Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の光ビームを１つの光路上に結合させる、あるいは１つの光ビームを分離した光路上に分離させるためのビーム指向アセンブリであって、
第１の波長帯域の光を前記光路に沿って透過し、第２の波長帯域の光を前記光路上に反射するように配置され、透過性通過帯域効率、反射性通過帯域効率、および通過帯域エッジと関連する特徴を有する位相差プロファイルを有し、通過光の偏光状態に位相差を与える第１のダイクロイック要素と、
第１および第２の波長帯域の光を前記光路に沿って透過し、第３の波長帯域の光を前記光路上に反射するように配置され、透過性通過帯域効率、反射性通過帯域効率、および通過帯域エッジと関連する特徴を有する位相差プロファイルを有し、通過光の偏光状態に位相差を与える第２のダイクロイック要素と、
前記光路に沿って配置された、少なくとも１つの光学表面上で形成された、少なくとも１つの位相差補償多層薄膜スタックであって、前記位相差補償多層薄膜スタックは、前記表面上で入射する光に対し第１、第２、および第３の波長帯域の外側に存在する少なくとも１つの立ち上がりまたは立ち下がりエッジを提供するように構成され、前記位相差補償多層薄膜スタックのエッジと関連する特徴を有する位相差プロファイルを有し、これらの位相差は、少なくとも前記第１、第２、第３の波長帯域のいずれかにおいて、前記第１または第２のダイクロイック要素により与えられる位相差を減少させ、前記少なくとも１つの立ち上がりまたは立ち下がりエッジは１００ｎｍの波長帯域内に位置する、少なくとも１つの位相差補償多層薄膜スタックと、
を備える、ビーム指向アセンブリ。
【請求項２】
光学システムであって、
入射光波長範囲内において入射偏光と相互作用し、入射光波長範囲内において入射偏光に位相差を与える、１つ以上の光学システムコンポーネントと、
立ち上がりまたは立ち下がりエッジを提供し、該エッジは入射光波長範囲外のスペクトル領域にあり、前記立ち上がりまたは立ち下がりエッジに関連した位相差応答は、１つ以上の光学システムコンポーネントによって入射偏光に与えられた位相差を補償し、前記立ち上がりまたは立ち下がりエッジは入射光波長帯域の１００ｎｍ以内に位置する位相差補償多層薄膜スタックを有する光学表面と、
を備える光学システム。
【請求項３】
多層薄膜スタックとして形成された少なくとも第１および第２のフィルタを含むビーム結合装置からの位相差を補償するための方法であって、
前記第１および第２のフィルタにより与えられた通過光の偏光状態間の累積位相差を決定する工程であって、前記通過光は少なくとも第１、第２、および第３の波長帯域の光を含む工程と、
前記第１、第２、および第３の波長帯域の１つ以上の光の経路に位相補償フィルタを追加する工程と、
を含み、前記位相補償フィルタは、帯域通過フィルタまたはエッジフィルタのいずれかであり、前記位相補償フィルタは、前記第１、第２、および第３の波長帯域の外側の波長を反射または透過し、前記第１、第２、または第３の波長帯域内の波長で位相差補償を提供し、かつ、１００ｎｍの波長帯域内に位置する立ち上がりまたは立ち下がりエッジを有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強度を有する電磁放射ビームを発生させ、かつ検出するための光検出システムであって、
前記電磁放射ビームを生じさせるための発生源と、
少なくとも部分的に透明で、かつその主要部の少なくとも一部にＡＴＲセンサ層を含む主要部であって、前記電磁放射ビームのための入口表面、前記入口表面を通して送られた前記ビームを反射する内部反射表面、及び前記第２の表面から反射された前記ビームが前記透明主要部を出る出口表面を有する主要部と、
前記ビーム発生源と前記主要部の間の分布デバイスであって、前記ビームの強度を不均一強度分布から実質的に均一な強度分布に再分布させる分布デバイスと、
前記主要部を出る前記電磁放射ビームを検出する検出器と
を含む光検出システム。
【請求項２】
前記分布デバイスが、１つ以上の非球面レンズ、任意には凹非球面レンズ及び凸非球面レンズを含む、請求項１記載の光センサシステム。
【請求項３】
前記ビーム発生源と前記分布デバイスの間に第１のビームコリメータ及び／又は任意には前記分布デバイスと前記主要部の間に第２のビームコリメータをさらに含む、請求項１記載の光センサシステム。
【請求項４】
前記電磁放射ビームを生じさせるための発生源が、表面発光ダイオード、端面発光ダイオード、超発光ダイオード又はレーザ発生源の少なくとも１つを含んでおり、任意には前記電磁放射ビームを生じさせるための前記発生源が光ファイバに結合している、請求項１記載の光システム。
【請求項５】
前記分布デバイスの制御装置であって、相関手動制御装置、自動光学機械式制御装置、又は電子／光学機械式制御装置の１以上から選選択される制御装置をさらに含む、請求項１記載の光センサシステム。
【請求項６】
前記電磁放射の放射領域を拡大する拡大レンズサブシステムをさらに含んでおり、任意には前記拡大レンズサブシステムが、球面レンズ、非球面レンズ、アナモフィックレンズ又はそれらの組合せを含み、任意には前記拡大サブシステムの拡大範囲が２〜５倍である、請求項１記載の光センサシステム。
【請求項７】
強度を有するビームを生成する電磁放射発生源、流体フローセル、及び前記流体フローセンサに関連したＳＰＲ検出器を含む表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）検出システム用の光サブシステムであって、
前記ビームを平行にするレンズと、
前記ビームの強度が平頂分布を有するように前記ビームを修正する非球面レンズと、
前記修正されたビームを平行にする第２の非球面レンズと、
前記平行な修正されたビームをアナモフィックビームに変換し、さらに前記アナモフィックビームを、プリズムを介して、プラズモン発生金属膜と前記流体フローセルの界面に集束させる円柱レンズと
を含む光サブシステム。
【請求項８】
前記アナモフィックビームが、楔状ビームである、請求項７記載の光サブシステム。
【請求項９】
前記電磁放射発生源が、端面発光ダイオード、超発光ダイオード又はレーザ発生源の少なくとも１つを含んでおり、任意には前記電磁放射発生源が光ファイバに結合していて前記ファイバの出力が強度分布を有するビームである、請求項７記載の光サブシステム。
【請求項１０】
前記非球面レンズが、凹レンズ、凸レンズ又はそれらの組合せを含む、請求項７記載の光サブシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路ブロックの供給電圧を検知し、前記供給電圧が第１の電圧以下である場合、第１の制御信号を生成し、前記供給電圧が第２の電圧の所定の範囲内にある場合、第２の制御信号を生成する電圧検知モジュールと、
（ｉ）電力投入再設定の後に初めて前記供給電圧が前記回路ブロックに供給された場合、及び、（ｉｉ）前記第１の制御信号または前記第２の制御信号が受信された場合に、前記回路ブロックに供給されるクロック信号の周波数を、前記回路ブロックの通常の動作周波数未満の値に設定する周波数調節モジュールと
を備え、
前記通常の動作周波数は、０より大きい
システム。
【請求項２】
前記周波数調節モジュールは、（ｉ）前記第１の制御信号または前記第２の制御信号が受信された後に所定の時間が経った場合、及び、（ｉｉ）前記第２の制御信号が受信された場合に、前記回路ブロックに供給される前記クロック信号の周波数を、前記通常の動作周波数に設定する請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の電圧は前記第２の電圧より低い請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記周波数調節モジュールは、前記第１の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数から前記通常の動作周波数未満の値に切り替え、前記第２の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数未満の値から前記通常の動作周波数に切り替える請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
回路ブロックの供給電圧を検知し、前記供給電圧が前記供給電圧の所定の範囲の定格値以内である場合、第１の制御信号を生成し、（ｉ）前記供給電圧が所定の電圧以下である場合、かつ（ｉｉ）前記第１の制御信号が生成された電圧よりも前記供給電圧が低い場合、第２の制御信号を生成する電圧検知モジュールと、
前記第２の制御信号が受信されると、前記回路ブロックに供給されるクロック信号の周波数を、前記回路ブロックの通常の動作周波数未満の値に設定して、前記第１の制御信号がアサートされると、前記クロック信号の周波数を前記通常の動作周波数に設定する周波数調節モジュールと
を備え、
前記通常の動作周波数は、０より大きい
システム。
【請求項６】
前記第１の電圧は前記第２の電圧より低い請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記周波数調節モジュールは、前記第２の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数から前記通常の動作周波数未満の値に切り替え、前記第１の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数未満の値から前記通常の動作周波数に切り替える請求項５又は６に記載のシステム。
【請求項８】
回路ブロックの供給電圧を検知する段階と、
前記供給電圧が第１の電圧以下である場合、第１の制御信号を生成する段階と、
前記供給電圧が第２の電圧の所定の範囲以内である場合、第２の制御信号を生成する段階と、
（ｉ）電力投入再設定の後に初めて前記供給電圧が前記回路ブロックに供給された場合、及び、（ｉｉ）前記第１の制御信号または前記第２の制御信号が受信された場合に、前記回路ブロックに供給されるクロック信号の周波数を、前記回路ブロックの通常の動作周波数未満の値に設定する段階と
を備え、
前記通常の動作周波数は、０より大きい
方法。
【請求項９】
（ｉ）前記第１の制御信号または前記第２の制御信号が受信された後に所定の時間が経った場合、及び、（ｉｉ）前記第２の制御信号が受信された場合に、前記回路ブロックに供給される前記クロック信号の周波数を、前記通常の動作周波数に設定する段階をさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の電圧は前記第２の電圧より低い請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数から前記通常の動作周波数未満の値に切り替える段階と、
前記第２の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数未満の値から前記通常の動作周波数に切り替える段階と
をさらに備える請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
回路ブロックの供給電圧を検知する段階と、
前記供給電圧が前記供給電圧の所定の範囲の定格値以内である場合、第１の制御信号を生成する段階と、
（ｉ）前記供給電圧が所定の電圧以下である場合、かつ（ｉｉ）前記第１の制御信号が生成された電圧よりも前記供給電圧が低い場合、第２の制御信号を生成する段階と、
前記第２の制御信号が受信されると、前記回路ブロックに供給されるクロック信号の周波数を、前記回路ブロックの通常の動作周波数未満の値に設定する段階と、
前記第１の制御信号がアサートされると、前記クロック信号の周波数を前記通常の動作周波数に設定する段階と
を備え、
前記通常の動作周波数は、０より大きい
方法。
【請求項１３】
前記第１の電圧は前記第２の電圧より低い請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数から前記通常の動作周波数未満の値に切り替える段階と、
前記第１の制御信号が再度受信されると、前記周波数を、前記通常の動作周波数未満の値から前記通常の動作周波数に切り替える段階と
をさらに備える請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
コンピュータに、請求項８から１４のいずれか一項に記載の方法を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランスポンダを有するメディア・ユニットを第１の位置まで移動させるステップと、
列および行のアレイに配列されている複数の符号化素子の内少なくとも１つ以上を通じて、前記メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるステップと、
前記メディア・ユニットのトランスポンダに対して最適な符号化素子を決定するステップと、
を備えている、方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、更に、前記最適な符号化素子を、後続のメディア・ユニットのトランスポンダに対するデフォルト符号化素子として選択するステップを備えている、方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法であって、更に、第２メディア・ユニットと関連のあるリセット・イベントを特定するステップと、前記リセット・イベントを特定したときに、前記列および行のアレイに配列されている複数の符号化素子の内少なくとも１つを通じて、前記第２メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるステップと、前記第２メディア・ユニットに対して最適な符号化素子を決定するステップとを備えている、方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法において、前記列および行のアレイに配列されている複数の符号化素子の内少なくとも１つを通じて、前記メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるステップが、各符号化素子が最適な符号化素子である可能性に基づくシーケンスにしたがって、前記複数の符号化素子の内少なくとも１つを検査するステップを含む、方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法において、前記列および行のアレイに配列されている複数の符号化素子の内少なくとも１つを通じて、前記メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるステップが、複数の電力レベルにおいて前記メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるステップを含む、方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、前記メディア・ユニットのトランスポンダに対して最適な符号化素子を決定するステップが、１つ以上の成功した通信の試みと、通信が成功した各符号化素子の各位置とに基づく、方法。
【請求項７】
リーダと、給送路に沿って移動する多数の隣接するトランスポンダの中に配置されている目標トランスポンダとの間において選択的に通信を行うように構成されているシステムであって、
通信信号を送信するように構成されているリーダと、
複数の列および複数の行に配列されている複数の符号化素子を有する符号化モジュールであって、前記複数の列が前記給送路と平行に延び、前記複数の行が前記給送路に対して垂直に延びる、符号化モジュールと、
を備えている、システム。
【請求項８】
請求項７記載のシステムであって、更に、メディア・ユニットのトランスポンダに対して最適な符号化素子を決定するように構成されている回路を備えており、前記最適な符号化素子が、前記複数の符号化素子から選択される、システム。
【請求項９】
請求項８記載のシステムにおいて、前記回路が、更に、前記最適な符号化素子を、後続のメディア・ユニットのトランスポンダに対するデフォルト符号化素子として選択するように構成されている、システム。
【請求項１０】
請求項９記載のシステムにおいて、
前記回路が、更に、第２メディア・ユニットと関連のあるリセット・イベントを特定するように構成されており、 前記リセット・イベントを特定したときに、
前記リーダが、前記複数の列および複数の行に配列されている複数の符号化素子の内少なくとも１つ以上を通じて、前記第２メディア・ユニットのトランスポンダと通信しようと試みるように構成されており、
前記回路が、更に、第２の最適な符号化素子を前記第２メディア・ユニットに対して決定するように構成されている、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションからＩ／Ｏ要求を受信するステップと、
前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを、構成可能なキャッシュマップと比較するステップであって、前記構成可能なキャッシュマップは、Ｉ／Ｏタイプ及びファイルタイプに基づいて選択的なキャッシングを制御する、ステップと、
前記構成可能なキャッシュマップに基づいて前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを処理し、キャッシング決定を付与するステップと、
前記キャッシング決定に従って、前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれに対して選択的なキャッシングを実行するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記Ｉ／Ｏタイプ及び前記ファイルタイプは、前記Ｉ／Ｏ要求と関連するメタデータとして受信される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アプリケーションは、ファイルシステムキャッシュとは別個のアプリケーションキャッシュ内へのアプリケーションＩ／Ｏ要求のアプリケーション指向のキャッシングを実行する請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アプリケーションは、非キャッシュ通知をファイルシステムに提供してダイレクトＩ／Ｏを実行し、これにより、前記ファイルシステムが前記ダイレクトＩ／Ｏをキャッシングしないようにする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アプリケーションは、データベースアプリケーションである請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アプリケーションは、ＯＤＭに準拠したインターフェイスモジュールを介してファイルシステムとインターフェイスする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記構成可能なキャッシュマップは、ファイルシステムのコマンドラインインターフェイスを介してユーザー定義される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記構成可能なキャッシュマップは、ファイルシステムのＧＵＩインターフェイスを介してユーザー定義される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つのキャッシング決定により、ファイルシステムは、ファイルシステムキャッシュ内への先読みキャッシングを実行する請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記先読みキャッシングは、前記キャッシング決定及び前記構成可能なキャッシュマップに従って実行される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータシステムによって実行された場合に前記コンピュータシステムに方法を実行させるコンピュータ実行可能命令を含むプログラムであって、前記方法は、
データベースアプリケーションからＩ／Ｏ要求を受信するステップと、
前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを、構成可能なキャッシュマップと比較するステップであって、前記構成可能なキャッシュマップは、Ｉ／Ｏタイプ及びファイルタイプに基づいて選択的なキャッシングを制御し、前記Ｉ／Ｏタイプ及び前記ファイルタイプは、前記Ｉ／Ｏ要求と関連したメタデータを有する、ステップと、
前記構成可能なキャッシュマップに基づいて、前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを処理し、キャッシング決定を付与するステップと、
前記キャッシング決定に従って、前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれに対して選択的なキャッシングを実行するステップと、
を有する、プログラム。
【請求項１２】
前記データベースアプリケーションは、ファイルシステムキャッシュとは別個のアプリケーションキャッシュ内へのアプリケーションＩ／Ｏ要求のアプリケーション指向のキャッシングを実行する請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記データベースアプリケーションは、非キャッシュ通知をファイルシステムに提供してダイレクトＩ／Ｏを実行し、これにより、前記ファイルシステムが前記ダイレクトＩ／Ｏをキャッシングしないようにする請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記データベースアプリケーションは、ＯＤＭに準拠したインターフェイスモジュールを介してファイルシステムとインターフェイスする請求項１１に記載のプログラム。
【請求項１５】
コンピュータ可読ストレージ媒体に結合されると共にコンピュータ可読コードを実行するプロセッサを有するコンピュータシステムを有し、
前記コンピュータ可読コードは、前記コンピュータシステムに、
データベースアプリケーションからＩ／Ｏ要求を受信させ、
前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを、構成可能なキャッシュマップと比較させ、前記構成可能なキャッシュマップは、Ｉ／Ｏタイプ及びファイルタイプに基づいて選択的なキャッシングを制御し、且つ、前記Ｉ／Ｏタイプ及び前記ファイルタイプは、前記Ｉ／Ｏ要求と関連したメタデータを有し、
前記構成可能なキャッシュマップに基づいて、前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれを処理し、キャッシング決定を付与させ、
前記キャッシング決定に従って、前記Ｉ／Ｏ要求のそれぞれに対して選択的なキャッシングを実行させ、前記データベースアプリケーションは、ファイルシステムキャッシュとは別個のアプリケーションキャッシュ内へのアプリケーションＩ／Ｏ要求のアプリケーション指向のキャッシングを実行する、
データベースコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次冷媒を含有する一次冷凍ループと、二次冷媒を含有する二次冷凍ループと、一次および二次冷凍ループの両方に接触した熱交換器とを含む二次ループ冷凍システムにおける、（ａ）二次冷媒の少なくとも一部を二次ループから補助容器に流す工程と；（ｂ）流された二次冷媒の少なくとも一部を補助容器中のイオン液体で吸収してそれらの混合物を形成する工程とを含む、二次冷媒の貯蔵方法。
【請求項２】
第二冷媒をイオン液体から分離する工程と、分離した二次冷媒を補助容器から二次ループに逆に流し込む工程とをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
二次冷媒をイオン液体から分離する工程が前記イオン液体と吸収された二次冷媒との混合物を加熱することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一次冷媒を圧縮する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
一次冷媒をイオン液体に吸収する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
二次冷媒が二酸化炭素を含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
物体、媒体もしくは空間の温度を調節するための装置であって：
（ａ）一次冷媒を含有する一次冷凍ループ、凝縮器および膨張弁を含む一次冷凍モジュール；
（ｂ）二次冷媒を含有する二次冷凍ループ、およびエバポレーターを含む二次冷凍モジュール；
（ｃ）および一次および二次冷凍ループの両方に接触した熱交換器；および
（ｄ）少なくとも１つのイオン液体を含有し、流れ断続器を通して二次冷凍ループと流体連結している補助容器；
を含み、
ここで凝縮器が、加熱しようとする物体、媒体もしくは空間の近くに位置するか、またはエバポレーターが、冷却しようとする物体、媒体もしくは空間の近くに位置する、上記
装置。
【請求項８】
凝縮器が、加熱しようとする物体、媒体または空間の近くに位置する請求項７に記載の装置。
【請求項９】
エバポレーターが、冷却しようとする物体、媒体または空間の近くに位置する請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
一次冷媒を圧縮するための圧縮機をさらに含む請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
一次冷媒をイオン液体に吸収するための吸収器をさらに含む請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
補助容器と熱接触した熱源をさらに含む請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
流れ断続器が弁を含む請求項７に記載の装置。
【請求項１４】
弁が圧力リリーフ弁を含む請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
二次冷媒が二酸化炭素を含む請求項７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を微細構造化する方法であって、
ａ）前記基板の上面に粒子の層をコーティングする工程と、
ｂ）前記粒子を変性させる工程と、
ｃ）エッチマスクとして前記変性粒子を使用して、前記基板をエッチングする工程と、を含む、方法。
【請求項２】
前記粒子を変性させる工程が、反応性イオンエッチング又は酸素プラズマエッチングによって前記粒子を収縮することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記粒子を変性させる工程が、まず前記粒子を収縮すること、及び、その後に前記粒子を融解することを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイス構造上にデバイス特徴部を作製する方法であって、
第１の要素フォトリソグラフィマスクによって規定されるネガティブなフォトレジスト特徴部の第１のパターンであって、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反が無い、ネガティブなフォトレジスト特徴部の第１のパターンを前記半導体デバイス構造の目標材質の上に作製することと、
第２の要素フォトリソグラフィマスクによって規定されるネガティブなフォトレジスト特徴部の第２のパターンであって、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反が無い、ネガティブなフォトレジスト特徴部の第２のパターンであって、ネガティブなフォトレジスト特徴部の前記第１のパターンと共に、ネガティブなフォトレジスト特徴部の、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反の無い結合されたパターンを形成する、ネガティブなフォトレジスト特徴部の第２のパターンを前記目標材質の上に作製することと、
ネガティブなフォトレジスト特徴部の前記結合されたパターンをエッチングマスクとして用いて前記目標材質を選択的にエッチングすることによって前記目標材質内に凹部線パターンを形成することと、
前記目標材質を選択的にエッチングした後に、前記凹部線パターンの指定された区画と交差し且つ当該区画を覆う、ポジティブなフォトレジスト特徴部の第３のパターンであって、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反が無い、ポジティブなフォトレジスト特徴部の第３のパターンを形成することと、を備える方法。
【請求項２】
前記目標材質は第２の材質の層の上に形成され、
前記目標材質を選択的にエッチングすることは、前記第２の材質の一部を露出させ、
ポジティブなフォトレジスト特徴部の前記第３のパターンは前記第２の材質の露出させられた部分上に形成される請求項１の方法。
【請求項３】
前記目標材質及びポジティブなフォトレジスト特徴部の前記第３のパターンを第２のエッチングマスクとして用いて前記第２の材質を選択的にエッチングすることによって前記第２の材質内に溝を形成することを更に備える請求項２の方法。
【請求項４】
前記溝を電気伝導性材質で少なくとも部分的に埋めることを更に備える請求項３の方法。
【請求項５】
前記溝の少なくとも１つは二方向的である請求項３の方法。
【請求項６】
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体材質の層及び半導体材質の前記層の上の絶縁材質の層を備える半導体デバイス構造を提供することと、
絶縁材質の前記層の上にハードマスク材質の層を形成することと、
第１のフォトリソグラフィマスクを用いて形成される第１のネガティブなフォトレジスト特徴部と、第２のフォトリソグラフィマスクを用いて形成される第２のネガティブなフォトレジスト特徴部とを備える、ネガティブなフォトレジスト特徴部の結合されたパターンをハードマスク材質（４０８）の前記層の上に作製することであって、前記第１のネガティブなフォトレジスト特徴部、前記第２のネガティブなフォトレジスト特徴部及びネガティブなフォトレジスト特徴部の前記結合されたパターンの各々は、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反が無いことと、
ネガティブなフォトレジスト特徴部の前記結合されたパターンをエッチングマスクとして用いてハードマスク材質の前記層を選択的にエッチングすることによってポジティブハードマスクパターン及びネガティブ凹部線パターンを前記ハードマスク材質内に規定することと、
ハードマスク材質の前記層を選択的にエッチングした後に、前記ネガティブ凹部線パターン内に規定される１つ以上の凹部線と交差し且つ当該凹部線を覆うポジティブなフォトレジスト特徴部のパターンであって、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反が無い、ポジティブなフォトレジスト特徴部のパターンを前記絶縁材質の上に作製することと、を備える方法。
【請求項７】
前記ポジティブハードマスクパターン及び前記ポジティブなフォトレジスト特徴部を第２のエッチングマスクとして用いて前記絶縁材質を選択的にエッチングすることによって前記絶縁材質内に溝を形成することを更に備える請求項６の方法。
【請求項８】
前記ポジティブハードマスクパターンを前記半導体デバイス構造から除去することと、
前記ポジティブなフォトレジスト特徴部を前記半導体デバイス構造から除去することと、を更に備える請求項７の方法。
【請求項９】
前記溝内に電気伝導性材質を堆積させることを更に備える請求項８の方法。
【請求項１０】
前記溝の少なくとも１つは二方向的である請求項７の方法。
【請求項１１】
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体材質の層と、前記半導体材質の層の上の絶縁材質の層とを備える基板にハードマスク材質の層を形成することであって、前記ハードマスク材質の層を前記絶縁材質の層の上に形成することと、
ネガティブなフォトレジスト特徴部の、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反の無い結合されたパターンを前記ハードマスク材質の層の上に生成するために、多重露光フォトリソグラフィ手順を実行することと、
ネガティブなフォトレジスト特徴部の前記結合されたパターンによって規定される凹部線パターンを前記ハードマスク材質に形成することと、
前記凹部線パターンの指定された区画を、先端・先端間及び先端・線間の設計規則違反の無い、ポジティブなフォトレジスト特徴部の遮断パターンで覆うことと、
ポジティブなフォトレジスト特徴部の前記遮断パターンと、前記ハードマスク材質の前記凹部線パターンとによって規定される溝のパターンを前記絶縁材質に形成することと、
前記溝内に電気伝導性材質を堆積させることによって、半導体デバイス用の導電線を形成することと、を備える方法。
【請求項１２】
前記凹部線パターンを形成することは、ネガティブなフォトレジスト特徴部の前記結合されたパターンをエッチングマスクとして用いて、前記ハードマスク材質の層をエッチングすることを備える請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記溝のパターンを形成することは、ポジティブなフォトレジスト特徴部の前記遮断パターンと前記ハードマスク材質とをエッチングマスクとして用いて、前記絶縁材質の層をエッチングすることを備える請求項１１の方法。
【請求項１４】
前記溝のパターンを形成することは、ポジティブなフォトレジスト特徴部の前記遮断パターンと前記ハードマスク材質とをエッチングマスクとして用いて、前記絶縁材質の層の下の絶縁材質の第２の層をエッチングすることを更に備える請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記溝のパターンを形成することは、前記半導体デバイスのトランジスタゲート構造で終了する少なくとも１つの溝を形成することを備える請求項１１の方法。
【請求項１６】
前記溝のパターンを形成することは、前記半導体デバイスの活性トランジスタ領域で終了する少なくとも１つの溝を形成することを備える請求項１１の方法。
【請求項１７】
前記溝のパターンを形成することは、前記絶縁材質の層の下の絶縁材質の第２の層で終了する少なくとも１つの溝を形成することを備える請求項１１の方法。
【請求項１８】
前記凹部線パターンを形成することは、二方向的な凹部線のパターンを形成することを備える請求項１１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラウドコンピューティングプラットフォームにおいてブロブとしての仮想ハードドライブを管理するコンピュータ実装方法であって：
一つまたはそれ以上のアプリケーションに対して仮想ハードドライブとして公開されるブロブをブロブストア内に作成するステップと、
前記仮想ハードドライブをマウントするステップと、
前記仮想ハードドライブへの読み出し及び書き込み要求を管理するステップと、を含み、
前記ブロブ内に保管されたデータを追加のアプリケーションが同時に読み出すことを許可するブロブインターフェースを介して、前記ブロブのスナップショットが作成される、
ことを特徴とするコンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記一つまたはそれ以上のアプリケーションは、仮想マシン上で実行され、かつ、
前記読み出し及び書き込み要求は、前記クラウドコンピューティングプラットフォーム内のドライバによって管理される、
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項３】
前記方法は、さらに、
前記仮想ハードドライブをＮ−Ｔ−Ｆ−ＳファイルシステムまたはＦ−Ａ−Ｔファイルシステムの内の一つとしてフォーマッティングするステップと、を含む
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項４】
ドライバは、前記仮想ハードドライブに対する全てのＩ／Ｏ要求を遮り、かつ、前記Ｉ／Ｏ要求をブロブストア内のブロブに迂回させ、
ブロブは、前記ドライバが利用可能なブロブインターフェースを介してアクセスされ、かつ、操作される、
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項５】
ブロブは、幾つかのアプリケーションが利用可能なブロブインターフェースを介して、アップロード、ダウンロード、又は、デバッグされる、
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項６】
前記Ｉ／Ｏ要求内のアプリケーションの書込みは、前記アプリケーションに成功のアクノリッジを返す前に前記ブロブストアに送られ、
所定の期間後に終了するブロブリースを介して、アプリケーションのためのブロブに対して排他的書き込みアクセスが提供され、
他のアプリケーションが前記ブロブから読み出すことが許可されている間、前記アプリケーションは、前記リースの有効性に基いて条件的に前記ブロブに書き込む、
請求項１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項７】
クラウドコンピューティングプラットフォーム内で仮想ハードドライブをブロブとして管理する方法を実行する命令を格納した一つまたはそれ以上のコンピュータで読取り可能な媒体であって、前記方法は：
前記クラウドコンピューティングプラットフォーム内の仮想マシン上で実行しているアプリケーションから、仮想ハードドライブに対するＩ／Ｏ要求を受け取るステップと、
前記仮想ハードドライブに対するＩ／Ｏ要求をドライバによって管理するステップと、を含み、
前記ドライバはブロブストア内のブロブに対する重複したＩ／Ｏ要求を整理し、かつ、重複しないＩ／Ｏ要求を平行して前記ブロブストア内のブロブに送出する、
ことを特徴とする媒体。
【請求項８】
以前の書き込みを、前記クラウドコンピューティングプラットフォーム内に依然として残っている同一のデータに対する古い書き込みによって上書きすることを防止するために、シーケンス番号が前記Ｉ／Ｏ要求と関連付けられている、
請求項７に記載のコンピュータで読取り可能な媒体。
【請求項９】
前記ブロブストアによりアクノリッジされなかった以前の書き込みを無視するために、前記ドライバがシーケンス番号を増加させる、
請求項８に記載のコンピュータで読取り可能な媒体。
【請求項１０】
前記方法は、さらに、
前記仮想マシン上のローカルキャッシュを書き込み要求によって更新すること、を含み、
前記ローカルキャッシュの更新は、前記ブロブストアからアクノリッジが受信された後、又は、前記ブロブストアへの書き込みと並行しているが前記ブロブストアからアクノリッジが受信された後に更新が可能である場合、のいずれかに発生し、
キャッシュとブロブが不一致の場合、アプリケーション又は仮想マシンの故障の後に前記ローカルキャッシュの全て又は一部分がクリアされる、
請求項７に記載のコンピュータにより読取り可能な媒体。
【請求項１１】
仮想ハードドライブをブロブとして管理するクラウドコンピューティングプラットフォームであって：
データを読み出し、及び、書き込むために仮想ハードドライブにアクセスするアプリケーションを実装する仮想マシンを実行するように構成されたファブリックコンピュータと；
仮想ハードドライブとして前記アプリケーションに公開されたブロブを格納するように構成されたブロブストアと、
を含み、
異なるアプリケーションプログラミングインターフェースとセマンティックが、ブロブと仮想ハードドライブに対するアクセスを可能にする、
ことを特徴とするクラウドコンピューティングプラットフォーム。
【請求項１２】
前記ファブリックコンピュータは、
ブロブデータをキャッシュするローカルキャッシュと、
ブロブ指令を格納するブロブライブラリーと、
仮想ハードドライブＩ／Ｏ命令をブロブ指令に翻訳するドライバと、を含む、
請求項１１に記載のクラウドコンピューティングプラットフォーム。
【請求項１３】
前記ローカルキャッシュは、各データブロックに対して前記データブロックを使用する前に前記データブロック内にエラーが存在するか否かを判別する巡回冗長検査コードを格納する、
請求項１２に記載のクラウドコンピューティングプラットフォーム。
【請求項１４】
前記アプリケーションが、前記ローカルキャッシュ内に格納されたデータを使用して要求を完結することが可能なように、前記ローカルキャッシュと前記ブロブが同期される、
請求項１３に記載のクラウドコンピューティングプラットフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジング（２０４）と
回路キャリヤ入力接点（２１２）および回路キャリヤ出力接点（２１６）を含む少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）と、
表示デバイスまたは出力デバイス（２０６）と、
エラストマーマット（１０２）とを備えた電子デバイス（１０００）であって、
前記エラストマーマット（１０２）が、
入力突起または入力伝達パス（１１６）と、
出力デバイス接点（１１４）を備える出力デバイス受入面（１１２）を画定する出力導電性パス（１０４）と、
電源接点（１１０）を備えるバッテリー受入凹部（１０８）と、
回路キャリヤ電力接点（２１４）を前記電源接点（１１０）に電気的に連結する電源導電性パス（１０６）とを含み、
前記エラストマーマット（１０２）が、前記出力導電性パス（１０４）を前記回路キャリヤ出力接点（２１６）に電気的に連結するために、前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）と結合し、
前記エラストマーマット（１０２）が、前記表示デバイスを前記出力デバイス接点（１１４）に電気的に結合するために、前記出力デバイス受入面（１１２）上の前記表示デバイスと結合し、
前記エラストマーマット（１０２）、前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）および前記表示デバイスが前記ハウジング（２０４）内に配置されることを特徴とする電子デバイス（１０００）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの回路キャリヤが、第一プリント回路基板（ＰＣＢ）（２０２）および第二プリント回路基板（ＰＣＢ）（１００２）を備えることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項３】
前記エラストマーマット（１０２）が、複数の配置調整機構をさらに備え、前記配置調整機構が、前記第一ＰＣＢ（２０２）、前記第二ＰＣＢ（１００２）および前記ハウジング（２０４）のうち少なくとも１つと、前記エラストマーマット（１０２）の配置ズレを防ぐよう構築されることを特徴とする請求項２記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項４】
前記エラストマーマット（１０２）が、前記ハウジング（２０４）の少なくとも２つの対向面に係合する大きさであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項５】
前記エラストマーマット（１０２）が、前記ハウジング（２０４）への所定の機械的な衝撃または方向性の機械的な衝撃に応じて、前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）が閾値加速度よりも小さい加速度を受けるような衝撃吸収手段または方向性衝撃吸収手段を備えることを特徴とする請求項４記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項６】
前記エラストマーマット（１０２）が、前記ハウジング（２０４）内の閉じ目に介装されたシールリップ（４０２）をさらに備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項７】
前記エラストマーマット（１０２）が、第一の面で第一回路キャリヤ（２０２）と係合し、第二の面で第二回路キャリヤ（１００２）と係合していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項８】
前記エラストマーマット（１０２）が、前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）に２面で係合していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項９】
前記入力伝達パス（１１６）が、外部の機械的な入力を前記回路キャリヤ入力接点（２１２）に伝達するよう構築されている前記エラストマーマット（１０２）の突起を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子デバイス（１０００）。
【請求項１０】
ハウジング（２０４）、少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）ならびに表示デバイスまたは出力デバイス（２０６）を備える電子デバイス（１０００）を製造する方法であって、
前記製造方法が、
入力突起または入力伝達パス（１１６）と、電源接点（１１０）を備えるバッテリー受入凹部（１０８）とを有する成形エラストマーマット（１０２）を提供する工程と、
出力デバイス接点（１１４）を備える出力デバイス受入面（１１２）を画定する出力導電性パス（１０４）を前記エラストマーマット（１０２）にインサート成形する工程と、
回路キャリヤ電力接点（２１４）を前記電源接点（１１０）に電気的に連結する電源導電性パス（１０６）を前記エラストマーマット（１０２）にインサート成形する工程と、
前記エラストマーマット（１０２）を前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）と結合する工程と、
前記入力突起を回路キャリヤ入力接点（２１２）と合わせ、前記出力導電性パス（１０４）が回路キャリヤ出力接点（２１６）に電気的に連結される工程と、
前記エラストマーマット（１０２）を前記出力デバイス受入面（１１２）上の前記表示デバイスと結合し、前記表示デバイスを前記出力デバイス接点（１１４）に電気的に結合する工程と、
前記エラストマーマット（１０２）、前記少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）および前記表示デバイスを前記ハウジング（２０４）内に配置する工程とを含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記方法が、
複数の配置調整機構を前記エラストマーマット（１０２）に設ける工程と、
前記エラストマーマット（１０２）に少なくとも１つの回路キャリヤ（２０２、１００２）を結合する工程、前記表示デバイスを前記出力デバイス受入面（１１２）に結合する工程、および前記エラストマーマット（１０２）を前記ハウジング（２０４）内に配置する工程のうち少なくとも１つを前記配置調整機構に応じて実行する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記エラストマーマット（１０２）にシールリップ（４０２）を付与する工程と、
前記ハウジング（２０４）の閉じ目に前記シールリップ（４０２）を介装する工程とをさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各データサンプルが視覚特性または音声特性を表す値を有する複数のデータサンプルの形態で、画像および／または音声をデジタル処理する方法であって、
データ値の第１所定範囲外の値を有するデータサンプルの第１セットを識別するステップと、
データ値の第２所定範囲以外の値を有するデータサンプルの第２セットを識別するステップであって、該第２所定範囲は前記第１所定範囲内であるステップと、
前記データサンプルの第１セットおよび第２セットのデータ値に、複数の非線形スケーリング係数を含む非線形スケーリングアルゴリズムであって、当該複数の非線形スクーリング係数のうち少なくとも一つが、画像データの場合には人間の目の非線形な反応に、音声データの場合には人間の耳の非線形な反応に基づくような非線形スケーリングアルゴリズムを適用して、前記第１所定範囲内のデータ値を有する修正データサンプルのセットを生成するステップとを含む方法において、
前記データサンプルの第１セットの識別後、該第１セット内における、所定のマージンを超えない分だけ該データ値の第１範囲を外れる値を有するデータサンプルの数を決定し、
前記決定したデータサンプルの数が所定数以下である場合にはさらなる方法のステップを行わず、残りの方法のステップを行うことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記複数のデータサンプルの最大値および最小値を決定するステップをさらに含み、前記非線形スケーリングアルゴリズムは、前記最大または最小のデータサンプル値の内の一つに依存する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、時間的に接続された一連の視覚的画像内で前記データサンプルの複数の第１セットおよび第２セットを識別するステップをさらに含み、データサンプルの各第１セットは、空間的に接続された領域内に位置するとともにデータサンプルの対応する第２セットのサブセットであり、各第２セットは、前記第１及び第２セットの対応する位置が少なくとも部分的に重複する、後のまたは前の視覚的画像内における空間的に接続された領域内に位置する、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、視覚的画像内の各々の第１セット内の最大および最小のデータサンプル値を決定するステップと、前記非線形スケーリングアルゴリズムを、時間的に前のまたは後の視覚的画像内からのデータサンプルの前記第１セットおよび第２セットの内の対応するセットに、前記前のまたは後の視覚的画像内の該データサンプルの値が前記第１の所定の範囲の外に位置するか否かにかかわらず適用するステップとをさらに含む方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、データサンプルの各第２セットは、データ値の対応する第２所定範囲を有する方法。
【請求項６】
請求項３に記載の方法において、前記非線形スケーリングアルゴリズムは、対応するデータセットのデータ値とは関係なく、一つまたは複数のデータサンプル内のデータサンプルの対応する第１セットおよび第２セットに適用される方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記複数のデータサンプルが画像データを表す場合、前記非線形スケーリング係数はガンマ補正値である方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記複数のデータサンプルが音声データを表す場合、前記非線形スケーリング係数は対数値である方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記所定マージンはプラスマイナス３％である方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、前記所定数は最大で５％までである方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載の方法をデータ処理ハードウェアに実行させる指示データを含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動モノポールエレメントと，
前記駆動モノポールエレメントのまわりに環状配列で配置される寄生モノポールエレメントの配列と，を含む
アンテナ装置であって，
前記寄生モノポールエレメントは，曲がっている，もしくは，湾曲している立体形状であり，
前記駆動モノポールエレメントは，調節された波長の実質的に１／８の高さ又は１／８以下の高さを有し，
前記寄生モノポールエレメントは，調節された波長の実質的に１／４の長さを有し，
前記寄生モノポールエレメントは，前記駆動モノポールエレメントの高さに相当する最大の高さを有するように，曲がっている，もしくは，湾曲している，
アンテナ装置。
【請求項２】
前記寄生モノポールエレメントが，前記駆動モノポールエレメントに向かって曲がっている，もしくは，湾曲している，
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項３】
各々の前記寄生モノポールエレメントが，前記駆動モノポールエレメントと平行である，もしくは，実質的に平行な部分を有する，
請求項１又は２に記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記駆動モノポールエレメントが，先端にディスクを備えている，
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記寄生モノポールエレメントが６つ備えられている，
請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記寄生モノポールエレメントが，規則的な放射間隔によって相互に間隔を置いて配置される，
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項７】
前記アンテナ装置は，接地スリーブを含み，前記接地スリーブの上に前記モノポールエレメントを備えている，
請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記接地スリーブが，前記接地スリーブの両端で第１及び第２の接地板を含み，前記第１及び第２の接地板の各々が，前記駆動モノポールエレメント及び前記寄生モノポールエレメントのセットを含む，
請求項７に記載のアンテナ装置。
【請求項９】
前記駆動モノポールエレメント及び前記寄生モノポールエレメントが，類似したビームを発生することができる，
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項１０】
前記接地スリーブが，実質的に波長の１／４の深さと，実質的に前記波長の３／１６の半径を有し，前記波長は前記アンテナ装置が調節される波長である，
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項１１】
誘電天板が，前記駆動モノポールエレメント及び前記寄生モノポールエレメントの端と接触して配置される，
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項１２】
前記アンテナ装置が，コンパクトな電子走査導波器アレイ（ＥＳＰＡＲ）アンテナを提供する，
請求項１に記載のアンテナ装置。
【請求項１３】
前記アンテナ装置が，２．４ＧＨｚから２．５ＧＨｚまでの周波数帯をカバーする，
請求項１２に記載のアンテナ装置。
【請求項１４】
前記アンテナ装置は，上部と下部のモノポールエレメントのセットが，異なるアンテナ機能を提供するよう作動し得る二重アンテナ構造を備える，
請求項１から請求項１３のいずれか１項に記載のアンテナ装置。
【請求項１５】
第１のモノポール構造が，通信基地局の方向に第１のビームを進めるよう作動でき，その間に，第２のモノポール構造が，他のユーザーの方向に，第２のビームを進めるよう作動できる，
請求項１４に記載のアンテナ装置。
【請求項１６】
望ましい信号の方向を推定し，望ましい信号の方へメインローブを形成し，そして，電波障害の方向で消失を自動的に形成するために，アンテナ装置の適応ビーム操縦を提供するステップを含む，
アンテナ装置を作動する方法。
【請求項１７】
請求項１から請求項１５のいずれか１項に記載のアンテナ装置を含む通信システム。