【手続補正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性セラミック本体を製造するための方法であって、該方法は、
セラミック粉末、ポリマー結合剤および界面活性剤を混合して、重量による固体負荷を有するスリップ混合物を形成する工程；
該スリップ混合物を型にとる工程；
該スリップ混合物を該型の中で硬化させて、未焼結本体を形成する工程；
該未焼結本体を該型から外す工程；
該未焼結本体に刻み目を入れて、複数のミクロンサイズのセラミック要素および間隙を含むアレイを有する刻み目を入れた未焼結本体を形成する工程；ならびに
該刻み目を入れた未焼結本体を焼結して、密度を高めた焼結された本体を形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記セラミック粉末は、重量％で、前記スリップ混合物のうちの少なくとも９０％を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セラミック粉末は、体積％で、前記スリップ混合物のうちの少なくとも９５％を構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記セラミック粉末をすりつぶす工程をさらに包含し、その結果、該すりつぶす工程の後に、該セラミック粉末は、０．２μｍ〜１．６μｍの粒度範囲を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記セラミック粉末は、圧電性セラミック粉末もしくは電歪性セラミック粉末である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記圧電性セラミック粉末は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ニオブ鉛（ＰＮＴ）、チタン酸ニオブスカンジウム鉛（ＰＳＮＴ）、（ＰＭＮ）、チタン酸鉛、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ポリマー結合剤は、エポキシポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記エポキシポリマーは、２成分エポキシ樹脂である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記スリップは、分散剤をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記硬化する工程は、前記スリップ混合物を、１００℃〜１４０℃の温度へと、前記未焼結本体を形成するに十分な時間にわたって前記型の中で硬化させる工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記刻み目を入れる工程は、前記未焼結本体を、ダイシング機でダイス加工する工程を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ミクロンサイズのセラミック要素は、高さ１５０μｍ〜３２５μｍ、幅３５μｍ〜６５μｍ、および要素間間隙２５μｍ〜５０μｍの寸法を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ポリマー結合剤を、前記刻み目を入れた未焼結本体から除去するための素焼き処理をさらに包含し、ここで該刻み目を入れた未焼結本体は、該結合剤を焼き尽くすために、十分な温度へと、十分な時間にわたって加熱される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記素焼き処理は、前記刻み目を入れた未焼結本体を、６０℃〜７５０℃の間の温度へと加熱する工程を、さらに包含する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記焼結する工程は、前記本体を、１０００℃〜１１００℃の間の温度へと、１時間〜２時間の間の時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記焼結する工程は、前記本体を、前記焼結されたセラミック本体を、理論的密度の少なくとも９５％へと密度を高めるのに十分な温度へと十分な時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記焼結したセラミック本体をポリマー材料中に覆って、前記間隙を満たし、セラミック−ポリマー複合材を形成する工程を、さらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
デバイスのための圧電性セラミック複合材を製造するための方法であって、該方法は、
圧電性セラミック粉末、有機結合剤、および界面活性剤を混合して、スリップを形成する工程であって、ここで該スリップは、少なくとも９０重量％の固体負荷を有する、工程；
該スリップを型にとって、未焼結本体を形成する工程；
該未焼結本体を該型から外す工程；
該未焼結本体に刻み目を入れて、ミクロンサイズのセラミック要素および間隙のアレイを有する刻み目を入れた未焼結本体を形成する工程；
該刻み目を入れた未焼結本体を素焼きして、該有機結合剤を焼き尽くす工程；
該刻み目を入れた未焼結本体を焼結して、焼結されたセラミック本体を形成する工程；ならびに
該焼結されたセラミック本体をポリマー材料中に覆って、セラミック−ポリマー複合材を形成する工程、
を包含する、方法。
【請求項１９】
前記セラミック粉末をすりつぶす工程をさらに包含し、その結果、該すりつぶす工程の後に、該セラミック粉末は、０．２μｍ〜１．６μｍの粒度範囲を有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記圧電性セラミック粉末は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ニオブ鉛（ＰＮＴ）、チタン酸ニオブスカンジウム鉛（ＰＳＮＴ）、（ＰＭＮ）、チタン酸鉛、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記有機結合剤は、２成分エポキシ樹脂である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記スリップは、分散剤をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記硬化工程は、１１０℃〜１３０℃の温度で、１２〜２４時間の間の時間にわたって前記スリップ混合物を前記型の中で硬化させて、前記未焼結本体を形成する工程を包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２４】
前記ミクロンサイズのセラミック要素は、高さ２００μｍ〜３００μｍ、幅５０μｍ〜６５μｍ、および要素間間隙２０μｍ〜３５μｍの寸法を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記素焼き工程は、１３０℃〜７５０℃の間の温度へと、６０時間〜６８時間の間の時間にわたって前記刻み目を入れた未焼結本体を加熱する工程を、さらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２６】
前記焼結する工程は、１０００℃〜１１００℃の間の温度に、１時間〜２時間の間の時間にわたって、前記本体を加熱する工程を、さらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２７】
前記焼結する工程は、前記本体を、理論的密度の９７％〜９９％へと前記焼結されたセラミック本体の密度を高めるために十分な温度へと十分な時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２８】
前記複合材を機械加工して、前記焼結されたセラミック本体の少なくとも１つの表面を曝す工程を、さらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２９】
前記複合材への接触を形成して、前記焼結されたセラミック本体への電気的接続性を提供する工程を、さらに包含する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記焼結されたセラミック本体を電気的成分とともに位置決めして、デバイスを形成する工程を包含する、請求項２９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前述の一般的説明および以下の詳細な説明はともに、例示的および説明的であるに過ぎず、特許請求される本発明を限定するものではないことが理解されるべきである。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
圧電性セラミック本体を製造するための方法であって、該方法は、
（ａ）セラミック粉末、ポリマー結合剤および界面活性剤を混合して、重量による固体負荷を有するスリップ混合物を形成する工程；
（ｂ）該スリップ混合物を型にとる工程；
（ｃ）該スリップ混合物を該型の中で硬化させて、未焼結本体を形成する工程；
（ｄ）該未焼結本体を該型から外す工程；
（ｅ）該未焼結本体に刻み目を入れて、複数のミクロンサイズのセラミック要素および間隙を含むアレイを有する刻み目を入れた未焼結本体を形成する工程；ならびに
（ｆ）該刻み目を入れた未焼結本体を焼結して、密度を高めた焼結された本体を形成する工程、
を包含する、方法。
（項目２）
前記セラミック粉末は、重量％で、前記スリップ混合物のうちの少なくとも９０％を構成する、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記セラミック粉末は、体積％で、前記スリップ混合物のうちの少なくとも９５％を構成する、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記セラミック粉末をすりつぶす工程をさらに包含し、ここで該セラミック粉末は、０．２μｍ〜１．６μｍの粒度範囲を有する、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記セラミック粉末は、圧電性セラミック粉末もしくは電歪性セラミック粉末である、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記圧電性セラミック粉末は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ニオブ鉛（ＰＮＴ）、チタン酸ニオブスカンジウム鉛（ＰＳＮＴ）、（ＰＭＮ）、チタン酸鉛、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される、項目２に記載の方法。
（項目７）
前記ポリマー結合剤は、エポキシポリマーである、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記エポキシポリマーは、２成分エポキシ樹脂である、項目７に記載の方法。
（項目９）
前記スリップは、分散剤をさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記硬化する工程は、前記スリップ混合物を、１００℃〜１４０℃の温度へと、前記未焼結本体を形成するに十分な時間にわたって前記型の中で硬化させる工程を包含する、項目１に記載の方法。
（項目１１）
前記刻み目を入れる工程は、前記未焼結本体を、ダイシング機でダイス加工する工程を包含する、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記ミクロンサイズのセラミック要素は、高さ１５０μｍ〜３２５μｍ、幅３５μｍ〜６５μｍ、および要素間間隙２５μｍ〜５０μｍの寸法を有する、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記ポリマー結合剤を、前記刻み目を入れた未焼結本体から除去するための素焼き処理をさらに包含し、ここで該刻み目を入れた未焼結本体は、該結合剤を焼き尽くすために、十分な温度へと、十分な時間にわたって加熱される、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記素焼き処理は、前記刻み目を入れた未焼結本体を、６０℃〜７５０℃の間の温度へと加熱する工程を、さらに包含する、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記焼結する工程は、前記本体を、１０００℃〜１１００℃の間の温度へと、１時間〜２時間の間の時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記焼結する工程は、前記本体を、前記焼結されたセラミック本体を、理論的密度の少なくとも９５％へと密度を高めるのに十分な温度へと十分な時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１７）
前記焼結したセラミック本体をポリマー材料中に覆って、前記間隙を満たし、セラミック−ポリマー複合材を形成する工程を、さらに包含する、項目１に記載の方法。
（項目１８）
デバイスのための圧電性セラミック複合材を製造するための方法であって、該方法は、
（ａ）圧電性セラミック粉末、有機結合剤、および界面活性剤を混合して、スリップを形成する工程であって、ここで該スリップは、少なくとも９０重量％の固体負荷を有する、工程；
（ｂ）該スリップを型にとって、未焼結本体を形成する工程；
（ｃ）該未焼結本体を該型から外す工程；
（ｄ）該未焼結本体に刻み目を入れて、ミクロンサイズのセラミック要素および間隙のアレイを有する刻み目を入れた未焼結本体を形成する工程；
（ｅ）該刻み目を入れた未焼結本体を素焼きして、該ポリマー結合剤を焼き尽くす工程；
（ｆ）該刻み目を入れた未焼結本体を焼結して、焼結されたセラミック本体を形成する工程；ならびに
（ｇ）該焼結されたセラミック本体をポリマー材料中に覆って、セラミック−ポリマー複合材を形成する工程、
を包含する、方法。
（項目１９）
前記セラミック粉末をすりつぶす工程をさらに包含し、ここで該セラミック粉末は、０．２μｍ〜１．６μｍの粒度範囲を有する、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記圧電性セラミック粉末は、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、チタン酸ニオブ鉛（ＰＮＴ）、チタン酸ニオブスカンジウム鉛（ＰＳＮＴ）、（ＰＭＮ）、チタン酸鉛、およびチタン酸バリウムからなる群より選択される、項目１９に記載の方法。
（項目２１）
前記ポリマー結合剤は、２成分エポキシ樹脂である、項目１８に記載の方法。
（項目２２）
前記スリップは、分散剤をさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２３）
前記硬化工程は、１１０℃〜１３０℃の温度で、１２〜２４時間の間の時間にわたって前記スリップ混合物を前記型の中で硬化させて、前記未焼結本体を形成する工程を包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２４）
前記ミクロンサイズのセラミック要素は、高さ２００μｍ〜３００μｍ、幅５０μｍ〜６５μｍ、および要素間間隙２０μｍ〜３５μｍの寸法を有する、項目１に記載の方法。
（項目２５）
前記素焼き工程は、１３０℃〜７５０℃の間の温度へと、６０時間〜６８時間の間の時間にわたって前記刻み目を入れた未焼結本体を加熱する工程を、さらに包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２６）
前記焼結する工程は、１０００℃〜１１００℃の間の温度に、１時間〜２時間の間の時間にわたって、前記本体を加熱する工程を、さらに包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２７）
前記焼結する工程は、前記本体を、理論的密度の９７％〜９９％へと前記焼結されたセラミック本体の密度を高めるために十分な温度へと十分な時間にわたって加熱する工程を、さらに包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２８）
前記複合材を機械加工して、前記焼結されたセラミック本体の少なくとも１つの表面を曝す工程を、さらに包含する、項目１８に記載の方法。
（項目２９）
前記複合材への接触を形成して、前記焼結されたセラミック本体への電気的接続性を提供する工程を、さらに包含する、項目２８に記載の方法。
（項目３０）
前記焼結されたセラミック本体を電気的成分とともに位置決めして、デバイスを形成する工程を包含する、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
１−３複合材製造プロセスであって、該プロセスは、
（ａ）  未焼結タイルを基材として提供する工程；および
（ｂ）  構造化プロセスを使用して、該未焼結タイルに基づいて、所定の幾何的配置を含む要素のマトリクスを作り出す工程、
を包含する、プロセス。