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【手続補正書】
【提出日】平成25年7月30日(2013.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
バリア層（すなわち、ＡＬＤによって得られたＡｌ2Ｏ3およびＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＦＥＰ２００Ｃの皮膜）のバリア性を試験するために、封止光電池を環境チャンバ内に置き、人工太陽光源から１０００Ｗ／ｍ2の一定照明に暴露する間、同時に、８５℃および８５％の相対湿度（ＲＨ）において老化させた。この試験の間、開回路電圧が時間の関数としてモニタされ、図７のグラフに示された結果を生じた。これらの条件下で１０００時間暴露した後でも、開回路電圧に測定可能な変化を検出することができず、ＡＬＤによって得られたＡｌ2Ｏ3がＴｅｆｌｏｎ（登録商標）ＦＥＰ２００Ｃコーティングの皮膜と一緒に光電池を湿分および他の大気ガスによる予想された劣化から保護することを示したことが見られる。ＡＬＤバリア層の堆積の間、先駆物質として水蒸気への電池の暴露にもかかわらず、ＣＩＧＳ光電池が良好に機能したことは特に注目に値する。
このように本発明をある程度詳細に説明したが、このような詳細な内容に厳密に従う必要はなく、さらに別の変更および改良が当業者に提案されてもよいことは理解されよう。本発明による光電池およびその製造は、異なった装置を使用して、本明細書で説明された工程を異なった順序で実施して様々な方法で行なわれてもよいことは理解されるはずである。これらの変更および改良の全ては、添付されたクレームによって規定された本発明の範囲内にあるものとして理解されなければならない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．（ａ）基板と、
（ｂ）該基板に取り付けられ、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ2吸収体層とＣｄＳ窓層とフロ
ントおよびバック電気接点とを含む光電池と、
（ｃ）該光電池上に、水蒸気前駆体とトリメチルアルミニウム反応物質とを使用するＡＬＤ法によって形成された、少なくとも１つのガス透過バリア層と
を含む、薄膜光電池デバイス。
２．前記光電池が、該電池によって発生した電流が導電される透明導電酸化物層をさらに
含み、該透明導電酸化物層が、前記フロントおよびバック電気接点の少なくとも１つを提供するように配置される、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
３．前記ガス透過バリア層が約２〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
４．前記透明導電酸化物層が前記フロント電気接点を提供し、前記デバイスが、該フロント接点透明導電酸化物層と前記窓層との間に配置された絶縁バッファ層をさらに含む、上記２に記載の薄膜光電池デバイス。
５．前記絶縁バッファ層が本質的にＺｎＯからなる、上記４に記載の薄膜光電池デバイス。
６．フルオロポリマー最上層をさらに含む、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
７．前記基板が本質的にガラスからなる、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
８．前記基板が本質的にポリマーからなる、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
９．前記基板が本質的に金属からなる、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
１０．前記ガス透過バリア層と前記光電池との間に置かれる接着層をさらに含む、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
１１．前記接着層がＡＬＤ法によって塗布される、上記１０に記載の薄膜光電池デバイス。
１２．ＡＬＤ法によって前記基板上に形成された少なくとも１つのガス透過バリア層をさらに含む、上記１に記載の薄膜光電池デバイス。
１３．（ａ）基板を備える工程と、
（ｂ）該基板上に、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ2吸収体層とＣｄＳ窓層とを含む光電池を
形成する工程と、
（ｃ）該光電池を、水蒸気前駆体とトリメチルアルミニウム反応物質とを使用するＡＬＤ法によって形成されたガス透過バリア層でコーティングする工程と
を含む、光電池デバイスを組み立てるための方法。
１４．前記ＡＬＤ法が、反応器内で行なわれ、
（ａ）水蒸気をチャンバ内に入れて、吸着層を前記電池上に形成する工程と、
（ｂ）該チャンバをパージする工程と、
（ｃ）該チャンバにトリメチルアルミニウム反応物質を、該トリメチルアルミニウムと上記吸着された水との反応を促進する熱的条件下で導入する工程と、
（ｄ）該チャンバから、揮発性反応物質と該反応によって製造された反応生成物とをパージする工程と、
（ｅ）予め選択された厚さを有する前記ガス透過バリア層を形成するのに十分な回数で上記工程（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）を繰り返す工程と
を順に含む、上記１３に記載の方法。
１５．前記熱的条件が前記光電池を約５０℃〜約２５０℃の範囲の温度に保持することを含む、上記１３に記載の方法。
１６．前記パージする工程が、前記チャンバを排気することを含む、上記１４に記載の方法。
１７．前記パージする工程が、不活性ガスを前記チャンバを通して流動させることを含む、上記１４に記載の方法。
１８．前記予め選択された厚さが約２ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲である、上記１４に記載の方法。
１９．前記光電池と前記ガス透過バリア層との間に置かれる接着層を形成する工程をさらに含む、上記１３に記載の方法。
２０．前記接着層がＡＬＤ法によって形成される、上記１９に記載の方法。
２１．少なくとも１つのガス透過バリア層をＡＬＤ法によって前記基板上に形成する工程をさらに含む、上記１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板と、
（ｂ）該基板に取り付けられ、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ2吸収体層とＣｄＳ窓層とフロ
ントおよびバック電気接点とを含む光電池と、
（ｃ）該光電池上に、水蒸気前駆体とトリメチルアルミニウム反応物質とを使用するＡＬＤ法によって形成された、少なくとも１つのガス透過バリア層と
を含む、薄膜光電池デバイス。
【請求項２】
（ａ）基板を備える工程と、
（ｂ）該基板上に、Ｃｕ（Ｉｎ、Ｇａ）Ｓｅ2吸収体層とＣｄＳ窓層とを含む光電池を
形成する工程と、
（ｃ）該光電池を、水蒸気前駆体とトリメチルアルミニウム反応物質とを使用するＡＬＤ法によって形成されたガス透過バリア層でコーティングする工程と
を含む、光電池デバイスを組み立てるための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に光学的に透明な薄い導電フィルムを形成するための方法であって、
透明な支持体に隣接して金属酸化物の層を供給することと、
前記金属酸化物層の上に直接、酸化亜鉛を含む多結晶シード層を形成させることと、
前記多結晶シード層の上に直接、第一導電金属又は合金層を付着させることと、
前記金属又は合金層の上に直接、バリア層を付着させることと、を含む、方法。
【請求項２】
更に、
前記バリア層に隣接して第二金属酸化物層を付着させることと、
前記第二金属酸化物層の上に、酸化亜鉛を含む第二多結晶シード層を形成させることと、
前記第二金属酸化物層の上に直接、第二導電金属又は合金層を付着させることと、
前記第二導電金属又は合金層の上に直接、バリア層を付着させることと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
透明な支持体と、
前記支持体上の金属酸化物の層と、
前記金属酸化物層の上に配置された、酸化亜鉛を含む多結晶シード層と、
前記多結晶シード層の上に配置された導電金属又は合金層と、
前記金属又は合金層の上に直接配置されたバリア層と、を含む、光学的に透明な導電フィルム。
【請求項４】
請求項３に記載のフィルムを備える電子デバイス。
【請求項５】
グレージング材料の層と光学的に透明なフィルムとを組み立てることと、前記グレージング材料と前記フィルムを共に接着して一体型物品にすることと、を含む、グレージング物品の製造方法であって、前記フィルムが、
透明な支持体と、
第一ポリマー材料上の金属酸化物の層と、
前記金属酸化物層の上に配置された、酸化亜鉛を含む多結晶シード層と、
前記多結晶シード層の上に配置された導電金属又は合金層と、
前記導電金属又は合金層の上に配置されたバリア層と、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１のフィールドに対応するパターン化表面部分を有するインプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、前記基板の第１のフィールド内に配置された重合性材料の第１の部分にインプリントするステップと、
前記基板の第１のフィールド上で、第１のパターン層を形成する重合性材料の前記第１の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、
第２のフィールドに対応するテンプレートのパターン化表面部分を用いて、前記テンプレートを、前記第１のフィールドと第２のフィールドにオーバラップさせるステップと、
前記テンプレートを用いて、前記基板の前記第２のフィールド内に配置された重合性材
料の第２の部分にインプリントするステップと、
前記基板の第２のフィールド上で、第２のパターン層を形成する重合性材料の前記第２の部分から、前記テンプレートを切り離すステップと、
から構成され、前記第１のパターン層を覆うテンプレートは重合性材料の前記第２の部分を覆い、この第２の部分が露出しないようにしたことを特徴とする、隣接したフィールドのアラインメント方法。
【請求項２】
前記第１のパターン層は第１の残留層を含み、前記第２のパターン層は第２の残留層を
含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の残留層と前記第２の残留層の厚さは、略同等である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
重合性材料の前記第１の部分の体積は、前記第１の残留層の厚さを最小化するように決
定される、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の残留層の厚さは約２５ｎｍ未満である、請求項２ないし４のいずれか１つに
記載の方法。
【請求項６】
前記基板の前記第１のフィールドに重合性材料の前記第１の部分を塗布するための滴下
パターンを決定することと、
前記滴下パターンの液滴を、前記滴下パターンの中心に向かってオフセットさせるよう
に、前記滴下パターンを調整することであって、そのオフセットの距離により前記滴下パ
ターンのエッジにおいて液滴が排除される境界を設定することと、
前記調整した滴下パターンを用いて、前記基板の前記第１のフィールドに重合性材料を
塗布することと、をさらに含む、請求項２ないし５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記テンプレートのフィーチャを前記第１の残留層の所要の厚さと関連付けて、インプ
リントの際に前記テンプレートと前記基板との間の容量が十分な量で満たされるように、
前記基板に塗布される重合性材料の液滴を前記テンプレートのフィーチャの位置に空間的
に相関させることにより、前記第１の部分のための前記滴下パターンが決定される、請求
項６に記載の方法。
【請求項８】
前記距離は、前記滴下パターンのすべてのエッジにおいて略同等である、請求項６また
は７に記載の方法。
【請求項９】
前記距離は、前記滴下パターンの少なくとも１つのエッジにおいて異なる、請求項６ま
たは７に記載の方法。
【請求項１０】
前記距離は、先にインプリントされるフィールドが配置されることがわかっている前記
滴下パターンのエッジでは、より大きい、請求項６、７、９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
フィールドのエッジが、先にインプリントされるフィールドに接する回数が等しくなる
ように、ステッピング・パターンを用いて複数のフィールドにインプリントすることをさ
らに含む、請求項１ないし１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記ステッピング・パターンは、らせん状のパターンで進行する、請求項１１に記載の方
法。
【請求項１３】
前記隣接するフィールドは、該フィールドのインプリントの際に重合性材料の封じ込め
を提供する、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
テンプレートはパターン化表面部分に近接する少なくとも１つの略平面状の部分を含む前記請求項１〜１３のいずれか１つの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光装置を製造する方法であって、
サブマウントウェハ上に複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを設けるステップと、
前記サブマウントウェハ上の各ＬＥＤダイ上に第１のシリコーン層を成形するステップと、
前記サブマウントウェハとは別に可撓性の蛍光体層を形成するステップと、
前記蛍光体層が、前記第１のシリコーン層の外側表面に直接的に接触する及び沿うように、前記サブマウントウェハ上に前記蛍光体層を積層するステップであって、前記蛍光体層の波長変換された光は前記ＬＥＤダイから発される、ステップと、
前記蛍光体層上に第２のシリコーン層を成形するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第２のシリコーン層は、レンズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のシリコーン層は、ほぼ半球状である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蛍光体層は、シリコーン内に注入された蛍光体粉を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のシリコーン層は、第１の屈折率を有しており、前記第２のシリコーン層は、前記第１の屈折率よりも高い第２の屈折率を有している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記蛍光体層は、およそ前記サブマウントウェハの面積以上の面積を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記蛍光体層は、実質的に均一の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記蛍光体層は、複数の層を有しており、前記複数の層の少なくとも２つは、異なる蛍光体を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記蛍光体層が複数の層を有しており、前記複数の層の少なくとも１つは、リフレクタを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記蛍光体層は、光学フィーチャを有するように成形されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記サブマウントウェハ上に複数のＬＥＤダイを設けるステップが、前記サブマウントウェハ上の電極を前記複数のＬＥＤダイの対応する電極に結合するステップを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第２のシリコーン層を成形するステップの後に、対応するサブマウント部分に取り付けられたＬＥＤダイを分離するように、前記サブマウントウェハを切り離すステップを更に有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
サブマウントに取り付けられた発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
前記ＬＥＤダイをコーティングする第１のシリコーン層であって、前記ＬＥＤダイ上の実質的に半球状の形状を有する前記第１のシリコーン層と、
前記第１のシリコーン層の外側表面に沿うように前記第１のシリコーン層上に積層される蛍光体層であって、前記サブマウント上に前記ＬＥＤダイを越えて延在している前記蛍光体層において、シリコーン内に注入された蛍光体粉体を有している蛍光体層と、
前記蛍光体層上に成形された第２のシリコーン層と、
を有する発光装置。
【請求項１４】
前記蛍光体層は、シリコーン内に注入された異なる蛍光体の複数の層を有する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記蛍光体層は、実質的に均一の厚さを有する、請求項１３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源（１０）、および、視認される側（１６）に光源（１０）の光を透過させる織布（１２）を有し、特に装飾目的で光による効果を生じさせる装置であって、織布（１２）が、たて糸層（２６）を形成するたて糸（１８）、および、たて糸層（２６）の一方の面に置かれるよこ糸層（２４）を形成するよこ糸（２０）からなる二層の布地による構造を有していることを特徴とする装置。
【請求項２】
光源（１０）、および光源（１０）により視認される側（１６）を入射光で照らされる織布（１２）を有し、特に装飾目的で光による効果を生じさせる装置であって、織布（１２）が、たて糸層（２６）を形成するたて糸（１８）、および、たて糸層（２６）の一方の面に置かれるよこ糸層（２４）を形成するよこ糸（２０）からなる二層の布地による構造を有し、よこ糸層（２４）の糸密度がたて糸層（２６）の糸密度よりも数倍大きく、および、たて糸（１８）および／またはよこ糸（２０）がモノフィラメント形態のフィラメント糸から形成されていることを特徴とする装置。
【請求項３】
たて糸（１８）とよこ糸（２０）が、実質的に直線状であり、それぞれ別の平面に広がっていることを特徴とする、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
よこ糸層（２４）の糸密度が、好ましくは、たて糸層（２６）の糸密度よりも数倍大きいことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項５】
糸端から糸端までのよこ糸（２０）の相互間隔が、０．０５ｍｍから１ｍｍの範囲内であり、かつ、糸の中心から糸の中心で測定されたたて糸（１８）の相互間隔が０．６ｍｍから１０ｍｍの範囲であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
たて糸（１８）および／またはよこ糸（２０）が、好ましくはモノフィラメントの形態のフィラメント糸から形成されていることを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項７】
たて糸（１８）および／またはよこ糸（２０）の直径が、０．０５ｍｍ〜３ｍｍの範囲内で、好ましくは０．０８〜１ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
たて糸（１８）およびよこ糸（２０）が、からみ糸（２２）によって結束され、前記からみ糸（２２）が、たて糸（１８）とよこ糸（２０）の、互いに面していない外側の周りに巻きついていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
からみ糸（２２）が０．１ｍｍ未満の直径を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
光源（１０）が、１つ以上の点状または線状の個々の光源（３０）、好ましくはＬＥＤからなることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
光源（１０）が、織布（１２）の、視認される側（１６）に面していない背面側から少なくとも５ｍｍ離れて配されることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
織布（１２）が、平坦に広がるか、または、三次元的に曲がるように、特にフレーム型のホルダー（２８）に保持されていることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
織布（１２）が、透明の複合構造物に嵌め込まれていることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを圧縮するためのシステムであって、
磁化されたプラズマを発生するようになっているプラズマ形成システム、および第１部分、第２部分、ならびに前記第１部分と前記第２部分との間に位置する長手方向軸を有し、前記第１部分において、前記磁化されたプラズマを受け、前記長手方向軸に沿って前記第２部分に向けて前記磁化されたプラズマを加速するようになっているプラズマ加速器を含むプラズマインジェクタと、
前記プラズマ加速器の前記第２部分から前記磁化されたプラズマを受けるようになっているチャンバの少なくとも一部を形成する液体金属を提供するようになっている液体金属循環システムとを備え、前記磁化されたプラズマは、前記チャンバ内に収納されたときに第１圧力を有し、
前記長手方向軸の少なくとも一部に沿って前記チャンバに向けて投射体を加速するようになっている投射体加速器と、前記磁化されたプラズマの加速と前記投射体の加速とをコーディネートするようになっているタイミングシステムを更に備え、
前記システムは、前記投射体が前記チャンバ内で前記磁化されたプラズマを圧縮するように構成されており、前記磁化され、圧縮されたプラズマは、前記第１圧力よりも高い第２圧力を有する、プラズマを圧縮するためのシステム。
【請求項２】
前記投射体加速器は、加圧ガスを使って前記投射体を加速するようになっているガスガンを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ガスガンは、前記投射体の前方の領域を少なくとも部分的に真空状態にするようになっているバルブシステムを含み、前記バルブシステムは、前記投射体の後方に高圧領域を維持し、前記投射体の前方に低圧力領域を維持するように同期化されるようになっている、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記投射体加速器は、電磁加速器を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記投射体は、前記チャンバ内に前記磁化されたプラズマを閉じ込めるように構成された表面を含み、前記表面は円錐形を含み、前記円錐形は、凹状であり、約２０°〜８０°の範囲内の円錐角を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記投射体は、前記チャンバ内に前記磁化されたプラズマを閉じ込めるように構成された表面を含み、前記表面は、前記投射体の長手方向軸に沿って延びる細長い部材を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記投射体は、前記チャンバ内に前記磁化されたプラズマを閉じ込めるように構成された表面を含み、前記表面は、１つ以上のコーティングを含み、前記コーティングの少なくとも１つは、リチウムまたは重水素化リチウムを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記液体金属循環システムは、液体金属の前記流れを出力するように構成されたテーパ付きノズルと、閉じ込めシステム内に液体金属の流れを提供するようになっているポンプシステムを含み、前記流れは、前記チャンバの少なくとも一部を形成するようになっており、前記液体金属製の前記チャンバは、実質的に円錐形の形状を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記液体金属の一部を受け、前記液体金属の前記受けた部分から１つ以上の投射体を形成するようになっている投射体リサイクルシステムを更に含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記投射体リサイクルシステムは、リサイクルされた投射体を前記投射体加速器に自動的に装填するようになっている装填機構を含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
プラズマを圧縮する方法であって、
トロイダルプラズマを発生するステップと、
前記トロイダルプラズマを液体金属製のキャビティに向けて加速するステップと、
前記液体金属製の前記キャビティに向けて投射体を加速するステップと、
前記トロイダルプラズマが前記液体金属製の前記キャビティにあるときに、前記投射体により前記トロイダルプラズマを圧縮するステップとを備える、プラズマを圧縮する方法。
【請求項１２】
前記液体金属製の前記キャビティを形成するステップを更に含み、前記キャビティを形成する前記ステップは、前記キャビティを形成するために液体金属を流すことを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの新しい投射体を形成するために前記液体金属の一部をリサイクルするステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上に重なるバッファ層と、
該バッファ層の上に重なる高温超伝導（HTS）層と、
からなり、前記HTS層が複数のナノロッドを含み、該複数のナノロッドの各々が前記HTS層の厚みの少なくとも約50%にわたって延びている超伝導部材。
【請求項２】
前記HTS層がさらにHTS材料を含み、前記複数のナノロッドは該HTS材料とは異なる材料を含んでおり、前記複数のナノロッドは金属、金属酸化物、又はその任意の組みあわせを含む請求項１記載の超伝導部材。
【請求項３】
前記HTS材料がreba2cu3o7-xを含み、ここで0≧x＞1であり、reは希土類元素又は希土類元素の組み合わせである請求項２記載の超伝導部材。
【請求項４】
前記HTS材料がyba2cu3o7-xを含む請求項３記載の超伝導部材。
【請求項５】
前記複数のナノロッドの各々が、バッファ層へ固定されている請求項１記載の超伝導部材。
【請求項６】
前記複数のナノロッドが、主としてバッファ面に対して垂直に配置されているか、バッファ面に対してランダムな方向に配置されているか、又は主としてバッファ面に対して垂直以外の角度に配置されているかのいずれかのグループから選択された少なくとも一つの方向性を有している請求項１記載の超伝導部材。
【請求項７】
各ナノロッドが約0.5nmと約100nmとの間の直径を有する請求項１記載の超伝導部材。
【請求項８】
隣接するナノロッドの対の間の間隔が、ナノロッドの直径の約0.5倍とナノロッドの直径の約100倍との間である請求項７記載の超伝導部材。
【請求項９】
各ナノロッドが約0.1ミクロンと約10.0ミクロンとの間の高さを有する請求項１記載の超伝導部材。
【請求項１０】
前記HTS層が約30vol%以下のナノロッドを含む請求項１記載の超伝導部材。
【請求項１１】
前記複数のナノロッドが規則性のアレイを形成している請求項１記載の超伝導部材。
【請求項１２】
基板テープを提供する段階と、
該基板テープの上に重なるバッファ層を形成する段階と、
複数のナノロッドを該バッファ層上に形成する段階と、
前記バッファ層の上に重なる複数のナノロッドの周りに高温超伝導（HTS）層を蒸着する段階と、
からなる超伝導部材を形成する方法。
【請求項１３】
基板テープを提供する段階と、
該基板テープの上に重なるバッファ層を形成する段階と、
ポリマコーティングを施す段階と、
該ポリマコーティングを貫くナノホールを形成する段階と、
前記ナノホールの中に金属を電子蒸着して複数のナノロッドを形成する段階と、
前記ポリマコーティングを除去する段階と、
前記バッファ層の上に重なる複数のナノロッドの周りに高温超伝導（HTS）層を蒸着する段階と、
からなる超伝導部材を形成する方法。
【請求項１４】
ポリマコーティングを施す前記段階が、前記バッファ層の上に重なり、ナノポアのアレイを有するナノポーラス層を形成する段階を有する請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
前記ナノホールの中に金属を電子蒸着する前記段階が、ナノドットアレイ上においてナノホール中のナノロッドの成長を核にする段階を有する請求項１３記載の方法。
【請求項１６】
前記ナノロッドの成長を核にする段階が、さらに、
ナノロッド材料を蒸発させて材料クラウドを形成する段階と、
前記材料クラウドの中を貫いて電子ビームを基板テープまで導くことによって、ナノロッドのアレイを蒸着する段階と、
を有する請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
蒸着する前記段階が、少なくとも時間当たり約５ミクロンの速度で行われる請求項１３記載の方法。
【請求項１８】
前記高温超伝導（HTS）層を蒸着するときに、基板テープを蒸着ゾーンの中で少なくとも時間当たり約１０メートルの速度で移動させる段階をさらに有する請求項１３記載の方法。
【請求項１９】
前記HTS層が前記HTS材料とは異なる材料材料を有する複数のナノロッドを含んでおり、前記HTS材料がreba2cu3o7-xを含み、ここで0≧x＞1であり、reは希土類元素又は希土類元素の組み合わせである請求項１３記載の方法。
【請求項２０】
前記HTS材料がyba2cu3o7-xを含む請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
前記複数のナノロッドの各々が、金属、金属酸化物、又はその任意の組み合わせを含む請求項１３記載の方法。
【請求項２２】
各ナノロッドが前記バッファ層に固定されており、主としてバッファ面に対して垂直に配置されているか、バッファ面に対してランダムな方向に配置されているか、又は主としてバッファ面に対して垂直以外の角度に配置されているかのいずれかのグループから選択された少なくとも一つの方向性を有している請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
各ナノロッドが、約0.5nmと約100nmの間の直径を有し、隣接するナノロッドの対の間の間隔が、ナノロッドの直径の約0.5倍とナノロッドの直径の約100倍との間である請求項１３記載の方法。
【請求項２４】
各ナノロッドが約0.1ミクロンと約10.0ミクロンの間との高さを有する請求項１３記載の方法。
【請求項２５】
前記HTS層が約30vol%以下のナノロッドを含む請求項１３記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアと、前記コアの第１の表面上のｍ層のビルドアップ層と、前記コアの第２の表面上のｎ層のビルドアップ層とを有する基板を製造する方法であって、
前記ビルドアップ層の各々は誘電体層とその上の導電性層とを備え、ｍ＞ｎであり、
前記方法は、前記第１の表面上に前記ｍ層のビルドアップ層の（ｍ−ｎ）層を形成することと、ｎ対のビルドアップ層を形成することとを備え、
前記ｍ層のビルドアップ層の前記（ｍ−ｎ）層の各々を形成することは、それぞれの誘電体層を穴開けすると共にデスミアすることを備え、前記ｎ対の各々は、前記第２の表面上に形成される前記ｎ層のビルドアップ層の１つと、前記第１の表面上に形成される前記ｍ層ビルドアップ層の残りのｎ層の１つとを備え、前記ｎ対のビルドアップ層の各々を形成することは、誘電体層のそれぞれの対の各１つを穴開けすることと、誘電体層の前記それぞれの対を同時にデスミアすることとを備える方法。
【請求項２】
誘電体層のそれぞれの対の各１つを前記穴開けすることは、レーザ穴開けすることを備える請求項１の方法。
【請求項３】
前記ｍ層のビルドアップ層及び前記ｎ層のビルドアップ層の任意の１つにおける任意の誘電体層は１回だけデスミアされる請求項１の方法。
【請求項４】
誘電体層の前記それぞれの対を前記デスミアすることは、誘電体層のそれぞれの対の各１つを前記穴開けすることの後に誘電体層の前記それぞれの対から残渣を除去することを備える請求項１の方法。
【請求項５】
前記ｍ層のビルドアップ層の（ｍ−ｎ）層を前記形成することの前に前記コアの前記第１及び第２の表面の少なくとも１つ上に複数の導電性トレースを形成することと、前記コアの前記第１及び第２の表面上の前記複数の導電性トレースを電気的に接続することとを更に備えた請求項１の方法。
【請求項６】
前記電気的に接続することは、前記コア内に少なくとも１つの穴を穴開けすることと、前記穴を導電性材質でめっきしてめっきされたスルーホール（ＰＴＨ）を形成することとを備える請求項５の方法。
【請求項７】
前記コア内に前記少なくとも１つの穴を前記穴開けすることは、機械穴開けすることを備える請求項６の方法。
【請求項８】
前記ｎ層のビルドアップ層の各々は、４０μｍ〜６０μｍの範囲内の高さを有する誘電体層を備え、前記ｍ層のビルドアップ層の各々は、２５μｍ〜４０μｍの排他的範囲内の高さを有する誘電体層を備える請求項１の方法。
【請求項９】
前記ｍ層のビルドアップ層の最も外側の１つの上に第１の半田マスクを形成することを更に備えた請求項１の方法。
【請求項１０】
前記ｎ層のビルドアップ層の最も外側の１つの上に第２の半田マスクを形成することを更に備えた請求項９の方法。
【請求項１１】
前記第１の半田マスクは１６μｍ〜３０μｍの排他的範囲内の高さを有し、前記第２の半田マスクは３０μｍ〜６０μｍの範囲内の高さを有する請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記基板を強化するために前記コアの前記第２の表面上の前記ｎ層のビルドアップ層の少なくとも幾つかの内部にリングを形成することを更に備えた請求項１の方法。
【請求項１３】
前記リングは銅リングである請求項１２の方法。
【請求項１４】
ｍ＝２且つｎ＝１である請求項１の方法。
【請求項１５】
請求項１に従い製造される基板であって、コアと、前記コアの第１の表面上のｍ層のビルドアップ層と、前記コアの第２の表面上のｎ層のビルドアップ層とを有し、ｍ＞ｎであり、前記ビルドアップ層の各々は１回だけデスミアされる誘電体層を備える基板。
【請求項１６】
ｍ層のビルドアップ層の最も外側の１つを覆う第１の半田マスクと、ｎ層のビルドアップ層の最も外側の１つを覆う第２の半田マスクとを更に備えた請求項１５の基板。
【請求項１７】
前記ｍ層のビルドアップ層の各々は２５μｍ〜４０μｍの排他的範囲内の高さを有する誘電体層を有し、前記ｎ層のビルドアップ層の各々は４０μｍ〜６０μｍの範囲内の高さを有する誘電体層を有する請求項１５の基板。
【請求項１８】
前記コアは１５ｐｐｍ／℃より小さい熱膨張係数を有する請求項１５の基板。
【請求項１９】
請求項１５の基板と、前記ｍ層のビルドアップ層の１つを備える前記導電性層の１つと相互接続されるダイとを備えた半導体デバイス。
【請求項２０】
前記ｍ層のビルドアップ層の最も外側の１つ及び前記ｎ層のビルドアップ層の最も外側の１つをそれぞれ覆う第１及び第２の半田マスクを更に備え、前記第２の半田マスクは前記第１の半田マスクの高さより高い高さを有する請求項１９の半導体デバイス。
【請求項２１】
前記ｍ層のビルドアップ層の最も外側の１つ及び前記ｎ層のビルドアップ層の最も外側の１つをそれぞれ覆う半田マスク及び誘電体材質の層を更に備え、前記誘電体材質の層は前記半田マスクの高さより高い高さを有する請求項１９の半導体デバイス。
【請求項２２】
前記第１の半田マスクは１６μｍ〜３０μｍの排他的範囲内の高さを有し、前記第２の半田マスクは３０μｍ〜６０μｍの範囲内の高さを有する請求項１９の半導体デバイス。
【請求項２３】
前記デバイスにおける反りを軽減するために前記ビルドアップ層の少なくとも幾つかの内部に強化リングを更に備えた請求項１９の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビーム生成活性層（２１）を含んでおり、且つ、上面（２２）及び下面（２３）を有しているエピタキシャルな積層体（２）を備えているブロードエリアレーザ（１）において、
前記ブロードエリアレーザ（１）は、上面側にブロードエリアが配置されているブロードエリア構造を有しており、
前記積層体（２）は前記上面（２２）から前記下面（２３）の方向に案内されている複数の溝（３）を有しており、該溝（３）においては前記積層体（２）の少なくとも一つの層が少なくとも部分的に除去されており、
前記積層体（２）の上面は、それぞれが前記溝（３）と接しており、屈折率導波型の密に隣接している個々のストライプとして形成されている複数のウェブ（４）を有しており、それにより、前記積層体（２）の上面側はストライプ状に構成されており、且つ、前記ブロードエリアは前記複数のウェブ（４）に分割されており、
前記ブロードエリアレーザ（１）は端面発光型のエミッタであり、
前記ウェブ（４）及び前記溝（３）はそれぞれ最大で２０μｍの幅（ｄ1，ｄ2）を有しており、
前記溝（３）はそれぞれ湾曲部を備えている底面（３１）をそれぞれ有していることを特徴とする、ブロードエリアレーザ。
【請求項２】
前記ビーム生成活性層（２１）の前記下面（２３）と対向する側では、前記積層体（２）の少なくとも一つの層がｎ型にドーピングされており、
前記ビーム生成活性層（２１）の前記上面（２２）と対向する側では、前記積層体（２）の少なくとも一つの層がｐ型にドーピングされており、
前記溝（３）は前記積層体（２）のｐ型にドーピングされている一つ又は複数の層に形成されている、請求項１記載のブロードエリアレーザ。
【請求項３】
前記積層体はＩｎＧａＡｌＮ材料系を基礎としている、請求項１又は２に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項４】
前記溝（３）は前記活性層を貫通している、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項５】
前記ウェブ（４）は７μｍを下回る幅（ｄ1）を有しており、隣接するウェブ（４）は相互に最大で１０μｍの間隔（ｄ2）を有している、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項６】
前記溝（３）は少なくとも部分的に異なる深さを有している、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項７】
隣接するウェブ（４）はそれぞれ相互に同じ間隔を空けて配置されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項８】
隣接するウェブ（４）は少なくとも部分的に相互に異なる間隔を空けて配置されており、隣接する内側のウェブ（４ａ）は隣接する外側のウェブ（４ｂ）よりも相互に大きい間隔を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項９】
前記ウェブ（４）は少なくとも部分的に異なる幅（ｂ1，ｂ2）を有している、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１０】
複数の前記溝（３）の底面（３１）が全体として凸状のレンズ形状を形成している、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１１】
前記ウェブ（４）の上には少なくとも部分的に端子層（５）が配置されている、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１２】
前記端子層（５）は前記ウェブ（４）の上において、前記積層体（２）の相互に対向する二つの縁部（５ａ，５ｂ）から距離を置いて終端している端子層（５）としてそれぞれ構成されている、請求項１１に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１３】
前記端子層（５）は前記ウェブ（４）の上において、一つ又は複数の開口部（５ｃ）が設けられている端子層（５）としてそれぞれ構成されている、請求項１１又は１２に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１４】
前記ウェブ（４）と前記端子層（５）との間に部分的にパッシベーション層が配置されている、請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載のブロードエリアレーザ（１）を製造するための方法において、
成長基板上に積層体（２）をエピタキシャルに成長させるステップであって、前記積層体（２）は上面（２２）及び下面（２３）を有しているステップと、
前記積層体（２）の対向する二つの縁部（２４ａ，２４ｂ）において前記積層体（２）の上面をエッチングし、ブロードエリアレーザ構造を形成するステップと、
ウェブ（４）が形成されるように、前記ブロードエリアレーザ構造の領域において前記積層体（２）の上面をエッチングして溝（３）を形成するステップであって、前記ウェブ（４）はそれぞれ最大で２０μｍの幅（ｄ1）を有しており、且つ、隣接するウェブ（４）は最大で２０μｍの間隔（ｄ2）を相互に有しているステップとを備えていることを特徴とする、ブロードエリアレーザ（１）を製造するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電気装置の製造方法であって、
基板（１０）を用意し、
前記基板の第１の主面に電気的に相互接続された、細長い要素から構成された開放構造（２０）を載せ、
前記電気的に相互接続された開放構造を透明バリア層（３０）であって、第１の無機副層と、有機副層と、第２の無機副層を順次備えたスタック、または異なる材料からなる無機副層を交互に積んだスタックであるバリア層（３０）中に埋め込み、
前記基板を、前記電気的に相互接続された開放構造から、除去する
ことを特徴とする光電気装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
さらに、前記基板を除去した後に形成された自由表面に機能層構造（４０）を堆積する
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板の前記第１の側に前記電気的に相互接続された開放構造を載せる前に、前記基板の前記第１の側に少なくとも１つの中間層を堆積する
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの中間層は、透明導電層であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は金属製基板であり、前記基板はエッチングにより除去されることを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板は可溶性層を設けられており、前記可溶性層に当接して前記構造が適用され、かつ
前記基板は前記可溶性層を溶解することにより除去される
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記基板はリリース層を設けられ、前記リリース層に当接して前記構造が適用され、かつ
前記基板は、前記埋め込まれた開放構造を前記基板から前記リリース層を用いて除去される
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造はさらなる金属で形成され、前記さらなる金属は前記一時的基板として用いられた金属とは異なり、かつ
前記さらなる金属は前記用いられたエッチング剤に対して実質的に無反応である
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は電着により設けられる
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は、
相互接続された開放構造内において前記基板に液状物質を堆積し、
前記液状物質を硬化することにより得られ、前記硬化された液状物質により形成された前記相互接続された開放構造は導電性である
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記電気的に相互接続された開放構造は金属の層を前記構造に堆積し、かつ
前記堆積された層をパターニングすることにより用意される
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、
前記透明層の上にポリマー箔を積層する
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法であって、
前記透明層の上にコーティングおよび硬化によりポリマーフィルムを適用する
ことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図２Ａ〜２Ｅを参照して説明した実施の形態とは異なり、中間層１２はエッチング停止層として機能する。これにより、広範囲の金属を使用することが可能となる。一時的基板１０および分流構造２０のための金属を選択しているにも拘わらず、同じ金属が分流構造２０と一時的基板１０とに用いられている場合でさえも、一時的基板１０は分流構造２０に損傷を引き起こすことなく除去することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１Ｂ】
2013501342.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
統合された光導波路及び熱導波路を有するライトであって、
光源と、
前記光源に結合されて、前記光源からの光を受光及び分配する光導波路と、
前記光導波路と統合されて、前記光源からの熱伝導を提供して前記ライトを冷却する熱導波路と、を備えるライト。
【請求項２】
統合された光導波路及び熱導波路を有するライトであって、
光源と、
外面及び内面を有する材料を含む光導波路であって、光注入、光輸送及び光抽出要素を有して前記光源からの光を分配する、光導波路と、
前記光導波路の前記内面と統合されて、前記光源からの熱伝導を提供する熱導波路であって、熱獲得、熱拡散、及び熱放散要素を有して前記ライトを冷却する、熱導波路と、を備えるライト。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップ（１００）であって、
−  第１の区域（１Ａ）および第２の区域（１Ｂ）を有する半導体ボディ（１）と、
−  前記発光ダイオードチップ（１００）の動作時、少なくとも一部分が前記半導体ボディ（１）の第１の主領域（１１１）によって形成されている放射取り出し領域（１１）を通じて電磁放射を放出する、前記半導体ボディ（１）の中の活性ゾーン（２）と、
−  前記半導体ボディ（１）における少なくとも１つの溝（３）であって、前記半導体ボディ（１）の一部分が前記溝の領域において除去されている、少なくとも１つの溝（３）と、
を備えており、
−  前記発光ダイオードチップ（１００）の前記第１の主領域（１１１）とは反対側の、前記半導体ボディ（１）の領域に、反射層（４）が設けられており、
−  前記発光ダイオードチップ（１００）がキャリア要素（５）を備えており、前記反射層（４）が、前記キャリア要素（５）と前記半導体ボディ（１）との間に配置されており、前記半導体ボディ（１）が結合材料（１０）によって前記キャリア要素（５）に固定されており、
−  前記少なくとも１つの溝（３）が少なくとも前記活性ゾーン（２）に達しており、
−  前記少なくとも１つの溝（３）が前記第１の区域（１Ａ）を横方向に完全に囲んでおり、
−  前記第２の区域（１Ｂ）が、前記少なくとも１つの溝（３）と前記第１の区域（１Ａ）とを横方向に完全に囲んでおり、
−  前記少なくとも１つの溝（３）の側面領域（３１）のすべてとベース領域（３２）とが、パッシベーション層（７）によって完全に覆われており、
−  前記少なくとも１つの溝（３）が前記反射層（４）を貫いており、
−  前記反射層（４）が除去された、前記発光ダイオードチップ（１００）の領域（４１）において、前記結合材料（１０）が前記パッシベーション層（７）に直接接触している、
発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項２】
前記結合材料（１０）が、前記キャリア要素（５）とは反対側の自身の面において、前記半導体ボディ（１）もしくは前記パッシベーション層（７）またはその両方によって完全に覆われている、
請求項１に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項３】
前記結合材料（１０）が、前記少なくとも１つの溝（３）の領域においてのみ、前記半導体ボディ（１）によって覆われていない、
請求項２に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項４】
前記半導体ボディ（１）の前記第１の区域（１Ａ）が、前記キャリア要素（５）から前記半導体ボディ（１）の前記第１の主領域（１１１）の方向に、次第に細くなっている、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項５】
前記第１の主領域（１１１）に垂直な方向における、前記第１の区域（１Ａ）の厚さと前記第２の区域（１Ｂ）の厚さが、実質的に同じ大きさである、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項６】
前記放射取り出し領域（１１）に、前記少なくとも１つの溝（３）の領域、もしくは前記半導体ボディ（１）の前記第２の区域（１Ｂ）、またはその両方において、前記パッシベーション層（７）に形成されているメタライゼーション（１２）、が設けられている、
請求項５に記載の発光ダイオードチップ（１００）。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオードチップ（１００）を製造する方法であって、
−  キャリア要素（５）のキャリア集合体（５００）を形成するステップと、
−  半導体ボディ（１）の半導体集合体（１３）を形成するステップと、
−  前記キャリア集合体（５００）と前記半導体集合体（１３）とを結合材料（１０）によって結合して集合体（１０１）を形成するステップと、
−  前記半導体ボディ（１）それぞれに少なくとも１つの溝（３）を形成するステップであって、前記半導体ボディ（１）の一部分が前記溝（３）の領域において除去され、前記溝（３）が前記半導体ボディ（１）を第１の区域（１Ａ）と第２の区域（１Ｂ）とに分割している、ステップと、
−  前記キャリア集合体（５００）と前記半導体集合体（１３）とからなる前記集合体（１０１）を、前記第１の区域（１Ａ）および前記溝（３）の外側で分離線（１０００）に沿って前記集合体（１０１）を貫いて、少なくとも１個の発光ダイオードチップ（１００）に個片化するステップと、
を含んでいる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の組成：
エタノール５〜４０質量％、
芳香族炭化水素または炭化水素混合物１０〜５５質量％、
高沸点溶剤０〜５０質量％、
ポリビニルホルマール樹脂を基礎とする結合剤および架橋剤１０〜４０質量％を有し、この場合、前記記載は、それぞれ１００質量％である、線材用エナメル配合物の全質量に関するものであり、および合計して１００質量％になり、およびこの場合
高沸点溶剤は、高沸点アルコール、高沸点エステルまたは少なくとも１６０℃の沸点を有するグリコールエステルである、ポリビニルホルマールを基礎とする線材用エナメル配合物。
【請求項２】
芳香族炭化水素がトルエンである、請求項１記載の線材用エナメル配合物。
【請求項３】
高沸点溶剤がジメチルフタレート、ジメチルアジペート、ジメチルスクシネートおよび／またはジメチルグルタレートから選択された高沸点エステルである、請求項１記載の線材用エナメル配合物。
【請求項４】
高沸点溶剤がジメチルフタレートである、請求項３記載の線材用エナメル配合物。
【請求項５】
巻線を製造するための請求項１から４までのいずれか１項に記載の線材用エナメル配合物の使用。
【請求項６】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の線材用エナメル配合物を製造する方法において、
ａ）溶剤組成物を予め装入し、
ｂ）その中で高められた温度でポリビニルホルマール樹脂を溶解し、
ｃ）冷却し、残りの成分を添加し、および
ｄ）線材用エナメルを均質化し、場合によっては濾過することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の線材用エナメル配合物を製造する方法。
【請求項７】
エタノール５〜４０質量部、
芳香族炭化水素または炭化水素混合物１０〜５５質量部、
高沸点溶剤０〜５０質量部からなる溶剤組成物であって、
この場合この高沸点溶剤は、高沸点アルコール、高沸点エステルまたは少なくとも１６０℃の沸点を有するグリコールエステルである、上記溶剤組成物。
【請求項８】
被覆材、殊に線材用エナメル、含浸用エナメルを溶解するための請求項７記載の溶剤組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気化学セルからなるバッテリの作動状態を制御する方法であって、
作動状態の評価に基づいて作動状態の制御が行われ、前記評価は近似関数を用いて得られ、該近似関数により、バッテリの挙動に関する測定データが存在しない、もしくは完全な測定データが存在しない第２の作動状態についての評価が、バッテリの挙動に関する測定データが存在する第１の作動状態についての測定データから補間によって判定され、
前記作動状態の評価が、当該作動状態でのセルの経年劣化又は損傷を表す少なくとも１つの定量的な度合を含んでいる
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
セルの経年劣化又は損傷を表す定量的な度合が最小化されるように制御が設計されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
セルの経年劣化又は損傷を表す少なくとも１つの定量的な度合に加えて、バッテリの作動状態因子の関数をさらに少なくとも１つ含む目標値を、制御によって最適化する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
バッテリ作動状態因子が、電圧、抵抗、温度、充電電流、又は放電電流のうち少なくとも１つの作動状態因子によって特徴付けられる、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
セルの経年劣化又は損傷を表す少なくとも１つの定量的な度合に加えて、バッテリの電気出力、予想される残存耐用寿命、又は残存容量を少なくとも含む目標値を、制御によって最適化する、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
制御されるべきバッテリの、さまざまな第１の作動状態で測定された経年劣化測定データに対するパラメータ関数の近似によって得られた近似関数が利用される、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
作動状態がバッテリの個々のセルの作動状態因子によって特徴づけられ、個々のセルをその作動状態によってバッテリ複合体から遮断し、又はバッテリ複合体へ接続することにより制御される、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
作動状態の評価が非線形の近似関数を用いて得られる、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
作動状態の評価が、バッテリのそれぞれの作動状態因子間の関数関係に関わる物理的又は化学的なモデルによって、関数の形式が決定されるか又は影響をうける、近似関数を用いて得られる、先行請求項のうちいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
電気化学セルからなるバッテリの作動状態を制御する装置であって、
ａ）作動状態の評価に基づいて作動状態の制御を実行する、制御プログラムを処理するためのプロセッサを有し、前記評価は近似関数を用いて得られ、この近似関数によって第２の作動状態についての評価が第１の作動状態についての測定データから補間によって判定され、かつ
ｂ）近似関数のパラメータ値が保存される記憶装置を有し、
前記作動状態の評価が、当該作動状態でのセルの経年劣化又は損傷を表す少なくとも１つの定量的な度合を含んでいる
ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
電気化学セルからなるバッテリを構成する方法であって、バッテリ及び／又は個々のセルの作動状態の評価に基づいて直列回路及び／又は並列回路によるセルの最適の組み合わせが判定され、前記評価は近似関数を用いて得られ、この近似関数により、第２の作動状態についての評価が第１の作動状態についての測定データから補間によって判定され、
前記作動状態の評価が、当該作動状態でのセルの経年劣化又は損傷を表す少なくとも１つの定量的な度合を含んでいる
ことを特徴とする方法。