【手続補正書】
【提出日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧力検出フィルム上に、第１の導電膜が設けられた基板を配置し、
前記基板上に、第２の導電膜を有する素子群を、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが重なるように選択的に配置し、
前記基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を、前記圧力検出フィルムにより検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする圧着方法。
【請求項２】
圧力検出フィルム上に、第１の導電膜が設けられた基板を配置し、
前記基板上に、第２の導電膜を有する素子群を、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが重なるように選択的に配置し、
前記基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記素子群における前記第１の導電膜と前記第２の導電膜との接続領域に加わる圧力値および圧力分布と、前記接続領域以外の領域に加わる圧力値および圧力分布とを、前記圧力検出フィルムにより検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする圧着方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記圧力検出フィルムとして、シリコンダイヤフラム方式の圧力センサー、または、一対の電極間に感圧導電性ゴムが設けられた圧力センサーを用いることを特徴とする圧着方法。
【請求項４】
圧力が加わった部分が発色するフィルム上に、第１の導電膜が設けられた基板を配置し、
前記基板上に、第２の導電膜を有する素子群を、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とが重なるように選択的に配置し、
前記基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記フィルムの発色の濃淡を光学的に測定することによって、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする圧着方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記フィルムの発色の濃淡を撮像装置により測定することを特徴とする圧着方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板上に前記素子群を配置する際に、前記基板と前記素子群の間に異方導電性フィルムまたは異方導電性ペーストを設けることを特徴とする圧着方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記圧着と同時に加熱処理を行うことを特徴とする圧着方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記素子群として、可撓性を有する素子群を用いることを特徴とする圧着方法。
【請求項９】
押圧台と、
前記押圧台を介して被圧着体に圧力を加える加圧手段と、
前記被圧着体に加わる圧力値および圧力分布を検出する検出フィルムと、
前記検出した圧力値および圧力分布に基づいて、前記加圧手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする圧着装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記圧力検出フィルムは、シリコンダイヤフラム方式の圧力センサー、または、一対の電極間に感圧導電性ゴムが設けられた圧力センサーであることを特徴とする圧着装置。
【請求項１１】
圧力が加わった部分が発色するフィルムと、
押圧台と、
前記押圧台を介して、前記フィルム上に配置された被圧着体に圧力を加える加圧手段と、
前記フィルムの発色を光学的に測定することによって、前記被圧着体に加わる圧力値および圧力分布を検出する撮像装置と、
前記検出した圧力値および圧力分布に基づいて、前記加圧手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする圧着装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記フィルムは、透光性を有する支持基板上に設けられていることを特徴とする圧着装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記支持基板は、前記撮像装置と前記フィルムの間に設けられていることを特徴とする圧着装置。
【請求項１４】
圧力検出フィルム上に、導電膜が設けられた基板を配置し、
前記基板上に、素子群を、前記導電膜と重なるように選択的に配置し、
前記基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記導電膜と前記素子群とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を前記圧力検出フィルムにより検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
圧力が加わった部分が発色するフィルム上に、導電膜が設けられた基板を配置し、
前記基板上に、素子群を、前記導電膜と重なるように選択的に配置し、
前記基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記導電膜と前記素子群とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記フィルムの発色の濃淡を光学的に測定することによって、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上方に、トランジスタを含む素子形成層と、前記トランジスタと電気的に接続する第１の導電膜と、を有する素子層を形成し、
前記素子層に第１のシート材を貼り合わせ、
前記素子層および前記第１のシート材を、前記第１の基板から剥離し、
前記剥離によって露出した前記素子層の表面に第２のシート材を貼り合わせ、
前記第１のシート材を前記素子層から剥離し、
前記第１の導電膜と電気的に接続する第２の導電膜を形成することによって、前記素子層と、前記第２の導電膜と、前記第２のシート材と、を有する素子群を形成し、
圧力検出フィルム上に、第３の導電膜が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板上に、前記素子群を、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とが重なるように選択的に配置し、
前記第２の基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を前記圧力検出フィルムにより検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層の上方に、トランジスタを含む素子形成層と、前記トランジスタと電気的に接続する第１の導電膜と、を有する素子層を形成し、
前記素子層に第１のシート材を貼り合わせ、
前記素子層および前記第１のシート材を、前記第１の基板から剥離し、
前記剥離によって露出した前記素子層の表面に第２のシート材を貼り合わせ、
前記第１のシート材を前記素子層から剥離し、
前記第１の導電膜と電気的に接続する第２の導電膜を形成することによって、前記素子層と、前記第２の導電膜と、前記第２のシート材と、を有する素子群を形成し、
圧力が加わった部分が発色するフィルム上に、第３の導電膜が設けられた第２の基板を配置し、
前記第２の基板上に、前記素子群を、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とが重なるように選択的に配置し、
前記第２の基板と前記素子群とを圧着させることによって、前記第２の導電膜と前記第３の導電膜とを電気的に接続し、
前記圧着時に、前記フィルムの発色の濃淡を光学的に測定することによって、前記素子群に加わる圧力値および圧力分布を検出し、
前記検出された圧力値および圧力分布に基づいて、前記検出後に前記素子群に加える圧力を制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第２の基板上に前記素子群を配置する際に、前記第２の基板と前記素子群の間に異方導電性フィルムまたは異方導電性ペーストを設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記第１のシート材を前記素子層から剥離する前に、前記素子層に選択的にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記第２の導電膜はバンプとして機能し、
前記第３の導電膜はアンテナとして機能することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記素子層は、前記第１の導電膜の端部を覆う保護膜を有し、
前記第２の導電膜は、前記保護膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記第２のシート材として、可撓性を有するフィルムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１４または請求項１６において、
前記圧力検出フィルムとして、シリコンダイヤフラム方式の圧力センサー、または、一対の電極間に感圧導電性ゴムが設けられた圧力センサーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１５または請求項１７において、
前記フィルムの発色の濃淡を撮像装置により測定することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１４乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記圧着と同時に加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。