Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二酸化ケイ素に優先して基板表面から炭化ケイ素を選択的に除去する化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であり、
（ａ）研磨パッドと水性ＣＭＰ組成物を前記基板表面に接触させる手順と、
（ｂ）前記基板に存在する炭化ケイ素の少なくても一部を前記表面から摩耗させるに十分な時間、前記水性ＣＭＰ組成物の一部を前記研磨パッドと前記基板との間で前記基板に接触した状態に維持しつつ前記基板と前記研磨パッドとの間に相対運動を引き起こす手順とを有し、
前記水性ＣＭＰ組成物が０．１〜５重量パーセントの範囲の濃度で存在する粒子状アルミナドープコロイド状シリカ研磨剤と２〜７の範囲のｐＨを提供する酸性緩衝剤とを含有し、前記水性ＣＭＰ組成物が前記基板表面に存在する二酸化ケイ素の同時的な摩耗よりも速い研磨速度で前記基板表面に存在する炭化ケイ素を摩耗させることができる方法。
【請求項２】
前記酸性緩衝剤が有機酸を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記有機酸がカルボン酸、ホスホン酸または両者の組合せを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記有機酸が、酢酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸、アミノ酸及びカルボン酸のいずれかを含む請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記水性ＣＭＰ組成物が０．５重量パーセント未満の有機物質を含有するいずれかの先行請求項に記載の方法。
【請求項６】
前記酸性緩衝剤が無機酸及びリン酸のいずれかを含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アルミナドープコロイド状シリカが０．１〜２重量パーセントの範囲の濃度で存在する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記アルミナドープコロイド状シリカの平均粒径が４０〜１５０ナノメートルの範囲である請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
前記アルミナドープコロイド状シリカの平均粒径が２０〜１５０ナノメートルの範囲である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記酸性緩衝剤が２〜５の範囲のｐＨを提供する請求項１，２又は８に記載の方法。
【請求項１１】
前記水性ＣＭＰ組成物が界面活性剤と酸化剤を含有しない請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
二酸化ケイ素がＰＥＴＲＯＳ系二酸化ケイ素よりも容易に摩耗できる材料であり、組成物ｐＨが３〜７の範囲である請求項１又は１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物ｐＨが３．５超である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ＣＭＰプロセスにおいて基板表面からの二酸化ケイ素研磨に対する炭化ケイ素研磨の選択比を調節する化学的機械的研磨（ＣＭＰ）方法であり、
（ａ）事前に設定された研磨条件下で粒子状アルミナドープコロイド状シリカ研磨剤と酸性緩衝剤を含む水性ＣＭＰ組成物により炭化ケイ素基板と二酸化ケイ素基板を研磨する手順と、
（ｂ）手順（ａ）において研磨される基板における炭化ケイ素と二酸化ケイ素の研磨速度比を決定する手順と、
（ｃ）二酸化ケイ素に対する炭化ケイ素の研磨速度比を所望により増減させるために研磨パラメータを変更する手順とを含み、
変更される前記研磨パラメータが組成物ｐＨ、前記組成物中の緩衝剤濃度、前記組成物中のシリカ濃度またはそれらの２つ以上の組合せから成る群から選択される方法。
【請求項１５】
変更される前記パラメータが、前記組成物中の緩衝剤濃度、前記組成物のｐＨ、及び、前記組成物中のシリカ濃度のいずれかである請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記粒子状アルミナドープコロイド状シリカ研磨剤が４０〜１５０ナノメートルの範囲の平均粒径を有する請求項１４又は１５に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
ある好適な実施例では、組成物は約０．５重量パーセント未満の有機物質を含有している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５７】
表９には、平均粒径約４０〜５０ｎｍのアルミナドープ二酸化ケイ素を含有する組成物について異なるｐＨ値での炭化ケイ素と二酸化ケイ素の研磨速度を示している。
【表９】
2012511251.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
表９〜１２に示す通り、アルミナドープシリカやヒュームドシリカを含有する組成物は、セリアやアルミナを含有する組成物と比較して二酸化ケイ素に優先して炭化ケイ素を研磨する率が著しく高いことが分かる。事実、セリアを含有する組成物は逆の結果を示しており、炭化ケイ素に優先して二酸化ケイ素を研磨する率が高くなっている。アルミナを含有する組成物は炭化ケイ素と二酸化ケイ素の研磨に関し強い嗜好を示していないが、シリカを含有する組成物と比較して研磨速度は全体的に遅くなっている。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
表１４には、平均粒径約４０〜５０ｎｍのアルミナドープシリカを含有する組成物について異なるｐＨ値と研磨剤濃度での炭化ケイ素と二酸化ケイ素の研磨速度を示している。
【表１４】
2012511251.tif 000002
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
例６
また、炭化ケイ素を含有するウエハの炭化ケイ素研磨速度について、アミノ酸を含む種々の酸性緩衝剤で測定を実施した。炭化ケイ素、ＰＥＴＥＯＳ系二酸化ケイ素およびシラン系二酸化ケイ素（ソフト酸化物）のブランケットウエハを約２重量パーセントのアルミナドープコロイド状シリカ（平均粒径約４０〜５０ｎｍおよびアルミニウム濃度が粒子固体重量で約６５０〜７５０ｐｐｍ）を含む研磨スラリーおよび表１６に示す酸性緩衝剤で研磨した。研磨条件は、ロジテック社製研磨装置ポリテックスＲＥＧ  Ｅ１１２０パッド使用、ダウンフォース＝３ｐｓｉ、プラテン速度＝９０ｒｐｍ、キャリア速度＝８４ｒｐｍ、研磨時間＝６０秒および研磨スラリー流速＝８０ｍＬ／ｍｉｎである。表１６には、緩衝剤、緩衝剤濃度、スラリーｐＨおよび観察された研磨速度を示している。表１６から明らかなように、すべての緩衝剤についてＰＥＴＥＯＳ系二酸化ケイ素研磨に対する炭化ケイ素研磨の選択比が非常に高かった。特に、アミノ酸緩衝剤（グリシン、ベータアラニン、プロリン、グルタミン、フェニルアラニンなど）については、シラン系二酸化ケイ素研磨に対する炭化ケイ素研磨の選択比が顕著に高かった。
【表１６】
2012511251.tif 000003
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
ＰＥＴＥＯＳ系二酸化ケイ素とシラン系二酸化ケイ素の研磨に対する窒化ケイ素と炭化ケイ素の研磨の選択比をさらに評価するため、酢酸を緩衝剤として、および、アルミナドープコロイド状シリカ（４０〜５０ｎｍ、６５０〜７５０ｐｐｍ  Ａｌ）を含有するスラリーを上の例と同一の研磨条件下で異なる緩衝剤と異なる粒子濃度で評価した。その結果は、表１８に示す通りである。
【表１８】
2012511251.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクティブデバイスに接続されたボンディングパッドの下方に複合誘電体領域（ＣＤＲ）を組み込んだ電子素子において、
第１の熱膨張係数を有するとともに、アクティブデバイス領域およびボンドパッド領域を備える半導体基板と、
前記ボンドパッド領域に設けられるとともに、第２の熱膨張係数を有している絶縁性材料からなる、誘電体領域と、
前記誘電体領域内部に設けられ、前記第２の熱膨張係数より低い第３の熱膨張係数を有するさらなる材料からなる介在物と、
前記介在物の上方にある、さらなる誘電体領域と、
前記ボンドパッド領域の上方に設けられ、かつ前記さらなる誘電体領域の上に重なる前記ボンディングパッドであって、前記誘電体領域と前記さらなる誘電体領域は前記介在物を前記基板及び前記ボンディングパッドから電気的に絶縁する、前記ボンディングパッドと、
前記アクティブデバイス領域内に前記複合誘電体領域に隣接して設けられ、相互接続部によって前記ボンドパッドに電気的に接続した第１の端子を有する、アクティブデバイスとを備える、電子素子。
【請求項２】
前記基板は、シリコン、ゲルマニウム、またはその組み合わせからなり、
前記介在物は、非単結晶状態のシリコン、ゲルマニウム、またはその組み合わせからなる、請求項１に記載の電子素子。
【請求項３】
前記介在物は約０．２〜５．０マイクロメートルの範囲の幅を有する、請求項１に記載の電子素子。
【請求項４】
前記介在物は、一定の幅、及び前記介在物の前記幅の約１３〜１６倍の中心線対中心間隔を有する、請求項３に記載の電子素子。
【請求項５】
前記介在物のアスペクト比は約２〜２００の範囲にある、請求項１に記載の電子素子。
【請求項６】
前記介在物は、平面において複数の実質的に平行な刀身のような形状をなしている、請求項１に記載の電子素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
或る機能を行うように構成される端部分と、
ユーザーが操作すると前記端部分にその機能を行わせるハンドル部分と、
複数の場所において患者の特性を同時に感知するように前記端部分に所定の空間アレイで配置される複数のセンサーと、
前記複数のセンサーから信号を受信するように結合され、該信号を処理し、経時的に感知した前記特性を処理することによって前記患者の血流についての空間時間的情報を得るようにプログラムされている処理装置と、
前記患者の血流についての前記空間時間的情報を前記ユーザーへ提示する出力装置と、
を備える、外科用手持ち器具。
【請求項２】
前記外科用手持ち器具は腹腔鏡器具である、請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記処理装置は、前記信号を処理し、前記患者の管腔構造の場所及び向きの空間的情報を得るようにさらにプログラムされている、請求項１に記載の器具。
【請求項４】
前記管腔構造は血管である、請求項３に記載の器具。
【請求項５】
前記空間時間的情報は、前記患者の前記血管を通る血流の方向についての情報を含む、請求項４に記載の器具。
【請求項６】
前記端部分は、前記センサーのアレイが取り付けられる剛性基板を含む、請求項１に記載の器具。
【請求項７】
前記端部分は、前記センサーのアレイが取り付けられる可撓性基板を含む、請求項１に記載の器具。
【請求項８】
前記所定の空間アレイで配置される複数のセンサーは、実質的に矩形のパターンで配置される少なくとも２行のセンサー及び少なくとも２列のセンサーを含む、請求項１に記載の器具。
【請求項９】
前記所定の空間アレイで配置される複数のセンサーのうちの少なくとも１つのセンサーは、圧力を感知するように構成される、請求項１に記載の器具。
【請求項１０】
前記センサーのアレイのうちの少なくとも１つのセンサーは、圧電センサーである、請求項１に記載の器具。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの圧電センサーは、超音波照射を放射すると共にエコー情報を測定するように構成される、請求項１０に記載の器具。
【請求項１２】
前記出力装置は、前記ユーザーに触覚効果を与えるように構成される触覚アクチュエータであり、前記触覚効果は、前記処理装置が得る前記空間時間的情報に関する、請求項１に記載の器具。
【請求項１３】
前記触覚アクチュエータは、前記ユーザーに振動触知フィードバックを与えるように構成される、請求項１２に記載の器具。
【請求項１４】
前記処理装置は前記ハンドル部分内に存在する、請求項１に記載の器具。
【請求項１５】
患者の内部領域の複数の近接する場所において該患者の血液に関する特徴を感知する手段と、
前記複数の近接する場所において感知した前記患者の血液に関する前記特徴を処理し、前記患者の前記血液についての空間的情報を得る手段と、
前記患者の血液に関する前記空間的情報を示す出力を提供する手段と、
を備える、外科用手持ち器具。
【請求項１６】
前記感知する手段は、アレイの場所において前記特徴を感知するように構成され、前記アレイは少なくとも２つの行及び少なくとも２つの列を含む、請求項１５に記載の外科用手持ち器具。
【請求項１７】
前記患者の前記血液についての前記空間的情報は、前記外科用手持ち器具に対する１つ又は複数の血管の向きに関する、請求項１５に記載の外科用手持ち器具。
【請求項１８】
前記処理する手段は、前記患者の前記血液についての空間時間的情報を得るようにさらに構成される、請求項１５に記載の外科用手持ち器具。
【請求項１９】
前記空間時間的情報は、前記外科用手持ち器具に対する１つ又は複数の血管の向きに関し、前記空間時間的情報は、さらに該１つ又は複数の血管を通る血流の方向に関する、請求項１８に記載の外科用手持ち器具。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
修飾ＲＸＸＤモチーフを環状ジグアノシン一リン酸（ｃ−ｄｉ−ＧＭＰ）のためのアロステリック結合部位上に含む、突然変異体ＤＧＣを大規模に産生する方法であって、
好適な宿主細胞における好適なＤＧＣ遺伝子の過発現；および
それによって得られた封入体からのＤＧＣの採取
を含む、産生方法。
【請求項２】
ＤＧＣが、ＧＭＧＧ、ＶＭＧＧ、ＧＧＶＡ、ＧＲＤＣ、ＧＶＧＤ、ＭＥＧＤ、ＧＧＮＨ、ＲＥＳＥ、ＲＮＲＤ、ＲＶＤＳ、ＲＡＧＧ、およびＲＧＱＤから成る群より選択される、修飾ＲＸＸＤモチーフをアミノ酸１５３〜１５６に含む、請求項１に記載の産生方法。
【請求項３】
ＤＧＣが、Ｃ．クレセンタス（Ｃ．ｃｒｅｓｃｅｎｔｕｓ）ＤｇｃＡ（ＣＣ３２８５）アミノ酸配列Ｖ１５３Ｍ１５４Ｇ１５５Ｇ１５６を有する突然変異体ＤＧＣを含む、請求項１または２に記載の産生方法。
【請求項４】
修飾ＲＸＸＤモチーフを含む突然変異体ジグアニル酸シクラーゼ（ＤＧＣ）であって、前記ＤＧＣが請求項１〜３のいずれかに記載の方法によって得られ得る、突然変異体ＤＧＣ。
【請求項５】
ＧＭＧＧ、ＶＭＧＧ、ＧＧＶＡ、ＧＲＤＣ、ＧＶＧＤ、ＭＥＧＤ、ＧＧＮＨ、ＲＥＳＥ、ＲＮＲＤ、ＲＶＤＳ、ＲＡＧＧ、およびＲＧＱＤから成る群より選択される、修飾ＲＸＸＤモチーフをアミノ酸１５３〜１５６に含む、請求項４に記載の突然変異体ＤＧＣ。
【請求項６】
Ｃ．クレセンタス（Ｃ．ｃｒｅｓｃｅｎｔｕｓ）ＤｇｃＡ（ＣＣ３２８５）アミノ酸配列Ｖ１５３Ｍ１５４Ｇ１５５Ｇ１５６を有する、請求項５に記載の突然変異体ＤＧＣ。
【請求項７】
環状ジグアノシン一リン酸（ｃ−ｄｉ−ＧＭＰ）を、酵素的合成によって生産する方法であって、
請求項４〜６のいずれか一項に記載の、或いは請求項１、２または３に記載の方法で作製された突然変異体ジグアニル酸シクラーゼ（ＤＧＣ）をリフォールディングすること；および
前記リフォールディングされた突然変異体ジグアニル酸シクラーゼ（ＤＧＣ）の影響下で、２つのグアノシン三リン酸（ＧＴＰ）分子をカップリングさせてｃ−ｄｉ−ＧＭＰ分子を形成すること
を含む、生産方法。
【請求項８】
ＤＧＣが合成中に補足される、請求項７に記載の生産方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬剤送達デバイス（１）のための駆動機構であって、
‐近位端、及び遠位端を有するハウジング（１３，１７，４０）、
‐薬剤（５）の用量のセッティング中、ハウジングに対して第１の方向に回転し、用量の送達中、第１の方向と反対向きの、ハウジングに対して第２の方向に回転するように適合される回転部材（２１）、
‐用量を送達するため、ハウジングに対して遠位方向に移動するように適合されるピストン・ロッド（１２）、
‐用量の送達中の回転部材の第２の方向への回転運動に従うように適合される、駆動部材（２０）、
‐用量のセッティング中の、第１の方向へのハウジングに対する、駆動部材の回転運動を防止するように適合される停止部材（２６）を含んでなり、
ここで、
‐第２の方向への駆動部材の回転運動が、ハウジングに対して遠位方向へのピストン・ロッドの運動に変換される、
上記駆動機構。
【請求項２】
駆動機構が、用量のセッティング中及び送達中、ハウジング（１３，１７，４０）に対して可動である用量部材（１６，３４，４１）を含み、そしてここでハウジングに対する用量部材の運動が、ハウジングに対する回転部材の回転運動に変換される、請求項１に記載の駆動機構。
【請求項３】
用量部材（１６，３４，４１）が、ハウジング（１３，１７，４０）に対する回転運動に抗して固定される、請求項２に記載の駆動機構。
【請求項４】
駆動部材（２０）及び回転部材（２１）が、共通回転軸周りに回転可能である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項５】
ピストン・ロッド（１２）が、回転軸に沿って、ハウジング（１３，１７，４０）に対して遠位方向に移動する、又はピストンロッド（１２）が回転軸に対して横方向に、ハウジング（１３，１７，４０）に対して遠位方向に移動する、請求項４に記載の駆動機構。
【請求項６】
駆動部材（２０）が、停止部材（２６）と回転部材（２１）の間に配置される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項７】
用量部材（１６，３４，４１）と回転部材（２１）がネジ係合される、
請求項２に、又は請求項２に従属するいずれかの請求項に、記載の駆動機構。
【請求項８】
用量部材（１６，３４，４１）と回転部材（２１）が、用量のセッティングと送達のため、用量部材の運動中、回転軸の周りに枢動する、レバー（５５）により互いに連結される、請求項２に、又は請求項２に従属するいずれかの請求項に、記載の駆動機構。
【請求項９】
駆動機構（２０）と回転部材（２１）が、用量のセッティングのため、第１の方向への回転部材の回転中、回転部材と駆動部材間の相対的回転運動を可能にし、そして用量の送達のため、第２の方向への回転部材の回転中、回転部材と駆動部材間の相対的回転運動を防止するように構成される、第１の一方向性摩擦クラッチ機構によって、互いに連結される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１０】
駆動機構（２０）と停止部材（２６）が、用量のセッティングのため、第１の方向への、回転部材（２１）の回転中、停止部材と駆動部材間の相対的回転運動を防止し、用量の送達のため、第２の方向への回転部材の回転中、停止部材と駆動部材間の相対的回転運動を可能にするように構成される、第２の一方向性摩擦クラッチ機構によって、互いに連結される、請求項１〜９のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１１】
停止部材（２６）が、ハウジング（１３，１７，４０）に対する回転運動に抗して固定される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１２】
停止部材（２６）が、ハウジング（１３，１７，４０）に対して、軸方向に可動である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１３】
‐回転部材（２１）が、回転軸周りを第１の方向に回転するように適合され、
‐駆動部材が、複数の歯（２４）が付いた歯部（２２）を含み、回転部材が、複数の歯（２５）が付いた歯部（２３）を含み、ここで駆動部材の歯部が、回転部材の歯部と対になり、回転部材の歯部の歯と駆動部材の歯部の歯が、回転軸に沿って伸び、
‐駆動部材が、用量のセッティングと送達のため、回転部材の運動中停止部材と回転部材に隣接し、及び
‐回転部材と停止部材が、用量のセッティング中及び送達中、バネ部材（３１）によって与えられる力によって、駆動部材と隣接して保持される、
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１４】
停止部材（２６）が歯部（２７）を有し、駆動部材（２０）がさらなる歯部（２８）を有し、駆動部材の歯部（２２）と駆動部材のさらなる歯部が反対向きに配列される、請求項１３に記載の駆動機構。
【請求項１５】
それぞれの歯部の歯が斜面形状である、請求項１３又は１４に記載の駆動機構。
【請求項１６】
駆動部材（２０）とピストンロッド（１２）が、ピストンロッド（１２）のハウジング（１３、１７、４０）に対する回転運動に変換される、駆動部材（２０）のハウジング（１３、１７、４０）に対する回転運動のため構成され、そしてここで第２の方向への駆動部材の回転運動が、駆動部材（２０）と回転部材（２１）の機械的協働により、ピストンロッドのハウジングに対して遠位方向への動きに変換される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか１項に記載の駆動機構と、薬剤（５）の複数の用量を保持するカートリッジ（４）を含む、薬剤送達デバイス（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の実質的に堅い部分と、第２の実質的に堅い部分と、第１の実質的に堅い部分を第２の実質的に堅い部分に少なくとも部分的に接続し、第１の実質的に堅い部分及び第２の実質的に堅い部分が互いに関して可撓性であるために、第１の実質的に堅い部分と第２の実質的に堅い部分との間に延在する可撓性の接続部材とを有する、呼吸インターフェース装置であって、第１の実質的に堅い部分、第２の実質的に堅い部分及び前記接続部材に一体的に接続される患者接触クッションを更に有する、呼吸インターフェース装置。
【請求項２】
第１の実質的に堅い部分がユーザの鼻部を収容し、第２の実質的に堅い部分がユーザの口の領域を収容する、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項３】
前記接続部材がヒンジ状態様で可撓性である、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項４】
前記接続部材がヒンジメカニズムを含む、請求項３に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項５】
前記ヒンジメカニズムがリビングヒンジを有する、請求項４に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項６】
前記接続部材が、前記呼吸インターフェース装置の正面に対して凹形状、又は前記呼吸インターフェース装置の正面に対して凸形状を持つ、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項７】
前記接続部材が様々な壁厚を持つ、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項８】
前記壁厚が約０．５ｍｍから約３ｍｍの範囲である、請求項７に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項９】
前記接続部材が約６００％から約８００％までの伸び率を持つ材料で構成される、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１０】
前記接続部材がプリーツを含む、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１１】
第３の実質的に堅い部分、第４の実質的に堅い部分、第２の可撓性の接続部材及び第３の可撓性の接続部材を更に有し、第２の可撓性の接続部材は、第１の実質的に堅い部分と第３の実質的に堅い部分との間に延在し、第１の実質的に堅い部分及び第３の実質的に堅い部分を互いに対して可撓性にし、第３の可撓性の接続部材は、第２の実質的に堅い部分と第４の実質的に堅い部分との間に延在し、第２の実質的に堅い部分及び第４の実質的に堅い部分を互いに対して可撓性にし、前記可撓性の接続部材は、また、第３の実質的に堅い部分と第４の実質的に堅い部分との間に延在し、第３の実質的に堅い部分及び第４の実質的に堅い部分を互いに対して可撓性にする、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１２】
前記接続部材が、熱可塑性プラスチック、熱可塑性エラストマ及びこれらの組み合わせからなるグループから選択される材料で構成される、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１３】
ユーザの顔の一部と係合するため第１の実質的に堅い部分に少なくとも部分的に接続されるサポート部材を更に有する、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１４】
第１の実質的に堅い部分が第１の開口部を持ち、第２の実質的に堅い部分が第２の開口部を持つ、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１５】
第１の開口部が排気ポートを有し、第２の開口部が結合装置と結合される、請求項１４に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１６】
第１の開口部が排気バルブに着脱自在に結合され、第２の開口部が結合装置に着脱自在に結合される、請求項１５に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１７】
第１の開口部がキャップに着脱自在に結合され、第２の開口部が結合装置に着脱自在に結合される、請求項１５に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１８】
第２の実質的に堅い部分が前記呼吸インターフェース装置に着脱自在に結合される、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【請求項１９】
第１及び第２の実質的に堅い部分がユーザの口の領域を収容する、請求項１に記載の呼吸インターフェース装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
接着材層は、ストラップの代わりに、又はストラップに加えて使用できる。上述のように、ストラップは、両側上のマスクの上位部分上に、両側上のマスクの下位部分に、一つ以上の位置でマスクに接続される。額サポートを持つマスクに対して、ストラップは、額サポートの両側に取付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
椅子であって、
支持フレームを有し、
着席する人を支持する座部を有し、
着席した人の背中を支持する背もたれ部を有し、前記背もたれ部は、全体として直立した位置と全体としてリクライニングした位置との間で前記支持フレームに対してリクライニング可能であり、
前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の運動に抵抗するよう選択的に稼働可能なリクライニング抵抗機構体を有し、前記リクライニング抵抗機構体は、
第１の椅子コンポーネントに設けられた凹部を有し、
前記第１の椅子コンポーネントに設けられた前記凹部に摺動可能に嵌合するシャトルを有し、前記シャトルの少なくとも一部分は、弾性であると共に前記シャトルが前記凹部の少なくとも一部分中を摺動すると、前記シャトルの前記少なくとも一部が圧縮され、前記シャトルと前記凹部との間の摩擦が前記凹部内における前記シャトルの運動に抵抗するよう構成されており、
第２の椅子コンポーネントに作動的に連結された係合部材を有し、前記係合部材は、前記シャトルに作動上選択的に係合し又は前記シャトルを選択的に解除するよう作動可能であり、
前記係合部材が前記シャトルと作動上選択的に係合すると、前記シャトルと前記第２の椅子コンポーネントの相対運動が抵抗を受け、その結果、前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の運動の際、前記シャトルが前記凹部内で摺動するようになり、前記シャトルと前記凹部との間の摩擦が前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の移動に対して抵抗力を及ぼす、椅子。
【請求項２】
前記係合部材を前記シャトルから解除すると、前記リクライニング抵抗機構体は、前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の移動に対して抵抗力を及ぼさない、請求項１記載の椅子。
【請求項３】
前記係合部材を前記シャトルに作動上選択的に係合させると、前記リクライニング抵抗機構体は又、前記全体としてリクライニングした位置から前記全体として直立した位置に向かう前記椅子の前記背もたれ部の移動に抵抗する、請求項１又は２記載の椅子。
【請求項４】
前記凹部は、第１の係合面を有し、前記リクライニング抵抗機構体は、前記シャトルの一部分が前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の初期リクライニングの際に前記第１の係合面に係合すると、前記係合面が前記シャトルの前記少なくとも一部の第１の部分を圧縮するよう構成されている、請求項１〜３のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項５】
前記凹部は、第２の係合面を有し、前記リクライニング抵抗機構体は、前記シャトルの一部分が前記全体としてリクライニングした位置に向かう前記背もたれ部の初期リクライニングの際に前記第２の係合面に係合すると、前記係合面が前記シャトルの前記少なくとも一部の第２の部分を圧縮するよう構成されている、請求項４記載の椅子。
【請求項６】
前記シャトルの前記少なくとも一部の全圧縮量は、前記シャトルの前記少なくとも一部の前記第１の部分のみが圧縮された場合よりも前記シャトルの前記少なくとも一部の前記第２の部分も又圧縮された場合の方が大きく、それにより、前記シャトルと前記凹部との間の摩擦力が大きい、請求項５記載の椅子。
【請求項７】
前記シャトルの前記少なくとも一部は、前記シャトルの本体部分内に少なくとも部分的に収容された弾性部材を有する、請求項１〜６のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項８】
前記弾性部材の一部は、前記シャトルの前記本体部分から突き出ていて、該一部と前記凹部の表面との摩擦接触をもたらすよう前記凹部の前記表面に接触する、請求項７記載の椅子。
【請求項９】
前記係合部材は、前記第２のコンポーネントに枢着されている、請求項１〜８のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項１０】
前記係合部材と前記シャトルは、相補する係合特徴部を有する、請求項１〜９のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項１１】
前記椅子は、ユーザが前記リクライニング抵抗機構体を稼働させ又は稼働解除することができるようにするアクチュエータを有し、前記アクチュエータは、過荷重保護装置によって前記係合部材に作動的に連結されている、請求項１〜１０のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項１２】
前記アクチュエータは、前記係合部材と前記シャトルの係合位置に対応した稼働位置と、前記係合部材と前記シャトルの離脱位置に対応した稼働解除位置との間で動くことができる、請求項１１記載の椅子。
【請求項１３】
前記係合部材は、前記背もたれ部が前記全体として直立した形態にあると共に前記背もたれ部に実質的に荷重が加えられていない場合にのみ前記シャトルから離脱可能であり、前記過荷重保護装置は、前記アクチュエータが前記稼働解除位置にあるとき、前記係合部材を前記シャトルから離脱位置に向かって付勢するよう構成されており、その結果、前記背もたれ部が前記全体として直立した形態に戻ると共に実質的に荷重が加えられていない場合、前記係合部材は、前記シャトルから離脱するようになる、請求項１２記載の椅子。
【請求項１４】
前記係合部材は、前記背もたれ部が前記全体として直立した形態にあると共に前記背もたれ部に実質的に荷重が加えられていない場合にのみ前記シャトルに係合可能であり、前記過荷重保護装置は、前記アクチュエータが前記稼働位置にあるとき、前記係合部材を前記シャトルとの係合位置に向かって付勢するよう構成されており、その結果、前記背もたれ部が前記全体として直立した形態に戻ると共に前記背もたれ部に実質的に荷重が加えられていない場合、前記係合部材は、前記シャトルに係合するようになる、請求項１２又は１３記載の椅子。
【請求項１５】
前記椅子の前記リクライニング抵抗機構体及び高さ調整機構体を作動させる単一のアクチュエータを有する、請求項１１〜１４のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項１６】
前記コンポーネントの一方は、前記椅子の支持フレームであり、他方の前記コンポーネントは、前記背もたれ部のリクライニング時に動くようになったコンポーネントである、請求項１１〜１５のうちいずれか一に記載の椅子。
【請求項１７】
前記第１のコンポーネントは、前記座部又は座部支持体を含み、前記第２のコンポーネントは、前記支持フレームを含む、請求項１６記載の椅子。
【請求項１８】
前記第１のコンポーネントは、前記支持フレーム及び前記背もたれ部の一方であり、前記第２のコンポーネントは、前記支持フレーム及び前記背もたれ部の他方である、請求項１６記載の椅子。
【請求項１９】
前記椅子は、前記座部又は前記座部支持体を前記背もたれ部のリクライニング動作時に上方へ動かすよう構成されたリクライニング機構体を有し、前記リクライニング機構体は、前記座部支持体の一部分と前記支持フレームを作動的に連結する変形可能な部材を有し、前記リクライニング機構体は、前記椅子の前記背もたれ部をリクライニングさせると、前記変形可能な部材が変形するよう構成されている、請求項１１〜１８のうちいずれか一に記載の椅子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（２）  抽出段階ｄ）を、酵素インキュベーション段階ｃ）より前に行う、（１）に含まれる、本明細書に記載されるとおりの方法。
（３）  段階ｄ）の得られるバニラ抽出物を、溶媒を少なくとも一部取り除くことにより、濃縮する、（１）および（２）のいずれか１つに含まれる、本明細書に記載されるとおりの方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（８）  緑熟バニラ豆のグルコバニリン含有量が、少なくとも６％（ｗｔ／ｗｔ）である、（１）〜（７）のいずれか１つに含まれる、本明細書に記載されるとおりの方法。
（９）  段階ｃ）における酵素の量が、バニラ豆の投入重量の０．００５〜２倍に等しい、（１）〜（８）のいずれか１つに含まれる、本明細書に記載されるとおりの方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バニラ抽出物を形成する方法であって、
ａ）緑熟バニラ豆を砕き、これらを約６５℃〜約１２０℃の乾燥温度で約５〜約２４時間、１０％未満の水分含量に達するまで水分が抜けることのできる環境中においてインキュベートすることにより、乾燥バニラ豆を形成すること、
ｂ）乾燥バニラ豆を粉砕する、または細かく切り刻むこと、
ｃ）乾燥バニラ豆またはその抽出物を、添加剤として供給された１種または２種以上のベータ−グルコシダーゼ酵素とともにインキュベートし、グルコバニリンをバニリンに変換すること、および
ｄ）段階ｃ）の前または後に、乾燥粉砕バニラ豆を、溶媒で抽出すること、
を含む、前記方法。
【請求項２】
抽出段階ｄ）を、酵素インキュベーション段階ｃ）より前に行う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
段階ｄ）の得られるバニラ抽出物を、溶媒を少なくとも一部取り除くことにより、濃縮する、請求項１〜２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
段階ｃ）の混合物を、約４５℃の最高温度で濃縮する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
抽出物の体積を、食品等級の溶媒を添加することによって調節し、バニラ抽出物の所望の濃度を達成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
乾燥温度が、約８０〜約９０℃である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
溶媒が、水、エタノール、ヘキサンまたはこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
緑熟バニラ豆のグルコバニリン含有量が、少なくとも６％（ｗｔ／ｗｔ）である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
段階ｃ）における酵素の量が、バニラ豆の投入重量の０．００５〜２倍に等しい、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
段階ｃ）における温度が、約２０℃〜約８０℃である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
段階ｃ）におけるインキュベーション時間が、１０時間〜２日間である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
段階ｃ）におけるインキュベーション時間が、１６〜２４時間である、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向から前記第１の方向とほぼ垂直な第２の方向までケーブルを経路付けるためのフィッティングであって、
前記ケーブル接触してそのため前記ケーブルを前記第１の方向から経路付けるように配置された内面を画定する壁部であって、前記内面の少なくとも一部が、前記第２の方向とほぼ平行な第１の軸に沿って湾曲している、壁部と、
前記ケーブル接触してそのため前記ケーブルを前記第２の方向に経路付けるように配置された上面を画定する床面であって、前記上面の少なくとも一部が、前記第１の軸とほぼ平行な第２の軸に沿って湾曲している、床面と、
を備え、
第１の前記内面のうちの湾曲した部分が、前記床面の前記上面のうちの湾曲した部分と交差し、そのため、交差部分が前記第１の方向から前記第２の方向まで延びる連続的な湾曲線を画定し、
前記上面の前記部分の湾曲が、前記内面の前記部分の湾曲と前記交差部分の同じ位置を起点とすることを特徴とするフィッティング。
【請求項２】
前記上面の前記部分の湾曲が、前記交差部分の長さに沿って前記内面の前記部分の湾曲とほぼ一致することを特徴とする請求項１に記載のフィッティング。
【請求項３】
前記床面の前記上面から前記第１の軸と平行な方向で突出する第１のフィッティング壁部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のフィッティング。
【請求項４】
前記第１のフィッティング壁部とは反対側にあり、前記第２の軸に関して前記第１のフィッティング壁部から前記床面の反対側に配置された第２のフィッティング壁部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のフィッティング。
【請求項５】
トラフ壁部を有する水平トラフからケーブルを経路付けるためのスピルオーバーフィッティングであって、当該スピルオーバーフィッティングが、
平面的なフィッティング壁部と、
前記フィッティング壁部の底部から延びる湾曲した誘導壁部であって、当該スピルオーバーフィッティングを前記水平トラフに取り付けたときに、前記水平トラフにわたって全体的に上方にかつ隣接して位置付けられるように構成された、誘導壁部と、
前記フィッティング壁部に隣接して位置付けられ、湾曲した前記誘導壁部と交差する湾曲した床面であって、前記誘導壁部と前記床面との交差部分が、前記トラフ壁部の頂部を起点とする、床面と、
を備えることを特徴とするスピルオーバーフィッティング。
【請求項６】
前記誘導壁部と前記床面との交差部分が、捩れた湾曲部であることを特徴とする請求項５に記載のスピルオーバーフィッティング。
【請求項７】
前記フィッティング壁部とほぼ平行な別のフィッティング壁部と、
前記別のフィッティング壁部の底部から延びて湾曲した前記床面と交差する湾曲した別の誘導壁部であって、当該スピルオーバーフィッティングを前記水平トラフに取り付けたときに、前記水平トラフにわたって全体的に上方にかつ隣接して位置付けられるように構成された、別の誘導壁部と、
をさらに備え、
前記別の誘導壁部と前記床面との交差部分が、前記トラフ壁部の頂部を起点とすることを特徴とする請求項５に記載のスピルオーバーフィッティング。
【請求項８】
トラフ壁部を有する水平トラフにある第１の方向から前記第１の方向とほぼ垂直な第２の方向までケーブルを経路付けるためのフィッティングであって、当該フィッティングが、
前記ケーブル接触してそのため前記ケーブルを前記第１の方向から経路付けるように配置された内面を画定する壁部であって、前記内面の少なくとも一部が、前記第２の方向とほぼ平行な第１の軸に沿って湾曲している、壁部と、
前記ケーブル接触してそのため前記ケーブルを前記第２の方向に経路付けるように配置された上面を画定する床面であって、前記上面の少なくとも一部が、前記第１の軸とほぼ平行な第２の軸に沿って湾曲している、床面と、
を備え、
前記内面のうちの湾曲した部分が、前記床面の前記上面のうち湾曲した部分と交差し、そのため、前記第１の方向から前記第２の方向まで延びる連続的な湾曲線を画定し、
前記上面のうちの前記湾曲した部分と前記内面のうちの前記湾曲した部分との交差部分が、前記トラフ壁部の頂部を起点とすることを特徴とするフィッティング。
【請求項９】
前記上面の前記部分の湾曲が、前記交差部分の長さに沿って前記内面の前記部分の湾曲とほぼ一致することを特徴とする請求項８に記載のフィッティング。
【請求項１０】
前記床面の前記上面から前記第１の軸と平行な方向で突出する第１のフィッティング壁部をさらに備えることを特徴とする請求項９に記載のフィッティング。
【請求項１１】
前記第１のフィッティング壁部とは反対側にあり、前記第２の軸に関して前記第１のフィッティング壁部から前記床面の反対側に配置された第２のフィッティング壁部をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載のフィッティング。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
実施例１
Ｒｉｇｉｄｅｘ（登録商標）ＨＤ３８５０ＵＡを除き、Ｅｌｔｅｘ（登録商標）Ａ３１８０ＰＮ１８５２（市場で利用できる溶融粘度指数ＭＩ2２１ｇ／１０ｍｉｎ、密度９５７ｋｇ／ｍ3のポリエチレン）および下表に掲げたすべての他成分を含むようにマスターバッチが形成された。このＲｉｇｉｄｅｘ樹脂（市場で利用できる溶融粘度指数ＭＩ2４．５ｇ／１０ｍｉｎ、密度９３８ｋｇ／ｍ3のポリエチレン）は次の表に掲げた全成分の量を含む処方を与えるようにマスターバッチと混合された。
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月30日(2012.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビームリソグラフィ（ＥＢＬ）を行うための方法において、前記方法は、
基板の表面上にエネルギー感受性レジストを備える前記基板を提供するステップであって、前記レジストは、しきい線量／エネルギーを有する、ステップと、
前記エネルギー感受性レジストに向かって電子ビームを放出することができる電子ビーム源（ＥＢＳ）を提供するステップと、
前記基板上に第１のパターン（Ｐ１）を形成するように第１の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第１のパターンは、前記基板上に第１の方向（Ｄ１）を規定する、ステップと、
前記基板上に第２のパターン（Ｐ２）を形成するように第２の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第２のパターンは、前記基板上に第２の方向（Ｄ２）を規定し、前記第２の方向（Ｄ２）は、前記第１の方向（Ｄ１）と平行ではない、ステップとを含み、
前記第１および前記第２のパターンの露光中に前記エネルギー感受性レジストに届けられるエネルギーおよび／または線量は、前記エネルギー感受性レジストの前記しきい線量／エネルギーが前記第１および前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の重なり部分上で達せられるように大きさを決められ、
前記第１および前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の重なり部分の通過中の前記電子ビームは、前記通過の直前の前記電子ビームのビーム強度および／またはエネルギーと比較して、変わらないビーム強度および／またはエネルギーを有し、
前記第１および／または前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）は、複数の平行線であり、前記第１および／または第２のパターンの前記方向（Ｄ１、Ｄ２）は、前記線の方向によって規定される、方法。
【請求項２】
前記電子ビームの強度および／またはエネルギーはさらに、前記第１および前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の前記重なり部分よりもかなり大きい長さスケールで変わらない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電子ビームは、前記第１または前記第２のパターンを形成するとき、少なくとも前記第１および前記第２のパターンの前記重なり部分を形成するときに前記基板を横断する一定の速度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板上への前記第１および／または第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の形成中の前記電子ビームは、一定の強度および／またはエネルギーを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記電子ビーム源は、１つの電子ビームを提供することができ、前記第１および前記第２のパターンは、前記１つの電子ビームで連続して形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２のパターンの相互に重なる前記重なり部分は、ドットの二次元配列を規定する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ドットの前記二次元配列は、１つ以上の周期で１つ以上の方向に周期的である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ドットは、０．１、１、２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１，０００、または１０，０００ナノメートルの最大寸法を有する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記第１および第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）は、互いに対して９０度シフトされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
第３の方向（Ｄ３）を持つ追加の第３のパターン（Ｐ３）は、前記基板上に形成され、前記第１、前記第２、および前記第３の方向は、互いに対して６０度シフトされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記電子ビーム源（ＥＢＳ）の分解能は、少なくとも０．１、１、２、５、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００、１，０００、または１０，０００ナノメートルである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
電子ビームリソグラフィ（ＥＢＬ）装置であって、前記装置は、電子ビームを放出することができる電子ビーム源（ＥＢＳ）を備え、
前記装置は、基板上に第１のパターン（Ｐ１）を形成するように第１の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第１のパターンは、前記基板上に第１の方向（Ｄ１）を規定する、ステップと、前記基板上に第２のパターン（Ｐ２）を形成するように第２の複数回前記基板を横断して前記電子ビームを相対的に移動させるステップであって、前記第２のパターンは、前記基板上に第２の方向（Ｄ２）を規定し、前記第２の方向（Ｄ２）は、前記第１の方向（Ｄ１）と平行ではない、ステップとによって、前記基板の表面上にエネルギー感受性レジストを備え、前記レジストはしきい線量／エネルギーを有する、関連する基板上にリソグラフィを行うように配置され、
前記第１および前記第２のパターンの露光中に前記エネルギー感受性レジストに届けられるエネルギーおよび／または線量は、前記エネルギー感受性レジストの前記しきい線量／エネルギーが前記第１および前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の重なり部分上で達せられるように大きさを決められ、
前記第１および前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）の重なり部分の通過中の前記電子ビームは、前記通過の直前の前記電子ビームのビーム強度および／またはエネルギーと比較して、変わらないビーム強度および／またはエネルギーを有し、
前記第１および／または前記第２のパターン（Ｐ１、Ｐ２）は、複数の平行線であり、前記第１および／または第２のパターンの前記方向（Ｄ１、Ｄ２）は、前記線の方向によって規定される、装置。
【請求項１３】
請求項１による電子ビームリソグラフィデバイスを制御するためにそれに関連するデータ記憶手段を有する少なくとも１つのコンピュータを備えるコンピュータシステムを可能とするように構成されるコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成24年6月8日(2012.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
偏光を放出する発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
ＩＩＩ族窒化物層上に形成された１つ以上のＩＩＩ族窒化物発光層を備え、該ＩＩＩ族窒化物発光層は、該ＩＩＩ族窒化物発光層によって放出される光の偏光比を０．８より大きい値まで増加させるインジウム（Ｉｎ）含有量を有する、発光ダイオード（ＬＥＤ）。
【請求項２】
前記Ｉｎ含有量は、前記偏光比を０．８より大きい値に増加させるために、該ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加に起因する該ＩＩＩ族窒化物発光層中の歪を増加させる、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、１つ以上の（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）半導体を含む、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ウルツ鉱結晶の無極性方位上にエピタキシャルに調製される、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、ＧａＮ基板またはＧａＮ鋳型上にエピタキシャルに調製される、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記ＧａＮ鋳型は、異種基板上に調製されるＧａＮ層である、請求項５に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ半導体は、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１を伴う、ＧａＮではない、（ＡｌｚＩｎｙＧａｘ）Ｎ基板または鋳型上に調製され、ＧａＮと異なる歪管理のための基盤を設定する、請求項３に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、量子井戸（ＱＷ）構造または二重ヘテロ（ＤＨ）構造を含み、該ＱＷまたはＤＨ構造は、発光活性層を含み、該発光活性層は、該活性層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有する１つ以上の障壁層またはクラッド層の間に埋め込まれている、請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記活性層は、該活性層のＩｎ含有量（ｙ）値より小さいｙ値を有する１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ層の間に埋め込まれている（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、ｘ＋ｙ＝１）を含む、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記活性層は、単一ＱＷ構造または多重ＱＷ構造である、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記活性層は、範囲０＜ｙ≦１内のインジウム（Ｉｎ）含有量ｙを伴うＩｎｙＧａＮを含み、該Ｉｎ含有量は、該活性層中で誘発される歪を制御し、該誘発される歪は、前記偏光の偏光度を制御する、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
前記活性層は、歪を解放する不整合転位の発生を回避するために、臨界厚より薄い、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１３】
前記活性層は、歪を調節するためにＡｌＩｎＧａＮである、請求項８に記載のＬＥＤ。
【請求項１４】
発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法であって、
該方法は、ＩＩＩ族窒化物層上に、１つ以上のＩＩＩ族窒化物発光層を形成することによって、該ＬＥＤから放出される光の偏光度を制御することを含み、該ＩＩＩ族窒化物発光層は、該ＩＩＩ族窒化物発光層によって放出される光の偏光比を０．８より大きい値まで増加させるインジウム（Ｉｎ）含有量を有する、方法。
【請求項１５】
前記制御するステップは、前記ＩＩＩ族窒化物発光層中のインジウム（Ｉｎ）含有量を変化させることにより、誘発される歪を制御することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記ＩＩＩ族窒化物発光層は、１つ以上のＩｎｙＧａＮまたはＧａＮ障壁層の間に埋め込まれている（ＩｎｙＧａｘ）Ｎ（０≦ｘ≦１、０＜ｙ≦１、ｘ＋ｙ＝１）を含み、
前記制御するステップは、該障壁層のＩｎ含有量は不変のまま、該ＩＩＩ族窒化物発光層中のＩｎ含有量（ｙ、０＜ｙ≦１）を変化させることにより、前記誘発される歪を制御することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記障壁層のＡｌ含有量は不変のまま、ＡｌＩｎＧａＮに対する前記ＩＩＩ族窒化物発光層のアルミニウム（Ａｌ）含有量を変化させることにより、歪を調節することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記制御するステップは、前記ＩＩＩ族窒化物発光層のうちの１つ以上のインジウム（Ｉｎ）含有量を増加させることによって、前記偏光度を増加させることを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ｉｎ含有量の増加は、偏光比を増加させるために、前記ＩＩＩ族窒化物層との格子不整合の増加に起因する該ＩＩＩ族窒化物発光層中の歪を増加させる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
発光ダイオード（ＬＥＤ）から光を放出する方法であって、
該方法は、該ＬＥＤのＩＩＩ族窒化物層上に形成された１つ以上のＩＩＩ族窒化物発光層から偏光を放出することを含み、該ＩＩＩ族窒化物発光層は、該ＩＩＩ族窒化物発光層によって放出される光の偏光比を０．８より大きい値まで増加させるインジウム（Ｉｎ）含有量を有する、方法。