Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月30日(2009.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
充放電可能なバッテリの温度を調節する、バッテリの温度制御装置であって、
前記バッテリの冷却を行う冷却手段と、
前記バッテリの温度に関する値を検出する検出手段と、
前記バッテリの充電量を推定する推定手段と、
前記冷却手段の作動／非作動を決定するための前記バッテリの温度に関するしきい値を決定する決定手段であって、前記推定手段により推定された前記充電量に応じ、当該充電量が少ないほどしきい値を高い値に決定する決定手段と、
前記検出手段により検出された前記バッテリの温度が前記決定手段により決定された前記しきい値を超えた場合に前記冷却手段を作動させる制御手段と、
を有することを特徴とするバッテリの温度制御装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記推定手段により推定された前記充電量に応じたしきい値を前記バッテリの充電量毎の電解液分解を起こす温度の関係に依存して決定することを特徴とする請求項１に記載のバッテリの温度制御装置。
【請求項３】
前記検出手段により検出された前記バッテリの温度の変化速度を計算する計算手段と、
計算された前記変化速度が所定値を超える場合、前記しきい値を低減させるしきい値低減手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載のバッテリの温度制御装置。
【請求項４】
ナビゲーション装置からのナビゲーション情報を取得する取得手段と、
取得した前記ナビゲーション情報に基づいて前記バッテリの急激な温度上昇を予測する予測手段と、
前記バッテリの急激な温度上昇が予測された場合、前記しきい値を低減させるしきい値低減手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載のバッテリの温度制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面によれば、充放電可能なバッテリの温度を調節する、バッテリの温度制御装置であって、前記バッテリの冷却を行う冷却手段と、前記バッテリの温度を検出する検出手段と、前記バッテリの充電量を推定する推定手段と、前記冷却手段の作動／非作動を決定するための前記バッテリの温度に関するしきい値を決定する決定手段であって、前記推定手段により推定された前記充電量に応じ、当該充電量が少ないほどしきい値を高い値に決定する決定手段と、前記検出手段により検出された前記バッテリの温度が前記決定手段により決定された前記しきい値を超えた場合に前記冷却手段を作動させる制御手段とを有することを特徴とするバッテリの温度制御装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この構成によれば、前記しきい値は前記充電量が少ないほど高くなるように設定される。前述したように、発明者らの実験によれば、充電量（ＳＯＣ）が低いほど電解液分解が起きる温度が高くなるという特性がある。したがって、このような構成によれば、かかる特性に概ね沿うようようなしきい値の特性を設定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の好適な実施形態によれば、前記決定手段は、前記推定手段により推定された前記充電量に応じたしきい値を前記バッテリの充電量毎の電解液分解を起こす温度の関係に依存して決定することが好ましい。この構成によれば、バッテリを、電解液の分解を起こさない限度において、なるべく高い温度に維持しておくことが可能になる。これにより、電解液の分解による充放電効率の悪化を防止しつつ、充電量（ＳＯＣ）が低いときでも充放電効率を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
式（１）に示されるｍを１とし、アンテナ層６をＡｇ又はＡｌから形成した場合の、周期間隔Λと光の波長λ０との関係を図２に示す。図２によれば、アンテナ層６において波長λ０＝１２４０ｎｍの光で表面プラズモン共鳴を発生させるには、周期間隔ΛをＡｇの場合は１２３４ｎｍとすればよい。本実施形態では、表面プラズモン共鳴が波長λの光で発生し、且つ、表面プラズモン共鳴に応じてアンテナ層６の貫通孔１４から出力される近接場光の波長が２００ｎｍ〜９３０ｎｍの範囲内となるように、アンテナ層６の周期間隔Λを設定することとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
以上説明したように、本実施形態に係る光電陰極１は、光電変換層４およびアンテナ層６を備えている。アンテナ層６の他方の主面６ｂには、凸部１０および凹部１２によるパターンが形成されている。パターンを形成されたアンテナ層６は、波長λの光で表面プラズモン共鳴を発生し、且つ、アンテナ層６のパターンの周期間隔Λに依存した波長２００ｎｍ〜９３０ｎｍの近接場光を出力する。光（ｈν）がアンテナ層６の他方の主面６ｂに入射されると、入射光（ｈν）に含まれる波長λの光がアンテナ層６の表面プラズモンと結合する。これにより、アンテナ層６に表面プラズモン共鳴が発生する。表面プラズモン共鳴が発生すると、アンテナ層６の貫通孔１４から強い近接場光が出力される。近接場光は光電変換層４にて受光される。近接場光の波長はアンテナ層６のパターンの周期間隔Λに依存した２００ｎｍ〜９３０ｎｍであるから、ｐ型ＧａＡｓ半導体といった公知の材料からなる光電変換層４に近接場光を吸収させ、光電子（ｅ−）を発生させることができる。よって、特別な材料からなる光電変換層４を用意する必要がなくなるため、光電陰極１の製造を容易化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１に示す薄型ポリマー電池の発電要素密封容器（１）は、図２および図３に示すように、外側から順に表面保護層となる熱可塑性合成樹脂層（４）、バリア層となるアルミニウム箔層（５）および融着層となる熱可塑性合成樹脂層（６）よりなる一対のフランジ付トレイ状成形容器半体（７）（８）の内面熱可塑性合成樹脂層（６）どうしを内側にし、フランジ部分であるその周縁部（９）（１０）において熱融着せられてなるものであり、電池用フィルム被覆リード線（２）（３）は、容器（１）内部の正極および負極（図示略）にそれぞれ接続せられかつ両容器半体（７）（８）周縁部の合わせ目から容器（１）外部に端部が取り出されている。各リード線（２）（３）は、図５に示すように、予め周縁部（９）（１０）の幅を含みその外側まで突出しかつその両側面を覆いうる大きさの１対のフィルム（１１）（１２）で挾まれて局部的に熱融着被覆せられている。フィルム（１１）（１２）は、外層（１３）、中間層（１４）および内層（１５）の３層の熱可塑性合成樹脂からなり、そのうち中間層（１４）に絶縁性微粒子（１６）が散在含有せしめられている図４の電池用リード線被覆フィルム材（Ｆ）から前記大きさに裁断して得られたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路が形成された基板と、
前記回路による表面凹凸を平坦にするために、前記基板の上に形成された平坦化層と、前記平坦化層の上に、少なくとも発光層が二つの電極の間に挟まれて構成されている複数の有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子とを分離するための素子分離膜と、が形成された有機ＥＬ素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を保護する表面封止部材と、
前記有機ＥＬ素子基板と前記表面封止部材との間に設けられた充填層とを有し、前記表面封止部材の周縁部に、前記表面封止部材と前記基板とを接着するための紫外線硬化型接着剤を配してなる有機ＥＬパネルにおいて、
前記充填層に紫外線吸収剤が含有されていることを特徴とする、有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記充填層に含有されている紫外線吸収剤はベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤であることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
前記充填層に光安定化剤が含有されていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記光安定化剤はヒンダードアミン系光安定化剤であることを特徴とする、請求項３に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記紫外線硬化型接着剤は、前記紫外線吸収剤の吸収波長よりも短い波長の紫外線で硬化することを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち上記課題を解決するための請求項１に記載の有機ＥＬパネルは、回路が形成された基板と、
前記回路による表面凹凸を平坦にするために、前記基板の上に形成された平坦化層と、前記平坦化層の上に、少なくとも発光層が二つの電極の間に挟まれて構成されている複数の有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と前記有機ＥＬ素子とを分離するための素子分離膜と、が形成された有機ＥＬ素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を保護する表面封止部材と、
前記有機ＥＬ素子基板と前記表面封止部材との間に設けられた充填層とを有し、前記表面封止部材の周縁部に、前記表面封止部材と前記基板とを接着するための紫外線硬化型接着剤を配してなる有機ＥＬパネルにおいて、
前記充填層に紫外線吸収剤が含有されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料と水から改質反応により水素含有ガスを生成する燃料処理器と、
前記原料を前記燃料処理器に供給する原料供給器と、
前記水を前記燃料処理器に供給する水供給器と、
前記燃料処理器から供給された前記水素含有ガスを用いて電流を発生する燃料電池と、
該燃料電池から排出される排水素含有ガスを燃焼し、前記燃料処理器に改質反応に必要な熱を供給する燃焼器と、
前記燃料電池から取り出す電流量を制御する電流量制御器と、
制御器と、
前記原料供給器が供給する原料の流量を検出する原料流量検出器、及び、前記水供給器が供給する水の流量を検出する水流量検出器の少なくともいずれかの流量検出器と、を備え、
前記制御器は、負荷電力に応じて前記電流量制御器から取り出す電流量を算出し、前記少なくともいずれかの流量検出器から取得した前記流量と目標流量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、燃料電池システム。
【請求項２】
前記原料流量検出器を備え、
前記制御器は、前記原料流量検出器により検出された原料流量と目標原料流量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、請求項１記載の燃料電池システム。
【請求項３】
前記原料流量検出器を備え、前記制御器は、前記原料流量検出器で検出される原料流量に基づき、前記水供給器から供給される前記水が所定比率になるように前記水供給器を制御し、
前記制御器は、前記水供給器に指令した水流量値と目標原料流量に対して前記所定の比率を満たす仮目標水流量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、請求項１記載の燃料電池システム。
【請求項４】
前記水流量検出器を備え、前記制御器は、前記水流量検出器で検出される水流量に基づき、前記原料供給器から供給される前記原料が所定比率になるように前記原料供給器を制御し、
前記制御器は、前記水流量検出器より取得した水流量と目標水流量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、請求項１記載の燃料電池システム。
【請求項５】
前記原料流量検出器及び前記水流量検出器の両方の流量検出器を備え、前記制御器は、前記原料流量検出器で検出される原料流量に対して前記水流量検出器で検出される水流量が所定比率になるように前記水供給器を制御し、
前記制御器は、前記水流量検出器より取得した水流量と目標原料流量に対して前記所定の比率を満たす仮目標水流量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、請求項１記載の燃料電池システム。
【請求項６】
前記原料流量検出器及び前記水流量検出器の両方の流量検出器を備え、
前記制御器は、前記原料流量検出器から取得した前記原料流量及び前記水流量検出器から取得した前記水流量から算出した水素量と目標水素量との差に基づき、前記算出した電流量を調整する、請求項１に記載の燃料電池システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像手段と、
表示面を少なくとも上記撮影手段の撮影方向に向けることが可能な表示手段と、
上記撮影手段での撮影画角に合わせて上記表示手段での表示視野角を制御する表示制御手段と
を具備したことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
上記撮像手段は、撮影画角を無段階で連続的に可変するズーム機能を有し、
上記表示制御手段は、上記撮影手段のズーム機能で可変される撮影画角に追従して上記表示手段での表示視野角を随時制御する
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
予め特定の画像情報を記憶した記憶手段をさらに具備し、
上記表示制御手段は、上記記憶手段で記憶した特定の画像情報を用いて上記表示手段で表示させる
ことを特徴とする請求項１記載の撮像手段。
【請求項４】
上記記憶手段は、特定の画像情報を複数記憶し、
上記表示制御手段は、上記撮影手段のズーム機能で可変される撮影画角に対応した特定の画像情報を上記記憶手段から選択的に読出して上記表示手段で表示させる
ことを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
セルフタイマ撮影時の撮影モードを複数の撮影モードの中から選択する選択手段と、
予め特定の画像情報を複数記憶した記憶手段とをさらに具備し、
上記表示制御手段は、上記選択手段で選択した撮影モードに対応した特定の画像情報を上記記憶手段から選択的に読出して上記表示手段で表示させる
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項６】
被写体像の光量を検知する光量検知手段と、
予め特定の画像情報を複数記憶した記憶手段とをさらに具備し、
上記表示制御手段は、上記光量検知手段で検知した光量に対応した特定の画像情報を上記記憶手段から選択的に読出して上記表示手段で表示させる
ことを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項７】
被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像部及び表示面を少なくとも撮影部の撮影方向に向けることが可能な表示部を備えた撮像装置の画像表示方法であって、
上記撮影部での撮影画角に合わせて上記表示部での表示視野角を制御する表示制御工程と
を有したことを特徴とする撮像装置の画像表示方法。
【請求項８】
被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像部及び表示面を少なくとも撮影部の撮影方向に向けることが可能な表示部を備えた撮像装置が内蔵するコンピュータが実行するプログラムであって、
上記撮影部での撮影画角に合わせて上記表示部での表示視野角を制御する表示制御ステップと
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１記載の発明は、被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像手段と、表示面を少なくとも上記撮影手段の撮影方向に向けることが可能な表示手段と、上記撮影手段での撮影画角に合わせて上記表示手段での表示視野角を制御する表示制御手段とを具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項７記載の発明は、被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像部及び表示面を少なくとも撮影部の撮影方向に向けることが可能な表示部を備えた撮像装置の画像表示方法であって、上記撮影部での撮影画角に合わせて上記表示部での表示視野角を制御する表示制御工程とを有したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項８記載の発明は、被写体像を撮影する、撮影画角が変動可能な撮像部及び表示面を少なくとも撮影部の撮影方向に向けることが可能な表示部を備えた撮像装置が内蔵するコンピュータが実行するプログラムであって、上記撮影部での撮影画角に合わせて上記表示部での表示視野角を制御する表示制御ステップとをコンピュータに実行させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体からの光を受けて光電変換を行う光電変換部を備えた撮像素子と、
前記撮像素子の動きを検出する動き検出手段と、
前記撮像素子の前記光電変換部に蓄積される画像電荷を、電荷蓄積時間の間にＮ回（Ｎは２以上の整数）に分けて読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段によって読み出された画像電荷を一時保持する画像保持手段と、
前記画像保持手段に保持された画像電荷をシフトする画像シフト手段と、
前記動き検出手段により検出された動き量に基づき、前記読み出し手段による前記電荷蓄積時間の間の読み出し回数Ｎを決定し、
前記読み出し手段によって第１回目に読み出され、前記画像保持手段に保持された画像電荷を、固定値である第１の移動量だけシフトし、該シフトされた画像電荷に、前記読み出し手段によって第２回目に読み出された画像電荷を前記画像保持手段で加算する処理を行わせ、
Ｎが２よりも大きい場合には、さらに、前記読み出し手段によって第ｎ回目（ｎは２乃至（Ｎ−１）の整数）に読み出された画像電荷の加算の結果得られる画像電荷を、固定値である第ｎの移動量だけシフトし、該シフトされた画像電荷に、前記読み出し手段によって第（ｎ＋１）回目に読み出された画像電荷を前記画像保持手段で加算する処理を、ｎが２から（Ｎ−１）まで順に繰り返し行わせる制御手段を具備し、
前記動きの量が、当該動きの量に対応する撮像素子の画素の数で表され、
前記第１の移動量及び前記第ｎの移動量が同一量であり、
前記読み出し手段による画像電荷の読み出し回数Ｎが、前記動き検出手段によって検出された動き量を前記同一量で除算することにより与えられる数値である
ことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記光電変換部が、それぞれ異なる色の色フィルタで覆われた光電変換素子を含み、前記色フィルタが所定の繰り返しパターンで周期的に配列され、
前記第１の移動量及び前記第ｎの移動量が、色フィルタの繰り返しパターンの周期に対応し、かつ最小となる画素数である
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像素子が、前記光電変換部で蓄積された画像電荷を転送する垂直転送部と、前記光電変換部で蓄積された画像電荷を前記垂直転送部に読み出す読み出しゲート部とを備えるＣＣＤ撮像素子であり、
前記読み出し手段が、前記読み出しゲート部で構成され、
前記画像保持手段及び前記画像シフト手段がともに前記垂直転送部で構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記動き検出手段が、前記撮像素子上における前記垂直転送部の転送方向に対応する方向の動きを検出するものであることを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記電荷蓄積の開始から前記第１回目の読み出しまでの期間と、各回の読み出しから次の読み出しまでの期間が互いに略同じ長さを有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
シャッタボタンを備え、
前記制御手段が、前記シャッタボタンの押下を検知した時点を含むフレーム期間、又は次のフレーム期間において、前記動き検出手段による動き検出を行わせる
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、被写体からの光を受けて光電変換を行う光電変換部を備えた撮像素子と、
前記撮像素子の動きを検出する動き検出手段と、
前記撮像素子の前記光電変換部に蓄積される画像電荷を、電荷蓄積時間の間にＮ回（Ｎは２以上の整数）に分けて読み出す読み出し手段と、
前記読み出し手段によって読み出された画像電荷を一時保持する画像保持手段と、前記画像保持手段に保持された画像電荷をシフトする画像シフト手段と、
前記動き検出手段により検出された動き量に基づき、前記読み出し手段による前記電荷蓄積時間の間の読み出し回数Ｎを決定し、
前記読み出し手段によって第１回目に読み出され、前記画像保持手段に保持された画像電荷を、固定値である第１の移動量だけシフトし、該シフトされ画像電荷に、前記画像読み出し手段によって第２回目に読み出された画像電荷を前記画像保持手段で加算する処理を行わせ、
Ｎが２よりも大きい場合には、さらに、前記読み出し手段によって第ｎ回目（ｎは２乃至（Ｎ−１）の整数）に読み出された画像電荷の加算の結果得られる画像電荷を、固定値である第ｎの移動量だけシフトし、該シフトされた画像電荷に、前記画像読み出し手段によって第（ｎ＋１）回目に読み出された画像電荷を前記画像保持手段で加算する処理を、ｎが２から（Ｎ−１）まで順に繰り返し行わせる制御手段を具備し、
前記動きの量が、当該動きの量に対応する撮像素子の画素の数で表され、
前記第１の移動量及び前記第ｎの移動量が同一量であり、
前記読み出し手段による画像電荷の読み出し回数Ｎが、前記動き検出手段によって検出された動き量を前記同一量で除算することにより与えられる数値である
ことを特徴とする撮像装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に機能性材料からなる機能膜を成膜する工程と、
該機能膜上にマスクパターンを設ける工程と、
該マスクパターンの少なくとも側面を覆う保護膜を形成する工程と、
前記マスクパターンを用いて、前記機能膜をウエットエッチングによりパターニングする工程と、を備え、
前記保護膜形成工程では、前記保護膜を、前記マスクパターンの側面から前記機能膜の上面に延出させた状態に形成し、
前記ウエットエッチングによるパターニング工程では、パターニングによって形成された機能膜のパターンの側面を前記保護膜形成工程で形成した前記保護膜によって覆われた状態とすることを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項２】
基板上に異なる金属材料が複数積層され、下層金属膜が上層金属膜に比べてイオン化傾向が大きい機能膜を形成する工程と、
前記上層金属膜をパターニングし、上層金属膜パターンを形成する工程と、
該上層金属膜パターンの少なくとも側面を覆う保護膜を形成する工程と、
該上層金属膜パターンをマスクにして、前記下層金属膜をウエットエッチングによりパターニングする工程と、を備え、
前記保護膜形成工程では、前記ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された下層金属膜のパターンの側面が、形成した保護膜によって覆われるように、該保護膜を形成することを特徴とするパターンの形成方法。
【請求項３】
前記保護膜形成工程として、前記基板を窒素含有複素環化合物を含有する溶液に浸漬することを特徴とする請求項１又は２に記載のパターンの形成方法。
【請求項４】
前記窒素含有複素環化合物として、アデニン、ヒポキサンチン、グアニン、プテリン、ベンジルアミノプリン、トリアゾール、ベンゾトリアゾールの少なくとも一種類を含有することを特徴とする請求項３に記載のパターンの形成方法。
【請求項５】
前記保護膜形成工程として、前記基板を界面活性剤とアルコールを含有する溶液に浸漬することを特徴とする請求項1又は２に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記界面活性剤として、ノニオン系界面活性剤を用いることを特徴とする請求項５に記載のパターンの形成方法。
【請求項７】
前記基板として、開口部が設けられた基板を用いることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のパターンの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１に示すＥＵＶ光源装置は、レーザ発振器１と、集光レンズ２と、ターゲット供給装置３と、ターゲットノズル４と、ＥＵＶ集光ミラー５と、コイルをそれぞれに含む電磁石６及び７とを有している。これらの電磁石６及び７のコイルには、電流を供給するための配線及び電源装置が接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
レーザ発振器１は、高い繰り返し周波数でパルス発振できるレーザ光源であり、後述するターゲット物質を照射して励起させるためのレーザビームを射出する。また、集光レンズ２は、レーザ発振器１から射出したレーザビームを所定の位置に集光させる集光光学系である。本実施形態においては、集光光学系として１つの集光レンズ２を用いているが、それ以外の集光光学部品又は複数の光学部品の組み合わせにより集光光学系を構成しても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造を有する基板と、
前記基板の第１の面に実装された無線通信モジュールと、
前記基板の前記第１の面の反対側の第２の面に実装された、前記無線通信モジュールと接続して用いられる別のモジュールと、を有し、
前記基板には、前記無線通信モジュールと前記別のモジュールを分離するための導電層が形成されており、
前記導電層は、接地電位となる２つの接地層を含み、
前記２つの接地層の間には、電源電位となる電源層が形成されていることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記接地層の面積が前記電源層の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記２つの接地層は、前記無線通信モジュールと前記別のモジュールにそれぞれ接続され、
前記電源層は、前記無線通信モジュールに接続される第１の電源層と、前記別のモジュールに接続される第２の電源層とを含むことを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１の電源層では、前記無線通信モジュールのアナログ回路に対応する電源層と、前記無線通信モジュールのデジタル回路に対応する電源層とが分離された構造となっていることを特徴とする請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
前記別のモジュールは、検知手段を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項６】
前記別のモジュールは、表示手段を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項７】
前記無線通信モジュールと前記別のモジュールは、前記基板を貫通するビアプラグにより接続されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項８】
前記基板の周縁部には、当該基板の接続対象と接続するための接続端子が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の課題を、多層構造を有する基板と、
前記基板の第１の面に実装された無線通信モジュールと、
前記基板の前記第１の面の反対側の第２の面に実装された、前記無線通信モジュールと接続して用いられる別のモジュールと、を有し、
前記基板には、前記無線通信モジュールと前記別のモジュールを分離するための導電層が形成されており、
前記導電層は、接地電位となる２つの接地層を含み、
前記２つの接地層の間には、電源電位となる電源層が形成されていることを特徴とする電子部品により、解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、単純な構造で小型化された、無線通信モジュールを有する電子部品を提供することが可能となる。
また、基板に、無線通信モジュールと別のモジュールを分離するための導電層が形成されているため、別のモジュールに対する無線通信モジュールの影響を小さくすることができる。
さらに、２つの接地層の間に、電源電位となる電源層を設けることで、電源層を電磁的に遮蔽することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記２つの接地層は、前記無線通信モジュールと前記別のモジュールにそれぞれ接続され、前記電源層は、前記無線通信モジュールに接続される第１の電源層と、前記別のモジュールに接続される第２の電源層とを含むように構成するとよい。これにより、無線通信モジュールと別のモジュールとを分離する構造の省スペース化を図ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明による電子部品は、多層構造を有する基板と、前記基板の第１の面に実装された無線通信モジュールと、前記基板の前記第１の面の反対側の第２の面に実装された、前記無線通信モジュールと接続して用いられる別のモジュールと、を有し、前記基板には、前記無線通信モジュールと前記別のモジュールを分離するための導電層が形成されており、前記導電層は、接地電位となる２つの接地層を含み、前記２つの接地層の間には、電源電位となる電源層が形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、
前記光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極と、
第２導電型の第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に配され、前記第２導電型の第４の半導体領域と前記前記第２の半導体領域とを電気的に分離するための素子分離領域と、
前記素子分離領域上に配される、前記ゲート電極へ電圧を印加するための配線と、を有する光電変換装置において、
前記第４の半導体領域と前記素子分離領域との間に、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記第１導電型はｐ型であり、前記配線に負の電圧が印加されることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記第２導電型はｎ型であり、前記第４の半導体領域に電源からの正の電圧が印加されることを特徴とする請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記第３の半導体領域の電位に基づく信号を出力する増幅トランジスタを有し、
前記第４の半導体領域は前記増幅トランジスタのドレインであることを特徴とする請求項３に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記素子分離領域の下部に、前記第１の半導体領域の不純物濃度よりも高い不純物濃度を有する第１導電型の第６の半導体領域を有していることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第４の半導体領域は、前記第２の半導体領域に比べて不純物濃度が高いことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
第１導電型の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域の一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、
前記光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送する転送ゲート電極と、
ソースあるいはドレインを構成する第２導電型の第４の半導体領域を含むトランジスタと、
前記トランジスタと前記光電変換素子とを電気的に分離するための素子分離領域と、
前記素子分離領域上に配され、前記転送ゲート電極へ電圧を印加するための配線と、を有する光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の半導体領域に前記第２の半導体領域及び第３の半導体領域を形成する第１の工程と、
前記転送ゲート電極と前記配線と前記トランジスタのゲート電極を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体領域、前記配線及び前記素子分離領域の全体と、前記素子分離領域と前記トランジスタのゲート電極との間の活性領域の一部と、を覆う絶縁層を形成する第３の工程と、
前記絶縁層をマスクとして、前記活性領域の前記絶縁層が覆っていない部分に第２導電型の不純物のイオン注入を行い前記第４の半導体領域を形成する第４の工程と、を有することを特徴とする光電変換装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程において、前記活性領域の少なくとも一部に前記第４の半導体領域よりも低い不純物濃度の第２導電型の第５の半導体領域を形成し、
前記第３の工程において、前記絶縁層と同時に前記トランジスタのゲート電極にサイドウォールを形成し、
前記第４の工程のイオン注入において、前記サイドウォールをマスクとして用いることを特徴とする請求項７に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項９】
前記第４の工程の後、前記絶縁層を覆って層間絶縁膜を形成し、前記層間絶縁膜に前記第４の半導体領域に接続をとるためのコンタクトを形成する第５の工程を有することを特徴とする請求項７あるいは８に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置に結像するための光学系と、
前記光電変換装置からの出力信号を処理する信号処理回路と、を有することを特徴とする撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の光電変換装置は、第１導電型の第１の半導体領域と、前記第１の半導体領域の一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、前記光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極と、第２導電型の第４の半導体領域と前記第２の半導体領域との間に配され、前記第２導電型の第４の半導体領域と前記前記第２の半導体領域とを電気的に分離するための素子分離領域と、前記素子分離領域上に配される、前記ゲート電極へ電圧を印加するための配線と、を有する光電変換装置において、前記第４の半導体領域と前記素子分離領域との間に、前記第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
高反射率膜８０は、高屈折率膜として屈折率２．０３１の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜と、低屈折率膜として屈折率１．６４１の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜又は屈折率１．４６１の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜とを交互に積層している。即ち、高反射率膜８０は、レーザチップ側から順に、第１層である光学膜厚λ／４の酸化アルミニウム膜８１、第２層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜８２、第３層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜８３、第４層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜８４、第５層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜８５、第６層である光学膜厚λ／２の酸化タンタル膜８６、第７層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜８７、第８層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜８８、第９層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜８９、第１０層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜９０、第１１層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜９１、第１２層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜９２、最終層である１５０Åの酸化シリコン膜９３の１３層で構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
このように、高反射率膜８０は、レーザチップ側から順に第１層から最終層までの７層以上で構成されている。そして、高反射率膜８０は、波長λ＝（λ１＋λ２）／２に対し、第１層及び最終層を除く任意の層として光学膜厚がｎ・λ／２（ｎは自然数）の層を１層含む。また、高反射率膜８０の任意の層及び最終層を除く層の光学膜厚は（２ｎ＋１）・λ／４（ｎは０を含む正の整数）である。本実施の形態では、第６層である光学膜厚λ／２の酸化タンタル膜８６が任意の層に該当する。そして、高反射率膜の最終層は１５０Å以下１０Å以上の保護膜で構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
高反射率膜１２０は、高屈折率膜として屈折率２．０３１の酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）膜と、低屈折率膜として屈折率１．６４１の酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）膜又は屈折率１．４６１の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜とを交互に積層している。即ち、高反射率膜１２０は、レーザチップ側から順に、第１層である光学膜厚λ／４の酸化アルミニウム膜１２１、第２層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１２２、第３層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１２３、第４層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１２４、第５層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１２５、第６層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１２６、第７層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１２７、第８層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１２８、第９層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１２９、第１０層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１３０、第１１層である光学膜厚λ／２の酸化シリコン膜１３１、第１２層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１３２、第１３層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１３３、第１４層である光学膜厚λ／４の酸化タンタル膜１３４、最終層である光学膜厚λ／４の酸化シリコン膜１３５の１５層で構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
このように、高反射率膜１２０は、レーザチップ側から順に第１層から最終層までの１５層で構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本発明の実施の形態６に係る高反射率膜の反射率スペクトルを図１８に示す。波長λ１（６６０ｎｍ）での反射率は９０％、波長λ２（７８０ｎｍ）での反射率は９０％が得られている。従って、本実施の形態により、レーザチップの後端面に形成された高反射率膜として、２つの波長λ１，λ２の双方において高反射率を得ることができ、反射率の波長依存性が小さいものを備えた半導体レーザ装置を得ることができる。また、レーザチップの後端面と接する高反射率膜１２０の第１層は、光吸収が少ない酸化アルミニウム膜で形成されているため、光吸収によるレーザチップの後端面の劣化を防ぐことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008016799.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2008016799.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から出射された光を光ディスクに集光する対物レンズと、
前記光ディスクからの反射光を第１の光及び第２の光に分岐する分岐手段と、
前記分岐手段で分岐された第１の光を検出する第１の光検出素子と、
前記第１の光検出素子と独立して設けられ、前記分岐手段で分岐された第２の光を検出する第２の光検出素子と、
前記第１の光検出素子で得られた電気信号を基に、トラッキングエラー信号を生成する第１の生成手段と、
前記第２の光検出素子で得られた電気信号を基に、ウォブル信号を生成する第２の生成手段と、
を備える光ディスク装置。
【請求項２】
前記第１の光検出素子及び前記第２の光検出素子で得られた電気信号のゲインを調整して、当該調整した電気信号を前記第１の生成手段又は前記第２の生成手段に出力するゲイン調整手段をさらに備え、
前記ゲイン調整手段は、前記第１の光検出素子から出力された電気信号のゲイン調整と、前記第２の光検出素子から出力された電気信号のゲイン調整とを、異なるようにする、
請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記第１の光検出素子及び前記第２の光検出素子で得られた電気信号のゲインを調整して、当該調整した電気信号を前記第１の生成手段又は前記第２の生成手段に出力するゲイン調整手段をさらに備え、
前記ゲイン調整手段は、
前記第１の光検出素子から出力された電気信号において、第１の光量で飽和し、前記第１の光量よりも少ない第２の光量で飽和しないようにゲインを調整し、
前記第２の光検出素子から出力された電気信号において、当該第１の光量及び前記第２の光量で飽和しないようにゲインを調整する、
請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記第１の光量は、前記光ディスクに情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第２の光量は、前記光ディスクに記録された情報を再生するために前記光源から出射された光が前記光ディスクの鏡面で反射された光の光量である、
請求項３に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記第１の光検出素子及び前記第２の光検出素子で得られた電気信号のゲインを調整して、当該調整した電気信号を前記第１の生成手段又は前記第２の生成手段に出力するゲイン調整手段をさらに備え、
前記ゲイン調整手段は、
前記第１の光検出素子から出力された電気信号において、第１の光量で飽和し、当該第１の光量よりも少ない第３の光量及び当該第３の光量よりも少ない第２の光量で飽和しないようにゲインを調整し、
前記第２の光検出素子から出力された電気信号において、前記第１の光量、前記第３の光量、及び前記第２の光量で飽和しないようにゲインを調整する、
請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
前記第１の光量は、前記光ディスクに低反射率の領域を形成して情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第３の光量は、前記光ディスクに高反射率の領域を形成して情報を記録するために前記光源から出射された光が前記光ディスクで反射された光の光量であり、
前記第２の光量は、前記光ディスクに記録された情報を再生するために前記光源から出射された光が前記光ディスクの鏡面で反射された光の光量である、
請求項３に記載の光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置に対して所定のネットワーク接続サービスを提供するサーバであって、
前記ネットワーク接続サービスの利用可否を示す利用可否判定用データを記憶する第１の記憶手段と、
前記情報処理装置に送信されるべきファイルを記憶する第２の記憶手段と、
前記情報処理装置から送信されるユーザの個別情報に基づいて接続可否の認証を行う認証手段と、
前記認証が行われた前記情報処理装置に対して前記ネットワーク接続サービスを提供する応答手段と、
前記ネットワーク接続サービスが提供されている間に、時間経過に対応して前記第１の記憶手段に記憶された前記利用可否判定用データを更新する更新手段と、
前記第１の記憶手段に記憶された前記利用可否判定用データに基づいて、前記ネットワーク接続サービスの利用可否を判断する判断手段と、
前記判断手段による判断結果に基づいて、前記応答手段に対し、前記ネットワーク接続サービスの切断を指示する切断指示手段と、
を備え、
前記切断指示手段は、前記判断手段により前記ネットワーク接続サービスの利用が不可であると判断された場合においても、前記応答手段による前記ネットワーク接続サービスの提供が継続している間は前記切断を指示せずに前記ネットワーク接続サービスを続行させ、
前記更新手段は、前記判断手段により前記ネットワーク接続サービスの利用が不可であると判断された後の時間経過に対応した超過利用分を前記利用可否判定用データに記録する、
サーバ。
【請求項２】
新たに前記認証手段による前記認証が行われた場合に、前記第１の記憶手段に記憶された前記利用可否判定用データに基づいて、前記超過利用分を課金する課金手段を更に備える、
請求項１に記載のサーバ。
【請求項３】
前記課金手段による前記超過利用分の課金が可能であるか否かを判定する課金可否判定手段を更に含み、
前記応答手段は、前記課金可否判定手段による判定結果に基づき、前記超過利用分の課金が可能である場合には前記ネットワーク接続サービスを提供し、前記超過利用分の課金が不可能である場合には前記ネットワーク接続サービスを提供しない旨を前記情報処理装置へ通知する、
請求項２に記載のサーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像面に複数の光電変換素子が配置された撮像部と、
前記撮像部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記撮像面の第１の領域に配置された第１の光電変換素子群から、Ｍ（２以上の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第１のモードと、前記撮像面の前記第１の領域よりも小さい第２の領域に配置された第２の光電変換素子群から、Ｎ（１以上Ｍ未満の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第２のモードとを有し、
前記第２のモードにおける水平期間は、前記第１のモードにおける水平期間のＮ／Ｍとなるように制御し、
前記第１のモードにおける水平期間は、前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であり、
前記第２のモードにおける水平期間は、前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第１及び第２のモードにおいて各ラインのリセットタイミング及び読み出しタイミングが一定となるように制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第２のモードにおける水平期間が前記第１のモードにおける水平期間のＮ／Ｍとなるように、前記第１モード及び前記第２モードのいずれか一方における前記水平期間に空期間を設けることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第１のモードにより読み出して得られるライン数と前記第２のモードにより読み出して得られるライン数とが等しくなるように制御を行うことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１のモードと前記第２のモードとの切り替えがなされる場合、切り替え前の読み出し期間中のリセット動作を切り替え後の読み出し領域に対して行うことを特徴とする請求項４に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１のモードにおいて、前記Ｍライン分の画像信号を加算することにより１ライン分の画像信号として撮像部から読み出すことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１のモードにおいて、前記Ｍライン分の画像信号のうちＭ−１ラインの画像信号を間引いて１ライン分の画像信号として撮像部から読み出すことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
光学系と、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の撮像装置と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【請求項９】
撮像面に複数の光電変換素子が配置された撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを備える撮像装置の制御方法であって、
前記撮像面の第１の領域に配置された第１の光電変換素子群から、Ｍ（２以上の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第１のモードと、前記撮像面の前記第１の領域よりも小さい第２の領域に配置された第２の光電変換素子群から、Ｎ（１以上Ｍ未満の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第２のモードとを有し、
前記第２のモードにおける水平期間は、前記第１のモードにおける水平期間のＮ／Ｍとなるように制御し、
前記第１のモードにおける水平期間は、前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であり、
前記第２のモードにおける水平期間は、前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１の側面は、撮像装置に係り、撮像面に複数の光電変換素子が配置された撮像部と、前記撮像部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記撮像面の第１の領域に配置された第１の光電変換素子群から、Ｍ（２以上の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第１のモードと、前記撮像面の前記第１の領域よりも小さい第２の領域に配置された第２の光電変換素子群から、Ｎ（１以上Ｍ未満の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第２のモードとを有し、前記第２のモードにおける水平期間は、前記第１のモードにおける水平期間のＮ／Ｍとなるように制御し、前記第１のモードにおける水平期間は、前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であり、前記第２のモードにおける水平期間は、前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の側面は、撮像システムに係り、光学系と、上記の撮像装置と、を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３の側面は、撮像面に複数の光電変換素子が配置された撮像部と、前記撮像部を制御する制御部とを備える撮像装置の制御方法に係り、前記撮像面の第１の領域に配置された第１の光電変換素子群から、Ｍ（２以上の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第１のモードと、前記撮像面の前記第１の領域よりも小さい第２の領域に配置された第２の光電変換素子群から、Ｎ（１以上Ｍ未満の整数）ラインずつ画像信号を１ライン分の画像信号として前記撮像部から読み出す第２のモードとを有し、前記第２のモードにおける水平期間は、前記第１のモードにおける水平期間のＮ／Ｍとなるように制御し、前記第１のモードにおける水平期間は、前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｍライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であり、前記第２のモードにおける水平期間は、前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始から、次の前記Ｎライン分の画像信号の読み出し開始までの期間であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008016977.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2008016977.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
すなわちブレンド比算出部２６は、図３に示すように、動き補正していない参照映像信号Ｓ３、動き補正した参照映像信号Ｓ６、入力映像信号Ｓ１を部分領域抽出部２８に入力する。ここで部分領域抽出部２８は、図４に示すように、入力映像信号Ｓ１の１画面を水平方向及び垂直方向に複数の領域に分割する。部分領域抽出部２８は、この分割した各領域に入力映像信号Ｓ１、参照映像信号Ｓ３、Ｓ６をそれぞれ振り分け、領域毎に、これら入力映像信号Ｓ１、参照映像信号Ｓ３、Ｓ６を出力する。なおこのように各領域に振り分けられて、領域毎に出力される入力映像信号Ｓ１、参照映像信号Ｓ３、Ｓ６を、それぞれ部分映像信号Ｓ１Ｐ、部分参照映像信号Ｓ３Ｐ、Ｓ６Ｐと呼ぶ。なお図４との対比により図５に示すように、領域の設定は、隣接する領域が部分的に重なり合うようにしてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
これらによりこのノイズフィルタ２１は、時間巡回型で構成され、何ら動き補正しないで参照映像信号Ｓ１６を生成した場合には、静止画部分で十分にノイズを抑圧することができるものの、動画部分で十分にノイズを抑圧することが困難になる。これに対して動き補正して参照映像信号Ｓ１６を生成すると、動画の部分でも十分にノイズを抑圧できるようになるものの、ノイズレベルが大きくなると動きベクトルを誤検出して正しく動き補正できなくなり、ノイズを十分に抑圧できなくなる。また平坦部分では、うねるようにノイズが見て取られ、著しくユーザーに不快感を与えることになる。