【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ｐ／ｎ型の半導体材料のトンネルダイオード（３０２）の第１層（３０６）と；
前記第１ｐ／ｎ型の半導体材料と同様のｐ／ｎ型のドーピングを有するデルタドープ層（４０４）であって、前記第１層（３０６）よりも実質的に薄く、前記第１層（３０６）のドーパント濃度よりも実質的に高いドーパント濃度に達しており、且つ前記第１層（３０６）の上に堆積している前記デルタドープ層（４０４）と；
前記トンネルダイオード（３０２）の前記第１層（３０６）、及び前記デルタドープ層（４０４）と相補の関係にある第２ｐ／ｎ型の半導体材料の前記トンネルダイオード層（３０２）の第２層（３０４）であって、前記デルタドープ層（４０４）上にエピタキシャル成長させた前記第２層（３０４）と；
前記トンネルダイオード（３０２）によって電気的に接続された少なくとも２つの光起電性のサブセル（１０２、１０４）と
を備える多接合太陽電池（４００）。
【請求項２】
前記デルタドープ層（４０４）と前記第２層（３０４）との間に、前記第１ｐ／ｎ型の半導体材料の追加層を更に備えている、請求項１に記載の多接合太陽電池。
【請求項３】
前記デルタドープ層（４０４）が、相補の関係にある前記第２ｐ／ｎ型の半導体材料と同様のｐ／ｎ型のドーピングを有している、請求項１に記載の多接合太陽電池。
【請求項４】
前記第１層と前記デルタドープ層（４０４）との間に、相補の関係にある前記第２ｐ／ｎ型の半導体材料の追加層を更に備えている、請求項３に記載の多接合太陽電池。
【請求項５】
基板（１０６）と；
前記基板（１０６）の上にエピタキシャル成長させた第１の光起電性のサブセル（１０４）と；
前記トンネルダイオード（３０２）の前記第２層（３０４）の上にエピタキシャル成長させた第２の光起電性のサブセル（１０２）と
を更に備え；前記トンネルダイオード（３０２）の前記第１層（３０６）が、第１の光起電性のサブセル（１０４）の上にエピタキシャル成長させたものである、請求項１に記載の多接合太陽電池。
【請求項６】
複数の光起電性のサブセル（１０４、１０２）を更に備え、前記複数の光起電性のサブセルの各々が、デルタドープ層（４０４）を有するトンネルダイオード（３０２）によって分離されている、請求項１に記載の多接合太陽電池。
【請求項７】
前記デルタドープ層（４０４）内の前記ドーパント濃度が前記第１層（３０６）の前記ドーパント濃度の略１０倍高い、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【請求項８】
前記デルタドープ層（４０４）の前記ドーパント濃度が１０２０ｃｍ−３よりも高い、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【請求項９】
前記デルタドープ層（４０４）の幅が略２０オングストロームである、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【請求項１０】
前記トンネルダイオード（３０２）が、前記第１の光起電性のサブセル（１０４）と等しいか、又は前記第１の光起電性のサブセル（１０４）よりも大きいバンドギャップを有する材料を含んでいる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【請求項１１】
前記トンネルダイオード（３０２）が、砒化ガリウム、砒化ガリウムインジウム、リン化ガリウムインジウム、及び砒化アルミニウムガリウムから成るグループから選択される半導体材料を含んでいる、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【請求項１２】
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）及び前記第２の光起電性のサブセル（１０２）がｎ−ｏｎ−ｐサブセルであり；前記第１層（１０４）及び前記デルタドープ層（４０４）がＩＩ族、ＩＶ族、又はＶ族のｎ型ドープ半導体材料であり、前記第２層がＩＶ族又はＶＩ族のｐ型ドープ半導体材料である、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の多接合太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図面に示され、且つ上に記述される本発明の実施形態は、添付の請求項の範囲内で実施することができる多くの実施形態の例示である。δドープ相互接続トンネル接合の多くの他の構成は、開示されるアプローチを利用して考案することができると考えられる。本出願人は、本願から発生する特許の範囲が添付の請求項の範囲によってのみ制限されるものであると考える。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
第１ｐ／ｎ型の半導体材料のトンネルダイオードの第１層（３０４）と；
前記第１ｐ／ｎ型の半導体材料と同様のｐ／ｎ型のドーピングを有するデルタドープ層（４０４）であって、前記第１層よりも実質的に薄く、前記第１層のドーパント濃度よりも実質的に高いドーパント濃度に達しており、且つ前記第１層の上に堆積している前記デルタドープ層（４０４）と；
前記トンネルダイオードの前記第１層（３０４）、及び前記デルタドープ層（４０４）と相補の関係にある第２ｐ／ｎ型の半導体材料の前記トンネルダイオード層の第２層（３０６）であって、前記デルタドープ層（４０４）上にエピタキシャル成長させた前記第２層（３０６）と；
前記トンネルダイオードによって電気的に接続された少なくとも２つの光起電性のサブセル（１０２、１０４）と
を備える多接合太陽電池（４００）。
（態様２）
前記デルタドープ層と前記第２層との間に、前記第１ｐ／ｎ型の半導体材料の追加層を更に備えている、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様３）
前記デルタドープ層（４０４）が、相補の関係にある前記第２ｐ／ｎ型の半導体材料と同様のｐ／ｎ型のドーピングを有している、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様４）
前記第１層と前記デルタドープ層（４０４）との間に、相補の関係にある前記第２ｐ／ｎ型の半導体材料の追加層を更に備えている、態様３に記載の多接合太陽電池。
（態様５）
基板と；
前記基板（１０６）の上にエピタキシャル成長させた第１の光起電性のサブセル（１０４）と；
前記トンネルダイオード（４０２）の前記第２層（３０４）の上にエピタキシャル成長させた第２の光起電性のサブセル（１０２）と
を更に備え；前記トンネルダイオード（４０２）の前記第１層（３０６）が、第１の光起電性のサブセル（１０４）の上にエピタキシャル成長させたものである、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様６）
複数の光起電性のサブセル（１０４、１０２）を更に備え、前記複数の光起電性のサブセルの各々が、デルタドープ層（４０４）を有するトンネルダイオード（４０２）によって分離されている、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様７）
前記デルタドープ層（４０４）内の前記ドーパント濃度が前記第１層の前記ドーパント濃度の略１０倍高い、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様８）
前記デルタドープ層（４０４）の前記ドーパント濃度が１０２０ｃｍ−３よりも高い、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様９）
前記デルタドープ層（４０４）の幅が略２０オングストロームである、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１０）
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）が、前記第２の光起電性のサブセル（１０２）よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料を含んでいる、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１１）
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）が砒化ガリウムインジウムを含み、前記第２の光起電性のサブセル（１０２）がリン化ガリウムインジウムを含んでいる、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１２）
前記トンネルダイオード（４０２）が、前記第１の光起電性のサブセル（１０４）と等しいか、又は前記第１の光起電性のサブセル（１０４）よりも大きいバンドギャップを有する材料を含んでいる、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１３）
前記トンネルダイオード（４０２）が、砒化ガリウム、砒化ガリウムインジウム、リン化ガリウムインジウム、及び砒化アルミニウムガリウムから成るグループから選択される半導体材料を含んでいる、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１４）
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）及び前記第２の光起電性のサブセル（１０２）がｎ−ｏｎ−ｐサブセルであり；前記第１層及び前記デルタドープ層（４０４）がＩＩ族、ＩＶ族、又はＶ族のｎ型ドープ半導体材料であり、前記第２層がＩＶ族又はＶＩ族のｐ型ドープ半導体材料である、態様１に記載の多接合太陽電池。
（態様１５）
デルタドープ相互接続トンネル接合（４０２）を形成する方法であって：
トンネルダイオードの第１層をエピタキシャル成長させる工程（６０４）であって、前記第１層に第１ドーパントを使用する工程（６０４）と；
前記トンネルダイオードの前記第１層をエピタキシャル成長させる前記工程を中断する工程（６０６）と；
前記第１ドーパントと同じアクセプタ／ドナー型の第２ドーパントのデルタドープ層を、前記トンネルダイオードの前記第１層の上に堆積させる工程（６０８）であって、前記デルタドープ層内の前記第２ドーパントが、前記トンネルダイオードの前記第１層内の前記第１ドーパントの濃度よりも実質的に高いドーパント濃度に達する工程（６０８）と；
前記トンネルダイオードの第２層をエピタキシャル成長させる工程（６１２）であって、前記第２層に、前記第１ドーパント及び前記第２ドーパントと相補の関係にあるアクセプタ／ドナー型の第３ドーパントを使用する工程（６１２）と
を含む方法。
（態様１６）
前記堆積させる工程の後に、前記第１ドーパントを使用して追加層をエピタキシャル成長させる工程（６１０）を更に含む、態様１５に記載の方法。
（態様１７）
基板（１０６）を用意する工程と；
第１の光起電性のサブセル（１０４）をエピタキシャル成長させる工程と；
第２の光起電性のサブセルをエピタキシャル成長させる工程（６１４）と
を更に含み、
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）を前記基板（１０６）の上に成長させ、前記トンネルダイオード（４０２）の前記第１層（３０６）を前記第１の光起電性のサブセル（１０４）の上に成長させ、前記第２の光起電性のサブセル（１０２）を前記トンネルダイオード（３０４）の前記第２層の上に成長させる、態様１５に記載の方法。
（態様１８）
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）が、前記第２の光起電性のサブセル（１０２）よりも小さいバンドギャップを有する材料を含む、態様１７に記載の方法。
（態様１９）
前記トンネルダイオード（４０２）が、前記第１の光起電性のサブセル（１０４）と等しいか、又は前記第１の光起電性のサブセル（１０４）よりも大きいバンドギャップを有する材料を含む、態様１８に記載の方法。
（態様２０）
前記デルタドープ層（４０４）内の前記ドーパント濃度が、前記トンネルダイオード（４０２）の前記第１層（３０６）内の前記第１ドーパントの前記濃度の略１０倍高い、態様１５に記載の方法。
（態様２１）
前記デルタドープ層が１０２０ｃｍ−３を上回るドーパント濃度を有する、態様１５に記載の方法。
（態様２２）
前記デルタドープ層（４０４）の幅が略２０オングストロームである、態様１５に記載の方法。
（態様２３）
前記第１ドーパント及び前記第２ドーパントは、アクセプタ型の、ＩＩ族、ＩＶ族、又はＶ族のドーパントであり、前記第３ドーパントは、ドナー型の、ＩＶ族又はＶＩ族のドーパントである、態様１５に記載の方法。
（態様２４）
デルタドープ層（４０４）を有する相互接続トンネル接合（４０２）を有する多接合太陽電池であって、
（ａ）基板を用意する工程（６０２）と；
（ｂ）第１の光起電性のサブセルを前記基板の上にエピタキシャル成長させる工程（６０４）と；
（ｃ）トンネルダイオードの第１層を、前記第１の光起電性のサブセルの上にエピタキシャル成長させる工程（６０６）であって、前記第１層に、前記第１の光起電性のサブセルの接合部分のアクセプタ／ドナー型のドーパントを使用する工程（６０６）と；
（ｄ）前記トンネルダイオードの前記第１層をエピタキシャル成長させる前記工程を中断する工程と；
（ｅ）前記ドーパントと同じアクセプタ／ドナー型のデルタドーパントのデルタドープ層を、前記トンネルダイオードの前記第１層の上に堆積させる工程（６０８）であって、前記デルタドープ層内の前記デルタドーパントが、前記トンネルダイオードの前記第１層内の前記ドーパントの濃度よりも実質的に高いデルタドーパント濃度に達する工程（６０８）と；
（ｆ）前記トンネルダイオードの第２層を前記デルタドープ層の上にエピタキシャル成長させる工程（６１２）であって、前記第２層に、前記トンネルダイオードの前記第１層の前記ドーパントと相補の関係にある異なるアクセプタ／ドナー型のドーパントを使用する工程（６１２）と
を含むプロセスにより形成される多接合太陽電池。
（態様２５）
（ｇ）前記デルタドープ層を堆積させる前記工程（ｅ）の後で、且つ前記第２層をエピタキシャル成長させる前記工程（ｆ）の前に、前記ドーパントを使用して前記第１層の追加部分をエピタキシャル成長させる工程（６１４）を更に含む、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様２６）
前記工程（ｅ）が：
（ｅ）相補の関係にある前記ドーパントと同じアクセプタ／ドナー型のデルタドーパントのデルタドープ層を、前記トンネルダイオードの前記第１層の上に堆積させる工程（６０８）であって、前記デルタドープ層内の前記デルタドーパントが、前記トンネルダイオードの前記第２層内の前記相補の関係にあるドーパントの濃度よりも実質的に高いデルタドーパント濃度に達する工程（６０８）である、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様２７）
前記工程（ｃ）、（ｄ）、及び（ｅ）が：
（ｃ）前記トンネルダイオードの第２層を、前記トンネルダイオードの前記第１層の上にエピタキシャル成長させる工程（６０６）であって、前記第２層に、前記トンネルダイオードの前記第１層の前記ドーパントと相補の関係にある異なるアクセプタ／ドナー型のドーパントを使用する工程（６０６）；
（ｄ）前記トンネルダイオードの前記第２層をエピタキシャル成長させる前記工程を中断する工程；及び
（ｅ）相補の関係にある前記ドーパントと同じアクセプタ／ドナー型のデルタドーパントのデルタドープ層を、前記トンネルダイオードの前記第２層の上に堆積させる工程（６０８）であって、前記デルタドープ層内の前記デルタドーパントが、前記トンネルダイオードの前記第２層内の前記相補の関係にあるドーパントの濃度よりも実質的に高いデルタドーパント濃度に達する工程（６０８）である、
態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様２８）
前記第１の光起電性のサブセル（１０４）が、前記第２の光起電性のサブセル（１０２）よりも小さいバンドギャップを有する半導体材料を含む、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様２９）
前記トンネルダイオード（４０２）が、前記第１の光起電性のサブセル（１０４）と等しいか、又は前記第１の光起電性のサブセル（１０４）よりも大きいバンドギャップを有する半導体材料を含む、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様３０）
前記デルタドープ層（４０４）内の前記デルタドーパント濃度が、前記トンネルダイオード（４０２）の前記第１層内の前記ドーパントの前記濃度の略１０倍高い、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様３１）
前記デルタドープ層（４０４）が１０２０ｃｍ−３を上回るデルタドーパント濃度を有している、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様３２）
前記デルタドープ層（４０４）の幅が略２０オングストロームである、態様２４に記載の多接合太陽電池。
（態様３３）
前記ドーパントがアクセプタ型のＩＩ族、ＩＶ族、又はＶ族のドーパントであり、相補の関係にある前記ドーパントがドナー型のＩＶ族又はＶＩ族のドーパントである、態様２４に記載の多接合太陽電池。