Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読取用パルスが供給されたときに読取用傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルと、前記読取用パルスを前記傾斜磁場コイルへ供給する供給手段とを具備し、高速スピンエコー法によるイメージングを行う磁気共鳴イメージング装置において、
イメージング用のデータを収集するための本スキャンに先立って、奇数番目の第１のスピンエコーと、偶数番目の第２のスピンエコーと、前記第１および第２のスピンエコーよりも後に生じる奇数番目の第３のスピンエコーまたは偶数番目の第４のスピンエコーとを収集する収集手段と、
前記収集手段による前記スピンエコーの収集期間には基本パルスを前記読取用パルスとして前記傾斜磁場コイルに供給するとともに、前記第３または第４のスピンエコーの１つ前のスピンエコーを収集する期間が終了してから前記第３または第４のスピンエコーを収集する期間が始まるまでの期間には単位感度パルスを前記読取用パルスとして前記傾斜磁場コイルに供給するように前記供給手段を制御する第１の制御手段と、
前記第１のスピンエコーのピーク位置と前記第２のスピンエコーのピーク位置とのずれ量を測定する第１の測定手段と、
前記第１のスピンエコーのピーク位置に対する前記第３のスピンエコーのピーク位置のシフト量または前記第２のスピンエコーのピーク位置に対する前記第４のスピンエコーのピーク位置のシフト量を測定する第２の測定手段と、
前記シフト量と前記単位感度パルスのエネルギ量と前記ずれ量とに基づいて、前記第１のスピンエコーと前記第２のスピンエコーとのピーク位置のずれを補正するための補正エネルギ量を決定する手段と、
前記本スキャン時に、前記基本パルスを前記読取用パルスとして前記傾斜磁場コイルに供給するとともに、これとは別に前記補正エネルギ量の補正パルスを前記読取用パルスとして前記傾斜磁場コイルに供給するように前記供給手段を制御する第２の制御手段とを具備したことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記第１の制御手段は、前記単位感度パルスを前記第３または第４のスピンエコーの収集期間における前記基本パルスの前側に付加するように前記供給手段を制御し、
前記第２の制御手段は、前記補正パルスを前記本スキャンにおける前記基本パルスのそれぞれの前側に付加するように前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記第１の制御手段は、前記単位感度パルスを前記第３または第４のスピンエコーの１つ前のスピンエコーの収集期間における前記基本パルスの後側に付加するように前記供給手段を制御し、
前記第２の制御手段は、前記補正パルスを前記スピンエコーの収集期間における前記基本パルスのそれぞれの後側に付加するように前記供給手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記収集手段は、前記第１のスピンエコーとして第１番目のスピンエコーを、前記第２のスピンエコーとして第２番目のスピンエコーを、第３のスピンエコーとして第３番目のスピンエコーをそれぞれ収集することを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】
読取用パルスが供給されたときに読取用傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルと、前記読取用パルスを前記傾斜磁場コイルへ供給する供給手段とを具備し、高速スピンエコー法によるイメージングを行う磁気共鳴イメージング装置において、
イメージング用のデータを収集するための本スキャンに先立つプリスキャンにおいて、前記読取用パルスの基本パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いて得られたスピンエコーと、前記基本パルスに単位感度パルスを付加して構成された前記読取用パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いて得られたスピンエコーとに基づいて前記本スキャン時の補正パルスの大きさを求める手段と、
前記本スキャンにおいて、ＲＦパルスに対する時間的位置が前記単位感度パルスと同じ位置に、前記求められた大きさの補正パルスを前記基本パルスに付加して構成された前記読取用パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いてスピンエコーを得る手段とを具備したことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気共鳴イメージング装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、高速スピンエコー（ＦＳＥ）法を用いる磁気共鳴イメージング装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記の目的を達成するために第２の本発明は、読取用パルスが供給されたときに読取用傾斜磁場を発生する傾斜磁場コイルと、前記読取用パルスを前記傾斜磁場コイルへ供給する供給手段とを具備し、高速スピンエコー法によるイメージングを行う磁気共鳴イメージング装置に、イメージング用のデータを収集するための本スキャンに先立つプリスキャンにおいて、前記読取用パルスの基本パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いて得られたスピンエコーと、前記基本パルスに単位感度パルスを付加して構成された前記読取用パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いて得られたスピンエコーとに基づいて前記本スキャン時の補正パルスの大きさを求める手段と、前記本スキャンにおいて、ＲＦパルスに対する時間的位置が前記単位感度パルスと同じ位置に、前記求められた大きさの補正パルスを前記基本パルスに付加して構成された前記読取用パルスにより発生される前記傾斜磁場を用いてスピンエコーを得る手段とを備えた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月19日(2009.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料容器からの燃料によって燃料電池で発電された電力を電力利用機器に供給するに当たり、前記燃料容器の燃料残量を算出する燃料残量算出装置であって、
前記電力利用機器の動作に対応する予め用意された燃料消費量データを備え、前記電力利用機器の動作モード情報の入力に対し前記燃料消費量データを出力する機器動作対燃料消費量の変換テーブルと、
前記機器動作対燃料消費量の変換テーブルから出力される前記燃料消費量データを用いて燃料消費量を算出する燃料消費量算出手段と、
前記燃料消費量算出手段によって算出された燃料消費量と前記燃料容器における元の燃料残量とから、前記電力利用機器による電力使用後における前記燃料容器の燃料残量を算出する燃料残量算出手段と、
を有することを特徴とする燃料電池装置における燃料容器の燃料残量算出装置。
【請求項２】
前記燃料容器は、燃料残量算出手段によって算出された燃料残量を記憶する燃料残量記憶手段を備えていることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池装置における燃料容器の燃料残量算出装置。
【請求項３】
前記燃料消費量算出手段によって算出された燃料消費量、または前記燃料残量算出手段によって算出された燃料残量、を表示する手段を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の燃料電池装置における燃料容器の燃料残量算出装置。
【請求項４】
前記燃料消費量算出手段は、前記機器動作対燃料消費量変換テーブルの前記燃料消費量データを用いた燃料消費量算出手段による燃料消費量の算出を、
電流値の変化パターンが決まっている単発動作、または一定電流で時間が一定でない動作継続時間、の少なくともいずれか一つに基づいて行う手段であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の燃料電池装置における燃料容器の燃料残量算出装置。
【請求項５】
燃料容器からの燃料によって燃料電池で発電された電力を電力利用機器に供給する燃料電池装置において、
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の燃料容器の燃料残量算出装置を有することを特徴とする燃料電池装置。
【請求項６】
燃料容器からの燃料によって燃料電池で発電された電力を利用する電力利用機器において、
請求項５に記載の燃料電池装置を搭載したことを特徴とする電力利用機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用した燃料電池装置における燃料容器の燃料残量算出装置について説明する。
図１に、本実施例における燃料容器の燃料残量算出装置の構成を説明するためのブロック図を示す。
図１において、１０１は、機器動作対燃料消費量の変換をする機器動作対燃料消費量変換テーブルブロックである。
機器動作対燃料消費量変換テーブルブロック１０１では、燃料電池装置を搭載した電力利用機器の動作に対応する予め準備（用意）された燃料消費量データを備え、動作モード情報の入力に対し、燃料消費量データを出力する。
なお、ここでの電力利用機器には、燃料容器からの燃料によって燃料電池で発電された電力を利用する電子機器等の電力利用機器が含まれる。
１０２は、燃料消費量、残量、警告等を記憶し機器操作を行なう者に対し表示等を行なう表示ブロックである。１０３は、機器操作を行なった内容を機器制御ブロック１０４に伝達する機器操作インターフェースブロックである。
１０５は、得られた燃料消費量を蓄積カウントする燃料使用量カウンタブロックである。
１０６は燃料電池１０７の電池出力を機器回路へ伝達する機器電源回路である。１０８は燃料電池へ燃料を供給する燃料容器である。燃料容器１０８は、機器制御ブロック１０４へ使用以前に使用前燃料残量データを送る。
１０９は、燃料電池１０７から機器電源回路１０６への電力伝達経路である。
１１０は燃料容器１１０から燃料電池１０７へ燃料を供給する燃料流路である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［実施例２］
つぎに、実施例２における燃料容器と燃料容器記憶ブロックとで燃料容器ユニットとした構成例について説明する。
図２に、実施例２の構成例を説明するためのブロック図を示す。
図２のブロック図は、実施例１の手段で算出された燃料使用量と燃料容器の元の燃料残量から電力使用後の燃料容器の燃料残量を算出し、燃料容器にその情報を記憶させることを特徴とする電力利用機器の概要を表す図である。
図２には図１の実施例１と同じ構成に同一の符号が付されているので、共通する部分の説明は省略する。
２０１は燃料容器と一体化されたデータ書換え可能な燃料容器記憶ブロックである。
燃料容器１０８と燃料容器記憶ブロック２０１で燃料容器ユニット２０２として着脱可能な構成となっている。
燃料容器記憶ブロック２０１には、燃料残量記憶手段により燃料残量が記憶されている。その他、燃料充填回数や満タン容量等の情報が記憶されるようにされていても構わない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬液を用いてシリコン基板の表面から自然酸化膜を除去する工程と、
前記シリコン基板の表面をオゾンガス溶解液で処理することにより、前記表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
を具備し、
前記表面に前記シリコン酸化膜を形成する工程は、前記自然酸化膜を除去する工程と同一の装置内で行われる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の表面を水蒸気及びオゾンガスの混合ガスで処理することにより、前記表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン酸化膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記高誘電率絶縁膜はトランジスタのゲート絶縁膜であり、
前記高誘電率絶縁膜を形成する工程の後に、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程を具備する請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
シリコン基板上に絶縁層及びシリコン層が積層されたＳＯＩ基板に形成される半導体装置であって、
前記シリコン層内に形成され、前記絶縁層に達する第１の分離絶縁膜と、
前記シリコン層の主面内に形成された第２の分離絶縁膜と、
前記第１の分離絶縁膜に囲まれ、前記シリコン層に形成されたボディ領域に第１制御電極が巻きついたＦＩＮ型の第１能動素子と、
素子分離に前記第２の分離絶縁膜と前記第１の分離絶縁膜を併用して分離され、前記シリコン層に形成されたプレーナ型の第２能動素子とを備え、
前記絶縁層と前記第２の分離絶縁膜との間に前記シリコン層が存在することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１能動素子の前記第１制御電極は、前記第２能動素子の第２制御電極と同じ層に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る解決手段は、シリコン基板上に絶縁層及びシリコン層が積層されたＳＯＩ基板に形成される半導体装置であって、シリコン層内に形成され、絶縁層に達する第１の分離絶縁膜と、シリコン層の主面内に形成された第２の分離絶縁膜と、第１の分離絶縁膜に囲まれ、シリコン層に形成されたボディ領域に第１制御電極が巻きついたＦＩＮ型の第１能動素子と、素子分離に第２の分離絶縁膜と第１の分離絶縁膜を併用して分離され、シリコン層に形成されたプレーナ型の第２能動素子とを備え、絶縁層と第２の分離絶縁膜との間にシリコン層が存在する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に記載の半導体装置は、ＳＯＩ基板に形成される半導体装置であって、ボディ領域に第１制御電極が巻きついたＦＩＮ型の第１能動素子と、素子分離に第２の分離絶縁膜と第１の分離絶縁膜を併用して分離され、シリコン層に形成されたプレーナ型の第２能動素子とを備えるので、高速・低消費電力で、且つ高集積化の半導体装置を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタにおいて、
基板と、
前記基板上の一領域に形成されるゲートと、
前記基板及びゲート上に形成されるゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上において前記ゲートに対向する領域に形成されてＺｎＯを含むチャンネルと、
前記チャンネルの両側部とそれぞれ接触して形成されるソース及びドレインとを備えることを特徴とするクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記チャンネルは、ＺｎＯにＧａ、Ｉｎ、ＳｎまたはＡｌを含む化合物から形成されることを特徴とする請求項１に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記チャンネルは、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯを含んで形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記ソースは、金属または伝導性酸化物から形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ソースは、Ｍｏ、Ａｌ、ＷまたはＣｕのような金属であるか、またはＩＺＯまたはＡＺＯのような伝導性酸化物から形成されることを特徴とする請求項４に記載のクロスポイント用薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記ドレインは、金属または伝導性酸化物から形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記ドレインは、Ｍｏ、Ａｌ、ＷまたはＣｕのような金属であるか、またはＩＺＯまたはＡＺＯのような伝導性酸化物から形成されることを特徴とする請求項６に記載のクロスポイント用薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記チャンネルは、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタ。
【請求項９】
クロスポイントメモリに選択トランジスタとして使われる薄膜トランジスタの製造方法において、
基板上の一領域に伝導性物質を塗布及びパターニングしてゲートを形成する段階と、
前記基板及びゲート上にゲート絶縁層を塗布する段階と、
前記ゲート絶縁層上にＺｎＯを含むチャンネル物質を塗布した後でパターニングし、前記ゲートに対向する領域にチャンネルを形成する段階と、
前記チャンネル及び前記ゲート絶縁層上に伝導性物質を塗布した後、前記チャンネルの両側部とそれぞれ接触するようにパターニングし、ソース及びドレインを形成する段階とを含むことを特徴とするクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記チャンネルは、Ｇａ、Ｉｎ、ＳｎまたはＡｌの少なくともいずれかをＺｎＯに含む化合物ターゲットを利用してスパッタリングすることによって形成されることを特徴とする請求項９に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記チャンネルは、ＺｎＯと、Ｇａ、Ｉｎ、ＳｎまたはＡｌの少なくともいずれかを含むターゲットとをコスパッタリングすることによって形成されることを特徴とする請求項９に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記チャンネルは、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯを含む化合物ターゲットを利用してスパッタリングすることによって形成されることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のうちいずれか１項に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記ソースは、金属または伝導性酸化物から形成することを特徴とする請求項９ないし請求項１１のうちいずれか１項に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記金属は、Ｍｏ、Ａｌ、ＷまたはＣｕのうち少なくともいずれか一つであり、前記伝導性酸化物は、ＩＺＯまたはＡＺＯであることを特徴とする請求項１３に記載のクロスポイント用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記ドレインは、金属または伝導性酸化物から形成することを特徴とする請求項９ないし請求項１１のうちいずれか１項に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記金属は、Ｍｏ、Ａｌ、ＷまたはＣｕのうち少なくともいずれか一つであり、前記伝導性酸化物は、ＩＺＯまたはＡＺＯであることを特徴とする請求項１５に記載のクロスポイント用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１７】
前記チャンネルは、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さに形成されることを特徴とする請求項９ないし請求項１１のうちいずれか１項に記載のクロスポイントメモリ用薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１８】
クロスポイントメモリアレイの酸化物選択トランジスタにおいて
基板上の一領域に形成されたゲートと、
前記基板及びゲート上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲートに対応する前記ゲート絶縁層上に形成されたものであって、ＺｎＯを含むチャンネルと、
前記チャンネルの両側部とそれぞれ接触しつつ形成されたソース及びドレインとを備え、
前記酸化物選択トランジスタは、前記クロスポイントメモリアレイのワードラインに連結されたことを特徴とするクロスポイントメモリアレイの酸化物選択トランジスタ。
【請求項１９】
前記チャンネルは、ＺｎＯにＧａ、Ｉｎ、ＳｎまたはＡｌを含む化合物から形成されたことを特徴とする請求項１８に記載のクロスポイントメモリアレイの酸化物選択トランジスタ。
【請求項２０】
前記チャンネルは、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３及びＺｎＯを含んで形成されたことを特徴とする請求項１８に記載のクロスポイントメモリアレイの酸化物選択トランジスタ。
【請求項２１】
前記チャンネルは、２０ないし２００ｎｍの厚さに形成されたことを特徴とする請求項１８に記載のクロスポイントメモリアレイの酸化物選択トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板上に形成された第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜上に形成され、第２の酸化膜によって素子分離されたＮチャネル型ＦＥＴ及びＰチャネル型ＦＥＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＦＥＴ及び前記Ｐチャネル型ＦＥＴは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に設けられたポリシリコンを含むゲイト電極と、
前記ゲイト電極の側面に設けられた窒化シリコンでなるサイドウォールと、
前記ゲイト電極下に設けられたゲイト絶縁膜と、
前記サイドウォール下に設けられた熱酸化膜と、
前記ソース領域の表面、及び前記ドレイン領域の表面に設けられ、一端が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の端と揃い、他端が前記サイドウォールと揃った第１のシリサイドと、
前記ゲイト電極の表面に設けられ、端部が前記サイドウォールと揃った第２のシリサイドと、
前記ゲイト電極を覆い、前記第１のシリサイド及び前記第２のシリサイドに接して設けられた、窒化シリコンでなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のシリサイドに接して設けられた配線とを有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項２】
単結晶基板上に形成された第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜上に形成され、第２の酸化膜によって素子分離されたＮチャネル型ＦＥＴ及びＰチャネル型ＦＥＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＦＥＴ及び前記Ｐチャネル型ＦＥＴは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に設けられたポリシリコンを含むゲイト電極と、
前記ゲイト電極の側面に設けられた窒化シリコンでなるサイドウォールと、
前記ゲイト電極下に設けられたゲイト絶縁膜と、
前記サイドウォール下に設けられた熱酸化膜と、
前記ソース領域の表面、及び前記ドレイン領域の表面に設けられ、一端が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の端と揃い、他端が前記サイドウォールと揃った第１のシリサイドと、
前記ゲイト電極の表面に設けられ、端部が前記サイドウォールと揃った第２のシリサイドと、
前記ゲイト電極を覆い、前記第１のシリサイド及び前記第２のシリサイドに接して設けられた、窒化シリコンでなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のシリサイドに接して設けられた配線とを有し、
前記チャネル形成領域は、チャネル長が０．０１〜０．３５μｍであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項３】
単結晶基板上に形成された第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜上に形成され、第２の酸化膜によって素子分離されたＮチャネル型ＦＥＴ及びＰチャネル型ＦＥＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＦＥＴ及び前記Ｐチャネル型ＦＥＴは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に設けられたポリシリコンを含むゲイト電極と、
前記ゲイト電極の側面に設けられた窒化シリコンでなるサイドウォールと、
前記ゲイト電極下に設けられたゲイト絶縁膜と、
前記サイドウォール下に設けられた熱酸化膜と、
前記ソース領域の表面、及び前記ドレイン領域の表面に設けられ、一端が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の端と揃い、他端が前記サイドウォールと揃った第１のシリサイドと、
前記ゲイト電極の表面に設けられ、端部が前記サイドウォールと揃った第２のシリサイドと、
前記ゲイト電極を覆い、前記第１のシリサイド及び前記第２のシリサイドに接して設けられた、窒化シリコンでなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のシリサイドに接して設けられた配線とを有し、
前記チャネル形成領域は、高いエネルギー障壁を形成する不純物元素を端部以外の領域に有し、チャネル長が０．０１〜０．３５μｍであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記Ｎチャネル型ＦＥＴ又は前記Ｐチャネル型ＦＥＴはＬＤＤ領域を有し、前記チャネル形成領域の不純物元素は、前記ＬＤＤ領域内部にも含まれていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項５】
請求項３において、前記Ｎチャネル型ＦＥＴ又は前記Ｐチャネル型ＦＥＴはＬＤＤ領域を有し、前記チャネル形成領域の不純物元素は、前記ＬＤＤ領域を超えた前記ドレイン領域内部にも含まれていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記チャネル形成領域の不純物元素は、前記チャネル形成領域にドットパターン形状で設けられていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記チャネル形成領域の不純物元素は、前記チャネル形成領域に線状パターン形状で設けられていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、前記チャネル形成領域の不純物元素は、前記チャネル形成領域にフィッシュボーン形状で設けられていることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項９】
単結晶基板上に形成された第１の酸化膜と、前記第１の酸化膜上に形成され、第２の酸化膜によって素子分離されたＮチャネル型ＦＥＴ及びＰチャネル型ＦＥＴを有し、
前記Ｎチャネル型ＦＥＴ及び前記Ｐチャネル型ＦＥＴは、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、
前記チャネル形成領域上に設けられたポリシリコンを含むゲイト電極と、
前記ゲイト電極の側面に設けられた窒化シリコンでなるサイドウォールと、
前記ゲイト電極下に設けられたゲイト絶縁膜と、
前記サイドウォール下に設けられた熱酸化膜と、
前記ソース領域の表面、及び前記ドレイン領域の表面に設けられ、一端が前記ソース領域及び前記ドレイン領域の端と揃い、他端が前記サイドウォールと揃った第１のシリサイドと、
前記ゲイト電極の表面に設けられ、端部が前記サイドウォールと揃った第２のシリサイドと、
前記ゲイト電極を覆い、前記第１のシリサイド及び前記第２のシリサイドに接して設けられた、窒化シリコンでなる層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第１のシリサイドに接して設けられた配線とを有し、
前記チャネル形成領域は、ポテンシャルスリット領域を有し、チャネル長が０．０１〜０．３５μｍであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記ポテンシャルスリット領域の幅は３〜３００ｎｍであることを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図５（ｃ）および図５（ｆ）を参照に、上部電極１６を覆うように、膜厚が１１５ｎｍのＴｉ膜を第２膜２０としてスパッタリング法を用い形成する。露光技術およびエッチング技術を用い、第２膜２０を並列共振器Ｐの犠牲層３８上に残存し、直列共振器Ｓでは残存しないようにエッチングする。このとき、Ｔｉ膜とＲｕ膜とで選択性を有するエッチングを行うことにより、上部電極１６の膜厚を薄くせず第２膜２０をエッチングすることができる。図７（ａ）は並列共振器Ｐにおける上部電極１６、第２膜２０および領域５０となるべき領域（以下、領域５０ともいう）の位置関係を示した図である。第２膜２０は領域５０を含むように形成する。図５（ｃ）および図５（ｆ）を参照に、さらに、上部電極１６上に第２膜２０を覆うように、膜厚が約２０ｎｍのＣｒ膜を第１膜２２としてスパッタリング法を用い形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
統制局と、基地局と、移動局に設置されている無線装置とを含む無線通信システムであって、
前記基地局は、運行情報のデータを前記無線装置へ第１の周波数で送信する第１の送信部と、第２の周波数で送信する第２の送信部と、前記無線装置から第１の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第１の受信部と、第２の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第２の受信部とを備え、
前記移動局は第１の無線装置及び第２の無線装置を備え、
前記移動局の前記第１の無線装置は、前記基地局の第１の送信機から前記第１の周波数で送信されたデータを受信する受信機と、前記第１の周波数で移動局の運行情報のデータを送信する送信機とを備え、
前記移動局の前記第２の無線装置は、前記基地局の第２の送信機から前記第２の周波数で送信されたデータを受信する受信機と、前記第２の周波数で移動局の運行情報のデータを送信する送信機とを備えたことを特徴とする無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
統制局と、基地局と、移動局に設置されている無線装置とを含む無線通信システムであって、
前記基地局は、運行情報のデータを前記無線装置へ第１の周波数で送信する第１の送信部と、第２の周波数で送信する第２の送信部と、前記無線装置から第１の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第１の受信部と、第の２周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第２の受信部とを備え、
前記無線装置は、前記基地局から第１の周波数で送信されたデータを受信するとともに第１の周波数が妨害されていないかを検出する第１の受信機と、前記基地局から第２の周波数で送信されたデータを受信するとともに第２の周波数が妨害されていないかを検出する第２の受信機と、第１の周波数又は第２の周波数のいずれかの周波数で移動局の運行情報のデータを前記基地局に送信する送信機と、前記受信機において第１の周波数が妨害されていると検出された場合に、前記送信機の送信の周波数を第２の周波数に設定し、第２の周波数が妨害されていると検出された場合に、前記送信機の送信の周波数を第２の周波数に設定する制御部とを備えたことを特徴とする無線通信システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
統制局と、基地局と、移動局に設置されている無線装置とを含む無線通信システムであって、前記基地局は、運行情報のデータを前記無線装置へ第１の周波数で送信する第１の送信部と、第２の周波数で送信する第２の送信部と、前記無線装置から第１の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第１の受信部と、第２の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第２の受信部とを備え、前記移動局は第１の無線装置及び第２の無線装置を備え、前記移動局の前記第１の無線装置は、前記基地局の第１の送信機から前記第１の周波数で送信されたデータを受信する受信機と、前記第１の周波数で移動局の運行情報のデータを送信する送信機とを備え、前記移動局の前記第２の無線装置は、前記基地局の第２の送信機から前記第２の周波数で送信されたデータを受信する受信機と、前記第２の周波数で移動局の運行情報のデータを送信する送信機とを備えたことを特徴とする構成にすることにより、片方の周波数が妨害されて通信できなくなってしまっても、もう片方の周波数により通信することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、統制局と、基地局と、移動局に設置されている無線装置とを含む無線通信システムであって、前記基地局は、運行情報のデータを前記無線装置へ第１の周波数で送信する第１の送信部と、第２の周波数で送信する第２の送信部と、前記無線装置から第１の周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第１の受信部と、第の２周波数で送信されてきた移動局の運行情報のデータを受信する第２の受信部とを備え、前記無線装置は、前記基地局から第１の周波数で送信されたデータを受信するとともに第１の周波数が妨害されていないかを検出する第１の受信機と、前記基地局から第２の周波数で送信されたデータを受信するとともに第２の周波数が妨害されていないかを検出する第２の受信機と、第１の周波数又は第２の周波数のいずれかの周波数で移動局の運行情報のデータを前記基地局に送信する送信機と、前記受信機において第１の周波数が妨害されていると検出された場合に、前記送信機の送信の周波数を第２の周波数に設定し、第２の周波数が妨害されていると検出された場合に、前記送信機の送信の周波数を第２の周波数に設定する制御部とを備えたことを特徴とする構成にすることにより、片方の周波数が妨害されて通信できなくなってしまっても、もう片方の周波数により通信することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号の基本周波数のバンド幅が第１の基本周波数Ｆ１から第２の基本周波数Ｆ２（但しＦ２＞Ｆ１）までの電力増幅器であって、
前記入力信号を増幅するための電力増幅器用トランジスタと、
前記電力増幅器用トランジスタからの出力信号に含まれる高調波成分を抑圧するための出力整合回路とを備え、
前記出力整合回路は、
前記電力増幅器用トランジスタの出力端とグランドとの間に直列に接続された第１のインダクタと第１のコンデンサとから構成され且つ前記第１の基本周波数Ｆ１の２次高調波の周波数を共振周波数とする第１の直列共振回路と、
前記電力増幅器用トランジスタの出力端とグランドとの間に直列に接続された第２のインダクタと第２のコンデンサとから構成され且つ前記第２の基本周波数Ｆ２の２次高調波の周波数を共振周波数とする第２の直列共振回路とを有し、
前記第１のインダクタのインダクタンスは１ｎＨ以上であり、前記第２のインダクタのインダクタンスは１ｎＨ以下である（但し当該両インダクタンスが共に１ｎＨである場合を除く）ことを特徴とする電力増幅器。
【請求項２】
請求項１に記載の電力増幅器において、
前記第２のインダクタはマイクロストリップ線路により構成されていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電力増幅器において、
前記第１のコンデンサは、前記電力増幅器用トランジスタが集積されている半導体基板上に集積されており、
前記第２のコンデンサはチップ部品であることを特徴とする電力増幅器。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の電力増幅器において、
前記第１のコンデンサは、前記電力増幅器用トランジスタが集積されている半導体基板上に集積されており、
前記第２のコンデンサは、前記電力増幅器用トランジスタが集積されている半導体基板とは異なる他の半導体基板上に集積されていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電力増幅器において、
前記バンド幅は５０ＭＨｚ以上であることを特徴とする電力増幅器。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電力増幅器において、
前記第２のインダクタは、前記電力増幅器用トランジスタの出力端と、当該出力端に接続され且つ前記電力増幅器用トランジスタに電力を供給するバイアスライン上の所定の分岐点との間に設けられていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項７】
請求項６に記載の電力増幅器において、
前記第２のコンデンサの一端は、前記所定の分岐点で前記バイアスラインから分岐したラインに接続されていると共に、前記第２のコンデンサの他端はグランドに接続されていることを特徴とする電力増幅器。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の電力増幅器において、
前記バイアスラインにおける電源接続部には１０００ｐＦ以上のバイパスコンデンサが接続されており、
前記バイアスラインにおける前記バイパスコンデンサから前記所定の分岐点までの部分は、前記入力信号の波長をλとして、λ／１６以上で且つλ／８以下の電気長に相当するインダクタンス値を有することを特徴とする電力増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008103874.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月7日(2009.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項に記載のカメラにおいて、
前記補正データ算出手段は、前記光軸方向における前記先幕と前記後幕との距離、前記先幕および前記後幕の走行速度特性、および前記フォーカルプレンシャッタから前記撮像素子の撮像面までの距離に基づいて、前記露光時間を算出することを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（７）請求項７の発明は、請求項４乃至６のいずれか一項に記載のカメラにおいて、補正データ算出手段は、光軸方向における先幕と後幕との距離、先幕および後幕の走行速度特性、およびフォーカルプレンシャッタから撮像素子の撮像面までの距離に基づいて、露光時間を算出することを特徴とする。
（８）請求項８の発明は、請求項７に記載のカメラにおいて、補正データ算出手段は、さ
らに絞り値および焦点距離に基づいて露光時間を算出することを特徴とする。
（９）請求項９の発明は、請求項４乃至６のいずれか一項に記載のカメラにおいて、露光時間を記憶する記憶手段をさらに備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月13日(2009.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信したディジタルデータに含まれる映像パケットと音声パケットとを識別するフィルタリング部と、
前記フィルタリング部によって識別された音声パケットを復号処理して音声データを出力する音声処理部とを含み、
前記音声処理部が、
前記音声パケットのヘッダ情報を参照し、当該音声パケットがエラーパケットであるか否かを判断する音声パケットエラー検出部と、
エラーパケットであると判断された音声パケットを削除し、後段の音声デコーダが不連続性を検出可能な特定の情報を含む音声パケットを挿入する音声パケット削除部とを備えたことを特徴とするディジタルデータ受信装置。
【請求項２】
前記フィルタリング部によって識別された映像パケットを復号処理して映像データを出力する映像処理部とを含み、
前記映像処理部が、
前記映像パケットのヘッダ情報を参照し、当該映像パケットがエラーパケットであるか否かを判断する映像パケットエラー検出部と、
エラーパケットであると判断された映像パケットが所定の条件を満たす場合にのみ、当該映像パケットを削除する映像パケット削除部とを備えたことを特徴とする請求項１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項３】
前記映像パケット削除部は、エラーパケットであると判断された映像パケットに先行する１つまたは複数の映像パケットが受信されていない場合、またはエラーパケットである場合にのみ、前記エラーパケットであると判断された映像パケットを削除する、請求項２に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項４】
前記映像パケット削除部は、符号化処理単位中に含まれる映像パケットのうち、エラーパケットであると判断された映像パケットの数が所定の基準を超えた場合にのみ、前記エラーパケットであると判断された映像パケットを削除する、請求項２に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項５】
前記映像パケット削除部は、エラーパケットであると判断された映像パケットが符号化処理単位の先頭パケットである場合に、当該映像パケットを削除する、請求項２に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項６】
前記音声パケット削除部は、エラーパケットであると判断された音声パケットに後続する１つまたは複数の音声パケットも削除する、請求項１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項７】
前記音声パケット削除部は、符号化処理単位中に含まれる音声パケット中に、エラーパケットであると判断された音声パケットが存在する場合、前記符号化処理単位中に含まれる音声パケットを全て削除する、請求項１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項８】
前記音声パケット削除部は、符号化処理単位中に含まれる音声パケット中に、エラーパケットであると判断された音声パケットが存在する場合、前記符号化処理単位中の前記エラーパケットおよびそれに先行する音声パケットを全て削除する、請求項１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項９】
エラーパケットであると判断された選局・番組情報パケットを削除する番組・選局情報パケット削除部をさらに備えた、請求項１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項１０】
前記番組・選局情報パケット削除部が、符号化処理単位中に含まれる番組・選局情報パケット中に、エラーパケットであると判断された番組・選局情報パケットが存在する場合、前記符号化処理単位中に含まれる番組・選局情報パケットを全て削除する、請求項９に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項１１】
受信したディジタルデータに含まれる映像パケットと音声パケットとを識別するフィルタリング部と、
前記フィルタリング部によって識別された映像パケットを復号処理して映像データを出力する映像処理部とを含み、
前記映像処理部が、
前記映像パケットのヘッダ情報を参照し、当該映像パケットがエラーパケットであるか否かを判断する映像パケットエラー検出部と、
エラーパケットであると判断された映像パケットに先行する１つまたは複数の映像パケットが受信されていない場合、またはエラーパケットである場合にのみ、前記エラーパケットであると判断された映像パケットを削除する映像パケット削除部とを備えたことを特徴とするディジタルデータ受信装置。
【請求項１２】
前記映像パケット削除部は、符号化処理単位中に含まれる映像パケットのうち、エラーパケットであると判断された映像パケットの数が所定の基準を超えた場合にのみ、前記エラーパケットであると判断された映像パケットを削除する、請求項１１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項１３】
前記映像パケット削除部は、エラーパケットであると判断された映像パケットが符号化処理単位の先頭パケットである場合に、当該映像パケットを削除する、請求項１１に記載のディジタルデータ受信装置。
【請求項１４】
受信したディジタルデータに含まれる選局・番組情報パケットを識別するフィルタリング部と、
前記フィルタリング部によって識別された選局・番組情報パケットを復号処理して番組・選局情報データを出力する番組・選局情報処理部とを含み、
前記番組・選局情報処理部が、
前記番組・選局情報パケットのヘッダ情報を参照し、当該番組・選局情報パケットがエラーパケットであるか否かを判断する番組・選局情報パケットエラー検出部と、
エラーパケットであると判断された選局・番組情報パケットを削除する番組・選局情報パケット削除部とをさらに備えたことを特徴とするディジタルデータ受信装置。
【請求項１５】
前記番組・選局情報パケット削除部が、符号化処理単位中に含まれる番組・選局情報パケット中に、エラーパケットであると判断された番組・選局情報パケットが存在する場合、前記符号化処理単位中に含まれる番組・選局情報パケットを全て削除する、請求項１４に記載のディジタルデータ受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられかつ溝を有する絶縁体層と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるように設けられた導電体層と、該導電体層上に設けられた絶縁膜と、該導電体層の少なくとも一部の上方において該絶縁膜上に設けられた半導体層とを有する半導体装置において、前記絶縁膜が絶縁体塗布膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上の絶縁体層に溝を設け、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極を形成し、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して半導体層を配置し、該半導体層にソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続した半導体装置において、前記ゲート絶縁膜を前記ゲート電極上に設けた絶縁体塗布膜とその上に形成された絶縁体ＣＶＤ膜とを含んで構成したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
溝を有する絶縁体層を基板上に設ける工程と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるように導電体層を形成する工程と、該導電体層上に絶縁体塗布膜を形成する工程と、前記絶縁体塗布膜の少なくとも一部の上に半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板上に溝を有する絶縁体層を設ける工程と、該溝中にその表面が前記絶縁体層の表面とほぼ平坦になるようにゲート電極を形成する工程と、該ゲート電極上に絶縁体塗布膜を形成する工程と、前記絶縁体塗布膜上にＣＶＤで誘電体膜を形成する工程と、前記誘電体膜上に半導体層を形成する工程と、該半導体層にソース電極およびドレイン電極の少なくとも一方を電気的に接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トップゲート型の薄膜トランジスタと保持容量を有する画像表示装置であって、
ポリシリコン膜と、ゲート絶縁膜と、下層金属膜および上層金属膜が、この順で下層から上層に向かって積層されており、
前記薄膜トランジスタのチャネル、ドレイン、及びソースが前記ポリシリコン膜に形成されており、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は前記下層金属膜と前記上層金属膜を含む積層構造を有し、
前記保持容量の上部電極は前記下層金属膜であり、前記保持容量の下部電極は前記ポリシリコン膜であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記薄膜トランジスタは、ｎチャネル伝導型およびｐチャネル伝導型の何れかであることを特徴とする画像表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記下層金属膜は透明電極であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記下層金属膜の膜厚は、前記上層金属膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記下層金属膜の膜厚は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記ゲート電極の下層金属膜の幅は、当該ゲート電極の上層金属膜の幅と同一であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項７】
請求項１において、
前記ゲート電極の下層金属膜の幅は、当該ゲート電極の上層金属膜の幅より広いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項８】
請求項１において、
前記下部電極と前記ドレインおよびソースのイオン濃度は等しいことを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
請求項１において、
前記下部電極と前記ドレインおよび前記ソースのイオンは一つのイオン注入工程によって注入されたものであることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揮発分含量が、固体電解質１ｋｇ当たり５０ｇ以下であるリチウムイオン伝導性固体電解質。
【請求項２】
不活性ガス雰囲気中、８０〜４００℃の温度範囲で加熱乾燥することを含むリチウムイオン伝導性固体電解質の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載のリチウムイオン伝導性固体電解質の製造方法により製造されたリチウムイオン伝導性固体電解質。
【請求項４】
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｐ、Ｂのうち少なくとも１つとリチウムと硫黄とを含む請求項１又は３に記載のリチウムイオン伝導性固体電解質。
【請求項５】
請求項１、３及び４のいずれか一項に記載のリチウムイオン伝導性固体電解質と正極活物質又は負極活物質とを含む極合材。
【請求項６】
請求項１、３及び４のいずれか一項に記載のリチウムイオン伝導性固体電解質を含む全固体電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、そのような防水キャップは、コストダウンの観点から、ディップ成形により製造したいという要求もある。ここで、ディップ成形は、金型表面にゾルを附着させて成形する方法で、予熱した金型をゾル中に浸漬した後、ゆっくり引き上げ直ちに加熱炉でゲル化させ、冷却、離型する方法である。金型に接した内面寸法は比較的精度が高く、外面はラフになり、成形品の厚みは予熱温度とゾルの粘度により調節できる。
【特許文献１】特開平５−２９０９２０号公報（段落０００７〜００１０および図１、図２）
【特許文献２】特開２００５−２５０９４号公報（段落００１３および図１）
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008103165.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008103165.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008103165.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008103165.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008103165.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の両側に一対の電極を配設する電解質・電極構造体が、一対の金属セパレータにより挟持される発電セルを備えるとともに、複数の前記発電セルが積層される燃料電池であって、
互いに隣接する第１の発電セル及び第２の発電セルを備え、
前記第１の発電セルを構成する第１金属セパレータは、凸部と凹部とを有する第１波形状流路部を設け、
前記第２の発電セルを構成し前記第１金属セパレータに隣接する第２金属セパレータは、凸部と凹部とを有して前記第１波形状流路部と同一の流路ピッチに設定され且つ前記第１波形状流路部との間に冷却媒体流路が形成される第２波形状流路部を設け、
前記第１波形状流路部の前記冷却媒体流路側の凹部は、前記第２波形状流路部の凸部と積層方向に重なり合う平坦面を有するとともに、前記平坦面の裏面が前記電解質・電極構造体に接触することにより、前記第２波形状流路部の凸部の両側に前記冷却媒体流路が形成されることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、前記第２波形状流路部の前記冷却媒体流路側の凹部は、前記第１波形状流路部の凸部と前記積層方向に重なり合う平坦面を有するとともに、前記平坦面の裏面が前記電解質・電極構造体に接触することを特徴とする燃料電池。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池において、前記凸部は、前記凹部の平坦面に対して前記積層方向に重なり合う部分が湾曲形状に設定されることを特徴とする燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスの供給を受けて発電する燃料電池スタックと、
前記燃料電池スタック内部から水分を発電停止時に掃気するための掃気手段と、
前記掃気手段に作動電力を供給する蓄電装置と、
前記燃料電池スタック内部から水分を前記掃気手段によって掃気するために要する時間が略一定になるように前記燃料電池スタックに流出入する水収支を制御する水収支制御手段と、
を備える燃料電池システム。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料電池システムであって、
前記水収支制御手段は、前記燃料電池スタックの温度に基づいて目標交流インピーダンスを算出し、発電停止時の前記燃料電池スタックの交流インピーダンスが前記目標交流インピーダンスに等しくなるように前記燃料電池スタックに流出入する水収支を制御する、燃料電池システム。
【請求項３】
請求項２に記載の燃料電池システムであって、
前記水収支制御手段は、前記燃料電池スタックの発電電流を制御することにより、前記水収支を制御する、燃料電池システム。
【請求項４】
請求項２に記載の燃料電池システムであって、
前記水収支制御手段は、前記燃料電池スタックに加えられる加湿水量を制御することにより、前記水収支を制御する、燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明に係る燃料電池システムは、反応ガスの供給を受けて発電する燃料電池スタックと、燃料電池スタック内部から水分を発電停止時に掃気するための掃気手段と、掃気手段に作動電力を供給する蓄電装置と、燃料電池スタック内部から水分を掃気手段によって掃気するために要する時間が略一定になるように燃料電池スタックに流出入する水収支を制御する水収支制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
燃料電池スタック内部から水分を掃気手段によって掃気するために要する時間が略一定になるように、燃料電池スタックに流出入する水収支（生成水量、持ち去り水量、及び加湿水量の収支計算）を制御することで、掃気制御を簡易化できる。