【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックコンタクトソーラーセルの製造方法であって、
基板の上に配置された材料層の上に、Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層を、前記Ｎ型ドーパント源層が前記Ｐ型ドーパント源層から離間されるように形成する段階と、
前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階と、
その後に、前記Ｎ型ドーパント源層と前記Ｐ型ドーパント源層との間において、前記材料層にトレンチを形成する段階と
を備える製造方法。
【請求項２】
前記トレンチを形成する段階の後に、前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を除去する段階をさらに備える請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を除去する段階の後に、前記基板を加熱する段階をさらに備える請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を形成する段階は、インクジェットデポジション技術を用いる段階を有する請求項１から３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記基板の上に配置された前記材料層の上に、前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を形成する段階は、単結晶シリコン基板の上に配置された多結晶シリコン層の上に接するように、それぞれリンドープケイ酸塩ガラス層およびボロンドープケイ酸塩ガラス層を形成する段階を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階は、前記材料層の複数の部分に、Ｎ型ドーパントおよびＰ型ドーパントをそれぞれ移動させる段階を有する請求項１から５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階は、前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層の両方を硬化させる段階を有する請求項１から６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記材料層に前記トレンチを形成する段階は、前記Ｎ型ドーパント源層および前記Ｐ型ドーパント源層の間隔に等しい幅を有するトレンチを、前記材料層を貫通させて前記基板の途中まで形成する段階を有する請求項１から７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記トレンチを形成する段階は、前記材料層により被覆されない前記基板の表面を、テクスチャ化表面によりテクスチャ化する段階を有する請求項１から８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
基板の上に配置された材料層と、
前記材料層内に配置されたトレンチと
を備え、
前記トレンチは、前記材料層のＮ型領域およびＰ型領域を分離し、
前記Ｐ型領域は、前記トレンチに直に隣接する部分におけるドーパント濃度が、前記Ｐ型領域の中心部におけるドーパント濃度と等しい
バックコンタクトソーラーセル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
バックコンタクトソーラーセルの製造方法およびその装置を開示した。本発明のある実施形態によると、バックコンタクトソーラーセルの製造方法は、基板の上に配置された材料層の上に、Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層を形成する段階を備える。Ｎ型ドーパント源層は、Ｐ型ドーパント源層から離間されている。Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層を加熱する。その後、Ｎ型およびＰ型のドーパント源層の間において材料層にトレンチを形成する。追加的な実施形態では、トレンチの形成後に、Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層を除去する。別の追加的な実施形態では、Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層の除去後に、基板を加熱する。
［項目１］
バックコンタクトソーラーセルの製造方法であって、
基板の上に配置された材料層の上に、Ｎ型ドーパント源層およびＰ型ドーパント源層を、上記Ｎ型ドーパント源層が上記Ｐ型ドーパント源層から離間されるように形成する段階と、
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階と、
その後に、上記Ｎ型ドーパンｓト源層と上記Ｐ型ドーパント源層との間において、上記材料層にトレンチを形成する段階とを備える製造方法。
［項目２］
上記トレンチを形成する段階の後に、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を除去する段階をさらに備える項目１に記載の製造方法。
［項目３］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を除去する段階の後に、上記基板を加熱する段階をさらに備える項目２に記載の製造方法。
［項目４］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を形成する段階は、インクジェットデポジション技術を用いる段階を有する項目１に記載の製造方法。
［項目５］
上記インクジェットデポジション技術を用いる段階は、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を同時に形成する段階を含む項目４に記載の製造方法。
［項目６］
上記インクジェットデポジション技術を用いる段階は、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を別々の時刻に形成する段階を含む項目４に記載の製造方法。
［項目７］
上記基板の上に配置された上記材料層の上に、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を形成する段階は、単結晶シリコン基板の上に配置された多結晶シリコン層の上に接するように、それぞれリンドープケイ酸塩ガラス層およびボロンドープケイ酸塩ガラス層を形成する段階を有する項目１に記載の製造方法。
［項目８］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階は、上記材料層の複数の部分に、Ｎ型ドーパントおよびＰ型ドーパントをそれぞれ移動させる段階を有する項目１に記載の製造方法。
［項目９］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階は、摂氏約９５０℃の温度もしくはその近傍で加熱する段階を有する項目８に記載の製造方法。
［項目１０］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を加熱する段階は、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層の両方を硬化させる段階を有する項目８に記載の製造方法。
［項目１１］
上記材料層に上記トレンチを形成する段階は、上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層の間隔に実質的に等しい幅を有するトレンチを、上記材料層を貫通させて上記基板の途中まで形成する段階を有する項目１に記載の製造方法。
［項目１２］
上記トレンチを形成する段階は、上記材料層により被覆されない上記基板の表面を、テクスチャ化表面によりテクスチャ化する段階を有する項目１１に記載の製造方法。
［項目１３］
上記Ｎ型ドーパント源層および上記Ｐ型ドーパント源層を除去する段階は、フッ化水素酸ウェットエッチング技術を用いる段階を有する項目２に記載の製造方法。
［項目１４］
上記基板を加熱する段階は、上記基板を、上記材料層により被覆されない上記基板の表面もしくはその近傍において、気体Ｎ型ドーパント源の存在下で加熱し、上記気体Ｎ型ドーパント源をドープする段階を有する項目３に記載の製造方法。
［項目１５］
基板の上に配置された材料層と、
上記材料層内に配置されたトレンチと、
を備え、
上記トレンチは、上記材料層のＮ型領域およびＰ型領域を分離し、
上記Ｐ型領域は、上記トレンチに直に隣接する部分におけるドーパント濃度が、上記Ｐ型領域の中心部におけるドーパント濃度と実質的に等しいバックコンタクトソーラーセル。
［項目１６］
上記材料層は、多結晶シリコン層であり、
上記基板は、単結晶シリコン基板であり、
上記Ｐ型領域は、ボロンドーパント不純物原子を含み、
上記Ｎ型領域は、リンドーパント不純物原子を含む項目１５に記載のバックコンタクトソーラーセル。
［項目１７］
上記トレンチは、上記材料層を貫通して上記基板の途中まで配置される項目１５に記載のバックコンタクトソーラーセル。
［項目１８］
上記材料層により被覆されない上記基板の表面は、テクスチャ化表面を含む項目１７に記載のバックコンタクトソーラーセル。
［項目１９］
上記基板は、上記材料層により被覆されない上記基板の表面もしくはその近傍にＮ型ドーパントを含む項目１５に記載のバックコンタクトソーラーセル。
［項目２０］
上記材料層と上記基板との間に直に配置される誘電体膜をさらに備える項目１５に記載のバックコンタクトソーラーセル。