【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性複合材料であって、
ポリマー懸濁液マトリックスと、
該ポリマー懸濁液マトリックスの中で懸濁される金属ナノ粒子と、
を備え、
該導電性複合材料が１０４S  ｃｍ−１を超える導電率を有し、隣接する前記金属ナノ粒子間のコア−コア癒着に起因する伝達経路を含む導電性複合材料。
【請求項２】
該導電性複合材料が少なくとも２００℃の温度許容限度を有する請求項１に記載の導電性複合材料。
【請求項３】
該金属ナノ粒子の平均直径が１〜２０ｎｍの間である前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項４】
該金属ナノ粒子が不活性金属のナノ粒子であり、該不活性金属が、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及びその任意の組み合わせ又はそれらの合金から成るグループから選択される前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項５】
該ポリマー懸濁液マトリックスが導電性ポリマーマトリックスである前記請求項のどれか１つに記載の導電性複合材料。
【請求項６】
該金属ナノ粒子に対する該ポリマー懸濁液マトリックスの体積分率が２０〜８０％の間である請求項１に記載の導電性複合材料。
【請求項７】
導電性複合材料を調製する方法であって、
複数の保護単層を有する金属ナノ粒子を準備するステップと、
複合材料分散液を形成するために、保護されている該金属ナノ粒子及びポリマーを溶媒中で分散するステップと、
複合フィルムを形成するために該複合材料分散液を基板上に付着させるステップと、
焼き入れされていない複合材料を形成するために該複合フィルムから該溶媒を蒸発させるステップと、
該導電性複合材料を形成するために該焼き入れされていない複合材料を焼きなますステップと、
を備え、
該焼きなますステップ後の該導電性複合材料の導電率が１０４S  ｃｍ−１を超え、該焼きなますステップ後に、伝達経路及び／又は隣接する前記金属ナノ粒子間のコア−コア癒着を含む導電性複合材料を調製する方法。
【請求項８】
保護単層材料を、金属塩、還元剤、及び相間移動剤と混合するステップと、
該混合物から保護された金属ナノ粒子を抽出するステップと、
を備える方法によって該金属ナノ粒子が調製され、
該保護単層材料が、（ａ）一方の端部で該保護された金属ナノ粒子に結合できる基（Ｘ）と、他方の端部で極性溶媒の中で溶媒和できる基（Ｙ）で官能基化されている１つまたは複数のアルキル鎖または芳香族部分を備え、かつ／又は（ｂ）１つ以上のポリマーの鎖長に沿って該保護された金属ナノ粒子に結合できる基（Ｘ）と、極性溶媒の中で溶媒和できる基（Ｙ）を備える１つ以上のポリマーを備える、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該保護されている金属ナノ粒子の溶解度が１０ｍｇ  ｍＬ−１より大きい請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
該基（Ｙ）がヒドロキシル、アミン、エステル、アミド、酸、アンモニウム、四級化アンモニウム及びエチレングリコールから選択され、該基（Ｘ）がチオール基、アミン基、ホスフィン基、イソニトリル基、ニトリル基、シラン基、ヒドロキシル基、及び酸性基から選択される請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
該複合材料分散液において相分離がない請求項７から１０のどれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
焼きなましが、１８０℃から２５０℃の温度範囲の間で該焼き入れされていない複合材料を加熱することを備える請求項７〜１１のどれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
請求項１から６のどれか１つに記載の導電性複合材料又は請求項７〜１２のどれか１つに記載の方法に従って調製された複合材料を備える相互接続、バイア接点、電界効果トランジスタ、発光ダイオード、フォトダイオード、コンデンサ、ＲＦアンテナ、抵抗器、抵抗素子又はメモリ素子。
【請求項１４】
メモリセルのマトリックスを形成するために該ポリマー懸濁液マトリックスの回りに直角に配列されている少なくとも２つの電極アレイを有し、選択されたメモリセルにおける該導電性複合材料の該平均導電率が、電圧パルスの印加により少なくとも１桁分、恒久的に高められることができる請求項１から６のどれか１つに記載の導電性複合材料又は請求項７〜１２のどれか１つに記載の方法に従って調製された複合材料を備えるメモリ素子。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
代替の手法は、印刷可能な金属を使用することである。有機溶媒の中に溶かされた高分子結合剤の中の大きな金属性の金の粒子または銀の粒子の懸濁液に基づいた印刷可能な金または銀の塗料は長い間公知である。有機溶媒が蒸発するにつれて、金属性の金の粒子または銀の粒子は接触し、必要な導電性を提供する。同様にアルコール溶媒の中で懸濁された導電性黒鉛の粒子の導電黒鉛ペーストも公知である。これらの材料系の１つの特性は、調合物全体で５０ミクロンを超える大きな粒子がかなりの割合で存在することである。これは特に、有機デバイス技術における将来的応用に適さない恐れがある。さらに、（ポリメタクリル酸、ポリビニルアルコール、エポキシド等の）従来の技術で使用された高分子結合剤は、有機半導体技術とは互換性がない可能性がある。大きな粒子サイズは、高性能半導体素子で必要とされる微細な機構が達成できないことを意味している。これらの高分子結合剤の存在は、半導体材料自体の汚染にまつわる問題につながり、再分解の問題のためにマルチレベル統合の可能性を制限する。最後に、このような導体ペーストは、有機デバイス及び回路の処理の間に（短く）発生する可能性のある２００℃を超える温度に耐えることはできない。例は、ロードアイランドのＥｐｏｘｉｅｓ  Ｅｔｃ…によって販売されている導電性インク４０−３９２０である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の第２の態様に従って、
懸濁液マトリックスと、
懸濁液マトリックスの中で懸濁される金属ナノ粒子と、
を備えた導電性複合材料が提供され、
該導電性複合材料が少なくとも２００℃の温度許容限度を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
該温度許容閾値は少なくとも２５０℃であってよい。
該温度許容閾値は少なくとも３００℃であってよい。
該導電性複合材料は、かなりの機械的な変形または電気性能の劣化を受けずに溶媒に耐えてよい。
該導電性複合材料の導電率は、１０４Ｓｃｍ−１より大きくてよい。
該導電性複合材料の伝導率は、１０−６と１０５Ｓｃｍ−１の間であってよい。
該金属ナノ粒子の平均直径は、２０ｎｍ未満であってよい。
該金属ナノ粒子の平均直径は、５ｎｍ未満であってよい。
該金属ナノ粒子は、不活性金属ナノ粒子である。
該不活性金属は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及び／または任意のその組み合わせから成るグループから選択されてよい。
該懸濁液マトリックスは、ポリマーマトリックスであってよい。
該懸濁液マトリックスは、導電性ポリマーマトリックスであってよい。
該導電性ポリマーは、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ）、高分子電解質複合体ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリスチレンスルホン酸ＰＥＤＴ：ＰＳＳ及びポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ナフィオンから成るグループから選択されてよい。
該懸濁液マトリックスの体積分率は、７０％未満であってよい。
該懸濁液マトリックスの体積分率は、２０％を超えてよい。
該導電性複合材料は、５０μｍ未満の厚さを有してよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の第４の態様に従って、複合材料分散液を形成するために、保護単層を有する金属ナノ粒子と懸濁液物質を溶媒中に分散させることを備える、導電性複合材料を調製する方法が提供される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
該金属ナノ粒子は、前記段落のどれかに従って調製されてよい。
該懸濁液物質はポリマーであってよい。
該懸濁液物質は、導電性ポリマーであってよい。
該懸濁液物質がポリカチオンである場合、保護単層材料は、正である、金属ナノ粒子上の電荷符号を生じさせてよい、あるいは懸濁液物質がポリアニオンである場合、保護単層材料は、負である、金属ナノ粒子の電荷符号を生じさせてよい。
該方法は、複合フィルムを形成するために複合材料分散液を付着させることをさらに備えてよい。
該方法は、焼き入れされていない複合材料を形成するために複合フィルムから溶媒を蒸発させることをさらに備えてよい。
該方法は、さらに、導電性複合材料を形成するために変態温度で焼き入れされていない複合材料を焼き入れすることをさらに備えてよい。
焼き入れすることは、焼き入れされていない複合材料を３００℃という変態温度を超えて加熱することを備えてよい。
焼き入れすることは、２００℃という変態温度を超えて焼き入れされていない複合材料を加熱することを備えてよい。
該方法は、遷移温度を特定するために導電率を測定することをさらに備えてよい。
該方法は、焼き入れ後に導電性複合材料に電圧パルスを適用することをさらに備えてよい。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
マイクロエレクトロニクス応用例では、複合材料は少なくとも２００℃、例えば２５０℃または３００℃の温度許容限度を有さなければならない。温度許容限度は、かなりの機械的変形または電気性能の劣化が発生しない温度の中で最も高い使用可能温度である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
金属ナノ粒子
金属ナノ粒子は変換されている、あるいはそれ以外の場合効果的な導体として動作するために十分な電子可動性を伝達経路に与えるほど十分に密集している。
金属ナノ粒子は不活性金属ナノ粒子である。例えば、不活性金属ナノ粒子は、貴金属ナノ粒子である。典型的な貴金属ナノ粒子は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）及び白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）及び任意のその合金組み合わせを含むが、これに限定されない。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
懸濁液マトリックス
図１に示されているように、金属ナノ粒子１０２は懸濁液マトリックス１０４の中で懸濁される。懸濁液マトリックス１０４は、粒子がバルク導体塊に崩壊するのを効果的に妨げる。金属ナノ粒子及び懸濁液マトリックスによって形成される複合材料１００は、それによって（付着と焼き入れ両方の間の）凝集性と、隣接する要素に対する接着性を達成する。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
図２（ｇ）は、２４０℃での焼き入れ後のナノ粒子フィルムのＡＦＭ画像を示す。図２（ｈ）は、２４０℃での焼き入れ後の複合材料のＡＦＭ画像を示す。初期に黒いフィルムはナノ粒子フィルムの場合２００℃、複合材料の場合２１０℃を超える金の光沢を適用する。極めて小さいひびが、相対的に低い焼き入れ温度でもナノ粒子フィルムで検出されるが、複合材料では検出されない。２５０℃を超える上昇した温度では、体積収縮及び原子の高い移動性の結果として巨大なクラックが出現し、ナノ粒子フィルムに空隙を開ける。他方、複合材料は、少なくとも３００℃までは滑らか且つ連続的なままである。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
応用例
例えば、ポリマー有機ｐ−ＦＥＴは、最初に、ピコリットルピペットを使用してＡｕ（３３−Å）−ＰＥＤＴ溶液から相互接続及びソース電極−ドレイン電極を印刷し、次に、流路（長さ、Ｌ＝３０μｍ及び幅ｗ＝４００μｍ）をマイクロ切断し、導電状態まで焼き入れ、次に半導体（ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−コ−（フェニレン−（Ｎ−４−ｓｅｃ−ブチルフェニル）−イミノフェニレン）（ＴＦＢ）（厚さ５０ｎｍ）、次にゲート誘電体ジビニルテトラメチルジシロキサン−ｂｉｓ（ベンゾシクロブテン）（ＢＣＢ）（厚さ１３０ｎｍ）を付着させ、高速熱アニールによって架橋し、最後に界面活性剤イオン交換ＰＥＤＴ：ＰＳＳゲート電極を付着させることによって製造された。図３ａ及び図３ｂは、デバイスの光学顕微鏡写真及び断面概略図を示す。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
導電性複合材料４２２は、ステップ４０８から４１２に従って基板上に形成される。ステップ４０８は、複合フィルム４１８を形成するために基板上に複合材料分散液４１６を付着させることを備える。ステップ４１０では、複合フィルム４１８からの溶媒が、焼き入れされていない複合材料４２０を形成するために蒸発できる。ステップ４１２では、焼入れされていない複合材料４２０が熱アニールされる。ステップのそれぞれが、ここでさらに詳細に説明される。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
Ｂｒｕｓｔプロセスは、本発明の目的のために改良された。一般的には、プロセスのステップは、適切な２相有機水溶液系で金イオンを混合することと、ω−カルボキシル官能基化されたまたはω−ヒドロキシル官能基化されたアルキルチオール及び相間移動剤を混合物に添加することとを備える。アルキルチオールは、ナノ粒子の保護単層を形成する。２相有機水溶液系の有機相はトルエンであってよい。これらの系のための有機溶媒の他の例は、シクロヘキサン、テトラハイドロナフタレン、ベンゼン等を含む。水相は水であってよい。金イオンは、ＡｕＣｌ４-の形を取るであろう。例えば、金イオンは、テトラクロロ金酸水素から取得される。他の金属ナノ粒子が金以外から取得されなければならない場合は、任意の安定した酸化した形態の金属錯体が使用されてよい。例えば、銀の場合では、硝酸銀が使用されてよい。使用されてよい適切なω−カルボキシル官能基化されたまたはω−ヒドロキシル官能基化されたアルキルチオールは、１１−メルカプト−１−ウンデカノール及び／または１６−メルカプトヘキサデカン酸を含むが、これに限定されない。例えば、１１−メルカプト−１−ウンデカノール及び／または１６−メルカプトヘキサデカン酸は、１０：１というモル比で添加されてよい。しかしながら、１１−メルカプトウンデカン酸もこのステップに使用されてよい。１１−メルカプトウンデカン酸が使用される場合は、反応混合物は４０℃に加熱される。使用されてよい相間移動剤の例は、臭化テトラオクチルアンモニウム、（Ｃ８Ｈ１７）４ＮＢｒを含む。任意の適切な第四アンモニウム塩が、相間移動剤として使用されてよい。いくつかの例は、テトラブチルアンモニウムハロゲン化物、テトラオクチルアンモニウムハロゲン化物、塩化ヘキサデシルトリメチルアンモニウムを含む。例えば、塩化テトラブチルホスホニウム等のホスホニウム系の塩も、相間移動剤として使用されてよい。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
混合物は激しく攪拌されてから、金イオンが有機相に移動できるように一時期放置することができる。混合物は、通常、数分間、放置することができる。水中のＨＡｕＣＬ４溶液は色が黄色っぽい。しかしながら、金のイオンが有機相に移動した後に、黄色い色は水相から消える。これは、水相からの金イオンの有機相への移動が完了したことを示している。その後、還元剤が添加され、金イオンをＡｕ状態に還元する。還元剤は、水素化ホウ素ナトリウム、ＮａＢＨ４であってよい。しかしながら、例えばヘキサメチルリン酸アミド（ＨＭＰＡ）の中のシアノ水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＣＮＢＨ３）等の任意の他の適切な還元剤が使用されてよく、ＡｌＣｌ３の存在下のトリス（トリメチルシリル）シラン、ＳｎＣｌ２Ｅｔ３ＳｉＨも使用されてよい。混合物は再び少なくとも２時間放置できる。保護されている金属ナノ粒子を取得するために、ステップ４０４で抽出が実行される。特に、有機相が分離され、水で洗浄され、保護されている金属ナノ粒子４１４を取得するために蒸発させられる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
基板の上への付着及び熱アニール
調製された複合材料分散液４１６は、適切な導電性複合材料を製造するためにさらに処理されてよい。例えば、導電性複合材料は、回路相互接続を及びバイア接続を行うために使用されてよい。このような印刷可能金属導電性複合材料を使用するデバイス電極も製造されてよい。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
光学透過スペクトルは、以下のように計算された。Ａｕコアの複素誘電率εｒ，ｎａｎｏが、
【数１】
2009500802.tif 000001
を使用して最初に電子散乱に対する寸法効果について補正され、ここでは
【数２】
2009500802.tif 000002
、Ｃは電子散乱定数であり、ＶＦはフェルミ速度であり、ｒは粒子半径（Ｓｃａｆｆａｒｄｉ  ＬＢら、２００５年）である。Ｃ＝２．０が、付着した複合フィルム４１８を最もよく説明していたが、それは１６０℃での焼きなまし後に０．７５まで減少し、粒子内電子散乱の還元及びＡｕコアの緩和を示す。これは、プラズモンバンドの狭まり及び強化によって証明される。次に、保護されたナノ粒子１４の分極率が、配位子分子の熱脱離（Ｖａｎ  ｄｅ  Ｈｕｌｓｔ、１９５７年）による保護単層の減少する厚さを考慮に入れて計算され、
【数３】
2009500802.tif 000003
ここではｑは、保護されている金のナノ粒子直径対金のナノ粒子直径の比であり、
【数４】
2009500802.tif 000004
は、ナノ粒子が埋め込まれているポリマー（このケースではＰＥＤＴ：ＰＳＳ）の誘電率であり、
【数５】
2009500802.tif 000005
と
【数６】
2009500802.tif 000006
はそれぞれ保護単層とＡｕコアのためである。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
焼き入れされていない複合材料４２０は、わずかに高い初期σｄｃ≒１０−６から１０−５  Ｓ  ｃｍ−１を有する。複合材料分散液４１６のＰＥＤＴは、窒素の中で３００℃まで耐えることのできる堅牢な導電ポリマーであり、複合材料４２０のバックグラウンド導電率を設定するσｄｃ≒１０−６Ｓ  ｃｍ−１となる。σｄｃは１６０℃から２００℃で、焼き入れされていない複合材料４２０の組成に応じて最高１０−５から１０−３Ｓｃｍ−１まで上昇する。２２から２３ÅのＡｕとの７０：３０ｖ／ｖの焼き入れされていない複合材料４２０は、きわめて導電状態に２１０℃から２３０℃の間で変態する。複合材料分散液４１６のＰＥＤＴは、焼き入れされていない複合材料４２０の変態温度を１５℃から２０℃だけ少しばかり遅らせるようであり、高Ａｕ体積分率≒０．７で、小さいＡｕサイズが３３Å以下のフィルムの最終σｄｃに有害な影響を与えない。これは、焼き入れされていない複合材料４２０が均質であることを証明している。おそらくポリマーとナノ粒子のＯＨ−終端保護単層とＣＯＯＨ−終端保護単層の間の好ましい相互作用（水素結合）の結果として固形状態においても相分離は発生せず、ナノ粒子−ポリマー系の共通の特徴である相分離を回避する。さらに大きなナノ粒子の場合、Ｔｐはさらに遅らされ、達成可能なσｄｃが減少する。さらに大きいＡｕサイズの焼き入れされていない複合材料４１８は電子ホッピングレートを減速させる比例的にさらに大きいＡｕ間の間隔を有するので、予想外ではない。（Ａｂｅｌｅｓ  Ｂら、Ａｄｖ  Ｐｈｙｓ、２４：４０６から４６１、１９７５年）。これは図６に示されている。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
メモリ素子としての応用例
焼き入れされていない複合材料４２０の変態は、電気的にも誘発されてよい。これがメモリ素子の基本である。変態を達成するために必要とされる電場は、数ＭＶ  ｃｍ−１の範囲内であってよい。この変態は、図８ａ及び図８ｂに描かれている。垂直のクロスワイヤセル構造は、複合材料分散液を形成するために１：１のＡｕ（３３−Å）−ＰＥＤＴで製造された。メモリ素子は、単純な三層プロセスで製造された。第１のステップは、厚さが５０ｎｍと０．１ｍｍの幅の平行した金の線の蒸発を含んでいた。この層の上には、１：１のＡｕ（３３−Å）−ＰＥＤＴ複合材料分散液がスピンコーティングにより付着され、厚さ〜１００ｎｍの複合フィルムをもたらす。最終的なステップは、底部層に垂直な方向での金の線の蒸発で、断面積１０−４ｃｍ２及び〜１００ｃｍの厚さを有する各セルまたはメモリ素子のある垂直クロスワイヤセル構造をもたらした。上部電極及び底部電極は、金の代わりに、アルミニウム、銅、または銀のような他の金属であってよい。低電圧では、セルはＡｕ−ＰＥＤＴの予想された非オームＩＶ特徴及び（σｄｃ≒５×１０−６Ｓｃｍ−１に対応する）２０ｋΩという０Ｖでの予想抵抗を示す。印加電圧が４０Ｖに達すると、セル抵抗は３００Ωまで削減され、ＩＶ特長はオーム（１０−３Ｓｃｍ−１）になる。絶縁体−金属変態がＡｕ−ＰＥＤＴの全体的なバルクに行き渡るのではなく、おそらくフィラメント状の経路に制限されることは明らかである。２２０℃までの焼きなまし（別のセル）時、その抵抗は、熱的に誘導された変態の開始に達した結果、２０ｋΩから６５０Ω（４ｘ１０−４Ｓ  ｃｍ−１）に低下する。以後の電圧掃引の間、Ｖが２５Ｖに達すると、抵抗はさらに４０Ω（１０−２Ｓ  ｃｍ−１）に低下する。必要とされる電圧は、現在以前より低くなっている。熱的に誘発される、発生しようとしている導電経路の存在と一致して、これらの経路を完全にパーコレートさせるために必要とされる電場は小さくなる。いったん形成されると、電流伝導経路は安定している。これは、これらの印刷可能複合材料のために考えられる不揮発性メモリ応用例を示唆している。表面的には、これは１９７１年に遡る誘電体ポリマー薄膜で報告された電気スイッチング挙動に似ている。例えば、複合材料は、電流フィラメント型のメモリ素子に適切であってよい。前記の利点は、必要とされる電場がはるかに小さいという点であり、電流フィラメントはナノ粒子を通過しなければならないため、例えば体積分率及び焼きなまし前のサイズのようなその特性は、必要とされるセルの特徴を調整する手段を提供する。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図４】
2009500802.tif 000007
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図５Ａ
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図５Ａ】
2009500802.tif 000008