【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非晶質シリコーン薄膜を形成する段階と、
前記非晶質シリコーン薄膜の一部に低いエネルギー密度を有するレーザビームを照射し、前記非晶質シリコーン薄膜を部分溶融させる段階と、
前記部分溶融された非晶質シリコーン薄膜を結晶化させて一方向の結晶配列を有する多結晶シリコーングレインを形成する段階と、
高いエネルギー密度を有したレーザビームを所定間隔ずつ移動させながら繰り返し照射し、前記多結晶シリコーングレインの一部と前記非晶質シリコーン薄膜の一部とを完全溶融させる段階と、
前記完全溶融されたシリコーンを前記一方向の結晶配列と対応するように結晶化させて前記多結晶シリコーングレインを成長させる段階と、
を含む、多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記多結晶シリコーングレインは側面成長をする、請求項１に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記側面成長の成長幅は１〜１０μｍである、請求項２に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記レーザビームの前記基板上の投影形状は四角形状であり、
前記四角形状の対向する１対の辺の長さは前記基板の一辺の長さ相当であり、他の１対の辺の長さは前記シリコングレインが側面成長する長さの２倍以上である、請求項１に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記レーザビームの照射幅は２〜２０μｍである、請求項４に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項６】
前記照射幅方向への前記レーザビームの基板に対する相対的な移動間隔は、前記レーザビームの照射幅の半分以下である、請求項４に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項７】
前記レーザビームはエキシマレーザである、請求項１に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項８】
前記レーザビームの波長は２００〜４００ｎｍである、請求項７に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項９】
前記レーザビームの周波数は３００〜６０００Ｈｚである、請求項７に記載の多結晶シリコーン薄膜の製造方法。
【請求項１０】
（ａ）基板上に非晶質シリコーン薄膜を形成する段階と、
（ｂ）前記非晶質シリコーン薄膜にレーザビームを照射して多結晶シリコーン薄膜を形成する段階と、
（ｃ）前記多結晶シリコーン薄膜をパターニングして多結晶シリコーンパターンを形成する段階と、
（ｄ）前記多結晶シリコーンパターンを保護する絶縁膜を形成する段階と、
（ｅ）前記絶縁膜上にゲート電極を形成する段階と、
（ｆ）前記ゲート電極の両側に位置する前記多結晶シリコーンパターンに、それぞれ電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、を含み、
前記（ｂ）段階は、
前記非晶質シリコーン薄膜の一部に低いエネルギー密度を有するレーザビームを照射して前記非晶質シリコーン薄膜を部分溶融させる段階と、
前記部分溶融された非晶質シリコーン薄膜を結晶化させて一方向の結晶配列を有する多結晶シリコーングレインを形成する段階と、
高いエネルギー密度を有するレーザビームを所定間隔ずつ移動させながら繰り返し照射し、前記多結晶シリコーングレインの一部と前記非晶質シリコーン薄膜の一部とを完全溶融させる段階と、
前記完全溶融したシリコーンを前記一方向の結晶配列と対応するように結晶化させて前記多結晶シリコーングレインを成長させる段階と、
を含む薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記部分溶融させる段階は、３００〜５００ｍＪ／ｃｍ２の範囲のエネルギー密度を有する前記レーザビームを用いる、請求項１または１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記レーザビームのパルス幅は２０〜３００ｎｓであって、前記部分溶融させる段階は前記低いエネルギー密度の前記レーザビームのパルスを８０回以上照射する段階である、請求項１１に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記完全溶融させる段階は、６００〜９００ｍＪ／ｃｍ２の範囲のエネルギー密度を有する前記レーザビームを用いる、請求項１または１０に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
発明２は、前記発明１において、前記多結晶シリコーングレインが側面成長をする多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
発明３は、前記発明２において、前記側面成長の成長幅が１〜１０μｍである多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
発明４は、前記発明１において、前記レーザビームの前記基板上の投影形状は四角形状であり、前記四角形状の対向する１対の辺の長さは前記基板の一辺の長さ相当であり、他の１対の辺の長さは前記シリコングレインが側面成長する長さの２倍以上である多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
発明５は、前記発明４において、前記レーザビームの照射幅が２〜２０μｍである多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
発明６は、前記発明４において、前記照射幅方向への前記レーザビームの基板に対する相対的な移動間隔が、前記レーザビームの照射幅の半分以下である多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
発明７は、前記発明１において、前記レーザビームがエキシマレーザである多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
発明８は、前記発明７において、前記レーザビームの波長が２００〜４００ｎｍである多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
発明９は、前記発明７において、前記レーザビームの周波数が３００〜６０００Ｈｚである多結晶シリコーン薄膜の製造方法を提供する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
発明１０は、下記（ａ）〜（ｆ）の段階を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
（ａ）基板上に非晶質シリコーン薄膜を形成する段階、
（ｂ）前記非晶質シリコーン薄膜にレーザビームを照射して多結晶シリコーン薄膜を形成する段階、
（ｃ）前記多結晶シリコーン薄膜をパターニングして多結晶シリコーンパターンを形成する段階、
（ｄ）前記多結晶シリコーンパターンを保護する絶縁膜を形成する段階、
（ｅ）前記絶縁膜上にゲート電極を形成する段階、
（ｆ）前記ゲート電極の両側に位置する前記多結晶シリコーンパターンに、それぞれ電気的に連結されたソース電極及びドレイン電極を形成する段階。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
発明１１は、前記発明１または１０において、前記部分溶融させる段階が、３００〜５００ｍＪ／ｃｍ2の範囲のエネルギー密度を有する前記レーザビームを用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
発明１２は、前記発明１１において、前記レーザビームのパルス幅が２０〜３００ｎｓであって、前記部分溶融させる段階が前記低いエネルギー密度の前記レーザビームのパルスを８０回以上照射する段階である薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
発明１３は、前記発明１または１０において、前記完全溶融させる段階が、６００〜９００ｍＪ／ｃｍ2の範囲のエネルギー密度を有する前記レーザビームを用いる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
その他実施形態の具体的な事項は詳細な説明及び図面に含まれている。