(57)【要約】【課題】発光ダイオード素子の軸上光取り出し効率を大幅に向上させ、素子の発光効率及び発光輝度を向上させる。【解決手段】発光ダイオード１２０は、基板１００、反射構造１０８、バッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２を備える。反射構造１０８は、基板１００の一表面上に形成され、複数の開口１０６が穿設されて規則的パターン構造が形成され、基板１００の表面の一部が露出されている。バッファ層１１０は、反射構造１０８及び基板１００の表面１０２の露出部分上に形成されて開口１０６が充填されている。エピタキシャル構造は、バッファ層１１０上に形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記反射構造は、前記基板の一表面上に形成され、複数の開口が穿設されて規則的パターン構造が形成され、前記基板の前記表面の一部が露出され、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の前記表面の露出部分上に形成されて前記開口が充填され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記基板の一表面の一部には、複数の凹部が形成され、前記基板の一表面構造に規則的パターンが形成され、
前記反射構造は、前記基板の前記表面の残りの部分上に形成され、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の充填された前記凹部上に形成され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記基板は、一表面の一部に複数の凹部が形成され、前記基板の一表面構造に規則的パターンが形成され、
前記反射構造は、前記凹部の底面上に形成され、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の充填された前記凹部上に形成され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項４】
前記反射構造は、互いに積層される複数の酸化膜を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記反射構造は、分布ブラッグ反射構造又は１次元フォトニック反射構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記発光エピタキシャル構造は、エピタキシャル横方向成長構造であり、
前記バッファ層は、エピタキシャル横方向成長層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項７】
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面上に反射構造を形成し、前記反射構造内に複数の開口を穿設して規則的パターン構造を形成し、前記基板の前記表面の一部を露出する工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記表面の露出部分上にバッファ層を形成して、前記開口を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面上を覆う反射層を形成する工程と、
前記反射層及び前記基板の中に複数の凹部を形成し、規則的パターンを有する反射構造に前記反射層を形成するパターン形成工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記凹部上を覆うバッファ層を形成して前記凹部を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面中に複数の凹部を形成し、前記基板の一表面構造に規則的パターンを形成するパターン形成工程と、
前記凹部の底面上に反射構造を形成する工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記凹部上を覆うバッファ層を形成して前記凹部を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
前記バッファ層の形成工程及び前記発光エピタキシャル構造の形成工程は、エピタキシャル横方向成長法を用いることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
前記反射構造は、分布ブラッグ反射構造又は１次元フォトニック反射構造であることを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関し、特に発光ダイオード（Light-Emitting Diode：ＬＥＤ）及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードなどの半導体発光素子は、半導体材料からなる素子であり、電気エネルギーを光エネルギーに変換する小型の固体光源である。そのため、半導体発光素子は、小体積である以外に、低駆動電圧、高速反応、耐衝撃性、長寿命などの特性を有し、各種応用装置に求められる軽量化かつ薄型化の要求に応えることができ、日常生活において広く普及した発光素子である。
【０００３】
従来、発光ダイオード素子を製作するときは、基板上に低温のＡｌＩｎＧａＮをバッファ層として直接成長させる。これにより、バッファ層の転位欠陥（dislocation defects）密度が大幅に高まり、発光素子の寿命が短くなって、発光素子の性能が低下することがある。
【０００４】
市場において日増しに高まる要求に応えるため、軸上の光取り出し効率及び発光効率が高く、動作性能が良好で使用寿命が長い発光ダイオード素子が求められている。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第６０５１８４９号
【特許文献２】米国特許第６７９０２７９号
【特許文献３】台湾特許公開第２００４−０５５８５号
【特許文献４】台湾特許第１２５７７５３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の第１の目的は、基板と発光エピタキシャル構造の間に規則的パターンを有する反射構造を形成し、発光ダイオード素子の軸上光取り出し効率を大幅に向上させ、素子の発光効率及び発光輝度をさらに向上させる発光ダイオードを提供することにある。
【０００７】
本発明の第２の目的は、基板と発光エピタキシャル構造の間に形成される反射構造内に多くの開口を穿設して周期的に配置されたパターンを形成し、光を散乱させて発光ダイオード素子の光取り出し効率をさらに向上させる発光ダイオードを提供することにある。
【０００８】
本発明の第３の目的は、エピタキシャル横方向成長法（Epitaxial Lateral Overgrowth：ＥＬＯ）により、基板及び反射構造上にバッファ層及び発光エピタキシャル構造を成長させ、バッファ層と発光エピタキシャル構造の転位欠陥密度を低減させて高品質のエピタキシャル構造を得て、発光ダイオード素子の動作を安定させて素子の使用寿命を延ばす発光ダイオードの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するため、本発明は、基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記反射構造は、前記基板の一表面上に形成され、複数の開口が穿設されて規則的パターン構造が形成され、前記基板の表面の一部が露出したものであり、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の表面の露出部分上に形成されて前記開口が充填され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されている。
【００１０】
また本発明は、基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記基板の一表面の一部には、複数の凹部が形成され、前記基板の一表面構造に規則的パターンが形成され、
前記反射構造は、前記基板の前記表面の残りの部分上に形成され、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の充填された前記凹部上に形成され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されている。
【００１１】
また本発明は、基板、反射構造、バッファ層及び発光エピタキシャル構造を備えた発光ダイオードであって、
前記基板は、一表面の一部に複数の凹部が形成され、前記基板の一表面構造に規則的パターンが形成され、
前記反射構造は、前記凹部の底面上に形成され、
前記バッファ層は、前記反射構造及び前記基板の充填された前記凹部上に形成され、
前記エピタキシャル構造は、前記バッファ層上に形成されている。
【００１２】
本発明に係る発光ダイオードにおいて、前記反射構造は、互いに積層される複数の酸化膜を含むことが好ましい。
【００１３】
本発明に係る発光ダイオードにおいて、前記反射構造は、分布ブラッグ反射構造又は１次元フォトニック反射構造であることが好ましい。
【００１４】
本発明に係る発光ダイオードにおいて、前記発光エピタキシャル構造は、エピタキシャル横方向成長構造であり、前記バッファ層は、エピタキシャル横方向成長層であることが好ましい。
【００１５】
また本発明は、発光ダイオードの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面上に反射構造を形成し、前記反射構造内に複数の開口を穿設して規則的パターン構造を形成し、前記基板の前記表面の一部を露出する工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記表面の露出部分上にバッファ層を形成して、前記開口を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含む。
【００１６】
また本発明は、発光ダイオードの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面上を覆う反射層を形成する工程と、
前記反射層及び前記基板の中に複数の凹部を形成し、規則的パターンを有する反射構造に前記反射層を形成するパターン形成工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記凹部上を覆うバッファ層を形成して、前記凹部を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含む。
【００１７】
また本発明は、発光ダイオードの製造方法であって、
基板を準備する工程と、
前記基板の一表面中に複数の凹部を形成し、前記基板の一表面構造に規則的パターンを形成するパターン形成工程と、
前記凹部の底面上に反射構造を形成する工程と、
前記反射構造及び前記基板の前記凹部上を覆うバッファ層を形成して、前記凹部を充填する工程と、
前記バッファ層上に発光エピタキシャル構造を形成する工程と、を含む。
【００１８】
本発明に係る発光ダイオードの製造方法において、前記バッファ層の形成工程及び前記発光エピタキシャル構造の形成工程は、エピタキシャル横方向成長法を用いることが好ましい。
【００１９】
本発明に係る発光ダイオードの製造方法において、前記反射構造は、分布ブラッグ反射構造又は１次元フォトニック反射構造であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の発光ダイオードによれば、基板と発光エピタキシャル構造の間に形成した反射構造により、発光ダイオード素子の軸上光取り出し効率を大幅に向上させ、素子の発光効率及び発光輝度をさらに向上させることができる。
【００２１】
また本発明の発光ダイオードによれば、基板と発光エピタキシャル構造の間に形成される反射構造内に多くの開口を穿設して周期的に配置した構造により、光を散乱させて発光ダイオード素子の光取り出し効率をさらに向上させることができる。
【００２２】
本発明の発光ダイオードの製造方法によれば、エピタキシャル横方向成長法によりバッファ層及び発光エピタキシャル構造を成長させることにより、バッファ層と発光エピタキシャル構造の転位欠陥密度を低減させて高品質のエピタキシャル構造を得ることができるため、発光ダイオード素子の動作が安定して素子の使用寿命が延びる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の発光ダイオード及びその製造方法は、基板とエピタキシャル構造の間に反射構造が周期的に形成され、高品質のエピタキシャル構造を有するため、発光ダイオード素子の光取り出し効率を向上させるとともに、素子の寿命を有効に延ばして素子の動作品質をさらに向上させることができる。本発明の説明をより詳細かつ完全にするため、以下では図１〜図８を用いて説明する。
【００２４】
（第１実施形態）
図１〜図３は、本発明の第１実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。発光ダイオードを製造する場合、先ず上に後続の材料層をエピタキシャル成長させる基板１００を準備する。続いて、図１に示すように、反射層１０４を成長させて基板１００の表面１０２上を完全に覆う。第１実施形態の反射層１０４は、基板１００の表面１０２上に互いに積層された複数層の酸化膜を少なくとも含む。反射層１０４は、例えば、分布ブラッグ反射構造や１次元フォトニック反射構造などの高反射機能を有する多層膜の積層構造であることが好ましい。
【００２５】
続いて、図２に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングなどを利用し、反射層１０４に対してパターン形成工程を行い、反射層１０４の一部を除去し、基板１００の表面１０２の一部を露出させる複数の開口１０６が穿設された反射構造１０８を形成する。第１実施形態のパターン形成工程は、ドライエッチング又はウェットエッチングで行ってもよい。このパターン形成工程により反射層１０４のパターニングを行うと、周期的に配置されたパターンを有する反射構造１０８が形成される。
【００２６】
規則的パターンを有する反射構造１０８が形成された後、バッファ層１１０をエピタキシャル成長させて反射構造１０８及び基板１００の表面１０２の露出部分を覆い、開口１０６の全てを充填する。第１実施形態のバッファ層１１０は、エピタキシャル横方向成長法により成長させてもよい。バッファ層１１０は、エピタキシャル横方向成長法を利用した場合、基板１００の格子方向に沿って成長するため、バッファ層１１０の転位欠陥密度が有効に低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長構造のバッファ層１１０を得ることができる。
【００２７】
続いて、バッファ層１１０上に発光エピタキシャル構造１１２をエピタキシャル成長させる。発光エピタキシャル構造１１２は、第１導電性半導体層１１４、活性層１１６及び第２導電性半導体層１１８を少なくとも含む。発光エピタキシャル構造１１２は、先ず基板１００の上方にあるバッファ層１１０上に第１導電性半導体層１１４をエピタキシャル成長させてから、第１導電性半導体層１１４上に活性層１１６をエピタキシャル成長させ、その後、活性層１１６上に第２導電性半導体層１１８をエピタキシャル成長させることによって、形成する。これにより、図３に示すような発光ダイオード１２０の主な構造が完成する。第１導電性半導体層１１４と第２導電性半導体層１１８の導電型は異なり、例えば、第１導電型がｎ型のときは第２導電型がｐ型であり、第１導電型がｐ型のときは第２導電型がｎ型である。第１実施形態において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。第１実施形態の発光エピタキシャル構造１１２は、エピタキシャル横方向成長法により成長させる。これにより、発光エピタキシャル構造１１２は同様に転位欠陥密度が低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長である発光エピタキシャル構造１１２を得ることができる。
【００２８】
図３に示すように、発光エピタキシャル構造１１２と基板１００の間には反射構造１０８が形成される。この反射構造１０８は、その中に穿設された開口１０６が規則的パターンを有するため、活性層１１６から基板１００の方向へ放射された光１２２は、反射構造１０８により有効に反射され、発光ダイオード１２０の軸上光取り出しを増大させることができる。この他、反射構造１０８が完全な平坦とならないように、周期的に配置されたパターン構造に形成することにより、基板１００へ向かう光１２２が散乱されて発光ダイオード１２０の光取り出し効率が向上し、素子の発光効率及び発光輝度を向上させることができる。さらに、バッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２は、エピタキシャル横方向成長法により成長されるため、バッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２の転位欠陥密度を大幅に低減させ、高品質のバッファ層１１０及び発光エピタキシャル構造１１２を得ることができる。そのため、発光ダイオード１２０の動作が安定し、発光ダイオード１２０素子の使用寿命が延びる。
【００２９】
（第２実施形態）
図４〜図６は、本発明の第２実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。発光ダイオードを製造する場合、先ず上に後続の材料層をエピタキシャル成長させる基板２００を準備する。続いて、図４に示すように、反射層２０４を成長させて基板２００の表面２０２上を完全に覆う。第２実施形態の反射層２０４は、基板２００の表面２０２上に互いに積層された複数層の酸化膜を少なくとも含む。反射層２０４は、例えば分布ブラッグ反射構造や１次元フォトニック反射構造などの高反射機能を有する多層膜の積層構造であることが好ましい。
【００３０】
続いて、図５に示すように、フォトリソグラフィ及びエッチングなどを利用し、反射層２０４及び基板２００に対してパターン形成工程を行い、反射層２０４の一部及び基板２００の一部を除去し、反射層２０４及び基板２００内に延伸された複数の凹部２０６を形成する。これにより、基板２００の表面構造には規則的パターンが形成され、反射層２０４には規則的パターンを有する反射構造２０８が形成される。第２実施形態において、凹部２０６は、基板２００の表面２０２の一部に形成され、反射構造２０８は、基板２００の表面２０２の残りの部分に形成されている。第２実施形態のパターン形成工程は、ドライエッチング又はウェットエッチングで行ってもよい。反射層２０４は、このパターン形成工程によりパターニングが行われ、周期的に配置されたパターンを有する反射構造２０８が形成される。
【００３１】
続いて、バッファ層２１０をエピタキシャル成長させて反射構造２０８及び基板２００の凹部２０６を覆い、凹部２０６の全てを充填する。第２実施形態のバッファ層２１０は、エピタキシャル横方向成長法により成長させてもよい。バッファ層２１０は、エピタキシャル横方向成長法を利用した場合、基板２００の格子方向に沿って成長するため、バッファ層２１０の転位欠陥密度が有効に低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長構造であるバッファ層２１０を得ることができる。
【００３２】
続いて、バッファ層２１０上に発光エピタキシャル構造２１２をエピタキシャル成長させる。発光エピタキシャル構造２１２は、第１導電性半導体層２１４、活性層２１６及び第２導電性半導体層２１８を少なくとも含む。発光エピタキシャル構造２１２は、先ず基板２００の上方にあるバッファ層２１０上に第１導電性半導体層２１４をエピタキシャル成長させてから、第１導電性半導体層２１４上に活性層２１６をエピタキシャル成長させ、その後、活性層２１６上に第２導電性半導体層２１８をエピタキシャル成長させて形成する。これにより、図６に示すような発光ダイオード２２０の主な構造が完成する。第１導電性半導体層２１４と第２導電性半導体層２１８の導電型は異なり、例えば、第１導電型がｎ型のときは第２導電型がｐ型であり、第１導電型がｐ型のときは第２導電型がｎ型である。本実施形態において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。第２実施形態の発光エピタキシャル構造２１２は、同様にエピタキシャル横方向成長法により成長される。そのため、発光エピタキシャル構造２１２は、同様に転位欠陥密度が低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長である発光エピタキシャル構造２１２を得ることができる。
【００３３】
反射構造２０８は、発光エピタキシャル構造２１２と基板２００の間に形成され、規則的パターンを有する。そのため、この反射構造２０８は、活性層２１６から基板２００へ向けて放射された光を有効に反射させ、発光ダイオード２２０の軸上光取り出しを増大させることができる。この他、反射構造２０８及び基板２００の表面２０２を周期的に配置されたパターン構造に形成し、完全な平坦とならないようにする。そして、これにより基板２００へ向かう光を散乱させ、発光ダイオード２２０の光取り出し効率を向上させ、素子の発光効率及び発光輝度を向上させる。さらに、バッファ層２１０及び発光エピタキシャル構造２１２は、エピタキシャル横方向成長法により成長されるため、バッファ層２１０及び発光エピタキシャル構造２１２の転位欠陥密度が大幅に低減し、高品質のバッファ層２１０及び発光エピタキシャル構造２１２を得ることができる。そのため、発光ダイオード２２０の動作が安定し、発光ダイオード２２０素子の使用寿命が延びる。
【００３４】
（第３実施形態）
図７及び図８は、本発明の第３実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。発光ダイオードを製造する場合、先ず上に後続の材料層をエピタキシャル成長させる基板３００を準備する。続いて、フォトリソグラフィ及びエッチングなどを利用し、基板３００の表面３０２に対してパターン形成工程を行い、基板３００の一部を除去し、基板３００の表面３０２内に複数の凹部３０４を形成する。本実施形態のパターン形成工程は、ドライエッチング又はウェットエッチングで行ってもよい。このパターン形成工程により基板３００の表面３０２のパターニングを行うと、周期的に配置されたパターンを有する表面構造が形成され、凹部３０４の底面３０６上に形成された反射構造３０８を規則的パターンに形成することができる。続いて、図７に示すように、積層方式により基板３００の凹部３０４の底面３０６上に反射構造３０８を形成する。本実施形態の反射構造３０８は、基板３００の凹部３０４の底面３０６上に互いに積層された複数層の酸化膜を少なくとも含んでもよい。反射構造３０８は、例えば分布ブラッグ反射構造や１次元フォトニック反射構造などの高反射機能を有する多層膜の積層構造であることが好ましい。
【００３５】
続いて、バッファ層３１０をエピタキシャル成長させて反射構造３０８及び基板３００の凹部３０４上を覆い、凹部３０４の全てを充填する。本実施形態のバッファ層３１０は、エピタキシャル横方向成長法により成長させてもよい。バッファ層３１０は、エピタキシャル横方向成長法を利用した場合、基板３００の格子方向に沿って成長するため、バッファ層３１０の転位欠陥密度が有効に低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長構造であるバッファ層３１０を得ることができる。
【００３６】
続いて、バッファ層３１０上に発光エピタキシャル構造３１２をエピタキシャル成長させる。発光エピタキシャル構造３１２は、第１導電性半導体層３１４、活性層３１６及び第２導電性半導体層３１８を少なくとも含む。発光エピタキシャル構造３１２は、先ずバッファ層３１０上に第１導電性半導体層３１４をエピタキシャル成長させてから、第１導電性半導体層３１４上に活性層３１６をエピタキシャル成長させ、その後、活性層３１６上に第２導電性半導体層３１８をエピタキシャル成長させて形成する。これにより、図８に示すような発光ダイオード３２０の主な構造が完成する。第１導電性半導体層３１４と第２導電性半導体層３１８の導電型は異なり、例えば、第１導電型がｎ型のときは第２導電型がｐ型であり、第１導電型がｐ型のときは第２導電型がｎ型である。第３実施形態において、第１導電型はｎ型であり、第２導電型はｐ型である。第３実施形態の発光エピタキシャル構造３１２は、エピタキシャル横方向成長法により成長される。これにより、発光エピタキシャル構造３１２は同様に転位欠陥密度が低減し、高品質のエピタキシャル横方向成長である発光エピタキシャル構造３１２を得ることができる。
【００３７】
反射構造３０８は、発光エピタキシャル構造３１２と基板３００の間に形成される。この反射構造３０８は、基板３００の凹部３０４内に規則的パターンを有するため、活性層３１６から基板３００の方向へ放射された光は、反射構造３０８により有効に反射され、発光ダイオード３２０の軸上光取り出しを増大させることができる。この他、反射構造３０８及び基板３００の表面３０２が完全な平坦とならないように、周期的に配置されたパターン構造に形成する。そして、これにより基板３００へ向かう光を散乱させ、発光ダイオード３２０の光取り出し効率を向上させ、素子の発光効率及び発光輝度を向上させる。さらに、バッファ層３１０及び発光エピタキシャル構造３１２は、エピタキシャル横方向成長法により成長されるため、バッファ層３１０及び発光エピタキシャル構造３１２の転位欠陥密度を大幅に低減させ、高品質のバッファ層３１０及び発光エピタキシャル構造３１２を得ることができる。そのため、発光ダイオード３２０の動作が安定し、発光ダイオード３２０素子の使用寿命が延びる。
【００３８】
当該分野の技術を熟知するものが理解できるように、本発明の好適な実施形態を前述の通り開示したが、これらは決して本発明を限定するものではない。本発明の主旨と範囲を脱しない範囲内で各種の変更や修正を加えることができる。従って、本出願による特許請求の範囲は、このような変更や修正を含めて広く解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第２実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態による発光ダイオードの製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１００，２００，３００    基板
１０２，２０２，３０２    表面
１０４，２０４，    反射層
１０６    開口
１０８，２０８，３０８    反射構造
１１０，２１０，３１０    バッファ層
１１２，２１２，３１２    発光エピタキシャル構造
１１４，２１４，３１４    第１導電性半導体層
１１６，２１６，３１６    活性層
１１８，２１８，３１８    第２導電性半導体層
１２０，２２０，３２０    発光ダイオード
１２２    光
２０６，３０４    凹部
３０６    底面
【図１】
2008166673.tif 000003
【図２】
2008166673.tif 000004
【図３】
2008166673.tif 000005
【図４】
2008166673.tif 000006
【図５】
2008166673.tif 000007
【図６】
2008166673.tif 000008
【図７】
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【図８】
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