Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバー内に配置された載置台上に被処理基板を載置させ，高周波電圧を与えることにより処理チャンバー内にプラズマを発生させて，被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって，
前記載置台上に載置された被処理基板の周囲を囲むように配置されるフォーカスリングを備え，
前記フォーカスリングは，前記載置台上に載置された被処理基板の周囲外側に配置された導電性材料からなる外側リング部と，前記載置台上に載置された被処理基板の周縁部下方に所定の間隔を開けて配置された導電性材料からなる内側リング部を備え，
前記内側リング部と前記載置台の間は電気的に絶縁されていることを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記外側リング部と前記内側リング部は，電気的に導通しており，前記外側リング部と前記載置台の間は絶縁されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記外側リング部および前記内側リング部と前記載置台の間に絶縁部材が配置されていることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記外側リング部と前記内側リング部は，一体的に形成されていることを特徴とする，請求項２または３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記載置台上に載置された被処理基板の外周面とそれに対向する前記フォーカスリングの内周面との間隔が，前記内側リング部の上面と前記載置台上に載置された被処理基板の周縁部の下面との間隔よりも広いことを特徴とする，請求項４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記外側リング部および前記内側リング部は，グランドに対して電気的に絶縁されていることを特徴とする，請求項２〜５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記外側リング部と前記内側リング部は，電気的に絶縁されていることを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記外側リング部は，前記載置台に電気的に導通していることを特徴とする，請求項７に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記外側リング部の上面は，前記載置台上に載置された被処理基板の周囲に配置された，外側に向かって次第に高くなる傾斜面部と，前記傾斜面部の外側に連続して形成された水平面部を有することを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
高周波電圧を与えることにより処理チャンバー内にプラズマを発生させて，被処理基板を処理するプラズマ処理装置において，前記処理チャンバー内に配置された載置台上の被処理基板の周囲を囲むように配置されるフォーカスリングであって，
前記載置台上に載置された被処理基板の周囲外側に配置される導電性材料からなる外側リング部と，前記載置台上に載置された被処理基板の周縁部下方に所定の間隔を開けて配置される導電性材料からなる内側リング部を備え，
前記内側リング部と前記載置台の間は電気的に絶縁されていることを特徴とする，フォーカスリング。
【請求項１１】
前記外側リング部と前記内側リング部は，電気的に導通しており，前記外側リング部および前記内側リング部と前記載置台の間を絶縁するための絶縁部材を備えることを特徴とする，請求項１０に記載のフォーカスリング。
【請求項１２】
前記外側リング部と前記内側リング部は，一体的に形成されていることを特徴とする，請求項１１に記載のフォーカスリング。
【請求項１３】
前記載置台上に載置された被処理基板の外周面に対向する内周面に凹部が形成されていることを特徴とする，請求項１２に記載のフォーカスリング。
【請求項１４】
前記外側リング部と前記内側リング部を電気的に絶縁させる絶縁部材を備えることを特徴とする，請求項１０に記載のフォーカスリング。
【請求項１５】
前記外側リング部は，前記載置台に電気的に導通して設置されることを特徴とする，請求項１４に記載のフォーカスリング。
【請求項１６】
前記外側リング部の上面は，前記載置台上に載置された被処理基板の周囲に配置された，外側に向かって次第に高くなる傾斜面部と，前記傾斜面部の外側に連続して形成された水平面部を有することを特徴とする，請求項１０〜１５のいずれかに記載のフォーカスリング。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれかに記載のフォーカスリングと，前記処理チャンバー内において前記載置台上の被処理基板の周囲を囲むように前記フォーカスリングを配置させる支持部材とからなることを特徴とする，フォーカスリング部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置とフォーカスリングおよびフォーカスリング部品
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は，例えば半導体ウエハなどの被処理基板に，エッチング処理等のプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置に関し，更に，プラズマ処理装置に用いられるフォーカスリングとフォーカスリング部品に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
なお，処理チャンバー内に配置された載置台上に被処理基板を載置させ，高周波電圧を与えることにより処理チャンバー内にプラズマを発生させて，被処理基板を処理するプラズマ処理方法であって，前記載置台上に載置された被処理基板の周縁部下方に，前記プラズマで生成されたイオンを被処理基板の周縁部下面に向けて加速させる電界を形成することにより，イオンを被処理基板の周縁部下面に衝突させることを特徴とする，プラズマ処理方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
長尺紐状で弾性を有する芯材に接着剤層を介して導電性外被を被覆する工程と、接着剤層を加熱して芯材と導電性外被を接着する加熱工程と、長尺のガスケットを所定寸法に切断する工程からなるか、或は、長尺紐状で弾性を有する芯材に接着剤層を介して又は介さないで導電性外被を被覆する工程と、長尺のガスケットを所定寸法に切断する工程からなる電磁波シールドガスケットの製造方法において、
上記加熱工程の後で、或は加熱工程を経ずに、切断工程の前に、電磁波シールドガスケットの外面に長さ方向に沿って折れ皺吸収用の溝路を１本又は複数本形成することを特徴とする電磁波シールドガスケットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
即ち、本発明１は、長尺紐状で弾性を有する芯材に接着剤層を介して導電性外被を被覆する工程と、接着剤層を加熱して芯材と導電性外被を接着する加熱工程と、長尺のガスケットを所定寸法に切断する工程からなるか、或は、長尺紐状で弾性を有する芯材に接着剤層を介して又は介さないで導電性外被を被覆する工程と、長尺のガスケットを所定寸法に切断する工程からなる電磁波シールドガスケットの製造方法において、
上記加熱工程の後で、或は加熱工程を経ずに、切断工程の前に、電磁波シールドガスケットの外面に長さ方向に沿って折れ皺吸収用の溝路を１本又は複数本形成することを特徴とする電磁波シールドガスケットの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明は、ガスケットの切断面を規則的な乱れのない平面状に整えることを目的として、弾性を有する芯材を導電性外被で被覆した電磁波シールドガスケットを製造するに際して、長尺状のガスケットを所定寸法に切断する前に予めガスケットの外面に長さ方向に沿って折れ皺吸収用の溝路を形成することを特徴とする。
上記ガスケットの芯材は、ポリウレタンスポンジ、発泡ポリスチレンなどを代表例とする外、任意の材質による弾性発泡体ブロックを使用でき、単純スライス法、或は連続発泡法によって製造される。
従って、単純スライス法で電磁波シールドガスケットを製造する場合、基本的な製造工程は、芯材に接着剤層を介して導電性外被を被覆する成形工程と、接着剤層を加熱して芯材と導電性外被を接着する加熱工程と、切断工程とからなるか、或は、加熱工程を経ないで上記成形工程と切断工程の２工程からなり、要するに、加熱工程の後で、或は加熱工程を経ることなく、切断工程の前に上記折れ皺吸収用の溝路を形成する。また、連続発泡法の場合には、加熱処理の必要がないため、製造工程は上記成形工程と切断工程からなり、加熱工程を経ずに切断工程の前に折れ皺吸収用の溝路を形成する。
芯材の断面形状は長方形や正方形の四角形状を初め、円形、台形、Ｄ形、Ｐ形、Ｌ形などの外、任意の形状をとることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シリコンからなる半導体基板上にゲート酸化膜とポリシリコン膜を形成したゲート配線層のポリシリコン膜のメインエッチング処理の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、
前記ポリシリコン膜のオーバーエッチング処理を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに、炭素原子を含む一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ２ガスのうち少なくとも１つ以上を添加した配合ガスを用いて施す
ことを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１記載のドライエッチング方法であって、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを、０ｅＶよりも大きく４００ｅＶ以下としてオーバーエッチング処理することを特徴とするドライエッチング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、ゲート配線層のドライエッチング時のオーバーエッチングにより発生するＳｉ基板のリセス量を低減し、ゲート配線を垂直に加工することにより、デバイスの信頼性を向上させることを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち、本発明は、シリコンからなる半導体基板上にゲート酸化膜とポリシリコン膜を形成したゲート配線層のメインエッチング処理の後にオーバーエッチング処理を行ってゲート配線加工を行うドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理を、ＨＢｒガスを含むエッチングガスに、炭素原子を含む一般式がＣｘＨｙで表されるガスもしくはＣＯ、ＣＯ２ガスのうち１つ以上を添加した配合ガスを用いて施すことによって達成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
さらに、本発明は、上記ゲート配線層のドライエッチング方法であって、オーバーエッチング処理時にＨＢｒガスに添加する一般式ＣｘＨｙで表されるガスがＣＨ４であり、ＨＢｒガスの２〜２０％の量としてオーバーエッチング処理すること、または、オーバーエッチング処理時に前記ＨＢｒを含むエッチングガスに添加するＡｒガスに配合するガスを炭素原子を含有するガスとすること、もしくは、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを０ｅＶより大きく４００ｅＶ以下としてオーバーエッチング処理すること、または、ＲＦバイアスによりプラズマ中のイオンをＳｉ基板に入射させるエネルギーを１５０ｅＶ〜４００ｅＶとしてオーバーエッチング処理すること、などにより達成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明による追加エッチング処理は、ＨＢｒ＋Ｏ２ガスからなるエッチングガスにＡｒに炭素原子を含有するガスを配合したガスを添加して、マイクロ波５００Ｗ，ＲＦバイアス２０Ｗで行うことで、炭素原子を含む反応生成物がゲート酸化膜１１の表面およびポリシリコン膜１２の側壁に堆積して、入射するイオンがゲート酸化膜１１を透過することを抑制してゲート酸化膜１１下のＳｉ基板１０のリセスの発生を抑え、さらに、低いＲＦバイアスを用いたエッチングによるサイドエッチの発生をも抑制してポリシリコン膜１２の側壁の垂直性を維持することができ、デバイスの信頼性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記インジケータ片に用いる視認性の優れた素材として、橙色、赤色、黄色或いは蛍光色の素材を使用したことを特徴とする請求項４に記載の動作表示機能付き電磁継電器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
スイッチ回路１５の端子１５ｃと端子１５ｆとの間に充電回路１６が接続され、端子１５ｅと端子１５ｈとの間に定格負荷１７が接続されている。また、スイッチ回路１５の端子１５ｄと端子１５ｇとが開放されている。このスイッチ回路１５は、制御端子を有しており、制御端子にＣＰＵ１４からの制御信号が供給され、選択的に所定の端子１５ａ（１５ｂ）と端子１５ｃ、１５ｄ、１５ｅ（１５ｆ、１５ｇ、１５ｈ）の何れかと接続される。つまり、充電時には、端子１５ａに端子１５ｃが接続されると共に、端子１５ｂに端子１５ｆが接続される。また、放電特性測定時には、端子１５ａに端子１５ｅが接続されると共に、端子１５ｂに端子１５ｈが接続される。尚、上述した充電及び放電特性を測定する時以外には、端子１５ａに端子１５ｄが接続され、端子１５ｂに端子１５ｇが接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ケーシング２６は、例えば、１８Φｍｍ（Ｄ）×６５ｍｍ（Ｌ）程度の略円筒状の合成樹脂或いは金属製となされ、直列接続されて互いに半田付けされた複数の電池２ａ、２ｂによって電池セル２が構成され、電池２ａ、２ｂはケーシング２６の長手方向Ｌに沿って収納されている。回路基板２５は略長方形状のプリント配線基板に少なくとも後述するＣＰＵ１４及び不揮発性メモリ３並びに発熱抵抗付温度ヒューズ３０等のＩＣや各種電気部品が搭載されている。回路基板２５は図２（Ａ）及び２図（Ｂ）に示す様に、ケーシング２６内には電池セル２と対抗するように立てた状態にしてケーシング２６の長手方向Ｌに沿って収納され、電池セル２の夫々の始端（−）と終端（＋）並びに中間点（＋、−）は回路基板２５の所定位置にワイヤ２７を介して回路基板２５の電源端子Ｔ１及び中間端子Ｔ２並びに電源端子Ｔ３に半田接続されている。尚、２８はコンピュータ等の電子機器と接続するためのコネクタである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、図１の系統図を説明する。図１に於いて、電池パック１を構成する回路基板２５の電源端子Ｔ１には電池セル２の第１のＬｉＢ２ａの−電極が半田接続され、電源端子Ｔ３には電池セル２の第２のＬｉＢ２ｂの＋電極が半田接続されている。第１及び第２のＬｉＢ２ａ及びＬｉＢ２ｂの＋電極と−電極が半田付けされた中間点は回路基板２６の中間端子Ｔ２に半田接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
回路基板２５の電源端子Ｔ１は発熱抵抗Ｒ１、Ｒ２とヒューズＦ１、Ｆ２からなる発熱抵抗付温度ヒューズ（以下ＳＣＰと記す）３０の１方の端子に接続されると共にＣＰＵ１４の制御端子Ｔ８に接続されている。ＣＰＵ１４は、図示しないが、制御ソフトを内蔵したＲＯＭ及びＲＡＭ等を含んだ構成とされている。ＳＣＰ３０の他方の端子はＣＰＵ１４の電源端子Ｔ６と回路基板２５の出力端子Ｔ４に接続されている。中間端子Ｔ２はＣＰＵ１４の制御端子Ｔ９に接続され、ＳＣＰ３０の発熱抵抗Ｒ１、Ｒ２の直列接続点はスイッチング用のＭＯＳＦＥＴ３１のドレインＤに接続され、ＭＯＳＥＦＴ３１のソースＳは電源端子Ｔ３とＣＰＵ１４の電源端子Ｔ７と回路基板２５の出力端子Ｔ５に接続され、ＭＯＳＦＥＴ３１のゲートＧはＣＰＵ１４の制御端子Ｔ１０に接続されている。ＣＰＵ１４にはＥＥＰＲＯＭの様な不揮発性メモリ３が接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
回路基板２５内のＣＰＵ１４は電池セル２或いは第１及び第２のＬｉＢ２ａ、ＬｉＢ２ｂの電池電圧を測定すると共に回路基板２５から電池セル２が取り外された場合にはＣＰＵ１４からの制御信号に基づきＳＣＰ３０の発熱抵抗Ｒ１、Ｒ２を発熱させて、ヒューズＦ１、Ｆ２を溶断させることで他の種類の電池セル２によって電池パック装置１が再使用されても、充放電を永久的に不可能としている。不揮発性メモリ３には、各種測定データを書き込むと共にこれ等の測定データを読み出すことで、電源電圧低下状態を検出しこの検出データに基づいてＳＣＰ３０を溶断或いは溶断しないように構成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図４（Ａ）、図４（Ｂ）に基づき、本発明の１実施例における通常動作時と電源停止時の制御フローチャートを説明する。図４（Ａ）の破線で示す第４ステップＳ４の通常操作処理の場合は電池セル２の残量計算処理や燃料ゲージ（ＦｕｅｌＧａｕｇｅ）処理等の第５ステップＳ５に移行し、第５ステップＳ５の終了後は第６ステップＳ６に移行する。第６ステップＳ６ではＣＰＵ１４は電池セル２の電圧の低下状態を判定し、電圧が低下していない「ＮＯ」の状態であれば第５ステップＳ５に戻されるが電圧が低下した「ＹＥＳ」の状態では図４（Ｂ）の破線で示される第７ステップＳ７に移行する。従って図４（Ａ）に示す通常動作では、回路基板２５から電池セル２を取り外した場合の停止履歴は残らない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第７ステップＳ７では不揮発性メモリ３に停止履歴書き込みが行われ、第８ステップＳ８に移行して、ＣＰＵ１４の電源停止が行われる。即ち、図３、図４（Ａ）（Ｂ）において、第１ステップＳ１で電池セル２或いは第１及び第２のＬｉＢ２ａ、２ｂの電圧の低下を検出した場合には第２ステップＳ２に移行し、第２ステップＳ２において、電池電圧低下である場合は電源停止が電池電圧低下によることを示す識別値を不揮発性メモリ３に書き込む。この様な制御により、電池セル２の電池電圧が十分な状態で回路基板２５から電池セル２或いは第１及び第２のＬｉＢ２ａＬｉＢ２ｂが外された場合には、不揮発性メモリ３に電池電圧低下による識別値を書き込まれない為に、次回の図３で説明した電源投入時にはＳＣＰ３０のヒューズＦ１、Ｆ２が溶断される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）第一の電極と、（Ｂ）前記第一の電極上に設けられた電子放出部材としての電子放出膜と、（Ｃ）前記電子放出膜と間隔Ｈを隔てて前記電子放出膜の上方に設けられ、かつ、前記電子放出膜の少なくとも一部を露出する開口を備える第二の電極と、を有する電子放出素子であって、
前記第二の電極の面積が前記開口の面積の４倍以上であり、
前記間隔Ｈと前記開口の幅Ｗとの比Ｈ／Ｗが、０．０７以上０．６以下であること
を特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
（Ａ）第一の電極と、（Ｂ）前記第一の電極上に設けられた電子放出部材としての複数の電子放出体と、（Ｃ）前記第一の電極と間隔Ｈを隔てて前記第一の電極の上方に設けられ、かつ、前記第一の電極の少なくとも一部と前記複数の電子放出体の少なくとも一部とを露出する開口を備える第二の電極と、を有する電子放出素子であって、
前記第二の電極の面積が前記開口の面積の４倍以上であり、
前記間隔Ｈと前記開口の幅Ｗとの比Ｈ／Ｗが、０．０７以上０．６以下であること
を特徴とする電子放出素子。
【請求項３】
前記第一の電極と前記第二の電極の間に絶縁層を更に有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記間隔Ｈと開口の幅Ｗの比Ｈ／Ｗが０．２以上０．３６以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記開口は円形であり、
開口の直径である幅Ｗと前記第二の電極の開口の周囲の幅Ｗ’’との関係が
Ｗ’’＞（５１／２−１）／２×Ｗ
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記開口は楕円形であり、
開口の長直径ａ、短直径Ｗと前記第二の電極の開口の周囲の幅Ｗ’’との関係が
Ｗ’’＞ ０．２５×{−（ａ＋Ｗ）＋（ａ２＋Ｗ２＋１８ａＷ）１/２}
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記開口は長方形であり、
開口の長手方向の長さＮと短手方向の幅Ｗと前記第二の電極の開口の周囲の幅Ｗ’’との関係が
Ｗ’’＞０．２５×｛（（Ｎ＋Ｗ）２＋１６Ｗ×Ｎ）１／２−（Ｗ＋Ｎ）｝
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記開口は正方形であり、
開口の一辺の幅Ｗと前記第二の電極の開口の周囲の幅Ｗ’’との関係が
Ｗ’’＞０．２５×｛（２０Ｗ２）１／２−２Ｗ｝
であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項９】
前記電子放出部材は、炭素または炭素化合物を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記炭素または炭素化合物は、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ、グラファイトナノファイバー、及びフラーレンのうちの少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項９に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
複数の電子放出素子と、複数の電子放出素子を共通に接続する配線とを含む電子源であって、前記電子放出素子が請求項１〜１０のいずれかに記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子源と、
前記電子源に対向する第三の電極と、
第三の電極側に配置された発光体と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の画像表示装置と、
テレビ信号を受信して前記画像表示装置に画像データを出力する受信回路と、
を有することを特徴とするテレビジョン装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック端子および出力端子と、
前記クロック端子に入力されるクロック信号を前記出力端子に供給する第１トランジスタと、
それぞれが前記出力端子を放電する第２および第３トランジスタとを備えるシフトレジスタ回路であって、
前記第１、第２および第３トランジスタの制御電極が接続するノードをそれぞれ第１、第２および第３ノードとし、
所定の第１制御信号が入力される第１制御端子と前記第２ノードとの間に接続する第４トランジスタと、
所定の第２制御信号が入力される第２制御端子と前記第３ノードとの間に接続する第５トランジスタと、
前記第１および第２制御信号に基づいて、前記第２および第３トランジスタを交互に駆動する駆動回路をさらに備え、
前記第４および第５トランジスタは、
その片方の主電極がたすき掛けに互いの制御電極に接続されている
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項２】
請求項１記載のシフトレジスタ回路であって、
前記駆動回路は、
前記第１ノードを入力端とし、前記第２ノードを出力端とする第１インバータと、
前記第１ノードを入力端とし、前記第３ノードを出力端とする第２インバータとを含み、
前記第１および第２インバータは、
前記第１および第２制御信号に基づいて交互に活性化する
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項３】
請求項２記載のシフトレジスタ回路であって、
前記第１インバータは、
前記第２ノードと前記第１制御端子との間に接続し、ダイオード接続した第６トランジスタと、
前記第２ノードと第１電源端子との間に接続し、前記第１ノードに接続した制御電極を有する第７トランジスタとを含み、
前記第２インバータは、
前記第３ノードと前記第２制御端子との間に接続し、ダイオード接続した第８トランジスタと、
前記第３ノードと前記第１電源端子との間に接続し、前記第１ノードに接続した制御電極を有する第９トランジスタとを含む
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項４】
請求項２記載のシフトレジスタ回路であって、
前記第１インバータは、
前記第２ノードと第２電源端子との間に接続し、前記第１制御信号が入力される制御電極を有する第６トランジスタと、
前記第２ノードと第１電源端子との間に接続し、前記第１ノードに接続した制御電極を有する第７トランジスタとを含み、
前記第２インバータは、
前記第３ノードと前記第２電源端子との間に接続し、前記第２制御信号が入力される制御電極を有する第８トランジスタと、
前記第３ノードと前記第１電源端子との間に接続し、前記第１ノードに接続した制御電極を有する第９トランジスタとを含む
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項５】
請求項１記載のシフトレジスタ回路であって、
前記駆動回路は、
前記第１ノードを入力端とするインバータと、
前記第１および第２制御信号に基づいて、前記インバータの出力端を前記第２および第３ノードへ交互に電気的に接続させる切替回路とを備える
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項６】
請求項５記載のシフトレジスタ回路であって、
前記切替回路は、
前記インバータの出力端と前記第２ノードとの間に接続し、前記第１制御信号が入力される制御電極を有する第６トランジスタと、
前記インバータの出力端と前記第３ノードとの間に接続し、前記第２制御信号が入力される制御電極を有する第７トランジスタとを含む
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項７】
クロック端子および出力端子と、
前記クロック端子に入力されるクロック信号を前記出力端子に供給する第１トランジスタと、
それぞれが前記出力端子を放電する第２および第３トランジスタとを備えるシフトレジスタ回路であって、
前記第１、第２および第３トランジスタの制御電極が接続するノードをそれぞれ第１、第２および第３ノードとし、
所定の第１および第２制御信号に基づいて、前記第２および第３トランジスタを交互に駆動する駆動回路と、
前記駆動回路が前記第２トランジスタを駆動している間、前記第３トランジスタをオフに固定する手段と、
前記駆動回路が前記第３トランジスタを駆動している間、前記第２トランジスタをオフに固定する手段とを備え、
前記駆動回路は、
前記第２および第３トランジスタを駆動するための一の信号を生成する手段と、
前記第２および第３トランジスタを駆動するための一の信号を前記第２および第３ノードへ交互に供給する切替回路を備える
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項８】
請求項７記載のシフトレジスタ回路であって、
前記駆動回路は、
前記第２および第３トランジスタを駆動するための一の信号を生成する手段は、前記第１ノードを入力端とするインバータであり、
前記切替回路は、前記第１および第２制御信号に基づいて、前記インバータの出力端を前記第２および第３ノードへ交互に電気的に接続させる
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項９】
請求項７または請求項８記載のシフトレジスタ回路であって、
前記第２トランジスタをオフに固定する手段は、
前記第１制御信号が入力される第１制御端子と前記第２ノードとの間に接続する第４トランジスタであり、
前記第３トランジスタをオフに固定する手段は、
前記第２制御信号が入力される第２制御端子と前記第３ノードとの間に接続する第５トランジスタであり、
前記第４および第５トランジスタは、
その片方の主電極がたすき掛けに互いの制御電極に接続されている
ことを特徴とするシフトレジスタ回路。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか記載のシフトレジスタ回路が複数個縦続接続して成るシフトレジスタ回路。
【請求項１１】
請求項１０記載のシフトレジスタ回路をゲート線駆動回路として備える画像表示装置であって、
前記第１および第２制御信号が、
表示画像のフレーム間のブランキング期間にレベルが切り替わるよう制御されている
ことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の画像表示装置であって、
前記第１および第２制御信号が、
表示画像の１フレーム毎にレベルが切り替わるよう制御されている
ことを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図１〜図５において、１は電池ケース、２、２’は蓋、３は正極端子、４は負極端子、５は巻き締め部、６は絶縁部材、Ｙは巻き締め部の蓋側端部、Ｘは巻き締め部のケース側端部である。これらの電池において、正極端子３および負極端子４は、絶縁部材６を介して蓋２に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の位置決め部に基板を搬入するステップと、
搬入された基板が、前記位置決め部に到達し、位置決めされたことを検知するステップと、
基板到達が検知されると、ウェハテーブル上にセットされているウェハ部品の良否を認識するステップと、
良品と認識されたウェハ部品を吸着し、位置決めされた前記基板に搭載するステップと、
ウェハ部品が搭載された基板を搬出するステップと、を含む部品搭載方法において、
基板の到達が検知されるまでの待機中に、ウェハテーブル上の未認識のウェハ部品の良否を認識する動作を繰り返すステップと、
認識結果を認識データとしてメモリに保存するステップと、
保存されている認識データに基づいて、次に到達した基板に搭載するウェハ部品の吸着を行なうステップと、を含むことを特徴とする部品搭載方法。
【請求項２】
所定の位置決め部に基板を搬入し、搬出する搬送手段と、
該搬送手段により搬入された基板が、前記位置決め部に到達し、位置決めされたことを検知する基板検知センサと、
該基板検知センサにより基板到達が検知されると、ウェハテーブル上にセットされているウェハ部品の良否を認識する部品認識手段と、
該部品認識手段により良品と認識されたウェハ部品を吸着し、位置決めされた前記基板に搭載する搭載ヘッドとを備えていると共に、前記搬送手段により、ウェハ部品が搭載された基板を搬出する部品搭載装置において、
前記基板検知センサにより、基板の到達が検知されるまでの待機中に、前記部品認識手段によりウェハテーブル上の未認識のウェハ部品の良否を認識する動作を繰り返し、その結果を認識データとしてメモリに保存すると共に、保存されている認識データに基づいて、次に到達した基板に搭載するウェハ部品の吸着を行なう制御手段を備えたことを特徴とする部品搭載装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、部品搭載方法において、所定の位置決め部に基板を搬入するステップと、搬入された基板が、前記位置決め部に到達し、位置決めされたことを検知するステップと、基板到達が検知されると、ウェハテーブル上にセットされているウェハ部品の良否を認識するステップと、良品と認識されたウェハ部品を吸着し、位置決めされた前記基板に搭載するステップと、ウェハ部品が搭載された基板を搬出するステップと、を含む部品搭載方法において、基板の到達が検知されるまでの待機中に、ウェハテーブル上の未認識のウェハ部品の良否を認識する動作を繰り返すステップと、認識結果を認識データとしてメモリに保存するステップと、保存されている認識データに基づいて、次に到達した基板に搭載するウェハ部品の吸着を行なうステップと、を含むようにしたことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、又、部品搭載装置において、所定の位置決め部に基板を搬入し、搬出する搬送手段と、該搬送手段により搬入された基板が、前記位置決め部に到達し、位置決めされたことを検知する基板検知センサと、該基板検知センサにより基板到達が検知されると、ウェハテーブル上にセットされているウェハ部品の良否を認識する部品認識手段と、該部品認識手段により良品と認識されたウェハ部品を吸着し、位置決めされた前記基板に搭載する搭載ヘッドとを備えていると共に、前記搬送手段により、ウェハ部品が搭載された基板を搬出する部品搭載装置において、前記基板検知センサにより、基板の到達が検知されるまでの待機中に、前記部品認識手段によりウェハテーブル上の未認識のウェハ部品の良否を認識する動作を繰り返し、その結果を認識データとしてメモリに保存すると共に、保存されている認識データに基づいて、次に到達した基板に搭載するウェハ部品の吸着を行なう制御手段を備えたことにより、同様に前記課題を解決したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、基板毎にウェハ部品の良否を判定した後に良品を吸着・搭載する動作以外に、基板の待機中に繰り返し収集した複数のウェハ部品の認識データに基づいて、吸着・搭載をできるようにしたことにより、ウェハ部品が搭載された基板製品の生産タクトを短縮し、生産効率を向上することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともセラミックと、Ｓｉを含有するガラスとを含むセラミック積層体を焼結してなるセラミック積層デバイスであって、
前記セラミック積層デバイスはＡｇを含む内部電極を有し、
前記内部電極からの距離が５μｍ以下の範囲におけるＳｉ元素濃度（Ａ）と、前記内部電極からの距離が５μｍより離れた範囲におけるＳｉ元素濃度（Ｂ）の比である（Ａ）／（Ｂ）が、２以下であることを特徴とするセラミック積層デバイス。
【請求項２】
少なくともセラミックと、Ｓｉを含有するガラスと、ＺｎＯを含むセラミック積層体を焼結してなるセラミック積層デバイスであって、
前記セラミック積層デバイスはＡｇを含む内部電極を有し、
前記内部電極からの距離が５μｍ以下の範囲におけるＺｎ元素濃度（Ｃ）と、前記内部電極からの距離が５μｍより離れた範囲におけるＺｎ元素濃度（Ｄ）の比である（Ｃ）／（Ｄ）が、４以下であることを特徴とするセラミック積層デバイス。
【請求項３】
前記焼結後の厚みが１５μｍ以上の前記内部電極を少なくとも一層以上含むことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項４】
前記焼結後の厚みが１０μｍ以下の前記内部電極を少なくとも一層以上含むことを特徴とする請求項３記載のセラミック積層デバイス。
【請求項５】
前記ガラス中にＺｎＯを含有することを特徴とした請求項１または２のいずれか１項に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項６】
前記ガラスはＳｉ−アルカリ土類金属−Ｌａ−Ｏ系であることを特徴とした請求項１または２のいずれか１項に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項７】
前記セラミックはＢａ−希土類元素−Ｔｉ−Ｂｉ−Ｏを含むことを特徴とした請求項１または２のいずれか１項に記載のセラミック積層デバイス。
【請求項８】
請求項１または２のいずれか１項に記載のセラミック積層デバイスの製造方法であって、前記セラミック積層デバイスの焼成時の酸素濃度を１０ｖｏｌ％以下とするセラミック積層デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記処理室で行われる処理の種別は少なくとも，前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがあることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記各クリーニングレシピはそれぞれ，少なくとも実行時間と処理室内温度を含み，
前記処理の種別が前記処理室内状態調整処理の場合における前記クリーニングの実行時間と処理室内温度のうちの一方又は両方は，前記プロセス処理で必要となる処理室内の状態に応じて設定されることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記処理室で行われる処理の種別は少なくとも，前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがあり，
前記設定情報記憶手段には，少なくとも前記処理の種別ごとにクリーニングタイミングが別々に記憶されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置のクリーニング方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また，上記処理室で行われる処理の種別としては，例えば処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して前記処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがある。この場合には，上記設定情報記憶手段には，少なくとも前記処理の種別ごとにクリーニングレシピが別々に記憶される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このようなクリーニングレシピは例えば実行時間と処理室内温度を含み，前記処理室内状態調整処理後に行う前記クリーニングの実行時間と処理室内温度のうちの一方又は両方は，前記プロセス処理で必要となる処理室内の状態に応じて設定される。これによれば，処理室内の状態に応じた最適なクリーニングを実行することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また，上記処理室で行われる処理の種別は少なくとも，前記処理室内にプロセス処理用基板を搬入して行うプロセス処理と，前記プロセス処理を行う前に前記処理室内に調整用基板を搬入して処理室内の状態を調整する処理室内状態調整処理とがある。この場合，上記設定情報記憶手段には，少なくとも前記処理の種別ごとにクリーニングタイミングが別々に記憶される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が収納された基板収納容器の開口部にキャップが装着されることで
側壁内面に形成される一対の奥側位置決め部によって基板が挟みこまれた基板収納容器の開口部からキャップを取り外す工程と、
前記開口部から前記基板収納容器内に収納された基板の下側に、基板載置部と、前記載置部より先端側に配置され前記載置部の載置面との夾角が直角または鋭角に設定された基板引っ掛け部とを備えた基板載置プレートを挿入する工程と、
前記基板の前記基板収納容器内の奥側の周縁部を前記基板引っ掛け部にて引っ掛けるとともに前記位置決め部から取り外された前記基板を前記載置部に載置し、前記基板載置プレートを前記基板収納容器内から引き出す工程と、を有する基板の搬送方法。
【請求項２】
基板が収納された基板収納容器の開口部にキャップが装着されることで
側壁内面に形成される一対の奥側位置決め部によって基板が挟みこまれた基板収納容器の開口部からキャップを取り外す工程と、
前記開口部から前記基板収納容器内に収納された基板の下側に、基板載置部と、前記載置部より先端側に配置され前記載置部の載置面との夾角が直角または鋭角に設定された基板引っ掛け部とを備えた基板載置プレートを挿入する工程と、
前記基板の前記基板収納容器内の奥側の周縁部を前記基板引っ掛け部にて引っ掛けるとともに前記位置決め部から取り外された前記基板を前記載置部に載置し、前記基板載置プレートを前記基板収納容器内から引き出す工程と、
前記基板を処理室に搬入し、処理する工程とを有するＩＣの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインと接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と対応して前記ゲート絶縁膜上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成された酸化防止層と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲートラインと交差するように形成されたデータライン、前記データラインに接続され前記酸化防止層上に形成されたソース電極、及び前記ソース電極と離隔されて前記酸化防止層上に形成されたドレイン電極を含むデータ配線と、
前記データ配線を覆い、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続される画素電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記酸化防止層は、シリサイド層であることを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記シリサイド層を形成する金属は、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、コバルト（Ｃｏ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バナジウム（Ｖ）、及びタングステン（Ｗ）からなる群より選択されたいずれか一つ以上の金属を含むことを特徴とする請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記酸化防止層は、１ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする請求項２記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記データ配線は、
インジウム酸化物からなる第１データ配線層と、
前記第１データ配線層上に形成され、銀（Ａｇ）からなる第２データ配線層と、
前記第２データ配線層上に形成され、インジウム酸化物からなる第３データ配線層と、を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
前記第１データ配線層及び前記第３データ配線層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記第１データ配線層及び前記第３データ配線層は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）からなることを特徴とする請求項５記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記ゲート配線は、
インジウム酸化物からなる第１ゲート配線層と、
前記第１ゲート配線層上に形成され、銀（Ａｇ）からなる第２ゲート配線層と、 
前記第２ゲート配線層上に形成され、インジウム酸化物からなる第３ゲート配線層と、を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記第１ゲート配線層及び前記第３ゲート配線層は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）及びインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）より選択されたいずれか一つからなることを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、ゲートライン及び前記ゲートラインに接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記ゲート配線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート電極と対応して前記ゲート絶縁膜上に形成された活性層と、
前記活性層上に形成されたシリサイド層と、
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲートラインと交差するように形成されたデータラインと、前記データラインに接続され前記シリサイド層上に形成されたソース電極、及び前記ソース電極と離隔されて前記シリサイド層上に形成されたドレイン電極を含み、インジウム酸化物、銀、及びインジウム酸化物が順次積層された３層膜構造を有するデータ配線と、
前記データ配線を覆い、前記ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記コンタクトホールを通して前記ドレイン電極と接続される画素電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  流体が充填される流体室を有するケーシングと、該ケーシングに対して相対回転自在に前記流体室内に収容される回転部材と、該回転部材の外周面に軸方向に沿って前記流体室の内周面に向かって突出するように形成された羽根と、該羽根の先端部ないしその近傍において該羽根の第１側面側と第２側面側との間で流体の移動を許容する流体通路と、前記羽根に設けられ前記流体通路を開閉する弁体とを有し、該弁体は、前記流体通路を閉塞可能位置に配設される弁部と、該弁部を前記流体通路を閉じる方向に付勢するばね部とが一体に形成されてなり、前記弁部は、前記回転部材の第１方向への回転時に、前記羽根の前記第１側面側の流体の圧力により前記ばね部の付勢力に抗して前記流体通路を開き、前記回転部材の回転停止時に、前記ばね部の付勢力により前記流体通路を閉じ、第２方向への回転時には、前記ばね部の付勢力と第２側面側の流体の圧力により前記流体通路を閉塞していることを特徴とする回転ダンパ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この回転ダンパの場合、回転部材５の外周面に突設され先端面に切欠１０２を有する羽根１６と、円弧部１０５と半径部１０６とを有する平面略Ｌ字状に形成され、少なくとも前記羽根１６の先端面を被覆する弁体２２との間に、該弁体２２とは別体に形成されたばね部材１０７が設けられている。そして、該ばね部材１０７は、図２２に示すような状態では、前記羽根１６のダンピング力発揮方向側の側面１０８に沿って設けられる前記半径部１０６を該側面１０８に密着させる方向に付勢し、前記回転部材５が矢印Ａで示す反時計方向、即ち空転方向に回転する場合には、粘性流体の圧力によりその後述する舌片１１０が該回転部材５の回転方向Ａとは逆方向（時計方向）に変形して、前記半径部１０６を前記側面１０８から離間させるように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の回転ダンパは、流体が充填される流体室を有するケーシングと、該ケーシングに対して相対回転自在に前記流体室内に収容される回転部材と、該回転部材の外周面に軸方向に沿って前記流体室の内周面に向かって突出するように形成された羽根と、該羽根の先端部ないしその近傍において該羽根の第１側面側と第２側面側との間で流体の移動を許容する流体通路と、前記羽根に設けられ前記流体通路を開閉する弁体とを有し、該弁体は、前記流体通路を閉塞可能位置に配設される弁部と、該弁部を前記流体通路を閉じる方向に付勢するばね部とが一体に形成されてなり、前記弁部は、前記回転部材の第１方向への回転時に、前記羽根の前記第１側面側の流体の圧力により前記ばね部の付勢力に抗して前記流体通路を開き、前記回転部材の回転停止時に、前記ばね部の付勢力により前記流体通路を閉じ、第２方向への回転時には、前記ばね部の付勢力と第２側面側の流体の圧力により前記流体通路を閉塞しているようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面シートの向こう側が透視可能な透明部と、発光部を備える透視性を有する発光シート。
【請求項２】
発光部が第１透明電極層、発光層及び第２透明電極層からなる請求項１記載の発光シート。
【請求項３】
前記第１透明電極層及び前記第２透明電極層の少なくともいずれかがストライプ形状である請求項２記載の発光シート。
【請求項４】
部分的に透視制御層からなる透視制御部を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光シート。
【請求項５】
前記透視制御層が、着色導電材又は着色インクによって設けられたものである請求項４記載の発光シート。
【請求項６】
誘電体層を有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光シート。
【請求項７】
少なくとも、前記発光層、透視制御層及び誘電体層がマトリックス状に配置されている請求項６記載の発光シート。
【請求項８】
前記第１透明電極層及び第２透明電極層が共にストライプ形状であり、相互のストライプ形状が平行になっていない請求項２〜７のいずれか１項に記載の発光シート。
【請求項９】
パターニングにより作製される請求項１〜８のいずれか１項に記載の発光シート。
【請求項１０】
パターニングが、マスキングテープを用いて、又はスクリーン印刷、インクジェット印刷もしくはグラビア印刷により行われている請求項９記載の発光シート。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の発光シートに平面シートの向こう側が透視可能な透明部を残すように印刷が施されている発光性装飾材。
【請求項１２】
第１透明基材上に、少なくとも、第１透明電極層及び発光層を形成させて第１積層体を作製し、別に、第２透明基材上に、少なくとも、第２透明電極層を形成させて第２積層体を作製し、第１積層体と第２積層体を接合させることを特徴とする、請求項２記載の透視性を有する発光シートの製造方法。
【請求項１３】
第１積層体の発光層上に誘電体層を形成させた後、第２積層体と接合させる請求項１２記載の製造方法。
【請求項１４】
少なくとも、前記発光層及び誘電体層がマトリックス状に配置されるようにパターニングを行う請求項１３記載の製造方法。
【請求項１５】
パターニングを、マスキングテープを用いて、又はスクリーン印刷、インクジェット印刷もしくはグラビア印刷により行う請求項１４記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人間の足底アーチに対応する形状を有し、かつ足底アーチの横アーチの頂点に対応する部分に凸部を有する足底板を、靴底又は靴底に敷くインソールに位置合わせして装着する足底板の装着方法であって、
前記足底板の前記凸部と対応する形状を有し、かつ前記凸部の頂点に対応する位置に転写手段を有する凸部材を、前記転写手段の位置が横アーチの頂点の位置と一致するように人間の足底に貼着する工程と、
前記凸部材を貼着した状態で、足底を靴底又はインソールに位置合わせして押圧することで、前記転写手段によって横アーチの頂点の位置を靴底又はインソールに転写する工程と、
靴底又はインソールに転写された横アーチの頂点の位置と、前記足底板の前記凸部の頂点の位置が一致するように、前記足底板を靴底又はインソールに位置合わせして装着する工程とを含む足底板の装着方法。
【請求項２】
前記転写手段が前記凸部材の底面に設けられており、前記凸部材を人間の足底に貼着する工程において、前記凸部材の底面が露出するように貼着する請求項１に記載の足底板の装着方法。
【請求項３】
前記転写手段が前記凸部材の底面に設けられた突起である請求項２に記載の足底板の装着方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
Ｘ線管球部５とＸ線検出部６はアーム４により保持され、これらは回転駆動部７により回転軸Ｃを中心に回転運動を行う。Ｘ線照射については、制御部８がＸ線曝射信号を出力してＸ線発生装置を制御し、Ｘ線管球部５からＸ線ｘを曝射する。また、曝射に同期してＸ線検出部６を制御して、Ｘ線検出部６により乳房を透過したＸ線ｘを例えば制御部８内のメモリに画像データとして取り込む。乳房の３６０°の方向からの画像データが得られた後に、画像処理部９により三次元画像が再構成される。