【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルが配列された半導体記憶装置であって、
前記メモリセルで使用する電圧信号を発生する内部電圧発生回路と、
前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を調整するための信号を出力するプログラム回路を複数個と、
選択信号に従い、前記各プログラム回路から出力される信号を選択するセレクト回路と、
を備え、前記内部電圧発生回路は、前記セレクト回路により選択された信号に応じた電圧値の電圧信号を発生することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記内部電圧発生回路は、昇圧電圧発生回路であることを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記プログラム回路は、不揮発性記憶素子で構成されていることを特徴とする請求項１もしくは２のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体記憶装置であって、複数個の前記プログラム回路は、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を第一の電圧値に調整するための設定がプログラムされたプログラム回路と、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされたプログラム回路からなることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体記憶装置であって、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を外部から入力された制御信号に応じた電圧値に調整するための内部電圧設定信号を出力する内部電圧設定回路をさらに具備し、前記セレクト回路は、選択信号に従い前記内部電圧設定回路から出力される信号を選択する機能をさらに有することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体記憶装置であって、前記内部電圧設定回路は、前記内部電圧設定信号をセットするためのレジスタ回路を備え、前記レジスタ回路は、前記制御信号をシリアル入力可能な構成であることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
請求項４記載の半導体記憶装置であって、選択信号を外部から入力するための外部端子を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項８】
請求項４記載の半導体記憶装置であって、外部より入力されるテストモード信号をデコードして選択信号を発生するテストモード回路をさらに備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
請求項５もしくは６のいずれかに記載の半導体記憶装置であって、選択信号を外部から入力するための外部端子を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項５もしくは６のいずれかに記載の半導体記憶装置であって、外部より入力されるテストモード信号をデコードして選択信号を発生するテストモード回路をさらに備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記外部端子より、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を前記第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされている任意の前記プログラム回路からの信号を前記セレクト回路に選択させる選択信号を入力して、前記第二の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
【請求項１２】
請求項８記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を前記第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされている任意の前記プログラム回路からの信号を前記セレクト回路に選択させるためのテストモード信号を前記テストモード回路へ入力して、前記第二の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を所望の電圧値に調整するための制御信号を前記内部電圧設定回路へ入力するとともに、前記外部端子より、前記内部電圧設定回路からの信号を前記セレクト回路に選択させる選択信号を入力して、所望の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
【請求項１４】
請求項１０記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を所望の電圧値に調整するための制御信号を前記内部電圧設定回路へ入力するとともに、前記内部電圧設定回路からの信号を前記セレクト回路に選択させるためのテストモード信号を前記テストモード回路へ入力して、所望の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
【請求項１５】
請求項１１ないし１４のいずれかに記載の半導体記憶装置のテスト方法であって、実施するテストは、バーンインテストであることを特徴とする半導体記憶装置のテスト方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の請求項４記載の半導体記憶装置は、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体記憶装置であって、複数個の前記プログラム回路は、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を第一の電圧値に調整するための設定がプログラムされたプログラム回路と、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされたプログラム回路からなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の請求項１１記載の半導体記憶装置のテスト方法は、請求項７記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記外部端子より、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を前記第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされている任意の前記プログラム回路からの信号を前記セレクト回路に選択させる選択信号を入力して、前記第二の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の請求項１２記載の半導体記憶装置のテスト方法は、請求項８記載の半導体記憶装置をテストする方法であって、前記内部電圧発生回路で発生する電圧信号の電圧値を前記第二の電圧値に調整するための設定がプログラムされている任意の前記プログラム回路からの信号を前記セレクト回路に選択させるためのテストモード信号を前記テストモード回路へ入力して、前記第二の電圧値の電圧信号を用いてテストを実施することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
３ａは第１のプログラム回路である。第１のプログラム回路３ａは不揮発性記憶素子で構成されており、昇圧電圧発生回路２で発生する電圧信号の電圧値を通常使用電圧値ＶＰＰ（第一の電圧値の一例）に調整するための信号を出力する設定がプログラムされる。第１のプログラム回路３ａにおいて、ＶＰＳＡはプログラム回路３ａの出力端子である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
３ｂは第２のプログラム回路である。第２のプログラム回路３ｂは不揮発性記憶素子で構成されており、昇圧電圧発生回路２で発生する電圧信号の電圧値を通常使用電圧値ＶＰＰとは異なる所望の電圧値（第二の電圧値の一例）に調整するための信号を出力する設定がプログラムされる。第２のプログラム回路３ｂにおいて、ＶＰＳＢはプログラム回路３ｂの出力端子である。本実施の形態１では、バーンインテスト時に必要な電圧値に調整する。