【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトダイオードが形成されている基板上に不透明膜を有する第１層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記第１層間絶縁構造物上で前記フォトダイオードと対向する部位にエッチング阻止膜パターンを形成する段階と、
前記エッチング阻止膜パターン及び第１層間絶縁構造物上に不透明膜を有する第２層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記フォトダイオードが露出しないようにし、かつ、前記フォトダイオードと対向する部位の前記第２層間絶縁構造物、エッチング阻止膜パターン及び第１層間絶縁構造物を順次エッチングして開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とするイメージ素子の製造方法。
【請求項２】
前記開口部を形成する段階は、
前記エッチング阻止膜パターンが露出されるように前記第２層間絶縁構造物をエッチングして第１予備開口部を形成する段階と、
前記エッチング阻止膜パターンをエッチングして前記第１予備開口部が下方に拡張された形態の第２予備開口部を形成する段階と、
前記第２予備開口部の下に露出された第１層間絶縁構造物を部分的にエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１層間絶縁構造物を部分的にエッチングする段階は、
前記第１上部不透明膜及び第１上部層間絶縁膜を順次エッチングする段階と、
前記第１下部層間絶縁膜を残しながら前記第１下部不透明膜をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項２記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記フォトダイオードをカバーする第１下部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１下部層間絶縁膜上に第１下部不透明膜を形成する段階と、
前記第１下部不透明膜上に第１上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１上部層間絶縁膜上に第１上部不透明膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記基板上に前記基板のコンタクト形成領域と接続する第１コンタクトが具備される第１下部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１下部層間絶縁膜上に金属拡散を防止するための第１下部不透明膜及び前記第１上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１上部層間絶縁膜及び第１下部不透明膜を部分的にエッチングして前記第１コンタクトを電気的に連結させるための第１補助配線用トレンチを形成する段階と、
前記トレンチ内に金属物質を埋め立てて第１補助配線を形成する段階と、
前記第１補助配線上に第１上部不透明膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項６】
前記第２層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記第１層間絶縁構造物及びエッチング阻止膜パターン上に層間絶縁膜及び不透明膜を反復的に積層する段階を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記基板のコンタクト形成領域と電気的に連結される第２コンタクト及び前記第２コンタクトを電気的に連結させる第２補助配線を含む第２配線を形成する段階と、
前記第２配線上に基板のコンタクト形成領域と電気的に連結される追加コンタクト及び前記追加コンタクトを電気的に連結させる追加補助配線を含む追加配線を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項８】
前記第２配線を形成する段階は、
前記第１下部層間絶縁膜構造物及びエッチング阻止膜パターン上に第２下部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第２層間下部絶縁膜上に金属拡散を防止するための第２下部不透明膜及び第２上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第２上部層間絶縁膜、第２不透明膜及び第２下部層間絶縁膜の一部分をエッチングして第２コンタクトホール及び第２補助配線用トレンチを形成する段階と、
前記第２コンタクトホール及び第２補助配線用トレンチ内部に金属物質を埋め立てることで第２コンタクト及び第２補助配線を形成する段階と、
前記第２補助配線及び前記第２上部層間絶縁膜上に第２上部不透明膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項７記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項９】
前記第２配線を形成する段階は、
前記第１層間絶縁膜構造物上に第２コンタクトが具備される第２下部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第２下部層間絶縁膜上に金属拡散を防止するための第２下部不透明膜及び第２上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第２上部層間絶縁膜及び前記第２下部不透明膜を部分的にエッチングして前記第２コンタクトを露出させる第２補助配線用トレンチを形成する段階と、
前記第２補助配線用トレンチ内に金属物質を埋め立てて第２補助配線を形成する段階と、
前記第２補助配線及び前記第２上部層間絶縁膜上に第２上部不透明膜を形成する段階と、を行うことを特徴とする請求項７記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１０】
前記エッチング阻止膜パターンは、金属物質を用いて形成することを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１１】
前記不透明膜は、シリコン窒化膜または炭化シリコン膜を用いて形成することを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第２層間絶縁構造物を形成する段階を行った後に、
前記第２層間絶縁構造物上に、前記第２層間絶縁構造物及び第１層間絶縁構造物を保護するための保護膜構造物を形成する段階と、
前記保護膜構造物の一部分をエッチングしてパッドコンタクトホールを形成する段階と、
前記パッドコンタクトホールの内部に導電物質を埋め立ててパッドを形成する段階と、を更に行うことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜構造物は、第１保護膜及び第２保護膜が積層された多層膜で形成することを特徴とする請求項１２記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１保護膜はシリコン酸化膜で形成し、前記第２保護膜はシリコン窒化膜または炭化シリコン膜で形成することを特徴とする請求項１３記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記開口部を形成する段階を行った後に、
前記開口部の内部を埋め立てる透明絶縁膜を形成する段階と、
前記透明絶縁膜及び第２層間絶縁構造物上にカラーフィルタを形成する段階と、
前記カラーフィルタ上にマイクロレンズを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１６】
第１領域及び第２領域を有する基板を準備する段階と、
前記第１領域にフォトダイオードを形成する段階と、
前記第１領域上には前記フォトダイオードとずれるように配置される配線を含み、前記第２領域上にはキャパシタ下部電極を含む第１層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記第１層間絶縁構造物上に誘電膜を形成する段階と、
前記第１領域における前記フォトダイオードと対向する部位の誘電膜上にエッチング阻止膜パターンと、前記第２領域における前記キャパシタ下部電極と対向する部位の誘電膜上に上部電極パターンをそれぞれ形成する段階と、
前記エッチング阻止膜パターン及び第１層間絶縁構造物上に少なくとも一つの不透明膜を有する第２層間絶縁構造物を形成する段階と、
前記フォトダイオードが露出されないようにし、かつ、前記フォトダイオードと対向する部位の第２層間絶縁構造物、エッチング阻止膜パターン及び前記第１層間絶縁構造物を順次エッチングして開口部を形成する段階と、を含むことを特徴とするイメージ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記開口部を形成する段階は、
前記エッチング阻止膜パターンが露出されるように、前記第２層間絶縁構造物をエッチングして第１予備開口部を形成する段階と、
前記エッチング阻止膜パターンをエッチングして、前記第１予備開口部の下方を拡張した形態の第２予備開口部を形成する段階と、
前記第２予備開口部の下に露出された第１層間絶縁構造物を部分的にエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１８】
前記第１層間絶縁構造物を部分的にエッチングする段階は、
前記第１上部不透明膜及び前記第１上部層間絶縁膜を順次エッチングする段階と、
前記第１下部層間絶縁膜を残しながら、前記第１下部不透明膜をエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項１７記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第１層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記基板のコンタクト形成領域と接触する第１コンタクトを形成する段階と、
前記第１コンタクトを電気的に連結させる第１補助配線を形成することで、前記第１コンタクト及び第１補助配線で構成される第１配線を形成し、かつ、下部電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項２０】
前記第１層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記基板上に基板のコンタクト形成領域と接続する第１コンタクトが具備される第１下部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１下部層間絶縁膜上に金属拡散を防止するための第１下部不透明膜及び第１上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１上部層間絶縁膜及び第１不透明膜を部分的にエッチングすることで、前記第１領域に前記第１コンタクトと電気的に連結される第１補助配線用トレンチ及び前記第２領域に下部電極用トレンチを形成する段階と、
前記第１補助配線用トレンチ及び下部電極用トレンチ内に金属物質を埋め立てて第１補助配線及び下部電極を形成する段階と、
前記第１補助配線、下部電極及び第１上部層間絶縁膜上に第１上部不透明膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項２１】
前記第２層間絶縁構造物を形成する段階は、
前記基板のコンタクトを電気的に連結される第２コンタクト及び前記第２コンタクトを電気的に連結させる第２補助配線を含む第２配線を形成する段階と、
前記第２配線上に基板のコンタクト形成領域と電気的に連結される追加コンタクト及び前記追加コンタクトを電気的に連結させる追加補助配線を含む追加配線を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項２２】
前記エッチング阻止膜パターン及び上部電極パターンを形成する段階は、
前記誘電膜上に金属膜を形成する段階と、
前記金属膜をパターニングして前記フォトダイオードと対向する部位の誘電膜の上部面及び前記キャパシタ下部電極と対向する部位の誘電膜上部面にそれぞれ金属膜パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項２３】
前記不透明膜は、シリコン窒化物または炭化シリコン物を用いて形成することを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。
【請求項２４】
前記第２層間絶縁構造物を形成した後に、
前記第２層間絶縁構造物上に、下部構造を保護するための保護膜構造物を形成する段階と、
前記保護膜構造物の一部分をエッチングしてパッドコンタクトホールを形成する段階と、
前記パッドコンタクトホールの内部に導電物質を埋め立ててパッドを形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項１６記載のイメージ素子の製造方法。