(57)【要約】【課題】従来の基板リサイクルに比べて熱歪による基板の劣化を抑制し、更に基板のリサイクルと同等の効果を有しながら、コスト的にも従来より安価な発光素子の形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】第１の基板１００に分離層１０２、発光層１０３の順に成長させ、分離層１０２及び発光層１０３を第２の基板１１０に貼り合わせ、分離層１０２を除去することで、発光層１０３を第２の基板１１０に形成する発光素子の形成方法において、第１の基板１００に成長させる分離層１０２及び発光層１０３を一組とし、分離層１０２及び発光層１０３の組を複数組成長させ、最上層に存在する発光層１０３を島状にパターニングした後に、第２の基板１１０に貼り合わせ、島状にパターニングされた発光層１０３に隣接する分離層１０２をエッチングすることで、島状にパターニングされた発光層１０３を第２の基板１１０に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に分離層、発光層の順に成長させ、前記分離層及び発光層を第２の基板に貼り合わせ、前記分離層を除去することで、前記発光層を前記第２の基板に形成する発光素子の形成方法において、
前記第１の基板に成長させる分離層及び発光層を一組とし、該分離層及び発光層の組を複数組成長させ、
最上層に存在する発光層を島状にパターニングした後に、前記第２の基板に貼り合わせ、
前記島状にパターニングされた発光層に隣接する分離層をエッチングすることで、前記島状にパターニングされた発光層を前記第２の基板に形成することを特徴とする発光素子の形成方法。
【請求項２】
前記第２の基板は複数枚あり、前記発光層を複数枚の第２の基板に形成することを特徴とする請求項１記載の発光素子の形成方法。
【請求項３】
前記最上層の発光層上に光反射層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の発光素子の形成方法。
【請求項４】
前記第２の基板に光反射層が形成されていて、前記最上層の発光層は前記光反射層上に形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の発光素子の形成方法。
【請求項５】
前記第１の基板は、化合物半導体からなる基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項６】
前記第２の基板は、シリコンからなる基板であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項７】
前記分離層のエッチングはエッチング液を用いて行われることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項８】
前記エッチング液は、フッ酸又は塩酸溶液であることを特徴とする請求項７記載の発光素子の形成方法。
【請求項９】
前記複数組の分離層及び発光層の膜厚は、上層になるに従って薄くなることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項１０】
前記島状の発光層領域は、一つの前記島状の発光層領域が一つの発光素子の発光層を構成することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項１１】
前記島状の発光層領域は、複数の発光素子の発光層をアレイ状に含まれるように形成され、前記第２の基板をダイシングする際のチップサイズと一致することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項記載の発光素子の形成方法。
【請求項１２】
第１の基板上に該第１の基板側から分離層と、発光層とをこの順に成膜し、該発光層が内側に位置するように、前記第１の基板と第２の基板に貼り合わせて貼り合わせ部材を形成し、前記分離層をエッチング除去することにより前記発光層を前記第２の基板に転写する発光素子の製造方法であって、
前記第１の基板上の前記分離層と前記発光層とからなる組を１対として、この組をｎ回（ｎは２以上の自然数である。）繰り返して成膜し、
最表面の発光層のみを複数の島状にパターニングした後で、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせて貼り合わせ構造体を形成し、
前記島状のパターニングが行われていることによって前記貼り合わせ構造体に形成されている空間に、エッチング液を浸透させて、前記分離層と前記エッチング液とを接触させて、前記島状の発光層を選択的に前記第２の基板に転写することを特徴とする発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子の形成方法に関し、特に、分離層で活性層を分離して基板に活性層を形成する発光素子の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
分離層及び活性層を有する基板と支持基板を貼り合わせ、その後分離層より分離して活性層を支持基板に転写する技術はいくつか開示されている。例えば、特許文献１である。
【０００３】
しかしながら、上記の技術では、基板分離は分離層のエッチングによって行なわれる。そのため、基板スケール（通常は２インチφ以上を指す）で分離しようとすると、基板側面からのエッチングに頼る方法では膨大な時間を要してしまう。そのため、工業的に実用化した例はない。
【０００４】
そこでエッチングの領域を小さくする目的で、予め活性層を必要な（島状）領域にパターニングし、これを支持基板と貼り合わせた後に分離層からエッチング分離する方法がいくつか提案されている。例えば、特許文献２−６がある。
【特許文献１】特開２００４−１４６５３７号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９５８９号公報
【特許文献３】特開２００１−１５６４００号公報
【特許文献４】特開２００２−１５９６５号公報
【特許文献５】特開２００１−３６１３９号公報
【特許文献６】特開２００５−１２０３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような従来技術において基板スケールで分離を行なう理由の一つとして、高価な基板を再利用（リサイクル）することも重要な点である。
【０００６】
つまり分離層から分離することで基板が元の状態に戻り、これを洗浄などを行なった後に再び分離層、活性層を成長させるといった具合にリサイクルを行なうものである。
【０００７】
しかしながら、実際には、高温での膜成長を何回も繰り返すと、熱による歪みが基板に蓄積され、非常に脆くなる欠点があり技術的には困難であった。
【０００８】
また、基板のコストもさることながら、エピ成長のコストも大きいため、リサイクルの効果を半減させるものとなってしまっていた。
【０００９】
そこで、本発明は、従来の基板リサイクルに比べて熱歪による基板の劣化を抑制し、更に基板のリサイクルと同等の効果を有しながら、コスト的にも従来より安価な発光素子の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、第１の基板に分離層、発光層の順に成長させ、前記分離層及び発光層を第２の基板に貼り合わせ、前記分離層を除去することで、前記発光層を前記第２の基板に形成する発光素子の形成方法において、前記第１の基板に成長させる分離層及び発光層を一組とし、該分離層及び発光層の組を複数組成長させ、最上層に存在する発光層を島状にパターニングした後に、前記第２の基板に貼り合わせ、前記島状にパターニングされた発光層に隣接する分離層をエッチングすることで、前記島状にパターニングされた発光層を前記第２の基板に形成することを特徴とする。
【００１１】
また、別の本発明は、第１の基板上に該第１の基板側から分離層と、発光層とをこの順に成膜し、該発光層が内側に位置するように、前記第１の基板と第２の基板に貼り合わせて貼り合わせ部材を形成し、前記分離層をエッチング除去することにより前記発光層を前記第２の基板に転写する発光素子の製造方法に関する。そして、以下の１）から３）の工程を有することを特徴とする。
【００１２】
１）前記第１の基板上の前記分離層と前記発光層とからなる組を１対として、この組をｎ回（ｎは２以上の自然数である。）繰り返して成膜する工程
２）最表面の発光層のみを複数の島状にパターニングした後で、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせて貼り合わせ構造体を形成する工程
３）前記島状のパターニングが行われていることによって前記貼り合わせ構造体に形成されている空間に、エッチング液を浸透させて、前記分離層と前記エッチング液とを接触させて、前記島状の発光層を選択的に前記第２の基板に転写する工程。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、通常の膜転写及び基板リサイクルの方法より、低コストかつ低基板ストレス（高結晶品質に繋がる）を保った状態で基板をリサイクルするのと同等の効果が得られるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態としての発光素子の形成方法の工程を示す断面図である。
【００１６】
図１（ａ）において、まず層が形成される第１の基板１００について説明する。
【００１７】
本実施の形態では、分離層として、高選択エッチング特性のあるＡｌＡｓ（ＡｌＧａＡｓ）を用いるので、これらの層をエピタキシャル成長できる基板が必要である。例として、結晶格子定数が近いＧａＡｓ基板又はＧｅ基板があげられる。ＳｉはＧａＡｓに対して格子定数差が４％程度あるが、直接成長させることは可能である。したがって、Ｓｉ基板上にＧａＡｓ膜を成長させたものを第１の基板１００とすることも可能である。また、これらの基板に不純物がドーピングされていてもかまわない。
【００１８】
図１（ａ）において、第１の基板１００以外の箇所について説明する。
【００１９】
第１の基板１００上に分離層１０２及び活性層１０３をこの順で連続してエピタキシャル成長させる。
【００２０】
分離層１０２の材料は、ＡｌＡｓ又はＡｌ（ｘ）Ｇａ（１−ｘ）Ａｓ（ｘ≧０．７）であり、膜厚としては数十〜数百ｎｍが好ましい。
【００２１】
発光層となる活性層１０３の材料は、発光素子として化合物半導体層からなり、例えば、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＧａＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＩｎＧａＰなどである。また、活性層１０３中にｐｎ接合を有している。
【００２２】
なお、分離層１０２を形成する前段階として、バッファ層１０１を形成する場合があるが、これは任意である。バッファ層１０１は、結晶欠陥を低減させるなどの目的である。
【００２３】
成長方法は均一に成長できる方法であれば、特に限定されることはなく、ＭＯＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＬＰＥ法等のいずれの方法でもかまわない。
【００２４】
さらに、分離層１０２及び活性層１０３を一組として、複数組の分離層１０２及び活性層１０３を、連続的にｎ層まで成長させる。この際、分離層１０２の厚みを一定にする必要はない。上層になるに従って薄くすることも可能である。
【００２５】
これは分離層１０２をサイドエッチングする際に、膜厚が薄いほど、エッチング速度が大きいという特徴を考慮して、第１の基板１００外周部の下層部において無駄なエッチングを極力避けるための一手法である。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、最上部の活性層１０３上に、光反射層１０４を形成する。
【００２７】
そして、光反射層１０４を島状に残すようなレジストパターニング１０５を形成する。
【００２８】
光反射層１０４の材料は形成する発光素子の波長に対する反射率が高い材料が好ましい。例えば、発光素子の材料がＧａＡｓ系で、発光波長が７５０〜８００ｎｍ程度であれば、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミ）などが好ましい。もちろん、その他の光反射物質でもかまわない。
【００２９】
発光波長が３６０ｎｍ程度の青色系であれば、光反射層１０４の材料は、Ａｌなどが好ましい。
【００３０】
また、島状にした活性層１０３は、一つの島状の活性層１０３が一つの発光素子の発光層を構成するようにしてもよいし、複数の発光素子がアレイ状に含まれる領域になるようにしてもよい。その際、島状の活性層１０３の大きさは、後記する第２の基板１１０をダイシングする際のチップサイズと一致している。
【００３１】
光反射層１０４は必須ではなく、後記する第２の基板１１０側に形成されてもよい。また全くなくてもよい。
【００３２】
次いで、図１（ｃ）に示すように、光反射層１０４と最上部の活性層１０３を島状にエッチングし、最上部の分離層１０２の一部を露出させる。
【００３３】
図１（ｄ）に示すように、第１の基板１００と第２の基板１１０とを貼り合わせる。
【００３４】
第２の基板１１０の材質は任意であり、Ｓｉ基板のような半導体基板、導電性基板、絶縁性基板などどのような材質でもかまわない。
【００３５】
また、第２の基板１１０の表面に光反射層１０４を形成しておいてもかまわない。また、第１の基板１００及び第２の基板１１０の双方の表面に反射層１０４を形成しておき、反射層１０４同士を接合しても構わない。
【００３６】
第１の基板１００と第２の基板１１０の貼り合わせの方法としては、接合後に加熱する方法、加圧する方法、両方を使う方法などがある。減圧雰囲気中で貼り合わせるのも有効である。
【００３７】
貼り合わせの結果、その界面近傍にパターニング溝による空間１０６ができる。
【００３８】
図１（ｅ）は、各々の基板を分離した状態を示す図である。
【００３９】
この分離は、最上層の分離層１０２をエッチングすることによって行われる。
【００４０】
この際、エッチング液は島状の分離領域によってできた空間１０６に流入する。
【００４１】
そして、最上層の分離層１０２をエッチングし、結果として第１の基板１００と第２の基板１１０とを分離する。この際のエッチング液には、フッ酸溶液又は塩酸溶液などが使用可能である。
【００４２】
結果として、島状領域の活性層１０３が第２の基板１１０に転写される。
【００４３】
活性層１０３が転写された第２の基板１１０は、デバイスプロセスに移り、発光素子が形成される。
【００４４】
一方、最上層の活性層１０３及び分離層１０２を転写とエッチングにより失った第１の基板１００は、最表面が活性層１０３となり、図１（ａ）に示す工程に戻る。
【００４５】
活性層１０３及び分離層１０２を一対とした場合、これらが形成される数であるｎ回、以上の工程を繰り返すことにより、ｎ枚の発光素子が形成される基板が形成できる。
【００４６】
（第１の実施例）
図２を用いて、本発明の第１の実施例について説明する。
【００４７】
まず、図２（ａ）に示すように、４インチＧａＡｓ基板２００上にＧａＡｓバッファ層２０１を２０ｎｍ、ｐ−ＡｌＡｓ層２０２（１）を１００ｎｍ、活性層２０３（１）を約２０００ｎｍ、ＭＯＣＶＤ法により成長させる。
【００４８】
活性層２０３（１）の詳細は以下の通りである。
即ちコンタクト層となるｐ−ＧａＡｓ：２０ｎｍ、ｐ側クラッド層となるｐ−Ａｌ0.4ＧａＡｓ：３５０ｎｍ、発光層となるｐ−Ａｌ0.13ＧａＡｓ：３００ｎｍ、ｎ側クラッド層となるｎ−Ａｌ0.23ＧａＡｓ：１３００ｎｍからなる。
【００４９】
次いで、図２（ｂ）に示すように、分離層２０２、活性層２０３と同じ層構成の分離層２０２（２）、活性層２０３（２）、分離層２０２（３）、活性層２０３（３）を順次連続的に成長させる。
【００５０】
図２（ｃ）に示すように、最表面の活性層２０３（３）上にスパッタ法でＡｕ（金）を７０ｎｍ成膜する。
【００５１】
その上にフォトリソグラフィー技術により２０μｍ×２０μｍの島状領域を、４２μｍ間隔で形成する。
【００５２】
ＡｕのエッチングはＩ２（ヨウ素）とＫＩ（ヨウ化カリウム）の混合液により、ウェットで行なう。レジストを除去した後、Ａｕをマスクとして活性層２０２（３）のエッチングを行なう。
【００５３】
条件は３０℃のＮＨ４ＯＨ:Ｈ２Ｏ２＝１:５０溶液とする。約３分で活性層２０２（３）でエッチングされ、分離層２０３（３）が露出する。
【００５４】
図２（ｃ）に示すように、第２の基板として４インチのシリコン基板２１０を用意し、その表面にスパッタ法によりＡｕ膜を７０ｎｍ形成する。
【００５５】
そしてパターニングされた第１の基板２００と第２の基板２１０のＡｕ面同士を貼り合わせる。
【００５６】
貼り合わせ条件としては、１×１０−２Ｐａの減圧雰囲気下で２００℃、５００ニュートン／４インチφの圧力の下で行なう。
【００５７】
図２（ｄ）に示すように、貼り合わせた基板を１０％フッ酸溶液に浸漬する。
【００５８】
フッ酸溶液は貼り合わせ面の空間２０６から進入し、分離層２０２（３）をエッチングする。その結果ＧａＡｓ基板（第１の基板）２００とシリコン基板（第２の基板）２１０は分離する。
【００５９】
シリコン基板２１０側には４２μｍ間隔のアレイ状に発光素子領域が並んだものが得られる。この基板は通常のＬＥＤプロセスに投入され、６００ｄｐｉ．の発光素子アレイが形成される。一方ＧａＡｓ基板側は最表面が平坦な活性層２０３（２）の状態となる。
【００６０】
更に上記の工程を更に２回繰り返すことにより、合計３枚の発光素子基板を得ることができる。
【００６１】
（第２の実施例）
図３を用いて第２の実施例を説明する。
【００６２】
第１の実施例と同様の基板を用意し、同じようにＡｕ膜を形成し、パターニングを行なう。ただし、パターニングする島状領域の面積は、８ｍｍ×０．５ｍｍの矩形とする。
【００６３】
後は第１の実施例と同様のプロセスを行ない、８ｍｍ×０．５ｍｍの発光素子領域をシリコン基板に転写する。
【００６４】
シリコン基板側はＬＥＤプロセスに投入され、そのプロセスの中で２０μｍ×２０μｍ、６００ｄｐｉの間隔で素子化される。
【００６５】
（第３の実施例）
第１の実施例と同様のことを行なうが、以下の項目を変更する。
【００６６】
第１の基板を８インチのＧｅ（ゲルマニウム）基板にする。第２の基板を８インチのシリコン基板にする。シリコン基板側には光反射層は施さない。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、発光素子の形成方法において利用可能であり、分離層で活性層を分離して基板に活性層を形成する発光素子の形成方法に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の一実施形態としての発光素子の形成方法の工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例の工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００、２００  第１の基板
１０１、２０１  バッファ層
１０２、２０２  分離層
１０３、２０３  活性層（発光層）
１０４、２０４  光反射層
１０５、２０５  レジスト
１０６、２０６  エッチング溝
１１０、２１０  第２の基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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