Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月4日(2009.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に収容部を備え、上部に開口部が設けられたパッケージ本体と、
前記パッケージ本体の前記収容部の底部に実装された電子部品と、
前記開口部を塞いで前記電子部品を気密封止し、外部からの光を前記電子部品に入射させるための光透過窓部とを有し、
前記光透過窓部は、光透過方向の一対の対向面が水平面と傾斜面の組み合わせから構成され、前記水平面が前記パッケージ本体の開口部の近傍部に固着されることによって、前記光透過窓部が前記電子部品の受光面に対して傾斜する前記傾斜面をもって配置されており、かつ
前記光透過窓部の上面に反射防止膜が形成され、前記光透過窓部の下面の周縁側に遮光膜パターンが形成されていることを特徴とする電子部品装置。
【請求項２】
前記パッケージ本体は、
中央主要部に凹部を備えて周縁部に突出部が設けられた下側パッケージ部の上に、中央部に前記開口部が設けられた上側枠部と該上側枠部の周縁下部に繋がる立設枠部とから形成された上側パッケージ部が配置されて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項３】
前記パッケージ本体は、
中央主要部に凹部を備えて周縁部に突出部が設けられた下側パッケージ部の上に、内側全体が前記開口部となった立設枠部からなる上側パッケージ部が配置されて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品装置。
【請求項４】
前記光透過窓部は、前記パッケージ本体の外面側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品装置。
【請求項５】
前記光透過窓部は、前記パッケージ本体の内面側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品装置。
【請求項６】
前記パッケージ本体の内部から外部に延在するリードが前記パッケージ本体の側部に設けられており、前記電子部品はワイヤを介して前記内部の前記リードに接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項７】
前記光透過窓部は、透明ガラスから形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項８】
前記パッケージ本体は、セラミック、金属、半導体、及び樹脂のいずれかよりなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【請求項９】
前記電子部品は、光スイッチ素子、メモリ素子、ＭＥＭＳ素子、及び撮像素子のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電子部品装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下電極、圧電体層及び上電極を有する圧電素子と、絶縁材料からなり前記圧電素子を覆うように設けられた保護膜と、を具備し、
前記保護膜の前記上電極に対向する領域に、前記圧電素子の幅方向に並ぶ複数の凹部が並設されていることを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項２】
前記複数の凹部の前記圧電素子の短手方向の幅の合計が、前記圧電素子の短手方向の幅の２５％以上６０％以下であることを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ装置。
【請求項３】
前記圧電素子の長手方向における各凹部の端部が、前記圧電素子の幅方向中央部側の凹部ほど前記圧電素子の長手方向の端部側に位置していることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクチュエータ装置。
【請求項４】
前記凹部が前記保護膜を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項５】
前記保護膜が、無機絶縁材料からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載のアクチュエータ装置を具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項７】
前記アクチュエータ装置の変位により圧力発生室内の液体をノズル開口から噴射する液体噴射ヘッドであって、
前記圧電素子の長手方向両端部が、前記圧力発生室に対向する領域の外側までそれぞれ延設されていることを特徴とする請求項６に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、下電極、圧電体層及び上電極を有する圧電素子と、絶縁材料からなり前記圧電素子を覆うように設けられた保護膜と、を具備し、前記保護膜の前記上電極に対向する領域に、前記圧電素子の幅方向に並ぶ複数の凹部が並設されていることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１の態様では、圧力発生室の長手方向における振動板の剛性が、圧力発生室の
幅方向の剛性よりも大きくなる。したがって、絶縁破壊の発生を防止すると共に圧電素子
の駆動による振動板の変位量の低下も抑えられ、且つ圧電素子の変形に伴う振動板の破壊
も防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の態様は、前記複数の凹部の前記圧電素子の短手方向の幅の合計が、前記圧電素子の短手方向の幅の２５％以上６０％以下であることを特徴とする第１の態様のアクチュエータ装置にある。
かかる第２の態様では、振動板の低下及び振動板の破壊をより確実に防止することがで
きる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１〜５の何れかの態様のアクチュエータ装置を具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第６の態様では、液滴の吐出特性、耐久性等の各種特性に優れた液体噴射ヘッドを実現することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第７の態様は、前記アクチュエータ装置の変位により圧力発生室内の液体をノズル開口から噴射する液体噴射ヘッドであって、前記圧電素子の長手方向両端部が、前記圧力発生室に対向する領域の外側までそれぞれ延設されていることを特徴とする第６の態様の液体噴射ヘッドにある。
かかる第７の態様では、圧力発生室の幅方向における振動板の剛性のみが実質的に振動板の変形に寄与するため、保護膜に複数の凹部を設けることによる振動板の変位量の低下が少なくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹陥部を備えたパッケージベースと、
前記凹陥部に搭載した圧電振動片と、
前記圧電振動片に導通し、前記凹陥部に搭載したＩＣチップと、
接合材を介して前記パッケージベースに接合し、前記凹陥部を封止する光透過性の蓋体とを有し、
前記蓋体は、前記凹陥部の方に向いた表面に赤外線反射膜を備えた、
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記凹陥部とは反対に向いた前記蓋体の表面に赤外線反射防止膜を設けたことを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記接合材は、前記蓋体よりも融点の低い低融点ガラスであることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記圧電素子片は、ジャイロセンサ用の圧電振動片であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項５】
少なくとも赤外線反射膜が形成された光透過性の蓋体を用意し、
パッケージベースに形成された凹陥部に内蔵電子部品を搭載し、
接合材を介して前記パッケージベース上に前記蓋体を載せて、前記凹陥部を前記蓋体で覆い、
赤外線を照射して前記接合材を溶融し、前記蓋体と前記パッケージベースを接合する、
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、パッケージベースと蓋体の接合時に内蔵電子部品が高温になるのを防止するとともに、蓋体に供給される赤外線を効率的に使用する圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
以下に、本発明に係る圧電デバイスおよび電子デバイスの製造方法の実施形態について説明する。なお以下の実施形態では、電子デバイスとして圧電デバイスを用いた形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧電デバイスの断面図である。圧電デバイスの概略構成は、次のようになっている。すなわち圧電デバイス１０はパッケージ３０を有している。このパッケージ３０は、凹陥部３６を備えたパッケージベース３２と、このパッケージベース３２の上面に接合して凹陥部３６を封止した蓋体２０とを有している。パッケージベース３２は、圧電振動片７０、中間基板５０およびＩＣチップ１４を凹陥部３６に搭載している。そしてパッケージベース３２と蓋体２０は、ハロゲンランプを用いて接合材６６を溶融して固着している。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月1日(2009.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように、近年、携帯電話の高度利便性が追求される中、フレキシブルプリント基板の更なる配線の狭ピッチ化、高密度配線化が進み、プリント基板やそれを使用したプリント配線板には、微細配線化とともに高度信頼性が要望され、９０°の銅箔剥離強度と共に、より過酷な１８０°の銅箔剥離強度の向上をあわせもつことが重要となっている。
【特許文献１】特開２００２−２１７５０７号公報
【特許文献２】特開２００３−２５１７４１号公報
【特許文献３】特開２００３−１３３６６６号公報
【特許文献４】特開２００３−４１３３４号公報
【特許文献５】特開平１０−３４１０６６号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、擬立方晶の表示で（１１０）に配向しているチタン酸ニオブ酸マグネシウム酸鉛からなる圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備えるインクジェット式記録ヘッド。
【請求項２】
前記圧電体層は、ペロブスカイト型構造を有する請求項１に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項３】
前記圧電体層は、ロンボヘドラル構造を有する請求項１又は２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項４】
前記圧電体層は、モノクリニック構造を有する請求項１又は２に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項５】
前記圧電体層の膜厚は、３００ｎｍ〜１２００ｎｍである請求項１乃至４何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項６】
前記圧電体の分極方向は、擬立方晶の表示で［１１１］方向である請求項１乃至５何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項７】
前記下部電極は、ペロブスカイト構造を有し擬立方晶の表示で（１１０）に配向している導電性酸化物からなる請求項１乃至６何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項８】
前記下部電極は、ルテニウム酸ストロンチウムからなる請求項１乃至７何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項９】
前記下部電極は、ニッケル酸ランタンからなる請求項１乃至７何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１０】
前記下部電極は、ニオブがドープされたチタン酸ストロンチウムからなる請求項１乃至７何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１１】
前記下部電極は、ペロブスカイト構造を有し擬立方晶の表示で（１１０）に配向している基板の上方に形成されている請求項１乃至１０何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１２】
前記下部電極は、絶縁性を有する遷移金属酸化物からなる基板の上方に形成されている請求項１乃至１１何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１３】
前記下部電極は、チタン酸ストロンチウムからなる基板の上方に形成されている請求項１乃至１２何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッド。
【請求項１４】
請求項１乃至１３何れか一項に記載のインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の最終光学素子と基板との間を液体で満たして、原版のパターンを前記基板に投影し露光する液浸露光装置であって、
前記基板を保持して移動するステージと、
前記基板へ前記パターンの露光を行う露光期間では前記最終光学素子と前記基板との間の液浸隙間を第１の距離に保ち、前記露光期間以外の非露光期間では、前記液体を前記最終光学素子と前記基板との間に保持した状態で行われる前記ステージの移動の少なくとも一部を、前記液浸隙間を前記第１の距離とは異なる第２の距離とした状態で行う制御手段とを備えることを特徴とする液浸露光装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記非露光期間で、前記ステージが連続して予め定められた長さ以上の距離を移動する場合に、前記液浸隙間を前記第２の距離に設定することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記ステージの移動方向の変化が伴う、露光ショット間のステージの移動時に前記液浸隙間を前記第２の距離に設定することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項４】
前記制御手段は、更に、前記投影光学系と前記ステージとの位置関係を計測するためのステージの移動と、前記計測後に前記基板を露光開始位置へ移動するためのステージの移動の少なくともいずれかにおいて前記液浸隙間を前記第２の距離に設定することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項５】
前記制御手段は、更に前記投影光学系の下を移動する前記ステージを別のステージに交換するためのステージ移動において前記液浸隙間を前記第２の距離に設定することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記露光期間の終了直後から前記液浸隙間を前記第２の距離とし、次の露光期間の開始までに前記液浸隙間を前記第１の距離に戻すように前記ステージを駆動制御することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項７】
前記第２の距離は前記第１の距離よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項８】
前記第２の距離は前記第１の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液浸露光装置。
【請求項９】
前記第１の距離を、前記液体の屈折率に基づいて変更することを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項１０】
前記制御手段は、前記液浸隙間を前記第２の距離に設定するにおいて、前記最終光学素子と前記基板との間の距離が前記ステージの移動方向に従って大きくなるように前記ステージを傾斜させることを特徴とする請求項１に記載の液浸露光装置。
【請求項１１】
投影光学系の最終光学素子と基板との間に液体を満たして、原版のパターンを前記基板に投影し露光する液浸露光装置の制御方法であって、
前記基板へパターンの露光を行う露光期間では前記最終光学素子と前記基板との間の液浸隙間を第１の距離に保って前記基板を保持するステージを移動させる第１制御工程と、
前記露光期間以外の非露光期間において、前記液体を前記最終光学素子と前記基板との間に保持した状態で行われる前記ステージの移動の少なくとも一部を、前記液浸隙間を前記第１の距離とは異なる第２の距離にした状態で行う第２制御工程とを備えることを特徴とする液浸露光装置の制御方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の液浸露光装置によって基板を露光する工程と、
前記露光された基板を現像する工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液浸露光装置、液浸露光装置の制御方法、及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
レチクルステージ２５は定盤２６に取り付けられている。レチクルステージ２５は、図示しないレチクルチャックを介してレチクル２０を支持し、図示しない移動機構及びステージ制御部６０によって移動制御される。レチクルステージ２５の移動機構は、例えばリニアモータなどで構成され、Ｘ軸方向にレチクルステージ２５を駆動することでレチクル２０を移動することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主表面に形成され、メモリセルに含まれるダイオードの一方電極およびワード線として機能する第１導電型の第１不純物領域と、
前記第１不純物領域の表面に所定の間隔を隔てて複数形成され、前記ダイオードの他方電極として機能する第２導電型の第２不純物領域と、
前記第１不純物領域間に形成された素子分離絶縁膜と、
前記素子分離絶縁膜上に形成され、前記第１不純物領域に対して所定の間隔ごとに接続される配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記第２不純物領域に接続されるビット線と、を備えたことを特徴とするメモリ。
【請求項２】
前記ビット線は、前記第１不純物領域の延びる方向と交差する方向に延びるように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のメモリ。
【請求項３】
前記ビット線よりも下方で、前記ビット線と前記第２不純物領域とを電気的に接続するための接続孔を備え、
前記メモリセルのデータは、前記メモリセルが形成される領域に対して、前記接続孔が設けられているか否かによって切り替えられることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のメモリ。
【請求項４】
前記配線と前記第１不純物領域とは、前記配線上及び前記第１不純物領域上に形成されたコンタクト孔を覆うパッド層により接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のメモリ。
【請求項５】
第２半導体層からなるゲート電極を含むトランジスタをさらに備え、
前記配線と前記トランジスタのゲート電極とは、同一の半導体層からなることを特徴とする請求項４に記載のメモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月1日(2009.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕ層を表面に備えたパワー半導体素子と、Ｃｕ層を表面に備えた絶縁基板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなるパワー半導体モジュール。
【請求項２】
パワー半導体素子と、Ｃｕ層を表面に備えた絶縁基板と、Ｃｕ層を表面に備えた放熱板と、を有し、前記絶縁基板と前記放熱板とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなるパワー半導体モジュール。
【請求項３】
前記Ｂｉ系ハンダ材料が、（１）Ｂｉ単体、（２）Ｂｉ中にＣｕＡｌＭｎ合金粒子を分散させたＢｉ−ＣｕＡｌＭｎ、（３）ＢｉにＣｕを添加した材料、又は（４）ＢｉにＮｉを添加した材料、であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
前記ＢｉにＮｉを添加した材料は、Ｎｉの含有率が０．０１質量％以上７質量％以下であることを特徴とする請求項３に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
前記ＢｉにＣｕを添加した材料は、Ｃｕの含有率が０．０１質量％以上５質量％以下であることを特徴とする請求項３に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項６】
前記Ｂｉ−ＣｕＡｌＭｎは、ＣｕＡｌＭｎ合金粒子の含有率が０．５質量％以上２０質量％以下であることを特徴とする請求項３に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
Ｎｉ層を表面に備えた前記パワー半導体素子と、Ｎｉ層を表面に備えた前記絶縁基板とを備え、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板とをそれぞれのＮｉ層が対向するように配し、該２つのＮｉ層の間を、Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＭｙ（ｘは０．０２〜０．１０であり、ｙは０〜０．０２であり、Ｍは亜鉛及びアルミニウム以外の金属を表す。）で表される合金で接合してなる請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
前記パワー半導体素子が、ＧａＮ又はＳｉＣを用いて形成されてなることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項９】
前記絶縁基板がＡｌＮ層であり、ＡｌＮ層の両表面にＡｌ及びＣｕの少なくとも１種で形成される導電層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１０】
前記Ｂｉを系ハンダ材料で接合する面側の前記導電層は、Ｃｕであることを特徴とする請求項９に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１１】
前記Ｚｎ（１−ｘ−ｙ）ＡｌｘＭｙで表される合金で接合する面側の前記導電層上に、Ｎｉ層を設けてなることを特徴とする請求項９に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１２】
前記放熱板が、Ｍｏ層の両面にＣｕ層を有するＣｕ層／Ｍｏ層／Ｃｕ層の積層体であることを特徴とする請求項２乃至請求項１１のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１３】
前記放熱板におけるＣｕ層／Ｍｏ層／Ｃｕ層の厚さの比率が、１／５／１〜１／１２／１であることを特徴とする請求項１２に記載のパワー半導体モジュール。
【請求項１４】
Ｃｕ層を表面に備えた第一被接合部材と、Ｃｕ層を表面に備えた第二被接合部材と、を有し、前記第一被接合部材と前記第二被接合部材とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなる接合体。
【請求項１５】
Ｃｕ層を表面に備えた第一被接合部材と、Ｃｕ層を表面に備えた第二被接合部材と、を有し、前記第一被接合部材と前記第二被接合部材とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなる、温度変化に供される接合体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、Ｃｕ層を表面に備えたパワー半導体素子と、Ｃｕ層を表面に備えた絶縁基板と、を有し、前記パワー半導体素子と前記絶縁基板とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなるパワー半導体モジュールである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２に記載の発明は、パワー半導体素子と、Ｃｕ層を表面に備えた絶縁基板と、Ｃｕ層を表面に備えた放熱板と、を有し、前記絶縁基板と前記放熱板とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなるパワー半導体モジュールである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
Ｃｕ層／Ｍｏ層／Ｃｕ層の積層体の中でも、各層の厚さの比率が、１／５／１〜１／１２／１の場合に、熱伝導率と熱膨張係数とのバランスが良好となり、放熱板としての機能を効果的に発揮する。
請求項１４に記載の発明は、Ｃｕ層を表面に備えた第一被接合部材と、Ｃｕ層を表面に備えた第二被接合部材と、を有し、前記第一被接合部材と前記第二被接合部材とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなる接合体である。
請求項１５に記載の発明は、Ｃｕ層を表面に備えた第一被接合部材と、Ｃｕ層を表面に備えた第二被接合部材と、を有し、前記第一被接合部材と前記第二被接合部材とをそれぞれのＣｕ層が対向するように配して、該２つのＣｕ層の間をＢｉ系ハンダ材料で接合してなる、温度変化に供される接合体である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に接地された第１の電極と、
ワークを介して、前記第１の電極と対向して配置された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高周波電圧を印加する電源を備えた電源回路と、
前記高周波電圧の作用により電離してプラズマとなるプラズマガスと、該プラズマガスよりも電離し難いシールドガスとを、それぞれ前記ワークと前記第２の電極との間に供給するガス供給手段とを有し、
前記プラズマと前記ワークとの反応により、前記ワークの一部の処理領域に選択的にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記ワークと前記第２の電極との間に開口する開口部を有する複数のノズルと、
前記各ノズルに向けて前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給源と、
前記各ノズルに向けて前記シールドガスを供給するシールドガス供給源と、
前記各供給源と前記複数のノズルとにそれぞれ接続され、該複数のノズルのうちの前記処理領域に対応する位置にあるノズルに前記プラズマガスを分配するとともに、前記境界部の前記非処理領域側に対応する位置にあるノズルに前記シールドガスを分配するガス切替手段とを有するものであり、
さらに、前記ガス切替手段は、前記シールドガス供給源から供給された前記シールドガスを一時的に貯留し、該貯留されたシールドガスを前記各ノズルにそれぞれ供給するシールドガス貯留室と、
該シールドガス貯留室内を、前記各ノズルの配列方向に移動可能な移動体と、
該移動体に設けられ、前記プラズマガス供給源と連通し、前記プラズマガスが通過するプラズマガス供給路とを備え、
前記移動体の移動により、前記プラズマガス供給路が前記複数のノズルのうちの前記処理領域に対応する位置にある一部のノズルに選択的に接続され、その接続されたノズルに前記プラズマガスが分配されるとともに、前記処理領域と非処理領域との境界部の前記非処理領域側に対応する位置にあるノズルに前記シールドガスが分配されるよう構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記複数のノズルは、前記ワークの処理面に対して平行に並んでいる請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記各ノズルは、前記ワークの処理面に対して平行な面に沿って、前記プラズマガスまたは前記シールドガスを供給するよう設けられている請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理領域は、前記ノズルから噴出する前記プラズマガスの噴出方向に沿って延在する帯状をなしており、前記ワークの一端から他端まで連続している請求項１ないし３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記各ノズルの内径は、それぞれ、５０μｍ〜２０ｍｍである請求項１ないし４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記各ノズルは、それぞれ、セラミックス材料により構成されている請求項１ないし５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記複数のノズルのうち、前記ノズル１つあたりの前記プラズマガスの流量または前記シールドガスの流量は、０．１〜１０ｓｌｍである請求項１ないし６のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記複数のノズルのうち、前記ノズル１つあたりの前記プラズマガスの流量は、前記ノズル１つあたりの前記シールドガスの流量と等しい請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記複数のノズルのうち、前記ノズル１つあたりの前記プラズマガスの流量は、前記ノズル１つあたりの前記シールドガスの流量と異なる請求項１ないし７のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記シールドガスは、空気または窒素ガスを主成分とするものである請求項１ないし９のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記高周波電圧の出力は、１０Ｗ〜１０ｋＷである請求項１ないし１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記第１の電極および前記第２の電極は、それぞれ、前記ワークの全体を覆うように設けられている請求項１ないし１１のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のプラズマ処理装置は、電気的に接地された第１の電極と、
ワークを介して、前記第１の電極と対向して配置された第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に高周波電圧を印加する電源を備えた電源回路と、
前記高周波電圧の作用により電離してプラズマとなるプラズマガスと、該プラズマガスよりも電離し難いシールドガスとを、それぞれ前記ワークと前記第２の電極との間に供給するガス供給手段とを有し、
前記プラズマと前記ワークとの反応により、前記ワークの一部の処理領域に選択的にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記ガス供給手段は、前記ワークと前記第２の電極との間に開口する開口部を有する複数のノズルと、
前記各ノズルに向けて前記プラズマガスを供給するプラズマガス供給源と、
前記各ノズルに向けて前記シールドガスを供給するシールドガス供給源と、
前記各供給源と前記複数のノズルとにそれぞれ接続され、該複数のノズルのうちの前記処理領域に対応する位置にあるノズルに前記プラズマガスを分配するとともに、前記境界部の前記非処理領域側に対応する位置にあるノズルに前記シールドガスを分配するガス切替手段とを有するものであり、
さらに、前記ガス切替手段は、前記シールドガス供給源から供給された前記シールドガスを一時的に貯留し、該貯留されたシールドガスを前記各ノズルにそれぞれ供給するシールドガス貯留室と、
該シールドガス貯留室内を、前記各ノズルの配列方向に移動可能な移動体と、
該移動体に設けられ、前記プラズマガス供給源と連通し、前記プラズマガスが通過するプラズマガス供給路とを備え、
前記移動体の移動により、前記プラズマガス供給路が前記複数のノズルのうちの前記処理領域に対応する位置にある一部のノズルに選択的に接続され、その接続されたノズルに前記プラズマガスが分配されるとともに、前記処理領域と非処理領域との境界部の前記非処理領域側に対応する位置にあるノズルに前記シールドガスが分配されるよう構成されていることを特徴とする。
これにより、１つの前記第２の電極を用いて、前記ワークの前記処理面上の異なる形状の領域に対して位置選択的に行うプラズマ処理を、効率よく低コストで行うことができるプラズマ処理装置が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン−極性モノマー共重合体、架橋剤、ならびにアルキレンオキシ基を有する化合物を含み、且つ
前記アルキレンオキシ基を有する化合物が、下記式（１）：
【化１】
2008053379.tif 000001
［但し、Ｒ2は、置換または非置換のアルキレン基であり、Ｒ3は、水素原子またはメチル基を表し、ｎは、４〜１６の整数であり、ｍは、１〜３の整数であり、ｍが１である場合、Ｒ1は、アルコキシル基、アリールオキシ基、リン酸基、リン酸エステル基、メタクリロイルエトキシリン酸基、アクリロイルエトキシリン酸基、アクリロイルオキシ基、またはメタクリロイルオキシ基を表し、ｍが２である場合、Ｒ1は、２価の脂肪族炭化水素基を表し、ｍが３である場合、Ｒ1は、３価の脂肪族炭化水素基を表す］で示される化合物である太陽電池封止膜用組成物。
【請求項２】
前記式（１）において、前記Ｒ2が、エチレン基、又は、−ＣＨ2ＣＨ（ＣＨ3）−で示される基である請求項１に記載の太陽電池封止膜用組成物。
【請求項３】
前記式（１）において、前記ｍが１であり、前記Ｒ1がアクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基である請求項１または２に記載の太陽電池封止膜用組成物。
【請求項４】
前記アルキレンオキシ基を有する化合物が、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート及び／又はテトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレートである請求項１〜３のいずれか１項に記載の太陽電池封止膜用組成物。
【請求項５】
前記アルキレンオキシ基を有する化合物の含有量が、前記エチレン−極性モノマー共重合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部である請求項１〜４のいずれか１項に記載の太陽電池封止膜用組成物。
【請求項６】
前記エチレン−極性モノマー共重合体が、エチレン−酢酸ビニル共重合体である請求項１〜５のいずれか１項に記載の太陽電池封止膜用組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の太陽電池封止膜用組成物を用いてなる太陽電池用封止膜。
【請求項８】
表面側透明保護部材と裏面側保護部材との間に封止膜を介して太陽電池用セルを封止してなる太陽電池において、
前記封止膜が請求項７に記載の太陽電池用封止膜であることを特徴とする太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極とエアギャップを挟んで対向する振動可能な第２電極とを備え、
前記第２電極の面積は前記第１電極の面積よりも小さく、
前記第１電極における前記第２電極と対向する容量生成部には複数の音孔が前記エアギャップと接続するように設けられており、
前記第１電極における前記第２電極と対向していない非容量生成部には少なくとも１つの貫通孔が前記エアギャップと接続するように設けられていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項２】
請求項１に記載のコンデンサにおいて、
前記第２電極における前記エアギャップ側の面上にエレクトレット膜が設けられていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のコンデンサにおいて、
前記貫通孔の開口面積は前記各音孔の開口面積よりも大きいことを特徴とするコンデンサ。
【請求項４】
請求項３に記載のコンデンサにおいて、
前記貫通孔の開口径は前記各音孔の開口径の１．５倍以上であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のコンデンサにおいて、
前記非容量生成部の単位面積当たりの開口面積は前記容量生成部の単位面積当たりの開口面積よりも大きいことを特徴とするコンデンサ。
【請求項６】
請求項５に記載のコンデンサにおいて、
前記貫通孔の開口面積は前記各音孔の開口面積と同じであることを特徴とするコンデンサ。
【請求項７】
請求項５に記載のコンデンサにおいて、
前記貫通孔の形成位置が前記容量生成部から離れるに従って当該貫通孔の開口面積は大きくなることを特徴とするコンデンサ。
【請求項８】
請求項５に記載のコンデンサにおいて、
前記貫通孔の開口形状は方形であり、
前記各音孔の開口形状は円形であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載のコンデンサにおいて、
前記エアギャップの内部に対して撥水処理が行われていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項１０】
請求項２に記載のコンデンサにおいて、
前記エレクトレット膜の上面及び下面は絶縁膜によって覆われていることを特徴とするコンデンサ。
【請求項１１】
請求項１０に記載のコンデンサにおいて、
前記絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とするコンデンサ。
【請求項１２】
請求項２に記載のコンデンサにおいて、
前記エレクトレット膜はシリコン酸化膜であることを特徴とするコンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンデンサ
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に水素化したアモルファスシリコン膜を成膜する第１の工程と、
前記水素化したアモルファスシリコン膜のあらかじめ定められた領域を脱水素化した後、前記脱水素化された領域のアモルファスシリコンを溶融、結晶化して多結晶シリコンにする第２の工程とを有し、
前記基板の表示領域にアモルファスシリコンを用いたＴＦＴ素子を有する複数の画素を形成するとともに、該表示領域の外側に、多結晶シリコンを用いた複数個の半導体素子を有する駆動回路を形成する表示装置の製造方法であって、
前記第２の工程は、前記基板の前記表示領域の外側にある前記駆動回路を形成する領域およびその周辺領域のみを第１の連続発振レーザを照射して脱水素化した後、前記脱水素化された領域のみに第２の連続発振レーザを照射して前記アモルファスシリコンを前記多結晶シリコンにし、
前記第１の連続発振レーザを照射する領域は、前記第２の連続発振レーザを照射する領域よりも広いことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の連続発振レーザおよび前記第２の連続発振レーザは、前記基板の上を走査しながら照射し、
前記第１の連続発振レーザのエネルギー密度は、前記第２の連続発振レーザのエネルギー密度よりも低く、
前記第１の連続発振レーザおよび前記第２の連続発振レーザが照射する領域の各点は、前記第１の連続発振レーザが照射されている時間が、前記第２の連続発振レーザが照射されている時間よりも長いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の連続発振レーザの走査方向のビーム幅が、前記第２の連続発振レーザの前記走査方向のビーム幅よりも広いことを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の連続発振レーザの走査速度と、前記第２の連続発振レーザの走査速度とが異なることを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の連続発振レーザの走査速度が、前記第２の連続発振レーザの走査速度よりも遅いことを特徴とする請求項４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程は、前記基板の上のある帯状領域を第１の方向に走査する間に前記第１の連続発振レーザおよび前記第２の連続発振レーザを照射することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の工程は、前記基板の上のある帯状領域を第１の方向に走査した後、前記基板の上の前記ある帯状領域とは別の帯状領域を前記第１の方向と反対の方向に走査することを特徴とする請求項６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２の工程は、前記第２の連続発振レーザを照射して前記多結晶シリコン化された領域に、第３の連続発振レーザを照射することを特徴とする請求項１乃至請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２の工程は、前記基板の上のある帯状領域を第１の方向に走査する間に前記第１の連続発振レーザ、前記第２の連続発振レーザ、および前記第３の連続発振レーザを照射することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２の工程は、前記基板の上のある帯状領域を第１の方向に走査した後、前記ある帯状領域とは別の帯状領域を前記第１の方向と反対の方向に走査し、
前記別の帯状領域を走査するときは、前記第３の連続発振レーザを照射して前記水素化したアモルファスシリコン膜を脱水素化し、前記第３の連続発振レーザによって脱水素化されたアモルファスシリコンに前記第２の連続発振レーザを照射して多結晶シリコン化し、前記第２の連続発振レーザを照射して前記多結晶シリコン化された領域に前記第１の連続発振レーザを照射することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板の上を前記第１の方向に走査するときと、前記第１の方向と反対の方向に走査するときで、前記第１の連続発振レーザの焦点と前記第３の連続発振レーザの焦点を相互に切り替えることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板の上にＴＦＴ素子が設けられたＴＦＴ基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、前記ＴＦＴ基板と前記対向基板との間に液晶材料を封入して液晶表示パネルを形成する工程とを有する表示装置の製造方法であって、
前記ＴＦＴ基板を形成する工程は、前記基板の上に水素化したアモルファスシリコン膜を成膜する第１の工程と、
前記水素化したアモルファスシリコン膜のあらかじめ定められた領域を脱水素化した後、前記脱水素化された領域のアモルファスシリコンを溶融、結晶化する第２の工程とを有し、
前記基板の表示領域にアモルファスシリコンを用いたＴＦＴ素子を有する複数の画素を形成するとともに、該表示領域の外側に前記第２の工程で結晶化されたシリコンを用いた複数のＴＦＴ素子を有する駆動回路を形成し、
前記第２の工程は、前記基板の前記表示領域の外側にある前記駆動回路を形成する領域およびその周辺領域のみを第１の連続発振レーザを照射して脱水素化した後、前記脱水素化された領域のみに第２の連続発振レーザを照射して前記アモルファスシリコンを溶融、結晶化し、
前記第１の連続発振レーザを照射する領域は、前記第２の連続発振レーザを照射する領域よりも広いことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の連続発振レーザおよび前記第２の連続発振レーザは、前記基板の上を走査しながら照射し、
前記第１の連続発振レーザのエネルギー密度は、前記第２の連続発振レーザのエネルギー密度よりも低く、
前記第１の連続発振レーザおよび前記第２の連続発振レーザが照射する領域の各点は、前記第１の連続発振レーザが照射されている時間が、前記第２の連続発振レーザが照射されている時間よりも長いことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の連続発振レーザの走査方向のビーム幅が、前記第２の連続発振レーザの前記走査方向のビーム幅よりも広いことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２の工程は、前記アモルファスシリコンを溶融、結晶化させて多結晶シリコンに改質することを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の工程は、前記アモルファスシリコンを溶融、結晶化させて帯状結晶シリコン、粒状結晶シリコン、微結晶シリコンのいずれかに改質することを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成し、該第１の層間絶縁膜内に、容量素子形成用のキャパシタ開口部を形成する工程（ａ）と、
前記キャパシタ開口部の底面及び側面上に、第１の導電膜からなる下部電極を選択的に形成する工程（ｂ）と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記下部電極上に、容量絶縁膜形成用の絶縁膜及び上部電極形成用の第２の導電膜を形成する工程（ｃ）と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成された前記絶縁膜及び前記第２の導電膜を選択的に除去して、容量絶縁膜及び上部電極を形成する工程（ｄ）と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記上部電極上に第２の層間絶縁膜を形成し、前記第１及び第２の層間絶縁膜内にビット線コンタクトプラグを形成する工程（ｅ）と
を備え、
前記工程（ｄ）において、前記第１の層間絶縁膜上に形成された前記容量絶縁膜及び前記第２の導電膜は、少なくとも前記ビット線コンタクトプラグが形成された部位側において、選択的に除去されていることを特徴とする、半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部を有する上部本体と、操作部を有する下部本体と、前記上部本体と下部本体とを回動自在に連結するヒンジ機構と、からなる電子機器であって、
前記下部本体は少なくとも、金属材からなるシールドケースと、金属材からなり内部にＩＣカードが接続可能なＩＣカードホルダと、発熱体を有する制御基板と、を備え、
前記ヒンジ機構は金属材からなるフレームを備え、
前記シールドケースと前記ＩＣカードホルダとを前記ヒンジ機構のフレームを介して当接させ、前記制御基板の発熱体を前記シールドケースに接触するように配設したことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記シールドケースは前記発熱体の表面に接触するように、前記発熱体の表面に対応する位置に凸面部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記発熱体は、パワーアンプ及び充電用ＩＣチップの少なくとも一方であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記ヒンジ機構は、前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダに固定される第１フレームと、前記上部本体に固定される第２フレームと、前記第１及び第２フレームにそれぞれ回動自在に連結した第３フレームと、からなる２軸ヒンジ機構からなり、前記第１フレームは、前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダとの接触部分の面積が大きくなるようにその一部が前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダに当接して配設されていることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は折り畳み式携帯電話機のような電子機器に関し、特に、基板上に実装された発熱体から発生した熱を外部に効率的に放熱することができる電子機器に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に係る電子機器の発明は、表示部を有する上部本体と、操作部を有する下部本体と、前記上部本体と下部本体とを回動自在に連結するヒンジ機構と、からなる電子機器であって、前記下部本体は少なくとも、金属材からなるシールドケースと、金属材からなり内部にＩＣカードが接続可能なＩＣカードホルダと、発熱体を有する制御基板と、を備え、前記ヒンジ機構は金属材からなるフレームを備え、前記シールドケースと前記ＩＣカードホルダとを前記ヒンジ機構のフレームを介して当接させ、前記制御基板の発熱体を前記シールドケースに接触するように配設したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の電子機器において、前記シールドケースは前記発熱体の表面に接触するように、前記発熱体の表面に対応する位置に凸面部が設けられていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の電子機器において、前記発熱体は、パワーアンプ及び充電用ＩＣチップの少なくとも一方であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項４に係る発明は、請求項１に記載の電子機器において、前記ヒンジ機構は、前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダに固定される第１フレームと、前記上部本体に固定される第２フレームと、前記第１及び第２フレームにそれぞれ回動自在に連結した第３フレームと、からなる２軸ヒンジ機構からなり、前記第１フレームは、前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダとの接触部分の面積が大きくなるようにその一部が前記シールドケース及び前記ＩＣカードホルダに当接して配設されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は上記構成を備えることにより、以下に示すような優れた効果を奏する。すなわち、本願の請求項１に係る発明によれば、ヒンジ機構とシールドケースとＩＣカードホルダとを熱伝導性の高い金属材で形成し、これらを連結し、さらにシールドケースを制御基板の発熱体に接触させることで、発熱体で発生した熱はこれらの部材に伝達されて電子機器全体に拡散されて外部に放熱されるため、発熱体で発生する熱を効果的に放熱することができる。また、サイズの大きいヒートパイプやファンなどを取り付けることなく、発熱体で発生した熱を分散させて放熱させるので、電子機器自体を大型にすることなく良好な放熱効果を得ることが可能になる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下、本発明の具体例を実施例及び図面を用いて詳細に説明する。但し、以下に示す実施例は、本発明の技術思想を具体化するための電子機器（例えば、折畳み式携帯電話機）を例示するものであって、本発明をこの電子機器に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等しく適用し得るものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池パックと該電池パックを装着するための凹部を有する電子機器本体とＩＣカードとからなり、前記凹部には前記電池パックの一側面に設けられた電池パック側端子に対向する本体側端子と前記ＩＣカードの装着口とが設けられているＩＣカード付き電子機器において、
前記電池パックにおいて前記電池パック側端子が設けられた側面の該電池パック表面寄りの位置に設けられた突起と、
前記電子機器本体に設けられた前記突起を受ける受け部と、
を設けていることを特徴とするＩＣカード付き電子機器。
【請求項２】
前記電池パック側端子に対向する前記本体側端子は、弾性体からなり前記凹部内に弾性的に突出するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＣカード付き電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＣカード付き電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、電池パックと該電池パックを装着するための凹部を有する電子機器本体とＩＣカードとからなり、前記凹部には前記電池パックの一側面に設けられた電池パック側端子に対向する本体側端子と前記ＩＣカードの装着口とが設けられているＩＣカード付き電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記課題を解決するために、本願の請求項１に係る発明は、電池パックと該電池パックを装着するための凹部を有する電子機器本体とＩＣカードとからなり、前記凹部には前記電池パックの一側面に設けられた電池パック側端子に対向する本体側端子と前記ＩＣカードの装着口とが設けられているＩＣカード付き電子機器において、前記電池パックにおいて前記電池パック側端子が設けられた側面の該電池パック表面寄りの位置に設けられた突起と、前記電子機器本体に設けられた前記突起を受ける受け部と、を設けていることを特徴とするＩＣカード付き電子機器。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項２に係る発明は、前記電池パック側端子に対向する前記本体側端子は、弾性体からなり前記凹部内に弾性的に突出するように形成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上述した解決手段により以下に述べる通りの優れた効果を奏する。すなわち、本願の請求項１に係る発明のＩＣカード付き電子機器によれば、電池パックを凹部から取出すときに、電池パックの突部が本体側の前記受け部によって受けられて該突部の先端が支点となって回動されるので、電池パックの少ない回動状態で前記電池パック側端子と前記本体側端子との接触状態が解除される。そのため、前記ＩＣカード用の装着口がＩＣカードの抜き取りを可能とするように露出される以前に前記電池パックからの電力供給が遮断される。したがって、前記ＩＣカードが作動中に電力供給が停止されてデータを破損する事故を確実に防止できる。また、その構成は、前記突部と受け部を設けるだけの簡単なものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本願の請求項２に係る発明のＩＣカード付き電子機器によれば、前記本体側端子は前記凹部に弾性的に突出しているので、前記電池パックを凹部に装着した状態では、前記電池パック側端子に確実に接触する。したがって、前記本体は電池パックからの電力供給が確実になされる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に１個以上のエポキシ含有基を有するシリコーン樹脂、酸無水物、及び、界面活性剤を含有することを特徴とする光半導体素子用封止剤。