(57)【要約】【課題】半導体ダイに対する物理的損傷とピックアップエラーを最小化して信頼性及び生産性を向上させることができる半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を提供することにある。【解決手段】ウェハ３０８の裏面に付着したウェハ接着テープを構成するマグネチック接着フィルム３０４との間に引力が発生するようにする電磁石構造のコレット部３１６と、前記コレット部３１６によりピックアップされた半導体ダイ３０８を駆動装置によって移動させるトランスファヘッド部３１４と、を含む。【選択図】図３Ｃ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの裏面に付着されたウェハ接着テープを構成するマグネチック接着フィルムとの間に引力が発生されるようにする電磁石構造のコレット部と、
前記コレット部によりピックアップされた半導体ダイを駆動装置の駆動で移動させるトランスファヘッド部と、を備えることを特徴とする半導体ダイピックアップ装置。
【請求項２】
前記コレット部の下部に半導体ダイを保護するためのプロテクション層をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項３】
前記コレット部の内部に半導体ダイを真空吸着するための真空ラインをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項４】
前記ウェハ接着テープは、ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの上部に形成されたＵＶフィルムと、
前記ＵＶフィルムの上部に形成されたマグネチック接着フィルムと、からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項５】
前記ベースフィルムはダイシングテープの形状を帯びていることを特徴とする請求項４に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項６】
前記マグネチック接着フィルムにはフェライト物質からなるマグネチックフィラーが含まれていることを特徴とする請求項５に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項７】
前記フェライト物質は鉄、ニッケルまたはコバルトなどの電磁石構造の物質であることを特徴とする請求項６に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項８】
前記コレットは電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で形成することを特徴とする請求項７に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項９】
前記金属物質はフェライト系列の電磁石物質であることを特徴とする請求項８に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１０】
前記金属物質は鉄、ニッケルまたはコバルトのうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項９に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１１】
ソーイングされた半導体ダイを固定させるためにウェハの裏面に付着されたマグネチック接着フィルムを含むウェハ接着テープと、
前記ウェハ接着テープのマグネチック接着フィルムとの間に引力が発生されるようにする電磁石構造のコレット部と、
前記コレット部によりピックアップされたソーイングされた半導体ダイを駆動装置の駆動により移動させるトランスファヘッド部と、を備えることを特徴とする半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１２】
前記ウェハ接着テープは、ベースフィルムと、
前記ベースフィルムの上部に形成されたＵＶフィルムと、
前記ＵＶフィルムの上部に形成されたマグネチック接着フィルムと、からなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１３】
前記マグネチック接着フィルムにはフェライト物質からなるマグネチックフィラーを有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１４】
前記フェライト物質は鉄、ニッケルまたはコバルトなどの電磁石構造の物質であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１５】
前記コレットは電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１６】
前記金属物質はフェライト系列の電磁石物質であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１７】
前記金属物質は鉄、ニッケルまたはコバルトのうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項１６に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１８】
前記コレット部の下部に半導体ダイを保護するためのプロテクション層をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項１９】
前記コレット部の内部に半導体ダイを真空吸着するための真空ラインをさらに有することを特徴とする請求項１８に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項２０】
前記ベースフィルムはダイシングテープ形状を帯びていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体ダイピックアップ装置。
【請求項２１】
ウェハの裏面にマグネチック接着フィルムを有するウェハ接着テープを接着させる段階と、
前記裏面に接着テープが接着されたウェハをそれぞれの半導体ダイにソーイングする段階と、
前記ソーイングされた半導体ダイの上部に前記マグネチック接着フィルムとの間に引力が発生するように電磁石構造のコレット部を含む半導体ダイピックアップ装置を設置する段階と、
前記コレット部に電圧を印加して前記コレット部に磁気場を発生させることにより、前記マグネチック接着フィルムとの間に引力を発生させて前記コレットに半導体ダイを吸着させる段階と、を含むことを特徴とする半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２２】
前記マグネチック接着フィルムにはフェライト物質からなるマグネチックフィラーを有することを特徴とする請求項２１に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２３】
前記フェライト物質は鉄、ニッケルまたはコバルトなどの電磁石構造の物質であることを特徴とする請求項２２に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２４】
前記コレットは電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で形成することを特徴とする請求項２３に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２５】
前記金属物質はフェライト系列の電磁石物質であることを特徴とする請求項２４に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２６】
前記金属物質は鉄、ニッケルまたはコバルトのうちいずれ一つで形成することを特徴とする請求項２５に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２７】
ウェハの裏面にベースフィルムとマグネチック接着フィルムを含むウェハ接着テープを接着させる段階と、
前記裏面に接着テープが接着されたウェハに対しスクライブラインを基準にそれぞれの半導体ダイにソーイングする段階と、
前記ソーイングされた半導体ダイの上部に前記マグネチック接着フィルムとの間に引力が発生するようにする電磁石構造のコレット部を含む半導体ダイピックアップ装置を設置する段階と、
前記コレット部に電圧を印加して前記コレット部に磁気場を発生させることにより、前記マグネチック接着フィルムとの間に引力を発生させて前記ベースフィルムから半導体ダイを分離させる段階と、を含むことを特徴とする半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２８】
前記ウェハ接着テープはベースフィルム、ＵＶフィルム、マグネチックフィルムが順次積層された構造、或いはベースフィルム、ＵＶフィルム、第１接着フィルム、マグネチック接着フィルム及び第２接着フィルムが順次積層された構造のうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項２７に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項２９】
前記マグネチック接着フィルムにはフェライト物質からなるマグネチックフィラーを有することを特徴とする請求項２８に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３０】
前記フェライト物質は鉄、ニッケルまたはコバルトなどの電磁石構造の物質であることを特徴とする請求項２９に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３１】
前記コレットは電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で形成することを特徴とする請求項３０に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３２】
前記金属物質はフェライト系列の電磁石物質であることを特徴とする請求項３１に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３３】
前記金属物質は鉄、ニッケル、またはコバルトのうちいずれか一つで形成することを特徴とする請求項２２に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３４】
前記コレット部によりピックアップされた半導体ダイをトランスファヘッドを用いてＰＣＢ上部に安着させた後、前記コレット部に電気供給を中断させて前記コレット部に発生した磁気場を消滅させる段階をさらに含むことを特徴とする請求項３３に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【請求項３５】
前記コレット内部に真空ラインを形成して、前記コレットとマグネチック接着フィルムとの間に引力を発生させるとともに前記真空ラインを真空状態にして前記半導体ダイを真空吸着するようにする段階をさらに含むことを特徴とする請求項３４に記載の半導体ダイピックアップ方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法に係るもので、詳しくは、半導体ダイに対する物理的損傷とピックアップエラーを最小化して信頼性及び生産性を向上させることができる半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近では情報通信分野の急速な発達及びコンピューターのような情報媒体の急速な大衆化に従い半導体素子も飛躍的に発展しており、このため、その機能的な面においても高速に動作すると同時に大容量の貯蔵能力を有することが求められている。また、半導体素子の高集積化及び大容量化の趨勢で半導体素子の集積度が漸次増加されてメモリセルを構成するそれぞれの単位素子サイズが縮小されるに従い、制限された面積内に多層構造を形成する高集積化技術も目立つほど発展を重ねている。
【０００３】
一方、このような高集積化技術に応ずるために半導体デバイスを製造するための単位工程においても最上の正確性及び精密性が要求されている。通常、半導体デバイスを製造するための単位工程は、大きく半導体基板内部に３Ｂ族（例えば、Ｂ）または５Ｂ族（例えば、ＰまたはＡｓ）の不純物イオンを注入する不純物イオン注入及び拡散工程と、半導体基板上に物質膜を形成する薄膜蒸着工程と、前記薄膜蒸着工程により形成された物質膜を所望の形状にパターニングするフォトリソグラフィーを含んだ食刻工程と、ウェハ表面に層間絶縁膜などを蒸着した後に一括的にウェハ表面をポリシングして段差をなくす平坦化工程と、不純物除去のためのウェハ洗浄工程とに区分される。そこで、上述のようないろんな単位工程を選択的かつ反復的に行ってウェハ表面上部に複数の回路パターンを積層することにより半導体デバイスを製造する。
【０００４】
そして、上記のような単位工程を経て完成された半導体デバイスを用いて半導体集積回路を組立てるために、まず、ウェハに形成された前記半導体デバイス（半導体ダイ）をブレードを用いて個々に分離するソーイング工程を実施する。詳しくは、前記ソーイング工程は、まず、前記ブレードがウェハの全体面のうち一方向のスクライブラインを完全に切断する。その後、ウェハの搭載されたウェハチャックを９０°だけ回転させて前記切断されたスクライブラインと垂直方向に切断することにより、ウェハが個々の半導体ダイに分離されるようにする。しかし、このようにウェハをソーイングするにあたって、ウェハだけをソーイングする場合に半導体ダイが分離されてから外部に離れていくに従い、その使用が不可能になる。そこで、これを防止するために接着テープをウェハの裏面に接着することにより、ソーイングにより分離された半導体ダイは外部に離れずにそのまま整列状態が維持されるようになる。従って、ダイアタッチ工程において前記分離されたダイを一つずつ離して半導体チップをパッケージングするパッケージング工程を進行することができる。
【０００５】
図１１Ａないし図１１Ｃにはソーイングされた半導体ダイが半導体ダイピックアップ装置によりピックアップされる過程が図示されている。
まず、図１１Ａには従来技術による接着テープ１６がウェハ１８の裏面に接着された状態が図示される。
前記ウェハ１８の裏面にベースフィルム１０、ＵＶフィルム１２及び接着フィルム１４からなる接着テープ１６が接着される。ここで、前記ベースフィルム１０はダイシングテープの形状をし、接着フィルム１４は前記ウェハ１８を接着テープ１６に固く固定させるためのメイン接着フィルムとして機能する。そして、前記ＵＶフィルム１２は前記ベースフィルム１０と接着フィルム１４間の接着力を高めるための非常に粘着性の高い材質からなる物質膜である。
【０００６】
一方、上記のように裏面に接着テープ１６の接着されたウェハに対し、ブレードを用いて前記ウェハのスクライブラインにそって個々の半導体ダイにソーイングする。前記ブレードによるソーイングの結果、参照符号２０で示したようなスクライブラインによる切断線に従いウェハ上に形成された多数個の半導体ダイはそれぞれの半導体ダイ１８ａに分離される。
【０００７】
次いで、図１１Ｂ及び図１１Ｃには前記ソーイングされた半導体ダイ１８ａが半導体ダイピックアップ装置によりピックアップされる過程が図示される。
図１１Ｂを参照すると、前記切断線２０に従い個々に分離された半導体ダイ１８ａをピックアップするために前記ウェハ１８の上部に半導体ダイピックアップ装置２２を位置させる。前記半導体ダイピックアップ装置２２は駆動装置と連結されて半導体ダイを後続工程のための工程設備で一つずつ移動させるトランスファヘッド２８と、前記トランスファヘッド２８の下端に付着されて前記ソーイングされた半導体ダイを真空吸着する多数個の真空ライン２６が内装されたコレット２４とから構成される。ここで、前記コレット２４は半導体ダイに対する損傷を最小化するために、例えばゴム材質で形成されることができる。また、前記半導体ダイに対する損傷をより積極的に防止するため、前記コレット２４下部に柔らかい材質のプロテクションフィルムをさらに形成することもできる。
【０００８】
図１１Ｃを参照すると、前記個々に分離された半導体ダイをフランジピン２８を用いて上昇させる。そして、前記フランジピン２８の上昇により半導体１８ａも上昇され、このように上昇された半導体ダイ１８ａはコレット２４により真空吸着される。
しかし、前記図１１Ａないし図１１Ｃに示した従来技術による半導体ダイピックアップ工程は半導体ダイチップの裏面でフランジピンの上昇によるプッシュアップ方式である。それで、半導体ダイの裏面に加えられるフランジピンの接触ストレスのため、参照符号Ａで示したように切断線領域にクラック発生のおそれがある。例えば、５０μｍ以下の超薄膜ウェハの工程においてはウェハの撓みまたは曲げやすさなどの理由で、フランジピンが効果的にソーイングされたチップを個々に分離させないため、無理な条件設定の際にはウェハにクラックが発生する。
【０００９】
また、フランジピンを用いて半導体ダイの限定的な接触領域を押し上げるプッシュアップ方式なので、フランジピンを用いて押し上げる力が半導体ダイの全体領域に均一に分散されなくてチップの変形が生じるか或いはピックアップエラーなどが発生することができる。また、参照符号Ｂで示したように、半導体ダイと接着フィルム１４の間に固着現象が発生した状態においてフランジピンを用いて半導体ダイを押し上げる場合、前記Ｂ領域に対してはフランジピンの力が加えられなくウェハが破断されるおそれがある。
【００１０】
また、前記コレットのように真空を用いて半導体ダイを吸着するときにも、前記コレット内部に部分的に形成された真空ライン２６を主として真空吸着力が集中される。それで、半導体ダイ面積の全体に均一な吸着力が作用されなくてピックアップエラーが発生するおそれがある。
また、従来には前記フランジピンを半導体ダイサイズ別にそれぞれ製作した。それで、設備製作の煩雑さ及び設備製作の費用が全体工程の費用に相当な部分を占めるようになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、ウェハクラックを誘発しない半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、半導体ダイの全体領域に作用する均一なピックアップ力によりピックアップされるようにする半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を提供することにある。
【００１２】
本発明のまた他の目的は、ピックエラーを誘発しない半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を提供することにある。
本発明のまた他の目的は、半導体ダイサイズに応じて別のピックアップ設備を製造すべきとの煩雑さを解消することができる半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために本発明の一実施例による半導体ダイピックアップ装置は、ウェハの裏面に付着されたウェハ接着テープを構成するマグネチック接着フィルムとの間に引力が発生する電磁石構造のコレット部と、前記コレット部によりピックアップされた半導体ダイを駆動装置の駆動により移動させるトランスファヘッド部と、を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の実施例による半導体ダイピックアップ装置は、ソーイングされた半導体ダイを固定させるためにウェハの裏面に付着されたマグネチック接着フィルムを有するウェハ接着テープと、前記ウェハ接着テープのマグネチック接着フィルムとの引力が発生する電磁石構造のコレット部と、前記コレット部によりピックアップしてソーイングされた半導体ダイを駆動装置の駆動により移動させるトランスファヘッド部と、を有することを特徴とする。
【００１５】
本発明のまた他の実施例による半導体ダイピックアップ方法は、ウェハの裏面にマグネチック接着フィルムを含むウェハ接着テープを接着させる段階と、前記裏面に接着テープの接着されたウェハをそれぞれの半導体ダイにソーイングする段階と、前記ソーイングされた半導体ダイの上部に前記マグネチック接着フィルムとの間に引力が発生されるようにする電磁石構造のコレット部を含む半導体ダイピックアップ装置を位置させる段階と、前記コレット部に電気を印加して前記コレット部に磁気場を発生させることにより、前記マグネチック接着フィルムとの間に引力を発生させて前記コレットに半導体ダイを吸着させる段階と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
本発明のまた他の実施形態による半導体ダイピックアップ方法は、ウェハの裏面にベースフィルムとマグネチック接着フィルムを含むウェハ接着テープを接着させる段階と、前記裏面に接着テープの接着されたウェハに対しスクライブラインを基準にそれぞれの半導体ダイにソーイングする段階と、前記ソーイングされた半導体ダイの上部に前記マグネチック接着フィルムとの間に引力が発生する電磁石構造のコレット部を含む半導体ダイピックアップ装置を位置させる段階と、前記コレット部に電圧を印加して前記コレット部に磁気場を発生させることにより、前記マグネチック接着フィルムとの間に引力を発生させて前記ベースフィルムから半導体ダイを分離させる段階と、を含むことを特徴とする。
（発明の効果）
【００１７】
本発明は、ソーイングされた半導体ダイを固定させるためのウェハ接着テープであって、磁性体性質を帯びるマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルムを適用する。そして、前記ソーイングされた半導体ダイをピックアップするための半導体ダイピックアップ装置として、前記マグネチック接着フィルムと引力が作用する電磁石構造のコレットを適用する。その結果、前記コレットとマグネチック接着フィルムの間の全体面積にわたって均一な引力が作用し、従って、前記マグネチック接着フィルムの上部に位置する半導体ダイにも均一なピックアップ力が作用するようになって、半導体ダイに対する変形及びクラックの発生なしにウェハ接着テープのベースフィルムから半導体ダイを効果的に分離させてピックアップエラーを最小化することができるとの効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して本発明を詳しく説明する。
本発明は以下に開示される実施例に限定されるものでなく、本発明のカテゴリを外れない範囲内で多様な形態に具現できる。但し、本発明を通じて説明される実施例は本発明の開示が完全なものになるようにし、通常の知識を有したものに発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものである。
【００１９】
図１は本発明の実施例によるウェハ接着テープ１０６がウェハ１０８の裏面に接着された状態を示す。
図１を参照すると、ウェハ１０８の裏面にベースフィルム１００、ＵＶフィルム１０２、及びマグネチック接着フィルム１０４からなる接着テープ１０６が図示される。前記マグネチック接着フィルム１０４は本発明の実施例による接着テープ１０６を構成する核心の構成要素であり、前記マグネチック接着フィルム１０４にはマグネチックフィラー２０４が含有されて常磁性体或いは強磁性体の性質を帯びるようになる。従って、バックラボ（back  lab）工程において、半導体ダイソーイング工程の進行後、電磁石構造のコレットに電気を印加すると、前記コレットと前記マグネチック接着フィルムとの間に引力が発生してソーイングされた半導体ダイをベースフィルムから分離させる。
【００２０】
このように、通常の接着フィルムにマグネチックフィラー２０４を添加して磁性体の特性を帯びるようにする原理は以下のである。
図２に示すように、酸素を含んだ物質２０２により囲まれたフェライト物質２０２に対し所定温度の熱を印加する。すると、このように所定温度の熱が印加されてキュアされる過程において前記フェライト物質２０２が酸化されて常磁性体に変化するのである。ここで、前記フェライト物質２０２としては鉄、ニッケルまたはコバルトなどのように電気を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質が使用される。
【００２１】
通常、磁性体は磁性を持った物質で、磁気場内で磁化する物質を意味する用語である。このような磁性体は磁気場内で磁気化させる程度に従い強磁性体、常磁性体及び抗磁性体に区分され、まず、強磁性体は原子の磁気モメントが整列された強い磁性体で、常磁性体は原子の熱振動により磁化が無秩序に起こった磁性体で、抗磁性体は外部磁気場と反対方向に磁化が起こる磁性体である。このように、常磁性体は磁気場内に入れると磁気場方向に弱く磁化し、磁気場が除去されれば磁化しない物質であって、アルミニウム、すず、白金、イリジウムなどの金属をはじめとして酸素及び空気などがこれらに属する。このような常磁性体が磁化される大きさは周囲磁気場の強度に比例し、磁化される程度は磁化率で表現される。そして、常磁性体の磁化率は温度に半比例して大きくなるが、これをキリーの法則という。
【００２２】
そこで、前記図２に示すように、酸素を含んだ物質に囲まれたフェライト物質２０２を通常の接着フィルム内部に注入する。その後、所定の温度でキュアすると、前記フェライト物質が酸化されて常磁性体性質を帯びる。従って、前記フィルムは、図１に示したように、本発明の実施例による接着テープ１０６を構成する核心構成要素のマグネチック接着フィルム１０４を形成する。
【００２３】
従来ウェハ裏面の接着のための接着テープとして、ベースフィルム、ＵＶフィルム及び通常の接着フィルムが順次積層された構造の接着テープを使用した。そして、ソーイングされた半導体ダイをピックアップするにあたって、フランジピンを用いて押し上げ、真空ラインの内蔵されたコレットを用いて真空吸着する方式のプッシュアップ方式をとった。このように、フランジピン及び真空コレットを用いたプッシュアップ方式により半導体ダイをピックアップする場合、半導体ダイの裏面に加えられるフランジピンの接触ストレスに起因してソーイングのための切断線領域にクラックが発生するおそれがあった。そして、フランジピンの上昇力が半導体ダイの全体領域に均一に分散されていないことから、半導体ダイがピックアップされる過程において半導体ダイの変形が生ずるか、或いは半導体ダイと接着フィルム間の固着現象に起因してウェハが破断されるなどのピックアップエラーが発生することもあった。
【００２４】
しかし、本発明のように、ウェハ裏面の接着のための接着テープを構成するにあたって、磁気場方向に磁化されるマグネチック接着フィルムで形成する場合、半導体ダイをピックアップするための電磁石構造のコレットに電圧を印加するに従い前記コレットと前記マグネチック接着フィルムの間に引力が発生する。そして、このように前記コレットと前記マグネチック接着フィルムの間に発生した引力のため、前記マグネチック接着フィルムとＵＶフィルムに均一な剥離する力が作用する。その結果、全体ウェハからソーイングされた半導体ダイをベースフィルムから分離させることができる。このとき、前記電気を帯びるコレットと前記マグネチック接着フィルムの間には全体の面積にわたって均一な引力が作用する。従って、前記マグネチック接着フィルムの上部に位置する半導体ダイにも均一なピックアップ力が作用して、半導体ダイに対する変形を防止しクラック発生を最小限にすることができる。
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施例による半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を詳しく説明する。  まず、図３Ａないし図３Ｅ、及び図４には本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法が図示される。
【００２６】
図３Ａ及び図４を参照すると、ウェハ３０８の裏面にベースフィルム３００、ＵＶフィルム３０２、及びマグネチック接着フィルム３０４からなる接着テープ３０６を接着させる（Ｓ４００）。ここで、前記ベースフィルム３００はダイシングテープ形状を帯び、前記ＵＶフィルム３０２は前記ベースフィルム３００とマグネチック接着フィルム３０４間の接着力を高めるために粘着性の非常に高い材質からなる物質膜である。そして、前記マグネチック接着フィルム３０４は前記ウェハ３０８をベースフィルム３００に堅く固定させるためのメイン接着フィルムとして、本発明による半導体ダイ接着テープ３０６を構成する核心構成要素である。
【００２７】
前記マグネチック接着フィルム３０４の形成過程は、まず、通常の接着フィルムの内部に磁性材料として、酸素を含んだ物質に囲まれたフェライト物質を注入した後、所定の温度でキュアする。ここで、前記フェライト物質としては鉄、ニッケルまたはコバルトなどのように電気を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質が使用される。すると、前記キュア過程において前記フェライト物質が酸化されて常磁性の性質を帯び、そのため、前記通常の接着フィルムが常磁性の性質を帯びるマグネチック接着フィルム３０４に変化するのである。このように酸化されたフェライト物質は前記通常の接着フィラーが常磁性体の性質を帯びるようにするマグネチックフィラーとして作用するのである。
【００２８】
一方、前記鉄、ニッケルまたはコバルトなどはそれ自体が既に強磁性のフェライト物質である。従って、上記のようなキュア過程を経ずに強磁性体の性質をそのまま利用することもできる。
図３Ｂ及び図４を参照すると、上記のように裏面に前記接着テープ３０６が接着されたウェハ３０８に対し、ブレードを用いて前記ウェハ３０８のスクライブラインを基準にソーイングする。その結果、前記ウェハ３０８上に形成された多数個の半導体ダイは参照符号３１０で示したスクライブラインによる切断線に従って個々の半導体ダイに分離される（Ｓ４０２）。
【００２９】
次いで、前記切断線３１０に従って個々に分離された半導体ダイ３０８ａをピックアップするために前記ウェハ３０８の上部に本発明による半導体ダイピックアップ装置３１２を位置させる（Ｓ４０４）。前記半導体ダイピックアップ装置３１２は駆動装置と連結されてソーイングされた半導体ダイを後続工程のための工程設備に一枚ずつ移動させるトランスファヘッド３１４と、前記トランスファヘッド３１４の下端に付着されて前記ソーイングされた半導体ダイ３０８ａをピックアップするコレット３１６と、から構成される。また、前記コレット３１６の下部には半導体ダイに対する損傷を最小化するために柔らかい材質のプロテクションフィルム３１８をさらに形成することもできる。そして、本発明では前記半導体ダイピックアップ装置３１２のコレット３１６を磁化可能な物質で形成することを特徴とする。具体的に、前記コレット３１６は電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で、例えば、鉄、ニッケルまたはコバルトなどのフェライト系列の電磁石物質で形成する。
【００３０】
図３Ｃ及び図４を参照すると、前記電磁石構造のコレット３１６を有する半導体ダイピックアップ装置３１２をソーイングされた半導体ダイ３０８ａの上部に位置させた後、前記コレット３１６に所定の電圧を印加する。すると、前記電磁石構造からなったコレット３１６は磁化されて磁気を帯び、従って、参照符号Ｃで示すように、前記ウェハ３０８の裏面に付着されたマグネチック接着フィルム３０４との間に相互引力が作用する（Ｓ４０６）。
【００３１】
図３Ｄ及び図４を参照すると、前記電磁石構造のコレット３１６とマグネチック接着フィルム３０４との間に相互引力が作用する状態において、半導体ダイピックアップ装置３１２のトランスファヘッド３１４を用いて前記ソーイングされた半導体ダイ３０８ａをピックアップする（Ｓ４０８）。即ち、前記コレット３１６とマグネチック接着フィルム３０４との間に作用する相互引力のため前記マグネチック接着フィルム３０４とＵＶフィルム３０２が互いに分離されながら、前記ソーイングされた半導体ダイ３０８ａがベースフィルム３００から分離されてピックアップされるのである。
【００３２】
このとき、前記マグネチック接着フィルム３０４にはマグネチックフィラーが全体的に均一に分布している。そして、前記コレット３１６にも全体的に均一に磁気が発生している。従って、前記マグネチック接着フィルム３０４とコレット３１６には面積全体にわたって均一な引力が作用して、前記マグネチック接着フィルム３０４の上部に位置するソーイングされた半導体ダイ３０８ａにも均一なピックアップ力が作用するようになる。その結果、前記図３Ｄに示したように、本発明による前記半導体ダイピックアップ装置３１２を用いて半導体ダイ３０８ａをピックアップする場合、前記半導体ダイ３０８ａの全体領域に対し均一な剥離する力が作用して、前記半導体ダイ３０８ａに対する変形またはクラックが発生せずに前記ベースフィルム３００からソーイングされた前記半導体ダイ３０８ａを容易にピックアップすることができる。
【００３３】
図３Ｅ及び図４を参照すると、前記ピックアップされた半導体ダイ３０８ａをＰＣＢ３２０上部に移動させて安着させる（Ｓ４１０）。その後、前記コレット３１６に対する電圧印加を中断する。すると、前記コレット３１６の磁化が消滅して、前記マグネチック接着フィルム３０４との相互引力も消滅する（Ｓ４１２）。従って、前記ソーイングされた半導体ダイ３０８ａはＰＣＢ３２０の上部に残留して回路を構成し、前記半導体ダイピックアップ装置３１２はもとの位置に戻って次の半導体ダイピックアップの準備をする（Ｓ４１４）。
【００３４】
このように前記第１実施例においては常磁性のマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルム３０４及び前記マグネチック接着フィルム３０４と引力が作用する電磁石構造のコレット３１６を用いることにより、変形及びクラックの発生なしにベースフィルムからソーイングされた半導体ダイ３０８ａを効果的に分離させることができる。
【００３５】
一方、図５Ａないし図５Ｅ、及び図６には本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法が図示される。
図５Ａ及び図６を参照すると、ウェハ５１２の裏面にベースフィルム５００、ＵＶフィルム５０２、第１接着フィルム５０４、マグネチック接着フィルム５０６、及び第２接着フィルム５０８からなる接着テープ５１０を接着させる（Ｓ６００）。ここで、前記ベースフィルム５００はダイングテープ（dicing tape）の形状を帯び、前記ＵＶフィルム５０２は前記ベースフィルム５００と第１接着フィルム５０４間の接着力を高めるために非常に粘着性の高い材質からなる物質膜である。そして、第２接着フィルム５０８は前記ウェハ５１２を前記ベースフィルム５００に堅く固定させる機能を有する。そして、前記第１接着フィルム５０４と第２接着フィルム５０８の間に介されたマグネチック接着フィルム５０６は本発明による半導体ダイ接着テープ５１０を構成する核心構成要素である。
【００３６】
前記マグネチック接着フィルム５０６の形成過程は、まず、ＵＶフィルム５０２の上部に第１接着フィルム５０４を形成する。その後、前記第１接着フィルム５０４の上部に通常の接着フィルムをさらに一層形成した後、その内部に磁性材料として酸素を含んだ物質により囲まれたフェライト物質を注入する。その後、所定の温度でキュアする。すると、前記キュア過程において前記フェライト物質が酸化されて常磁性の性質を帯びることにより、前記通常の接着フィルムが常磁性の性質を帯びるマグネチック接着フィルム５０６に変化するのである。このように、酸化されたフェライト物質は通常の接着フィラーが常磁性の性質を帯びるようにするマグネチックフィラーとして作用する。ここで、前記フェライト物質としては鉄、ニッケル、またはコバルトなどのように電圧を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質が使用される。
【００３７】
一方、前記鉄、ニッケルまたはコバルトなどはそれ自体が既に強磁性を帯びるフェライト物質である。従って、上記のようなキュア過程を経ずに強磁性体の性質をそのまま利用することもできる。
また、上述では第１接着フィルム５０４の上部に通常の接着フィルムを形成した後、これにフェライト物質を注入してマグネチック接着フィルムに変化させる方法を提示している。しかし、上記のような方法の以外に前記第１接着フィルム５０４の上部に直接にフェライト物質層を所定の厚さに形成する方法を適用することもできる。このような場合、前記フェライト物質層としては鉄、ニッケルまたはコバルトなどのように電圧を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質層が生成される。
【００３８】
図５Ｂ及び図６を参照すると、上記のように裏面に前記接着テープ５１０が接着されているウェハ５１２に対し、ブレードを用いて前記ウェハ５１２のスクライブラインを基準にソーイングする。その結果、ウェハ上に形成された多数個の半導体ダイは参照符号５１４で示したスクライブラインによる切断線に従ってそれぞれの半導体ダイに分離される（Ｓ６０２）。
【００３９】
次いで、前記切断線５１４に従って個々に分離された半導体ダイ５１２ａをピックアップするために前記ウェハ５１２の上部に本発明による半導体ダイピックアップ装置５１６を位置させる（Ｓ６０４）。前記半導体ダイピックアップ装置５１６は駆動装置と連結されてソーイングされた半導体ダイを高速工程のための工程設備に一枚ずつ移動させるトランスファヘッド５１８と、前記トランスファヘッド５１８の下端に付着されて前記ソーイングされた半導体ダイ５１２ａをピックアップするコレット５２０と、から構成される。また、前記コレット５２０の下部には半導体ダイに対する損傷を最小化するため、柔らかい材質のプロテクションフィルム５２２をさらに形成することもできる。そして、本発明では前記半導体ダイピックアップ装置５１６のコレット５２０を磁化可能な物質で形成することを特徴とする。具体的に、前記コレット５２０は電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で、例えば鉄、ニッケルまたはコバルトなどのフェライト系列の電磁石物質で形成する。
【００４０】
図５Ｃ及び図６を参照すると、ソーイングされた半導体ダイ５１２ａの上部に前記電磁石構造のコレット５２０の含まれた半導体ダイピックアップ装置５１６を位置させた後、前記コレット５２０に所定の電圧を印加する。すると、前記電磁石構造からなったコレット５２０は磁化されて磁気を帯び、従って、参照符号Ｄで示したように、前記ウェハ５１２の裏面に付着されたマグネチック接着フィルム５０６との間に引力が作用するようになる（Ｓ６０６）。
【００４１】
図５Ｄ及び図６を参照すると、前記電磁石構造のコレット５２０とマグネチック接着フィルム５０６との間に相互引力が作用する状態において、半導体ダイピックアップ装置５１６のトランスファヘッド５１８を用いて前記ソーイングされた半導体ダイ５１２ａをピックアップする（Ｓ６０８）。即ち、前記コレット５２０とマグネチック接着フィルム５０６との間に作用する引力のため、前記マグネチック接着フィルム５０６と第１接着フィルム５０４が互いに分離されながら、前記ソーイングされた半導体ダイ５１２ａがベースフィルム５００から分離してピックアップされる。
【００４２】
このとき、前記マグネチック接着フィルム５０６にはマグネチックフィラーが全体的に均一に分布される。そして、前記コレット５２０にも全体的に均一に磁気が発生する。従って、前記マグネチック接着フィルム５０６とコレット５２０には面積全体にわたって均一な引力が作用し、従って、前記マグネチック接着フィルム５０６の上部に位置するソーイングされた半導体ダイ５１２ａにも均一なピックアップ力が作用する。その結果、前記図５Ｄに示すように、本発明による前記半導体ダイピックアップ装置５１６を用いて半導体ダイ５１２ａをピックアップする場合、前記半導体ダイ５１２ａの全体領域に対し均一な剥離する力が作用して、半導体ダイ５１２ａに対する変形またはクラックの発生なしに前記ベースフィルム５００からソーイングされた半導体ダイ５１２ａを容易にピックアップすることができる。
【００４３】
図５Ｅ及び図６を参照すると、前記ピックアップされた半導体ダイ５１２ａをＰＣＢ５２４の上部に移動させて安着させる（Ｓ６１０）。その後、前記コレット５２０に対する電圧印加を中断する。すると、前記コレット５２０の磁化力が消滅して、前記マグネチック接着フィルム５０６との引力も消滅する（Ｓ６１２）。従って、前記ソーイングされた半導体ダイ５１２ａはＰＣＢ５２４の上部に残留して回路を構成し、前記半導体ダイピックアップ装置５１６はもとの位置に戻って次の半導体ダイピックアップのために待機するようになる（Ｓ６１４）。
【００４４】
このように、前記第２実施例では常磁性体性質を帯びるマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルム５０６及び前記マグネチック接着フィルム５０６と引力が作用する電磁石構造のコレット５２０を用いることにより、変形及びクラックの発生なしにベースフィルムからソーイングされた半導体ダイ５１２ａを効果的に分離させることができる。
【００４５】
一方、図７Ａないし図７Ｅ、及び図８には本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法が図示される。
図７Ａ及び図８を参照すると、ウェハ７０８の裏面にベースフィルム７００、ＵＶフィルム７０２及びマグネチック接着フィルム７０４からなる接着テープ７０６を接着させる（Ｓ８００）。ここで、前記ベースフィルム７００はダイシングテープの形状を帯び、前記ＵＶフィルム７０２は前記ベースフィルム７００とマグネチック接着フィルム７０４間の接着力を高めるために非常に粘着性の高い材質からなった物質膜である。そして、前記マグネチック接着フィルム７０４は前記ウェハ７０８をベースフィルム７００に堅く固定させるためのメイン接着フィルムで、本発明による半導体ダイ接着テープ７０６を構成する核心構成要素である。
【００４６】
前記マグネチック接着フィルム７０４の形成過程は、まず、通常の接着フィルム内部に磁性材料として酸素を含んだ物質に囲まれたフェライト物質を注入した後、所定の温度でキュアする。すると、前記キュア過程において前記フェライト物質が酸化されて常磁性の性質を帯び、従って、前記通常の接着フィルムが常磁性の性質を帯びるマグネチック接着フィルム７０４に変化されるようになる。このように酸化されたフェライト物質は前記通常の接着フィラーが常磁性の性質を帯びるようにするマグネチックフィラーとして作用するのである。ここで、前記フェライト物質としては鉄、ニッケルまたはコバルトなどのように電圧を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質が使用される。
【００４７】
一方、前記鉄、ニッケルまたはコバルトなどはそれ自体が既に強磁性を帯びるフェライト物質である。従って、上記のようなキュア過程を経ずに強磁性の性質をそのまま利用することができる。
図７Ｂ及び図８を参照すると、上記のように裏面に前記接着テープ７０６の接着されたウェハ７０８に対し、ブレードを用いて前記ウェハ７０８のスクライブラインを基準にソーイングする。その結果、ウェハ７０８上に形成された多数個の半導体ダイは参照符号７１０で示したスクライブラインによる切断線に従い個々の半導体ダイに分離される（Ｓ８０２）。
【００４８】
次いで、前記切断線７１０に従い個々に分離された半導体ダイ７０８ａをピックアップするために前記ウェハ７０８の上部に本発明による半導体ダイピックアップ装置７１２を位置させる（Ｓ８０４）。前記半導体ダイピックアップ装置７１２は駆動装置と連結されて半導体ダイを後続工程のための工程設備に一枚ずつ移動させるトランスファヘッド７１４と、前記トランスファヘッド７１４の下端に付着されて前記ソーイングされた半導体ダイをピックアップするコレット７１６と、から構成される。また、前記コレット７１６の下部には半導体ダイに対する損傷を最小化するため、柔らかい材質のプロテクションフィルム７１８をさらに形成することができる。そして、本発明では前記半導体ダイピックアップ装置７１２のコレット７１６を磁化可能な物質で形成することを特徴とする。具体的に前記コレット７１６は電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質であって、例えば鉄、ニッケルまたはコバルトなどのフェライト系列の電磁石物質で形成することができる。そして、前記コレット７１６の内部には前記ソーイングされた半導体ダイ７０８ａを真空吸着するための多数個の真空ライン７２０が形成される。
【００４９】
図７Ｃ及び図８を参照すると、前記電磁石構造のコレット７１６が含まれた半導体ダイピックアップ装置７１２を前記ソーシングされた半導体ダイ７０８ａの上部に位置させた後、前記コレット７１６に所定の電圧を印加する。すると、前記電磁石構造からなるコレット７１６は磁化されて磁気を帯び、従って、参照符号Ｅで示したように前記ウェハ７０８の裏面に付着されたマグネチック接着フィルム７０４との間に引力が作用する。そして、前記コレット７１６内部の真空ライン７２０を真空状態にする。その結果、前記半導体ダイ７１８に対し磁化したコレット７１６とマグネチック接着フィルム７０４間の引力及び前記真空ライン７２０による真空吸着力が作用するようになる（Ｓ８０６）。
【００５０】
図７Ｄ及び図８を参照すると、前記電磁石構造のコレット７１６とマグネチック接着フィルム７０４の間に引力が作用し、前記真空ライン７２０による真空吸着力が作用する状態において、前記半導体ダイピックアップ装置７１２のトランスファヘッド７１４を用いて前記ソーイングされた半導体ダイ７１８ａをピックアップする（Ｓ８０８）。即ち、前記コレット７１６とマグネチック接着フィルム７０４の間に作用する引力により前記マグネチック接着フィルム７０４とＵＶフィルム７０２が互いに分離されながら、前記ソーイングされた半導体ダイ７０８ａがベースフィルム７００から分離されてピックアップされる。
【００５１】
このとき、前記マグネチック接着フィルム７０４にはマグネチックフィラーが全体的に均一に分布されている。そして、前記コレット７１６にも全体的に均一に磁気が発生している。従って、前記マグネチック接着フィルム７０４とコレット７１６には全体面積にわたって均一な引力が作用して、前記マグネチック接着フィルム７０４の上部に位置するソーイングされた半導体ダイ７０８ａにも均一なピックアップ力が作用する。その結果、前記図７Ｄに示したように、前記半導体ダイピックアップ装置７１２を用いて半導体ダイ７０８ａをピックアップする場合、前記半導体ダイ７０８ａの全体領域に対し均一な剥離力が作用して、前記半導体ダイ７０８ａに対する変形またはクラックが発生せずに前記ベースフィルム７００からソーイングされた半導体ダイ７０８ａを容易にピックアップすることができる。
【００５２】
図７Ｅ及び図８を参照すると、前記ピックアップされた半導体ダイ７０８ａをＰＣＢ７２２の上部に移動させて安着させる（Ｓ８１０）。その後、前記コレット７１６に対する電圧印加を中断させる。そして、前記真空ライン７２０に対する真空供給を中断する（Ｓ８１２）。すると、前記コレット７１６の磁化力が消滅されて前記マグネチック接着フィルム７０４との引力も消滅する。そして、真空ライン７２０による真空吸着力も消滅する。従って、前記ソーイングされた半導体ダイ７０８ａは前記半導体ダイピックアップ装置７１２から離脱してＰＣＢ７２２の上部に残留することにより回路を構成する。そして、前記半導体ダイピックアップ装置７１２はもとの位置に戻って次の半導体ダイピックアップのために待機することになる（Ｓ８１４）。
【００５３】
このように、前記第３実施例では常磁性体の性質を帯びるマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルム７０４及び前記マグネチック接着フィルム７０４と引力が作用する電磁石構造のコレット７１６を用いることにより、変形及びクラックの発生なしにベースフィルムからソーイングされた半導体ダイ７０８ａを効果的に分離させることができる。また、第３実施例では前記コレット７１６の内部に真空ライン７２０を形成することにより、前記マグネチック接着フィルム７０４との引力のみに依存する場合に比べ、前記ソーイングされた半導体ダイ７０８ａに対するピックアップ効果を倍加させることができると予想される。
【００５４】
一方、図９Ａないし図９Ｅ、及び図１０には本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置とこれを用いた半導体ダイピックアップ方法が図示される。
図９Ａ及び図１０を参照すると、ウェハ９１２の裏面にベースフィルム９００、ＵＶフィルム９０２、第１接着フィルム９０４、マグネチック接着フィルム９０６、及び第２接着フィルム９０８からなる接着テープ９１０を接着させる（Ｓ１０００）。ここで、前記ベースフィルム９００はダイシングテープの形状を帯び、前記ＵＶフィルム９０２は前記ベースフィルム９００と第１接着フィルム９０４間の接着力を高めるための非常に粘着性の高い材質からなる物質膜である。そして、第２接着フィルム９０８は前記ウェハ９１２をベースフィルム９００に堅く固定させる機能をする。そして、前記第１接着フィルム９０４及び第２接着フィルム９０８の間に介されたマグネチック接着フィルム９０６は本発明による半導体ダイ接着テープ９１０を構成する核心構成要素である。
【００５５】
前記マグネチック接着フィルム９０６の形成過程は、まずＵＶフィルム９０２上部に第１接着フィルム９０４を形成する。その後、前記第１接着フィルム９０４の上部に通常の接着フィルムをさらに形成し、その内部に磁性材料として酸素を含んだ物質に囲まれたフェライト物質を注入した後、所定の温度でキュアする。すると、前記キュア過程において前記フェライト物質が酸化されて常磁性体の性質を帯びることにより、前記通常の接着フィルムが常磁性体の性質を帯びるマグネチック接着フィルム９０６に変化する。このように、酸化されたフェライト物質は前記通常の接着フィラーが常磁性の性質を帯びるようにするマグネチックフィラーとして作用する。ここで、前記フェライト物質としては鉄、ニッケル、またはコバルトなどのように電圧を印加すると磁気場を形成する電磁石構造の物質が使用される。
【００５６】
一方、前記鉄、ニッケルまたはコバルトなどはそれ自体が既に強磁性を帯びるフェライト物質である。従って、上記のようなキュア過程を経ずに強磁性の性質をそのまま利用することもできる。
また、上記では第１接着フィルム９０４の上部に通常の接着フィルムを形成した後、これにフェライト物質を注入してマグネチック接着フィルムに変化させる方法を提示している。しかし、上記の方法のほかに前記第１接着フィルム９０４の上部に直接フェライト物質層を所定の厚さで形成する方法を適用することもできる。このような場合、前記フェライト物質層としては鉄、ニッケルまたはコバルトなどのように電圧を印加すると、磁気場を形成する電磁石構造の物質層が適用される。
【００５７】
図９Ｂ及び図１０を参照すると、上記のように裏面に前記接着テープ９１０が接着されたウェハ９１２に対し、ブレードを用いて前記ウェハ９１２のスクライブラインを基準にソーイングする。その結果、ウェハ９１２上に形成された多数個の半導体ダイは参照符号９１４で示したスクライブラインによる切断線に従って個々の半導体ダイに分離される（Ｓ１００２）。
【００５８】
次いで、前記切断線９１４に従って個々に分離された半導体ダイ９１２ａをピックアップするために前記ウェハ９１２の上部に本発明による半導体ダイピックアップ装置９１６を位置させる（Ｓ１００４）。前記半導体ダイピックアップ装置９１６は駆動装置と連結されて半導体ダイを後続工程のための工程設備に一枚ずつ移動させるトランスファヘッド９１８と、前記トランスファヘッド９１８の下端に付着されて前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａをピックアップするコレット９２０とから構成される。また、前記コレット９２０の下部には半導体ダイに対する損傷を最小化するために柔らかい材質のプロテクションフィルム９２２をさらに形成することもできる。そして、本発明では前記半導体ダイピックアップ装置９１６のコレット９２０を磁化可能な物質で形成することを特徴とする。具体的に前記コレット９２０は電圧を印加すると磁気場を形成する金属物質で、例えば、鉄、ニッケルまたはコバルトなどのフェライト系列の電磁石物質で形成することができる。そして、前記コレット９２０の内部には前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａを真空吸着するための多数個の真空ライン９２４が形成される。
【００５９】
図９Ｃ及び図１０を参照すると、前記電磁石構造のコレット９２０が含まれた半導体ダイピックアップ装置９１６をソーイングした半導体ダイ９１２ａの上部に位置させた後、前記コレット９２０に所定の電圧を印加する。すると、前記電磁石構造からなるコレット９２０は磁化されて磁気を帯び、従って、参照符号Ｆで示したように、前記ウェハ９１２の裏面に付着されたマグネチック接着フィルム９０６との間に相互引力が作用する。そして、前記コレット９２０の内部に真空ライン９２４を真空状態にする。その結果、前記半導体ダイ９１２ａに対し磁化されたコレット９２０とマグネチック接着フィルム９０６間の引力及び前記真空ライン９２４による真空吸着力が作用する（Ｓ１００６）。
【００６０】
図９Ｄ及び図１０を参照すると、前記電磁石構造のコレット９２０とマグネチック接着フィルム９０６の間に引力が作用し、前記真空ライン９２４による真空吸着力が作用する状態において半導体ダイピックアップ装置９１６のトランスファヘッド９１８を用いて前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａをピックアップする（Ｓ１００８）。即ち、前記コレット９２０とマグネチック接着フィルム９０６の間に作用する引力に起因して前記マグネチック接着フィルム９０６と第１接着フィルム９０４が互いに分離されながら、前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａがベースフィルム９００から分離してピックアップされるのである。
【００６１】
このとき、前記マグネチック接着フィルム９０６にはマグネチックフィラーが全体的に均一に分布される。そして、前記コレット９２０にも全体的に均一に磁気が発生している。従って、前記マグネチック接着フィルム９０６とコレット９２０には全体面積にわたって均一な引力が作用して、前記マグネチック接着フィルム９０６の上部に位置するソーイングされた半導体ダイ９１２ａにも均一なピックアップ力が作用するようになる。その結果、前記図９Ｄに示すように、本発明による前記半導体ダイピックアップ装置９１６を用いて半導体ダイ９１２ａをピックアップする場合、前記半導体ダイ９１２ａの全体領域に対し均一な剥離する力が作用して、半導体ダイ９１２ａに対する変形またはクラックが発生せずに前記ベースフィルム９００からソーイングされた半導体ダイ９１２ａを容易にピックアップすることができる。
【００６２】
図９Ｅ及び図１０を参照すると、前記ピックアップされた半導体ダイ９１２ａをＰＣＢ９２６の上部に移動させて安着させる（Ｓ１０１０）。その後、前記コレット９２０に対する電圧の印加を中断させる。そして、前記真空ライン９２４に対する真空供給を中断する（Ｓ１０１２）。すると、前記コレット９２０の磁化力が消滅されて前記マグネチック接着フィルム９０６との引力も消滅される。そして、前記真空ライン９２４による真空吸着力も消滅される。従って、前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａはＰＣＢ９２６の上部に残留して回路を構成し、前記半導体ダイピックアップ装置９１６はもとの位置に戻って次の半導体ダイピックアップのために待機する（Ｓ１０１４）。
【００６３】
このように、前記第４実施例では常磁性体の性質を帯びるマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルム９０６、及び前記マグネチック接着フィルム９０６と引力が作用する電磁石構造のコレット９２０を用いることにより、変形及びクラックの発生なしにベースフィルムからソーイングされた半導体ダイ９１２ａを効果的に分離させることができる。また、第４実施例では前記コレット９２０の内部に真空ライン９２４を形成することにより、前記マグネチック接着フィルム９０６との引力のみに依存する場合に比べ前記ソーイングされた半導体ダイ９１２ａに対するピックアップ効果を倍加させることができると予想される。
【００６４】
上記のように、本発明ではソーイングされた半導体ダイを固定させるためのウェハ接着テープとして、磁性（常磁性または強磁性）性質を帯びるマグネチックフィラーが含まれたマグネチック接着フィルムを適用する。そして、前記ソーイングされた半導体ダイをピックアップするための半導体ダイピックアップ装置として、前記マグネチック接着フィルムと引力が作用する電磁石構造のコレットを適用する。その結果、前記コレットとマグネチック接着フィルムの間の全体面積にわたって均一な引力が作用し、従って、前記マグネチック接着フィルムの上部に位置する半導体ダイにも均一なピックアップ力が作用して、半導体ダイに対する変形及びクラックの発生なしにウェハ接着テープのベースフィルムから半導体ダイを効果的に分離させてピックアップエラーを最小化することができる。
【００６５】
また、従来には半導体ダイのサイズに従い別の半導体ダイピックアップ装置を製造しなければならないとの煩雑さがあった。しかし、本発明では半導体ダイピックアップ装置を半導体ダイに対する信頼性及び作業性の側面から効果を極大化できるデザイン（例えば、完全平面形状及びラウンド形状）に自由に製作可能にすることにより、半導体ダイに対する信頼性及び作業上の効率性を向上させるだけでなく、製造費用の側面からも有利な利点を有する。特に、フリップチップの場合にコレットのコンタクトを鑑みてパッドレススペース（padless space）を中央に残すべきであるが、本発明のように電磁石構造のコレットを適用する場合には従来のような真空ラインを必要としないので、半導体ダイピックアップ装置自体のサイズを一層縮小することにより円滑な作業をすることができる。
【００６６】
従来のように半導体ダイサイズに従い別の半導体ダイピックアップ装置を製造すべきとの煩雑さを解消することにより、製造設備に所要される費用をもっと節減することができる。
また、本発明の第３実施例及び第４実施例のように、前記電磁石構造のコレット内部に真空ラインを形成する場合、マグネチック接着フィルムとの引力のみに依存する場合に比べソーイングされた半導体ダイに対するピックアップ効果がもっと向上される効果を期待することができる。
【００６７】
以上、上述では第１実施例ないし第４実施例を通じて本発明による半導体ダイピックアップ装置及びこれを用いた半導体ダイピックアップ方法を説明した。しかし、ウェハの裏面に付着されるウェハ接着テープなどに関する構成またはソーイングされた半導体ダイをピックアップするための半導体ダイピックアップ装置の構成は上述の実施例に限定されず、本発明の要旨を外れない範囲内でいくらでもその変形が可能である。例えば、本発明に提示されたウェハ接着テープはマグネチックフィラーを含むようにするのが本発明の核心内容である。従って、ウェハ接着テープを構成する全体物質膜の順序及び種類はいくらでも変更可能である。また、本発明に提示された半導体ダイピックアップ装置は従来のゴム材質のコレットの代わりに電磁石構造の金属物質で具現するのが発明の核心内容である。従って、電磁石性質を維持させ得る範囲内でコレット下端またはそのほかの構成成分が付加される。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施例によるウェハ接着テープがウェハの裏面に接着された状態を示す図である。
【図２】フェライト物質が常磁性体に変化される過程を示す図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図３Ｅ】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施例による半導体ダイピックアップ過程を一括的に示すフローチャート図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図５Ｂ】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図５Ｃ】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図５Ｄ】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図５Ｅ】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図６】本発明の第２実施例による半導体ダイピックアップ過程を一括的に示すフローチャート図である。
【図７Ａ】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図７Ｂ】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図７Ｃ】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図７Ｄ】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図７Ｅ】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図８】本発明の第３実施例による半導体ダイピックアップ過程を一括的に示すフローチャート図である。
【図９Ａ】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図９Ｂ】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図９Ｃ】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図９Ｄ】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図９Ｅ】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ装置及びこれによる半導体ダイピックアップ過程を示す図である。
【図１０】本発明の第４実施例による半導体ダイピックアップ過程を一括的に示すフローチャート図である。
【図１１Ａ】ソーイングされた半導体ダイが従来の半導体ダイピックアップ装置によりピックアップされる過程を示す図である。
【図１１Ｂ】ソーイングされた半導体ダイが従来の半導体ダイピックアップ装置によりピックアップされる過程を示す図である。
【図１１Ｃ】ソーイングされた半導体ダイが従来の半導体ダイピックアップ装置によりピックアップされる過程を示す図である。
【符号の説明】
【００６９】
３００：ベースフィルム、３０２：ＵＶフィルム、３０４：マグネチック接着フィルム、３０６：接着テープ、３０８：ウェハ、３１０：切断線、３１２：半導体ダイピックアップ装置、３１４：トランスファヘッド、３１６：コレット、３１８：プロテクションフィルム、３２０：ＰＣＢ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
2008166774.tif 000007
【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
2008166774.tif 000009
【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図９Ｄ】
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【図９Ｅ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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