Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技の進行を制御するマイクロプロセッサを備えた主制御基板と、該主制御基板に種々の電圧を供給する電源基板と、を備えたパチンコ機であって、
前記主制御基板には、
前記電源基板から供給される前記種々の電圧から前記マイクロプロセッサの作動電圧を作成するレギュレータと、
該レギュレータの近傍に配置され、予め定めた帯域の高周波を検出する電波検出スイッチと、
前記電源基板から供給される前記種々の電圧の低下を監視し、予め定めた電圧まで低下すると、停電予告として停電予告信号を前記マイクロプロセッサに出力する停電監視回路と、
を備え、
前記停電監視回路は、さらに、
前記電波検出スイッチからの検出信号を監視し、当該電波検出スイッチが前記予め定めた帯域の高周波を検出すると、前記検出信号を前記停電予告信号として前記マイクロプロセッサに出力し、
前記マイクロプロセッサは、
前記停電監視回路から前記停電予告信号が入力されると、当該マイクロプロセッサの内蔵ＲＡＭに記憶されている情報を数値とみなしてその合計を算出する停電予告時サム値算出制御手段と、
該停電予告時サム値算出制御手段が算出した値を前記内蔵ＲＡＭに記憶する停電予告時サム値記憶制御手段と、
リセット時に前記内蔵ＲＡＭに記憶されている情報を数値とみなしてその合計を算出するリセット時サム値算出制御手段と、
該リセット時サム値算出制御手段が算出した値と、前記停電予告時サム値記憶制御手段が記憶した値と、を比較判定するサム値比較判定制御手段と、
前記内蔵ＲＡＭに記憶されている情報を消去する情報消去制御手段と、
当該マイクロプロセッサの内蔵ＲＯＭから初期情報を読み出す初期情報読出制御手段と、
該初期情報読出制御手段が読み出した前記初期情報を前記内蔵ＲＡＭに記憶する初期情報記憶制御手段と、
前記サム値比較判定制御手段により、前記リセット時サム値算出制御手段が算出した値と、前記停電予告時サム値記憶制御手段が記憶した値と、が一致していると判定されたときには前記内蔵ＲＡＭに記憶されている情報に基づいて復帰する第１の復帰制御手段と、
前記サム値比較判定制御手段により、前記リセット時サム値算出制御手段が算出した値と、前記停電予告時サム値記憶制御手段が記憶した値と、が一致していないと判定されたときには、前記情報消去制御手段により前記内蔵ＲＡＭに記憶されている情報を消去した後、前記初期情報読出制御手段により前記内蔵ＲＯＭから読み出された前記初期情報を前記初期情報記憶制御手段により前記内蔵ＲＡＭに記憶し、その記憶された当該初期情報に基づいて復帰する第２の復帰制御手段と、
を備えることを特徴とするパチンコ機。
【請求項２】
前記停電監視回路は、前記電波検出スイッチが取り除かれたときには前記停電予告信号を出力した状態となることを特徴とする請求項１に記載のパチンコ機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパチンコ機であって、
前記パチンコ機と、当該パチンコ機の外部と、を電気的に接続する外部端子板
を備え、
前記外部端子板は、前記停電監視回路からの前記停電予告信号を、直接及び／又は前記マイクロプロセッサを介して、前記パチンコ機の外部に出力することを特徴とするパチンコ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（解決手段３）
解決手段１又は２に記載のパチンコ機であって、前記パチンコ機と、当該パチンコ機の外部と、を電気的に接続する外部端子板を備え、前記外部端子板は、前記停電監視回路からの前記停電予告信号を、直接及び／又は前記マイクロプロセッサを介して、前記パチンコ機の外部に出力することを特徴とするパチンコ機。外部端子板は、ホールに設置されたホールコンピュータと電気的に接続されており、停電予告信号がホールコンピュータに入力されると、パチンコ機の停電又は瞬停、その発生回数等を監視することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（解決手段４）
解決手段１〜３のいずれかに記載のパチンコ機であって、ベース部材と、該ベース部材に組み合わされるカバー部材と、の間に前記主制御基板が収容される基板ボックスを備え、前記基板ボックスは、封印ねじを用いて前記ベース部材と前記カバー部材とを相互に締結することで封印され、前記基板ボックスを開封する開封部に切除部が設けられ、該開封部を切断する際に、該切除部が切除されることを特徴とするパチンコ機。例えば主制御基板から電波検出スイッチを取り除いて高周波による不正行為を試みようとしても、基板ボックスを開封しない限り、主制御基板を直接触れることができない。このとき、切除部が切除されるため、主制御基板が不正に改変されても、切除部を目視することによって、改変の有無を確認することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の請求項１においては、高周波による不正行為を防止することができる。本発明の請求項２においては、停電監視回路から停電予告信号が出力した状態となることによって、パチンコ機はいつまで経っても機遊を開始しない状態にすることができ、不正対策となる。本発明の請求項３においては、パチンコ機の停電又は瞬停、その発生回数等を監視することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベッド（Ｂ）の側部に装着して使用する介助装置（１）において、ベッド（Ｂ）の嵌合孔（ｈ，ｈ）に装着される基部フレーム（２）を備え、この基部フレーム（２）にはベッド（Ｂ）上で仰臥する使用者（Ｕ）の腰部またはベッド（Ｂ）の腰受と背受の屈曲部の側部に位置する支柱（５）と、ベッド（Ｂ）の脚側端部に位置する支柱（６）が一体に形成されており、前記支柱（５）には支柱（５）周りに回動自在となるよう第一回動手摺部（３）を設け、前記支柱（６）の上端にはベッド（Ｂ）の長手方向に略平行な水平軸周りに回動自在となるよう第二回動手摺部（４）を設け、これらの回動手摺部（３），（４）は所定の角度で固定できるようにロック装置（１８），（３８）がそれぞれ具備されており、これらの回動手摺部（３），（４）により少なくともベッド（Ｂ）側部を閉塞する状態と、前記第一回動手摺部（３）をベッド（Ｂ）の外方に回動するとともに、前記第二回動手摺部（４）を垂下した状態から上方回動することによりベッド（Ｂ）の使用者（Ｕ）の腰部から足先までの側方が開放された状態となるよう構成したことを特徴とする介助装置（１）。
【請求項２】
上記第一回動手摺部（３）を基部フレーム（２’）に具備し、上記第二回動手摺部（４）を別の基部フレーム（２’）に具備したことを特徴とする請求項１に記載の介助装置（１）。
【請求項３】
ベッド（Ｂ）の側部に装着され、ベッド（Ｂ）の脚部側にベッド（Ｂ）の長手方向に略平行な水平軸周りに回動自在な第二回動手摺部（４）と、この第二回動手摺部（４）に隣接するとともに垂直軸周りに回動自在な第一回動手摺部（３）と、この第一回動手摺部（３）に隣接するサイドレール（Ｓ）によってベッド（Ｂ）の側部全面を閉塞可能に構成したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の介助装置（１）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、請求項１の発明では、ベッドＢの側部に装着して使用する介助装置１において、ベッドＢの嵌合孔ｈ，ｈに装着される基部フレーム２を備え、この基部フレーム２にはベッドＢ上で仰臥する使用者Ｕの腰部またはベッドＢの腰受と背受の屈曲部の側部に位置する支柱５と、ベッドＢの脚側端部に位置する支柱６が一体に形成されており、前記支柱５には支柱５周りに回動自在となるよう第一回動手摺部３を設け、前記支柱６の上端にはベッドＢの長手方向に略平行な水平軸周りに回動自在となるよう第二回動手摺部４を設け、これらの回動手摺部３，４は所定の角度で固定できるようにロック装置１８，３８がそれぞれ具備されており、これらの回動手摺部３，４により少なくともベッドＢ側部を閉塞する状態と、前記第一回動手摺部３をベッドＢの外方に回動するとともに、前記第二回動手摺部４を垂下した状態から上方回動することによりベッドＢの使用者Ｕの腰部から足先までの側方が開放された状態となるよう構成したことを特徴とする。
また、請求項２の発明では、上記第一回動手摺部３を基部フレーム２’に具備し、上記第二回動手摺部４を別の基部フレーム２’に具備したことを特徴とする。
さらに、請求項３の発明では、ベッドＢの側部に装着され、ベッドＢの脚部側にベッドＢの長手方向に略平行な水平軸周りに回動自在な第二回動手摺部４と、この第二回動手摺部４に隣接するとともに垂直軸周りに回動自在な第一回動手摺部３と、この第一回動手摺部３に隣接するサイドレールＳによってベッドＢの側部全面を閉塞可能に構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記第一回動手摺部３は、中空パイプをループ状に湾曲させた手摺枠体１４と、該手摺本体１４の継ぎ合わせ部に固着され下面に前記菊座受部５ａの歯列と噛み合う歯列１５ａを有する筒状の基部１５からなる。第一回動手摺部３は、この筒状の基部１５を前記菊座受部５ａと一体の嵌合軸部９に嵌合することにより該嵌合軸部９周りに回動可能に基部フレーム２に取り付けられる。なお、１６はスカートであり、この菊座受部５ａと歯列１５ａとの間に異物が入り込まないようにするものである。また、１７は手摺プレートであって、ベッドＢの使用者Ｕの手や布団などが不用意にベッドＢからはみ出さないようにするためのものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記第二回動手摺部４は、中空パイプをループ状に湾曲させた手摺本体２７と、該手摺本体２７の継ぎ合わせ部に固着され反第一回動手摺部３側に回動軸受２６の爪部２６ｄ，２６ｄ，・・・に噛合する爪部２８ａ，２８ａ，・・・を有する筒状の基部２８からなる。さらに、この基部２８内には段付軸２９が一体となるように固着されている。なお、３０は手摺プレートである。この手摺プレート３０も前記第一回動手摺部３の手摺プレート１７と同様に、ベッドＢの使用者Ｕの手や布団などが不用意にベッドＢからはみ出さないようにするためのものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を貯留する受け皿と、前記受け皿の下流側に設けられ、前記受け皿に貯留された遊技球を所定数取り込む取込手段と、前記取込手段を作動させるべく操作されるベット操作手段と、前記ベット操作手段の操作に基づき前記取込手段を作動させると共に前記取込手段が所定数の遊技球を取り込むことに基づき前記取込手段を停止させる取込制御手段とを備えた遊技機において、
前記取込手段が、上下方向に延びる取込通路と、前記取込通路に導入された遊技球を検出するメインセンサと、前記メインセンサよりも下方に設けられ、前記取込通路に導入された遊技球を検出するサブセンサと、前記取込制御手段にて駆動制御され、前記メインセンサよりも上方で前記取込通路への遊技球の流下を規制する開閉部材とを有し、
前記取込制御手段が、前記メインセンサによる遊技球検出数を計数する第１の計数手段と、前記サブセンサによる遊技球検出数を計数する第２の計数手段と、前記第１の計数手段が計数した前記メインセンサによる遊技球検出数と前記第２の計数手段が計数した前記サブセンサによる遊技球検出数を照合して一致していないことに基づき取込エラー制御を行う取込エラー制御手段と、前記メインセンサによる遊技球検出結果に基づき前記サブセンサによる遊技球検出数が前記第２の計数手段にて計数される計数可能状態を発生させる一方、前記メインセンサの遊技球検出結果が得られてから所定期間経過することに基づき前記計数可能状態を終了させ、かつ、前記所定期間経過前であっても前記サブセンサが遊技球を検出した場合には、前記第２の計数手段に前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させると共に前記計数可能状態を終了させる計数制御手段とを備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記計数可能状態における前記サブセンサの遊技球検出結果に基づいてのみ前記第２の計数手段が前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させ、前記計数可能状態と異なる非計数可能状態における前記サブセンサの遊技球検出結果に基づいては前記第２の計数手段が前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させない請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記計数制御手段が、
前記計数可能状態の継続し得る所定期間を計測する計時手段と、
前記メインセンサの遊技球検出結果に基づき前記計時手段を作動させる計時作動手段と、
前記サブセンサの遊技球検出結果に基づき前記計時手段が作動しているか否かを判定する計時作動判定手段と、
前記計時作動判定手段による前記計時手段が作動しているとの肯定判定に基づき前記計時手段を停止させる計時停止手段と、
を備え、
前記第２の計数手段が、前記計時作動判定手段による前記計時手段が作動しているとの肯定判定基づき前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させる請求項１に記載の遊技機。
【請求項４】
前記計数制御手段が、
前記計数可能状態の継続し得る所定期間を計測する計時手段と、
前記メインセンサの遊技球検出結果に基づき前記計時手段を作動させる計時作動手段と、
前記計時手段の作動・非作動に関する計時情報として差分情報を格納する計時情報記憶手段と、
前記サブセンサの遊技球検出結果に基づき前記計時手段が作動しているか否かを判定する計時作動判定手段と、
前記メインセンサの遊技球検出結果に基づき前記差分情報に対して加算更新処理を行う加算更新機能、前記メインセンサの遊技球検出結果が得られてから所定期間経過して前記計時手段が停止することに基づき前記差分情報を初期化して初期情報に更新するリセット処理を行うリセット機能、および、前記計時作動判定手段による前記計時手段が作動しているとの肯定判定に基づき前記差分情報に対して減算更新処理を行う減算更新機能を有する計時情報制御手段と、
前記計時情報制御手段の前記減算更新処理により前記差分情報が前記初期情報に更新されることに基づき前記計時手段を停止させる計時停止手段と、
を備え、
前記第２の計数手段が、前記計時作動判定手段による前記計時手段が作動しているとの肯定判定に基づき前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させる請求項１に記載の遊技機。
【請求項５】
前記計数制御手段が、
前記計数可能状態の継続し得る所定期間を計測する複数の計時手段と、
前記計時手段を作動させる計時作動手段と、
前記複数の計時手段の各々の作動・非作動に関する複数の計時情報を格納する計時情報記憶手段と、
前記メインセンサの遊技球検出結果に基づき、前記複数の計時手段のうち非作動の計時手段の中から前記計時作動手段により作動させる計時手段を選択する第１の計時選択手段と、
前記サブセンサの遊技球検出結果に基づき前記複数の計時手段の各々が作動しているか否かを判定する計時作動判定手段と、
前記複数の計時手段の各々を停止させる計時停止手段と、
前記計時作動判定手段による前記複数の計時手段のいずれかが作動しているとの肯定判定に基づき、前記複数の計時手段から前記計時停止手段により停止させる計時手段を選択する第２の計時選択手段と、
計時情報記憶手段に格納された前記複数の計時情報のうち前記第１の計時選択手段が選択した計時手段に対応する計時情報を当該計時手段が非作動であることを表す非作動情報から当該計時手段が作動していることを表す作動情報に更新する一方、前記計時情報記憶手段に格納された前記複数の計時情報のうち前記第２の計時選択手段が選択した計時手段に対応する計時情報を前記作動情報から前記非作動情報に更新する計時情報制御手段と、
を備え、
前記第２の計数手段が、前記計時作動判定手段による前記複数の計時手段のいずれかが作動しているとの肯定判定に基づき前記サブセンサによる遊技球検出数を増加させる請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信した符号分割多元接続（ＣＤＭＡ）信号において複数のユーザデータ通信を検出するマルチユーザ検出器および方法であって、
前記複数のユーザデータ通信の各々において各シンボルと対応するインパルス推算値を取得する手段と、
前記それぞれのインパルス応答推算値から前記複数のユーザデータ通信の各々についてシステム送信応答行列を組み立てる手段と、
拡散率グループに基づいて前記システム送信応答行列から総システム応答行列を構築する手段と、
前記総システム応答行列を用いて前記受信したＣＤＭＡ信号をフィルタして推定データ出力をもたらす手段と、
前記総システム応答行列から目的行列を形成する手段と、
前記目的行列を反転する手段と、
前記反転した目的行列を用いて前記推定出力を乗算して前記複数のユーザデータ通信に対応するユーザデータをもたらす手段と
を備えるマルチユーザ検出器および方法。
【請求項２】
配列された総システム送信応答行列を組み立てることは、
トップおよびボトムオフセットについて前記総システム応答行列の各列を調べることと、
大きいボトムオフセットで小さいトップオフセットを有する前記列から、小さいボトムオフセットで大きいトップオフセットを有する前記列までに基づいてそれぞれ、１からｎまでのインデックス値を前記調べた列の各々に割り当てることと、
増大する大きさに従って前記インデックス値により前記調べた総システム応答行列の列を再配列することと
をさらに備える請求項１記載のマルチユーザ検出器方法。
【請求項３】
割り当てる前記手段は、
第１の列が第２の列よりも大きいトップオフセットおよびボトムオフセットを有する場合、２つの列についてのトップオフセット間の差およびボトムオフセット間の差を得る手段と、
前記トップオフセットの差および前記ボトムオフセットの差を比較してより大きいトップオフセットまたはボトムオフセットの差をもたらす手段と、
前記トップオフセットの差が前記ボトムオフセットの差よりも大きい場合、より大きいトップオフセットの差を有する前記列に、より低いインデックス値を割り当てる手段と
をさらに特徴とする請求項３記載のマルチユーザ検出器。
【請求項４】
比較する前記手段は、前記ボトムオフセットの差が前記トップオフセットの差よりも大きい場合、より大きいボトムオフセットの差を有する前記列に、より低いインデックス値を割り当てる手段をさらに特徴とする請求項３記載のマルチユーザ検出器。
【請求項５】
目的行列を形成する前記手段は、無相関器であることを特徴とする請求項４記載のマルチユーザ検出器。
【請求項６】
目的行列を形成する前記手段は、最小二乗平均誤差検出器であることを特徴とする請求項４記載のマルチユーザ検出器。
【請求項７】
目的行列を形成する前記手段は、零強制ブロック線形等化器であることを特徴とする請求項４記載のマルチユーザ検出器。
【請求項８】
配列された総システム応答行列を組み立てる前記手段は、
同様の拡散率により前記システム送信応答行列をグループ化する手段と、
同様の拡散率を有するシステム送信応答行列の前記グループから拡散率グループ送信応答行列を組み立てる手段と、
最低拡散率を有する共通拡散率グループ行列から基底総システム応答行列を形成する手段と
をさらに特徴とする請求項１記載のマルチユーザ検出器。
【請求項９】
前記残りの拡散率グループ行列から検討のために１つの拡散率グループ送信応答行列を選択する手段と、
前記選択した拡散率行列の第１の列について列配置基準を導き出す手段と、
前記基底総システム送信応答行列内の基準位置を導き出す手段と、
前記選択した拡散率グループ送信応答行列から列の組を導き出す手段と、
前記列の組を前記基底総システム応答行列内の前記列配置基準の後に挿入する手段と
をさらに特徴とする請求項８記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１０】
列配置基準を導き出す前記手段は、
【数１】
2008017520.tif 000001
を用いて、列配置基準インデックスｍを検討中の前記拡散率グループ行列に割り当てる手段をさらに特徴とし、ここで、Ｑ（ｇ）は、検討中の拡散率グループ送信行列に関連する拡散率を示し、Ｑ（１）は、全グループ内の最低拡散率を示し、ｎは、検討中の拡散率グループ送信応答行列の列であり、ｎ＝１，２，３，．．．である、請求項９記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１１】
整数でない場合、前記列配置基準インデックスｍを丸める手段をさらに特徴とする請求項１０記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１２】
基準位置を導き出す前記手段は、
ｍＨＬ（１）
を用いて、前記基底総システム送信応答行列内の基準位置を割り当てる手段をさらに特徴とし、ここで、Ｌ（１）は、最低拡散率を有する前記拡散率グループ行列を構成するシステム送信応答行列の総数であり、ｍは、検討中の前記拡散率グループ行列についての前記列配置基準インデックスである、請求項１１記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１３】
列の組を導き出す前記手段は、
Ｌ（ｇ）Ｈ（ｎ−１）＋１〜Ｌ（ｇ）Ｈｎ
を用いて、検討中の前記拡散率グループ送信応答行列から列の組を割り当てる手段をさらに特徴とし、ここで、Ｌ（ｇ）は、検討中の前記拡散率グループ送信行列を備えたシステム送信応答行列の前記数である、請求項１２記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１４】
目的行列を形成する前記手段は、無相関器として前記目的行列を形成することをさらに特徴とする請求項１３記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１５】
目的行列を形成する前記手段は、最小二乗平均誤差検出器として前記目的行列を形成することをさらに特徴とする請求項１４記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１６】
目的行列を形成する前記手段は、零強制ブロック線形等化器として前記目的行列を形成することをさらに特徴とする請求項１３記載のマルチユーザ検出器。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれかに記載のマルチユーザ検出器を含むＣＤＭＡ受信機を備えた通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
冷媒は、吸入口６０から吸入され、圧縮機構部６６（この例ではスクロール）がモータ１１で駆動されることにより圧縮される。この圧縮された冷媒は、モータ１１を通過する際にモータ１１を冷却し、吐出口６９より吐出される。インバータ装置２０は電動圧縮機６７に取り付けられるように、ケース６２を使用している。発熱源となるインバータ回路部１０は、低圧配管６５を介して低圧冷媒で冷却される。電動圧縮機６７の内部でモータ１１の巻き線４に接続されているターミナル６１は、インバータ回路部１０の出力部に接続される。保持部６４でインバータ装置２０に固定される接続線６３には、バッテリー１への電源線と回転数信号を送信する空調制御部５１との信号線がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
尚、上記実施の形態において、インバータ装置２０を例にあげたが、インバータ装置２１、インバータ装置２２でもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基本クロックをカウントすることにより第１の周波数をもつ第１のパルス信号を発生する第１の周波数発生手段と、
前記基本クロックをカウントすることにより、前記第１の周波数とは異なる第２の周波数をもつ第２のパルス信号を発生する第２の周波数発生手段と、
前記第１及び第２の周波数発生手段によってそれぞれ発生された第１及び第２のパルス信号を受け取り、前記第１のパルス信号を第１のパルス数だけ出力し、続いて前記第２のパルス信号を第２のパルス数だけ出力することを繰り返し行い、駆動パルスとして出力する駆動パルス出力手段と、
前記駆動パルス出力手段によって出力された駆動パルスによってステッピングモータを駆動する駆動手段と
を有することを特徴とするステッピングモータ駆動装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の周波数発生手段は、前記基本クロックを第１及び第２のカウント数だけそれぞれカウントすることにより、前記第１および第２の周波数をそれぞれもつ前記第１および第２のパルス信号をそれぞれ発生し、
前記ステッピングモータの駆動目標を表す駆動周波数指令値に基づき、前記第１及び第２のカウント数、並びに前記第１および第２のパルス数を決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項１記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の周波数発生手段は、前記基本クロックを第１及び第２のカウント数だけそれぞれカウントすることにより、前記第１および第２の周波数をそれぞれもつ前記第１および第２のパルス信号をそれぞれ発生し、
前記ステッピングモータの駆動目標を表す駆動周波数指令値に基づき、前記第１及び第２のカウント数と、前記第１のパルス数と、前記第１および第２のパルス数の合計数とを決定する決定手段を更に有することを特徴とする請求項１記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記第１および第２のパルス数の合計数を所定値よりも小さい値に決定することを特徴とする請求項３記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記第２のカウント数を、前記第１のカウント数に所定数を加えて得られる数として決定することを特徴とする請求項２または請求項３記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項６】
前記ステッピングモータ駆動装置は、カメラ装置に含まれるフォーカスレンズの駆動を制御することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項７】
前記フォーカスレンズを駆動して自動焦点調節評価値を取得する自動焦点調節スキャン動作を行う場合には前記駆動手段を動作させ、前記自動焦点調節スキャン動作を行わない場合には、前記駆動手段を動作させないようにする第１の制御手段を更に有することを特徴とする請求項６記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項８】
前記自動焦点調節スキャン動作を行う場合に、前記フォーカスレンズの所定の駆動範囲内の複数の分割区画の各々において前記駆動手段を動作させ、該動作によって取得された複数の自動焦点調節評価値のなかで最大の自動焦点調節評価値を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された最大の自動焦点調節評価値が取得された分割区画に前記フォーカスレンズを移動させる移動手段と
を更に有することを特徴とする請求項７記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項９】
前記駆動周波数指令値と前記第１の周波数との差が所定の値より小さいとき、前記駆動パルス出力手段を動作させないようにする第２の制御手段を更に有することを特徴とする請求項２または請求項３記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項１０】
前記駆動パルス出力手段はレートマルチプライヤで構成されることを特徴とする請求項１記載のステッピングモータ駆動装置。
【請求項１１】
基本クロックをカウントすることにより第１の周波数をもつ第１のパルス信号を発生する第１の周波数発生ステップと、
前記基本クロックをカウントすることにより、前記第１の周波数とは異なる第２の周波数をもつ第２のパルス信号を発生する第２の周波数発生ステップと、
前記第１及び第２の周波数発生ステップにおいてそれぞれ発生された第１及び第２のパルス信号を受け取り、前記第１のパルス信号を第１のパルス数だけ出力し、続いて前記第２のパルス信号を第２のパルス数だけ出力することを繰り返し行い、駆動パルスとして出力する駆動パルス出力ステップと、
前記駆動パルス出力ステップにおいて出力された駆動パルスによってステッピングモータを駆動する駆動ステップと
を有することを特徴とするステッピングモータ駆動方法。
【請求項１２】
ステッピングモータ駆動方法を、コンピュータに実行させるためのプログラムにおいて、該ステッピングモータ駆動方法が、
基本クロックをカウントすることにより第１の周波数をもつ第１のパルス信号を発生する第１の周波数発生ステップと、
前記基本クロックをカウントすることにより、前記第１の周波数とは異なる第２の周波数をもつ第２のパルス信号を発生する第２の周波数発生ステップと、
前記第１及び第２の周波数発生ステップにおいてそれぞれ発生された第１及び第２のパルス信号を受け取り、前記第１のパルス信号を第１のパルス数だけ出力し、続いて前記第２のパルス信号を第２のパルス数だけ出力することを繰り返し行い、駆動パルスとして出力する駆動パルス出力ステップと、
前記駆動パルス出力ステップにおいて出力された駆動パルスによってステッピングモータを駆動する駆動ステップと
を有することを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電極及び第二の電極とが複数本並設された第一のパネル部材と、前記第一の電極及び前記第二の電極に直交するように第三の電極が複数本並設された第二のパネル部材とからなるプラズマディスプレイパネルをフィールド内時分割表示方法を用いて駆動する方法であって、
１フィールドを構成する１サブフィールドを、前記第一の電極に順次走査パルスを印加しながら第三の電極にアドレスパルスを印加することにより書き込みを行なうアドレス工程と、当該アドレス工程の後に前記第一の電極及び第二の電極間に維持パルスを印加することによって発光を維持する維持工程とによって表示し、前記アドレス工程は、選択行における第一の電極と第二の電極間の電位が、当該第一の電極とこの最も近くに位置する非選択行の第二の電極間の電位よりも高くなるように第一の電極に第一の走査パルスを第二の電極に第二の走査パルスを印加することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記駆動方法にて用いるプラズマディスプレイパネルにおいて第一の電極同士及び第二の電極同士は隣接して設けられていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
前記駆動方法においてプラズマディスプレイパネルの電荷状態を初期化する初期化工程をアドレス工程の前に備え、当該初期化工程は、全ての第一の電極に正極性の第一初期化パルスを印加する第一初期化工程と、当該工程の後に全ての第二の電極に正極性の第二初期化パルスと、これと同時に全ての第一の電極に正極性の第三初期化パルスとを印加する第二初期化工程とからなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記第一初期化パルスは時間とともに増加するランプ波形からなり、第三初期化パルスは時間とともに減少するランプ波形からなることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記第一初期化パルスは時間とともに増加飽和する指数関数波形からなり、第三初期化パルスは時間とともに減少飽和する指数関数波形からなることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
第一の電極及び第二の電極とが複数本並設された第一のパネル部材と、前記第一の電極及び前記第二の電極に直交するように第三の電極が複数本並設された第二のパネル部材とからなるプラズマディスプレイと、
フィールド内時分割表示方法を実行するための駆動部とを備え、
前記駆動部は、選択行における第一の電極と第二の電極間の電位が、当該第一の電極とこの最も近くに位置する非選択行の第二の電極間の電位よりも高くなるように第一の電極に第一の走査パルスを第二の電極に第二の走査パルスを印加する走査回路を備えることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項７】
前記プラズマディスプレイパネルにおいて第一の電極同士及び第二の電極同士は隣接して設けられていることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
前記駆動部はプラズマディスプレイパネルの電荷状態を初期化する初期化回路を含み、当該初期化回路は、全ての第一の電極に正極性の第一初期化パルスを印加する第一初期化処理と、当該工程の後に全ての第二の電極に正極性の第二初期化パルスと、これと同時に全ての第一の電極に正極性の第三初期化パルスとを印加する第二初期化処理とを実行する回路であることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第一初期化パルスは時間とともに増加するランプ波形からなり、第三初期化パルスは時間とともに減少するランプ波形からなることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記第一初期化パルスは時間とともに増加飽和する指数関数波形からなり、第三初期化パルスは時間とともに減少飽和する指数関数波形からなることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１１】
第二の電極同士は、複数行が同一相で駆動されかつ選択行と最隣接の行とが異なる相で駆動されることを特徴とする請求項６に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項１２】
第二の電極の奇数行及び偶数行とは同一相で駆動されることを特徴とする請求項１１に記載のプラズマディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３次元の直交座標ｘ、ｙ、ｚにおいて、屈折率の異なる２種類以上の透明体よりなるｚ軸方向の多層構造体であって、各透明体ごとに積層の単位となる層の形状がｘ軸方向に周期凹凸構造を有し、ｙ軸方向には一様であるか、またはｘ軸方向より大きい長さの周期的または非周期的な凹凸構造を有し、その形状をｚ方向の第二ブラッグ条件より短い周期ごとに繰り返しつつｚ軸方向に層状に積層されることを特徴とする複屈折性周期構造体。
【請求項２】  請求項１記載の複屈折性周期構造体であって、SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質層とSiO2を主成分とする低屈折率媒質層とを交互に有することを特徴とする複屈折性周期構造体。
【請求項３】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、高屈折率媒質と低屈折率媒質とを、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに凹凸形状を繰り返しつつ積層することを特徴とし、凹凸形状の長手方向を光学軸としｚ方向の第二ブラッグ条件より短い周期で積層される複屈折性周期構造体の作製方法。
【請求項４】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質とを、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに凹凸形状を繰り返しつつ積層することを特徴とし、凹凸形状の長手方向を光学軸とする複屈折性周期構造体の作製方法。
【請求項５】  請求項１記載の複屈折性周期構造体であって、ｘｙ面に垂直あるいは斜めに光を入射したときｘ方向に電界成分をもつ偏波とｙ方向に電界成分をもつ偏波の間に位相差を与えることを特徴とする位相板。
【請求項６】  請求項１記載の複屈折性周期構造体であって、SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質からなり、ｘｙ面に垂直あるいは斜めに光を入射したときｘ方向に電界成分をもつ偏波とｙ方向に電界成分をもつ偏波の間に位相差を与えることを特徴とする位相板。
【請求項７】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、高屈折率媒質と低屈折率媒質とを、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに形状を繰り返しつつ積層することを特徴とし、凹凸形状の長手方向を光学軸とする複屈折性周期構造体であって、積層方向に成分を持つ光を入射したとき凹凸形状の長手方向の偏波と垂直方向の偏波の間に位相差を与えることを特徴とする位相板の作製方法。
【請求項８】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質からなり、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに形状を繰り返しつつ積層することを特徴とする複屈折性周期構造体であって、積層方向に成分を持つ光を入射したとき凹凸形状の長手方向の偏波と垂直方向の偏波の間に位相差を与えることを特徴とする位相板の作製方法。
【請求項９】  請求項１記載の複屈折性周期構造体であって、ｘ軸方向あるいはｚ軸方向の周期、または凹凸形状の段差が異なる縞状の２つ以上の領域からなることを特徴とする回折格子型の偏光ビームスプリッタ。
【請求項１０】  SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質層を有する請求項１記載の複屈折性周期構造体であって、ｘ軸方向あるいはｚ軸方向の周期、または凹凸形状の段差が異なる縞状の２つ以上の領域からなることを特徴とする回折格子型の偏光ビームスプリッタ。
【請求項１１】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、高屈折率媒質と低屈折率媒質とを、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに形状を繰り返しつつ積層することを特徴とする複屈折性周期構造体からなる回折格子型の偏光ビームスプリッタの作製方法。
【請求項１２】  周期的な溝または周期的な線状突起または細長い突起または細長い凹みを有する基板の上に、SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質とを、少なくとも一部にドライエッチングを含む膜形成方法により周期ごとに形状を繰り返しつつ積層することを特徴とする複屈折性周期構造体からなる回折格子型の偏光ビームスプリッタの作製方法。
【請求項１３】  請求項１記載の複屈折性周期構造領域と、ｚ軸方向に多層構造があってｘ軸方向およびｙ軸方向には一様である周期構造領域とを有することを特徴とする回折格子型の偏光ビームスプリッタ。
【請求項１４】  SiまたはTiO2またはTa2O5またはNb2O5またはSi3N4を主成分とする高屈折率媒質とSiO2を主成分とする低屈折率媒質層からなり、請求項１記載の複屈折性周期構造領域と、ｚ軸方向に多層構造があってｘ軸方向およびｙ軸方向には一様である周期構造領域とを有することを特徴とする回折格子型の偏光ビームスプリッタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
第１の実施例の構造を示す図
【図２】
表面に溝を有する基板を示す図
【図３】
第１の実施例における周波数と波数ベクトルの関係を示す図
【図４】
第２の実施例の構造を示す図
【図５】
第２の実施例における偏光分離動作を示す図
【図６】
第２の実施例における周波数と波数ベクトルの関係を示す図
【図７】
第２の実施例の構造を示す図
【図８】
第３の実施例の構造を示す図
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素系線状構造体に対してオーミック接触性を有する電極材料からなり、所定の位置  に対向して配置された対向電極と、
化学式 (Ｆe1-p-qＣopＮiq)1-x-yＭoxＣry（但し、０＜ｘ＋ｙ≦０．３３、０＜ｘ≦  ０．３３、０＜ｙ≦０．３３、０≦ｐ＋ｑ≦１、０≦ｐ≦１、０≦ｑ≦１）で表される  触媒材料からなり、前記対向電極に接する位置又は前記対向電極間の位置に形成された  触媒と、
前記触媒に接して形成され、前記対向電極間に機能部位として設けられた前記炭素系  線状構造体と
からなる、機能素子。
【請求項２】
前記触媒材料が、化学式 Ｆe1-xＭox（ただし、０＜ｘ≦０．３３）で表される材料である、請求項１に記載した機能素子。
【請求項３】
前記触媒材料が、化学式 Ｃo1-xＭox（ただし、０＜ｘ≦０．３３）で表される材料である、請求項１に記載した機能素子。
【請求項４】
前記触媒が、少なくとも、前記対向電極に形成された凹部、或いは貫通孔又は切り欠き部に形成されている、請求項１に記載した機能素子。
【請求項５】
前記触媒が、酸化物絶縁層に接して形成されている、請求項４に記載した機能素子。
【請求項６】
前記電極材料が、パラジウム、金、白金、ニッケル、チタン及びアルミニウムからなる群から選ばれた少なくとも１種の金属であるか、又はこの金属を含有する材料、或いはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）である、請求項１に記載した機能素子。
【請求項７】
前記炭素系線状構造体が金属性の炭素系線状構造材料を含み、配線素子として構成されている、請求項１に記載した機能素子。
【請求項８】
前記炭素系線状構造体が半導体性の炭素系線状構造材料からなり、抵抗素子として構成されている、請求項１に記載した機能素子。
【請求項９】
前記炭素系線状構造体が半導体性の炭素系線状構造材料からなり、前記炭素系線状構造体をチャネル部とし、前記対向電極をソース電極及びドレイン電極とする電界効果トランジスタとして構成されている、請求項１に記載した機能素子。
【請求項１０】
炭素系線状構造体に対してオーミック接触性を有する電極材料からなり、所定の位置  に対向して配置された対向電極と、
少なくとも、前記対向電極に形成された凹部、或いは貫通孔又は切り欠き部に設けら  れた触媒と、
前記触媒に接して形成され、前記対向電極間に機能部位として設けられた前記炭素系  線状構造体と
からなる、機能素子。
【請求項１１】
炭素系線状構造体に対してオーミック接触性の電極材料を所定の位置に配置して、対  向電極を形成する工程と、
前記対向電極に接する位置又は前記対向電極間の位置に、化学式 (Ｆe1-p-qＣopＮiq  )1-x-yＭoxＣry（但し、０＜ｘ＋ｙ≦０．３３、０＜ｘ≦０．３３、０＜ｙ≦０．３３  、０≦ｐ＋ｑ≦１、０≦ｐ≦１、０≦ｑ≦１）で表される触媒材料を配置して、触媒を  形成する工程と、
炭素含有化合物からなる原料を分解し、前記触媒に接して、前記炭素系線状構造体の  材料である炭素系線状構造材料を形成する工程と
を有する、機能素子の製造方法。
【請求項１２】
前記触媒を構成する金属元素の塩を含む溶液を触媒配置位置に被着させ、溶媒を蒸発させた後、金属イオンの還元処理を行うことにより、前記触媒を形成する、請求項１１に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１３】
前記炭素系線状構造材料を形成する工程において、前記対向電極間に電圧を印加し、この結果生じる電界の作用によって、前記炭素系線状構造材料の成長方向を、前記対向電極間を結ぶ方向に制御する、請求項１１に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１４】
化学気相成長法（ＣＶＤ法）によって前記炭素系線状構造材料を形成する、請求項１１に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１５】
プラズマで前記原料のガスを活性化するプラズマ強化化学気相成長法（Plasma Enhanced ＣＶＤ法）によって、前記化学気相成長法（ＣＶＤ法）を行う、請求項１４に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１６】
還元ガスのプラズマを発生させ、このプラズマによって前記触媒を活性化処理する工程を有する、請求項１５に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１７】
前記炭素系線状構造材料のうち、金属性の炭素系線状構造材料又は半導体性の炭素系線状構造材料を電磁波照射によって選択的に除去し、前記炭素系線状構造体を形成する、請求項１１に記載した機能素子の製造方法。
【請求項１８】
炭素系線状構造体に対してオーミック接触性の電極材料を所定の位置に配置して、対  向電極を形成する工程と、
前記対向電極に凹部、或いは貫通孔又は切り欠き部を形成する工程と、
少なくとも、前記凹部、或いは前記貫通孔又は前記切り欠き部に触媒を設ける工程と  、
炭素含有化合物からなる原料を分解し、前記触媒に接して、前記炭素系線状構造体の  材料である炭素系線状構造材料を形成する工程と
を有する、機能素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果トランジスタであって、
基板上の半導体ボディを備え、前記半導体ボディは、上面、対向する側壁、および上部コーナを有し、さらに、
前記上面上の第１ゲート誘電体層と、
前記対向する側壁上の第２ゲート誘電体層と、
前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層に隣接する前記上部コーナのところの第３ゲート誘電体層とを備え、前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層はともに、前記第３ゲート誘電体層よりも厚い、トランジスタ。
【請求項２】
電界効果トランジスタであって、
基板上の半導体ボディを備え、
前記半導体ボディは、上面、対向する側壁、および上部コーナを有し、
前記半導体ボディは、チャネル領域と、前記チャネル領域に隣接する前記上部コーナにソース／ドレイン領域とを備え、さらに、
前記上面上の第１ゲート誘電体層と、
前記対向する側壁上の第２ゲート誘電体層と、
前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層に隣接する前記上部コーナのところの第３ゲート誘電体層とを備え、前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層はともに、前記第３ゲート誘電体層よりも厚い、トランジスタ。
【請求項３】
前記上部コーナにおける前記ソース／ドレイン領域はソース／ドレイン拡張領域を有し、前記半導体ボディはさらに、対向する端部を有し、前記対向する端部にソース／ドレイン拡散領域を備える、請求項２に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層は、前記第３ゲート誘電体層よりも少なくとも３倍厚い、請求項１又は２に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記第２ゲート誘電体層の高さは、前記対向する側壁の高さの少なくとも１／３である、請求項１又は２に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記第１ゲート誘電体層の幅は、前記上面の幅の少なくとも１／３である、請求項１又は２に記載のトランジスタ。
【請求項７】
電界効果トランジスタを形成する方法であって、
半導体層の上面上の第１誘電体材料をパターン化して第１ゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第１ゲート誘電体層に隣接してスペーサを形成するステップと、
前記半導体層の方向性エッチングを実施して、前記第１ゲート誘電体層および前記スペーサの下に半導体ボディを形成するステップと、
前記半導体ボディの対向する側壁上に第２ゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層に隣接する前記半導体ボディの上部コーナのところに第３ゲート誘電体層を形成するステップとを含み、前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層はともに、前記第３ゲート誘電体層よりも厚く形成される、方法。
【請求項８】
電界効果トランジスタを形成する方法であって、
半導体層の上面上の第１誘電体材料をパターン化して第１ゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第１ゲート誘電体層に隣接してスペーサを形成するステップと、
前記半導体層の方向性エッチングを実施して、前記第１ゲート誘電体層および前記スペーサの下に半導体ボディを形成するステップと、
前記半導体ボディの対向する側壁上に第２ゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層に隣接する前記半導体ボディの上部コーナのところに第３ゲート誘電体層を形成するステップとを含み、前記第１ゲート誘電体層および前記第２ゲート誘電体層はともに、前記第３ゲート誘電体層よりも厚く形成され、さらに、
前記半導体ボディ上でゲート導体をパターン化するステップと、
前記ゲート導体に隣接する前記上部コーナをドープしてソース／ドレイン領域を形成するステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記ドープするステップは、注入工程を実施するステップ、外方拡散工程を実施するステップ、および注入工程と外方拡散工程の組合せを実施するステップの１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ドープするステップの前に、前記半導体ボディの対向する端部のところの前記上面から前記第１誘電体層および前記第３ゲート誘電体層を除去し、任意選択で、前記ゲート導体に隣接する前記半導体ボディの前記上部コーナから前記第３ゲート誘電体層を除去し、そのため、前記ドープするステップにより、前記ゲート導体に隣接する前記上部コーナおよび前記対向する端部にドーパントが導入され、それによって、それぞれソース／ドレイン拡張領域およびソース／ドレイン拡散領域が形成されるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第２ゲート誘電体層を形成する前記ステップは、
前記第１ゲート誘電体層の材料と異なる第２誘電体層の材料を被着させるステップと、
選択的方向性エッチングを実施して、前記第１ゲート誘電体層および前記スペーサから前記第２誘電体材料を除去し、前記スペーサを除去し、前記上部コーナのところの前記対向する側壁から前記第２誘電体材料を除去するステップとを含み、
前記対向する側壁上の前記第２誘電体材料の残りの部分が前記第２ゲート誘電体層を形成する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２ゲート誘電体層を形成する前記ステップは、
前記スペーサを除去するステップと、
前記第１ゲート誘電体層の材料と異なる第２誘電体材料を被着させるステップと、
選択的方向性エッチングを実施して、前記第１ゲート誘電体層および前記上部コーナのところの前記対向する側壁から前記第２誘電体材料を除去するステップとを含み、
前記対向する側壁上の前記第２誘電体材料の残りの部分が前記第２ゲート誘電体層を形成する、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１３】
前記第３ゲート誘電体層を形成する前記ステップは、前記上部コーナのところの前記半導体ボディ上に酸化物層を成長させるステップを含む、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化物層の成長は、前記第３ゲート誘電体層が前記第２ゲート誘電体層の厚さの約１／３未満の厚さで形成されるように制御する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１ゲート誘電体層は、前記第１ゲート誘電体層の幅が前記上面の幅の少なくとも１／３になるように形成され、前記第２ゲート誘電体層は、前記第２ゲート誘電体層の高さが前記対向する側壁の高さの少なくとも１／３になるように形成される、請求項７又は８に記載の方法。