【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を熱処理する方法において、
物体を熱処理チャンバー内に準備し；
熱移動板を、物体との隣接した熱伝達状態で位置し、この場合熱移動板は、該物体の熱質量の３倍以下である熱質量を有し、ガスを貫流させる複数のホールを備え；
該物体を予熱し；および
該物体を、１秒未満の時間で少なくとも１つのエネルギーパルスを物体に向けることによって加熱し；
熱移動板を物体からの熱伝導率が増加するように構成しかつ位置させることを特徴とする、物体を熱処理する方法。
【請求項２】
熱移動板は、物体の近似的な熱質量以下である熱質量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
物体の加熱は、物体の表面をレーザーで走査することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
物体の加熱は、物体を少なくとも１つのランプで照明することを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
熱移動板は、次の群：珪素、炭化珪素、二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、サファイア、石英、窒化アルミニウム、窒化硼素、オキシ窒化アルミニウム、黒鉛、炭素、ダイヤモンド、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）から選択される少なくとも１つの材料を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
熱移動板を板と物体の表面とが互いにほぼ平行でありかつ間隙を定義するように位置させる、請求項１記載の方法。
【請求項７】
間隙間隔は、０．２ｍｍ未満である、請求項６記載の方法。
【請求項８】
さらに、材料を間隙中に搬送し、物体と板との間で熱伝導を増大させる、請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
材料はガスを有する、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ガスは、少なくとも０．１Ｗｍ-1Ｋ-1の熱伝導率を有する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
ガスはヘリウムを有する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも２つの異なる材料を物体と熱移動板との間の熱結合度が熱処理工程中に差を生じるように間隙中に搬送する、請求項８記載の方法。
【請求項１３】
物体の予熱は熱移動板からの熱の放出を含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
複数のホールのそれぞれのホールは直径２ｍｍ未満を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
板は板表面内に非連続部を有し、この非連続部は、処理に関連した熱拡散長さよりも寸法が短い、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの非連続部は、スリット、リブ、凹所、突起およびホールからなる群から選択される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
板の表面は、板と物体との間で熱伝導をさらに増大させるために組織化される、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
板の内部は、物体からの熱移動を最適化するために選択された温度で相変化を受ける材料を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
さらに物体の冷却速度を積極的に増大させる、請求項１記載の方法。
【請求項２０】
冷却ガスを物体に向けることによって冷却速度を増大させる、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
冷却ガスを熱移動板に向けることによって冷却速度を増大させる、請求項１９または２０記載の方法。
【請求項２２】
さらに物体の温度を監視する、請求項１記載の方法。
【請求項２３】
物体の温度を少なくとも１つの光学的高温計を用いて監視する、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
物体の温度を熱移動板からのエネルギー測定に基づいて測定する、請求項１記載の方法。
【請求項２５】
チャンバー内で物体を熱処理するためのシステムにおいて、
エネルギーパルスを物体の表面に向けるようにするために構成された加熱装置；および
物体の表面と平行に位置した熱移動板を有し、この場合熱移動板は、該物体の熱質量の３倍以下である熱質量を有し、ガスを貫流させる複数のホールを備えることを特徴とする、チャンバー内で物体を熱処理するためのシステム。
【請求項２６】
熱移動板の熱質量が物体の近似的な熱質量以下である、請求項２５記載のシステム。
【請求項２７】
さらに予熱エネルギーを物体に搬送するために構成された熱源を有する、請求項２５記載のシステム。
【請求項２８】
熱移動板が次の群：珪素、炭化珪素、二酸化珪素、窒化珪素、酸化アルミニウム、サファイア、石英、窒化アルミニウム、窒化硼素、オキシ窒化アルミニウム、黒鉛、炭素、ダイヤモンド、イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ）から選択される少なくとも１つの材料を有する、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項２９】
熱移動板が熱移動板と物体の表面とが間隙を定義するように間隔を有している、請求項２５から２８までのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項３０】
間隙間隔が０．２ｍｍ未満である、請求項２９記載のシステム。
【請求項３１】
間隙が物体と熱移動板との間で熱伝導率を増大させるために選択された材料で充填されている、請求項３０記載のシステム。
【請求項３２】
材料がガスを有する、請求項３１記載のシステム。
【請求項３３】
ガスが少なくとも０．１Ｗｍ-1Ｋ-1の熱伝導率を有する、請求項３２記載のシステム。
【請求項３４】
ガスがヘリウムを有する、請求項３３記載のシステム。
【請求項３５】
加熱装置がランプ配列を有する、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項３６】
加熱装置が物体の表面を走査するために構成されたレーザーを有する、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項３７】
さらに少なくとも１つの温度測定装置を有する、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項３８】
温度測定装置は高温計を有する、請求項３７記載のシステム。
【請求項３９】
測定装置が熱移動板からのエネルギー測定に基づいて物体の温度を測定するために構成されている、請求項３７記載のシステム。
【請求項４０】
熱移動板が熱源として選択的に作用するために構成されている、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項４１】
複数のホールのそれぞれのホールが２ｍｍ未満の直径を有する、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項４２】
熱移動板が次の群：スリット、リブ、凹所、突起およびホールから選択される非連続部を有し、この非連続部が熱処理法に関連した熱拡散長さより短い、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項４３】
熱移動板が内部および外部を有し、この内部の少なくとも一部分が選択された温度で相変化を受けるように構成されている、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項４４】
熱移動板の表面が組織化されている、請求項２５、２６または２７に記載のシステム。
【請求項４５】
半導体ウェーハを処理する方法において、
半導体ウェーハを急速熱処理チャンバー中に置き；この半導体ウェーハを平均温度Ｔ1に予熱し；予熱後、半導体ウェーハの平均温度がまさにパルス以前のウェーハの平均温度（Ｔ1）とパルスが停止した後のウェーハの最大平均温度（Ｔ2）との温度差ΔＴによって増加されるように、半導体ウェーハを１秒未満の少なくとも１つのエネルギーパルスに晒し；ウェーハからの熱移動を、ウェーハとの隣接した熱伝達状態で熱移動板を置くことによって増大させ、この場合この熱移動板は、半導体ウェーハの熱質量の３倍以下の熱質量を有し、ガスを貫流させる複数のホールを備え；
熱移動板は、ウェーハの平均温度が１．０秒内でΔＴの値の少なくとも５０％だけＴ2から減少するように構成されかつ位置していていることを特徴とする、半導体ウェーハを処理する方法。
【請求項４６】
Ｔ1は少なくとも６００℃である、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
ΔＴは、少なくとも５０℃である、請求項４５記載の方法。
【請求項４８】
ウェーハの平均温度は、０．５秒内でΔＴの値の少なくとも５０％だけＴ2から減少する、請求項４５、４６または４７に記載の方法。
【請求項４９】
ウェーハの平均温度は、０．３秒内でΔＴの値の少なくとも５０％だけＴ2から減少する、請求項４５、４６または４７に記載の方法。