(57)【要約】【課題】製造が簡単で、かつ、安価な紫外線検出センサー及びその製造方法を提供する。また、紫外線検出センサーを使った紫外線の検出方法及び太陽電池を提供する。【解決手段】紫外線検出センサー１は、ガラス基板２を有し、そのガラス基板２の上面に焼結ＩＴＯ膜３が形成されているとともに、焼結ＩＴＯ膜３の両端部に電気的に接続された外部端子４が形成されている。【選択図】図１
2008182141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜を形成したことを特徴とする紫外線検出センサー。
【請求項２】
請求項１に記載の紫外線検出センサーにおいて、
前記ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜は、ジグザグ状の膜パターンであって、その両端部に
前記基板に形成された端子とそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする紫外線検
出センサー。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の紫外線検出センサーにおいて、
前記基板は、透明なガラス基板であることを特徴とする紫外線検出センサー。
【請求項４】
コーティング剤にてコーティングされたインジウムとスズの合金よりなる金属微粒子が分
散した液状体を、基板に所定のパターンとなるように配置形成し、前記液状体が所定のパ
ターンに配置された基板を焼成し、前記基板にポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜を形成したこ
とを特徴とする紫外線検出センサーの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の紫外線検出センサーの製造方法において、
前記基板に配置された液状体は、大気圧状態で、２００℃〜３００℃の範囲で焼成する
ことを特徴とする紫外線検出センサーの製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の紫外線検出センサーの製造方法において、
前記基板に配置された液状体は、低圧状態で乾燥した後に、大気圧状態で、２００℃〜
３００℃の範囲で焼成することを特徴とする紫外線検出センサーの製造方法。
【請求項７】
ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜のシート抵抗値の変動を検出して、紫外線を検出することを
特徴とする紫外線の検出方法。
【請求項８】
基板に光電変換素子を形成した太陽電池であって、
前記基板に請求項１〜３のいずれか１に記載した紫外線検出センサーを設け、該紫外線
検出センサーに駆動電源を供給することを特徴とする太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、紫外線検出センサー、紫外線検出センサーの製造方法、紫外線の検出方法及
び太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
紫外線は、皮膚のシミや皮膚ガンの原因となることから、紫外線の検出する紫外線検出
センサーは、屋外において、個々の環境管理ツールとして、今後多方面からの需要が望ま
れる。
【０００３】
この種の紫外線検出センサーとして、特許文献１には、紫外線受光素子と可視光受光素
子を重ねて一体化したものが提案されている。特許文献１の紫外線受光素子は、３Ａ族元
素（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから群より選ばれる１つ以上の元素）と窒素からなる窒化化合物半
導体から構成され、可視光は透過し紫外線を吸収し該紫外線を検出する。
【特許文献１】特開２００３−４６１１２号  公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記紫外線受光素子は、窒化化合物半導体であることから、半導体製造装置
で製造しなければならず、装置が大型化し、かつ、製造プロセスも真空プロセスであるた
め複雑かつ高度なものとなり、設計変更も容易ではなかった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、製造が簡単で
、かつ、安価な紫外線検出センサー及びその製造方法を提供することにある。
また、上記紫外線検出センサーを使った紫外線の検出方法及び太陽電池を提供すること
にある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の紫外線検出センサーは、基板にポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜を形成した。
本発明の紫外線検出センサーによれば、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜に紫外線が照射さ
れると、焼結ＩＴＯ膜のシート抵抗が下がる。従って、例えば、紫外線検出センサーと固
定抵抗の直列抵抗に電圧を印加し、紫外線検出センサーにかかる端子間電圧が下がったこ
とを検出することによって、紫外線の有無を検出することができる。また、紫外線検出セ
ンサーは、基板にポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜を形成しただけの構成なので、製造が簡単
で、かつ、安価に製造できる。しかも、焼結ＩＴＯ膜なので、そのパターンを用途に応じ
て、簡単に変更し製造できる。
【０００７】
この紫外線検出センサーにおいて、前記ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜は、ジグザグ状の
膜パターンであって、その両端部に前記基板に形成された端子とそれぞれ電気的に接続さ
れている。
【０００８】
これによれば、焼結ＩＴＯ膜のパターンをジグザグ状にしたので、焼結ＩＴＯ膜の全長
を長くでき、紫外線検出の感度を上げることができる。
この紫外線検出センサーにおいて、前記基板は、透明なガラス基板である。
【０００９】
これによれば、紫外線検出センサーは、透明なガラス基板にしたことによって、可視光
線を透過させることができる。従って、例えば、太陽電池と一体化し、太陽電池から駆動
電源の供給を受けて使用することができる。
【００１０】
本発明の紫外線検出センサーの製造方法は、コーティング剤にてコーティングされたイ
ンジウムとスズの合金よりなる金属微粒子が分散した液状体を、基板に所定のパターンと
なるように配置形成し、前記液状体が所定のパターンに配置された基板を焼成し、前記基
板にポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜を形成した。
【００１１】
本発明の紫外線検出センサーの製造方法によれば、液状体が配置された基板を焼成する
と、分散媒が蒸発し液状体中のインジウムとスズの合金よりなる金属微粒子は、焼結して
、基板の表面に、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜が形成される。従って、焼成するだけで、
簡単に紫外線検出センサーを製造することができる。しかも、インジウムとスズの合金よ
りなる金属微粒子が分散した液状体は、液滴吐出装置を使って液滴にして基板上に配置す
ることができるため、用途に応じて、種々のパターンが簡単にかつ容易に形成できる。
【００１２】
この紫外線検出センサーの製造方法において、前記基板に配置された液状体は、大気圧
状態で、２００℃〜３００℃の範囲で焼成する。
これによれば、液状態を焼成すると、分散媒が蒸発し液状体中の合金微粒子は、焼結し
て、基板にポーラス構造の焼結ＩＴＯが形成される。従って、２００℃〜３００℃という
低い温度で焼成するだけで、簡単に紫外線検出センサーを製造することができる。
【００１３】
この紫外線検出センサーの製造方法において、前記基板に配置された液状体は、低圧状
態で乾燥した後に、大気圧状態で、２００℃〜３００℃の範囲で焼成する。
これによれば、前段階で、低圧状態で乾燥を行いことから、焼成が効率良く行うことが
できる。
【００１４】
本発明の紫外線の検出方法は、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜のシート抵抗値の変動を検
出して、紫外線を検出する。
本発明の紫外線の検出方法によれば、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜に紫外線が照射され
ると、焼結ＩＴＯ膜のシート抵抗値が下がる。例えば、焼結ＩＴＯ膜と固定抵抗の直列抵
抗に電圧を印加し、焼結ＩＴＯ膜にかかる端子間電圧が下がったことを検出することによ
って、紫外線の有無を検出することができる。
【００１５】
本発明の太陽電池は、基板に光電変換素子を形成した太陽電池であって、前記基板に請
求項１〜３のいずれか１に記載した紫外線検出センサーを設け、該紫外線検出センサーに
駆動電源を供給する。
【００１６】
本発明の太陽電池によれば、太陽電池は、紫外線検出センサーと一体化し、必要な時に
紫外線検出センサーに電源で供給をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、発明を具体化した紫外線検出センサーの一実施形態を図１〜図７に従って説明す
る。
まず、図１は、紫外線検出センサー１の全体斜視図を示し、紫外線検出センサー１は、
透明なガラス基板２を有し、そのガラス基板２の上面に焼結ＩＴＯ膜（酸化インジウムス
ズ膜）３が形成されているとともに、焼結ＩＴＯ膜３の両端部に電気的に接続された銀又
は銀合金よりなる外部端子４が形成されている。
【００１８】
ガラス基板２上の焼結ＩＴＯ膜３は、インジウムとスズの合金からなる金属微粒子の焼
結体であって、図２に示すように、ポーラス構造になっている。ガラス基板２上の焼結Ｉ
ＴＯ膜３は、ジグザグ状のパターンであって、その両端部に外部端子４が電気的に接続さ
れている。
【００１９】
この各ガラス基板２に形成されたポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜３は、紫外線が照射され
ると、シート抵抗値が下がる。これは、試験を行って確認されている。従って、紫外線検
出センサー１のシート抵抗の変化を知ることによって、紫外線の有無を検出することがで
きる。そして、一旦、シート抵抗値が下がって後、紫外線の照射を停止しても、抵抗値は
下がったままで元の抵抗値に戻らないことが試験で確認されている。また、その抵抗の変
化を酸素曝露することによって、もとの抵抗値に回復さすることも試験で確認されている
。
【００２０】
従って、その時々で、紫外線を受けても、酸素曝露すれば、再度使用することができる
ことがわかる。
各ガラス基板２上の焼結ＩＴＯ膜３のジグザグ状のパターンは、液滴吐出装置１０を利
用して形成される。
【００２１】
図３は、液滴吐出装置１０を説明する全体斜視図である。
図３において、液滴吐出装置１０は、直方体形状に形成された基台１１を有している。
基台１１の上面には、その長手方向（Ｙ矢印方向）に沿って延びる一対の案内溝１２が形
成されている。案内溝１２の上方には、案内溝１２に沿ってＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向
に移動するステージ１３が備えられている。ステージ１３の上面には、載置部１４が形成
されて、マザーガラス基板１００が載置される。マザーガラス基板１００は、載置部１４
において位置決め固定されてＹ矢印方向及び反Ｙ矢印方向に搬送される。
【００２２】
マザーガラス基板１００は、図４に示すように、大判のガラス基板であって、２点鎖線
で示すように、紫外線検出センサー１のガラス基板２を形成するセル１０１が、マトリク
ス状に多数区画形成されている。マザーガラス基板１００に区画形成された各セル１０１
に、金属インクＦ（図６参照）が配置され、ジグザグ状の焼結ＩＴＯ膜３となる液状膜Ｆ
Ｌが形成されるようになっている。
【００２３】
尚、各セル１０１に金属インクＦが配置されたマザーガラス基板１００は、焼成されて
、焼結ＩＴＯ膜３が形成される。そして、セル毎にカットされることによって、紫外線検
出センサー１が多数製造される。
【００２４】
基台１１には、Ｙ矢印方向と直交する方向（Ｘ矢印方向）に跨ぐ門型のガイド部材１５
が架設されている。ガイド部材１５の上側には、Ｘ矢印方向に延びるインクタンク１６が
配設されている。インクタンク１６は、液状体としての金属インクＦを貯留し、貯留する
金属インクＦを液滴吐出ヘッド（以下単に、吐出ヘッドという。）２０に所定の圧力で供
給する。そして、吐出ヘッド２０に供給された金属インクＦは、吐出ヘッド２０から液滴
Ｆｂ（図６参照）となってマザーガラス基板１００に向かって吐出されるようになってい
る。
【００２５】
金属インクＦは、本実施形態では、粒径が数ｎｍのインジウムとスズの合金よりなる金
属微粒子を分散媒に分散させた分散系金属インクである。このインジウムとスズの合金よ
りなる金属微粒子は、凝集しないようにコーティング剤にてマイクロカプセル化されてい
る。
【００２６】
分散媒としては、上記の金属微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば
特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノ
ールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカ
ン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフ
タレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、また
エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレン
グリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレン
グリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジ
メトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル
系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化
合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐
出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合
物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物
を挙げることができる。
【００２７】
金属インクＦ（分散液）の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ〜０．０７Ｎ／ｍの範囲内である
ことが好ましい。インクジェット法（吐出ヘッド２０）にて金属インクＦを吐出する際、
表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル形成面に対する濡れ性が
増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズルＮ（図６参照
）の先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難
になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、ガラス基板２との接触角を大きく低
下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添
加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液滴Ｆｂのガラス基板２への濡れ性を向上
させ、液状膜ＦＬ（図６参照）のレベリング性を改良し、液状膜ＦＬの微細な凹凸の発生
などの防止に役立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エ
ーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２８】
また、分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ま
しい。インクジェット法を用いて金属インクＦを液滴Ｆｂとして吐出する際、粘度が１ｍ
Ｐａ・ｓより小さい場合にはノズルＮの周囲が金属インクＦの流出により汚染されやすく
、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円
滑な液滴Ｆｂの吐出が困難となるからである。
【００２９】
ガイド部材１５には、そのＸ矢印方向略全幅にわたって、Ｘ矢印方向に延びる上下一対
のガイドレール１８が形成されている。上下一対のガイドレール１８には、キャリッジ１
９が取り付けられている。キャリッジ１９は、ガイドレール１８に案内されてＸ矢印方向
及び反Ｘ矢印方向に移動する。キャリッジ１９には、液滴吐出ヘッド２０が搭載されてい
る。
【００３０】
図５は吐出ヘッド２０をステージ１３側から見た図を示し、図６は吐出ヘッドの要部断
面図を示す。吐出ヘッド２０の下側には、ノズルプレート２５が備えられている。ノズル
プレート２５は、その下面（ノズル形成面２５ａ）がマザーガラス基板１００の上面（吐
出面１００ａ）と略平行に形成されている。ノズルプレート２５は、マザーガラス基板１
００が吐出ヘッド２０の直下に位置するとき、ノズル形成面２５ａと吐出面１００ａとの
間の距離（プラテンギャップ）を所定の距離（例えば、６００μｍ）に保持する。
【００３１】
図５において、ノズルプレート２５の下面（ノズル形成面２５ａ）には、Ｙ矢印方向に
沿って配列された複数のノズルＮからなる一対のノズル列ＮＬが形成されている。一対の
ノズル列ＮＬには、それぞれ１インチ当たりに１８０個のノズルＮが形成されている。な
お、図５では、説明の都合上、一列当りに１０個のノズルＮのみを記載している。
【００３２】
一対のノズル列ＮＬでは、Ｙ矢印方向から見て、一方のノズル列ＮＬの各ノズルＮが、
他方のノズル列ＮＬの各ノズルＮの間を補間する。すなわち、吐出ヘッド２０は、Ｙ矢印
方向に、１インチ当りに１８０個×２＝３６０個のノズルＮを有する（最大解像度が３６
０ｄｐｉである）。
【００３３】
図６において、吐出ヘッド２０の上側には、流路としての供給チューブＴが連結されて
いる。供給チューブＴは、Ｚ矢印方向に延びるように配設されて、インクタンク１６から
の金属インクＦを吐出ヘッド２０に供給する。
【００３４】
各ノズルＮの上側には、供給チューブＴに連通するキャビティ２６が形成されている。
キャビティ２６は、供給チューブＴからの金属インクＦを収容して、対応するノズルＮに
金属インクＦを供給する。キャビティ２６の上側には、上下方向に振動してキャビティ２
６内の容積を拡大及び縮小する振動板２７が貼り付けられている。振動板２７の上側には
、ノズルＮに対応する圧電素子ＰＺが配設されている。圧電素子ＰＺは、上下方向に収縮
及び伸張して振動板２７を上下方向に振動させる。上下方向に振動する振動板２７は、金
属インクＦを所定サイズの液滴Ｆｂにして対応するノズルＮから吐出させる。吐出された
液滴Ｆｂは、対応するノズルＮの反Ｚ矢印方向に飛行して、マザーガラス基板１００の吐
出面１００ａに着弾する。
【００３５】
つまり、吐出ヘッド２０の直下を主走査方向にマザーガラス基板１００が移動するとき
、マザーガラス基板１００の各セル１０１に対して順番に、吐出ヘッド２０から液滴Ｆｂ
が吐出される。そして、本実施形態では、図４に矢印で示す順番で、マザーガラス基板１
００の各セル１０１に金属インクＦの液滴Ｆｂを配置しジグザグ状の液状膜ＦＬを形成す
るようになっている。
【００３６】
次に、各セル１０１にジグザグ状の液状膜ＦＬを形成したマザーガラス基板１００を、
焼成炉に入れて、焼成する。焼成は、大気圧状態で加熱温度が２００℃〜３００℃の範囲
で３０分間焼成する。
【００３７】
これによって、インジウムとスズの合金からなる金属微粒子は焼結体となる。即ち、金
属微粒子は、コーティング剤が剥がされ互いに融着するとともに、酸化されてポーラス構
造の焼結ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）膜３となって、マザーガラス基板１００の各セル
１０１に形成される。
【００３８】
マザーガラス基板１００の各セル１０１にポーラス構造であってジグザグ状の焼結ＩＴ
Ｏ（酸化インジウムスズ）膜３が形成されると、セル１０１毎にカットすることによって
、紫外線検出センサー１がセル１０１の数だけ製造される。
【００３９】
次に、上記のように製造した紫外線検出センサー１を使用した、紫外線検出回路につい
て図７に従って説明する。
図７において、紫外線検出回路５０は、オペアンプよりなるコンパレータ５１を有して
いる。コンパレータ５１の非反転入力端子、反転入力端子及び出力端子を備えている。
【００４０】
非入力端子は、検出信号ＳＧ１を入力する。反転入力端子は、基準信号ＳＧ２を入力す
る。そして、コンパレータ５１は、検出信号ＳＧ１と基準信号ＳＧ２を比較し、比較結果
に基づいて、出力端子から判定信号ＳＧ３を出力する。
【００４１】
詳述すると、検出信号ＳＧ１の値が基準信号ＳＧ２より、低い値のとき、コンパレータ
５１は、低電位（Ｌレベル）の判定信号ＳＧ３を出力する。反対に、検出信号ＳＧ１の値
が基準信号ＳＧ２の値以上のとき、コンパレータ５１は、高電位（Ｈレベル）の判定信号
ＳＧ３を出力する。
【００４２】
コンパレータ５１の非反転入力端子は、前記紫外線検出センサー１と固定抵抗６０と直
列に接続された直列回路の接続点Ｐ１の接続されている。その直列回路には、電圧Ｖｃｃ
が印加されている。従って、検出信号ＳＧ１は、固定抵抗６０の抵抗値をＲ０、紫外線検
出センサー１の端子４間の抵抗値をＲｘとすると、その抵抗値Ｒ０，Ｒｘできまる分圧電
圧（＝Ｒ０・Ｖｃｃ／（Ｒ０＋Ｒｘ））となる。
【００４３】
コンパレータ５１の反転入力端子は、第１分圧抵抗６１と第２分圧抵抗６２と直列に接
続された直列回路の接続点Ｐ２の接続されている。その直列回路には、電圧Ｖｃｃが印加
されている。従って、基準信号ＳＧ２１は、第１分圧抵抗６１の抵抗値をＲ１、第２分圧
抵抗６２の抵抗値をＲ２とすると、その抵抗値Ｒ１，Ｒ２できまる分圧電圧（＝Ｒ２・Ｖ
ｃｃ／（Ｒ１＋Ｒ２））となる。
【００４４】
なお、固定抵抗６０の抵抗値Ｒ０、第１分圧抵抗６１の抵抗値Ｒ１、第２分圧抵抗６２
の抵抗値Ｒ２は、紫外線照射してもその抵抗値は変動しない。一方、紫外線検出センサー
１の抵抗値Ｒｘは、焼結ＩＴＯ膜３に紫外線が照射されると下がる。
【００４５】
そして、照射される前の検出信号ＳＧ１の電圧（＝Ｒ０・Ｖｃｃ／（Ｒ０＋Ｒｘ））を
基準信号ＳＧ２１の電圧（＝Ｒ２・Ｖｃｃ／（Ｒ１＋Ｒ２））より、小さくなるように、
固定抵抗６０の抵抗値Ｒ０、第１分圧抵抗６１の抵抗値Ｒ１、第２分圧抵抗６２の抵抗値
Ｒ２を調整しておく。そして、前記紫外線検出センサー１に紫外線が照射されて該センサ
ー１の抵抗値をＲｘが下がることによって、検出信号ＳＧ１の電圧が、基準信号ＳＧ２１
の電圧より高くなるように設定する。
【００４６】
次に、この紫外線検出回路５０の作用について説明する。
いま、紫外線検出センサー１が未だ紫外線に照射されておらず、紫外線検出センサー１
の抵抗値Ｒｘが下がっていないとき、検出信号ＳＧ１の電圧は、基準信号ＳＧ２１の電圧
より小さくなっている。従って、コンパレータ５１は、Ｌレベルの判定信号ＳＧ３を出力
する。
【００４７】
そして、紫外線検出センサー１に紫外線に照射されると、紫外線検出センサー１の抵抗
値Ｒｘが下がる。抵抗値Ｒｘが下がると、検出信号ＳＧ１の電圧は、上がり、基準信号Ｓ
Ｇ２１の電圧より高くなる。その結果、コンパレータ５１は、Ｈレベルの判定信号ＳＧ３
を出力する。尚、この紫外線検出回路５０は、紫外線検出センサー１とともに、１チップ
化して実施してもよい。すなわち、紫外線検出センサー１のガラス基板２に、焼結ＩＴＯ
膜３とともに、固定抵抗６０、第１分圧抵抗６１、第２分圧抵抗６２を形成する。
【００４８】
このように、紫外線検出回路５０は、紫外線を検出すると、Ｈレベルの判定信号ＳＧ３
を出力する。従って、このＨレベルの判定信号ＳＧ３を利用して、例えば、紫外線情報を
音声で伝える警報装置に使用することができる。
【００４９】
図８は、警報装置の一例を示す図である。図８において、太陽電池７０は、基板７１に
光電変換素子７２が形成されている。また、太陽電池７０の基板７１の上面には、前記し
た紫外線検出センサー１を含む紫外線検出回路５０が形成されているガラス基板２を貼り
合わせている。ガラス基板２の紫外線検出回路５０（コンパレータ５１の出力端子）は、
リード線Ｌ１を介して警報装置７３に接続されている。警報装置７３は、紫外線検出回路
５０からＨレベルの判定信号ＳＧ３を入力すると、音声で強い紫外線が放射されているこ
とを知らせる。なお、警報装置７３は、音声に代えて警告音、又は、光を発して報知する
警報装置であってもよい。
【００５０】
又、太陽電池７０は、紫外線検出回路５０及び警報装置７３に電源線Ｌ２，Ｌ３を介し
て接続されている。そして、紫外線検出回路５０及び警報装置７３は、電源線Ｌ２，Ｌ３
を介して太陽電池７０から駆動電源が供給される。
【００５１】
このように構成することで、太陽電池７０に、紫外線検出回路５０を一体的に組み合わ
せれば、特別な電池を使用することなく、携帯に便利な警報装置７３を提供できる。
次に、上記のように構成した実施形態の効果を以下に記載する。
【００５２】
（１）上記実施形態によれば、紫外線検出センサー１は、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜
３に紫外線が照射されると、焼結ＩＴＯ膜のシート３抵抗が下がり、その抵抗値下がった
ことを検出することによって、紫外線の有無を検出することができる。
【００５３】
（２）上記実施形態によれば、紫外線検出センサー１は、ガラス基板２にポーラス構造
の焼結ＩＴＯ膜３を形成しただけの構成なので、紫外線検出センサー１として製造が簡単
で、かつ、安価に製造できる。しかも、焼結ＩＴＯ膜３なので、そのパターンを用途に応
じて、簡単に変更し製造できる。
【００５４】
（３）上記実施形態によれば、焼結ＩＴＯ膜３のパターンをジグザグ状にしたので、焼
結ＩＴＯ膜３の全長を長くでき、紫外線検出の感度を上げることができる。
（４）上記実施形態によれば、紫外線検出センサー１のガラス基板２が透明で可視光線
を透過させることができることから、例えば、太陽電池７０と一体化し、太陽電池７０か
ら駆動電源の供給を受けて使用することができる。
【００５５】
（５）上記実施形態によれば、金属インクＦを配置したガラス基板２を焼成すると、分
散媒が蒸発し液状体中のインジウムとスズの合金よりなる金属微粒子をポーラス構造の焼
結ＩＴＯ膜３がガラス基板２に形成される。従って、焼成するだけで、簡単に紫外線検出
センサー１を製造することができる。
【００５６】
しかも、２００℃〜３００℃という低い温度で焼成するだけで、簡単に紫外線検出セン
サーを製造することができる。
（６）上記実施形態によれば、インジウムとスズの合金よりなる金属微粒子が分散した
金属インクＦは、液滴吐出装置１０を使って液滴Ｆｂにして基板上に配置することができ
るため、ジグザグ状の複雑なパターンを簡単にかつ容易に形成できる。
【００５７】
（７）上記実施形態によれば、太陽電池７０に、紫外線検出センサー１を設けたので、
太陽電池７０は、必要な時に紫外線検出センサー１に電源で供給をすることができる。
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
【００５８】
○上記実施形態では、ガラス基板２上の形成した焼結ＩＴＯ膜３は、ジグザグ状のパタ
ーンであっが、これに限定されるものではなく、適宜変更して実施してもよい。
○上記実施形態では、各セル１０１に液状膜ＦＬを形成したマザーガラス基板１００を
、大気圧状態で加熱温度が２００℃〜３００℃の範囲で焼成するようにしたが、この焼成
の前段階で、該マザーガラス基板１００を減圧室に入れて、低圧状態で液状膜ＦＬを乾燥
した後に、大気圧状態で２００℃〜３００℃の範囲で焼成するようにしてもよい。前段階
で、乾燥を行いことから、焼成が効率良く行うことができる。この前段階の乾燥時におい
ても、合わせて焼成を行うようにしてもよい。
【００５９】
○上記実施形態では、焼成は３０分間焼成したが、ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜３が形
成されるならば、その焼成時間は特に限定されるものではなく、適宜変更して実施しても
よい。
【００６０】
○上記実施形態では、警報装置では、太陽電池７０の基板７１の上面に、紫外線検出セ
ンサー１を含む紫外線検出回路５０が形成されているガラス基板２を貼り合わせたが、直
接、太陽電池７０の基板７１に紫外線検出センサー１を含む紫外線検出回路５０を形成し
てもよい。勿論、紫外線検出センサー１だけを、太陽電池７０の基板７１に形成して実施
してもよい。
【００６１】
○上記実施形態では、液滴吐出装置１０は、圧電素子駆動方式の液滴吐出ヘッド２０に
具体化した。これに限らず、液滴吐出ヘッドを、抵抗加熱方式や静電駆動方式の吐出ヘッ
ドに具体化してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】紫外線検出センサーの全体斜視図。
【図２】ポーラス構造の焼結ＩＴＯ膜の構造を説明するための模式図。
【図３】液滴吐出装置の全体斜視図。
【図４】マザーガラス基板を説明するための平面図。
【図５】液滴吐出ヘッドをマザーガラス基板側から見た下面図。
【図６】液滴吐出ヘッドの要部側断面図。
【図７】紫外線検出センサーを用いた紫外線検出回路。
【図８】紫外線検出センサーを使用した警報装置の一例を示した構成図。
【符号の説明】
【００６３】
１…紫外線検出センサー、２…ガラス基板、３…焼結ＩＴＯ膜、４…外部端子、１０…
液滴吐出装置、２０…液滴吐出ヘッド、５０…紫外線検出回路、７０…太陽電池、７１…
基板、７２…光電変換素子、７３…警報装置、Ｆ…金属インク、Ｆｂ…液滴、ＦＬ…液状
膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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