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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体用の親水性潤滑性コーティングであって、
架橋ポリウレタンおよびポリ（エチレンオキシド）、または、架橋ポリウレアおよびポリ（エチレンオキシド）の一方を含む第１の親水性潤滑性コーティング層であって、架橋ポリウレタンは、イソシアネート及びポリオールを反応させることにより形成され、架橋ポリウレアは、イソシアネート及びポリアミンを反応させることにより形成された、第１の親水性潤滑性コーティング層と、
架橋ポリウレタンおよびポリビニルピロリドン、または、架橋ポリウレアおよびポリビニルピロリドンの一方を含む第２の親水性潤滑性コーティング層であって、架橋ポリウレタンは、イソシアネート及びポリオールを反応させることにより形成され、架橋ポリウレアは、イソシアネート及びポリアミンを反応させることにより形成された、第２の親水性潤滑性コーティング層と、を備え、
第１の親水性潤滑性コーティング層が第２の親水性潤滑性コーティング層により覆われており、
第２の親水性潤滑性コーティング層が第１の親水性潤滑性コーティング層と相互浸透している、コーティング。
【請求項２】
ポリ（エチレンオキシド）が約１００，０００〜約６００，０００の平均分子量を有する、請求項１に記載のコーティング。
【請求項３】
ポリビニルピロリドンが約５０，０００〜約２．５百万の平均分子量を有する、請求項１に記載のコーティング。
【請求項４】
第１の親水性潤滑性コーティング層中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が、約１．０５：１〜約１．３：１である、請求項１に記載のコーティング。
【請求項５】
第１の親水性潤滑性コーティング層中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が約１．１：１である、請求項４に記載のコーティング。
【請求項６】
第２の親水性潤滑性コーティング層中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が、約１．０５：１から約１．５：１まで変動する、請求項１に記載のコーティング。
【請求項７】
第２の親水性潤滑性コーティング層中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が約１．３：１である、請求項６に記載のコーティング。
【請求項８】
基体の外面に親水性潤滑性コーティングを付与する方法であって、
イソシアネート、ポリオールまたはポリアミンの一方、およびポリ（エチレンオキシド）の混合物を含む第１のコーティング層を塗布するステップと、
架橋ポリウレタンまたは架橋ポリウレアの一方とポリ（エチレンオキシド）を含む第１の親水性潤滑性コーティングを付与するために、第１のコーティング層を硬化するステップと、
イソシアネート、ポリオールまたはポリアミンの一方、およびポリビニルピロリドンの混合物を含む第２のコーティング層を塗布するステップと、
架橋ポリウレタンまたは架橋ポリウレアの一方とポリビニルピロリドンを含む第２の親水性潤滑性コーティングを付与するために、第２のコーティング層を硬化するステップと、
を含み、第１のコーティング層が第２のコーティング層により覆われており、第２のコーティング層が第１のコーティング層と相互浸透している、方法。
【請求項９】
イソシアネート、ポリオールまたはポリアミン、およびポリ（エチレンオキシド）の混合物が、臭化メチレン、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、アセトニトリル、ジブロモエタン、安息香酸メチル、酢酸ベンジル、臭化ｎ−プロピル、シクロヘキサノン、１，３−ジオキソラン、Ｎ−メチルピロリドン、およびそれらの混合物からなる群から選択される溶媒に溶解される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
イソシアネート、ポリオールまたはポリアミン、およびポリビニルピロリドンの混合物が、臭化メチレン、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、ジクロロエチレン、アセトニトリル、ジブロモエタン、臭化ｎ−プロピル、１，３−ジオキソラン、Ｎ−メチルピロリドンおよびそれらの混合物からなる群から選択される溶媒に溶解される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
第１のコーティング層および第２のコーティング層が、液浸、吹付け、はけ塗り、ロール塗り、または塗付けのいずれか１つにより塗布される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
第１のコーティング層を硬化するステップ又は第２のコーティング層を硬化するステップが、約２３．８℃（７５°Ｆ）〜約１７６．６℃（３５０°Ｆ）の温度で約２分間〜約７２時間の期間の焼付けにより達成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
第１のコーティング層を硬化するステップ及び第２のコーティング層を硬化するステップの各ステップの前に、第１のコーティング層から溶媒を蒸発させるステップ及び第２のコーティング層から溶媒を蒸発させるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
医療器具であって、
シャフト及びバルーンを画定する基体であって、バルーンがシャフトの遠位端もしくはその付近に配置された、基体と、
基体上に配置された第１の親水性潤滑性コーティング層であって、架橋ポリウレタンおよびポリ（エチレンオキシド）、または、架橋ポリウレアおよびポリ（エチレンオキシド）の一方を含む第１の親水性潤滑性コーティング層と、
架橋ポリウレタンおよびポリビニルピロリドン、または、架橋ポリウレアおよびポリビニルピロリドンの一方を含む第２の親水性潤滑性コーティング層であって、架橋ポリウレタンは、イソシアネート及びポリオールを反応させることにより形成され、架橋ポリウレアは、イソシアネート及びポリアミンを反応させることにより形成された、第２の親水性潤滑性コーティング層と、を備え、
第２の親水性潤滑性コーティング層が第１の親水性潤滑性コーティング層と相互浸透している、医療器具。
【請求項１５】
ポリ（エチレンオキシド）が約１００，０００〜約６００，０００の平均分子量を有する、請求項１４に記載の医療器具。
【請求項１６】
ポリビニルピロリドンが約５０，０００〜約２．５百万の平均分子量を有する、請求項１４に記載の医療器具。
【請求項１７】
第１の親水性潤滑性コーティング層の混合物中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が約１．１：１である、請求項１４に記載の医療器具。
【請求項１８】
第２の親水性潤滑性コーティング層の混合物中の全イソシアネートＮＣＯ基対全ポリオールＯＨ基または全ポリアミンＮＨ基の化学量論比が約１．３：１である、請求項１４に記載の医療器具。
【請求項１９】
カテーテル、バルーンカテーテル、尿道カテーテル、カテーテルイントロデューサー、医療用ワイヤ、ステント、ステントグラフト、または拡張用バルーンのいずれか１つである、請求項１４に記載の医療器具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脈管上または他の導管上の標的を閉塞するための形状記憶型のコイリング・デバイスであって、
形成状態において、コイル状を成す複数の部材を成すように形成される形状記憶ポリマ材料を含み、
前記コイル状を成す複数の部材は、配備前状態においては、長手状を成す複数の部材であって送給デバイスを通過する送給を行うように構成されたものを成すように拘束されるとともに、互いに隣接して並列するとともに前記送給デバイスと並び、
前記長手状を成す複数の部材は、配備状態においては、前記コイル状を成す複数の部材であって互いに結ばれているものを形成するように復元するコイリング・デバイス。
【請求項２】
前記標的は、動脈瘤である請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項３】
前記長手状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、前記配備前状態と前記配備状態との間に位置する配備途中状態において、当該コイリング・デバイスを係留させる一方で、前記標的を充填するとともに形態がコイル状部材に復元するように構成される請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項４】
前記標的は、動脈瘤であり、
前記長手状を成す複数の部材の遠位端は、配備途中状態において、前記送給デバイスを通過して送給されると、コイル状化して前記標的内においてコイル・パックを形成し、そのコイル・パックは、前記長手状を成す複数の部材のうち、前記送給デバイスから退出する部分の長さが増加するにつれて拡大する請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項５】
前記コイル状を成す複数の部材は、前記形成状態において、コネクション部材内において、前記コイル状を成す複数の部材のそれぞれの近位端において互いに結ばれている請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項６】
前記長手状を成す複数の部材は、それら長手状を成す複数の部材のそれぞれの中間点において互いに接合される請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項７】
前記長手状を成す複数の部材は、それら長手状を成す複数の部材のそれぞれの中間点において折り畳まれる請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項８】
前記長手状を成す複数の部材は、前記中間点において作動的に互いに接続される請求項７に記載のコイリング・デバイス。
【請求項９】
前記コイル状を成す複数の部材は、複数のカール−アーク形状部であって互いに異なるものを含む請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１０】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも２つは、互いに異なる直径を有する請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１１】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、螺旋状を成している請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１２】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、材料についての少なくとも２つのゾーンであって、材料係数(modulus)およびガラス転移温度 (Ｔｇ) より成るグループから選択される材料特性が互いに異なるものを含む請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１３】
前記材料についての少なくとも２つのゾーンは、それぞれの個別の長手状部材に対して相対的に整列している請求項１２に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１４】
前記材料についての少なくとも２つのゾーンは、それぞれの個別の長手状部材に対して相対的に整列していない請求項１２に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１５】
前記長手状を成す複数の部材のそれぞれは、互いに共通する長さを有する請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１６】
前記長手状を成す複数の部材のそれぞれは、互いに異なる長さを有する請求項１に記載のコイリング・デバイス。
【請求項１７】
導管上の標的を閉塞するための形状記憶型のコイリング・デバイスを製造する方法であって、
離脱特徴部と共にプッシャ機構を有する送給デバイスを提供する工程と、
形状記憶ポリマ材料を提供する工程と、
形成状態において、前記形状記憶ポリマ材料から、コイル状を成す複数の部材を形成する工程と、
配備前状態において、前記コイル状を成す複数の部材を、長手状を成す複数の部材を成すように拘束する工程と、
前記長手状を成す複数の部材を互いに平行に配列する工程と、
前記長手状を成す複数の部材のそれぞれの中間点を横切るように保持用ループを提供する工程と、
前記長手状を成す複数の部材を前記保持用ループを中心にして折り畳み、それにより、前記長手状を成す複数の部材の近位端を前記保持用ループの位置において形成するとともに、前記長手状を成す複数の部材の遠位端を、それら部材の、互いに隣接する自由端部の位置において形成する工程と、
前記長手状を成す複数の部材の前記近位端を、前記送給デバイスの前記プッシャ機構の前記離脱特徴部に作動的に装着する工程と
を含む方法。
【請求項１８】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、螺旋状を成している請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも２つは、互いに異なる直径を有する請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、材料についての少なくとも２つのゾーンであって、材料係数(modulus)およびガラス転移温度 (Ｔｇ) より成るグループから選択される材料特性が互いに異なるものを含む請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
導管上の標的を閉塞するための形状記憶型のコイリング・デバイスを製造する方法であって、
離脱特徴部と共にプッシャ機構を有する送給デバイスを提供する工程と、
形状記憶ポリマ材料を提供する工程と、
形成状態において、前記形状記憶ポリマ材料から、コイル状を成す複数の部材を形成する工程と、
配備前状態において、前記コイル状を成す複数の部材を、長手状を成す複数の部材を成すように拘束する工程であって、前記長手状を成す複数の部材の各々は、近位端および遠位端を有するものと、
前記長手状を成す複数の部材の前記近位端同士を互いに接合する工程と、
前記長手状を成す複数の部材の前記近位端を、前記送給デバイスの前記プッシャ機構の前記離脱特徴部に作動的に装着する工程と
を含む方法。
【請求項２２】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも１つは、螺旋状を成している請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記コイル状を成す複数の部材のうちの少なくとも２つは、互いに異なる直径を有する請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子において、
−  動作時に光を放射するかまたは受光するのに適した活性領域（３）を備えた少なくとも１つのオプトエレクトロニクス的に活性な無機半導体素子（１０）と、
−  少なくとも１つの表面領域（７）に、前記表面領域（７）を気密に覆う、原子間堆積によって被着したシーリング材料（６）とを有しており、
− ただし、前記表面領域（７）には、前記活性領域（３）の露出した側面が含まれている、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
請求項１に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）は少なくとも１つの電気コンタクト層（４）を有しており、
−  前記シーリング材料（６）は、前記コンタクト層（４）または該コンタクト層（４）の部分領域を除いて前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を完全に覆う、
ことを特徴とする素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）は、取り付け面（９）によって支持体（１１）に載置されている、
ことを特徴とする素子。
【請求項４】
請求項３に記載の素子において、
−  前記シーリング材料（６）は前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面を覆う、
ことを特徴とする素子。
【請求項５】
請求項３または４に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）は、少なくとも１つの電気コンタクト素子（２１）を介して前記支持体（１１）に電気接続されており、
−  前記シーリング材料（６）は当該電気コンタクト素子（２１）を覆っている
ことを特徴とする素子。
【請求項６】
請求項３から５までのいずれか１項に記載の素子において、
−  前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の表面（１７）の少なくとも一部を覆っている、
ことを特徴とする素子。
【請求項７】
請求項６に記載の素子において、
−  前記シーリング材料（６）は、前記支持体（１１）の電気接続領域（２２）を除いて当該支持体（１１）および前記半導体素子（１０）の露出したすべての表面（７，１７）を完全に覆っている、
ことを特徴とする素子。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）および前記シーリング材料（６）は、少なくとも部分的にケーシング材料（２０）によって包囲されている、
ことを特徴とする素子。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項に記載の素子において、
−  前記オプトエレクトロニクス素子は、複数の半導体素子（１０）を有しており、
−  前記シーリング材料（６）は、前記複数の半導体素子（１０）の各半導体素子の少なくとも１つの表面領域（７）にそれぞれ被着されている、
ことを特徴とする素子。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）は、少なくとも１つの表面領域（７）に少なくとも１つのマイクロ開口部（１２）を有しており、
−  前記シーリング材料（６）によって当該マイクロ開口部（１２）がシーリングされる、
ことを特徴とする素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載の素子において、
−  少なくとも１つのマイクロ開口部（１２）を有する前記表面領域（７）は、基板（１）の表面および／または半導体積層体（２）のエピタキシャル成長させた層の一部分である、
ことを特徴とする素子。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の素子において、
−  前記半導体素子（１０）は、パッシベーション層（１３）および／または成長保護層（１４）を有しており、
−  少なくとも１つのマイクロ開口部（１２）を有する前記表面領域（７）は、前記パッシベーション層（１３）および／または前記成長保護層（１４）の表面の一部分である、
ことを特徴とする素子。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の素子において、
−  前記表面領域（７）は少なくとも部分的に影になっている、
ことを特徴とする素子。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の、半導体素子（１０）を有するオプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
−  原子間堆積を用いて前記シーリング材料（６）を半導体層結合体（９０）に被着し、
−  その後、当該半導体層結合体（９０）を複数の半導体素子（１０）に切り離す、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の、半導体素子（１０）を有するオプトエレクトロニクス素子を製造する方法において、
−  前記半導体素子（１０）を支持体（１１）に取り付け、
−  その後、原子間堆積によって前記シーリング材料（６）をデポジットする、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月23日(2013.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジング（１００）の製造方法であって、
ａ）  電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域（１２）を有する反射体（１）、を設けるステップと、
ｂ）  前記反射体（１）を部分的にハウジング材（２）によって包囲する包囲ステップと、
を含んでおり、
−  前記包囲ステップが、射出成形法によって実施され、
−  前記反射体（１）の前記内側領域（１２）には、少なくとも部分的に前記ハウジング材（２）が存在しておらず、
−  前記反射体（１）が第１のプラスチック材料によって形成され、
−  前記ハウジング材（２）が第２のプラスチック材料によって形成され、
−  前記第１のプラスチック材料が前記第２のプラスチック材料とは異なり、
−  熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、前記第１のプラスチック材料と前記第２のプラスチック材料とが互いに異なり、
−  前記反射体（１）を設ける前記ステップの前に、前記反射体（１）が機械加工によって作製され、
−  前記第１のプラスチック材料は、フルオロポリマーからなる、
方法。
【請求項２】
−  前記内側領域（１２）の少なくとも一部分を除いて前記反射体（１）を前記ハウジング材（２）によって包囲するとき、前記反射体（１）の表面（１１）全体が前記ハウジング材（２）によって覆われる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
オプトエレクトロニクス半導体デバイスのハウジングであって、
−  電磁放射を反射するのに適している少なくとも１つの内側領域（１２）を有する反射体（１）と、
−  前記反射体（１）の表面（１１）に少なくとも部分的に直接接触しているハウジング材（２）と、
を備えており、
−  前記反射体（１）と前記ハウジング材（２）が、結合手段を使用せずに互いに機械的に結合されており、
−  前記反射体（１）の前記内側領域（１２）には、少なくとも一部分または全体にわたり、ハウジング材（２）が存在しておらず、
−  前記反射体（１）が第１のプラスチック材料によって形成されており、
−  前記ハウジング材（２）が第２のプラスチック材料によって形成されており、
−  前記第１のプラスチック材料が前記第２のプラスチック材料とは異なり、
−  熱的安定性および電磁放射に対する耐性、の少なくとも一方の材料特性に関して、前記第１のプラスチック材料と前記第２のプラスチック材料とが互いに異なり、
−  前記ハウジング材（２）に直接接触している前記反射体（１）の外側領域は、多孔面であり、その反射体（１）の微細孔に、少なくとも部分的に前記ハウジング材（２）が入り込んでおり、
−  前記第１のプラスチック材料は、フルオロポリマーからなる、
ハウジング。
【請求項４】
−  前記反射体（１）と前記ハウジング材（２）が、射出成形法によって互いに機械的に結合されている、
請求項３に記載のハウジング。
【請求項５】
−  前記ハウジング材（２）と前記反射体（１）が、光学特性に関して互いに異なる、
請求項３または請求項４に記載のハウジング。
【請求項６】
−  前記反射体（１）が、紫外線放射、可視放射、赤外線放射のうちの少なくとも１つに対して、少なくとも８０％の反射率を有する、
請求項３から請求項５のいずれかに記載のハウジング。
【請求項７】
−  前記反射体（１）が前記第２のプラスチック材料および白色顔料を備えている、
請求項３から請求項６のいずれかに記載のハウジング。
【請求項８】
−  前記白色顔料が、以下の材料、すなわち、二酸化チタン、リトポン、硫酸バリウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、二酸化ジルコニウム、白亜、のうちの少なくとも１種類を含んでいる、
請求項７に記載のハウジング。
【請求項９】
−  前記第２のプラスチック材料が、以下の材料、すなわち、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエーテルイミド、ポリフェニルスルホン、のうちの少なくとも１種類からなる群、から選択される、
請求項３から請求項８のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１０】
−  前記第１のプラスチック材料が、前記第２のプラスチック材料よりも低い融点を有する、
請求項３から請求項９のいずれかに記載のハウジング。
【請求項１１】
オプトエレクトロニクスデバイスであって、
−  請求項３から請求項１０のいずれかに記載のハウジング（１００）と、
−  少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品（３）、特に、放射放出半導体チップと、
を備えており、
−  前記少なくとも１個のオプトエレクトロニクス部品（３）が、前記反射体（１）の前記少なくとも１つの内側領域によって横方向に囲まれている、
オプトエレクトロニクスデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月30日(2013.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細長い熱交換器のシェルであって、１以上の電気ヒータをもつ主チューブシート、前記シェルの側部の第１のポートおよび前記側部または前記シェルの端部のさらなる１以上のポートを有し、前記電気ヒータが前記主チューブシートを通って前記シェル内に延在しており、前記主チューブシートの下方の前記シェルの内部空間であって該内部空間に配置される前記電気ヒータの外部に供給される流体のために、前記ポートが前記シェルに対する入口および出口を提供している当該シェルと、
前記主チューブシートから間隔を置いてその上方に配され、前記主チューブシートとの間にプレナム空間をもつ副チューブシートであって、前記主チューブシート、前記副チューブシートおよび前記プレナム空間によってチューブシートの第１組を構成する当該副チューブシートと、
１以上の保護チューブおよび該保護チューブの内部に配された少なくとも１つのヒータロッドを備え、前記１以上の保護チューブが、前記主チューブシートに対してシールされた第１端と、前記主チューブシートから離隔し、閉鎖端を有することで内部に前記１以上のヒータロッドを包囲する流体から自由な空間を形成する第２端とに外表面を有し、前記流体から自由な空間が前記プレナム空間に開放されている前記１以上の電気ヒータと、
前記第１組のチューブシートの下方にあって、前記シェルの前記内部空間への流体の入口を提供する前記ポートの１つと前記シェルの前記内部空間からの流体の出口を提供する前記ポートの１つとの間に配置された流れ方向転換バッフルと、
を具えたことを特徴とする電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項２】
少なくとも、プレナム空間によって分離された主チューブシートおよび副チューブシートの第２組であって、前記チューブシートの第１組から前記シェルの長さに沿った軸方向に離隔した当該第２組と、前記主チューブシートおよび副チューブシートの第２組から延在する電気ヒータの第２組と、前記第２組の主チューブシートに接続された、前記電気ヒータの第２組の保護チューブと、をさらに具え、前記チューブシートの第１組の副チューブシートおよび第２組の副チューブシートは、前記チューブシートの第１組の主チューブシートと第２組の主チューブシートとの距離よりも大きい距離をもって配置され、および、前記チューブシートの第１組の主チューブシートと前記チューブシートの第２組の主チューブシートとの間の内部空間に配置された、少なくとも１つのさらなる流れ方向転換バッフルを具えることを特徴とする請求項１に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項３】
熱交換器から出て行く流体が、前記熱交換器に直列に接続されたさらなる１以上の電気加熱流体の熱交換器に供給されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項４】
前記主チューブシートの下方に配置された１以上の軸流バッフルをさらに具えることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項５】
前記ヒータロッドの各々が前記副チューブシートを通るようにされている位置に圧力シールをさらに具えることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項６】
前記圧力シールが、圧縮嵌合部、フランジ、または、金属もしくはエラストマ製のＯリングのシールデバイスであることを特徴とする請求項５に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項７】
直径の異なる複数の保護チューブが前記主チューブシートにシールされることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項８】
前記保護チューブから放射される熱を吸収するよう位置づけられた１以上の非加熱スペーサまたはバッフルをさらに具え、該非加熱スペーサまたはバッフルが前記流体によって冷却されることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項９】
前記少なくとも１つの保護チューブが異なる直径をもつ少なくとも２つの部分を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項１０】
前記プレナム空間から前記主チューブシートと前記副チューブシートとの間で延在する導管と、前記１以上の保護チューブを介した前記流体から自由な空間への漏出を検知するために前記導管に配置された漏出検知器とをさらに具え、該漏出検知器は、１以上の圧力センサ、温度センサ、密度センサ、熱伝導度センサ、液体検知器またはガスクロマトグラフの入口供給ポートを含んでいることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項１１】
前記プレナム空間に断熱部をさらに含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項１２】
前記１以上の電気ヒータの中心を通って軸方向に延在するサーモウェルをさらに具え、該サーモウェルの各々が、その内部に配置された１以上の温度測定装置を有していることを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【請求項１３】
前記１以上の保護チューブに同軸に配置された１以上のクモ形バッフルをさらに具えたことを特徴とする請求項１または２に記載の電気加熱流体の軸流熱交換器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素イオン伝導性を有する炭化水素ベースのカチオン交換樹脂と、
親水基を有する線維状ナノ粒子と、
を含み、前記親水基を有する線維状ナノ粒子はセルロースナノファイバーである、燃料電池のためのポリマー電解質膜。
【請求項２】
前記水素イオン伝導性を有する炭化水素ベースのカチオン交換樹脂と前記親水基を有する線維状ナノ粒子との混合比は、重量比で99.9：0.1から91：9である、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項３】
前記親水基を有する線維状ナノ粒子は、1から200ｎｍの直径および1から20μｍの長さを有する、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項４】
前記親水基を有する線維状ナノ粒子は、1：5から1：2,000のアスペクト比を有する、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項５】
前記水酸基は、前記セルロースナノファイバーおよびポリビニルアルコール（ＰＶＡ）において、水酸基（−ＯＨ）の全サイトに関して5から90％の量で存在する、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項６】
前記セルロースナノファイバーは、水酸基が置換されていないセルロースナノファイバー；アセチル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；セルロース硫酸塩ナノファイバー；セルロースリン酸塩ナノファイバー；および炭素数が１から１０個のアルキル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；から成る群から選ばれる１つまたは複数である、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項７】
前記セルロースナノファイバーは、水酸基が置換されていないセルロースナノファイバー；アセチル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；セルロース硫酸塩ナノファイバー；セルロースリン酸塩ナノファイバー；および炭素数が２から６個のアルキル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；から成る群から選ばれる１つまたは複数である、請求項６に記載のポリマー電解質膜。
【請求項８】
前記水素イオン伝導性を有する炭化水素ベースのカチオン交換樹脂は、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、ホスホン酸基およびその誘導体から成る群から選ばれる１つまたは複数のカチオン交換基がその側鎖に提供されたポリマーである、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項９】
前記炭化水素ベースのカチオン交換樹脂は、ベンズイミダゾールポリマー、ポリイミドポリマー、ポリエーテルイミドポリマー、ポリフェニレンスルフィドポリマー、ポリスルホンポリマー、ポリエーテルスルホンポリマー、ポリエーテルケトンポリマー、ポリエーテルエーテルケトンポリマーおよびポリフェニルキノキサリンポリマーから成る群から選ばれる１つまたは複数である、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項１０】
前記炭化水素ポリマーは、ポリエーテルエーテルケトンポリマー、ポリエーテルスルホンポリマー、またはそれらの混合物である、請求項９に記載のポリマー電解質膜。
【請求項１１】
互いに面し、前記燃料電池のためのポリマー電解質膜がそれらの間に介在されるように積層された、２つの水素イオン伝導性を有するカチオン交換樹脂膜をさらに含む、請求項１に記載のポリマー電解質膜。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか１項に記載の燃料電池のためのポリマー電解質膜が、互いに面するアノードとカソードとの間に介在される、燃料電池のための膜電極接合体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の燃料電池のための膜電極接合体と、１つまたは複数の分離板と、を含む燃料電池であって、
燃料および酸化剤の電気化学的反応を介して電気を発生させる１つまたは複数の発電機と、
燃料を前記発電機に供給するための燃料供給装置と、
酸化剤を前記発電機に供給するための酸化剤供給装置と、
を含む、燃料電池。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
例えば、セルロースナノファイバーは、水酸基が置換されていないセルロースナノファイバー、およびセルロースエステルナノファイバー、セルロースエーテルナノファイバーなどの、部分的に水酸基が置換されたセルロースナノファイバーに概略的に分類できる。これらのナノファイバーは単独で、または２以上のタイプの組み合わせで使用され得る。その具体例は、それらに限定されないが、水酸基が置換されていないセルロースナノファイバー；アセチル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；セルロース硫酸塩ナノファイバー；セルロースリン酸塩ナノファイバー；メチルセルロースナノファイバー、エチルセルロースナノファイバー、カルボキシメチルセルロースナノファイバーおよびヒドロキシエチルセルロースナノファイバーなどの、炭素数が１から１０個のアルキル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー、好ましくは、炭素数が２から６個のアルキル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバー；から成る群から選ばれる１つまたは複数を含む。これらの中で、炭素数が２から１０個のアルキル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバーおよびアセチル基またはその誘導体で置換されたセルロースナノファイバーが、難溶解性という点でより好ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
本発明では、水素イオン伝導性を有する炭化水素ベースのカチオン交換樹脂は例えば、スルホン酸基、カルボン酸基、リン酸基、ホスホン酸基およびその誘導体から成る群から選ばれる１つまたは複数のカチオン交換基がその側鎖に提供されたポリマーである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）を受容するためのバッテリーハウジング（１）であって、当該電気化学的エネルギー貯蔵装置はセルフレーム（４）を有しており、当該セルフレームは部分的に前記電気化学的エネルギー貯蔵装置を包囲するとともに、領域的に前記バッテリーハウジング（１）の外壁を形成しており、
前記バッテリーハウジング（１）は、さらにハウジングカバー（５）を有しており、
当該ハウジングカバーを介して少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）は電気的に接触可能となっており、
前記バッテリーハウジングはさらに、少なくとも一つの側壁（２）を有しており、当該側壁は領域的に前記バッテリーハウジング（１）の外壁を形成しており、
前記側壁（２）の剛性は前記セルフレーム（４）の剛性よりも小さく、
前記側壁（２）は当該側壁の変形によって前記バッテリーハウジング（１）の容量を増大させるために設けられており、
前記側壁（２）は少なくとも領域的に気密に前記セルフレーム（４）と接合されているバッテリーハウジングにおいて、
少なくとも二つのセルフレーム（４）は、形状接続的に接合装置（１０）によって互いに接合されていることを特徴とするバッテリーハウジング（１）。
【請求項２】
少なくとも二つのセルフレーム（４）は、接着または溶接によって材料接続的に互いに接合されていることを特徴とする請求項１に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項３】
隣接する二つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）の前記セルフレーム（４）は、形状接続的または材料接続的または摩擦接続的に互いに接合されており、
当該接合は気密であることを特徴とする請求項１または２に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項４】
前記側壁（２）は摩擦接続的に、または、形状接続的に、補強フレーム（１２）を用いて締結することによって、前記セルフレーム（４）と接合されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項５】
前記側壁（２）は前記セルフレーム（４）と材料接続的に接合されており、当該側壁（２）は好ましくは接着または溶接によって前記セルフレーム（４）と接合されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項６】
前記バッテリーハウジング（１）内部で大きな圧力差が持続的に生じず、好ましくは圧力調整空隙部（９）によってこれらのセルフレーム（４）内に、前記バッテリーハウジング（１）の共通する内部空間が成立することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項７】
前記バッテリーハウジング（１）は、少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）を制御するための電子的なバッテリー制御装置（６）を有していることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項８】
前記側壁（２）は複合材料から、特に繊維強化プラスチックから成ることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の、少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）とバッテリーハウジング（１）とを有しているバッテリー。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のバッテリーハウジング（１）を有するバッテリーを動作させるための方法であって、当該方法は反応性の物質が前記バッテリーハウジング（１）から漏出することを防止するためのものである方法において、
前記電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）の、選択され、かつ、物理的に測定可能なパラメータがバッテリー制御装置（６）によって検出され、
前記測定されたパラメータは、設定可能な目標値と比較され、
前記パラメータによって特徴づけられる臨界的な動作状態が達成されると、少なくとも前記電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）に対する前記電気的な接触が遮断されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）の温度が検出されるとともに、目標温度と比較され、設定可能な遮断温度が達成されると、少なくとも前記電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）に対する前記電気的な接触が遮断されることを特徴とする請求項１０に記載のバッテリーを動作させるための方法。
【請求項１２】
前記バッテリーハウジング（１）内部またはエネルギー貯蔵装置（３）内部の実際圧力が検出されるとともに、目標圧力と比較され、
設定可能な遮断圧力が達成されると、少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）に対する、しかしながら好適に全ての電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）に対する少なくとも前記電気的な接触（７）が遮断されることを特徴とする請求項１０または１１に記載のバッテリーを動作させるための方法。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの電気化学的エネルギー貯蔵装置（３）の臨界的な動作状態であって、特に設定可能な圧力および／または温度によって特徴づけられている臨界的な動作状態が達成されると、バッテリー制御装置（６）は信号を出力し、当該信号によって、前記バッテリーの前記動作状態が判断可能であることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか一項に記載のバッテリーを動作させるための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高ドープ基板層上に成長されるエピタキシャル層であって、前記高ドープ基板層及び前記エピタキシャル層の双方は第１の伝導度型であるエピタキシャル層と；
前記エピタキシャル層内の第２の伝導度型のソース領域と；
前記エピタキシャル層内の前記第２の伝導度型のドレイン領域と；
前記ドレイン領域に対するドレイン接点であって、逆バイアス接合及びＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）チャンネルにより前記エピタキシャル及び基板層が前記ドレイン接点から隔離されているドレイン接点と；
導電性のトレンチ状のフィードスルー要素であって、前記フィードスルー要素は、前記エピタキシャル層を通過し、前記基板層及び前記ソース領域と接触し、前記フィードスルー要素は、前記ドレイン接点と前記基板層とを電気的に接続するように動作可能であるフィードスルー要素と；
前記フィードスルー要素に物理的に接触しているゲートシールドと
を具備した半導体素子。
【請求項２】
前記ゲートシールドは前記ソース領域にも接触している請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記ゲートシールドはポリシリコンを含んでいる請求項１に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記フィードスルー要素はタングステンを含んでいる請求項１乃至３の何れかに記載の半導体素子。
【請求項５】
前記フィードスルー要素はバリア層を形成するコンフォーマルコーティングを含んでいる請求項１乃至４の何れかに記載の半導体素子。
【請求項６】
前記コンフォーマルコーティングは窒化チタンを含んでいる請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記素子はフリップチップを含んでいる請求項１乃至６の何れか１項に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記素子は横方向拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）素子を含んでいる請求項１乃至７の何れか１項に記載の半導体素子。
【請求項９】
高ドープ基板層上に成長されるエピタキシャル層であって、前記高ドープ基板層及び前記エピタキシャル層の双方は第１の伝導度型であるエピタキシャル層と；
前記エピタキシャル層内の第２の伝導度型のソース領域と；
前記ソース領域と隣りあい且つ物理的に接触しているゲートシールドと；
前記エピタキシャル層内の前記第２の伝導度型のドレイン領域と；
金属層に連結されたドレイン接点であって、逆バイアス接合及びＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）チャンネルにより前記エピタキシャル及び基板層が前記ドレイン接点から隔離されているドレイン接点と；
導電性のトレンチ状のフィードスルー要素であって、前記フィードスルー要素は、前記エピタキシャル層を通過し、前記基板層と接触し、少なくとも１つの介在層によって前記フィードスルー要素が前記金属層から隔離され、前記ドレイン接点及び前記フィードスルー要素が前記エピタキシャル層によって分離されているフィードスルー要素と；
ゲート構造であって、前記基板層、前記ドレイン接点、前記エピタキシャル層及び前記フィードスルー要素は、前記ゲート構造に電位が付加される電気的経路を含んでいるゲート構造と
を具備した半導体素子。
【請求項１０】
前記ゲートシールドは前記フィードスルー要素とも物理的に接触している請求項９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記ゲートシールドはポリシリコンを含み、前記フィードスルー要素はタングステンを含んでいる請求項９又は１０に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記フィードスルー要素はバリア層を形成するコンフォーマルコーティングを含んでいる請求項９乃至１１の何れか１項に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記素子はフリップチップを含んでいる請求項９乃至１２の何れか１項に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記素子は横方向拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）素子を含んでいる請求項９乃至１３の何れか１項に記載の半導体素子。
【請求項１５】
半導体素子の作製方法であって、
高ドープ基板層上に成長されたピタキシャル層内においてソース領域及びドレイン領域を形成することであって、前記ソース領域及びドレイン領域の双方は第２の伝導度型であり、前記高ドープ基板層及びピタキシャル層の双方は第１の伝導度型であることと；
ドレイン接点を形成することであって、逆バイアス接合及びＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）チャンネルにより前記エピタキシャル及び基板層が前記ドレイン接点から隔離されることと；
導電性のトレンチ状のフィードスルー要素を形成することであって、前記フィードスルー要素は、前記エピタキシャル層を通過し、前記基板層及び前記ソース領域と接触し、前記ドレイン接点と前記基板層とを電気的に接続するように動作可能であることと
を含んだ方法。
【請求項１６】
ゲートシールドを形成することをさらに含み、前記ゲートシールドは前記フィードスルー要素と接触し且つ前記ソース領域と接続する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記フィードスルー要素を形成することは、
前記介在層内においてトレンチを前記基板層内に延びるように形成することと、
前記トレンチをバリア層でコーティングすることと、
前記トレンチを導電性材料で充填することと、
をさらに含んでいる請求項１５又は１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記素子は、フリップチップ及び横方向拡散金属酸化物半導体（ＬＤＭＯＳ）素子からなる群から選択される請求項１５乃至１７の何れか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013514632.tif 000001
【図２】
2013514632.tif 000002
【図３】
2013514632.tif 000003
【図４】
2013514632.tif 000004
【図５】
2013514632.tif 000005
【図６】
2013514632.tif 000006
【図７】
2013514632.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュールユニット（１０）を支持レール（１４）に固定するための装置であって、固定ユニット（１２）を含み、前記モジュールユニットが、１つ又は複数の回路基板を収容するための収容部品（１６）を有し、前記モジュールユニットが、前記収容部品（１６）を閉鎖するための側部部品（１８）を更に有している装置において、
前記固定ユニット（１２）は、モジュールユニット（１０）を支持レール（１４）に連結させるように、固定ユニット（１２）の縦方向（４０）において、前記モジュールユニット（１０）上にスライド可能に構成されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記固定ユニット（１２）が、係合辺（２４）を有し、前記係合辺によって固定ユニット（１２）を前記モジュールユニット（１０）に形成されたストッパ部品（２６）上にスライドさせていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記固定ユニット（１２）が、固定ユニット（１２）を支持レール（１４）に固定するためのラッチ部品（２８）を有していることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ラッチ部品（２８）が、回転可能に前記固定ユニット（１２）に設置されていることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記ラッチ部品（２８）が、該ラッチ部品（２８）を操作するための操作面（３８）を有していることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の装置であって、モジュールユニット（１０）を支持レール（１４）に固定するための装置を含んでいることを特徴とするモジュールユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポリマーと抗酸化剤とを含む第１層を形成すること；
第２のポリマーと抗酸化剤とを混合して、作成された混合物で第２層を形成し、放射線を照射して第２層中の分子を架橋する工程を含む、関節の表面層の全体または一部分を構成する第２層を形成すること；
第１層と第２層とを接合して関節表面コンポーネントを形成すること；および
間接表面コンポーネントを放射線により滅菌すること
を含む、補綴物のための関節表面を形成する方法。
【請求項２】
第１のポリマーと第２のポリマーとが放射線照射工程の前には同じである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
抗酸化剤がビタミンＥを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第１層と第２層とを接合する工程が熱圧縮成形を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２のポリマーが、第２層へと形成される前または後に放射線照射される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１層および／または第２層を形成する工程が成形を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
成形が熱圧縮成形または冷圧縮成形を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
第１層を、第１のポリマーを含む第１の粉末から成形する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
第２層を、第２のポリマーを含む第２の粉末から成形する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
第１層および／または第２層を形成する工程が機械加工を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
第１層を、第１のポリマーを含む第１の棒材から機械加工で作製する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第２層を、第２のポリマーを含む第２の棒材から機械加工で作製する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
第１層を形成する工程が、抗酸化剤を含む第１の粉末を鋳型に入れ、粉末を圧縮型打ちして第１層の所望の形状にすることにより、第１層を圧縮成形することを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
第１層と第２層との間の境界面が拡散するように、所望の形状が意図した摩耗ゾーンに複数の突出部を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
第２層を形成する工程が、形成された第１層の全体または一部分の上に第２の粉末を置いて第２の鋳型を適用し、圧縮型打ちして第２層の所望の形状にすることにより圧縮成形することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
シリンジ様シュラウドを通して第１のピストンを適用することにより第１層を圧縮成形する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
その後第１のピストンをシュラウドから外し、第２のポリマーをシュラウドに注入し、第２のピストンをシュラウドを通して適用して、第２層を第１層上に圧縮成形する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第２層を形成する工程が、第２のポリマーを第２の鋳型に入れ、熱圧縮型打または冷圧縮型打ちして、第２のポリマーを第２層の所望の形状にすることにより圧縮成形することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
関節表面コンポーネントを寛骨臼カップ補綴物で使用するために構成する、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
寛骨臼カップ補綴物が、さらに、一つもしくは複数の架橋された表面および／または表面の一つもしくは複数の架橋された部分を含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
抗酸化剤を含むポリマーコンポーネントを形成すること；
関節の表面層の部分から、抗酸化剤を全部または一部、除去または不活性化すること；
ポリマーコンポーネントを放射線照射して、前記部分中の分子を架橋すること；および
ポリマーコンポーネントを加熱して、ポリマーコンポーネントの残部中の抗酸化剤が前記部分に拡散することを助長すること
を含む、補綴物のための関節表面を形成する方法。
【請求項２２】
関節の表面層の部分から抗酸化剤を除去する工程が、界面活性剤を使用して抗酸化剤を溶脱させて除去することを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
関節の表面層の部分から抗酸化剤を除去する工程が、抗酸化剤を太陽光に曝すことを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
抗酸化剤がビタミンＥを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
ポリマーコンポーネントを形成する工程が、成形および／または機械加工を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
関節表面を、寛骨臼カップ補綴物で使用するために構成する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
寛骨臼カップ補綴物が、さらに、一つもしくは複数の架橋された表面および／または表面の一つもしくは複数の架橋された部分を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
請求項１〜請求項２７のいずれか一項に記載の方法により作製された関節表面を含む補綴物。
【請求項２９】
関節表面の少なくとも一つの所定の摩耗ゾーン部分が架橋ポリマーの接着部材を備え、関節表面のエッジが非架橋のポリマーを含む、ポリマー関節ベアリング表面を有する補綴物。
【請求項３０】
ポリマーが所定の部分の領域において比較的厚い、請求項２９に記載の補綴物。
【請求項３１】
複数の突出部がポリマーの架橋した部分とポリマーの他の部分との間の境界面に設けられる、請求項２９に記載の補綴物。
【請求項３２】
突出部が峰または指の形態である、請求項３１に記載の補綴物。
【請求項３３】
突出部が２つのタイプのポリマー間の境界面に粗さを導入することにより設けられる、請求項３１に記載の補綴物。
【請求項３４】
補綴物が寛骨臼カップとして構成される、請求項２９に記載の補綴物。
【請求項３５】
寛骨臼カップが、金属の外側シェルおよびポリマーの内側ライナーを含み、内側ライナーの内側表面が、架橋ポリマーの接着部材を備えた前記所定部分を有する関節のベアリング表面を構成する、請求項３４に記載の補綴物。
【請求項３６】
補綴物が、膝全置換術で使用するための大腿骨コンポーネントまたは脛骨コンポーネントとして構成される、請求項２９に記載の補綴物。
【請求項３７】
関節のベアリング表面が、脛骨コンポーネント上に設けられる関節丘ベアリング表面により構成される、請求項３６に記載の補綴物。
【請求項３８】
関節のベアリング表面が、カム及びペグ従動子の一方または両方の噛み合う表面により構成され、その一方は大腿骨コンポーネント上に設けられ、他方は脛骨コンポーネント上に設けられる、請求項３６に記載の補綴物。