【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続用パッドの上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続用パッド及び前記はんだを前記貫通部に設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの側面と前記枠体との間に、前記アンダーフィル樹脂を設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記底板に、複数の前記外部接続用パッド間を電気的に接続する配線を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップ収容体の材料は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続端子と、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、
前記外部接続用端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用端子上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続端子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続端子及び前記はんだを前記貫通部に設け、
前記外部接続端子の下端部は、前記底板の下面から突出することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップの側面と前記枠体との間に、前記アンダーフィル樹脂を設けたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体チップ収容体の材料は、熱可塑性樹脂であることを特徴とする請求項５または６記載の半導体装置。
【請求項８】
支持板となる金属板を準備する金属板準備工程と、
半導体チップに設けられた電極パッドと対向する第１の貫通部、及び該第１の貫通部と一体的に構成された第２の貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体の形状に対応する凹部を有した金型を準備する金型準備工程と、
前記金型を前記金属板上に配置した後、前記凹部内に樹脂材を導入して、前記金属板上に前記半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記半導体チップ収容体形成工程後に、前記半導体チップ収容体から前記金型を取り外す金型取外工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記第１及び第２の貫通部から露出された部分の前記金属板の上面に金属層を形成することで、前記第１の貫通溝に配置された外部接続用パッドと前記第２の貫通溝に配置された配線とを同時に形成する外部接続用パッド及び配線形成工程と、
前記金属層の上面にはんだを形成するはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記第１及び第２の貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続用パッドとを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記はんだ形成工程の代わりに、電解めっき法により、前記金属層の上面にＡｕ層を形成するＡｕ層形成工程を設けたことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
支持板となる金属板上に、
金型を用いて、前記金属板上に、半導体チップに設けられた電極パッドと対向する貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記貫通部に露出された部分の前記金属板をエッチングして、前記金属板に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板上に、金属層と、金属膜と、はんだとを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる外部接続端子と前記はんだとを形成する外部接続端子及びはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記外部接続端子及びはんだ形成工程の代わりに、電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板に、前記金属層と、前記金属膜と、Ａｕ層とを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる前記外部接続端子と前記Ａｕ層とを同時に形成する外部接続端子及びＡｕ層形成工程を設けたことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に係り、特に外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する反りを低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の一観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続用パッドと、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続用パッドの上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続用パッドとの間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続用パッド及び前記はんだを前記貫通部に設けたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、複数の電極パッドが形成された側の半導体チップの面と対向する底板、及び半導体チップの側面を囲む枠体を備えた半導体チップ収容体と、外部接続用パッドの上面に配置され、内部接続端子を外部接続用パッド上に固定するはんだと、を設け、複数の電極パッドが形成されていない部分の半導体チップの面と底板の上面との第１の間隔を電極パッドとはんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、半導体チップと底板との間、及び電極パッドと外部接続用パッドとの間にアンダーフィル樹脂を充填したことにより、半導体チップと底板との間に設けられるアンダーフィル樹脂の厚さを従来よりも薄くすることが可能となる。これにより、半導体装置を大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する半導体装置の反りを低減することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の他の観点によれば、複数の電極パッドを有する半導体チップと、前記複数の電極パッドに設けられた内部接続端子と、前記内部接続端子を介して、前記電極パッドと電気的に接続された外部接続端子と、アンダーフィル樹脂と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の電極パッドが形成された側の前記半導体チップの面と対向する底板、及び前記半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、
前記外部接続端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、
前記外部接続用端子の上面に配置され、前記内部接続端子を前記外部接続用端子上に固定するはんだと、を設け、
前記複数の電極パッドと対向する部分の前記底板には、前記底板を貫通する貫通部が形成されており、
前記複数の電極パッドが形成されていない部分の前記半導体チップの面と前記底板の上面との第１の間隔を、前記電極パッドと前記はんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、前記半導体チップと前記底板との間、及び前記電極パッドと前記外部接続端子との間に前記アンダーフィル樹脂を充填し、
前記外部接続端子及び前記はんだを前記貫通部に設け、
前記外部接続端子の下端部は、前記底板の下面から突出することを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明によれば、複数の電極パッドが形成された側の半導体チップの面と対向する底板、及び半導体チップの側面を囲む枠体を有する半導体チップ収容体と、外部接続端子の上面に配置され、内部接続端子を外部接続端子上に固定するはんだと、を設け、複数の電極パッドが形成されていない部分の半導体チップの面と底板の上面との第１の間隔を電極パッドとはんだの上面との第２の間隔よりも狭くすると共に、半導体チップと底板との間、及び電極パッドと外部接続端子との間にアンダーフィル樹脂を充填したことにより、半導体チップと底板との間に配設されるアンダーフィル樹脂の厚さを従来よりも薄くすることが可能となる。これにより、半導体装置を大型化することなく、アンダーフィル樹脂に起因する半導体装置の反りを低減することができる。
本発明のその他の観点によれば、支持板となる金属板を準備する金属板準備工程と、
半導体チップに設けられた電極パッドと対向する第１の貫通部、及び該第１の貫通部と一体的に構成された第２の貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体の形状に対応する凹部を有した金型を準備する金型準備工程と、
前記金型を前記金属板上に配置した後、前記凹部内に樹脂材を導入して、前記金属板上に前記半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記半導体チップ収容体形成工程後に、前記半導体チップ収容体から前記金型を取り外す金型取外工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記第１及び第２の貫通部から露出された部分の前記金属板の上面に金属層を形成することで、前記第１の貫通溝に配置された外部接続用パッドと前記第２の貫通溝に配置された配線とを同時に形成する外部接続用パッド及び配線形成工程と、
前記金属層の上面にはんだを形成するはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記第１及び第２の貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続用パッドとを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
本発明のその他の観点によれば、支持板となる金属板上に、
金型を用いて、前記金属板上に、半導体チップに設けられた電極パッドと対向する貫通部を有し、前記電極パッドが形成された側の前記半導体チップと対向する底板と、前記半導体チップの側面を囲む枠体と、前記半導体チップが収容されるチップ収容部と、を備えた半導体チップ収容体を形成する半導体チップ収容体形成工程と、
前記貫通部に露出された部分の前記金属板をエッチングして、前記金属板に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記金属板を給電層とする電解めっき法により、前記凹部に対応する部分の前記金属板上に、金属層と、金属膜と、はんだとを順次積層させることで、前記金属層及び前記金属膜からなる外部接続端子と前記はんだとを形成する外部接続端子及びはんだ形成工程と、
前記チップ収容部と、前記はんだ上に位置する前記貫通部とにアンダーフィル樹脂を形成するアンダーフィル樹脂形成工程と、
前記電極パッドに前記内部接続端子が形成された前記半導体チップを、前記アンダーフィル樹脂に押圧して、前記内部接続端子と前記外部接続端子とを圧着させる圧着工程と、
前記圧着工程後に、前記金属板を除去する金属板除去工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
本発明は、外部接続用パッド又は外部接続端子に対してフリップチップ接続される半導体チップと、アンダーフィル樹脂とを備えた半導体装置及びその製造方法に適用できる。