【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路とを備え、
前記ローカル読出データ増幅回路のゲート電極が前記メモリセルのゲート電極と配置方向が同一である事を特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記ローカル読出データ増幅回路のソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向が前記メモリセルのソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向と同一である事を特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLがメモリセルのNWELLと接続されている事を特徴とする請求項１および２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記NWELLは前記メモリセルのNWELLと同じ幅で前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLと接続される事を特徴とする請求項３記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセルと、前記ローカル読出データ増幅回路とで、基板コンタクトを共有する
ことを特徴とする請求項１から請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセルのNWELLは、前記メモリセルのゲートを延伸する方向の一方の隣接するメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されていることを特徴とする請求項１から請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記メモリセルが専用読み出しポートを備え、専用読出ポートを備えるPWELLが隣接する側のメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路とを備え、
前記ローカル読出データ増幅回路のソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向が前記メモリセルのソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向と同一である事を特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLがメモリセルのNWELLと接続されている事を特徴とする請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路とを備え、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLがメモリセルのNWELLと接続されている事を特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記NWELLは前記メモリセルのNWELLと同じ幅で前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLと接続される事を特徴とする請求項１０記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記ローカル読出データ増幅回路のゲート電極が前記メモリセルのゲート電極と配置方向が同一である事を特徴とする請求項１０および請求項１１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記ローカル読出データ増幅回路のソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向が前記メモリセルのソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向と同一である事を特徴とする請求項１０から請求項１２に記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記メモリセルと、前記ローカル読出データ増幅回路とで、基板コンタクトを共有する
ことを特徴とする請求項１０から請求項１３に記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】
前記メモリセルのNWELLは、前記メモリセルのゲートを延伸する方向の一方の隣接するメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されていることを特徴とする請求項１０から請求項１４に記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】
前記メモリセルが専用読み出しポートを備え、専用読出ポートを備えるPWELLが隣接する側のメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本願の第１の発明においては、複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路とを備え、前記ローカル読出データ増幅回路のＮＷＥＬＬがメモリセルのＮＷＥＬＬと接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本願の第２の発明においては、前記第１の発明の半導体記憶装置において、前記ＮＷＥＬＬはメモリセルのＮＷＥＬＬと同じ幅で前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLと接続されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本願の第３の発明においては、前記第１の発明および前記第２の発明に記載の半導体記憶装置において、前記ローカル読出データ増幅回路のゲート電極が前記メモリセルのゲート電極と配置方向が同一であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本願の第４の発明においては、前記第１から第３の発明に記載の半導体記憶装置において、前記ローカル読出データ増幅回路のソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向が前記メモリセルのソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向と同一であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本願の第５の発明においては、前記第１から第４の発明に記載の半導体記憶装置において、前記メモリセルと、前記ローカル読出データ増幅回路とで、基板コンタクトを共有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本願の第６の発明においては、前記第１から第５の発明に記載の半導体記憶装置において、前記メモリセルのＮＷＥＬＬは、前記メモリセルのゲートを延伸する方向の一方の隣接するメモリセルのＮＷＥＬＬと、前記ローカル読出データ増幅回路のＮＷＥＬＬを介して接続されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本願の第７の発明においては、前記第６の発明に記載の半導体記憶装置において、前記メモリセルが専用読み出しポートを備え、前記メモリセルのＮＷＥＬＬは、専用読出ポートを備えるＰＷＥＬＬが隣接する側のメモリセルのＮＷＥＬＬと、前記ローカル読出データ増幅回路のＮＷＥＬＬを介して接続されていることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本願第１の発明により、複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路との境界に存在するNWELL分離領域を削減す
ることが可能となり、その面積削減効果は大きい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本願第２の発明により、複数のメモリセルと、前記メモリセルとビット線を介して接続されるローカル読出データ増幅回路との境界で、NWELLに矩形が生じずに、NWELLを直線状にすることが可能となり、拡散領域とのオーバーラップ等の制限をなくすことが可能で、その面積削減効果は大きい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本願第３の発明により、前記ローカル読出データ増幅回路のゲート電極が前記メモリセルのゲート電極と配置方向を同一とすることで、ゲート電極のばらつきを抑制し、製造工程でのプロセス不良を低減することが出来る。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本願第４の発明により、前記ローカル読出データ増幅回路のソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向が前記メモリセルのソース拡散領域とドレイン拡散領域の配置方向と同一とすることで、拡散領域のばらつきを抑制し、製造工程でのプロセス不良を低減することが出来る。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本願第５の発明により、前記メモリセルと、前記専用読出ポートに接続されるローカル読出データ増幅回路とで、個別に配置されていた基盤コンタクトを統一することが可能で、その面積削減効果は大きい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本願第６の発明により、前記メモリセルのNWELLは、前記メモリセルのゲートを延伸する方向の一方の隣接するメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されており、前記メモリセルのNWELL領域の幅以上に、ローカル読出データ増幅回路のNWELL領域を大幅に確保することが可能となり、前記ローカル読出データ増幅回路が小面積でレイアウト可能となり、その面積削減効果は大きい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本願第７の発明により、前記メモリセルが専用読み出しポートを備え、前記メモリセルのNWELLは、専用読出ポートを備えるPWELLが隣接する側のメモリセルのNWELLと、前記ローカル読出データ増幅回路のNWELLを介して接続されており、前記メモリセルのNWELL領域の幅以上に、ローカル読出データ増幅回路のNWELL領域を、最大限確保することが可能となり、前記ローカル読出データ増幅回路が小面積でレイアウト可能となり、その面積削減効果は大きい。