【手続補正書】
【提出日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、
前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記不純物は、金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記不純物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項５】
前記金属酸化物は、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示基板。
【請求項６】
前記不純物は、非金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項７】
前記非金属は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示基板。
【請求項８】
透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層を形成する段階と、
前記画素層上に有機絶縁膜を形成する段階と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に透過電極を形成する段階と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に銀（Ａｇ）と銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成された反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項９】
前記不純物は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１０】
前記不純物は、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）からなる群より選択される一種以上の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項８に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１１】
表示基板と、
対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、
前記表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い金属又は金属酸化物のうちで少なくとも一種以上の不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記不純物は、金属を含むことが好ましい。
前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記不純物は、非金属を含むことが好ましい。
前記非金属は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。