【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置をテストスロット内に載置するための記憶装置搬送器であって、
前記記憶装置搬送器は、
記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたフレームと、
前記フレームと関連付けられており、前記フレームよって支持される前記記憶装置にクランプ力を適用するように動作し得るクランプ機構と、
温度センサと
を含み、
前記クランプ機構は、前記記憶装置の温度を測定するべく前記温度センサを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、記憶装置搬送器。
【請求項２】
前記温度センサは熱電対を含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項３】
プリント回路を更に含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記温度センサは、前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項４】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項３に記載の記憶装置搬送器。
【請求項５】
前記プリント回路はフレキシブルプリント回路を含む、請求項３に記載の記憶装置搬送器。
【請求項６】
前記フレームにより支持される記憶装置を加熱するように配置された電気加熱エレメントを更に含む、請求項１に記載の記憶装置搬送器。
【請求項７】
前記電気加熱エレメントは抵抗加熱器である、請求項６に記載の記憶装置搬送器。
【請求項８】
前記クランプ機構は、前記温度センサ及び前記電気加熱エレメントを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項６に記載の記憶装置搬送器。
【請求項９】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）温度センサと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられているクランプ機構であって、前記フレームにより支持される記憶装置にクランプ力を適用するように動作し得、かつ前記記憶装置の温度を測定するべく前記温度センサを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように構成されるクランプ機構と
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画を含むテストスロットと
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項１０】
前記記憶装置搬送器は、
前記温度センサと電気通信するコンタクト端子を含むプリント回路を含み、
前記テストスロットは、
接続インターフェース回路と、
前記接続インターフェース回路と電気通信し、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記プリント回路の前記コンタクト端子に係合するように配置される導電性コンタクトと
を含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１１】
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記温度センサは、前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項１０に記載の記憶装置搬送器。
【請求項１２】
前記プリント回路は、前記１つ以上の導電性層に組み込まれる電気加熱エレメントを更に含む、請求項１１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１３】
前記記憶装置搬送器はプリント回路を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記温度センサは前記１つ以上の導電性層に組み込まれる、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１４】
前記記憶装置搬送器は、前記フレームにより支持される記憶装置を加熱するように配置された電気加熱エレメントを更に含む、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１５】
前記クランプ機構は、前記温度センサ及び前記電気加熱エレメントを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項１４に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１６】
前記クランプ機構は、前記テスト区画内の前記記憶装置搬送器をクランプするように動作し得る、請求項９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項１７】
Ａ．）記憶装置搬送器であって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたフレームと、
ｉｉ．）温度センサと、
ｉｉ．）前記フレームと関連付けられているクランプ機構であって、前記フレームにより支持される記憶装置にクランプ力を適用するように動作し得、かつ前記記憶装置の温度を測定するために、前記温度センサを動かして、前記フレームにより支持される記憶装置と接触させるように構成されるクランプ機構と
を含む記憶装置搬送器と、
Ｂ．）テストスロットであって、
ｉ．）前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）接続インターフェースボードと
を含むテストスロットと、
Ｃ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されたテスト電子機器と
を含み、
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前記温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成される、記憶装置テストシステム。
【請求項１８】
前記テスト電子機器は、前記温度センサから受け取った信号に基づいて、前記テスト区画内に配置された記憶装置の温度をモニターするように構成される、請求項１７に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項１９】
前記記憶装置搬送器は、前記フレームにより支持される記憶装置を加熱するように配置された電気加熱エレメントを更に含む、請求項１７に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２０】
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置搬送器が前記テスト区画内に配置されたときに、前温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、
前記テスト電子機器は、少なくとも一部において前記温度センサから受け取った信号に基づいて、前記電気加熱エレメントへの電流を制御するように構成される、請求項１９に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項２１】
記憶装置を受け取り、かつ、支持するように構成されたハウジングと、
前記ハウジングと関連付けられ、物理的接触によって前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度検出アセンブリと、
前記ハウジングと動作的に関連付けられ、前記温度検出アセンブリを動かして記憶装置と接触させるように動作し得るクランプ機構と
を含む、テストスロットアセンブリ。
【請求項２２】
前記温度検出アセンブリはプリント回路及び熱電対を含み、
前記プリント回路は１つ以上の導電性層を含み、
前記熱電対は１つ以上の前記導電性層に組み込まれる、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２３】
前記プリント回路はプリント配線板を含む、請求項２２に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２４】
前記プリント回路はフレキシブルプリント回路を含む、請求項２３に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２５】
前記温度検出アセンブリは、抵抗温度センサ、半導体ダイオードセンサ、熱電対、赤外線温度計、及びシリコンバンドギャップ温度センサからなる群から選択される少なくとも１つの温度センサを含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２６】
前記テストスロットアセンブリは、前記記憶装置を加熱するように配置された伝導加熱エレメントを更に含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２７】
前記クランプ機構は、前記伝導加熱エレメントを動かして記憶装置と接触させるように動作し得る、請求項２６に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２８】
前記伝導加熱エレメントは抵抗加熱器を含む、請求項２６に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項２９】
前記記憶装置を支持する記憶装置搬送器を更に含む、請求項２１に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３０】
前記ハウジングは、前記記憶装置搬送器を受け取り、かつ、支持するように構成される、請求項２９に記載のテストスロットアセンブリ。
【請求項３１】
Ａ．）テストスロットであって、
ｉ．）記憶装置を受け取り、かつ、支持するためのテスト区画と、
ｉｉ．）前記テスト区画と関連付けられ、物理的接触によって前記記憶装置の温度を測定するように配置された温度検出アセンブリと、
ｉｉｉ．）前記ハウジングと動作的に関連付けられ、前記温度検出アセンブリを動かして記憶装置と接触させるように動作し得るクランプ機構と
を含むテストスロットと、
Ｂ．）前記テスト区画内に配置された記憶装置への１つ以上のテストルーティンと通信するように構成されるテスト電子機器と
を含む、記憶装置テストシステム。
【請求項３２】
前記テストスロットは、前記テスト電子機器との電気通信提供するように構成された接続インターフェースボードを更に含み、
前記テスト電子機器は、前記温度検出アセンブリから受け取った信号に基づいて、前記テスト区画内に配置された記憶装置の温度をモニターするように構成される、請求項３１に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３３】
前記テストスロットは接続インターフェースボードを更に含み、
前記接続インターフェースボードは、前記温度検出アセンブリから受け取った信号に基づいて、前記テスト区画内に配置された記憶装置の温度をモニターするように構成される、請求項３１に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３４】
前記テスト区画は、前記記憶装置を加熱するように配置された伝導加熱エレメントを更に含む、請求項３１に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３５】
前記テストスロットは接続インターフェースボードを更に含み、
前記接続インターフェースボードは、前記温度センサと前記テスト電子機器との間に電気通信を提供するように構成され、かつ、少なくとも一部において前記温度検出アセンブリから受け取った信号に基づいて前記伝導加熱アセンブリへの電流を制御するように構成される、請求項３４に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３６】
前記テスト電子機器は、前記記憶装置の出力を測定し、前記記憶装置の実際の温度と、前記温度検出アセンブリによって測定された温度との間の任意の誤差を補正するように構成される、請求項３４に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３７】
前記テストスロットは接続インターフェースボードを更に含み、
前記接続インターフェースボードは、前記記憶装置が前記テスト区画内に配置されたときに、前記伝導加熱アセンブリとの電気通信を提供するように構成される、請求項３１に記載の記憶装置テストシステム。
【請求項３８】
記憶装置を、テストスロットのテスト区画内に挿入することと、
前記記憶装置を前記テストスロットの前記テスト区画内にクランプするため、及び温度センサを動かして前記記憶装置と物理的に接触させる両方のために、クランプ機構を係合することと
を含む、方法。
【請求項３９】
前記記憶装置は記憶装置搬送器に受け取られ、
前記記憶装置搬送器及び前記受け取られた記憶装置は、テストスロットの前記テスト区画内に挿入される、請求項３８に記載の方法。