(57)【要約】【課題】薄いＢＯＸ酸化膜を有する高品質なＳＯＩウェーハおよび高品質なＤＳＢウェーハを提供すること。【解決手段】ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する酸化工程と、前記酸化膜を形成したベースウェーハをトップウェーハと貼り合せる貼り合わせ工程と、前記貼り合わせたウェーハ中のトップウェーハを薄膜化する薄膜化工程とを含む貼り合わせウェーハの製造方法。前記酸化工程は、前記ウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する酸化工程と、
前記酸化膜を形成したベースウェーハを、トップウェーハと貼り合せる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせたウェーハ中のトップウェーハを薄膜化する薄膜化工程と、
を含む貼り合わせウェーハの製造方法であって、
前記酸化工程は、前記ベースウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、
前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる、貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記酸化工程は、ランプ式急速加熱炉内で行われる請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記酸化工程は、前記界面に配置される酸化膜の総厚が３０ｎｍ以下となるように、前記ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜が形成されるように行われる請求項１または２に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記酸化工程における加熱温度は、１０００〜１２００℃の範囲である請求項１〜３のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記酸化工程は、前記ベースウェーハを、前記酸化工程における加熱温度に１〜３分間保持することを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項６】
前記酸化工程は、加熱後のベースウェーハを５０〜１００℃／秒の降温速度で降温することを更に含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記薄膜化工程は、
貼り合わせ工程前のトップウェーハに軽元素イオンをイオン注入することにより、前記トップウェーハ内にイオン注入層を形成し、
貼り合わせ工程後、貼り合わせたウェーハを熱処理することにより、イオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を剥離することによって行われる請求項１〜６のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項８】
前記薄膜化工程は、
貼り合わせ工程前のトップウェーハに酸素イオンをイオン注入することにより、前記トップウェーハ内にイオン注入層を形成し、
貼り合わせ工程後、研削、研磨またはエッチングによりイオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を除去することによって行われる請求項１〜６のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項９】
前記薄膜化工程後、貼り合わせウェーハを非酸化性雰囲気下で熱処理することにより、貼り合わせ界面に存在する酸化膜を除去することを更に含む請求項１〜８のいずれか１項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄いＢＯＸ層を有するＳＯＩウェーハ、ＤＳＢウェーハ等の貼り合わせウェーハおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳＯＩ(Silicon-On-Insulator)ウェーハは、従来のシリコンウェーハに比べ、素子間の分離、素子と基板間の寄生容量の低減、三次元構造形成が可能といった利点を有する。これら利点を活かし、近年、ＳＯＩウェーハは、高速・低消費電力のＬＳＩ等に使用されている。
【０００３】
従来のＳＯＩウェーハは、比較的厚い（例えば１５００Å程度）酸化膜を介して２枚のウェーハが貼り合わされていた。しかし、近年、新たなデバイスに使用するために、薄い膜厚の酸化膜を有するＳＯＩウェーハや２枚のウェーハを酸化膜を介さずに直接貼り合せたＤＳＢ(Direct Silicon Bonding)ウェーハの需要が高まりつつある。
【０００４】
ＤＳＢウェーハを製造するために２枚のウェーハを直接接合すると、接合面に多数のボイドが発生することが知られている。そのため、ボイド低減のために、２枚のウェーハを薄い酸化膜を介して貼り合わせた後、熱処理することにより界面の酸化膜を除去することが行われている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−１５６７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、ＢＯＸ酸化膜形成のためには縦型炉が使用される。しかし、縦型炉を用いた場合、酸化膜作製には少なくとも数十分の処理を要する。また、縦型炉では、酸化温度が高いほど酸化膜の成長レートが速くなり、膜厚制御が困難となる。従って、上記のように近年需要が高まりつつある薄層の酸化膜を、縦型炉を用いて均一な膜厚で形成するには、低温処理を行う必要がある。しかし、低温処理を行うことでウェーハ内部の析出核が成長し、析出過多となりデバイスプロセスでリソグラフィー不良等の問題が発生するおそれがある。
【０００６】
かかる状況下、本発明は、薄く、かつ均一な膜厚のＢＯＸ酸化膜を有する高品質なＳＯＩウェーハおよび高品質なＤＳＢウェーハを提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ウェーハを酸化性雰囲気下で急速に昇温し所定温度に加熱して酸化膜を形成することにより、例えば、厚さ３０ｎｍ以下、更には厚さ２ｎｍ以下の超薄ＢＯＸ酸化膜を短時間で均一な膜厚で形成でき、しかもウェーハ内部のＢＭＤ(Bulk Micro Defect)を低減できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
即ち、上記目的を達成する手段は、以下の通りである。
［１］ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する酸化工程と、
前記酸化膜を形成したベースウェーハを、トップウェーハと貼り合せる貼り合わせ工程と、
前記貼り合わせたウェーハ中のトップウェーハを薄膜化する薄膜化工程と、
を含む貼り合わせウェーハの製造方法であって、
前記酸化工程は、前記ベースウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、
前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる、貼り合わせウェーハの製造方法。
［２］前記酸化工程は、ランプ式急速加熱炉内で行われる［１］に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［３］前記酸化工程は、前記界面に配置される酸化膜の総厚が３０ｎｍ以下となるように、前記ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜が形成されるように行われる［１］または［２］に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［４］前記酸化工程における加熱温度は、１０００〜１２００℃の範囲である［１］〜［３］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［５］前記酸化工程は、前記ベースウェーハを、前記酸化工程における加熱温度に１〜３分間保持することを含む［１］〜［４］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［６］前記酸化工程は、加熱後のベースウェーハを５０〜１００℃／秒の降温速度で降温することを更に含む［１］〜［５］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［７］前記薄膜化工程は、
貼り合わせ工程前のトップウェーハに軽元素イオンをイオン注入することにより、前記トップウェーハ内にイオン注入層を形成し、
貼り合わせ工程後、研削、研磨またはエッチングによりイオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を除去することによって行われる［１］〜［６］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［８］前記薄膜化工程は、
貼り合わせ工程前のトップウェーハに酸素イオンをイオン注入することにより、前記トップウェーハ内にイオン注入層を形成し、
貼り合わせ工程後、トップウェーハの一部を研削、研磨またはエッチングすることによりイオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を剥離することによって行われる［１］〜［６］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
［９］前記薄膜化工程後、貼り合わせウェーハを非酸化性雰囲気下で熱処理することにより、貼り合わせ界面に存在する酸化膜を除去することを更に含む［１］〜［８］のいずれかに記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、均一な膜厚のＢＯＸ酸化膜を短時間で作製することができ、しかも高温・短時間で酸化処理を行うことにより、ウェーハ内部のＢＭＤ密度を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法は、
（１）ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する酸化工程、
（２）前記酸化膜を形成したベースウェーハを、トップウェーハと貼り合せる貼り合わせ工程、
（３）前記貼り合わせたウェーハ中のトップウェーハを薄膜化する薄膜化工程、
を含む。前記酸化工程は、前記ベースウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含み、前記貼り合わせ工程は、２枚のウェーハの界面に前記酸化工程において形成された酸化膜が配置されるように行われる。
以下に、上記各工程について順次説明する。
【００１１】
（１）酸化工程
本発明の貼り合わせウェーハの製造方法では、ベースウェーハの少なくとも一方の面上に酸化膜を形成する。この工程で形成される酸化膜は、その後行われる貼り合わせ工程において、２枚のウェーハの界面に配置される。こうして、埋め込み酸化膜を有するSOIウェーハを得ることができる。
【００１２】
貼り合わせるウェーハとしては、例えば、ＣＺ法等により育成され、ボロンがドープされた単一のシリコンインゴットからスライスした２枚のシリコンウェーハを用いることができる。なお、２枚のウェーハを酸化膜を介して貼り合わせた後に酸化膜を除去してＤＳＢウェーハを得る場合は、ベースウェーハとしてシリコンウェーハを使用し、トップウェーハとしてベースウェーハと異種のウェーハを用いるか、ベースウェーハと方位の違うシリコンウェーハを用いることができる。更に、後述するＢＭＤ低減のためには、貼り合わせるウェーハとして、酸素濃度が低減されたウェーハを使用することが好ましい。好ましい酸素濃度は、ベースウェーハ、トップウェーハとも８×Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3〜１４×Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であり、より好ましくは１０×Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3〜１２×Ｅ＋１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ3である。
【００１３】
前記酸化工程は、酸化膜を形成すべきウェーハを、酸化性雰囲気下で１〜３００℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃の範囲の温度に加熱することを含む。
ＢＯＸ酸化膜形成に通常使用される縦型炉（抵抗加熱、バッチ式）の加熱温度の上限は、１２００℃程度であり、昇温速度は一般に１０〜２０℃／分程度であるので、ＢＯＸ酸化膜形成には数十分程度かかる。また、前述のように、縦型炉では、薄く均一な膜厚の酸化膜を形成するためには低温で処理する必要がある。しかし、低温処理することにより、ウェーハ内部のＳｉＯ2析出核が成長し析出過多となる。これにより、ウェーハ内のＢＭＤ(Bulk Micro Defect)が増加し、デバイスプロセスでのリソグラフィー不良を引き起こすおそれがある。このように、従来使用されていた縦型炉では、均一な膜厚の酸化膜（特に薄い酸化膜）形成とＢＭＤ密度低減を両立することは困難であった。
それに対し、本発明では、縦型炉を使用する場合よりはるかに速い昇温速度で８００〜１３００℃の温度に加熱する。これにより、ＢＭＤ密度上昇を引き起こすことなく、短時間で均一な膜厚を有するＢＯＸ化膜を形成することが可能となる。
【００１４】
前記昇温速度が１℃／秒未満では、特に薄い酸化膜を形成する際、膜厚の均一性を維持することが困難となる。一方、前記昇温速度が３００℃／秒を超えると、ウェーハにスリップが発生するおそれがある。また、前記加熱温度が８００℃未満では、薄い膜厚の酸化膜を均一に形成することが困難となり、１３００℃を超えると、ウェーハにスリップが発生するおそれがある。
【００１５】
前記酸化工程は、ランプ式急速加熱炉（Rapid Thermal Processor；RTP炉）によるＲＴＰ酸化によって行うことができる。ＲＴＰ炉は、赤外線ランプ等のランプを用いて枚葉加熱を行う加熱炉であり、急速な昇降温を行うことができるものである。ＲＴＰ炉を使用することにより、上記昇温速度での加熱が可能となり、ＢＭＤ密度を上昇させることなく、短時間で均一な膜厚を有する酸化膜を形成することができる。
【００１６】
前記酸化工程は、特に、薄く均一なＢＯＸ酸化膜を形成する方法として好適であり、例えば、ＢＯＸ酸化膜厚が３０ｎｍ以下、更には２ｎｍ以下、例えば０．５〜２ｎｍの貼り合わせウェーハを得る際に適用することが好ましい。
【００１７】
ＢＭＤを効果的に低減するためには、酸化工程における昇降速度および温度、加熱後の保持時間等の加熱冷却条件を調整することが好ましい。ベースウェーハ上に酸化膜（好ましくは厚さ２ｎｍ以下）を形成する際の好ましい加熱冷却プロセスとしては、以下の加熱冷却プロセスを挙げることができる；１〜３００℃／秒、好ましくは５０〜１００℃／秒、更に好ましくは７５〜９０℃／秒の昇温速度で８００〜１３００℃、好ましくは８００〜１２００℃、更に好ましくは１０００〜１２００℃に加熱→前記加熱温度に１〜３分間、好ましくは１〜２分間保持→５０〜１００℃／秒、好ましくは７５〜９０℃／秒の降温速度で５００〜７００℃、好ましくは５００〜６００℃に降温。なお、酸化工程を行う前に、加熱炉内を予熱しておくこともできる。予熱温度は、例えば５００〜７００℃程度である。
【００１８】
形成する酸化膜の厚さは、加熱冷却条件および酸化性雰囲気中の酸素濃度を調整することによって制御することができる。酸化性雰囲気中の酸素濃度は、１０〜１００％とすることができ、５０〜１００％とすることが好ましい。共存する気体としては、窒素、アルゴン等を挙げることができるが、特に限定されるものではない。
【００１９】
（２）貼り合わせ工程
前記酸化工程後、形成された酸化膜が２枚のウェーハ間に配置されるようにトップウェーハとベースウェーハを貼り合わせる。貼り合わせ工程は、通常ウェーハの貼り合わせに使用される治具を用い、例えば室温下で行うことができる。両ウェーハの貼り合わせ面を鏡面研磨しておくことにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士を接着させることができる。
【００２０】
（３）薄膜化工程
前記貼り合わせ工程後、トップウェーハを薄膜化する薄膜化工程を行う。薄膜化工程は、イオン注入剥離法、研削、研磨、エッチング等によって行うことができる。残存するトップウェーハの厚さを高度に調節して薄膜化するためには、イオン注入剥離法または後述する酸素イオン注入層を利用する薄膜化法を用いることが好ましい。イオン注入剥離法を用いる場合は、前記貼り合わせ工程前にイオン注入を行うとともに、貼り合わせ工程後のウェーハを熱処理することにより、イオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を剥離することができる。
【００２１】
前記イオン注入は、トップウェーハに軽元素イオン（例えば、水素イオン、希ガスイオンまたは水素イオンと希ガスイオンとの混合物）をイオン注入し、トップウェーハ内にイオン注入層を形成する。イオン注入は、公知のイオン注入装置を用いて行うことができる。イオン注入時の加速電圧は、例えば１０〜１００ｋｅＶとすることができる。イオン注入量は、生産性を考慮すると少ない方が好ましいが、過度に少ないとその後の熱処理において剥離することが困難となる。これらの点を考慮すると、イオン注入量は、例えば２ｅ16〜１ｅ17／ｃｍ2、好ましくは５ｅ16〜１ｅ17／ｃｍ2とすることができる。
【００２２】
トップウェーハ剥離のための熱処理温度は、一般的に３００℃以上の温度とされており、好ましくは３５０〜５００℃である。熱処理温度が上記範囲内であれば、イオン注入層に気泡を発生させることができ、この気泡が連続層となることにより、イオン注入層を境界として剥離を起こすことができる。熱処理時間は、例えば１分〜１時間、好ましくは１〜３０分、昇温速度は、例えば０．５〜１０℃/ｍｉｎ、好ましくは１〜５℃/ｍｉｎである。熱処理は、公知の熱処理装置を用いて行うことができる。
【００２３】
一方、酸素イオン注入層を利用する薄膜化法による薄膜化工程は、貼り合わせ前のトップウェーハに酸素イオンを注入することによりトップウェーハ内にイオン注入層を形成し、貼り合わせ工程後、研削、研磨またはエッチングによりイオン注入層を境界としてトップウェーハの一部を除去することによって行われる。
【００２４】
更に、前記薄膜化工程後、貼り合わせウェーハを非酸化性雰囲気下で熱処理することにより、貼り合わせ界面に存在する酸化膜を除去することができる。これは、前記熱処理によってウェーハ中の酸素が外方拡散により低濃度化され、この酸素濃度低減領域に存在する酸化膜がウェーハ中に拡散するためである。こうして、２枚のウェーハが直接貼り合わされたウェーハ（ＤＳＢウェーハ）を得ることができる。
【００２５】
前記非酸化性雰囲気は、例えば還元雰囲気または不活性雰囲気であり、例えば窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、水素雰囲気等である。前記熱処理の条件は、ウェーハ界面に存在する酸化膜厚およびウェーハの酸素濃度を考慮して設定することが好ましい。熱処理温度は、例えば１０００〜１２００℃、好ましくは１１００〜１１５０℃、熱処理時間は０．５〜２時間、好ましくは１〜２時間である。上記熱処理によってトップウェーハを無欠陥層とすることができ、更に前記酸化処理によってベースウェーハ内部のＢＭＤ密度を低減できるため、高品質なＤＳＢウェーハを得ることができる。
【００２６】
その後、得られた貼り合わせウェーハに対して、トップウェーハ側表面およびベースウェーハ側表面を研磨することにより、所望の厚さの貼り合わせウェーハを得ることができる。
【００２７】
前述のように、本発明の貼り合わせウェーハの製造方法によれば、例えば厚さ３０ｎｍ以下、更には２ｎｍ以下の薄い酸化膜を均一な膜厚で形成することができるとともに、ベースウェーハ内部のＢＭＤ密度を、例えば１Ｅ＋５／ｃｍ2以下、更には１Ｅ＋２／ｃｍ2〜１Ｅ＋５／ｃｍ2に低減することができる。前記ＢＭＤ密度は、ライトエッチング法によって測定することができる。
【実施例】
【００２８】
以下に、本発明を実施例により更に説明する。但し、本発明は実施例に示す態様に限定されるものではない。
【００２９】
[実施例１]
（１）トップウェーハ、ベースウェーハの作製
ＣＺ法により育成され、ボロンがドーパントとされた単一のシリコンインゴットからスライスした厚さ７２５μｍ、直径２００ｍｍ、比抵抗２０Ω・ｃｍ、酸素濃度１２Ｅ＋１７／ｃｍ3のシリコンウェーハを２枚準備した。この後、これらのシリコンウェーハを公知の手法にて鏡面研磨した。そして、これらのシリコンウェーハのうち、一方をトップウェーハ用とし、他方をベースウェーハ用とした。
（２）ＢＯＸ酸化膜形成
ベースウェーハ用のシリコンウェーハ表面にＲＴＰ炉（マトソン社製、炉内は１００％酸素雰囲気）を用いて６００℃から５０℃／ｓｅｃで９００℃まで昇温し、９００℃で１分間保持し、その後５０℃／ｓｅｃで６００℃まで降温させたウェーハの酸化膜厚のばらつきおよび平均値を、反射式膜厚測定器によって評価した。表１に、面内１２１点の膜厚の最大値と最小値の差（膜厚レンジ）および膜厚の平均値を示す。
（３）イオン注入
トップウェーハとなるシリコンウェーハをイオン注入装置の真空チャンバ内にセットし、回転を始めた。続いて４０ｋｅＶ、５．０Ｅ１６／ｃｍ2の条件で水素イオンビームによる注入を行い、イオン注入層を形成した。
（４）貼り合わせ
上記トップウェーハとベースウェーハを、界面にＢＯＸ酸化膜が位置するように貼り合わせた。得られた貼り合わせウェーハ中のベースウェーハ内部のＢＭＤ密度を、ライトエッチング法によって評価した。結果を表１に示す。
【００３０】
[実施例２]
ベースウェーハ用のシリコンウェーハ表面にＲＴＰ炉（マトソン社製、炉内は１００％酸素雰囲気）を用いて６００℃から５０℃／ｓｅｃで１１００℃まで昇温し、１１００℃で１分間保持し、その後５０℃／ｓｅｃで６００℃まで降温させてＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３１】
[実施例３]
トップウェーハおよびベースウェーハの酸素濃度を１３Ｅ＋１７／ｃｍ3に変更した以外は実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３２】
[実施例４]
ベースウェーハ用のシリコンウェーハ表面にＲＴＰ炉（マトソン社製、炉内は１００％酸素雰囲気）を用いて６００℃から５０℃／ｓｅｃで１１００℃まで昇温し、１１００℃で１分間保持し、その後５０℃／ｓｅｃで６００℃まで降温させてＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例３と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３３】
[実施例５]
トップウェーハおよびベースウェーハの酸素濃度を１４Ｅ＋１７／ｃｍ3に変更した以外は実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３４】
[実施例６]
ベースウェーハ用のシリコンウェーハ表面にＲＴＰ炉（マトソン社製、炉内は１００％酸素雰囲気）を用いて６００℃から５０℃／ｓｅｃで１１００℃まで昇温し、１１００℃で１分間保持し、その後５０℃／ｓｅｃで６００℃まで降温させてＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例５と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３５】
[比較例１]
縦型炉内（炉内は１００％酸素雰囲気）で、７００℃から５℃／分で８００℃まで昇温し、８００℃で６分間保持し、その後２．５℃／分で７００℃まで降温してＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例１と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３６】
[比較例２]
縦型炉内（炉内は１００％酸素雰囲気）で、７００℃から５℃／分で８００℃まで昇温し、８００℃で６分間保持し、その後２．５℃／分で７００℃まで降温してＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例３と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３７】
[比較例３]
縦型炉内（炉内は１００％酸素雰囲気）で、７００℃から５℃／分で８００℃まで昇温し、８００℃で６分間保持し、その後２．５℃／分で７００℃まで降温してＢＯＸ酸化膜を形成した以外は実施例５と同様の方法で貼り合わせウェーハを作製した。
【００３８】
【表１】
2008182192.tif 000002
【００３９】
表１中のベースウェーハの酸素濃度が同じ実施例と比較例の比較から、５０〜１００℃／秒の昇温速度で８００〜１２００℃に加熱することを含む酸化処理によって、均一な膜厚の酸化膜を短時間で形成することができ、しかもベースウェーハ中のＢＭＤ密度を低減できることがわかる。
【００４０】
[実施例７]
実施例１で作製した貼り合わせウェーハをアルゴン雰囲気下で１２００℃で６０分間熱処理し、熱処理前後のウェーハ断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で評価した。得られたＴＥＭ像を図１に示す。図１に示すように、上記処理によってＢＯＸ酸化膜を除去しＤＳＢウェーハを得ることができた。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明によれば、高品質なＳＯＩウェーハおよびＤＳＢウェーハを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施例７における熱処理前後のウェーハ断面のＴＥＭ像を示す。
【図１】
2008182192.tif 000003