【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】異方導電接着剤
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方導電接着剤、特に電極間の幅が広いバンプ付ＩＣチップ等の実装に適し
た異方導電接着剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報端末機器を中心として、高機能化、軽量化、薄型化、小型化の市場ニーズが
高まっているのに伴い、ベアチップを直接的にプリント配線板その他の基板に実装する方
法が種々検討されている。
【０００３】
その一つとして、熱硬化型接着剤中に導電性粒子を分散した異方導電接着剤をフィルム
状に成形した異方導電フィルム（ＡＣＦ）や、異方導電接着剤を液状に調製した異方導電
ぺースト（ＡＣＰ）を用いる方法がある。このうちフィルム状の異方導電接着剤の製品形
態は、通常、図４（ａ）、（ｂ）に示した異方導電接着剤１のように、ベースフィルム２
上に異方導電膜４をベタで積層し、それをリールに巻いたものとなっている。ここで、図
４（ａ）は従来の異方導電接着剤の平面図であり、図４（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った断面図
である。
【０００４】
図５（ａ）、（ｂ）は上記の異方導電接着剤１を用いたＩＣチップの実装状態を示す断面図である。異方導電膜４は絶縁性樹脂中に導電性粒子を含む（図示せず）。ＩＣチップ２０にはバンプ２２が形成され、ガラス基板３０上には電極３２が形成されている。
ＩＣチップを実装する際、図５（ａ）に示すように、異方導電膜４をガラス基板３０上
の電極３２に貼付する。この際、ＩＣチップ２０のバンプ２２が、ガラス基板３０上の電
極３２に対応するように位置合わせをして仮固定する。この後、加熱圧着を行い、ＩＣチ
ップ２０をガラス基板３０に実装する（図５（ｂ））。
加熱圧着するとき、異方導電膜４の樹脂は図５（ａ）の矢印が示す方向に流動し、一部
はＩＣチップ２０の内側を充填し、ＩＣチップ２０がガラス基板３０に接着される。また
、このときバンプ２２と電極３２の間にある樹脂は排除され、異方導電膜４中の導電性粒
子がバンプ２２と電極３２の間で捕捉される。これによりバンプ２２と電極３２の間で導
通が確保される。
【０００５】
しかし、図５（ａ）に示すように、従来の異方導電膜４では加熱圧着したときに樹脂の
流動方向が、ＩＣチップ２０の外側に限られる。そのため、特にオニウム塩−エポキシ硬
化系のような反応速度（硬化速度）の速い系では、バンプ２２と電極３２の間に介在する
樹脂を十分に排除できないまま硬化が進行する。その結果、異方導電膜４中の導電性粒子
をバンプ２２と電極３２の間でうまく捕捉できないという現象が、特に電極間の幅が広い
ＩＣチップを実装するときに生じていた。そのため、加熱圧着後（図５（ｂ））、バンプ
２２と電極３２の間における導通信頼性が十分に得られないという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、接続する電極間の導通信頼性が高い異方導電接着剤を提供することを目的と
する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、次の異方導電接着剤が提供される。
１．ベースフィルムと、前記ベースフィルム上に、絶縁性接着剤中に導電性粒子を分散してなる異方導電膜を積層してなり、前記異方導電膜に、長手方向に延びるスペースを形成した異方導電接着剤。
２．前記スペースを、前記異方導電膜の幅方向ほぼ中央において長手方向に延びるようにした異方導電接着剤。
３．前記スペースを、長手方向に延びる一つのスペースとした異方導電接着剤。
４．バンプ付ＩＣチップ接続用である異方導電接着剤。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、接続する電極間の導通信頼性が高い異方導電接着剤を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）は本発明の異方導電接着剤の一実施形態の平面図であり、（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図２】（ａ）は本発明の異方導電接着剤を用いてＩＣチップを仮固定した時の断面図であり、（ｂ）はＩＣチップを圧着した後の断面図である。
【図３】（ａ）は、本発明の異方導電接着剤の製造方法において、膜に切れ込みを入れた異方導電膜の断面図であり、（ｂ）は膜の中央部を取り除いた異方導電膜の断面図である。
【図４】（ａ）は従来の異方導電接着剤の平面図であり、（ｂ）は線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【図５】（ａ）は従来の異方導電接着剤を用いてＩＣチップを仮固定した時の断面図であり、（ｂ）はＩＣチップを圧着した後の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の異方導電接着剤を、図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、各図中、同
一符号は同一又は同等の構成要素を表している。
図１（ａ）は本発明の異方導電接着剤の一実施形態を示す平面図、図１（ｂ）は図１（
ａ）の線Ａ−Ａに沿った断面図である。
【００１１】
異方導電接着剤１０は、ベースフィルム１２に異方導電膜１４が積層されている。
異方導電膜１４の幅の中央に、連続して１つのスペース１６が延びている。スペース１６は、異方導電膜の幅のほぼ中央に、長手方向に沿って延びている。
【００１２】
図２（ａ）は上記の異方導電接着剤１０を用いて、ＩＣチップ２０をガラス基板３０に
仮固定した時の断面図を、図２（ｂ）はＩＣチップ２０をガラス基板３０に圧着した後の
断面図を示す。
スペース１６は、接続対象となるバンプ２２間の幅に合わせて空いている。従って、図
２（ａ）に示すように、ＩＣチップ２０を仮固定した時には空隙（樹脂が存在しない部分
）がＩＣチップ２０直下に存在する。この空隙の存在により加熱圧着時に異方導電膜１４
の樹脂の流動が、図２（ａ）に示すように、ＩＣチップ２０の外側のみならず内側にも生
じるため、速やかにＩＣチップ２０の内側に異方導電膜１４の樹脂が充填され、ＩＣチッ
プ２０と基板３０の接着が確保される。
また、流動の方向が増えたことにより、バンプ２２と電極３２の間にある異方導電膜１
４の樹脂を効率よく排除できる。これにより余分な異方導電膜１４の樹脂の流動による干
渉が抑えられ、異方導電膜１４の導電性粒子がバンプ２２と電極３２の間に捕捉されやすくなる。従って、バンプ２２と電極３２の導通信頼性が向上する。
本発明の異方導電接着剤は、上記のように加熱圧着時に排除すべき異方導電膜の樹脂の
排除性がよい。従って、特にバンプ間の幅が広いＩＣやバンプが密集している高精細対応
のＩＣの導通信頼性に効果を発揮する。
【００１３】
ここで、ベースフィルム１２としては、異方導電膜１４のキャリアテープとして機能し
、異方導電膜１４の基板への転着を阻害しない限り、その形成材料や厚み等に特に制限は
ない。例えば、ポリテトラフルオロエチレン、剥離処理が施されたポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）フィルム等を使用することができる。
【００１４】
異方導電膜１４は、絶縁性接着剤中に導電性粒子を分散させたものであるが、絶縁性接
着剤や導電性粒子それ自体は、公知の異方導電膜と同様とすることができる。
例えば、絶縁性接着剤としては、種々の熱硬化性接着剤や熱可塑性接着剤を使用するこ
とができる。ＩＣチップ実装後の信頼性の点からは、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、
アクリレート系樹脂、ＢＴレジン樹脂等の熱硬化性接着剤を使用することが好ましい。尚
、これら樹脂成分から絶縁性接着剤を調製する場合に、単一種の樹脂成分を使用してもよ
く、複数種を混合して使用してもよい。
【００１５】
一方、導電性粒子としては、例えば、Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｕ又はこれらの合金等からなる金
属粉、球状樹脂粒子の表面に金属メッキを施したもの等、電気的良導体からなる粒子を種
々使用することができる。このような電気的良導体からなる粒子上に絶縁被膜を形成した
粒子も使用することができる。また、導電性粒子の粒径は、０．２〜２０μｍとすること
が好ましい。
以上の絶縁性接着剤と導電性粒子とを常法に従って混合することにより異方導電膜用組
成物を調製できる。
【００１６】
次に、本発明の異方導電接着剤の製造方法について説明する。
例えば、異方導電膜組成物をベースフィルム１２上で成膜した後、図３（ａ）のように異方導電膜１４のみハーフカットの要領で切れ込みをいれ、中央の異方導電膜１４を巻き取り除くことにより、図３（ｂ）のように長手方向に沿って連続して延びるスペース１６を形成する。
また、組成物をスクリーン印刷等でベースフィルム上に所定のパターンに印刷することにより、本発明の異方導電接着剤を得ることができる。
【００１７】
尚、本実施形態の異方導電接着剤１０は、連続する１つのスペース１６が設けられているが、接続する電極／バンプの位置や数に合わせて複数並設してもよい。また、本実施形態ではスペース１６は異方導電膜１４の幅のほぼ中央にあるが、スペース１６をいずれか
の端に寄せてもよい。
【００１８】
本発明の異方導電接着剤は、バンプ付ＩＣチップ等の電子部品を基板に実装する際の接
着剤として好適に利用されるが、この用途に限定するものではない。
【実施例】
【００１９】
実施例
異方導電接着剤ＡＣ−８６２４ＡＹ（３μｍ粒子、４８Ｋ個品）に、幅方向の中心に０
．５ｍｍのスペースができるように、長手方向に２箇所カッターで異方導電膜に切れ込み
を入れ、中央の異方導電膜を粘着剤ロールで巻き取り除いた。
上記の処理をした異方導電接着剤を用いて、ＣＯＧ用のプロセス評価用素子（ＴＥＧ、
チップサイズ：１．７ｍｍ×１７．２ｍｍ×０．５ｍｍｔ、バンプサイズ：５０μｍ×
５０μｍ）のガラス基板への実装を行った。
次に、圧着後のバンプ−電極間（バンプ数１１１）の導電性粒子の捕捉個数について電
子顕微鏡を用いて測定を行い、各バンプにおける導電性粒子の捕捉個数より平均の捕捉個
数を評価した。
この結果、平均捕捉個数は２９．５個であった。
【００２０】
比較例
異方導電接着剤ＡＣ−８６２４ＡＹをそのまま用い、実施例と同様にＴＥＧのガラス基
板への実装を行った。
次に、実施例と同様の方法で、導電性粒子の平均捕捉個数を評価した。
この結果、平均捕捉個数は２６．８個であった。
【００２１】
以上より、本実施例の異方導電接着剤はバンプ下の導電性粒子の捕捉数を向上させるこ
とができた。
【産業上の利用可能性】
【００２２】
本発明の異方導電接着剤は、電気・電子用の異方導電接着剤として幅広く使用できる。
【符号の説明】
【００２３】
１０  異方導電接着剤
１２  ベースフィルム
１４  異方導電膜
１６  スペース
２０  ＩＣチップ
２２  バンプ
３０  ガラス基板
３２  電極
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルムと、
前記ベースフィルム上に、絶縁性接着剤中に導電性粒子を分散してなる異方導電膜を積層してなり、
前記異方導電膜に、長手方向に延びるスペースを形成したことを特徴とする異方導電接着剤。
【請求項２】
前記スペースを、前記異方導電膜の幅方向ほぼ中央において長手方向に延びるようにした請求項1記載の異方導電接着剤。
【請求項３】
前記スペースを、長手方向に延びる一つのスペースとした請求項１又は２記載の異方導電接着剤。
【請求項４】
バンプ付ＩＣチップ接続用である請求項１〜３のいずれかに記載の異方導電接着剤。