【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属前駆体を溶液槽の非水溶媒に溶解する工程と、
配線開口を持つ基板を、前記溶液槽内に配置して、前記金属前駆体により前記配線開口内に単分子層を形成する工程と、
前記基板を、共反応体を含む溶液中に配置して、前記金属前駆体の配位子を前記共反応体の配位子で置き換えることにより、バリア単分子層を形成する工程と
を備える方法。
【請求項２】
前記金属前駆体は、１つの中心金属を持つ有機金属化合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つの中心金属は、チタン、タンタル、ジルコニウム及びハフニウムのいずれか１つを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記共反応体は、ＮＨ３、ｔＢｕＮＨ２、ＨＮＥｔ２、ＮＥｔ３、ヘキサン、カテコールボラン、ＢＨ３、Ｂ２Ｈ６、ＣＨ４、ＳｉＨ４及びＧｅＨ４を少なくとも１つ含む請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記バリア単分子層を形成する工程において、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＺｒＢ及びＨｆＢの少なくとも１つのバリア単分子層が形成される請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記金属前駆体により前記配線開口内に単分子層を形成する段階において、前記配線開口の表面に前記金属前駆体を吸着させた単分子層を形成する請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記バリア単分子層は、１オングストローム未満の厚さを持つ請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
目標とするバリア層の全厚みを達成すべく、連続して複数の前記バリア単分子層を積層形成する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
絶縁体に配線開口を有する基板を用意する工程と、
前記基板を、溶媒に溶解した金属前駆体を含む溶液槽内に配置して、前記金属前駆体により前記配線開口の表面に単原子層を形成する工程と、
前記基板を、共反応体を含む溶液中に配置して、前記金属前駆体の配位子を前記共反応体の配位子で置き換えることにより、前記表面に薄バリア層を形成する工程と、
前記薄バリア層の上に導電層を形成する工程と
を備える方法。
【請求項１０】
前記薄バリア層は、複数の単分子バリア層を含み、
前記複数の単分子バリア層は、０．２オングストロームから０．５オングストロームの間の厚みを持つ請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記薄バリア層を形成する工程において、前記表面に共形の薄バリア層が形成される請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
絶縁体に配線開口を有する基板と、
前記配線開口の表面に設けられた共形の薄バリア層と、
を備え、
前記共形の薄バリア層は、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法により形成された少なくとも１つのバリア単分子層を含み、
前記バリア単分子層は、０．２オングストロームから１．０オングストロームの間の厚みを持つ構造。
【請求項１３】
前記共形の薄バリア層は、ＴａＮ、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＺｒＢ及びＨｆＢの少なくとも１つを含む請求項１２に記載の構造。
【請求項１４】
前記共形の薄バリア層は、複数のバリア単分子層を含む請求項１２または１３に記載の構造。
【請求項１５】
前記共形の薄バリア層は、５０オングストローム未満の厚さを持つ請求項１２から１４のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１６】
前記共形の薄バリア層は、非化学量論的組成を持つ請求項１２から１５のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１７】
前記配線開口は、３：１よりも大きいアスペクト比を持つ請求項１２から１６のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１８】
前記共形の薄バリア層の上に設けられる導電材をさらに備え、
前記構造は、マイクロ電子デバイスの配線構造を含む請求項１２から１７のいずれか１項に記載の構造。
【請求項１９】
前記構造は、３：１よりも大きいアスペクト比のＣＭＯＳ金属化構造を含む請求項１２から１８のいずれか１項に記載の構造。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
ある実施形態では、溶液槽１０２は、金属前駆体及び溶媒１０３を含む。ある実施形態では、溶液槽１０２は、これらに限定されないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン及びアセトニトリルのようなアルカン、又はトルエンのような無酸素・非水溶媒を含んでもよい。また、これらに限定されないが、金属前駆体は、例えば、チタン、タンタル、ハフニウム及びジルコニウムのようなバリア金属を含んでもよい。チタン金属前駆体の例としては、ＴｉＣｌ４、ＴｉＭｅ４、Ｃｐ２Ｔｉ（ＣＯ）２、Ｃｐ２ＴｉＣｌ２、Ｔｉ（ＮＥｔ２）４等の化合物を含んでもよい。ある実施形態では、金属前駆体は、１つの中心金属をもつ有機金属化合物を含んでもよい。ある実施形態では、１つの中心金属をもつ有機金属化合物は、チタン、タンタル、ジルコニウム及びハフニウムのうちの１つを含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ハフニウム金属前駆体の例としては、ＨｆＣｌ４、ＨｆＭｅ４、Ｃｐ２Ｈｆ（ＣＯ）２、Ｃｐ２ＨｆＣｌ２及びＨｆ（ＮＥｔ２）４が含まれる。ジルコニウム金属前駆体の例としては、ＺｒＣＩ４、ＺｒＭｅ４、Ｃｐ２Ｚｒ（ＣＯ）２、Ｃｐ２ＺｒＣｌ２及びＺｒ（ＮＥｔ２）４が含まれる。ある実施形態では、金属前駆体を、非水溶媒１０３に溶解させてもよい。金属前駆体を所望の濃度で、溶媒と共に、溶液槽１０２に用意してもよい。ある実施形態では、溶液槽１０２は、所望の温度（例えば、およそ２５℃から９０℃）に温められていてもよく、基板１００を溶液槽１０２に、所望の時間、浸漬（１０７）する。基板１００を収容する溶液槽１０２を、必要に応じて攪拌してもよい。また、ある実施形態では、次いで、基板１００を溶液槽１０２から取り除き（１０８）、溶解した共反応体を含有しない有機溶媒１０３で基板を洗浄してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図２は、本発明の実施形態による薄い共形のバリア層を形成するプロセスのフローチャートを示している。ステップ２０２では、金属前駆体を、有機非水溶液槽に用意された溶媒に溶解してもよい。ステップ２０４では、配線開口を有する基板を溶液槽に配置して、配線開口の表面に、金属前駆体によって単分子層を形成してもよい。ステップ２０８では、基板を有機溶媒で洗浄し、必要に応じて、上記プロセスを繰り返してもよい。ステップ２１０では、基板を、有機非水溶液槽から取り除いてもよい。上述したように、本発明の方法によれば、１つの原子層からなる、共形の、滑らかで非常に薄いバリア層となる膜を形成可能であり、したがって、マイクロ電子工学アプリケーションのバックエンドにおける配線構造の開口を埋めるのに好適に利用できる。バリア膜の酸化を低減するため、非水有機めっき浴が使用される。したがって、本発明の方法によって形成された薄く共形となるバリア層を使用することにより、マイクロ電子デバイスの信頼性を大幅に向上させることができる。また、今まで十分研究されていない、例えば、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＺｒＣ、ＨｆＣ、ＺｒＢ及びＨｆＢのような新規の材料を使用することも可能になる。