Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ転送装置と外部機器との間でコマンドデータを伝達する第１通信セッションと、前記データ転送装置から前記外部機器にオーディオデータを伝達する第２通信セッションを前記外部機器と確立するセッション確立手段と、
前記セッション確立手段を制御して、前記第１通信セッションを確立するための前記外部機器からの要求に応えて前記外部機器との間で前記第１通信セッションを確立し、この第１通信セッションの確立後に前記外部機器から前記第２通信セッションを確立するための第２要求を待機し、前記外部機器から前記第２要求を受信しない場合に、前記セッション確立手段を制御して、前記第２通信セッションを確立するための第３要求を前記外部機器に送信し、前記第２通信セッションが前記外部機器と確立しない場合には、前記セッション確立手段を制御して、確立した前記第１通信セッションを切断するセッション制御手段とを具備することを特徴とするデータ転送装置。
【請求項２】
前記セッション制御手段は、前記外部機器に第３要求を送信する前の予め設定した第１時間の間、前記第２要求を待機し、前記外部機器から予め設定した第２時間内に、前記第３の要求を受信しない場合に、前記第１通信セッションを切断することを特徴とする請求項１に記載のデータ転送装置。
【請求項３】
前記第１通信セッションと前記第２通信セッションは、前記データ転送装置と前記外部機器との間に、互いに独立して確立されることを特徴とする請求項１に記載のデータ転送装置。
【請求項４】
前記セッション制御手段は、前記データ転送装置と前記第１通信セッションを確立する前記外部機器の第１識別情報と、前記第２要求を含む第２識別情報とを比較し、前記第２識別情報が前記第１識別情報と一致する場合に、前記外部機器と第２通信セッションを確立することを特徴とする請求項１に記載のデータ転送装置。
【請求項５】
移動通信網の基地局と通信する無線通信手段と、
前記無線通信手段を通じて、サーバからオーディオデータをダウンロードするダウンロード制御手段と、
ダウンロードしたオーディオデータを記憶する記憶手段と、
携帯電話と外部機器との間でコマンドデータを伝達する第１通信セッションと、前記記憶手段にダウンロードしたオーディオデータを前記外部機器に送信する第２通信セッションを確立するセッション確立手段と、
セッション確立手段を制御して、第１通信セッションを確立するための前記外部機器からの要求に応えて前記外部機器との間で第１通信セッションを確立し、この第１通信セッションの確立後に前記外部機器から第２通信セッションを確立するための第２要求を待機し、前記外部機器から前記第２要求を受信しない場合に、前記セッション確立手段を制御して、前記第２通信セッションを確立するための第３要求を前記外部機器に送信し、前記第２通信セッションが前記外部機器と確立しない場合には、前記セッション確立手段を制御して、確立した前記第１通信セッションを切断するセッション制御手段とを具備することを特徴とする携帯電話。
【請求項６】
前記セッション制御手段は、前記外部機器に第３要求を送信する前の予め設定した第１時間の間、前記第２要求を待機し、前記外部機器から予め設定した第２時間内に、前記第３の要求を受信しない場合に、前記第１通信セッションを切断することを特徴とする請求項５に記載の携帯電話。
【請求項７】
前記第１通信セッションと前記第２通信セッションは、前記携帯電話と前記外部機器との間に、互いに独立して確立されることを特徴とする請求項５に記載の携帯電話。
【請求項８】
前記セッション制御手段は、前記データ転送装置と前記第１通信セッションを確立する前記外部機器の第１識別情報と、前記第２要求を含む第２識別情報とを比較し、前記第２識別情報が前記第１識別情報と一致する場合に、前記外部機器と第２通信セッションを確立することを特徴とする請求項５に記載の携帯電話。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ転送装置および携帯電話
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
従来のデータ転送装置では、２つのセッションを確立してデータ転送を行う場合に、データ転送が行われないのにもかかわらず、一方のセッションが維持されてしまうという問題があった。  
この発明は上記の問題を解決すべくなされたもので、２つのセッションを確立してデータ転送を行う場合に、不必要なセッションを切断することが可能なデータ転送装置および携帯電話を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するために、この発明は、データ転送装置と外部機器との間でコマンドデータを伝達する第１通信セッションと、データ転送装置から外部機器にオーディオデータを伝達する第２通信セッションを外部機器と確立するセッション確立手段と、セッション確立手段を制御して、第１通信セッションを確立するための外部機器からの要求に応えて外部機器との間で第１通信セッションを確立し、この第１通信セッションの確立後に外部機器から第２通信セッションを確立するための第２要求を待機し、外部機器から第２要求を受信しない場合に、セッション確立手段を制御して、第２通信セッションを確立するための第３要求を外部機器に送信し、第２通信セッションが外部機器と確立しない場合には、セッション確立手段を制御して、確立した第１通信セッションを切断するセッション制御手段とを具備して構成するようにした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、２つのセッションを確立してデータ転送を行う場合に、不必要なセッションを切断することが可能なデータ転送装置および携帯電話を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数種のデータが多重化されたペイロードとこのペイロードの構成を示す構成データとを有する多重化データストリームを受信し、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する多重分離装置において、
伝送路を通じて多重信号を受信し、この多重信号から多重化データストリームを抽出する受信手段と、
この受信手段が抽出した多重化データストリームを記憶する第１記憶手段と、
この第１記憶手段から読み出された多重化データストリームを記憶する第２記憶手段と、
この第２記憶手段が記憶しているデータ量を、第１のデータ量として検出する検出手段と、
この検出手段が検出した第１のデータ量と、前記第１記憶手段から第２記憶手段に転送されるデータの量を示す第２のデータ量との合計値が、予め設定した第１閾値を超えるか否かを判定する判定手段と、
この判定手段が第１閾値を超えると判定した場合は、前記第１記憶手段から読み出した前記第２のデータ量分の多重化データストリームのうち、前記第２記憶手段のデータ残量が前記第１閾値よりも低い第２閾値に達する分のデータを前記第２記憶手段に記録し、残る分のデータについては破棄する記録制御手段と、
前記第２記憶手段に記憶される多重化データストリームを読み出し、この多重化データストリームに含まれる構成データに基づいて、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する分離手段とを具備することを特徴とする多重分離装置。
【請求項２】
複数種のデータが多重化されたペイロードとこのペイロードの構成を示す構成データとを有する多重化データストリームを受信し、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する多重分離装置において、
伝送路を通じて多重信号を受信し、この多重信号から多重化データストリームを抽出する受信手段と、
この受信手段が抽出した多重化データストリームを記憶する第１記憶手段と、
この第１記憶手段から読み出された多重化データストリームを記憶する第２記憶手段と、
この第２記憶手段が記憶しているデータ量を、第１のデータ量として検出する検出手段と、
この検出手段が検出した第１のデータ量が予め設定した第１閾値を超えるか否かを判定する判定手段と、
前記第１記憶手段から第２のデータ量分の多重化データストリームを読み出して前記第２記憶手段に記録するものであって、前記判定手段が第１閾値を超えると判定した場合には、前記読み出した第２のデータ量分の多重化データストリームを破棄する記録制御手段と、
前記第２記憶手段に記憶される多重化データストリームを読み出し、この多重化データストリームに含まれる構成データに基づいて、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する分離手段とを具備することを特徴とする多重分離装置。
【請求項３】
複数種のデータが多重化されたペイロードとこのペイロードの構成を示す構成データとを有する多重化データストリームを受信し、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する多重分離装置において、
伝送路を通じて多重信号を受信し、この多重信号から多重化データストリームを抽出する受信手段と、
この受信手段が抽出した多重化データストリームを記憶する第１記憶手段と、
この第１記憶手段から読み出された多重化データストリームを記憶する第２記憶手段と、
この第２記憶手段が記憶しているデータ量を、第１のデータ量として検出する検出手段と、
この検出手段が検出した第１のデータ量と、前記第１記憶手段から第２記憶手段に転送されるデータの量を示す第２のデータ量との合計値が、予め設定した第１閾値を超えるか否かを判定する判定手段と、
この判定手段が第１閾値を超えると判定した場合は、前記第２のデータ量と前記第２記憶手段が記憶しているデータ量との合計値が前記第１閾値よりも低い第２閾値となるように前記第２の記憶手段が記憶しているデータを破棄し、前記第１記憶手段から読み出した前記第２のデータ量分のデータを前記第２記憶手段に記憶する記憶制御手段と、
前記第２記憶手段に記憶される多重化データストリームを読み出し、この多重化データストリームに含まれる構成データに基づいて、前記ペイロードをデータの種別毎に分離する分離手段とを具備することを特徴とする多重分離装置。
【請求項４】
複数種のデータが多重化されたペイロードとこのペイロードの構成を示す構成データとを有する多重化データストリームを記憶する第１バッファと第１バッファから転送される多重化データストリームを記憶する第２バッファとの間のデータ授受を制御する制御装置であって、
第２バッファが記憶しているデータ量を、第１のデータ量として検出する検出手段と、
この検出手段が検出した第１のデータ量と、前記第１バッファから第２バッファに転送されるデータ量を示す第２のデータ量との合計値が予め設定した第１閾値を超えるか否かを判定する判定手段と、
この判定手段が第１閾値を超えると判定した場合は、前記第１バッファから読み出した前記第２のデータ量分の多重化データストリームのうち、前記第２バッファのデータ残量が前記第１閾値よりも低い第２閾値に達する分のデータを前記第２バッファに記録し、残る分のデータについては破棄する記録制御手段とを有することを特徴とする制御装置。
【請求項５】
複数種のデータが多重化されたペイロードとこのペイロードの構成を示す構成データとを有する多重化データストリームを記憶する第１バッファと第１バッファから転送される多重化データストリームを記憶する第２バッファとの間のデータ授受を制御する制御装置であって、
第２バッファが記憶しているデータ量を、第１のデータ量として検出する検出手段と、
この検出手段が検出した第１のデータ量が予め設定した第１閾値を超えるか否かを判定する判定手段と、
この判定手段が第１閾値を超えると判定した場合は、前記第１記憶手段から読み出した第２のデータ量分の多重化データストリームを破棄し、第１閾値を超えないと判定した場合は、前記第１記憶手段から読み出した第２のデータ量分の多重化データストリームを第記憶手段に記憶する記録制御手段とを有することを特徴とする制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多重分離装置および制御装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
従来の多重分離装置では、伝送路のクロックと同期していないシステムの場合、入力される多重化データストリームのデータに余りが生じるなどして、溢れたデータを破棄すると、多重化ストリーム中のフラグ探索が必要となって分離処理を行えず、この間に通信断となって通信品質の劣化を招くという問題があった。  
この発明は上記の問題を解決すべくなされたもので、フラグ探索に伴う通信断を抑制し、通信品質の劣化を抑えることが可能な多重分離装置および制御装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明によれば、フラグ探索に伴う通信断を低減し、通信品質の劣化を抑えることが可能な多重分離装置および制御装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記複数の接触子の各々は、前記ベース部材に設けられた貫通孔に圧入可能な圧入部を有し、前記接触部は前記圧入部を支点とした回動動作により変位する、請求項２に記載のＩＣソケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のＩＣソケットにおいて、前記複数の接触子の各々は、前記ベース部材に設けられた貫通孔に圧入可能な圧入部を有し、前記接触部は前記圧入部を支点とした回動動作により変位する、ＩＣソケットを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光を側面より入射し、上面より出射する導光板と、
前記導光板の底面に形成された複数の溝と、
前記複数の溝の表面及び前記底面に形成された反射膜と、を備え、
前記溝は、深さが２μｍ〜１００μｍであり、ピッチが５０μｍ〜５００μｍで周期的に形成されていることを特徴とする面発光装置。
【請求項２】
前記溝はＶ字形状を有し、前記底面と前記Ｖ字形状の一方の傾斜面とが成す角度をθ１と、前記底面と前記Ｖ字形状の他方の傾斜面とが成す角度をθ２とすると、２５°≦θ１≦４５°及び７０°≦θ２≦９０°であることを特徴とする請求項１に記載の面発光装置。
【請求項３】
前記反射膜は、金属膜、又は、白色顔料又は金属を混入した樹脂膜からなることを特徴とする請求項１または２に記載の面発光装置。
【請求項４】
請求項１に記載された構成の面発光装置と、前記面発光装置により照明される非自発光型の表示素子を備える表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンビームを生成するイオンビーム源と、
試料に対する走査イオン励起の二次電子像に基づいて試料上の加工領域を設定する手段と、
試料に対して電子ビームを走査した結果に基づいて、試料の表面構造情報と、試料の内部構造情報又は内部組成情報のいずれか一方とを取得する手段と、
前記取得した試料の表面構造情報と試料の内部構造情報又は内部組成情報とを重ね合わせた像を生成する手段と、
前記重ね合わせた像に基づいて試料の加工位置を設定し、集束イオンビームを用いて試料の加工を行う手段と、
を備え、
前記試料の表面構造情報を取得する手段として、走査電子又は走査イオン励起の二次電子像の検出器を備え、
前記試料の内部構造情報又は内部組成情報を取得する手段として、エネルギー分散型Ｘ線分光器、電子線エネルギー損失分光器、透過電子検出器のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする集束イオンビーム加工観察装置。
【請求項２】
試料の表面構造情報は、試料に対する走査電子励起の二次電子像に基づいて取得し、
試料の内部構造情報又は内部組成情報は、試料に対する走査電子励起の特性Ｘ線から得られる元素分布像、散乱電子の像、透過電子の像、透過電子から得られる元素分布像のうち少なくとも１つに基づいて取得することを特徴とする請求項１に記載の集束イオンビーム加工観察装置。
【請求項３】
試料を固定する試料台であって、
イオン源及び電子源それぞれに試料の一表面を対向させることができ、固定面を回転させることができる試料台を備えていることを特徴とする請求項１に記載の集束イオンビーム加工観察装置。
【請求項４】
試料に対する走査イオン励起の二次電子像に基づいて試料上の加工領域を設定する手段と、
集束イオンビームを用いて試料の加工を行う手段とを備えた第１の装置と、
試料に対して電子ビームを走査した結果に基づいて、試料の表面構造情報と、試料の内部構造情報又は内部組成情報のいずれか一方とを取得する手段とを備えた第２の装置と、
試料を固定した試料台を、前記第１の装置及び第２の装置に適用するため駆動する手段とを備えた集束イオンビーム加工観察システムであって、
前記第１の装置は、前記第２の装置において取得した試料の表面構造情報と試料の内部構造情報又は内部組成情報とを重ね合わせた像に基づいて試料の加工位置を設定し、加工を行うことを特徴とする集束イオンビーム加工観察システム。
【請求項５】
前記第２の装置において、
試料の表面構造情報は、試料に対する走査電子励起の二次電子像に基づいて取得し、
試料の内部構造情報又は内部組成情報は、試料に対する走査電子励起の特性Ｘ線から得られる元素分布像、散乱電子の像、透過電子の像、透過電子から得られる元素分布像のうち少なくとも１つに基づいて取得することを特徴とする請求項４に記載の集束イオンビーム加工観察システム。
【請求項６】
前記第２の装置は、
試料の表面構造情報を取得する手段として、走査電子又は走査イオン励起の二次電子像の検出器を備え、
試料の内部構造情報又は内部組成情報を取得する手段として、エネルギー分散型Ｘ線分光器、電子線エネルギー損失分光器、透過電子検出器のうち少なくとも１つを備えていることを特徴とする請求項４又は５に記載の集束イオンビーム加工観察システム。
【請求項７】
集束イオンビームを用いて加工観察を行う方法であって、
試料に対する走査イオン励起の二次電子像に基づいて試料上の加工領域を設定し、
試料に対して電子ビームを走査した結果に基づいて、試料の表面構造情報と、試料の内部構造情報又は内部組成情報のいずれか一方とを取得し、
前記取得した試料の表面構造情報と試料の内部構造情報又は内部組成情報とを重ね合わせた像を生成し、
前記重ね合わせた像に基づいて試料の加工位置を設定し、集束イオンビームを用いて試料の加工を行う加工観察方法。
【請求項８】
試料の表面構造情報は、試料に対する走査電子励起の二次電子像に基づいて取得し、
試料の内部構造情報又は内部組成情報は、試料に対する走査電子励起の特性Ｘ線から得られる元素分布像、散乱電子の像、透過電子の像、透過電子から得られる元素分布像のうち少なくとも１つに基づいて取得することを特徴とする請求項７に記載の加工観察装置。
【請求項９】
集束イオンビームを用いて、試料の表面構造情報、内部構造情報、内部組成情報のいずれにおいても認識可能なマーキング加工を試料に対して行い、
当該マーキングを基準として、前記取得した試料の表面構造情報と試料の内部構造情報又は内部組成情報とを重ね合わせた像を生成することを特徴とする請求項７に記載の加工観察装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型半導体基板上に形成されたＰ型ウエル領域と、
前記Ｐ型ウエル領域上に形成され、内部に能動素子領域を有するフィールド酸化膜と、
前記Ｐ型ウエル領域上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
前記フィールド酸化膜と前記ゲート電極とに囲まれているＮ型ソースおよびドレイン領域と、
前記ソース領域に接して、前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域の間に形成された前記Ｐ型ウエル領域よりも高濃度のＰ型領域と、
前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域と前記ゲート電極の上層に形成される配線とを電気的に絶縁する層間絶縁膜と
前記配線と前記ゲート電極と前記Ｎ型ソースおよびドレインとをそれぞれ電気的に接続するため前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔とからなる半導体装置。
【請求項２】
Ｎ型半導体基板上に形成されたＰ型ウエル領域と、
前記Ｐ型ウエル領域上に形成され、内部に能動素子領域を有するフィールド酸化膜と、
前記Ｐ型ウエル領域上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、
前記フィールド酸化膜と前記ゲート電極とに囲まれているＮ型ソースおよびドレイン領域と、
前記ソース領域に接して、前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域の間に形成された前記Ｐ型ウエル領域よりも高濃度のＰ型領域と、
前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域と前記ゲート電極の上層に形成される配線とを電気的に絶縁する層間絶縁膜と
前記配線と前記ゲート電極と前記Ｎ型ソースおよびドレインとをそれぞれ電気的に接続するため前記層間絶縁膜に設けられたコンタクト孔とからなる半導体装置。
【請求項３】
前記Ｐ型領域が前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域の間の全面に形成された請求項１あるいは２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記Ｐ型領域に導入する不純物濃度が１×１０１６〜１×１０２０atoms/cm３である請求項１あるいは２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域に導入する不純物をリンとした請求項１あるいは２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記Ｎ型ソースおよびドレイン領域に導入する不純物をリンおよび砒素とし、二重拡散構造にした請求項１あるいは２に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明の半導体装置が採用した手段は次の通りである。
（１）Ｐ型半導体基板上に形成されたＰ型ウエル領域と、前記Ｐ型ウエル領域上に形成されたフィールド酸化膜と、前記Ｐ型ウエル領域上にゲート酸化膜を介して形成されたゲート電極と、前記フィールド酸化膜と前記ゲート電極とに囲まれているＮ型ソース・ドレイン領域と、前記Ｎ型ソース・ドレイン領域の間に前記Ｎ型ソース拡散層に接して局所的に形成されたＰ型ウェル領域よりも高濃度のＰ型領域と、前記ゲート電極と前記Ｎ型ソース・ドレインとそれらの上層に形成される配線とを電気的に絶縁する層間膜と、前記配線と前記ゲート電極と前記Ｎ型ソース・ドレインとを電気的に接続を行うためのコンタクト孔からなる半導体装置とした。
（２）前記Ｎ型ソース・ドレイン領域の間、全面にＰ型領域を形成した半導体装置とした。
（３）前記Ｎ型ソース・ドレイン領域の間に形成されたＰ型領域に導入する不純物濃度を１Ｅ１６〜１E２０atoms/cm3とした半導体装置とした。
（４）前記Ｎ型ソース・ドレイン領域に導入する不純物がリンである半導体装置とした。（５）前記Ｎ型ソース・ドレイン領域に導入する不純物はリンと砒素とし、二重拡散構造にした半導体装置とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
Ｐ型シリコン半導体基板１０１上にＰ型ウェル領域１０２をつくり、Ｐ型ウェル領域上に形成するゲート酸化膜１０６及び多結晶シリコンゲート電極１０５と、ゲート電極両端のシリコン基板表面に形成する高濃度のＮ型ソース拡散層１０３ａとＮ型ドレイン拡散層１０３ｂとの間にＮ型ソース拡散層１０３aに接して局所的に形成される高濃度のＰ型拡散層１０４及び前記Ｐ型ウェル領域１０２の電位を取るための高濃度のＰ型拡散層１０７から構成する。Ｎ型ドレイン拡散層１０３ｂは入出力端子への配線に接続され、Ｎ型ソース拡散層１０３ａとＰ型ウェル領域１０２の電位を取るためのＰ型拡散層１０７及び多結晶シリコンゲート電極は基準電位であるVss配線に接続される。また、配線とゲート電極とＮ型ソース・ドレインとを電気的に接続を行うためのコンタクト孔を堆積された層間絶縁膜に形成する。素子の間に分離を目的としてフィールド酸化膜１０８及びチャネルストップ領域１０９が形成される。尚、必ずしもＰ型シリコン半導体基板を用いる必要はなく、Ｎ型シリコン半導体基板を用いて、ＮＭＯＳトランジスタを作ってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、図１で示したように、Ｎ型ドレイン拡散層とゲート直下に形成されたＰ型拡散層との距離（D1）を変更することにより容易にＮＰＮトランジスタのバイポーラ動作の保持電圧を任意の値に設定することができる。更に、Ｐ型拡散層の濃度を変更することにより、容易に保持電圧を任意の値に設定することもできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007214267.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007214267.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
【図１】本発明の実施の形態１において使用される光学素子の構成を示す図である。
【図２】同実施の形態１の反射防止膜の内部構造を示す図である。
【図３】同実施の形態１において使用される光学素子の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図４】この発明の実施の形態２において使用される光学素子の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図５】この発明の実施の形態３において使用される光学素子の反射防止膜の屈折率を変えた場合の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図６】同実施の形態３において使用される光学素子の反射防止膜の屈折率を変えた場合の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図７】この発明の実施の形態４において使用される光学素子の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図８】この発明の実施の形態５において使用される光学素子の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図９】この発明の実施の形態６において使用される光学素子の反射防止膜の屈折率を変えた場合の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図１０】同実施の形態６において使用される光学素子の反射防止膜の屈折率を変えた場合の波長１９３ｎｍにおける角度反射特性を示す図である。
【図１１】この発明の実施の形態７における投影露光装置の概略構成図である。
【図１２】同実施の形態７にかかる図１１の投影光学系の光学素子の先端部とＸ方向用の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
【図１３】同実施の形態７にかかる図１１の投影光学系の光学素子の先端部とＹ方向から液体の供給及び回収を行う排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
【図１４】同実施の形態７にかかる光学素子とウエハとの間への液体の供給及び回収の様子を示す要部拡大図である。
【図１５】この発明の実施の形態８における投影露光装置の投影光学系の下端部、液体供給装置、及び液体回収装置等を示す正面図である。
【図１６】同実施の形態８にかかる図１５の投影光学系の光学素子の先端部とＸ方向用の排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
【図１７】同実施の形態８にかかる図１５の投影光学系の光学素子の先端部とＹ方向から液体の供給及び回収を行う排出ノズル及び流入ノズルとの位置関係を示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
100  光学素子
101  シリコン基板（基板）
102  液体
103  光学素子基材
104  反射防止膜
104a 酸化シリコン層
104b ＭｇＦ２微粒子
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007214501.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007214501.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2007214501.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007214501.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記第１の実施形態の巻線型コイル部品２０においては、前記鍔１２の側面１９の張り出し部１３の前記非張り出し部１４からの張り出し寸法Ｗ１が前記コイル導線２１の線材の直径よりも大きくされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記巻線型コイル部品２０のコア１０としては、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト等を主成分とする高透磁率絶縁材料、もしくはアルミナ等の非磁性絶縁材料等の各種セラミック材料から巻線型コイル部品の用途に応じて適宜選択して用いることができ、前記の絶縁材料の粉末とバインダーとを混合し、造粒した後、粉末成型プレスを用いて所定の形状に成型し、８００℃前後で脱バインダー処理した後、各絶縁材料の焼結温度に応じて所定の温度で焼成することにより得られる。また、前記コア１０は、前記のようにセラミック絶縁体に限定するものではなく、前記高透磁率絶縁材料の粉末、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトや金属磁性材料等の低抵抗磁性材料の粉末、もしくは前記非磁性絶縁材料の粉末と、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂とを混合して所定形状の金型内で成型して得られる、樹脂複合材のドラム型コア１０を用いることもできる。上記コアの形状はコイル導線が巻回される巻き軸の両端にそれぞれ平板状の鍔部が前記巻き軸と一体もしくは別体に形成されたドラム型のものが一般的であるが、本発明はこれに限定するものではなく、上側の鍔部を省略、もしくは他の形状、具体的にはキャップ型等に変更してもよい。また、前記のセラミック絶縁体と前記の樹脂複合材とを組み合わせてドラム型のコアを形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記ドラム型のコア１０の鍔１２の側面１９の長さ方向の一部に設ける張り出し部１３としては、前記鍔１２の側面１９の長さ方向の中央に設け、前記鍔１２の前記張り出し部１３の底面１３Ａから両側の非張り出し部１４の底面１４Ａに亘ってそれぞれ端子電極１７を設けることが好ましく、これによれば、鍔１２の四隅方向に向けてフィレット３５が形成されるので、外周からの半田接続の良否の確認が容易となるというメリットを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外表面に接続電極が形成された圧電振動子と、
前記接続電極と対向するように接続端子が表面に形成された平板状の基板と、
前記圧電振動子と前記基板とが空隙を有して接続されるように、前記接続電極と前記接続端子との間に設けられた異方性導電フィルムと、
少なくとも前記圧電振動子を発振させる機能を有し、前記空隙内に一部または全てが収納され、前記基板の前記表面に接続された回路部とを有することを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電発振器において、
前記異方性導電フィルムは、前記回路部を囲むように形成されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の圧電発振器において、
前記異方性導電フィルムは、導通方向に２つ以上重ねて設けられており、それぞれの前記異方性導電フィルムの間には、前記接続電極と前記接続端子とが対向している部分に掛かるように設けられた導電部を有していることを特徴とする圧電発振器。
【請求項４】
外表面に接続電極が形成された圧電振動子と、
前記接続電極と対向するように接続端子が表面に形成された平板状の基板と、
前記圧電振動子と前記基板とが空隙を有して接続されるように、前記接続電極と前記接続端子との間に設けられた異方性導電フィルムと、
少なくとも前記圧電振動子を発振させる機能を有し、前記空隙内に一部または全てが収納されるように前記基板の前記表面に接続された回路部とを有する圧電発振器を搭載していることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
かかる問題を解決するために、本発明の圧電発振器は、外表面に接続電極が形成された圧電振動子と、前記接続電極と対向するように接続端子が表面に形成された平板状の基板と、前記圧電振動子と前記基板とが空隙を有して接続されるように、前記接続電極と前記接続端子との間に設けられた異方性導電フィルムと、少なくとも前記圧電振動子を発振させる機能を有し、前記空隙内に一部または全てが収納されるように前記基板の前記表面に接続された回路部とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の圧電発振器によれば、平板状の基板上に、圧電振動子が該基板との空隙を有するように異方性導電フィルムによって接続されている。さらに、該基板上には、該空隙内に収納されるように回路部が接続されている。このように、基板に従来例のような凹部などが形成がされないため、肉薄部分などの強度の弱い箇所がなく、例えば、落下時などの衝撃により基板が破損するなどの不具合を防止することが可能な圧電発振器を提供することが可能となる。さらに、回路部が圧電振動子の接続によって形成された空隙に配置されているため、回路部と圧電振動子は、平面的に重なってそれぞれが基板上に接続され、平面形状の小さな、所謂小型の圧電発振器を提供することが可能となる。これらにより、耐衝撃特性を向上させた小型の圧電発振器を提供することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、前記異方性導電フィルムは、前記回路部を囲むように形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記異方性導電フィルムは、導通方向に２つ以上重ねて設けられており、それぞれの前記異方性導電フィルムの間には、前記接続電極と前記接続端子とが対向している部分に掛かるように設けられた導電部を有していることが望ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の電子機器は、外表面に接続電極が形成された圧電振動子と、前記接続電極と対向するように接続端子が表面に形成された平板状の基板と、前記圧電振動子と前記基板とが空隙を有して接続されるように、前記接続電極と前記接続端子との間に設けられた異方性導電フィルムと、少なくとも前記圧電振動子を発振させる機能を有し、前記空隙内に一部または全てが収納されるように前記基板の前記表面に接続された回路部とを有する圧電発振器を搭載していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
前記被加工試料の処理において、次の処理条件に移行する際、前の処理条件での処理終了時、プラズマ生成用放電を継続するとともに被加工試料への高周波バイアス電力の印加を継続して次の処理条件に移行し、かつ被加工試料の背面へ冷却ガスの供給を継続して次の処理条件に移行し、前記被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項２】
請求項1記載のエッチング処理方法において、
前記次の処理条件に移行する際、冷却ガス圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを所望の圧力に制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項３】
請求項１記載のエッチング処理方法において、
前記複数の処理条件間のプラズマ生成用放電を継続して、複数の処理条件のうち、後の処理条件の初期の前記被加工試料の温度を、前の処理条件での処理中の被加工試料の温度より低下させないように冷却ガス圧力を制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項４】
請求項１記載のエッチング処理方法において、
前記被花王試料が所望の温度となるように、被加工試料と被加工試料を設置する電極の間に封入する冷却ガスの圧力または流量およびその時間を制御する
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項５】
真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
前記高堆積性のガスを用いたエッチング処理開始時に、前記被加工処理試料の背面へ供給する冷却ガスの圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを所望の圧力に制御し、かつ前記被加工試料への高周波バイアス電力を印加して被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【請求項６】
真空排気手段により真空排気される真空容器と、前記真空容器にエッチングガスを導入するためのエッチングガス導入手段と、前記真空容器内に設けられ被加工試料を設置する被加工試料設置手段と、被加工試料の背面へ冷却ガスを供給する冷却ガス導入手段と、前記真空容器内に供給する高周波電磁波の高周波電源と、整合器と、前記真空容器内に高周波電力を導入する電力導入手段と、被加工試料に高周波バイアス電圧を印加する高周波バイアス電源とを有するエッチング装置を用いて、前記エッチングガス導入手段により前記真空容器内に導入されたガスを前記電力導入手段により導入される高周波電力でプラズマ化し、被加工試料に高周波バイアス電力を印加することで前記プラズマにより前記被加工試料の表面処理を行うエッチング処理方法において、
前記エッチングガスに高堆積性のガスを用い、該ガスをプラズマ化し、該プラズマにより、複数の処理条件で順次前記被加工試料をエッチング処理する方法であって、
複数の処理条件で順次被加工試料をエッチング処理する際に、処理ステップ間のプラズマ生成用放電を継続したまま前記被加工処理試料の背面へ供給する冷却ガスの圧力を低下させて被加工試料の温度が急峻に上昇した後冷却ガスを次の処理ステップでの所望の圧力に制御し、かつ前記被加工試料への高周波バイアス電力を印加して次の処理ステップへ移行して、被加工試料の表面処理を行う
ことを特徴とするエッチング処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
最上層に銅層を有する下地金属層を基板上全面に形成し、
前記下地金属層上に開口部を有するポジ型化学増幅型のフォトレジスト膜を形成して、
前記フォトレジスト膜を露光、現像してパターニングし、配線を形成する方法であって、
前記フォトレジスト膜を形成する前に、前記下地金属層上に、前記フォトレジスト膜を露光する紫外光によって前記フォトレジスト膜から発生する酸から下地金属層を保護するバリア層を形成し、
前記バリア層上に形成されたフォトレジストを露光、現像して開口部を形成し、
前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記バリア層を除去して前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記下地金属層を露出させ、
前記下地金属層をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うことにより、前記フォトレジスト膜の開口部内の前記下地金属層上に配線を形成し、
前記フォトレジスト膜及び前記バリア層を除去した後、
前記配線下以外の領域における前記下地金属層を除去することを特徴とする配線の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記下地金属層は複数の金属が積層して構成されることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記バリア層はアルミニウムからなることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記下地金属層及び前記バリア層を連続して成膜することを特徴とする配線の形成方法。
【請求項５】
請求項３に記載の発明において、前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記下地金属層を露出させる工程は、アルカリ現像液を用いて、前記フォトレジスト膜への開口部の形成に続いて、前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記バリア層を除去する工程であることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項６】
請求項１に記載の発明において、前記バリア層はナフトキノンジアジド系のポジ型のフォトレジストからなることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載の発明において、前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記下地金属層を露出させる工程は、アルカリ現像液を用いて、前記フォトレジスト膜への開口部の形成に続いて、前記フォトレジスト膜の開口部に対応する部分における前記バリア層を除去する工程であることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項８】
請求項６に記載の発明において、前記フォトレジスト膜及び前記バリア層を除去する工程は、レジスト剥離液を用いて、前記フォトレジスト膜及び前記バリア層を一括して除去する工程であることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記基板は半導体基板であることを特徴とする配線の形成方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記半導体基板上に複数の接続パッドが設けられ、前記配線は前記半導体基板上に設けられた絶縁膜上に前記接続パッドに接続させて形成することを特徴とする配線の形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下面に外部端子が設けられた表面実装型の電子部品と、
一方の面に接合電極が設けられ、前記接合電極が前記外部端子と導電性の接合材で接合されている基板と、
を備え、
前記基板は、平面視して前記電子部品と重なる位置に開口部および切り込み部の少なくともいずれか一方が設けられ、
前記基板の前記一方の面において前記開口部または前記切り込み部を囲む領域と、前記電子部品との間に設けられた第１封止材と、
前記第１封止材および前記電子部品を前記基板の前記一方の面側において封止する第２封止材と、
を更に備えたことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記第１封止材は、平面視して前記電子部品の側面の下側と、前記電子部品との間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記開口部または前記切り込み部は、複数設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記基板上にＩＣチップが搭載され、このＩＣチップは前記電子部品と導通したことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記電子部品は、圧電振動子であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る電子デバイスは、下面に外部端子が設けられた表面実装型の電子部品と、
一方の面に接合電極が設けられ、前記接合電極が前記外部端子と導電性の接合材で接合されている基板と、を備え、前記基板は平面視して前記電子部品と重なる位置に開口部および切り込み部の少なくともいずれか一方が設けられ、前記基板の前記一方の面において前記開口部または前記切り込み部を囲む領域と、前記電子部品との間に設けられた第１封止材と、前記第１封止材および前記電子部品を前記基板の前記一方の面側において封止する第２封止材と、を更に備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
またリフロー時において接合材が溶融し体積が膨張すると、この膨張に伴う圧力が封止材に加わる。このとき基板に開口部や切り込み部が設けられているので、圧力が開口部に伝わって開口部に露出した封止材が変形し、または圧力が切り込み部に伝わって切り込み部とこれに接する封止材が変形する。これにより基板に開口部や切り込み部を設けることで、接合材の体積が膨張しても封止材が変形できるので、この体積膨張を許容することができ、接合材が基板と封止材の間を伝い出ることを防止できる。そして流れ出た接合材が配線パターンと導通することを防止でき、また電子デバイスの外部に露出することを防止できる。よって電子部品を正常に動作させることができる。
また電子部品の下側に第２封止材が入り込んで空洞が生じるのを防止することができる。したがって電子デバイスは、第１，２封止材にクラックが入るのを防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そして前述した第１封止材は、平面視して前記電子部品の側面の下側と、前記電子部品との間に設けられていることを特徴とする。
接合材の周囲に第１封止材が設けられていない箇所があれば、この箇所において接合材の体積膨張を許容することができる。したがって、接合材が基板と第１，２封止材との間を伝い出ることを防止できるので、流れ出た接合材が基板上の配線パターンと導通することを防止でき、また電子デバイスの外部に露出することを防止できる。すなわち電子部品を正常に動作させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紡機の牽伸システムにおいて牽伸システム・ローラを加重するために、圧力媒体により作用されると共にシリンダ・ハウジングの内側で軸心方向移動可能となるべく配置されたピストンであって該ピストンからはピストン・ロッドが延在するというピストンを備えた少なくとも一個の圧力媒体シリンダを有する装置であって、上記ピストン・ロッドは上記シリンダ・ハウジングの端部境界を形成する少なくとも一個のシリンダ・カバーを貫通しており、上記ピストン・ロッドを備えた上記ピストンの位置を決定するセンサ機構が配備されるという装置において、
上記ピストン・ロッド（１９；１９ａ、１９ｂ）を備えた上記ピストン（１８；１８ａ）の位置を決定するために、光学的距離センサ（４０；４０１、４０２、４０３）が対向要素の表面（８’；１８’；１８”；４４’）に対する距離（ａ）を走査し、且つ、該距離センサ（４０；４０１、４０２、４０３）は電気的評価デバイス（４５）に接続されることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記距離センサは固定位置に在り、且つ、前記対向要素は上記距離センサに対して移動可能であることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記距離センサは移動可能であり且つ前記対向要素は上記距離センサに対して固定位置に在ることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
当該装置はラップの表示のために使用されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
当該装置は前記ローラに対する摩耗を表すために使用されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記対向要素は平坦な走査表面を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記走査表面は光線を反射し得ることを特徴とする、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記距離センサは光センサであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記距離センサは送信器および受信器を有することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記距離センサはレーザ・センサであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記距離センサは可視光線を使用することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１２】
前記距離センサは赤外光を使用することを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
位置決定のための前記距離センサは前記対向要素の水平な基部表面に対して９０°の角度にて取付けられることを特徴とする、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記距離センサおよび前記対向要素は閉じられたハウジング内に配置されることを特徴とする、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
前記距離センサは電気的評価デバイスに接続されることを特徴とする、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記評価デバイスは電子制御／調整デバイスに接続されることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記距離センサはアナログ・センサであることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記対向要素の傾斜表面に対する距離を光学距離センサが走査することを特徴とする、請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
前記牽伸システムは三つの加圧器アームを備えた三個の上側ローラを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項２０】
前記牽伸システムは四つの加圧器アームを備えた四個の上側ローラを含むことを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項２１】
前記センサは二方向における前記ピストンの移動を検出し得ることを特徴とする、請求項１乃至２０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】
前記電子制御／調整デバイスは前記ピストンの経路変化を確認できることを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項２３】
ラップの形成により引き起こされる前記上側ローラの偏位に対する最大値は前記制御／調整デバイスに記憶可能であることを特徴とする、請求項１９または２０に記載の装置。
【請求項２４】
障害メッセージが与えられるまでの偏位の値は自由にプログラム可能であることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記センサは前記牽伸システムが閉じられる毎に較正可能であることを特徴とする、請求項１乃至２４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２６】
前記電子制御／調整デバイスは４チャネル評価デバイスを備えることを特徴とする、請求項１６に記載の装置。
【請求項２７】
前記上側ローラのラップ形成および／または摩耗挙動に関連する測定値は記憶可能であることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。