(57)【要約】【課題】良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  表示パネル１０に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxを画定するためのバンク１７が、表示パネル１０の列方向に、絶縁性基板１１表面から連続的に突出して配設され、かつ、逆テーパ状の断面形状（側面）を有する撥液性の樹脂層により形成されている。また、画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４上には有機ＥＬ層１５を介して対向電極１６が形成されているとともに、バンク１７上にも当該対向電極１６の一部１６ｂが離間して形成されている。【選択図】図４
2008210540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置において、
前記表示画素の画素形成領域間に配置された隔壁を有し、
前記隔壁は、側面が撥液性を有するとともに、上面が親液性を示していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記隔壁は、撥液性を有する樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の表示画素は、各々、前記画素形成領域内に画素電極と、前記担体輸送層と、対向電極と、を順次積層した前記発光素子を有し、
前記対向電極は、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素に共通の単一の電極層により形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、
前記表示画素の画素形成領域間に突出して設けられ、少なくとも表面が撥液性を有する隔壁及び前記画素形成領域が設けられた基板に対して垂直に、平行な親液処理光を照射して、少なくとも前記画素形成領域内を親液化するとともに前記隔壁の側面の撥液性を維持する親液化工程と、
前記画素形成領域内の少なくとも画素電極上に、担体輸送性材料を含む溶液を塗布して、前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、
を含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記隔壁は、撥液性を有する感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記隔壁は、表面が撥液化処理してなる感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記隔壁は、幅方向に沿った断面形状が逆テーパであることを特徴とする請求項５記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその製造方法に関し、特に、複数の表示素子を２次元配列してなる表示パネルを備えた表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、自発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）を２次元配列した表示パネル（有機ＥＬ表示パネル）を備えたものが知られている。特に、アクティブマトリックス駆動方式を適用した有機ＥＬ表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、液晶表示装置のようにバックライトを必要としない等の利点を有している。そのため、今後様々な電子機器への適用が期待されている。
【０００３】
ここで、有機ＥＬ素子は、周知のように、例えば概略、ガラス基板等の一面側に、アノード（陽極）電極と、有機ＥＬ層（発光機能層）と、カソード（陰極）電極と、を順次積層した素子構造を有し、有機ＥＬ層に発光しきい値を越えるようにアノード電極に正電圧、カソード電極に負電圧を印加することにより、有機ＥＬ層内で注入されたホールと電子が再結合する際に生じるエネルギーに基づいて光（励起光）が放射されるものであるが、有機ＥＬ層となる担体輸送層を形成する有機材料（正孔輸送材料や電子輸送材料）に応じて、低分子系と高分子系の有機ＥＬ素子に大別することができる。
【０００４】
低分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合、一般に、製造プロセスにおいて蒸着法が適用されているため、画素形成領域のアノード電極上にのみ当該低分子系の有機膜を選択的に薄膜形成する際に、上記アノード電極以外の領域への低分子材料の蒸着を防止するためのマスクが用いられており、当該マスクの表面にも低分子材料が付着することになるため、製造時の材料ロスが大きいうえ、製造プロセスが非効率的であるという問題を有している。
【０００５】
一方、高分子系の有機材料を適用した有機ＥＬ素子の場合には、一般に、湿式成膜法としてインクジェット法（液滴吐出法）やノズルプリント法（液流吐出法）等を適用することができるので、アノード電極上、又は、アノード電極を含む特定の領域にのみ選択的に上記有機材料の溶液を塗布することができ、材料ロスが少なく効率的な製造プロセスで精度良く有機ＥＬ層（正孔輸送層や電子輸送性発光層）の薄膜を形成することができるという利点を有している。
【０００６】
そして、このような高分子系の有機ＥＬ表示パネルにおいては、絶縁性基板上に配列される各表示画素の形成領域（画素形成領域）を画定するとともに、高分子系有機材料を含む液状材料を塗布する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）等が生じる現象を防止するために、各画素形成領域間に絶縁性基板上に突出し、連続的に形成された隔壁を設けたパネル構造を有するものが知られている。このような隔壁を備えた有機ＥＬ表示パネルについては、例えば、特許文献１等に詳しく説明されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−７６８８１号公報  （第４頁〜第７頁、図１〜図６）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述したような高分子系の有機ＥＬ素子においては、インクジェット法やノズルプリント法等の湿式成膜法を適用して有機ＥＬ層（正孔輸送層及び電子輸送性発光層）を製造する際に、上記有機材料を含む液状材料が塗布される各画素形成領域や各表示画素（画素形成領域）間に設けられた隔壁の表面の特性（親液性や撥液性）、上記液状材料（塗布液）の溶媒成分に起因する表面張力や凝集力等の様々な要因により、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入して表示画素間で発光色の混合（混色）が生じたり、あるいは、画素形成領域内に形成される有機ＥＬ層の膜厚が不均一になったりするという問題を有していた。
【０００９】
そのため、有機ＥＬ層の膜厚が厚い領域に電流が十分に流れず発光輝度が低い或いは発光しなかったり、膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることにより、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなったり、表示パネル（画素形成領域）に占める実質的に発光する面積の割合が低下したりして、表示パネルの信頼性や表示画質が低下するという問題を有していた。
【００１０】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、良好な発光機能層（有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを備えた表示装置、及び、当該表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置において、前記表示画素の画素形成領域間に配置された隔壁を有し、前記隔壁は、側面が撥液性を有するとともに、上面が親液性を示していることを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の表示装置において、前記隔壁は、感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２記載の表示装置において、前記隔壁は、撥液性を有する樹脂材料により形成されていることを特徴とする。
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置において、前記複数の表示画素は、各々、前記画素形成領域内に画素電極と、前記担体輸送層と、対向電極と、を順次積層した前記発光素子を有し、前記対向電極は、前記表示パネルに配列された前記複数の表示画素に共通の単一の電極層により形成されていることを特徴とする。
前記対向電極は、その一部が前記隔壁上に延在して形成されていてもよい。
【００１４】
前記担体輸送性層は、高分子系の有機材料からなり、前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子であることが好適である。
前記表示画素は、前記発光素子に所定の発光駆動電流を供給する画素駆動回路を備えていてもよい。
【００１５】
請求項５記載の発明は、担体輸送層を有する発光素子を含む複数の表示画素が配列された表示パネルを備えた表示装置の製造方法において、前記表示画素の画素形成領域間に突出して設けられ、少なくとも表面が撥液性を有する隔壁及び前記画素形成領域が設けられた基板に対して垂直に、平行な親液処理光を照射して、少なくとも前記画素形成領域内を親液化するとともに前記隔壁の側面の撥液性を維持する親液化工程と、前記画素形成領域内の少なくとも画素電極上に、担体輸送性材料を含む溶液を塗布して、前記担体輸送層を形成する担体輸送層形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の発明は、請求項５記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、撥液性を有する感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする。
この隔壁の形成工程は、例えば、前記基板上に撥液性を有するネガ型の感光性の樹脂材料からなる樹脂層を形成し、当該樹脂層に対して露光現像処理を施すことにより、表面が撥液性を有するように処理する工程でもよい。
【００１７】
請求項７記載の発明は、請求項５記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、表面が撥液化処理してなる感光性の樹脂材料により形成されていることを特徴とする。
この隔壁の形成工程は、例えば、前記基板上にネガ型の感光性の樹脂材料からなる樹脂層を形成し、当該樹脂層に対してフッ素ガス系のプラズマに晒すことにより、あるいはフッ素系のコーティング剤を当該樹脂層の表面に被膜して撥液性を有するように処理する工程でもよい。
請求項８記載の発明は、請求項５記載の表示装置の製造方法において、前記隔壁は、幅方向に沿った断面形状が逆テーパであることを特徴とする。このような構造により隔壁の側面が紫外光のような親液処理光を被曝することを抑えることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る表示装置及びその製造方法によれば、良好な発光機能層（担体輸送層；有機ＥＬ層）が形成された表示パネルを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に係る表示装置及びその製造方法について、実施の形態を示して詳しく説明する。ここで、以下に示す実施形態においては、表示画素を構成する発光素子として、有機材料を塗布して形成される有機ＥＬ層を備えた有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２０】
＜第１の実施形態＞
（表示パネル）
まず、本発明に係る表示装置に適用される表示パネル（有機ＥＬパネル）及び表示画素について説明する。
図１は、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図であり、図２は、本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。なお、図１に示す平面図においては、説明の都合上、表示パネル（絶縁性基板）の一面側（有機ＥＬ素子の形成側）から見た、各表示画素（色画素）に設けられる画素電極の配置と各配線層の配設構造との関係、及び、各表示画素の形成領域を画定するバンク（隔壁）との配置関係のみを示し、各表示画素の有機ＥＬ素子（発光素子）を発光駆動するために、各表示画素に設けられる図２に示す画素駆動回路内のトランジスタ等の表示を省略した。また、図１においては、画素電極及び各配線層、バンクの配置を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。
【００２１】
本発明に係る表示装置（表示パネル）は、図１に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を有する色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として、この組が行方向（図面左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（図面上下方向）に同一色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂが複数配列されている。ここでは、隣接するＲＧＢ３色の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂを一組として一の表示画素ＰＩＸが形成されている。
【００２２】
表示パネル１０は、図１に示すように、絶縁性基板１１の一面側から突出し、柵状又は格子状の平面パターンを有して連続的に配設されたバンク（隔壁）１７により、列方向に配列された同一色の複数の色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域（各色画素領域）が画定される。また、各色画素領域に含まれる各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、又は、ＰＸｂの画素形成領域には、画素電極（例えばアノード電極）１４が形成されているとともに、上記バンク１７の配設方向に並行して列方向（図面上下方向）にデータライン（信号ライン）Ｌｄが配設され、また、当該データラインＬｄに直交する行方向（図面左右方向）に走査ライン（選択ライン）Ｌｓ及び供給電圧ライン（例えばアノードライン）Ｌａが並行に配設されている。
【００２３】
また、詳しくは後述するが、表示パネル１０には、列方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素電極１４に対して共通に対向するように、ストライプ形状を有する対向電極（例えばカソード電極）１６が形成され、かつ、各列の対向電極１６（ストライプ電極）が例えば単一の電極層により形成されて相互に電気的に接続されている。ここで、対向電極１６を形成する電極層は、後述するように、その一部１６ｂ（図４参照）がバンク１７上面に延在するように形成されているものであってもよい。
【００２４】
表示画素ＰＩＸの各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂは、図２に示すように、絶縁性基板１１上に１乃至複数のトランジスタ（例えばアモルファスシリコン薄膜トランジスタ等）を有する画素駆動回路（又は画素回路）ＤＣと、当該画素駆動回路ＤＣにより制御される発光駆動電流が、上記画素電極１４に供給されることにより発光動作する有機ＥＬ素子（発光素子）ＯＥＬと、を備えた回路構成を有している。
【００２５】
画素駆動回路ＤＣは、具体的には、例えば図２に示すように、ゲート端子が走査ラインＬｓに、ドレイン端子が表示パネル１０の列方向に配設されたデータラインＬｄに、ソース端子が接点Ｎ１１に各々接続されたトランジスタ（選択トランジスタ）Ｔｒ１１と、ゲート端子が接点Ｎ１１に、ドレイン端子が供給電圧ラインＬａに、ソース端子が接点Ｎ１２に各々接続されたトランジスタ（発光駆動トランジスタ）Ｔｒ１２と、トランジスタＴｒ１２のゲート端子及びソース端子間に接続されたキャパシタＣｓと、を備えている。
【００２６】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれもｎチャネル型の薄膜トランジスタ（電界効果型トランジスタ）が適用されている。トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓはトランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート−ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である（図５参照）。
【００２７】
また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アノード端子（アノード電極となる画素電極１４）が上記画素駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード端子（カソード電極）が、上述したストライプ形状を有する対向電極１６と一体的に形成された共通電圧ラインＬｃに接続されている。
【００２８】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（画素駆動回路ＤＣ及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）において、走査ラインＬｓは、例えば図示を省略した走査ドライバに接続され、所定のタイミングで表示パネル１０の行方向に配列された複数の表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）を選択状態に設定するための選択電圧（走査信号）Ｓselが印加される。また、データラインＬｄは、図示を省略したデータドライバに接続され、上記表示画素ＰＩＸの選択状態に同期するタイミングで表示データに応じたデータ電圧（階調信号）Ｖpixが印加される。
【００２９】
また、供給電圧ラインＬａは、例えば所定の高電位電源に直接又は間接的に接続され、各表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）に設けられる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極（例えばアノード電極）１４に表示データに応じた発光駆動電流を流すために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの対向電極１６（共通電圧ラインＬｃ）に印加される基準電圧Ｖssより電位の高い、所定の高電圧（供給電圧Ｖdd）が印加され、また、共通電圧ラインＬｃは、例えば所定の低電位電源に直接又は間接的に接続され、絶縁性基板１１上に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード電極）に対して、単一の電極層により形成された対向電極１６を介して、所定の低電圧（基準電圧Ｖss；例えば接地電位ＧＮＤ）が共通に印加されるように設定されている。
【００３０】
すなわち、各表示画素ＰＩＸにおいて、直列に接続されたトランジスタＴｒ１２と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの組の両端（トランジスタＴｒ１２のドレイン端子と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子）にそれぞれ供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssを印加して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに順バイアスを付与して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光できる状態にし、さらに、階調信号Ｖpixに応じて流れる発光駆動電流の電流値を画素駆動回路ＤＣが制御している。
【００３１】
そして、このような回路構成を有する表示画素ＰＩＸにおける駆動制御動作は、まず、図示を省略した走査ドライバから走査ラインＬｓに対して、所定の選択期間に、選択レベル（オンレベル；例えばハイレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１がオン動作して選択状態に設定される。このタイミングに同期して、図示を省略したデータドライバから表示データに応じた電圧値を有する階調信号ＶpixをデータラインＬｄに印加するように制御する。これにより、トランジスタＴｒ１１を介して、階調信号Ｖpixに応じた電位が接点Ｎ１１（すなわち、トランジスタＴｒ１２のゲート端子）に印加される。
【００３２】
図２に示した回路構成を有する画素駆動回路ＤＣにおいては、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間電流（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる発光駆動電流）の電流値は、ドレイン−ソース間の電位差及びゲート−ソース間の電位差によって決定される。ここで、トランジスタＴｒ１２のドレイン端子（ドレイン電極）に印加される供給電圧Ｖddと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（カソード電極）に印加される基準電圧Ｖssは固定値であるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間の電位差は、供給電圧Ｖddと基準電圧Ｖssによって予め固定されている。そして、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間の電位差は、階調信号Ｖpixの電位によって一義的に決定されるので、トランジスタＴｒ１２のドレイン−ソース間に流れる電流の電流値は、階調信号Ｖpixによって制御することができる。
【００３３】
このように、トランジスタＴｒ１２が接点Ｎ１１の電位に応じた導通状態（すなわち、階調信号Ｖpixに応じた導通状態）でオン動作して、高電位側の供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２及び有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを介して低電位側の基準電圧Ｖss（接地電位ＧＮＤ）に、所定の電流値を有する発光駆動電流が流れるので、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが階調信号Ｖpix（すなわち表示データ）に応じた輝度階調で発光動作する。また、このとき、接点Ｎ１１に印加された階調信号Ｖpixに基づいて、トランジスタＴｒ１２のゲート−ソース間のキャパシタＣｓに電荷が蓄積（充電）される。
【００３４】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、走査ラインＬｓに非選択レベル（オフレベル；例えばローレベル）の選択電圧Ｓselを印加することにより、表示画素ＰＩＸのトランジスタＴｒ１１がオフ動作して非選択状態に設定され、データラインＬｄと画素駆動回路ＤＣとが電気的に遮断される。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷が保持されることにより、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調信号Ｖpixに相当する電圧が保持された（すなわち、ゲート−ソース間の電位差が保持された）状態となる。
【００３５】
したがって、上記選択状態における発光動作と同様に、供給電圧ＶddからトランジスタＴｒ１２を介して、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに所定の発光駆動電流が流れて、発光動作状態が継続される。この発光動作状態は、次の階調信号Ｖpixが印加される（書き込まれる）まで、例えば、１フレーム期間継続するように制御される。そして、このような駆動制御動作を、表示パネル１０に２次元配列された全ての表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）について、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報を表示する画像表示動作を実行することができる。
【００３６】
なお、図２においては、表示画素ＰＩＸに設けられる画素駆動回路ＤＣとして、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸ（具体的には、画素駆動回路ＤＣのトランジスタＴｒ１２のゲート端子；接点Ｎ１１）に書き込む階調信号Ｖpixの電圧値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電圧指定型の階調制御方式の回路構成を示したが、表示データに応じて各表示画素ＰＩＸに書き込む電流値を調整（指定）することにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流す発光駆動電流の電流値を制御して、所望の輝度階調で発光動作させる電流指定型の階調制御方式の回路構成を有するものであってもよい。
【００３７】
（表示画素のデバイス構造）
次いで、上述したような回路構成を有する表示画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここでは、有機ＥＬ層において発光した光を、絶縁性基板を介して視野側（絶縁性基板の他面側）に出射するボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネル（有機ＥＬパネル）について示す。
【００３８】
図３は、第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１に示した表示画素ＰＩＸの赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂのうちの、特定の一の色画素の平面レイアウトを示す。なお、図３においては、画素駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を中心に示す。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）は、図３に示した平面レイアウトを有する表示画素ＰＩＸにおけるIVＡ−IVＡ線（本明細書においては図３中に示したローマ数字の「４」に対応する記号として便宜的に「IV」を用いる。以下同じ）に沿った断面及びIVＢ−IVＢ線に沿った断面を示す概略断面図であり、図５は、図４（ａ）に示した断面形状を有するバンクの詳細断面図である。
【００３９】
図２に示した表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）は、具体的には、絶縁性基板１１の一面側に設定された画素形成領域（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂにおける有機ＥＬ素子の形成領域；図４中、Ｒpxとして表記）において、例えば図３に示すような平面レイアウトの上方及び下方の縁辺領域に行方向（図面左右方向）に延在するように走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａが各々配設されるとともに、これらのラインＬｓ、Ｌａに直交するように、上記平面レイアウトの左方の縁辺領域に列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。また、上記平面レイアウトの右方の縁辺領域には右側に隣接する色画素にまたがって列方向に延在するようにバンク（詳しくは後述する）１７が配設されている。
【００４０】
ここで、例えば図３、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、データラインＬｄは、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａよりも下層側（絶縁性基板１１側）に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを形成するためのゲートメタル層をパターニングすることによって当該ゲート電極と同じ工程で形成され、その上に成膜されたゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ１を介して、信号配線層Ｌdxと一体的に形成されたトランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに接続されている。
【００４１】
また、走査ラインＬｓは、データラインＬｄよりも上層側に設けられ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって当該ソース電極、ドレイン電極と同じ工程で形成され、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇの両端に位置するゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ２を介してゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続されている。
【００４２】
ここで、走査ラインＬｓは、例えば下層配線部Ｌs0と上層配線部Ｌs1を積層した配線構造を有し、また、供給電圧ラインＬａ（後述する給電配線層Ｌayを含む）も、下層配線部Ｌa0と上層配線部Ｌa1を積層した配線構造を有している。下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、ともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄと同層、又は、一体的に設けられ、当該ソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄを形成するためのソース、ドレインメタル層をパターニングする工程において同時に形成される。
【００４３】
なお、下層配線部Ｌs0、Ｌa0は、各々、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層と、当該遷移金属層の上に設けられているアルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層と、の積層構造を有している。上層配線部Ｌs1、Ｌa1は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属の単層により形成するものであってもよいし、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）等のマイグレーションを低減するための遷移金属層上に上記低抵抗金属層が設けられた積層構造を有するものであってもよい。
【００４４】
そして、画素駆動回路ＤＣは、より具体的には、例えば図３に示すように、図２に示したトランジスタＴｒ１１が行方向に配設された走査ラインＬｓ（又はデータラインＬｄに接続され、行方向に形成された信号配線層Ｌdx）に沿って延在するように配置され、また、トランジスタＴｒ１２が供給電圧ラインＬａから列方向に突出して形成された給電配線層Ｌay（又はバンク１７）に沿って延在するように配置されている。
【００４５】
ここで、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、周知の電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有し、各々、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと、ゲート絶縁膜１２を介して各ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に形成された半導体層ＳＭＣと、該半導体層ＳＭＣの両端部に延在するように形成されたソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと、を有している。
【００４６】
なお、各トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極とドレイン電極が対向する半導体層ＳＭＣ上には当該半導体層ＳＭＣへのエッチングダメージを防止するための酸化シリコン又は窒化シリコン等のチャネル保護層ＢＬが形成され、また、ソース電極及びドレイン電極と半導体層ＳＭＣとの間には、当該半導体層ＳＭＣとソース電極及びドレイン電極とのオーミック接続を実現するための不純物層ＯＨＭが形成されている。
【００４７】
そして、図２に示した画素駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ２を介して走査ラインＬｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１１ｄが信号配線層Ｌdxと一体的に形成されている。
【００４８】
また、トランジスタＴｒ１２は、図３、図４に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１２に設けられたコンタクトホールＣｈ３を介して上記トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続され、同ドレイン電極Ｔｒ１２ｄが供給電圧ラインＬａと一体的に形成された給電配線層Ｌayに接続され、同ソース電極Ｔｒ１２ｓが有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４に直接接続されている。
【００４９】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、図３、図４に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のゲート絶縁膜１２上に設けられるとともに、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓに直接接続されて、所定の発光駆動電流が供給される画素電極（例えばアノード電極）１４と、絶縁性基板１１上に列方向に配設されたバンク１７により画定された（バンク１７間に設定された）画素形成領域Ｒpx（有機化合物材料の塗布領域に相当する）に形成された正孔輸送層１５ａ（担体輸送層）と電子輸送性発光層１５ｂ（担体輸送層）からなる有機ＥＬ層（発光機能層）１５と、列方向に配列された各表示画素ＰＩＸに共通に設けられたストライプ状の平面電極（単一の電極層）からなる対向電極１６と、が順次積層されている。ここで、本実施形態に係る表示パネル１０においては、ボトムエミッション型の発光構造を有しているので、画素電極１４が透明な電極材料により形成されて光透過特性を有するとともに、対向電極１６が光反射特性を有している。
【００５０】
上述の構造では、走査ラインＬｓがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインＬｄがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、コンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２によりドレイン電極やゲート電極に接続しているが、これに限らず、走査ラインＬｓがゲートメタル層をパターニングすることによって形成され、データラインＬｄがソース、ドレインメタル層をパターニングすることによって形成されることでコンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２を設けることなく、ゲート電極やドレイン電極と一体的に設けるようにしてもよい。
【００５１】
また、供給電圧ラインＬａ及び給電配線層Ｌayは、ソース、ドレインメタル層と別層により形成されたが、ソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成されていてもよい。この場合、供給電圧ラインＬａがソース、ドレインメタル層をパターニングすることにより形成される他の配線と電気的に絶縁していなければならない。
【００５２】
なお、列方向の各画素形成領域Ｒpxに対応してストライプ状に形成された対向電極１６に加え、各画素形成領域Ｒpxを画定するバンク１７上にも、当該対向電極１６の一部１６ｂが延在するように設けられている。ここで、画素形成領域Ｒpxに設けられる対向電極１６と、バンク１７上に設けられる対向電極１６の一部１６ｂとは、バンク１７により形成される段差により、図４（ａ）に示す断面方向では、相互に電気的に離間しているが、図示をしない所定の領域で電気的に接続されている。また、対向電極１６を十分に厚く堆積させて、バンク１７の段差によって離間することなく全列共通の単一電極としてもよい。
【００５３】
バンク１７は、表示パネル１０に２次元配列される複数の表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）相互の境界領域であって、表示パネル１０の列方向に（表示パネル１０全体では図１に示すように柵状又は格子状の平面パターンを有するように）配設されている。ここで、図３、図４（ａ）に示すように、上記境界領域のうち、表示パネル１０（絶縁性基板１１）の列方向には上記トランジスタＴｒ１２が延在して形成されており、当該トランジスタＴｒ１２を被覆し、各画素形成領域Ｒpxに形成される画素電極１４相互の層間絶縁膜としての機能を果たす絶縁膜１３ａ、１３ｂが形成され、バンク１７は、絶縁膜１３ａ、１３ｂ上に、絶縁性基板１１表面から連続的に突出するように絶縁性樹脂層を積層することにより形成されている。これにより、列方向に延在するバンク１７により囲まれた領域（列方向（図１の上下方向）に配列された複数の表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpx）が、有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する際の有機化合物材料の塗布領域として規定される。
【００５４】
また、本発明に係る表示装置に適用されるバンク１７は、例えば図４（ａ）、図５に示すように、逆テーパ状の側面（側壁）を有する断面形状、すなわち、上辺（上面側）が下辺（絶縁性基板１１側）よりも長い台形形状を有し、当該バンク１７により画定された画素形成領域Ｒpxに形成される対向電極１６の一部１６ｂがバンク１７の上面にも形成されている。
【００５５】
そして、バンク１７の側面の逆テーパ角（本実施形態においては、バンク１７の部材側を基準とする；図中、θで表記）は、垂直側面である９０°よりも大きく、概ね１３５°までの範囲（９０°＜θ≦１３５°）で設定され、より好ましい条件として、９５°から１２０°の範囲（９５°≦θ≦１２０°）で設定されている。
【００５６】
また、図５に示すように、画素形成領域Ｒpxを画定するバンク１７最上部の端部（逆テーパになっている庇部の最突端；図中、補助線Ｌ１で表記）は、画素形成領域Ｒpx内に形成される画素電極１４の露出部の外縁（図中、補助線Ｌ２で表記）よりも外方に位置するように、すなわち、補助線Ｌ１とＬ２の間に間隔（クリアランス）ＣＬを有するように、バンク１７の位置関係が設定されている。
【００５７】
さらに、バンク１７の側面（すなわち逆テーパ状を有する側面）は、画素形成領域Ｒpxに塗布される有機化合物含有液に対して撥液性を有するように材料の選定や表面処理が施されている。また、詳しくは後述するが、バンク１７は、例えば、感光性の樹脂材料を用いて形成されている。
なお、上述した画素駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及びバンク１７が形成された絶縁性基板１１の一面側は、図示を省略したメタルキャップや封止基板等を貼り合わせることにより封止されている。
【００５８】
そして、このような表示パネル１０においては、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２等の機能素子、走査ラインＬｓやデータラインＬｄ、供給電圧ライン（アノードライン）Ｌａ等の配線層からなる画素駆動回路ＤＣにおいて、データラインＬｄを介して供給された表示データに応じた階調信号Ｖpixに基づいて、所定の電流値を有する発光駆動電流がトランジスタＴｒ１２のソース−ドレイン間に流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの画素電極１４に供給されることにより、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが上記表示データに応じた所望の輝度階調で発光動作する。
【００５９】
このとき、本実施形態に示した表示パネル１０、つまり、画素電極１４が光透過特性を有し、対向電極１６が光反射特性を有することにより（すなわち、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤがボトムエミッション型であることにより）、各表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の有機ＥＬ層１５において発光した光は、光透過特性を有する画素電極１４を介して直接、あるいは、光反射特性を有する対向電極１６で反射し、絶縁性基板１１（表示パネル１０）を透過して、視野側である絶縁性基板１１の他面側（図４、図５の図面下方）に出射される。
【００６０】
（表示装置の製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法について説明する。
図６乃至図１０は、第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図４（ａ）、（ｂ）に示したIVＡ−IVＡ線に沿った断面及びIVＢ−IVＢ線に沿った断面を、図６乃至図１０の各図の右方及び左方に分けて示す。また、図１１は、本発明に係る紫外光ＵＶを照射する装置の一例を示す図であり、図１２は、図１１に示すハニカムボードの上面図である。
【００６１】
上述した表示装置（表示パネル）の製造方法は、まず、図６（ａ）〜（ｄ）に示すように、ガラス基板等の絶縁性基板１１の一面側（図面上面側）に設定された表示画素ＰＩＸ（各色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）の画素形成領域Ｒpxごとに、上述した画素駆動回路（図２、図３参照）ＤＣのトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２やデータラインＬｄ、信号配線層Ｌdx、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0等の配線層を形成するとともに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード電極となる画素電極１４を形成する。
【００６２】
具体的には、透明な絶縁性基板１１上にゲートメタル層を成膜してから、図６（ａ）に示すように、ゲートメタル層をパターニングすることによってゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇ、及び、データラインＬｄを同時に形成し、その後、絶縁性基板１１の全域にゲート絶縁膜１２、アモルファスシリコン等からなる半導体層ＳＭＣとなる半導体膜、チャネル保護膜層ＢＬとなる窒化シリコン等の絶縁膜を連続被覆形成する。
【００６３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、上記絶縁膜、半導体膜を適宜パターニングしてゲート絶縁膜１２上のゲート電極Ｔｒ１１ｇ及びＴｒ１２ｇに対応する領域に、チャネル保護層ＢＬ、半導体層ＳＭＣを順次形成する。その後、当該半導体層ＳＭＣの両端部にオーミック接続のための不純物層ＯＨＭを形成する。
【００６４】
次いで、図６（ｃ）に示すように、上記ゲート絶縁膜１２上であって、各表示画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxの略中央領域（図３に示した平面レイアウトにおいてトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や各種配線が配置された周辺部を除く領域）に矩形状の平面パターンを有し、錫ドープ酸化インジウム（Indium Thin Oxide；ＩＴＯ）や亜鉛ドープ酸化インジウム（Indium
Zinc Oxide；ＩＺＯ）等の透明な電極材料からなる（光透過特性を有する）画素電極１４を形成する。この後、図３に示したように、データラインＬｄ、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇの所定の位置の上面が露出するように、ゲート絶縁膜１２にコンタクトホールＣｈ１、Ｃｈ２、Ｃｈ３を形成する。
【００６５】
そして、図６（ｄ）に示すように、トランジスタＴｒ１１及びＴｒ１２の半導体層ＳＭＣの両端部に上記不純物層ＯＨＭを介して延在するように、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄを形成するとともに、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0、及び信号配線層Ｌdxを同時に形成する。
【００６６】
ここで、ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄ、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdxは、図６（ｃ）の工程後、ソース、ドレインメタル層を成膜した後、パターニングすることによって一括して形成される。これにより、信号配線層Ｌdxは、コンタクトホールＣｈ１を介して下方に位置するデータラインＬｄに接続され、走査ラインＬｓは、コンタクトホールＣｈ２を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１１ｇに接続され、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、コンタクトホールＣｈ３を介して下方に位置するゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続される。また、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓの他端側は画素電極１４上にまで延在して、電気的に接続される。
【００６７】
また、少なくとも、上述したトランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１２ｄ、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0、供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の下層配線部Ｌa0及び信号配線層Ｌdxを形成するためのソース、ドレインメタル層は、例えば、クロム（Ｃｒ）単体又はクロム合金等からなる下層側の金属層と、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金からなる上層側の金属層と、を積層した配線構造を有している。
【００６８】
次いで、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌs0、Ｌa0を含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機の絶縁性材料からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図７（ａ）に示すように、走査ラインＬｓの下層配線部Ｌs0及び供給電圧ラインＬａの下層配線部Ｌa0の上面、並びに、画素電極１４の上面が露出する開口部を有する絶縁膜１３ａを形成する。
【００６９】
次いで、絶縁膜１３ａが形成された絶縁性基板１１上に、例えばスパッタリング法やイオンプレーティング法、真空蒸着法、メッキ法等により、アルミニウム（Ａｌ）単体又はアルミニウム−チタン（ＡｌＴｉ）、アルミニウム−ネオジウム−チタン（ＡｌＮｄＴｉ）等のアルミニウム合金等の配線抵抗を低減するための低抵抗金属層（アルミ薄膜）を形成した後、パターニングすることにより、図７（ｂ）に示すように、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）の平面パターンに対応する領域にのみ、アルミ薄膜からなる上層配線部Ｌs1、Ｌa1が形成され、当該上層配線部Ｌs1、Ｌa1と上記下層配線部Ｌs0、Ｌa0からなる積層配線構造を有する走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）が形成される。
【００７０】
次いで、上記走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、化学気相成長法（ＣＶＤ法）等を用いて、例えば窒化シリコン等からなる絶縁膜を形成した後、当該絶縁膜をパターニングして、図７（ｃ）に示すように、上記トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、走査ラインＬｓ及び供給電圧ラインＬａ（給電配線層Ｌayを含む）を被覆するとともに、各表示画素ＰＩＸの画素電極１４の上面が露出する開口部を有する絶縁膜１３ｂを形成する。
【００７１】
次いで、図８（ａ）に示すように、上記絶縁膜１３ｂを含む絶縁性基板１１の一面側全域を被覆するように、後述する有機化合物含有液に対して撥液性を有する感光性の樹脂層１７ａを、例えば１〜５μｍの膜厚を有するように形成する。ここで、樹脂層１７ａを形成するための樹脂材料としては、例えばフッ素系樹脂を基材とする感光性樹脂材料や、アクリル系樹脂を基材とし、フッ素単量体（モノマー）を含有する感光性樹脂材料等であって、後述する露光現像処理においてネガ特性を有する絶縁性材料（ネガ型レジスト）を適用する。
【００７２】
その後、樹脂層１７ａに対して、バンク１７の形成領域（図１参照）に対応する領域が透光するようにパターニングされた露光マスクＭＳＫを用いて、露光、現像処理を施す。ここで、樹脂層１７ａは、ネガ型の感光性樹脂材料により形成されているので、露光工程において光ＲＹや電子ビーム等が照射されることにより、当該照射領域（バンク１７の形成領域）において、光重合開始剤（例えば、ベンゾフェノン誘導体）から発生するラジカルにより、不飽和炭化水素基を有するアクリル系樹脂が重合したもの、もしくは光酸発生剤（例えば、キノンジアジド化合物）から発生した酸を触媒として、アルキル酸系のオリゴマが重合したものが、現像液に対して不溶性又は難溶性を示し、遮光領域（バンク１７の形成領域以外の領域）の樹脂材料は現像液に対して可溶性を示す。
【００７３】
これにより、図８（ｂ）に示すように、現像工程においてバンク１７の形成領域（行方向に隣接する表示画素ＰＩＸ間の境界領域であって、表示パネル１０の列方向に延在する領域を含む柵状又は格子状の平面パターン；図１参照）に対応する樹脂層１７ａのみが絶縁性基板１１上に残留してバンク１７が形成されるとともに、画素形成領域Ｒpxが画定されて、絶縁膜１３ａ、１３ｂに形成された開口部により外縁が規定された画素電極１４の上面が露出する。
【００７４】
ここで、絶縁性基板１１上に感光性の樹脂層１７ａを形成する際に、樹脂材料中の光吸収剤の濃度を適度に調整することにより、露光工程において樹脂層１７ａに対して光ＲＹを照射した際に、樹脂層１７ａの表面から絶縁性基板１１側の接合面（接着面）にかけて、到達する光の量を絶縁性基板１１側に行くほど少なくすることができるので、絶縁性基板１１側ほど樹脂材料の硬化（重合）が進まず、現像工程においてバンク１７の側面部分における樹脂材料が現像液に溶解しやすくなり、図５に示したように、バンク１７の断面形状を逆テーパ状に容易に加工することができる。
【００７５】
また、バンク１７は、最上部の端部（逆テーパになっている庇部の最突端）が、画素電極１４の露出部の外縁よりも外方に位置するように、すなわち、バンク１７により画定される画素形成領域Ｒpx内に、画素電極１４の露出部、及び、当該露出部の外縁を規定する絶縁膜１３ａ、１３ｂが位置するようにパターニングされる。形成されたバンク１７は、上述したように、撥液性を有する樹脂材料により形成されているので、バンク表面、すなわち、上面及び逆テーパ状の側面は後述する有機化合物含有液に対して撥液性を有している（隔壁形成工程）。
【００７６】
次いで、絶縁性基板１１を純水で洗浄した後、図９（ａ）に示すように、進行方向が、上記バンク１７が形成された絶縁性基板１１に対して垂直な方向に沿った、略平行な紫外光ＵＶ（親液処理光）を絶縁性基板１１に照射することにより、各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１４の表面を、後述する有機ＥＬ層１５の形成工程において使用する正孔輸送材料や電子輸送性発光材料の有機化合物含有液に対して親液化する。
【００７７】
平行な紫外光ＵＶを絶縁性基板１１に照射する装置は、一例として、図１１に示すように、紫外光ＵＶを放射状に出射する複数の光源４２と、各光源４２の上方に配置され、光源４２からの入射された紫外光ＵＶを下方に反射する反射部と、光源４２の下方に配置され、上方から入射された紫外光ＵＶを下方から平面的に均等に拡散して出射する拡散板４３と、拡散板４３の下方に配置され、上下方向に貫通した複数のハニカム状の筒構造であって、上方からの拡散光のうち絶縁性基板１１に対してほぼ垂直な方向の紫外光ＵＶを筒内の中空を通過して下方に位置する絶縁性基板１１側に出射するとともに、拡散光のうち絶縁性基板１１に対して斜めの方向の紫外光ＵＶを筒内で反射させ絶縁性基板１１側に出射しないハニカムボード４４と、を備えている。ハニカムボード４４は、図１２に示すように、上から見ると、絶縁性基板１１の形状に合わせて矩形となっている。絶縁性基板１１に照射する紫外光ＵＶの波長は、光源４２である低圧水銀ランプによる１８５ｎｍと２５５ｎｍの波長、もしくは、キセノンエキシマランプによる１７２ｎｍの波長を良好に適用することができる。バンク１７の表面は、このような紫外光ＵＶが入射されると、カルボキシル基等の親水基に変質されてしまう。
【００７８】
ここで、画素電極の親液化処理の手法として一般に適用される酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等は、等方的（又は全方向的）な処理であり、バンクの上面及び側面を含む絶縁性基板表面を一様に親液化するものであるが、本実施形態においては、平行な紫外光ＵＶを絶縁性基板１１に対して垂直に照射することにより、異方的（又は特定方向的）な親液化処理を施す。
【００７９】
このような親液化処理においては、マスク等を用いることなく、バンク１７を含む絶縁性基板１１の全域に対して、平行な紫外光ＵＶを垂直に照射しているため、当該紫外光ＵＶが直接照射されるバンク１７の上面の撥液性は劣化するものの、バンク１７の側面が逆テーパ状に形成されているので、紫外光ＵＶがあまり或いは全く照射されず、撥液性の劣化を抑えることができる。
【００８０】
これにより、同一の絶縁性基板１１上において、バンク１７により画定された各画素形成領域Ｒpxに露出する画素電極１４の表面が親液化される。このように、バンク１７により各表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の画素形成領域Ｒpxを画定することにより、後述する工程において、発光材料の溶液（分散液を含む）を塗布して有機ＥＬ層１５の発光層（電子輸送性発光層１５ｂ）を形成する場合であっても、隣接する表示画素ＰＩＸ（色画素ＰＸｒ、ＰＸｇ、ＰＸｂ）間で発光材料が混合することがなく、隣接する色画素相互での混色を防止することができる。ここで、各表示画素ＰＩＸ（画素形成領域Ｒpx）間の境界領域に形成された絶縁膜１３ａ、１３ｂのうち、上層にバンク１７が形成されていない領域では、上記親液化処理により有機化合物含有液に対して比較的馴染みやすい状態となる（親液化工程）。
【００８１】
なお、本実施形態において使用する「撥液性」とは、後述する正孔輸送層となる正孔輸送材料を含有する有機化合物含有液や、電子輸送性発光層となる電子輸送性発光材料を含有する有機化合物含有液、もしくは、これらの溶液に用いる有機溶媒を、絶縁性基板上等に滴下して、接触角の測定を行った場合に、当該接触角が５０°以上になる状態と規定する。また、「撥液性」に対峙する「親液性」とは、本実施形態においては、上記接触角が４０°以下、好ましくは１０°以下になる状態と規定する。
【００８２】
次いで、図９（ｂ）に示すように、各色の画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、互いに分離した複数の液滴を所定位置に吐出するインクジェット法、又は、連続した溶液を吐出するノズルコート法等を適用して同一工程で、正孔輸送材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて正孔輸送層（担体輸送層）１５ａを形成する。
【００８３】
具体的には、有機高分子系の正孔輸送材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルホン酸水溶液（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ；導電性ポリマーであるポリエチレンジオキシチオフェンＰＥＤＯＴと、ドーパントであるポリスチレンスルホン酸ＰＳＳを水系溶媒に分散させた分散液）を、上記画素電極１４上に塗布する。
【００８４】
ここで、画素形成領域Ｒpx内に露出する画素電極１４の上面及びその外縁部の絶縁膜１３ａ、１３ｂの表面は、上記親液化処理により親液性を有しているのに対して、バンク１７の逆テーパ形状の側面は撥液性を有しているので、塗布された有機化合物含有液は、紫外光ＵＶの被曝により親液化された画素形成領域Ｒpx内（画素電極１４及びその外縁部の絶縁膜１３ａ、１３ｂ上）に十分馴染んで広がるが、紫外光ＵＶの被曝量が少ない或いは全くないバンク１７の側面には馴染まず、はじかれて迫り上がりが抑制される。このため、後述する加熱処理後に堆積された担体輸送層はバンク１７の側面で著しく膜厚が厚くなることを抑えることができ、画素形成領域Ｒpx全域にわたって比較的均一な膜厚にすることができる。
【００８５】
その後、絶縁性基板１１が載置されているステージを１００℃以上の温度条件で加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、少なくとも画素電極１４上に有機高分子系の正孔輸送材料を定着させて、担体輸送層である正孔輸送層１５ａを形成する。これにより、画素形成領域Ｒpx内に形成される正孔輸送層１５ａは、略均一な膜厚プロファイルを有することになる。なお、上述したように、絶縁膜１３ａ、１３ｂの表面も有機化合物含有液に対して親液性を有しているので、絶縁膜１３ａ、１３ｂ上にも正孔輸送層１５ａが形成される。
【００８６】
次いで、図１０（ａ）に示すように、各色の画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）に対して、インクジェット法又はノズルコート法等を適用して、上記正孔輸送層１５ａ上に電子輸送性発光材料の溶液又は分散液を塗布した後、加熱乾燥させて電子輸送性発光層（担体輸送層）１５ｂを形成する。
【００８７】
具体的には、有機高分子系の電子輸送性発光材料（担体輸送性材料）を含む有機化合物含有液として、例えばポリパラフェニレンビニレン系やポリフルオレン系等の共役二重結合ポリマーを含む赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）色の発光材料を、適宜水系溶媒或いはテトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン、キシレン等の有機溶媒に溶解または分散した溶液を、上記正孔輸送層１５ａ上に塗布する。
【００８８】
この場合においても、塗布された有機化合物含有液は、正孔輸送層１５ａ上には十分馴染んで広がるが、バンク１７の逆テーパ形状の側面は撥液性を維持しているので、バンク１７側面には馴染まず、はじかれて迫り上がりが抑制される。また、バンク１７の上面は上述した親液化処理により撥液性が劣化するものの、塗布された有機化合物含有液に対して依然としてある程度の撥液性を有しているので、隣接する画素形成領域Ｒpxへの有機化合物含有液の漏出や乗り越えを防止することができ、隣接画素相互の混色を抑制して、赤、緑、青色の塗り分けが可能となる。
【００８９】
その後、窒素雰囲気中で上記ステージを加熱して乾燥処理を行って残留溶媒を除去することにより、正孔輸送層１５ａ上に有機高分子系の電子輸送性発光材料を定着させて、担体輸送層であり発光層でもある電子輸送性発光層１５ｂを形成する。これにより、画素電極１４上に略均一な膜厚プロファイルを有する正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂからなる有機ＥＬ層（発光機能層）１５が積層形成される（担体輸送層形成工程）。
【００９０】
その後、図１０（ｂ）に示すように、上記バンク１７及び有機ＥＬ層１５（正孔輸送層１５ａ及び電子輸送性発光層１５ｂ）が形成された絶縁性基板１１上に光反射特性を有し、各画素形成領域Ｒpxの有機ＥＬ層１５を介して各画素電極１４に対向する共通の対向電極（例えばカソード電極）１６を形成する。
【００９１】
ここで、対向電極１６は、例えば真空蒸着法やスパッタリング法を用いて、１〜１０ｎｍ厚のカルシウム、バリウム、リチウム、インジウム等の仕事関数の低い電子注入層（カソード電極）と、１００ｎｍ以上の厚さのアルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、パラジウム銀（ＡｇＰｄ）系の合金、又は、ＩＴＯ等の透明電極等からなる高仕事関数の薄膜（給電電極）と、を積層した電極構造を適用することができる。
【００９２】
また、対向電極１６は、図４、図５、図１０（ｂ）に示すように、各画素形成領域Ｒpx（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの形成領域）内の上記画素電極１４に対向する領域のみならず、バンク１７最上部の端部（逆テーパになっている庇部の最突端；図５中、補助線Ｌ１）と、各画素形成領域Ｒpx内の画素電極１４の露出部の外縁（図５中、補助線Ｌ２）間の領域に形成された絶縁膜１３ａ、１３ｂ上にまで延在するように形成されている。
【００９３】
また、対向電極１６は、上述した真空蒸着法やスッパタリング法等により、マスクを用いることなく、絶縁性基板１１の全面に成膜される単一の電極層として形成することができるので、各画素形成領域Ｒpx内とともに、その一部１６ｂがバンク１７上にも延在するように形成される。ここで、画素形成領域Ｒpx内の対向電極１６とバンク１７上の対向電極１６の一部１６ｂとは、バンク１７の膜厚により形成される表面段差により離間して成膜されるが図示を省略した任意の箇所で相互に電気的に接続されている（対向電極形成工程）。
【００９４】
次いで、上記対向電極１６を形成した後、絶縁性基板１１の一面側全域を封止するように、ＵＶ硬化又は熱硬化接着剤を用いて、メタルキャップやガラス等の封止基板を貼り合わせて硬化させることにより、図４、図５に示したような断面構造（ボトムエミッション型の発光構造）を有する複数の表示画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素駆動回路ＤＣ）がマトリクス状に配列された表示パネル１０が完成する。
【００９５】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態について説明する。ここでは、上述した第１の実施形態に示した素子構造及び製造方法を適宜参照するものとする。
上述した第１の実施形態においては、バンク１７としてフッ素化合物等を含む撥液性の樹脂材料を適用した場合について説明したが、第２の実施形態においては、撥液性を有さない樹脂材料により形成されたバンク１７の表面に撥液処理を施す。
【００９６】
具体的には、第１の実施形態に示した製造方法において、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、ポリイミド系やアクリル系等の撥液性を有さないネガ型の感光性樹脂材料を用いて、絶縁性基板１１の一面側の全域に樹脂層１７ａを形成した後、露光現像処理によりバンク１７の形成領域に逆テーパ状の断面形状を有するバンク１７を形成する。
【００９７】
その後、例えば減圧下、又は、常圧下で四フッ化炭素ＣＦ４等の炭化フッ素ガス系のプラズマに絶縁性基板１１を晒すことにより、バンク１７表面（上面及び側面）にフッ素化合物を結合させて撥液化する。もしくは、フッ素系のコーティング剤（KP-801M  信越化学工業社製）を絶縁性基板１１の全面に塗布することにより、バンク１７や画素電極１４を含む絶縁性基板１１の一面側全域に撥液性の単分子層を形成した後、図９（ａ）に示すように、絶縁性基板１１に対して垂直に、平行な紫外光ＵＶを照射することにより、画素電極１４表面に形成された単分子層の撥液性は失活して親液性を示し、一方、バンク１７上面及び側面に形成された単分子層は十分に紫外光ＵＶは入射されていないので撥液性を保持する。
【００９８】
これにより、バンク１７により画定された画素形成領域Ｒpx内の少なくとも画素電極１４表面が親液化されるので、有機化合物含有液が十分馴染んで広がり、均一な膜厚プロファイルを有する有機ＥＬ層１５が形成されるとともに、バンク１７表面（上面及び側面）の撥液性は保持されるので、隣接する表示画素ＰＩＸ（画素形成領域Ｒpx）間での混色が抑制される。
【００９９】
以上説明したように、本発明に係る表示装置及びその製造方法においては、第１の実施形態に示したように、表示パネルに２次元配列される複数の表示画素の画素形成領域を画定するバンク（隔壁）を、撥液性の樹脂材料を用いて、逆テーパ状の側面を有する断面形状に形成した後、又は、第２の実施形態に示したように、撥液性を有さない樹脂材料を用いて、逆テーパ状の側面を有する断面形状のバンクを形成した後、当該バンク表面を撥液化処理した後、当該バンクが形成された絶縁性基板に対して垂直に、平行な紫外光を照射することにより、バンク側面の撥液性を保持しつつ、画素形成領域内に露出する画素電極表面を親液化する。
【０１００】
これにより、画素形成領域内に有機ＥＬ層を形成するための有機化合物含有液を塗布した際に、画素電極上には十分馴染んで広がるのに対して、バンク側面には馴染まず迫り上がりが抑制されるので、画素形成領域内の少なくとも画素電極上に略均一な膜厚プロファイルを有する有機ＥＬ層（正孔輸送層、電子輸送性発光層）を形成することができ、有機ＥＬ層の膜厚の薄い領域に発光駆動電流が集中して流れることにより、有機ＥＬ層（有機ＥＬ素子）の劣化が著しくなったり、発光領域において実質的に発光する面積の割合が低下したりする現象を抑制して、信頼性や品質に優れた表示パネルを提供することができる。
【０１０１】
また、各画素形成領域の画素電極表面を親液化する工程においては、バンクを含む絶縁性基板全域に対して平行な紫外光が照射されるが、少なくともバンク表面が撥液性を有していることにより、バンク上面の撥液性の劣化は比較的小さく抑えられる（すなわち、依然として十分な撥液性を有している）ので、上記有機ＥＬ層（正孔輸送層、電子輸送性発光層）を形成する際に、隣接する画素形成領域に異なる色の発光材料が混入する現象を抑制して、所望の表示画質（色調）を有する表示パネルを提供することができる。
【０１０２】
なお、上述した実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造を有する表示パネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の発光構造を有するものであってもよい。この場合、画素電極はアルミニウムやクロム等の光反射特性を有する導電性材料により形成され、対向電極はＩＴＯ等の光透過特性を有する導電性材料により形成されていればよい。
【０１０３】
また、上述した実施形態においては、有機ＥＬ層が正孔輸送層及び電子輸送性発光層からなる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば正孔輸送兼電子輸送性発光層のみでもよく、正孔輸送性発光層及び電子輸送層でもよく、また、間に適宜他の担体輸送層が介在してもよく、その他の担体輸送層の組合せであってもよい。
【０１０４】
さらに、上述した実施形態においては、画素電極をアノード電極としたが、これに限らずカソード電極としてもよい。このとき、有機ＥＬ層は、画素電極に接する担体輸送層が電子輸送性の層であればよい。
また、上述した実施形態においては、バンク１７は幅方向に沿った断面形状が逆テーパであったが、図１３（ａ）、図１３（ｂ）に示すような断面形状であっても、ある程度バンク１７の側面の撥液性を維持することが可能である。図１３は、他の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【０１０５】
ここで、図１３（ａ）では、テーパ角θが９０°であり、バンク１７の側面が基板１１に対し垂直方向に起立している。図１３（ｂ）では、テーパ角θが８５°以上９０°未満となるように設定されている。
いずれにおいても、親液処理光である紫外光ＵＶが基板１１に対し垂直方向に進行しているため、放射状（等方性）に拡散される通常のＵＶ光と比べてバンク１７の側面での被曝量を抑え、撥液性を維持することを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０６】
【図１】本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの画素配列状態の一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明に係る表示装置の表示パネルに２次元配列される各表示画素（発光素子及び画素駆動回路）の回路構成例を示す等価回路図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能な表示画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図４】第１の実施形態に係る平面レイアウトを有する表示画素における概略断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）に適用可能なバンクの断面形状を示す詳細断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その１）である。
【図７】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その２）である。
【図８】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その３）である。
【図９】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その４）である。
【図１０】第１の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図（その５）である。
【図１１】本発明に係る紫外光ＵＶを照射する装置の一例を示す図である。
【図１２】図１１に示すハニカムボードの上面図である。
【図１３】他の実施形態に係る表示装置（表示パネル）の製造方法の一例を示す工程断面図である。
【符号の説明】
【０１０７】
１０        表示パネル
１１        絶縁性基板
１３ａ、１３ｂ    絶縁膜
１４        画素電極
１５        有機ＥＬ層
１５ａ      正孔輸送層
１５ｂ      電子輸送性発光層
１６        対向電極
１７        バンク
１７ａ      樹脂層
Ｌｓ        走査ライン
Ｌａ        供給電圧ライン
Ｌs0、Ｌa0    下層配線部
Ｌs1、Ｌa1    上層配線部
ＰＩＸ      表示画素
Ｒpx        画素形成領域
【図１】
2008210540.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2008210540.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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