【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトレジスト層に画像を形成する方法であって、
基板を提供するステップと、
前記基板を覆って前記フォトレジスト層を形成するステップと、
前記フォトレジスト層を覆って汚染ゲッタリング上塗り層を形成するステップであって、前記汚染ゲッタリング上塗り層が１種または複数種のポリマーおよび１種または複数種のカチオン錯化剤を含むステップと、
不透明領域および透明領域を有するフォトマスクを介して前記フォトレジスト層を化学線に露光するステップであって、前記不透明領域が前記化学線を遮断し前記透明領域が前記化学線を透過させ、前記化学線が前記化学線に露光した前記フォトレジスト層の領域の化学組成を変化させて前記フォトレジスト層に露光および非露光領域を形成するステップと、
前記フォトレジスト層の前記露光領域または前記フォトレジスト層の前記非露光領域を除去するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記基板を提供する前記ステップと前記フォトレジスト層を形成する前記ステップとの間に、前記基板の上面を覆って反射防止コーティングを形成するステップをさらに含み、前記フォトレジスト層を前記反射防止コーティングの上面に形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記汚染ゲッタリング上塗り層を形成する前記ステップと、前記フォトレジスト上塗り層を露光する前記ステップとの間に、前記汚染ゲッタリング層と前記フォトマスクの間に浸液の層を形成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記浸液が水を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記除去するステップが前記汚染ゲッタリング上塗り層を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記汚染ゲッタリング上塗り層を形成する前記ステップと、前記フォトレジスト層を露光する前記ステップとの間に、前記汚染ゲッタリング上塗り層からキャスティング溶媒を除去するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記汚染ゲッタリング上塗り層を形成する前記ステップと、前記フォトレジスト上塗り層を露光する前記ステップとの間に、前記汚染ゲッタリング層を室温より高い温度に加熱するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記汚染ゲッタリング上塗り層が前記１種または複数種のポリマーと前記１種または複数種のカチオン錯化剤との混合物を含み、前記混合物が前記フォトレジスト層を覆って形成されたとき水溶性であり、前記１種または複数種のポリマーがもはや水溶性でなくなるまで前記汚染ゲッタリング上塗り層を加熱するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記汚染ゲッタリング上塗り層が前記１種または複数種のポリマーと前記１種または複数種のカチオン錯化剤との混合物を含み、前記混合物が、前記フォトレジスト層を覆って形成されたとき有機溶媒に可溶である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記１種または複数種のカチオン錯化剤が、ペンダント基として前記１種または複数種のポリマーに結合している、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記１種または複数種のポリマーの少なくとも１種がコポリマーであり、前記１種または複数種のカチオン錯化剤の少なくとも１種がペンダント基として前記コポリマーの第１のポリマーに結合しており、前記コポリマーの第２のポリマーにはフォトレジスト層に混和性のペンダント基が結合している、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記フォトレジスト層を形成する前記ステップと前記汚染ゲッタリング上塗り層を形成する前記ステップとの間に、前記フォトレジスト層の上面に、前記フォトレジスト層と浸液の混合を防止する封止上塗り層を形成するステップをさらに含み、前記汚染ゲッタリング上塗り層が前記封止上塗り層の上面に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記カチオン錯化剤が、トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸一水和物、ジエチレントリアミンペンタ酢酸、１，２−ジアミノエタン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（メチレンリン酸）、ニトリロ酢酸、エチレンジアミンテトラ酢酸、フィチン酸、１，４，８，１２−テトラアザシクロペンタデカン、アセチルアセトン、１８−クラウン−６エーテル、アンモニウムピロリジンジチオカルバメート、ジ−２−ピリジルケトンオキシム、４−ベンゾイル−３−メチル−１−フェニル−２−ピラゾリン−５−オン、およびバリノマイシンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記１種または複数種のポリマーが、ＭＭＡ−ＭＡＡＮＨ４−ＴＢＭＡコポリマー（ＭＭＡ：メチルメタクリレート、ＭＡＡＮＨ４：メタクリル酸アンモニウム塩、ＴＢＭＡ：ｔ−ブチルメタクリレート）、ヘキサフルオロアルコール置換シクロオレフィン系ポリマー、フルオロスルホンアミド置換シクロオレフィン系ポリマー、アクリレート系ポリマー、メタクリレート系ポリマー、ポリ（ビス−ヘキサフルオロアルコールシクロヘキサン−コ−トランス−１，２−ジアミノシクロヘキサン−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ酢酸）アクリレート、ポリ（ビス−ヘキサフルオロアルコールシクロヘキサン−コ−ビス（シクロヘキサノン）オキサルジヒドラゾン）アクリレート、ポリ（ビス−ヘキサフルオロアルコールシクロヘキサン−コ−１，２−シクロヘキサンジオンジオキシム）アクリレート、およびポリエチレンアミドキシムからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記１種または複数種のカチオン錯化剤が、Ｋ、Ｎａ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮＨ４のカチオンからなる群から選択される１種または複数種のカチオンと錯体を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
１種または複数種のポリマーと、
１種または複数種のカチオン錯化剤と、
キャスティング溶媒と
を含む、汚染ゲッタリング上塗り層材料。
【請求項１７】
前記１種または複数種のポリマーと前記１種または複数種のカチオン錯化剤とが水溶性混合物を構成する、請求項１６に記載の材料。
【請求項１８】
前記１種または複数種のポリマーと前記１種または複数種のカチオン錯化剤とが有機溶媒可溶性混合物を構成する、請求項１６に記載の材料。
【請求項１９】
前記１種または複数種のカチオン錯化剤が、ペンダント基として前記１種または複数種のポリマーに結合している、請求項１６に記載の材料。
【請求項２０】
前記１種または複数種のポリマーの少なくとも１種がコポリマーであり、前記１種または複数種のカチオン錯化剤の少なくとも１種がペンダント基として前記コポリマーの第１のポリマーに結合しており、前記コポリマーの第２のポリマーにはフォトレジスト層に混和性のペンダント基が結合している、請求項１６に記載の材料。
【請求項２１】
前記１種または複数種のカチオン錯化剤が、Ｋ、Ｎａ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＮＨ４のカチオンからなる群から選択される１種または複数種のカチオンと錯体を形成する、請求項１６に記載の材料。
【請求項２２】
前記キャスティング溶媒が、水、水アルコール混合物、１−ブタノール、メタノール、エタノール、１−プロパノール、１−ペンタノール、２−メチル−４−ペンタノールおよびｎ−ヘキサノールからなる群から選択される、請求項１６に記載の材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フォトレジスト層に画像を形成する方法、及び上塗り層材料