【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板から顕微鏡試料を抽出する方法であって：
基板表面に実質垂直な角度でイオンビームを、試料のまわりの実質完全な周を定義する第一の経路に沿って制御して、当該基板中に溝を生成し、
基板表面に実質垂直な角度で前記イオンビームを、前記試料のまわりの実質完全な周を定義し前記第一の経路と重なり合うがずれているある第二の経路に沿って制御して、前記試料のまわりの溝を拡大し、
基板に実質垂直でない角度で前記イオンビームを制御して前記試料の下を切り、前記試料を当該基板から切り離す、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記試料にプローブを取り付けることをさらに含むことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記試料にプローブを取り付けることが、ギャップに交わるようある角度から前記イオンビームを制御して前記試料を切り離したのちに前記試料にプローブを取り付けることを含むことを特徴とする、請求項２記載の方法。
【請求項４】
基板に垂直なイオンビームを制御することが、当該ビームの外側直径に向かって電流密度が減少する形をもつビームを制御して傾きのある側壁をもつ切り込みを作ることを含み、
基板表面に垂直なイオンビームを第二の経路に沿って制御することが、前記第一の経路の内側にあって重なり合う経路に沿って前記イオンビームを制御し、当該イオンビームの少なくとも一部分が前記傾きのある側壁を衝撃するようにすることを含む、
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項５】
基板表面に垂直なイオンビームを制御することが、第一の円形経路に沿ってイオンビームを制御することを含み、
前記イオンビームを第二の経路に沿って制御することが、第二の円形経路に沿って前記イオンビームを制御することを含み、前記第二の円形経路が前記第一の円形経路と実質的に同心である、
ことを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項６】
基板から顕微鏡試料を抽出する方法であって：
ある経路に沿ってビームを制御して、抽出されるべき試料を含む関心のある領域の周を完全に取り巻き、前記抽出されるべき試料に向けて漸次移動する一連の重なり合う切り込みを実行して前記試料のまわりに溝を生成し、前記溝の一部分が前記試料に向かって深くなるようにし、
前記試料の基部を切断し、
前記試料を取り出す、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
ある経路に沿ってビームを制御して試料に向けて漸次移動する一連の重なり合う切り込みを実行することが、集束イオンビームを制御することを含むことを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
顕微鏡試料を抽出する方法であって：
少なくとも一つの連続的なパスでの前記試料の周のまわりのビーム切削によって前記試料を含む関心のある領域のまわりを実質的に完全に取り巻く溝を切り、前記試料が実質的に、底部を除いたすべての側で切り離されるようにし、
前記試料の下を切ってそれを前記基板から切り離す、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記溝を切ることが、集束イオンビームを用いて位置をずらした重なり合う複数回のパスを行うことを含むことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記溝を切ることが、集束イオンビームを前記試料の周のまわりを連続的に動かして、ビームの角、エネルギー、電流、電流密度または直径を変えることなく、位置をずらした重なり合う複数回の切り込みを行うことを含むことを特徴とする、請求項８記載の方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法であって、前記試料の下を切って前記基板から切り離すことが、前記ビームと前記基板との間の角を減少させ、前記ビームを前記試料の基部に向け、前記試料が前記基板から切り離されるまで基板物質を切削することを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１２】
請求項８記載の方法であって、前記溝を切ることが、前記試料よりも幅が広い溝を切ることを含むことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
請求項８記載の方法であって、前記溝の底が前記試料に向かって漸次深くなることを特徴とする、方法。
【請求項１４】
基板から試料を抽出するためのシステムであって：
基板を支持する試料ステージと、
基板上に傾きのある側壁を生成するために非一様分布をもつ、直径がマイクロメートル以下のイオンビームを生成するためのイオンビーム源と、
請求項１記載の方法を実行するために前記イオンビーム源および前記ステージを制御するようプログラムされたコントローラ、
とを有することを特徴とするシステム。
【請求項１５】
前記試料を支持し、操作するためにプローブを動かすよう適応されたマイクロマニピュレータをさらに有することを特徴とする、請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
基板から試料を抽出するためのシステムであって：
基板中に穴を切削することができ、基板上に傾きのある側壁を生成するために非一様分布をもつ、直径がマイクロメートル以下のビームを生成するためのビーム源と、
前記試料のまわりを完全に取り巻き前記試料に向けて内向きに移動する一連の重なり合う切り込みを実行して前記重なり合う切り込みが徐々に深くなるようにし、前記試料のまわりに溝を生成するようプログラムされている、前記基板に対する前記ビームの動きを制御するためのコントローラ、
とを有することを特徴とするシステム。
【請求項１７】
前記コントローラがさらに前記試料の下を切って切り離すよう前記ビームを制御するようプログラムされていることを特徴とする、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
前記コントローラがさらに、前記試料の下を切って切り離すよう前記ビームを制御する前に前記ビームまたは試料ステージを傾けるようプログラムされていることを特徴とする、請求項１６記載のシステム。
【請求項１９】
基板から顕微鏡試料を抽出するための方法であって：
基板上で抽出されるべき試料セクションを定義し、
基板表面に対してある第一の角で荷電粒子ビームを前記基板表面に向け、次いで前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って一つの連続的なパスで荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにし、
基板表面に対してある第二の角で荷電粒子ビームを試料セクションに向け、次いで前記試料セクションを切削して前記試料セクションの基部が前記基板から切断されるようにし、
前記試料セクションを前記基板から取り外す、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の方法であって、前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにすることが：
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第一の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに傾きのある側壁をもつ溝が形成されるようにし、
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第二の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記基板を切削して前記試料のまわりの前記溝を拡大し、前記第二の経路によって生成される切り込みは前記第一の経路によって生成される切り込みと重なり合うが前記試料セクションのほうにずれており、前記第二の経路で制御された前記荷電粒子ビームが前回のビーム経路によって生成された傾斜のある側壁を衝撃する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１９記載の方法であって、前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにすることが：
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第一の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにし、
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第二の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記溝を拡大し、前記第二の経路でのビーム位置が前記第一の経路でのビーム位置と重なり合うが前記試料セクションのほうにずれている、
ことを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１９記載の方法であって、前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにすることが：
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第一の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに前記試料セクションに近いほうの内側側壁をもつ溝が形成されるようにし、
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿った第二の経路で荷電粒子ビームを制御することによって前記基板を切削して前記試料のまわりの前記溝を拡大し、前記第二の経路が前記第一の経路から前記試料セクションのほうにずれており、前記第二の経路で制御された前記荷電粒子ビームが前記溝の前記内側側壁を衝撃する、
ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
請求項１９記載の方法であって、基板表面に対してある第一の角で荷電粒子ビームを前記基板表面に向けることが、基板表面に対して実質垂直な角度で前記基板表面に前記荷電粒子ビームを向けることを含むことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記第二の角が前記基板表面に対して１０°ないし８０°であることを特徴とする、請求項２３記載の方法。
【請求項２５】
前記第二の角が前記第一の角よりも小さいことを特徴とする請求項１９記載の方法。
【請求項２６】
請求項１９記載の方法であって、前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにすることが、前記試料セクションに向けて漸次移動する一連の重なり合う切り込みにおいてある実質完全な周に沿って前記荷電粒子ビームを制御して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにすることを含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項１９記載の方法であって：
荷電粒子ビームを前記基板表面に向けることが、ある直径をもつ荷電粒子ビームを前記基板表面に向けることを含み、
前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することが、前記試料セクションのまわりの周をなす一連の二つ以上の円形経路において前記荷電粒子ビームを制御してビーム経路が直径が減少する一連の同心円を描き、連続する円形経路の直径の差がビーム直径より小さいようにすることを含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項１９記載の方法であって、さらに前記荷電粒子ビームを用いて切削することによって前記試料を薄化することを含むことを特徴とする方法。
【請求項２９】
前記薄化ステップが、前記試料セクションのまわりの実質完全な周に沿って荷電粒子ビームを制御することによって前記基板表面を切削して前記試料セクションのまわりに溝が形成されるようにしたあと、かつ、前記試料セクションを切削して前記試料セクションの基部が前記基板から切断されるようにする前に実行されることを特徴とする、請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
請求項１９記載の方法であって、基板表面に対してある第二の角で荷電粒子ビームを試料セクションに向け、次いで前記試料セクションを切削して前記試料セクションの基部が前記基板から切断されるようにすることが：
前記試料セクションを荷電粒子ビームを用いて成形し、
前記試料を傾け、
荷電粒子ビームを前記試料セクションの基部に向け、前記試料セクションの下を切って該試料セクションが前記基板から切り離されるようにする、
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項３１】
基板から顕微鏡試料を抽出する方法であって：
基板表面に実質垂直な角度でイオンビームを、試料セクションのまわりのある完全な周に実質的に沿った第一の経路に沿って制御して、当該基板中に溝を生成し、ここで、前記イオンビームは方向を反転することなく前記試料の周のまわりを一つの連続的なパスで前記第一の経路に沿って制御され、
基板表面に実質垂直な角度で前記イオンビームを第二の経路に沿って制御し、ここで、前記イオンビームは方向を反転することなく前記試料の周のまわりを一つの連続的なパスで前記第二の経路に沿って制御され、前記第二の経路は、実質的に前記周の全体に沿って、前記第一の経路と重なり合うが前記第一の経路から前記試料セクションのほうに向けて内側にずれており、これにより前記試料のまわりの溝を拡大し、
基板に実質垂直でない角度で前記イオンビームを制御して前記試料の下を切り、前記試料を当該基板から切り離す、
ことを含むことを特徴とする方法。