(57)【要約】【課題】帯電ローラの抵抗値が変化した場合でも適正な帯電バイアスを出力し、また帯電ローラの寿命も考慮された適正な帯電バイアスを出力する。【解決手段】バイアス補正手段により、所定の帯電バイアスがバイアス印加手段により印加されたときに電流検出手段により検出された帯電電流値と、目標情報記憶手段に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいてこの所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算を行うとともに、第１のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアスが所定の第１のレベルであるか、第１のレベルよりも高い第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、目標帯電電流値を被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算を行う。【選択図】図３
2008009175.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体の表面を帯電ローラを用いて所定の電位に帯電する画像形成装置において、
前記帯電ローラに帯電バイアスを印加するバイアス印加手段と、
前記帯電バイアスを印加したときの帯電電流を検出する電流検出手段と、
前記帯電バイアスの補正を行うバイアス補正手段と、
前記感光体の表面が所要の表面電位に帯電されているときの帯電電流値であって、目標とする目標帯電電流値を記憶する目標情報記憶手段とを備え、
前記バイアス補正手段は、
所定の帯電バイアスが前記バイアス印加手段により印加されたときに前記電流検出手段により検出された帯電電流値と、前記目標情報記憶手段に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいて前記所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算を行うとともに、
前記第１のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアスが所定の第１のレベルであるか、前記第１のレベルよりも高い第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算を行うことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記バイアス補正手段は、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて段階的に変化させることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記帯電バイアスと前記帯電電流との関係を有する第１のバイアス特性、若しくは前記帯電バイアスと前記感光体の表面電位との関係を有する第２のバイアス特性を記憶する特性情報記憶手段をさらに備え、
前記バイアス補正手段は、前記被補正帯電バイアスが、前記特性情報記憶手段に記憶されている前記第１のバイアス特性若しくは第２のバイアス特性における所定の変曲点を判定境界として前記第１のレベルと第２のレベルとを判定するものであって、前記第２のレベルであると判定した場合に、前記被補正帯電バイアスに応じて目標帯電電流値を変更することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記バイアス補正手段は、
前記変更された目標帯電電流値をＩｄｃα（Ｔ）とすると、
前記第２のバイアス補正演算において、下記（ａ）式を用いて算出したバイアス補正値を、前記被補正帯電バイアスに加算して新たな帯電バイアスを求めることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の画像形成装置。
（Ｔｄｃα（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｍ））＊ｋ・・・（ａ）
但し、Ｉｄｃ（ｍ）は前記バイアス印加手段により前記被補正帯電バイアスを印加したときに前記電流検出手段により検出される帯電電流値、「ｋ」は補正係数、記号「＊」は乗算を示す。
【請求項５】
前記感光体は、アモルファスシリコンからなる感光体であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、帯電ローラを用いて感光体表面を帯電する機能を備えた画像形成装置に関し、特に帯電バイアスの補正が可能な画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子写真方式を用いた画像形成装置の帯電機構として、オゾンの発生が抑制される特徴を有する帯電ローラ方式が広く採用されている。この帯電ローラは、環境やライフにより抵抗値が変化することから、帯電ローラのこの抵抗変化に応じて最適なバイアスを印加するべく、帯電電流を検出した結果を基に出力バイアスを決定する方法が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−２０５５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところが、帯電電流を正確に検出するのは非常に難しい課題である。なぜならば、特に抵抗値が上昇した帯電ローラにおける電流（帯電電流）は、バイアス（帯電バイアス）の印加直後から時間が経過するにつれて変動するため、該電流を検出するタイミングをいつにするかによってその検出結果が異なるものとなってしまい、最悪の場合は適正なバイアスを出力できなくなる。
【０００４】
このような課題を解決するべく、例えば特許文献１には、バイアス印加時の帯電部材に流れる電流の検出を複数回繰り返し、前回の検出時からの変化量が或る閾値より小さくなった場合に画像形成動作を開始する方法が開示されている。しかしながらこの方法では、帯電ローラの抵抗値が大幅に上昇した場合、上記変化量が閾値より小さくなる、すなわち抵抗値が安定するまでに時間がかかり、画像形成動作が開始されるまでの時間（所謂エージング時間）が非常に長くなってしまうという問題がある。一方、帯電ローラの寿命後半において、帯電電流と感光体ドラムの表面電位との関係が寿命前半における関係から変化してしまい、バイアスを適正に補正することができないという問題もある。この現象は次のように説明できる。すなわち、帯電ローラは使用量（ライフ）とともに徐々に抵抗値が上昇していくため、これに応じて印加バイアスも高くする必要があるが、その使用が進み、寿命後半になってくると、バイアス値がある値を超えた大きなものとなり感光体ドラムへの漏れ電流が発生し始める（ただし、感光体ドラムに物理的な欠陥を与えるほどではない）。このような状態となると、帯電電流は良く流れたとしても感光体ドラムの表面電位自体はそれほど上昇しなくなる。このため、帯電電流を検出してバイアス補正を行うようにしても所要の表面電位が得られなくなる。
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、帯電ローラの抵抗値が変化した場合でも画像形成動作が開始されるまでの時間が長くなることなく適正な帯電バイアスを出力することができ、且つ、帯電ローラの寿命も考慮された適正な帯電バイアスを出力することができる画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る画像形成装置は、感光体の表面を帯電ローラを用いて所定の電位に帯電する画像形成装置において、前記帯電ローラに帯電バイアスを印加するバイアス印加手段と、前記帯電バイアスを印加したときの帯電電流を検出する電流検出手段と、前記帯電バイアスの補正を行うバイアス補正手段と、前記感光体の表面が所要の表面電位に帯電されているときの帯電電流値であって、目標とする目標帯電電流値を記憶する目標情報記憶手段とを備え、前記バイアス補正手段は、所定の帯電バイアスが前記バイアス印加手段により印加されたときに前記電流検出手段により検出された帯電電流値と、前記目標情報記憶手段に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいて前記所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算を行うとともに、前記第１のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアスが所定の第１のレベルであるか、前記第１のレベルよりも高い第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算を行うことを特徴とする。
【０００７】
上記構成によれば、バイアス補正手段により、所定の帯電バイアスがバイアス印加手段により印加されたときに電流検出手段により検出された帯電電流値と、目標情報記憶手段に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいて上記所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算が行われるとともに、第１のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアスが第１のレベルであるか第１のレベルよりも高い第２のレベルであるかが判定され、第２のレベルであると判定された場合に、目標帯電電流値を被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算が行われる。
【０００８】
また、上記構成において、前記バイアス補正手段は、前記目標帯電電流値を前記被補正帯電バイアスに応じて段階的に変化させることが好ましい（請求項２）。
【０００９】
これによれば、バイアス補正手段によって、目標帯電電流値が被補正帯電バイアスに応じて段階的に変化されるようになる。
【００１０】
また、上記構成において、前記帯電バイアスと前記帯電電流との関係を有する第１のバイアス特性、若しくは前記帯電バイアスと前記感光体の表面電位との関係を有する第２のバイアス特性を記憶する特性情報記憶手段をさらに備え、前記バイアス補正手段は、前記被補正帯電バイアスが、前記特性情報記憶手段に記憶されている前記第１のバイアス特性若しくは第２のバイアス特性における所定の変曲点を判定境界として前記第１のレベルと第２のレベルとを判定するものであって、前記第２のレベルであると判定した場合に、前記被補正帯電バイアスに応じて目標帯電電流値を変更するようにしてもよい（請求項３）。
【００１１】
これによれば、バイアス補正手段により、被補正帯電バイアスが、帯電バイアスと帯電電流との関係を有する第１のバイアス特性、若しくは帯電バイアスと感光体の表面電位との関係を有する第２のバイアス特性における所定の変曲点を判定境界として第１のレベルであるか第２のレベルであるかの判定が行われ、第２のレベルであると判定された場合に、被補正帯電バイアスに応じた目標帯電電流値の変更が行われる。
【００１２】
また、上記構成において、前記バイアス補正手段は、前記変更された目標帯電電流値をＩｄｃα（Ｔ）とすると、前記第２のバイアス補正演算において、下記（ａ）式を用いて算出したバイアス補正値を、前記被補正帯電バイアスに加算して新たな帯電バイアスを求めるようにしてもよい（請求項４）。
（Ｔｄｃα（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｍ））＊ｋ・・・（ａ）
但し、Ｉｄｃ（ｍ）は前記バイアス印加手段により前記被補正帯電バイアスを印加したときに前記電流検出手段により検出される帯電電流値、「ｋ」は補正係数、記号「＊」は乗算を示す。
【００１３】
これによれば、バイアス補正手段により、第２のバイアス補正演算において、上記（ａ）式を用いて算出されたバイアス補正値が被補正帯電バイアスに加算されて新たな帯電バイアスが求められる。
【００１４】
さらに、上記構成において、前記感光体は、アモルファスシリコンからなる感光体であるようにしてもよい（請求項５）。
【００１５】
これによれば、感光体がアモルファスシリコンからなる感光体とされる。
【発明の効果】
【００１６】
請求項１記載の発明によれば、所定の帯電バイアスが印加されるときの帯電電流値を目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいてこの帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算が行われるため（帯電バイアスを補正するべく或る条件となるまで収束演算を実行し続けるといったことなく）、帯電ローラの抵抗値が変化した場合でも画像形成動作が開始されるまでの時間が長くなることなく適正な帯電バイアスを出力することができる。また、第１のレベルを、所要の帯電バイアスを得ることが可能な帯電電流と帯電バイアスとの関係が正常であるレベルとし、また第１のレベルより高い第２のレベルを、帯電ローラの劣化等に起因して帯電電流と帯電バイアスとの関係が異常となるレベルとするなどして、被補正帯電バイアスが第１のレベルであるか第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、目標帯電電流値を被補正帯電バイアスに応じて変更し、この変更した目標帯電電流値に基づき被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算が行われるため、帯電ローラの寿命も考慮されたすなわち帯電ローラの寿命後半においても適正な帯電バイアスを出力することができる。
【００１７】
請求項２記載の発明によれば、被補正帯電バイアスに応じて段階的に変化するように目標帯電電流値が変更されるので、当該目標帯電電流値の変更に際しての制御（演算）が容易となり、ひいては効率良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００１８】
請求項３記載の発明によれば、第１のバイアス特性若しくは第２のバイアス特性における変曲点での情報が、第１のレベルであるか第２のレベルであるかの判定に用いられるため、容易に且つ当該バイアス特性に基づき精度良く目標帯電電流値を変更するか否かの判定を行うことができ、ひいては効率良く且つ精度良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００１９】
請求項４記載の発明によれば、第２のバイアス補正演算において、上記（ａ）式を用いて算出したバイアス補正値を被補正帯電バイアスに加算して新たな帯電バイアスを求めるようにするため、簡易な演算式を用いて効率良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００２０】
請求項５記載の発明によれば、感光体がアモルファスシリコンからなる高耐久性の感光体とされ、第１及び第２のバイアス補正演算によりバイアス補正を行うことと併せて、長期間に亘って良好な画像形成動作（安定性）が維持される装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明に係る画像形成装置の内部構成を概略的に示す断面図である。本発明に係る画像形成装置は、電子写真方式によりトナーを用いて静電潜像の現像を行う、複合機、プリンタ或いはファクシミリ等が対象となる。本実施形態では、この画像形成装置としてプリンタ１を例に挙げて説明する。プリンタ１は、プリンタ本体１０内に画像形成部２が設けられている。同図に示すように、画像形成部２は、用紙に対する画像の形成を行うものであり、感光体ドラム３、感光体ドラム３の周囲に配設された帯電部４、露光部５、現像部６、転写部７及びクリーニング部８を備えている。
【００２２】
図２は、画像形成部２を概略的に示す部分拡大図である。感光体ドラム３は、図中に示す矢印方向に回転可能に支持された像担持体であり、ここでは、アモルファスシリコン（Amorphous Silicon；ａ−Ｓｉ）からなる感光体ドラム（ａ−Ｓｉドラム）が採用されている。このａ−Ｓｉドラムは、所定のドラム状体（円筒体）の表面にアモルファスシリコンの膜が蒸着等により形成されてなるものである。このアモルファスシリコン膜は、膜表面硬度が極めて高いという特性を有しており、これにより耐久性（耐環境性）が高い感光体となっている。なお、感光体ドラム３は、ここではドラム径が約３０ｍｍであり、また約３１０ｍｍ／ｓｅｃのスピード（線速；回転周速度）で回転するものが採用されている。
【００２３】
帯電部４は、感光体ドラム３の表面（ドラム表面）を所定の電位、例えば約＋２５０Ｖに一様に帯電させるものである。帯電部４は、感光体ドラム３と対向配置された帯電ローラ４１を備えており、この帯電ローラ４１を感光体ドラム３に押圧した状態で帯電を行う。帯電ローラ４１は、例えば所定の芯金に、ローラ径が例えば約１２ｍｍとなるようエピクロルヒドリンゴム（Epichlorhydrin rubber）等のイオン導電材（半導電特性を有する材料）からなる弾性層が形成されてなるものである。なお、このエピクロルヒドリンゴムの表面粗さＲｚは例えば約１０μｍとされる。
【００２４】
ところで、通常、帯電ローラ４１には上述のようにイオン導電材が用いられているため、環境（温度や湿度）やライフ（経時）によりその抵抗値が変動する。特に、帯電ローラ４１の使用が進み（積算使用時間が長くなり）その抵抗値も高くなり、寿命後半になってくると、所定の帯電電流を流したとしてもこれに対応して得られるべき表面電位レベルまで高くならないという事態が生じるようになる。このため、当該帯電ローラ４１の寿命後半においては、帯電電流を検出してこの帯電電流に基づいてバイアス補正を行うようにしてもドラム表面を所要の表面電位に帯電させることができなくなる。そこで本実施形態では、帯電ローラ４１の抵抗値変動、さらには帯電ローラ４１の使用が進んだ場合の（寿命後半における）当該問題も考慮して所要の表面電位が得られるように帯電バイアス（Ｖｄｃ）の補正を行う構成としている。この帯電バイアスの補正については後記で詳述する。
【００２５】
露光部５は、感光体ドラム３をレーザービームによって露光する所謂レーザスキャナユニットである。露光部５は、後述の画像データ記憶部４０等から送信されてきた画像データに基づいてレーザーダイオードから出力されたレーザービームＬをドラム表面に照射することで、ドラム表面上に静電潜像を形成する。なお、図２に示す露光部５は、図１における露光部５を簡略的に示すものである。
【００２６】
現像部６は、ドラム表面に形成された静電潜像上にトナーを付着させて画像を顕在化するものである。現像部６は、感光体ドラム３と非接触で対向配置された現像ローラ６１、トナーを収納するトナー収納部６２及び規制ブレード６３（穂切り板）等を備えて構成される。規制ブレード６３は、トナー収納部６２から現像ローラ６１に供給されるトナー量が適正量となるよう規制する。具体的には、現像ローラ６１のスリーブ（図示省略）の表面に所謂穂立ち状態（磁気ブラシの状態）で付着するトナーに対し、該トナーを穂切りして、つまり層厚を規制してその付着量を一定に調整するものである。この付着量の調整によりスリーブ上に略同じ層厚を有したトナー薄層が形成される。
【００２７】
転写部７は、トナー像を用紙に対して転写するものである。具体的には、転写部７は、感光体ドラム３に対向配置される転写ローラ７１を備え、符号Ａで示す矢印方向に搬送されてきた用紙Ｐ（転写材）を転写ローラ７１によって感光体ドラム３に押し当てた状態で、ドラム表面に顕在化されたトナー像を用紙Ｐ上に転写する。
【００２８】
クリーニング部８は、クリーニングブレード８１等を備えて構成され、上記転写部７による転写が終了した後のドラム表面に残留しているトナー（転写残トナー）を清掃するものである。クリーニングブレード８１は、例えばその端部がドラム表面に圧接されており、これによりドラム表面の残留トナーが機械的に除去される。なお、クリーニング部８等に、ＬＥＤ光等の除電用光線によって感光体表面を除電する、つまり残留電位（電荷）を消去する除電部（イレース光源）（図示省略）を備えていてもよい。
【００２９】
また、プリンタ１は、画像形成部２（感光体ドラム３）へ向けて給紙を行う給紙部９、及び用紙に転写されたトナー像の定着を行う定着部１１を備えている。給紙部９は、各サイズの用紙を収納する給紙カセット９１、収納されている用紙を取り出すためのピックアップローラ９２、用紙が搬送される経路である搬送路９３、及び搬送路９３中の用紙の搬送を行う搬送ローラ９４等を備え、給紙カセット９１から１枚ずつ送り出された用紙を転写ローラ７１と感光体ドラム３とのニップ部へ向けて搬送する。給紙部９はトナー像が転写された用紙（上記用紙Ｐ）を搬送路９５を経て定着部１１へ搬送し、さらに、定着部１１で定着処理された用紙を、搬送ローラ９６や排出ローラ９７によってプリンタ本体１０の上部に設けられた用紙排出トレイ１２まで搬送する。
【００３０】
定着部１１はヒートローラ１１ａ及び圧ローラ１１ｂからなり、ヒートローラ１１ａの熱によって用紙上のトナーを溶かし、圧ローラ１１ｂによって圧力を加えて用紙上にトナー像を定着させる。
【００３１】
図３は、プリンタ１の電気的な構成の一例を示すブロック図である。同図に示すように、プリンタ１は、ネットワークＩ／Ｆ（インターフェース）部３０、画像データ記憶部４０、操作パネル部５０、記録部６０及び制御部１００等を備えている。ネットワークＩ／Ｆ部３０は、ＬＡＮ等のネットワークを介して接続されたＰＣ等の情報処理装置（外部装置）との間における種々のデータの送受信を制御するものである。画像データ記憶部４０は、ネットワークＩ／Ｆ部３０を介してＰＣ等から送信されてきた画像データを一時的に記憶するものである。操作パネル部５０は、プリンタ１のフロント部等に設けられ、ユーザからの各種の指示情報（コマンド）が入力される入力キーとして機能したり、或いは所定の情報を表示するものである。記録部６０は、上記画像形成部２、給紙部９及び定着部１１から構成され、画像データ記憶部４０に記憶されるなどした画像データに基づいて用紙に対する画像情報の記録（印刷）を行うものである。
【００３２】
制御部１００は、プリンタ１の制御プログラム等を記憶するＲＯＭ（Read Only Memory）、一時的にデータを保管するＲＡＭ（Random Access Memory）、及び上記制御プログラム等をＲＯＭから読み出して実行するマイクロコンピュータ等からなり、操作パネル部５０等において入力された所定の指示情報や、プリンタ１の各所に設けられた各種センサ（上記センサ部７０を含む）からの検出信号に応じて装置全体の制御を行うものである。制御部１００は、帯電バイアス印加部１０１、帯電電流検出部１０２、補正演算部１０３、比較情報記憶部１０４、特性情報記憶部１０５及び変更情報記憶部１０６を備えている。
【００３３】
帯電バイアス印加部１０１は、帯電ローラ４１に対して帯電バイアスＶｄｃを印加する（帯電バイアスの印加制御を行う）ものである。記号Ｖｄｃは、帯電電圧の直流（ＤＣ）成分を示している。この帯電バイアスＶｄｃはＤＣ成分のみでもよいし、これに交流（ＡＣ）成分が重畳されたものであってもよい。ただし、ドラム表面の帯電電位自体は直流成分のバイアス（ＤＣバイアス）Ｖｄｃによって決定される。
【００３４】
帯電電流検出部１０２は、帯電バイアス印加部１０１によって帯電ローラ４１に帯電バイアスＶｄｃを印加したときの帯電電流（ＤＣ電流）Ｉｄｃを検出するものである。この帯電電流Ｉｄｃは、帯電ローラ４１側で検出、すなわち例えば帯電ローラ４１を流れている帯電電流を検出してもよいし、感光体ドラム３側で検出、すなわち例えば帯電ローラ４１からドラム表面に流れた帯電電流を検出してもよい。なお、このように感光体ドラム３の表面電位を直接検出せずに帯電電流を検出するようにするのは、表面電位を測定する手段は一般的にコスト高となってしまい、また、その分だけ設置スペースが必要となり装置が大型化してしまうのでこれを回避するためである。
【００３５】
補正演算部１０３は、帯電バイアスＶｄｃを補正する補正演算（バイアス補正処理）を行うものであり、以下の第１のバイアス補正演算及び第２のバイアス補正演算を行う。
＜第１のバイアス補正演算＞
補正演算部１０３は、第１のバイアス補正演算として、初期設定としての帯電バイアスが帯電バイアス印加部１０１により帯電ローラ４１に印加されたときに帯電電流検出部１０２により検出された帯電電流Ｉｄｃと、後述のターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）との情報を用いて、これらの比較演算を行い、これら電流値Ｉｄｃと電流値Ｉｄｃ（Ｔ）との差に補正係数ｋ（この補正係数「ｋ」については後記で説明する）を乗じてなるバイアス補正値を上記初期設定の帯電バイアスＶｄｃに加算（オン）することで新たな帯電バイアスつまり帯電バイアスが補正されてなる被補正帯電バイアスを算出する。補正演算部１０３は、この被補正帯電バイアスの情報を帯電バイアス印加部１０１へ出力する。
【００３６】
なお、本実施形態では、後述のフローチャートにも示すように、補正演算部１０３は上記演算を１回だけ繰り返す構成としているが、複数回繰り返してもよい（繰り返し回数が多いほど補正精度が高まる）。ただし、あまり繰り返し回数が多いと画像形成動作が開始されるまでの時間が長くなるため、複数回繰り返す場合では、所定の適正繰り返し回数、例えば２、３回程度の回数に設定することが望ましい。この繰り返し回数は、予め決められた値（固定値）として設定される回数であってもよいし、例えば帯電バイアスの補正による変化の度合い（例えば補正前と補正後の帯電バイアスの差）が所定レベルになれば当該繰り返し演算が打ち切られるようにすることで定まる回数であってもよい（この場合においても、繰り返し回数が多くならない程度に数回で打ち切られる回数となるような所定レベルが設定される）。
【００３７】
このような演算を複数回繰り返す場合、上記第１回目の演算に対する第２回目の演算として具体的に説明すると、第１回目の演算により得られた被補正帯電バイアスが帯電バイアス印加部１０１により帯電ローラ４１に印加されたとき帯電電流検出部１０２により検出された帯電電流Ｉｄｃを検出し、同様に、この検出した帯電電流Ｉｄｃとターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）との差に補正係数ｋを乗じてなるバイアス補正値を該被補正帯電バイアスに加算してさらに新たな帯電バイアスを算出する（この被補正帯電バイアスの情報も同様に帯電バイアス印加部１０１へ出力される）。このように補正演算部１０３は、帯電電流値（Ｉｄｃ）と比較値（Ｉｄｃ（Ｔ））とから補正値（バイアス補正値）を求め、この補正値を用いて帯電バイアスを修正して新たな帯電バイアスを設定し、この帯電バイアスを帯電バイアス印加部１０１に与えるというルーチンを所要回数繰り返す演算を行うことになる。
【００３８】
かかる繰り返し演算は、下記（１）式により算出した第ｎのバイアス補正値を第ｎの帯電バイアスに加算して第ｎ＋１の帯電バイアスを求める演算であると言うことができる。
（Ｉｄｃ（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｎ））＊ｋ・・・（１）
但し、記号「＊」は乗算（以降同様）、「ｎ」は繰り返し回数ｎ回目（ｎは自然数）、Ｉｄｃ（ｎ）は第ｎの帯電電流を示す。記号「ｋ」は上記補正係数である。
【００３９】
なお、上記初期設定としての帯電バイアスの情報は、例えば補正演算部１０３或いは帯電バイアス印加部１０１に記憶されている。また、上記補正係数ｋの情報は、例えば補正演算部１０３に記憶されている。また、上述では新たな帯電バイアスを求めるべくバイアス補正値を帯電バイアスへ“加算”するとしているが、この加算には“減算”（つまりマイナス値を加算する）の意味も含まれているものとする。実際としては帯電バイアスは低下していくため、この低下分を補うべくバイアス補正値を上昇させることになる。また、バイアス補正値を（１）式以外の式に基づいて求めてもよいし、所定の変換テーブルを用いてデータ変換等により求めてもよい。当該バイアス補正値を用いて帯電バイアスを補正する演算方法も上記加減算以外（例えば乗算や除算）であってよい。
【００４０】
＜第２のバイアス補正演算＞
補正演算部１０３は、第２のバイアス補正演算として、上記第１のバイアス補正演算後の帯電バイアスの電圧値が、帯電バイアス−帯電電流特性（Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性）における或る変曲開始電圧以上の値となった場合に、上記第１のバイアス補正演算で用いたターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の補正を行い、この補正したターゲット電流（Ｉｄｃα（Ｔ）とする）を用いて帯電バイアスを補正（再補正）する。以下にこの補正について詳述する。
【００４１】
図５は、帯電バイアスＶｄｃと帯電電流Ｉｄｃとの関係を示す上記Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性の一例であり、グラフの縦軸が帯電電流Ｉｄｃ（μＡ）、横軸が帯電バイアスＶｄｃ（Ｖ）となっている。このＶｄｃ−Ｉｄｃ特性は、感光体ドラム３（感光体）の初期膜厚によって決まる特性であり、ここでは、初期膜厚が例えば約１５μｍ又は約２０μｍであるａ−ＳｉドラムにおけるそれぞれのＶｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１、２０２について示している。同図に示すように、Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１、２０２は、帯電バイアスＶｄｃの値（電圧値）が或る値以上になってくると特性グラフが変曲（屈曲）する。換言すれば、Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１、２０２はそれぞれ符号２０３及び符号２０４で示す点（変曲点２０３、２０４という）の位置辺りからグラフの傾きが謂わば指数的に大きくなる。この変曲点２０３、２０４でのグラフが変曲を開始する電圧値（帯電バイアスＶｄｃ）を“変曲開始電圧”と表現する。なお、この変曲点の電圧値未満の電圧レベルの範囲を第１のレベルとし、この第１のレベルより高いレベルである当該変曲点以上の電圧レベルの範囲を第２のレベルとする。
【００４２】
例えば膜厚が１５μｍのａ−Ｓｉドラムを用いる場合、つまりＶｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１の場合、変曲開始電圧は約６００Ｖであり、帯電バイアスＶｄｃがこの６００Ｖ以上になると特性の傾きが変化し始める（６００Ｖまでは特性が多少変化するもののこの変化は誤差として扱える）。このように特性が変化する領域に入ると、或る大きさの帯電バイアスに対応する帯電電流値が、これまでの帯電バイアスと帯電電流との関係から推定されるものより大きな値となってくる。換言すれば、これまでターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を目標としてこの値に近づけるように設定していた帯電電流値では、該帯電電流値（ターゲット電流値）に対応して得られるはずの帯電バイアス値よりも低い帯電バイアス値となってしまう。このことから、帯電バイアスがＶｄｃ−Ｉｄｃ特性の変曲点以上（ここでは６００Ｖ以上）の値となる場合には、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値を変化させる、具体的にはターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値を高くしていく必要がある。この意味で当該変曲開始電圧は、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を変化させる（補正する）ための謂わばトリガーとなる帯電バイアス値と言える。
【００４３】
なお、上記変曲開始電圧は膜厚が大きいほど高くなる。厳密に言うとａ−Ｓｉは複数の層から構成されており、各層の層厚がそれぞれ変曲開始電圧に影響することから層の数が多いものほど変曲開始電圧が高くなる。従って、図５に示すように、膜厚が１５μｍより大きい２０μｍの場合のＶｄｃ−Ｉｄｃ特性２０２では、変曲開始電圧が６００Ｖより大きな例えば約７００Ｖとなっている。
【００４４】
上記のことを踏まえて、補正演算部１０３は、第１のバイアス補正演算後の帯電バイアス（以降、適宜、補正後帯電バイアスという）が変曲開始電圧以上となっていた場合、この帯電バイアスの大きさに応じてターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値を変化させ、この変化させたターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を用いて帯電バイアスのバイアス補正を行う。実際の動作としては、補正演算部１０３は、上記Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性の情報を用いて、第１のバイアス補正演算によって算出した帯電バイアス（例えば後述のＶｄｃ（Ｂ））が上記第１のレベルであるか第２のレベルであるかを判定し、すなわち帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）が変曲開始電圧以上（未満）の電圧値であるか否かを判定し、変曲開始電圧以上の電圧値（第２のレベル）になっている場合には、例えば以下の図６に示す変更情報を用いて、現在のターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値をこの補正後帯電バイアスに対応する帯電電流値に変更して新たなターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）を設定する。そして、このターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）に基づいて、帯電バイアスの再補正を行う。なお、この帯電バイアスの再補正とは、例えば上記（１）式における第１項のＩｄｃ（Ｔ）をＩｄｃα（Ｔ）に置き換えた式に準じた以下の（２）式からさらにバイアス補正値を算出し、このバイアス補正値を補正後帯電バイアスに加算して新たな帯電バイアスを求めるものである。
【００４５】
（Ｔｄｃα（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｍ））＊ｋ・・・（２）
但し、Ｉｄｃ（ｍ）は、第１のバイアス補正演算における第ｍ回目の繰り返し演算を行った後に得られる被補正帯電バイアスＶｄｃを印加したときに検出される帯電電流値を示す。本実施形態では、Ｉｄｃ（ｍ）は、繰り返し演算を１回（ｍ＝１）だけ実行した場合に得られた帯電バイアス（後述のＶｄｃ（Ｂ））を用いて印加したときに検出される帯電電流値（後述のＩｄｃ（Ｂ））となる。
【００４６】
図６は、補正後帯電バイアスに応じて、現在のターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を新たなターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）に変更する際に用いる、該帯電バイアスとターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）（ターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）に相当）との対応関係を有した変更情報である。この変更情報は、ここでは上記Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１を用いた場合に対応するものであり、例えば、縦軸がターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）（μＡ）、横軸が補正後帯電バイアスＶｄｃ（Ｖ）である変換特性グラフで示される。この変換特性グラフでは、補正後帯電バイアスＶｄｃに対してターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）が謂わば段階的（階段状）に増加するようになっている。補正演算部１０３は、補正後帯電バイアスＶｄｃの値が、変曲開始電圧６００Ｖ以上の値であって例えば６７０Ｖ（６５０Ｖ以上７００Ｖ未満の値）である場合には、現在の例えば８０μＡのターゲット電流値から符号３０１で示すレベルのターゲット電流値に変更される。補正後帯電バイアスＶｄｃが例えば７３０Ｖ（７００Ｖ以上７５０Ｖ未満の値）であれば、符号３０１でのレベルより高い符号３０２で示すレベルのターゲット電流値に変更される。以降同様に補正後帯電バイアスＶｄｃに応じたターゲット電流値に変更される。
【００４７】
上記図６に示す例では、補正後帯電バイアスＶｄｃの値が６００Ｖ以上であると判定されたとしても、直ちにターゲット電流値のレベルを変更せずに、６５０Ｖまでは現状のターゲット電流値８０μＡが維持される構成となっているが、６００Ｖ以上になるとつまり６００Ｖになった時点で直ちにターゲット電流値のレベルを変更する構成としてもよい。またこれに限らず、当該ターゲット電流値が変更されるそのレベルの種類数つまり変換特性グラフの段数が、図６に示す段数より多くても少なくてもよい。また、当該変更におけるターゲット電流値の増加幅又は増加率が、図６に示すように一定でもよいし、一定でない、すなわち例えば補正後帯電バイアスＶｄｃの値が大きくなるにつれてターゲット電流値の増加幅が大きくなるような構成としてもよい。また、ターゲット電流値の増加に関し、図６に示すようにデジタル的（段階的）に増加させてもよいし、アナログ的（直線的）に増加させてもよい。要は、補正後帯電バイアスＶｄｃに応じてターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を変更することが可能であれば、種々の変更情報（変換特性グラフ）が採用可能である。
【００４８】
なお、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を変更するか否かの判定に際して、上記図５に示すＶｄｃ−Ｉｄｃ特性の代わりに、図７に示すような帯電バイアスＶｄｃ（Ｖ）とドラム表面電位ＶＯ（Ｖ）との関係を示す帯電バイアス−表面電位特性（Ｖｄｃ−ＶＯ特性４０１）を用いてもよい。この場合、Ｖｄｃ−ＶＯ特性４０１において、帯電バイアスＶｄｃが、帯電バイアスＶｄｃとドラム表面電位ＶＯとの比例関係が成り立たなくなり始める、例えば６００Ｖ以上となる条件でターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の変更を行うようにしてもよい。なお、この場合、Ｖｄｃ−ＶＯ特性４０１における６００Ｖの電圧値の点が上記変曲点に相当し、また、この６００Ｖの電圧値が上記変曲開始電圧に相当する。Ｖｄｃ−ＶＯ特性４０１の場合も、この変曲点の電圧値未満の電圧値の範囲が上記第１のレベルに相当し、変曲点以上の電圧値の範囲が第２のレベルに相当する。
【００４９】
比較情報記憶部１０４は、帯電バイアスを印加したときに得られる帯電電流と比較する情報（比較値）を記憶するものである。この比較情報とは、予め測定するなどして求められた、正常な表面電位（上記＋２５０Ｖ）がドラム表面上にのっているときの、すなわちドラム表面が所要の表面電位に帯電されているときの謂わば目標値となるターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の情報である。なお、感光体はその帯電電流−帯電電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）が厳密に言えば感光体ドラムごとに異なるため、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）はマシン製造時における各プリンタの感光体ドラムそれぞれについて測定したものを記憶させることが望ましい。また、実際には、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の情報のみが記憶されているのではなく、正常な表面電位（上記＋２５０Ｖ）に帯電するための電圧値の情報もこのターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）と併せて記憶されている。
【００５０】
特性情報記憶部１０５は、上記図５に示すＶｄｃ−ＶＯ特性を記憶するものである。変更情報記憶部１０６は、上記図６に示す変更情報（変換特性）を記憶するものである。これら特性情報記憶部１０５及び変更情報記憶部１０６に記憶された情報は、補正演算部１０３により、第２のバイアス補正演算において適宜読み出されて使用される。
【００５１】
ここで、補正演算部１０３による第１のバイアス補正演算における上記補正係数「ｋ」について説明する。この補正係数ｋの値は、例えば以下の（１．１）式から導き出される数値とされる。
【００５２】
ΔＶ＝（ΔＱ＊ｄ）／（ε＊ε０＊ΔＳ）  ・・・（１．１）
但し、記号「／」は除算を示す（以降同様）。
また、ΔＶ：表面電位の変化量、ΔＱ：電荷の変化量（すなわちΔＱは電流量を示す）、ｄ：感光体厚み（感光体の膜厚）、Ｓ：帯電面積、ε：感光体の誘電率、ε０：真空の誘電率を示す。
【００５３】
また、上記（１．１）式は、以下の（１．２）式を式変形してなる（１．３）式から導かれる。
Ｑ＝Ｃ＊Ｖ＝ε＊ε０＊（Ｓ／ｄ）＊Ｖ  ・・・（１．２）
Ｖ＝（Ｑ＊ｄ）／（ε＊ε０＊Ｓ）  ・・・（１．３）
【００５４】
ここで、或る性能のプリンタ（例えば４５枚機）を例に挙げて、例えばΔＱ＝１、ｄ＝１６μｍ、Ｓ＝（２２０＊３０７）ｍｍ２、及び各誘電率を上記（１．１）式に代入すると、ΔＶ≒２となる。但し、Ｓにおける数値２２０は帯電ローラの帯電有効幅２２０ｍｍを示し、数値３０７は、当該４５枚機の線速３０７ｍｍ／ｓｅｃ（感光体の１秒間の移動距離）を示す。
【００５５】
かかる代入結果から、電流１μＡあたりで表面電位が約２Ｖ変化するということが示される。従って、上記（１）式の（Ｉｄｃ（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｎ））＊ｋを考えた場合、４５枚機においては、検出される帯電電流（Ｉｄｃ（ｎ））が例えば７５μＡであり、例えば８０μＡのターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）に比べて５μＡ低下しているとなれば（Ｉｄｃ（Ｔ）−Ｉｄｃ（ｎ）＝５μＡ）、感光体の表面電位は５＊２＝１０Ｖ低下していることになり、この１０Ｖ分を補正する必要があるということになる。
【００５６】
別の例えば３０枚機の場合には、線速が１７８ｍｍ／ｓｅｃであるが、同様に上記（１．１）式に代入すると、ΔＶ≒４となり、感光体の表面電位は５＊４＝２０Ｖ低下していることになり、この２０Ｖ分を補正する必要があるということになる。要するに、補正係数ｋは上記（１．１）式に示すΔＶであり（ｋ＝ΔＶ）、その単位は本実施形態においては（Ｖ／μＡ）であり、また、このｋは感光体の移動速度（線速）によって変化する値である。
【００５７】
図４は、本実施形態に係る帯電バイアスの補正動作の一例に関するフローチャートである。先ず、例えばユーザによる操作パネル部５０等からの指示入力により、或る印刷ジョブについての印刷開始指令がなされる（ステップＳ１）。帯電バイアス印加部１０１は、この印刷ジョブに対する実際の画像形成動作を行う前に、帯電ローラ４１に帯電バイアスＶｄｃ（Ａ）を印加し、帯電電流検出部１０２は、この帯電バイアスＶｄｃ（Ａ）が印加されているときの帯電電流Ｉｄｃ（Ａ）を検出する（ステップＳ２）。ただし、この帯電バイアスＶｄｃ（Ａ）は初期設定値としての帯電バイアスである。
【００５８】
次に、補正演算部１０３は、上記ステップＳ２において検出された帯電電流Ｉｄｃ（Ａ）と、比較情報記憶部１０４に予め記憶されているターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）とを比較する、具体的にはＩｄｃ（Ｔ）からＩｄｃ（Ａ）を減算してこれら電流値の差を求める（ステップＳ３）。そして、補正演算部１０３は、（Ｉｄｃ（Ｔ）−Ｉｄｃ（Ａ））＊ｋの式（上記（１）式のｎ＝１の場合に相当）によりバイアス補正値を算出し、この算出したバイアス補正値を上記帯電バイアスＶｄｃ（Ａ）に加算（反映）して帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）を算出し、この帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）の情報を帯電バイアス印加部１０１へ出力する（ステップＳ４）。本実施形態では、このように繰り返し演算を１回で終了し、これにより、第１のバイアス補正演算の結果としての帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）を得る。
【００５９】
次に、補正演算部１０３は、第２のバイアス補正演算として、特性情報記憶部１０５に記憶されているＶｄｃ−Ｉｄｃ特性（若しくはＶｄｃ−ＶＯ特性）の情報を読み出し、この特性情報に基づいて第１のバイアス補正演算の結果得られた補正後帯電バイアスつまり上記ステップＳ４で得られた帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）が、Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性（若しくはＶｄｃ−ＶＯ特性）の変曲点を判定境界として、第１のレベルであるか第１のレベルより高い第２のレベルであるかを判定し、すなわち、変曲開始電圧以上の電圧値であるか否かを判定し（ステップＳ５）、変曲開始電圧以上の電圧値でないと判定された場合には（ステップＳ５のＮＯ）、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の変更を行わずに（帯電バイアスの更なる補正を行わずに）後述のステップＳ８の動作へ移行する。変曲開始電圧以上の電圧値であると判定された場合には（ステップＳ５のＹＥＳ）、変更情報記憶部１０６に記憶されている変更情報を読み出し、この変更情報に基づいて現在のターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値をこの帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）に対応する新たなターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）に変更（設定）する（ステップＳ６）。そして、補正演算部１０３は、このターゲット電流Ｉｄｃα（Ｔ）を用いて、（Ｉｄｃα（Ｔ）−Ｉｄｃ（Ｂ））＊ｋの上記（２）式によりバイアス補正値を算出し、この算出したバイアス補正値を帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）に加算して新たな帯電バイアスＶｄｃ（Ｃ）を算出し、この帯電バイアスＶｄｃ（Ｃ）の情報を帯電バイアス印加部１０１へ出力する（ステップＳ７）。ただし、Ｉｄｃ（Ｂ）は、例えばこのステップＳ７において、帯電バイアス印加部１０１により帯電ローラ４１に帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）を印加し、このとき帯電電流検出部１０２により検出したものである。
【００６０】
このように、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）が得られるような帯電バイアスに近づけるように第１のバイアス補正演算によりバイアス補正され、且つ帯電ローラの劣化の影響も考慮された第２のバイアス補正演算によりバイアス補正され、実際に画像形成動作を行うための最終的な帯電バイアスの値が決定される。これにより、帯電ローラの抵抗値が変化した場合でも画像形成動作が開始されるまでのエージング時間が長くなることなく適正な帯電バイアスを出力することができ、且つ、帯電ローラの寿命後半においても適正な帯電バイアスを出力することができる。
【００６１】
この後、上記ステップＳ１における印刷ジョブに対する画像形成処理（印刷動作）が実行される（ステップＳ８）。例えばこの印刷ジョブが１００枚の印刷を行うものであり、決定された帯電バイアスがＶｄｃ（Ｃ）であるとすると、１枚から１００枚目までそれぞれこの帯電バイアスＶｄｃ（Ｃ）が帯電ローラ４１に印加され、順に印刷（画像形成）が行われる。
【００６２】
本フローチャートでは、第２のバイアス補正演算により得られた帯電バイアスＶｄｃ（Ｃ）を、ステップＳ８において印刷の１枚目から用いる構成としているが、１枚目は第１のバイアス補正演算により得られた帯電バイアスＶｄｃ（Ｂ）を用いて印刷を行い、２枚目以降に当該Ｖｄｃ（Ｃ）を反映させる構成としてもよい。要は、第１のバイアス補正演算後の帯電バイアスに応じてターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）が変更され、この変更したターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）に基づいて当該補正後帯電バイアスがさらに補正される構成であればよく、このさらに補正された帯電バイアスを実際の印刷（画像形成処理）に反映させる方法やタイミングは任意のものが採用可能である。
【００６３】
なお、図８に、本実施形態における帯電バイアス補正を行う場合と、帯電バイアス補正を行わない場合とにおける感光体ドラムの表面電位推移の一例について示す。縦軸は表面電位ＶＯ（Ｖ）を、横軸は耐久テストにおける総プリント枚数（単位：１０００（ｋ）枚）を示す。同図に示す表面電位変化特性６０１は、本実施形態における上記（１）式を用いた繰り返し演算による第１のバイアス補正演算を行った後、ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）を変化させる第２のバイアス補正演算を行う場合の表面電位推移を示しており、表面電位変化特性６０２は、第１のバイアス補正演算を行った後、第２のバイアス補正演算を行わない場合つまりターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）の値を固定した場合の表面電位推移を示している。これによれば、表面電位変化特性６０２では寿命（耐久寿命）の後半辺りから表面電位ＶＯは大きく低下するが、表面電位変化特性６０１では表面電位が略一定に維持される（良好な表面電位維持性を示す）ことが分かる。
【００６４】
以上のように本発明の画像形成装置（プリンタ１）によれば、帯電ローラ４１に帯電バイアス（Ｖｄｃ）を印加する帯電バイアス印加部１０１（バイアス印加手段）と、帯電バイアスを印加したときの帯電電流（Ｉｄｃ）を検出する帯電電流検出部１０２（電流検出手段）と、帯電バイアスの補正を行う補正演算部１０３（バイアス補正手段）と、感光体（感光体ドラム３）の表面が所要の表面電位に帯電されているときの帯電電流値であって、目標とする目標帯電電流値（ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ））を記憶する比較情報記憶部１０４（目標情報記憶手段）とを備え、補正演算部１０３により、所定の帯電バイアス（初期設定値としての帯電バイアスＶｄｃ（Ａ））が帯電バイアス印加部１０１により印加されたときに帯電電流検出部１０２により検出された帯電電流値（Ｉｄｃ（Ａ））と、比較情報記憶部１０４に記憶されている目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいて上記所定の帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｂ））を求める第１のバイアス補正演算が行われるとともに、第１のバイアス補正演算の結果得られた被補正帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｂ））が所定の第１のレベルであるか第１のレベルよりも高い第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、目標帯電電流値を被補正帯電バイアスに応じて変更し、該変更した目標帯電電流値に基づいて、該被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｃ））を求める第２のバイアス補正演算が行われる。
【００６５】
このように、所定の帯電バイアスが印加されるときの帯電電流値を目標帯電電流値とを比較し、該比較結果に基づいてこの帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第１のバイアス補正演算が行われるため（帯電バイアスを補正するべく或る条件となるまで収束演算を実行し続けるといったことなく）、帯電ローラ４１の抵抗値が変化した場合でも画像形成動作が開始されるまでの時間が長くなることなく適正な帯電バイアスを出力することができる。また、第１のレベルを、所要の帯電バイアスを得ることが可能な帯電電流と帯電バイアスとの関係が正常であるレベルとし、また第１のレベルよりも高い第２のレベルを、帯電ローラ４１の劣化等に起因して帯電電流と帯電バイアスとの関係が異常となるレベルとするなどして、被補正帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｂ））が第１のレベルであるか第２のレベルであるかを判定し、第２のレベルであると判定した場合に、目標帯電電流値を被補正帯電バイアスに応じて変更し、この変更した目標帯電電流値に基づき被補正帯電バイアスを補正して新たな帯電バイアスを求める第２のバイアス補正演算が行われるため、帯電ローラの寿命も考慮されたすなわち帯電ローラの寿命後半においても適正な帯電バイアスを出力することができる。
【００６６】
また、補正演算部１０３により、被補正帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｂ））に応じて段階的に変化するように目標帯電電流値が変更される（ターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）からＩｄｃα（Ｔ）に変更される）ので、当該目標帯電電流値の変更に際しての制御（演算）が容易となり、ひいては効率良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００６７】
また、補正演算部１０３により、被補正帯電バイアスが、特性情報記憶部１０５（特性情報記憶手段）に記憶されている帯電バイアスと帯電電流との関係を有する第１のバイアス特性（Ｖｄｃ−Ｉｄｃ特性２０１又は２０２）、若しくは帯電バイアスとドラム表面電位との関係を有する第２のバイアス特性（Ｖｄｃ−ＶＯ特性４０１）における所定の変曲点を判定境界として第１のレベルと第２のレベルとの判定が行われ、第２のレベルであると判定された場合に、被補正帯電バイアスに応じて目標帯電電流値が変更される構成であるので、すなわち、当該第１のバイアス特性若しくは第２のバイアス特性における変曲点での情報が、第１のレベルであるか第２のレベルであるかの判定に用いられるため、容易に且つ当該バイアス特性に基づき精度良く目標帯電電流値を変更するか否かの判定を行うことができ、ひいては効率良く且つ精度良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００６８】
また、補正演算部１０３により、第２のバイアス補正演算において、上記（２）式を用いて算出したバイアス補正値を被補正帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｂ））に加算して新たな帯電バイアス（Ｖｄｃ（Ｃ））を求めるようにするため、簡易な演算式を用いて効率良く第２のバイアス補正演算を行うことができる。
【００６９】
さらに、感光体ドラム３が高耐久性のａ−Ｓｉドラムとされるため、第１及び第２のバイアス補正演算によりバイアス補正を行うことと併せて、長期間に亘って良好な画像形成動作（安定性）が維持されるプリンタ１を提供することが可能となる。
【００７０】
なお、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において各種構成の追加、変更を伴うことが可能である。例えば、プリンタ１は、図１に示すようなモノクロ印刷を行う構成に限らず、カラー印刷を行う構成（カラープリンタ）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明に係る画像形成装置の内部構成を概略的に示す断面図である。
【図２】図１に示すプリンタの画像形成部を概略的に示す部分拡大図である。
【図３】図１に示すプリンタの電気的な構成の一例を示すブロック図である。
【図４】本実施形態に係る帯電バイアスの補正動作の一例に関するフローチャートである。
【図５】帯電バイアスＶｄｃと帯電電流Ｉｄｃとの関係を有するＶｄｃ−Ｉｄｃ特性の一例を示すグラフ図である。
【図６】帯電バイアスＶｄｃとターゲット電流Ｉｄｃ（Ｔ）との関係を有する変更情報（変換特性）の一例を示すグラフ図である。
【図７】帯電バイアスＶｄｃとドラム表面電位ＶＯとの関係を有するＶｄｃ−ＶＯ特性の一例を示すグラフ図である。
【図８】帯電バイアス補正を行う場合と帯電バイアス補正を行わない場合とにおける感光体ドラムの表面電位推移の一例について示すグラフ図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  プリンタ（画像形成装置）
２  画像形成部
３  感光体ドラム（感光体）
４  帯電部
４１  帯電ローラ
５  露光部
６  現像部
６１  現像ローラ
６２  トナー収納部
６３  規制ブレード
７  転写部
７０  センサ部
７１  転写ローラ
８  クリーニング部
８１  クリーニングブレード
１００  制御部
１０１  帯電バイアス印加部（バイアス印加手段）
１０２  帯電電流検出部（電流検出手段）
１０３  補正演算部（バイアス補正手段）
１０４  比較情報記憶部（目標情報記憶手段）
１０５  特性情報記憶部（特性情報記憶手段）
１０６  変更情報記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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