【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の一方の主面の上方に埋め込み絶縁膜を介して形成されている第１導電型の半導体層と、
前記半導体層表面から形成されている第２導電型の第１のベース領域と、
前記第１のベース領域の表面濃度よりも低濃度で拡散深さが大きく前記第１のベース領域の少なくとも一部と繋がる第２導電型の第２のベース領域と、
前記第２のベース領域と横方向に離間して前記半導体層の表面から形成されている第１導電型のバッファー領域と、
前記第１のベース領域の表面から形成されている第１導電型のエミッタ領域と、
前記バッファー領域の表面から形成されている第２導電型のコレクタ領域と、
前記第１のベース領域または前記第２のベース領域の表面から形成されている第２導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第１のベース領域あるいは前記第２のベース領域の上に前記エミッタ領域端から前記第１のベース領域あるいは前記第２のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域上に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第１のベース領域は、
前記半導体層の表面から増加して前記エミッタ領域下方において最大になる第２導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であることを特徴とする
半導体装置。
【請求項２】
支持基板と、
前記支持基板の一方の主面の上方に埋め込み絶縁膜を介して形成されている第２導電型の半導体層からなる第２のベース領域と、
前記第２のベース領域の表面から形成されている第２導電型の第１のベース領域と、
前記第１のベース領域と横方向に離間して前記半導体層内に形成されている第１導電型のウェル領域と、
前記ウェルに隣接する第１導電型のバッファー領域と、
前記第１のベース領域の表面から形成されている第１導電型のエミッタ領域と、
前記バッファー領域の表面から形成されている第２導電型のコレクタ領域と、
前記第１のベース領域に形成されている第２導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第２のベース領域上において、前記エミッタ領域端から前記第２のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域上に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第１のベース領域は、
前記第２のベース領域の表面から増加して前記エミッタ領域の下方において最大になる第２導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であり、前記第１のベース領域直下から前記埋め込み絶縁膜の間の前記第２のベース領域は前記第１のベース領域の表面濃度よりも低いことを特徴とする
半導体装置。
【請求項３】
２つの主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に、一方の主面と隣接する第１導電型の半導体層と、
前記半導体層の表面から形成されている第２導電型の第１のベース領域と、
前記第１のベース領域の表面濃度よりも低濃度で拡散深さが大きくかつ前記第１のベース領域を内在する第２導電型の第２のベース領域と、
前記第１のベース領域または前記第２のベース領域の表面から形成されている第２導電型のベース・コンタクト拡散領域と、
前記第１のベース領域の表面から形成されている第１導電型のエミッタ領域と、
前記半導体基板のもう一方の主面に隣接する第２導電型のコレクタ領域と、
前記コレクタ領域と前記半導体層間に挿入されている第１導電型バッファー層と、
前記エミッタ領域端から前記第２のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されているゲート電極と、
前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、
前記コレクタ領域に接続されているコレクタ電極と
を備え、前記第１のベース領域は、
前記半導体層の表面から増加して前記エミッタ領域下方において最大になる第２導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であることを特徴とする
半導体装置。
【請求項４】
前記第２導電型のベース・コンタクト拡散領域が前記エミッタ領域の下方まで拡がっていることを特徴とする
請求項１から請求項３の何れか記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体層の表面に第２導電型の第１のベース領域を形成する工程と、
前記第１のベース領域よりも低濃度で拡散深さの大きい第２のベース領域を前記第１のベース領域の一部と繋がるように形成する工程と、
第２導電型のバッファー領域を前記第２のベース領域から離間して前記半導体層に形成する工程と
を備え、
更に、前記第１のベース領域あるいは前記第２のベース領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順次形成する工程と、
前記第１のベース領域の表面に第１導電型のエミッタ領域を形成する工程と、
前記バッファー層の表面に第１導電型のコレクタ領域を形成する工程と
を備え、前記第１のベース領域は、
前記ゲート絶縁膜の形成工程前に、加速エネルギーが１５０ＫｅＶから２００ＫｅＶまでの範囲で、ドーズ量が３×１０１３から１×１０１４［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］までの範囲である硼素イオン注入を用いて形成されることを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１のベース領域と前記ゲート電極は上方から見て端部が重なり合うよう配置されることを特徴とする
請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項１記載の半導体装置は、横型半導体装置であって、支持基板と、前記支持基板の一方の主面の上方に埋め込み絶縁膜を介して形成されている第１導電型の半導体層と、前記半導体層表面から形成されている第２導電型の第１のベース領域と、前記第１のベース領域の表面濃度よりも低濃度で拡散深さが大きく前記第１のベース領域の少なくとも一部と繋がる第２導電型の第２のベース領域と、前記第２のベース領域と横方向に離間して前記半導体層の表面から形成されている第１導電型のバッファー領域と、前記第１のベース領域の表面から形成されている第１導電型のエミッタ領域と、前記バッファー領域の表面から形成されている第２導電型のコレクタ領域と、前記第１のベース領域または前記第２のベース領域の表面から形成されている第２導電型のベース・コンタクト拡散領域と、前記第１のベース領域あるいは前記第２のベース領域の上に前記エミッタ領域端から前記第２のベース領域端を超えて形成されているゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されているゲート電極と、前記エミッタ領域および前記ベース・コンタクト拡散領域上に接続されているエミッタ電極と、前記コレクタ領域上に接続されているコレクタ電極とを備え、前記第１のベース領域は、前記半導体層の表面から増加して前記エミッタ領域下方において最大になる第２導電型不純物の縦方向濃度分布を有しながら前記ゲート電極下方の一部まで延在されて、前記ゲート電極の端部の下方に位置する不純物濃度の最大点からの横方向の長さは、前記最大点からの縦方向の長さと比較して同等以上であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明の請求項５記載の半導体装置の製造方法は、半導体層の表面に第２導電型の第１のベース領域を形成する工程と、前記第１のベース領域よりも低濃度で拡散深さの大きい第２のベース領域を前記第１のベース領域の一部と繋がるように形成する工程と、第２導電型のバッファー領域を前記第２のベース領域から離間して前記半導体層に形成する工程とを備え、更に、前記第１のベース領域あるいは前記第２のベース領域上にゲート絶縁膜およびゲート電極を順次形成する工程と、前記第１のベース領域の表面に第１導電型のエミッタ領域を形成する工程と、前記バッファー層の表面に第１導電型のコレクタ領域を形成する工程とを備え、前記第１のベース領域は、前記ゲート絶縁膜の形成工程前に、加速エネルギーが１５０ＫｅＶから２００ＫｅＶまでの範囲で、ドーズ量が３×１０１３から１×１０１４［ｉｏｎｓ／ｃｍ２］までの範囲である硼素イオン注入を用いて形成されることを特徴とする。