【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し；
前記表面に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、かつ、保護された酸性基および保護されていない酸性基を含み、保護された酸性基と保護されていない酸性基とのモル比が１：３から３：１であり、前記酸性基がカルボン酸基を含み；
前記組成物中の化合物を架橋して、乳酸エチルに不溶な組成物の層を形成し、かつ、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化１】
2007536389.tif 000001
【請求項２】
前記架橋が、前記化合物を熱的に架橋することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記露光工程が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化カリウム、および、これらの混合物からなる群から選択されるフォトレジスト現像液に溶解する組成物の層を生成する請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記露光工程が、以下の式を有する連鎖の結合（＊）の切断をもたらす請求項１記載の方法。
【化２】
2007536389.tif 000002
【請求項５】
前記基盤がマイクロエレクトロニクス基盤である請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記基盤が、シリコン、アルミニウム、タングステン、ケイ化タングステン、ヒ化ガリウム、ゲルマニウム、タンタル、亜硝酸タンタル、ＳｉＧｅ、イオン注入層、低誘電率(low-k)誘電層、および誘電層からなる群から選択される請求項５記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記基盤が空孔を画する構造を含み、前記構造がサイドウォールおよびボトムウォールを含み；並びに
前記塗布工程が組成物を前記空孔サイドウォールおよびボトムウォールの少なくとも一部に塗布することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記基盤がイオン注入層を含み、および前記塗布工程が前記イオン注入層に隣接する前記組成物の層を形成することを含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記化合物が、前記組成物中の全ての材料の総重量を１００重量％として、前記組成物中に０．５−１０重量％のレベルで存在する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記化合物が、酸反応性でない、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記組成物が、さらに発色団を含み、前記発色団が、前記化合物に結合していない、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記溶媒が、前記組成物の総重量を１００重量％として、９５−９９重量％のレベルで使用される、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物が、３重量％の固形分を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記組成物が、さらに四官能性ビニルエーテル架橋剤を含む、請求項１記載の方法。
【請求項１５】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し、前記基盤が空孔を画する構造を含み、前記構造がサイドウォールおよびボトムウォールを含み；
前記空孔、サイドウォールおよびボトムウォールの少なくとも一部に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、前記酸性基がカルボン酸基を含み、９５％以上の前記カルボン酸基が保護基によって保護されず；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化３】
2007536389.tif 000003
【請求項１６】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し、前記基盤がイオン注入層を含み；
前記イオン注入層に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化４】
2007536389.tif 000004
【請求項１７】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し；
前記表面に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、前記酸性基がカルボン酸基を含み、９５％以上の前記カルボン酸基が保護基によって保護されず；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化５】
2007536389.tif 000005
【請求項１８】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し；
前記表面に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、前記組成物がさらに発色団を含み、前記発色団が前記化合物に結合していなく；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化６】
2007536389.tif 000006
【請求項１９】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し；
前記表面に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、前記溶媒が前記組成物の総重量を１００重量％として前記組成物中に９５−９９重量％のレベルで存在し；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化７】
2007536389.tif 000007
【請求項２０】
マイクロエレクトロニクス構造を形成する方法において、前記方法が：
表面を有する基盤を用意し；
前記表面に組成物を塗布し、前記組成物が溶媒に溶解、または分散した化合物を含み、前記化合物がポリマーおよびオリゴマーからなる群から選択され、前記化合物がフェノール基を除く酸性基を含み、前記組成物が３重量％の固形分を有し；
前記組成物中の化合物を架橋して、以下の式を有する連鎖を含む架橋化合物を生成し；
前記組成物上にフォトレジスト層を形成し；並びに
前記架橋化合物を脱架橋するように前記組成物を露光する工程を含む方法。
【化８】
2007536389.tif 000008
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
もし、化合物がオリゴマーであれば、分子量は約５００−３，０００ダルトンから、より好ましくは約５００−１，５００ダルトンからであることが好ましい。好ましいオリゴマーは、置換された、または置換されていないアクリレート、メタアクリレート、ノボラック、イソシアヌル酸エステル、グリシジルエーテルおよびそれらの混合物を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
化合物がオリゴマー、またはポリマーであるかにかかわらず、また、ポリマーバックボーン、またはオリゴマーコアの構造であるかにかかわらず、化合物は酸官能基を含有することが好ましい。酸性基は、化合物の総重量を１００重量％として、好ましくは約５重量％以上のレベルで化合物中に存在し、好ましくは約５−９０重量％から、さらにより好ましくは約５−５０重量％からである。好ましい酸性基は、フェノール基を除く、カルボン酸（‐ＣＯＯＨ）のような官能基である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
好ましい溶媒系は、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ），プロピレングリコール  ｎ‐プロピルエーテル（ＰｎＰ）、乳酸エチル、およびそれらの混合物からなる群から選択される溶媒を含む。好ましくは、溶媒系は約５０−２５０℃から、より好ましくは約１００−１７５℃からの沸点を持つ。溶媒系は、組成物の総重量を１００重量％として、約８０−９９重量％から、好ましくは９５−９９重量％からのレベルで使用されるべきである。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
例１
酸反応性の基のないポリマー組成物
メタクリロイルオキシエチルフタラート（２８．９ｍｏｌ、アルドリッチより入手）および２、２’‐アゾビスイソブチロニトリル（“ＡＩＢＮ”、０．５８ｍｍｏｌラジカル開始剤、アルドリッチより入手）が窒素雰囲気下、５０ｍｌテトラヒドロフラン中で混合され（“ＴＨＦ”、アルドリッチより入手）、１５時間加熱還流された。反応系は冷却され、約２５ｍｌに濃縮され、その後、２００ｍｌヘキサン中に沈殿された。ろ過、乾燥後、約８ｇの残留白色粉末が回収された。ホモポリマー分子量（“Ｍｗ”）がポリスチレン標準およびゲルパーミエーションクロマトグラフィー（“ＧＰＣ”）を用いて測定され、６８，４００と決定された。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
１９３ｎｍボトム反射防止膜が次のように調整された：乳酸エチル（“ＥＬ”、ジェネラルケミカルより入手）、上記のように調整されたポリマー、２８重量％Ｖｅｃｔｏｍｅｒ５０１５（ビニルエーテル架橋剤、アルドリッチより入手）、および４重量％トリフェニルスルホニウムノナフレート（ＰＡＧ、アルドリッチより入手）を含む３％固形分の製剤が調整され、０．１ミクロン終点のフィルターを通してろ過された。架橋剤およびＰＡＧの量は、ポリマーの質量を基準とした。