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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側の排気路に設けられ、前記処理室内から排出される反応生成物を析出させて捕集するトラップ部と、
を具備する、減圧処理装置。
【請求項２】
前記トラップ部は、非減圧状態で前記反応生成物を析出させるものである、請求項１に記載の減圧処理装置。
【請求項３】
前記トラップ部は、前記排気ガスの流路を形成するケーシングと、該ケーシング内部の排気通路に設けられた、多数の開口を有する邪魔板と、を有するトラップ装置を備える、請求項１または請求項２に記載の減圧処理装置。
【請求項４】
前記トラップ部は、着脱可能に設けられた排気管を備える、請求項１または請求項２に記載の減圧処理装置。
【請求項５】
前記トラップ部よりも排気方向下流側に設けられた除害装置をさらに具備する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の減圧処理装置。
【請求項６】
前記処理室から前記真空ポンプを介して前記トラップ部に至るまでの排気路に設けられた、前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段をさらに具備する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の減圧処理装置。
【請求項７】
前記反応生成物は、大気圧かつ常温の条件で固体状に析出するものである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の減圧処理装置。
【請求項８】
前記処理ガス中には、ＨＦとＮＨ３が含まれ、前記反応生成物がＮＨ４Ｆである、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の減圧処理装置。
【請求項９】
前記処理室内において、前記処理ガス中のＨＦおよびＮＨ３と、被処理体のＳｉＯ２とからＳｉＦ４を生成し、このＳｉＦ４とＨＦおよびＮＨ３とから、さらに（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を生成する主反応と、
前記ＨＦとＮＨ３とからＮＨ４Ｆを生成する副反応とを生じさせるものである、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の減圧処理装置。
【請求項１０】
前記減圧処理装置は、化学的酸化物除去（Chemical Oxide Removal）処理装置である、請求項９に記載の減圧処理装置。
【請求項１１】
処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側に設けられ、前記処理室内から排出される反応生成物を燃焼させて除害する除害装置と、
前記処理室から前記真空ポンプを介して前記除害装置に至るまでの排気路を通過する前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段と、
を具備する、減圧処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側の排気路に設けられ、前記処理室内から排出される反応生成物を析出させて捕集するトラップ部と、
を具備する、減圧処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の観点において、前記トラップ部は、非減圧状態で前記反応生成物を析出させるものであることが好ましい。また、前記トラップ部は、前記排気ガスの流路を形成するケーシングと、該ケーシング内部の排気通路に設けられた、多数の開口を有する邪魔板と、を有するトラップ装置を備えることが好ましい。また、前記トラップ部は、着脱可能に設けられた排気管を備えることが好ましい。さらに、前記トラップ部よりも排気方向下流側に設けられた除害装置をさらに具備するものであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記処理室から前記真空ポンプを介して前記トラップ部に至るまでの排気路に設けられた、前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段をさらに具備することが好ましい。加熱手段により、トラップ部よりも上流側の排気路や真空ポンプ内で反応生成物が析出することを抑制できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記反応生成物は、大気圧かつ常温の条件で固体状に析出するものであってもよい。また、前記処理ガス中には、ＨＦとＮＨ３が含まれ、前記反応生成物がＮＨ４Ｆであってもよい。さらに、前記処理室内において、前記処理ガス中のＨＦおよびＮＨ３と、被処理体のＳｉＯ２とからＳｉＦ４を生成し、このＳｉＦ４とＨＦおよびＮＨ３とから、さらに（ＮＨ４）２ＳｉＦ６を生成する主反応と、前記ＨＦとＮＨ３とからＮＨ４Ｆを生成する副反応とを生じさせるものであってもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記減圧処理装置としては、化学的酸化物除去（Chemical Oxide Removal）処理装置を挙げることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第２の観点は、処理ガスを導入することにより減圧雰囲気で被処理体の処理を行なう処理室と、
前記処理室に接続する排気ガスの排気路に配設された真空ポンプと、
前記真空ポンプよりも排気方向下流側に設けられ、前記処理室内から排出される反応生成物を燃焼させて除害する除害装置と、
前記処理室から前記真空ポンプを介して前記除害装置に至るまでの排気路を通過する前記排気ガスの加熱を行なう加熱手段と、
を具備する、減圧処理装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
１０  ＳＩＭＯＸウェーハ
１１  シリコンウェーハ
１２  第１イオン注入層
１３  第２イオン注入層
１５  ＢＯＸ層
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、
この第１半導体層上の表面側に形成される第１導電型のエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の表面に形成される第２導電型のベース層と、
前記ベース層に選択的に形成される第１導電型の拡散層と、
前記ベース層を貫通して前記エピタキシャル層に達するように形成されるトレンチと、
前記トレンチの内壁に形成されるゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内に形成されるゲート電極と、
前記第１半導体層の裏面側に接続される第１主電極と、
前記拡散層及び前記ベース層に接続される第２主電極と、
前記エピタキシャル層中の前記ゲート電極の底部よりも深い位置に形成された第２導電型の第１埋め込み拡散層と、
前記第１埋め込み拡散層と前記ベース層とを接続する前記第１埋め込み拡散層よりも高抵抗の第２埋め込み拡散層と
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一の態様に係る半導体装置は、第１導電型の第１半導体層と、この第１半導体層上の表面側に形成される第１導電型のエピタキシャル層と、前記エピタキシャル層の表面に形成される第２導電型のベース層と、前記ベース層に選択的に形成される第１導電型の拡散層と、前記ベース層を貫通して前記エピタキシャル層に達するように形成されるトレンチと、前記トレンチの内壁に形成されるゲート絶縁膜を介して前記トレンチ内に形成されるゲート電極と、前記第１半導体層の裏面側に接続される第１主電極と、前記拡散層及び前記ベース層に接続される第２主電極と、前記エピタキシャル層中の前記ゲート電極の底部よりも深い位置に形成された第２導電型の第１埋め込み拡散層と、前記第１埋め込み拡散層と前記ベース層とを接続する前記第１埋め込み拡散層よりも高抵抗の第２埋め込み拡散層とを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
関係式（１）の算出モデルＭは、例えばウェハ面内の線幅の各面内傾向成分Ｚｉの変化量（各ゼルニケ係数の変化量）ΔＺと温度補正値ΔＴとの相関を示す相関行列である。具体的には、算出モデルＭは、例えば図９に示すように特定条件のゼルニケ係数を用いて表されたｎ（面内傾向成分数）行×ｍ（熱板領域数）列の行列式である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
関係式（１）は、両辺に算出モデルＭの逆行列Ｍ−１を掛けることにより、次の式（２）
ΔＴ＝Ｍ−１・ΔＺ      （２）
で表せられる。改善可能な面内傾向Ｚａの各面内傾向成分Ｚａｉを零にするには、面内傾向成分の変化量ΔＺに、改善可能な各面内傾向成分Ｚａｉの値に−１を掛けたものが代入され、それ以外の改善不能な面内傾向成分には零が代入される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008108968.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2008108968.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2008108968.tif 000003
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2008108968.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多重化されたビデオストリーム及びオーディオストリームを含むデジタルストリームと、アプリケーションと、クリック音として出力するためのサウンドデータとが記録された記録媒体であって、
前記記録媒体には前記デジタルストリーム上の再生開始時刻及び再生終了時刻の組みを示すことにより、再生経路を規定する再生経路情報と、実行されるアプリケーションが選択可能な再生経路情報を示す情報とを含む管理情報と、前記再生経路情報に対応するフラグとが更に記録されており、
前記フラグは、
前記実行されるアプリケーションに対するユーザ操作に応じたサウンドデータを用いたクリック音の出力と、前記実行されるアプリケーションにより選択された再生経路情報に規定された再生経路に示されたデジタルストリームの音声出力とをミキシングするか否かを示す
ことを特徴とする記録媒体。
【請求項２】
アプリケーションを実行すると共に、デジタルストリームを再生する再生装置であって、
前記デジタルストリーム上の再生開始時刻及び再生終了時刻の組みを示すことにより、再生経路を規定する再生経路情報と、実行されるアプリケーションが選択可能な再生経路情報を示す情報とを含む管理情報と、前記再生経路情報に対応するフラグとを記録媒体から読み出す読出手段と、
前記記録媒体に記録されたアプリケーションを実行するプラットフォーム部と、
前記アプリケーションの実行中に、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を実行することにより、映像出力及び音声出力を行う再生制御エンジン部と、
前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオンである場合、前記実行中のアプリケーションに対するユーザ操作に応じたサウンドデータを用いたクリック音の出力と、前記デジタルストリームの音声出力とのミキシングを実行し、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオフである場合、当該ミキシングを実行しないミキシング部と、
を備える
ことを特徴とする再生装置。
【請求項３】
前記プラットフォーム部は、当該アプリケーションの実行中に選択可能な再生経路情報を当該アプリケーションに通知し、 
前記再生制御エンジン部による再生は、前記実行中のアプリケーションにより選択された再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を行なうことである
ことを特徴とする請求項２記載の再生装置。
【請求項４】
アプリケーションを実行すると共に、デジタルストリームを再生する再生方法であって、
前記デジタルストリーム上の再生開始時刻及び再生終了時刻の組みを示すことにより、再生経路を規定する再生経路情報と、実行されるアプリケーションが選択可能な再生経路情報を示す情報とを含む管理情報と、前記再生経路情報に対応するフラグとを記録媒体から読み出す読出ステップと、
前記記録媒体に記録されたアプリケーションを実行する実行ステップと、
前記アプリケーションの実行中に、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を実行することにより、映像出力及び音声出力を行う再生制御ステップと、
前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオンである場合、前記実行中のアプリケーションに対するユーザ操作に応じたサウンドデータを用いたクリック音の出力と、前記デジタルストリームの音声出力とのミキシングを実行し、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオフである場合、当該ミキシングを実行しないミキシングステップとを含む
再生方法。
【請求項５】
前記実行ステップは、当該アプリケーションの実行中に選択字可能な再生経路情報を当該アプリケーションに通知し、 
前記再生制御ステップによる再生は、前記実行中のアプリケーションにより選択された再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を行なうことである
ことを特徴とする請求項４記載の再生方法。
【請求項６】
アプリケーションの実行を管理すると共に、デジタルストリームの再生をコンピュータに実行させる管理プログラムであって、
前記デジタルストリーム上の再生開始時刻及び再生終了時刻の組みを示すことにより、再生経路を規定する再生経路情報と、実行されるアプリケーションが選択可能な再生経路情報を示す情報とを含む管理情報と、前記再生経路情報に対応するフラグとを記録媒体から読み出す読出ステップと、
前記記録媒体に記録されたアプリケーションを実行する実行ステップと、
前記アプリケーションの実行中に、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を実行することにより、映像出力及び音声出力を行う再生制御ステップと、
前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオンである場合、前記実行中のアプリケーションに対するユーザ操作に応じたサウンドデータを用いたクリック音の出力と、前記デジタルストリームの音声出力とのミキシングを実行し、前記アプリケーションが選択した再生経路情報に対応したフラグがオフである場合、当該ミキシングを実行しないミキシングステップと
をコンピュータに実行させる管理プログラム。
【請求項７】
前記実行ステップは、当該アプリケーションの実行中に選択可能な再生経路情報を当該アプリケーションに通知し、 
前記再生制御ステップによる再生は、前記実行中のアプリケーションにより選択された再生経路情報に規定された再生経路に示されるデジタルストリームの再生を行なうことである
ことを特徴とする請求項６記載の管理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上述した構成を有しているので、実行中のアプリケーションに対するユーザ操作に応じたサウンドデータを用いたクリック音の出力と、実行中のアプリケーションにより選択された再生経路情報に規定された再生経路に示されたデジタルストリームの音声出力とをミキシングするか否かの調整を制作者側の意図に沿ったものとすることが可能となる。これは例えばマルチチャネルでの音声出力を意図するような再生制御の実行時にはサウンドミキシングを無効化しておき、マルチチャネルでの音声出力を意図しないような再生制御の実行時にはサウンドミキシングを有効化しておくことができるようになり、例えば映画の制作スタジオは、マルチチャネルでの再生を意図している場合は、クリック音を禁止し、代わりにクリック音での再生を意図している場合は、代わりにマルチチャネルによる音声出力を禁止するという調整が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仕事関数の値が６．１〜６．３ｅＶであり、ＺｎとＳｅとを含む化合物中に、Ａｇを１×１０１８〜５×１０２０ｃｍ−３含有させてなることを特徴とするｐ型半導体材料。
【請求項２】
前記ＺｎとＳｅとを含む化合物に、Ａｇを３×１０１９〜３×１０２０ｃｍ−３含有させてなることを特徴とする請求項１に記載のｐ型半導体材料。
【請求項３】
前記ＺｎとＳｅとを含む化合物は、組成式Ｚｎ（１−ｘ）ＭｇｘＳｅ（１−ｙ）Ｓｙ（０≦ｘ≦０．５、０≦ｙ≦０．５）で示されることを特徴とする請求項１又は２に記載のｐ型半導体材料。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のｐ型半導体材料を含むｐ型電極を具備することを特徴とする半導体素子。
【請求項５】
前記ｐ型電極に含まれるｐ型半導体材料の組織が、正孔の平均的な移動方向に伸びた柱状構造をなすことを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記ｐ型電極に含まれるｐ型半導体材料がｐ型ＧａＡｓ層の上にエピタキシャル成長させた膜であり、
前記ｐ型半導体材料と前記ｐ型ＧａＡｓ層とのｐ−ｐ接合が整流特性を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
【請求項７】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のｐ型半導体材料を含むｐ型電極を具備することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
ＺｎＳｅに、Ａｇを１×１０１８〜５×１０２０ｃｍ−３含有させてなることを特徴とするｐ型半導体材料の製造方法であって、当該製造方法が真空蒸着法であり、かつ蒸着源として、ＺｎＳｅ及びＡｇ２Ｓｅを用い、前記ｐ型半導体材料の仕事関数の値を６．１〜６．３ｅＶとすることを特徴とするｐ型半導体材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力画像を複数の画像領域に分割する画像分割部と、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出部と、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理部と、
を備える、
階調変換処理装置。
【請求項２】
前記広域画像領域は、複数の前記画像領域によって構成されることを特徴とする、
請求項１に記載の階調変換処理装置。
【請求項３】
前記階調処理部は、
前記画素値を前記対象画像領域に対する前記領域階調変換特性で変換した画素値と、
前記画素値を前記隣接画像領域に対する前記領域階調変換特性で変換した画素値とを、
前記位置座標に応じて補正することにより前記変換画素値を得ることを特徴とする、
請求項１または２に記載の階調変換処理装置。
【請求項４】
前記補正は、補間である、ことを特徴とする、
請求項３に記載の階調変換処理装置。
【請求項５】
前記補間は、内分であることを特徴とする、
請求項４に記載の階調変換処理装置。
【請求項６】
前記階調処理部は、
前記対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と前記隣接画像領域に対する前記領域階調変換特性とを、
前記位置座標に応じて補正した階調変換特性により、前記画素値を変換することを特徴とする、
請求項１または２に記載の階調変換処理装置。
【請求項７】
入力画像を複数の画像領域に分割する画像分割部と、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出部と、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理部と、
前記階調処理された処理信号を表示する表示部と、
を備える画像表示装置。
【請求項８】
映像信号を受信する受信部と、
前記映像信号を復号し画像信号を出力する復号部と、
前記画像を複数の画像領域に分割する画像分割部と、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出部と、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理部と、
前記階調処理された処理信号を表示する表示部と、
を備えるテレビジョン。
【請求項９】
映像信号を受信する受信部と、
前記映像信号を復号し画像信号を出力する復号部と、
前記画像を複数の画像領域に分割する画像分割部と、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出部と、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理部と、
前記階調処理された処理信号を表示する表示部と、
を備える携帯情報端末。
【請求項１０】
画像を行う撮影して画像信号を生成する撮影部と、
前記画像を複数の画像領域に分割する画像分割部と、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出部と、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理部と、
を備えるカメラ。
【請求項１１】
入力画像を複数の画像領域に分割する画像分割ステップと、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出ステップと、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理ステップと、
を含むことを特徴とする、
階調変換処理方法。
【請求項１２】
階調変換処理装置に用いられる集積回路であって、
入力画像を複数の画像領域に分割する画像分割ステップと、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出ステップと、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理ステップと、
を実行する、
階調変換処理装置に用いられる集積回路。
【請求項１３】
コンピュータにより階調変換処理を行う画像処理プログラムであって、
前記画像処理プログラムは、
入力画像を複数の画像領域に分割する画像分割ステップと、
前記画像領域ごとに、前記画像領域の周辺領域を含む広域画像領域を決定し、
前記広域画像領域の特徴量に応じて、前記画像領域に対する領域階調変換特性を導出する領域変換特性導出ステップと、
前記入力画像に含まれる変換対象画素の画素値と、前記変換対象画素を含む画像領域である対象画像領域に対する前記領域階調変換特性と、前記対象画像領域に隣接する隣接画像領域に対する領域階調変換特性と、前記変換対象画素の位置座標に応じて、前記変換対象画素の変換画素値を得る階調処理ステップと、
を含むことを特徴とする、階調変換処理方法、
をコンピュータに行わせるものである、
画像処理プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
例えばＣＰＵ１は、図示しない入出力インタフェースを介して接続されたキーボード、マウス、マイク等の入力装置からのユーザーの入力に応じて、メインメモリ３におけるＲＯＭに格納されているプログラムを実行する。
あるいは、またＣＰＵ１は、ＨＤＤ１２に格納されているプログラム、衛星若しくはネットワークから転送され、図示しない通信部で受信されてＨＤＤ１２にインストールされたプログラム、または光ディスクドライブ６に装着された光ディスク７等のリムーバブル記録媒体から読み出されてＨＤＤ１２にインストールされたプログラムを、メインメモリ３におけるＲＡＭにロードして実行する。
そしてＣＰＵ１は、それらのプログラムに基づく処理結果を、必要に応じて、例えば、図示しないＬＣＤ(Liquid Crystal Display)やスピーカ等で構成される出力部から出力させたり、通信部から送信させたり、さらにはＨＤＤ１２に記録させたり、光ディスクドライブ６において光ディスク７に記録させるなどの処理を行う。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ＰＥ＿Ａの動作は典型的なプロセッサの動作であり、メモリ制御モジュール１１１により命令コードをＡＸＩバス１２を介してメモリユニット１３から読み出し、命令デコードモジュール１１２にて読み出した命令コードを解読して、解読した命令コードに対応したシーケンス制御を行う。
命令のデコード結果に従い、メモリ制御モジュール１１１を通してメモリユニット１３またはレジスタファイル１１４から演算に使用するデータを、マルチプレクサ１１３を用いて選択してデータパスモジュール１１５に伝達する。
データパスモジュール１１５においては、命令コードの解読結果を用いて、指示されたデータを演算指示に従って演算を行い、演算結果を、メモリ制御モジュール１１１を通してメモリユニット１３に、または直接的にレジスタファイル１１４に書き戻す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
本第２の実施形態によれば、ＰＥ＿Ａよりもクロックステップが少なくなった分、ＰＥ＿Ｃの内部ではクロック周波数を下げることが可能となり、外部からはＰＥ＿ＡとＰＥ＿Ｃは同じインタフェース仕様でありながら、動作周波数が低く、同じ処理を行うＰＥ＿ＡとＰＥ＿Ｃの消費電力を比較するとＰＥ＿Ｃの消費電力を低く抑えることが可能となる。
また、ＰＥ＿Ｃにおいては乗算結果を直接加算器１１７３に伝達するため、ＰＥ＿Ａよりもレジスタファイル１１４への書き込み読み出しなどの回数を減らすことが可能であり、さらに消費電力が減ることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ステップＳＴ４において一致した場合には、リングを一巡しても受け取り相手が見つからなかったパケットであることになるので、そのデータパケットを破棄し、ＰＥへは転送できなかったことを通知して終わりとなる（ＳＴ６）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザに複数の面を有する仮想物体との接触を知覚させる接触提示装置であって、
前記ユーザに装着され、前記ユーザに対する刺激を発生する刺激発生手段と、
前記ユーザと前記仮想物体とが接触した場合、前記複数の面の内、前記ユーザと接触した面に応じて前記刺激発生手段に発生させる刺激を異ならせる制御部を備えることを特徴とする接触提示装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記複数の面の内、前記ユーザと接触した面に応じて、前記刺激発生手段で発生する刺激のパターン、周波数、強度のうち、少なくとも一つを異ならせることを特徴とする請求項１に記載の接触提示装置。
【請求項３】
前記複数の面は、前記仮想物体の表面を分割して定義されることを特徴とする請求項１に記載の接触提示装置。
【請求項４】
前記複数の面は、前記仮想物体中の異なるポリゴンにより規定されることを特徴とする請求項１に記載の接触提示装置。
【請求項５】
ユーザに仮想物体との接触を知覚させる接触提示装置であって、
前記ユーザに装着され、前記ユーザに対する刺激を発生する刺激発生手段と、
前記ユーザと前記仮想物体とが接触した場合、接触した位置の前記仮想物体表面の法線方向に基づいて前記刺激発生手段で発生する刺激を決定する前記制御部を備えることを特徴とする接触提示装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記ユーザと前記仮想物体の複数の面とが接触した場合、当該複数の面同士の法線方向を比較して、所定の角度よりも前記複数の面同士の法線方向の角度差が大きな場合、前記刺激発生手段に発生させる刺激を異ならせることを特徴とする請求項５に記載の接触提示装置。
【請求項７】
ユーザに複数の面を有する仮想物体との接触を知覚させる接触提示方法であって、
検出手段が、前記ユーザと前記仮想物体の接触を検出する検出工程と、
前記検出手段により、前記ユーザと前記仮想物体との接触が検出された場合、制御手段が、前記複数の面の内、前記ユーザと接触した面に応じて、前記ユーザに装着された刺激発生手段により発生する刺激を異ならせる制御を行う制御工程を備えることを特徴とする接触提示方法。
【請求項８】
ユーザに仮想物体との接触を知覚させる接触提示方法であって、
検出手段が、前記ユーザと前記仮想物体の接触を検出する検出工程と、
前記検出手段により、前記ユーザと仮想物体との接触が検出された場合、制御手段が、接触した位置の仮想物体表面の法線方向に基づいて、前記ユーザに装着された刺激発生手段で発生する刺激を決定する前記制御工程を備えることを特徴とする接触提示方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記の課題を解決するために、本発明の接触提示装置は、ユーザに複数の面を有する仮想物体との接触を知覚させる接触提示装置であって、前記ユーザに装着され、前記ユーザに対する刺激を発生する刺激発生手段と、前記ユーザと前記仮想物体とが接触した場合、前記複数の面の内、前記ユーザと接触した面に応じて前記刺激発生手段に発生させる刺激を異ならせる制御部を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記の課題を解決するために、本発明の接触提示装置は、ユーザに仮想物体との接触を知覚させる接触提示装置であって、前記ユーザに装着され、前記ユーザに対する刺激を発生する刺激発生手段と、前記ユーザと前記仮想物体とが接触した場合、接触した位置の前記仮想物体表面の法線方向に基づいて前記刺激発生手段で発生する刺激を決定する前記制御部を備えることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷装置に出力される印刷データを生成する印刷制御装置であって、
ラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理を実行する実行手段と、
前記実行手段によりラスタライズ処理された１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であるか否かを印刷開始後に取得した情報に基づき判別する判別手段と、
前記判別手段により１ビットのラスタライズデータでの処理が適切でないと判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のラスタライズデータに変換し、変換された多値のラスタライズデータに基づき印刷データを生成し、前記判別手段により１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であると判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する生成手段とを有することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項２】
前記判別手段は、印刷メディアの種類が１ビットのラスタライズデータでの処理が適切でない印刷メディアの場合には、１ビットのラスタライズデータでの処理が適切でないと判別することを特徴とする請求項１に記載の印刷制御装置。
【請求項３】
前記変換は、１ビットのブラックのラスタライズデータをＲＧＢ各８ビットのラスタライズデータに変換する処理を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷制御装置。
【請求項４】
ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷データを生成して印刷装置へ出力する印刷制御装置であって、
印刷開始時に、１ビットのラスタライズデータを利用可能か否かを判定し、利用可能な場合でラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理の実行を指示するラスタライズ設定手段と、
前記１ビットのラスタライズ処理でラスタライズされた１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理可能か否かを印刷開始後に取得できる情報に基づき判定する判定手段と、
前記印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理できない場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のデータに変換し、印刷データを生成して出力する出力手段とを有することを特徴とする印刷制御装置。
【請求項５】
ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷装置に出力される印刷データを生成する印刷制御方法であって、
実行手段が、ラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理を実行する実行工程と、
判別手段が、前記実行工程においてラスタライズ処理された１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であるか否かを印刷開始後に取得した情報に基づき判別する判別工程と、
生成手段が、前記判別工程において１ビットのラスタライズデータでの処理が適切でないと判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のラスタライズデータに変換し、変換された多値のラスタライズデータに基づき印刷データを生成し、前記判別工程において１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であると判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する生成工程とを有することを特徴とする印刷制御方法。
【請求項６】
ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷データを生成して印刷装置へ出力する印刷制御方法であって、
ラスタライズ設定手段が、印刷開始時に、１ビットのラスタライズデータを利用可能か否かを判定し、利用可能な場合でラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理の実行を指示するラスタライズ設定工程と、
判定手段が、前記１ビットのラスタライズ処理でラスタライズされた１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理可能か否かを印刷開始後に取得できる情報に基づき判定する判定工程と、
出力手段が、前記印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理できない場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のデータに変換し、印刷データを生成して出力する出力工程とを有することを特徴とする印刷制御方法。
【請求項７】
コンピュータを請求項１乃至４の何れか１項に記載の印刷制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【請求項８】
請求項７に記載のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷装置に出力される印刷データを生成する印刷制御装置であって、ラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理を実行する実行手段と、前記実行手段によりラスタライズ処理された１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であるか否かを印刷開始後に取得した情報に基づき判別する判別手段と、前記判別手段により１ビットのラスタライズデータでの処理が適切でないと判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のラスタライズデータに変換し、変換された多値のラスタライズデータに基づき印刷データを生成し、前記判別手段により１ビットのラスタライズデータでの処理が適切であると判別された場合、前記１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する生成手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、ラスタライズ処理されたラスタライズデータに基づき印刷データを生成して印刷装置へ出力する印刷制御装置であって、印刷開始時に、１ビットのラスタライズデータを利用可能か否かを判定し、利用可能な場合でラスタライズすべき描画データが黒文字又は黒線の場合に、１ビットのラスタライズ処理の実行を指示するラスタライズ設定手段と、前記１ビットのラスタライズ処理でラスタライズされた１ビットのラスタライズデータに基づき印刷データを生成する際に、印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理可能か否かを印刷開始後に取得できる情報に基づき判定する判定手段と、前記印刷装置が前記１ビットのラスタライズデータを処理できない場合、前記１ビットのラスタライズデータを多値のデータに変換し、印刷データを生成して出力する出力手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次に、上記の半導体装置の製造方法について、図３Ａ〜図３Ｍ、および図４Ａ〜図４Ｅに基づき、説明する。ただし、以下の図中では先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図３Ｂは、図３Ａに示す基板１０１Ａの１つの領域１０１ａを拡大して示した図である。図３Ｂ以下の図については領域１０１ａが複数形成された基板１０１のうち、１つの領域１０１ａを例にとって、半導体装置の製造方法について説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
次に、図３Ｄに示す工程において、基板１０１Ａ上（保護層１０２上）に、例えばエポキシ系の樹脂材料よりなる絶縁層１０５を形成する。絶縁層１０５は、例えばラミネート（貼り付け）により、または、塗布により形成される。また、絶縁層１０５からは、バンプ１０４の突起部１０４Ｂが露出するようにされることが好ましい。このため、上記の絶縁層１０５は、例えばＮＣＦと呼ばれる、フィラーなどの硬度調整材料が殆ど添加されていない柔らかい樹脂材料が用いられることが好ましい。上記の柔らかい樹脂材料を用いることで、絶縁層１０５から突起部１０４Ｂを露出させることが容易となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
また、上記のバンプ１０４と導電層１０７Ａの接続方法は、従来のろう付けなどによる接続方法に比べて容易であり、かつ、接続の信頼性が高い特徴を有している。また、導電層１０７Ａは、後述する電解メッキの工程において、給電層（シード層）として用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
上記化粧板に対して耐キャスター試験を行った。耐キャスター試験とは、直径５０ｍｍの鉄製の単輪キャスター上に２５ｋｇの荷重を載せ、３００ｍｍ長さを５００回往復させる試験である。キャスターの移動速度は、約２秒／往復とし、試験後の化粧板表面の凹み量の測定と、状態の目視観察とを行う。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月1日(2009.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２に示すように、スライダ２１の側面には、そのスライダ２１の直動方向に延びたラック２２が複数（例えば、３つ）、一直線状に配置されている。そして、スライダ２１の側面下縁部から側方に張り出したラック固定壁２１Ｄ（図３参照）に各ラック２２が固定されている。なお、ラック２２に形成された複数の歯は、スライダ２１の幅方向に対して斜めになった所謂「はす歯構造」になっている。また、それに対応して次述するピニオン３１も「はす歯構造」になっている
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動式センサーと可動式センサー保持部品とを備え、これらが本体に取り付けられて前面パネルから外部に臨んでいる空気調和機において、
前記可動式センサー保持部品の一部を薄肉化し、その薄肉部の内側にリモコン受信部品を設けたことを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
前記可動式センサー保持部品は、凹状底部に位置する窓部と、該窓部から両側に向かって前面側に傾斜する傾斜面と、該傾斜面の両側に位置する薄肉部とを有し、前記可動式センサーはそのセンサー部が前記可動式センサー保持部品の前記窓部から外部に臨んでいることを特徴とする請求項１記載の空気調和機。
【請求項３】
前記可動式センサー保持部品の傾斜面は、前記可動式センサーのセンサー部の最大検知範囲と一致するように形成されたことを特徴とする請求項２記載の空気調和機。
【請求項４】
前記可動式センサーに駆動モーターを取り付けてこれらを前記可動式センサー保持部品で保持したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項５】
前記可動式センサーに駆動モーターを取り付けてこれらを前記可動式センサー保持部品で保持した可動式センサー組立部品を、前記リモコン受信部品とともに基板固定部品に取り付けて基板固定組立部品を形成し、該基板固定組立部品を前記本体に取付けたことを特徴とする請求項４記載の空気調和機。
【請求項６】
前記基板固定部品に配線の保持片を設け、前記配線を前記保持片を介して制御基板に導くようにしたことを特徴とする請求項５記載の空気調和機。
【請求項７】
前記リモコン受信部品を前記基板固定部品に固定する固定部品を設け、該固定部品にフック部を設けて、該フック部によって前記リモコン受信部品からの配線を前記基板固定部品に固定するようにしたことを特徴とする請求項５または６記載の空気調和機。
【請求項８】
前記前面パネルが透明樹脂で成形され、裏面に塗装または印刷処理が施されたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の空気調和機。
【請求項９】
前記可動式センサー及び可動式センサー保持部品が、前記本体の吹出口の上側中央部分付近に取り付けられるとともに、前記前面パネルの下部の中央部近傍に開口する逃がし部から前記可動式センサーが外部に臨んでいることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する断熱箱体と、
前記断熱箱体の内部を複数の貯蔵室に区切るための断熱仕切部と、
前記断熱箱体の前記開口部を開閉するための断熱扉と、
冷媒を流通させる冷媒配管と、
前記冷媒配管内を流通する冷媒を圧縮するための圧縮機と、
前記圧縮機で圧縮された冷媒を凝縮するための凝縮部と、
前記圧縮機で圧縮された冷媒を前記圧縮機から前記凝縮部まで流通させるための第一の流路とを備え、
前記断熱仕切部は、前記断熱扉が前記開口部を閉塞している場合に前記断熱扉に対向する断熱仕切部前面を有し、
さらに、前記断熱仕切部前面の周辺に冷媒を流通させるための第二の流路を備え、
前記第一の流路に冷媒を流通させるか、または、前記圧縮機から前記第二の流路を経て前記凝縮部まで冷媒を流通させるかを切替えるための冷媒流路切替部を備える、冷蔵庫。
【請求項２】
前記冷媒流路切替部は、前記第一の流路に冷媒を流通させるか、または、前記第一の流路に冷媒を流通させかつ前記圧縮機から前記第二の流路を経て前記凝縮部まで冷媒を流通させるかを切替えるための冷媒流路切替部である、請求項１に記載の冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料と空気とを混合燃焼させる燃焼室と、
前記燃焼室に向かって気体燃料を噴出する複数の燃料ノズルと、
前記燃焼室の壁面に配置され、前記気体燃料と空気とを燃焼室に噴出するように複数の空気孔を有する盤状部材とを備え、
前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、
前記燃料ノズルの燃料噴出孔は、前記空気孔の中心軸近傍に位置している
ことを特徴とする燃焼器。
【請求項２】
請求項１に記載の燃焼器において、
前記燃料ノズルから噴出した燃料が前記空気孔を通過する際に、燃料噴流とそれを包み込む空気の環状流が形成されることを特徴とする燃焼器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の燃焼器において、
前記燃料ノズルの燃料噴出孔先端が前記空気孔の内部に突き出して配置されていることを特徴とする燃焼器。
【請求項４】
請求項１―３に記載された燃焼器において、
前記複数の燃料ノズルと複数の空気孔を一つのモジュールとして形成し、前記燃料ノズルの燃料噴流軸に対して、前記モジュールに設けられた空気孔のうち、一部の空気について軸が傾いていることを特徴とする燃焼器。
【請求項５】
燃料と空気とを混合燃焼させる燃焼室と、
燃料を噴射する複数の燃料ノズルと、
前記燃焼室の壁面に配置され、前記燃料と空気とを燃焼室に噴出するように複数の空気孔を有する盤状部材とを備え、
前記空気孔の流路面積が、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、
前記燃料ノズルの燃料噴出孔が、前記空気孔の中心軸近傍に位置した燃焼器の運転方法において、
前記複数の燃料ノズルから、前記燃焼室に向かって気体燃料を噴射することを特徴とする燃焼器の運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の燃焼器は、燃料と空気とを混合燃焼させる燃焼室と、前記燃焼室に向かって気体燃料を噴出する複数の燃料ノズルと、前記燃焼室の壁面に配置され、前記気体燃料と空気とを燃焼室に噴出するように複数の空気孔を有する盤状部材とを備え、前記空気孔の流路面積は、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、前記燃料ノズルの燃料噴出孔は、前記空気孔の中心軸近傍に位置していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
或いは、本発明の燃焼器の運転方法は、燃料と空気とを混合燃焼させる燃焼室と、燃料を噴射する複数の燃料ノズルと、前記燃焼室の壁面に配置され、前記燃料と空気とを燃焼室に噴出するように複数の空気孔を有する盤状部材とを備え、前記空気孔の流路面積が、前記燃料ノズルの燃料噴出孔の流路面積よりも大きく形成され、前記燃料ノズルの燃料噴出孔が、前記空気孔の中心軸近傍に位置した燃焼器の運転方法において、前記複数の燃料ノズルから、前記燃焼室に向かって気体燃料を噴射することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によると、低ＮＯｘかつ逆火のポテンシャルの極めて低いガスタービン燃焼器およびガスタービン燃焼器の運転方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量％で、Ca:0.01〜5.0％と、Al:3.0〜12％と、Mn:0.1〜2.0％、Zn:0.1〜7.0％、Si:0.1〜5.0％、Zr:0.1〜3.0％、Cu:0.01〜3.0％、及びAg:0.01〜3.0％から選択される1種以上の添加元素とを含有し、残部がMg及び不純物からなり、
前記合金組成からなる母材に引き抜き加工を施すことで得られ、
降伏強さYPが、Alの含有量をx(質量％)としたとき、YP≧(95×x−5x2)/3＋180を満たし、
伸びが10％以上であることを特徴とするマグネシウム合金展伸材。
【請求項２】
展伸材は、平均結晶粒径が3μm以下の組織からなることを特徴とする請求項1に記載のマグネシウム合金展伸材。
【請求項３】
引き抜き後、熱処理が施されていることを特徴とする請求項1又は2に記載のマグネシウム合金展伸材。
【請求項４】
展伸材がワイヤ又はパイプであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマグネシウム合金展伸材。
【請求項５】
質量％で、Ca:0.01〜5.0％と、Al:3.0〜12％と、Mn:0.1〜2.0％、Zn:0.1〜7.0％、Si:0.1〜5.0％、Zr:0.1〜3.0％、Cu:0.01〜3.0％、及びAg:0.01〜3.0％から選択される1種以上の添加元素とを含有し、残部がMg及び不純物からなり、
前記合金組成からなる母材に引き抜き加工を施すことで得られ、
以下の曲げ加工性を有することを特徴とするマグネシウム合金パイプ。
R/D≦(0.027×|x−3|+0.17)×(D/t)-1
ただし、R:曲げ半径(mm)、D:パイプの外径(mm)、t:パイプの肉厚(mm)、x:Alの含有量(質量％)とする。
【請求項６】
パイプは、平均結晶粒径が3μm以下の組織からなることを特徴とする請求項5に記載のマグネシウム合金パイプ。
【請求項７】
引き抜き後、熱処理が施されていることを特徴とする請求項5又は6に記載のマグネシウム合金パイプ。
【請求項８】
質量％で、Ca:0.01〜5.0％と、Al:3.0〜12％と、Mn:0.1〜2.0％、Zn:0.1〜7.0％、Si:0.1〜5.0％、Zr:0.1〜3.0％、Cu:0.01〜3.0％、及びAg:0.01〜3.0％から選択される1種以上の添加元素とを含有し、残部がMg及び不純物からなるマグネシウム合金の母材を用意する工程と、
前記母材に引き抜き加工を施す工程とを具え、
前記引き抜き加工は、Alの含有量をx(質量％)とするとき、(4×x+145)℃以上で行うことを特徴とするマグネシウム合金展伸材の製造方法。
【請求項９】
引き抜き加工後、熱処理を施す工程を具えることを特徴とする請求項8に記載のマグネシウム合金展伸材の製造方法。
【請求項１０】
質量％で、Ca:0.01〜5.0％と、Al:3.0〜12％と、Mn:0.1〜2.0％、Zn:0.1〜7.0％、Si:0.1〜5.0％、Zr:0.1〜3.0％、Cu:0.01〜3.0％、及びAg:0.01〜3.0％から選択される1種以上の添加元素とを含有し、残部がMg及び不純物からなるマグネシウム合金の母材を用意する工程と、
前記母材に引き抜き加工を施す工程と、
引き抜き加工後、再結晶を行うための熱処理を施す工程とを具え、
前記熱処理の温度T(℃)は、Alの含有量をx(質量％)とすると、
x＜100/15のとき、15x+150≦T≦15x+250を満たし、
100/15≦xのとき、250≦T≦350を満たすことを特徴とするマグネシウム合金展伸材の製造方法。
【請求項１１】
引き抜き加工は、室温以上180℃未満で行うことを特徴とする請求項10に記載のマグネシウム合金展伸材の製造方法。