Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
選択的に不純物を導入して、半導体基板に不純物領域を形成する工程と、
線状、楕円形状、又は矩形状のレーザビームを前記不純物領域に照射して、前記不純物領域に含まれる前記不純物を活性化する工程と、
含み、
前記レーザビームは基本波であり、
前記レーザビームのパルス幅は、１フェムト秒以上１０ピコ秒以下であり、
前記レーザビームの尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ２以上１ＴＷ／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ＳＯＩ基板の半導体層上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、
選択的に不純物を導入して、前記半導体層に不純物領域を形成する工程と、
線状、楕円形状、又は矩形状のレーザビームを前記不純物領域に照射して、前記不純物領域に含まれる前記不純物を活性化する工程と、
含み、
前記レーザビームは基本波であり、
前記レーザビームのパルス幅は、１フェムト秒以上１０ピコ秒以下であり、
前記レーザビームの尖頭出力の範囲は、１ＧＷ／ｃｍ２以上１ＴＷ／ｃｍ２以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記不純物領域は、電界効果トランジスタのソース領域またはドレイン領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記不純物領域は、電界効果トランジスタのエクステンション領域であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記レーザビームは、レーザの繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上のレーザ発振器から射出されたものであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記レーザ発振器は、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＹＡＧ、セラミックスＹＡＧ、セラミックスＹ２Ｏ３、ＫＧＷ、ＫＹＷ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、またはＧｄＶＯ４の結晶に、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒのドーパントをいずれか１つまたは複数添加したレーザから選ばれる１種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバの配信したコンテンツデータがネットワークを介して複数の表示手段に配信され、前記複数の表示手段の各々が、受信したコンテンツデータを表示させる情報表示システムにおいて、
前記サーバが配信するコンテンツデータは、情報内容を記録した表示データと、該表示データの表示順序を決めたスケジュールデータとを有し、前記複数の表示手段は、それぞれ、前記スケジュールデータに従って前記表示データを表示させることを特徴とする情報表示システム。
【請求項２】
前記複数の表示手段は、前記スケジュールデータに従って、繰り返し表示するデータと、前記繰り返し表示するデータよりも早い時間で変更するデータとを有することを特徴とする請求項１に記載の情報表示システム。
【請求項３】
前記サーバは、予め、アクセスできる前記表示手段を識別するためのIPアドレスを登録しておくことを特徴とする請求項１に記載の情報表示システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報表示システム
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面側に半導体レーザチップが搭載された金属フレームと、前記金属フレームの上面の、前記半導体レーザチップが搭載された素子搭載部分を囲むように当該金属フレームの上面から下面に跨って成形された樹脂部とを有する半導体レーザ装置と、前記半導体レーザ装置を搭載するレーザ搭載部材とを備えた光ピックアップ装置であって、
前記半導体レーザ装置に密着するように配置した防塵部材を有し、
前記防塵部材は、弾性または塑性変形可能な材質で構成され、
前記防塵部材は、前記半導体レーザ装置に密着するように配置した状態において、
前記レーザ搭載部材に嵌め込んだ際、前記防塵部材の変形により前記防塵部材は前記半導体レーザ装置に密着するように押圧されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
前記防塵部材は、前記半導体レーザ装置または前記レーザ搭載部材とは独立した部材であることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項３】
前記半導体レーザ装置は、前記金属フレーム部分で前記レーザ搭載部材に取り付けられていることを特徴とする請求項２記載の光ピックアップ装置。
【請求項４】
前記金属フレームの下面では前記樹脂部が前記素子搭載部分の裏側を避けるように形成されていることにより前記素子搭載部分の裏側に当該金属フレームの露出部分が形成され、前記露出部分に当接し、前記半導体レーザチップで発生した熱を前記レーザ搭載部材に逃がすように構成された放熱部材を有することを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ装置。
【請求項５】
前記金属フレームは前記素子搭載部分の両側で前記樹脂部の外側まで突き出たフィン部分を有し、前記フィン部分が前記レーザ搭載部材に固定され、前記放熱部材と前記金属フレームの露出部分の隙間が熱伝導率の良好な熱伝導部材で充填されていることを特徴とする請求項４記載の光ピックアップ装置。
【請求項６】
前記レーザ搭載部材は、前記半導体レーザ装置を、前記半導体レーザ装置の前記金属フレームの上面の法線方向の移動動作により取り付けられるよう構成されたことを特徴とする請求項４記載の光ピックアップ装置。
【請求項７】
押圧部材を更に備え、前記防塵部材は前記押圧部材により前記前記半導体レーザ装置に密着するように押圧されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。  
【請求項８】
電気導通部材を更に備え、前記電気導通部材は弾性変形可能な材質で構成され、少なくとも前記半導体レーザ装置と、前記前記レーザ搭載部材との電気的導通が可能なように配置され、前記防塵部材は前記電気導通部材の一部分として構成されていることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。
【請求項９】
電気導通部材を更に備え、前記電気導通部材は弾性変形可能な材質で構成され、少なくとも前記半導体レーザ装置と、前記前記レーザ搭載部材との電気的導通が可能なように配置され、前記防塵部材は前記電気導通部材により、前記半導体レーザ装置に密着するように押圧されるよう配置したことを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ装置。  
【請求項１０】
前記フィン部分は、熱伝導率の良好な材質により構成された接着剤で前記レーザ搭載部材に固定されていることを特徴とする請求項５記載の光ピックアップ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜と、
この絶縁膜に埋め込まれた銅配線と、
前記絶縁膜と銅配線との間に形成されたバリア膜と、を備え、
前記バリア膜は、フッ素の拡散を抑えるためのチタンからなる第１の膜と、この第１の膜と銅配線との間に形成され、銅の拡散を抑えるためのタンタルからなる第２の膜と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上にフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
チタン板をスパッタすることにより前記凹部内に第１の膜を成膜する工程と、
前記第１の膜の表面にタンタルからなる第２の膜を成膜する工程と、
その後前記凹部内に銅配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の膜を成膜する工程は、タンタル板をスパッタすることにより行われることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法は、
基板上にフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を成膜する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
チタン板をスパッタすることにより前記凹部内に第１の膜を成膜する工程と、
前記第１の膜の表面にタンタルからなる第２の膜を成膜する工程と、
その後前記凹部内に銅配線を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられた記憶素子部と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとして機能する導電層と、
前記素子形成層、前記記憶素子部および前記導電層上に設けられた樹脂層と、を有し、
前記導電層の膜厚に対する、前記素子形成層および前記記憶素子部上の前記樹脂層の膜厚の膜厚比は、１．２以上であり、
前記導電層の膜厚に対する、前記導電層上の前記樹脂層の膜厚の膜厚比は、０．２以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記樹脂層は、エポキシ樹脂からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記基板は、膜厚が２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記基板は、ポリプロピレンからなるフィルム、ポリエステルからなるフィルム、ビニルからなるフィルム、ポリフッ化ビニルからなるフィルム、塩化ビニルからなるフィルム、繊維質な材料からなる紙、基材フィルム（ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、紙類等）と接着性合成樹脂フィルム（アクリル系合成樹脂、エポキシ系合成樹脂等）との積層フィルムの、いずれかであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線をラスタースキャンしてパターンを基板上に描画する荷電粒子線描画方法において、
線幅を測定する対象のパターンを描画する第１の描画工程と、
前記第１の描画工程の後に前記線幅を測定する方向にパターンの描画位置を移動して前記パターンを描画する第２の描画工程と、
前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において描画されたパターンの線幅をそれぞれ測定する測定工程と、
互いに異なる複数のドーズ指令信号それぞれに関して前記第１の描画工程、前記第２の描画工程、及び前記測定工程を行った結果に基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する決定ステップと、を有することを特徴とする荷電粒子線描画方法。
【請求項２】
請求項１に記載の荷電粒子線描画方法を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線をラスタースキャンして基板上に描画を行う荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、本発明は、パターンを正確に形成するうえで有利な荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の荷電粒子線描画方向は、荷電粒子線をラスタースキャンしてパターンを基板上に描画する荷電粒子線描画方法において、線幅を測定する対象のパターンを描画する第１の描画工程と、前記第１の描画工程の後に前記線幅を測定する方向にパターンの描画位置を移動して前記パターンを描画する第２の描画工程と、前記第１の描画工程及び前記第２の描画工程において描画されたパターンの線幅をそれぞれ測定する測定工程と、互いに異なる複数のドーズ指令信号それぞれに関して前記第１の描画工程、前記第２の描画工程、及び前記測定工程を行った結果に基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する決定ステップと、を有する。
また、本発明の露光装置は、上記荷電粒子線描画方法を行う。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、パターンを正確に形成するうえで有利な荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線をラスタースキャンして複数のピクセルから成るパターンを基板上に描画する荷電粒子線描画方法において、
前記複数のピクセルのうち前記パターンのエッジに位置するピクセルのドーズ指令信号を互いに異ならせて複数のパターンを描画する描画ステップと、
前記複数のパターンそれぞれの線幅を測定する測定ステップと、
互いに異なる複数の前記ドーズ指令信号と前記測定ステップの測定結果とに基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する決定ステップと、を有することを特徴とする荷電粒子線描画方法。
【請求項２】
前記測定ステップは、前記基板を搭載するステージ上に配置された荷電粒子線を検出する検出器を用いて前記線幅を測定する、ことを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線描画方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の荷電粒子線描画方法を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線をラスタースキャンして基板上に描画を行う荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、パターンを正確に形成するうえで有利な荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の荷電粒子線描画方法は、荷電粒子線をラスタースキャンして複数のピクセルから成るパターンを基板上に描画する荷電粒子線描画方法において、前記複数のピクセルのうち前記パターンのエッジに位置するピクセルのドーズ指令信号を互いに異ならせて複数のパターンを描画する描画ステップと、前記複数のパターンそれぞれの線幅を測定する測定ステップと、互いに異なる複数の前記ドーズ指令信号と前記測定ステップの測定結果とに基づいて前記ドーズ指令信号の補正値を決定する決定ステップと、を有する。
また、本発明の露光装置は、上記荷電粒子線描画方法を行う。
また、本発明のデバイス製造方法は、上記露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記工程で露光された基板を現像する工程と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、パターンを正確に形成するうえで有利な荷電粒子線描画方法、露光装置、及びデバイス製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に形成された複数の走査線は第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設され、複数の信号線は前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設され、前記複数の走査線のうちの２本と、前記複数の信号線のうちの２本とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素の動作は第１の薄膜トランジスタで制御され、前記画素の集合によって画像形成領域が形成され、前記画像形成領域の外側には前記第１の薄膜トランジスタに信号を印加する、第２の薄膜トランジスタを含む走査線駆動回路または信号線駆動回路が形成されており、前記第２の薄膜トランジスタは一方向に結晶が長く成長したシリコン膜を有し、前記ガラス基板の表面のうち、前記薄膜トランジスタが形成された側の表面には機械研磨がなされていないことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記第１の薄膜トランジスタは多結晶シリコン膜を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記第１の薄膜トランジスタは非晶質シリコン膜を有していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記第２の薄膜トランジスタを構成するシリコン結晶粒の長手方向は前記第２の薄膜トランジスタのチャネル方向と略略一致していることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記ガラス基板の前記第２の薄膜トランジスタが形成されていない他方の面には機械研磨がされていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記ガラス基板と前記第１および前記第２の薄膜トランジスタとの間には絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項７】
ガラス基板上に形成された複数の走査線は第１の方向に延在し、前記第１の方向と交差する第２の方向に並設された複数の信号線は前記第２の方向に延在し、前記第１の方向に並設され、前記複数の走査線のうちの２本と、前記複数の信号線のうちの２本とで囲まれた領域に画素が形成され、前記画素の動作は第１の薄膜トランジスタで制御され、前記画素の集合によって画像形成領域が形成され、前記画像形成領域の外側には前記第１の薄膜トランジスタに信号を印加する、第２の薄膜トランジスタを含む走査線駆動回路および信号線駆動回路が形成されており、前記第２の薄膜トランジスタは1方向に結晶が長く成長したシリコン膜を有し、前記ガラス基板は機械研磨によって板厚調整がなされ、前記機械研磨の主研磨材として酸化マンガンを使用したことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
前記画像表示装置は液晶表示装置であることを特徴とする、請求項1ないし７の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項９】
前記画像表示装置は有機ＥＬ表示装置液晶表示であることを特徴とする、請求項1ないし７の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項１０】
基板の主面のうち、機械研磨がされていない側の主面の上に、直接、または、絶縁膜を介して半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対して連続発振レーザーを照射しながら前記半導体膜への前記連続発振レーザーの照射位置を相対移動させることにより、前記半導体膜に、一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を形成し、
前記擬似単結晶を用いて薄膜トランジスタを形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記基板は無研磨ガラスであることを特徴とする請求項１０に記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】
基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する画像表示装置であって、
前記基板の主面のうち、機械研磨がされていない側の主面の上に、直接、または、絶縁膜を介して半導体膜が形成されており、
前記半導体膜は一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を有し、
前記薄膜トランジスタは、前記擬似単結晶を用いて形成されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１３】
前記基板は無研磨ガラスであることを特徴とする請求項１２に記載の画像表示装置。
【請求項１４】
基板と、前記基板上に形成された薄膜トランジスタとを有する画像表示装置であって、
前記基板は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、前記第１の主面上に、直接、または、絶縁膜を介して形成された半導体膜とを有し、
前記半導体膜は、一方向に結晶が長く成長した擬似単結晶を有し、
前記薄膜トランジスタは前記擬似単結晶を用いて形成されており、
前記第１の主面は前記第２の主面よりも表面粗さが粗いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１５】
前記基板は無研磨ガラスであり、前記第２の主面は研磨されていることを特徴とする請求項１４に記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非水電解質を含む電池素子と、
４辺が連続した樹脂フレームと、
金属層と樹脂層とを積層してなる外装材と
を有する非水電解質二次電池であって、
上記樹脂フレームは、水分吸収層を少なくとも１層有し、
上記樹脂フレームに上記電池素子が収容され、前記樹脂フレームの開口部が覆われるようにして上記外装材が設けられることにより封止された非水電解質二次電池。
【請求項２】
非水電解質を含む電池素子と、
４辺が連続した樹脂フレームと、
金属層と樹脂層とを積層してなる外装材と、
回路基板と
を有する電池パックであって、
上記樹脂フレームは、水分吸収層を少なくとも１層有し、
上記樹脂フレームに上記電池素子が収容され、前記樹脂フレームの開口部が覆われるようにして上記外装材が設けられることにより封止された非水電解質二次電池と回路基板とが電気的に接続された電池パック。
【請求項３】
上記水分吸収層は、硫酸ナトリウム、硫酸マグネシウム、硫酸カルシウム、硫酸銅、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、硝酸ナトリウム、水酸化カルシウム、過塩素酸マグネシウム、ゼオライト、五酸化二リン、炭酸カルシウム、もしくは一般式が（―ＣＨ2 ―ＣＨ（ＣＯＯＭ）―）n で示されるポリアクリル酸塩（式中、Ｍは、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａから選択される。）よりなる群から選択される水分吸収剤のうち、少なくとも１種を含有する請求項２に記載の電池パック。
【請求項４】
上記水分吸収剤が、上記水分吸収層に０．１０重量％以上７５．０重量％以下含有された請求項３に記載の電池パック。
【請求項５】
上記樹脂フレームは、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、
エチレン酢酸ビニルアルコール共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、エチレン・メチルアクリレート共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メチルメタクリル酸共重合体、アイオノマー、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレートホットメルト剤、ポリアミドホットメルト剤よりなる群から選択される樹脂材料のうち、少なくとも１種を主成分として含有する請求項２に記載の電池パック。
【請求項６】
上記樹脂フレームと、上記外装材の上記樹脂層が熱融着された請求項２に記載の電池パック。
【請求項７】
上記樹脂フレームと、上記外装材の上記樹脂層とが、同種の分子構造を有する請求項２に記載の電池パック。
【請求項８】
上記樹脂フレームは、前記樹脂フレームの内壁部から外壁部に通じるように設けられた接続用端子と一体に成型された請求項２に記載の電池パック。
【請求項９】
上記樹脂フレームが、上記外装材と一体に成型された請求項２に記載の電池パック。
【請求項１０】
上記樹脂フレームの外壁部および／または内壁部に、アルミ蒸着膜、炭素蒸着膜、酸化ケイ素蒸着膜、酸化アルミニウム蒸着膜、ポリ塩化ビニリデンコーティング膜、層状ケイ酸塩膜のうち少なくとも一種が形成された請求項２に記載の電池パック。
【請求項１１】
上記樹脂フレームの外壁部の少なくとも一部が、上記外装材によって被覆された請求項２に記載の電池パック。
【請求項１２】
上記樹脂フレームが、ガラス繊維を含有する請求項２に記載の電池パック。
【請求項１３】
上記電池素子の電極端子が上記樹脂フレームおよび上記外装材の接合面を介して導出され、上記電極端子の上記接合面に対向する部分が樹脂材料により被覆される請求項２に記載の電池パック。
【請求項１４】
上記樹脂材料は、無水マレイン酸変成ポリエチレン、無水マレイン酸変成ポリプロピレン、チタネート系カップリング剤が添加されたポリエチレン、チタネート系カップリング剤が添加されたポリプロピレン、アイオノマー、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体よりなる群から選択される樹脂材料のうち、少なくとも１種である請求項１５に記載の電池パック。
【請求項１５】
上記電池素子から導出された電極端子の表面にプライマー加工が施されている請求項２に記載の電池パック。
【請求項１６】
上記外装材は、金属層の内側面に内側樹脂層を有し、
上記内側樹脂層は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン酢酸ビニルアルコール共重合体、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・エチルアクリレート共重合体、エチレン・メチルアクリレート共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、エチレン・メチルメタクリル酸共重合体、アイオノマー、ポリアクリロニトリル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリフェニレンエーテル、ポリエチレンテレフタレートホットメルト剤、ポリアミドホットメルト剤よりなる群から選択される樹脂材料のうち、少なくとも１種を主成分として含有する請求項２に記載の電池パック。
【請求項１７】
上記外装材は、金属層の外側面に絶縁かつアンカーコートを施してなる請求項２に記載の電池パック。
【請求項１８】
水分吸収剤を含有する樹脂材料からなる、４辺が連続した樹脂フレームを成型する工程と、
上記樹脂フレームに電池素子を収容する工程と、
上記樹脂フレームの開口部を、金属層と樹脂層とを積層してなる外装材にて覆うようにして封止する工程と
を備える非水電解質二次電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記とは別の問題として、例えば特許文献２には、携帯電話のキー入力に際して発生した静電気によるＬＣＤ（液晶）部品等の破壊・故障が指摘されている。このため、分散型ＥＬ素子のキー入力部品においても同様の問題が生ずる場合があり、その対策としては、例えば分散型ＥＬ素子の外表面に透明導電層を形成して上記静電気を逃がす方法が挙げられるが、前述のようにキーパッド用のベースフィルムはフレキシビリティが高いため、従来のスパッタリングＩＴＯフィルムは適用できない。また、キーパッドに要求される耐久性（打点耐久性）、透明性、導電性を満足する透明導電膜を、分散型ＥＬ素子外表面に安価に形成することも容易でなかった。
【特許文献１】特開２００１−２７３８３１号公報
【特許文献２】特開２００２−２３２５３７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素と水素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を３０ａｔ％以下（０ａｔ％を除く）含み、かつ、該炭素の全体量を１００ａｔ％としたときに、ｓｐ２混成軌道をもつ炭素量が７０ａｔ％以上１００ａｔ％未満であることを特徴とする非晶質炭素膜。
【請求項２】
さらに、窒素を２０ａｔ％以下（０ａｔ％を除く）含む請求項１記載の非晶質炭素膜。
【請求項３】
さらに、珪素を５ａｔ％以下（０ａｔ％を除く）含む請求項２記載の非晶質炭素膜。
【請求項４】
炭素と水素と珪素とからなる非晶質炭素膜であって、水素を３０ａｔ％以下（０ａｔ％を除く）、珪素を１ａｔ％未満（０ａｔ％を除く）含み、かつ、該炭素の全体量を１００ａｔ％としたときに、ｓｐ２混成軌道をもつ炭素量が７０ａｔ％以上１００ａｔ％未満であることを特徴とする非晶質炭素膜。
【請求項５】
水素の含有量が２０ａｔ％未満である請求項１または４記載の非晶質炭素膜。
【請求項６】
珪素の含有量が１ａｔ％未満である請求項３記載の非晶質炭素膜。
【請求項７】
さらに、酸素を３ａｔ％以下含む請求項１または４記載の非晶質炭素膜。
【請求項８】
（００２）面の平均面間隔が０．３４〜０．５０ｎｍである請求項１または４記載の非晶質炭素膜。
【請求項９】
体積抵抗率が１０２Ω・ｃｍ以下である請求項１または４記載の非晶質炭素膜。
【請求項１０】
体積抵抗率が１０−１Ω・ｃｍ以下である請求項９記載の非晶質炭素膜。
【請求項１１】
プラズマＣＶＤ法により、基材の表面に請求項１〜１０のいずれかに記載の非晶質炭素膜を形成する非晶質炭素膜の形成方法であって、
前記基材を反応容器内に配置し、該反応容器内に、ｓｐ２混成軌道をもつ炭素を含む炭素環式化合物ガスならびにｓｐ２混成軌道をもつ炭素と珪素および／または窒素とを含む複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上を含む反応ガスを導入して放電することを特徴とする非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１２】
前記炭素環式化合物ガスの炭素環式化合物は、芳香族炭化水素化合物である請求項１１記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１３】
前記芳香族炭化水素化合物は、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびナフタレンから選ばれる一種以上である請求項１２記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１４】
前記複素環式化合物ガスの複素環式化合物は、窒素を含む含窒素複素環式化合物である請求項１１記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１５】
前記含窒素複素環式化合物は、ピリジン、ピラジンおよびピロールから選ばれる一種以上である請求項１４記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１６】
前記基材の温度は５００℃以上である請求項１１記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１７】
前記基材の温度は６００℃以上である請求項１６記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１８】
１０００Ｖ以上で放電を行う請求項１１記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項１９】
２０００Ｖ以上で放電を行う請求項１８記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項２０】
前記反応ガスは含窒素芳香族化合物を含み、２０００Ｖ以上で放電を行う請求項１１記載の非晶質炭素膜の形成方法。
【請求項２１】
基材と、該基材の少なくとも一部に形成された請求項１〜１０のいずれかに記載の非晶質炭素膜と、からなることを特徴とする非晶質炭素膜を備えた導電性部材。
【請求項２２】
金属製の基材と、該基材の少なくとも電極に対向する表面を覆う非晶質炭素膜と、からなる燃料電池用セパレータであって、
前記非晶質炭素膜は、請求項１、２または４記載の非晶質炭素膜であることを特徴とする燃料電池用セパレータ。
【請求項２３】
前記非晶質炭素膜は、該非晶質炭素膜全体を１００ａｔ％としたときの水素の含有量が２０ａｔ％未満である請求項２２記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項２４】
前記非晶質炭素膜は、該非晶質炭素膜全体を１００ａｔ％としたときの珪素の含有量が１ａｔ％未満である請求項２２記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項２５】
前記非晶質炭素膜は、その体積抵抗率が１０−１Ω・ｃｍ以下である請求項２２記載の燃料電池用セパレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にはんだが被着されたフリップチップ接続用のフリップチップパッドと、ワイヤボンディング接続用のボンディングパッドとが併設された配線基板を製造する際に、
前記フリップチップパッドとボンディングパッドとの各金属表面を異なる金属で形成した後、
金属面のみに反応して粘着性を付与する粘着性付与化合物を含有し、且つ前記フリップチップパッドとボンディングパッドとの両パッドの各金属表面に選択的に粘着層を形成するｐＨ値に調整された第１粘着処理液に前記基板を浸漬処理して、前記両パッドの各金属表面に成した粘着層にはんだ粉を付着し、
次いで、金属面のみに反応して粘着性を付与する粘着性付与化合物を含有し、且つ前記ボンディングパッドの金属表面に形成した粘着層を剥離すると共に、前記フリップチップパッドの金属表面に粘着層を形成できるｐＨ値に調整された第２粘着処理液に、前記第１粘着処理液に浸漬処理した基板を再浸漬処理し、
その後、前記フリップチップパッドの金属表面のみに形成された粘着層にはんだ粉を付着した後、リフローによって前記はんだ粉を溶融してフリップチップパッドの金属表面を覆うはんだ層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
第１粘着処理液及び第２粘着処理液の各ｐＨ値を４〜６の範囲に調整し、その際に、前記第２粘着処理液のｐＨ値を第１粘着処理液のｐＨ値よりも高くなるように調製する請求項１記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２粘着処理液のｐＨ値を、第１粘着処理液のｐＨ値よりも０．５以上高くなるように調製する請求項２記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
第２粘着処理液に浸漬処理して金属表面に形成した粘着層に付着するはんだ粉として、第１粘着処理液に浸漬処理して金属表面に形成した粘着層に付着するはんだ粉よりも小粒径のはんだ粉を用いる請求項１〜３のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
ボンディングパッドの金属表面を、貴金属によって形成する請求項１〜４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
ボンディングパッドの金属表面を、金、パラジウム又は銀から成る貴金属表面に形成する請求項１〜４のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
フリップチップパッドの金属表面を、銅表面に形成する請求項１〜６のいずれか一項記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明者は、前記課題を解決すべく検討した結果、図９に示す基板１００を浸漬処理した粘着処理液のｐＨ値によって、金等の貴金属から成る貴金属表面では、銅表面に比較して粘着層が形成され難いことを見出し本発明に到達した。
すなわち、本発明は、表面にはんだが被着されたフリップチップ接続用のフリップチップパッドと、ワイヤボンディング接続用のボンディングパッドとが併設された配線基板を製造する際に、前記フリップチップパッドとボンディングパッドとの各金属表面を異なる金属で形成した後、金属面のみに反応して粘着性を付与する粘着性付与化合物を含有し、且つ前記フリップチップパッドとボンディングパッドとの両パッドの各金属表面に選択的に粘着層を形成するｐＨ値に調整された第１粘着処理液に前記基板を浸漬処理して、前記両パッドの各金属表面に形成した粘着層にはんだ粉を付着し、次いで、金属面のみに反応して粘着性を付与する粘着性付与化合物を含有し、且つ前記ボンディングパッドの金属表面に形成した粘着層を剥離すると共に、前記フリップチップパッドの金属表面に粘着層を形成できるｐＨ値に調整された第２粘着処理液に、前記第１粘着処理液に浸漬処理した基板を再浸漬処理し、その後、前記フリップチップパッドの金属表面のみに形成された粘着層にはんだ粉を付着した後、リフローによって前記はんだ粉を溶融してフリップチップパッドの金属表面を覆うはんだ層を形成することを特徴とする配線基板の製造方法にある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップが樹脂モールドされた半導体装置であって、
表面と裏面を備え、ダイパッドを含むフレームと、
該ダイパッドの表面に載置されたパワーチップと、
該パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂と、
対向する第１面と第２面とを備え、該ダイパッドの裏面がその第１面と接するように配置され、該ダイパッドを包含するサイズで、かつ該モールド樹脂よりも熱伝導率が大きい絶縁性の樹脂シートと、
該樹脂シートの第２面上に設けられた金属箔と、
該樹脂シートと該モールド樹脂とが共に液状化された状態で混合した混合層と、を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チップが樹脂モールドされた半導体装置であって、
表面と裏面を備え、ダイパッドを含むフレームと、
該ダイパッドの表面に載置されたパワーチップと、
対向する第１面と第２面とを備え、該ダイパッドの裏面がその第１面と接するように配置され、該ダイパッドを包含するサイズの絶縁性の樹脂シートと、
該樹脂シートの第１面上に、該パワーチップを封止するように設けられたモールド樹脂と、
該樹脂シートの第２面上に設けられた金属箔と、
該樹脂シートと、該モールド樹脂との間に、これらを構成する樹脂が混合した混合層とを含み、
該樹脂シートの第１面と該ダイパッドの裏面とが直接固着されており、
該樹脂シートの第１面と該ダイパッドの裏面とが直接固着されている部分である固着部における該樹脂シートが１層からなり、
該樹脂シートの第１面が、該固着部と該混合層とによって覆われており、
該混合層は、該樹脂シートと該モールド樹脂との明確な界面が無くなり、その間での沿面絶縁を考慮する必要がなくなる程度にこれらを構成する樹脂が混合してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チップを樹脂モールドした半導体装置の製造方法であって、
ａ）第１面と第２面とを有し、絶縁性でかつ樹脂モールドに用いるモールド樹脂よりも熱伝導率が大きい樹脂シートであって、
該樹脂シートは第２面を金属箔で覆われており、
更には常温では固体であるが高温では一旦溶融した後に完全硬化に向かう特徴を有する半硬化状態の樹脂からなる該樹脂シートを準備する工程と、
ｂ）表面と裏面を備え、ダイパッドを有するフレームを準備するフレーム準備工程と、
ｃ）該ダイパッドの表面上にパワーチップを載置する工程と、
ｄ）該樹脂シートの溶融温度より高温の樹脂封止樹脂用金型を準備する工程と、
ｅ）該樹脂封止用金型の内部底面に該金属箔が接するように、該樹脂封止用金型内に該樹脂シートを載置する工程と、
ｆ）該ダイパッドの裏面が該樹脂シートの第１面に接するように、該樹脂シートの第１面上に該フレームを載置する工程と、
ｇ）該樹脂封止用金型内に液状化した該モールド樹脂を加熱加圧注入し、該金型内を充填するとともに、該金型内で該モールド樹脂と該樹脂シートとを加熱硬化させるモールド工程と、を含み、
上記ｇ）モールド工程が、
該ダイパッドの裏面と該樹脂シートの第１面とを固着するとともに、
溶融し液状化した該樹脂シートと、液状化した該モールド樹脂との間で、これらを構成する樹脂を混合させて混合層を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影機能、一時記憶機能、通信機能からなるカメラ部と、通信機能、大容量記憶機能からなる記憶部から構成され、
カメラ部を撮影モードに設定することによって、カメラ部と記憶部間の通信接続状態如何にかかわらず、一時記憶機能に撮影画像データを記憶する空き領域がある場合は、カメラ部による撮影動作が可能となること、
また、カメラ部を撮影モードに設定することによってカメラ部から記憶部への通信接続動作が開始され、前記通信接続がなった後カメラ部一時記憶機能に撮影画像データが記憶されている場合は、カメラ部の動作状態如何にかかわらず、記憶されている画像データ１コマ分をカメラ部から記憶部に伝送して大容量記憶機能に記憶させ、
その後カメラ部において、記憶部からの記憶終了信号によって、前記伝送した画像データ1コマ分の大容量記憶機能への記憶終了を確認したとき前記伝送した画像データをカメラ部一時記憶機能から消去して次の画像データ1コマ分の送信動作に移行すること、
を特徴とするデジタルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月7日(2009.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
前記２つのストリップ電極（２１、２２）の間の前記所望のプラズマ発生位置（６）での前記エネルギビーム（５）が、エミッタ材料の小滴流（６２）に方向付けられ、小滴が蒸発され、同時に前記ストリップ電極（２１、２２）用の被覆材料として前記エミッタ材料が使用されることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電子放出領域が設けられたカソードパネルと、蛍光体領域及びアノード電極が設けられたアノードパネルとが、それらの周縁部で接合されて成る平面型表示装置であって、
アノードパネルは、
（ａ）基板、
（ｂ）基板の表示領域上に形成された蛍光体領域、
（ｃ）蛍光体領域上に形成された光反射層、及び、
（ｄ）光反射層上に形成された、表示領域を覆うアノード電極、
を備えており、
（Ａ）光反射層は絶縁材料から成り、
（Ｂ）アノード電極は抵抗材料から成る平面型表示装置。
【請求項２】
アノード電極のシート抵抗値は１×１０4Ω／□乃至２×１０5Ω／□である請求項１に記載の平面型表示装置。
【請求項３】
アノード電極のシート抵抗値は２×１０4Ω／□乃至１×１０5Ω／□である請求項２に記載の平面型表示装置。
【請求項４】
蛍光体領域はマトリクス状に配置された複数の単位蛍光体領域から成り、隣り合う単位蛍光体領域の間の基板上には光吸収層が形成されており、アノード電極は光吸収層を覆うように形成されている請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の平面型表示装置。
【請求項５】
基板上には表示領域を取り囲む給電部が設けられており、給電部とアノード電極とは積層されている請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の平面型表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両端が封止された放射透過性のバルブを備えた複数本の棒状のヒータランプを有し、これらヒータランプの両端部を共通の連結部材によって連結してなるランプユニットにおいて、
前記バルブ両端の封止は、減圧による封止が行われたシュリンクシール部とし、
前記連結部材は、前記シュリンクシール部を連結することで、前記複数本のランプを互いに平行に伸びるように配置したことを特徴するランプユニット。
【請求項２】
両端が封止された放射透過性のバルブを備えた複数本の棒状のヒータランプを有し、これらヒータランプの両端部を共通の連結部材によって連結してなるランプユニットにおいて、
前記バルブ両端の封止は、減圧による封止が行われたシュリンクシール部とし、
前記連結部材は、前記シュリンクシール部を連結することで、複数本の前記ヒータランプを互いに平行に伸びるように配置するとともに、複数本の前記ヒータランプの外周面と接する外接円内に入る大きさとしたことを特徴するランプユニット。
【請求項３】
放射透過性のバルブ内に挿入したフィラメントの両端に一端がそれぞれ接続した一対の導電性箔の他端に、電力供給用の導入線がそれぞれ接続され、前記バルブ両端の前記導電性箔上部で、それぞれ封止を行うヒータランプにおいて、
前記バルブ両端の封止は、減圧による封止が行われたシュリンクシール部とし、
複数本の前記ヒータランプの前記シュリンクシール部を、共通の連結部材で連結することでランプユニットとし、
前記連結部材をクランパーを用いて被取付部に取り付けたことを特徴とするランプ取付装置。
【請求項４】
前記クランパーは、前記連結部材に一体形成された支持部に取り付けたことを特徴とする請求項３記載のランプ取付装置。
【請求項５】
前記連結部材に一体形成される支持部には、クランパーを係合させる係合部を形成したことを特徴とする請求項４記載のランプ取付装置。
【請求項６】
上下に配置され少なくとも一方は加熱される第１および第２のローラと、
前記第１または第２のローラ内に配置された請求項３〜５いずれかに記載のランプ取付装置と、
予めトナーが転写された複写紙が前記第１および第２のローラとの間を移動させて前記トナーを定着させる手段とを具備したことを特徴とする加熱装置。
【請求項７】
媒体に形成された静電潜像にトナーを付着させてこのトナーを用紙に転写して所定の画像を形成する形成手段と、
画像が形成された用紙を前記第１および第２のローラを通して加熱圧接しながら通過させることによって、トナーを定着するようにした請求項６記載の加熱装置とを具備したことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレームと、前記フレームに搭載される半導体レーザチップと、を有する半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザチップを密閉するよう前記半導体レーザ装置に装着されるとともに、前記半導体レーザチップ以外の外部部材と接続されるレーザ搭載部材と、
を備え、
前記レーザ搭載部材は、前記半導体レーザチップから出射された光を透過させる光学素子を有する、
光学装置。
【請求項２】
前記レーザ搭載部材は、前記外部部材と接続されることで、前記半導体レーザ装置の位置又は光の出射方向を調整可能に構成される、
請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記レーザ搭載部材は、前記外部部材と接続されることで、前記半導体レーザ装置の熱を伝達可能に構成される、
請求項１に記載の光学装置。
【請求項４】
前記光学素子は回折格子である、請求項１に記載の光学装置。
【請求項５】
前記レーザ搭載部材は、前記半導体レーザ装置と独立した部材である、請求項１に記載の光学装置。
【請求項６】
前記半導体レーザ装置は、前記半導体レーザチップを一部囲むようして前記フレームに設けられる樹脂ガードをさらに有し、
前記半導体レーザ装置において、前記半導体レーザチップは密閉されていない、
請求項１に記載の光学装置。
【請求項７】
前記光学装置は、光ピックアップである、請求項１に記載の光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質または負極活物質を含有する溶融流動状態の熱可塑性樹脂に発泡状多孔体を浸漬し、次いで、その発泡状多孔体を冷却することを特徴とする活物質含有成形体の製造方法。
【請求項２】
発泡状多孔体がニッケルフォームからなる請求項１記載の活物質含有成形体の製造方法。
【請求項３】
ロール状に巻き付けた発泡状多孔体を巻き戻す巻戻機と、
発泡状多孔体をガイドするガイドロールと、
正極活物質または負極活物質を含有する溶融流動状態の熱可塑性樹脂のスラリーと該スラリーに浸漬した発泡状多孔体をガイドするガイドロールとを備えた活物質含浸槽と、
発泡状多孔体をガイドするガイドロールと、
発泡状多孔体をロール状に巻き取る巻取機とを、この順序で配置してなることを特徴とする活物質含有成形体の製造装置。
【請求項４】
活物質含浸槽と巻取機との間に、発泡状多孔体を冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項３記載の活物質含有成形体の製造装置。
【請求項５】
冷却手段が冷風を吹き付けるファンであることを特徴とする請求項４記載の活物質含有成形体の製造装置。
【請求項６】
冷却手段が、活物質含浸槽と巻取機との間に配置した発泡状多孔体をガイドするガイドロールの内部に冷却水を通入する方式であることを特徴とする請求項４記載の活物質含有成形体の製造装置。
【請求項７】
発泡状多孔体がニッケルフォームであることを特徴とする請求項３、４、５または６記載の活物質含有成形体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】活物質含有成形体の製造方法及びその製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は従来の技術の有するこのような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、正極または負極となる活物質含有成形体を効率的に製造することができる方法及びその製造装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明の活物質含有成形体の製造方法は、正極活物質または負極活物質を含有する溶融流動状態の熱可塑性樹脂に発泡状多孔体を浸漬し、次いで、その発泡状多孔体を冷却することを特徴としている。
また、本発明の活物質含有成形体の製造装置は、ロール状に巻き付けた発泡状多孔体を巻き戻す巻戻機と、発泡状多孔体をガイドするガイドロールと、正極活物質または負極活物質を含有する溶融流動状態の熱可塑性樹脂のスラリーと該スラリーに浸漬した発泡状多孔体をガイドするガイドロールとを備えた活物質含浸槽と、発泡状多孔体をガイドするガイドロールと、発泡状多孔体をロール状に巻き取る巻取機とを、この順序で配置してなることを特徴としている。