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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生漆又は精製漆に、重合アマニ油、重合アマニ油及びロジン、エチレングリコール、グリセリン並びに界面活性剤よりなる群から選ばれた添加剤を添加する添加工程、及び、
得られた混合物を媒体撹拌ミルにより微細化して、油中水滴型エマルションに含まれる水滴の粒径範囲を５０〜１５０ｎｍにする微細化工程を含む
漆系塗料の製造方法。
【請求項２】
生漆又は精製漆に、重合アマニ油、重合アマニ油及びロジン並びにエチレングリコールよりなる群から選ばれた添加剤を添加する添加工程である、請求項１に記載の漆系塗料の製造方法。
【請求項３】
２０〜４０℃において微細化する微細化工程である、請求項１又は２に記載の漆系塗料の製造方法。
【請求項４】
生漆又は精製漆の油性成分に対し水分が５〜１５重量％となるように含水率を調節する水分調節工程の後に、前記添加工程及び前記微細化工程を含む、請求項１〜３いずれか１つに記載の漆系塗料の製造方法。
【請求項５】
媒体として比重が４．５以上で直径が０．３〜０．８ｍｍのビーズを使用する、請求項１〜４いずれか１つに記載の漆系塗料の製造方法。
【請求項６】
精製漆が無油透漆又は有油透漆である、請求項１〜５いずれか１つに記載の漆系塗料の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１つに記載の製造方法により製造された漆系塗料。
【請求項８】
アルコキシシラン類、ウレタン樹脂及びエポキシ樹脂よりなる群から選ばれた添加剤を含む、請求項７に記載の漆系塗料。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の漆系塗料を有機溶剤により希釈して得られるインクジェット用漆インク。
【請求項１０】
請求項９に記載の漆インクを基材にインクジェット方法により吐出する印刷工程を含む漆系塗料の塗装方法。
【請求項１１】
基材上に吐出された漆インクから有機溶剤を揮発させる乾燥工程、及び、
漆インクの指触乾燥前に金属粉、金属箔、金属蒸着フィルム粉若しくは積層フィルム粉を蒔き付けるか又は金属箔を貼り付ける加飾工程を更に含む、請求項１０に記載の漆系塗料の塗装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化グルタチオン、薬学的に受容可能な酸化グルタチオンの塩、薬学的に受容可能なグルタチオンの誘導体およびそれらの混合物からなる群より選択される、グルタチオンの形態を含み、さらにイノシンを含む、組成物。
【請求項２】
酸化グルタチオン、薬学的に受容可能な酸化グルタチオンの塩、薬学的に受容可能なグルタチオンの誘導体およびそれらの混合物からなる群より選択される、グルタチオンの形態を含み、さらにエクステンダーを含む、組成物。
【請求項３】
前記グルタチオンの形態は、酸化グルタチオンである、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記組成物は、非経口投与のためのものである、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項５】
治療剤が、滅菌注射溶液中に存在する、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項６】
前記グルタチオン形態は、０．０１％〜２．０％の濃度で存在する、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項７】
前記エクステンダーがシステアミンである、請求項２に記載の組成物。
【請求項８】
肝炎を処置するための治療剤であって、該治療剤は、酸化グルタチオン、薬学的に受容可能な酸化グルタチオンの塩、薬学的に受容可能なグルタチオンの誘導体およびそれらの混合物からなる群より選択される、グルタチオンの形態を含む、治療剤。
【請求項９】
肝炎を処置するための治療剤であって、該治療剤は、酸化グルタチオン、薬学的に受容可能な酸化グルタチオンの塩、薬学的に受容可能なグルタチオンの誘導体およびそれらの混合物からなる群より選択される、グルタチオンの形態を含み、該治療剤は、所定の所望の治療効果を得るために、内因性生産を刺激するための時間投与される、治療剤。
【請求項１０】
エクステンダーをさらに含む、請求項８または９に記載の治療剤。
【請求項１１】
前記エクステンダーはイノシンである、請求項１０に記載の治療剤。
【請求項１２】
前記エクステンダーはシステアミンである、請求項１０に記載の治療剤。
【請求項１３】
前記グルタチオンの形態は、酸化グルタチオンである、請求項８、９、１０または１１に記載の治療剤。
【請求項１４】
前記組成物は、非経口投与のためのものである、請求項８、９、１０または１１に記載の治療剤。
【請求項１５】
前記治療剤が、滅菌注射溶液中に存在するものである、請求項８、９、１０または１１に記載の治療剤。
【請求項１６】
前記グルタチオン形態は、０．０１％〜２．０％の濃度で存在する、請求項８、９、１０または１１に記載の治療剤。
【請求項１７】
前記治療剤は、２４時間の期間に少なくとも１回体重１ｋｇあたり０．０１ｍｇから０．５ｍｇの用量で投与されることを特徴とする、請求項８または９に記載の治療剤。
【請求項１８】
前記治療剤は、０．０１％〜２．０％のグルタチオン形態の濃度で薬学的に受容可能な溶液中に存在し、非経口投与されることを特徴とする、請求項１７に記載の治療剤。
【請求項１９】
新生物疾患、感染疾患、血管性疾患および免疫学的疾患からなる群より選択される状態を処置するための、請求項９に記載の治療剤。
【請求項２０】
前記状態は、感染疾患である、請求項１９に記載の治療剤。
【請求項２１】
前記状態は、血管性疾患である、請求項１９に記載の治療剤。
【請求項２２】
前記状態は、免疫学的疾患である、請求項１９に記載の治療剤。
【請求項２３】
前記状態は、新生物疾患である、請求項１９に記載の治療剤。
【請求項２４】
ＡＩＤＳ、肝炎、ヘルペス、結核、髄膜炎、腹膜炎、敗血症、および感染が原因の化膿性−手術併発症よりなる群から選択される状態を処置するための、請求項９に記載の治療剤。
【請求項２５】
転移性プロセス、造血臓器増殖症、悪性腫瘍、ルンフォグラニュロマトス（リンパ腺腫＝ｌｙｍｐｈｏｇｒａｎｕｌｏｍａｔｏｕｓ）、リンパ腫、放射線あるいは化学物質が原因のがんおよび免疫不全からなる群から選択される状態を処置するための、請求項９に記載の治療剤。
【請求項２６】
免疫抑制、多発性硬化症、アルツハイマー硬化症、神経退行性疾患、萎縮性側索硬化症、糸球体腎炎、膠原病、悪性リューマチ、ループス、乾癬、膵性糖尿病、およびアレルギー性疾患よりなる群から選択される
【請求項２７】
転移性拡大疾患、造血臓器増殖症、悪性腫瘍、ルンフォグラニュロマトス（リンパ腺腫＝ｌｙｍｐｈｏｇｒａｎｕｌｏｍａｔｏｕｓ）、リンパ腫、放射線あるいは化学物質が因の免疫不全からなる群から選択される状態を処置するための、請求項９に記載の治療剤。
【請求項２８】
虚血性、萎縮性、退行性の疾患から選択される、状態を処置するための、請求項９に記載の治療剤。
【請求項２９】
サイトカインおよび造血因子の内因性生産を刺激するための組成物であって、該組成物は、酸化グルタチオンを含む、組成物。
【請求項３０】
前記酸化グルタチオンは、非経口的に投与される、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３１】
前記酸化グルタチオンは、局所（ｔｏｐｉｃａｌｌｙ）または局所（ｌｏｃａｌｌｙ）のいずれかで投与される、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３２】
さらに、前記酸化グルタチオンの半減期のエキステンダーを含む、請求項２９に記載の組成物。
【請求項３３】
前記エクステンダーは、酸化促進剤（ｐｒｏｏｘｉｄａｎｔ）化合物、グルタチオン還元酵素によって触媒されるＧＳＳＧからＧＳＨへのＮＡＤＰ−Ｈ依存の還元の競合体である物質、グルコース−６−リン酸−脱水素酵素あるいはその他のＮＡＤＰ−Ｈ依存型酵素に触媒されるＮＡＤＰ＋からＮＡＤＰ−Ｈへの還元を可逆的に阻害することができる化合物、あるいはそれらの混合物からなる群より選択される、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３４】
前記エクステンダーは、過酸化水素である、請求項３２または３３に記載の組成物。
【請求項３５】
前記エクステンダーはイノシンである、請求項３２または３３に記載の組成物。
【請求項３６】
前記エクステンダーはシステアミンである、請求項３２または３３に記載の組成物。
【請求項３７】
前記治療剤は、２４時間の期間に少なくとも１回体重１ｋｇあたり０．０１ｍｇから０．５ｍｇの用量で投与されることを特徴とする、請求項３０に記載の組成物。
【請求項３８】
前記治療剤は、０．０１％〜２．０％のグルタチオン形態の濃度で薬学的に受容可能な溶液中に存在し、非経口投与されることを特徴とする、請求項３７に記載の組成物。
【請求項３９】
前記溶液は、さらに、０．０３重量％〜０．０００３重量％過酸化水素、０．１重量％〜５重量％のイノシン、０．１重量％〜３重量％のシステアミンおよびそれらの混合物からなる群より選択されるエキステンダーを含む、請求項３８に記載の組成物。
【請求項４０】
前記酸化グルタチオンは塩形態で存在する、請求項２９、３０、３１または３２に記載の組成物。
【請求項４１】
前記塩は、ジナトリウム塩である、請求項４０に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月20日(2008.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記（ｉ）〜(ｖ)により定義付けられたハイドロタルサイト粒子よりなることを特徴とする電気絶縁性が優れた含ハロゲン樹脂および含ハロゲンゴム用受酸剤。
（ｉ）ハイドロタルサイト粒子は下記化学構造式（１）で表される。
[（Ｍｇ）ｙ（Ｚｎ）ｚ]１−ｘ（Ａｌ）ｘ（ＯＨ）２＋２ｎ（ＣＯ３）ｘ／２−ｎ・ｍＨ２Ｏ        （１）
但し、式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｎ及びmは下記条件を満足する値を示す。
０．１≦ｘ≦０．５、ｘ＋ｚ＝１、０．５≦ｙ≦１
０≦ｚ≦０．５、０．０１≦ｎ≦０．０３、０≦ｍ＜１
（ｉｉ）ハイドロタルサイト粒子は、レーザー回折散乱法により測定された平均粒子径が０.２〜２μであり、
（ｉｉｉ）ハイドロタルサイト粒子は、BET法により測定された比表面積が１〜５０ｍ２／ｇであり、
（ｉｖ）ハイドロタルサイト粒子はナトリウム化合物をＮａ金属に換算して０．０３重量％以下含有し、
（ｖ）ハイドロタルサイト粒子は、珪素化合物、リン酸化合物および硼素化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種が、それぞれＳｉ、ＰおよびＢ原子に換算して合計で０．０５重量％〜３重量％表面に存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
かくして、本発明によれば、
下記（ｉ）〜(ｖ)により定義付けられたハイドロタルサイト粒子よりなることを特徴とする電気絶縁性が優れた含ハロゲン樹脂および含ハロゲンゴム用受酸剤が提供される。
（ｉ）ハイドロタルサイト粒子は下記化学構造式（１）で表される。
[（Ｍｇ）ｙ（Ｚｎ）ｚ]１−ｘ（Ａｌ）ｘ（ＯＨ）２＋２ｎ（ＣＯ３）ｘ／２−ｎ・ｍＨ２Ｏ        （１）
但し、式中、ｘ、ｙ、ｚ、ｎおよびｍは下記条件を満足する値を示す。
０．１≦ｘ≦０．５、ｘ＋ｚ＝１、０．５≦ｙ≦１
０≦ｚ≦０．５、０．０１≦ｎ≦０．０３、０≦ｍ＜１
（ｉｉ）ハイドロタルサイト粒子は、レーザー回折散乱法により測定された平均粒子径が０.２〜２μであり、
（ｉｉｉ）ハイドロタルサイト粒子は、ＢＥＴ法により測定された比表面積が１〜５０ｍ２／ｇであり、
（ｉｖ）ハイドロタルサイト粒子はナトリウム化合物をＮａ金属として０．０３重量％以下含有し、
（ｖ）ハイドロタルサイト粒子は、珪素化合物、リン酸化合物および硼素化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種が、それぞれＳｉ、ＰおよびＢ原子に換算して合計で０．０５重量％〜３重量％表面に存在する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
（Ａ）一般式：
Ｒ13ＳiＯ(Ｒ12ＳiＯ)mＳiＲ13
（式中、Ｒ1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全Ｒ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、全Ｒ1の少なくとも１個はアリール基であり、また、ｍは０〜１００の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                                １００質量部、
（Ｂ）平均単位式：
(Ｒ2ＳiＯ3/2)a(Ｒ22ＳiＯ2/2)b(Ｒ23ＳiＯ1/2)c
｛式中、Ｒ2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全Ｒ2の０.５モル％以上はアルケニル基であり、全Ｒ2の２５モル％以上はアリール基であり、また、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０.３０≦ａ≦０.６０、０.３０≦ｂ≦０.５５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１.００、および、０.１０≦ｃ／(ａ＋ｂ)≦０.３０を満たす数である。｝
で表されるオルガノポリシロキサン                          １０〜１５０質量部、
（Ｃ）一分子中、少なくとも平均２個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分中および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルとなる量｝、
および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなる硬化性オルガノポリシロキサン組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物は、（Ａ）一般式：
Ｒ13ＳiＯ(Ｒ12ＳiＯ)mＳiＲ13
（式中、Ｒ1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全Ｒ1の少なくとも２個はアルケニル基であり、全Ｒ1の少なくとも１個はアリール基であり、また、ｍは０〜１００の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                                １００質量部、
（Ｂ）平均単位式：
(Ｒ2ＳiＯ3/2)a(Ｒ22ＳiＯ2/2)b(Ｒ23ＳiＯ1/2)c
｛式中、Ｒ2は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、但し、一分子中、全Ｒ2の０.５モル％以上はアルケニル基であり、全Ｒ2の２５モル％以上はアリール基であり、また、ａ、ｂ、ｃはそれぞれ、０.３０≦ａ≦０.６０、０.３０≦ｂ≦０.５５、ａ＋ｂ＋ｃ＝１.００、および、０.１０≦ｃ／(ａ＋ｂ)≦０.３０を満たす数である。｝
で表されるオルガノポリシロキサン                          １０〜１５０質量部、
（Ｃ）一分子中、少なくとも平均２個のケイ素原子結合アリール基と少なくとも平均２個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分中および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１〜１０モルとなる量｝、
および
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒（本組成物の硬化を促進する量）
から少なくともなることを特徴とする。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子が上記の硬化性オルガノポリシロキサン組成物の硬化物により被覆されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
はじめに、本発明の硬化性オルガノポリシロキサン組成物を詳細に説明する。
（Ａ）成分のオルガノポリシロキサンは、本組成物の硬化性を向上させ、また、本組成物を低粘度とするための主剤であり、一般式：
Ｒ13ＳiＯ(Ｒ12ＳiＯ)mＳiＲ13
で表される。上式中、Ｒ1は同じか、または異なる置換もしくは非置換の一価炭化水素基であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基；ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基；フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基；クロロメチル基、３−クロロプロピル基、３,３,３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換アルキル基が例示され、好ましくは、メチル基、ビニル基、フェニル基である。但し、本組成物を十分に硬化させるためには、一分子中、全Ｒ1（ケイ素原子結合全有機基）の少なくとも２個はアルケニル基であることが必要であり、特に、このアルケニル基はビニル基であることが好ましい。また、本組成物を硬化して得られる硬化物の光の屈折、反射、散乱等による減衰が小さくなることから、一分子中、全Ｒ1（ケイ素原子結合全有機基）の少なくとも１個はアリール基であることが必要であり、特に、このアリール基はフェニル基であることが好ましい。また、上式中、ｍは０〜１００の範囲内の整数であり、好ましくは、１〜１００の範囲内の整数であり、さらに好ましくは、２〜１００の範囲内の整数であり、特に好ましくは、２〜５０の範囲内の整数である。これは、ｍが上記範囲の下限未満であると、得られる硬化物の可撓性が低下したり、基材に対する密着性が低下する傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、充填性が低下したり、得られる硬化物の機械的特性が低下する傾向があるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本組成物において、（Ｄ）成分の含有量は、本組成物の硬化を促進する量であれば特に限定されないが、具体的には、本組成物に対して、本成分中の金属原子が質量単位で０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特に、０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限未満であると、本組成物が十分に硬化しなくなる傾向があるからであり、一方、上記範囲の上限を超えると、得られる硬化物に着色等の問題を生じる傾向があるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
［成形品外観評価］
φ１００ｃｍ×３ｍｍｔ円板の表面外観を目視にて観察し、以下の基準で評価した。
○：表面に光沢があり、フローマーク、シルバーストリークスなどが存在しない。
×：表面に光沢がない、フローマーク、あるいはシルバーストリークスなどが存在する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
おのおの複数のライン型記録ヘッドを内蔵した記録ユニットを複数配置し、分割した記録画像を前記複数の記録ユニットにより、同一の記録媒体に記録する記録装置に対するレジストレーション調整値を決定するレジストレーション調整値決定方法であって、
前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整用パターンと、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整用パターンとを記録するステップと、
前記レジストレーション調整用パターンに関連した前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値の入力を受け付ける受け付けステップと、
前記受け付けステップで受け付けられた、前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値とを設定値として記憶する記憶ステップと
を備えたことを特徴とするレジストレーション調整値決定方法。
【請求項２】
前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整用パターンと、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整用パターンは、１枚の記録媒体上に形成されることを特徴とする請求項１記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項３】
前記記憶ステップにて記憶された前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値が反映されたレジストレーション調整パターンを記録するステップと、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値が反映されたレジストレーション調整パターンにより、前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整を行なうステップとを備えたことを特徴とする請求項１に記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項４】
前記複数の記録ユニットのうち、記録幅方向に隣接する記録ユニット同士は互いに重複した重複記録領域を有し、
前記記録ユニット間相互のレジストレーション調整用パターンは、前記重複記録領域において双方の記録ユニットの基準ヘッドにより記録されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項５】
前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値および前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値は、搬送方向に沿った縦方向の位置関係のずれを検出するための縦レジ調整値と、記録幅方向に沿った横方向の位置関係のずれを検出するための横レジ調整値とを含むことを特徴とする請求項1〜４のいずれかに記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項６】
基準となる記録ユニットに隣接する記録ユニットが得たユニット間の前記縦レジ調整値および前記横レジ調整値は、同一記録幅方向で更に隣接する次の記録ユニットに対するユニット間の前記縦レジ調整値および前記横レジ調整値に、調整方向を含む値として加算されることを特徴とする請求項５に記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項７】
基準となる記録ユニット内の基準記録ヘッドの前記縦レジ調整値および横レジ調整値の初期値は共に零であり、変更可能であることを特徴とする請求項５または６に記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項８】
前記レジストレーション調整値は、記録された調整用パターンが画像読み取り装置で読み込まれて決定され、当該画像読み取り装置から入力を受け付けることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のレジストレーション調整値決定方法。
【請求項９】
おのおの複数のライン型記録ヘッドを内蔵した記録ユニットを複数配置し、分割した記録画像を前記複数の記録ユニットにより、同一の記録媒体に記録する記録装置に対するレジストレーションを調整するレジストレーション調整方法であって、
前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整用パターンと、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整用パターンとを記録するステップと、
前記レジストレーション調整用パターンに関連した前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値の入力を受け付ける受け付けステップと、
前記受け付けステップで受け付けられた、前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値とを設定値として記憶する記憶ステップと、
記録されたレジストレーション調整用パターンに基づいて、前記複数の記録ユニットの間の相互のレジストレーション調整であるユニット間調整を行うステップと、
各記録ユニット内の前記複数の記録ヘッドの間の相互のレジストレーション調整であるユニット内調整を行うステップと
を備えたことを特徴とするレジストレーション調整方法。
【請求項１０】
おのおの複数のライン型記録ヘッドを内蔵した記録ユニットを複数配置し、分割した記録画像を前記複数の記録ユニットにより、同一の記録媒体に記録する記録システムであって、
前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整用パターンと、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整用パターンとを記録する記録手段と、
前記レジストレーション調整用パターンに関連して、前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値の入力を受け付ける受け付け手段と、
前記受け付け手段で受け付けられた、前記記録ユニット内の記録ヘッド相互のレジストレーション調整値と、前記複数の記録ユニット間相互のレジストレーション調整値とを設定値として記憶する記憶手段と
を備えたことを特徴とする記録システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
最初に、レジストレーション調整用パターン７００を記録装置１００により記録する（Ｓ６０１）。そこで、記録装置１００は、ユーザの助力を得て、まず、記録ユニット間のレジストレーション調整を行い、次に各記録ユニット内の記録ヘッド間のレジストレーション調整を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
なお、図１３の段階では、各記録ユニットのブラックヘッドに対する各カラーヘッドのずれ量は図１２の場合のずれ量がそのまま保存されている。すなわち、図６のステップＳ６０５の段階で記録された調整用パターンでは記録ユニット間のずれはすべて０となっていることが想定されるが、記録ユニット内のブラックヘッドに対する各カラーヘッドのずれ量はステップＳ６０１で記録された調整用パターンと同じ筈である。このことから、ステップＳ６０５での調整用パターンの記録はあくまでユニット間調整がうまくいったことの確認のためであり、このステップＳ６０５は必須ではないことが分かる。ステップＳ６０７で入力する記録ユニット内調整値はステップＳ６０１で記録された調整用パターンで確認できるもので足りる（ステップＳ６０６で記録された調整用パターンで確認できるものでもよいが、両者は同じ値である）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
おのおの複数の記録ヘッドを内蔵した複数の記録ユニットと情報処理装置とが通信インタフェースを介して接続され、前記複数の記録ユニットを用いて同一の記録媒体に画像を形成する記録システムにおいて、
前記複数の記録ユニットに対してレジストレーション調整用パターンを記録させる手段と、
前記レジストレーション調整用パターンに関連した調整値を設定するためのユーザインタフェース画面を表示する手段と、
このユーザインタフェース画面で設定された調整値を各記録ユニットへ送信する手段とを備えたことを特徴とする記録システム。
【請求項２】
前記記録ヘッドの構成情報は、記録ヘッドの本数および色情報を含む請求項１記載の記録システム。
【請求項３】
前記ユーザインタフェース画面は、記録ユニット毎に確認されたヘッド色情報を表示する色表示欄と、当該記録ユニットの記録ヘッド毎の縦、横のレジ調整値を入力することができるレジ調整値表示欄を含む請求項２記載の記録システム。
【請求項４】
前記ユーザインタフェース画面は、ユーザの指示操作に応じて記録ユニット毎に切り換えて表示する請求項３に記載の記録システム。
【請求項５】
前記情報処理装置は、前記複数の記録ユニットの台数および配置情報、ならびに、各記録ユニットの内蔵する記録ヘッドの構成情報を取得する手段をさらに備え、
前記記録させる手段は、前記取得された情報に基づいて、レジストレーション調整用パターンを選定して前記複数の記録ユニットに対して当該レジストレーション調整用パターンを記録させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の記録システム。
【請求項６】
おのおの複数の記録ヘッドを内蔵した記録ユニットを複数配置し、複数の記録ユニットにより、同一の記録媒体に画像を記録する記録装置と情報処理装置とが通信インタフェースを介して接続された記録システムにおいて前記記録装置のレジストレーションを調整するレジストレーション調整方法であって、
前記複数の記録ユニットに対して当該レジストレーション調整用パターンを記録させるステップと、
記録されたレジストレーション調整用パターンに関連した調整値を設定するステップと、
この設定された調整値を各記録ユニットへ送信するステップと
を備えたことを特徴とするレジストレーション調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本実施形態では、密着層６１を２０ｎｍの厚さで設け、チタンの存在比に対する白金の存在比の比率が１．０となる合金層６２を５０〜５００ｎｍ、本実施形態では、１３０ｎｍの厚さで設けた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の転動体が転動しつつ循環する無限循環路を有する直動案内装置用の転動体収容ベルトを、合成樹脂材料から射出成形で製造するために用いられ、上型および下型の間に前記転動体収容ベルトを成形するための成形品形状部を有し、当該成形品形状部が、これによって成形される前記転動体収容ベルトを、前記無限循環路内で隣り合う転動体同士の間に介装される間座部と、前記間座部を相互に連結する連結腕部とを備え、前記転動体を前記無限循環路内の並び方向で整列可能とするように形成されてなる金型であって、
前記上型および下型は、前記転動体収容ベルトの、前記無限循環路の内外周方向に向けて分割されており、
前記上型および下型の少なくとも一方は分割構造を有し、当該分割構造は、前記間座部の、前記無限循環路の内外周方向での少なくとも一方の側の端部を成形する位置を通り、且つ、前記間座部の前記無限循環路内の並び方向に沿った厚みを略二分割する位置を通るように分割位置が設定されていることを特徴とする転動体収容ベルト製造用金型。
【請求項２】
請求項１に記載の転動体収容ベルト製造用金型で製造されてなることを特徴とする直動案内装置用転動体収容ベルト。
【請求項３】
複数の転動体が転動しつつ循環する無限循環路を有する直動案内装置に用いられ、前記無限循環路内で隣り合う転動体同士の間に介装される間座部と、前記間座部を相互に連結する連結腕部とを備え、前記転動体を前記無限循環路内の並び方向で整列可能に形成されており、分割構造を有する金型を用いて合成樹脂材料から射出成形で製造されてなる転動体収容ベルトであって、
前記間座部は、複数に分割されない一体部材として構成されており、且つ前記間座部には、その前記無限循環路の内外周方向での少なくとも一方の側の端部に、前記間座部の前記無限循環路内の並び方向に沿った厚みを略二分割する位置を通るように前記金型のパーティングラインが転写されていることを特徴とする直動案内装置用転動体収容ベルト。
【請求項４】
請求項２または３に記載の直動案内装置用転動体収容ベルトを備えていることを特徴とする直動案内装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明のうち第一の発明は、複数の転動体が転動しつつ循環する無限循環路を有する直動案内装置用の転動体収容ベルトを、合成樹脂材料から射出成形で製造するために用いられ、上型および下型の間に前記転動体収容ベルトを成形するための成形品形状部を有し、当該成形品形状部が、これによって成形される前記転動体収容ベルトを、前記無限循環路内で隣り合う転動体同士の間に介装される間座部と、前記間座部を相互に連結する連結腕部とを備え、前記転動体を前記無限循環路内の並び方向で整列可能とするように形成されてなる金型であって、前記上型および下型は、前記転動体収容ベルトの、前記無限循環路の内外周方向に向けて分割されており、前記上型および下型の少なくとも一方は分割構造を有し、当該分割構造は、前記間座部の、前記無限循環路の内外周方向での少なくとも一方の側の端部を成形する位置を通り、且つ、前記間座部の前記無限循環路内の並び方向に沿った厚みを略二分割する位置を通るように分割位置が設定されていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月18日(2008.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノズルを備えると共に、電気機械コンバータに動作可能に接続されている、ほぼ閉鎖されたインクチャンバを含むインクジェットプリンタにおける適用方法であり、
キャリア上に画像を形成すべくノズルからインク滴を噴射するために、所定の印刷方式に従ってコンバータを作動させる目的で画像を印刷することと、
印刷プロセス中に、インクチャンバ内に障害物、特にガス気泡の存在を検出することと、続いて、
印刷プロセスを中断することとを含む方法であって、前記方法がさらに、
画像の印刷プロセスが、修正された印刷方式を使用してコンバータを作動させることにより継続する間に、障害物が、インクチャンバを故障させないように印刷方式を修正することと、
前記修正された印刷方式の適用によって印刷プロセスを継続することとを含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
所定の印刷方式が、コンバータが作動される周波数を変更することにより修正されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
所定の印刷方式の適用によって画像全体の印刷プロセスが、印刷プロセス中にインクチャンバを故障させることが検出されたときは、印刷プロセスが、自動的に中断されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
印刷方式を修正するときに、前記インクチャンバを使用して依然として印刷すべき画像の一部が、考慮されることを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
障害物が、画像の印刷プロセスが継続している間に取り除かれることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
障害物が、ガス気泡であり、周波数および／または振幅が、ガス気泡をインクチャンバから積極的に取り除くように修正されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
インクチャンバ内における障害物の存在が、センサとして電気機械コンバータを適用することによって検出されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
インクジェットプリンタが、複数のインクチャンバを備え、印刷方式を適用することにより、障害物が存在するチャンバに由来するインク滴によって元々形成される印刷画素を消失させ、前記消失が、１つ以上の他のインクチャンバからのインク滴によって少なくとも部分的に補償されることを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記方法が、キャリアの５０％、特にキャリアの７０％を超える部分が、インクで覆われるキャリア上に、二次元画像を印刷するときに適用されることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、ワンパスモードで画像を印刷するときに適用されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ノズルを備え、電気機械コンバータに動作可能に接続されている、ほぼ閉鎖されたチャンバと、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法を自動的に実行すべくプリンタを制御するようにプログラムされたコントローラとを含む、インクジェットプリンタ。
【請求項１２】
障害物が存在するインクチャンバが、第１のパスの間にインク滴を噴射するために使用され、１つ以上の他のインクチャンバが、１つ以上の他のパスの間にインク滴を噴射するために使用される、第１のパスおよび１つ以上の他のパスを含むマルチパスモードで画像を印刷するときに適用される、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化することによって前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にソース領域とドレイン領域とを有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化することによって、前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成し、
前記ゲート電極上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する配線を形成し、
前記配線表面を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化又は酸化することによって、前記配線表面に金属窒化膜又は金属酸化膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上にソース領域とドレイン領域とを有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化することによって、前記ゲート電極の表面に窒化膜を形成し、
前記ゲート電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記ソース領域または前記ドレイン領域と電気的に接続する配線を形成し、
前記配線表面を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化又は酸化することによって、前記配線表面に金属窒化膜又は金属酸化膜を形成し、
前記金属窒化膜又は金属酸化膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に透明導電膜を形成し、
前記透明導電膜及び前記第２の絶縁膜を０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度の条件下の高密度プラズマにより窒化又は酸化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記透明導電膜及び前記第２の絶縁膜を前記高密度プラズマにより窒化又は酸化した後、前記透明導電膜上を洗浄することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、
前記高密度プラズマにより酸化するとき、酸素と希ガスとの混合ガス、又は酸素と水素と希ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記高密度プラズマにより窒化するとき、窒素と希ガスとの混合ガス、アンモニアと希ガスとの混合ガス、又は窒素と水素と希ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記高密度プラズマにより窒化又は酸化するとき、前記基板を２００℃から５５０℃の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記ゲート電極の材料は、モリブデン、タングステン、クロム、タンタル、アルミニウムまたはシリコンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を電子密度が１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下であり、かつ電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であるプラズマにより酸化することによって、前記ゲート電極をスリミング化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を電子密度が１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下であり、かつ電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であるプラズマにより酸化することによって、前記ゲート電極をスリミング化し、
前記ゲート電極表面に形成された酸化膜を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を電子密度が１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下であり、かつ電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であるプラズマにより酸化することによって、前記ゲート電極をスリミング化し、
前記島状半導体膜に前記ゲート電極をマスクとして不純物イオンをドープし、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、
前記島状の半導体膜に、前記ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記不純物イオンより高濃度の不純物イオンをドープすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に島状の半導体膜を形成し、
前記島状の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を電子密度が１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下であり、かつ電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であるプラズマにより酸化することによって、前記ゲート電極をスリミング化し、
前記ゲート電極表面に形成された酸化膜を除去し、
前記島状半導体膜に前記酸化膜を除去したゲート電極をマスクとして不純物イオンをドープし、
前記ゲート電極の側面にサイドウォールを形成し、
前記島状の半導体膜に、前記ゲート電極及び前記サイドウォールをマスクとして、前記不純物イオンより高濃度の不純物イオンをドープすることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ酸化またはプラズマ窒化することによって、保護膜を形成し、
前記保護膜上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ酸化またはプラズマ窒化することによって、第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、非晶質シリコンを含む半導体膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記プラズマ酸化または前記プラズマ窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された前記ガラス基板の上方において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であることが同時に無磁場で実現されるプラズマ処理室を備えた装置で行われることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記ガラス基板に対し、前記ガラス基板の温度を歪点より１００℃以上低く、かつ、２００℃以上とする条件でプラズマ窒化することによって、窒化物層を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを複数に分割し、
複数の分割ビームから選択される任意の２つの分割ビームにおいて、一方の分割ビームに対して、他方の分割ビームに、前記パルス幅に相当する長さ以上、且つコヒーレント長未満の光路差を設け、
光路差が設けられた前記複数の分割ビームを半導体膜に照射することにより、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを複数に分割し、
複数の分割ビームから選択される任意の２つの分割ビームにおいて、一方の分割ビームに対して、他方の分割ビームに、前記パルス幅に相当する長さ以上、且つパルス発振間隔に相当する長さ未満の光路差を設け、
光路差が設けられた前記複数の分割ビームを半導体膜に照射することにより、前記半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを第１のレーザビームと第２のレーザビームに分割し、
前記第２のレーザビームを前記第１のレーザビームに対して遅延させ、
前記第１のレーザビームと、遅延させた前記第２のレーザビームとを半導体膜に照射することにより、前記半導体膜を結晶化し、
前記第２のレーザビームは、前記パルス幅以上、且つパルス発振間隔未満の範囲で、前記第１のレーザビームに対して遅延していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを第１のレーザビームと第２のレーザビームに分割し、
前記第２のレーザビームを前記第１のレーザビームに対して遅延させ、
前記第１のレーザビームと、遅延させた前記第２のレーザビームとを半導体膜に照射することにより、前記半導体膜を結晶化し、
前記第１のレーザビームの照射により前記半導体膜が溶融している領域に、前記第２のレーザビームが照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記複数の分割ビームを照射する前記半導体膜の各領域は、互いに共通部分を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３において、
前記第１のレーザビームを照射する前記半導体膜の領域と、前記第２のレーザビームを照射する前記半導体膜の領域は、互いに共通部分を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、
前記複数の分割ビームは照射面において線状ビームを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３において、
前記第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームは照射面において線状ビームを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
レーザ発振源から発振された、パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを複数に分割する手段と、
前記複数に分割されたレーザビームから選択される任意の２つの分割されたレーザビームにおいて、一方の分割されたレーザビームに対して他方の分割されたレーザビームに光路差を設ける手段と、
前記複数に分割されたレーザビームを被照射体に照射する手段と、を有し、
前記光路差を設ける手段は、前記複数に分割されたレーザビーム同士に、前記パルス幅に相当する長さ以上の光路差を設けることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
レーザ発振源から発振された、パルス幅１００ｆｓ以上１ｎｓ以下、周波数１０ＭＨｚ以上のレーザビームを複数に分割する手段と、
前記複数に分割されたレーザビームから選択される任意の２つの分割されたレーザビームにおいて、一方の分割されたレーザビームに対して他方の分割されたレーザビームに光路差を設けるための前記他方の分割されたレーザビームを通過させる媒体と、
前記複数に分割されたレーザビームを被照射体に照射する手段と、を有し、
前記媒体は、前記複数に分割されたレーザビーム同士に、前記パルス幅に相当する長さ以上の光路差を設けることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記媒体は石英、ガラス、水、またはフッ化物の結晶であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記複数に分割されたレーザビームは照射面において線状ビームを形成することを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記半導体膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記第１の絶縁膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記第２の絶縁膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆って第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記第３の絶縁膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された第３の絶縁膜上に導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記半導体膜の表面に酸化膜を形成し、
前記酸化膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記酸化膜の表面を窒化し、
前記表面が窒化された酸化膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記半導体膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記第２の絶縁膜の表面を酸化または窒化し、
前記表面が酸化または窒化された第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記半導体膜の端部がテーパー形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に端部がテーパー形状を有する半導体膜を形成し、
前記半導体膜の端部に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記半導体膜の端部を選択的に酸化または窒化し、
前記端部が選択的に酸化または窒化された半導体膜を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記基板に対し、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下でプラズマ処理を行うことにより、前記基板の表面を酸化または窒化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１の絶縁膜として、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、または窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記第２の絶縁膜として、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、または窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第３の絶縁膜として、エポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾシクロブテン、アクリル、またはシロキサン樹脂を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、
前記プラズマ処理を行う際にマイクロ波を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記プラズマ処理による酸化を、酸素と希ガスとを含む雰囲気下または酸素と水素と希ガスとを含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一において、
前記プラズマ処理による窒化を、窒素と希ガスとを含む雰囲気下またはＮＨ３と希ガスとを含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、
前記基板として、ガラス基板またはプラスチック基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。