(57)【要約】【課題】電子部品が半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形することで発生する、半田の内部応力を低減できるリード構造を提供する。【解決手段】半導体パッケージ１１の複数のリード１２のうちの一部が、リード１２の半田接続部１５の長さが徐々に変化する長さ徐変構造１６を成している。長さ徐変構造１６を構成するリード１２の半田接続部１５の長さが、半導体パッケージ１１の両端部１７から中央部１８にいくほど長くなっている。これにより、パッケージ中央部１８におけるリード１２の半田接続部１５の接触面積をパッケージ両端部１７に比べて大きくして、配線基板１４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田１３内部に発生する応力を抑えている。【選択図】図１
2008210963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品本体から突出し屈曲された複数のリードを有する面実装型電子部品であって、前記複数のリードのうちの少なくとも一部のリード群が、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化した長さ徐変構造を成していることを特徴とする面実装型電子部品。
【請求項２】
前記長さ徐変構造を構成する各リードはリード全長が同じであって、前記配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化していることを特徴とする請求項１記載の面実装型電子部品。
【請求項３】
前記長さ徐変構造を構成する各リードは、前記部品本体の側面から突出して最初の屈曲部までの長さが一定であって、前記配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化していることを特徴とする請求項１記載の面実装型電子部品。
【請求項４】
前記長さ徐変構造を構成する各リードは、前記配線基板のランドに接続される部分のリード長さが前記部品本体の両端部から中央部にいくに従って長くなっていることを特徴とする請求項２又は３に記載の面実装型電子部品。
【請求項５】
前記長さ徐変構造を構成する各リードは、前記配線基板のランドに接続される部分のリード長さが前記部品本体の中央部から両端部にいくに従って長くなっていることを特徴とする請求項２又は３に記載の面実装型電子部品。
【請求項６】
部品本体から突出し屈曲された複数のリードを有する面実装型電子部品であって、前記複数のリードのうちの少なくとも一部のリード群が、前記配線基板のランドに接続される部分のリード幅が徐々に変化した幅徐変構造を成していることを特徴とする面実装型電子部品。
【請求項７】
前記幅徐変構造を構成する各リードは、前記配線基板のランドに接続される部分のリード幅が前記部品本体の両端部から中央部にいくに従って広くなっていることを特徴とする請求項６に記載の面実装型電子部品。
【請求項８】
前記幅徐変構造を構成する各リードは、前記配線基板のランドに接続される部分のリード幅が前記部品本体の中央部から両端部にいくに従って広くなっていることを特徴とする請求項６に記載の電子部品。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の面実装型電子部品が配線基板に実装され、かつ、該配線基板が、曲面形状に成形されたことを特徴とする曲面実装構造。
【請求項１０】
請求項１、２、３、４、６または７に記載の面実装型電子部品が配線基板に実装され、かつ、該面実装型電子部品が実装されている側が凹面になるように前記配線基板が曲面形状に成形されたことを特徴とする曲面実装構造。
【請求項１１】
請求項１、２、３、５、６または８に記載の面実装型電子部品が配線基板に実装され、かつ、該面実装型電子部品が実装されている側が凸面になるように前記配線基板が曲面形状に成形されたことを特徴とする曲面実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＱＦＰ（Quad Flat Package）型あるいはＳＯＰ（Small Outline Package）型等の樹脂封止型半導体装置（以下、半導体パッケージと呼ぶ。）に代表される、ガルウイング形状の外部リードを有する面実装型電子部品とその曲面実装構造に関する。特に、該半導体パッケージの曲面実装においてはんだ接続信頼性を向上させるためのリード形状に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話に代表される携帯機器は活況を呈している。加えて、一時期下火であった軽薄短小化への競争が、再加熱している。一方で、今までにない新しい筐体デザインを取り入れた携帯機器が出現している。しかし、従来の平坦な配線基板では、物理的な制約があるため、筐体デザインに曲面を付加にする時の自由度が小さい。また、大変形が可能である柔軟筐体に、追従するための柔軟性も低い。
【０００３】
それ故、これらを向上することが可能な曲面を有する配線基板の実用化が強く望まれている。
【０００４】
図１１（ａ）は、従来の半導体パッケージ（樹脂封止型半導体装置）の外観斜視図である。同図に示される半導体パッケージ１０１は、ＱＦＰ型と呼ばれるものである。そのパッケージ本体の側面からは、複数のリード１０２が突出している。図１１（ｂ）は、その平面図、図１１（ｃ）は、その断面図である。
【０００５】
リード１０２は、図１１（ｃ）で示すように、樹脂モールド１０３で封止された半導体チップ１０４と電気的に接続されている。樹脂モールド１０３の外部に突出したリード１０２は、金型プレスにより、２回屈曲されたガルウイング形状になっている。
【０００６】
そして、この半導体パッケージ１０１を実装する時は、図１１（ｄ）で示すように、リード１０２と、配線基板１０５のランド１０６とを、半田１０７で接続する。
【０００７】
ここで、実装後の耐たわみ性の向上を目的として、特許文献１に示される構造が提案されている。この文献１記載の技術では、図１２（ａ）に示すようにリード２０１が樹脂モールド２０２の底面から突出することで、その底面と実装基板との間に空間を設け、耐たわみ性を向上させる。さらに、この樹脂モールド２０２の底面から突出したリードに、図１２（ｂ）のように厚み変化を設ける、あるいは、図１２（ｃ）のように波状形状を設けることで、耐たわみ性を向上させている。
【０００８】
また、特許文献２には、実装時の熱処理の影響でパッケージが反り、リード浮きが発生する課題に対して、パッケージ側面から突出するリードの長さをパッケージの各辺の端部と中央部とで変える技術が提案されている。また、特許文献３には、リード幅をパッケージの各辺の端部の方がその中央部よりも狭くすることで、パッケージ端部における配線基板とのはんだ接合部にかかる熱応力を緩和させる技術が提案されている。
【特許文献１】特開２００６−１２９５６号公報
【特許文献２】特開平５−２５９３４７号公報
【特許文献３】特開平４−３６３０５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図１１（ｄ）に示す半導体パッケージ１０１が半田１０７により実装された平坦な配線基板１０５を、曲げ荷重や、熱等の外部力により、図１１（ｅ）、図１１（ｆ）に示すような、大変形を伴った曲面形状に成形する時、あるいは、これに、曲げ荷重や、落下衝撃、振動、熱等の外部力による大変形が加わった時、リード１０２（はんだ接続部１０９）は、配線基板１０５から、外れてしまう。なお、図１１（ｅ）のように、半導体パッケージ１０１が実装されている面側が凹面になるように配線基板１０５が曲面成形、または、大変形された場合、外れるリード１０２は、半導体パッケージ１０１の中央部１１１（図１１（ｂ））となる。
【００１０】
また、図１１（ｆ）のように、半導体パッケージ１０１が実装されている面側が凸面になるように配線基板１０５が曲面成形、または、大変形された場合、外れるリード１０２は、パッケージ１０１の両端部１１０（図１１（ｂ））となる。
【００１１】
これは、配線基板１０５の大変形により、図１１（ｄ）の対向するリード１０２の先端を支点とし、かつ、リード１０２先端間距離Ｌ０を支点間距離として、配線基板１０５がたわむ時、リード１０２と配線基板１０５間に引き剥がし力が発生し、半田１０７内部に発生する応力が半田１０７の破壊応力を超え、半田１０７が破壊するために起こる。
【００１２】
同様に、特許文献１に開示されているパッケージにおいても、配線基板が大変形した時、リードと配線基板が剥がれてしまう。
【００１３】
また、特許文献１記載の構造は、飽くまでも、一般的な厚みの平坦な配線基板（厚み０．８０ｍｍ〜１．００ｍｍ）について周波数１ｋＨｚ以上の高周波微小振動（周波数１ｋＨｚで、振幅１０μｍ以下）を与えた場合にその振動をリード構造で吸収できる効果が得られるにすぎない。
【００１４】
よって、配線基板の大変形（リード先端間の支点間距離Ｌ０が１０ｍｍで、配線基板たわみが４０μｍ以上（曲率３００ｍｍ以下）の場合）による半田内部の応力低減効果はない。
【００１５】
また、特許文献２や３に開示された技術は、リードの非接続部分（すなわち配線基板のランドと半田接続しない部分）の長さや幅を変えて、その部分で熱歪を吸収し、接続信頼性を向上させようとするものである。しかし、これらの技術は、パッケージが実装されている平坦な配線基板が曲面成形、または大変形された場合に負荷が加わるリードの半田接続部分に対しては何も対策を講じていない。また、リードの非接続部分を長くしても、様々な方向に変形する基板のリード接続部への負荷を吸収することは難しく、上記の場合はリードの半田接続部分に不具合が生じていた。
【００１６】
そこで、本発明の目的は、半導体パッケージ等の電子部品が表面実装された平坦な配線基板を曲面形状に成形または変形することで発生する、リード接合部の内部応力を低減することが可能な構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の態様の一つとしては、部品本体から突出し屈曲された複数のリードを有する面実装型電子部品であって、複数のリードのうちの少なくとも一部のリード群が、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化した長さ徐変構造を成していることが考えられる。
【００１８】
この態様の場合、上記の長さ徐変構造を構成する各リードはリード全長が同じであって、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化しているものであってもよい。あるいは、上記の長さ徐変構造を構成する各リードは、部品本体の側面から突出して最初の屈曲部までの長さが一定であって、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが徐々に変化しているものであってもよい。
【００１９】
そして、上記のような電子部品において、長さ徐変構造を構成する各リードは、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが部品本体の両端部から中央部にいくに従って長くなっていることが好ましい。あるいは、配線基板のランドに接続される部分のリード長さが部品本体の中央部から両端部にいくに従って長くなっていることが好ましい。
【００２０】
また、本発明の別の態様としては、複数のリードのうちの少なくとも一部のリード群が、配線基板のランドに接続される部分のリード幅が徐々に変化した幅徐変構造を成していることが考えられる。
【００２１】
この態様の場合、幅徐変構造を構成する各リードは、配線基板のランドに接続される部分のリード幅が部品本体の両端部から中央部にいくに従って広くなっていることが好ましい。あるいは、配線基板のランドに接続される部分のリード幅が部品本体の中央部から両端部にいくに従って広くなっていることが好ましい。
【００２２】
また本発明は、上記のような面実装型電子部品が配線基板に実装され、かつ、該配線基板が、曲面形状に成形されていることを特徴とする曲面実装構造を提供できる。この場合、配線基板のランドに接続される部分のリード長さまたはリード幅が部品本体の両端部から中央部にいくに従って増大しているタイプの面実装型電子部品が、配線基板を曲面形状に成形する際に凹面になる側に実装されると、上記課題が解決できる。また、配線基板のランドに接続される部分のリード長さまたはリード幅が部品本体の中央部から両端部にいくに従って増大しているタイプの面実装型電子部品は、配線基板を曲面形状に成形する際に凸面になる側に実装されると、上記課題が解決できる。
【００２３】
すなわち、電子部品が実装された配線基板を大変形させると、対向するリードの先端を支点とし、かつ、リード先端間距離を支点間距離として、配線基板が撓む。このとき、リードと配線基板間に引き剥がし力が発生し、半田などのリード接続材内部に応力が発生する。ここで、面実装型電子部品は湾曲した配線基板の凹面側または凸面側にあるため、電子部品に対して配線基板の撓みが最も大きくなるのは、電子部品の中央部または両端部である。それ故、電子部品の中央部または両端部の半田に最も大きな応力がかかる。この応力が半田の破壊応力を超えると、半田が破壊する。
【００２４】
しかし、本発明は長さ徐変構造または幅徐変構造を有するので、電子部品の中央部と両端部とで応力が大きく加わる側の方が、配線基板のランドに接続される部分のリード長もしくはリード幅が増えていて、接触面積が大きくなっている。つまり、応力が大きく加わる部分のリードの接合強度が強化されている。
【００２５】
それにより、配線基板の撓みによる引き剥がし力に対して、半田内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田の破壊を抑えることが可能である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、リードを有する面実装型電子部品が実装された平坦な配線基板を曲面形状に成形または変形することで発生する、半田などのリード接続材の内部応力を低減することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
図１（ａ）は本発明の第１の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図１（ｃ）は図１（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００２９】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ１１は、パッケージ本体（樹脂モールド部）の側面から突出して２回屈曲された複数のリード１２を有する。リード形状をより具体的に述べると、リード１２は樹脂モールド部の側面から水平方向に突出した後、所定の位置で垂直下方に向けて屈曲し、さらに水平方向に屈曲している。
【００３０】
また、半導体パッケージ１１の外周辺にある複数のリード１２のうちの少なくとも一部のリード群が、半田１３により配線基板１４に接続される部分（半田接続部）１５の長さが徐々に変化する長さ徐変構造１６を成している。本実施形態の場合は、半導体パッケージ１１の対向する２辺におけるリード１２が長さ徐変構造１６を成している。
【００３１】
そして、少なくとも長さ徐変構造１６を構成する各リード１２は、リード全長が全て一定のもとで、リード１２の半田接続部１５の長さをリードの並び方向にて徐々に変えてある。その上、長さ徐変構造１６を構成する各リード１２の半田接続部１５の長さは、半導体パッケージ１１の外周辺の両端部１７から中央部１８にいくに従って長くなっている。尚、この場合、各リード１２の第１の屈曲部から垂直下方にある第２の屈曲部までの長さを一定にして各リード１２の半田接続部１５の高さ位置を揃えなければならないので、各リード１２の、樹脂モールド部の側面から第１の屈曲部までの長さを変えて、リード１２の半田接続部１５の長さを変えている。
【００３２】
以上のように構成された半導体パッケージ１１が、図１（ｃ）（ｄ）に示すように、大変形を伴った曲面形状に成形された配線基板１４の凹面側に実装されている。
【００３３】
ここで、配線基板１４の変形とは、対向するリード１２の先端を支点とし、かつ、リード１２先端間距離Ｌ０を支点間距離とする時の配線基板１４のたわみである。
【００３４】
そして、配線基板１４の大変形とは、リード１２先端間の支点間距離Ｌ０が１０ｍｍのとき、配線基板１４のたわみ量が４０μｍ以上のことである。これは、曲率にすると曲率Ｒ３００ｍｍ以下のことである。
【００３５】
また、曲面形状には、図２（ａ）に示すように、１方向のみに湾曲した曲面を有する配線基板２１の形状と、図２（ｂ）に示すように、２方向に湾曲した曲面を有する配線基板２１の形状の場合がある。図１（ｃ）（ｄ）に示す実装構造では、配線基板１４が上記のような大変形により図２（ａ）のような曲面形状に成形されている。尚、本実施形態の場合、配線基板１４を湾曲させた方向に対して直交する方向に、長さ徐変構造１６が配されている。
【００３６】
図１（ｄ）では、配線基板１４の大変形により、対向するリード１２の先端を支点とし、かつ、リード１２先端間距離Ｌ０を支点間距離として、配線基板１４がたわむ時、リード１２と配線基板１４間に引き剥がし力が発生し、半田１３内部に応力が発生する。ここで、半導体パッケージ１１は湾曲した配線基板１４の凹面側にあるため、半導体パッケージ１１に対して配線基板１４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ１１の中央部１８である。
【００３７】
それ故、パッケージ１１の中央部１８の半田１３に最も大きな応力がかかる。
【００３８】
この応力が半田１３の破壊応力を超えると、半田１３が破壊する。
【００３９】
しかし、長さ徐変構造１６を構成するリード群においては、パッケージ１１の中央部１８のリード１２の、半田接続部１５の長さが、両端部１７のそれに比べ長い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、中央部１８の半田接続部１５の接触面積が大きい。
【００４０】
それにより、配線基板１４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田１３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田１３の破壊を抑えることが可能である。
【００４１】
尚、本実施形態を含めて以下に示すリード形状は、樹脂モールド部の側面から突出したリードを1回目の屈曲で垂直下方へ向け、２回目の屈曲にてリード先端を半導体パッケージ外周外側へ向けた、いわゆるガルウイング形状である。しかし本発明は、２回目の屈曲にてリード先端を半導体パッケージ外周内側へ向けたものでも有効である。また、リード先端部を配線基板の表面に半田付けできるように水平に折り曲げ、かつ、その水平なリード先端部の高さを全てのリードに関して揃えた部品であれば、本発明のリードの屈曲回数やリード形状は限定されない。
【００４２】
（第２の実施の形態）
図３（ａ）は本発明の第２の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図３（ｃ）は図３（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００４３】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ３１は、第１の実施形態の半導体パッケージと比べ、長さ徐変構造３６を構成する各リード３２の半田接続部３５の長さが半導体パッケージ３１の外周辺の中央部３８から両端部３７にいくに従って長くなっている点が異なる。その他の態様については第１の実施の形態と同じであるので説明は割愛する。
【００４４】
上記のように、長さ徐変構造３６を構成するリード群において、半導体パッケージ３１の両端部３７のリード３２の、半田接続部３５の長さが、中央部３８のそれに比べ長い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、両端部３７の半田接続部３５の接触面積が大きい。
【００４５】
それにより、配線基板３４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田３３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田３３の破壊を抑えることが可能である。
【００４６】
但し、この半導体パッケージ３１による、半田３３内部の応力低減効果は、図３（ｃ）（ｄ）に示すように、半導体パッケージ３１が、湾曲した配線基板３４の凸面側にある場合に有効である。
【００４７】
何故なら、半導体パッケージ３１は湾曲した配線基板３４の凸面側にあるため、半導体パッケージ３１に対して配線基板３４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ３１の両端部３７であるからである。
【００４８】
（第３の実施の形態）
図４（ａ）は本発明の第３の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図４（ｃ）は図４（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００４９】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ４１は、第１の実施形態の半導体パッケージと同様、長さ徐変構造４６を構成する各リード４２の半田接続部４５の長さが半導体パッケージ４１の外周辺の両端部４７から中央部４８にいくに従って長くなっている。また、半導体パッケージ４１の対向する２辺におけるリード４２が長さ徐変構造４６を成しており、長さ徐変構造４６が、配線基板４４を湾曲させた方向に対して直交する方向に配置される点も第１の実施の形態と同じである。
【００５０】
しかし、第１の実施の形態と異なるところは、第１の実施の形態では長さ徐変構造を構成する各リードの全長が一定であるのに対し、本実施形態では長さ徐変構造４６を構成する各リード４２の全長を変えている点である。具体的には、図４（ａ）（ｂ）に示すように、ガルウイング形状の各リード４２は、樹脂モールド部の側面（リード４２の根元）から第１の屈曲部までの長さと、第１の屈曲部から垂直下方にある第２の屈曲部までの長さとを合わせた長さが一定であり、第２の屈曲部からリード先端までの長さを変えている。つまり、各リード４２の半田接続部４５以外の長さが一定である。
【００５１】
本実施形態でも、長さ徐変構造４６を構成するリード群において、半導体パッケージ４１の中央部４８のリード４２の、半田接続部４５の長さが、両端部４７のそれに比べ長い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、中央部４８の半田接続部４５の接触面積が大きい。
【００５２】
それにより、配線基板４４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田４３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田４３の破壊を抑えることが可能である。
【００５３】
但し、この半導体パッケージ４１による、半田４３内部の応力低減効果は、図４（ｃ）（ｄ）に示すように、半導体パッケージ４１が、湾曲した配線基板４４の凹面側にある場合に有効である。
【００５４】
何故なら、半導体パッケージ４１は湾曲した配線基板４４の凹面側にあるため、半導体パッケージ４１に対して配線基板４４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ４１の中央部４８であるからである。
【００５５】
（第４の実施の形態）
図５（ａ）は本発明の第４の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図５（ｃ）は図５（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００５６】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ５１は、第３の実施形態の半導体パッケージと比べ、長さ徐変構造５６を構成する各リード５２の半田接続部５５の長さが半導体パッケージ５１の外周辺の中央部５８から両端部５７にいくに従って長くなっている点が異なる。その他の態様については第３の実施の形態と同じであるので説明は割愛する。
【００５７】
上記のように、長さ徐変構造５６を構成するリード群において、半導体パッケージ５１の両端部５７のリード５２の、半田接続部５５の長さが、中央部５８のそれに比べ長い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、両端部５７の半田接続部５５の接触面積が大きい。
【００５８】
それにより、配線基板５４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田５３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田５３の破壊を抑えることが可能である。
【００５９】
但し、この半導体パッケージ５１による、半田５３内部の応力低減効果は、図５（ｃ）（ｄ）に示すように、半導体パッケージ５１が、湾曲した配線基板５４の凸面側にある場合に有効である。
【００６０】
何故なら、半導体パッケージ５１は湾曲した配線基板５４の凸面側にあるため、半導体パッケージ５１に対して配線基板５４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ５１の両端部５７であるからである。
【００６１】
以上の第１〜第４の実施形態ではリードの半田接続部の長さが徐々に変化する長さ徐変構造を有するパッケージを示したが、長さ徐変構造の代わりに、リードの半田接続部の幅が徐々に変化する幅徐変構造で構成することもできる。以下、その態様を第５〜第６の実施形態として示す。
【００６２】
（第５の実施の形態）
図６（ａ）は本発明の第５の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図６（ｃ）は図６（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００６３】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ６１は、樹脂モールド部の側面から突出して２回屈曲された複数のリード６２を有する。このリード形状は、これまでの実施形態と同じ、いわゆるガルウイング形状である。
【００６４】
また、半導体パッケージ６１の外周辺にある複数のリード６２のうちの一部のリード群が、半田６３により配線基板６４に接続される部分（半田接続部）６５の幅が徐々に変化する幅徐変構造６６を成している。本実施形態の場合は、半導体パッケージ６１の対向する２辺におけるリード６２が幅徐変構造６６を成している。
【００６５】
そして、少なくとも幅徐変構造６６を構成する各リード６２は、リード全長が全て一定のもとで、リード６２の半田接続部６５の幅をリードの並び方向にて徐々に変えてある。その上、幅徐変構造６６を構成する各リード６２の半田接続部６５の幅は、半導体パッケージ６１の外周辺の両端部６７から中央部６８にいくに従って広くなっている。
【００６６】
以上のように構成された半導体パッケージ６１が、図６（ｃ）（ｄ）に示すように、大変形を伴った曲面形状に成形された配線基板６４の凹面側に実装されている。尚、ここでいう「大変形」とは、第１の実施の形態で説明した状態をいう。
【００６７】
また、曲面形状には、図７（ａ）に示すように、１方向のみに湾曲した曲面を有する配線基板７１の形状と、図７（ｂ）に示すように、２方向に湾曲した曲面を有する配線基板７１の形状の場合がある。図６（ｃ）（ｄ）に示す実装構造では、配線基板６４が上記のような大変形により図７（ａ）のような曲面形状に成形されている。尚、本実施形態の場合、配線基板６４を湾曲させた方向に対して直交する方向に、幅徐変構造６６が配されている。
【００６８】
図６（ｄ）では、配線基板６４の大変形により、対向するリード６２の先端を支点とし、かつ、リード６２先端間距離を支点間距離として、配線基板６４がたわむ時、リード６２と配線基板６４間に引き剥がし力が発生し、半田６３内部に応力が発生する。ここで、半導体パッケージ６１は湾曲した配線基板６４の凹面側にあるため、半導体パッケージ６１に対して配線基板６４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ６１の中央部６８である。
【００６９】
それ故、パッケージ６１の中央部６８の半田６３に最も大きな応力がかかる。
【００７０】
この応力が半田６３の破壊応力を超えると、半田６３が破壊する。
【００７１】
しかし、幅徐変構造６６を構成するリード群においては、パッケージ６１の中央部６８のリード６２の、半田接続部６５の幅が、両端部６７のそれに比べ広い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、中央部６８の半田接続部６５の接触面積が大きい。
【００７２】
それにより、配線基板６４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田６３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田６３の破壊を抑えることが可能である。
【００７３】
また、幅徐変構造６６を構成する各リード６２の半田接続部６５を、その幅だけでなく長さについても半導体パッケージ６１の外周辺の両端部６７から中央部６８にいくに従って長くすれば、上記効果をより向上させることができる。つまり、本実施形態の幅徐変構造６６に、第１の実施形態（図１）または第３の実施形態（図４）の長さ徐変の思想を組み合わせてもよい。
【００７４】
（第６の実施の形態）
図８（ａ）は本発明の第６の実施の形態による半導体パッケージの斜視図、同（ｂ）はその平面図である。さらに、図８（ｃ）は図８（ａ）の半導体パッケージが半田により実装された平坦な配線基板を、大変形を伴った曲面形状に成形した時の平面図であり、同図（ｄ）はその側面図である。
【００７５】
これらの図に示される形態の半導体パッケージ８１は、第５の実施形態の半導体パッケージと比べ、幅徐変構造８６を構成する各リード８２の半田接続部８５の幅が半導体パッケージ８１の外周辺の中央部８８から両端部８７にいくに従って広くなっている点が異なる。その他の態様については第５の実施の形態と同じであるので説明は割愛する。
【００７６】
上記のように、長さ徐変構造８６を構成するリード群において、半導体パッケージ８１の両端部８７のリード８２の、半田接続部８５の長さが、中央部８８のそれに比べ広い。そのため、図１１（ｂ）の従来構造に比べ、両端部８７の半田接続部８５の接触面積が大きい。
【００７７】
それにより、配線基板８４のたわみによる引き剥がし力に対して、半田８３内部に発生する応力を抑えることが可能で、半田８３の破壊を抑えることが可能である。
【００７８】
但し、この半導体パッケージ８１による、半田８３内部の応力低減効果は、図８（ｃ）（ｄ）に示すように、半導体パッケージ８１が、湾曲した配線基板８４の凸面側にある場合に有効である。
【００７９】
何故なら、半導体パッケージ８１は湾曲した配線基板８４の凸面側にあるため、半導体パッケージ８１に対して配線基板８４のたわみが最も大きくなるのは、半導体パッケージ８１の両端部８７であるからである。
【００８０】
尚、本実施形態においても、幅徐変構造８６を構成する各リード８２の半田接続部８５を、その幅だけでなく長さについても半導体パッケージ８１の外周辺の中央部８８から両端部８７にいくに従って長くすれば、上記効果をより向上させることができる。つまり、本実施形態の幅徐変構造８６に、第２の実施形態（図３）または第４の実施形態（図５）の長さ徐変の思想を組み合わせてもよい。
【００８１】
（第７の実施の形態）
次に、本発明による半導体パッケージの製法例を示す。図９（ａ）〜（ｅ）は第１または第５の実施形態による半導体パッケージの製造工程を説明するための図である。
【００８２】
始めに、第１の実施形態による半導体パッケージとして、リード長さが徐々に変化する長さ徐変構造を備えたＱＦＰ型のパッケージ１００１の製造方法について述べる。
【００８３】
不図示のリードフレームを用意し、該リードフレームに形成された外部リード１００２を、金型１０００のプレスにて、所定の長さに切断する。そして、該リードフレームのアイランド部に銀ペーストを用いて半導体チップ１００４を熱融着し、外部リード１００２と半導体チップ１００４とをワイヤボンディングにて電気的に接続した後、樹脂モールド１００３で封止してＱＦＰ型のパッケージ１００１を製造する（図９（ａ））。
【００８４】
次いで、樹脂モールド１００３の外部に突出した外部リード１００２を、金型１００８のプレスにて、屈曲形状１００９に成形する（図９（ｂ）（ｃ））。同時に、金型１００８のプレスにて、ＱＦＰ型のパッケージ１００１の所定の外周辺に存在する外部リード１００２を、長さが徐々に変化する長さ徐変構造１０１０に成形する（図９（ｄ））。
【００８５】
図９（ｅ）に示すようにリード１００２の幅が徐々に変化する幅徐変構造１０１２を有する第５の実施形態の半導体パッケージを製造するときは、図９（ａ）のプレス工程の金型１０００、金型１００８を変更すれば、可能である。勿論、金型１０００，１００８の変更によって、第１および第５の実施形態以外の半導体パッケージの製造も可能である。
【００８６】
次に、本発明に係る半導体パッケージの基板実装方法、および半導体パッケージが実装された基板の曲面化方法の例を示す。図１０（ａ）〜（ｄ）は、リード１００２の長さが徐々に変化する長さ徐変構造を備えたＱＦＰ型のパッケージ１００１の実装と、これが実装された配線基板１００５を曲面形状に成形する工程を説明するための図である。
【００８７】
図１０（ａ）に示すように、配線基板１００５のランド１００６に、半田１００７を印刷した後、パッケージ１００１を搭載し、リフローにて熱融着する。次いで、曲面成形用の金型１０１１に、配線基板１００５を固定し、熱によるアニールで、曲面形状に成形する。図１０には、長さ徐変構造を備えたパッケージ１００１が配線基板１００５の凹面側にある場合を示したが、これ以外の上述した各種形態にも上記製法は実施できる。
【００８８】
以上の工程より、大変形を伴った曲面形状に配線基板１００５をリード１００２の外れなく成形し、曲面実装構造を得ることが可能である。
【００８９】
尚、本実施形態の製法では、長さ徐変構造を構成するために、金型によるプレス工程を採用しているので、通常のＱＦＰ製造工程に組み込むことができる。従って、低コストで製造できるという利点が得られる。
【００９０】
以上のように本発明の好ましい実施形態について第１〜第７の実施形態を例示して説明したが、本願発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、その技術思想を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能であることは言うまでもない。
【００９１】
また、上述した各実施形態は、ＱＦＰ型の半導体パッケージを対象としている。しかし、本発明に係るリード構造は、ガルウイング形状のリードを有するＳＯＰやコネクタ等、一般的に平坦な基板に表面実装されている全ての電子部品に適用可能である。
【００９２】
加えて、各実施形態の半導体パッケージが実装される配線基板は、ガラスエポキシを基材とした一般的に使用されているビルドアップ基板を対象としている。しかし、基材に低熱膨張材を使用したものや、柔軟な材質、例えば、ポリイミドを使用したもの、あるいは、これらが組み合わされたものでも良い。また、ビルドアップ基板に限らず、一括積層基板や、他の一般的に使用されている全ての基板が適用可能である。
【００９３】
尚、本発明の電子部品のリード形状によれば、電子部品が面実装された配線基板の曲面化が実現できるから、筐体デザインの自由度を上げることができる。特に、デザイン性に特化した携帯電話、デジタルスチルカメラ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ポータブル音楽再生機器、ノート型パーソナルコンピューター等の携帯機器への適用が有効である。
【図面の簡単な説明】
【００９４】
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図２】（ａ）は第１の実施形態の半導体パッケージが、１方向に湾曲した曲面基板に実装されている場合の図、（ｂ）は第１の実施形態の半導体パッケージが、２方向に湾曲した曲面基板に実装されている場合の図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図７】（ａ）は第５の実施形態の半導体パッケージが、１方向に湾曲した曲面基板に実装されている場合の図、（ｂ）は第５の実施形態の半導体パッケージが、２方向に湾曲した曲面基板に実装されている場合の図である。
【図８】本発明の第６の実施の形態による半導体パッケージを説明するための図である。
【図９】本発明の半導体パッケージの製造工程を説明するための図である。
【図１０】本発明の半導体パッケージの実装工程と、これが実装された配線基板を曲面形状に成形する工程を説明するための図である。
【図１１】従来技術による半導体パッケージの構成を説明するための図である。
【図１２】別の従来技術による半導体パッケージの断面図である。
【符号の説明】
【００９５】
１１、３１、４１、５１、６１、８１、１００１    半導体パッケージ
１２、３２、４２、５２、６２、８２、１００２    リード（外部リード）
１３、３３、４３、５３、６３、８３、１００７    半田
１４、２１、３４、４４、５４、６４、７１、８４、１００５    配線基板
１５、３５、４５、５５、６５、８５    半田接続部
１６、３６、４６、５６    長さ徐変構造
１７、３７、４７、５７、６７、８７    両端部
１８、３８、４８、５８、６８、８８    中央部
６６、８６    幅徐変構造
１０００、１００８、１０１１    金型
１００３    樹脂モールド
１００４    半導体チップ
１００６    ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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