【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月3日(2013.5.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に適用された光活性半絶縁炭化ケイ素（ＳｉＣ）層（半絶縁ＳｉＣ層のバルクがサブバンドギャップ波長照射に反応して伝導に切り替わる）であって、前記ＳｉＣ層がその中に形成されたホウ素関連Ｄ−センター欠損を有するＳｉＣ層、および
電磁放射線が前記ＳｉＣ層の表面に入ることを可能とする光透過層を含む集積回路（ＩＣ）デバイス。
【請求項２】
前記基板がＮ型伝導性基板、又は、Ｐ型伝導性基板である、請求項１に記載のＩＣデバイス。
【請求項３】
電磁放射線デバイスであって、前記電磁放射線デバイスが電磁放射線を前記ＳｉＣ層の前記表面に向けるよう構成された電磁放射線デバイスをさらに含む、請求項１又は２に記載のＩＣデバイス。
【請求項４】
前記電磁放射線デバイスに接続されたコントローラーであって、前記コントローラーが前記電磁放射線デバイスを駆動するために構成されたコントローラーをさらに含む、請求項３に記載のＩＣデバイス。
【請求項５】
前記電磁放射線デバイスが前記ＳｉＣ層において光伝導性を励起する第１の波長および前記ＳｉＣ層において光伝導性をクエンチングする第２の波長を少なくとも有する電磁放射線を発生する、請求項３又は４に記載のＩＣデバイス。
【請求項６】
前記ＩＣデバイスが、 
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
として構成される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のＩＣデバイス。
【請求項７】
基板、
前記基板上のドリフト層、
前記ドリフト層上のチャンネル層、
前記基板上に適用された光活性半絶縁炭化ケイ素（ＳｉＣ）層であって、前記ＳｉＣ層がその中に形成されたホウ素関連Ｄ−センター欠損を有するＳｉＣ層、および
電磁放射線が前記ＳｉＣ層の表面に入ることを可能とする光透過層を含むＩＣデバイス。
【請求項８】
前記基板がＮ型伝導性基板、又は、Ｐ型伝導性基板である、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項９】
電磁放射線デバイスであって、前記電磁放射線デバイスが電磁放射線を前記ＳｉＣ層の前記表面に向けるよう構成された電磁放射線デバイスをさらに含む、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項１０】
前記電磁放射線デバイスに接続されたコントローラーであって、前記コントローラーが前記電磁放射線デバイスを駆動するために構成されたコントローラーをさらに含む、請求項９に記載のＩＣデバイス。
【請求項１１】
前記電磁放射線デバイスが前記ＳｉＣ層において光伝導性を励起する第１の波長および前記ＳｉＣ層において光伝導性をクエンチングする第２の波長を少なくとも有する電磁放射線を発生する、請求項９に記載のＩＣデバイス。
【請求項１２】
前記ＩＣデバイスが、
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
として構成される、請求項７に記載のＩＣデバイス。
【請求項１３】
基板上に光活性半絶縁ＳｉＣ層を形成すること、およびＩＣデバイスが形成されるよう、前記光活性半絶縁ＳｉＣ層上にさらなる層を形成することを含む、ＩＣデバイスを形成するための方法。
【請求項１４】
前記ＳｉＣ層内にホウ素関連Ｄ−センター欠損が形成されるよう、前記光活性半絶縁ＳｉＣ層をホウ素でドーピングすることにより前記光活性半絶縁ＳｉＣ層を形成する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
形成される前記光活性ＩＣデバイスが、
(a) 光制御バイポーラ接合トランジスタ（ＢＪＴ）、又は
(b) 光制御接合トランジスタ電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、又は、
(c) 光制御金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、又は、
(d)光制御サイリスタ、
である、請求項１３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
「光によって持続する」光伝導スイッチの代替品は、米国特許第４，８２５，０６１号においてＳｃｈｏｅｎｂａｃｈらにより教示され［９］、これにより１つの波長の１レーザーパルスが、ナノ秒持続するレーザーパルスが終了しても何マイクロ秒も持続する持続的光伝導性を励起し［１０］、且つより波長の長い第２の「クエンチング」レーザーパルスの適用によってオンデマンドで終了することのできるバルク光伝導デバイスが明らかとされる［１１］。Ｓｃｈｏｅｎｂａｃｈらは、第’０６１号において、銅をドーピングしたヒ化ガリウムにおいて特に強いことが１９６０年までに判明した光クエンチング効果［１２］を利用する。第’０６１号の基本的根拠である、銅ドーピングＧａＡｓおよびＣｄＳなどの光感受性半導体における赤外線光クエンチングの物理学は、１９６５年までに適切に理解された［１３］。第’０６１号におけるＳｃｈｏｅｎｂａｃｈらの教示は、その実施形態が全般的に［７］から［９］に記載され、且つ図５に例示されているバルク光伝導性スイッチにおけるこれらの効果の使用に限定される。たとえば［１４］および［１５］などの信頼できる文献により、教示は図６に示すような回路について意図された光伝導スイッチによって実践的に認識することができ、またたとえばＳｔｏｕｄｔらが米国特許第５，８６４，１６６号において教示するようなパルス電源用途において一般に利用される［１６］ことが明らかとされる。実際に作動するデバイスの全ての証明は、第’０６１号においてＳｃｈｏｅｎｂａｃｈらによって教示され、バルク半絶縁材料を製造するためにシリコン−ドーピングＧａＡｓ（を熱拡散により銅で補償するＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ）同じ核心的プロセスによって二次加工されるバルク光伝導性スイッチに限定されている［１７］。実際、第’０６１号には他の実践的な教示は含まれていない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
パルス電源スイッチの先行技術と比較したＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕ光伝導性スイッチの利点は、短い少数キャリア寿命を有する材料において高い光伝導性ゲインを有し、それゆえ迅速な上昇および降下時間および長いおよび／あるいは連続した可変デューティー比を伴う電流パルスを必要とする用途に対してより低いレーザー出力消費をもたらすことである。しかし［１４］で報告されるように、ＧａＡｓ：Ｓｉ：Ｃｕバルク光伝導スイッチにおいては、電流のフィラメント化に至る［１８］基本的な不安定性のため、３ｋＶ／ｃｍオーダーの比較的低い平均電界のみを制御することができ、このため大きな電圧を遮断し且つ大きな電流を伝導するには、電力業界で使用される従来の半導体デバイスに対して非常に大きな活動面積を必要とする。したがって、スイッチを電源エレクトロニクス用途に適用するには法外に大きなレーザーエネルギーを必要とする。さらなる欠点は、とりわけその低い熱伝導性により、ＧａＡｓが一般に電源エレクトロニクスのための選択肢として劣っていることである。Ｓｃｈｏｅｎｂａｃｈらは、炭化シリコンなどの電源エレクトロニクスのためのよりすぐれた半導体の選択肢に実践的に適用できる実施形態を教示しない。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
上で論じたマイクロエレクトロニクスデバイスは、これらの教示を検討するとき他の当業者にとって明らかである構造と同様に、閉鎖光パルスの標準配列がデバイスの活性領域を照射して持続的な光伝導性を補充するのであれば、単回閉鎖光パルスの数ミリ秒からより長時間に至る閉鎖期および開放期のデューティー比のほぼ無限の組合せによってスイッチの閉鎖および開放転換の純粋な光制御を可能とするという利点を有する電源エレクトロニクスシステムに組み込むことができる。