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【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤およびｍｉＲ−４９９の阻害剤を含む、心臓ストレス応答を低下することが必要な対象において心臓ストレス応答を低下するための医薬の組み合わせであって、前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤を連続してまたは同時に投与し、前記阻害剤投与の２週間以内に前記対象において心臓ストレス応答が低下する、医薬の組み合わせ。
【請求項２】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が、アンチセンスオリゴヌクレオチドである、請求項１に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項３】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤が、配列番号５または配列番号１９に対して少なくとも部分的に相補的である配列を含むアンチセンスオリゴヌクレオチドである、請求項１または２に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項４】
前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が、配列番号１４に対して少なくとも部分的に相補的である配列を含むアンチセンスオリゴヌクレオチドである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項５】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂアンチセンスオリゴヌクレオチドおよび前記ｍｉＲ−４９９アンチセンスオリゴヌクレオチドが、少なくとも１つの糖および／または骨格修飾を含む、請求項２〜４のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの糖修飾が、ロックド核酸、２’−Ｏ−アルキル修飾、または２’−フルオロ修飾である、請求項５に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの骨格修飾が、ホスホロチオエート結合である、請求項５または６に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項８】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂアンチセンスオリゴヌクレオチドおよび前記ｍｉＲ−４９９アンチセンスオリゴヌクレオチドが、約８〜約１８ヌクレオチド長である、請求項２〜７のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項９】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂアンチセンスオリゴヌクレオチドおよび前記ｍｉＲ−４９９アンチセンスオリゴヌクレオチドが、約１２〜約１６ヌクレオチド長である、請求項２〜７のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１０】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８の阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が別々の組成物中に存在する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１１】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が連続して投与される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１２】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤が前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤の前に投与される、請求項１１に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１３】
前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤の前に投与される、請求項１１に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１４】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が少なくとも２４時間離れて投与される、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１５】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８の阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が同じ組成物中に存在する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１６】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が発現ベクターによってコードされる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１７】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が、同じ発現ベクターによってコードされている、請求項１６に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１８】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂの阻害剤および前記ｍｉＲ−４９９の阻害剤が、約１ｍｇ／ｋｇ〜約２００ｍｇ／ｋｇの用量で投与される、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項１９】
前記ｍｉＲ−２０８ａまたはｍｉＲ−２０８ｂおよび前記ｍｉＲ−４９９の発現または活性が、前記阻害剤の投与後に前記対象の心臓細胞において６０パーセント低下する、請求項１〜１８のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項２０】
前記心臓ストレス応答が、心筋細胞肥大、心臓繊維症、心臓細胞におけるα−ＭＨＣ発現の低下、および／または前記対象の心臓細胞におけるβ−ＭＨＣ発現の増大を含む、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【請求項２１】
前記対象は、病的な心臓肥大、心不全、または心筋梗塞を発症する危険性がある、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の医薬の組み合わせ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート誘電体材質、前記ゲート誘電体材質上に形成される電極材質及びオフセット側壁スペーサを備えたゲート電極構造に横方向に隣接してトランジスタの能動領域内にキャビティを形成することと、
第１のドーパント濃度を有するドーパント種を備えた第１の歪誘起半導体合金を前記キャビティ内に形成することと、
前記第１のドーパント濃度よりも低い第２のドーパント濃度を有するドーパント種を備えた第２の歪誘起半導体合金を前記キャビティ内の前記第１の歪誘起半導体合金上に形成することと、
前記トランジスタのチャネル領域と接続するドレイン及びソース拡張領域を前記ドーパント種の前記第１及び第２のドーパント濃度に基いて形成するように熱処理を実行することとを備えた方法。
【請求項２】
前記キャビティを介して前記能動領域内へ少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することを更に備えた請求項１の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することは、前記ドーパント種との組み合わせにおいてドレイン及びソース領域を形成するために前記ドーパント種と同一の伝導性タイプを決定するドーパント種を導入することと、
前記ドレイン及びソース領域に対してカウンタドープされる領域を形成するために前記ドーパント種に対してカウンタドープする種を導入することとを備えている請求項２の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの更なるドーパント種を導入することは、注入プロセスを実行することと、
前記歪誘起半導体合金を形成するのに先立ち結晶性損傷を再結晶化させるように第２の熱処理を実行することとを備えている請求項２の方法。
【請求項５】
前記第２の歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも低い請求項１の方法。
【請求項６】
前記第２の歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも高い請求項１の方法。
【請求項７】
前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによってゲルマニウム含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって錫含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２の歪誘起半導体層の少なくともいずれか一つを形成することは、選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって炭素含有材質を形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項１０】
トランジスタのドレイン及びソース領域を形成する方法であって、
ドレイン及びソースドーパント種の第１の部分を前記トランジスタの能動領域内へキャビティを介して注入することと、
前記キャビティの高さ方向に対して高さが増すほど濃度が低くなるような段階的な濃度を有する前記ドレイン及びソースドーパント種の第２の部分を備えた歪誘起半導体合金を前記キャビティ内に形成することと、
少なくとも１つの熱処理を実行して前記ドレイン及びソースドーパント種の前記第１及び第２の部分に基き前記ドレイン及びソース領域の最終的なドーパントプロファイルを形成することとを備えた方法。
【請求項１１】
前記歪誘起半導体合金を形成することは、前記キャビティ内に緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも低い請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記歪誘起半導体合金を形成することは、緩衝層を形成することと、前記緩衝層の上方に拡張層を形成することとを備えており、前記緩衝層のドーパント濃度は前記拡張層のドーパント濃度よりも高い請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記歪誘起半導体合金はゲルマニウム及び錫の少なくとも一方を備えている請求項１０の方法。
【請求項１４】
前記歪誘起半導体合金を形成するのに先立ち前記ドレイン及びソースドーパント種に対してカウンタドープする更なるドーパント種を注入することを更に備えた請求項１０の方法。
【請求項１５】
前記ドレイン及びソースドーパント種の前記第１の部分は埋め込み絶縁層まで拡張するように注入される請求項１０の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｃ】
2012516556.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｄ】
2012516556.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｇ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｇ】
2012516556.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｈ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｈ】
2012516556.tif 000004
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｉ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｉ】
2012516556.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｊ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｊ】
2012516556.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分離領域によって横方向に分離されている第１のシリコン含有結晶性半導体領域及び第２のシリコン含有結晶性半導体領域の上方上にマスク層を形成することと、
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域の上方から選択的に前記マスク層を除去する一方で前記第２のシリコン含有結晶性半導体領域の上方上には前記マスク層を維持することと、
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域の高さと前記分離領域の高さとの差異を減少させることと、
前記差異が減少させられ沈まされた第１のシリコン含有結晶性半導体領域上に選択的にスレッショルド調節半導体合金を形成することと、
前記スレッショルド調節半導体合金の上方に第１のトランジスタの第１のゲート電極構造を形成することと、
前記第２のシリコン含有結晶性半導体領域の上方に第２のトランジスタの第２のゲート電極構造を形成することとを備えた方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のゲート電極構造を形成することは、高ｋ誘電体ゲート絶縁層を形成することと、前記高ｋゲート絶縁層上に金属含有電極材質を形成することとを備えている請求項１の方法。
【請求項３】
前記マスク層を形成することはシリコン窒化物層を形成することを備えている請求項１の方法。
【請求項４】
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域から選択的に前記マスク層を除去することはプラズマ支援エッチングプロセスを実行することを備えている請求項１の方法。
【請求項５】
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域の前記厚みは前記プラズマ支援エッチングプロセスの間に減少させられ沈まされる請求項４の方法。
【請求項６】
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域から選択的に前記マスク層を除去することの後にウエット化学的エッチングプロセスを実行することを更に備えた請求項３の方法。
【請求項７】
前記マスク層を選択的に除去するために用いられたレジストマスクを除去することを更に備えた請求項６の方法。
【請求項８】
前記第１のシリコン含有結晶性半導体領域の前記厚みは前記ウエット化学的エッチングプロセスに基いて減少させられ沈まされる請求項６の方法。
【請求項９】
前記ウエット化学的エッチングプロセスを実行することはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）を用いることを備えている請求項８の方法。
【請求項１０】
前記スレッショルド調節半導体合金を形成することは、前記分離構造上及び前記第２のシリコン含有結晶性半導体領域の上方に形成される前記マスク層上の材質堆積を抑制するように選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することを備えている請求項１の方法。
【請求項１１】
前記スレッショルド調節半導体合金はシリコン／ゲルマニウム合金を備えている請求項１０の方法。
【請求項１２】
分離構造によって横方向に包囲される能動半導体領域の表面を露出させ、前記能動半導体領域の高さと前記分離構造の高さとの差異を減少させて前記露出させられた表面の任意の露出させられた表面区域が実質的に同一の結晶方位を有するようにすることと、
選択的エピタキシャル成長プロセスを実行することによって、前記露出させられた表面上にスレッショルド調節半導体材質を形成することと、
トランジスタのゲート電極構造であって高ｋ誘電体材質及び前記高ｋ誘電体材質上に形成される金属含有電極材質を備えているゲート電極構造を前記スレッショルド調節半導体材質上に形成することとを備えた方法。
【請求項１３】
前記表面を露出させることは前記分離構造の表面より上方に拡がる前記能動半導体領域の材質を除去することを備えている請求項１２の方法。
【請求項１４】
前記能動半導体領域の材質を除去することはプラズマ支援エッチングプロセスを実行することを備えている請求項１３の方法。
【請求項１５】
前記能動半導体領域の上方にマスク層を形成することと、前記プラズマ支援エッチングプロセスに基いて前記マスク層を前記能動領域から選択的に除去する一方で前記マスク層を更なる能動領域の上方で維持することとを更に備えた請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記マスク層はシリコン窒化物を備えている請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記マスク層は概ね１０ナノメートル（ｎｍ）以下の厚みで形成される請求項１５の方法。
【請求項１８】
前記表面を露出させることの後にウエット化学的エッチングプロセスを実行することを更に備えた請求項１４の方法。
【請求項１９】
前記ウエット化学的エッチングプロセスはフッ酸（ＨＦ）に基いて実行される請求項１８の方法。
【請求項２０】
前記スレッショルド調節半導体材質はシリコン／ゲルマニウム合金を備えている請求項１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューターゲームの方法であって、
複数の異なる姿勢へ調節されるように構成される機械読み取り可能なモデルによって、人間のゲームプレーヤーを表すステップと、
ソースから前記人間のゲームプレーヤーの観察された奥行き画像を受け取るステップと、
前記人間のゲームプレーヤーの前記機械読み取り可能なモデルを合成された奥行き画像へとラスタライズするステップと、
１つ又は複数の力を前記機械読み取り可能なモデルの力受信位置に印加し、前記機械読み取り可能なモデルが該力に応答して動くことを可能にすることによって、前記観察された奥行き画像と前記合成された奥行き画像との間の差に少なくとも部分的に基づいて、前記機械読み取り可能なモデルの姿勢を調節するステップと、
調整される前記機械読み取り可能なモデルの姿勢を、ゲームプレイの要素に影響を与えるパラメーターとして使用するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記観察された奥行き画像は複数の観察された画素を含み、１つ以上の観察された画素は、前記ソースとその観察された画素に対応する前記人間のゲームプレーヤーの一部との間の差を示す観察された奥行き値を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記合成された奥行き画像が複数の合成された画素を含み、１つ以上の合成された画素は、前記ソースとその合成された画素により表される前記人間のゲームプレーヤーの一部との間の差を示す合成された奥行き値を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記合成された奥行き画像が複数の合成された画素を含み、１つ以上の合成された画素は、その合成された画素が対応する前記人間のゲームプレーヤーの一部を示す体の部分のインデックスを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記機械読み取り可能なモデルの姿勢を調節するステップは、観察された画素の観察された奥行き値と対応する合成された画素の合成された奥行き値との間の差に基づく請求項１に記載の方法。
【請求項６】
目標を追跡する方法であって、
ソースから目標の観察された奥行き画像を受け取るステップと、
姿勢を有する前記目標のモデルを得るステップと、
前記モデルを合成された奥行き画像へとラスタライズするステップと、
１つ又は複数の力を前記モデルの力受信位置に印加し、前記モデルが該力に応答して動くことを可能にすることによって、前記観察された奥行き画像と前記合成された奥行き画像との間の差に少なくとも部分的に基づいて、前記モデルの姿勢を調節するステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記観察された奥行き画像は複数の観察された画素を含み、１つ以上の観察された画素は、前記ソースとその観察された画素に対応する前記目標の一部との間の差を示す観察された奥行き値を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ソースが奥行きカメラを含む請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記ソースがステレオカメラを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記モデルが、複数の関節によって調節可能に接続された複数の体の部分を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記モデルが、複数の関節によって調節可能に接続された複数の骨格部材を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記モデルが、多角形の端において調節可能に接続された複数の多角形を含むワイヤーフレームメッシュを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１３】
前記合成された奥行き画像が複数の合成された画素を含み、１つ以上の合成された画素は、前記ソースとその合成された画素により表される前記目標の一部との間の差を示す合成された奥行き値を含む請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記合成された奥行き画像が複数の合成された画素を含み、１つ以上の合成された画素は、その合成された画素が対応する前記目標の一部を示す体の部分のインデックスを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１５】
前記合成された奥行き画像が複数の合成された画素を含み、各合成された画素は、その合成された画素が対応する目標を示す目標インデックスを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１６】
前記モデルの姿勢を調節するステップは、観察された画素の観察された奥行き値と対応する合成された画素の合成された奥行き値との間の差に基づく請求項６に記載の方法。
【請求項１７】
前記モデルの姿勢を調節するステップは、対応する合成された画素と異なる、観察された画素の体の部分のインデックスにさらに基づく請求項６に記載の方法。
【請求項１８】
前記モデルの姿勢を調節するステップは、１つ以上の制約に従って前記モデルを修正するステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項１９】
奥行き情報を得るように構成されたソースと、
前記ソースに動作可能に接続された論理サブシステムと、
前記ソースから目標の観察された奥行き画像を受け取り、
姿勢を有する前記目標のモデルを取得し、
前記モデルを合成された奥行き画像へとラスタライズし、
１つ又は複数の力を前記モデルの力受信位置に印加し、前記モデルが該力に応答して動くことを可能にすることによって、前記観察された奥行き画像と前記合成された奥行き画像との間の差に少なくとも部分的に基づいて、前記モデルの姿勢を調節する
ための、前記論理サブシステムによって実行可能な命令を保持するデータ保持サブシステムと
を具備するコンピューティングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
あるネットワークにおける分散されたデジタル資産と関係メタデータを管理するシステムであって、
相互接続された複数のノードを有し、前記相互接続されたノードの各々は、ユーザ制御による記憶手段とキャッシングサブシステムを通じて、前記分散された資産へのアクセス可能性を提供し、前記分散されたデジタル資産と関係メタデータの管理が所定の基準に基づいて行われるようになっており、前記所定の基準は、前記分散されたデジタル資産を解析することによってあるいは前記分散されたデジタル資産に関するユーザの行動の記録から導き出すことによって設定される資産の重要値を含み、前記相互接続された複数のノードの各ノードは、キャッシングサブシステムと、メタデータ記憶手段と、コントローラと、ユーザ制御による資産コンポーネントと、前記各ノード間の通信のためのネットワーキングサブシステムと、を含み、前記相互接続された複数のノードは、クライアントアプリケーションのプラットフォーム運用をサポートすることを特徴とするシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、
前記分散されたデジタル資産の管理のための前記所定の基準は、ノードの可用性、ノードの能力、資産の人気と需要、資産安全要求、および資産可用性優先性要求を含むことを特徴とするシステム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムであって、
前記関係メタデータの管理はさらに、１つまたは複数のノードを同期させ、前記関係メタデータが、前記相互接続されたノードの各々に関連する挙動に適用される前記所定の基準に従って、個別に調整されるようにすることを含むことを特徴とするシステム。
【請求項４】
請求項２に記載のシステムであって、
前記分散されたデジタル資産の管理はさらに、１つまたは複数のノードを同期させ、前記分散されたデジタル資産が、前記相互接続されたノードの各々に関連する挙動に適用される所定の基準に従って、個別に調整されるようにすることを含むことを特徴とするシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月22日(2013.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメッセージを、第１のデバイスのユーザに決まった順序で伝える方法であって、前記複数のメッセージ及び前記複数のメッセージの決まった順序は第２のデバイスに記憶され、前記複数のメッセージは最初のメッセージ（メッセージ１）、２番目のメッセージ（メッセージ２）、最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）及び最後のメッセージ（メッセージＮ）を前記決まった順序で含み、前記方法は、
前記第１のデバイスに、前記複数のメッセージのうちの、最初のメッセージ（メッセージ１）と最後のメッセージ（メッセージＮ）を格納する行為と、
前記第１のデバイスのユーザに、前記最初のメッセージ（メッセージ１）、前記２番目のメッセージ（メッセージ２）、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）及び前記最後のメッセージ（メッセージＮ）以外の３番目のメッセージを提示する行為と、
前記第１のデバイスのユーザが入力するナビゲーションコマンドを受け取る行為と、
第１の方向を示す前記ナビゲーションコマンドに応答して、前記第１のデバイスのユーザに前記最初のメッセージ（メッセージ１）を提示し、第２のデバイスに前記２番目のメッセージ（メッセージ２）を要求するとともに、該２番目のメッセージ（メッセージ２）を前記第１のデバイスに格納する行為と、
前記第１の方向とは反対の第２の方向を示す前記ナビゲーションコマンドに応答して、前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を前記第１のデバイスのユーザに提示し、第２のデバイスに前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を要求するとともに、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を前記第１のデバイスに格納する行為とを含む通信方法。
【請求項２】
前記複数のメッセージの各々は、これら複数のメッセージの各々が前記第１のデバイスに格納されるまでは、前記第１のデバイスにではなく、前記第２のデバイスに対して前もって同定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２のデバイスに前記最初のメッセージ（メッセージ１）及び前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を要求する行為をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記２番目のメッセージ（メッセージ２）を格納する行為は、前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を以前に格納した前記第１のデバイスのメモリ位置に、２番目のメッセージ（メッセージ２）を格納する行為を含む、請求項１または３に記載の方法。
【請求項５】
前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を格納する行為は、前記最初のメッセージ（メッセージ１）を以前に格納した前記第１のデバイスのメモリ位置に、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を格納する行為を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
いずれの時点においても、前記第１のデバイスのメモリに、前記複数のメッセージのうち、わずか３つのメッセージを格納する行為をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のデバイスに、前記複数のメッセージの各々を格納するために所定量を越えないメモリを割り当てる行為であって、前記所定量のメモリは、前記複数のメッセージのうち、わずか３つのメッセージを格納するのに十分である、メモリ割り当て行為をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
複数のメッセージを格納するメモリを備える第１のデバイスであって、前記複数のメッセージは、決められた順序を有し、且つ最初のメッセージ（メッセージ１）、２番目のメッセージ（メッセージ２）、最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）、及び最後のメッセージ（メッセージＮ）を前記決められた順序で含んでいる、第１のデバイスと、
前記複数のメッセージを、第２のデバイスのユーザに、前記決められた順序で提示するように構成された第２のデバイスであって、該第２のデバイスは、バスによって相互接続されたプロセッサ、メモリ及び提示デバイスを含み、該第２のデバイスのプロセッサは、一連の命令を実行するようにプログラムされている第２のデバイスで、
前記命令によって前記プロセッサは、
前記第２のデバイスのメモリに、前記複数のメッセージのうち、前記最初のメッセージ（メッセージ１）と前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を格納させ、
前記最初のメッセージ（メッセージ１）、前記２番目のメッセージ（メッセージ２）、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）及び前記最後のメッセージ（メッセージＮ）以外の３番目のメッセージを、前記提示デバイスで前記第２のデバイスのユーザに提示し、且つ
前記第２のデバイスのユーザが入力するナビゲーションコマンドに応答して、
第１の方向を示す前記ナビゲーションコマンドに応答して、前記第２のデバイスのユーザに、前記最初のメッセージ（メッセージ１）を前記提示デバイスで提示し、前記第１のデバイスに、前記２番目のメッセージ（メッセージ２）を要求し、前記第２のデバイスのメモリに、前記２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を格納し、
前記第１の方向とは反対の第２の方向を示す前記ナビゲーションコマンドに応答して、前記第２のデバイスのユーザに、前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を前記提示デバイスで提示し、前記第１のデバイスに、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を要求し、前記第２のデバイスのメモリに、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を格納する、第２のデバイスとを備えている通信システム。
【請求項９】
前記複数のメッセージのいずれも、前記第２のデバイスのメモリに格納されるまでは、前記第２のデバイスに対して同定されない、請求項８に記載の通信システム。
【請求項１０】
前記一連の命令は前記第２のデバイスのプロセッサをして、前記第１のデバイスに、前記最初のメッセージ（メッセージ１）と、前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を要求する命令をさらに含んでいる、請求項９に記載の通信システム。
【請求項１１】
前記一連の命令は、前記第２のデバイスのプロセッサをして、以前に前記最後のメッセージ（メッセージＮ）を格納した前記第２のデバイスのメモリの第１の部分に、前記２番目のメッセージ（メッセージ２）を格納させる命令をさらに含んでいる、請求項８または１０に記載の通信システム。
【請求項１２】
前記一連の命令は前記第２のデバイスのプロセッサをして、以前に前記最初のメッセージ（メッセージ１）を格納した前記第２のデバイスのメモリの第２の部分に、前記最後から２番目のメッセージ（メッセージＮ−１）を格納させる命令をさらに含んでいる、請求項１１に記載の通信システム。
【請求項１３】
前記第１のデバイスは、前記第２のデバイスとは物理的に別個のものである、請求項８に記載の通信システム。
【請求項１４】
前記第２のデバイスのメモリは、いずれの時点にも、前記複数のメッセージのわずか３つのメッセージのみを格納し、
前記一連の命令は、前記プロセッサをして、前記第２のデバイスに、前記複数のメッセージの各々を格納するために、前記第２のデバイスに所定量を超えないメモリを割り当てる命令をさらに含み、前記第２のデバイスのメモリの所定量は、前記複数のメッセージのうちの、わずか３つのメッセージを格納するのに十分である、請求項８に記載の通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)  i) 第一端および第二端を有する錐台変形部、ここで、第一端は第二端よりも広い直径を有し、第一端と第二端の少なくとも一方は、該端の断面が円形でない点で錐台変形部とは異なる、
ii) 該錐台変形部の第一端の外辺部から放射状に広がる基部、ならびに
iii) 錐台変形部の第二端を閉じる本質的に平坦なキャップ
を含む圧力板；ならびに
b) 圧力板の本質的に平坦なキャップと電気的に接触している破裂板
を含む、モジュール式電流遮断デバイス。
【請求項２】
第一端と第二端の少なくとも一方の断面が長円形である、請求項１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項３】
第一端と第二端の両方の断面が非円形である、請求項１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項４】
該破裂板が、該圧力板の本質的に平坦なキャップと溶接により電気的に接触している、請求項１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項５】
該溶接が、該板の間のゲージ圧が約7kg/cm2〜約9kg/cm2の範囲にある場合に破損する、請求項４記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項６】
破裂板が陥凹を画定し、溶接が該陥凹にある、請求項４記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項７】
該溶接が少なくとも1つのスポット溶接である、請求項６記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項８】
破裂板が少なくとも1つの開口部を画定する、請求項１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項９】
圧力板と破裂板の両方がアルミニウムを含む、請求項４記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１０】
該錐台変形部が、圧力板の基部に平行な面に対して約15°〜約25°の範囲の角度を有する、請求項９記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１１】
錐台変形部の外辺部の周り、かつ圧力板の基部と破裂板の間に広がる電気絶縁性リングをさらに含む、請求項１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１２】
圧力板の基部が少なくとも1つのタブを含み、電気絶縁性リングが少なくとも1つの開口部を画定し、該絶縁性リングと基部が同心である場合、該タブおよび該開口部が整列し得、該タブが、該絶縁性リングを圧力板に固定するように可鍛的に調整され得る、請求項１１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１３】
電気絶縁性リングが、該絶縁性リングの外辺部の周りに溝を画定し、該絶縁性リングが、タブを有する金属リングをさらに含み、該金属リングが該溝の内側に位置し、タブが可鍛的に調整されて圧力板が位置している金属表面に固定され得、それにより該絶縁性リングが圧力板の上に固定される、請求項１２記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１４】
圧力板との溶接の近位にある破裂板の厚さが、該溶接の近位にある圧力板の厚さよりも小さい、より好ましくは該溶接の近位にある圧力板の厚さの1/2以下である、請求項１１記載のモジュール式電流遮断デバイス。
【請求項１５】
a) 第一電極と電気的に連絡している第一端子；
b) 第二電極と電気的に連絡している第二端子；
c) 互いに電気的に連絡しているセルケースおよび蓋を有する電池缶、ここで、該電池缶は第一端子と電気的に絶縁しており、電池缶の少なくとも一部は、第二端子の少なくとも一構成要素であるか、または第二端子と電気的に接続している；ならびに
d) 第一電極および第二電極のいずれかと電気的に連絡している少なくとも1つの電流遮断デバイス、ここで、該電流遮断デバイスは：
i) 錐台変形部および錐台変形部の第二端を閉じる本質的に平坦なキャップを含む圧力板、ここで、該錐台変形部は第一端および第一端より小さい直径を有する第二端を含み、第一端と第二端の少なくとも一方の断面は非円形であり、基部は電池缶の近位にあり、本質的に平坦なキャップは電池缶の遠位にある；ならびに
ii) 圧力板および第一電極と第二電極のいずれかと電気的に連絡している破裂板を含む、
を含む、電池。
【請求項１６】
電流遮断デバイスの製造方法であって、
a)  i) 第一端および第一端よりも小さい直径を有する第二端を有する錐台変形部、ここで、第一端と第二端の少なくとも一方が非円形の断面を有する；
ii) 該錐台変形部の第一端の外辺部から放射状に広がる基部；ならびに
iii) 該錐台変形部の第二端を閉じる本質的に平坦なキャップ
を含む圧力板を形成する工程；
b) 破裂板を形成する工程；ならびに
c) 圧力板の温度を、溶接の反対側の圧力板を溶融しないように制御しながら、破裂板を圧力板の本質的に平坦なキャップに溶接する工程
を含む、方法。
【請求項１７】
電池を製造する方法であって、
a)  i) 第一端および第一端より小さい直径を有する第二端を有する錐台変形部、錐台変形部の第一端の外辺部から放射状に広がる基部、ならびに錐台変形部の第二端を閉じる本質的に平坦なキャップを含む圧力板を形成する工程、ここで、第一端と第二端の少なくとも一方が非円形の断面を有する；
ii) 破裂板を形成する工程；
iii) 圧力板の温度を、溶接の反対側の圧力板を溶融しないように制御しながら、破裂板を圧力板の本質的に平坦なキャップに溶接し、それにより電流遮断デバイスが形成される工程、
を含む、電流遮断デバイスを形成する工程；
b) 電池の第一電極または第二電極のいずれかを電流遮断デバイスに取り付ける工程；
c) 電流遮断デバイスを電池の電池缶に取り付ける工程、ここで、電池缶は互いに電気的に連絡しているセルケースおよび蓋を含む；ならびに
d) 第一電極と電気的に連絡している第一端子および第二電極と電気的に連絡している第二端子を形成する工程
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物に荷重を加えるように備えられた直接駆動電気モーターを有する電磁駆動アクチュエータと、
前記アクチュエータに制御信号を供給し、前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの観測された変化に応答して、前記アクチュエータの作動中にアクチュエータ制御利得を繰返し計算するように構成されたアクチュエータ制御器と、
を有する装置。
【請求項２】
構造物に力を加えるように備えられた直接駆動電気モーターを有する電磁駆動アクチュエータを制御する方法であって、該方法は、
前記アクチュエータに制御信号を供給し、前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの変化を観測する間、前記アクチュエータを用いて、前記構造物に力を加えるための動作を実行するステップと、
前記観測された１つ以上のパラメータの変化に応答して、前記動作の実行中にアクチュエータ制御利得を繰り返し計算するステップと、
を有する、方法。
【請求項３】
試験構造物に荷重を加えるよう備えられた電磁駆動アクチュエータと、
前記アクチュエータに制御信号を供給するためのアクチュエータ制御器と、
を有し、前記制御器は、試験中に、フィードバック経路内のみで動作する少なくとも１つの利得を含む、複数の制御利得の繰返し自動調整のための手段を有する、構造物試験装置。
【請求項４】
構造物試験機内の電磁アクチュエータを制御するための制御器であって、該構造物試験機は、試験片に荷重を加えるための電磁アクチュエータ、該試験片に加えられる前記荷重を観測するための荷重検出器、及び試験中に該試験片の剛性を含む１つ以上のパラメータの変化を観測するためのモニタリング装置を含み、前記制御器は、
前記構造物試験機内の試験片に荷重を加えるために、前記アクチュエータを制御するための手段と、
前記観測された１つ以上のパラメータに基づいて、前記制御器における、前記フィードバック経路内で動作する少なくとも１つの利得を含む複数の制御利得の自動化された計算を、試験中に繰返し実行するための手段と、
前記制御器内の前記計算された利得を、前記試験中に前記アクチュエータの繰返し調整動作に適用するための手段と、
を有する、制御器。
【請求項５】
試験機内の直接駆動電磁アクチュエータを制御するための制御信号を生成するためのコンピュータプログラムであって、
該試験機は、試験片に荷重を加えるための電磁アクチュエータ、該試験片に加えられる前記荷重を観測するための荷重検出器、及び試験中に該試験片の剛性を含む１つ以上のパラメータの変化を観測するための手段を含み、
前記コンピュータプログラムは、
試験中に前記アクチュエータの動作を制御するために、前記構造物試験機内のプロセッサーにより実行されるプログラムコードと、
前記観測された１つ以上のパラメータに応答して、前記アクチュエータの適応制御のための自動的に調整された制御信号を生成するため、前記試験片の前記観測された１つ以上のパラメータに基づいて、前記フィードバック経路内で動作する少なくとも１つの利得を含む、前記アクチュエータを制御するための複数の制御利得の自動化された計算を、試験中に繰返し実行するために、前記プロセッサーにより実行されるプログラムコードと、
を有する、コンピュータプログラム。
【請求項６】
構造物試験機内の電磁アクチュエータを制御するための方法であって、前記アクチュエータは、試験の間、試験構造物に荷重を加えるよう備えられ、該方法は、
前記加えられた荷重、及び前記試験構造物の１つ以上のパラメータの変化の両方を観測する一方、前記試験構造物に荷重を加えるために前記電磁アクチュエータを制御することにより試験を実行するステップと、
前記フィードバック経路内で動作する少なくとも１つの利得を繰返し計算するステップを含み、前記観測されたパラメータに応答して、前記試験の間、前記アクチュエータの前記制御器に対する制御利得を繰返し計算するステップと、を有する方法。
【請求項７】
構造物に力を加えるように備えられた電磁駆動アクチュエータを制御する方法であって、該方法は、
前記アクチュエータに制御信号を供給し、前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの変化を観測する間、前記アクチュエータを用いて、前記構造物に力を加えるための動作を実行するステップと、
前記観測された１つ以上のパラメータの変化に応答して、前記動作の実行中にアクチュエータ制御利得を繰返し計算するステップと、
を有し、
アクチュエータ制御利得の前記繰返し計算は、Ｍ個のプロセッサークロック周期内の前記繰返し計算の既定の完了のために、個々の規定数のプロセッサークロック周期内に完了することを予め決められた１組のプロセッサータスクとして実装され、前記計算は、Ｐ≧Ｍである所定数Ｐのプロセッサークロック周期毎に繰り返される、方法。
【請求項８】
電磁駆動アクチュエータにおける制御器であって、該アクチュエータは、構造物に力を加えるための装置内に備えられ、該構造物の１つ以上のパラメータの観測された変化を表す信号を受信するように備えられ、該制御器は、該アクチュエータを制御するための方法を実行するため、プロセッサーにより実行されるプログラムコードを有し、該方法は、
前記アクチュエータに制御信号を供給し、前記アクチュエータを用いて、前記構造物に力を加えるための動作を実行するステップと、
前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの観測された変化を表す信号を受信するステップと、
前記観測された１つ以上のパラメータの変化に応答して、前記動作の実行中にアクチュエータ制御利得を繰り返し計算するステップと、
を有し、
アクチュエータ制御利得の前記繰返し計算は、Ｍ個のプロセッサークロック周期内の前記繰返し計算の既定の完了のために、個々の規定数のプロセッサークロック周期内に完了することを予め決められた１組のプロセッサータスクとして実装され、前記計算は、Ｐ≧Ｍである所定数Ｐのプロセッサークロック周期毎に繰り返される、制御器。
【請求項９】
電磁駆動アクチュエータを制御する方法であって、該アクチュエータは、構造物に力を加えるように備えられ、該方法は、
前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの変化を観測する一方、前記アクチュエータを用いて、前記構造物に力を加えるための動作の実行を制御するため、前記アクチュエータに制御信号を供給するステップと、
前記観測された１つ以上のパラメータの変化に応答して、前記動作の実行中にアクチュエータ制御利得を繰り返し計算するステップと、
を有し、
前記電磁アクチュエータは、低ギア付き非直接駆動電気モーターである、方法。
【請求項１０】
構造物に荷重を加えるように備えられた電磁駆動アクチュエータと、
前記アクチュエータに制御信号を供給し、前記構造物に加えられた力に起因する前記構造物の１つ以上のパラメータの観測された変化に応答して、前記アクチュエータの作動中にアクチュエータ制御利得を繰返し計算するように構成されたアクチュエータ制御器と、
を有し、
前記電磁駆動アクチュエータは、低ギア付き非直接駆動電気モーターを有する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量−電圧インタフェース回路であって、
容量式感知セルと、
前記容量式感知セルに選択的に接続するように適合されている演算増幅器と、
前記演算増幅器用のフィードバックキャパシタと、
前記演算増幅器用の負荷キャパシタと、
前記容量式感知セル、前記演算増幅器、前記フィードバックキャパシタ、及び前記負荷キャパシタに関連するスイッチングアーキテクチャと、を備え、
前記スイッチングアーキテクチャは、前記演算増幅器が容量−電圧変換及び電圧増幅に使用されるように、前記容量−電圧インタフェース回路を複数の異なるフェーズにおける動作について再構成する、容量−電圧インタフェース回路。
【請求項２】
前記複数の異なるフェーズは少なくとも１つの容量−電圧フェーズを含み、前記容量−電圧フェーズにおいて前記容量式感知セルの測定容量の差が測定電圧に変換される、請求項１に記載の容量−電圧インタフェース回路。
【請求項３】
前記複数の異なるフェーズは少なくとも１つの増幅フェーズを含み、前記増幅フェーズにおいて前記測定電圧は出力電圧に変換される、請求項２に記載の容量−電圧インタフェース回路。
【請求項４】
前記演算増幅器に接続されたアナログ−デジタル変換器をさらに備え、前記アナログ−デジタル変換器は前記出力電圧を等価なデジタル表現に変換するように構成されている、請求項３に記載の容量−電圧インタフェース回路。
【請求項５】
容量−電圧変換方法において、
第２感知キャパシタに直列に接続された第１感知キャパシタを有する容量式感知セルと、第１感知キャパシタに関連する第１センサ電圧ノードと、第２感知キャパシタに関連する第２センサ電圧ノードと、第１感知キャパシタ及び第２感知キャパシタによって共有される共通ノードとを提供する工程と、
反転入力ノードと、基準電圧を受ける非反転入力ノードと、出力ノードとを有する演算増幅器を提供する工程と、
前記反転入力ノードとフィードバックノードとの間にオフセットキャパシタを提供する工程と、
第１フィードバックキャパシタを提供する工程であって、第１フィードバックキャパシタの有する導体のうちの一方は前記フィードバックノードに接続される、前記工程と、
第２フィードバックキャパシタを提供する工程であって、第２フィードバックキャパシタの有する導体のうちの一方は前記フィードバックノードに接続される、前記工程と、
前記フィードバックノードから前記共通ノードを切断する工程と、
第１センサ電圧ノードに励起電圧を印加する工程と、
前記共通ノードに前記基準電圧を印加する工程と、
第２センサ電圧ノードにおいてアナログ接地を行う工程と、
第１フィードバックキャパシタの他方の導体に前記基準電圧を印加する工程と、
第２フィードバックキャパシタの他方の導体に前記基準電圧を印加する工程と、
前記出力ノードに前記反転入力ノードを接続する工程と、
前記出力ノードと前記基準電圧との間に第１負荷キャパシタを接続する工程と、
第２負荷キャパシタに跨り前記基準電圧を接続する工程と、を含む方法。
【請求項６】
前記共通ノードを前記フィードバックノードに接続する工程と、
前記共通ノード及び前記フィードバックノードに前記基準電圧を印加する工程と、をさらに備える請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第１センサ電圧ノードにおいて前記励起電圧に代えてアナログ接地を行う工程と、
前記共通ノード及び前記フィードバックノードから前記基準電圧を除去する工程と、
第２センサ電圧ノードに前記アナログ接地に代えて前記励起電圧を印加する工程と、
前記反転入力ノードを前記出力ノードから切断する工程と、
第１フィードバックキャパシタの前記他方の導体から前記基準電圧を除去する工程と、
第１フィードバックキャパシタの前記他方の導体を前記出力ノードに接続する工程と、をさらに備える請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記出力ノードにおける測定電圧を生成する工程であって、該測定電圧は前記容量式感知セルの測定容量の差を示す前記工程をさらに備える請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気閉じ込め領域内の空気流を検出する方法であって、該方法は、
空気閉じ込め領域の境界に空気流検出システムを設けるステップ、及び
前記空気流検出システムによって前記閉じ込め領域内の空気流のパラメータを測定するステップ、
を備え、
前記空気流検出システムは、
管状構造体の内部を画成する内面と、一つの開口端及び反対の開口端とを有し、前記一つの開口端及び前記反対の開口端の双方を経て空気を受け入れ放出するように構成された管状構造体と、
前記管状構造体の前記内部を塞ぐように前記管状構造体の内面に連結されたメンブレンと、
前記メンブレン内に形成され、前記メンブレンにヒンジにより連結され、前記管状構造体の両端間に圧力差が印加されたとき前記管状構造体の内部の空気流を妨げるフラップと、
前記フラップに前記ヒンジをまたぐ位置で取り付けられ、前記管状構造体の内部の空気流に応答する前記フラップの運動と関連するパラメータを測定するように構成された装置と
を備える方法。
【請求項２】
前記パラメータは前記空気流検出システムのフラップに与えられる歪みである、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記パラメータは空気流の方向である請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記空気流検出システムを設けるステップは、前記空気流検出システムを前記空気閉じ込め領域のパネルに挿入するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記空気閉じ込め領域から出る空気流を前記測定されたパラメータに基づいて制御するステップを更に備える、請求項１記載の方法。
【請求項６】
管状構造体の内部を画成する内面と、一つの開口端及び反対の開口端とを有し、前記一つの開口端及び前記反対の開口端の双方を経て空気を受け入れ放出するように構成された管状構造体と、
前記管状構造体の前記内部を塞ぐように前記管状構造体の内面に連結されたメンブレンと、
前記メンブレン内に形成され、前記メンブレンにヒンジにより連結され、前記管状構造体の両端間に圧力差が印加されたとき前記管状構造体の内部の空気流を妨げるように構成されたフラップと、
前記フラップに前記ヒンジをまたぐ位置で取り付けられ、前記管状構造体の内部の空気流に応答する前記フラップの運動と関連するパラメータを測定するように構成された装置と、
を備える空気流検出システム。
【請求項７】
空気閉じ込め領域の境界を画成するパネルと、
前記パネルに結合され、前記空気閉じ込め領域内に出入りする空気流の方向及び量を測定するように構成された空気流検出システムと、
前記空気閉じ込め領域内に出入りする空気流を前記空気流検出システムにより検出された空気流の方向及び量の測定値に基づいて制御する手段と、
を備え、
前記空気流検出システムは、
管状構造体の内部を画成する内面と、一つの開口端及び反対の開口端とを有し、前記一つの開口端及び前記反対の開口端の双方を経て空気を受け入れ放出するように構成された管状構造体と、
前記管状構造体の内面にヒンジにより連結され、前記管状構造体の両端間に圧力差が印加されたとき前記管状構造体の内部の空気流を妨げるフラップと、
前記フラップに前記ヒンジをまたぐ位置で取り付けられ、前記管状構造体の内部の空気流に応答する前記フラップの運動と関連するパラメータを測定するように構成された装置と、
を備える空気閉じ込めシステム。
【請求項８】
前記フラップは前記管状構造体の内面に固定されたメンブレンと一体に形成されている、請求項７記載の空気閉じ込めシステム。
【請求項９】
前記装置は前記フラップが動いたとき前記ヒンジに与えられる歪みを測定する歪みゲージである、請求項７記載の空気閉じ込めシステム。
【請求項１０】
前記空気流検出システムは、前記管状構造体の内面に前記フラップと係合する少なくとも一つの止め部材を更に備える、請求項９記載の空気閉じ込めシステム。
【請求項１１】
前記空気流を制御する手段は、
前記空気閉じ込め領域内の空気を冷却するように構成されたファンを含む少なくとも一つの冷却ユニットと、
前記空気流検出システム及び前記少なくとも一つの冷却ユニットに結合され、前記少なくとも一つの冷却ユニットのファンを前記空気流検出システムにより検出された空気流の方向及び量の測定値に基づいて制御するように構成されたコントローラと、
を備える、請求項７記載の空気閉じ込めシステム。