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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順次入力される画像信号をライン単位に格納する第１のメモリ部と、
前記第１のメモリ部から出力される画像信号を複数ライン分格納することが可能な第２のメモリ部と、
前記第１のメモリ部および前記第２のメモリ部を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第１のメモリ部にライン単位に格納された画像信号の全てを、前記第１のメモリ部に入力された順序とは逆の順序で出力し、当該出力された画像信号を前記第２のメモリ部に順次入力して複数ライン分の画像信号が格納されるように制御するとともに、前記第２のメモリ部に複数ライン分格納された画像信号の全てを、前記第２のメモリ部に格納されたライン順とは逆の順序となるように出力する制御を行う
ことを特徴とする画像信号処理回路。
【請求項２】
順次入力される画像信号をライン単位に格納する第１のメモリ部と、
前記第１のメモリ部から出力される画像信号を複数ライン分格納することが可能な第２のメモリ部と、
前記第１のメモリ部および前記第２のメモリ部を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第１のメモリ部にライン単位に格納された画像信号の一部の画像信号を前記第１のメモリ部に入力された順序で前記第２のメモリ部に出力するとともに、前記一部の画像信号以外の画像信号を前記第１のメモリ部に入力された順序とは逆の順序で出力し、当該出力された画像信号を前記第２のメモリ部に順次入力して複数のライン分の画像信号が格納されるように制御するとともに、前記第２のメモリ部に複数ライン分格納された画像信号の一部の画像信号を前記第２のメモリ部に入力されたライン順で出力するとともに、当該一部の画像信号以外の画像信号を前記第２のメモリ部に格納されたライン順とは逆の順序となるように出力する制御を行う
ことを特徴とする画像信号処理回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像信号処理回路と、
前記画像信号処理回路から出力される画像信号に基づいて表示を実行する表示器とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
順次入力される画像信号をライン単位に格納する第１のメモリ部と、
前記第１のメモリ部から出力される画像信号を複数ライン分格納することが可能な第２のメモリ部と、
前記第１のメモリ部および前記第２のメモリ部を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第１のメモリ部にライン単位に格納された画像信号の全てを、前記第１のメモリ部に入力された順序とは逆の順序で出力し、当該出力された画像信号を前記第２のメモリ部にライン単位に複数ライン分格納する際に、前記第１のメモリ部から出力されたライン順とは逆の順序となるように前記第２のメモリ部に格納する制御を行う
ことを特徴とする画像信号処理回路。
【請求項５】
順次入力される画像信号をライン単位に格納する第１のメモリ部と、
前記第１のメモリ部から出力される画像信号を複数ライン分格納することが可能な第２のメモリ部と、
前記第１のメモリ部および前記第２のメモリ部を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第１のメモリ部にライン単位に格納された画像信号を出力する際、格納された画像信号の一部の画像信号を前記第１のメモリ部に入力された順序で前記第２のメモリ部に出力するとともに、前記一部の画像信号以外の画像信号を前記第１のメモリ部に入力された順序とは逆の順序で前記第２のメモリ部に出力するように制御し、当該出力された画像信号を前記第２のメモリ部にライン単位に複数ライン分格納する際に、前記第１のメモリ部から出力された画像信号の一部の画像信号を前記第２のメモリ部に入力されたライン順で格納するとともに、当該一部の画像信号以外の画像信号を入力されたライン順とは逆の順序となるように前記第２のメモリ部に格納する制御を行う
ことを特徴とする画像信号処理回路。
【請求項６】
請求項４または５に記載の画像信号処理回路と、
前記画像信号処理回路から出力される画像信号に基づいて表示を実行する表示器とを有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
順次入力される画像信号をライン単位に格納する第１のメモリ部と、
画像信号を複数ライン分格納することが可能な第２のメモリ部と、
前記第１のメモリ部および前記第２のメモリ部を制御する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第２のメモリ部に複数ライン分格納された画像信号を、前記第２のメモリ部に格納されたライン順とは逆の順序で前記第１のメモリ部に出力し、当該出力された画像信号を前記第１のメモリ部に格納するように制御するとともに、前記第１のメモリ部に格納された画像信号を前記第１のメモリ部に格納された画像信号の入力順序とは逆の順序となるように出力する制御を行う
ことを特徴とする画像信号処理回路。
【請求項８】
請求項７に記載の画像信号処理回路と、
前記画像信号処理回路から出力される画像信号に基づいて表示を実行する表示器とを有することを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに摺動する摺動部材を備えた自動車用摺動装置において、上記摺動部材における相互摺接面の少なくとも一方の摺接面が、撥水性と共に相手部材の摺接面に移着膜を形成するに十分な移着能を備えた移着性撥水材料から形成され、温度：２３℃、湿度：５０％ＲＨにおける上記移着性撥水材料の表面張力が４．７×１０−２Ｎ／ｍ以下であることを特徴とする自動車用摺動装置。
【請求項２】
上記相互摺接面の少なくとも一方の摺接面に、撥水性と共に相手部材の摺接面に移着膜を形成するに十分な移着能を備えた移着性撥水材料から成る被覆が施されていることを特徴とする請求項１に記載の自動車用摺動装置。
【請求項３】
上記被覆の厚さが１０〜１００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の自動車用摺動装置。
【請求項４】
上記移着性撥水材料が移着能を備えた撥水性樹脂を含んでいることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つの項に記載の自動車用摺動装置。
【請求項５】
上記撥水性樹脂の含有量が質量比で３〜５０％の範囲であることを特徴とする請求項４に記載の自動車用摺動装置。
【請求項６】
上記撥水性樹脂がフッ素樹脂であることを特徴とする請求項４又は５に記載の自動車用摺動装置。
【請求項７】
上記移着性撥水材料が熱硬化性樹脂を質量比で２０〜９７％の範囲で含んでいることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つの項に記載の自動車用摺動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記知見に基づくものであって、本発明の自動車用摺動装置は、当該摺動装置の摺動部材における相互摺接面の一方、又は両方の摺接面を撥水性と共に相手部材の摺接面に移着膜を形成するに十分な移着能を備えた材料、すなわち撥水性と移着能を兼ね備え、温度：２３℃、湿度：５０％ＲＨにおける表面張力が４．７×１０−２Ｎ／ｍ以下である移着性撥水材料により形成したこと、例えば少なくとも一方の摺動部材の摺接面を含む全体あるいは一部を上記移着性撥水材料で形成したり、少なくとも一方の摺動部材の相互摺接面に撥水性と移着能を備えた上記移着性撥水材料から成る被覆を施したりしたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、自動車用摺動装置の摺動部材における相互摺接面の一方、又は両方の摺接面が、相手部材の摺接面に移着膜を形成するに十分な移着能を備えた撥水性材料、すなわち、撥水性と移着能を兼ね備え、温度：２３℃、湿度：５０％ＲＨにおける表面張力が４．７×１０−２Ｎ／ｍ以下である移着性撥水材料から形成されていることから、円滑な摺動を阻害する水が摺接面に付着し難く、さらに相手摺動部材の摺接面に移着膜が形成されることによって、水以外の異物が摺接面に付着したり、摺接面間に介在したりするのを阻止することができ、摺接面を保護し、円滑な摺動を長期に亘って保持することができる摺動部材を備えた自動車用摺動装置を提供することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の自動車用摺動装置における摺動部材の相互摺接面を形成する材料としては、上記のように撥水性と共に相手部材の摺接面に移着膜を形成するに十分な移着能を備えたものであれば、特に限定されるものではないが、上記移着性撥水材料、言い換えると当該材料から成る摺接面の表面張力としては、標準状態（温度：２３℃、湿度：５０％ＲＨ）において４．７×１０−２Ｎ／ｍ以下である必要がある。より好適には４．５×１０−２Ｎ／ｍ以下であることが望ましい。すなわち、相手部材との摺接面の表面張力が４．７×１０−２Ｎ／ｍの値を超えた場合には、両部材間の面圧が高い場合、長期的な摺動の繰返しによって表面が摩耗し、円滑な摺動性能が損われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
表１の結果から明らかなように、フッ素樹脂のような移着能を備えた撥水性樹脂を適量含有し、撥水性と共に相手部材の摺動面に移着膜を形成するだけの移着能を備え、標準状態における表面張力が４．７×１０−２Ｎ／ｍ以下の移着性撥水材料から成る被覆を備えた実施例１〜７のガイドレールにおいては、３００００回の往復手動試験の終了後においても、素地の露出が認められず、耐摩耗性に優れ、スティックスリップや異音の発生もない良好な結果が得られたのに対し、撥水性のない材料による被覆を施したり、全く被覆のない比較例のガイドレールにおいては、摺接面の１０％以上の素地露出が認められ、耐摩耗性に乏しく、試験開始から終了までの間、常にスティックスリップや異音の発生が認められた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を光に変換する蛍光板で発生した光を画像センサにより電気信号に変換して得られた画像データを処理する画像処理装置による画像処理方法であって、
第１取得手段が、前記画像センサの各画素位置における解像度を表す解像度分布をメモリから取得する第１取得工程と、
フィルタリング手段が、前記解像度分布によって表される各画素位置における解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング工程とを備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記フィルタリング工程では、前記解像度分布によって表される解像度が低くなるにつれて、高周波成分が高くなる空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項３】
第２取得手段が、前記画像センサより得られた画像に基づいてＸ線量分布を取得する第２取得工程を更に備え、
前記フィルタリング工程では、前記解像度分布によって表される解像度と前記Ｘ線量分布より得られるＸ線量とに基づいて画素毎に空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項４】
前記空間フィルタは、更に画像の撮影部位に基づいて選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項５】
前記フィルタリング工程では、前記解像度分布によって表される解像度が低くなるにつれて空間フィルタの強調度が増加するように空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項６】
前記フィルタリング工程では、前記Ｘ線量が多くなるにつれて空間フィルタの強調度が増加するように空間フィルタが選択されることを特徴とする請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項７】
前記解像度分布が、前記画像センサに対して測定されたプリサンプリング変調伝達関数（presamplingMTF）に基づいて作成されることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項８】
前記解像度分が、前記画像センサにＸ線を一様に照射して得られたＸ線デジタル画像の画素値の標準偏差に基づいて得られることを特徴とする請求項１に記載の画像処理方法。
【請求項９】  画像処理装置であって、
蛍光体を針状に結晶させた、Ｘ線を光に変換する蛍光板と、
前記光を電気信号に変換するための画像センサと、
前記画像センサの各画素位置における解像度を表す解像度分布を保持する保持手段と、
前記解像度分布によって表される各画素位置における解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング手段とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】  Ｘ線撮影装置であって、
Ｘ線を照射するＸ線源と、
蛍光体を針状に結晶させた、前記Ｘ線を光に変換する蛍光板と、
前記光を電気信号に変換するための画像センサと、
前記画像センサの各画素位置における解像度を表す解像度分布を保持する保持手段と、
前記解像度分布によって表される各画素位置における解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング手段と、
前記フィルタリング処理手段で処理された画像を出力する出力手段とを備えることを特徴とするＸ線撮影装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明による画像処理方法は、
Ｘ線を光に変換する蛍光板で発生した光を画像センサにより電気信号に変換して得られた画像データを処理する画像処理装置による画像処理方法であって、
第１取得手段が、前記画像センサの各画素位置における解像度を表す解像度分布をメモリから取得する第１取得工程と、
フィルタリング手段が、前記解像度分布によって表される各画素位置における解像度に基づいて、画素毎に空間フィルタを選択し、選択されたフィルタを適用することによって前記画像を処理するフィルタリング工程とを備える。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
（実施例）
本発明による方法によって、ＳｉＮｘ：Ｈのパッシベーション層が、約２０ｎｍ／ｓの成長速度で多結晶質シリコン基板の基板表面の上に蒸着した。このとき、処理パラメータは、表１に示す値に設定された。蒸着後、およそ１５から２０原子％の水素がＳｉＮｘ：Ｈ層に取り込まれ、一方、ＳｉＮｘ：Ｈ層内の原子窒素／シリコン比ｘが１．０から１．５の範囲にあることが分かった。その後、基板の加熱処理が行われて、ＳｉＮｘ：Ｈ層の温度が、比較的短い加熱時間に渡って７００から１０００℃の温度に維持された。上記加熱処理の後、基板に関し、バルク・パッシベーションと表面パッシベーションの両方が良好に実施されて赤色反応および青色反応双方を示した結果が得られた。さらに、このようにして得られた基板の開放端子電圧は、約６１０ｍＶであった。このような基板は、上記端子電圧によって太陽電池の効率が高くなるので、例えば、太陽電池に使用するのに非常に適している。このとき、ＳｉＮｘ：Ｈ層は、単に、無反射層として機能することができる。
【表１】
2005005280.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
既設の構造体に取付される取付部と、該取付部から延設されてボックスを支持するための支持部とを有する固定具本体と、前記支持部の前面側にスライド可能に取付られて該ボックスを保持する保持部材とを備え、
前記保持部材は、該ボックスを保持した状態で前記支持部に対してスライド可能であって、該ボックスの前面開口からその底壁に形成された取付孔を貫通させた固定部材を該支持部に固定することによって、該ボックスを該支持部に固定することを特徴とするボックス固定具。
【請求項２】
前記保持部材には、前記ボックスの前記取付穴に挿通され、該ボックスの前面開口側に延び出た係止突起が形成されていることを特徴とする請求項１記載のボックス固定具。
【請求項３】
前記係止突起は、該ボックスの底壁を貫通した状態で、該ボックスの前面開口側から折曲げ可能な折曲げ突起として構成されていることを特徴とする請求項２記載のボックス固定具。
【請求項４】
前記保持部材には、前記折曲げ突起に加え、該ボックスの他の取付孔に対応した位置に該ボックスを前記固定部材によって前記固定具本体の支持部に固定する支障とならないような逃がし孔が設けられていることを特徴とする請求項２または３記載のボックス固定具。
【請求項５】
前記逃がし孔は、長孔、あるいは、該長孔の長径に対応した孔径とされていることを特徴とする請求項４記載のボックス固定具。
【請求項６】
前記固定具本体の支持部には、前記保持部材がスライドする方向に沿って、該ボックスを固定するための固定部材である固定ビスが螺入可能な固定孔が複数形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のボックス固定具。
【請求項７】
前記固定孔は、断続的な長孔として構成されていることを特徴とする請求項６記載のボックス固定具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の保持部材は、請求項１から７のいずかに記載されたものであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の保持部材によれば、請求項１から７のいずかに記載されたものであるので、これらの効果を、保持部材として発揮する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化珪素膜上の結晶性珪素膜上にゲイト絶縁層を形成し、
前記ゲイト絶縁層上に多結晶珪素膜をパターニングしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に側壁を形成し、
露出する前記ゲイト電極と前記結晶性珪素膜のソース領域及びドレイン領域に接するように金属膜を形成し、
熱アニールにより前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれシリサイドを形成するとともに前記ゲイト電極上部をシリサイド化させ、
前記金属膜を選択的にエッチングして前記ソース領域に接合する第１の金属配線と、前記ドレイン領域に接合する第２の金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
酸化珪素膜上の結晶性珪素膜上にゲイト絶縁層を形成し、
前記ゲイト絶縁層上に多結晶珪素膜をパターニングしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に側壁を形成し、
露出する前記ゲイト電極と前記結晶性珪素膜のソース領域及びドレイン領域に接するように金属膜を形成し、
熱アニールにより前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれシリサイドを形成するとともに前記ゲイト電極上部をシリサイド化させ、
前記金属膜を選択的にエッチングして前記ソース領域に接合する第１の金属配線と、前記ドレイン領域に接合する第２の金属配線を形成し、
前記シリサイドと重ならない領域において前記第２の金属配線と接続される配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
酸化珪素膜上の結晶性珪素膜上にゲイト絶縁層を形成し、
前記ゲイト絶縁層上に多結晶珪素膜をパターニングしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に側壁を形成し、
露出する前記ゲイト電極と前記結晶性珪素膜のソース領域及びドレイン領域に接するように第１の金属膜を形成し、
熱アニールにより前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれシリサイドを形成するとともに前記ゲイト電極上部をシリサイド化させ、
前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、
前記第１及び第２の金属膜を選択的にエッチングして前記ソース領域に接合する第１の金属配線と、前記ドレイン領域に接合する第２の金属配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
酸化珪素膜上の結晶性珪素膜上にゲイト絶縁層を形成し、
前記ゲイト絶縁層上に多結晶珪素膜をパターニングしてゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極の側面に側壁を形成し、
露出する前記ゲイト電極と前記結晶性珪素膜のソース領域及びドレイン領域に接するように第１の金属膜を形成し、
熱アニールにより前記ソース領域と前記ドレイン領域にそれぞれシリサイドを形成するとともに前記ゲイト電極上部をシリサイド化させ、
前記第１の金属膜上に第２の金属膜を形成し、
前記第１及び第２の金属膜を選択的にエッチングして前記ソース領域に接合する第１の金属配線と、前記ドレイン領域に接合する第２の金属配線を形成し、
前記シリサイドと重ならない領域において前記第２の金属配線と接続される配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、前記金属膜は、チタン、モリブデン、タングステン、白金、クロム、コバルトから選択された元素を主成分に有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３又は４において、前記第１の金属膜は、チタン、モリブデン、タングステン、白金、クロム、コバルトから選択された元素を主成分に有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３又は４において、
前記第１の金属膜はチタン膜であり、前記第２の金属膜は、アルミニウム膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記側壁と重なり、かつ、前記ソース領域とチャネル形成領域の間と、前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域の間にそれぞれ前記ソース領域及び前記ドレイン領域よりも低濃度の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記ソース領域と前記ドレイン領域に形成された前記シリサイドは、前記半導体層の側面に形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
酸化珪素膜と、結晶性珪素膜と、第１及び第２のゲイト絶縁膜と、第１及び第２のゲイト電極と、第１及び第２の金属配線とを有し、
前記結晶性珪素膜は、第１乃至第３のシリサイド層と、第１及び第２の高濃度不純物領域と、第１及び第３の低濃度不純物領域と、第１及び第２のチャネル形成領域とを有し、
前記第１のチャネル形成領域は、前記第１のシリサイド層と前記第２のシリサイド層の間に設けられ、
前記第２のチャネル形成領域は、前記第２のシリサイド層と前記第３のシリサイド層の間に設けられ、
前記第１の低濃度不純物領域は、前記第１のシリサイド層と前記第１のチャネル形成領域の間に設けられ、
前記第３の低濃度不純物領域は、前記第２のチャネル形成領域と前記第３のシリサイド層の間に設けられ、
前記第１の高濃度不純物領域は、前記第１のチャネル形成領域と前記第２のシリサイド層の間に設けられ、
前記第２の高濃度不純物領域は、前記第２のシリサイド層と前記第２のチャネル形成領域の間に設けられている半導体装置の作製方法であって、
前記酸化珪素膜上の前記結晶性珪素膜上にゲイト絶縁層を形成し、
前記ゲイト絶縁層上に前記第１及び第２のゲイト電極を形成し、
前記第１及び第２のゲイト電極をマスクとして前記結晶性珪素膜に不純物元素をドープして前記第１及び第３の低濃度不純物領域、前記第１及び第２のチャネル形成領域の間の第２の低濃度不純物領域、前記第１のゲイト電極と重なる前記第１のチャネル形成領域、並びに、前記第２のゲイト電極と重なる前記第２のチャネル形成領域を形成し、
前記第１乃至第３の低濃度不純物領域のそれぞれが一部露出するように前記ゲイト絶縁層を選択的にエッチングして、前記第１のゲイト電極と重なる領域を含む領域に前記第１のゲイト絶縁膜、前記第２のゲイト電極と重なる領域を含む領域に前記第２のゲイト絶縁膜を形成し、
露出した前記第１乃至第３の低濃度不純物領域に接するように前記結晶性珪素膜上に金属膜を形成し、
熱アニールにより、前記金属膜と前記結晶性珪素膜を反応させ、前記第１乃至第３のシリサイド層を形成し、
前記第１乃至第３のシリサイド層を形成した後、前記金属膜を選択的にエッチングして前記第１のシリサイド層に接合する前記第１の金属配線と、前記第３のシリサイド層に接合する前記第２の金属配線を形成し、
前記第２の低濃度不純物領域に重なる領域の前記第１及び第２のゲイト絶縁膜を選択的にエッチングして前記第２の低濃度不純物領域を露出し、
露出した前記第２の低濃度不純物領域に不純物イオンをドープして前記第１及び第２の高濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内径よりも大きな軸線方向の長さを有するとともに少なくとも一端が開口している管体部、および前記管体部の内部で当該管体部の軸線方向に質量要素と弾性要素とが交互に配列された音響振動部を有し、前記質量要素と前記弾性要素との配列の周期性により、前記管体部の内部で前記音響振動部を伝搬する音響振動の伝搬速度が、２０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下の周波数範囲において大気中の音速の１／３以下となる音響伝送路と、
前記音響伝送路に音響的に結合される電気音響交換器と、を有することを特徴とするスピーカーシステム。
【請求項２】
前記電気音響交換器は、前記管体部の内部を前記管体部の軸線方向に分断しないように前記音響伝送路に音響的に結合されることを特徴とする請求項１に記載のスピーカーシステム。
【請求項３】
前記電気音響交換器は、前記質量要素と前記弾性要素との配列を分断しないように前記質量要素と前記弾性要素との配列の途中で前記音響伝送路に音響的に結合されていることを特徴とする請求項２に記載のスピーカーシステム。
【請求項４】
前記管体部は、両端が開口しているものであり、
前記管体部の両端に前記質量要素が配置されていることを特徴とする請求項３に記載のスピーカーシステム。
【請求項５】
前記管体部内には、当該管体部の軸線方向の長さを実質的に１／２波長とする前記音響振動の定在波が成立することを特徴とする請求項４に記載のスピーカーシステム。
【請求項６】
前記弾性要素は、前記管体部内部に設けられた気室であり、
区画された３個以上の気室が直列して配列されていることを特徴とする請求項４に記載にスピーカーシステム。
【請求項７】
奇数個の前記気室が直列して配列されており、
前記奇数個の気室のうち中央部に配列された気室に前記電気音響交換器が結合されていることを特徴とする請求項６に記載のスピーカーシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スピーカーシステム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、音響伝送路を用いたスピーカーシステムに関し、特に、質量要素と弾性要素とを交互かつ周期的に配列して再生帯域を低域側に拡大した音響伝送路を用いたスピーカーシステムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（１）本発明のスピーカーシステムは、内径よりも大きな軸線方向の長さを有するとともに少なくとも一端が開口している管体部、および前記管体部の内部で当該管体部の軸線方向に質量要素と弾性要素とが交互に配列された音響振動部と、を有し、前記質量要素と前記弾性要素との配列の周期性により、前記管体部の内部で前記音響振動部を伝搬する音響振動の伝搬速度が、２０Ｈｚ以上２００Ｈｚ以下の周波数範囲において大気中の音速の１／３以下となる音響伝送路と、前記音響伝送路に音響的に結合される電気音響交換器と、を有することを特徴とする。
（２）上記（１）のスピーカーシステムにおいて、前記電気音響交換器は、前記管体部の内部を前記管体部の軸線方向に分断しないように前記音響伝送路に音響的に結合されることが望ましい。
（３）上記（２）のスピーカーシステムにおいて、前記電気音響交換器は、前記質量要素と前記弾性要素との配列を分断しないように前記質量要素と前記弾性要素との配列の途中で前記音響伝送路に音響的に結合されていることが望ましい。
（４）上記（３）のスピーカーシステムにおいて、前記管体部は、両端が開口しているものであり、前記管体部の両端に前記質量要素が配置されていることが望ましい。
（５）上記（４）のスピーカーシステムにおいて、前記管体部内には、当該管体部の軸線方向の長さを実質的に１／２波長とする前記音響振動の定在波が成立することが望ましい。
（６）上記（４）のスピーカーシステムにおいて、前記弾性要素は、前記管体部内部に設けられた気室であり、区画された３個以上の気室が直列して配列されていることが望ましい。
（７）上記（６）のスピーカーシステムにおいて、奇数個の前記気室が直列して配列されており、前記奇数個の気室のうち中央部に配列された気室に前記電気音響交換器が結合されていることが望ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を受信するための入力ノード(28;56)と、
出力信号を送信するための出力ノード(30;58)と、
前記入力ノードに対して動作可能に接続された第１の音響共振器(12,14,16;46,48,50)と、
前記出力ノードに対して動作可能に接続された第２の音響共振器(14,16,18;48,50,52)と、
前記第１の音響共振器と前記第２の音響共振器との間に配置されて、該第１及び第２の音響共振器間の隔離を提供する、電気的な構成要素(20,22,24;66,68,80)
とを備える、バンドパスフィルタネットワーク。
【請求項２】
前記第１及び第２の音響共振器(12,14,16,18;46,48,50,52)のうちの少なくとも一方が、フィルムバルク音響共振器（ＦＢＡＲ）及び表面弾性波（ＳＡＷ）共振器のうちの一方である、請求項１に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項３】
前記電気的な構成要素(20,22,24;66,68,80)が、増幅器(44)の構成要素(66,68,80)である、請求項１又は２に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項４】
前記電気的な構成要素(20,22,24;66,68,80)が、前記増幅器(44)のトランジスタ(66,68,80)である、請求項３に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項５】
前記電気的な構成要素(20,22,24;66,68,80)が、金属酸化膜半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(66,68,80)である、請求項４に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項６】
前記第１及び第２の音響共振器(12,14,16,18;46,48,50,52)のうちの少なくとも一方が、信号経路(32)に対して直列音響共振器として接続される、請求項１乃至５の何れか一項に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項７】
前記第１及び第２の音響共振器(12,14,16,18;46,48,50,52)のうちの少なくとも一方が、分路音響共振器として接続される、請求項１乃至６の何れか一項に記載のバンドパスフィルタネットワーク。
【請求項８】
信号をバンドパスフィルタリングするための方法であって、
前記信号を受信し(602)、
該信号を第１及び第２の音響共振器(12,14,16,18;46,48,50,52)に提供し(604)、及び、
前記第１の音響共振器と前記第２の音響共振器との間に配置されて該第１及び第２の音響共振器間の隔離を提供する電気的な構成要素(20,22,24;66,68,80)を介して該信号を送信する(606)
ことを含む、方法。
【請求項９】
前記信号を第１及び第２の音響共振器に提供すること(604)が、該信号を第１及び第２のフィルムバルク音響共振器（ＦＢＡＲ）(12,14,16,18;46,48,50,52)に提供することを含むことからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記電気的な構成要素を介して信号を送信すること(608)が、増幅器(44)のトランジスタ(66,68,80)を介して該信号を送信することを含むことからなる、請求項８又は９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来は、例えば図９に示すように、乗用自動車１００の衝突時における乗員の安全を図るために、運転席１０１ではステアリングホイール１０２の中心部に設けられたエアバッグ１０３、助手席１０４ではダッシュボード１０５に設けられたエアバッグ１０６が衝突時に発生する窒素ガスによって膨らみ展開して乗員の頭部や胸部を拘束することにより、頭部や胸部をステアリングホイールやフロントガラスへ二次的にぶっつけて衝撃を受けることが防がれている。また、乗員の前側以外にサイドエアバッグが設けられる場合もある。そして、これらエアバッグ１０３、１０６は、例えば車内のフロアトンネル部に設けられた加速度センサー１０７や図示を省略した左右のフロントフェンダのセンサーが衝突したことを検知した後、１００ミリ秒以下の時間で膨らむようになっている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。  
【特許文献１】特開平５−１７００４１号公報（[０００７]、[０００８]、図１）
【特許文献２】特開平６−００１１９８号公報([０００７]、[００２０]、図１)
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント配線板に実装される、複数個の半導体パッケージを積層してなる積層型半導体パッケージにおいて、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第１層目パッケージ基板と、前記第１層目パッケージ基板と前記プリント配線板と接合する第１のはんだボール群とを有する第１層半導体パッケージと、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第２層目パッケージ基板と、前記第２層目パッケージ基板と前記第１層目の半導体パッケージと接合する第２のはんだボール群と、前記プリント配線板と接合する第３のはんだボール群とを有している前記第２層目の半導体パッケージとを有していることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項２】
前記はんだ群ははんだボール群であり、前記第３のはんだボール群の直径は前記第１、第２のはんだボール群の直径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第３のはんだボール群は、前記第２層目の半導体パッケージに搭載されたＬＳＩに電源を供給する、電源用はんだ群であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第３のはんだボール群は、前記第２層目の半導体パッケージに搭載されたＬＳＩのグラウンドと接続する、グラウンド用はんだ群であることを特徴とする請求項１または２に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項５】
前記第１のはんだボール群および前記第３のはんだ群それぞれの前記プリント配線板と接触する先端位置は、同一平面上に位置することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項６】
前記第１層目パッケージ基板および第２層目パッケージ基板はともに４角形であり、第１層目パッケージ基板は、第２層目パッケージ基板に対して基板面において所定の角度回転した位置に配置されており、前記第３のはんだボール群は、前記第２層目の半導体パッケージのコーナー部のみに配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項７】
プリント配線板に実装される、複数個の半導体パッケージを積層してなる積層型半導体パッケージにおいて、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第１層目パッケージ基板と、前記第１層目パッケージ基板と前記プリント配線板と接合する第１のグリッドアレイとを有する第１層半導体パッケージと、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第２層目パッケージ基板と、前記第２層目パッケージ基板と前記第１層目の半導体パッケージと接合する第２のグリッドアレイと、前記プリント配線板と接合する第３のグリッドアレイとを有している前記第２層目の半導体パッケージとを有していることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項８】
前記エリアグリッドアレイはバンプグリッドアレイであることを特徴とする請求項７に記載の積層型半導体パッケージ。
【請求項９】
少なくとも１つのＬＳＩを搭載した半導体パッケージを、複数個積層して形成した積層型半導体パッケージにおいて、前記複数の半導体パッケージのうち隣接しない半導体パッケージを、電源用はんだボール群により接合していることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【請求項１０】
少なくとも１つのＬＳＩを搭載した半導体パッケージを、複数個積層して形成した積層型半導体パッケージにおいて、前記複数の半導体パッケージのうち隣接しない半導体パッケージを、グラウンド用はんだボール群により接合していることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このような課題を解決するため本発明は、プリント配線板に実装される、複数個の半導体パッケージを積層してなる積層型半導体パッケージにおいて、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第１層目パッケージ基板と、前記第１層目パッケージ基板と前記プリント配線板と接合する第１のはんだボール群とを有する第１層半導体パッケージと、少なくとも１つのＬＳＩを搭載した第２層目パッケージ基板と、前記第２層目パッケージ基板と前記第１層目の半導体パッケージと接合する第２のはんだボール群と、前記プリント配線板と接合する第３のはんだボール群とを有している前記第２層目の半導体パッケージとを有していることを特徴とする積層型半導体パッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を収めた処理室を蒸気状態の有機溶剤雰囲気にする段階と、
前記半導体基板上に有機溶剤を直接供給しながら、前記半導体基板を回転させる段階とを含むことを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記有機溶剤を直接供給する段階において、
前記半導体基板の中央領域から周縁領域まで同時に有機溶剤を供給することを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記有機溶剤を直接供給する段階は、
前記半導体基板の中央に有機溶剤を供給する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記有機溶剤を直接供給する段階の前に、洗浄液を供給する段階、をさらに含み、
前記有機溶剤を直接供給する段階の後に、前記半導体基板を加熱する段階、をさらに含み、
前記有機溶剤を直接供給する段階において、
前記半導体基板上に残留する前記洗浄液と、供給された有機溶剤とからなる混合溶液における前記有機溶剤の体積濃度が、
前記有機溶剤と前記洗浄液との共沸混合物における前記有機溶剤の体積濃度よりも高くなるように前記半導体基板に有機溶剤を供給し、
前記加熱する段階において、前記混合溶液を沸騰点より高い温度に加熱することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記処理室を蒸気状態の有機溶剤雰囲気にする段階の前に、
前記処理室内に不活性ガスを供給して前記処理室内の酸素を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記処理室を蒸気状態の有機溶剤雰囲気にする段階の前に、
前記処理室内に不活性ガスとアルコール蒸気とを供給して、前記処理室内の空気を除去することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記半導体基板に加熱された不活性ガスを供給して前記半導体基板上に残留する有機溶剤を除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光装置であって、
基板を計測する計測領域と基板を露光する露光領域とを有する定盤と、
前記定盤の上で駆動される２つの可動体と、
前記可動体の駆動プロファイルに基づいて前記計測領域の温度を制御する計測領域温度制御系と、
前記駆動プロファイルに基づいて前記露光領域の温度を制御する露光領域温度制御系とを備え、
前記計測領域温度制御系および前記露光領域温度制御系は、前記計測領域と前記露光領域との温度差を低減する制御を実行することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記定盤は、基板を計測する計測領域に配置された計測用定盤と基板を露光する露光領域に配置された露光用定盤とを含み、
前記計測用定盤と前記露光用定盤との間に、前記計測用定盤と前記露光用定盤との間の熱移動を遮断する遮断部材が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記計測領域温度制御系と前記露光領域温度制御系とは、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の流量を制御する冷媒制御器を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記計測領域温度制御系と前記露光領域温度制御系とは、前記駆動プロファイルに基づいて冷媒の温度を制御する冷媒制御器を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置。
【請求項５】
前記計測領域温度制御系と前記露光領域温度制御系とは、前記定盤および冷媒の少なくとも一方の温度を測定する温度センサを更に含み、前記駆動プロファイルのほか、前記温度センサによる測定結果に基づいて冷媒を制御することを特徴とする請求項３または４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記駆動プロファイルは、前記可動体の駆動速度の経時的変化を表すことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記計測領域温度制御系と前記露光領域温度制御系とは、前記駆動プロファイルをフィードフォワードすることにより前記計測領域と前記露光領域との温度差を低減する制御を実行することを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記計測領域と前記露光領域とをそれぞれ温調するヒータを有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置およびデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面は、基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置は、基板を計測する計測領域と基板を露光する露光領域とを有する定盤と、前記定盤の上で駆動される２つの可動体と、前記可動体の駆動プロファイルに基づいて前記計測領域の温度を制御する計測領域温度制御系と、前記駆動プロファイルに基づいて前記露光領域の温度を制御する露光領域温度制御系とを備え、前記計測領域温度制御系および前記露光領域温度制御系は、前記計測領域と前記露光領域との温度差を低減する制御を実行することを特徴とする。
本発明の第２の側面は、デバイス製造方法に係り、前記デバイス製造方法は、上記の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記基板を現像する工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質コンデンサの製造法であって、
電極物質の多孔質電極本体；
電極物質の表面を覆う誘電体；および
誘電体表面を完全にまたは部分的に覆う導電性材料を少なくとも含む固体電解質
を少なくとも含むコンデンサ本体に、
少なくとも1つの任意に置換されていてよいポリアニリン、および／または一般式（I）または一般式（II）の繰り返し単位若しくは一般式（I）および（II）の繰り返し単位を有する1つのポリチオフェンを含む導電性ポリマーの粒子b）：
【化１】
2006295184.tif 000001
［式中、
Aは、任意に置換されていてよいC1〜C5アルキレン基を表し；
Rは、直鎖または分岐鎖の、任意に置換されていてよいC1〜C18アルキル基、任意に置換されていてよいC5〜C12シクロアルキル基、任意に置換されていてよいC6〜C14アリール基、任意に置換されていてよいC7〜C18アラルキル基、任意に置換されていてよいC1〜C4ヒドロキシアルキル基、またはヒドロキシル基を表し；
ｘは、0〜8の整数を表し；
複数のR基がAに結合している場合、これらは同じでも異なってもよい］；
結合剤c）および分散剤d）
を少なくとも含む分散物a）を適用する工程；および
導電性ポリマー外層の形成のために、分散剤d）を少なくとも部分的に除去し、かつ/または結合剤c）を硬化させる工程；
を含む方法であり、分散物a）中の導電性ポリマーの粒子b）が平均粒径70〜500nmを有する方法。
【請求項２】
分散物a）が、少なくとも1つのポリマー陰イオンをさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項３】
分散物a）が、架橋剤および／または界面活性剤および／またはさらなる添加剤をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項４】
固体電解質の導電性材料が導電性ポリマーである請求項1に記載の方法。
【請求項５】
固体電解質に含有されている導電性ポリマーが、任意に置換されていてよいポリチオフェン、ポリピロールまたはポリアニリンである請求項4に記載の方法。
【請求項６】
固体電解質に含有されている導電性ポリマーが、一般式（I）または一般式（II）の繰り返し単位、または一般式（I）および（II）の繰り返し単位を有するポリチオフェンである請求項5に記載の方法：
【化２】
2006295184.tif 000002
［式中、
Aは、任意に置換されていてよいC1〜C5アルキレン基を表し；
Rは、直鎖または分岐鎖の、任意に置換されていてよいC1〜C18アルキル基、任意に置換されていてよいC5〜C12シクロアルキル基、任意に置換されていてよいC6〜C14アリール基、任意に置換されていてよいC7〜C18アラルキル基、任意に置換されていてよいC1〜C4ヒドロキシアルキル基、またはヒドロキシル基を表し；
ｘは、0〜8の整数を表し；
複数のR基がAに結合している場合、これらは同じでも異なってもよい］。
【請求項７】
電極本体の電極物質が、バルブ金属、またはバルブ金属と匹敵する電気特性を有する化合物である請求項1に記載の方法。
【請求項８】
請求項1に記載の方法によって製造した電解質コンデンサ。
【請求項９】
請求項8に記載の電解質コンデンサを含む電子回路。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データソースが供給する第１の着信データストリームを解析するデータアナライザであって、
第１のステップで前記第１のデータストリームを第１のデータパターンと比較し、第２のステップで第２のデータストリームを第２のデータパターンと比較し、前記第１のデータストリームと前記第１のデータパターンの間の一致または前記第２のデータストリームと前記第２のデータパターンの間の一致を示す一致信号を生成するように構成されるパターンマッチャと、
前記第１のステップの一致信号に依存する前記第１のデータストリームの一部を記憶し、記憶したデータを第２のステップで第２のデータストリームとして出力するように構成されたトレースメモリと、
前記第１のデータストリームと第２のデータストリームとを受信するように構成され、前記第１のステップで前記パターンマッチャに前記第１のデータストリームを提供する第１の状態に設定され、前記第２のステップで前記パターンマッチャに前記第２のデータストリームを提供する第２の状態に設定されるデータスイッチと、
を備えるデータアナライザ。
【請求項２】
前記第１のステップと第２のステップを開始するために、前記パターンマッチャ、前記トレースメモリ、前記データスイッチを制御するように構成されたコントローラを備える、請求項１に記載のアナライザ。
【請求項３】
前記コントローラは、
前記第１のステップで、前記データスイッチを前記第１の状態に設定することと、前記パターンマッチャを前記第１のデータパターンに設定することと、前記着信データストリームの一部を記憶するように前記トレースメモリを作動することとを制御するように構成され、
前記第２のステップで、前記データスイッチを前記第２の状態に設定することと、前記パターンマッチャを前記第２のデータパターンに設定することと、前記第２のストリームを出力するように前記トレースメモリを作動することとを制御するように構成される、請求項２に記載のアナライザ。
【請求項４】
前記コントローラは、前記データパターンの入力と、前記第１のステップと前記第２のステップの開始のうち少なくとも１つのために構成されたユーザインタフェースを備える、請求項２又は３に記載のアナライザ。
【請求項５】
前記コントローラは、異なる各データパターンが前記パターンマッチャにロードされる前記第２のステップを繰り返すように構成される、請求項２から４のいずれか１項に記載のアナライザ。
【請求項６】
前記異なる各データパターンについてトリガ信号発生をカウントするように構成されたカウンタを備える、請求項５に記載のアナライザ。
【請求項７】
前記データストリームを並列に受信するように構成され、各作動されたデータパターンに依存して各一致信号を生成するように構成された、１つまたは複数の別のパターンマッチャを備える、請求項１から６のいずれか１項に記載のアナライザ。
【請求項８】
前記一致信号に基づいて、前記第１のデータストリームの選択された部分を記憶するために前記トレースメモリに供給されるトリガ信号を生成するように構成されたトリガ回路をさらに備える、請求項７に記載のアナライザ。
【請求項９】
前記トリガ回路は、前記一致信号と以前の状態とに基づいて実際の状態を決定し、さらに前記実際の状態に依存してトリガ信号を生成するように構成されたステートマシンを含む、請求項８に記載のアナライザ。
【請求項１０】
前記トリガメモリが、あらかじめ定義された時間とあらかじめ定義された受信データ量のうちいずれかの後にデータ取得を停止するように、前記トレースメモリを制御するために、前記トリガ回路から受信したトリガ信号に依存してトレースメモリ制御信号を生成するように構成された実行制御回路をさらに備える、請求項７に記載のアナライザ。
【請求項１１】
前記着信データストリームと前記第２のデータストリームは、複数のパラレルビットのデータのシーケンスである、請求項１から１０のいずれか１項に記載のアナライザ。
【請求項１２】
制御可能な接続上で前記第１のトレースメモリに接続された第２のトレースメモリを備え、前記制御可能な接続は、前記第２のデータストリームの選択されたデータが前記第２のトレースメモリ内に記憶されるように前記トリガ回路によって制御されるように構成される、請求項１から１１のいずれか１項に記載のアナライザ。