(57)【要約】【課題】微細コンタクトホールを有する半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜を形成する。前記素子分離膜を有する半導体基板上に層間絶縁膜を形成する。前記層間絶縁膜上に第１モールディングパターンを形成する。前記第１モールディングパターン間に位置して前記第１モールディングパターンと離隔された第２モールディングパターンを形成する。前記第１及び第２モールディングパターンの側壁を囲むマスクパターンを形成する。前記マスクパターン内に開口部を形成するために前記第１及び第２モールディングパターンを除去する。前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。【選択図】図１０Ａ
2008118130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜を形成する段階と、
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に第１モールディングパターンを形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に第２モールディングパターンを形成する段階であって、前記第２モールディングパターンは前記第１モールディングパターン間に位置して前記第１モールディングパターンと離隔する段階と、
前記第１モールディングパターンの側壁及び前記第２モールディングパターンの側壁を囲むマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターン内に開口部を形成するために前記第１及び第２モールディングパターンを除去する段階と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１モールディングパターン及び前記第２モールディングパターンを形成する段階は、
前記層間絶縁膜上に第１モールディングラインを形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に第２モールディングラインを形成する段階であって、前記第２モールディングラインは前記第１モールディングライン間に位置して前記第１モールディングラインと離隔する段階と、
前記第１モールディングパターンを形成するために前記第１モールディングラインをパターニングする段階と、
前記第２モールディングパターンを形成するために前記第２モールディングラインをパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２モールディングラインは、互いに同一レベルに位置することを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１モールディングラインを形成する前に、
前記半導体基板上にバッファ膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１モールディングラインを形成した後に、
前記第１モールディングラインの両側に位置する前記バッファ膜を部分エッチングしてリセスされた領域を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２モールディングラインを形成する段階は、
前記リセスされた領域を有する前記バッファ膜と前記第１モールディングラインを覆うコンフォーマルなスペーサ膜を形成する段階と、
前記スペーサ膜上にモールディング膜を形成する段階と、
前記第２モールディングラインの上部面が前記第１モールディングラインの上部面と同一レベルに位置するように前記モールディング膜を平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階は、
前記スペーサ膜及び前記第２モールディングライン上に前記第１及び第２モールディングラインを横切るフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記スペーサ膜をエッチングする段階と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２モールディングラインをエッチングし、前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記第１及び第２モールディングパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２モールディングライン間に残存する前記スペーサ膜をエッチングし、前記第１及び第２モールディングパターンをエッチングマスクとして用いて前記リセスされた領域により露出した前記バッファ膜をエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記第２モールディングラインを形成する段階は、
前記第１モールディングライン上にスペーサ膜を形成する段階と、
前記スペーサ膜上にモールディング膜を形成する段階と、
前記モールディング膜が前記第１モールディングライン間に残存するように前記モールディング膜を平坦化する段階と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階は、
前記前記スペーサ膜及び第２モールディングライン上に前記第１モールディングライン及び前記第２モールディングラインを横切るフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１モールディングライン及び前記第２モールディングラインをエッチングして前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記第１及び第２モールディングパターンの側壁を露出させるように前記スペーサ膜をエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第１モールディングラインを形成した後に、前記第２モールディングラインを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１及び第２モールディングパターンは、互いに同一幅を有するように形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
平面図で見た場合に、前記第１及び第２モールディングパターンのそれぞれは、長軸及び短軸を有するように形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記活性領域は、前記半導体基板を横切る長さ方向に沿って延長され、前記第１モールディングパターンの長軸方向及び前記第２モールディングパターンの長軸方向は、前記長さ方向と同じ方向性を有することを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記活性領域は、前記素子分離膜により互いに離隔された複数個に限定され、前記活性領域のそれぞれは、前記素子分離膜によりライン状に限定されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１モールディングパターンのそれぞれは、前記活性領域のうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳するように形成し、
前記第２モールディングパターンのそれぞれは、前記活性領域のうち前記第１モールディングパターン間に位置する活性領域と重畳するように形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記素子分離膜を形成する段階は、
前記半導体基板上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターン間に第２ハードマスクパターンを形成する段階であって、前記第２ハードマスクパターンは前記第１ハードマスクパターンと離隔する段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターン間に位置する前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチを埋め込む絶縁物質を形成する段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記素子分離膜を形成する段階は、
前記半導体基板上にバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターン周辺の前記バッファ膜を部分エッチングしてリセスされた領域を形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターンを覆うと共に前記リセスされた領域を覆うコンフォーマルな犠牲膜を形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターン間にそれぞれ前記犠牲膜で囲まれた第２ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターン上の前記犠牲膜をエッチングし、前記第１ハードマスクパターンと前記第２ハードマスクパターンとの間の前記犠牲膜をエッチングして前記第２ハードマスクパターン下部に残存する犠牲パターンを形成する段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチを絶縁物質で埋め込む段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、
前記犠牲パターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
前記素子分離膜を形成する段階は、
前記半導体基板上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターンの側壁を覆う犠牲膜を形成する段階と、
前記第１ハードマスクパターン間に位置して両側壁が前記犠牲膜と接する第２ハードマスクパターンを形成する段階と、
前記犠牲膜を除去する段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１ハードマスクパターンと前記第２ハードマスクパターンとの間に位置する前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、
前記トレンチを絶縁物質で埋め込む段階と、
前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
前記層間絶縁膜を形成する前に、
前記活性領域上にゲート構造体を形成する段階と、
前記ゲート構造体の両側の前記活性領域に不純物領域を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記ゲート構造体のうち少なくとも一つは、順に積層された第１誘電膜、記憶保存層、第２誘電膜及びゲート電極を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
前記ゲート構造体のうち少なくとも一つは、順に積層されたゲート誘電膜、フローティングゲート、ゲート間の誘電膜及び制御ゲートを含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２２】
前記マスクパターンは、有機物質膜で形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２３】
前記マスクパターンを除去する段階と、
前記コンタクトホールを埋め込むコンタクトプラグを形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体素子の製造方法に関し、より詳しくは、モールディングパターンを用いて形成したマスクパターンを利用して微細コンタクトホールを形成する半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子はトランジスタ、抵抗体、及びキャパシタのような個別素子を備える。前記個別素子は絶縁膜を貫通するコンタクトホール内に形成されるコンタクトプラグまたは配線を介して電気的に接続される。例えば、フラッシュメモリ素子は半導体基板内部に互いに離隔した活性領域の上部を横切るワードライン及び前記ワードラインに隣接して前記活性領域の上部を横切る選択ラインを備えることができる。また、前記ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ素子は層間絶縁膜により前記ワードライン及び前記選択ラインと絶縁されてこれらの上部を横切るビットラインを備えることができる。前記ビットラインのそれぞれは前記選択ラインに隣接した活性領域のそれぞれと前記コンタクトホールを介して電気的に接続することができる。前記コンタクトホールは通常的にパターニング工程を用いて形成することができる。前記パターニング工程は写真工程を用いて前記層間絶縁膜上にホール状の開口部を有するマスクパターンを形成し、前記開口部を介して露出した層間絶縁膜をエッチングすることを含む工程である。前記半導体素子の集積度が増加するにつれて、前記コンタクトホールの大きさは減少することになり前記開口部の大きさも縮小されなければならない。
【０００３】
一方、微細パターンの形成方法については特許文献１に「半導体素子の微細パターン形成方法」という名称で開示されている。特許文献１に開示された微細パターンの形成方法は、写真工程の露光時にフォトバイアス（ｐｈｏｔｏ  ｂｉａｓ）の差を利用して微細なフォトレジストパターンを形成した後に、基板フィルムにエッチングする。
【０００４】
しかしながら、前記開口部の大きさが減少されるほど前記写真工程の制御は難しくなる。例えば、前記半導体基板上のトポロジー（ｔｏｐｏｌｏｇｙ）が複雑になるにつれて、前記選択ライン及び前記ワードラインなどのようなパターンにより前記写真工程で乱反射が発生する。これにより、前記開口部のそれぞれを均一な大きさにするには制限があった。その結果、前記コンタクトホールを埋め込むコンタクトプラグのそれぞれは均一な抵抗値が確保できず、半導体素子の信頼性を低下させることになる。
【特許文献１】大韓民国公開特許第１０−２０００−００４５４２５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明が解決しようとする技術的課題は、モールディングパターンを用いてマスクパターンを形成することによって、微細で均一な大きさのコンタクトホールを有する半導体素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記技術的課題を解決するための本発明の一様態によれば、半導体素子の製造方法が提供される。この方法は、半導体基板に活性領域を画定する素子分離膜を形成することを含む。前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する。前記層間絶縁膜上に第１モールディングパターンを形成する。前記層間絶縁膜上に第２モールディングパターンを形成し、前記第２モールディングパターンは前記第１モールディングパターン間に位置して前記第１モールディングパターンと離隔される。前記第１モールディングパターンの側壁及び前記第２モールディングパターンの側壁を囲むマスクパターンを形成する。前記マスクパターン内に開口部を形成するために前記第１及び第２モールディングパターンを除去する。前記マスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。
【０００７】
本発明のいくつかの実施形態において、前記第１モールディングパターン及び前記第２モールディングパターンを形成する段階は、前記層間絶縁膜上に第１モールディングラインを形成する段階と、前記層間絶縁膜上に第２モールディングラインを形成する段階であって、前記第２モールディングラインは前記第１モールディングライン間に位置して前記第１モールディングラインと離隔する段階と、前記第１モールディングパターンを形成するために前記第１モールディングラインをパターニングする段階と、前記第２モールディングパターンを形成するために前記第２モールディングラインをパターニングする段階と、を含むことができる。
【０００８】
前記第１及び第２モールディングラインは、互いに同一レベルに位置することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【０００９】
前記第１モールディングラインを形成する前に、前記半導体基板上にバッファ膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１０】
前記第１モールディングラインを形成した後、前記第１モールディングラインの両側に位置する前記バッファ膜を部分エッチングしてリセスされた領域を形成する段階をさらに含むことができる。
【００１１】
前記第２モールディングラインを形成する段階は、前記リセスされた領域を有する前記バッファ膜と前記第１モールディングラインを覆うコンフォーマルな（ｃｏｎｆｏｒｍａｌ）スペーサ膜を形成する段階と、前記スペーサ膜上にモールディング膜を形成する段階と、前記第２モールディングラインの上部面が前記第１モールディングラインの上部面と同一レベルに位置するように前記モールディング膜を平坦化する段階と、を含むことができる。
【００１２】
前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階は、前記スペーサ膜及び前記第２モールディングライン上に前記第１及び第２モールディングラインを横切るフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記スペーサ膜をエッチングする段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２モールディングラインをエッチングする段階と、前記フォトレジストパターンを除去する段階と、前記第１及び第２モールディングパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２モールディングライン間に残存する前記スペーサ膜をエッチングする段階と、前記第１及び第２モールディングパターンをエッチングマスクとして用いて前記リセスされた領域により露出した前記バッファ膜をエッチングする段階と、を含むことができる。
【００１３】
一方、前記第２モールディングラインを形成する段階は、前記第１モールディングライン上にスペーサ膜を形成する段階と、前記スペーサ膜上にモールディング膜を形成する段階と、前記モールディング膜が前記第１モールディングライン間に残存するように前記モールディング膜を平坦化する段階と、を含むことができる。
【００１４】
前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階は、前記前記スペーサ膜及び第２モールディングライン上に前記第１モールディングライン及び前記第２モールディングラインを横切るフォトレジストパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１モールディングライン及び前記第２モールディングラインをエッチングして前記第１及び第２モールディングパターンを形成する段階と、前記フォトレジストパターンを除去する段階と、前記第１及び第２モールディングパターンの側壁を露出するように前記スペーサ膜をエッチングする段階と、を含むことができる。
【００１５】
前記第１モールディングラインを形成した後、前記第２モールディングラインを形成する段階を含むことができる。
【００１６】
さらに他の実施形態において、前記第１及び第２モールディングパターンは、互いに同一幅を有するように形成することができる。
【００１７】
さらに他の実施形態において、平面図で見た場合、前記第１及び第２モールディングパターンのそれぞれは、長軸及び短軸を有するように形成することができる。
【００１８】
前記活性領域は、前記半導体基板を横切る長さ方向に沿って延長され、前記第１モールディングパターンの長軸方向及び前記第２モールディングパターンの長軸方向は、前記長さ方向と同じ方向性を有することができる。
【００１９】
さらに他の実施形態において、前記活性領域は、前記素子分離膜により互いに離隔された複数個に限定され、前記活性領域のそれぞれは、前記素子分離膜によりライン状に限定することができる。
【００２０】
さらに他の実施形態において、前記第１モールディングパターンのそれぞれは、前記活性領域のうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳するように形成し、前記第２モールディングパターンのそれぞれは、前記活性領域のうち前記第１モールディングパターン間に位置する活性領域と重畳するように形成することができる。
【００２１】
さらに他の実施形態において、前記素子分離膜を形成する段階は、前記半導体基板上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、前記第１ハードマスクパターン間に第２ハードマスクパターンを形成する段階であって、前記第２ハードマスクパターンは前記第１ハードマスクパターンと離隔する段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターン間に位置する前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチを埋め込む絶縁物質を形成する段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、を含むことができる。
【００２２】
さらに他の実施形態において、前記素子分離膜を形成する段階は、前記半導体基板上にバッファ膜を形成する段階と、前記バッファ膜上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、前記第１ハードマスクパターン周辺の前記バッファ膜を部分エッチングしてリセスされた領域を形成する段階と、前記第１ハードマスクパターンを覆うとともに、前記リセスされた領域を覆うコンフォーマルな犠牲膜を形成する段階と、前記第１ハードマスクパターン間にそれぞれ前記犠牲膜で囲まれた第２ハードマスクパターンを形成する段階と、前記第１ハードマスクパターン上の前記犠牲膜をエッチングし、前記第１ハードマスクパターンと前記第２ハードマスクパターンとの間の前記犠牲膜をエッチングして前記第２ハードマスクパターン下部に残存する犠牲パターンを形成する段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチを絶縁物質で埋め込む段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、前記犠牲パターンを除去する段階と、を含むことができる。
【００２３】
さらに他の実施形態において、前記素子分離膜を形成する段階は、前記半導体基板上に第１ハードマスクパターンを形成する段階と、前記第１ハードマスクパターンの側壁を覆う犠牲膜を形成する段階と、前記第１ハードマスクパターン間に位置して両側壁が前記犠牲膜と接する第２ハードマスクパターンを形成する段階と、前記犠牲膜を除去する段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターンをエッチングマスクとして用いて前記第１ハードマスクパターン及び前記第２ハードマスクパターン間に位置する前記半導体基板をエッチングしてトレンチを形成する段階と、前記トレンチを絶縁物質で埋め込む段階と、前記第１及び第２ハードマスクパターンを除去する段階と、を含むことができる。
【００２４】
さらに他の実施形態において、前記層間絶縁膜を形成する前に、前記活性領域上にゲート構造体を形成する段階と、前記ゲート構造体の両側の前記活性領域に不純物領域を形成する段階と、をさらに含むことができる。
【００２５】
前記ゲート構造体のうち少なくとも一つは順に積層された第１誘電膜、記憶保存層（ｄａｔａ  ｓｔｏｒａｇｅ  ｌａｙｅｒ）、第２誘電膜及びゲート電極を含むことができる。その一方で、前記ゲート構造体のうち少なくとも一つは順に積層されたゲート誘電膜、フローティングゲート、ゲート間の誘電膜及び制御ゲートを含むことができる。
【００２６】
さらに他の実施形態において、前記マスクパターンは、有機物質膜で形成することができる。
【００２７】
さらに他の実施形態において、前記マスクパターンを除去する段階と、前記コンタクトホールを埋め込むコンタクトプラグを形成する段階と、をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、ライン状を有する第１及び第２モールディングラインをパターニングして第１及び第２モールディングパターンを形成する。前記第１及び第２モールディングパターンの形状によって形成される前記マスクパターンの開口部のそれぞれは、均一な大きさを有することができる。したがって、後続的に形成されるコンタクトホールのそれぞれは、均一な大きさを有するように形成され、前記コンタクトホールを埋めるコンタクトプラグは、均一な抵抗値を有して半導体素子の信頼性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳しく説明する。しかしながら、本発明は、ここで説明する実施形態に限られず、他の形態において具体化されることもある。むしろ、ここで紹介される実施形態は開示された発明が完成されていることを示すと共に、当業者に本発明の思想を十分に伝えるために提供するものである。図面において、層及び領域の厚みは明確性を与えるために誇張して図示されたものである。明細書全体にわたって同じ参照番号は、同様の構成要素を示す。また、素子（ｅｌｅｍｅｎｔ）または層が、他の素子または層の「上（ｏｎ）」または「上」にあると言われた場合、それは他の素子または層の直ぐ上だけでなく、中間に他の層または他の素子が介在した場合もすべて含む。
【００３０】
図１は、本発明の実施形態による半導体素子の製造方法により製造された半導体素子の平面図であり、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ及び図１４Ａは、本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図で、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４Ｂは、本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図で、図１５Ａ、図１６Ａ、図１７Ａ、図１８Ａ、図１９Ａ及び図２０Ａは、本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図で、図１５Ｂ、図１６Ｂ、図１７Ｂ、図１８Ｂ、図１９Ｂ及び図２０Ｂは、本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【００３１】
まず、図１、図２Ａ、図３Ａ、図４Ａ、図５Ａ、図６Ａ、図７Ａ、図８Ａ、図９Ａ、図１０Ａ、図１１Ａ、図１２Ａ、図１３Ａ及び図１４Ａ、そして、図２Ｂ、図３Ｂ、図４Ｂ、図５Ｂ、図６Ｂ、図７Ｂ、図８Ｂ、図９Ｂ、図１０Ｂ、図１１Ｂ、図１２Ｂ、図１３Ｂ及び図１４Ｂを参照して本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明する。
【００３２】
図１、図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、半導体基板１００を準備する。前記半導体基板１００はシリコン基板とすることができる。または前記半導体基板１００はシリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）のような物質を含むことができる。前記半導体基板１００上にパッド膜１０３を形成することができる。前記パッド膜１０３は熱酸化膜及びシリコン窒化膜のうち少なくとも一つを含むように形成することができる。前記パッド膜１０３上に下部ハードマスク膜１０６を形成することができる。前記下部ハードマスク膜１０６はシリコン酸化膜を含むように形成することができる。
【００３３】
一方、前記下部ハードマスク膜１０６を形成することは省略することができる。
【００３４】
図１、図３Ａ及び図３Ｂを参照すると、前記下部ハードマスク膜１０６上に互いに離隔された第１上部ハードマスクパターン１０９を形成することができる。前記第１上部ハードマスクパターン１０９は前記下部ハードマスク膜１０６と異なる物質を含むように形成することができる。例えば、前記下部ハードマスク膜１０６をシリコン酸化膜で形成する場合に、前記第１上部ハードマスクパターン１０９はポリシリコン膜またはシリコン窒化膜で形成することができる。前記第１上部ハードマスクパターン１０９のそれぞれはライン状で形成することができる。前記第１上部ハードマスクパターン１０９周辺の前記下部ハードマスクパターン１０６を部分エッチングしてリセスされた領域１０７を形成することができる。
【００３５】
前記第１上部ハードマスクパターン１０９を覆うと共に、前記下部ハードマスクパターン１０６の前記リセスされた領域１０７を覆うコンフォーマルな犠牲膜１１２を形成することができる。その結果、前記第１上部ハードマスクパターン１０９間に位置する前記犠牲膜１１２はグルーブ（ｇｒｏｏｖｅｓ）１１２ａを備えるように形成することができる。前記犠牲膜１１２の厚さを調節して前記グルーブ１１２ａは前記第１上部ハードマスクパターン１０９と同一幅を有するように形成することができる。また、前記グルーブ１１２ａの底領域は前記第１上部ハードマスクパターン１０９の底面と実質的に同一レベルに位置することができる。
【００３６】
前記犠牲膜１１２は前記第１上部ハードマスクパターン１０９に対してエッチング選択比を有する物質で形成することができる。例えば、前記第１上部ハードマスクパターン１０９をポリシリコン膜で形成する場合に、前記犠牲膜１１２はシリコン酸化膜で形成することができる。
【００３７】
一方、前記犠牲膜１１２及び前記下部ハードマスク膜１０６は同一物質で形成することができる。例えば、前記犠牲膜１１２及び前記下部ハードマスク膜１０６はシリコン酸化膜で形成することができる。
【００３８】
一方、前記下部ハードマスク膜（図２Ａ、図２Ｂの１０６）の形成を省略する場合に、前記犠牲膜１１２は前記第１上部ハードマスクパターン１０９の側壁を覆うように形成することができる。
【００３９】
図１、図４Ａ及び図４Ｂを参照すると、前記犠牲膜１１２の前記グルーブ１１２ａに均一な厚さ及びライン状を有する第２上部ハードマスクパターン１１５を形成することができる。前記第２上部ハードマスクパターン１１５のそれぞれは前記第１上部ハードマスクパターン１０９間に位置して前記犠牲膜１１２で囲まれる。すなわち、前記第２上部ハードマスクパターン１１５は側壁と底面が前記犠牲膜１１２により囲まれることができる。前記第２上部ハードマスクパターン１１５は前記第１上部ハードマスクパターン１０９と同一物質で形成することができる。
【００４０】
前記第２上部ハードマスクパターン１１５は前記第１上部ハードマスクパターン１０９と同一レベルに位置するように形成される。より詳しくは、前記第２上部ハードマスクパターン１０９を形成することは、前記犠牲膜１１２を有する半導体基板上に上部ハードマスク物質膜を形成し、前記第１上部ハードマスクパターン１１５と上部面が実質的に同一レベルに位置するまで前記上部ハードマスク物質膜を平坦化することを含む。このとき、前記上部ハードマスク物質膜を平坦化することはエッチバック技術または化学機械的研磨（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）技術を用いることができる。エッチバック技術を用いて前記上部ハードマスク物質膜を平坦化することは、前記第２上部ハードマスクパターン１１５が前記第１上部ハードマスクパターン１０９と同一レベルに位置する上部面を有するように前記上部ハードマスク物質膜をエッチングすることを含む。これとは異なって、化学機械的研磨技術を用いて前記第１上部ハードマスクパターン１０９の上部面が露出するまで前記上部ハードマスク物質膜を平坦化することができる。
【００４１】
図１、図５Ａ及び図５Ｂを参照すると、続いて、露出した前記犠牲膜（図４Ａ、図４Ｂの１１２）をエッチングすると共に前記下部ハードマスク膜（図４Ａ、図４Ｂの１０６）及び前記パッド膜（図４Ａ、４ｂの１０３）をエッチングすることができる。その結果、前記第１上部ハードマスクパターン１０９下部に残存して順に積層された第１パッドパターン１０３ａ及び第１下部ハードマスクパターン１０６ａが形成されると共に、前記第２上部ハードマスクパターン１１５下部に残存して順に積層された第２パッドパターン１０３ｂ、第２下部ハードマスクパターン１０６ｂ及び犠牲パターン１１２ｂが形成される。
【００４２】
図１、図６Ａ及び図６Ｂを参照すると、順に積層された前記第１パッドパターン１０３ａ、前記第１下部ハードマスクパターン１０６ａ及び前記第１上部ハードマスクパターン１０９と一緒になって順に積層された前記第２パッドパターン１０３ｂ、前記第２下部ハードマスクパターン１０６ｂ及び前記第２上部ハードマスクパターン１１５をエッチングマスクとして用いて前記半導体基板１００をエッチングしてトレンチ１１７を形成することができる。したがって、前記トレンチ１１７により前記半導体基板１００に活性領域１１８ａが画定される。前記第１上部ハードマスクパターン１０９及び前記第２上部ハードマスクパターン１１５がライン状に形成されるため、前記活性領域１１８ａのそれぞれはライン状に限定される。
【００４３】
一方、前記第１下部ハードマスクパターン１０６ａ及び前記第１上部ハードマスクパターン１０９を除去すると共に、前記第２下部ハードマスクパターン１０６ｂ及び前記第２上部ハードマスクパターン１１５を除去した後、前記第１及び第２パッドパターン１０３ａをエッチングマスクとして用いて前記半導体基板１００をエッチングして前記トレンチ１１７を形成することもできる。
【００４４】
図１、図７Ａ及び図７Ｂを参照すると、前記トレンチ１１７を埋め込む素子分離膜１２１を形成することができる。前記素子分離膜１２１は高密度プラズマ酸化膜（ｈｉｇｈ  ｄｅｎｓｉｔｙ  ｐｌａｓｍａ  ｏｘｉｄｅ）のような絶縁膜で形成することができる。
【００４５】
前記素子分離膜１２１を形成することは、前記トレンチ１１７を埋め込む絶縁膜を形成し、順に積層された前記第１パッドパターン１０３ａ、前記第１下部ハードマスクパターン１０６ａ及び前記第１上部ハードマスクパターン１０９と共に、順に積層された前記第２パッドパターン１０３ｂ、前記第２下部ハードマスクパターン１０６ｂ及び前記第２上部ハードマスクパターン１１５を除去することを含む。
【００４６】
一方、前記第１及び第２パッドパターン１０３ａをエッチングマスクとして用いて前記半導体基板１００をエッチングして前記トレンチ１１７を形成する場合に、前記トレンチ１１７を埋め込む絶縁膜を形成し、前記第１及び第２パッドパターン１０３ａ、１０３ｂを除去することを含む。
【００４７】
図１、図８Ａ及び図８Ｂを参照すると、前記各活性領域１１８ａ上にトランジスタを形成することができる。前記トランジスタは前記各活性領域１１８ａ上に形成されたゲート構造体１３４及び前記ゲート構造体１３４の両側の前記各活性領域１１８ａに形成された不純物領域１３６を含むことができる。前記不純物領域１３６はソース／ドレイン領域とすることができる。前記トランジスタのうち少なくとも一つはセルトランジスタＣＴを形成することができ、前記トランジスタのうち少なくとも一つは選択トランジスタＳＴを形成することができる。前記選択トランジスタＳＴのゲート電極は前記活性領域１１８ａの上部を横切るように延長してワードラインＷＬの役割ができ、前記選択トランジスタＳＴのゲート電極も前記活性領域１１８ａの上部を横切るように延長してストリング選択ラインＳＳＬまたは接地選択ラインＧＳＬの役割ができる。
【００４８】
一方、前記セルトランジスタＣＴは、フラッシュメモリ素子のセルトランジスタとすることができる。このとき、前記セルトランジスタＣＴの前記ゲート構造体１３４は順に積層された第１誘電膜１２４、記憶保存層１２７、第２誘電膜１３０及びゲート電極１３３を含むことができる。前記第１誘電膜１２４はトンネル誘電膜とすることができる。前記第２誘電膜１３０はブロッキング誘電膜とすることができる。ここで、前記トンネル誘電膜はシリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、窒素ドーピングされたシリコン酸化膜（ｎｉｔｒｏｇｅｎ  ｄｏｐｅｄ  Ｓｉ  ｏｘｉｄｅ）及び高誘電膜（ｈｉｇｈ−ｋ  ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）グループから構成された一群から選択された少なくとも一つの物質膜とすることができる。ここで、前記高誘電膜グループはアルミニウム（Ａｌ）酸化膜、ジルコニウム（Ｚｒ）酸化膜、ハフニウム（Ｈｆ）酸化膜及びランタン（Ｌａ）酸化膜のうち少なくとも一つを含むことができる。前記記憶保存層１２７はシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）、シリコン窒化膜及び前記高誘電膜グル−プから構成された一群から選択された少なくとも一つの物質膜とすることができる。前記第２誘電膜１３０はＭＴＯ酸化膜（ｍｅｄｉｕｍ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  ｏｘｉｄｅ；ＭＴＯ）のようなシリコン酸化膜及び前記高誘電膜グループから構成された一群から選択された少なくとも一つの物質膜とすることができる。
【００４９】
一方、前記記憶保存層１２７はナノクリスタルを含むことができる。例えば、前記ナノクリスタルはタングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）及びニッケル（Ｎｉ）からなる一群から選択された一つか、または、これらの窒化物のうち一つとすることができる。また、前記ナノクリスタルはジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イットリウム（Ｙ）、アルミニウム（Ａｌ）から選択された少なくとも一つの酸化物ナノクリスタルとすることができる。さらに前記ナノクリスタルはシリコンナノクリスタル、ゲルマニウム（Ｇｅ）ナノクリスタル、窒化シリコンナノクリスタル、ボロンナノクリスタルまたは窒化ボロンナノクリスタルとすることができる。
【００５０】
一方、前記ゲート構造体１３４は順に積層されたゲート誘電膜、フローティングゲート、ゲート間の誘電膜及び制御ゲートを含むものとする。
【００５１】
続いて、前記トランジスタＳＴ、ＣＴを有する半導体基板１００上に層間絶縁膜１３９を形成することができる。前記層間絶縁膜１３９はシリコン酸化膜で形成することができる。前記層間絶縁膜１３９上にエッチング阻止膜１４２を形成することができる。前記エッチング阻止膜１４２はシリコン窒化膜で形成することができる。前記エッチング阻止膜１４２上にバッファ膜１４５を形成することができる。前記バッファ膜１４５は前記エッチング阻止膜１４２に対してエッチング選択比（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｓｅｌｅｃｔｉｖｉｔｙ）を有する物質膜で形成することができる。例えば、前記エッチング阻止膜１４２がシリコン窒化膜で形成した場合、前記バッファ膜１４５はシリコン酸化膜で形成することができる。
【００５２】
図１、図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、前記バッファ膜１４５上に第１モールディング膜を覆うことができる。前記第１モールディング膜は前記バッファ膜１４５に対してエッチング選択比を有する物質膜、例えば、ポリシリコン膜で形成することができる。続いて、前記第１モールディング膜をパターニングしてライン状を有する第１モールディングライン１４８を形成する。前記第１モールディング膜のパターニングは写真工程及びエッチング工程を利用することができる。
【００５３】
本実施形態において、前記第１モールディングライン１４８はそれぞれ前記活性領域１１８ａのうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳するように形成することができる。この場合、前記第１モールディングライン１４８の第１ピッチサイズＰ１は前記写真工程の最小解像度よりも大きくすることができる。また、前記第１モールディングライン１４８は上述のようにライン状を有するように形成することができる。よって、前記第１モールディングライン１４８を実質的に均一な幅を有するように形成することができる。
【００５４】
前記第１モールディングライン１４８間のバッファ膜１４５を部分エッチングしてリセスされた領域１４７を形成することができる。前記第１モールディングライン１４８を有する半導体基板上にコンフォーマルなスペーサ膜１５１を形成することができる。前記スペーサ膜１５１は前記第１モールディングライン１４８の上部面及び側壁とともに前記第１モールディングライン１４８間の前記バッファ膜１４５を覆うことができる。その結果、前記第１モールディングライン１４８間のバッファ膜１４５上において、前記スペーサ膜１５１はライン状のグルーブ１５１ａを備えるように形成することができる。前記スペーサ膜１５１の厚さを調節して前記グルーブ１５１ａを前記第１モールディングライン１４８と同一幅を有するように形成することができる。また、前記グルーブ１５１ａの底領域は前記第１モールディングライン１４８の底面と同一レベルに位置することができる。一方、前記スペーサ膜１５１は前記バッファ膜１４５と同一物質膜に形成することができる。
【００５５】
図１、図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すると、前記スペーサ膜１５１を有する半導体基板全面に第２モールディング膜を形成することができる。前記第２モールディング膜は前記第１モールディング膜と同一物質膜に形成することができる。続いて、前記第２モールディング膜を平坦化させて前記グルーブ１５１ａを埋め込む第２モールディングライン１５４を形成する。結果的に、前記第２モールディングライン１５４は前記第１モールディングライン１４８間の前記バッファ膜１４５上に均一な幅及びライン状を有するように形成することができる。そして、前記第２モールディングライン１５４は前記第１モールディングライン１４８と同一レベルに位置することができる。例えば、前記第２モールディングライン１５４の底面（ｂｏｔｔｏｍ  ｓｕｒｆａｃｅｓ）は前記第１モールディングライン１４８の底面と実質的に同一平面上（ｃｏｐｌａｎａｒ）とすることができる。また、前記第２モールディングライン１５４は、前記第１モールディングライン１４８と実質的に同一幅を有することができる。また、前記第１モールディングライン１４８が奇数番目の活性領域と重畳するように形成する場合に、前記第２モールディングライン１５４は偶数番目の活性領域と重畳するように形成することができる。よって、前記第１及び第２モールディングライン１４８、１５４は前記第１ピッチサイズＰ１よりさらに小さい第２ピッチサイズＰ２を有するように形成することができる。
【００５６】
前記第２モールディング膜を平坦化する工程は、エッチバック技術または化学機械的研磨の技術を用いることができる。エッチバック技術を用いて前記第２モールディング膜を平坦化することは前記第２モールディングライン１５４が前記第１モールディングライン１４８と同一レベルに位置する上部面を有するように前記第２モールディング膜をエッチングすることを含む。これとは異なって、化学機械的研磨の技術を用いて前記第１モールディングライン１４８の上部面が露出するまで前記第２モールディング膜を平坦化することができる。
【００５７】
前記第２モールディングライン１５４を有する半導体基板上に前記第１及び第２モールディングライン１４８、１５４と交差するライン状のフォトレジストパターン１５７を形成することができる。前記フォトレジストパターン１５７は所定幅を有するように形成することができる。
【００５８】
一方、前記第２モールディングライン１５４はエッチバック技術を用いて形成する場合に、前記第１モールディングライン１４８上部に位置する前記スペーサ膜１５１をエッチングした後に前記フォトレジストパターン１５７を形成することもできる。
【００５９】
本発明の実施形態において、前記フォトレジストパターン１５７は前記選択トランジスタＳＴの前記ストリング選択ラインＳＳＬに隣接しながら前記セルトランジスタＣＴのゲート電極の反対側に位置した活性領域１１８ａの上部を横切るように形成することができる。前記フォトレジストパターン１５７は前記ストリング選択ラインＳＳＬと平行するように形成することができる。
【００６０】
図１、図１１Ａ及び図１１Ｂを参照すると、前記フォトレジストパターン（図１０Ａ、図１０Ｂの１５７）をエッチングマスクとして前記露出したスペーサ膜（図１０Ａ、図１０Ｂの１５１）、前記第１及び第２モールディングライン（図１０Ａ、図１０Ｂの１４８、１５４）をエッチングして第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａを形成することができる。例えば、前記スペーサ膜（図１０Ａ、図１０Ｂの１５１）は前記露出した第１及び第２モールディングライン１４８、１５４に対してエッチング選択比を有するエッチングガスを用いて乾式エッチングすることができる。そして、前記露出した第１及び第２モールディングライン（図１０Ａ、図１０Ｂの１４８、１５４）のエッチングは乾式エッチングを用いて実行することができる。
【００６１】
本発明の実施形態による場合、前記所定幅を有する前記フォトレジストパターン（図１０Ａ、図１０Ｂの１５７）を用いて前記ライン状を有する第１及び第２モールディングライン（図１０Ａ、図１０Ｂの１４８、１５４）をパターニングするので前記第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａのそれぞれは均一な幅を有するように形成することができる。
【００６２】
続いて、アッシングストリップ（ａｓｈｉｎｇ  ｓｔｒｉｐ）工程を用いて前記フォトレジストパターン（図１０Ａ、図１０Ｂの１５７）を除去することができる。前記第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａをエッチングマスクとして用いて前記第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａ間の前記スペーサ膜１５１をエッチングして前記第２モールディングパターン１５４ａ下部にスペーサパターン１５２を形成することができる。そして、前記第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａをエッチングマスクとして用いて前記露出したバッファ膜（図１０Ａの１４５）をエッチングして前記第１モールディングパターン１４８ａ下部に残存する第１バッファパターン１４５ａとともに前記第２モールディングパターン１５４ａ下部の前記スペーサパターン１５２下部に残存する第２バッファパターン１４５ｂを形成することができる。よって、前記エッチング阻止膜１４２上に順に積層された前記第１バッファパターン１４５ａ及び前記第１モールディングパターン１４８ａが形成されると共に、順に積層された前記第２バッファパターン１４５ｂ、前記スペーサパターン１５２及び前記第２モールディングパターン１５４ａが形成することができる。
【００６３】
一方、前記スペーサ膜１５１及び前記バッファ膜１４５が同一物質膜を用いる場合、前記スペーサ膜１５１及び前記バッファ膜１４５のエッチングは同一エッチング工程で実行することができる。
【００６４】
本発明の実施形態において、前記順に積層された前記第１バッファパターン１４５ａ及び前記第１モールディングパターン１４８ａは第１オープニングモールディングパターン１５５ａとして定義するとともに、前記順に積層された前記第２バッファパターン１４５ｂ、前記スペーサパターン１５２及び前記第２モールディングパターン１５４ａは第２オープニングモールディングパターン１５５ｂとして定義することができる。
【００６５】
一方、平面図で見た場合、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂのそれぞれは長軸及び短軸を有するように形成することができる。そして、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂの長軸は前記活性領域１１８ａの長さ方向と同じ方向性を有することができる。
【００６６】
図１、図１２Ａ及び図１２Ｂを参照すると、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン（図１１Ａの１５５ａ、１５５ｂ）を有する半導体基板１００上にマスク膜を形成することができる。前記マスク膜は前記第１及び第２モールディングパターン（図１１Ａの１４８ａ、１５４ａ）、前記スペーサパターン（図１１Ａの１５２）とともに前記第１及び第２バッファパターン（図１１Ａの１４５ａ、１４５ｂ）に対してエッチング選択比を有する物質膜とすることができる。例えば、前記マスク膜はフォトレジスト膜のような有機物質膜で形成することができる。その他にも、前記マスク膜は反射防止膜（Ａｎｔｉ  Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ  Ｃｏａｔｉｎｇ；ＡＲＣ）、非晶質炭素膜（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  ｃａｒｂｏｎ  ｌａｙｅｒ）などのような有機物質膜で形成することができる。
【００６７】
続いて、エッチバック技術を用いて前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂの上部面が露出するまで前記マスク膜を平坦化してマスクパターン１６０を形成する。
【００６８】
次に、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂを除去して前記マスクパターン１６０内部に第１及び第２開口部１６１ａ、１６１ｂを形成する。例えば、前記第１及び第２モールディングパターン１４８ａ、１５４ａをエッチングし、前記スペーサパターン１５２と前記第１及び第２バッファパターン１４５ａ、１４５ｂをエッチングする一連の過程を経て前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂは除去することができる。その結果、前記第１及び第２開口部１６１ａ、１６１ｂは前記ストリング選択ラインＳＳＬと平行な方向に沿って前記第２ピッチサイズＰ２を有するように形成することができる。
【００６９】
図１、図１３Ａ及び図１３Ｂを参照すると、前記マスクパターン１６０をエッチングマスクとして用いて前記エッチング阻止膜１４２及び前記層間絶縁膜１３９をエッチングして前記ストリング選択ラインＳＳＬに隣接した前記活性領域１１８ａを露出させる第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂを形成する。前記エッチング阻止膜１４２及び前記層間絶縁膜１３９のエッチングは乾式エッチング工程を用いる。よって、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂは均一な大きさを有するように形成することができる。特に、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂの縦横比が大きくても、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂを均一な大きさに形成することができる。
【００７０】
上述のように、有機物質膜からなる前記マスクパターン１６０をエッチングマスクとして用いるので、前記層間絶縁膜１３９を乾式エッチングしてコンタクトホールを形成する間に、前記有機物質膜から発生したポリマーがコンタクトホールの側壁を薄く覆うことができる。よって、前記層間絶縁膜１３９を乾式エッチングする間に、コンタクトホール大きさの拡張を防止することができるので、コンタクトホールが互いに接触して不良発生を防止することができる。結果的に、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂは垂直の側壁を有するように形成したり、正の傾斜側壁を有するように形成したりすることができる。ここで、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂが正の傾斜側壁を有する場合に、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂのそれぞれは上部領域から下部領域に向かうほど狭くなる形状とすることができる。よって、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂの縦横比が大きくても、本実施形態によれば、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂが互いに接触して不良発生を防止することができる。
【００７１】
図１、図１４Ａ及び図１４Ｂを参照すると、前記マスクパターン１６０を除去することができる。その後に、前記エッチング阻止膜１４２を除去することができる。前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂを有する半導体基板上にドーピングされたポリシリコン膜または金属膜のようなコンタクト導電膜を形成することができる。前記層間絶縁膜１３９の上部面が露出するまで化学機械的研磨工程またはエッチバック工程を用いて前記コンタクト導電膜を平坦化させることができる。その結果、前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａを埋め込むコンタクトプラグＣＮを形成することができる。ここで、前記コンタクトプラグＣＮは前記第１コンタクトホール１６３ａを埋め込む第１コンタクトプラグ１６６ａとともに前記第２コンタクトホール１６３ｂを埋め込む第２コンタクトプラグ１６６ｂからなることができる。
【００７２】
図１１Ａ及び図１１Ｂで説明したように、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン１５５ａ、１５５ｂは長軸及び短軸を有するように形成することができるので、後続的に形成される前記コンタクトプラグＣＮのそれぞれは平面図で見た場合、長軸及び短軸を有するように形成することができる。特に、前記コンタクトプラグＣＮの長軸は前記活性領域１１８ａの長さ方向と同じ方向性を有するので、前記コンタクトプラグＣＮと前記不純物領域１３６の接触面積を増加させる。よって、前記コンタクトプラグＣＮと前記不純物領域１３６の接触抵抗特性を向上することができる。
【００７３】
次に、前記層間絶縁膜１３９上に前記第１コンタクトプラグ１６６ａと重畳する第１導電性ライン１６９ａを形成することができる。続いて、前記第１導電性ライン１６９ａ間に位置して前記第２コンタクトプラグ１６６ｂと重畳する第２導電性ライン１６９ｂを形成することができる。前記第１導電性ライン１６９ａのそれぞれは前記活性領域１１８ａのうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳するように形成され、前記第２導電性ライン１６９ｂのそれぞれは前記活性領域１１８ａのうち前記第１導電性ライン１６９ａ間に位置する活性領域と重畳するように形成することができる。前記第１及び第２導電性ライン１６９ａ、１６９ｂはビットラインＢＬとして定義することができる。
【００７４】
前記第１及び第２導電性ライン１６９ａ、１６９ｂを形成する段階は、前記層間絶縁膜１３９上に前記第１コンタクトプラグ１６６ａと重畳する第１導電性ライン１６９ａを形成する段階と、前記第１導電性ライン１６９ａの側壁を覆うビットラインスペーサを形成する段階と、前記第１導電性ライン１６９ａ間に位置して両側壁が前記ビットラインスペーサと接する第２導電性ライン１６９ｂを形成する段階と、前記ビットラインスペーサを除去する段階と、を含む。このとき、前記ビットラインスペーサを除去する段階は省略することができる。すなわち、前記ビットラインスペーサは前記第１及び第２導電性ライン１６９ａ、１６９ｂ間に残存することもできる。
【００７５】
上述の本発明によれば、写真工程を用いて前記マスクパターン１６０に開口部を直接形成する場合と比較して、前記第１及び第２開口部１６１ａ、１６１ｂのそれぞれは均一な大きさを有するように形成することができる。したがって、後続的に形成される前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂのそれぞれは均一な断面積及び平面積を有するように形成して前記第１及び第２コンタクトホール１６３ａ、１６３ｂを埋め込む前記第１及び第２コンタクトプラグ１６６ａ、１６６ｂは均一な抵抗値を有することができる。
【００７６】
次に、図１、図１５Ａ、図１６Ａ、図１７Ａ、図１８Ａ、図１９Ａ及び図２０Ａ、そして、図１５Ｂ、図１６Ｂ、図１７Ｂ、図１８Ｂ、図１９Ｂ及び図２０Ｂを参照して本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明する。
【００７７】
図１、図１５Ａ及び図１５Ｂを参照すると、図２Ａないし図７Ａ、及び図２Ｂないし図７Ｂで説明したものと同じ方法を用いて形成した前記素子分離膜１２１によって画定された前記活性領域１１８ａを有する半導体基板１００を提供する。
【００７８】
前記各活性領域１１８ａ上にトランジスタを形成することができる。前記トランジスタは前記各活性領域１１８ａ上に形成されたゲート構造体２３４及び前記ゲート構造体２３４の両側の前記各活性領域１１８ａに形成された不純物領域２３６を含むことができる。
【００７９】
一方、図８Ａで説明したように、前記トランジスタのうち少なくとも一つはセルトランジスタＣＴを形成することができ、前記トランジスタのうち少なくとも一つは選択トランジスタＳＴを形成することができる。前記選択トランジスタＳＴのゲート電極は前記活性領域１１８ａの上部を横切るように延長してワードラインＷＬの役割ができ、前記選択トランジスタＳＴのゲート電極も前記活性領域１１８ａの上部を横切るように延長してストリング選択ラインＳＳＬまたは接地選択ラインＧＳＬの役割をすることができる。
【００８０】
前記ゲート構造体２３４は、順に積層されたゲート誘電膜２２４、フローティングゲート２２７、ゲート間誘電膜２３０及び制御ゲート２３３を含むことができる。前記フローティングゲート２２７はポリシリコン膜で形成することができる。前記不純物領域２３６はソース／ドレイン領域とすることができる。
【００８１】
一方、前記ゲート構造体２３４は図８Ｂで説明したように順に積層された第１誘電膜、記憶保存層、第２誘電膜及びゲート電極を含むことができる。
【００８２】
前記トランジスタＳＴ、ＣＴを有する半導体基板１００上に層間絶縁膜２３９を形成することができる。前記層間絶縁膜２３９はシリコン酸化膜で形成することができる。
【００８３】
図１、図１６Ａ及び図１６Ｂを参照すると、前記層間絶縁膜２３９上にエッチング阻止膜２４２を形成することができる。前記エッチング阻止膜２４２は前記層間絶縁膜２３９に対してエッチング選択比を有する物質膜で形成することができる。例えば、前記層間絶縁膜２３９をシリコン酸化膜で形成する場合に、前記エッチング阻止膜２４２はシリコン窒化膜で形成することができる。前記エッチング阻止膜２４２上に第１モールディング膜を形成することができる。前記第１モールディング膜は前記エッチング阻止膜２４２に対してエッチング選択比を有する物質膜、例えば、ポリシリコン膜で形成することができる。続いて、前記第１モールディング膜をパターニングしてライン状を有する第１モールディングライン２４８を形成する。前記第１モールディング膜のパターニングは写真工程及びエッチング工程を用いる。
【００８４】
本発明の実施形態において、前記第１モールディングライン２４８は、それぞれ前記活性領域１１８ａのうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳されるように形成することができる。前記第１モールディングライン２４８は上述のようにライン状を有するように形成される。
【００８５】
前記第１モールディングライン２４８の側壁を覆うスペーサ膜２５１を形成することができる。前記スペーサ膜２５１を形成することは前記第１モールディングライン２４８を有する半導体基板上に前記第１モールディングライン２４８に対してエッチング選択比を有する物質膜をコンフォーマルに形成し、前記物質膜が前記第１モールディングライン２４８の側壁に残存するように前記物質膜を異方性エッチングすることを含む。
【００８６】
図１、図１７Ａ及び図１７Ｂを参照すると、前記スペーサ膜２５１を有する半導体基板全面に第２モールディング膜を形成することができる。前記第２モールディング膜は前記第１モールディング膜と同一物質膜に形成することができる。続いて、前記第２モールディング膜を平坦化させて前記第１モールディングライン２４８間に第２モールディングライン２５４を形成する。
【００８７】
前記第２モールディング膜を平坦化する工程は、エッチバック技術または化学機械的研磨技術を用いることができる。エッチバック技術を用いて前記第２モールディング膜を平坦化することは前記第２モールディングライン２５４が前記第１モールディングライン２４８と同一レベルに位置する上部面を有しながら均一な幅を有するように前記第２モールディング膜をエッチングすることを含む。より詳しくは、前記第２モールディングライン２５４の上部面が前記スペーサ膜２５１よりも低いレベルに位置するように前記第２モールディング膜をオーバーエッチングして前記第２モールディングライン２５４が均一な幅を有するようにする。このとき、前記第１モールディングライン２４８は前記第２モールディング膜と同一物質からなるので、前記第２モールディング膜をオーバーエッチングするうちに、前記第１モールディングライン２４８も同時にエッチングされて前記第１及び第２モールディングライン２４８は同一レベルの上部面を有するように形成することができる。
【００８８】
これとは異なって、化学機械的研磨技術を用いて前記第２モールディングライン２５４が前記第１モールディングライン１４８と同一レベルに位置する上部面を有しながら均一な幅を有するように前記第２モールディング膜を平坦化することができる。この場合に、前記第１及び第２モールディングライン２４８、２５４と前記スペーサ膜２５１は同一レベルに位置する上部面を有することができる。結果的に、前記第２モールディングライン２５４は前記第１モールディングライン２４８間の前記層間絶縁膜２３９上に均一な幅及びライン状を有するように形成することができる。そして、前記第２モールディングライン２５４は前記第１モールディングライン２４８と同一レベルに位置することができる。また、前記第１モールディングライン２４８が前記奇数番目の活性領域と重畳するように形成される場合に、前記第２モールディングライン２５４は前記偶数番目の活性領域と重畳されるように形成することができる。
【００８９】
前記第２モールディングライン２５４を有する半導体基板上に前記第１及び第２モールディングライン２４８、２５４と交差するライン状のフォトレジストパターン２５７を形成することができる。前記フォトレジストパターン２５７は所定幅を有するように形成することができる。
【００９０】
本発明の実施形態において、前記フォトレジストパターン２５７は前記選択トランジスタＳＴの前記ストリング選択ラインＳＳＬに隣接しながら前記セルトランジスタＣＴのゲート電極の反対側に位置した活性領域１１８ａの上部を横切るように形成することができる。前記フォトレジストパターン２５７は前記ストリング選択ラインＳＳＬと平行するように形成することができる。
【００９１】
図１、図１８Ａ及び図１８Ｂを参照すると、前記フォトレジストパターン２５７をエッチングマスクとして前記第１及び第２モールディングライン２４８、２５４をエッチングして第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａを形成することができる。前記フォトレジストパターン２５７を除去することができる。続いて、前記スペーサ膜２５１をエッチングして除去することができる。その結果、前記エッチング阻止膜２４２上に前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａが残存することができる。
【００９２】
本発明の実施形態による場合、前記所定幅を有する前記フォトレジストパターン２５７を用いて前記ライン状を有する第１及び第２モールディングライン２４８、２５４をパターニングするので前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａのそれぞれは均一な幅を有するように形成することができる。
【００９３】
一方、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａのそれぞれは長軸及び短軸を有するように形成することができる。そして、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａの長軸は前記活性領域１１８ａの長さ方向と同じ方向性を有することができる。すなわち、前記第１及び第２モールディングライン２４８、２５４の幅と前記フォトレジストパターン２５７の幅を調節することによって、長軸及び短軸を有する前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａを形成することができる。
【００９４】
図１、図１９Ａ及び図１９Ｂを参照すると、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン（図１８Ａの２４８ａ、２５４ａ）を有する半導体基板上にマスク膜を形成することができる。前記マスク膜は前記第１及び第２オープニングモールディングパターン（図１８Ａの２４８ａ、２５４ａ）に対してエッチング選択比を有する物質膜とすることができる。例えば、前記マスク膜はフォトレジスト膜のような有機物質膜で形成することができる。その他にも、前記マスク膜は反射防止膜（ＡＲＣ）、非晶質炭素膜などのような有機物質膜で形成することができる。続いて、エッチバック技術を用いて前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａの上部面が露出するまで前記マスク膜を平坦化させてマスクパターン２６０を形成することができる。
【００９５】
次に、前記第１及び第２オープニングモールディングパターン２４８ａ、２５４ａを除去して前記マスクパターン２６０内部に第１及び第２開口部２６１ａ、２６１ｂを形成する。その結果、前記第１及び第２開口部２６１ａ、２６１ｂは前記ストリング選択ラインＳＳＬと平行な方向に沿って配列されるように形成することができる。
【００９６】
図１、図２０Ａ及び図２０Ｂを参照すると、図１３Ａ及び図１３Ｂで説明したように、前記マスクパターン２６０をエッチングマスクとして用いて前記エッチング阻止膜２４２及び前記層間絶縁膜２３９をエッチングして前記ストリング選択ラインＳＳＬに隣接した前記活性領域１１８ａを露出させる第１及び第２コンタクトホールを形成する。続いて、前記マスクパターン２６０を除去することができる。その後、前記エッチング阻止膜２４２を除去することができる。図１４Ａ及び図１４Ｂで説明したように、前記第１及び第２コンタクトホールを埋め込むコンタクトプラグＣＮを形成することができる。ここで、前記コンタクトプラグＣＮは前記第１コンタクトホールを埋め込む第１コンタクトプラグ２６６ａとともに、前記第２コンタクトホールを埋め込む第２コンタクトプラグ２６６ｂからなることができる。次に、図１５Ａ及び図１５Ｂで説明したように、前記層間絶縁膜２３９上に前記第１コンタクトプラグ２６６ａと重畳する第１導電性ライン２６９ａを形成することができる。前記第１導電性ライン２６９ａ間に位置して前記第２コンタクトプラグ２６６ｂと重畳する第２導電性ライン２６９ｂを形成することができる。前記第１及び第２導電性ライン２６９ａ、２６９ｂはビットラインＢＬとして定義することができる。前記第１導電性ライン２６９ａのそれぞれは前記活性領域１１８ａのうち奇数番目の活性領域または偶数番目の活性領域と重畳するように形成され、前記第２導電性ライン２６９ｂのそれぞれは前記活性領域１１８ａのうち前記第１導電性ライン２６９ａ間に位置する活性領域と重畳するように形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の実施形態による半導体素子の平面図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図３Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図３Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図４Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図６Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図６Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図７Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図７Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図８Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図８Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図９Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図９Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１０Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１０Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１１Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１１Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１２Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１２Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１３Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１３Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１４Ａ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１４Ｂ】本発明の一実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１５Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１５Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１６Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１６Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１７Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１７Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１８Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図１９Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図１９Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【図２０Ａ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩ−Ｉ’線の断面図である。
【図２０Ｂ】本発明の他の実施形態による半導体素子の製造方法を説明するために図１のＩＩ−ＩＩ’線の断面図である。
【符号の説明】
【００９８】
１００  半導体基板
１０６  下部ハードマスク膜
１０６ａ  第１下部ハードマスクパターン
１０６ｂ  第２下部ハードマスクパターン
１０９  第１上部ハードマスクパターン
１１２  犠牲膜
１１２ａ  グルーブ
１１２ｂ  犠牲パターン
１１５  第２上部ハードマスクパターン
１１８ａ  活性領域
１２１  素子分離膜
１３９、２３９  層間絶縁膜
１４２、２４２  エッチング阻止膜
１４５  バッファ膜
１４５ａ  第１バッファパターン
１４５ｂ  第２バッファパターン
１４８、２４８  第１モールディングライン
１４８ａ  第１モールディングパターン
１５１、２５１  スペーサ膜
１５２  スペーサパターン
１５４、２５４  第２モールディングライン
１５４ａ  第２モールディングパターン
１５７、２５７  フォトレジストパターン
１５５ａ、２４８ａ  第１オープニングモールディングパターン
１５５ｂ、２５４ａ  第２オープニングモールディングパターン
１６０  マスクパターン
１６１ａ、２６１ａ  第１開口部
１６１ｂ、２６１ｂ  第２開口部
１６３ａ  第１コンタクトホール
１６３ｂ  第２コンタクトホール
ＣＮ  コンタクトプラグ
【図１】
2008118130.tif 000003
【図２Ａ】
2008118130.tif 000004
【図２Ｂ】
2008118130.tif 000005
【図３Ａ】
2008118130.tif 000006
【図３Ｂ】
2008118130.tif 000007
【図４Ａ】
2008118130.tif 000008
【図４Ｂ】
2008118130.tif 000009
【図５Ａ】
2008118130.tif 000010
【図５Ｂ】
2008118130.tif 000011
【図６Ａ】
2008118130.tif 000012
【図６Ｂ】
2008118130.tif 000013
【図７Ａ】
2008118130.tif 000014
【図７Ｂ】
2008118130.tif 000015
【図８Ａ】
2008118130.tif 000016
【図８Ｂ】
2008118130.tif 000017
【図９Ａ】
2008118130.tif 000018
【図９Ｂ】
2008118130.tif 000019
【図１０Ａ】
2008118130.tif 000020
【図１０Ｂ】
2008118130.tif 000021
【図１１Ａ】
2008118130.tif 000022
【図１１Ｂ】
2008118130.tif 000023
【図１２Ａ】
2008118130.tif 000024
【図１２Ｂ】
2008118130.tif 000025
【図１３Ａ】
2008118130.tif 000026
【図１３Ｂ】
2008118130.tif 000027
【図１４Ａ】
2008118130.tif 000028
【図１４Ｂ】
2008118130.tif 000029
【図１５Ａ】
2008118130.tif 000030
【図１５Ｂ】
2008118130.tif 000031
【図１６Ａ】
2008118130.tif 000032
【図１６Ｂ】
2008118130.tif 000033
【図１７Ａ】
2008118130.tif 000034
【図１７Ｂ】
2008118130.tif 000035
【図１８Ａ】
2008118130.tif 000036
【図１８Ｂ】
2008118130.tif 000037
【図１９Ａ】
2008118130.tif 000038
【図１９Ｂ】
2008118130.tif 000039
【図２０Ａ】
2008118130.tif 000040
【図２０Ｂ】
2008118130.tif 000041