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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像読取装置とサーバとクライアント装置がネットワークを介して通信可能な画像処理システムであって、
前記サーバは、前記クライアント装置からの読取指示を受信する受信手段と、前記受信手段で受信した読取指示に従って前記画像読取装置に原稿の読み取りを指示する指示手段とを備え、
前記画像読取装置は、前記指示手段による指示に基づき原稿上の画像を読み取って当該画像に対応する画像データを生成する読取手段と、前記読取手段により生成された画像データを、前記サーバを経由させずに前記クライアント装置に送信する送信手段とを備えることを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
前記送信手段は、前記指示手段による指示に含まれるアドレス情報により前記クライアント装置を特定し、前記生成された画像データを送信することを特徴とする請求項１に記載の画像処理システム。
【請求項３】
前記読取手段は、前記原稿上の画像に対応するプレビュー用画像データと本画像データとを生成し、
前記送信手段は、前記生成されたプレビュー用画像データを、前記サーバを経由させずに前記クライアント装置に送信し、前記生成された本画像データは前記サーバに送信することを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理システム。
【請求項４】
前記画像読取装置は、前記生成されたプレビュー用画像データに前記生成された本画像データの格納先情報を付加することを特徴とする請求項３に記載の画像処理システム。
【請求項５】
前記クライアント装置は、前記送信手段により送信されたプレビュー用画像データに付加されている格納先情報に従って、前記サーバに送信された本画像データの消去指示を行うことを特徴とする請求項４に記載の画像処理システム。
【請求項６】
前記画像読取装置は、前記クライアント装置が画像データを記憶可能な不揮発性のメモリを備えるか否か判断する判断手段を有し、
前記送信手段は、前記判断手段により前記メモリを備えると判断された場合、前記生成された画像データを、前記サーバを経由させずに前記クライアント装置に送信し、前記メモリを備えないと判断された場合、前記生成された画像データを前記サーバに送信することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の画像処理システム。
【請求項７】
前記画像読取装置は、前記読取手段による読み取りの実行を制御するための画像読取ドライバを格納するドライバ格納手段を有し、
前記クライアント装置は、前記ドライバ格納手段に格納されている画像読取ドライバを取得する取得手段と、前記取得手段で取得した画像読取ドライバを用いて前記画像読取装置の前記読取手段による読み取りを指示する手段とを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の画像処理システム。
【請求項８】
画像読取装置とサーバとクライアント装置がネットワークを介して通信可能な画像処理システムの制御方法であって、
前記サーバが、前記クライアント装置からの読取指示を受信する受信工程と、前記受信工程で受信した読取指示に従って前記画像読取装置に原稿の読み取りを指示する指示工程とを備え、
前記画像読取装置が、前記サーバから受信した指示に基づき原稿上の画像を読み取って当該画像に対応する画像データを生成する読取工程と、前記読取工程で生成された画像データを、前記サーバを経由させずに前記クライアント装置に送信する送信工程とを備えることを特徴とする制御方法。
【請求項９】
前記請求項８に記載の画像処理システムの制御方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能なプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理システム、制御方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このようにサーバベースコンピューティング環境では一連の処理に全てサーバが介在するためサーバの負荷が著しく高くなり、またクライアントコンピュータではスキャナが読み取った画像を表示させるまでに時間がかかってしまうことがある。
本発明の目的は、サーバベースコンピューティング環境において、ネットワークスキャン機能を使用する場合のサーバの負荷軽減を可能とした画像処理システム、制御方法、及びプログラムを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明の画像処理システムは、画像読取装置とサーバとクライアント装置がネットワークを介して通信可能な画像処理システムであって、前記サーバは、前記クライアント装置からの読取指示を受信する受信手段と、前記受信手段で受信した読取指示に従って前記画像読取装置に原稿の読み取りを指示する指示手段とを備え、前記画像読取装置は、前記指示手段による指示に基づき原稿上の画像を読み取って当該画像に対応する画像データを生成する読取手段と、前記読取手段により生成された画像データを、前記サーバを経由させずに前記クライアント装置に送信する送信手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学動作を行う電気光学パネルと、
フレキシブル基板と、
該フレキシブル基板に設けられ、前記フレキシブル基板の長手方向に延びる配線と、
前記フレキシブル基板の先端側で前記配線と電気的に接続されており、前記電気光学パネルと接続される接続端子部と、
前記フレキシブル基板の一方の面に、前記配線及び前記接続端子部を介して前記電気光学パネルを駆動するための駆動用集積回路と、
前記フレキシブル基板の他方の面に、前記駆動用集積回路に対向して形成される遮光膜とを備え、
前記遮光膜は、印字可能な印字層を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記遮光膜は、前記他方の面上に加えて前記一方の面上における、前記駆動用集積回路に対向する領域に少なくとも部分的に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記遮光膜は、遮光性材料を含んでなる接着テープの断片として、前記他方の面に接着されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記駆動用集積回路における、前記一方の面に対向する側と反対側の表面の少なくとも一部に形成されている他の遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記遮光膜は金属層を備えており、該金属層は、前記配線に含まれるグラウンド配線に接続されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記遮光膜は、前記他方の面上における、前記駆動用集積回路に対向しない領域にも少なくとも部分的に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、電気光学動作を行う電気光学パネルと、フレキシブル基板と、該フレキシブル基板に設けられ、前記フレキシブル基板の長手方向に延びる配線と、前記フレキシブル基板の先端側で前記配線と電気的に接続されており、前記電気光学パネルと接続される接続端子部と、前記フレキシブル基板の一方の面に、前記配線及び前記接続端子部を介して前記電気光学パネルを駆動するための駆動用集積回路と、前記フレキシブル基板の他方の面に、前記駆動用集積回路に対向して形成される遮光膜とを備え、前記遮光膜は、印字可能な印字層を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
尚、遮光性能を高める観点からは、遮光膜は好ましくは、駆動用集積回路に対向する領域の全て、更に好ましくは、その周辺領域までも含めて形成されている。但し、このような遮光膜が何ら形成されていない場合と比較すると、駆動用集積回路に対向する領域に遮光膜が他所なりとも形成されていれば、相応の遮光による効果が得られる。
また、遮光膜には、遮光用の遮光層とは別に、印字層が設けられているため、プリンター等を用いて様々な情報を印字することができる。印字される情報は、例えば製品コード、略称コード、バーコード等である。遮光膜は、印字される情報によって、様々な効果を奏する。例えば、製造工程において、遮光膜が備えられた電気光学装置を、コードを参照して管理することができ、作業の効率化が行える。また、修理工程においても、コードを参照して部品の追跡を行い故障原因の分析が行える。
更に、印字層は、印字可能というだけではなく、少なからず遮光能力を有しているため、遮光層における遮光を補い、遮光膜全体としての遮光率を高める効果も有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層を複数の受光領域に分離すると共に第１導電型不純物を有する第１素子分離領域と、
前記第１素子分離領域の表面の一部から前記第２導電型半導体層の表面の一部に渡って形成された素子分離絶縁層と、
前記第１素子分離領域および前記第２導電型半導体層の双方に接して設けられると共に前記第１素子分離領域よりも前記受光領域側に突出して設けられ、さらに前記第１導電型半導体層のうち前記第２導電型半導体層と接する表層よりも高濃度の第１導電型不純物を有する第２素子分離領域と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２導電型半導体層のうち素子分離絶縁層の下面と対向する部分の厚さは、前記第２素子分離領域における第１導電型不純物の濃度と、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の間に通常動作時に印加される電圧範囲内の逆バイアス電圧とに応じて決まる空乏層の幅よりも狭くなっている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１素子分離領域および前記素子分離絶縁層の双方に接して設けられ、さらに前記第１導電型半導体層のうち前記第２導電型半導体層と接する表層よりも高濃度の第１導電型不純物を有する第３素子分離領域
を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２導電型半導体層は、前記第１素子分離領域によって分離されると共に相対的に低濃度の第２導電型不純物を有する複数の低濃度半導体層と、前記素子分離絶縁層によって分離されると共に相対的に高濃度の第２導電型不純物を有する複数の高濃度半導体層とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する埋込層が上部に形成された半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層を複数の受光領域に分離する素子分離絶縁層と、
前記素子分離絶縁層の下部に接して設けられ、さらに前記第１導電型半導体層のうち前記第２導電型半導体層と接する表層よりも高濃度の第１導電型不純物を有する素子分離領域と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第１導電型半導体層と前記素子分離領域との間に絶縁膜を備える
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する埋込層が上部に形成された半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
第１導電型半導体層と、
前記第１導電型半導体層上に設けられた第２導電型半導体層と、
前記第２導電型半導体層を複数の受光領域に分離すると共に第１導電型不純物を有する第１素子分離領域と、
前記第１素子分離領域の表面の一部から前記第２導電型半導体層の表面の一部に渡って形成された素子分離絶縁層と
を備え、
前記第２導電型半導体層のうち素子分離絶縁層の下面と対向する部分の厚さは、前記第１導電型半導体層のうち前記第２導電型半導体層と接する表層における前記第１導電型不純物の濃度と、前記第１導電型半導体層および前記第２導電型半導体層の間に通常動作時に印加される電圧範囲内の逆バイアス電圧とに応じて決まる空乏層の幅よりも狭くなっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
前記第１素子分離領域に接して設けられ、さらに前記第１導電型半導体層のうち前記第２導電型半導体層と接する表層よりも高濃度の第１導電型不純物を有する第２素子分離領域を備える
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第１導電型半導体層は、相対的に高濃度の第１導電型不純物を有する埋込層が上部に形成された半導体基板上に、相対的に低濃度の第１導電型不純物を有する半導体層を積層して構成されている
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項２０】
前記半導体層および前記第２導電型半導体層の合計厚さは、前記受光領域に入射させる光の吸収長よりも厚い
ことを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
燃料ガスと酸化ガスとの電気化学反応により発電を行うセルが複数積層されてなり、前記セルの積層方向両端部に配置された一対のエンドプレートに狭持された燃料電池スタックと、
前記燃料電池スタックから排出されたオフガスの気液を分離する気液分離器と、を備え、
前記気液分離器が前記エンドプレートに固定され、前記気液分離器の主要な構成部品が、薄板をプレス成形することにより形成されている燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の燃料電池システムは、燃料ガスと酸化ガスとの電気化学反応により発電を行うセルが複数積層されてなり、前記セルの積層方向両端部に配置された一対のエンドプレートに狭持された燃料電池スタックと、前記燃料電池スタックから排出されたオフガスの気液を分離する気液分離器と、を備え、前記気液分離器が前記エンドプレートに固定され、前記気液分離器の主要な構成部品が、薄板をプレス成形することにより形成されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック原料と、ブチラール系樹脂もしくはアクリル系樹脂と、Ｔｇが３０℃以下の、ポリエステル系樹脂、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリプロピレン系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つを含み、
引張り強度において、常温での弾性定数が３００Ｎ／ｍｍ２以上、積層温度での破断点ひずみが２０％以上であることを特徴とするセラミックグリーンシート。
【請求項２】
セラミック原料と、ブチラール系樹脂もしくはアクリル系樹脂と、Ｔｇが３０℃以下の、ポリエステル系樹脂、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリプロピレン系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つを含み、
引張り強度において、常温での弾性定数が３００Ｎ／ｍｍ２以上、７０℃〜１３０℃での破断点ひずみが２０％以上であることを特徴とするセラミックグリーンシート。
【請求項３】
可塑剤を非添加とした請求項１に記載のセラミックグリーンシート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一つに記載のセラミックグリーンシートを用いた積層セラミック電子部品。
【請求項５】
セラミック原料と、ブチラール系樹脂もしくはアクリル系樹脂と、Ｔｇが３０℃以下の、ポリエステル系樹脂、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリプロピレン系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つを含み、
下最外有効層の膜厚と上最外有効層の膜厚の差を上最外有効層の膜厚で除した膜厚伸び率が−５〜０％である積層セラミック電子部品。
【請求項６】
積層セラミックコンデンサの製造方法であって、請求項１〜３のいずれか一つに記載のセラミックグリーンシートを６０℃以上に加熱した後積層することを特徴とする積層セラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、特に、Ｔｇが３０℃以下の、ポリエステル系樹脂、ＥＶＡ（エチレン−酢酸ビニル共重合体）系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリプロピレン系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも一つを含むものであり、これにより、ショート率の増加、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。また、シートの強度向上だけではなく、積層時の電極段差吸収、接着性を発現させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は、引張り強度において、常温での弾性定数が３００Ｎ／ｍｍ２以上、積層温度での破断点ひずみが２０％以上であることとしたものであり、これにより、薄層化しても積層性に優れるとともにショート率の増加、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明は、可塑剤を非添加としたものであり、これにより、積層時のシートずれやシート伸びなどのクリープ現象を起こりにくくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また本発明は、セラミックグリーンシートを用いた積層セラミックコンデンサであり、上記セラミックグリーンシートを用いることでショート率の増加、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また本発明は、上下の最外有効層の厚みが略同じとしたものであり、これにより、積層工程によりシートの伸びを抑制することができ、その結果、ショート率の増加、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明は、セラミックグリーンシートを６０℃以上に加熱した後積層することとしたものであり、セラミックグリーンシートを積層前に加熱することにより、常温時には高弾性率、積層圧着時では内部電極の段差吸収、接着性などの積層性に優れたものを実現することができ、短時間で高信頼性の積層セラミック電子部品を製造することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
実際、（表２）の膜厚伸び率（％）（膜厚伸び率（％）：１００×５(最初に積層した下最外有効層の膜厚)−４(最後に積層した上最外有効層の膜厚)）／４（最後に積層した上最外有効層の膜厚）を比較すると、可塑剤を含んだものが−７％に対し、高結晶性樹脂を用いたものが−０．５％とシート伸びが軽減されている。このように本発明のセラミックグリーンシートを用いれば、上下最外有効層４，５の厚みを略同一にすることができるので、ショート率の増加、絶縁耐圧の低下を抑制することができる。通常、ショート率の増加、ＢＤＶaveの低下は膜厚が薄いほど起こり易くなるため、誘電体層の薄層化に対して本発明のグリーンシートは有効である。なお、膜厚伸び率は−５〜０％であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と表面拡大化処理された陰極箔とをセパレータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を形成し、前記コンデンサ素子に駆動用電解液を含浸させた後有底の金属ケースに収納し、前記金属ケースの開口部を封口材で封口する電解コンデンサの製造方法において、前記駆動用電解液を含浸させる前に、前記コンデンサ素子を導電性高分子微粒子の分散液に浸漬し、その後減圧した後乾燥させ、前記導電性高分子微粒子を前記セパレータの繊維表面に付着させるとともに前記セパレータの繊維間にも充填させ、さらに前記陽極箔及び前記陰極箔の表面にも前記導電性高分子微粒子を付着させるようにし、かつ前記コンデンサ素子の端部から中心に向かって少なくなるように前記導電性高分子微粒子を付着及び充填するようにした電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記陰極箔の表面に酸化物、または炭化物、または窒化物を形成したことを特徴とする請求項１に記載の電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記導電性高分子微粒子の分散液に界面活性剤を添加するようにした請求項１に記載の電解コンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電解コンデンサの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記課題を解決するために本発明は、誘電体酸化皮膜を形成した陽極箔と表面拡大化処理された陰極箔とをセパレータを介在させて巻回することによりコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子に駆動用電解液を含浸させた後有底の外装ケースに収納し、この外装ケースの開口部を封口材で封口する電解コンデンサの製造方法において、前記駆動用電解液を含浸させる前に、コンデンサ素子を導電性高分子微粒子の分散液に浸漬し、その後乾燥させて導電性高分子微粒子をセパレータの繊維表面に付着させるとともにセパレータの繊維間にも充填させ、さらに陽極箔及び陰極箔の表面にも導電性高分子微粒子を付着させるようにした製造方法とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
［比較例８］（臭素酸ナトリウム含有アルカリエッチング液、Ｓｉ溶解量：３．０ｇ／Ｌ）
実施例１３と同様にしてシリコン濃度が３．０ｇ／Ｌとなったアルカリ水溶液をエッチング液とした。実施例１と同様にシリコンウェーハをエッチング処理した。その後、得られたウェーハを上記試験法により、エッチング速度、ウェーハ表面粗さ、ウェーハ表面光沢度について測定した。結果は表１にまとめた。また、図１にはＳｉ溶解量に対して、得られたウェーハの表面粗さをプロットした。さらに、得られたウェーハの表面の顕微鏡写真を撮影し、図５にしめした。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に第１の方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように第２の方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて設けられるドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
前記ゲート配線又は前記データ配線の形成は、
下部構造物上にバリヤ膜を形成し、
前記バリヤ膜が形成されている下部構造物上に銅又は銅合金を含む銅導電膜を形成し、
前記銅導電膜上に銅窒化物を含む中間膜を形成し、
前記中間膜上にＭｏ、ＭｏＮ、ＭｏＷ、ＭｏＴｉ、ＭｏＮｂ、ＭｏＺｒ、ＩＺＯ、ＩＴＯ、アモルファスＩＴＯ、又はこれらの組み合わせを含むキャッピング膜を形成し、
前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜をエッチングして下部の前記バリヤ膜を露出させ、
前記バリヤ膜をエッチングすること、
を含み、
前記バリヤ膜は、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｚｒ、Ｗ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ又はこれらの化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記中間膜の形成は、窒素を含む雰囲気下で銅をターゲットとしてスパッタリングすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記中間膜の形成は、前記銅導電膜の形成に連続して窒素を供給しながらｉｎ−ｓｉｔｕにおこなわれることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記中間膜の厚さは、５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記中間膜は、０．００１ａｔｏｍ％以上５０ａｔｏｍ％以下の窒素を含有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、ウエットエッチングであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜のエッチングは、前記キャッピング膜、前記中間膜及び前記銅導電膜を一括的にエッチングすることを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記バリヤ膜のエッチングは、ＨＣｌ、Ｃｌ２、Ｈ２、Ｏ２又はこれらの組み合わせを含むエッチングガスを使用してドライエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記データ配線の形成の前記バリヤ膜のエッチング後に前記エッチングされたバリヤ膜下部のオーミックコンタクト層をエッチングして下部の半導体層を露出させることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記オーミックコンタクト層のエッチングは、前記データ配線のバリヤ膜と連続的にエッチングすることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に第１方向に延長されたゲート線及び前記ゲート線に接続されたゲート電極を含むゲート配線を形成し、
前記絶縁基板上に前記ゲート線と交差するように２方向に延長されたデータ線、前記データ線に接続されたソース電極及び前記ソース電極と離隔されて位置するドレイン電極を含み、前記ゲート配線と絶縁されているデータ配線を形成し、
前記ゲート配線と前記データ配線上に各画素毎に前記ドレイン電極と接続された画素電極を形成し、
前記ゲート配線または前記データ配線の形成は、
下部構造物上に銅窒化物を含むバリヤ膜を形成し、
前記バリヤ膜が形成されている下部構造物上に銅または銅合金を含む銅導電膜を形成し、
前記銅導電膜上にモリブデンまたはモリブデン合金を含むキャッピング膜を形成し、
前記配線を定義するフォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜をパターニングすることを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記バリヤ膜の形成は前記下部構造物と前記バリヤ膜との界面に銅窒化物を連続的または非連続的に形成することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記バリヤ膜の形成は窒素を含む雰囲気下で銅または銅合金をターゲットにしたスパッタリングによって行うことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記銅導電膜の形成は前記バリヤ膜の形成に続いて窒素供給を中断してｉｎ−ｓｉｔｕで行われる段階であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜のパターニングは前記キャッピング膜、前記銅導電膜及び前記バリヤ膜を一括してエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記バリヤ膜の厚さは５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記バリヤ膜は０．００１ａｔｏｍ％ないし５０ａｔｏｍ％の窒素を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
送信装置２０からの送信情報の中に、映像情報と共に、この映像情報を制御するための付随情報が含まれているときはその処理情報も同時に送信する。付随情報とは、コピーガード情報であって、複製制御情報としてのＣＧＭＳ（Copy Generation Management System）や、マクロビジョン情報などである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
付随情報は、付随情報が挿入されている期間の全てに亘り、その情報を伝送するのではなく、付随情報の挿入期間の最初と最後のみ付随情報およびこの付随情報に関連した情報のみを伝送する。つまり付随情報を圧縮して伝送する。付随情報の種別を示す情報や、付随情報の開始および終了を示す情報が符号化される。これによって伝送すべき情報量を大幅に削減できる。付随情報の伝送形態（パターン）はこの例に限らず、例えばある一定時間間隔ごとに付随情報を伝送する間欠的な伝送形態でもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
復号された映像エレメンタリーストリームはビデオエンコーダ（映像信号用エンコード部）５７に供給されて、映像信号のアナログ変換処理と、アナログ映像信号を所定のテレビジョン方式に変換すると共に、コンポジット信号Ｓｃとセパレート信号Ｓｓの２形式で出力する信号処理が行われる。同時に、映像信号には同期信号の付加処理が行われる。テレビジョン方式とはこの例ではＮＴＳＣ方式かＰＡＬ方式を指す。アナログ化された映像信号（コンポジット信号Ｓｃおよびセパレート信号Ｓｓ）は第１の信号合成部５８に供給される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
制御部５０Ｃは、信号処理を司るＣＰＵ７０を有する。このＣＰＵ７０の内部バスにはメモリコントローラ７１を介してメモリ手段７２が接続される。メモリ手段７２は、ＬＡＮインタフェース部５０Ａで受信した情報信号に対してＭＰＥＧデコード処理を行ったり、付随情報の復号処理をおこなったりするための処理プログラムなどが格納されたＲＯＭと、処理データを一時保存するなどのワーキングメモリとして機能するＲＡＭなどで構成される。なお、この例ではＭＰＥＧデコーダ５０ＢとＣＰＵ７０回り（破線図示）は１チップ化されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
リモートコントロール信号処理部５０Ｄはリモートコントロール信号受光部７５と、受光されたリモートコントロール信号が供給されるサブマイクロコンピュータ（サブマイコン）７６とで構成される。リモートコントロール信号によって、送信装置２０に対する回線確立処理のための起動処理を始めとして、送信装置２０自身に対する制御処理、外部映像機器２７に対する制御処理などが実行される。そのため、サブマイクロコンピュータ７６ではこれらの処理信号をＣＰＵ７０に受け渡す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
カウント数Ｃが所定数（＝１０）となったその水平走査期間に付随情報の存在を確認する（ステップ２１６）。この１０番目の水平走査期間に付随情報の存在が確認されなかったときには、変数ＦＬＡＧを初期状態のままにして（ステップ２１７）、付随情報の存在の確認処理を続行する。つまり、水平同期信号Ｈの数が１８を越えるまでは付随情報の存在の確認処理が継続される（ステップ２１８，２１３）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
そのときの水平同期信号Ｈのカウント数Ｃは「１８」未満であるので（ステップ２１８）、ステップ２１３に戻り、水平同期信号Ｈの検出モードに遷移する。そして次の水平同期信号Ｈが検出され、その水平走査期間に挿入された付随情報が検出されたときには（ステップ２１３〜２１６）、変数ＦＬＡＧの状態が判別される（ステップ２２０）。直前の水平走査期間に付随情報の挿入が検出されているので、変数ＦＬＡＧは、ＦＬＡＧ＝１となっている。そのため、２度目に検出された付随情報によっては付随符号化処理はなされず、そのままスルーしてステップ２２０からステップ２１８に進む。この処理は付随情報の挿入が検出されなくなるまで続く。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
このように付随情報が検出されたときには、付随情報の内容に応じた符号化処理と、付随情報の開始および終了を示すコード情報（フラグＦ）などが符号化処理される。受信装置５０側ではこの付随符号化の内容を解読することで、付随情報が存在するときはその付随情報が所定の水平走査期間に、元の数だけ映像信号に挿入されて出力されてから、付随情報が挿入された元の映像信号に復元することができる。付随情報を圧縮して伝送することで、付随情報の伝送量を大幅に削減できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008066898.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008066898.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体が装着され、かつストレージ装置と通信可能な画像再生装置であって、
前記ストレージ装置から画像データを受信する受信手段と、
前記受信手段により受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データを表示部に表示する表示制御手段と、
前記受信手段により受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データをキャッシュメモリに保存するキャッシュ手段と、
前記画像再生装置及び前記ストレージ装置の電力状態または通信状態を判定する判定手段とを有し、
前記キャッシュ手段は前記判定手段による判定の結果に基づき、既にキャッシュメモリに保存された画像データのうち、前記キャッシュメモリから削除する画像データを決定することを特徴とする画像再生装置。
【請求項２】
前記判定手段は、前記画像再生装置及び前記ストレージ装置の電池残量に基づき、それぞれの電力状態を判定することを特徴とする請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項３】
前記判定手段により、前記画像再生装置の電池残量が所定の値よりも大きく、かつ前記ストレージ装置の電池残量が所定の値よりも小さいと判定された場合、前記キャッシュ手段は前記キャッシュメモリから前記記憶媒体から読み出された画像データを削除することを特徴とする請求項２に記載の画像再生装置。
【請求項４】
前記判定手段は、前記画像再生装置が前記記憶媒体にアクセスするのに要する電力に基づき、前記画像再生装置の電力状態を判定するとともに、前記ストレージ装置が前記ストレージ装置の記憶媒体にアクセスするのに要する電力に基づき、前記ストレージ装置の電力状態を判定することを特徴とする請求項１または２に記載の画像再生装置。
【請求項５】
前記画像再生装置と前記ストレージ装置は無線による通信が可能であり、
前記判定手段は、前記画像再生装置と前記ストレージ装置との間の電波状態に基づき、前記通信状態を判定することを特徴とする請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項６】
前記画像再生装置の記憶媒体または前記ストレージ装置の記憶媒体に記憶された画像データの取得要求があった場合であって、かつ前記キャッシュメモリに要求された画像データが保存されていない場合、前記判定手段による判定を行うことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項７】
前記画像再生装置と前記ストレージ装置とが通信可能に接続されていない場合、前記判定手段による判定は行わないことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項８】
前記画像再生装置に複数のストレージ装置が通信可能に接続されている場合、前記判定手段は前記画像再生装置及び前記複数のストレージ装置のそれぞれの電力状態または通信状態を判定し、
前記キャッシュ手段は、前記判定手段による判定の結果に基づき、前記複数のストレージ装置に対応する前記キャッシュメモリの割り当てを決定することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の画像再生装置。
【請求項９】
記憶媒体が装着され、かつストレージ装置と通信可能な画像再生装置の制御方法であって、
前記ストレージ装置から画像データを受信する受信ステップと、
前記受信ステップにて受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データを表示部に表示する表示ステップと、
前記画像再生装置及び前記ストレージ装置の電力状態または通信状態を判定する判定ステップと、
前記受信ステップにて受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データをキャッシュメモリに保存するキャッシュステップと、
前記判定ステップにおける判定の結果に基づき、既にキャッシュメモリに保存された画像データのうち、前記キャッシュメモリから削除する画像データを決定する決定ステップを含む画像再生装置の制御方法。
【請求項１０】
記憶媒体が装着され、かつストレージ装置と通信可能な画像再生装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記ストレージ装置から画像データを受信する受信ステップと、
前記受信ステップにより受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データを表示部に表示する表示制御ステップと、
前記画像再生装置及び前記ストレージ装置の電力状態または通信状態を判定する判定ステップと、
前記受信ステップにより受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データをキャッシュメモリに保存するキャッシュステップと、
前記判定ステップにおける判定の結果に基づき、既にキャッシュメモリに保存された画像データのうち、前記キャッシュメモリから削除する画像データを決定する決定ステップとをコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像再生装置、その制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ストレージ装置と画像再生装置との電力状態等に応じてキャッシュメモリ内の画像データを取り扱う技術に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
そこで、本発明の目的は、電力状態または通信状態に応じて、キャッシュメモリを効率よく使用し、例えば電池残量が少ない装置側の消費電力を極力抑え、且つ高速に画像を表示可能とすることにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の画像再生装置は、記憶媒体が装着され、かつストレージ装置と通信可能な画像再生装置であって、前記ストレージ装置から画像データを受信する受信手段と、前記受信手段により受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データを表示部に表示する表示制御手段と、前記受信手段により受信した画像データ及び前記記憶媒体から読み出された画像データをキャッシュメモリに保存するキャッシュ手段と、前記画像再生装置及び前記ストレージ装置の電力状態または通信状態を判定する判定手段とを有し、前記キャッシュ手段は前記判定手段による判定の結果に基づき、既にキャッシュメモリに保存された画像データのうち、前記キャッシュメモリから削除する画像データを決定することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、電力状態または通信状態に応じて、キャッシュメモリを効率よく使用することが可能となり、例えば電池残量が少ない装置側の消費電力を極力抑え、且つ高速に画像を表示することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008066818.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008066818.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路が形成される半導体集積回路形成領域を複数有する半導体基板と、前記半導体集積回路形成領域に形成された前記半導体集積回路と、を備えた半導体装置であって、
前記複数の半導体集積回路形成領域のうち、所定の前記半導体集積回路形成領域の外周付近に設けられたガードリングに画像認識用のアライメントパターンを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体集積回路形成領域は、平面視四角形をしており、
前記アライメントパターンは、前記平面視四角形の第１の辺と平行な第１のパターンと、前記平面視四角形の第２の辺と平行な第２のパターンとを有し、
前記第１のパターンと前記第２のパターンとが成す角度が直角であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記所定の半導体集積回路形成領域は、少なくとも２つの前記半導体集積回路形成領域から構成されており、
前記第２のパターンは、前記第１のパターンが設けられた前記半導体集積回路とは異なる前記半導体集積回路に設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記所定の半導体集積回路形成領域は、少なくとも２つの前記半導体集積回路形成領域から構成されており、
前記第１及び第２のパターンは、前記少なくとも２つの半導体集積回路形成領域のそれぞれに設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アライメントパターンは、レーザトリミング装置がアライメントするときに用いるパターンであることを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体集積回路が形成される半導体集積回路形成領域を複数有する半導体基板と、前記半導体集積回路形成領域に形成された前記半導体集積回路とを有すると共に、前記半導体集積回路が該半導体集積回路の電気特性を調整するためのヒューズパターンを備えた半導体装置の製造方法であって、
レーザトリミング装置により、所定の前記半導体集積回路形成領域の外周付近に形成されたガードリングに設けられた画像認識用のアライメントパターンを用いてアライメントを行うアライメント工程と、
前記複数の半導体集積回路のうち、電気特性の調整が必要な前記半導体集積回路に設けられた前記ヒューズパターンを切断するヒューズパターン切断工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一観点によれば、半導体集積回路（１７）が形成される半導体集積回路形成領域（Ｂ）を複数有する半導体基板（１１）と、前記半導体集積回路形成領域（Ｂ）に形成された前記半導体集積回路（１７）と、を備えた半導体装置（１０）であって、前記複数の半導体集積回路形成領域（Ｂ）のうち、所定の前記半導体集積回路形成領域（Ｂ−１〜Ｂ−４）の外周付近に設けられたガードリング（１８）に画像認識用のアライメントパターン（２０）を設けたことを特徴とする半導体装置（１０）が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明によれば、所定の半導体集積回路形成領域（Ｂ−１〜Ｂ−４）の外周付近に設けられたガードリング（１８）に画像認識用のアライメントパターン（２０）を設けることにより、スクライブ領域（Ｃ）の幅（Ｗ１）が狭い場合でも、アライメントパターン（２０）によりアライメントに必要な光の強度を十分に確保することが可能となるため、アライメントパターン（２０）の位置検出を精度良く行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の他の観点によれば、半導体集積回路（１７）が形成される半導体集積回路形成領域（Ｂ）を複数有する半導体基板（１１）と、前記半導体集積回路形成領域（Ｂ）に形成された前記半導体集積回路（１７）とを有すると共に、前記半導体集積回路（１７）が該半導体集積回路（１７）の電気特性を調整するためのヒューズパターン（３４）を備えた半導体装置（１０）の製造方法であって、レーザトリミング装置により、所定の前記半導体集積回路形成領域（Ｂ−１〜Ｂ−４）の外周付近に形成されたガードリング（１８）に設けられた画像認識用のアライメントパターン（２０）を用いてアライメントを行うアライメント工程と、前記複数の半導体集積回路（１７）のうち、電気特性の調整が必要な前記半導体集積回路（１７）に設けられた前記ヒューズパターン（３４）を切断するヒューズパターン切断工程と、を含むことを特徴とする半導体装置（１０）の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、所定の半導体集積回路形成領域（Ｂ−１〜Ｂ−４）の外周付近に形成されたガードリング（１８）に設けられた画像認識用のアライメントパターン（２０）を用いてアライメントを行うことにより、アライメントパターン（２０）が反射する光の強度を十分に確保することが可能となるため、アライメントパターン（２０）の位置検出を精度良く行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視領域光であるレーザビームを用いた半導体膜のレーザアニール方法であって、
前記半導体膜に対して電場ベクトルが平行なｐ偏光のレーザビームを発生させ、該ｐ偏光のレーザビームを、前記半導体膜のブリュースター角度に対して±５°以下の範囲の入射角度で前記半導体膜に照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
可視領域光であるレーザビームを用いた半導体膜のレーザアニール方法であって、
前記半導体膜に対して電場ベクトルが平行なｐ偏光のレーザビームを発生させ、該ｐ偏光のレーザビームを、膜厚５０ｎｍ以上の前記半導体膜に対して、６５°以上、８５°以下の入射角度で前記半導体膜に照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項３】
前記レーザビームは、ＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ又はＹＡＧの固体レーザビームであり、
該固体レーザビームの波長は、５３２ｎｍ、又は５２７ｎｍである、ことを特徴とする請求項１または２に記載のレーザアニール方法。
【請求項４】
前記半導体膜は、非結晶膜または多結晶膜である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のレーザアニール方法。
【請求項５】
可視領域光であるレーザビームを用いた半導体膜のレーザアニール装置であって、前記半導体膜に対して電場ベクトルが平行なｐ偏光のレーザビームを発生するレーザ発生装置と、
前記ｐ偏光のレーザビームを、前記半導体膜のブリュースター角度に対して±５°以下の範囲の入射角度で前記半導体膜に照射する照射装置とを備えた、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項６】
可視領域光であるレーザビームを用いた半導体膜のレーザアニール装置であって、前記半導体膜に対して電場ベクトルが平行なｐ偏光のレーザビームを発生するレーザ発生装置と、
前記ｐ偏光のレーザビームを、膜厚５０ｎｍ以上の前記半導体膜に対して、６５°以上、８５°以下の入射角度で前記半導体膜に照射する照射装置とを備えた、ことを特徴とするレーザアニール装置。
【請求項７】
前記照射装置は、前記入射角度を可変調整可能な照射角度調整器を有する、ことを特徴とする請求項５または６に記載のレーザアニール装置。
【請求項８】
前記レーザ発振器のレーザビームは、ＹＡＧ、ＹＶＯ４、ＹＬＦ又はＹＡＧの固体レーザビームであり、
該固体レーザビームの波長は、５３２ｎｍ、又は５２７ｎｍである、ことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載のレーザアニール装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャピラリに通した金ワイヤにより、半導体チップのパッド上にバンプ電極を形成する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記キャピラリの先端部において、前記金ワイヤをトーチにより溶融することによって、前記金ワイヤより直径が大きい金ボールを形成する工程と、
（ｂ）前記金ボールを前記パッド上に前記キャピラリによって押圧することによって、前記金ボールの一部が前記キャピラリ内に食い込んだ状態の形状を有するバンプ電極を形成する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記キャピラリを、前記キャピラリの先端が前記バンプ電極と前記金ワイヤの境目に位置するように上昇させる工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記キャピラリを前記金ワイヤの直径の範囲内において、横方向に移動させることによって、前記バンプ電極と前記金ワイヤの境目における前記金ワイヤの一部を前記金ワイヤの直径よりも細らせる工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記キャピラリを更に上昇させて、前記キャピラリから前記金ワイヤを引き出す工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、クランパで前記金ワイヤを挟んで上方向に引っ張ることにより、前記金ワイヤを前記細らせた部分においてカットする工程、とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記工程（ｂ）は、前記金ボールに、加重、熱及び超音波を印加して、前記金ボールと前記パッドとを接合する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、前記パッドは、アルミパッドであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１において、前記工程（ｆ）の後、前記バンプ電極の上部にステッチボンディングを行う工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、キャピラリに通した金ワイヤにより、半導体チップのパッド上にバンプ電極を形成する半導体装置の製造方法であって、（ａ）前記キャピラリの先端部において、前記金ワイヤをトーチにより溶融することによって、前記金ワイヤより直径が大きい金ボールを形成する工程と、（ｂ）前記金ボールを前記パッド上に前記キャピラリによって押圧することによって、前記金ボールの一部が前記キャピラリ内に食い込んだ状態の形状を有するバンプ電極を形成する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記キャピラリを、前記キャピラリの先端が前記バンプ電極と前記金ワイヤの境目に位置するように上昇させる工程と、（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記キャピラリを前記金ワイヤの直径の範囲内において、横方向に移動させることによって、前記バンプ電極と前記金ワイヤの境目における前記金ワイヤの一部を前記金ワイヤの直径よりも細らせる工程と、（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記キャピラリを更に上昇させて、前記キャピラリから前記金ワイヤを引き出す工程と、（ｆ）前記工程（ｅ）の後、クランパで前記金ワイヤを挟んで上方向に引っ張ることにより、前記金ワイヤを前記細らせた部分においてカットする工程、とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。