Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列的な複数の色情報に対応して、逐次、色波形を算出して可聴域で再生を行い視覚情報と聴覚情報とを変換する視覚機能のための音波視覚化装置であって、
可聴域の中域周波数の１周期毎の時限処理として、単色成分に対応して波の回数と、その強弱・偏差からなる色波形を算出し、前記回数は可聴域の上域周波数に適用して再生を完了すべくした音波処理手段と、
ユーザーのビジョン化効果を促すべく成される連続処理として、並列的な複数色における単色成分毎の左右位置情報に応じて該中域周波数を音程として可変し、ならびに、該連続処理は、常時更新のために低域周波数の脳波帯域において１周期毎時に反復し完了し、且つ、左右２系統であるステレオビジョン化手段と、
を備えたことを特徴とした音波視覚化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音波視覚化装置
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに本発明による波形フィン構造体の成形装置によれば、前記波形フィン構造体における波形の波幅Ｈが３〜５ｍｍ、波の高さＤが２〜７ｍｍであり、該波幅Ｈに対する波の高さＤの比が、Ｄ／Ｈ＝０．５〜１．７の範囲であり、長手方向に形成されるうねりのピッチＰは最小１０ｍｍが可能で、該うねりの幅Ｗは、前記波幅Ｈに対してＷ≧Ｈ×１．０であることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属板をプレス加工することにより、先端にフランジを有する軸穴を前記金属板に形成する軸穴形成方法であって、
バーリングパンチおよびバーリングダイを用いて、前記金属板の表面に対して直立する円筒状の円筒部を成形する立ち上げ加工工程と、
開きパンチおよび開きダイを用いて、前記円筒部の先端近傍を前記円筒部の中心軸に対して放射状に開いて、前記表面に対して直立する直立部と、前記直立部の先端から放射状に延在するフランジ部とを形成する開き加工工程とを含み、
前記開き加工工程が、前記円筒部の先端部を９０°未満の中間角度まで拡げる予備開き加工工程と、前記先端部を９０°まで開いて前記フランジ部を形成する仕上げ開き加工工程とを含み、
前記予備開き加工工程と前記仕上げ開き加工工程において、前記開きダイの一部が、側方から当接して前記直立部の変形を防止
する軸穴形成方法。
【請求項２】
前記立ち上げ加工工程に先立ち、前記バーリングパンチの当接箇所を含む前記金属板の表面の領域に円形の下穴を形成する下穴形成工程を含む請求項１に記載の軸穴形成方法。
【請求項３】
前記開き加工工程において、前記円筒部に対して前記金属板の裏面から、前記金属板に開き受けを当接させ、前記金属板の変形を防止する請求項１に記載の軸穴形成方法。
【請求項４】
前記金属板の表面および前記フランジ部の間隔が、前記直立部に装着されるＣリングの厚さに略等しい請求項１に記載の軸穴形成方法。
【請求項５】
バーリングパンチおよびバーリングダイを用いて、金属板の表面に対して直立する円筒状の円筒部を成形する立ち上げ加工工程と、
開きパンチおよび開きダイを用いて、前記円筒部の先端近傍を前記円筒部の中心軸に対して放射状に開いて、前記表面に対して直立する直立部と、前記直立部の先端から放射状に延在するフランジ部とを形成する開き加工工程とを含み、
前記開き加工工程が、前記円筒部の先端部を９０°未満の中間角度まで拡げる予備開き加工工程と、前記先端部を９０°まで開いて前記フランジ部を形成する仕上げ開き加工工程とを含み、
前記予備開き加工工程と前記仕上げ開き加工工程において、前記開きダイの一部が、側方から当接して前記直立部の変形を防止するプレス加工により金属板を加工して形成された、
軸穴製品。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
第１部材の前記開放空間は、開口側の第１空間部分と、第１空間部分を除く残余の第２空間部分とを含み、
第１部材の凹部は、第１空間部分に臨む第１内面と第２空間部分に臨む第２内面との間には、前記開放空間の開口を介して外部に臨む第３内面が形成され、
第１部材のうちで第１内面を形成する部分と、第２部材のうちで第１部材の第３内面および第２空間部分に対向する対向部分を除く残余の部分とが摩擦撹拌され、第２部材の前記対向部分は、第１部材の前記第３内面によって支持されることを特徴とする請求項１記載の中空体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は、第１部材の前記開放空間は、開口側の第１空間部分と、第１空間部分を除く残余の第２空間部分とを含み、
第１部材の凹部は、第１空間部分に臨む第１内面と第２空間部分に臨む第２内面との間には、前記開放空間の開口を介して外部に臨む第３内面が形成され、
第１部材のうちで第１内面を形成する部分と、第２部材のうちで第１部材の第３内面および第２空間部分に対向する対向部分を除く残余の部分とが摩擦撹拌され、第２部材の前記対向部分は、第１部材の前記第３内面によって支持されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１部材のうちで第１内面を形成する部分と、第２部材のうちで第１部材の第３内面および第２空間部分に対向する対向部分を除く残余の部分とが摩擦撹拌される。第２部材の前記対向部分は、第１部材の前記第３内面によって支持される。このような第２部材の前記対向部分によって、摩擦撹拌によって流動化した部分の第２空間部分への侵入を確実に防ぐことができ、歩留りをさらに向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第２部材１５は、ダイカスト法で鋳造された部材であり、アルミニウム合金から成る。第２部材１５は、大略的に円環状である。第２部材１５は、第１部材１２の開放空間１３の開口１４（後述の図５（２）参照）を塞ぐことができる。第２部材１５は、第１部材１２の開放空間１３に部分的に嵌り込むことができる嵌合部１９と、この嵌合部１９に連なり、第１部材１２の開放空間１３に嵌合部１９が嵌り込んだ状態で前記開放空間１３の開口１４よりも外方に突出する突出部２０とを有する。嵌合部１９は、円環状である。突出部２０は、円環状であり、嵌合部１９と同軸に設けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
接合ツール２５を第１部材１２と第２部材１５とに没入させた状態では、接合ツール２５を所定の押圧力で押圧する。このようにして、図６（２）に示すように、接合ツール２５のショルダ部２６の端面２８が、第１部材１２の端面１７に接触するようにする。これによって、撹拌部分２２における外部に臨む面と、第１部材１２の端面１７とが、大略的には面一となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第１部材１２のうちで第１内面４３を形成する部分と、第２部材１５のうちで第１部材１２の第３内面４５および第２空間部分４２に対向する対向部分４８を除く残余の部分とが摩擦撹拌される。第２部材１５の前記対向部分４８は、第１部材１２の前記第３内面４５によって支持される。このような第２部材１５の前記対向部分４８によって、摩擦撹拌によって流動化した部分の第２空間部分４２への侵入を確実に防ぐことができ、歩留りを向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状記録媒体に、ディジタル化された映像信号もしくは音声信号の記録および再生を行う記録再生装置であって、
ディジタル化された映像信号または音声信号を連続的に入力する入力手段と、
記録再生を間欠的に切り換える切換信号を生成する手段と、
前記入力手段に入力された、前記映像信号または音声信号を時間軸圧縮する手段と
前記圧縮手段出力より記録信号を生成する記録信号生成手段と、
前記切換信号の記録指示期間、前記ディスク状記録媒体に記録信号を書き込む記録手段と、
記録用回転制御手段と再生用回転速度保持手段を具備し、前記ディスク状記録媒体を回転制御させる制御手段と、
前記切換信号の再生指示期間、前記ディスク状記録媒体から信号を検出するデータ検出手段と、
前記記録信号生成手段の記録信号生成処理に従って再生処理を行う再生信号処理手段と、
前記切換信号の再生指示期間前記データ検出手段より入力された、検出データを入力とし、時間軸伸長を行う手段と、
前記時間軸伸長手段から、伸長された検出データを連続的に出力する手段と、を具備してなるディジタル映像信号または音声信号の記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信された映像情報または音声情報を含むディジタル情報を受信するディジタル情報受信装置において、
前記ディジタル情報にはコピー制御情報と識別情報とが付随しており、
前記コピー制御情報は、少なくとも、記録を禁止する第１の状態と、１回のみコピーを認める第２の状態と、制限なくコピーを認める第３の状態のいずれが可能であるかを識別できる情報であり、
前記ディジタル情報と前記コピー制御情報と前記識別情報とを受信する受信手段と、
前記受信手段で受信した前記ディジタル情報を装置に内蔵あるいは装填された記録媒体に装置固有の暗号によって暗号化を行って記録し、記録された前記ディジタル情報を再生し、前記暗号を復号する記録再生手段と、
前記記録再生手段で再生された前記ディジタル情報を出力する出力手段とを備え、
前記受信手段で受信した前記コピー制御情報が前記第１の状態を示している場合には、前記記録再生手段は、前記ディジタル情報の前記記録媒体への記録を禁止し、
前記受信手段で受信した前記コピー制御情報が前記第２の状態を示している場合には、前記記録再生手段は、前記ディジタル情報を前記記録媒体に装置固有の暗号によって暗号化を行い、前記受信手段で受信した前記コピー制御情報及び前記識別情報に対応した記録制御情報とともに記録し、記録した前記ディジタル情報を再生し、前記暗号を復号し、前記出力手段は、前記ディジタル情報を出力するときに、前記記録制御情報の状態に応じて、前記コピー制御情報と同一の状態である、前記ディジタル情報のコピーを１回に制限することを示すコピー制御情報を付加して出力する第４の状態と、前記ディジタル情報のコピーを禁止することを示すコピー制御情報を付加して出力する第５の状態のいずれかで出力し、
前記受信手段で受信した前記コピー制御情報が前記第３の状態を示している場合には、前記記録再生手段は、前記ディジタル情報を制限なく前記記録媒体へ記録することを特徴とするディジタル情報受信装置。
【請求項２】
送信された映像情報または音声情報を含むディジタル情報を受信するディジタル情報受信方法において、
前記ディジタル情報にはコピー制御情報と識別情報とが付随しており、
前記コピー制御情報は、少なくとも、記録を禁止する第１の状態と、１回のみコピーを認める第２の状態と、制限なくコピーを認める第３の状態のいずれが可能であるかを識別できる情報であり、
前記ディジタル情報と前記コピー制御情報と前記識別情報とを受信し、
受信した前記コピー制御情報が前記第１の状態を示している場合には、前記ディジタル情報の装置に内蔵あるいは装填された記録媒体への記録を禁止し、
受信した前記コピー制御情報が前記第２の状態を示している場合には、前記ディジタル情報を前記記録媒体に装置固有の暗号によって暗号化を行い、受信した前記コピー制御情報及び前記識別情報に対応した記録制御情報とともに記録し、記録した前記ディジタル情報を再生し、前記暗号を復号して出力するときに、前記記録制御情報の状態に応じて、前記ディジタル情報のコピーを１回に制限することを示すコピー制御情報を付加して出力する第４の状態と、前記ディジタル情報のコピーを禁止することを示すコピー制御情報を付加して出力する第５の状態のいずれかで出力し、
受信した前記コピー制御情報が前記第３の状態を示している場合には、前記ディジタル情報を制限なく前記記録媒体へ記録することを特徴とするディジタル情報受信方法。
【請求項３】
映像情報または音声情報を含むディジタル情報を送信し、受信するディジタル情報送受信方法において、
前記ディジタル情報をコピー制御情報と識別情報とともに送信し、
前記コピー制御情報は、少なくとも、記録を禁止する第１の状態と、１回のみコピーを認める第２の状態と、制限なくコピーを認める第３の状態のいずれが可能であるかを識別できる情報であり、
前記ディジタル情報と前記コピー制御情報と前記識別情報とを受信し、
受信した前記コピー制御情報が前記第１の状態を示している場合には、前記ディジタル情報の装置に内蔵あるいは装填された記録媒体への記録を禁止し、
受信した前記コピー制御情報が前記第２の状態を示している場合には、前記ディジタル情報を前記記録媒体に装置固有の暗号によって暗号化を行い、受信した前記コピー制御情報及び前記識別情報に対応した記録制御情報とともに記録し、記録した前記ディジタル情報を再生し、前記暗号を復号して出力するときに、前記記録制御情報の状態に応じて、前記ディジタル情報のコピーを１回に制限することを示すコピー制御情報を付加して出力する第４の状態と、前記ディジタル情報のコピーを禁止することを示すコピー制御情報を付加して出力する第５の状態のいずれかで出力し、
受信した前記コピー制御情報が前記第３の状態を示している場合には、前記ディジタル情報を制限なく前記記録媒体へ記録することを特徴とするディジタル情報送受信方法。
【請求項４】
映像情報または音声情報を含むディジタル情報を送信するディジタル情報送信方法において、
前記ディジタル情報の受信時の受信装置における前記受信装置に内蔵あるいは装填された記録媒体への記録の制限において、少なくとも、記録を禁止する第１の状態と、１回のみ前記受信装置固有の暗号によって暗号化を行ってコピーを認める第２の状態と、制限なくコピーを認める第３の状態のいずれが可能であるかを識別できるコピー制御情報と、
前記コピー制御情報が前記第２の状態を示す場合の前記記録媒体への記録において、前記受信装置固有の暗号によって暗号化を行って記録し、再生し、前記暗号を復号して出力するときに前記ディジタル情報のコピーを１回に制限することを示すコピー制御情報を付加して出力できるようにして記録する第４の状態と、前記ディジタル情報のコピーを禁止することを示すコピー制御情報を付加して出力するようにして記録する第５の状態のいずれが可能であるかを識別できる識別情報とを、
前記ディジタル情報とともに送信することを特徴とするディジタル情報送信方法。
【請求項５】
コピー制御情報が付加された映像情報または音声情報を含むディジタル情報を記録媒体に記録再生するディジタル情報記録再生方法において、
前記コピー制御情報が１回のみ複製可能を示している場合に、
前記記録媒体からの記録されている前記ディジタル情報の再生において、
前記コピー制御情報と同一の状態である前記ディジタル情報の複製を１回のみに制限をすることを示すコピー制御情報を付加して出力するようにする第１の状態と、前記ディジタル情報の複製を禁止することを示すコピー制御情報を付加して出力するようにする第２の状態とを有することを特徴とするディジタル情報記録再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極集電体上に正極活物質と結着剤とを含む正極合剤層が設けられた正極と、負極と、前記正極と前記負極との間に配置された多孔質絶縁層と、非水電解液とを備えた非水電解質二次電池であって、
前記正極の引っ張り伸び率は、３．０％以上であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記負極の引っ張り伸び率は、３．０％以上であり、
前記多孔質絶縁層の引っ張り伸び率は、３．０％以上であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項３】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極の引っ張り伸び率は、
前記正極を用いて作製された幅１５ｍｍ，長さ２０ｍｍの測定用正極において、該測定用正極の一端を固定する一方、その他端を長さ方向に沿って２０ｍｍ／ｍｉｎの速度で引っ張り、破断される直前の測定用正極の長さと、引っ張る前の測定用正極の長さとから算出されることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極集電体のダイナミック硬度は７０以下であり、
前記正極合剤層のダイナミック硬度は５以下であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極を用いて作製され、真円状に一重に丸めた外周１００ｍｍの試験用正極において、該試験用正極の外周面を所定の速度で押圧し、押圧中に該試験用正極に発生する応力を測定すると、押圧されて潰された該試験用正極のギャップが３ｍｍ以下に到達するまで、応力の変曲点を有さないことを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項６】
請求項５に記載の非水電解質二次電池において、
前記所定の速度は、１０ｍｍ／ｍｉｎであることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項７】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極集電体は、鉄を含有するアルミニウムからなることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項８】
請求項７に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極集電体中に含有される鉄量は、１．２０重量％以上１．７０重量％以下であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項９】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記結着剤は、ポリビニリデンフルオライド、又はポリビニリデンフルオライドの誘導体であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項１０】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記結着剤は、ゴム系結着剤であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項１１】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極合剤層中に含まれる前記結着剤量は、前記正極活物質１００．０vol％に対して３．０vol％以上６．０vol％以下であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項１２】
請求項１に記載の非水電解質二次電池において、
前記正極活物質の平均粒子径は、５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項１３】
正極集電体上に正極活物質と結着剤とを含む正極合剤層が設けられた正極と、負極と、前記正極と前記負極との間に配置された多孔質絶縁層と、非水電解液とを備えた非水電解質二次電池の製造方法であって、
前記正極を準備する工程（ａ）と、
前記負極を準備する工程（ｂ）と、
前記工程（ａ）及び前記工程（ｂ）の後に、前記正極及び前記負極を、該正極と該負極との間に前記多孔質絶縁層を介して捲回する、又は積層する工程（ｃ）とを備え、
前記工程（ａ）は、
前記正極集電体上に、前記正極活物質と前記結着剤とを含む正極合剤スラリーを塗布乾燥させる工程（ａ１）と、
前記正極合剤スラリーが塗布乾燥された前記正極集電体を圧延し、所定の厚さを有する前記正極を作製する工程（ａ２）と、
前記工程（ａ２）の後に、所定温度の下、前記正極に対し熱処理を施す工程（ａ３）とを含み、
前記所定温度は、前記正極集電体の軟化温度よりも高く、且つ、前記結着剤の分解温度よりも低いことを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記正極集電体は、鉄を含有するアルミニウムからなることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記正極集電体中に含有される鉄量は、１．２０重量％以上１．７０重量％以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記正極合剤スラリーに含まれる前記結着剤量は、前記正極活物質１００．０vol％に対して３．０vol％以上６．０vol％以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）は、前記所定温度の下、低湿度処理を施した熱風により、前記正極に対し熱処理を施す工程であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）において、
前記所定温度は、２５０℃以上３５０℃以下であり、
前記熱処理が施される時間は、１０秒以上１２０秒以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）において、
前記所定温度は、２２０℃以上２５０℃以下であり、
前記熱処理が施される時間は、２分以上６０分以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）において、
前記所定温度は、１６０℃以上２２０℃以下であり、
前記熱処理が施される時間は、６０分以上６００分以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項２１】
請求項１３に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）は、前記所定温度に熱した熱ロールを、前記正極に接触させることにより、前記正極に対し熱処理を施す工程であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１に記載の非水電解質二次電池の製造方法において、
前記工程（ａ３）において、
前記所定温度は、２８０℃であり、
前記熱処理が施される時間は、１０秒以下であることを特徴とする非水電解質二次電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にNMOSトランジスタを形成する工程と、
前記NMOSトランジスタ上に第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜を脱水素化する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第1層間絶縁膜を脱水素化する工程は、前記第1層間絶縁膜のストレスを変化させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第1層間絶縁膜を脱水素化する工程は、前記第1層間絶縁膜を脱水素化ガス雰囲気でプラズマ処理、UV処理及び/または熱処理する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記脱水素化ガスは、N2、O2、O3、N2O、H2及び/またはD2と、これらの組合わせを含むことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
脱水素化の後、前記第1層間絶縁膜は、少なくとも約200MPaの引張ストレスを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第1層間絶縁膜は、O3-TEOS、NSG、PSG、BSG、BPSG、FSG、SOG及び/またはTOSZを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第1層間絶縁膜を形成した後、前記第1層間絶縁膜内に前記NMOSトランジスタと接続されるコンタクトを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第1層間絶縁膜を脱水素化した後、前記第1層間絶縁膜上に第2層間絶縁膜を形成する工程をさらに含み、前記第2層間絶縁膜は前記第1層間絶縁膜のストレスより小さなストレスを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１素子領域及び第２素子領域を有する半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、
前記半導体基板の前記第１素子領域に形成されている前記絶縁膜に第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１コンタクトホール内に第１シリサイド化を進行させる段階と、
前記第１シリサイド化を進行させた後に、前記半導体基板の前記第２素子領域に形成されている前記絶縁膜に第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホール内で第２シリサイド化を進行させる段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記第１コンタクトホールは、ノーマルコンタクトホールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２コンタクトホールは、自己整列コンタクトホールであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１コンタクトホールは第１活性領域上に形成され、
前記第２コンタクトホールは第２活性領域上に形成され、
前記第１活性領域及び前記第２活性領域は、同一のイオン注入工程により不純物が注入されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２シリサイド化は、前記第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールで同時に進行されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１コンタクトホールは第１パターン密度を有する素子の間に形成され、
前記第２コンタクトホールは前記第１パターン密度より大きい第２パターン密度を有する素子の間に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の第１領域の第１コンタクトホールに、ｍ（ｍは、自然数）回のシリサイド化工程を実施してコンタクトを形成する段階と、
前記半導体基板の第２領域の第２コンタクトホールに、前記ｍ回より少ないｎ（ｎは、自然数）回のシリサイド化工程を実施してコンタクトを形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１領域及び第２領域上に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記第１領域に形成された前記絶縁膜内に第１コンタクトホールを形成する段階と、
前記第２領域が前記絶縁膜によってマスクされている間に、前記第１コンタクトホールに前記シリサイド化工程のうちの一つを実施する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記第２領域に形成された前記絶縁膜内に前記第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホール内で前記シリサイド化工程のうちの一つを同時に実施する段階と、をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１コンタクトホールを前記半導体基板の第１活性領域上に形成する段階と、
前記第２コンタクトホールを前記半導体基板の第２活性領域上に形成する段階と、を含み、
前記第１活性領域及び前記第２活性領域は、同一のイオン注入工程により不純物を注入することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１コンタクトホールは、第１素子間隔を有する素子の間に形成されたノーマルコンタクトホールであり、
前記第２コンタクトホールは、前記第１素子間隔よりさらに小さな第１素子スペーシングを有する素子の間に形成された自己整列コンタクトホールであることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記半導体基板の第３領域に、前記ｎ回より少ないｋ（ｋは、自然数）回のシリサイド化工程を実施してコンタクトを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第１コンタクトホール内のコンタクトは二重の金属層によってシリサイド化され、
前記第２コンタクトホール内のコンタクトは単一の金属層によってシリサイド化されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板の第１素子領域の第１コンタクトホール内に、第１シリサイド膜を形成する段階と、
半導体基板の第２素子領域の第２コンタクトホール内に、第２シリサイド膜を形成する段階と、
前記第１コンタクトホール内に、前記第１シリサイド膜をさらに形成する段階と、を含み、
前記第２コンタクトホールは、前記第１コンタクトホールより小さいことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１コンタクトホール内に前記第１シリサイド膜をさらに形成する段階は、前記第２シリサイド膜を形成する段階と同時に実施されることを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１シリサイド膜を形成する間、前記第２素子領域でのシリサイド化を防止する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒に接する燃料電池セパレータであって、 
導電性の板状部材と、 
この板状部材の前記冷媒に接する面に形成されたプライマー層と、 
このプライマー層上に形成された絶縁被覆とを備え、 
前記プライマー層を複数回塗布したことを特徴とする燃料電池セパレータ。
【請求項２】
前記絶縁被覆は、燃料電池を構成する各単位発電セルユニットを貫通する冷媒排出用連通孔の周辺領域に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の燃料電池セパレータ。
【請求項３】
隣接する前記単位発電セルどうしの間には、前記冷媒が分布する隙間が形成され、
前記絶縁被覆は、前記隙間の端部近傍にも形成されたことを特徴とする請求項２に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項４】
前記プライマー層は、（測定抵抗値／算出理論抵抗値）＝９５％以上であることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池セパレータ。
【請求項５】
前記測定抵抗値は、電解溶液を浸透させた状態における前記プライマー層の厚み方向の抵抗値であることを特徴とする請求項４に記載の燃料電池セパレータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、冷媒に接する燃料電池セパレータであって、導電性の板状部材と、この板状部材の前記冷媒に接する面に形成されたプライマー層と、このプライマー層上に形成された絶縁被覆とを備え、プライマー層を複数回塗布したことを特徴とする。本発明によれば、プライマー層として気化した冷媒が透過し難い緻密な構造を実現することができるので、セパレータを構成する導電性の板状部材とプライマー層との界面に到達する冷媒の気化成分を減らすことができる。このため、燃料電池の発電出力が大きく変動した際におけるセパレータの基材部分の温度低下があったとしても、プライマー層下におけるブリスターの発生を防止することができる。つまり、プライマー層を緻密化することで、冷媒の気化成分の浸透を抑え、それにより気化成分が液化するような温度環境になっても、液化に伴うブリスターの発生を抑えることができる。また、プライマー層を緻密化し、微細空隙の密度を少なくすることで、冷媒の気化成分が凝縮するために必要な核の密度を減らすことができる。このことも、プライマー層と板状部材との界面における冷媒の気化成分の凝縮、さらにそれによるブリスターの発生を抑える上で効果がある。また、ミクロに見れば、微細空隙部分は、プライマー層を構成する材料が接着していない未接着箇所であり、ブリスターの発生源となる小さな隙間と見ることもできる。本発明によれば上記ミクロに見た場合の未接着箇所を減少させ、確実で均一な接着構造の膜質のプライマー層を得ることができる。このことも、プライマー層中におけるブリスターの発生源を減少させ、それによりブリスターの発生を抑える上で効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の各表示電極とこれらの各表示電極間に挟持され有機化合物から構成される１層以上の有機機能層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッサンス素子を担持する基板とを備え、前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその周囲の基板表面を覆う高分子化合物膜と、この高分子化合物膜、その縁部及びその周辺の基板表面を覆う無機バリア膜とを設けた有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいて、前記高分子化合物膜として、脂肪族ポリ尿素膜を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項２】
前記脂肪族ポリ尿素膜は、原料モノマーを蒸着重合法によって成膜したものであることを特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項３】
前記原料モノマーは、脂肪族ジアミンモノマー及び脂肪族ジイソシアネートモノマーを含むことを特徴とする請求項２記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項４】
前記無機バリア膜として、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＦ２及びＩＴＯの中から選択したものを用いることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項５】
前記無機バリア膜は、ＥＢ蒸着法によって成膜したものであることを特徴とする請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【請求項６】
前記高分子化合物膜及び無機バリア膜を交互に複数積層したことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示パネルは、第１及び第２の各表示電極とこれらの各表示電極間に挟持され有機化合物から構成される１層以上の有機機能層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子と、この有機エレクトロルミネッサンス素子を担持する基板とを備え、前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその周囲の基板表面を覆う高分子化合物膜と、この高分子化合物膜、その縁部及びその周辺の基板表面を覆う無機バリア膜とを設けた有機エレクトロルミネッセンス表示パネルにおいて、前記高分子化合物膜として、脂肪族ポリ尿素膜を用いたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、高分子化合物膜として脂肪族ポリ尿素膜を用いたため、特に３５０〜４００μｍの波長領域の光を受けても着色することが抑制され、無色透明な状態を保持できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この場合、前記脂肪族ポリ尿素膜は、原料モノマーを蒸着重合法によって成膜したものとすれば、溶媒を使用しないため高純度の高分子化合物膜が得られてよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記無機バリア膜として、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＦ２及びＩＴＯの中から選択したものを用いるのがよい。これによれば、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＦ２及びＩＴＯの薄膜は内部応力が小さく、耐屈曲性（可撓性）を有することから、何等かの理由で外方から有機ＥＬ表示パネルに外力が加えられたときでもその外力を吸収して高い耐衝撃性を発揮し、その結果、無機バリア膜に亀裂が入って封止性能が低下する虞を抑制できる。また、これらの薄膜は、３５０〜４００μｍの波長領域の光をほぼ吸収せず、脂肪族ポリ尿素膜から構成される高分子化合物膜上に積層することで、特に３５０〜４００μｍの波長領域の光を受けても着色することが抑制され、無色透明な状態を保持できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本実施の形態では、高分子化合物膜３として脂肪族ポリ尿素膜を用いることとした。脂肪族ポリ尿素膜３は、脂肪族ジアミンモノマー及び脂肪族ジイソシアネートモノマーを含む原料モノマーを蒸着重合法によって成膜され、この成膜に際しては、所定の開口を設けたマスクを用いて画素や有機ＥＬ素子を含む表示領域よりも大きい範囲で形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
即ち、真空チャンバ内を所定圧力まで真空排気した後、脂肪族ジアミンモノマー及び脂肪族ジイソシアネートモノマーの各原料モノマーを所定の温度にそれぞれ加熱することで蒸発させて気化させる。次いで、基板１１及び有機ＥＬ素子２上で接触、反応させて堆積させ、有機分子を重合させる。これにより、以下に示すように、有機ＥＬ素子２及びその周囲の基板１１表面を覆うように脂肪族ポリ尿素膜３が所定の厚さで形成される。この場合、脂肪族ポリ尿素膜３の厚さは特に限定されることはないが、無機バリア膜４の応力緩和のため、３００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
脂肪族ポリ尿素膜３上に形成される無機バリア膜４としては、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＦ２及びＩＴＯの中から選択され、この無機バリア膜４は、ＥＢ蒸着法により形成される。即ち、公知構造のＥＢ蒸着装置を用い、真空チャンバ内を所定圧力まで真空排気した後、真空チャンバ内に酸素やフッ素などの反応性ガスを導入しつつＡｌやＺｒなどの金属を電子ビームで加熱することで蒸発させ、脂肪族ポリ尿素膜３上で反応させて堆積させ、脂肪族ポリ尿素膜３、その縁部及びその周辺の基板１１表面を覆うように所望の薄膜を形成する。この場合、無機バリア膜４の厚さは特に限定されることはないが、耐屈曲性及びバリア性を考慮すると、５０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。これによれば、元素ごとに蒸着レートを決定でき、薄膜の組成制御が容易になり、プラズマ方式のように薄膜を傷つけてその特性を劣化させることはなく、その上、薄膜の内部応力も小さくできる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記のように、脂肪族ポリ尿素膜３及び無機バリア膜４を形成することで、特に３５０〜４００μｍの波長領域の光を受けても着色することが抑制され、無色透明な状態を保持できる。また、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＭｇＦ２及びＩＴＯの薄膜は内部応力が小さく、耐屈曲性を有することから、何等かの理由で外方から有機ＥＬ表示パネル１に外力が加えられたときでもその外力を吸収することで高い耐衝撃性を発揮し、無機バリア膜４に亀裂が入って封止性能が低下する虞を抑制できる。さらに、これらの薄膜は、３５０〜４００μｍの波長領域の光をほぼ吸収せず、脂肪族ポリ尿素膜３から構成される高分子化合物膜３上に積層することで、特に３５０〜４００μｍの波長領域の光を受けても着色することが抑制され、無色透明な状態を保持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ・ドライバにライト・ストラテジを伝送する方法であって、
暗号化されたライト・ストラテジを前記レーザ・ドライバに伝送するステップと、
前記伝送されたライト・ストラテジを、前記レーザ・ドライバの第１のメモリに記憶された解読キーを用いて解読するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記伝送されたライト・ストラテジを、解読状態または暗号化状態で、第２のメモリに記憶するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
複数の解読キーが、前記レーザ・ドライバの前記第１のメモリに記憶される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記レーザ・ドライバの前記第１のメモリに記憶された少なくとも１つの解読キーが更新可能である、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザ・ドライバの前記第１のメモリに記憶された前記少なくとも１つの解読キーを更新するためにはパスワードが必要である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
光記録媒体の書込みを行うレーザを駆動するレーザ・ドライバと、
少なくとも１つの解読キーを記憶する第１のメモリと、
暗号化されたライト・ストラテジを受信する入力と、
前記第１のメモリに記憶された解読キーを用いて、前記入力で受信された暗号化されたライト・ストラテジを解読する解読器と、
を含む、光ピックアップ。
【請求項７】
前記受信されたライト・ストラテジを、解読状態または暗号化状態で記憶する第２のメモリを更に含む、請求項６に記載の光ピックアップ。
【請求項８】
前記レーザ・ドライバの前記第１のメモリに記憶された少なくとも１つの解読キーを更新する更新装置を更に含む、請求項６または７に記載の光ピックアップ。
【請求項９】
前記レーザ・ドライバの前記第１のメモリに記憶された前記少なくとも１つの解読キーの更新を制限するパスワード制御装置を更に含む、請求項８に記載の光ピックアップ。
【請求項１０】
光記録媒体に対して書込みまたは読み書きを行う装置であって、請求項１から５の何れか一項に記載の方法を実行する手段、または請求項６から９の何れか一項に記載の光ピックアップを含む、前記装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの暗号化されたライト・ストラテジを含む記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同時プログラムのために構成された複数の第１及び第２メモリセルとの間で延長され、前記複数の第１及び第２メモリセルのうち１つにデータを記録するためのプログラム電流を導通させるように構成された第１電流源ラインと、
前記第１電流源ライン及びワードラインに接続された第１電流源トランジスタと、
前記第１電流源トランジスタに接続され、前記複数の第１及び第２メモリセルのうち１つに接続されたビットラインを横切って延長され、前記プログラム電流を導通させるプログラム導体と、
前記プログラム導体に接続され前記プログラム導体から第２電流源トランジスタの出力端に向けて流れる前記プログラム電流をスイッチングするように構成された第２電流源トランジスタと、
前記複数の第１及び第２メモリセルのうち１つに隣接し、前記第１電流源ラインに対向するように延長された第２電流源ラインと、
判読動作間にアクセスのために選択された前記第１または第２メモリセルに第１バイアス電圧を印加するように構成された第１バイアス回路と、
前記判読動作間にアクセスのために選択されない前記第１または第２メモリセルに第２バイアス電圧を印加するように構成された第２バイアス回路と、
を具備することを特徴とする磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項２】
前記判読動作間にアクセスのために選択されない前記第１または第２メモリセルに第３バイアス電圧を提供するように構成されたビットライン駆動回路をさらに具備し、
前記第３バイアス電圧は前記第２バイアス電圧と実質的に同一であることを特徴とする請求項１記載の磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項３】
前記第１及び第２バイアス回路の各出力と前記第１及び第２ワードラインとの間にそれぞれ接続された第１及び第２伝達トランジスタと、
前記第１及び第２伝達トランジスタのゲートに接続された第１及び第２イネーブルゲートとをさらに含み、
前記第１及び第２伝達トランジスタは前記イネーブルゲートの出力に応答して前記バイアス回路における各出力の所定の電圧レベルを前記第１及び第２ワードラインに伝達するように構成されたことを特徴とする請求項２記載の磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項４】
前記第１及び第２伝達トランジスタそれぞれは、前記バイアス回路の出力及び前記第１ワードラインとの間の各素子を横切って単一電圧降下を提供することを特徴とする請求項３記載の磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項５】
前記磁気メモリセルアレイ素子は、個人用メディアプレーヤー、モバイルナビゲーションシステム、家電機器、ＰＤＡ、パソコン、デジタルカメラ、テレビ、またはゲームコンソールに含まれることを特徴とする請求項１記載の磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項６】
前記第１及び第２ワードラインは、それぞれ第１及び第２デジットラインを具備することを特徴とする請求項１記載の磁気メモリセルアレイ素子。
【請求項７】
抵抗型メモリ素子において、
メモリセルを具備するブロックの第１及び第２端部にそれぞれ位置して前記メモリセルに接続されたビットラインを横切って前記第１端部から前記第２端部に向けて流れるプログラム電流を加えるように構成された一対の対向する電流源トランジスタを含み、前記一対の電流源トランジスタは前記プログラム電流が前記メモリセルの隣接ブロックに平行に流れるように構成されたことを特徴とする抵抗型メモリ素子。
【請求項８】
前記抵抗型メモリセルは、磁気メモリセル、ＰＲＡＭセル、またはＯｘＲａｍセルを具備することを特徴とする請求項７記載の抵抗型メモリ素子。
【請求項９】
抵抗型メモリ素子において、
判読動作間にアクセスのために選択された第１メモリセル、または第２メモリセルに第１バイアス電圧を印加するように構成された第１バイアス回路と、
前記判読動作間にアクセスのために選択されない前記第１メモリセルまたは前記第２メモリセルに第２バイアス電圧を印加するように構成された第２バイアス回路と、
を具備することを特徴とする抵抗型メモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
光半導体モジュール１００ａは、図１（ａ）に示されるように、円筒形状の金属製スリーブ５と、円筒形状のフェルール部７とを介して、光ファイバ６に接続される。金属製スリーブ５の内壁は、段付孔構造、すなわち、図１（ａ）における上端から下端へと段階的に内径が大きくなるように形成されている。フェルール部７は、その軸中心を貫通する細孔を有し、金属製スリーブ５の中空部分の上端に挿入されている。また、フェルール部７における受／発光素子２側の端面は、入射光のファイバ端面での反射による光損失を抑制するために、光軸に対して所定角度だけ傾斜するように研磨されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
その後、図１（ａ）に示したように、光透過キャップ３ａのキャップ天板部３０の外方面上に、金属製スリーブ５とフェルール部７とを介して光ファイバ６が取り付けられる。組立の一例として、まず、光ファイバ６は、フェルール部７に形成された細孔に挿通するように、フェルール部７に固定される。次に、フェルール部７は、金属製スリーブ５の貫通孔に嵌合するように、金属製スリーブ５に取り付けられる。そして、フェルール部７を介して光ファイバ６が固定された金属製スリーブ５は、その開放端部がキャップ天板部３０の外方面に当接するように配置される。金属製スリーブ５は、その開放端部がキャップ天板部３０の外方面に当接した状態のまま、レンズ４の光軸と直交する方向に摺動され、レンズ４の光軸と光ファイバ６の光軸との相対位置が調整される。光軸調整が完了した後、金属製スリーブ５は、レーザ等を用いて光透過キャップ３ａに溶接され、固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成され第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に前記ゲート配線と絶縁して形成され、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレイン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に形成され前記ドレイン電極と接続された画素電極と、を含むが、
前記ゲート配線及び／又は前記データ配線は、
下部構造物上に形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、
前記銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、
前記中間膜上に形成されたキャッピング膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記バリア膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
前記中間膜は、銅窒化物、銅酸化物、及び銅酸窒化物のうちのいずれか１つを含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項４】
前記キャッピング膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項５】
前記Ｍｏ合金は、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項２乃至４のうちのいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項６】
絶縁基板上に形成され第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板上に前記ゲート配線と絶縁して形成され、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレイン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に形成され前記ドレイン電極と接続された画素電極と、を含むが、
前記ゲート配線及び／又は前記データ配線は、
下部構造物上に形成されたバリア膜と、
前記バリア膜上に形成された第１中間膜と、
前記第１中間膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、
前記銅導電膜上に形成された第２中間膜と、
前記中間膜上に形成されたキャッピング膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項７】
前記バリア膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項８】
前記第１中間膜又は前記第２中間膜は、銅窒化物、銅酸化物、及び銅酸窒化物のうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項９】
前記キャッピング膜は、Ｍｏ、ＭｏＮ、又はＭｏ合金を含むことを特徴とする請求項６記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
前記Ｍｏ合金は、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒのうち、少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項７または９記載の薄膜トランジスタ基板。