【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本明細書で述べる様々な実施形態において抵抗値対時間のプロファイルに関して電気的シグネチャを表したが、他の実施形態では、電気的シグネチャは、電圧対時間のプロファイルおよび／または電流対時間のプロファイルに関して表すこともできることに留意すべきである。また、電気的特性を直接測定することも間接的に測定することもできることに留意すべきである。例えば、抵抗値は、直接測定することも、電圧および／または電流によって間接的に測定することもでき、電流は、直接測定することも、抵抗値および／または電圧によって間接的に測定することもできる。電気的刺激の全ての範囲は、本明細書で述べた特定の例示的なナノ細孔システムに関して与えたものである。化学的性質が異なる他のナノ細孔システムでは異なる範囲の電気的刺激を適用することができる。例えば、本発明は、以下の適用例でも実施可能である。
（１）脂質二重層内に埋め込まれたナノ細孔内の分子を操作する方法であって、
脂質二重層にわたって獲得用電気的刺激レベルを印加するステップであって、前記ナノ細孔を含有する前記脂質二重層の領域が抵抗によって特徴付けられ、前記獲得用電気的刺激レベルが、周囲流体から前記ナノ細孔内に前記分子を引き込む傾向があるステップと、
前記ナノ細孔内への分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出するステップと、
前記獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させるステップであって、前記獲得用電気的刺激レベルが前記保持用電気的刺激レベルに変化した後に、前記分子の前記部分が前記ナノ細孔内に留まるステップと
を含む方法。
（２）前記ナノ細孔がα−ヘモリジンナノ細孔である適用例１に記載の方法。
（３）前記ナノ細孔が、ジフィタノイルホスファチジルコリン（ＤＰｈＰＣ）脂質二重層内に埋め込まれたα−ヘモリジンナノ細孔である適用例１に記載の方法。
（４）前記獲得用電気的刺激と前記保持用電気的刺激がそれぞれ印加電圧（Ｖ）レベルを備える適用例１に記載の方法。
（５）前記獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させるステップが、前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させるステップを含む適用例１に記載の方法。
（６）前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させるステップが、前記ナノ細孔内への前記分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記二重層の抵抗値の変化を検出した後、１０ｍｓ以内に前記獲得用電気的刺激レベルを減少させるステップを含む適用例５に記載の方法。
（７）前記分子が荷電または極性ポリマを含む適用例１に記載の方法。
（８）前記分子が核酸分子を含む適用例１に記載の方法。
（９）前記分子がデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）分子を含む適用例１に記載の方法。
（１０）前記分子が二本鎖デオキシリボ核酸（ｄｓＤＮＡ）分子を含む適用例１に記載の方法。
（１１）前記獲得用電気的刺激レベルが１００〜４００ｍＶの範囲内である適用例１に記載の方法。
（１２）前記保持用電気的刺激レベルが５０〜１５０ｍＶの範囲内である適用例１に記載の方法。
（１３）さらに、前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために可変進行用電気的刺激を印加するステップを含む適用例１に記載の方法。
（１４）前記進行電圧レベルが１００ｍＶ〜２００ｍＶの範囲内である適用例１３に記載の方法。
（１５）前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために印加される前記可変進行用電気的刺激が、前記分子の構造成分を区別する適用例１３に記載の方法。
（１６）前記分子が核酸分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記核酸分子のヌクレオチド塩基を区別するために印加される適用例１３に記載の方法。
（１７）前記可変進行用電気的刺激が、一連の順次に強くなる電気パルスを含む適用例１３に記載の方法。
（１８）前記進行用電気的刺激パターンが、非対称の逆「Ｖ」字形の時間プロファイルを含む適用例１３に記載の方法。
（１９）前記分子が二本鎖ＤＮＡであり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張る適用例１３に記載の方法。
（２０）さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って逆進行できるように、ナノ細孔を含有する脂質二重層の領域に逆進行用電気的刺激を印加するステップを含む適用例１３に記載の方法。
（２１）前記逆進行用電気的刺激が、前記獲得用電気的刺激と同じ極性を有し、前記逆進行用電気的刺激の大きさが、前記獲得用電気的刺激の大きさよりも小さいが、前記保持用電気的刺激の大きさよりも大きい適用例２０に記載の方法。
（２２）前記逆進行用電気的刺激が前記獲得用電気的刺激と逆の極性を有する適用例２０に記載の方法。
（２３）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張り、前記一本鎖ＤＮＡが前記ナノ細孔を通って逆進行するときに再アニールして二本鎖になる適用例２０に記載の方法。
（２４）前記分子の電気的シグネチャが、前記分子の逆進行中に記録される適用例２０に記載の方法。
（２５）脂質二重層内に埋め込まれたナノ細孔内の分子を操作するためのシステムであって、
脂質二重層にわたって獲得用電気的刺激レベルを印加するように構成された可変電圧源であって、前記ナノ細孔を含有する前記脂質二重層の領域が抵抗によって特徴付けられ、前記獲得用電気的刺激レベルが、周囲流体から前記ナノ細孔内に前記分子を引き込む傾向がある可変電圧源と、
前記ナノ細孔内への分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出するように構成された感知回路とを含み、
前記可変電圧源が、獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させるようにさらに構成され、前記獲得用電気的刺激レベルが前記保持用電気的刺激レベルに変化した後に前記分子の一部が前記ナノ細孔内に残る
システム。
（２６）前記ナノ細孔がα−ヘモリジンナノ細孔である適用例２５に記載のシステム。
（２７）前記ナノ細孔が、ジフィタノイルホスファチジルコリン（ＤＰｈＰＣ）脂質二重層内に埋め込まれたα−ヘモリジンナノ細孔である適用例２５に記載のシステム。
（２８）前記獲得用電気的刺激と前記保持用電気的刺激がそれぞれ印加電圧（Ｖ）レベルを備える適用例２５に記載のシステム。
（２９）前記獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させることが、前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させることを含む適用例２５に記載のシステム。
（３０）前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させることが、前記ナノ細孔内への前記分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記二重層の抵抗値の変化を検出した後、１０ｍｓ以内に前記獲得用電気的刺激レベルを減少させることを含む適用例２９に記載のシステム。
（３１）前記分子が荷電または極性ポリマを含む適用例２５に記載のシステム。
（３２）前記分子が核酸分子を含む適用例２５に記載のシステム。
（３３）前記分子がデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）分子を含む適用例２５に記載のシステム。
（３４）前記分子が二本鎖デオキシリボ核酸（ｄｓＤＮＡ）分子を含む適用例２５に記載のシステム。
（３５）前記獲得用電気的刺激レベルが１００〜４００ｍＶの範囲内である適用例２５に記載のシステム。
（３６）前記保持用電気的刺激レベルが５０〜１５０ｍＶの範囲内である適用例２５に記載のシステム。
（３７）さらに、前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために可変進行用電気的刺激を印加することを含む適用例２５に記載のシステム。
（３８）前記進行電圧レベルが１００ｍＶ〜２００ｍＶの範囲内である適用例３７に記載のシステム。
（３９）前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために印加される前記可変進行用電気的刺激が、前記分子の構造成分を区別する適用例３７に記載のシステム。
（４０）前記分子が核酸分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記核酸分子のヌクレオチド塩基を区別するために印加される適用例３７に記載のシステム。
（４１）前記可変進行用電気的刺激が、一連の順次に強くなる電気パルスを含む適用例３７に記載のシステム。
（４２）前記進行用電気的刺激パターンが、非対称の逆「Ｖ」字形の時間プロファイルを含む適用例３７に記載のシステム。
（４３）前記分子が二本鎖ＤＮＡであり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張る適用例３７に記載のシステム。
（４４）さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って逆進行できるように、ナノ細孔を含有する脂質二重層の領域に逆進行用電気的刺激を印加することを含む適用例３７に記載のシステム。
（４５）前記逆進行用電気的刺激が、前記獲得用電気的刺激と同じ極性を有し、前記逆進行用電気的刺激の大きさが、前記獲得用電気的刺激の大きさよりも小さいが、前記保持用電気的刺激の大きさよりも大きい適用例４４に記載のシステム。
（４６）前記逆進行用電気的刺激が前記獲得用電気的刺激と逆の極性を有する適用例４４に記載のシステム。
（４７）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張り、前記一本鎖ＤＮＡが前記ナノ細孔を通って逆進行するときに再アニールして二本鎖になる適用例４４に記載のシステム。
（４８）前記分子の電気的シグネチャが、前記分子の逆進行中に記録される適用例４４に記載のシステム。
（４９）脂質二重層内に埋め込まれたナノ細孔内の分子を操作するためのシステムであって、
脂質二重層にわたって獲得用電気的刺激レベルを印加するための手段であって、前記ナノ細孔を含有する前記脂質二重層の領域が抵抗によって特徴付けられ、前記獲得用電気的刺激レベルが、周囲流体から前記ナノ細孔内に前記分子を引き込む傾向がある手段と、
前記ナノ細孔内への分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出するための手段と、
前記獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させるための手段であって、前記獲得用電気的刺激レベルが前記保持用電気的刺激レベルに変化した後に、前記分子の前記部分が前記ナノ細孔内に留まる手段と
を含むシステム。
（５０）前記ナノ細孔がα−ヘモリジンナノ細孔である適用例４９に記載のシステム。
（５１）前記ナノ細孔が、ジフィタノイルホスファチジルコリン（ＤＰｈＰＣ）脂質二重層内に埋め込まれたα−ヘモリジンナノ細孔である適用例４９に記載のシステム。
（５２）前記獲得用電気的刺激と前記保持用電気的刺激がそれぞれ印加電圧（Ｖ）レベルを備える適用例４９に記載のシステム。
（５３）前記獲得用電気的刺激レベルを保持用電気的刺激レベルに変化させることが、前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させることを含む適用例４９に記載のシステム。
（５４）前記獲得用電気的刺激レベルを前記保持用電気的刺激レベルに減少させることが、前記ナノ細孔内への前記分子の少なくとも一部の獲得により生じる前記二重層の抵抗値の変化を検出した後、１０ｍｓ以内に前記獲得用電気的刺激レベルを減少させることを含む適用例５３に記載のシステム。
（５５）前記分子が荷電または極性ポリマである適用例４９に記載のシステム。
（５６）前記分子が核酸分子である適用例４９に記載のシステム。
（５７）前記分子がデオキシリボ核酸（ＤＮＡ）分子である適用例４９に記載のシステム。
（５８）前記分子が二本鎖デオキシリボ核酸（ｄｓＤＮＡ）分子である適用例４９に記載のシステム。
（５９）前記獲得用電気的刺激レベルが１００〜４００ｍＶの範囲内である適用例４９に記載のシステム。
（６０）前記保持用電気的刺激レベルが５０〜１５０ｍＶの範囲内である適用例４９に記載のシステム。
（６１）さらに、前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために可変進行用電気的刺激を印加することを含む適用例４９に記載のシステム。
（６２）前記進行電圧レベルが１００ｍＶ〜２００ｍＶの範囲内である適用例６１に記載のシステム。
（６３）前記ナノ細孔を通して前記分子を移動させるために印加される前記可変進行用電気的刺激が、前記分子の構造成分を区別する適用例６１に記載のシステム。
（６４）前記分子が核酸分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記核酸分子のヌクレオチド塩基を区別するために印加される適用例６１に記載のシステム。
（６５）前記可変進行用電気的刺激が、一連の順次に強くなる電気パルスを含む適用例６１に記載のシステム。
（６６）前記進行用電気的刺激パターンが、非対称の逆「Ｖ」字形の時間プロファイルを含む適用例６１に記載のシステム。
（６７）前記分子が二本鎖ＤＮＡであり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張る適用例６１に記載のシステム。
（６８）さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って逆進行できるように、ナノ細孔を含有する脂質二重層の領域に逆進行用電気的刺激を印加するための手段を含む適用例６１に記載のシステム。
（６９）前記逆進行用電気的刺激が、前記獲得用電気的刺激と同じ極性を有し、前記逆進行用電気的刺激の大きさが、前記獲得用電気的刺激の大きさよりも小さいが、前記保持用電気的刺激の大きさよりも大きい適用例６８に記載のシステム。
（７０）前記逆進行用電気的刺激が前記獲得用電気的刺激と逆の極性を有する適用例６８に記載のシステム。
（７１）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子であり、前記進行用電気的刺激が、前記二本鎖ＤＮＡを解き、前記ナノ細孔を通してＤＮＡの単鎖を引張り、前記一本鎖ＤＮＡが前記ナノ細孔を通って逆進行するときに再アニールして二本鎖になる適用例６８に記載のシステム。
（７２）前記分子の電気的シグネチャが、前記分子の逆進行中に記録される適用例６８に記載のシステム。
（７３）分子の一部を同定する方法であって、
分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得するステップであって、前記複数の電気的測定値がそれぞれ、ナノ細孔内部の前記分子の離散位置に対応するステップと、
前記複数の電気的測定値を、前記分子の可能な構造に対応する電気的測定値の１つまたは複数のシーケンスと相関させるステップと、
前記相関に基づいて、分子の前記部分が分子の前記可能な構造を含むか判断するステップと
を含む方法。
（７４）前記電気的測定値が抵抗測定値を含む適用例７３に記載の方法。
（７５）前記電気的測定値がキャパシタンス測定値を含む適用例７３に記載の方法。
（７６）前記分子がポリマ分子を含む適用例７４に記載の方法。
（７７）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例７３に記載の方法。
（７８）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例７３に記載の方法。
（７９）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含む適用例７３に記載の方法。
（８０）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例７３に記載の方法。
（８１）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子を含み、前記方法がさらに、
前記ＤＮＡ分子の塩基対の引裂きに関連付けられる電気的測定値を獲得するステップと、
前記電気的測定値を既知のＤＮＡ塩基対と相関させるステップと
を含む適用例７３に記載の方法。
（８２）前記電気的測定値が、前記分子の１つまたは複数の電気的パターンを含む適用例７３に記載の方法。
（８３）複数の電気的測定値を獲得するステップが、以下の環境的変数、すなわち塩濃度、グリセロール濃度、尿素濃度、ベタイン濃度、ホルムアミド濃度、温度、二価カチオン濃度のうちの１つまたは複数を変えることによって実現される様々な環境的条件の下で複数の電気的測定値を獲得するステップを含む適用例７３に記載の方法。
（８４）前記分子がハイブリダイゼーションマーカーとハイブリダイゼーションされる適用例７３に記載の方法。
（８５）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得するステップが、前記分子の一領域内で、他の領域よりも厳密な電気的測定値を獲得するステップを含む適用例７３に記載の方法。
（８６）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記領域が、ＳＮＰ部位、コピー数多型部位、メチル化部位、タンパク質結合部位、酵素結合部位、反復配列部位、制限酵素部位、ｍｉＲＮＡ部位、ｓｉＲＮＡ部位、ｔＲＮＡ部位、トランスポゾン部位、セントロメア部位、テロメア部位、転座部位、挿入部位、または削除部位の１つを含む適用例８５に記載の方法。
（８７）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得するステップが、前記分子の単一の領域の反復電気的測定値を獲得するステップを含む適用例７３に記載の方法。
（８８）前記分子に関連付けられた反復電気的測定値を獲得するステップが、前記分子の領域内の２つ以上の重畳するフレームをサンプルするステップを含む適用例８７に記載の方法。
（８９）反復電気的測定値を獲得するステップが、さらに、前記重畳するフレームからの情報を組み合わせるステップを含む適用例８８に記載の方法。
（９０）前記分子の前記単一の領域の反復測定が、単一の実験で同じ分子に対して行われる適用例８７に記載の方法。
（９１）前記反復測定が、前記ナノ細孔内で前記分子を逆戻りさせることによって行われる適用例８７に記載の方法。
（９２）さらに、前記反復測定値に基づいて、前記分子が前記ナノ細孔を通して引かれるときの前記分子の回転を考慮するステップを含む適用例８７に記載の方法。
（９３）分子の一部を同定するためのシステムであって、
分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得するように構成された感知回路であって、前記複数の電気的測定値がそれぞれ、ナノ細孔内部の前記分子の離散位置に対応する感知回路と、
前記分子の可能な構造に対応する電気測定値の１つまたは複数のシーケンスを記憶するメモリと、
処理装置とを含み、前記処理装置が、
前記複数の電気的測定値を、前記分子の可能な構造に対応する電気的測定値の１つまたは複数のシーケンスと相関させ、
前記相関に基づいて、分子の前記部分が分子の可能な構造を含むか判断するように構成される
システム。
（９４）前記電気的測定値が抵抗測定値を含む適用例９３に記載のシステム。
（９５）前記電気的測定値がキャパシタンス測定値を含む適用例９３に記載のシステム。
（９６）前記分子がポリマ分子を含む適用例９３に記載のシステム。
（９７）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例９３に記載のシステム。
（９８）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例９３に記載のシステム。
（９９）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含む適用例９３に記載のシステム。
（１００）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例９３に記載のシステム。
（１０１）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子を含み、
前記感知回路が、さらに、前記ＤＮＡ分子の塩基対の引裂きに関連付けられる電気的測定値を獲得するように構成され、
前記処理装置が、さらに、前記電気的測定値を既知のＤＮＡ塩基対と相関させるように構成される
適用例９３に記載のシステム。
（１０２）前記電気的測定値が、前記分子の１つまたは複数の電気的パターンを含む適用例９３に記載のシステム。
（１０３）複数の電気的測定値を獲得することが、以下の環境的変数、すなわち塩濃度、グリセロール濃度、尿素濃度、ベタイン濃度、ホルムアミド濃度、温度、二価カチオン濃度のうちの１つまたは複数を変えることによって実現される様々な環境的条件の下で複数の電気的測定値を獲得することを含む適用例９３に記載のシステム。
（１０４）前記分子がハイブリダイゼーションマーカーとハイブリダイゼーションされる適用例９３に記載のシステム。
（１０５）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得することが、前記分子の一領域内で、他の領域よりも厳密な電気的測定値を獲得することを含む適用例９３に記載のシステム。
（１０６）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記領域が、一塩基多型（ＳＮＰ）部位、コピー数多型部位、メチル化部位、タンパク質結合部位、酵素結合部位、反復配列部位、および制限酵素部位の１つを含む適用例１０５に記載のシステム。
（１０７）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得することが、前記分子の単一の領域の反復電気的測定値を獲得することを含む適用例９３に記載のシステム。
（１０８）前記分子に関連付けられた反復電気的測定値を獲得することが、前記分子の領域内の２つ以上の重畳するフレームをサンプルすることを含む適用例１０７に記載のシステム。
（１０９）反復電気的測定値を獲得することが、さらに、前記重畳するフレームからの情報を組み合わせることを含む適用例１０８に記載のシステム。
（１１０）前記分子の前記単一の領域の反復測定が、単一の実験で同じ分子に対して行われる適用例１０７に記載のシステム。
（１１１）前記反復測定が、前記ナノ細孔内で前記分子を逆戻りさせることによって行われる適用例１０７に記載のシステム。
（１１２）処理装置が、さらに、前記反復測定値に基づいて、前記分子が前記ナノ細孔を通して引かれるときの前記分子の回転を考慮するように構成される適用例１０７に記載のシステム。
（１１３）分子の一部を同定するためのシステムであって、
分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得するための手段であって、前記複数の電気的測定値がそれぞれ、ナノ細孔内部の前記分子の離散位置に対応する手段と、
前記複数の電気的測定値を、前記分子の可能な構造に対応する電気的測定値の１つまたは複数のシーケンスと相関させるための手段と、
前記相関に基づいて、分子の前記部分が分子の可能な構造を含むか判断する手段と
を含むシステム。
（１１４）前記電気的測定値が抵抗測定値を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１１５）前記電気的測定値がキャパシタンス測定値を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１１６）前記分子がポリマ分子を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１１７）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１１８）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１１９）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２０）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２１）前記分子が二本鎖ＤＮＡ分子を含み、前記システムが、さらに、
前記ＤＮＡ分子の塩基対の引裂きに関連付けられる電気的測定値を獲得するための手段と、
前記電気的測定値を既知のＤＮＡ塩基対と相関させるための手段と
を含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２２）前記電気的測定値が、前記分子の１つまたは複数の電気的パターンを含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２３）複数の電気的測定値を獲得することが、以下の環境的変数、すなわち塩濃度、グリセロール濃度、尿素濃度、ベタイン濃度、ホルムアミド濃度、温度、二価カチオン濃度のうちの１つまたは複数を変えることによって実現される様々な環境的条件の下で複数の電気的測定値を獲得することを含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２４）前記分子がハイブリダイゼーションマーカーとハイブリダイゼーションされる適用例１１３に記載のシステム。
（１２５）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得することが、前記分子の一領域内で、他の領域よりも厳密な電気的測定値を獲得することを含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２６）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記領域が、ＳＮＰ部位、コピー数多型部位、メチル化部位、タンパク質結合部位、酵素結合部位、反復配列部位、および制限酵素部位の１つを含む適用例１２５に記載のシステム。
（１２７）前記分子に関連付けられる複数の電気的測定値を獲得することが、前記分子の単一の領域の反復電気的測定値を獲得することを含む適用例１１３に記載のシステム。
（１２８）前記分子に関連付けられた反復電気的測定値を獲得することが、前記分子の領域内の２つ以上の重畳するフレームをサンプルすることを含む適用例１２７に記載のシステム。
（１２９）反復電気的測定値を獲得することが、さらに、前記重畳するフレームからの情報を組み合わせることを含む適用例１２８に記載のシステム。
（１３０）前記分子の前記単一の領域の反復測定が、単一の実験で同じ分子に対して行われる適用例１２７に記載のシステム。
（１３１）前記反復測定が、前記ナノ細孔内で前記ＤＮＡ分子を逆戻りさせることによって行われる適用例１２７に記載のシステム。
（１３２）さらに、前記反復測定値に基づいて、前記分子が前記ナノ細孔を通して引かれるときの前記分子の回転を考慮するステップを含む適用例１２７に記載のシステム。
（１３３）分子の特徴付けを行う方法であって、
ナノ細孔内に前記分子の一部を捕獲するステップと、
前記捕獲された分子部分が前記ナノ細孔内で移動されるまで前記ナノ細孔にわたって可変電圧を印加するステップと、
前記ナノ細孔内部での前記捕獲された分子部分の少なくとも一部の移動に影響を及ぼすのに必要な前記電気的刺激に基づいて、前記分子の特徴付けを行うステップと
を含む方法。
（１３４）前記分子がポリマ分子を含む適用例１３３に記載の方法。
（１３５）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例１３３に記載の方法。
（１３６）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例１３３に記載の方法。
（１３７）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例１３３に記載の方法。
（１３８）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含み、前記分子の特徴付けを行うステップが、ＧＣ塩基対および／またはＡＴ塩基対を同定するステップを含む適用例１３３に記載の方法。
（１３９）さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときに、前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うステップを含む適用例１３３に記載の方法。
（１４０）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗情報を含む適用例１３９に記載の方法。
（１４１）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗値対時間のプロファイルを含む適用例１３９に記載の方法。
（１４２）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電流対時間のプロファイルを含む適用例１３９に記載の方法。
（１４３）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電圧対時間のプロファイルを含む適用例１３９に記載の方法。
（１４４）前記分子の前記電気信号が、前記分子の複数の領域に関する電気信号を組み合わせた複合の電気信号を含む適用例１３９に記載の方法。
（１４５）前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うステップが、前記電気信号の振幅、周波数、立ち上がり時間、立ち下がり時間の情報のうちの１つまたは複数に基づいて前記分子の特徴付けを行うステップを含む適用例１３９に記載の方法。
（１４６）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記分子の特徴付けを行うステップが、前記分子の少なくとも一部の塩基配列の特徴付けを行うステップを含む適用例１３３に記載の方法。
（１４７）分子の特徴付けを行うためのシステムであって、
ナノ細孔デバイスを含み、前記ナノ細孔デバイスが、
ナノ細孔内に前記分子の一部を捕獲し、
前記捕獲された分子部分が前記ナノ細孔内で移動されるまで前記ナノ細孔にわたって可変電圧を印加するように構成され、
システムがさらに、処理装置を備え、前記処理装置が、前記ナノ細孔内部での前記捕獲された分子部分の少なくとも一部の移動に影響を及ぼすのに必要な前記電気的刺激に基づいて、前記分子の特徴付けを行うように構成され、
システムがさらに、前記処理装置に命令を提供するように構成されたメモリ
を備えるシステム。
（１４８）前記分子がポリマ分子を含む適用例１４７に記載のシステム。
（１４９）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例１４７に記載のシステム。
（１５０）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例１４７に記載のシステム。
（１５１）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例１４７に記載のシステム。
（１５２）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含み、前記分子の特徴付けを行うステップが、ＧＣ塩基対および／またはＡＴ塩基対を同定するステップを含む適用例１４７に記載のシステム。
（１５３）前記ナノ細孔デバイスが、さらに、分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記分子の電気信号を検出するように構成され、
前記処理装置が、さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うように構成される
適用例１４７に記載のシステム。
（１５４）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗情報を含む適用例１５３に記載のシステム。
（１５５）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗値対時間のプロファイルを含む適用例１５３に記載のシステム。
（１５６）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電流対時間のプロファイルを含む適用例１５３に記載のシステム。
（１５７）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電圧対時間のプロファイルを含む適用例１５３に記載のシステム。
（１５８）前記分子の前記電気信号が、前記分子の複数の領域に関する電気信号を組み合わせた複合の電気信号を含む適用例１５３に記載のシステム。
（１５９）前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うことが、前記電気信号の振幅、周波数、立ち上がり時間、立ち下がり時間の情報のうちの１つまたは複数に基づいて前記分子の特徴付けを行うことを含む適用例１５３に記載のシステム。
（１６０）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記分子の特徴付けを行うことが、前記分子の少なくとも一部の塩基配列の特徴付けを行うことを含む適用例１４７に記載のシステム。
（１６１）分子の特徴付けを行うためのシステムであって、
ナノ細孔内に前記分子の一部を捕獲するための手段と、
前記捕獲された分子部分が前記ナノ細孔内で移動されるまで前記ナノ細孔にわたって可変電圧を印加するための手段と、
前記ナノ細孔内部での前記捕獲された分子部分の少なくとも一部の移動に影響を及ぼすのに必要な前記電気的刺激に基づいて、前記分子の特徴付けを行うための手段と
を含むシステム。
（１６２）前記分子がポリマ分子を含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６３）前記分子がヌクレオチド分子を含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６４）前記分子がＤＮＡ分子を含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６５）前記分子がＲＮＡ分子を含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６６）前記分子がｄｓＤＮＡ分子を含み、前記分子の特徴付けを行うことが、ＧＣ塩基対および／またはＡＴ塩基対を同定することを含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６７）さらに、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときに、前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うことを含む適用例１６１に記載のシステム。
（１６８）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗情報を含む適用例１６７に記載のシステム。
（１６９）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電気抵抗値対時間のプロファイルを含む適用例１６７に記載のシステム。
（１７０）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電流対時間のプロファイルを含む適用例１６７に記載のシステム。
（１７１）前記電気信号が、前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記ナノ細孔の電圧対時間のプロファイルを含む適用例１６７に記載のシステム。
（１７２）前記分子の前記電気信号が、前記分子の複数の領域に関する電気信号を組み合わせた複合の電気信号を含む適用例１６７に記載のシステム。
（１７３）前記分子が前記ナノ細孔を通って移動するときの前記分子の電気信号に基づいて前記分子の特徴付けを行うことが、前記電気信号の振幅、周波数、立ち上がり時間、立ち下がり時間の情報のうちの１つまたは複数に基づいて前記分子の特徴付けを行うことを含む適用例１６７に記載のシステム。
（１７４）前記分子がヌクレオチド分子を含み、前記分子の特徴付けを行うことが、前記分子の少なくとも一部の塩基配列の特徴付けを行うことを含む適用例１６１に記載のシステム。
（１７５）実質的に平坦な固体表面上に脂質二重層を取り付ける方法であって、
前記固体表面の近くに脂質材料を堆積するステップと、
前記固体表面上に、高速で拡散するガス分子を充填された泡を生成するステップと、
前記固体表面上に脂質二重層を形成するために、前記ガス分子を前記泡から外に拡散させるステップと
を含む方法。
（１７６）前記固体表面が脂質二重層適合表面を含む適用例１７５に記載の方法。
（１７７）前記固体表面が電極表面を含む適用例１７５に記載の方法。
（１７８）前記固体表面が、銀−塩化銀、銀−金合金、銀−白金合金、ドープトシリコン、および他の半導体材料からなる群から選択される材料から形成される適用例１７５に記載の方法。
（１７９）前記固体表面が、吸着された水分子の層を含み、前記脂質二重層が、前記吸着された水分子の上に形成される適用例１７５に記載の方法。
（１８０）前記泡を生成するステップが、気体分子を生成するためにギ酸分解を開始するステップを含む適用例１７５に記載の方法。
（１８１）ギ酸分解を開始するステップが、前記電極表面に泡開始電気的刺激を印加することによって実現される適用例１８０に記載の方法。
（１８２）前記開始電気的刺激が、１．４Ｖ〜３．０Ｖの範囲および１００ｍｓ〜１ｓの持続時間を有する泡開始電圧レベルである適用例１８１に記載の方法。
（１８３）さらに、前記泡の電気的パラメータを検出することによって前記泡の生成を検出するステップを含む適用例１８２に記載の方法。
（１８４）前記電気的パラメータが前記泡の抵抗値を含む適用例１８３に記載の方法。
（１８５）さらに、前記脂質二重層の電気的パラメータを検出することによって前記脂質二重層の完全性を監視するステップを含む適用例１７５に記載の方法。
（１８６）前記電気的パラメータが、交流（ＡＣ）の下で測定される前記脂質二重層のキャパシタンスを含む適用例１８５に記載の方法。
（１８７）前記電気的パラメータが、交流の下で測定される前記脂質二重層のインピーダンスを含む適用例１８５に記載の方法。
（１８８）さらに、不適切な構造的完全性を有するものと検出された脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激レベルを印加するステップを含む適用例１８５に記載の方法。
（１８９）１つまたは複数のステップが自動化される適用例１８８に記載の方法。
（１９０）平坦な固体表面上に脂質二重層を取り付けるためのシステムであって、
前記平坦な親水性固体表面の近くに脂質材料を堆積するように構成された供給装置と、
高速で拡散するガス分子を充填された泡が前記固体表面上に生じるように前記脂質懸濁液に刺激を印加するように構成された可変電圧源と、
前記固体表面上に脂質二重層を形成するために前記ガス分子が前記泡から外に拡散していることを検出するように構成された感知回路と
を含むシステム。
（１９１）前記固体表面が脂質二重層適合表面を含む適用例１９０に記載のシステム。
（１９２）前記固体表面が電極表面を含む適用例１９０に記載のシステム。
（１９３）前記固体表面が、銀−塩化銀、銀−金合金、銀−白金合金、ドープトシリコン、および他の半導体材料からなる群から選択される材料から形成される適用例１９０に記載のシステム。
（１９４）前記固体表面が、吸着された水分子の層を含み、前記脂質二重層が、前記吸着された水分子の上に形成される適用例１９０に記載のシステム。
（１９５）前記刺激アクチュエータが、さらに、気体分子を発生するためにギ酸分解を開始するように企図された泡開始刺激を印加するように構成される適用例１９０に記載のシステム。
（１９６）泡開始刺激が電気的刺激を含む適用例１９５に記載のシステム。
（１９７）前記開始電気的刺激が、１．４Ｖ〜３．０Ｖの範囲および１００ｍｓ〜１ｓの持続時間を有する泡開始電圧レベルを備える適用例１９６に記載のシステム。
（１９８）前記感知回路が、さらに、前記泡の電気的パラメータを検出することによって前記泡の生成を検出するように構成される適用例１９７に記載のシステム。
（１９９）前記電気的パラメータが前記泡の抵抗値を含む適用例１９８に記載のシステム。
（２００）前記感知回路が、さらに、前記脂質二重層の完全性を監視するように構成される適用例１９６に記載のシステム。
（２０１）前記感知回路が、さらに、前記脂質二重層の電気的パラメータを検出することによって前記脂質二重層の完全性を監視するように構成される適用例２００に記載のシステム。
（２０２）前記電気的パラメータが、交流（ＡＣ）の下で測定される前記脂質二重層のキャパシタンスを含む適用例２０１に記載のシステム。
（２０３）前記電気的パラメータが、交流（ＡＣ）の下で測定される前記脂質二重層のインピーダンスを含む適用例２０１に記載のシステム。
（２０４）前記可変電圧源が、さらに、不適切な構造的完全性を有するものと検出された脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激レベルを印加するように構成される適用例２０１に記載のシステム。
（２０５）前記システムが自動化される適用例２０４に記載のシステム。
（２０６）平坦な固体表面上に脂質二重層を取り付けるためのシステムであって、
前記平坦な親水性固体表面の近くに脂質材料を堆積するための手段と、
高速で拡散するガス分子を充填された泡が前記固体表面上に生じるように前記脂質懸濁液に刺激を印加するための手段と、
前記固体表面上に脂質二重層を形成するために前記ガス分子が前記泡から外に拡散していることを検出するための手段と
を含むシステム。
（２０７）前記固体表面が脂質二重層適合表面を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２０８）前記固体表面が電極表面を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２０９）前記固体表面が、銀−塩化銀、銀−金合金、銀−白金合金、ドープトシリコン、および他の半導体材料からなる群から選択される材料から形成される適用例２０６に記載のシステム。
（２１０）前記固体表面が、吸着された水分子の層を含み、前記脂質二重層が、前記吸着された水分子の上に形成される適用例２０６に記載のシステム。
（２１１）さらに、気体分子を発生するためにギ酸分解を開始するための泡開始刺激を送達するための手段を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２１２）泡開始刺激が電気的刺激を含む適用例２１１に記載のシステム。
（２１３）前記開始電気的刺激が、１．４Ｖ〜３．０Ｖの範囲および１００ｍｓ〜１ｓの持続時間を有する泡開始電圧レベルを備える適用例２１２に記載のシステム。
（２１４）さらに、前記泡の電気的パラメータを検出することによって前記泡の生成を検出するための手段を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２１５）前記電気的パラメータが前記泡の抵抗値を含む適用例２１４に記載のシステム。
（２１６）さらに、前記脂質二重層の完全性を監視するための手段を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２１７）さらに、前記脂質二重層の電気的パラメータを検出することによって前記脂質二重層の完全性を監視するための手段を含む適用例２０６に記載のシステム。
（２１８）前記電気的パラメータが、交流（ＡＣ）の下で測定される前記脂質二重層のキャパシタンスを含む適用例２１７に記載のシステム。
（２１９）前記電気的パラメータが、交流（ＡＣ）の下で測定される前記脂質二重層のインピーダンスを含む適用例２１７に記載のシステム。
（２２０）さらに、不適切な構造的完全性を有するものと検出された脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激レベルを印加するための手段を含む適用例２１７に記載のシステム。
（２２１）前記システムが自動化される適用例２２０に記載のシステム。
（２２２）脂質二重層内にナノ細孔を形成する方法であって、
脂質二重層に撹拌用刺激レベルを印加するステップであって、前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向があるステップ
を含む方法。
（２２３）前記撹拌用刺激が、電気的刺激、機械的刺激、音響刺激、化学的な光刺激、および熱的刺激からなる群から選択される適用例２２２に記載の方法。
（２２４）前記撹拌用刺激が電圧（Ｖ）レベルを含む適用例２２２に記載の方法。
（２２５）前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内へのα−ヘモリジンナノ細孔の挿入を促す傾向がある適用例２２２に記載の方法。
（２２６）さらに、
前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出するステップと、
検出された前記脂質二重層の電気的特性の変化に基づいて、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されているか判断するステップと
を含む適用例２２２に記載の方法。
（２２７）１つまたは複数のステップが自動化される適用例２２６に記載の方法。
（２２８）前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出するステップが、前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出するステップを含む適用例２２６に記載の方法。
（２２９）ナノ細孔が形成されたと判断するステップが、前記二重層の電気的特性の変化の大きさに基づいて、形成されたナノ細孔の数を求めるステップを含む適用例２２６に記載の方法。
（２３０）さらに、前記脂質二重層内に複数のナノ細孔が形成されていると判断されたときに、前記脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激を印加するステップを含む適用例２２９に記載の方法。
（２３１）さらに、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されていないと判断されたときに、脂質二重層にさらなる撹拌用電気的刺激レベルを印加するステップであって、前記撹拌用電気的刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向があるステップを含む適用例２２９に記載の方法。
（２３２）前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記二重層の電気的特性の変化を検出するステップが、前記二重層の抵抗値の減少を検出するステップを含む適用例２２２に記載の方法。
（２３３）前記脂質二重層が、実質的に平坦な脂質二重層適合固体表面上に形成される適用例２２２に記載の方法。
（２３４）前記脂質二重層が、実質的に平坦な親水性固体表面上に形成される適用例２２２に記載の方法。
（２３５）前記脂質二重層が、実質的に平坦な電極表面上に形成される適用例２２２に記載の方法。
（２３６）抵抗によって特徴付けられる脂質二重層内にナノ細孔を形成するためのシステムが、
脂質二重層に撹拌用刺激レベルを印加するように構成された刺激発生源であって、前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向がある刺激発生源
を含むシステム。
（２３７）前記撹拌用刺激が、電気的刺激、機械的刺激、音響刺激、化学的な光刺激、および熱的刺激からなる群から選択される適用例２３６に記載のシステム。
（２３８）前記撹拌用刺激が撹拌用電気的刺激を含み、前記刺激発生源が、前記脂質二重層に撹拌用電気的刺激レベルを印加するように構成された電圧源を含み、前記撹拌用電気的刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向がある適用例２３６に記載のシステム。
（２３９）前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内へのα−ヘモリジンナノ細孔の挿入を促す傾向がある適用例２３６に記載のシステム。
（２４０）さらに、
前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出するように構成された感知回路と、
検出された前記脂質二重層の電気的特性の変化に基づいて、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されているか判断するように構成された処理装置と
を備える適用例２３６に記載のシステム。
（２４１）前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出することが、前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出することを含む適用例２４０に記載のシステム。
（２４２）ナノ細孔が形成されたと判断することが、前記二重層の電気的特性の変化の大きさに基づいて、形成されたナノ細孔の数を求めることを含む適用例２４０に記載のシステム。
（２４３）前記可変電圧源が、さらに、前記脂質二重層内に複数のナノ細孔が形成されていると判断されたときに、前記脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激を印加するように構成される適用例２４２に記載のシステム。
（２４４）前記可変電圧源が、さらに、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されていないと判断されたときに、脂質二重層にさらなる撹拌用電気的刺激レベルを印加するように構成され、前記撹拌用電気的刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向がある適用例２４２に記載のシステム。
（２４５）前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記二重層の電気的特性の変化を検出することが、前記二重層の抵抗値の減少を検出することを含む適用例２４０に記載のシステム。
（２４６）前記脂質二重層が、実質的に平坦な脂質二重層適合固体表面上に形成される適用例２３６に記載のシステム。
（２４７）前記脂質二重層が、実質的に平坦な親水性固体表面上に形成される適用例２３６に記載のシステム。
（２４８）前記脂質二重層が、実質的に平坦な電極表面上に形成される適用例２３６に記載のシステム。
（２４９）前記システムが自動化される適用例２３６に記載のシステム。
（２５０）抵抗によって特徴付けられる脂質二重層内にナノ細孔を形成するためのシステムが、
脂質二重層に撹拌用刺激レベルを印加するための手段であって、前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向がある手段
を含むシステム。
（２５１）前記撹拌用刺激が、電気的刺激、機械的刺激、音響刺激、化学的な光刺激、および熱的刺激からなる群から選択される適用例２５０に記載のシステム。
（２５２）前記撹拌用刺激が電気的撹拌用刺激を含む適用例２５０に記載のシステム。
（２５３）前記撹拌用刺激レベルが、前記脂質二重層内へのα−ヘモリジンナノ細孔の挿入を促す傾向がある適用例２５０に記載のシステム。
（２５４）さらに、
前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出するための手段と、
検出された前記脂質二重層の電気的特性の変化に基づいて、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されているか判断するための手段と
を含む適用例２５０に記載のシステム。
（２５５）前記脂質二重層の電気的特性の変化を検出することが、前記脂質二重層の抵抗値の変化を検出することを含む適用例２５４に記載のシステム。
（２５６）ナノ細孔が形成されたと判断することが、前記二重層の電気的特性の変化の大きさに基づいて、形成されたナノ細孔の数を求めることを含む適用例２５４に記載のシステム。
（２５７）さらに、前記脂質二重層内に複数のナノ細孔が形成されていると判断されたときに、前記脂質二重層を消去するために消去用電気的刺激を印加するステップを含む適用例２５６に記載のシステム。
（２５８）さらに、ナノ細孔が前記脂質二重層内に形成されていないと判断されたときに、脂質二重層にさらなる撹拌用電気的刺激レベルを印加するための手段であって、前記撹拌用電気的刺激レベルが、前記脂質二重層内でのナノ細孔の形成を促す傾向がある手段を含む適用例２５６に記載のシステム。
（２５９）前記脂質二重層内へのナノ細孔の形成により生じる前記二重層の電気的特性の変化を検出することが、前記二重層の抵抗値の減少を検出することを含む適用例２５４に記載のシステム。
（２６０）前記脂質二重層が、実質的に平坦な脂質二重層適合固体表面上に形成される適用例２５０に記載のシステム。
（２６１）前記脂質二重層が、実質的に平坦な親水性固体表面上に形成される適用例２５０に記載のシステム。
（２６２）前記脂質二重層が、実質的に平坦な電極表面上に形成される適用例２５０に記載のシステム。
（２６３）前記システムが自動化される適用例２５０に記載のシステム。