(57)【要約】【課題】２層構造の異方性導電膜を用いて、その異方導電性能を発揮させやすい電子部品の実装方法を提供すること。【解決手段】多数の導電性粒子を有する第１の接着層と、第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する異方性導電膜を用いて電子部品を実装するにあたり、少なくとも異方性導電膜の仮圧着時に、第１の接着層側から加熱を行う。また、仮圧着後に行われる電子部品の本圧着時に、第１の接着層側から加熱を行うことが好ましい。多数の導電性粒子は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、第１の接着層に保持されていると良い。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の導電性粒子を有する第１の接着層と、前記第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する異方性導電膜を用いた電子部品の実装方法であって、
少なくとも前記異方性導電膜の仮圧着時に、前記第１の接着層側から加熱を行うことを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】
前記仮圧着後に行われる前記電子部品の本圧着時に、前記第１の接着層側から加熱を行うことを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】
前記第２の接着層表面には、離型性を有する基材が積層されており、前記仮圧着後に、前記基材を剥離することを特徴とする請求項１または２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
前記多数の導電性粒子は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、前記第１の接着層に保持されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
前記多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在することを特徴とする請求項４に記載の電子部品の実装方法。
【請求項６】
前記多数の導電性粒子は、前記第１の接着層中に分散されていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の電子部品の実装方法。
【請求項７】
前記第１の接着層は、前記第２の接着層よりもその仮圧着時の加熱温度における溶融粘度が高いことを特徴とする請求項１から６の何れかに記載の電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＩＣチップやＴＡＢなどの電子部品を配線基板上に実装する方法として、異方性導電膜を用いる方法が知られている。
【０００３】
上記実装方法では、一般に、基台上に載置した配線基板上に、圧着ヘッドで異方性導電膜を仮圧着した後、圧着ヘッドで電子部品を本圧着することにより、電子部品の実装を行うことが多い。この際、圧着時の加熱は、圧着ヘッドを通じて行われるのが通常である。
【０００４】
上記異方性導電膜としては、例えば、膜状に形成した接着樹脂中に多数の導電性粒子を分散させたものが広く普及している。
【０００５】
また、例えば、本件出願人による特許文献１には、孔部内に導電性粒子を充填した多孔質膜の両面に接着層を被覆した３層構造の異方性導電膜が提案されている。
【０００６】
また、本件出願人は、上記以外にも、多数の導電性粒子を有する接着層の片面に、導電性粒子を有していない接着層を積層した２層構造の異方性導電膜を開発し、既に特許出願も行っている。
【０００７】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ２００５／０９６４４２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の実装方法では、２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難い場合があることが判明した。これは以下の理由によるものと考えられる。
【０００９】
すなわち、異方導電性能の安定性を高める観点から、導電性粒子は、圧着前後でほとんど流動しないことが好ましい。これを実現するためには、２層構造の異方性導電膜では、導電性粒子を含む接着層材料に、高い溶融粘度を有する材料を用いることになる。
【００１０】
ところが、このような設計とした場合、導電性粒子を有する接着層側を配線基板側として従来の実装方法を行うと、仮圧着時に、異方性導電膜を配線基板に十分に密着させることが困難になってしまう。この原因の一つとしては、圧着ヘッドにより加えた熱が、基台に吸収されてしまうことなどが考えられる。
【００１１】
また、これを防止しようとして、圧着ヘッドによる加熱温度を過度に高くすると、今度は導電性粒子を有さない側の接着層が流れてしまい、本圧着時にＩＣチップのバンプ間などを埋めるのに必要な量の接着層を確保し難くなる。そのため、これによってＩＣチップとの密着性の低下が生じ得る。
【００１２】
このように、従来の実装方法では、密着性の低下に起因して、２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難かった。
【００１３】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたもので、２層構造の異方性導電膜を用いて、その異方導電性能を発揮させやすい電子部品の実装方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するため、本発明に係る電子部品の実装方法は、多数の導電性粒子を有する第１の接着層と、上記第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する異方性導電膜を用いた方法であって、少なくとも上記異方性導電膜の仮圧着時に、上記第１の接着層側から加熱を行うことを要旨とする。
【００１５】
ここで、上記実装方法では、上記仮圧着後に行われる上記電子部品の本圧着時に、上記第１の接着層側から加熱を行うと良い。
【００１６】
また、上記第２の接着層表面には、離型性を有する基材が積層されており、上記仮圧着後に、上記基材を剥離すると良い。
【００１７】
また、上記多数の導電性粒子は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、上記第１の接着層に保持されていると良い。
【００１８】
また、上記多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面内に存在すると良い。
【００１９】
また、上記以外にも、上記多数の導電性粒子は、上記第１の接着層中に分散されていても良い。
【００２０】
また、上記第１の接着層は、第２の接着層よりもその仮圧着時の加熱温度における溶融粘度が高いことが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係る電子部品の実装方法では、多数の導電性粒子を有する第１の接着層と、第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する異方性導電膜を用いて電子部品を実装するにあたり、異方性導電膜の仮圧着時に、第１の接着層側から加熱を行う。
【００２２】
そのため、圧着前後で導電性粒子がほとんど流れない程度にまで、第１の接着層の溶融粘度が高く設定されている場合であっても、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板と間の密着性が高くなる。
【００２３】
また、仮圧着時に、第２の接着層が過度に加熱されることがないため、第２の接着層の流れを抑制できる。そのため、電子部品の本圧着時に必要な量の第２の接着層を確保しやすく、本圧着時における異方性導電膜と電子部品との間の密着性が高くなる。
【００２４】
したがって、上記電子部品の実装方法によれば、２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させやすくなる。
【００２５】
ここで、さらに、仮圧着後に行われる電子部品の本圧着時に、第１の接着層側から加熱を行った場合には、十分な密着性を確保しやすくなるため、接続信頼性の向上に寄与しやすくなる。
【００２６】
また、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板との密着性に優れることから、第２の接着層表面に、離型性を有する基材が積層されており、上記仮圧着後に当該基材を剥離する場合に、当該基材だけを剥離しやすい。
【００２７】
また、多数の導電性粒子が、互いに離間され、規則的に配列された状態で、第１の接着層に保持されている場合には、上記実装方法による効果と相まって、接続信頼性を向上させることができる。
【００２８】
一方、多数の導電性粒子が、第１の接着層中に分散されている場合には、上記ほどではないが、接続信頼性を向上させることができる。
【００２９】
また、仮圧着時の加熱温度において、第１の接着層の溶融粘度が、第２の接着層の溶融粘度よりも高い場合には、上記実装方法による効果を得やすくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、本実施形態に係る電子部品の実装方法（以下、「本実装方法」ということがある。）について詳細に説明する。
【００３１】
本実装方法は、異方性導電膜を用いて電子部品を実装する方法である。本製造方法は、具体的には、例えば、回路パターンが形成された配線基板上に、異方性導電膜を介して、ＩＣチップやＴＡＢなどの電子部品を実装する場合などに好適に適用することができる。
【００３２】
本実装方法では、２層構造の異方性導電膜を用いる。この異方性導電膜は、多数の導電性粒子を有する第１の接着層と、第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを備えている。なお、実装時には、第２の接着層側が電子部品側となるように配置される。
【００３３】
第１の接着層および第２の接着層を構成する接着層材料としては、具体的には、例えば、各種の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂やゴムなどを用いることができる。
【００３４】
両接着層材料としては、より具体的には、例えば、エポキシ系樹脂、メラミン系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、不飽和ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、シアネート系樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリフェニレンオキシド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアセタール系樹脂、ポリビニルアセタール系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリビニル系樹脂などの熱可塑性樹脂、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ビニル基、アミノ基、エポキシ基などの官能基を１種または２種以上含むゴムやエラストマーなどを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００３５】
両接着層材料は、同一であっても良いし、異なっていても良い。好ましくは、両接着層の溶融粘度、弾性率などを調整しやすいなどの観点から、両接着層材料は、異なっていると良い。
【００３６】
また、仮圧着時の加熱温度において、第１の接着層材料の溶融粘度は、第２の接着層材料の溶融粘度より大きいことが好ましい。仮圧着時の熱により、第１の接着層を流れ難くする、または、ほんど流れないようにして、導電性粒子の捕捉性を向上させやすくすることができるなどの利点があるからである。
【００３７】
なお、上記溶融粘度は、材料が硬化するものは硬化する前の状態における粘度である。
【００３８】
また、上記溶融粘度は、その接着層材料による試料（直径２０ｍｍ、厚み４００μｍ）を作製し、応力制御型レオメータ（例えば、ティー・エイ・インスツルメント・ジャパン（株）製、「ＡＲ５００」などが上市されている。）を使用して、昇温速度５℃／分、周波数１Ｈｚ、歪み０．１％の測定条件にて、各温度毎の溶融粘度を測定することにより求めることができる。
【００３９】
上記第１の接着層の厚みは、用いる導電性粒子の粒径、強度、製造性などを考慮して決定することができる。
【００４０】
後述するように、第１の接着層の導電性粒子が規則的に配列されている場合には、具体的には、例えば、上記第１の接着層の厚みの上限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の３／２倍以下、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１倍以下、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の２／３倍以下であると良い。
【００４１】
一方、上記第１の接着層の厚みの下限は、好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／１０倍以上、より好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／５倍以上、さらにより好ましくは、上記導電性粒子の粒径の１／３倍以上であると良い。
【００４２】
第１の接着層の厚みが上記範囲内にある場合には、電子部品が有する導体（ＩＣチップのバンプなど）が導電性粒子を押し潰す際に、第１の接着層がそれを阻害し難い。そのため、実装時に導電性粒子が捕捉されやすくなり、膜厚方向の導通性能を向上させやすくなる。
【００４３】
また、第２の接着層の厚みは、ＩＣチップのバンプなど、電子部品が有する導体の高さや、圧着後における接着層材料による充填性などを考慮して決定することができる。
【００４４】
上記第２の接着層の厚みの上限は、好ましくは、実装する電子部品が有する導体の高さの３倍以下、より好ましくは、２倍以下、さらにより好ましくは、１．７５倍以下であると良い。
【００４５】
上記接着層の厚みの下限は、好ましくは、実装する電子部品が有する導体の高さの１倍以上、より好ましくは、１．２倍以上、さらにより好ましくは、１．３倍以上であると良い。
【００４６】
本実装方法に適用される異方性導電膜は、第１の接着層が、多数の導電性粒子を有している。
【００４７】
図１に例示した異方性導電膜１０のように、多数の導電性粒子１２は、互いに離間され、規則的に配列された状態で、第１の接着層１４に保持されていても良い。また、図２に例示した異方性導電膜２０のように、第１の接着層２２中に、多数の導電性粒子２４が、ランダムに分散されていても良い。なお、何れの異方性導電膜１０、２０の場合も、第２の接着層１６は、導電性粒子を有していない。
【００４８】
本実装方法に用いる異方性導電膜としては、本実装方法による効果と相まって、接続信頼性を向上させることができるなどの観点から、図１に例示した異方性導電膜が好適である。以下、この図１に例示した異方性導電膜について主に説明する。
【００４９】
上記規則的な配列としては、具体的には、例えば、格子状、千鳥状、ハニカム状などの配列、これら配列を傾斜させたものなどを例示することができる。好ましくは、千鳥状配列、傾斜をつけた千鳥状配列などである。
【００５０】
また、多数の導電性粒子は、ほぼ同一平面（第１の接着層面とほぼ平行な面）内に存在すると良い。この場合には、厚み方向に複数の導電性粒子が積み重ならない。そのため、厚み方向の導通に、導電性粒子同士の接触抵抗が関与せず、導通性能を向上させやすくなるからである。また、圧着時に積み重なった導電性粒子が、電子部品の導体と配線基板の配線パターンとの間から弾き出され、膜面方向の絶縁性を悪化させる心配も無くなるからである。
【００５１】
また、導電性粒子の粒径の上限は、膜面方向の絶縁信頼性を向上させるなどの観点から、電子部品や配線基板が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものよりも小さいことが好ましい。より好ましくは、最も狭いものの１／２以下であると良い。
【００５２】
上記導電性粒子の粒径の上限は、好ましくは、１０μｍ以下、より好ましくは、７μｍ以下、さらにより好ましくは、５μｍ以下などである。
【００５３】
一方、上記導電性粒子の粒径の下限は、異方性導電膜の製造時に導電性粒子が凝集し難く、取扱い性が良好であるなどの観点から、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、２μｍ以上、さらにより好ましくは、３μｍ以上などである。
【００５４】
なお、上記導電性粒子の粒径は、粒度分布測定装置（セイシン企業製、「ＰＩＴＡ−１」）にて測定した平均粒径である。
【００５５】
また、導電性粒子同士の間隔の上限は、膜厚方向の導通信頼性を向上させるなどの観点から、電子部品や配線基板が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものよりも小さいことが好ましい。より好ましくは、最も狭いものの１／２以下であると良い。
【００５６】
導電性粒子同士の間隔の上限は、好ましくは、３０μｍ以下、より好ましくは、２０μｍ以下、さらにより好ましくは、１０μｍ以下などである。
【００５７】
一方、導電性粒子同士の間隔の下限は、膜面方向の絶縁信頼性を向上させるなどの観点から、好ましくは、１μｍ以上、より好ましくは、２μｍ以上、さらにより好ましくは、３μｍ以上などである。
【００５８】
図１および図２に示す導電性粒子の形態としては、具体的には、例えば、略球状（断面が略楕円形状のものも含む）、略柱状、紡錘状、針状などを例示することができる。好ましくは、規則的に配列させやすい、膜面方向の絶縁信頼性に優れる、均等に圧縮されやすいなどの観点から、導電性粒子の形態は、略球状であると良い。
【００５９】
上記導電性粒子は、本圧着後に、膜厚方向を電気的に接続可能な導電性を備えておれば良い。
【００６０】
上記導電性粒子としては、具体的には、例えば、その表面から中心部まで導電性物質で満たされている粒子、高分子粒子の表面に１層または２層以上の導電性層が被覆されている粒子などを例示することができる。
【００６１】
好ましくは、後者の粒子を用いると良い。加圧により粒子が弾性変形しやすいため、本圧着後に、導体との接触面積が大きくなり、膜厚方向の導通性を確保しやすくなるからである。
【００６２】
より具体的には、例えば、前者の粒子の例として、金属粒子、カーボン粒子などを、後者の粒子の例として、樹脂粒子の表面に１層または２層以上の金属めっき層（電解めっき、無電解めっきなど）やスパッタ層などを有する粒子などを例示することができる。
【００６３】
上記導電性物質、導電性層に適用可能な金属としては、具体的には、例えば、金、銀、白金属（白金、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミニウム、イリジウム）、ニッケル、銅、亜鉛、鉄、鉛、錫、アルミニウム、コバルト、インジウム、クロム、チタン、アンチモン、ビスマス、ゲルマニウム、カドミウムなどの金属、錫−鉛合金、錫−銅合金、錫−銀合金、錫−鉛−銀合金などの２種以上の金属で構成される合金などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。
【００６４】
上記高分子粒子に適用可能な高分子としては、具体的には、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイソブチレン、ポリブタジエン、ポリアルキレンテレフタレート、ポリスルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、フェノールホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、ベンゾグアナミンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などを例示することができる。これらは１種または２種以上含まれていても良い。なお、上記（メタ）アクリル酸エステルは、必要に応じて架橋されていても良い。
【００６５】
好ましくは、（メタ）アクリル酸エステル重合体、ジビニルベンゼン重合体、ジビニルベンゼン−スチレン共重合体やジビニルベンゼン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のジビニルベンゼン系重合体などである。
【００６６】
さらに、上記導電性粒子の表面に、ＴｉＯ２などの絶縁性の酸化物や上記高分子などによる絶縁層が１層または２層以上被覆された粒子などを用いても良い。もっとも、上記絶縁層は、本圧着後に、少なくとも導体に接した部分が破壊されて導通可能になる厚さとされている必要がある。このような粒子を用いた場合には、導体に接しない部分は絶縁層が破壊し難いため、膜面方向の絶縁性を向上させやすい。
【００６７】
なお、図１および図２に示す異方性導電性膜は、上記した導電性粒子を１種または２種以上含んでいても良い。
【００６８】
図１に示した異方性導電膜は、例えば、次のようにして得ることができる。
【００６９】
すなわち、規則的に配列された孔部を有する型に保持させた多数の導電性粒子を、第１の接着層材料より形成した平膜表面に転写する。
【００７０】
次いで、転写した導電性粒子を平膜内に埋め込んで保持させ、互いに離間されて、規則的に配列された多数の導電性粒子を保持した第１の接着層を形成する。
【００７１】
次いで、この第１の接着層の何れか一方面に、第２の接着層を形成する。この際、第２の接着層の形成方法としては、具体的には、例えば、第２の接着層材料を適当な固形分量、粘度となるように調製した塗液を、コーターなどの公知の塗工手段を用いて第１の接着層表面に塗工し、必要に応じて乾燥させる方法、上記方法などにより予め作製しておいた膜状の第２の接着層を、第１の接着層表面に貼り合わせる方法などを例示することができる。
【００７２】
また、第１の接着層は、規則的に配列された多数の孔部を有する多孔質膜の孔部内に、導電性粒子を充填することにより形成することもできる。
【００７３】
この場合、上記多孔質膜は、規則的に配列された凸部を有する型を、第１の接着層材料より形成した平膜表面に押しつけるなどして形成することができる。また、他にも、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な第１の接着層材料と、界面活性剤とを含む溶液をキャストした支持体を高湿度雰囲気下に存在させることにより、溶液表面に結露した水滴を鋳型として孔部が形成された多孔質膜などであっても良い。
【００７４】
上記孔部に導電性粒子を保持させる方法としては、具体的には、例えば、（１）導電性粒子自体またはその分散液を孔部形成面上に散布した後、刷毛、ブラシ、ブレードなどの擦り切り手段により擦り切り、孔部内に導電性粒子を入れる方法、（２）導電性粒子自体またはその分散液を孔部形成面上に散布した後、外部から磁力や振動を加え、孔部内に導電性粒子を入れる方法、（３）上記分散液中に上記型を浸漬する方法、（４）孔部形成面と一定距離離間させて板状部材を配置し、形成された隙間に、上記分散液を導入し、型・多孔質膜および／または板状部材をスライド移動させる方法、これらの組み合わせなどを例示することができる。
【００７５】
導電性粒子を孔部内に物理的に押し込むので、導電性粒子をより確実に保持させやすい、保持させるのに要する時間が比較的短いなどの観点から、好ましくは、（１）の方法を用いるのが良い。より好ましくは、乾式で行うことができるなどの観点から、（１）の方法において粉末状の導電性粒子自体を用いるのが良い。さらに好ましくは、導電性粒子が孔部内に導入されやすくなるなどの観点から、（１）の方法において、孔部形成面と反対側から磁力により導電性粒子を孔部形成面に引きつけつつ、擦り切り手段により擦り切ると良い。
【００７６】
ここで、本実装方法は、少なくとも上記異方性導電膜の仮圧着時に、第１の接着層側から加熱を行う。
【００７７】
通常、実装装置は、図３、図４に示すように、配線パターン３０が形成された配線基板３２を載置する基台３４と、バンプなどの導体３６を有する電子部品３８を圧着する圧着ヘッド４０と備えている。
【００７８】
このような実装装置を用いて仮圧着するには、図３に示すように、基台３４上に載置された配線基板３２上に、上記異方性導電膜１０を配置（第１の接着層１４が配線基板３２側）し、圧着ヘッド４０で異方性導電膜１０を加圧することになる。なお、仮圧着時に、圧着ヘッド４０を汚染しにくいなどの観点から、第２の接着層１６表面には、離型性を有する基材４２が積層されていると良い。
【００７９】
この場合、第１の接着層側を加熱する方法としては、例えば、基台に設けられたヒータなどにより、基台を加熱する方法などを例示することができる。
【００８０】
従来は、仮圧着に必要な熱は、圧着ヘッドから供給していた。これに対し、本実装方法では、仮圧着に必要な熱を基台などから供給し、第１の接着層側を加熱することで、異方性導電膜と配線基板との密着性を高めることができる。また、第２の接着層も流れ難くなり、本圧着時に異方性導電膜と電子部品との密着性も高めることができる。
【００８１】
この仮圧着時に、圧着ヘッドは、加熱されていないことが好ましい。第１の接着層から第２の接着層へ伝わる熱を、圧着ヘッドが吸収しやすくなるので、第２の接着層が流れ難くなり、本圧着時に有利だからである。とりわけ、第２の接着層の溶融粘度が、第１の接着層の溶融粘度よりも小さい場合に、その効果が大きくなる。
【００８２】
もっとも、本発明による効果を損なわない範囲内であれば、上記仮圧着時に、圧着ヘッドに熱がついていても良い。上記熱は、自然についたものであっても良いし、加熱されてついたものであっても良い。この場合には、第１の接着層側の温度よりも第２の接着層側の温度が低くなる。
【００８３】
上記仮圧着時における、第１の接着層側の加熱温度は、第１の接着層材料などによって異なる。基本的には、第１の接着層材料が、配線基板と密着を発現する温度であれば良い。好ましくは、上記密着を発現する最低温度近傍の温度であると良い。第１の接着層側の加熱温度を過度に高くすれば、仮圧着時に第２の接着層が流れやすくなってしまうからである。
【００８４】
本実装方法では、上記加熱温度としては、好ましくは、８０℃〜１２０℃、より好ましくは、１００℃〜１１０℃の範囲内などを挙げることができる。
【００８５】
また、仮圧着時の加圧力は、特に限定されることはなく、通常の仮圧着時に用いられる加圧力とすれば良い。
【００８６】
通常、仮圧着時の加圧力は、０．１〜１．０ＭＰａ程度の範囲内である。
【００８７】
本実装方法では、上記仮圧着後に、本圧着が行われる。
【００８８】
上記本圧着では、例えば、図４に示すように、配線基板３２上に仮圧着された異方性導電膜１０の第２の接着層１６表面に、ＩＣチップなどの電子部品３８を配置する。その後、電子部品３８を、圧着ヘッド４０で加圧することになる。
【００８９】
なお、離型性を有する基材４２が第２の接着層１６表面に積層されている場合には、上記仮圧着後、本圧着に入る前に剥離すれば良い。この際、本実装方法では、仮圧着時における異方性導電膜と配線基板との密着性に優れることから、当該基材だけを剥離することができる。
【００９０】
この本圧着時に必要な熱は、第１の接着層側から供給しても良いし、第２の接着層側から供給しても良い。また、両側から供給しても良い。
【００９１】
この場合、第１の接着層側を加熱する方法としては、例えば、基台に設けられたヒータなどにより、基台を加熱する方法などを例示することができる。第２の接着層側を加熱する方法としては、例えば、圧着ヘッドに設けられたヒータなどにより加熱する方法などを例示することができる。
【００９２】
本圧着後に、十分な密着性を確保しやすく、接続信頼性の向上に寄与しやすいなどの観点から、好ましくは、少なくとも第１の接着層側から加熱を行うのが良い。この場合には、第１の接着層側の温度よりも第２の接着層側の温度が低くなる。
【００９３】
上記本圧着時における、第１の接着層側の加熱温度は、第１の接着層材料などによって異なる。
【００９４】
上記本圧着時の加熱温度は、特に限定されることはなく、通常の本圧着時に用いられる温度とすれば良い。
【００９５】
上記本圧着時の加熱温度としては、好ましくは、１６０〜２１０℃、より好ましくは、１６０〜１８０℃の範囲内などを挙げることができる。
【００９６】
また、本圧着時の加圧力は、特に限定されることはなく、通常の本圧着時に用いられる加圧力とすれば良い。
【００９７】
通常、本圧着時の加圧力は、５０〜１５０ＭＰａ程度の範囲内である。
【実施例】
【００９８】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【００９９】
１．異方性導電膜の準備
初めに、本実装方法に適用するための異方性導電膜を、以下の手順により準備した。
【０１００】
すなわち、アルコール可溶ポリアミド系樹脂２３．３９重量部と、フェノキシ系樹脂（東都化成（株）製、「ＥＦＲ−００１０Ｍ３０」）２５．１６重量部と、エポキシ系樹脂（東都化成（株）製、「ＦＸ２８９ＥＫ７５」）４．９重量部と、エポキシ系樹脂（東都化成（株）製、「ＦＸ３０５ＥＫ７０」）２．６７重量部と、メラミン系樹脂（三和ケミカル（株）製、「ニカラックＭＸ−７５０」）１．３７重量部と、硬化剤（四国化成（株）製、「Ｃ１１Ｚ」）０．３８重量部と、硬化剤（三菱ガス化学（株）製、「Ｆ−ＴＭＡ」）０．５７重量部と、メタノール２４．２６重量部と、トルエン４８．０５重量部と、メチルセロソルブ６９．２重量部とを混合し、第１の接着層形成溶液を調製した。
【０１０１】
次いで、コンマコーターを用い、連続的に供給される基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｘ」）の離型面に、上記第１の接着層形成溶液を塗工した。
【０１０２】
次いで、この塗工層を１６０℃で９０秒間乾燥させ、ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂よりなる平膜（厚み２μｍ）を形成した。その後、この平膜の表面に、基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み７５μｍ、リンテック（株）製、「ＰＥＴ７５Ｃ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１０３】
これにより、離型性を有する基材間に挟持された、ポリアミド系樹脂とフェノキシ系樹脂とを主成分とする樹脂製の平膜を用意した。
【０１０４】
次に、千鳥状に配列された多数の凹部（開口径５μｍ、凹深さ３．５μｍの略円柱状、ピッチ＝隣接する開口部の中心間の距離１０μｍ）を有するＮｉ電鋳型を用意した。
【０１０５】
次いで、ジビニルベンゼン系架橋樹脂よりなる粒子の表面に、Ｎｉめっき層、Ａｕめっき層が順に被覆された、平均粒径４μｍの樹脂めっき粒子（積水化学工業（株）、「ミクロパールＡＵ−２０４」）を、上記Ｎｉ電鋳型の凹面上に広げた。
【０１０６】
次いで、凹面と反対側に設置した永久磁石（（株）西興産業製、フェライト磁石、１０００ガウス）にて、樹脂めっき粒子を型に引きつけつつ、刷毛にて表面を擦り切り、凹部内に樹脂めっき粒子を導入した。
【０１０７】
なお、凹部が形成されていない型表面に付着していた樹脂めっき粒子や、凹部に導入された樹脂めっき粒子に静電気力などで付着していた樹脂めっき粒子は、表面の擦り切りや、微粘着テープ（（株）きもと製、「ビエーフルＥＰ５０」）を用いることで除去した。
【０１０８】
これにより、凹部一つにつき一つずつ樹脂めっき粒子を保持させたＮｉ電鋳型を用意した。
【０１０９】
そして、一方の基材を剥離して露出させた平膜の表面と、Ｎｉ電鋳型の樹脂めっき粒子の保持面とを重ね合わせ、これを、温度１２０℃、加圧力０．１ＭＰａ、加熱加圧時間６０秒の条件で、熱ラミネートし、室温まで冷却した後、当該型を取り除いた。
【０１１０】
これにより、Ｎｉ電鋳型の凹部に保持させた多数の樹脂めっき粒子を、上記平膜表面に転写した。なお、転写後の平膜表面上には、多数の樹脂めっき粒子が、互いに離間された状態で、約８°傾けられた千鳥状に規則的に配列されていた。
【０１１１】
次に、上記転写後の平膜表面に基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｃ」）の離型面を重ね、これを、温度１４０℃、加圧力０．１ＭＰａ、加熱加圧時間６０秒の条件で、熱ラミネートした。
【０１１２】
これにより、転写された樹脂めっき粒子を、その規則的な配列を維持したまま平膜内に埋め込んで当該膜に保持させた。なお、樹脂めっき粒子は、転写面からその一部が僅かに突出しており、かつ、転写面と反対側の面にはその一部が露出されていない状態で膜に保持されていた。
【０１１３】
以上により、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層を形成した。なお、この第１の接着層は、離型性を有する基材間に挟持されている。
【０１１４】
次に、ジシクロペンタジエン型エポキシ系樹脂（大日本インキ（株）製、「エピクロンＨＰ７２００ＨＨ」）９０重量部と、ニトリルゴム（ＮＢＲ）（日本ゼオン（株）製、「ニポール１０７２Ｊ」）１０重量部と、硬化剤（旭化成ケミカルズ（株）製、「ノバキュアＨＸＡ３９３２ＨＰ」）１８７重量部とを、固形分量が４２％となるようにトルエンにて希釈し、第２の接着層形成用溶液を調製した。
【０１１５】
次いで、コンマコーターを用い、連続的に供給される基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製「ＰＥＴ３８Ｃ」）の離型面に、上記第２の接着層形成用溶液を塗工した。
【０１１６】
次いで、この塗工層を１１０℃で９０秒間乾燥させ、第２の接着層（厚み２０μｍ）を形成した。その後、この第２の接着層の表面に、基材（ポリエチレンテレフタレート、厚み３８μｍ、リンテック（株）製、「ＰＥＴ３８Ｂ」）の離型面を合わせて巻き取った。
【０１１７】
以上により、離型性を有する基材間に挟持された第２の接着層を用意した。
【０１１８】
次に、片側の基材を剥離して露出させた第１の接着層表面（樹脂めっき粒子の転写面側）と、同じく片側の基材を剥離して露出させた第２の接着層表面とを重ね合わせ、これを貼り合わせた。
【０１１９】
上記の通りにして、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層と、この第１の接着層の片面に積層された第２の接着層とを有する２層構造の異方性導電膜（厚み２２μｍ）を準備した。なお、この異方性導電膜は、離型性を有する基材間に挟持されている。また、後述する実装では、上記異方性導電膜を３ｍｍ×１７ｍｍの大きさにカットして使用した。
【０１２０】
２．配線基板および電子部品の準備
厚み０．７ｍｍのガラス基板表面に回路パターン（材質ＩＴＯ、パターンピッチ３０μｍ、パターン幅２０μｍ）が形成された配線基板を準備した。
【０１２１】
また、電子部品として、Ａｕバンプを有するＩＣチップ（バンプ面積２０μｍ×１００μｍ、ピッチ３０μｍ、バンプ高さ１５μｍ）を準備した。
【０１２２】
３．実施例および比較例に係る実装方法
（実施例１）
１１０℃に加熱した基台上に上記配線基板を載置した。次いで、第１の接着層（樹脂めっき粒子を含む）側の基材を剥離した上記異方性導電膜を、上記配線基板の回路パターン上に、第１の接着層側を配線基板側にして配置した。
【０１２３】
なお、加熱温度を１１０℃としたのは、準備した異方性導電膜の第１の接着層がガラスと密着力を発現しうる最低温度近傍の温度であり、かつ、この温度であれば、準備した異方性導電膜の第２の接着層が流動可能であるからである。また、１１０℃における第１の接着層材料の溶融粘度は、２．０×１０４Ｐａ・ｓであり、第２の接着層材料の溶融粘度は、３．０×１０２Ｐａ・ｓである。
【０１２４】
次いで、圧着ヘッド（温度３０℃）を用い、第２の接着層上の基材を介して、異方性導電膜を加圧（加圧力０．２ＭＰａ、加圧時間５秒）し、配線基板上に異方性導電膜を仮圧着した。なお、この際、圧着ヘッドは加熱を行っていない。
【０１２５】
次いで、第２の接着層上の基材を剥離した。この際、仮圧着された異方性導電膜は、基材と一緒にとれてしまうことはなく、配線基板に十分に密着されていた。
【０１２６】
次いで、基台の加熱温度を１１０℃から８０℃とし、仮圧着された異方性導電膜上に、配線基板の回路パターンとＩＣチップのＡｕバンプとが相対峙するように載置した。
【０１２７】
次いで、２１０℃に加熱した圧着ヘッドを用いて、上記ＩＣチップの上部を加圧（加圧力８０ＭＰａ、加圧時間１０秒）して本圧着した。
【０１２８】
以上により、ＩＣチップを配線基板上に実装した。
【０１２９】
（比較例１）
仮圧着までの間、基台を加熱しなかった点（基台温度は３０℃）、仮圧着時に１１０℃に加熱された圧着ヘッドを用いた点以外は、上記実施例１に係る実装方法と同様にして、ＩＣチップを配線基板上に実装した。
【０１３０】
なお、この比較例１では、仮圧着後、第２の接着層上の基材を剥離時に、基材とともに異方性導電膜も一緒にとれてしまい、異方性導電膜を配線基板に十分に密着させることができなかった。そのため、異方性導電膜を押さえつけて第２の接着層上の基材を剥離し、本圧着動作に移行した。
【０１３１】
４．評価
４．１  仮圧着後の第２の接着層の流れ量
実施例および比較例に係る実装方法において、上記仮圧着時に、第２の接着層上にある基材端部から流れ出た第２の接着層の縁部までの距離をマイクロスコープにて測定し、これを第２の接着層の流れ量（μｍ）とした。
【０１３２】
４．２  本圧着後の第２の接着層の充填状態
実施例および比較例に係る実装方法において、上記本圧着後、ガラス基板側から、マイクロスコープにて接着層の充填状態（ＩＣチップ・ガラス基板間）を確認した。
【０１３３】
４．３  異方導電性能の評価
（異方導電性膜の膜厚方向における電気抵抗の測定）
上記実装方法により得られた各圧着体について、相対峙する回路パターン−Ａｕバンプ間の電気抵抗を、抵抗率計（ダイアインスツルメンツ製、「ロレスタＧＰ」）を用い、４端子４探針法により測定した。なお、試料数は、それぞれＮ＝１０［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜厚方向の電気抵抗とした。
【０１３４】
（異方導電性膜の膜面方向における電気抵抗の測定）
上記実装方法により得られた各圧着体について、隣接する回路パターン間の電気抵抗を、テスターＴ２（ＡＮＤ社製、「ＡＤ５５２２」）を用いて測定した。なお、試料数は、それぞれＮ＝１０［個］であり、算術平均による平均値を算出し、これを膜面方向の電気抵抗とした。
【０１３５】
５．結果
表１に、上記評価結果をまとめて示す。
【０１３６】
【表１】
2008210908.tif 000003
【０１３７】
表１を相対比較すると次のことが分かる。すなわち、比較例１では、ＩＣチップを実装するにあたり、２層構造を有する異方性導電膜の仮圧着時に、第２の接着層側から加熱を行っている。
【０１３８】
そのため、異方性導電膜と配線基板とを十分に密着させることができなかった。この原因としては、基台により熱が吸収されて、第２の接着層に加わる熱が吸収されるなどしたためであると考えられる。
【０１３９】
また、仮圧着時に、圧着ヘッドによる高熱によって第２の接着層が流れやすかった。そのため、本圧着後、ＩＣチップのＡｕバンプ間に、第２の接着層を十分に充填させることができず、異方性導電膜とＩＣチップとの密着性が低下した。
【０１４０】
それ故、２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させ難い結果となった。
【０１４１】
これに対し、実施例１では、ＩＣチップを実装するにあたり、２層構造を有する異方性導電膜の仮圧着時に、第１の接着層側から加熱を行っている。
【０１４２】
そのため、第１の接着層の溶融粘度が、第２の接着層の溶融粘度より高くても、異方性導電膜と配線基板とを十分に密着させることができた。
【０１４３】
また、仮圧着による第２の接着層の流れを抑制することができた。そのため、本圧着後、ＩＣチップのＡｕバンプ間に、第２の接着層を十分に充填させることができ、異方性導電膜とＩＣチップとの密着性を向上させることができた。
【０１４４】
それ故、２層構造の異方性導電膜が有する異方導電性能を十分に発揮させることができ、接続信頼性を向上させることができた。
【０１４５】
以上、本発明の一実施形態、一実施例について説明したが、本発明は上記実施形態、実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【０１４６】
例えば、上記実施例では、互いに離間されて規則的に配列された多数の樹脂めっき粒子を保持する第１の接着層を有する異方性導電性膜を用いたが、これ以外にも、多数の細かな導電性粒子が分散された第１の接着層を有する異方性導電性膜を用いても、同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本実装方法に好適に適用可能な異方性導電膜の模式的な断面図の一例である。
【図２】本実装方法に適用可能な異方性導電膜の模式的な断面図の一例である。
【図３】仮圧着時の状態を模式的に示した図である。
【図４】本圧着時の状態を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１０  異方性導電膜
１２  導電性粒子
１４  第１の接着層
１６  第２の接着層
２０  異方性導電膜
２２  第１の接着層
２４  導電性粒子
３０  配線パターン
３２  配線基板
３４  基台
３６  導体
３８  電子部品
４０  圧着ヘッド
４２  離型性を有する基材
【図１】
2008210908.tif 000004
【図２】
2008210908.tif 000005
【図３】
2008210908.tif 000006
【図４】
2008210908.tif 000007