Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一組の電極と、前記電極間に形成された複数の機能層とを具備し、
前記機能層は少なくとも１種類の有機半導体からなる発光機能を有した層と、
前記電極と前記発光機能を有した層との間に画素規制層を備え、
発光領域の面積を規制するように構成した有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の表面平均粗さ：Ｒａが５．０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の表面平均粗さ：Ｒａが２．０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項３】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の表面平均粗さ：Ｒａが１．０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の最大山高さ：Ｒｐと最大谷深さ：Ｒｖの絶対値の和が１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項５】
請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の最大山高さ：Ｒｐと最大谷深さ：Ｒｖの絶対値の和が１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層を構成する薄膜のグレインの粒子径が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項７】
請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層を構成する薄膜のグレインの粒子径が５ｎｍ以上４０ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層を構成する薄膜の膜密度が２．０ｇ/ｃｍ２以上３．５ｇ/ｃｍ２以下である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の開口周縁と前記電極とのなす角が３から４５度である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の開口周縁と前記電極とのなす角が３から１０度である有機エレクトロルミネッセント素子。  
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層の膜厚は膜厚２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層表面全体を無機酸化物層で被覆され、この上層に発光機能を有した層が形成された有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層が酸化シリコン膜である有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセント素子であって、
前記画素規制層が窒化シリコン膜である有機エレクトロルミネッセント素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月1日(2009.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、膜厚が３００ｎｍから１００μｍであるニオブ酸カリウムナトリウムからなる圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電アクチュエーターを備えた液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記圧電体層は、組成式（ＫａＮａ１−ａ）ｘＮｂＯ３で表され、前記組成式において、０．１＜ａ＜１であり、１≦ｘ≦１．２である、請求項１に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は、前記組成式において、１≦ｘ≦１．１である、請求項２に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記圧電体の膜厚は、３００ｎｍから３．０μｍである、請求項１乃至３何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
前記圧電体は、擬立方晶（１００）に優先配向している、請求項１乃至４何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項６】
前記圧電体は、斜方晶構造の構造を有する、請求項１乃至５何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項７】
前記下部電極は、白金族の金属または導電性複合酸化物からなる、請求項１乃至６何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項８】
前記下部電極は、白金族の金属と導電性複合酸化物とが積層されている、請求項１乃至６何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項９】
前記下部電極は、ＮｂドープＳｒＴｉＯ３からなる基板の上方に形成されている、請求項１乃至８何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項１０】
前記下部電極と前記圧電体層との間に、ペロブスカイト型酸化物からなる配向制御層を有する、請求項１乃至９何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項１１】
前記配向制御層は、ランタン酸ニッケルからなる、請求項１０に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項１２】
前記圧電体層は、前記圧電体層と同じ組成を有するテンプレート層上に形成されている、請求項１乃至１１何れか一項に記載の液体噴射ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルの温度を可変する温度調整デバイスと、
焼き付き補正動作と連動して表示パネルの温度を調整し、自発光表示素子の劣化率を焼き付き補正による劣化率以上に増減するパネル温度制御部と
を有する焼き付き補正速度調整装置。
【請求項２】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記温度調整デバイスが空調ファンである場合、
前記パネル温度制御部は、前記空調ファンの回転速度を制御して表示パネルの温度を調整する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項３】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記温度調整デバイスが通風口の開閉機構である場合、
前記パネル温度制御部は、前記開閉機構により通風口を開閉制御して表示パネルの温度を調整する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項４】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記温度調整デバイスが通風口の口径調整機構である場合、
前記パネル温度制御部は、前記口径調整機構により通風口の口径を制御して表示パネルの温度を調整する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項５】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記温度調整デバイスが加熱器である場合、
前記パネル温度制御部は、前記加熱器の発熱量を制御して表示パネルの温度を調整する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項６】
請求項５に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記加熱器は、表示パネルの裏面全面を覆うように配置する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項７】
請求項５に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記加熱器は、使用態様での表示パネルの下端側に配置する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項８】
請求項５に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記加熱器は、表示パネルの外縁に沿って配置する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項９】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、温度検出部を通じて表示パネルの温度変化を監視し、表示パネルの温度が目標温度に遷移するように制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、累積劣化量差の最大値が閾値以上に拡大したとき、表示パネルの温度を上げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、累積劣化量差の最大値が閾値以下に縮小したとき、表示パネルの温度を下げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、閾値以上に累積劣化量差が拡大した画面内の画素数が一定の個数又は比率を超えたとき、表示パネルの温度を上げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、閾値以上に累積劣化量差が拡大した画面内の画素数が一定の個数又は比率を割り込んだとき、表示パネルの温度を下げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、閾値以上に累積劣化量差が拡大した画素が特定の領域に集中して検出されるとき、表示パネルの温度を上げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、閾値以上に累積劣化量差が拡大した画素が画面内に分散して検出されるとき、表示パネルの温度を下げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、
焼き付き補正動作の実行時には、表示パネル全域の温度を上げるように前記温度調整デバイスを制御し、
焼き付き補正動作の非実行時には、表示パネル全域の温度を下げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の焼き付き補正速度調整装置において、
前記パネル温度制御部は、
自発光素子の劣化速度を加速する場合には、表示パネル全域の温度を上げるように前記温度調整デバイスを制御し、
自発光素子の劣化速度を減速する場合には、表示パネル全域の温度を下げるように前記温度調整デバイスを制御する
焼き付き補正速度調整装置。
【請求項１８】
自発光素子がマトリクス状に配置された表示デバイスと、
各画素とターゲット画素との間に発生する劣化量差を解消するように各画素に対応する階調値を補正する焼き付き補正部と、
表示パネルの温度を可変する温度調整デバイスと、
焼き付き補正動作と連動して表示パネルの温度を調整し、自発光表示素子の劣化率を焼き付き補正による劣化率以上に増減するパネル温度制御部と
を有する自発光表示装置。
【請求項１９】
自発光素子がマトリクス状に配置された表示デバイスの温度制御を実現するコンピュータプログラムであって、
焼き付き補正動作と連動して表示パネルの温度を調整し、自発光表示素子の劣化率を焼き付き補正による劣化率以上に増減する処理
をコンピュータに実行させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード及びカソード、並びに、前記アノードと前記カソードとの間に配設される電解質膜、を備え、
前記アノード及び前記カソードに燃料欠乏対策が施されていることを特徴とする、燃料電池。
【請求項２】
前記アノードに施された燃料欠乏対策は水電解触媒層であって、該水電解触媒層は、白金及び電解質成分を含むアノード触媒層と、前記アノード触媒層へ反応ガスを供給するアノード拡散層との間に配設されることを特徴とする、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記水電解触媒層に備えられる水電解触媒は、Ｉｒ、Ｉｒ系材料、及び、Ｒｕ系材料のうちから選択された材料の少なくとも１つからなることを特徴とする、請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記Ｉｒ系材料はＩｒＯ２であり、前記Ｒｕ系材料はＲｕＯ２であることを特徴とする、請求項３に記載の燃料電池。
【請求項５】
前記カソードに施された燃料欠乏対策は、高結晶化カーボンに白金を担持させた高結晶化触媒と電解質成分とを含むカソード触媒層であって、前記カソード触媒層は前記カソード触媒層へ反応ガスを供給するカソード拡散層に隣接して備えられることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項６】
前記カソードに施された燃料欠乏対策は、ＩｒＯ２含有層であって、該ＩｒＯ２含有層は、白金及び電解質成分を含むカソード触媒層と、前記カソード触媒層へ反応ガスを供給するカソード拡散層との間に配設されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項７】
前記ＩｒＯ２含有層内のＩｒＯ２は、カーボンに担持されていることを特徴とする、請求項６に記載の燃料電池。
【請求項８】
前記カソードに施された燃料欠乏対策は、カーボンに担持されたＩｒＯ２、白金、及び、電解質成分を含むカソード触媒層であって、前記カソード触媒層は、前記カソード触媒層へ反応ガスを供給するカソード触媒層に隣接して配設されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項９】
前記カソードに施された燃料欠乏対策は、粒径０．３〜１００ｎｍのＰｔ ｂｌａｃｋ又はＰｔＲｕ ｂｌａｃｋと電解質成分とを含むカソード触媒層であって、前記カソード触媒層は、前記カソード触媒層へ反応ガスを供給するカソード拡散層に隣接して配設されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項１０】
前記アノードへ供給される反応ガスが流通する流路の出口に近接した前記アノードの部位に対向する前記カソードの部位ほど前記ＩｒＯ２の濃度が高くなるように、カーボンに担持されたＩｒＯ２が分散されることを特徴とする、請求項７又は８に記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電体上に、２種以上の、電極層形成材料および有機溶媒を含有する電極層形成用組成物を液滴吐出装置により順次塗布して、所定のパターンを有する電極層を形成する工程を有する電極の形成方法であって、
前記電極層を形成する工程が、前記集電体上に、一の電極層形成用組成物を塗布して該電極層形成用組成物の塗膜を形成した後、次の電極層形成用組成物を塗布する前に、前記一の電極層形成用組成物の塗膜を乾燥する操作を含むことを特徴とする電極の形成方法。
【請求項２】
集電体の同一平面上に、２種以上の、電極層形成材料および有機溶媒を含有する電極層形成用組成物を液滴吐出装置により順次塗布して、同一平面上に所定のパターンを有する電極層を形成する工程を有する電極の形成方法であって、
前記電極層を形成する工程が、前記集電体の同一平面上に、一の電極層形成用組成物を塗布して該電極層形成用組成物の塗膜を形成した後、次の電極層形成用組成物を塗布する前に、前記一の電極層形成用組成物の塗膜を乾燥する操作を含むことを特徴とする電極の形成方法。
【請求項３】
前記２種以上の電極層形成用組成物として、正極活物質の少なくとも一種及び第１の有機溶媒を含む組成物、並びに、導電性材料の少なくとも一種及び第２の有機溶媒を含む組成物を使用し、二次電池の正極電極を形成するものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電極の形成方法。
【請求項４】
負極電極、電解質、及び、集電体と、該集電体上に形成された、２種以上の正極電極形成材料を含有する正極電極層からなる正極電極を有する二次電池の製造方法であって、
前記正極電極を、請求項３に記載の電極の形成方法により形成することを特徴とする二次電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電極の形成方法および二次電池の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月4日(2009.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記バッテリーカバーは、当該バッテリーカバーを前記バッテリー装着部に取り付けるためのフック部を設けたカバー部材と、前記環状の突起部を備える防水パッキンと、から構成される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のバッテリー保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
例えば、前記バッテリーカバーは、当該バッテリーカバーを前記バッテリー装着部に取り付けるためのフック部を設けたカバー部材と、前記環状の突起部を備える防水パッキンと、から構成されてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
溝１１３は、バッテリー収納部１１１を囲繞するように形成された環状四角形の連続した溝であり、後述する防水パッキン２２０の弾性体２２３を圧入される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
突起部２２１は、環状四角形の連続した突起であり、溝１１３に圧入されることにより、バッテリー収納部１１１の内部に水その他の異物が入り込むのを防止する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
防水パッキン２２０は、図７に示すように、支持部材２２２と、弾性体２２３とから構成される。支持部材２２２は、環状四角形の連続した突起を有し、この突起が溝１１３に嵌め込まれるように設計される。弾性体２２３は、シリコンゴム等の弾性物質から構成され、支持部材２２２における環状四角形の突起の尾根状先端近傍及び外周側面を覆っている。そして、突起部２２１を溝１１３に嵌め込んだ際に、弾性体２２３は、溝１１３に圧入され、溝１１３の両側面に密着し、バッテリー収納部１１２の内部に水その他の異物が入り込めないように設計される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図７（ａ）（ｂ）に示すように、本体１００にバッテリー３００を収納し、バッテリーカバー２００を取り付けた際、引掛部１２１，１１７は、それぞれ、フック部２１４，２１８に引掛けられ、環状四角形の突起部２２１は環状四角形の溝１１３に圧入される。図７（ｂ）に示すように、その際に溝１１３の両側面に弾性体２２３が密着し、防水パッキン２２０はバッテリー３００を収納したバッテリー収納部１１２を覆うので、バッテリー収納部１１２の内部に水その他の異物が入り込めないようになる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】超電導線材と、その製造方法および製造装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周状の外縁部を有する第１電極と、
前記第１電極について同一平面の面内外側に前記第１電極を囲んで配置され、前記第１電極の前記周状の外縁部と環状のギャップで離間した周状の内縁部を有する第２電極と、
前記第１電極の外縁部と、前記第２電極の内縁部とにわたって配置され、前記第１電極と前記第２電極とを電気的に接続する複数の半導体ナノワイヤと、
前記第１電極及び前記第２電極が設けられた平面の表面又は裏面に設けられたゲート絶縁層と、
前記第１電極及び前記第２電極に対して前記ゲート絶縁層を挟んで設けられたゲート電極と、
を備える、半導体素子。
【請求項２】
前記第１電極の前記外縁部よりも面内内側に所定厚さを有するバンクが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第２電極の前記内縁部よりも面内外側に所定厚さを有するバンクが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１電極の前記外縁部よりも面内内側に撥水膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第２電極の前記内縁部よりも面内外側に撥水膜が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項６】
周状の外縁部を有する第１電極を平面上に設けるステップと、
前記第１電極が配置された同一平面の面内外側に前記第１電極を囲んで、前記第１電極の前記周状の外縁部と環状のギャップで離間した周状の内縁部を有する第２電極を設けるステップと、
前記第１電極の前記外縁部と、前記第２電極の前記内縁部と、前記環状のギャップとを覆うように、複数の半導体ナノワイヤを含む非水系溶液を塗布するステップと、
前記半導体ナノワイヤを含む非水系溶液を乾燥させて、前記半導体ナノワイヤを放射状に配向させて、前記半導体ナノワイヤによって前記第１電極の前記外縁部と、前記第２電極の前記内縁部とにわたって電気的に接続するステップと、
を含む、半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記塗布ステップに先立って、前記第１電極の前記外縁部を露出させたまま、前記第１電極の前記外縁部より面内内側に前記第１電極の中心を所定厚さで覆うバンクを形成するステップをさらに含む、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記塗布ステップに先立って、前記第１電極と前記第２電極との間の環状のギャップと前記第２電極の前記内縁部とを露出させたまま、前記第２電極の前記内縁部より面内外側を所定厚さで覆うバンクを形成するステップをさらに含む、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記塗布ステップに先立って、前記第１電極の前記外縁部を露出させたまま、前記第１電極の前記外縁部より面内内側に前記第１電極の中心を撥水膜で覆うステップをさらに含む、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記塗布ステップに先立って、前記第１電極と前記第２電極との間の環状のギャップと前記第２電極の前記内縁部とを露出させたまま、前記第２電極の前記内縁部より面内外側を撥水膜で覆うステップをさらに含む、請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
フレネルレンズ用光学系であって、前記光学系は、楕円反射器（１）、光源（２）及び少なくとも１つのフレネルレンズ（３）から構成され、
前記楕円反射器（１）と前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の間には光学的要素を有さず、
前記楕円反射器（１）はその頂点に近い方に第１焦点（Ｆ１）を、その頂点から遠い方に第２焦点（Ｆ２）を有し、
前記少なくとも１つのフレネルレンズ(３)は前記楕円反射器（１）側に焦点（Ｆ３）を有し、
前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）と前記楕円反射器（１）の頂部（Ｖ）との間の距離をａとして、
前記光源（２）と前記楕円反射器（１）との距離をｂとして、
前記光源（２）が前記第１焦点（Ｆ１）に位置した時に、その第２焦点（Ｆ２）と前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の焦点（Ｆ３）が一致すると共に、その際のビーム角による光源（２）よりのビーム光の外周がフレネルレンズの外周に位置するようなスポットライトとなるａとｂの関係と、
前記光源（２）が前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）に対して前記第１焦点（Ｆ１）より近づき、前記第２焦点（Ｆ２）が前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）に対して前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の前記焦点（Ｆ３）より近づく位置とされると共に、その際のビーム角による光源（２）よりのビーム光の外周がフレネルレンズの外周に位置するようなフラッドライトとなるａとｂの関係間に変えられる
フレネルレンズ用光学系。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明に係るフレネルレンズの光学系は、楕円反射器、光源及び少なくとも１つのフレネルレンズから構成され、前記楕円反射器（１）はその頂点に近い方に第１焦点（Ｆ１）を、その頂点から遠い方に第２焦点（Ｆ２）を有し、
前記楕円反射器（１）と前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の間には光学的要素を有さず、
前記少なくとも１つのフレネルレンズ(３)は前記楕円反射器（１）側に焦点（Ｆ３）を有し、
前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）と前記楕円反射器（１）の頂部（Ｖ）との間の距離をａとして、
前記光源（２）と前記楕円反射器（１）との距離をｂとして、
前記光源（２）が前記第１焦点（Ｆ１）に位置した時に、その第２焦点（Ｆ２）と前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の焦点（Ｆ３）が一致すると共に、その際のビーム角による光源（２）よりのビーム光の外周がフレネルレンズの外周に位置するスポットライトとなるａとｂの関係と、
前記光源（２）が前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）に対して前記第１焦点（Ｆ１）より近づき、前記第２焦点（Ｆ２）が前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）に対して前記少なくとも１つのフレネルレンズ（３）の前記焦点（Ｆ３）より近づく位置とされると共に、その際のビーム角による光源（２）よりのビーム光の外周がフレネルレンズの外周に位置するフラッドライトのａとｂの関係に変えられる
特にスポットライト及びフラッドライト用途の光効率の明確な改善が、本発明の光学系により達成される。それと同時に照明領域の光強度の均一性が、特に好ましい実施形態により維持される。
本発明によれば、楕円反射器にはより大きな口径が備える。光源のフィラメントが、楕円反射器の、反射器頂点に最も近い第１焦点に配置されれば、スポットライトが得られる。この反射器で反射した光は、その後、反射器頂点から最も遠い楕円反射器の第２焦点に略完全に集束される。該反射器に最も近い第１焦点に配置されたフィラメントは、その反射器から離れた第２焦点に結像される。従って、反射光はフィラメントには当たらない。そしてフレネルレンズは、フレネルレンズの焦点が楕円反射器の第２焦点に合致するように配置される。フレネルレンズは、口径の適切な選択によって反射器で反射した光の略全てを受光する。その後、フレネルレンズは前向きスポットライトを発生させる。光効率あるいは歩留まりは、従来のフレネルレンズライト用光学系の場合よりかなり大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
《先行技術文献情報》
非接触給電装置としては、例えば、次の特許文献１，２，３に示されたものが挙げられる。
【特許文献１】特許第３６３０４５２号公報（特願平６−２５６５０５）
【特許文献２】国際公開第９２／１７９２９号
【特許文献３】国際公開第９９／０８３５９号
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
まず、光分岐挿入装置１０１−１、１０１−２は、光増幅部（Ｗｅｓｔ）２０２−２、光増幅部（Ｅａｓｔ）２０２−１および光分岐挿入部（Ｗｅｓｔ）２０１−２、光分岐挿入部（Ｅａｓｔ）２０２−１から構成される。光増幅部２０２は、光ファイバ伝送路１０２からの入力光信号を増幅し光分岐挿入部２０１へ送信する受信光増幅器２０３と、光分岐挿入部２０１からの入力光信号を増幅し、光ファイバ伝送路１０２へ送信する送信光増幅器２０４とから構成される。光分岐挿入部２０１は、光カプラ２０６−１と光分波器２０７とによる光分岐部と、光分波器２０７と光合波器２０８と光スイッチ２０９と可変光減衰器２１０、可変光減衰器２１０後の光出力の一部を分岐する光カプラ２０６−２と光カプラ２０６−２の分岐光をモニタする光検出器２１４からなる光透過・挿入選択部から構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
光シャットダウン制御部６０８は、光レベルモニタ変化チャネル判定部６０７で判定した光レベル変化発生チャネルに対して光減衰器２１０をシャットダウンするように光減衰器制御部６０９に通知する。温度異常検出部６１１で温度異常を検出した場合には、光シャットダウン制御部６０８は、全チャネルの光減衰器制御部６０９に対しシャットダウン制御指示を出す。温度異常を検出しておらず主信号比較結果が不一致と判定されている場合には、光シャットダウン制御部６０８は、光レベルモニタ変化チャネル判定部６０７で判定した光レベル変化が発生しているチャネルのみ光減衰器２１０をシャットダウンするようにシャットダウン制御指示を出す。それ以外の場合には、光シャットダウン制御部６０８は、シャットダウン制御指示は出さず、何も動作しない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008288768.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の電極パッド上にフラックスを印刷するフラックス印刷部と、前記フラックスの印刷された電極上にハンダボールを供給するハンダボール充填・印刷部と、ハンダボールの印刷された基板の状態を検査し、不良状態に応じて補修を行う検査・リペア部からなるハンダボール印刷装置において、
前記フラックス印刷部が、複数の電極パッド位置に応じて開口を設けたスクリーンと、前記基板を載置して固定するテーブルと、基板とスクリーンとの位置合わせを行うために、位置決めマークを撮像する位置決めと、印刷後のスクリーン開口部の状況、及び基板上に印刷されたフラックスの状態を観測するためのカメラと、スクリーン開口部目詰まり又はスクリーン裏面へのフラックス付着汚れを清掃除去する清掃手段と、前記カメラで撮像した基板の画像と、予め記録した基準モデルの画像とを比較して印刷不良を判断する判定手段と、前記判定手段の判定結果に基づいて、次に工程に基板を送るか、ラインから排除するかを決定し、排除する場合はスクリーンの清掃指示を発生する印刷不良発生手段を設け、前記フラックスを印刷後、ハンダボール充填・印刷部において、充填ユニットを加振しながらスクリーン上を水平方向に移動させてハンダボールをフラックス上に充填することを特徴とするハンダボール印刷装置。
【請求項２】
基板の電極パッド上にフラックスを印刷するフラックス印刷部と、前記フラックスの印刷された電極上にハンダボールを供給するハンダボール充填・印刷部と、ハンダボールの印刷された基板の状態を検査し、不良状態に応じて補修を行う検査・リペア部からなるハンダボール印刷装置において、
前記ハンダボール充填・印刷部に設けた印刷ヘッドに充填ユニットを設け、
前記充填ユニットが、筐体と蓋とシブ状体からなるボールケースと、前記ボールケースの下部に前記シブ状体に間隔を空けてスリット状体を設け、前記蓋に支持部材を介して前記シブ状体を加振してシブ状体に設けた開口の大きさを可変してハンダボールをスリット状体に供給するための加振手段を設け、前記スリット状体からスクリーンを介して基板上の電極パッドのハンダボールを供給する構成としたことを特徴とするハンダボール印刷装置。
【請求項３】
請求項２に記載のハンダボール印刷装置において、
前記充填ユニットのボールケースの周囲に磁性体材料によるヘラ状体を具備したことを特徴とするハンダボール印刷装置。
【請求項４】
請求項３に記載のハンダボール印刷装置において、前記充填ユニットに前記ボールケースの周囲にエアーカーテンを形成するための圧縮空気の噴出口を設けたことを特徴とするハンダボール印刷装置。
【請求項５】
請求項１に記載のハンダボール印刷装置において、前記ハンダボール充填・印刷部に、基板上の電極パッドにハンダボールを供給した後、スクリーンの版離れ動作する前に、スクリーン開口部へのハンダボール充填・印刷状況を検査確認するハンダボール充填状態確認手段を設けたことを特徴とするハンダボール印刷装置。
【請求項６】
請求項４に記載のハンダボール印刷装置において、前記検査・リペア部がハンダボール充填状態を検査確認するハンダボール確認手段と、ハンダボール充填が無い電極パッド上にハンダボールを再充填するリペア手段と、電極パッド外の部位にあるハンダボール及び電極パッド上に２個以上存在するハンダボールやボール径が所定のサイズより大きい又は小さいハンダボールを吸着除去する除去手段設けたことを特徴するハンダボール印刷装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電型半導体層の上に設けられた第２導電型ベース領域と、
前記第２導電型ベース領域に上に設けられた第１導電型ソース領域と、
前記第１導電型ソース領域と前記第２導電型ベース領域を貫通し前記第１導電型半導体層に至るトレンチと、
前記トレンチの内壁を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を介して前記トレンチに埋められたゲート電極と、
前記第１導電型ソース領域よりも下方において前記第２導電型ベース領域に隣接し且つ前記ゲート絶縁膜から離間して設けられ前記第２導電型ベース領域よりも濃度が高い第２導電型領域と、
を備え、
前記第１導電型ソース領域の上面から前記ゲート電極の下端までの深さをｄとし、前記第１導電型ソース領域の上面から前記第２導電型ベース領域の下面までの深さをｃとしたとき、ｃ≧ｄであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の一態様によれば、第１導電型半導体層の上に設けられた第２導電型ベース領域と、前記第２導電型ベース領域に上に設けられた第１導電型ソース領域と、前記第１導電型ソース領域と前記第２導電型ベース領域を貫通し前記第１導電型半導体層に至るトレンチと、前記トレンチの内壁を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を介して前記トレンチに埋められたゲート電極と、前記第１導電型ソース領域よりも下方において前記第２導電型ベース領域に隣接し且つ前記ゲート絶縁膜から離間して設けられ前記第２導電型ベース領域よりも濃度が高い第２導電型領域と、を備え、前記第１導電型ソース領域の上面から前記ゲート電極の下端までの深さをｄとし、前記第１導電型ソース領域の上面から前記第２導電型ベース領域の下面までの深さをｃとしたとき、ｃ≧ｄであることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コードを巻取るリールを有し、該リールの回転によって電子機器または電子部品に接続された前記コードを筐体の口部から引出すとともに、前記口部を通して巻取るようにした巻取り部と、
前記巻取り部の口部の近傍に設けられた係合部と、
前記コードに取付けられており、前記口部の係合部と係合および解除可能な連結部材と、
を備える吊下げ装置。
【請求項２】
前記コードは、先端にプラグを有し、前記プラグを介して前記電子機器または電子部品に接続される
請求項１記載の吊下げ装置。
【請求項３】
前記連結部材に取り付けられる吊下げ紐と、
をさらに有する請求項１に記載の吊下げ装置。
【請求項４】
前記プラグの内部に、マイクロホンを有する
請求項２に記載の吊下げ装置。
【請求項５】
前記プラグには、操作釦が取り付けられる
請求項２に記載の吊下げ装置。
【請求項６】
前記巻取り部は、前記コードの引出し長さが０〜０．６ｍの範囲内である
請求項１に記載の吊下げ装置。
【請求項７】
前記リールはロック手段を有し、該ロック手段によってリールのロックが行なわれると前記コードの巻取りができなくなり、ロック状態において前記コードを引出すと前記ロック手段によるロックが解除される
請求項１に記載の吊下げ装置。
【請求項８】
前記コードに接続され、前記プラグと前記巻取り部との間の所定の位置に配置される第２の巻取り部と、
をさらに有し、
前記第２の巻取り部は、前記コードの余分な長さの部分を巻き取る
請求項２に記載の吊下げ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本願の主要な発明は、コードを巻取るリールを有し、該リールの回転によって電子機器または電子部品に接続された前記コードを筐体の口部から引出すとともに、前記口部を通して巻取るようにした巻取り部と、
前記巻取り部の口部の近傍に設けられた係合部と、
前記コードに取付けられており、前記口部の係合部と係合および解除可能な連結部材と、
を備える吊下げ装置に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、前記コードは、先端にプラグを有し、前記プラグを介して前記電子機器または電子部品に接続されてよい。また前記連結部材に取り付けられる吊下げ紐と、をさらに有してよい。また前記プラグの内部に、マイクロホンを有してよい。また前記プラグには、操作釦が取り付けられてよい。また前記巻取り部は、前記コードの引出し長さが０〜０．６ｍの範囲内であってよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
またここで、前記リールはロック手段を有し、該ロック手段によってリールのロックが行なわれると前記コードの巻取りができなくなり、ロック状態において前記コードを引出すと前記ロック手段によるロックが解除されるようにしてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本願の別の主要な発明は、前記コードに接続され、前記プラグと前記巻取り部との間の所定の位置に配置される第２の巻取り部と、
をさらに有し、
前記第２の巻取り部は、前記コードの余分な長さの部分を巻き取るようにしてよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本願の主要な発明は、コードを巻取るリールを有し、該リールの回転によって電子機器または電子部品に接続された前記コードを筐体の口部から引出すとともに、前記口部を通して巻取るようにした巻取り部と、前記巻取り部の口部の近傍に設けられた係合部と、前記コードに取付けられており、前記口部の係合部と係合および解除可能な連結部材と、を備えるようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
すなわち、階層情報（Ｌａｙｅｒ＿ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）は、４ｂｉｔで規定されているため、最大で１５の値を用いることができる。ただし、０、８の値は、放送ＴＳで、いずれの階層でも伝送されないＮＵＬＬ階層パケットが０、変調方式を示すＩＩＰ（変調パラメータ）パケットが８と決められているため、除外される。また、４の値はＡＣ（Ａｕｘｉｌｉａｒｙ  Ｃｈａｎｎｅｌ：ＴＳを伝送する帯域とは異なる帯域で付加情報を伝送する信号）データを送るのに利用されることがあるため除外される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ペット台を可動台上に折り畳み昇降機を介して架設したペット用ストレッチャーにおいて、
前記ペット台は、側部に折り畳み昇降機構用の操作レバーが配設されており、
前記可動台は、下面に移動用のキャスターが取付けられており、
前記折り畳み昇降機構は、パンタグラフ機構とダンパーとを主要部材としており、パンタグラフ機構は、中央交叉部において回動自在に軸支される一対のＸ脚を備え、両Ｘ脚の上端は、ペット台側に回動自在に軸支され、両Ｘ脚の下端は、可動台側に回動自在に軸支され、
一方、ダンパーは、パンタグラフ機構におけるＸ脚の軸支部側下方に設けられた支持アームにシリンダー下端が回動自在に軸支されており、他方のＸ脚の略中央部に掛け渡された支持板に、上端に操作ボタンが設けられたピストンロッド上部が固定されており、
ピストンロッド上端の操作ボタンの上方に該操作ボタンを上方より押圧操作する押圧板が昇降自在に配設されると共に、該押圧板には、前記ペット台側部に配設された操作レバーによって押圧板を昇降動作する作動線先端が固定されていることを特徴とするペット用ストレッチャー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係るペット用ストレッチャーは、ペット台を可動台上に折り畳み昇降機を介して架設したペット用ストレッチャーにおいて、
前記ペット台は、側部に折り畳み昇降機構用の操作レバーが配設されており、
前記可動台は、下面に移動用のキャスターが取付けられており、
前記折り畳み昇降機構は、パンタグラフ機構とダンパーとを主要部材としており、パンタグラフ機構は、中央交叉部において回動自在に軸支される一対のＸ脚を備え、両Ｘ脚の上端は、ペット台側に回動自在に軸支され、両Ｘ脚の下端は、可動台側に回動自在に軸支され、
一方、ダンパーは、パンタグラフ機構におけるＸ脚の軸支部側下方に設けられた支持アームにシリンダー下端が回動自在に軸支されており、他方のＸ脚の略中央部に掛け渡された支持板に、上端に操作ボタンが設けられたピストンロッド上部が固定されており、
ピストンロッド上端の操作ボタンの上方に該操作ボタンを上方より押圧操作する押圧板が昇降自在に配設されると共に、該押圧板には、前記ペット台側部に配設された操作レバーによって押圧板を昇降動作する作動線先端が固定されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速回転して被加工物を切削するブレードと，切削水を供給するノズルとを備えたダイシング装置において，
固定部と，
前記固定部に対して移動可能に設置され，前記ノズルを支持する支持装置と，
前記固定部と前記支持装置とを移動固定可能に連結し，前記固定部に対する前記支持装置の位置を調整するアジャスタ装置と，
を有し，
前記固定部及び前記支持装置の少なくとも一側面には，前記固定部に対する前記支持装置の位置を調整するための，調整目安が形成されていることを特徴とする，ダイシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，高速回転して被加工物を切削するブレードと，切削水を供給するノズルとを備えたダイシング装置において，固定部と，前記固定部に対して移動可能に設置され，前記ノズルを支持する支持装置と，前記固定部と前記支持装置とを移動固定可能に連結し，前記固定部に対する前記支持装置の位置を調整するアジャスタ装置と，を有し，前記固定部及び前記支持装置の少なくとも一側面には，前記固定部に対する前記支持装置の位置を調整するための，調整目安が形成されていることを特徴とする，ダイシング装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、グラファイト（Ｂ１）５〜１００質量部、アルキルスルホン酸金属塩（Ｃ）１〜１５質量部、を含有してなる導電性樹脂組成物。
【請求項２】
熱可塑性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、グラファイト（Ｂ１）５〜９５質量％と炭素繊維（Ｂ２）９５〜５質量％からなる炭素系導電性フィラー（Ｂ）５〜１００質量部、アルキルスルホン酸金属塩（Ｃ）１〜１５質量部、を含有してなる導電性樹脂組成物。
【請求項３】
前記（Ｃ）成分が、アルキル芳香族スルホン酸金属塩である、請求項１または２に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項４】
前記（Ｃ）成分のアルキル部分が、Ｃ７〜Ｃ１６成分である、請求項３に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項５】
前記（Ｃ）成分の芳香族部分がベンゼン環である、請求項３または４に記載の導電性樹脂組成物。
【請求項６】
前記（Ｃ）成分の主成分が、ドデシルベンゼンスルホン酸金属塩である、請求項３〜５のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項７】
前記（Ｃ）成分の金属塩が、ナトリウム塩またはリチウム塩である、請求項１〜６のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項８】
前記（Ａ）成分が、ポリフェニレンエーテル系樹脂である、請求項１〜７のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項９】
前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計１００質量部に、更に、芳香族リン酸エステル系難燃剤（Ｄ）５〜４０質量部を含有してなる、請求項１〜８のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項１０】
前記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分の合計１００質量部に、更に、フォスファゼン系難燃剤（Ｅ）５〜４０質量部を含有してなる、請求項１〜８のいずれかに記載の導電性樹脂組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の導電性樹脂組成物によって得られた、成形体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明は、
１．熱可塑性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、グラファイト（Ｂ１）５〜１００質量部、アルキルスルホン酸金属塩（Ｃ）１〜１５質量部、を含有してなる導電性樹脂組成物、
２．熱可塑性樹脂（Ａ）１００質量部に対して、グラファイト（Ｂ１）５〜９５質量％と炭素繊維（Ｂ２）９５〜５質量％からなる炭素系導電性フィラー（Ｂ）５〜１００質量部、アルキルスルホン酸金属塩（Ｃ）１〜１５質量部、を含有してなる導電性樹脂組成物、
３．前記１または２のいずれかにおいて、前記（Ｃ）成分が、アルキル芳香族スルホン酸金属塩である、導電性樹脂組成物、
４．前記３において、前記（Ｃ）成分のアルキル部分が、Ｃ７〜Ｃ１６成分である、導電性樹脂組成物、
５．前記３または４のいずれかにおいて、前記（Ｃ）成分の芳香族部分がベンゼン環である、導電性樹脂組成物、
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月1日(2009.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
更に、硬化剤（Ｃ）を含有してなる、請求項１〜９何れか１項記載の水性エポキシ樹脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
実施例１
リン酸亜鉛処理鋼板(SPCC)上に、次の組成を有する加硫接着剤
ポリパラビニルフェノール(マルカリンカーM)                        11重量部
γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシラン                        21  〃
チタン酸ジラクテート水溶液(成分濃度40重量％)                     41  〃
エチルセロソルブ                                                927  〃
を塗布し、室温で20分間乾燥させた後、200℃で30分間の焼付け処理を行い、加硫接着剤層を形成した。この上に、下記配合の未加硫パーフルオロエラストマー組成物
パーフルオロエラストマー(ダイエルパーフルオロ)                  100重量部
MTカーボンブラック                                               20  〃
水酸化カルシウム                                                  5  〃
トリアリルイソシアヌレート(日立化成製品TAIC)                      3  〃
有機過酸化物(日本油脂製品パーヘキサ25B-40)                        2  〃
を接合させ、180℃、6分間の加圧加硫を行い、パーフルオロエラストマー層を形成し、パーフルオロエラストマー積層金属板を作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例３
実施例１において、γ-アクリロキシプロピルトリメトキシシランの代わりにγ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシランが同量用いられた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
比較例２
実施例２において、ポリパラビニルフェノールの代わりにレゾール型フェノール樹脂が同量用いられた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、
III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、
当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器とを有し、
前記反応容器の圧力を前記外部容器の圧力よりも高くすることで、当該外部容器内の雰囲気が前記反応容器内に拡散しないことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項２】
前記反応容器と前記外部容器との差圧が５ｋＰａ以上１ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項３】
前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管と当該反応容器からの排気のための排出管を有し、
前記排出管は、前記外部容器に窒素を含む気体を供給するための配管に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項４】
前記外部容器の圧力保持中に前記反応容器に供給する少なくとも窒素を含む気体の流量が１〜２００ｍｌ／分であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項５】
前記排出管内部と前記外部容器に少なくとも窒素含む気体を供給するための配管内部に、III族金属及びそれとは異なる前記金属が付着しないことを特徴とする請求項３に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項６】
前記排出管と前記外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管との間に、III族金属及びそれとは異なる前記金属を吸着除去又はトラップするための器具が設けられていることを特徴とする請求項５に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項７】
前記排出管と前記外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管をIII族金属及びそれとは異なる前記金属の蒸気の温度よりも高温に保持することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項８】
III族金属がガリウム（Ｇａ）であり、それとは異なる前記金属がナトリウム（Ｎａ）であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するため、請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器とを有し、反応容器の圧力を外部容器の圧力よりも高くすることで、当該外部容器内の雰囲気が反応容器内に拡散しないことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置である。また、請求項２に係る発明は、更に反応容器と外部容器との差圧が５ｋＰａ以上１ＭＰａ以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に係る発明は、外部容器の外側から反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管と当該反応容器からの排気のための排出管を有し、排出管は、外部容器に窒素を含む気体を供給するための配管に接続されていることを特徴とする。窒素を含む気体とは、窒素分子及び／又は窒素化合物の気体を含む単一又は混合気体を言い、例えば希ガス等の不活性ガスを任意割合で含んでいても良い。請求項４に係る発明は、外部容器の圧力保持中に反応容器に供給する少なくとも窒素を含む気体の流量が１〜２００ｍｌ／分であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項５に係る発明は、排出管内部と外部容器に少なくとも窒素含む気体を供給するための配管内部に、III族金属及びそれとは異なる金属が付着しないことを特徴とする。請求項６に係る発明は、排出管と外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管との間に、III族金属及びそれとは異なる金属を吸着除去又はトラップするための器具が設けられていることを特徴とする。請求項７に係る発明は、排出管と外部容器に少なくとも窒素を含む気体を供給するための配管をIII族金属及びそれとは異なる金属の蒸気の温度よりも高温に保持することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項８に係る発明は、III族金属がガリウム（Ｇａ）であり、それとは異なる金属がナトリウム（Ｎａ）であることを特徴とする。