方向には、前記絶縁基板１０の幅と略同一に形成され（絶縁基板１０の幅よりも短く形成されていてもよい）、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体８０と第２上面電極３２の一部を被覆するように設けられている。これにより、保護膜９８は、平面視において、抵抗体８０の平面領域を全て含むように形成されている。この保護膜９８は、樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）により形成されている。なお、ほう珪酸鉛ガラスにより形成してもよい。
【００４９】
上記構成のチップ抵抗器５の製造方法について、簡単に説明すると、まず、表面と裏面の両面に一次スリットと二次スリットが形成されている無垢のアルミナ基板（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し、このアルミナ基板の裏面（すなわち、底面）に下面電極を形成する。つまり、下面電極用のペースト（例えば、銀系メタルグレーズ等の銀系ペースト）を印刷し、乾燥・焼成する。なお、この下面電極の形成に際しては、隣接するチップ抵抗器について同時に下面電極を形成する。さらには、電極間方向に直角な方向には、帯状に連続して下面電極を形成する。
【００５０】
次に、アルミナ基板の表側の面（すなわち、上面）に第１上面電極を形成する。すなわち、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）であるが、銀パラジウムペーストとしてもよい。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００５１】
次に、前記アルミナ基板の上面に抵抗体８０を形成する。つまり、抵抗体８０の抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥・焼成して抵抗体を形成する。なお、この抵抗体ペーストは、酸化ルテニウム系ペースト（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ）である。
【００５２】
次に、抵抗体８０の上面と、第１上面電極の上面に、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、カバーコート９０とカバーコート９２とを形成する。つまり、カバーコート９０とカバーコート９２とは同時に形成する。
【００５３】
次に、第１上面電極の上面に第２上面電極を形成する。すなわち、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）であるが、銀パラジウムペーストとしてもよい。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００５４】
次に、抵抗体８０にトリミング溝を形成して抵抗値を調整する。つまり、レーザートリミングにより抵抗体８０にトリミング溝を形成する。なお、このトリミングは、第２上面電極を形成する前に行ってもよい。
【００５５】
次に、少なくとも抵抗体８０及びカバーコート９０を覆うように保護膜を形成する。つまり、樹脂ペーストを帯状に印刷し、乾燥・硬化させる。
【００５６】
その後は、一次スリットに沿って一次分割する。次に、前記短冊状基板に対して、側面電極を形成する。つまり、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・硬化する。なお、側面電極用ペーストを印刷し、乾燥・焼成する方法としてもよい。また、スパッタ法により側面電極を金属薄膜で形成してもよい。その後、二次スリットに沿って二次分割する。次に、ニッケルメッキを形成し、その後、錫メッキを形成する。
【００５７】
チップ抵抗器５の使用状態について説明すると、配線基板（プリント基板としてもよい）に実装して使用する。配線基板への実装においては、図２に示すように、チップ抵抗器５は、配線基板１００上に形成されたランド１０２にハンダフィレット１１０を介して実装される。
【００５８】
本実施例のチップ抵抗器５においては、保護膜９８の長手方向における端部、すなわち、保護膜９８とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントＰより硫化ガスが侵入して、第２上面電極３２の銀が硫化して仮に第２上面電極３２が該硫化ポイントＰの下方位置において断線してしまっても、第２上面電極３２の下側にはカバーコート９２が設けられているので、このカバーコート９２により第１上面電極３０が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。
【００５９】
また、第１上面電極３０のみならず、第２上面電極３２も抵抗体８０に接続されていて、第１上面電極３０と第２上面電極３２とが抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されているので、第１上面電極３０と第２上面電極３２とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００６０】
また、第２上面電極３２が設けられており、この第２上面電極３２に保護膜９８が重なった状態となっているので、メッキ７０を保護膜９８の端部位置にまで形成することができる。
【００６１】
また、保護膜９８が、抵抗体８０の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体８０を十分に保護することが可能となる。
【００６２】
さらに、第２上面電極３２にパラジウムを含有させた場合には、第２上面電極３２を硫化しにくくすることができ、耐硫化対策をより向上させることができる。
【実施例２】
【００６３】
次に、実施例２のチップ抵抗器について説明する。実施例２のチップ抵抗器１０５は、実施例１のチップ抵抗器５と略同様の構成であるが、チップ抵抗器１０５においては、第１上面電極３０と第２上面電極３２のみならず、第３上面電極３４が設けられ、また、第１上面電極３０と第２上面電極３２間に設けられたカバーコート９２のみならず、カバーコート９４が、第２上面電極３２と第３上面電極３４との間に設けられている点が異なる。
【００６４】
すなわち、チップ抵抗器１０５は、図３に示すように、絶縁基板１０と、電極部２０と、抵抗体８０と、カバーコート９０と、カバーコート９２と、カバーコート９４（第２カバーコート）と、保護膜９８とを有しており、絶縁基板１０と、抵抗体８０と、カバーコート９０と、カバーコート９２と、保護膜９８は、実施例１における各部と同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。
【００６５】
また、電極部２０は、図３に示すように、第１上面電極３０と、第２上面電極３２と、第３上面電極３４と、下面電極４０と、側面電極６０と、メッキ７０とを有していて、第１上面電極３０と第２上面電極３２とは、実施例１における第１上面電極３０と第２上面電極３２と同様の構成となっている。
【００６６】
また、第３上面電極３４は、第２上面電極３２の上側に形成されていて、カバーコート９４を挟んで第２上面電極３２の上面に形成されている。すなわち、後述するように、第２上面電極３２の上面にカバーコート９４が形成されており、カバーコート９４の上面に重なって第２上面電極３２と略同一の平面領域に第３上面電極３４が形成されている。つまり、図３に示すように、第３上面電極３４のＸ１−Ｘ２方向の内側の端部は、第２上面電極３２よりもやや短く形成されているが、Ｙ１−Ｙ２方向の両側の端部や、Ｘ１−Ｘ２方向における外側の端部は、第１上面電極３０と一致している。これにより、第３上面電極３４と第２上面電極３２とは、カバーコート９４を挟んでＸ１−Ｘ２方向に外側と内側において互いに接続している。なお、第３上面電極３４は、抵抗体８０には接続していないが、第３上面電極３４は、第２上面電極３２の抵抗体８０との接続部分に接続された状態となっているので、第１上面電極３０と第２上面電極３２と第３上面電極３４とは、抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されているといえる。
【００６７】
また、電極部２０における下面電極４０と、側面電極６０と、メッキ７０とは、実施例１と同様の構成であるので詳しい説明を省略する。なお、第３上面電極３４が設けられている関係で、側面電極６０は、その上端においては、第３上面電極３４の上面の一部を被覆するように形成されており、また、メッキ７０も第３上面電極３４の上面に形成されている。
【００６８】
また、カバーコート９４は、第２上面電極３２と第３上面電極３４との間に設けられ、カバーコート９２と略同一の平面領域に形成されている。つまり、カバーコート９４は、保護膜９８とメッキ７０の境界位置の下方位置にＹ１−Ｙ２方向に帯状に形成され、平面視において保護膜９８とメッキ７０の境界位置を跨ぐように形成され、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。なお、カバーコート９４は、少なくとも第１上面電極３０のＹ１−Ｙ２方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されていればよい。このカバーコート９４は、ガラス系材料により形成されていて、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。なお、このカバーコート９４の厚みは、カバーコート９２の厚みと同様に５〜１０μｍ（好適には７〜８μｍ）とするが、薄くても硫化に対しては十分効果があるので、１〜５μｍ程度の厚みがあればよい。
【００６９】
上記構成のチップ抵抗器１０５の製造方法は、上記実施例１のチップ抵抗器５の製造方法と略同一であるが、第２上面電極の形成後には、カバーコート９４を形成し、カバーコート９４の形成後には、第３上面電極を形成して、その後にトリミングを行うことになる。なお、カバーコート９０形成後で保護膜９８形成前であれば、トリミングを任意の段階で行ってよい。
【００７０】
なお、カバーコート９４の形成に際しては、ホウ珪酸鉛ガラス系のガラスペーストを印刷して焼成し、また、第３上面電極の形成に際しては、上面電極ペーストを印刷し、乾燥・焼成する。この場合の上面電極ペーストは、銀系ペースト（例えば、銀系メタルグレーズ）であるが、銀パラジウムペーストとしてもよい。なお、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。上記以外の製造工程は、上記実施例１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００７１】
チップ抵抗器１０５の使用状態は上記実施例１のチップ抵抗器５と同様であり、配線基板に実装して使用する。
【００７２】
この実施例２のチップ抵抗器１０５においては、保護膜９８の長手方向における端部、すなわち、保護膜９８とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントＰより硫化ガスが侵入して、第３上面電極３４の銀が硫化して仮に第３上面電極３４が該硫化ポイントＰの下方位置において断線してしまっても、第３上面電極３４の下側にはカバーコート９４が設けられているので、このカバーコート９４により第２上面電極３２と第１上面電極３０が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。また、特に、３つの上面電極が設けられていることから、第３上面電極３４が硫化されて断線してしまっても、第１上面電極３０と第２上面電極３２とは硫化されるおそれが小さいので、最も上にある上面電極（第３上面電極３４）が硫化して断線することによるチップ抵抗器の抵抗値の変化を極めて小さく抑えることができ、上記実施例１のチップ抵抗器５と比べても抵抗値の変化を小さく抑えることができる。
【００７３】
また、万が一何らかの原因で第２上面電極３２も硫化したとしても、カバーコート９２が設けられているので、第１上面電極３０により導通は確保される。
【００７４】
また、第１上面電極３０と第２上面電極３２とが抵抗体８０に接続され、また、第３上面電極３４もその抵抗体８０側の端部が第２上面電極３２に接続しているので、第１上面電極３０と第２上面電極３２と第３上面電極３４とが抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されることになり、第１上面電極３０と第２上面電極３２と第３上面電極３４とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００７５】
また、第３上面電極３４が設けられており、この第３上面電極３４に保護膜９８が重なった状態となっているので、メッキ７０を保護膜９８の端部位置にまで形成することができる。
【００７６】
また、保護膜９８が、抵抗体８０の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体８０を十分に保護することが可能となる。
【００７７】
さらに、第３上面電極３４にパラジウムを含有させた場合には、第３上面電極３４を硫化しにくくすることができ、耐硫化対策をより向上させることができる。
【実施例３】
【００７８】
次に、実施例３のチップ抵抗器について説明する。実施例３のチップ抵抗器２０５は、実施例２のチップ抵抗器１０５と略同様の構成であるが、実施例２におけるカバーコート９０とカバーコート９２とが一体に形成されている点が異なる。
【００７９】
つまり、図４に示すように、カバーコート９０（第２カバーコート）は、抵抗体８０の上面のみならず第２上面電極３２の上面にまで形成されていて、具体的には、カバーコート９０は、平面視において、Ｘ１−Ｘ２方向に一方のカバーコート９２の外側の端部の位置から他方のカバーコート９２の外側の端部の位置まで形成されていて、その両側は、第２上面電極３２の上面に形成され、中央部分は抵抗体８０の上面に形成されている。
【００８０】
なお、カバーコート９０は、Ｙ１−Ｙ２方向には、絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。これにより、カバーコート９０のＹ１−Ｙ２方向の両側の端部領域は、Ｘ１−Ｘ２方向の端部においては、カバーコート９２に積層し、それ以外の領域においては、上面電極１０の上面に形成されていることになる。これにより、カバーコート９０は、保護膜９８の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体８０の上面の少なくとも一部の領域とを含む領域に一体に形成されている。なお、カバーコート９０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、第２上面電極３２の幅と同一に形成され、カバーコート９０は、第２上面電極３２の上面においては、第２上面電極３２のＹ１−Ｙ２方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されているものとしてもよい。このカバーコート９０は、ガラス系材料により形成され、具体的には、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。
【００８１】
このカバーコート９０の厚みは、５〜１０μｍ（好適には７〜８μｍ）である。つまり、カバーコート９０は抵抗体８０の上面にも形成されることから、抵抗体の上面に形成されるカバーコートに通常用いられる厚みと同等の厚みとする。また、カバーコート９２の厚みは、上記各実施例と同様に、５〜１０μｍ（好適には７〜８μｍ）であるが、薄くても硫化に対しては十分効果があるので、１〜５μｍとしてもよい。
【００８２】
また、第３上面電極３４は、第２上面電極３２の上側に形成されていて、Ｘ１−Ｘ２方向の内側においては、カバーコート９０の上面に形成されており、カバーコート９０が設けられているため、第３上面電極３４は、内側においては第２上面電極３２に接続していない。一方、第３上面電極３４の下面は、絶縁基板１０の電極間方向における端部側において第２上面電極３２の上面と接していて、第２上面電極３２と第３上面電極３４とは接続されている。
【００８３】
実施例３における上記以外の構成は、実施例２と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００８４】
上記構成のチップ抵抗器２０５の製造方法は、上記実施例２のチップ抵抗器１０５の製造方法と略同一であるが、カバーコート９２を形成する際には、カバーコート９０を形成することなくカバーコート９２のみを形成し、第２上面電極形成後に、カバーコート９０を形成する。カバーコート９０の形成後には、第３上面電極を形成して、その後にトリミングを行うことになる。なお、カバーコート９０形成後で保護膜９８形成前であれば、トリミングを任意の段階で行ってよい。上記以外の製造工程は、上記実施例２と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００８５】
チップ抵抗器２０５の使用状態は上記実施例１のチップ抵抗器５と同様であり、配線基板に実装して使用する。
【００８６】
この実施例３のチップ抵抗器２０５においては、保護膜９８の長手方向における端部、すなわち、保護膜９８とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントＰより硫化ガスが侵入して、第３上面電極３４の銀が硫化して仮に第３上面電極３４が該硫化ポイントＰの下方位置において断線してしまっても、第３上面電極３４の下側にはカバーコート９０が設けられているので、このカバーコート９０により第２上面電極３２と第１上面電極３０が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。また、特に、第３上面電極３４の内側の端部は、抵抗体８０や第２上面電極３２に接続されていないので、第３上面電極３４が電極部２０の抵抗値に与える影響は極めて小さく、第３上面電極３４が硫化されて断線してしまっても、第１上面電極３０と第２上面電極３２とは硫化されるおそれが小さいので、最も上にある上面電極（第３上面電極３４）が硫化して断線することによるチップ抵抗器の抵抗値の変化を極めて小さく抑えることができ、上記実施例１や実施例２と比べても抵抗値の変化を小さく抑えることができる。
【００８７】
また、万が一何らかの原因で第２上面電極３２も硫化したとしても、カバーコート９２が設けられているので、第１上面電極３０により導通は確保される。
【００８８】
また、第１上面電極３０のみならず、第２上面電極３２も抵抗体８０に接続されていて、第１上面電極３０と第２上面電極３２とが抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されているので、第１上面電極３０と第２上面電極３２とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【００８９】
また、第３上面電極３４が設けられており、この第３上面電極３４に保護膜９８が重なった状態となっているので、メッキ７０を保護膜９８の端部位置にまで形成することができる。
【００９０】
また、カバーコート９０は、抵抗体を保護する機能とともに硫化対策の機能を有することから１つのカバーコートで２つの機能を果たすことができ、製造等において効率のよい構成とすることができる。
【００９１】
また、保護膜９８が、抵抗体８０の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体８０を十分に保護することが可能となる。
【００９２】
さらに、第３上面電極３４にパラジウムを含有させた場合には、第３上面電極３４を硫化しにくくすることができ、耐硫化対策をより向上させることができる。
【実施例４】
【００９３】
次に、実施例４のチップ抵抗器について説明する。実施例４のチップ抵抗器３０５は、実施例３のチップ抵抗器２０５と略同様の構成であるが、カバーコート９０が絶縁基板１０の両端にまで形成されている点が異なる。
【００９４】
すなわち、カバーコート９０（第２カバーコート）は、Ｘ１−Ｘ２方向にも絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成されていて、絶縁基板１０の上方の平面領域の全面がカバーコート９０により被覆されている。つまり、カバーコート９０は、保護膜９８の電極間方向における両側の端部位置の下方位置の領域と、抵抗体８０の上面の少なくとも一部の領域とを含んで絶縁基板１０の電極間方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されている。なお、カバーコート９０のＹ１−Ｙ２方向の幅は、第２上面電極３２の幅と同一に形成され、カバーコート９０は、第２上面電極３２の上面においては、第２上面電極３２のＹ１−Ｙ２方向の一方の端部から他方の端部にまで形成されているものとしてもよい。このカバーコート９０は、ガラス系材料、特に、ホウ珪酸鉛ガラス系厚膜により形成されている。
【００９５】
このカバーコート９０の厚みは１〜５μｍ程度と薄く形成されており、カバーコート９０の下側の第２上面電極３２に対する硫化防止を果たすが、第２上面電極３２と第３上面電極３４間の導通も果たすようになっている。つまり、カバーコート９０の厚みを１〜５μｍとすることにより、第３上面電極を焼成した際に第２上面電極の銀と第３上面電極の銀とがカバーコート９０内に拡散して第２上面電極３２と第３上面電極３４とがカバーコート９０を介して導通するようにする。このようにカバーコート９０の厚みを１〜５μｍとして、第２上面電極３２中の銀と第３上面電極３４中の銀とがカバーコート９０内に拡散するようにすることにより、導通はするものの、カバーコート９０を介して第２上面電極３２が硫化することがない。つまり、仮にカバーコート９０内に拡散した銀が硫化ポイントの下方で硫化ガスにより硫化したとしても、カバーコート９０には硫化ガスが入り込むような隙間は形成されず、第２上面電極３２が硫化することはない。なお、カバーコート９０に第２上面電極３２や第３上面電極３４の銀が拡散することによりカバーコート９０に導通性が形成されるのであるから、カバーコート９０における第２上面電極３２と第３上面電極３４間の部分のみが導通性を有し、カバーコート９０における抵抗体８０の上側の部分は導通性はないといえる。
【００９６】
カバーコート９０における上記以外の点は、実施例３と同様であるので詳しい説明を省略する。
【００９７】
また、第３上面電極３４は、実施例２、実施例３と同様に、第２上面電極３２と略同一の平面領域に形成されているが、カバーコート９０が上記のように形成されているため、第３上面電極３４の全ての領域はカバーコート９０の上面に形成されている。つまり、第３上面電極３４は、第２上面電極３２の上側に形成されているが、物理的には第２上面電極３２と接していない。
【００９８】
実施例４における上記以外の構成は、実施例３と同様であるので、詳しい説明を省略する。
【００９９】
上記構成のチップ抵抗器３０５の製造方法は、上記実施例３のチップ抵抗器２０５の製造方法と略同一であるが、カバーコート９０は、Ｘ１−Ｘ２方向に絶縁基板１０の一方の端部から他方の端部にまで形成する。また、第２上面電極と第３上面電極の焼成温度を略同一として第３上面電極を焼成した際に、第３上面電極の銀がカバーコート９０内に拡散するとともに、第２上面電極の銀がカバーコート９０内に拡散するようにする。
【０１００】
チップ抵抗器３０５の使用状態は上記実施例１のチップ抵抗器５と同様であり、配線基板に実装して使用する。
【０１０１】
この実施例４のチップ抵抗器３０５においては、保護膜９８の長手方向における端部、すなわち、保護膜９８とメッキ７０の境界位置である硫化ポイントＰより硫化ガスが侵入して、第３上面電極３４の銀が硫化して仮に第３上面電極３４が該硫化ポイントＰの下方位置において断線してしまっても、第３上面電極３４の下側にはカバーコート９０が設けられているので、このカバーコート９０により第２上面電極３２と第１上面電極３０が硫化するのを防止することができ、チップ抵抗器の電気的特性が劣化することがない。また、特に、３つの上面電極が設けられていることから、第３上面電極３４が硫化されて断線してしまっても、第１上面電極３０と第２上面電極３２とは硫化されるおそれが小さいので、最も上にある上面電極（第３上面電極３４）が硫化して断線することによるチップ抵抗器の抵抗値の変化を極めて小さく抑えることができ、上記実施例１のチップ抵抗器５と比べても抵抗値の変化を小さく抑えることができる。
【０１０２】
また、第３上面電極３４はカバーコート９０を介して第２上面電極３２と導通するので、第３上面電極３４も電極として機能させることができる。
【０１０３】
また、万が一何らかの原因で第２上面電極３２も硫化したとしても、カバーコート９２が設けられているので、第１上面電極３０により導通は確保される。
【０１０４】
また、第１上面電極３０のみならず、第２上面電極３２も抵抗体８０に接続されていて、また、第３上面電極３４もカバーコート９０を介して第２上面電極３２と導通するので、第１上面電極３０と第２上面電極３２と第３上面電極３４とが抵抗体８０に対して電気的に並列に接続されることになり、第１上面電極３０と第２上面電極３２と第３上面電極３４とからなる上面電極全体の抵抗値を小さくすることができ、低抵抗のチップ抵抗器に好適である。
【０１０５】
また、第３上面電極３４が設けられており、この第３上面電極３４に保護膜９８が重なった状態となっているので、メッキ７０を保護膜９８の端部位置にまで形成することができる。
【０１０６】
また、カバーコート９０は、抵抗体を保護する機能とともに硫化対策の機能を有することから１つのカバーコートで２つの機能を果たすことができ、製造等において効率のよい構成とすることができる。
【０１０７】
また、保護膜９８が、抵抗体８０の平面領域を全て被覆しているので、機能素子である抵抗体８０を十分に保護することが可能となる。
【０１０８】
さらに、第３上面電極３４にパラジウムを含有させた場合には、第３上面電極３４を硫化しにくくすることができ、耐硫化対策をより向上させることができる。
【０１０９】
なお、上記の説明においては、カバーコート９０を上記の構成とすることにより第２上面電極３２と第３上面電極３４とを導通させるものとして説明したが、カバーコート９０の厚みを導通しない厚み（例えば、５μｍよりも厚い厚み）とすることにより第２上面電極３２と第３上面電極３４間を導通しない構成としてもよい。この場合には、上面電極として機能するのは第１上面電極３０と第２上面電極３２の２つであるが、第３上面電極３４は、メッキ７０を保護膜９８の端部位置にまで形成するのに役立つことになる。
【実施例５】
【０１１０】
次に、実施例５のチップ抵抗器について説明する。実施例５のチップ抵抗器４０５は、実施例４のチップ抵抗器３０５と略同様の構成であるが、カバーコート９０（第２カバーコート）の硫化ポイントの下方よりも端部側に挿通孔が設けられ、該挿通孔に形成された接続部を介して第３上面電極と第２上面電極とを導通させるようにした点が異なる。
【０１１１】
すなわち、図７に示すように、カバーコート９０における保護膜９８の端部位置である硫化ポイントＰよりもＸ１−Ｘ２方向の端部側にレーザー加工等により第２上面電極３２にまで達する溝部９５を形成することにより、カバーコート９０に挿通孔を形成し、該挿通孔に第３上面電極の電極材を充填させて接続部３６を形成することにより、該接続部３６を介して第３上面電極３４と第２上面電極３２とを導通させるようにするのである。
【０１１２】
このようにすることにより、実施例４のように、カバーコート９０自体を導通させることにより第２上面電極３２と第３上面電極３４間を導通させるのみならず、接続部３６により確実に第２上面電極３２と第３上面電極３４間を導通させることが可能となる。
【０１１３】
実施例５における上記以外の構成は、実施例４と同様であるので詳しい説明を省略する。
【０１１４】
上記構成のチップ抵抗器４０５の製造方法は、上記実施例４のチップ抵抗器３０５の製造方法と略同一であるが、第３上面電極の形成前にカバーコート９０のＸ１−Ｘ２方向の端部側（硫化ポイントである保護膜９８とメッキ７０の境界となる位置よりも端部側）にレーザー加工等により第２上面電極にまで達する溝部９５を形成する。図６、図７においては、一方の端部側において、２本の溝部９５をＹ１−Ｙ２方向に平行に形成している。なお、溝部９５の長さは、Ｙ１−Ｙ２方向に第２上面電極３２の一方の端部から他方の端部にまで形成すればよいが、カバーコート９０の一方の端部から他方の端部にまで形成してもよい。また、溝部９５は、直線状にとぎれなく形成してもよく、また、直線状に所定の間隔おきに形成してもよい。
【０１１５】
そして、第３上面電極を形成する際に、上面電極ペーストを印刷することにより、溝部９５内にも上面電極ペーストが充填され、溝部９５内に充填された上面電極ペーストを焼成することにより接続部３６が形成される。
【０１１６】
この実施例５のチップ抵抗器４０５の使用状態は、実施例４のチップ抵抗器の場合と同様である。
【０１１７】
また、実施例５のチップ抵抗器４０５の作用・効果は、上記実施例４と同様であり、さらに、第２上面電極３２と第３上面電極３４とを接続する接続部３６が設けられていることにより、確実に第２上面電極３２と第３上面電極３４とを導通させることができ、第３上面電極３４を確実に上面電極として作用させることができる。なお、硫化ポイントとなる保護膜９８の端部位置よりも電極間方向に外側の位置に接続部３６が形成されているので、第３上面電極３４が硫化ポイントの下方において硫化しても接続部３６が硫化するのを防止することができる。
【０１１８】
なお、実施例５においては、接続部３６により第２上面電極３２と第３上面電極３４の導通は確保されるので、実施例４のようにカバーコート９０自体を導通させることにより第２上面電極３２と第３上面電極３４間を導通させることは必須ではなく、カバーコート９０の厚みを１〜５μｍよりも厚くして（例えば、５μｍよりも厚く１０μｍ以下とする）カバーコート９０自体が導通しないようにしてもよい。
【０１１９】
なお、上記実施例１〜３において、カバーコートの厚みを１〜５μｍとした場合には、上記実施例４、５の場合と同様に、カバーコートを介して上側の上面電極と下側の上面電極とを導通しつつ、下側の上面電極の硫化を防止できることになる。ただし、上記実施例１〜実施例３においては、カバーコートの上面にある上面電極とカバーコートの下面にある上面電極とは直接接続しているので、カバーコートを介した導通は実際にはほとんどないものといえる。
【０１２０】
また、上記実施例１において、カバーコート９０やカバーコート９２の代わりに、実施例４におけるカバーコート９０のように、絶縁基板１０の端部から端部にまで形成されたカバーコートで、第１上面電極３０と第２上面電極３２間の導通を可能とするカバーコートを第１上面電極３０や抵抗体８０の上面に形成した構成としてもよい。このような構成とすることにより、第２上面電極３２は、カバーコートを介して第１上面電極３０と導通することが可能となり、また、第２上面電極３２が硫化してもカバーコートにより第１上面電極３０の硫化を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の構成を示す図であり、（ａ）はその断面図であり、（ｂ）は平面図である。
【図２】本発明の実施例１に基づくチップ抵抗器の使用状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例２に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例３に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例４に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例５に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図７】図６における要部拡大図である。
【図８】従来におけるチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２２】
５、１０５、２０５、３０５、４０５、５０５  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
２０  電極部
３０  第１上面電極
３２  第２上面電極
３４  第３上面電極
３６  接続部
４０  下面電極
６０  側面電極
７０  メッキ
８０  抵抗体
９０、９２、９４  カバーコート
９５  溝部
９８  保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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