(57)【要約】【課題】薄い薄膜を所望の厚みに形成し得る処理条件を取得する処理条件取得方法を提供する。【解決手段】薄膜形成処理の処理時間と薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する際に、処理時間をＬ秒（一例として時点ｔ０〜ｔ１１）に規定した薄膜形成処理をＮａ回（一例として３回）実行して形成した薄膜の厚みＴａ（厚みｚ１３）を測定すると共に、処理時間をＭ秒（一例として時点ｔ０〜ｔ２１）に規定した薄膜形成処理をＮｂ回（一例として３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｂ（厚みｚ２３を測定し、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴａ／Ｎａ（厚みｚ１１）とし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂ（厚みｚ２１）として処理条件を取得する【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜形成処理の処理時間と当該薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する際に、前記処理時間をＬ秒（Ｌは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮａ回（Ｎａは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴａを測定すると共に、前記処理時間をＭ秒（ＭはＬ以外の実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｂ回（Ｎｂは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｂを測定し、前記処理時間を前記Ｌ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、前記処理時間を前記Ｍ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして前記処理条件を取得する処理条件取得方法。
【請求項２】
前記Ｎａ回と前記Ｎｂ回とを同一回数に規定して前記薄膜を形成する請求項１記載の処理条件取得方法。
【請求項３】
前記薄膜形成処理としてのスパッタリング法による前記薄膜の形成に関する前記処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間と当該シャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりも前記Ｌ秒および前記Ｍ秒の各時間を長い時間に規定する請求項１または２記載の処理条件取得方法。
【請求項４】
薄膜形成処理の処理時間と当該薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する際に、前記処理時間をＬ秒（Ｌは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮａ回（Ｎａは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴａを測定すると共に、前記処理時間をＭ秒（ＭはＬ以外の実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｂ回（Ｎｂは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｂを測定し、前記処理時間を前記Ｌ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、前記処理時間を前記Ｍ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして、所定の厚みＴｘの前記薄膜を形成するのに要する前記処理時間Ｘ秒を求めた後に、前記処理時間をＫ秒（Ｋは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｃ回（Ｎｃは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｃを測定すると共に、前記処理時間を前記Ｋ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、前記処理時間を前記Ｘ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｘとして前記処理条件を取得する処理条件取得方法。
【請求項５】
前記Ｎａ回、前記Ｎｂ回および前記Ｎｃ回を同一回数に規定して前記薄膜を形成する請求項４記載の処理条件取得方法。
【請求項６】
前記薄膜形成処理としてのスパッタリング法による前記薄膜の形成に関する前記処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間と当該シャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりも前記Ｌ秒、前記Ｍ秒および前記Ｋ秒の各時間を長い時間に規定する請求項４または５記載の処理条件取得方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の処理条件取得方法によって取得した前記処理条件に基づいて規定した前記処理時間で前記薄膜を形成する薄膜形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着法、湿式めっき法、スパッタリング法およびイオンプレーティング法などの各種方法で薄膜を形成する際の処理時間（処理時間の長さ）と形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する処理条件取得方法、並びに、取得した処理条件に基づいて規定した処理時間で薄膜を形成する薄膜形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小形化に伴い、電子部品や情報媒体等の製造に際しては、薄膜の形成が不可欠となっている。例えば、特開２００１−２２６７７２号公報には、弾性表面波素子の製造に際して、圧電基板の表面に導体薄膜を形成する薄膜の形成方法が開示されている。この薄膜形成方法では、その表面を洗浄した圧電基板をスパッタリング装置内にセットして、所定時間に亘ってスパッタリング法による薄膜形成処理を実行することで、所望の厚みの導体薄膜を圧電基板の表面に形成する。
【０００３】
この場合、この種の薄膜を形成するスパッタリング装置では、図１０に実線Ｌ１１で示すように、薄膜形成処理の開始直後および終了直前において、薄膜の形成レート（単位処理時間当りの薄膜の形成量）が低下する現象が生じる。このような現象は、一例として、シャッタ機構におけるシャッタの開口時および閉塞時において、ターゲットから飛散して対象物に付着するスパッタの量がシャッタの開口度合いに応じて減少することに起因している。具体的には、薄膜形成処理の開始時点ｔ０（シャッタの開口動作を開始した時点）からシャッタが完全に開口される時点ｔ１までの間、およびシャッタの閉塞動作を開始した時点ｔ２からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ３（薄膜形成処理の終了時点）までの間において、シャッタが完全に開口されている時点ｔ１〜ｔ２よりも薄膜の形成レートが低下した状態となる。
【０００４】
このように、処理開始から終了までの間に、例えば薄膜の形成レートが低下した状態となる時間（以下、「形成レート相違時間」ともいう）が存在する薄膜形成方法（形成レートが変動する薄膜形成方法）であって、この形成レート相違時間の長さが処理時間全体の長さに拘わらず固定的となっている薄膜形成方法においては、所望の厚みの薄膜を形成するために処理時間を変化させたときに、処理時間全体に対する形成レート相違時間の比率が変化することとなる。このため、例えば上記のスパッタリング装置を用いた薄膜形成方法では、一例として、厚みｚ３の１／２の厚みｚ４の薄膜を形成するために、厚みｚ３の薄膜を形成するのに要した処理時間（時点ｔ０〜ｔ３）の１／２の処理時間（時点ｔ０〜ｔ４）だけ薄膜形成処理を実行した場合には、同図に破線Ｌ１２で示すように、形成される薄膜の厚みｚ４ａが所望の厚みｚ４よりも薄くなってしまうという問題が生じる。
【０００５】
一方、処理時間全体に対する形成レート相違時間の比率の変化に起因する上記の問題点を解決すべく、同公開公報には、薄膜形成処理の処理時間と、薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係について、次のような手順で処理条件を取得する方法が開示されている。まず、複数枚の圧電基板を用意すると共に、各圧電基板毎に処理時間を異ならせて導体薄膜の薄膜形成処理を順次実行する。これにより、処理時間に応じて厚みが相違する導体薄膜が各圧電基板の上にそれぞれ形成される。次いで、薄膜形成処理の処理時間に応じて変化するパラメータの一例として、各圧電基板毎に導体薄膜の抵抗値（シート抵抗）をそれぞれ測定する。続いて、測定結果（抵抗値）と、各導体薄膜の形成に要した処理時間とに基づいて、処理時間と導体薄膜の抵抗値との関係を示す関係式（処理条件）を求める。この場合、導体薄膜の抵抗値は、その厚みに比例して小さくなる。したがって、所望の厚みの導体薄膜の抵抗値を予め取得しておくことで、その抵抗値の導体薄膜を形成し得る処理時間を上記の関係式に基づいて算出することが可能となる。
【０００６】
また、処理時間全体に対する形成レート相違時間の比率の変化に起因する上記の問題点を解決する他の方法として、同公開公報には、上記の処理条件の取得方法における導体薄膜の抵抗値の測定に代えて、薄膜の厚み（薄膜形成処理の処理時間に応じて変化するパラメータの他の一例）を測定して、処理時間と形成される薄膜の厚みとの関係を示す関係式（以下、単に「厚みに関する関係式」ともいう）を取得する方法も開示されている。具体的には、まず、図１１に破線Ｌ１３で示すように、時点ｔ０〜ｔ９１の処理時間だけ薄膜形成処理を実行して１つめの薄膜を形成すると共に、同図に一点鎖線Ｌ１４で示すように、時点ｔ０〜ｔ９２の処理時間（時点ｔ０〜ｔ９１とは相違する処理時間）だけ薄膜形成処理を実行して２つめの薄膜を形成する。次いで、両薄膜の厚みｚ９１，ｚ９２をそれぞれ測定すると共に、測定した厚みｚ９１，ｚ９２と、両薄膜の形成に要した処理時間とに基づいて、厚みに関する関係式（同図に実線Ｌ１５で示す一次関数式：処理条件）を取得する。これにより、取得した関係式に基づいて所望の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間を規定して導体薄膜を形成することが可能となる。
【特許文献１】特開２００１−２２６７７２号公報（第３−４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、発明者らは、上記の薄膜形成方法を検討した結果、以下の問題点を発見した。すなわち、従来の薄膜形成方法では、薄膜形成処理に先立って厚みに関する関係式（処理条件）を予め取得しておき、取得した関係式に基づいて、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間を算出している。この場合、従来の薄膜形成方法では、処理時間全体に対する形成レート相違時間の比率の変化に起因する問題点を解決すべく、前述したように、少なくとも２つの互いに相違する処理時間で薄膜の形成処理を実行して各薄膜の厚みをそれぞれ測定することで処理条件としての関係式を取得している。
【０００８】
この場合、今日では、電子部品の一層の小形化や情報媒体の一層の高密度化に伴い、薄膜の厚みを一層薄くする必要がある。しかし、薄い薄膜については、その厚みや上記の抵抗値等を正確に測定するのが困難となっている。したがって、図１１に示すように、例えば、時点ｔ０〜ｔ９２の処理時間だけ薄膜形成処理を実行して形成した２つめの薄膜の厚みｚ９２については正確に測定できたとしても、時点ｔ０〜ｔ９１の処理時間だけ薄膜形成処理を実行して形成した１つめの薄膜の厚みｚ９１について測定誤差が生じて厚みｚ９１ａであると測定されるおそれがある。この場合には、本来は同図に実線Ｌ１５で示す一次関数式が取得されるべきところ、測定誤差が生じた厚みｚ９１ａおよび正確に測定された厚みｚ９２と、両薄膜の形成に要した処理時間とに基づいて、厚みに関する関係式が同図に破線Ｌ１６で示す一次関数式として取得されてしまう。
【０００９】
このように、測定誤差が生じた厚みを用いて取得された一次関数式（処理条件）に基づいて、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する時間を算出した場合においては、形成される薄膜の厚みが所望の厚みとは相違する厚みとなるのは明らかである。具体的には、図１２に示すように、例えば厚みｚ８１の薄膜を形成すべく、取得した関係式に基づいて処理時間を時点ｔ０〜ｔ８１に規定して薄膜形成処理を実行したときには、同図に二点鎖線Ｌ１７で示すように薄膜形成処理が実行されて、形成される薄膜が所望の厚みｚ８１よりも厚い厚みｚ８１ａとなってしまう。このように、少なくとも２つの互いに相違する処理時間で薄膜の形成処理を実行して形成した薄膜の厚みに基づいて処理条件（関係式）を取得する方法においては、厚みに関する極く僅かな測定誤差が生じただけでも、本来の処理条件（関係式）とは相違する処理条件が取得されてしまう。
【００１０】
一方、厚みに関する関係式の取得（処理条件の取得）時における厚みの測定に際して測定誤差が生じる事態を回避すべく、実際に形成する薄膜よりも十分に厚い薄膜（厚みを正確に測定し得る程度の厚い薄膜）を形成して関係式を取得する方法も考えられる。しかしながら、このような取得方法を採用したときには、厚みの測定時において極く僅かな測定誤差が生じただけでも、取得した関係式（図１１，１２に破線Ｌ１６で示す一次関数式）に基づいて算出される処理時間と、正確な関係式（両図に実線Ｌ１５で示す一次関数式）に基づいて算出される処理時間との差異が、薄い薄膜を形成するときほど大きくなってしまう。このように、薄い薄膜の厚みを正確に測定するのが困難なことに起因して、薄い薄膜についての正確な処理条件（関係式）を取得するのが困難となっている。このため、従来の薄膜形成方法には、薄い薄膜を所望の厚みに形成するのが困難であるという問題点が存在する。
【００１１】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、薄い薄膜を所望の厚みに形成し得る処理条件を取得する処理条件取得方法および薄膜形成方法を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成すべく本発明に係る処理条件取得方法は、薄膜形成処理の処理時間と当該薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する際に、前記処理時間をＬ秒（Ｌは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮａ回（Ｎａは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴａを測定すると共に、前記処理時間をＭ秒（ＭはＬ以外の実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｂ回（Ｎｂは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｂを測定し、前記処理時間を前記Ｌ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、前記処理時間を前記Ｍ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして前記処理条件を取得する。
【００１３】
なお、本明細書における「処理条件」には、「薄膜形成処理の処理時間と薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す各種の情報」が含まれる。具体的には、「処理時間と厚みとの関係を示す関係式」や「各種処理時間と各種厚みとを個別的に関連付けた関連付け情報（各厚み毎の処理時間を一覧化した情報等）」などがこれに含まれる。この場合、本発明に係る処理条件取得方法において「Ｌ秒」および「Ｍ秒」の２種類の処理時間で２種類の薄膜を形成するのは、前述した「処理時間全体に対する形成レート相違時間の比率の変化に起因する問題点」を解決するためである。また、本発明に係る処理条件取得方法において「Ｌ秒」の薄膜形成処理を「Ｎａ回」実行すると共に「Ｍ秒」の薄膜形成処理を「Ｎｂ回」実行するのは、その厚みを正確に測定し得る厚みＴａの薄膜および厚みＴｂの薄膜を形成することで、測定誤差を十分に小さくするためである。同様にして、「Ｋ秒」の薄膜形成処理を「Ｎｃ回」実行するのは、その厚みを正確に測定し得る厚みＴｃの薄膜を形成することで、測定誤差を十分に小さくするためである。
【００１４】
また、本発明に係る処理条件取得方法は、前記Ｎａ回と前記Ｎｂ回とを同一回数に規定して前記薄膜を形成する。
【００１５】
また、本発明に係る処理条件取得方法は、前記薄膜形成処理としてのスパッタリング法による前記薄膜の形成に関する前記処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間と当該シャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりも前記Ｌ秒および前記Ｍ秒の各時間を長い時間に規定する。
【００１６】
また、本発明に係る処理条件取得方法は、薄膜形成処理の処理時間と当該薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みとの関係を示す処理条件を取得する際に、前記処理時間をＬ秒（Ｌは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮａ回（Ｎａは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴａを測定すると共に、前記処理時間をＭ秒（ＭはＬ以外の実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｂ回（Ｎｂは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｂを測定し、前記処理時間を前記Ｌ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、前記処理時間を前記Ｍ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして、所定の厚みＴｘの前記薄膜を形成するのに要する前記処理時間Ｘ秒を求めた後に、前記処理時間をＫ秒（Ｋは実数）に規定した前記薄膜形成処理をＮｃ回（Ｎｃは２以上の自然数）実行して形成した前記薄膜の厚みＴｃを測定すると共に、前記処理時間を前記Ｋ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、前記処理時間を前記Ｘ秒に規定した前記薄膜形成処理によって形成される前記薄膜の厚みをＴｘとして前記処理条件を取得する。
【００１７】
また、本発明に係る処理条件取得方法は、前記Ｎａ回、前記Ｎｂ回および前記Ｎｃ回を同一回数に規定して前記薄膜を形成する。
【００１８】
また、本発明に係る処理条件取得方法は、前記薄膜形成処理としてのスパッタリング法による前記薄膜の形成に関する前記処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間と当該シャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりも前記Ｌ秒、前記Ｍ秒および前記Ｋ秒の各時間を長い時間に規定する。
【００１９】
また、本発明に係る薄膜形成方法は、上記のいずれかの処理条件取得方法によって取得した前記処理条件に基づいて規定した前記処理時間で前記薄膜を形成する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明に係る処理条件取得方法によれば、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理をＮａ回実行して形成した薄膜の厚みＴａ、および処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理をＮｂ回実行して形成した薄膜の厚みＴｂをそれぞれ測定し、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして処理条件を取得することにより、複数回の薄膜形成処理によって形成した厚い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。したがって、その厚みを正確に測定するのが困難な薄い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて取得した処理条件と比較して、その精度を十分に高めることができる。また、処理条件の取得時において厚みの測定値に測定誤差が生じたとしても、その測定誤差が１／処理回数（１／Ｎａ回、１／Ｎｂ回）に縮小された値に基づいて処理条件が取得されるため、その精度を十分に高めることができる。この結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【００２１】
また、本発明に係る処理条件取得方法によれば、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理の処理回数のＮａ回と、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理の処理回数のＮｂ回とを同一回数に規定して薄膜を形成することにより、一例として、Ｌ秒の薄膜形成処理を３回（「Ｎａ＝３」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴａと、Ｍ秒の薄膜形成処理を３００回（「Ｎｂ＝３００」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴｂとに基づいて処理条件を取得する方法（Ｎａ回とＮｂ回とが相違する例）とは異なり、両薄膜のうちの一方が過剰に薄く形成されたり、一方が過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、両薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な処理条件を取得することができる。
【００２２】
また、本発明に係る処理条件取得方法によれば、薄膜形成処理としてのスパッタリング法による薄膜の形成に関する処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間とシャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりもＬ秒およびＭ秒の各時間を長い時間に規定することにより、シャッタが完全に開口される前に閉塞が開始されるような極く短時間の薄膜形成処理が複数回実行される事態を回避して、実際の薄膜形成処理に即した精度の高い処理条件を取得することができる。
【００２３】
また、本発明に係る処理条件取得方法では、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理をＮａ回実行して形成した薄膜の厚みＴａと、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理をＮｂ回実行して形成した薄膜の厚みＴｂを測定し、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして、所定の厚みＴｘの薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を求めた後に、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理をＮｃ回を測定すると共に、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘとして処理条件を取得する。
【００２４】
これにより、本発明に係る処理条件取得方法によれば、複数回の薄膜形成処理によって形成した厚い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。したがって、その厚みを正確に測定するのが困難な薄い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて取得した処理条件と比較して、その精度を十分に高めることができる。また、処理条件の取得時において厚みの測定値に測定誤差が生じたとしても、その測定誤差が１／処理回数（１／Ｎａ回、１／Ｎｂ回および１／Ｎｃ回）に縮小された値に基づいて処理条件が取得されるため、その精度を十分に高めることができる。この結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。さらに、所定の厚みＴｘの薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を予め求めておくことで、その後に処理条件を取得する際に、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理をＮｃ回実行して形成した薄膜の厚みＴｃを測定するだけで、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘとして処理条件を取得することができる。したがって、処理条件の取得の都度、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理をＮａ回実行して形成した薄膜の厚みＴａを測定すると共に、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理をＮｂ回実行して形成した薄膜の厚みＴｂを測定する処理条件取得方法と比較して、２回目以降の処理条件取得時において、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理をＮｃ回実行して１つの薄膜を形成するだけで済むため、処理条件を短時間で取得することができる。
【００２５】
また、本発明に係る処理条件取得方法によれば、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理の処理回数のＮａ回と、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理の処理回数のＮｂ回と、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理の処理回数のＮｃ回とを同一回数に規定して薄膜を形成することにより、一例として、Ｌ秒の薄膜形成処理を３回（「Ｎａ＝３」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴａと、Ｍ秒の薄膜形成処理を３００回（「Ｎｂ＝３００」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴｂとに基づいて処理条件を取得する方法（Ｎａ回とＮｂ回とが相違する例）とは異なり、両薄膜のうちの一方が過剰に薄く形成されたり、一方が過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、両薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な演算結果（例えば一次関数式）を取得することができる。また、Ｎｃ回をＮａ回およびＮｂ回とは相違する回数とした場合と比較して、各薄膜のうちのいずれかが過剰に薄く形成されたり、他のいずれかが過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、各薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な処理条件を取得することができる。
【００２６】
また、本発明に係る処理条件取得方法によれば、薄膜形成処理としてのスパッタリング法による薄膜の形成に関する処理条件を取得する際に、スパッタリング装置におけるシャッタ機構の開口に要する時間とシャッタ機構の閉塞に要する時間との合計時間よりもＬ秒、Ｍ秒およびＫ秒の各時間を長い時間に規定することにより、シャッタが完全に開口される前に閉塞が開始されるような極く短時間の薄膜形成処理が複数回実行される事態を回避して、実際の薄膜形成処理に即した精度の高い処理条件を取得することができる。
【００２７】
また、本発明に係る薄膜形成方法によれば、上記のいずれかの処理条件取得方法によって取得した処理条件に基づいて規定した処理時間で薄膜を形成することにより、その精度が十分に高い処理条件に基づいて処理時間を規定することができる結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【００２８】
また、本発明に係る薄膜形成方法によれば、上記のいずれかの処理条件取得方法によって取得した処理条件に基づいて規定した処理時間で薄膜を形成することにより、その精度が十分に高い処理条件に基づいて処理時間を規定することができる結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明に係る処理条件取得方法および薄膜形成方法の最良の形態について、添付図面を参照して説明する。
【００３０】
最初に、本発明における薄膜形成処理の一例であるスパッタリング法によって薄膜を形成するスパッタリング装置１の構成について、図面を参照して説明する。
【００３１】
図１に示すスパッタリング装置（マグネトロンスパッタリング装置）１は、本発明に係る薄膜形成方法に従って形成対象物２０の表面に各種の薄膜を形成可能に構成されている。この場合、このスパッタリング装置１によって薄膜を形成する形成対象物２０については、特に限定されないが、例えば、情報媒体用の製造に際しては、記録再生用の各種の機能層（本発明における薄膜の一例）を形成する情報媒体用基材が形成対象物２０に相当し、電子部品や磁気ヘッド等の製造に際しては、各種の導体薄膜（本発明における薄膜の他の一例）を形成するＡｌＴｉＣ基板等の各種基材（基板）が形成対象物２０に相当する。
【００３２】
このスパッタリング装置１は、真空容器２、真空ポンプ３、ガス供給部４、カソード電極５、アノード電極６、電源部７、シャッタ機構８、制御部９および記憶部１０を備えている。真空容器２は、カソード電極５、アノード電極６およびシャッタ機構８と、薄膜を形成する形成対象物２０と、薄膜の形成材料であるターゲット３０とを収容可能に構成されている。真空ポンプ３は、制御部９からの制御信号Ｓ１に従い、真空容器２内の空気を排気して真空容器２内を真空状態に維持する。ガス供給部４は、制御部９からの制御信号Ｓ２に従い、各種の不活性ガス（一例として、アルゴンガス）を真空容器２内に供給する。
【００３３】
カソード電極５およびアノード電極６は、相互に絶縁されると共に、電源部７に接続されている。電源部７は、制御部９からの制御信号Ｓ３に従い、カソード電極５およびアノード電極６の間に所定の高周波電圧を印加する。シャッタ機構８は、カソード電極５上のターゲット３０と形成対象物２０との間に配設されたシャッタ（図示せず）を備え、制御部９からの制御信号Ｓ４に従ってシャッタを開口または閉塞することにより、ターゲット３０から形成対象物２０に向けて飛散するスパッタ（金属粒子）の形成対象物２０への付着を規制（閉塞状態）または許容（開口状態）する。この場合、このスパッタリング装置１では、一例として、シャッタ機構８におけるシャッタの開口および閉塞にそれぞれ０．５秒から１秒程度の時間を要する。
【００３４】
制御部９は、スパッタリング装置１を総括的に制御する。具体的には、制御部９は、後述するようにして、本発明に係る処理条件取得方法に従って薄膜形成処理（スパッタリング）の処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す関係式（本発明における処理条件）を取得して制御データＤ（または制御データＤ１）として記憶部１０に記憶させる。また、制御部９は、記憶部１０に記憶させた制御データＤ（または制御データＤ１）に基づき、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間（シャッタ機構８によるシャッタの開口開始から閉塞完了までの時間）を規定して形成対象物２０の表面に薄膜（図示せず）を形成する薄膜形成処理を実行する。
【００３５】
このスパッタリング装置１による薄膜の形成に際しては、まず、薄膜を形成する形成対象物２０と、ターゲット３０（薄膜を構成する金属材料）とを真空容器２内にセットする。次いで、図示しない操作部を操作して形成すべき薄膜の厚みを設定する。この際に、制御部９は、後述するようにして予め取得している制御データＤ（または制御データＤ１）に基づいて、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間を演算する。続いて、制御部９は、処理開始を指示するスイッチが操作されたときに、真空ポンプ３に対して制御信号Ｓ１を出力することで真空容器２内の空気を排気させた後に、ガス供給部４に対して制御信号Ｓ２を出力することで真空容器２内に不活性ガスを供給させる。次いで、制御部９は、電源部７に対して制御信号Ｓ３を出力することでカソード電極５およびアノード電極６の間に所定の高周波電圧を印加させる。
【００３６】
この際に、カソード電極５およびアノード電極６の間に印加されている高周波電圧によって真空容器２内の不活性ガスがイオン化されると共に、真空容器２内にプラズマが発生する。これにより、真空容器２内に発生したイオンがターゲット３０に向けて高速移動してターゲット３０の表面に衝突することにより、金属原子（ターゲット３０を構成している金属）が、弾き飛ばされて形成対象物２０に向けてスパッタとして飛散する。次いで、制御部９は、シャッタ機構８に制御信号Ｓ４を出力することでシャッタを開口させる。この結果、ターゲット３０から形成対象物２０に向けて飛散したスパッタが真空容器２内においてプラズマに曝されている形成対象物２０の表面に付着する。
【００３７】
続いて、制御部９は、スパッタリングの開始に先立って制御データＤ（または制御データＤ１）に基づいて演算した処理時間からシャッタ機構８によるシャッタの閉塞動作に要する時間を減算した時間が経過した時点において、シャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力してシャッタを閉塞させる。また、制御部９は、シャッタの閉塞が完了するのとほぼ同時に、電源部７に対して制御信号Ｓ３を出力することでカソード電極５およびアノード電極６の間への高周波電圧の印加を停止させる。これにより、上記の処理時間が経過した時点において、形成対象物２０の表面に所望の厚みの薄膜が形成される。
【００３８】
次に、本発明に係る処理条件取得方法に従い、薄膜形成処理（スパッタリング）の処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す処理条件（上記の制御データＤ）を取得する方法について、添付図面を参照して説明する。
【００３９】
まず、以下に説明する方法で取得する処理条件を使用して薄膜を形成する形成対象物２０と大きさや材質が同じかまたはほぼ同じ形成対象物２０を２つ用意する。次いで、この処理条件取得方法によって取得した処理条件を使用して形成対象物２０の表面に形成する薄膜について、その薄膜を形成するのに要する概算処理時間を規定する。具体的には、一例として、従来の薄膜形成方法に際して使用した処理条件（図１１，１２に実線Ｌ１５または破線Ｌ１６で示す一次関数式）に基づき、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間を演算し、演算結果を概算処理時間として規定する。この際には、一例として、概算処理時間を６０秒と規定する。次いで、規定した概算処理時間に対する５０％以上１５０％以下の範囲内であって、かつ、シャッタ機構８におけるシャッタの開口に要する時間とシャッタの閉塞に要する時間との合計時間よりも長い２種類の処理時間（本発明におけるＬ秒およびＭ秒の各時間）を適宜規定する。この際には、一例として、３０秒（Ｌ秒）および９０秒（Ｍ秒）の２つの処理時間を規定する。なお、本発明におけるＬ秒およびＭ秒の両処理時間については、シャッタの開口に要する時間とシャッタの閉塞に要する時間との合計時間に対して少なくとも１０倍以上の長さに規定するのが好ましい。
【００４０】
次いで、一方の形成対象物２０を上記のスパッタリング装置１における真空容器２内にセットすると共に、上記の２種類の処理時間の一方（例えば、Ｌ秒としての３０秒）を操作部の操作によって設定する。次いで、処理条件の取得を指示する操作が行われたときに、制御部９は、前述した薄膜形成方法と同様にして、形成対象物２０の表面に薄膜を形成する。この際に、制御部９は、図２に破線Ｌ１で示すように、薄膜形成処理の開始時点ｔ０（シャッタ機構８におけるシャッタの開口動作が開始された時点）からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ１１までの処理時間が３０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力すると共に、１回目の薄膜形成処理の完了時点（時点ｔ１１）が到来したときに、電源部７に対して高周波電圧を印加させた状態を維持させつつ、シャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力してシャッタを開口させる（２回目の薄膜形成処理の開始）。なお、同図および後に参照する各図では、薄膜形成処理全体の長さに対するシャッタの開閉に要する時間の長さを誇張して長くして図示している。続いて、制御部９は、時点ｔ１１からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ１２までの処理時間が３０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。
【００４１】
また、制御部９は、２回目の薄膜形成処理の完了時点（時点ｔ１２）が到来したときに、電源部７に対して高周波電圧を印加させた状態を維持させつつ、シャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力してシャッタを開口させる（３回目の薄膜形成処理の開始）。次いで、制御部９は、時点ｔ１２からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ１３までの処理時間が３０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。これにより、形成対象物２０に対する連続３回（本発明におけるＮａ回が３回の例）の薄膜形成処理が完了して、形成対象物２０の表面に所定の厚みの薄膜が形成される。なお、この例では、本発明についての理解を容易とするために、本発明におけるＮａ回の一例として３回の薄膜形成処理を実行しているが、本発明はこれに限定されない。具体的は、複数回の薄膜形成処理によって、その厚みを正確に測定し得る程度の薄膜を形成できればよく、その厚みを正確に測定し得る薄膜（薄い薄膜の積層体）を形成するには、一例として、２０回から３０回程度の薄膜形成処理を実行するのが好ましい。この例では、正確に測定し得る厚みの下限値を厚みｚ１０とし、この厚みｚ１０よりも厚い薄膜（積層体）を形成し得る最低回数である３回を本発明におけるＮａ回の一例として説明している。
【００４２】
次いで、薄膜の形成が完了した形成対象物２０を真空容器２から取り出して他方の形成対象物２０を真空容器２内にセットすると共に、上記の２種類の処理時間の他方（例えば、Ｍ秒としての９０秒）を操作部の操作によって設定する。次いで、処理条件の取得を指示する操作が行われたときに、制御部９は、上記の薄膜形成方法と同様にして、形成対象物２０の表面に薄膜を形成する。この際に、制御部９は、図２に二点鎖線Ｌ２で示すように、薄膜形成処理の開始時点ｔ０（シャッタ機構８におけるシャッタの開口動作が開始された時点）からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ２１までの処理時間が９０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。なお、同図では、本発明についての理解を容易にするために、時点ｔ０〜ｔ１１の時間に対する時点ｔ０〜ｔ２１の時間を短くして図示している。また、制御部９は、１回目の薄膜形成処理の完了時点（時点ｔ２１）が到来したときに、電源部７に対して高周波電圧を印加させた状態を維持させつつ、シャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力して２回目の薄膜形成処理を開始する。
【００４３】
続いて、制御部９は、時点ｔ２１からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ２２までの処理時間が９０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。また、制御部９は、２回目の薄膜形成処理の完了時点（時点ｔ２２）が到来したときに、電源部７に対して高周波電圧を印加させた状態を維持させつつ、シャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力して３回目の薄膜形成処理を開始する。次いで、制御部９は、時点ｔ２２からシャッタが完全に閉塞される時点ｔ２３までの処理時間が９０秒となるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。これにより、形成対象物２０に対する連続３回（本発明におけるＮｂ回が３回の例）の薄膜形成処理が完了して、形成対象物２０の表面に所定の厚みの薄膜が形成される。なお、この例では、本発明についての理解を容易とするために、本発明におけるＮｂ回の一例として３回の薄膜形成処理を実行しているが、上記のＮａ回と同様にして、本発明はこれに限定されず、その厚みを正確に測定し得る程度の薄膜を形成し得る任意の複数回に規定することができる。この場合、本発明におけるＮａ回、Ｎｂ回は、同じ処理回数に限定されず、互いに相違する処理回数とすることができる。
【００４４】
次いで、３０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜と、９０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜について、一例として、蛍光エックス線分析装置を用いて厚みを測定する。この際には、図３に示すように、一例として、仮に、時点ｔ０〜ｔ１３の間に３回の薄膜形成処理を実行して形成した薄膜については、実際の厚みｚ１３に対して測定誤差が生じて厚みｚ１３ａが測定され、時点ｔ０〜ｔ２３の間に３回の薄膜形成処理を実行して形成した薄膜については、実際の厚みに対して測定誤差が生じることなく厚みｚ２３が測定されたものとする。次いで、処理条件取得用の２つの薄膜について、測定された厚みｚ１３ａ，ｚ２３を両薄膜の形成時に実行した処理回数（本発明におけるＮａ回、およびＮｂ回：この例では、共に３回）で除算する。これにより、両薄膜の形成時において１回の薄膜形成処理によって形成された分（Ｌ秒＝３０秒で形成された分、およびＭ秒＝９０秒で形成された分）の厚みが演算される。この際には、同図における厚みｚ１１ａ，ｚ２１が演算される。
【００４５】
続いて、一例として、操作部を操作することによって、上記の演算結果（厚みｚ１１ａ，ｚ２１）をスパッタリング装置１に入力する。この際に、制御部９は、入力された厚みｚ１１ａ，ｚ２１と、その厚みｚ１１ａ，ｚ２１の薄膜を形成するのに要した処理時間（この例では、Ｌ秒＝３０、およびＭ秒＝９０秒）とに基づき、スパッタリング装置１による薄膜形成処理の処理時間と厚みとの関係を示す処理条件を演算する。この際には、一例として、図３に破線Ｌ３で示す一次関数式（処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す関係式）が演算される。次いで、制御部９は、演算した処理条件を制御データＤとして記憶部１０に記憶させる。これにより、本発明に係る処理条件取得方法による処理条件の取得が完了する。
【００４６】
上記の方法で取得した処理条件（制御データＤ）に基づいて処理時間を規定することにより、たとえ薄い薄膜であっても、所望の厚みの薄膜を形成することが可能となる。具体的には、図４に示すように、操作部の入力操作によって、所望の厚みとして厚みｚ３１を入力操作したときに、制御部９は、記憶部１０に記憶させた上記の処理条件（制御データＤ：同図に破線Ｌ３で示す一次関数式）に基づき、厚みｚ３１の薄膜を形成するのに要する処理時間（この例では、時点ｔ０から時点ｔ３１までの時間）を演算する。この場合、記憶部１０に記憶されている制御データＤ（処理条件）は、図３に示すように、測定誤差が生じた厚みｚ１３ａと、測定誤差が生じていない厚みｚ２３とに基づいて演算されている。一方、前述した処理条件の取得処理時において、３０秒間の薄膜形成処理を３回実行した薄膜の厚みが正しく測定されて厚みｚ１３であると測定された場合には、１回の薄膜形成処理によって形成された分（Ｌ秒＝３０秒で形成された分）の厚みが厚みｚ１１であると演算されて、同図に実線Ｌ４で示す一次関数式が処理条件（制御データＤ）として演算される。
【００４７】
次いで、処理開始を指示するスイッチが操作されたときに、制御部９は、真空ポンプ３を制御して真空容器２内の空気を排気させると共に、ガス供給部４を制御して真空容器２内に不活性ガスを供給させる。続いて、制御部９は、電源部７に対して制御信号Ｓ３を出力することでカソード電極５およびアノード電極６の間に所定の高周波電圧を印加させる。この結果、真空容器２内に発生したイオンがターゲット３０に向けて高速移動してターゲット３０の表面に衝突することで、金属原子が、弾き飛ばされて形成対象物２０に向けてスパッタとして飛散する。次いで、制御部９は、シャッタ機構８を制御してシャッタを開口させると共に、記憶部１０内の制御データＤに基づいて演算した処理時間が経過した時点ｔ３１においてシャッタが閉塞されるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。これにより、同図に一点鎖線Ｌ５で示すような薄膜形成処理が完了して、形成対象物２０の表面に厚みｚ３１の厚みの薄膜が形成される。
【００４８】
この場合、上記の薄膜形成処理時に使用した制御データＤ（処理条件）は、その取得処理時において、厚みｚ１３ａを処理回数（この例では、３回）で除算して求めた厚みｚ１１ａに基づいて取得されている。このため、３回の薄膜形成処理によって形成された薄膜の実際の厚みｚ１３と、測定誤差が生じている厚みｚ１３ａとの差異が、１／処理回数（１／Ｎａ：この例では、１／３）となっている。したがって、本来的な処理条件（同図に実線Ｌ４で示す処理条件）と、実際に取得した処理条件（制御データＤ：同図に破線Ｌ３で示す処理条件）との差異が、十分に小さくなっている。これにより、時点ｔ０から時点ｔ３１まで薄膜形成処理を実行したことで、実際には、厚みｚ３１よりもわずかに厚い厚みｚ３１ｂの薄膜が形成されるが、厚みｚ３１と厚みｚ３１ｂとの差異は極く僅かなものとなっている。
【００４９】
具体的には、従来の薄膜形成方法における処理条件取得方法、および本願発明の処理条件取得方法に従い、一例として、複合型磁気ヘッドの製造時に形成する厚み０．７ｎｍ程度の薄膜の形成時に使用する処理条件を取得したところ、次のような差異が確認された。まず、図５に示すように、従来の処理条件取得方法に従い、１つめの薄膜の薄膜形成処理を１６００秒とし、２つめの薄膜の薄膜形成処理を９００秒として上記のスパッタリング装置１によって２つの薄膜を製造する。この場合、一例として、１つ目の薄膜は、その厚みが１８．０ｎｍで、２つめの薄膜は、その厚みが１０．０ｎｍとなるが、処理条件の取得時において、２つめの薄膜についてのみ、その厚みの測定値に１％の測定誤差が生じて厚み９．９ｎｍと測定されたとする。この際には、同図に示すように、実際に取得される処理条件は、本来的な処理条件とは相違する関係式となる。したがって、取得した処理条件に基づいて処理時間を規定したとすれば、０．７ｎｍの薄膜の形成に要する処理時間が本来的には８６．２５秒であるにも拘わらず、実際には１０４．９４秒との処理時間が規定されることとなる。このため、厚み０．７ｎｍの薄膜を形成しようとしているにも拘わらず厚み０．９１ｎｍの薄膜が形成される。
【００５０】
これに対して、図６に示すように、本発明に係る処理条件取得方法に従い、１つめの薄膜の薄膜形成処理を８０秒×２０回とし、２つめの薄膜の薄膜形成処理を４５秒×２０回として上記のスパッタリング装置１によって２つの薄膜を製造した場合には、一例として、１つ目の薄膜は、その厚みが１８．０ｎｍで、２つめの薄膜は、その厚みが１０．０ｎｍとなる。なお、この例では、従来の処理条件取得時に形成される薄膜と厚みを揃えるために、各種の条件（カソード電極５およびアノード電極６の間に印加する高周波電圧の電圧値等）を従来方法とは相違させている。この際に、２つめの薄膜についてのみ、その厚みの測定値に１％の測定誤差が生じて厚み９．９ｎｍと測定されたとする。この際には、同図に示すように、実際に取得される処理条件は、本来的な処理条件とは相違する関係式となる。したがって、取得した処理条件に基づいて処理時間を規定したとすれば、厚み０．７ｎｍの薄膜の形成に要する処理時間は、本来的には６２．５０秒であるのに対して、実際には、その処理時間よりも僅かに長い６２．７２秒との処理時間が規定される。しかしながら、このような処理時間だけ薄膜形成処理を実行したときであっても、形成される薄膜の厚みは０．７０２５ｎｍとなり、所望の厚み０．７ｎｍとほぼ等しい厚みとなる。したがって、薄い薄膜を積層することで製造される複合型ヘッド等について、設計上の寸法と、でき上がり寸法とを十分に近付けさせて、所望の記録再生特性を有する複合型磁気ヘッドを製造することが可能となる。
【００５１】
このように、上記の処理条件取得方法では、処理時間をＬ秒（一例として、３０秒）に規定した薄膜形成処理をＮａ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴａ（厚みｚ１３ａ）と、処理時間をＭ秒（この例では、９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｂ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｂ（厚みｚ２３）を測定し、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、薄膜形成処理の処理開始からの経過時間がＬ秒の時点における薄膜の厚み）をＴａ／Ｎａとし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、処理開始からの経過時間がＭ秒の時点における薄膜の厚み）をＴｂ／Ｎｂとして処理条件を取得する。これにより、複数回の薄膜形成処理によって形成した厚い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。したがって、その厚みを正確に測定するのが困難な薄い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて取得した処理条件と比較して、その精度を十分に高めることができる。また、処理条件の取得時において厚みの測定値に測定誤差が生じたとしても、その測定誤差が１／処理回数（１／Ｎａ回、１／Ｎｂ回：この例では、共に１／３）に縮小された値に基づいて処理条件が取得されるため、その精度を十分に高めることができる。この結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【００５２】
この場合、所望の厚みの薄膜を形成するのに要する概算処理時間に対して５０％以上１５０％以下の範囲内でＬ秒およびＭ秒の各時間を規定するのが好ましい。このような条件を満たすように本発明におけるＬ秒およびＭ秒の各時間を規定することにより、概算処理時間に対して５０％未満、或いは、１５０％を超える条件でＬ秒およびＭ秒の各時間を規定して処理条件を取得するのと比較して、実際に形成する薄膜についての処理時間と同等の処理時間で形成した薄膜の積層体についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。この結果、実際の薄膜形成処理に即した一層精度の高い処理条件を取得することができる。
【００５３】
また、このスパッタリング装置１による薄膜形成方法によれば、本発明におけるＬ秒の薄膜形成処理と、本発明におけるＭ秒の薄膜形成処理とを同じ処理回数だけ実行して薄膜を形成することにより、一例として、Ｌ秒の薄膜形成処理を３回（「Ｎａ＝３」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴａと、Ｍ秒の薄膜形成処理を３００回（「Ｎｂ＝３００」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴｂとに基づいて処理条件を取得する方法（Ｎａ回とＮｂ回とが相違する例）とは異なり、両薄膜のうちの一方が過剰に薄く形成されたり、一方が過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、両薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な処理条件を取得することができる。
【００５４】
また、上記の処理条件取得方法によれば、スパッタリング装置１におけるシャッタ機構８の開口に要する時間と閉塞に要する時間との合計時間よりも本発明におけるＬ秒およびＭ秒の各時間を長い時間に規定する。したがって、シャッタが完全に開口される前に閉塞が開始されるような極く短時間の薄膜形成処理が複数回実行される事態を回避して、実際の薄膜形成処理に即した精度の高い処理条件を取得することができる。
【００５５】
また、上記のスパッタリング装置１による薄膜形成方法によれば、上記のいずれかに記載の処理条件取得方法によって取得した処理条件（制御データＤ）に基づいて処理時間を規定して薄膜を形成することにより、その精度が十分に高い処理条件に基づいて処理時間を規定することができる結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【００５６】
次に、本発明に係る処理条件取得方法に従い、薄膜形成処理（スパッタリング）の処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す処理条件（上記の制御データＤ）を取得する他の方法について、添付図面を参照して説明する。なお、上記の処理条件取得方法と同様の構成要素については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
【００５７】
前述した処理条件取得方法などに従って取得した処理条件（制御データＤ）については、薄膜形成装置の経時変化の影響等を考慮して、一定の期間毎に更新する（定期的に新たな処理条件を取得する）のが好ましい。この場合、前述した処理条件取得方法に従って処理条件（制御データＤ）を更新するときには、その都度、２つの薄膜（Ｌ秒の薄膜形成処理をＮａ回実行して形成する薄膜、およびＭ秒の薄膜形成処理をＮｂ回実行して形成する薄膜）を形成する必要があることから、処理条件の更新処理に要する時間が僅かながら長い時間となるおそれがある。そこで、出願人は、前述した処理条件取得方法の基本的な概念を応用しつつ、処理条件の更新に要する時間を短縮し得る処理条件取得方法を見出した。具体的には、同一の薄膜形成装置については、前述した処理条件取得方法に準じて２つの薄膜を形成して基準となる値を求めておくことにより、処理条件の更新時においては、１つの薄膜を形成するだけで前述した処理条件取得方法と同程度の精度で処理条件を取得することができる。以下に具体的な取得方法を記載する。
【００５８】
まず、上記の処理条件取得方法と同様にして形成対象物２０を２つ用意する。次いで、この処理条件取得方法によって取得した処理条件を使用して形成対象物２０の表面に形成する薄膜について、その薄膜を形成するのに要する概算処理時間（一例として、６０秒）を規定する。続いて、規定した概算処理時間に対する５０％以上１５０％以下の範囲内であって、かつ、シャッタ機構８におけるシャッタの開口に要する時間とシャッタの閉塞に要する時間との合計時間よりも長い２種類の処理時間（本発明におけるＬ秒およびＭ秒の各時間）を適宜規定する。この際には、一例として、３０秒（Ｌ秒）および９０秒（Ｍ秒）の２つの処理時間を規定する。次いで、前述した処理条件取得方法と同様にして、一方の形成対象物２０を上記のスパッタリング装置１における真空容器２内にセットすると共に、図２に破線Ｌ１で示すように、本発明におけるＬ秒に相当する３０秒の薄膜形成処理を連続３回（本発明におけるＮａ回が３回の例）実行して、形成対象物２０の表面に所定の厚みの薄膜を形成する。続いて、薄膜の形成が完了した形成対象物２０を真空容器２から取り出して他方の形成対象物２０を真空容器２内にセットすると共に、図２に二点鎖線Ｌ２で示すように、本発明におけるＭ秒に相当する９０秒の薄膜形成処理を連続３回（本発明におけるＮｂ回がＮａ回と同一回数の３回の例）実行して、形成対象物２０の表面に所定の厚みの薄膜を形成する。
【００５９】
次いで、３０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜、および９０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みをそれぞれ測定する。この際には、図７に示すように、一例として、仮に、時点ｔ０〜ｔ１３の間に３０秒（Ｌ秒）の薄膜形成処理を連続３回（Ｎａ回）実行して形成した薄膜については、実際の厚みｚ１３に対して測定誤差が生じて厚みｚ１３ａが測定され、時点ｔ０〜ｔ２３の間に９０秒（Ｍ秒）の薄膜形成処理を連続３回（Ｎｂ回）実行して形成した薄膜については、実際の厚みに対して測定誤差が生じることなく厚みｚ２３が測定されたものとする。次いで、処理条件取得用の２つの薄膜について、測定された厚みｚ１３ａ，ｚ２３を両薄膜の形成時に実行した処理回数（本発明におけるＮａ回、およびＮｂ回：この例では、共に３回）で除算する。これにより、両薄膜の形成時において１回の薄膜形成処理によって形成された分（Ｌ秒＝３０秒で形成された分、およびＭ秒＝９０秒で形成された分）の厚みが演算される。この際には、同図における厚みｚ１１ａ，ｚ２１が演算される。
【００６０】
続いて、一例として、操作部を操作することによって、上記の演算結果（厚みｚ１１ａ，ｚ２１）をスパッタリング装置１に入力する。この際に、制御部９は、入力された厚みｚ１１ａ，ｚ２１と、その厚みｚ１１ａ，ｚ２１の薄膜を形成するのに要した処理時間（この例では、Ｌ秒＝３０、およびＭ秒＝９０秒）とに基づき、図７に破線Ｌ３で示す一次関数式（処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す関係式）を演算する。次いで、制御部９は、演算した一次関数式に対して、予め規定された所定の厚みＴｘ（一例として「厚み０」）を代入することにより、このスパッタリング装置による薄膜形成処理によって厚みＴｘの薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を演算して記憶部１０に記憶させる。この場合、実際には、厚み０の薄膜を形成するのに要する時間は０秒であるが、上記の一次関数式に「厚み０」を代入することで処理時間Ｘ秒として時点ｔ０〜ｔ４１に相当する時間が演算される。
【００６１】
なお、厚み０に代えて、上記の一次関数式に対して任意の厚み（本発明における厚みＴｘ：例えば、５ｎｍ）を代入することで、その任意の厚みの薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を演算して記憶部１０に記憶させることもできる。また、例えば厚み０の薄膜を形成するのに要する処理時間であるＸ秒を求める方法は、上記の破線Ｌ３で示す一次関数式を用いた方法に限定されず、例えば、３０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みｚ１３ａと、９０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みｚ２３とに基づいて、図７に破線Ｌ３ａで示す一次関数式を求め、この一次関数式に任意の厚みＴｘを代入して所定の時間（この例では、時点ｔ０〜ｔ４３）を演算し、演算結果を処理回数（この例では、Ｎａ回＝Ｎｂ回＝３回）で除して上記のＸ秒に相当する時間（時点ｔ０〜ｔ４１）を求める方法を採用することもできる。
【００６２】
この場合、上記のＸ秒（時点ｔ０〜ｔ４１）は、スパッタリング装置１におけるシャッタ機構８の開口および閉塞に伴って薄膜の形成レート（単位処理時間当りの薄膜の形成量）が低下することで生じるディレイタイムに相当する。このディレイタイムは、同一のスパッタリング装置１においては変動することなく、ほぼ一定の長さの時間となる。このため、例えば上記の厚みｚ１３ａ，ｚ２３の薄膜を形成した日とは異なる日にスパッタリング装置１を作動させる場合においても、厚み０の薄膜を形成するのに要する処理時間であるＸ秒（同図における時点ｔ０〜ｔ４１に相当する時間）は、変動することなく、上記のＸ秒とほぼ同一の長さの時間となる。したがって、上記のように、例えば、厚み０の薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を予め取得しておくことで、その後に処理条件を取得する際には、前述した処理条件取得方法のように２種類の薄膜を形成してそれぞれの厚みを測定することなく、１種類の薄膜を形成して厚みを測定するだけで本発明における処理条件を取得することが可能となる。
【００６３】
具体的には、まず、上記の形成対象物２０と同じ形成対象物２０を用意する。次いで、上記のＬ秒（３０秒）およびＭ秒（９０秒）の規定時と同様にして、薄膜を形成するのに要する概算処理時間（一例として、６０秒）を規定する。続いて、規定した概算処理時間に対する５０％以上１５０％以下の範囲内であって、かつ、シャッタ機構８におけるシャッタの開口に要する時間とシャッタの閉塞に要する時間との合計時間よりも長い処理時間（本発明におけるＫ秒の時間）を適宜規定する。この際には、一例として、上記のＭ秒と等しい９０秒との処理時間を規定する。次いで、形成対象物２０を上記のスパッタリング装置１における真空容器２内にセットすると共に、本発明におけるＫ秒に相当する９０秒の薄膜形成処理を連続３回（本発明におけるＮｃ回が３回の例）実行して、形成対象物２０の表面に所定の厚みの薄膜を形成する。続いて、９０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みを測定する。この際には、図８に示すように、一例として、時点ｔ０〜ｔ５３の間に９０秒（Ｋ秒）の薄膜形成処理を連続３回（Ｎｃ回）実行して形成した薄膜について、その厚みが厚みｚ５３と測定される。次いで、測定された厚みｚ５３をその薄膜の形成時に実行した処理回数（本発明におけるＮｃ回：この例では、共に３回）で除算する。これにより、この薄膜の形成時において１回の薄膜形成処理によって形成された分（Ｋ秒＝時点ｔ０〜ｔ５１の９０秒で形成された分）の厚みが演算される。この際には、同図における厚みｚ５１が演算される。
【００６４】
続いて、一例として、操作部を操作することによって、上記の演算結果（厚みｚ５１）をスパッタリング装置１に入力する。この際に、制御部９は、入力された厚みｚ５１と、その厚みｚ５１の薄膜を形成するのに要した処理時間（この例では、Ｋ秒＝９０秒）と、厚み０の薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒（この例では、時点ｔ０〜ｔ４１）との情報とに基づき、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃ（この例では、厚みｚ５１）とし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘ（この例では、厚み０）として、図８に破線Ｌ７で示す一次関数式（処理時間と薄膜の厚みとの関係を示す関係式）を演算する。次いで、制御部９は、演算した処理条件を制御データＤ１として記憶部１０に記憶させる。これにより、本発明に係る処理条件取得方法による処理条件の取得が完了する。
【００６５】
上記の方法で取得した処理条件（制御データＤ１）に基づいて処理時間を規定することにより、前述した処理条件取得方法によって取得した処理条件（制御データＤ）に基づいて処理時間を規定したときと同様にして、たとえ薄い薄膜であっても、所望の厚みの薄膜を形成することが可能となる。具体的には、図９に示すように、操作部の入力操作によって、所望の厚みとして厚みｚ６１を入力操作したときに、制御部９は、記憶部１０に記憶させた上記の処理条件（制御データＤ１：同図に破線Ｌ７で示す一次関数式）に基づき、厚みｚ６１の薄膜を形成するのに要する処理時間（この例では、時点ｔ０から時点ｔ６１までの時間）を演算する。次いで、処理開始を指示するスイッチが操作されたときに、制御部９は、真空ポンプ３を制御して真空容器２内の空気を排気させると共に、ガス供給部４を制御して真空容器２内に不活性ガスを供給させる。続いて、制御部９は、電源部７に対して制御信号Ｓ３を出力することでカソード電極５およびアノード電極６の間に所定の高周波電圧を印加させる。この結果、真空容器２内に発生したイオンがターゲット３０に向けて高速移動してターゲット３０の表面に衝突することで、金属原子が、弾き飛ばされて形成対象物２０に向けてスパッタとして飛散する。次いで、制御部９は、シャッタ機構８を制御してシャッタを開口させると共に、記憶部１０内の制御データＤ１に基づいて演算した処理時間が経過した時点ｔ６１においてシャッタが閉塞されるようにシャッタ機構８に対して制御信号Ｓ４を出力する。これにより、同図に一点鎖線Ｌ８で示すような薄膜形成処理が完了して、形成対象物２０の表面に厚みｚ６１の厚みの薄膜が形成される。
【００６６】
この場合、上記の薄膜形成処理時に使用した制御データＤ１（処理条件）は、その取得処理時において、Ｎａ回（この例では、３回）の薄膜形成処理によって形成された薄膜の厚みｚ１３ａを処理回数（この例では、Ｎａ＝３回）で除算して求めた厚みｚ１１ａに基づいて演算された一次関数式（この例では、図８に破線Ｌ７で示す一次関数式）を用いて取得されている。このため、薄膜の実際の厚みｚ１３と、測定誤差が生じている厚みｚ１３ａとの差異が、１／処理回数（この例では、１／３）となっている厚みｚ１１ａに基づいて演算された一次関数式を用いたことで、制御データＤ１（処理条件）が十分に正確となっている。また、制御データＤ１（処理条件）は、その取得処理時において「処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（この例では、厚みｚ５１）」を取得する際に、Ｎｃ回（この例では、３回）の薄膜形成処理によって形成された薄膜の厚みｚ５３を処理回数（Ｎｃ＝３回）で除算して求めた厚みｚ５１に基づいて取得されている。このため、３回の薄膜形成処理によって形成された薄膜の厚みｚ５３に測定誤差が生じていたとしても、本来の厚みと、実際の厚みｚ５３との差異が、１／処理回数（１／Ｎｃ：この例では、１／３）となっている厚みｚ５１に基づいて取得されることで、制御データＤ１（処理条件）が十分に正確となっている。したがって、本来的な処理条件（図８，９に実線Ｌ４で示す処理条件）と、実際に取得した処理条件（制御データＤ１：図８，９に破線Ｌ７で示す処理条件）との差異が、十分に小さくなっている。これにより、図９に示すように、時点ｔ０から時点ｔ６１まで薄膜形成処理を実行したことで、実際には、厚みｚ６１よりもわずかに厚い厚みｚ６１ｂの薄膜が形成されるが、厚みｚ６１と厚みｚ６１ｂとの差異は極く僅かなものとなっている。
【００６７】
このように、上記の処理条件取得方法では、処理時間をＬ秒（一例として、３０秒）に規定した薄膜形成処理をＮａ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴａ（厚みｚ１３ａ）と、処理時間をＭ秒（この例では、９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｂ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｂ（厚みｚ２３）を測定し、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、薄膜形成処理の処理開始からの経過時間がＬ秒の時点における薄膜の厚み）をＴａ／Ｎａとし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、処理開始からの経過時間がＭ秒の時点における薄膜の厚み）をＴｂ／Ｎｂとして、所定の厚みＴｘ（この例では、厚み０）の薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を求めた後に、処理時間をＫ秒（一例として、９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｃ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｃ（厚みｚ５３）を測定すると共に、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、薄膜形成処理の処理開始からの経過時間がＫ秒の時点における薄膜の厚み）をＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚み（すなわち、処理開始からの経過時間がＸ秒の時点における薄膜の厚み）をＴｘとして処理条件を取得する。
【００６８】
これにより、この処理条件取得方法によれば、複数回の薄膜形成処理によって形成した厚い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。したがって、その厚みを正確に測定するのが困難な薄い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて取得した処理条件と比較して、その精度を十分に高めることができる。また、処理条件の取得時において厚みの測定値に測定誤差が生じたとしても、その測定誤差が１／処理回数（１／Ｎａ回、１／Ｎｂ回および１／Ｎｃ回：この例では、共に１／３）に縮小された値に基づいて処理条件が取得されるため、その精度を十分に高めることができる。この結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。さらに、所定の厚みＴｘ（この例では、厚み０）の薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を予め求めておくことで、その後に処理条件（制御データＤ１）を取得する際に、処理時間をＫ秒（この例では、９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｃ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｃを測定するだけで、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘとして本発明における処理条件に相当する制御データＤ１を取得することができる。したがって、処理条件の取得の都度、処理時間をＬ秒（例えば３０秒）に規定した薄膜形成処理をＮａ回（例えば３回）実行して形成した薄膜の厚みＴａを測定すると共に、処理時間をＭ秒（例えば９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｂ回（例えば３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｂを測定する処理条件取得方法と比較して、２回目以降の処理条件取得時において、処理時間をＫ秒（例えば９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｃ回（例えば３回）実行して１つの薄膜を形成するだけで済むため、短時間で処理条件（制御データＤ１）を取得することができる。
【００６９】
また、このスパッタリング装置１による薄膜形成方法によれば、本発明におけるＬ秒の薄膜形成処理と、本発明におけるＭ秒の薄膜形成処理と、本発明におけるＫ秒の薄膜形成処理とを同じ処理回数だけ実行して薄膜を形成することにより、一例として、Ｌ秒の薄膜形成処理を３回（「Ｎａ＝３」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴａと、Ｍ秒の薄膜形成処理を３００回（「Ｎｂ＝３００」の例）実行して形成した薄膜の厚みＴｂとに基づいて処理条件を取得する方法（Ｎａ回とＮｂ回とが相違する例）とは異なり、両薄膜のうちの一方が過剰に薄く形成されたり、一方が過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、両薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な演算結果（この例では、一次関数式）を取得することができる。また、本発明におけるＮｃ回を本発明におけるＮａ回およびＮｂ回とは相違する回数とした場合と比較して、各薄膜のうちのいずれかが過剰に薄く形成されたり、他のいずれかが過剰に厚く形成されたりする事態を回避して、各薄膜を同一の測定環境（１つの測定装置）で測定可能な厚みとすることができる。したがって、測定環境の相違に起因する測定誤差が生じる事態を回避して、十分に高精度な処理条件を取得することができる。
【００７０】
また、上記の処理条件取得方法によれば、スパッタリング装置１におけるシャッタ機構８の開口に要する時間と閉塞に要する時間との合計時間よりも本発明におけるＬ秒、Ｍ秒およびＫ秒の各時間を長い時間に規定することにより、シャッタが完全に開口される前に閉塞が開始されるような極く短時間の薄膜形成処理が複数回実行される事態を回避して、実際の薄膜形成処理に即した精度の高い処理条件を取得することができる。
【００７１】
また、上記のスパッタリング装置１による薄膜形成方法によれば、上記のいずれかに記載の処理条件取得方法によって取得した処理条件（制御データＤ）に基づいて処理時間を規定して薄膜を形成することにより、その精度が十分に高い処理条件に基づいて処理時間を規定することができる結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【００７２】
なお、本発明は上記の構成および方法に限定されない。例えば、本発明におけるＮａ回の薄膜形成処理のうちの一回が完了した時点において次の一回を直ちに開始する（Ｎａ回の薄膜形成処理を連続して実行する）と共に、本発明におけるＮｂ回の薄膜形成処理のうちの一回が完了した時点において次の一回を直ちに開始する（Ｎｂ回の薄膜形成処理を連続して実行する）例について説明したが、各薄膜形成処理の間にインターバルを設けて所望の厚みの薄膜を形成する方法を採用することもできる。同様にして、本発明におけるＮｃ回の薄膜形成処理のうちの一回が完了した時点において次の一回を直ちに開始する（Ｎｃ回の薄膜形成処理を連続して実行する）例について説明したが、各薄膜形成処理の間にインターバルを設けて所望の厚みの薄膜を形成する方法を採用することもできる。
【００７３】
また、上記の処理条件取得方法では、処理時間をＬ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴａ／Ｎａとし、かつ、処理時間をＭ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｂ／Ｎｂとして演算した一次関数式に基づいて、所定の厚みＴｘ（この例では、厚み０）の薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒を求めているが、本発明はこれに限定されない。例えば、上記の一次関数式（この例では、図７に破線Ｌ３で示す一次関数式）に基づいて、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘを求めることで「所定の厚みＴｘの薄膜を形成するのに要する処理時間Ｘ秒」を求め、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘとして処理条件を取得する方法を採用することができる。具体的には、一例として、図７に破線Ｌ３で示す一次関数式に基づき、処理時間をＸ秒（一例として、０秒）に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘ（この例では、厚みｚ４１）を求め、処理時間をＫ秒（例えば９０秒）に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃ（一例として、図８に示す厚みｚ５１）とし、かつ、処理時間をＸ秒（例えば０秒）に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘ（この例では、厚みｚ４１）として図８に破線Ｌ７で示す一次関数式（本発明における処理条件の一例としての制御データＤ１）を取得する方法を採用することができる。
【００７４】
このような処理条件取得方法によれば、複数回の薄膜形成処理によって形成した厚い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて処理条件を取得することができる。したがって、その厚みを正確に測定するのが困難な薄い薄膜についての測定値（厚み）に基づいて取得した処理条件と比較して、その精度を十分に高めることができる。また、処理条件の取得時において厚みの測定値に測定誤差が生じたとしても、その測定誤差が１／処理回数（１／Ｎａ回、１／Ｎｂ回および１／Ｎｃ回：この例では、共に１／３）に縮小された値に基づいて処理条件が取得されるため、その精度を十分に高めることができる。この結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。さらに、処理時間をＸ秒（この例では、０秒）に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘを予め求めておくことで、その後に処理条件（制御データＤ１）を取得する際に、処理時間をＫ秒（この例では、９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｃ回（この例では、３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｃを測定するだけで、処理時間をＫ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｃ／Ｎｃとし、かつ、処理時間をＸ秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みをＴｘとして本発明における処理条件に相当する制御データＤ１を取得することができる。したがって、処理条件の取得の都度、処理時間をＬ秒（例えば３０秒）に規定した薄膜形成処理をＮａ回（例えば３回）実行して形成した薄膜の厚みＴａを測定すると共に、処理時間をＭ秒（例えば９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｂ回（例えば３回）実行して形成した薄膜の厚みＴｂを測定する処理条件取得方法と比較して、２回目以降の処理条件取得時において、処理時間をＫ秒（例えば９０秒）に規定した薄膜形成処理をＮｃ回（例えば３回）実行して１つの薄膜を形成するだけで済むため、短時間で処理条件（制御データＤ１）を取得することができる。
【００７５】
なお、処理時間を０秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘを取得する方法に代えて、上記の一次関数式に基づき、処理時間を任意の処理時間（本発明におけるＸ秒：例えば１０秒）に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘを求めて記憶部１０に記憶させる方法を採用することもできる。また、例えば処理時間を０秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘを求める方法は、上記の破線Ｌ３で示す一次関数式を用いた方法に限定されず、例えば、３０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みｚ１３ａと、９０秒間の薄膜形成処理を連続３回実行して形成した薄膜の厚みｚ２３とに基づいて図７に破線Ｌ３ａで示す一次関数式を求め、この一次関数式に基づいて、処理時間を０秒に規定した薄膜形成処理によって形成される薄膜の厚みＴｘ（この例では、厚みｚ４３）を演算し、演算結果（厚みｚ４３）を処理回数（この例では、Ｎａ回＝Ｎｂ回＝３回）で除して本発明における厚みＴｘに相当する厚みｚ４１を求める方法を採用することもできる。
【００７６】
さらに、スパッタリング装置１を用いてスパッタリング法によって薄膜を形成する薄膜形成方法、およびその際に使用する処理条件（制御データＤ，Ｄ１）の取得方法について説明したが、本発明はこれに限定されず、真空蒸着法、湿式めっき法、およびイオンプレーティング法などの各種薄膜形成方法で薄膜を形成する際の薄膜形成処理、およびその際に使用する処理条件（制御データＤ，Ｄ１）の取得時に本発明を実施することができる。これらの薄膜形成処理時においても、本発明に係る処理条件取得方法に従って取得した処理条件を使用することで、その精度が十分に高い処理条件に基づいて処理時間を規定することができる結果、薄い薄膜についても、所望の厚みに形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】スパッタリング装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明に係る処理条件取得方法に従って処理条件を取得する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図３】本発明に係る処理条件取得方法に従って処理条件を取得する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための他の説明図である。
【図４】本発明に係る処理条件取得方法に従って取得した処理条件を使用して所望の厚みの薄膜を形成する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図５】従来の処理条件取得方法に従って処理条件を取得して処理時間を規定したときの薄膜の厚みについて説明するための説明図である。
【図６】本発明に係る処理条件取得方法に従って処理条件を取得して処理時間を規定したときの薄膜の厚みについて説明するための説明図である。
【図７】本発明に係る処理条件取得方法の他の実施形態に従って処理条件を取得する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図８】本発明に係る処理条件取得方法の他の実施形態に従って処理条件を取得する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための他の説明図である。
【図９】本発明に係る処理条件取得方法の他の実施形態に従って取得した処理条件を使用して所望の厚みの薄膜を形成する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図１０】スパッタリング法によって薄膜を形成する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図１１】従来の処理条件取得方法に従って処理条件を取得する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【図１２】従来の処理条件取得方法に従って取得した処理条件を使用して所望の厚みの薄膜を形成する際の処理開始時点からの経過時間（処理時間）と形成される薄膜の厚みとの関係を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００７８】
１  スパッタリング装置
２  真空容器
３  真空ポンプ
４  ガス供給部
５  カソード電極
６  アノード電極
７  電源部
８  シャッタ機構
９  制御部
１０  記憶部
２０  形成対象物
３０  ターゲット
Ｄ，Ｄ１  制御データ
Ｓ１〜Ｓ４  制御信号
ｔ０，ｔ１１〜１３，ｔ２１〜２３，ｔ３１，ｔ４１，ｔ４３，ｔ５１，ｔ５３，ｔ６１  時点
ｚ１１，ｚ１１ａ，ｚ１３，ｚ１３ａ，ｚ２１，ｚ２３，ｚ３１，ｚ３１ｂ，ｚ４１，ｚ４３，ｚ５１，ｚ５３，ｚ６１，ｚ６１ｂ  厚み
【図１】
2008127683.tif 000003
【図２】
2008127683.tif 000004
【図３】
2008127683.tif 000005
【図４】
2008127683.tif 000006
【図５】
2008127683.tif 000007
【図６】
2008127683.tif 000008
【図７】
2008127683.tif 000009
【図８】
2008127683.tif 000010
【図９】
2008127683.tif 000011
【図１０】
2008127683.tif 000012
【図１１】
2008127683.tif 000013
【図１２】
2008127683.tif 000014