【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１３７】
制限を意図しない例示の代表的な展性材料は、金−すず（Ａｕ／Ｓｎ）および銀−すず（Ａｇ／Ｓｎ）および本明細書で特定するその他を含む。この時点で注意すべきは、用語「ポスト」は、単に剛性を意味するために用いる利便的なものである。決してサイズ、形状または幾何形状を制限または強制することを意図しない。従って、下記および「特定の変形形態」セクションで説明するように、「ポスト」は高さより幅を広くすることができ、または本明細書で説明する意図する目的を達成するのに十分な、任意の輪郭の断面とすることができる。更に、「ポスト」は、本明細書で説明するプロセスの一部として、例えば、メタライゼーションまたはメタル接点を薄くせずに、ウェハ背面を薄くすることにより、生成することができ、または別々に生成して、その後、ウェハに付着、またはウェハに挿入できる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８６】
オプションでは、バイアの底部は、尖った点を有するように形成することができる。これは、強い剛性のあるポスト、剛性材料の展性材料内への良好なペネトレーション、および最終的に強い接点（剛性接点と展性材料との間の表面接触を最大化すること）を確実にする、本発明者らが用いる方法である。これを行うために、本発明者らは、ポストのベースが下地の接点と同じくらい広く（ポストの接点への付着強度を最大化する）、一方、上部は接点よりずっと細くなるようにテーパとして、サイズファクタに対するアライメントを達成できるピラミッド形状（または円筒の上部に載ったピラミッド）で剛性ポストを作製する手法を用いた。本変形形態は、先端が尖ったポストの形成が得られ、ひいては、ポスト−ペネトレーション接続に用いる場合、後で形成されるピラミッド型輪郭の剛性ポストのものと類似の、ペネトレーションを可能にするという利点を有する。図９４は、その中に形成された先端が尖ったバイアを有するチップの断面写真である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２１１】
図１０８は、マザーウェハ接点の代替の変形形態の拡大部分を示し、この場合、輪郭形成された接点は、図１０７のものと類似している。このオプションの変形形態（輪郭形成された接点、輪郭形成されていない接点へ適用可能な）では、剛性ポストのためのメタルをめっきする（メタライゼーション）前に、半導体パッド１０８０２のメタルを少しエッチングし、パッド１０８０２の縁で、アンダーカット輪郭１０８０４を生成する。剛性材料１０９０２を積み上げた場合（図１０９）、剛性材料１０９０２のある部分は、アンダーカット１０８０４を充填する。この追加充填はアンカーとして作用し、追加処理の間に加えられる応力、または熱サイクルによる操作での応力が働く間、定位置に剛性接点構造を保持するのに役立つ。図示のように、剛性材料１０９０２はニッケル（Ｎｉ）である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２８７】
一般的なポスト−ペネトレーション手法では、係合する二つの接点は、大部分が平面であるとして示しているが、これは、全ての用途に対する必要条件でもなく、必ずしも望ましい構成ということでもない。二点間電気接点の品質（またはその欠如）は、接続の抵抗値に直接影響を与え、低品質の接続は歩留りを低下させるので、低品質の接続を最小化することが望まれる。生成される高抵抗の接続のリスクは、ポスト−ペネトレーション手法により容易に低減（どの接点の「投影面積」も増加させずに）できるので、歩留りを向上させる利点がある。本手法は、展性接点またはペネトレーションする接点上のパターンまたは輪郭を生成することにより、ペネトレーションを改良するステップおよび接点表面積を増加させるステップを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２８８】
展性接点を剛性接点より相対的に大きくした場合、展性接点がＩＣ接点パッドの直上にあれば、展性接点を、ほとんど自動的に輪郭形成することができる。展性接点が上に構築されるＩＣパッド用開口部より広い領域内に展性接点用メタルをパターン化することにより、自然なくぼみが、ＩＣパッド上のカバーガラスとＩＣパッド自体との間の相対的な高さの差に起因して、接点中心近傍に形成される。図１４２は、そのような輪郭形成された展性接点１４２０２を示す。図示のように、展性接点１４２０２は、ＩＣ接点パッド１４２０４よりも幅広に形成されている。その結果、接点パッド１４２０４に比べて高くなっているカバーガラス１４２０６は、自然に展性接点１４２０２のくぼみ１４２０８を起こす。この自然なくぼみ１４２０８は、それぞれの自然な形状により、更に良好に剛性接点１４２１０を受け容れるとともに、剛性接点１４２１０が有意なほどにくぼみの大きさに近い場合、アライメントを支援さえするように、展性接点１４２０２を適合させる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２８９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２８９】
剛性接点を輪郭形成することにより、最初の接点面積は減少するので、ペネトレーションを向上させる接点単位面積あたりの印加する力が効果的に増加する一方、深さ方向の輪郭の壁により得られる表面積の増加により、電気的兼機械的接点の十分な領域が確保される。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９０】
説明のために、可能性のある無数のマザー接点輪郭の内の幾つかの、非限定の説明用実施例を、円形、６角形、十字および正方形の接点パッドについて図１４３−１Ａ）〜図１４３−１Ｈ）および図１４３−３Ｗ）に、上部に立方体をもつピラミッド基部の逆載頭部（図１４３−２Ｋ）、図１４３−２Ｌ））、逆載頭型ピラミッド基部だけ（図１４３−２Ｍ）、図１４３−２Ｎ））、またはウェル内ポスト（図１４３−２Ｏ）、図１４３−２Ｐ））のような、複雑な形状の接点パッドについて図１４３−１Ｉ）〜図１４３−２Ｐ）に、平面図およびＡ−Ａ断面で示し、そして図１４３−２Ｑ）〜図１４３−３Ｖ）に側面図だけで示す例示の形状を示す。言うまでもなく、上記説明の２または３導電体の変形形態で、または形状および立体幾何学形状部分の、他の単純なまたは複雑な任意の組み合わせで用いるために、リング状、またはピラミッド状もしくは何らかの三次元形状の「段」のスタックで作製された接点パッドに類似の手法を用いることができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９３】
更に、接点輪郭は、展性材料が「掴む」領域を提供するので、接点に強度を追加することになる図１４３−１Ｊ）、図１４３−２Ｌ）、図１４３−２Ｎ）、図１４３−２Ｑ）、図１４３−２Ｒ）、図１４３−２Ｓ）および図１４３−３Ｕ）に示すようなアンダーカットを含むことができる。同様に、ポストをパターン化して、幅広く対面する表面積または全体表面積を持たせて、不完全な接点でも確実に十分な面積の接点とすることができる。更に、図１４３−３Ｔ）に示すように、所与の接点を、それ自体、マルチ接点で作製することができ、個々の部分は電気的に独立している。代替として、幾つかまたは全てを互いに電気接続することができる。この変形形態は、剪断強さを上げるための一層広い表面積と、サブ接点の一つ以上がアライメントしていない場合に、全体接続を依然として作製でき、要求電流を流すのに十分な接点面積を持つようにする冗長効果との両方を提供する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９４】
更に、注意すべきは、接点パッドの特定形状、または使用する輪郭の形状もしくは構成は、本質的に重要ではない。重要な態様は、使用する特定の接点または輪郭形状に対してではなく特定用途に対して、工学的要件に従うように結合する適切な形状を提供しつつ、利用可能な接点表面積を増大させるよう何らかの輪郭形成を用いることである。その工学的要件とは、接点に対する合計電流要件を、接点の最小許容量により扱えること、そして輪郭形成を用いない場合に生じる不良接続の可能性と比較して、使用する特定輪郭が、所望の目的を達成するのにおそらく十分な量だけ表面積を増大させることである。更に、剛性／マザー接点に関連させて検討したが、同じように輪郭形成される展性／ドーター接点を使用することができる。しかし、その場合の、接点構成は、マザーウェハ上の剛性ウェル構成を含むのが典型的である。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９５】
図１４４は、隅を丸め、僅かに皿状の、つまり上部がくぼんだピラミッド形状を持つ、代替実施例の輪郭形成された展性接点の写真である。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９６】
図１４５は、図１４４の展性接点にペネトレーションするよう設計された、輪郭形成された剛性接点の写真である。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９７】
上記を、図４７と類似する一対のチップ１４６００、１４６０２の各部分を示す図１４６Ａ）および図１４６Ｂ）を参照して簡単に説明する。しかし、図４７のチップと異なり、一方のチップ１４６０２は、図４７の輪郭形成されていない剛性接点と対照的な、輪郭形成された剛性接点１４６０４を有する。他方のチップ１４６００は、図４７に示す展性接点と類似の展性接点１４６０６を有する。図１４６Ｂ）に示すように、二つの接点１４６０４、１４６０６が接合されると、ポスト−ペネトレーション嵌合が形成される。しかし、図４７の接点と違って、ここでは、輪郭形成された接点１４６０４の個々のミニポストそれぞれが、展性接点１４６０６にペネトレーションし、それにより、同一圧力量を用いて、展性接点１４６０６へ結合される同一「投影面積」の輪郭形成されていない接点に利用可能な広さよりも、更に大きな広さの拡散接続のための面対面の接点面積を提供する。更に、輪郭形成された接点の幾つかの実装は、不完全な接続と関係付けられるリスクを最小化する利点を提供する。この独立した態様も図１４６Ｂ）に示すが、二つの接点１４６０４、１４６０６間の接続が理想に満たないという事実にもかかわらず（すなわち、剛性接点１４６０４の谷１４６１０近傍に間隙１４６０８が存在する）、剛性接点１４６０４上の輪郭側面１４６１０が提供する追加の接点面積は、接続が容認できることを意味する。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９８】
説明のために別の方法で表すと、剛性接点１４６０４がもし輪郭形成されなかったならば、その接点面積は、接点の合計電流要件を満たすことができる最小接点面積に等しくなったであろうと仮定する。その場合に、接点の何れかの部分が良好な接続を生じなければ、接続が容認されない可能性があり、使用中の予断を許さない欠陥または完全な使用不能を生じることになる。対照的に、本実施例では、図１４６の剛性接点が輪郭形成される。図１４６Ａ）および図１４６Ｂ）に示すように、輪郭が、少なくとも２倍（容易に達成可能な輪郭）だけ接点表面積を増やすと仮定すると、全表面積の半分だけが良好な接続を生成した場合でも、接続は依然として最小合計電流要件を満たすことができる。従って、図１４６Ｂ）で拡大して示すように、接点が作製されていない領域があるものの、これらの領域は、良好な接続に必要とされる必要接点面積の１／４よりずっと少ないので、接点の使用は、依然として容認できる。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２９９】
代替として、輪郭形成された接点を、単一の全体接続を生成するための一つ以上のより大きな展性接点と併せて、多数の小さな剛性接点を用いることにより生成できる。例えば、個々の接点対それぞれが、多数の剛性接点および単一（または多数）の展性接点から作製される、３セットの接点対から作製される電気接続を持つことができる。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３００】
輪郭形成の考え方の更なる変形形態は、特定の実装に応じて、アライメントを支援または改良し、展性材料を拘束し、または良好な接続の形成を助けるように設計される「ウェル」の生成を含む。以下の図と関連させて図示し説明するように、これらのウェル取り付けの変形形態は、更に、長所および利点を特定の実装にもたらす。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３０９】
クラスＩＩＩ（図１５５）：このクラスでは、ポスト１５４０６は「剛性」材料であり、ウェル１５４０５は、ある特定の厚さまで展性材料１５４０３で被覆される。これは、上記説明の基本的な輪郭形成された展性接点手法と同様である。但し、展性材料１５４０３は、カバーガラスとＩＣパッドとの間の高さの差から自然に得られるにすぎない窪みより、もっと目立って窪む輪郭を有する。繰り返すが、集積した（すなわち、タック−融合プロセスの完了）後にボイドがないように、ポスト１５４０６およびウェル１５４０５の寸法を選択することが望ましい。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３１４】
図１４３−２Ｏ）、図１４３−２Ｐ）または図１４６の輪郭形成された接点を用いて、更に代替のウェル取り付けの変形形態を形成できる。この変形形態では、万一何かが起きたときに、液相材料が乗り越えるのを防ぐ壁を形成するようにして、剛性材料のパターンによりウェルを形成する。従って、本手法により、剛性−展性の原理の使用、不使用にかかわらず、プロセスの使用が可能になり、非常に高密度の接続が可能になる。なぜなら、適切に設計すると、ウェルはどの液相材料も収容し、または展性材料の横方向の膨らみの行き過ぎを防止するからであり、いずれにせよ、高密度接点で高い歩留りを可能にする。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３２６】
上記検討から、多軸スルーバイア、ウェル付着、輪郭形成された接点、および離れた付着の変形形態からの考え方を構築および、組み合わせた派生変形形態を導くことができる。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０４５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０４５９】
【図１】多数のアクティブな電子デバイスを含むチップの一部の側面略図である。
【図２】図１の特定領域の上面の平面図である。
【図３】図１の一部の断面略図を示す。
【図４】図３の側面図に示される溝の生成直後の、図１の特定領域の上面の平面図である。
【図５】後続処理の結果として図１の部分の断面略図を示す。
【図６】図５の側面図に示される電気絶縁材料による溝の充填直後の、図１の特定領域の上面の平面図である。
【図７】後続処理の結果として図１の部分断面略図を示す。
【図８】バイア溝を生成した直後の、図１の特定領域１２４の上面の平面図である。
【図９】後続処理の結果として図１の部分断面略図を示す。
【図１０】バイア溝にメタライゼーションを施した直後の、図１の特定領域の上面の平面図である。
【図１１】下記のオプション処理の結果として図１の部分断面略図を示す。
【図１２】残りのボイド内に接着剤をオプションで導入した直後の、図１の特定領域の上面の平面図である。
【図１３】他のオプション処理の結果として図１の部分断面略図を示す。
【図１４】残りのボイド内に仕上げ剤をオプションで追加した直後の、図１の特定領域の上面の平面図である。
【図１５】後続処理の結果として図１の部分断面略図を示す。
【図１６】基板を薄くして底部メタライゼーションを除去した直後の、図１の部分断面略図を示す。
【図１７】代替の変形形態の処理の結果として図５の部分断面略図を示す。
【図１８】バイア溝を生成した直後の、図１の特定領域の下部を取り出した断面の平面図である。
【図１９】図９と関連させて説明した方法で更に処理した結果として、図５の部分断面略図を示す。
【図２０】図１１と関連させて説明した方法で更にオプション処理した結果として、図５の部分断面略図を示す。
【図２１】図１３と関連させて説明した方法で更にオプション処理した結果として、図５の部分断面略図を示す。
【図２２】図１７の代替の変形形態において図１５と関連させて説明した方法で、基板を薄くして底部メタライゼーションを露出させた結果として、図５の部分断面略図を示す。
【図２３】図１７の代替の変形形態について図１６と関連させて説明した方法で、基板を薄くして底部メタライゼーションを除去した結果として、図５の部分断面略図を示す。
【図２４】側壁のメタライゼーション直後の、二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２５】電気絶縁材料５００で溝を充填した直後の、二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２６】半導体材料のアイランド全体を除去することにより生成した、バイア溝を簡略化して示す。
【図２７】半導体材料の内部アイランドだけを除去することにより生成した、バイア溝を簡略化して示す。
【図２８Ａ】一例示の二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２８Ｂ】一例示の二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２９Ａ】別の例示の二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２９Ｂ】別の例示の二重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図３０Ａ】図２８Ａおよび図２９Ａの手法における、オプション追加の熱的に生成した誘電体または絶縁体の使用を示す。
【図３０Ｂ】図２８Ｂおよび図２９Ｂの手法における、オプション追加の熱的に生成した誘電体または絶縁体の使用を示す。
【図３１】一例示の三重導電体の変形形態を簡略化して示す。
【図３２】メタライゼーション後に残るボイドが充填されないこと以外は図９〜図１６の実装と類似の、代替の一例示のチップ実装の部分断面略図を示す。
【図３３】メタライゼーション後に残るボイドが充填されないこと以外は図２３のものと類似の、代替の一例示のチップ実装の部分断面略図を示す。
【図３４】ハイブリッド化（混合化）した直後の、図３２のチップの各断面図を示す。
【図３５】ハイブリッド化（混合化）した直後の、図３３のチップの各断面図を示す。
【図３６】絶縁体または絶縁保護コーティングによるオプションのコーティング後の、図３４の実装を示す。
【図３７】環状溝の断面の例示を示す。
【図３８】スタックするためにウェハを準備するためのプロセスを、簡略化し、かつ包括的な全体で示す。
【図３９】本明細書で説明するプロセスの異なる変形形態を用いて、スルーチップ接続を生成するために処理され、その後、スタックしてチップユニットを形成した一実施例のチップの一部を示す。
【図４０】本明細書で説明するプロセスの異なる変形形態を用いて、スルーチップ接続を生成するために処理され、その後、スタックしてチップユニットを形成した一実施例のチップの一部を示す。
【図４１】本明細書で説明するプロセスの異なる変形形態を用いて、スルーチップ接続を生成するために処理され、その後、スタックしてチップユニットを形成した一実施例のチップの一部を示す。
【図４２】背面対前面の変形形態を行うためのプロセスを簡略化して示す。
【図４３】容量接続の変形形態を行うためのプロセスを簡略化して示す。
【図４４】プリコネクトの変形形態を行うためのプロセスを簡略化して示す。
【図４５】例示のタック−融合パラメータを簡略化して示す。
【図４６】例示のタック−融合パラメータを簡略化して示す。
【図４７】「最小」の接点についての簡略化した例示である。
【図４８】拡張した接点についての簡略化した例示である。
【図４９】本明細書で説明したようなスルーチップ接続をそれぞれが有する、半導体チップのスタックの一部を示す。
【図５０】ポスト−ペネトレーション接続手法を用いてスタックした、図４９に示すチップの簡略化したスタックの一部を示す。
【図５１】プリフォームされたポストにより充填されるメタライゼーション内のボイドを簡略化して示す。
【図５２】電子チップへハイブリッド化された後の、図５１のチップを簡略化して示す。
【図５３】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５４】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５５】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５６】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５７】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５８】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図５９】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６０】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６１】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６２】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６３】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６４】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６５】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６６】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６７】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６８】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図６９】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７０】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７１】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７２】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７３】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７４】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７５】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７６】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７７】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７８】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図７９】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８０】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８１】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８２】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８３】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８４】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８５】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８６】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８７】基本的な接点形成およびハイブリッド化の手法の代替の簡略化した例示の変形形態を示す。
【図８８】後で、ドーターウェハの背面上の剛性ポストとなるものを形成するための、更に二つの例示の変形形態手法の第１部分を、簡略化し、並べて示す。
【図８９】後で、ドーターウェハの背面上の剛性ポストとなるものを形成するための、更に二つの例示の変形形態手法の第１部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９０】後で、ドーターウェハの背面上の剛性ポストとなるものを形成するための、更に二つの例示の変形形態手法の第１部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９１】後で、ドーターウェハの背面上の剛性ポストとなるものを形成するための、更に二つの例示の変形形態手法の第１部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９２】例示の傾斜バイアの断面写真である。
【図９３】深さ１００μｍで直径２０μｍを有する例示のバイアの写真である。
【図９４】中に形成された先端が尖ったバイアを有するチップの断面写真である。
【図９５】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９６】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９７】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９８】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図９９】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図１００】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図１０１】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図１０２】図８８〜図９１の更に二つの例示の変形形態手法の第２部分を、簡略化し、並べて示す。
【図１０３】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０４】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０５】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０６】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０７】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０８】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１０９】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１０】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１１】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１２】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１３】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１４】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１５】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１６】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１７】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１８】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１１９】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２０】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２１】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２２】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２３】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２４】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２５】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２６】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２７】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２８】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１２９】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３０】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３１】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３２】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３３】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３４】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３５】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３６】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３７】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスの写真である。
【図１３８】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１３９】他の要素へハイブリッド化するためのウェハを準備する更なる変形形態のプロセスを、簡略化し、並べて示す。
【図１４０】タック段階直前のドーターウェハ接点およびマザーウェハ接点を簡略化して示す。
【図１４１】融合プロセスが完了した後の、図１４０の接点を簡略化して示す。
【図１４２】輪郭形成された展性接点を示す。
【図１４３−１】可能性のある無数のマザー接点輪郭の内の幾つかの例示を示す。
【図１４３−２】可能性のある無数のマザー接点輪郭の内の幾つかの例示を示す。
【図１４３−３】可能性のある無数のマザー接点輪郭の内の幾つかの例示を示す。
【図１４４】代替の実施例の輪郭形成された展性接点の写真である。
【図１４５】図１４４の展性接点に入り込むよう設計された、輪郭形成された剛性接点の写真である。
【図１４６】更に輪郭形成された接点の実施例を簡略化して示す。
【図１４７】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１４８】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１４９】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１５０】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１５１】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１５２】ウェル取り付けの考え方を実施するための一変形形態のプロセスを示す。
【図１５３】逆ウェルの変形形態の種類を簡略化して示す。
【図１５４】逆ウェルの変形形態の種類を簡略化して示す。
【図１５５】逆ウェルの変形形態の種類を簡略化して示す。
【図１５６】逆ウェルの変形形態の種類を簡略化して示す。
【図１５７Ａ】直径１５μｍ、深さ１３５μｍまで延びるバイアの縦方向断面の写真である。
【図１５７Ｂ】直径２５μｍ、深さ１５５μｍまで延びるバイアの縦方向断面の写真である。
【図１５８】図１５７Ａおよび１５７Ｂのものと類似しているが、底部まで充填されていないバイアの写真である。
【図１５９】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６０】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６１】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６２】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６３】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６４】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６５】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６６】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６７】クラスＩＩ型剛性ウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６８】別々の離れた接点によりチップが互いに付与されるウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１６９】別々の離れた接点によりチップが互いに付与されるウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１７０】別々の離れた接点によりチップが互いに付与されるウェル取り付け手法の更なる変形形態を示す。
【図１７１Ａ】代替の離れた接点の変形形態の平面図を示す。
【図１７１Ｂ】代替の離れた接点の変形形態の平面図を示す。
【図１７２】例示の同軸接点の断面図を示す。
【図１７３】同軸接点の例示の使用法を示す。
【図１７４】同軸接点の例示の使用法を示す。
【図１７５】同軸接点の例示の使用法を示す。
【図１７６】本明細書で説明するような接点を用いる気密封止のの簡単な実施例を示す。
【図１７７】本明細書で説明するような接点を用いる気密封止の簡単な実施例を示す。
【図１７８】本明細書で説明するような接点を用いる気密封止の簡単な実施例を示す。
【図１７９】本明細書で説明するような接点を用いる気密封止の簡単な実施例を示す。
【図１８０】剛性／展性接点の原理を用いる他の変形形態を形成するための異なる手法を要約するチャートである。
【図１８１Ａ】バイア変形形態を形成するための異なる手法を要約するチャートである。
【図１８１Ｂ】バイア変形形態を形成するための異なる手法を要約するチャートである。
【図１８２】バイア変形形態を形成するための異なる手法を要約するチャートである。
【図１８３】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８４】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８５】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８６】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８７】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８８】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１８９】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９０】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９１】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９２】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９３】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９４】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９５】ドーターウェハ上の金属の堆積を含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９６】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９７】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９８】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図１９９】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２００】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０１】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０２】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０３】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０４】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０５】ドーターウェハ上の金属のめっきを含む特定の事例に対するプロセスフローをより詳細に示す。
【図２０６ａ】マザーウェハの無電解めっきの変形形態を簡略化して示す。
【図２０６ｂ】マザーウェハの無電解めっきの変形形態を簡略化して示す。
【図２０６ｃ】マザーウェハの無電解めっきの変形形態を簡略化して示す。
【図２０７ａ】マザーウェハの薄い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０７ｂ】マザーウェハの薄い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０７ｃ】マザーウェハの薄い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０７ｄ】マザーウェハの薄い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０７ｅ】マザーウェハの薄い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０８ａ】マザーウェハの厚い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０８ｂ】マザーウェハの厚い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０８ｃ】マザーウェハの厚い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０８ｄ】マザーウェハの厚い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０８ｅ】マザーウェハの厚い誘電体の変形形態を簡略化して示す。
【図２０９】バリア堆積前の、５０μｍピッチで離間する１４μｍ幅の接点パッドを有するマザーウェハ接点に対する一実施例および幾つかの代表的な寸法を示す。
【図２１０】バリアおよびキャップの堆積の後の、図２０９の接点を示す。
【図２１１】２５μｍピッチで離間する８μｍ幅の接点パッドを有するマザーウェハ接点に対する代表的な寸法を示す。
【図２１２】堆積により生成される、５０μｍピッチで離間する１４μｍ幅の接点パッドを有するドーターウェハ接点に対する一実施例および幾つかの代表的な寸法を示す。
【図２１３】堆積により生成される、２５μｍピッチで離間する８μｍ幅の接点パッドを有するドーターウェハ接点に対する一実施例および幾つかの代表的な寸法を示す。
【図２１４】セルフアライメントシードエッチが実行される前の、５０μｍピッチで離間する１４μｍ幅の接点パッドを有するめっき版マザーウェハ接点に対する一実施例および幾つかの代表的な寸法を示す。
【図２１５】セルフアライメントシードエッチが実行された後の、図２１４の接点を示す。
【図２１６】ヒートパイプ編成の一部として内側バイアを用いる方法を示す。
【図２１７】例示の絶縁および架橋の変形形態を簡略化して示す。
【図２１８】別の例示の絶縁および架橋の変形形態を簡略化し、並べて示す。
【図２１９】例示の代表的な従来型マイクロプロセッサーチップ、およびそれぞれの構成エレメントを簡略化して示す。
【図２２０Ａ】代替のマイクロプロセッサを、図２１９のマイクロプロセッサの要素から構築して、投影面積を小さくし、要素間距離を実質的に狭くできる方法を簡略化して示す。
【図２２０Ｂ】代替のマイクロプロセッサを、図２１９のマイクロプロセッサの要素から構築して、投影面積を小さくし、要素間距離を実質的に狭くできる方法を簡略化して示す。
【図２２０Ｃ】代替のマイクロプロセッサを、図２１９のマイクロプロセッサの要素から構築して、投影面積を小さくし、要素間距離を実質的に狭くできる方法を簡略化して示す。
【図２２０Ｄ】代替のマイクロプロセッサを、図２１９のマイクロプロセッサの要素から構築して、投影面積を小さくし、要素間距離を実質的に狭くできる方法を簡略化して示す。
【図２２１】図２１９のチップの投影面積と、図２２０のチップのそれとの直接比較を示す。
【図２２２】機能別パッケージの変形形態を示す。
【図２２３】図２２２のパッケージの変形形態の詳細を示す。
【図２２４】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２２５】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２２６】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２２７】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２２８】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２２９】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２３０】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２３１】経路指定のない処理の変形形態を簡略化して概観を示す。
【図２３２】代替の経路指定のない変形形態を簡略化して示す。
【図２３３】代替の経路指定のない変形形態を簡略化して示す。
【図２３４】代替の経路指定のない変形形態を簡略化して示す。
【図２３５】代替の経路指定のない変形形態を簡略化して示す。
【図２３６】二つのチップ間の配線ではなく光を使用する接続を、簡略化して示す。
【図２３７】加熱パイプ構成の変形形態を使用して、両者の間に二つの他のチップが介在しても、レーザー装填チップから光検出器装填チップまで光を通すことが可能な方法を簡略化して示す。
【図２３８】タック−融合プロセスの手法を簡略化して示す。
【図２３９】ドーター接点の機能層を簡略化して示す。
【図２４０】マザー接点の機能層を簡略化して示す。
【図２４１】ドーター接点の機能層の例示の材料構成を簡略化して示す。
【図２４２】マザー接点の機能層の例示の材料構成を簡略化して示す。
【図２４３Ａ】結合したマザーおよびドーター接点の写真である。
【図２４３Ｂ】結合したマザーおよびドーター接点の写真である。
【図２４３Ｃ】結合したマザーおよびドーター接点の写真である。
【図２４４】チップ毎に単一ピンのツーリングを簡略化して示す。
【図２４５】チップ毎に単一ピンのツーリングを簡略化して示す。
【図２４６】チップ毎に多数ピンのツーリングを簡略化して示す。
【図２４７】チップ毎に多数ピンのツーリングを簡略化して示す。
【図２４８】代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２４９】代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２５０】別の代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２５１】別の代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２５２】別の代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２５３】別の代替のツーリング手法を簡略化して示す。
【図２５４】別の代替のツーリング手法を簡略化して示す。