(57)【要約】【課題】  逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善する技術を提供する。【解決手段】  ｎ型の不純物を高濃度に含むカソード領域２２（第１半導体領域）と、カソード領域２２上に形成されているとともに、ｎ型の不純物を低濃度に含むか又は不純物を含まない中間半導体領域２６（第２半導体領域）と、中間半導体領域２６上に形成されているとともに、ｐ型の不純物を低濃度に含むｐ-型の半導体領域３２（第３半導体領域）と、ｐ−型の半導体領域３２の表面に臨んで分散して配置されているとともに、ｐ型の不純物を高濃度に含む複数個のアノード領域３４（第４半導体領域）と、少なくともアノード領域３４の底面に沿って形成されているとともに、ｐ−型の半導体領域３２の表面に至って伸びておらず、ｎ型の不純物を、中間半導体領域２６の不純物濃度以上の濃度に含むバリア層（第５半導体領域）を備えている。【選択図】  図１
2008166305.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の不純物を高濃度に含む第１半導体領域と、
第１半導体領域上に形成されているとともに、第１導電型の不純物を低濃度に含むか又は不純物を含まない第２半導体領域と、
第２半導体領域上に形成されているとともに、第２導電型の不純物を低濃度に含む第３半導体領域と、
第３半導体領域の表面に臨んで分散して配置されているとともに、第２導電型の不純物を高濃度に含む複数個の第４半導体領域と、
少なくとも第４半導体領域の底面に沿って形成されているとともに、第３半導体領域の表面に至って伸びておらず、第１導電型の不純物を第２半導体領域よりも高濃度に含む第５半導体領域と、
を備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第５半導体領域が、前記第４半導体領域の底面を覆って形成されていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記第５半導体領域が、第２半導体領域に至るまで伸びていることを特徴とする請求項１または２の半導体装置。
【請求項４】
前記第４半導体領域が、前記第２半導体領域に突出して形成されており、
前記第５半導体領域が、前記第４半導体領域の、少なくとも前記第２半導体領域に突出している部分の外面を覆って形成されていることを特徴とする請求項１または２の半導体装置。
【請求項５】
前記第４半導体領域の底面が、半導体層の表面と平行な面を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれかの半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の逆回復特性を改善する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＩＮ型のダイオードが知られている。
本明細書に添付してある図１５に、非特許文献１に開示されているＰＩＮ型のダイオード１０３の要部断面図を模式的に示す。ダイオード１０３は、一般的にＳＳＤ（スタティックシールドダイオード）といわれている。
ダイオード１０３は、ｎ型の不純物を高濃度に含むカソード領域１２４を備えている。ダイオード１０３は、カソード領域１２４上に形成されているとともに、ｎ型の不純物を低濃度に含む中間半導体領域１２６を備えている。ダイオード１０３は、中間半導体領域１２６上に形成されているとともに、ｐ型の不純物を低濃度に含むｐ-型の半導体領域３３４を備えている。ダイオード１０３は、ｐ-型の半導体領域３３４の表面に臨んで分散して配置されているとともに、ｐ型の不純物を高濃度に含む複数個のアノード領域２３４を備えている。そして、カソード領域１２４に接するカソード電極１２２が形成されており、アノード領域２３４とｐ-型の半導体領域３３４の表面に接するアノード電極１４４が形成されている。
ダイオード１０３は、表面全域にアノード領域２３４が形成されている従前のＰＩＮダイオードと比較すると、順バイアス時にダイオード１０３内に蓄積されるホールの量が少ない。したがって、ダイオード１０３を用いると、逆回復時の損失を低減し、逆回復特性を改善することができる。
【非特許文献１】Y.Shimizu, M.Naito, S.Murakami, Y.Terasawa, Electron Devices, ED31, IEEE Trans, 1967, pp.1314
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ダイオード１０３の逆回復特性をさらに改善する技術が望まれている。仮に、アノード領域２３４の不純物濃度を薄くするか、隣接するアノード領域２３４間の間隔を広くすれば、アノード領域２３４からｐ-型の半導体領域３３４や中間半導体領域１２６へホールが注入されることがさらに抑制され、ダイオード１０３内に蓄積されるホールの量をさらに減少させることができる。あるいは、ｐ-型の半導体領域３３４の不純物濃度を薄くすれば、ｐ-型の半導体領域３３４から中間半導体領域１２６へホールが注入されることがさらに抑制され、ダイオード１０３内に蓄積されるホールの量を減少させることができる。これにより、逆回復特性をさらに改善したダイオードを構成することができる。しかしながら、上記した構成のダイオードでは、いずれも、逆バイアス時に空乏層がアノード電極まで達しブレークタウンし易い。
即ち、ダイオード１０３の構造では、アノード領域２３４の不純物濃度及び／又は隣接するアノード領域２３４間の間隔を調整しても、あるいはｐ-型の半導体領域３３４の不純物濃度を調整しても、逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら逆回復特性を改善することはできない。
本発明は、上記の課題を解決するために創作された。本発明は、逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の半導体装置は、第１導電型の不純物を高濃度に含む第１半導体領域と、第１半導体領域上に形成されているとともに、第１導電型の不純物を低濃度に含むか又は不純物を含まない第２半導体領域と、第２半導体領域上に形成されているとともに、第２導電型の不純物を低濃度に含む第３半導体領域と、第３半導体領域の表面に臨んで分散して配置されているとともに、第２導電型の不純物を高濃度に含む複数個の第４半導体領域と、少なくとも第４半導体領域の底面に沿って形成されているとともに、第３半導体領域の表面に至って伸びておらず、第１導電型の不純物を第２半導体領域よりも高濃度に含む第５半導体領域を備えている。
本発明の半導体装置は、ＰＩＮ型のダイオードに好適に適用される。この場合には、第１半導体領域がｎ+型のカソード領域となり、第４半導体領域がｐ+型のアノード領域となる。
【０００５】
ダイオードの逆回復特性を改善するためには、順バイアス時に第４半導体領域及び／又は第３半導体領域から第２半導体領域に注入されるキャリアの量を低減化することが有効である。順バイアス時には、第４半導体領域から第３半導体領域にキャリアが注入され、さらに、第３半導体領域から第２半導体領域にキャリアが注入される。
そこで、本発明の半導体装置は、第５半導体領域を備えている。第５半導体領域は、第４半導体領域の底面に沿って形成されている。第５半導体領域は、第１導電型の不純物を第２半導体領域よりも高濃度に含んでいる。第５半導体領域が存在することにより、順バイアス時に、第４半導体領域から第３半導体領域あるいは第２半導体領域にキャリアが注入され難くなる。したがって、順バイアス時に第４半導体領域から第２半導体領域に注入されるキャリアの量を減少させることができる。
この構成によれば、第４半導体領域から第２半導体領域に注入されるキャリアの量を減少させることができるために、第４半導体領域の不純物濃度を薄くする必要がない。また、第４半導体領域から第２半導体領域に注入されるキャリアの量を充分に減少させることができるので、隣接する第４半導体領域間の間隔を広げる必要がない。第３半導体領域に注入されるキャリアの量が減少するために、第３半導体領域の不純物濃度を薄くする必要がない。
したがって、第３半導体領域及び第４半導体領域の不純物の濃度を薄くし過ぎることがなく、逆バイアス時に、これらの領域によって第２半導体領域から伸展してくる空乏層を停止させることができる。このために、逆バイアス時に半導体装置にブレークダウンが発生することを抑制することができる。
本発明の半導体装置を用いると、逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら、半導体装置の逆回復特性を改善することができる。
【０００６】
この第５半導体領域は、第４半導体領域の底面を覆って形成されていることが好ましい。
また、第５半導体領域は、第２半導体領域に至るまで伸びていることが好ましい。
上記いずれかの構成の第５半導体領域が形成されていれば、順バイアス時に、第４半導体領域の底面から第２半導体領域に注入されるキャリアの量を効果的に減少させることができる。
【０００７】
また、第４半導体領域が、第２半導体領域に突出して形成されており、第５半導体領域が、第４半導体領域の、少なくとも第２半導体領域に突出している部分の外面を覆って形成されていることが好ましい。
この構成の半導体装置は、第４半導体領域（例えば、ｐ型）と、第５半導体領域（例えば、ｎ型）と、第３半導体領域（例えば、ｐ型）と、第２半導体領域（例えば、ｎ型）から成る寄生サイリスタ構造を形成しない。したがって、厳しい使用環境下でもラッチアップする可能性がなく、安全動作領域が広い。
【０００８】
本発明の半導体装置では、第４半導体領域の底面が、半導体層の表面と平行な面を有していることが好ましい。
この構成によると、底面を覆う第５半導体領域を形成し易い。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体装置によると、逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら半導体装置の逆回復特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。
（第１特徴）  カソード領域２４（第１半導体領域）に接するカソード電極２２（第１電極）と、アノード領域３４（第４半導体領域）とｐ-型の半導体領域３２（第３半導体領域）に接するアノード電極３２（第２電極）を備えている。
（第２特徴）  アノード電極３２とバリア層２８（第５半導体領域）は接していない。
（第３特徴）  アノード領域３２と中間半導体領域２６（第２半導体領域）は、少なくともバリア層２８により分離されている。
【実施例】
【００１１】
本発明を具現化した半導体装置とその製造方法の実施例を、図１〜図１０を参照して説明する。本実施例は、本発明を、ＰＩＮ型のダイオード１０に適用したものである。
図１は、本実施例のダイオード１０の断面図である、図２は、ダイオード１０の不純物濃度を説明する図である。図３は、順バイアス時に、アノード領域からホールが放出される状態を示している。図４〜図７は、ダイオード１０の製造工程を説明する図である。図８〜図１０は、ダイオード１０の上面図を例示している。
なお、以下の実施例のダイオードには、シリコン系の半導体材料が用いられているが、それ以外の半導体材料が用いられていてもよい。他の半導体材料としては、ガリウムヒ素系の半導体材料、炭化シリコン系の半導体材料、窒化ガリウム系の半導体材料等が挙げられる。
【００１２】
まず、図１の断面図を参照してダイオード１０の構成を説明する。
ダイオード１０は、カソード電極２２を備えている。ダイオード１０は、カソード電極２２上に形成されているｎ+型のカソード領域２４（第１半導体領域の一例）を備えている。ダイオード１０は、カソード領域２４上に形成されているｎ-型の中間半導体領域２６（第２半導体領域の一例）を備えている。ダイオード１０は、中間半導体領域２６上に形成されているｐ-型の半導体領域３２（第３半導体領域の一例）を備えている。ダイオード１０は、ｐ-型の半導体領域３２の表面に臨んで分散して配置されている複数個のｐ+型のアノード領域３４（第４半導体領域の一例）を備えている。ｐ+型のアノード領域３４は、ｐ-型の半導体領域３２よりも、半導体層の表面から深い位置に至るまで形成されている。したがって、ｐ+型のアノード領域３４の底面は、中間半導体領域２６に突出している。また、ダイオード１０は、アノード領域３４の表面と、アノード領域３４が形成されていない部分のｐ-型の半導体領域３２の表面に接するアノード電極４４を備えている。アノード領域３４の底面は、半導体層の表面と平行な面を有している。
さらに、ダイオード１０は、アノード領域３４の底面を覆って形成されているｎ型半導体領域２８（第５半導体領域の一例）を備えている。以降、このｎ型半導体領域２８をバリア層２８という。バリア層２８は、ｐ-型の半導体領域３２の表面に至るまでは伸びていない。すなわち、バリア層２８は、アノード電極４４に接触していない。バリア層２８のｎ型不純物の濃度は、中間半導体領域２６が含むｎ型不純物の濃度よりも濃い。アノード領域３４は、バリア層２８により中間半導体領域２６から分離されている。
【００１３】
図２に、図１のII−II線断面に対応するダイオード１０の不純物濃度を示す。
中間半導体領域２６には、低濃度のｎ型不純物が含まれている。
バリア層２８には、中間半導体領域２６と比較して高濃度のｎ型不純物が含まれている。
アノード領域３４には、ｎ型不純物を上回る濃度のｐ型不純物が含まれている。これにより、アノード領域３４はｐ型半導体領域となっている。
【００１４】
次に、図３を参照してダイオード１０の動作を説明する。
ダイオード１０に順バイアスが印加されているとき（すなわち、アノード電極４４に正電圧が印加され、カソード電極４４に負電圧が印加されているとき)には、電子がカソード領域２４から中間半導体領域２６に移動し、ホールがアノード領域３４から中間半導体領域２６に移動する。そのため、アノード電極４４からカソード電極２２に電流が流れる。
この際、ダイオード１０に逆バイアスを印加して急激に電流を遮断すると、ダイオード１０内に残留しているキャリアにより逆回復電流が流れる。本明細書でいう「ダイオードの逆回復特性の改善」とは、逆回復電流が流れる時間を短縮化して損失を低減することや、逆回復電流が減衰する速度を緩慢にして（ソフトリカバリ特性）サージ電圧を抑制すること等を含む。ダイオードの逆回復特性を改善するためには、順バイアス時にアノード領域３４から中間半導体領域２６に注入されるキャリア（ホール）の量を低減し、中間半導体領域２６に蓄積されるホールの量を低減することが有効である。
【００１５】
図３に、ダイオード１０のアノード領域３４とバリア層２８の近傍の要部拡大断面図を示す。比較のために、図１６に、従来のダイオード１０３（図１５の要部拡大断面図）のアノード領域２３４近傍の拡大要部断面図を示す。いずれも、ダイオードに順バイアスが印加されているときの状態を模式的に表している。なお、各図中のプラス印は、アノード領域から中間半導体領域２６に注入されるホールを模式的に示している。
図１６に示すように、従来のダイオード１０３には、本実施例のダイオード１０に形成されているバリア層２８が形成されていない。このため、順バイアス時には、相当量のホールがアノード領域２３４から第３半導体領域３３４と第２半導体領域１２６に注入され、相当量のホールがダイオード１０３内に蓄積される。したがって、順バイアスから逆バイアスに切り替わる過渡的な期間において、蓄積していた相当量のホールに起因する逆回復電流が流れ、損失の増大やサージ電圧の上昇を引き起こす。
一方、図３に示すように、本実施例のダイオード１０には、バリア層２８が形成されている。バリア層２８は、中間半導体領域２６よりもｎ型の不純物を高濃度に含んでいる。バリア層２８の存在により、順バイアス時に、アノード領域３４から隣接する半導体層にキャリアが注入され難くなる。したがって、順バイアス時にアノード領域３４から第２半導体領域２６に注入されるホールの量を減少させることができる。これにより、ダイオード１０内に蓄積するホールの蓄積量が減少する。ホールの蓄積量が減少すると、順バイアスから逆バイアスに切り替わる過渡的な期間において、逆回復電流が流れる時間が短くなり、損失が低減される。さらに、逆回復電流が緩慢に流れるので、ソフトリカバリー効果も得られ、サージ電圧の増加も抑制される。これにより、ダイオードの逆回復特性が改善される。
【００１６】
次に、図４〜９を参照して、図１に示すダイオード１０の製造方法を説明する。以下に説明する製造方法では、終端耐圧確保領域を含めたダイオード１０の製造方法を説明する。終端耐圧確保領域とは、図１に示すダイオード１０のアノード領域３４群及びｐ-型の半導体領域３２が存在する範囲（アクティブ領域ともいう）の周囲を一巡して形成されている領域である。終端耐圧確保領域は、アクティブ領域から側方に向けて空乏層を伸展させ、ダイオード１０の耐圧を向上させるための領域である。以下の例の終端耐圧確保領域は、図７に示すように、複数のガードリング３６と等電位半導体領域３８を備えている。ガードリング３６は、アクティブ領域から伸展してくる空乏層をさらに側方に向けて伸展させる役割を担っている。等電位半導体領域３８は、その空乏層が終端耐圧確保領域よりもさらに側方に伸展するのを防止するための役割を担っている。終端耐圧確保領域には、これらの構造以外の半導体領域が形成されていることもある。
【００１７】
まず、図４に示すように、ｎ+型のカソード領域２４とｎ-型の中間半導体領域２６が積層した構造を有するウェーハを用意する。カソード領域２４のｎ型不純物の濃度は、約１×１０20／cm3である。中間半導体領域２６のｎ型不純物の濃度は、約８×１０13／cm3である。中間半導体領域２６の（比抵抗／厚さ）は、（６０Ωｃｍ／７０μｍ）とする。
【００１８】
次に、そのウェーハの表面にフィールド酸化膜６２を形成する。その後に、フィールド酸化膜６２の、ガードリング領域（後に、ガードリング３６が形成される範囲）、アクティブ領域（後に、アノード領域３４群及びｐ-型の半導体領域３２が形成される範囲）及び等電位領域（後に、等電位半導体領域３８が形成される範囲）に対応する部分に、開孔を形成する。その開孔には、不純物をインプラントする時のチャネリングを防止するために、厚みが５０ｎｍ程度の犠牲酸化膜５２を形成する。
【００１９】
次に、ガードリング３６を形成する。フォト工程により、ガードリング領域以外をフォトレジストで覆う（図示していない。）。そして、イオン注入技術を利用して、犠牲酸化膜５２を介してウェーハの表面に向けてボロンを導入する。ボロンを導入した後に、フォトレジストを剥離し、熱処理を実施する。これにより、導入したボロンを活性化させ、複数のガードリング３６を形成する。これによって深さ４μｍのガードリング３６が形成される。ガードリング３６の表面での不純物濃度は１×１０18／ｃｍ3となる。平面視したときに、ガードリング３６は、アクティブ領域の周囲を一巡している。
【００２０】
次に、図５に示すように、バリア層２８を形成する。フォト工程により、バリア層２８を形成する領域以外をフォトレジストで覆う。そして、イオン注入技術を利用して、犠牲酸化膜５２を介してウェーハの表面に向けてリンを導入する。リンを導入した後に、フォトレジストを剥離し、熱処理を実施する。これにより、導入したリンを活性化させ、複数のバリア層２８を形成する。これによって深さ２μｍのバリア層２８が形成される。バリア層２８の表面での不純物濃度は１×１０18／ｃｍ3となる。半導体装置１０では、後記するように、アノード領域３４の底面が半導体層の表面と平行な平面となる。これにより、バリア層２８を、アノード領域３４の底面を覆う形状に形成することが簡単である。
【００２１】
次に、図６に示すように、アノード領域３４を形成する。フォト工程により、アノード領域３４を形成する領域以外をフォトレジストで覆う。アノード領域３４は、先に形成したバリア層２８よりも表面に露出する面積が大きくなるように形成する。そして、イオン注入技術を利用して、犠牲酸化膜５２を介してウェーハの表面に向けてボロンを導入する。ボロンを導入した後に、フォトレジストを剥離し、熱処理を実施する。これにより、導入したボロンを活性化させ、その底面がバリア層２８に覆われているアノード領域３４を形成する。これによって深さ０．８μｍのアノード領域３４が形成される。アノード領域３４の表面での不純物濃度は１×１０19／ｃｍ3となる。こうして製造されるアノード領域３４の底面は、半導体層の表面と平行な平面となる。
なお、アノード領域３４のｐ型不純物濃度は、バリア層２８のｎ型不純物濃度よりも濃いので、バリア層２８は表面に露出しない。すなわち、バリア層２８は、ｎ-型の半導体領域２６の表面に至って伸びていない。
【００２２】
次に、ｐ-型の半導体領域３２を形成する。フォト工程により、ｐ-型の半導体領域３２を形成する領域以外をフォトレジストで覆う。そして、イオン注入技術を利用して、犠牲酸化膜５２を通してウェーハの表面に向けてボロンを導入する。ボロンを導入した後に、フォトレジストを剥離し、熱処理を実施する。これにより、導入したボロンを活性化させ、各アノード領域３４の間に配置されるｐ-型の半導体領域３２を形成する。これによって深さ０．５μｍのｐ-型の半導体領域３２が形成される。ｐ-型の半導体領域３２の表面での不純物濃度は１×１０16／ｃｍ3となる。
アノード領域３４は、ｐ-型の半導体領域３２よりも深く、ｎ-型の半導体領域２６に突出している。
【００２３】
次に、等電位半導体領域３８を形成する。フォト工程により、等電位半導体領域３８を形成する領域以外をフォトレジストで覆う。そして、イオン注入技術を利用して、犠牲酸化膜５２を通してウェーハの表面に向けてリンを導入する。リンを導入した後に、フォトレジストを剥離し、熱処理を実施する。これにより、導入したリンを活性化させ、等電位半導体領域３８を形成する。これによって深さ０．５μｍの等電位半導体領域３８が形成される。等電位半導体領域３８の表面での不純物濃度は５×１０18／ｃｍ3となる。
【００２４】
その後、図７に示すように、犠牲酸化膜５２（併せて図６参照）をエッチングにより除去する。
それから、半導体層の表面にアルミニウムをスパッタして堆積させる。フォト工程によって、ｐ-型の半導体領域３２、ガードリング３６、等電位半導体領域３８をフォトレジストで覆い、覆われていない領域のアルミニウムをエッチッグすることによって、アノード電極４４と、ガードリング３６または等電位半導体領域３８と等電位に保たれる金属膜６３を形成する。
必要に応じて荷電粒子の照射と、照射後の熱処理を実施し、ライフタイムを制御するための欠陥を所望の位置に形成してもよい。
つぎに、半導体層の裏面にチタンとニッケルと金を蒸着してカソード電極２２を形成する。
これらの工程を経て、図１に示すダイオード１０を製造することができる。
【００２５】
なお、図８〜図１０に示すように、平面視したときに、バリア層２８が形成されている範囲は、ｐ+型のアノード領域３４が形成されている範囲と重複している。バリア層２８は、ｐ-型の半導体領域３２の表面に至るまで伸びていない。図８に示すように、アノード領域３４及びバリア層２８が、ストライプ状に形成されていてもよい。図９に示すように、アノード領域３４及びバリア層２８が、格子状に形成されていてもよい。また、図１０に示すように、アノード領域３４の表面が円形であり、アノード領域３４及びバリア層２８が、ｐ-型の半導体領域３２の表面に分散して配置されていてもよい。
【００２６】
本実施例の半導体装置１０は、バリア層２８を備えているので、中間半導体領域２６とアノード領域３４の不純物の濃度を薄くし過ぎないでも、ホールの注入を抑制することができる。したがって、逆バイアス時に、これらの領域によって中間半導体領域２６から伸展してくる空乏層を停止させることができる。このために、逆バイアス時に空乏層がアノード電極４４に達し、半導体装置１０にブレークダウンが発生することを抑制することができる。
半導体装置１０を用いると、逆バイアス時のブレークダウンの発生を抑制しながら、順バイアス時にアノード領域３４から中間半導体領域２６に注入されるホールの量を減少させ、半導体装置１０の逆回復特性を改善することができる。
アノード領域３４の底面は、半導体層の表面と平行な面を有している。
【００２７】
図１１に、変形例のダイオード１０ａの要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１０ａでは、ｐ−型の半導体領域３２ａの深さの方がアノード領域３４の深さよりも深い。
図１２に変形例のダイオード１０ｂの要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１０ｂでは、ｐ−型の半導体領域３２ａの深さの方がバリア層２８の深さよりも深い。
ダイオード１０ａ，１０ｂの場合もバリア層２８が形成されており、アノード領域３４から半導体層に注入されるホールの量を減少させることができる。したがって、ダイオード１０の場合と同様に、ダイオードの逆回復特性が改善される。
【００２８】
図１３に、変形例のダイオード１０ｃの要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１０ｃでは、バリア層２８ｃの幅（図１３に示す左右方向の寸法）が、アノード領域３４の幅よりも大きい。
図１４に、変形例のダイオード１０ｄの要部拡大断面図を模式的に示す。ダイオード１０ｄでは、バリア層２８ｄが、アノード領域３４の底面全体を覆っておらず、底面の一部を覆っている。
ダイオード１０ｃ，１０ｄに形成されているバリア層２８ｃ、２８ｄであっても、アノード領域３４から中間半導体領域２６に注入されるホールの量を減少させることができる。したがって、ダイオード１０の場合と同様に、ダイオードの逆回復特性が改善される。
【００２９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本実施例のダイオード１０の断面図である。
【図２】ダイオード１０の不純物濃度を説明する図である。
【図３】順バイアス時に、アノード領域３４からｐ-型の半導体領域３２と中間半導体領域２６にホールが注入される状態を示す図である。
【図４】ダイオード１０の製造工程を説明する図である。
【図５】ダイオード１０の製造工程を説明する図である。
【図６】ダイオード１０の製造工程を説明する図である。
【図７】ダイオード１０の製造工程を説明する図である。
【図８】ダイオード１０の上面図の一例を示す。
【図９】ダイオード１０の上面図の他の例を示す。
【図１０】ダイオード１０の上面図の、さらに他の例を示す。
【図１１】変形例のダイオード１０ａの断面図である。
【図１２】変形例のダイオード１０ｂの断面図である。
【図１３】変形例のダイオード１０ｃの断面図である。
【図１４】変形例のダイオード１０ｄの断面図である。
【図１５】従来のダイオード１０３の断面図である。
【図１６】従来のダイオード１０３について、順バイアス時に、アノード領域２３４からｐ-型の半導体領域３３４にホールが注入される状態を示す図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０，１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ  半導体装置
２２  カソード電極
２４  カソード領域
２６  中間半導体領域
２８  バリア層
３２  ｐ-型半導体領域
３４  アノード領域
３６  ガードリング
３８  等電位半導体領域
５２  犠牲酸化膜
６２  フィールド酸化膜
【図１】
2008166305.tif 000003
【図２】
2008166305.tif 000004
【図３】
2008166305.tif 000005
【図４】
2008166305.tif 000006
【図５】
2008166305.tif 000007
【図６】
2008166305.tif 000008
【図７】
2008166305.tif 000009
【図８】
2008166305.tif 000010
【図９】
2008166305.tif 000011
【図１０】
2008166305.tif 000012
【図１１】
2008166305.tif 000013
【図１２】
2008166305.tif 000014
【図１３】
2008166305.tif 000015
【図１４】
2008166305.tif 000016
【図１５】
2008166305.tif 000017
【図１６】
2008166305.tif 000018