Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末を含み、前記複数の端末間で前記複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成システムであって、
各前記端末は、
前記複数の通信ネットワークを用いて他の端末と通信するための通信インタフェース手段と、
前記複数の通信ネットワークをそれぞれ複数のチャネルに離隔して通信を行うための通信制御手段と、
前記複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、前記各チャネルについての評価値とを記憶するための記憶手段と、
前記各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するための更新値共有手段と、
前記共有した更新値に基づいて、前記評価値を更新するための評価値更新手段と、
更新された各前記チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、前記複数のチャネルを動的に離隔するための動的離隔手段とを備える、ネットワーク構成システム。
【請求項２】
異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末間で前記複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成方法であって、
各前記端末において、前記複数の通信ネットワークをそれぞれ複数のチャネルに離隔して通信を行うステップと、
前記複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、前記各チャネルについての評価値とを記憶するステップと、
前記各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するステップと、
前記共有した更新値に基づいて、前記評価値を更新するステップと、
更新された各前記チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、前記複数のチャネルを動的に離隔するステップとを備える、ネットワーク構成方法。
【請求項３】
異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末間で前記複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成処理を各端末のコンピュータに実行させるためのネットワーク構成プログラムであって、
前記プログラムは、
各前記端末において、前記複数の通信ネットワークをそれぞれ複数のチャネルに離隔して通信を行うステップと、
前記複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、前記各チャネルについての評価値とを記憶するステップと、
前記各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するステップと、
前記共有した更新値に基づいて、前記評価値を更新するステップと、
更新された各前記チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、前記複数のチャネルを動的に離隔するステップと
をコンピュータに実行させる、ネットワーク構成プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的を達成するために、本発明のネットワーク構成システムは、異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末を含み、複数の端末間で複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成システムであって、各端末は、複数の通信ネットワークを用いて他の端末と通信するための通信インタフェース手段と、複数の通信ネットワークを複数のチャネルに離隔して通信を行うための通信制御手段と、複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、各チャネルについての評価値とを記憶するための記憶手段と、各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するための更新値共有手段と、共有した更新値に基づいて、評価値を更新するための評価値更新手段と、更新された各チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、そのチャネルを複数のチャネルに動的に離隔するための動的離隔手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明の他の局面に従うと、異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末間で複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成方法であって、各端末において、複数の通信ネットワークを複数のチャネルに離隔して通信を行うステップと、複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、各チャネルについての評価値とを記憶するステップと、各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するステップと、共有した更新値に基づいて、評価値を更新するステップと、更新された各チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、そのチャネルを複数のチャネルに動的に離隔するステップとを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明のさらに他の局面に従うと、異なる種類の複数の通信ネットワークが存在する環境において、複数の端末間で複数の通信ネットワークを選択的に用いて通信するためのネットワーク構成処理を各端末のコンピュータに実行させるためのネットワーク構成プログラムであって、プログラムは、各端末において、複数の通信ネットワークを複数のチャネルに離隔して通信を行うステップと、複数のチャネルのうち、いずれのチャネルを使用するかに関するチャネル利用情報と、各チャネルについての評価値とを記憶するステップと、各チャネルでの通信に対する評価値の更新値を他の端末との間で共有するステップと、共有した更新値に基づいて、評価値を更新するステップと、更新された各チャネルの評価値が所定値を超えることに応じて、そのチャネルを複数のチャネルに動的に離隔するステップとをコンピュータに実行させる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
続いて、図９に示すように、全面にレジスト膜を塗布し、フォトリソフグラフィーを用いてトレンチ形成用のレジストパターン５０を形成し、このレジストパターン５０及びシリコン窒化膜８をマスクとして、内壁酸化膜２５及びシリコン層３に対しエッチング処理を施しトレンチを形成する。このとき、シリコン層３の全てを除去して（フルトレンチ分離(FTI(Full Trench Isolation)））、埋込酸化膜２の表面が露出した開口部４１を得る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
厚膜ＳＯＩ領域１０１に形成されるボディ厚膜トランジスタＱ１のボディ領域のＳＯＩ膜厚ｔａ１が１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に設定され、ソース・ドレイン領域のＳＯＩ膜厚ｔａ２は４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定され、薄膜ＳＯＩ領域１０２に形成されるボディ薄膜トランジスタＱ２のＳＯＩ膜厚ｔｂは４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定され、ｔａ１＞ｔａ２，ｔｂの関係となる。なお、ＳＯＩ膜厚ｔａ２及びＳＯＩ膜厚ｔｂは同程度であればその大小関係はさほど重要でない。また、シリコン酸化膜１０下に残存するシリコン層３の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６１】
なお、シリコン窒化膜には圧縮型と伸縮型があるが、ＮＭＯＳトランジスタには伸長型のシリコン窒化膜、ＰＭＯＳトランジスタには圧縮型のシリコン窒化膜を用いることにより、それぞれキャリア移動度の向上、駆動電流の増加効果を奏する。なお、シリコン窒化膜による応力は窒化膜成膜条件により変わり、水素含有量とＳｉＨ4ガスの圧力等がパラメータとなっている。なお、シリコン窒化膜による応力及び応力によるトランジスタ特性の影響に関しては例えば文献「Shinya Ito et al.,IEDM Tech. Dig.,pp.247-250(2000),"Mechanical Stress Effect of Etch-Stop Nitride and its Impact on Deep Submicron Transistor Design"」に開示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９５】
厚膜ＳＯＩ領域１０１に形成されるボディ厚膜トランジスタＱ１，Ｑ３のボディ領域のＳＯＩ膜厚ｔａ１が１００ｎｍ〜２００ｎｍの範囲に設定され、ボディ厚膜トランジスタＱ１のソース・ドレイン領域３２のＳＯＩ膜厚ｔａ２は４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定され、薄膜ＳＯＩ領域１０２に形成されるボディ薄膜トランジスタＱ２のＳＯＩ膜厚ｔｂは４０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲に設定され、ｔａ１＞ｔａ２，ｔｂの関係となる。なお、ＳＯＩ膜厚ｔａ２及びＳＯＩ膜厚ｔｂは同程度であればその大小関係はさほど重要でない。また、シリコン酸化膜１０下に残存するシリコン層３の膜厚は１０ｎｍ〜５０ｎｍに設定される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿画像を読み取って電子データを生成する画像処理装置であって、
前記電子データを生成する際に実行可能な複数段階の画像処理のうち、実行すべき処理段階を特定する特定手段と、
前記原稿画像を読み取って原稿画像データを得る読み取り手段と、
前記原稿画像データに対し、前記複数段階の画像処理のうち、前記特定手段で特定された処理段階までの画像処理を実行する第１の画像処理手段と、
前記複数段階の画像処理のうち、前記特定手段で特定された処理段階に後続する画像処理についての処理パラメータを取得するパラメータ取得手段と、
前記第１の画像処理手段で処理された原稿画像データに対し、前記特定手段で特定された処理段階および前記パラメータ取得手段で取得した処理パラメータを付加して、前記電子データとして保持する保持手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
さらに、前記保持手段に保持された電子データから前記処理段階および前記パラメータを検出する検出手段と、
前記電子データに対し、前記複数段階の画像処理のうち、前記検出手段で検出された前記処理段階に後続する画像処理を前記パラメータに基づいて実行する第２の画像処理手段と、
前記第２の画像処理手段で処理された電子データに基づく可視像を出力する画像出力手段と、
を有することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
原稿画像を読み取って生成された電子データに基づく可視像を出力する画像出力装置であって、
前記電子データは、予め定められた複数段階の画像処理のうち、特定の処理段階までの画像処理が施され、該処理段階と、該処理段階に後続する画像処理についての処理パラメータが付加されており、
前記電子データから前記処理段階および前記パラメータを検出する検出手段と、
前記電子データに対し、前記複数段階の画像処理のうち、前記検出手段で検出された前記処理段階に後続する画像処理を前記パラメータに基づいて実行する画像処理手段と、
前記画像処理手段で処理された電子データに基づく可視像を出力する画像出力手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
前記特定手段は、操作者指示に基づいて前記処理段階を特定することを特徴とする請求項１または２記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記操作者指示は、複数の処理モードのいずれかを選択する指示であることを特徴とする請求項４記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記画像出力手段は、前記可視像を記録媒体上に形成することを特徴とする請求項２または３記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記複数段階の画像処理は、その第１段階がＡＤ変換処理であり、
前記特定手段は、前記処理段階として前記ＡＤ変換処理を特定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
原稿画像を読み取って電子データを生成する画像処理装置の制御方法であって、
前記電子データを生成する際に実行可能な複数段階の画像処理のうち、実行すべき処理段階を特定する特定ステップと、
前記原稿画像を読み取って原稿画像データを得る読み取りステップと、
前記原稿画像データに対し、前記複数段階の画像処理のうち、前記特定ステップにおいて特定された処理段階までの画像処理を実行する第１の画像処理ステップと、
前記複数段階の画像処理のうち、前記特定ステップにおいて特定された処理段階に後続する画像処理についての処理パラメータを取得するパラメータ取得ステップと、
前記第１の画像処理ステップにおいて処理された原稿画像データに対し、前記特定ステップにおいて特定された処理段階および前記パラメータ取得ステップにおいて取得した処理パラメータを付加して、前記電子データとして保持手段に格納する保持ステップと、
を有することを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
さらに、前記保持手段に保持された電子データから前記処理段階および前記パラメータを検出する検出ステップと、
前記電子データに対し、前記複数段階の画像処理のうち、前記検出ステップにおいて検出された前記処理段階に後続する画像処理を前記パラメータに基づいて実行する第２の画像処理ステップと、
前記第２の画像処理ステップにおいて処理された電子データに基づく可視像を出力する画像出力ステップと、
を有することを特徴とする請求項８記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項１０】
コンピュータ上で実行されることによって、該コンピュータを請求項１乃至７のいずれか１項に記載された画像処理装置として動作するように制御することを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
請求項１０記載のプログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられる被写体像の中から対象画像を検出する対象画像検出手段，
上記対象画像検出手段によって対象画像が検出されたかどうかを判定する判定手段，および
上記判定手段によって上記対象画像検出手段において対象画像が検出されたと判定されたことに応じて，検出された対象画像近傍に動画または静止画のマークが現れるように，上記マークと上記被写体像とを表示画面上に表示するように表示装置を制御する表示制御手段，
を備え，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像の大きさまたは対象画像らしさに応じて，上記表示画面上に表示される上記マークの大きさ，透明度，種類，表示位置，形状，および動きの少なくとも１つが変わるものである，
対象画像検出表示制御装置。
【請求項２】
上記表示制御手段は，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像の中心位置を中心とし，かつその検出された対象画像の周辺部分のいずれかまでの距離を半径とする円周上に上記マークを表示するものである，
請求項１に記載の対象画像検出表示制御装置。
【請求項３】
上記表示制御手段は，
乱数によって定まる角度にもとづいて上記円周上の位置を決定する決定手段，および
上記決定手段によって決定された円周上の位置が上記表示画面外となったことにより，表示画面内となるまで，乱数によって定まる角度にもとづく上記円周上の位置の決定処理を繰り返すように上記決定手段を制御する手段を備え，
上記表示画面内において，決定された円周上の位置に上記マークを表示するものである，
請求項２に記載の対象画像検出表示制御装置。
【請求項４】
被写体を撮像し，受光面上に結像する被写体像を表す画像データを出力する撮像装置および，
上記受光面上の露光量を調節する露光量調節手段をさらに備え，
上記対象画像検出手段は，
上記撮像装置から出力された画像データによって表わされる被写体像の中から対象画像を検出するものであり，
上記露光量制御手段によって調節される露光量が適正値かどうかによって上記表示画面上に表示される上記マークの大きさ，透明度，種類，表示位置，形状，および動きの少なくとも１つが変わるものである，
請求項１から３のうちいずれか一項に記載の対象画像検出表示制御装置。
【請求項５】
被写体を撮像し，被写体像を表わす画像データを出力する撮像装置，および
上記撮像装置から出力された画像データによって表わされる被写体像の構図の良否を判定する構図判定手段をさらに備え
上記構図判定手段によって被写体像の構図が良好と判定されたことに応じて，被写体像の構図が悪いときに比べて，上記表示画面上に表示される上記マークの大きさ，色，透明度，種類，表示位置，形状，および動きの少なくとも１つが変わるものである，
請求項１から４のうちいずれか一項に記載の対象画像検出表示制御装置。
【請求項６】
上記被写体像はカラーの被写体像であり，上記対象画像検出手段によって検出された対象画像の色味を検出する色味検出手段をさらに備え，
上記表示制御手段は，上記被写体像と上記色味検出手段によって検出された色味に応じた色をもつ上記マークとを表示画面上に表示するように表示装置を制御するものである，
請求項１から５のうちいずれか一項に記載の対象画像検出表示制御装置。
【請求項７】
与えられる被写体像の中から対象画像を検出し，
対象画像が検出されたかどうかを判定し，
対象画像が検出されたと判定されたことに応じて，検出された対象画像近傍に動画または静止画のマークが現れるように，上記マークと上記被写体像とを表示画面上に表示するように表示装置を制御し，
検出された対象画像の大きさまたは対象画像らしさに応じて，上記表示画面上に表示される上記マークの大きさ，透明度，種類，表示位置，形状，および動きの少なくとも１つが変わるのものである，
対象画像検出表示制御装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の撮像を行う撮像部と、前記撮像部の出力信号を信号処理する映像信号処理部と、人を検知できる人感センサとを備え、前記人感センサが反応すると、少なくとも録画を含むセキュリティ動作を行うカメラ装置であって、外部のセキュリティ解除手段から入力されるセキュリティ情報を検知して、セキュリティ動作の要否を判断するセキュリティ情報判断部が設けられ、前記人感センサが反応したときに、前記セキュリティ解除手段のセキュリティ情報を検知できた場合は前記セキュリティ情報判断部が一定時間セキュリティ動作を解除し、該セキュリティ情報を検知できなかった場合はセキュリティ動作を行うことを特徴とするカメラ装置。
【請求項２】
前記セキュリティ動作は、警報を行う動作あるいは通報メールを送信する動作の少なくとも一方が含まれることを特徴とする請求項１記載のカメラ装置。
【請求項３】
前記セキュリティ解除手段が非接触ＩＣカードまたはＲＦＩＤタグであって、前記セキュリティ情報を電波で受信する無線部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載されたカメラ装置。
【請求項４】
前記セキュリティ解除手段が赤外線送受信機であって、前記セキュリティ情報を赤外線で受信する赤外線受信部を備えることを特徴とする請求項１または２に記載されたカメラ装置。
【請求項５】
前記セキュリティ解除手段が２次元セキュリティ情報を表示した表示体であって、前記撮像部によって前記２次元セキュリティ情報の画像認識を行った後で、前記セキュリティ情報判断部がセキュリティ動作の要否を判断することを特徴とする請求項１または２に記載されたカメラ装置。
【請求項６】
セキュリティ情報を生成するためのシーズ情報が入力されると、該シーズ情報を暗号化して前記セキュリティ情報を生成するセキュリティ情報生成部を備え、前記シーズ情報の入力に伴って該セキュリティ情報が登録または更新されることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載されたカメラ装置。
【請求項７】
請求項６に記載されたカメラ装置と、映像信号処理部で処理された映像信号を圧縮する画像信号圧縮部と、ネットワークに接続するためのネットワークインタフェースを備え、前記カメラ装置で録画した画像を前記ネットワークに送信することを特徴とするネットワークカメラ。
【請求項８】
前記セキュリティ情報が、前記セキュリティ情報生成部を備えたサーバで生成され、前記ネットワークを介してシーズ情報を入力し、前記セキュリティ情報が登録または更新されることを特徴とする請求項７記載のネットワークカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の実施のための第３の形態は、第１また２の形態に従属する形態であって、セキュリティ解除手段が非接触ＩＣカードまたはＲＦＩＤタグであって、セキュリティ情報を電波で受信する無線部を備えることを特徴とするカメラ装置であり、電波でセキュリティ解除手段からセキュリティ情報を検知できるので、特別の操作もなく一定時間セキュリティを解除することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の実施のための第４の形態は、第１また２の形態に従属する形態であって、セキュリティ解除手段が赤外線送受信機であって、セキュリティ情報を赤外線で受信する赤外線受信部を備えることを特徴とするカメラ装置であり、赤外線でセキュリティ解除手段からセキュリティ情報を検知できるので、確実且つ安全に一定時間セキュリティを解除することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の実施のための第７の形態は、第６の形態のカメラ装置と、映像信号処理部で処理された映像信号を圧縮する画像信号圧縮部と、ネットワークに接続するためのネットワークインタフェースを備え、カメラ装置で録画した画像をネットワークに送信することを特徴とするネットワークカメラであり、ネットワークを介して録画した画像を送信でき、監視カメラとして利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定電極を有するプレートと、
可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、
前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備え、
前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方は、前記スペーサに近い近端部の比抵抗が前記スペーサから遠い中央部の比抵抗に比べて高い、半導体又は金属の単層膜であり、
前記近端部は、不純物の拡散により非晶質化している、
コンデンサマイクロホン。
【請求項２】
固定電極を有するプレートと、
可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、
前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備え、
前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方は、前記スペーサに近い近端部の比抵抗が前記スペーサから遠い中央部の比抵抗に比べて高い、半導体又は金属の単層膜であり、
前記近端部は、不純物の拡散により酸化領域または窒化領域を有する、
コンデンサマイクロホン。
【請求項３】
固定電極を有するプレートと、可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、
前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備えるコンデンサマイクロホンの製造方法であって、
前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方を構成する半導体単層膜又は金属単層膜を形成し、
前記半導体単層膜又は前記金属単層膜の前記中央部をマスクした状態で前記スペーサに近い近端部にイオン注入することにより前記近端部を非晶質化し、前記近端部の比抵抗を前記スペーサから遠い中央部の比抵抗より高くする、
ことを含むコンデンサマイクロホンの製造方法。
【請求項４】
固定電極を有するプレートと、可動電極を有し音波によって振動するダイヤフラムと、
前記プレートと前記ダイヤフラムとを絶縁しながら支持し、前記固定電極と前記可動電極の間に空隙を形成しているスペーサとを備えるコンデンサマイクロホンの製造方法であって、
前記プレート、前記ダイヤフラムの少なくとも一方を構成する半導体単層膜又は金属単層膜を形成し、
前記半導体単層膜又は前記金属単層膜の前記中央部をマスクした状態で前記スペーサに近い近端部に酸素または窒素をイオン注入し、その後アニールすることにより前記イオン注入された近端部に酸化領域または窒化領域を形成し、前記近端部の比抵抗を前記スペーサから遠い中央部の比抵抗より高くする、
ことを含むコンデンサマイクロホンの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月29日(2008.12.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のフォーマットに従って作成される画像ファイルの管理方法であって、
画像ファイルの少なくとも先頭部分のハッシュ値を部分ハッシュ値として得るとともに、得られた部分ハッシュ値を当該画像ファイルの識別のためのキーとしてファイル管理することを特徴とするファイル管理方法。
【請求項２】
請求項１に記載のファイル管理方法であって、
前記先頭部分は、少なくとも、サムネイル画像データ部分を含むことを特徴とするファイル管理方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載のファイル管理方法であって、
前記先頭部分は、画像ファイルの先頭から、１回のＩ／Ｏ動作で取り出されるデータサイズに相当する部分であることを特徴とするファイル管理方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載のファイル管理方法であって、
部分ハッシュ値は、画像ファイルの先頭部分および末尾部分のハッシュ値であることを特徴とするファイル管理方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載のファイル管理方法であって、
カメラに記憶されているカメラ側画像ファイルと、当該カメラと相互通信可能なサーバに記憶されているサーバ側画像ファイルとの一致性を判断する場合に、
カメラが、カメラ側画像ファイルの部分ハッシュ値をカメラ側部分ハッシュ値として算出する工程と、
サーバが、サーバ側画像ファイルの部分ハッシュ値をサーバ側部分ハッシュ値として算出する工程と、
カメラ側部分ハッシュ値およびサーバ側部分ハッシュ値を、カメラまたはサーバのいずれか一方に集めるべく、部分ハッシュ値をカメラおよびサーバ間で送受する工程と、
集められた部分ハッシュ値の比較結果に基づいて、カメラ側画像ファイルとサーバ側画像ファイルとの一致性を判断する工程と、
を備えることを特徴とするファイル管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するスライドショー表示手段と、
前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加する付加手段とを備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記スライドショー表示手段は、前記所定のフォルダに新たに追加された画像ファイルから順にスライドショー表示を実行することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判定手段は、前記所定のフォルダに新たに追加された画像ファイルを判定対象とすることを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するステップと、
前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定するステップと、
前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが、前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加するステップとを備えたことを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項５】
コンピュータに、
所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するステップと、
前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定するステップと、
前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが、前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加するステップとを実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の画像処理装置の制御方法は、所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するステップと、前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定するステップと、前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが、前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加するステップとを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の画像処理装置は、所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するスライドショー表示手段と、前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定する判定手段と、前記判定手段により前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加する付加手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明のプログラムは、コンピュータに、所定のフォルダに格納された複数の画像ファイルをデコードしてスライドショー表示を実行するステップと、前記画像ファイルにそのサムネイル画像が付加されているか否かを判定するステップと、前記サムネイル画像が付加されていないと判定された前記画像ファイルが、前記スライドショー表示手段によりデコードされた後に、前記画像ファイルのサムネイル画像を作成して前記画像ファイルに付加するステップとを実行させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、画像のスライドショーを行いつつ画像のサムネイルを付加するようにしたので、処理装置の操作の上では意識することなくサムネイル画像を自動的に付加することが可能となる。これにより、通常他の処理を行っていないタイミングで本画像をデコードすると同時にサムネイルも付加することができ、画像処理装置の処理能力を効率的に利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の有天状筒状ケースと、前記筒状ケースの頂壁内面に固定した圧電体、および頂壁外面に固定した音響整合層と、前記筒状ケースの開放部に溶接固定した導電性の端子板とを具備し、前記端子板上面には、筒状ケース内面に接する電気絶縁部材を配置した超音波振動子。
【請求項２】
電気絶縁部材と圧電体との間に空間を設けた請求項１記載の超音波振動子。
【請求項３】
電気絶縁部材を逆円錐形状に設定した請求項１または２記載の超音波振動子。
【請求項４】
電気絶縁部材の外周より立ち上がり部を形成するとともに、その高さを筒状ケース周壁の高さ方向中間部に至るように設定した請求項１または２記載の超音波振動子。
【請求項５】
電気絶縁部材を音響的減衰特性の大きい材料とした請求項１〜４いずれか１項記載の超音波振動子。
【請求項６】
電気絶縁部材がシリコンゴム、フッ素ゴム、ニトリルゴムなどの樹脂で構成した請求項５記載の超音波振動子。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載の一対の超音波振動子を被測定流体が流れる流れ計測部の上流側と下流側に対向させて配置した流体の流れ計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＳＫ変調信号を生成送信する送信装置であって、
発振器の出力側において、透過する周波数が互いに異なる複数のＳＡＷフィルタが並列に接続されていることを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記複数のＳＡＷフィルタは圧電基板にＳＨ波が励振されるＳＨ波ＳＡＷフィルタであることを特徴とする請求項１記載の送信装置。
【請求項３】
前記ＦＳＫ変調信号は２値若しくは多値の変調信号であることを特徴とする請求項１に記載の送信装置。
【請求項４】
ＦＳＫ変調信号を生成送信する送信装置とこのＦＳＫ変調信号を受信する受信装置とを備えた送受信システムであって、
前記送信装置の発振器の出力側において、透過する周波数が互いに異なる複数の送信側ＳＡＷフィルタを並列に接続して高周波信号を送信させ、
前記受信装置のアンテナの後段の高周波フィルタまたは中間波フィルタに透過する周波数が互いに異なる複数の受信側ＳＡＷフィルタを並列に接続してなることを特徴とする送受信システム。
【請求項５】
前記送信側ＳＡＷフィルタおよび前記受信側ＳＡＷフィルタは圧電基板にＳＨ波が励振されるＳＨ波ＳＡＷフィルタであることを特徴とする請求項４記載の送信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係る送信装置は、ＦＳＫ変調信号を生成送信する送信装置であって、発振器の出力側において、透過する周波数が互いに異なる複数のＳＡＷフィルタが並列に接続されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記複数のＳＡＷフィルタは圧電基板にＳＨ波が励振されるＳＨ波ＳＡＷフィルタとすることにより、送信変調信号の通過帯域を狭帯域化することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る送受信システムは、ＦＳＫ変調信号を生成送信する送信装置とこのＦＳＫ変調信号を受信する受信装置とを備えた送受信システムであって、前記送信装置の発振器の出力側において、透過する周波数が互いに異なる複数の送信側ＳＡＷフィルタを並列に接続して高周波信号を送信させ、前記受信装置のアンテナの後段の高周波フィルタまたは中間波フィルタに透過する周波数が互いに異なる複数の受信側ＳＡＷフィルタを並列に接続してなることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、第１および第２の接続孔を有する絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する前記絶縁層上の第３の導電層とを有し、
前記第１の接続孔において、前記第１の導電層及び前記第３の導電層は電気的に接続し、
前記第２の接続孔において、前記第２の導電層及び前記第３の導電層は電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記第２の接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第３の導電層と電気的に接続する第２の導電層の端部の一部が前記第２の接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、接続孔を有する絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する第３の導電層とを有し、
前記接続孔において、前記第１の導電層及び第３の導電層、並びに前記第２の導電層及び第３の導電層は、それぞれ電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記接続孔の内側に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層の上に形成され、接続孔を有する第１の絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層に電気的に接続する第３の導電層とを有し、
前記接続孔において、前記第１の導電層及び第３の導電層、並びに前記第２の導電層及び第３の導電層は、それぞれ電気的に接続し、
前記第３の導電層の端部の一部は、前記接続孔の内側に形成され、
前記第１の導電層は半導体層の一部からなり、前記第２の導電層は前記半導体層の他部と第２の絶縁層を介して重畳することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第２の導電層は、第１の領域と第２の領域とを有し、前記第１の領域の膜厚は、前記第２の領域の膜厚より薄く、前記第３の導電層は、前記第２の導電層の前記第１の領域で電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第２の導電層に電気的に接続される画素電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１の導電層は、ソース領域又はドレイン領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第１の導電層は、第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域であり、前記第２の導電層は、第２のトランジスタのゲート電極であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
［第５の実施の形態］
図１４（Ａ），（Ｂ）は、第５の実施の形態に係る面発光型半導体レーザ７の横モード調整層７７およびその近傍の構造と、横モード調整層７７の反射率分布をそれぞれ表すものである。この面発光型半導体レーザ７は、光出射口２２の中央領域２２Ａに設けられた第１４調整層７７Ａおよび第１５調整層７７Ｂを上部ＤＢＲミラー層１５側からこの順に積層したものを一組としてこれを複数組積層した構造を有しており、これにより、中央領域２２Ａの反射率だけが周辺領域２２Ｂの反射率より高くなるようにした点で、上記実施の形態と相違する。以下、第１４調整層７７Ａおよび第１５調整層７７Ｂについて説明する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
横モード調整層７７は、例えば次のようにして製造することができる。メサ部３０上およびメサ部３０の周辺基板上に例えばＣＶＤ法により、屈折率ｎ14の誘電体および屈折率ｎ15の誘電体を交互に堆積する。これにより、屈折率ｎ14の誘電体および屈折率ｎ15の誘電体を上部ＤＢＲミラー層１５側からこの順に積層したものを一組としてこれを複数組積層した構造を形成する。その後、積層された複数の誘電体のうち中央領域２２Ａ以外の領域を選択的に除去する。なお、上記誘電体は上部ＤＢＲミラー層１５などの半導体に対して優れた選択性を有しており、さらに複雑な形状とする必要がないことから、エッチングにより横モード調整層７７を容易に成形することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
［第６の実施の形態］
図１５（Ａ），（Ｂ）は、第６の実施の形態に係る面発光型半導体レーザ８の横モード調整層８７およびその近傍の構造と、横モード調整層８７の反射率分布をそれぞれ表すものである。この面発光型半導体レーザ８は、光出射口２２の周辺領域２２Ｂに設けられた第１６調整層８７Ａおよび第１７調整層８７Ｂとで構成された横モード調整層８７により、周辺領域２２Ｂの反射率だけが中央領域２２Ａのそれより低くなるようにした点で、上記実施の形態と相違する。以下、これらの調整層８７Ａ，８７Ｂについて説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
横モード調整層８７は、例えば次のようにして製造することができる。メサ部３０上およびメサ部３０の周辺基板上に例えばＣＶＤ法により、屈折率ｎ16の誘電体および屈折率ｎ17の誘電体をこの順に堆積する。その後、積層された複数の誘電体のうち周辺領域２２Ｂ以外の領域を選択的に除去する。なお、上記誘電体は上部ＤＢＲミラー層１５などの半導体に対して優れた選択性を有しており、さらに複雑な形状とする必要がないことから、エッチングにより横モード調整層８７を容易に成形することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路動作検証に用いる回路素子に影響を与える物理現象に応じて、回路素子特性を近似するモデルのパラメータの設定を行うパラメータ設定方法であって、
第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストがプロセッサに入力されるステップと、
前記プロセッサが、前記第１のモデルの物理現象リストを基に、複数のモデル及び前記複数のモデルの物理現象リストが格納されたモデル特性テーブルから第２のモデルを選択するステップと、
前記プロセッサが、測定データから前記第２のモデルのパラメータを抽出するステップと、
前記プロセッサが、抽出した前記第２のモデルのパラメータを、前記第１のモデルに対応するように変換するステップと、を有することを特徴とするパラメータ設定方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のモデルは前記第２のモデルより物理的精度が高いことを特徴とするパラメータ設定方法。
【請求項３】
回路動作検証に用いる回路素子に影響を与える物理現象に応じて、回路素子特性を近似するモデルのパラメータの設定を行い、前記モデルを用いて回路動作を検証する回路動作検証方法であって、
第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストがプロセッサに入力されるステップと、
前記プロセッサが、前記第１のモデルの物理現象リストを基に、複数のモデル及び前記複数のモデルの物理現象リストが格納されたモデル特性テーブルから第２のモデルを選択するステップと、
前記プロセッサが、測定データから前記第２のモデルのパラメータを抽出するステップと、
前記プロセッサが、抽出した前記第２のモデルのパラメータを、前記第１のモデルに対応するように変換するステップと、
前記第１のモデルを用いて回路動作を検証するステップと、を有することを特徴とする回路動作検証方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１のモデルは前記第２のモデルより物理的精度が高いことを特徴とする回路動作検証方法。
【請求項５】
回路動作検証に用いる回路素子に影響を与える物理現象に応じて、回路素子特性を近似するモデルのパラメータを設定するパラメータ設定装置において、
第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストを入力する入力手段と、
複数のモデル及び前記複数のモデルの物理現象リストが格納されたモデル特性テーブルと、前記第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストを基に前記モデル特性テーブルから第２のモデルを決定するモデル決定手段と、
測定データから前記第２のモデルのパラメータを抽出するパラメータ抽出ツールと、
前記第２のモデルのパラメータを、前記第１のモデルに対応するように変換するパラメータ変換手段と、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項６】
回路動作検証に用いる回路素子に影響を与える物理現象に応じて、回路素子特性を近似するモデルのパラメータを設定し、前記モデルを用いて回路動作を検証する回路動作検証装置において、
第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストを入力する入力手段と、
複数のモデル及び前記複数のモデルの物理現象リストが格納されたモデル特性テーブルと、
前記第１のモデル及び前記第１のモデルの物理現象リストを基に前記モデル特性テーブルから第２のモデルを決定するモデル決定手段と、
測定データから前記第２のモデルのパラメータを抽出するパラメータ抽出ツールと、
前記第２のモデルのパラメータを、前記第１のモデルに対応するように変換するパラメータ変換手段と、
第１のモデルを用いて回路動作を検証する回路動作検証プログラムと、を有することを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記第１のモデルは前記第２のモデルより物理的精度が高いことを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を透過させ、第１方向に沿って並列に配置される複数の第１スリットと、
入射光を透過させ、前記第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して前記第１方向に沿って並列配置され、前記第１スリットの間に対応する位置に配置される複数の第２スリットとを有し、
前記各々の第１スリットの前記第２方向に沿う第１中心線は、各々の第１スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、
前記各々の第２スリットの前記第２方向に沿う第２中心線は、各々の第２スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、
前記複数の第２スリットは、各々の第２スリットの第２中心線が少なくとも一つの隣接する第１スリットの第１中心線からオフセットされるように位置合わせされることを特徴とするシリコン結晶化マスク。
【請求項２】
前記各々の第１及び第２スリットは長方形状を有し、
前記各々の第１スリットは、前記第２方向に延長された第１上端線に沿う第１上端部と前記第２方向に延長された第１下端線に沿う第１下端部とを含み、
前記各々の第２スリットは、前記第２方向に延長された第２上端線に沿う第２上端部と前記第２方向に延長された第２下端線に沿う第２下端部とを含むことを特徴とする請求項１に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項３】
前記第２スリットの前記第２中心線は、第２スリットに隣接する前記第１スリットの第１上端線と第１中心線との間に形成され、
前記第２スリットに隣接する前記第１スリットの前段第１スリットの第１下端線と第２スリットの第２上端線との間隔は第１オーバーラップ間隔であり、
前記第１スリットの第１上端線と前記第２スリットの第２中心線との間隔は第２オーバーラップ間隔であることを特徴とする請求項２に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項４】
前記第２スリットは、第２スリットの第２中心線が第２スリットに隣接する前記第１スリットの第１下端線と第１中心線との間に形成されるように配置され、
前記第２スリットに隣接する前記第１スリットの次段第１スリットの第１上端線と前記第２スリットの第２下端線との間隔は第１オーバーラップ間隔であり、
前記第１スリットの第１下端線と前記第２中心線との間隔は第２オーバーラップ間隔であることを特徴とする請求項２に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項５】
前記第１オーバーラップ間隔は、前記第２オーバーラップ間隔と同一であることを特徴とする請求項３又は４に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項６】
前記第１オーバーラップ間隔は、前記第２オーバーラップ間隔より長いことを特徴とする請求項３又は４に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項７】
前記第１オーバーラップ間隔は、１．６μｍ〜２．９μｍの範囲を有し、前記第２オーバーラップ間隔は、０．１μｍ〜１．４μｍの範囲を有することを特徴とする請求項３又は４に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項８】
前記第１オーバーラップ間隔は、前記第２オーバーラップ間隔より短いことを特徴とする請求項３又は４に記載のシリコン結晶化マスク。 
【請求項９】
前記第１オーバーラップ間隔は、０．１μｍ〜１．４μｍの範囲を有し、前記第２オーバーラップ間隔は、１．６μｍ〜２．９μｍの範囲を有することを特徴とする請求項３又は４に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項１０】
前記各々の第１及び第２スリットは、前記第１方向に第１長さを有し、前記第２方向に第２長さを有し、
前記各々の第１及び第２スリットの前記第１長さは、２０μｍ〜３５μｍの範囲を有し、前記各々の第１及び第２スリットの前記第２長さは２８００μｍ〜３５００μｍの範囲を有することを特徴とする請求項２に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項１１】
前記第１スリット間の隣接間隔及び前記第２スリット間の隣接間隔は、２．５μｍ〜１０μｍの範囲を有することを特徴とする請求項２に記載のシリコン結晶化マスク。
【請求項１２】
レーザビームを発生させるレーザ発振部と、
前記レーザビームのうち、一部を透過し他の一部を遮断し、前記透過したレーザビームの一部をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が形成された基板に照射して、少なくとも一部分の前記アモルファスシリコンを多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）に変換させるシリコン結晶化マスクと、を有し、
前記シリコン結晶化マスクは、前記レーザビームを透過し、第１方向に沿って並列に配置される複数の第１スリットと、
前記レーザビームを透過させ、前記第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して前記第１方向に沿って並列に配置され、前記第１スリットの間に対応する位置に配置される複数の第２スリットを含み、
前記各々の第１スリットの前記第２方向に沿う第１中心線は、各々の第１スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、
前記各々の第２スリットの前記第２方向に沿う第２中心線は、各々の第２スリットを実質的に同一の面積を有する２部分に分け、
前記各々の第２スリットの第２中心線は、少なくとも一つの隣接する第１スリットの第１中心線からオフセットされることを特徴とするシリコン結晶化装置。
【請求項１３】
前記レーザビームのパルス幅を拡張させるパルス幅拡張部と、
前記レーザビームの位置によるエネルギーの密度分布を均一化するビーム均一化光学部と、
前記レーザビームの大きさを変更させるビーム投射部と、を更に有することを特徴とする請求項１２に記載のシリコン結晶化装置。
【請求項１４】
前記レーザビームの方向を変更させるビーム反射部を更に有することを特徴とする請求項１３に記載のシリコン結晶化装置。
【請求項１５】
アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が形成された基板を準備する段階と、
レーザビームをマスクを通じて前記基板の一部領域に照射して、前記アモルファスシリコンの一部を結晶化させる段階と、
前記マスクを前記基板に対して相対的に所定間隔に移動させる段階と、
前記レーザビームを前記移動したマスクを通じて前記基板の他の一部領域に照射して、前記アモルファスシリコンの他の一部を結晶化させる段階と、を有し、
前記マスクは、前記レーザビームを透過させ、第１方向に沿って並列に配置された第１スリットと、
前記レーザビームを透過させ、前記第１方向と直交する第２方向に所定距離、離隔して前記第１方向に沿って並列に配置された第２スリットとを含み、
前記各々の第１スリットは、実質的に同一の面積を有するように第１スリットを分ける前記第２方向に沿う第１中心線を有し、
前記各々の第２スリットは、実質的に同一の面積を有するように第２スリットを分ける前記第２方向に沿う第２中心線を有し、
前記第２スリットの第２中心線は、前記第１スリットの第１中心線からオフセットされることを特徴とするシリコン結晶化方法。
【請求項１６】
前記アモルファスシリコンが結晶化されて形成された多結晶シリコンの中央には所定の高さで突出した結晶突起が形成され、
前記結晶突起は、前記レーザビームが再照射されて一部除去されることを特徴とする請求項１５に記載のシリコン結晶化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態で用いるカソードカップリング型プラズマCVD装置の概略構成図。
【図２】トレイ、発泡剥離性シートと基板の関係を示す断面図であり、(a)は接着状態、(b)は剥離状態を表す。
【図３】トレイの好適な一実施形態であるトレイ１５Ａを示す上面図(a)及びトレイ１５Ａに基板１４を接着する際に基板１４とトレイ１５Ａの間から気体を排出することができることを示す縦断面図(b)。
【図４】トレイと被処理材を接着するための装置の一実施形態を示す縦断面図。
【図５】接着装置３０のステージ３０Ａを示す上面図。
【図６】接着装置３０の蓋３０Ｂを示す下面図。
【図７】１個の与圧室３５の周囲を拡大して示した縦断面図。
【図８】温度上昇測定試験に用いたICPプラズマエッチング装置の概略構成図。
【図９】温度上昇測定試験に用いたトレイと基板の斜視図。
【図１０】温度上昇測定試験条件の表。
【図１１】温度上昇測定試験条件の結果の表。
【図１２】温度上昇測定試験条件の結果の表。