(57)【要約】【課題】酸化窒化シリコン膜を形成後にフッ酸水溶液処理を行った場合に発生する欠陥を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程（ステップＳ１０）と、酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程（ステップＳ１２）と、酸化窒化シリコン膜の表面にフッ酸水溶液処理を行う工程（ステップＳ１４）と、を有する半導体装置の製造方法である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程と、
前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程は、前記フッ酸水溶液処理後の前記酸化窒化シリコン膜の前記表面における水の接触角が２５°以下とする処理を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程は熱処理工程を含む請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、
８００℃以上の熱処理を行う工程と、
前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記酸化窒化シリコン膜上に開口部を有するフォトレジストを形成する工程を有し、前記酸化窒化シリコン膜は前記開口部を有するフォトレジストを形成する際の反射防止膜である請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記酸化窒化シリコン膜上にトップ層を形成する工程と、
前記トップ層を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記トップ層を研磨する工程は、セリアスラリを用いて前記トップ層を研磨する工程を含む請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記酸化窒化シリコン膜に開口部を設け、該開口部下の前記半導体基板にトレンチを形成する工程を有し、
前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程は、前記トレンチ内にフッ酸水溶液処理を行う工程を含む請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記トレンチ内および前記酸化窒化シリコン膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記酸化窒化シリコン膜に開口部を形成し、該開口部下の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、を有し、
前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程は、前記コンタクトホール内にフッ酸水溶液処理を行う工程を含む請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記コンタクトホール内および前記酸化窒化シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、
前記金属膜を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に、酸化窒化シリコン膜を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を製造する際に、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を成膜する場合がある。酸化窒化シリコン膜は例えば反射防止膜として使用される。酸化窒化シリコン膜の成膜方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法またはＬＰ−ＣＶＤ（減圧ＣＶＤ）法が用いられる。また、フッ酸（ＨＦ）と水（Ｈ２Ｏ）の混合液であるフッ酸水溶液にウェハを浸漬する処理（フッ酸水溶液処理またはＨＦ処理と言う）を行う場合がある。フッ酸水溶液処理は、例えばエッチングの残渣の除去や自然酸化膜の除去に用いられる。
【０００３】
特許文献１には、シリコン基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を成長する前に保護酸化膜をエッチングせずに残し、シリコン基板表面を親水性の窒化シリコン膜および保護酸化膜で覆った状態で洗浄する技術が開示されている。これにより、洗浄による洗浄残渣の発生を抑制することができる。
【特許文献１】特開昭５９−９０９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
酸化窒化シリコン膜を形成後に酸化窒化シリコン膜の表面をフッ酸水溶液処理を行った場合、酸化窒化シリコン膜上に欠陥が生じることがある。本発明は、酸化窒化シリコン膜を形成後にフッ酸水溶液処理を行った場合に発生する欠陥を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程と、前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、フッ酸水溶液処理により、酸化窒化シリコン膜の表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【０００６】
上記構成において、前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程は、前記フッ酸水溶液処理後の前記酸化窒化シリコン膜の前記表面における水の接触角が２５°以下とする処理を含む構成とすることができる。この構成によれば、フッ酸水溶液処理により、酸化窒化シリコン膜の表面に発生する欠陥をほとんどなくすことができる。
【０００７】
上記構成において、前記酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行う工程は熱処理工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、熱処理により簡単に酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とすることができる。
【０００８】
本発明は、半導体基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する工程と、８００℃以上の熱処理を行う工程と、前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、フッ酸水溶液処理により、酸化窒化シリコン膜の表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【０００９】
上記構成において、前記酸化窒化シリコン膜上に開口部を有するフォトレジストを形成する工程を有し、前記酸化窒化シリコン膜は前記開口部を有するフォトレジストを形成する際の反射防止膜である構成とすることができる。この構成によれば、反射防止膜である酸化窒化シリコン膜の表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【００１０】
上記構成において、前記酸化窒化シリコン膜上にトップ層を形成する工程と、前記トップ層を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、研磨のストッパである酸化窒化シリコン膜の表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【００１１】
上記構成において、前記トップ層を研磨する工程は、セリアスラリを用いて前記トップ層を研磨する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、研磨のストッパである酸化窒化シリコン膜の研磨速度を遅くすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記酸化窒化シリコン膜に開口部を設け、該開口部下の前記半導体基板にトレンチを形成する工程を有し、前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程は、前記トレンチ内にフッ酸水溶液処理を行う工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、半導体基板内にトレンチを形成する際に用いられる酸化窒化シリコン膜表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【００１３】
上記構成において、前記トレンチ内および前記酸化窒化シリコン膜上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、トレンチ内に絶縁層を形成する際に用いられる酸化窒化シリコン膜表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【００１４】
上記構成において、前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、前記酸化窒化シリコン膜に開口部を形成し、該開口部下の前記層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、を有し、前記酸化窒化シリコン膜の前記表面にフッ酸水溶液処理を行う工程は、前記コンタクトホール内にフッ酸水溶液処理を行う工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、層間絶縁膜内にコンタクトホールを形成する際に用いられる酸化窒化シリコン膜表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記コンタクトホール内および前記酸化窒化シリコン膜上に金属膜を形成する工程と、前記金属膜を前記酸化窒化シリコン膜まで研磨する工程と、を有する構成とすることができる。この構成によれば、コンタクトホール内に金属層を形成する際に用いられる酸化窒化シリコン膜表面に欠陥が発生すること抑制することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、酸化窒化シリコン膜を形成後にフッ酸水溶液処理を行った場合に発生する欠陥を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
まず、発明者は酸化窒化シリコン膜を成膜後にその表面をフッ酸水溶液処理した場合にその表面に発生する欠陥について調べた。シリコン基板上にＬＰ−ＣＶＤ法を用い窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜し、窒化シリコン膜上にプラズマＣＶＤ法を用い酸化窒化シリコン膜を成膜した。酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）膜の表面をフッ酸水溶液に浸漬後、水でリンスした。図１は、この酸化窒化シリコン膜表面のＳＥＭ（走査線型電子顕微鏡）画像の模式図である。酸化窒化シリコン膜表面に凸球状の欠陥が発生している。
【００１８】
図２（ａ）は欠陥部分をＦＩＢ（集束イオン線）を用い切断しその断面をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）観察した画像の模式図である。シリコン基板上にＬＰ−ＣＶＤ法を用い窒化シリコン（ＳｉＮ）膜が成膜され、窒化シリコン膜上にプラズマＣＶＤ法を用い酸化窒化シリコン膜が成膜されている。酸化窒化シリコン膜上に欠陥が形成されている。図２（ｂ）および図２（ｃ）は、それぞれ、酸化窒化シリコン膜Ａおよび欠陥ＢをＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線分光）法を用い分析したスペクトルである。図２（ｂ）を参照に、酸化窒化シリコン膜Ａでは、シリコン（Ｓｉ）の信号とともに、酸素（Ｏ）および窒素（Ｎ）の信号が観察される。一方、図２（ｃ）を参照に、欠陥Ｂでは、シリコンの信号が主であり酸素および窒素の信号はほとんど観測されない。なお、シリコン、酸素および窒素以外の信号は、ＥＤＸ分析に用いた試料を保持したホルダーのチタン、ＦＩＢのガリウム、炭素等である。図２（ｃ）のように、欠陥の主成分はシリコンであることがわかった。
【００１９】
次に、プラズマＣＶＤ法を用い酸化窒化シリコン膜を成膜したシリコン基板（ウェハ）を、ＨＦとＨ２Ｏの体積比１：５０のフッ酸水溶液に浸漬し、水洗後乾燥させた。フッ酸水溶液処理の時間に対するウェハの欠陥数を調査した。図３はフッ酸水溶液処理（ＨＦ処理）時間に対するウェハ内の欠陥数を表している。図３のように、フッ酸水溶液処理の時間が長くなると、ウェハ内の欠陥数が急激に増加することがわかった。このように、この欠陥はフッ酸水溶液処理により生じている。
【００２０】
次に、この欠陥が発生する原因を調査するため、まず、シリコン基板およびシリコン基板上の各種絶縁膜の表面の親水性を調査した。親水性の調査は液滴法を用いた。液適法は図４（ａ）のように、対象となる表面Ｓ上に水滴Ｈを垂らし、水滴Ｈと基板または絶縁膜の表面Ｓとの接触角θにより親水性を評価する方法である。接触角θが大きくなると表面Ｓは疎水性であり、接触角θが小さくなると表面Ｓは親水性であることを示している。図４（ｂ）は、液適法で調査した各種絶縁膜表面の親水性を示す図である。ＬＰ−ＣＶＤ法で成膜した窒化シリコン膜の成膜直後の接触角６．０°であり、ＨＦ処理後も５．１°である。プラズマＣＶＤ法で成膜した酸化窒化シリコン膜の成膜直後の接触角は５．６°であり、ＨＦ処理後は７９．１°である。シリコン基板および酸化シリコン膜のＨＦ処理後の接触角はそれぞれ８１．０°、４．９°である。このように、窒化シリコン膜および酸化シリコン膜はＨＦ処理を行ってもその表面は親水性である。一方、酸化窒化シリコン膜の表面はＨＦ処理により疎水性となる。そして、酸化窒化シリコン膜の表面が疎水性となることにより、欠陥が生ずるのではないかと考えた。
【実施例１】
【００２１】
以下に、酸化窒化シリコン膜をフッ酸水溶液処理した際に、発生する欠陥を低減させる実施例について説明する。図５（ａ）を参照に、シリコン基板上に酸化窒化シリコン膜を形成する（ステップＳ１０）。酸素中で熱処理を行う（ステップＳ１２）。水とフッ酸の体積比が５０：１のフッ酸水溶液を用いＨＦ処理を行う（ステップＳ１４）。このようにして作製した酸化窒化シリコン膜表面の接触角を測定した。図５（ｂ）はステップＳ１２の熱処理温度を変え、熱処理時間に対する接触角を測定した結果である。熱処理温度が高くなると接触角が小さくなり、酸化窒化シリコン膜表面が親水性となる。また、同じ温度でも熱処理時間を長くすると接触角が小さくなり、酸化窒化シリコン膜表面が親水性となる。
【００２２】
酸化窒化シリコン膜の表面が疎水性となる、つまり接触角が小さくなると酸化窒化シリコン膜表面の欠陥が減少すると考えられる。そこで、図５（ａ）の方法で作製したウェハの欠陥数を測定した。図６は欠陥数を接触角に対し示した図である。図６を参照に、接触角が２５°以下では欠陥はほとんど発生しない。接触角が２５°を越えると、接触角の増加にともない欠陥数が増加する。このように、フッ酸水溶液処理（ステップＳ１４）の前に、フッ酸水溶液処理（ステップＳ１４）の後の酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理（ステップＳ１２）を行う。これにより、フッ酸水溶液処理により、酸化窒化シリコン膜表面に欠陥が発生すること抑制することができる。図６より酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理は、フッ酸水溶液処理（ステップＳ１４）後の酸化窒化シリコン膜の表面における水の接触角が小さくなるような処理であれば、欠陥低減の効果がある。接触角が５０°以下であれば、欠陥数を半数以下とすることができる。さらに、接触角を２５°以下とすれば欠陥数をほとんどなくすことができる。
【００２３】
図５（ｂ）より、フッ酸水溶液処理（ステップＳ１４）の後の酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理（ステップＳ１２）として、熱処理を行うことにより、接触角を小さくすることができる。熱処理を８００℃以上で行うことにより、接触角をほぼ２５°以下とすることができる。よって、酸化窒化シリコン膜上の欠陥をほとんどなくすことができる。また、８００℃の熱処理時間を１００秒以上とすることにより、接触角を２５°以下とすることができる。実施例１は酸素雰囲気中で熱処理を行ったが、不活性ガスである窒素雰囲気で行っても同様の効果を得ることができた。このように、熱処理雰囲気にはよらず、熱処理により酸化窒化シリコン膜表面を親水性とする効果が得られる。実施例１は熱処理により酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理を行っているが、酸化窒化シリコン膜の表面を親水性とするための処理であれば熱処理に限られない。また酸化シリコン膜の成膜方法はプラズマＣＶＤ法に限られず例えばＬＰ−ＣＶＤ法を用いても良い。フッ酸水溶液のＨ２ＯとＨＦとの比は５０：１に限られず、その他の比率であってもよい。
【実施例２】
【００２４】
実施例２はＳＴＩ（Ｓｈａｒｒｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）の形成に実施例１を適用した例である。図７（ａ）から図７（ｄ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図７（ａ）を参照に、シリコン半導体基板１０上に熱酸化法を用いバリア酸化シリコン膜１２、ＬＰ−ＣＶＤ法を用い窒化シリコン膜１４およびプラズマＣＶＤ法を用い例えば３５ｎｍの膜厚を有する酸化窒化シリコン膜１６を形成する。酸化窒化シリコン膜１６上にフォトレジスト１８を塗布し露光技術を用い開口部１９を形成する。このとき、酸化窒化シリコン膜１６は反射防止膜として機能する。図７（ｂ）を参照に、フォトレジスト１８をマスクに、開口部１９下の酸化窒化シリコン膜１６、窒化シリコン膜１４および酸化シリコン膜１２をエッチングする。半導体基板１０をエッチングし半導体基板１０内にトレンチ２０を形成する。
【００２５】
図７（ｃ）を参照に、実施例１のステップＳ１２と同様に８００℃以上で熱処理する。実施例１のステップＳ１４と同様に、トレンチ２０内の半導体基板１０の表面をフッ酸水溶液処理する。トレンチ２０内の半導体基板１０の表面に熱酸化法を用い酸化シリコン膜２２を形成する。トレンチ２０内および酸化窒化シリコン膜１６上に高密度プラズマＣＶＤ法を用い酸化シリコン層２４を形成する。図７（ｄ）を参照に、酸化シリコン層２４をＣＭＰ法を用い、酸化窒化シリコン膜１６まで研磨する。研磨には、酸化セリウムを砥粒として含むセリアスラリを用いる。酸化窒化シリコン膜１６を酸化シリコン膜２４の研磨のためのストッパ層として用いる。以上により、トレンチ２０に埋め込まれた絶縁層である酸化シリコン層２６が形成される。
【００２６】
実施例２によれば、図７（ａ）のように、酸化窒化シリコン膜１６上に開口部１９を有するフォトレジスト１８を形成する工程を有し、酸化窒化シリコン膜１６は開口部１９を有するフォトレジスト１８を形成する際の反射防止膜である。このように、反射防止膜として用いる酸化窒化シリコン膜に実施例１を適用することができる。
【００２７】
また、図７（ｃ）のように、酸化窒化シリコン膜１６上に酸化シリコン層２４（トップ層）を形成する。図７（ｄ）のように、酸化シリコン層２４を酸化窒化シリコン膜１６まで研磨する。このように、研磨のストッパ層として用いる酸化窒化シリコン膜に実施例１を適用することができる。
【００２８】
さらに、図７（ｄ）において、酸化シリコン層２４を研磨する際は、研磨剤としてセリアスラリを用いて行うことができる。図８はセリアスラリを用いて、酸化シリコン膜（ＳｉＯ）、窒化シリコン膜（ＳｉＮ）および酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯＮ）の研磨レートを測定した図である。図８のように、セリアスラアリを用い研磨する場合、酸化窒化シリコン膜は良好なストッパ層として機能する。
【００２９】
さらに、図７（ｂ）のように、酸化窒化シリコン膜１６に開口部を設け、開口部下の半導体基板１０にトレンチ２０を設ける。そして、トレンチ２０内の半導体基板１０の表面にフッ酸水溶液処理を行う。このように、ＳＴＩを形成する際に、反射防止膜または研磨のストッパ層として機能する酸化窒化シリコン膜１６が曝された状態でフッ酸水溶液処理を行う際、本発明を適用することにより、酸化窒化シリコン膜１６上に発生する欠陥を削減することができる。
【００３０】
さらに、図７（ｃ）のように、トレンチ２０内および酸化窒化シリコン膜１６上に酸化シリコン層２４（絶縁膜）を形成する。酸化シリコン層２４を酸化窒化シリコン膜１６まで研磨する。このように、ＳＴＩを形成する際に、酸化窒化シリコン膜１６はＳＴＩを形成する際の研磨のストッパ層として用いることができる。
【実施例３】
【００３１】
実施例３は層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する際に、実施例１を適用した例である。図９（ａ）から図９（ｄ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。図９（ａ）を参照に、半導体基板３０または下層の配線層上に層間絶縁膜３２としてＢＰＳＧ（ｂｏｒｏｐｈｏｓｐｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）等の酸化シリコン膜を形成する。層間絶縁膜３２上にプラズマＣＶＤ法を用い例えば１０〜５０ｎｍの膜厚を有する酸化窒化シリコン膜３４を形成する。酸化窒化シリコン膜３４上にフォトレジスト３６を塗布し露光技術を用い開口部３５を形成する。このとき、酸化窒化シリコン膜３４は反射防止膜として機能する。図９（ｂ）を参照に、フォトレジスト３６をマスクに、開口部３５下の酸化窒化シリコン膜３４および層間絶縁膜３２をエッチングし、層間絶縁膜３２内にコンタクトホール３７を形成する。
【００３２】
図９（ｃ）を参照に、実施例１のステップＳ１２と同様に８００℃以上で熱処理する。実施例１のステップＳ１４と同様に、コンタクトホール３７内の層間絶縁膜３２の表面をフッ酸水溶液処理する。コンタクトホール３７内および酸化窒化シリコン膜３４上に、例えばタングステン等のプラグ金属となるべき金属層３８（トップ層）をＣＶＤ法を用い形成する。図９（ｄ）を参照に、金属層３８をＣＭＰ法を用い、酸化窒化シリコン膜３４まで研磨する。研磨には、酸化セリウムを砥粒として含むセリアスラリを用いる。酸化窒化シリコン膜３４を金属層３８の研磨のためのストッパ層として用いる。以上により、コンタクトホール３７に埋め込まれたプラグ金属４０が形成される。
【００３３】
実施例３によれば、実施例２と同様に、反射防止膜あるいは研磨のストッパ層として用いられる酸化窒化シリコン膜に実施例１を適用することにより、酸化窒化シリコン膜上の欠陥を削減することができる。また、研磨のストッパ層として酸化窒化シリコン膜３４、金属層３８の研磨の際にセリアスラリを用いることにより、金属層３８の研磨を酸化窒化シリコン膜３４で停止させることができる。
【００３４】
さらに、図９（ａ）のように、半導体基板３０上に層間絶縁膜を形成する。図９（ｂ）のように、酸化窒化シリコン膜３４に開口部を設け、開口部下の層間絶縁膜３２にコンタクトホール３７を形成する。そして、コンタクトホール３７内にフッ酸水溶液処理を行う。このように、コンタクトホールを形成する際に、反射防止膜または研磨のストッパ層として機能する酸化窒化シリコン膜３４が曝された状態でフッ酸水溶液処理を行う際、本発明を適用することにより、酸化窒化シリコン膜３４上に発生する欠陥を削減することができる。
【００３５】
さらに、図９（ｃ）のように、コンタクトホール３７内および酸化窒化シリコン膜３４上に金属膜３８（トップ層）を形成する。図９（ｄ）のように、金属膜３８を酸化窒化シリコン膜３４まで研磨する。このように、プラグ金属４０を形成する際に、酸化窒化シリコン膜３４は金属膜３８の研磨のストッパ層として用いることができる。
【００３６】
実施例２および実施例３における熱処理は、酸化窒化シリコン膜１６、３４の形成からフッ酸水溶液処理の間に行われていれば良い。例えば、実施例２においては、図７（ｂ）において、フォトレジスト１８を除去後、トレンチ２０を形成する前に行っても良い。また、酸化窒化シリコン膜１６、３４の膜厚は、反射防止膜としての機能または研磨のストッパとしての機能を有するように決めることができる。
【００３７】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図１は、酸化窒化シリコン膜上の欠陥を示すＳＥＭ画像の模式図である。
【図２】図２（ａ）は、酸化窒化シリコン膜上の欠陥の断面のＴＥＭ画像の模式図である。図２（ｂ）は酸化窒化シリコン膜ＡのＥＤＸスペクトルである。図２（ｃ）は酸化窒化シリコン膜上の欠陥ＢのＥＤＸスペクトルである。
【図３】図３はＨＦ処理時間に対する酸化窒化シリコン膜上の欠陥数を示した図である。
【図４】図４（ａ）は水の接触角θを示す図である。図４（ｂ）は各膜のＨＦ処理前後（または後のみ）の接触角θを示す図である。
【図５】図５（ａ）は、実施例１における処理のフローチャートである。図５（ｂ）は、実施例１における熱処理時間に対する接触角θを示す図である。
【図６】図６は接触角に対する欠陥数を示す図である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図８】図８は各種絶縁膜の研磨レートを示す図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｄ）は実施例３に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０          半導体基板
１２          酸化シリコン膜
１４          窒化シリコン膜
１６          酸化窒化シリコン膜
２０          トレンチ
２４          酸化シリコン膜
３０          半導体基板
３２          層間絶縁膜
３４          酸化窒化シリコン膜
３７          コンタクトホール
３８          金属層
４０          プラグ金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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