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【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスガスから二酸化炭素を除去する方法であって、当該方法は、
吸収装置(101)においてアンモニア性溶液をプロセスガスと接触させて、アンモニア性溶液によってプロセスガス中の二酸化炭素の一部を捕捉する工程であって、アンモニア性溶液におけるアンモニア：二酸化炭素のモル比Ｒを制御して、吸収装置(101)において、固体の沈殿が実質的に生じないようにする工程；
捕捉した二酸化炭素を含むアンモニア性溶液を吸収装置(101)から排出する工程；
吸収装置(101)から排出したアンモニア性溶液を冷却して、捕捉した二酸化炭素の少なくとも一部を固体塩として沈殿させる工程；
沈殿した塩の少なくとも一部をアンモニア性溶液から分離する工程；
沈殿した塩の少なくとも一部が分離されたアンモニア性溶液を加熱して、加熱したアンモニア性溶液中に固体が実質的に存在しないようにする工程；及び
加熱したアンモニア性溶液を吸収装置(101)に再導入する工程
を含んでなる二酸化炭素の除去法。
【請求項２】
吸収装置(101)から排出されるアンモニア性溶液がＲ値１.８−２.５を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
吸収装置(101)から排出されるアンモニア性溶液が温度１５−２０℃を有する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
吸収装置(101)に再導入されるアンモニア性溶液がＲ値１.８−２.５を有する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
吸収装置(101)に再導入されるアンモニア性溶液が温度０−１０℃を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
冷却を温度０−７℃で行う、請求項１記載の方法。
【請求項７】
吸収装置(101)におけるアンモニア性溶液のＲの制御を、吸収装置(101)に再導入するアンモニア性溶液以外に、Ｒの値２.２−５.０を有するアンモニア性溶液の制御された量を吸収装置(101)に導入することによって、少なくとも部分的に達成する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
プロセスガスから二酸化炭素を除去するためのシステムであって、当該システムは、
その内部において、プロセスガスとアンモニア性溶液との間の接触を可能にして、プロセスガス中の二酸化炭素の少なくとも一部をアンモニア性溶液によって捕捉するように配置された吸収装置(101)であって、アンモニア性溶液に関して、固体なしのアンモニア性溶液のみを収容するように配置された吸収装置(101)；
前記吸収装置(101)から排出された後、捕捉した二酸化炭素を含むアンモニア性溶液を冷却するように配置された第１熱交換器(124)；
前記第１熱交換器(124)から排出された後、冷却されたアンモニア性溶液中の固体の少なくとも一部を除去するように配置された分離器(133)；
前記分離器(133)から排出された後、アンモニア性溶液を加熱するように配置された第２熱交換器(138)；及び
前記吸収装置(101)と前記第１熱交換器(124)との間、前記第１熱交換器(124)と前記分離器(133)との間、前記分離器(133)と前記第２熱交換器(138)との間、及び前記第２熱交換器(138)と前記吸収装置(101)との間を接続し、これらの間でアンモニア性溶液の流動を許容するように配置された配管及び／又は導管
を含んでなる二酸化炭素除去システム。
【請求項９】
さらに、アンモニア性溶液のNH3：CO2のモル比（Ｒ）を、吸収装置(101)の使用時、吸収装置(101)内において固体の沈殿が実質的に生じないように制御するよう設定された制御システム(134)を含んでなる、請求項８記載のシステム。
【請求項１０】
吸収装置(101)が、プロセスガスを受け取り、該プロセスガスをアンモニア性溶液の第１の部分と接触させるように配置された第１吸収ステージ(104)；第１吸収ステージ(104)を通過したプロセスガスを受け取り、該プロセスガスをアンモニア性溶液の第２の部分と接触させるように配置された第２吸収ステージ(105)；第１液だめ容器(107)；及び第２液だめ容器(108)を含んでなり、ここで、前記第１吸収ステージ(104)は、第１吸収ステージ(104)からのアンモニア性溶液を集め、第１液だめ容器(107)に送達するように配置された液体収集受器(112)を含んでなり、及び前記第２吸収ステージ(105)は、第２吸収ステージ(105)からのアンモニア性溶液を集め、第２液だめ容器(108)に送達するように配置された液体収集受器(112)を含んでなるものである、請求項８記載のシステム。
【請求項１１】
さらに、第１液だめ容器(107)におけるアンモニア性溶液のNH3：CO2のモル比（Ｒ）の値を１.８−２.５に維持し、第１液だめ容器(107)の温度を１０−２５℃の範囲内に維持するように設定された制御システム(134)を含んでなる、請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
さらに、第２液だめ容器(108)におけるアンモニア性溶液のNH3：CO2のモル比（Ｒ）の値を２.０−４.５に維持し、第２液だめ容器(108)の温度を１０−２５℃の範囲内に維持するように設定された制御システム(134)を含んでなる、請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
制御システム(134)が、NH3又は液だめ容器の１つにおけるアンモニア性溶液のNH3：CO2のモル比（Ｒ）よりも高いＲを有する媒体を前記液だめ容器に導入するように設定された装置(137)を含んでなる、請求項１０記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の端部と内部室とを備えると共に、管状膜流路が前記第１及び第２の端部間において延長してなる円筒体と、
第１の端部における少なくとも１つのキャップであって、ヘッド空間を画定する前記少なくとも１つのキャップと、
その第１の主面を介して前記ヘッド空間に対して開放している前記管状膜流路と、
ポートを有し、配給流路が前記ポートによって供給されるように構成され、前記流路がその周辺のヘッド空間に対して開放することにより前記ポートに流れ込む流体が前記周辺におけるヘッド空間に入り得ると共に前記管状膜流路を介して出るようになされた前記キャップと、
前記第１の主面に対向する第２の主面を有し、第１及び第２の面のうちの少なくとも１つが、ラジアル方向に沿って前記第１及び第２の主面間で減少する隙間を前記ヘッド空間が有するように、形作られてなる前記ヘッド空間と
を具えるフィルタ装置。
【請求項２】
前記第１の主面は、円錐形を有し、当該頂点は、前記第２の主面の中央に存在する
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記配給流路は、前記ポートに位置する近接端部からその遠心端部に亘って、連続的に減少する断面積を有する
請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記配給流路は、その軸範囲のすべてのポイントにおいて、前記ヘッド空間に対して開放している
請求項１〜３の何れかに記載の装置。
【請求項５】
前記キャップは、入口スリットを有し、該入口スリットは、円周流路を前記ヘッド空間に対して接続する
請求項１〜４の何れかに記載の装置。
【請求項６】
第１及び第２の端部と内部室とを備えると共に、管状膜流路が前記第１及び第２の端部間において延長してなる本体と、
第１の端部における少なくとも１つのキャップであって、プレナムを画定する前記少なくとも１つのキャップと、
その第１の主面を介し前記プレナムに対して開放している前記管状膜流路と、
ポートを有し、配給流路が前記ポートによって供給されるように構成され、前記流路が前記プレナムに対して開放することにより前記ポートに流れ込む流体が当該周辺における前記プレナムに入り得ると共に前記管状膜流路を介して出るようになされた前記キャップと、
前記第１の主面に対向する第２の主面を有し、第１及び第２の面のうちの少なくとも１つが、ラジアル方向に沿って前記第１及び第２の主面間で連続的に減少する隙間を前記プレナムが有するように、形作られてなると共に、前記隙間が、前記配給流路の周辺から離れた点において最小となるようになされた前記プレナムと
を具えるフィルタ装置。
【請求項７】
前記第１の主面は、円錐形を有し、当該頂点は、前記第２の主面の中央に存在する
請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記配給流路は、前記ポートに位置する近接端部からその遠心端部に亘って、連続的に減少する断面積を有する
請求項６又は７に記載の装置。
【請求項９】
前記配給流路は、その軸範囲のすべてのポイントにおいて、前記プレナムに対して開放している
請求項６〜８の何れかに記載の装置。
【請求項１０】
前記キャップは、入口スリットを有し、該入口スリットは、円周流路を前記プレナムに対して接続する
請求項６〜９の何れかに記載の装置。
【請求項１１】
微小繊維フィルタ中へ流体を搬送する方法であって、
ヘッド空間の周辺領域から該ヘッド空間の中央領域に向かって流路面積が連続的に減少するようになされたマニホールドヘッド空間を備えるキャップ中へ、入口ポートを介して任意の体積流量で流体を搬送し、
前記周辺領域で前記ヘッド空間に対して前記入口ポートを開放し、
前記ヘッド空間に対して終結及び開放する微小管フィルタ繊維の配列と同一領域を占めるマニホールド面とキャップ内面との間において前記マニホールドヘッド空間が画定され、
前記周辺領域が前記マニホールド面を囲むようにする
ことを具え、
前記中央領域は、前記周辺領域から離れていると共に、前記マニホールド面の一部と一致し、
前記流路面積及びヘッド空間形状は、前記体積流量で逆流が起こることなく最小剪断率が全ての接液面に存在するように選択され、
さらに前記流体を、前記マニホールド面を介して前記フィルタ繊維中及び出口ヘッド空間へ搬送する
方法。
【請求項１２】
前記ヘッド空間は、前記ヘッド空間の反対側にそれぞれ位置する概して平面な壁により画定され、可変隙間がそれらの間に存在する
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記入口ポートは、縦軸と共に内腔を有し、前記ヘッド空間は、中心軸を有し、前記ポート縦軸は、前記ヘッド空間中心軸から十分に離れていることにより前記内腔が少なくとも部分的に接線方向で前記ヘッド空間に入る
請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記隙間は、前記中央領域内の一ポイントにおいて最小となる
請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記ヘッド空間の接液面は、表面において少なくとも１００ｓｅｃ−１の剪断を有する
請求項１１〜１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
前記ヘッド空間の接液面は、表面において少なくとも１００ｓｅｃ−１の剪断を経るように構成される
請求項１〜１０の何れかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのキャビティ構成コンポーネントによって構成されたキャビティであって、前記２つのキャビティ構成コンポーネントは、積層構造体を収容した前記キャビティの近くに位置したフランジによって互いに固定され、前記積層構造体は、中央部分及び２つの端部分を備えた金属箔を有し、前記中央部分の少なくとも一部は、発泡可能な材料を支持し、前記端部分の少なくとも一方は、前記キャビティの各側で前記フランジ相互間に固定されている、
ことを特徴とするキャビティ。
【請求項２】
２つのキャビティ構成コンポーネントによって構成されたキャビティであって、前記２つのキャビティ構成コンポーネントは、積層構造体を収容した前記キャビティの近くに位置したフランジによって互いに固定され、前記積層構造体は、中央部分及び２つの端部分を備えた金属箔を有し、前記中央部分の少なくとも一部は、発泡済みの材料を支持し、前記端部分の少なくとも一方は、前記キャビティの前記フランジ相互間に固定されている、  ことを特徴とするキャビティ。
【請求項３】
車両内に形成された請求項１又は２記載のキャビティ。
【請求項４】
前記中央部分は、前記金属箔の両側に発泡済みの又は発泡可能な材料を支持している、  請求項１ないし３のいずれか１項に記載のキャビティ。
【請求項５】
前記端部分は両方とも、前記キャビティの各側で前記フランジ相互間に固定されている、
請求項１ないし４のいずれか１項に記載のキャビティ。
【請求項６】
前記フォームは、１００％〜３０００％の膨張度を有する、
請求項２ないし５のいずれか１項に記載のキャビティ。
【請求項７】
キャビティ内にフォームを提供する方法であって、フランジを備えた第１のキャビティ形成部材を用意するステップと、少なくとも一部が発泡性材料を支持している中央部分及び２つの端部分を備えた金属箔を有する積層構造体の少なくとも一方の端部分を前記第１のキャビティ形成部材の前記フランジに固定するステップと、フランジを備えた第２のキャビティ形成部材を用意するステップと、前記第２のキャビティ形成部材の前記フランジを前記積層構造体の前記端部分に固定して前記第１及び前記第２のキャビティ形成部材の前記フランジが前記積層構造体の少なくとも一方の端部を固定するようにするステップと、前記発泡性材料が発泡するようにするステップとを有する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記箔の端部は、溶接及び／又は構造用接着剤の使用によって前記キャビティ形成部材の前記フランジ相互間に固定される、
請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＬＬＡを含む材料で造られたチューブを提供するステップと；
前記チューブをプロセシング温度まで加熱しながら前記チューブを半径方向に拡張及び軸線方向に伸長するステップとを備え；
前記プロセシング温度及び前記半径方向の拡張の拡張率並びに前記軸線方向の伸長の伸長率は、前記拡張及び伸長されたチューブが増大した強度並びに増大した破壊靭性を有するように選択され；
前記プロセシング温度は、前記拡張及び伸長されたチューブの壁厚にわたる機械特性の均質性を向上するように更に選択され；
前記拡張及び伸長されたチューブからステントを形成するステップを更に備える；
ステントを製造する方法。
【請求項２】
前記半径方向に拡張及び軸線方向に伸長するステップの間に、結晶化度が４５乃至５０％まで増大する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記チューブは、摂氏８０乃至１００度の温度で前記半径方向に拡張され、前記軸線方向に伸長される、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記チューブの半径方向の拡張の拡張率は４００％であり、前記軸線方向の伸長の伸長率は２０％である、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
均質性を向上すべき前記機械特性は、弾性率及び／又は前記拡張及び伸長されたチューブの硬さである、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記拡張及び伸長されたチューブの壁厚にわたる機械特性の均質性は、前記拡張及び伸長されたチューブの内面部の第１の弾性率と前記拡張及び伸長されたチューブの外面部の第２の弾性率とが略同一であるように構成される、請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記拡張及び伸長されたチューブの壁厚にわたる機械特性の均質性は、前記拡張及び伸長されたチューブの内面部の第１の硬さと前記拡張及び伸長されたチューブの外面部の第２の硬さとが略同一であるように構成される、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記チューブは、１１０乃至１４０ｐｓｉの拡張圧力、０．３２乃至１．０ｍｍ／秒の加熱ノズルの平行移動速度及び０．５８乃至３．８ｍｍ／秒の引張速度の条件で前記拡張及び伸長される、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ステントはパターンを形成し；
前記パターンは：
クレスト及びトラフを有する正弦波状の複数のリングと；
クレストでの１２４乃至１２８度の角度と；
前記正弦波状の複数のリングを連結する複数のストラットであって、前記複数のストラットは前記拡張及び伸長されたチューブの長手方向軸線と平行であるストラットとを含み；
前記連結する複数のストラット及び前記正弦波状の複数のリングは、前記チューブの長手方向軸線上に離間して隣接した一対の前記正弦波状のリングと周方向に離間して隣接した一対の前記連結するストラットとによって形成される閉じられたセルを形成するように配置される；
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月5日(2013.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半径、材料厚及び材料吸収スペクトルにより特徴づけられるプレフォームを加熱する方法であって、所望の温度プロフィールに依存して、前記プレフォームの半径及び材料厚に基づいて前記プレフォームに対する所望の実効吸収係数を選択するステップと、前記実効吸収係数を満たすため吸収スペクトルの吸収係数に基づいて編集される波長スペクトルを持つ放射線を有するレーザ放射ビームを生成するステップと、レーザ放射ビームを前記プレフォームに向けて、範囲１．０〜４．０、より好ましくは範囲２．０〜３．５、最も好ましくは範囲２．５〜３．０の所望の相対的な実効吸収係数に従って前記プレフォームを加熱するステップとを有する、方法。
【請求項２】
前記実効吸収係数は、所望の相対的な実効吸収係数から導出され、前記プレフォームに対する前記所望の相対的な実効吸収係数は、所望の温度プロフィール、前記プレフォームの半径及び前記プレフォームの材料厚に基づいて選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レーザ放射ビームに対するビーム幅は、前記プレフォームの半径により割られるビーム幅が、０．５以下、より好ましくは０．１以下であるように決定され、レーザ放射ビームを与えるためのレーザ放射を生成するステップが、決定されたビーム幅に従ってレーザ放射ビームを成形するステップを有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記所望の相対的な実効吸収係数は、加熱の間、前記プレフォームの内側領域と外側領域との間で達成されるべき特定の温度勾配に基づいて選択される、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記プレフォームの内側領域の温度は特定の屈折率を持つ屈折素子により調整され、前記屈折素子は前記プレフォームのキャビティ内に位置する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記プレフォームの内側領域の温度は前記プレフォームのキャビティに置かれる熱アブソーバにより調整され、前記熱アブソーバはレーザ放射のエネルギの一部を吸収する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記熱アブソーバはエネルギ吸収材料の半円筒を有し、前記半円筒は前記プレフォームに対して基本的に静止している、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
プレフォーム加熱システムのレーザ放射生成ユニットを制御するための駆動装置であって、プレフォーム形状パラメータ、プレフォーム吸収スペクトル及びプレフォームに対する所望の温度プロフィールを得るための入力インターフェースと、前記所望の温度プロフィールに依存して、前記プレフォーム形状パラメータに基づいて実効吸収係数を選択するための選択装置と、前記実効吸収係数を満たすため吸収スペクトルの吸収係数に基づいてレーザ放射波長スペクトルを編集し、範囲１．０〜４．０、より好ましくは範囲２．０〜３．５、最も好ましくは範囲２．５〜３．０の所望の相対的な実効吸収係数に基づいてレーザ放射ビームに対するレーザビーム幅を選択するためのレーザパラメータ編集モジュールと、前記レーザ放射生成ユニットに、前記レーザビーム幅及び編集されたレーザ放射波長スペクトルに関連する制御信号を供給するための出力インターフェースとを有する、駆動装置。
【請求項９】
前記選択装置がプレフォーム形状パラメータ及び前記所望の温度プロフィールに基づいて相対的な実効吸収係数を選択するための選択モジュールと、前記相対的な実効吸収係数から前記実効吸収係数を導出するための導出モジュールとを有する、請求項８に記載の駆動装置。
【請求項１０】
複数のレーザ放射波長を有するレーザ放射波長スペクトルを編集し、所望のレーザビーム幅を選択するための請求項８に記載の駆動装置と、レーザ放射波長スペクトルに従ってレーザ放射を生成するためのレーザ放射生成ユニットと、所望のビーム幅に従ってレーザ放射を成形し、前記プレフォームを加熱するために成形されたレーザ放射ビームを前記プレフォームに向けるためのビーム成形ユニットとを有する、プレフォームを加熱するためのプレフォーム加熱システム。
【請求項１１】
前記レーザ放射生成ユニットが複数の面発光レーザを有する、請求項１０に記載のプレフォーム加熱システム。
【請求項１２】
追加の赤外線光源を有する、請求項１０に記載のプレフォーム加熱システム。
【請求項１３】
コンピュータプログラムがプレフォーム加熱システムを制御しているコンピュータ上で実行されるとき、請求項１に記載のプレフォームを加熱する方法のステップを請求項１０に記載のプレフォーム加熱システムに実施させるためのプログラムコード手段を有する、プレフォームを加熱するためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め成形された雌ねじ山(5)を備えたキャップ(7)により容器(13)を、特にボトルを密閉するための密閉機(1)であって、少なくとも
密閉ヘッド(3)、
駆動軸(11)、
駆動装置(9)、
スイッチ機構(37)、
センサ(19)を有し、及び少なくとも一つの
制御機構(17)を有する密閉機において、
前記少なくとも一つのセンサ(19)が、前記キャップ(7)を前記容器(13)上に設置した後の、前記容器(13)に対する前記キャップ(7)の位置を捕捉し、
前記スイッチ機構(37)が、捕捉された位置、すなわち実際の位置と参照位置(R)とを比較する比較ユニット(33)を備えており、
前記比較に応じ、前記制御機構(17)により、前記スイッチ機構(37)を介して前記駆動装置(9)の回転方向が設定されることを特徴とする密閉機。
【請求項２】
駆動装置(9)としてサーボモータが用いられることを特徴とする請求項１に記載の密閉機。
【請求項３】
回転モーメントセンサが設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の密閉機。
【請求項４】
回転角度を捕捉するセンサが設けられていることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項５】
前記制御機構(17)が、回転モーメント及び/又は回転角度の時間的な変化を評価することを特徴とする請求項３又は４に記載の密閉機。
【請求項６】
前記駆動装置(9)内に及び/又は前記密閉ヘッド(3)内に及び/又はその両方の間に、変速機(41、43、45)が設けられていることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項７】
前記スイッチ機構(37)が、前記変速機(41、43、45)に影響を及ぼすことを特徴とする請求項６に記載の密閉機。
【請求項８】
前記変速機(41、43、45)により、回転速度、回転方向、及び/又は前記キャップ(7)に作用する回転モーメントが変更されることを特徴とする請求項６又は７に記載の密閉機。
【請求項９】
密閉工程中の前記駆動装置(9)の回転数、回転モーメント、及び回転方向が一定である
ことを特徴とする請求項６から８のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項１０】
前記制御機構(17)を介して参照位置(R)を確定することができるセンサが設けられていることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項１１】
キャップ(7)及び/又は容器(13)を選別するための装置が設けられていることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項１２】
前記密閉ヘッド(3)が、前記容器(13)に対し密閉曲線(47、49)に沿って移動可能であることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の密閉機。
【請求項１３】
特に請求項1から12のいずれか一項に記載の密閉機(1)を用い、予め成形された雌ねじ山(5)を備えたキャップ(7)により容器(13)を、特にボトルを密閉するための方法において、
前記キャップ(7)を前記容器(13)上に設置した後に、前記容器(13)に対する前記キャップ(7)の位置が捕捉され、
前記捕捉された位置が参照位置(R)と比較され、
前記捕捉された位置と参照位置(R)が相違する場合にだけ、前記キャップ(7)が密閉方向とは逆に、参照値(R)に達するまで回転され、
設置の直後又は密閉方向とは逆の特定の回転の後に、前記捕捉された位置と参照位置(R)が一致する場合、前記キャップ(7)が密閉方向に回転されることを特徴とする方法。
【請求項１４】
密閉方向とは逆に最大で360°回転した後に、捕捉された位置が参照位置(R)と一致しない場合、キャップ(7)及び/又は容器(13)が選別されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記密閉ヘッド(3)が、前記キャップ(7)の雌ねじ山(5)の幾何形状に関係なく、前記容器(13)に対し密閉曲線(47、49)に沿って移動することを特徴とする請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状のワークピース（３）、特にモールドウエハ（３）からフィルム（２）を分離させるための装置（１）であって、
前記ディスク状のワークピース（３）を非積極的に取り付けるための取付手段（４）と、
前記フィルム（２）の一部（１４）を非積極的に持ち上げ又は排出するためのフィルム操作部（１３）を伴う除去ローラ（１２）であって、前記フィルム操作部（３）が切替可能な真空／過剰圧力部（１３）として構成される除去ローラと、
前記取付手段（４）の表面（１０）に対して水平及び／又は垂直に前記除去ローラ（１２）を移動させるための移動手段（１７）と、
前記除去ローラ（１２）の中心軸（２５）のまわりに前記除去ローラ（１２）を回転させるための回転手段（２４）と
を備える装置。
【請求項２】
前記移動手段（１７）は、前記取付手段（４）の前記表面（１０）に対して前記除去ローラ（１２）を水平に移動させるための水平移動要素（１８）と、前記取付手段（４）の前記表面（１０）に対して前記除去ローラ（１２）を垂直に移動させるための垂直移動要素（２１）とを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置（１）は、前記ディスク状のワークピース（３）及び／又は前記フィルム（２）を所定の温度、特に１８０℃と２４０℃との間の温度に加熱するための加熱手段（２６）を備える請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記取付手段（４）は、前記取付手段（４）のワークピースマウント（５）を前記ワークピースマウント（５）の回転軸（７）のまわりに回転させるための駆動要素（６）を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記装置（１）は、前記ディスク状のワークピース（３）を越えて突出する前記フィルム（２）の一部（１４）を吹き込むための吹込手段（２７）を備え、前記吹込手段（２７）は、前記除去ローラ（１２）の方向に前記突出する一部（１４）を吹き込むように構成される請求項１から４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記フィルム操作部（１３）は、真空によって前記フィルム（２）の前記一部（１４）を持ち上げるため、又は、過剰圧力によって前記フィルム（２）の前記一部（１４）を排出するための吸引／吹込ノズル（１３）として、又は前記除去ローラ（１２）の中心軸（２５）に沿って設けられる吸引／吹込スロット（１３）として構成されることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記除去ローラ（１２）は、前記フィルム操作部（１３）によって前記フィルム（２）の前記一部（１４）の前記非積極的な持ち上げ又は排出を確立するための付着センサ（１５）、特に真空スイッチ（１５）を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の装置（１）によって、ディスク状のワークピース（３）から、特にモールドウエハ（３）からフィルム（２）を分離させるための方法であって、以下のステップ、
前記除去ローラ（１２）を、前記除去ローラ（１２）のパーキング位置（Ｐ１）から持ち上げ位置（Ａ）へと水平に移動させ、前記フィルム操作部（１３）が前記持ち上げ位置（Ａ）において前記フィルム（２）と向かい合うこと、
フィルム操作部（１３）を起動させ、前記除去ローラ（１２）を前記フィルム（２）へと垂直に下降させること、
前記フィルム（２）の前記一部（１４）を前記除去ローラ（１２）に貼着させること、
前記除去ローラ（１２）を前記ディスク状のワークピース（３）から垂直に上昇させ、前記フィルム（２）の前記一部（１４）を前記ディスク状のワークピース（３）から少なくとも徐々に分離させること、
所定のラップ角度（α）で、前記フィルム（２）の前記一部（１４）を前記除去ローラ（１２）上に少なくとも徐々に巻き付けるために前記除去ローラ（１２）を回転させること、及び、同時に前記除去ローラ（１２）を前記パーキング位置（Ｐ１）の方向に水平に移動させ、前記フィルム（２）が前記ディスク状のワークピース（３）から徐々に分離されること、
水平移動を同時に伴って、前記除去ローラ（１２）の垂直エンド位置（Ｖ）まで、前記除去ローラ（１２）を前記ディスク状のワークピース（３）から離して垂直に移動させること、
前記除去ローラ（１２）を、前記パーキング位置（Ｐ１）を越えて排出位置（Ｐ２）まで水平に移動させ、前記フィルム（２）が前記排出位置（Ｐ２）において、前記ディスク状のワークピース（３）から完全に分離されること、
前記フィルム操作部（１３）が排出位置に位置するように、前記除去ローラ（１２）を前記所定のラップ角度（α）の一部（φ）で反対方向に回転させることによって、前記除去ローラ（１２）に巻き付けられる前記フィルム（２）の前記一部（１４）を前記除去ローラ（１２）から解くこと、及び
前記フィルム操作部（１３）によって前記除去ローラ（１２）から前記フィルム（２）を排出すること
を備える方法。
【請求項９】
前記除去ローラ（１２）の前記回転移動、前記垂直移動及び前記水平移動が互いに融合して、前記フィルム（２）が前記ディスク状のワークピース（３）から円滑に分離されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記フィルム（２）は、所定の温度、特に、１８０℃から２４０℃までの温度で、前記ディスク状のワークピース（３）から分離されることを特徴とする請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ディスク状のワークピース（３）を越えて突出する前記フィルム（２）の一部（１４）は、前記フィルム（２）を前記除去ローラ（１２）に貼着させるために、吹込手段（２７）によって前記除去ローラ（１２）の方向において吹き込まれることを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ラップ角度（α）として１８０°が選択されることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記取付手段（４）の前記ワークピースマウント（５）は、前記フィルム（２）が除去される前に、除去角度（β）で回転させられることを特徴とする請求項８から１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記除去ローラ（１２）からフィルム処理手段（３０）へのフィルム（２）の排出は、前記フィルム処理手段（３０）の排出センサ（３１）、特にライトグリッド（３１）によって監視されることを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの開口を含む誘電物質と、
前記少なくとも１つの開口内に位置する結晶粒成長促進層と、
前記結晶粒成長促進層の上面の上に位置する凝集めっきシード層と、
前記少なくとも１つの開口内かつ前記凝集めっきシード層の上面の上に位置する導電性構造であって、バンブー微細構造を有し平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい金属含有導電性物質を含み、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む、導電性構造と、
を含む、相互接続構造。
【請求項２】
前記誘電物質が、ＳｉＯ２、シルセスキオキサン、Ｓｉ、Ｃ、Ｏ、およびＨの原子を含むＣをドーピングした酸化物、または熱硬化性ポリアリーレン・エーテルの１つである、請求項１に記載の相互接続構造。
【請求項３】
前記少なくとも１つの開口が、ライン開口、バイア開口、ライン開口およびバイア開口の組み合わせ、またはそれらの組み合わせである、請求項１または２に記載の相互接続構造。
【請求項４】
前記結晶粒成長促進層が、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｍｏ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、またはそれらの合金を含む、請求項１から３のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項５】
前記結晶粒成長促進層が０．５ｎｍから１０ｎｍの厚さを有する、請求項１から４のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項６】
前記結晶粒成長促進層の下に位置する拡散バリアを更に含み、前記拡散バリアが、Ｔａ、ＴａＮ、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｒｕ、ＲｕＮ、Ｗ、ＷＮ、または他の、導電性物質の拡散を防ぐバリアとして機能することができるいずれかの物質を含む、請求項１から５のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項７】
前記凝集めっきシード層がＣｕまたはＣｕ含有合金を含む、請求項１から６のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項８】
少なくとも１つの開口を含む誘電物質と、
前記少なくとも１つの開口内に位置する結晶粒成長促進層と、
前記結晶粒成長促進層の上面の上に位置する凝集めっきシード層と、
前記少なくとも１つの開口内かつ前記凝集めっきシード層の上面の上に位置する導電性構造であって、バンブー微細構造を有し平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい金属含有導電性物質を含む、導電性構造と、
を含み、前記凝集めっきシード層と前記導電性構造との間に別のめっきシード層が位置している、相互接続構造。
【請求項９】
前記導電性構造の前記金属含有導電性物質が、導電性金属、少なくとも１つの導電性金属を含む合金、または導電性金属シリサイドを含む、請求項１から７のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項１０】
前記金属含有導電性物質が、Ｃｕ、Ａｌ、Ｗ、およびＡｌＣｕから成る群から選択された導電性金属である、請求項９に記載の相互接続構造。
【請求項１１】
前記導電性構造が、開放バイア底部、固定バイア底部構造、または閉鎖バイア底部に存在する、請求項１から７、９、１０のいずれかに記載の相互接続構造。
【請求項１２】
前記導電性構造が、銅含有導電性構造である、請求項１から７、９から１１のいずれか１項に記載の相互接続構造。
【請求項１３】
誘電物質に少なくとも１つの開口を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内に結晶粒成長促進層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内に凝集めっきシード層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内かつ前記凝集めっきシード層の上に導電性構造を形成するステップであって、前記導電性構造が、バンブー微細構造を有し平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい金属含有導電性物質を含み、（１１１）結晶方位を有する導電性結晶粒を含む、ステップと、
を含む、相互接続構造を形成する方法。
【請求項１４】
前記結晶粒成長促進層を形成する前に前記少なくとも１つの開口内に拡散バリアを形成するステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記結晶粒成長促進層を形成する前記ステップが４００℃以下の堆積温度で行われる、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記凝集めっきシード層を形成する前記ステップが、めっきシード層を堆積することおよび前記めっきシード層をアニールすることを含む、請求項１３から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記アニールが、還元性雰囲気または真空下で２００℃から４００℃までの温度で実行される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
誘電物質に少なくとも１つの開口を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内に結晶粒成長促進層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内に凝集めっきシード層を形成するステップと、
前記凝集めっきシード層の上に別のめっきシード層を形成するステップと、
前記少なくとも１つの開口内かつ前記凝集めっきシード層の上に導電性構造を形成するステップであって、前記導電性構造が、バンブー微細構造を有し平均グレイン・サイズが０．０５ミクロンよりも大きい金属含有導電性物質を含む、相互接続構造を形成する方法。
【請求項１９】
前記導電性構造を形成する前記ステップが、前記少なくとも１つの開口内に前記金属含有導電性物質を堆積することおよび前記金属含有導電性物質をアニーリングすることを含む、請求項１３から１７のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記アニーリングが８０℃から３００℃までの温度で実行される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記導電性構造が、銅含有導電性構造である、請求項１３から１７、１９、２０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
資源を管理する方法であって、
複数のプロセッサのうち第１のグラフィックプロセッサに関連する資源を、前記第１のグラフィックプロセッサの第１の状態から第２の状態への近々の移行に応じて識別するステップであって、前記複数のプロセッサのうち少なくとも第２のグラフィックプロセッサは、前記移行の前後において電力供給状態を維持するステップであって、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリのコンテンツを決定するために、演算処理装置（ＣＰＵ）に関連するメモリにアクセスするステップを更に備えるステップと、
前記第２の状態が副動作電力状態の場合に、識別された資源を、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製するステップと、
前記第２の状態が電力供給状態の場合に、識別された資源を、前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製するステップと、を備える方法。
【請求項２】
前記第２の状態は前記副動作電力状態である、請求項１の方法。
【請求項３】
前記移行後に前記第１のグラフィックプロセッサが前記副動作電力状態になる予定であることを決定するステップ、を更に備える請求項２の方法。
【請求項４】
前記第１のグラフィックプロセッサはスレーブＧＰＵであり、前記第２のグラフィックプロセッサはマスターＧＰＵである請求項２の方法。
【請求項５】
前記第２の状態は前記電力供給状態である、請求項１の方法。
【請求項６】
前記第１のグラフィックプロセッサはスレーブＧＰＵであり、前記第２のグラフィックプロセッサはマスターＧＰＵである請求項５の方法。
【請求項７】
前記第２の状態は前記副動作電力状態であって、
前記識別するステップは、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリに記憶されており、且つ、前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに記憶されていない資源を、前記ＣＰＵに関連するメモリに記憶されたルックアップテーブルを用いて識別するステップを備え、
前記識別された資源を、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリから複製するステップは、前記識別された資源のみを前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製するステップを備える請求項１の方法。
【請求項８】
検出されたシステムイベントに基づき前記近々の移行を識別するステップ、を更に備える請求項１の方法。
【請求項９】
前記第１の状態又は前記第２の状態は、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリの少なくとも一部分に対するメモリリフレッシュが無効にされている状態である請求項１の方法。
【請求項１０】
制御処理ユニット（ＣＰＵ）と、前記ＣＰＵと通信するメモリと、を備える電力管理のためのシステムであって、
前記メモリは複数の処理命令を記憶するためのものであり、
前記複数の処理命令は、前記ＣＰＵに、
第１のグラフィックプロセッサに関連する資源を、前記第１のグラフィックプロセッサの第１の状態から第２の状態への近々の移行に応じて識別することであって、複数のプロセッサのうち少なくとも第２のグラフィックプロセッサは、前記移行の前後において電力供給状態を維持することであって、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリのコンテンツを決定するために、前記ＣＰＵと通信する前記メモリにアクセスすることと、
前記第２の状態が副動作電力状態の場合に、識別された資源を、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製することと、
前記第２の状態が電力供給状態の場合に、識別された資源を、前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製することと、
を行うように指示する、システム。
【請求項１１】
前記第２の状態は前記副動作電力状態である、請求項１０のシステム。
【請求項１２】
前記第１のグラフィックプロセッサが前記副動作電力状態になる予定であることを決定するように、前記ＣＰＵに指示するための複数の処理命令を更に備える請求項１１のシステム。
【請求項１３】
前記第１のグラフィックプロセッサはスレーブＧＰＵであり、前記第２のグラフィックプロセッサはマスターＧＰＵである請求項１１のシステム。
【請求項１４】
前記第２の状態は前記電力供給状態である、請求項１０のシステム。
【請求項１５】
前記第２の状態は前記副動作電力状態であって、
前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリに記憶されており、且つ、前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに記憶されていない資源を、前記ＣＰＵに関連するメモリに記憶されたルックアップテーブルを用いて識別するように、前記ＣＰＵに指示するための複数の処理命令と、
前記識別された資源のみを前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製するように、前記第１のグラフィックプロセッサに指示するための複数の処理命令と、を更に備える請求項１０のシステム。
【請求項１６】
資源を管理する方法を行うために１つ以上のプロセッサによる実行のための１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを伝える非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサに、
第１のグラフィックプロセッサに関連する資源を、前記第１のグラフィックプロセッサの第１の状態から第２の状態への近々の移行に応じて識別することであって、複数のプロセッサのうち少なくとも第２のグラフィックプロセッサは、前記移行の前後において電力供給状態を維持することであって、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリのコンテンツを決定するために、制御処理ユニット（ＣＰＵ）に関連するメモリにアクセスすることと、
前記第２の状態が副動作電力状態の場合に、識別された資源を、前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製することと、
前記第２の状態が電力供給状態の場合に、識別された資源を、前記第２のグラフィックプロセッサに関連するメモリから前記第１のグラフィックプロセッサに関連するメモリに複製することと、
を行わせる、コンピュータ可読媒体。
【請求項１７】
前記第１のグラフィックプロセッサはスレーブＧＰＵであり、前記第２のグラフィックプロセッサはマスターＧＰＵである請求項１６のコンピュータ可読媒体。
【請求項１８】
検出されたシステムイベントに基づき前記近々の移行を識別すること、を前記１つ以上のプロセッサに行わせることを更に備える請求項１６のコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子がＣｏ２ＣおよびＣｏ３Ｃ相としての炭化コバルトの混合物からなり、前記ナノ粒子が、室温において９００Ｏｅ以上の飽和保磁力値を有することを特徴とする結晶性強磁性体の炭化コバルトナノ粒子。
【請求項２】
前記ナノ粒子が室温において、９００〜３１００Ｏｅの飽和保磁力値を有することを特徴とする請求項１のナノ粒子。
【請求項３】
ナノ粒子が室温において、２０ｅｍｕ／ｇ以上の磁化値を有することを特徴とする請求項１のナノ粒子。
【請求項４】
ナノ粒子の磁化値が室温において、２２〜７０ｅｍｕ／ｇであることを特徴とする請求項３のナノ粒子。
【請求項５】
前記ナノ粒子が針状の形態を有することを特徴とする請求項１のナノ粒子。
【請求項６】
前記ナノ粒子がアスペクト比１．５：１〜１０：１を有する針状形態を有することを特徴とする請求項１のナノ粒子。
【請求項７】
Ｃｏ２Ｃ相のＣｏ３Ｃ相に対する容積比が０．８〜２．０であることを特徴とする請求項１のナノ粒子。
【請求項８】
成形体が、請求項１の結晶性強磁性体の炭化コバルトナノ粒子からなる高性能永久磁石のための成形体。
【請求項９】
金属コバルトをさらに含む、請求項１のナノ粒子。
【請求項１０】
Ｃｏ２ＣおよびＣｏ３Ｃ相として炭化コバルトのみを含む、請求項１のナノ粒子。
【請求項１１】
Ｆｅ２ＣおよびＦｅ３Ｏ相として炭化鉄のみをさらに含む、請求項１のナノ粒子。
【請求項１２】
前記ナノ粒子がＣｏ２ＣおよびＣｏ３Ｃ相としての炭化コバルトからなり、前記ナノ粒子が９００Ｏｅ以上の飽和保磁力値を有し、以下の工程からなる結晶性強磁性体炭化コバルトナノ粒子を作る方法：
１種以上の希土類部分からなる液体ポリオール媒体中の１種またはそれ以上のコバルト金属塩を化学的に還元し、それによって反応沈殿物を生成し、前記沈殿物は前記ナノ粒子を含んでなり；
前記反応沈澱物を収集し；そして
前記反応沈殿物を洗浄、乾燥させて、前記ナノ粒子を産出する。
【請求項１３】
前記ナノ粒子がＦｅ２ＣおよびＦｅ３Ｃ相としての炭化鉄からなり、前記ナノ粒子が９００Ｏｅ以上の飽和保磁力値を有し、以下の工程からなる結晶性強磁性体炭化鉄ナノ粒子を作る方法：
１種以上の希土類部分からなる、液体ポリオール媒体中の１種またはそれ以上の鉄塩を化学的に還元し；
反応沈降澱物を収集し；そして
前記反応沈殿物を洗浄、乾燥させて、前記ナノ粒子を産出する。
【請求項１４】
請求項１３の方法において、前記ナノ粒子がＣｏ２ＣおよびＣｏ３Ｃ相として炭化コバルト、および金属コバルトのみを含むものである方法。
【請求項１５】
前記ナノ粒子が多相混合物および／または炭化鉄コバルト混合物からなり、前記ナノ粒子が９００Ｏｅ以上の飽和保磁力値を有し、以下の工程からなる結晶性強磁性体炭化鉄コバルトを作る方法：
１種またはそれ以上の希土類部分からなる、液体ポリオール媒体中の１種またはそれ以上の鉄塩及びコバルト塩を化学還元し；
反応沈殿物を収集し；そして
前記反応沈殿物を洗浄、乾燥し、前記ナノ粒子を産出する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のデバイスを動作させる方法であって、
第２のデバイスから受信した第１の信号に応じて、前記第１のデバイスに結合された複数の電力デバイスの中から電力デバイスを識別することと、
前記第１の信号に応答して前記第１のデバイスを実質的に無効な状態に移行させることであって、識別された電力デバイスの出力を無効にすることと、
前記第１のデバイスが前記実質的に無効な状態にある間に前記第２のデバイスから受信した第２の信号に応答して、第１の応答信号を生成することと、を備え、
前記第１の応答信号は、前記第１のデバイスが電力供給状態にある場合に前記第２の信号に応答して前記第１のデバイスによって生成される第２の応答信号と実質的に同様であり、
前記第２の信号は、前記第２のデバイスによって、前記第１のデバイスを含む複数のデバイスの各々に送信される方法。
【請求項２】
前記第２のデバイスは中央処理ユニット（ＣＰＵ）である請求項１の方法。
【請求項３】
前記第２の信号はバス構成サイクルを備える請求項１の方法。
【請求項４】
前記移行させることは、前記第１のデバイスに結合される前記識別された電力デバイスの出力電圧を無効にすることを備える請求項１の方法。
【請求項５】
前記電力デバイスは前記第１のデバイスのレンダリングエンジン又はディスプレイ制御器の少なくとも１つに結合される請求項４の方法。
【請求項６】
前記第１のデバイスに関連するメモリの少なくとも一部分を無効にすることを更に備える請求項１の方法。
【請求項７】
前記メモリの少なくとも一部分を無効にすることは、前記メモリに結合される前記識別された電力デバイスの出力電圧を無効にすることを備える請求項６の方法。
【請求項８】
前記第１の応答信号は、前記第２のデバイスが処理を実行するのを阻止する請求項１の方法。
【請求項９】
前記第１のデバイスはレンダリングエンジンを備える請求項１の方法。
【請求項１０】
バスインタフェースモジュールを備えるデバイスであって、
前記バスインタフェースモジュールは、
他のデバイスから受信した第１の信号に応じて、前記デバイスを低電力状態に移行させるように構成される状態管理モジュールと、
前記デバイスが前記低電力状態にある間に前記他のデバイスから受信した第２の信号に応答して、第１の応答信号を生成するように構成される応答モジュールと、を備え、
前記第１の応答信号は、前記デバイスが電力供給状態にある場合に前記第２の信号に応答して前記デバイスによって生成される第２の応答信号と実質的に同様であり、
前記第２の信号は、前記他のデバイスによって、前記デバイスを含む複数のデバイスの各々に送信され、
前記バスインタフェースモジュールは、前記デバイスが低電力状態にある場合に前記バスインタフェースモジュールに電力を供給するように構成される電力システムに結合されているデバイス。
【請求項１１】
前記バスインタフェースモジュールは、前記デバイスに結合される電力デバイスに結合され、前記状態管理モジュールは、前記電力デバイスの出力を制御するように構成される請求項１０のデバイス。
【請求項１２】
レンダリングエンジンを更に備え、前記電力デバイスは前記レンダリングエンジンに結合される請求項１１のデバイス。
【請求項１３】
前記バスインタフェースモジュールは、前記デバイスに関連するメモリに結合される電力デバイスに結合され、前記状態管理モジュールは、前記電力デバイスの出力を制御することによって前記メモリの電力状態を制御するように構成される請求項１０のデバイス。
【請求項１４】
前記他のデバイスは中央処理ユニット（ＣＰＵ）を備え、
前記デバイスはバスを介して前記ＣＰＵに結合されており、
前記第１の信号はバス構成サイクルである請求項１０のデバイス。
【請求項１５】
第１のデバイスを動作させるための方法を行うために１つ以上のプロセッサによる実行のための１つ以上の命令の１つ以上のシーケンスを伝える非一時的なコンピュータ可読媒体であって、前記命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサに、
第２のデバイスから受信した第１の信号に応じて、前記第１のデバイスに結合された複数の電力デバイスの中から電力デバイスを識別することと、
前記第１の信号に応答して前記第１のデバイスを実質的に無効な状態に移行させることであって、識別された電力デバイスの出力を無効にすることと、
前記第１のデバイスが前記実質的に無効な状態にある間に前記第２のデバイスから受信した第２の信号に応答して、第１の応答信号を生成することと、を実行させ、
前記第１の応答信号は、前記第１のデバイスが電力供給状態にある場合に前記第２の信号に応答して前記第１のデバイスによって生成される第２の応答信号と実質的に同様であり、
前記第２の信号は、前記第２のデバイスによって、前記第１のデバイスを含む複数のデバイスの各々に送信されるコンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
前記第２のデバイスは中央処理ユニット（ＣＰＵ）である請求項１５のコンピュータ可読媒体。
【請求項１７】
前記第２の信号はバス構成サイクルを備える請求項１５のコンピュータ可読媒体。
【請求項１８】
前記電力デバイスは、前記第１のデバイスのレンダリングエンジン又はディスプレイ制御器の少なくとも１つに結合される請求項１５のコンピュータ可読媒体。
【請求項１９】
前記移行させることは、前記第１のデバイスに結合される前記識別された電力デバイスの出力電圧を無効にすることを備える請求項１５のコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
前記第１のデバイスに関連するメモリの少なくとも一部分を無効にすることを更に備える請求項１５のコンピュータ可読媒体。
【請求項２１】
第１のデバイスを動作させる方法であって、
第２のデバイスから受信した第１の信号に応じて、前記第１のデバイスに結合された複数の電力デバイスの中から電力デバイスを識別することと、
前記第１の信号に応答して前記第１のデバイスを実質的に無効な状態に移行させることであって、識別された電力デバイスの出力を無効にし、前記第２のデバイスは、前記第１のデバイスの動作がプログラムの実行に基づくものであるように前記プログラムを実行するように構成されていることと、
前記第１のデバイスが前記実質的に無効な状態にある間に前記第２のデバイスから受信した第２の信号に応答して、第１の応答信号を生成することと、を備え、
前記第１の応答信号は、前記第１のデバイスが電力供給状態にある場合に前記第２の信号に応答して前記第１のデバイスによって生成される第２の応答信号と実質的に同様であり、それによって前記プログラムは実行を継続する方法。