【手続補正書】
【提出日】平成24年11月13日(2012.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｕ，Ｎｉおよびそれらの合金からなる群から選ばれる構成金属からなる非鉄系金属基板の表面を処理する方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硝酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、カルボキシレート、シュウ酸塩、およびその組合せからなる群から選ばれた陰イオンからなる電解質を含み、
回路に印加された電位は、金属基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応し前記表面の増強された特性を付与する前記表面で組成物を形成するように制御する。
【請求項２】
前記基板が金属部材上のクロムベースのコーティングである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記表面における前記組成物の生成に際して、基板に印加される電圧が、約０．５〜約２０ボルト、或いは約０．５〜約３．０ボルトである請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記表面における前記組成物の生成に際して、前記電解質回路中に前記電解質溶液と接触する金属表面の幾何学的面積の約０．０１〜約２Ａ／ｄｍ２の電流密度で電流が流れる請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
電解質溶液中の前記陰イオンの濃度が約１〜約５０ｇ／Ｌ、または約１〜約２５ｇ／Ｌである請求項１〜４の何れかの方法。
【請求項６】
電解質溶液の導電率が約１〜約５００ミリジーメンスである請求項１〜５の何れかの方法。
【請求項７】
前記表面における前記組成物の生成に際して、総移動電荷が、前記電解質溶液と接触する金属表面の幾何学的面積に対して約０．０５〜約１００ｍＡｈｒ／ｄｍ２において前記電解質回路の電流の流れが停止する、請求項１〜６の何れかの方法。
【請求項８】
前記組成物が前記表面にて生成するが、前記回路の電流の流れが停止するまでの間に、前記構成金属の酸化物または水酸化物からなるどの層の厚みも検出可能な増加が起こらないように前記電流密度及び電圧が制御される、請求項１〜７の何れかの方法。
【請求項９】
前記組成物からなるナノ層が前記金属基板の表面に形成される請求項１〜８の何れかの方法。
【請求項１０】
前記ナノ層の厚みが約１００ｎｍ以下か、約１０〜約３０ｎｍの範囲にある請求項１〜９の何れかの方法。
【請求項１１】
前記陰イオンが、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硫酸塩、スルホン酸塩、カルボキシレートおよびその組合せからなる群から選ばれたペンダント基を有するポリマーからなる、請求項１〜１０の何れかの方法。
【請求項１２】
前記ポリマーが、ビニルホスホン酸またはビニルホスフィン酸から誘導される繰り返し単位を有する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記の強化される特性が増大する耐腐食性を含む請求項１〜１２の何れかの方法。
【請求項１４】
前記制御が、前記回路に印加される電位が約０．５〜約２０ボルトの範囲内に制御すること、電流密度が前記電解質溶液と接触する金属表面の幾何学的面積に対して約０．０１〜２．０Ａ／ｄｍ２であり、前記基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応して、前記表面の強化特性を付与する前記表面の組成物を生成させることからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｚｎおよびそれらの合金からなる群から選ばれた構成金属からなる金属基板の表面処理方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、約ｐＨ６．０以下で、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硝酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、カルボキシレート、シュウ酸塩、およびその組合せからなる群から選ばれた陰イオンからなる電解質を含み、
前記回路に印加する電位を約０．５〜約２０ボルトに制御し、電流密度は前記電解質溶液と接触する金属表面の幾何学的面積に対して約０．０１〜約２．０Ａ／ｄｍ２になるようにし、前記基板の構成金属は陽極酸化され、前記陰イオンと反応し、前記表面において前記表面の強化特性を付与する組成物を生成する。
【請求項１６】
電解質溶液の導電率が約１〜約５００ミリジーメンスである請求項１５の方法。
【請求項１７】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｚｎおよびそれらの合金からなる群から選ばれる構成金属からなる非鉄系金属基板の表面を処理する方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硝酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、カルボキシレート、シュウ酸塩、およびその組合せからなる群から選ばれた陰イオンからなる電解質を含み、
回路に印加された電位は、金属基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応し前記表面に増強された特性を付与する組成物からなるナノ層を前記表面に形成するように制御する。
【請求項１８】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｚｎおよびそれらの合金からなる群から選ばれる構成金属からなる非鉄系金属基板の表面を処理する方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硝酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、カルボキシレート、シュウ酸塩、およびその組合せからなる群から選ばれた陰イオンからなる電解質を含み、
回路に印加された電位は、金属基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応し前記表面に増強された特性を付与する組成物を前記表面に形成するように制御し、前記電解質回路の電流の通過は、前記表面において前記組成物の形成の際に移送される総電荷が、前記電解質溶液に接触して前記金属表面の幾何学的表面積の約０．０５〜約１００ｍＡｈｒであるときに停止される。
【請求項１９】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｚｎおよびそれらの合金からなる群から選ばれる構成金属からなる非鉄系金属基板の表面を処理する方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、ビニルホスホン酸、ビニルホスフィン酸からなる群から選ばれる繰り返し単位からなるポリマーからなる陰イオンを含む電解質を含み、
回路に印加された電位は、金属基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応し前記表面に増強された特性を付与する組成物を前記表面に形成するように制御する。
【請求項２０】
Ｃｒ，Ｃｕ，Ｍｎ，Ｍｏ，Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｚｎおよびそれらの合金からなる群から選ばれる構成金属からなる非鉄系金属基板の表面を処理する方法であって、以下からなる：
陽極電位を、金属表面と接触させて、金属表面、陰極、および水溶性電解質溶液から成る電解質回路中の金属表面に印加し、陰極と電気的に導通させ、前記電解質溶液は、リン酸塩、ホスホン酸塩、亜リン酸塩、ホスフィン酸塩、硝酸塩、ホウ酸塩、ケイ酸塩、モリブデン酸塩、タングステン酸塩、カルボキシレート、シュウ酸塩、およびその組合せからなる群から選ばれるぶら下がり部分を有するポリマーからなる陰イオンを約１〜５０ｇ／ｌ含む電解質を含み、
回路に印加された電位は、金属基板の構成金属が陽極酸化され、前記陰イオンと反応し前記表面に増強された特性を付与する組成物を前記表面に形成するように制御する。