【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の材料を有する基板と、
前記基板の第１の領域上に形成された第２の材料と
前記基板の第２の領域上に形成された、前記第２の材料とは表面エネルギーまたは表面曲
率が異なる第３の材料とを有し、
前記第２の材料および前記第３の材料とは、化学的または物理的性質が異なるものであり
、
表面エネルギーまたは表面曲率が前記第２の材料よりも前記第３の材料の方が大きく、
前記第３の材料は金属であり、
前記第２の材料と前記第３の材料を合計した平均膜厚Ｄｔと記録マークの最小の大きさＳｍの関係が、式（１）かつ式（２）、または式（３）かつ式（４）、
Ｄｔ＊１０／Ｚ  ≦  Ｓｍ              式（１）
Ｚ  ≦  ４              式（２）
Ｄｔ＊１０／４  ≦  Ｓｍ              式（３）
Ｚ  ＞  ４              式（４）
ただし、Ｚは前記第３の材料の表面エネルギーと前記第２の材料の表面エネルギーの比、を満たし、
かつ、前記第３の材料で形成された領域で、前記第２の材料を２０％未満の範囲で含むものであり、前記第２の材料または前記第３の材料が溶融することにより、記録または再生が行われることを特徴とする情報記録媒体。
【請求項２】
前記第３の材料が、Ａｕ、Ａｇ，Ｚｎ、Ｔｉ，Ｗ，ＣｕまたはＰｄであることを特徴とする請求項１に記載の情報記録媒体。
【請求項３】
前記第３の材料で形成された領域において、
前記第１の材料に接する側と曲率を持つ表面側とでは前記第２の材料の含有量が異なり、
前記第１の材料に接する側の方が前記第２の材料をより多く含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項４】
前記基板は、凹凸を有し、
前記凹部に前記第３の材料が、前記凸部に前記第２の材料が形成されていることを特徴と
する請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項５】
前記第２の材料の領域は、第１の膜と第２の膜の積層構造であることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項６】
前記第２の材料は、第１の情報記録層として用いられ、
前記第２の材料上に、中間層を介して第２の情報記録層が設けられ、
前記第２の情報記録層を読み出す際に、光ビームが、前記第１の情報記録層を介して照射
されるようにされた請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項７】
前記第２の材料と前記第３の材料とは、溶融温度が低い方の溶融時の光学特性と、溶融温
度の高い方の光学特性が異なることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項８】
前記情報記録媒体のユーザーデータの記録領域は、前記第２の材料または前記第３の材料いずれか一方が存在し、
ユーザデータの記録領域以外の領域においては、前記第２の材料と前記第３の材料が混ざるもしくは層状になっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項９】
前記情報記録媒体の第一の材料は、前記第２の材料と前記第３の材料とを分離するためのエネルギー照射で溶融しない材料であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の情報記録媒体。
【請求項１０】
表面に第１の材料を有する基板と、
前記基板の第１の領域上に形成された第２の材料と、
前記基板の第２の領域上に形成された、前記第２の材料とは表面エネルギーまたは表面曲
率が異なる第３の材料とを有し、
前記第２の材料および前記第３の材料とは、化学的または物理的性質が異なるものであり
、
表面エネルギーまたは表面曲率が前記第２の材料よりも前記第３の材料の方が大きく、
前記第３の材料は金属であり、
前記第２の材料と前記第３の材料を合計した平均膜厚Ｄｔと記録マークの最小の大きさＳｍの関係が、式（１）かつ式（２）、または式（３）かつ式（４）、
Ｄｔ＊１０／Ｚ  ≦  Ｓｍ              式（１）
Ｚ  ≦  ４              式（２）
Ｄｔ＊１０／４  ≦  Ｓｍ              式（３）
Ｚ  ＞  ４              式（４）
ただし、Ｚは前記第３の材料の表面エネルギーと前記第２の材料の表面エネルギーの比、を満たし、
かつ、前記第３の材料で形成された領域で、前記第２の材料を２０％未満の範囲で含むものである情報記録媒体を用い、
前記媒体にエネルギーを与えることにより、前記第２の材料と前記第３の材料の何れか一方を溶解させるステップと、
前記溶解させた領域から、再生信号を取得するステップとを有することを特徴とする情報
再生方法。
【請求項１１】
前記第３の材料が、Ａｕ、Ａｇ，Ｚｎ、Ｔｉ，Ｗ，ＣｕまたはＰｄであることを特徴とする請求項１０に記載の情報記録媒体。
【請求項１２】
表面に第１の材料を有する基板と、
前記基板の第１の領域上に形成された、ユーザデータ記録領域として用いられる第２の材
料と、
前記基板の第２の領域上に形成された、前記第２の材料及び第３の材料が混ざるもしくは
層状になったユーザデータ非記録領域とを有する媒体を用い、
前記第２の材料の所定の領域を溶融し、情報を記録することを特徴とする情報記録方法
。
【請求項１３】
前記ユーザデータ非記録領域は、前記基板の内周側または／及び外周側であることを特徴
とする請求項１２に記載の情報記録方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（本発明の情報記録方式及び情報記録媒体）
図１０は、この発明の第４実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この
媒体は、表面に凹凸ＲＯＭパターンを有する基板１０１上で、凹部には主成分Ａｕからな
る機能材料Ｃ１０２、凸部には主成分Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる機能材料Ｂ１０３が分離
しており、表面が保護基板１０４で覆われている構成となっている。ここではＡｕがスペ
ース、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅがマークである。機能材料Ｃ１０２は、機能材料Ｂ１０３に比べ
て曲率の大きな曲面を有していた。また、各機能材料の厚さを測定したところ、機能材料
Ｃの厚さＤＨは、機能材料Ｂより厚いことがわかった。両機能材料厚さが異なる場合、次
の工程における歩留まりが向上した。ここでは、保護基板形成時の貼合せムラが減り、歩
留まりが向上した。製膜する場合は、膜の均一性が高くなり、歩留まりが向上する。
記録マーク形成は次のようにして作製された。図１１に記録マーク形成方式を示した。
まず、表面に凹凸ＲＯＭパターンを有する直径１２ｃｍ、厚さ１．１ｍｍのガラス保護基
板１０１上（工程１）に、Ａｕ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅよりなる記録マーク形成膜１１２を２
５nm、スパッタリングにより形成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
このように、保護基板側から再生を行うことにより、基板にＳｉのような透過率の低い
材料を用いることが可能となった。また、Ｓｉのような鏡面を有する材料を基板に用いることにより、再生時のノイズを低く出来るというメリットがあった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
実施例９は、表面エネルギーの違いにより記録マークが一度に大量に形成される別の
例について説明する。
（本発明の情報記録方式及び情報記録媒体）
図１８は、この発明の第９実施例のディスク状情報記録媒体の断面構造図を示す。この
媒体は、表面に凹凸ＲＯＭパターンを有する基板１８１上で、凹部１８２には膜がなく、
凸部１８３には主成分Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅからなる機能材料１８５が存在しており、表面が
保護基板１８６で覆われている構成となっている。ここではＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅがマークで
あり、スペース部には記録膜がない。