Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスの集積回路を試験する方法であって、
保持具の表面に対してデバイスを保持する段階と、
前記保持具に対して接触器ボードアセンブリを移動し、該接触器ボードアセンブリの端子を前記デバイス上の接点と接触させる段階と、
前記端子及び接点を通じて集積回路に信号を供給する段階と、
を含み、
接触器支持構造体が、少なくとも第１の接続構成で分配ボード基板に接続された接触器基板を含み、該第１の接続構成は、第１の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第１の半径方向に対して横断方向の第１の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記接触器支持構造体は、前記接触器基板を前記分配ボード基板に接続する少なくとも第２の接続構成を含み、該第２の接続構成は、第２の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第２の半径方向に対して横断方向の第２の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の半径方向は、前記第１の半径方向に対して角度を有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２の半径方向のそれぞれ前記第１及び第２の接続構成からの線が、前記分配ボード基板の中心区域内で交差することを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アクチュエータの第１及び第２の構成要素を作動させて装置フレームに対して接触器支持構造体を移動し、前記デバイス上の接点に対して該接触器支持構造体上の端子を押圧する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記接触器ボードアセンブリがその一部を形成するカートリッジのカートリッジフレームを前記装置フレームに取り外し可能に装着する段階と、
コネクタインタフェースの表面を接触器インタフェースの表面に接続する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
デバイスの集積回路を試験するための装置であって、
装置フレームと、
前記装置フレームに固定されたデバイスのための保持具と、
分配ボード基板と、
接触器基板と、
前記装置フレームによって保持された接触器支持構造体を共同で形成するために前記接触器基板を前記分配ボード基板に接続する少なくとも第１の接続構成であって、第１の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第１の半径方向に対して横断方向の第１の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含む少なくとも第１の接続構成と、
前記接触器支持構造体によって保持された複数の端子であって、前記保持具及び接触器支持構造体が、該端子の各々のものが前記デバイスのそれぞれの接点と解除可能に接触するように互いに対して移動可能である複数の端子と、
電源と、
前記支持構造体によって保持された前記端子の電源端子に前記電源を接続する電力電路と、
信号源と、
前記支持構造体によって保持された前記端子のそれぞれの信号端子に前記信号源を各々が接続する複数の信号電路と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項８】
前記接触器支持構造体は、前記接触器基板を前記分配ボード基板に接続する少なくとも第２の接続構成を含み、該第２の接続構成は、第２の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第２の半径方向に対して横断方向の第２の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第２の半径方向は、前記第１の半径方向に対してある角度を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２の半径方向のそれぞれ前記第１及び第２の接続構成からの線が、前記分配ボード基板の中心区域内で交差することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置フレームと前記接触器支持構造体の間に接続され、かつ前記端子が前記デバイスの接点に対して押圧されるように該装置フレームに対してかつ前記保持具の表面に向けて該接触器支持構造体を移動させるように互いに対して移動可能である第１及び第２の部分を有するアクチュエータ、
を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１２】
前記装置フレームに取り外し可能に装着可能なカートリッジフレームを含み、前記接触器ボードがその一部を形成するカートリッジと、
前記接触器支持構造体上の接触器インタフェースと、
前記接触器インタフェースの表面に接続するための表面を有するコネクタインタフェースと、
を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１３】
カートリッジフレームと、
固定された位置で装置フレームに前記カートリッジフレームを装着するための該カートリッジフレーム上の構造と、
分配ボード基板と
接触器基板と、
前記装置フレームによって保持された接触器支持構造体を共同で形成するために前記接触器基板を前記分配ボード基板に接続する少なくとも第１の接続構成であって、第１の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第１の半径方向に対して横断方向の第１の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含む少なくとも第１の接続構成と、
前記接触器支持構造体上の接触器インタフェースと、
前記接触器支持構造体によって保持され、デバイス上の接点と接触するための複数の端子と、
前記接触器支持構造体によって保持され、前記インタフェースを前記端子に接続する複数の導体と、
を含むことを特徴とするカートリッジ。
【請求項１４】
前記接触器支持構造体は、前記接触器基板を前記分配ボード基板に接続する少なくとも第２の接続構成を含み、該第２の接続構成は、第２の半径方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを可能にし、かつ該第２の半径方向に対して横断方向の第２の接線方向の該分配ボード基板に対する該接触器基板の動きを制限する相補的相互係合構造を有する第１及び第２の接続部分を含むことを特徴とする請求項１３に記載のカートリッジ。
【請求項１５】
前記第２の半径方向は、前記第１の半径方向に対してある角度を有することを特徴とする請求項１４に記載のカートリッジ。
【請求項１６】
前記第１及び第２の半径方向のそれぞれ前記第１及び第２の接続構成からの線が、前記分配ボード基板の中心区域内で交差することを特徴とする請求項１５に記載のカートリッジ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソースを管理する方法であって、
参照利用レベルを受け取るステップと、
複数のアプリケーション・モジュールを処理システムのリソース上で実行するステップと、
前記リソースの処理能力を、前記複数のアプリケーション・モジュールに、前記複数のアプリケーション・モジュールに関連付けられた複数の優先度レベルに基づいて割り当てて、前記リソースの負荷レベルが前記参照利用レベルとほぼ等しくなるようにするステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記受け取るステップは、前記リソースを含む複数のリソースに関連付けられた前記参照利用レベルを受け取るステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記複数のアプリケーション・モジュールのうち第１のアプリケーション・モジュールから、より多くの前記リソースの前記処理能力に対する要求を受け取るステップと、
前記リソースの前記処理能力の一部を前記複数のアプリケーション・モジュールのうち第２のアプリケーション・モジュールから前記第１のアプリケーション・モジュールに、前記第２のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第２の優先度レベルよりも大きい前記第１のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第１の優先度レベルに基づいて移すステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記処理能力を割り当てるステップは、前記リソースの前記処理能力を前記複数のアプリケーション・モジュールの第１のアプリケーション・モジュールに、前記第１のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第１の優先度レベルに基づいて殆ど割り当てないステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記処理能力を割り当てるステップは、前記リソースの前記処理能力の殆ど全てを前記複数のアプリケーション・モジュールの第１のアプリケーション・モジュールに、前記第１のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第１の優先度レベルに基づいて割り当てるステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記複数のアプリケーション・モジュールのうち少なくとも１つのアプリケーション・
モジュールに関連付けられた修正優先度レベルを受け取るステップと、
前記リソースの前記処理能力を、前記複数のアプリケーション・モジュールに、前記修正優先度レベルに基づいて再割当てし、前記リソースの負荷レベルが前記参照利用レベルとほぼ等しくなるようにするステップと
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
修正参照利用レベルを受け取るステップと、
前記リソースの前記処理能力を、前記複数のアプリケーション・モジュールに、前記複数のアプリケーション・モジュールに関連付けられた前記複数の優先度レベルに基づいて再割当てし、前記リソースの負荷レベルが前記修正参照利用レベルとほぼ等しくなるようにするステップと、
をさらに具えたことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
修正参照利用識別子を受け取るステップが所定のスケジュールに従って実施されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記処理能力を割り当てるステップは、前記リソースの前記処理能力を、前記複数のアプリケーション・モジュールに、前記複数のアプリケーション・モジュールに関連付けられた前記複数の優先度レベルに基づいて割り当てて、前記リソースの平均負荷レベルが前記参照利用レベルとほぼ等しくなるようにするステップを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
コンピュータにより、請求項１乃至９の何れかに記載の方法を実行させることが可能な命令を有するコンピュータ・プログラム。
【請求項１１】
プロセッサと、
前記プロセッサと通信可能であって、請求項１０記載のコンピュータ・プログラムを格納するメモリと、
を具えたことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項１２】
複数のアプリケーション・モジュールを処理システムのリソース上で実行するための手段と、
前記リソースの負荷レベルが参照利用レベルとほぼ等しくなるように、前記リソースの処理能力を、前記複数のアプリケーション・モジュールに、前記複数のアプリケーション・モジュールに関連付けられた複数の優先度レベルに基づいて割り当てるための手段と
を具えたことを特徴とするシステム。
【請求項１３】
前記参照利用レベルは、前記リソースを含む複数のリソースと関連付けられていることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記リソースの前記処理能力の一部を前記複数のアプリケーション・モジュールの第１のアプリケーション・モジュールから前記複数のアプリケーション・モジュールの第２のアプリケーション・モジュールへと、より多くの前記リソースの前記処理能力に対する要求を前記第２のアプリケーション・モジュールから受け取ったことに応答して、前記第１のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第１の優先度レベルよりも大きい前記第２のアプリケーション・モジュールに関連付けられた第２の優先度レベルに基づいて移すための手段をさらに具えたことを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【請求項１５】
前記割り当てるための手段は、前記リソースの平均負荷レベルが前記参照利用レベルとほぼ等しくなるように構成されることを特徴とする請求項１２記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
産業用自動化システムであって、この産業用自動化システムが、
プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）と、
前記産業用自動化システムに関する処理を制御するための第１の信号を受信し、インターネットプロトコルに適合するこの第１の信号を送出するように構成された第１の自動化バスと、
インターネットプロトコルに応じて前記第１の自動化バスを介して前記プログラマブルロジックコントローラと直接通信する第１の低レベルデバイスを含む第１のリーフノードデバイスと
を具え、
前記第１のリーフノードデバイスは、前記第１の信号を受信し、前記第１の信号から制御情報を抽出して、前記第１の低レベルデバイスを制御するように構成されている
産業用自動化システム。
【請求項２】
請求項１に記載の産業用自動化システムにおいて、前記第１の低レベルデバイスが２つの状態をサポートしている産業用自動化システム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の産業用自動化システムにおいて、この産業用自動化システムが更に、
前記プログラマブルロジックコントローラと前記第１のリーフノードデバイスとの間に電気的に接続され、物理層で前記第１の信号を変換するように構成されたブリッジノードを具えている産業用自動化システム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の産業用自動化システムにおいて、この産業用自動化システムが更に、
第２のリーフノードデバイスと、
第２の信号を受信して、この第２の信号に含まれるインターネットプロトコルアドレスに基づいてこの第２の信号を前記リーフノードデバイスの１つに向けるように構成されたインターネットプロトコルスイッチと
を具えている産業用自動化システム。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の産業用自動化システムにおいて、この産業用自動化システムが更に、
第２の信号を受信し、インターネットプロトコルに適合するこの第１の信号を送出するように構成された第２の自動化バスと、
前記インターネットプロトコルに応じて前記第２の自動化バスを介して前記プログラマブルロジックコントローラと直接通信する第２の低レベルデバイスを含む第２のリーフノードデバイスと
を具える産業用自動化システム。
【請求項６】
請求項５に記載の産業用自動化システムにおいて、前記第２の自動化バスが前記第１の自動化バスとは異なるメディアを有している産業用自動化システム。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の産業用自動化システムにおいて、この産業用自動化システムが更に、
第２のリーフノードデバイスと、
第２の信号を受信し、この第２の信号に含まれるイーサネットアドレスに基づいてこの第２の信号を前記リーフノードデバイスの１つに向けるように構成されたイーサネットスイッチと
を具える産業用自動化システム。
【請求項８】
低レベルデバイスの制御方法であって、
通信プロトコルを通じて、自動化バスを介して、産業用自動化システムにおけるプログラマブルロジックコントローラから信号を直接受信するステップと、
前記受信された信号を処理するステップと
を具え、
前記処理するステップは、前記受信された信号から制御情報を抽出するステップを含む、
制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の制御方法において、この制御方法が更に、
前記制御情報で前記低レベルデバイスを制御するステップ
を具える制御方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の制御方法において、この制御方法が更に、
前記低レベルデバイスから状態情報を取得するステップと、
この状態情報を前記受信された信号内に挿入することにより前記受信された信号を変更するステップと、
この変更された信号を前記プログラマブルロジックコントローラに送信するステップと
を具える制御方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の制御方法において、前記低レベルデバイスが２つの状態を有するようにする制御方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の制御方法において、 前記信号は、ブリッジノードを介して物理層で変換される
制御方法。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の制御方法において、
前記受信された信号は、関連のインターネットプロトコルアドレスに基づいて前記低レベルデバイスに向けられる
制御方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の制御方法において、前記産業用自動化システムは、他の低レベルデバイスを含む制御方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の制御方法において、前記産業用自動化システムは、他の信号を前記他の低レベルデバイスの１つに向けるように構成されたイーサネットスイッチを含む制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティングデバイス用の接触感応コンピューター・マウスであって、
湾曲した本体と、
センサー・エレメントのアレイが形成された基板を備え、前記マウスの前記湾曲した本体の外面に設けられ、前記マウスの前記湾曲した本体の前記外面上において行われた接触の位置を検出するように構成されたタッチ・センサーと、
を備え、
前記センサー・エレメントは、複数の行および列に配列され、各センサー・エレメントは、角を有し、対向する角において同じ行または列の中にある隣接するセンサー・エレメントと接続されている、
接触感応コンピューター・マウス。
【請求項２】
請求項１記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記マウスの前記湾曲した本体の前記外面は可展面を備え、前記基板は可撓性基板であり、この可撓性基板が前記マウスの前記湾曲した本体の前記可展面に結合されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項３】
請求項２記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記センサー・エレメントのアレイが、第１組のセンサー・エレメントを備えており、第２組のセンサー・エレメントとは逆側の前記基板の面上に配置されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項４】
請求項２記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記センサー・エレメントのアレイが、第１組のセンサー・エレメントと第２組のセンサー・エレメントとを備えており、これらが前記基板の同じ側に配置され誘電体層によって分離されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項５】
請求項２記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記センサー・エレメントのアレイが、第１組のセンサー・エレメントと第２組のセンサー・エレメントとを備えており、これらが前記基板の同じ側に同じ層内に配置されており、前記第１組のセンサー・エレメントのコネクターと前記第２組のセンサー・エレメントのコネクターとの間に絶縁材料が配されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項６】
請求項１記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記マウスの前記湾曲した本体の前記外面は非可展面を備え、前記基板は前記非可展面に一致するように成形された真空形成基板を備える、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項７】
請求項１記載の接触感応コンピューター・マウスであって、特定の機能にマッピングされている前記マウスの前記湾曲した本体の表面の領域を照明するように構成されている１つ又は複数の光源を備えている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項８】
請求項１記載の接触感応コンピューター・マウスであって、更に、圧力センサーを備えている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項９】
請求項８記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記圧力センサーが、前記センサー・エレメントのアレイと接触した圧電シートを備えている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項１０】
請求項８記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記センサー・エレメントのアレイが第１センサー・アレイであり、前記圧力センサーが、第２センサー・アレイと、この第２センサー・アレイと接触した圧電シートとを備えている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項１１】
請求項８記載の接触感応コンピューター・マウスにおいて、前記タッチ・センサーが容量性タッチ・センサーであり、更に、前記タッチ・センサーおよび前記圧力センサーと電気的に通信するコントローラを備えており、このコントローラが、前記タッチ・センサーからの接触入力と、前記圧力センサーからの信号による前記タッチ・センサーからの接触至近入力とを区別するように構成されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項１２】
請求項８記載の接触感応コンピューター・マウスであって、更に、前記タッチ・センサーおよび前記圧力センサーと電気的に通信するコントローラを備えており、このコントローラが、前記圧力センサーからの圧力信号によって仮想ボタンの作動を検出するように構成されている、接触感応コンピューター・マウス。
【請求項１３】
請求項１記載の接触感応コンピューター・マウスであって、更に、前記タッチ・センサーと電気的に通信するコントローラを備えており、このコントローラが、選択された接触入力に応答して、オーディオ・フィードバックをトリガするように構成されている信号を出力するように構成されている、接触感応コンピューター・マウス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月19日(2013.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルーターモジュールであって、要求を受信し、前記要求の受信に応答して、前記要求を満たすサーバーモジュールのネットワークアドレスを取得し、前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されているか否かを判断し、前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されているとの判断に応答して、最適化されたトランスポートを利用して前記要求を前記サーバーモジュールに転送するように構成された、ルーターモジュール
を含むコンピューター実行可能な命令を格納する、信号ではないコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項２】
前記ルーターモジュールは、前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されていないとの判断に応答して、標準的なトランスポートを利用するようにさらに構成される請求項１に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項３】
前記要求を満たすサーバーモジュールのネットワークアドレスを取得することは、ロードバランサーに問い合わせて、前記要求を満たすサーバーモジュールのネットワークアドレスを取得することを含む請求項２に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項４】
前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されているか否かを判断することは、前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されているか否かを判断するために、前記ロードバランサーから受信された前記ネットワークアドレスを、前記ルーターモジュールを実行するコンピューターが応答するネットワークアドレスのリストにおける１つ又は複数のネットワークアドレスと比較することを含む請求項３に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項５】
前記最適化されたトランスポートは伝送制御プロトコル（ＴＣＰ）トランスポートを含む請求項４に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項６】
前記最適化されたトランスポートは最適化されたローカルマシンのみのトランスポートを含む請求項４に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項７】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートは２進符号化を利用する請求項６に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項８】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートは名前付きパイプバインディングを含む請求項７に記載のコンピューター読み取り可能な媒体。
【請求項９】
クライアント要求をサーバーモジュールにルーティングするシステムにおいて、
前記クライアント要求を受信し、該クライアント要求に応答するように構成されたサーバーモジュールと、
コンピューター上で実行されるルーターモジュールであって、前記クライアント要求を受信し、該クライアント要求の受信に応答して、前記サーバーモジュールのネットワークアドレスを取得し、前記サーバーモジュールが前記ルーターモジュールと同じコンピューター上で実行されているか否かを判断し、前記サーバーモジュールが前記同じコンピューター上で実行されているとの判断に応答して、最適化されたトランスポートを利用して前記要求を前記サーバーモジュールに転送するように構成されたルーターモジュールと
を備えるシステム。
【請求項１０】
ロードバランサーをさらに備え、前記サーバーモジュールのネットワークアドレスを取得することは、ロードバランサーに問い合わせて、サーバーモジュールのネットワークアドレスを取得することを含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記ルーターモジュールは、前記サーバーモジュールが前記同じコンピューター上で実行されていないとの判断に応答して、標準的なトランスポートを利用するようにさらに構成されている請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記サーバーモジュールが前記同じコンピューター上で実行されているか否かを判断することは、前記サーバーモジュールが前記同じコンピューター上で実行されているか否かを判断するために、前記ロードバランサーから受信された前記ネットワークアドレスを、前記ルーターモジュールを実行しているコンピューターが応答するネットワークアドレスのリストにおける１つ又は複数のネットワークアドレスと比較することを含む請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記最適化されたトランスポートは伝送制御プロトコル（ＴＣＰ）トランスポートを含む請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記最適化されたトランスポートは最適化されたローカルマシンのみのトランスポートを含む請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートは２進符号化を利用する請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートは名前付きパイプバインディングを含む請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
クライアント要求をサーバーモジュールにルーティングするコンピューターにより実施される方法であって、コンピューターにより実施される、
クライアントコンピューターからクライアント要求をルーターモジュールにおいて受信する動作と、
前記クライアント要求の受信に応答して、該クライアント要求を満たすサーバーモジュールのターゲットネットワークアドレスをロードバランサーに問い合わせ、前記ターゲットネットワークアドレスをネットワークアドレスのリスト中の１つ又は複数のネットワークアドレスと比較して、前記ルーターモジュール及び前記クライアント要求を満たすサーバーモジュールが同じ物理的なコンピューター上で実行されているか否かを判断し、前記ルーターモジュール及び前記サーバーモジュールが同じ物理的なコンピューター上で実行されているとの判断に応答して、前記クライアント要求を前記ルーターモジュールから前記サーバーモジュールに、２進符号化を利用する最適化されたトランスポートを介して転送して、ネットワークを介して前記クライアント要求をルーティングすることなく前記クライアント要求を前記ルーターモジュールから前記サーバーモジュールへ転送する動作と
を含む、コンピューターにより実施される方法。
【請求項１８】
前記最適化されたトランスポートは、最適化されたローカルマシンのみのトランスポートを含む請求項１７に記載のコンピューターにより実施される方法。
【請求項１９】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートはウィンドウズコミュニケーションファウンデーション名前付きパイプバインディングを含む請求項１８に記載のコンピューターにより実施される方法。
【請求項２０】
前記最適化されたローカルマシンのみのトランスポートは名前付きパイプバインディングを含む請求項１８に記載のコンピューターにより実施される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
プラグインを実行するためのコンピュータプログラムであって、
実行されるプラグインの安定性レベルを取得するための機能と、
少なくとも部分的に前記安定性レベルに基づいて、利用可能な複数のプラグイン実行モードから選択される、プラグイン実行モードを決定するための機能と、
前記決定されたプラグイン実行モードに従って、前記プラグインを実行するための機能とをコンピュータによって実現させるコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
上記の実施形態は、明確な理解を目的として、ある程度詳細に記載したが、本発明は、提示した詳細に限定されるものではない。本発明を実施する多くの代替の方法がある。開示された実施形態は、例示であって、限定するものではない。
適用例１：プラグインを実行する方法であって、実行されるプラグインの安定性レベルを取得することと、少なくとも部分的に前記安定性レベルに基づいて、利用可能な複数のプラグイン実行モードから選択される、プラグイン実行モードを決定することと、前記決定されたプラグイン実行モードに従って、前記プラグインを実行することと、を備える方法。
適用例２：適用例１に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルは、記憶場所から取得される、方法。
適用例３：適用例１に記載の方法において、前記複数のプラグイン実行モードは、利用可能な複数のプラグイン安定性レベルに対応している、方法。
適用例４：適用例１に記載の方法において、前記複数のプラグイン実行モードは、複数のローダ・プロセスに対応しており、前記決定されたプラグイン実行モードに従う前記プラグインの実行は、前記複数のローダ・プロセスのうち、前記決定されたプラグイン実行モードに対応するローダ・プロセスを起動させて、前記プラグインをロードすることを含む、方法。
適用例５：適用例４に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルが安定である場合には、前記ローダ・プロセスは共有ローダ・プロセスである、方法。
適用例６：適用例４に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルが普通である場合には、前記ローダ・プロセスは独立ローダ・プロセスである、方法。
適用例７：適用例４に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルが不安定である場合には、前記方法は、前記プラグインの実行を停止させることをさらに備える、方法。
適用例８：適用例４に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルが不安定である場合には、前記方法は、前記プラグインの異常情報を取得および保存することをさらに備える、方法。
適用例９：適用例８に記載の方法において、前記異常情報は、前記プラグインの異常動作の理由と、前記プラグインのプラグイン情報とを含む、方法。
適用例１０：適用例１に記載の方法はさらに、前記プラグインの安定性レベルを調整することを備える、方法。
適用例１１：適用例１０に記載の方法において、前記プラグインの安定性レベルの調整は、前記プラグインが所定期間の間に異常動作した回数を決定することと、前記プラグインが所定期間の間に異常動作した回数の前記決定に少なくとも部分的に基づいて、前記プラグインの安定性レベルを調整することと、を含む、方法。
適用例１２：プラグインを実行するシステムであって、１つまたは複数のプロセッサであって、実行されるプラグインの安定性レベルを取得し、少なくとも部分的に前記安定性レベルに基づいて、利用可能な複数のプラグイン実行モードから選択される、プラグイン実行モードを決定し、前記決定されたプラグイン実行モードに従って、前記プラグインを実行するように構成されている、プロセッサと、前記１つまたは複数のプロセッサに結合された１つまたは複数のメモリであって、前記１つまたは複数のプロセッサに命令を提供するように構成されているメモリと、を備えるシステム。
適用例１３：適用例１２に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルは、記憶場所から取得される、システム。
適用例１４：適用例１２に記載のシステムにおいて、前記複数のプラグイン実行モードは、利用可能な複数のプラグイン安定性レベルに対応している、システム。
適用例１５：適用例１２に記載のシステムにおいて、
前記複数のプラグイン実行モードは、複数のローダ・プロセスに対応しており、前記決定されたプラグイン実行モードに従う前記プラグインの実行は、前記複数のローダ・プロセスのうち、前記決定されたプラグイン実行モードに対応するローダ・プロセスを起動させて、前記プラグインをロードすることを含む、システム。
適用例１６：適用例１５に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルが安定である場合には、前記ローダ・プロセスは共有ローダ・プロセスである、システム。
適用例１７：適用例１５に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルが普通である場合には、前記ローダ・プロセスは独立ローダ・プロセスである、システム。
適用例１８：適用例１５に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルが不安定である場合には、前記１つまたは複数のプロセッサは、さらに、前記プラグインの実行を停止させるように構成されている、システム。
適用例１９：適用例１５に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルが不安定である場合には、前記１つまたは複数のプロセッサは、さらに、前記プラグインの異常情報を取得および保存するように構成されている、システム。
適用例２０：適用例１２に記載のシステムにおいて、前記１つまたは複数のプロセッサは、さらに、前記プラグインの安定性レベルを調整するように構成されている、システム。
適用例２１：適用例２０に記載のシステムにおいて、前記プラグインの安定性レベルの調整は、前記プラグインが所定期間の間に異常動作した回数を決定することと、前記プラグインが所定期間の間に異常動作した回数の前記決定に少なくとも部分的に基づいて、前記プラグインの安定性レベルを調整することと、を備えている、システム。
適用例２２：プラグインを実行するためのコンピュータプログラム・プロダクトであって、前記コンピュータプログラム・プロダクトはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に埋め込まれ、実行されるプラグインの安定性レベルを取得し、少なくとも部分的に前記安定性レベルに基づいて、利用可能な複数のプラグイン実行モードから選択される、プラグイン実行モードを決定し、前記決定されたプラグイン実行モードに従って、前記プラグインを実行するためのコンピュータ命令を含む、コンピュータプログラム・プロダクト。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体（２０）の３次元構造を製造するために３次元形状物体にミリングする方法であって，
イオンビームの強度及び滞留時間により、ミリングされる材料のミリング量を決定するステップと，
前記決定されたミリング量を基に，前記材料で作られた前記物体をイオンビームミリングによりミリングするステップとを含み，
前記ミリングするステップは，様々な３次元形状を形成するために，前記物体の隣接領域を異なる深さでミリングし，
前記ミリング方法は，
ミリングされた構造内の実際のミリング深さを測定するステップと，
測定されたミリング深さを基にミリング強度及び／又はミリング滞留時間を調整するステップと，を含むことを特徴とする，
ミリング方法。
【請求項２】
前記ミリングステップは複数のミリングパスを含み，
前記ミリング方法は，
前記複数のパスの内，後続のパスの少なくとも一つが以前のパスでミリングした領域をミリングするステップを含む，請求項１に記載のミリング方法。
【請求項３】
前記後続のミリングパスは，以前にミリングされたパスの一部をミリングする，請求項２に記載のミリング方法。
【請求項４】
連続するミリングパスの少なくともいくつかは同心円上にミリングし，及び／又は連続するミリングパスの少なくともいくつかは非同心円上にミリングする，請求項２又は請求項３に記載のミリング方法。
【請求項５】
前記イオンビームの強度及び／又は前記ミリング滞留時間は，前記ミリングステップ内の前記複数のミリングパスを構成する個々のパスについて設定される，請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項６】
前記ミリング深さは，原子間力顕微鏡（２６）により測定される，請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項７】
前記ミリング深さは，前記ミリングステップ中に測定される，請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項８】
前記ミリングされる領域の深さは，前記ミリングステップ内で後続の領域をミリングする前に測定される，請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項９】
前記方法は，３次元物体をミリングする，請求項１から請求項８のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項１０】
孔のアレイを生成するために前記物体上にエッチングパスを少なくとも一つもたらすステップ及び前記３次元構造のアレイを生成する前記孔をミリングするステップを含む，請求項１から請求項９のいずれか一項に記載のミリング方法。
【請求項１１】
デバイス（２０）の３次元パターンにミリングする装置（１０）であって，
オブジェクトをミリングするイオンビームを生成するイオンカラム（１２）と，
イオンビームの強度及びイオンビームの滞留時間を基に，前記デバイスの材料のミリング量を決定又は取得する診断装置と，
前記決定されたミリング量及びミリングされる前記３次元パターンを基に前記イオンカラム（１２）を制御する制御装置（２２）を含み，
前記制御装置（２２）は，前記ミリングされる前記３次元パターンを形成するために，デバイス（２０）の隣接領域を異なる深さでミリングし，
前記ミリング装置は，
前記イオンカラム（１２）によってミリング深さを測定する測定装置（２６）を含み，
前記測定装置（２６）は，フィードバックできる態様で前記制御装置（２２）に連結されており，
前記制御装置（２２）は，測定されたミリング深さを基にミリング強度及び／又はミリング滞留時間を調整することを特徴とする，
ミリング装置。
【請求項１２】
前記制御装置（２２）は，複数のミリングパスで前記デバイス（２０）をミリングするために前記イオンカラム（１２）を制御する，請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
一つ以上の材料に関するミリング深さ，ビーム強度，及びビーム滞留時間のデータベースを含み，
前記データベースは，ルックアップテーブル形式である，請求項１１又は請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記測定装置は，原子間力顕微鏡チップ（２８）を含む，請求項１１から請求項１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
ＳＥＭカラム（１４），及び／又はミリングするためにデバイス（２０）を固定する真空チャンバ（１６），及び／又は前記３次元構造のアレイを生成する孔をミリングする前に前記孔（４８）のアレイを生成するための前記物体に少なくとも１つのエッチングパスをもたらすエッチングステーション及び少なくとも一つのエッチングマスク（４０）を含む，請求項１１から請求項１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
請求項１１から請求項１５のいずれか一項に記載の装置によりミリングされた３次元パターン又は３次元構造を有するデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機オプトエレクトロニクス素子（１）の製造方法であって、
・支持体（２）に第１の電極（１１）を設けるステップと、
・前記第１の電極（１１）に感光性材料（９）を設け、所定の区域（１３）外において前記感光性材料（９）を露光する露光ステップと、
・前記第１の電極（１１）の厚さが変わらないように、前記感光性材料（９）を除去する除去ステップと、
・前記第１の電極（１１）に別の感光性材料（１４）を設け、部分領域（１５）外において該別の感光性材料（１４）を露光する露光ステップと、
・前記別の感光性材料（１４）を除去する除去ステップと、
・少なくとも前記第１の電極（１１）に、少なくとも１つの有機活性層（３３）を含む有機積層（３）と第２の電極（２２）とを生成するステップと
を有し、
前記所定の区域（１３）と前記部分領域（１５）とが重なる少なくとも１つのオーバーラップ領域（１６）において、前記支持体（２）と反対側の前記第１の電極（１１）の主面（６）の仕事関数を、該第１の電極（１１）の他の領域より低下させ、
前記製造方法は、前記別の感光性材料（１４）の露光ステップと該別の感光性材料（１４）の除去ステップとの間にさらに、前記部分領域（１５）外において前記第１の電極（１１）の材料を除去するステップを有し、
前記オーバーラップ領域（１５）によって少なくとも１つの明領域（５）が形成され、該明領域（５）以外の前記部分領域（１５）の他の領域によって暗領域（４）が形成される
ことを特徴とする、製造方法。
【請求項２】
前記第１の電極（１１）はインジウム錫酸化物を含むかまたはインジウム錫酸化物から成り、
前記感光性材料（９）および前記別の感光性材料（１４）の露光を、２４０ｎｍ〜３８０ｎｍの波長で行い、
前記感光性材料（９）および前記別の感光性材料（１４）としてポジ型フォトレジストを使用し、
前記オーバーラップ領域（１６）において前記感光性材料（９）および前記別の感光性材料（１４）を現像する、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
・支持体（２）と、
・前記支持体（２）に設けられた第１の電極（１１）と、
・少なくとも１つの有機活性層（３３）を含む少なくとも１つの有機積層（３）と、
・第２の電極（２２）と
を有する有機オプトエレクトロニクス素子（１）であって、
前記有機積層（３３）は、前記第１の電極（１１）と前記第２の電極（２２）との間に存在し、
横方向に少なくとも１つの暗領域（４）と少なくとも１つの明領域（５）とが設けられており、
前記暗領域（４）および前記明領域（５）の双方において、少なくとも局所的に、前記第１の電極（１１）と前記第２の電極（２２）と前記有機積層（３３）とが前記支持体に設けられており、
前記暗領域（４）の第１の反射率と前記明領域（５）の第２の反射率との差は最大１５パーセントポイントである
ことを特徴とする、有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項４】
前記有機積層（３）に向かい合う前記支持体（２）の面（２０）は、前記暗領域（４）において表面粗化部分（８）を有し、
前記支持体（２）と前記第１の電極（１１）との間に、透明な中間層（１２）が設けられており、
前記中間層（１２）の厚さは１０ｎｍ〜２００ｎｍである、請求項３記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項５】
前記表面粗化部分（８）の平均粗面度は５ｎｍ〜１μｍである、請求項４記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項６】
前記中間層（１２）は、前記支持体（２）の屈折率との差が最大０．１，０．０５である屈折率を有し、
前記中間層（１２）は二酸化シリコン層である、請求項４または５記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項７】
前記暗領域（４）において、前記支持体（２）と反対側の前記第１の電極（１１）の主面（６）上に、自己組織化分子を含む単層膜（７）が設けられている、請求項３から６までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項８】
前記単層膜（７）は単調色かつ電気絶縁性であり、０．５ｎｍ〜５．０ｎｍの厚さを有する、請求項７記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項９】
前記単層膜（７）は、２［（トリメチルオキシシシル）エチル］ベンゼンまたは３‐［２‐（トリメチルオキシシシル）エチル］ピリジンを含むか、または、２［（トリメチルオキシシシル）エチル］ベンゼンまたは３‐［２‐（トリメチルオキシシシル）エチル］ピリジンから成る、請求項７または８記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１０】
前記有機オプトエレクトロニクス素子（１）は、複数の前記暗領域（４）と複数の前記明領域（５）とを有し、
前記明領域（４）によって少なくとも１つのパターンおよび／または記号が形成されており、前記有機オプトエレクトロニクス素子（１）が動作していない間は、該パターンおよび／または記号は見えない、請求項３から９までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１１】
前記暗領域（４）の面積あたりの光パワーは、前記明領域（５）の面積あたりの光パワーの最大５０％である、請求項３から１０までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１２】
前記支持体（２）はガラスを含み、
前記第１の電極（１１）は透明導電性酸化物を含み、
前記第２の電極（２２）は金属を含む、
請求項３から１１までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１３】
前記支持体（２）と反対側の前記第１の電極（１１）の主面（６）の仕事関数は、前記明領域（５）よりも前記暗領域（４）において高く、
前記第１の電極（１１）の材料は、前記暗領域（４）と前記明領域（５）とにおいて同じである、請求項３から１２までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【請求項１４】
請求項１または２記載の製造方法によって製造された、請求項３から１３までのいずれか１項記載の有機オプトエレクトロニクス素子（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部と、
少なくとも１つのステージモータを有する位置決めシステムと、
ビーム軸に沿って伝播して、前記支持部に置かれた目標試料に入射するレーザビームと、
対応するステージモータと共通の力面に位置する少なくとも１つの反力補償モータとを備え、
前記支持部は、前記位置決めシステムと前記少なくとも１つのステージモータとに動作可能に接続し、前記少なくとも１つのステージモータは、前記レーザビームと前記目標試料の少なくとも一方を他方に対して移動させ、前記目標試料上の選択された位置に前記レーザビームを位置決めし、
これにより、前記少なくとも１つの反力補償モータと前記対応するステージモータの間のモーメントアームを低減させ、前記反力補償モータをステージ力に直接結合し、実質的にゼロモーメントアームで前記ステージ力と反応することができることを特徴とするレーザ加工システム。
【請求項２】
前記位置決めシステムは、
互いに分離し、並行で、水平な上部面と下部面とを有する寸法の安定した基板と、
前記基板に取り付けられ、Ｘ軸力面のＸ軸に沿って前記レーザビームと前記目標試料の一方を移動させる少なくとも１つの第１のステージモータと、
前記Ｘ軸と直交するＹ軸力面のＹ軸に沿って前記レーザビームと前記目標試料の一方を移動させる少なくとも１つの第２のステージモータとを備え、
少なくとも１つの第１の反力補償モータは、前記Ｘ軸力面と一列に整列し、少なくとも１つの第２の反力補償モータは、前記Ｙ軸力面と一列に整列することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工システム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの反力補償モータは、前記対応するステージモータの出来るだけ近くに位置すること特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザ加工システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの反力補償モータは、
前記反力補償モータが、前記ステージモータに直接結合し整列するように、６段階の自由度を制御する４つの反力補償モータのみをさらに備えることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のレーザ加工システム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの反力補償モータが、リニアモータであることを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか一項に記載のレーザ加工システム。
【請求項６】
前記位置決めシステムは、スプリット軸アーキテクチャを備え、
前記少なくとも１つのステージモータは、Ｘ軸力面のＸ軸に沿って試料ステージを移動させるために、前記試料ステージの反対側のステージベッドであって、寸法の安定した基板の下部面に固定される前記ステージベッドの表面上に搭載される２つのステージモータと、前記Ｘ軸と直交するＹ軸力面のＹ軸に沿ってレーザ光学アッセンブリステージを移動させるために、前記レーザ光学アッセンブリステージの反対側の前記基板の上部面に搭載される２つのステージモータとを備え、
少なくとも１つの反力補償モータは、前記基板およびシステムフレームに取り付けられ、前記Ｘ軸力面と一列に整列した２つのモータと、前記基板および前記システムフレームに取り付けられ、前記Ｙ軸力面と一列に整列した２つのモータとを備えることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載のレーザ加工システム。
【請求項７】
前記位置決めシステムは、平面位置決めシステムを備え、
前記少なくとも１つのステージモータは、寸法の安定した基板に取り付けられ、Ｘ軸力面のＸ軸に沿って前記支持部を移動させる２つのステージモータと、前記Ｘ軸と直交するＹ軸力面のＹ軸に沿って前記支持部を移動させる個別のステージモータとを備え、
前記少なくとも１つの反力補償モータは、前記２つのステージモータと直接結合し一列に整列した２つのモータと、前記個別のステージモータと直接結合し一列に整列した２つのモータとを備えることを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか一項に記載のレーザ加工システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の半導体基板上に、相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ）と共にバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を製造する方法であって、前記方法が、
前記ＢＪＴのエミッタ領域とエクストリンシックベース領域とをそれぞれ画定するように反対のドーピング型のＩＧＦＥＴソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）注入を用いる工程と、
を含み、
前記ＩＧＦＥＴのためのゲート電極の長さを画定するために用いられるマスキング層のパターニングが、前記Ｓ／Ｄ注入画定されたエミッタ領域とエクストリンシックベース領域との間の所定の最小横方向ベースリンク長さ分離を画定するために、少なくとも部分的に用いられる、
方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ベースリンク長さ分離が更に、前記ＩＧＦＥＴのためのスペーサを形成するために用いられる誘電体層のパターニングにより少なくとも部分的に画定される、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記マスキング層が、前記ＩＧＦＥＴのためのポリシリコン電極の長さを画定するために用いられるマスキング層である、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記マスキング層がフォトレジスト層である、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記マスキング層が、前記ＩＧＦＥＴのためのポリシリコン電極の長さを画定するために用いられるマスキング層である、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記マスキング層がフォトレジスト層である、方法。
【請求項７】
共通の半導体基板上に、相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＣＩＧＦＥＴ）と共にバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を製造する方法であって、前記方法が、
ＮチャネルＩＧＦＥＴのｎ＋ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）ゾーンを形成するために用いられる共通の工程を用いて、前記ＢＪＴのｎ＋エミッタ部とｎ＋コレクタコンタクト部とを形成する工程と、
ＰチャネルＩＧＦＥＴのｐ＋Ｓ／Ｄゾーンを形成するために用いられる共通の工程を用いて、ｐ＋ベースコンタクト部を形成する工程と、
前記ＰチャネルＩＧＦＥＴのｎウェル領域を形成するために用いられる共通の工程を用いて、ｎ主要コレクタ部を形成する工程と、
前記ＮチャネルＩＧＦＥＴとＰチャネルＩＧＦＥＴの少なくとも一方のゲート電極を画定するためのフォトレジストマスキング層をパターニングすることと共通の工程において、フォトレジストマスキング層をパターニングすることにより、前記ｎ＋エミッタ部と前記ｐ＋ベースコンタクト部との間の所定の最小横方向ベースリンク長さ分離を少なくとも部分的に画定する工程と、
を含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記ベースリンク長さ分離が更に、前記ＮチャネルＩＧＦＥＴとＰチャネルＩＧＦＥＴの前記少なくとも一方のためのスペーサを形成するための誘電体層をパターニングすることと共通の工程において、誘電体層をパターニングすることにより少なくとも部分的に画定される、方法。
【請求項９】
共通の半導体基板上に、相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＣＩＧＦＥＴ）と共にバイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）を製造する方法であって、前記方法が、
ＮチャネルＩＧＦＥＴのｎ＋ソース／ドレイン（Ｓ／Ｄ）ゾーンを形成するために用いられる共通の工程を用いて、前記ＢＪＴのｎ＋エミッタ部とｎ＋コレクタコンタクト部とを形成する工程と、
ＰチャネルＩＧＦＥＴのｐ＋Ｓ／Ｄゾーンを形成するために用いられる共通の工程を用いて、ｐ＋ベースコンタクト部を形成する工程と、
前記ＰチャネルＩＧＦＥＴのｎウェル領域を形成するために用いられる共通の工程を用いて、ｎ主要コレクタ部を形成する工程と、
前記ＮチャネルＩＧＦＥＴとＰチャネルＩＧＦＥＴの少なくとも一方のためのスペーサを形成するために誘電体層をパターニングすることと共通の工程において、誘電体層をパターニングすることにより、少なくとも部分的に前記ｎ＋エミッタ部と前記ｐ＋ベースコンタクト部との間の所定の最小横方向ベースリンク長分離を画定する工程と、
を含む、方法。