Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流雨水から汚染物質を除去するためのろ過システムであって、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉｉ）スクリーニング材料を有する下部バリア区域と、
を有し、
約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の流量の水を通過させることができ、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を前記流雨水から除去するのに有効であるろ過システム。
【請求項２】
前記中間区域におけるアルミニウムで被覆された粒状活性炭の粒状ゼオライトに対する体積比が、約０．５：１と２：１の間である、請求項１に記載のろ過システム。
【請求項３】
前記中間区域は、さらに砂を有する、請求項１または請求項２に記載のろ過システム。
【請求項４】
前記砂は、前記中間区域の全体積の約３０％と約６０％の間を構成している、請求項３に記載のろ過システム。
【請求項５】
前記アルミニウムで被覆された粒状活性炭は、約５から約６．８のｐＨに酸性化された１つ以上のアルミニウム塩を含む水溶液に粒状活性炭を曝すことを有する方法によって製造されている、請求項１から４のいずれか１つに記載のろ過システム。
【請求項６】
微粒子状の汚染物質を除去するための上部沈殿物トラップをさらに有する、請求項１〜５のいずれか１つに記載のろ過システム。
【請求項７】
前記沈殿物トラップは、スコリア、粒状活性炭、粒状ゼオライト、および砂のうち１つ以上を有する、請求項６に記載のろ過システム。
【請求項８】
さらに水溶性塩素塩の細粒を有する、請求項１〜７のいずれか１つに記載のろ過システム。
【請求項９】
前記水溶性塩素塩の細粒は、前記沈殿物トラップおよび／または前記中間区域内に設けられている、請求項８に記載のろ過システム。
【請求項１０】
流雨水から汚染物質を除去するためのろ過システムを収容し、水が通過できる上面および底面を持つカートリッジであって、
前記ろ過システムは、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉｉ）スクリーニング材料を有する下部バリア区域と、
を有し、
約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の流量の水を通過させることができ、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を前記流雨水から除去するのに有効であるカートリッジ。
【請求項１１】
前記カートリッジの上面は、固形物、スラッジ、および／または微粒子の粗いろ過器として働くメッシュを有する、請求項１０に記載のカートリッジ。
【請求項１２】
前記中間区域は、さらに砂を有する、請求項１０または請求項１１に記載のカートリッジ。
【請求項１３】
前記アルミニウムで被覆された粒状活性炭は、約５から約６．８のｐＨに酸性化された１つ以上のアルミニウム塩を含む水溶液に粒状活性炭を曝すことを有する方法によって製造されている、請求項１０〜１２のいずれか１つに記載のカートリッジ。
【請求項１４】
前記ろ過システムは、微粒子状の汚染物質を除去するための上部沈殿物トラップをさらに有する、請求項１０〜１３のいずれか１つに記載のカートリッジ。
【請求項１５】
流雨水から汚染物質を除去する方法であって、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉｉ）スクリーニング材料を有する下部バリア区域と、
を有するろ過システムに前記流雨水を通過させることを含み、
前記水は約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の流量で前記ろ過材を通過し、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を前記流雨水から除去するのに有効である方法。
【請求項１６】
前記中間区域は、さらに砂を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アルミニウムで被覆された粒状活性炭は、約５から約６．８のｐＨに酸性化された１つ以上のアルミニウム塩を含む水溶液に粒状活性炭を曝すことを有する方法によって製造されている、請求項１５または請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ろ過システムは、微粒子状の汚染物質を除去するための上部沈殿物トラップをさらに有する、請求項１５から１７のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の１つの実施態様によると、流雨水から汚染物質を除去するろ過システムであって、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉ）スクリーニング材料を有する下部バリア区域と、
を有し、
約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の流量の水を通過させることができ、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を流雨水から除去するのに有効であるろ過システムが提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
別の好ましい実施態様によると、流雨水から汚染物質を除去するためのろ過システムを収容し、水が通過できる上面と底面を持つカートリッジであって、
ろ過システムは、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉ）スクリーニング材料を有する下部バリア区域と、
を有し、
約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の流量の水を通過させることができ、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を流雨水から除去するのに有効である、カートリッジが提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明のさらなる実施態様によると、ろ過システムを通して流雨水を流すことを有する、流雨水から汚染物質を除去する方法であって、
このろ過システムは、
（ｉ）アルミニウムで被覆された粒状活性炭および粒状ゼオライトを有する中間区域と、
（ｉｉ）スクリーニング材料を含む下部バリア区域と、
を有し、
上記の水は、約０．５Ｌｓｅｃ−１ｍ−２から約１０Ｌｓｅｃ−１ｍ−２の速度で上記のろ過材を通過して流れ、重金属の少なくとも８０％、および、窒素およびリンを含有する栄養化合物の少なくとも６０％を前記流雨水から除去するのに有効である方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013501603.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレルゲンバリア構造体として有用な積層体であって、
順に、
ａ）第一の熱可塑性ポリマーから作られる繊維を含み、少なくとも１５ｇ／ｍ2の坪量を有する第一の不織布層、
ｂ）６〜１０ｇ／ｍ2の坪量を有し、かつ第二の熱可塑性ポリマーから作られ、１００〜４５０ｎｍの平均直径を有する繊維からなる不織布アレルゲンバリア層、および
ｃ）第一の熱可塑性ポリマーから作られた繊維を含み、少なくとも１５ｇ／ｍ2の坪量を有する第二の不織布層
を含み、
前記層ａ）、ｂ）、およびｃ）が、隣接した接合点間の最大間隔が２〜５ｍｍの状態に、複数個の一定の間隔をあけた熱接合点で相互に熱的に点接合され、かつ
前記積層体が、１．６Ｌ／分までの気流における１μｍ粒子の攻撃に対して、１５回の洗濯後にＡＳＴＭ  Ｆ２６３８−０７によって測定される９５％以上の濾過効率を有する、
積層体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
項目２−Ａの材料を使用したが、異なる接合パターンを使用して２種類の追加の積層体を作製した。項目２−Ｃは、間隔を１０．７ｍｍ離した直径２ｍｍの接合点を使用した。
項目２−Ｄは、辺の長さが４５ｍｍの菱形またはダイヤモンド形を形成する一連の接合点からなり、それらダイヤモンド形の辺の内部に直径１．５ｍｍのサイズの、間隔を直線上で６ｍｍ離した接合点を有するダイヤモンド形キルトパターンを使用した。両試料とも１５回洗濯した場合に局部的層間はく離を示し、また構造的整合性試験に合格しなかった。
次に、本発明の態様を示す。
１．  アレルゲンバリア構造体として有用な積層体であって、
順に、
ａ）第一の熱可塑性ポリマーから作られる繊維を含み、少なくとも１５ｇ／ｍ2の坪量を有する第一の不織布層、
ｂ）６〜１０ｇ／ｍ2の坪量を有し、かつ第二の熱可塑性ポリマーから作られ、１００〜４５０ｎｍの平均直径を有する繊維からなる不織布アレルゲンバリア層、および
ｃ）第一の熱可塑性ポリマーから作られた繊維を含み、少なくとも１５ｇ／ｍ2の坪量を有する第二の不織布層
を含み、
前記層ａ）、ｂ）、およびｃ）が、隣接した接合点間の最大間隔が２〜５ｍｍの状態に、複数個の一定の間隔をあけた熱接合点で相互に熱的に点接合され、かつ
前記積層体が、１．６Ｌ／分までの気流における１μｍ粒子の攻撃に対して、１５回の洗濯後にＡＳＴＭ  Ｆ２６３８−０７によって測定される９５％以上の濾過効率を有する、積層体。
２．  前記隣接した接合点間の間隔が３〜４ｍｍである、上記１に記載の積層体。
３．  前記複数個の熱接合点が、１ｍｍ〜２ｍｍの有効直径を有する点を含む、上記１に記載の積層体。
４．  前記第一の熱可塑性ポリマーが、前記第二の熱可塑性ポリマーと同一である、上記１に記載の積層体。
５．  前記第一の熱可塑性ポリマーが、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリエステル、およびこれらの混合物からなる群から選択されるポリマーである、上記１に記載の積層体。
６．  前記第二の熱可塑性ポリマーが、ポリアミド、ポリプロピレン、ポリエステル、およびこれらの混合物からなる群から選択されるポリマーである、上記１に記載の積層体。
７．  前記第二の熱可塑性ポリマーが、ポリウレタン、ポリオレフィン、およびこれらの混合物からなる群から選択されるポリマーである、上記１に記載の積層体。
８．  層ａ）またはｃ）が、少なくとも１８ｇ／ｍ2の坪量を有する、上記１に記載の積層体。
９．  層ａ）およびｃ）が、少なくとも１８ｇ／ｍ2の坪量を有する、上記１に記載の積層体。
１０．  前記積層体の前記通気度が５立方フィート／分以上である、上記１に記載の積層体。
１１．  前記積層体の前記通気度が、２５立方フィート／分以上である、上記１０に記載の積層体。
１２．  前記第一の熱可塑性ポリマーが、前記第二の熱可塑性ポリマーよりも少なくとも３０℃高い融点を有する、上記１に記載の積層体。
１３．  前記第二の熱可塑性ポリマーが、前記第一の熱可塑性ポリマーよりも少なくとも３０℃高い融点を有する、上記１に記載の積層体。
１４．  前記第一の熱可塑性ポリマーと前記第二の熱可塑性ポリマーが、同一または実質上同一の融点を有する、上記１に記載の積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月8日(2013.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明によれば、エネルギー伝達ケーブル１４は、同軸ケーブルの形態をとる。図２から分かるように、この同軸ケーブルは、中心導体１６と、中心導体１６を同軸で取り囲む外側導体１８とを有し、中心導体１６と外側導体１８の間に絶縁体２０が配置される。同軸ケーブル１４は、また、電気絶縁材料で作成され、外側導体を取り囲むシース２２を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
電気モータ１０は、例えば直流モータであり、同軸ケーブル１４は、３０Ａ以下または５０Ａ以下の強さの直流電流を電気エネルギー源１２から電気モータ１０に伝達する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
例えばペデレックやＥ−バイクなどの電気車両は、この駆動機構を装備することが特に有利であり、その理由は、電気エネルギー蓄積手段１２から電気モータ１０にエネルギーを伝達するために電力ケーブルとして使用される同軸ケーブル１４が、太さ、曲げ強度、環境効果に対する不感受性、寿命および裂け強度に関して、自転車で使用されるボーデンケーブルのものと類似し、ときにはそれより優れた機械特性を有するからである。したがって、この同軸ケーブル１４は、特別な対策なしにボーデンケーブルと同じようにペデレックに取り付けることができる。同時に、その構造により、同軸ケーブル１４は、電気エネルギー源１２から電気モータ１０に高電力を伝達する電力ケーブルを、コンパクトな形態、すなわち小さな空間しか必要としない形態で利用可能にする。必要な空間の大きさは、普通なら最大３０Ａまたは５０Ａ以上の高電流強度に使用されることがある二芯電力ケーブルが必要とする空間よりかなり小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性環境用エンクロージャにおいて、
前記エンクロージャの内部及び前記エンクロージャの外部を規定する壁と、
前記エンクロージャの前記内部に対してガスを提供するように連結された少なくとも１つのガス入口と、
製造物品が前記エンクロージャに入る物品入口と、
前記製造物品が前記エンクロージャから出る物品出口とを備え、
前記物品入口及び前記物品出口のうちの少なくとも一方が、前記エンクロージャの外部からのガスが前記エンクロージャの前記内部に入るのを妨げるための上側流れ阻止体及び底側流れ阻止体を含み、前記上側流れ阻止体が、前記製造物品の上面に接触するように適合されており、前記底側流れ阻止体が、前記製造物品の底面に接触するように適合されている、不活性環境用エンクロージャ。
【請求項２】
前記少なくとも１つのガス入口が、前記物品入口及び前記物品出口のうちの一方に配置されている、請求項１に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項３】
前記エンクロージャの前記外部に対して前記エンクロージャの前記内部を陽圧に維持するように、前記ガス入口を介した前記ガスの流れを制御するように作動するフローコントローラをさらに備える、請求項２に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項４】
前記フローコントローラが、前記陽圧を維持するように、前記ガス入口を介してほぼ連続的なガスの流れを提供する、請求項３に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項５】
前記上側流れ阻止体及び前記底側流れ阻止体のうちの少なくとも一方が、製造物品に摺動可能に接触するように適合された可撓性材料を含む、請求項１に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項６】
前記可撓性材料が、前記製造物品の進行方向を横切る少なくとも１つの列に配置されている、請求項５に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項７】
前記可撓性材料が、少なくとも第１のフィンガー及び隣接する第２のフィンガーを規定
する第１の分離部を含み、前記第１のフィンガーが、前記第２のフィンガーから独立して屈曲することができる、請求項６に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項８】
可撓性材料の前記少なくとも１つの列が、前記可撓性材料の第１の層及び前記可撓性材料の第２の層を含み、前記可撓性材料の前記第１の層が、前記可撓性材料の前記第２の層に当接している、請求項６に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項９】
前記上側流れ阻止体及び前記底側流れ阻止体のうちの前記少なくとも一方が、第１の板を含み、可撓性のカーテンが、前記第１の板上に取り付けられている、請求項５に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項１０】
前記可撓性材料が、取り付け部分及び自由部分を含み、前記取り付け部分が、前記第１の板に固定して取り付けられており、前記自由部分が、通過する製造物品に摺動可能に接触するように前記第１の板から延在しており、
前記第１の板が、第１の表面と、前記第１の表面とは反対側の第２の表面と、前記第１の表面及び前記第２の表面を貫通する開口とを含み、
前記第１の板の前記第１の表面が、前記可撓性材料の前記自由部分に対向し、前記第１の板の前記第２の表面が、前記可撓性材料の前記取り付け部分に対向するように、前記可撓性材料が、前記開口を通って配置されている、請求項９に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項１１】
前記上側流れ阻止体が、前記上側流れ阻止体と前記底側流れ阻止体との間を通過する製造物品の上面に摺動可能に接触するように適合された第１の自由部分を含み、
前記底側流れ阻止体が、前記上側流れ阻止体と前記底側流れ阻止体との間を通過する前記製造物品の底面に摺動可能に接触するように適合された自由部分を含み、
前記製造物品が前記上側流れ阻止体と前記底側流れ阻止体との間を通過しないとき、前記上側流れ阻止体の前記自由部分及び前記底側流れ阻止体の前記自由部分が、互いに接触するように適合されている、請求項１に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項１２】
前記物品入口が、上側流れ阻止体及び底側流れ阻止体を含み、
前記物品出口が、上側流れ阻止体及び底側流れ阻止体を含む、請求項１に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項１３】
前記物品入口の前記底側流れ阻止体が、前記物品入口の前記底側流れ阻止体と前記物品入口の前記上側流れ阻止体との間を通過する製造物品の底面に摺動可能に接触するように適合された自由部分を含み、
前記物品入口の前記上側流れ阻止体が、前記物品入口の前記底側流れ阻止体と前記物品入口の前記上側流れ阻止体との間を通過する前記製造物品の上面に摺動可能に接触するように適合された自由部分を含み、
前記製造物品が、前記物品入口の前記底側流れ阻止体と前記物品入口の前記上側流れ阻止体との間を通過しないとき、前記物品入口の前記底側流れ阻止体の前記自由部分及び前記物品入口の前記上側流れ阻止体の前記自由部分が、互いに接触するように適合されており、
前記物品出口の前記底側流れ阻止体が、前記物品出口の前記底側流れ阻止体と前記物品出口の前記上側流れ阻止体との間を通過する製造物品の底面に摺動可能に接触するように適合された自由部分を含み、
前記物品出口の前記上側流れ阻止体が、前記物品出口の前記底側流れ阻止体と前記物品出口の前記上側流れ阻止体との間を通過する前記製造物品の上面に摺動可能に接触するように適合された自由部分を含み、
前記製造物品が、前記物品出口の前記底側流れ阻止体と前記物品出口の前記上側流れ阻
止体との間を通過しないとき、前記物品出口の前記底側流れ阻止体の前記自由部分及び前記物品出口の前記上側流れ阻止体の前記自由部分が、互いに接触するように適合されている、請求項１２に記載の不活性環境用エンクロージャ。
【請求項１４】
不活性環境用エンクロージャにおいて、
前記エンクロージャの内部及び前記エンクロージャの外部を規定する壁と、
前記エンクロージャの前記内部に対してガスを提供するように連結された少なくとも１つのガス入口と、
製造物品が前記エンクロージャに入る物品入口と、
前記製造物品が前記エンクロージャから出る物品出口とを備え、
前記物品入口及び前記物品出口のうちの少なくとも一方が、前記製造物品の上方及び下方において前記エンクロージャの外部からのガスが前記エンクロージャの前記内部に入るのを妨げる手段を含む、不活性環境用エンクロージャ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背部支持基板を用意し;
前記背部支持基板上に直接または間接に触媒薄膜を配置し；
前記触媒薄膜の近くに炭化水素含有ガスを導入し；
前記炭化水素含有ガスを前記炭化水素含有ガス中の炭素の少なくとも一部に分解させかつ前記触媒薄膜中および／またはその上へのグラフェン成長を促進させるために、前記背部支持基板を加熱し；かつ
グラフェン薄膜の製造において、前記触媒薄膜の最も外側の表面上への直接または間接でのグラフェンの結晶化を促進するために、前記背部支持基板を急冷することを含むグラフェン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記触媒薄膜が実質的に単一配向性の大きな粒子の結晶構造を有し、前記触媒薄膜中の結晶が主軸に沿って１０ミクロンオーダーの長さを有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記触媒薄膜が、金属を含む請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記触媒薄膜が、少なくとも１つの：ニッケル、コバルト、鉄、パーマロイ、ニッケル−クロム合金、銅およびそれらの組み合わせを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記触媒薄膜がニッケル−クロム合金を含み、かつそのクロムの量がニッケル−クロム合金の３〜１５％である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化水素含有ガスが、Ｃ2Ｈ2ガスを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記炭化水素含有ガスが、ＣＨ4およびＡｒガスを含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
前記炭化水素含有ガスが、５〜１５０ミリトルの圧力で導入される請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記背部支持基板が、前記加熱中に８００〜９００℃の温度で加熱される請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
前記冷却が、不活性ガスを用いて行われる請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
前記冷却が、７００℃またはそれ以下まで背部支持基板の温度を低減する請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
位相差による触媒薄膜の最も外側の表面上へのグラフェンの可視性のエッチングによる冷却を開始し、いつ停止するかを決定することをさらに含む請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
前記グラフェンの可視性のエッチングが、触媒薄膜上のグラフェン上にポリマーベースの材料を配置することを含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
水素原子を用いてグラフェン薄膜の少なくとも一部をエッチングすることをさらに含む請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記グラフェン薄膜が、ｎ＝２〜３を有するｎ−レベルＨＥＧグラフェン薄膜である請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
背部支持体を用意し；
前記背部支持基板上に直接または間接に金属触媒薄膜を配置し；
前記金属触媒薄膜の近くに５〜１５０ミリトルの圧力で炭化水素含有ガスを導入し；
前記炭化水素含有ガスを前記炭化水素含有ガス中の炭素の少なくとも一部に分解させるために、約７００℃より高い温度に前記背部支持基板を加熱し；
前記金属触媒薄膜上にグラファイトを成長させ；
水素原子を用いてグラフェインを形成するために、前記金属触媒薄膜をエッチングし；かつ
水素原子を用いてグラフェンを形成するために、前記グラフェインをさらにエッチングすることを含むグラフェン薄膜のヘテロエピタキシャル成長方法。
【請求項１７】
前記触媒薄膜が、少なくとも１つの：ニッケル、コバルト、鉄、パーマロイ、ニッケル−クロム合金、銅およびそれらの組み合わせを含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記炭化水素含有ガスが、Ｃ2Ｈ2ガス、またはＣＨ4およびＡｒガスを含む請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
実質的に単一配向性の大きな粒子の結晶構造を有する金属触媒薄膜上に、直接または間接にヘテロエピタキシャル成長された、１〜１０原子層厚さであるグラフェン薄膜。
【請求項２０】
１５０オーム／スクウェアまたはそれ以下のシート抵抗を有し、グラフェン薄膜の透過が可視および赤外スペクトルに跨って実質的に一様に原子層当たり３％未満減少する請求項１９に記載のグラフェン薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒薄膜上に中間体グラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ、前記触媒薄膜が実質的に単一配向性の大きな粒子の結晶構造を有し；
ドープされたグラフェン薄膜の製造において、前記中間体グラフェン薄膜にｎ型またはｐ型ドーパントをドープすることを含み、
前記ドープされたグラフェン薄膜が、１５０オーム／スクウェア未満のシート抵抗を有するドープされたグラフェン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記中間体グラフェン薄膜のドーピングが、
中間体グラフェン薄膜をドーパントとして用いられる材料を含むドーピングガスに曝露させ；
前記中間体グラフェン薄膜およびドーピングガスを含むチャンバー内にプラズマを発生させ；かつ
前記ドーパントガス中の材料を用いて、前記中間体グラフェン薄膜中にドーパントをイオンビーム注入することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオンビーム出力が、２０〜１００ｅＶである請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記イオンビーム出力が、２０〜４０ｅＶである請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記中間体グラフェン薄膜のドーピングが、
その中に半導体のドーパントを含むターゲット受電基板を用意し、前記ターゲット受電基板が前記ターゲット受電基板をつくるために用いられる溶融工程によってその中にドーパントを含み；かつ
熱拡散により、前記ターゲット受電基板中の半導体のドーパントを前記中間体グラフェン薄膜中に移動させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ターゲット受電基板が、１〜１０原子量％のドーパント材料を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記中間体グラフェン薄膜のドーピングが、
その中に半導体のドーパントを含むターゲット受電基板を用意し、前記ターゲット受電基板がイオンビームによってその中にドーパントを含み；かつ
熱拡散により、前記ターゲット受電基板中の半導体のドーパントを前記中間体グラフェン薄膜中に移動させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記イオンビーム注入が、１０〜１０００ｅＶの出力レベルで行われる請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記中間体グラフェン薄膜のドーピングが、
その上に配置された少なくとも１つの薄膜を有するターゲット受電基板を用意し、前記薄膜がその中に半導体ドーパントを含み；かつ
熱拡散により、前記ターゲット受電基板上に形成された少なくとも１つの薄膜中の半導体のドーパントを、前記中間体グラフェン薄膜中に移動させることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記中間体グラフェン薄膜のドーピングが、
前記触媒薄膜中に半導体のドーパントを予備注入し；かつ
熱拡散により、前記触媒薄膜中の半導体のドーパントを前記中間体グラフェン薄膜中に移動させることを含む請求項１の方法。
ことを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記熱拡散が、中間体グラフェン薄膜の堆積の間に起こる請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記触媒薄膜が、そのバルク中に１〜５％の半導体のドーパント原子を含む請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒薄膜が、ニッケルを含む請求項１０〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、いずれか１つ以上の：窒素、ホウ素、リン、フッ化物、リチウム、カリウムおよび硫黄でドープされている請求項１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、１０〜２０オーム／スクウェアのシート抵抗を有する請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
実質的に単一配向性の大きな粒子の結晶構造を有する金属触媒薄膜上に直接または間接的にヘテロエピタキシャル成長され、
グラフェン薄膜が１〜１０原子層厚さであり、
ドープされたグラフェン薄膜が１５０オーム／スクウェア未満のシート抵抗を有するドープされたグラフェン薄膜。
【請求項１７】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、ｎ型のドーパントを含む請求項１６に記載のドープされたグラフェン薄膜。
【請求項１８】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、ｐ型のドーパントを含む請求項１６に記載のドープされたグラフェン薄膜。
【請求項１９】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、いずれか１つ以上の：窒素、ホウ素、リン、フッ化物、リチウム、カリウムおよび硫黄でドープされている請求項１６〜１８のいずれか１つに記載のドープされたグラフェン薄膜。
【請求項２０】
前記ドープされたグラフェン薄膜が、１０〜２０オーム／スクウェアのシート抵抗を有する請求項１６〜１９のいずれか１つに記載のドープされたグラフェン薄膜。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信ステップと、
前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信ステップと、
を含むＣＱＩ報告方法。
【請求項２】
前記複数のビットは、２つのビットである、
請求項１に記載のＣＱＩ報告方法。
【請求項３】
前記ＣＱＩ制御情報は、前記２つのビットの組合せによって、前記ＣＱＩ報告要求及び前記リソース指示を示す、
請求項２に記載のＣＱＩ報告方法。
【請求項４】
前記２つのビットの組合せは、前記ＣＱＩ報告は要求されないことを示す第１の組合せ、及び、前記ＣＱＩ制御情報の送信に用いられたコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を要求することを示す第２の組合せを含む、
請求項３に記載のＣＱＩ報告方法。
【請求項５】
前記ＣＱＩ報告要求は、非周期的なＣＱＩ報告の要求を示すものである、
請求項１から４のいずれかに記載のＣＱＩ報告方法。
【請求項６】
前記ＣＱＩ報告の送信は、物理上りリンク共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）上で行われる、
請求項１から５のいずれかに記載のＣＱＩ報告方法。
【請求項７】
複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信部と、
前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信部と、
を含む端末装置。
【請求項８】
前記複数のビットは、２つのビットである、
請求項７に記載の端末装置。
【請求項９】
前記ＣＱＩ制御情報は、前記２つのビットの組合せによって、前記ＣＱＩ報告要求及び前記リソース指示を示す、
請求項８に記載の端末装置。
【請求項１０】
前記２つのビットの組合せは、前記ＣＱＩ報告は要求されないことを示す第１の組合せ、及び、前記ＣＱＩ制御情報の送信に用いられたコンポーネントキャリアのＣＱＩの報告を要求することを示す第２の組合せを含む、
請求項９に記載の端末装置。
【請求項１１】
前記ＣＱＩ報告要求は、非周期的なＣＱＩ報告の要求を示すものである、
請求項７から１０のいずれかに記載の端末装置。
【請求項１２】
前記送信部は、前記ＣＱＩ報告を、物理上りリンク共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）上で送信する、
請求項７から１１のいずれかに記載の端末装置。
【請求項１３】
複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信処理と、
前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信処理と、
を制御する集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】チャネル品質情報報告方法、端末装置および集積回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、チャネル品質情報（ＣＱＩ）報告方法、端末装置および集積回路に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明のＣＱＩ報告方法は、複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信ステップと、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信ステップと、を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の端末装置は、複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信部と、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信部と、を含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の集積回路は、複数のビットからなるチャネル品質情報（ＣＱＩ）制御情報を受信し、前記複数のビットは、ＣＱＩ報告を要求するか否かを表すＣＱＩ報告要求を示すものであり、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記複数のビットは、さらに、複数のコンポーネントキャリアのうち、前記ＣＱＩ報告を行うべき１つ以上のコンポーネントキャリアを示すリソース指示を示すものである、受信処理と、前記ＣＱＩ報告が要求される場合は、前記リソース指示によって示される１つ以上のコンポーネントキャリアのＣＱＩ報告を送信する送信処理と、を制御する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両用の動力システムであって、
スーパーキャパシタと、
前記スーパーキャパシタに動作可能に接続されており、前記スーパーキャパシタにエネルギーを供給する電池充電部と、
前記スーパーキャパシタに動作可能に接続されており、前記スーパーキャパシタの内部インピーダンスを低減させるべく前記スーパーキャパシタを加熱するべくエネルギーを供給する加熱部と、
前記電池充電部に動作可能に接続されている充電装置と、
前記車両および前記スーパーキャパシタに動作可能に接続されているモータと、
前記加熱部、前記スーパーキャパシタおよび前記モータに動作可能に接続されているフィードバックループコントローラと、
を備え、
前記スーパーキャパシタは、
複数のナノコンポジット電極と、
前記複数のナノコンポジット電極と接触している電解質と、
導電材料とを有し、
少なくとも１つのナノコンポジット電極は、第１の電解質および第１の導電材料から形成され、前記第１の電解質は、融解塩を含む車両用の動力システム。
【請求項２】
前記融解塩は、融点が摂氏６０度から摂氏２００度の範囲内である
請求項１に記載の車両用の動力システム。
【請求項３】
前記複数のナノコンポジット電極と接触している電解質は、液体状電解質を含侵させている多孔質固体を含む請求項１または２に記載の車両用の動力システム。
【請求項４】
前記複数のナノコンポジット電極と接触している電解質は、融解塩を含侵させている多孔質固体を含む請求項１から３のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【請求項５】
前記融解塩は、融点が摂氏６０度から摂氏２００度の範囲内である請求項１から４のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【請求項６】
前記複数のナノコンポジット電極と接触している電解質は、ナノコンポジットを含む請求項１から５のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【請求項７】
前記ナノコンポジットは、強誘電体材料および電解質を含む請求項１から６のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【請求項８】
前記強誘電体材料は、リラクサ強誘電体材料を含む請求項７に記載の車両用の動力システム。
【請求項９】
前記充電装置は、燃料電池を含む請求項１から８のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【請求項１０】
前記燃料電池は、前記加熱部に動作可能に接続されている請求項９に記載の車両用の動力システム。
【請求項１１】
前記燃料電池は、第２の加熱部に動作可能に接続されている請求項９または１０に記載の車両用の動力システム。
【請求項１２】
前記複数のナノコンポジット電極と接触している電解質は、複数のアルカリ金属硝酸塩の混合物、アルカリ金属塩化アルミニウムと
塩化アルミニウムの混合物、ならびに、塩化アルミニウムおよび塩化亜鉛の混合物から成る群から選択される請求項１から１１のいずれか一項に記載の車両用の動力システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴と、両側に位置する第１および第２の端部と、を有している、非導電性の絶縁性材料からなる外側スリーブと、
前記スリーブを通って延びており、前記スリーブの両側の前記端部から外方に延びる、両側に位置する第１および第２の端部を有している電気導体シャフトと、を備え、
前記導体シャフトが、前記スリーブの前記第１および第２の端部をそれぞれ通って内側に延びる第１および第２の導体部分を含んでおり、該導体部分が、前記スリーブの内側で電気的に導通しており、
前記第１の導体部分と前記外側スリーブとの間を第１の気密シールが延び、前記第２の導体部分と前記外側スリーブとの間を第２の気密シールが延びている電気貫通体ユニット。
【請求項２】
少なくとも一方の前記導体部分が、前記導体間の電気的な導通を維持しつつ他方の前記導体部分に対して移動可能である請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項３】
前記第１および第２の導体部分が、内側端に収縮可能に係合した金属導体ピンを含んでいる請求項２に記載の貫通体ユニット。
【請求項４】
前記第１の導体部分が可撓導体を含んでおり、前記第２の導体部分が剛性を有する金属導体を含んでおり、該導体が、電気的に導通している内側端を有しており、前記可撓導体が、熱による膨張および収縮に適応すべく移動するように構成されている請求項２に記載の貫通体ユニット。
【請求項５】
前記外側スリーブの長さの少なくとも一部にわたって延びる導電性材料からなる外側コーティングを更に備えている請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項６】
前記外側スリーブが、大径の中央部と、小径の第１および第２の端部と、前記中央部と前記第１および第２の端部のそれぞれとの間の第１および第２の肩部と、を含む段差のある直径の外面を有し、
前記外側コーティングが、前記ハウジングの前記大径の中央部並びに前記小径の第１および第２の端部の少なくとも一部分に延びている請求項５に記載の貫通体ユニット。
【請求項７】
前記気密シールが、導電性材料からなるシール用スリーブを含んでいる請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項８】
前記シール用スリーブおよび導体シャフトが金属からなり、前記外側スリーブがセラミック材料からなり、
前記第１および第２のシール用スリーブの各々が、ろう付け結合部によってセラミック製の前記外側スリーブに固定され、ろう付けまたは溶接結合部によって前記導体部分のそれぞれに固定されている請求項６に記載の貫通体ユニット。
【請求項９】
前記気密シールが、前記導体シャフトよりも低い熱膨張率を有する合金金属からなる請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項１０】
導電性または半導電性材料からなり、前記外側スリーブと前記導体シャフトとの間に位置する中間層を更に備えている請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項１１】
前記導体シャフトと絶縁性の前記スリーブとの間に隙間をもたらす、前記貫通穴に設けられた導電性または半導電性のコーティング層を更に備えている請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項１２】
貫通穴を有している外側貫通体ハウジングを更に備え、前記外側スリーブが、前記外側ハウジング貫通穴を通って延びている請求項１に記載の貫通体ユニット。
【請求項１３】
貫通穴と、両側に位置する第１および第２の端部と、を有している、非導電性の絶縁性材料からなる外側スリーブと、
前記スリーブを通って延びており、前記スリーブの両側の前記端部から外方に延びる、両側に位置する第１および第２の端部を有している電気導体シャフトと、
少なくとも部分的に導電性材料からなり、前記シャフトと前記外側スリーブとの間に位置する中間層と、を備えた電気貫通体アセンブリ。
【請求項１４】
前記中間層が、前記スリーブ貫通穴の内面に位置する半導電性材料からなるコーティング、または、前記スリーブ貫通穴の内面に接合された半導電性材料の層、を含んでいる請求項１３に記載のアセンブリ。
【請求項１５】
前記中間層が、実質的に空隙のない剛性を有する半導電性材料からなる請求項１３に記載のアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
過酷な環境におけるコネクタ又は貫通体のための多層導体ピンにおいて、
第一及び第二端部を有する導体シャフトと、
前記ピンの長さ方向の少なくとも一部に沿って延び、非導体の絶縁材料からなる外層と、
前記外層と前記導体シャフトとの間に挟まれた導体又は半導体材料からなり、外部絶縁層と実質的に空間なく固着された中間層と、
を備えた導体シャフト。
【請求項２】
前記中間層は、前記外層と前記導体シャフトの両方に固着される、
前記外層は、前記中間層と前記導体シャフトを覆うようにオーバーモールドされる、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項３】
前記外層は、ポリマー材料からなり、
前記中間層は、前記外層に固着可能となり、前記半導体材料を形成するための導体材料添加物を含むポリマー原料物質を含み、
前記ポリマー原料物質は、前記外層のポリマー材料と同じである、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項４】
前記外層は熱硬化性樹脂からなり、
前記中間層は、前記外層に固着可能となり、前記半導体材料を形成するための導体材料添加物を含む熱硬化性樹脂ベースの材料を含む、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項５】
前記中間層は、炭素又は金属粒子を含む接着性の熱可塑性材料を含み、
原料物質は、中間層を覆う外層を成形する間、外層に接着するよう選ばれた材料を含む、請求項２に記載の導体ピン。
【請求項６】
前記外層は、エンジニアリングプラスチック、熱硬化性樹脂材料及びセラミック材料からなるグループから選択される、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項７】
前記中間層は前記導体シャフトに塗布され、
前記絶縁層は前記シャフト上でオーバーモールドされ、
前記中間層は、導体もしくは半導体材料からなる塗られたコーティング、導体もしくは半導体材料からなる粉末で覆われた被膜、ポリマーで成形された層、導体もしくは半導体材料からなる噴霧されたコーティング、又は、導体もしくは半導体材料からなる浸漬されたコーティングを含む、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項８】
前記絶縁層は、外面と内面を有する単独で形成されたチューブであり、
前記中間層は、前記チューブの前記内面に固着されている、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項９】
前記チューブは、向かい合った第一端面と第二端面を有し、
前記中間層は、前記チューブの端面を覆うように延び、
導体材料からなる第一密閉スリーブが、前記絶縁チューブの第一端部で、前記チューブの外面と導体シャフトとの間で延び、
導体材料からなる第二密閉スリーブが、前記絶縁チューブの第二端部で、前記絶縁チューブの外面と前記導体シャフトとの間で延びる、請求項８の導体ピン。
【請求項１０】
前記中間層は、前記チューブの貫通孔の内面に設けられた半導体材料からなるコーティング、半導体材料層、又は、前記チューブの貫通孔に接着される前記導体シャフトの材料と異なる導体材料のコーティングを含む、請求項８に記載のアッセンブリ。
【請求項１１】
前記導体シャフトは、第一導体部及び第二導体部を含み、
前記第一導体部は、前記孔の前記第一端部を貫通して延在し、前記孔の前記第二端部に達せずに端部となり、第一ケーブルに係合可能な外端を有し、
前記第二導体部は、前記孔の前記第二端部を貫通して延在し、前記孔の前記第一端部に達せずに端部となり、第二ケーブルに係合可能な外端を有し、
前記導体部は、前記貫通孔内で電気的に通信される内端を有し、
少なくとも導体部の一つは、他方の導体部に対して移動可能となる、
請求項８に記載のアッセンブリ。
【請求項１２】
前記外部チューブの前記第一端部と、第一密封シールを形成する第一導体部に固定される第一金属密閉スリーブと、
前記外部チューブの前記第二端部と、第二密封シールを形成する固定された導体部に固定される第二金属密閉スリーブと、
をさらに備え、
前記中間層は、前記外部チューブの第一及び第二端部の各々を超え、かつ、各第一及び第二金属密閉スリーブと外部チューブとの間で延在する、請求項１１に記載のアッセンブリ。
【請求項１３】
前記ピンは、ピンとソケットコネクタからなるプラグモジュール内に取り付けられるために構成され、
前記導体シャフトは、ケーブルコネクタに連結されるために適用される後端部と、レセプタクルモジュールのコネクトソケットに嵌込係合するために適用される前端部とを有し、
外側の前記絶縁層と前記中間層の各々は、前記導体シャフトの前端部に達していない位置で端部になる、請求項１に記載の導体ピン。
【請求項１４】
前記外層はポリマー材料からなり、
前記中間層は、導体添加物を含有するポリマー原料物質を含み、
前記ポリマー原料物質は、前記外層のポリマー材料と化学的に互換性がある、請求項１３に記載のプラグユニット。
【請求項１５】
過酷な環境における電気コネクタ又は貫通体のための多層膜導体ピンを作るための方法であって、
導体又は半導体材料からなる中間層を、導体シャフトの外面に適用することと、
前記中間層を覆う絶縁ポリマー材料からなる絶縁層をオーバーモールドすることと、を備え、
前記絶縁層は、前記中間層の材料と互換性のある材料からなり、前期絶縁層と前記中間層との間が固着され、
前記絶縁層とコーティング層との間の固着には、実質的に空間がない、方法。
【請求項１６】
前記中間層は、成形温度と同じくらいの融点を有し。
前記中間層は、オーバーモールド工程の間、柔らかくされて、前記絶縁層に固着される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）に与えられる第１のマルチビットデジタル入力値の大きさに対応するアナログ電圧レベルを有するディフレクション信号を出力する第１のＤＡコンバータと、
前記第１のＤＡＣに与えられる第２のマルチビットデジタル入力値に対応するアナログ電圧値を有するアナログ参照信号を、前記第１のＤＡＣに供給する第２のＤＡコンバータと、
書き込みビームを生成する書き込みビーム生成部と、を有し、
前記書き込みビームは、前記ディフレクション信号により曲折（ｄｅｆｌｅｃｔ）される、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記アナログ参照電圧は、第１の参照電圧として特徴づけられ、
前記装置は、更に、第３のＤＡＣに入力される第３のマルチビットデジタル入力値の大きさに対応するアナログ電圧レベルを有する第２のアナログ参照信号を、前記第１のＤＡＣに供給する第３のＤＡＣを含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記第１の参照電圧は、前記出力アナログ信号がＶＲＥＦ−からＶＲＥＦ＋によって定義される範囲内の大きさの範囲を含むように、ＶＲＥＦ＋レール電圧を含むとともに前記第２の参照電圧がＶＲＥＦ−レール電圧を含み、
ＶＲＥＦ＋は、前記第２のマルチビットデジタル入力値で設定されるとともに、ＶＲＥＦ−は前記第３のマルチビットデジタル入力値で設定される
ことを特徴とする請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記ディフレクション信号は、回転可能な記録メディアの回転シーケンスで前記書き込みビームが前記書き込みデータを書き込む際に、前記書き込みビーム発生部からの前記書き込みビームを曲折するように用いられる、
ことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
第１の参照電圧は、第１のトラックピッチ（ＴＰ）に対応する前記メディアの第１の回転の際に、前記第２のＤＡＣによって、前記第１のＤＡＣに付与され、
異なる第２の参照電圧は、異なる第２のＴＰに対応する前記メディアの第２の回転の際に、前記第２のＤＡＣによって、前記第１のＤＡＣに付与されることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記アナログディフレクション信号は、前記第１及び第２のデジタル入力値の変化に関係して変化する、のこぎり歯信号の繰り返しとして特徴づけられることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記第２のＤＡＣによって前記第１のＤＡＣに供給される前記アナログ参照信号は、データが前記書き込みビームによって書き込まれるデータ記録メディアのトラックピッチのバリエーションに関係して調整されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記書き込みビームは、様々なトラックピッチ（ＴＰ）を有する同心の複数のトラックの形式で回転可能なメディアにデータを書き込み、
前記第２のＤＡＣによって前記第１のＤＡＣに付与される前記参照電圧は、前記ＴＰと関係して調整されることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項９】
前記書き込みビームは、その後回転可能な記録メディアからデータを読む読み取りシステムの、異なる第２の移動幾何をエミュレートするために、第１の移動幾何に沿って、データを前記回転可能な記録メディアに書き込むことを特徴とする請求項８記載の装置。
【請求項１０】
第１のデジタルアナログコンバータ（ＤＡＣ）にレール電圧を供給する第２のＤＡＣに接続された第１のＤＡＣを提供し、
前記第１のＤＡＣに付与される第１のマルチビットデジタル入力値と、前記第２のＤＡＣに付与される第２のマルチビットデジタル入力値に応じて、前記第１のＤＡＣからの出力アナログ電圧として、ディフレクション信号を生成し、
書き込みビーム生成部から書き込みビームを曲折するためにディフレクション信号を用いる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記書き込みビームは、前記メディアの回転のシーケンスでデータを書き込むために回転可能なメディアに与えられることを特徴とする請求項１０の方法。
【請求項１２】
第１のレール電圧は、第１のトラックピッチ（ＴＰ）に対応する前記メディアの第１の回転の際に、前記第２のＤＡＣによって、前記第１のＤＡＣに付与され、
異なる第２のレール電圧は、異なる第２のＴＰに対応する第２の前記メディアの第２の回転の際に、前記第２のＤＡＣによって、前記第１のＤＡＣに付与される、
ことを特徴とする請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記生成するステップは、前記第２のＤＡＣによって、前記第１のＤＡＣへ供給された前記レール電圧を、前記書き込みビームが与えられたデータ記憶メディアの以後の複数のローテーションの各ローテーションで、調整する、
ことを含むことを特徴とする請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記書き込みビームは、様々なトラックピッチ（ＴＰ）を有する同心のトラックの形式で回転可能な記録メディアにデータを書き込み、
前記第２のＤＡＣによって供給される前記レール電圧は、前記トラックのＴＰの相違に関係して、前記メディアに書き込まれる隣接するトラックの連続毎に異なる値に調整されることを特徴とする請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記第１のＤＡＣは、前記第１のマルチビットデジタル入力値の全ビットの中におけるビットの総数に応じて、前記出力ディフレクション信号における最大数のステップを出力し、
前記第２のＤＡＣのレール電圧は、前記書き込みビームが与えられた記録メディアの各回転において、前記ディフレクション信号における前記最大数のステップを維持するように調整される、
ことを特徴とする請求項１０の方法。
【請求項１６】
請求項１０の方法に応じてデータが書き込まれたデータ記録メディア。