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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に介在しており、絶縁性ポリマー及び該絶縁性ポリマー中に分散された粒子を含むゲート絶縁層と、を具備しており、
前記粒子は、絶縁性無機粒子と、該絶縁性無機粒子の表面に付与された疎水性化合物と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体層は、主として有機半導体材料で構成されている請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記疎水性化合物は、前記絶縁性ポリマーと反応し得る反応性基を有する請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記疎水性化合物は、疎水性構造を有するカップリング剤である請求項３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記疎水性化合物は、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤のいずれかから選ばれる請求項３または４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記疎水性化合物は、前記絶縁性無機粒子に含まれる無機系の原子と同一の原子を有している請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記絶縁性無機粒子は、粒状または針状をなしている請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記絶縁性無機粒子は、主として無機酸化物で構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
前記無機酸化物は、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸化亜鉛、酸化コバルト、ジルコン酸チタン酸鉛、チタン酸鉛、酸化チタンおよび酸化タンタルの少なくとも１種である請求項８に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１０】
前記絶縁性無機粒子の平均粒径は、５〜３０ｎｍである請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１１】
前記ゲート絶縁層中の前記粒子の含有量は、１５ｗｔ％以上である請求項１ないし１０のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１２】
前記絶縁性ポリマーは、ポリメチルメタクリレートを主成分とするものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の薄膜トランジスタ。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜トランジスタを備える電子回路。
【請求項１４】
請求項１３に記載の電子回路を備える表示装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の表示装置を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の薄膜トランジスタは、半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に介在しており、絶縁性ポリマー及び該絶縁性ポリマー中に分散された粒子を含むゲート絶縁層と、を具備しており、前記粒子は、絶縁性無機粒子と、該絶縁性無機粒子の表面に付与された疎水性化合物と、を含むことを特徴とする。
これにより、優れた耐電圧特性を有するゲート絶縁層を備える薄膜トランジスタを得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の薄膜トランジスタでは、前記疎水性化合物は、疎水性構造を有するカップリング剤であることが好ましい。
カップリング剤は、加水分解基（反応性基）と有機鎖（疎水性構造）とを有しており、加水分解基の加水分解により生じた基が、絶縁性無機粒子の表面の官能基（例えば水酸基）と酸塩基反応により化学結合する。その結果、絶縁性無機粒子の表面に、緻密かつ強固な疎水性の被覆層を形成することができる。
本発明の薄膜トランジスタでは、前記疎水性化合物は、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤のいずれかから選ばれることが好ましい。
本発明の薄膜トランジスタでは、前記疎水性化合物は、前記絶縁性無機粒子に含まれる無機系の原子と同一の原子を有していることが好ましい。
これにより、絶縁性無機粒子の特性を維持しつつ、絶縁性無機粒子の表面に被覆層を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＢＰＳＧ膜からなるシリコン酸化膜をエッチングする方法であって，
前記シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し，前記シリコン酸化膜と前記混合ガスとを化学反応させ，前記シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と，
前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し，
前記変質工程において，前記混合ガス中の前記フッ化水素ガスの分圧を１５ｍＴｏｒｒ以上にすることを特徴とする，エッチング方法。
【請求項２】
ＢＰＳＧ膜とバイアス高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成されるＣＶＤ系のシリコン酸化膜が形成されたウェハ表面のＢＰＳＧ膜をエッチングする方法であって，
前記ウェハ表面に，フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し，前記ＢＰＳＧ膜と前記混合ガスとを化学反応させ，前記ＢＰＳＧ膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と，
前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し，
前記変質工程において，前記混合ガス中の前記アンモニアガスの分圧を前記フッ化水素ガスの分圧よりも小さくすることを特徴とする，エッチング方法。
【請求項３】
前記変質工程において，前記ＢＰＳＧ膜の温度を３５℃以上にすることを特徴とする，請求項１または２に記載のエッチング方法。
【請求項４】
前記反応生成物のエッチング量が３０ナノメートル以上であることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載のエッチング方法。
【請求項５】
処理システムの制御コンピュータによって実行することが可能なプログラムが記録された記録媒体であって，
前記プログラムは，前記制御コンピュータによって実行されることにより，前記処理システムに，請求項１〜４のいずれかに記載のエッチング方法を行わせるものであることを特徴とする，記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため，本発明によれば，ＢＰＳＧ膜からなるシリコン酸化膜をエッチングする方法であって，前記シリコン酸化膜の表面に，フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し，前記シリコン酸化膜と前記混合ガスとを化学反応させ，前記シリコン酸化膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と，前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し，前記変質工程において，前記混合ガス中の前記フッ化水素ガスの分圧を１５ｍＴｏｒｒ以上にすることを特徴とする，エッチング方法が提供される。
また，本発明によれば，ＢＰＳＧ膜とバイアス高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成されるＣＶＤ系のシリコン酸化膜が形成されたウェハ表面のＢＰＳＧ膜をエッチングする方法であって，前記ウェハ表面に，フッ化水素ガス及びアンモニアガスを含む混合ガスを供給し，前記ＢＰＳＧ膜と前記混合ガスとを化学反応させ，前記ＢＰＳＧ膜を変質させて反応生成物を生成させる変質工程と，前記反応生成物を加熱して除去する加熱工程とを有し，前記変質工程において，前記混合ガス中の前記アンモニアガスの分圧を前記フッ化水素ガスの分圧よりも小さくすることを特徴とする，エッチング方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ここで，基板の表面に存在するシリコン酸化膜（ＢＰＳＧ膜）を変質させて反応生成物を生成する処理とは，例えばＣＯＲ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｒｅｍｏｖａｌ）処理（化学的酸化物除去処理）である。ＣＯＲ処理は，ハロゲン元素を含むガスと塩基性ガスを処理ガスとして基板に供給することで，基板上のシリコン酸化膜と処理ガスのガス分子とを化学反応させ，反応生成物を生成させるものである。ハロゲン元素を含むガスとは例えばフッ化水素ガス（ＨＦ）であり，塩基性ガスとは例えばアンモニアガス（ＮＨ３）であり，この場合，主にフルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）や水分（Ｈ２Ｏ）を含む反応生成物が生成される。また，反応生成物を加熱して除去する処理とは，例えばＰＨＴ（Ｐｏｓｔ  Ｈｅａｔ  Ｔｒｅａｔｍｅｎｔ）処理である。ＰＨＴ処理は，ＣＯＲ処理が施された後のウェハを加熱して，フルオロケイ酸アンモニウム等の反応生成物を気化（昇華）させる処理である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記変質工程においては，前記シリコン酸化膜の温度を３５℃以上にしても良い。また，前記反応生成物のエッチング量が３０ナノメートル以上であっても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これに対しては、ノードＷ５１、Ｗ５２の電位に応じて電流を遮断する構成を持つレベルシフト回路や、また、別の例として、ノードＷ５１、Ｗ５２の電位変化を検出し、プリチャージ制御する構成を持つレベルシフト回路が知られている（例えば特許文献１を参照）。
【特許文献１】特開２００１−２９８３５６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
集光光学系のレンズホルダーと、発散光学系のレンズホルダーと、第１の折返しミラーと、角形光導波路と、再集光光学系のレンズホルダーと、第２の折返しミラーと、光導波路ノズルに設けられて冷却水が供給される冷却水チャネルをさらに備える請求項１記載のレーザ焼入工具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図４は、レーザ焼入工具１００に設けられる冷却水チャネルの断面側面図、図５は、図４の上面図である。
集光光学系レンズ１３４のホルダー１３０は冷却水が通過するチャネル１３６を有し、カップリング２０２を介して冷却水の供給、排出用のパイプ２００に連結される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月7日(2009.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像の撮影前に前記被写体像の画像を取得する撮像手段と、
前記撮像手段により取得された前記画像から第１部分画像を抽出する抽出手段と、
前記撮像手段により取得された前記画像において前記第１部分画像から所定のベクトルだけ離れた領域にある第２部分画像に基づいて前記被写体像を撮影する際の撮影条件を決定する決定手段とを備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の撮影装置において、
前記抽出手段によって抽出される前記第１部分画像に基づいて、前記画像に後続する画像における前記第１部分画像に相当する画像を追尾する追尾手段を備えることを特徴とする撮影装置。
【請求項３】
請求項２記載の撮影装置において、
前記撮像手段により取得された前記画像から、前記被写体像である人物の顔に対応する顔画像を抽出する顔抽出手段を備え、
前記ベクトルは、前記抽出手段によって抽出される前記第１部分画像と前記顔抽出手段によって抽出された前記顔画像とを結ぶ位置ベクトルであることを特徴とする撮影装置。
【請求項４】
請求項３記載の撮影装置において、
前記抽出手段による前記第１部分画像の抽出と前記顔抽出手段による前記顔画像の抽出の何れか一方を失敗したときに前記ベクトルに基づいて他方の抽出を実行することを特徴とする撮影装置。
【請求項５】
請求項３または４記載の撮影装置において、
前記位置ベクトルは、前記被写体像を結像する光学系の焦点距離に基づいて決定されることを特徴とする撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１の撮影装置では、撮像手段は、被写体像の撮影前に被写体像の画像を取得する。抽出手段は、撮像手段により取得された画像から第１部分画像を抽出する。決定手段は、撮像手段により取得された画像において第１部分画像から所定のベクトルだけ離れた領域にある第２部分画像に基づいて被写体像を撮影する際の撮影条件を決定する。
請求項２の撮影装置では、追尾手段は、抽出手段によって抽出される第１部分画像に基づいて、画像に後続する画像における第１部分画像に相当する画像を追尾する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項３の撮影装置では、顔抽出手段は、撮像手段により取得された画像から、被写体像である人物の顔に対応する顔画像を抽出する。ベクトルは、抽出手段によって抽出される第１部分画像と顔抽出手段によって抽出された顔画像とを結ぶ位置ベクトルである。
請求項４の撮影装置では、抽出手段による第１部分画像の抽出と顔抽出手段による顔画像の抽出の何れか一方を失敗したときにベクトルに基づいて他方の抽出を実行する。
請求項５の撮影装置では、位置ベクトルは、被写体像を結像する光学系の焦点距離に基づいて決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２の電源が供給され、出力端子に生成電圧を出力する電圧生成回路であって、
前記第２の電源と前記出力端子の間に設けられる第１の抵抗素子と、
前記出力端子と第１の中間ノードの間に設けられ、そのゲートに第２の中間ノードが接続される第２導電型の電圧補正用トランジスタと、
前記第１の中間ノードと前記第２の中間ノードの間に設けられる第２の抵抗素子と、
前記第２の中間ノードと前記第１の電源の間に設けられる第３の抵抗素子と、
を含むことを特徴とする電圧生成回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第２、第３の抵抗素子は、そのゲートに前記第２の電源の電圧が入力される第１導電型のトランジスタにより形成されることを特徴とする電圧生成回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１の抵抗素子は、そのゲートに前記第１の電源の電圧が入力される第２導電型のトランジスタにより形成されることを特徴とする電圧生成回路。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記第１の抵抗素子は、そのゲートの電圧が制御信号により制御される第２導電型のトランジスタにより形成されることを特徴とする電圧生成回路。
【請求項５】
電源電圧を降圧した調整電圧を生成するレギュレータ回路であって、
請求項１乃至４のいずれかに記載の電圧生成回路と、
その第１の入力端子に、前記電圧生成回路の前記生成電圧である基準電圧が入力され、その第２の入力端子に、レギュレータ回路の前記調整電圧が入力され、前記基準電圧と前記調整電圧の電圧差を増幅する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路の出力端子が接続され、前記調整電圧を出力する出力回路とを含み、
前記出力回路は、
レギュレータ回路の出力端子と第１の電源との間に設けられ、そのゲートに前記差動増幅回路の出力端子が接続される第１導電型の第１の出力トランジスタと、
第２の電源とレギュレータ回路の出力端子との間に設けられ、そのゲートに前記差動増幅回路の出力端子が接続される第２導電型の第２の出力トランジスタを含むことを特徴とするレギュレータ回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記差動増幅回路は、
前記第１、第２の入力端子を有する差動部と、
前記差動部の第１の出力端子が接続される第１の出力部と、
前記差動部の第２の出力端子が接続される第２の出力部を含むことを特徴とするレギュレータ回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記差動部は、
前記第２の電源と第１のノードの間に設けられるバイアス電流生成用の第２導電型の第１のトランジスタと、
前記第１のノードと第２のノードの間に設けられ、そのゲートが前記第１の入力端子となる第２導電型の第２のトランジスタと、
前記第１のノードと第３のノードの間に設けられ、そのゲートが前記第２の入力端子となる第２導電型の第３のトランジスタと、
前記第２のノードと前記第１の電源の間に設けられ、そのゲート及びドレインが前記第２のノードに接続される第１導電型の第４のトランジスタと、
前記第３のノードと前記第１の電源の間に設けられ、そのゲート及びドレインが前記第３のノードに接続される第１導電型の第５のトランジスタを含み、
前記第１の出力部は、
前記第２の電源と第４のノードの間に設けられ、そのゲートが前記第４のノードに接続される第２導電型の第６のトランジスタと、
前記第４のノードと前記第１の電源の間に設けられ、そのゲートが前記第２のノードに接続される第１導電型の第７のトランジスタを含み、
前記第２の出力部は、
前記第２の電源と第５のノードの間に設けられ、そのゲートが前記第４のノードに接続される第２導電型の第８のトランジスタと、
前記第５のノードと前記第１の電源の間に設けられ、そのゲートが前記第３のノードに接続される第１導電型の第９のトランジスタを含むことを特徴とするレギュレータ回路。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれかに記載のレギュレータ回路と、
Ｉ／Ｏ領域に形成される複数のＩ／Ｏセルと、を含み、
前記レギュレータ回路は、前記Ｉ／Ｏ領域に形成されることを特徴とする集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、
前記金属基板の上に接して設けられた抵抗体と、
前記抵抗体の上に接して設けられた回路素子と、
を備え、
前記回路素子と金属基板とは、前記抵抗体を介して電気的に接続されていることを特徴とした回路装置。
【請求項２】
金属基板と、
前記金属基板の上に設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁膜層の上に形成された所望形状の配線と、
前記絶縁膜層に設けられ、前記金属基板と前記配線とを接続するビアと、
前記配線に接して設けられた抵抗体と、
前記抵抗体の上に接して設けられた回路素子と、
を備え、
前記回路素子と金属基板とは、前記抵抗体、前記配線及び前記ビアを介して電気的に接続されていることを特徴とした回路装置。
【請求項３】
前記抵抗体は、ヒートスプレッダーとして機能することを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記抵抗体は、前記回路素子の熱容量よりも大きいことを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面側を封止する樹脂層を備えるウェハに形成された識別マークを読み取るための装置であって、
赤外光線を出射する光源を備え、前記ウェハの裏面側から光軸を前記ウェハの主面に対して斜めに交差させつつ前記赤外光線を出射する照明ユニットと、
該照明ユニットから前記ウェハの裏面側に向けて出射された前記赤外光線を受光して撮像する撮像ユニットと、を備え、
前記撮像ユニットは、前記ウェハを通過し前記ウェハの主面側で反射した前記赤外光線の反射光を受光して撮像することを特徴とする識別マークの読取装置。
【請求項２】
請求項１記載の識別マークの読取装置において、
前記照明ユニットに、前記光源から出射した前記赤外光線の光路を規定するファイバー束が設けられていることを特徴とする識別マークの読取装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の識別マークの読取装置において、
前記光源から出射した前記赤外光線の光路を規定する反射ミラーが設けられていることを特徴とする識別マークの読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】識別マークの読取装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と直線偏光板からなる第２の積層体と、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の積層体の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第１の積層体の位相差板の遅相軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が９０°となるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸とはクロスニコルとなるように配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第１の積層体の位相差板の遅相軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が９０°となるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と直線偏光板からなる第２の積層体と、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第１の積層体の位相差板の遅相軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が０°となるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
第１の透光性基板及び第２の透光性基板が対向するように配置され、
該対向配置された基板間に設けられ、前記第１の透光性基板及び第２の透光性基板の両方向に発光する発光素子と、
前記第１の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第１の積層体と、
前記第２の透光性基板の外側に配置された位相差板と複数の積層された直線偏光板からなる第２の積層体とを有し、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の各透過軸はパラレルニコルに配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸と、前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸とはパラレルニコルとなるように配置され、
前記第１の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第１の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第２の積層体の複数の直線偏光板の透過軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が４５°となるように配置され、
前記第１の積層体の位相差板の遅相軸に対し、前記第２の積層体の位相差板の遅相軸が０°となるように配置されたことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、前記上面とは反対側の下面を有するタブと、
前記タブを支持する複数の吊りリードと、
前記タブの周囲に位置し、前記複数の吊りリードの間に配置された複数のリードと、
主面、前記主面に形成された複数の電極、及び前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記タブの前記上面と対向するように、前記タブの前記上面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、
前記複数のリードのそれぞれの一部が露出するように、前記半導体チップ及び前記複数の第１ワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記複数のリードは、第１リードと、前記第１リードと前記吊りリードとの間に配置された複数の第２リードとを有し、
前記複数の第２リードは、前記タブと前記第１リードとの間に配置された第１バーリードと一体に形成され、
前記複数の電極は、前記第１ワイヤを介して前記第１リードと電気的に接続される第１電極と、第２ワイヤを介して前記第１バーリードと電気的に接続される第２電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第２電極は、電源用の電極、又はＧＮＤ用の電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記タブと前記第１バーリードとの間には、前記複数の吊りリードと一体に形成された第２バーリードが形成されており、
前記複数の電極は、前記第１ワイヤを介して前記第１リードと電気的に接続される前記第１電極と、前記第２ワイヤを介して前記第１バーリードと電気的に接続される前記第２電極と、第３ワイヤを介して前記第２バーリードと電気的に接続される第３電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、電源用の電極、又はＧＮＤ用の電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記封止体の平面形状は、矩形状から成り、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記タブと繋がる一端部と、前記一端部とは反対側に位置し、前記封止体から露出する他端部とを有し、
前記複数の吊りリードのそれぞれの前記他端部は、前記封止体の各辺において、前記複数のリードが露出する辺から露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２記載の半導体装置において、
前記複数の電極は、前記第１ワイヤを介して前記第１リードと電気的に接続される前記第１電極と、前記第２ワイヤを介して前記第１バーリードと電気的に接続される前記第２電極と、第３ワイヤを介して前記タブの前記上面における周縁部と電気的に接続される第３電極とを有しており、
前記半導体チップは、前記タブの前記周縁部よりも内側に位置するように、Ａｇペーストを介して前記タブの前記上面上に搭載され、
前記タブの中央部と、前記タブの前記周縁部との間には、スリットが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記第２電極及び前記第３電極のそれぞれは、電源用の電極、又はＧＮＤ用の電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記封止体の平面形状は、矩形状から成り、
前記複数の吊りリードのそれぞれは、前記タブと繋がる一端部と、前記一端部とは反対側に位置し、前記封止体から露出する他端部とを有し、
前記複数の吊りリードのそれぞれの前記他端部は、前記封止体の各辺において、前記複数のリードが露出する辺から露出していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、上面、前記上面とは反対側の下面を有するタブと、前記タブを支持する複数の吊りリードと、前記タブの周囲に位置し、前記複数の吊りリードの間に配置された複数のリードと、主面、前記主面に形成された複数の電極、及び前記主面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記タブの前記上面と対向するように、前記タブの前記上面上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの前記複数の電極と前記複数のリードとをそれぞれ電気的に接続する複数の第１ワイヤと、前記複数のリードのそれぞれの一部が露出するように、前記半導体チップ及び前記複数の第１ワイヤを封止する封止体と、を含み、前記複数のリードは、第１リードと、前記第１リードと前記吊りリードとの間に配置された複数の第２リードとを有し、前記複数の第２リードは、前記タブと前記第１リードとの間に配置された第１バーリードと一体に形成され、前記複数の電極は、前記第１ワイヤを介して前記第１リードと電気的に接続される第１電極と、第２ワイヤを介して前記第１バーリードと電気的に接続される第２電極とを有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に有機化合物層を有する素子形成層を形成し、前記素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層の一部を除去して、前記無機絶縁層を分離すると共に前記素子形成層の有機化合物層の一部を露出し、分離された前記無機絶縁層及び前記素子形成層の有機化合物層の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記素子形成層の有機化合物層の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記素子形成層及び前記第１の可撓性基板の間に有機樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の可撓性基板の一部を露出し、
分離された前記無機絶縁層及び前記第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の接着剤の一部を露出し、分離された前記無機絶縁層及び前記第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記第１の接着剤の露出部、前記第２の接着剤、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に有機樹脂層を形成し、前記有機樹脂層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記有機樹脂層の一部を露出し、分離された前記無機絶縁層及び前記有機樹脂層の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記有機樹脂層の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に有機樹脂層を形成し、前記有機樹脂層上に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層乃至前記有機樹脂層の一部を除去して、前記無機絶縁層乃至前記有機樹脂層を分離すると共に前記第１の接着剤の一部を露出し、分離された前記無機絶縁層及び前記第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記第１の接着剤の露出部、前記第２の接着剤、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に第１の可撓性基板を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の可撓性基板の一部を露出し、分離された前記無機絶縁層及び前記第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板の露出部、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記素子形成層及び前記第１の接着剤の間に有機樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に粘着部材を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層に第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記粘着部材を除去し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の可撓性基板を露出し、分離された前記素子形成層及び前記第１の可撓性基板の露出部に第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板の露出部、前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に剥離層を形成し、前記剥離層上に無機絶縁層を形成し、前記無機絶縁層上に素子形成層を形成し、前記素子形成層上に粘着部材を貼り付け、
前記基板から前記無機絶縁層が形成された前記素子形成層を分離し、
前記無機絶縁層に第１の接着剤を用いて第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記粘着部材を除去し、
前記無機絶縁層及び前記素子形成層の一部を除去して、前記無機絶縁層及び前記素子形成層を分離すると共に前記第１の接着剤の一部を露出し、分離された前記素子形成層及び前記第１の接着剤の露出部に第２の接着剤を用いて第２の可撓性基板を貼りつけ、
前記第１の可撓性基板、前記第１の接着剤の露出部、前記第２の接着剤、及び前記第２の可撓性基板が重畳する領域で切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有し、絶縁膜上に接する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記不純物領域に前記シリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、
前記シリサイド層は、前記チャネル形成領域側の前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、前記第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記シリサイド層と前記不純物領域との界面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなし、
前記結晶性シリコン膜の膜厚に対する前記第２領域の膜厚比は０．６以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有し、絶縁膜上に接する結晶性シリコン膜と、
前記結晶性シリコン膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記不純物領域に前記シリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、
前記シリサイド層は、前記チャネル形成領域側の前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、膜厚が前記結晶性シリコン膜の膜厚と等しい第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記結晶性シリコン膜の底面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有し、基板上のシリコン膜と、
前記シリコン膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記不純物領域に前記シリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、
前記シリサイド層は、前記チャネル形成領域側の前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、前記第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記シリサイド層と前記不純物領域との界面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなし、
前記シリコン膜の膜厚に対する前記第２領域の膜厚比は０．６以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
チャネル形成領域、不純物領域及びシリサイド層を有し、基板上のシリコン膜と、
前記シリコン膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
前記不純物領域に前記シリサイド層を介して電気的に接続する配線とを有し、
前記シリサイド層は、前記チャネル形成領域側の前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、膜厚が前記シリコン膜の膜厚と等しい第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記シリコン膜の底面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなすことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、前記結晶性シリコン膜は単結晶シリコンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記シリサイド層の前記端点と前記ゲート絶縁膜の端部は一致することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極に接するサイドウォールを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、アンテナを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、ＤＲＡＭを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記半導体装置はＤＲＡＭまたはＣＰＵであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上のシリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去することにより、前記シリコン膜を選択的に露出し、
前記露出したシリコン膜表面に接して金属膜を形成し、
加熱処理することにより、前記シリコン膜の一部にシリサイド層を形成し、
前記シリサイド層に接続する配線を形成し、
前記シリサイド層は、前記ゲート絶縁膜の端部と一致する前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、前記第１領域と比べて膜厚が一定である第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記シリサイド層と前記不純物領域との界面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなし、
前記シリコン膜の膜厚に対する前記第２領域の膜厚比は０．６以上であり、
前記金属膜を前記ゲート絶縁膜の側面において最も膜厚が薄くなるよう形成し、前記加熱処理をすることで、前記第１領域及び前記第２領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上のシリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去することにより、前記シリコン膜を選択的に露出し、
前記露出したシリコン膜表面に接して金属膜を形成し、
加熱処理することにより、前記シリコン膜の一部にシリサイド層を形成し、
前記シリサイド層に接続する配線を形成し、
前記シリサイド層は、前記ゲート絶縁膜の端部と一致する前記シリサイド層表面にある端点から膜厚が増加している第１領域と、膜厚が前記シリコン膜の膜厚と等しい第２領域とを有し、
前記第１領域と前記第２領域は、水平線に対し垂直な直線で分けられ、前記垂直な直線が前記シリコン膜の底面と交わる点を第１の点としたとき、前記第１の点と前記端点を通る直線は水平線に対し角度θ（０°＜θ＜４５°）をなし、
前記金属膜を前記ゲート絶縁膜の側面において最も膜厚が薄くなるよう形成し、前記加熱処理をすることで、前記第１領域及び前記第２領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リセス部が形成され、前記リセス部にスペーサと、前記リセス部と非接触の露出部及び前記リセス部と接触する収納部を有する接着部材と、を収納する基板と、
前記スペーサと向き合うように配置され、前記リセス部に収納された前記接着部材の前記露出部に接触されるローラーと、
前記接着部材の前記露出部と前記ローラーとの間の接着力が、前記接着部材の前記収納部と前記基板の前記リセス部との間の接着力より大きくなるように形成され、前記スペーサを前記ローラーに転写するための接着ユニットと、
を含む表示パネルのセルギャップを保持するスペーサ配列装置。
【請求項２】
前記接着ユニットは、前記ローラーを冷却させるための冷却流体を前記ローラーで噴射する噴射ユニットと、前記冷却流体を前記噴射ユニットに提供する冷却流体供給ユニットと、を含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項３】
前記冷却流体は、不活性ガスであることを特徴とする請求項２記載スペーサ配列装置。
【請求項４】
前記リセス部の温度は、前記ローラーの温度より高いことを特徴とする請求項２記載のスペーサ配列装置。
【請求項５】
前記収納部の温度は、前記ローラーの温度より５℃〜３５℃の温度差分だけ高いことを特徴とする請求項４記載のスペーサ配列装置。
【請求項６】
前記基板は、前記接着部材の収納部を加熱するヒーターを含むことを特徴とする請求項２記載のスペーサ配列装置。
【請求項７】
前記接着ユニットは、前記露出部に向かって冷却流体を提供する噴射ユニットを含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項８】
前記露出部は、前記冷却流体によって前記リセス部に収納された接着部材の収納部の温度より低い温度を有することを特徴とする請求項７記載のスペーサ配列装置。
露出部を冷却することで、露出部とローラーとの接着力を高めることができる。
【請求項９】
前記収納部の温度は、前記露出部の温度より５℃〜３５℃の温度差分だけ高いことを特徴とする請求項８記載のスペーサ配列装置。
【請求項１０】
前記接着ユニットは、前記ローラーに接着されていない残留スペーサを除去するためのスペーサクリーニングユニットを含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項１１】
前記スペーサクリーニングユニットは、前記残留スペーサを前記リセス部外部に排出するために前記リセス部に向かってクリーニング流体を噴射する噴射装置であることを特徴とする請求項１０記載のスペーサ配列装置。
【請求項１２】
前記スペーサクリーニングユニットは、前記リセス部の外部に排出された残留スペーサを収去するためのスペーサ収集カバーをさらに含むことを特徴とする請求項１１記載のスペーサ配列装置。
【請求項１３】
前記接着ユニットは、前記ローラー表面に形成され前記接着部材の前記露出部と接触される接触面積を増加させる凹凸部を含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項１４】
前記接着ユニットは、前記基板に音波を印加して前記接着部材の収納部に振動を加える音波発生ユニットを含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項１５】
前記スペーサの一部は、前記リセスから突出されたことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【請求項１６】
前記ローラーは、前記ローラーに転写された前記露出部を分離するために前記接着部材の前記露出部と前記ローラーとの間に流体を噴射する噴射ユニット、前記噴射ユニットに前記流体を提供する流体供給ユニット及び前記流体を前記接着部材の温度以上に加熱する加熱ユニットを含むスペーサ分離ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のスペーサ配列装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２信号レベルを各々有する第１及び第２制御信号を第３乃至第５信号レベルを有する一つの合成信号に合成して一つの出力端子を通じて出力する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの前記合成信号を前記第１制御信号と前記第２制御信号とに分離する信号抽出手段と、
前記信号抽出手段からの前記第１制御信号に基づいてゲート信号を出力するゲート駆動手段と、
前記信号抽出手段からの前記第２制御信号に基づいてデータ信号を出力するデータ駆動手段と、
を含むことを特徴とする表示装置の駆動装置。
【請求項２】
前記第１制御信号と前記第２制御信号との信号レベルの組み合わせによって前記合成信号が生成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項３】
前記合成信号の前記第３乃至第５信号レベルのうちの一の信号レベルに対応して、前記第１制御信号と前記第２制御信号とは同じ信号レベルを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項４】
前記第３乃至第５信号レベルは、各々ハイ、ミドル、及びローレベルであって、
前記合成信号がミドルレベルの場合、前記第１制御信号と前記第２制御信号とは同じ信号レベルを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項５】
前記第１及び第２制御信号が前記第１信号レベルの場合、前記合成信号は前記第３信号レベルを有し、
前記第１制御信号が前記第１信号レベル、かつ前記第２制御信号が前記第２信号レベルの場合、前記合成信号は前記第４信号レベルを有し、
前記第１制御信号が前記第２信号レベル、かつ前記第２制御信号が前記第１信号レベルの場合、前記合成信号は前記第５信号レベルを有し、
前記第１及び第４信号レベルはローレベルであり、
前記第２及び第５信号レベルはハイレベルであり、
前記第３信号レベルはミドルレベルであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項６】
前記第１及び第２制御信号は、互いに異なる信号線を通じて前記ゲート駆動手段及び前記データ駆動手段に各々伝達されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項７】
前記信号抽出手段は、前記第１及び第２制御信号を各々抽出する第１及び第２信号抽出手段を含み、
前記第１及び第２信号抽出手段は、少なくとも一つのＰＭＯＳトランジスタと少なくとも一つのＮＭＯＳトランジスタとを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項８】
前記ＰＭＯＳトランジスタと前記ＮＭＯＳトランジスタとは出力端子と入力端子とが互いに連結されており、当該ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの制御端子は互いに連結されて前記合成信号を受信することを特徴とする請求項７に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項９】
前記第１及び第２信号抽出手段のうち一方の信号抽出手段は、インバータを含むことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項１０】
前記第１制御信号は走査開始信号であり、前記第２制御信号は水平同期開始信号であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の駆動装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、表示装置の駆動装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の技術的課題は、集積回路チップの出力端子の数を減らすことができる表示装置の駆動装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記信号抽出手段は、前記第１及び第２制御信号を各々抽出する第１及び第２信号抽出手段を含み、前記第１及び第２信号抽出手段は、少なくとも一つのＰＭＯＳトランジスタと少なくとも一つのＮＭＯＳトランジスタとを含むことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記ＰＭＯＳトランジスタと前記ＮＭＯＳトランジスタとは出力端子と入力端子とが互いに連結されており、当該ＰＭＯＳトランジスタ及びＮＭＯＳトランジスタの制御端子は互いに連結されて前記合成信号を受信する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】