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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、
III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、
当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器と、
前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、
前記供給管は、前記外部容器の内側で前記反応容器内に導かれる前段階において、前記加熱装置により前記反応容器と共に加熱される領域を有していることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項２】
III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、
III族金属とそれとは異なる金属を溶融した状態で保持する反応容器と、
当該反応容器とそれを加熱する第１の加熱装置とを内部に有する外部容器と、
前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、
前記供給管は、前記外部容器の内側で前記反応容器内に導かれる前段階において、第２の加熱装置により加熱される領域を有していることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【請求項３】
III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、
III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、
当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器と、
前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、
前記反応容器はその外周に、前記供給管に接続された外套部を有し、
前記少なくとも窒素を含む気体は、前記外套部を通過する間に加熱された後、前記反応容器内部のIII族金属とそれとは異なる金属との前記溶融物に導かれることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】III族窒化物系化合物半導体の製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器と、前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、前記供給管は、前記外部容器の内側で前記反応容器内に導かれる前段階において、前記加熱装置により前記反応容器と共に加熱される領域を有していることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、請求項２に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、III族金属とそれとは異なる金属を溶融した状態で保持する反応容器と、当該反応容器とそれを加熱する第１の加熱装置とを内部に有する外部容器と、前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、前記供給管は、前記外部容器の内側で前記反応容器内に導かれる前段階において、第２の加熱装置により加熱される領域を有していることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、請求項３に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体の製造装置であって、III族金属とそれとは異なる金属とを溶融した状態で保持する反応容器と、当該反応容器とそれを加熱する加熱装置とを内部に有する外部容器と、前記外部容器の外側から前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給するための供給管とを有し、前記反応容器はその外周に、前記供給管に接続された外套部を有し、前記少なくとも窒素を含む気体は、前記外套部を通過する間に加熱された後、前記反応容器内部のIII族金属とそれとは異なる金属との前記溶融物に導かれることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、フラックス法において原料窒素ガスを十分に加熱してから反応系に導くことができる。具体的には、請求項１に係る発明のように、反応容器を加熱するために設けられた加熱装置が、反応容器に導かれる前の窒素を含む気体の供給管を加熱する構成とすると良い。或いは、請求項２に係る発明のように、反応容器に導かれる前の窒素を含む気体の供給管を加熱する第２の加熱装置を設けると良い。また或いは、請求項３に係る発明のように、反応容器外周の外套部で窒素を含む気体が加熱された後に反応容器内部の金属溶融物に達するようにすると良い。いずれにせよ、本発明によれば原料気体である窒素を含む気体を十分に加熱することが容易となるので、雑晶が生ぜず、種結晶に効率的に結晶成長が生じるようにできる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端部と当該両端部を結ぶ直線状本体部とからなり、当該直線状本体部の一部に少なくとも２個の湾曲状部が設けられている事を特徴とする手摺り。
【請求項２】
当該湾曲部のそれぞれは、予め定められた所定の曲率を有すると共に、当該湾曲部の外側頂点部が当該直線状本体部の中心軸線から予め定められた乖離距離を有する事を特徴とする請求項１に記載の手摺り。
【請求項３】
当該それぞれの湾曲部の外側頂点部は当該直線状本体部の中心軸線に対して互いに反対側に設けられている事を特徴とする請求項１又は２に記載の手摺り。
【請求項４】
当該それぞれの湾曲部の外側頂点部は当該直線状本体部の中心軸線に対して同じ側に設けられている事を特徴とする請求項１又は２に記載の手摺り。
【請求項５】
当該それぞれの湾曲部に於ける当該湾曲状本体部が形成する平面は互いに異なる平面を構成する事を特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の手摺り。
【請求項６】
当該それぞれの湾曲部は、少なくも当該乖離距離Ｈ、曲率半径Ｒ及び湾曲部の長さＬの何れかが相互に異なっている事を特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の手摺り。
【請求項７】
少なくとも隣接して形成されている当該湾曲部の間に当該直線状本体部の一部が設けられている事を特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の手摺り。
【請求項８】
当該直線状本体部の一部若しくは当該直線状本体部の端部及び当該湾曲部との接合部分の近傍に、当該湾曲部を当該直線状本体部に対する相対的位置を変化させる為に当該湾曲部を当該直線状本体部に対して旋回可能とさせるか或いは固定させる機能を有する旋回固定機構が設けられている事を特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の手摺り。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抗真菌性物質を有効成分として含有する中心性漿液性網脈絡膜症（中心性網膜症）治療薬。
【請求項２】
前記抗真菌性物質がポリエンマクロライド系、イミダゾール系、トリアゾール系、アリルアミン系、フッ化ピリミジン系、グリセオフルビン系、キャンディン系の抗真菌剤の群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の治療薬。
【請求項３】
中心性漿液性網脈絡膜症（中心性網膜症）の改善に対して、抗真菌性物質の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
法面に非自立型構造物をロープで吊持するアンカーにおいて、アンカーが設置対象法面部位に対し３６０度の方位において直角状に埋設されていることを特徴とする法面の吊構造物用アンカー。
【請求項２】
設置対象法面部位が上下方向に傾斜した面である請求項１に記載の法面の吊構造物用アンカー。
【請求項３】
設置対象法面部位が上下方向に傾斜しかつ左右方向でも傾斜した面である請求項１に記載の法面の吊構造物用アンカー。
【請求項４】
設置対象法面部位に据付けた打ち込みフィード用の架台を用いて埋設されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の法面の吊構造物用アンカー。
【請求項５】
アンカーが亜鉛あるいはアルミ亜鉛合金メッキが施されているパイプアンカーである請求項１ないし３のいずれかに記載の法面の吊構造物用アンカー。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ樹脂（Ａ）とアミン系硬化剤（Ｂ）とを必須成分とするエポキシ樹脂組成物であって、前記アミン系硬化剤（Ｂ１）が、ポリアミン（ｂ１）と、アルデヒド類（ｂ２）と、炭素数１〜９のアルキル基を芳香環上の置換基として２個以上有するアルキルフェノール類（ｂ３）とをマンニッヒ反応により縮合させて得られる化合物であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記アルキルフェノール類（ｂ３）が、炭素原子数１〜８のアルキル基を芳香環上の置換基として２個以上有するアルキルフェノール類である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記アルキルフェノール類（ｂ３）が、炭素原子数４〜８のアルキル基を芳香環上の置換基として２個以上有するアルキルフェノール類である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
前記ポリアミン（ｂ１）がメタキシリレンジアミン及び／又はイソホロンジアミンである請求項１〜３のいずれか１項記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
前記アルキルフェノール類（ｂ３）がジブチルフェノール類又はジアミルフェノール類である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
アミン系硬化剤（Ｂ１）が、ポリアミン（ｂ１）とアルデヒド類（ｂ２）と前記アルキルフェノール類（ｂ３）とを、ポリアミン（ｂ１）：アルデヒド類（ｂ２）：アルキルフェノール類（ｂ３）＝１．０：０．３〜３．０：０．１５〜６．０（モル比）で縮合させて得られる化合物である請求項１記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
エポキシ樹脂（Ａ）とアミン系硬化剤（Ｂ２）とを含有するエポキシ樹脂組成物であって、前記アミン系硬化剤（Ｂ２）が、ポリアミン（ｂ１）と、アルデヒド類（ｂ２）と、炭素数１〜９のアルキル基を芳香環上の置換基として２個以上有するアルキルフェノール類（ｂ３）とをマンニッヒ反応により縮合させて得られる化合物中の活性水素１当量に対して、エポキシ化合物（ｂ４）を０．１〜０．７当量反応させて得られる化合物であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記ポリアミン（ｂ１）がメタキシリレンジアミン及び／又はイソホロンジアミンである請求項７記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
前記アルキルフェノール類（ｂ３）がジブチルフェノール類又はジアミルフェノール類である請求項７記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項記載のエポキシ樹脂組成物を硬化させて得られることを特徴とする硬化物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加水分解性シリル基を有する化合物の加水分解性シリル基を加水分解反応させるために用いられる触媒であって、下式（１）で表される有機錫キレートと、下式（２）で表される有機錫錯体とを含む触媒。
（Ｒ１）２Ｓｎ（ＸＣＯＣＨ２ＣＯＹ）２・・・・・（１）、
（Ｒ２）２Ｓｎ（Ｚ）２・・・・・（２）。
ただし、式中の記号は下記の意味を示す。
Ｒ１は、炭素数１〜２０の炭化水素基であって、２個のＲ１は同一であっても異なっていてもよい。
Ｒ２は、炭素数１〜２０の炭化水素基であって、２個のＲ２は同一であっても異なっていてもよい。
ＸおよびＹは、それぞれ独立に、炭素数１〜１０のアルキル基または炭素数１〜１０のアルコキシ基。
Ｚ：炭素数１〜２０のカルボキシレート基。
【請求項２】
前記有機錫キレートと前記有機錫錯体の総量に対して、前記有機錫キレートを５０〜９８質量％含む請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２が、それぞれ独立に、炭素数１〜２０のアルキル基である請求項１または２に記載の触媒。
【請求項４】
前記有機錫キレートが、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＣＨ３ＯＣＯＣＨ２ＣＯＯＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＣＨ３ＯＣＯＣＨ２ＣＯＯＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＨ２ＯＣＯＣＨ２ＣＯＯＣＨ２ＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＣＨ３ＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ２ＣＨ３）２、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＣＨ３ＯＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２または（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＣＨ３ＯＣＯＣＨ２ＣＯＣＨ３）２である請求項１〜３のいずれかに記載の触媒。
【請求項５】
前記有機錫錯体が、（Ｈ（ＣＨ２）４）２Ｓｎ（ＯＣＯ（ＣＨ２）１１Ｈ）２または（Ｈ（ＣＨ２）８）２Ｓｎ（ＯＣＯ（ＣＨ２）１１Ｈ）２である請求項１〜４のいずれかに記載の触媒。
【請求項６】
ジブチル錫ビスアセチルアセトナートとジブチル錫ジラウレートを含み、ジブチル錫ビスアセチルアセトナートとジブチル錫ジラウレートの総量に対して、ジブチル錫ビスアセチルアセトナートを５０〜９８質量％を含む、加水分解性シリル基を有する化合物の加水分解性シリル基を加水分解反応させるために用いられる触媒。
【請求項７】
加水分解性シリル基を有する化合物が、ポリオキシアルキレン鎖を有し、かつ分子末端に加水分解性シリル基を有する重合体である請求項１〜６に記載の触媒。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の触媒と、ポリオキシアルキレン鎖を有し、かつ分子末端に加水分解性シリル基を有する重合体とを含む硬化性組成物。
【請求項９】
請求項１〜８に記載の硬化性組成物からなるシーリング材。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロース系繊維を含む繊維布帛または当該繊維布帛を縫製した縫製品である繊維製品に、アルカリ水溶液中でシワ付け処理を行うことを特徴とする繊維製品の製造方法。
【請求項２】
アルカリ水溶液が、水酸化ナトリウム水溶液であり、濃度が１０％〜４０％であることを特徴とする請求項１記載の繊維製品の製造方法。
【請求項３】
アルカリ水溶液中でのシワ付け処理温度が、常温〜４０℃であることを特徴とする請求項１または２記載の繊維製品の製造方法。
【請求項４】
アルカリ水溶液中でのシワ付け処理時間が、１分〜３０分であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の繊維製品の製造方法。
【請求項５】
前記繊維製品を染色した後、アルカリ水溶液中でシワ付け処理を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の繊維製品の製造方法。
【請求項６】
前記繊維製品をアルカリ水溶液中でシワ付け処理を行った後、染色を行うことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の繊維製品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置と前記画像形成装置に着脱可能な給紙装置とを有する画像形成システムであって、
前記給紙装置は、
前記給紙装置から給紙された記録材を前記画像形成装置へ搬送する第１搬送部と、
前記第１搬送部によって搬送される記録材の搬送速度を制御する第１制御部と、を有し、
前記画像形成装置は、
前記第１搬送部によって搬送された記録材を前記画像形成装置の画像形成部に搬送する第２搬送部と、
記録材を前記第２搬送部で停止した状態で記録材の種類を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記画像形成装置の画像形成部に記録材を搬送する際の搬送速度を決定し、決定した搬送速度で記録材を搬送する第２制御部と、を備え、
前記第１制御部は、記録材に対する印字予約情報に基づいて、前記第１搬送部によって、記録材を第１搬送速度で搬送し、記録材が前記第２搬送部に到達した後は、記録材を前記第２制御部が決定した搬送速度である第２搬送速度で搬送するように制御することを特徴とする画像形成システム。
【請求項２】
前記第２制御部は、前記印字予約情報と前記第２搬送速度に関わる情報を前記第１制御部に送信し、前記第１制御部は前記第２制御部から送信された情報に基づいて記録材の搬送速度を制御することを特徴とする請求項１に記載の画像形成システム。
【請求項３】
前記第１制御部は、前記第１搬送部により記録材を前記第２搬送部に到達する前の予め定められた位置まで搬送すると、前記予め定められた位置から前記第２搬送部に到達するまでの間、記録材を第３搬送速度で搬送することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成システム。
【請求項４】
記録材を排紙処理する排紙部と、前記排紙部における記録材の搬送速度を制御する第３制御部と、を含む、前記画像形成装置に着脱可能な排紙装置をさらに備え、
前記第３制御部は、前記第２制御部が決定した第４搬送速度で記録材を搬送するように制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像形成システム。
【請求項５】
前記第２制御部は、前記第３制御部に対して前記第４搬送速度に関わる情報を送信し、前記第３制御部は、前記第２制御部から送信された情報に基づいて記録材の搬送速度を制御することを特徴とする請求項４に記載の画像形成システム。
【請求項６】
画像形成装置と前記画像形成装置に着脱可能な給紙装置とを有する画像形成システムの制御方法であって、
前記画像形成装置から前記給紙装置に通知される印字予約情報に基づいて、前記給紙装置から前記画像形成装置に対して記録材を搬送する第１搬送ステップと、
前記画像形成装置に搬送された記録材を一時停止させて、記録材の種類を検出する検出ステップと、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記画像形成装置から前記給紙装置に通知される第２搬送速度に関わる情報に基づいて記録材に画像を形成するために、一時停止された記録材の搬送を再開する第２搬送ステップと、を備えることを特徴とする画像形成システムの制御方法。
【請求項７】
前記第１搬送ステップにより、記録材を予め定められた位置まで搬送すると、前記予め定められた位置から記録材を一時停止させて、記録材の種類を検出する位置まで記録材を第３搬送速度で搬送させる第３搬送ステップをさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の画像形成システムの制御方法。
【請求項８】
前記画像形成システムは、記録材を排出処理し、前記画像形成装置に着脱可能な排出装置をさらに有し、
前記検出ステップの検出結果に応じて、前記画像形成装置から前記排出装置に通知される第４搬送速度に関わる情報に基づいて、前記画像形成装置及び前記排紙装置によって記録材を搬送する第５搬送ステップをさらに備えることを特徴とする請求項６又は７に記載の画像形成システムの制御方法。
【請求項９】
画像形成装置に着脱可能な給紙装置の給紙制御部に対して、記録材の搬送速度に関する情報を送信する送信部と、
記録材の種類を検出する検出部と、
前記検出部の検出結果に基づいて、記録材の搬送速度を決定する制御部とを備え、
前記制御部は、前記検出部により記録材の種類が検出される前に、前記給紙制御部に対して記録材の第１搬送速度に関わる情報を送信し、
前記検出部により記録材の種類が検出された後は、前記検知結果に基づいて、記録材の種類に応じた第２搬送速度に関わる情報を前記給紙制御部に対して送信することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
前記送信部は、更に、前記画像形成装置に着脱可能な排紙装置の排紙制御部に対して第３搬送速度に関する情報を送信することを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂を含有しテーバー摩耗試験（ＡＳＴＭ−Ｄ−１１７５、荷重４．９Ｎ、５００回転）後の質量の減少率が０．３０％以上である基層と、該基層上に塗布により形成された導電性粒子を含有する厚さ０．５μｍ以上３．０μｍ以下の樹脂硬化膜とを有し、
該樹脂硬化膜の表面におけるテーバー摩耗試験（ＡＳＴＭ−Ｄ−１１７５、荷重４．９Ｎ、５００回転）後の質量の減少率が０．０５０％以下である電子写真用ベルトであって、
体積抵抗率ρｖ［Ω・ｃｍ］および該樹脂硬化膜の表面における表面抵抗率ρｓ［Ω／□］が下記式（１）、（２）および（３）の関係をすべて満たしていることを特徴とする電子写真用ベルト。
１０６≦ρｖ≦１０１０  ・・・（１）
１０８≦ρｓ≦１０１３  ・・・（２）
ρｓ／ρｖ≧１０２  ・・・（３）
【請求項２】
前記樹脂硬化膜が、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートおよび前記導電性粒子を含有する塗工液を前記基層上に塗布し、これを硬化させることにより形成された硬化膜である請求項１に記載の電子写真用ベルト。
【請求項３】
前記基層に含有される熱可塑性樹脂が、ポリフッ化ビニリデンまたはポリカーボネートである請求項１または２に記載の電子写真用ベルト。
【請求項４】
前記樹脂硬化膜の厚さが、１．０μｍ以上３．０μｍ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の電子写真用ベルト。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真用ベルトを有することを特徴とする電子写真装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真用ベルトを製造する方法であって、
熱可塑性樹脂を含む基層上に、前記樹脂硬化膜の原料であるモノマーおよび／またはオリゴマー成分、導電性粒子および溶剤を含有する表面層形成用塗工液を塗布し、これを乾燥および硬化させることによって前記表面層を形成する表面層形成工程を有することを特徴とする電子写真用ベルトの製造方法。
【請求項７】
前記表面層形成用塗工液が、前記モノマーおよび／またはオリゴマー成分を３０乃至６０質量％、前記導電性粒子を１０乃至２０質量％、および、前記溶剤を３０乃至６０質量％含有する請求項６に記載の電子写真用ベルトの製造方法。
【請求項８】
前記表面層形成工程を温度が３５乃至４５℃、湿度が５乃至２０％ＲＨの環境下において行う請求項６または７に記載の電子写真用ベルトの製造方法。
【請求項９】
前記溶剤がメチルエチルケトンを含む請求項６乃至８のいずれか１項に記載の電子写真用ベルトの製造方法。
【請求項１０】
前記モノマーおよび／またはオリゴマー成分がジペンタエリスリトールヘキサアクリレートである請求項６乃至９のいずれか１項に記載の電子写真用ベルトの製造方法。
【請求項１１】
熱可塑性樹脂を含有しテーバー摩耗試験（ＡＳＴＭ−Ｄ−１１７５、荷重４．９Ｎ、５００回転）後の質量の減少率が０．３０％以上である基層と、該基層上に塗布により形成された導電性粒子を含有する厚さ０．５μｍ以上３．０μｍ以下の樹脂硬化膜とを有し、
該樹脂硬化膜の表面におけるテーバー摩耗試験（ＡＳＴＭ−Ｄ−１１７５、荷重４．９Ｎ、５００回転）後の質量の減少率が０．０５０％以下である中間転写ベルトであって、
体積抵抗率ρｖ［Ω・ｃｍ］および該樹脂硬化膜の表面における表面抵抗率ρｓ［Ω／□］が下記式（１）、（２）および（３）の関係をすべて満たしていることを特徴とする中間転写ベルト。
１０６≦ρｖ≦１０１０  ・・・（１）
１０８≦ρｓ≦１０１３  ・・・（２）
ρｓ／ρｖ≧１０２  ・・・（３）
【請求項１２】
前記樹脂硬化膜が、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートおよび前記導電性粒子を含有する塗工液を前記基層上に塗布し、これを硬化させることにより形成された硬化膜である請求項１１に記載の中間転写ベルト。
【請求項１３】
前記基層に含有される熱可塑性樹脂が、ポリフッ化ビニリデンまたはポリカーボネートである請求項１１または１２に記載の中間転写ベルト。
【請求項１４】
前記樹脂硬化膜の厚さが、１．０μｍ以上３．０μｍ以下である請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の中間転写ベルト。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像出力装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データバスに接続されたバスコントローラと、
前記バスコントローラに接続されたメモリコントローラと、
前記メモリコントローラに接続された映像記憶メモリ及び一時記憶メモリと、
前記一時記憶メモリに接続された表示コントローラと、
前記表示コントローラに接続された表示装置と、を有し、
前記バスコントローラは、前記映像記憶メモリに書き込みまたは前記映像記憶メモリから読み出しを切り替え、
前記メモリコントローラは、前記表示コントローラからの信号に基づき、前記一時記憶メモリ又は前記映像記憶メモリの接続を切り替え、前記メモリコントローラを介して前記映像記憶メモリに映像が記録されるとともに、前記一時記憶メモリから前記表示コントローラを介して前記表示装置に画像が出力されることを特徴とする画像出力装置。
【請求項２】
請求項１において、前記メモリコントローラは、メモリ動作判定回路を有することを特徴とする画像出力装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一波長の超短パルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
該レーザ光源からの超短パルスレーザ光を入射させ、超短パルスレーザ光のスペクトルを拡散させる光ファイバと、
該光ファイバから出射されたスペクトル拡散された超短パルスレーザ光を走査するレーザ走査部と、
該レーザ走査部により走査された超短パルスレーザ光を標本に集光させる対物光学系と、
標本における超短パルスレーザ光の集光位置から発せられた多光子蛍光を検出する光検出器と、
前記超短パルスレーザ光に対する群速度分散を補償する分散補償光学系とを備える多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項２】
前記光ファイバから出射されたスペクトル拡散された超短パルスレーザ光の波長を選択する波長選択光学系を備える請求項１に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項３】
前記波長選択光学系により波長選択された超短パルスレーザ光の中心波長を検出する波形検出部と、
前記波形検出部により検出された中心波長に基づいて、前記分散補償光学系の分散補償量を調節する調節装置とを備える請求項２に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項４】
単一波長の超短パルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
該レーザ光源からの超短パルスレーザ光を入射させ、超短パルスレーザ光のスペクトルを拡散させる光ファイバと、
前記光ファイバから出射されたスペクトル拡散された超短パルスレーザ光から所定波長の超短パルスレーザ光を選択的に分離する波長選択光学系と、
該波長選択光学系により所定波長の超短パルスレーザ光が分離された残りの超短パルスレーザ光を走査するレーザ走査部と、
該レーザ走査部により走査された残りの超短パルスレーザ光に、前記所定波長の超短パルスレーザ光を合波させる合波部材と、
該合波部材により合波された超短パルスレーザ光を標本に集光させる対物光学系と、  
標本における超短パルスレーザ光の集光位置から発せられた多光子蛍光を検出する光検出器とを備える多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項５】
前記波長選択光学系により分離された所定波長の超短パルスレーザ光の中心波長を検出する波形検出部と、
前記波形検出部により検出された中心波長に基づいて、前記波長選択光学系により分離する超短パルスレーザ光の波長を調節する波長調節装置とを備える請求項４に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項６】
前記波長選択光学系により分離された所定波長の超短パルスレーザ光に対する群速度分散を補償する分散補償光学系と、
前記波形検出部により検出された中心波長に基づいて、前記分散補償光学系の分散補償量を調節する分散補償量調節装置とを備える請求項５に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項７】
前記波長選択光学系により分離された所定波長の超短パルスレーザ光を走査する第２のレーザ走査部を備える請求項４に記載の多孔子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項８】
前記レーザ光源と、前記光ファイバとの間に、該光ファイバに入射する前記超短パルスレーザ光の尖頭出力を調整する尖頭出力調整光学系を備える請求項１または請求項４に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項９】
前記波長選択光学系により波長選択された超短パルスレーザ光の中心波長に基づいて、前記分散補償光学系の分散補償量を調節する調節装置とを備える請求項２に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項１０】
前記波長選択光学系により分離された所定波長の超短パルスレーザ光に対する群速度分散を補償する分散補償光学系を備える請求項５に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【請求項１１】
前記所定波長の超短パルスレーザ光の中心波長に基づいて、前記分散補償光学系の分散補償量を調節する分散補償量調節装置を備える請求項１１に記載の多光子励起走査型レーザ顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図２から分かるように第２面Ｒ２の子線曲率半径Ｒは中心部から端部にいくに従い大きくなっており、レンズの全使用領域で
−２２ｍｍ＜Ｒ＜−１１ｍｍ
と母線湾曲による効果が期待できるほど十分に小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向している第１基板と第２基板とを含む表示パネル；
前記第２基板の外面に形成されて前記表示パネルを保護する透明フィルム；及び
前記透明フィルムと前記第１基板との間に形成されているバッファー層を有する表示装置。
【請求項２】
前記バッファー層が前記第２基板の一部の上に形成されている請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記透明フィルムが、光を遮断する領域を含む請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記バッファー層が接着性を有する請求項１から３のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項５】
前記バッファー層の光透過率が、少なくとも６０％である請求項１から４のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項６】
前記バッファー層がシリコーン系樹脂またはアクリル系樹脂を含む請求項１から５のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項７】
前記透明フィルムが、９０％以上の光透過率を有する高分子フィルムである請求項１から６のいずれか１つ記載の表示装置。
【請求項８】
前記高分子フィルムが、ポリテレフタル酸エチレン、ポリカーボネートまたはポリメタアクリレートを含む請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記透明フィルムが、前記高分子フィルムの上に形成されたハードコーティング層をさらに含む請求項７又は８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記ハードコーティング層が感光性樹脂を含む請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記バッファー層が、接着性を有する層と、緩衝機能を有する層とを含む請求項１から１０のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記バッファー層が、前記透明フィルムに接着される第１接着層、前記第２基板に接着される第２接着層及び前記第１接着層と前記第２接着層との間に挟まれた緩衝層を含む請求項１から１１のいずれか１つに記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月14日(2009.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示パネルと、
前記表示パネルの第１辺に隣接配置された導光ユニットと、
前記表示パネルの第２辺に電気的に連結され、前記表示パネルに電気的信号を提供するメインＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ：可撓性印刷回路基板）と、
前記メインＦＰＣと電気的に連結されたサブＦＰＣと、
前記サブＦＰＣに搭載され、前記導光ユニットに光を提供する一つ以上の発光素子と、を有し、
前記表示パネルは、前記メインＦＰＣとサブＦＰＣを電気的に連結する導電性ラインを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記サブＦＰＣの一端は、前記導電性ラインにＦＯＧ（Ｆｉｌｍ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）ボンディングされ、
前記サブＦＰＣは前記メインＦＰＣと共に屈曲され、前記サブＦＰＣの他端は前記導光ユニットの入光部に隣接配置され、
前記メイン及びサブＦＰＣは、前記表示パネルの側端部の一部を覆うことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記サブＦＰＣの一端は前記導電性ラインにＦＯＧボンディングされ、
前記サブＦＰＣは前記メインＦＰＣと共に屈曲され、前記サブＦＰＣの他端は前記導光ユニットの入光部に隣接配置され、
前記メインＦＰＣは前記表示パネルの側端部の一部を覆い、前記サブＦＰＣは前記側端部に隣接する右側端部の一部を覆うことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記サブＦＰＣの一端は前記導電性ラインにＦＯＧボンディングされ、
前記サブＦＰＣは前記メインＦＰＣと共に屈曲され、前記サブＦＰＣの他端が前記導光ユニットの入光部に隣接配置され、
前記メインＦＰＣは前記表示パネルの側端部の一部を覆い、前記サブＦＰＣは前記側端部に隣接する左側端部の一部を覆うことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記メインＦＰＣと前記表示パネルとを電気的に連結する異方性導電フィルム（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ：ＡＣＦ）を更に有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記導光ユニットを収納する収納容器を更に有し、前記収納容器の側壁には、前記メインＦＰＣの屈曲に対応した部位に溝が形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記導光ユニットを収納する収納容器を更に有し、前記収納容器の側壁には、前記サブＦＰＣの屈曲に対応した部位に溝が形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
表示パネルと、
前記表示パネルの第１辺に隣接して配置された導光ユニットと、
前記表示パネルの第２辺に電気的に連結され、前記表示パネルに電気的信号を提供するメインＦＰＣと、
前記メインＦＰＣと電気的に連結されたサブＦＰＣと、
前記サブＦＰＣ上に搭載され、前記導光ユニットに光を提供する発光素子と、を有し、
前記サブＦＰＣは、前記メインＦＰＣに一体に形成され単一ユニットを形成することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
２つの基板間に介在された液晶層を利用して画像を表示する液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの下に配置された導光ユニットと、
前記導光ユニットを収納する収納容器と、
前記液晶表示パネルに形成された導電性ラインの一端に電気的に連結され、前記液晶表示パネルに電気的信号を提供するメインＦＰＣと、
前記導電性ラインの他端に電気的に連結されたサブＦＰＣと、
前記サブＦＰＣに搭載され、前記導光ユニットに光を提供する一つ以上の発光素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの下に配置された導光ユニットと、
前記導光ユニットを収納する収納容器と、
前記液晶表示パネルに電気的に連結され、前記液晶表示パネルに電気的信号を提供する一つ以上の駆動チップが搭載されたメイン部と、前記導光ユニットに光を提供する一つ以上の発光素子が搭載されたサブ部とを有するＦＰＣとを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射領域及び透過領域を有する液晶表示装置であって、
第１基板、
前記反射領域で前記第１基板の上に形成されている反射部材、及び、
少なくとも前記透過領域で前記第１基板の上に形成されている透明電極と、
前記反射領域で前記反射部材の上に形成されている反射電極とを備えた画素電極、
を有する液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極と重なっている維持電極を更に有する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射部材の境界線の少なくとも一つが、前記反射領域と前記透過領域との間の境界
付近に位置する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶表示装置が、前記第１基板の上に薄膜トランジスタを更に有し、
前記薄膜トランジスタが、ゲート電極、前記ゲート電極の上に形成されている半導体層
、及び前記半導体層に連結されているソース電極とドレイン電極、を含み、
前記反射部材が前記ドレイン電極に連結されている請求項１から３のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射電極の下地に反射補助部材を更に有する請求項１から４のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１基板と前記画素電極との間に形成され、前記透過領域に開口部を含む保護膜、を更に有する請求項１から５のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１基板と対向する第２基板、
前記反射領域と前記透過領域との両方で前記第２基板の上に形成され、透過光の異なる偏光成分の間に生じる位相差が前記反射領域と前記透過領域とで異なる位相遅延膜、及び、
前記位相遅延膜の上に形成されている共通電極を更に有する請求項１から６のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１基板と対向する第２基板、及び、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟まれた液晶層を更に有する請求項１から７のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１基板の背面にバックライト部を更に有する請求項１から８のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１基板の外面に配置されている第１偏光板、及び、
前記第２基板の外面に配置されている第２偏光板を更に有する請求項１から９のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
基板の上に第１導電層を形成する段階、
前記第１導電層をエッチングしてゲート線と維持電極線とを形成すると同時に、反射領域に反射部材を形成する段階、
前記第１導電層の上にゲート絶縁膜と半導体層とを積層する段階、
前記半導体層の上に第２導電層を形成する段階、
前記第２導電層をエッチングし、データ線とドレイン電極とを形成する段階、
保護膜で前記基板の全体を覆う段階、
透過領域から前記保護膜の少なくとも一部を除去して透過窓を形成する段階、
少なくとも前記透過窓を透明電極で覆う段階、及び、
前記反射領域を覆っている前記保護膜の上に反射電極を形成する段階を有する薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第１導電層を形成する前に、前記基板の上に、異なる屈折率の二つの誘電体を積層して誘電体多重膜を形成する段階、及び、
前記透過領域から前記誘電体多重膜を除去し、前記反射領域に残った前記誘電体多重膜の部分から反射補助部材を形成する段階を更に有する請求項１１に記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１導電層を形成する段階、または前記第２導電層を形成する段階がスパッタリングを利用する請求項１１又は１２に記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第１導電層または前記第２導電層が、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属、モリブデン系金属、クロム、チタニウム、またはタンタルからなる請求項１１から１３のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記第１導電層または前記第２導電層のエッチングをフォトエッチングで行う請求項１１から１４のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記反射部材が、前記維持電極線から分離され、または前記維持電極線に連結されている請求項１１から１５のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記反射部材が前記反射領域と前記透過領域との間の境界まで拡がっている請求項１１から１６のいずれか１つに記載の、薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記ゲート絶縁膜が窒化ケイ素からなる請求項１１から１７のいずれか１つに記載の薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
基板の上に第１導電層を形成する段階、
前記第１導電層をエッチングしてゲート線と維持電極線とを形成する段階、
前記第１導電層の上にゲート絶縁膜と半導体層とを積層する段階、
前記半導体層の上に第２導電層を形成する段階、
前記第２導電層をエッチングしてデータ線とドレイン電極とを形成すると同時に、反射領域に反射部材を形成する段階、
保護膜で前記基板の全体を覆う段階、
透過領域から前記保護膜の少なくとも一部を除去して透過窓を形成する段階、
少なくとも前記透過窓を透明電極で覆う段階、及び、
前記反射領域を覆っている前記保護膜の上に反射電極を形成する段階を有する薄膜トランジスタ表示パネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子部を有し、
前記接続端子部は、複数の接続パッドを有し、
前記複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドと、が含まれ、
前記複数の接続パッドは等間隔で配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
接続端子部を有し、
前記接続端子部は、線幅が等しく、かつ、等間隔で配置された接続パッドを複数有し、
前記複数の接続パッドのうち、２個以上の前記接続パッドを電気的に接続する配線を、前記接続端子部において有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
接続端子部を有し、
前記接続端子部は、線幅が等しく、かつ、等間隔で配置された接続パッドを複数有し、
前記複数の接続パッドのうち、２個以上の前記接続パッドは、コンタクトホールを介して、電極に電気的に接続され、
前記電極は、前記２個以上の前記接続パッドの下に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記接続端子部にフレキシブルプリントサーキットが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、前記複数の接続パッドのうち少なくとも１個の接続パッドは、フレキシブルプリントサーキットの複数の端子と電気的に接続され、
前記接続パッドと前記フレキシブルプリントサーキットの複数の端子との接触抵抗が５Ω以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
画素部と駆動回路と接続端子部とを有し、
前記接続端子部は、複数の接続パッドを有し、
前記複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドと線幅の異なる第２の接続パッドと、が含まれ、
前記複数の接続パッドは等間隔で配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
画素部と駆動回路と接続端子部とを有し、
前記接続端子部は、線幅が等しく、かつ、等間隔で配置された接続パッドを複数有し、
前記複数の接続パッドのうち、２個以上の前記接続パッドを電気的に接続する配線を、前記接続端子部において有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
画素部と駆動回路と接続端子部とを有し、
前記接続端子部は、線幅が等しく、かつ、等間隔で配置された接続パッドを複数有し、
前記複数の接続パッドのうち、２個以上の前記接続パッドは、コンタクトホールを介して、電極に電気的に接続され、
前記電極は、前記２個以上の前記接続パッドの下に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
画素部と駆動回路と接続端子部とを有し、
前記接続端子部は、複数の接続パッドを有し、
前記複数の接続パッドは等間隔で配置され、前記複数の接続パッドには、第１の接続パッドと、前記第１の接続パッドよりも線幅の大きい第２の接続パッドと、が含まれ、
前記第２の接続パッドには複数の配線が電気的に接続され、前記複数の配線は液晶素子の対向電極に電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記接続端子部にフレキシブルプリントサーキットが電気的に接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項６において、前記複数の接続パッドのうち少なくとも１個の接続パッドは、フレキシブルプリントサーキットの複数の端子と電気的に接続され、
前記接続パッドと前記フレキシブルプリントサーキットの複数の端子との接触抵抗が５Ω以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＵＴ端子が出力となるデータラッチ回路であって、
インバータと、クロックドインバータと、第１のｎチャネル型トランジスタと、第２のｎチャネル型トランジスタと、ｐチャネル型トランジスタと、アナログスイッチと、を有し、
前記アナログスイッチの入力端子は、データ信号線に電気的に接続されており、
前記アナログスイッチの出力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記インバータの入力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記クロックドインバータの出力端子と、に電気的に接続されており、
前記インバータの出力端子は、前記ＯＵＴ端子と、前記クロックドインバータの入力端子と、に電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、負電源電位線に電気的に接続されており、
前記第ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、正電源電位線に電気的に接続されており、
前記アナログスイッチには、サンプリング信号及び反転サンプリング信号が入力され、
前記サンプリング信号が高レベル状態且つ前記反転サンプリング信号が低レベル状態のとき、前記アナログスイッチの入力端子と出力端子とが導通し、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのゲート及び前記ｐチャネル型トランジスタのゲートには、前記反転サンプリング信号と同レベル状態の信号が入力されることを特徴とするデータラッチ回路。
【請求項２】
ＯＵＴ端子が出力となるデータラッチ回路であって、
インバータと、クロックドインバータと、第１のｎチャネル型トランジスタと、第２のｎチャネル型トランジスタと、第１のｐチャネル型トランジスタと、第２のｐチャネル型トランジスタと、第１のアナログスイッチと、第２のアナログスイッチと、第３のアナログスイッチと、を有し、
前記第１のアナログスイッチの入力端子は、データ信号線に電気的に接続されており、
前記第１のアナログスイッチの出力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのゲートと、前記第３のアナログスイッチの入力端子又は出力端子の一方と、に電気的に接続されており、
前記インバータの入力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第１のｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、に電気的に接続されており、
前記インバータの出力端子は、前記ＯＵＴ端子と、前記第２のアナログスイッチの入力端子又は出力端子の他方と、前記第３のアナログスイッチの入力端子又は出力端子の他方と、に電気的に接続されており、
前記第２のｐチャネル型トランジスタのゲートは、前記第２の前記第２のアナログスイッチの入力端子又は出力端子の一方に電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、負電源電位線に電気的に接続されており、
前記第１の第ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、第１の正電源電位線に電気的に接続されており、
前記第２の第ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、第２の正電源電位線に電気的に接続されており、
前記第１のアナログスイッチには、第１のサンプリング信号及び第１の反転サンプリング信号が入力され、
前記第１のサンプリング信号が高レベル状態且つ前記第１の反転サンプリング信号が低レベル状態のとき、前記アナログスイッチの入力端子と出力端子とが導通し、
前記第２及び第３のアナログスイッチには、第２のサンプリング信号及び第２の反転サンプリング信号が入力され、
前記第２のサンプリング信号が低レベル状態且つ前記第２の反転サンプリング信号が高レベル状態のとき、前記第２のアナログスイッチの入力端子と出力端子とが導通し、
前記第２のサンプリング信号が高レベル状態且つ前記第２の反転サンプリング信号が低レベル状態のとき、前記第３のアナログスイッチの入力端子と出力端子とが導通し、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのゲート及び前記第１のｐチャネル型トランジスタのゲートには、前記第１の反転サンプリング信号と同レベル状態の信号が入力されることを特徴とするデータラッチ回路。
【請求項３】
ＯＵＴ端子が出力となるデータラッチ回路であって、
第１のインバータと、第２のインバータと、第１のｎチャネル型トランジスタと、第２のｎチャネル型トランジスタと、ｐチャネル型トランジスタと、第１のアナログスイッチと、第２のアナログスイッチと、を有し、
前記第１のアナログスイッチの入力端子は、データ信号線に電気的に接続されており、
前記第１のアナログスイッチの出力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのゲートに電気的に接続されており、
前記第１のインバータの入力端子は、前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方と、前記第２のアナログスイッチの出力端子と、に電気的に接続されており、
前記第１のインバータの出力端子は、前記ＯＵＴ端子と、前記第２のインバータの入力端子と、に電気的に接続されており、
前記第２のインバータの出力端子は、前記第２のアナログスイッチの入力端子に電気的に接続されており、
前記第１のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続されており、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、負電源電位線に電気的に接続されており、
前記第ｐチャネル型トランジスタのソース又はドレインの他方は、正電源電位線に電気的に接続されており、
前記第１のアナログスイッチには、サンプリング信号及び反転サンプリング信号が入力され、
前記サンプリング信号が高レベル状態且つ前記反転サンプリング信号が低レベル状態のとき、前記第１のアナログスイッチの入力端子と出力端子とが導通し、
前記第２のｎチャネル型トランジスタのゲート及び前記ｐチャネル型トランジスタのゲートには、前記反転サンプリング信号と同レベル状態の信号が入力されることを特徴とするデータラッチ回路。