Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のブレードを有するロータを支持する支持構造を備えた浮遊する風力タービン構造のブレードピッチコントローラであって、
標準的なブレードピッチ制御手段と、
能動的な減衰手段とを備え、
標準的なブレードピッチ制御手段は、ロータ速度誤差とブレードピッチ間の伝達関数を用いてブレードピッチを制御するように構成され、
能動的な減衰手段は更に、風力タービン構造上の点の速度をロータ速度誤差に変換し、且つロータ速度誤差をブレードピッチに変換するのに標準的なブレードピッチ制御手段にて用いられる同じ伝達関数を用いることにより、風力タービン構造上の点の速度に基づいてブレードピッチを制御するように構成された、ブレードピッチコントローラ。
【請求項２】
コントローラのパラメータは、遠隔操作によって変更することができる、請求項１に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項３】
能動的な減衰手段は、ローパスフィルタを備える、請求項１又は２に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項４】
ローパスフィルタは、ピッチにおける風力タービン構造の堅い本体の振動の固有振動数以上の周波数と共に、風力タービン構造上の点の速度の変化を除去するように構成された、請求項３に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項５】
ローパスフィルタは、０.０５Ｈｚ以上の周波数とともに、風力タービン構造上の点の速度の変化を除去するように構成された、請求項３又は４に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項６】
ローパスフィルタは、０.０４Ｈｚ以上の周波数とともに、風力タービン構造上の点の速度の変化を除去するように構成された、請求項３乃至５の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項７】
ローパスフィルタは、シャープフィルタである、請求項３乃至６の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項８】
ローパスフィルタは、第２次又は第３次のバターワースのローパスフィルタである、請求項３乃至７の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項９】
能動的な減衰手段は、風力タービン構造上の点の速度をロータ速度誤差に変換する能動的な減衰ゲイン手段を備える、請求項１乃至８の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１０】
能動的な減衰ゲイン手段は、ピッチにて風力タービン構造の堅い本体の振動の負の減衰を減じ又は阻止するように構成される、請求項９に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１１】
能動的な減衰ゲイン手段は、ピッチにて風力タービン構造の堅い本体の振動の有効な正の減衰を提供するように構成された、請求項９又は１０に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１２】
能動的な減衰手段と標準的なブレードピッチ制御手段の両方に用いられる伝達関数は、比例積分型コントローラの形式にて実行される、請求項１乃至１１の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１３】
コントローラは、２つの比例積分型コントローラを備え、１つは能動的な減衰手段であり、１つは標準的なブレードピッチ制御手段である、請求項１１に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１４】
コントローラは、能動的な減衰手段と標準的なブレードピッチ制御手段の両方に用いられるように構成された比例積分型コントローラを備える、請求項１２に記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１５】
ブレードピッチは、各回転ブレードについて別個に調整される、請求項１乃至１４の何れかに記載のブレードピッチコントローラ。
【請求項１６】
複数のブレードを有するロータを支持する支持構造を備えた浮遊する風力タービン構造のブレードピッチを制御する方法であって、
ロータ速度誤差とブレードピッチ間の伝達関数の出力に基づいてブレードピッチを調整する工程と、
更に風力タービン構造上の点の水平速度に基づいてブレードピッチを調整する工程を有し、
風力タービン構造上の点の速度はロータ速度誤差に変換され、次に同じ伝達関数を用いてブレードピッチに変換される、方法。
【請求項１７】
ブレードピッチは、所定値以上の周波数を用いて、風力タービン構造上の点の速度変化を調整されるのみである、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
所定値は、ピッチにて構造の堅い本体の振動の固有振動数以上である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
所定値は、０.０５Ｈｚである、請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
所定値は、０.０４Ｈｚである、請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２１】
風力タービン構造上の点の速度変化は、ローパスフィルタを用いて除去される、請求項１７乃至２０の何れかに記載の方法。
【請求項２２】
ローパスフィルタは、第２次又は第３次のバターワースのローパスフィルタである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
構造上の点の速度は、能動的な減衰ゲイン手段を用いてロータ速度誤差に変換される、請求項１６乃至２２の何れかに記載の方法。
【請求項２４】
能動的な減衰ゲイン手段は、ピッチにて風力タービン構造の堅い本体の振動の負の減衰を減じ又は阻止するように構成された、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
能動的な減衰ゲイン手段は、ピッチにて風力タービン構造の堅い本体の振動の有効な正の減衰を付与する、請求項２３又は２４に記載の方法。
【請求項２６】
能動的な減衰手段及び標準的なブレードピッチ制御手段の両方に用いられる伝達関数は、比例積分型コントローラの形式で実行される、請求項１６乃至２５の何れかに記載の方法。
【請求項２７】
請求項１乃至１５の何れかに記載のブレードピッチコントローラを備え、又は請求項１６乃至２６の何れかに記載の方法で制御される浮遊する風力タービン取付け装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯ２回収システム（１８）と排ガス再循環システムを備えた複合サイクル発電プラント（ＣＣＰＰ）の動作方法において、
ＣＯ２回収システム（１８）を含むプラントの全体的な効率を最適化するために、排ガスの再循環率と再循環された排ガスの再冷却温度（Ｔrecool）とを負荷に応じて制御することを特徴とする方法。
【請求項２】
部分負荷時におけるガスタービン用圧縮機の入力温度を上昇させるために、部分負荷時における再冷却温度（Ｔrecool）をベース負荷時の再冷却温度に対して相対的に上昇させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
最小の正規化された吸気中の酸素濃度（ＩＮO2）が、複合サイクル発電プラントの相対的な負荷（Ｐrel ）の関数として与えられることと、
正規化された吸気中の酸素濃度（ＩＮO2）が、再循環率と酸素又は酸素を多く含む空気（３４）の追加混合量との中の一つ以上の変更によって制御されることと、
を特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
ＣＯと燃焼しなかった炭化水素の中の一つ以上の測定した発生量の関数として、再循環率と酸素又は酸素を多く含む空気（３４）の追加混合量との中の一つ以上を調整することを特徴とする請求項１から３までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
正規化された吸気中の酸素濃度（ＩＮO2）が、ＣＯ及び燃焼しなかった炭化水素の発生量が低い時の完全燃焼を保証するのに十分であるという条件の下での再循環率が、実現可能な最も高い再循環率であることを特徴とする請求項１から４までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項６】
排ガスの再循環率を高めるために、複合サイクル発電プラントのガスタービン用圧縮機（１）の入力ガス（３）に酸素又は酸素を多く含む空気（３４）を追加混合することを特徴とする請求項１又は５に記載の方法。
【請求項７】
燃焼器の測定した脈動の関数として、再循環率と酸素又は酸素を多く含む空気（３４）の追加混合量との中の一つ以上を調整することを特徴とする請求項１から６までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
相対的な負荷（Ｐrel ）の関数として、再冷却温度（Ｔrecool）を制御することを特徴とする請求項１から７までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
相対的な負荷（Ｐrel ）と再循環率の関数として、再冷却温度（Ｔrecool）を制御することを特徴とする請求項１から８までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
ガスタービン（６）の圧縮機の目標入力温度が相対的な負荷（Ｐrel ）の関数であることと、
再冷却温度（Ｔrecool）と再循環率の制御を組み合わせて、その目標入力温度を制御することと、
を特徴とする請求項１から９までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
再循環用の可変速度式排ガス送風機（１１）と、排ガスをＣＯ２回収システム（１８）の方に送るためのＣＯ２回収システム用の可変速度式排ガス送風機（１０）との中の一つ以上を用いて、再循環率を制御することを特徴とする請求項１から１０までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１２】
再循環用の排ガス送風機とＣＯ２回収システム用の排ガス送風機との中の一つ以上を浄化動作の向上のために使用することを特徴とする請求項１から１１までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１３】
ＣＯ２回収システム（１８）を備えた複合サイクル発電プラントにおいて、
この複合サイクル発電プラントが、請求項１から１２までのいずれか一つに記載の方法により動作するように構成されていることを特徴とする複合サイクル発電プラント。
【請求項１４】
ガスタービン（６）と、熱回収蒸気発生器（９）と、蒸気タービン（１３）と、再循環排ガス用再冷却器（２７）を備えた排ガス再循環用配管と、ＣＯ２回収システム（１８）への排ガス用配管と、排ガス用冷却器（２３）とが配備され、再循環された排ガスと外気の混合地点とガスタービン（６）の圧縮機（１）の間の少なくとも一つの酸素とＣＯ２の中の一つ以上の測定器（３６）と、少なくとも一つの酸素とＣＯ２の中の一つ以上の測定器（３７，３８）と、ガスタービン（６）の下流に配置された少なくとも一つのＣＯと燃焼しなかった炭化水素の中の一つ以上の測定器との中の一つ以上が配備されていることを特徴とする請求項１３に記載の複合サイクル発電プラント。
【請求項１５】
再循環用の可変速度式排ガス送風機（１１）と、排ガスをＣＯ２回収システム（１８）の方に送るためのＣＯ２回収システム用の可変速度式排ガス送風機（１０）との中の一つ以上が再循環率の制御のために配備されていることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の複合サイクル発電プラント。
【請求項１６】
酸素又は酸素を多く含む空気（３４）を圧縮機（２）の入力ガスに追加混合するための空気分離ユニット（２８）が配備されていることを特徴とする請求項１３から１５までのいずれか一つに記載の複合サイクル発電プラント。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのガスタービン（６）と、一つの熱回収蒸気発生器（９）と、熱回収蒸気発生器（９）又はガスタービン（６）から熱回収蒸気発生器（９）への排ガスダクト内の補助燃焼部（１０）と、一つの蒸気タービン（１３）と、ＣＯ２回収システム（１８）とを備えた複合サイクル発電プラントの動作方法において、
ＨＲＳＧ（１９）からの排ガスの第一の部分的な流れ（２１）をガスタービン（６）の入力ガスに再循環することと、
ＨＲＳＧ（１９）からの排ガスの第二の部分的な流れ（２０）からＣＯ２を回収することと、
このプラントの正味の電力出力を増大するとともに、ＣＯ２回収システム（１８）の消費電力の少なくとも一部を補償するように、補助燃焼部（１０）を動作させることと、
を特徴とする方法。
【請求項２】
ガスタービン（６）内の安定した完全燃焼を維持することができるとともに、ガスタービン後の残留酸素濃度（ＧＴO2）が補助燃焼部（１０）の安定した完全燃焼を維持するのに十分であるとの条件の下で制御可能な最も高い再循環率である再循環率で、第一の部分的な流れ（２１）を再循環することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
補助燃焼部（１０）の安定した完全燃焼のために、追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）を補助燃焼部（１０）に噴射することを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）の流量が再循環率の関数であることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）の流量がガスタービン後の残留酸素濃度（ＧＴO2）の関数であることを特徴とする請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）の流量が補助燃焼部の負荷の関数であることを特徴とする請求項３から５までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項７】
補助燃焼部（１０）の安定した完全燃焼に必要な酸素濃度と独立して、再循環率を制御することができるような十分な外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）を補助燃焼部（１０）に噴射することを特徴とする請求項３から６までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項８】
追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）の流量が再循環率の関数、ガスタービン後の残留酸素濃度の関数、補助燃焼部の負荷の関数の中の一つ以上であることを特徴とする請求項３から７までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項９】
追加の外気の流れ、酸素を多く含む空気の流れ、酸素の流れの中の一つ以上（１１）が、複合サイクル発電プラントの水蒸気サイクル、ＣＯ２回収システム（１８）、排ガスの中の一つ以上からの低温の熱によって予熱されることを特徴とする請求項３から８までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１０】
電力需要がピークの時間に問題となる正味の電力出力を増大するとともに、動作の柔軟性を向上するように、補助燃焼部（１０）を動作させることを特徴とする請求項１から９までのいずれか一つに記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも一つのガスタービン（６）と、少なくとも一つの熱回収蒸気発生器（９）と、少なくとも一つの蒸気タービン（１３）と、少なくともＣＯ２回収システム（１８）と、熱回収蒸気発生器（９）からガスタービン（６）の入力への排ガス再循環系統とを備えた複合サイクル発電プラントにおいて、
低い理論空燃比での排ガス中の酸素濃度が１０％を下回るガス流量で動作することが可能な低余剰空気用補助燃焼部（１０）が熱回収蒸気発生器（９）又はガスタービン（６）から熱回収蒸気発生器（９）への排ガスダクト内に配備されていることを特徴とする複合サイクル発電プラント。
【請求項１２】
低余剰空気用補助燃焼部（１０）への外気の供給配管、酸素を多く含む空気の供給配管、酸素の供給配管の中の一つ以上が配備されていることを特徴とする請求項１１に記載の複合サイクル発電プラント。
【請求項１３】
酸素濃縮設備と空気分離ユニットの一つ以上が配備されていることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の複合サイクル発電プラント。
【請求項１４】
圧縮機の入力ガス（２）の入力ガス中の酸素濃度の測定、ガスタービンの熱い排ガス（８）中の残留酸素濃度の測定、熱回収蒸気発生器からの排ガス（１９）中の残留酸素濃度の測定の中の一つ以上のために、少なくとも一つの酸素測定器が配備されていることを特徴とする請求項１１から１３までのいずれか一つに記載の複合サイクル発電プラント。
【請求項１５】
圧縮機の入力ガス（２）の入力ガス中のＣＯ２濃度の測定、ガスタービンの熱い排ガス（８）中のＣＯ２濃度の測定、熱回収蒸気発生器からの排ガス（１９）中のＣＯ２濃度の測定の中の一つ以上のために、少なくとも一つのＣＯ２測定器が配備されていることを特徴とする請求項１１から１４までのいずれか一つに記載の複合サイクル発電プラント。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
数平均分子量２０,０００またはそれ未満を持つ、複数のポリイソブチレンセグメントおよび複数の生分解性ポリマーセグメントを含む、ことを特徴とするコポリマー。
【請求項２】
２〜５０個のポリイソブチレンセグメント又は２〜５０個の生分解性ポリマーセグメントを含む、請求項１記載のコポリマー。
【請求項３】
前記コポリマーが、ポリエステルセグメント、ポリカーボネートセグメント、ポリオルトエステルセグメント、ポリ酸無水物セグメント、およびポリホスファジンセグメントから選択される複数の生分解性ポリマーセグメントを含む、又は
前記コポリマーが、ポリ(アミノ酸)セグメントから選択される、複数の生分解性ポリマーセグメントを含む、
請求項１記載のコポリマー。
【請求項４】
前記コポリマーが、ポリヒドロキシ酸セグメント、ポリカーボネートセグメントおよびポリラクトンセグメント、およびこれらの混合物から選択される、複数の生分解性ポリマーセグメントを含む、又は
前記コポリマーが、複数の硬質生分解性ポリマーセグメントを含む、
請求項１記載のコポリマー。
【請求項５】
ポリエステル/ポリイソブチレン/ポリエステルトリブロック、ポリカーボネート/ポリイソブチレン/ポリカーボネートトリブロック、ポリオルトエステル/ポリイソブチレン/ポリオルトエステルトリブロック、ポリ酸無水物/ポリイソブチレン/ポリ酸無水物トリブロック、ポリホスファジン/ポリイソブチレン/ポリホスファジントリブロック、およびポリ(アミノ酸)/ポリイソブチレン/ポリ(アミノ酸)トリブロックから選択される、複数のトリブロックを含む、又は
ポリ(ヒドロキシ酸-b-イソブチレン-b-ヒドロキシ酸)トリブロック、ポリ(カーボネート-b-イソブチレン-b-カーボネート)トリブロック、ポリ(ラクトン-b-イソブチレン-b-ラクトン)トリブロック、およびこれらの組合せから選択される、複数のトリブロックを含む、請求項１記載のコポリマー。
【請求項６】
(a) 複数のジイソシアネート残基および(b) 複数のウレタン結合、複数のウレア結合、またはこれらの組合せを含む、請求項１記載のコポリマー。
【請求項７】
前記ジイソシアネート残基が、非-芳香族系のジイソシアネート残基を含む、又は
前記ジイソシアネート残基が、芳香族系のジイソシアネート残基を含む、
請求項６記載のコポリマー。
【請求項８】
前記ジイソシアネート残基が、４,４'-メチレンジフェニルジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、１,５-ナフタレンジイソシアネート、p-フェニレンジイソシアネート、３,３'-トリデン-４,４'-ジイソシアネート、３,３'-ジメチル-ジフェニルメタン-４,４'-ジイソシアネート、およびこれらの組合せから選択される芳香族ジイソシアネートの残基を含む、請求項７記載のコポリマー。
【請求項９】
更に、複数の連鎖延長剤残基をも含む、請求項６記載のコポリマー。
【請求項１０】
前記連鎖延長剤残基が、脂肪族ジオール残基、芳香族ジオール残基、脂肪族ジアミン残基および芳香族ジアミン残基から選択される、又は
前記連鎖延長剤残基が、α,ω-C1-C10-アルカンジオール残基から選択される、
請求項９記載のコポリマー。
【請求項１１】
前記連鎖延長剤残基が、α,ω-C1-C10-アルカンジオール残基から選択される、請求項９記載のコポリマー。
【請求項１２】
請求項１記載のコポリマーを含む、ポリマー領域を含有することを特徴とする、医療用物品。
【請求項１３】
請求項１記載のコポリマーを含む、ポリマー領域を含有することを特徴とする、移植可能なまたは挿入可能な医療用デバイスであって、前記医療用デバイスが、ステントカテーテル、誘導線、整形外科用ネジ、縫合糸、静脈弁、心臓弁、移植片、動脈瘤コイル、接着防止被膜、骨盤メッシュ、ヘルニアメッシュ、および脊椎板代替品から選択される前記移植可能なまたは挿入可能な医療用デバイス。
【請求項１４】
前記ポリマー領域が、更に治療薬をも含み、前記医療用デバイスがステントであり、かつ前記治療薬が再狭窄防止剤である、請求項１３記載の移植可能なまたは挿入可能な医療用デバイス。
【請求項１５】
ウレタン結合、アミド結合、エステル結合、カーボネート結合、無水物結合、１,２,３-トリアゾール部分を含む結合、およびこれらの組合せから選択される複数の結合を含む、又は
前記ポリイソブチレンセグメントが、ウレタン結合、ウレア結合、アミド結合、エステル結合、カーボネート結合、無水物結合、１,２,３-トリアゾール部分を含む結合、およびこれらの組合せから選択される結合により、前記生分解性ポリマーセグメントに結合している、請求項１記載のコポリマー。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロ触媒前駆体を、置換フェニレン芳香族ジエステルの存在下、１１５℃未満の温度でハロゲン化することであって、該置換フェニレン芳香族ジエステルが、構造（Ｉ）：
【化３−１】
2012514126.tif 000001
（上記式において、Ｒ1〜Ｒ14は同じであるか又は異なり、Ｒ1〜Ｒ14のそれぞれは水素、ハロゲン、１個〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基及び１個〜２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、並びにそれらの組合せから選択され、Ｒ1〜Ｒ14のうちの少なくとも１つは水素ではない）を有すること、及び
選択性指数が２．５未満であるプロ触媒組成物を形成すること
を含むプロセス。
【請求項２】
前記プロ触媒前駆体を９０℃から１００℃以下までの温度でハロゲン化することを含む、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
０ｗｔ％〜２．３ｗｔ％の分解生成物を含むプロ触媒組成物を形成することを含む、請求項１から２のいずれかに記載のプロセス。
【請求項４】
最初に、プロ触媒前駆体を、置換フェニレン芳香族ジエステルの存在下でハロゲン化してプロ触媒中間体を形成することであって、該置換フェニレン芳香族ジエステルが、構造（Ｉ）：
【化３−２】
2012514126.tif 000002
（上記式において、Ｒ1〜Ｒ14は同じであるか又は異なり、Ｒ1〜Ｒ14のそれぞれは水素、ハロゲン、１個〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基及び１個〜２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、並びにそれらの組合せから選択され、Ｒ1〜Ｒ14のうちの少なくとも１つは水素ではない）を有すること、
次いで、前記プロ触媒中間体を第１の温度よりも高い第２の温度でハロゲン化すること、及び
嵩密度指数が０．２８〜０．５であるプロ触媒組成物を形成すること
を含むプロセス。
【請求項５】
プロ触媒前駆体の粒子を調製することを含み、前記粒子が１０μｍ〜２５μｍのＤ５０を有する、請求項４に記載のプロセス。
【請求項６】
最初に前記プロ触媒前駆体を１１５℃未満の第１の温度でハロゲン化すること、及び、次いで前記プロ触媒中間体を１１５℃以上の第２の温度でハロゲン化することを含む、請求項４から５のいずれかに記載のプロセス。
【請求項７】
マグネシウム成分と、チタン成分と、置換フェニレン芳香族ジエステルを含む内部電子供与体とを含む粒子であって、該置換フェニレン芳香族ジエステルが、構造（Ｉ）：
【化３−３】
2012514126.tif 000003
（上記式において、Ｒ1〜Ｒ14は同じであるか又は異なり、Ｒ1〜Ｒ14のそれぞれは水素、ハロゲン、１個〜２０個の炭素原子を有するヒドロカルビル基及び１個〜２０個の炭素原子を有するアルコキシ基、並びにそれらの組合せから選択され、Ｒ1〜Ｒ14のうちの少なくとも１つは水素ではない）を有する、粒子
を含み、
前記粒子が１０μｍ〜２５μｍのＤ５０を有する、プロ触媒組成物。
【請求項８】
０．２８０ｇ／ｃｃを超える嵩密度指数を有する、請求項７に記載のプロ触媒組成物。
【請求項９】
２．３ｗｔ％未満のエチルベンゾアートを含む、請求項７から８のいずれかに記載のプロ触媒組成物。
【請求項１０】
５−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチル−１，２−フェニレンジベンゾアート及び４−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−フェニレンジベンゾアートからなる群より選択される内部電子供与体を含む、請求項７から９のいずれかに記載のプロ触媒組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本開示の利点の１つが、フォルマントポリマー粒子の嵩密度を増大させる触媒組成物である。
本開示は、例えば具体的に以下の発明を提供する。
［１］  プロ触媒前駆体を、置換フェニレン芳香族ジエステルの存在下、１１５℃未満の温度でハロゲン化すること、及び選択性指数が２．５未満であるプロ触媒組成物を形成することを含むプロセス。
［２］  前記プロ触媒前駆体を約９０℃から約１００℃以下までの温度でハロゲン化することを含む、［１］に記載のプロセス。
［３］  約０ｗｔ％〜約２．３ｗｔ％の分解生成物を含むプロ触媒組成物を形成することを含む、［１］から［２］のいずれかに記載のプロセス。
［４］  最初に、プロ触媒前駆体を、置換フェニレン芳香族ジエステルの存在下でハロゲン化してプロ触媒中間体を形成すること、次いで、前記プロ触媒中間体を第１の温度よりも高い第２の温度でハロゲン化すること、及び嵩密度指数が約０．２８〜約０．５であるプロ触媒組成物を形成することを含むプロセス。
［５］  プロ触媒前駆体の粒子を調製することを含み、前記粒子が約１０μｍ〜約２５μｍのＤ５０を有する、［４］に記載のプロセス。
［６］  最初に前記プロ触媒前駆体を１１５℃未満の第１の温度でハロゲン化すること、及び、次いで前記プロ触媒中間体を１１５℃以上の第２の温度でハロゲン化することを含む、［４］から［５］のいずれかに記載のプロセス。
［７］  マグネシウム成分と、チタン成分と、置換フェニレン芳香族ジエステルを含む内部電子供与体とを含む粒子を含み、前記粒子が約１０μｍ〜約２５μｍのＤ５０を有する、プロ触媒組成物。
［８］  ０．２８０ｇ／ｃｃを超える嵩密度指数を有する、［７］に記載のプロ触媒組成物。
［９］  ２．３ｗｔ％未満のエチルベンゾアートを含む、［７］から［８］のいずれかに記載のプロ触媒組成物。
［１０］  ５−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチル−１，２−フェニレンジベンゾアート及び４−ｔｅｒｔ−ブチル−１，２−フェニレンジベンゾアートからなる群より選択される内部電子供与体を含む、［７］から［９］のいずれかに記載のプロ触媒組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーを含む水性コーティング組成物であって、前記バインダーが、アミン官能性のリン酸化樹脂及び第二のアミン官能性樹脂を含む前記水性コーティング組成物。
【請求項２】
前記アミン官能性のリン酸化樹脂が、エポキシ樹脂又はアクリル樹脂である、請求項１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項３】
前記リン酸化樹脂が、モノホスフェートエステル基、モノホスホン酸エステル基もしくはその両方、ジホスフェートエステル基、ジホスホン酸エステル基もしくはその両方、又はトリホスフェートエステル基を含む、請求項１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項４】
前記リン酸化樹脂が、平均して、一分子当たり１個より多くのリン原子を有する、請求項１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項５】
リン酸化されたエポキシ樹脂以外のエポキシ樹脂を含まない、請求項２に記載の水性コーティング組成物。
【請求項６】
前記アミノ官能性樹脂が、少なくとも１個の基
【化１】
2012514107.tif 000001
［式中、Ｘは、水素、一価の炭化水素基、アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基又は酸素原子であり、その酸素原子は、リン原子に対して単独の共有結合を有し、かつそれぞれの酸素原子は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルアリール基、アリールアルキル基又はアミン官能性樹脂に対して共有結合を有するが、但し、少なくとも１個の酸素原子は、アミン官能性樹脂に対して共有結合を有する］を有する、請求項１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項７】
更に、前記アミン官能性のリン酸化樹脂と反応性の架橋剤を含む、請求項６に記載の水性コーティング組成物。
【請求項８】
第二のアミン官能性樹脂が前記架橋剤と反応性であり、かつ該第二のアミン官能性の樹脂が、リン含有基を含まない、請求項７に記載の水性コーティング組成物。
【請求項９】
酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化マンガン、酸化コバルト、酸化亜鉛、酸化ストロンチウム、酸化イットリウム、酸化モリブデン、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、ランタン系列の元素の酸化物及びそれらの組み合わせからなる群から選択される金属酸化物を含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の水性コーティング組成物。
【請求項１０】
全バインダー固形分の質量に対して、約０．０１質量％〜約１質量％の金属酸化物を含む、請求項９に記載の水性コーティング組成物。
【請求項１１】
有機金属化合物を含む、請求項１から８までのいずれか１項に記載の水性コーティング組成物。
【請求項１２】
有機金属化合物が、有機スズ化合物、有機亜鉛化合物、有機ビスマス化合物及びそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項１３】
全バインダー固形分の質量に対して、約０．００５質量％〜約１０質量％の有機金属化合物を含む、請求項１１に記載の水性コーティング組成物。
【請求項１４】
金属の自動車車体をコーティングする方法であって、
（ａ）金属の自動車車体を清浄化することと、
（ｂ）清浄化した金属の自動車車体を、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の水性コーティング組成物中に入れることと、
（ｃ）前記金属の自動車車体をカソードとして電気回路に接続し、そして前記水性の電着コーティング組成物に電流を流して、前記金属の自動車車体上にコーティング層を析出させることと、
を含む、金属の自動車車体をコーティングする方法。
【請求項１５】
前記金属の自動車車体が、リン酸塩前処理されていない、請求項１４に記載の導電性の基材のコーティング方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の水性コーティング組成物の製造方法であって、ポリエポキシ樹脂と、第三級アミン基を有する延長剤又は第三級アミン基を有する一官能性の反応物とを反応させて、第三級アミン官能性の樹脂を得てから、該第三級アミン官能性樹脂をリン酸化させることによって、アミン官能性のリン酸化樹脂を製造する、水性コーティング組成物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
以上のように、電気活性ポリマー及びそれを含有する物品の実施形態を開示する。本開示が、開示されたもの以外の実施形態で実施され得ることは当業者には理解されよう。開示された実施形態は、図示の目的のために示され、制限のために示されてはおらず、本開示は以下の「特許請求の範囲」によってのみ制限される。
本願発明に関連する発明の実施形態について以下に列挙する。
[実施形態１]
少なくとも１つのエチレン性不飽和含窒素モノマー（ただし、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーはアクリロニトリルではない）の重合物を含む誘電性ポリマーの少なくとも１つの層を含む電気活性ポリマーデバイスであって、
圧電デバイス、焦電デバイス、作動装置、変換器、又はセンサから選択される、電気活性ポリマーデバイス。
[実施形態２]
前記誘電性ポリマーが１種類のモノマーのみから形成されている、実施形態１に記載のデバイス。
[実施形態３]
前記モノマーがピロリドンエチルアクリレートである、実施形態２に記載のデバイス。
[実施形態４]
前記誘電性ポリマーが、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーとエチレン性不飽和コモノマーとの重合物を含む、実施形態１に記載のデバイス。
[実施形態５]
前記エチレン性不飽和含窒素モノマーが、ピロリドンエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルカプロラクタン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、実施形態４に記載のデバイス。
[実施形態６]
前記エチレン性不飽和コモノマーがアクリル基を含有する、実施形態４に記載のデバイス。
[実施形態７]
前記エチレン性不飽和コモノマーが、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、実施形態６に記載のデバイス。
[実施形態８]
エチレン性不飽和含窒素モノマーとエチレン性不飽和コモノマーとの重量比が約２０：８０〜約６０：４０である、実施形態４に記載のデバイス。
[実施形態９]
エチレン性不飽和含窒素モノマーとエチレン性不飽和コモノマーとの重量比が約３０：７０〜約５０：５０である、実施形態８に記載のデバイス。
[実施形態１０]
前記誘電性ポリマーが架橋されている、実施形態１に記載のデバイス。
[実施形態１１]
前記誘電性コポリマーが、化学的架橋剤を用いて架橋されている、実施形態１０に記載のデバイス。
[実施形態１２]
前記化学的架橋剤が、ポリブタジエンジアクリレート、ペンタアクリレートエステル、トリエチレングリコールジアクリレート、エトキシ化ビスフェノールＡジメチルアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、実施形態１１に記載のデバイス。
[実施形態１３]
前記層が電歪添加剤を更に含む、実施形態１に記載のデバイス。
[実施形態１４]
前記誘電性ポリマーの複数の層を更に含む、実施形態１に記載のデバイス。
[実施形態１５]
電気的エネルギーと機械的エネルギーとの変換を行うための変換器であって、
作動コンポーネントであって、少なくとも１つのエチレン性不飽和含窒素モノマー（ただし、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーはアクリロニトリルではない）の重合物を含む誘電性ポリマーの少なくとも１つの層を含む、作動コンポーネントと、
前記作動コンポーネントに電気的に接続された第１の電極と、
前記作動コンポーネントに電気的に接続された第２の電極と
を備え、
前記作動コンポーネント全体に電界を印加すると、前記ポリマーの少なくとも１つの層が機械的に変位する、変換器。
[実施形態１６]
前記誘電性ポリマーが１種類のモノマーのみから形成されている、実施形態１５に記載の変換器。
[実施形態１７]
前記エチレン性不飽和含窒素モノマーがピロリドンエチルアクリレートである、実施形態１６に記載の変換器。
[実施形態１８]
前記誘電性ポリマーが、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーとエチレン性不飽和コモノマーとの重合物を含む、実施形態１５に記載の変換器。
[実施形態１９]
前記エチレン性不飽和含窒素モノマーが、アクリロニトリル、ピロリドンエチルアクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルイミダゾール、Ｎ−ビニルカプロラクタン、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、実施形態１８に記載の変換器。
[実施形態２０]
前記エチレン性不飽和コモノマーがアクリル基を含有する、実施形態１８に記載の変換器。
[実施形態２１]
前記エチレン性不飽和コモノマーが、イソオクチルアクリレート、イソボルニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、実施形態１８に記載の変換器。
[実施形態２２]
前記誘電性ポリマーの複数の層を更に含む、実施形態１５に記載の変換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのエチレン性不飽和含窒素モノマー（ただし、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーはアクリロニトリルではない）の重合物を含む誘電性ポリマーの少なくとも１つの層を含む電気活性ポリマーデバイスであって、
圧電デバイス、焦電デバイス、作動装置、変換器、又はセンサから選択される、電気活性ポリマーデバイスであって、その電気活性ポリマーは、電界に対して機械的な応答を示すか、または、機械的応力に反応してエネルギーを発生させるポリマーである、電気活性ポリマーデバイス。
【請求項２】
電気的エネルギーと機械的エネルギーとの変換を行うための変換器であって、
作動コンポーネントであって、少なくとも１つのエチレン性不飽和含窒素モノマー（ただし、前記エチレン性不飽和含窒素モノマーはアクリロニトリルではない）の重合物を含む誘電性ポリマーの少なくとも１つの層を含む、作動コンポーネントと、
前記作動コンポーネントに電気的に接続された第１の電極と、
前記作動コンポーネントに電気的に接続された第２の電極と
を備え、
前記作動コンポーネント全体に電界を印加すると、前記ポリマーの少なくとも１つの層が機械的に変位する、変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ジビニルアレーンジオキサイド及び（ｂ）ジフェノールの反応生成物を含んで成り、フェノール官能性を有する反応中間体を生成するヒドロキシル官能性ポリエーテル組成物。
【請求項２】
前記ジビニルアレーンジオキサイドがジビニルベンゼンジオキサイドである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ジフェノールがビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＡ、ビフェノール、チオジフェノール、ジナフトール及びその混合物を含んで成る群から選定される請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
熱可塑性又は熱硬化性配合物中で混合される請求項１に記載された組成物。
【請求項５】
単官能性成分を含む請求項１に記載の組成物であって、前記単官能性成分がモノエポキシド又はモノフェノールである組成物。
【請求項６】
多官能性成分を含む請求項１に記載の組成物であって、前記多官能性成分が架橋結合せずに分岐を導入する組成物。
【請求項７】
前記多官能性成分がポリエポキシド、ポリフェノール又はその混合物を含む請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリエポキシドがエポキシノボラックを含んで成るか、又は前記ポリフェノールがフェノールノボラックを含んで成る請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記ジフェノールが化学量論過剰において使用される請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記エポキシ対フェノール当量に関する比率が０．０１超〜１．０未満である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
（ａ）ジビニルアレーンジオキサイド及び（ｂ）ジフェノールを反応させることを含んで成るヒドロキシル官能性ポリエーテル組成物の製造方法。
【請求項１２】
前記ジビニルアレーンジオキサイドがジビニルベンゼンジオキサイドである請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ジフェノールがビスフェノールＡ，ビスフェノールＦ、テトラブロモビスフェノールＡ，ビフェノール、チオジフェノール、ジナフトール及びその混合物を含んで成る群から選定され、且つ前記ジフェノールの濃度が、フェノールに対するエポキシの化学量論比で、１．０未満で存在する請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法が５０℃〜３００℃の範囲内の温度で実施される請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
単官能性成分を含む請求項１１に記載の方法であって、且つ前記単官能性成分がモノエポキシド又はモノフェノールである方法。
【請求項１６】
多官能性成分を含む請求項１１に記載の方法であって、前記多官能性成分が架橋結合せずに分岐を導入する方法。
【請求項１７】
前記多官能性成分がポリエポキシド、ポリフェノール又はその混合物を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ポリエトキシドがエポキシノボラックを含んで成るか、又は前記ポリフェノールがフェノールノボラックを含んで成る請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号および関連する空間情報を再生配置に依存しないフォーマットに符号化する方法であって、
オーディオ信号の第１セットを第１グループに割り当て、第１グループを、録音位置に対する各トラックの信号の起点方向およびその初期再生時間を示す関連のメタデータを有するモノラルオーディオトラックのセットとして符号化すること、および
オーディオ信号の第２セットを第２グループに割り当て、第２グループを、所与の次数および混合次数のアンビソニックストラックの少なくとも１セットとして符号化すること、
を含む、
２つのグループのトラックを生成すること、を備える前記方法。
【請求項２】
モノラルオーディオトラックのセットにおけるトラックと関連付けられた広がりパラメータを符号化することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１セットにおける各トラックの指向性パラメータを、固定された特定の値または時変値として符号化すること、または、
モノラルオーディオトラックのセットにおけるトラックと関連付けられた指向性パラメータを符号化すること、または、
第１セットにおけるトラックの信号の起点方向を、所定のルールに従って割り当てること
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
トラックに関連付けられた音源を含むシーンの任意の三次元表現および録音場所から、第１セットにおけるトラックの信号の起点方向を導出することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アンビソニックスの次数、混合次数の種類、トラック関連ゲイン、トラック順序付けという、使用されるアンビソニックスフォーマットの仕様を示すメタデータを符号化すること、または、
アンビソニックストラックに関連した初期再生時間を符号化すること
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
関連の指向性データを有する入力されたモノラル信号を、所与の次数および混合次数のアンビソニックストラックに符号化すること、または、
任意の入力されたマルチチャンネル信号を、所与の次数および混合次数のアンビソニックストラックに符号化すること、または、
任意の次数および混合次数の任意の入力されたアンビソニックス信号を、異なり得る所与の次数および混合次数のアンビソニックストラックに符号化すること
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
モノラルトラックのセットに関連した、広がりパラメータおよび場合によっては他の空間メタデータを、特定された広がりに適した復号化アルゴリズムを使用するために使用することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
再生配置に依存しないフォーマットを所与のマルチスピーカー配置に復号化することをさらに含み、
前記復号化が
狭域音源を再生するのに適したアルゴリズムを使用して、モノラルトラックのセットを復号化するため、および
トラックの次数、混合次数および特定された配置に適合されたアルゴリズムによりアンビソニックストラックのセットを復号化するために、
マルチスピーカー位置の仕様を使用する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
サウンドスケープ全体の回転を行うために回転制御パラメータを使用することをさらに含み、回転制御パラメータは頭部追跡装置から生成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
スピーカーの位置を自動的に導出して復号器により使用される配置の仕様を定義するための技術を使用することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
ステレオおよびサラウンド５．１、ＩＴＵ−Ｒ７７５−１という標準的な再生配置プリセットを使用すること、または、
頭部伝達関数データベースを使用して、標準的なバイノーラル技術により、ヘッドフォンに復号化すること
をさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
復号化の出力は、直接再生されず、オーディオトラックのセットとして記憶される、請求項８または１１に記載の方法。
【請求項１３】
オーディオ信号の全てまたは一部が圧縮されたオーディオフォーマットに符号化される、請求項１、６、または１１に記載の方法。
【請求項１４】
オーディオ信号および関連の空間情報を再生配置に依存しないフォーマットに符号化するためのオーディオ符号化器であって、
オーディオ信号の第１セットを第１グループに割り当て、および、第１グループを、指向性情報および初期再生時間情報を有するモノラルトラックのセットに符号化するための符号化器、
オーディオ信号の第２セットを第２グループに割り当て、および、第２グループを、任意の次数および混合次数のアンビソニックストラックスのセットに符号化するための符号化器、および
第１および第２セットのオーディオ信号を含む２つのグループのトラックを生成するための符号化器、
を含む前記オーディオ符号化器。
【請求項１５】
再生配置に依存しないフォーマットをＮ個のチャンネルを有する所与の再生システムに復号するためのオーディオ復号器であって、
前記再生配置に依存しないフォーマットが請求項１に記載された方法に従って、及び／又は請求項１４に記載されたオーディオ符号化器によって生成され、
前記オーディオ復号器が、
再生配置の仕様に基づき、指向性情報および初期再生時間情報を有するモノラルトラックのセットをＮ個のオーディオチャンネルに復号化するための復号器、
再生配置の仕様に基づき、アンビソニックストラックのセットをＮ個のオーディオチャンネルに復号化するための復号器、および
Ｎ個の出力オーディオチャンネルを生成するために、２つの上記復号器の出力をミキシングして、再生および記憶に供するミキサー、
を含む、オーディオ復号器。
【請求項１６】
空間オーディオを再生配置に依存しないフォーマットに符号化および再符号化し、任意のマルチスピーカー配置またはヘッドフォンに復号化および再生するシステムであって、
オーディオ信号のセットおよび関連の空間情報を再生配置に依存しないフォーマットに符号化する、請求項１４に記載のオーディオ符号化器、および
再生配置に依存しないフォーマットを、マルチスピーカー配置またはヘッドフォンである所与の再生システムに復号化する、請求項１５に記載のオーディオ復号器
を含む、前記システム。
【請求項１７】
請求項１から１３のいずれかに記載の方法をコンピュータ上で実行するためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のインターフェイスを有するセンサモジュールと、
第２および第３のインターフェイスを有する電源モジュールと、
第４および第５のインターフェイスを有する記録モジュールと、を備えており、
前記第１のインターフェイスを、前記第２および第４のインターフェイスのいずれかに機能的に係合させることができるモジュール式の動画カメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極構造の側壁上に形成されるスペーサによって前記ゲート電極構造からオフセットされ第１の深さまで延びる第１の複数の凹部を結晶性半導体領域内に形成することと、
前記第１の複数の凹部の前記第１の深さを増加させ、前記第１の深さよりも浅い第２の深さまで延びる第２の複数の凹部を前記結晶性半導体領域内に形成するために前記スペーサの幅を縮小する前にエッチングプロセスを実行することとを備え、
前記第２の複数の凹部は前記第１の複数の凹部よりも小さなオフセットによって前記ゲート電極構造からオフセットされている方法。
【請求項２】
前記第１の複数の凹部を形成することは、前記スペーサの幅を縮小する前に前記スペーサと前記ゲート電極構造とをマスクとして用いて前記結晶性半導体領域をエッチングすることを含む請求項１の方法。
【請求項３】
前記スペーサをエッチングすることによって前記スペーサの厚みを縮小することを備えた請求項１の方法。
【請求項４】
前記スペーサはシリコン窒化物を含み、前記スペーサをエッチングすることは加熱リン酸で前記スペーサをエッチングすることを含む請求項３の方法。
【請求項５】
前記第１の複数の凹部及び前記第２の複数の凹部を半導体合金で充填することを備えた請求項１の方法。
【請求項６】
前記スペーサの厚みを縮小した後にエッチングプロセスを実行することは、前記第１の複数の凹部の前記第１の深さを増加させ、前記第２の複数の凹部を形成するために、縮小した厚みの前記スペーサと前記ゲート電極構造とをマスクとして用いて前記結晶性半導体領域をエッチングすることを備えた請求項１の方法。
【請求項７】
前記ゲート電極構造に隣接して形成された他のスペーサを露出させるように前記スペーサを除去することを備えている請求項６の方法。
【請求項８】
前記第１の複数の凹部の前記第１の深さを増加させ、前記第２の複数の凹部の前記第２の深さを増加させ、前記第１の深さ及び前記第２の深さよりも浅い第３の深さを有する第３の複数の凹部を形成するために、前記他のスペーサと前記ゲート電極構造とをマスクとして用いて前記結晶性半導体領域をエッチングすることを備え、
前記第３の複数の凹部は前記第１の複数の凹部又は前記第２の複数の凹部のオフセットよりも小さなオフセットによって前記ゲート電極構造からオフセットされている請求項７の方法。
【請求項９】
前記第１の複数の凹部、前記第２の複数の凹部及び前記第３の複数の凹部を半導体合金で充填することを備えた請求項８の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月12日(2012.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの第１のメタライゼーション層の誘電体材質内に形成されることになるビアの底部での目標横方向サイズに対応する第１の横方向サイズを有するマスク開口を備えたエッチングマスクを前記誘電体材質の上方に形成することと、
前記第１の横方向サイズを有する前記マスク開口に基き前記誘電体材質内で第１の深さまで延びるようにビア開口を形成することと、
前記マスク開口が第２の横方向サイズを有するように前記マスク開口を増大させることと、
前記第２の横方向サイズを有する前記マスク開口に基き第２の深さまで延びるように前記ビア開口を増大させることと、
前記誘電体材質内において前記ビア開口の上方に前記ビア開口に接続するように溝を形成することと、
前記ビア開口及び前記溝を金属含有材質で共通に充填することとを備えた方法であって、
前記ビア開口は前記第１のメタライゼーション層の下方に位置する第２のメタライゼーション層の金属領域まで延びており、
前記ビア開口は前記誘電体材質の上面から前記第２の深さへと先細り構造となっている方法。
【請求項２】
前記マスク開口が第３の横方向サイズを有するように前記マスク開口を増大させることと、前記第３の横方向サイズを有する前記マスク開口に基き第３の深さまで延びるように前記ビア開口を増大させることとを更に備え、前記ビア開口は前記誘電体材質の前記上面から前記第３の深さへと先細り構造となっている請求項１の方法。
【請求項３】
前記マスク開口の横方向サイズを増大させることは、前記エッチングマスクをレジストマスクとして設けることと、レジスト除去プロセスを実行することとを備えている請求項１の方法。
【請求項４】
前記溝を形成することは、前記誘電体材質と少なくとも前記第２の深さまで延びている前記ビア開口との上方に溝エッチングマスクを形成することと、エッチングプロセスを実行して前記溝を得ると共に前記ビア開口の深さを増大させることとを備えている請求項１の方法。
【請求項５】
前記ビア開口を増大させることは、前記エッチングマスクに基きエッチングプロセスを実行することと、前記誘電体材質の下方に形成されるエッチング層を用いることによって前記エッチングプロセスを制御することとを更に備えている請求項１の方法。
【請求項６】
前記目標横方向サイズは前記金属領域の幅に概ね等しいかそれよりも小さい請求項１の方法。
【請求項７】
前記第１の深さまで延びている前記ビア開口は前記溝を形成することに先立ち形成される請求項１の方法。
【請求項８】
前記溝は前記ビア開口を形成することに先立ち形成される請求項１の方法。
【請求項９】
前記第１の深さは前記ビア開口の最終的な深さの概ね３０パーセントである請求項１の方法。
【請求項１０】
前記目標横方向サイズは概ね１００ナノメートル以下である請求項１の方法。
【請求項１１】
第１の深さまで延び且つ第１の横方向サイズを有するビア開口を半導体デバイスの第１のメタライゼーション層の誘電体材質内に形成することと、
前記ビア開口の側壁上にスペーサ要素を形成することと、
前記第１のメタライゼーション層の下方に形成される第２のメタライゼーション層の金属領域まで延びるように前記誘電体材質の範囲内で前記ビア開口の深さを増大させることとを備えた方法。
【請求項１２】
前記ビア開口を形成することは、マスク開口を有するエッチングマスクを形成することと、前記エッチングマスクに基き前記誘電体材質内へエッチングすることと、前記エッチングマスクを除去することとを備えている請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記スペーサ要素を形成することは、スペーサ層を堆積させることと、前記ビア開口の底部の目標幅を規定するように前記スペーサ層をエッチングすることとを備えている請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記スペーサ層を堆積させるのに先立ちエッチング停止層を形成することを更に備えた請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記ビア開口の前記深さを増大させることは、前記スペーサ要素の材質と前記誘電体材質とを同様の除去速度で除去することを備えている請求項１１の方法。
【請求項１６】
前記誘電体材質内で前記ビア開口の上方に溝を形成することを更に備え、前記ビア開口は前記溝に接続される請求項１１の方法。
【請求項１７】
前記溝は前記ビア開口の前記深さを増大させながら形成される請求項１６の方法。
【請求項１８】
基板の上方に形成され、第１の幅を有する金属線を備えている第１のメタライゼーション層と、
前記第１のメタライゼーション層の下方に形成され、前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する第２の金属線を備えている第２のメタライゼーション層と、
前記第１の金属線から前記第２の金属線へ延びるビアとを備えた半導体デバイスであって、
前記ビアは前記第１の金属線での第１の横方向寸法と前記第２の金属線での第２の横方向寸法とを有しており、前記第２の横方向寸法は前記第１の横方向寸法の概ね６０パーセント以下であり、前記ビアは前記第１の金属線から前記第２の金属線へと先細り構造となっている半導体デバイス。
【請求項１９】
前記第２の横方向寸法は概ね１００ナノメートル（ｎｍ）以下である請求項１８の半導体デバイス。
【請求項２０】
前記第２の横方向寸法は前記第１の横方向寸法の概ね４０パーセント以下である請求項１８の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記第１の幅は前記第２の幅の少なくとも２倍である請求項１８の半導体デバイス。