【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリックスに配置されたエレクトロクロミック画素デバイスを含んでなるディスプレイ配置を製造するための方法であって、
層が該ディスプレイ配置のための担体を形成する、プラスチックを含んでなる、連続した絶縁層（３０８）を備える工程；並びに
任意の順序で：
該絶縁層内に通路（３１２）を備える工程；
該通路内に電気伝導体（３０７）を備える工程；
上記絶縁層の第１の面に第１の制御層（３０９）を備える工程；
該第１の制御層とイオン接触している、固化電解質の電解質制御層（３１０）を設ける工程；
上記絶縁層の第２の面に第１の画素層（３０６）を備える工程；
該第１の画素層とイオン接触している、固化電解質の電解質画素層（３０５）を設ける工程；
上記電解質制御層と第２の制御層の一方が、電子導電性及び電気化学的にアクティブであり、他方が、そのレドックス状態の変化を通じて、その電子伝導率を電気化学的に変える能力を有する、電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、該第１の制御層とイオン接触している第２の制御層（３１１）を配置する工程；
上記電解質画素層と第２の画素層の一方が、電子導電性及び電気化学的にアクティブであり、他方の画素層が、エレクトロクロミックな及び電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、該第１の画素層とイオン接触している第２の画素層（３０４）を配置する工程；を含み、そして
それにより上記通路内の電子伝導体が、該第１の制御層及び第１の画素層と電子接触し、そして
上記連続した絶縁層が、上記画素デバイスの各々１つの絶縁層を形成する、
上記方法。
【請求項２】
前記絶縁層内の通路を備える前記工程が、レーザー技術によって、好ましくはレーザー・ドリリングによって、行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ディスプレイ配置を製造するための前記方法が、印刷可能ディスプレイ配置を製造するための方法であり、
−プラスチックを含んでなる連続した絶縁層を備える前記工程が、プラスチックを含んでなる、可撓性の連続した絶縁層を備えることを含み、そして
−電気伝導体を備え、第１の制御層を備え、及び第１の画素層を備える前記工程が、印刷技術によって行われる、
請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
電解質制御層を備え、及び電解質画素層を備える、前記工程が、印刷技術によって行われる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電解質制御層とイオン接触している第２の制御層を配置し、及び前記電解質画素層とイオン接触している第２の画素層を配置する、前記工程が、積層プロセスによって行われる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記担体が、自己支持型である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
マトリックスに配置された、複数のエレクトロクロミック画素デバイス（１０１）を含んでなるディスプレイ配置であって、各画素デバイス（１０１）が：
−エレクトロクロミックな及び電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、第１の画素層（１０４）、
−該第１の画素層（１０４）に面し、電気的伝導率であり、電気化学的にアクティブな材料のものが配置される、第２の画素層（１０６）、
−該第１と第２の画素層（１０４，１０６）との間に、空間的に、イオン接触して、配置される、固化電解質のものが配置される、第３の画素層（１０５）、
を含んでなる、
・画素素子（１０２）：
−そのレドックス状態の変化を通じて、その電子伝導率を電気化学的に変える能力を有する、電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、第１の制御層（１０９）、
−電気的伝導率で及び電気化学的にアクティブな材料のものが配置される、第２の制御層（１１１）、
−該第１と第２の制御層（１０９，１１１）との間に、空間的に、イオン接触をして、配置される、固化電解質のものが配置される、第３の制御層（１１０）、
を含んでなる、
・制御素子（１０３）：
ここで、該第１の画素層に垂直な観察方向に沿った該制御素子（１０３）は、上記第１の画素層（１０４）の後に配置される；
・上記画素素子（１０２）及び該制御素子（１０３）の間に配置される、通路（１１２）を含む、絶縁層（１０８）、及び
上記電子伝導体が、上記絶縁層に最も隣接し、上記第１の制御層（１０９）と電子接触をしている、上記第１と第２の画素層（１０４，１０６）のそれと、電子接触をしている、上記通路内に配置された電子伝導体（１０７）、
を含んでなり、
ここで、上記ディスプレイ配置が、少なくとも１０μｍの厚さを有し、上記複数のエレクトロクロミック画素デバイスの各々の上記絶縁層を形成する、プラスチックを含んでなる、絶縁材料の連続した層を含む、上記ディスプレイ配置。
【請求項８】
絶縁材料の前記連続した層が、自己支持型である、請求項７に記載のディスプレイ配置。
【請求項９】
絶縁材料の前記連続した層が、連続したプラスチック層である、請求項７又は８に記載のディスプレイ配置。
【請求項１０】
絶縁材料の前記連続した層が、可撓性である、請求項７〜９のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１１】
絶縁材料の前記連続した層の厚さが少なくとも２０μｍである、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１２】
絶縁材料の前記連続した層の厚さが少なくとも５０μｍである、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１３】
絶縁材料の前記連続した層の厚さが、たかだか２００μｍである、請求項７〜１０のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１４】
絶縁材料の前記連続した層の厚さが、たかだか１５０μｍである、請求項７〜１３のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１５】
絶縁材料の前記連続した層の厚さが、たかだか１００μｍである、請求項７〜１３のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１６】
前記画素素子（１０４，１０５，１０６）と前記制御素子（１０９，１１０，１１１）の層が、実質的に平行に配置される、請求項７〜１５のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１７】
前記第１の制御層（１０９）に垂直な観察方向における、前記通路（１０７）が、該第１の制御層（１０９）の前に配置される、請求項７〜１６のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１８】
各々が、前記第３の制御層（１１０）とイオン接触している、前記第１の制御層の表面と前記第２の制御層の表面（１０９，１１１）が、同一方向を向いている、請求項７〜１７のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項１９】
前記第１の制御層（１０９）の少なくとも一部分が、前記第２の制御層（１１１）の方を向いている、請求項７〜１７のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２０】
前記通路（１１２）が、１０μｍ2と２ｍｍ2の間の断面積を有する、請求項７〜１９のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２１】
前記第３の画素層（１０５）の断面積が、前記第３の制御層（１１０）の断面積より少なくとも５倍大きい、請求項７〜２０のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２２】
前記第２の画素層（１０６）の断面積が、前記第３の制御層（１１０）の断面積より少なくとも５倍大きい、請求項７〜２１のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２３】
前記第３の制御層（１１０）の断面積が、前記第３の制御層（１１０）に隣接した、前
記通路（１１２）の開口部面積に等しいか、又はより大きい、請求項７〜２２のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２４】
前記電子伝導体（１０７）が、印刷によって、前記通路（１１２）内に配置可能な材料のものが配置される、請求項７〜２３のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２５】
前記導電性材料が、導電性ポリマー、炭素、不活性金属、及びこれらの組み合わせ：を含んでなるグループから選択される、請求項７〜２４のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２６】
前記第１の制御層（１０９）の厚さが、０.０１〜０.５μｍの間である、請求項７〜２５のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２７】
前記第１の制御層（１０９）の厚さが、０.１〜７μｍの間である、請求項７〜２５のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２８】
前記絶縁層（１０８）がプラスチック・フィルムから形成される、請求項７〜２７のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項２９】
前記絶縁層（１０８）がプラスチック・ホイルから形成される、請求項７〜２８のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３０】
前記第１の画素層（１０４）、第２の画素層（１０６）、第１の制御層（１０９）、及び第２の制御層（１１１）の少なくとも１つが、導電性ポリマーから形成される、請求項７〜２９のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３１】
前記第１の画素層（１０４）、第２の画素層（１０６）、第１の制御層（１０９）、及び第２の制御層（１１１）のすべてが、導電性ポリマーから形成される、請求項７〜２９のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３２】
前記第１の制御層（３０９）と前記第２の制御層（３１１）の間に配置された絶縁層（３１３，３１４）を含んでなり、該絶縁層が、上記第１の制御層（３０９）と前記第３の制御層（３１０）の間の接触エリアを画成している開口部分を有する、請求項７〜３１のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３３】
前記複数のエレクトロクロミック画素デバイスの各々の前記画素層の１つを形成する、電気的伝導率材料の連続した層を含んでなる、請求項７〜３２のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３４】
前記ディスプレイ配置が、アクティブにアドレスされる、請求項７〜３３のいずれか１項に記載のディスプレイ配置。
【請求項３５】
−エレクトロクロミックな及び電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、第１の画素層（１０４）、
−該第１の画素層（１０４）に面し、電気的伝導率であり、電気化学的にアクティブな材料のものが配置される、第２の画素層（１０６）、
−該第１と第２の画素層（１０４，１０６）との間に、空間的に、イオン接触をして、配置される、固化電解質から成る第３の画素層（１０５）
を含んでなる、
・画素素子（１０２）：
−そのレドックス状態の変化を通じて、その電子伝導率を電気化学的に変える能力を有する、電気化学的にアクティブな有機材料のものが配置される、第１の制御層（１０９）、
−電気的伝導率及び電気化学的にアクティブな材料のものが配置される、第２の制御層（１１１）、
−該第１と第２の制御層（１０９，１１１）との間に、空間的に、イオン接触をして、配置される、固化電解質のものが配置される、第３の制御層（１１０）
を含んでなる、
・制御素子（１０３）：
ここで、前記第１の画素層に垂直な観察方向に沿った該制御素子（１０３）が、上記第１の画素層（１０４）の後に配置される；
・上記画素素子（１０２）と、該制御素子（１０３）との間に配置される、通路（１１２）を含む、絶縁層（１０８）、及び
上記電子伝導体が、上記絶縁層に最も隣接し、上記第１の制御層（１０９）と電子接触をしている、上記第１と第２の画素層（１０４，１０６）のそれと、電子接触をしている、上記通路内に配置された電子伝導体（１０７）、
を含んでなる、上記エレクトロクロミック画素デバイス（１０１）。