Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯電話機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、簡単な操作で家庭内の家電製品などの機器を遠隔操作するように制御可能な携帯電話機を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる携帯電話機は、ネットワークを介して機器と接続されているサービス機器と通信を行い、前記機器を遠隔操作可能であり、前記サービス機器と通信を行う通信手段と、前記通信手段により受信した情報を表示する表示手段と、前記通信手段および前記表示手段を制御する制御手段と、を備える。前記制御手段は、前記サービス機器において前記携帯電話機の認証を行う際に用いられる認証情報を前記通信手段により送信し、前記サービス機器により前記携帯電話機が認証された場合に前記携帯電話機により遠隔操作可能な機器を示す機器情報を前記通信手段により受信し、受信した前記機器情報を用いて遠隔操作可能な機器の一覧を示す機器リストを前記表示手段により表示し、前記携帯電話機の利用者により前記機器リストの中から１つの機器が選択された場合に前記選択された機器を示す情報を前記通信手段により前記サービス機器に送信し、前記サービス機器から前記選択された機器に対する操作を示す操作情報を前記通信手段により受信し、受信した前記操作情報を用いて前記選択された機器に対する操作の一覧を示す操作リストを前記表示手段により表示し、前記携帯電話機の利用者により前記操作リストの中から１つの操作が選択された場合に前記選択された操作を示す情報を前記通信手段により前記サービス機器に送信することにより、前記選択された機器を遠隔操作するように制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、簡単な操作で家庭内の家電製品などの機器を遠隔操作するように制御可能な携帯電話機を提供することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して機器と接続されているサービス機器と通信を行い、前記機器を遠隔操作可能な携帯電話機であって、
前記サービス機器と通信を行う通信手段と、
前記通信手段により受信した情報を表示する表示手段と、
前記通信手段および前記表示手段を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記サービス機器において前記携帯電話機の認証を行う際に用いられる認証情報を前記通信手段により送信し、前記サービス機器により前記携帯電話機が認証された場合に前記携帯電話機により遠隔操作可能な機器を示す機器情報を前記通信手段により受信し、受信した前記機器情報を用いて遠隔操作可能な機器の一覧を示す機器リストを前記表示手段により表示し、前記携帯電話機の利用者により前記機器リストの中から１つの機器が選択された場合に前記選択された機器を示す情報を前記通信手段により前記サービス機器に送信し、前記サービス機器から前記選択された機器に対する操作を示す操作情報を前記通信手段により受信し、受信した前記操作情報を用いて前記選択された機器に対する操作の一覧を示す操作リストを前記表示手段により表示し、前記携帯電話機の利用者により前記操作リストの中から１つの操作が選択された場合に前記選択された操作を示す情報を前記通信手段により前記サービス機器に送信することにより、前記選択された機器を遠隔操作するように制御することを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】
前記表示手段は、受信した前記機器情報あるいは前記操作情報を用いて、前記機器リストあるいは前記操作リストを含むホームページ画面を表示することを特徴とする請求項１に記載の携帯電話機。
【請求項３】
前記携帯電話機は、受信した前記機器情報あるいは前記操作情報を用いて、前記表示手段により前記ホームページ画面を表示するブラウザを搭載していることを特徴とする請求項２に記載の携帯電話機。
【請求項４】
前記認証情報は、前記携帯電話機の利用者のＩＤおよびパスワードであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項５】
前記サービス機器は、前記認証情報に対応させて前記機器情報を記憶していることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項６】
前記制御手段は、前記選択された操作を示す情報を前記通信手段により前記サービス機器に送信した後、前記選択された操作が前記選択された機器に対して行われた結果を示す情報を前記サービス機器から前記通信手段により受信するように制御することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項７】
前記通信手段は、少なくともインターネットまたは電話回線を含む通信回線を介して前記サービス機器と通信を行うことを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項８】
前記機器は、家電品であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項９】
前記家電品は、エアコンまたは照明機器またはテレビまたはＶＴＲであることを特徴とする携帯電話機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置であって、
前記第１の読取部及び前記第２の読取部のそれぞれの使用頻度を示す読取頻度情報を取得する第１の取得手段と、
前記第１の読取部または前記第２の読取部で読取られた原稿上の色に関する読取色情報を取得する第２の取得手段と、
前記第１の取得手段で取得した読取頻度情報と、前記第２の取得手段で取得した前記読取色情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のいずれかに決定する決定手段と
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記決定手段は、前記読取色情報が示す色毎に、前記基準読取部を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記読取色情報が示す色毎に、
その出現頻度が閾値より大きい色については、前記読取頻度情報が示す使用頻度の内、高い方の使用頻度に対応する読取部を前記基準読取部に決定し、
その出現頻度が閾値以下の色については、前記読取頻度情報が示す使用頻度の内、低い方の使用頻度に対応する読取部を前記基準読取部に決定する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
指定色に対する基準読取部を指定する指定手段を更に備える
ことを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記決定手段は、複数の濃度パターンのパッチ画像が片面に印刷されたチャート原稿を前記第１の読取部で読取って得られる第１の読取データと、前記チャート原稿を前記第２の読取部で読取って得られる第２の読取データとの間での色の差分データを抽出する抽出手段を備え、
前記決定手段は、
前記読取色情報が示す色の差分データが閾値より大きい色については、前記読取頻度情報が示す使用頻度の内、高い方の使用頻度に対応する読取部を前記基準読取部に決定し、
前記読取色情報が示す色の差分データが閾値以下の色については、前記読取頻度情報が示す使用頻度の内、低い方の使用頻度に対応する読取部を前記基準読取部に決定する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項６】
ユーザを認証する認証手段を更に備え、
前記決定手段は、前記認証手段で認証するユーザ別に、前記基準読取部を決定する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項７】
第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置の制御方法であって、
前記第１の読取部及び前記第２の読取部のそれぞれの使用頻度を示す読取頻度情報を取得する第１の取得工程と、
前記第１の読取部または前記第２の読取部で読取られた原稿上の色に関する読取色情報を取得する第２の取得工程と、
前記第１の取得工程で取得した読取頻度情報と、前記第２の取得工程で取得した前記読取色情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のどちらかに決定する決定工程と
を備えることを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項８】
第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置の制御をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記第１の読取部及び前記第２の読取部のそれぞれの使用頻度を示す読取頻度情報を取得する第１の取得工程と、
前記第１の読取部または前記第２の読取部で読取られた原稿上の色に関する読取色情報を取得する第２の取得工程と、
前記第１の取得工程で取得した読取頻度情報と、前記第２の取得工程で取得した前記読取色情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準とする基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のどちらかに決定する決定工程と
をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置であって、
前記第１の読取部及び前記第２の読取部のそれぞれの使用頻度を示す読取頻度情報を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した読取頻度情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のうち使用頻度の少ない読取部に決定する決定手段と
を備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１０】
原稿の表面を読取る第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる原稿の裏面を読取る第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置であって、
前記第１の読取部または前記第２の読取部で読取られた原稿上の色に関する読取色情報を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得した前記読取色情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のいずれかに決定する決定手段とを有し、
前記決定手段は、前記読取色情報が示す色毎に、前記基準読取部を決定し、前記読取色情報が示す色のうち出現頻度が閾値より大きい色については、前記第１の読取部を前記基準読取部に決定し、前記読取色情報が示す色のうち出現頻度が閾値より小さい色については、前記第２の読取部を前記基準読取部に決定する
ことを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項１１】
第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置の制御方法であって、
前記第１の読取部及び前記第２の読取部のそれぞれの使用頻度を示す読取頻度情報を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得した読取頻度情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のうち使用頻度の少ない読取部に決定する決定工程と
を備えることを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【請求項１２】
原稿の表面を読取る第１の読取部、及び前記第１の読取部とは異なる原稿の裏面を読取る第２の読取部を用いて原稿の両面を読取可能な画像読取装置の制御方法であって、
前記第１の読取部または前記第２の読取部で読取られた原稿上の色に関する読取色情報を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得した前記読取色情報に基づいて、前記第１の読取部と前記第２の読取部の間の読取特性を相対的に一致させるための補正を行う際の基準となる基準読取部を、該第１の読取部及び該第２の読取部のいずれかに決定する決定工程とを有し、
前記決定工程は、前記読取色情報が示す色毎に、前記基準読取部を決定し、前記読取色情報が示す色のうち出現頻度が閾値より大きい色については、前記第１の読取部を前記基準読取部に決定し、前記読取色情報が示す色のうち出現頻度が閾値より小さい色については、前記第２の読取部を前記基準読取部に決定する
ことを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月5日(2009.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項２】  表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項３】  表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項４】  表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた基板の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１ns以下の条件で、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記基板の前記裏面から入射させ、前記基板の切断予定ラインに沿って前記基板の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
【請求項５】  前記粘着シートの基材は、ポリオレフィン系又はポリ塩化ビニール系のいずれか１つの材質であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項６】  前記改質領域を形成する工程後、
前記切断予定ラインに沿って前記基板を切断する切断工程を備える、請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項７】  表面に電子デバイス又は電極パターンが形成されかつ裏面に粘着シートが貼り付けられた半導体ウェハの内部に集光点を合わせて、前記粘着シートに対して透過性を有するレーザ光を前記粘着シートを介して前記半導体ウェハの前記裏面から入射させ、前記半導体ウェハの切断予定ラインに沿って前記半導体ウェハの内部に溶融処理領域を形成し、前記溶融処理領域を切断の起点として前記切断予定ラインに沿って前記半導体ウェハを切断し、半導体チップを製造する、半導体チップの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置本体に着脱可能に装着されるアクセサリを検出する検出手段と、
前記アクセサリとの間で通信可能な通信手段と、
データを格納する記憶手段と、
少なくとも前記アクセサリに関するヘルプ情報を表示することが可能な表示手段と、
前記検出手段により前記アクセサリが前記撮像装置に装着されたことが検出された場合に、前記アクセサリが有するヘルプ情報のうち、前記アクセサリにおいて表示できないヘルプ情報を抽出する抽出手段と、
前記抽出手段で抽出した前記表示できないヘルプ情報を、前記通信手段を介して前記記憶手段へ格納する制御手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記記憶手段は不揮発性のメモリであり、
前記制御手段は、前記抽出手段で抽出した前記表示できないヘルプ情報を前記記憶手段に格納した後は、前記通信手段を介した前記表示できないヘルプ情報の取得を行わないように制御することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記検出手段は、前記撮像装置に装着可能なアクセサリの数に応じて複数有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記通信手段とは独立したヘルプ情報を転送するための第２の情報伝達手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
撮像装置本体に着脱可能に装着されるアクセサリを検出する検出手段と、
前記アクセサリとの間で通信可能な通信手段と、
データを格納する記憶手段と、
少なくとも前記アクセサリに関するヘルプ情報を表示することが可能な表示手段とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記検出手段により前記アクセサリが前記撮像装置に装着されたことが検出された場合に、前記アクセサリが有するヘルプ情報のうち、前記アクセサリにおいて表示できないヘルプ情報を抽出する抽出ステップと、
前記抽出ステップで抽出した前記表示できないヘルプ情報を、前記通信手段を介して前記記憶手段へ格納する制御ステップとを備えたことを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像装置の制御方法を実現するためのコンピュータ読み取り可能なプログラムコードを有することを特徴とする制御プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、撮像装置本体に着脱可能に装着されるアクセサリを検出する検出手段と、前記アクセサリとの間で通信可能な通信手段と、データを格納する記憶手段と、少なくとも前記アクセサリに関するヘルプ情報を表示することが可能な表示手段と、前記検出手段により前記アクセサリが前記撮像装置に装着されたことが検出された場合に、前記アクセサリが有するヘルプ情報のうち、前記アクセサリにおいて表示できないヘルプ情報を抽出する抽出手段と、前記抽出手段で抽出した前記表示できないヘルプ情報を、前記通信手段を介して前記記憶手段へ格納する制御手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが、ウォータマークコードワード係数値が加算された画像の画素値を表す複数の信号サンプルを含むウォータマークが付された画像を表す受信画像信号内のウォータマークコードワードを検出するウォータマーク検出方法において、
上記受信画像信号をローパスフィルタリングして、各信号サンプルの局所的な平均値を生成するステップと、
上記受信画像信号から上記局所的な平均値を減算して、各信号サンプルの残差からなる残差信号を生成するステップと、
上記残差信号から各信号サンプルの局所的な標準偏差を決定するステップと、
各信号サンプルに対して、上記受信画像の信号サンプルにウォータマークコードワード係数が加算された推定された振幅を与えるウォータマーク強度値を生成するステップと、
各信号サンプルについて、上記局所的な平均値とウォータマーク強度値との和によって定義される平均と、上記局所的な標準偏差によって定義される標準偏差とを含み、該信号サンプルに埋め込まれたウォータマークコードワード係数が正である尤度を記述する第１のガウス尤度関数を生成するステップと、
各信号サンプルについて、上記局所的な平均値とウォータマーク強度値との差によって定義される平均と、上記局所的な標準偏差によって定義される標準偏差とを含み、該信号サンプルに埋め込まれたウォータマークコードワード係数が負である尤度を説明する第２のガウス尤度関数を生成するステップと、
上記第１及び第２のガウス尤度関数から算出された、各信号サンプルに加算されたウォータマークコードワード係数が正又は負である確率に基づいて、上記ウォータマークが付された受信画像内のウォータマークを検出するステップとを有するウォータマーク検出方法。
【請求項２】
上記局所的な標準偏差を決定するステップは、
上記残差信号を二乗し、二乗信号を生成するステップと、
上記二乗信号をローパスフィルタリングして、フィルタリングされた二乗信号を生成するステップと、
フィルタリングされた二乗信号の平方根を求めて、各信号サンプルの局所的な標準偏差値からなる標準偏差信号を生成するステップとを有することを特徴とする請求項１記載のウォータマーク検出方法。
【請求項３】
上記第１及び第２のガウス尤度関数からウォータマーク強度の関数として、信号サンプルに組み込まれているウォータマーク値が正である確率を記述する線形近似を生成するステップと、
ウォータマーク強度の修正された推定値を生成するステップと、
上記ウォータマーク強度の修正された推定値に上記線形近似を適用するステップとを更に有する請求項１又は２記載のウォータマーク検出方法。
【請求項４】
上記第１及び第２のガウス尤度関数は、形状パラメータを有する一般化されたガウス関数であり、
上記第１及び第２のガウス尤度関数を生成するステップは、
ウォータマーク検出性能を高めるために、各信号サンプルに形状パラメータを適応化するステップを更に有することを特徴とする請求項１乃至３いずれか１項記載のウォータマーク検出方法。
【請求項５】
それぞれが、ウォータマークコードワード係数値が加算された画像の画素値を表す複数の信号サンプルを含むウォータマークが付された画像を表す受信画像信号内のウォータマークコードワードを検出するウォータマーク検出装置において、
上記受信画像信号をローパスフィルタリングして、各信号サンプルの局所的な平均値を生成する局所平均値生成器と、
上記受信画像信号から上記局所的な平均値を減算して、各信号サンプルの残差からなる残差信号を生成する残差信号生成器と、
上記残差信号から各信号サンプルの局所的な標準偏差を決定する局所標準偏差生成器と、
各信号サンプルに対して、上記受信画像の信号サンプルにウォータマークコードワード係数が加算された推定された振幅を与えるウォータマーク強度値を生成するウォータマーク強度推定器と、
各信号サンプルについて、上記局所的な平均値とウォータマーク強度値との和によって定義される平均と、上記局所的な標準偏差によって定義される標準偏差とを含み、該信号サンプルに埋め込まれたウォータマークコードワード係数が正である尤度を記述する第１のガウス尤度関数を生成し、及び各信号サンプルについて、上記局所的な平均値とウォータマーク強度値との差によって定義される平均と、上記局所的な標準偏差によって定義される標準偏差とを含み、該信号サンプルに埋め込まれたウォータマークコードワード係数が負である尤度を説明する第２のガウス尤度関数を生成する尤度生成器と、
上記第１及び第２のガウス尤度関数から算出された、各信号サンプルに加算されたウォータマークコードワード係数が正又は負である確率に基づいて、上記ウォータマークが付された受信画像内のウォータマークを検出するウォータマーク検出器とを備えるウォータマーク検出装置。
【請求項６】
上記局所標準偏差生成器は、上記残差信号を二乗し、二乗信号を生成し、上記二乗信号をローパスフィルタリングして、フィルタリングされた二乗信号を生成し、フィルタリングされた二乗信号の平方根を求めて、各信号サンプルの局所的な標準偏差値からなる標準偏差信号を生成することを特徴とする請求項５記載のウォータマーク検出装置。
【請求項７】
上記尤度生成器は、上記第１及び第２のガウス尤度関数からウォータマーク強度の関数として、信号サンプルに組み込まれているウォータマーク値が正である確率を記述する線形近似を生成し、
上記ウォータマーク強度推定器は、ウォータマーク強度の修正された推定値を生成し、
上記ウォータマーク検出器は、上記ウォータマーク強度の修正された推定値に上記線形近似を適用することを特徴とする請求項５又は６記載のウォータマーク検出装置。
【請求項８】
上記第１及び第２のガウス尤度関数は、形状パラメータを有する一般化されたガウス関数であり、
上記尤度生成器は、ウォータマーク検出性能を高めるために、各信号サンプルに形状パラメータを適応化することを特徴とする請求項５乃至７いずれか１項記載のウォータマーク検出装置。
【請求項９】
データ処理装置にロードされて、該データ処理装置に請求項１乃至４いずれか１項記載のウォータマーク検出方法における各ステップを実行させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項９記載のプログラムを記録した、コンピュータにより読取可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非伝導窓と、
該非伝導窓上に配置された円偏波放射素子と、
前記非伝導窓上に配置され、且つ、アンテナによって生成される放射ビームを傾斜させるために前記円偏波放射素子から離間した、該円偏波放射素子の幾何学的形状と異なる幾何学的な形状を有する直線偏波放射素子とを含み、
位相角β＋Δβを有する移相信号を達成するために、位相角βを有するベース信号を特定角度Δβまで移相するよう、前記直線偏波放射素子に電気的に接続された移相回路をさらに含む、
統合されたアンテナを有する窓。
【請求項２】
前記放射素子は互いに同一平面上にある、請求項１に記載の窓。
【請求項３】
前記直線偏波放射素子の表面領域は、前記円偏波放射素子の表面領域よりも少ない、請求項１又は２に記載の窓。
【請求項４】
前記直線偏波放射素子は、前記アンテナによって送受信されるべきベース信号の波長λの１／２０〜１／２の範囲内で、前記円偏波放射素子から離間している、請求項１乃至３のうちのいずれか１項に記載の窓。
【請求項５】
前記円偏波放射素子に電気的に接続され、且つ、位相角βを有するベース信号を伝達するベース信号線をさらに含む、請求項１乃至４のうちのいずれか１項に記載の窓。
【請求項６】
前記直線偏波放射素子に電気的に接続され、且つ、位相角β＋Δβを有する移相信号を伝達する移相信号線をさらに含む、請求項５に記載の窓。
【請求項７】
前記円偏波放射素子に電気的に接続され、且つ、位相角β＋９０°を有する９０°シフト信号を伝達する９０°シフト信号線をさらに含む、請求項６に記載の窓。
【請求項８】
９０°シフト信号を達成するために、前記ベース信号を９０°まで移相するよう、前記ベース信号線及び前記９０°シフト信号線に電気的に接続された９０°ハイブリッドをさらに含む、請求項７に記載の窓。
【請求項９】
前記円偏波放射素子は、第一縁部と、該第一縁部に対して直交する第二縁部とを備える長方形状を有する、請求項１乃至８のうちのいずれか１項に記載の窓。
【請求項１０】
前記円偏波放射素子は、第一縁部と、該第一縁部に対して直交する第二縁部とを備える長方形状を有し、前記直線偏波放射素子は、前記円偏波放射素子の前記長方形状と異なる長方形状を有し、前記直線偏波放射素子は、第三縁部と、該第三縁部に対して直交する第四縁部とを備え、前記直線偏波放射素子の前記第三縁部は、前記アンテナによって送受信されるべきベース信号の波長λの約１／２０の長さであり、前記直線偏波放射素子の前記第四縁部は、前記波長λの約１／２〜約１／４の長さである、請求項１乃至９のうちのいずれか１項に記載の窓。
【請求項１１】
円偏波放射素子と、
該円偏波放射素子の幾何学的形状と異なる幾何学的形状を有し、且つ、当該アンテナによって生成される放射ビームを傾斜させるために前記円偏波放射素子から離間した直線偏波放射素子とを含み、
位相角β＋Δβを有する移相信号を達成するために、位相角βを有するベース信号を特定角度Δβまで移相するよう、前記直線偏波放射素子に電気的に接続された移相回路を含む、
アンテナ。
【請求項１２】
前記放射素子は互いに同一平面上にある、請求項１１に記載のアンテナ。
【請求項１３】
前記直線偏波放射素子は、前記アンテナによって送受信されるべきベース信号の波長λの１／２０〜１／２の範囲内で、前記円偏波放射素子から離間している、請求項１１又は１２に記載のアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１入力ノード、第１バイクワッドバンドパスノード、及び第１バイクワッドローパスノードを備えた第１バイクワッド回路と、
前記第１バイクワッドローパスノードと連結された第２入力ノード、第２バイクワッドバンドパスノード及び第２バイクワッドローパスノードを備えた第２バイクワッド回路と、
前記第２バイクワッドバンドパスノードの出力及び前記第２バイクワッドローパスノードの出力を合算する第１合算回路と、
前記第１合算回路の出力から前記第１バイクワッドローパスノードの出力を差し引いて所定の定数だけ増幅させる第２合算回路と、
前記第２合算回路の出力と前記第２バイクワッドローパスノードの出力とを合算する第３合算回路と、を備え、
前記第１及び第２バイクワッド回路は、自己フィードバック構造に連結されたトランスコンダクタが各々前記第１及び第２バイクワッドバンドパスノードに連結されたＧｍ−Ｃバイクワッド回路であることを特徴とする等化器。
【請求項２】
前記第１合算回路及び第３合算回路は、各々２個の入力を合算する第１及び第２演算増幅器であることを特徴とする請求項１に記載の等化器。
【請求項３】
前記第２合算回路は、
前記第１合算回路の出力から前記第１バイクワッドローパスノードの出力を差し引く第３演算増幅器と、
前記第１増幅器の出力を所定の定数倍に増幅させる第４演算増幅器と、を備えることを特徴とする請求項２に記載の等化器。
【請求項４】
前記第１バイクワッド回路は、
前記第１入力ノードと前記第１バイクワッドバンドパスノードとの間に連結された第１トランスコンダクタと、
前記第１バイクワッドバンドパスノードと接地電圧との間に連結された第１キャパシタと、
前記第１バイクワッドバンドパスノードに自己フィードバック構造に連結された第２トランスコンダクタと、
前記第１バイクワッドバンドパスノードと前記第１バイクワッドローパスノードとの間に連結された第３トランスコンダクタと、
前記第１バイクワッドバンドパスノードと前記第１バイクワッドローパスノードとの間に連結され、前記第３トランスコンダクタとフィードバック構造とを形成する第４トランスコンダクタと、
前記第１バイクワッドローパスノードと前記接地電圧との間に連結された第２キャパシタと、を備えることを特徴とする請求項１に記載の等化器。
【請求項５】
前記第２バイクワッド回路は、
前記第２入力ノードと前記第２バイクワッドバンドパスノードとの間に連結された第５トランスコンダクタと、
前記第２バイクワッドバンドパスノードと接地電圧との間に連結された第３キャパシタと、
前記第２バイクワッドバンドパスノードに自己フィードバック構造に連結された第６トランスコンダクタと、
前記第２バイクワッドバンドパスノードと前記第２バイクワッドローパスノードとの間に連結された第７トランスコンダクタと、
前記第２バイクワッドバンドパスノードと前記第２バイクワッドローパスノードとの間に連結され、前記第７トランスコンダクタとフィードバック構造を形成する第８トランスコンダクタと、
前記第２バイクワッドローパスノードと前記接地電圧との間に連結された第４キャパシタと、を備えることを特徴とする請求項４に記載の等化器。
【請求項６】
前記等化器は、
最後のバイクワッド回路が前記第１バイクワッド回路の第１入力ノードに連結される複数のバイクワッド回路と、
前記複数のバイクワッド回路のうち、最初のバイクワッド回路に連結されるロッシ積分回路と、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の等化器。
【請求項７】
前記ロッシ積分回路は、入力ノードと積分ノードとの間に連結された第１トランスコンダクタと、
前記積分ノードに自己フィードバック構造に連結された第２トランスコンダクタと、
前記積分ノードと接地電圧との間に連結された第１キャパシタンスと、を備えることを特徴とする請求項６に記載の等化器。
【請求項８】
入力ノード、バイクワッドバンドパスノード及びバイクワッドローパスノードを備えたｎ個（ｎは整数）のバイクワッド回路と、
ｎ番目のバイクワッド回路のバイクワッドバンドパスノードの出力及び前記ｎ番目のバイクワッド回路のバイクワッドローパスノードの出力を合算する第１合算回路と、
前記第１合算回路の出力からｎ−１番目のバイクワッド回路のバイクワッドローパスノードの出力を差し引いて所定の定数だけ増幅させる第２合算回路と、
前記第２合算回路の出力と前記ｎ番目のバイクワッド回路のバイクワッドローパスノードの出力とを合算する第３合算回路と、を備え、
前記ｎ個のバイクワッド回路は、自己フィードバック構造に連結されたトランスコンダクタが対応する各バイクワッド回路のバイクワッドバンドパスノードに連結されたＧｍ−Ｃバイクワッド回路であることを特徴とする等化器。
【請求項９】
各バイクワッド回路が少なくとも１つのトランスコンダクタを備え、入力電圧を受信し、フィルタリングされた電圧を出力するｎ個（ｎは２以上の整数）のバイクワッド回路を備えるフィルタリング部と、
少なくとも１つの演算増幅器を備え、前記フィルタリング部から少なくとも１つの媒介電圧を受信し、等化された電圧を出力する等化部と、を備えることを特徴とする等化器。
【請求項１０】
入力電圧をフィルタリングし、少なくとも１つのトランスコンダクを用いて少なくとも１つの媒介電圧及びフィルタリング電圧を出力する段階と、
前記少なくとも１つの媒介電圧を受信し、少なくとも１つの演算増幅器を用いて等化された電圧をブーストする段階と、を含むことを特徴とする等化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信時の送信先情報とメール本文を有するメール情報を記憶する手段と、
該記憶されたメール情報に含まれる送信先情報と予め設定されている送信先情報とを照合する照合手段と、
該メール情報に含まれる送信先情報が予め設定されている送信先情報に一致したときに、暗号鍵を生成する暗号鍵生成手段と、
該生成された暗号鍵に基づいて、前記記憶手段に記憶したメール本文を暗号化する暗号化手段と、
該暗号化手段により暗号化されたメール本文を送信する送信手段と、
を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
メールアドレスと電話番号とを関連づけて記憶するデータテーブルを備え、
前記送信するメール情報に含まれるメールアドレスが前記データテーブルに存在するときに、前記暗号鍵生成手段が、送信者の電話番号と受信者の電話番号から暗号鍵を生成することを特徴とする請求項１に記載された通信装置。
【請求項３】
前記暗号鍵を用いて、暗号化されたメール本文を復号する復号手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された通信装置。
【請求項４】
送信側の電話番号と受信側の電話番号とで文字データを暗号化し送信する送信側端末と、
送信側の電話番号と受信側の電話番号とで前記送信側端末から受信した暗号化された文字データを解読する受信側端末と、を少なくとも有する通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置及び通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、メールの受信機能を備えた通信装置に関し、特に、特定の送信者から受信したメールを暗号化して表示する通信装置および通信システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１に記載の発明によると、簡単な構成でメール情報を暗号化でき、メール情報の送信中に第三者にメール情報を傍受されても容易に暗号が解読されることを防止することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面を有するパネルを備えたカメラであって、
撮影用レンズおよび操作部を有するカメラ本体と、
前記カメラ本体にヒンジ部によって開閉可能に取付けられ、前記画像表示面を備えたパネルユニットと、
前記パネルユニットの前記画像表示面と同じ側の面に配置されたスピーカ部と、
前記パネルユニットの前記画像表示面と反対側の面で、しかも前記画像表示面が配置されている部分に対応した位置で前記表示パネルの裏面と対向して配置されたマイクロフォン部と、
を具備したことを特徴とするカメラ。
【請求項２】
前記パネルユニットは、マスクと該マスクに接合されるカバーとによって構成される筐体を有し、前記マスクに前記スピーカ部の音孔が形成され、前記カバーに前記マイクロフォン部の音孔が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
前記パネルユニットを開けた状態において、前記パネルの前記画像表示面と前記スピーカ部とが略同一面内に並んでいることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項４】
前記パネルユニットを閉じた状態において、前記マイクロフォン部が外部に露出する姿勢で該パネルユニットが前記カメラ本体の側面に重なることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項５】
前記パネルユニットは、前記ヒンジ部を中心に回転することによって前記画像表示面を撮影用レンズとは反対側を向けて撮影を行なう撮影状態と、前記画像表示面を前記撮影用レンズと同じ側を向けて撮影を行なう撮影状態とに切換えることができ、前記マイクロフォン部は、前記画像表示面を撮影用レンズとは反対側を向けて撮影を行なう撮影状態での録音と、前記画像表示面を前記撮影用レンズと同じ側を向けて撮影を行なう撮影状態での録音との双方に共通に使用されることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項６】
前記パネルユニットは、薄い周辺部と、該周辺部の内側に形成された厚い部分とを有し、この厚い部分に前記マイクロフォン部が配置されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一つの形態に係るカメラは、画像表示面を有するパネルを備えたカメラであって、撮影用レンズおよび操作部を有するカメラ本体と、前記カメラ本体にヒンジ部によって開閉可能に取付けられ、前記画像表示面を備えたパネルユニットと、前記パネルユニットの前記画像表示面と同じ側の面に配置されたスピーカ部と、前記パネルユニットの前記画像表示面と反対側の面で、しかも前記画像表示面が配置されている部分に対応した位置で前記表示パネルの裏面と対向して配置されたマイクロフォン部とを具備している。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、超紫外線を反射させうる材料からなる反射層と、
前記反射層に前記超紫外線に対する吸収物質のイオンが、イオン注入法によって注入されて所定パターンをなすイオン部と、を備えることを特徴とする反射フォトマスク。
【請求項２】
前記イオン部は、前記反射層の上部の表面に注入されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
【請求項３】
前記超紫外線に対する吸収物質は、酸素を含んで超紫外線を吸収し、イオン注入法によって注入されうる物質であることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
【請求項４】
前記イオン部は多層膜からなり、前記イオン部には、前記イオンが８層以上に注入されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスク。
【請求項５】
基板を設けるステップと、
前記基板上に超紫外線を反射させうる材料で反射層を形成するステップと、
前記反射層に前記超紫外線に対する吸収物質のイオンを、イオン注入法によって注入してイオン部を形成するステップと、を含むことを特徴とする反射フォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記イオン部を形成するステップは、前記反射層上にフォトレジスト層を形成するステップと、前記フォトレジスト層をパターニングしてレジストパターンを形成するステップと、前記レジストパターンを利用して、前記吸収物質のイオンをイオン注入法によって前記反射層に注入するステップと、前記レジストパターンを除去するステップと、を含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記イオン部を形成するステップは、前記吸収物質のイオンを前記反射層の上部の表面に注入するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記イオン部を形成するステップは、前記超紫外線に対する吸収物質として酸素を利用することを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスク。
【請求項９】
前記イオン部を形成するステップは、多層膜からなるイオン部に前記イオンを８層以上注入するステップを含むことを特徴とする請求項５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁放射を反射させるための光学表面を有する光学要素と、
前記光学表面を被覆する保護ゾーンであって、光学構成部品が使用されるとき前記光学表面をスパッタリングから実質的に保護する材料を装備する保護ゾーンとを備え、
前記材料が、光学表面が露出される電磁放射の少なくとも１つの所定の波長に対し１にほぼ等しい屈折率を有し、
前記材料が、前記光学表面に沿った方向に間隔を開けて配置され、前記光学表面に対して所定の角度を成す方向で前記光学表面に接近する微粒子に対して前記光学表面が部品によって実質的に保護されるように寸法設定された複数の前記部品にわたって分布している
リソグラフィ装置に使用するための光学構成部品。
【請求項２】
前記材料が前記光学表面に取り付けられる、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項３】
前記材料が前記光学表面に平行に延びる層を形成する、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項４】
前記層が、前記光学表面を酸化に対して保護するのに必要な厚さより厚い厚みを有する、請求項３に記載の光学構成部品。
【請求項５】
前記部品が前記光学表面に沿って延びるバーの形状を有する、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項６】
前記バーが実質的に平行である、請求項５に記載の光学構成部品。
【請求項７】
前記バーの長手方向が、前記微粒子が前記光学表面に接近する方向に対し垂直である、請求項５に記載の光学構成部品。
【請求項８】
前記バー間の距離があらかじめ定められている、請求項７に記載の光学構成部品。
【請求項９】
前記バーの少なくとも１つの断面があらかじめ定められている、請求項７に記載の光学構成部品。
【請求項１０】
前記所定の波長が前記紫外線範囲にある、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項１１】
前記所定の波長が前記超紫外線範囲にある、請求項１０に記載の光学構成部品。
【請求項１２】
前記材料がシリコンを含む、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項１３】
相当な数の前記部品が、全ての方向でほぼ同じ程度の大きさの寸法を有する、請求項１に記載の光学構成部品。
【請求項１４】
前記部品が前記光学表面に沿って実質的に一様に分布する、請求項１３に記載の光学構成部品。
【請求項１５】
放射ビームを調整するように構成される照明システムと、
その断面にパターン化された放射ビームを形成するためのパターンを、放射ビームに付与することができる、パターニング装置を支持するように構築された支持体と、
基板を保持するように構築された基板テーブルと、
前記基板の目標部分上に前記パターン化された放射ビームを投影するように構成される投影システムと、
前記照明システム又は前記投影システムの光学構成部品であって、
電磁放射を反射させるための光学表面を有する光学要素と、
使用では、前記光学表面がスパッタリングに対して実質的に保護されるように寸法設定された材料を装備する、前記光学表面を被覆する保護ゾーンとを備える光学構成部品とを備え、
前記材料が、前記光学表面が露出される電磁放射の少なくとも１つの所定の波長に対し１にほぼ等しい屈折率を有し、
前記材料が、前記光学表面に沿った方向に間隔を開けて配置され、前記光学表面に対して所定の角度を成す方向で前記光学表面に接近する微粒子に対して前記光学表面が部品によって実質的に保護されるように寸法設定された複数の前記部品にわたって分布している
リソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記材料が前記光学表面に取り付けられる、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記材料が前記光学表面に平行に延びる層を形成する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記層が前記光学表面を酸化に対して保護するより厚い厚みを有する、請求項１７に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記材料がその上に、前記光学表面と所定の角度を画成する方向で前記光学表面に接近する微粒子に対して、前記光学表面が部品によって実質的に保護されるように、前記光学表面に沿った方向に間隔を開け配置され、且つ、寸法設定される多数の前記部品が分布される、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記部品が前記光学表面に沿って延びるバーの形状を有する、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記バーが互いに実質的に平行である、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記バーの長手方向が、前記微粒子が前記光学表面に接近する方向に対し垂直である、請求項２０に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記バー間の距離があらかじめ定められている、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記バーの少なくとも１つの断面があらかじめ定められている、請求項２２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記所定の波長が前記紫外線範囲にある、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記所定の波長が前記超紫外線範囲にある、請求項２５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
前記材料がシリコンを含む、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２８】
相当な数の前記部品が、全ての方向で同じ程度の大きさ内の寸法を有する、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記部品が前記光学表面に沿って実質的に一様に分布する、請求項２８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３０】
前記光学構成部品が前記照明システムに存在する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３１】
前記光学構成部品が前記投影システムに存在する、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３２】
放射ビームを照明システムによって調整するステップと、
前記放射ビームをパターニング装置によってパターン化するステップと、
前記パターン化された放射ビームを基板上に投影するステップとを含み、
前記照明システムが前記放射ビームの前記調整に使用される光学構成部品を備え、前記光学構成部品が、
電磁放射を反射させるための前記光学表面を有する光学要素と、
前記調整中、前記光学表面をスパッタリングから実質的に保護する材料を装備する、前記光学表面を被覆する保護ゾーンとを備え、
前記材料が、前記調整中、前記光学表面が露出される電磁放射の少なくとも１つの所定の波長に対し１にほぼ等しい屈折率を有し、
前記材料が、前記光学表面に沿った方向に間隔を開けて配置され、前記光学表面に対して所定の角度を成す方向で前記光学表面に接近する微粒子に対して前記光学表面が部品によって実質的に保護されるように寸法設定された複数の前記部品にわたって分布している
素子製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを含む素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた記憶素子と、
前記記憶素子上に設けられたセンサ部と、を有し、
前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記有機化合物層は、高分子化合物を有し、
前記センサ部は、前記第２のトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記センサ部と前記第２のトランジスタの接続は、前記センサ部に設けられた導電層と、前記第２のトランジスタのソースまたはドレイン領域と電気的に接続した導電層と、が導電性微粒子を介して行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた、第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、およびセンサ部を含む素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記有機化合物層は、高分子化合物を有し、
前記センサ部は、前記第２のトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記センサ部は、フォトダイオードまたはフォトトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に設けられた、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを含む素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた記憶素子およびセンサ部と、を有し、
前記記憶素子は、第１の導電層と、第１の有機化合物層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記センサ部は、第３の導電層と、第２の有機化合物層と、第４の導電層との積層構造を有し、
前記第１の導電層は、前記第１のトランジスタと電気的に接続され、
前記第３の導電層は、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、
前記第１の有機化合物層および前記第２の有機化合物層は、同一の高分子化合物を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の導電層および前記第３の導電層は、同一の層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記半導体装置は、アンテナとして機能する導電層を有し、
前記素子形成層は、前記アンテナとして機能する導電層と接続された第３のトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記第１の導電層と同一の層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記トランジスタは、有機トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記トランジスタは、ガラス基板または可撓性基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記高分子化合物は、［メトキシ−５−（２−エチル）ヘキシロキシ］−ｐ−フェニレンビニレン（ＭＥＨ−ＰＰＶ）またはポリ（９−ビニルカルバゾール）（ＰＶＫ）であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記記憶素子は、書き込みにより不可逆的に抵抗が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記書き込みにより前記第１の導電層と、前記第２の導電層との距離が変化することを特徴とする半導体装置。