【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の被エッチング膜の表面に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクを用いて前記被エッチング膜にエッチング処理を施し、前記被エッチング膜に溝または孔を形成する工程と、
前記エッチング処理後に前記エッチングマスクにアッシング処理を施し、前記エッチングマスクを除去する工程と、
前記アッシング処理後に前記溝または孔の側面部をシリル化処理する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記アッシング処理は、アッシングガスとしてＯ２およびＣＯ２のいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記被エッチング膜は、有機系低誘電率膜であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機系低誘電率膜は、ポーラスＭＳＱ膜であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチングマスクは、前記有機系低誘電率膜の上に、下から順に、ＳｉＣＮ膜、反射防止膜、レジスト膜が形成されてなるものであることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記シリル化処理は、ＴＭＤＳ（1,1,3,3-Tetramethyldisilazane）およびＴＭＳＤＭＡ（Dimethylaminotrimethylsilane）のいずれかのガスを用いて行われることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング処理、前記アッシング処理、および前記シリル化処理は真空状態で連続して行われることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記エッチング処理および前記アッシング処理は、同一の処理室内で行われることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記エッチング処理、前記アッシング処理、および前記シリル化処理は、同一の処理室内で行われることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板上の被エッチング膜の表面に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクを用いて前記被エッチング膜にエッチング処理を施し、前記被エッチング膜に溝または孔を形成するエッチング処理部と、
前記エッチング処理後に前記エッチングマスクにアッシング処理を施し、前記エッチングマスクを除去するアッシング処理部と、
前記アッシング処理後に前記溝または孔の側面部をシリル化処理するシリル化処理部と
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記シリル化処理部は、その内部を真空に維持可能な真空容器と、
前記真空容器に接続され、圧力調整装置が設けられた真空排気口と、
前記真空容器に接続され、シリル化処理に用いるガスを前記真空容器内に供給するガス供給系と、
前記真空容器内に設置され、基板を保持してその温度を制御するホットプレートと
を有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記アッシング処理部は、アッシングガスとしてＯ２またはＣＯ２のいずれかを供給する処理ガス供給系を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、前記シリル化処理部は、真空に保持される搬送室に連結され、前記搬送室内の搬送装置により真空雰囲気を保ったまま、前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、前記シリル化処理部に基板が搬送されることを特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記エッチング処理部および前記アッシング処理部は、共通の処理室を有し、エッチング処理のためのガスと、アッシング処理のためのガスとを前記処理室に供給する処理ガス供給系を有することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、および前記シリル化処理部は、共通の処理室を有し、エッチング処理のためのガスと、アッシング処理のためのガスと、前記シリル化処理のためのガスとを前記処理室に供給する処理ガス供給系を有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
エッチング処理およびアッシング処理が施された基板にシリル化処理を施す基板処理装置であって、
その内部を真空に維持可能な真空容器と、
前記真空容器に接続され、圧力調整装置が設けられた真空排気口と、
前記真空容器に接続され、シリル化処理に用いるガスを前記真空容器内に供給するガス供給系と、
前記真空容器内に設置され、基板を保持してその温度を制御するホットプレートと
を有することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、シングルダマシン法やデュアルダマシン法による半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および基板処理装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、電気的特性および信頼性に優れた半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および基板処理装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の観点によれば、基板上の被エッチング膜の表面に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクを用いて前記被エッチング膜にエッチング処理を施し、前記被エッチング膜に溝または孔を形成する工程と、
前記エッチング処理後に前記エッチングマスクにアッシング処理を施し、前記エッチングマスクを除去する工程と、
前記アッシング処理後に前記溝または孔の側面部をシリル化処理する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法、が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記第１の観点において、前記アッシング処理は、アッシングガスとしてＯ２およびＣＯ２のいずれかを用いることが好ましい。また、前記被エッチング膜が有機系低誘電率膜である場合、特に、ポーラスＭＳＱ膜である場合に好適である。さらに、前記エッチングマスクとしては、前記有機系低誘電率膜の上に、下から順に、ＳｉＣＮ膜、反射防止膜、レジスト膜が形成されてなるものを用いることができる。さらにまた、前記シリル化処理としては、ＴＭＤＳ（1,1,3,3-Tetramethyldisilazane）およびＴＭＳＤＭＡ（Dimethylaminotrimethylsilane）のいずれかのガスを用いて行われることが好適である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記第１の観点において、前記エッチング処理、前記アッシング処理、および前記シリル化処理は真空状態で連続して行われるようにすることができる。また、前記エッチング処理および前記アッシング処理は、同一の処理室内で行われるようにすることができる。さらに、前記エッチング処理、前記アッシング処理、および前記シリル化処理は、同一の処理室内で行われるようにすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２の観点によれば、基板上の被エッチング膜の表面に形成された所定の回路パターンを有するエッチングマスクを用いて前記被エッチング膜にエッチング処理を施し、前記被エッチング膜に溝または孔を形成するエッチング処理部と、
前記エッチング処理後に前記エッチングマスクにアッシング処理を施し、前記エッチングマスクを除去するアッシング処理部と、
前記アッシング処理後に前記溝または孔の側面部をシリル化処理するシリル化処理部と
を有することを特徴とする半導体装置の製造装置、が提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記第２の観点において、前記シリル化処理部としては、その内部を真空に維持可能な真空容器と、前記真空容器に接続され、圧力調整装置が設けられた真空排気口と、前記真空容器に接続され、シリル化処理に用いるガスを前記真空容器内に供給するガス供給系と、前記真空容器内に設置され、基板を保持してその温度を制御するホットプレートとを有するものを用いることができる。また、前記アッシング処理部は、アッシングガスとしてＯ２またはＣＯ２のいずれかを供給する処理ガス供給系を有することが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記第２の観点において、前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、前記シリル化処理部は、真空に保持される搬送室に連結され、前記搬送室内の搬送装置により真空雰囲気を保ったまま、前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、前記シリル化処理部に基板が搬送されるように構成することができる。また、前記エッチング処理部および前記アッシング処理部は、共通の処理室を有し、エッチング処理のためのガスと、アッシング処理のためのガスとを前記処理室に供給する処理ガス供給系を有する構成とすることができる。さらに、前記エッチング処理部、前記アッシング処理部、および前記シリル化処理部は、共通の処理室を有し、エッチング処理のためのガスと、アッシング処理のためのガスと、前記シリル化処理のためのガスとを前記処理室に供給する処理ガス供給系を有する構成とすることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第３の観点によれば、エッチング処理およびアッシング処理が施された基板にシリル化処理を施す基板処理装置であって、
その内部を真空に維持可能な真空容器と、
前記真空容器に接続され、圧力調整装置が設けられた真空排気口と、
前記真空容器に接続され、シリル化処理に用いるガスを前記真空容器内に供給するガス供給系と、
前記真空容器内に設置され、基板を保持してその温度を制御するホットプレートと
を有することを特徴とする基板処理装置、が提供される。