【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられ、前記第１の導電層に達する複数の開口を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記複数の開口を介して前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層と、を有し、
前記複数の開口は前記絶縁膜中で繋がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層を覆い、前記第１の導電層の側面を露出させ、湾曲した断面形状を有する複数の開口を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記露出された第１の導電層において前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記複数の開口と重なる第２の導電層の表面と、前記複数の開口と重ならない第２の導電層の表面とが、同一面に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の導電層の幅Ｗと、前記複数の開口のそれぞれの径Ｄは、２Ｄ＜Ｗを満たすことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第２の導電層は、導電性粒子が集合した結晶を複数有し、前記結晶が重なりあっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられ、前記半導体層に達する複数の開口を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記複数の開口を介して前記半導体層と接する導電層と、を有し、
前記複数の開口は前記絶縁膜中で繋がっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記半導体層は、金属酸化物を主成分とする半導体層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記金属酸化物は、酸化亜鉛、または亜鉛とガリウムとインジウムを含む金属酸化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１、請求項６、請求項７または請求項８において、
前記複数の開口の断面形状は、Ｌ字型、Ｕ字型、または弧を描いた形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記複数の開口は深さが異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記複数の開口のそれぞれの径は、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記半導体装置は、アンテナ、ＣＰＵ、またはメモリのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記半導体装置は、表示装置、ビデオカメラ、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【請求項１４】
導電層を形成し、
前記導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記絶縁膜に、前記絶縁膜中で繋がり、且つ、前記導電層に達する複数の開口を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記絶縁膜に、前記絶縁膜中で繋がっている複数の開口を形成し、
液滴吐出法または印刷法により、前記複数の開口に前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記絶縁膜に複数の開口を形成し、
液滴吐出法または印刷法により、前記複数の開口に前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成し、
加熱処理を行って、前記複数の開口と重なる第２の導電層の表面と、前記複数の開口と重ならない第２の導電層の表面とを、同一面にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記絶縁膜に、前記第１の導電層に接し、且つ、閉じている複数の孔を形成し、
前記絶縁膜の表面を除去して、前記閉じている複数の孔から複数の開口を形成し、
液滴吐出法または印刷法により、前記複数の開口に前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を覆う絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にレーザ光を照射して、前記絶縁膜に、前記第１の導電層の側面を露出させ、且つ、湾曲した断面形状を有する複数の開口を形成し、
液滴吐出法または印刷法により、前記複数の開口に前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記露出された第１の導電層の側面において、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１７乃至請求項１９のいずれか一項において、
加熱処理を行って、前記複数の開口と重なる第２の導電層の表面と、前記複数の開口と重ならない第２の導電層の表面とを、同一面にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか一項において、
前記複数の開口は、前記絶縁膜中で繋がっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記第２の導電層の幅Ｗと、前記複数の開口のそれぞれの径Ｄは、２Ｄ＜Ｗを満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１５乃至請求項２２のいずれか一項において、
前記液滴吐出法または印刷法により、前記複数の開口に対して導電性粒子を含む組成物を吐出して、前記複数の開口に前記第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１４乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記複数の開口のそれぞれの径は、３ｎｍ以上２０００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の配線を形成し、
前記半導体層及び前記第１の配線を覆い、前記第１の配線に達する第１の開口を有する第２の絶縁膜を形成し、
前記基板の裏面側からレーザ光を照射して、前記第１の絶縁膜に第２の開口を形成し、  液滴吐出法または印刷法により、前記第１の開口に前記第１の配線と電気的に接続する第２の配線と、前記第２の開口にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
レーザ光を照射して、前記絶縁膜に、前記半導体層に達する第１の開口と、前記絶縁膜中で繋がっている複数の第２の開口を形成し、
液滴吐出法または印刷法により、前記第１の開口を介して前記半導体層に接する電極と、前記第２の開口にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１４乃至請求項２６のいずれか一項において、
前記レーザ光は、パルス幅が１フェムト秒以上１０ピコ秒以下で発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。