【手続補正書】
【提出日】平成21年10月26日(2009.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁樹脂からなるプリント配線板に半導体素子が埋め込まれた半導体内臓基板において、前記プリント配線板上には配線パターンが形成され、前記半導体素子上に設けられた電極部には接続用のバンプが形成されており、前記配線パターンと前記接続用のバンプは、接続用配線パターンにより直接接続されていることを特徴とする半導体内臓基板。
【請求項２】
絶縁樹脂からなるプリント配線板に半導体素子が埋め込まれた半導体内臓基板の製造方法において、前記半導体素子の表面に設けられた電極部に接続用のバンプを形成する工程と、該半導体素子を前記プリント配線板に形成された開口部に配置する工程と、該半導体素子と該プリント配線板の上に導電膜を形成するとともに、該半導体素子と該プリント配線板とを一体化する工程と、前記導電膜をパターニングすることで配線パターンを形成し、それとともに前記接続用のバンプの表面を露出させる工程と、前記露出した接続用のバンプと前記配線パターンとを接続用配線パターンにより接続する工程と、を有することを特徴とする半導体内臓基板の製造方法。
【請求項３】
前記接続用配線パターンは、前記半導体素子と前記プリント配線板の上に接続用配線層を形成し、該接続用配線層の上にレジスト材からなる膜を形成し、該レジスト材を、ビームもしくはレーザーにより露光することで接続用配線パターンをパターニングし、接続用配線層をエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体内臓基板の製造方法。
【請求項４】
前記接続用配線パターンは、前記半導体素子と前記プリント配線板の上に接続用配線層を形成し、該接続用配線層の上にレジスト材からなる膜を形成し、該レジスト材を、ビームもしくはレーザーにより露光することで接続用配線パターンをパターニングし、接続用配線層をめっきにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体内臓基板の製造方法。
【請求項５】
前記接続用配線パターンは、前記絶縁樹脂層および半導体素子上に接続用配線層を形成し、接続用配線層の上にレジスト材を直接描画し、さらにエッチングすることにより形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体内臓基板の製造方法。
【請求項６】
前記接続用配線パターンは、前記絶縁樹脂層および半導体素子上に直接描画により形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体内臓基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、特開２００４−３３５６４１（特許文献３）には、あらかじめプリント配線板に凹部を形成するのではなく、プリント配線板の製造時に半導体素子を埋め込むことで半導体内臓基板を製造する方式が記載されている。その時の製造方法を図１２を参照して説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
まず、図１２（ａ）に示すように、Ｃｕ箔１０３の上に絶縁性エポキシ樹脂１０４を介して半導体素子１０１を搭載する。次に、図１２（ｂ）に示すように、プリプレグ材１０５を、その開口部１０５ａが半導体素子１０１を収容する位置に配置する。プリプレグ材１０５は半導体素子１０１の厚みとほぼ同じ厚みを持ち、半導体素子１０１に対応する形状の開口部１０５ａが打ち抜きプレスによって形成されている。また、プリプレグ材１０５の上には、Ｃｕ箔１０３’上に絶縁性樹脂であるエポキシ樹脂１０６がコーティングされたＲＣＣ（レジンコーテッドカッパー）材を載置する。このように積み重ねて配置し、Ｃｕ箔１０３、プリプレグ材１０５、エポキシ樹脂１０６、ＲＣＣ材を、図１２（ｃ）に示すように真空雰囲気にて熱圧着をおこなう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次に、図１２（ｄ）に示すように、半導体素子１０１上の電極部に対応する位置のＣｕ箔１０３’を、通常のエッチングで除去し穴部を形成す。その後、この穴部により露出するエポキシ樹脂１０６を、ＣＯ２あるいは、ＹＡＧ、エキシマといったレーザーにより除去し開口部１０８を形成し、半導体素子１０１の電極部２を露出させる。次に、図１２（ｅ）に示すようにメッキ工程にて全面にＣｕ層１０３ａを形成するとともに、開口部１０８をＣｕ層１０３ａで埋め込む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、前記課題を解決するために、絶縁樹脂からなるプリント配線板に半導体素子が埋め込まれた半導体内臓基板において、前記プリント配線板上には配線パターンが形成され、前記半導体素子上に設けられた電極部には接続用のバンプが形成されており、前記配線パターンと前記接続用のバンプは、接続用配線パターンにより直接接続されていることを特徴とする半導体内臓基板を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図１は本発明の実施例１における半導体内臓基板２０の断面図である。図中１は半導体素子であり、２は半導体素子１上の電極部１１に形成されたバンプである。半導体素子１上の電極部１１以外の部分は絶縁層１３により覆われている。１ａは絶縁層１３の上に設けられ、バンプ２とほぼ同じ高さの樹脂フィルムである。半導体素子１の下面には絶縁層４が設けられている。５はプリント配線板の本体をなす絶縁樹脂層である。３ａは絶縁樹脂層５の裏面に形成された裏面配線パターンであり、７ａは絶縁樹脂層５の表面に形成された表面配線パターンである。６は半導体素子１を封止する接着樹脂層である。１０ａは半導体素子１上のバンプ２と、絶縁樹脂層５上の表面配線パターン７ａを接続する接続用配線パターンである。接続用配線パターン１０ａは導電性の保護層９ａを介してバンプ２と表面配線パターン７ａを接続している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（製造方法１）
次に図１に示した半導体内臓基板２０の製造方法１を、図２乃至４を参照して説明する。まず図２（ａ）に示すように、半導体素子１の上面に電極部１１にバンプ２を形成する。バンプ２は金やＣｕ等の金属やはんだが使用される。形状は直径２０〜３０μｍのボールや円柱が使用される。半導体素子１の表面は絶縁層１３により覆われており、電極部１１のみが上面に露出している。絶縁層１３としてはエポキシ系樹脂等が使用可能である。さらに半導体素子１の上面に形成された絶縁層１３の上面のアクティブエリアには、バンプ２とほぼ同じ高さの樹脂フィルム１２を形成する。樹脂フィルム１ａとしてはポリイミドフィルム等を使用することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また、本実施例においては、プリント配線板の両面を配線層として使用する２層プリント配線板に関して説明した。しかしながら本発明はこれに限られるものではなく、図７に示すように、配線層が１層の片面プリント配線板にも使用可能である。この時、絶縁樹脂層に形成された開口部は、上下方向で貫通したものではなく、凹部形状のものとし、その凹部に半導体素子を配置することができる。