Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常互いが対向する第１及び第２の主表面を有する不織布層であって、無機繊維を含む不織布層と、
前記第１の主表面を形成する無機繊維の少なくとも一部に接触するように付着する第１の高分子層であって、前記高分子層を貫いて形成された、少なくとも１つの真空成形された吸引孔を含む第１の高分子層と、
前記第１の高分子層と第２の高分子層との間に前記不織布層があるように付着する第２の高分子層と、
を含むマット。
【請求項２】
前記不織布層が、前記不織布層の総重量に基づき、７重量パーセント以下の有機含有量を有する、請求項１に記載のマット。
【請求項３】
前記マットが非膨張性である、請求項１又は２に記載のマット。
【請求項４】
通常互いに対向する第１及び第２の主表面を有する膨張性層を更に含み、前記膨張性層の第１の主表面が前記不織布層の第２の主表面に付着する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマット。
【請求項５】
前記不織布層が膨張性材料を更に含む不織布膨張性層である、請求項１又は２に記載のマット。
【請求項６】
前記第１の高分子層と前記第２の高分子層の少なくとも一つが三次元高分子層である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のマット。
【請求項７】
前記不織布マットが、直径７．５ｃｍのロッドに破断することなく巻き付けられるように十分に可撓性がある、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマット。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のマットと共にケーシング内に実装される汚染防止エレメントを含む、汚染防止装置。
【請求項９】
二重壁排気部品と、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマットと、を含み、前記マットが二重壁排気部品の壁間の間隙内に配置される、排気システム。
【請求項１０】
半径を有する物体と、
物理的に重複することなく実質的に前記物体の前記半径の周囲に巻かれる、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマットと、を含む、物品。
【請求項１１】
通常対向する第１及び第２の主表面を有する不織布層であって、無機繊維を含む不織布層を提供する工程と、
前記第１の主表面に第１の高分子層を適用する工程と、
前記第１の高分子層を通る少なくとも一つの真空成形された穿孔を形成するために、前記不織布層の前記第２の主表面に真空を適用する工程と、
前記不織布層が前記第１の高分子層と第２の高分子層との間になるように、マットに第２の高分子層を適用する工程と、
前記第１の高分子層に真空を適用する工程と、を備え、
前記第２の高分子層を適用するときに、前記第１の高分子層を通る少なくとも一つの真空成形された穿孔は真空により第１の高分子層を通して引っ張ることを可能とする、マットの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量の抗酸化薬および治療有効量の抗炎症薬を含む、ＩＩ型糖尿病、高血糖症、脂質異常症、Ｉ型糖尿病、インスリン抵抗性、膵β細胞機能不全、成人潜在性自己免疫性糖尿病（ＬＡＤＡ）およびメタボリックシンドロームから選択される代謝障害の治療のための組合せ製剤。
【請求項２】
さらに、治療有効量の少なくとも１つの他の抗糖尿病薬を含む、請求項１記載の組合せ製剤。
【請求項３】
抗酸化薬がＮ−アセチルシステイン、レスベラトロール、シリビニン、α−リポ酸もしくはその医薬上許容される塩、プテロスチルベン、タウリン、プロブコール、イデベノンまたはクルクミンである、請求項１または２記載の組合せ製剤。
【請求項４】
抗炎症薬がサリチル酸、ジフルニサル、スリンダク、２−ヒドロキシ−４−トリフルオロメチル安息香酸（ＨＴＢ）、サルサラート、ナプロキセン、パラセタモール、ジクロフェナク、イブプロフェン、デクスイブプロフェンまたはデクスケトプロフェンである、請求項１〜３いずれか１項記載の組合せ製剤。
【請求項５】
抗酸化薬がＮ−アセチルシステイン、α−リポ酸もしくはその医薬上許容される塩またはタウリンであり、抗炎症薬がサリチル酸、ジフルニサル、スリンダク、２−ヒドロキシ−４−トリフルオロメチル安息香酸（ＨＴＢ）、サルサラート、ナプロキセン、パラセタモール、ジクロフェナク、イブプロフェン、デクスイブプロフェンまたはデクスケトプロフェンである、請求項１または２記載の組合せ製剤。
【請求項６】
代謝障害が、ＩＩ型糖尿病である、請求項５記載の組合せ製剤。
【請求項７】
代謝障害が、高血糖症または脂質異常症である、請求項５記載の組合せ製剤。
【請求項８】
治療有効量の抗酸化薬および治療有効量の抗炎症薬を含む、医薬組成物。
【請求項９】
さらに、治療有効量の少なくとも１つの他の抗糖尿病薬を含む、請求項８記載の医薬組成物。
【請求項１０】
抗酸化薬がＮ−アセチルシステイン、レスベラトロール、シリビニン、α−リポ酸もしくはその医薬上許容される塩、プテロスチルベン、タウリン、プロブコール、イデベノンまたはクルクミンである、請求項８または９記載の医薬組成物。
【請求項１１】
抗炎症薬がサリチル酸、ジフルニサル、スリンダク、２−ヒドロキシ−４−トリフルオロメチル安息香酸（ＨＴＢ）、サルサラート、ナプロキセン、パラセタモール、ジクロフェナク、イブプロフェン、デクスイブプロフェンまたはデクスケトプロフェンである、請求項８〜１０いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１２】
抗酸化薬がＮ−アセチルシステイン、α−リポ酸もしくはその医薬上許容される塩またはタウリンであり、抗炎症薬がサリチル酸、ジフルニサル、スリンダク、２−ヒドロキシ−４−トリフルオロメチル安息香酸（ＨＴＢ）、サルサラート、ナプロキセン、パラセタモール、ジクロフェナク、イブプロフェン、デクスイブプロフェンまたはデクスケトプロフェンである、請求項８または９記載の医薬組成物。
【請求項１３】
代謝障害がＩＩ型糖尿病、Ｉ型糖尿病、高血糖症、脂質異常症、インスリン抵抗性、膵β細胞機能不全、成人潜在性自己免疫性糖尿病（ＬＡＤＡ）およびメタボリックシンドロームから選択される、患者における代謝障害の治療のための、請求項８〜１２いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１４】
代謝障害が、ＩＩ型糖尿病である、請求項１３記載の医薬組成物。
【請求項１５】
代謝障害が、高血糖症または脂質異常症である、請求項１３記載の医薬組成物。
【請求項１６】
患者における慢性閉塞性肺疾患の治療のための、請求項８〜１２いずれか１項記載の医薬組成物。
【請求項１７】
治療有効量の抗酸化薬および治療有効量の抗炎症薬を含む、慢性閉塞性肺疾患の治療のための組合せ製剤。
【請求項１８】
抗酸化薬がＮ−アセチルシステイン、α−リポ酸もしくはその医薬上許容される塩またはタウリンであり、抗炎症薬がサリチル酸、ジフルニサル、スリンダク、２−ヒドロキシ−４−トリフルオロメチル安息香酸（ＨＴＢ）、サルサラート、ナプロキセン、パラセタモール、ジクロフェナク、イブプロフェン、デクスイブプロフェンまたはデクスケトプロフェンである、請求項１７記載の組合せ製剤。
【請求項１９】
患者における、ＩＩ型糖尿病、インスリン抵抗性、膵β細胞機能不全および高血糖症からなる群から選択される１つ以上の代謝障害の治療のためまたは予防のための医薬組成物であって、
（ａ）(Ｒ)α−リポ酸；
（ｂ）ジフルニサル、ジクロフェナク、デクスイブプロフェン、デクスケトプロフェン、ナプロキセンおよびサリチル酸塩からなる群から選択される１つ以上の抗炎症薬；ならびに
（ｃ）任意の１つ以上の医薬上許容される担体
を含む医薬組成物。
【請求項２０】
抗炎症薬がジフルニサルである、請求項１９記載の医薬組成物。
【請求項２１】
抗炎症薬がサリチル酸塩である、請求項１９記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）ウレタン-アクリレートオリゴマー、Ｂ）カーボンナノチューブ、Ｃ）希釈剤および反応性成分としての少なくとも１種のアクリレート系モノマー、およびＤ）光開始剤を含有するコーティング組成物。
【請求項２】
カーボンナノチューブＢ）の少なくとも一部が、酸素含有官能基を有し、所望により、カーボンナノチューブの酸化により得られる酸素含有官能基を有することを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
酸素含有官能基を有するカーボンナノチューブが、オゾンを含有するガスを用いる酸化により得られることを特徴とする、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
カーボンナノチューブのＢ）の量が、組成物の０.１〜５重量％、好ましくは０.２〜３重量％、特に好ましくは０.２〜２重量％であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の組成物の硬化組成物または未硬化組成物で被覆された基材。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の組成物の硬化組成物から得られたコーティングまたはフィルム。
【請求項７】
車両および建築構造部材用のコーティングを製造するための、請求項１から４のいずれかに記載の組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１種のポリウレタンポリマーおよび炭素質ナノ粒子を含有する導電性ポリウレタン組成物であって、前記ポリマーが半結晶質ポリウレタンを実質的な量、好ましくは少なくとも１０重量％で含有し、前記半結晶質ポリウレタンが部分的に結晶性であり、該半結晶質ポリウレタンのＤＳＣ分析での融解または結晶化ピークが少なくとも５Ｊ／ｇ、好ましくは２０Ｊ／ｇ、より好ましくは４０Ｊ／ｇの融解エンタルピーを示し、前記炭素質ナノ粒子がカーボンナノチューブを少なくとも２０％、好ましくは少なくとも５０％、より好ましくは１００％含有する導電性ポリウレタン組成物。
【請求項２】
ポリウレタン組成物の導電率が少なくとも１×１０−５Ｓ／ｃｍ、好ましくは少なくとも１×１０−４Ｓ／ｃｍ、より好ましくは少なくとも１×１０−３Ｓ／ｃｍである請求項１に記載のポリウレタン組成物。
【請求項３】
炭素質ナノ粒子としてカーボンナノチューブを１００％含有し、該カーボンナノチューブの組成物中の割合が３重量％以下である請求項２に記載のポリウレタン組成物。
【請求項４】
導電性ポリウレタン組成物、特に請求項１〜３のいずれかに記載のポリウレタン組成物の製造方法であって、以下の工程を有し、下記ポリウレタン分散液が実質的な量、特に少なくとも２０重量％の半結晶質ポリウレタンを基材とする該ポリウレタン組成物の製造方法；
ａ）炭素質ナノ粒子の水性分散液を調製する工程、
ｂ）該炭素質ナノ粒子の分散液をポリウレタン水性分散液と混合する工程、
ｃ）該混合物から水を除去する工程、
ｄ）工程ｃ）で得られた乾燥生成物を熱の適用により硬化させる工程。
【請求項５】
自動車の製造時のコーティングまたは電化製品のハウジング用コーティングを形成するための、請求項１〜３のいずれかに記載のポリウレタン組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図２は、エポキシマトリックスおよびナノ複合材料についての典型的な引張応力−歪み曲線を示す。純エポキシ樹脂およびｐ−ＭＷＣＮＴ充填エポキシ複合材料はいずれも、脆性な状態で破壊され、明らかな歪みは検出されないが、ｆ−ＭＷＣＮＴ充填エポキシ複合材料は、やや延性挙動を示す。ＭＷＣＮＴの強化作用をより理解するために、ヤングの弾性率、引張強度および破断点伸びにおける相対的向上（規格化値）を図３に示す。概して、ｆ−ＭＷＣＮＴは、ｐ−ＭＷＣＮＴと比べて強化エポキシ樹脂中ではるかにより効率的である。破断点伸びの約８２％の増加が、１重量％のｆ−ＭＷＣＮＴ充填にて得られる。図３は、調査試料のＫＩＣおよびＧＩＣにおける相対的向上（規格化値）を示す。ｐ−ＭＷＣＮＴおよびｆ−ＭＷＣＮＴはいずれも顕著にエポキシ樹脂を強化する。ｆ−ＭＷＣＮＴは、ｐ−ＭＷＣＮＴに比べてはるかにより効率的にエポキシ樹脂を強化する。ＧＩＣの約１１０％の増加が１重量％のｆ−ＭＷＣＮＴの組み込みにより得られる。これは、エポキシおよびｆ−ＭＷＣＮＴ間の良好な界面接着によるものである。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］エポキシポリマー、カーボンナノチューブおよび必要に応じて硬化剤を含んでなり、
該カーボンナノチューブが、以下の工程：
ａ）カーボンナノチューブを反応ゾーン中へ設置する工程、
ｂ）オゾン、酸素および水の混合物を前記カーボンナノチューブへ通過させる工程
を含む酸素／オゾンによる気相中での同時処理により酸化されていることを特徴とする、複合材料。
［２］オゾン、酸素および水の混合物は、カーボンナノチューブ凝集体へ連続的に通過することを特徴とする、［１］に記載の材料。
［３］反応ゾーンにおける温度は、少なくとも２００℃、好ましくは少なくとも１２０℃、より好ましくは０〜１００℃、さらに好ましくは１０〜６０℃であることを特徴とする、［１］または［２］に記載の材料。
［４］カーボンナノチューブのオゾン分解の反応時間は、１２０分まで、好ましくは６０分まで、より好ましくは３０分までであることを特徴とする、［１］〜［３］のいずれかに記載の材料。
［５］カーボンナノチューブの暴露は、１体積％〜約１１体積％のオゾンの割合を含むオゾン／酸素混合物を用いて行うことを特徴とする、［１］〜［４］のいずれかに記載の材料。
［６］オゾン、酸素および水の混合物の流速は、カーボンナノチューブ１ｇ当たり約１００Ｌ／時〜約１０００Ｌ／時、好ましくは約１００Ｌ／時〜約２００Ｌ／時であることを特徴とする、［１］〜［５］のいずれかに記載の材料。
［７］水蒸気の相対湿度は、反応ゾーンにおいて、１００％まで、好ましくは少なくとも１０％〜１００％まで、特に好ましくは１０％〜９０％であることを特徴とする、［１］〜［６］のいずれかに記載の材料。
［８］カーボンナノチューブの量は、複合材料の０．０１〜５重量％、好ましくは０．０５〜３重量％、特に好ましくは０．１〜１重量％であることを特徴とする、［１］〜［７］のいずれかに記載の材料。
［９］エポキシポリマーは、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテルエポキシ（ＤＧＥＢＡ）、ノボラックエポキシ、臭素化エポキシポリマーおよびこれらの組み合わせの群から選択されることを特徴とする、［１］〜［８］のいずれかに記載の材料。
［１０］硬化剤は、ジアミノジフェニルスルホン（ＤＤＳ）、ジアミノジフェニルメタン（ＤＤＭ）等を含む芳香族アミン硬化剤の群から選択されることを特徴とする、［１］〜［９］のいずれかに記載の材料。
［１１］［１］〜［１０］のいずれかに記載の材料の製造方法であって、以下の工程：１）オゾン処理ＣＮＴをエポキシ樹脂中へ機械的に混合して混合物を形成する工程；２）前記混合物を高剪断混合系により分散して均質なＣＮＴ／エポキシマスターバッチを形成する工程；３）硬化剤および更なるエポキシ樹脂を前記マスターバッチに必要に応じて添加して分散体を形成する工程；４）前記分散体を機械的に更に混合して均質な混合物を形成する工程；５）該混合物を脱気および硬化してＣＮＴ／エポキシ複合材料を形成する工程を含み、前記ＣＮＴを、エポキシマトリックス中へ分散および組み込む、方法。
［１２］風力タービン、車両および架橋建築部品およびスポーツ用品の製造のための、［１］〜［１０］のいずれかに記載の複合材料の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシポリマー、カーボンナノチューブおよび必要に応じて硬化剤を含んでなり、
該カーボンナノチューブが、以下の工程：
ａ）カーボンナノチューブを反応ゾーン中へ設置する工程、
ｂ）オゾン、酸素および水の混合物を前記カーボンナノチューブへ通過させる工程
を含む酸素／オゾンによる気相中での同時処理により酸化されていることを特徴とする、複合材料。
【請求項２】
オゾン、酸素および水の混合物は、カーボンナノチューブ凝集体へ連続的に通過することを特徴とする、請求項１に記載の材料。
【請求項３】
請求項１または２に記載の材料の製造方法であって、以下の工程：１）オゾン処理ＣＮＴをエポキシ樹脂中へ機械的に混合して混合物を形成する工程；２）前記混合物を高剪断混合系により分散して均質なＣＮＴ／エポキシマスターバッチを形成する工程；３）硬化剤および更なるエポキシ樹脂を前記マスターバッチに必要に応じて添加して分散体を形成する工程；４）前記分散体を機械的に更に混合して均質な混合物を形成する工程；５）該混合物を脱気および硬化してＣＮＴ／エポキシ複合材料を形成する工程を含み、前記ＣＮＴを、エポキシマトリックス中へ分散および組み込む、方法。
【請求項４】
風力タービン、車両および架橋建築部品およびスポーツ用品の製造のための、請求項１または２に記載の複合材料の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを有する、後精製のために安定化された組成物において、この組成物がヒドロキノンモノメチルエーテルおよび４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルを含むことを特徴とする、少なくとも１つのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを有する、後精製のために安定化された組成物。
【請求項２】
前記組成物が２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレートおよび／またはヒドロキシプロピルアクリレートを含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
ヒドロキノンモノメチルエーテルと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルとの質量比が２０：１〜１：１の範囲内にある、請求項１または２記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物中のヒドロキノンモノメチルエーテルの割合が２５〜１０００ｐｐｍである、請求項１から３までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
前記組成物中の４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルの割合が２０〜２００ｐｐｍである、請求項１から４までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物がＮ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−１，３−ジメチルブチル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−１，４−ジメチルペンチル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、フェノチアジン、ニグロシン塩基ＢＡおよび／または１，４−ベンゾキノンを最大１０ｐｐｍ含む、請求項１から５までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
前記組成物がトコフェロール、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、アンモニウム−Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン（クペロンＣｕｐｆｅｒｒｏｎ）および／またはヒドロキノンを含む、請求項１から６までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
前記組成物中のトコフェロール、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、アンモニウム−Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン（クペロンＣｕｐｆｅｒｒｏｎ）および／またはヒドロキノンの割合が１０〜８０ｐｐｍの範囲内にある、請求項７記載の組成物。
【請求項９】
トコフェロール、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、アンモニウム−Ｎ−ニトロソフェニルヒドロキシルアミン（クペロンＣｕｐｆｅｒｒｏｎ）および／またはヒドロキノンと４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシルとの質量比が１０：１〜１：１０の範囲内にある、請求項７または８記載の組成物。
【請求項１０】
ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを後精製するための方法において、請求項１から９までのいずれか１項に記載の組成物を後精製することを特徴とする、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを後精製するための方法。
【請求項１１】
前記組成物を、蒸留部を含む装置中で後精製する、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
蒸留部の塔が最大４個の分離段を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
後精製のために、蒸留を６０〜１１０℃の範囲内の温度で実施する、請求項１１または１２記載の方法。
【請求項１４】
蒸留部の塔が取付け物を有し、請求項１から９までのいずれか１項に記載の組成物が取付け物の上方で蒸留部の塔中に供給される、請求項１１から１３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記組成物を、薄膜蒸発器および／または循環蒸発器を含む装置中で後精製する、請求項１０から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
（メタ）アクリル酸を少なくとも１つのエポキシドと触媒の存在下で反応させることによってヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造するための方法において、得られた反応混合物の後精製のために、請求項１０から１５までのいずれか１項に記載の方法を実施することを特徴とする、（メタ）アクリル酸を少なくとも１つのエポキシドと触媒の存在下で反応させることによってヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートを製造するための方法。
【請求項１７】
反応混合物は、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−２−ナフチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジ−ｐ−トリル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−１，３−ジメチルブチル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−１，４−ジメチルペンチル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、フェノチアジン、ニグロシン塩基ＢＡおよび／または１，４−ベンゾキノン最大で１０ｐｐｍを含む、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
安定化されたヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート組成物において、前記組成物が請求項１０から１５までのいずれか１項に記載の方法によって得ることができることを特徴とする、安定化されたヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート組成物。
【請求項１９】
前記組成物がヒドロキノンモノメチルエーテル３０〜５０ｐｐｍおよび４−ヒドロキシ−２，２，６，６−テトラメチルピペリジン−Ｎ−オキシル０．１〜２ｐｐｍを含む、請求項１８記載の組成物。
【請求項２０】
前記組成物の色価が３０℃で少なくとも１８０日の貯蔵後に最大２０である、請求項１８または１９記載の組成物。
【請求項２１】
前記組成物がトコフェロールを含む、請求項１７から２０までのいずれか１項に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ＭＤＡ変換は９９％より高く、ビスカルバメートの９８％収率、モノカルバメートの１％の収率および１％未満のＮ−アルキル化生成物を得た。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］芳香族アミンと有機カーボネートとの触媒の存在下での反応を含む、芳香族カルバメートの製造方法であって、Ｚｎ４Ｏ（ＯＡｃ）６を触媒として用いることを特徴とする、前記方法。
［２］芳香族アミンは、一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）：
【化１】
2012520333.tif 000001
〔式中、各Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、独立して、水素または８個まで、好ましくは４個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基またはヒドロカルビルオキシ基であり、
Ａは、１〜１０個の炭素原子、好ましくは１〜６個の炭素原子を有する二価炭化水素基であり、
ｎは、０または１の値を有し、ｎが０の場合には芳香族環はいずれも結合し、
ｍは、０または１以上の任意の自然数の値を有する〕
で示される芳香族アミンの群から選択されることを特徴とする、［１］に記載の方法。
［３］芳香族アミンは、アニリン、ｏ−トルイジン、ｍ−トルイジン、ｐ−トルイジン、２，４−キシリジン、３，４−キシリジン、２，５−キシリジン、４−エチルアニリン、３−プロピルアニリン、１，２−ジアミノベンゼン、１，３−ジアミノベンゼン、１，４−ジアミノベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノトルエンおよび２，６−ジアミノトルエンの工業混合物、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２’−ジアミノジフェニルメタン、アニリンおよびホルムアルデヒドの酸触媒縮合および／または転移反応により得られ、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、その異性体および高級同族体の混合物を含むジフェニルメタン系列のアミン、１，５−ジアミノナフタレン、ｏ−アニシジン、ｍ−アニシジン、ｐ−アニシジンおよびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、［２］に記載の方法。
［４］芳香族アミンは、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、２，４−ジアミノトルエンおよび２，６−ジアミノトルエンの工業混合物、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２’−ジアミノジフェニルメタン、アニリンおよびホルムアルデヒドの酸触媒縮合および／または転移反応により得られ、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、その異性体および高級同族体の混合物を含むジフェニルメタン系列のアミン、１，５−ジアミノナフタレンからなる群から選択されることを特徴とする、［３］に記載の方法。
［５］有機カーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジヘキシルカーボネート、メチルエチルカーボネート、メチルブチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネートおよびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、［１］〜［４］のいずれかに記載の方法。
［６］有機カーボネートは、ジメチルカーボネートおよびジエチルカーボネートからなる群から選択されることを特徴とする、［５］に記載の方法。
［７］有機カーボネートは、ジメチルカーボネートであることを特徴とする、［６］に記載の方法。
［８］反応は、８０℃〜２５０℃の温度で行うことを特徴とする、［１］〜［７］のいずれかに記載の方法。
［９］反応時間は、１２時間以下であることを特徴とする、［１］〜［８］のいずれかに記載の方法。
［１０］絶対処理圧は、約１〜５０バールであることを特徴とする、［１］〜［９］のいずれかに記載の方法。
［１１］有機カーボネートと芳香族アミンに由来する第１級アミノ基とのモル比は、１：１〜５０であることを特徴とする、［１］〜［１０］のいずれかに記載の方法。
［１２］触媒の量は、第１級アミノ基１００モル当たり亜鉛０．００１〜１０モルであることを特徴とする、［１］〜［１１］のいずれかに記載の方法。
［１３］イソシアネートの製造方法であって、第１工程において、芳香族カルバメートを、芳香族アミンと有機カーボネートとの、［１］に記載の触媒としてのＺｎ４Ｏ（ＯＡｃ）６の存在下での反応により製造し、次いで、第２工程において、第１工程において得られたカルバメートを熱処理する、前記方法。
［１４］熱処理は、第２工程において５０〜３００℃の温度への少なくとも１分〜３時間のカルバメートの暴露を含む、［１３］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族アミンと有機カーボネートとの触媒の存在下での反応を含む、芳香族カルバメートの製造方法であって、Ｚｎ４Ｏ（ＯＡｃ）６を触媒として用いることを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
芳香族アミンは、一般式（Ｉ）、（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、（ＩＶ）および（Ｖ）：
【化１】
2012520333.tif 000002
〔式中、各Ｒ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３は、独立して、水素または８個まで、好ましくは４個までの炭素原子を有するヒドロカルビル基またはヒドロカルビルオキシ基であり、
Ａは、１〜１０個の炭素原子、好ましくは１〜６個の炭素原子を有する二価炭化水素基であり、
ｎは、０または１の値を有し、ｎが０の場合には芳香族環はいずれも結合し、
ｍは、０または１以上の任意の自然数の値を有する〕
で示される芳香族アミンの群から選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
有機カーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、スチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、ジブチルカーボネート、ジヘキシルカーボネート、メチルエチルカーボネート、メチルブチルカーボネート、ジフェニルカーボネート、メチルフェニルカーボネートおよびこれらの混合物からなる群から選択されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
イソシアネートの製造方法であって、第１工程において、芳香族カルバメートを、芳香族アミンと有機カーボネートとの、請求項１に記載の触媒としてのＺｎ４Ｏ（ＯＡｃ）６の存在下での反応により製造し、次いで、第２工程において、第１工程において得られたカルバメートを熱処理する、前記方法。
【請求項５】
熱処理は、第２工程において５０〜３００℃の温度への少なくとも１分〜３時間のカルバメートの暴露を含む、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月8日(2013.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、
誘電材料で形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、
少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆し、赤外線を吸収するために設けられる光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、
を有し、
前記フィルター層（３）は、赤外線が半導体ボディ内に入射するのを防止し、又は、その強度を少なくとも減衰するように赤外線をカットするために設けられる、半導体受光素子。
【請求項２】
前記フィルター層（３）は前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を完全に被覆し、前記ポッティングボディ（４）が前記フィルター層（３）を完全に被覆するように前記ポッティングボディ（４）は前記半導体ボディ（１）の上に配置される、請求項１に記載の半導体受光素子。
【請求項３】
前記フィルター層（３）は、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）と直接接触している、請求項１または請求項２に記載の半導体受光素子。
【請求項４】
前記ポッティングボディ（４）は、前記フィルター層（３）と少なくとも部分的に直接接触している、請求項１〜３に記載の半導体受光素子。
【請求項５】
前記フィルター層は、異なる屈折率をもつ複数の誘電材料層を備え、前記フィルター層（３）の前記複数の誘電材料層は、Ｂｒａｇｇミラー又は干渉カットオフ・フィルターが形成されるように互いに積層されて配置される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項６】
前記フィルター層（３）は、前記半導体ボディ（１）と前記ポッティングボディ（４）との間に設けられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項７】
前記ポッティングボディ（４）の厚さ（Ｄ）は最大６００μｍである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項８】
前記フィルター層（３）は、酸化シリコン及び窒化シリコンのいずれかで形成される少なくとも１つの層（３１，３２）を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項９】
前記ポッティングボディ（４）は、シリコーン及びエポキシ樹脂のうちの少なくともいずれか一方を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項１０】
前記フィルター層（３）は、最大で１０個の層（３１，３２）を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体受光素子。
【請求項１１】
上面（６ａ）を有する接続キャリア（６）と、
前記接続キャリア（６）の前記上面（６ａ）に固定された、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体受光素子（１００）と、を有し、
前記半導体受光素子（１００）のポッティングボディ（４）は、前記接続キャリア（６）と直接接触しており、厚さ（Ｄ）は最大６００μｍである、
オプトエレクトロニクス装置。
【請求項１２】
前記ポッティングボディ（４）は、前記接続キャリア（６）の前記上面（６ａ）のみにおいて接続キャリア（６）と接触している、請求項１１に記載のオプトエレクトロニクス装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＡＤシステムで表されるオブジェクトモデルにおける壁フィーチャを識別するための方法において、
ＣＡＤシステムにオブジェクトモデルをロードするステップと、
前記ＣＡＤシステムによって前記オブジェクトモデルの第１の面の選択を受信するステップと、
前記ＣＡＤシステムによって候補壁面を発見し、該候補壁面を候補リストに記憶するステップと、
前記候補リストにおける少なくとも１つの候補壁面を、前記第１の面の対応面として指定するステップと、
前記第１の面および前記対応面を前記オブジェクトモデルの壁として前記ＣＡＤシステムに記憶するステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記候補壁面を発見するステップは、前記第１の面が第２の面としての同一のオブジェクトモデルに由来するか否かを決定するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記候補壁面を発見するステップは、前記第１の面が第２の面としての同一表面タイプであるか否かを決定するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記候補壁面を発見するステップは、前記第１の面が第２の面としての複数の反対の法線ベクトルを有するか否かを決定するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記候補壁面を発見するステップは、前記第１の面が第２の面からオフセットされているか否かを決定するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
除外規則に基づき、前記候補リストから少なくとも１つの第２の面を除外するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記除外規則は、前記第１の面および前記第２の面が共通の範囲を有するか否かの決定を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記除外規則は、前記第１の面と前記第２の面との間の距離の決定を含む、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記除外規則は、前記第１の面および前記第２の面が共通の隣接面を有するか否かの決定を含む、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
プロセッサおよびアクセス可能なメモリを有するＣＡＤシステムにおいて、
前記ＣＡＤシステムは、
オブジェクトモデルをロードし、
前記オブジェクトモデルの第１の面の選択を受信し、
候補壁面を発見し、該候補壁面を候補リストに記憶し、
前記候補リストにおける少なくとも１つの候補壁面を、前記第１の面の対応面として指定し、
前記第１の面および前記対応面を前記オブジェクトモデルの壁として記憶する
ように構成されていることを特徴とする、ＣＡＤシステム。
【請求項１１】
前記候補壁面を発見することが、前記第１の面が第２の面としての同一のオブジェクトモデルに由来するか否かを決定することを含む、請求項１０記載のＣＡＤシステム。
【請求項１２】
前記候補壁面を発見することが、前記第１の面が第２の面としての同一表面タイプであるか否かを決定することを含む、請求項１０記載のＣＡＤシステム。
【請求項１３】
前記候補壁面を発見することが、前記第１の面が第２の面としての複数の反対の法線ベクトルを有するか否かを決定することを含む、請求項１０記載のＣＡＤシステム。
【請求項１４】
前記候補壁面を発見することが、前記第１の面が第２の面からオフセットされているか否かを決定することを含む、請求項１０記載のＣＡＤシステム。
【請求項１５】
前記ＣＡＤシステムはさらに、除外規則に基づき、前記候補リストから少なくとも１つの第２の面を除外する、請求項１０記載のＣＡＤシステム。
【請求項１６】
前記除外規則は、前記第１の面および前記第２の面が共通の範囲を有するか否かの決定を含む、請求項１５記載のＣＡＤシステム。
【請求項１７】
前記除外規則は、前記第１の面と前記第２の面との間の距離の決定を含む、請求項１５記載のＣＡＤシステム。
【請求項１８】
前記除外規則は、前記第１の面および前記第２の面が共通の隣接面を有するか否かの決定を含む、請求項１５記載のＣＡＤシステム。
【請求項１９】
オブジェクトモデルにおける壁フィーチャを識別するための、プロセッサを備えたＣＡＤシステムに用いられるコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに下記のステップ、すなわち、
オブジェクトモデルをロードするステップと、
前記オブジェクトモデルの第１の面の選択を受信するステップと、
候補壁面を発見し、該候補壁面を候補リストに記憶するステップと、
前記候補リストにおける少なくとも１つの候補壁面を、前記第１の面の対応面として指定するステップと、
前記第１の面および前記対応面を前記オブジェクトモデルの壁として記憶するステップと
を実行させることを特徴とする、コンピュータプログラム。
【請求項２０】
除外規則に基づき、前記候補壁面から少なくとも１つの第２の面を除外するステップを前記プロセッサに更に実行させる、請求項１９記載のコンピュータプログラム。
【請求項２１】
請求項１９または２０に記載のプログラムが記憶されている、コンピュータ読み出し可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オブジェクトモデルにおける壁面を識別するためのシステム、方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＡＤシステムにおける仮想曲線を求めるための方法において、
ブレンド面を含むオブジェクトモデルをＣＡＤシステムにロードするステップと、
前記ＣＡＤシステムによって前記ブレンド面の基底面を発見するステップと、
前記基底面にしたがい、前記ＣＡＤシステムによって交差曲線を構成するステップと、前記ブレンド面にしたがい、前記ＣＡＤシステムによって前記交差曲線をトリミングし、仮想ブレンド曲線を形成するステップと、
前記仮想ブレンド曲線を前記ＣＡＤシステムに記憶するステップと
を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記交差曲線をトリミングするステップは、所定の長さに前記交差曲線を短縮するステップであるか、または所定の長さに前記交差曲線を延長するステップである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
発見、構成、トリミングおよび記憶を行う前記各ステップを、前記ブレンド面のユーザ選択に応答して自動的に実行する、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記仮想ブレンド曲線を使用して、前記ＣＡＤシステムによって寸法決定を実行するプロセスをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＡＤシステムによって、前記オブジェクトモデルの少なくとも１つの面を前記ブレンド面として識別するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ブレンド面に対応する少なくとも１つの終端面を発見するステップをさらに含み、
前記トリミングを前記少なくとも１つの終端面の表面に応じて実行する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ＣＡＤシステムによって、前記ブレンド面がコーナブレンドであるか否かを決定する規則のセットを適用するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
プロセッサおよびアクセス可能なメモリを有するＣＡＤシステムにおいて、
前記ＣＡＤシステムは、
ブレンド面を含むオブジェクトモデルをロードし、
前記ブレンド面の基底面を発見し、
前記基底面にしたがい交差曲線を構成し、
前記ブレンド面にしたがい前記交差曲線をトリミングし、仮想ブレンド曲線を形成し、且つ、
前記仮想ブレンド曲線を記憶する
よう構成されている
ことを特徴とする、ＣＡＤシステム。
【請求項９】
前記交差曲線をトリミングすることが、所定の長さに前記交差曲線を短縮するか、または所定の長さに前記交差曲線を延長することを含む、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１０】
前記発見、構成、トリミングおよび記憶を行うことが、前記ブレンド面のユーザ選択に応答して自動的に実行される、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１１】
前記ＣＡＤシステムはさらに、前記仮想ブレンド曲線を使用して、前記ＣＡＤシステムによって寸法決定プロセスを実行するよう構成されている、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１２】
前記ＣＡＤシステムはさらに、前記オブジェクトモデルの少なくとも１つの面を前記ブレンド面として前記識別するよう構成されている、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１３】
前記ＣＡＤシステムはさらに、前記ブレンド面に対応する少なくとも１つの終端面を発見するよう構成されており、
前記トリミングは前記少なくとも１つの終端面の表面に応じて実行される、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１４】
前記ＣＡＤシステムはさらに、該ＣＡＤシステムによって、前記ブレンド面がコーナブレンドであるか否かを決定する規則のセットを適用するよう構成されている、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１５】
コンピュータプログラムであって、
ＣＡＤシステムに設置されたプロセッサに下記各ステップ、
ブレンド面を含むオブジェクトモデルをロードするステップと、
前記ブレンド面の基底面を発見するステップと、
前記基底面にしたがい交差曲線を構成するステップと、
前記ブレンド面にしたがい前記交差曲線をトリミングし、仮想ブレンド曲線を形成するステップと、
前記仮想ブレンド曲線を記憶するステップと
を実行させる、コンピュータプログラム。
【請求項１６】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに更に、前記交差曲線をトリミングするステップとして、所定の長さに前記交差曲線を短縮するステップ、または所定の長さに前記交差曲線を延長するステップを実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項１７】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに、発見、構成、トリミングおよび記憶を行う前記各ステップとして、前記ブレンド面のユーザ選択に応答して自動的に実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項１８】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに、前記仮想ブレンド曲線を使用して、寸法を決定するステップを更に実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項１９】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに、前記オブジェクトモデルの少なくとも１つの面を前記ブレンド面として識別するステップを更に実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項２０】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに、前記ブレンド面に対応する少なくとも１つの終端面を発見させるステップ、および、
前記トリミングが前記少なくとも１つの終端面の表面に応じて実行されるステップを更に実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項２１】
前記コンピュータプログラムが、前記プロセッサに、前記ブレンド面がコーナブレンドであるか否かを決定する規則のセットを適用させるステップを更に実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項２２】
請求項１５から２１のいずれか１項に記載のコンピュータプログラムが記憶されている、コンピュータ読み出し可能媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オブジェクトモデルにおいて仮想曲線を求めるためのシステム、方法、コンピュータプログラムおよび記憶媒体
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書のためのフォントを取得するためのコンピュータ実施方法であって、
前記方法は、
電子文書のコンテンツ内で指定されたフォントの各グリフを決定するステップと、
該決定に基づいて第二デバイスへの要求を第一デバイス上で生成するステップと、
前記要求に応答して前記第二デバイスから送信された情報を第一デバイスで受信するとともに、多数のグリフのサブセットを定義するステップと、
受信した情報を使用して前記電子文書の提示を前記第一デバイス上で生成するステップと、
を有し、
前記決定は、前記フォント内に含まれる前記多数のグリフの前記サブセットを識別し、
前記サブセットは、その上に格納されたフォントを有していない第一デバイス上で決定され、
前記要求は、前記第二デバイスへの前記サブセットを識別し、
前記情報は、前記サブセット以外の前記多数のグリフの残余を定義せず、
前記提示は、前記多数のグリフの前記サブセットを含む
ことを特徴とするコンピュータ実施方法。
【請求項２】
前記提示の間中、ユーザから前記電子文書の修正を受信するステップと、
前記修正は、前記情報によって指定されない前記フォントの少なくとも別のグリフを有することを決定するステップと、
他のグリフについて前記第二デバイスへの新規の要求を生成するステップと、
前記他のグリフを定義する前記第二デバイスから追加情報を受信するステップと、
前記電子文書内に別のグリフも表示するために、前記提示を更新するステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項３】
前記修正が少なくとも他のグリフを含むという前記決定は、前記修正の受信後に所定の時間が経過したことを検知することに応答して実行される、ことを特徴とする請求項２に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項４】
前記修正の受信前に、第三デバイスから前記第一デバイス上で前記電子文書を受信するステップをさらに有する、ことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項５】
前記修正は、前記第一デバイス上のアプリケーション・プログラムのインスタンスで受信され、前記電子文書は、前記アプリケーション・プログラムの別のインスタンスを使用して前記第三デバイス上に作成されている、ことを特徴とする請求項４に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項６】
前記アプリケーション・プログラムは、前記情報を要求するために前記第二デバイスのアドレスをその中に格納しており、
前記方法は、
前記要求を生成するために前記アプリケーション・プログラム内の前記アドレスに接続するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項５に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項７】
文書のためのカスタムフォントを提供するためのコンピュータ実施方法であって、
前記方法は、
第一デバイス内で第一入力を受信するステップと、
前記第一デバイス内で第二入力を受信するステップと、
電子文書の受信者からの要求に基づいて、情報を提供するように構成された第二デバイスに前記情報を転送するステップと、
その上に格納されたカスタムフォントを有さない第三デバイスに前記電子文書を転送するステップと
を有し、
前記第一入力は、前記電子文書のコンテンツを形成するために前記カスタムフォントの多数のグリフのサブセットを指定し、
前記第二入力は、前記カスタムフォントの前記多数のグリフを定義する情報を有し、
前記第三デバイスは、前記第二デバイスからの前記情報を要求する
ことを特徴とするコンピュータ実施方法。
【請求項８】
前記フォントは、前記電子文書内でフォント識別子によって識別されるとともに、前記多数のグリフの前記サブセットの各々は、前記電子文書内でコードポイントを使用して指定される、ことを特徴とする請求項１又は７に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項９】
多数のグリフを有する少なくとも１のフォントを定義する情報を有するフォント・データベースと、
デバイスから要求を受信するとともに、それに応答して前記フォント・データベースから取得した情報を転送するように構成されたフォント・パッケージング・コンポーネントと、
を具備し、
前記情報は、前記要求内で識別された前記多数のグリフのサブセットを定義するとともに、前記サブセット以外の前記多数のグリフの残余を定義しない
ことを特徴とするシステム。
【請求項１０】
前記システム内で実行されるとともに、電子文書を作成するためにユーザによって動作されるアプリケーション・プログラムをさらに有し、前記アプリケーション・プログラムは、前記デバイス上でも実行されるとともに、前記情報を要求するために前記フォント・データベースのアドレスをその中に格納しており、かつ前記要求は前記アドレスを使用して生成される、ことを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記アプリケーション・プログラムは、前記電子文書の修正を入力するために前記デバイスのユーザに対して準備し、前記デバイスは、前記修正が、前記情報によって指定されない前記フォントの少なくとも別のグリフを有するという決定に基づいて、フォントサーバへの新規の要求を生成する、ことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサーと、
シートであって、当該シートが、
少なくとも１つのマイクロレンズの層であって、第１の面及び第２の面を有する当該層と、
当該マイクロレンズ層の当該第１の面に隣接して配設された材料の層と、
複数の当該マイクロレンズの各々に関連付けられる、当該材料において形成された少なくとも部分的に完成した画像であって、当該材料と対照をなす当該画像と、
個々の当該画像によって得られる合成画像であって、肉眼により当該シート材料の下又は上の少なくとも一方で浮遊して見える合成画像と、を備え、
当該センサーと当該シートは、ユーザーが当該浮遊する合成画像と相互作用するさいに当該センサーが作動されるように構成される、ユーザーインターフェイス。
【請求項２】
前記材料が放射線感受性材料である、請求項１に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項３】
前記材料の層と前記マイクロレンズとの間に配設されたスペーサー層を更に備える、請求項１又は２に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項４】
センサーと、
シートとを備え、当該シートが、
マイクロレンズの配列と、
当該マイクロレンズの配列に隣接する材料の層と、
当該材料の層に接触する第１の改質材料又は第１のドナー材料の少なくとも一方とを有し、当該第１の改質材料又は第１のドナー材料の少なくとも一方が、複数の当該マイクロレンズの各々に関連付けられる個々の部分的に完成した画像を当該材料の層上に形成し、当該シートが当該個々の画像によって得られる合成画像を表示し、当該合成画像が肉眼により、当該前記シートの上又は下の少なくとも一方で浮遊して見え、
当該センサーと当該シートは、ユーザーが当該浮遊する合成画像と相互作用するさいに当該センサーが作動されるように構成される、ユーザーインターフェイス。
【請求項５】
前記合成画像の少なくとも一部が、蛍光又は燐光の少なくとも一方であり、肉眼により、前記シートの上、前記シートの下、又は前記シートの上及び下の双方で浮遊して見える、請求項４に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項６】
前記第１の改質材料又は第１のドナー材料の少なくとも一方が放射線感受性材料を含む、請求項４又は５に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項７】
前記材料の層に隣接する第２の改質材料又は第２のドナー材料の少なくとも一方を更に備え、当該第２の改質材料又は第２のドナー材料の少なくとも一方が、複数の前記マイクロレンズの各々に関連付けられた、個々の部分的に完成した画像を前記シート上に形成する、請求項４〜６のいずれか一項に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項８】
部分透過性反射フィルムを更に備え、前記センサー、前記シート、及び当該フィルムが、この順序で順次配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項９】
着色フィルム又はカラーシフトフィルムと、
部分透過性反射フィルムと、
任意の光制御フィルムとを更に備え、
前記センサー、前記シート、当該着色フィルム又はカラーシフトフィルム、当該部分透過性反射フィルム、及び当該光制御フィルムが、この順序で順次配置される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のユーザーインターフェイス。
【請求項１０】
光源を更に備え、当該光源、前記センサー、及び前記シートが、この順序で順次配置される、請求項１〜９のいずれか一項に記載のユーザーインターフェイス。