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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶存水素を増加させられた水から成る、酸化力を有するラジカルを還元する活性を有する薬理機能水。
【請求項２】
前記活性は、強制的な水素引き抜き反応を通じて発揮されることを特徴とする請求項１記載の薬理機能水。
【請求項３】
ＯＲＰが負の値であることを特徴とする請求項１〜２のうちいずれか一項に記載の薬理機能水。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の薬理機能水において、溶存水素を増加させられた水が０．４ｍｇ／Ｌ以上の溶存水素濃度の水であることを特徴とする薬理機能水。
【請求項５】
前記溶存水素を増加させられた水とは、隔膜を介して陽極と陰極間で原水を電解処理したときに陰極側で生成される電解水、水中での化学反応を通じて水素分子を含有させられた水、または、原水に水素をバブリングないし加圧充填などして処理した水を含むことを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか一項に記載の薬理機能水。
【請求項６】
亜硫酸塩、チオ硫酸塩、アスコルビン酸、アスコルビン酸塩を含む群から選択される少なくとも１つの還元剤が含有されていることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか一項に記載の薬理機能水。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか一項に記載の薬理機能水であって、さらに貴金属コロイドを含むことを特徴とする薬理機能水。
【請求項８】
前記貴金属コロイドとは、白金、パラジウム、金、銀、並びにこれら貴金属元素の塩、錯体化合物を含むことを特徴とする請求項７記載の薬理機能水。
【請求項９】
前記貴金属コロイドには、該貴金属コロイドの少なくとも活性及び反応時間を調整するための処理または操作が施されていることを特徴とする請求項７〜８のうちいずれか一項に記載の薬理機能水。
【請求項１０】
請求項１〜９のうちいずれか一項に記載の薬理機能水を有効成分とする酸化ストレス関連疾患の予防又は治療剤。
【請求項１１】
前記酸化ストレス関連疾患とは、肝障害であることを特徴とする請求項１０記載の酸化ストレス関連疾患の予防又は治療剤。
【請求項１２】
前記酸化ストレス関連疾患とは、虚血再還流障害であることを特徴とする請求項１０のうちいずれか一項に記載の酸化ストレス関連疾患の予防又は治療剤。
【請求項１３】
前記酸化ストレス関連疾患とは、神経疾患であることを特徴とする請求項１０に記載の酸化ストレス関連疾患の予防又は治療剤。
【請求項１４】
請求項１〜９のうちいずれか一項に記載の薬理機能水を有効成分とする自己免疫疾患の予防または治療剤。
【請求項１５】
前記自己免疫疾患は、慢性関節リウマチであることを特徴とする請求項１４に記載の自己免疫疾患の予防または治療剤。
【請求項１６】
請求項１〜９のうちいずれか一項に記載の薬理機能水であって、飲用、注射、静脈注射、透析、外用、移植臓器保存、スキンケア、化粧を含む生体への適用用途に調整されていることを特徴とする薬理機能水。
【請求項１７】
請求項１０〜１５のうちいずれか一項に記載の予防または治療剤であって、飲用、注射、静脈注射、透析、外用、移植臓器保存、スキンケア、化粧を含む生体への適用用途に調整されていることを特徴とする予防または治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼き鈍しの前に組成（Ｔｂ１−ｙＣｅｙ）ａＤｚＯ１２を含む焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成であって、ＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成るグループから選択された少なくとも１つの金属であり、ａは約２．８から最大で３．１を含む値までの範囲であり、ｙは０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは４から最大で５．１を含む値までの範囲であるシンチレータ組成。
【請求項２】
焼き鈍しの前に組成（Ｌｕ１−ｙＣｅｙ）ａＤｚＯ１２を含むシンチレータ組成であって、ＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成るグループから選択された少なくとも１つの金属であり、ａは２．８から最大で３．１を含む値までの範囲であり、ｙは０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは４から最大で５．１を含む値までの範囲である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項３】
焼き鈍しの前に組成（Ｇ１−ｘ−ｙＡｘＲＥｙ）ａＤｚＯ１２を含むシンチレータ組成であって、ここで、ＧはＴｂとＬｕから成るグループから選択された少なくとも１つの金属であり、ＡはＧがＴｂであるときにはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、及びＹｂから成るグループから選択された少なくとも１つの希土類金属であり、ＧがＬｕであるときにはＹ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、及びＹｂから成るグループから選択された少なくとも１つの希土類金属であり、ＲＥはＣｅ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＴｍから成るグループから選択された少なくとも１つの希土類金属であり、ＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成るグループから選択された少なくとも１つの金属であり、ａは約２．８から最大で３．１を含む値までの範囲であり、ｘは０から最大で０．５を含む値までの範囲であり、ｙは０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは４から最大で５．１を含む値までの範囲である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項４】
焼き鈍しの前に組成（Ｔｂ１−ｘＬｕｘＣｅｙ）３Ａｌ５Ｏ１２を含み、ここで０＜ｘ≦０．５であり、ｙは約０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲である、焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項５】
焼き鈍しの前に組成（Ｔｂ１−ｙＣｅｙ）３（Ａｌ１−ｒ−５ＧａｒＩｎｓ）ｚＯ１２を含み、ここでｙは約０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは約４から最大で５．１を含む値までの範囲であり、更に０＜ｓ≦０．５且つｒ＋ｓ＜１のときに０≦ｒ≦０．５であり、或いは０≦ｓ≦０．５且つｒ＋ｓ＜１のときに０＜ｒ≦０．５である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項６】
焼き鈍しの前に組成（Ｔｂ１−ｙ−ｕ−ｖ−ｗＣｅｙＹｕＧｄｖＳｍｗ）３ＡｌｚＯ１２を含み、ここでｙは約０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは約４から最大で５．１を含む値までの範囲であり、０≦ｕ,ｖ,ｗ≦０．５、且つ０．０００５≦ｙ＋ｕ＋ｖ＋ｗ＜１である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項７】
焼き鈍しの前に組成（Ｔｂ１−ｘ−ｙＡｘＣｅｙ）３ＡｌｚＯ１２を含み、ここでＡはＹ又はＧｄであり、０＜ｘ≦０．５、及びｙは約０．０００５から最大で０．２を含む値までの範囲であり、ｚは約４から最大で５．１を含む値までの範囲である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項８】
焼き鈍しの前にＣｅ３＋イオンで活性化された組成Ｌｕ０．８Ｔｂ２．２Ａｌ５Ｏ１２を含む焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項９】
焼き鈍しの前に組成（Ｇ１−ｘ−ｙＡｘＲＥｙ）ａＤｚＯ１２を含み、ここでＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成るグループから選択され、ＧはＴｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＹｂから成るグループから選択され、ＡはＬｕ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＹｂから成るグループから選択され、ＲＥはＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、及びＣｅから成るグループから選択され、ｘは０から最大で約０．２７７４までを含む（０と０．２７７４を含む）範囲であり、ｙは約０．００１から最大で約０．０１２までを含む（０．００１と０．０１２を含む）範囲であり、ａは２．８８４から最大で約３．０３２までを含む（２．８８４と３．０３２を含む）範囲であり、ｚは約４．９６８から最大で約５．１１６までを含む（４．９６８と５．１１６を含む）範囲である焼結された半透明又は透明のセラミックシンチレータ組成。
【請求項１０】
シンチレータ効率における放射誘導変化に対して耐性が向上したテルビウム又はルテチウムを含有する焼結された半透明又は透明のセラミックのガーネットシンチレータを作製するための方法であって、焼き鈍しされたシンチレータが該焼き鈍しによって処理されていない同じシンチレータに比べて信号生成の効率において放射によるより小さな変化しか含まないように、予め定められた時間と温度に対して予め定められた酸素量を含む管理された雰囲気中でガーネットシンチレータを焼き鈍しする段階を含み、該ガーネットシンチレータは、テルビウム（Ｔｂ）とルテチウム（Ｌｕ）から成るグループから選択された少なくとも１つの金属を含み、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＴｍから成るグループから選択された少なくとも１つの希土類元素で活性化され、該シンチレータは、Ｘ、β、又はγ放射を含む高エネルギー放射による励起に応答して可視光を放出することができ、ここで焼き鈍しの前に、該シンチレータは組成（Ｇ１−ｘ−ｙＡｘＲＥｙ）ａＤｚＯ１２を含み、ここでＤはＡｌ、Ｇａ、及びＩｎから成るグループから選択され、ＧはＴｂ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＹｂから成るグループから選択され、ＡはＬｕ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、及びＹｂから成るグループから選択され、ＲＥはＨｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＣｅから成るグループから選択され、ｘは０から最大で約０．２７７４までを含む（０と０．２７７４を含む）範囲であり、ｙは約０．００１から最大で約０．０１２までを含む（０．００１と０．０１２を含む）範囲であり、ａは２．８８４から最大で約３．０３２までを含む（２．８８４と３．０３２を含む）範囲であり、ｚは約４．９６８から最大で約５．１１６までを含む（４．９６８と５．１１６を含む）範囲である方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質を含む活物質層を有する非水電解液二次電池用正極において、該活物質層に、該活物質とは別にＬｉＮｉ1-xＴｉxＯ2（式中、０＜ｘ＜０．７である）で表される化合物が含有されていることを特徴とする非水電解液二次電池用正極。
【請求項２】
前記活物質が、リチウム遷移金属複合酸化物（但し、ＬｉＮｉ1-xＴｉxＯ2（式中、０＜ｘ＜０．７である）を除く）からなる請求項１記載の非水電解液二次電池用正極。
【請求項３】
前記化合物のＸ線回折パターンにおける（００３）面と（１０４）面とのピーク比であるＩ（００３）／Ｉ（１０４）が０．４〜０．９である請求項１又は２記載の非水電解液二次電池用正極。
【請求項４】
前記活物質の量に対する前記化合物の量の割合が５〜３０重量％である請求項１ないし３の何れかに記載の非水電解液二次電池用正極。
【請求項５】
ＬｉＮｉ1-xＴｉxＯ2（式中、０＜ｘ＜０．７である）で表される化合物からなることを特徴とする非水電解液二次電池用正極活物質の添加剤。
【請求項６】
請求項１ないし４の何れかに記載の正極を備えた非水電解液二次電池。
【請求項７】
Ｓｉ又はＳｎを含む材料からなる負極活物質を含む活物質層を有する負極を備えた請求項６記載の非水電解液二次電池。
【請求項８】
前記負極の活物質層が、Ｓｉ又はＳｎを含む負極活物質の粒子を含有し、該粒子の表面の少なくとも一部がリチウム化合物の形成能の低い金属材料で被覆されていると共に、該金属材料で被覆された該粒子どうしの間に空隙が形成されている請求項７記載の非水電解液二次電池。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれかに記載の非水電解液二次電池に対して充電を行うときに、該電池を組み立てた後に初めて行う充電である予備充電のカットオフ電位を、Ｌｉ／Ｌｉ+を基準として４．２〜５．０Ｖに設定することを特徴とする非水電解液二次電池の調整方法。
【請求項１０】
予備充電より後の充電である初回以降の充電のカットオフ電圧を、予備充電のカットオフ電圧と同じか又はそれよりも設定して充電を行う請求項９記載の非水電解液二次電池の調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極及びドレイン電極並びに前記電極間を接続する有機半導体層を含むスイッチング用トランジスタ及び駆動用トランジスタと、を有する有機ＴＦＴ素子において、
前記駆動用トランジスタは分割されたトランジスタで構成され、かつ、前記スイッチング用トランジスタ及び駆動用トランジスタの前記電極間及び前記電極の長手方向の領域とで形成され前記有機半導体層が配置されるセルは全て同一形状であり、かつ、隣り合うセルとの間隔は全て一定であること
を特徴とする有機ＴＦＴ素子。
【請求項２】
セルの四隅のエッジ部がＲ形状となっている請求項１記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項３】
Ｒ形状の曲率半径は５〜２０μｍである請求項２記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項４】
スイッチング用ＴＦＴ素子の領域Ｓはドライビング用ＴＦＴ素子の領域Ｄのｎ倍（ｎ＝１，２，・・，６）である請求項１又は２に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項５】
ソース電極及びドレイン電極の長手方向に垂直な方向をＸ方向とし、Ｘ方向に垂直な方向をＹ方向とした場合、セルのＸ方向及びＹ方向の夫々の間隔が全て等間隔となっている請求項１〜４の何れか一項に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項６】
隣り合うセルの間隔は１０μ以上１００μｍ以下の範囲で全て一定である請求項１〜５の何れか一項に記載の有機ＴＦＴ素子。
【請求項７】
請求項１〜６記載の有機ＴＦＴ素子は画素電極を含む有機ＥＬ発光素子と接続されており、前記有機ＴＦＴ素子と前記有機ＥＬ発光素子を組み合わせることで、ディスプレイとしたことを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
【請求項８】
有機ＥＬ発光素子において、発光材料が形成される発光素子用セルは有機半導体層が配置されるセルと同一形状であり、かつ、
ディスプレイ内の隣り合う全セルの間隔が一定であること
を特徴とする請求項７記載の有機ＥＬディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外観検査装置を用いて、被検体を複数回検査して得られた欠陥の位置を示す欠陥位置座標と該欠陥の特徴を示す欠陥特徴量とを含む複数の欠陥情報を取得するステップと、
ＣＡＤサーバーに記憶されたパターンレイアウトを用いてパターン危険箇所シミュレーターにより危険箇所の座標を算出するステップと、
前記欠陥位置座標、前記欠陥特徴量および前記危険箇所の座標をレビュー装置に出力し、前記レビュー装置を用いて前記欠陥位置座標を含む領域のレビュー画像情報を取得するステップと、
前記危険箇所の座標に基づいて前記危険箇所を含む領域に対応するパターンレイアウトデータを抽出するステップと、
前記複数の欠陥情報と前記レビュー画像情報と前記パターンレイアウトデータとをデータ処理装置に保存するステップと、
前記欠陥情報と前記レビュー画像情報と前記パターンレイアウトデータのそれぞれを前記欠陥位置座標に対応するように関連付けて保存するステップと、
前記関連付けて保存されたデータを画面に表示するステップとを有することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項２】
前記危険箇所の座標を、前記被検体全面に自動展開するステップを有することを特徴とする請求項１記載のデータ処理方法。
【請求項３】
前記レビュー装置に、前記危険箇所の座標を除く前記欠陥位置座標、および前記欠陥特徴量を出力し、前記欠陥位置座標を含む領域のレビュー画像情報を取得するステップを、さらに有することを特徴とする請求項１記載のデータ処理方法。
【請求項４】
前記画面は、前記欠陥位置座標に対応した前記複数の欠陥情報、あるいは前記レビュー画像情報、あるいは前記パターンレイアウトデータの少なくとも一つが同一行に配列表示され、前記配列表示を前記欠陥位置座標ごとに繰り返して配列された行からなる一覧表で表示されることを特徴とする請求項１記載のデータ処理方法。
【請求項５】
前記配列された複数の行のそれぞれに、通し番号が自動で付与されることを特徴とする請求項４記載のデータ処理方法。
【請求項６】
前記複数回の検査は、それぞれが異なる検査条件で行われることを特徴とする請求項１記載のデータ処理方法。
【請求項７】
前記画面に、異なる複数の検査条件で検出された前記複数の欠陥情報と、前記シュミレータにより算出された危険箇所とを比較、対照できる図を表示し、前記危険箇所の検出率の高い検査条件を選択可能とする手段を有することを特徴とする請求項１記載のデータ処理方法。
【請求項８】
外観検査装置を用いて、被検体を複数回検査して得られた欠陥の位置を示す欠陥位置座標と該欠陥の特徴を示す欠陥特徴量とを含む複数の欠陥情報と、
前記欠陥位置座標および前記欠陥特徴量が入力されたレビュー装置を用いて取得した前記欠陥位置座標を含む領域のレビュー画像情報と、
ＣＡＤサーバーに記憶されたパターンレイアウトを用いてパターン危険箇所シミュレーターにより算出された危険箇所の座標に基づいて抽出された、前記危険箇所を含む領域に対応するパターンレイアウトデータとを保存する手段と、
前記複数の欠陥情報と前記レビュー画像情報と前記パターンレイアウトデータのそれぞれを前記欠陥位置座標に対応するように関連付けて保存する手段と、
前記関連付けて保存されたデータを画面に表示する手段とを有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項９】
前記表示する手段は、前記欠陥位置座標に対応した前記複数の欠陥情報、あるいは前記レビュー画像情報、あるいは前記パターンレイアウトデータの少なくとも一つを同一行に配列表示し、前記配列表示を前記欠陥位置座標ごとに繰り返して配列された複数の行からなる一覧表画面を作成し、
前記配列された複数の行のそれぞれに、通し番号を自動で付与することを特徴とする請求項８記載のデータ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前述のような設計データから決定された撮像位置のパターン画像と、設計データを比較するシステムを用いて、実際の半導体製造現場で運用する場合、所要時間はその画像取得数に比例し、一般には膨大な時間を要する。そのため、従来の半導体パターン検査装置において、シミュレーションで求められた危険箇所に対して、その検出感度を最適化したい要望があるが、設計データとパターン検査装置を結びつけたツールがなく、また、それを実施しようとしても膨大な時間がかかり、実際の製造現場での運用には無理があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図２には、危険箇所座標データのやり取りを示すシステムの構成図を示す。危険箇所情報２６としてデータ処理装置３に送信される。危険箇所情報２６には、図５に示すように、半導体レイアウトを描画したＣＡＤ切り出しデータ３０が、危険箇所数に応じた分の数だけ添付されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
一方、半導体デバイス製造に必要なＣＡＤレイアウト情報が蓄積されている図１のＣＡＤサーバー１３から、ＣＡＤレイアウト情報がパターン危険箇所シミュレーター１２に送信され、危険箇所がどこにあるのか、シミュレーションした結果をそのシミュレーター１２に蓄積している。この危険箇所シミュレーターの結果は、図４に示すような製品名と危険箇所の通し番号、座標を含むテキストデータとして、図２に示す危険箇所情報２６としてデータ処理装置３に送信される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属材料としてトリエチルガリウム(TEG)、アンモニア、及びトリエチルアミン（TEA）を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハにおけるＧａＮ薄膜のエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程によりV族材料を分解することを特徴とする低温度結晶成長方法。
【請求項２】
請求項１に記載された低温度結晶成長方法により作製されたＧａＮ薄膜に対し、有機金属材料としてトリエチルガリウム(TEG)及びトリエチルインジウム(TEI)、アンモニア、及びトリエチルアミン（TEA）を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハにおけるＩｎＧａＮ薄膜のエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程によりV族材料を分解することを特徴とする低温度結晶成長方法。
【請求項３】
有機金属材料としてトリエチルガリウム(TEG)及びトリエチルインジウム(TEI)、アンモニア、及びトリエチルアミン（TEA）を用いたIII-V族化合物半導体薄膜積層ウエハにおけるＩｎＧａＮ薄膜のエピタキシャル結晶成長において、アンモニアとトリエチルアミン(TEA)の相互化学反応工程によりV族材料を分解することを特徴とする低温度結晶成長方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して注文装置、提供装置及び印刷制御装置と通信する情報処理装置であって、
印刷用画像ファイルと対応するサムネイル画像及び画像ＩＤを記憶する記憶手段と、
前記記憶手段により記憶されたサムネイル画像を前記注文装置に送信する送信手段と、
前記送信手段により送信されたサムネイル画像の中から前記注文装置により選択されたサムネイル画像の画像ＩＤを含む印刷注文を行うための注文情報を前記注文装置から受信する受信手段と、
前記受信手段により前記注文情報を受信すると、前記注文情報を前記提供装置へ通知する通知手段と、
前記通知手段により通知された前記注文情報に対する承認を前記提供装置から受信し、記録する記録手段と、
前記記録手段により承認が記録された注文情報に含まれる画像ＩＤと対応する印刷用画像ファイルを前記提供装置から取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された印刷用画像ファイルを前記印刷制御装置へ転送する転送手段と、
を備えたことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記注文情報に対して承認が必要であるか否かを示す情報と前記画像ＩＤとを関連付けて管理する管理手段を更に備え、
前記管理手段により前記承認が不要であると管理されていれば、前記通知手段による通知を行わないように制御し、前記記録手段は前記注文情報に対して承認を記録することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記提供装置から取得する印刷用画像ファイルを格納する格納手段と、
前記格納手段に格納された印刷用画像ファイルの保存期間を管理する管理手段と、
前記保存期間が満了した印刷用画像ファイルを削除する削除手段とを、さらに備えたことを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記受信手段は、さらに前記印刷制御装置の指定も受信し、前記転送手段は前記指定された印刷制御装置へ前記印刷用画像ファイルを転送することを特徴とする請求項１記載の情報処理装置。
【請求項５】
ネットワークを介して注文装置、提供装置及び印刷制御装置と通信するコンピュータ装置に、
印刷用画像ファイルと対応するサムネイル画像及び画像ＩＤを記憶装置に記憶する記憶ステップと、
前記サムネイル画像及び画像ＩＤを前記記憶装置から読み出し、前記注文装置に送信する送信ステップと、
前記送信されたサムネイル画像の中から前記注文装置により選択されたサムネイル画像の画像ＩＤを含む印刷注文を行うための注文情報を前記注文装置から受信する受信ステップと、
前記注文情報を受信すると、前記注文情報を前記提供装置へ通知する通知ステップと、
前記通知された前記注文情報に対する承認を前記提供装置から受信し、記録装置に記録する記録ステップと、
前記記録装置に承認が記録された注文情報に含まれる画像ＩＤと対応する印刷用画像ファイルを前記提供装置から取得する取得ステップと、
前記取得された印刷用画像ファイルを前記印刷制御装置へ転送する転送ステップを実行させるためのプログラムをコンピュータが読み出し可能に記憶した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る情報処理装置は、以下の特徴的構成を備える。
ネットワークを介して注文装置、提供装置及び印刷制御装置と通信する情報処理装置であって、印刷用画像ファイルと対応するサムネイル画像及び画像ＩＤを記憶する記憶手段と、前記記憶手段により記憶されたサムネイル画像を前記注文装置に送信する送信手段と、前記送信手段により送信されたサムネイル画像の中から前記注文装置により選択されたサムネイル画像の画像ＩＤを含む印刷注文を行うための注文情報を前記注文装置から受信する受信手段と、前記受信手段により前記注文情報を受信すると、前記注文情報を前記提供装置へ通知する通知手段と、前記通知手段により通知された前記注文情報に対する承認を前記提供装置から受信し、記録する記録手段と、前記記録手段により承認が記録された注文情報に含まれる画像ＩＤと対応する印刷用画像ファイルを前記提供装置から取得する取得手段と、前記取得手段により取得された印刷用画像ファイルを前記印刷制御装置へ転送する転送手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
次に、電源投入時に最初に入るモードのカスタマイズについて説明する。
先ず、電源をオフからオン時に切り替えた際に最初に立ち上がるモードのカスタマイズについては、ビデオカメラの回転レバー式スイッチやスライドスイッチでは実現されていなかった。
別の例としては、パソコン等で良く見かけられる様に、機器本体やキーボード部分に、目的のアプリケーションソフトウェアに割り当てた専用ボタンを設けておき、そのボタンを押せば電源オン、そしてＯＳの起動と共に希望のアプリケーションソフトウェアの起動までが連続的に行われる手法が用いられている。
例えば、キーボード上の１つの特定のボタンを押すだけで、電源オフの状態からブラウザ閲覧ソフトウェアが立ち上がって閲覧の準備が整うところまでユーザーには動作を求めないといった手法がみられる。
【特許文献１】特開２００２−１４８６７４
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
画像診断医用ワークステーション３は、画像診断医等のユーザによって読影対象画像の閲覧を要求する操作が行われると、画像管理サーバ４に対して閲覧要求を送信し、読影に必要な画像情報を取得する。そして、その画像情報をモニタ画面に表示し、画像診断医からの要求に応じて病変の自動検出処理などを実行する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
第２検索対象画像決定部３０は、第１検索対象画像の造影情報と第２検索対象画像の候補となる画像の造影情報とを入力とし、第１検索対象画像の造影フェーズと異なる造影フェーズの画像を第２検索対象画像に決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
これらの処理部が付加された形態では、図４のステップ#5と#6の間で以下の処理が行われる。まず、「類似症例検索」が選択された後(#5; YES)、検査ＩＤ解析部２８は、画像Ｉ1の付帯情報を解析して検査ＩＤ Ｅ1を取得する。同一検査画像検索部２９は、検査ＩＤＥ1を検索キーとして画像情報データベース５に対する検索を行い、画像Ｉ1と同じ検査で取得された画像Ｉ2、Ｉ3を取得する。次に、造影情報解析部２１は、画像ファイルＩ2、Ｉ3の付帯情報を解析して各画像の造影フェーズの情報Ｐb、Ｐaを取得する。そして、第２検索対象画像決定部３０は、第１検索対象画像である画像Ｉ1の造影フェーズＰaと、同一検査画像検索部２９によって取得された画像Ｉ2、Ｉ3の造影フェーズＰb、Ｐaとを比較し、造影フェーズが異なる画像Ｉ2を第２検索対象画像に決定する。なお、図４のステップ#6では、第２検索対象画像決定部３０で決定された第２検索対象画像Ｉ2を処理対象として関心領域反映部２３の処理を行う。これ以外の処理は上記の実施形態と同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008217362.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008217362.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
画像診断医用ワークステーション３は、画像診断医等のユーザによって読影対象画像の閲覧を要求する操作が行われると、画像管理サーバ４に対して閲覧要求を送信し、読影に必要な画像情報を取得する。そして、その画像情報をモニタ画面に表示し、画像診断医からの要求に応じて病変の自動検出処理などを実行する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
第２検索対象画像決定部３０は、第１検索対象画像の撮影情報と第２検索対象画像の候補となる画像の撮影情報とを入力とし、第１検索対象画像の撮影方法と異なる撮影方法の画像を第２検索対象画像に決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
これらの処理部が付加された形態では、図４のステップ#5と#6の間で以下の処理が行われる。まず、「類似症例検索」が選択された後(#5; YES)、検査ＩＤ解析部２８は、画像Ｉ1の付帯情報を解析して検査ＩＤ Ｅ1を取得する。同一検査画像検索部２９は、検査ＩＤＥ1を検索キーとして画像情報データベース５に対する検索を行い、画像Ｉ1と同じ検査で取得された画像Ｉ2、Ｉ3を取得する。次に、撮影情報解析部２１は、画像ファイルＩ2、Ｉ3の付帯情報を解析して各画像の撮影方法の情報Ｐb、Ｐaを取得する。そして、第２検索対象画像決定部３０は、第１検索対象画像である画像Ｉ1の撮影方法Ｐaと、同一検査画像検索部２９によって取得された画像Ｉ2、Ｉ3の撮影方法Ｐb、Ｐaとを比較し、撮影方法が異なる画像Ｉ2を第２検索対象画像に決定する。なお、図４のステップ#6では、第２検索対象画像決定部３０で決定された第２検索対象画像Ｉ2を処理対象として関心領域反映部２３の処理を行う。これ以外の処理は上記の実施形態と同様である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008217363.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008217363.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録層と１つのサーボ層とが組になって設けられ、
前記サーボ層にはトラッキング誤差信号と焦点ずれ信号を検出するためのサーボ領域がトラックに沿って離散的に設けられ、
前記記録層にはデータを記録しない領域が離散的に設けられ、
光入射側から見て前記記録層のデータを記録しない領域と前記サーボ層のサーボ領域とが重なるように配置されていることを特徴とする多層光ディスク。
【請求項２】
請求項１記載の多層光ディスクにおいて、光入射側から見て前記サーボ層が前記複数の記録層の奥側に位置し、前記記録層のデータを記録しない領域は透明領域であることを特徴とする多層光ディスク。
【請求項３】
請求項１記載の多層光ディスクにおいて、光入射側から見て前記サーボ層が前記複数の記録層の手前側に位置し、前記サーボ層は前記サーボ領域を除いて透明であることを特徴とする多層光ディスク。
【請求項４】
請求項１記載の多層光ディスクにおいて、前記記録層は、前記データを記録しない領域を除く領域に記録膜が形成されていることを特徴とする多層光ディスク。
【請求項５】
請求項１記載の多層光ディスクにおいて、前記サーボ層は透明な層からなり、前記サーボ領域は凹部に反射膜が埋め込まれた反射ピットを有することを特徴とする多層光ディスク。
【請求項６】
複数の記録層と１つのサーボ層とが組になって設けられ、前記サーボ層にはトラッキング誤差信号と焦点ずれ信号を検出するためのサーボ領域がトラックに沿って離散的に設けられ、前記記録層にはデータを記録しない領域が離散的に設けられ、光入射側から見て前記記録層のデータを記録しない領域と前記サーボ層のサーボ領域とが重なるように配置されている多層光ディスクを用いる情報記録再生方法であって、
第１のレーザ光束と、第２のレーザ光束を１つの対物レンズの光軸に沿って前記多層光ディスクに入射させ、前記光軸上の異なる位置にそれぞれ収束させる工程と、
前記サーボ層と相互作用した前記第１のレーザ光束を検出する工程と、
前記第１のレーザ光検出信号からサンプル論理信号を発生する工程と、
前記サンプル論理信号に従って前記第１のレーザ光束と第２のレーザ光束を交互に点灯させる工程と、
前記第１のレーザ光束が点灯している期間に、前記サーボ層に対するトラッキング誤差信号と焦点ずれ信号を導出する工程と、
前記トラッキング誤差信号と焦点ずれ信号を用いて前記多層光ディスクに対する前記対物レンズの位置を制御し、前記第１のレーザ光束のスポットを前記サーボ層の所望のトラックに追従させる工程と、
前記第２のレーザ光束が点灯している期間に、前記複数の記録層のうちの１つと相互作用した前記第２のレーザ光束を検出して前記記録層に対する前記第２のレーザ光束の焦点ずれ信号を導出する工程と、
前記第２のレーザ光束の焦点ずれ信号を用いて前記第２のレーザ光束のスポットを前記記録層に焦点合わせする工程と
を有することを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項７】
請求項６記載の情報記録再生方法において、ひとつのレーザから出射された光束を発散光束、平行光束、又は収束光束に変換して前記第１のレーザ光束と第２のレーザ光束を作成することを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項８】
請求項７記載の情報記録再生方法において、前記光束を発散光束、平行光束、収束光束に変換するタイミングに応じて、前記レーザの発光強度を変えることを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項９】
複数の記録層と１つのサーボ層とが組になって設けられ、前記サーボ層にはトラッキング誤差信号と焦点ずれ信号を検出するためのサーボ領域がトラックに沿って離散的に設けられ、前記記録層にはデータを記録しない領域が離散的に設けられ、光入射側から見て前記記録層のデータを記録しない領域と前記サーボ層のサーボ領域とが重なるように配置されている多層光ディスクを用いる情報記録再生装置であって、
第１のレーザ光束の発生手段と、
第２のレーザ光束の発生手段と、
前記第１のレーザ光束と前記第２のレーザ光束を一軸上に結合させる光学系と、
前記結合した第１のレーザ光束を前記サーボ層に収束させ、前記第２のレーザ光束を前記複数の記録層のうちの１つに収束させる対物レンズと、
前記対物レンズを駆動するアクチュエータと、
焦点ずれ検出器とトラッキング誤差検出器とを有する光検出器と、
前記トラッキング誤差検出器の出力に基づいて前記第１のレーザ光束と前記第２のレーザ光束を交互に照射するタイミング信号を発生するタイミング発生回路と、
前記第１のレーザ光束が点灯している期間の前記焦点ずれ検出器の出力に基づいて前記アクチュエータを光軸方向に駆動する第１の焦点合わせ部と、
前記第１のレーザ光束が点灯している期間の前記トラッキング誤差検出器の出力に基づいて前記アクチュエータを光軸に垂直な方向に駆動するトラッキング制御部と、
前記第２のレーザ光束が点灯している期間の前記焦点検出器の出力に基づいて前記第２のレーザ光束のスポットを光軸方向に駆動する第２の焦点合わせ部と
を有することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項１０】
請求項９記載の情報記録再生装置において、前記第２のレーザ光束が点灯している期間に、前記複数の記録層のうちの１つと相互作用した前記第２のレーザ光束の反射光強度に対応する信号を検出する回路と、前記検出された信号を復調する復調回路とを有することを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項１１】
請求項９記載の情報記録再生装置において、記録情報を記録クロックによって変調する変調回路と、記録層への情報書き込み時、前記第２のレーザ光束が点灯している期間に、前記第２のレーザ光束を前記変調回路の出力によって変調することを特徴とする情報記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
計算機に接続されるストレージシステムであって、
前記計算機に接続されるホストインタフェース部と、
前記ホストインタフェース部に接続されるメモリパスと、
前記メモリパスに接続され、前記計算機から送受信されるデータを一時的に格納するキャッシュメモリ部と、
前記メモリパスに接続され、前記計算機から送受信されるデータの入出力を制御するメモリコントローラ部と、
前記メモリコントローラ部に接続され、前記計算機から送受信されるデータを格納する複数の不揮発メモリ部と、
を有し、
前記不揮発メモリ部は、複数の不揮発メモリデバイスとスペア不揮発メモリデバイスとを備え、
前記複数の不揮発メモリデバイス及び前記スペア不揮発メモリデバイスは、複数のブロックから構成されており、前記計算機から当該複数の不揮発メモリデバイスヘのデータの格納は当該ブロック単位で実行され、
前記メモリコントローラ部は、前記複数のメモリデバイス内のブロックに障害が起こった場合、当該障害ブロック内のデータを前記スペア不揮発メモリデバイスヘコピーして、当該障害ブロックヘのアクセスを当該スペア不揮発メモリデバイスヘと切り替え、
前記メモリコントローラ部は、前記障害ブロックを有するメモリデバイス内の障害ブロック数が予め設定された閾値を超えた場合には、当該閾値を超えた不揮発メモリデバイスの交換を示唆することを特徴とするストレージシステム。
【請求項２】
前記ブロックに障害が起こった場合とは、前記不揮発メモリデバイスの更新回数が予め設定された閾値を超えた場合であることを特徴とする請求項１記載のストレージシステム。
【請求項３】
前記メモリコントローラ部は、前記障害ブロックを有するメモリデバイス内の障害ブロック数が予め設定された閾値を超えた場合、当該メモリデバイスを交換し、前記複数のメモリデバイス及び前記スペア不揮発メモリデバイスから新メモリデバイスヘデータを復元することを特徴とする請求項１記載のストレージシステム。
【請求項４】
前記メモリコントローラ部は、前記障害ブロックを有するメモリデバイス内の障害ブロック数が予め設定された閾値を超えた場合、当該メモリデバイスを交換し、前記新メモリデバイスヘ前記スペア不揮発メモリデバイス内の交替データを復元し、当該スペア不揮発メモリデバイスに交替データがないブロックについては、当該障害ブロックを除く前記複数の不揮発メモリデバイス内からデータを読み込み、パリティ演算を行うことによってデータを復元することを特徴とする請求項３記載のストレージシステム。
【請求項５】
当該閾値を超えた不揮発メモリデバイスの交換を示唆する方法として、当該不揮発メモリデバイスが有するインジケータを点灯することを特徴とする請求項１記載のストレージシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれに識別番号が割り当てられた複数の電子文書からなる文書集合の全ての索引語について、索引語毎に当該索引語が出現する電子文書の識別番号とその電子文書中での当該索引語の出現回数の組であるポスティングを集めた転置リストを格納した転置インデックスをコンピュータ読みとり可能な記録媒体に格納させる処理を、コンピュータに実行させるプログラムにおいて、
前記転置リストを格納するために第一の種類のメモリ領域と、第二の種類のメモリ領域と、第三の種類のメモリ領域を使用し、
連続したメモリ領域としての前記第一の種類のメモリ領域を、前記索引語から前記転置リストへのポインタを格納する領域に配置する工程と、
連続したメモリ領域としての前記第二の種類のメモリ領域に、指定された値Mに対応するMバイト以下の大きさを割り当てる工程と、
１つ以上の連続したメモリ領域をリスト構造によって接続する前記第三の種類のメモリ領域における個々の連続したメモリ領域に、指定された値Mに対応するMバイト以上の大きさを割り当てる工程と、
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項２】
請求項１記載のプログラムにおいて、前記第三の種類のメモリ領域のうち、リスト構造で結合されている先頭のメモリ領域に、末尾のメモリ領域の位置が記録されている
ことを特徴とするプログラム。
【請求項３】
請求項１または２記載のプログラムにおいて、前記第二の種類のメモリ領域の大きさ、および前記第三の種類のメモリ領域の個々のメモリ要素の大きさが、指定された整数Bに対応するBバイトの整数倍となっており、大きさBのメモリ領域からなる可変長配列から１つ以上の要素を獲得することで新規なメモリ領域を確保する
ことを特徴とするプログラム。
【請求項４】
請求項１、２、または３記載のプログラムにおいて、前記Mの値が２のべき乗であり、かつ16以上4096以下である
ことを特徴とするプログラム。
【請求項５】
請求項３記載のプログラムにおいて、前記Bの値が２のべき乗であり、かつ8以上2048以下である
ことを特徴とするプログラム。
【請求項６】
請求項５記載のプログラムにおいて、前記Mの値が２のべき乗であり、かつ16以上4096以下である
ことを特徴とするプログラム。
【請求項７】
それぞれに識別番号が割り当てられた複数の電子文書からなる文書集合の全ての索引語について、索引語毎に当該索引語が出現する電子文書の識別番号とその電子文書中での当該索引語の出現回数の組であるポスティングを集めた転置リストを格納した転置インデックスをコンピュータ読みとり可能な記録媒体に格納する方法において、
前記転置リストを格納するために第一の種類のメモリ領域と、第二の種類のメモリ領域と、第三の種類のメモリ領域を使用し、
連続したメモリ領域としての前記第一の種類のメモリ領域を、前記索引語から前記転置リストへのポインタを格納する領域に配置する工程と、
連続したメモリ領域としての前記第二の種類のメモリ領域に、指定された値Mに対応するMバイト以下の大きさを割り当てる工程と、
１つ以上の連続したメモリ領域をリスト構造によって接続する前記第三の種類のメモリ領域における個々の連続したメモリ領域に、指定された値Mに対応するMバイト以上の大きさを割り当てる工程と、
を有することを特徴とする転置インデックスの格納方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プログラム及び転置インデックスの格納方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送風ファンによって送風される室外空気とヒートポンプサイクルに循環される冷媒との間で熱交換を行うことにより冷媒を加熱する上下又は左右に並設された複数の室外空気熱交換手段を備え，
前記複数の室外空気熱交換手段が，前記ヒートポンプサイクルが稼働されるときに常に冷媒が循環される第一の室外空気熱交換手段と，冷媒の循環流量を切り換えるための第一の循環流量切換手段が設けられた第二の室外空気熱交換手段とを含んでなるヒートポンプユニットであって，
当該ヒートポンプユニットを制御するための電子部品が搭載された電装部を備え，
前記電装部の一部又は全部が，前記第一の室外空気熱交換手段の風下側に配置されてなることを特徴とするヒートポンプユニット。
【請求項２】
請求項１に記載のヒートポンプユニットを備えてなるヒートポンプ式給湯機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の樹脂シートに挟まれて流体が流通する流体流路を、該流体流路を除く範囲をはり合わせて形成している流体流路シートと、
冷媒が流通する伝熱管と、
を有し、
前記流体流路シートの流体流路が前記伝熱管に当接することを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記伝熱管と、
前記伝熱管の両側に配置された一対の前記流体流路シートと、
該一対の前記流体流路シートを収納する収納手段と、
を有し、
前記一対の前記流体流路シートに形成されたそれぞれの流体流路が前記伝熱管に当接することを特徴とする請求項１記載の熱交換器。
【請求項３】
前記流体流路シートの流体流路に流体を供給した際、前記流体流路が断面三日月状を呈し、該断面三日月状の流体流路の凹面側の範囲が前記伝熱管に当接することを特徴とする請求項１または２記載の熱交換器。
【請求項４】
前記断面三日月状の流体流路の凹面側に相当する範囲に熱伝達性を高める処理を施したことを特徴とする請求項３記載の熱交換器。
【請求項５】
前記断面三日月状の流体流路の凸面側に相当する範囲に断熱性を高める処理を施したことを特徴とする請求項３または４記載の熱交換器。
【請求項６】
前記伝熱管と前記流体流路シートとが分離自在であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の熱交換器。
【請求項７】
冷媒を加熱または冷却する熱源と、
請求項１乃至６の何れかに記載の熱交換器と、
前記熱源において加熱または冷却された冷媒を前記熱交換器に供給する冷媒供給手段と、
前記熱交換器に流体を供給する流体供給手段と、
前記熱交換器において加熱または冷却された流体を貯蔵する流体貯蔵手段と、
を有する熱利用装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係る熱交換器は、一対の樹脂シートに挟まれて流体が流通する流体流路を、該流体流路を除く範囲をはり合わせて形成している流体流路シートと、
冷媒が流通する冷媒管と、
を有し、
前記流体流路シートの流体流路が前記冷媒管に当接することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地面の下に設置され内部を２次熱媒体が循環する融雪パイプを有する融雪部と、この融雪部の前記融雪パイプへ前記２次熱媒体を循環させるポンプと、前記２次熱媒体と冷凍サイクルの冷媒とが熱交換を行う融雪用熱交換器と、圧縮機と、室外熱交換器と、膨張機構と、熱源機制御装置とからなる熱源機と、
前記融雪部に送出される前記２次熱媒体を加熱するヒータと、
前記融雪部から戻る前記２次熱媒体の温度を検出する２次熱媒体温度センサとを備え、
前記圧縮機と、前記融雪用熱交換器と、前記膨張機構と、前記室外熱交換器とを順に接続して前記冷凍サイクルを構成し、
前記熱源機制御装置は、前記熱源機の前記圧縮機を最大回転数で運転しても、前記２次熱媒体温度センサの検出する２次熱媒体温度が設定値に達しない場合、前記ヒータを動作させることを特徴とすることを特徴とするヒートポンプ式融雪装置。
【請求項２】
前記熱源機制御装置は、前記熱源機の前記圧縮機を最大回転数で運転し、且つ前記ヒータが動作中に、前記２次熱媒体温度センサの検出する２次熱媒体温度が設定値に近づき前記ヒータをＯＦＦする場合、前記圧縮機の運転回転数は最大回転数を維持したまま前記ヒータをＯＦＦすることを特徴とする請求項１記載のヒートポンプ式融雪装置。
【請求項３】
地面の下に設置され内部を２次熱媒体が循環する融雪パイプを有する融雪部と、この融雪部の前記融雪パイプへ前記２次熱媒体を循環させるポンプと、前記２次熱媒体と冷凍サイクルの冷媒とが熱交換を行う融雪用熱交換器と、圧縮機と、室外熱交換器と、膨張機構と、熱源機制御装置とからなる複数の熱源機と、
前記圧縮機と、前記融雪用熱交換器と、前記膨張機構と、前記室外熱交換器とを順に接続して前記冷凍サイクルを構成し、
前記熱源機制御装置の出力部に次号熱源機への運転指令出力端子を設け、この運転指令出力端子と次号熱源機の熱源機制御装置の入力部の運転指令入力端子とを無極性で接続する構成としたことを特徴とするヒートポンプ式融雪装置。
【請求項４】
降雪を検出する降雪センサと、
前記降雪センサの情報に基づいて前記熱源機に制御信号を送信する降雪センサ制御装置とを備え、
前記熱源機制御装置は、前記降雪センサ制御装置より受けた制御信号である運転指令信号を次号熱源機に出力することを特徴とする請求項３記載のヒートポンプ式融雪装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この発明に係るヒートポンプ式融雪装置は、地面の下に設置され内部を２次熱媒体が循環する融雪パイプを有する融雪部と、この融雪部の融雪パイプへ２次熱媒体を循環させるポンプと、２次熱媒体と冷凍サイクルの冷媒とが熱交換を行う融雪用熱交換器と、圧縮機と、室外熱交換器と、膨張機構と、熱源機制御装置とからなる熱源機と、融雪部に送出される２次熱媒体を加熱するヒータと、融雪部から戻る２次熱媒体の温度を検出する２次熱媒体温度センサとを備え、圧縮機と、融雪用熱交換器と、電子膨張弁と、室外熱交換器とを順に接続して冷凍サイクルを構成し、熱源機制御装置は、熱源機の圧縮機を最大回転数で運転しても、２次熱媒体温度センサの検出する２次熱媒体温度が設定値に達しない場合、ヒータを動作させるものである。