【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する配線パターンにおいて、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする配線パターン。
【請求項２】
前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする請求項１に記載の配線パターン。
【請求項３】
前記第一の導電パターン層が、濡れ性変化層の高表面エネルギー部上に導電性液体を用いてインクジエット法により形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の配線パターン。
【請求項４】
エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電性パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された一組の電極対を含む第二の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項５】
エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された一組の電極対を含む第一の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、前記第一の導電性パターン層および前記有機半導体層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子。
【請求項６】
前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする請求項４または５に記載の有機半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線パターンとこれを用いた有機半導体素子
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、上記従来技術に鑑みてなされたものであり、エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に形成された導電パターン層（以降、導電層と表現することがある。）を備え、且つ、導電パターンの角部において発生する導電層膜の盛り上がりが少なく、絶縁層を介して積層配線構造とした場合においても絶縁不良を回避することができる配線パターンと、該配線パターンを用いた有機半導体素子を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明者らは鋭意検討した結果、以下の（１）〜（６）に記載する発明によって上記課題が解決されることを見出し本発明に至った。以下、本発明について具体的に説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（１）：エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する配線パターンにおいて、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする配線パターンである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（２）：上記（１）に記載の配線パターンにおいて、前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（３）：上記（１）または（２）に記載の配線パターンにおいて、前記第一の導電パターン層が、濡れ性変化層の高表面エネルギー部上に導電性液体を用いてインクジエット法により形成されたものであることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
より小さな液滴を供給できるインクジェット法を利用して、高表面エネルギー部に第一の導電パターン層を形成することにより、濡れ性変化層の低表面エネルギー部と高表面エネルギー部における表面エネルギーの影響を受けやすくすることができ、微細な導電パターンが確実に形成された配線パターンが提供される。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（４）：エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された第一の導電パターン層と、該第一の導電性パターン層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された一組の電極対を含む第二の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（５）：エネルギーの付与により低表面エネルギー部から高表面エネルギー部に変化して液体に対する濡れ性が向上する濡れ性変化層と、該高表面エネルギー部上に導電性液体により形成された一組の電極対を含む第一の導電パターン層と、該電極対に接して形成された有機半導体層と、前記第一の導電性パターン層および前記有機半導体層に積層された絶縁層と、該絶縁層上に形成された第二の導電パターン層と、を有する有機半導体素子であって、
少なくとも前記第一の導電パターン層の平面視形状は角部に面取りが施された矩形の配線からなる形状であることを特徴とする有機半導体素子である。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（６）：上記（４）または５に記載の有機半導体素子において、前記平面視形状における角部に施された面取りが、ラウンド形状であることを特徴とする。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
本発明の構成とされた配線パターンによれば、微細かつ高精度な導電パターン層が高表面エネルギー部上に形成され、しかも面取りが施された導電パターンの角部で膜厚の盛り上がりが少ないため、絶縁層を介して積層配線構造とした場合でも絶縁不良を発生することがない。
半導体層として有機半導体層を設ければ、半導体特性向上がより顕著に現れて移動度が高く、しかも省資源、低コスト、かつ歩留まり良く有機半導体素子とすることができる。