Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月1日(2013.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のエンティティを含む無線通信ネットワークのエンティティ（Ｅ１）の少なくとも１つのコンポーネントを動作停止させる方法であって、前記通信ネットワークは、物理層（ＰＨＹ）を含む複数の通信層に分かれており、
前記方法が、前記物理層（ＰＨＹ）において、
受信される物理的信号から抽出されたデータフレーム（ＰＰＤＵ）のヘッダ（ＨＥＡ）を受信するステップと、
前記フレームに対する少なくとも１つの宛名エンティティを表す情報（ＩＥＤ）の少なくとも一部を供給する前記ヘッダ（ＨＥＡ）を復号するステップと、
前記宛名エンティティを表す情報の一部が、前記受信エンティティ（Ｅ１）以外のエンティティを示すとき、前記ヘッダ（ＨＥＡ）の前記受信エンティティ（Ｅ１）の少なくとも１つのコンポーネントを動作停止するステップと、
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記方法が、伝送速度（ＲＡＴＥ）を表す情報の少なくとも一部及び物理層の前記データフレーム（ＰＰＤＵ）のデータ容量（ＬＥＮＧＴＨ）を表す情報の少なくとも一部の関数として、動作停止の継続時間を計算するステップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記動作停止するステップが、前記エンティティの少なくとも１つの無線周波数のコンポーネントに対する電力供給を切断するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記動作停止するステップは、物理層のデータ受信及び／又は送信チェーンに対する、電源を切断するステップを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のエンティティ有する無線通信ネットワークの送信者エンティティにより、ヘッダ（ＨＥＡ）を含むデータフレーム（ＰＰＤＵ）を送信する方法であって、前記通信ネットワークは、前記データフレームを構築するステップを有する物理層（ＰＨＹ）を含む複数の通信層に分かれており、
前記方法が、前記物理層（ＰＨＹ）において、
物理的サポートに対するアクセスを制御する層の少なくとも１つのパラメータ（ＡＩＤ）から、前記フレームに対する少なくとも１つの宛名エンティティを表す情報（ＩＥＤ）の一部を構築するステップと、
修正されたフレームを供給する、前記データフレーム（ＰＰＤＵ）の前記ヘッダ（ＨＥＡ）内に、前記表示情報の一部（ＩＥＤ）を挿入するステップと、
前記修正されたデータフレームを前記通信ネットワーク上に、ディジタル信号の形式で送信するステップと、
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記フレームの少なくとも１つの宛名エンティティを表す前記情報（ＩＥＤ）の一部が、前記ヘッダの信号フィールドに挿入される、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記挿入するステップが、前記データフレーム（ＰＰＤＵ）の前記ヘッダ（ＨＥＡ）のフィールドの１つを有する前記表示情報（ＩＥＤ）の一部の直交符号化によって行われる、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
複数のエンティティを含む無線通信ネットワークに接続可能なエンティティ（Ｅ１）であって、前記通信ネットワークは、物理層（ＰＨＹ）を含む複数の通信層として編成され、
前記エンティティが、前記物理層（ＰＨＹ）とのインターフェースにおいて、
データフレーム（ＰＰＤＵ）のヘッダ（ＨＥＡ）を受信する手段と、
前記フレームの少なくとも１つの宛名エンティティを表示する情報（ＩＥＤ）の少なくとも一部を与える前記ヘッダ（ＨＥＡ）を復号する手段と、
前記宛名エンティティを表す情報の前記部分が前記受信エンティティ（Ｅ１）以外のエンティティを示す場合、前記ヘッダ（ＨＥＡ）の前記受信エンティティ（Ｅ１）を動作停止する手段と、
を具備する、ことを特徴とするエンティティ。
【請求項９】
複数のエンティティを含む無線通信ネットワークに接続可能なエンティティであって、前記通信ネットワークは、物理層（ＰＨＹ）を含む複数の通信層として編成され、
前記エンティティが、前記物理層（ＰＨＹ）とのインターフェースにおいて、
前記フレームの少なくとも１つの宛名エンティティを表示する情報（ＩＥＤ）の一部を構築する手段と、
修正されたフレームを提供するように、前記表示情報（ＩＥＤ）の一部を前記データフレーム（ＰＰＤＵ）の前記ヘッダ（ＨＥＡ）の中に挿入する手段と、
前記修正されたデータフレームを前記通信ネットワーク上にディジタル信号の形式で送信する手段と、
を具備する、ことを特徴とするエンティティ。
【請求項１０】
無線通信ネットワークの物理層（ＰＨＹ）上で送信される、ヘッダ（ＨＥＡ）を有するデータフレーム（ＰＰＤＵ）を表す信号であって、
前記信号が、前記ヘッダ（ＨＥＡ）に中で、前記物理層の信号を処理するコンポーネントにアドレス指定された、前記フレームの少なくとも１つの宛名エンティティを表す情報（ＩＥＤ）の一部を含む、ことを特徴とする信号。
【請求項１１】
コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されるとき、請求項１〜４のいずれか１項に記載の、動作停止する方法を実行するプログラムコード命令を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１２】
コンピュータプログラムがプロセッサによって実行されるとき、請求項５〜７のいずれか１項に記載の、送信する方法を実行するプログラムコード命令を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体（５）と、放射を生成するために設けられた活性領域（２０）を含む半導体層列を備える半導体本体（２）とを有する薄膜半導体デバイス（１）において、
前記薄膜半導体デバイス（１）は、薄膜半導体チップとして具体化されており、前記半導体層列のための成長基板が除去され、
前記半導体本体（２）は第１の接触部（３１）および第２の接触部（３２）によって外部と電気的に接触可能であり、
前記支持体（５）は前記半導体本体（２）と電気的に並列に配線された保護ダイオード構造（７）を有しており、
前記保護ダイオード構造（７）は第１のダイオード（７１）と第２のダイオード（７２）を有しており、
前記第１のダイオード（７１）と前記第２のダイオード（７２）はそれぞれの順方向に関して互いに反対向きに電気的に直列に配線されている半導体デバイス。
【請求項２】
前記保護ダイオード構造は前記支持体に組み込まれている、請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記保護ダイオード構造は前記半導体本体の阻止方向で電圧が印加されたときにツェナーダイオードに準ずる電流・電圧特性を阻止方向に有している、請求項１または２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体本体の前記半導体層列のための成長基板が除去されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記第１の接触部は第１の接触層（３１０）によって形成されるとともに前記第２の接触部は第２の接触層（３２０）によって形成されており、前記第１の接触層は前記支持体（５）の第１の部分領域（５１）に接するとともに前記第２の接触層は第２の部分領域（５２）に接しており、
前記支持体（５）は半導体材料をベースとしており、
前記支持体（５）の前記第１の部分領域と前記第２の部分領域は第１の伝導型を有しており、前記第１の部分領域と前記第２の部分領域の間には、前記第１の伝導型とは異なる第２の伝導型を有する、前記支持体（５）の別の領域（５３）が構成されている、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記第１の接触層と前記第２の接触層は絶縁層（６）によって前記支持体の前記別の領域から電気的に分離されている、請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記第１の部分領域は前記第２の部分領域を少なくとも部分的に取り囲む、請求項５または６に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記半導体本体（２）は横方向で複数のセグメント（２Ａ，２Ｂ）に区分されている、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記半導体本体（２）の前記セグメントは少なくとも部分的に互いに独立して外部と電気的に接触可能であり、互いに独立して外部と電気的に接触可能な前記セグメントにそれぞれ少なくとも１つの保護ダイオード構造が付属している、請求項８に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記半導体本体（２）の前記セグメントは少なくとも部分的に互いに電気的に直列に配線されている、請求項８または９に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記接触部のうち少なくとも１つは前記半導体本体と反対を向いているほうの前記支持体の側に配置されており、前記半導体本体は前記支持体にある少なくとも１つの貫通部（５５）を通して前記接触部と導電接続されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１２】
前記接触部のうち少なくとも１つは前記半導体本体のほうを向いている前記支持体の側に配置されている、請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
複数の薄膜半導体デバイス（１）を製造する方法において、前記複数の薄膜半導体デバイス（１）は、薄膜半導体チップとして具体化されており、
ａ）放射を生成するために設けられる活性領域（２０）を備える半導体層列（２００）を成長基板（２３）の上に析出するステップと、
ｂ）前記半導体層列から複数の半導体本体（２）を構成するステップと、
ｃ）前記成長基板（２３）を少なくとも部分領域で除去するステップと、
ｄ）複数の保護ダイオード構造（７）を備える複合支持体（５０）を準備するステップと、
ｅ）複数の前記半導体本体（２）を前記複合支持体（５０）に対して相対的に位置決めして、各々の前記保護ダイオード構造（７）に少なくとも１つの前記半導体本体（２）が付属するようにするステップと、
ｆ）前記保護ダイオード構造（７）と前記半導体本体（２）との導電接続を成立させるステップと、
ｇ）複数の前記半導体デバイスを完成させ、このとき各々の前記半導体デバイスについて１つの支持体（５）が前記複合支持体（５０）から作られるステップと、を有している方法。
【請求項１４】
前記ステップｃ）は前記ステップｆ）の後に実施される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から１２のいずれか１項に記載の半導体デバイスが製造される、請求項１３または１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月5日(2013.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種の無機粒子、
（Ｂ）液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種のポリマー粒子、
（Ｃ）液体媒体
を含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）組成物であって、
液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種の無機粒子（Ａ）のゼータ電位と液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種のポリマー粒子（Ｂ）のゼータ電位とが正符号であり、
ポリマー粒子（Ｂ）が、ジアルキルアミノ基及びイミダゾール基の内の少なくとも１種の官能基を有していることを特徴とするＣＭＰ組成物。
【請求項２】
ポリマー粒子（Ｂ）の濃度がＣＭＰ組成物に対して０．４質量％以下である請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項３】
ポリマー粒子（Ｂ）の濃度がＣＭＰ組成物に対して０．２質量％以下である請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項４】
無機粒子（Ａ）の濃度がＣＭＰ組成物に対して１質量％以下である請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項５】
無機粒子（Ａ）の濃度がＣＭＰ組成物に対して０．６質量％以下である請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項６】
無機粒子（Ａ）の平均粒径のポリマー粒子（Ｂ）の平均粒径に対する比が０．１〜５．０の範囲にある請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項７】
ポリマー粒子（Ｂ）の無機粒子（Ａ）に対する質量比が０．００１〜０．２の範囲にある請求項１に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項８】
無機粒子（Ａ）がアルミナ、セリア、シリカ、チタニア又はジルコニア、或いはこれらの混合物である請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項９】
無機粒子（Ａ）がセリアである請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１０】
ｐＨが４〜６の範囲である請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１１】
（Ａ）セリア粒子、
（Ｂ）少なくとも１個のジアルキルアミノ基又はイミダゾール基を有するポリマー粒子
（Ｃ）水
を含み、且つ無機粒子（Ａ）の平均粒径のポリマー粒子（Ｂ）の平均粒径に対する比が０．１〜５．０の範囲にあり、ポリマー粒子（Ｂ）の無機粒子（Ａ）に対する質量比が０．００１〜０．２の範囲にあり、そしてｐＨが２．５〜７．５の範囲である請求項１〜７のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物。
【請求項１２】
（Ａ）少なくとも１種の無機粒子及び（Ｂ）少なくとも１種のポリマー粒子を（Ｃ）液体媒体に分散させる工程を含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）組成物の製造方法であって、
液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種の無機粒子（Ａ）のゼータ電位と液体媒体（Ｃ）に分散した少なくとも１種のポリマー粒子（Ｂ）のゼータ電位とが正符号であり、
ポリマー粒子（Ｂ）が、ジアルキルアミノ基及びイミダゾール基の内の少なくとも１種の官能基を有していることを特徴とする製造方法。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物の存在下に誘電体基板の表面を化学的機械研磨する工程を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体工業で使用される基板の表面を化学的機械研磨するために、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物及び請求項１２又は１３に記載の製造方法を使用する方法。
【請求項１５】
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）デバイスである基板の表面を化学的機械研磨するために、請求項１〜１１のいずれか１項に記載のＣＭＰ組成物及び請求項１２又は１３に記載の製造方法を使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリオレフィン組成物であって、（総ての％は重量基準で）
Ａ）  プロピレンと、エチレン、Ｃ４−Ｃ８α−オレフィンおよびその組み合わせから選択される１種以上のコモノマーとからなり、（Ａ）中のコモノマーまたはコモノマー類の含量が５〜２５％、好ましくは、７〜２０％である１種以上のコポリマーを７０〜９５％と；
Ｂ）−  ブテン−１誘導単位の含量が７５重量％以上、好ましくは、８０重量％以上、より好ましくは、８４重量％以上、さらにより好ましくは、９０重量％以上；
−  曲げ弾性率が６０ＭＰａ以下、好ましくは、４０ＭＰａ以下、より好ましくは、３０ＭＰａ以下
を示す、ブテン−１（コ）ポリマーを５〜３０％と
を含む、前記ポリオレフィン組成物。
【請求項２】
２ｇ／１０分以上のＭＦＲを示す、請求項１に記載のポリオレフィン組成物。
【請求項３】
成分Ａ）が、（総ての％は重量基準で）
ＡＩ）（ＡＩ１）１〜７％のエチレンを含有する、プロピレン／エチレンコポリマー類；（ＡＩ２）２〜１４％未満のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類を含有する、プロピレンと１種以上のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類とのコポリマー類；（ＡＩ３）０．５〜４．５％のエチレンおよび２〜６％のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類を含有する、プロピレンとエチレンおよび１種以上のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類とのコポリマー類（ただし、（ＡＩ３）中のエチレンおよびＣ４−Ｃ８α−オレフィン類の総含量が６．５％以下である）からなる群から選択される１種以上のプロピレンコポリマーを１５〜８０％、好ましくは、２０〜６０％、より好ましくは、２０〜５０％；
ＡＩＩ）（ＡＩＩ１）１４％〜３０％、好ましくは、１４．５％〜２５％のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類を含有する、プロピレンと１種以上のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類とのコポリマー類；（ＡＩＩ２）０．５〜５％のエチレンおよび９〜３０％のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類を含有する、プロピレンとエチレンおよび１種以上のＣ４−Ｃ８α−オレフィン類とのコポリマー類からなる群から選択される１種以上のプロピレンコポリマーを２０〜８５％、好ましくは、４０〜８０％、より好ましくは５０〜８０％；
を含む、請求項１に記載のポリオレフィン組成物。
【請求項４】
成分Ａ）が、（総ての％は重量基準で）
ＡＩ）１０％を超え、好ましくは、１１％以上であるが、１４％未満、より好ましくは、１３％〜１３．５％までのＣ４−Ｃ８α−オレフィン（類）を含有する、プロピレンとＣ４−Ｃ８α−オレフィン（類）（好ましくは、ブテン）とからなるコポリマーを１５％〜６０％、好ましくは、２０％〜６０％、より好ましくは、２０％〜５０％；
ＡＩＩ）１４％〜３０％、好ましくは、１４．５％〜２５％、より好ましくは、１４．５％〜２２％のＣ４−Ｃ８α−オレフィン（類）、そして、場合により、０．５〜３％のエチレンを含有する、プロピレンとＣ４−Ｃ８α−オレフィン（類）（好ましくは、ブテン−１）とからなるコポリマーを４０％〜８５％、好ましくは、４０％〜８０％、より好ましくは、５０％〜８０％； 
を含む組成物であり、ただし、プロピレンポリマー組成物中のＣ４−Ｃ８α−オレフィン（類）の総含量が１０％を超える、請求項１に記載のポリオレフィン組成物。
【請求項５】
前記成分Ａ）のＭＦＲ値が、２．５〜１０ｇ／１０分である、請求項１に記載のポリオレフィン組成物。
【請求項６】
成分（Ｂ）が、
Ｂ１）ブテン−１ホモポリマーまたはブテン−１と少なくとも別のα−オレフィン、好ましくは、コモノマーとしてプロピレンとのコポリマーであり、アイソタクチックペンタド（ｍｍｍｍ％）が２５〜５５％である；
Ｂ２）ブテン−１／エチレンのコポリマーであって、アイソタクチックペンタドの割合（ｍｍｍｍ％）が９６％以上であり、そしてエチレン単位の総含量が１０〜２５％モルである；
Ｂ３）ＧＰＣで測定して３未満の分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）を有するブテン−１のポリマーであり、以下の性質のうちの少なくとも一つを有する：
−  ＤＳＣにおいて検出可能な融点（ＴｍＩＩ）が存在しない；
−  エージング後に測定可能な融解エンタルピー（ΔＨｆ）；
から選択される、請求項１に記載のポリオレフィン組成物。
【請求項７】
少なくとも一層が請求項１に記載のポリオレフィン組成物を含む、一層または多層フィルムまたはシート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程ａ）〜ｅ）：
ａ）酸基を含有する少なくとも１種のエチレン性不飽和モノマー、当該モノマーは少なくとも部分的に中和されていてよく、
ｂ）少なくとも１種の架橋剤、
ｃ）少なくとも１種の開始剤、
ｄ）任意で、上記ａ）で挙げたモノマーと共重合可能な１種若しくは複数種のエチレン性不飽和モノマー、及び
ｅ）任意で、１種若しくは複数種の水溶性ポリマー、
を有する、モノマー溶液又はモノマー懸濁液の重合による吸水性ポリマー粒子の製造方法であって、
以下の工程ｉ）〜ｖ）：
ｉ）モノマー溶液を重合させてポリマーゲルにする工程、
ｉｉ）得られたポリマーゲルを微粉砕する任意の工程、
ｉｉｉ）ポリマーゲルを乾燥させる工程、
ｉｖ）乾燥させたポリマーゲルを粉砕及び分級し、ポリマー粒子にする工程、及び
ｖ）分級されたポリマー粒子を熱により表面後架橋する任意の工程、
を有する、前記製造方法において、
工程ｉ）〜ｖ）の前、その間、又はその後に、脂肪族アルデヒドを少なくとも１種、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物を少なくとも１種、添加することを特徴とする、前記製造方法。
【請求項２】
脂肪族アルデヒド、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物を、前記工程ｉｖ）の後であって、かつ前記工程ｖ）の前、その間、又はその後に添加することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
脂肪族アルデヒド、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物を、工程ｖ）の後に添加することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
脂肪族アルデヒド、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物が、グリオキシル酸、グリオキシル酸ナトリウム、グリオキシル酸カリウム、グリセリンアルデヒド、２，５−ジヒドロキシ−１，４−ジオキサン、３，６−ジヒドロキシ−２，５−ジヒドロキシメチル−１，４−ジオキサン、ナトリウム−２，２−ジメトキシアセテート、ヘキサメチレンテトラミン、及び２−ヒドロキシ−２−ホスホノ酢酸から成る群から選択されていることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
脂肪族アルデヒド、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物が、グリオキシル酸、グリオキシル酸ナトリウム、及びグリオキシル酸カリウムから成る群から選択されていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
脂肪族アルデヒド、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物を、吸水性ポリマー粒子に対して０．０１〜０．５質量％添加することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
さらに亜硫酸塩を添加することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記亜硫酸塩が、亜硫酸水素ナトリウム、及び亜硫酸水素カリウムからなる群から選択されていることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記亜硫酸塩を、吸水性ポリマー粒子に対して０．０１〜１質量％添加することを特徴とする、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法により得られる、吸水性ポリマー粒子。
【請求項１１】
以下のａ’）〜ｄ’）：
ａ’）酸基を含有する少なくとも１種の重合されたエチレン性不飽和モノマー、当該モノマーは少なくとも部分的に中和されていてよく、
ｂ’）少なくとも１種の重合された架橋剤、
ｃ’）任意で、上記ａ’）で挙げたモノマーと共重合された１種若しくは複数種のエチレン性不飽和モノマー、及び
ｄ’）任意で、１種又は複数種の水溶性ポリマー
を含有する吸水性ポリマー粒子であって、
前記吸水性ポリマー粒子が、脂肪族アルデヒドを少なくとも１種、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との反応生成物を少なくとも１種含有する、前記吸水性ポリマー粒子。
【請求項１２】
前記吸水性ポリマー粒子が、少なくとも１種の脂肪族アルデヒドで、又は脂肪族アルデヒドと、脂肪族アルコール、脂肪族アミン、アンモニア、次亜リン酸塩、若しくは亜リン酸塩との少なくとも１種の反応生成物で被覆されている、請求項１１に記載のポリマー粒子。
【請求項１３】
前記吸水性ポリマー粒子がさらに亜硫酸塩を含むか、又は亜硫酸塩で被覆されている、請求項１１又は１２に記載のポリマー粒子。
【請求項１４】
前記吸水性ポリマー粒子が少なくとも１５ｇ／ｇの遠心保持容量を有する、請求項１０から１３までのいずれか１項に記載のポリマー粒子。
【請求項１５】
請求項１０から１４までのいずれか１項に記載の吸水性ポリマー粒子を含有する、衛生用品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ粒子により強化された無機顔料組成物の調製方法であって、
複数の無機顔料粒子を提供する工程と、
複数の表面改質ナノ粒子が、少なくとも幾つかの前記無機顔料粒子の表面の少なくとも一部の上に少なくとも単層を形成するように、前記複数の無機顔料粒子を複数の表面改質ナノ粒子と混合する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
ナノ粒子により強化された無機顔料組成物であって、
複数の無機顔料粒子と、
少なくとも幾つかの前記無機顔料粒子の表面の少なくとも一部の上に少なくとも単層を形成する、複数の表面改質ナノ粒子と、を含む、組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合材料構造体を備えた水で支持される構造体を含んで構成される装置であって、
前記複合材料構造体は少なくとも、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、除氷、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、生物汚染保護、熱伝導性、及びレーダー吸収から選択される第１の機能性を、前記構造体に与える第１のカーボンナノチューブ浸出材料と、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、除氷、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、生物汚染保護、熱伝導性、及びレーダー吸収から選択される第２の機能性を、前記構造体に与える第２のカーボンナノチューブ浸出材料と、
を含んで構成される装置。
【請求項２】
前記複合材料構造体は、第３のカーボンナノチューブ浸出材料を含んで構成される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、０％である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、頭上の送電線に晒されやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は電気抵抗である請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、０％から２％までの間である請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、
損傷を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は損傷検知であるか、
張力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は引張強度であるか、または、
圧力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は圧縮強度である請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、２％から５％までの間である請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、
氷生成されやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は除氷であるか、
せん断力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性はせん断強度であるか、または、
亀裂が入りやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は亀裂抵抗である請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、５％から４０％までの間である請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、
電磁妨害にさらされやすいように前記構造体上に配置又は提供され、前記第１の機能性は電磁妨害遮蔽であるか、
落雷にさらされやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は落雷保護であるか、
微生物が生長しやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は亀裂抵抗であるか、または、
熱伝導性を与えるように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は熱伝導性である請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料のカーボンナノチューブ担持量は勾配を有する請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、レーダー吸収を与えるように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性はレーダー波の吸収である請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
複合材料構造体を備えた水で支持される構造体を提供することを含んで構成される方法であって、
前記複合材料構造体は少なくとも、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、除氷、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、生物汚染保護、熱伝導性、及びレーダー吸収から選択される第１の機能性を、前記構造体に与える第１のカーボンナノチューブ浸出材料と、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、除氷、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、生物汚染保護、熱伝導性、及びレーダー吸収から選択される第２の機能性を、前記構造体に与える第２のカーボンナノチューブ浸出材料と、
を含んで構成される方法。
【請求項１４】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料と前記第２のカーボンナノチューブ浸出材料とは重複する請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の機能性を決定することと、
前記第１の機能性に基づいて前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料の第１のカーボンナノチューブ担持量を選択することと、
をさらに含んで構成される請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の機能性を決定することと、
前記第２の機能性に基づいて前記第２のカーボンナノチューブ浸出材料の第２のカーボンナノチューブ担持量を選択することと、
をさらに含んで構成される請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月5日(2013.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流れ分離ハブにおいて、
第１のハブ構成部材と、
該第１のハブ構成部材に固定された第２のハブ構成部材と、
第１の流体が前記流れ分離ハブを流過することを可能にするために、前記第１のハブ構成部材及び前記第２のハブ構成部材を貫通して配置された第１の通路と、
第２の流体が前記ハブを流過することを可能にするために、前記第１のハブ構成部材及び前記第２のハブ構成部材を貫通して配置された第２の通路と、が設けられており、前記第１及び第２の流体が前記ハブを流過するときに、前記ハブが、前記第１の流体と前記第２の流体との間の流体接続を妨げることを特徴とする、流れ分離ハブ。
【請求項２】
前記第１及び第２のハブ構成部材の向き合った面の間に固定された中空の突起が設けられており、前記向き合った面が、該向き合った面の間に前記第２の通路を形成するように互いに間隔を置いて配置されており、前記中空の突起が、前記第２の流体が前記中空の突起の周囲を流れかつ前記第２の通路を通過することを可能にするために別個の位置において、前記第１のハブ構成部材と前記第２のハブ構成部材との間に作用的に固定されており、前記第１の通路が、前記中空の突起内に形成されている、請求項１記載の流れ分離ハブ。
【請求項３】
第１及び第２のハブ構成部材がそれぞれ、スタンピングプロセスによって形成されている、請求項２記載の流れ分離ハブ。
【請求項４】
前記第１のハブ構成部材が、第１のボアと、第２のボアとを有しており、前記第２のハブ構成部材が、第３のボアと、第４のボアとを有しており、前記第１及び第２のハブ構成部材が、境界面において互いに係合させられており、前記第１のボアが前記境界面において前記第３のボアと整合させられており、前記第２のボアが前記境界面において前記第４のボアと整合させられており、前記第１及び第２のハブ構成部材が前記境界面において互いに固定されており、前記第１の通路が、前記第１及び第３のボアを含んでおり、前記第２の通路が、前記第２及び第４のボアを含んでいる、請求項１記載の流れ分離ハブ。
【請求項５】
前記第１のハブ構成部材がさらに、前記第１の構成部材の外径から前記第１のボアまで半径方向に延びた第１のチャネルと、前記第１の構成部材の内径から前記第２のボアまで半径方向に延びた第２のチャネルとを有している、請求項４記載の流れ分離ハブ。
【請求項６】
前記第１及び第２のハブ構成部材がそれぞれ、粉末金属焼結プロセスによって形成されている、請求項４記載の流れ分離ハブ。
【請求項７】
前記第１のハブ構成部材が、前記流れ分離ハブをトルクコンバータのカバーに固定するために作用的に配置された突起を有しており、該突起が、前記第１の通路を前記第２の通路から流体シールしている、請求項１記載の流れ分離ハブ。
【請求項８】
前記流れ分離ハブが、第１及び第２の、互いに反対の軸方向の側と、内径と、外径とを有しており、前記第１の通路が、前記流れ分離ハブの前記第１及び第２の軸方向の側の間の流体接続を可能にしており、前記第２の通路が、前記ハブの前記内径と前記外径との間の流体接続を可能にしている、請求項１記載の流れ分離ハブ。
【請求項９】
トルクコンバータにおいて、
カバーと、
前記カバー内に収容されかつ該カバーに固定された、請求項１に記載の流れ分離ハブと、
前記カバー内に収容された、第１及び第２の軸方向の側を有するピストンプレートと、
前記ピストンプレートの前記第１の軸方向の側と、前記流れ分離ハブの第１の軸方向の側とによって画成された第１の流体チャンバと、
前記ピストンプレートの前記第２の軸方向の側と、バッキングプレートとの間に形成された第２の流体チャンバと、
前記流れ分離ハブの第２の軸方向の側によって画成された第３の流体チャンバと、
前記カバーと駆動結合した中空の入力軸とが設けられており、前記中空の入力軸が、該中空の入力軸内に第４の流体チャンバを形成しており、
前記第１の流体チャンバが、前記流れ分離ハブにおける前記第１の通路を介して前記第３の流体チャンバと流体接続しており、前記第２の流体チャンバが、前記流れ分離ハブにおける前記第２の通路を介して前記第４の流体チャンバと流体接続していることを特徴とする、トルクコンバータ。
【請求項１０】
前記ピストンプレートが、前記第１のハブ構成部材の外径において動的にシールされており、前記バッキングプレートが、前記第２のハブ構成部材の外径においてシールされており、前記入力軸が、前記第１のハブ構成部材の内径において直接又は間接にシールされている、請求項９記載のトルクコンバータ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
したがって、本発明の課題は効率的に達成されることが分かるが、発明に対する修正及び変更が当業者に容易に明らかになるのであり、これらの変更は、請求項に記載の発明の思想及び範囲に含まれる。前記説明は本発明の例示であって、それに限定するものとして考えられるべきでないことも理解される。したがって、本発明の思想及び範囲から逸脱することなく、本発明のその他の実施形態が可能である。
トルクコンバータのためのハブアセンブリは、第１の構成部材と、該第１の構成部材に固定して結合された第２の構成部材と、第１の構成部材及び第２の構成部材を貫通して延びた少なくとも１つの流体通路とを有する。
第１の構成部材が、トルクコンバータのためのピストンプレートにシールされるように配置されており、第２の構成部材が、トランスミッションのための入力軸にシールされるように配置されている。
第１の構成部材又は第２の構成部材のうちの少なくとも一方が、トルクコンバータのためのピストンプレートと駆動係合するためのスプライン又はタブを有する。
第１及び第２の構成部材が、ろう付け又はプロジェクション溶接によって結合されている。
少なくとも１つの流体通路が、第１の流体通路及び第２の流体通路を含み、第１及び第２の構成部材が、第１の流体通路を第２の流体通路から分離している。
カバーが設けられており、第１及び第２の構成部材のうちの少なくとも一方が、第１の構成部材が第２の構成部材にプロジェクション溶接されるときにプロジェクション溶接によってカバーに固定される。
カバーが設けられており、少なくとも１つの流体通路が、第１の流体チャンバに接続された第１の流体通路と、第２の流体チャンバに接続された第２の流体通路とを含んでおり、第１及び第２の構成部材のうちの少なくとも一方が、突起を有しており、第１及び第２の構成部材のうちの少なくとも一方が、突起においてプロジェクション溶接によってカバーに固定されており、突起が、第１の流体チャンバと第２の流体チャンバとを分離させている。
前記突起が、カバーに対して傾斜させられている。
中空のリベットが設けられており、第１及び第２の構成部材が中空のリベットによって結合されている。
少なくとも１つの流体通路が、中空のリベットを貫通して延びている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
概して長手方向軸に沿って延在する作業区間および装着区間を有する、掘削装置のための磨耗部材であって、
前記装着区間が、前記掘削装置に固定されたベースを受けるためのソケットを有し、
前記ソケットが、安定化前端部及び後端部を有し、
前記安定化前端部が、長手方向軸に対して概して横方向に延在する前方スラスト面と、頂面と、底面と、第１の側面と、第２の側面とを含み、第１の側面及び第２の側面の各々は、前方スラスト面から後方に延在し、
前記頂面及び前記底面のうちの少なくとも１つ及び第１の側面及び第２の側面のうちの少なくとも１つが、長手方向軸に対して実質的に平行な前方スラスト面に隣接すると共に前方スラスト面から軸方向に延在する支持面によって画定された安定化前端部の横方向内向きの突出部を有する、磨耗部材。
【請求項２】
前記頂面および底面の各々が、前記長手方向軸に隣接すると共に前記長手方向軸に実質的に平行に軸方向に延在する支持面によって画定された横方向内向きの突出部を有する、請求項１に記載の磨耗部材。
【請求項３】
前記第１の側面および前記第２の側面の各々が、前記長手方向軸に隣接すると共に前記長手方向軸に実質的に平行に軸方向に延在する支持面によって画定された横方向内向きの突出部を有する、請求項１に記載の磨耗部材。
【請求項４】
前記頂面、前記底面、前記第１の側面および前記第２の側面の各々が、前記長手方向軸に隣接すると共に前記長手方向軸に実質的に平行に軸方向に延在する支持面によって画定された横方向内向きの突出部を有する、請求項１に記載の磨耗部材。
【請求項５】
前記内向きの突出部の各々が、前記安定化前端部の実質的に全幅にわたって湾曲して延在する、請求項１に記載の磨耗部材。
【請求項６】
掘削装置のための磨耗アセンブリであって、
前記掘削装置に固定されるベースと、
概してその長手方向軸に沿って延在する作業区間および装着区間を有する磨耗部材と、を備え、
前記ソケットが、安定化前端部及び後端部を有し、
前記安定化前端部が、長手方向軸に対して概して横方向に延在する前方スラスト面と、頂面と、底面と、第１の側面と、第２の側面とを含み、第１の側面及び第２の側面の各々は、前方スラスト面から後方に延在し、
前記第１の側面および前記第２の側面の各々が、長手方向軸に対して実質的に平行な前方スラスト面に隣接すると共に前方スラスト面から軸方向に延在する支持面によって画定された安定化前端部の横方向内向きの突出部を有し、
前記磨耗アセンブリは、更に、
前記ベースに対して前記磨耗部材を着脱自在に保持するための係合システムを備える、磨耗アセンブリ。
【請求項７】
前記ベースが、前記ソケットの前記安定化前端部の形状に実質的に従う形状の外面構成を有する前端部を有するノーズを含む、請求項６に記載の磨耗アセンブリ。
【請求項８】
概して長手方向軸に沿って延在する作業区間および装着区間を有する、掘削装置のための磨耗部材であって、
前記装着区間が、前記掘削装置に固定されたベースを受けるためのソケットを有し、
前記ソケットが、
長手方向軸に対して概して横方向に延在する前方スラスト面と頂面とを含む前端部と、
底面と、
第１の側面と、
第２の側面と、を有し、
第１の側面及び第２の側面の各々は、前方スラスト面から後方に延在し、
前記第１の側面および前記第２の側面の各々が、前方スラスト面から軸方向に延在する前端部の内向きの突出部を有し、
内向きの突出部は、前記ソケットの実質的に全長に沿って前記ソケットの後端部の中に延在し、
内向きの突出部は、前方スラスト面に隣接する前端部の前支持面と、後端部の後支持面とを有し、前支持面及び後支持面の各々は、前記長手方向軸に実質的に平行に軸方向に延在する、磨耗部材。
【請求項９】
前記頂面及び前記底面のうちの少なくとも１つは、前記ソケットの実質的に全長に沿って前方スラスト面から延在する横方向内向きの突出部を有する、磨耗部材。
【請求項１０】
前記頂面、前記底面、前記第１の側面および前記第２の側面の各々が、前記前方スラスト面から前記ソケットの実質的に全長に沿って延在する横方向内向きの突出部を有する、請求項８に記載の磨耗部材。
【請求項１１】
前記内向きの突出部の各々が、前記安定化前端部の実質的に全幅にわたって湾曲して延在する、請求項１０に記載の磨耗部材。
【請求項１２】
掘削装置のための磨耗アセンブリであって、
前記掘削装置に固定されるベースと、
概してその長手方向軸に沿って延在する作業区間および装着区間を有する磨耗部材と、を備え、
前記装着区間が、
前方スラスト面と頂面とを含む前端部と後端部とを有するソケットと、
底面と、
第１の側面と、
第２の側面と、を有し、
第１の側面及び第２の側面の各々は、前方スラスト面から後方に延在し、
前記頂面及び前記底面のうちの少なくとも１つ及び第１の側面及び第２の側面のうちの少なくとも１つが、前方スラスト面から軸方向に延在する前端部の内向きの突出部を有し、
内向きの突出部は、前記ソケットの実質的に全長に沿って前記ソケットの後端部の中に延在し、
内向きの突出部は、前方スラスト面に隣接する前端部の前支持面と、後端部の後支持面とを有し、前支持面及び後支持面の各々は、前記長手方向軸に実質的に平行に軸方向に延在し、
前記磨耗アセンブリは、更に、
前記ベースに対して前記磨耗部材を着脱自在に保持するための係合システムを備える、磨耗アセンブリ。
【請求項１３】
前記ベースが、前記ソケットの前記横方向内向きの突出部の各々を受けるような形状の谷部を含む外面構成を有する前端部を有するノーズを含む、請求項１２に記載の磨耗アセンブリ。
【請求項１４】
内向きの突出部の各々は、前記安定化前端部の実質的に全幅にわたって湾曲して延在する、請求項１２に記載の磨耗アセンブリ。
【請求項１５】
前記ベースが、前記ソケットの前記第１の軸方向部分の形状に実質的に従う外面構成を有する前端部を有するノーズを含む、請求項１４に記載の磨耗アセンブリ。
【請求項１６】
概して長手方向軸に沿って延在する作業区間および装着区間を有する、掘削装置のための磨耗部材であって、
前記装着区間が、前記掘削装置に固定されたベースを受けるためのソケットを有し、
前記ソケットが、前方スラスト面を含む前端部と、さらには、各々が前記前方スラスト面に隣接してその後方にある、頂面と、底面と、第１の側面と、第２の側面と、を有し、
前記第１の側面と、前記第２の側面と、前記頂面及び前記底面のうちの少なくとも１つとが、長手方向軸に対して実質的に平行な前方スラスト面に隣接すると共に前方スラスト面から軸方向に延在する支持面によって画定された横方向内向きの突出部を有する、磨耗部材。
【請求項１７】
前記横方向内向きの突出部の各々が、前記前端部の実質的に全幅にわたって湾曲して延在する、請求項１６に記載の磨耗部材。
【手続補正書】
【提出日】平成25年11月6日(2013.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複合材料構造体を備えた陸ベース構造体を含んで構成される装置であって、
前記複合材料構造体は少なくとも、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、熱伝導性、電気信号の伝達、及びレーダー吸収から選択される第１の機能性を、前記構造体に与える第１のカーボンナノチューブ浸出材料と、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、熱伝導性、電気信号の伝達、及びレーダー吸収から選択される第２の機能性を、前記構造体に与える第２のカーボンナノチューブ浸出材料と、
を含んで構成される装置。
【請求項２】
前記複合材料構造体は、第３のカーボンナノチューブ浸出材料を含んで構成される請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、０％から２％までの間である請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、損傷を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は損傷検知である請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、張力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は引張強度である請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、圧力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は圧縮強度である請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、２％から５％までの間である請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、せん断力を受けやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性はせん断強度である請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、亀裂が入りやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は亀裂抵抗である請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出繊維のカーボンナノチューブ担持量は、５％から４０％の間である請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、電磁妨害にさらされやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は電磁妨害遮蔽である請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、落雷にさらされやすいように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は落雷保護である請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、熱伝導性を与えるように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性は熱伝導性である請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、前記構造体上に電気回路と隣接して配置され、前記第１の機能性は電気信号の伝達である請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料のカーボンナノチューブ担持量は勾配を有する請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料は、レーダー吸収を与えるように前記構造体上に配置され、前記第１の機能性はレーダー波の吸収である請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
複合材料構造体を備えた陸ベース構造体を提供することを含んで構成される方法であって、
前記複合材料構造体は少なくとも、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、熱伝導性、電気信号の伝達、及びレーダー吸収から選択される第１の機能性を、前記構造体に与える第１のカーボンナノチューブ浸出材料と、
電気抵抗、損傷検知、引張強度、圧縮強度、せん断強度、曲げ強度、亀裂抵抗、電磁妨害遮蔽、落雷保護、熱伝導性、電気信号の伝達、及びレーダー吸収から選択される第２の機能性を、前記構造体に与える第２のカーボンナノチューブ浸出材料と、
を含んで構成される方法。
【請求項１８】
前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料と前記第２のカーボンナノチューブ浸出材料とは重複する請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の機能性を決定することと、
前記第１の機能性に基づいて前記第１のカーボンナノチューブ浸出材料の第１のカーボンナノチューブ担持量を選択することと、
をさらに含んで構成される請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２の機能性を決定することと、
前記第２の機能性に基づいて前記第２のカーボンナノチューブ浸出材料の第２のカーボンナノチューブ担持量を選択することと、
をさらに含んで構成される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記陸ベース構造体は、ウィンドタービンブレードを含んで構成される請求項１に記載の装置。
【請求項２２】
前記ウィンドタービンブレードは、
低レベルのカーボンナノチューブ担持量を含む第１のカーボンナノチューブ浸出材料を含み、前記第１の機能性は引張強度及び剛性である外殻と、
低〜中レベルのカーボンナノチューブ担持量を含む第２のカーボンナノチューブ浸出材料を含み、前記第２の機能性は損傷検知を含むスキンと、
せん断ウェブと前記外殻との間の結合部であって、中レベルのカーボンナノチューブ担持量を含む第３の前記カーボンナノチューブ浸出材料を含んで前記構造体に第３の機能性を与え、該第３の機能性はせん断強度を含む１以上の結合部と、
高レベルのカーボンナノチューブ担持量を含む第４のカーボンナノチューブ浸出材料を含んで前記構造体に第４の機能性を与え、該第４の機能性は落雷保護を含む被膜と、
を含んで構成される請求項２１に記載の装置。