【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多ビームレットによるリソグラフ処理のための２レベルパターンを発生する方法において、前記方法は、
ベクトルフォーマットでパターンを与え、
前記ベクトルフォーマットパターンをピクセルマップフォーマットでのパターンへ変換し、
エラー拡散の適用により前記ピクセルマップパターンに２レベルパターンを形成するステップを含んでいる方法。
【請求項２】
前記ピクセルマップは画素セルのアレイを有し、ここで多レベル値が各画素セルに割当てられる請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記多レベル値を画素セルに提供するステップは前記それぞれの画素セルによる前記ベクトルフォーマットパターンの相対的なカバー範囲に基づいている請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記多レベル値を画素セルに提供するステップは前記ベクトルフォーマットパターンのドーズレベル値に基づいている請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
前記ベクトルフォーマットパターンは２レベルパターンにより形成されている請求項１乃至４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
エラー拡散の適用は、
画素の前記アレイを部分に分割し、各部分は異なるビームレットによりパターン化されるように割当てられ、
各部分についてのエラー拡散パラメータ値を決定し、
決定された前記エラー拡散パラメータ値を使用して各部分内の前記画素セルへ２レベル値を割当てるステップを含んでいる請求項１乃至５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記エラー拡散パラメータ値の決定はビームレットの現在の測定に基づいている請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記エラー拡散パラメータ値はしきい値であり、２レベル値を部分内の前記画素セルへ割当てる前記ステップは前記部分について決定された前記しきい値との比較に基づいている請求項６または７記載の方法。
【請求項９】
前記エラー拡散パラメータは前記２レベル値のさらに高いレベルを表す値である請求項６または７記載の方法。
【請求項１０】
前記エラー拡散は２次元、２Ｄ、エラー拡散のタイプである請求項１乃至９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
エラー拡散の前記適用はさらにシフトのない条件を満たす１以上の画素セルの方向への拡散を許可しないことにより制限される請求項２乃至１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
プロセッサにより実行されるとき請求項１乃至１１のいずれか１項により規定されているような２レベルパターンを発生する方法を実行するためのコンピュータの読取り可能な媒体。
【請求項１３】
ベクトルフォーマットのパターンを受信するための入力と、
請求項１乃至１１のいずれか１項によるリソグラフ処理のための２レベルパターンを発生する方法を実行するための処理装置と、
２レベルパターンを供給するための出力とを具備するパターン発生装置。
【請求項１４】
複数のビームレットを使用してターゲットを露光するための荷電粒子多ビームレットシステムにおいて、前記システムは、
露光パターンを形成するために前記複数のビームレットを変調するビームレット変調システムと、
前記変調されたビームレットを前記ターゲットの表面へ投射する投射システムと、
前記複数のビームレットを第１の方向で偏向する偏向アレイと、
露光されるべき前記ターゲットを支持する基体支持部材と、
前記ターゲットが画素セルのアレイにしたがって露光されることができるように、第２の方向における基体支持部材と複数のビームレットとの相対運動と、第１の方向におけるビームレットのグループの運動を調整するように構成された制御装置とを具備しており、  ここで前記荷電粒子多ビームレットシステムはさらに請求項１３記載のビームレットパターン発生器を具備しているシステム。
【請求項１５】
前処理装置と、
２レベルパターンにしたがって複数のビームレットを使用してターゲットを露光するための荷電粒子多ビームレットシステムとを具備し、
ここで前記前処理装置は請求項１３のビームレットパターン発生装置を具備しているリソグラフシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
本発明を前述したある実施形態を参照することにより説明した。これらの実施形態は本発明の技術的範囲を逸脱せずに当業者によく知られた種々の変形および代替形態を受けることができることを認識されよう。したがって特定の実施形態を説明したが、これらは単なる例であり特許請求の範囲に規定されている本発明の技術的範囲を限定するものではない。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[１]  多ビームレットによるリソグラフ処理のための２レベルパターンを発生する方法において、前記方法は、
ベクトルフォーマットでパターンを与え、
前記ベクトルフォーマットパターンをピクセルマップフォーマットにおけるパターンへ変換し、
前記ピクセルマップパターンにおけるエラー拡散の適用により２レベルパターンを形成するステップを含んでいる方法。
[２]  前記ピクセルマップは画素セルのアレイを有し、ここで多レベル値が各画素セルに割当てられる前記[１]記載の方法。
[３]  前記多レベル値を画素セルに提供するステップは前記それぞれの画素セルによる前記ベクトルフォーマットパターンの相対的なカバー範囲に基づいている前記[２]記載の方法。
[４]  前記多レベル値を画素セルに提供するステップは前記ベクトルフォーマットパターンのドーズレベル値に基づいている前記[２]または[３]記載の方法。
[５]  前記ベクトルフォーマットパターンは２レベルパターンにより形成されている前記[１]乃至[４]のいずれか１項記載の方法。
[６]  エラー拡散の適用は、
画素の前記アレイを部分に分割し、各部分は異なるビームレットによりパターン化されるように割当てられ、
各部分についてのエラー拡散パラメータ値を決定し、
決定された前記エラー拡散パラメータ値を使用して各部分内の前記画素セルへ２レベル値を割当てるステップを含んでいる前記[１]乃至[５]のいずれか１項記載の方法。
[７]  前記エラー拡散パラメータ値の決定はビームレットの現在の測定に基づいている前記[６]記載の方法。
[８]  前記エラー拡散パラメータ値はしきい値であり、２レベル値を部分内の前記画素セルへ割当てる前記ステップは前記部分について決定された前記しきい値との比較に基づいている前記[６]または[７]記載の方法。
[９]  前記エラー拡散パラメータは前記２レベル値のさらに高いレベルを表す値である前記[６]または[７]記載の方法。
[１０]  前記エラー拡散は１次元、１Ｄ、エラー拡散のタイプである前記[１]乃至[９]のいずれか１項記載の方法。
[１１]  前記エラー拡散は２次元、２Ｄ、エラー拡散のタイプである前記[１]乃至[９]のいずれか１項記載の方法。
[１２]  前記２Ｄエラー拡散はフロイド−シュタインベルクカーネルを使用する前記[１]１記載の方法。
[１３]  エラー拡散の前記適用はさらにシフトのない条件を満たす１以上の画素セルの方向への拡散を許可しないことにより制限される前記[２]乃至[１２]いずれか１項記載の方法。
[１４]  前記シフトのない条件は前記１以上の画素に割当てられる多レベル値がさらに別のしきい値に等しいかそれよりも低いことである前記[１３]記載の方法。
[１５]  前記さらに別のしきい値はゼロに等しい前記[１４]記載の方法。
[１６]  前記シフトのない条件は前記１以上の画素が特徴外に位置されることである前記[１３]記載の方法。
[１７]  プロセッサにより実行されるとき前記[１]乃至[１６]のいずれか１項により規定されているようにラスタ化された２レベルパターンを発生する方法を実行するためのコンピュータの読取り可能な媒体。
[１８]  ベクトルフォーマットのパターンを受信するための入力と、
前記[１]乃至[１６]のいずれか１項によるリソグラフ処理のための２レベルパターンを発生する方法を実行するための処理装置と、
２レベルパターンを供給するための出力とを具備するパターン発生装置。
[１９]  さらに、ピクセルマップフォーマットのパターンを記憶するためのメモリを具備し、前記メモリは前記処理装置に通信できるように結合される前記[１８]記載のパターン発生装置。
[２０]  複数のビームレットを使用してターゲットを露光するための荷電粒子多ビームレットシステムにおいて、前記システムは、
露光パターンを形成するために前記複数のビームレットを変調するビームレット変調システムと、
前記変調されたビームレットを前記ターゲットの表面へ投射する投射システムと、
前記複数のビームレットを第１の方向で偏向する偏向アレイと、
露光されるべき前記ターゲットを支持する基体支持部材と、
前記ターゲットが画素セルのアレイにしたがって露光されることができるように、第２の方向における基体支持部材と複数のビームレットとの相対運動と、第１の方向におけるビームレットのグループの運動を調整するように構成された制御装置とを具備しており、  ここで前記荷電粒子多ビームレットシステムはさらに前記[１８]または[１９]記載のビームレットパターン発生器を具備しているシステム。
[２１]  前記投射システムは投射レンズシステムのアレイを具備している前記[２０]記載のシステム。
[２２]  前記複数のビームレットはビームレットのグループで配置され、各投射レンズシステムはビームレットのグループに対応している前記[２１]記載のシステム。
[２３]  前記偏向アレイは複数の偏向装置を具備し、各偏向装置はビームレットの対応するグループを偏向するように構成されている前記[２１]または[２２]記載のシステム。
[２４]  前処理装置と、
２レベルパターンにしたがって複数のビームレットを使用してターゲットを露光するための荷電粒子多ビームレットシステムとを具備し、
ここで前記前処理装置は前記[１８]または[１９]のビームレットパターン発生装置を具備しているリソグラフシステム。
[２５]  前記荷電粒子多ビームレットシステムは、
露光されたパターンを形成するために複数のビームレットを変調するビームレット変調システムと、
前記ターゲットの前記表面へ前記変調されたビームレットを投射する投射システムと、  前記複数のビームレットを第１の方向で偏向するための偏向アレイと、
露光される前記ターゲットを支持する基体支持部材と、
前記ターゲットが画素セルのアレイにしたがって露光されることができるように、第２の方向における前記基体支持部材と前記複数のビームレットとの相対運動と前記第１の方向におけるビームレットの前記グループの運動を調整するように構成された制御装置とを具備している前記[２４]記載のリソグラフシステム。
[２６]  前記投射システムは前記投射レンズシステムのアレイを具備している前記[２５]記載のシステム。
[２７]  前記複数のビームレットはビームレットのグループで構成され、各投射レンズシステムはビームレットのグループに対応している前記[２６]記載のシステム。
[２８]  前記偏向アレイは複数の偏向装置を具備し、各偏向装置はビームレットの対応するグループを偏向するように構成されている前記[２６]または[２７]記載のシステム。