Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号線駆動回路と、走査線駆動回路と、画素部と、を有する表示装置であって、
前記画素部は、走査線および信号線に対応して複数の画素がマトリクスに配置され、
前記信号線駆動回路は、シフトレジスタ回路と、ラッチ回路と、切り替え回路と、を有し、
前記切り替え回路は、インバータと、アナログスイッチと、トランジスタと、を有し、
前記アナログスイッチには、制御信号および前記インバータを介して反転した制御信号が入力され、
前記トランジスタのゲートには前記インバータを介して反転した制御信号が入力され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記信号線と電気的に接続され、
前記トランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記画素が非表示となる電位が印加された配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記制御信号がＬレベルのとき、前記アナログスイッチがオンとなり、かつ、前記トランジスタがオフとなることによって、前記信号線には、前記ラッチ回路から、前記アナログスイッチを介してビデオ信号が入力され、
前記制御信号がＨレベルのとき、前記アナログスイッチがオフとなり、かつ、前記トランジスタがオンとなることによって、前記信号線は前記配線と導通し、前記画素が非表示となる電位が前記信号線に印加されることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記画素部における、ｉ行目乃至ｊ行目の前記画素を非表示とする表示装置であって、
前記ｉ行目の画素のビデオ信号が前記ラッチ回路に入力されている間から、前記ｉ行目の画素のビデオ信号を前記ラッチ回路に保持し終わった直後までの間に、前記制御信号が前記Ｌレベルから前記Ｈレベルに変更され、
ｊ＋１行目の画素のビデオ信号を前記ラッチ回路に保持し終わった直後から、ｊ＋２行目の画素のビデオ信号が前記ラッチ回路に入力されるまでの間に、前記制御信号が前記Ｈレベルから前記Ｌレベルに変更されることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記制御信号が前記Ｈレベルのとき、前記シフトレジスタ回路へのクロック信号およびクロック反転信号の入力を停止することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フェノール系重合体を含むバインダ樹脂１０〜７０重量％と、
光酸発生剤０．５〜１０重量％と、
架橋結合剤１〜２０重量％と、
染料０．１〜５重量％と、
溶媒１０〜８０重量％とを含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。
【請求項２】
前記バインダ樹脂は、ノボラック樹脂を含む請求項１記載のフォトレジスト組成物。
【請求項３】
前記ノボラック樹脂は、下記の化学式（１）
【化１】
2007058216.tif 000001
（式中、Ｒは炭素数１〜５のアルキル基である。）
で示される化合物を反復単位として有する請求項２記載のフォトレジスト組成物。
【請求項４】
前記ノボラック樹脂は、ポリヒドロキシスチレン換算重量平均分子量が３０００〜２００００である請求項２又は３に記載のフォトレジスト組成物。
【請求項５】
前記光酸発生剤は、露光時に酸を発生させる請求項１〜４のいずれか１つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項６】
前記光酸発生剤は、ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ジアゾスルホニル化合物、スルホニルオキシイミド、ニトロベンジルスルホン酸エステル、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホン酸、ジフェニルヨードニウムノナフルオロブタンスルホン酸、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホン酸、トリアジン、オキサゾール、オキサジアゾール、ティアゾール、フェノール系スルホン酸エステル、ビス−スルホニルメタン、ビス−スルホニルジアゾメタン、トリフェニルスルホニウムトリス（トリフルロメチルスルホニル）メタイド、ジフェニルヨードニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド及びこれらの同属体からなる群より選択された少なくとも一種の化合物を含む請求項５記載のフォトレジスト組成物。
【請求項７】
前記架橋結合剤は、ウレア系化合物、メラミン系化合物及びグリコールウレア系からなる群より選択された少なくとも一種の化合物を含む請求項１〜６のいずれか１つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項８】
前記架橋結合剤は、ヘキサ（メトキシメチル）メラミンオリゴマを含む請求項１〜７のいずれか１つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項９】
前記染料は、アゾ系染料、トリフェニルメタン系染料、アントラキノン系染料、アントラピリドン系染料、ベンジリデン系染料、オキソノール系染料、シアニン系染料、フェノティアジン系染料、ピロルピラゾールアゾメチン系染料、キサンテン系染料、プタロシアニン系染料、ベンゾピラン系染料及びインディゴ系染料からなる群より選択された少なくとも一種の染料を含む請求項１〜８のいずれか１つに記載のフォトレジスト組成物。
【請求項１０】
基板上に第１金属層を形成し、フォトリソグラフィ工程によってゲート電極パターンを形成する工程と、
前記ゲート電極パターン上に絶縁層、半導体層、第２金属層、及びフォトリソグラフィ層を順次積層する工程と、
前記フォトレジスト層にスリット露光部を含むマスクを配置し、前記フォトレジスト層を露光する工程と、
前記フォトレジスト層の非露光領域及びスリット露光領域を現像し、露出された第２金属層及び半導体層をエッチングする工程と、
残留フォトレジスト層を１次ストリッピングして第２金属層の一部を露出させる工程と、
前記露出された第２金属層をエッチングして前記半導体層上にソース−ドレイン電極パターンを形成する工程と、
前記ソース電極とドレイン電極との間に露出された半導体層の一部をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト層を２次ストリッピングして前記フォトレジスト層を基板から完全除去する工程とを含む薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに隣接するゲートラインと互いに隣接するデータラインによって画定される各領域に第１時点に充電される第１画素部及び前記第１時点より遅い第２の時点に充電される第２画素部を有する液晶パネルと、
データ信号を前記液晶パネルに送信するデータ駆動部と、
前記第１の時点に充電される第１画素部に第１ゲート信号を印加し、第２の時点に充電される第２画素部に前記第１ゲート信号とは特性の異なる第２ゲート信号を印加するゲート駆動部と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記データ駆動部は、前記第１画素部に第１データ信号を印加し、前記第２画素部に前記第１データ信号と反対の極性を有する第２データ信号を印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１ゲート信号の振幅は、前記第２ゲート信号の振幅よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１ゲート信号のパルス幅は、前記第２ゲート信号のパルス幅よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記データ駆動部は、前記第１画素部に第１データ信号を印加し、前記第２画素部に前記第１データ信号と同一の極性を有する第２データ信号を印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１画素部は第１スイッチング素子と前記第１スイッチング素子に電気的に連結された第１液晶キャパシタと、を含み、
前記第２画素部は第２スイッチング素子と前記第２スイッチング素子に電気的に連結された第２液晶キャパシタと、を含み、
前記第１液晶キャパシタ及び第２液晶キャパシタは、ストレージキャパシタに共通して連結されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記ゲート駆動部は、
第１ゲートオン電圧に応答して前記第１画素部に電気的に連結されたゲートラインに第１レベルの第１ゲート信号を出力する第１ゲート駆動部と、
第２ゲートオン電圧に応答して前記第２画素部に第２レベルの第２ゲート信号を出力する第２ゲート駆動部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１ゲート駆動部と第２ゲート駆動部は、互いに異なる垂直開始信号によって起動されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記ゲート駆動部は、
第１出力イネーブル信号に応答して前記第１画素部に電気的に連結されたゲートラインに第１パルス幅の第１ゲート信号を出力する第１ゲート駆動部と、
第２出力イネーブル信号に応答して前記第２画素部に電気的に連結されたゲートラインに第２パルス幅の第２ゲート信号を出力する第２ゲート駆動部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１画素部の第１充電量と前記第２画素部の第２充電量とは、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関し、より詳細には表示特性を向上させるための液晶表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
以上のような本発明に係る液晶表示装置によれば、データラインの半減構造において充電量の変化を減少させることができる。この結果、フリッカー現象を除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列された、第１及び第２サブ画素を含む複数の画素、
前記第１サブ画素に接続された、第１ゲートオン電圧を伝達する複数の第１ゲート線、
前記第２サブ画素に接続された、第２ゲートオン電圧を伝達する複数の第２ゲート線、及び
前記第１及び第２サブ画素に接続された、第１及び第２データ電圧を伝達する複数のデータ線
を含み、
前記各画素の第１及び第２サブ画素に各々印加される前記第１及び第２データ電圧は一つの映像情報から得られ、前記第１データ電圧は前記第２データ電圧より低くなく、
前記第１データ電圧を前記第１サブ画素に印加する前に前記第２データ電圧を前記データ線にプリチャージすることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第２データ電圧を前記データ線にプリチャージする前にインパルスデータ電圧を前記データ線に印加することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２データ電圧のプリチャージは少なくとも２水平周期ごとに行われることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２データ電圧のプリチャージは、前記インパルスデータ電圧が印加された水平周期のブランク区間から開始することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記インパルスデータ電圧は前記データ線を互いに接続して得られることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記インパルスデータ電圧が前記データ線に印加されれば、複数の画素行の第１及び第２ゲート線に前記第１及び第２ゲートオン電圧を同時に各々印加することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１ゲートオン電圧の印加時間と前記第２ゲートオン電圧の印加時間とは少なくとも一部分が重畳することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１ゲートオン電圧の印加時間は前記第２ゲートオン電圧の印加時間より短いことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
互いに異なる第１及び第２階調電圧集合を生成し、前記映像情報に該当する階調電圧を前記第１及び第２階調電圧集合から各々選択して、前記第１及び第２データ電圧として前記第１及び第２サブ画素に各々印加することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１のＭ個（Ｍは自然数）の画素行の第１及び第２サブ画素に前記第１のＭ個の画素行の第１及び第２データ電圧を交互に順次に各々印加した後、第２のＭ個の画素行の第１及び第２サブ画素にインパルスデータ電圧を同時に印加することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高解像度部と低解像度部とを含んでなる表示部と、
前記表示部を取り囲んだ周辺部と、
前記周辺部に形成され前記高解像度部に第１ゲート信号を提供する駆動回路部と、
前記周辺部に実装され前記低解像度部に第２ゲート信号を提供する駆動チップと、
を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項２】
完全駆動モードと待機モードで駆動されるＴＦＴアレイ基板として、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、前記完全駆動モードで駆動する際に動作する主表示部と、
前記ベース基板上に形成され、前記待機モードで駆動する際に動作する副表示部と、
前記ベース基板に直接形成され前記主表示部に第１ゲート信号を提供する駆動回路部と、
前記ベース基板に実装され前記副表示部に第２ゲート信号を提供する駆動チップと、
を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項３】
表示部と、前記表示部を取り囲んだ周辺部とからなるＴＦＴアレイ基板であって、
前記表示部は複数の領域に分割され、
前記複数の領域に分割された表示部のうちいずれか１つの領域に第１ゲート信号を提供するように前記周辺部の前記ＴＦＴアレイ基板上に直接形成された駆動回路部を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項４】
それぞれ第１及び第２画像を表示するための第１表示部及び第２表示部を含む表示部が形成された基板と、
前記第１表示部に第１ゲート信号を提供する駆動チップと、
前記第１及び第２表示部の一側面の少なくとも一部分に沿って形成され前記駆動チップからの前記第１ゲート信号を前記第１表示部に伝達する信号配線と、
前記表示部の他側面の少なくとも一部分に沿って形成され前記第２表示部に第２ゲート信号を提供する駆動回路部と、
を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項５】
第１表示部と第２表示部に区画された表示部と、
前記表示部を取り囲んだ周辺部と、
前記第１表示部と隣接した前記周辺部に形成され前記第１表示部に第１ゲート信号を提供する第１駆動回路部と、
第２表示部と隣接した前記周辺部に形成され、前記第２表示部に第２ゲート信号を提供する第２駆動回路部と、
を含むことを特徴とするＴＦＴアレイ基板。
【請求項６】
複数のゲート配線及びデータ配線によってマトリックス形態に配列され定義される複数の画素部と、前記各画素部に前記ゲート配線及びデータ配線から延長され形成された薄膜トランジスタとを含むＴＦＴアレイ基板と、
前記ＴＦＴアレイ基板に対向して結合される対向基板と、
前記ＴＦＴアレイ基板と前記対向基板との間に介在された液晶からなる液晶表示パネルと、を含む液晶表示装置として、
前記ＴＦＴアレイ基板は複数の領域に分割される表示部と、前記表示部を取り囲んだ周辺部と、前記周辺部に形成され前記複数の表示部のうち少なくとも１つの表示部に第１ゲート信号を提供し前記ＴＦＴアレイ基板に直接形成された駆動回路部と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
表示部、及び前記表示部を取り囲んだ周辺部に区画され前記表示部にゲート信号を提供する複数の駆動回路部が前記周辺部に形成されたＴＦＴアレイ基板と、前記アレイ基板と対向して結合される対向基板と、前記２つの基板の間に介在する液晶層とを具備した液晶表示パネルと、
前記駆動回路部にゲート駆動信号をそれぞれ提供する駆動チップと、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記駆動回路部は、非晶質シリコン薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１〜５のいずいれかに記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項９】
前記ＴＦＴアレイ基板は、前記表示部の一側面の少なくとも何れかの一部分に沿って形成されて、前記駆動チップからのゲート駆動信号を前記低解像度部に伝達する信号配線をさらに含み、
前記駆動回路部は、前記表示部の他の側面の少なくとも１部分に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板。
【請求項１０】
前記低解像度部は、前記高解像度部より面積が広いことを特徴とする請求項１に記載のＴＦＴアレイ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層と第２の絶縁層が接するように、前記第１の絶縁層上に、前記第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離し、
前記第２の絶縁層上に、異方性導電層またはバンプと、アンテナとして機能する第２の導電層とが設けられた第３の基板を配置することにより、前記異方性導電層または前記バンプを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層と第２の絶縁層が接するように、前記第１の絶縁層上に、前記第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離し、
レーザ光を照射して、前記剥離層が露出するような開口部を形成し、
前記第２の絶縁層上に、異方性導電層またはバンプと、アンテナとして機能する第２の導電層とが設けられた第３の基板を配置することにより、前記異方性導電層または前記バンプを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層が電気的に接続され、
前記第３の基板を用いて、前記第１の基板から前記トランジスタを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁層と第２の絶縁層が接するように、前記第１の絶縁層上に、前記第２の絶縁層が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板を用いて、前記第１の基板と前記トランジスタを分離し、
前記第２の基板から前記第２の絶縁層を分離し、
レーザ光を照射して、前記剥離層が露出するような開口部を形成し、
前記第２の絶縁層上に、異方性導電層またはバンプと、アンテナとして機能する第２の導電層とが設けられた第３の基板を配置することにより、前記異方性導電層または前記バンプを介して前記第１の導電層と前記第２の導電層が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の絶縁層の厚さは、１０μｍ乃至３００μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は、シリコーン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリアセタール、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアミドイミド、ポリメチルペンテン、フェノール、ユリア、メラミン、エポキシ、ジアリルフタレート、ポリイミド又はポリウレタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに別の実装方法では、期間指定子２１２は、ユーザがそれを介してデータロギング期間を指定できるユーザインタフェースに通信で接続されることができる。この場合、ユーザは、ＯＳＦデータファイルジェネレータ２０２がログデータベース２０６からプロセス制御ログ情報を収集すべき特定の時間の範囲を示すタイムスタンプを提供または指定できる。ユーザはテキストフィールドを介してタイムスタンプを入力するか、あるいはプロセス制御ログ情報がログデータベース２０６に記憶される時間に基づいて期間指定子２１２によって提供される複数の使用可能なタイムスタンプからタイムスタンプを選択してよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ＯＳＦデータファイルフォーマッタ２２０は、期間指定子２１２が例えば管理装置２１０からデータ収集コマンドを取得するたびに期間指定子２１２からデータロギング期間値を取得するように構成される。ＯＳＦデータファイルフォーマッタ２２０は、作成するＯＳＦデータファイルのタイプ、及び／または分類されたプロセス制御ログ情報をどのＯＳＦデータファイルに書き込むのかを決定するためにデータロギング期間値を使用する。例えば、データロギング期間が二十四時間という期間である場合、ＯＳＦデータフォーマッタ２２０は日次ＯＳＦデータファイルを作成し、カテゴリタイプセグメント２１８からその日次ＯＳＦデータファイルにプロセス制御ログ情報を書き込む。データロギング期間が一ヶ月である場合には、ＯＳＦデータファイルフォーマッタ２２０は月次ＯＳＦデータファイルを作成する。ＯＳＦデータファイルフォーマッタ２２０は、カテゴリタイプセグメント２１８のそれぞれからＯＳＦデータファイルに要約情報も書き込む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
要約データセクション７０４に示されているように、ＴｏｔＣｎｔパラメータ７１２は、例示の日次ＯＳＦデータファイル７００と関連する特定のデータロギング期間の間に例示の日次ＯＳＦデータファイル７００で表現される特定のタイプのデータについて記録されたインスタンス／状態の総数が５，４１９であることを示している。特定のデータタイプ要約セクション７０６は、データタイプカテゴリ（例えば、警報カテゴリ、ユーザアクションカテゴリ、モジュールエラーカテゴリ、システムカテゴリ、ログ警報カテゴリ、ログイベントカテゴリ、及びその他のカテゴリ）単位で編成される多様なインスタンスまたは状態の総カウントを含む。特定のデータタイプ要約セクション７０６のＣｎｔ１パラメータ７１４は、２，２４６のインスタンス／状態が警報データタイプカテゴリで記録されたことを示す。カウントパラメータに関連するカウント値（例えば、ＴｏｔＣｎｔパラメータ７１２とＣｎｔ１パラメータ７１４）は詳細な未処理データセクション７１０内に生（未処理）データとして記憶されるプロセス制御ログ情報に基づいてデータプロセッサ２１６（図２）によって生成されてよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主記憶としてフラッシュメモリを有し、
上記フラッシュメモリにおける少なくとも一部領域の書き換えは、更新データを空き領域に追記し、元のデータを無効化することで実施され、
外部からアクセスの無い装置の待機時に、上記無効化領域を自動的に空き領域に回復する回復処理を行う機能を有する
記憶装置。
【請求項２】
上記フラッシュメモリは一括消去単位である消去ブロックを複数有し、各消去ブロックは各々独立した書き込み単位であるページ領域を複数含み、
上記回復処理は、回復対象たる無効ページ領域を含む消去ブロックに残存する有効ページ領域のデータを、他の消去ブロックの消去済みの空き領域に退避する処理を含む
請求項１記載の記憶装置。
【請求項３】
当該記憶装置に格納されたデータに外部からアクセスが生じた場合に、上記回復処理を実行中であれば、当該回復処理を中断し、アクセスへの応答処理を行う機能を有する
請求項１記載の記憶装置。
【請求項４】
上記回復処理を中断する場合、回復処理の進捗情報を装置内のレジスタもしくはメモリに保存し、上記アクセスが終了すると当該進捗情報を参照して回復処理を再開する機能を有する
請求項３記載の記憶装置。
【請求項５】
内部に処理ユニットを有し、待機時に当該処理ユニットは上記回復処理を実施し、外部からアクセスが生じると当該処理ユニットに割り込みが発生し、当該割り込みイベントに従って上記処理ユニットは回復処理を中断し、アクセス処理を開始する
請求項４記載の記憶装置。
【請求項６】
ひとつの消去ブロック内に存在する一つまたは複数の無効ページ領域の回復処理は、複数の工程に分割され、外部からアクセスの無い記憶装置の待機時に、その一部が実行される
請求項２記載の記憶装置。
【請求項７】
主記憶としてフラッシュメモリを有し、
上記フラッシュメモリにおける少なくとも一部領域の書き換えは、更新データを空き領域に追記し、元のデータを無効化することで実施され、
外部から所定のコマンドに応じて、上記無効化領域を空き領域に回復する処理を実行する機能を有する
記憶装置。
【請求項８】
上記フラッシュメモリは一括消去単位である消去ブロックを複数有し、各消去ブロックは各々独立した書き込み単位であるページ領域を複数含み、
上記回復処理は、回復対象たる無効ページ領域を含む消去ブロックに残存する有効ページ領域のデータを、他の消去ブロックの消去済みの空き領域に退避する処理を含む
請求項７記載の記憶装置。
【請求項９】
外部からの所定のコマンドに応じて、上記回復処理を中断する際、回復処理の進捗情報を装置内のレジスタもしくはメモリに保存し、再度回復処理の実行コマンドを受けると、当該進捗情報を参照して回復処理を再開する機能を有する
請求項７記載の記憶装置。
【請求項１０】
ひとつの消去ブロック内に存在する一つまたは複数の無効ページ領域の回復処理は、複数の工程に分割され、外部から所定のコマンドに応じて、その一部が実行される
請求項８記載の記憶装置。
【請求項１１】
主記憶としてのフラッシュメモリと、
キャッシュメモリと、を有し、
上記フラッシュメモリにおける少なくとも一部領域の書き換えは、更新データを空き領域に追記し、元のデータを無効化することで実施され、
外部からのアクセスがキャッシュメモリにヒットし、キャッシュへのアクセスが実施される間に、上記無効化データを空き領域に回復させる処理の少なくとも一部を並行して実施する機能を有する
記憶装置。
【請求項１２】
上記フラッシュメモリは一括消去単位である消去ブロックを複数有し、各消去ブロックは各々独立した書き込み単位であるページ領域を複数含み、
上記回復処理は、回復対象たる無効ページ領域を含む消去ブロックに残存する有効ページ領域のデータを、他の消去ブロックの消去済みの空き領域に退避する処理を含む
請求項１１記載の記憶装置。
【請求項１３】
外部からのアクセスがキャッシュメモリにミスヒットした場合に、上記回復処理を実行中であれば、当該回復処理を中断し、アクセスへの応答処理を行う機能を有する
請求項１１記載の記憶装置。
【請求項１４】
上記回復処理を中断する場合、回復処理の進捗情報を装置内のレジスタもしくはメモリに保存し、上記アクセスが終了すると当該進捗情報を参照して回復処理を再開する機能を有する
請求項１３記載の記憶装置。
【請求項１５】
ひとつの消去ブロック内に存在する一つまたは複数の無効ページ領域の回復処理は、複数の工程に分割され、外部からのアクセスがキャッシュメモリにヒットしてキャッシュへのアクセスが実施される間に、その一部が実行される
請求項１２記載の記憶装置。
【請求項１６】
ホストコンピュータと、
主記憶としてフラッシュメモリを含み、上記ホストコンピュータで扱う諸データを記憶するための不揮発性データストレージと、を有し、
上記フラッシュメモリにおける少なくとも一部領域の書き換えは、更新データを空き領域に追記し、元のデータを無効化することで実施され、
上記無効化領域を空き領域に回復させる処理が、上記データストレージに対してそれ以外のデータ処理要求の無い待機時に実施される
コンピュータシステム。
【請求項１７】
上記フラッシュメモリは一括消去単位である消去ブロックを複数有し、各消去ブロックは各々独立した書き込み単位であるページ領域を複数含み、
上記回復処理は、回復対象たる無効ページ領域を含む消去ブロックに残存する有効ページ領域のデータを、他の消去ブロックの消去済みの空き領域に退避する処理を含む
請求項１６記載のコンピュータシステム。
【請求項１８】
上記ホストコンピュータにおいて、データストレージへのデータアクセスの要求が生じた場合に、上記回復処理を実行中であれば、当該回復処理を一時中断し、当該一時中断する際、回復処理の進捗情報をコンピュータシステム内部のいずれかのレジスタまたはメモリ内に保管し、再度回復処理を実行する際には当該進捗情報を参照して処理を再開、継続する
請求項１６記載のコンピュータシステム。
【請求項１９】
ひとつの消去ブロック内に存在する一つまたは複数の無効ページ領域の回復処理は、複数の工程に分割され、上記データストレージに対してそれ以外のデータ処理要求の無い、待機時にその一部が実施される
請求項１７記載のコンピュータシステム。
【請求項２０】
記憶媒体としてのフラッシュメモリと、
制御回路と、を有し、
上記フラッシュメモリは、一括消去単位である消去ブロックを有し、各消去ブロックは複数のデータ領域を含み、
上記制御回路は、消去ブロックの消去を実行する前に、各データ領域ごとに、少なくとも領域の一部を読み出し、当該読み出した値から当該データ領域に有効なデータが記録されているか否かを判定し、判定の結果、有効なデータが記録されている場合に、当該データ領域のデータを他の消去ブロックにコピーする
記憶システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録材の種類を検知する記録材検知部と、
画像情報に対して、記録材の種類に応じて、画像情報の変換用の変換処理データを作成
する第１制御部と、
画像形成動作を制御する第２制御部と、を有し、
前記第２制御部は、前記第１制御部に対して予め設定されている記録材の種類と、前記記
録材検知部によって検知された記録材の種類とを送信し、
前記第１制御部は、前記予め設定されている記録材の種類に応じて前記変換処理データ
を作成し、前記記録材検知部によって検知された記録材の種類に基づいて、前記検知され
た記録材の種類に応じた前記変換処理データを作成するか否か判断することを特徴とする
画像形成装置。
【請求項２】
前記第１制御部は、前記前記予め設定されている記録材の種類が前記検知された記録材
の種類と同じ場合に、前記検知された記録材の種類に応じた前記変換処理データを作成し
ないことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第１制御部は、前記予め設定されている記録材の種類が前記検知された記録材の種
類と異なる場合に、前記検知された記録材の種類に応じた前記変換処理データを作成する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第２制御部は、前記第１制御部によって実行される、前記検知された記録材の種類
に応じた前記変換処理データ作成時間が経過した後に、前記第１制御部に対して画像デー
タの出力指示信号を送信することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記第１制御部は、前記検知された記録材の種類に応じた変換処理データ作成時間を前
記第２制御部に送信し、
前記第２制御部は、送信された前記変換処理データ作成時間が経過した後に、前記第１
制御部に対して画像データの出力指示信号を送信することを特徴とする請求項３に記載の
画像形成装置。
【請求項６】
前記第１制御部は、前記検知された記録材の種類に応じた変換処理データの作成が終了
したことを示す終了信号を前記第２制御部に送信し、
前記第２制御部は、前記終了信号に応答して前記第１制御部に対して画像データの出力
指示信号を送信することを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記変換処理データとは画像情報を色変換するためのデータであることを特徴とする請
求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記記録材を収容する記録材収容部を更に有し、
前記第２制御部は、前記記録材収容部から前記記録材が供給される前に、前記第１制御
部に対して予め設定されている記録材の種類を送信することを特徴とする請求項１に記載
の画像形成装置。
【請求項９】
前記第２制御部は、前記第１制御部から印字開始指示を受信すると、前記記録材収容部
から記録材の給紙動作を開始し、記録材種類検知位置で記録材の搬送を停止して前記記録
材検知部で記録材の種類を検知し、記録材種類の検知後に記録材の搬送を再開するように
制御することを特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
画像形成装置の制御方法であって、
印字開始を指示するステップと、
印字開始の指示に応じて記録材の給紙を開始するステップと、
前記記録材の給紙を開始する前に、予め設定された記録材の種類を通知するステップと、
前記予め設定された記録材の種類に応じて、画像情報の変換用の変換処理データを作成
するステップと、
前記記録材の給紙の開始後に、記録材の種類を検知するステップと、
検知された記録材の種類と予め設定された記録材の種類とに基づいて、前記検知された
記録材の種類に応じた前記変換処理データを作成するか否かを判断するステップ
を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
前記検知された記録材の種類と前記予め設定された記録材の種類とが同じ場合に、前記
変換処理データを作成しないで画像形成動作を開始するステップを更に有することを特徴
とする請求項１０に記載の制御方法。
【請求項１２】
記録材の種類を検知する記録材検知部と、
予め設定された記録材の種類に応じて、記録材に形成される画像情報を変換するための変換処理データを作成するデータ処理部と、を有し、
前記予め設定された記録材の種類と前記記録材検知部によって検知された記録材の種類とが異なる場合に、検知された記録材の種類に応じた前記変換処理データを前記データ処理部によって作成するのに要する時間が経過した後に画像形成を開始する制御部と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
前記制御部は、前記予め設定された記録材の種類と前記記録材検知部によって検知された記録材の種類とが同じ場合に、前記予め設定された記録材の種類に応じて作成された変換処理データを用いて画像形成を開始することを特徴とする請求項１２に記載の画像形成装置。
【請求項１４】
前記変換処理データとは前記画像情報に色変換処理を施すためのデータであることを特徴とする請求項１２または１３に記載の画像形成装置。
【請求項１５】
更に、前記記録材を収容する記録材収容部を有し、
前記データ処理部は、前記記録材収容部から前記記録材が供給される前に、前記予め設定された記録材の種類に応じて変換処理データを作成することを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１６】
印字開始指示に応じて前記記録材収容部から記録材の給紙動作が開始され、記録材の種類を検知する位置で記録材の搬送を停止して、前記記録材検知部で記録材の種類が検知され、記録材の種類の検知後に記録材の搬送を再開することを特徴とする請求項１５に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にトナー離型層を設けた電子写真画像形成装置の定着用部材であって、
該トナー離型層が、分子内にエーテル結合を有するフッ素ゴムと、ポリエーテル構造を有するポリシロキサン系界面活性剤とを含むことを特徴とする定着用部材。
【請求項２】
前記トナー離型層が、前記フッ素ゴムを海相、前記ポリシロキサン系界面活性剤を島相とする海島構造を有しており、かつ島相の個数基準の平均粒径が２μｍ以下である請求項１記載の定着用部材。
【請求項３】
前記フッ素ゴムが、ビニリデンフルオライドとテトラフルオロエチレンとパーフルオロメチルビニルエーテルとの三元共重合体である請求項１または２に記載の定着用部材。
【請求項４】
前記ポリシロキサン系界面活性剤が、ジメチルポリシロキサン構造とポリオキシアルキレン構造とを有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の定着用部材。
【請求項５】
前記ポリシロキサン系界面活性剤の配合量が、フッ素ゴム１００質量部に対して、２０〜６０質量部である請求項１乃至４のいずれか１項に記載の定着用部材。
【請求項６】
前記定着用部材が、基材の外周に前記トナー離型層が形成された定着ベルトであり、該トナー離型層の厚みが６０〜１５０μｍである請求項１乃至５のいずれか１項に記載の定着用部材。
【請求項７】
電子写真画像形成装置に用いられる定着装置であって、
該定着装置は、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の定着用部材を有していることを特徴とする定着装置。
【請求項８】
ワックス含有トナーによって形成された未定着画像を定着用部材と加圧ローラとの間に通して該未定着画像を定着させる工程を有する定着方法であって、
該定着用部材が請求項１乃至６のいずれか１項に記載の定着用部材であることを特徴とする定着方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログビデオ信号をデジタルビデオ信号に変換するアナログデジタル変換回路と、
前記アナログデジタル変換回路に接続され、１フレームの平均階調レベルを計算する１フレーム平均階調計算回路と、
前記１フレーム平均階調計算回路に接続され、前記平均階調レベルに応じてサブフレーム数を増減させるサブフレーム数制御回路と、
前記平均階調レベルに応じて、発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変える電位制御回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
発光素子と、当該発光素子への電流の供給を制御する駆動用薄膜トランジスタと、スイッチング用薄膜トランジスタとを有する複数の画素が配置された表示部と、
１フレーム期間毎にビデオ信号を出力する信号線駆動回路と、
前記ビデオ信号を書き込む画素を選択する走査線駆動回路と、
前記発光素子に前記電流を供給する電源線と、
１フレームの平均階調レベルを計算する１フレーム平均階調計算回路と、
前記平均階調レベルに応じて、前記１フレーム期間におけるサブフレーム数を増減させるサブフレーム数制御回路と、
前記平均階調レベルに応じて、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変える電位制御回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記平均階調レベルが所定の値よりも低くなったときに、前記サブフレーム数を減少させることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
アナログビデオ信号をデジタルビデオ信号に変換するアナログデジタル変換回路と、
前記アナログデジタル変換回路に接続され、１フレームの平均階調レベルを計算する１フレーム平均階調計算回路と、
前記１フレーム平均階調計算回路に接続され、前記平均階調レベルに応じて、重ね合せ時間階調方式又は２進法デジタル時間階調方式に階調方式を変える重ね合せ時間階調方式／２進法デジタル時間階調方式変換回路と、
前記平均階調レベルに応じて、発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変える電位制御回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
発光素子と、当該発光素子への電流の供給を制御する駆動用薄膜トランジスタと、スイッチング用薄膜トランジスタとを有する複数の画素が配置された表示部と、
１フレーム期間毎にビデオ信号を出力する信号線駆動回路と、
前記ビデオ信号を書き込む画素を選択する走査線駆動回路と、
前記発光素子に前記電流を供給する電源線と、
１フレームの平均階調レベルを計算する１フレーム平均階調計算回路と、
前記平均階調レベルに応じて、重ね合せ時間階調方式又は２進法デジタル時間階調方式に階調方式を変える重ね合せ時間階調方式／２進法デジタル時間階調方式変換回路と、
前記平均階調レベルに応じて、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変える電位制御回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、前記平均階調レベルが所定の値よりも低くなったときに、前記重ね合せ時間階調方式から前記２進法デジタル時間階調方式に変更することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記電位制御回路は、前記平均階調レベルが所定の値よりも高くなったときに、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を低めることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記電位制御回路は、前記平均階調レベルが所定の値よりも低くなったときに、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を高めることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の表示装置と、操作キーとを備えた電子機器。
【請求項１０】
表示装置に入力されたアナログビデオ信号をデジタルビデオ信号に変換し、
１フレームの平均階調レベルを計算し、
前記平均階調レベルに応じて、サブフレーム数を増減させ、
前記平均階調レベルに応じて、発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変えることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記平均階調レベルが所定の値よりも低い場合に、前記サブフレーム数を減少させることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
請求項１０において、前記平均階調レベルが所定の値よりも高い場合に、前記サブフレーム数を増大させることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
表示装置に入力されたアナログビデオ信号をデジタルビデオ信号に変換し、
１フレームの平均階調レベルを計算し、
前記平均階調レベルに応じて、重ね合せ時間階調方式又は２進法デジタル時間階調方式に階調方式を変換し、
前記平均階調レベルに応じて、発光素子の一対の電極間にかかる電圧を変えることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記平均階調レベルが所定の値よりも低い場合に、前記重ね合せ時間階調方式から前記２進法デジタル時間階調方式に変換することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
請求項１３において、前記平均階調レベルが所定の値よりも高い場合に、前記２進法デジタル時間階調方式から前記重ね合せ時間階調方式に変換することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一において、前記平均階調レベルが所定の値よりも低い場合に、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を高めることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一において、前記平均階調レベルが所定の値よりも高い場合に、前記発光素子の一対の電極間にかかる電圧を低めることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ領域、前記アレイ領域に隣接した信号伝送領域、及び前記信号伝送領域に隣接したチップ実装領域に区分されるベース基板と、
前記ベース基板の前記チップ実装領域内に具備され、外部から各種制御信号の入力を受ける入力パッド部と、
前記ベース基板の前記チップ実装領域内に具備される第１出力パッド部と、
前記第１出力パッド部と同一のチップ実装領域内に具備され、前記第１出力パッド部と互いに異なる層に形成された第２出力パッド部と、
前記アレイ領域内に形成され、信号ライン部及び前記信号ライン部に電気的に連結されたスイッチング素子からなる画素アレイと、
前記信号ライン部と前記第１及び第２出力パッド部とを電気的に連結させるために前記信号伝送領域に具備された信号伝送部と、
を含むことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記入力パッド部及び前記第１出力パッド部は、前記アレイ基板上で同一の層に配置されたことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第１出力パッド部は、前記ベース基板または前記ベース基板上に形成された第１絶縁膜上に具備され、
前記第２出力パッド部は、前記第１出力パッド部をカバーする第２絶縁膜上に具備されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記チップ実装領域が第１〜第４想像線によって長方形形状に画定されるとき、前記入力パッド部は前記第１想像線に隣接して具備され、前記第１及び第２出力パッド部は前記第２〜第４想像線のうち少なくとも二つの想像線にそれぞれ隣接して具備されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記第１出力パッド部は、
前記第２想像線に隣接して第１方向に整列された複数の第１出力パッドと、
前記第３想像線に隣接して前記第１方向と直交する第２方向に整列された複数の第２出力パッドと、
前記第４想像線に隣接して前記第２方向に整列された複数の第３出力パッドと、を含むことを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記第１及び第２出力パッド部は、前記チップ実装領域の第１及び第２領域にそれぞれ配置され、前記チップ実装領域の第２領域は前記チップ実装領域の第１領域よりも前記チップ実装領域の内側にあることを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記信号ライン部は、ゲートライン及びデータラインを含み、前記データラインはゲート絶縁層によって前記ゲートラインと分離され、前記第１出力パッド部及び第２出力パッド部のうち少なくとも一つは前記データラインまたはゲートラインと同一の層に形成されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項８】
アレイ基板及び前記アレイ基板と対向する対向基板からなり画像を表示する表示パネルと、
前記アレイ基板上に実装され、前記表示パネルを駆動させる駆動チップと、
を含み、
前記アレイ基板は、
アレイ領域、前記アレイ領域に隣接した信号伝送領域、及び前記駆動チップが実装されるチップ実装領域に区分されるベース基板と、
前記ベース基板の前記チップ実装領域内に具備され、外部から各種制御信号の入力を受ける入力パッド部と、
前記ベース基板の前記チップ実装領域内に具備され、駆動信号を出力する第１出力パッド部と、
前記ベース基板の前記チップ実装領域内に具備され、前記第１出力パッド部と互いに異なる層に形成されて駆動信号を出力する第２出力パッド部と、
前記アレイ領域内に形成され、信号ライン部及び前記信号ライン部に電気的に連結されたスイッチング素子からなる画素アレイと、
前記信号ライン部と前記第１及び第２出力パッド部とを電気的に連結させるために前記信号伝送領域に具備された信号伝送部と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
前記駆動チップは、
前記入力パッド部と電気的に連結される入力バンプ部と、
前記第１出力パッド部と電気的に連結される第１出力バンプ部と、
前記第２出力パッド部と電気的に連結される第２出力バンプ部と、を含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記駆動チップの前記入力バンプ部、前記第１出力バンプ部、及び前記第２出力バンプ部と、前記入力パッド部、前記第１出力パッド部、及び前記第２出力パッド部とを電気的に連結する異方性導電フィルムをさらに含むことを特徴とする請求項９記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する光供給ユニットと、
前記光供給ユニットからの光を利用して画像を表示するディスプレイユニットと、
前記光供給ユニット及び前記ディスプレイユニットのうち、少なくともいずれか１つを駆動する駆動部と、
前記光供給ユニットを収納し、前記駆動部の収納のための駆動部収納溝を有するボトムシャーシと、
を含む表示装置。
【請求項２】
前記ボトムシャーシは、
前記光供給ユニットの下部を支持する底部と、
前記光供給ユニットの側部をカバーする側壁と、
を含み、前記駆動部収納溝は、前記底部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記駆動部収納溝は、前記底部の一部を陥没させて形成されることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記駆動部は、ディスプレイユニットの駆動を制御する制御信号を出力するコントロール印刷回路基板で、前記コントロール印刷回路基板は、前記ディスプレイユニットと前記印刷回路基板とを接続するための第１コネクタを含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記駆動部収納溝には、前記第１コネクタを露出するための第１開口部が形成されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記コントロール印刷回路基板は、外部のメインボードとの接続のための第２コネクタを含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記駆動部収納溝には、前記第２コネクタを露出するための第２開口部が形成されることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記駆動部収納溝には、前記駆動部とのねじ結合のためのホールが形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ディスプレイユニットは、
前記光供給ユニットの上部に配置され画像を表示する表示パネルと、
前記表示パネルを駆動するソース印刷回路基板と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記光供給ユニットは、
前記底部上に互いに平行に配置された多数のランプと、
前記ランプの上部に配置された光学部材と、
前記ランプの下部に配置された反射板と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアニリンを含有するポリイミド樹脂からなり、かつ、前記ポリアニリンからなる粒子のうち最大の粒子の絶対最大長が１０．０μｍ以下であることを特徴とする中間転写ベルト。
【請求項２】
前記ポリアニリンからなる粒子は、５０％粒子径（個数基準）が０．０５〜３．０μｍの範囲であり、かつ、９０％粒子径（個数基準）が５０％粒子径（個数基準）の１倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の中間転写ベルト。
【請求項３】
前記ポリイミド樹脂は更に充填材を含有し、前記ポリアニリンからなる粒子のうち最大の粒子の絶対最大長（ａ）と、該充填材のうち最大の粒子の絶対最大長（ｂ）と、の関係が下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の中間転写ベルト。
式（１）    １０．０μｍ≧絶対最大長（ａ）＞絶対最大長（ｂ）≧０．１μｍ
【請求項４】
前記ポリイミド樹脂が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとの共重合体を含有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項５】
前記ポリイミド樹脂が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとの共重合体、及び、ピロメリット酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエーテルとの共重合体を含有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項６】
前記ポリイミド樹脂中に、更に前記ポリアニリンを導電化するドーパントが含有されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項７】
前記ポリアニリンが自己ドープ型のポリアニリンであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項８】
表面粗さＲａが０．０１０〜０．０５０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項９】
転写面の入射角７５°におけるマイクログロスが９５〜１２０グロスユニットの範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項１０】
湿度膨張係数が４５ｐｐｍ／％ＲＨ以下であり、かつ、温度膨張係数が４５ｐｐｍ／Ｋ以下であることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の中間転写ベルトを備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項１２】
画像情報に応じた静電潜像が形成される像担持体と、像担持体に形成された静電潜像をトナーによりトナー像として可視化する現像装置と、像担持体上に担持されたトナー像が一次転写される中間転写ベルトと、中間転写ベルト上の未定着トナー像を記録媒体に二次転写するバイアス機構とを備え、
前記中間転写ベルトが請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の中間転写ベルトであることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１３】
脱ドープ状態のポリアニリンを粉砕して、５０％粒子径（体積基準）が０．０５〜３．０μｍの範囲であり、かつ、９０％粒子径（体積基準）が５０％粒子径（体積基準）の１倍以上２倍以下の範囲とし、前記ポリアニリンを導電化させるドーパントを添加した後、ポリアミック酸と混合し、乾燥・焼成処理を施すことを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。
【請求項１４】
自己ドープ型のポリアニリンを粉砕して、５０％粒子径（体積基準）が０．０５〜３．０μｍの範囲であり、かつ、９０％粒子径（体積基準）が５０％粒子径（体積基準）の１倍以上２倍以下の範囲とした後、ポリアミック酸と混合し、乾燥・焼成処理を施すことを特徴とする中間転写ベルトの製造方法。