【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物に基づいたモルパーセントで表して、
ＳｉＯ２      ：  ６６〜７５
Ａｌ２Ｏ３     ：  １１〜１７
Ｂ２Ｏ３       ：  ０〜４
ＭｇＯ        :  １〜６．５
ＣａＯ        ：  ２〜７
ＳｒＯ        ：  ０〜４
ＢａＯ        ：  ０〜４
Ｙ２Ｏ３       ：  ０〜４
Ｌａ２Ｏ３     ：  ０〜４
Ｙ２Ｏ３＋Ｌａ２Ｏ３  ：  ０．１〜４
を含む組成を有する希土類含有ガラス材料であって、
０．７５〜１．８の範囲の［Ｒ'Ｏ］／［Ａｌ2Ｏ3］比を有し、
ここで［Ｒ'Ｏ］が、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯのモルパーセントの合計と、Ｙ2Ｏ3および/またはＬａ2Ｏ3を含む希土類酸化物のモルパーセントの１．５倍との和であり、［Ａｌ2Ｏ3］はＡｌ2Ｏ3のモルパーセントであることを特徴とするガラス材料。
【請求項２】
実質的にＡｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まないことを特徴とする請求項１記載のガラス材料。
【請求項３】
実質的にＢａＯを含まないことを特徴とする請求項１または２記載のガラス材料。
【請求項４】
実質的にＢ2Ｏ3を含まないことを特徴とする請求項１〜３いずれか１記載のガラス材料。
【請求項５】
さらに、
ＴｉＯ２       ：  ０〜２
ＺｎＯ        ：  ０〜３
を含むことを特徴とする請求項１〜４いずれか１記載のガラス材料。
【請求項６】
合計で０〜４ｍｏｌ％のＺｎＯおよびＢ2Ｏ3を含むことを特徴とする請求項１記載のガラス材料。
【請求項７】
１２５０℃より低い液相線温度を有することを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載のガラス材料。
【請求項８】
０．９〜１．２５の範囲の［Ｒ'Ｏ］／［Ａｌ2Ｏ3］比を有することを特徴とする請求項１〜７いずれか１項記載のガラス材料。
【請求項９】
７９０℃よりも高い焼きなまし点を有することを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載のガラス材料。
【請求項１０】
請求項１〜９いずれか１項記載のガラス材料を含む基板を備えた光電気装置であって、
前記基板の表面に形成された、多結晶シリコンの薄膜またはそれらでできた半導体装置を含む、光電気装置。
【請求項１１】
４００℃より高い温度の工程を含む方法によって形成された、前記ガラス材料とは異なる材料の層を含むことを特徴とする請求項１０記載の光電気装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
液晶ディスプレイの分野では、多結晶シリコンに基づいた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）は、より有効に電子を移動させる能力の理由から、ある特定の用途において好ましい。多結晶の（ｐ−Ｓｉ）系のシリコントランジスタは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系のトランジスタに基づくものよりも高い移動性を有することを特徴とする。これは、より小さく、より速いトランジスタの製造を可能にし、最終的には、より明るく、より速いディスプレイの製造を可能にする。ある特定の他の用途では、ガラス基板の表面に形成されるシリコンなどの単結晶の半導体材料の層は、単結晶シリコンに基づく半導体の装置の成分の性能が高いことから、さらに望ましい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
ｐ−Ｓｉおよび単結晶シリコン系トランジスタに伴う問題の１つは、その製造に、ａ−Ｓｉトランジスタの製造よりも高い工程温度を必要とすることである。ａ−Ｓｉトランジスタの製造で用いられる４００℃のピーク温度と比較して、ｐ−Ｓｉには４５０℃〜７５０℃の範囲の温度を伴う複数の工程が存在し、単結晶シリコンではさらに高温である。これらの温度では、ほとんどのＡＭＬＣＤガラス基板は、圧密として知られる工程に晒される。熱安定性または寸法変化とも称される圧密は、ガラス材料の仮想温度の変化に起因する、ガラス基板における不可逆的な寸法変化（収縮）である。「仮想温度」とは、ガラスの構造状態を表すのに用いられる概念である。高温から急速に冷却されるガラスは、より高温、より低密度の構造が「閉じ込め（frozen-in）」られるため、より高い仮想温度を有すると言われている。もっとゆっくりと冷却されるか、または、一時の間、焼きなまし点近くで保持することによって焼きなましされるガラスは、より低い仮想温度およびより高密度の構造を有すると言われている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
圧密の程度は、ガラスの製造工程およびガラスの粘弾性特性に応じて決まる。ガラスからシート製品を製造するためのフロート法では、ガラスシートは溶融物から比較的ゆっくりと冷却され、したがって、比較的低温の構造をガラス内に「閉じ込め（freezes-in）」る。フュージョン法は、対照的に、溶融物からガラスシートを非常に急速にクエンチし、比較的高温の構造物を閉じ込める。その結果、圧密の原動力は圧密の間にガラスが被る仮想温度と工程温度との差であることから、フロート法で製造されたガラスは、フュージョン法で製造されたガラスと比較して、より小さい圧密に晒されうる。よって、ダウンドロー法で製造されたガラス基板における圧密レベルを最小限に抑えることが望ましいであろう。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
ガラスにおける圧密レベルを最小限に抑えるためには、２つの方法がある。第１の方法は、ガラスを熱的に前処理して、ｐ−ＳｉのＴＦＴ製造の間にガラスが被るであろう温度と同様の仮想温度を生じさせることである。しかしながら、この方法には幾つかの困難が存在する。まず、ｐ−ＳｉのＴＦＴ製造の間に用いられる複数の加熱工程は、この前処理によって完全に補正することができないわずかに異なる仮想温度をガラスに生じさせる。第２に、ガラスの熱安定性は、ｐ−ＳｉのＴＦＴ製造業者の品目と密接につながり、これは、さまざまなエンドユーザーのためのさまざまな前処理を意味しうる。最終的に、前処理は、処理費用および複雑性を加えることとなる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
別の方法は、圧密応答の動力学を遅くすることである。これは、ガラスの粘度を高めることによって達成することができる。このように、ガラスの歪み点が、ガラスが被る工程温度よりもはるかに大きい場合（例えば、歪み点が、短い曝露の間に工程温度よりも〜５０℃から１００℃高い場合）には、圧密は最小になる。しかしながら、歪み点が高いガラスは、通常、高い溶融温度を必要とすることから、この方法に伴う課題は、費用効率のよい、歪み点の高いガラスを製造することである。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
本発明の第１の態様のある特定の実施の形態では、ガラス材料は、最大で２ｍｏｌ％、ある特定の実施の形態では最大で１ｍｏｌ％、ある特定の実施の形態では実質的に０ｍｏｌ％のＢ2Ｏ3を含む組成を有する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の第１の態様のある特定の実施の形態では、ガラス材料は、実質的にＢａＯを含まない組成を有する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明の第１の態様のある特定の実施の形態では、ガラス材料は、実質的にＡｓ2Ｏ3およびＳｂ2Ｏ3を含まない組成を有する。