Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月7日(2013.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（１０）及び電極（１１）を含むフォトニックデバイスのための透明基板（１）であって、前記電極（１１）が単一の金属導電層（１１２）、及び前記電極を通る光透過を改良するための特性を有する少なくとも一つの被覆（１１０）を含む積層構造を含み、前記被覆（１１０）が、少なくとも３．０ｎｍより大きくかつ最大でも２００ｎｍに等しいか又はそれより小さい幾何学的厚さを有し、前記被覆（１１０）が、光透過を改良するための少なくとも一つの層（１１０１）を含み、かつ金属導電層（１１２）と支持体（１０）の間に位置され、支持体（１０）の上に前記電極（１１）が蒸着されているものにおいて、光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）の光学的厚さＴＤ１と金属導電層（１１２）の幾何学的厚さＴＭＥが以下の方程式によって関係づけられていることを特徴とする透明基板：
2012518261.tif 000001
式中、ＴＭＥ＿ｏ，Ｂ及びＴＤ１＿ｏは定数であり、ＴＭＥ＿ｏは１０．０〜２５．０ｎｍの範囲の値を有し、Ｂは１０．０〜１６．５ｎｍの範囲の値を有し、ＴＤ１＿ｏは２３．９＊ｎＤ１〜２８．３＊ｎＤ１ｎｍの範囲の値を有し、ｎＤ１は５５０ｎｍの波長における光透過を改良するための被覆の屈折率を表わし、ｎｓｕｐｐｏｒｔは５５０ｎｍの波長における支持体の屈折率を表わす。
【請求項２】
支持体（１０）が、５５０ｎｍの波長において少なくとも１．２に等しい値の屈折率ｎｓｕｐｐｏｒｔを有することを特徴とする請求項１に記載の透明基板。
【請求項３】
光透過を改良するための被覆（１１０）の屈折率が支持体（１０）の屈折率より高いことを特徴とする請求項１又は２に記載の透明基板。
【請求項４】
支持体（１０）が５５０ｎｍの波長において１．４〜１．６の範囲の屈折率を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の透明基板。
【請求項５】
金属導電層（１１２）の幾何学的厚さが少なくとも１６．０ｎｍに等しくかつ最大２９．０ｎｍに等しく、光透過を改良するための被覆（１１０）の幾何学的厚さが少なくとも２０．０ｎｍに等しくかつ最大４０．０ｎｍに等しいことを特徴とする請求項４に記載の透明基板。
【請求項６】
支持体が５５０ｎｍにおいて１．５に等しい屈折率を有すること、及び金属導電層（１１２）の幾何学的厚さが少なくとも６．０ｎｍに等しくかつ最大２２．０ｎｍに等しく、光透過を改良するための被覆（１１０）の幾何学的厚さが少なくとも５０．０ｎｍに等しくかつ最大１３０．０ｎｍに等しいことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の透明基板。
【請求項７】
電極が、少なくとも一つの追加の結晶層（１１０２）を含む光透過を改良するための被覆（１１０）を有し、支持体（１０）に関して、前記結晶層（１１０２）が、前記被覆（１１０）を形成する積層構造から最も離れた層であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の透明基板。
【請求項８】
結晶層（１１０２）の幾何学的厚さが、光透過を改良するための被覆（１１０）の全幾何学的厚さの少なくとも７％に等しいことを特徴とする請求項７に記載の透明基板。
【請求項９】
電極（１１）が、表面電気特性を標準化するための薄い層（１１４）を有し、それが、支持体（１０）に関して前記電極（１１）を形成する多層積層構造の上にあることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の透明基板。
【請求項１０】
電極（１１）が、金属導電層（１１２）と薄い標準化層（１１４）の間に位置された少なくとも一つの追加の挿入層（１１３）を有することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の透明基板。
【請求項１１】
挿入層（１１３）の幾何学的厚さ（Ｅｉｎ）が、そのオーム厚さが最大１０１２オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を形成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）の間の関係に等しく、挿入層の幾何学的厚さがさらに、方程式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ａによって有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅｏｒｇ）に関連づけられ、「第一有機層」という用語は、挿入層と有機発光層の間に配置された全ての有機層を意味し、式中、Ａは、５．０〜７５．０ｎｍ、好ましくは２０．０〜６０．０ｎｍ、より好ましくは３０．０〜４５．０ｎｍの範囲の値を有する定数であることを特徴とする請求項１０に記載の透明基板。
【請求項１２】
挿入層（１１３）の幾何学的厚さ（Ｅｉｎ）が、そのオーム厚さが最大１０１２オームに等しいようなものであり、オーム厚さが、挿入層を形成する材料の抵抗（ρ）とこの同じ層の幾何学的厚さ（ｌ）の間の関係に等しく、挿入層の幾何学的厚さがさらに、方程式Ｅｏｒｇ＝Ｅｉｎ−Ｃによって有機発光デバイスの第一有機層の幾何学的厚さ（Ｅｏｒｇ）に関連づけられ、「第一有機層」という用語は、挿入層と有機発光層の間に配置された全ての有機層を意味し、式中、Ｃは、１５０．０〜２５０．０ｎｍ、好ましくは１６０．０〜２２５．０ｎｍ、より好ましくは７５．０〜２０５．０ｎｍの範囲の値を有する定数であることを特徴とする請求項１０に記載の透明基板。
【請求項１３】
金属導電層（１１２）がその面の少なくとも一つの上に少なくとも一つの犠牲層（１１１ａ及び／又は１１１ｂ）を有することを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の透明基板。
【請求項１４】
前記電極（１１）が上に蒸着される支持体（１０）が、電極（１１）が上に蒸着される面とは反対の面の上に少なくとも一つの機能被覆（９）を含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の透明基板。
【請求項１５】
支持体側（１０）の反射ｒｓｕｐｐｏｒｔが、少なくとも２８％に等しくかつ最大４９％に等しい値を有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の透明基板。
【請求項１６】
以下の二つの段階で実施されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の透明基板の製造方法：
−  光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）の支持体（１０）の蒸着、
−  金属導電層（１１２）の蒸着直後にフォトニックシステムを形成する異なる機能要素の蒸着。
【請求項１７】
以下の二つの段階で実施されることを特徴とする請求項１〜１５のいずれかに記載の透明基板の製造方法：
−  電極（１１）を通る光透過を改良するための特性を有する被覆（１１０）、金属導電層（１１２）、犠牲層（１１１ｂ）、挿入層（１１３）の支持体（１０）の蒸着、
−  標準化層（１１４）の蒸着直後のフォトニックシステムを形成する異なる機能要素の蒸着。
【請求項１８】
請求項１〜１５のいずれかに記載の少なくとも一つの透明基板を含む有機発光デバイス。
【請求項１９】
準白色光を放出する請求項１８に記載の有機発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高パワーレーザーエネルギを長距離に亘って伝達する光ファイバケーブルであり、
約０．５ｋｍより長い長さの光ファイバケーブルからなり、
該ケーブルは、コアと、クラッドと、コーティングと、保護層と、を備えており、
前記ケーブルは、約１ｋＷ以上のパワーを有するレーザーエネルギを、該ケーブルの全長に亘って、約２ｄB／ｋｍ未満のパワー損失で伝達することができる、ことを特徴とする光ファイバケーブル。
【請求項２】
第二の保護層をさらに備える、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
前記レーザーエネルギが、誘導ラマン散乱スペクトル帯域が存在することなく伝達する、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項４】
前記パワーが５ｋW以上である、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項５】
長さが約１ｋｍより長い、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項６】
長さが約２ｋｍより長い、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項７】
長さが約３ｋｍより長い、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項８】
長さが約１ｋｍより長く且つ前記パワーが約１０ｋＷより大きい、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項９】
長さが約２ｋｍより長い、ことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１０】
長さが約３ｋｍより長い、ことを特徴とする請求項８に記載のケーブル。
【請求項１１】
前記第二の保護層が前記コアより長い、ことを特徴とする請求項２に記載のケーブル。
【請求項１２】
前記コアの直径が少なくとも約３００ミクロンである、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項１３】
前記ケーブルの出力端が、前記ケーブルの入力端で受け取ったレーザーエネルギの少なくとも約６０％を給送できる構造とされている、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項１４】
前記ケーブルの前記出力端に給送されたレーザーエネルギが実質的に誘導ラマン散乱を含まないスペクトルを有している、ことを特徴とする請求項１３に記載のケーブル。
【請求項１５】
前記ケーブルはコイル状に巻くことができ、前記コイル状に巻かれたケーブルの外径が約６ｍ未満である、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項１６】
伝達された前記レーザーエネルギの波長が約８００ｎｍから２０００nmの間である、ことを特徴とする請求項１に記載のケーブル。
【請求項１７】
伝達された前記レーザービームの波長が約１０８０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１６に記載のケーブル。
【請求項１８】
伝達された前記レーザービームの波長が約１５５０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１６に記載のケーブル。
【請求項１９】
伝達された前記レーザービームの波長が約１４９０ｎｍである、ことを特徴とする請求項１６に記載のケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不動態化層（５５）を有する半導体チップ（１５）を提供することと、
中央部分（６５）及び前記中央部分から空間的に分離される第１のフレーム部分（７０）を伴うポリマ層（６０）を前記不動態化層（５５）上に形成して、前記不動態化層（５５）にまで延びてはいるが前記不動態化層（５５）を貫通してはいない第１のチャネル（８０）を画定することとを備えた製造の方法。
【請求項２】
複数の半田構造（９０）を前記中央部分（６５）に結合することを備えた請求項１の方法。
【請求項３】
長方形設置面を伴う前記第１のフレーム部分（７０）を形成することを備えた請求項１の方法。
【請求項４】
蛇行設置面を伴う前記第１のチャネル（８０’）を画定する前記第１のフレーム部分（７０）を形成することを備えた請求項１の方法。
【請求項５】
前記半導体チップ（１５”）の前記不動態化層（５５）から外側に向く前記第１のフレーム部分（７５”）の表面内に溝（２５０ａ）を形成することを備えた請求項１の方法。
【請求項６】
前記溝（２５０ａ）は前記第１のフレーム部分（７５”）の周囲にわたって延在する請求項５の方法。
【請求項７】
前記第１のフレーム部分（７０）からから空間的に分離される第２のフレーム部分（７５）を伴う前記ポリマ層（６０）を形成して第２のチャネル（８５）を画定することを備えた請求項１の方法。
【請求項８】
中央部分（６５）及び前記中央部分から空間的に分離される第１のフレーム部分（７０）を有するポリマ層（６０）を半導体チップ（１５）の不動態化層（５５）上に形成して、前記不動態化層（５５）にまで延びてはいるが前記不動態化層（５５）を貫通してはいない第１のチャネル（８０）を画定することと、
前記不動態化層（５５）が基板（２０）に対向するが接合部領域を残して前記基板（２０）からは分離されている状態で前記半導体チップ（１５）を前記基板（２０）に結合することと、
前記接合部領域内に下層充填（３０）を配置することとを備えた製造の方法であって、
前記下層充填の一部分が前記チャネル（８０）内に侵入して前記ポリマ層（６０）と前記下層充填（３０）の間の機械的な結合を確立する製造の方法。
【請求項９】
前記半導体チップ（１５）と前記基板（２０）の間に複数の相互接続（１０５，１１０）を形成することを備えた請求項８の方法。
【請求項１０】
前記相互接続は半田接合を備えている請求項９の方法。
【請求項１１】
長方形設置面を伴う前記第１のフレーム部分（７０）を形成することを備えた請求項８の方法。
【請求項１２】
前記第１のフレーム部分を形成して長方形の設置面を伴う前記第１のチャネル（８０）を画定することを備えた請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記第１のフレーム部分を形成して蛇行設置面を伴う前記第１のチャネル（８０’）を画定することを備えた請求項８の方法。
【請求項１４】
前記半導体チップ（１５”）の前記不動態化層（５５）から外側に向く前記第１のフレーム部分（７５”）の表面内に溝（２５０ａ）を形成することを備えた請求項８の方法。
【請求項１５】
前記溝（２５０ａ）は前記第１のフレーム部分の周囲にわたって延在する請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記第１のフレーム部分からから空間的に分離される第２のフレーム部分を伴う前記ポリマ層を形成して第２のチャネルを画定することを備えた請求項８の方法。
【請求項１７】
不動態化層（５５）を有する半導体チップ（１５）と、前記不動態化層（５５）上のポリマ層（６０）とを備えた装置であって、
前記ポリマ層（６０）は前記不動態化層（５５）にまで延びてはいるが前記不動態化層（５５）を貫通してはいない第１のチャネル（８０）を画定するために中央部分（６５）と前記中央部分（６５）から空間的に分離される第１のフレーム部分（７０）とを有している装置。
【請求項１８】
前記中央部分に結合される複数の半田構造（１１５）を備えた請求項１７の装置。
【請求項１９】
前記第１のフレーム部分（７０）は長方形の設置面を備えている請求項１７の装置。
【請求項２０】
前記第１のチャネル（８０）は長方形の設置面を備えている請求項１９の装置。
【請求項２１】
前記第１のチャネル（８０’）は蛇行設置面を備えている請求項１７の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム金属又はリチウム金属含有合金をアノード材料として有するガルバニ電池であって、
前記電池が、ビス（オキサラト）ホウ酸リチウム並びに式Ｉ及び／又はＩＩ
【化１】
2012518260.tif 000001
の少なくとも１種の別のリチウム錯塩を非プロトン性の溶剤又は溶剤混合物中に含有する電解質を含有し、
その際に支持電解質中の化合物（Ｉ）及び／又は（ＩＩ）の割合が、０．０１〜２０mol％であり、かつ式（Ｉ、ＩＩ）中のＸ、Ｙ及びＺが、２個の酸素原子と共にホウ素原子又はリン原子に結合された橋であり、前記橋は、
【化２】
2012518260.tif 000002
Ｙ1及びＹ2は一緒になって＝Ｏを表し、ｍ＝１、ｎ＝０であり、かつＹ3及びＹ4は互いに独立してＨ又は炭素原子１〜５個を有するアルキル基であるか、又は
Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4はそれぞれ互いに独立してＯＲ（ここでＲ＝炭素原子１〜５個を有するアルキル基）、Ｈ又は炭素原子１〜５個を有するアルキル基Ｒ1、Ｒ2であり、かつｍ、ｎ＝０又は１である、
から選択されていることを特徴とする、リチウム金属又はリチウム金属含有合金をアノード材料として有するガルバニ電池。
【請求項２】
式Ｉ及び／又はＩＩによる化合物の１種が０．２〜１０質量％の量で含まれている、請求項１記載のガルバニ電池。
【請求項３】
式Ｉ及び／又はＩＩによる化合物の１種が０．２〜５質量％の量で含まれている、請求項２記載のガルバニ電池。
【請求項４】
電解質中にフッ素不含材料のみが含まれている、請求項１から３までのいずれか１項記載のガルバニ電池。
【請求項５】
リチウム錯塩としてトリス（オキサラト）リン酸リチウム又はマロナト−オキサラトホウ酸リチウムが含まれている、請求項１から４までのいずれか１項記載のガルバニ電池。
【請求項６】
電解質が液体電解質又はゲル電解質として存在する、請求項１から４までのいずれか１項記載のガルバニ電池。
【請求項７】
電解質中の溶剤がプロピレンカーボネートであるか又はエチレンカーボネート及びエチルメチルカーボネートの混合物である、請求項１から４までのいずれか１項記載のガルバニ電池。
【請求項８】
電気駆動のため又は据置使用のための大型電池を製造するための、請求項１から７までのいずれか１項記載のガルバニ電池の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月16日(2013.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅｓ：ＬＥＤ）は、白熱灯、コンパクト蛍光灯（ｃｏｍｐａｃｔ  ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｌｉｇｈｔ：ＣＦＬ）及びその他のより従来型の光源に代わって電気エネルギーを節減する効率的な光源として考えられている。ＬＥＤは、白熱灯に必要なエネルギーよりもかなり少ないエネルギーを使用して同等量の光を生成する。前記エネルギーの節減の範囲は、電球の設計次第で４０〜８０％に及ぶ。さらに、ＬＥＤは、ＣＦＬに一般的に使用される水銀などの環境に有害な元素を含んでいない。従来の白熱電球、ＣＦＬ、及びその他の従来型の光源に代わる光源としてＬＥＤを用いた電球によって、これらの白熱電球、ＣＦＬ、及びその他の従来型の光源と同等またはそれ以上の量および質の光を発生させることが必要とされる。前記光の量は光出力に依存するが、この光出力は、ＬＥＤの効率の向上、ＬＥＤの数の増加、またはサイズの大型化、および電子駆動回路の効率の向上によって増加させることができる。前記光の品質は、その演色評価数および光線断面（ｌｉｇｈｔ  ｂｅａｍ  ｐｒｏｆｉｌｅ）に影響する要因に関連する。ほとんどのパッケージ化されたＬＥＤ装置は光を全方向に放射しないので、光を全方向に放射しないパッケージ化されたＬＥＤを使用して代替電球を設計するときには課題が存在する。一方、熱管理システムおよび電子駆動回路を有するＭＲ１６電灯でなされているように、一方向に発光するＬＥＤをダウンライト照明に採用することは容易である。しかし、ＬＥＤを使用して空間的に（即ち、白熱電球を使用して提供されるのと同様に非一方向的にまたは全方向的に）光を放射させるためには、一般的に、複数のＬＥＤの特殊な３次元配置が必要となる。ＬＥＤを使用した空間的な、放射状の、または非一方向的な照明の様々な実施形態が従来技術に説明されており、例えば、２００４年４月１３日付けで発行された米国特許第６，６３４，７７０号明細書（Ｃａｏ）、米国特許第６，６３４，７７１号明細書（Ｃａｏ）、米国特許第６，４６５，９６１号明細書（Ｃａｏ）、米国特許第６，７１９，４４６号明細書（Ｃａｏ）に記載されている。さらに、共有された係属中の米国特許出願第１１／３９７，３２３号、１１／４４４，１６６号、および１１／９３８，１３１号の中に様々な例が記載されている。上述の従来技術は、白熱電球によって生成されるのと類似した光線断面を作り出す解決策を提供している。前述の発行済み特許および出願の開示内容は、この参照により本明細書に組み込まれる。下記の本発明は、前記ＬＥＤ照明装置から独立したヒートシンクに熱エネルギーを有利に伝達し、前記ＬＥＤ光源から熱を放散させる進歩的な手段によって、前記従来技術の装置を改良するものである。本発明は、このように、ＬＥＤ式照明における熱管理および光線断面の改良を促進する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】  米国特許第７２２４００１号明細書
【特許文献２】  米国特許出願公開第２００８／０１４９３０５号明細書
【特許文献３】  米国特許出願公開第２００６／０２１４１７９号明細書
【特許文献４】  米国特許出願公開第２００８／００９３９６２号明細書
【特許文献５】  米国特許第６７１５９００号明細書
【特許文献６】  米国特許第６２２０７２２号明細書
【特許文献７】  米国特許出願公開第２００８／００８８４７７号明細書
【特許文献８】  米国特許第７３６７６９２号明細書
【特許文献９】  米国特許出願公開第２００７／０２７３２９０号明細書
【特許文献１０】  米国特許出願公開第２００５／０２３１９８３号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、伝熱管を利用することによって、３次元状のクラスターのＬＥＤから能動冷却を伴う、または伴わないヒートシンクに急速に熱を伝達することを可能とする３次元ＬＥＤ配置および熱管理方法を開示する。前記３次元状のクラスターから放射された光は、ヒートシンク装置によって遮られることが一切ないため、その光線断面は従来の白熱電球に類似する。
【図面の簡単な説明】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【図１】図１は、本発明によるＬＥＤ照明装置の一実施形態の斜視図である。
【図２】図２は、図１に図示したＬＥＤ照明装置の断面図である。
【図３】図３は、本発明に使用する熱パイプの一実施形態の断面図である。
【図４】図４は、本発明によるＬＥＤ照明装置の第２の実施形態の断面図である。
【図５】図５は、本発明によるＬＥＤ照明装置のさらなる実施形態の斜視図である。
【図６】図６は、図５に図示したＬＥＤ照明装置の断面図である。
【図７】図７は、本発明によるＬＥＤ照明装置のさらに別の実施形態の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１および２を参照すると、複数のパネル１０２と、前記パネル１０２に取り付けられ、空間照明（即ち、白熱電球を使用して提供されるのと類似した非一方向性の照明）のために中心軸の周りに有利に配置されたＬＥＤ１０３とを有するＬＥＤ照明装置１００を示す本発明の一実施形態が図示されている。前記照明装置１００からの照明は、前記複数のＬＥＤ１０３によって提供される。ガラス製若しくはプラスチック製の電球（または透明なハウジング）１０６は、前記ＬＥＤ、および組み立てられた前記照明装置１００を具現化する種々の構成要素を収容し、当該電球１０６は従来の電球に類似したサイズとなっている。所望であれば、前記電球は、つや消しされ、着色され、または透明であってもよく、これによって前記照明装置１００を従来の光源の外観に類似させることがさらに可能となる。
一実施形態において、前記パネル１０２は多面フレーム１２４に取り付けられている。伝熱管１０５が上記に参照した中心軸に実質的に沿って延伸し、近位端部１２０と遠位端部１２２とを含んでいる。一般的に、前記伝熱管とは、高温から低温に熱を伝導することのできる任意の構造体または材料を指す。前記フレーム１２４は、前記伝熱管１０５の近位端部１２０に固定されている。前記フレーム１２４は上面部１２６と下面部１２８とを有し、これらの面部には、前記伝熱管１０５の棒状部１３０に前記フレーム１２４を取り付けるために、当該面部を通って延伸する穴部１３２が設けられている。前記フレーム１２４は、前記パイプ１０５の外面と前記穴部１３２の内面との間に強固な摩擦嵌合若しくは熱伝導性ペーストを用いて、又は好適な接着剤若しくは締結具を用いて、前記伝熱管１０５に固定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封体部に封入された透過性のライトパイプであって、下部及び上部を有する前記ライトパイプ、
前記ライトパイプの前記下部の下端の凹部に設けられたＬＥＤ、及び
前記ライトパイプの前記上部の上端の窪みにより形成された反射器を備え、
前記ライトパイプの前記下部は、前記ＬＥＤの出射光を収集し、前記ライトパイプの前記上部は、その収集光を前記反射器上に指向させ、そして、前記反射器は、その指向光を放射方向へ反射する、ＬＥＤ電球。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＥＤ電球であって、前記反射器は、複合曲面により規定された回転面を有し、ここで、前記複合曲面の第１部分は、第１長の半径を有し、前記複合曲面の第２部分は、第２長の半径を有し、前記第１長と前記第２長は異なる。
【請求項３】
請求項２に記載のＬＥＤ電球であって、前記複合曲面の前記第１部分は、前記複合曲面の前記第２部分との関係において、より多くの光を上方へ反射するべく垂直方向により大きな成分を有する。
【請求項４】
請求項２又は３に記載のＬＥＤ電球であって、前記複合曲面の前記第２部分は、前記複合曲面の前記第１部分との関係において、より多くの光を下方へ反射するべく水平方向により大きな成分を有する。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記回転面は、ベジエ曲線により形成される。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記反射器は、前記窪みの外面を金属で被膜することにより、又は、白色物質にて前記窪みを充填することにより、又は、前記窪みに対する注入成形白色部の超音波溶接により形成される。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記ライトパイプの前記下部は、複合放物面集光器であり、当該複合放物面集光器は、ＬＥＤの出射光を平行化する。
【請求項８】
請求項７に記載のＬＥＤ電球であって、前記ライトパイプの前記上部は、前記ライトパイプの前記上端に向かって幅狭となるテーパーシリンダーであり、当該テーパーシリンダーにより、前記複合放物面集光器からの平行化光は前記反射器に向けて指向される。
【請求項９】
請求項８に記載のＬＥＤ電球であって、前記テーパーシリンダーは、一つにはテーパー角度により規定され、ここで、前記テーパー角度の増加により、前記反射器による光の反射が強まり、また、前記テーパー角度の減少により、前記反射器による光の反射が弱まる。
【請求項１０】
請求項８に記載のＬＥＤ電球であって、前記テーパーシリンダーは、一つにはシリンダー長により規定され、ここで、前記シリンダー長の増加により、前記テーパーシリンダーの側面からの放射光が増加する。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記封体部は、従来のB10白熱電球の形状である。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＬＥＤ電球であって、前記ライトパイプ、前記ＬＥＤ及び前記反射器は、従来のB10白熱電球形状の前記封体部内に前記ライトパイプが適合可能なように大きさ調整されている。
【請求項１３】
ＬＥＤ電球のためのライトガイドであって、
下端及び上端を有し、前記下端がＬＥＤに対して最も近接配置される複合放物面集光器、
広端及び狭端を有し、前記広端が前記複合放物面集光器の前記上端に対して結合さるテーパーシリンダー、及び
前記テーパーシリンダーの前記狭端の窪みにより形成された反射器、を備え、
前記複合放物面集光器と前記テーパーシリンダーは、前記ＬＥＤの出射光を前記反射器にガイドするために全反射を使用し、
前記反射器は、そのガイド光を放射方向へ反射する、ライトガイド。
【請求項１４】
請求項１３に記載のライトガイドであって、前記複合放物面集光器は、前記ＬＥＤの出射光を受光し、これを平行化し、前記テーパーシリンダーは、前記複合放物面集光器からの平行化光を前記反射器に向かって指向させる。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載のライトガイドであって、前記複合放物面集光器と前記テーパーシリンダーは、透過性を有し、前記複合放物面集光器及び前記テーパーシリンダーの双方の外周面から光が放射される。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載のライトガイドであって、前記反射器は、複合曲面により規定された回転面を有し、ここで、前記複合曲面の第１部分は、第１長の半径を有し、前記複合曲面の第２部分は、第２長の半径を有し、前記第１長と前記第２長は異なる。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載のライトガイドであって、前記複合放物面集光器、前記テーパーシリンダー、及び前記反射器は、従来のB10白熱電球形状の前記封体部内に全てが適合可能なように大きさ調整されている。
【請求項１８】
ＬＥＤの出射光を放射方向へ反射する方法であって、
ＬＥＤの出射光を受光し；
テーパーシリンダーに結合した複合放物面集光器の使用による全反射を介して、反射器まで受光光を伝達させ；及び、
反射器により伝達光を放射方向へ反射させる、ＬＥＤの出射光を放射方向へ反射する方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、伝達させることは、前記複合放物面集光器内において受光光を平行化すること、及び前記テーパーシリンダー内にて前記反射器に向けて平行化光を指向させることを含む。
【請求項２０】
請求項１８又は１９に記載の方法であって、反射させることは、前記テーパーシリンダーの狭端の窪みにより規定された反射器を介して、伝達光を放射方向へ反射することを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2012518255.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバッグメッセージを生成するデータ処理システムにおいて、
複数のデータ処理命令を実行するためのデータプロセッサと、
データプロセッサに接続されており、情報を格納し、データプロセッサに該情報を与えるためのメモリと、
データプロセッサに接続されており、アドレス変換トレースメッセージを含むデバッグメッセージを生成するためのデバッグ回路と、
デバッグ回路及びデータプロセッサに接続されているメモリ管理ユニットであって、アドレス変換マッピングを格納するとともに該アドレス変換マッピングを用いてアドレス変換を実行して仮想形態と物理形態との間でアドレスを変換するためのアドレス変換論理を備えるメモリ管理ユニットと、を備え、
デバッグ回路は、メモリ管理ユニットに接続されており前記アドレス変換マッピングのうちの１つ以上が変更されるときに通知を受信するためのメッセージ生成回路を備え、メッセージ生成回路は、前記１つ以上のアドレス変換マッピングの変換の検出に応答してアドレス変換トレースメッセージを生成するとともに、アドレス変換トレースメッセージをデバッグ回路の外部に提供する、データ処理システム。
【請求項２】
アドレス変換マッピングが更新される毎に、メモリ管理ユニットはメッセージ生成回路にインジケータ信号を送信する、請求項１に記載のデータ処理システム。
【請求項３】
メッセージ生成回路は、
アドレス変換トレースメッセージの１つ以上のフィールドを選択的に除去するための圧縮論理をさらに備える、請求項２に記載のデータ処理システム。
【請求項４】
圧縮論理によって除去されるアドレス変換トレースメッセージの前記１つ以上のフィールドの各々は、そのフィールドについての所定の優勢値を含む、請求項３に記載のデータ処理システム。
【請求項５】
デバッグメッセージを生成するための方法において、
データプロセッサを用いて複数のデータ処理命令を実行する工程と、
アドレス変換トレースメッセージを含むデバッグメッセージを生成するためのデバッグ回路をデータプロセッサに接続する工程と、
デバッグ回路及びデータプロセッサにメモリ管理ユニットを接続する工程であって、メモリ管理ユニットは、アドレス変換を実行して仮想形態と物理形態との間でアドレスを変換するためのＴＬＢ（トランスレーション・ルックアサイド・バッファ）を備える前記工程と、
ＴＬＢエントリが変更されるときを検出する工程と、
ＴＬＢエントリの変更の検出に応答して、アドレス変換トレースメッセージを生成する工程と、
デバッグ端子にアドレス変換トレースメッセージを提供する工程と、を備える方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実行可能命令を記憶したコンピュータ可読記憶媒体であって、前記コンピュータ実行可能命令は、コンピュータによって実行された場合に、
オブジェクトのアニメーションを生成するプログラムモジュールを実行するステップであって、前記プログラムモジュールは、
単一のアニメーションを定義すると既存のアニメーションが前記単一のアニメーションによって置換されるように前記オブジェクトに対して前記単一のアニメーションのみを定義する第１のユーザインタフェースと、
２つ以上のアニメーションを定義すると前記２つ以上のアニメーションが前記既存のアニメーションに追加されるように前記オブジェクトに対して前記２つ以上のアニメーションを定義する第２のユーザインタフェースと
を含む統一されたユーザインタフェースを提供するように構成される、実行するステップと、
前記プログラムモジュールを実行して、ディスプレイ画面上に前記統一されたユーザインタフェースを生成して、前記第１のユーザインタフェースを介して第１のユーザ入力を受信して、および前記単一のアニメーションを定義するデータを変換して、前記ディスプレイ画面上に前記単一のアニメーションの第１の表示を生成するステップと
を前記コンピュータに実行させることを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２】
前記コンピュータによって実行された場合に、前記第２のユーザインタフェースを介して第２のユーザ入力を受信して、および前記２つ以上のアニメーションを定義するデータを変換して、前記ディスプレイ画面上に前記２つ以上のアニメーションの第２の表示を生成するステップを前記コンピュータに実行させるコンピュータ実行可能命令をさらに記憶したことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３】
前記第１のユーザインタフェースは、前記オブジェクトに適用される単一のアニメーションクラスを選択するスタイルギャラリーを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項４】
前記第１のユーザインタフェースは、前記スタイルギャラリーから選択されたアニメーションクラスの１つ以上の変形を指定する効果オプションギャラリーをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項５】
前記第２のユーザインタフェースは、前記アニメーションに対するタイミングを指定するアニメーションタイミングユーザインタフェースを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項６】
前記第２のユーザインタフェースは、前記オブジェクトに適用される２つ以上のアニメーションクラスを選択するスタイルギャラリーをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項７】
前記第２のユーザインタフェースは、前記２つ以上のアニメーションの順序を指定する１つ以上のユーザインタフェースコントロールをさらに含むことを特徴とする請求項６に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項８】
前記第２のユーザインタフェースは、前記２つ以上のアニメーションの視覚的な表示を提供して、および前記アニメーションの１つが、２つ以上の構築ステップを含む場合の表示を提供する、オンオブジェクト・ユーザインタフェース（ＯＯＵＩ）をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
オブジェクトに対して単純なアニメーションおよび複雑なアニメーションの両方を定義して、および表示する装置であって、前記装置は、
中央処理装置と、
ディスプレイ画面と、
システムメモリと、
大容量記憶装置とを備え、
前記大容量記憶装置は、前記オブジェクトをアニメーション化するアプリケーションを記憶して、前記アプリケーションは、前記システムメモリにロードされ、および前記中央処理装置によって実行された場合に、前記装置に、
単一のアニメーションを定義すると既存のアニメーションが前記単一のアニメーションによって置換されるように前記オブジェクトに対して前記単一のアニメーションのみを定義する第１のユーザインタフェースと、２つ以上のアニメーションを定義すると前記２つ以上のアニメーションが前記既存のアニメーションに追加されるように前記オブジェクトに対して２つ以上のアニメーションを定義する第２のユーザインタフェースとを含む統一されたユーザインタフェースを提供させ、
前記オブジェクトに対して１つ以上のアニメーションを指定する前記統一されたユーザインタフェースを介して第１のユーザ入力を受信させ、および
前記１つ以上のアニメーションを定義するデータを変換して、前記ディスプレイ画面上に前記１つ以上のアニメーションの視覚的な表示を提供させる
コンピュータ実行可能命令を備えたことを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記第１のユーザインタフェースは、前記オブジェクトに適用される単一のアニメーションクラスを選択する第１のスタイルギャラリーを含むことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のユーザインタフェースは、前記第１のスタイルギャラリーから選択されたアニメーションクラスの１つ以上の変形を指定する効果オプションギャラリーをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２のユーザインタフェースは、前記２つ以上のアニメーションの順序を指定する１つ以上のユーザインタフェースコントロールを含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第２のユーザインタフェースは、前記オブジェクトに適用される２つ以上のアニメーションクラスを選択する第２のスタイルギャラリーをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２のユーザインタフェースは、前記２つ以上のアニメーションの視覚的な表示を提供して、および前記２つ以上のアニメーションの１つが、２つ以上の構築ステップを含む場合の表示を提供するオンオブジェクト・ユーザインタフェース（ＯＯＵＩ）をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月30日(2013.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ可読記憶媒体であって、コンピューティングデバイスにより実行されたときに、前記コンピューティングデバイスに、
アクティブ状態及び少なくとも２の異なる非アクティブ状態により構成される複数のサーバを含むサーバプールへの今後のリクエスト数を予測するステップと、
今後のリクエストに対する応答時間を、今後のリクエスト数及び前記サーバプールにおけるアクティブサーバ数の関数としてモデル化するステップであって、前記応答時間は今後のリクエストを処理し、及び今後のリクエストに対して応答するサーバプールに対する時間の区分を使用してモデル化される、ステップと、
所定のレベルにおいて応答時間を維持するために、前記アクティブ状態及び前記少なくとも２の異なる非アクティブ状態のいずれかにおいて動作するサーバの数を計算するステップと、
前記サーバプール内の個々の前記サーバを、前記アクティブ状態及び前記非アクティブ状態の間で遷移させ、前記計算された前記サーバの数を充足するステップと
を実行させる命令を有することを特徴とする特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２】
前記予測するステップは、比較的短期間の傾向、比較的長期間のモデル、現在の傾向又は外部の知識の分析に基づくことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項３】
前記予測するステップは、前記今後のリクエスト数の他に個々の今後のリクエスト規模及び今後のリクエスト内容を予測することを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項４】
前記計算するステップは、前記サーバプール内の個々の前記サーバのサーバ寿命において状態遷移の悪影響を考慮するステップであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項５】
前記計算するステップは、非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移レイテンシ期間及び非アクティブ状態に関連する電力節約の両方を考慮することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項６】
前記状態を遷移させるステップは、信号を個々のサーバに送信し、前記アクティブ状態と前記少なくとも２つの異なる非アクティブ状態との間で状態遷移を起こさせることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項７】
コンピューティングデバイスが、１のアクティブ状態と少なくとも２の非アクティブ状態で構成される複数のサーバを含むサーバプールへの今後のリクエスト数を予測するステップと、
コンピューティングデバイスが、今後のリクエストに対する応答時間を、今後のリクエスト数及び前記サーバプールにおけるアクティブサーバ数の関数としてモデル化するステップであって、前記応答時間は今後のリクエストを処理し、及び今後のリクエストに対して応答するサーバプールに対する時間の区分時間の区分を使用してモデル化される、ステップと、
コンピューティングデバイスが、所定のレベルにおいて応答時間を維持するために、前記アクティブ状態及び前記少なくとも２つの非アクティブ状態のいずれかにおいて動作するサーバの数を計算するステップと、
コンピューティングデバイスが、前記サーバプール内の個々の前記サーバを、前記アクティブ状態および前記２つの非アクティブ状態の間で遷移させ、前記計算された前記サーバの数を充足するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記予測するステップは、比較的短期間の傾向、比較的長期間のモデル、現在の傾向又は外部の知識の分析に基づくことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記予測するステップは、前記今後のリクエスト数の他に前記サーバプール中の個々の今後のリクエスト規模及び今後のリクエスト内容を予測することを含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記計算するステップは、個々のサーバのサーバ寿命において状態遷移の悪影響を考慮するステップであることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記計算するステップは、非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移レイテンシ期間及び非アクティブ状態に関連する電力節約の両方を考慮することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記状態を遷移させるステップは、信号を個々のサーバに送信し、前記アクティブ状態と前記少なくとも２つの異なる非アクティブ状態との間で状態遷移を起こさせることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
１のアクティブ状態と少なくとも２の非アクティブ状態で構成される複数のサーバを含むサーバプールへの今後のリクエスト数を予測し、
今後のリクエストに対する応答時間を、今後のリクエスト数及び前記サーバプールにおけるアクティブサーバ数の関数としてモデル化し、前記応答時間は今後のリクエストを処理し、今後のリクエストに対して応答するサーバプールに対する時間の区分を使用してモデル化され、
所定のレベルにおいて応答時間を維持するために、前記アクティブ状態及び前記少なくとも２つの非アクティブ状態のいずれかにおいて動作するサーバの数を計算し、
前記サーバプール内の個々の前記サーバを、前記アクティブ状態および前記２つの非アクティブ状態の間で遷移させ、前記計算された前記サーバの数を満たすように構成された適応制御ユニットを含むシステムであって、
コンピューティングデバイスが前記適応制御ユニットを実行するように構成されたことを特徴とするシステム。
【請求項１４】
前記適応制御ユニットは、比較的短期間の傾向、比較的長期間のモデル、現在の傾向又は外部の知識の分析により今後のリクエスト数を予測するように構成されたことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記適応制御ユニットは、前記今後のリクエスト数の他に個々の今後のリクエスト規模及び今後のリクエスト内容を予測するように構成されたことを含むことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記適応制御ユニットは、前記サーバプール内の前記個々のサーバのサーバ寿命において状態遷移の悪影響を考慮することによりサーバの数を計算するよう構成されたことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
前記適応制御ユニットは、非アクティブ状態からアクティブ状態への遷移レイテンシ期間及び非アクティブ状態に関連する電力節約の両方を考慮することによりサーバの数を計算するよう構成されたことを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記適応制御ユニットは、信号を個々のサーバに送信し、前記アクティブ状態と前記少なくとも２つの異なる非アクティブ状態との間で状態遷移を起こさせることにより前記個々のサーバに状態遷移を起こさせることを特徴とする請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体のクランプ層（１１）の周囲環境より低い圧力、及び、外側液面を有する当該液体のクランプ層（１１）によって生成される毛細管力によって基板（１２）をクランプするための基板支持構造体（１３）であって、
前記基板支持構造体が、前記基板（１２）を保持するための複数の基板支持要素（１７）を設けられた表面（１６）を具備し、
前記基板支持構造体の前記表面が、クランプする間、より高い毛細管ポテンシャルの前記基板支持構造体の前記表面の部分の範囲内の位置で蒸発する液体を補充するための前記液体のクランプ層の範囲内で所定の毛細管流動を誘発するために異なる毛細管ポテンシャルを有する部分（５１、５２；８３）をさらに具備する基板支持構造体。
【請求項２】
前記異なる毛細管ポテンシャルを有する部分が、クランプする間、前記液体のクランプ層の周囲に沿って１つ若しくは複数の所定の位置に犠牲ギャップの発生をさらに誘導する請求項１に記載の基板支持構造体。
【請求項３】
前記基板支持構造体の周囲の大部分が、より高い毛細管ポテンシャルを有する場合に、前記基板支持構造体の前記表面が、１つ若しくは複数の所定の位置の前記基板支持構造体の周囲で低い毛細管ポテンシャルを有する部分を具備する請求項１若しくは請求項２に記載の基板支持構造体。
【請求項４】
前記低い毛細管ポテンシャルを有する表面部分の少なくとも一部が、チャンネルの形状を取る請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板支持構造体。
【請求項５】
前記基板支持要素が、所定のピッチで規則的なパターンで配置され、
前記チャンネルの幅が、前記所定のピッチよりも狭い請求項４に記載の基板支持構造体。
【請求項６】
最も低い毛細管ポテンシャルを有する表面部分が、前記表面の周囲に備えられている請求項１乃至５にいずれか１項に記載の基板支持構造体。
【請求項７】
前記表面が、複数のコンパートメントを形成するために持ち上げられた構造体を設けられる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の基板支持構造体。
【請求項８】
前記異なる毛細管ポテンシャルを有する部分は、前記クランプ液体の親和力の差異、表面処理の差異、表面材料の差異、表面コーティングの差異及び高さレベルの差異から成る差異の一群の中からの差異によって提供される、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板支持構造体。
【請求項９】
前記外側液面は、凹面形状である、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の基板支持構造体。
【請求項１０】
液体のクランプ層（１１）によって加えられる毛細管力によって基板（１２）をクランプするための基板支持構造体（１３）であって、
前記基板支持構造体が、基板を支持するための複数の基板支持要素（１７）を設けられた表面（１６）と、複数のコンパートメント（６５）を形成するための持ち上げられた構造体（６３）とを具備し、
前記持ち上げられた構造体（６３）の高さは、前記基板支持要素の高さよりも低い、基板支持構造体。
【請求項１１】
前記表面の周囲で液体を除去するためのガス供給システムによって供給されるガスが、前記基板支持構造体の表面とシール構造体との間に流れることが可能であるように、前記基板支持構造体が、基板支持構造体の表面を囲む前記シール構造体をさらに具備する請求項１０に記載の基板支持構造体。
【請求項１２】
前記基板支持要素が、所定のピッチを有する規則的なパターンで配置され、
前記シール構造体と前記最も近い基板支持要素との間の距離が、前記ピッチより長い請求項１１に記載の基板支持構造体。
【請求項１３】
クランプ調整ユニットであって、
制御された圧力雰囲気を設けるためのハウジングと、
各々、前記ハウジング内へ基板を搬入し、前記ハウジング外へ基板を搬出するための少なくとも１つのロードポートと、
前記ハウジングの範囲内の前記基板を移動するための基板搬送ユニットと、を具備し、
前記クランプ調整ユニットが、請求項１乃至１２のいずれか１の基板支持構造体を供給するように構成され、
液体のクランプ層によって前記基板支持構造体の前記基板支持体の表面上の基板をクランプするようにさらに構成されるクランプ調整ユニット。
【請求項１４】
放射線のパターン化されたビームを供給するための放射線システムと、
基板を支持するための基板支持構造体と、
前記基板のターゲット部分に放射線のパターン化されたビームを照射するための光学システムと、を具備し、
前記基板支持構造体が、請求項１乃至１２のいずれか１の基板支持構造体であるリソグラフィ装置を具備するリソグラフィシステム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のクランプ調整ユニットと、
請求項１４のリソグラフィシステムと、を具備し、
前記クランプ調整ユニットが、前記リソグラフィシステムへ供給するように構成されている構成体。
【請求項１６】
請求項１３に記載のクランプ調整ユニットが設けられ、
液体層を形成するための前記基板支持構造体（１３）の前記表面（１６）上に液体を供給し、
前記液体層上に基板を設置し、
前記基板支持構造体から離れて余分な液体を除去することによって前記基板と前記基板支持構造体との間のクランプ層を形成する、前記基板支持構造体に前記基板をクランプするための方法。
【請求項１７】
パターニングするために配置された第１の表面側と周囲環境よりも低い圧力、及び、外側液面を有する液体のクランプ層（１）によって生成される毛細管力によって基板支持構造体にクランプされるために配置された第２の表面側とを具備し、
前記第２の表面側は、クランプする間、より高い毛細管ポテンシャルの前記第２の表面側の前記表面の部分の範囲内の位置で蒸発する液体を補充するための前記液体のクランプ層の範囲内に所定の毛細管流動を誘発するための異なる毛細管ポテンシャルを有する複数の部分を具備する基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子リソグラフィ装置（１００）であって、
少なくとも１つの荷電粒子ビーム（１２３）を発生させるための荷電粒子源（１０１）と、
前記ビームをウェーハ上に投影するための荷電粒子投影器（１０８，１０９，１１０）と、
前記ウェーハ（１３０）を移動させるための可動式のウェーハステージ（１３２）とを具備し、
前記荷電粒子リソグラフィ装置（１００）は、共通の真空チャンバを更に具備し、
前記共通の真空チャンバは、メンテナンス、修理及び動作の調節のための前記装置へのアクセスを与えるためのドア（４０２）と、前記共通の真空チャンバ内にウェハーをロードするための開口（４１８）とを有し、
前記荷電粒子源、荷電粒子投影器及び可動式のウェーハステージは、前記共通の真空チャンバ中に配置されている、荷電粒子リソグラフィ装置（１００）。
【請求項２】
前記ドア（４０２）は、前記共通の真空チャンバ（４００）の１つの全体の壁を形成している請求項１の装置。
【請求項３】
前記荷電粒子源は、前記第１の真空環境よりも高い真空である第２の真空環境を形成するための源チャンバ（１５０）中に置かれ、前記源チャンバは、前記真空チャンバを囲んでいる請求項１又は２の装置。
【請求項４】
前記真空チャンバの圧力を下げるための真空ポンプと、
前記源チャンバ（１５０）の圧力を下げるための独立したポンプとをさらに具備する請求項３の装置。
【請求項５】
前記源（１０１；１５２）は、前記源チャンバ（１５０）中に置かれている請求項１ないし４のいずれか１の装置。
【請求項６】
装置の少なくとも１つのサブシステムが、自蔵の着脱可能なモジュールで構成され、この着脱可能なモジュールは、
荷電粒子ビーム源（１０１）とビームコリメート系（１０２）とを含む照明光学モジュール（２０１）と、
アパーチャアレイ（１０３）と集束レンズアレイ（１０４）とを含むアパーチャアレイ及び集束レンズモジュール（２０２）と、
小ビームブランカアレイ（１０５）を含むビームスイッチングモジュール（２０３）と、
ビーム停止アレイ（１０８）と、ビーム偏向器アレイ（１０９）と、少なくとも１つの投影レンズアレイ（１１０）とを含む投影光学モジュール（２０４）との少なくとも１つを具備する請求項１ないし５のいずれか１の装置。
【請求項７】
前記可動式のウェーハステージは、
ウェーハ（１３０）を支持するためのウェーハテーブル（２０９）と、
前記ウェーハテーブルを保持するためのチャック（２１０）と、
短いストロークのステージ要素（２１１）と、
長いストロークのステージ要素（２１２）とを具備する請求項６の装置。
【請求項８】
前記共通の真空チャンバ（４００）には、この共通の真空チャンバ（４００）に電気ケーブル又はワイヤ配線と、光ケーブル又はワイヤ配線と、電力ケーブル又はワイヤ配線との少なくとも１つを入れるためのポート（４２０）が設けられ、
前記ポートは、前記ケーブル又はワイヤ配線のまわりにシールを与える請求項１ないし７のいずれか１の装置。