【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＳＯＩ搬送プロセスは、典型的には、例えば、図１Ｂに示されるように、搬送ウエハ１０２の前面１１４と製品ウエハ１１０の表面とを接触することを含んでいる。製品ウエハ１１０は、例えば、研磨されたベアシリコンウエハのようなシリコンウエハであり得、又はゲルマニウムのような他の物質を含んでもよい。一変形例においては、酸化シリコン層のような絶縁層は、搬送ウエハ１０２上の絶縁層１０６の代わりに又はそれに加えて、製品ウエハ１１０（図示せず）の表面１１６に形成されてもよい。接触しているウエハ表面１１４、１１６は、一緒に結合して製品ウエハ１１０上の絶縁層１０６の上にシリコン物質１０５の層を構成する、シリコン・オン・インシュレータを有する構造１２０を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
外周リップ１１２が十分にエッチングされると、マスク１３３は、例えば、図２Ｃに示されるように、下に横たわるシリコン物質１０５を露出させるために搬送ウエハ１０２から除去され得る。マスク１３３は、好ましくは搬送ウエハ１０２のさらされた周辺領域１３５がエッチングされる速度より高い速度で、マスキング物質をエッチングすることができる化学エッチング剤に搬送ウエハ１０２の前面１１４をさらすことによって除去され得る。適切なエッチング溶液は、ＨＦ溶液のような、酸性溶液を含むことができる。他の適切なエッチング剤は、例えば、ＮＨ４Ｆで緩衝化したＨＦ溶液を含む緩衝化酸化物エッチング溶液（ＢＯＥ）、及びＨＦ、ＨＮＯ３、及び酢酸の混合物を含むことができる混合エッチング溶液（ＭＡＥ）の少なくとも１つを含むことができる。一変形例においては、スピン・オン・ガラスを含むマスク１３３は、約２〜約１０分間、約３％〜約１０％の濃度でＨＦを含むエッチング溶液に搬送ウエハ１０２の前面１１４を浸漬することによって除去される。マスキング除去ステップにより、例えば、図２Ｃに示されるように、実質的に外周リップ１１２のない搬送ウエハ前面１１４が得られる。化学エッチング剤は、また、例えば、図２Ｄに示されるように、実質的に絶縁物質のないウエハ１０２を得るために、マスク１３３に沿って絶縁物質の残存する側面層と裏面層１２８、１３０の１以上を除去することができるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
一変形例においては、上記再研磨法及び研磨法の１つのような、前面研磨プロセスは、実質的に搬送ウエハ１０２の裏面１３８を研磨せずに、ウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。例えば、一変形例においては、外周リップ１１２を除去させる搬送ウエハ１０２は測定法によって検査され、ウエハ１０２の側面が研磨される。その後、片側研磨ステップが、実質的にウエハの裏面１３８を研磨せずに、ウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。ステップのいずれかで用いられる研磨プロセスは、例えば、化学機械的研磨プロセスであってもよい。研磨されたウエハ１０２は検査され、更に測定に供され、更に洗浄プロセスを受けることができる。対照的に、代替的な研磨プロセスによれば、ウエハ１０２の前面１１４と裏面１３８の両面を同時に研磨することができる。ウエハ１０２の上面と裏面１１４、１３８の両面が研磨される両側研磨プロセスは、典型的には、ウエハ１０２から物質の比較的高い除去速度を与えるので、搬送ウエハを再研磨するのに効率的な手段であると考えられる。しかしながら、そのような両側研磨法は、また典型的には、望ましくない多量の物質を除去し、搬送ウエハがＳＯＩ搬送プロセスに使用し得る回数が減少することがある。上記再研磨法及び研磨法のような、実質的に裏面１３８の研磨プロセスを必要とせずに、ウエハ１０２の前面１１４を効率的に研磨することができる方法を与えることにより、ＳＯＩ搬送ウエハ１０２の前面１１４が基板物質を過度に消失させずに、効率的に再研磨することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
改善されたプロセスを示すために、図８Ａは、両側研磨ステップを有する再研磨プロセス法の実施形態のステップを示し、図８Ｂは片側研磨ステップを有する改善された再研磨プロセスの実施形態のステップを示す図である。図８Ａにおいては、ＳＯＩ搬送ウエハ１０２は、まずウエハ１０２の受入検査と測定に供される。ウエハ１０２のエッジ１１８はエッジ１１８からあらゆる過度の絶縁物質を除去するために研磨され、エッジ研磨洗浄プロセスステップがエッジ研磨後のウエハ１０２を洗浄するために行われる。その後、化学機械的研磨プロセスステップのような、両側研磨プロセスステップが比較的高い速度で搬送ウエハ１０２の前面と裏面１１４、１３８を同時研磨するために行われる。所望の物質量が除去された後、研磨後洗浄プロセスステップが搬送ウエハ１０２を洗浄するために行われ、再研磨の程度を求めるためにウエハが検査される。従来の研磨プロセス法を用いた片側研磨ステップは、残存する望ましくない物質を徐々に除去するように行うことができ、再研磨された搬送ウエハ１０２の出荷前に、後洗浄プロセス、測定、最終洗浄プロセスステップが続けられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
対照的に、図８Ｂは片側研磨プロセスによる搬送ウエハ１０２を再研磨する効率的な方法を示す図である。この方法においては、搬送ウエハ１０２は受入検査と測定に供され、残存するエッジ絶縁層を除去するためにエッジ研磨プロセスステップが行われ得る。片側研磨プロセスステップは、例えば、上記方法の１つによって、実質的に表面１１４から外周リップ１１２を除去するためにウエハ１０２の前面１１４を研磨するために行われる。例えば、片側研磨プロセスは更に高い圧力が円形溝１２２上より外周リップ１１２上の研磨パッドによって適用されている化学機械的研磨プロセス法を含むことができる。他の例として、片側研磨プロセスは、選択的研削プロセス法、微粒子研削法、マスキング法、選択的エッチング法、及び液体ジェット噴霧法の少なくとも１つによって外周リップ１１２を除去することを含むことができ、任意に前面１１４を研磨する化学機械的研磨又は他の研磨法が続けられる。前面１１４が研磨されると、搬送ウエハ１０２が検査され、測定が行われ、搬送ウエハ１０２を出荷する前にウエハが最終洗浄プロセスにおいて洗浄される。従って、改善された再研磨及び研磨法は、図８Ａに示される実施形態より少ないステップである効率的な再研磨法を与え、また、少なくとも一部裏面研磨ステップを除くことによって、過度の基板物質量を除去しない。効率の改善と方法の消耗の減少は、搬送ウエハ１０２を更に効率的に再循環し更に多数回再研磨することを可能にする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
搬送ウエハ１０２の１つ以上の面を研磨するのに適する化学機械的研磨装置１００の実施形態を、図７Ａ〜図７Ｂに示す。装置１００は、外周リップ１１２の除去後にウエハ１０２を研磨するのに適するものであり、リップ除去プロセス前又はプロセス中にウエハ１０２を研磨するために用いることもできる。一般的には、研磨装置１００は複数の研磨ステーション３０８を含むハウジング３０４、ウエハ搬送ステーション３１２及び回転可能ウエハホルダ３２０と独立して作動させることができる回転可能カルーセル３１６を含んでいる。ウエハ装填装置３２４は、ウエハ１０２を含むカセット３３６が浸漬される液浴３３２を含むタブ３２６を含み、ハウジング３０４に結合される。例えば、タブ３２６は洗浄液を含み、又は研磨プロセス前又は後にウエハ１０２を洗浄する超音波を用いるメガソニック洗浄器でもあり得、乾燥機を備えることもできる。アーム３４４は、リニアトラック１４８に沿って動き、リストアセンブリ３５２を支持し、保持ステーション１５５からタブ３２６にカセット３３６を移動させるためのカセットクロー３５４とタブ３２６から搬送ステーション３１２にウエハを搬送するためのウエハブレード３５６を含んでいる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【図１Ａ】図１Ａは、シリコン物質上に絶縁層を有するＳＯＩ搬送ウエハの実施形態の側断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、ＳＯＩ搬送プロセス中に製品ウエハに結合した、図１Ａの搬送ウエハの側断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、製品ウエハ、外周リップを有する離層された搬送ウエハ、ＳＯＩ構造を有する製品ウエハから搬送ウエハを離層した後の図１Ｂの搬送ウエハと製品ウエハの側断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、外周リップと円形溝がマスク層によって少なくとも部分的に覆われた搬送ウエハの実施形態の側断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、外周リップの除去後の図２Ａの搬送ウエハの側断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、マスク層の除去後の図２Ｂの搬送ウエハの側断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、絶縁層の除去後の図２Ｃの搬送ウエハの側断面図である。
【図３】図３は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップを研削するための微細研削微粒子を含む研削といしの実施形態の側断面図である。
【図４】図４は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップを選択的に研削することができる研削ツールの側断面図である。
【図５】図５は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップから離れて研削するためのパッドのエッジにおいて更に高い圧力を維持することができる研磨パッドの側断面図である。
【図６】図６は、外周リップを有する搬送ウエハと、外周リップをエッチングするために外周リップの下端に液体ジェットストリームを送ることができる液体ジェットノズルの実施形態の側断面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、搬送ウエハを研磨することができる化学機械的研磨機の透視図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図７Ａの化学機械的研磨機を部分的組立分解透視図である。
【図８Ａ】図８Ａは、両側研磨ステップを有する再研磨プロセスの実施形態を示した流れ図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、片側研磨ステップによる再研磨プロセスの実施形態を示した流れ図である。