Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置された第一配線と、
前記基板の上に配され、前記第一配線と交差する第二配線と、
電子放出部材を備え、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内のいずれか一方の配線に電気的に接続されたカソード電極と、前記カソード電極の上に設けられ、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内の他方の配線に電気的に接続されたゲート電極とを有すると共に、前記第一配線と前記第二配線との交差部から離れて前記基板の上に配置された電子放出素子と、
を備える電子源であって、
前記第一配線は、前記交差部において、絶縁層を介して前記第二配線の上に配置されており、
前記ゲート電極は間隔を置いて並んだスリット状の複数の開口を備えており、
前記基板の表面に平行な面内において、前記開口の長手方向と前記第一配線に沿った方向とが交差するように、前記複数の開口が配置されていることを特徴とする電子源。
【請求項２】
基板と、
前記基板の上に配置された第一配線と、
前記基板の上に配され、前記第一配線と交差する第二配線と、
電子放出部材を備え、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内のいずれか一方の配線に電気的に接続されたカソード電極と、前記カソード電極の上に設けられ、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内の他方の配線に電気的に接続されたゲート電極とを有すると共に、前記第一配線と前記第二配線との交差部から離れて前記基板の上に配置された電子放出素子と、
を備える電子源であって、
前記第一配線は、前記交差部において、絶縁層を介して前記第二配線の上に配置されており、
前記ゲート電極は間隔を置いて並んだスリット状の複数の開口を備えており、
前記基板の表面に平行な面内において、前記複数の開口の各々の長手方向の一方の端部が、前記複数の開口の各々の長手方向の中央部よりも前記第一配線の近くに配置されていることを特徴とする電子源。
【請求項３】
前記電子放出部材を備えた前記カソード電極の上に収束電極が設けられており、
前記ゲート電極は、前記収束電極の上に絶縁層を介して積層されており、
前記複数の開口の各々は、前記ゲート電極と前記絶縁層と前記収束電極とを貫通し、且つ、前記電子放出部材の表面を露出していることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子源。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子源と、
スペーサを介して前記電子源に対向して配置され、発光体を有する基板と、
を備える画像表示装置であって、
前記スペーサが第一配線上に配置されていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
スクリーンを有する画像表示装置と、
受信した放送信号に含まれる映像情報、文字情報及び音声情報の少なくとも１つを出力する受信機と、
該受信機から出力された情報を前記画像表示装置の前記スクリーンに表示させる駆動回路と、
を備える情報表示再生装置であって、
前記画像表示装置が請求項４に記載の画像表示装置であることを特徴とする情報表示再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明にあっては、以下の構成を採用する。すなわち、
基板と、
前記基板の上に配置された第一配線と、
前記基板の上に配され、前記第一配線と交差する第二配線と、
電子放出部材を備え、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内のいずれか一方の配線に電気的に接続されたカソード電極と、前記カソード電極の上に設けられ、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内の他方の配線に電気的に接続されたゲート電極とを有すると共に、前記第一配線と前記第二配線との交差部から離れて前記基板の上に配置された電子放出素子と、
を備える電子源であって、
前記第一配線は、前記交差部において、絶縁層を介して前記第二配線の上に配置されており、
前記ゲート電極は間隔を置いて並んだスリット状の複数の開口を備えており、
前記基板の表面に平行な面内において、前記開口の長手方向と前記第一配線に沿った方向とが交差するように、前記複数の開口が配置されていることを特徴とする電子源である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明にあっては、以下の構成を採用する。すなわち、
基板と、
前記基板の上に配置された第一配線と、
前記基板の上に配され、前記第一配線と交差する第二配線と、
電子放出部材を備え、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内のいずれか一方の配線に電気的に接続されたカソード電極と、前記カソード電極の上に設けられ、且つ、前記第一配線と前記第二配線の内の他方の配線に電気的に接続されたゲート電極とを有すると共に、前記第一配線と前記第二配線との交差部から離れて前記基板の上に配置された電子放出素子と、
を備える電子源であって、
前記第一配線は、前記交差部において、絶縁層を介して前記第二配線の上に配置されており、
前記ゲート電極は間隔を置いて並んだスリット状の複数の開口を備えており、
前記基板の表面に平行な面内において、前記複数の開口の各々の長手方向の一方の端部が、前記複数の開口の各々の長手方向の中央部よりも前記第一配線の近くに配置されていることを特徴とする電子源である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１に本実施の形態に係る電子源の概略平面図を示す。図１中、第一配線１１は紙面左右方向に延びている。第二配線１２は、第一配線１１の下層で第一配線１１と直交して紙面上下方向に延びている。絶縁層１３は、第二配線１２と第一配線１１との間に介在している。絶縁性基板１４の上には、第一配線１１や第二配線１２が積層される。電子放出素子１５は、第一配線１１と第二配線１２とが交差する部位から離れて配置され、第一配線１１にカソード電極が接続され、第二配線１２にゲート電極が接続されている。電子放出素子１５は、間隔を置いて並んだスリット状の２つの開口を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源を収納するハウジングと、
伝熱部と放熱部とからなり、前記ハウジングを貫通する熱導出手段であって、該伝熱部はヒートパイプからなり、該ヒートパイプの入熱部が前記光源に取り付けられ、該ヒートパイプの排熱部が前記放熱部に取り付けられ、放熱フィンが前記放熱部となるヒートシンクを前記ハウジングの外側に備える熱導出手段と、
前記熱導出手段と前記ハウジングの間をシールするシール部と、及び
前記光源の光軸を調節する光軸調整手段と、
を備え、
前記ヒートパイプはハウジングの外側に第１の方向へ撓む第１屈曲部を有し、前記光軸調整手段による前記光源の光軸の角度の変化に追従するように、前記伝熱部が変形する、ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記ヒートパイプは第２方向へ撓む第２屈曲部を前記ハウジングの外側に有する、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２方向は前記第１方向に対して垂直である、ことを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記ヒートパイプは螺旋形状である、ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記シール部は前記伝熱部と前記ハウジングの間をシールする、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記シール部は前記放熱部と前記ハウジングの間をシールする、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記シール部が可撓性のブーツ部材により形成される、ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記光源と前記伝熱部の間に熱伝導性部材が介在する、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
前記光源はＬＥＤランプである、ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記光軸調整手段はオートレベリング機能を有する請求項１〜９のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記第１屈曲部は前記ヒートパイプの一部を半円状に屈曲して形成される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
室内照明器具、車両の灯具など様々な用途に発光装置が使用されているが、光量の大きな照明器具や灯具に使用される発光装置では、熱対策が重要である。熱対策の一つとして、ヒートパイプを利用したものがある。例えば、特許文献１には、入熱部がハウジング内の光源へ取り付けられ、排熱部がハウジング外のヒートシンクに取り付けられるヒートパイプを備えた発光装置が開示されている。この発光装置では、光源で発生する熱をヒートパイプによりハウジング外に放出する。また、特許文献２には、ループ状のヒートパイプを利用して光源の熱をハウジング外部に放出する発光装置が開示されている。また、特許文献３には、複数の灯具ユニットを備えてなる車両用灯具が開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６‐１０７８７５号公報
【特許文献２】特開２００６‐１６４９６７号公報
【特許文献３】特開２００７‐３５５１３号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は以上の目的を達成するために、以下に示す発光装置を提供する。即ち、
光源と、
前記光源を収納するハウジングと、
伝熱部と放熱部とからなり、前記ハウジングを貫通する熱導出手段であって、該伝熱部はヒートパイプからなり、該ヒートパイプの入熱部が前記光源に取り付けられ、該ヒートパイプの排熱部が前記放熱部に取り付けられ、放熱フィンが前記放熱部となるヒートシンクを前記ハウジングの外側に備える熱導出手段と、
前記熱導出手段と前記ハウジングの間をシールするシール部と、及び
前記光源の光軸を調節する光軸調整手段と、
を備え、
前記ヒートパイプはハウジングの外側に第１の方向へ撓む第１屈曲部を有し、前記光軸調整手段による前記光源の光軸の角度の変化に追従するように、前記伝熱部が変形する、ことを特徴とする発光装置とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板の表面にテクスチャ構造の受光面を有し、半導体基板の裏面に正負の電極を有する光電変換素子であって、
前記受光面のテクスチャ構造は、頂部が平坦に形成されたテクスチャ構造とされており、この平坦な頂部には、入射光を前記受光面に向けて反射する反射鏡が設けられていることを特徴とする光電変換素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明に係る光電変換素子は、半導体基板の表面にテクスチャ構造の受光面を有し、半導体基板の裏面に正負の電極を有する光電変換素子であって、受光面のテクスチャ構造は、頂部が平坦に形成されたテクスチャ構造とされており、この平坦な頂部には、入射光を受光面に向けて反射する反射鏡が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第３の半導体装置によると、コレクタコンタクト同士の間隔は、エミッタコンタクト同士の間隔よりも大きいため、互いに隣接するコレクタコンタクト同士の間の抵抗が高くなる。このため、対向するコレクタコンタクトとエミッタコンタクトとの間に流れる電流に、他のコレクタコンタクトからの電流が流れ込むという現象が抑制される。その結果、１組みのコレクタコンタクトとエミッタコンタクトとに電流が局所的に集中することを防止できるので、静電放電保護用のトランジスタのＥＳＤ耐性を向上することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
なお、ドレインコンタクト１０６Ａ〜１０６Ｃ及びソースコンタクト１０７Ａ〜１０７Ｅは、ゲート幅方向に平行に３列以上形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に搭載された発熱体を冷媒の熱移送によって冷却する冷却装置において、
該冷却装置は、発熱体からの熱を前記冷媒により受熱する受熱部材と、
前記冷媒によって受熱した熱を放熱する放熱部材と、
前記受熱部材と前記放熱部材の間において前記冷媒を循環可能に配設した配管部材とを
備え、
前記受熱部材は、前記発熱体に熱接続するベース部材と、ケース部材とによって内部に冷
媒の通流を可能にした密閉空間を形成する構成とし、前記ベース部材の前記発熱体に熱接
続する対向平面の所定領域には、前記密閉空間内に前記冷媒を通流する流路を構成するフ
ィンを一体的に形成して有し、前記ベース部材の前記フィンを形成する領域のベース部材
の厚みを、フィンを形成しない他のベース部厚みより薄い構造とした
ことを特徴とする電子機器用の冷却装置。
【請求項２】
請求項１に記載の冷却装置において、
前記ベース部材に形成される前記フィンは、前記ベース部材を掘り込んだ窪み位置にお
いて、スカイブ加工により削ぎ起こされて形成した
ことを特徴とする電子機器用の冷却装置。
【請求項３】
請求項１、および請求項２に記載の冷却装置において、
前記ベース部材は、前記ベース部材に形成される前記フィンの流路両端部において、前
記フィンを形成した前記ベース部材の薄肉部高さ位置から前記ベース部材の厚肉部高さ位
置に向けて傾斜面を構成している
ことを特徴とする電子機器用の冷却装置。
【請求項４】
請求項１、および請求項２に記載の冷却装置において、
前記ケース部材は、一体、あるいは別体で接合されて形成され、前記ベース部材とで受
熱部材を構成する際にフィンの上端部を押圧する押圧部材を有し、前記フィン押圧部材の
大きさは、前記フィンの流路の長手方向でフィン幅長より短く、前記フィンの流路の直交
方向でフィン列形成長より長くした
ことを特徴とする冷却装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４において、
前記ケース部材は、前記冷媒の流入路口をケース部材の上面に設け、該流入路口より流
入された前記冷媒を前記フィンの上部より通流させるヘッダを前記フィンの上部で前記フ
ィンによる流路の直交方向の列形成長に略等しい長さで設けた
ことを特徴とする冷却装置。
【請求項６】
請求項５に記載の冷却装置において、
前記ヘッダは、前記フィンの中心部から周辺に向かって楔型の断平面を有する
ことを特徴とする冷却装置。
【請求項７】
電子機器に搭載された発熱体を冷媒の熱移送によって冷却する冷却デバイスは、
前記発熱体の発生熱を前記冷媒に熱伝達する狭ピッチフィンと、
前記発熱体に熱接続され、前記狭ピッチフィンが形成される領域の部材厚みは前記狭ピッチフィンが形成されない領域の部材厚みより薄いフィンベースと、
前記フィンベースに接続されて前記冷媒が通流する密閉空間を形成するケースとから成ることを特徴とする冷却デバイス。
【請求項８】
請求項７に記載の冷却デバイスにおいて、
前記フィンベースは、フィンを形成した前記ベース部材の薄肉部高さ位置から前記ベース部材の厚肉部高さ位置に向けて傾斜面を構成していることを特徴とする冷却デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の冷却デバイスにおいて、
前記狭ピッチフィンは、冷媒が通流するように、前記フィンベースのひとつの方向に複数のフィンが平行に配設され、
前記狭ピッチフィンのフィンベースに対向する側にフィンに直交するよう空間をもつ冷媒の流入ヘッダをもつことを特徴とする冷却デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載の冷却デバイスにおいて、
前記流入ヘッダから流入した冷媒は、前記狭ピッチフィンのフィン間をダウンフロー方式で通流して、前記狭ピッチフィンのフィン長手方向から排出されることを特徴とする冷却デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器用の冷却装置および冷却デバイス
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検出面を有する複数のコイルからなるセンス部と、
少なくとも一のコイルを有する操作子と、
前記操作子を前記センス部の検出面に沿って移動可能に支持するとともに、前記センス部と前記操作子との各々が内蔵するコイルの間に生じる電磁的結合に基づいて、前記検出面に対する前記操作子の絶対位置として前記操作子の移動を検出する位置検出手段と、
を備えたことを特徴とするリモコン装置。
【請求項２】
前記操作子は、前記検出面に重ねて配設される平板部と、この平板部に立設された操作突起部とから構成されることを特徴とする請求項１記載のリモコン装置。
【請求項３】
前記操作子は、前記平板部と前記操作突起部との間に、前記検出面に対し垂直方向に操作されて動作するスイッチ部を更に備えた、
ことを特徴とする請求項２記載のリモコン装置。
【請求項４】
前記操作突起部の上面が曲面で構成された、
ことを特徴とする請求項２または３記載のリモコン装置。
【請求項５】
前記平板部と前記検出面との間に、前記平板部を前記検出面に対して移動させる際に所定の摩擦を生じる摩擦層を介設した、
ことを特徴とする請求項２から４のいずれかに記載のリモコン装置。
【請求項６】
前記平板部と前記検出面との間に、前記平板部を支持しつつ前記平板部の移動時に転動する転動支持部を設けた、
ことを特徴とする請求項２から５のいずれかに記載のリモコン装置。
【請求項７】
前記操作子を、前記検出面に沿って所定方向および当該所定方向に直交する方向にスライド可能に支持する支持機構を設けた、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のリモコン装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の位置入力装置と、
前記位置入力装置により検出された前記操作子の位置を示す信号を無線送信する無線送信手段と、
を備えたことを特徴とするリモコン装置。
【請求項９】
中空部を有する本体を有し、この本体の一面には前記中空部に連通する穴が設けられ、
前記位置入力装置のセンス部が前記中空部に収容され、かつ、前記位置入力装置の操作子の少なくとも一部が前記中空部に連通する穴から露出する、
ことを特徴とする請求項８記載のリモコン装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リモコン装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、位置入力操作を行うためのリモコン装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムを挿入脱離可能な正極活物質を含む正極層が形成された長尺状の正極と、リチウムを挿入脱離可能な負極活物質を含む負極層が形成された長尺状の負極との間にセパレータを介在させて巻いた電極体を非水電解液と一緒に電池容器内に収容させ、上記の正極に設けた正極集電タブを正極外部端子に接続させると共に、上記の負極に設けた負極集電タブを負極外部端子に接続させたリチウム二次電池において、上記の負極集電タブを少なくとも負極の長手方向両端部に設けると共に、上記正極層における正極活物質がＬｉＦｅＰＯ４で表されるオリビン型構造を有するリン酸鉄リチウムであることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項２】
請求項１に記載のリチウム二次電池において、前記の正極層に繊維状炭素からなる導電剤が含有されていることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項３】
請求項２に記載のリチウム二次電池において、前記の正極層中に繊維状炭素が６ｗｔ％〜２０ｗｔ％の範囲で含有されていることを特徴とするリチウム二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明においては、上記のような課題を解決するため、リチウムを挿入脱離可能な正極活物質を含む正極層が形成された長尺状の正極と、リチウムを挿入脱離可能な負極活物質を含む負極層が形成された長尺状の負極との間にセパレータを介在させて巻いた電極体を非水電解液と一緒に電池容器内に収容させ、上記の正極に設けた正極集電タブを負極外部端子に接続させたリチウム二次電池において、上記の負極集電タブを少なくとも負極の長手方向両端部に設けるとともに、上記正極層における正極活物質がＬｉＦｅＰＯ４で表されるオリビン型構造を有するリン酸鉄リチウムであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素含有ガスと酸化剤とを用いて発電する燃料電池と、前記燃料電池を冷却するための冷却水が流れる冷却水経路と、前記冷却水経路を流れる冷却水から熱を回収し、温水として蓄える貯湯経路と、前記燃料電池の排気ガス中の水分を回収する水回収経路と、前記冷却水経路、前記貯湯経路、及び前記水回収経路の少なくとも一つを加熱する加熱部と、前記加熱部を動作させる制御部と、前記制御部の異常を検知する異常検知部とを備え、外気温度の低下に伴い前記加熱部を動作させる燃料電池システムであって、前記異常検知部で前記異常が検知されてない場合は、外気温度の低下に伴い前記制御部により第１のスイッチが接続され、前記加熱部が動作し、前記異常検知部により前記制御部の異常が検知された場合には、外気温度の低下に伴い機械的に接続される第２のスイッチが接続され、前記加熱部が動作することを特徴とする燃料電池システム。
【請求項２】
外気温度を検知する温度検知部を備え、前記温度検知部が故障していない場合は、外気温度の低下に伴い前記制御部により前記第１のスイッチが接続され、前記加熱部が動作し、前記温度検知部が故障した場合には、外気温度の低下に伴い前記第２のスイッチが接続され、前記加熱部が動作することを特徴とする請求項１記載の燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記課題を解決するために、本発明の燃料電池システムは、水素含有ガスと酸化剤とを用いて発電する燃料電池と、前記燃料電池を冷却するための冷却水が流れる冷却水経路と、前記冷却水経路を流れる冷却水から熱を回収し、温水として蓄える貯湯経路と、前記燃料電池の排気ガス中の水分を回収する水回収経路と、前記冷却水経路、前記貯湯経路、及び前記水回収経路の少なくとも一つを加熱する加熱部と、前記加熱部を動作させる制御部と、前記制御部の異常を検知する異常検知部とを備え、外気温度の低下に伴い前記加熱部を動作させる燃料電池システムであって、前記異常検知部で前記異常が検知されてない場合は、外気温度の低下に伴い前記制御部により第１のスイッチが接続され、前記加熱部が動作し、前記異常検知部により前記制御部の異常が検知された場合には、外気温度の低下
に伴い機械的に接続される第２のスイッチが接続され、前記加熱部が動作することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の燃料電池システムは、外気温度を検知する温度検知部を備え、前記温度検知部が故障していない場合は、外気温度の低下に伴い前記制御部により前記第１のスイッチが接続され、前記加熱部が動作し、前記温度検知部が故障した場合には、外気温度の低下に伴い前記第２のスイッチが接続され、前記加熱部が動作することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属元素を含む半導体発光素子と、
硫黄（Ｓ）またはハロゲン元素を含むと共に前記半導体発光素子からの光を透過可能な材料からなるキャップ部と、
前記半導体発光素子と前記キャップ部との間に設けられ、前記半導体発光素子からの光を前記キャップ部へ透過させると共に前記半導体発光素子側と前記キャップ部側との間を遮蔽する遮蔽膜と
を備えた半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子は、基板上に発光層を含む半導体積層構造を有し、
前記金属元素は、前記半導体積層構造に設けられた電極に含まれている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記基板は、前記発光層からの光を透過可能な透明基板であると共に前記遮蔽膜と接している
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体積層構造が、前記遮蔽膜と接している
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記遮蔽膜は、前記電極に対応する位置に選択的に形成されている
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記遮蔽膜は、前記キャップ部における前記半導体発光素子側の面上に形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記遮蔽膜は、前記半導体発光素子と前記キャップ部との間に一様に形成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記キャップ部と前記半導体発光素子との間に充填剤が注入されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項９】
前記遮蔽膜は、前記キャップ部と前記充填剤との間に形成されている
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
前記遮蔽膜は、前記充填剤と前記半導体発光素子との間に形成されている
請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記半導体発光素子における前記遮蔽膜側とは反対側に、前記金属元素を含む部材が設けられている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１２】
前記キャップ部の屈折率をｎｃ、前記遮蔽膜の屈折率をｎｐ、および前記遮蔽膜が前記半導体発光素子側で接する部材の屈折率をｎｉとした場合に、前記遮蔽膜の屈折率は以下の（１）式または（２）式を満たす
請求項１に記載の半導体発光装置。
ｎｉ≦ｎｐ≦ｎｃ  ……（１）
ｎｉ≧ｎｐ≧ｎｃ  ……（２）
【請求項１３】
前記半導体発光素子からの光における最大ピーク強度領域の波長をλ、および前記遮蔽膜の膜厚をｄｐとした場合に、前記遮蔽膜の屈折率および膜厚は以下の（３）式を満たす
請求項１２に記載の半導体発光装置。
（ｎｐ×ｄｐ）＝（２ｍ＋１）×λ／４  （ｍ：０以上の整数）  ……（３）
【請求項１４】
前記半導体発光素子のピーク発振波長（λ）は、６３０±５０ｎｍである
請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１５】
前記半導体発光素子のピーク発振波長（λ）は、５３０±３０ｎｍである
請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１６】
前記半導体発光素子のピーク発振波長（λ）は、４６０±６０ｎｍである
請求項１３に記載の半導体発光装置。
【請求項１７】
前記遮蔽膜の屈折率は、以下の（４）式を満たす
請求項１３に記載の半導体発光装置。
ｎｐ＝（ｎｉ×ｎｃ）1/2  ……（４）
【請求項１８】
前記遮蔽膜は、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化ネオジム（Ｎｄ2Ｏ3）、酸化チタン（ＴｉＯ2）および酸化ジリコニウム（ＺｒＯ2）からなる群のうちの少なくとも１種類を含んで構成されている
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項１９】
前記キャップ部における前記半導体発光素子側とは反対側の面上に、このキャップ部と空気層との界面での反射率を調整するための反射率調整層を備えた
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項２０】
光源装置に用いられる半導体発光装置組立体であって、
配線基板と、
前記配線基板と電気的に接続された複数の半導体発光装置と
を備え、
前記複数の半導体発光装置はそれぞれ、
金属元素を含む半導体発光素子と、
硫黄（Ｓ）またはハロゲン元素を含むと共に前記半導体発光素子からの光を透過可能な材料からなるキャップ部と、
前記半導体発光素子と前記キャップ部との間に設けられ、前記半導体発光素子からの光を前記キャップ部へ透過させると共に前記半導体発光素子側と前記キャップ部側との間を遮蔽する遮蔽膜とを有する
半導体発光装置組立体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
続いて、このキャップ５２における平面側に、前述した材料よりなる遮蔽膜５１を、例えば酸素（Ｏ2）や窒素（Ｎ2）導入反応性のＤＣスパッタリング法またはＲＦスパッタリング法などにより、例えば２２０〜２３０ｎｍ程度の厚さで一様に形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
最後に、このようにして形成されたＬＥＤチップ２、サブマウント基板３１、スラグ３２、リードフレーム電極４１Ａ，４２Ｂおよびケース４３の構造体と、キャップ５２および遮蔽膜５１の構造体とを向かい合わせ、結合させる。具体的には、ＬＥＤチップ２と遮蔽膜５１とが密着するようにキャップ５２のエッジ付近とケース４３とを樹脂で接着させ、上記２つの構造体同士を結合させる。このようにして、図１および図２に示したＬＥＤ装置１が製造される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
また、例えば図７に示したＬＥＤ装置１４のように、充填剤５４が注入されている場合も第２の実施の形態と同様にして、遮蔽膜５３を、スラグ３２およびＬＥＤチップ６の側面および上面に直接形成するようにしてもよい。この場合、遮蔽膜５３がＬＥＤチップ６側で接する部材は、ＬＥＤチップ６がフリップチップ型であるので透明基板２１となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空紫外光を露光光として利用し、レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側の光学素子と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、
前記光学素子は、光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、スカンジウムを含むフッ化物で構成され、
前記フッ化物は、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３（０≦ｘ≦０．４５）であることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一側面としての露光装置は、真空紫外光を露光光として利用し、レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最も前記被処理体側の光学素子と前記被処理体との間の少なくとも一部に供給される液体を介して前記被処理体を露光する露光装置であって、前記光学素子は、光の吸収端が１９０ｎｍ以下であり、スカンジウムを含むフッ化物で構成され、前記フッ化物は、Ｓｃ（１−ｘ）ＬｕｘＦ３（０≦ｘ≦０．４５）であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
スカンジウム（Ｓｃ）を含んだフッ化物の共振周波数は、ＣａＦ２の共振周波数よりも小さく、また、使用光源（真空紫外光）の周波数よりも十分に大きい。従って、Ｓｃを含むフッ化物は、光の吸収率を低く抑えたまま、高屈折率を有する光学素子を実現することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
このようにして得られたＳｃ０．５５Ｌｕ０．４５Ｆ３結晶は、吸収端が１９０ｎｍ以下、屈折率が１．６０以上であった。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
求めているネットワーク・クライアントにネットワーク・アクセスを選択的に供給するためのネットワーク・サーバと、
前記ネットワーク・サーバと交信して、ネットワーク・アクセスを求めるためのクライアント・デバイスと、
を含むネットワーク通信システムであって、
前記ネットワーク・サーバが、前記クライアント・デバイスに認証情報を要求することと、実行可能なソフトウェア・コードの内部に組み込まれた第１の発行キーコードとして、前記クライアント・デバイスに送信される第１のアクセス・キーコードを作成することにより、前記クライアント・デバイスからの、検証された認証情報の受信に応答することと、によって、ネットワーク・アクセスを求めている前記クライアント・デバイスに応答するように設定され、
前記実行可能なソフトウェア・コードが、前記クライアント・デバイス上のクライアント・アプリケーションを立ち上げ、そして、前記立ち上げられたクライアント・アプリケーションに、前記第１の発行キーコードを渡すのに有効であり、
前記クライアント・アプリケーションが、前記第１の発行キーコードを、第１の返送キーコードとして、通信セッションの確立の要求とともに、前記ネットワーク・サーバに送信するのに有効であり、そして、
前記ネットワーク・サーバが、前記第１のアクセス・キーコードを無効化し、前記クライアント・アプリケーションとの通信セッションを確立し、前記第１のアクセス・キーコードと無関係な第２のアクセス・キーコードを作成し、そして、前記第２のアクセス・キーコードを、第２の発行キーコードとして、前記クライアント・アプリケーションに送信することによって、前記第１の発行キーコードに一致する前記第１の返送キーコードに応答する、ネットワーク通信システム。
【請求項２】
前記ネットワーク・サーバと前記クライアント・デバイスが、インターネットを通じて通信し、そして、前記実行可能なソフトウェア・コードが、動的ウェブ・ページ内に統合される請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【請求項３】
前記ネットワーク・サーバと前記クライアント・デバイスが、インターネットを通じて通信し、そして、前記クライアント・アプリケーションが、前記クライアント・デバイス上のいずれのインターネット・ブラウザ・アプリケーションからも独立している請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【請求項４】
前記第１のアクセス・キーコードが、前記クライアント・デバイスと無関係である請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【請求項５】
前記クライアント・デバイスからの全てのドキュメント提示およびドキュメント要求は、前記クライアント・デバイスが、現在の返送キーコードとして、前記ネットワーク・サーバから最も最近に受信した前記発行キーコードを提示することを必要とし、そして、
前記クライアント・デバイスから前記ネットワーク・サーバへの各ドキュメント提示およびドキュメント要求を受信して、前記クライアント・デバイスによって提示された前記現在の返送アクセス・キーコードが、前記ネットワーク・サーバによって前記クライアント・デバイスに発行された、最も最近の発行キーコードと一致すれば、前記ネットワーク・サーバが、前記提示されたドキュメントまたはドキュメント要求を受け取り、新しいアクセス・キーコードを作成し、そして、前記新しく作成されたアクセス・キーコードを、現在の発行キーコードとして、前記クライアント・アプリケーションに送信する、
請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【請求項６】
前記クライアント・アプリケーションは、前記実行可能なソフトウェア・コード以外の何らかの手段によって立ち上げられると、自動的に、それ自身を終了させる請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【請求項７】
前記ネットワーク・サーバが、前記実行可能なソフトウェア・コードに、識別ＩＤコードを割り当て、
前記クライアント・アプリケーションが、あらかじめ定められた立ち上げ識別コードを保持し、
前記実行可能なソフトウェア・コードが、その識別ＩＤコードを、前記クライアント・アプリケーションに渡し、そして、
前記クライアント・アプリケーションは、前記識別ＩＤコードが、前記あらかじめ定められた立ち上げ識別コードによって認証されないと、それ自身を終了させる、
請求項６に記載のネットワーク通信システム。
【請求項８】
前記クライアント・アプリケーションが、あらかじめ定められたクライアント・アプリケーション識別コードを保持し、
前記実行可能なソフトウェア・コードは、前記クライアント・アプリケーション識別コードが、前記実行可能なソフトウェア・コードによって認証されたときしか、前記立ち上げられたクライアント・アプリケーションに、前記第１の発行キーコードを渡さない、
請求項１に記載のネットワーク通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ネットワーク通信システム
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月18日(2009.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート電極上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように設けられた半導体層と、を有するＮ型の有機発光トランジスタであって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、少なくとも第１の材料と第２の材料が積層され、
前記第１の材料の方が、前記第２の材料より前記半導体層との接触面積が広いように積層され、
前記第１の材料は仕事関数が３．８ｅＶ以下であり、前記第２の材料は仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料であることを特徴とする有機発光トランジスタ。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース電極及びドレイン電極と、
前記ゲート電極上に前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆うように設けられた半導体層と、を有するＮ型の有機発光トランジスタであって、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は、少なくとも第１の材料と第２の材料が積層され、
前記第２の材料の方が、前記第１の材料より前記半導体層との接触面積が広いように積層され、
前記第１の材料は仕事関数が３．８ｅＶ以下であり、前記第２の材料は仕事関数が４．０ｅＶ以上の材料であることを特徴とする有機発光トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記半導体層は、ポリ［１−メトキシー５―（２−エチルヘキソキシ）―１，４−フェニレンビニレン］又は、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）を含むことを特徴とする有機発光トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記ゲート絶縁膜と、前記半導体層、前記ソース電極、及びドレイン電極との間にヘキサメチルジシラザンからなる単分子膜が設けられていることを特徴とする有機発光トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の材料は、マグネシウムと銀の合金であることを特徴とする有機発光トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記第２の材料は、金であることを特徴とする有機発光トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明において用いるエーテル基を有する化合物としては、炭化水素鎖を有する化合物が好ましく、例えば、ジエチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、１２−クラウン−４−エーテル、及び１５−クラウン−５−エーテルなどが挙げられる。これらの中でも、特に、ジエチルエーテル、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、１，４−ジオキサン、１２−クラウン−４−エーテル、及び１５−クラウン−５−エーテルからなるグループより選ばれる少なくとも１種であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カットアウト本体（１）に一体化された下部スカート（２）に管状ヒューズ（３）を挿入するために形成された装填口（４）を密封蓋（５）によって開閉自在に密封するように構成され、
前記密封蓋（５）の一端側は、前記下部スカート（２）の外側に設けた支持部材（２ａ）に回動自在に枢支される一方、前記密封蓋（５）の他端側は、前記下部スカート（２）の内側に設けた係止部材（６）に係脱自在に係止される円筒形高圧カットアウト（２０）において、
前記密封蓋（５）の他端側を、下方に向けて傾斜させてあることを特徴とする円筒形高圧カットアウト。
【請求項２】
前記密封蓋（５）の他端外側には、操作棒の先端工具（９，１０）を係止させるための係止部（８）を設けてあることを特徴とする請求項１に記載の円筒形高圧カットアウト。
【請求項３】
前記係止部（８）は、ＣＦ操作棒の円筒状の先端工具（９）を被嵌可能な突起状に形成され、かつ、ＰＣ操作棒の先尖り状の先端工具（１０）を係入可能な係止孔（８ａ）を有していることを特徴とする請求項２に記載の円筒形高圧カットアウト。
【請求項４】
前記密封蓋（５）の内面には、衝撃を吸収することができる弾性材（１１）が付設されていることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の円筒形高圧カットアウト。
【請求項５】
前記密封蓋（５）は、中央部を凹ませて深底状に形成されることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の円筒形高圧カットアウト。
【請求項６】
前記密封蓋（５）の内面には、螢光塗料が塗布されていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の円筒形高圧カットアウト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）本発明の円筒形高圧カットアウトは、カットアウト本体１に一体化された下部スカート２に管状ヒューズ３を挿入するために形成された装填口４を密封蓋５によって開閉自在に密封するように構成され、前記密封蓋５の一端側は、前記下部スカート２の外側に設けた支持部材２ａに回動自在に枢支される一方、前記密封蓋５の他端側は、前記下部スカート２の内側に設けた係止部材６に係脱自在に係止される円筒形高圧カットアウト２０において、前記密封蓋５の他端側を、下方に向けて傾斜させてあることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その密封蓋５の一端側は、下部スカート２に設けた支持部材２ａに回動自在に枢支されているため、密封蓋５は下部スカート２に接続された状態で開放される。従って、新しい管状ヒューズをカットアウト本体１に挿入する際には、操作棒で密封蓋５を容易に捉えることができ、その開閉作業が容易となる。また、密封蓋５が紛失することもない。
さらに、前記密封蓋５の他端側を、下方に向けて傾斜させているため、電流遮断時に密封蓋５に作用する管状ヒューズ３の放出圧力（アーク及びガスを含む）が密封蓋５の他端側に向かうため、一端側に設けてある蓋支持部に作用する衝撃を緩和することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（５）前記密封蓋５は、中央部を凹ませて深底状に形成されてもよい。このようにすれば、電流遮断時における管状ヒューズ３の放出圧力の影響を緩和することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌｉイオンを吸蔵・放出可能な正極活物質を含む正極と、Ｌｉイオンを吸蔵・放出可能な負極活物質を含む負極と、非水電解質とを備える非水電解質二次電池であって、
前記負極は、一次粒子の形状が鱗片状である黒鉛材料を前記負極活物質として含む合剤層と、ＣｕまたはＣｕ合金からなる集電体と、前記合剤層及び前記集電体の間に設けられ、前記黒鉛材料よりも貴な電位でＬｉイオンを吸蔵・放出する材料からなる中間層とから構成されているとともに、前記合剤層の合剤密度Ｄが、０．９６≦Ｄ≦１．８０ｇ／ｃｍ３であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
前記中間層の膜厚ｄが、０．０１≦ｄ≦５μｍであることを特徴とする請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
前記中間層が、１Ｖ以下にＬｉイオンの吸蔵・放出の反応電位を有することを特徴とする請求項１または２に記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
前記中間層が、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｓｎ合金、及びＳｉ合金からなるグループより選ばれる少なくとも１種から形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項５】
前記中間層が、電解めっき法、スパッタリング法、またはＣＶＤ法で前記集電体の上に形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
前記非水電解質の溶媒が、環状カーボネートと鎖状カーボネートとを含む混合溶媒であり、前記環状カーボネートの混合比率が３５体積％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の非水電解質二次電池。
【請求項７】
前記環状カーボネートの一部、もしくは全てが、少なくともフッ素を１つ含む環状カーボネートであることを特徴とする請求項６に記載の非水電解質二次電池。
【請求項８】
前記、少なくともフッ素を１つ含む環状カーボネートがフルオロエチレンカーボネートであることを特徴とする請求項７に記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明における合剤層の合剤密度Ｄは０．９６≦Ｄ≦１．８０ｇ／ｃｍ３である。合剤密度Ｄは、合剤層における密度であり、具体的には、負極活物質としての鱗片状黒鉛及びバインダー並びにその他の添加剤の合計の密度である。合剤密度Ｄが低くなり過ぎると、合剤層内に電解質が十分に充填され、低温時においても充放電が可能であるが、電極の単位体積当りの容量が低くなり、電池の高容量化を実現することができない場合がある。また、合剤密度Ｄが高くなり過ぎると、合剤層の空隙率が極端に減少するため、電極内での電解質の保持量が減少し、充放電特性が著しく低下する場合がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
（参考例７）
負極の作製において、負極合剤密度を２．００ｇ／ｃｍ３とした以外は、実施例１と同様にして非水電解質二次電池Ａ７を作製し、低温充放電特性を評価した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
以上のようにして作製した実施例１〜６と参考例７の非水電解質二次電池Ａ１〜Ａ７及び比較例１〜６の非水電解質二次電池Ｘ１〜Ｘ６の低温充放電特性を表１及び図６に示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【表１】
2007200862.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図６及び表１に示すように、本発明に従う実施例においては、参考例７及び比較例よりも高い低温充放電効率を示していることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ポリアセタール樹脂に、ポリアルキレングリコール化合物、脂肪酸エステル化合物、及び、該ポリアルキレングリコール化合物と該脂肪酸エステル化合物から合成される脂肪酸エステルのアルキレングリコール付加物より成る群から選ばれる少なくとも二種を添加してなり、該ポリアセタール樹脂がオキシメチレン単位［−（ＣＨ２Ｏ）−］と下記一般式（１）で表されるオキシアルキレン単位とを含んでおり、オキシメチレン単位とオキシアルキレン単位との合計量を１００モル％としたとき、オキシアルキレン単位の含有量が０．１〜１．２モル％であることを特徴とするポリアセタール樹脂製光ディスク駆動装置部品。 
【化１】
2007200498.tif 000001
（Ｒ０、Ｒ’０は同一か又は異なっていても良く、水素、アルキル基、フェニル基より選ばれる。ｎは１以上の整数で、ｎ＝１の割合がオキシアルキレン単位全体の９５モル％以上、ｎ≧２の割合がオキシアルキレン単位の５モル％以下、ｍ＝２〜６）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
（１）ポリアセタール樹脂に、ポリアルキレングリコール化合物、脂肪酸エステル化合物、及び、該ポリアルキレングリコール化合物と該脂肪酸エステル化合物から合成される脂肪酸エステルのアルキレングリコール付加物より成る群から選ばれる少なくとも二種を添加してなり、該ポリアセタール樹脂がオキシメチレン単位［−（ＣＨ２Ｏ）−］と下記一般式（１）で表されるオキシアルキレン単位とを含んでおり、オキシメチレン単位とオキシアルキレン単位との合計量を１００モル％としたとき、オキシアルキレン単位の含有量が０．１〜１．２モル％であることを特徴とするポリアセタール樹脂製光ディスク駆動装置部品。 
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［比較例１］ 
高純度トリオキサン（トリオキサン中の水≦５ｐｐｍ、蟻酸１０ｐｐｍ）と１，３−ジオキソラン、分子量調節剤としてメチラールを２枚のΣ羽根を有するニーダーに入れ、７０℃に昇温した。次に、三弗化ホウ素ジブチルエーテルを加え重合反応を開始させた。重合反応開始３０分後にトリエチルアミン５％を含む水をモノマーに対して１００重量部加え１時間攪拌し触媒を失活させ、内容物を取出し微粉砕した。微粉砕したポリマーは濾過し、アセトン洗浄後、乾燥した。得られたポリマー１００重量部に対して、水５重量部、トリエチルアミン１重量部、ペンタエリスリチルーテトラキス〔３−（３、５―ジーｔｅｒｔ−ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕（Ｉｒｇａｎｏｘ１０１０、チバガイギー社製）０．３重量部添加し、ベント付２軸押出し機を用いて２００℃、５０Ｔｏｒｒで溶融混練し、不安定末端部を除去・安定化した。その後、ポリアセタール樹脂中のオキシアルキレン単位挿入量とシーケンス及びＭＦＲ値を測定した。 
この安定化したポリアセタール樹脂１００重量部に対して、数平均分子量が６０００のポリエチレングリコールを１重量部添加し、３０φのベント付き短軸押出し機で溶融混練した。得られたポリアセタール樹脂組成物を射出成形機を用いてピン型成形品を成形し、光ディスク傷つき性を評価した。結果を表１に示した。 
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
［実施例１〜３、比較例２〜５］ 
添加した化合物の種類を変更した以外は、比較例１と同様の操作を行った。結果を表１に示した。 
［比較例６〜１１］ 
オキシアルキレン単位挿入量とシーケンス及びＭＦＲ値が異なるポリアセタール樹脂を用いた以外は比較例１と同様の操作を行った。結果を表１に示した。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【表１】
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