Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線配電システムであって、
電力供給部と、
前記電力供給部に結合され、１以上の遠隔装置に対して無線で電力を供給するように個々が構成された、複数の遠隔無線電力供給部と、
前記複数の遠隔無線電力供給部の１つから無線で電力を受け取るよう構成され、前記遠隔無線電力供給部の１以上から電力を受け取る遠隔装置のリストを無線で受け取り、該遠隔装置のための制御コマンドを受け取るように構成されたコントローラ装置と、
を備え、前記コントローラ装置が、前記制御コマンドを利用して前記１以上の遠隔装置を制御する、
ことを特徴とする無線配電システム。
【請求項２】
外部の位置から前記制御コマンドを受け取る外部遠隔装置を更に備えたことを特徴とする、請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項３】
前記遠隔装置の少なくとも１つが、他の遠隔装置の一部のリスト及び該他の遠隔装置の一部のための制御コマンドを無線で受け取るように構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項４】
前記コントローラ装置が前記電力供給部及び前記遠隔無線電力供給部の外部に配置されており、更に該コントローラ装置が、該外部の位置から、前記遠隔装置のための制御コマンドを供給するよう構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項５】
前記電力供給部及び前記遠隔無線電力供給部の外部に配置された外部コントローラ装置を更に備え、該外部コントローラ装置が前記制御コマンドを利用して前記遠隔装置のうち少なくとも１つを制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項６】
前記配電システムが、５０ボルト未満の直流（「ＶＤＣ」）である、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項７】
前記コントローラ装置が、
前記電力供給部又は前記複数の遠隔無線電力供給部のうちの１つに結合して、ここから無線で電力を受け取る受電器と、
前記コントローラ装置が前記無線充電配電システムに結合したときに通知を受け取るように構成されるとともに、アクセス制限が満たされたときに、前記無線充電配電システム内の遠隔装置を制御するように構成されたソフトウェアインターフェイスと、
前記コントローラ装置が制御のために利用でき、前記コントローラ装置を使用して調整できる機能を含むディスプレイと、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項８】
前記ソフトウェアインターフェイスが、制御コマンドを記憶するメモリに結合される、
ことを特徴とする請求項７に記載の無線配電システム。
【請求項９】
前記複数の遠隔無線電力供給部の各々が特定の場所に関連し、前記遠隔装置のリストが、無線で電力を供給する前記複数の遠隔電力供給部の前記１つに関連するそれら装置に限定される、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項１０】
前記遠隔装置の各々が場所に関連し、前記コントローラ装置が前記関連する場所に存在する場合にのみ、前記遠隔装置の各々がリスト内に提供される、
ことを特徴とする請求項９に記載の無線配電システム。
【請求項１１】
前記無線配電システムにネットワークを介して結合され、前記システム内の利用可能な遠隔装置のリスト及びこれらの遠隔装置のための制御コマンドを無線で受け取るように構成された別のコントローラ装置をさらに備え、該別のコントローラ装置が、前記制御コマンドを利用して前記遠隔装置の少なくとも１つを制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項１２】
前記コントローラ装置が、前記電力供給部の電圧特性又は電流特性を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の無線配電システム。
【請求項１３】
プログラムされたプロセッサにより実行可能な、無線配電網に接続して該無線配電網内の制御を確立するための命令を表すデータを内部に記憶するコンピュータ可読記憶媒体であって、該記憶媒体が、
前記無線配電網を識別し、
前記無線配電網に結合された他の装置の通知を無線電力接続の一部として受け取り、
前記他の装置の各々に対する、前記他の装置の制御できる機能を含むアクセス制御を確立し、
前記アクセス制御に応じて前記他の装置を制御する、
ための命令を含む、
ことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１４】
前記他の装置の通知を記憶することと、
前記他の装置を制御するためのコマンドを無線電力接続の一部として受け取ることと
をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１５】
前記他の装置が前記無線配電網の外部に位置する、
ことを特徴とする請求項１３に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１６】
前記アクセス制御が、前記無線配電網に対する負荷情報を含む、
ことを特徴とする請求項１５に記載のコンピュータ可読記憶媒体。
【請求項１７】
異なる無線配電網内の装置の制御を確立する方法であって、
コントローラ装置の近くにある無線配電網の通知を前記コントローラ装置において受け取るステップと、
前記通知された無線配電網内の利用可能な電力供給部及び他の装置のリストを自動的に受け取るステップと、
前記利用可能な電力供給部の少なくともいくつか、及び前記他の装置の少なくともいくつかのためのコマンドにアクセスするステップと、
アクセスが許可された場合、該許可されたアクセスに基づいて、前記利用可能な電力供給部又は前記他の装置の少なくともいくつかを前記コントローラ装置で制御するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
前記コマンドが、前記コントローラ装置において前記無線電力接続の一部として受け取られる、
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
装置が別の無線配電網の近くに存在する場合、前記装置の近くにある前記別の無線配電網の通知を前記装置において受け取るステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記利用可能な電力供給部の前記少なくともいくつかを制御する前記ステップが、前記利用可能な電力供給部の前記少なくともいくつかの電圧特性又は電流特性を調整するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
無線配電網を介して制御を可能にする方法であって、
１又はそれ以上の電力供給部を通じて装置に無線で電力を供給するように構成された前記無線配電網に結合されている、該装置を識別するステップと、
前記結合されている装置のためのアクセス制御制限を判断するステップと、
接続された装置のリスト及び一部の装置のコマンドコードを、アクセス制御制限によって他の装置の制御を許可された装置に提供するステップと、
前記他の装置を制御するために、前記コマンドコードをそれら装置から受け取るステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２２】
前記識別するステップが、前記接続された装置の各々の識別符号を含む、
ことを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記接続された装置の各々の前記識別符号が、各装置のシリアル番号を含む、
ことを特徴とする請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．基板と、
ｂ．前記基板上に堆積されたゲート酸化物層と、
ｃ．前記ゲート酸化物層上に堆積されたグラフェンのチャネル層と、
ｄ．前記グラフェンのチャネル層上に配置されたソースおよびドレイン接点領域であって、複数のソースおよびドレイン領域が提供される前記ソースおよびドレイン接点領域と
を含む、光検出デバイス。
【請求項２】
前記チャネル層がグラフェンの単一層である、請求項１に記載の光検出デバイス。
【請求項３】
前記チャネル層がグラフェンの９層以下の層である、請求項１に記載の光検出デバイス。
【請求項４】
前記基板は、シリコンを含む、請求項１に記載の光検出デバイス。
【請求項５】
前記複数のソースおよびドレイン領域が金属製かみ合わせフィンガを含む、請求項１に記載の光検出デバイス。
【請求項６】
前記ソースおよびドレインのフィンガが異なる仕事関数を有する異なる金属で形成されている、請求項５に記載の光検出デバイス。
【請求項７】
ゲート・バイアスＶＧが印加されるバックゲートを更に含む、請求項１に記載の光検出デバイス。
【請求項８】
ａ．基板と、
ｂ．前記基板上に堆積されたグラフェンのチャネル層と、
ｃ．前記グラフェンのチャネル層上に配置されたソースおよびドレイン接点領域と、
ｂ．前記グラフェンのチャネル層上に堆積されたゲート誘電層と、
ｅ．前記グラフェンのチャネル層を横切って電界を印加するために前記ゲート誘電層の上に堆積された分割ゲートと
を含む、光検出デバイス。
【請求項９】
ａ．基板と、
ｂ．前記基板に一体化された光導波路と、
ｃ．前記基板上に堆積されたグラフェンのチャネル層と、
ｄ．前記グラフェンのチャネル層上に配置されたソースおよびドレイン接点領域と、
ｅ．前記グラフェンのチャネル層上に堆積されたゲート誘電層と、
ｆ．前記ゲート誘電層の上に堆積された分割ゲートと
を含む、光検出デバイス。
【請求項１０】
前記光導波路が低損失材料である、請求項９に記載の光検出デバイス。
【請求項１１】
前記光導波路が、シリコン、窒化シリコン、および酸窒化物から成る群から選択される、請求項９に記載の光検出デバイス。
【請求項１２】
光検出層としてグラフェンを有する光検出デバイスの複数から成る光検出アレイ。
【請求項１３】
ａ．基板を用意するステップと、
ｂ．前記基板上にゲート酸化物層を堆積するステップと、
ｃ．前記ゲート酸化物層上にグラフェンのチャネル層を堆積するステップと、
ｄ．前記グラフェンのチャネル層上にソースおよびドレイン接点領域をパターニングするステップと、
ｅ．前記ソースおよびドレイン接点領域に複数のソースおよびドレイン領域を形成するステップと
を含む、光検出デバイスを形成する方法。
【請求項１４】
前記グラフェンのチャネル層としてグラフェンの単一層が堆積されている、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線ネットワークにおいてリソース制約のある送信器から受信器にデータを送信する方法において、前記方法が、
前記リソース制約のある送信器が、前記受信器にチャネル要求メッセージを送信するステップと、
前記要求に応答して、前記受信器が、検知ステップの結果に基づいて通信チャネル利用可能性を決定し、チャネル情報を放送するステップと、
前記リソース制約のある送信器が、前記情報をリッスンし、対応するチャネル上でデータを送信するステップと、
を有する、方法。
【請求項２】
チャネル要求が受信されない場合に次の検知スロットまで前記受信器が電力節約モードに入るステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リソース制約のある送信器が、低電力センサノードである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ネットワークを検知するステップが、所定の検知スロット中に前記受信器により定期的に実行される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記チャネル要求を送信するステップが、検知スロットの後の短い遅延の終了の前に実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
チャネル要求が前記短い遅延の終了において受信されない場合に、前記受信器が、次の検知スロットまで電力節約モードに入るステップを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ネットワークを検知するステップが、前記リソース制約のある送信器からチャネル要求を受信すると実行される、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記チャネル要求を送信するステップが、前記受信器により知られた規則的な事前に割り当てられた時間スロットの１つの間に実行される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
要求が受信されない場合に、前記受信器が、事前に割り当てられた時間スロットの後に、次の事前に割り当てられた時間スロットまで、電力節約モードに入るステップを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記チャネル利用可能性の決定が、前記リソース制約のある送信器及び前記ネットワーク内の他の装置の送信特性を考慮に入れることにより実行される、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記検知ステップが、前記送信器からチャネル要求を受信する前又は後に前記受信器により実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
測定し、データを受信器に送信する手段、及びデータが送信されなければならない場合に前記受信器にチャネル要求を送信する手段を有するリソース制約のある送信器と、
検知によりチャネル利用可能性を決定する手段、及びチャネル要求を受信するとリソース制約のある送信器にチャネル情報を送信する手段を有する受信器と、
を有する無線ネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月31日(2013.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分：
（１）  光電性半導体、および
（２）  以下を含有する、１層またはそれより多くの層：
（Ａ）  互いに独立して、合成ポリマー、および
（Ｂ）  式（Ｂ−Ｉ）および（Ｂ−ＩＩ）の化合物からなる群から選択される、２つまたはそれより多くの異なる化合物を含有する混合物；
【化１】
2013502712.tif 000001
［式中、
Ｅ1は水素、Ｃ1〜Ｃ18−アルキル、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルであって−ＯＨ、Ｃ2〜Ｃ18−アルケニルオキシ、−Ｃ（Ｏ）ＯＸ1および−ＯＣ（Ｏ）Ｘ2  （前記Ｘ1およびＸ2は独立してＣ1〜Ｃ18−アルキルである）からなる群から選択される１、２または３つの基によって置換されたもの；  酸素によって中断されたＣ3〜Ｃ50−アルキルまたは酸素によって中断されたＣ3〜Ｃ50−ヒドロキシアルキルである；
Ｅ2、Ｅ3、Ｅ4およびＥ5は、独立して水素、Ｃ1〜Ｃ18−アルキル、フェニル、または１、２または３つのＣ1〜Ｃ4−アルキルによって置換されたフェニルである］
【化２】
2013502712.tif 000002
［式中、
Ａ0は水素または−ＯＨである；
Ａ1、Ａ2、Ａ3およびＡ4は独立して水素、Ｃ1〜Ｃ18−アルキル、Ｃ1〜Ｃ18−アルキルであって−ＯＨ、Ｃ2〜Ｃ18−アルケニルオキシ、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ1および−ＯＣ（Ｏ）Ｙ2  （前記Ｙ1およびＹ2は独立してＣ1〜Ｃ18−アルキルである）からなる群から選択される１、２または３つの基によって置換されたもの；  酸素によって中断されたＣ3〜Ｃ50−アルキルまたは酸素によって中断されたＣ3〜Ｃ50−ヒドロキシアルキルである］および随意に
（Ｃ）  少なくとも１つの２，２，６，６−テトラメチルピペリジン誘導体
を含む光電モジュール。
【請求項２】
合成ポリマー（Ａ）が、
直鎖または架橋されたポリオレフィンホモポリマー、
環状オレフィンホモポリマー、
環状オレフィンコポリマー、
直鎖または架橋されたポリオレフィンコポリマー、
ポリ（ビニルブチラール）、
架橋されたエチレン酢酸ビニルコポリマー、
ポリエステル、
ポリカーボネート、
ポリウレタン、
フッ素化ポリマー、
ポリ（メチルメタクリレート）および
ポリシロキサン
から選択される、請求項１に記載の光電モジュール。
【請求項３】
成分（２）の単数または複数の層が、
（２−ａ）  前面支持層
（２−ｂ）  封止層、および
（２−ｃ）  裏面基板層
から選択される、請求項１または２に記載の光電モジュール。
【請求項４】
封止層（２−ｂ）が、直鎖または架橋されたポリオレフィンホモポリマー、直鎖または架橋されたポリオレフィンコポリマー、環状オレフィンホモポリマー、環状オレフィンコポリマー、ポリ（ビニルブチラール）、架橋されたエチレン酢酸ビニルコポリマー、ポリウレタンおよびポリシロキサンから選択される合成ポリマー（Ａ）を含有する、請求項３に記載の光電モジュール。
【請求項５】
裏面基板層（２−ｃ）が、ポリエステル、ポリアミドおよびフッ素化ポリマーから選択される合成ポリマー（Ａ）を含有する、請求項３に記載の光電モジュール。
【請求項６】
光電性半導体（１）が結晶シリコンまたはアモルファスシリコンを含有する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項７】
式（Ｂ−Ｉ）の化合物が、式（Ｂ−Ｉ−ａ）、（Ｂ−Ｉ−ｂ）、（Ｂ−Ｉ−ｃ）、（Ｂ−Ｉ−ｄ）、（Ｂ−Ｉ−ｅ）または（Ｂ−Ｉ−ｆ）の化合物であり、且つ、式（Ｂ−ＩＩ）の化合物が、式（Ｂ−ＩＩ−ａ）、（Ｂ−ＩＩ−ｂ）または（Ｂ−ＩＩ−ｃ）の化合物
【化３】
2013502712.tif 000003
【化４】
2013502712.tif 000004
である、請求項１から６までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項８】
成分（Ｂ）が
化合物（Ｂ−Ｉ−ａ）と（Ｂ−ＩＩ−ａ）との混合物、
化合物（Ｂ−Ｉ−ａ）と（Ｂ−ＩＩ−ｂ）との混合物、または
化合物（Ｂ−Ｉ−ｃ）と（Ｂ−ＩＩ−ｃ）との混合物
である、請求項１から７までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項９】
成分（Ｃ）が、式（Ｃ−Ｉ−ａ）、（Ｃ−Ｉ−ｂ）、（Ｃ−Ｉ−ｃ）、（Ｃ−Ｉ−ｄ）、（Ｃ−ＩＩ）、（Ｃ−ＩＩＩ）または（Ｃ−ＩＶ）
【化５】
2013502712.tif 000005
［式中、
ｂ1は２〜２０の数字であり、且つ、基Ｒ1は独立して水素、Ｃ1〜Ｃ8−アルキル、Ｏ、−ＯＨ、−ＣＨ2ＣＮ、Ｃ3〜Ｃ6−アルケニル、非置換またはフェニル上で１、２または３つのＣ1〜Ｃ4−アルキルによって置換されたＣ7〜Ｃ9−フェニルアルキル；  またはＣ1〜Ｃ8−アシルである］；
【化６】
2013502712.tif 000006
［式中、
基Ｒ2は独立してＲ1の意味の１つを有する］；
【化７】
2013502712.tif 000007
［式中、
ｂ2は２〜２０であり、且つ、基Ｒ3は独立してＲ1の意味の１つを有する］；
【化８】
2013502712.tif 000008
［式中、
Ｒ4は水素またはＣ1〜Ｃ4−アルキルであり、
Ｒ5は直接結合またはＣ1〜Ｃ10−アルキレンであり、且つ
ｂ3は２〜２０の数字である］
の化合物である、請求項１から８までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項１０】
成分（２）の単数または複数の層が、成分（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）を含有する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項１１】
成分（２）の単数または複数の層が、
（Ｄ）  ベンゾトリアゾールＵＶ吸収剤、
（Ｅ）  フェノール系酸化防止剤
（Ｆ）  塩基性補助安定剤、および
（Ｇ）  中和剤
からなる群から選択される１つまたは複数のさらなる成分を含有する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項１２】
成分（Ａ）が環状オレフィンポリマー、ポリカーボネート、架橋されたエチレン酢酸ビニルコポリマー、およびポリ（メチルメタクリレート）から選択される合成ポリマーであり、
成分（Ｂ）が、
化合物（Ｂ−Ｉ−ａ）と（Ｂ−ＩＩ−ａ）との混合物、
化合物（Ｂ−Ｉ−ａ）と（Ｂ−ＩＩ−ｂ）との混合物、または
化合物（Ｂ−Ｉ−ｃ）と（Ｂ−ＩＩ−ｃ）との混合物であり、且つ、
化合物（Ｃ）が、式（Ｃ−ＩＩ−ａ）
【化９】
2013502712.tif 000009
の化合物である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項１３】
成分（Ａ）が架橋されたエチレン酢酸ビニルコポリマーであり、且つ成分（Ｂ）が、式（Ｂ−Ｉ）の化合物と式（Ｂ−ＩＩ）の化合物とを含有する混合物である、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の光電モジュール。
【請求項１４】
光電モジュール内に存在する１またはそれより多くの合成ポリマー層を安定化させるための、請求項１に定義された成分（Ｂ）の使用。
【請求項１５】
以下の成分
（１）  光電性半導体、および
（２）  以下を含有する、１つまたはそれより多くの層
（Ａ）  架橋されたエチレン酢酸ビニルコポリマー、および
（Ｂ）  式（Ｂ−Ｉ−ａ）
【化１０】
2013502712.tif 000010
の化合物
を含む、光電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバで用いる装置であって、前記ホットエッジリングは第１の表面および第２の表面を有し、前記第１の表面は前記プラズマ形成領域と接触し、前記第２の表面は前記プラズマ形成領域と接触せず、
前記装置は、前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備え、
前記検出器は、前記ホットエッジリングのパラメータを検出し、前記検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給するよう動作可能である、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、さらに、
前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう動作可能な結合リングを備え、前記結合リングは内部に空洞を有し、前記空洞は前記ホットエッジリングの前記第２の表面と対向する開口部を有し、
前記検出器は、前記空洞内に配置され、前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう構成される、装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の装置であって、さらに、
前記検出信号に基づいて出力信号を供給するよう動作可能な出力部と、
前記検出器および前記出力部の間に直列に配置された抵抗器と、
を備える、装置。
【請求項４】
請求項３に記載の装置であって、さらに、前記抵抗器と接触して配置されたヒートシンクを備える、装置。
【請求項５】
請求項４に記載の装置であって、前記ヒートシンクは石英を含む、装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の装置であって、前記検出器はインジウムを含む、装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の装置であって、
前記検出器は、付勢部およびコンタクト部を備え、
前記付勢部は、前記コンタクト部と前記ホットエッジリングの前記第２の表面との接触を維持するために、前記コンタクト部に対して付勢力を提供するよう動作可能である、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置であって、前記付勢部はコイルバネを含む、装置。
【請求項９】
プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内でウエハ電位を測定するための方法であって、前記ホットエッジリングは第１の表面および第２の表面を有し、前記第１の表面は前記プラズマ形成領域と接触し、前記第２の表面は前記プラズマ形成領域と接触せず、
前記方法は、
前記ホットエッジリングの前記第２の表面を検出器と接触させる工程と、
前記検出器で前記ホットエッジリングのパラメータを検出する工程と、
前記検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給する工程と、
前記検出信号に基づいてウエハ電位を測定する工程と、を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ウエハ処理チャンバ１２２の状態に関する情報が、通信チャネル１０４によってユーザインターフェース１０６へ通信される。さらに、ユーザ（図示せず）は、ユーザインターフェース１０６および通信チャネル１０４を介して、２ＭＨｚＲＦ発生器１１０、２７ＭＨｚＲＦ発生器１１２、および、６０ＭＨｚＲＦ発生器１１４を制御することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
本発明の様々な好ましい実施形態に関するこれまでの記載は、説明を目的としたものである。つまり、本発明を網羅するものでも、開示された正確な形態に本発明を限定するものでもなく、上述の教示に基づき、多くの変形例および変更例が可能であることは明らかである。上述した代表的な実施形態は、本発明の原理および実際の応用を最も良く説明することで、当業者が、様々な実施形態、および、想定される特定の利用に適した様々な変形例で、本発明を最適に利用できるようにするために、選択され記載されたものである。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって規定される。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
［適用例１］
プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバで用いる装置であって、前記ホットエッジリングは第１の表面および第２の表面を有し、前記第１の表面は前記プラズマ形成領域と接触し、前記第２の表面は前記プラズマ形成領域と接触せず、
前記装置は、前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう動作可能な検出器を備え、
前記検出器は、前記ホットエッジリングのパラメータを検出し、前記検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給するよう動作可能である、装置。
［適用例２］
適用例１の装置であって、さらに、
前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう動作可能な結合リングを備え、前記結合リングは内部に空洞を有し、前記空洞は前記ホットエッジリングの前記第２の表面と対向する開口部を有し、
前記検出器は、前記空洞内に配置され、前記ホットエッジリングの前記第２の表面と接触するよう構成される、装置。
［適用例３］
適用例１の装置であって、さらに、
前記検出信号に基づいて出力信号を供給するよう動作可能な出力部と、
前記検出器および前記出力部の間に直列に配置された抵抗器と、
を備える、装置。
［適用例４］
適用例３の装置であって、さらに、前記抵抗器と接触して配置されたヒートシンクを備える、装置。
［適用例５］
適用例４の装置であって、前記ヒートシンクは石英を含む、装置。
［適用例６］
適用例１の装置であって、前記検出器はインジウムを含む、装置。
［適用例７］
適用例１の装置であって、
前記検出器は、付勢部およびコンタクト部を備え、
前記付勢部は、前記コンタクト部と前記ホットエッジリングの前記第２の表面との接触を維持するために、前記コンタクト部に対して付勢力を提供するよう動作可能である、装置。
［適用例８］
適用例７の装置であって、前記付勢部はコイルバネを含む、装置。
［適用例９］
プラズマ形成領域およびホットエッジリングを有するウエハ処理チャンバ内でウエハ電位を測定するための方法であって、前記ホットエッジリングは第１の表面および第２の表面を有し、前記第１の表面は前記プラズマ形成領域と接触し、前記第２の表面は前記プラズマ形成領域と接触せず、
前記方法は、
前記ホットエッジリングの前記第２の表面を検出器と接触させる工程と、
前記検出器で前記ホットエッジリングのパラメータを検出する工程と、
前記検出されたパラメータに基づいて検出信号を供給する工程と、
前記検出信号に基づいてウエハ電位を測定する工程と、を備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスをファブリケートする方法であって、
表面領域を有する非極性又は半極性のバルクガリウム及び窒素含有基板を提供することと；
前記バルクガリウム及び窒素含有基板の前記表面領域上に第１の厚さの第１のエピタキシャル材料を形成することであって、前記第１のエピタキシャル材料は、前記バルクガリウム及び窒素含有基板の前記表面領域上に疑似形態的に形成されることと；
前記第１のエピタキシャル材料上に第２の厚さの１つ以上の第２のエピタキシャル材料を形成することであって、前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料は前記第１のエピタキシャル材料と前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料とを備えたエピタキシャルスタック構造を形成するように構成されることと；
を含み、
前記エピタキシャルスタック構造の合計厚さは２ミクロン未満であり；前記エピタキシャルスタック構造はｎ型ガリウム及び窒素含有層とp型ガリウム及び窒素含有層とを備えており；
前記第１のエピタキシャル材料と前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料とを形成することは４ミクロン／時間以上の成長速度によって特徴づけられ；
前記第１のエピタキシャル材料と前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料とを形成することは大気圧で行われ；
前記発光デバイスは２．５時間未満でファブリケートされる
方法。
【請求項２】
前記第１の厚さは１ミクロン未満である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の厚さは１ミクロン未満である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の厚さは１００ｎｍ未満である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のエピタキシャル材料はスタッッキング欠陥密度が１Ｅ４ｃｍ−１以下であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のエピタキシャル材料は、貫通転位密度が１Ｅ８ｃｍ−２以下であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のエピタキシャル材料は第１の領域から第２の領域への実質的に均一な欠陥密度を特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のエピタキシャル材料と前記表面領域との間に界面を有し、前記界面は１つ以上の核形成層を実質的に含まない請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記合計厚さは１ミクロン未満である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記エピタキシャルスタック構造はガリウム及び窒素含有エピタキシャル材料の形成によって特徴付けられる合計成長時間内に形成される請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記合計成長時間は２時間未満である請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記エピタキシャルスタック構造は合計成長時間及び温度ランピング時間によって特徴付けられるチャンバ時間内に設けられる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記チャンバ時間は１．５時間未満である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エピタキシャルスタック構造はチャンバ時間とローディング及びアンローディング時間とによって特徴付けられるサイクル時間内に設けられる請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記サイクル時間は２時間未満である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のエピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料は単一のチャンバ内において堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１のエピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料は、複数のチャンバ内において独立に堆積される請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のエピタキシャル材料の形成及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料の形成時に決定された温度を維持することを更に含んだ請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
オートカセットＭＯＣＶＤリアクタを用いることを更に含み、前記オートカセットＭＯＣＶＤリアクタは、２個以上の単一のウエハ又はマルチウエハリアクタのためのウエハプラッタを保持するように構成されている請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記エピタキシャルスタック構造は、３９０〜４２０ｎｍの波長範囲、４２０〜４６０ｎｍの波長範囲、４６０〜５００ｎｍの波長範囲、又は５００〜６００ｎｍの波長範囲におけるＬＥＤ発光を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記ガリウム及び窒素含有基板は非極性表面配向によって特徴付けられる請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記ガリウム及び窒素含有基板は半極性表面配向によって特徴付けられる請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
発光デバイスをファブリケートする方法であって、
表面領域を有する非極性又は半極性のバルクガリウム及び窒素含有基板を提供することと；
第１の厚さの第１のエピタキシャル材料をある成長速度で前記バルクガリウム及び窒素含有基板の前記表面領域上に形成することであって、前記第１のエピタキシャル材料は、前記バルクガリウム及び窒素含有基板の前記表面領域上に疑似形態的に形成されることと；
前記第１のエピタキシャル材料上に１つ以上の第２のエピタキシャル材料を形成することであって、前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料はエピタキシャルスタック構造を形成するように構成されることと；
を含み、
前記エピタキシャルスタック構造は２ミクロン未満の合計厚さで特徴づけられ、前記エピタキシャルスタック構造は、ｎ型ガリウム及び窒素含有層、少なくとも１つの（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ層及び複数の量子井戸構造を含んだ活性領域、ＡｌＧａＮ電子ブロッキング層、並びにｐ型ガリウム及び窒素含有層を備え；
前記第１エピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２エピタキシャル材料の形成は４ミクロン／時間以上の成長速度によって特徴づけられ；
前記第１のエピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料の形成は大気圧で行われ；
前記発光デバイスは２．５時間未満でファブリケートされる
方法。
【請求項２４】
前記第１のエピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料の形成は９５０℃〜１，２００℃の温度範囲において行われる請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記提供はチャンバ内において維持されたオートカセットから前記バルクガリウム及び窒素含有基板を選択することを含んでいる請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１のエピタキシャル材料及び前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料の形成は大気圧ＭＯＣＶＤチャンバ内において行われる請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記第１のエピタキシャル材料は、５×５平方ミクロンにおける表面粗さが２ｎｍＲＭＳ以下であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２８】
第１のエピタキシャル材料はｎ型材料である請求項２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記１つ以上の第２のエピタキシャル材料はｐ型材料を含んでいる請求項２３に記載の方法。
【請求項３０】
前記第１のエピタキシャル材料はスタッッキング欠陥密度が１Ｅ４ｃｍ−１以下であることを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水分除去を使用する、毛管多孔性バルク材料、主に粒状物の乾燥法であって、
材料を予熱すること、加熱要素を有する真空乾燥チャンバの中に材料を装填すること、熱媒によって材料を加熱すること、乾燥チャンバ中に真空を発生させること、材料を冷却し、放出することを含み、
前記熱媒による材料の加熱及び真空発生が、温度３００℃以下の熱媒による、材料の破壊温度未満である温度までの噴流層加熱及び０．１ＭＰａ〜０．０００１ＭＰａの範囲の段階ごとの一つ又は多数の減圧による急速真空衝撃作用モードにおける真空発生、次いで、材料温度が安定化するまでの真空への曝露、を含めてサイクルごとに実施され、所要材料水分が達成されるまで前記サイクルが繰り返され、同じ乾燥チャンバ中、交互の噴流層冷却及び真空衝撃作用によってさらなる冷却が実施される、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
材料が、乾燥チャンバの中に装填されると同時に、真空衝撃作用を使用する固体層真空輸送機構を介して予備乾燥される、請求項１記載の毛管多孔性バルク材料の乾燥法。
【請求項３】
湿度１００％以下の気体薬剤が前記熱媒として使用される、請求項１記載の毛管多孔性バルク材料の乾燥法。
【請求項４】
材料が、材料に対して化学的に不活性である熱媒を使用して加熱される、請求項１記載の毛管多孔性バルク材料の乾燥法。
【請求項５】
真空衝撃作用の段階数が、下記の式にしたがって計算される、請求項１記載の毛管多孔性バルク材料の乾燥法。
ｎ＝ｌｇ［（Ｐｉ−Ｐｒ）／（Ｐｆ−Ｐｒ）］／ｌｇ（ｋ＋１）、
但し、上記の式中、Ｐｉは、真空チャンバ中の初期圧Ｐａ（工程初期圧）であり、Ｐｒは、受け器中に発生する圧力Ｐａであり、Ｐｆは、真空チャンバ中の最終圧Ｐａ（工程最終圧）であり、ｋは、真空乾燥チャンバ容積と受け器容積との比に等しい係数である。
【請求項６】
毛管多孔性バルク材料、主に粒状物を乾燥させるための、真空乾燥チャンバ、乾燥チャンバ中に取り付けられた加熱器、粒状物装填／取り出しシステム、真空ポンプ、熱交換・冷却器、熱媒循環及び凝縮物放出のためのパイプラインシステムを含む装置であって、
受け器に対して並列に接続されたポンプを備えた一つ又は複数の前記受け器を備え、前記ポンプが、急動弁を備えた真空パイプラインシステムを介して乾燥チャンバ入口に接続されており、さらに、第一の乾燥チャンバに対して並列に取り付けられた第二の乾燥チャンバを備え、各真空乾燥チャンバが、その底部において円錐形であり、材料の噴流層加熱及び冷却のための熱媒循環システムに接続され、加熱ジャケットを有し、前記熱媒真空処理及び循環ラインが、加熱サイクロンフィルタ及び凝縮物タンクを備えた熱交換・凝縮器を有することを特徴とする装置。
【請求項７】
真空衝撃作用を使用することを可能にする真空輸送固体層材料供給システムが乾燥チャンバへの入口に取り付けられている、請求項６記載の毛管多孔性バルク材料を乾燥させるための装置。
【請求項８】
底部において円錐形であり、加熱ジャケットを有し、第一の乾燥チャンバに対して並列に設置された一つ又は複数の対の真空乾燥チャンバを有する、請求項６記載の毛管多孔性バルク材料を乾燥させるための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体特性測定装置（１０）であって、
バルク複合流体試料用の試料容器（１４）であって、前記バルク複合流体試料のドメインサイズよりも実質的に大きく、およびバルク散乱効果が前記バルク複合流体試料に関する表面効果を実質的に上回るのに十分な大きさの容量を有する該試料容器（１４）と、
前記試料容器内の前記バルク複合流体試料を光で照射するように位置付けられたコヒーレント光源（１２）と、
後方散乱された光が前記バルク複合流体試料と相互作用した後に、該後方散乱された光を該バルク複合流体試料から受けるように位置付けられた第１の端を有し、前記コヒーレント光源の光軸、および前記試料容器に十分接近して配置され、前記後方散乱された光の中での多重散乱光の影響を実質的に低減する、第１ファイバー（１６）と、
前記後方散乱された光を前記第１ファイバーの第２の端から受けるように配置された第１光子計数検出器（２０）と、
前記第１光子計数検出器に反応する相関論理（２２）と、
前記相関論理に反応し、前記バルク複合流体試料の少なくとも１つのレオロジー特性を導出するように機能する単一散乱流体特性解析論理と、
を有する流体特性測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記光子検出器が、１７３度から１３．５度までにわたる様々な異なる角度で散乱光を検出できるように構成される、
流体特性測定装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の装置であって、
前記第１光子計数検出器が、前方散乱された光にも反応できるように構成される、
流体特性測定装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか１項に記載の装置であって、
前記装置の散乱体積の中心が、前記バルク複合流体試料の実質的に表面に選択的に配置されることが可能である、
流体特性測定装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の装置であって、
前記バルク複合流体試料によって散乱された光、および前記第１ファイバーの第２の端からの出力に反応する入力、並びに第１および第２出力を有するスプリッター（１８）と、
第２光子計数検出器（２０Ａ）とを有し、
前記第１および第２光子計数検出器は、前記スプリッターの前記第１および第２の出力それぞれから、前記散乱光の一部をそれぞれ受けるように配置され、
前記相関論理は、前記第１光子計数検出器、および前記第２光子計数検出器に反応する相互相関論理である、
流体特性測定装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１項に記載の装置であって、
前記試料容器は、１．５ミリメートル以下の光路長を有する、
流体特性測定装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記試料容器は毛細管である、
流体特性測定装置。
【請求項８】
マイクロレオロジー測定方法であって、
バルク複合流体試料をコヒーレント光で照射する工程であって、該バルク複合流体試料の体積は、該バルク複合流体試料のドメインサイズよりも実質的に大きく、およびバルク散乱効果が、該バルク複合流体試料に関する表面効果を実質的に上回るのに十分な大きさである、工程と、
前記コヒーレント光の光軸、および前記バルク複合流体試料に十分接近した位置から前記バルク複合流体試料からの後方散乱光子を検出し、前記後方散乱された光において前記コヒーレント光からの光の散乱で生じる多重散乱光の影響を実質的に低減する工程と、
前記検出された後方散乱光子を表す検出信号に相関演算を実行する工程と、
前記相関演算の結果から、前記バルク複合流体試料の少なくとも１つのレオロジー特性を導出する工程と、
を有するマイクロレオロジー測定方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記相関演算は自己相関演算である、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の方法であって、
散乱光は、１７３度から１３．５度までにわたる様々な異なる角度で検出され、前記相関演算実行の工程、および前記導出の工程は、前記様々な角度で検出された散乱光に実行される、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０の何れか１項に記載の方法であって、
検出の工程は、周波数応答の領域を伸長するために、後方散乱モードおよび前方透過モードの両方で実行される、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１の何れか１項に記載の方法であって、
取得した周波数を伸長するために、および／または必要なプローブ粒子の量を調整することで多重散乱を最小限に抑えるために、検出の工程は、３０ナノメートルから１マイクロメートルまでに渡る様々な異なるプローブサイズを利用して実行される、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２の何れか１項に記載の方法であって、
検出の工程は、対象の前記複合流体との相互作用を最小限に抑えるために、様々な異なるプローブ化学を利用して実行される、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１４】
請求項８〜１３の何れか１項に記載の方法であって、
前記バルク複合流体試料から受けた散乱光を第１および第２部分に分割する工程と、
前記散乱光の前記第１部分からの光子を検出する工程と、
前記散乱光の前記第２部分からの光子を検出する工程と、を有し、
前記相関演算は、前記第１部分における前記後方散乱光子を表す第１検出信号と、前記第２部分における前記後方散乱光子を表す第２検出信号との間での相互相関演算であり、前記レオロジー特性は、粘弾性または粘性である、
マイクロレオロジー測定方法。
【請求項１５】
請求項８〜１４の何れか１項に記載の方法であって、
前記バルク複合流体試料は、１．５ミリメートル以下の光路長を介してコヒーレント光で照射され、前記レオロジー特性は、粘弾性または粘性である、
マイクロレオロジー測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酵素および安定化された補酵素を含む少なくとも１つの診断用テストエレメントを含む保管容器であって、前記保管容器が本質的に乾燥剤を含まず、または／および、周囲から保管容器内への湿気の侵入を実質的に防ぐシーリングエレメントを含まないことを特徴とする保管容器。
【請求項２】
前記テストエレメントの未使用のテスト領域を前記保管容器内の保管位置から前記保管容器外側の試料塗布位置または／および測定位置へと移動させるために必要とされる最小または／および最大の引張力、
または／および、
前記テストエレメントの使用済みテスト領域を前記保管容器外側の試料塗布位置または／および測定位置から前記保管容器内の保管位置へと移動させるために必要とされる最小または／および最大の引張力が、
シーリングエレメントを備える対応する保管容器と比較して減少していることを特徴とする請求項１記載の保管容器。
【請求項３】
酵素および安定化された補酵素を含む少なくとも１つの診断用テストエレメントを含む保管容器であって、前記保管容器がテストエレメントまたは複数のテストエレメントの、未使用のテスト領域および使用済みのテスト領域のあいだの湿気の交換を可能にし、前記未使用のテスト領域および前記使用済みのテスト領域が、ただ一つのチャンバ内または湿気透過性の隔壁によって互いに隔てられている２つのチャンバ内に保管されることを特徴とする保管容器。
【請求項４】
前記テストエレメントが、１または複数のテスト領域を含み、いずれの場合にも、前記テストエレメントの１つの個別のテスト領域が、分析用測定装置と相互作用し合えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項５】
試料塗布位置、測定位置および前記テストエレメントのための少なくとも１つの保管位置を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項６】
前記保管容器が少なくとも部分的に水蒸気に対して透過性のある少なくとも１つの材料、特には、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンおよびポリプロピレンからなる群より選択される少なくとも１つのプラスティックから、構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項７】
前記保管容器が、テープマガジンまたはテストストリップマガジンであって、特には、ブリスターマガジン、レポレロマガジン、ディスクマガジン、スタックマガジン、ドラムマガジンまたはターニングマガジンであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項８】
直径１００μｍ以下、特には２０μｍ以下である侵入口しか有さないことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項９】
前記酵素が、ニコチンアミドアデニンジヌクレオチド（ＮＡＤ／ＮＡＤＨ）依存性、または、ニコチンアミドアデニンジヌクレオチドリン酸（ＮＡＤＰ／ＮＡＤＰＨ）依存性の脱水素酵素であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１０】
前記酵素が、グルコース脱水素酵素（ＥＣ１．１．１．４７）またはグルコース−６−リン酸脱水素酵素（ＥＣ１．１．１．４９）であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１１】
前記安定化された補酵素が、安定化されたＮＡＤ（Ｐ）／ＮＡＤ（Ｐ）Ｈ化合物、特にはカルバＮＡＤ化合物であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１２】
前記テストエレメントが、メディエーター、特には、１，１０−フェナントロリンキノン、１，７−フェナントロリンキノンおよび４，７−フェナントロリンキノンからなる群より選択されるメディエーターを追加で含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１３】
前記テストエレメントが、本質的に乾燥剤を含まないことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１４】
前記テストエレメントが、皮膚に小さな切開傷を形成するためのニードルエレメントを追加で含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１５】
前記テストエレメントが、テストテープであって、特には連続的なテストテープ、テストディスク、テストパッドまたはテストストリップであることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１６】
前記テストエレメントが、少なくとも４週間、好ましくは少なくとも８週間、特に好ましくは少なくとも１２週間の期間のあいだ、少なくとも２０℃、好ましくは少なくとも２５℃、および特に好ましくは少なくとも３０℃の温度での保管容器内での保管後に、酵素活性の初期値と比較して５０％未満、好ましくは３０％未満、特に好ましくは２０％未満の酵素活性の低下を示すことを特徴とする請求項１〜１５のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１７】
棒状または／および筒状に配置された、相互に連結されているが個々に分離可能な複数のテストストリップを含むテストストリップマガジンであることを特徴とする請求項１〜１６のいずれか１項に記載の保管容器。
【請求項１８】
棒状または／および筒状に配置された、相互に連結されているが個々に分離可能な複数のテストストリップを含む診断用製品であって、前記テストストリップがそれぞれ、酵素および安定化された補酵素を含む診断用製品。
【請求項１９】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の保管容器または請求項１８記載の診断用製品を含む分析用測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維に基づくラップから成る成形強化材であって、
第一の繊維層と、
該第一の繊維層に接合される、ホットメルト表面を備える繊維の部分から成る少なくとも１つの接合層とを含み、
前記ホットメルト表面を備える繊維の部分の少なくとも一部は、前記第一の繊維層の長さの一部に亘って前記第一の繊維層に浸透し、且つ、互いに並びに前記第一の繊維層の前記繊維に部分的に接着し、
前記第一の繊維層は、ラップ内に並置され、よって、強化層を形成する、平行なガラスストランドのロービングを含むことを特徴とする、
成形強化材。
【請求項２】
前記ガラスストランドのロービングは、約２４００〜４８００テックスの数を有することを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項３】
前記ロービングの前記ガラスストランドは、約１４μｍ〜約１７μｍの間に及ぶ個々の直径のフィラメントの集合体で形成されることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項４】
前記ロービングの前記ガラスストランドは、約４０〜８０テックスの個々の数を有することを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項５】
前記繊維の前記浸透部分は、成形強化材のｃｍ２当たり５〜１０部の表面密度で分配されることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項６】
前記強化層と前記接合層との間にガラスストランドの中間層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項７】
前記中間層は、平行であり且つ前記ロービングに対して垂直に向けられる、約１６０〜２００テックスのガラスストランドの層、及び／又は、約５０〜８０ｇ／ｍ２の秤量で、全ての向きにおいてバラで適用される約５０ｍｍの長さの細断ガラス繊維の層を含むことを特徴とする、請求項６に記載の成形強化材。
【請求項８】
前記強化層は、ホットメルト表面を備える繊維の単一の接合層に接合されることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項９】
前記強化層は、前記強化層の各側に配置される、ホットメルト表面を備える繊維から成る２つの接合層に接合されることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項１０】
４００〜１８００ｇ／ｍ２の間の秤量を有することを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項１１】
リール内に詰め込まれる連続的な細片の形態にあり、前記ロービングは、連続的なガラスストランドで形成され、且つ、前記細片の長手方向に向けられることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項１２】
リールとして詰め込まれる連続的な細片の形態にあり、前記ロービングは、１０〜１００ｃｍの長さの細断ガラス繊維で形成され、且つ、前記細片の長手方向に向けられることを特徴とする、請求項１に記載の成形強化材。
【請求項１３】
請求項１に記載の成形強化材を製造する方法であって、
ａ）複数の平行なガラスストランドロービングを支持体の上に並置し、強化層を構成するガラスストランドロービングのラップを形成するステップと、
ｂ）ホットメルト表面を備える化学繊維のウェブを前記強化層の上に置き、接合層を構成するステップと、
ｃ）前記ホットメルト表面を備える繊維の部分を前記強化層に浸透させる光穿刺操作を遂行するステップと、
ｄ）集合体の全体を、前記ホットメルト表面を備える繊維を軟化し且つそれらを粘着性にするのに十分な温度まで加熱するステップと、
ｅ）前記集合体を冷間圧延するステップとを含む、
方法。
【請求項１４】
前記光穿刺ステップｃ）の間に針が使用され、該針の促進ひげは、前記ガラスストランドロービングの前記ストランドの前記方向と平行な直径平面内に位置付けられることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
風力タービンブレード又は他の長い複合材部品の製造への請求項１に記載の成形強化材の適用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
良好な機械的な引張強度を得るために、リール又は「ロービング」から取られる連続的なガラスストランド２０ａ，２０ｂ，２０ｃの集合体(図３)が有利に選択される。ストランドは、フィラメント２００ａ，２００ｂ，２００ｃのようなフィラメントの集合体で構成され、それらの個々の直径は、約１４μｍ〜約１７μｍの間である。ガラスストランドの個々の数は、例えば、約５０個のガラスフィラメントを集めることによって、４０〜８０テックスの間に及び得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ホットメルト表面を備える繊維の部分３ａを、十分に低い融点を有し且つ強化層２のガラスストランド２０ａ，２０ｂ，２０ｃへの良好な接着特性を有する如何なる材料からも形成し得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図６に例示されるように、光穿刺操作の間、針８のひげ８ａ及び８ｂのような推進ひげ(driving beards)が、針の軸を含み且つロービング２ａのようなガラスストランドのロービングのストランドの方向Ｄと平行な直径平面内に位置付けられる。穿刺の間の針８の軸方向動作（矢印８ｃ）の結果、ひげ８ａ及び８ｂは、ロービング２ａを通過し、ストランド２０ａ，２０ｂ，２０ｃを破損せずにストランド２０ａ，２０ｂ，２０ｃを分離する（図２）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
遂行される光穿刺操作は、粗い成形強化材が隣の作業ステーションに移転される間に、粗い成形強化材が十分な密着性を維持することを保証するのに十分であるが、成形強化材１に恒久的な密着性を付与するには不十分であり、強化製品としての使用のために、この成形強化材を穿刺機械類の外に依然として移送し得ない。