【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの露出面を有する固体状材料を提供する工程と；
露出面に補助層を適用して複合物構造を形成する工程と；
補助層においておよび固体状材料において応力パターンを誘起する条件に複合物構造をさらし、それによってその中の深さで面に沿って固体状材料の破壊を実質的に促進する工程と；
補助層および、それと共に、破壊深さで終了する固体状材料の層を除去する工程であって、固体状材料の除去された層の露出面が応力パターンに対応する表面トポロジーを有する工程と
を含む印刷の方法。
【請求項２】
前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、補助層内の位置に依存するパターンに従って変動する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補助層が複合物構造である、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、補助層が応力を誘起する条件にさらされる場合に誘起される局所的応力の大きさおよび／または配向に影響する、又は固体状材料の破壊の間にパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、亀裂伝播の原動力に影響する、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、応力を誘起する条件にさらされた場合に補助層の材料の容積が変化する程度に影響する、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、熱膨張率（ＣＴＥ）である、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、溶媒を吸収する場合に補助層の材料が膨潤する程度に影響する、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが弾性率である、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが補助層の局所的厚みである、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが、少なくとも補助層において局所的に組み込まれている１つのアクティブデバイス、特に圧電アクチュエータ、によって局所的に修飾される、又はパターンに従って変動する前記補助層の材料特性の少なくとも１つが方法の実行の間の時間においても変化する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
補助層内の位置に依存するパターンに従って前記応力を誘起する条件が変動する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記応力を誘起する条件が、補助層が応力を誘起する条件にさらされる場合に誘起された局所的応力の大きさおよび／または配向に影響する、又は固体状材料の破壊の間に前記応力を誘起する条件が、亀裂伝播の原動力に影響する、又は前記応力を誘起する条件が補助層の材料の容積の変化をもたらす、請求項１、２、または４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
パターンに従って変動する前記応力を誘起する条件が、補助層内の異なる位置で維持される異なる温度である、又はパターンに従って変動する前記応力を誘起する条件が、補助層内の異なる位置で維持される異なる化学的濃度である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記応力を誘起する条件が補助層上へ適用される外部機械力である、又は前記応力を誘起する条件が補助層の弾性率に影響する、又は前記応力を誘起する条件が少なくとも補助層の一部による溶媒の吸収を含む、請求項１、２、または４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
パターンに従って変動する前記応力を誘起する条件が、補助層において局所的に組み込まれている少なくとも１つのアクティブデバイス、特に圧電アクチュエータ、に影響する、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
特に補助層上に課された少なくとも１つの温度変化を含む、又は補助層を室温未満に冷却することを含む前記応力を誘起する条件が、方法の実行の間の時間において変化する、請求項１、２、または４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記固体状材料の破壊が、固体状材料中の深さでおよび補助層と固体状材料との間の界面に実質的に平行な面に実質的に沿って誘起される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記除去工程が、固体状材料の除去された層の表面トポロジーに相補的な表面トポロジーを有する固体状材料の新しい露出面を現わす、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記固体状材料の少なくとも１つの前記露出面が既存の表面トポロジーを有する、特に前記固体状材料の少なくとも１つの前記露出面が、既存のマイクロエレクトロニックデバイスおよび／またはマイクロメカニカルデバイスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
固体状材料の除去された層の露出面に新しい補助層を適用して、新しい補助層、固体状材料の除去された層、および事前に適用された補助層からなる新しい複合物構造を形成する工程と；
新しい補助層において、固体状材料において、および事前に適用された補助層において新しい応力パターンを誘起する条件に新しい複合物構造をさらし、それによってその中の新しい深さで面に沿って固体状材料の除去された層の破壊を実質的に促進する工程と；
新しい補助層および、それと共に、新しい破壊深さで終了する固体状材料の新しい層を除去する工程であって、固体状材料の新しい除去された層の露出面が新しい応力パターンに対応する表面トポロジーを有する工程と
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
固体状材料の新しい露出面に新しい補助層を適用して新しい複合物構造を形成する工程と；
新しい補助層においておよび固体状材料において新しい応力パターンを誘起する条件に新しい複合物構造をさらし、それによってその中の新しい深さで面に沿って固体状材料の破壊を実質的に促進する工程と；
新しい補助層および、それと共に、新しい破壊深さで終了する固体状材料の新しい層を除去する工程であって、固体状材料の新しい除去された層の露出面が新しい応力パターンに対応する表面トポロジーを有する工程と
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも２つの露出面を有する固体状材料を提供する工程と；
少なくとも２つの露出面の複数に複数の補助層を適用して、それらの露出面の各々については１つの分離した補助層を備えて、複合物構造を形成する工程と；
複数の補助層においておよび固体状材料において応力パターンを誘起する条件に複合物構造をさらし、それによって各々の補助層について固体状材料中の深さで面に沿って固体状材料の破壊を実質的に促進する工程と；
複数の補助層および、各々の補助層と共に、各々の補助層について破壊深さで終了する固体状材料の層を除去する工程であって、固体状材料の除去する層の露出面がその補助層の応力パターンに対応する表面トポロジーを有する工程と
を含む、特に少なくとも前記破壊面の２つが実質的に一致し、固体状材料の対応する除去された層の前記表面トポロジーが関与する補助層の応力パターンの重ね合せに実質的に対応する、印刷の方法。
【請求項１６】
２つの反対で実質的に平行な露出面を有する固体状材料を提供する工程と；
露出面の各々に補助層を適用して複合物構造を形成する工程と；
２つの補助層においておよび固体状材料において応力パターンを誘起する条件に複合物構造をさらし、それによって２つの反対の露出面の間の深さで面に沿って固体状材料の破壊を実質的に促進する工程と；
２つの補助層を除去し、第１の補助層と共に、破壊深さで終了する固体状材料の第１の層を除去し、固体状材料の第１の除去された層の露出面が２つの補助層の応力パターンの重ね合せに対応する表面トポロジーを有し、第２の補助層と共に、最初に提供された固体状材料に関して固体状材料の第１の除去された層の相補物である固体状材料の第２の層を除去し、固体状材料の第２の除去された層の露出面が固体状材料の第１の除去された層の表面トポロジーに相補的な表面トポロジーを有する工程と
を含む、特に前記固体状材料を提供する工程が、基板、ウエハ、チップおよびディスクからなる群から選択された構造を提供することを含む、特に固体状材料を提供する工程が、既存のマイクロエレクトロニックデバイス及び／又はマイクロメカニカルデバイスを含む、印刷の方法。
【請求項１７】
前記補助層の少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つが、請求項２または３に記載の方法のいずれかまたはすべてに従って変動する、特に前記補助層の少なくとも１つの材料特性の少なくとも１つが、少なくとも補助層のもう１つのものにおける同じ材料特性の変動のパターンとは異なるパターンに従って、特に少なくとも補助層のもう１つのものにおける同じ材料特性の変動のパターンの実質的に相補物であるパターンに従って変動する、請求項１３、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記応力を誘起する条件が、請求項４、５、６、７、８または９に記載の方法のいずれかまたはすべてに従って変動する、特に前記応力を誘起する条件が、前記補助層の少なくとも１つについては、少なくとも補助層のもう１つのものにおける応力を誘起する条件の変動のパターンとは異なるパターンに従って変動する、特に前記応力を誘起する条件が、少なくとも補助層のもう１つのものにおける応力を誘起する条件の変動のパターンの実質的に相補物であるパターンに従って変動する、請求項１３、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記固体状材料を提供する工程が、半導体材料を含む構造、特にシリコン、ゲルマニウム、サファイア、炭化ケイ素、砒化ガリウム、窒化ガリウム、酸化亜鉛、および／または石英を含む構造を提供することを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
１つまたは複数の前記補助層を適用する工程が、重合体を含む、特にポリジオルガノシロキサンを含む、又はポリジメチルシロキサンを含む、少なくとも１つの補助層を適用することを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
１つまたは複数の前記補助層を適用する工程が、金属を含む、特にアルミニウムを含む、少なくとも１つの補助層を適用することを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
１つまたは複数の前記補助層を適用する工程が、重合体および非重合体を含む複合物構造を含む、及び／又は特にポリジメチルシロキサンを含むマトリックス中に組み込まれる１以上の無機材料の構造を含む、少なくとも１つの補助層を適用することを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
１つまたは複数の前記補助層を適用する工程が、提供された固体状材料のＣＴＥとは少なくとも１０＊１０−６  Ｋ−１で異なる熱膨張率（ＣＴＥ）によって特徴づけられる少なくとも１つの補助層を適用することを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
前記固体状材料の破壊が、複合物構造を応力を誘起する条件にさらす前に、又は応力を誘起する条件に複合物構造をさらしながら、固体状材料において比較的より低い破壊靭性を備えた１以上の区域を提供することによってさらに促進される、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
補助層およびそれと共に固体状材料の層を除去した後に、前記補助層が、固体状材料の除去された層から除去される、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
生産された表面トポロジーが、鉛直応力強度因子ＫＩＩが複合物構造の内側でゼロである表面のトポロジーに実質的に対応する、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記補助層が適用される少なくとも１つの前記露出面が湾曲を有する、請求項１または１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記生産された表面トポロジーが実質的に鏡面対称である、又は実質的に周期的なパターン、特に１０マイクロメートル未満の空間的周期を有する周期的なパターンを含む、請求項１、１５または１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
除去された層の露出面の表面トポロジーに対する既存の表面トポロジーが有する効果が最小限にされるように、特に除去された層の露出面の表面トポロジーに対する既存のマイクロエレクトロニックデバイスおよび／またはマイクロメカニカルデバイスが有する効果が最小限にされるように、又は特に新しい除去された層の露出面の表面トポロジーに対する除去する層の露出面の表面トポロジーが有する効果が最小限にされるように、前記応力パターンが誘起される、請求項１２、１３または１６に記載の方法。