Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に複数の集積回路を含む素子層を形成し、
前記基板の一方の面及び前記素子層に、前記複数の集積回路間を切断する位置において曲率を有する穴を形成し、
前記基板の他方の面を薄くし、
前記穴が形成された位置に対応して、前記基板の切断面が曲率を有するように当該基板を切断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つを有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の一方の面上に複数の集積回路を含む素子層を形成し、
前記基板の一方の面及び前記素子層に、前記複数の集積回路間を切断する位置において曲率を有する穴を形成し、
前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記穴が形成された位置に対応して、前記基板の切断面が曲率を有するように当該基板を切断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つを有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面上に複数の集積回路を含む素子層を形成し、
前記基板の一方の面及び前記素子層に、前記複数の集積回路間を切断する位置において前記素子層の上面からレーザーを照射することにより、曲率を有する穴を形成し、
前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記穴が形成された位置に対応して前記基板の研磨された他方の面からレーザーを照射することにより、前記基板の切断面が曲率を有するように当該基板を切断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つを有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の一方の面上に複数の集積回路を含む素子層を形成し、
前記基板の一方の面及び前記素子層に、前記複数の集積回路間を切断する位置において前記素子層の上面からレーザーを照射することにより、曲率を有する穴を形成し、
前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記穴が形成された位置に対応して前記基板の研磨された他方の面からレーザーを照射することにより、前記基板の切断面が曲率を有するように当該基板を切断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つを有する積層体を形成し、
二枚の可撓性を有するフィルムを用いて、前記積層体の両面を封止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は４において、前記レーザーは紫外線レーザーであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一において、前記研磨された基板の切断面は凸型であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、前記研磨された基板の厚さは２μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記積層体はアンテナを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される有機化合物と、遷移金属酸化物とを有することを特徴とする複合材料。
【化１】
2007043062.tif 000001
（ただし、式中、Ｒ1〜Ｒ24は、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールアルキル基のいずれかを表す。）
【請求項２】
下記一般式（２）で示される有機化合物と、遷移金属酸化物とを有することを特徴とする複合材料。
【化２】
2007043062.tif 000002
（ただし、式中、Ｘは、構造式（２−１）、構造式（２−３）〜（２−６）、一般式（２−２）に示す芳香族炭化水素基のいずれかを表し、Ｒ1〜Ｒ20はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表し、Ｒ21はアルキル基を表す。）
【請求項３】
下記一般式（３）で示される有機化合物と、遷移金属酸化物とを有することを特徴とする複合材料。
【化３】
2007043062.tif 000003
（ただし、式中、Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基のいずれかを表す。）
【請求項４】
遷移金属酸化物は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の複合材料。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の複合材料を含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項６】
一対の電極間に、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の複合材料を含む層を有し、前記複合材料を含む層は、前記一対の電極の一方又は両方に接していることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
一対の電極間に、請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の複合材料を含む層と、複数の発光ユニットとを有し、前記複合材料を含む層は、前記複数の発光ユニットの間に設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を有することを特徴とする電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、
前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、
前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられ、前記マイクロ波により前記第一の空間領域で生成されたエネルギー粒子が到達する位置に設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、
前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
少なくとも一部が誘電体からなる隔壁を有し、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能な第一の空間領域を有する第一の部分と、
前記第一の空間領域に第一のガスを導入する手段と、
前記誘電体を介して前記第一の部分の外部から前記第一の空間領域にマイクロ波を導入する手段と、
前記第一の空間領域に連接するように設けられ、前記マイクロ波により前記第一の空間領域で生成されたエネルギー粒子が到達する位置に設けられた第二の空間領域を有する第二の部分と、
前記第二の空間領域に第二のガスを導入する手段と、
を備えたことを特徴とするプラズマ発生装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１４は、比較例のプラズマ処理装置の第二の例を示す模式図である。このプラズマ処理装置は、処理チャンバ１１０と、この上部天井部分に気密に取り付けられた平板状の誘電体材料からなる透過窓３１とを備えている。ここで、透過窓３１の誘電体材料としてはＳｉＯ２（石英）やＡｌ２Ｏ３（アルミナ）などがある。透過窓３１の上部には、図示しないマイクロ波発生手段で発生させたマイクロ波Ｍを処理チャンバ１１０に向かって導くための導波管４０が設けられている。導波管４０の透過窓３１に対向する面にはマイクロ波Ｍを透過窓３１に導入するためのスロット３２が設けられている。処理チャンバ１１０の底部には排気管１７０が接続されており、排気管１７０の他端には真空ポンプなどの排気手段１８０が接続されている。排気手段１８０により処理チャンバ１１１内の排気を行うことで処理チャンバ１１１内が所定の減圧雰囲気に維持される。処理チャンバ１１１の内部の処理室１１１ａには、半導体ウェーハなどの被処理物Ｗを載置するための載置台１６０が設けられている。処理チャンバ１１１の上部側壁にはガス導入管３５が連通するように接続されている。ガス導入管１５の他端には図示しないガス供給手段が接続され、ガス供給手段からは還元性ガスを含むプロセスガスＧ３が、処理チャンバ１１０内のプラズマＰが発生する領域に向けて導入できるようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高温腐食性環境に曝されるガスタービンエンジン部品（１０）であって、
ケイ素含有基材（３０）と、
上記基材（３０）上に設けられたボンドコート層（４２）であって、三ケイ化チタン、三ケイ化クロム、二ケイ化ハフニウム、二ケイ化ガドリニウム、二ケイ化ランタン、ケイ化ネオジム、三ケイ化イッテルビウム、希土類の二ケイ化物及び三ケイ化物、又はこれらの親和性のある組合せからなる群から選択される金属ケイ化物からなるボンドコート層（４２）と
を含む部品（１０）。
【請求項２】
前記金属ケイ化物が２８００°Ｆ（１５３７℃）以上の融点を有する、請求項１記載の部品（１０）。
【請求項３】
前記金属ケイ化物が３０００°Ｆ（１６４８℃）以上の融点を有する、請求項２記載の部品（１０）。
【請求項４】
前記ボンドコート層（４２）が基材（３０）に隣接していて、０．５〜１０ミル（１３〜２５４μｍ）の厚さを有する、請求項１乃至請求項３のいずれか記載の部品（１０）。
【請求項５】
前記ボンドコート層（４２）が基材（３０）に隣接していて、１〜６ミル（２５〜１５２μｍ）の厚さを有する、請求項４記載の部品（１０）。
【請求項６】
前記基材（３０）が、ケイ素含有セラミック材料、ケイ素金属合金又はこれらの組合せを含む、請求項１乃至請求項５のいずれか記載の部品（１０）。
【請求項７】
さらに、前記ボンドコート層（４２）に隣接し、ボンドコート層（４２）の上に設けられた環境障壁コーティング（５０）を含む請求項１乃至請求項６のいずれか記載の部品（１０）。
【請求項８】
前記環境障壁層（５０）が、アルカリ土類ケイ酸塩／アルミノケイ酸塩からなる外部蒸気耐性障壁層（７４）を含む請求項７記載の部品（１０）。
【請求項９】
前記外部障壁層（７４）がアルミノケイ酸バリウムストロンチウムからなる、請求項８記載の部品（１０）。
【請求項１０】
前記環境障壁コーティング（５０）が、（１）前記ボンドコート層（４２）の上に設けられた内部シリカスケール層（５８）、（２）前記内層（５８）の上に設けられ、ムライト、又はムライトとアルミノケイ酸バリウムストロンチウム、ケイ酸イットリウムもしくはアルミノケイ酸カルシウムとの組合せを含む中間層（６６）、及び（３）前記中間層（６６）の上に設けられた外部障壁層（７４）を含む、請求項８又は請求項９記載の部品（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディ全体またはボディの一部に沿って延在する螺旋状の切屑フルート（２）、回転スピンドルに締付けられるシャンク（３）、二つの主切刃（５）及び二つのリーディングエッジ（７）を含む中実の超硬合金ボディから作られた金属切削用のツイストドリルであって、
前記リーディングエッジ（７）が、前記主切刃（５）の刃半径よりも大きな刃半径を備えることを特徴とする中実の超硬合金から作られた金属切削用のツイストドリル。
【請求項２】
リーディングエッジ（７）が、前記主切刃（５）の刃半径の２倍よりも大きな刃半径を備えることを特徴とする中実の超硬合金から作られた金属切削用の請求項１に記載のツイストドリル。
【請求項３】
前記主切刃が、＜１０μｍの刃半径を有することを特徴とする請求項１または２に記載のツイストドリル。
【請求項４】
前記リーディングエッジが、１０μｍ〜２００μｍの刃半径を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のツイストドリル。
【請求項５】
前記リーディングエッジの刃の丸味付けが、コーナから少なくとも１ｍｍまで延在することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のツイストドリル。
【請求項６】
ボディ全体またはボディの一部に沿って延在する少なくとも二つの螺旋状の切屑フルート（２）、回転スピンドルに締付けられるシャンク（３）、二つの主切刃（５）及び二つのリーディングエッジ（７）を研削加工することにより、中実の超硬合金ボディから作られた金属切削用のツイストドリルを製作する方法であって、
引き続き、前記リーディングエッジは、前記主切刃（５）の刃半径より大きな刃半径に、刃丸味付け作業が行われることを特徴とする中実の超硬合金ボディから作られた金属切削用のツイストドリルを製作する方法。
【請求項７】
引き続き、前記リーディングエッジは、前記主切刃（５）の２倍の刃半径より大きな刃半径に、刃丸味付け作業が行われることを特徴とする請求項６に記載のツイストドリルを製作する方法。
【請求項８】
前記主切刃が、＜１０μｍの刃半径を有することを特徴とする請求項６または７に記載のツイストドリルを製作する方法。
【請求項９】
前記リーディングエッジが、１０μｍ〜２００μｍの刃半径を有することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載のツイストドリルを製作する方法。
【請求項１０】
前記リーディングエッジの刃の丸味付けが、コーナから少なくとも１ｍｍまで延在することを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載のツイストドリルを製作する方法。
【請求項１１】
５０〜１５０ｍ／分の切削速度及び０．１０〜０．５０ｍｍ／回転の送りで鋼及びステンレス鋼を穿孔加工するための請求項１〜５のいずれか１項に記載のツイストドリル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記ツイストドリルは、５０〜１５０ｍ／分の切削速度及び０．１０〜０．５０ｍｍ／回転の送りで鋼及びステンレス鋼を穿孔加工するために使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内において、粉体材料により形成された内周面を有する深さ１ｍｍ以上の凹部を備えるターゲットに電力を印加して、上記処理容器内にプラズマを発生させ、
上記プラズマにより上記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるとともに、上記スパッタ粒子により上記基材を成膜処理するＰＶＤ法による成膜方法。
【請求項２】
上記ターゲットにおける上記凹部の内側面と上記ターゲットの表面との成す角が９０度以上１８０度未満に形成されている請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【請求項３】
上記粉体材料は、熱伝導率をλ、安定時間をｔ、比熱をCp、嵩密度をρ、上記凹部の深さをLとすると、
フーリエ数（（λ・ｔ）／（Cp・ρ・L２））が、数１を満たす請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【数１】
2007146272.tif 000001
【請求項４】
上記粉体材料は、粒径をD、嵩密度をρ、比表面積をSとすると、数２を満たす請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【数２】
2007146272.tif 000002
【請求項５】
上記ターゲットにおける上記凹部の幅が２０ｍｍ以下である請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【請求項６】
上記ターゲットの中心に対して、一又は複数の上記凹部が点対称に配置されている請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【請求項７】
上記粉体材料の粒径が１μｍ以下である請求項１に記載のＰＶＤ法による成膜方法。
【請求項８】
表面に形成された凹部の内周面が、粉体ターゲットにより構成され且つ上記凹部の深さが１ｍｍ以上であるＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項９】
その内側面と上記ターゲットの表面との成す角が９０度以上１８０度未満となるように上記凹部が形成されている請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１０】
上記角が１２０度となるように上記凹部が形成されている請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１１】
上記ターゲットにおける上記凹部の幅が２０ｍｍ以下である請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１２】
上記粉体材料の粒径が１μｍ以下である請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１３】
上記粉体ターゲットが配置される凹形状又は貫通孔形状を有する粉体配置部が形成された焼結体ターゲットを備え、
上記粉体ターゲットにより上記凹部が形成されるように、上記粉体配置部内に上記粉体ターゲットが配置される請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１４】
上記焼結体ターゲットの組成は、上記粉体ターゲットの組成と同一である請求項１３に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１５】
上記粉体ターゲットは、相異なる２種類以上の上記粉体材料が混合して構成されている請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１６】
上記粉体材料は、典型金属元素、遷移金属元素、又は、それらの酸化物、フッ化物、窒化物、硫化物、水酸化物、あるいは炭酸化物である請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１７】
上記粉体材料の粒径が１μｍ以下である請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【請求項１８】
上記粉体材料は、熱伝導率をλ、安定時間をｔ、比熱をCp、嵩密度をρ、上記凹部の深さをLとすると、
フーリエ数（（λ・ｔ）／（Cp・ρ・L２））が、数３を満たす請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【数３】
2007146272.tif 000003
【請求項１９】
上記粉体材料は、粒径をD、嵩密度をρ、比表面積をSとすると、数４を満たす請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【数４】
2007146272.tif 000004
【請求項２０】
その中心に対して、一又は複数の上記凹部が点対称に配置されている請求項８に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１態様によれば、処理容器内において、粉体材料により形成された内周面を有する深さ１ｍｍ以上の凹部を備えるターゲットに電力を印加して、上記処理容器内にプラズマを発生させ、
上記プラズマにより上記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるとともに、上記スパッタ粒子により上記基材を成膜処理するＰＶＤ法による成膜方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の第３態様によれば、上記粉体材料は、熱伝導率をλ、安定時間をｔ、比熱をCp、嵩密度をρ、上記凹部の深さをLとすると、
フーリエ数（（λ・ｔ）／（Cp・ρ・L２））が、数１を満たす第１態様に記載のＰＶＤ法による成膜方法を提供する。
【数１】
2007146272.tif 000005
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の第１８態様によれば、上記粉体材料は、熱伝導率をλ、安定時間をｔ、比熱をCp、嵩密度をρ、上記凹部の深さをLとすると、
フーリエ数（（λ・ｔ）／（Cp・ρ・L２））が、数３を満たす第８態様に記載のＰＶＤ法に用いる成膜用ターゲットを提供する。
【数３】
2007146272.tif 000006
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、上述の本第１実施形態のターゲット１３を用いて成膜処理を行った実験結果について、図７に示す。図７は、縦軸にスパッタ数、横軸にフーリエ数を採った両対数グラフである。なお、本第１実施形態の粉体ターゲットでは、熱伝導率をλ、成膜処理が安定するまでの安定時間をｔ、比熱をCp、粒径をD、凹部の深さをL、嵩密度をρ、比表面積をSとしている。ここで、比表面積は、例えばベット法などにより求められる値である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁体パネルに孔加工をすることなく、前記壁体パネルを挟み保持し、前記壁体パネルを建物の構造体に取り付ける構造を備えた壁体パネル支持具であって、
室内側には嵌合凸部を有し、室外側には壁体パネルの自重を支持する地面に対して水平な自重受け部を有し、前記嵌合凸部と前記自重受け部との間に地面に対して垂直な垂直部を有する壁体パネル支持部材と、
前記壁体パネル支持部材の前記嵌合凸部と嵌合する嵌合凹部材と
を備え、
前記嵌合凹部材の室外側は、前記嵌合凸部を受け入れる空洞が設けられた凹部を有し、
前記壁体パネル支持部材と前記嵌合凹部材とは、前記嵌合凸部の縦方向に沿って上下に相対移動自在に、かつ、前記壁体パネル支持部材と前記嵌合凹部材との嵌合部分の縦方向を軸として前記軸周りに回転自在となるように嵌合し、
前記壁体パネル支持部材の前記自重受け部は、上下に配置された前記壁体パネル間の横目地部に配置されて、前記壁体パネルの底部を受けること
を特徴とする壁体パネル支持具。
【請求項２】
前記壁体パネルを室外側、室内側の両側から挟み込む弾性体と、
前記弾性体と前記壁体パネルとの間に配置された平滑面を有する超高分子ポリエステルのワッシャーと、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の壁体パネル支持具。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４つのフェーズで動作する内燃機関の、少なくとも１つの非作動のシリンダ（１０，１２，１４，１６）の吸気および／または排気を制御する方法であって、前記シリンダは、吸気弁（２８）を備える吸気手段、排気弁（３４）を備える排気手段、燃料噴射手段（４２）、点火手段（４８）、および、当該シリンダ内で上死点（ＰＭＨａ，ＰＭＨｄ）に相当する位置と下死点（ＰＭＢａ，ＰＭＢｄ）に相当する位置との間をスライドするピストンを有する、吸気および／または排気を制御する方法において、
前記内燃機関が低負荷、すなわち部分負荷で稼働している時に、
前記非作動のシリンダの前記吸気弁（２８）と前記排気弁（３４）のうちの一方の弁を前記上死点（ＰＭＨａ，ＰＭＨｄ）付近で開き、
当該弁を、次の前記上死点（ＰＭＨａ，ＰＭＨｄ）付近で閉じる、
ことを特徴とする、吸気および／または排気を制御する方法。
【請求項２】
排気ガスが前記非作動のシリンダ内に入るように、前記内燃機関の膨張フェーズの開始に相当する前記上死点（ＰＭＨｄ）付近で前記排気弁（３４）を開く、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記吸気弁と前記排気弁のうちの一方の弁（３４）を、他方の弁（２８）を閉じた後に続いて開く、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記非作動のシリンダで新気の掃気が行われるように、前記非作動のシリンダの前記排気弁（３４）と前記吸気弁（２８）の間で動作が重なりあうようにする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの前記シリンダを、当該シリンダに燃料を供給しないことによって非作動にする、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記非作動のシリンダの前記点火手段への給電を遮断する、請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
吸気弁２８と排気弁３４の開閉が、これらの弁のリフトの仕方を、特に、それらの開閉時期に関して、互いに独立して変化させることができる弁駆動手段３８と４０によってそれぞれ制御される。これらの手段は、ＶＶＴ（Variable Valve Timing）またはＶＶＬ（Variable Valve Lift）として、よりよく知られている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
バインダー樹脂を使わないで付与する方法として、糸の製造段階で繊維内部に練り混む方法も考案されているが、微粒子表面を合成樹脂中に埋没してしまうため、本来の性能を発現することが出来ていなかった。（特開２００１−３４８７３３）
また繊維の外側に優先的に微粒子を配置させるために、芯鞘複合糸で鞘部分に練り込む方法も考案されているが十分ではなかった。（特開昭６１−７５８７４）
合成繊維表面の樹脂を分解除去する手段として、アルカリ等による減量処理が挙げられるが、無機粒子を覆っている極めて薄い樹脂層だけを選択的に均一に除去することは難しく、粒子自体が脱落してしまう問題があった。またバインダー樹脂の種類によっても減量条件が異なるなど問題があった。（特開昭５８−２２０８７１）
【特許文献１】特開２００１−３４８７３３
【特許文献２】特開昭６１−７５８７４
【特許文献３】特開昭５８−２２０８７１
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒と、全構造単位の合計に対して下記一般式（ａ１）で表される構造単位を３０．０〜４５．０モル％、下記一般式（ａ２）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％、下記一般式（ａ３）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％有する芳香族液晶ポリエステルとを含有し、前記芳香族液晶ポリエステルの含有量が前記非プロトン性溶媒１００重量部に対して２０〜５０重量部である芳香族液晶ポリエステル溶液組成物を、無機繊維または炭素繊維からなるシートに含浸せしめ、溶媒を除去することを特徴とする樹脂含浸基材の製造方法。
−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−          （ａ１）
−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−        （ａ２）
−ＮＨ−Ａｒ3−Ｘ−          （ａ３）
（式中、Ａｒ1は、１，４−フェニレン、２，６−ナフタレン、または４，４’−ビフェニレンを表わす。Ａｒ2は、１，４−フェニレン、１，３−フェニレン、または２，６−ナフタレンを表わす。Ａｒ3は、１，４−フェニレンまたは１，３−フェニレンを表わす。Ｘは、−Ｏ−または−ＮＨ−を表わす。）
【請求項２】
前記芳香族液晶ポリエステルの流動開始温度が２６０℃以上である請求項１に記載の樹脂含浸基材の製造方法。
【請求項３】
前記シートが、ガラス繊維からなるシートである請求項１または２に記載の樹脂含浸基材の製造方法。
【請求項４】
前記非プロトン性溶媒が、その双極子モーメントが３以上５以下であり、且つ１気圧における沸点が１８０℃以下である請求項１〜３のいずれかに記載の樹脂含浸基材の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂含浸基材の温度５０〜１００℃における平面方向の線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜４のいずれかに記載の樹脂含浸基材の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の樹脂含浸基材の製造方法により樹脂含浸基材を製造し、その片面または両面に導電層を積層させる導電層付樹脂含浸基材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者らは、特許文献２の芳香族液晶ポリエステル溶液組成物に関し、ハロゲン置換フェノールに代替し得る溶媒と、当該溶媒に高度の溶解性を有する液晶ポリエステルの組合わせに関して鋭意検討した結果、本発明を完成するに至った。
即ち本発明は、
［１］ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒と、全構造単位の合計に対して下記一般式（ａ１）で表される構造単位を３０．０〜４５．０モル％、下記一般式（ａ２）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％、下記一般式（ａ３）で表される構造単位を２７．５〜３５．０モル％有する芳香族液晶ポリエステルとを含有し、前記芳香族液晶ポリエステルの含有量が前記非プロトン性溶媒１００重量部に対して２０〜５０重量部である芳香族液晶ポリエステル溶液組成物を、無機繊維または炭素繊維からなるシートに含浸せしめ、溶媒を除去することを特徴とする樹脂含浸基材の製造方法
−Ｏ−Ａｒ1−ＣＯ−          （ａ１）
−ＣＯ−Ａｒ2−ＣＯ−        （ａ２）
−ＮＨ−Ａｒ3−Ｘ−          （ａ３）
（ここで、Ａｒ1は、１，４−フェニレン、２，６−ナフタレン、または４，４’−ビフェニレンを表わす。Ａｒ2は、１，４−フェニレン、１，３−フェニレン、または２，６−ナフタレンを表わす。Ａｒ3は、１，４−フェニレンまたは１，３−フェニレンを表わす。Ｘは、−Ｏ−または−ＮＨ−を表わす。）
を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
さらに、本発明は前記<１>に係る好適な実施態様として、［２］〜［５］を提供する。
［２］前記芳香族液晶ポリエステルの流動開始温度が２６０℃以上である［１］の樹脂含浸基材の製造方法
［３］前記シートが、ガラス繊維からなるシートである［１］または［２］の樹脂含浸基材の製造方法
［４］前記非プロトン性溶媒が、その双極子モーメントが３以上５以下であり、且つ１気圧における沸点が１８０℃以下である［１］〜［３］いずれかの樹脂含浸基材の製造方法
［５］前記樹脂含浸基材の温度５０〜１００℃における平面方向の線膨張率が１３ｐｐｍ／℃以下である［１］〜［４］いずれかの樹脂含浸基材の製造方法
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は前記いずれかの樹脂含浸基材の製造方法により樹脂含浸基材を製造し、その片面または両面に導電層を積層させる導電層付樹脂含浸基材の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基を有する樹脂、顔料、及び水溶性有機溶剤を含有する水性インクであって、
前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂を構成するセグメントを、水酸基を有するセグメントＡ及び水酸基を有さないセグメントＢとしたときに、
前記水溶性有機溶剤が、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂に対する貧溶媒、及び、前記セグメントＡ及び前記セグメントＢの両方に対する良溶媒を含み、前記貧溶媒のうち少なくとも１種が、セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対して良溶媒であり、
前記セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対する良溶媒が、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、及び１，１，１−トリメチロールプロパンから選ばれる少なくとも１種であり、
前記セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対する良溶媒が、グリセリン及びジエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種であり、
前記セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対する良溶媒の含有量が、前記セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対する良溶媒の含有量よりも多いことを特徴とする水性インク。
【請求項２】
前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂に対して貧溶媒であり、且つセグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対して良溶媒である水溶性有機溶剤のインク中の含有量が、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料表面に吸着していない樹脂の含有量に対して、１０倍以上である請求項１に記載の水性インク。
【請求項３】
前記水酸基を有する樹脂が、水酸基を有するモノマーを繰り返し単位として含んでなり、前記水酸基を有するモノマーが、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレートからなる群から選ばれるものである請求項１又は２に記載の水性インク。
【請求項４】
インクをインクジェット方法で吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録方法において、前記インクが、請求項１〜３の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項５】
インクを収容するインク収容部を備えたインクカートリッジにおいて、前記インクが、請求項１〜３の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項６】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えた記録ユニットにおいて、前記インクが、請求項１〜３の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とする記録ユニット。
【請求項７】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えたインクジェット記録装置において、前記インクが、請求項１〜３の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的は以下の本発明によって達成される。即ち、本発明にかかる水性インクは、水酸基を有する樹脂、顔料、及び水溶性有機溶剤を含有する水性インクであって、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂を構成するセグメントを、水酸基を有するセグメントＡ及び水酸基を有さないセグメントＢとしたときに、前記水溶性有機溶剤が、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂に対する貧溶媒、及び、前記セグメントＡ及び前記セグメントＢの両方に対する良溶媒を含み、前記貧溶媒のうち少なくとも１種が、セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対して良溶媒であり、前記セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対する良溶媒が、２−ピロリドン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、及び１，１，１−トリメチロールプロパンから選ばれる少なくとも１種であり、前記セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対する良溶媒が、グリセリン及びジエチレングリコールから選ばれる少なくとも１種であり、前記セグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対する良溶媒の含有量が、前記セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対する良溶媒の含有量よりも多いことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
一方、水溶性有機溶剤が水酸基を有するフリー樹脂に対して貧溶媒である場合、吐出口からの水分の蒸発による貧溶媒の比率の急速な増加に伴って、水酸基を有するフリー樹脂はより安定に存在するために図１のヒーター２の方向に移動する。本発明においては、この現象を「後退現象」と呼ぶ。その結果、滲み出し現象をある程度緩和することが可能であると考えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
一方、セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対して貧溶媒である水溶性有機溶剤と、セグメントＡ及びセグメントＢの両方に対して良溶媒である水溶性有機溶剤を併用する場合、貧溶媒による後退現象の効果をより効果的に得るために、以下の構成とすることが好ましい。即ち、インク中のセグメントＡ及びセグメントＢの両方に対する良溶媒の含有量よりも、水酸基を有するフリー樹脂に対して貧溶媒であり、且つセグメントＡ及びセグメントＢのどちらか一方に対して良溶媒である水溶性有機溶剤の含有量が大きいことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
次に、実施例、参考例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、下記実施例によって限定されるものではない。尚、文中「部」、及び「％」とあるのは、特に断りのない限り質量基準である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
【表４】
2007146128.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
参考例のうち、滲み出し現象の評価結果がＢとなった参考例１〜３、７、及び１０〜１２のインクについて、上記と同様の手順で滲み出し現象の評価を５回繰り返して行った。その結果、参考例２及び１１のインクは上記の評価基準のＣとなることが１回起きた。つまり、参考例２及び１１のインクは、参考例１、３、７、１０、及び１２のインクと比較して、滲み出し現象を抑制する効果がやや低下する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
【表５】
2007146128.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基を有する樹脂、及び顔料を含有する水性インクであって、
インク中における、顔料の含有量に対する、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂の含有量の割合が、２．０質量％以上であり、
且つ、前記水酸基を有する樹脂のうち顔料に吸着していない樹脂の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．２０質量％以下であることを特徴とする水性インク。
【請求項２】
水性インク中の、顔料のインク全質量を基準とした含有量（質量％）を１００としたときの、水酸基を有する樹脂のインク全質量を基準とした含有量（質量％）が、５．０％以上１００．０％以下である請求項１に記載の水性インク。
【請求項３】
前記水酸基を有する樹脂が、ポリビニルアルコール系樹脂である請求項１又は２に記載の水性インク。
【請求項４】
前記水酸基を有する樹脂が、水酸基を有するセグメント及び水酸基を有さないセグメントで構成されるブロック共重合体であり、かつ、前記水酸基を有するセグメントが前記水酸基を有する樹脂の末端に存在する請求項１〜３の何れか１項に記載の水性インク。
【請求項５】
インクをインクジェット方法で吐出して記録媒体に記録を行うインクジェット記録方法において、前記インクが、請求項１〜４の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項６】
インクを収容するインク収容部を備えたインクカートリッジにおいて、前記インクが、請求項１〜４の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項７】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えた記録ユニットにおいて、前記インクが、請求項１〜４の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とする記録ユニット。
【請求項８】
インクを収容するインク収容部と、インクを吐出するための記録ヘッドとを備えたインクジェット記録装置において、前記インクが、請求項１〜４の何れか１項に記載の水性インクであることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
インクを４００，０００Ｇ、１６時間の条件で遠心分離を行い、上澄み部分の液体を９５質量％採取した。その後、得られた液体を酸析して、フリー樹脂を分取した。得られたフリー樹脂を乾固して、固形分を定量した。そして、仕込み量に対する割合から、インク全質量を基準としたフリー樹脂の含有量を求めた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定対象物を含む試料液と試薬とを攪拌する方法であって、
（Ａ）複数の粒子および前記試薬を有する試料液保持部と、試料液供給口とを備えたセルを用い、前記試料液供給口から前記試料液保持部に、被測定対象物を含む試料液を供給する工程、および
（Ｂ）前記試料液の供給によって前記試料液保持部内において生じた前記試料液の流動に伴う前記粒子の動きにより、前記試料液と前記試薬とを攪拌し、前記試料液と前記試薬と前記粒子とを含む混合液を得る工程を含む、攪拌方法であって、
前記試薬が、前記試料液中に含まれる被測定対象物質と特異的に結合可能な特異結合物質を含み、
前記混合液において、前記粒子の少なくとも表面の電荷と前記特異結合物質の電荷とが同じ極性を有する、攪拌方法。
【請求項２】
前記工程（Ｂ）における前記試料液の流動が、前記試料液保持部の内壁面に沿う旋回流である請求項１記載の攪拌方法。
【請求項３】
複数の粒子および試薬を有する試料液保持部と、試料液供給口とを備え、
前記粒子が、前記試料液供給口から前記試料液保持部内に供給された試料液の流動に伴って移動可能に前記試料液保持部に保持されており、
前記粒子の移動により
前記試料液と前記試薬とが攪拌される、セルであって、
前記試薬が、前記試料液中に含まれる被測定対象物質と特異的に結合可能な特異結合物質を含み、
前記試料液の供給により得られた前記試料液と前記試薬と前記粒子とを含む混合液において、前記粒子の少なくとも表面の電荷と、前記特異結合物質の電荷とが同じ極性を有するように、前記粒子及び前記特異結合物質が調整されている、セル。
【請求項４】
前記試薬が緩衝剤をさらに含み、
前記混合液において、前記粒子の少なくとも表面の電荷と、前記特異結合物質の電荷とが同じ極性を有するように、前記緩衝剤が前記混合液のｐＨを調整する、請求項３記載のセル。
【請求項５】
前記試薬が前記試料液に溶解するように、前記粒子が前記試薬により被覆されている請求項３記載のセル。
【請求項６】
前記粒子に、前記特異結合物質が前記粒子に吸着することを阻害する物質が担持されている請求項３記載のセル。
【請求項７】
前記粒子に、前記被測定対象物と前記特異結合物質との反応を阻害する物質を吸着する物質が担持されている請求項３記載のセル。
【請求項８】
前記試料液供給口の外側の開口部の口径が、前記試料液供給口の内側の開口部の口径よりも大きい、請求項３記載のセル。
【請求項９】
前記試料液保持部に光を入射させるための光入射部、および前記試料液保持部から光を出射させるための光出射部を備える請求項３記載のセル。
【請求項１０】
請求項９記載のセルを保持するセル保持部、
前記セルの前記試料液供給口を通して前記試料液保持部に前記試料液を供給するための試料液供給部、
前記セルの前記光入射部に入射する光を出射するための光源、および
前記セルの前記光出射部から出射した光を検出するための光検出部を備え、
前記光検出部において検出された光に基づいて、試料液中の被測定対象物を測定するための測定装置。
【請求項１１】
請求項１記載の攪拌方法に加えて、
さらに、前記試料液保持部に光を入射させるための光入射部、および前記試料液保持部から光を出射させるための光出射部を備えたセルを用い、
（Ｃ）前記光入射部を通して前記保持部内に光を入射させる工程、
（Ｄ）前記光出射部を通して前記保持部外に出射した光を検出する工程、および
（Ｅ）前記混合液中の前記粒子が沈降した後に検出された前記光に基づいて、前記試料液中に含まれる被測定対象物質を測定する工程を含む、測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記のような従来の問題を解決すべく、本発明は、
被測定対象物を含む試料液と試薬とを攪拌する方法であって、
（Ａ）複数の粒子および前記試薬を有する試料液保持部と、試料液供給口とを備えたセルを用い、前記試料液供給口から前記試料液保持部に、被測定対象物を含む試料液を供給する工程、および
（Ｂ）前記試料液の供給によって前記試料液保持部内において生じた前記試料液の流動に伴う前記粒子の動きにより、前記試料液と前記試薬とを攪拌し、前記試料液と前記試薬と前記粒子とを含む混合液を得る工程を含む
攪拌方法であって、
前記試薬が、前記試料液中に含まれる被測定対象物質と特異的に結合可能な特異結合物質を含み、
前記混合液において、前記粒子の少なくとも表面の電荷と前記特異結合物質の電荷とが同じ極性を有する、攪拌方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、
複数の粒子および試薬を有する試料液保持部と、試料液供給口とを備え、
前記粒子が、前記試料液供給口から前記試料液保持部内に供給された試料液の流動に伴って移動可能に前記試料液保持部に保持されており、
前記粒子の移動により前記試料液と前記試薬とが攪拌されるセルであって、
前記試薬が、前記試料液中に含まれる被測定対象物質と特異的に結合可能な特異結合物質を含み、
前記試料液の供給により得られた前記試料液と前記試薬と前記粒子とを含む混合液において、前記粒子の少なくとも表面の電荷と、前記特異結合物質の電荷とが同じ極性を有するように、前記粒子及び前記特異結合物質が調整されている、セルを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この種の定着装置２１０にあっては、シート２０１は定着時の熱により湿分を奪われて収縮する。
このとき、定着装置２１０としては、シート２０１上の画像の定着性を良好に保つために、通常シート２０１の画像保持面側に位置する加熱定着部材２１１の表面温度が対向定着部材２１２の表面温度よりも高温に設定されることが多い。このような状況下において、定着装置２１０の定着ニップ域では必然的に定着部材２１１，２１２間に温度差が生じてしまうため、シート２０１の両面（表裏面）における脱湿経過に差が生じてしまう。すると、例えば定着前にシート２０１の両面における脱湿経過が略均等であったとしても、シート２０１の一方の面における脱湿経過と他方の面における脱湿経過との間に差が生じてしまうことから、シート２０１の両面での収縮量に差異が発生し、この収縮量差に依存してシート２０１にカールが発生するという技術的課題がある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、絞り、正の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成され、ズーミングに際して、該第１レンズ群と該第２レンズ群との間隔が変化し、広角端に比べて望遠端での該第２レンズ群と該第３レンズ群との間隔が小さく、該第３レンズ群と該第４レンズ群との間隔が大きくなるように、レンズ群が移動するズームレンズであって、ズーミングに際して、該絞りと該第３レンズ群との間隔が変化することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記第１レンズ群はズーミングのためには不動であることを特徴とする請求項１のズームレンズ。
【請求項３】
前記第４レンズ群はズーミングのためには不動であることを特徴とする請求項１又は２のズームレンズ。
【請求項４】
前記絞りはズーミングに際して、いずれのレンズ群とも独立に移動することを特徴とする請求項１，２又は３のズームレンズ。
【請求項５】
前記絞りは、ズーミングに際して不動であることを特徴とする請求項１，２又は３のズームレンズ。
【請求項６】
前記第２レンズ群と第３レンズ群の焦点距離を各々ｆ２、ｆ３とするとき、
０．５＜｜ｆ２｜／ｆ３＜１．５
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項７】
前記第１レンズ群と第２レンズ群の焦点距離を各々ｆ１、ｆ２とするとき、
４＜ｆ１／ｆ２＜５０
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項８】
前記第１レンズ群と第４レンズ群の焦点距離を各々ｆ１、ｆ４とするとき、
０．８＜｜ｆ１｜／ｆ４＜２０
なる条件を満足することを特徴とする請求項１から７のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項９】
前記第１レンズ群は、単一の負レンズ又は、正レンズと負レンズとの接合レンズより成り、前記第２レンズ群は、物体側から像側へ順に、像側が凹面の２つの負レンズ、物体側が凸面の正レンズの３枚のレンズ又は、物体側から像側へ順に、像側が凹面の負レンズと物体側が凸面の正レンズの２枚のレンズより成り、前記第３レンズ群は物体側より像側へ順に、正レンズ、負レンズ、正レンズの３枚のレンズより成り、前記第４レンズ群は正レンズと負レンズとの接合レンズより成ることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項１０】
固体撮像素子に像を形成することを特徴とする請求項１から９のいずれか１項のズームレンズ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項のズームレンズと、該ズームレンズによって形成された像を受光する固体撮像素子を有していることを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
又、ネガティブリード型のズームレンズとして、物体側から像側へ順に負、負、正、正の屈折力の第１〜第４レンズ群を有し、第２〜第４レンズ群が移動してズーミングを行う４群ズームレンズが知られている（特許文献３）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明のズームレンズは、物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、負の屈折力の第２レンズ群、絞り、正の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成され、ズーミングに際して、該第１レンズ群と該第２レンズ群との間隔が変化し、広角端に比べて望遠端での第２レンズ群と第３レンズ群との間隔が小さく、第３レンズ群と第４レンズ群との間隔が大きくなるように、レンズ群が移動するズームレンズであって、ズーミングに際して、該絞りと該第３レンズ群との間隔が変化することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007286233.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007286233.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2007286233.tif 000003