【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイであって、前記各単位ピクセルは、複数の読み出し素子及び少なくとも一つの受光素子を含むピクセルアレイ；および
前記ピクセルアレイ上に形成され、前記単位ピクセル内の読み出し素子を電気的に連結する第１の配線パターンを形成する第１の配線層；
を含み、
前記第１の配線層は、前記各単位ピクセルに入射される光を遮断する光学的ブロッキングであって前記ピクセルアレイの各受光素子の感度を実質的に同一に維持することを特徴とするイメージセンシング素子。
【請求項２】
前記第１の配線層上に形成され、電源電圧ラインを含む第２の配線パターンを含む第２の配線層をさらに含み、
前記第２の配線層は、前記各単位ピクセルに入射される光を遮断する光学的ブロッキングであって前記ピクセルアレイの各受光素子の感度を実質的に同一に維持することを特徴とする請求項１に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３】
前記第１の配線パターンは、前記各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、
前記第２の配線パターンは、前記各単位ピクセル毎に反復される第２の単位パターンを含むことを特徴とする請求項２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項４】
前記各単位ピクセル別前記第１及び第２の単位パターンは、前記各単位ピクセル内に同一なサイズ及び形態の開口部を限定するように配列されて前記各単位ピクセルの受光領域を露出させ、
前記各単位ピクセルの受光領域は、前記単位ピクセルの受光素子を含むこと
を特徴とする請求項３に記載のイメージセンシング素子。
【請求項５】
前記各ピクセルの受光領域は、前記受光素子を含むアクティブ領域に隣接した非アクティブ領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項６】
前記第１の配線パターンは、ダミー突出パターンを備えるピクセル調節ラインを含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンシング素子。
【請求項７】
前記第２の配線パターンは、ダミー突出パターンを備えるピクセルＩ／Ｏラインを含むことを特徴とする請求項２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項８】
前記電源電圧ラインは、ダミー突出パターンを含むことを特徴とする請求項２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項９】
前記単位ピクセルは、共有受光素子枠組を含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１０】
前記各単位ピクセルは、第１のサブピクセルユニット及び第２のサブピクセルユニットを含む共有単位ピクセルであり、
前記第１の配線パターンは、前記ピクセルアレイの各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、
前記第１の単位パターンは、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセルのサブピクセルユニット毎に反復され、パッドパターンを含むサブユニットパターンを含み、前記パッドパターンは、前記第１のサブピクセルユニット毎に分離されたパッドパターンであり、前記パッドパターンは、前記第２のサブピクセルユニット毎に前記第２のサブピクセルユニットの読み出し素子に連結された電気的なコンタクトパッドであることを特徴とする請求項１に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１１】
前記第１及び第２のサブピクセルユニットのサブユニットパターンは、鏡像イメージパターンであること
を特徴とする請求項１に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１２】
半導体基板に形成された複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイであって、前記各単位ピクセルは、複数の読み出し素子及び少なくとも一つの受光素子を含むピクセルアレイ；および
前記ピクセルアレイ上に形成されて前記ピクセルアレイの各受光素子の感度を同一にし、読み出し素子を連結するための配線パターン及びダミーパターンを含む第１の光学的ブロッキング層；を含むことを特徴とするイメージセンシング素子。
【請求項１３】
前記配線及びダミーパターンは、前記各単位ピクセル毎に反復される単位パターンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１４】
前記ダミーパターンは、電気的に分離されたダミーパターンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１５】
前記ダミーパターンは、前記配線パターンに連結されたダミーパターンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１６】
前記ダミーパターンは、電気的に分離されたダミーパターンと前記配線パターンに連結されたダミーパターンとを含むことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１７】
前記ダミーパターンは、前記ピクセルアレイの素子分離領域上に整列されたことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１８】
前記第１の光学的ブロッキング層上に形成されて前記ピクセルアレイの各受光素子の感度を実質的に同一に維持する第２の光学的ブロッキング層をさらに含み、前記第２の光学的ブロッキング層は、電源電圧ラインを含む配線パターンを含むことを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項１９】
前記第１の光学的ブロッキング層は、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、前記第２の光学的ブロッキング層は、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセル毎に反復される第２の単位パターンを含むことを特徴とする請求項１８に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２０】
前記各単位ピクセル別前記第１及び第２の単位パターンは、前記各単位ピクセル別前記第１及び第２の単位パターンは、前記各単位ピクセル内に同一なサイズ及び形態の開口部を限定するように配列されて前記各単位ピクセルの受光領域を露出させ、
前記各単位ピクセルの受光領域は、前記単位ピクセルの受光素子を含むアクティブ領域を含むことを特徴とする請求項１９に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２１】
前記各ピクセルの受光領域は、前記受光素子を含むアクティブ領域に隣接した非アクティブ領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項２０に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２２】
前記各単位ピクセルは、第１のサブピクセルユニット及び第２のサブピクセルユニットを含む共有単位ピクセルであり、
前記第１の光学的ブロッキング層は、前記ピクセルアレイの各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、
前記第１の単位パターンは、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセルのサブピクセルユニット毎に反復され、パッドパターンを含むサブユニットパターンを含み、前記パッドパターンは、前記第１のサブピクセルユニット毎に分離されたパッドパターンであり、前記パッドパターンは、前記第２のサブピクセルユニット毎に前記第２のサブピクセルユニットの読み出し素子に連結された電気的なコンタクトパッドであることを特徴とする請求項１２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２３】
前記第１及び第２のサブピクセルユニットのサブユニットパターンは、鏡像イメージパターンであることを特徴とする請求項２２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２４】
半導体基板に形成された複数の単位ピクセルを含むピクセルアレイであって、前記各単位ピクセルは、同一レイアウトパターンを備え、前記レイアウトパターンは、受光素子領域、複数の読み出し素子領域及び前記受光素子領域及び読み出し素子領域を取り囲む素子分離領域を含むピクセルアレイ；および
前記ピクセルアレイ上に形成された第１の金属層であって、前記第１の金属層は前記ピクセルアレイ内の読み出し素子の間を連結する配線を構成する金属ラインを含む第１の金属層を含み、前記第１の金属層は前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、前記第１の単位パターンは前記各単位ピクセル毎に受光素子領域を取り囲む素子分離領域の同一な面積に配列された各単位ピクセルの光学的ブロッキング層であることを特徴とするイメージセンシング素子。
【請求項２５】
前記第１の単位パターンは、ダミー金属ラインであることを特徴とする請求項２４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２６】
前記受光素子領域は、互いに隣接して配列された第１及び第２のフォトダイオード領域を含むことを特徴とする請求項２４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２７】
前記第１の単位パターンは、鏡像イメージパターンであることを特徴とする請求項２６に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２８】
前記第１の金属層上に形成された第２の金属層をさらに含み、
前記第２の金属層は、単位ピクセルのＩ／Ｏラインを形成する金属ラインを含み、
前記第２の金属層は、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセル毎に反復される第２の単位パターンを含み、前記第２の単位パターンは、前記各単位ピクセルの受光素子を取り囲む素子分離領域の同一な面積に配列されたことを特徴とする請求項２４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項２９】
前記第２の単位パターンは、ダミー金属ラインを含むことを特徴とする請求項２８に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３０】
第２のユニットパターンは、鏡像イメージパターンを含むことを特徴とする請求項２８に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３１】
前記各単位ピクセルは、共有受光素子枠組を含むことを特徴とする請求項２４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３２】
前記各単位ピクセルの第１及び第２のユニットパターンは、各ユニットピクセルに同一なサイズ及び形態の開口部を限定するように配列されて前記各単位ピクセルの受光領域を露出させ、
前記各単位ピクセルの受光領域は、前記単位ピクセルの受光素子を含むアクティブ領域を含むことを特徴とするイメージセンシング素子。
【請求項３３】
前記各ピクセルの受光領域は、前記受光素子領域を取り囲む素子分離領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項３２に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３４】
前記各単位ピクセルは、第１のサブピクセルユニット及び第２のサブピクセルユニットを含む共有単位ピクセルであり、
前記第１の配線パターンは、前記ピクセルアレイの各単位ピクセル毎に反復される第１の単位パターンを含み、
前記第１の単位パターンは、前記ピクセルアレイ内の各単位ピクセルのサブピクセルユニット毎に反復され、パッドパターンを含むサブユニットパターンを含み、前記パッドパターンは、前記第１のサブピクセルユニット毎に分離されたパッドパターンであり、前記パッドパターンは、前記第２のサブピクセルユニット毎に前記第２のサブピクセルユニットの読み出し素子に連結された電気的なコンタクトパッドであることを特徴とする請求項２４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３５】
前記第１及び第２のサブユニットパターンは、鏡像イメージパターンであることを特徴とする請求項３４に記載のイメージセンシング素子。
【請求項３６】
前記各第１のサブピクセルユニットは、前記分離されたダミーパッドパターンに連結されたダミーコンタクトプラグを含み、前記ダミーコンタクトプラグは、前記第２のサブピクセルユニットの読み出し素子を前記パッドパターンに連結するコンタクトプラグに対応することを特徴とする請求項３４に記載のイメージセンシング素子。