【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化合物半導体基板上に第１導電型の第１のクラッド層、その上に活性層、その上に第２導電型の第２のクラッド層が設けられ、
前記第２のクラッド層上の一部に前記第２のクラッド層のそれに比べて高濃度に不純物がドーピングされた第２導電型の第１の半導体層と、第１導電型の第２の半導体層とが設けられ、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは重なっていて、かつ、ストライプ形状となっており、
前記第２の半導体層のそれに比べて低濃度にドーピングされた第１導電型の第３の半導体層が設けられ、前記第３の半導体層は前記第１および第２の半導体層を覆い、かつ、前記第２のクラッド層上に設けられ、
前記第１および第２の半導体層により電流狭窄を行い、かつ、前記第１乃至第３の半導体層の部分によりトンネルジャンクション構造をなしており、
前記化合物半導体基板上の前記第１のクラッド層のある側と反対側の前記化合物半導体基板上に第１の電極が設けられ、
前記第３の半導体層上であって、かつ、前記トンネルジャンクション構造部分から離間した位置に第２および第３の電極が設けられた化合物半導体部材と、
シリコン部材上に埋込酸化層を介してシリコン層が設けられたSOI (Silicon on Insulator)基板上にストライプ形状をしたシリコン光導波路と、
前記第２および第３の電極にそれぞれ固定して前記活性層に電流を供給するための第４および第５の電極が互いに離間して設けられたシリコン部材とを有し、
前記第２の電極と前記第４の電極とが固定され、前記第３の電極と前記第５の電極とが固定され、それらが固定されたときに、前記シリコン光導波路の少なくとも一部と前記第３の半導体層との間は接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記活性層の近くに回折格子が設けられることにより分布帰還型としていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記シリコン光導波路と前記第３の半導体層との接触した部分の両方の外側に前記シリコン光導波路はそれぞれ延在して第１のシリコン光導波路および第２のシリコン光導波路をなし、
前記第１のシリコン光導波路の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第１のリング型共振器が設けられ、前記第１のリング型共振器の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第３のシリコン光導波路が設けられ、前記第３のシリコン光導波路の一部に第１の導電型反射鏡が設けられ、
前記第２のシリコン光導波路の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第２のリング型共振器が設けられ、前記第２のリング型共振器の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第４のシリコン光導波路が設けられ、前記第４のシリコン光導波路の一部に第２の導電型反射鏡が設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１および第２のリング型共振器の反射率ピークが一致した波長λ１でシングルモード発振することを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記シリコン光導波路の端部と前記第３の半導体層の端部とが、それぞれ第１および第２の反射鏡（31, 32）となっていることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
化合物半導体基板上に第１導電型の第１のクラッド層、その上に活性層、その上に第２導電型の第２のクラッド層が設けられ、
前記第２のクラッド層上の一部に前記第２のクラッド層のそれに比べて高濃度に不純物がドーピングされた第２導電型の第１の半導体層と、第１導電型の第２の半導体層とが設けられ、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは重なっていて、かつ、ストライプ形状となっており、
前記第２の半導体層のそれに比べて低濃度にドーピングされた第１導電型の第３の半導体層が設けられ、前記第３の半導体層は前記第１および第２の半導体層を覆い、かつ、前記第２のクラッド層上に設けられ、
前記第１および第２の半導体層により電流狭窄を行い、かつ、前記第１乃至第３の半導体層の部分によりトンネルジャンクション構造をなしており、
前記化合物半導体基板上の前記第１のクラッド層のある側と反対側の前記化合物半導体基板上に第１の電極が設けられ、
前記第３の半導体層上であって、かつ、前記トンネルジャンクション構造部分から離間した位置に第２および第３の電極が設けられた化合物半導体部材と、
シリコン部材上に埋込酸化層を介してシリコン層が設けられたSOI (Silicon on Insulator)基板上にストライプ形状をしたシリコン光導波路と、
前記第２および第３の電極にそれぞれ固定して前記活性層に電流を供給するための第４および第５の電極が互いに離間して設けられたシリコン部材とを有し、
前記第２の電極と前記第４の電極とが固定され、前記第３の電極と前記第５の電極とが固定され、それらが固定されたときに、前記シリコン光導波路の少なくとも一部と前記第３の半導体層との間は接触していることを特徴とする光増幅装置。
【請求項７】
前記活性層の近くに回折格子が設けられることにより分布帰還型としていることを特徴とする請求項６記載の光増幅装置。
【請求項８】
前記シリコン光導波路と前記第３の半導体層との接触した部分の両方の外側に前記シリコン光導波路はそれぞれ延在して第１のシリコン光導波路および第２のシリコン光導波路をなし、
前記第１のシリコン光導波路の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第１のリング型共振器が設けられ、前記第１のリング型共振器の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第３のシリコン光導波路が設けられ、前記第３のシリコン光導波路の一部に第１の導電型反射鏡が設けられ、
前記第２のシリコン光導波路の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第２のリング型共振器が設けられ、前記第２のリング型共振器の近くであって、かつ、前記シリコン部材上に第４のシリコン光導波路が設けられ、前記第４のシリコン光導波路の一部に第２の導電型反射鏡が設けられていることを特徴とする請求項６記載の光増幅装置。
【請求項９】
前記第１および第２のリング型共振器の反射率ピークが一致した波長λ１でシングルモード発振することを特徴とする請求項８記載の光増幅装置。
【請求項１０】
前記シリコン光導波路の端部と前記第３の半導体層の端部とが、それぞれ第１および第２の無反射鏡となっていることを特徴とする請求項６記載の光増幅装置。
【請求項１１】
化合物半導体基板上に設けられた第１の絶縁半導体層上の一部に、導波路型半導体活性層が設けられ、
前記活性層上に、前記活性層へ電流を閉じ込めるための第２の絶縁半導体層が設けられ、
前記活性層および前記第２の絶縁半導体層とは重なっていて、かつ、ストライプ形状となっており、
前記前記活性層および前記第２の絶縁半導体層を有する積層体の一方の側方側には第１導波路型の第１のコンタクト層が設けられ、前記積層体の他方の側方側には第２導波路型の第２のコンタクト層が設けられ、
前記第１のコンタクト層上には第１の電極が設けられ、前記第２のコンタクト層上には第２の電極が設けられた化合物半導体部材と、
シリコン部材上に埋込酸化層を介してシリコン層が設けられたSOI (Silicon on Insulator)基板上にストライプ形状をした第１のシリコン光導波路と、
前記第１および第２の電極にそれぞれ固定して前記活性層に電流を供給するための第３および第４の電極が互いに離間して設けられたシリコン部材とを有し、
前記第１の電極と前記第３の電極とが固定され、前記第２の電極と前記第４の電極とが固定され、それらが固定されたときに、前記第１のシリコン光導波路の少なくとも一部と前記第２の絶縁半導体層との間は接触していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記活性層の近くに回折格子が設けられることにより分布帰還型としていることを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ装置。
【請求項１３】
前記第２の絶縁半導体層と接触している前記第１シリコン光導波路と、第２のシリコン光導波路とが接続されており、前記第２のシリコン光導波路は前記シリコン部材上に設けられていることを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ装置。
【請求項１４】
前記第１のシリコン光導波路の端部と前記第２のシリコン光導波路の端部とが、それぞれ第１および第２の反射鏡となっていることを特徴とする請求項１１記載の半導体レーザ装置。
【請求項１５】
ストライプ状の活性層を第１導電型の第１のクラッド層と第２導電型の第２のクラッド層との間に有し、さらに、前記第2クラッド層の外側に前記ストライプ状の活性層を挟み込んでいる２つの電極を有する半導体レーザ素子と、
シリコン導波路と前記シリコン導波路を挟み込んでいる2つの電極とを有するシリコン部材と、を備え、
前記ストライプ状の活性層と前記シリコン導波路とが前記２つの電極間で重なる位置で、前記シリコン導波路と前記半導体レーザ素子を構成する半導体層とが接合されるとともに、前記半導体レーザ素子の電極と前記シリコン部材の電極とが接合されていることを特徴とする半導体レーザ装置。