【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、電荷トラップ層を有するゲート構造体と、
を備え、
前記電荷トラップ層は、
電荷トラップ性ナノ粒子と絶縁性ナノ粒子との複合体から形成されることを特徴とする、電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項２】
前記複合体は、前記電荷トラップ性ナノ粒子と絶縁性ナノ粒子との複合体溶液を固形化して形成され、
前記複合体溶液中の前記電荷トラップ性ナノ粒子と前記絶縁性ナノ粒子とは、有機溶媒を使用する液相合成を通じて互いに混ざりうる界面活性剤で、キャッピングされていることを特徴とする、請求項１に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項３】
前記電荷トラップ性ナノ粒子は、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｈ、Ｉｒ、Ｔａ、Ａｕ、およびＡｇからなる群より選択されたいずれか一つあるいは二種以上の合金からなる金属ナノ粒子、
Ｓｉ、Ｇｅを含む単一元素化合物、及びＳｉＣ、ＳｉＧｅを含む二元素化合物からなる群より選択されたＩＶ族半導体からなるナノ粒子、
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅの二元素化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅの三元素化合物、及びＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅの四元素化合物からなる群より選択されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ粒子、
ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂの二元素化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰの三元素化合物、及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂの四元素化合物からなる群より選択されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子、
ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅの二元素化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅの三元素化合物及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅの四元素化合物からなる群より選択されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体ナノ粒子のうち一つあるいは二種以上からなり、
前記絶縁性ナノ粒子は、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３を含む酸化物ナノ粒子、シリコン窒化物及びシリコンオキシナイトライドを含む窒化物ナノ粒子、Ｃ（ｃａｒｂｏｎ、ｄｉａｍｏｎｄ）、ＩＩ−Ｖ族、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質粒子からなる群より選択されたいずれか一つあるいは二種以上からなることを特徴とする、請求項２に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項４】
前記界面活性剤は、末端にＣＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、末端にＰＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、または末端にＳＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、及び末端にＮＨ２基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケンのうちいずれか一つからなることを特徴とする、請求項３に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項５】
前記界面活性剤は、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、へキシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルアミン、ヘキサデシルアミンからなる群より選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項４に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項６】
前記界面活性剤は、末端にＣＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、末端にＰＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、または末端にＳＯＯＨ基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケン、及び末端にＮＨ２基を持つ炭素数６〜２２のアルカンまたはアルケンのうちいずれか一つからなることを特徴とする、請求項２に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項７】
前記界面活性剤は、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、へキシルホスホン酸、ｎ−オクチルホスホン酸、テトラデシルホスホン酸、オクタデシルホスホン酸、ｎ−オクチルアミン、ヘキサデシルアミンからなる群より選択された少なくともいずれか一つであることを特徴とする、請求項６に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項８】
前記電荷トラップ性ナノ粒子は、
Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｐｈ、Ｉｒ、Ｔａ、Ａｕ、Ａｇからなる群より選択されたいずれか一つあるいは二種以上の合金からなる金属ナノ粒子、
Ｓｉ、Ｇｅを含む単一元素化合物及びＳｉＣ、ＳｉＧｅを含む二元素化合物からなる群より選択されたＩＶ族半導体からなるナノ粒子、
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＺｎＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅの二元素化合物、ＣｄＳｅＳ、ＣｄＳｅＴｅ、ＣｄＳＴｅ、ＺｎＳｅＳ、ＺｎＳｅＴｅ、ＺｎＳＴｅ、ＨｇＳｅＳ、ＨｇＳｅＴｅ、ＨｇＳＴｅ、ＣｄＺｎＳ、ＣｄＺｎＳｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＣｄＨｇＳ、ＣｄＨｇＳｅ、ＣｄＨｇＴｅ、ＨｇＺｎＳ、ＨｇＺｎＳｅの三元素化合物及びＨｇＺｎＴｅ、ＣｄＺｎＳｅＳ、ＣｄＺｎＳｅＴｅ、ＣｄＺｎＳＴｅ、ＣｄＨｇＳｅＳ、ＣｄＨｇＳｅＴｅ、ＣｄＨｇＳＴｅ、ＨｇＺｎＳｅＳ、ＨｇＺｎＳｅＴｅ、ＨｇＺｎＳＴｅの四元素化合物からなる群より選択されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体ナノ粒子、
ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂの二元素化合物、ＧａＮＰ、ＧａＮＡｓ、ＧａＮＳｂ、ＧａＰＡｓ、ＧａＰＳｂ、ＡｌＮＰ、ＡｌＮＡｓ、ＡｌＮＳｂ、ＡｌＰＡｓ、ＡｌＰＳｂ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＩｎＮＳｂ、ＩｎＰＡｓ、ＩｎＰＳｂ、ＧａＡｌＮＰの三元素化合物及びＧａＡｌＮＡｓ、ＧａＡｌＮＳｂ、ＧａＡｌＰＡｓ、ＧａＡｌＰＳｂ、ＧａＩｎＮＰ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＳｂ、ＧａＩｎＰＡｓ、ＧａＩｎＰＳｂ、ＩｎＡｌＮＰ、ＩｎＡｌＮＡｓ、ＩｎＡｌＮＳｂ、ＩｎＡｌＰＡｓ、ＩｎＡｌＰＳｂの四元素化合物からなる群より選択されたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ナノ粒子、
ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅの二元素化合物、ＳｎＳｅＳ、ＳｎＳｅＴｅ、ＳｎＳＴｅ、ＰｂＳｅＳ、ＰｂＳｅＴｅ、ＰｂＳＴｅ、ＳｎＰｂＳ、ＳｎＰｂＳｅ、ＳｎＰｂＴｅの三元素化合物及びＳｎＰｂＳＳｅ、ＳｎＰｂＳｅＴｅ、ＳｎＰｂＳＴｅの四元素化合物からなる群より選択されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体ナノ粒子のうち一つあるいは二種以上からなることを特徴とする、請求項１に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項９】
前記絶縁性ナノ粒子は、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＢａＴｉＯ３、ＣｅＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｉｎ２Ｏ３を含む酸化物ナノ粒子、シリコン窒化物及びシリコンオキシナイトライドを含む窒化物ナノ粒子、Ｃ（ｃａｒｂｏｎ、ｄｉａｍｏｎｄ）、ＩＩ−Ｖ族、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体物質粒子からなる群より選択されたいずれか一つあるいは二種以上からなることを特徴とする、請求項１に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項１０】
前記絶縁性ナノ粒子は、前記電荷トラップ性ナノ粒子よりエネルギーバンドギャップの大きい物質からなることを特徴とする、請求項１に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項１１】
前記ゲート構造体は、
前記基板と前記電荷トラップ層との間のトンネル絶縁膜と、
前記電荷トラップ層上に形成されるブロッキング絶縁膜と、
前記ブロッキング絶縁膜上に形成されるゲート電極と、
をさらに備えることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれかに記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【請求項１２】
前記トンネル絶縁膜と接触するように前記基板に形成された、第１不純物領域及び第２不純物領域をさらに備えることを特徴とする、請求項１１に記載の電荷トラップ型メモリ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電荷トラップ型メモリ素子