【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の半導体層を形成し、
前記第１及び第２の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
光強度低減機能を有する露光マスクを用いて、前記第１の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第１のマスク層を形成し、且つ前記第２の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第２のマスク層を形成し、
前記第１及び第２のマスク層を用いて前記第１及び第２の導電膜をエッチングすることで、前記第１の半導体層上に第１及び第２のゲート電極層と、前記第２の半導体層上に第３及び第４のゲート電極層と、を形成し、
前記第１乃至第４のゲート電極層をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加することで、前記第１の半導体層に第１の高濃度不純物領域と、前記第１のゲート電極層と重畳する第１の低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第２の半導体層に第２の高濃度不純物領域と、前記第３のゲート電極層と重畳する第２の低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第２の半導体層、並びに前記第３及び第４のゲート電極層上に第３のマスク層を形成し、
前記第３のマスク層及び前記第２のゲート電極層をマスクとして、前記第１のゲート電極層のうち前記第１の低濃度不純物領域と重畳する領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１乃至第３の半導体層を形成し、
前記第１乃至第３の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
光強度低減機能を有する露光マスクを用いて、前記第１の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第１のマスク層を形成し、且つ前記第２の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第２のマスク層を形成し、且つ前記第３の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第３のマスク層を形成し、
前記第１乃至第３のマスク層を用いて前記第１及び第２の導電膜をエッチングすることで、前記第１の半導体層上に第１及び第２のゲート電極層と、前記第２の半導体層上に第３及び第４のゲート電極層と、前記第３の半導体層上に第１の導電層及び第２の導電層と、を形成し、
前記第１乃至第４のゲート電極層と、第１及び第２の導電層と、をマスクとして一導電型を付与する不純物元素を添加することで、前記第１の半導体層に第１の高濃度不純物領域と、前記第１のゲート電極層と重畳する第１の低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第２の半導体層に第２の高濃度不純物領域と、前記第３のゲート電極層と重畳する第２の低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第３の半導体層に第３の高濃度不純物領域と、前記第１の導電層と重畳する第３の低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第２及び第３の半導体層、前記第３及び第４のゲート電極層、並びに前記第１及び第２の導電層上に第４のマスク層を形成し、
前記第４のマスク層及び前記第２のゲート電極層をマスクとして、前記第１のゲート電極層のうち前記第１の低濃度不純物領域と重畳する領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第３の低濃度不純物領域は、前記第１及び第２の低濃度不純物領域よりも幅が広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の導電層の前記第２の導電層と重畳しない領域は、前記第１の導電層の前記第２の導電層と重畳する領域よりも広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記一導電型を付与する不純物元素はｎ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記一導電型を付与する不純物元素はｐ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１乃至第３の半導体層を形成し、
前記第１乃至第３の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
光強度低減機能を有する露光マスクを用いて、前記第１の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第１のマスク層を形成し、且つ前記第２の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第２のマスク層を形成し、且つ前記第３の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第３のマスク層を形成し、
前記第１乃至第３のマスク層を用いて前記第１及び第２の導電膜をエッチングすることで、前記第１の半導体層上に第１及び第２のゲート電極層と、前記第２の半導体層上に第３及び第４のゲート電極層と、前記第３の半導体層上に第５及び第６のゲート電極層と、を形成し、
前記第３の半導体層、並びに前記第５及び第６のゲート電極層上に第４のマスク層を形成し、
前記第４のマスク層と、前記第１乃至第４のゲート電極層と、をマスクとしてｎ型を付与する不純物元素を添加することで、前記第１の半導体層に第１のｎ型高濃度不純物領域と、前記第１のゲート電極層と重畳する第１のｎ型低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第２の半導体層に第２のｎ型高濃度不純物領域と、前記第３のゲート電極層と重畳する第２のｎ型低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第１及び第２の半導体層、並びに前記第１乃至第４のゲート電極層上に第５のマスク層を形成し、
前記第５のマスク層と、前記第５及び第６のゲート電極層をマスクとしてｐ型を付与する不純物元素を添加することで、前記第３の半導体層にｐ型高濃度不純物領域と、前記第５のゲート電極層と重畳するｐ型低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第２及び第３の半導体層、並びに前記第３乃至第６のゲート電極層上に第６のマスク層を形成し、
前記第６のマスク層及び前記第２のゲート電極層をマスクとして、前記第１のゲート電極層のうち前記第１のｎ型低濃度不純物領域と重畳する領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１乃至第４の半導体層を形成し、
前記第１乃至第４の半導体層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第２の導電膜を形成し、
光強度低減機能を有する露光マスクを用いて、前記第１の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第１のマスク層を形成し、且つ前記第２の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第２のマスク層を形成し、且つ前記第３の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第３のマスク層を形成し、且つ前記第４の半導体層と重畳する前記第２の導電膜上に第４のマスク層を形成し、
前記第１乃至第４のマスク層を用いて前記第１及び第２の導電膜をエッチングすることで、前記第１の半導体層上に第１及び第２のゲート電極層と、前記第２の半導体層上に第３及び第４のゲート電極層と、前記第３の半導体層上に第５及び第６のゲート電極層と、前記第４の半導体層上に第１及び第２の導電層と、を形成し、
前記第３の半導体層、前記第５及び第６のゲート電極層上に第５のマスク層を形成し、
前記第５のマスク層と、前記第１乃至第４のゲート電極層と、をマスクとしてｎ型を付与する不純物元素を添加することで、前記第１の半導体層に第１のｎ型高濃度不純物領域と、前記第１のゲート電極層と重畳する第１のｎ型低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第２の半導体層に第２のｎ型高濃度不純物領域と、前記第３のゲート電極層と重畳する第２のｎ型低濃度不純物領域と、を形成し、且つ前記第４の半導体層に第３のｎ型高濃度不純物領域と、前記第１の導電層と重畳する第３のｎ型低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第１、第２、及び第４の半導体層、前記第１乃至第４のゲート電極層、並びに前記第１及び第２の導電層上に第６のマスク層を形成し、
前記第６のマスク層と、前記第５及び第６のゲート電極層と、をマスクとして、ｐ型を付与する不純物元素を添加することで、前記第３の半導体層にｐ型高濃度不純物領域と、前記第５のゲート電極層と重畳するｐ型低濃度不純物領域と、を形成し、
前記第２乃至第４の半導体層、前記第３乃至第６のゲート電極層、並びに前記第１及び第２の導電層上に第７のマスク層を形成し、
前記第７のマスク層と、前記第２のゲート電極層と、をマスクとして、前記第１のゲート電極層のうち前記第１のｎ型低濃度不純物領域と重畳する領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第３のｎ型低濃度不純物領域は、前記第１及び第２のｎ型低濃度不純物領域よりも幅が広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第１の導電層の前記第２の導電層と重畳しない領域は、前記第１の導電層の前記第２の導電層と重畳する領域よりも広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７または請求項８において、
前記第５のゲート電極層のうち前記ｐ型低濃度不純物領域と重畳する領域を除去することで、前記第５のゲート電極層の上端部と前記第６のゲート電極層の下端部が一致することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記光強度低減機能を有する露光マスクは、通過する光の強度を低減する半透過膜、または露光装置の解像度以下の幅の開口部と非開口部を有する回折格子パターンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。