【手続補正書】
【提出日】平成21年4月14日(2009.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データが単位領域毎に書き込まれる不揮発性メモリ、および上記不揮発性メモリに対するデータの書き込みを制御するメモリコントローラを備えた不揮発性記憶装置において、
上記メモリコントローラは、
装置の外部から入力されるデータを保持する第１の記憶部と、
上記第１の記憶部に保持された１つの単位領域分のデータ毎に上記不揮発性メモリに書き込む一方、上記第１の記憶部に保持されている上記単位領域分に満たないデータを第２の記憶部に書き込む第１の制御部と、
上記第２の記憶部に保持されたデータを上記不揮発性メモリに書き込む第２の制御部と  を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項２】
請求項１の不揮発性記憶装置であって、
上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータの次に装置の外部から入力されるデータが、上記１つの単位領域分のデータに連続したデータである場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込み、連続したデータでない場合は、上記第２の記憶部に書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項３】
請求項１の不揮発性記憶装置であって、
上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータが装置の外部から入力された直後に所定のデータ転送の終了を示す信号が装置の外部から入力された場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記第２の記憶部に書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項４】
請求項１の不揮発性記憶装置であって、
さらに、装置の外部から入力されたデータの論理アドレスの履歴を記憶するアドレス履歴管理部を備え、
上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータの書き換えられる可能性の有無を、上記アドレス履歴管理部に記憶された論理アドレスに基づいて判定し、
書き換えられる可能性が無いと判定した場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込み、有ると判定した場合は、上記第２の記憶部に書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の制御部は、上記第２の記憶部に１つの単位領域分のデータが保持された場合に、上記１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の制御部は、上記第２の記憶部に１つの単位領域分のデータが保持され、かつ上記１つの単位領域分のデータの次に装置の外部から入力されるデータの論理アドレスが、上記１つの単位領域分のデータの論理アドレスと連続したものである場合に、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の制御部は、上記第２の記憶部に所定量以上のデータが保持された場合に、上記第２の記憶部に保持されたデータを上記不揮発性メモリに書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項８】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の制御部は、装置の外部から所定時間データが入力されなかった場合に、上記第２の記憶部に保持されたデータを上記不揮発性メモリに書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項９】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第１の制御部は、上記第２の記憶部に書き込む書き込みデータと論理アドレスが同一のデータが上記第２の記憶部に保持されている場合には、当該書き込みデータを上記論理アドレスが同一のデータに上書きするように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第１の制御部は、上記第２の記憶部に書き込む書き込みデータと論理アドレスが同一のデータが上記第２の記憶部に複数保持されている場合には、最も古い上記論理アドレスが同一のデータを当該書き込みデータで上書きするように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータの重要度に応じて、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリと上記第２の記憶部に書き込むように構成されていることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
さらに、装置の外部からのデータ読み出し要求に応じて、上記不揮発性メモリのデータを上記第２の記憶部を介することなく上記第１の記憶部に転送して一端保持させた後、装置の外部に出力する読み出し制御部を備えたことを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の記憶部は、不揮発性ＲＡＭであることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１４】
請求項１３の不揮発性記憶装置であって、
上記第２の記憶部は、強誘電体メモリ、磁性記録式随時書き込み読み出しメモリ、オボニックユニファイドメモリ、およびレジスタンスＲＡＭのうちのいずれか１つで構成されることを特徴とする不揮発性記憶装置。
【請求項１５】
データが所定単位量毎に書き込まれる不揮発性メモリに対して、データの書き込みおよび読み出しを行うシステムにおいて、
請求項１から請求項４のいずれか１項の不揮発性記憶装置と、
上記不揮発性記憶装置に対してデータの読み出しや書き込みを行うメインコンピュータと、
を備えたことを特徴とするデータ記憶システム。
【請求項１６】
不揮発性記憶装置のメモリコントローラが、データが単位領域毎に書き込まれる不揮発性メモリに対してデータを書き込むデータ記憶方法において、
第１の記憶部が、装置の外部から入力されるデータを保持するデータ保持ステップと、
第１の制御部が、上記第１の記憶部に保持された１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込む一方、上記第１の記憶部に保持されている上記単位領域分に満たないデータを第２の記憶部に書き込む第１の制御ステップと、
第２の制御部が、上記第２の記憶部に保持されたデータを上記不揮発性メモリに書き込む第２の制御ステップと
を備えたことを特徴とするデータ記憶方法。
【請求項１７】
請求項１６のデータ記憶方法であって、
上記第１の制御ステップにおいて、上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータの次に装置の外部から入力されるデータが、上記１つの単位領域分のデータに連続したデータである場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込み、連続したデータでない場合は、上記第２の記憶部に書き込むことを特徴とするデータ記憶方法。
【請求項１８】
請求項１６のデータ記憶方法であって、
上記第１の制御ステップにおいて、上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータが装置の外部から入力された直後に所定のデータ転送の終了を示す信号が装置の外部から入力された場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記第２の記憶部に書き込むことを特徴とするデータ記憶方法。
【請求項１９】
請求項１６のデータ記憶方法であって、
さらに、アドレス履歴管理部が、装置の外部から入力されたデータの論理アドレスの履歴を記憶するステップを備え、
上記第１の制御ステップにおいて、上記第１の制御部は、上記第１の記憶部に保持された上記１つの単位領域分のデータの書き換えられる可能性の有無を、上記アドレス履歴管理部に記憶された論理アドレスに基づいて判定し、
書き換えられる可能性が無いと判定した場合は、当該１つの単位領域分のデータを上記不揮発性メモリに書き込み、有ると判定した場合は、上記第２の記憶部に書き込むことを特徴とするデータ記憶方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
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