【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ蓄積媒体であって、
取付面を有する基板と、
第１面とこの第１面の外側に対向する第２面とを有する第１記録層であって、この第１記録層は第１の複数のデータ蓄積ロケーションを有し、前記第１の複数のデータ蓄積ロケーションの各々が第１のデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な第１の物理的特性を有しているような第１記録層と、
前記第１記録層の第２面に隣接して積層された第２記録層であって、前記第１記録層が前記基板とこの第２記録層との間に積層され、この第２記録層は第２の複数のデータ蓄積ロケーションを有し、前記第２の複数のデータ蓄積ロケーションの各々が第２のデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な第２の物理的特性を有し、前記第１の物理的特性と第２の物理的特性とは異なっているような第２記録層とを備え、
第１記録層と第２記録層の各々は前記基板によって構造的に支持されており、第１記録層と第２記録層の各々は積層されかつ前記基板の前記取付面に対向しており、
第１と第２の物理的特性を有する処理されたビームが第１記録層と第２記録層に向けて指向されるレーザビームから処理され、そのレーザビームは最初に第１の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つによって第１の物理的特性を決定する少なくとも２つの状態の１つと共に処理され、続いて第２の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つによって第２の物理的特性を決定する少なくとも２つの状態の１つと共に処理され、処理されたビームの第１と第２のビーム特性はそれぞれ第１の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つ及び第２の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つの第１及び第２のデータ値を指示するようになっていることを特徴とするデータ蓄積媒体。
【請求項２】
さらに前記第１記録層の第２面に対し概ね垂直に形成された複数のデータ軸を有し、これら複数のデータ軸の各々が前記第１の複数のデータ蓄積ロケーションの中の対応する１つと前記第２の複数のデータ蓄積ロケーションの中の対応する１つとを貫通して延伸しており、
レーザビームがさらにこれら複数のデータ軸の１つに沿って指向されている請求項１記載の媒体。
【請求項３】
前記第１の物理的特性及び前記第２の物理的特性の各々は、第１記録層及び第２記録層から透過されあるいは反射させられる光の反射率、偏光、時間、周波数、波長、電子スピンの１つに対応している請求項１又は２記載の媒体。
【請求項４】
前記第１の物理的特性は反射率であり、前記第２の物理的特性は光学的偏光であり、第１の複数のデータ蓄積ロケーションの各々の少なくとも２つの状態の１つはそこの反射率レベルに対応し、第２の複数のデータ蓄積ロケーションの各々の少なくとも２つの状態の１つはそこの光学的偏光レベルに対応している請求項１乃至３のいずれかに記載の媒体。
【請求項５】
前記第１記録層は第１の材料から作られ、第１の材料は少なくとも２つの結晶化レベルを有する少なくとも２つの状態に変化可能な相変化材料であり、第１の材料の第１の物理的特性は概ね結晶化した状態と概ねアモルファスの状態との間で変化可能であり、
第１の材料の一部を概ね結晶化した状態と概ねアモルファスの状態との間で変化させることにより第１の材料の部分の反射率と透過率の少なくとも１つが変化させられるようになっている請求項１乃至４のいずれかに記載の媒体。
【請求項６】
前記第１の材料は、Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｂｉ，Ｐｄ，Ｐｏ，Ｓｎ，Ａｓ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｓ，Ｓｉ，Ｐ及び有機記録材料の中の少なくとも１つから選択された少なくとも１つの要素から作られている請求項５記載の媒体。
【請求項７】
前記第１の材料の第１の物理的特性は、ある大きさを有するレーザビームによって変化可能で、レーザビームのその大きさは少なくとも２つの結晶化レベルに対応している請求項５又は６記載の媒体。
【請求項８】
前記第２記録層は第２の材料から作られ、第２の材料は少なくとも２つの偏光レベルを有する少なくとも２つの状態に変化可能な磁気光学的材料であり、第２の材料の第２の物理的特性は２つの光学的偏光レベルの間で変化可能であり、
第２の材料の一部の第２の物理的特性を２つの光学的偏光レベルの間で変化させることにより第２の材料の部分の少なくとも２つの偏光状態が変化させられるようになっている請求項１乃至７のいずれかに記載の媒体。
【請求項９】
前記第２の材料は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中の少なくとも１つと、Ｔｂ，Ｃｒ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｎｄ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの中の少なくとも１つとから作られている請求項８記載の媒体。
【請求項１０】
前記第２の材料の第２の物理的特性は、第２の材料の部分上のレーザビームによって生成される熱と、そこに適用される磁界の磁界方向とによって変化可能となっている請求項７乃至９のいずれかに記載の媒体。
【請求項１１】
前記第１記録層の第１の物理的特性及び前記第２記録層の第２の物理的特性の少なくとも１つが、レーザビーム及び処理されたビームの少なくとも１つの反射率、偏光、時間、周波数、波長、電子スピンの１つである請求項１乃至３のいずれかに記載の媒体。
【請求項１２】
さらにカバー層が第１記録層に隣接して積層されかつ第１記録層の第１の面がカバー層に対向しており、第１記録層はこのカバー層と前記基板との間に積層されており、このカバー層は、セルローストリアセテート，ポリジシクロペンタジエン，メチルメタクリレート，メチルプロピルアクリレートの中の少なくとも１つから作られ、カバー層は少なくとも８０％の光学的透過率を有している請求項１乃至１１のいずれかに記載の媒体。
【請求項１３】
さらに前記第２記録層に隣接して積層されるダミー層を有し、第１記録層の第２面がこのダミー層に対向し、第１記録層が前記基板とこのダミー層との間に積層されており、
このダミー層は、ポリカーボネート，ポリメチルメタクリレート，アモルファスポリオレフィン，カーボネート樹脂，紫外線加工樹脂，セラミック及びガラスの中の少なくとも１つから作られている請求項１乃至１１のいずれかに記載の媒体。
【請求項１４】
さらに前記第１記録層と前記第２記録層との間に積層されたインターフェース層を包含し、このインターフェース層はそこを通過するように指向されるレーザビームに対して光学的に透明である請求項１乃至１３のいずれかに記載の媒体。
【請求項１５】
さらに前記第１記録層の第１の面に隣接して積層される第１の保護層と、前記第２記録層に隣接して積層される第２の保護層とを包含し、第１記録層と第２記録層は第１保護層と第２保護層の間にあるかあるいは積層されており、第１保護層と第２保護層の各々は金属の酸化物，窒化物，銅又は真ちゅうの化合物要素，フッ化物、炭化物の中の少なくとも１つから作られている請求項１乃至１４のいずれかに記載の媒体。
【請求項１６】
さらに前記第２保護層の面に隣接しかつ前記第２記録層の外側に対向するように積層されている反射層を包含し、この反射層はレーザビームが第２記録層に適用されているときにレーザビームによって発生する熱が過剰に蓄積されるのを消散させるようになっている請求項１乃至１５のいずかに記載の媒体。
【請求項１７】
データ蓄積媒体の形成方法であって、
取付面を有する基板を形成する基板形成工程と、
第１面とこの第１面の外側に対向する第２面とを有する第１記録層を形成する工程であって、この第１記録層は第１の複数のデータ蓄積ロケーションを有し、前記第１の複数のデータ蓄積ロケーションの各々が第１のデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な第１の物理的特性を有しているような第１記録層形成工程と、
前記第１記録層の第２面に隣接する第２記録層を形成する工程であって、前記第１記録層が前記基板とこの第２記録層との間に積層され、この第２記録層は第２の複数のデータ蓄積ロケーションを有し、前記第２の複数のデータ蓄積ロケーションの各々が第２のデータ値を指示するための少なくとも２つの状態を通じて変化可能な第２の物理的特性を有し、前記第１の物理的特性と第２の物理的特性とは異なっているような第２記録層形成工程とを備え、
第１記録層と第２記録層の各々は前記基板によって構造的に支持されており、第１記録層と第２記録層の各々は積層されかつ前記基板の前記取付面に対向しており、
第１と第２の物理的特性を有する処理されたビームが第１記録層と第２記録層に向けて指向されるレーザビームから処理され、そのレーザビームは最初に第１の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つによって第１の物理的特性を決定する少なくとも２つの状態の１つと共に処理され、続いて第２の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つによって第２の物理的特性を決定する少なくとも２つの状態の１つと共に処理され、処理されたビームの第１と第２の物理的特性はそれぞれ第１の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つ及び第２の複数のデータ蓄積ロケーションの対応する１つの第１及び第２のデータ値を指示するようになっていることを特徴とするデータ蓄積媒体の形成方法。
【請求項１８】
さらに前記第１記録層の第２面に対し概ね垂直に形成された複数のデータ軸を供給する工程を有し、これら複数のデータ軸の各々が前記第１の複数のデータ蓄積ロケーションの中の対応する１つと前記第２の複数のデータ蓄積ロケーションの中の対応する１つとを貫通して延伸しており、
レーザビームがさらにこれら複数のデータ軸の１つに沿って指向されている請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の物理的特性及び前記第２の物理的特性の各々は、第１記録層及び第２記録層から透過されあるいは反射させられる光の反射率、偏光、時間、周波数、波長、電子スピンの１つに対応している請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の物理的特性は反射率であり、前記第２の物理的特性は光学的偏光であり、第１の複数のデータ蓄積ロケーションの各々の少なくとも２つの状態の１つはそこの反射率レベルに対応し、第２の複数のデータ蓄積ロケーションの各々の少なくとも２つの状態の１つはそこの光学的偏光レベルに対応している請求項１７乃至１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
前記第１記録層を形成する工程は、前記第１記録層を第１の材料から作ることから成り、第１の材料は少なくとも２つの結晶化レベルを有する少なくとも２つの状態に変化可能な相変化材料であり、第１の材料の第１の物理的特性は概ね結晶化した状態と概ねアモルファスの状態との間で変化可能であり、
第１の材料の一部を概ね結晶化した状態と概ねアモルファスの状態との間で変化させることにより第１の材料の部分の反射率と透過率の少なくとも１つが変化させられるようになっている請求項１７乃至２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記第１記録層を第１の材料から形成する工程は、Ｔｅ，Ｇｅ，Ｓｂ，Ｇａ，Ｂｉ，Ｐｄ，Ｐｏ，Ｓｎ，Ａｓ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｓ，Ｓｉ，Ｐ及び有機記録材料の中の少なくとも１つから選択された少なくとも１つの要素で作られた第１の材料から第１の記録層を形成することを含む請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の記録層を形成する工程は、さらに前記第１の材料の第１の物理的特性をある大きさを有するレーザビームによって変化させることを包含し、レーザビームのその大きさは少なくとも２つの結晶化レベルに対応している請求項２１又は２２記載の方法。
【請求項２４】
前記第２記録層を形成する工程は、前記第２記録層を第２の材料で形成することから成り、第２の材料は少なくとも２つの偏光レベルを有する少なくとも２つの状態に変化可能な磁気光学的材料であり、第２の材料の第２の物理的特性は２つの光学的偏光レベルの間で変化可能であり、
第２の材料の一部の第２の物理的特性を２つの光学的偏光レベルの間で変化させることにより第２の材料の部分の少なくとも２つの偏光状態が変化させられるようになっている請求項１７乃至２３のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記第２記録層を第２の材料で形成する工程は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの中の少なくとも１つと、Ｔｂ，Ｃｒ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｓｍ，Ｎｄ，Ｍｎ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｌ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｍｇの中の少なくとも１つとで作られた第２の材料から第２記録層を形成することを含む請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
前記第２記録層を形成する工程は、前記第２の材料の第２の物理的特性を、第２の材料の部分上のレーザビームによって生成される熱と、そこに適用される磁界の磁界方向とにより変化させることを含む請求項２３乃至２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
前記第１記録層の第１の物理的特性及び前記第２記録層の第２の物理的特性の少なくとも１つは、レーザビーム及び処理されたビームの少なくとも１つの反射率、偏光、時間、周波数、波長、電子スピンの１つである請求項１７乃至１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
さらにカバー層を第１記録層に隣接して積層しかつ第１記録層の第１の面をカバー層に対向させ、第１記録層をこのカバー層と前記基板との間に積層し、このカバー層を、セルローストリアセテート，ポリジシクロペンタジエン，メチルメタクリレート，メチルプロピルアクリレートの中の少なくとも１つで形成し、カバー層を少なくとも８０％の光学的透過率を有するようにすることを含む請求項１７乃至２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
さらに前記第２記録層に隣接して積層されるダミー層を形成し、第１記録層の第２面がこのダミー層に対向し、第１記録層が前記基板とこのダミー層との間に積層されるようにし、
このダミー層を、ポリカーボネート，ポリメチルメタクリレート，アモルファスポリオレフィン，カーボネート樹脂，紫外線加工樹脂，セラミック及びガラスの中の少なくとも１つから形成することを含む請求項１７乃至２７のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
さらに前記第１記録層と前記第２記録層との間に積層されるインターフェース層を形成し、このインターフェース層をそこを通過するように指向されるレーザビームに対して光学的に透明とすることを含む請求項１７乃至２９のいずれかに記載の方法。
【請求項３１】
さらに前記第１記録層の第１の面に隣接して積層される第１の保護層を形成し、前記第２記録層に隣接して積層される第２の保護層を形成し、第１記録層と第２記録層は第１保護層と第２保護層の間にあるかあるいは積層されるようにし、第１保護層と第２保護層の各々は金属の酸化物，窒化物，銅又は真ちゅうの化合物要素，フッ化物、炭化物の中の少なくとも１つから作られているようにすることを含む請求項１７乃至３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
さらに前記第２保護層の面に隣接しかつ前記第２記録層の外側に対向するように積層されている反射層を形成し、この反射層でレーザビームが第２記録層に適用されているときにレーザビームによって発生する熱が過剰に蓄積されるのを消散させるようにすることを含む請求項３１に記載の方法。