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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前面上のＡＲＣ層とを有するシリコンウエハの前記前面上にグリッド電極を形成する方法であって：
（１）前記ＡＲＣ層上にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷し乾燥させるステップであって、前記金属ペーストＡが、フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインとして印刷されるステップと、
（２）フィンガーラインの前記底部セットの上に金属ペーストＢを印刷し乾燥させるステップであって、（ｉ）フィンガーラインの前記底部セットの上に重なってフィンガーラインの上部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインと、（ｉｉ）前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーとを含むグリッドパターンで前記金属ペーストＢが印刷されるステップと、
（３）二重印刷されたシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末および（ｂ２）０．２〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分が、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量の、ガラスフリット＋任意選択的に存在する他の無機添加剤を含有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【表２】
2012527780.tif 000001
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．ｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前面上のＡＲＣ層とを有するシリコンウエハの前記前面上にグリッド電極を形成する方法であって：
（１）前記ＡＲＣ層上にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷し乾燥させるステップであって、前記金属ペーストＡが、フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインとして印刷されるステップと、
（２）フィンガーラインの前記底部セットの上に金属ペーストＢを印刷し乾燥させるステップであって、（ｉ）フィンガーラインの前記底部セットの上に重なってフィンガーラインの上部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインと、（ｉｉ）前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーとを含むグリッドパターンで前記金属ペーストＢが印刷されるステップと、
（３）二重印刷されたシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末および（ｂ２）０．２〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分が、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量の、ガラスフリット＋任意選択的に存在する他の無機添加剤を含有する、方法。
２．金属ペーストＡ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１に記載の方法。
３．金属ペーストＢ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１または２に記載の方法。
４．金属ペーストＡ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜３のいずれか１項に記載の方法。
５．金属ペーストＢ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜４のいずれか１項に記載の方法。
６．金属ペーストＢがファイヤースルー性を有さない、またはごくわずかなファイヤースルー性を有する、前記１〜５のいずれか１項に記載の方法。
７．金属ペーストＢ中に含まれる前記ガラスフリットが、（ｉ）軟化点温度が５７１〜６３６℃の範囲内であり、５３〜５７重量％のＰｂＯ、２５〜２９重量％のＳｉＯ２、２〜６重量％のＡｌ２Ｏ３、および６〜９重量％のＢ２Ｏ３を含有する鉛含有ガラスフリット、（ｉｉ）軟化点温度が５５０〜６１１℃の範囲内であり、１１〜３３重量％のＳｉＯ２、＞０〜７重量％のＡｌ２Ｏ３、および２〜１０重量％のＢ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスフリット、ならびに（ｉｉｉ）軟化点温度が５５０〜６１１℃の範囲内であり、４０〜７３重量％のＢｉ２Ｏ３、１１〜３３重量％のＳｉＯ２、＞０〜７重量％のＡｌ２Ｏ３、および２〜１０重量％のＢ２Ｏ３を含有する無鉛ガラスフリットからなる群から選択される少なくとも１種類のガラスフリットからなる、前記６に記載の方法。
８．前記ＡＲＣ層が、ＴｉＯｘ、ＳｉＯｘ、ＴｉＯｘ／ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、またはＳｉ３Ｎ４のＡＲＣ層からなる群から選択される、前記１〜７のいずれか１項に記載の方法。
９．ステップ（１）と（２）との間に追加の焼成ステップ（１ａ）が行われる、前記１〜８のいずれか１項に記載の方法。
１０．ステップ（１）および（２）の前記印刷がスクリーン印刷である、前記１〜９のいずれか１項に記載の方法。
１１．前記１〜１０のいずれか１項に記載の方法により製造された前面グリッド電極。
１２．その前面上のＡＲＣ層と、前記１１に記載の前面グリッド電極とを有するシリコンウエハを含む、シリコン太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体材料の１つの面上に化学的無電解プロセスによって所望の接点材料の酸化物を堆積させる工程と、
前記所望の接点材料の接点を製造するために化学的無電解プロセスによって前記酸化物を還元する工程と、
を含み、
前記半導体材料の１つの面上に化学的無電解プロセスによって所望の接点材料の酸化物を堆積させる工程は、堆積溶液を付与することを含み、前記堆積溶液から比較的不溶性の所望の接点材料の酸化物が半導体に対する前記半導体材料上に堆積される、半導体材料上に接点を製造する方法。
【請求項２】
前記半導体材料の１つの面上に化学的無電解プロセスによって所望の接点材料の酸化物を堆積させる工程は、前記半導体を前記堆積溶液に浸漬することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
比較的不溶性の酸化物層が、前記半導体の表面における前記半導体材料の酸化により、前記半導体の表面において化学的に形成されるように、前記堆積溶液が選択される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記堆積溶液は前記所望の接点材料のオキソ酸アニオンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積溶液は所望の金属接点材料の金属オキソ酸を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記化学的無電解プロセスによって前記酸化物を還元する工程は、前記半導体に還元溶液を付与することを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記化学的無電解プロセスによって前記酸化物を還元する工程は、前記半導体を還元溶液に浸漬することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
還元溶液がアンモニア溶液を含む、請求項５〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記接点が堆積される前記半導体材料は、テルル化カドミウム、テルル化カドミウム亜鉛（ＣＺＴ）、テルル化カドミウムマンガン（ＣＭＴ）、およびそれらの合金から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記接点材料は、Ａｕ、ＰｔまたはＰｄより高い仕事関数を有する材料である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記接点材料は、抵抗接点を形成するように選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記接点材料は、Ｇｅ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｓｂならびにそれらの合金および組み合わせを含む群から選択される、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記接点材料は、タングステンおよびモリブデンから選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記接点材料は、ショットキーダイオードまたは遮断接点を形成するように選択される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記接点材料は、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｔｌならびにそれらの合金および組み合わせを含む群から選択される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
電気接点を製造することが望まれる半導体材料の少なくとも第１の層を有する半導体構造を提供する工程と、
請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法により接点を前記半導体材料上に製造する工程と、
を含む、半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
半導体材料の少なくとも第１の層を含む半導体素子であって、前記半導体材料の少なくとも第１の層は、その上に堆積される、請求項１〜１６のいずれかに記載の２段階の化学的無電解プロセスによって堆積される接点構造を有する、半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数のシリコン太陽電池（４）を含むシリコンウェハ（２）に対して、分離線（５）に沿って第１のレーザビーム（Ｌ１）を照射することにより、前記シリコンウェハ（２）内のｐｎ接合（１６）に隣接する前記シリコンウェハ（２）の前面（１４）における少なくとも前記ｐｎ接合（１６）の深さ（Ｔ）に迄達する深さ（ｔ）を有すると共に前記分離線（５）に沿って前記シリコンウェハ（２）の側縁（２４）まで延びる溝（２２）を形成する、第１の作業ステップと、
前記溝（２２）に向けられる第２のレーザビーム（Ｌ２）の照射によって、前記シリコンウェハ（２）を前記側縁（２４）から始めて前記分離線（５）に沿って切断し、当該切断の際に生じる融解物（Ｍ）を、少なくとも前記第２のレーザビーム（Ｌ２）の照射方向にほぼ沿って流れる切断ガス（Ｇ）によって、当該切断の際に生じる切断切り口（２８）から追い払う、第２の作業ステップと
を含むことを特徴とする、多数のシリコン太陽電池（４）の個別化方法。
【請求項２】
前記第１のレーザビーム（Ｌ１）及び前記第２のレーザビーム（Ｌ２）がパルス化されていて、前記第１のレーザビーム（Ｌ１）のパルス持続時間が前記第２のレーザビーム（Ｌ２）のパルス持続時間よりも短い
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【図１】多数の太陽電池を含むシリコンウェハの平坦面を見た概略的な平面図である。
【図２】第１の作業ステップ中におけるシリコン太陽電池を含むシリコンウェハの縁部付近における分離線に沿った縦断面図である。
【図３】図２に対応する作業ステップにおいて分離線の方向にシリコンウェハの奥行き方向を見た側面図である。
【図４】第２の作業ステップの開始時におけるシリコン太陽電池を含むシリコンウェハの縁部付近における分離線に沿った縦断面図である。
【図５】図４に対応する作業ステップにおいて分離線の方向にシリコンウェハの奥行き方向を見た側面図である。
【図６】第２の作業ステップの実行中におけるシリコン太陽電池を含むシリコンウェハの縁部付近における分離線に沿った縦断面図である。
【図７】図６に対応する作業ステップにおいて分離線の方向にシリコンウェハの奥行き方向を見た側面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１によれば、シリコンウェハ２内に完成した多数のシリコン太陽電池４が配置されている。これらシリコン太陽電池４は、後に続く後述の製造ステップにおいて、予め与えられた分離線５に沿って互いに分離され、即ち個別化される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
シリコン太陽電池４を個別化すべく、第１の作業ステップでは、第１のレーザビームＬ１によって、分離線５に沿ってレーザ掘削法又はレーザアブレーション法で、シリコンウェハ２のｐｎ接合１６に隣接する前面１４に、少なくともｐｎ接合の深さＴ迄延びる深さｔを有する溝２２を形成する（刻み込む）。ｐｎ接合の深さＴは典型的には約１μｍである。図２及び図３の例では、掘削がシリコンウェハ２の側縁２４から始まっている。しかし、掘削は基本的にはシリコンウェハ２の縁から隔たった個所から始めてもよい。但し出来上がった溝２２がシリコンウェハ２の側縁２４迄延びていることが重要である。第１のレーザビームＬ１はパルス化されており、パルス持続時間がナノ秒の範囲にあり、２００〜２０００ｎｍの範囲の波長が使用されるとよい。基本的には、ナノ秒の範囲を下回る短いパルス持続時間も適している。この場合、溝２２の深さｔは、ｐｎ接合の深さＴを数μｍだけ上回ること、例えば１０μｍよりも大きく上回ることが好ましい。実際には約１２〜１５μｍの溝２２の深さが適切であることが分かった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
溝２２の仕上げ後に、図４及び図５に従い、シリコンウェハ２が、第２の作業ステップにおいて、溝２２の中に向けられた、好ましくは同様にパルス化された第２のレーザビームＬ２により、側縁２４から始めて分離線５に沿って切断される。その際、レーザ切断中に生じる融解物Ｍが、レーザ切断開始時に発生してまだ背面８迄達していない側縁２４の側面の切断切り口２８から、ほぼ第２のレーザビームＬ２の方向に高速流動する切断ガスＧによって追い払われる。即ち、図４に矢線Ｍで模式的に示してあるように、第２のレーザビームＬ２の方向において背面へ向けられる流動成分である切断ガスＧの流れによって、融解物Ｍは、縁２４からその外側つまりシリコンウェハ２の外側へと、追い払われる。このように、ベースの融解時、即ちシリコン基板６のｐドープされた領域の融解時には、ｐドーパントが集積される融解ゾーンが形成されるが、この融解ゾーンが溝２２のｎドープされた側壁迄広がってこれを濡らすことを、本発明の実施の形態に係る方法によれば、防止することが可能となる。これは換言すれば、ｐドーパントの集積する融解物Ｍが、ｎドープされたエミッタ層１２と接触することを、本発明の実施の形態に係る方法によれば解消することができる、ということである。なお、第２のレーザビームＬ２のパルス持続時間が典型的にはマイクロ秒範囲にあり、第２のレーザビームＬ２の波長が赤外線範囲近傍にあるとよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のクエリを構築するステップであって、前記複数のクエリは、当該複数のクエリについての１つの言語で表現されるクエリ用語を有する、構築するステップと、
前記複数のクエリを取出しモジュールに提示するステップであって、前記取出しモジュールは、探索動作を実行して前記複数のクエリのクエリ用語に合致する複数の文書を識別するように構成されている、提示するステップと、
前記取出しモジュールから結果セットを受信するステップであって、前記結果セットは、前記複数のクエリのクエリ用語に合致する文書から前記取出しモジュールによって識別された結果項目を提供し、該結果項目もまた前記クエリについての１つの言語で表現されている、受信するステップと、
構造化されたトレーニングセットを作成するために、前記結果セットを処理するステップであって、前記トレーニングセットは、前記結果セット内の前記結果項目の複数組の対を示し、前記トレーニングセットの個々の対は、
前記取り出しモジュールから受信した第1の結果項目であって、前記クエリについての前記言語で表現された第1の複数の単語を有する第1の結果項目と、
前記取り出しモジュールから受信した第２の結果項目であって、同様に前記クエリについての前記言語で表現された第２の複数の単語を有する第２の結果項目と
を含む、処理するステップとを備え、
前記トレーニングセットは、それによって電気トレーニングシステムが前記統計的翻訳モデルを学習できる基礎を提供することを特徴とするコンピュータ実装方法。
【請求項２】
前記取出しモジュールは、前記複数のクエリを処理して複数の結果項目を識別する探索エンジンであり、個々の前記結果項目は個々の関連の文書の概要または要約を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記結果セットは広域ネットワークを通じて受信し、該広域ネットワークは、該広域ネットワークを通じて前記文書を取り出すためのリソースロケータを有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理するステップは、少なくとも１つの要件に基づいて、前記結果セット内の前記複数の結果項目を制約するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記制約するステップは、前記複数の結果項目に関連するランキングスコアに基づいて、ペアワイズのマッチングに関する候補を前記複数の結果項目から識別するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記制約するステップは、複数の候補と前記結果セットに関連するそれぞれの語彙的な署名との間の合意に基づいて、ペアワイズのマッチングに関する候補を前記複数の結果項目から識別するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記制約するステップは、他の個々の結果項目に対する個々の結果項目の類似性を表す類似性スコアに基づいて、ペアワイズのマッチングに関する候補を識別するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記制約するステップは、前記複数の結果項目と前記複数の結果項目の識別されたクラスタとの間の関連性に基づいて、ペアワイズでマッチングに関する候補を識別するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記トレーニングセットを使用して前記統計的翻訳モデルをトレーニングし、前記クエリの言語の第２の句を得るために前記クエリの言語の第１の句を書き換えるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記トレーニングセット内の複数の句の試行的なペアワイズのアラインメントを得るために、終了状態に満足するまで前記統計的翻訳モデルを相互作用的に適用するステップをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記終了状態の満足に応答して前記統計的翻訳モデルを決定する統計パラメータを生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記複数のクエリは共通の主題に関連し、前記複数のクエリの各々が前記共通の主題を目的とすることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記トレーニングセットに基づいて前記統計的翻訳モデルを生成するステップと、前記
統計的翻訳モデルを適用するステップとをさらに備え、前記適用するステップは、
前記統計的翻訳モデルを使用して、探索クエリを拡張するステップ、
前記統計的翻訳モデルを使用して、文書索引付け決定を円滑にするステップ、
前記統計的翻訳モデルを使用して、テキストコンテンツを改正するステップ、または
前記統計的翻訳モデルを使用して、広告情報を拡張するステップのうちの１つを備える
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかの項に記載の方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のコンピュータプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能記録媒体を有するコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月20日(2013.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インフラ監視システムであって、前記インフラ監視システムは、
オペレーションセンタと；
オペレーションセンタに通信可能に結合される複数の通信装置と
を備え
複数の前記通信装置のうちの少なくとも１つの通信装置は、インフラの構成要素に結合され、
少なくとも２つの通信装置は、監視装置であり、
第１の監視装置は、インフラの第１の状況を監視し、
第２の監視装置は、インフラの第２の状況を監視し、
少なくとも前記第２の監視装置は、前記少なくとも１つの通信装置から離れて配置される、インフラ監視システム。
【請求項２】
前記監視装置は、
インフラ内の少なくとも１つの状態を感知する少なくとも１つのセンサと；
少なくとも１つの前記センサによって感知されるデータを記憶するデータ記憶装置と；
データを送受信するように構成される送受信機と；
少なくとも１つの前記センサと、前記データ記憶装置と、前記送受信機とに通信可能に結合されるプロセッサと
を備える、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項３】
前記オペレーションセンタと複数の前記監視装置とは、互いに無線通信可能に結合される、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項４】
少なくとも１つの通信装置は、出力装置である、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項５】
前記出力装置は、
データを送受信するように構成される送受信機と；
少なくとも１つの出力ポートと；
前記送受信機と少なくとも１つの前記出力ポートとのうちの少なくとも１つに通信可能に結合されるプロセッサと
を備える、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項６】
前記オペレーションセンタと少なくとも１つの前記出力装置とは、互いに無線通信可能に結合される、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項７】
通信装置はそれぞれ、第２の通信装置宛ての送信を受信し、且つ前記第２の通信装置への送信を再送信するように構成される、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項８】
通信装置はそれぞれ、前記オペレーションセンタ宛ての送信を受信し、且つ前記オペレーションセンタへの送信を再送信するように構成される、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項９】
少なくとも１つの出力装置は、アクチュエータ制御装置と、警報機と、無線周波数識別装置と、いたずら防止装置とのうちの少なくとも１つに結合される、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項１０】
監視装置と出力装置は、同じユニット内に含まれる、
請求項４記載のインフラ監視システム。
【請求項１１】
前記監視装置と前記出力装置は、電源と、通信装置と、プロセッサとのうちの少なくとも１つを共有する、
請求項１０記載のインフラ監視システム。
【請求項１２】
前記インフラは、配水システムと、配電システムと、配ガスシステムと、交通制御システムと、緊急対応システムとのうちの少なくとも１つを備える、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項１３】
少なくとも１つの監視装置は、ガスの使用と、水と、電気と、いたずらと、漏れと、ＧＰＳ位置と、近接度と、傾斜と、煙と、温度と、さびと、腐食と、流量と、圧力と、水質と、大気質と、汚染と、インフラの状態と、ｐＨと、放射線と、動作とのうちの少なくとも１つを監視する、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項１４】
前記システムは、少なくとも１つの前記監視装置が事象を記録する際に、警告を発する、
請求項１３記載のインフラ監視システム。
【請求項１５】
少なくとも１つの監視装置は、視覚装置または音声装置に結合される、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項１６】
前記オペレーションセンタは、複数のオペレーションセンタからなる、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項１７】
オペレーションセンタはそれぞれ、固有に配置される、
請求項１６記載のインフラ監視システム。
【請求項１８】
前記オペレーションセンタは、複数のインフラを同時に監視する、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項１９】
複数の前記インフラは、水道システムと、電気システムと、ガスシステムと、緊急対応システムと、交通制御システムと、それらの組み合わせとから成る群より選択される、
請求項１８記載のインフラ監視システム。
【請求項２０】
前記インフラの構成要素は、消火栓と、煙検知器と、バルブと、バルブボックスと、バルブボックスカバーと、メータと、メータボックスと、メータボックスカバーと、給水塔と、水タンクと、ポンパノズルと、ホースノズルと、マンホールカバーとのうちの１つである、
請求項１記載のインフラ監視システム。
【請求項２１】
前記インフラの構成要素は、消火栓であり、
前記消火栓に結合される前記通信装置は、中継器である、
請求項２０記載のインフラ監視システム。
【請求項２２】
前記インフラの構成要素は、消火栓であり、
前記消火栓の少なくとも一部は、通信を妨害しない材料から成る、
請求項２０記載のインフラ監視システム。
【請求項２３】
前記インフラの構成要素は、消火栓であり、
前記消火栓に結合される前記通信装置は、ノズルキャップと、ポンパノズルと、ホースノズルと、消防車フックアップと、ボンネットとのうちの１つ内に配置される、
請求項２０記載のインフラ監視システム。
【請求項２４】
インフラ監視システムであって、前記インフラ監視システムは、
オペレーションセンタと；
前記オペレーションセンタに通信可能に結合される複数の通信装置と
を備え、
複数の前記通信装置のうちの少なくとも１つの通信装置は、消火栓に結合され、
少なくとも２つの通信装置は、監視装置であり、
第１の監視装置は、インフラの第１の状況を監視し、
第２の監視装置は、インフラの第２の状況を監視し、
少なくとも前記第２監視装置は、前記少なくとも１つの通信装置から離れて配置される、インフラ監視システム。
【請求項２５】
前記消火栓に結合される前記通信装置は、監視装置と、出力装置と、中継器とのうちの１つである、
請求項２４記載のインフラ監視システム。
【請求項２６】
前記消火栓の少なくとも一部は、通信を妨害しない材料から成る、
請求項２４記載のインフラ監視システム。
【請求項２７】
前記消火栓に結合される前記通信装置は、ノズルキャップと、ポンパノズルと、ホースノズルと、消防車フックアップと、ボンネットとのうちの１つ内に配置される、
請求項２４記載のインフラ監視システム。
【請求項２８】
消火栓であって、前記消火栓は、
ボンネットと；
前記ボンネットに結合される通信装置と
を備え、
前記通信装置は、インフラ監視システムの要素であり、
前記通信装置は、前記通信装置から遠隔に配置された監視装置からデータを受信するように構成される、消火栓。
【請求項２９】
前記ボンネットは、前記消火栓内の水から防護される、
請求項２８記載の消火栓。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インフラ監視システム、および消火栓
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハの前面にグリッド電極を形成する方法であって、前記シリコンウエハがｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前記前面のＡＲＣ層とを有し、：
（１）前記ＡＲＣ層にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷して乾燥させるステップであって、前記金属ペーストＡが、フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインとして印刷される、ステップと、
（２）フィンガーラインの前記底部セットに金属ペーストＢを印刷して乾燥させて、フィンガーラインの前記底部セットの上に重なるフィンガーラインの上部セットを形成するステップと、
（３）金属ペーストＣを印刷して乾燥させて、前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーを形成するステップと、
（４）前記三重印刷したシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、無機分であって（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｂ２）０〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＣが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｃ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｃ２）０．２〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分およびペーストＣの前記無機分は、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量のガラスフリットに加えて、選択的に存在する他の無機添加剤を含有し、
ステップ（１）がステップ（２）の前に行われるという条件で、ステップ（１）〜（３）があらゆる順序で行われ得る、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
【表２】
2012527782.tif 000001
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．シリコンウエハの前面にグリッド電極を形成する方法であって、前記シリコンウエハがｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前記前面のＡＲＣ層とを有し、：
（１）前記ＡＲＣ層にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷して乾燥させるステップであって、前記金属ペーストＡが、フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインとして印刷される、ステップと、
（２）フィンガーラインの前記底部セットに金属ペーストＢを印刷して乾燥させて、フィンガーラインの前記底部セットの上に重なるフィンガーラインの上部セットを形成するステップと、
（３）金属ペーストＣを印刷して乾燥させて、前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーを形成するステップと、
（４）前記三重印刷したシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、無機分であって（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｂ２）０〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＣが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｃ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｃ２）０．２〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分およびペーストＣの前記無機分は、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量のガラスフリットに加えて、選択的に存在する他の無機添加剤を含有し、
ステップ（１）がステップ（２）の前に行われるという条件で、ステップ（１）〜（３）があらゆる順序で行われ得る、方法。
２．金属ペーストＡ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１に記載の方法。
３．金属ペーストＢ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１または２に記載の方法。
４．金属ペーストＣ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１、２、または３に記載の方法。
５．金属ペーストＡ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜４のいずれか１項に記載の方法。
６．金属ペーストＢ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜５のいずれか１項に記載の方法。
７．金属ペーストＣ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜６のいずれか１項に記載の方法。
８．金属ペーストＢがガラスフリットを含有しない、前記１〜７のいずれか１項に記載の方法。
９．金属ペーストＢが他の無機添加剤を含有しない、前記８に記載の方法。
１０．金属ペーストＣがファイヤースルー性を有さない、またはごくわずかなファイヤースルー性を有する、前記１〜９のいずれか１項に記載の方法。
１１．金属ペーストＣ中に含まれる前記ガラスフリットが、（ｉ）軟化点温度が５７１〜６３６℃の範囲であり、５３〜５７重量％のＰｂＯ、２５〜２９重量％のＳｉＯ2、２〜６重量％のＡｌ2Ｏ3、および６〜９重量％のＢ2Ｏ3を含有する鉛含有ガラスフリット、（ｉｉ）軟化点温度が５５０〜６１１℃の範囲であり、１１〜３３重量％のＳｉＯ2、＞０〜７重量％のＡｌ2Ｏ3、および２〜１０重量％のＢ2Ｏ3を含有する無鉛ガラスフリット、ならびに（ｉｉｉ）軟化点温度が５５０〜６１１℃の範囲であり、４０〜７３重量％のＢｉ2Ｏ3、１１〜３３重量％のＳｉＯ2、＞０〜７重量％のＡｌ2Ｏ3、および２〜１０重量％のＢ2Ｏ3を含有する無鉛ガラスフリット、からなる群から選択される少なくとも１種類のガラスフリットからなる、前記１０に記載の方法。
１２．前記ＡＲＣ層が、ＴｉＯx、ＳｉＯx、ＴｉＯx／ＳｉＯx、ＳｉＮx、またはＳｉ3Ｎ4ＡＲＣ層からなる群から選択される、前記１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
１３．ステップ（１）〜（３）の前記印刷がスクリーン印刷である、前記１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
１４．前記１〜１３のいずれか１項に記載の方法により製造された前面グリッド電極。
１５．シリコンウエハを含むシリコン太陽電池であって、前記シリコンウエハが、その前面にＡＲＣ層を有し、かつ、前記１４に記載の前面グリッド電極を有する、シリコン太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハの前面にグリッド電極を形成する方法であって、前記シリコンウエハがｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前記前面のＡＲＣ層とを有し、：
（１）前記ＡＲＣ層にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷して乾燥させるステップであって、（ｉ）フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインと、（ｉｉ）前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーとを含むグリッドパターンで、前記金属ペーストＡが印刷されるステップと、
（２）金属ペーストＢをフィンガーラインの前記底部セットの上に印刷して乾燥させて、フィンガーラインの前記底部セットの上に重なるフィンガーラインの上部セットを形成するステップと、
（３）二重印刷されたシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、無機分であって（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｂ２）０〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分が、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量のガラスフリットに加えて、選択的に存在する他の無機添加剤を含有する、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【表２】
2012527781.tif 000001
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．シリコンウエハの前面にグリッド電極を形成する方法であって、前記シリコンウエハがｐ型領域と、ｎ型領域と、ｐｎ接合と、前記前面のＡＲＣ層とを有し、：
（１）前記ＡＲＣ層にファイヤースルー性を有する金属ペーストＡを印刷して乾燥させるステップであって、（ｉ）フィンガーラインの底部セットを形成する薄い平行なフィンガーラインと、（ｉｉ）前記フィンガーラインと直角に交差する２つ以上の平行なバスバーとを含むグリッドパターンで、前記金属ペーストＡが印刷されるステップと、
（２）金属ペーストＢをフィンガーラインの前記底部セットの上に印刷して乾燥させて、フィンガーラインの前記底部セットの上に重なるフィンガーラインの上部セットを形成するステップと、
（３）二重印刷されたシリコンウエハを焼成するステップとを含み、
前記金属ペーストＡが、有機ビヒクルと、無機分であって（ａ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ａ２）０．５〜８重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
前記金属ペーストＢが、有機ビヒクルと、無機分であって（ｂ１）銀、銅、およびニッケルからなる群から選択される少なくとも１種類の導電性金属粉末、および（ｂ２）０〜３重量％のガラスフリットを含む無機分とを含み、
金属ペーストＢの前記無機分が、金属ペーストＡの前記無機分よりも少ない量のガラスフリットに加えて、選択的に存在する他の無機添加剤を含有する、方法。
２．金属ペーストＡ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１に記載の方法。
３．金属ペーストＢ中の前記導電性金属粉末の全含有率が５０〜９２重量％である、前記１または２に記載の方法。
４．金属ペーストＡ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜３のいずれか１項に記載の方法。
５．金属ペーストＢ中の前記少なくとも１種類の導電性金属粉末が銀粉末である、前記１〜４のいずれか１項に記載の方法。
６．金属ペーストＢがガラスフリットを含有しない、前記１〜５のいずれか１項に記載の方法。
７．金属ペーストＢが他の無機添加剤を含有しない、前記６に記載の方法。
８．前記ＡＲＣ層が、ＴｉＯx、ＳｉＯx、ＴｉＯx／ＳｉＯx、ＳｉＮx、またはＳｉ3Ｎ4ＡＲＣ層からなる群から選択される、前記１〜７のいずれか１項に記載の方法。
９．ステップ（１）と（２）との間に追加の焼成ステップ（１ａ）が行われる、前記１〜８のいずれか１項に記載の方法。
１０．ステップ（１）および（２）の前記印刷がスクリーン印刷である、前記１〜９のいずれか１項に記載の方法。
１１．金属ペーストＢが、ステップ（１）において印刷されて乾燥された前記バスバーの上にも重ねて印刷される、前記１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
１２．前記１〜１１のいずれか１項に記載の方法により製造された前面グリッド電極。
１３．シリコンウエハを含むシリコン太陽電池であって、前記シリコンウエハが、その前面にＡＲＣ層を有し、かつ、前記１２に記載の前面グリッド電極を有する、シリコン太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量センサデバイス用の処理システムであって、
第１のセンサ電極及び第２のセンサ電極に結合されたセンサ電極制御器であり、該センサ電極制御器が
前記第１のセンサ電極で第１の電気信号を放出し且つ受信し、
第２の電気信号を放出し且つ受信し、前記第１及び第２のセンサ電極の一方が前記放出を行い、前記第１及び第２のセンサ電極の他方が前記受信を行うように構成されるセンサ電極制御器と、
第１の静電容量測定値及び第２の静電容量測定値を使用して第１の位置情報を決定するように構成される決定器であって、前記第１の静電容量測定値が前記第１の電気信号の前記放出及び受信によって取得され、前記第２の静電容量測定値が前記第２の電気信号の前記放出及び受信によって取得される、決定器と、
を備える、静電容量センサデバイス用の処理システム。
【請求項２】
前記決定器が、前記第１及び第２の静電容量測定値を使用して第１の推定値を生成し、前記第１及び第２の静電容量測定値を使用して第２の推定値を生成することによって前記第１及び第２の静電容量測定値を使用して第１の位置情報を決定するように構成され、
前記第１の推定値が、前記第１のセンサ電極と入力物体及び前記第２のセンサ電極の一方との間の静電容量結合のものであり、
前記第２の推定値が前記第１のセンサ電極と前記第２のセンサ電極との間の静電容量結合のものであり、
前記第１の位置情報が前記第１の推定値及び前記第２の推定値の一つに少なくとも部分的に基づく、請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記決定器が、
前記第１及び第２の静電容量測定値を使用して前記入力物体のサイズ及びタイプのうちの少なくとも１つを決定する
ようにさらに構成される、請求項１及び２のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項４】
前記センサ電極制御器が、更に、第１の期間の間に前記第１の電気信号を放出し且つ受信し、前記第１の期間と異なる第２の期間の間に前記第２の電気信号を放出し且つ受信するように構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項５】
前記センサ電極制御器が前記第１の電気信号を放出し且つ受信し、同時に、前記第２の電気信号を放出し且つ受信するように構成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の処理システム。
【請求項６】
第１の軸に沿って整列された第１の複数のセンサ電極と、
前記第１の軸に非平行な第２の軸に沿って整列された第２の複数のセンサ電極と、
前記第１の複数のセンサ電極及び前記第２の複数のセンサ電極に結合された処理システムであり、
前記第１の複数のセンサ電極の第１の組から電気信号を放出し、前記第１の複数のセンサ電極の前記第１の組からの前記電気信号を前記第１の複数のセンサ電極の前記第１の組で受信することによって第１の複数の静電容量測定値を取得し、
前記第２の複数のセンサ電極の第１の組から電気信号を放出し、前記第２の複数のセンサ電極の前記第１の組からの前記電気信号を前記第１の複数のセンサ電極の第２の組で受信することによって第２の複数の静電容量測定値を取得し、前記第１の複数のセンサ電極の前記第１及び第２の組が少なくとも１つのセンサ電極を共通に有するように構成される、処理システムと
を備える静電容量センサデバイス。
【請求項７】
前記静電容量センサデバイスに関連する入力面
をさらに含み、前記処理システムが、
前記第１の複数の静電容量測定値を使用して入力物体の第１の位置推定値を決定し、前記第１の位置推定値が前記入力面から比較的離れた前記入力物体の場所を特定し、
前記第２の複数の静電容量測定値を使用して前記入力物体の第２の位置推定値を決定し、前記第２の位置推定値が前記入力面に比較的近い前記入力物体の場所を特定する
ようにさらに構成される、請求項６に記載の静電容量センサデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
贈与者が通信ネットワークを介してアクセス可能なウェブサイトであって、前記贈与者がカード発行会社に送金することを可能にするアカウント管理機能を有するウェブサイトと、
独自のカード識別子を有する分離可能なギフトカードと、分離可能なグリーティングカードと、分離可能な封筒とを含むフォームと、
前記通信ネットワークに接続されたリモートサーバーと、
前記ギフトカードに関連づけられ且つ前記リモートサーバーに格納される資金データであって、前記贈与者が前記カード発行会社に送った金に関する資金データと、
前記ギフトカードを受贈者に配達するための贈与者用の手段とを備えることを特徴とするギフト贈呈システム。
【請求項２】
前記ギフトカードが、電子グリーティングカードをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項３】
前記ギフトカードは、物理的なギフトガードを含み、前記封筒の舌部に脱着可能に結合されていることを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項４】
前記ギフトカードは、前記封筒が封着されていないが閉じられた状態において、前記封筒の小袋内に挿入して隠すことができることを特徴とする請求項３に記載のギフト贈呈システム。
【請求項５】
前記ギフトカードは、前記封筒が開かれると、視認され得るように前記封筒の小袋から取り出し可能であることを特徴とする請求項３に記載のギフト贈呈システム。
【請求項６】
前記ギフトカードが、前記封筒の舌部の内表面に結合されている貼付部からミシン目を介して脱着可能であることを特徴とする請求項３に記載のギフト贈呈システム。
【請求項７】
前記ギフトカードは、取り外されると、前記封筒の小袋内に挿入可能とされており、前記封筒は、受贈者への配達のために封着された閉じた状態に密閉可能とされていることを特徴とする請求項６に記載のギフト贈呈システム。
【請求項８】
前記ギフトカードは、前記封筒の舌部の内表面に接着剤によって取り付けられている物理的なギフトカードであることを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項９】
前記ギフトカード及びグリーティングカードは、前記封筒内に入れた状態で配達可能であることを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１０】
前記封筒内に挿入可能なカタログをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１１】
前記封筒は、当該封筒内に封入される前記ギフトカード及び他の内容物を囲繞するように製造されることを特徴とする請求項１に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１２】
前記封筒が切取可能な切取部を有することを特徴とする請求項９に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１３】
前記切取可能な切取部が前記封筒の舌部に結合されていることを特徴とする請求項１２に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１４】
前記切取可能な切取部が、ギフト表示を備えることを特徴とする請求項１２に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１５】
前記ギフト表示は、前記ギフトカードを使用して受取人によって交換可能なギフトアイテムのイメージを含むことを特徴とする請求項１４に記載のギフト贈呈システム。
【請求項１６】
（ａ）複数のギフトアイテムであって、贈与者が購入のためにその中から１又は複数のギフトアイテムを選択できる複数のギフトアイテムに対応する複数のギフト表示のリストを用意するステップと、
（ｂ）前記複数のギフト表示のリストの中からギフトアイテムを選択するステップと、
（ｃ）コンピューターを使用して、通信ネットワークに通信可能に接続されたウェブサイトにアクセスするステップと、
（ｄ）前記ウェブサイトを通じて前記贈与者に関する第１の個人情報を収集し且つデータ記憶装置に送るステップと、
（ｅ）受贈者に関する前記贈与者によって提供される第２の個人情報を収集し且つ前記データ記憶装置に送るステップと、
（ｆ）前記ギフト表示の中から選択された前記ギフトアイテムを購入するステップと、
（ｇ）前記第１の個人情報及び前記第２の個人情報を使用して、受贈者に対して、贈与者によって選択された前記ギフトアイテムのギフト表示を備える電子ギフトカードを含む前記贈与者からの電子グリーティングカードを作成するステップと、
（ｈ）前記第２の個人情報及び前記通信ネットワークへのアクセスを含む通信ソフトウェアを使用して、前記電子グリーティングカードを贈与者から受贈者に送るステップと、
（ｉ）前記電子ギフトカードを使用して、受贈者を前記ウェブサイトに誘導するステップと、
（ｊ）前記ギフトカードを前記ギフトアイテムに交換するステップとを備えることを特徴とするギフト贈呈方法。
【請求項１７】
前記リストは前記ギフト表示を示す印刷物を有することを特徴とする請求項１６に記載のギフト贈呈方法。
【請求項１８】
（ｋ）前記受贈者による前記電子ギフトカードの受領に応じて前記電子ギフトカードを印刷するステップと、
（ｌ）前記電子ギフトカードを前記ギフトアイテムに小売店で交換するステップとのうち、少なくとも一つのステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のギフト贈呈方法。
【請求項１９】
（ｍ）前記ギフトカードを交換する前に、受贈者が、贈与者によって選択されたギフトアイテムとは異なるギフトアイテムを選択することを許可するステップと、
（ｎ）受贈者が第三者に前記ギフトアイテムを贈るために受贈者が前記第三者にギフトカードを譲渡して前記第三者が前記ギフトアイテムを受け取るために前記ギフトカードを交換することを許可するステップとのうち、少なくとも一つのステップをさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のギフト贈呈方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
視覚的なパラメータの操作に応じて音によるフィードバックを提供する方法であって、当該方法は
−  複数の前記視覚的なパラメータ中の関連する前記視覚的なパラメータの操作に応答して音による信号を発生させるステップを含み、当該信号が、前記操作された視覚的なパラメータを音響的に識別させるよう、当該音による信号の特徴が構成されており、
前記音による信号の音量が特定の設定を音響的に識別させるよう、前記操作された視覚的なパラメータの前記特定の設定に応じて前記音による信号の音量を制御するステップを含む、方法。
【請求項２】
前記視覚的なパラメータが、色、色飽和、明るさ、色温度、及びタイミング特性の何れか一つを有することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記音による信号は、クリック音、ビープ音、又はチック音などの特定のタイプの音を用いて、信号のピッチを用いて、信号の音量を用いて、又はこれらの組合せを用いて前記操作された視覚的なパラメータを識別させることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
二つの極値の間で変化する前記操作された視覚的なパラメータに応じて前記音による信号の音量を当該二つの極値の間で変化させるステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記操作された視覚的なパラメータを前記二つの極値により規定された範囲の外側にある値に設定する試みがなされた場合、前記音によるフィードバックを停止させるステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記音による信号の音量の変化が、前記操作された視覚的なパラメータ値の変化と比例していることを特徴とする、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
前記音による信号の音量の変化が、前記操作された視覚的なパラメータ値の変化に対して線形であることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記音による信号の音量の変化が、前記操作された視覚的なパラメータ値の変化に対して線形ではないことを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
視覚的なパラメータの操作に応じて音によるフィードバックを提供するための制御デバイスであって、当該制御デバイスは、
−  音響信号送信器と、
−  前記視覚的なパラメータを操作するためのユーザ・インターフェースと、
−  ユーザにより操作される前記ユーザ・インターフェースにより遂行された制御信号の送信によって前記視覚的なパラメータを制御するよう適応された通信ユニットと、
を有し、
前記音響信号送信器が、操作された前記ユーザ・インターフェースを用いて、関連する前記視覚的なパラメータの操作に応答して音による信号を送信し、当該信号が前記操作された視覚的なパラメータを音響的に識別させるよう、音による信号の特徴が構成されており、
前記音による信号の音量が特定の設定を音響的に識別させるよう、前記操作された視覚的なパラメータの前記特定の設定に応じて前記音による信号の音量が制御される、制御デバイス。
【請求項１０】
前記視覚的なパラメータの操作のための前記ユーザ・インターフェースが接触感応性であることを特徴とする、請求項９に記載の制御デバイス。
【請求項１１】
前記視覚的なパラメータの操作のための前記接触感応性があるユーザ・インターフェースが、接触感応性があるリングであることを特徴とする、請求項１０に記載の制御デバイス。
【請求項１２】
前記制御デバイスが、
−  複数の操作部であって、当該複数の操作部の各々が少なくとも一つの前記視覚的なパラメータに関連し、操作された場合、前記操作された制御に関連する前記視覚的なパラメータを前記ユーザが制御させることが出来るよう前記制御デバイスが適応されている複数の操作部を更に有し、音による信号の音量が前記操作された視覚的なパラメータを音響的に識別させることを特徴とする、請求項９乃至１１の何れか一項に記載の制御デバイス。
【請求項１３】
前記接触感応性があるユーザ・インターフェースが、作動している前記視覚的なパラメータを表している利用可能な値の範囲にあるステップの不連続性を視覚的に示すよう適応された少なくとも一つの不連続性−表示素子を有することを特徴とする、請求項１０乃至１２の何れか一項に記載の制御デバイス。
【請求項１４】
コンピュータで実行可能なコンポーネントがデバイス中に含まれる処理ユニット上で作動されたときに、請求項１乃至８の何れか一項に詳述されたステップをデバイスに実行させるためのコンピュータで実行可能なコンポーネントを有するコンピュータ・プログラム。