【誤訳訂正書】
【提出日】平成19年7月18日(2007.7.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】モノリシック集積回路の少なくとも特定のセルの電気的挙動を分析する方法において、該方法は、以下のａ）〜ｄ）のステップを含むことを特徴とする方法。
ａ）既知のレイアウト又は回路図解析プログラムによって、
ａ１）能動的及び受動的構成部分と寄生構成部分とを考慮に入れた関連するセルの微細モデルと、
ａ２）複合抵抗の形をとる受動的構成部分のみを考慮に入れた、前記集積回路の少なくとも残りの部分の粗めモデルと、
をそれぞれ備える、前記集積回路全体のレイアウト又は回路図から微細−粗めコンピュータモデルが作成されるステップ；
ｂ）前記微細−粗めコンピュータモデルにより、微細シミュレーションが、特に動作温度や供給電圧のような所定の動作パラメータを事前に設定することにより実行され、前記セルの微細モデルの少なくとも１つの入力が少なくとも１つの刺激信号として作用し、これによって前記微細−粗めコンピュータモデルの前記セル及び／または集積回路の出力端子に生成された信号パターンがサンプリング及び記録されるステップ；
ｃ）関連する各回路ノードに対して、前記記録された関連信号パターンの周波数スペクトルが、スペクトル分析法により生成されるステップ；
ｄ）前記周波数スペクトルが、格納されている周波数スペクトル評価マスタパターンとの比較により評価されるステップ：
【請求項２】前記ステップａ）の前に、次のｅ）及びｆ）のステップが実行されるとともに、ステップｆ）で記録される刺激信号が前記ステップｂ）における微細シミュレーションにおいて使用されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
ｅ）既知のレイアウトまたは回路図解析プログラムによって、粗めシミュレーションコンピュータモデルが、前記集積回路の全体から、前記回路の能動的構成部分のみをそれぞれ考慮に入れたモデルによって、前記集積回路全体のレイアウト又は回路図から生成されるステップ；
ｆ）所定の動作パラメータが事前に設定されると共に、粗めシミュレーションコンピュータモデルの入力端子に所定の信号形式のテスト信号が与えられ、続いて、前記粗めシミュレーションコンピュータモデルの関連するセルの入力端子及び／または出力端子に現れるアナログ応答信号が、刺激信号として記録及び格納されることによって、粗めシミュレーションが実行されるステップ：
【請求項３】請求項１または２に記載の方法において、前記集積回路のセルの電磁放射の挙動を改善するために、プログラム制御された反復ルーチン及びセルの所定の機能限界の検討により：ｇ）セルの微細モデルの回路パラメータが、意図的に変更され；
ｈ）ステップｂ）〜ｄ）が、そこから現れる修正された微細−粗めコンピュータモデルによって繰り返され；
ｉ）修正された微細−粗めコンピュータモデルにより得られるそれぞれの評価結果が、先の微細−粗めコンピュータモデルにより得られた評価結果と比較され；
ｊ）微細モデルの回路パラメータの先の変更が前記セルの電磁放射の挙動を改善させたか、あるいは悪化させたかが、比較結果によって確かめられ；
ｋ）反復ルーチンが、前記セルの微細モデルの回路パラメータの変更を繰り返すことにより継続され、その回路パラメータ変更は、先の確認結果に従って、先の回路パラメータ変更と同一または反対の方向へと、それぞれの回路パラメータ変更により得られる電磁放射の挙動の変化量が所定の閾値を下回るまで実行される；ことを特徴とする方法。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の方法において、残りの集積回路のモデルに加えて粗めモデルを作るために：リード線モデル及び／または電圧供給モデル及び／または入力／出力ストラクチャモデル及び／またはハウジングストラクチャモデル及び／または負荷モデルが、考慮に入れられることを特徴とする方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の方法において、ステップａ）及びｅ）が、微細−粗めコンピュータモデル及び粗めシミュレーションコンピュータモデルの回路網リスト記述書の回路レイアウトモデルによる準備をそれぞれ含んでおり、抵抗（Ｒ）、コンデンサ（Ｃ）及びインダクタンス（Ｌ）の形をとる受動的及び寄生素子と、トランジスタ及びダイオードの形をとる能動的素子とを考慮に入れていることを特徴とする前記方法。
【請求項６】請求項１〜５のいずれかに記載の方法において、ステップｅ）による粗めシミュレーションが、粗めシミュレーションコンピュータモデルの動作モードを可能な限り周期的にする試験信号により実行されることを特徴とする方法。
【請求項７】請求項１〜６のいずれかに記載の方法において、模範的な動作のための動作変数が、ステップｂ）及びｆ）中で事前に設定されていることを特徴とする方法。
【請求項８】請求項１〜７のいずれかに記載の方法において、最も悪い動作条件のための動作パラメータが、ステップｂ）及びｆ）中に存在することを特徴とする方法。
【請求項９】請求項１〜８のいずれかに記載の方法において、ステップｂ）の範囲内で、集積回路の少なくとも１つの出力回路ノードに現れる信号パターンが、記録されることを特徴とする方法。
【請求項１０】請求項１〜９のいずれかに記載の方法において、ステップｂ）の範囲内でのサンプリングが、サンプリング定理によって要求されるサンプリング周波数と少なくとも同じサンプリング周波数で実行されることを特徴とする方法。
【請求項１１】請求項１０に記載の方法において、サンプリングが、サンプリング定理によって要求されるサンプリング周波数の少なくとも５倍のサンプリング周波数で実行されることを特徴とする方法。
【請求項１２】請求項１〜１１のいずれかに記載の方法において、分析される信号パターンが、ステップｃ）でフーリエ変換されることを特徴とする方法。
【請求項１３】請求項１〜１１のいずれかに記載の方法において、分析される信号パターンが、ステップｃ）でＺ変換されることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
非常に高い集積度を有する近年のモノリシック半導体集積回路のほとんどはあまりに複雑なことから、その設計及び電気的挙動の分析の双方のために、また、ある程度の最適化のために、コンピュータプログラムが使用される。例えば、電気回路図または機能ブロック回路図を、それにより半導体集積回路のためのレイアウトが形成されるレイアウト情報へと変換可能なコンピュータプログラムが存在する。他方で、シミュレーションコンピュータモデルを、集積回路の回路図またはレイアウトから作ることができるコンピュータプログラムが存在し、それによれば、コンピュータモデルによりシミュレートされたこの回路や回路部品の挙動及び／または反応を、確かめたり試験したりすることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
まず始めに、テストＩＣの電磁放射に関するピン選択測定が行われる。このために、９０４０２  ニューレムベルグ、ケーニッヒシュトルグラーベン  １１（Konigstorgraben  11、90402  Nuremberg）に在するＺＶＥＩ  ハッヒファーバント  バウエレメンテ  デル  エレクトロニク（ZVEI  Fachverband  Bauelementeder  Elektronik）から１９９５年５月に第１．１版が出版された"集積回路におけるＥＭＥの測定（Measurement  of  EME  in  Integrated  Circuits）"の中に記載されている、標準化提案ＶＤＥ  ＡＫ  ７６７．１３／１４．５による測定方法をなるべく使用する。ピン選択測定においては、その妨害放射に関して全てのまたは選択されたピンでの測定が成功するようにピンからピンへの切り換えを自動的に行うロボットを使用することができる。このような測定により、例えば最も高い妨害放射を伴うピンが確認される。ＩＣのどのピンがＩＣのどのセルに接続されているか格納しているデータベースを介して、測定された妨害放射に基づき選択されたピンにどの１個または複数個のセルが属しているか確かめられる。そして、このようにして確かめられたＩＣのセルについて、本発明の方法が行われる。このために、セルが確かめられた後では、ＩＣの選択されたセルについてレイアウトまたは回路図を分析するプログラムによって微細−粗めコンピュータモデルを作ることも、本発明の分析方法を行うこともできる。この他に、ＩＣの個々のセルについて既に本発明の形式の微細−粗めコンピュータモデルが格納されているデータベースへの供給源を持つこと、及び妨害放射の前記ピン選択測定により確かめられたセルに属するこのデータベースから微細−粗めコンピュータモデルを取り出すことも可能である。この方法は、請求項１に示された方法の分析結果が得られるか、または請求項３に示された方法を介する最適化が達成されるかのいずれかまでに行われる。ソフトウェアについての分析または最適化の結果は、プログラム制御されたＩＣの製造手順、特にマスク形成手順または導電性トラック整形手順を、先の分析または最適化の間に得られる変数により制御するために利用される。