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【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面をスプレー処理する装置であって、該装置は、基板（３）が配置可能である支持部材（２）と、処理されかつ該処理のために前記支持部材（２）に配置される基板（３）の表面に流体（４）を供給する少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）とを有し、該第１のスプレーノズル（９０）は、前記基板（３）に対して第１の間隔（９１）を置いて配置されていて、少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）が前記基板（３）に対して第２の間隔（１０１）を置いて配置されていて、前記第１の間隔（９１）に対する前記第２の間隔（１０１）の比が、０．１〜０．８の範囲にあり、前記少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）を通じて、流体（４）の第１の体積流量が最大限通過可能であり、前記少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）を通じて、流体（４）の第２の体積流量が最大限通過可能であり、前記第１の体積流量に対する前記第２の体積流量の比が、０．００５〜０．５の範囲にあることを特徴とする、基板の表面をスプレー処理する装置。
【請求項２】
前記基板（３）は、進入開口（３１）を備えた進入側（３０）から進出開口（３３）を備えた進出側（３２）へと、前記装置を通じて搬送可能であることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記基板（３）は搬送方向に見て、まず前記少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）によってスプレー処理可能であり、次いで前記少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）によってスプレー処理可能であり、次いで前記基板（３）に対して第３の間隔（１１１）を有する少なくとも１つの第３のスプレーノズル（１１０）によってスプレー処理可能であり、前記第３の間隔（１１１）は、前記第２の間隔（１０１）と同一であるか又は前記第２の間隔（１０１）よりも大きいことを特徴とする、請求項２記載の装置。
【請求項４】
前記装置は、前記進入側（３０）を備えた第１の半部（４１）と、前記進出側（３２）を備えた第２の半部（４２）とを有し、前記少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）は、前記装置の第２の半部（４２）にのみ配置されていることを特徴とする、請求項２又は３記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）のうちの１つの第１のスプレーノズルと、前記少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）のうちの１つの第２のスプレーノズルとは、互いに隣り合っていて、かつ前記第１のスプレーノズル（９０）のスプレー範囲が、前記第２のスプレーノズル（１００）のスプレー範囲に触れないように互いに間隔を置いて配置されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか一項記載の装置。
【請求項６】
流体（４）を少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）により、スプレー処理される基板（３）の表面に供給し、前記少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）は、前記基板（３）に対して第１の間隔（９１）を置いて配置されており、流体（４）を、前記基板（３）に対して第２の間隔（１０１）を置く少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）を通じて供給し、前記第１の間隔（９１）に対する前記第２の間隔（１０１）の比が、０．１〜０．８の範囲にあり、前記少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）を通じて、流体（４）の第１の体積流量が最大限通過し、前記少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）を通じて、流体（４）の第２の体積流量が最大限通過し、前記第１の体積流量に対する前記第２の体積流量の比が、０．００５〜０．５の範囲にあることを特徴とする、基板の表面をスプレー処理する方法。
【請求項７】
流体（４）は、オゾンが添加されたエッチング媒体、又は前記基板（３）の表面を活性化する液体を含むことを特徴とする、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記基板（３）を、進入側（３０）から進出側（３２）へと装置を通って搬送し、前記基板（３）を、搬送方向（２０）に見てまず、少なくとも１つの第１のスプレーノズル（９０）によりスプレー処理し、次いで少なくとも１つの第２のスプレーノズル（１００）によりスプレー処理し、次いで前記基板（３）に対して第３の間隔（１１１）を有する少なくとも１つの第３のスプレーノズル（１１０）によりスプレー処理し、前記第３の間隔（１１１）は、前記第２の間隔（１０１）と同一又は前記第２の間隔（１０１）よりも大きいことを特徴とする、請求項６又は７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合層(6)によって製品基板(4)に連結されたキャリア基板(2)から前記製品基板(4)を剥離する装置であって、
フィルム枠(1)と、
前記フィルム枠(1)に連結された可撓性フィルム(3)であり、前記フィルム(3)の接触表面区画(3k)において、前記製品基板(4)を保持する接着層(3s)を有し、前記接触表面区画(3k)を取り囲む、前記フィルム(3)の取付け区画(3b)において、前記フィルム枠(1)に連結された可撓性フィルム(3)と、
前記溶剤(22)を前記溶剤貯留部(20)に送達する送達手段(23)と、
前記キャリア基板(2)から前記製品基板(4)を剥離する剥離手段と、
を備え、
前記接合層(6)を分離するための溶剤(22)を保持する溶剤貯留部(20)であって、前記製品基板(4)及び前記接合層(6)を収容することができる溶剤貯留部(20)が、前記フィルム枠(1)と、前記フィルム(3)とによって、形成されることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記溶剤貯留部(20)が変動可能な容量を有する、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記溶剤(22)が、前記接合層(6)を少なくとも部分的に分離するように、前記接合層(6)を選択的に溶解させる流体手段を備える、請求項1または2の一項に記載の装置。
【請求項４】
前記溶剤貯留部(20)が、前記溶剤(22)が少なくとも前記接合層(6)の分離開始時に、特に前記製品基板(4)の周辺部(4u)領域だけに作用するように形成される、請求項1から3の一項に記載の装置。
【請求項５】
前記剥離手段が、前記キャリア基板(2)に対して作用する力Fsと、前記フィルム枠(1)に対して作用し、かつ前記力Fsに対向する力Ffとを生じるように形成される、請求項1から4の一項に記載の装置。
【請求項６】
前記フィルム(3)が、特に前記力Fsおよび力Ffによって、前記接触表面区画(3k)と、前記取付け区画(3b)との間に位置する剥離区画(3a)において把持することができる、請求項1から5の一項に記載の装置。
【請求項７】
前記溶剤(22)および/または前記接合層(6)に作用し、特に前記フィルム(3)に隣接して、かつ/または前記溶剤(22)中に配置することができる振動発生器(10、10')がある、請求項1から6の一項に記載の装置。
【請求項８】
前記剥離手段が、前記製品基板(4)の前記周辺部(4u)から、前記製品基板(4)の中央部(4z)へと同心状に作用するように形成される、請求項1から7の一項に記載の装置。
【請求項９】
前記溶剤貯留部(20)が、溝形に形成される、請求項1から8の一項に記載の装置。
【請求項１０】
接合層(6)によって製品基板(4)に連結されたキャリア基板(2)から前記製品基板(4)を剥離する方法であって、
フィルム枠(1)と、前記フィルム枠に連結された可撓性フィルム(3)とによって形成され、前記接合層(6)を分離するための溶剤(22)を保持する溶剤貯留部(20)を形成する段階と、
前記製品基板(4)、および前記接合層(6)を、前記溶剤貯留部(20)中に保持する段階と、
前記溶剤(22)を前記溶剤貯留部(20)に送達する段階と、
前記キャリア基板(2)から前記製品基板(4)を分離する段階と
を含む、方法。
【請求項１１】
前記溶剤(22)を用いて、前記接合層(6)によって生じる、前記キャリア基板(2)と、前記製品基板(4)間の連結を少なくとも部分的に分離する、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶剤(22)が、少なくとも前記接合層(6)の分離開始時に、特に前記製品基板(4)の周辺部(4u)領域だけに作用する、請求項10または11に記載の方法。
【請求項１３】
分離が、前記キャリア基板(2)に対して作用する力Fsと、前記フィルム枠(1)に対して作用し、かつ前記力Fsに対向する力Ffとによって行われる、請求項10から12の一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記製品基板(4)の分離が、前記製品基板(4)の前記周辺部(4u)から、前記製品基板(4)の中央部(4z)へと同心状に行われる、請求項10から13の一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月4日(2013.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板（１）から太陽電池を製造する方法であって、
当該シリコン基板は、使用状態において光入射側として使用される第１主面（３）と、背面側として使用される第２主面（４）とを有しており、
前記シリコン基板は、前記第２主面（４）にパッシベーション層を有している、
太陽電池を製造する方法において、
−  前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）に酸化物含有層（５）を被着するステップと、
−  前記酸化物含有層（５）を圧縮するため、および、当該酸化物含有層（５）と前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）との間の境界面を酸化して熱酸化物（６）を形成するため、前記シリコン基板（１）を少なくとも８００℃の温度に加熱するステップとを有し、酸素源によって前記酸化のための酸素が放出される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
Ｏ2およびＨ2Ｏを含むプロセス雰囲気を酸素源として機能させる、
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法において、
前記酸化物含有層を被着して、当該酸化物含有層が、化合物ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＳｉＯaＮbおよびＳｉＯaＣbのうちの少なくともいずれか１つを含んで酸素透過性であるようにし、ただしそれぞれｂ≪ａである、
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）は、ＳｉＯ2を含んでおり、ＣＶＤ法またはＰＥＣＶＤ法により、前記シリコン基板（１）の前記第２主面（４）に被着される、
ことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）には、ハイパーストイキオメトリの酸化物および／または密度の低い酸化物および／または吸湿性酸化物が含まれており、
前記酸化物含有層（５）は、前記酸素源として機能する、
ことを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記ハイパーストイキオメトリの酸化物にはＳｉＯ2+X:Ｈが含まれており、
前記吸湿性酸化物にはＢＳＧ，ＰＳＧおよび／またはＴＥＯＳ酸化物が含まれている、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記シリコン基板（１）の加熱中に当該シリコン基板（１）に発生するシリコン酸化物層を前記第１主面（３）からエッチングによって除去し、前記酸化物含有層（５）の一部を前記第２主面（４）からエッチングによって除去する、
ことを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着した後、前記２つの主面（３）にドーピング材料を拡散注入し、
前記シリコン基板（１）を加熱するステップの間に前記ドーピング材料が前記第１主面（３）に拡散し、前記酸化物含有層（５）は、前記加熱中に前記第２主面（４）のマスキング層として機能する、
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
さらに、前記シリコン基板（１）を加熱する間に発生するドーピング材料−シリコン化合物層を前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）からエッチングによって除去する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物層（５）を被着する前に前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）に表面構造を載置する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着する前に前記第２主面（４）を平坦化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、前記酸化物含有層（５）を被着する前に、前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）をクリーニングする、
ことを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法において、
さらに、ＢＳＦ（Back Surface Field）層（１０）を形成するため、ホウ素またはリンを前記第２主面（４）に拡散または注入し、前記シリコン基板（１）を加熱することによって前記ホウ素またはリンを活性化する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の方法において、
前記２つの主面（３，４）をエッチングした後、ＳｉＮ反射防止層（９）を前記第１主面（３）に被着する、および／または前記第２主面（４）の前記酸化物含有層（５）に被着する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法において、
前記酸化物含有層（５）を被着する前、前記第１主面（３）と前記第２主面（４）とを接続するため、前記シリコン基板（１）を貫通する１つまたは複数のホールを形成する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか１項に記載の方法において、前記酸化物含有層（５）を被着する前につぎのステップを実行する、すなわち
−  ドーピング材料を前記２つの主面（３，４）に拡散注入し、
−  前記第１主面（３）にエミッタ層を形成するため、および、前記第２主面（４）にエミッタ層を形成するため、前記シリコン基板（１）を加熱することによって前記ドーピング材料を当該シリコン基板（１）に拡散注入し、
−  前記シリコン基板（１）を加熱することによって発生するドーピング材料ガラス層を前記第１主面（３）および／または前記第２主面（４）からエッチング除去し、
−  マスキング層としてのＳｉＮ層を前記第１主面（３）に被着し、
−  エッチングによって前記第２主面（４）のエミッタ層を除去し、当該除去中には前記ＳｉＮ層が前記第１主面（３）のマスキング層として機能する、
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項８または１６に記載の方法において、
拡散注入するドーピング材料として、臭化ホウ素を用いてホウ素を拡散注入し、および／または、オキシ塩化リンを用いてリンを拡散注入する、
ことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光灯（３０）に基づいて拡散反射光を発生させる方法であって、
Ａ．連結器（２０）により反射板（１０）を取外し可能に前記発光灯（３０）に固定する手順と、
Ｂ．引張装置（４０）を用いる手順と、を含み、
該引張装置（４０）の一端は、前記反射板（１０）に連結または周回され、その他端は前記連結器（２０）に連結されており、これにより、前記反射板（１０）が弾性的に前へ湾曲されて、拡散反射光を集光することを特徴とする拡散反射光を発生させる方法。
【請求項２】
前記引張装置（４０）は、半透明のソフトライトカバー（４０４）であり、その上端は前記反射板（１０）に連結または周回され、両側も前記反射板（１０）に連結または周回され、下端は前記連結器（２０）に連結されて、拡散反射光を集光することを特徴とする請求項１に記載の拡散反射光を発生させる方法。
【請求項３】
前記引張装置（４０）は造型帯（４０５）であり、その一端は、前記反射板（１０）の上部に連結および／または周回され、他端は前記連結器（２０）に連結されて、拡散反射光を集光することを特徴とする請求項１に記載の拡散反射光を発生させる方法。
【請求項４】
前記手順Ａにおいて、前記反射板（１０）の根部と前記発光灯（３０）の間に連結角度調節装置（９０）を更に設け、前記反射板（１０）と前記発光灯（３０）の連結時の連結角度γの調節に用いることを特徴とする請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の拡散反射光を発生させる方法。
【請求項５】
前記ソフトライトカバー（４０４）のサイズを変更し、または連結器（２０）に連結される高低位置を改変することで、前記反射板（１０）が異なる程度で湾曲され、これにより、等価発光面積を変更させることを特徴とする請求項２に記載の拡散反射光を発生させる方法。
【請求項６】
前記造型帯（４０５）の長さを調節、または連結器（２０）に連結される高低位置を変更することで、前記反射板（１０）が異なる程度で湾曲され、これにより、等価発光面積を変更させることを特徴とする請求項３に記載の拡散反射光を発生させる方法。
【請求項７】
発光灯（３０）を含む拡散反射光発生装置であって、
前記発光灯（３０）の光線を反射する反射板（１０）と、
反射板（１０）と前記発光灯（３０）を一体に連結する連結器（２０）と、
反射板（１０）を弾性的に前へ湾曲させる引張装置（４０）と、を更に含み、
前記反射板（１０）は連結器（２０）を通じて取外し可能に発光灯（３０）に固定されて、前記発光灯（３０）の光線を反射しており、
前記引張装置（４０）の一端は前記反射板（１０）に連結または周回され、他端は前記連結器（２０）に連結され、これにより、前記反射板（１０）が弾性的に前へ湾曲されて、反射板（１０）が円弧面を形成することを特徴とする拡散反射光発生装置。
【請求項８】
前記引張装置（４０）は、半透明のソフトライトカバー（４０４）であり、前記ソフトライトカバー（４０４）の上端は前記反射板（１０）に連結または周回され、かつ、両側も前記反射板（１０）に連結または周回され、その下端は前記連結器（２０）に連結されており、若しくは、前記ソフトライトカバー（４０４）は前記反射板（１０）の外縁部に外嵌することにより、前記反射板（１０）を弾性的に前へ湾曲させ、拡散反射光を集光することを特徴とする請求項７に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項９】
前記引張装置（４０）は造型帯（４０５）であり、その一端は、前記反射板（１０）の上部に連結および／または周回され、他端は前記連結器（２０）に連結されて、拡散反射光を集光することを特徴とする請求項７に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１０】
前記反射板（１０）は、円形、楕円形または多角形であり、その自然状態が平板状態であることを特徴とする請求項７〜請求項９の何れか１項に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１１】
前記反射板（１０）は透かし彫り板であることを特徴とする請求項１０に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１２】
前記反射板（１０）の表面には反射薄膜（１０１）が粘着されていることを特徴とする請求項１１に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１３】
前記反射板（１０）は折畳み式であり、その折畳み部位はヒンジまたは軟性の折畳み可能な材料により連結されていることを特徴とする請求項１０に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１４】
前記連結器（２０）は端部にナイロン製留金、粘着面、弾性係止ボタン、ワンタッチ式ボタンが設けられている結束バンドまたは伸縮帯であり、若しくは、締付構造、ワンタッチ式ネジであることを特徴とする請求項７〜請求項９の何れか１項に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１５】
前記ソフトライトカバー（４０４）のサイズを変更または連結器（２０）に連結される高低位置を改変することで、前記反射板（１０）が異なる程度で湾曲され、これにより、等価発光面積を変更させることを特徴とする請求項８に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１６】
前記造型帯（４０５）の長さを調節または連結器（２０）に連結されている高低位置を変更することで、前記反射板（１０）が異なる程度で湾曲され、これにより、等価発光面積を変更させることを特徴とする請求項９に記載の拡散反射光発生装置。
【請求項１７】
連結角度調節装置（９０）を更に含み、該装置は前記発光板（１０）の根部と発光灯（３０）の間に設けられていることを特徴とする請求項７〜請求項９の何れか１項記載の拡散反射光発生装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ある表面を消毒する方法であって、前記表面に殺菌活性臭素の液状組成物を適用することを含んで成り、前記組成物は（ａ）塩化臭素またはアルカリ金属ジクロロブロマート塩と（ｂ）ｐＨが少なくとも７のスルファミン酸アルカリ金属塩水溶液を、（ｉ）前記組成物中の殺菌活性臭素含有量が少なくとも１００,０００ｐｐｍ（重量／重量）であり且つ（ｉｉ）（ａ）が塩化臭素であるときは前記組成物中の殺菌活性臭素に対する前記スルファミン酸塩の窒素の原子比が０.９３を越え、（ａ）がアルカリ金属ジクロロブロマート塩であるときは前記組成物中の殺菌活性臭素に対する前記スルファミン酸塩の窒素の原子比が１を越える前記組成物を与える量で用いて生成され、こゝで前記組成物のｐＨが少なくとも７であり、該表面は台所のカウンター、浴室のカウンター、壁または床であり、該表面への適用が注ぎ込み、噴霧またはアプリケーターによる適用である方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
アルカリ金属ジクロロブロマート塩を（ａ）として用いる請求項１記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
前記アルカリ金属ジクロロブロマート塩が前以て生成させておいたアルカリ金属ジクロロブロマート塩水溶液であり、そして前記スルファミン酸アルカリ金属塩水溶液が前以て生成させておいたスルファミン酸ナトリウム塩水溶液である請求項１３記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１５】
前記前以て生成させておいたアルカリ金属ジクロロブロマート塩水溶液が前以て生成させておいたナトリウムジクロロブロマート塩水溶液である請求項１４記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
フッ素系ポリマーを表面および表面近傍の固体領域に有する基体材料と他の材料との接合複合体の製造方法において、最初に、フッ素系ポリマーである基体材料（１）の表面近傍の固体領域にナノ岩礁を持つナノ破損した表面構造を生じさせ、ナノ破損された表面（２）をイオン衝撃および／またはイオン照射および／またはプラズマ照射および／または電子線照射および／またはレーザー照射法によって活性化しそしてその直後に、ポリマー分子がエネルギー的に、すなわち物理的におよび／または化学的に励起状態にある期間内にまたは活性化と交互にまたは活性化に並行してＰＶＤ−法および／またはＣＶＤ−法によっておよび／またはカソードスパッタリングによって他の材料の微粒子状での被覆を、僅かな活性表面エネルギーを持つポリマー化合物である基体材料（１）の表面が他の材料での完全な被覆が達成されるまで、行うことを特徴とする、上記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気セルであって、
スピントルクによって切換え可能な強磁性の自由層と、第１の強磁性のピン留めされた参照層とを備え、前記自由層と前記参照層との各々は、平面外磁気異方性と平面外磁気配向とを有し、
前記自由層と前記参照層との間の第１の酸化物バリア層と、
前記第１の酸化物バリア層と前記強磁性の自由層との間の第１の強化層とをさらに備え、前記第１の強化層は前記磁気セルの磁気抵抗を高めるとともに、前記強磁性の自由層と磁気的に結合し、
前記第１の強化層の磁気配向は、平面外磁気配向から傾いており、
前記自由層に近接した、約５００Ｏｅ未満の低い磁気異方性場を有する強磁性のアシスト層をさらに備え、前記強磁性の自由層は、前記強磁性のアシスト層と前記第１の強化層との間にあり、前記強磁性のアシスト層の磁気配向は、前記磁気セルを通って流れる書込電流によって回転し、この磁気配向は、前記書込電流の方向に従って前記自由層の磁気を配向させることを助ける、磁気セル。
【請求項２】
前記アシスト層は、平面内磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項３】
前記アシスト層は、平面外磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項４】
前記アシスト層は、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｆｅうちの少なくとも１つ、またはそれらの合金を備える、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項５】
前記アシスト層は、約１０００ｅｍｕ／ｃｃ未満の磁気モーメントを有する、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項６】
平面外磁気異方性と平面外磁気配向とを有する第２のピン留めされた参照層をさらに備え、
前記アシスト層は前記自由層と前記第２のピン留めされた参照層との間にある、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項７】
第２の強化層をさらに備え、前記第２の強化層は、前記酸化物バリア層と前記第１のピン留めされた参照層との間に位置する、請求項６に記載の磁気セル。
【請求項８】
前記第２のピン留めされた参照層に近接する第３の強化層をさらに備える、請求項７に記載の磁気セル。
【請求項９】
前記アシスト層と前記第３の強化層との間の第２の酸化物バリア層をさらに備える、請求項８に記載の磁気セル。
【請求項１０】
前記アシスト層と前記自由層との間の導電性の非強磁性スペーサ層を備える、請求項６に記載の磁気セル。
【請求項１１】
前記アシスト層と前記自由層との間の電気的絶縁性のスペーサ層を備える、請求項６に記載の磁気セル。
【請求項１２】
前記磁気セルを通して電流を流すことにより、前記アシスト層の前記磁気配向は、平面内から少なくとも１０°である、請求項６に記載の磁気セル。
【請求項１３】
前記磁気セルは、磁気トンネル接合メモリセルである、請求項６に記載の磁気セル。
【請求項１４】
磁気セルに書込む方法であって、
請求項１に記載の磁気セルに電流を通すステップを備え、前記電流は電子の流れの方向を有し、
前記電子の流れの方向に、前記アシスト層の磁気配向を回転させるステップと、
前記自由層および前記強化層の前記磁気配向を、前記電子の流れの方向に配向させるステップとをさらに備え、
前記配向させるステップは、前記強化層の前記磁気配向を、平面外磁気配向から傾かせるステップを備える、方法。
【請求項１５】
平面外異方性および磁気配向を有する第２の参照層に電流を通すステップをさらに備える、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
アシスト層の磁気配向を回転させるステップは、前記磁気配向を、平面内から少なくとも１０°回転させるステップを備える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動通信システムのローカルゲートウェイ（Local GateWay；ＬＧＷ）と共に配置された（collocated）ホーム基地局（Home enhanced Node Base Station；ＨｅＮＢ）におけるローカルインターネットプロトコルアクセス（Local Internet Protocol Access；ＬＩＰＡ）サポート方法であって、
前記ＨｅＮＢが端末からサービス要請を受信するステップと、
前記ＨｅＮＢが前記ＬＧＷの情報を含む制御メッセージを移動性管理エンティティー（Mobility Management Entity；ＭＭＥ）に転送するステップ、を含み、
前記制御メッセージは、前記ＬＧＷと前記ＨｅＮＢとの間に直接経路（direct path）を可能（enable）であるように設定することを特徴とする、サポート方法。
【請求項２】
前記ＬＧＷが前記端末のためのダウンリンクパケットを受信するステップと、
前記ＬＧＷが前記端末が遊休（Idle）モードにある時、前記ＭＭＥが前記端末にページングすることを開始（triggering）するようにするために、前記受信したダウンリンクパケットをサービングゲートウェイ（ＳＧＷ）に転送するステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のサポート方法。
【請求項３】
前記ＬＧＷが前記端末のためのダウンリンクパケットを受信するステップと、
前記ＬＧＷが前記端末が連結（connected）モードの時、前記受信したダウンリンクパケットを前記ＬＧＷから前記ホーム基地局にフォーワーディングするステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のサポート方法。
【請求項４】
前記ＬＧＷの情報は、前記ＬＧＷのアドレス（address）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のサポート方法。
【請求項５】
前記制御メッセージは、初期端末メッセージ（initial UE message）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のサポート方法。
【請求項６】
前記制御メッセージは、前記ＨｅＮＢから前記ＭＭＥにＳ１−ＭＭＥインターフェースを介して転送されることを特徴とする、請求項１に記載のサポート方法。
【請求項７】
移動通信システムのローカルインターネットプロトコルアクセス（Local Internet Protocol Access；ＬＩＰＡ）サポート装置であって、
ローカルゲートウェイ（Local GateWay；ＬＧＷ）と、
前記ＬＧＷと共に位置（collocated）し、端末からサービス要請を受信し、前記ＬＧＷの情報を含む制御メッセージを移動性管理エンティティー（Mobility Management Entity；ＭＭＥ）に転送するホーム基地局（Home enhanced Node Base Station；ＨｅＮＢ）と、を含み、
前記制御メッセージは前記ＬＧＷと前記ＨｅＮＢとの間に直接経路（direct path）を可能（enable）であるように設定することを特徴とする、サポート装置。
【請求項８】
前記ＬＧＷは前記端末のためのダウンリンクパケットを受信し、前記端末が遊休（Idle）モードにある時、前記ＭＭＥが前記端末にページングすることを開始（triggering）するようにするために、前記受信したダウンリンクパケットをサービングゲートウェイ（ＳＧＷ）に転送することを特徴とする、請求項７に記載のサポート装置。
【請求項９】
前記ＬＧＷは前記端末のためのダウンリンクパケットを受信し、前記端末が連結（connected）モードの時、前記受信したダウンリンクパケットを前記ＬＧＷから前記ホーム基地局にフォーワーディングすることを特徴とする、請求項７に記載のサポート装置。
【請求項１０】
前記ＬＧＷの情報は、前記ＬＧＷのアドレス（address）を含むことを特徴とする、請求項７に記載のサポート装置。
【請求項１１】
前記制御メッセージは、初期端末メッセージ（initial UE message）を含むことを特徴とする、請求項７に記載のサポート装置。
【請求項１２】
前記制御メッセージは、前記ＨｅＮＢから前記ＭＭＥにＳ１−ＭＭＥインターフェースを介して転送されることを特徴とする、請求項７に記載のサポート装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重搬送波を支援する端末が主搬送波を管理する方法であって、
基地局から主搬送波変更命令を受信するステップと、
前記主搬送波をサービング主搬送波から目標主搬送波に変更するステップと、を含み、
前記主搬送波変更命令は、目標主搬送波インデックスと、サービング主搬送波の次状態表示および前記主搬送波変更のための動作時間のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする管理方法。
【請求項２】
前記変更するステップは、
前記目標主搬送波が活性化状態の場合、スキャニング作業なしに行われ、
前記目標主搬送波が非活性化状態の場合、前記目標主搬送波をスキャニングした後に行われることを特徴とする請求項１に記載の管理方法。
【請求項３】
前記主搬送波変更命令に対する受信確認を前記基地局に送信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の管理方法。
【請求項４】
多重搬送波を支援する基地局が主搬送波を管理する方法であって、
サービング主搬送波を用いて前記端末と制御信号の送受信を行うステップと、
前記主搬送波を前記サービング主搬送波から目標主搬送波に変更するために端末に主搬送波変更命令を送信するステップと、を含み、
前記主搬送波変更命令は、目標主搬送波インデックスと、サービング主搬送波の次状態表示および前記主搬送波変更のための動作時間のうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする管理方法。
【請求項５】
前記目標主搬送波が非活性化状態の場合、前記目標主搬送波に対するスキャニングを要請するステップと、
前記端末から前記スキャニング結果の報告を受けるステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の管理方法。
【請求項６】
前記端末からスキャニング要請ＡＡＩ＿ＳＣＮ＿ＲＥＱメッセージを受信するステップと、
前記端末にスキャニング応答ＡＡＩ＿ＳＣＮ＿ＲＳＰメッセージを送信するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の管理方法。
【請求項７】
前記ＡＡＩ＿ＳＣＮ＿ＲＥＱメッセージは、スキャニング間隔情報および前記スキャニングのために用いられる活性化搬送波のキャリアインデックスフィールドを含み、
前記ＡＡＩ＿ＳＣＮ＿ＲＳＰメッセージは、スキャニング間隔情報および前記スキャニングのために用いられる活性化搬送波のキャリアインデックスフィールドを含むことを特徴とする請求項５に記載の管理方法。
【請求項８】
前記主搬送波変更命令は、搬送波管理命令ＡＡＩ＿ＣＭ＿ＣＭＤメッセージによって受信されることを特徴とする請求項４に記載の管理方法。
【請求項９】
前記ＡＡＩ＿ＣＭ＿ＣＭＤメッセージは、レンジング指示子フィールドを含むことを特徴とする請求項８に記載の管理方法。
【請求項１０】
前記サービング主搬送波の次状態フィールドが「１」に設定されている場合、変更される前の前記サービング主搬送波は、前記変更するステップの後に補助搬送波として活性化を維持し、
前記サービング主搬送波の次状態フィールドが「０」に設定されている場合、前記サービング主搬送波は、前記変更するステップの後に非活性化されることを特徴とする請求項９に記載の管理方法。
【請求項１１】
前記変更するステップの後に、
前記サービング主搬送波の新たな搬送波インデックスは、前記目標主搬送波の前の搬送波インデックスに割当てられ、
前記目標主搬送波の新たな搬送波インデックスは、前記サービング主搬送波の前の搬送波インデックスに割当てられることを特徴とする請求項１０に記載の管理方法。
【請求項１２】
前記動作時間フィールドが示す時間まで、前記目標主搬送波にデータおよび制御情報の受信準備を完了するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の管理方法。
【請求項１３】
前記動作時間フィールドが示す時間前に、前記レンジング指示子フィールドによってレンジングを行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の管理方法。
【請求項１４】
前記ＡＡＩ＿ＣＭ＿ＣＭＤメッセージは、前記主搬送波の変更、補助搬送波の活性化および非活性化状態の変更のうちの少なくとも１つの動作を区分するために用いられる動作コードフィールドを含むことを特徴とする請求項８に記載の管理方法。
【請求項１５】
サービング主搬送波から目標主搬送波に前記主搬送波が変更されたことを知らせるメッセージを前記端末から受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の管理方法。
【請求項１６】
前記主搬送波が変更されたことを知らせるメッセージを前記端末から受信するステップは、
前記目標主搬送波が非活性化の場合に行われることを特徴とする請求項１５に記載の管理方法。
【請求項１７】
前記主搬送波が変更されたことを知らせるメッセージは、搬送波変更表示ＡＡＩ＿ＣＣ＿ＩＮＤメッセージによって受信されることを特徴とする請求項１５に記載の管理方法。
【請求項１８】
前記端末から前記主搬送波変更要請を受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の管理方法。
【請求項１９】
前記主搬送波変更要請は、搬送波変更要請ＡＡＩ＿ＣＣ＿ＲＥＱメッセージによって伝達され、前記ＡＡＩ＿ＣＣ＿ＲＥＱメッセージは、前記目標主搬送波の候補リストを含むことを特徴とする請求項１８に記載の管理方法。
【請求項２０】
前記主搬送波変更命令に対する受信確認を前記端末から受信するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を含み、ナノ粒子の少なくとも一部は、電荷中性状態である、光学部品。
【請求項２】
光学材料が、ナノ粒子が分散した母材をさらに含む、請求項１に記載の光学部品。
【請求項３】
光学材料がその上に配置された表面を有する基板をさらに含む、請求項１に記載の光学部品。
【請求項４】
ナノ粒子の少なくとも一部は、電荷中性状態であり、光学材料は、少なくとも部分的にカプセル化される、請求項１に記載の光学部品。
【請求項５】
光学材料が、対向する基板の間に少なくとも部分的にカプセル化される、請求項４に記載の光学部品。
【請求項６】
光学材料が、完全にカプセル化される、請求項４に記載の光学部品。
【請求項７】
光学材料が、端部または周辺シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に酸素不透過性である材料を含む、請求項６に記載の光学部品。
【請求項８】
光学材料が、端部または周辺シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に水不透過性である材料を含む、請求項６に記載の光学部品。
【請求項９】
光学材料が、端部または周辺シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に酸素および水不透過性である材料を含む、請求項６に記載の光学部品。
【請求項１０】
光学材料が、基板上に配置され、光学材料が、バリア材料を含むコーティングにより被覆される、請求項６に記載の光学部品。
【請求項１１】
バリア材料が、実質的に水不透過性である材料を含む、請求項１０に記載の光学部品。
【請求項１２】
バリア材料が、実質的に酸素不透過性である材料を含む、請求項１０に記載の光学部品。
【請求項１３】
量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を含む光学部品に、前記ナノ粒子の少なくとも一部上の電荷を中和するのに十分な期間光束を照射するステップを含む、量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含む光学材料を含む光学部品を処理するための方法。
【請求項１４】
光学材料が、光学材料の光ルミネセンス効率を照射前の値の少なくとも１０％増加させるのに十分な期間照射される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
光学部品が、酸素を含む雰囲気中で照射される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
光学部品が、不活性雰囲気中で照射される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
光学部品が、照射されている間に少なくとも部分的にカプセル化される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
光学材料が、完全にカプセル化される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
光学材料が、シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に酸素不透過性である材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
光学材料が、シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に水不透過性である材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
光学材料が、シールにより互いにシールされた対向する基板の間にカプセル化され、基板およびシールのそれぞれは、実質的に酸素および水不透過性である材料を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
光束が、１０ｍＷ／ｃｍ２から１００ｍＷ／ｃｍ２である、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
光学材料が、２５℃から８０℃の範囲内の温度にある間に照射される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２４】
光学材料が、ナノ粒子が分散した母材をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２５】
量子閉じ込め半導体ナノ粒子を含み、前記ナノ粒子の少なくとも一部は、電荷中性状態である、光学材料。
【請求項２６】
ナノ粒子が分散した母材をさらに含む、請求項２５に記載の光学材料。
【請求項２７】
光散乱物質をさらに含む、請求項２５に記載の光学材料。
【請求項２８】
ナノ粒子の少なくとも８０％が、電荷中性状態である、請求項１に記載の光学部品。
【請求項２９】
光学材料が、少なくとも７０％の光ルミネセンス効率を有する、請求項１に記載の光学部品。
【請求項３０】
少なくとも７０％の光ルミネセンス効率を有する、請求項２５に記載の光学材料。
【請求項３１】
光学材料が、３６５ｎｍから４８０ｎｍの範囲内の発光を含む光源により照射される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノードと、上記ノードとでマスタ・スレーブの関係を構成するコントローラと、１台以上のユーザ端末と、を含むモバイルネットワークであって、
上記コントローラは、上記ユーザ端末から受信したリクエストに基づいて、上記ノードの状態をスタンバイモードおよびアクティブモードのいずれかのモードに制御可能である、
ことを特徴とするモバイルネットワーク。
【請求項２】
上記モバイルネットワークは、さらに、一時的なＩＤ（temporary identification）を上記ノードに割当て可能なリレーゲートウェイを備えており、
上記リレーゲートウェイは、上記ノードを上記コントローラに割当てる、
ことを特徴とする請求項１に記載のモバイルネットワーク。
【請求項３】
上記ノードは、単独で、または上記コントローラから促されて、上記ネットワークに参加するための接続処理を呼び出すことが可能である、
ことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項に記載のモバイルネットワーク。
【請求項４】
上記モバイルネットワークは、サービスゲートウェイを含んでおり、
該ノードは、上記サービスゲートウェイとのインターフェースを維持することにより、ユーザプレーンのトラフィックだけをリレーする、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のモバイルネットワーク。
【請求項５】
無線ネットワーク内の無線リソースに対して動的な設定を行うシステムであって、
上記ネットワークは、セルに関連するトランシーバと、１以上のノードと、１台以上のユーザ端末と、を含んでおり、
上記１台以上のユーザ端末は、上記トランシーバとの間で無線通信を行うことが可能であり、
上記ネットワークは、上記１台以上のユーザ端末からのリクエストを解析可能であり、
上記ネットワークは、上記リクエストに基づいて、上記１台以上のユーザ端末からのリクエストを上記トランシーバがハンドリング可能か否かを判定し、ハンドリング可能でないと判定した場合には上記１以上のノードの中から最適なノードを選択するように構成されており、
上記ネットワークは、上記１台以上のユーザ端末からのリクエストをハンドリングする最適なノードを上記１以上のノードの位置と上記１以上のノードの信号強度とに基づいて選択することで、上記最適なノードを選択する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項６】
上記１以上のノードは、使用されていない間はスタンバイモードに維持される、
ことを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
ロング・ターム・エボリューション（ＬＴＥ）またはロング・ターム・エボリューション・アドバンス（ＬＴＥ−Ａ）のネットワークにおける無線アクセスノードであって、
上記ネットワークは、マスタノードと、サービスゲートウェイと、１台以上のユーザ端末と、を含み、
上記無線アクセスノードは、上記マスタノードによって有効化および無効化が行われ、さらに、ユーザトラフィックをハンドリングするために上記サービスゲートウェイとのインターフェースを維持するように動作可能である、
ことを特徴とする無線アクセスノード。
【請求項８】
上記ネットワークは、さらに、ＭＭＥを含んでおり、
上記無線アクセスノードは、上記ＭＭＥとインターフェースで接続しない、
ことを特徴とする請求項７に記載の無線アクセスノード。
【請求項９】
無線ネットワークにおけるユーザ装置のハンドオーバー方法であって、
上記ネットワークは、制御ノード、第１のノード、および第２のノードを含む複数のノードと、ユーザ端末と、を含んでおり、
上記ユーザ端末は、該ユーザ端末が上記制御ノードにキャンプオンした上でサービス要求を開始する動作が可能となるように、上記制御ノードと上記第１のノードと上記第２のノードとでオーバーラップするサービス領域に配置されており、
上記制御ノードは、上記サービス要求を受信すると、上記ユーザ端末からの無線通信セッションのリクエストを検査可能であり、
上記制御ノードは、上記ユーザ端末の上記通信セッションを上記第１のノードがサポートできないことを確認した場合には、上記複数のノードの中でハンドオーバーに最適なノードとしての上記第２のノードに上記リクエストをハンドオーバーする、
ことを特徴とするハンドオーバー方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂と不織布材料とを含む誘電体層を有する受動電気物品を含む、物品。
【請求項２】
２枚の導電性基材を用意する工程と、
各導電性基材の表面に樹脂をコーティングする工程と、
前記導電性基材の前記樹脂コーティングされた表面の間に不織布材料を用意する工程と、
前記樹脂コーティングされた導電性基材と前記不織布材料とを共に積層する工程と、を含む、電気物品の製造方法。
【請求項３】
第１の導電性基材の表面に樹脂層をコーティングする工程と、
第２の導電性基材の表面に不織布材料を形成する工程と、
前記樹脂層と不織布材料が互いに対向した状態で、前記導電性基材を共に積層する工程と、を含む、電気物品の製造方法。
【請求項４】
第１及び第２の導電性基材の一方又は両方の第１の表面に不織布材料を形成する工程と、
両方の導電性基材の前記第１の表面に樹脂層をコーティングする工程と、
樹脂コーティングされた第１の表面が互いに対向した状態で、前記導電性基材を共に積層する工程と、を含む、電気物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポートに結合された、第１の信号帯域内の信号をフィルタリングする帯域除去フィルタと、
前記帯域除去フィルタと第２のポートとの間に結合された、前記第１の信号帯域内の信号をフィルタリングする並列共振回路と、
前記第２のポートと参照電位源との間に直列に結合された直列共振回路および抵抗器と、を有し、前記第２のポートのインピーダンスが、前記抵抗器の値の調節に応答して前記第１の信号帯域内で調節される、フィルタ装置。
【請求項２】
前記帯域除去フィルタは、
第１のインダクタおよび第１のコンデンサを含む第１の回路と、
前記第１の回路の入力部を前記参照電位源に直列に結合する、第２のインダクタおよび第２のコンデンサと、
前記第１の回路の出力部を前記参照電位源に直列に結合する、第３のインダクタおよび第３のコンデンサと、を含む、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
前記第１のポートは衛星信号源に結合される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項４】
前記第２のポートは信号スプリッタに結合される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項５】
第１の周波数帯域の前記共振回路の出力部におけるインピーダンスが、前記第２のポートを接地に直列に結合する前記インダクタ、コンデンサおよび抵抗器が取り除かれたフィルタのインピーダンスより高い、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項６】
前記第１のポートは信号源に結合され、前記第２のポートはビデオ・ネットワーク内で信号を分配する信号スプリッタに結合される、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項７】
前記フィルタ装置は少なくとも１つの周波数帯域において双方向通信を容易にする、請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項８】
ビデオ信号を受信する第１のノード、第１のプロセッサに結合された第２のノード、および第２のプロセッサに結合された第３のノードを有する信号スプリッタと、
前記第２のノードと前記第３のノードとの間で通信信号を結合する信号経路であって、前記第２のノードと前記第３のノードとの間の前記ビデオ信号の結合を妨げるようにさらに作用する前記信号経路と、
前記第１のノードと前記ビデオ信号の源との間に結合された、前記第２のノードおよび前記第３のノードのうちの少なくとも１つから前記ビデオ信号の前記源への前記通信信号の結合を妨げるフィルタであって、当該フィルタは、第１のポートに結合された、第１の信号帯域内の信号をフィルタリングする帯域除去フィルタと、前記帯域除去フィルタと第２のポートとの間に結合された、前記第１の信号帯域内の信号をフィルタリングする並列共振回路と、前記第２のポートと参照電位源との間に直列に結合された直列共振回路および抵抗器と、を含んでおり、前記第２のポートのインピーダンスが、前記抵抗器の値の調節に応答して前記第１の信号帯域内で調節される、前記フィルタと、
を有する、信号処理装置。
【請求項９】
前記帯域除去フィルタによって減衰させられる周波数の範囲は約５５０ＭＨｚを中心としている、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１０】
前記帯域除去フィルタは、４７５ＭＨｚから６５０ＭＨｚを含む周波数範囲において実質的な減衰を生じさせる、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１１】
前記ビデオ信号の前記源は衛星信号源に結合される、請求項８に記載の信号処理装置。
【請求項１２】
第１のノードで信号を受信するステップと、
前記第１のノードと第２のノードとの間の前記信号に狭帯域高インピーダンス経路を提供するステップと、
前記第２のノードと第３のノードとの間の前記信号に広帯域高インピーダンス経路を提供するステップであって、前記狭帯域高インピーダンス経路は前記広帯域高インピーダンス経路の周波数応答内の周波数応答を有する、当該ステップと、
前記第１のノードとインピーダンス源との間の前記信号に狭帯域低インピーダンス経路を提供するステップと、を有し、前記狭帯域低インピーダンス経路および前記狭帯域高インピーダンス経路はほぼ同じ帯域幅および中心周波数を有しており、前記インピーダンスを調節することにより前記第１のノードにおける入力インピーダンスを変更する、信号処理方法。
【請求項１３】
前記中心周波数は約５５０ＭＨｚである、請求項１２に記載の信号処理方法。
【請求項１４】
前記広帯域高インピーダンス経路は、４７５ＭＨｚから６５０ＭＨｚを含む周波数範囲において実質的な減衰を生じさせる、請求項１２に記載の信号処理方法。
【請求項１５】
前記第３のノードは衛星信号源に結合される、請求項１２に記載の信号処理方法。
【請求項１６】
前記第１のノードは、衛星信号を複数の衛星信号プロセッサに分配する信号スプリッタに結合される、請求項１２に記載の信号処理方法。
【請求項１７】
前記広帯域高インピーダンス経路は、ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｏｖｅｒ  ｃｏａｘ  ａｌｌｉａｎｃｅ（ＭｏＣＡ）周波数範囲をカバーする帯域幅にわたって高いインピーダンスを提供する、請求項１２に記載の信号処理方法。
【請求項１８】
前記中心周波数は、ｍｕｌｔｉｍｅｄｉａ  ｏｖｅｒ  ｃｏａｘ  ａｌｌｉａｎｃｅ（ＭｏＣＡ）周波数範囲のほぼ中心周波数である、請求項１２に記載の信号処理方法。