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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電領域を内在する基板と、
前記基板上に形成された少なくとも１層以上の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を貫通して前記導電領域と連結され、前記層間絶縁膜の最上層に前記層間絶縁膜とエッチング選択比が異なる第１スペーサにより取り囲まれた第１コンタクトと、
前記導電領域と連結され、前記第１コンタクトと共に第１方向に配列されつつ前記第１スペーサの間に埋め込まれる第２コンタクトと、を備える微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項２】
前記層間絶縁膜は、低誘電定数を有する物質であることを特徴とする請求項１に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項３】
前記第１スペーサと前記第１コンタクトとを備える第１コンタクトホールの前記第１方向の幅は、前記第２コンタクトの幅の３倍であることを特徴とする請求項１又は２に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項４】
前記第１コンタクトホール内の前記第１コンタクトの幅は、前記第１スペーサの厚さによって決定されることを特徴とする請求項３に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項５】
前記第１コンタクトホール間のピッチは、前記第１コンタクトと第２コンタクトとの間の間隔に対して２倍であることを特徴とする請求項３又は４に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項６】
前記層間絶縁膜は酸化膜であり、前記第１スペーサは窒化膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項７】
前記層間絶縁膜は窒化膜であり、前記第１スペーサは酸化膜であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項８】
前記基板と前記層間絶縁膜との間に第１エッチング停止膜をさらに備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項９】
前記第１コンタクトと前記第２コンタクトとは、交互に反復的に形成されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１０】
前記第１方向と垂直な第２方向に形成された前記第１スペーサ間の前記層間絶縁膜を貫通して前記基板と電気的に連結された第３コンタクトをさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１１】
導電領域を内在する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、相異なるサイズの第１ゲートラインの一部と第２ゲートラインとを覆う第１層間絶縁膜と、
前記第１ゲートライン間の前記第１層間絶縁膜を貫通して前記導電領域と連結され、前記第１層間絶縁膜に前記層間絶縁膜とエッチング選択比が異なる第２スペーサにより取り囲まれた第４コンタクトと、
前記第１ゲートライン間の前記第１層間絶縁膜を貫通して前記導電領域と連結され、前記第１コンタクトと共に第１方向に配列されつつ前記第２スペーサの間に埋め込まれる第５コンタクトと、を備えることを特徴とする微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１２】
前記層間絶縁膜は、低誘電定数を有する物質であることを特徴とする請求項１１に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１３】
前記第２スペーサと前記第４コンタクトとを備える第５コンタクトホールの前記第１方向の幅は、前記第５コンタクトの幅の３倍であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１４】
前記第５コンタクトホール内の前記第４コンタクトの幅は、前記第２スペーサの厚さによって決定されることを特徴とする請求項１３に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【請求項１５】
前記第５コンタクトホール間のピッチは、前記第４コンタクトと第５コンタクトとの間の間隔に対して２倍であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の微細コンタクトを備える半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板上に取り付けられる複数のメモリデバイスと、
前記支持基板上で所定の配列を有する複数のピンとを備え、
前記複数のピンは、複数の電源ピン、複数のグラウンドピン及び前記メモリデバイスに接続される複数の信号ピンから構成され、
前記複数のピンの前記所定の配列では、前記複数の信号ピンの各々は基準として、前記電源ピンではなく前記複数のグラウンドピンのうちの対応する１つを利用し、前記電源ピンと前記グラウンドピンとの間の電気抵抗を下げるために、前記複数の電源ピンの各々は前記複数のグラウンドピンのうちの対応する１つに隣接していることを特徴とするメモリモジュール。
【請求項２】
隣接する前記グラウンドピンと前記電源ピンとの間には別の介在するピンがなく、前記複数の電源ピンの各々は前記複数のグラウンドピンのうち対応する１つに隣接することを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項３】
前記メモリデバイスの各々はコア回路及び入力・出力回路を有し、
前記メモリデバイスの各々の前記コア回路及び前記入力・出力回路によって、共通の前記複数の電源ピンが共有されることを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項４】
少なくとも１つのデカップリングコンデンサをさらに備え、
前記共通の前記複数の電源ピンは、前記少なくとも１つのデカップリングコンデンサを共有することを特徴とする請求項３に記載のメモリモジュール。
【請求項５】
前記複数の信号ピンは複数のアドレスピン及び複数の制御ピンから構成され、前記複数のアドレスピン及び前記複数の制御ピンのうちの少なくともいくつかは、それぞれの冗長アドレスピン及び冗長制御ピンを伴うことを特徴とする請求項１に記載のメモリモジュール。
【請求項６】
プロセッサと、
前記プロセッサに接続されるメモリモジュールとを備え、
前記メモリモジュールは、
支持基板と、
メモリデバイスであって、各々がコア回路及び入力・出力回路を有し、前記支持基板上に取り付けられるメモリデバイスと、
複数の信号ピン、複数の電源ピン及び複数のグラウンドピンから構成され、前記支持基板上にある複数のピンとを有し、
前記電源ピンと前記グラウンドピンとの間の電気抵抗を下げるために、前記複数の電源ピンの各々は前記複数のグラウンドピンのうち対応する１つに隣接して配列され、
メモリデバイスに接続される前記複数の信号ピンの各々は、基準として前記複数のグラウンドピンのうち対応する１つを使用し、前記信号ピンは基準として、いかなる前記電源ピンよりも、前記信号ピンに使用される前記対応するグラウンドピンの近くにあることを特徴とするシステム。
【請求項７】
前記メモリモジュールは、前記複数の電源ピンよりも多くの数の前記複数のグラウンドピンを有することを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記複数の信号ピンは複数のアドレスピン及び複数の制御ピンから構成され、前記複数のアドレスピン及び前記複数の制御ピンのうちの少なくともいくつかは複数の冗長ピンであることを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
メモリモジュールの支持基板上にメモリデバイスを取り付けることと、
複数の信号ピン、複数の電源ピン及び複数のグラウンドピンを含む前記支持基板上のピンを、前記メモリデバイスに電気的に接続することと、
前記複数の信号ピンのうちの少なくともいくつかのための複数の冗長ピンを配設することと、
前記電源ピンではなく、基準として前記複数のグラウンドピンのうちの対応する１つを利用して、前記メモリデバイスに接続される前記複数の信号ピンの各々を配列することを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図１に、本発明の一実施形態に係る集光型光エネルギ収集器１００の構成を分解斜視図により示す。この図に示す収集器１００はカセグレン型でありその内部に鏡面を有している。この素子１００の主要構成部材は光学部品１１０、光電池セル１２０、一次鏡１３０及び二次鏡１４０である。光学部品１１０は透明な円盤状固体構造物であり、表層１１１、表層１１１の背面（図中の下面；前掲の第１の面）から出っ張っている大きな突出部１１２、表層１１１の前面（図中の上面；前掲の第２の面）の大部分を占める略平坦な開口面１１５、並びに表層１１１の前面中央部にあり表層１１１内方へと湾曲陥入しており突出部１１２や開口面１１５よりも小さな陥入部１１７を有している。使用素材量、重量、厚み及び光吸収を最小限に抑えるため表層１１１を可能な限り薄くしてあるので、陥入部１１７及びこれに沿って配置される二次鏡１４０の前後方向寸法は表層１１１の厚みより厚く、その先端は表層１１１を貫いて奥まで延びている。また、光電池セル１２０は例えばフォトダイオードであり、突出部１１２に取り囲まれ且つ突出部１１２の中央に位置している平坦な部分（中央部）１１３に配置されている。そして、一次鏡１３０は突出部１１２の表面沿いに、また二次鏡１４０は陥入部１１７の表面沿いに、それぞれ配置されている。一次鏡１３０及び二次鏡１４０の形状及び位置は、後により詳細に説明するように、所定方向、例えば開口面１１５に垂直で光軸Ｘと平行な方向から到来して光学部品１１０に入射した光線例えば太陽光が、開口面１１５の特定の部位を通って一次鏡１３０上の対応する部位により反射され、更に二次鏡１４０上の対応する部位により反射されて光電池セル１２０に達するよう、設計及び設定されている。二次鏡１４０から光電池セル１２０に至る光路は、何らかの反射面や屈折部材が介在する光路であってもよいし、反射や屈折を挟まない直達光路であってもよい。また、本願における前後、上下等の方向表記は相対的な位置関係を表すものであり、位置乃至方向についての絶対的な基準を指定する趣旨のものではない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の印刷テストフィーチャー及び第２の印刷フィーチャーを含む印刷テストパターンを含むフォトレジストパターンが形成された半導体ウェーハを得、
前記第１の印刷テストフィーチャーの印刷最小線幅ＣＤ１及び前記第２の印刷テストフィーチャーの印刷最小線幅ＣＤ２を決定し、
前記印刷最小線幅ＣＤ１、ＣＤ２の間の相対的なＣＤ差を決定し、
前記決定された相対的なＣＤ差に基づいてリソグラフィ工程についての最適焦点設定からの焦点誤差のサイズ及び方向を決定することを含むことを特徴とするリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項２】
焦点誤差条件を補正するため露光装備の焦点設定を自動に調整することをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項３】
前記印刷テストパターンは、焦点誤差のサイズ及び前記相対的なＣＤ差の間に線形的な関係が存在するように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項４】
焦点設定は、前記相対ＣＤ差が約０に決定されるとき、前記最適焦点設定にあるものとすることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項５】
該当される焦点−露光マトリックスデータを用いて焦点誤差及び相対的なＣＤ差の間の線形的な関係を定量化するリソグラフィ工程モデルを立てることを含むことを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項６】
前記印刷最小線幅ＣＤ１、ＣＤ２は、自動に決定されることを含むことを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項７】
半導体ウェーハを得る段階は、
半導体ウェーハ上に形成されたフォトレジスト層でフォトマスクのマスクパターンイメージを印刷する段階を含み、
前記マスクパターンは、少なくとも一つのパターンサイズが目標ＣＤと同一なように形成された第１のテストフィーチャー及び第２のテストフィーチャーを含むマスクテストパターンを含むことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項８】
前記第１のテストフィーチャー及び前記第２のテストフィーチャーは、全焦点ＣＤ特性を有する第１の印刷テストフィーチャー及び第２の印刷テストフィーチャーを形成するように製造され、
前記全焦点ＣＤ特性は、最適焦点位置についてサイズは同じで方向は反対になるように移動されたそれぞれの第１の焦点−露光曲線及び第２の焦点−露光曲線を作り出し、最適焦点位置において実質的に鏡像であることを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項９】
前記第１の印刷テストフィーチャー及び前記第２の印刷テストフィーチャーは、フィーチャーＰほど分離された長棒要素であり、
前記印刷最小線幅ＣＤ１、ＣＤ２は、前記印刷された棒フィーチャーのそれぞれの幅を測定して決定することを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項１０】
前記ピッチＰは、目標ＣＤの約１０倍又はその以上の範囲にあることを特徴とする請求項９に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項１１】
フォトマスク素子上に形成されたマスクテストパターンイメージを転写してフォトレジスト層内に前記印刷テストパターンを形成することを含むことを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【請求項１２】
前記マスクテストパターンは、ピッチＰほど分離された第１の長棒要素及び第２の長棒要素を含み、
前記第１の棒要素及び前記第２の棒要素は、目標ＣＤと同一なライン幅を有し、
前記第１の長棒要素は、９０度位相移動された光について実質的に１００％の透過率を提供することに適した内部非印刷フィーチャーを含み、
前記第２の長棒要素は、２７０度位相移動された光について実質的に１００％の透過率を提供することに適した内部非印刷フィーチャーを含むことを特徴とする請求項１から１１の何れか一項に記載のリソグラフィ工程の焦点測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に金属層を備えたセラミック基板であって、
前記金属層は、
最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
前記中間層は、
ニッケルより高い標準電極電位を有する金属であって、銀とは異なる金属からなる層であり、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄くされており、
前記銀層は、その層厚みが３〜２０μｍとされている
セラミック基板。
【請求項２】
半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
該キャビティの壁面に金属層とを備え、
該金属層は、
最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
前記中間層は、
ニッケルより高い標準電極電位を有する金属であって、銀とは異なる金属からなる層であり、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄くされており、
前記銀層は、その層厚みが３〜２０μｍとされている
セラミック基板。
【請求項３】
前記キャビティに収納される前記半導体素子が発光素子である請求項２に記載のセラミック基板。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３いずれか記載のセラミック基板であって、
前記金属層は、タングステンまたはモリブデンで構成されるメタライズ層を備え、該メタライズ層上に、前記ニッケル層と前記中間層と前記銀層とが順に配置される
セラミック基板。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４いずれか記載のセラミック基板であって、
前記金属層における前記ニッケル層と前記銀層との間に介在する前記中間層は、金を含んだ層であって、その層厚みが０．０３〜０．２０μｍとされているセラミック基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のセラミック基板は、
表面に金属層を備えたセラミック基板であって、
前記金属層は、
最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
前記中間層は、
ニッケルより高い標準電極電位を有する金属であって、銀とは異なる金属からなる層であり、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄くされており、
前記銀層は、その層厚みが３〜２０μｍとされていることを要旨としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のセラミック基板は、
半導体素子を収納するためのセラミック基板であって、
基板本体に形成され、前記半導体素子の収納用のキャビティと、
該キャビティの壁面に金属層とを備え、
該金属層は、
最外層の側に位置し銀からなる銀層と、前記セラミック基板の側に位置しニッケルからなるニッケル層と、該ニッケル層と前記銀層との間に位置する中間層とで構成され、
前記中間層は、
ニッケルより高い標準電極電位を有する金属であって、銀とは異なる金属からなる層であり、その層厚みが前記ニッケル層および前記銀層の層厚みよりも薄くされており、
前記銀層は、その層厚みが３〜２０μｍとされていることを要旨としている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶粒が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は多結晶又は非晶質を有し、前記第２の有機半導体層は単結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は非晶質を有し、前記第２の有機半導体層は多結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１の有機半導体層と前記第２の有機半導体層は、アセン系材料、チオフェン−オリゴマー系材料、フラーレン（Ｃ６０）、ペリレン及び芳香族アミン化合物から選ばれる材料をそれぞれ含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１の有機半導体層と前記第２の有機半導体層は同一の材料から形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ゲート電極と、ゲート絶縁体層と、前記ゲート絶縁体層を介して前記ゲート電極に隣接する第１の有機半導体層と、前記第１の有機半導体層に隣接する第２の有機半導体層とを有し、
前記第１の有機半導体層は単結晶を有し、前記第２の有機半導体層は前記第１の有機半導体層とは異なる材料からなる単結晶を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第１の有機半導体層の膜厚は２ｎｍ以上１０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記ゲート絶縁体層は、前記ゲート電極上に形成され、前記第１の有機半導体層は前記ゲート絶縁体層上に形成され、前記第２の有機半導体層は前記第１の有機半導体層上に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上の、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極上の一部に設けられた発光層と、
前記発光層上の第３の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に接し、かつ、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記ゲート絶縁体層上に設けられた第１の有機半導体層と、
前記第１の有機半導体層上の第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶性が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上の、第１の電極及び第２の電極と、
前記第１の電極上の一部に設けられた発光層と、
前記発光層上の第３の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に接し、かつ、少なくとも前記第１の電極と前記第２の電極との間の前記ゲート絶縁体層上に設けられた第１の有機半導体層と、
前記第１の有機半導体層上の第２の有機半導体層とを有し、
前記第２の有機半導体層は、前記第１の有機半導体層より結晶粒が大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一に記載の前記半導体装置を備えた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上部に前記絶縁基板と対向して設けられた対向基板と、
前記絶縁基板と前記対向基板の間に挟持された液晶と、を有し、
前記スイッチング素子は、前記絶縁基板上に設けられた第１の電極と、
前記絶縁基板上に前記第１の電極と接しないように選択的に設けられた画素電極と、
前記第１の電極上に接して設けられ、有機化合物及び無機化合物を含む複合材料を含む層と、
前記第２の層及び前記画素電極上に接して設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子の上部に前記絶縁基板と対向して設けられた対向基板と、
前記絶縁基板と前記対向基板の間に挟持された液晶と、を有し、
前記スイッチング素子は、前記絶縁基板上に設けられた第１の電極と、
前記絶縁基板上に前記第１の電極と接しないように選択的に設けられた画素電極と、
前記第１の電極上に接して設けられ、有機化合物及び無機化合物を含む複合材料を含む第１の層と、
前記第１の層上に接して設けられ、前記第１の層とは異なる濃度で前記有機化合物及び前記無機化合物を含む第２の複合材料を含む第２の層と、
前記第２の層及び前記画素電極上に接して設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする非線形素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記無機化合物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記無機化合物は、酸化チタン、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化銀のいずれか一種または複数種であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記有機化合物は、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、１，５−ビス（ジフェニルアミノ）ナフタレン、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミンのいずれか一種または複数種であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記有機化合物は、ホール輸送性を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の電極と前記第２の電極との間の距離は１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記絶縁基板はガラス、プラスチックまたは石英のいずれかであることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下電極、圧電体層及び上電極を備え、且つ前記圧電体層が、マンガン、ニッケル及びストロンチウムからなる群から選択される少なくとも１つの添加物を有すると共に、当該圧電体層の電気抵抗率が２０ＭΩ・ｃｍ以上であり、リーク電流が１×１０−８Ａ／ｃｍ２以下であり、抗電界が１５〜３０ｋＶ／ｃｍであり且つ残留分極強度が１０〜２５μＣ／ｃｍ２であることを特徴とする圧電素子。
【請求項２】
前記圧電体層の耐電圧が９００ｋＶ／ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の圧電素子。
【請求項３】
前記圧電体層の比誘電率が７５０〜１５００であることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電素子。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載の圧電素子と、該圧電素子によって圧力変化が加えられると共にノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項４記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子に関し、特にノズル開口から液滴を吐出させる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に用いられる圧電素子に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッドに代表される液体噴射ヘッドに限定されず、他の圧電素子においても同様に存在する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑み、耐電圧が高く耐久寿命の長い圧電素子及び液体噴射ヘッド並びに液体噴射装置を提供することを課題とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、下電極、圧電体層及び上電極を備え、且つ前記圧電体層が、マンガン、ニッケル及びストロンチウムからなる群から選択される少なくとも１つの添加物を有すると共に、当該圧電体層の電気抵抗率が２０ＭΩ・ｃｍ以上であり、リーク電流が１×１０−８Ａ／ｃｍ２以下であり、抗電界が１５〜３０ｋＶ／ｃｍであり且つ残留分極強度が１０〜２５μＣ／ｃｍ２であることを特徴とする圧電素子にある。
かかる第１の態様では、圧電体層の電気抵抗率を所定の値にすることで、耐電圧を向上することができると共に、耐久寿命を長くすることができる。
また、所定の添加物を添加することで、所望の電気抵抗率及び耐電圧の圧電素子を得ることができると共に、耐久寿命を長くして信頼性を向上することができる。
さらに、圧電体層のリーク電流を所定の値にすることで、耐久寿命を長くすることができ、信頼性を向上することができる。
また、圧電体層の抗電界及び残留分極強度を規定することで、圧電体層の結晶性がより優れたものとなり、圧電素子の変位特性及び耐久寿命がさらに向上する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の態様は、前記圧電体層の耐電圧が９００ｋＶ／ｃｍ以上であることを特徴とする第１の態様の圧電素子にある。
かかる第２の態様では、圧電体層の耐電圧を所定の値にすることで、耐久寿命を長くすることができ、信頼性を向上することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第３の態様は、前記圧電体層の比誘電率が７５０〜１５００であることを特徴とする第１又は２の態様の圧電素子にある。
かかる第３の態様では、圧電体層の結晶性が大幅に向上する。したがって、変位特性に優れると共に、耐電圧が高く耐久寿命の長い圧電素子を提供することができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様の圧電素子と、該圧電素子によって圧力変化が加えられると共にノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板とを具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第４の態様では、耐久寿命を向上して信頼性を向上した液体噴射ヘッドを得ることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第５の態様は、第４の態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第５の態様では、耐久寿命を向上して信頼性を向上した液体噴射装置を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月24日(2008.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２７】
次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極２１０２上に、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、本発明の複合材料を含む層２１０３を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：２（＝ＰＣｚＴＰＮ１：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３７】
次に、第１の電極が形成された面が下方となるように、第１の電極が形成された基板を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定した。その後真空装置内を排気し、１０−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極２２０２上に、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、本発明の複合材料を含む層２２０３を形成した。その膜厚は５０ｎｍとし、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：２（＝ＰＣｚＴＰＮ１：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４２】
さらに、電子を発生するドナー準位を有する材料を含む層２２０７上に、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、本発明の複合材料を含む層２２０８を形成した。その膜厚は２０ｎｍとし、ＰＣｚＴＰＮ１と酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は、重量比で４：２（＝ＰＣｚＴＰＮ１：酸化モリブデン）となるように調節した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、厚さ０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、厚さ０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁層と、
前記有機化合物層と前記第２の導電層との間に設けられ、厚さ０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第２の絶縁層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
請求項２において、前記第２の絶縁層は、縞状又は網状であることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項２において、前記第２の導電層表面を覆うことを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項４において、前記第２の絶縁層は、凹凸を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の絶縁層は、縞状又は網状であることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層表面を覆うことを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項７において、前記第１の絶縁層は、凹凸を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、直径０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁性粒子と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、直径０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁性粒子と、
前記有機化合物層と前記第２の導電層との間に設けられ、直径０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第２の絶縁性粒子と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第１の導電層又は前記第２の導電層に電気的に接続するダイオードを有することを特徴とする記憶素子。
【請求項１２】
請求項１又は請求項１１において、前記有機化合物層は、膜厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、電子輸送材料又はホール輸送材料からなることを特徴とする記憶素子。
【請求項１３】
第１の導電層と、
第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、厚さ０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁層と、
前記第１の導電層と電気的に接続している第１のトランジスタと、
アンテナとして機能する第３の導電層と、
前記第３の導電層に電気的に接続する第２のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
第１の基板上に設けられた第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタのソース配線又はドレイン配線のどちらか一方と電気的に接続する第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた第２の導電層と、
前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物層と、
前記第１の導電層と前記有機化合物層との間に設けられ、厚さ０．１ｎｍ以上４ｎｍ以下の第１の絶縁層と、
第２の基板上に設けられたアンテナとして機能する第３の導電層とを有し、
前記第２のトランジスタのソース配線又はドレイン配線の一方と前記第３の導電層とは、導電性粒子を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、前記第１の基板及び前記第２の基板は、ガラス基板、可撓性基板又は単結晶半導体基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記基板の上面に順次に積層された透明電極、有機発光層、及びピクセル電極を備える有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードを覆う平坦化膜と、
前記平坦化膜の上側に配置された有機薄膜トランジスタを用いて、前記有機発光ダイオードを駆動するピクセル回路と、を備えることを特徴とする底面発光型の有機発光素子。
【請求項２】
前記有機薄膜トランジスタは、そのドレイン電極が前記平坦化膜を貫通するビアホールに導電性物質が充填された層間接続部により前記有機発光ダイオードのピクセル電極と連結されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項３】
前記ピクセル電極は、金属電極であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項４】
前記有機発光ダイオードは、
前記透明電極上に垂直に設置されて発光領域を区画するバンク部を備え、前記有機発光層及びピクセル電極は、前記バンク部の内部に積層されたことを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項５】
前記ピクセル回路は、少なくとも一部が前記有機発光ダイオードの発光領域の上側に重畳されて配置されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項６】
前記ピクセル回路の上面を覆うことによって、外気との接触を遮断する保護膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子。
【請求項７】
透明基板の上面に透明電極、有機発光層、及びピクセル電極を順次に積層して有機発光ダイオードを形成する段階と、
前記有機発光ダイオードを覆う平坦化膜を形成する段階と、
前記平坦化膜の上面にゲート電極を形成し、その上にゲート絶縁層を覆った後、前記有機発光ダイオードのピクセル電極に至るまで一側をエッチングしてビアホールを形成する段階と、
ソース電極及びドレイン電極を形成するが、前記ドレイン電極が前記ビアホールを通じて前記ピクセル電極と連結されるようにする段階と、
前記ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体部を形成する段階と、を含む底面発光型の有機発光素子の製造方法。
【請求項８】
透明基板の上面に透明電極、有機発光層、及びピクセル電極を順次に積層して有機発光ダイオードを形成する段階と、
前記有機発光ダイオードを覆う平坦化膜を形成する段階と、
前記有機発光ダイオードのピクセル電極に至るまで平坦化膜の一側をエッチングしてビアホールを形成する段階と、
前記平坦化膜の上面にソース電極及びドレイン電極を形成するが、前記ドレイン電極が前記ビアホールを通じて前記ピクセル電極と連結されるようにする段階と、
前記ソース電極とドレイン電極との間に有機半導体部を形成する段階と、
前記ソース電極、ドレイン電極、及び有機半導体部の上部にゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成する段階と、を含む底面発光型の有機発光素子の製造方法。
【請求項９】
前記有機発光ダイオードを形成する段階は、
前記基板の上面全体に透明電極層を形成する段階と、
前記透明電極層の上面に発光領域を区画するバンク部を形成する段階と、
前記バンク部の内部の前記透明電極層の上面に有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層の上面にピクセル電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項１０】
透明基板と、
前記基板の上面に順次に積層された透明電極、有機発光層、及びピクセル電極を備える有機発光ダイオードと、
前記有機発光ダイオードを覆う平坦化膜と、
前記平坦化膜の上側に配置され、そのドレイン電極が前記平坦化膜を貫通するビアホールを通じて前記有機発光ダイオードのピクセル電極と連結された有機薄膜トランジスタを備え、前記有機発光ダイオードを駆動するピクセル回路と、を備えるアクティブマトリックス型の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、第１の発光物質を含む層と、第２の発光物質を含む層と、前記第１の発光物質を含む層と前記第２の発光物質を含む層との間にキャリア発生層を有し、
前記キャリア発生層は、無機化合物である導電性材料と無機化合物である絶縁性材料とを含む混合材料を含む層とを有し、
前記混合材料を含む層は、抵抗率が５×１０４〜１×１０６Ω・ｃｍであることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
請求項１において、前記混合材料を含む層は、可視光の透過率が８０〜１００％であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記絶縁性材料は、金属酸化物、金属窒化物、金属酸化窒化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記絶縁性材料は、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、酸化ガリウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化アルミニウム、窒化珪素、窒化アルミニウム、酸化窒化珪素のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記導電性材料は、透明導電膜材料であることを特徴する発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記導電性材料は、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化カドミウム、酸化ガリウムのいずれかを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する制御手段とを有する発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光素子を有する電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第１の特徴構成は、建込み用の鋼管の上端の継手と係合される継手を備えた筒状の治具本体を設け、前記治具本体を吊るための吊り用金具と、前記治具本体を筒軸芯周りに回転させるための回転用金具とを兼用化させて前記治具本体に一体に設けてあるところにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第１の特徴構成によれば、特に回転させながら杭または矢板として地中に設置される沈設施工をきわめて経済的、かつ、効率的に行うことができる。
つまり、従来は、極厚の回転用金具を各鋼管の上部側面に溶接によって取付けておく必要があったため、それだけ回転用金具の数が多くなり、回転用金具の製作と各鋼管に対する取付け作業に多大な労力とコストがかかるものであった。
ところが、外周部に回転用金具を取付けた鋼管建込み用治具を使用する本発明のものだと、鋼管の上端部に形成された継手に前記鋼管建込み用治具を係合接続させるだけで鋼管の上部側面に回転用金具を設けたのと同じ構成にでき、かつ、施工後は前記鋼管建込み用治具の係合接続を解除して繰り返し使用することが可能なため、鋼管の建込みと沈設施工に際して、あらかじめ各鋼管の上部側面に溶接によって取付けておく必要があった極厚の回転用金具を鋼管自体に設ける必要がなくなり、その数を大幅に省略することができる。
また、鋼管建込み用治具は、鋼管の上端部に形成された継手と係合接続可能で、かつ、その外周部に回転用金具を取付け可能な長さがあれば良いため、鋼管建込み用治具における杭軸芯方向の長さを短く形成することができる。そのため、前記鋼管建込み用治具を長い鋼管に対して使用したとしても、鋼管全体としてさほど長くなることなく鋼管の上端側面に回転用金具を設けたのと同じ構成にすることができる。
その結果、鋼管の長さに関係なく利用することができ、大幅なコストダウンが図れると共に、沈設施工の作業性を向上させることができる鋼管建込み用治具を提供できるようになった。
また、鋼管建込み用治具を鋼管の上端部に形成された継手に嵌合接続させようとした場合、鋼管軸芯方向への近接移動により両者を嵌合させる必要があるため、鋼管建込み用治具を移動可能に支持する必要がある。そのため、鋼管建込み用治具に吊り用金具を設ける必要が生じるが、本発明のものだと、回転用金具と吊り用金具とを兼用化させるから、別途吊り用金具を設けることなく鋼管建込み用治具を移動可能に吊り支持することができる。
その結果、兼用化によって、部材点数を減らすことができ、別途吊り用金具を設けるものに比して、取付けの手間及び部材コストを低減することができるようになった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第２の特徴構成は、前記鋼管と前記治具本体との継手間に介在して前記治具本体から前記鋼管に筒軸芯周りの回転力を伝達する回転抑えキーを嵌め込み自在なキースリットを、治具本体に形成してあるところにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の特徴構成によれば、本発明の第１の特徴構成による上述の作用効果を叶えることができるのに加えて、キースリット内に回転抑えキーを嵌め込むことができ、それによって、筒体側から鋼管側に回転力が伝えられるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第３の特徴構成は、上端部に継手と吊込み用金具がそれぞれ突設され、杭または矢板として設置される鋼管の上端部に、第１又は第２の特徴構成の鋼管建込み用治具の前記吊り用金具を吊って双方の継手を嵌合させて取付け、次に前記鋼管の吊込み用金具を利用して鋼管建込み用治具とともに鋼管を吊り上げて建て込み、次に回転用金具を杭施工機の回転用キャップに嵌合させ、次に回転用キャップで鋼管を必要に応じて回転させながら地中に沈設するところにある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第３の特徴構成によれば、特に回転させながら杭または矢板として地中に設置される鋼管の建込みと沈設施工をきわめて経済的、かつ、効率的に行うことができる。
つまり、外周部に回転用金具を取付けた鋼管建込み用治具を使用する本発明のものだと、鋼管の上端部に形成された継手に前記鋼管建込み用治具を嵌合接続させるだけで鋼管の上部側面に回転用金具を設けたものと同じ構成にでき、かつ、施工後は前記鋼管建込み用治具を繰り返し使用することが可能なため、鋼管の沈設施工に際して、あらかじめ各鋼管の上部側面に溶接によって取付けておく必要があった極厚の回転用金具の係合接続を解除して鋼管自体に設ける必要がなくなり、その数を大幅に省略することができると共に、吊込み用金具を利用して鋼管建込み用治具とともに鋼管を吊り上げて建込むことができる。
鋼管建込み用治具の雌継手を鋼管の上端部に設けた雄継手に嵌合接続させることによって、雄継手が外に露出しないように保護できるから、回転用キャップを回転用金具に嵌合させようとしたときに、雄継手が邪魔になったり、接触して雄継手を損傷してしまうといったことを防止できる。
その結果、鋼管の建て込みと回転による沈設施工の作業性を向上できると共に、大幅なコストダウンを図ることができる鋼管沈設方法を提供できるようになった。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
回転用金具６は筒体２の外周部に溶接することにより１組ないし複数組、突設されている。また、回転用金具６には鋼管建込み用治具（以下「治具１４」という）を吊る際の吊り用金具を兼ねるように、吊りワイヤー等を通すための貫通孔６ａが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  編み込まれてニットループ（１５）を形成する編経糸（１１）と、ニットループを形成することなく複数列のウェール間（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ………）を移動して編み込まれて編経糸（１１）のニットループ（１５）に係止される挿入糸（１２）との少なくとも２種類の糸条によって編成されており、
（ｂ）  挿入糸（１２）には、１５％伸長後の弾性回復率が９０％以上の弾性糸が使用されており、
（ｃ）  編成長さ方向（Ｙ）の単位長さ当りに挿入糸（１２）が編幅方向（Ｘ）に移動して編み込まれるコース（１３）の数として示される挿入糸編込密度（Ｐ）と、挿入糸（１２）が編み込まれるコース（１３）において編幅方向（Ｘ）に移動するウェール列の数（Ｌ）との積（Ｐ×Ｌ）で示される挿入糸編込量（Ｒ）が編成長さ方向（Ｙ）において変化しており、
（ｄ）  編幅方向（Ｘ）における１０％伸長時の伸長応力が、その挿入糸編込量（Ｒ）に応じて編成長さ方向（Ｙ）において変化している部分異硬度弾性経編地。
【請求項２】
前掲請求項１に記載の部分異硬度弾性経編地（１６）が、身体支持装置品のフレームの向き合う支桿（２３）と支桿（２３）の間に張設されて、身体支持装置品の身体を支えるクッション面を構成している身体支持装置品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る部分異硬度弾性経編地は、（ａ）  編み込まれてニットループ１５を形成する編経糸１１と、ニットループを形成することなく複数列のウェール間１４ａ、１４ｂ、１４ｃ………を移動して編み込まれて編経糸１１のニットループ１５に係止される挿入糸１２との少なくとも２種類の糸条によって編成されており、
（ｂ）  挿入糸１２には、１５％伸長後の弾性回復率が９０％以上の弾性糸が使用されており、
（ｃ）  編成長さ方向Ｙの単位長さ（２５．４ｍｍ）当りに挿入糸１２が編幅方向Ｘに移動して編み込まれるコース１３の数として示される挿入糸編込密度Ｐ（単位：コース数／２５．４ｍｍ）と、挿入糸１２が編み込まれるコース１３において編幅方向Ｘに移動する距離Ｌに応じたウェール列の数Ｌ（単位：ウェール数）との積（Ｐ×Ｌ）で示される挿入糸編込量Ｒが編成長さ方向Ｙにおいて変化しており、
（ｄ）  編幅方向Ｘにおける１０％伸長時の伸長応力が、その挿入糸編込量Ｒに応じて編成長さ方向Ｙにおいて変化していることを特徴とする。
本発明に係る身体支持装置品は、上記の特徴を有する部分異硬度弾性経編地１６が、身体支持装置品のフレームの向き合う支桿２３と支桿２３の間に張設されて、身体支持装置品の身体を支えるクッション面を構成していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
従って、本発明によると、挿入糸編込密度Ｐと挿入糸の移動ウェール数Ｌとの積（Ｐ×Ｌ）として示される挿入糸編込量Ｒを変えて、編幅方向Ｘでの１０％伸長時の伸長応力が編成長さ方向Ｙにおいて部分的に異なる身体支持用部分異硬度弾性経編地１６を得ることが出来、この一枚の部分異硬度弾性経編地１６を身体支持装置品のフレームの向き合う支桿２３と支桿２３の間に、その編幅方向Ｘを支桿２３と支桿２３の向き合う方向に向け、身体支持装置品の背凭れ部２１から腰載せ部２２まで連続させて張設することで、身体を支えるクッション面における経編地１６の編幅方向Ｘでの１０％伸長時の伸長応力が、背凭れ部２１の椎骨対応部分２４の前後において徐々に増減し、或いは又、腰載せ部２２の仙骨対応部分２５においては仙骨対応部分２５から腰載せ部２２の前端縁部分である太股対応部分２６にかけて徐々に増減して、座り心地は極めて快適な座椅子や椅子等の身体支持装置品を得ることが出来る。