【手続補正書】
【提出日】平成25年10月1日(2013.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
暗視装置であって、
長波長反応カットオフを１．２５μｍ〜１．４μｍの波長範囲に制限する組成を有する半導体吸収層を含むセンサーと、
前記センサーの裏側に配置されて且つ前記センサーに接続されるイメージングチップと、
前記イメージングチップから信号を収集する電子機器とを備えており、
前記カメラは、大気動作温度で低暗電流を有する１．４μｍよりも小さい波長にて、微弱光条件下で、光を検知する、暗視装置。
【請求項２】
請求項１に記載の暗視装置において、
前記半導体吸収層は、長波長反応カットオフを１．２５μｍ〜１．４μｍの波長に制限する組成を有する、ＩｎＧａＡｓＰを含む、暗視装置。
【請求項３】
請求項２に記載の暗視装置において、
前記半導体吸収層は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１からＩｎ０．７６Ｇａ０．２４Ａｓ０．５１Ｐ０．４９の範囲で、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙの組成を含む、暗視装置。
【請求項４】
請求項２に記載の暗視装置において、
前記半導体吸収層は、Ｉｎ０．７１Ｇａ０．２９Ａｓ０．６３Ｐ０．３７を含む、暗視装置。
【請求項５】
請求項２に記載の暗視装置において、
前記半導体吸収層は、１．３５ミクロン〜１．４０ミクロンの波長内でバンドギャップを有する半導体を含む、暗視装置。
【請求項６】
請求項１に記載の暗視装置において、
前記イメージングチップは、１６００ピクセル×１２００ピクセルを有するＣＭＯＳアノードアレイを含む、暗視装置。
【請求項７】
請求項６に記載の暗視装置において、
前記イメージングチップは、１０．８ミクロンの画素ピッチを含む、暗視装置。
【請求項８】
請求項７に記載の暗視装置において、
前記イメージングチップは、６０Ｈｚで動作する、暗視装置。
【請求項９】
暗視アプリケーション用のセンサーであって、
ＩｎＰ基板と、
前記ＩｎＰ基板の一表面上に形成されたＩｎＰバッファ層と、
前記ＩｎＰバッファ層上に形成されたＩｎＧａＡｓＰ吸収層と、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層の上方に形成されたＩｎＰキャップ層とを備えており、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、長波長反応カットオフを１．２５μｍ〜１．４μｍの範囲の波長に制限する、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１０】
請求項９に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層と前記ＩｎＰキャップ層との間に形成されたグレーディング層（grading layer）をさらに備えており、
前記ＩｎＰキャップ層は、エミッタ層を形成している、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１１】
請求項１０に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＰキャップ層の上方に形成されたショットキーバリア層と、
前記ＩＮＰキャップ層の上方に形成された接触格子とを含む、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１２】
請求項９に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＰキャップ層を介して形成されて且つ部分的に前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層へ延伸している、Ｐ型拡散層を含む、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１３】
請求項９に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１から Ｉｎ０．７６Ｇａ０．２４Ａｓ０．５１Ｐ０．４９の範囲で、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ組成を含む、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１４】
請求項１１に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１から Ｉｎ０．７６Ｇａ０．２４Ａｓ０．５１Ｐ０．４９の範囲で、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ組成を含む、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１５】
請求項１２に記載の暗視アプリケーション用のセンサーにおいて、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１  から Ｉｎ０．７６Ｇａ０．２４Ａｓ０．５１Ｐ０．４９の範囲で、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ組成を含む、暗視アプリケーション用のセンサー。
【請求項１６】
暗視装置であって、
長波長反応カットオフを１．２５μｍ〜１．４μｍの範囲の波長に制限するセンサーと、
前記センサーの裏側に位置して且つ前記センサーに接続されており、１０．８ミクロンの画素ピッチで１６００ピクセル×１２００ピクセルを有すると共に６０Ｈｚで動作するアレイを含む、イメージングチップとを備える、暗視装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の暗視装置において、
前記センサーは、
ＩｎＰ基板と、
前記ＩｎＰ基板の上方に形成されたＩｎＧａＡｓＰ吸収層とを備えている、暗視装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の暗視装置において、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１から  Ｉｎ０．７６Ｇａ０．２４Ａｓ０．５１Ｐ０．４９の範囲で、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ組成を含む、センサー。
【請求項１９】
請求項１に記載の暗視装置において、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、ｓ及びｔが０と１との間で変化する（ＡｌｓＧａ１−ｓ）１−ｔＩｎｔＡｓ半導体アロイシステムを含む、暗視装置。
【請求項２０】
請求項１６に記載の暗視装置において、
前記ＩｎＧａＡｓＰ吸収層は、ｓ及びｔが０と１との間で変化する（ＡｌｓＧａ１−ｓ）１−ｔＩｎｔＡｓ半導体アロイシステムからなる、暗視装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図１は、波長関数として夜間照明のスペクトル強度を示している。本データは、Ｖａｔｓｉａ，Ｍｉｒｓｈｒｉ，Ｌによる「Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｅｎｖｉｒｏｎｍｅｎｔ」，Ｒｅｓｅａｒｃｈ  ａｎｄ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｒｅｐｏｒｔ  ＥＣＯＭ−７０２３，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ（１９７２）に開示されている。本グラフの曲線１は、月が出ていない夜における波長に対する照明レベルをプロットしている。１．４μｍ〜１．５μｍの波長の範囲にて、夜に利用可能な光に大きな減少があることが観察され得る。こうした減少は、大気中の水によるこうしたバンド中における光学的照射の吸収によって引き起こされる。他方で、約１．６３μｍを中心とする、１．４μｍを超えて第２の「最大値」が存在している。それゆえ、当業者は、この第２の最大値を捕獲するために、１．７μｍを超える長波長カットオフを有するセンサーの開発を求めてきた。反対に、本発明の実施形態は、イメージセンサーにおける半導体吸収層の長波長カットオフを１．４μｍ又はそれよりも小さい値に制限する。例えば、一実施形態によると、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡＳｙＰ１−ｙ吸収層は、１．４μｍのカットオフ波長を有するように設計されている。一実施形態によると、格子整合物質に対して、１．４μｍのカットオフ波長を生じる特定組成は、Ｉｎ０．６８Ｇａ０．３２Ａｓ０．６９Ｐ０．３１である。当業者はまた、その他の半導体システムは、同じ効果を実現するために、Ｉｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙに取って代えられ得ることを理解するであろう。一つの例は、ｓ及びｔが０と１との間で可変する（ＡｌｓＧａ１−ｓ）１−ｔＩｎｔＡｓ半導体アロイシステムである。本システムはまた、ＩｎＰ基板に格子整合する組成の範囲を有すると共に、ここで記述され且つＩｎ１−ｘＧａｘＡｓｙＰ１−ｙ格子整合システムと同じような暗電流生成の低減という効果を持つ、半導体層の長波長を１．２５μｍ〜１．４μｍの範囲に制限するように用いられ得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013503455.tif 000001