【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の類似構造要素を含む半導体構造の限界寸法計測に関連して使用するための、類似構造要素を分類するコンピュータ化された方法であって、前記複数の類似構造要素は、少なくとも第１の群及び第２の群の類似構造要素を含み、類似構造要素の各群は、異なる製造ステージから生じ、前記方法は、
半導体構造の２次元画像を取得する段階であって、前記画像は、前記複数の類似構造要素に対応する複数の類似２次元画像要素を含む、前記段階と、
第１の群に属する十分な数の構造要素と第２の群に属する十分な数の構造要素とを識別する段階と、
前記第１の群内及び前記第２の群内の前記十分な数の要素内の各所定の構造要素に対して、それぞれの製造ステージを示す１つ又はそれよりも多くの特徴を評定し、該それぞれの特徴の値を前記取得画像から導出し、もって評定結果を生じる段階と、
製造ステージと類似構造要素の前記第１の群内及び前記第２の群内のそれぞれそれから生じる構造要素とに関連する分類判断のために、前記評定結果を使用する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の群の類似構造要素及び前記第２の群の類似構造要素からの類似の構造要素のそれぞれの対は、
ラインパターニング構造内の周期的ラインの間に形成される奇数空間及び偶数空間であって、該奇数空間及び偶数空間は、ダブルパターニング製造工程における異なる製造ステージから生じる、前記奇数空間及び偶数空間；及び
ラインパターニング構造における奇数ライン及び偶数ラインであって、該奇数ライン及び偶数ラインは、二重露光ダブルパターニング製造工程における異なる製造ステージから生じる、前記奇数ライン及び偶数ライン、
からなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記類似構造要素は、ラインパターニング構造内の複数の周期的ラインのうちの１つ又はそれよりも多くの所定のラインのエッジであり、
いずれの前記所定のラインのエッジも、異なる製造ステージから生じる、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
複数の周期的ライン及びそれらの間の複数の周期的空間を含むラインパターニング構造に対して、それぞれの製造ステージを示す前記特徴は、前記取得画像から導出される１次元プロフィールから導出され、平均空間輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの絶対輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの相対輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの平均輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの幅、輝度と幅の間の比、エッジ記述子の形状、エッジプロフィール粗度、及びその組合せを含む群から選択された１つ又はそれよりも多くのパラメータによって特徴付けられることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
分類判断のための前記１つ又はそれよりも多くの特徴の弁別性を評価する段階を更に含み、前記評価は、分離基準に従って提供されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
学習製造モード及び実行製造モードを更に含み、
前記学習モードは、
ある一定の製造ステージに対応するサンプル画像を取得する段階と、
前記実行製造モードにおける対応する製造ステージでの類似構造要素に対する評定のために使用されることになる前記特徴のうちで最も高い弁別性を可能にする特徴を選択する段階と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
それぞれの製造ステージを示す前記１つ又はそれよりも多くの特徴を評定するための値が、前記半導体構造の１つ又はそれよりも多くのパラメータを示して前記取得画像から導出される１次元プロフィールから導出されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数の類似構造要素を含む半導体構造の限界寸法計測に関連して使用するための、類似構造要素を分類するコンピュータ化された方法であって、前記複数の類似構造要素は、少なくとも第１の群及び第２の群の類似構造要素を含み、類似構造要素の各群は、異なる製造ステージから生じ、前記方法は、
半導体構造の画像を取得する段階と、
第１の群に属する十分な量の構造要素と第２の群に属する十分な量の構造要素とを識別する段階と、
前記第１の群内及び前記第２の群内の前記十分な量の要素内の各所定の構造要素に対して、それぞれの製造ステージを示す１つ又はそれよりも多くの特徴を評定する段階であって、該それぞれの特徴の値が、前記半導体構造の１つ又はそれよりも多くのパラメータを示す１次元プロフィールから導出され、該プロフィールが前記取得画像から導出される、前記段階と、
製造ステージと類似構造要素の前記第１の群内及び前記第２の群内のそれぞれそれから生じる構造要素とに関連する分類判断のために、前記評定結果を使用する段階と、
を含み、
複数の周期的ライン及びその間の複数の周期的空間を含むラインパターニング構造について、所定の空間の前記１つ又はそれよりも多くの特徴を評定する段階が、所定の空間の２つの側でのラインの相対エッジ輝度を表す特徴の１対の値Ｆ１及びＦ２を計算する段階を含み、値Ｆ１は、前記所定の空間の前記左側のラインの近いエッジと遠いエッジの間の最大輝度の差として計算され、値Ｆ２は、該所定の空間の前記右側のラインの近いエッジと遠いエッジの間の最大輝度の差として計算される、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
複数の類似構造要素を含む半導体構造の限界寸法計測に関連して使用するための、類似構造要素を分類するコンピュータ化された方法であって、前記複数の類似構造要素は、少なくとも第１の群及び第２の群の類似構造要素を含み、類似構造要素の各群は、異なる製造ステージから生じ、前記方法は、
半導体構造の画像を取得する段階と、
第１の群に属する十分な量の構造要素と第２の群に属する十分な量の構造要素とを識別する段階と、
前記第１の群内及び前記第２の群内の前記十分な量の要素内の各所定の構造要素に対して、それぞれの製造ステージを示す１つ又はそれよりも多くの特徴を評定する段階であって、該それぞれの特徴の値が、前記半導体構造の１つ又はそれよりも多くのパラメータを示す１次元プロフィールから導出され、該プロフィールが前記取得画像から導出される、前記段階と、
製造ステージと類似構造要素の前記第１の群内及び前記第２の群内のそれぞれそれから生じる構造要素とに関連する分類判断のために、前記評定結果を使用する段階と、
を含み、
複数の周期的ライン及びその間の複数の周期的空間を含むラインパターニング構造について、所定の空間に対して前記１つ又はそれよりも多くの特徴を評定する段階が、所定の空間に隣接するラインエッジの幅を示す特徴の１対の値Ｄ１及びＤ２を計算する段階を含み、値Ｄ１は、前記所定の空間の前記左側のラインの中央最小点と右側最大点の間の幅として計算され、値Ｄ２は、該所定の空間の前記右側のラインに対する中央最小点と右側最大点の間の幅として計算され、該各点は、前記半導体構造の１つ又はそれよりも多くのパラメータを示して前記取得画像から導出される１次元プロフィール上に位置決めされる、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
処理ユニットと作動的に連結された撮像ユニットを含むＣＤ計測システムであって、
撮像ユニットが、複数の類似構造要素を含む半導体構造の２次元画像を取得するように構成され、該複数の類似構造要素は、類似構造要素の少なくとも第１の群及び第２の群を含み、各群は、異なる製造ステージから生じ、前記画像は、前記複数の類似構造要素に対応する複数の類似２次元画像要素を含み、
処理ユニットが、
前記第１の群に属する十分な数の構造要素と前記第２の群に属する十分な数の構造要素とを識別し、
前記第１の群内及び前記第２の群内の前記十分な数の要素のうちの各所定の構造要素に対してそれぞれの製造ステージを示す１つ又はそれよりも多くの特徴を評定し、該それぞれの特徴の値を前記取得画像から導出し、かつ
製造ステージと類似構造要素の前記第１の群内及び前記第２の群内のそれぞれそれらから生じる構造要素とに関連する分類判断のために前記評定の結果を使用する、
ように構成される、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１１】
類似構造要素の前記第１の群は、奇数空間であり、類似構造要素の前記第２の群は、偶数空間であり、それらは、ラインパターニング構造内の周期的ラインの間に形成され、
奇数空間及び偶数空間は、二重露光ダブルパターニング製造工程における異なる製造ステージから生じる、
ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記類似構造要素は、ラインパターニング構造内の複数の周期的ラインのうちの１つ又はそれよりも多くの所定のラインのエッジであり、
いずれの前記所定のラインのエッジも、異なる製造ステージから生じる、
ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
いずれの前記所定のラインの対向エッジも、ダブルパターニング製造工程において得られる異なる構造インタフェースから生じることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
類似構造要素の前記第１の群は、ラインパターニング構造における奇数ラインであり、類似構造要素の前記第２の群は、偶数ラインであり、奇数ライン及び偶数ラインが、二重露光ダブルパターニング製造工程における異なる製造ステージから生じる、
ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１５】
複数の周期的ライン及びそれらの間の複数の周期的空間を含むラインパターニング構造に対して、それぞれの製造ステージを示す前記特徴は、平均空間輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの絶対輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの相対輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの平均輝度、該空間に隣接するラインの１つ又はそれよりも多くのエッジの幅、輝度と幅の間の比、エッジ記述子の形状、エッジプロフィール粗度、及びその組合せを含む群から選択された１つ又はそれよりも多くのパラメータによって特徴付けられることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１６】
前記処理ユニットは、分類判断のための前記１つ又はそれよりも多くの特徴の弁別性を評価するように更に構成され、前記評価は、分離基準に従って提供されることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１７】
学習製造モード及び実行製造モードで作動するように更に構成され、
前記撮像ユニットは、前記学習製造モードが、ある一定の製造ステージに対応するサンプル画像を取得するように更に構成され、該処理ユニットは、該学習製造モードが、前記実行製造モードにおける対応する製造ステージでの類似構造要素に対する評定のために使用されることになる前記特徴の中で最も高い弁別性を可能にする特徴を選択するように更に構成される、
ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１８】
それぞれの製造ステージを示す前記１つ又はそれよりも多くの特徴を評定するための値が、前記半導体構造の１つ又はそれよりも多くのパラメータを示して前記取得画像から導出される１次元プロフィールから導出されることを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１９】
ＣＤ計測システムに関連して作動するように構成された画像処理ツールであって、
類似構造要素の少なくとも第１の群及び第２の群であって各群が異なる製造ステージから生じるものを含む複数の類似構造要素を含む半導体構造の取得された２次元画像において、前記第１の群に属する十分な数の構造要素と前記第２の群に属する十分な数の構造要素とを識別する手段であって、前記画像は前記複数の類似構造要素に対応する複数の類似２次元画像要素を含む、前記手段；
前記第１の群内及び前記第２の群内の前記十分な量の要素のうちの各所定の構造要素に対してそれぞれの製造ステージを示す１つ又はそれよりも多くの特徴を評定し、該それぞれの特徴の値を前記取得画像から導出する手段；及び
製造ステージと類似構造要素の前記第１の群内及び前記第２の群内のそれぞれそれらから生じる構造要素とに関連する分類判断のために前記評定の結果を使用する手段、
を含むことを特徴とするツール。