Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも９０質量％のジルコンを含む組成物から作成した、アイソパイプ用の未焼成体であって、該ジルコンが、
ａ）  ４０質量部より多い粗いジルコン成分、および
ｂ）  ３０から６０質量部の微細なジルコン成分、
を含む多峰性粒径分布を有し、
前記粗いジルコン成分が、３μｍより大きく２５μｍまでのメジアン粒径を有し、前記微細なジルコン成分が、３μｍ以下のメジアン粒径を有することを特徴とする未焼成体。
【請求項２】
前記組成物がリン酸イットリウムをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の未焼成体。
【請求項３】
前記組成物がチタン、鉄、カルシウム、イットリウム、ニオブ、ネオジム、またはそれらの組合せの少なくとも１つの酸化物を含む焼結助剤をさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の未焼成体。
【請求項４】
前記組成物が、 
ａ）  １５μｍより大きいメジアン粒径を有する粗いジルコン成分、
ｂ）  ３μｍ未満のメジアン粒径を有する微細なジルコン成分、および
ｃ）  前記粗いジルコン成分のメジアン粒径と前記微細なジルコン成分のメジアン粒径との間のメジアン粒径を有する中間のジルコン成分、
を含む、
ことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の未焼成体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
これらの厳しい条件に耐えるために、アイソパイプは、従来から、耐火性材料の等圧プレス成形(isostatically pressed)ブロック（それゆえ、「アイソパイプ」という名称が付けられた）から製造されてきた。特に、等圧プレス成形されたジルコン耐火物は、フュージョン法のためのアイソパイプを形成するために用いられてきた。従来のジルコン耐火物は、ＺｒＯ2とＳｉＯ2、または同等にＺｒＳｉＯ4、および焼結助剤からなる。そのような高性能の材料によってさえも、アイソパイプ材料はクリープし、それらの有用寿命を制限し得る寸法変化を生じ得る。特に、アイソパイプは、このパイプの未支持長さの中央部がその外側の支持された端部の高さよりも低く下がるような垂れを示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様による組成物（先に概略的に説明され、以下のより詳しく説明される第１の態様の様々な実施の形態などの）から製造された未焼成体であって、等圧プレス成形された未焼成体である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明の第４の態様のある実施の形態によれば、工程ｂ）は、等圧プレス成形プロセスを含む。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７５】
セラミック物品の成形および焼成
混合後、多峰性ジルコン組成物を、例えば、鋳込み成形、押出し、等圧プレス成形、および／または射出成形などの適切な技法によって、アイソパイプなどの任意の所望の形状の未焼成体に成形することができる。ここに用いられる未焼成体は、成形されているが、焼成されていないセラミック材料からなる。採用した特定の成形技法に応じて、成形プロセスを容易にするために、必要に応じて、液体、溶媒、および／または成形助剤を多峰性ジルコン組成物と混合して差し支えない。そのような液体、溶媒、および／または成形助剤は、存在する場合には、成形プロセスを容易にするのに適した任意の材料を含んで差し支えない。ある態様において、液体、溶媒、および／または成形助剤は、存在する場合には、メチルセルロース、水、グリセロール、またはそれらの組合せの内の少なくとも１種類を含む。これらの液体、溶媒、および／または成形助剤は、焼成プロセスの前またはその最中に除去しても、焼成後に物品中に残留していても差し支えない。ある態様において、鋳込み成形技法を用いて、多峰性ジルコン組成物を含む高液体含有量の混合物を所望の形状に成形する。別の態様において、押出技法を用いて、多峰性ジルコン組成物を所望の形状に成形する。さらに別の態様において、等圧プレス成形を用いて、乾燥したまたは実質的に乾燥した多峰性ジルコン組成物を所望の形状に成形する。例示の等圧プレス成形技法において、予備焼成した組成物を、必要に応じて、周囲条件で高度の圧密を達成するためにタッピング(tapping)および／または真空工程に施し、次いで、約５から約２０分の期間に亘り、約１８，０００ｐｓｉ（約１２４ＭＰａ）で等圧プレス成形する。成形技法は、セラミック業界において公知であり、当業者には、所望のセラミック物品のための適切な成形技法は容易に選択できるであろう。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
本発明により調製した耐火セラミック体のクリープ速度は、従来のジルコンセラミックに関するよりも実質的に低くあり得る。リン酸イットリウムなどの他のセラミック材料を使用してもより低いクリープ速度が達成されるかもしれないが、そのような材料は、一般に、実質的により高価であり、それゆえ、商業的に実現できない。ある態様において、本発明により調製したジルコン耐火セラミック体のクリープ速度は、従来の（等圧プレス成形された）ジルコンアイソパイプのクリープ速度の約５０％未満、好ましくは約２５％未満であり得る。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８６】
実施例２−クリープ速度の決定
第２の実施例において、実施例１において調製したものなどの焼成ジルコンブロックを、１，０００ｐｓｉ（約６９ＭＰａ）の圧力下において１，１８０℃で１００時間に亘るクリープについてテストした。クリープ速度は、従来のジルコン（等圧プレス成形した）アイソパイプのクリープ速度に対して正規化した。以下の表２に詳しく記載された結果は、本発明により調製したジルコン物品が、市販のジルコンアイソパイプのクリープ速度の四分の一のクリープ速度を示すことができるのを示している。
【表２】
2010519163.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・波長λの放射を生成するための活性ゾーン（２）と、
・不規則に配置されたパターンエレメントを有するパターニング領域（３）
とを有する放射放出半導体チップ（１）において、
前記パターンエレメントは第１の屈折率ｎ１を有する第１の材料を含み、第２の屈折率ｎ２を有する第２の材料を含む媒質によって覆われており、
前記パターンエレメントと前記媒質を有する中間層の厚さは、該パターンエレメントの最大高さに相応し、
前記中間層の有効屈折率ｎｅｆｆには、ｎ２＜ｎｅｆｆ＜ｎ１が適用され、
前記パターンエレメントの各基面の基面幅ｇは、各パターンエレメントの高さｈより大きく、前記基面幅ｇは各パターンエレメントの基面の最長の寸法であり、高さｈは各パターンエレメントの基面を出発点として、基面に対して垂直な最長の寸法であることを特徴とする、放射放出半導体チップ。
【請求項２】
前記パターンエレメントの各幅ｂはｂ≦４μｍであり、該パターンエレメントの相互間の間隔ａはａ≦４μｍである、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項３】
前記パターンエレメントの各幅ｂはｂ≦λであり、該パターンエレメントの相互間の間隔ａはａ≦λである、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項４】
当該放射放出半導体チップ（１）は、ウェブ（１０）を有するストライプレーザであり、
前記パターニング領域（３）は前記ウェブ（１０）のエッジ面に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ。
【請求項５】
前記パターンエレメントは当該放射放出半導体チップ（１）の半導体層から形成され、
前記媒質は、前記パターンエレメントをカバーする、酸化シリコンを含むパッシベーション層（４）であるか、または、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｉｎの酸化物若しくは窒化物を含む吸収層（１１）である、請求項４記載の放射放出半導体チップ。
【請求項６】
前記活性ゾーン（２）は前記パターニング領域（２）を有し、該パターニング領域（２）は量子井戸構造を形成する、請求項１から３までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ。
【請求項７】
当該放射放出半導体チップ（１）は、ウェブ（１０）を有するストライプレーザであり、
前記パターニング領域（３）は散乱光を出力結合するために前記ウェブ（１０）に隣接して配置されている、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項８】
前記媒質は、前記有効屈折率ｎｅｆｆを低減するための空気閉じ込め部を有する、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項９】
前記パターンエレメントは、円錐形、多面体、角錐形またはシリンダ形である、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１０】
前記パターニング領域は、放射出力結合を改善する出力結合層として機能し、主放射方向で見て、活性領ゾーン（２）に後置される、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１１】
ウェブを有するストライプレーザであって、当該ウェブは、活性ゾーン（２）まで達するか、又は活性ゾーン（２）を貫通する、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１２】
パッシベーション層（４）上に吸収層（１１）が配置される、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１３】
前記放射放出半導体チップ（１）が、複数のストライプレーザ（１２）と複数のパターニング領域（３）とを有するレーザアレイを備え、各２つのストライプレーザ（１２）間にそれぞれ１つのパターニング領域（３）が配置される、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１４】
前記放射放出半導体チップ（１）が、誘電体ミラー（１７）を有し、パターンエレメントは、この誘電体ミラーの第１の層から形成され、該誘電体ミラーの第２の層によって包囲される、請求項１記載の放射放出半導体チップ。
【請求項１５】
請求項１から１２までのいずれか１項記載の放射放出半導体チップ（１）の製造方法において、
中断部を有するマスク層を、パターニングすべき領域（３０）上に設け、
前記中断部内で前記パターニングすべき領域（３０）をエッチングすることにより、前記マスク層が剥離されて、前記パターンエレメントを有するパターニング領域（３）が形成されることを特徴とする、製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
別の実施例では、放射放出半導体チップは誘電体ミラーを有する。とりわけパターンエレメントは、この誘電体ミラーの第１の層から形成され、該誘電体ミラーの第２の層によって覆われる。有利には、第１の層は第１の屈折率ｎ１を有する第１の材料を含み、第２の層は第２の屈折率ｎ２を有する第２の材料を含む。このようにして覆われたパターンエレメントにより、屈折率の変化が低減されて光波は第２の層中により良好に侵入することができ、該第２の層と相互作用することができる。有利には第２の層は、第２の屈折率ｎ２より低い屈折率を有する封入物を有し、とりわけ空気からなる封入物を有する。このことにより、第２の屈折率ｎ２ひいては有効屈折率ｎｅｆｆを低減することができる。このことの利点は、全反射の限界角度が小さくなり、誘電体ミラーで全反射が発生することにより、放射放出半導体チップの出力結合側の方向に反射される放射の割合が大きくなることである。前記第１の層および第２の層はそれぞれ、Ｓｉ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｒｈ，Ｉｎの酸化物または窒化物または酸窒化物を含むことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムであって、
データ通信の送信用及び受信用の少なくとも１つのアクティブフェーズドアレイアンテナユニットと、
前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットを駆動及び制御するためのフェーズドアレイ回路と
を備え、前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットは、少なくとも４つの１次元放射器アレイを備え、該フェーズドアレイ回路は、複数の位相シフト注入同期プッシュ−プッシュ発振器（ＰＳＩＰＰＯ）を備える、無線通信システム。
【請求項２】
前記少なくとも４つの１次元放射器アレイは直線的である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットは、鉛直方向に位置決めされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも４つの１次元放射器アレイの放射器間の距離は等しい、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも４つの１次元放射器アレイは直線的であり且つ前記少なくとも４つの１次元放射器アレイの放射器間の距離は等しいである、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも４つの１次元放射器アレイの第１半分は偶数の前記１次元放射器アレイと定義され、前記少なくとも４つの１次元放射器アレイの第２半分は偶数の前記１次元放射器アレイと定義され、
前記偶数の１次元放射器アレイは、２つの隣接した放射器間の距離の約２分の１だけ、前記奇数の１次元放射器アレイに対してシフトされ、
前記隣接した放射器は、同じ１次元放射器アレイの最も近接した２つの放射器である、
請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットは、少なくとも４つの放射器グループを備え、前記少なくとも４つの放射器グループのうちの１つは、基準グループとして定義され、前記少なくとも４つの放射器グループのうちの少なくとも２つは、前記基準グループに対するプログラミング可能な位相シフトで送信及び受信するように、前記フェーズドアレイ回路によって制御される、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも４つの１次元放射器アレイは直線的である、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記プログラミング可能な位相シフトは、最大＋１８０度又は−１８０度までである、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記システムは、少なくとも３つの放射モードを選択的に切り替えていき、放射モードは、それぞれ異なる位相シフトで送信及び受信する放射器グループの個数に従って且つ各放射器グループに関連付けられた前記プログラミング可能な位相シフトに従って規定される、請求項７に記載のシステム。
【請求項１１】
前記少なくとも３つの放射モードを前記選択的に切り替えることは、十分に広い水平角にわたって物体との通信を可能にし、前記十分に広い水平角は９０度よりも大きい角度である、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記少なくとも３つの放射モードを前記選択的に切り替えることは、前記少なくとも３つの放射モードで受信された信号レベルに依存する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記フェーズドアレイ回路は、垂直ビーム開口で放射するように前記フェーズドアレイアンテナユニットを制御する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記垂直ビーム開口は、プログラミング可能なパターンに従って垂直にステアリングされる、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記フェーズドアレイ回路は、２つのレベルのＰＳＩＰＰＯを含み、
前記垂直ビーム開口は、前記２つのレベルのＰＳＩＰＰＯに制御信号を提供することによってプログラミング可能なパターンに従い垂直にステアリングされる、
請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記通信システムは、屋外の通信に使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記通信システムは、屋内の通信に使用される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
電子放射の送信用及び受信用の前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニット、並びに前記フェーズドアレイ回路は、ＷＩＭＡＸ又はＷＩＦＩ又はＷＰＡＮ又はＨＤＴＶ又はセルラ通信に準拠したデータ信号を送信又は受信するようになっている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記システムは、実質的に長方形の構造に位置決めされた４つのフェーズドアレイアンテナを備えて、該アンテナを取り囲むエリアの３６０度をカバーする、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
フェーズドアレイ通信方法であって、
ａ．放射の送信用及び受信用の少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットを設けるステップであって、該少なくとも１つのフェーズドアレイアレイアンテナユニットは、少なくとも４つの１次元放射器アレイを備え、前記フェーズドアレイアンテナユニットは、複数の位相シフト注入同期プッシュ−プッシュ発振器（ＰＳＩＰＰＯ）を備える、設けるステップと、
ｂ．前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットを駆動及び制御するためのフェーズドアレイ回路を設けるステップと、
ｃ．前記少なくとも１つのフェーズドアレイアンテナユニットを使用して電磁放射を送信又は受信するステップであって、該電磁放射を送信又は受信することは、放射モードを選択的に切り替えることによって実行され、前記放射モードは、任意の時点において各放射器に関連付けられた位相シフトによって規定される、送信又は受信するステップと、
を含む、フェーズドアレイ通信方法。
【請求項２１】
フェーズドアレイアンテナ無線通信システムを駆動するための回路であって、
ａ．基準信号を提供するための発振器回路と、
ｂ．フェーズドアレイアンテナフレームによって生成されるビームをステアリングするための少なくとも２つのレベルの位相シフト同期注入プッシュ−プッシュ発振器と、
ｃ．前記フェーズドアレイアンテナによって送信される信号をアップコンバートするためのアップコンバータ及び前記フェーズドアレイアンテナによって受信される信号をダウンコンバートするためのダウンコンバータと、
ｄ．前記アップコンバータ又は前記ダウンコンバータに提供される基準信号に位相シフトを選択的に提供するための伝送ラインと、
を備える、回路。
【請求項２２】
前記少なくとも２つのレベルの位相シフト同期注入プッシュ−プッシュ発振器のうちの少なくとも１つは、前記フェーズドアレイアンテナフレームによって生成されるビームを水平にステアリングするのに使用され、前記少なくとも２つのレベルの位相シフト同期注入プッシュ−プッシュ発振器のうちの少なくとも１つは、前記フェーズドアレイアンテナフレームによって生成されるビームを垂直にステアリングするのに使用される、請求項２１に記載の回路。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
座部（５２）、背もたれ部（５３）及び取り付け部（５４，５４’）、を有する車両座席（５１）であって、
前記背もたれ部（５３）及び前記取り付け部（５４，５４’）が、車両本体に対して第１の回転軸（５６）の周囲を旋回可能に設けられ、
前記第１の回転軸（５６）が、前記座部（５２）の下側又は前記背もたれ部（５３）の背後に配置され、
前記背もたれ部（５３）が、前記取り付け部（５４，５４’）に対して第２の回転軸（５８）の周囲を旋回可能に設けられ、前記取り付け部（５４，５４’）と前記背もたれ部（５３）との間に前記背もたれ部（５３）の傾斜を調節するための傾斜調節器が設けられ、
前記第２の回転軸（５８）が、前記座部（５２）の着座平面又は前記着座平面の延長の領域において前記第１の回転軸（５６）の上に、又は前記座部（５２）の前記着座平面又は前記着座平面の延長の上に配置され、
前記第１の回転軸（５６）の周囲の前記取り付け部（５４，５４’）の回転位置が、前記車両本体に対する第１の位置及び第２の位置で調節され、
前記第１の位置が、乗員によって快適に使用される位置に対応し、且つ前記第２の位置が、載荷位置に対応し、
前記取り付け部（５４，５４’）が前記第２の位置の方向にバネ装置（１０，１０’）により初荷重を与えられ、
前記第１の回転軸（５６）の周囲に前記取り付け部（５４、５４’）を旋回させる場合に、前記背もたれ部（５３）の前記車両本体に対する回転位置が実質的に変更されずに提供され、前記取り付け部（５４、５４’）及び前記背もたれ部（５３）は、前記第１の位置又は第２の位置で同時にラッチ又は解除されることを特徴とする、車両座席（５１）。
【請求項２】
前記車両座席（５１）は、後部シートベンチであることを特徴とする、請求項１に記載の車両座席（５１）。
【請求項３】
前記傾斜調節器は、揺動機構及び／又はラッチ調節取り付け具を有する調節器であることを特徴とする、請求項１に記載の車両座席（５１）。
【請求項４】
前記取り付け部（５４，５４’）の前記第１の位置及び前記第２の位置において前記背もたれ部（５３）の傾斜角が、実質的に前記第１の回転軸（５６）の周囲に前記乗員によって快適に使用される位置に調節されて提供され、
前記背もたれ部（５３）の前記傾斜角が、約２０度から４０度だけ前記第１の回転軸上の垂直線から離れて調節される
ことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の車両座席（５１）。
【請求項５】
前記背もたれ部（５３）の前記傾斜角が、約２５度から約３５度だけ前記第１の回転軸上の垂直線から離れて調節されることを特徴とする、請求項４に記載の車両座席（５１）。
【請求項６】
前記第１の回転軸（５６）の周囲に前記取り付け部（５４，５４’）を旋回させる場合に、前記背もたれ部（５３）の前記車両本体に対する前記回転位置の変更が、約１度から約１４０度の範囲の角度で調節され、
前記取り付け部（５４，５４’）の前記第１の位置において前記背もたれ部（５３）の傾斜角が、実質的に前記第１の回転軸（５６）の周囲に前記乗員によって快適に使用される位置に調節されて提供され、
前記背もたれ部の前記傾斜角が、約２０度から４０度だけ前記第１の回転軸上の垂直線から離れて調節される
ことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の車両座席（５１）。
【請求項７】
前記第１の回転軸（５６）の周囲に前記取り付け部（５４，５４’）を旋回させる場合に、前記背もたれ部（５３）の前記車両本体に対する前記回転位置の変更が、約３度から約３０度の範囲の角度又は約１１０度から約１４０度の範囲の角度で調節されることを特徴とする、請求項６に記載の車両座席（５１）。
【請求項８】
前記背もたれ部の前記傾斜角が、約２５度から約３５度だけ前記第１の回転軸上の垂直線から離れて調節されることを特徴とする、請求項６に記載の車両座席（５１）。
【請求項９】
前記取り付け部（５４，５４’）が、旋回レバー（６０）及び前記傾斜調節器の一部と共に４バーリンクを形成し、
前記４バーリンクが、前記取り付け部（５４，５４’）の前記第１及び前記第２の位置において、第１及び第２の固定及び解除装置によって、固定されることが可能である
ことを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の車両座席（５１）。
【請求項１０】
前記取り付け部（５４，５４’）に対する前記背もたれ部（５３）の前記回転位置の調節が第３の位置及び第４の位置において前記第２の回転軸周囲に提供され、
前記第３の位置が通常の位置に対応し、且つ
前記第４の位置が折り畳み位置に対応する
ことを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の車両座席（５１）。
【請求項１１】
前記通常の位置における前記第２の回転軸（５６）の周囲の前記取り付け部（５４，５４’）に対する前記背もたれ部（５３）の前記回転位置が、前記乗員によって快適に使用される範囲内で異なる位置に連続的に又は複数の位置に調節され得ることを特徴とする、請求項１０に記載の車両座席（５１）。
【請求項１２】
前記座部（５２）が前記車両本体に対して固定的に配置されることを特徴とする、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の車両座席（５１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５’−ＴＣＧ２ＴＣＧ２ＴＴＵ１Ｙ−Ｍ−ＹＵ１ＴＴＧ２ＣＴＧ２ＣＴ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴＴＣｏＧ−Ｚ−ＧｏＣＴＴＧ１ＣＡＡＧ１ＣＴ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴＴＣＧ１−Ｙ−ＴＣＴＴＧ１ＣＴＧＴＣＴＴＧ１ＣＴ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴＴＣＧ１−Ｙ−ＴＣＴＴＧ１ＣＴＧＵＣＴ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴｏＴＣｏＧ−ｍ−ＧｏＣＴｏＴＧ１ＣＡＡＧ１ＣＴ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴＴＣｏＧ−Ｙ２−ＧＡＣＴＴＧ２ＣＴＧＡＣ−５’、
５’−ＴＣＧ１ＡＡＣＧ１ＴＴＣＧ１−Ｙ３−ＴＧＴＴＧ１ＣＴＧＴＣＴＴＧ１ＣＴ−５’、および、
５’−ＣＡＧＴＣＧ２ＴＴＣＡＧ−Ｙ２−ＴＣＴＴＧ１ＣＴＧＴＣＴ−５’、
ここで、
Ｇ１＝７−デアザ−ｄＧ、
Ｇ２＝ＡｒａＧ、
Ｇ／Ｃ／Ｕ＝２’−Ｏ−メチルリボヌクレオチド、
ｏ＝ホスホジエステル結合、
ｍ＝ｃｉｓ，ｔｒａｎｓ−１，３，５−シクロヘキサントリオールリンカー、
Ｙ＝１，３−プロパンジオールリンカー、
Ｙ２＝１，４−ブタンジオールリンカー、
Ｙ３＝１，５−ペンタンジオールリンカー、
Ｚ＝１，３，５−ペンタントリオールリンカーである、
からなる群から選択される、免疫調節化合物。
【請求項２】
請求項１に記載の免疫調節化合物および生理学的に許容可能な担体を含む、医薬組成物。
【請求項３】
個体において免疫応答を起こすための医薬組成物であって、薬学的に効果的な量の請求項１に記載の化合物を含む、前記医薬組成物。
【請求項４】
免疫応答の調節が有益な疾患または障害を有する個体を治療的に処置するための医薬組成物であって、薬学的に効果的な量の請求項１に記載の化合物を含む、前記医薬組成物。
【請求項５】
疾患または障害が、癌、自己免疫障害、気道炎症、炎症性障害、感染性疾患、皮膚障害、アレルギー、ぜんそくまたは病原体もしくはアレルゲンに起因する疾患である、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
さらに、１または２以上の化学療法化合物、標的治療剤、ワクチン、抗原、抗体、細胞毒性剤、アレルゲン、抗生物質、アンチセンスオリゴヌクレオチド、ＴＬＲアゴニスト、キナーゼ阻害剤、ペプチド、タンパク質、ＤＮＡワクチン、アジュバント、共刺激性分子またはそれらの組み合わせを含む、請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項７】
免疫応答の調節が有益な疾患または障害を有する個体を予防的に処置するための医薬組成物であって、薬学的に効果的な量の請求項１に記載の化合物を含む、前記医薬組成物。
【請求項８】
疾患または障害が、癌、自己免疫障害、気道炎症、炎症性障害、感染性疾患、皮膚障害、アレルギー、ぜんそくまたは個体中の病原体もしくはアレルゲンに起因する疾患である、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
さらに、１または２以上の化学療法化合物、標的治療剤、ワクチン、抗原、抗体、細胞毒性剤、アレルゲン、抗生物質、アンチセンスオリゴヌクレオチド、ＴＬＲアゴニスト、キナーゼ阻害剤、ペプチド、タンパク質、ＤＮＡワクチン、アジュバント、共刺激性分子またはそれらの組み合わせを含む、請求項７に記載の医薬組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【表１】
2010535242.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
【表１−２】
2010535242.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【表１−３】
2010535242.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表１−４】
2010535242.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表１−５】
2010535242.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従って、刺激、及び刺激属性共鳴を推定するための改善された方法及び装置が望まれて居る。
本発明の一形態によるシステムは、被験者に１つ以上の広告刺激材料又はエンタテインメント刺激材料を与えるように動作可能な刺激提示装置とともに使用されるシステムであって、
刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）として前記１つ以上の広告刺激材料又はエンタテインメント刺激材料への露出に関連する差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定するデータ収集装置と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への被験者共鳴測定値を決定するように動作可能な共鳴評価装置と、を備えるシステムである。
本発明の他の形態による方法は、刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）として１つ以上の広告刺激材料又はエンタテインメント刺激材料への露出に関連する差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定する工程と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への共鳴測定値を決定する工程と、
を備える方法である。
本発明の他の形態による装置は、刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）として１つ以上の広告刺激材料又はエンタテインメント刺激材料への露出に関連する差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定する手段と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への共鳴測定値を決定する手段と、
を備える装置である。
本発明は、また、以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
被験者に刺激材料を与えるように動作可能な刺激提示装置と、
刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定するように動作可能なデータ収集装置と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への被験者共鳴測定値を決定するように動作可能な共鳴評価装置と、
を備えるシステム。
［適用例２］
適用例１に記載のシステムであって、
上記データ収集装置が、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定するために、ターゲット・ディストラクタＥＲＰ測定値を得るように更に動作可能である、システム。
［適用例３］
適用例１に記載のシステムであって、
上記データ収集装置が、前記差分応答のイベント関係時間−周波数解析を獲得し、複数の周波数帯に亘って注意力、感情、及び記憶保持を査定する（ＤＥＲＰＳＰ）ように更に動作可能である、システム。
［適用例４］
適用例３に記載のシステムであって、
上記複数の周波数帯がテータ、アルファ、ベータ、ガンマ、及び高ガンマを含むものである、システム。
［適用例５］
適用例１に記載のシステムであって、
上記刺激材料の属性が、通信、概念、経験、伝言、画像、オーディオ、価格設定、包装を含む、システム。
［適用例６］
適用例１に記載のシステムであって、
前記被験者共鳴測定値が、追加的マーケティング、広告、及びその他の聴覚的／視覚的／触覚的／嗅覚的刺激の為の選択的対象を特定するために使用される、システム。
［適用例７］
適用例１に記載のシステムであって、更に、
前記ＤＥＲＰを決定するように動作可能なデータ解析装置を備える、システム。
［適用例８］
適用例１に記載のシステムであって、
上記データ収集装置が、更に、前記被験者の瞳孔拡張、電気的皮膚応答（ＧＳＲ）、及び心拍数測定値を獲得するように動作可能である、システム。
［適用例９］
適用例１に記載のシステムであって、
前記神経応答データ、が中枢神経系システムデータ及び自律神経系システムデータを含む、システム。
［適用例１０］
適用例１に記載のシステムであって、
前記神経応答データが、中枢神経系システムデータ及び作動体データを含む、システム。
［適用例１１］
適用例１に記載のシステムであって、
注意力、感情、及び記憶保持を含む神経学的及び神経生理学的測定値の組み合わせが、共鳴評価の実施に使用される、システム。
［適用例１２］
適用例１に記載のシステムであって、
前記神経応答データが、複数人の被験者から乾燥電極を有する携帯用脳波記録法（ＥＥＧ）を使用して獲得される、システム。
［適用例１３］
適用例１１に記載のシステムであって、
第一モダリティからの神経応答データが第二モダリティからの神経応答データと整列されて組み合わされるものである、システム。
［適用例１４］
適用例１２に記載のシステムであって、
第一モダリティからの神経応答データの第二モダリティからの神経応答データへの整列が、時間シフト及び位相シフトから成るものである、システム。
［適用例１５］
被験者に刺激材料を与える工程と、
刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定する工程と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への被験者共鳴測定値を決定する工程と、
を備える方法。
［適用例１６］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定するためにターゲット・ディストラクタＥＲＰ測定値を得る工程、
を備える方法。
［適用例１７］
適用例１５に記載の方法であって、更に、
前記差分応答のイベント関係時間−周波数解析を獲得し、複数の周波数帯に亘って注意力、感情、及び記憶保持を査定する（ＤＥＲＰＳＰ）工程、
を備える方法。
［適用例１８］
被験者に刺激材料を与える手段と、
刺激前及び刺激後のイベント関係電位（ＥＲＰ）測定値を含む神経応答データを獲得し、脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定する手段と、
前記刺激材料と前記刺激材料の属性への被験者共鳴測定値を決定する手段と、
を備える装置。
［適用例１９］
適用例１８に記載の装置であって、更に、
脳の複数領域に於けるＥＲＰ時間領域成分の差分測定値（ＤＥＲＰ）を決定するためにターゲット・ディストラクタＥＲＰ測定値を得る手段、
を備える装置。
［適用例２０］
適用例１８に記載の装置であって、更に、
前記差分応答のイベント関係時間−周波数解析を獲得し、複数の周波数帯に亘って注意力、感情、及び記憶保持を査定する（ＤＥＲＰＳＰ）手段、
を備える装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機ナノ粒子含有メラミン−ホルムアルデヒド縮合物に基づく研磨発泡体の製造方法であって、以下の工程：
（１）製造する発泡体の予備縮合物、沸点が０〜８０℃である、少なくとも１種の物理発泡剤と無機ナノ粒子を含む溶液または分散液を調製する工程、
（２）無機ナノ粒子を含む発泡体を得るために、工程（１）からの溶液または分散液を少なくとも６０℃の温度へ加熱して予備縮合物を発泡させる工程、
を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項２】
工程（１）で調製される溶液または分散液が、他の添加成分（Ｚ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
更に、以下の工程
（３）工程（２）で得られた発泡体を１２０〜３００℃の温度で加熱処理する工程、  を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
予備縮合物の発泡工程と発泡体の加熱処理工程が本方法の一工程で行われる請求項３に記載の方法。
【請求項５】
工程（１）の溶液又は分散液が、さらに少なくとも一種の乳化剤及び／又は少なくとも一種のｐＨ調整成分を含む請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
工程（１）の溶液または分散液が、平均粒子径が１０００ｎｍ未満の無機ナノ粒子を含む請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
工程（１）の溶液または分散液が、平均粒子径が１００ｎｍ未満の無機ナノ粒子を含む請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程（１）の溶液または分散液が、二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、マグネタイト、酸化アルミニウム、アルミニウムケイ酸塩、ランタニド酸化物（ただし、いずれの場合も平均粒子径が５〜５０ｎｍである）からなる群の一種以上の化合物から選択される無機ナノ粒子を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
工程（１）の溶液または分散液が、アルカンの群からの少なくとも一種の物理発泡剤を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
工程（２）の加熱が、高温ガス及び／又は高周波照射を使用して行われる請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記無機ナノ粒子成分が実質的に二酸化ケイ素からなる請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
工程（１）の溶液または分散中に存在するナノ粒子成分の量が、予備縮合物の質量に対して０．０１〜５０質量％である請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
工程（１）の溶液または分散中に存在するナノ粒子成分の量が、予備縮合物の質量に対して１〜１０質量％である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（１）の溶液または分散液が、少なくとも一種の発泡剤に加えて、乳化剤とｐＨ調整成分、さらに他の添加成分として、着臭剤及び／又は染料を予備縮合物の質量に対して０．０１〜２質量％の量で含む請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法により製造される研磨発泡体。
【請求項１６】
均一に分布している、平均粒子径が１００ｎｍ未満の無機ナノ粒子を含む請求項１５に記載の研磨発泡体。
【請求項１７】
請求項１５または１６に記載の研磨発泡体を含む成形体。
【請求項１８】
請求項１５または１６に記載の研磨発泡体を含む研磨材。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明の他の実施態様においては、平均粒子径が１０００ｎｍ未満、好ましくは１００ｎｍ未満、例えば１．５ｎｍ〜１００ｎｍ、特に５〜５０ｎｍである無機ナノ粒子を含む溶液または分散液が、工程（１）で用いられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
工程（１）で用いられる無機ナノ粒子は、例えば、二酸化ケイ素や酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化亜鉛、マグネタイト、酸化アルミニウム、アルミニウムケイ酸塩、ランタニド酸化物（好ましくは酸化セリウム）からなる群の一種以上の化合物から選択される。なお、いずれの場合も、平均粒子径が１００ｎｍ未満、特に５〜５０ｎｍであるものが好ましい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
本発明はまた、上記プロセスの一つにより生産されうる、また生産される研磨発泡体を提供する。この研磨発泡体は、一般に、ポリマー組成物中に均一に分布している、平均粒子径が１００ｎｍ未満である無機ナノ粒子を含んでいる。また、これが、いろいろな種類のナノ粒子を、例えば二酸化ケイ素ナノ粒子（例えば、平均粒子径が約１０ｎｍのもの）と酸化セリウムナノ粒子（例えば、平均粒子径が約５ｎｍのもの）とを含んでいてもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
実施例１：研磨材ナノ粒子の添加を伴う予備縮合物の発泡
発泡プロセスにおいて同時に研磨材粒子が発泡体中に添加された変性メラミン樹脂発泡体の生産するために、７０重量部のメラミン−ホルムアルデヒド予備縮合物（モル比：１：１．６）を、３０重量部のコロイド状二酸化ケイ素粒子の水分散液（固体含量：４５重量％、平均粒子径：３０ｎｍ）に溶解し、次いで乳化剤（３重量％のエチレンオキシド単位が２０を超えるエトキシ化脂肪アルコール）とペンタン（１０重量％）、ギ酸（３重量％）とを添加した。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９９】
実施例２：研磨材ナノ粒子の添加を伴う予備縮合物の調製
まず、４リットルの４四つ口フラスコに３６７．４ｇ（６．０ｍｏｌ）のホルムアルデヒド（４９％）と２８０．０ｇの蒸留水を投入し、０．５ｍｌの水酸化ナトリウム溶液（ＮａＯＨ、２５％）を用いてｐＨ８．８に調整した。次いで、３０．８ｇのコロイド状二酸化ケイ素の水分散液（固形分含量：４０％、平均粒子径：約１５ｎｍ）を添加し、続いて４７２．５ｇ（３．７５ｍｏｌ）のメラミンを添加した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨片固定アセンブリであって、
骨片の第１の面に押し当てられるように構成され、第１および第２の周辺端を有する支持プレートと、
前記第１の周辺端から延在する第１の柔軟なストリップセグメントおよび前記第２の周辺端から延在する第２の柔軟なストリップセグメントであって、当該第１および第２の柔軟なストリップセグメントは、前記支持プレートと一体であり、前記支持プレートと共に単一の部品を形成する、第１および第２の柔軟なストリップセグメントと、
骨片の第２の面に押し当てられるように構成され、自身を貫通する第１および第２の開口部を有する閉じプレートであって、前記第１および第２の開口部の各々は、対応する前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントの一方を受け取るように構成され、前記第１および第２の開口部のそれぞれは、当該第１および第２の開口部に付随する第１のインターロック機構であって、当該第１および第２の開口部をそれぞれ通る第１の方向における前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントの通過と移動を可能にしつつ、前記第１の方向とは逆の第２の方向への移動を阻止する第１のインターロック機構を有する、閉じプレートと、
を有し、
当該骨片固定アセンブリが組み立てられた状態のとき、前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントは、前記閉じプレートの前記第１および第２の開口部をそれぞれ貫通して、前記支持プレートと共に閉じたループを形成し、前記閉じプレートは、前記支持プレートに向かう方向において前記第１および第２の柔軟なストリップに沿って移動可能であり、
当該骨片固定アセンブリが組み立てられていない状態のとき、前記第１および第２の柔軟なセグメントおよび支持プレートは、一緒に基本的に平坦な形態を採ることができる、
骨片固定アセンブリ。
【請求項２】
前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントのそれぞれは、前記組み立てられた状態において前記第１および第２の開口部の前記第１のインターロック機構と協働する粗面を有する面を備える、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項３】
前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントのそれぞれは、前記組み立てられた状態において前記第１および第２の開口部の前記第１のインターロック機構と協働するラチェット歯を有する面を備える、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項４】
前記第１のインターロック機構は、前記組み立てられた状態において前記ラチェット歯と係合するタブを備える、請求項３に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項５】
請求項１に記載の骨片固定アセンブリであって、
第１および第２の開口部を有するハンドルをさらに備え、前記ハンドルの前記第１および第２の開口部のそれぞれは、当該第１および第２の開口部に付随する第２のインターロック機構であって、当該第１および第２の開口部をそれぞれ通る第１の方向における前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントの通過と移動を可能にしつつ、前記第１の方向とは逆の第２の方向への移動を阻止する、第２のインターロック機構を有し、
前記組み立てられた状態において、前記ハンドルと前記支持プレートとの間の前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントに前記閉じプレートが配置された状態で、前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントが、それぞれ前記ハンドルの前記第１および第２の開口部を通る、
骨片固定アセンブリ。
【請求項６】
前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントのそれぞれは、前記組み立てられた状態で前記ハンドルの前記第１および第２の開口部の前記第２のインターロック機構と協働する粗面を有する面を備える、請求項５に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項７】
前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントのそれぞれは、前記組み立てられた状態で前記ハンドルの前記第１および第２の開口部の前記第２のインターロック機構と協働するラチェット歯を有する面を備える、請求項５に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項８】
前記第２のインターロック機構は、前記組み立てられた状態で前記ラチェット歯に係合するタブを備える、請求項７に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項９】
前記支持プレートは、前記支持プレートの周囲に入れられた切り込みによって分離される、半径方向に設けられた複数の柔軟な周辺フランジを備える、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項１０】
前記半径方向に設けられた複数の柔軟な周辺フランジの少なくともいくつかが、傾斜面内において半径方向に設けられる、請求項９に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項１１】
前記半径方向に設けられた複数の柔軟な周辺フランジが、外端と内端とを有し、前記外端は前記内端よりも幅が広い、請求項９に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項１２】
前記閉じプレートは、前記閉じプレートにある程度の柔軟性を提供するために、少なくとも１つの部分的に弱くされた横領域を備える、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項１３】
前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントの各々は、前記支持プレートの対応する領域であって、前記支持プレートの他の部分よりも小さい断面を有する対応する領域において前記支持プレートと共に形成されている、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【請求項１４】
請求項１に記載の骨片固定アセンブリであって、第１および第２の端部を有するハンドルをさらに備え、前記組み立てられた状態において、前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントの一部が、それぞれ、前記第１および第２の端部に固定され、前記閉じプレートは、前記ハンドルと前記支持プレートとの間にある前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントに配置される、骨片固定アセンブリ。
【請求項１５】
前記閉じプレートと、前記支持プレートと、前記第１および第２の柔軟なストリップセグメントとは、放射線透過性材料からなる、請求項１に記載の骨片固定アセンブリ。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉのキラルイミンを、水素および不均一銅含有触媒の存在下で転化することによって、式ＩＩのアミンに
【化１】
2011507814.tif 000001
［式中、
Ｒ1、Ｒ2は、独立して、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキルおよびアリールであり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；
Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ4−アルキルであり；
Ｒ4は、アリールであり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表す］ジアステレオ選択的に転化する方法であって、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含む、ジアステレオ選択的に転化する方法。
【請求項２】
前記銅含有触媒が担体物質を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記不均一銅含有触媒が、担体物質として、炭素、あるいは酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、アルミノ珪酸塩、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化マグネシウムまたはこれらの混合物からなる群から選択される多孔質金属酸化物を含む、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記銅含有触媒が非担持触媒である、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記反応が溶媒の存在下または物質内で行われる、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記反応が標準圧力から２００バールまでで行われる、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記反応が室温から反応混合物の還流温度までで行われる、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
式ＩＩ
【化２】
2011507814.tif 000002
のアミンを製造する方法であって、次の工程
ａ）式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと
【化３】
2011507814.tif 000003
反応させ、式Ｉ
【化４】
2011507814.tif 000004
のイミンを生じ、
上記式中、
Ｒ1、Ｒ2は、独立して、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキルおよびアリールであり
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）；
Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ4−アルキルであり；
Ｒ4は、アリールであり；
ならびに
＊はＳまたはＲ立体配置を表し、および
＊＊はＳおよび／またはＲ立体配置を表し、
および次に
ｂ）工程ａ）から得られた式Ｉのイミンを水素および不均一銅含有触媒と反応させ、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含む、式ＩＩのアミンを製造する方法。
【請求項９】
式Ｉのイミンが、酸、あるいは酸化アルミニウム、二酸化チタン、二酸化ジルコニウム、酸化ケイ素および粘土鉱物ならびにこれらの混合物からなる群から選択される不均一触媒の存在下で製造される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
式ＶＩＩＩ
【化５】
2011507814.tif 000005
［式中、
Ｒ1、Ｒ2は、独立して、Ｃ1−Ｃ6−アルキル、Ｃ3−Ｃ6−シクロアルキルおよびアリールである
（但し、Ｒ1基およびＲ2基は互いに異なる）］
のキラルアミンを製造する方法であって、次の工程
ａ）式ＩＩＩのケトンを式ＩＶのアミンと
【化６】
2011507814.tif 000006
反応させ、式Ｉ
【化７】
2011507814.tif 000007
に記載のイミンを製造し、
この場合
Ｒ3は、Ｃ1−Ｃ4−アルキルであり；
Ｒ4は、アリールであり；
ｂ）工程ａ）から得られた式Ｉのイミンを水素および不均一銅含有触媒と反応させ、
前記不均一銅含有触媒が、触媒の全質量に対して、
銅を０．１〜９５質量％；
ニッケル、コバルトおよび亜鉛の群から選択される少なくとも１種の金属を０．１〜８５質量％；
鉄、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、白金、イリジウム、オスミウム、銀、金、モリブデン、タングステン、レニウム、カドミウム、鉛、マンガン、スズ、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム、マグネシウム、バリウム、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレンおよびテルルの群から選択される少なくとも１種の助触媒を０〜１５質量％
（但し、質量％の合計は１００％を超えない）
含み；
ｃ）その後に工程ｂ）から得られた式ＩＩ
【化８】
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のアミンが、水素化分解により開裂されることを特徴とする、式ＶＩＩＩのキラルアミンを製造する方法。
【請求項１１】
前記水素化分解が、白金族金属元素の群から選択される不均一触媒の存在下で、水素により行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記水素化分解が、金属水素化物、または金属水素化物の混合物により行われる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記または前提となる方法段階が、連続的、半連続的または非連続的に行われる、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
水素でキラルイミンをジアステレオ選択的に転化するための、請求項１から１３までのいずれか１項に記載の不均一銅含有触媒の使用であって、前記キラルイミンの式ＩＶのアミンがキラルであり、前記キラルイミンの式ＩＩＩのケトンがプロキラルである、使用。