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【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1以上のフッ素化コモノマーの任意の存在下、数平均分子量が600〜800の範囲にあるような、式：
A-Rf-B        (I)
（式中、
A = -O-CFX-COOM;
B = -CFX-COOM;
X = F, CF3;
M = NH4, アルカリ金属, H；
Rfは：
- 直鎖のまたは分枝したパーフルオロアルキル鎖；または
- (パー)フルオロポリエーテル鎖である）
の2官能性界面活性剤の存在下に、VDF乳化重合により得られる、0.260〜0.3μmの間の平均粒子サイズを有する、VDFベースポリマーの水性分散体の、基体コーティング用塗料の製造のための使用。
【請求項２】
Rfが(パー)フルオロポリエーテル鎖である、請求項1に記載の使用。
【請求項３】
Rfが、鎖に沿って統計的に分布する次の：
a)  -(C3F6O)-;
b)  -(CF2CF2O)-;
c)  -(CFL0O)- (ここで、L0 = -F, -CF3);
d)  -(CF2(CF2)z'CF2O)- (ここで、z'は整数1または2である);
e)  -(CH2CF2CF2O)-
の1以上から選択される繰り返し単位を含む(パー)フルオロポリエーテル鎖を表わす、請求項2に記載の使用。
【請求項４】
Rfが次の構造：
1)  -(CF2O)a-(CF2CF2O)b-
(式中、aおよびbは以下で定義されるとおりである；単位(CF2O)および(CF2CF2O)の両方が存在するとき、b/aは両端を含んで0.3〜10の間であり、aは0でない整数であるか；または2つの単位の１つが存在しなくてもよい)；
2)  -(CF2-(CF2)z'-CF2O)b'-
(式中、z'は1または2の整数であり；b'は以下で定義されるとおりである)；
3)  -(C3F6O)r-(C2F4O)b-(CFL0O)t-
(式中、r、b、tは以下で定義されるとおりであり；3つの単位が全て存在するとき、r/b = 0.5〜2.0、(r+b)/t = 10〜30、bおよびtは0でない整数であるか；または3つの単位の1つもしくは2つが存在しなくてもよく；
L0は上記で定義されたとおりである)；
4)  -(OC3F6)r-(CFL0O)t-OCF2-R'f-CF2O-(C3F6O)r-(CFL0O)t-
(式中、r、tは以下で定義されるとおりであり；
R'fは1〜4の炭素原子のフルオロアルキレン基であり；
L0は上記のとおりである)；
5)  -(CF2CF2CH2O)q'-R'f-O-(CH2CF2CF2O)q'-
(式中、R'fは上記の定義のとおりであり；
q'は以下の定義のとおりである)；
6)  -(C3F6O)r-OCF2-R'f-CF2O-(C3F6O)r-
(式中、R'fは上記の定義のとおりであり；
rは以下の定義のとおりである)；
上記の式において、-(C3F6O)-は、式：-(CF(CF3)CF2O)-および／または-(CF2-CF(CF3)O)-の単位を表わすことができ；a、b、b'、q'、r、tは、Rfが上記式(I)の界面活性剤の数平均分子量を与えるような数平均分子量値を示すような整数である
の1つを有する、請求項1〜3のいずれか1つに記載の使用。
【請求項５】
(パー)フルオロポリエーテル鎖Rfが、単位-(CF2O)a-(CF2CF2O)b- (ここで、aおよびbは、式(I)の界面活性剤の数平均分子量が上記の範囲内にあるような数である)を有する構造1)である、請求項1〜4のいずれか1つに記載の使用。
【請求項６】
分散体が、フルオロポリマーに対して0.01〜3重量％の範囲の量の式(I)の界面活性剤を含む、請求項1〜5のいずれか1つに記載の使用。
【請求項７】
分散体が、式(I)の界面活性剤の混合物を含む、請求項1〜6のいずれか1つに記載の使用。
【請求項８】
分散体が、式(I)のものとは異なるその他の界面活性剤を、式(I)の界面活性剤の全量に対して20重量％より多くない量で含む、請求項1〜7のいずれか1つに記載の使用。
【請求項９】
式(I)のものとは異なる界面活性剤が、次の：
T(C3F6O)n0(CFXO)m0CF2COOM        (II)
（式中、TはClまたはパーフルオロアルコキシド基；CkF2k+1O（ここで、k = 1〜3の整数、任意に1つのF原子は1つのCl原子で置き換えられていてもよい）であることができ；
n0は1〜6の範囲の整数であり、m0は0〜6の整数であり；
MおよびXは上記のとおりである）；
CF3(CF2)n1COOM        （III）
（式中、n1は4〜12の範囲の整数であり；Mは上記のとおりである）；
F-(CF2-CF2)n2-CH2-CH2-SO3M        （IV）
（式中、Mは上記のとおりであり；n2は2〜5の範囲の整数である）
から選択される、請求項8に記載の使用。
【請求項１０】
VDFベースポリマーが、PVDF、および1以上のフッ素化コモノマーを0.1〜10モル％の量で含むVDFコポリマーから選択される、請求項1〜9のいずれか1つに記載の使用。
【請求項１１】
ポリマーがPVDFホモポリマーである、請求項1〜9のいずれか1つに記載の使用。
【請求項１２】
水性塗料調製のための、請求項1〜11のいずれか1つに記載のVDFベース水性分散体の使用。
【請求項１３】
パウダーコーティング用塗料製造のための、請求項1〜11のいずれか1つに記載の水性分散体から凝固したVDFベースポリマーの粉末の使用。
【請求項１４】
溶剤ベース塗料調製のための、請求項1〜11のいずれか1つに記載の水性分散体から凝固したVDFベースポリマーの粉末の使用。
【請求項１５】
金属基体をコーティングするための、請求項1〜14のいずれか1つに記載の使用。
【請求項１６】
請求項1〜11のいずれか1つに記載のVDFベースの水性分散体。
【請求項１７】
請求項1〜11の、VDFベースのポリマー分散体から得られる水性塗料、粉末塗料、溶剤塗料。
【請求項１８】
無機顔料、有機顔料、アクリル樹脂のようなフィルム化樹脂、増粘剤から選択される、1以上の添加剤を含む、請求項17に記載の塗料。
【請求項１９】
請求項17または18に記載の塗料から得られる表面コーティングを含む建築用の金属基体をベースとした製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト基ろう合金及びコバルト基耐摩耗性合金の粉体の焼結混合物を含む焼結予備成形体（２２、２４）であって、前記コバルト基ろう合金が当該焼結予備成形体（２２、２４）の１０〜３５重量％を構成しているとともに、コバルト基ろう合金の溶融温度が１０９０℃〜１２３０℃となるのに十分な量のホウ素を含有しており、該コバルト基ろう合金が、重量％で、２２．００〜２４．７５％のクロム、９．０〜１１．０％のニッケル、６．５〜７．６％のタングステン、３．０〜４．０％のタンタル、２．６０〜３．１６％のホウ素、０．５５〜０．６５％の炭素、０．１５〜０．３０％のチタン、０．３０〜０．６０％のジルコニウム、１．３％以下の鉄、０．４％以下の珪素、０．１０％以下のマンガン、０．０１５％以下の硫黄、及び残部のコバルト及び不可避的不純物からなり、前記コバルト基耐摩耗性合金が、重量％で、２６．０〜３０．０％のクロム、１８．０〜２１．０％のタングステン、４．０〜６．０％のニッケル、０．７５〜１．２５％のバナジウム、０．７〜１．０％の炭素、３．０％以下の鉄、１．０％以下のマンガン、０．５％以下のモリブデン、１．０％以下の珪素、０．０５％以下のホウ素、及び残部のコバルト及び不可避的不純物からなる、焼結予備成形体（２２、２４）。
【請求項２】
当該焼結予備成形体が、焼結中の融合を促進して多孔率を低減する圧縮によって２容積％未満の多孔率を有する、請求項１記載の焼結予備成形体（２２、２４）。
【請求項３】
ガスタービンの補修済みタービン構成要素（１０）であって、当該タービン構成要素（１０）が、ガスタングステン溶接を施す場合に当該タービン構成要素（１０）に亀裂を生じさせる組成及びガンマプライム（γ′）相含有量を有するニッケル基超合金からなり、当該タービン構成要素（１０）が、請求項１又は請求項２記載の焼結予備成形体（２２、２４）の拡散接合によって形成された耐摩耗性補修材料であって、耐摩耗性コバルト基合金のマトリックス材料内に分散されたコバルト基ろう合金からなる耐摩耗性補修材料で補修された領域を有している、補修済みタービン構成要素（１０）。
【請求項４】
前記ニッケル基超合金が、５５〜５９％のガンマプライム（γ′）相含有量を有する、請求項３記載の補修済みタービン構成要素（１０）。
【請求項５】
前記ニッケル基超合金が、重量％で、９．５〜１０％のクロム、７〜８％のコバルト、３．３５〜３．６５％のチタン、４．１〜４．３％のアルミニウム、５．７５〜６．２５％のタングステン、１．３〜１．７％のモリブデン、４．６０〜５．０％のタンタル、０．０６〜０．１％の炭素、０．００８０〜０．０１０％のジルコニウム、０．００８〜０．０１０５％のホウ素、及び残部がニッケル並びに不可避的不純物からなることを特徴とする、請求項４記載の補修済みタービン構成要素（１０）。
【請求項６】
ガスタービンのタービン構成要素（１０）を補修する方法であって、
コバルト基ろう合金及びコバルト基耐摩耗性合金の粉体を混合して粉体混合物を形成する段階であって、前記コバルト基ろう合金が粉体混合物の１０〜３５重量％を構成しているとともに、コバルト基ろう合金の溶融温度が１０９０℃〜１２３０℃となるのに十分な量のホウ素を含んでおり、該コバルト基ろう合金が、重量％で、２２．００〜２４．７５％のクロム、９．０〜１１．０％のニッケル、６．５〜７．６％のタングステン、３．０〜４．０％のタンタル、２．６０〜３．１６％のホウ素、０．５５〜０．６５％の炭素、０．１５〜０．３０％のチタン、０．３０〜０．６０％のジルコニウム、１．３％以下の鉄、０．４％以下の珪素、０．１０％以下のマンガン、０．０１５％以下の硫黄、及び残部のコバルト及び不可避的不純物からなり、前記コバルト基耐摩耗性合金が、重量％で、２６．０〜３０．０％のクロム、１８．０〜２１．０％のタングステン、４．０〜６．０％のニッケル、０．７５〜１．２５％のバナジウム、０．７〜１．０％の炭素、３．０％以下の鉄、１．０％以下のマンガン、０．５％以下のモリブデン、１．０％以下の珪素、０．０５％以下のホウ素、及び残部のコバルト及び不可避的不純物からなる、粉体混合物を形成する段階と、
前記粉体混合物を焼結して焼結予備成形体（２２、２４）を形成する段階と、
前記タービン構成要素（１０）の表面部分を除去して該タービン構成要素（１０）の表面下部分（２０）を露出する段階と、
前記タービン構成要素（１０）の表面下部分（２０）に前記焼結予備成形体（２２、２４）を拡散接合して、前記耐摩耗性コバルト基合金のマトリックス内に分散された前記コバルト基ろう合金からなる耐摩耗性補修材料を形成する段階と
を含むことを特徴とする補修方法。
【請求項７】
タービン構成要素（１０）が、５５〜５９％のガンマプライム（γ′）相含有量を有するニッケル基超合金からなる、請求項６記載の補修方法。
【請求項８】
前記粉体混合物を、焼結中に、融合を促進して多孔率を低減する圧縮に付し、２容積％未満の多孔率を有する焼結予備成形体を得る、請求項６又は請求項７記載の補修方法。
【請求項９】
前記拡散接合段階の前に、前記タービン構成要素（１０）の表面下部分（２０）上にニッケル含有被覆を堆積させる段階を更に含む、請求項６乃至請求項８のいずれか１項記載の補修方法。
【請求項１０】
前記ニッケル基超合金が、重量％で、９．５〜１０％のクロム、７〜８％のコバルト、３．３５〜３．６５％のチタン、４．１〜４．３％のアルミニウム、５．７５〜６．２５％のタングステン、１．３〜１．７％のモリブデン、４．６０〜５．０％のタンタル、０．０６〜０．１％の炭素、０．００８０〜０．０１０％のジルコニウム、０．００８〜０．０１０５％のホウ素、及び残部のニッケル及び不可避的不純物からなる、請求項７記載の補修方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットシェイプの外表面（４０）を有するセラミックマトリックス複合材物品（１０）を製造する方法であって、当該方法が、
繊維強化材料（１８、２０）を含む本体（１２）を準備する段階と、
炭素質バインダ（２４）とセラミック微粒子材料（２６）を含有するスラリーとを含む皮膜（１６）を前記本体（１２）の表面（１４）上に被着させる段階と、
前記炭素質バインダ（２４）を硬化させて前記皮膜（１６）を機械加工可能にする段階と、次に、
前記皮膜（１６）を機械加工してほぼ物品（１０）のネットシェイプを形成する段階と
を含んでいるとともに、
前記機械加工段階の後に、前記皮膜（１６）をダイ表面に接触させかつ合致させながら前記本体（１２）を溶融浸透材料で溶融浸透処理する段階と、
前記溶融浸透材料を反応させて、前記繊維強化材料（１８、２０）を含有する複合材基体（３８）内部にセラミックマトリックス（２２）を形成し、前記皮膜（１６）が前記複合材基体（３８）に結合して物品（１０）を形成するセラミック皮膜（３６）を形成しかつ前記セラミック皮膜（３６）が実質的にネットシェイプを有する前記外表面（４０）を形成するようにする段階
をさらに含む方法。
【請求項２】
前記炭素質バインダ（２４）が少なくとも１つのフラン樹脂である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記炭素質バインダ（２４）がフルフリルアルコールを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記炭素質バインダ（２４）がフェノール−ホルムアルデヒドを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記皮膜（１６）の繊維強化材料（１８、２０）及びセラミック微粒子材料（２６）が炭化ケイ素を含有する、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記溶融浸透材料が溶融ケイ素を含み、前記反応させる段階が前記溶融ケイ素の少なくとも一部分を前記セラミックマトリックス（２２）としての炭化ケイ素と反応させる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記溶融浸透処理する段階が、前記皮膜（１６）を前記溶融ケイ素で溶融浸透処理して、該皮膜（１６）に溶融浸透した溶融ケイ素が前記反応させる段階の間に反応して炭化ケイ素を形成するようにする段階をさらに含む、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．１から１３００質量ｐｐｍのＯＨ濃度を有する合成ガラス材料であって、その軸の少なくとも１つに対して垂直な方向のＯＨ濃度のばらつきが２０質量ｐｐｍ未満である合成ガラス材料を製造する方法において、
(i)  高純度シリカスート粒子を提供し、
(ii)  前記スート粒子から、０．２から１．６ｇ／ｃｍ3の嵩密度を持つ多孔質プリフォームを形成し、
(iii)  必要に応じて、前記多孔質プリフォームを浄化し、
(iv)  Ｈ2ＯおよびＯ2に対して不活性な固結雰囲気に露出される内面を有する炉内において、Ｈ2Ｏおよび／またはＯ2の存在下で、前記プリフォームを緻密なシリカに固結する、
各工程を有してなる方法。
【請求項２】
工程(ii)において、前記多孔質プリフォームが、０．２ｍｍより長い距離に亘り、いずれか大きい方の、該多孔質プリフォームの全体の嵩密度の１０％未満、または０．１ｇ／ｃｍ3未満の、固結されるべきガラスの意図する光軸に対して垂直な面で測定された局部スート密度のばらつきを有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程(iv)において、前記プリフォームに、１１５０〜１４５０℃で、０．４℃／分未満の温度上昇速度を施すことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程(iv)において、前記プリフォームに、１１５０〜１４５０℃で、０．２℃／分未満の温度上昇速度を施すことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
工程(iv)において、前記プリフォームを、ヘリウムおよび／またはＨｅ／Ｈ2Ｏおよび／またはＨｅ／Ｈ2Ｏ／Ｏ2を有してなる雰囲気中で固結することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
工程(iv)において、前記プリフォームを、Ｈ2Ｏを有してなる雰囲気中で固結することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
工程(iv)において、前記プリフォームを、Ｏ2／Ｈ2Ｏに対して実質的に不活性な環境中で固結することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
工程(i)において、前記スートを、塩素を含まないケイ素前駆体材料を用いて提供することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
工程(iii)において、前記スートプリフォームを、塩素を実質的に含まない雰囲気の存在下で浄化することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
０．１から１３００質量ｐｐｍのＯＨ濃度を有する合成シリカガラス材料であって、少なくとも１つの軸に対して垂直な方向におけるＯＨ濃度のばらつきが、２０質量ｐｐｍ未満であり、１９３ｎｍでの内部透過率が、少なくとも９９．６５％／ｃｍである合成シリカガラス材料。
【請求項１１】
１×１０15から５×１０18分子／ｃｍ3のＨ2をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１２】
５０質量ｐｐｍ未満のＣｌをさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１３】
ＯＨ濃度が０．１〜１００質量ｐｐｍであることを特徴とする請求項１記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１４】
１０ｐｐｂ未満のアルカリ、アルカリ土類、または遷移金属元素を含むことを特徴とする請求項１０記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１５】
８００〜１２００℃の仮想温度を有し、仮想温度のばらつきが５０℃未満であることを特徴とする請求項１０記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１６】
屈折率のばらつきが５ｐｐｍ未満であることを特徴とする請求項１６記載の合成シリカガラス材料。
【請求項１７】
７．５×１０16分子／ｃｍ3未満の量でＯ2を含むことを特徴とする請求項１０記載の合成シリカガラス材料。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セグメント化されたポリウレタン、並びに
ａ）１種又はそれより多くのフェノール系酸化防止剤、
ｂ）ベンゾフラノン安定剤及び／又は立体障害アミン安定剤、及び
ｃ）ヒドラジン又はヒドラジド安定剤
を含む組成物。
【請求項２】
紫外線吸収剤が更に存在する請求項１記載の組成物。
【請求項３】
セグメント化されたポリウレタンの耐熱性及び／又は耐候性を向上させる方法であって、
前記セグメント化されたポリウレタンに、
ａ）１種又はそれより多くのフェノール系酸化防止剤、
ｂ）ベンゾフラノン安定剤及び／又は立体障害アミン安定剤、及び
ｃ）ヒドラジン又はヒドラジド安定剤
を配合することからなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、熱産生亢進作用を有する薬剤。
【請求項２】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、ミトコンドリアの脱共役呼吸を亢進させる薬剤。
【請求項３】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、ミトコンドリア内膜でのプロトンリークを亢進させる薬剤。
【請求項４】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、ミトコンドリア含有細胞のＵＣＰ１の発現量を増大させる薬剤。
【請求項５】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、脂肪酸β酸化を亢進させる薬剤。
【請求項６】
前記ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質が、非特異的ＰＰＡＲリガンド又はＰＰＡＲδリガンドである請求項１〜５のいずれかに記載の薬剤。
【請求項７】
前記ミトコンドリアが骨格筋、白色脂肪組織、もしくは褐色脂肪組織の細胞のものである請求項２〜４のいずれかに記載の薬剤。
【請求項８】
前記ミトコンドリアが白色脂肪組織、もしくは褐色脂肪組織の細胞のものである請求項２〜４のいずれかに記載の薬剤。
【請求項９】
ＰＰＡＲδを活性化する作用を有する物質を有効成分として含有する、抗糖尿病剤、抗肥満剤、抗高血圧剤、抗高脂血症剤、抗動脈硬化剤、抗虚血性心疾患剤、内臓蓄積脂肪低減化剤、もしくは内臓脂肪蓄積抑制剤。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の薬剤を有効成分として含有する、抗糖尿病剤、抗肥満剤、抗高血圧剤、抗高脂血症剤、抗動脈硬化剤、抗虚血性心疾患剤、内臓蓄積脂肪低減化剤、もしくは内臓脂肪蓄積抑制剤。
【請求項１１】
ＰＰＡＲδ活性化作用を測定することを特徴とする、抗糖尿病剤、抗肥満剤、抗高血圧剤、抗高脂血症剤、抗動脈硬化剤、抗虚血性心疾患剤、内臓蓄積脂肪低減化剤、もしくは内臓脂肪蓄積抑制剤の選択方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤのまわりに周方向に配置され各々が上面を有する複数のトレッドブロックを含むトレッドと、
少なくとも１つの前記トレッドブロック内へ形成された少なくとも１つのサイプと、
を備え、
前記サイプは、互いに対向する第１および第２のサイドウォールによって画定されており、前記トレッドブロックの前記上面に概ね垂直な平面において概ね弓形の中央部分と、前記中央部分で隔てられた第１および第２の端部とを有し、前記第１のサイドウォールと第２のサイドウォールとは、前記中央部分において少なくとも１つの第１の幅だけ離れ、前記第１および第２の端部の一方において少なくとも１つの第２の幅だけ離されており、前記第２の幅は、前記第１および第２のサイドウォールが前記上面に平行な方向の変形によって前記中央部分に沿って互いに接触するように、前記第１の幅よりも大きくされている、タイヤ。
【請求項２】
前記サイプは、前記中央部分がステップ状の形状となっている、請求項１に記載のタイヤ。
【請求項３】
前記ステップ状の部分は複数の部分を有し、前記複数の部分のそれぞれが、前記トレッドブロックの前記上面に概ね垂直な方向の高さ寸法を有し、前記複数の部分のそれぞれにおける前記第１の幅に対する前記高さ寸法の比が約１／１２から約１／４である、請求項２に記載のタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーカスと、前記カーカスの内面に接合されたインナーライナーと、を有し、前記インナーライナーは、前記カーカスに隣接している、非発泡ゴムからなる第１のインナーライナー層と、タイヤの最も内側の表面を形成する、発泡多孔ゴムからなる第２のインナーライナー層と、を含む２層構造を有し、発泡多孔ゴムからなる前記第２のインナーライナー層は、硬化によって分解して窒素ガスを放出する窒素放出発泡剤を有する化合物から硬化させられ、前記第２のインナーライナー層は、前記最も内側の表面に物理的に形成された、平均直径が５０〜２５０μｍの複数の空洞を有している開放セル構造を持っている、空気入りタイヤ。
【請求項２】
空気入りタイヤを製造する方法であって、
発泡剤を含有せずに第１のゴム化合物を有している第１のグリーンインナーライナー層をグリーンタイヤカーカス上に組み立て、かつ、第２のゴム化合物および分散させられた窒素放出発泡剤を有している第２のグリーンインナーライナー層を前記第１のグリーンインナーライナー層上に組み立てて、グリーンタイヤアセンブリを形成することと、
前記第２のグリーンインナーライナー層が硬化金型の表面から最も遠くなるように、前記グリーンタイヤアセンブリを該硬化金型内に配置することと、
硬化ブラダを前記第２のグリーンインナーライナー層に向かって膨張させ、前記硬化金型に加硫温度を加えながら前記グリーンタイヤアセンブリを前記硬化金型の表面に押し付け、前記第２のグリーンインナーライナー層内の前記発泡剤の分解によって窒素ガスが放出されて、タイヤカーカスに隣接している非発泡の第１のインナーライナー層と、前記タイヤの最も内側の表面にある発泡した第２のインナーライナー層と、を有している硬化したタイヤアセンブリを形成することと、
前記硬化ブラダを収縮させ、かつ前記硬化ブラダを前記発泡した第２のインナーライナー層から剥がすことと、
最も内側の表面を物理的に部分的に改変して開いた複数の空洞を形成することによって、前記発泡した第２のインナーライナー層に開いたセル構造を形成することと、
を含む、空気入りタイヤを製造する方法。
【請求項３】
前記改変を、最も内側の表面をナイフで切って前記発泡した第２のインナーライナー層のセル構造を開くこと、またはレーザで前記最も内側の表面に穴をあけることによって行う、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この位置ｄでのコントラスト評価値ｄ’は、直前の位置ｃでのコントラスト評価値ｃ’より減少するので、その時フォーカスレンズ３１の移動方向を反転する。このような動作を繰り返してコントラスト評価値の最大点を決める制御を山登り制御と呼び、ビデオカメラにおけるＡＦ方式の最も一般的な手法である。
なお、この山登り制御によるオートフォーカス機能を備えたビデオカメラとして、読み出し画素のランダムアクセスが可能な撮像素子を用いたビデオカメラが知られている（例えば、特許文献２参照）。また、コントラストが水平方向に低い横縞等の被写体に対して確実なピント合わせを行うようにした、オートフォーカス機能を備えたビデオカメラも知られている（例えば、特許文献３参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２５２４４１号公報
【特許文献２】特開２０００−１９６９５１号公報
【特許文献３】特開２００４−１５１６０８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタの製造における誘電膜上に金属ゲートを形成する方法において、
基板上にSiO2膜を蒸着させる第１のステップ、
該SiO2膜上に金属材料の層を蒸着させる第２のステップ、
該金属材料の層をアニールして、該金属材料の層を酸化して誘電膜を形成する第３のステップ、そして
該誘電膜上に金属ゲートを蒸着させる第４のステップとからなり、
該第１のステップから該第４のステップまでの全処理中、該蒸着されたSiO2膜、蒸着された金属材料の層及び形成された誘電膜が大気に曝すことなく行われている方法。
【請求項２】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップにおける金属材料は耐熱性金属である方法。
【請求項３】
請求項２に記載の金属ゲートを形成する方法において、該耐熱性金属はHf、Ta又はZrである方法。
【請求項４】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップにおける金属材料は金属合金である方法。
【請求項５】
請求項４に記載の金属ゲートを形成する方法において、該金属合金はHfTa又はHfTiである方法。
【請求項６】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップにおける金属材料は金属−半導体合金である方法。
【請求項７】
請求項６に記載の金属ゲートを形成する方法において、該金属−半導体合金はHfSiである方法。
【請求項８】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップにおける金属材料は金属合金窒化物である方法。
【請求項９】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該金属合金窒化物はTaSiNである方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップは少なくとも２つの金属材料の積層体を蒸着している方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の金属ゲートを形成する方法において、該積層体はHf/SiN/Hf又はHfN/AlN/Hfである方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第３のステップのアニーリングは酸素ガス雰囲気で行われる方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップの蒸着はHf、Zr、Ti又はTaの金属ターゲットを用いたスパッタリングで行なわれる方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第３のステップは酸素ガス雰囲気において行なわれる第１のアニーリングと、不活性ガス雰囲気で行なわれる第２のアニーリングとからなる方法。
【請求項１５】
金属酸化膜半導体電解効果トランジスタの製造における誘電膜上に金属ゲートを形成する方法において、
基板上にSiO2膜を蒸着させる第１のステップ、
該SiO2膜上に金属材料の層を蒸着させる第２のステップ、
第１の温度で酸素ガス雰囲気において該金属材料の層をアニーリングし、更に該第１の温度より高い第２の温度で不活性ガス雰囲気においてアニーリングをして、金属材料の酸化層の誘電膜を形成する第３のステップ、そして
該誘電膜上に金属ゲートを蒸着させる第４のステップとからなる方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の金属ゲートを形成する方法において、該金属材料はHf元素を含む方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の金属ゲートを形成する方法において、該第２のステップは金属材料の少なくとも２層の積層体を蒸着させている方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の金属ゲートを形成する方法において、該金属はHf、Ta、Zr、HfN、TaN、TiN、HfTa、HfTi、HfSi又はTaSiNである方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記憶素子を含むメモリセルアレイを有し、
前記記憶素子は、凸部を有する第１の導電層と、前記凸部が突出した側の前記第１の導電層上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた第２の導電層とを有し、
前記絶縁層は、有機化合物層、有機化合物と無機化合物との混合層、または光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料からなる層である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタと、前記トランジスタと電気的に接続される記憶素子を複数含むメモリセルアレイを有し、
前記記憶素子は、凸部を有する第１の導電層と、前記凸部が突出した側の前記第１の導電層上に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に設けられた第２の導電層とを有し、
前記絶縁層は、有機化合物層、有機化合物と無機化合物との混合層、または光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料からなる層である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記メモリセルアレイは、ガラス基板、可撓性基板、または単結晶半導体基板上に設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記メモリセルアレイと、アンテナとを有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する記憶素子と、
前記第２のトランジスタと電気的に接続するアンテナとを有し、
前記記憶素子は、前記第１のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続され、凸部を有する第１の導電層と、
前記凸部が突出した側の前記第１の導電層上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上に設けられた第２の導電層とを有し、
前記絶縁層は、有機化合物層、有機化合物と無機化合物との混合層、または光酸発生剤がドーピングされた共役高分子材料からなる層である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記アンテナは、
前記第２のトランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続される接続端子と、
前記接続端子と電気的に接続される導電性微粒子とを介して、
前記第２のトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の導電層は、複数の凸部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記凸部は、少なくとも一部に曲面を有する、または前記第１の導電層の表面に対して側壁面が傾斜角度１０度以上８５度以下に傾斜している
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記凸部の表面に撥液層が設けられている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記絶縁層は、電気的作用又は光学的作用により結晶状態、導電性、または形状が変化する層である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記記憶素子は、電気的作用又は光学的作用により抵抗値が変化する
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、電子機器、正孔注入性材料及び有機化合物
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極として機能する電極に接して設けられた正孔注入層を含む発光素子であって、
前記正孔注入層が、
下記一般式（１）で表される繰り返し単位を含み、
式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、
式中Ｒ２はアリール基を示し、
イオン化ポテンシャルが４．９ｅＶ以上５．４ｅＶ以下のポリマーよりなる正孔注入性材料により形成されていることを特徴とする発光素子。
【化１】
2006237592.tif 000001
【請求項２】
請求項１において、式中Ｒ２で示される前記アリール基が電子供与性の置換基を有する発光素子。
【請求項３】
請求項２において、前記電子供与性の置換基はハメット則における置換基定数σの値が−２．１以上０．１５以下の範囲内の値を取る置換基である発光素子。
【請求項４】
請求項１において、式中Ｒ２で表される前記アリール基がジアリールアミノ基を有するアリール基である発光素子。
【請求項５】
陽極として機能する電極に接して設けられた正孔注入層を含む発光素子であって、
前記正孔注入層が、
下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、
式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、
式中Ｒ２は下記式（２）で表されるいずれかの基であるポリマーよりなる正孔注入性材料により形成されていることを特徴とする発光素子。
（但し式中Ａｒ１〜Ａｒ３は炭素数６〜１４のアリール基を表す。）
【化２】
2006237592.tif 000002
【化３】
2006237592.tif 000003
【請求項６】
陽極として機能する電極に接して設けられた正孔注入層を含む発光素子であって、
前記正孔注入層が、
下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有するポリマーよりなる正孔注入性材料により形成されていることを特徴とする発光素子。
【化４】
2006237592.tif 000004
【請求項７】
前記正孔注入性材料のイオン化ポテンシャルが４．９ｅＶ以上５．４ｅＶ以下である請求項５又は６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記正孔注入性材料の数平均分子量が１００００以上１０００００以下である請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光素子を用いたことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の発光装置を表示部に用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
下記一般式（３）で表される繰り返し単位を有するポリマーよりなる正孔注入性材料。
【化５】
2006237592.tif 000005
【請求項１２】
下記構造式（５）で表される有機化合物。
【化６】
2006237592.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
この光源を側面に配置した導光板とを有し、
この導光板を流体が透過できるように表面から裏面にかけて貫通する複数の貫通孔が形成され、
この貫通孔を形成する面が光源からの光を放射する発光面であり、この発光面及び光源が配置された側面以外の面が遮光面として形成されていることを特徴とする面発光デバイス。
【請求項２】
前記導光板の表面または裏面の少なくとも一方に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光デバイス
【請求項３】
前記導光板に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が密着するように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光デバイス。
【請求項４】
前記導光板の貫通穴に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が密着するように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の面発光デバイス。
【請求項５】
前記面発光デバイスが、ピーク波長が５４０ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の面発光デバイス。
【請求項６】
前記面発光デバイスが、ピーク波長が４２０ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする請求項５記載の面発光デバイス。
【請求項７】
前記面発光デバイスが、ピーク波長が３８８ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする請求項６記載の面発光デバイス。
【請求項８】
前記面発光デバイスが、ピーク波長が３５５〜３７５ｎｍの範囲の光を放射することを特徴とする請求項７に記載の面発光デバイス。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の面発光デバイスを用いたろ過フィルタ。
【請求項１０】
請求項９に記載のろ過フィルタを用いた空気清浄機又はエアコンデイショナー用フィルタ。
【請求項１１】
請求項９に記載のろ過フィルタを用いた液体浄化用フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）光源と、
この光源を側面に配置した導光板とを有し、
この導光板を流体が透過できるように表面から裏面にかけて貫通する複数の貫通孔が形成され、
この貫通孔を形成する面が光源からの光を放射する発光面であり、この発光面及び光源が配置された側面以外の面が遮光面として形成されていることを特徴とする面発光デバイス。
（２）前記導光板の表面または裏面の少なくとも一方に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が配置されていることを特徴とする前記（１）に記載の面発光デバイス
（３）前記導光板に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が密着するように配置されていることを特徴とする前記（１）に記載の面発光デバイス。
（４）前記導光板の貫通穴に、光触媒または光触媒を担持した多孔体が密着するように配置されていることを特徴とする前記（３）に記載の面発光デバイス。
（５）前記面発光デバイスが、ピーク波長が５４０ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする前記（１）〜（４）のいずれか一項に記載の面発光デバイス。
（６）前記面発光デバイスが、ピーク波長が４２０ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする前記（５）に記載の面発光デバイス。
（７）前記面発光デバイスが、ピーク波長が３８８ｎｍ以下の光を放射することを特徴とする前記（６）に記載の面発光デバイス。
（８）前記面発光デバイスが、ピーク波長が３５５〜３７５ｎｍの範囲の光を放射することを特徴とする前記（７）に記載の面発光デバイス。
（９）前記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の面発光デバイスを用いたろ過フィルタ。
（１０）前記（９）に記載のろ過フィルタを用いた空気清浄機又はエアコンデイショナー用フィルタ。
（１１）前記（９）に記載のろ過フィルタを用いた液体浄化用フィルタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上に設けられた半導体層に位置し、各々が少なくとも一つのゲート電極と、第１導電型の第１の半導体領域、第１導電型の第２の半導体領域並びに前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に挟まれる第１導電型とは反対導電型の第２導電型の第３の半導体領域とを有する複数のＭＩＳトランジスタを備え、前記第１の半導体領域及び第２の半導体領域は前記ゲート電極のゲート長方向の両側に位置し、いずれも前記絶縁層にまで到達し、
前記半導体層に位置し、前記絶縁層にまで到達する第１の素子分離絶縁膜をさらに備え、前記第１の素子分離絶縁膜は前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に接し、前記第１の素子分離絶縁膜により同一導電型の前記ＭＩＳトランジスタは相互に分離され、
前記半導体層に位置する第２の素子分離絶縁膜と、
前記第２の素子分離絶縁膜と前記絶縁層との間に設けられる第２導電型の第４の半導体領域とをさらに備える、
半導体装置。
【請求項２】
前記第２の素子分離絶縁膜は前記第３の半導体領域に接する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極の延在方向に沿った側面の両方にはサイドウォールが形成され、
前記第１の半導体領域、前記第２の半導体領域は前記サイドウォールと対向する位置で半導体部を有し、
前記第３の半導体領域に接する前記第２の素子分離絶縁膜のゲート長方向に沿った幅は、前記ゲート長方向に沿って一方の前記サイドウォールの前記ゲート電極の反対側の端部から前記ゲート電極を経由して他方の前記サイドウォールの前記ゲート電極の反対側の端部に至るまでの幅に設定される、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の半導体領域と接する位置において前記第２の素子分離絶縁膜の前記ゲート長方向に沿った幅は、前記第３の半導体領域の一端部から前記第１の半導体領域及び他端部から前記第２の半導体領域へと、デザインルールで許容される最小の幅で広げた幅に設定される、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域から前記ゲート電極の延在方向でデザインルールで許容される最小の距離以遠で、前記第２の素子分離絶縁膜の前記ゲート長方向に沿った幅が広がる、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つに記載の半導体装置を有する回路を構成する第１種ブロックと、
他の回路を構成する第２種ブロックと、
前記ブロック同士を分離する分離領域と
を備えて前記絶縁層上に設けられた前記半導体層において形成され、
少なくとも、前記ブロック同士を接続するブロック間配線が敷設される位置において、ブロック間を分離する分離絶縁膜が前記絶縁層に到達する、
半導体集積回路。
【請求項７】
前記ブロック間配線が敷設される位置以外では前記分離絶縁膜は前記絶縁層に到達しない、
請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記ブロック間を分離する前記分離絶縁膜は全て前記絶縁層に到達する、
請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項９】
（ａ）絶縁層および前記絶縁層上に設けられた半導体層を有する半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記半導体層の上方にシリコン窒化膜を形成する工程と、
（ｃ）フォトリソグラフィ技術により前記シリコン窒化膜をパターニングする工程と、
（ｄ）パターニングされた前記シリコン窒化膜をマスクとしつつ、前記半導体層を前記絶縁層に迄到達しない深さでエッチングする工程と、
（ｅ）パターニングされた前記シリコン窒化膜上およびエッチングされた前記半導体層上方にフォトレジストを形成し、前記フォトレジストをパターニングする工程と、
（ｆ）パターニングされた前記フォトレジストおよび前記シリコン窒化膜をマスクとしつつ、エッチングされた前記半導体層の一部を前記絶縁層に迄到達する深さでさらにエッチングする工程と、
（ｇ）前記半導体層の、前記絶縁層に迄到達しない深さでエッチングされた部分および前記絶縁層に迄到達する深さでエッチングされた部分の双方に絶縁膜を埋め込んで、素子分離絶縁膜を形成する工程とを備える、
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記素子分離絶縁膜のうち前記絶縁層に迄到達するものは、前記半導体層の厚み方向と、複数のＭＩＳトランジスタのゲート電極が延在する第１方向とのいずれにも垂直な第２方向に延在する、異なるトランジスタ間での素子分離絶縁膜であり、
前記素子分離絶縁膜のうち前記絶縁層に迄到達しないものは、前記複数のＭＩＳトランジスタのボディ領域の近傍に設けられた素子分離絶縁膜である、
請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
異なる高電位が印加された複数の高電位線と、
前記異なる高電位のいずれもより低い、異なる低電位が印加された複数の低電位線と
をさらに備え、
前記第４の半導体領域は、前記複数のＭＩＳトランジスタの各々において、前記第３の半導体領域を前記高電位線および前記低電位線の一つに接続する、
請求項２記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明にかかる半導体装置は、絶縁層上に設けられた半導体層に位置し、各々が少なくとも一つのゲート電極と、第１導電型の第１の半導体領域、第１導電型の第２の半導体領域並びに前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に挟まれる第１導電型とは反対導電型の第２導電型の第３の半導体領域とを有する複数のＭＩＳトランジスタを備え、前記第１の半導体領域及び第２の半導体領域は前記ゲート電極のゲート長方向の両側に位置し、いずれも前記絶縁層にまで到達し、前記半導体層に位置し、前記絶縁層にまで到達する第１の素子分離絶縁膜をさらに備え、前記第１の素子分離絶縁膜は前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に接し、前記第１の素子分離絶縁膜により同一導電型の前記ＭＩＳトランジスタは相互に分離され、前記半導体層に位置する第２の素子分離絶縁膜と、前記第２の素子分離絶縁膜と前記絶縁層との間に設けられる第２導電型の第４の半導体領域とをさらに備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明にかかる半導体装置によれば、第１の素子分離絶縁膜は前記第１の半導体領域及び前記第２の半導体領域に接し、前記第１の素子分離絶縁膜により同一導電型の前記ＭＩＳトランジスタは相互に分離されるため、一のトランジスタの第１の半導体領域と、当該一のトランジスタに対して隣接する他のトランジスタの第２の半導体領域との間で、絶縁層とは反対側で敷設される配線に寄生する容量を低減する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたトランジスタを含む素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた絶縁膜と、
前記トランジスタと電気的に接続されたアンテナとして機能する導電膜とを有し、
前記絶縁膜は溝を有し、
前記導電膜は前記絶縁膜の溝に沿って設けられ、且つ前記基板の表面に垂直な断面において少なくとも凹型を含む形状で設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられたトランジスタを含む素子形成層と、
絶縁膜とアンテナとして機能する導電膜とを含むアンテナ形成層とを有し、
前記絶縁膜は溝を有し、
前記導電膜は前記絶縁膜の溝に沿って設けられ且つ前記基板の表面に垂直な断面において少なくとも凹型を含む形状で設けられており、
前記素子形成層と前記アンテナ形成層とが接着剤によって貼り合わされ、且つ前記トランジスタと前記導電膜とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられたトランジスタを含む素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた絶縁膜と、
前記トランジスタと電気的に接続されたアンテナとして機能する導電膜とを有し、
前記絶縁膜は前記素子形成層が露出する溝を有し、
前記導電膜は前記溝に沿って前記露出した素子形成層上と前記絶縁膜上に設けられ、
前記導電膜は、前記露出した素子形成層上に設けられた部分と前記絶縁膜上に設けられた部分では厚さが異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記基板の表面に垂直な方向における前記絶縁膜の溝がコイル状に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の基板上に設けられたトランジスタを含む素子形成層と、
第２の基板上に設けられた絶縁膜とアンテナとして機能する導電膜とを含むアンテナ形成層とを有し、
前記導電膜は、前記第２の基板上に選択的に形成された前記絶縁膜に沿って設けられ、且つ前記第２の基板の表面に垂直な断面において複数の凸部を含む形状で設けられており、
前記素子形成層と前記アンテナ形成層とが接着剤によって貼り合わされ、且つ前記トランジスタと前記導電膜とが接続領域において電気的に接続され、
前記接続領域に配置される前記導電膜の凸部は、前記接続領域以外に配置される前記導電膜の凸部より高く設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記接続領域に配置される前記導電膜の下方に位置する前記絶縁膜が前記接続領域以外に配置される前記絶縁膜より厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第２の基板の表面に垂直な方向における前記絶縁膜の溝がコイル状に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１の基板は可撓性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記絶縁膜の端部は湾曲していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、
単層又は多重層であって不純物を添加しない層の上に、不純物添加層を形成する際に、
不純物源の供給量を最低供給量から、供給を開始し、
その後不純物源の供給量を目標供給量まで増加させ、不純物を漸増させる層を形成したのち、一定供給量とし、
この間、前記不純物添加層を形成するための他の原料の供給量は、一定であることを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に係る発明は、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法において、単層又は多重層であって不純物を添加しない層の上に、不純物添加層を形成する際に、不純物源の供給量を最低供給量から、供給を開始し、その後不純物源の供給量を目標供給量まで増加させ、不純物を漸増させる層を形成したのち、一定供給量とし、この間、不純物添加層を形成するための他の原料の供給量は、一定であることを特徴とする。「不純物を添加しない層」とは、意図的に何らかの不純物を所望の濃度で添加した訳ではない層を言い、熱拡散やコンタミネーション等による他の層からの混入があったとしても「不純物を添加しない層」である。また、請求項２に係る発明は、不純物はアクセプタであることを特徴とする。