Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸気発生器を検査するように構成される検査車両であって、
２つの独立して駆動される磁気車輪を備える前方シャーシと、
２つの独立して駆動される磁気車輪を備える後方シャーシと、
前記前方シャーシを前記後方シャーシに柔軟に接続して、少なくとも１つの軸に沿った前記前方シャーシと前記後方シャーシとの間の相対的な運動を許す接続部材とを備え、前記接続部材、前方シャーシ、および後方シャーシはまとめて受入区域を規定し、さらに
前記前方シャーシ上に配設されるナビゲーションカメラと、
第１のモータによって駆動される第１の回転可能アーム、第２のモータによって駆動される、前記第１の回転可能アームの遠位部上に配設される第２の回転可能アーム、および第３のモータによって駆動される、前記第２のアームの遠位部上に回転可能に配設される検査カメラを備えるパンチルト検査カメラアセンブリとを備え、前記カメラアセンブリは、収容位置で前記受入区域内に受けられるように寸法決めされる、検査車両。
【請求項２】
前記前方シャーシ上の前記独立して駆動される磁気車輪は互いからオフセットされ、前記後方シャーシ上の前記独立して駆動される磁気車輪は互いからオフセットされる、請求項１に記載の検査車両。
【請求項３】
前記検査車両を設定された向きに自動的に向けるように構成される自動方向付け回路をさらに備える、請求項２に記載の検査車両。
【請求項４】
各車輪の表面に隣接して圧縮空気を出力するように構成される空気式圧送システムをさらに備える、請求項３に記載の検査車両。
【請求項５】
前記空気式圧送システムが、前記蒸気発生器内での前記検査車両の移動の間、各車輪の表面に隣接して圧縮空気を出力するように構成される、請求項４に記載の検査車両。
【請求項６】
前記空気式圧送システムは、空気式コネクタと、空気圧ガスを分配する空気式マニホールドと、各車輪に隣接して配設される１つ以上の開口の各々への空気式経路とを備える、請求項４または５に記載の検査車両。
【請求項７】
前記前方シャーシ、後方シャーシ、接続部材、およびパンチルト検査カメラアセンブリの寸法外包は、前記カメラアセンブリが収容位置で前記受入区域内に配設される場合、８．００”×４．９０”×２．００”より小さい、請求項１から６のいずれか１項に記載の検査車両。
【請求項８】
前記パンチルト検査カメラアセンブリの寸法外包は、前記カメラアセンブリが収容位置で前記受入区域内に配設される場合、４．９０”×３．３５”×１．３３”より小さい、請求項１から６のいずれか１項に記載の検査車両。
【請求項９】
前記接続部材はヒンジである、請求項１に記載の検査車両。
【請求項１０】
蒸気発生器の二次側を検査するための方法であって、
前記蒸気発生器の前記二次側の作業孔を通して検査車両を挿入する行為を備え、前記検査車両は、２つの独立して駆動される磁気車輪を備える前方シャーシと、２つの独立して駆動される磁気車輪を備える後方シャーシと、前記前方シャーシを前記後方シャーシに柔軟に接続して、前記前方シャーシと前記後方シャーシとの間の相対的な角度のある運動を許すヒンジと、接続部材、前記前方シャーシ、および前記後方シャーシによって規定される受入区域と、第１のモータによって駆動される第１の回転可能アーム、第２のモータによって駆動される、前記第１の回転可能アームの遠位部上に配設される第２の回転可能アーム、および第３のモータによって駆動される、前記第２のアームの遠位部上に回転可能に配設される検査カメラを備えるパンチルト検査カメラアセンブリとを備え、前記カメラアセンブリは収容位置で前記受入区域内で受けられるように寸法決めされ、前記検査車両は前記検査車両を設定された向きに自動的に向けるように構成される自動方向付け回路を備え、さらに前記方法は、
前記検査車両をＵ字管の最初の並びに移動させる行為と、
チューブシートと流れ分配バッフルとの間で前記検査カメラをパンして、前記チューブシート、Ｕ字管、および流れ分配バッフルを検査する行為と、
Ｕ字管の１つの並びから次の並びへ前記検査車両を前進させる行為と、
前記流れ分配バッフルと前記チューブシートとの間で前記検査カメラをパンして、前記チューブシート、Ｕ字管、および流れ分配バッフルを検査する行為と、
前記移動させ、前進させ、およびパンして検査する行為を順次繰返す行為とを備える、蒸気発生器の二次側を検査するための方法。
【請求項１１】
前記パンして検査する行為は、管束の周辺Ｕ字管を見る行為と、束ねられた少なくとも３つの管列の深さまで前記管束の内部Ｕ字管を見る行為と備える、請求項１０に記載の蒸気発生器の二次側を検査するための方法。
【請求項１２】
前記検査車両の予め定められた向きからのずれを検知することと、
前記予め定められた向きに合うように前記検査車両の向きを自動的に補正することと、をさらに備える、請求項１０または１１に記載の蒸気発生器の二次側を検査するための方法。
【請求項１３】
前記検査車両の予め定められた向きからのずれを検知することと、
前記検査車両の前方への運動がない場合に、前記前方シャーシの１つ以上の車輪、前記後方シャーシの１つ以上の車輪、または前記前方シャーシおよび前記後方シャーシの１つ以上の車輪の組合せを選択的に駆動することにより、前記予め定められた向きに合うように前記検査車両の向きを自動的に補正することと、をさらに備える、請求項１０から１２のいずれか１項に記載の蒸気発生器の二次側を検査するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質を塗布するための蓄圧タンクシステムであって、
主分配ラインと、
物質を汲み上げて主分配ラインに送る主ポンプと、
主分配ラインに設けられ、主分配ライン内の選択圧力を維持するために主ポンプの運転を制御する圧力スイッチと、
複数の供給ラインと、を備え、
各供給ラインが、
蓄圧器と、
主分配ラインに連結されて主分配ライン内の物質を受け取る供給管路であって、管路内に選択圧力を提供する蓄圧器に連結される供給管路と、
入口及び少なくとも一つの出口を有するマニホールドであって、マニホールドの入口が供給管路に連結され、各出口が物質を分配ゾーンに出力するマニホールドと、を含むことを特徴とする蓄圧タンクシステム。
【請求項２】
背圧が主ポンプに及ぶのを防ぐために主分配ライン内に逆止弁を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
主ポンプが作動しない場合に主ポンプと交換される予備ポンプを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
主ポンプに供給されるべき物質を容器から取り出すピックアップ部を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
主ポンプが空気ポンプであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
主ポンプを作動させるための空気流を出力するように連結される空気供給部と、
圧力スイッチに連結され、更に空気供給部を制御するように連結されるポンプエアソレノイドと、
圧力スイッチが閉じているとき、ポンプエアソレノイドに電力を供給するように連結される電力供給部とを更に備えることを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
物質が潤滑剤、洗浄化学薬品及び農薬からなる群から選択された物質であることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
物質の供給量が少なくなっているとき物質量低下信号を警報信号に送る物質量低下検出装置を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
マニホールドの各出力口に設けられる弁であって、マニホールドから対応ゾーンへと吐出されるルーブの流量を調節する弁と、
各弁を制御するために連結される少なくとも一つのコントローラーとを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
少なくとも一つの供給ラインの供給管路が、主分配ラインの直径よりも大きな直径を有することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高降伏応力と硫化物応力割れへの優れた抵抗を有する低合金鋼であって、次の成分を質量％で含有し、
Ｃ：  ０．３％〜０．５％
Ｓｉ：０．１％〜０．５％
Ｍｎ：０．１％〜１％
Ｐ：  ０．０３％以下
Ｓ：  ０．００５％以下
Ｃｒ：０．３％〜１．５％
Ｍｏ：１．０％〜１．５％
Ａｌ：０．０１％〜０．１％
Ｖ：  ０．０３％〜０．０６％
Ｎｂ：０．０４％〜０．１５％
Ｔｉ：０％〜０．０１５％
Ｎ：  ０．０１％以下、
前記鋼の化学成分の残部は、Ｆｅと、製鉄および鋳造プロセスから生ずる若しくはプロセスに必要な不純物あるいは残留物からなることを特徴とする；
低合金鋼。
【請求項２】
Ｃ成分が０．３％〜０．４％の範囲であることを特徴とする；
請求項１の低合金鋼。
【請求項３】
Ｍｎ成分が０．２％〜０．５％の範囲であることを特徴とする；
請求項１または２の低合金鋼。
【請求項４】
Ｃｒ成分が０．６％〜１．２％の範囲であることを特徴とする；
請求項１ないし３のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項５】
Ｍｏ成分が１．１％〜１．４％の範囲であることを特徴とする；
請求項１の低合金鋼。
【請求項６】
Ｓ成分が０．００３％以下であることを特徴とする；
請求項１ないし５のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項７】
Ａｌ成分が０．０１％〜０．０５％の範囲であることを特徴とする；
請求項１ないし６のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項８】
Ｖ成分が０．０３％〜０．０５％の範囲であることを特徴とする；
請求項１ないし７のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項９】
Ｎｂ成分が０．０６％〜０．１０％の範囲であることを特徴とする；
請求項１ないし８のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項１０】
Ｂｅｆｆ  ＝  ｍａｘ（０；Ｂ−ｍａｘ（０；１０（Ｎ／１４−Ｔｉ／４８）））
で算定される有効ボロン成分が０であることを特徴とする；
請求項１ないし９のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項１１】
降伏応力が８６２ＭＰａ（１２５ｋｓｉ）以上となるように熱処理されたことを特徴とする；
請求項１ないし１０のいずれか１項の低合金鋼。
【請求項１２】
熱処理が少なくとも２回の焼き入れ工程を備えることを特徴とする；
請求項１１の低合金鋼。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソマトスタチン以外の広域スペクトルケモカイン阻害剤（ＢＳＣＩ）活性を有する化合物又は物質（ａｇｅｎｔ）の同定方法であって、以下の工程：
（ａ）第一に、１又は２以上の候補化合物又は物質が、ソマトスタチン受容体への結合についてスクリーニングされ；その後、
（ｂ）前記ソマトスタチン受容体に対して結合を示す化合物又は物質が、機能アッセイでＢＳＣＩ活性について試験される、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記ソマトスタチン受容体が、２型ソマトスタチン受容体（ｓｓｔｒ２）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記２型ソマトスタチン受容体がｓｓｔｒ２Ａ又はｓｓｔｒ２Ｂである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
以下のさらなる工程：
（ｃ）前記ソマトスタチン受容体に対して結合を示す化合物又は物質が、機能アッセイで古典的（ｃｌａｓｓｉｃａｌ）ｓｓｔｒ２アゴニスト活性について試験される；
を含み、ここで、工程（ａ）は最初に行われるが、工程（ｂ）及び（ｃ）は任意の順序で、又は同時に行われる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
古典的ｓｓｔｒ２アゴニスト活性についての前記機能アッセイが、下垂体ホルモン放出の抑制である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記下垂体ホルモンが成長ホルモン又は甲状腺刺激ホルモンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
古典的ｓｓｔｒ２アゴニスト活性についての前記機能アッセイが、グルコース処理の調節である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記グルコース処理の調節が、インスリン分泌又はグルカゴン分泌を測定することによって検出される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
古典的ｓｓｔｒ２アゴニスト活性についての前記機能アッセイがインビトロ又はインビボで行われる、請求項４〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
古典的ｓｓｔｒ２アゴニスト活性についての前記機能アッセイがインビボで行われ、そして代替バイオマーカーが、古典的ｓｓｔｒ２アゴニスト活性の結果を検出するために使用される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ＢＳＣＩ活性についての前記機能アッセイが、インビトロ又はインビボでのケモカイン誘導性細胞遊走の抑制についてのアッセイである、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ＢＳＣＩ活性についての前記機能アッセイが、Ｔヘルパー細胞のサイトカイン分泌についてのアッセイである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
スクリーニングされる前記候補化合物又は物質が、ライブラリーから選択されるか又は一緒になってライブラリーを構成する、並びに／あるいは、スクリーニングされる前記候補化合物又は物質が、コンビナトリアルケミストリーにより製造される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
試験される前記候補物質が、化合物の混合物である、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ソマトスタチン受容体との分子相互作用が、前記ソマトスタチン受容体を発現する細胞全体、又は前記ソマトスタチン受容体を発現する細胞由来の膜を使用して行われる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記細胞が、前記ソマトスタチン受容体を過剰発現するように遺伝子操作されている、並びに／あるいは、前記細胞が、前記ソマトスタチン受容体の機能性断片であって、前記ソマトスタチン受容体の天然のリガンド若しくは別のリガンドと結合する能力を保持する、前記機能性断片を発現するか、又は発現するように遺伝子操作されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ソマトスタチン受容体との分子相互作用が、単離されたか又は精製されたソマトスタチン受容体を使用して行われるか、あるいは、単離されたか又は精製された前記ソマトスタチン受容体の任意の機能性断片であって、前記ソマトスタチン受容体の天然のリガンド若しくは別のリガンドと結合する能力を保持する、前記機能性断片を使用して行われる、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記候補化合物又は物質間の相互作用が、前記ソマトスタチン受容体に結合することができる別の標識リガンドとの競合により測定される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記候補化合物又は物質間の相互作用が直接測定される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
１又は２以上の前記候補化合物又は物質と前記ソマトスタチン受容体との相互作用が、測定されるか、又は任意の種類の科学文献又は既存のデータベースの調査により推測される、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
以前の工程の適用により選択された化合物内に存在する１又は２以上の構造モチーフに基づく、新規構造クラスのソマトタキシン（ｓｏｍａｔｏｔａｘｉｎ）を定義するための追加の工程を有する、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面プラズモン共鳴分光計による、２次元の測定表面上の個々のナノ粒子の光学的検出のための方法であって、前記表面プラズモン共鳴分光計は、本質的に単色の放射を発する放射源と、センサ表面と、表面プラズモンが前記センサ表面において生成されるように、前記放射源によって発せられる前記放射で前記センサ表面を照射するためのクレッチマン配置における光学アセンブリと、複数の検出素子を有する検出器と、前記検出器上の前記センサ表面によって反射された前記放射を結像するための観察光学アセンブリとを備え、前記方法は、
（ａ）  表面プラズモンが前記センサ表面で生成されるように、単色放射源からの放射で前記センサ表面を照射するステップと、
（ｂ）  センサ表面上またはセンサ表面の直近の範囲内に、観察のための粒子を導入するステップと、
（ｃ）  複数の検出素子を有する検出器でセンサ表面からの放射を検出するステップ
とを備え、
（ｄ）  前記粒子が、その粒子の直径よりもはるかに大きい波長で光学的に検出される、個々のナノ粒子であり、
（ｅ）  粒子によって引き起こされる、およそ数ミクロンに局在した前記センサ表面の跳躍的な反射の変化が観察され、
（ｆ）  前記変化は、測定の間に各々の粒子に対して個々に見つかる、前もって知られていない位置および知られていない時点において測定され、
（ｇ）  前記粒子の画像の範囲における強度の時間依存性が、粒子の信号を定量化するために測定され、前記センサ表面での前記粒子の結合は、対応する画像の点において階段状の強度の変化を有し、
（ｈ）  前記信号は、前記粒子が結合する前の期間にわたり平均値を計算することによって得られる参照画像に関して正規化されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記放射源は、スーパールミネッセントダイオードであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記センサ表面が金層でコートされていることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
観察される粒子と前記センサ表面との間の接触が確立されていることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記センサ表面は、プラズモン励起を可能にする周期的構造によって生成された反射の強い変化を有する表面であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記センサ表面は、結合される粒子での強い反射の変化を有する非反射のガラスまたは結晶表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記センサ表面は、前記放射源の波長における局在プラズモン共鳴の励起を可能にする結合粒子での反射の強い変化を有する金属ナノ粒子の表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記センサ表面は、表面プラズモン共鳴を励起可能な、光多層構造である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記検出器は、時間的に続く複数の強度信号を各画素で検出するための電荷結合素子であり、処理手段は、ショットノイズの低減のために時間平均値を生成するように適合されることを特徴とする、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
公共の表面でのウイルスの検出によるウイルス学的研究、または高感度医療診断において使用される、先行する請求項のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査ユニットとそれに対して少なくとも一つの測定方向に動く反射型基準尺との相対的な位置を測定するための位置測定装置であって、走査ユニットが、一つの主光源と検出面内の少なくとも一つの検出器配列とを有し、主光源から検出面内の点光源の周期的な配列を作り出すことが可能である位置測定装置において、
主光源（２４；１２４；２２４；３３４）が、検出面（Ｄ）の上方に配置されていることと、
主光源（２４；１２４；２２４；３３４）が、空間的な拡がりを持つ光源として構成されていることと、
を特徴とする位置測定装置。
【請求項２】
主光源（２４；１２４；２２４）には、主光源（２４；１２４；２２４）から放射された光束が拡散する方向に送信格子（２５；１２５；２２５）が配備されており、
送信格子（２５；１２５；２２５）と検出器配列（２２．１，２２．２；２２２．１，２２２．２）の間には、少なくとも一つの光学部品（２６．１，２６．２；１２６；２２６．１，２２６．２）が配置されており、その光学部品によって、送信格子（２５；１２５；２２５）を検出面（Ｄ）内の点光源の周期的な配列（２７；１２７；２２７）として結像することが行われる、
ことを特徴とする請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項３】
走査ユニット（２０；２２０）には、透明な支持基板（２３．１；１２３．１；２２３．１）から成る光学モジュール（２３；１２３；２２３）が、検出器配列（２２．１，２２．２；２２２．１，２２２．２）の上方に配置されており、その透明な支持基板には、送信格子（２５；１２５；２２５）と当該の少なくとも一つの光学部品（２６．１，２６．２；１２６；２２６．１，２２６．２）が統合された形で構成されていることを特徴とする請求項２に記載の位置測定装置。
【請求項４】
送信格子（２５；１２５；２２５）と当該の少なくとも一つの光学部品（２６．１，２６．２；１２６；２２６．１，２２６．２）が、支持基板（２３．１；１２３．１；２２３．１）の上側と下側の中の片側又は両側に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の位置測定装置。
【請求項５】
送信格子（２５；１２５）が、支持基板（２３．１；１２３．１）の上側に配置されており、
送信格子（２５；１２５）の上方には、送信格子（２５；１２５）の方向に光を放射する主光源（４；１２４）が配置されており、
少なくとも一つの光学部品（２６．２；１２６）が、支持基板（２３．１；１２３．１）の下側に配置されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の位置測定装置。
【請求項６】
支持基板（２３．１）の上側には、送信格子（２５）によって占有されていない領域に、少なくとも一つの別の光学部品（２６．１）が配置されていることを特徴とする請求項５に記載の位置測定装置。
【請求項７】
支持基板（２２３．１）が、検出器配列（２２２．１，２２２．２）の上方に所定の間隔を開けて配置されており、
主光源（２２４）が、検出器配列（２２２．１，２２２．２）と支持基板（２２３．１）の間に配置されており、支持基板（２２３．１）の方向に光を放射し、
送信格子（２２５）が、支持基板（２２３．１）の下側に配置されており、
少なくとも一つの光学部品（２２６．１）が、支持基板（２２３．１）の上側に配置されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の位置測定装置。
【請求項８】
支持基板（２２３．１）の下側には、送信格子（２２５）によって占有されていない領域に、少なくとも一つの別の光学部品（２２６．２）が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の位置測定装置。
【請求項９】
当該の光学部品（１２６；２６．１，２６．２；２２６．１，２２６．２）が、屈折型光学部品又は回折型光学部品として構成されていることを特徴とする請求項２に記載の位置測定装置。
【請求項１０】
当該の光学部品（２６．１，２６．２；２２６．１，２２６．２）が、支持基板（２３．１；２２３．１）の上側と下側の中の片側又は両側に格子構造として構成されていることを特徴とする請求項４又は９に記載の位置測定装置。
【請求項１１】
送信格子（２５；１２５；２２５）を検出面（Ｄ）内の点光源の周期的な配列（２７；１２７；２２７）として結像することが、検出器配列（２２．１，２２．２；２２２．１，２２２．２）を設置していない検出面（Ｄ）の中央の領域で行われることを特徴とする請求項２に記載の位置測定装置。
【請求項１２】
反射型基準尺（１０；２１０）が、測定方向（ｘ）に延びる周期的な増分目盛を有し、  送信格子（２５；１２５；２２５）が、周期的な格子として構成されており、
検出面（Ｄ）内の点光源の周期的な配列（２７；１２７；２２７）の周期（ＴＰPLG ）が、増分目盛の周期（ＴＰM ）の２倍と等しい、
ことを特徴とする請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項１３】
反射型基準尺（１０；２１０）が、測定方向（ｘ）に延びる周期的な増分目盛を有し、  送信格子（２５；１２５；２２５）が、周期的な格子として構成されており、
送信格子（２５；１２５；２２５）の周期が、次の式に基づき選定される、
ＰSG＝２・ＰM ／β
ここで、
ＰSG：送信格子の周期、
ＰM ：増分目盛の周期、
β：光学部品の倍率、
ことを特徴とする請求項１に記載の位置測定装置。
【請求項１４】
走査ユニットでは、透明な支持基板（３３３．１）から成る光学モジュール（３３３）が、検出器配列の上方に配置されており、
支持基板（３３３．１）の上側には、検出器配列の方向に光を放射する主光源（３３４）が配置されており、
検出面（Ｄ）には、周期的な反射格子（３３５）が配置されており、それによって、点光源の周期的な配列を作り出している、
ことを特徴とする請求項１に記載の位置測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種の回転式ふるい機を用いての乾燥、粉砕および分級を含む、
ａ）少なくとも部分的に中和されていてよい、少なくとも１種のエチレン性不飽和酸基含有モノマー、
ｂ）少なくとも１種の架橋剤、
ｃ）少なくとも１種の開始剤、
ｄ）場合によっては、ａ）で挙げられたモノマーと共重合可能な１種またはそれ以上のエチレン性不飽和モノマー、および
ｅ）場合によっては、１種またはそれ以上の水溶性ポリマー
を含有するモノマー溶液またはモノマー懸濁液を重合することによる、吸水性ポリマー粒子の製造方法において、
分級のために使用される回転式ふるい機が、ふるいの下に弾性ボールを備えたベーストレイから成る少なくとも１種のボールノック式クリーナーを備えており、前記ボールは当初直径ｘを有し、かつ前記ベーストレイは、最大粒径ｙを有する粒子のための通過口を有しており、この際、ｙはｘよりも小さく、かつ回転式ふるい機の外に連行された弾性ボールを捕捉装置によって分離し、この際、この捕捉装置は、最大粒径ｚを有する粒子のための通過口を有しており、この際、ｚはｙよりも小さいことを特徴とする、前記吸水性ポリマー粒子の製造方法。
【請求項２】
表面後架橋された吸水性ポリマー粒子を、回転式ふるい機中で分級する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
弾性ボールの当初粒径ｘが、１５〜４０ｍｍである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
弾性ボールが天然ゴム、シリコーン変性エチレン−プロピレン−ジエン−ゴム、ニトリル−ブタジエン−ゴム、スチレン−ブタジエン−ゴムまたはポリウレタンから成る、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ベーストレイが、粒径ｙを有する粒子のための通過口を有し、その際ｙはｘよりも１〜２０ｍｍ小さい、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
ベーストレイ中の通過口が円形である、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
捕捉装置が、粒径ｚを有する粒子のための通過口を有し、その際、ｚはｙよりも０．１〜１０ｍｍ小さい、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
捕捉装置が、平行に配置された管状磁石を有する磁気分離装置である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
それぞれ２個の管状磁石の間に、管状磁石ではない少なくとも１個のさらなるバーが存在する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
連行された弾性ボールを、捕捉装置によって連続的に搬出する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
捕捉装置が、水平方向に対して少なくとも３０°の勾配を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
吸水性ポリマー粒子が、少なくとも１５ｇ／ｇの遠心保持容量を有する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞表面上にEphA3を発現する骨髄増殖性疾患細胞を殺傷する方法であって、該細胞を抗EphA3抗体と接触させる段階を含み、該抗EphA3抗体が(i) EphA3を活性化し、かつ(ii) 抗体依存性細胞媒介性細胞傷害(ADCC)を誘導する、前記方法。
【請求項２】
骨髄増殖性疾患細胞が慢性骨髄増殖性疾患(CMPD)細胞である、請求項1記載の方法。
【請求項３】
CMPD細胞がBCR-ABL陰性CMPD細胞である、請求項2記載の方法。
【請求項４】
CMPD細胞がCML細胞である、請求項2記載の方法。
【請求項５】
少なくとも1つの付加的な治療薬を細胞と接触させる段階をさらに含み、該少なくとも1つの付加的な治療薬が化学療法薬である、請求項4記載の方法。
【請求項６】
抗体がヒト重鎖のγ-1またはγ-3定常領域を含む、請求項1〜5のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
抗体が低フコシル化されている、請求項1〜6のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
抗EphA3抗体がEphA3に対する結合においてmab IIIA4と競合する、請求項1〜7のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
抗EphA3抗体がモノクローナル抗体である、請求項1〜8のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
抗EphA3抗体がmAb IIIA4のVH領域およびVL領域のCDR1、CDR2、およびCDR3を含む、請求項1〜9のいずれか一項記載の方法。
【請求項１１】
表面上にEphA3を発現する骨髄増殖性疾患細胞を殺傷する方法であって、該細胞を、EphA3を活性化するかまたはADCCを誘導する抗EphA3抗体と接触させる段階を含み、該骨髄増殖性疾患細胞が急性骨髄性白血病(AML)細胞または骨髄異形成症候群(MDS)細胞である、前記方法。
【請求項１２】
骨髄増殖性疾患細胞がAML細胞である、請求項11記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも1つの付加的な治療薬を細胞と接触させる段階をさらに含み、該少なくとも1つの付加的な治療薬が、単独であるかまたはダウノルビシンと併用したシトシンアラビノシドである、請求項12記載の方法。
【請求項１４】
抗体がEphA3を活性化する、請求項11、12、または13記載の方法。
【請求項１５】
抗EphA3抗体がEphA3結合においてmAb IIIA4と競合する、請求項11〜14のいずれか一項記載の方法。
【請求項１６】
抗EphA3抗体がモノクローナル抗体である、請求項11〜15のいずれか一項記載の方法。
【請求項１７】
抗EphA3抗体がmAb IIIA4のVH領域およびVL領域のCDR1、CDR2、およびCDR3を含む、請求項11〜16のいずれか一項記載の方法。
【請求項１８】
抗EphA3抗体がADCCを誘導する、請求項11〜17のいずれか一項記載の方法。
【請求項１９】
抗体がEphA3に対するエフリンA5リガンドの結合を阻止する、請求項11〜18のいずれか一項記載の方法。
【請求項２０】
抗体が低フコシル化されている、請求項11〜19のいずれか一項記載の方法。
【請求項２１】
抗体がヒトのγ-1またはγ-3定常領域を有する、請求項11〜20のいずれか一項記載の方法。
【請求項２２】
AML患者またはMDS患者が抗EphA3抗体による治療の候補であると判定する方法であって、
該患者に由来する骨髄増殖性疾患細胞を含む試料を提供する段階；および
該骨髄増殖性疾患細胞におけるEphA3の発現を検出する段階
を含む、前記方法。
【請求項２３】
EphA3が芽細胞および/または幹細胞において検出される、請求項22記載の方法。
【請求項２４】
EphA3の発現を検出する段階が、細胞表面上のタンパク質発現を検出する段階を含む、請求項22または23記載の方法。
【請求項２５】
CMPD患者が抗EphA3抗体による治療の候補であると判定する方法であって、
該患者に由来する新生物幹細胞を含む試料を提供する段階、および
該新生物幹細胞によるEphA3の発現を検出する段階
を含む、前記方法。
【請求項２６】
EphA3+骨髄増殖性細胞を伴う骨髄増殖性疾患を有する患者の治療の有効性をモニターする方法であって、該骨髄増殖性疾患がAMLまたはMDSであり、
骨髄増殖性疾患の治療処置後に、該患者から骨髄増殖性疾患幹細胞および/または芽細胞を含む試料を採取する段階；ならびに
該骨髄増殖性疾患幹細胞および/または芽細胞におけるEphA3の発現を検出する段階
を含む、前記方法。
【請求項２７】
EphA3を発現する新生物骨髄増殖性疾患幹細胞を有するCMPD患者の治療の有効性をモニターする方法であって、
CMPDの治療処置後に、該患者から新生物幹細胞を含む試料を採取する段階；および
該幹細胞におけるEphA3の発現を検出する段階
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）
（ａ−１）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ホモポリマーまたはコポリマー；
（ａ−２）任意選択により、０．１〜２０重量％の、潤滑剤、流動性調節剤、可塑剤、熱安定剤、酸化防止剤、染料、顔料およびＵＶ安定剤からなる群より選択される１種以上の有機添加剤；
（ａ−３）０．１〜４重量％の、１種以上のアイオノマーポリマー、または１種以上のアイオノマーポリマーと酸コポリマーとの組み合わせ（前記アイオノマーポリマーおよび酸コポリマーはＣ3〜Ｃ8のカルボン酸繰り返し単位を有し、かつ各アイオノマーおよび酸コポリマーは、
重量％、Ｗ；
各アイオノマーまたは酸コポリマーの重量に対するＣ3〜Ｃ8カルボン酸繰り返し単位の重量分率、Ｚ；および
０〜１．０の任意の値の中和率、Ｎを有する）
を含む成形用樹脂であって、
前記中和率Ｎは、前記アイオノマーおよび酸コポリマー中の全カルボン酸繰り返し単位に対する、アルカリ金属塩に中和された前記カルボン酸繰り返し単位のモル分率であり；
前記各アイオノマーおよび酸コポリマーの重量％Ｗは、成分（ａ−１）、（ａ−２）および（ａ−３）の重量に対するものであり、かつ
前記成形用樹脂は、４〜約１４のアルカリカルボキシレート係数ＡＣＦを有し、前記ＡＣＦは、式
ＡＣＦ＝Σa-i［（Ｗ・Ｚ・Ｎ）a-i（Ｗ・Ｎ）a-i・１００／Σa-i（Ｗ）a-i］
で定義される
成形用樹脂、並びに
ｂ）熱可塑性組成物の全重量に対して０〜５０重量％の１種以上の充填剤
を含む、熱可塑性組成物。
【請求項２】
１２１℃、２ａｔｍで３０時間のプレッシャークッカー試験後の前記組成物の引張強度残率が、未処理の成形品に対して、ＩＳＯ法５２７−１／２による測定で約７０％超である、請求項１に記載の熱可塑性組成物。
【請求項３】
前記熱可塑性組成物は、示差走査熱量測定法により１０℃／分のスキャン速度で融液急冷サンプルを測定したとき、５Ｊ／ｇ未満の再結晶化ピークを示す、請求項１に記載の熱可塑性組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の熱可塑性組成物を含む成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
【表１】
2012519754.tif 000001
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．ａ）
（ａ−１）ポリ（トリメチレンテレフタレート）ホモポリマーまたはコポリマー；
（ａ−２）任意選択により、０．１〜２０重量％の、潤滑剤、流動性調節剤、可塑剤、熱安定剤、酸化防止剤、染料、顔料およびＵＶ安定剤からなる群より選択される１種以上の有機添加剤；
（ａ−３）０．１〜４重量％の、１種以上のアイオノマーポリマー、または１種以上のアイオノマーポリマーと酸コポリマーとの組み合わせ（前記アイオノマーポリマーおよび酸コポリマーはＣ3〜Ｃ8のカルボン酸繰り返し単位を有し、かつ各アイオノマーおよび酸コポリマーは、
重量％、Ｗ；
各アイオノマーまたは酸コポリマーの重量に対するＣ3〜Ｃ8カルボン酸繰り返し単位の重量分率、Ｚ；および
０〜１．０の任意の値の中和率、Ｎを有する）
を含む成形用樹脂であって、
前記中和率Ｎは、前記アイオノマーおよび酸コポリマー中の全カルボン酸繰り返し単位に対する、アルカリ金属塩に中和された前記カルボン酸繰り返し単位のモル分率であり；
前記各アイオノマーおよび酸コポリマーの重量％Ｗは、成分（ａ−１）、（ａ−２）および（ａ−３）の重量に対するものであり、かつ
前記成形用樹脂は、４〜約１４のアルカリカルボキシレート係数ＡＣＦを有し、前記ＡＣＦは、式
ＡＣＦ＝Σa-i［（Ｗ・Ｚ・Ｎ）a-i（Ｗ・Ｎ）a-i・１００／Σa-i（Ｗ）a-i］
で定義される
成形用樹脂、並びに
ｂ）熱可塑性組成物の全重量に対して０〜５０重量％の１種以上の充填剤
を含む、熱可塑性組成物。
２．１２１℃、２ａｔｍで３０時間のプレッシャークッカー試験後の前記組成物の引張強度残率が、未処理の成形品に対して、ＩＳＯ法５２７−１／２による測定で約７０％超である、前記１に記載の熱可塑性組成物。
３．前記熱可塑性組成物は、示差走査熱量測定法により１０℃／分のスキャン速度で融液急冷サンプルを測定したとき、５Ｊ／ｇ未満の再結晶化ピークを示す、前記１に記載の熱可塑性組成物。
４．前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ホモポリマーまたはコポリマーがポリ（トリメチレンテレフタレート）繰り返し単位および末端基を含み、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ホモポリマーまたはコポリマーにおける環状二量体含有率が、核磁気共鳴分析による測定で、前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）繰り返し単位および前記環状二量体の重量の１．１重量％以下であり；かつ前記ポリ（トリメチレンテレフタレート）ホモポリマーまたはコポリマーが、０．９〜約２．０ｄＬ／ｇの固有粘度を有する、前記１に記載の熱可塑性組成物。
５．前記１種以上のアイオノマーポリマーは、エチレン／メタクリル酸コポリマーの重量に対して約５〜２５重量％のメタクリル酸繰り返し単位を有する前記エチレン／メタクリル酸コポリマーを含む、前記１に記載の熱可塑性組成物。
６．前記エチレン／メタクリル酸コポリマーは、０．４０〜約０．７０の中和率を有する、前記５に記載の熱可塑性組成物。
７．前記１種以上の充填剤は、前記熱可塑性組成物の全重量に対して約０．１〜５０重量％の範囲で含まれ、かつクレー、セピオライト、タルク、ウォラストナイト、マイカおよび炭酸カルシウムなどの鉱物；繊維、粉砕ガラス、中実または中空ガラス球などの各種形態のガラス；カーボンブラックまたは繊維としての炭素；二酸化チタン；短繊維、フィブリルまたはフィブリッドの形態のアラミド；酸化アンチモン、アンチモン酸ナトリウムなどの難燃剤、並びにこれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される、前記１に記載の熱可塑性組成物。
８．前記１に記載の熱可塑性組成物を含む成形品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共有結合性有機骨格（ＣＯＦ）として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む構造化有機薄膜（ＳＯＦ）であって、前記ＳＯＦは、実質的に欠陥のない薄膜であることを特徴とするＳＯＦ。
【請求項２】
複数の前記セグメントは同一の構造を持つセグメントを含み、複数の前記連結基は同一の構造を持つ連結基を含み、前記ＳＯＦの縁にない前記セグメントは、連結基によって少なくとも３つの他のセグメントに結合していることを特徴とする、請求項１に記載のＳＯＦ。
【請求項３】
複数の前記セグメントは、構造の異なる、少なくとも第１セグメントと第２セグメントとを含み、前記第１セグメントは、前記ＳＯＦの縁にない場合、連結基によって少なくとも３つの他のセグメントに結合していることを特徴とする、請求項１に記載のＳＯＦ。
【請求項４】
複数の前記連結基は、構造の異なる、少なくとも第１連結基と第２連結基とを含み、
複数の前記セグメントは、
構造の異なる、少なくとも第１セグメントと第２セグメントとを含み、前記第１セグメントは、前記ＳＯＦの縁にない場合、少なくとも３つの他のセグメントに結合しており、前記結合の少なくとも１つは第１の連結基を経由し、前記結合の少なくとも１つは第２の連結基を経由している、
あるいは、
同一の構造を持つセグメントを含み、前記ＳＯＦの縁にない前記セグメントは、連結基によって少なくとも３つの他のセグメントに結合しており、前記結合の少なくとも１つは第１の連結基を経由し、前記結合の少なくとも１つは第２の連結基を経由している、
のいずれかである、
ことを特徴とする、請求項１に記載のＳＯＦ。
【請求項５】
構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、
前記製造法は、
（ａ）それぞれが１つのセグメントといくつかの官能基とを含む、複数の分子構成要素を含んでいる、液体を含む反応混合物を調製する工程と、
（ｂ）前記反応混合物をウェットフィルムとして堆積する工程と、
（ｃ）前記ウェットフィルムの変化を促進し、乾燥ＳＯＦを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、ＳＯＦの製造法。
【請求項６】
構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、
前記製造法は、
（ａ）それぞれが１つのセグメントといくつかの官能基とを含む、複数の分子構成要素を含んでいる、液体を含む反応混合物を調製する工程と、
（ｂ）前記反応混合物をウェットフィルムとして基材上に堆積する工程と、
（ｃ）前記ウェットフィルムの変化を促進し、乾燥ＳＯＦを生成する工程と、
（ｄ）前記乾燥ＳＯＦを前記基材から外し、単一の自立型ＳＯＦを得る工程と、
を含むことを特徴とする、ＳＯＦの製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共有結合性有機骨格（ＣＯＦ）として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、構造化有機薄膜（ＳＯＦ）であって、前記ＳＯＦは、追加された機能性を備えていることを特徴とする構造化有機薄膜。
【請求項２】
前記追加機能性は、疎水性追加機能性、超疎水性追加機能性、親水性追加機能性、疎油性追加機能性、超疎油性追加機能性、親油性追加機能性、フォトクロミック追加機能性、および電気活性追加機能性から成る群より選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の構造化有機薄膜。
【請求項３】
追加機能性を持つ構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、
前記製造法は、
（ａ）それぞれが１つのセグメントといくつかの官能基とを含む、複数の分子構成要素を含んでいる、液体を含む反応混合物を調製する工程と、
（ｂ）前記反応混合物をウェットフィルムとして堆積する工程と、
（ｃ）前記ウェットフィルムの変化を促進し、追加機能性を持つ乾燥ＳＯＦを生成する工程と、
を含み、
前記分子構成要素は、傾向を持つことを特徴とする、構造化有機薄膜の製造法。
【請求項４】
前記追加機能性は、疎水性追加機能性、超疎水性追加機能性、親水性追加機能性、疎油性追加機能性、超疎油性追加機能性、親油性追加機能性、フォトクロミック追加機能性、および電気活性追加機能性から成る群より選ばれることを特徴とする、請求項１８に記載の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共有結合性有機骨格（ＣＯＦ）として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む、複合材構造化有機薄膜（ＳＯＦ）であって、前記ＳＯＦは、実質的に欠陥のない薄膜であり、二次的成分を含んでいることを特徴とする複合材構造化有機薄膜。
【請求項２】
前記二次的成分は、導電性試剤、半導体試剤、電子輸送試剤、正孔輸送試剤、ｐ型材料、ｎ型材料、疎水性試剤、親水性試剤、衝撃改質剤、強化用繊維、滑剤、帯電防止剤、結合剤、湿潤剤、防曇剤、難燃剤、紫外線安定剤、酸化防止剤、殺生物剤、染料、顔料、着臭剤、防臭剤、および核形成剤から成る群より選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の複合材構造化有機薄膜。
【請求項３】
複合材構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、
前記製造法は、
（ａ）二次的成分と、
それぞれが１つのセグメントといくつかの官能基とを含む、複数の分子構成要素と、
を含んでいる、液体を含む反応混合物を調製する工程と、
（ｂ）前記反応混合物をウェットフィルムとして堆積する工程と、
（ｃ）前記ウェットフィルムの変化を促進し、前記二次的成分を組み込んだ乾燥ＳＯＦを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、複合材構造化有機薄膜の製造法。
【請求項４】
複合材構造化有機薄膜（ＳＯＦ）の製造法であって、
前記製造法は、
（ａ）それぞれが１つのセグメントといくつかの官能基とを含む、複数の分子構成要素を含んでいる、液体を含む反応混合物を調製する工程と、
（ｂ）前記反応混合物をウェットフィルムとして堆積する工程と、
（ｃ）前記ウェットフィルムの表面に二次的成分を分散させる工程と、
（ｄ）前記ウェットフィルムの変化を促進し、前記二次的成分を組み込んだ乾燥ＳＯＦを生成する工程と、
を含むことを特徴とする、複合材構造化有機薄膜の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１０．０重量％〜２０．０重量％のビスマスと、０．０５重量％〜０．３重量％のリンと、２．２重量％〜１０．０重量％のスズと、最大５．０重量％のアンチモンと、最大０．０２重量％のホウ素と、銅並びに付随的な元素及び不純物である残部とを組み合わせて含み、０．０５重量％以下の鉛を含む、合金。
【請求項２】
０．０５重量％未満の鉛を含む、請求項１に記載の合金。
【請求項３】
１２．０重量％のビスマスと、２．４重量％〜３．１重量％のスズと、１．０重量％のアンチモンと、０．１重量％のリンと、０．０１重量％のホウ素とを含む、請求項１に記載の合金。
【請求項４】
１２．０重量％のビスマスと、５．５重量％〜６．２重量％のスズと、０．１重量％のリンと、最大０．０５重量％の鉛と、最大０．０１重量％のホウ素とを含む、請求項１に記載の合金。
【請求項５】
元素ランタン、元素セリウム、及びミッシュメタル、並びにこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される形態の、少なくとも１つの希土類元素を最大０．０２重量％で含む、請求項１に記載の合金。
【請求項６】
前記合金が、０．１５未満のＣｕ３Ｓｎの体積相分画、０．１５未満のＣｕＳｂの体積相分画、及び０．０１未満のＣｕ３Ｐの体積相分画を有する、請求項１に記載の合金。
【請求項７】
最大引張強度（ＵＴＳ）が９０〜２１０ＭＰａ（１３〜３１ｋｓｉ）の範囲であり、降伏強度が８０〜１２０ＭＰａ（１２〜１７ｋｓｉ）の範囲であり、伸張率が１〜２０％の範囲である、請求項１に記載の合金。
【請求項８】
少なくとも０．０４の体積分率のビスマスベースの相を含む、請求項１に記載の合金。
【請求項９】
１０．０重量％〜２０．０重量％のビスマスと、０．０５重量％〜０．３重量％のリンと、２．２重量％〜１０．０重量％のスズと、最大５．０重量％のアンチモンと、及び最大０．０２重量％のホウ素と、元素ランタン、元素セリウム、及びミッシュメタル、及びこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される形態の、最大０．０２重量％の少なくとも１つの希土類元素と、実質的に銅並びに付随的な元素及び不純物である残部とを組み合わせて含み、０．０５重量％以下の鉛を含み、
少なくとも０．０４の体積分率のビスマスベースの相を含む、合金。
【請求項１０】
前記合金が、０．１５未満のＣｕ３Ｓｎの体積相分画、０．１５未満のＣｕＳｂの体積相分画、及び０．０１未満のＣｕ３Ｐの体積相分画を含む、請求項９に記載の合金。
【請求項１１】
最大引張強度（ＵＴＳ）が９０〜２１０ＭＰａ（１３〜３１ｋｓｉ）の範囲であり、降伏強度が８０〜１２０ＭＰａ（１２〜１７ｋｓｉ）の範囲であり、伸張率が１〜２０％の範囲である、請求項９に記載の合金。
【請求項１２】
１０．０重量％〜２０．０重量％のビスマスと、０．０５重量％〜０．３重量％のリンと、２．２重量％〜１０．０重量％のスズと、最大５．０重量％のアンチモンと、最大０．０２重量％のホウ素と、実質的に銅並びに付随的な元素及び不純物である残部とを組み合わせて含む合金のビレットを鋳造するステップであって、前記合金は０．０５重量％以下の鉛を含むステップと、
前記ビレットを室温で冷却するステップ
とを含む方法。
【請求項１３】
前記合金が、０．０５重量％未満の鉛を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記合金が、１２．０重量％のビスマスと、２．４重量％〜３．１重量％のスズと、１．０重量％のアンチモンと、０．１重量％のリンと、０．０１重量％のホウ素とを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記合金が、１２．０重量％のビスマスと、５．５重量％〜６．２重量％のスズと、０．１重量％のリンと、最大０．０５重量％の鉛と、最大０．０１重量％のホウ素とを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記合金が、元素ランタン、元素セリウム、及びミッシュメタル、並びにこれらの任意の組み合わせからなる群より選択される形態の、少なくとも１つの希土類元素を最大０．０２重量％で含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記合金が、０．１５未満のＣｕ３Ｓｎの体積相分画、０．１５未満のＣｕＳｂの体積相分画、及び０．０１未満のＣｕ３Ｐの体積相分画を有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記ビレットがニアネットシェイプに遠心鋳造される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
前記ビレットが１００℃／分の速度で室温まで冷却される、請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記ビレットが直接チル鋳造され、そして水で冷却される、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チューブの中を圧気輸送されている粒子にコーティングを堆積するための方法において、
（ｉ）入口及び出口を有するチューブを用意する段階、
（ｉｉ）該チューブの入口において又は入口の近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、
（ｉｉｉ）粒子の流れの中の粒子の表面への、自己停止する反応での堆積のために、チューブの入口から下流の注入点を介してチューブの中へと第一の反応物を注入する段階、及び
（ｉｖ）粒子の流れの中の粒子の表面への、自己停止する反応での堆積のために、第一の反応物の注入点の下流にある、さらなる注入点を介してチューブの中へと第二の反応物を注入する段階、
を含む前記方法。
【請求項２】
粒子がより小さな粒子の凝集体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第一の反応物が、チューブの入口から下流にある複数の注入点を介してチューブの中へと注入され、かつ１つの注入点から下流にある別の注入点がキャリアガスの速度を上げるように配置されている、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
複数の注入点がチューブの長さの少なくとも一部に沿って間隔をあけて配置されている、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
注入点の上流でチューブの中の粒子を前処理することをさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
第一の反応物が第二の反応物のための前駆体である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
さらなる注入点がキャリアガスの速度を上げるように配置されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
キャリアガスの速度が粒子の流れの中の粒子の速度より速くなるような速度でキャリアガスが供給される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
粒子の流れがプラグフローの形をとる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１のフラッシュポイントにおいてチューブから反応副生物を除去することをさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
該反応副生物が、チューブの長さに沿って間隔をあけて配置されている複数のフラッシュポイントにおいてチューブから除去される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
チューブが、チューブの入口から逐次的に番号を付与された複数の注入点を備えられており、第一の反応物は奇数の番号を付与された注入点の中へと注入され、かつ第二の反応物は偶数の番号を付与された注入点の中へと注入される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
自己停止する反応が複数の注入点の間で実質的に自己停止するように、該複数の注入点が間隔をあけて配置されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
−奇数の番号を付与された注入点から下流でありかつ偶数の番号を付与された注入点に対して上流のチューブ部分を第一の温度に保ち、かつ
−偶数の番号を付与された注入点から下流でありかつ奇数の番号を付与された注入点に対して上流のチューブ部分を第二の温度に保つことをさらに含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
（ｉ）入口及び出口を有するチューブ、
（ｉｉ）粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給する供給デバイス、
（ｉｉｉ）第一の反応物をチューブの中へと導入するための、入口から下流にある注入点、及び
（ｉｖ）第二の反応物をチューブの中へと導入するための、該注入点から下流にあるさらなる注入点、及び
を含む装置において、該装置が請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法を行うように配置されている前記装置。
【請求項１６】
装置が、チューブの長さの少なくとも一部に沿って間隔をあけて配置された複数の注入点を含む、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
チューブから反応副生物を除去するための少なくとも１のフラッシュポイントをさらに含む、請求項１５又は１６に記載の装置。
【請求項１８】
チューブが、加熱のための手段及び／又は冷却のための手段を備えられたチャンバーに収容されており、チューブの異なる部分が異なる温度に保たれることができる、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
チューブが、チューブの入口から逐次的に番号を付与された複数の注入点を備えられており、奇数の番号を付与された注入点は、第一の反応物の注入のために配置されており、偶数の番号を付与された注入点は、第二の反応物の注入のために配置されており、奇数の番号を付与された注入点から下流でありかつ偶数の番号を付与された注入点に対して上流のチューブの部分が、第一の温度に保たれるように配置されており、並びに偶数の番号を付与された注入点から下流でありかつ奇数の番号を付与された注入点に対して上流のチューブ部分が第二の温度に保たれるように配置されている、請求項１５又は１６に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、チューブの中を圧気輸送されている粒子の上に連続層を堆積する方法を提供することによりこれらの問題に取り組む。該方法は、
ｉ）入口及び出口を有するチューブを用意する段階、
（ｉｉ）該チューブの入口において又は入口の近くにおいて、粒子を運んでいるキャリアガスをチューブの中へと供給して、チューブを通る粒子の流れを作る段階、
（ｉｉｉ）粒子の流れの中の粒子の表面への、自己停止する反応での堆積のために、チューブの入口から下流の注入点を介してチューブの中へと第一の反応物を注入する段階、及び
（ｉｖ）粒子の流れの中の粒子の表面への、自己停止する反応での堆積のために、第一の反応物の注入点の下流のさらなる注入点を介してチューブの中へと第二の反応物を注入する段階、
を含む。これらの粒子との反応のためにチューブにおける粒子の流れの中へと反応物を注入することは、粒子上への層堆積の連続方法を可能にする。