【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ−ｎ接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法であって、
有機シラン、アミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を含む組成物を化学気相成長させることにより、シリコン基材の少なくとも一方の表面上に非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングを形成する工程を含み、
該非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングが、式ＳｉvＣxＮuＨyＦzによって表される膜であって、式中、ｖ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％、ｘが５〜８０原子％、ｕが０〜５０原子％、ｙが１０〜５０原子％、及びｚが０〜１５原子％である、方法。
【請求項２】
前記基材がテクスチャ処理されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記組成物が炭化水素をさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記反射防止コーティングがアミノシランを含む組成物の化学気相成長によって形成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記アミノシランがビス（ｔ−ブチルアミノ）シランである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記炭化水素が少なくとも１つの前駆体とは異なる、請求項３〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの前駆体が、
（ａ）式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シラザン化合物（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ、直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の整数である）、
（ｂ）式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状カルボシラン化合物（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ、直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であり、ｘは２〜８の整数である）、
（ｃ）式（Ｒ1nＲ2mＲ3oＲ4p）tＳｉ−Ｈ4-tの非環状アルキルシラン（式中、Ｒ1〜Ｒ4は直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であることができ、ｔ＝ｎ＋ｍ＋ｏ＋ｐである）、
（ｄ）式Ｒ1n（ＮＲ2）4-nＳｉの化合物（式中、Ｒ1は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2は独立してＣ1〜Ｃ6の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３である）、
（ｅ）式Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ−ＳｉＲ3m（ＮＲ4）3-mの化合物（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2及びＲ4は独立してＣ1〜Ｃ6の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３である）、
（ｆ）式Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ−Ｒ5−ＳｉＲ3m（ＮＲ4）m-3の化合物（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4及びＲ5は独立してＣ1〜Ｃ6の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、あるいはまた、Ｒ5はアミン基又は有機アミン基であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３である）、
（ｇ）式（Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ）tＣＨ4-tの化合物（式中、Ｒ1は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2は独立してＣ1〜Ｃ6の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｔは１〜３である）、及び
（ｈ）式（Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ）tＮＨ3-t（式中、Ｒ1は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ4の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2は独立してＣ1〜Ｃ6の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３である）
からなる群より選択された少なくとも１つの前駆体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの前駆体が、式（Ｒ1nＲ2mＲ3oＲ4p）tＳｉ−Ｈ4-tの少なくとも１つの非環状アルキルシラン（式中、Ｒ1〜Ｒ4は直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ4であることができ、ｔ＝ｎ＋ｍ＋ｏ＋ｐである）である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記前駆体が、モノメチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、及びテトラメチルシランからなる群より選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記前駆体がテトラメチルシランである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記炭化水素が、
１）一般式ＣnＨ2nの環式炭化水素（式中、ｎ＝４〜１４であり、環式構造中の炭素数は４〜１２である）、
２）一般式ＣnＨ(2n+2)-2yの直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の炭化水素（式中、ｎ＝２〜２０であり、ｙ＝不飽和の単位である）、
３）一般式ＣnＨ2n-2xの単又は複不飽和の環式炭化水素（式中、ｘは炭化水素分子中の不飽和部位の数であり、ｎ＝４〜１４であり、環式構造中の炭素数は４〜１０である）、
４）一般式ＣnＨ2n-2の二環式炭化水素（式中、ｎ＝４〜１４であり、二環式構造中の炭素数は４〜１２である）、
５）一般式ＣnＨ2n-(2+2x)の複不飽和の二環式炭化水素（式中、ｘは分子中の不飽和部位の数であり、ｎ＝４〜１４であり、二環式構造中の炭素数は４〜１２である）、及び
６）一般式ＣnＨ2n-4の三環式炭化水素（式中、ｎ＝４〜１４であり、三環式構造中の炭素数は４〜１２である）
からなる群より選択される、請求項３〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記炭化水素が、シクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、１−メチル−４（１−メチルエチル）シクロヘキサン、シクロオクタン、メチルシクロオクタン、シクロオクテン、シクロオクタジエン、シクロヘプテン、シクロペンテン、シクロヘキセン、１，５，９−シクロドデカトリエン、エチレン、プロピレン、アセチレン、ネオヘキサン、シクロヘキセン、ビニルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキセン、ｔ−ブチルシクロヘキセン、α−テルピネン、ピネン、１，５−ジメチル−１，５−シクロオクタジエン、ビニル−シクロヘキセン、ノルボルナン、スピロ−ノナン、デカヒドロナフタレン、カンフェン、ノルボルネン、ノルボルナジエン、及びアダマンタンからなる群より選択される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの前駆体が、
ａ）Ｒ1n（ＮＲ2）4-nＳｉ（式中、Ｒ1はＨ又は直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ12であり、Ｒ2は直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化されたＣ1〜Ｃ12であり、ｎは０〜４である）、
ｂ）Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ−ＳｉＲ3m（ＮＲ4）m-3（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2及びＲ4は独立してＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３である）、
ｃ）式（ＮＲ1ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状シラザン（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｘは２〜８の任意の整数であり、但し、Ｒ1及びＲ3の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）、
ｄ）式（ＣＲ1Ｒ3ＳｉＲ1Ｒ3）xの環状カルボシラン（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｘは２〜８の任意の整数であり、但し、Ｒ1及びＲ3の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）、
ｅ）Ｒ1n（ＮＲ4）3-nＳｉ−Ｒ5−ＳｉＲ3m（ＮＲ4）m-3（式中、Ｒ1及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5は独立してＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、あるいはまた、Ｒ5はアミン基又は有機アミン基であり、ｎは０〜３であり、ｍは０〜３である）、
ｆ）（Ｒ1n（ＮＲ2）3-nＳｉ）tＣＨ4-t（式中、Ｒ1は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2は独立してＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｔは１〜３であり、但し、Ｒ1の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）、
ｇ）（Ｒ1n（ＮＲ3）3-nＳｉ）tＮＨ3-t（式中、Ｒ1は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、Ｒ2及びＲ3は独立してＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、芳香族の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｎは０〜３であり、ｔは１〜３であり、Ｒ1の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）、
ｈ）式（ＮＲ1Ｓｉ（Ｒ2）a（Ｒ3）b（ＮＲ4）c）xの環状シラザン（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｘは２〜８の任意の整数であり、ａ、ｂ及びｃは０〜２であり、ａ＋ｂ＋ｃ＝２であり、但し、Ｒ1及びＲ3の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）、及び
ｉ）式（ＣＲ1Ｒ3Ｓｉ（Ｒ2）b（ＮＲ3）c）xの環状カルボシラン（式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は独立してＨ又はＣ1〜Ｃ12の直鎖又は分枝の、飽和、単又は複不飽和の、環状の、フッ素化されていないか又は部分的に若しくは完全にフッ素化された炭化水素であり、ｘは２〜８の任意の整数であり、ｂ及びｃは０〜２であり、ｂ＋ｃ＝２であり、但し、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3の少なくとも１つはＣ3以上の炭化水素で置換されている）
からなる群より選択された少なくとも１つの前駆体である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記前駆体が、ジメチルアミノ−ｔ−ブチル−ネオ−ヘキシルシラン、ジエチル−ネオ−ヘキシルシラン、１，２−ジプロピルアミノ−１，２−ジ−ｔ−ブチル−１−ネオヘキシルジシラン、及び１，２−ジエチル−１−ネオ−ヘキシルジシランからなる群より選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ｐ−ｎ接合を含むシリコン基材と、
式ＳｉvＣxＮuＨyＦzによって表され、式中、ｖ＋ｘ＋ｕ＋ｙ＋ｚ＝１００％、ｖが１〜３５原子％、ｘが５〜８０原子％、ｕが０〜５０原子％、ｙが１０〜５０原子％、及びｚが０〜１５原子％である非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングと
を含む、光電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009099986.tif 000001