Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のロングアイアンと、
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のショートアイアンとを有し、
セット中の各クラブのキャビティの容積が、上記少なくとも１本のロングアイアンから上記少なくとも１本のショートアイアンへと系統的に変化し、かつ、セット中の各クラブの打撃フェース面積が実質的に一定であり、
さらに、打撃フェースインサートを配する打撃フェースと、チャネルを形成させた背面フランジを具備する背面フェースと、上記チャネルに少なくとも部分的に挿入され上記打撃フェースインサートに接触するように構成されたコアと、上記コアおよび上記打撃フェースインサートの間に配された減衰要素とを具備する本体を有する少なくとも１本の減衰型クラブを有することを特徴とするアイアン型ゴルフクラブのセット。
【請求項２】
上記減衰型のクラブはロングアイアンである請求項１記載のアイアン型ゴルフクラブのセット。
【請求項３】
上記クラブは、セット中のロングアイアンのチャネルバッククラブからセット中のショートアイアンのキャビティバッククラブへと系統的に遷移する請求項１記載のアイアン型ゴルフクラブのセット。
【請求項４】
少なくとも１つのクラブ設計パラメータはロフト角の関数である請求項１記載のアイアン型ゴルフクラブのセット。
【請求項５】
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のロングアイアンと、
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のショートアイアンとを有し、
セット中の各クラブのキャビティの容積が、上記少なくとも１本のロングアイアンから上記少なくとも１本のショートアイアンへと系統的に変化し、かつ、セット中の各クラブの打撃フェース面積が実質的に一定であり、
さらに、少なくとも３本のクラブを有し、各クラブのトップライン幅（ＴＬＷ）が、
ＴＬＷ＝α×（−０．００８６ｃｍ／度×ＬＡ＋１．０４ｃｍ）
であり、ＬＡは度で表されるロフト角であり、αは１であることを特徴とするアイアン型ゴルフクラブのセット。
【請求項６】
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のロングアイアンと、
打撃フェースとキャビティが形成された背面フェースとを有する少なくとも１本のショートアイアンとを有し、
セット中の各クラブのキャビティの容積が、上記少なくとも１本のロングアイアンから上記少なくとも１本のショートアイアンへと系統的に変化し、かつ、セット中の各クラブの打撃フェース面積が実質的に一定であり、
さらに、少なくとも３本のクラブを有し、各クラブのソール幅（ＳＷ）が、
ＳＷ＝α×（−０．０１１ｃｍ／度×ＬＡ＋２．２１ｃｍ）
であり、ＬＡは度で表されるロフト角であり、αは１であることを特徴とするアイアン型ゴルフクラブのセット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想空間に配置されるオブジェクトをプレイヤが移動させるゲーム装置であって、
前記プレイヤの姿勢を示すデータを取得するプレイヤ姿勢判定手段と、
前記プレイヤ姿勢判定手段により取得されるデータに基づいて前記仮想空間における方向を示す方向データを算出する方向データ算出手段と、
前記方向データ算出手段により算出される方向データに従って、前記オブジェクトが前記仮想空間において移動する様子を示すゲーム画面を生成するゲーム画像生成手段と、
を含むことを特徴とするゲーム装置。
【請求項２】
請求項１に記載のゲーム装置において、
前記プレイヤ姿勢判定手段は、前記プレイヤの所定部位の位置を示すデータを、前記プレイヤの姿勢を示すデータとして取得する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のゲーム装置において、
前記ゲーム画像生成手段は、
前記プレイヤが所定の操作部材に対して操作を行った場合に、前記方向データ算出手段により算出される方向データに従って、前記オブジェクトが前記仮想空間において移動する様子を示すゲーム画面を生成する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項４】
請求項３記載のゲーム装置において、
前記操作部材は、前記プレイヤの足下に配置される、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のゲーム装置において、
前記仮想空間には複数の基礎位置が設定され、
前記ゲーム画像生成手段は、
前記方向データ算出手段により算出される方向データに従って前記複数の基礎位置のうち１つを選択するとともに、選択される前記基礎位置に向かって前記オブジェクトが前記仮想空間において移動する様子を示すゲーム画面を生成する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のゲーム装置において、
前記プレイヤ姿勢判定手段は、
前記プレイヤに向けて超音波を発信する超音波発信器と、
前記超音波発信器から発信され、前記プレイヤにより反射される超音波を互いに離間した位置にて受信する複数の超音波受信器と、
前記超音波発信器により超音波が発信されてから前記各超音波受信器により該超音波が受信されるまでの各時間を計測する時間計測手段と、を含み、
前記時間計測手段により計測される前記各時間に基づいて、前記プレイヤの姿勢を示すデータを取得する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のゲーム装置において、
前記ゲーム画像生成手段は、前記方向データ算出手段により算出される方向データが示す方向を表す方向指示画像を含むゲーム画面を生成する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項８】
請求項２に記載のゲーム装置において、
前記プレイヤ姿勢判定手段は、
前記プレイヤの頭部の位置の基準位置からのシフト量を示すデータを、前記プレイヤの前記所定部位の位置を示すデータとして算出し、
前記方向データ算出手段は、
前記プレイヤの頭部の位置の前記基準位置からのずれに応じた方向を示す方向データを算出する、
ことを特徴とするゲーム装置。
【請求項９】
仮想空間に配置されるオブジェクトをプレイヤが移動させるゲーム装置の制御方法であって、
前記プレイヤの姿勢を示すデータを取得するプレイヤ姿勢判定ステップと、
前記プレイヤ姿勢判定ステップで取得されるデータに基づいて前記仮想空間における方向を示す方向データを算出する方向データ算出ステップと、
前記方向データ算出ステップで算出される方向データに従って、前記オブジェクトが前記仮想空間において移動する様子を示すゲーム画面を生成するゲーム画像生成ステップと、
を含むことを特徴とするゲーム装置の制御方法。
【請求項１０】
プレイヤの姿勢を示すデータを取得するプレイヤ姿勢判定手段、
前記プレイヤ姿勢判定手段により取得されるデータに基づいて、オブジェクトが配置された仮想空間における方向を示す方向データを算出する方向データ算出手段、及び
前記方向データ算出手段により算出される方向データに従って、前記オブジェクトが前記仮想空間において移動する様子を示すゲーム画面を生成するゲーム画像生成手段
としてコンピュータを機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの大面積基板のテストのためのテストシステムであって、
内部容積内に可動テストテーブルを有するテストチャンバを備え、テストテーブルは大面積基板の搬送を可能にするように構成され、
テストテーブルに連結された位置決めアセンブリとを備え、位置決めアセンブリはテストテーブルに対して可動であり、テストチャンバに１又はそれ以上のプローバを搬入し又は排出するように構成され、位置決めアセンブリはチャンバに隣接して配置されたプローバ交換装置に対し又はプローバ交換装置から１又はそれ以上のプローバを搬送するために用いられるテストシステム。
【請求項２】
プローバ交換装置は、フレームと、フレームに連結された少なくとも１つのアクチュエータを備える請求項１記載のシステム。
【請求項３】
プローバ交換装置は少なくとも１つのアクチュエータに連結された１又はそれ以上の支持部材を備え、支持部材は１又はそれ以上のプローバを受けるように用いられる請求項２記載のシステム。
【請求項４】
１又はそれ以上の支持部材は位置決めアセンブリに対して移動するよう用いられる請求項３記載のシステム。
【請求項５】
１又はそれ以上の支持部材はフレームに対して移動するよう用いられる請求項４記載のシステム。
【請求項６】
大面積基板の方向を変えるように用いられる複数の配列部材を備えるロードロックチャンバを備えた請求項１記載のシステム。
【請求項７】
位置決めアセンブリは、１又はそれ以上のプローバの１つを可動的に支持するように用いられる複数の摩擦低減部材を有する２つの昇降部材と、
昇降部材を上昇させ及び下降させるように用いられる少なくとも２つのドライブを備える請求項１記載のシステム。
【請求項８】
チャンバの上面に連結された複数の電子ビームカラムを備える請求項１記載のシステム。
【請求項９】
少なくとも１つの大面積基板のテストのためのテストシステムであって、
大面積基板の搬送を可能にするように構成された可動テストテーブルを有するテストチャンバと、
テストテーブルに連結された位置決めアセンブリとを備え、位置決めアセンブリはテストテーブルに対して可動であり、テストチャンバに１又はそれ以上のプローバを搬入し又は排出するように構成され、位置決めアセンブリはチャンバに隣接して配置されたプローバ交換装置に対し又はプローバ交換装置から１又はそれ以上のプローバを搬送するために用いられ、
プローバ交換装置は、
少なくとも２つの昇降部材を備え、昇降部材の各々は複数のローラを有し、
昇降部材に連結した少なくとも１つのドライブと、
テストチャンバに隣接して配置された複数の支持部材を備え、複数の支持部材はプローバを昇降部材に対して又は昇降部材から搬送するように構成されるシステム。
【請求項１０】
昇降部材は１又はそれ以上のプローバの１つを搬送し及び可動的に支持するように用いられる請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
複数の支持部材は、
摩擦低減表面と、
複数の支持部材を支持するように構成されたフレームとを備え、複数の支持部材はフレームに対して支持部材を移動するように構成される少なくとも１つのドライブに連結される請求項９記載のシステム。
【請求項１２】
フレームは、テストチャンバの外側に連結される請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
テストチャンバは１又はそれ以上の大面積基板を支持し及び搬送を可能にするように構成されたロードロックチャンバに連結される請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
ロードロックチャンバは、少なくとも２つの基板の搬送を支持し及び搬送を可能にするように構成された複数の支持トレイと、
複数の支持トレイに連結した昇降システムと、
基板の少なくとも１つの誤配列を修正するように構成された複数の基板配列装置を備える請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
ロードロックチャンバは、１又はそれ以上基板を外界へ又は外界から搬送することが可能に構成された搬送ドアと、
開位置から閉位置まで搬送ドアを動かすため搬送ドアに連結したアクチュエータとを備える請求項１３記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線放射特性を用いて物質を同定する方法であって、
ａ）入射エネルギービームに応答して試料の監視されるＸ線放射特性を表すＸ線データを得る段階と、
ｂ）複数の物質の組成データを含み、前記試料の物質が内部に収容されている既存のデータセットを得る段階と、
ｃ）前記組成データおよびスペクトル・シミュレーションモデルを用いて前記データセット内の物質の各々に対して予測Ｘ線データを計算する段階と、
ｄ）計算されたマッチングパラメータを用いて前記得られたＸ線データと前記予測Ｘ線データとを比較し、前記マッチングパラメータを用いて前記物質を前記データセットの中で順位付けする段階と、
ｅ）前記比較順位に基づいて、前記複数の物質から１つの物質が前記試料の中の物質の可能性にかかる、複数の物質の同一性を判定する段階と、を含む方法。
【請求項２】
前記計算段階（ｃ）は、帯電している前記試料のＸ線放射特性への影響の計算を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ｘ線特性がＸ線スペクトルである場合には、前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータはピークを含む前記Ｘ線スペクトル内の範囲内でのみ計算され、かかる範囲において前記ピーク強度に依存しないことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｘ線特性がＸ線スペクトルである場合には、前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータは前記スペクトルの制動放射バックグラウンドに基づいて計算されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｘ線特性がＸ線スペクトルであり、前記取得されたＸ線データは複数チャネルの検出器データを含む場合には、前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータは前記取得されたＸ線データの全てのチャネルに対する正規化相互相関係数に基づいて計算されることを特徴とする請求項１、３または４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータが、統計ノイズに比べて著しい、前記スペクトル内のピークに近いチャネルのみに基づいて計算されることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータは、異なるチャネルに対する重み係数に基づいて計算されることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記段階（ｄ）における前記マッチングパラメータは、請求項１、３または４のいずれかに従って計算されたマッチングパラメータの重み合計又は積に基づいて計算されることを特徴とする請求項５から７までのいずれかに記載の方法。
【請求項９】
第１のマッチングパラメータが前記データセットからの上位Ｎ個の前記可能性のある物質を選択するのに用いられ、第２のマッチングパラメータが選択された前記Ｎ個の物質を更に順位付けするのに用いられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記データセット内の物質データが構造データを更に含み、前記同定された物質が前記試料の関連する構造を含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記取得データが前記関連する構造の１つ又はそれ以上の構成要素の寸法を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記物質データが前記物質の組成についての情報を含むことを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
同定されるべき各関連する物質についての前記物質データが対応する識別コードを含むことを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記段階（ａ）における前記Ｘ線特性データが、２つ又はそれ以上の入射ビーム条件下で前記試料から得られるデータを表し、前記段階（ｃ）における前記予測データが、各異なる条件について計算され、前記段階（ｅ）における前記判定は前記異なる入射ビーム条件に基づくことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記入射ビームは、電子ビーム、Ｘ線ビーム、又はイオンビームのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
使用時に同定されることになる物質を含む試料が配置され、ビーム発生デバイス、試料ホルダ、及びＸ線検出器を有するＸ線分析装置と、
使用時に請求項１の方法を実行するように適合されたコントローラと、
を備える物質同定のためのＸ線システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、書き込むべきＮ個のビット（各ビットは高レベル値または低レベル値を有する）の現在のワードを検査することにより、同期式メモリデバイスへ情報を書き込む方法に関する。前記現在のワードはＮ個のビットを有する前のワードと比較され、低レベル値から高レベル値、またはその逆の高レベル値から低レベル値へのビットの遷移の数を識別する。遷移の数がＮ／２よりも多ければ、現在ビットを反転する。反転の有無を表示するためにエクストラビットをデータバイトに付随させなくてもよいように、本発明は反転ビットを送るのに通常は読み出し動作中には使用されないデータマスクピンを活用するものである。反転されないデータは直接メモリデバイスへ書き込まれ、他方、反転されたデータは記憶ロケーションに書き込む前にまず再び反転されるのでメモリデバイスへは真のデータが記憶される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光粒子と、ナノ球状レンズと、ビヒクルとを含む蛍光ペースト組成物であって、
前記蛍光粒子は、その粒径が２００ｎｍ以上であり、
前記ナノ球状レンズは、主成分として、ＳｉＯ２、または、Ａｌ２Ｏ３を含み、粒径が２０ｎｍ未満であり、
前記蛍光粒子及び前記ナノ球状レンズは、前記ビヒクルと混合されており、
前記ナノ球状レンズと前記ビヒクルとは、前記蛍光粒子の隙間を埋めるようにして存在する、
蛍光ペースト組成物。
【請求項２】
請求項１に記載された蛍光ペースト組成物であって、前記ナノ球状レンズは、水晶、ルビー、または、サファイアから選択された少なくとも一種を含む、蛍光ペースト組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009013252.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2009013252.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009013252.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一般に、加熱時にガラスを加圧下におくとガラスの融合が促進される。一実施形態では、仕込み量のガラス（例えば、粒子（ビーズを含む）、繊維など）を金型に入れ、ガラスの粘性流動によって物品への融合が生じる、ガラス転移を超える温度でホットプレス処理を施す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
いくつかの実施形態では、酸化物形成のエンタルピーが負である金属（Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、これらの組み合わせ）Ｍまたはその合金のうちの少なくとも１種を含む微粒子状の金属材料を溶湯に加えることで、金属酸化物源の少なくとも一部分（いくつかの実施形態では、好ましくは１０、１５、２０、２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５、６０、６５、７０、７５、８０、８５、９０あるいは実に少なくとも９５重量パーセント）を得るか、そうでなければこれらに他の原料で金属を付けるようにすると都合がよいことがある。理論に拘泥されるつもりはないが、金属の酸化に伴う発熱反応で生じる熱が、均質な溶湯ならびにこれによって得られる非晶質材料の生成に有利な形で作用すると考えられる。たとえば、酸化反応によって原料内にさらに熱が生成されると、不十分な熱の移動がなくなるか低減されるため、特にｘ方向、ｙ方向、ｚ方向が１５０マイクロメートルを超える非晶質粒子の形成時に溶湯の形成と均質化が容易になる。また、こうして生成された熱を利用できると、さまざまな化学反応や物理的プロセス（高密度化や球状化など）を促進して完了させやすくなると考えられる。さらに、実施形態によっては、酸化反応によって生成される熱を利用することで、こうした熱がなければ困難であるか、そうでなければ材料の融点が高く非現実的であった溶湯の生成を実現することが可能になると考えられる。さらに、酸化反応によって生成される熱を利用することで、こうした熱がなければ製造が不可能であるか、あるいは所望のサイズ範囲での製造が不可能であった非晶質材料の製造を実現することができる。本発明のもうひとつの利点として、非晶質材料の製造時、溶融、高密度化、球状化などの物理的プロセスおよび化学的プロセスの多くを短時間で行うことができるため、極めて高い急冷速度を実現できることがあげられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
溶湯を生成する、溶湯を冷却／急冷するおよび／または上記以外であればガラスを形成するための他の手法として、気相急冷、プラズマスプレー、溶湯吸上げ、ガスアトマイズまたは遠心アトマイズがあげられる。気相急冷は、たとえば、金属合金または金属酸化物源をスパッタリングターゲットに形成してこれを使用するスパッタリングによって実施可能である。この場合、スパッタリング装置内のあらかじめ定めた位置にターゲットを固定し、被覆対象となる支持体をターゲットと向かい合わせに配置する。酸素ガスおよびＡｒガス１０-3トールの一般的な圧力、ターゲットと支持体との間に放電が生じ、Ａｒイオンまたは酸素イオンがターゲットに衝突して反応スパッタリングが開始されるため、この組成物が支持体上に成膜される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
Ａｌ2Ｏ3と、ＲＥＯまたはＹ2Ｏ3のうちの少なくとも一方と、ＺｒＯ2またはＨｆＯ2のうちの少なくとも一方とを含むセラミックに関する詳しい説明については、その製造、用途、特性を含めて、２００１年８月２日出願の米国特許出願第０９／９２２，５２７号、同第０９／９２２，５２８号、同第０９／９２２，５３０号に記載がある。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
ガラス複合材料はそれ自体知られている。これらの複合材料は主にガラスはんだとして接合用途に使用される。これら複合材料はガラス粉末から製造され、熱膨張率に影響を及ぼすために、不活性の充填材料が添加されている。これらの充填剤によって、はんだの熱膨張率を変化させる、すなわちガラスはんだと結合状態にある金属、ガラスもしくはセラミックス部品にはんだの膨張率を適合させる。充填剤の比率が高い場合には、はんだ（すなわちガラス相）は、しばしば、はんだ付け工程の間で結晶化し、結晶化しない、いわゆる安定なガラスはんだの場合には、はんだのガラス部分はガラス光沢を保つが、その際に加えられる充填材料の量は、はんだ付けプロセスにおける不可避的な流動性の低下によって制限されることは言うまでもない。
【特許文献１】独国特許発明第１６２１０２６号明細書
【特許文献２】独国特許出願公開第３１２３６００号明細書
【特許文献３】英国特許出願公開第２０８０７９０号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
四級アンモニウムヒドロキシド、極性有機アミン、腐食防止剤、水および必要に応じて没食子酸を含む洗浄溶液であって、該腐食防止剤は、アスコルビン酸（ビタミンＣ）、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、ハイドロキノン、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、およびこれらの組合せからなる群から選択される、洗浄溶液。
【請求項２】
テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、およびこの組合せからなる群から選択される、０．０５重量％〜１２．４重量％の第４級アンモニウムヒドロキシドであって、該アルキルが、１〜１０個のＣ原子を含有する、第４級アンモニウムヒドロキシドを含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項３】
モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｃ２〜Ｃ５アルカノールアミン、およびこれらの組合せからなる群から選択される、０．２重量％〜２７．８重量％の極性有機アミンを含む、請求項１または２に記載の洗浄溶液。
【請求項４】
１．０重量％までの没食子酸を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の洗浄溶液。
【請求項５】
０．２重量％〜１０．９重量％の腐食防止剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の洗浄溶液。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の洗浄溶液であって、該溶液のアルカリ度が、１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、洗浄溶液。
【請求項７】
請求項１または６に記載の洗浄溶液であって、前記腐食防止剤が、アスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸およびアスコルビン酸誘導体からなる群から選択される、洗浄溶液。  
【請求項８】
前記極性有機アミンは、Ｃ２〜Ｃ５アルカノールアミンを含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項９】
前記極性有機アミンは、モノエタノールアミンを含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１０】
前記腐食防止剤は、アスコルビン酸を含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１１】
前記テトラアルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドである、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１２】
さらにキレート剤を含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１３】
前記腐食防止剤は、カテコール、ピロガロール、レゾルシノール、およびハイドロキノンを含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１４】
前記腐食防止剤は、クエン酸を含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１５】
前記腐食防止剤は、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）を含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１６】
前記極性有機アミンは、トリエタノールアミンを含む、請求項１に記載の洗浄溶液。
【請求項１７】
銅を含む超小型エレクトロニクス基板の洗浄のための、洗浄溶液であって、以下：
０．０５重量％〜１２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、
０．２重量％〜２７．８重量％のモノエタノールアミン；
０．１重量％〜４重量％の没食子酸；
０．２％〜１０．９％のアスコルビン酸、および
水
を含む、洗浄溶液であって、
ここで、該溶液のアルカリ度が、１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基より大きい、洗浄溶液。
【請求項１８】
０．１５重量％〜１．２５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、０．２重量％〜約２．２５重量％のモノエタノールアミン、０．１重量％〜０．４重量％の没食子酸；および０．１重量％〜０．９重量％のアスコルビン酸、バランス水を含む、請求項１７に記載の洗浄溶液。
【請求項１９】
１．８重量％〜１２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、２．０重量％〜２７．８重量％のモノエタノールアミン、０．１重量％〜４重量％の没食子酸；０．２重量％〜１０．９重量％のアスコルビン酸、バランス水を含む、請求項１７に記載の洗浄溶液。
【請求項２０】
超小型エレクトロニクス基板のための洗浄溶液であって、以下：
１．５重量％〜１２．５重量％の濃縮物であって、アルキルがＣ１〜Ｃ１０の原子の１つまたはＣ１〜Ｃ１０の原子の組合せを含む、１．８重量％〜１２．４重量％の第４級アンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、アミノエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルアミノエタノール、アミノエトキシエタノール、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｃ２〜Ｃ５アルカノールアミン、およびこれらの混合物からなる群から選択される、２．０重量％〜２７．８重量％の極性有機アミン；４重量％までの没食子酸、アスコルビン酸（ビタミンＣ）、Ｌ（＋）−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、アスコルビン酸誘導体、ピロガロール、レゾルシノール、ハイドロキノン、クエン酸、エチレンジアミン四酢酸、ベンゾトリアゾール、およびこれらの組合せからなる群から選択される１．０重量％〜１０．９重量％の腐食防止剤、バランス水を含む濃縮物；および
８７．５重量％〜９８．５重量％の水から本質的になり、該溶液のアルカリ度が、１グラムあたり０．０７３ミリ当量塩基よりも大きい、洗浄溶液。
【請求項２１】
前記濃縮物は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミン、没食子酸、アスコルビン酸および水を含む、請求項２０に記載の洗浄溶液。
【請求項２２】
前記濃縮物は、１．８重量％〜１２．４重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、２重量％〜２７．８重量％のモノエタノールアミン、０．１重量％〜４．０重量％の没食子酸、１．０重量％〜１０．９重量％のアスコルビン酸、バランス水を含み、該溶液は、溶液１グラムあたり０．０７３ミリ当量よりも大きいアルカリ度を有する、請求項２０に記載の洗浄溶液。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の溶液に半導体ウエハを接触させる工程を包含する、超小型エレクロトニクス基板を製造する方法。
【請求項２４】
請求項１〜２２のいずれか１項に記載の溶液に超小型エレクロトニクス基板を接触させる工程を包含する、超小型エレクロトニクス基板を洗浄する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備える不揮発性記憶装置の書き込み方法であって、
前記不揮発性メモリは、
複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
前記コントローラが、外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける第１のステップと、
前記コントローラが、前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する第２のステップと、
前記コントローラが、前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む第３のステップと、を有する
不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項２】
前記第３のステップは、前記データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項３】
前記不揮発性メモリは、少なくとも２つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項４】
前記不揮発性メモリは、２つの不揮発性メモリチップを１つのパッケージとして構成する、
請求項３に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項５】
前記不揮発性メモリは、１つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項６】
前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
前記第２のステップは、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
請求項１に記載の不揮発性記憶装置の書き込み方法。
【請求項７】
不揮発性メモリと、当該不揮発性メモリを制御するコントローラと、を備え、
前記不揮発性メモリは、
複数の領域からなり、前記領域は、情報の消去単位である複数の物理ブロックを有し、
前記物理ブロックは、情報の書込単位である複数の物理ページを含み、
前記領域は、当該領域内において、ある物理ブロックの任意の物理ページから他の物理ブロックの任意の物理ページに対してページデータの複製が可能であり、
前記コントローラは、
外部から、前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換え指示を受け付ける受付手段と、
前記受け付けた書き換え対象となるデータが記憶された領域を検知する検知手段と、
前記検知された領域内にある物理ブロックのうち、書込み可能な物理ブロックに対して前記データを書き込む書込手段と、を有する、
不揮発性記憶装置。
【請求項８】
前記書込手段は、
データの一部書き換え指示に含まれる書き換え用ページデータ及び前記既に記憶されたデータに含まれるページデータに基づいて、前記書込み可能な物理ブロックに前記データを書き込む、
請求項７に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項９】
前記不揮発性メモリは、少なくとも２つの不揮発性メモリチップを有し、当該不揮発性メモリチップを前記領域とする、
請求項７に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
前記不揮発性メモリは、２つの不揮発性メモリチップを１つのパッケージとして構成する、
請求項９に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
前記不揮発性メモリは、１つの不揮発性メモリチップで構成され、当該不揮発性メモリチップ内を複数のエリアに分割し、当該分割したエリアを前記領域とする、
請求項７に記載の不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
前記不揮発性メモリに既に記憶されているデータの一部書き換えの指示は、外部からの当該不揮発性メモリに既に記憶されているデータに対する任意のページデータのアドレス指定であり、
前記検知手段は、前記外部から指定されたアドレスによって、前記領域を検知する、
請求項７に記載の不揮発性記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視覚的外観を規定するアイデンティティを作成するためのユーザインターフェースを表示するステップであって、前記アイデンティティは、複数のアプリケーションのそれぞれによって生成される出力物の一貫性のある視覚的ルックを生成するために、前記複数のアプリケーションのそれぞれが利用可能である、ステップと、
ユーザインターフェース選択装置が前記ユーザインターフェースの複数のメニュー選択肢のうちの１つを選択したことに応答して、メニューエントリ選択信号を受信するステップと、
前記メニューエントリ選択信号に基づいて前記アイデンティティを変更するステップと
を含む方法を実施するためのコンピュータ実行可能命令を有することを特徴とする１つまたは複数のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項２】
前記メニュー選択肢は、基本デザインのオプションを含み、前記基本デザインは、１つまたは複数のオブジェクトを規定し、前記出力物における、前記１つまたは複数のオブジェクトの位置を規定することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項３】
前記メニュー選択肢は、エフェクトスキームのオプションを含み、前記エフェクトスキームは、調整されたスタイル要素のセットを規定することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項４】
前記ユーザインターフェースは、選択された場合に前記アイデンティティをテンプレート内に保存する保存オプションを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項５】
前記ユーザインターフェースは、選択された場合に前記アイデンティティをテーマとして保存する保存オプションを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
前記メニュー選択肢は、企業情報オプションを含み、前記ユーザインターフェースは、選択された場合、前記企業情報オプションの選択に応答して企業情報ストアに、入力された企業情報を保存する保存オプションを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項７】
前記メニュー選択肢は、前記ユーザインターフェース選択装置を用いた選択の際、前記ユーザインターフェースを介して作成された前記アイデンティティに基づいて他のアプリケーションのうちの１つによって生成された他の出力物を表示するプレビューオプションを有することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項８】
前記ユーザインターフェースを表示するステップは、前記アプリケーションの起動体験の間に行なわれることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項９】
前記ユーザインターフェースを表示するステップは、前記アプリケーションにおいて新規ドキュメントを作成する際に行われることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１０】
前記ユーザインターフェースを表示するステップは、前記アプリケーションにおいてドキュメントを編集する間にメニュー項目が選択されたときに行われることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項１１】
アイデンティティをアプリケーションの出力物に適用するステップであって、前記アイデンティティは、前記出力物の視覚的外観を規定し、前記出力物の前記視覚的外観は、前記アイデンティティをそのそれぞれの別の出力物に適用した別のアプリケーションによって生成されたそれぞれの別の出力物と一貫性のある、ステップと、
前記アイデンティティに基づいて前記出力物を生成するステップと
を含むことを特徴とするコンピュータが実施する方法。
【請求項１２】
前記アイデンティティは、カラースキーム、フォントスキーム、ロゴ、エフェクトスキーム、企業情報またはロゴのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記アイデンティティは、複数のテンプレート内に保存され、各テンプレートは前記アプリケーションのうちの１つと関連付けられることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
複数のアプリケーションによって生成された出力物に一貫性のある視覚的外観を与えるように構成されたシステムであって、
プロセッサと、
複数の命令がその中にロードされるメモリであって、前記複数の命令は、
前記複数のアプリケーションによって生成される出力物のためのカスタマイズされた視覚的外観を規定するアイデンティティを作成するように構成されたアイデンティティ作成モジュールと、
前記複数のアプリケーションによってアクセス可能な形式で前記アイデンティティを保存するように構成されたアイデンティティ出力生成モジュールと
を含むメモリと
を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
前記アイデンティティを、前記複数のアプリケーションの前記出力物に適用するためのモジュールをさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成19年12月21日(2007.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス型表示装置およびそれを用いた電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に、半導体膜と、前記半導体膜に近接するゲートと、前記半導体膜と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜とを有する画素トランジスタと、
前記画素トランジスタの上方に設けられ、前記半導体膜に電気的に接続された画素電極と、
前記ゲートおよび前記半導体膜の下方に設けられた保持容量と、を有し、
前記保持容量は、前記基板の上方に第１の配線と、前記第１の配線の上方に第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線との間に誘電体とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
基板の上方に第１の配線と、
前記第１の配線の上方に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方に第２の配線と、
前記第２の配線の上方に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に、半導体膜と、前記半導体膜に近接するゲートと、前記半導体膜と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜とを有する画素トランジスタと、を有し、
前記第１の配線と前記第１の絶縁膜と前記第２の配線とを有する保持容量を有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記半導体膜は、前記第１の配線と電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記半導体膜は、前記第１の配線と直接接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の配線または前記第２の配線には、遮光性を有する材料が用いられることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の配線および前記第２の配線には、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、シリコンから選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜が用いられることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
基板の上方に、半導体膜と、前記半導体膜に近接するゲートと、前記半導体膜と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜とを有する画素トランジスタと、
前記基板と前記画素トランジスタとの間に複数の保持容量と、を有し、
前記複数の保持容量は、前記基板に対して垂線方向に並んでいることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
基板の上方に、半導体膜と、前記半導体膜に近接するゲートと、前記半導体膜と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜とを有する画素トランジスタと、
前記基板と前記画素トランジスタとの間に複数の保持容量と、を有し、
前記複数の保持容量は、前記基板に対して垂線方向に並んでおり、
前記複数の保持容量は、基板の上方に第１の保持容量と、前記第１の保持容量の上方に第２の保持容量とを有し、
前記第１の保持容量は、前記基板の上方に第１の配線と、前記第１の配線の上方に第１の誘電体と、前記第１の誘電体の上方に第２の配線とを有し、
前記第２の保持容量は、前記第２の配線と、前記第２の配線の上方に第２の誘電体と、前記第２の誘電体の上方に第３の配線とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
基板の上方に第１の配線と、
前記第１の配線の上方に第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の上方に第２の配線と、
前記第２の配線の上方に第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜の上方に第３の配線と、
前記第３の配線の上方に第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜の上方に、半導体膜と、前記半導体膜に近接するゲートと、前記半導体膜と前記ゲートとの間にゲート絶縁膜とを有する画素トランジスタと、
前記基板と前記画素トランジスタとの間に複数の保持容量と、を有し、
前記複数の保持容量は、前記基板に対して垂線方向に並んでいることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記半導体膜は、前記第２の配線と電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、前記第３の配線は、前記第１の配線と電気的に接続されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記第１の配線、前記第２の配線または前記第３の配線には、遮光性を有する材料が用いられることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１３】
請求項８乃至１１のいずれか一において、前記第１の配線、前記第２の配線および前記第３の配線には、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、クロム、シリコンから選ばれた元素、または前記元素を組み合わせた合金膜が用いられることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置は、アクティブマトリクス型ＥＬ表示装置であることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記アクティブマトリクス型表示装置を表示部に用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発射された遊技球が遊技盤面上に配されたレールに案内されて移動し、遊技球の移動速度が遅くなると重力によって遊技球がレールから離れ遊技領域内に落下する遊技機において、
遊技者によって操作される発射操作部と、
レールに沿って位置変更可能なストッパと、
遊技球を遊技領域に向かって発射する発射装置と、
発射操作部の操作に応じてストッパと発射装置を制御する制御ユニットと、
を備え、
その制御ユニットは、発射操作部が操作されると、発射操作部の操作量に応じてストッパの位置を調整すると共に、発射装置から発射される遊技球がストッパの位置に関らずストッパに衝突するように発射装置を駆動することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記制御ユニットは、発射操作部が操作されると、ストッパの位置に関らず一定の発射強度で発射装置を駆動し、その発射装置の発射強度が、ストッパが最も遠い位置に移動したときでも当該ストッパに遊技球が衝突する発射強度とされている遊技機。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の遊技機において
前記制御ユニットは、発射操作部の操作量に応じてストッパの位置を無段階に調整可能となっている遊技機。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の遊技機において、
前記ストッパは衝突した遊技球が下方にはね返るような形状とされている遊技機。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の遊技機において、
前記ストッパは衝撃吸収材により形成されている遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有するトナーにおいて、
（ｉ）トナー中の結着樹脂がスチレン−アクリル樹脂を６０質量％以上含有しており、
（ｉｉ）該結着樹脂は、トナー中において、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分であるＴＨＦ不溶分Ａを有しており、
（ｉｉｉ）該ＴＨＦ不溶分Ａは、トルエン（ＴＯＬ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分であるＴＯＬ不溶分Ｂを有しており、
（ｉｖ）ＴＨＦ不溶分ＡとＴＯＬ不溶分Ｂとの質量比が０．１≦Ｂ／Ａ≦０．５であることを特徴とするトナー。
【請求項２】
結着樹脂を基準として、前記ＴＨＦ不溶分Ａが１０質量％〜５０質量％含有されていることを特徴とする請求項１に記載のトナー。
【請求項３】
トナー中の結着樹脂のＴＨＦ可溶分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布が分子量３０００〜３００００の領域に少なくとも１つのピークを有しており、分子量１０万以下の面積は全体の面積に対して７０〜１００％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のトナー。
【請求項４】
前記ＴＨＦ不溶分ＡのＴＯＬを用いた抽出によって得られたＴＯＬ可溶分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布が分子量３０００〜３００００の領域に少なくとも１つのピークを有しており、ＧＰＣチャートにおける分子量１０万以下の面積は全体の面積に対して６０〜９０％であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のトナー。
【請求項５】
トナー中の結着樹脂に含有される前記スチレン−アクリル樹脂は、カルボキシル基含有ビニル樹脂とグリシジル基含有ビニル樹脂を反応させて得たものであることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のトナー。
【請求項６】
トナー中の結着樹脂に含有される前記スチレン−アクリル樹脂について、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分である
ＴＨＦ不溶分Ｃが０質量％〜１０質量％であることを特徴とする請求項５に記載のトナー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち本発明は、以下のとおりである。
（１）少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有するトナーにおいて、
（ｉ）トナー中の結着樹脂がスチレン−アクリル樹脂を６０質量％以上含有しており、
（ｉｉ）該結着樹脂は、トナー中において、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分であるＴＨＦ不溶分Ａを有しており、
（ｉｉｉ）該ＴＨＦ不溶分Ａは、トルエン（ＴＯＬ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分であるＴＯＬ不溶分Ｂを有しており、
（ｉｖ）ＴＨＦ不溶分ＡとＴＯＬ不溶分Ｂとの質量比が０．１≦Ｂ／Ａ≦０．５であることを特徴とするトナー。
（２）結着樹脂を基準として、前記ＴＨＦ不溶分Ａが１０質量％〜５０質量％含有されていることを特徴とする（１）に記載のトナー。
（３）トナー中の結着樹脂のＴＨＦ可溶分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布が分子量３０００〜３００００の領域に少なくとも１つのピークを有しており、分子量１０万以下の面積は全体の面積に対して７０〜１００％であることを特徴とする（１）又は（２）に記載のトナー。
（４）前記ＴＨＦ不溶分ＡのＴＯＬを用いた抽出によって得られたＴＯＬ可溶分は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定される分子量分布が分子量３０００〜３００００の領域に少なくとも１つのピークを有しており、ＧＰＣチャートにおける分子量１０万以下の面積は全体の面積に対して６０〜９０％であることを特徴とする（１）〜（３）の何れかに記載のトナー。
（５）トナー中の結着樹脂に含有される前記スチレン−アクリル樹脂は、カルボキシル基含有ビニル樹脂とグリシジル基含有ビニル樹脂を反応させて得たものであることを特徴とする（１）〜（４）の何れかに記載のトナー。
（６）トナー中の結着樹脂に含有される前記スチレン−アクリル樹脂について、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いたソックスレー抽出により１６時間抽出した時の抽出残分であるＴＨＦ不溶分Ｃが０質量％〜１０質量％であることを特徴とする（５）に記載のトナー。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空状または芯部が充填された炭素繊維の集合体を製造する方法であって、
少なくとも炭素、酸素、水素および硫黄を構成要素として有する溶液の飽和蒸気の雰囲気中において、該溶液の蒸気を加熱する工程と、
加熱された該溶液の蒸気を硫黄存在下で分解して炭素繊維を生成する工程と、
該炭素繊維を、該飽和蒸気の雰囲気中に配置してなる300から700℃の基板上に形成させる工程と、
を有することを特徴とする、中空状または芯部が充填された炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項２】
該溶液は、炭素と酸素の元素の存在比率が１：２から６：１の範囲にあり、かつ炭素と硫黄の元素の存在比率が300：1から1000000：1の範囲である請求項１に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項３】
該溶液が、アルコール、エーテル、ケトン、エステル、アルデヒドおよびカルボン酸化合物から選ばれる有機溶剤の少なくとも１つと、チオール、チオエーテル、チオカルボニル、炭化硫黄、硫化水素、硫酸化合物および芳香族チオ化合物から選ばれる硫黄化合物の少なくとも１つを含んでいる請求項１または２に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項４】
該硫黄化合物が、メタンチオール、チオ尿素、二硫化炭素、チオ硫酸ナトリウムおよびメチオニンから選ばれる少なくとも１つを含んでいる請求項３に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項５】
該溶液が、更に金属錯体化合物を含有し、
該金属錯体化合物の中心金属が、白金、パラジウム、ニッケル、鉄、コバルト、ルテニウム、タングステンおよびモリブデンから選ばれるいずれかの元素である請求項１乃至４のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項６】
該溶液の蒸気の加熱を、該溶液の飽和蒸気の雰囲気中に配置したフィラメントで行う請求項１乃至５のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項７】
該フィラメントの温度が1500から2300℃である請求項６に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項８】
該基板が、ニッケル、白金、ルテニウム、ロジウム、鉄、チタン、パラジウム、銅、アルミニウム、タングステン、ケイ素、モリブデン、イットリウムおよびコバルトから選ばれる少なくとも１つの元素を含んでいる請求項１乃至７のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項９】
中空状または芯部が充填された炭素繊維の集合体を製造する方法であって、
少なくとも炭素、酸素および水素を構成要素として有する溶液の飽和蒸気の雰囲気中で、該溶液の飽和蒸気の雰囲気中に配置したフィラメントで該溶液の飽和蒸気を加熱する工程と、
加熱された該溶液の蒸気を分解して該飽和蒸気の雰囲気中に配置してなる基板上に炭素繊維を生成させる工程を有し、
該基板が少なくとも硫黄化合物を含有することを特徴とする、中空状または芯部が充填された炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項１０】
該溶液は、炭素と酸素の存在比率が１：２から６：１の範囲にある請求項９に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項１１】
該溶液が、アルコール、エーテル、ケトン、エステル、アルデヒドおよびカルボン酸化合物から選ばれる少なくとも１つを含んでいる請求項９または１０に記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項１２】
前記工程において、該フィラメントを1500から2300℃に加熱する工程を更に有する請求項９乃至１１のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項１３】
該基板が、ニッケル、白金、ルテニウム、ロジウム、鉄、チタン、パラジウム、銅、アルミニウム、タングステン、ケイ素、モリブデン、イットリウム、コバルトまたはこれらの合金を硫黄蒸気中で加熱処理した物である請求項９乃至１２のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。
【請求項１４】
該基板が、ニッケル、白金、ルテニウム、ロジウム、鉄、チタン、パラジウム、銅、アルミニウム、タングステン、ケイ素、モリブデン、イットリウム、コバルトまたはこれらの合金の表面を硫黄化合物で処理した物であるある請求項９乃至１２のいずれかに記載の炭素繊維の集合体の製造方法。