(57)【要約】【課題】  十分なパワーをプラズマに供給するとともに、反射電力によりパルス波電源が破損するという危険を回避でき、しかも、プラズマの発光遅れを無くして、性能のよい膜を形成可能とする。【解決手段】  プラズマ処理室１０の内部でプラズマが発光したことを検出する発光検出手段５０と、プラズマの発光前のインピーダンスを整合する第一整合器３０−１と、プラズマ発光後のインピーダンスを整合するとともに整合回路のインピーダンスが予め固定された第二整合器３０−２と、発光検出手段５０でプラズマの発光が検出されると第一整合器３０−１から第二整合器３０−２へ切り換える切換手段４０とを備えた。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス波を供給する電源とプラズマ処理室内の電極との間のインピーダンスを整合する整合器が接続されたプラズマ処理装置であって、
プラズマ発光前の前記インピーダンスを整合する第一整合器と、
プラズマ発光後の前記インピーダンスを整合する第二整合器と、
前記第一整合器と前記第二整合器とを切り換える切換手段とを備えた
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記プラズマが発光したことを検出する発光検出手段を備え、
前記切換手段は、前記発光検出手段でプラズマの発光が検出されると、前記第一整合器から前記第二整合器へ切り換える
ことを特徴とする請求項１記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第一整合器及び／又は前記第二整合器における整合回路のインピーダンスが、予め整合された固定インピーダンスである
ことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
高出力期間での前記インピーダンスを整合する第三整合器を備え、
前記切換手段は、前記高出力期間への移行時に、前記第二整合器から前記第三整合器へ切り換える
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記パルス波のＯＮ時間に高周波が出力される
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
パルス波を供給する電源とプラズマ処理室内の電極との間のインピーダンスを整合器により整合するプラズマ処理方法であって、
プラズマの発光前は、第一整合器により前記インピーダンスを整合し、
プラズマの発光を検出すると、予め固定インピーダンスに整合された第二整合器に切り換える
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、外部からプラズマ処理室内にパルス波を導入してプラズマを発生させ対象物に所定の処理を施すプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関し、特に、高周波プラズマ処理装置において、シビアなインピーダンスマッチングを適切かつ瞬時に行うのに好適なプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化学蒸着法（ＣＶＤ）は、常温では反応の起こらない処理用ガスを用いて、高温雰囲気での気相成長により、処理対象物の表面に反応生成物を膜状に析出させる技術であり、半導体の製造、金属やセラミックの表面改質等に広く採用されている。
最近では、ＣＶＤでも低圧プラズマＣＶＤとしてプラスチック容器の表面改質、特に、ガスバリヤ性の向上にも応用されている。
【０００３】
プラズマＣＶＤは、プラズマを利用して薄膜成長を行うものであり、基本的には、減圧下において処理用ガスを含むガスを高電界の電気的エネルギーで放電させることにより、解離、結合して生成した物質を、気相中又は処理対象物上で化学反応させることによって、処理対象物上に堆積させる方法である。
プラズマ状態は、グロー放電、コロナ放電、アーク放電などによって実現されるものであり、たとえば、グロー放電の方式としては、直流グロー放電を利用する方法、マイクロ波放電を利用する方法（マイクロ波プラズマＣＶＤ）、高周波グロー放電を利用する方法（高周波プラズマＣＶＤ）などが知られている。
【０００４】
これらのうち、マイクロ波プラズマＣＶＤは、円筒形状のチャンバと、このチャンバ内で倒立した容器の内部空間に原料ガスを送るノズルと、そのチャンバにマイクロ波を導入する導波管とを備え、このマイクロ波の導入により原料ガスをプラズマ化して、容器の内表面に薄膜を形成する装置である。
このように、マイクロ波プラズマＣＶＤは、装置の構成を極めて簡略化でき、また、装置内での減圧の程度も、プラスチック容器の内面を処理する場合には、マイクロ波放電がプラスチック容器内のみに発生するようにすればよいので、装置内全体を高真空に維持する必要がなく、操作の簡便さ、及び生産性の点で優れている。
【０００５】
一方、高周波プラズマＣＶＤは、内部が真空状態にされるプラズマ処理室と、このプラズマ処理室の一部を構成する外部電極と、プラズマ処理室内に配置された容器の内部空間に挿入される内部電極と、容器内に原料ガスを供給するガス供給手段とを備え、真空状態下で容器内部に原料ガスを流し、外部電極に高周波を印加すると、それら外部電極と内部電極との間にバイアス電圧が発生して原料ガスがプラズマ化し、容器の内表面に薄膜を形成する装置である（例えば、特許文献１参照。）。
この高周波プラズマＣＶＤは、波長が大きいためにプラズマが均一に立ちやすいことや、電極を近づけて行うために単純な形状の処理対象物に適していることなどから、比較的小さいプラスチック容器への成膜に適した装置といえる。
【０００６】
ところで、プラズマＣＶＤ法に関する重要な技術の一つに、インピーダンスの整合がある。
これは、パルス波電源とプラズマ処理室内の電極との間に設けられた整合器により、そのパルス波電源のインピーダンスと電極から見たプラズマのインピーダンスとの整合を行うものである。
もし、それらインピーダンスが相違していると、電力が電極で反射して十分なパワーをプラズマに供給できないばかりか、その反射してきた電力によりパルス波電源が破損する危険性がある。これを回避するために行われるものである。
【０００７】
ただし、整合すべきインピーダンスの値は、プラズマの発生前と発生後で相違する。このため、その変化に追従できるように、一般に自動整合器が用いられている。
ここで、従来の自動整合器の構成を図７に示す。同図に示すように、自動整合器１００は、整合回路１１０と、電流検出回路１２０と、電圧検出回路１３０と、制御回路１４０とを備えている。
整合回路１１０は、入力端子１５０と接地１１１との間に接続された第一可変コンデンサ１１２と、入力端子１５０と出力端子１６０との間に直列に接続された第二可変コンデンサ１１３及びコイル１１４とを備えている。
【０００８】
第一可変コンデンサ１１２及び第二可変コンデンサ１１３は、モータにより可変電極を回転させながら他の電極との間隔を調整することにより、その容量を変化させるものである。整合器１００のインピーダンス整合は、それら可変コンデンサ１１２及び１１３の容量を変化させることによって行われる。
電流検出回路１２０及び電圧検出回路１３０は、進行波電力及び反射波電力を計測するために使用される。電流検出回路１２０は、入力端子１５０を流れる電流を計測し、電圧検出回路１３０は、入力端子１５０の電圧を計測する。これら計測された電流及び電圧は、制御回路１４０に出力される。
【０００９】
制御回路１４０は、電流検出回路１２０で測定された電流と、電圧検出回路１３０で検出された電圧とにもとづいて進行波電力及び反射波電力を算出し、これら算出値に応答して可変コンデンサの容量、すなわち、整合回路１１０のインピーダンスを制御する。
このような構成を有する整合器の改良発明は、従来から種々提案されている（例えば、特許文献２、３参照。）。
【特許文献１】特開平８−５３１１７号公報
【特許文献２】特開２００５−３２５３９５号公報
【特許文献３】特開２００６−２１３９６７号公報（第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、従来の整合器は、モータにより可変電極を回転させて電極間隔を調整するというメカニカルな手法でインピーダンスを可変していたため、時間がかかっていた。具体的には、マッチングスピードは、少なくとも０．４秒以上はかかっていた。このため、プラズマの発光遅れが生じることがあり、性能のよい膜が形成できないという問題があった。
【００１１】
このように、整合器でのインピーダンスマッチングが瞬時に行われないと、プラズマが着火せずに全く成膜がされないか、あるいは着火したとしても成膜時間が所定より少なくなる。こうなると、ガスバリヤ性が不十分なボトルが発生してしまう。また、最悪の場合、反射電力によりパルス波電源が破損することも想定される。
【００１２】
ここで、上述した特許文献２には、整合器でのインピーダンスマッチングが遅れたためにプラズマが発光しないといった事態を回避するために、プラズマを強制発光させるスパーク発生手段を備えた構成を開示している。
ところが、この技術では、インピーダンスがマッチングしていない状態でプラズマが発光してしまうため、十分なパワーをプラズマに供給できないという問題や、反射電力によりパルス波電源が破損する危険性があるという問題が依然として残っていた。
【００１３】
本発明は、上記の事情にかんがみなされたものであり、十分なパワーをプラズマに供給可能とするとともに、反射電力によりパルス波電源が破損するという危険を回避でき、しかも、プラズマの発光遅れを無くして、性能のよい膜を形成可能とするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この目的を達成するため、本発明のプラズマ処理装置は、パルス波を供給する電源とプラズマ処理室内の電極との間のインピーダンスを整合する整合器が接続されたプラズマ処理装置であって、プラズマ発光前のインピーダンスを整合する第一整合器と、プラズマ発光後のインピーダンスを整合する第二整合器と、第一整合器と第二整合器とを切り換える切換手段とを備えた構成としてある。
【００１５】
プラズマ処理装置をこのような構成とすると、第一整合器から第二整合器への切り換えが切換手段により瞬時に行えるため、プラズマの発光遅れがなくなり、性能のよい膜を形成できる。
しかも、プラズマ発光後に瞬時にインピーダンスが整合するため、十分なパワーをプラズマに供給できるとともに、反射電力によりパルス波電源が破損するという危険を回避できる。
【００１６】
また、本発明のプラズマ処理装置は、プラズマが発光したことを検出する発光検出手段を備え、切換手段は、発光検出手段でプラズマの発光が検出されると、第一整合器から第二整合器へ切り換える構成とすることができる。
プラズマ処理装置をこのような構成とすれば、第一整合器から第二整合器への切り換えを、プラズマが発光した時点で行なうことができる。
【００１７】
また、本発明のプラズマ処理装置は、第一整合器及び／又は第二整合器における整合回路のインピーダンスを、予め整合された固定インピーダンスとすることができる。
プラズマ処理装置をこのような構成とすると、第二整合器に切り換えられた時点で即座にインピーダンスを整合できる。このため、プラズマの発光遅れを無くし、性能のよい膜を形成できる。また、第一整合器における整合回路のインピーダンス整合定数をバッチシステムにて予め見つけておき、これを固定しておくことで、誘導期間においても、第一整合器により瞬時にインピーダンスを整合できる。
【００１８】
また、本発明のプラズマ処理装置は、高出力段階でのインピーダンスを整合する第三整合器を備え、切換手段は、高出力段階への移行時に、第二整合器から第三整合器へ切り換える構成とすることができる。
プラズマ処理装置をこのような構成とすれば、高出力段階への移行にともなって即座にインピーダンスを整合させることができる。
【００１９】
また、本発明のプラズマ処理装置は、パルス波のＯＮ時間に高周波が出力される構成とすることができる。
プラズマ処理装置をこのような構成とすると、インピーダンス整合がシビアな高周波プラズマ処理装置においても、プラズマ発光後のインピーダンスを即座にマッチングさせることができる。
【００２０】
また、本発明のプラズマ処理方法は、パルス波を供給する電源とプラズマ処理室内の電極との間のインピーダンスを整合器により整合するプラズマ処理方法であって、プラズマの発光前は、第一整合器によりインピーダンスを整合し、プラズマの発光を検出すると、予め固定インピーダンスに整合された第二整合器に切り換える方法としてある。
【００２１】
プラズマ処理方法をこのような方法とすれば、プラズマの発光を検出すると、そのプラズマ発光後に整合すべきインピーダンスに瞬時に切り換えることができるため、プラズマの発光遅れが無くなり、性能のよい膜を形成できる。
【発明の効果】
【００２２】
以上のように、本発明によれば、第一整合器と第二整合器と切換器とを備え、第二整合器は予め固定インピーダンスに整合されているため、プラズマの発光を検出すると、瞬時にその固定インピーダンスに切り換えることができる。
これにより、プラズマの発光遅れを無くすとともに、反射電力によりパルス波電源が破損するという危険を回避でき、しかも、十分なパワーをプラズマに供給して、性能のよい膜を形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の好ましい実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２４】
（プラズマ処理装置）
まず、本発明のプラズマ処理装置の実施形態について、図１を参照して説明する。
同図は、本実施形態のプラズマ処理装置の構成を示す概略図である。
【００２５】
同図に示すように、プラズマ処理装置１ａは、プラズマ処理室１０と、高周波電源２０と、整合器３０（３０−１，３０−２）と、切換器４０ａと、プラズマ発光センサ５０と、切換制御手段６０とを備えている。
ここで、プラズマ処理室１０は、ボトルＡ（処理対象物）を囲むように設けられた外部電極１１と、この外部電極１１の外側をシールドするシールドカバー１２と、ボトルＡの内部空間に挿入されたガスノズル（内部電極）１３とを備えており、ガスノズル１３は接地されている。
【００２６】
高周波電源（パルス波電源）２０は、図２に示すようなパルス波を出力してプラズマ処理室１０へ供給する。このパルス波のＯＮ時間の波形は、同図に示すように、高周波により形成されている。すなわち、パルス波のＯＮ時間に高周波が出力される。これにより、誘導期間や保持期間（図３参照）ではパルス波のＯＮ時間を短くし、高出力期間ではその出力を高くするといった制御を行なって薄膜の性能を高めることができる。
【００２７】
整合器３０は、高周波電源２０のインピーダンスと外部電極１１から見たプラズマのインピーダンスとを整合させる装置である。本実施形態では、整合器３０として、真空状態用の第一整合器３０−１と、プラズマ用の第二整合器３０−２の２つが備えられている。
第一整合器３０−１は、プラズマ処理室１０の内部が真空状態（プラズマが発光するまでの誘導期間）において、インピーダンス整合を行う。この第一整合器３０−１の整合回路のインピーダンスは、バッチシステムにより予め調整され固定することができる。これにより、誘導期間におけるインピーダンス整合を瞬時に行なうことができる。
【００２８】
第二整合器３０−２は、プラズマ発光後において、インピーダンス整合を行う。この第二整合器３０−２では、整合回路のインピーダンスが予め調整され固定されている。このため、第二整合器３０−２に切り換えられた時点で、インピーダンスが整合する。
なお、整合器３０そのものは、図７に示すような従来公知の任意好適な整合器を用いることができる。
【００２９】
切換器４０ａは、切換制御手段６０からの制御信号にもとづいて、第一整合器３０−１と第二整合器３０−２との間の切り換えを行う。
例えば、端子１側に切り換えると、高周波電源２０と外部電極１１との間に第一整合器３０−１が接続される。一方、端子２側に切り換えると、第二整合器３０−２が接続される。
この切換器４０ａは、例えば、有接点（例えば、リレーなど）又は無接点（例えば、半導体素子など）の切換器を用いることができる。
【００３０】
プラズマ発光センサ（発光検出手段）５０は、プラズマ処理室１０の内部で起こったプラズマの発光を検出すると、検出信号を出力する。
切換制御手段６０は、プラズマ発光センサ５０で出力された検出信号を入力すると、切換器４０ａに切換動作をさせる。
【００３１】
この切換制御手段６０は、プラズマ発光センサアンプと、整合器切換コントローラとを有している。
プラズマ発光センサアンプは、プラズマ発光センサ５０からの検出信号を増幅する。
【００３２】
整合器切換コントローラは、その増幅された検出信号を入力すると、切換器４０ａへ制御信号を送って切換動作をさせる。切換器４０ａでは、制御信号を受ける前は、第一整合器３０−１に接続し、制御信号を受けると、第二整合器３０−２に接続するように切換動作を行う。この切換器４０ａにおける切換時間は、１パルス以内（１０ｍｓ以下）とするのが望ましい。
【００３３】
なお、プラズマ処理装置１は、図１に代えて、図４に示すような構成とすることができる。すなわち、整合器３０を３つ備え、切換器４０がそれらを切り換える構成とすることができる。
この場合、整合器３０としては、図４に示すように、真空状態用の第一整合器３０−１と、低出力プラズマ用の第二整合器３０−２と、高出力プラズマ用の第三整合器３０−３の三つが備えられる。
これらのうち、第一整合器３０−１は、プラズマ発光前のインピーダンスを整合する。第二整合器３０−２は、プラズマ発光後の保持期間（低出力期間、図３参照）においてインピーダンスを整合する。第三整合器３０−３は、高出力期間（図３参照）においてインピーダンスを整合する。さらに、第三整合器３０−３では、整合回路のインピーダンスを予め固定値とすることができる。これにより、高出力期間において瞬時にインピーダンスを整合させることができる。
【００３４】
切換器４０ｂは、切換制御手段６０からの制御信号にもとづき、第一整合器３０−１，第二整合器３０−２，第三整合器３０−３の間の切り換えを行う。例えば、誘導期間では、端子１に切り換えて、第一整合器３０−１のみを高周波電源２０とプラズマ処理室１０との間に接続する。保持期間では、端子２に切り換えて、第二整合器３０−２のみを接続する。高出力期間では、端子３に切り換えて、第三整合器３０−３のみを接続する。
なお、第一整合器３０−１から第二整合器３０−２への切り換えは、プラズマ発光センサ５０でプラズマの発光が検出されたときに行われる。これに対し、第二整合器３０−２から第三整合器３０−３への切り換えは、例えば所定時間（保持期間に要する時間）が経過したときに行なわれる。
【００３５】
（プラズマ処理装置の操作手順）
次に、プラズマ処理装置の操作手順について説明する。
真空ポンプ（図示せず）によりプラズマ処理室１０の内部を真空にする。次いで、ボトル２０の中心部に挿入されたガスノズル（内部電極）１３から処理用ガスを供給する。続いて、外部電極１１に高周波電圧を印加する。これにより、その外部電極１１と内部電極１３との間にバイアス電圧が発生し、ボトルＡの内部でプラズマが発生して、ボトルＡの内面に薄膜が形成される。
【００３６】
ここで、外部電極１１に印加される高周波電圧は、図３に示すように制御される。
すなわち、高周波（パルス波）の導入を開始してから（ｔ１）プラズマが発光するまでは（ｔ２）、出力が高められていく（誘導期間）。
プラズマ点火後は、密着層を形成するため、所定の時間、高周波出力が一定状態（Ｅ１）で保持される（保持期間（低出力期間））。
所定時間経過後は（ｔ３）、高周波出力がさらに高められ（移行期間）、所定の出力に達すると（ｔ４）、バリヤ層を形成するため、その高い出力状態（Ｅ２）で維持される（高出力期間）。
【００３７】
（インピーダンス整合調整とパルス波）
次に、本実施形態のインピーダンス整合調整とパルス波について、図５、図６を参照して説明する。
図５及び図６は、本実施形態のインピーダンス整合調整とパルス波を示す波形図であり、図５は方法Ｉ、図６は方法IIにおけるパルス波をそれぞれ示す。
なお、各図中の（ａ）は、ボトル毎のプラズマ処理のタイミングを示す。また、下記の説明においては、図１に示す構成のプラズマ処理装置１ａについて、説明する。
【００３８】
・方法Ｉ
方法Ｉは、事前に第二整合器３０−２のインピーダンス整合定数を見つけておいて、この定数を第二整合器３０−２に固定する定数調整工程と、成膜処理を行うとともに、前述の固定値によりプラズマ発光後のインピーダンス整合を行う成膜処理工程とを有した方法である。
図５（ｂ）に示すように、定数調整工程においては、高周波電源２０からプラズマ処理室１０に調整用パルス波が導入される。この調整用パルス波は、ＯＮ時間が１ｍｓ以下のパルス波である。そして、プラズマ処理室１０内でプラズマが発生すると、第二整合器３０−２のインピーダンスが調整され、整合定数の固定値が求められる。
【００３９】
成膜処理段階においては、まず、高周波電源２０からプラズマ処理室１０に真空用パルス波が導入され、続いて処理用パルス波が導入される。この処理用パルス波は、例えば、誘導期間や保持期間（密着層段階）では、ＯＮ時間が１ｍｓ以下とされ、バリヤ層段階（高出力期間）では、繰り返し周波数が１００Ｈｚとされる。
誘導期間で出力が高められ、プラズマ処理室１０内でプラズマが発光すると、この発光がプラズマ発光センサ５０で検出され、切換制御手段６０から制御信号が出力され、この制御信号を受けた切換器４０ａにて第一整合器３０−１から第二整合器３０−２への切換動作が行われる。これにより、保持期間では、第二整合器３０−２の固定インピーダンスによりインピーダンス整合がなされる。
このように、方法Ｉは、成膜処理工程においてプラズマ発光時に直ちにインピーダンスが固定の第二整合器３０−２に切り換えることができる。このため、方法Ｉは、密着層が性能的に重要な場合に適用される。
【００４０】
なお、図４に示すプラズマ処理装置１ｂを用いた場合は、保持期間から高出力期間へ移行するときに、切換器４０ｂにより、第二整合器３０−２から第三整合器３０−３への切換動作が行われる。これにより、高出力期間では、第三整合器３０−３の固定インピーダンスによりインピーダンス整合がなされる。
【００４１】
・方法II
方法IIは、密着層段階（保持期間）において第二整合器３０−２のインピーダンスを調整して固定し、バリヤ層段階で、バリヤ層のプラズマに合った整合器に切り換える方法である。
図６（ｃ）に示すように、誘導期間や保持期間において、高周波電源２０からプラズマ処理室１０に調整用パルス波が導入される。この調整用パルス波は、ＯＮ時間が１ｍｓ以下のパルス波である。そして、プラズマ処理室１０内でプラズマが発生すると、第二整合器３０−２のインピーダンスが調整され、固定の値が求められる。この固定値が求められると、調整用パルス波は処理用パルス波として導入される。
【００４２】
その後、バリヤ層段階において、高周波電源２０からプラズマ処理室１０に処理用パルス波が導入される。この処理用パルス波は、周波数が１３．５６ＭＨｚや２７ＭＨｚなどであって、デューティ比が５０％のパルス波とすることができる。
このバリヤ段階にて、プラズマ発光センサ５０の出力が高い状態になったことが切換制御手段６０で検出されると、この切換制御手段６０の制御により、切換器４０にて第一整合器３０−１から第二整合器３０−２への切換動作が行われる。その後は、第二整合器３０−２の固定インピーダンスによりインピーダンス整合がなされる。
このように、方法IIは、密着層段階で第二整合器３０−２のインピーダンスを調整するため、インピーダンスを調整している時間中は不安定なプラズマ状態となることから、密着層がそれほど問題にならない場合に適用される。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法によれば、真空状態用の第一整合器と、プラズマ用の第二整合器と、これらを切り換える切換器とを備えるとともに、第二整合器が予めプラズマ発生後のインピーダンス整合定数に固定された構成とすることで、プラズマの発光に伴い第一整合器から第二整合器に切り換えられた時点で瞬時にインピーダンスが整合されることから、プラズマ発光の遅延を無くし、性能のよい薄膜を形成できる。
【００４４】
以上、本発明のプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法の好ましい実施形態について説明したが、本発明に係るプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法は上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
例えば、上述した実施形態では、整合器を二つ又は三つ備えた構成としたが、この構成に限るものではなく、例えば一つの整合器の中に二つの整合回路を構成し、それら整合回路間で切り換えるようにすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、プラズマ処理装置におけるインピーダンス整合に関する発明であるため、インピーダンス整合が必要な装置や機器に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明のプラズマ処理装置の構成を示す概略図である。
【図２】高周波電源から出力されるパルス波を示す波形図である。
【図３】成膜処理における高周波出力の変化を示すグラフである。
【図４】本発明のプラズマ処理装置の他の構成を示す概略図である。
【図５】インピーダンス整合調整とパルス波の制御（方法Ｉ）を示す波形図である。
【図６】インピーダンス整合調整とパルス波の制御（方法II）を示す波形図である。
【図７】従来の自動整合器の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４７】
１ａ，１ｂ  プラズマ処理装置
１０  プラズマ処理室
２０  高周波電源
３０−１  第一整合器（真空状態用）
３０−２  第二整合器（（低出力）プラズマ用）
３０−３  第三整合器（高出力プラズマ用）
４０ａ，４０ｂ  切換器
５０  プラズマ発光センサ
６０  切換制御手段
【図１】
2008127617.tif 000003
【図２】
2008127617.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008127617.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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