【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極と、
ドレイン電極と、
ゲート電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に位置する有機半導体層と、
前記ゲート電極と前記有機半導体層の間に位置するゲート絶縁層とを有し、
前記有機半導体層の輪郭の一部と前記ソース電極の輪郭の一部が一致して重なり、前記有機半導体層の前記ソース電極と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含み、前記ソース電極の前記有機半導体層と一致して重なる前記輪郭の一部が曲線を含むことを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
前記有機半導体層が、前記ソース電極と、前記ドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域とを含む複合領域に重なる位置に形成されている請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、
ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有し、
前記ソース電極および前記ドレイン電極は、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が曲線を含んで構成されるように形成され、
前記有機半導体層は、有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し固化または硬化させることにより形成されたものであり、平面視にて前記複合領域と略一致する範囲に亘って形成されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
前記複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まないように形成されている請求項２または３に記載のトランジスタ。
【請求項５】
平面視にて、前記複合領域は、略円形状または略長円状をなしている請求項１ないし４のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項６】
平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在するように略長円状をなしている請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
平面視にて、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域は長手形状をなし、前記複合領域は複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなしている請求項１ないし６のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項８】
平面視にて、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、それぞれ櫛歯状をなす部分を有し、これらが互いに間隔を隔てて噛み合うように設けられている請求項１ないし７のいずれかに記載のトランジスタ。
【請求項９】
基板上に互いに離間して設けられたソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間に位置する有機半導体層と、ゲート電極と、前記ソース電極およびドレイン電極に対して前記ゲート電極を絶縁するゲート絶縁層とを有するトランジスタの製造方法であって、
前記ソース電極およびドレイン電極を、平面視にて前記ソース電極とドレイン電極との間の領域と、前記ソース電極および前記ドレイン電極とを合わせた複合領域の輪郭が直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成されるように形成する第１の工程と、
有機半導体材料またはその前駆体を含有する液状材料を前記複合領域内に滴下し平面視にて前記複合領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記有機半導体層を形成する第２の工程とを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の工程では、前記複合領域が平面視にて略円形状または略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に延在する略長円状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項１０に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の工程では、前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域が平面視にて長手形状をなし、かつ、前記複合領域が平面視にて複数の略円形状または略長円状を前記ソース電極と前記ドレイン電極との間の領域の長手方向に並べて連結したような形状をなすように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の工程では、平面視にて前記ソース電極と前記ドレイン電極がそれぞれ櫛歯状をなす部分を有しこれらが互いに間隔を隔てて噛み合うように、前記ソース電極および前記ドレイン電極を形成する請求項９に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の工程では、前記液状材料を滴下する方法として、インクジェット法を用いる請求項９ないし１３のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記第２の工程の前または後に、前記ゲート絶縁層の形成領域を規定するゲート絶縁層規定層を、直角または鋭角な角部を実質的に含まずに曲線を含んで構成された輪郭をなし、平面視にて前記複合領域またはその形成予定部位に対し間隔を隔てて囲むように形成する工程と、
前記第２の工程の後に、有機絶縁材料またはその前駆体を含有する液状材料を、前記ゲート絶縁層規定層とその内側領域とを合わせた領域内に滴下し平面視にて当該領域と略一致するまで濡れ拡がらせた後に固化または硬化させることにより、前記ゲート絶縁層を形成する工程とを有する請求項９ないし１４のいずれかに記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１６】
前記ゲート絶縁層規定層を形成する工程は、前記第２の工程の前に行うものであり、前記第１の工程にて、前記ゲート絶縁層規定層を前記ソース電極および前記ドレイン電極とともに一括して形成する請求項１５に記載のトランジスタの製造方法。
【請求項１７】
請求項９ないし１６のいずれかに記載のトランジスタの製造方法によって製造されたトランジスタを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１８】
請求項１７に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１９】
ソース電極と、
ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接し、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置される半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されるゲート絶縁層と、
を含み、
前記ソース電極の端は曲線部を有し、
前記半導体層の端は、前記曲線部に重なることを特徴とするトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明に係る電子デバイスは、本発明のトランジスタの製造方法によって製造されたトランジスタを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子デバイスを提供することができる。
本発明に係る電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、優れた信頼性を有する電子機器を提供することができる。
また、本発明に係るトランジスタは、ソース電極と、
ドレイン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極に接し、少なくとも前記ソース電極と前記ドレイン電極の間に配置される半導体層と、
ゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に配置されるゲート絶縁層と、
を含み、
前記ソース電極の端は曲線部を有し、
前記半導体層の端は、前記曲線部に重なることを特徴とする。
これにより、比較的簡単かつ低コストで、有機半導体層を所望の領域および厚さで形成することができるトランジスタを提供することができる。