Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス製造に伴う各工程のＱＣデータを記憶部に記録するステップと、
前記各工程のＱＣデータの分布図を作成するステップと、
前記分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成するステップと、
前記特異点マップと完成品の不良発生マップとを比較するステップと、
前記比較に基づいて不良の原因となった工程と欠陥を同定するステップとを含み、
前記特異点マップを作成するステップにおいて、前記分布図を複数重ね合わせて得られた分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成することを特徴とする検査方法。
【請求項２】
前記分布図を作成するステップにおいて、前記各工程のＱＣデータを共通のデータに定形化し、前記定形化されたデータから各工程のＱＣデータの分布図を得ることを特徴とする請求項１に記載の検査方法。
【請求項３】
前記不良の原因となった工程の同定に基づいて、同定された原因工程における電子デバイスの断面形状をモデル化し、モデル化された断面形状に基づいて前記原因工程以降の工程の断面形状をシミュレーションし、前記不良の原因工程と欠陥の同定が正しいか検証するステップを更に含むことを特徴とする請求項１もしくは２に記載の検査方法。
【請求項４】
電子デバイスの製造に伴う各工程を実行することと、
前記電子デバイスの製造に伴う各工程のＱＣデータを記憶部に記録するステップと、
前記各工程のＱＣデータの分布図を作成するステップと、
前記分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成するステップと、
前記特異点マップと完成品の不良発生マップとを比較するステップと、
前記各工程において前記比較に基づいて不良の原因となった工程と、欠陥を同定するステップ工程とを含み、
前記特異点マップを作成するステップにおいて、前記分布図を複数重ね合わせて得られた分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記分布図を作成するステップにおいて、前記各工程のＱＣデータを共通のデータに定形化し、前記定形化されたデータから各工程のＱＣデータの分布図を得ることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記不良の原因となった工程の同定に基づいて、同定された原因工程における電子デバイスの断面形状をモデル化し、モデル化された断面形状に基づいて前記原因工程以降の工程の断面形状をシミュレーションし、前記不良の原因工程と欠陥の同定が正しいか検証するステップを更に含むことを特徴とする請求項４もしくは５に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
電子デバイス製造に伴う各工程のＱＣデータを記録するデータ記憶装置と、
前記各工程のＱＣデータを共通のデータに定形化するデータ変換登録部と、
前記定形化されたデータから各工程のＱＣデータの分布図を作成する分布図処理部と、
前記分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成する特異点マップ処理部と、
前記特異点マップと完成品の不良発生マップとを比較し、前記比較に基づいて不良の原因となった工程と欠陥を同定する解析演算部と、
前記ＱＣデータの分布図、前記特異点マップ、前記欠陥の同定結果を表示する表示部とを含み、
前記特異点マップ処理部は、前記分布図又は前記分布図を複数重ね合わせて得られた分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成することを特徴とする検査システム。
【請求項８】
前記不良の原因となった工程の同定に基づいて、同定された原因工程における電子デバイスの断面形状をモデル化する断面形状モデル化部と、
モデル化された断面形状に基づいて前記原因工程以降の工程の断面形状をシミュレーションする断面形状シミュレーション部と、をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の検査システム。
【請求項９】
前記解析演算部は、前記不良の原因工程と欠陥の同定が正しいか検証することを特徴とする請求項７もしくは８に記載の検査システム。
【請求項１０】
検査システムに、
電子デバイス製造に伴う各工程のＱＣデータを記憶部に記録するステップと、
前記各工程のＱＣデータの分布図を作成するステップと、
前記分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成するステップと、
前記特異点マップと完成品の不良発生マップとを比較するステップと、
前記比較に基づいて不良の原因となった工程と欠陥を同定するステップとを実行させる検査プログラムであって、
前記特異点マップを作成するステップは、前記分布図を複数重ね合わせて得られた分布図から特異点を抽出し特異点マップを作成することを特徴とする検査プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバー内で、ウェーハ上に設けられた複数の薄膜を順次選択的にドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングし、
前記エッチングにより前記ウェーハに対向する前記チャンバー内に堆積した反応生成物の一部を除去することによりその堆積分布を均一な状態に近づけた後に、
前記第１の薄膜の下に設けられた第２の薄膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
チャンバー内で、ウェーハ上に設けられた複数の薄膜を順次選択的にドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
チャンバー内に設置されたウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングする工程と、
前記エッチングにより前記チャンバー内に堆積した反応生成物の少なくとも一部を除去する工程と、
前記ウェーハの前記第１の薄膜の下に設けられた第２の薄膜を選択的にエッチングする工程と、
を備え、
前記第１の薄膜をエッチングする工程と、前記反応生成物を除去する工程と、前記第２の薄膜をエッチングする工程と、の少なくともいずれかにおいて、前記チャンバー内に堆積した前記反応生成物の量に関する情報を取得し、その次のウェーハについて、前記第１の薄膜をエッチングする工程と、前記反応生成物を除去する工程と、前記第２の薄膜をエッチングする工程と、の少なくともいずれかにフィードバックすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ウェーハの前記第２の薄膜の下に設けられた第３の薄膜を選択的にエッチングする工程をさらに備えたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
チャンバー内で、ウェーハ上に設けられた複数の薄膜を順次選択的にドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
チャンバー内に設置されたウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングする工程と、
前記エッチングにより前記チャンバー内に堆積した反応生成物の少なくとも一部を除去する工程と、
前記ウェーハの前記第１の薄膜の下に設けられた第２の薄膜を選択的にエッチングする工程と、
前記ウェーハの前記第２の薄膜の下に設けられた第３の薄膜を選択的にエッチングする工程と、
を備え、
前記第１の薄膜をエッチングする工程と、前記反応生成物を除去する工程と、前記第２の薄膜をエッチングする工程と、の少なくともいずれかにおいて、前記チャンバー内に堆積した前記反応生成物の量に関する情報を取得し、前記第３の薄膜をエッチングする工程にフィードフォワードすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
チャンバー内で、ウェーハ上に設けられた薄膜を順次選択的にドライエッチングする半導体装置の製造方法であって、
前記ウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングしてパターンを形成し、
前記パターン上に残留するマスクを除去する際に、前記エッチングにより前記ウェーハに対向する前記チャンバー内の部材に堆積した反応生成物から生ずるラジカルを用いて前記パターンのサイズを調整することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記調整には、前記ウェーハにＲＦバイアスを印加することを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウェーハを収容可能としたチャンバーと、
前記チャンバーを排気する排気系と、
前記チャンバーにガスを供給するガス供給系と、
前記チャンバーに供給されたガスのプラズマを生成する高周波電源と、
前記チャンバーにウェーハを搬送するウェーハ搬送部と、
前記チャンバー内に堆積した生成物に関する情報を取得可能な測定部と、
前記排気系、ガス供給系、高周波電源、ウェーハ搬送系を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記ウェーハ搬送部によりウェーハを前記チャンバー内に搬送させ、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記チャンバー内に設置された前記ウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングし、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記エッチングにより前記チャンバー内に堆積した反応生成物の少なくとも一部を除去し、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記ウェーハの前記第１の薄膜の下に設けられた第２の薄膜を選択的にエッチングし、
前記第１の薄膜のエッチングと、前記反応生成物の除去と、前記第２の薄膜のエッチングと、の少なくともいずれかにおいて、前記チャンバー内に堆積した前記反応生成物の量に関する情報を前記測定部により取得し、その次のウェーハについて、前記第１の薄膜のエッチングと、前記反応生成物の除去と、前記第２の薄膜のエッチングと、の少なくともいずれかにフィードバックすることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
前記フィードバックに用いるデータを格納するデータ格納部をさらに備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体製造装置。
【請求項９】
ウェーハを収容可能としたチャンバーと、
前記チャンバーを排気する排気系と、
前記チャンバーにガスを供給するガス供給系と、
前記チャンバーに供給されたガスのプラズマを生成する高周波電源と、
前記チャンバーにウェーハを搬送するウェーハ搬送部と、
前記チャンバー内に堆積した生成物に関する情報を取得可能な測定部と、
前記排気系、ガス供給系、高周波電源、ウェーハ搬送系を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記チャンバー内に設置されたウェーハ上に設けられた第１の薄膜を選択的にエッチングし、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記前記エッチングにより前記チャンバー内に堆積した反応生成物の少なくとも一部を除去し、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記前記ウェーハの前記第１の薄膜の下に設けられた第２の薄膜を選択的にエッチングし、
前記排気系、前記ガス供給系及び前記高周波電源を制御して前記前記ウェーハの前記第２の薄膜の下に設けられた第３の薄膜を選択的にエッチングし、
前記第１の薄膜のエッチングと、前記反応生成物の除去と、前記第２の薄膜のエッチングと、の少なくともいずれかにおいて、前記チャンバー内に堆積した前記反応生成物の量に関する情報を前記測定部により取得し、前記第３の薄膜エッチングにフィードフォワードすることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
前記フィードフォワードに用いるデータを格納するデータ格納部をさらに備えたことを特徴とする請求項９記載の半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の評価方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲート電極層と、該半導体基板と該ゲート電極層との間に介在する絶縁層と、が設けられた電界効果型トランジスタを有する半導体素子の評価方法であって、
前記電界効果型トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第１の測定をし、
前記電界効果型トランジスタに負荷をかけて電荷を注入し、
前記電荷が注入された前記電界効果型トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第２の測定をし、
前記第１の測定の結果と前記第２の測定の結果から、閾値電圧の変化量とフラットバンド電圧の変化量を算出し、
前記閾値電圧の変化量と前記フラットバンド電圧の変化量との関係から前記電荷がトラップされた位置を判別することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項２】
半導体基板上にゲート電極層と、該半導体基板と該ゲート電極層との間に介在する絶縁層と、が設けられた電界効果型トランジスタを有する半導体素子の評価方法であって、
前記電界効果型トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第１の測定をし、
前記電界効果型トランジスタに負荷をかけて電荷を注入し、
前記電荷が注入された前記電界効果型トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第２の測定をし、
前記第１の測定の結果と前記第２の測定の結果から、閾値電圧の変化量とフラットバンド電圧の変化量を算出し、
前記閾値電圧の変化量に対する前記フラットバンド電圧の変化量が、一定の範囲内のときに前記電荷がトラップされた位置を前記絶縁層中であると判定することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記閾値電圧の変化量に対する前記フラットバンド電圧の変化量が、一定の範囲外のときに前記電荷がトラップされた位置を前記半導体基板と前記絶縁層の界面であると判定することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項４】
ゲート電極層と、半導体層と、該ゲート電極層と該半導体層の間に介在する絶縁層と、が設けられた薄膜トランジスタを有する半導体素子の評価方法であって、
前記薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第１の測定をし、
前記薄膜トランジスタに負荷をかけて電荷を注入し、
前記電荷が注入された前記薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第２の測定をし、
前記第１の測定の結果と前記第２の測定の結果から、閾値電圧の変化量とフラットバンド電圧の変化量を算出し、
前記閾値電圧の変化量と前記フラットバンド電圧の変化量との関係から前記電荷がトラップされた位置を判別することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項５】
ゲート電極層と、半導体層と、該ゲート電極層と該半導体層の間に介在する絶縁層と、が設けられた薄膜トランジスタを有する半導体素子の評価方法であって、
前記薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第１の測定をし、
前記薄膜トランジスタに負荷をかけて電荷を注入し、
前記電荷が注入された前記薄膜トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流を測定する第２の測定をし、
前記第１の測定の結果と前記第２の測定の結果から、閾値電圧の変化量とフラットバンド電圧の変化量を算出し、
前記閾値電圧の変化量に対する前記フラットバンド電圧の変化量が、一定の範囲内のときに前記電荷がトラップされた位置を前記絶縁層中であると判定することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記閾値電圧の変化量に対する前記フラットバンド電圧の変化量が、一定の範囲外のときに前記電荷がトラップされた位置を前記半導体層と前記絶縁層の界面であると判定することを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項７】
請求項２、請求項３、請求項５および請求項６のいずれか一において、
前記一定の範囲は、ずれ量Δを用いて、前記閾値電圧の変化量ΔＶｔｈをＸ軸、前記フラットバンド電圧の変化量ΔＶｓｈｉｆｔをＹ軸としたＸＹ平面上のＸ−Δ≦Ｙ≦Ｘ＋Δで表され、
前記ずれ量Δは
【数２】
2008109023.tif 000001
（但し、Ｗｔは遷移領域（前記半導体層と前記絶縁層の界面）の幅、Ｔｏｘは前記絶縁層の厚さ）で表されることを特徴とする半導体素子の評価方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記フラットバンド電圧は、前記トランジスタ及び前記電荷が注入された前記トランジスタのゲート電圧に対するドレイン電流の測定結果から作成された曲線の、飽和領域における接線が、所定の一の電流値になるときの電圧であることを特徴とする半導体素子の評価方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像情報に基づく第１の画像と、当該画像の少なくとも対向する２辺に沿った区分線を示す第２の画像とを合成した合成画像を生成する画像生成部と、
当該合成画像を投写する投写部と、
投写された前記合成画像を撮像して撮像情報を生成する撮像部と、
当該撮像情報に含まれる前記区分線に関する情報に基づき、前記投写部のオートフォーカス処理を実行するオートフォーカス処理部と、
を含み、
前記投写部は、前記オートフォーカス処理後の前記第１の画像を投写することを特徴とするプロジェクタ。
【請求項２】
請求項１に記載のプロジェクタにおいて、
前記投写部のフォーカスの簡易調整を行う際に、
前記投写部は、前記第２の画像を投写し、
前記撮像部は、投写された前記第２の画像を撮像して第１の撮像情報を生成し、
前記オートフォーカス処理部は、前記第１の撮像情報に基づき、前記投写部のフォーカス位置を仮決定し、
前記簡易調整後の詳細調整を行う際に、
前記投写部は、前記第１の画像および前記合成画像を順次投写し、
前記撮像部は、投写された前記第１の画像および前記合成画像を順次撮像して第２および第３の撮像情報を生成し、
前記オートフォーカス処理部は、前記第２の撮像情報と、前記第３の撮像情報との差分値を示す第１の差分値に基づき、前記フォーカス位置を決定することを特徴とするプロジェクタ。
【請求項３】
請求項１、２のいずれかに記載のプロジェクタにおいて、
前記投写部によって投写される画像の歪み補正を行う歪み補正部を含み、
前記歪み補正を行う際に、
前記投写部は、前記第１の画像および前記合成画像を順次投写し、
前記撮像部は、投写された前記第１の画像および前記合成画像を順次撮像して第４および第５の撮像情報を生成し、
前記歪み補正部は、前記第４の撮像情報と、前記第５の撮像情報との差分値を示す第２の差分値に基づき、前記歪み補正を行うことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項４】
入力画像情報に基づく第１の画像と、当該第１の画像と区分線を示す第２の画像とを合成した合成画像とを生成する画像生成部と、
前記第１の画像と、当該合成画像とを投写する投写部と、
投写された前記第１の画像を撮像して第２の撮像情報を生成するとともに、投写された前記合成画像を撮像して第３の撮像情報を生成する撮像部と、
前記第２の撮像情報と、当該第３の撮像情報との差分値を示す第１の差分値に基づき、前記投写部のオートフォーカス処理を実行するオートフォーカス処理部と、
前記投写部によって投写される画像の歪み補正を行う歪み補正部と、
を含み、
前記オートフォーカス処理が終了した状態において、
前記撮像部は、投写された前記第１の画像を撮像して第４の撮像情報を生成するとともに、投写された前記合成画像を撮像して第５の撮像情報を生成し、
前記歪み補正部は、前記第４の撮像情報と、前記第５の撮像情報との差分値を示す第２の差分値に基づき、前記歪み補正を行うことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項５】
請求項３、４のいずれかに記載のプロジェクタにおいて、
前記歪み補正部は、前記第２の差分値に基づく前記区分線を囲む矩形のアスペクト比に基づき、所望のアスペクト比で投写されるように前記第１の画像の形状を調整し、
前記投写部は、当該調整の行われた前記第１の画像を投写することを特徴とするプロジェクタ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のプロジェクタにおいて、
前記第２の画像は、前記区分線が矩形の枠線として形成された画像であることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項７】
請求項６に記載のプロジェクタにおいて、
前記枠線は、第１の枠線と、当該第１の枠線よりも太い第２の枠線とを含むことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項８】
投写部と、撮像部と、オートフォーカス処理を実行するオートフォーカス処理部とを有するプロジェクタの有するコンピュータを、
入力画像情報に基づく第１の画像と、当該画像の少なくとも対向する２辺に沿った区分線を示す第２の画像とを合成した合成画像を生成する画像生成部と、
当該合成画像を前記投写部に投写させる投写制御部と、
投写された合成画像を前記撮像部に撮像させて撮像情報を生成させる撮像制御部と、
当該撮像情報に含まれる前記区分線に関する情報に基づき、前記オートフォーカス処理部にオートフォーカス処理を実行させるフォーカス制御部として機能させ、
前記投写制御部は、前記オートフォーカス処理後の前記第１の画像を前記投写部に投写させることを特徴とするプログラム。
【請求項９】
投写部と、撮像部と、オートフォーカス処理を実行するオートフォーカス処理部とを有するプロジェクタの有するコンピュータにより読み取り可能な情報記憶媒体であって、
請求項８に記載のプログラムを記憶した情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部スピーカーが着脱可能な表示装置であって、
表示モジュールを保持するためのベゼルに設けられた開口部と、
前記ベゼルに接続され、前記開口部の内側に設けられたリブと、
前記リブに隣接して配置された制振部材と、
前記制振部材に対向して設けられた電極端子とを有し、
前記制振部材と前記電極端子との間に、前記外部スピーカーの電極端子を挟み込むことによって、前記外部スピーカーを保持することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記外部スピーカーの電極端子は、フック形状のブラケットの内面に配置され、前記ブラケットが前記開口部から挿入されたときに前記電極端子と接触するように配置されている請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記制振部材の材質はエラストマーである請求項１記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的は、外部スピーカーの着脱作業を容易にすると共に、外部スピーカーの振動を受けにくくすることができる表示装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の表示装置は、外部スピーカーが着脱可能な表示装置であって、表示モジュールを保持するためのベゼルに設けられた開口部と、前記ベゼルに接続され、前記開口部の内側に設けられたリブと、前記リブに隣接して配置された制振部材と、前記制振部材に対向して設けられた電極端子とを有し、前記制振部材と前記電極端子との間に、前記外部スピーカーの電極端子を挟み込むことによって、前記外部スピーカーを保持することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、制振部材と電極端子との間に、外部スピーカーの電極端子を挟み込むことによって、外部スピーカーを保持するので、外部スピーカーの着脱作業を容易にすると共に、外部スピーカーの振動を受けにくくすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに格納されているデータを送信するデータ処理装置であって、
前記データを送信する通信プロトコルを判別する判別手段と、
前記データのチェックサム演算を行う演算手段と、
前記判別手段により判別された通信プロトコルに応じて、前記データに前記演算手段による演算結果を付加して送信すると共に、前記演算結果を前記メモリに格納する処理手段と、
を有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
外部にデータを送信するためのインターフェイスと、
前記処理手段を有し、直接メモリアクセス制御により前記メモリに格納されているデータを前記インターフェイスに転送するコントローラと、を更に有し、
前記処理手段は、前記コントローラが前記メモリに格納されているデータを前記インターフェイスに転送する際に、前記データに前記演算手段による演算結果を付加して送信すると共に、前記演算結果を前記メモリに格納することを特徴とする請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記データは、通信フレームとして前記メモリに記憶されており、前記処理手段は、前記メモリに記憶されている通信フレームのチェックサム格納位置に前記演算結果を格納することを特徴とする請求項１又は２記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記判別手段は、再送信を行う通信プロトコルか否かを判別することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記判別手段は、前記データのネットワーク層を解析し、通信プロトコルを判別することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記コントローラはバッファを有し、
前記コントローラは、前記メモリから読み出したデータを前記バッファを介して前記インターフェイスへデータを転送するデータ転送と前記メモリから読み出したデータを前記バッファを介さずに前記インターフェイスへデータを転送するデータ転送の少なくとも１つを行うことを特徴とする請求項２記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記判別手段による判別に応じて、前記演算手段によるチェックサム演算を行わせるか否かを判断する判断手段を更に有し、
前記演算手段による演算と前記処理手段による前記処理は前記判断手段による判断に応じて行われることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記データを再送する際に、前記処理手段により前記メモリに格納された演算結果が付加されたデータを再送する再送手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項９】
前記処理手段は、前記判別手段が判別した通信プロトコルに再送信の可能性がある場合に、前記演算結果を前記メモリに格納することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のデータ処理装置を有する通信装置。
【請求項１１】
メモリに格納されているデータを送信するデータ処理方法であって、
前記データを送信する通信プロトコルを判別する判別工程と、
前記データのチェックサム演算を行う演算工程と、
前記判別工程において判別された通信プロトコルに応じて、前記データに前記演算工程における演算結果を付加して送信すると共に、前記演算結果を前記メモリに格納する処理工程と、
を有することを特徴とするデータ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、メモリに格納されているデータを送信するデータ処理装置であって、前記データを送信する通信プロトコルを判別する判別手段と、前記データのチェックサム演算を行う演算手段と、前記判別手段により判別された通信プロトコルに応じて、前記データに前記演算手段による演算結果を付加して送信すると共に、前記演算結果を前記メモリに格納する処理手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明は、メモリに格納されているデータを送信するデータ処理方法であって、前記データを送信する通信プロトコルを判別する判別工程と、前記データのチェックサム演算を行う演算工程と、前記判別工程において判別された通信プロトコルに応じて、前記データに前記演算工程における演算結果を付加して送信すると共に、前記演算結果を前記メモリに格納する処理工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月5日(2009.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子パッケージの下面に複数の外部端子を設けた圧電振動子と、
前記圧電振動子を駆動する回路を有する集積回路と、
上面に前記集積回路を接合した基板と、
前記基板の前記上面における前記集積回路が接合された領域の周囲に設けられた複数の接続電極と、
前記接続電極上に配置され、前記接続電極と前記外部端子とを電気的に接続するとともに、前記圧電振動子を所定の高さに保持する接続部材と、
前記基板の前記上面において、前記周囲に沿って隣り合う２つの前記接続電極間に配置したボンディングパッドと、
前記集積回路と前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、
を有することを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電デバイスにおいて、
前記基板の前記上面が、前記接続電極と前記ボンディングパッドとを露出させてレジスト膜で覆われていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項３】
請求項１または２に記載の圧電デバイスにおいて、
前記基板は矩形状に形成されて、前記接続電極が前記基板の四隅に配置され、
前記ボンディングパッドが前記基板の３辺に沿って設けてある、
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイスにおいて、
前記外部端子および前記ボンディングパッドは、上下方向において互いに重ならないように配置されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電デバイスにおいて、
前記基板の前記上面と前記圧電振動子とは、樹脂で覆ってあることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の圧電デバイスにおいて、
前記外部端子は、矩形状に形成され、前記圧電振動子パッケージの中央側の角部が切り欠いてあることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の圧電デバイスにおいて、
前記ボンディングパッドと前記集積回路とを電気的に接続した前記ワイヤは、逆ボンディングしてあることを特徴とする圧電デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧電デバイスは、圧電振動子パッケージの下面に複数の外部端子を設けられた圧電振動子と、前記圧電振動子を駆動する回路を有する集積回路と、上面に前記集積回路を接合した基板と、前記基板の前記上面における前記集積回路が接合された領域の周囲に設けた複数の接続電極と、前記接続電極上に配置され、前記接続電極と前記外部端子とを電気的に接続するとともに、前記圧電振動子を所定の高さに保持する接続部材と、前記基板の前記上面において、前記周囲に沿って隣り合う２つの前記接続電極間に配置したボンディングパッドと、前記集積回路と前記ボンディングパッドとを電気的に接続するワイヤと、を有することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このようになっている本発明は、接続電極（支持部材）間の、従来何ら活用されていない無駄な空間、いわゆるデッドスペースにボンディングパッドを設けたことにより、支持部材と集積回路（ＩＣ）との間隔を狭めることが可能で、小型化を図ることができる。しかも、ボンディングパッドは、支持部材と対応した位置に形成されるため、圧電振動子のさらなる小型化にも対応することができる。
基板の前記上面が、接続電極とボンディングパッドとを露出させてソルダレジストなどのレジスト膜で覆われているとよい。これにより、基板の電気的な信頼性が高まる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の成分毎の階調データにより表現されたカラー画像データを受け取って、所定の画像処理を施した後、該カラー画像データに対応する画像を出力する画像出力装置であって、
前記カラー画像データを構成する各成分についての階調データを、画素あたりのデータ長が第１のデータ長を有する階調データとして読み込むことにより、該カラー画像データを受け取るカラー画像データ受取手段と、
前記カラー画像データに基づいて出力する画像の出力形態が、カラー出力またはモノクロ出力の何れの出力形態に設定されているかを判断する出力形態判断手段と、
前記設定されている出力形態に応じて、前記カラー画像データに所定の前処理を加えるカラー画像データ前処理手段と、
前記前処理が施された画像データに基づいて、前記カラー画像データに対応する画像を前記設定された出力形態で出力する画像出力手段と
を備え、
前記カラー画像データ前処理手段は、
前記画像の出力形態がカラー出力に設定されているカラー画像データについては、該カラー画像データを構成する各成分の階調データを、画素あたりのデータ長が前記第１のデータ長よりも小さな第２のデータ長の階調データに変換することによって、低階調分解能のカラー画像データに変換する前処理を行い、
前記画像の出力形態がモノクロ出力に設定されているカラー画像データについては、該カラー画像データを構成する各成分の階調データに基づいて、モノクロ画像データに変換する前処理を行う手段である画像出力装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像出力装置であって、
前記カラー画像データ前処理手段は、前記画像の出力形態がモノクロ出力に設定されているカラー画像データを、画素あたりのデータ長が前記第１のデータ長のモノクロ画像データに変換する手段である画像出力装置。
【請求項３】
請求項１に記載の画像出力装置であって、
前記カラー画像データ受取手段は、前記カラー画像データを構成する各成分の階調データとして、画素あたり８の整数倍のビット数である前記第１のデータ長を有する階調データを読み込む手段であり、
前記カラー画像データ前処理手段は、前記画像の出力形態がカラー出力に設定されている場合には、８の整数倍のビット数である前記第１のデータ長を有する階調データを、８の整数倍のビット数の前記第２のデータ長を有する階調データに変換することによって、低階調分解能のカラー画像データに変換する手段である画像出力装置。
【請求項４】
請求項１に記載の画像出力装置であって、
前記カラー画像データ受取手段は、前記カラー画像データを構成する各成分についての階調データを、画素あたりのデータ長が前記第２のデータ長よりも大きく前記第１のデータ長に満たない所定のデータ長の階調データとして読み込むことにより、該カラー画像データ受け取ることも可能な手段であり、
前記カラー画像データ前処理手段は、
前記所定のデータ長の階調データによって構成される前記カラー画像データの出力形態が、カラー出力に設定されている場合には、該カラー画像データを構成する階調データを、画素あたりのデータ長が前記第２のデータ長の階調データに変換する前処理を行う手段である画像出力装置。
【請求項５】
請求項１に記載の画像出力装置であって、
前記画像出力手段は、前記カラー画像データに対応する画像を、印刷媒体上に画像を形成するための制御データの形態で出力する手段である画像出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを真空処理する複数の真空処理室と、ウェハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、前記複数の真空処理室と前記カセット載置手段との間に設けた搬送手段と、該搬送手段を用いて前記カセット載置手段上に載置される任意のカセット内からウェハを前記各真空処理室に搬入し、前記各真空処理室で真空処理された処理済ウェハを搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、
少なくとも２つのカセットを使用し、各カセット毎に収納されたウエハを前記搬送手段
を介して前記いずれかの真空処理室へ搬送し、搬送したウエハに前記カセット毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す並列処理、または各カセットに収納されたウエハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す並列処理の何れかを施すとともに並列処理を施した後のウエハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記搬送手段を介してもとのカセットに戻す自動運転中に異常が発生し、自動運転を一時中断した後、異常が発生した機器内に残存しているウェハをもとのカセットに搬出し、前記処埋を続行することを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
カセット載置手段に載置される任意のカセット内から搬送手段を介してウェハを複数の真空処理室に搬送し、該ウェハの真空処理を行う真空処理方法において、
少なくとも２つのカセットを使用し、各カセット毎に収納されたウエハを前記搬送手段を介して前記いずれかの真空処理室へ搬送し、搬送したウエハに前記カセット毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す並列処理、または各カセットに収納されたウエハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す並列処理の何れかを施すとともに並列処理を施した後のウエハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すことを特徴とする真空処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の真空処理方法において、
前記搬送手段を介してもとのカセットに戻す自動運転中に異常が発生し、自動運転を一時中断した後、異常が発生した機器内に残存しているウェハをもとのカセットに搬出し、前記処埋を続行することを特徴とする真空処理方法。  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、ウェハを真空処理する複数の真空処理室と、ウェハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、前記複数の真空処理室と前記カセット載置手段との間に設けた搬送手段と、該搬送手段を用いて前記カセット載置手段上に載置される任意のカセット内からウェハを前記各真空処理室に搬入し、前記各真空処理室で真空処理された処理済ウェハを搬出するための搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、少なくとも２つのカセットを使用し、各カセット毎に収納されたウエハを前記搬送手段を介して前記いずれかの真空処理室へ搬送し、搬送したウエハに前記カセット毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す並列処理、または各カセットに収納されたウエハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す並列処理の何れかを施すとともに並列処理を施した後のウエハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】剥離装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、前記構造物を含む層にフィルムを貼り付け、
前記ノズルにより、前記構造物を含む層と前記基板との隙間に液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項２】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、フィルムと前記構造物を含む層と前記基板とを加圧し、前記構造物を含む層に前記フィルムを貼り付け、前記基板と前記構造物を含む層とに剥離を生じさせ、
前記ノズルにより、前記構造物を含む層と前記基板との隙間に液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記液体は前記構造物を含む層をつたって前記構造物を含む層と前記基板との隙間に供給されることを特徴とする剥離装置。
【請求項４】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、前記構造物を含む層にフィルムを貼り付け、
前記ローラが回転し、前記フィルムを移動させることにより、前記構造物を含む層と前記基板との隙間において逐次現れる面に、前記ノズルにより、液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項５】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、フィルムと前記構造物を含む層と前記基板とを加圧し、前記構造物を含む層に前記フィルムを貼り付け、前記基板と前記構造物を含む層とに剥離を生じさせ、
前記ローラが回転し、前記フィルムを移動させることにより、前記構造物を含む層と前記基板との隙間において逐次現れる面に、前記ノズルにより、液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項６】
請求項５または６において、
前記液体は前記構造物を含む層をつたって前記構造物を含む層と前記基板との隙間において逐次現れる面に供給されることを特徴とする剥離装置。
【請求項７】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、前記構造物を含む層にフィルムを貼り付け、
前記ノズルにより、前記剥離の先端部分に液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項８】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、フィルムと前記構造物を含む層と前記基板とを加圧し、前記構造物を含む層に前記フィルムを貼り付け、前記基板と前記構造物を含む層とに剥離を生じさせ、
前記ノズルにより、前記剥離の先端部分に液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項９】
請求項１、２、７、または８のいずれか一において、
前記フィルムが前記ローラの曲面に沿って撓められることにより剥離が生じることを特徴とする剥離装置。
【請求項１０】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、前記構造物を含む層にフィルムを貼り付け、
前記ローラが回転し、前記フィルムを移動させることにより、前記剥離の先端部分の逐次現れる面に、前記ノズルにより、液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項１１】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、ノズルとを有し、
前記ローラにより、フィルムと前記構造物を含む層と前記基板とを加圧し、前記構造物を含む層に前記フィルムを貼り付け、前記基板と前記構造物を含む層とに剥離を生じさせ、
前記ローラが回転し、前記フィルムを移動させることにより、前記剥離の先端部分の逐次現れる面に、前記ノズルにより、液体を供給することを特徴とする剥離装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記液体は、前記ノズルにより滴下することより供給されることを特徴とする剥離装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記液体は、前記ノズルにより注ぐことにより供給されることを特徴とする剥離装置。
【請求項１４】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
ローラと、液体が入った水槽とを有し、
前記ローラにより、前記構造物を含む層にフィルムを貼り付け、
前記水槽内で前記構造物を含む層と前記基板との隙間に液体を供給し、前記構造物を含む層を前記基板から剥離することを特徴とする剥離装置。
【請求項１５】
基板上に設けられた構造物を含む層を前記基板から剥離する剥離装置であり、
前ローラと、液体が入った水槽とを有し、
前記ローラにより、フィルムと前記構造物を含む層と前記基板とを加圧し、前記構造物を含む層に前記フィルムを貼り付け、前記基板と前記構造物を含む層とに剥離を生じさせ、
前記水槽内で前記構造物を含む層と前記基板との隙間に液体を供給し、前記構造物を含む層を前記基板から剥離することを特徴とする剥離装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５のいずれか一において、
前記基板と前記構造物を含む層を前記水槽まで移動させるベルトコンベアを有することを特徴とする剥離装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、
前記液体は純水であることを特徴とする剥離装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、
前記構造物を含む層に乾燥空気を供給するノズルを有することを特徴とする剥離装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記特性を有する尿酸オキシダーゼ。
（１）酵素作用：酸素と水の存在下、尿酸に作用して、５−ヒドロキシイソウレア、過酸化水素、及び二酸化炭素を生成する作用を有する。
（２）阻害作用：ハロゲン化物イオン、硝酸イオン、及び／又はトリス緩衝液で（１）の作用が阻害されない。かつ、キサンチンで（１）の作用が阻害されない。
（３）至適ｐＨ：６．３〜７．８。
（４）至適温度：５５℃以上。
（５）作用適温の範囲：すくなくとも３０〜６０℃の範囲。
（６）安定性：安定化剤の非存在下、３０℃、１５分間で９８％以上の活性を保持する。
【請求項２】
６１０±２０ｎｍに吸収スペクトルが存在することを特徴とする、請求項１に記載の尿酸オキシダーゼ。
【請求項３】
Lysobacter sp. T-15株（受託番号ＦＥＲＭ  Ｐ−２１０５６）由来であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の尿酸オキシダーゼ。
【請求項４】
下記（ａ）又は（ｂ）の何れかのアミノ酸配列からなる尿酸オキシダーゼ。
（ａ）配列番号２で表わされるアミノ酸配列；
（ｂ）配列番号２で表されるアミノ酸配列において、１又は数個のアミノ酸が欠失、置換もしくは付加されたアミノ酸配列であって、尿酸オキシダーゼ活性を有するアミノ酸配列：
【請求項５】
ラッカーゼ活性を併せ持つ、請求項１から４のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼ。
【請求項６】
ビリルビンオキシダーゼ活性を併せ持つ、請求項１から５のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼを生産することを特徴とする微生物。
【請求項８】
受託番号ＦＥＲＭ  Ｐ−２１０５６を有する、Lysobacter sp. T-15株。
【請求項９】
以下の（ａ）または（ｂ）の塩基配列からなるポリヌクレオチド。
（ａ）配列番号１で表される塩基配列；
（ｂ）配列番号１で表される塩基配列において、１又は複数の塩基が欠失、置換もしくは付加された塩基配列であって、かつ、尿酸オキシダーゼ活性を有するタンパク質をコードする塩基配列：
【請求項１０】
請求項９に記載のポリヌクレオチドを含む組換えベクター。
【請求項１１】
請求項１０に記載の組換えベクターを有する形質転換体。
【請求項１２】
請求項１１に記載の形質転換体を培地に培養し、培養物中に請求項１から６のいずれか1項に記載の尿酸オキシダーゼを生成蓄積させ、該培養物から該尿酸オキシダーゼを採取することを特徴とする尿酸オキシダーゼの製造方法。
【請求項１３】
請求項１から６のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼを含有する組成物。
【請求項１４】
請求項１から６のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼ又は請求項１３に記載の組成物を少なくとも含む、尿酸測定キット。
【請求項１５】
キサンチン、硝酸イオン、及びハロゲン化物イオンからなる群から選ばれる１以上の成分を含む試料において、請求項１から６のいずれか１項に記載の尿酸オキシダーゼ、請求項１３に記載の組成物、又は請求項１４に記載の尿酸測定キットを用いて尿酸を測定する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の面に複数の凹部を有する容器と、
測定対象の核酸が固定され、水に対する比重が４以上の複数の粒子とを有するキット。
【請求項２】
前記粒子はジルコニアを含む粒子であることを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項３】
前記複数の凹部は2次元配置として配置され、前記2次元配置の配置格子の最小単位は長方形ではない菱形であることを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項４】
前記凹部は前記容器の長軸方向に複数の列を形成して配置され、前記容器の前記長軸方向と実質的に直交する短軸方向の直線上に、隣り合う複数の列の各々の前記凹部の開口面における中心点が位置しないように配置されることを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項５】
前記一の面に複数の突起部をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のキット。
【請求項６】
前記一の面に複数の突起部をさらに有し、前記突起部は前記菱形の辺の位置に実質的に配置されることを特徴とする請求項３に記載のキット。
【請求項７】
前記一の面に複数の突起部をさらに有し、前記突起部は前記菱形の辺の位置に実質的に平行に配置されることを特徴とする請求項３に記載のキット。
【請求項８】
複数の凹部を有する第一部材と、前記第一部材の前記凹部と対向し、導入部と導出部とを具備する第２部材とを具備するセルと、
前記導入部から粒子を含む液体を導入し、かつ前記導出部から液体を導出する液流制御部と、
前記凹部について光学検出をする検出部とを有し、
前記液流制御部は、測定対象の核酸が固定され、水に対する比重が４以上である前記粒子を含む液体を前記導入部へ導入することを特徴とする装置。
【請求項９】
前記セルを、水平方向に対して傾きを有するように移動させるセル制御部を有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記セル制御部は、前記液流制御部が前記粒子を含む液体を前記導入部に導入するときに前記セルを実質的に水平に配置し、前記検出部が前記光学検出するときに前記セルを前記水平方向に対して傾きを有するように配置することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
4種類の核酸基質の各々を収めるための第1試薬槽、第２試薬槽、第３試薬槽、及び第４試薬槽と、前記４種類の核酸基質を前記セルに選択的に注入する注入部とをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記凹部の径及び深さは、前記粒子の1.2倍以上1.5倍以下であることを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記液流制御部は、前記粒子を含む液体を前記導入部に導入するときに、前記粒子を含む液体を往復方向に流れるように制御することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
ATPとピロリン酸と少なくとも一方を分解するための溶液を収める第５試薬槽と、前記分解するための溶液を前記セルに選択的に注入する注入部とをさらに有することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１５】
前記液流制御部は、ジルコニアを含む粒子を含む液体を前記導入部へ導入することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１６】
前記セル制御部は、前記検出部が前記光学検出するときに前記セルを鉛直方向に対して６度から３０度の範囲の傾きを有するように配置することを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１７】
複数の凹部を有する第一部材と、前記第一部材の前記凹部と対向し、導入部と導出部とを具備する第２部材とを具備するセルと、
測定対象の核酸が固定され、水に対する比重が４以上であり、前記凹部に収められる粒子と、
前記導入部から前記粒子を含む液体を導入し、かつ前記導出部から液体を導出する液流制御部と、
前記凹部について光学検出をする検出部と、
前記セルを、水平方向に対して傾きを有するように移動させるセル制御部を有するシステム。
【請求項１８】
前記粒子を格納する粒子槽をさらに有することを特徴とする請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
一の面に複数の凹部を有し、実質的に水平に設置された容器へ、測定対象の核酸が固定され、水に対する比重が４以上である複数の粒子を含む第１液体を導入し、
前記第１液体の流れで移動した前記粒子を前記凹部に格納する粒子を用いる分析方法。
【請求項２０】
前記粒子を前記凹部に格納した後に、前記容器を水平方向に対して傾きを有する位置へ移動し、
移動された前記容器に反応用試薬を含む第２液体を導入し、
前記凹部について光学的に検出することを特徴とする請求項１９に記載の粒子を用いる分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周方向に着磁された円筒形状のマグネット部を持つロータと、コイルと、該コイルを巻回する本体部とコイルの端末を巻きつける端子ピン及び該端子ピンを配設する端子台を有するボビンと、前記ロータの外周面に対向し、前記コイルにより励磁される磁極部を有するステータと、外部ユニットに取付けるための取付け板を備え、
前記取付け板は、前記ロータの回転軸と平行方向に延出した歯部を有し、該歯部で前記ボビンの端子台を固定することを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記取付け板は、非磁性材料で形成され、前記ボビンの端子台が溝部を有し、該溝部に前記取付け板の歯部が挿入されることを特徴とする請求項１記載の駆動装置。
【請求項３】
前記取付け板は、非磁性材料で形成され、前記取付け板の歯部が、前記ボビンの端子台の内径部に接し、前記ボビンの端子台を固定することを特徴とする請求項１記載の駆動装置。
【請求項４】
前記取付け板は、軟磁性材料で形成され、前記取付け板の歯部は複数設けられ、該歯部の１つが前記ボビンの端子台の内径部に接し、前記ボビンの端子台を固定することを特徴とする請求項１記載の駆動装置。
【請求項５】
前記取付け板は、前記ロータの回転軸方向に前記ボビンを中心として、前記コイルとは反対側に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の駆動装置。