【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極から離れた第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に配置された第２絶縁膜と、
第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に配置された第１発光層と、
前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に配置された第２発光層と、
前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上方に配置された第３電極と、
を具備したことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、
前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極から離れた第２電極と、
前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極及び前記第２電極から離れた第３電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記第３電極との間にそれぞれ配置された第２絶縁膜と、
第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に配置された第１発光層と、
前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に配置された第２発光層と、
前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料とは異なる第３ドーパント材料と、第３ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上に配置された第３発光層と、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第３発光層の上方に配置された第４電極と、
を具備したことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第１ホスト材料及び前記第２ホスト材料は、それぞれの規格化した吸光度スペクトル特性において３５０ｎｍ以上の波長で吸光度が１０％以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第２電極の上方の前記第１発光層が有する前記第１ドーパント材料、前記第３電極の上方の前記第１発光層が有する前記第１ドーパント材料、及び、前記第３電極の上方の前記第２発光層が有する前記第２ドーパント材料は、消光していることを特徴とする請求項２または３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜の上に、互いに離間した第１電極、第２電極、及び、第３電極を形成し、
前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記第３電極との間にそれぞれ第２絶縁膜を形成し、
第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に第１発光層を形成し、
前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に第２発光層を形成し、
前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料とは異なる第３ドーパント材料と、第３ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上に第３発光層を形成し、
前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第３発光層の上方に第４電極を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
さらに、前記第２電極の上方の前記第１ドーパント材料、前記第３電極の上方の前記第１ドーパント材料、及び、前記第３電極の上方の前記第２ドーパント材料を消光させる露光工程を具備することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記露光工程は、前記第１発光層を形成後に前記第２電極の上方及び前記第３電極の上方の前記第１発光層を露光する第１露光工程と、前記第２発光層を形成後に前記第３電極の上方の前記第２発光層を露光する第２露光工程と、からなることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記少なくとも１回の露光工程は、前記第３発光層を形成後に前記第２電極の上方及び前記第３電極の上方の前記第１発光層を露光する第１露光工程と、前記第１露光工程後に前記第３電極の上方の前記第２発光層を露光する第２露光工程と、からなることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機ＥＬ装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、
第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極から離れた第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された第２絶縁膜と、第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に配置された第１発光層と、前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に配置された第２発光層と、前記第１電極、前記第２電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上方に配置された第３電極と、を具備したことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
本発明の第２の態様によれば、
第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に配置された第１電極と、前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極から離れた第２電極と、前記第１絶縁膜の上に配置され、前記第１電極及び前記第２電極から離れた第３電極と、前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記第３電極との間にそれぞれ配置された第２絶縁膜と、第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に配置された第１発光層と、前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に配置された第２発光層と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料とは異なる第３ドーパント材料と、第３ホスト材料と、を有し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上に配置された第３発光層と、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第３発光層の上方に配置された第４電極と、を具備したことを特徴とする有機ＥＬ装置が提供される。
本発明の第３の態様によれば、
第１絶縁膜を形成し、前記第１絶縁膜の上に、互いに離間した第１電極、第２電極、及び、第３電極を形成し、前記第１電極と前記第２電極との間、及び、前記第２電極と前記第３電極との間にそれぞれ第２絶縁膜を形成し、第１ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第１ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方に第１発光層を形成し、前記第１ドーパント材料とは異なる第２ドーパント材料と、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料の吸光度スペクトル特性における吸光度ピークよりも短波長側に吸光度ボトムを有する第２ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第１発光層の上に第２発光層を形成し、前記第１ドーパント材料及び前記第２ドーパント材料とは異なる第３ドーパント材料と、第３ホスト材料と、を用いて、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第２発光層の上に第３発光層を形成し、前記第１電極、前記第２電極、前記第３電極、及び、前記第２絶縁膜の上方であって且つ前記第３発光層の上方に第４電極を形成する、ことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】