(57)【要約】【課題】  温度均一性を改善するためにＲＴＰに使用される装置及び方法を提供する。【解決手段】  本発明は、急速加熱処理中に基板に対する均一な加熱を達成する装置及び方法を提供する。より詳細には、本発明は、基板に亘る温度均一性を改善するように急速加熱処理中に基板を支持するエッジリングの温度を制御する装置及び方法を提供する。【選択図】      図２
2008182228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するためのチャンバにおいて、
処理空間を画成するチャンバ包囲体と、
上記処理空間に配設された基板支持体と、
上記基板支持体に配設され、上記基板の周辺で上記基板を支持するように構成されたエッジリングと、
上記基板を加熱するように構成された第１の加熱源と、
上記エッジリングを加熱するように構成され、上記第１の加熱源とは独立して制御できる第２の加熱源と、
を備えるチャンバ。
【請求項２】
上記第２の加熱源は、輻射ヒーター、伝導加熱源、抵抗ヒーター、誘導ヒーター及びマイクロ波ヒーターのうちの１つである、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項３】
上記エッジリングの熱特性を測定するように構成されたリング熱プローブを更に備える、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項４】
上記リング熱プローブは、高温計である、請求項３に記載のチャンバ。
【請求項５】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記チャンバ空間を加熱するように構成された輻射加熱源の独立制御可能なゾーンである、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項６】
上記エッジリングの方へ冷却ガスを向けるように構成されたガスジェットを更に備える、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項７】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記エッジリングの互いに反対の側に配設される、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項８】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記エッジリングの同じ側に配設される、請求項１に記載のチャンバ。
【請求項９】
チャンバ空間を画成するチャンバ本体と、
上記チャンバ空間に配設され、処理すべき基板と上記基板の周辺近くで熱的に結合されるように構成された温度制御エッジリングと、
上記基板の表面を主として加熱するように構成された第１の加熱源と、
上記温度制御エッジリングを主として加熱するように構成された第２の加熱源と、
を備える急速加熱処理チャンバ。
【請求項１０】
上記温度制御エッジリングの熱特性を測定するように構成されたリング熱プローブを更に備える、請求項９に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１１】
上記温度制御エッジリングを冷却するように構成された冷却装置を更に備える、請求項１０に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１２】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記チャンバ空間を輻射加熱するように構成されたランプアセンブリの独立制御可能なゾーンである、請求項９に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１３】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、上記温度制御エッジリングの互いに反対の側に配設される、請求項９に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１４】
上記第２の加熱源は、輻射ヒーター、伝導加熱源、抵抗ヒーター、誘導ヒーター及びマイクロ波ヒーターのうちの１つである、請求項９に記載の急速加熱処理チャンバ。
【請求項１５】
ターゲット温度へと基板を均一に加熱するための方法において、
第１の加熱源に接続された処理チャンバに上記基板を配置するステップと、
上記基板の周辺をエッジリングに熱的に結合するステップと、
上記第１の加熱源で上記基板の表面を加熱するステップと、
上記ターゲット温度とは異なるリング温度に上記エッジリングを維持するステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
上記リング温度に上記エッジリングを維持するステップは、第２の加熱源で上記エッジリングを加熱する段階を含み、上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、独立制御可能なものである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
上記第１の加熱源及び第２の加熱源は、ランプアセンブリの独立制御可能なゾーンである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
パージガスを使用して上記エッジリングを冷却するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
熱プローブを使用して上記エッジリングの温度を測定するステップと、
上記熱プローブによって測定された上記エッジリングの温度に従って上記第２の加熱源を調整するステップと、
を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
上記リング温度は、上記ターゲット温度とは約１０℃から約１５℃異なる、請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
上記リング温度は、上記ターゲット温度より高い、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
上記リング温度は、上記ターゲット温度より低い、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【発明の背景】
【０００１】
発明の分野
[0001]本発明は、一般に、半導体処理の分野に関する。より詳細には、本発明は、半導体基板を熱処理するための方法及び装置に関する。
【０００２】
関連技術の説明
[0002]急速加熱処理（ＲＴＰ）は、半導体処理中に基板をアニールするための処理である。ＲＴＰ中に、制御された環境において、約１３５０℃までの最大温度へと基板を急速加熱するのに、一般的には、熱放射線が使用される。この最大温度は、その処理に依存して、１秒より短い時間から数分までの範囲内の特定の時間中、維持され、それから、基板は、更なる処理のため室温まで冷却される。加熱放射線源としては、高強度タングステンハロゲンランプが普通に使用される。基板は、この基板に伝導的に結合される加熱サセプタによって付加的に加熱することができる。
【０００３】
[0003]半導体製造プロセスは、ＲＴＰの幾つかの適用例を有している。そのような適用例としては、熱酸化、高温ソークアニール、低温ソークアニール及びスパイクアニールがある。熱酸化においては、基板は、シリコン基板を酸化させて酸化シリコンを形成させるようにする酸素、オゾン又は酸素及び水素の組合せ体中において加熱される。高温ソークアニールにおいては、基板は、窒素、アンモニア又は酸素のような異なるガスの混合体に対して曝される。低温ソークアニールは、一般的に、金属を堆積させた基板をアニールするのに使用される。スパイクアニールは、基板が非常に短い時間の間高温に曝されることが必要なときに使用される。スパイクアニール中には、基板は、ドーパントを活性化するに十分な最大温度まで急速に加熱され、そのドーパントが実質的に拡散する前にその活性化処理を終了させるように急速に冷却される。
【０００４】
[0004]ＲＴＰは、通常、基板に亘って実質的に均一な温度プロファイルを必要としている。現在技術の処理においては、温度均一性は、背面側の反射表面により熱を基板へ反射させながら前面側で基板を加熱するように構成された、レーザー、ランプアレイのような加熱源を制御することにより改善することができる。基板に亘る温度勾配を改善するのに、放射率測定及び補償法が使用されている。
【０００５】
[0005]半導体工業の発展につれて、ＲＴＰ中の温度均一性に対する要求も増大してきている。ある処理においては、基板のエッジ部の内側約２ｍｍから実質的に小さな温度勾配とすることが重要である。特に、約１℃から１．５℃までの温度偏差でもって約２００℃から約１３５０℃までの間の温度に基板を加熱することが必要である場合がある。現在のＲＴＰシステムでは、このような均一性を達成するのは、特に、基板のエッジ部の近くにおいてこのような均一性を達成するのは、難しい。あるＲＴＰシステムでは、基板を周辺近くで支持するのに、通常、エッジリングが使用されている。このエッジリングと基板とが重なり合い、基板のエッジ部近くに複雑な加熱状態を作り出す。１つの態様では、基板は、そのエッジ部近くで異なる熱特性を有することがある。これは、パターニングした基板又はシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）基板の場合には、たいていそうである。別の態様では、基板とエッジリングとがそのエッジ部近くで重なり、基板のみの温度を測定し調整するのでは、そのエッジ部近くで均一な温度プロファイルを達成することは難しい。基板の熱及び光特性に対するエッジリングの熱特性に依存して、基板の温度プロファイルは、一般的に、エッジ部で高いか、エッジ部で低いかである。
【０００６】
[0006]図１は、ＲＴＰチャンバにおいて処理される基板の通常の温度プロファイルの２つのタイプを概略的に例示している。垂直軸は、基板上の測定温度を示している。水平軸は、基板のエッジ部からの距離を示している。プロファイル１は、基板のエッジ部が最も高い温度測定値を有するようなエッジ部高プロファイルである。プロファイル２は、基板のエッジ部が最も低い温度測定値を有するようなエッジ部低プロファイルである。現在のＲＴＰシステムにおいて基板のエッジ部近くでの温度偏差を除去することは難しい。
【０００７】
[0007]従って、温度均一性を改善するためにＲＴＰにおいて使用される装置及び方法が必要とされている。
【発明の概要】
【０００８】
[0008]本発明は、一般的に、急速加熱処理中に基板への均一加熱を達成するための装置及び方法を提供する。
【０００９】
[0009]本発明の１つの実施形態によれば、基板を処理するためのチャンバであって、処理空間を画成するチャンバ包囲体と、上記処理空間に配設された基板支持体と、上記基板支持体上に配設され、上記基板の周辺において上記基板を支持するように構成されたエッジリングと、上記基板を加熱するように構成された第１の加熱源と、上記エッジリングを加熱するように構成された第２の加熱源とを備え、上記第２の加熱源は、上記第１の加熱源とは独立して制御されるようなチャンバが提供される。
【００１０】
[0010]本発明の別の実施形態によれば、チャンバ空間を画成するチャンバ本体と、上記チャンバ本体に配設され、処理すべき基板とその基板の周辺近くにおいて熱的に結合されるように構成された温度制御エッジリングと、上記基板の表面を主として加熱するように構成された第１の加熱源と、上記温度制御エッジリングを主として加熱するように構成された第２の加熱源とを備える急速加熱処理チャンバが提供される。
【００１１】
[0011]本発明の更に別の実施形態によれば、基板をターゲット温度まで均一に加熱するための方法であって、第１の加熱源に接続された処理チャンバに上記基板を配置するステップと、上記基板の周辺をエッジリングに熱的に結合するステップと、上記第１の加熱源でもって上記基板の表面を加熱するステップと、上記エッジリングを上記ターゲット温度とは異なるリング温度に維持するステップとを備えた方法が提供される。
【００１２】
[0012]本発明の前述した特徴を詳細に理解できるように、概要を上述したような本発明について、幾つかが図面に例示されているような実施形態に関連して、以下により特定して説明する。しかしながら、図面は、本発明の典型的な実施形態のみを例示するもので、本発明の範囲をこれらに限定しようとするものではなく、本発明は、同様の効果を発揮する他の実施形態も包含し得ることに注意されたい。
【詳細な説明】
【００１３】
[0017]本発明は、急速加熱処理中に基板に対する均一な加熱を達成するための装置及び方法を提供する。より詳細には、本発明は、基板に亘る温度均一性を改善するため、急速加熱処理中に基板を支持するエッジリングの温度を制御するための装置及び方法を提供する。
【００１４】
[0018]図２は、本発明の１つの実施形態による急速加熱処理システム１０の断面図を概略的に例示している。この急速加熱処理システム１０は、ディスク形状基板１２をアニールするように構成された処理空間１４を画成するチャンバ本体３５を備える。このチャンバ本体３５は、ステンレス鋼で形成することができ、また、石英で裏打ちすることもできる。処理空間１４は、急速加熱処理システム１０の石英ウインドー１８上に配設された加熱アセンブリ１６により輻射加熱されるように構成されている。１つの実施形態では、石英ウインドー１８は、水冷却される。
【００１５】
[0019]チャンバ本体３５の側部にスリット弁３０が形成され、処理空間１４への基板１２の通路を与えることができる。処理ガス、パージガス及び／又は洗浄ガスを処理空間１４へ与えるため、ガスインレット４４をガス源４５に接続することができる。処理空間１４を排気するため、アウトレット５４を通して処理空間１４へ真空ポンプ５５を流体接続することができる。
【００１６】
[0020]チャンバ本体３５の底部近くに円形チャネル２２が形成されている。この円形チャネル２２に磁気ローター２１が配設されている。この磁気ローター２１上に管状ライザー３９が載っており、又は、別の仕方で結合されている。基板１２は、管状ライザー３９上に配設されたエッジリング２０により、周辺エッジ部で支持されている。磁気ローター２１の外側に磁気ステーター２３が配設されており、この磁気ステーター２３は、チャンバ本体３５を通して磁気ローター２１に磁気的に結合され、磁気ローター２１を回転させるので、エッジリング２０及びそこに支持された基板１２を回転させる。磁気ステーター２３は、磁気ローター２１の高さを調整し、処理すべき基板１２を持ち上げ移動できるように構成することもできる。磁気回転及び浮揚についての更なる情報は、ここに援用する米国特許第６，８００，８３３号明細書において入手することができる。
【００１７】
[0021]チャンバ本体３５は、基板１２の背面側近くにリフレクタープレート２７を含むことができる。このリフレクタープレート２７は、基板１２の放射率を高めるため、基板１２の背面側に面した光反射表面２８を有する。１つの実施形態では、リフレクタープレート２７は、水冷却される。反射表面２８及び基板１２の背面側は、反射空胴１５を画成している。１つの実施形態では、リフレクタープレート２７は、処理すべき基板１２の直径より僅かに大きな直径を有する。例えば、もし、急速加熱処理システム１０が１２インチの基板を処理するように構成されている場合には、このリフレクタープレート２７の直径は、約１３インチでよい。
【００１８】
[0022]パージガス源４６に接続されたパージガスインレット４８を通して、リフレクタープレート２７へパージガスを与えることができる。リフレクタープレート２７に対して放出されるパージガスは、特に、熱が基板１２へ反射されないような開口２５の近くにおいてリフレクタープレート２７の冷却を助成する。
【００１９】
[0023]１つの実施形態では、反射空胴１５を処理空間１４から分離するため、チャンバ本体３５とエッジリング２０との間に外側リング１９が結合される。反射空胴１５と処理空間１４とは、異なる環境を有することができる。
【００２０】
[0024]加熱アセンブリ１６は、加熱素子３７のアレイを備えることができる。加熱素子３７のアレイは、ＵＶランプ、ハロゲンランプ、レーザーダイオード、抵抗ヒーター、マイクロ波ヒーター、発光ダイオード（ＬＥＤ）又は他の適当な加熱素子を単独で又はそれらを組み合わせて成るものでよい。この加熱素子３７のアレイは、リフレクター本体５３に形成された垂直孔に配設することができる。１つの実施形態では、加熱素子３７は、六角形パターンにおいて配列される。リフレクター本体５３には、冷却チャネル４０を形成することができる。水のような冷却材が、インレット４１からリフレクター本体５３に入れられ、垂直孔に隣接して進んで加熱素子３７のアレイを冷却し、出口４２からリフレクター本体を出て行く。
【００２１】
[0025]加熱素子３７のアレイは、この加熱素子３７のアレイの加熱効果を調整することのできるコントローラ５２に接続されている。１つの実施形態では、加熱素子３７のアレイは、複数の同心ゾーンにより基板１２を加熱するため、複数の加熱グループへと分割することができる。各加熱グループは、基板１２の半径方向に亘る望ましい温度プロファイルを与えるように、別々に独立して制御される。このような加熱アセンブリ１６については、ここに援用する米国特許第６，３５０，９６４号及び第６，９２７，１６９号明細書に詳細に開示されている。
【００２２】
[0026]１つの実施形態では、主としてエッジリング２０を加熱するように構成されたエッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７のアレイの外側に配設される。このエッジリング加熱アセンブリ３８は、このエッジリング加熱アセンブリ３８の加熱電力を調整するコントローラ５２に接続される。このエッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７のアレイとは別に独立して制御することができ、従って、基板１２の温度とは別に独立してエッジリング２０の温度を制御することができる。１つの実施形態では、エッジリング加熱アセンブリ３８は、加熱素子３７のアレイの加熱グループのうちの１つであってもよい。
【００２３】
[0027]急速加熱処理システム１０は、更に、異なる半径方向位置における基板１２の熱特性を測定するように構成された複数の熱プローブ２４を備える。１つの実施形態では、この複数の熱プローブ２４は、基板１２の異なる半径部分の温度又はその他の熱特性を検出するため、リフレクタープレート２７に形成された複数の開口２５に配設され光学的に結合された複数の高温計であってよい。同様の温度プローブについては、ここに援用する米国特許第５，７５５，５１１号明細書に詳細に開示されている。これら複数の温度プローブ２４は、加熱素子３７のアレイへの電力供給を調整して基板１２に亘る望む通りに調整された半径方向熱プロファイルを与えるようにする閉ループ制御を行うことのできるコントローラ５２に接続されている。
【００２４】
[0028]急速加熱処理システム１０は、更に、エッジリング２０の近くのリフレクタープレート２７の開口３２に配設され結合されたエッジリング熱プローブ３１を備える。このエッジリング熱プローブ３１は、エッジリング２０の温度又はその他の熱特性を測定するように構成された高温計であってよい。このエッジリング熱プローブ３１は、エッジリング加熱アセンブリ３８に接続されるコントローラ５２に接続される。コントローラ５２は、エッジリング熱プローブ３１からの測定値を使用してエッジリング加熱アセンブリ３８に対する閉ループ制御を行うことができる。１つの実施形態では、エッジリング２０は、熱処理中に基板１２とは独立して望ましい温度まで加熱される。
【００２５】
[0029]エッジリング２０を冷却するため、ガスジェット４７を、エッジリング２０の近くに配設することができる。１つの実施形態では、このガスジェット４７は、同じパージガス源４６をパージガスインレットと共用することができる。このガスジェット４７は、エッジリング２０へ向けられ、ヘリウムのような冷却ガスを放出して、エッジリング２０を冷却することができる。ガスジェット４７は、コントローラ５２により制御される弁４９を通してガス源４６に接続することもできる。従って、コントローラ５２は、エッジリング２０の閉ループ温度制御において、ガスジェット４７の冷却効果の制御を行うこともできる。
【００２６】
[0030]エッジリング２０は、基板温度プロファイルを改善するように、処理すべき基板の熱特性に従った熱質量、放射率及び吸収率のような熱特性を有するように設計することができる。エッジリング２０の熱特性は、異なる材料、異なる厚さ及び異なるコーティングを選択することにより、変更することができる。エッジリング設計については、ここに援用する米国特許第７，１２７，３６７号明細書（代理人事件番号第００８５０４号）に詳細に開示されている。１つの実施形態では、エッジリング２０は、ニッケルコーティングを有するシリコンで形成することができる。
【００２７】
[0031]急速加熱処理中に、基板１２は、スリット弁３０を通して処理空間１４へと移送され、エッジリング２０により支持される。磁気ローター２１は、基板１２を回転させ、また、基板１２を望ましい高さ位置に配置することができる。種々な処理のうちのほとんどにおいて、基板１２は、ターゲット温度まで均一に急速に加熱されるべきである。本発明の１つの実施形態では、基板１２への熱移送は、主として、加熱素子３７のアレイの輻射及び望ましい温度に加熱されたエッジリング２０からの伝導及び／又は輻射によるものである。基板１２に亘る均一な温度プロファイルは、加熱素子３７のアレイを制御し且つ基板１２のためのターゲット温度とは通常異なる望ましい温度にエッジリング２０を維持することにより達成することができる。
【００２８】
[0032]加熱素子３７のアレイの制御は、複数の熱プローブ２４を使用して基板１２の半径方向に亘る温度を測定することによって行うことができる。１つの実施形態では、複数の熱プローブ２４は、基板１２の半径に対応してリフレクタープレート２７に亘って均等に分布配列されている。複数の熱プローブ２４からの測定された温度は、コントローラ５２によってサンプリングされる。コントローラ５２は、それら測定温度を使用して、基板１２の半径方向に亘る温度が均一となるように、加熱素子３７のアレイを調整することができる。１つの実施形態では、コントローラ５２は、複数の同心ゾーンで加熱素子３７のアレイを調整することができる。このような複数のゾーンでの加熱素子の制御については、米国特許第５，７５５，５１１号明細書及び米国特許出願公開第２００６／００６６１９３号として公開された米国特許出願第１１／１９５，３９５号（代理人事件番号第００９１５０号）明細書に詳細に開示されており、これら明細書は、ここに援用される。
【００２９】
[0033]１つの実施形態では、エッジリング２０と基板１２の周辺との間の熱交換は、基板１２のエッジ部近くの温度プロファイルを調整するのに使用される。熱交換は、基板１２とエッジリング２０との間の伝導及び／又は輻射によって達成される。１つの実施形態では、熱交換は、基板１２のターゲット温度とは異なる温度までエッジリング２０を加熱することによって行われる。
【００３０】
[0034]１つの実施形態では、エッジリング２０のための望ましい温度は、処理要件及びエッジリング２０と基板１２との両者の熱特性に従って予め決定することができる。１つの実施形態では、エッジリング２０のこの予め決定される望ましい温度は、基板１２のターゲット温度とは約１０℃から約１５℃異なる温度である。１つの実施形態では、エッジリング２０のこの予め決定される望ましい温度は、基板１２のターゲット温度よりも高い。別の実施形態では、エッジリング２０のこの予め決定される望ましい温度は、基板１２のターゲット温度より低い。この望ましいエッジリング温度は、いずれかの熱移送モデリング（伝導、輻射、対流）によって決定することができ、又は、実験結果から決定することができる。いずれの場合においても、基板及び／又はエッジリングの光学的特性を変化させて、ウエハの温度均一性を測定する。これらの実験の結果に基づいて、基板上の均一性が最良となるようにするためのエッジリングに対する望ましい温度プロファイルを予測する。
【００３１】
[0035]別の実施形態では、エッジリング２０の望ましい温度は、基板１２及びエッジリング２０のその場の熱測定に従って動的に調整できるものとしてもよい。
【００３２】
[0036]エッジリング２０の加熱は、主として、エッジリング加熱アセンブリ３８を使用して行うことができる。閉ループ制御は、コントローラ５２によりエッジリング熱プローブ３１の測定に基づいてエッジリング２０の温度を調整することにより行うことができる。エッジリング２０の温度の調整は、エッジリング加熱アセンブリ３８の電力供給及び／又はガスジェット４７からの冷却ガスの流量を調整することにより行うことができる。１つの実施形態では、エッジリング２０は、過熱してから、ガスジェット４７からの冷却ガスで望ましい温度まで冷却するようにしてもよい。
【００３３】
[0037]本発明の１つの実施形態では、ガスジェット４７のための冷却ガスは、１つの基板を処理した後に次の基板を入れる前に、約１００℃と約２００℃との間までエッジリング２０を冷却するのに使用することができる。
【００３４】
[0038]本発明の方法によれば、スパイクアニールの場合において３シグマ法において２℃より低い温度均一性を与えることができる。本発明の方法によれば、１３５０℃までの高温ソークアニールの場合に３シグマ法において１℃より低い温度均一性が与えられる。１つの実施形態では、本発明の方法は、約１℃から約１．５℃までの温度偏差でもって約２００℃から約１３５０℃までの間の温度に基板を加熱することができる。
【００３５】
[0039]急速加熱処理システム１０のエッジリング加熱素子３８は、複数の加熱ランプとして例示されている。本発明の急速加熱処理システムにおいては、例えば、固体ヒーター（即ち、ＬＥＤ）、レーザーヒーター、誘導ヒーター、マイクロ波ヒーター、電気ヒーター（例えば、抵抗加熱）のような他の適当な加熱装置を使用することができる。
【００３６】
[0040]更に又、エッジリング加熱素子は、エッジリングの下とか、エッジリングの側部とかのような他の適当な場所に配置することができる。図３は、エッジリング２０の下方にエッジリング加熱素子５１を配置した急速加熱処理システム１００の断面図を概略的に例示している。
【００３７】
[0041]別の実施形態では、熱処理中に基板を背面側から加熱することができる。典型的な背面側加熱チャンバは、前面側（形成処理側）を上に向けた状態で基板をその周辺で支持するようなエッジリングを備えることができる。基板を背面側から加熱できるように、加熱素子３７と同様の加熱素子のアレイをエッジリングの下に配置することができる。熱処理中に基板の温度プロファイルを測定するため、エッジリングの上方で基板の半径方向に亘って複数のプローブを配置することができる。エッジリングを独立して加熱する専用のエッジリングヒーターを、エッジリングの近く、エッジリングの下、エッジリングの上方、又はエッジリングの側部に配置することができる。エッジリングの温度を測定するように構成されたエッジリングプローブをエッジリングに隣接配置することができる。基板の温度プロファイル及びエッジリングの温度をその場で制御するため、コントローラを、エッジリングヒーター、エッジリングプローブ、加熱素子のアレイ及び複数のプローブに接続することができる。
【００３８】
[0042]図４は、本発明の１つの実施形態によるエッジリング１１０の断面図を概略的に例示している。このエッジリング１１０は、基板１２を支持するように構成された傾斜リップ１１１を有する。このエッジリング１１０は、基板１２との接触面積を減少させるように設計されている。基板１２とエッジリング１１０との間の接触面積を減少させることにより、基板１２のエッジ部近くの加熱条件が簡単化され、エッジ部高／低効果を減少させることができる。更に又、接触面積を減少させると、処理チャンバにおける異物粒子汚染も減少される。
【００３９】
[0043]基板に亘る均一な温度プロファイルを達成することに関して特に前述してきたのであるが、本発明の装置及び方法を使用して、非均一温度プロファイルを達成することもできるであろう。
【００４０】
[0044]本発明の種々な実施形態について前述したのであるが、本発明の基本的な範囲から逸脱せずに、本発明の他の更に別の実施形態を考えることができるものであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲により決定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】ＲＴＰチャンバにおいて処理される基板の通常の温度プロファイルの２つのタイプを概略的に例示している。
【図２】本発明の１つの実施形態による急速加熱処理システムの断面図を概略的に例示している。
【図３】本発明の別の実施形態による急速加熱処理システムの断面図を概略的に例示している。
【図４】本発明の１つの実施形態によるエッジリングの断面図を概略的に例示している。
【符号の説明】
【００４２】
１…プロファイル、１０…処理システム、１２…基板、１４…処理空間、１５…反射空胴、１６…加熱アセンブリ、１８…石英ウインドー、１９…外側リング、２０…エッジリング、２１…磁気ローター、２２…円形チャネル、２３…磁気ステーター、２４…温度プローブ、２５…開口、２７…リフレクタープレート、２８…反射表面、３０…スリット弁、３１…温度プローブ、３２…開口、３５…チャンバ本体、３７…加熱素子、３８…加熱アセンブリ、３９…管状ライザー、４０…冷却チャネル、４１…インレット、４２…出口、４４…ガスインレット、４５…ガス源、４６…ガス源、４７…ガスジェット、４８…ガスインレット、４９…弁、５１…加熱素子、５２…コントローラ、５３…リフレクター本体、５５…真空ポンプ、５４…アウトレット、１１０…エッジリング、１１１…傾斜リップ
【図１】
2008182228.tif 000003
【図２】
2008182228.tif 000004
【図３】
2008182228.tif 000005
【図４】
2008182228.tif 000006
【外国語明細書】
2008182228000001.pdf