【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、無機絶縁物層、半導体素子、前記半導体素子に接続する第１の電極層、及び前記第１の電極層上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成することにより、前記無機絶縁物層、前記半導体素子、前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層を有する素子形成層を形成し、
前記第２の電極層上に可撓性を有する第２の基板を貼りあわせた後、前記第１の基板及び前記素子形成層を前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体素子は薄膜トランジスタであり、前記無機絶縁物層は前記薄膜トランジスタのゲート電極及び配線を絶縁する絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、前記半導体素子は薄膜トランジスタであり、前記無機絶縁物層は、前記薄膜トランジスタのゲート電極及び半導体層を絶縁するゲート絶縁層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタに接続する第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層の端部を覆う無機絶縁物層を形成し、
前記無機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成することにより、前記薄膜トランジスタ、前記第１の電極層、前記無機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層を有する素子形成層を形成し、
前記第２の電極層上に可撓性を有する第２の基板を貼りあわせた後、前記第１の基板及び前記素子形成層を前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に薄膜トランジスタ及び前記薄膜トランジスタのゲート電極及び配線を絶縁化する無機絶縁物層を形成し、
前記無機絶縁物層上に薄膜トランジスタの配線に接続する第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層の端部を覆う有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成することにより、前記薄膜トランジスタ、前記無機絶縁物層、前記第１の電極層、前記有機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層を有する素子形成層を形成し、
前記第２の電極層上に可撓性を有する第２の基板を貼りあわせた後、前記第１の基板及び前記素子形成層を前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に無機絶縁物で形成されるゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上に有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層の一部を除去して前記半導体層の一部及び前記ゲート絶縁層の一部を露出し、
前記有機絶縁物層上に前記半導体層の一部に接続する配線を形成し、
前記配線に接続する第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層の端部を覆う有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記ゲート絶縁層の一部に接する第２の電極層を形成することにより、前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極、前記配線、前記第１の電極層、前記有機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層を有する素子形成層を形成し、
前記第２の電極層上に可撓性を有する第２の基板を貼りあわせた後、前記第１の基板及び前記素子形成層を前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に無機絶縁物で形成されるゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にゲート電極及び第１の導電層を形成し、
前記ゲート電極及び前記第１の導電層上に有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層を選択的に除去して前記半導体層の一部及び前記第１の導電層の一部を露出し、
前記有機絶縁物層上に前記半導体層の一部に接続する配線を形成すると共に、前記第１の導電層の一部に接続する第２の導電層を形成し、
前記配線に接続する第１の電極層を形成すると共に、前記第２の導電層に接続する第３の導電層を形成し、
前記第１の電極層の端部及び前記第３の導電層の端部を覆う有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の一部上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層と前記第１乃至３の導電層のいずれか一つ以上とに接する第２の電極層を形成することにより、前記絶縁層、前記半導体層、前記ゲート絶縁層、前記ゲート電極、前記有機絶縁物層、前記第１の導電層、前記有機絶縁物層、前記配線、前記第２の導電層、前記第１の電極層、前記第３の導電層、前記有機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層を有する素子形成層を形成し、
前記第２の電極層上に可撓性を有する第２の基板を貼りあわせた後、前記第１の基板及び前記素子形成層を前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層は、記憶素子、又は発光素子を構成する一部であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記素子形成層と前記剥離層とを分離した後、前記素子形成層に可撓性を有する第３の基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層の端部を覆う無機絶縁物層と、
前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の可撓性を有する基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極及び配線を絶縁化する無機絶縁物層と、
前記無機絶縁物層上に設けられ、前記薄膜トランジスタに接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層の端部を覆う有機絶縁物層と、
前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層、前記有機絶縁物層、及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の可撓性を有する基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
第１の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極及び半導体層を絶縁化する無機絶縁物で設けられ、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の一部に設けられた前記薄膜トランジスタのゲート電極及び配線を絶縁化する第１の有機絶縁物層と、
前記第１の有機絶縁物層上に設けられ、前記薄膜トランジスタに接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層の端部を覆い、前記第１の有機絶縁物層上に設けられた第２の有機絶縁物層と、
前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層、前記第２の有機絶縁物層、及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の可撓性を有する基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
第１の可撓性を有する基板と、
前記第１の可撓性を有する基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタのゲート電極と同一材料で設けられた第１の導電層と、
前記薄膜トランジスタのゲート電極を覆う第１の有機絶縁物層と、
前記第１の有機絶縁物層上の配線と、
前記配線と同一材料で設けられた、前記第１の導電層に接する第２の導電層と、
前記第１の有機絶縁物層上に設けられ、前記薄膜トランジスタの配線に接続する第１の電極層と、
前記第１の電極層と同一材料で設けられた、前記第２の導電層に接する第３の導電層と、
前記第１の電極層の端部を覆う第２の有機絶縁物層と、
前記第２の有機絶縁物層上及び前記第１の電極層上の有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層及び前記第３の導電層に接する第２の電極層と、
前記第２の電極層上の第２の可撓性を有する基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項において、前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層は、記憶素子、又は発光素子を構成する一部であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１０乃至請求項１４のいずれか一項において、前記薄膜トランジスタに接続されたアンテナとして機能する導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第１の電極層又は前記第２の電極層に接続するダイオードを有することを特徴とする半導体装置。