【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板からなる回転Ｙカット水晶基板であり、且つ、前記圧電基板の表面にウエットエッチングにより形成された一方から他方にはしるエッチング痕を有しており、
励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とし、
前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されていることを特徴とするＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記弾性表面波デバイスは、カット角θ及び電極膜厚Ｈ／λの関係が、−1.34082×10-4×θ3−2.34969×10-2×θ2−1.37506×θ−26.7895＜Ｈ／λ＜−1.02586×10-4×θ3−1.73238×10-2×θ2−0.977607×θ−18.3420を満足していることを特徴とした請求項１に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、カット角θ及び電極膜厚とライン占有率の積Ｈ／λ×ｍｒの関係が、−8.04489×10-5×θ3−1.40981×10-2×θ2−0.825038×θ−16.0737＜（Ｈ／λ）×ｍｒ＜−6.15517×10-5×θ3−1.03943×10-2×θ2−0.586564×θ−11.0052を満足していることを特徴とした請求項１に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項４】
圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、
前記圧電基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板からなる回転Ｙカット水晶基板であり、且つ、前記圧電基板の表面にウエットエッチングにより形成された一方から他方にはしるエッチング痕を有しており、
励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５＜Ｈ／λ＜０．１０とし、
前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されていることを特徴とするＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記弾性表面波デバイスは、カット角θ及び電極膜厚Ｈ／λの関係が、−1.44605×10-4×θ3−2.50690×10-2×θ2−1.45086×θ−27.9464＜Ｈ／λ＜−9.87591×10-5×θ3−1.70304×10-2×θ2−0.981173×θ−18.7946を満足していることを特徴とした請求項４に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記ＩＤＴ電極を構成する電極指の電極指幅／（電極指幅＋電極指間のスペース）をライン占有率ｍｒとした時に、カット角θ及び電極膜厚とライン占有率の積（Ｈ／λ）×ｍｒの関係が、−8.67632×10-5×θ3−1.50414×10-2×θ2−0.870514×θ−16.7678＜（Ｈ／λ）×ｍｒ＜−5.92554×10-5×θ3−1.02183×10-2×θ2−0.588704×θ−11.2768を満足していることを特徴とした請求項４に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板上にＩＤＴ電極を少なくとも１個配置した１ポートの弾性表面波共振子であることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を少なくとも２個配置した２ポートの弾性表面波共振子であることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項９】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に対して複数個の弾性表面波共振子を平行に近接配置した横結合型多重モードフィルタであることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板の弾性表面波の伝搬方向に沿って複数個のＩＤＴ電極からなる２ポートの弾性表面波共振子を配置した縦結合型多重モードフィルタであることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板上に複数個のＳＨ波型弾性表面波共振子を梯子状に接続したラダー型弾性表面波フィルタあることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板上に弾性表面波を双方向に伝搬させるＩＤＴ電極を所定の間隔を空けて複数個配置したトランスバーサルＳＡＷフィルタであることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
前記弾性表面波デバイスは、前記圧電基板上に弾性表面波を一方向に伝搬させるＩＤＴ電極を少なくとも１つ配置したトランスバーサルＳＡＷフィルタであることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
前記弾性表面波デバイスは、弾性表面波センサであることを特徴とした請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１５】
前記弾性表面波デバイスは、ＩＤＴ電極の両側にグレーティング反射器を有することを特徴とした請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイス。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とするモジュール装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイスを用いたことを特徴とする発振回路。
【請求項１８】
前記圧電基板の主表面をウエットエッチングして該主表面に一方から他方にはしるエッチング痕を形成する工程と、
エッチングした前記圧電基板の主表面に前記ＩＤＴ電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載のＳＨ波型弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決するために本発明に係る弾性表面波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板からなる回転Ｙカット水晶基板であり、且つ、前記圧電基板の表面にエッチングにより形成された一方から他方にはしるエッチング痕を有しており、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴの波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とし、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイスであることを特徴とする。なお、このエッチングは、ウエットエッチングが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６４．０°＜θ＜−４９．３°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板からなる回転Ｙカット水晶基板であり、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０４＜Ｈ／λ＜０．１２とし、前記圧電基板の主表面を０．００２μｍ以上の厚さでエッチングしたＳＨ波型弾性表面波デバイスであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また本発明に係る弾性表面波デバイスは、圧電基板と、該圧電基板上に形成されＡｌ又はＡｌを主成分とする合金からなるＩＤＴ電極とを備え、励振波をＳＨ波とした弾性表面波デバイスであって、前記圧電基板は、そのカット角θを結晶Ｘ軸を回転軸とした結晶Ｚ軸の回転角度とし、結晶＋Ｚ軸から結晶＋Ｙ軸側へ回転させる方向を前記カット角θが負となる回転方向として、−６１．４°＜θ＜−５１．１°の範囲に設定し、且つ、弾性表面波の伝搬方向を結晶Ｘ軸に対し９０°±５°とした水晶平板からなる回転Ｙカット水晶基板であり、且つ、前記圧電基板の表面にウエットエッチングにより形成された一方から他方にはしるエッチング痕を有しており、励振する弾性表面波の波長をλとした時、前記ＩＤＴ電極の波長で基準化した電極膜厚Ｈ／λを０．０５＜Ｈ／λ＜０．１０とし、前記ＩＤＴ電極が前記圧電基板の前記エッチング痕を有する表面に形成されているＳＨ波型弾性表面波デバイスであることを特徴とする。