(57)【要約】【課題】被処理基板のエッジ部の欠陥に起因するパーティクルによる液浸露光機の汚染等が生じ難い液浸露光用塗布膜形成装置を提供すること。【解決手段】液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置は、基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する一または複数の塗布ユニットと、基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う一または複数の熱的処理ユニットと、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する検査ユニットと、検査ユニットでの検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断し、許容範囲であった場合に露光装置への基板の搬入を許容する制御部とを具備する。【選択図】図８
2008135582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置であって、
基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する一または複数の塗布ユニットと、
基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う一または複数の熱的処理ユニットと、
液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する検査ユニットと、
前記検査ユニットでの検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断し、許容範囲であった場合に露光装置への基板の搬入を許容する制御部と
を具備することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項２】
前記塗布膜形成後、露光装置への基板搬入前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに有し、前記検査ユニットは、洗浄ユニットでの洗浄後の基板を検査することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項３】
前記制御部は、検査ユニットによる検査結果から、基板のエッジ部における塗布膜のはがれの状態を判断することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項４】
液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置であって、
基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する一または複数の塗布ユニットと、
基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う一または複数の熱的処理ユニットと、
塗布膜形成後の基板のエッジ部における塗布膜の潜在的な欠陥を顕在化させる処理を行う欠陥顕在化ユニットと、
前記欠陥顕在化ユニットにおける処理後、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する検査ユニットと、
前記検査ユニットでの検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断し、許容範囲であった場合に露光装置への基板搬入を許容する制御部と
を具備することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項５】
前記欠陥顕在化ユニットによる処理の前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに有することを特徴とする請求項４に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項６】
前記欠陥顕在化ユニットと前記洗浄ユニットとは一体的に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項７】
前記欠陥顕在化ユニットは、基板のエッジ部における潜在的な塗布膜の欠陥を塗布膜のはがれとして顕在化させることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項８】
前記欠陥顕在化ユニットは、液浸露光処理の際よりも過酷な条件で欠陥顕在化処理を行うことを特徴とする請求項４から請求項７のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項９】
前記欠陥顕在化ユニットは、基板のエッジ部に高圧純水を供給することにより行われることを特徴とする請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項１０】
露光後の熱処理を行うユニットおよび現像処理を行うユニットをさらに具備することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成装置。
【請求項１１】
液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成方法であって、
基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する工程と、
基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う工程と、
液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する工程と、
前記検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断する工程と、
前記塗布膜の状態が許容範囲であった場合に露光装置へ基板を搬入する工程と
を有することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１２】
前記塗布膜形成後、前記検査工程の前に基板を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項１１に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１３】
前記許容範囲か否かを判断する工程は、前記検査工程での検査の結果から塗布膜のはがれの状態を判断することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１４】
液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成方法であって、
基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する工程と、
基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う工程と、
塗布膜形成後の基板のエッジ部における塗布膜の潜在的な欠陥を顕在化させる処理を行う工程と、
前記欠陥を顕在化させる処理の後、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する工程と、
前記検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断する工程と、
前記塗布膜の状態が許容範囲であった場合に露光装置へ基板搬入する工程と
を有することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１５】
前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程の前に基板を洗浄する工程をさらに有することを特徴とする請求項１４に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１６】
前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、基板のエッジ部における潜在的な塗布膜の欠陥を塗布膜のはがれとして顕在化させることを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１７】
前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、液浸露光処理の際よりも過酷な条件で欠陥顕在化処理を行うことを特徴とする請求項１４から請求項１６のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１８】
前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、基板のエッジ部に高圧純水を供給することにより行われることを特徴とする請求項１４から請求項１７のいずれか１項に記載の液浸露光用塗布膜形成方法。
【請求項１９】
コンピュータ上で動作し、液浸露光用塗布膜形成装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項１１から請求項１８のいずれかの方法が行われるように、コンピュータに前記液浸露光用塗布膜形成装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板の表面に設けられるレジスト膜に液体を介して露光処理を施す液浸露光前に、基板にレジスト膜等の塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置および塗布膜形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下、単にウエハという）上に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が用いられている。フォトリソグラフィを用いた回路パターンの形成は、ウエハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このレジスト膜に光を照射して回路パターンに対応するようにレジスト膜を露光した後、これを現像処理するといった手順で行われる。
【０００３】
半導体デバイスは近時、動作速度の向上等の観点から高集積化の傾向にあるため、フォトリソグラフィ技術においては、ウエハ上に形成される回路パターンの微細化が要求されている。そこで、４５ｎｍノードの高解像度を実現するフォトリソグラフィ技術として、ウエハと露光用の投影レンズとの間に空気よりも高い屈折率を有する純水等の露光液を供給し、露光液の屈折率を利用して投影レンズからの照射光の波長を短くすることにより露光の線幅を細くする液浸（Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ）露光が提案されている（例えば特許文献１参照）。しかし、液浸露光処理のみで４５ｎｍノードの高解像度を実現するには、解決すべき課題が多く、パターニングを２回行って微細パターンを形成するダブルパターニングと称する技術と組み合わせて用いることが検討されている。
【０００４】
ダブルパターンニング技術は、エッチング前に２回露光を行う必要があり、露光前に発生したパーティクルが露光機に持ち込まれやすい。また、液浸露光は、純水等の露光液を供給しながら露光処理を行うため、露光機内でもパーティクルが発生しやすい。液浸露光にパーティクルが存在すると液浸露光機が汚染され、露光の精度が低下するおそれがある。
【０００５】
このようなパーティクルは、特にレジスト膜等の塗布膜を塗布した後の処理工程中にウエハエッジ部に膜はがれ等の欠陥が発生した場合に生じる。そして、このようなウエハエッジ部の欠陥に起因したパーティクルは液浸露光機を汚染させて露光精度を低下させるばかりでなく、ウエハ表裏面への欠陥の転写を引き起こす。
【特許文献１】国際公開２００５−０２９５５９号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板のエッジ部の欠陥に起因するパーティクルによる液浸露光機の汚染等が生じ難い液浸露光用塗布膜形成装置および塗布膜形成方法を提供することを目的とする。
また、そのような塗布膜形成方法を実行するための制御プログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置であって、基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する一または複数の塗布ユニットと、基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う一または複数の熱的処理ユニットと、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する検査ユニットと、前記検査ユニットでの検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断し、許容範囲であった場合に露光装置への基板の搬入を許容する制御部とを具備することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成装置を提供する。
【０００８】
上記第１の観点の装置において、前記塗布膜形成後、露光装置への基板搬入前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに有し、前記検査ユニットは、洗浄ユニットでの洗浄後の基板を検査するようにすることができる。また、前記制御部は、検査ユニットによる検査結果から、基板のエッジ部における塗布膜のはがれの状態を判断するものとすることができる。
【０００９】
本発明の第２の観点では、液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成装置であって、基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する一または複数の塗布ユニットと、基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う一または複数の熱的処理ユニットと、塗布膜形成後の基板のエッジ部における塗布膜の潜在的な欠陥を顕在化させる処理を行う欠陥顕在化ユニットと、前記欠陥顕在化ユニットにおける処理後、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する検査ユニットと、前記検査ユニットでの検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断し、許容範囲であった場合に露光装置への基板搬入を許容する制御部とを具備することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成装置を提供する。
【００１０】
上記第２の観点の装置において、前記欠陥顕在化ユニットによる処理の前に基板を洗浄する洗浄ユニットをさらに有する構成とすることができる。前記欠陥顕在化ユニットと前記洗浄ユニットとは一体的に構成することができる。また、前記欠陥顕在化ユニットは、基板のエッジ部における潜在的な塗布膜の欠陥を塗布膜のはがれとして顕在化させるものとすることができる。さらに、前記欠陥顕在化ユニットは、液浸露光処理の際よりも過酷な条件で欠陥顕在化処理を行うものとすることができる。さらにまた、前記欠陥顕在化ユニットは、基板のエッジ部に高圧純水を供給することにより行うようにすることができる。さらにまた、露光後の熱処理を行うユニットおよび現像処理を行うユニットをさらに具備する構成とすることができる。
【００１１】
本発明の第３の観点では、液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成方法であって、基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する工程と、基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う工程と、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する工程と、前記検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断する工程と、前記塗布膜の状態が許容範囲であった場合に露光装置へ基板搬入する工程とを有することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成方法を提供する。
【００１２】
上記第３の観点の方法において、前記塗布膜形成後、前記検査工程の前に基板を洗浄する工程をさらに有するものとすることができる。また、前記許容範囲か否かを判断する工程は、前記検査工程での検査の結果から塗布膜のはがれの状態を判断するものとすることができる。
【００１３】
本発明の第４の観点では、液体を介して露光処理を施す液浸露光装置に供される基板に対してレジスト膜またはレジスト膜と他の膜からなる塗布膜を形成する液浸露光用塗布膜形成方法であって、基板にレジスト膜またはレジスト膜と他の膜を塗布する工程と、基板に対して塗布膜形成に必要な熱的処理を行う工程と、塗布膜形成後の基板のエッジ部における塗布膜の潜在的な欠陥を顕在化させる処理を行う工程と、前記欠陥を顕在化させる処理の後、液浸露光前に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査する工程と、前記検査結果に基づいて基板のエッジ部における塗布膜の状態が許容範囲か否かを判断する工程と、前記塗布膜の状態が許容範囲であった場合に露光装置へ基板搬入する工程とを有することを特徴とする液浸露光用塗布膜形成方法を提供する。
【００１４】
上記第４の観点の方法において、前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程の前に基板を洗浄する工程をさらに有するようにすることができる。また、前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、基板のエッジ部における潜在的な塗布膜の欠陥を塗布膜のはがれとして顕在化させるようにすることができる。さらに、前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、液浸露光処理の際よりも過酷な条件で欠陥顕在化処理を行うようにすることができる。さらにまた、前記欠陥を顕在化させる処理を行う工程は、基板のエッジ部に高圧純水を供給することにより行うようにすることができる。
【００１５】
本発明の第５の観点では、コンピュータ上で動作し、液浸露光用塗布膜形成装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第３または第４の観点の方法が行われるように、コンピュータに前記液浸露光用塗布膜形成装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、塗布膜を形成した基板を露光装置に搬入する前に、基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査し、その状態が許容範囲か否かを判断して許容範囲であった場合に露光装置へ基板を搬入するようにしたので、パーティクルの元になる塗布膜のはがれ等の欠陥のある基板が露光装置に搬入されることを未然に防ぐことができ、パーティクルが露光装置に持ち込まれたり、露光装置でパーティクルが発生することを効果的に抑制することができる。したがって、パーティクルにより液浸露光機が汚染されて露光精度が低下することや、基板の裏面への欠陥の転写を抑制することができる。
【００１７】
また、塗布膜を形成した基板のエッジ部の塗布膜に存在する潜在的な欠陥を顕在化させ、その後に基板のエッジ部における塗布膜の状態を検査し、その状態が許容範囲か否かを判断して許容範囲であった場合に露光装置へ基板を搬入するようにしたので、塗布膜形成時点では基板のエッジ部における塗布膜に潜在的な欠陥が存在しているような場合であっても、検査により除外することができ、露光装置内で欠陥が顕在化してパーティクルが発生することを未然に防止することができる。したがって、より一層信頼性の高い塗布処理を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る塗布・現像装置を備えたパターン形成装置の概略平面図であり、図２はその概略斜視図である。
【００１９】
パターン形成装置１は、半導体基板であるウエハＷに所定のレジストパターンを形成するためのものであり、ウエハＷにレジスト等を塗布し、かつ露光後の現像を行う塗布・現像装置２と、ウエハＷに露光処理を施す液浸露光装置３とを備えている。塗布・現像装置２は、ウエハＷの搬送ステーションであるカセットステーション１１と、ウエハＷに所定の処理を施す複数の処理ユニットを有する処理ステーション１２と、処理ステーション１２および露光装置３の間でウエハＷを受け渡すためのインターフェイスステーション１３とを備えている。カセットステーション１１、処理ステーション１２、インターフェイスステーション１３および露光装置３は、この順にパターン形成装置１の長さ方向（Ｙ方向）に直列に配置されている。
【００２０】
カセットステーション１１は、複数枚、例えば１３枚のウエハＷが収容されたウエハカセット（ＣＲ）を載置するカセット載置台１１ａと、カセット載置台１１ａ上のウエハカセット（ＣＲ）と後述する処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ3に設けられたトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するためのウエハ搬送部１１ｃとを有している。カセット載置台１１ａ上には、ウエハカセット（ＣＲ）を位置決めするための位置決め部１１ｂが、パターン形成装置１の幅方向（Ｘ方向）に複数、例えば５個設けられており、ウエハカセット（ＣＲ）は、その開口がウエハ搬送部１１ｃの筐体の壁面に設けられた開閉部１１ｅと対向するように、位置決め部１１ｂ位置に載置される。ウエハ搬送部１１ｃは、その筐体内に配置された、ウエハＷを保持可能な搬送ピック１１ｄを有し、この搬送ピック１１ｄによりカセット載置台１１ａ上の各ウエハカセット（ＣＲ）とトランジションユニットとの間でウエハＷを搬送するように構成されている。  
【００２１】
図２に示すように、カセットステーション１１の下部には塗布・現像装置２の全体を制御する制御部２０が設けられている。この制御部２０の詳細は後述する。また、露光装置３にも図示しない制御部が設けられている。
【００２２】
処理ステーション１２は、筐体１５内に配置されており、その前面側（図１下側）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第１処理ユニット群Ｇ1と第２処理ユニット群Ｇ2とを有し、その背面側（図１上方）に、カセットステーション１１側からインターフェイスステーション１３側に向かって順に、第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ4および第５処理ユニット群Ｇ5を有している。また、処理ステーション１２は、第３処理ユニット群Ｇ3と第４処理ユニット群Ｇ4との間に第１主搬送部Ａ1を有し、第４処理ユニット群Ｇ4と第５処理ユニット群Ｇ5との間に第２主搬送部Ａ2を有している。また、第１主搬送部Ａ１の裏面側には、第６処理ユニット群Ｇ６が設けられている。
【００２３】
図２に示すように、第１処理ユニット群Ｇ1は、ウエハＷに露光時の光の反射を防止する反射防止膜を形成する２つのボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）と、ウエハＷにレジスト膜を形成する２つのレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）とが積み重ねられて構成されている。第２処理ユニット群Ｇ2は、ウエハＷに現像処理を施す例えば３つの現像ユニット（ＤＥＶ）と、ウエハＷに形成されたレジスト膜の表面に撥水性を有する保護膜（トップコート膜）を形成する例えば２つのトップコーティングユニット（ＩＴＣ）とが積み重ねられて構成されている。
【００２４】
第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５は、例えば、レジスト塗布後のウエハＷに加熱処理を施すプリベークユニット（ＰＡＢ）、現像処理後のウエハＷに加熱処理を施すポストベークユニット（ＰＯＳＴ）、露光後現像前のウエハＷに加熱処理を施す露光後ベークユニット（ＰＥＢ）、疎水化処理またはプリベークされたウエハＷを所定温度に調整するための温調ユニットである冷却ユニット（ＣＰＬ１）と、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）で加熱されたウエハＷを所定温度に調整する温調ユニットである冷却ユニット（ＣＰＬ３）とポストベークユニット（ＰＯＳＴ）で加熱されたウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ４）等が例えば１０段に積み重ねて構成されている。また、第６処理ユニット群Ｇ６は、ウエハＷに疎水化処理を施すアドヒージョンユニット（ＡＤＨ）を例えば２段積み重ねて構成されている。これらは、例えば図３に示すように配置されている。図３に示すように、第３処理ユニット群Ｇ３はカセットステーション１１と第１主搬送部Ａ1との間でのウエハＷの受け渡し部となる受け渡しユニット（ＴＲＳ１）を有し、第５処理ユニット群Ｇ５は第２主搬送部Ａ２とインターフェイスステーション１３の後述する第１インターフェイスステーション搬送機構２１との間でのウエハＷの受け渡し部となる受け渡しユニット（ＴＲＳ２）を有している。
【００２５】
プリベークユニット（ＰＡＢ）およびポストベークユニット（ＰＯＳＴ）はいずれも加熱プレートを備え、第１主搬送部Ａ1および第２主搬送部Ａ2の双方からアクセスすることができるように構成されている。一方、露光後ベークユニット（ＰＥＢ）は、ウエハＷを加熱する加熱プレートおよび加熱後のウエハを冷却する冷却プレートを備え、やはり第１主搬送部Ａ1および第２主搬送部Ａ2の双方からアクセスすることができるように構成されている。
【００２６】
第１主搬送部Ａ1は、ウエハＷを保持可能な第１主ウエハ搬送アーム１６を有し、この第１主ウエハ搬送アーム１６は、第１処理ユニット群Ｇ1、第３処理ユニット群Ｇ3および第４処理ユニット群Ｇ4、第６処理ユニット群Ｇ６の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。第２主搬送部Ａ2は、ウエハＷを保持可能な第２主ウエハ搬送アーム１７を有し、この第２主ウエハ搬送アーム１７は、第２処理ユニット群Ｇ2、第４処理ユニット群Ｇ4および第５処理ユニット群Ｇ5の各ユニットに選択的にアクセスできるようになっている。
【００２７】
第１処理ユニット群Ｇ1とカセットステーション１１との間および第２処理ユニット群Ｇ2とインターフェイスステーション１３との間にはそれぞれ、第１および第２処理ユニット群Ｇ1、Ｇ2に供給される処理液の温度調節装置や温度湿度調節用のダクト等を備えた温度湿度調節ユニット１８が設けられている（図１参照）。また、第１および第２処理ユニット群Ｇ1、Ｇ2の下側にはそれぞれ、これらに薬液を供給するケミカルユニット（ＣＨＭ）が設けられている（図２参照）。
【００２８】
インターフェイスステーション１３は、図４に示す概略斜視図に示すように、筐体内に配置された、処理ステーション１２側の第１インターフェイスステーション１３ａと、露光装置３側の第２インターフェイスステーション１３ｂとを有している。第１インターフェイスステーション１３ａには、第５処理ユニット群Ｇ5の開口部と対面するように、ウエハＷを搬送するための第１ウエハ搬送機構２１が設けられており、第２インターフェイスステーション１３ｂには、ウエハＷを搬送するための第２ウエハ搬送機構２２が設けられている。
【００２９】
第１インターフェイスステーション１３ａの正面側には、ウエハ周辺部の余分なレジストを除去するためにウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置（ＷＥＥ）と、露光装置３に搬送されるウエハＷを一時収容するイン用バッファカセット（ＩＮＢＲ）と、露光装置３から搬送されたウエハＷを一時収容するアウト用バッファカセット（ＯＵＴＢＲ）と、露光装置３に搬送される前のウエハを洗浄する前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と、露光装置３から搬送されたウエハＷを洗浄する後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）とが積み重ねられて構成された第７処理ユニット群Ｇ７が配置されている。第１インターフェイスステーション１３ａの背面側には、ウエハＷを高精度に温調する高精度温調ユニット（ＣＰＬ）が例えば２段に積み重ねられて構成された第８処理ユニット群Ｇ８が配置されている。
【００３０】
一方、第２インターフェイスステーション１３ｂの正面側には、レジスト膜等の塗布膜を形成したウエハＷのエッジ部を検査する検査ユニット（ＣＨＫ）と検査の結果不合格であったウエハＷを収容するためのリジェクトウエハカセット（ＲＣＲ）が２段に積み重ねられて構成された第９処理ユニット群Ｇ９が配置されている。
【００３１】
第１ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷを受け渡すためのフォーク２１ａを有している。このフォーク２１ａは、上下動および旋回が可能であり、第５処理ユニット群Ｇ5、第６処理ユニット群Ｇ６、第７処理ユニット群Ｇ７の各ユニットにアクセス可能であって、これにより各ユニット間でのウエハＷの搬送を行う。
【００３２】
第２ウエハ搬送機構２２は、ウエハＷを受け渡すための上下２本のフォーク２２ａ、２２ｂを有している。これらフォーク２２ａ、２２ｂは、図１のＹ方向に沿った水平移動、上下動および旋回が可能であり、第７処理ユニット群Ｇ７の前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）および後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）、第８処理ユニット群Ｇ８の各ユニット、第９処理ユニット群Ｇ９の各ユニット、露光装置３の後述するインステージ３ａおよびアウトステージ３ｂにアクセス可能であって、これら各部の間でウエハＷの搬送を行う。
【００３３】
第１インターフェイスステーション１３ａの上部には、第１インターフェイスステーション１３ａまたはインターフェイスステーション１３の気流を調整する気流調整部２３が設けられ、第２インターフェイスステーション１３ｂの上部には、露光装置から搬送されたウエハＷが乾燥しないように第２インターフェイスステーション１３ｂまたはインターフェイスステーション１３を加湿する加湿部が設けられている。
【００３４】
上記前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）は、図５の概略断面図に示すように、ウエハＷを収容する筐体６０と、筐体６０内でウエハＷを水平に保持して回転させるスピンチャック６１と、スピンチャック６１に保持されたウエハＷに洗浄液として純水を供給する純水供給機構６２と、スピンチャック６１に保持されたウエハＷから振り切られた洗浄液等の処理液を受け止めるカップ体６４と、スピンチャック６１を回転させるモータ６５とを備えている。
【００３５】
筐体６０の側壁には、第１および第２の搬送機構２１，２２からウエハＷを搬入出するための２つの搬入出口６０ａが形成されている。これら搬入出口６０ａにはシャッタ６０ｂが設けられている。スピンチャック６１は、昇降可能であり、ウエハＷの下面を真空吸着してウエハＷを保持した状態でモータ６５によって回転される。
【００３６】
処理液供給機構６２は、洗浄液として純水を供給するための純水供給源６２ａと、純水供給源６２ａからの純水をスピンチャック６１に保持されたウエハＷの表面（上面）に供給する表面側ノズル６２ｂと、純水供給源６２ａからの純水をスピンチャック６１に保持されたウエハＷの裏面（下面）に供給する裏面ノズル６２ｃと、純水供給源６２ａからの純水を表面側ノズル６２ｂおよび裏面側ノズル６２ｃに導く導管６２ｄと、導管６２ｄを流通する純水の流量を調整するバルブ６２ｅとを有している。なお、符号６３は、表面側ノズル側６２ｂを待機させておくための待機部である。
【００３７】
カップ体６４は、ウエハＷを保持したスピンチャック６１が下降した位置にあるときにスピンチャック６１に保持されたウエハＷを囲繞するように設けられている。また、カップ体６４は、その上端部が上方に向かって内側に傾斜しており、ウエハＷから振り切られた処理液および裏面ノズル６２ｃから供給された処理液を確実に受け止めることができるようになっている。カップ体６４内の底壁には、受け止めた処理液を排出する排出管６４ａが接続されている。
【００３８】
なお、後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）は、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と同じ構成を有している。
【００３９】
検査ユニット（ＣＨＫ）は、図６の概略構成図に示すように、筐体７１と、筐体７１内でウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック７２と、スピンチャック７２を回転させるモータ７３と、スピンチャック７２に保持されたウエハＷの表面のエッジ部、裏面のエッジ部、ベベル部をそれぞれ撮像する３つのＣＣＤカメラ７２ａ、７２ｂ、７２ｃとを有している。そして、このＣＣＤカメラ７２ａ、７２ｂ、７２ｃによりウエハＷのエッジ部（表面エッジ部、裏面エッジ部、ベベル部）を撮像し、画像処理することによりその状態が把握されるようになっている。また、筐体７１の側壁には、ウエハ搬入出口７１ａが設けられており、このウエハ搬入出口７１ａはシャッタ７１ｂにより開閉可能となっている。この検査ユニット（ＣＨＫ）での検査項目としては、ウエハＷエッジ部におけるレジスト膜等の塗布膜のはがれ、および塗布状態を挙げることができる。また、これらＣＣＤカメラ７２ａ、７２ｂ、７２ｃに元素分析機能を持たせて、パーティクルの付着状態を把握するようにしてもよい。
【００４０】
露光装置３は、インターフェイスステーション１３から搬送されたウエハＷを載置するインステージ３ａと、インターフェイスステーション１３に搬送されるウエハＷを載置するアウトステージ３ｂと、レジスト膜が形成されたウエハＷを所定の液体に浸漬させた状態でレジスト膜を露光する液浸露光部３０と、インステージ３ａ、液浸露光部３０およびアウトステージ３ｂの間でウエハＷを搬送するウエハ搬送機構２５とを有している。
【００４１】
液浸露光部３０は、図７の概略断面図に示すように、ウエハＷが載置されるステージ３１と、図示しない光源からの露光光で照明されたマスクのパターン像をステージ３１上のウエハＷに投影露光する投影レンズ３２と、ステージ３１上のウエハＷと投影レンズ３２との間に、露光液として例えば純水を供給する供給口３３、およびこの露光液を回収する回収口３４が形成された露光液流通部材３５とを備え、これらが図示しない開閉可能なチャンバー内に収容されて構成されている。
【００４２】
ステージ３１は、水平方向に移動可能、かつ微小回転可能に設けられている。また、ステージ３１は、載置されたウエハＷを囲むように環状突出部３６を有し、この環状突出部３６により、載置されたウエハＷを保持するとともに、ウエハＷに供給された露光液の流出を防止できるように構成されている。投影レンズ３２は、マスクのパターン像を所定の倍率でウエハＷに投影露光するように構成されている。なお、光源からの露光光としては、ＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光やＡｒＦエキシマレーザ光等の真空紫外光などが用いられる。露光液流通部材３５は、投影レンズ３２の先端部はたは下端部の周囲に環状に設けられており、供給口３３および回収口３４がそれぞれ、下部に周方向に間隔をあけて複数形成されている。そして、各供給口３３から露光液が供給されるとともに、供給された露光液が各回収口３４から例えば吸引されて回収されるように構成されている。
【００４３】
上記制御部２０は、図８のブロック図に示すように、塗布・現像装置２の各ユニットおよび各搬送機構等の各構成部を制御するマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）を備えたコントローラ５１と、工程管理者がパターン形成装置１の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードや、パターン形成装置１の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなるユーザーインターフェイス５２と、処理に必要な情報が記憶された記憶部５３とを有している。
【００４４】
記憶部５３は、塗布・現像装置２で実行される各種処理をコントローラ５１の制御にて実現するための種々の制御プログラムや、処理条件データや処理手順等が記録されたレシピ、さらは処理に必要なデータベース等を格納している。
【００４５】
処理に際しては、ユーザーインターフェイス５２からの指示等を受けて、任意のレシピを記憶部５３から呼び出してコントローラ５１に実行させることで、コントローラ５１の制御下で、塗布・現像装置２において所望の各種処理が行われる。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、不揮発性メモリなどの読み出し可能な記憶媒体に記憶されている。なお、レシピは適宜の装置から例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００４６】
また、コントローラ５１は、検査ユニット（ＣＨＫ）によるウエハＷのエッジ部を試験した結果に基づいて、エッジ部の状態が許容範囲であるか否かを判定する機能も有している。
【００４７】
次に、以上のように構成されたパターン形成装置１における処理動作について説明する。
まず、ウエハ搬送部１１ｃの搬送ピック１１ｄにより、ウエハカセット（ＣＲ）から１枚のウエハＷを取り出し、処理ステーション１２の第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニットに搬送する。次に、第１および第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、第１〜５処理ユニット群Ｇ１〜５の所定のユニットにウエハＷを順次搬送し、ウエハＷに一連の処理を施す。例えば、アドヒージョンユニットでのアドヒージョン処理、ボトムコーティングユニット（ＢＡＲＣ）での反射防止膜の形成、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）でのレジスト膜の形成、トップコーティングユニット（ＩＴＣ）での保護膜の形成、プリベークユニットでのプリベーク処理を行う。その後、インターフェイスステーション１３にて、第１ウエハ搬送体２１によりウエハＷを搬送して、周辺露光装置（ＷＥＥ）での周辺露光処理、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）での前洗浄処理を順次行う。
【００４８】
この前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）では、搬入されたウエハＷを上昇させた状態のスピンチャック６１に吸着させ、ウエハＷをスピンチャック６１に保持させる。次に、シャッタ６０ｂによって搬入出口６０ａを閉塞するとともに、カップ体６４によってウエハＷが囲繞されるようにスピンチャック６１を下降させる。そして、スピンチャック６１によってウエハＷを回転させつつ、ウエハＷに純水供給機構６２から純水を供給してウエハＷを洗浄する。続いて、純水の供給を停止した状態で、スピンチャック６１によってウエハＷを回転させてウエハＷを振り切り乾燥させる。乾燥終了後、搬入出口６０ｂを開放して、第２ウエハ搬送機構２２によりウエハＷが搬出される。
【００４９】
その後、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）へウエハＷを搬入して高精度で所定の温度に温調した後、第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを露光装置３のインステージ３ａに搬送する。その後、露光装置３のウエハ搬送機構２５によってウエハＷを液浸露光部３０に搬送してウエハＷに液浸露光処理を施す。
【００５０】
その後、ウエハ搬送機構２５によってウエハＷをアウトステージ３ｂに搬送し、次いで、インターフェイスステーション１３の第２ウエハ搬送機構２２によってウエハＷを後洗浄ユニット（ＰＯＣＬＮ）に搬送してウエハＷを後洗浄する。その後、第５処理ユニット群Ｇ５のトランジションユニットを介して、第１および第２主搬送部Ａ１、Ａ２により、レシピの順序に従って、第１〜５処理ユニット群Ｇ１〜Ｇ５の所定のユニットにウエハＷを順次搬送する。例えばポストエクスポージャーベークユニットでのポストエクスポージャーベーク処理、現像ユニット（ＤＥＶ）での現像処理、ポストベークユニットでのポストベーク処理を順次行う。その後、ウエハＷを、第３処理ユニット群Ｇ３に設けられたトランジションユニットを介してカセットステーション１１のウエハカセット（ＣＲ）へ搬送する。
【００５１】
以上のウエハの処理において、塗布・現像装置２での反射防止膜、レジスト膜、保護膜等の塗布膜形成の際に、ウエハＷのエッジ部に塗布膜のはがれや塗布状態の悪い欠陥部分が存在していると、露光装置３において露光ヘッドとウエハＷとの間に露光液として典型的には純水を保持し、その状態で露光ヘッドとウエハとの間に相対的な移動を生じさせるので、これらの衝撃により上記欠陥部分がウエハＷから分離してパーティクルになるおそれがある。また、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）において供給された純水によっても、そのような欠陥部分からパーティクルが発生して露光装置にもたらされるおそれがある。
【００５２】
そこで、本実施形態では、ウエハＷを塗布・現像装置２から露光装置３に搬送する前に、好ましくは露光前の洗浄を行った後に、ウエハＷのエッジ状態を検査する。以下、この検査およびその前後の処理手順の例について図９のフローチャートを参照して詳細に説明する。
【００５３】
上記手順で必要な塗布処理が終了した後、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）にてウエハＷの前洗浄処理を行う（ステップ１）。次いで、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）内のウエハＷを検査ユニット（ＣＨＫ）に搬送し、そこでウエハＷのエッジ部を検査する（ステップ２）。エッジ部の検査は、スピンチャック７２にウエハＷを保持させて、ウエハＷをゆっくり回転させながら、ウエハＷの表面のエッジ部、裏面のエッジ部、ベベル部を３つのＣＣＤカメラ７２ａ、７２ｂ、７２ｃで撮像し、画像処理して、膜はがれの有無、および塗布状態を把握する。
【００５４】
そして、検査ユニット（ＣＨＫ）での検査結果は制御部２０のコントローラ５１に出力されて、ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲であるか否かを判定する（ステップ３）。ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲である場合には、ウエハＷをそのまま次の工程に供し、露光装置３へ搬入する（ステップ４）。すなわち、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）へウエハＷを搬送し、さらに露光装置３のインステージ３ａに搬送する。一方、ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲から外れた場合には、ウエハＷを検査ユニット（ＣＨＫ）の上のリジェクトウエハカセット（ＲＣＲ）に搬送し、処理から除外する（ステップ５）。除外されたウエハＷはリワークして再度用いられるか、または廃棄される。
【００５５】
このように、ウエハＷが露光装置３に搬入される前に、ウエハＷのエッジ状態を検査し、エッジ状態が許容範囲内のもののみを露光装置３に搬入するので、露光装置３にエッジ不良に起因するパーティクルがもたらされることや、露光装置３でそのようなパーティクルが発生することを抑制することができる。したがって、パーティクルによる露光装置３内の汚染や、ウエハ表裏面への欠陥の転写を効果的に抑制することができる。特に、露光前洗浄を行う前にこのような検査を行うので、このような洗浄によって顕在化したウエハＷのエッジ部の欠陥をも検査ユニット（ＣＨＫ）で把握することができ、より効果を高めることができる。また、このように処理途中で不良のウエハを除外することで、不必要な処理を省略することが可能となり、処理効率を向上させることができる。
【００５６】
次に、本発明の他の実施形態について説明する。
上記実施形態では、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）により洗浄処理を行った後、検査ユニット（ＣＨＫ）にてウエハＷのエッジ部を検査してエッジ部の状態が許容範囲であったものだけを露光装置３内へ搬入するようにしたが、エッジ部に潜在的な欠陥が存在している場合には、検査ユニット（ＣＨＫ）での検査をパスしても液浸露光の際にウエハＷのエッジ部に塗布膜の欠陥がはがれ等として顕在化し、それがパーティクルになるおそれがある。
【００５７】
そこで、本実施形態では、上記前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）に代えて、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）を設ける。図１０は、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）を示す断面図である。この前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）は前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）としての機能を有しており、その基本構成は上記前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と同じであるが、ウエハＷのエッジ部に高圧純水を供給することができるようになっている点が異なっている。すなわち、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）は、前洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）の構成要素に加えてスピンチャック６１の表面エッジ部に高圧純水を供給する高圧純水供給機構６６を備えている。この高圧純水供給機構６６は、高圧純水供給源６６ａと、高圧純水をウエハＷの表面エッジ部に噴射する高圧純水ノズル６６ｂと、高圧純水を高圧純水供給源６６ａから高圧純水ノズル６６ｂに導く導管６６ｃと、導管６６ｃを流通する純水の流量を調整するバルブ６６ｄとを有している。他の構成は洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と同じであり、それらには洗浄ユニット（ＰＲＥＣＬＮ）と同じ番号を付して説明を省略する。
【００５８】
この前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）では、液浸露光処理の際の条件よりも過酷な条件になるように高圧純水ノズル６６ｂからの純水供給圧力および流量を調整し、ウエハＷに前洗浄処理を施した後、高圧純水をウエハＷのエッジ部に供給する。これにより、ウエハＷのエッジ部で塗布膜に欠陥が顕在化していないが、液浸露光時に欠陥がはがれ等として顕在化してパーティクルが発生するおそれのあるウエハＷについて、ウエハＷのエッジ部における欠陥を顕在化させることができる。
【００５９】
この実施形態の場合の検査およびその前後の処理フローについて、図１１のフローチャートを参照して説明する。
【００６０】
上記手順で必要な塗布処理が終了した後、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）にてウエハＷの前洗浄を行う（ステップ１１）。次いで、同様に前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）にてウエハＷのエッジ部に高圧純水を供給してエッジ部に潜在的なはがれが存在している場合にはそれを顕在化させる（ステップ１２）。その後、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）内のウエハＷを検査ユニット（ＣＨＫ）に搬送し、そこでウエハＷのエッジを検査する（ステップ１３）。エッジの検査は、前述したように、スピンチャック７２にウエハＷを保持させて、ウエハＷをゆっくり回転させながら、ウエハＷの表面のエッジ部、裏面のエッジ部、ベベル部を３つのＣＣＤカメラ７２ａ、７２ｂ、７２ｃで撮像し、画像処理して、膜はがれの有無、および塗布状態を把握する。
【００６１】
そして、検査ユニット（ＣＨＫ）での検査結果は制御部２０のコントローラ５１に出力されて、ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲であるか否かを判定する（ステップ１４）。ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲である場合には、ウエハＷをそのまま次の工程に供し、露光装置３へ搬入する（ステップ１５）。すなわち、高精度温調ユニット（ＣＰＬ）へウエハＷを搬送し、さらに露光装置３のインステージ３ａに搬送する。一方、ウエハＷのエッジ部の状態が許容範囲から外れた場合には、ウエハＷを検査ユニット（ＣＨＫ）の上のリジェクトウエハカセット（ＲＣＲ）に搬送し、処理から除外する（ステップ１６）。除外されたウエハＷはリワークして再度用いられるか、または廃棄される。
【００６２】
このように、検査ユニット（ＣＨＫ）での検査に先立って、前洗浄／はがれ顕在化ユニット（ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ）にて高圧純水をウエハＷのエッジ部に供給（噴射）するので、従前の実施形態における効果に加えて、顕在化していないが液浸露光の際に顕在化してパーティクルとなるような潜在的なはがれを顕在化させることができ、露光機３内でのパーティクルの発生をより確実に抑制して信頼性を一層高めることができるといった効果が得られる。
【００６３】
なお、はがれ顕在化処理を行うユニットを前洗浄処理を行うユニットと別個に設けてもよい。また、はがれ顕在化処理は、純水の代わりに気体を吹き付けたり、ブラシをあてる等、他の手法で行うこともできる。
【００６４】
以上、本発明の典型的な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、塗布・現像装置に本発明を適用した場合について示したが、塗布処理およびそれに付随する処理のみを行う装置に適用してもよい。また、本実施形態では検査ユニットにおいてＣＣＤカメラにてエッジ部の状態を検査したが、これに限るものではない。さらに、露光前の洗浄処理の直後に検査を行った例を示したが、これに限らず塗布処理後、露光前のいずれかのタイミングであればよい。さらにまた、上記実施形態では、検査ユニットでの検査結果をコントローラによって許容範囲か否かを判断するようにしたが、検査画像からオペレータが判断するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に係る塗布・現像装置を備えたパターン形成装置の概略平面図。
【図２】図１に示すパターン形成装置を示す概略斜視図。
【図３】図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における主に第３処理ユニット群Ｇ3、第４処理ユニット群Ｇ４、第５処理ユニット群Ｇ５の構成を説明するための模式図。
【図４】図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置におけるインターフェイスステーションを示す概略斜視図。
【図５】図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における前洗浄ユニットを示す概略断面図。
【図６】図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における検査ユニットを示す概略断面図。
【図７】図１のパターン形成装置に搭載された露光装置における液浸露光部の構造例を示す概略図。
【図８】図１に示すパターン形成装置の塗布・現像装置における制御部の要部を示すブロック図。
【図９】本発明の一実施形態の塗布・現像装置におけるウエハのエッジ部の検査およびその前後の処理手順の一例を示すフローチャート。図１のパターン形成装置に搭載された試験ユニットの一例を示す断面図。
【図１０】本発明の他の実施形態の塗布・現像装置に用いられる前洗浄／はがれ顕在化ユニットを示す概略断面図。
【図１１】本発明の他の実施形態の塗布・現像装置におけるウエハのエッジ部の検査およびその前後の処理手順の一例を示すフローチャート。
【符号の説明】
【００６６】
１；パターン形成装置
２；塗布・現像装置
３；露光装置
２０；制御部
５１；コントローラ
５２；ユーザーインターフェイス
５３；記憶部
ＣＯＴ；レジスト塗布ユニット
ＢＡＲＣ；ボトムコーティングユニット
ＩＴＣ；トップコーティングユニット
ＰＲＥＣＬＮ；前洗浄ユニット
ＣＨＫ；検査ユニット
ＰＲＥＣＬＮ／ＰＥＥＬ；前洗浄／はがれ顕在化ユニット
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
2008135582.tif 000003
【図２】
2008135582.tif 000004
【図３】
2008135582.tif 000005
【図４】
2008135582.tif 000006
【図５】
2008135582.tif 000007
【図６】
2008135582.tif 000008
【図７】
2008135582.tif 000009
【図８】
2008135582.tif 000010
【図９】
2008135582.tif 000011
【図１０】
2008135582.tif 000012
【図１１】
2008135582.tif 000013