【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、  前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。【化１】
2007165484.tif 000001
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化２】
2007165484.tif 000002
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【請求項２】
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有する有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、  前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。【化４】
2007165484.tif 000003
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化５】
2007165484.tif 000004
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【請求項３】
前記外部刺激が圧力であることを特徴とする請求項２に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項４】
溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する請求項２に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項５】
基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、  前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする半導体装置。【化６】
2007165484.tif 000005
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化７】
2007165484.tif 000006
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【請求項６】
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、  前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子。【化８】
2007165484.tif 000007
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化９】
2007165484.tif 000008
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【請求項７】
ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有する有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、  前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。【化１１】
2007165484.tif 000009
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化１２】
2007165484.tif 000010
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【請求項８】
前記外部刺激が圧力であることを特徴とする請求項７に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項９】
溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する請求項７に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。
【請求項１０】
基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、 前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする半導体装置。【化１３】
2007165484.tif 000011
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化１４】
2007165484.tif 000012
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  上記課題は以下の本発明により達成される。すなわち、本発明は、    ＜１＞  ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、  前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子である。【化１】
2007165484.tif 000013
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化２】
2007165484.tif 000014
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】    ＜２＞  ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有する有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、  前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。【化４】
2007165484.tif 000015
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化５】
2007165484.tif 000016
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】    ＜３＞  前記外部刺激が圧力であることを特徴とする＜２＞に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。  
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】    ＜４＞  溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエーテルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する＜２＞に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】    ＜５＞  基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、  前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエーテルが、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される電荷輸送性ポリエーテルであることを特徴とする半導体装置である。【化６】
2007165484.tif 000017
〔一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｍは０〜３の整数を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＡＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＡＩＩＩ）において、Ａ１は前記一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。〕
【化７】
2007165484.tif 000018
〔一般式（ＡＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、およびＲ６は、置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の１価の複素環、炭素数１〜１８の１価の直鎖状炭化水素基、又は、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】    ＜６＞  ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも含む有機半導体トランジスタ素子において、  前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、該電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子である。【化８】
2007165484.tif 000019
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化９】
2007165484.tif 000020
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】    ＜７＞  ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有する有機半導体トランジスタ素子を、溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用いて製造する有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、  前記有機半導体が、前記溶液に外部刺激を付与して、前記溶液をノズルから液滴状に吐出させる方法を利用して形成され、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法。【化１１】
2007165484.tif 000021
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化１２】
2007165484.tif 000022
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】    ＜８＞  前記外部刺激が圧力であることを特徴とする＜７＞に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】    ＜９＞  溶媒中に溶解させた前記電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含む溶液を用い、前記溶媒を含んだ状態の塗膜を形成する塗膜形成工程と、前記塗膜を乾燥させる乾燥工程とを少なくとも経ることにより前記有機半導体トランジスタ素子を製造する＜７＞に記載の有機半導体トランジスタ素子の製造方法であって、前記乾燥工程が、酸素濃度が１００ｐｐｍ以下、且つ、水分濃度が１００ｐｐｍ以下の環境下で実施されることを特徴とする有機半導体トランジスタ素子の製造方法である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】    ＜１０＞  基板と、該基板上に設けられた１個以上の有機半導体トランジスタ素子とを含み、  前記有機半導体トランジスタ素子が、ソース電極と、ドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極と導通可能に設けられた有機半導体と、該有機半導体に対して絶縁され且つ電場を印加することが可能なゲート電極とを少なくとも備え、前記有機半導体が、少なくとも１種以上の下記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを１種以上含有し、前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）または（ＢＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする半導体装置。【化１３】
2007165484.tif 000023
〔一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換の１価のベンゼン環、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、または、置換もしくは未置換の１価の複素環を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、ｋ、ｌはそれぞれ独立に０または１を表す。また、Ｘは、下記一般式（ＢＩＩ）で表される置換基を表す。一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）中、Ａは上記一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択される少なくとも１種を表し、Ｙは２価の炭化水素基を表し、Ｚは２価の炭化水素基を表す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素を表し、Ｂ及びＢ’は−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−Ｈ、または−Ｏ−（Ｙ−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ−ＣＯ−ＯＲ’を表し、Ｒ’は水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す。ｍは１〜５の整数を表す。ｐは５〜５，０００の整数を表す。〕
【化１４】
2007165484.tif 000024
〔一般式（ＢＩＩ）中、Ｒ１、Ｒ２は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。〕
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】  一般式（ＡＩ−１）および（ＡＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも一種を部分構造として繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエーテルとしては、下記一般式（ＡＩＩＩ）で示される。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５０】  一般式（ＢＩ−１）および（ＢＩ−２）で示される構造から選択された少なくとも一種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルとしては、下記一般式（ＢＩＩＩ−１）および（ＢＩＩＩ−２）で示される。