Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量のタイプＶコラーゲン又はその免疫寛容誘導性フラグメントを含む、
患者における慢性閉塞性肺疾患（ＣＯＰＤ）又は喘息を治療するための、或いは、慢性閉塞性肺疾患又は喘息を発症するリスクのある対象者における慢性閉塞性肺疾患又は喘息の発症又は悪化を予防するための、組成物。
【請求項２】
前記患者は気腫又は慢性閉塞性気管支炎に罹患している、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記タイプＶコラーゲン又はその免疫寛容誘導性フラグメントは経口投与用に調製される、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記タイプＶコラーゲンを０．１ｍｇ〜０．５ｍｇ含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記タイプＶコラーゲン又はその免疫寛容誘導性フラグメントは静脈内投与用、肺内注入用、吸入用、又は、筋肉内投与用に調製される、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
気管支拡張薬を更に含むか又は気管支拡張薬と共に投与されるための、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
コルチコステロイドを更に含むか又はコルチコステロイドと共に投与されるための、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
ロイコトリエン修飾薬を更に含むか又はロイコトリエン修飾薬と共に投与されるための、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
ＣＯＰＤ又は喘息を発症するリスクのある個体、又は、タイプＶコラーゲン免疫寛容療法の候補となるＣＯＰＤ患者又は喘息患者を特定する方法であって、
前記患者の血液サンプルの少なくとも一部にタイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントを接触させるステップと、
前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに結合する抗体の量を測定するステップとを含み、
前記タイプＶコラーゲンに特異的に結合した抗体の存在が、前記ＣＯＰＤ患者又は前記喘息患者に対してタイプＶコラーゲン免疫寛容療法が有効でありうることを判定する、方法。
【請求項１０】
前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントはビーズに結合されている、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記測定するステップは、
前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに特異的に結合する前記抗体を蛍光標識抗ＩｇＧ抗体と接触させるステップと、
フローサイトメトリーにより、前記タイプＶコラーゲンに結合した前記抗体に結合した前記蛍光標識抗ＩｇＧ抗体の量を検出するステップと、を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
個体におけるＣＯＰＤの進行をモニタリングする方法であって、
前記個体の第一の血液サンプルの少なくとも一部をタイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントと接触させるステップと、
前記第一の血液サンプル内における前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに特異的に結合する抗体の量を測定するステップと、
後の時点において前記個体から採取した第二の血液サンプルの少なくとも一部にタイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントを接触させるステップと、
前記第二の血液サンプル内における前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに特異的に結合する抗体の量を測定するステップと、
前記第二の血液サンプル内における前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに特異的に結合する抗体の量と、前記第一の血液サンプル内における前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに特異的に結合する抗体の量とを比較するステップとを含み、
前記第一の血液サンプル内の前記タイプＶコラーゲンに結合した抗体の量と比較して前記第二の血液サンプル内の前記タイプＶコラーゲンに結合した抗体の量が増加している場合、ＣＯＰＤが悪化していることを予想し、前記第一の血液サンプル内の前記タイプＶコラーゲンに結合した抗体の量と比較して前記第二の血液サンプル内のタイプＶコラーゲンに結合した抗体の量が減少している場合、ＣＯＰＤが改善していると予想する、方法。
【請求項１３】
前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントはビーズに結合されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記測定するステップは、
前記タイプＶコラーゲン又はその抗原性フラグメントに結合する前記抗体を蛍光標識抗ＩｇＧ抗体と接触させるステップと、
フローサイトメトリーにより、前記タイプＶコラーゲンに結合した前記抗体に結合した前記蛍光標識抗ＩｇＧ抗体の量を検出するステップと、を含む、請求項１２に記載の方法。 
【請求項１５】
前記抗ＩｇＧ抗体は、ＩｇＧ１、ＩｇＧ２、ＩｇＧ３及びＩｇＧ４から選択される１以上のＩｇＧサブタイプを検出する、請求項１１又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式：
【化１】
2012524796.tif 000001
〔式中、
ＲＡは７，８−ジヒドロキシ又はその誘導体であり、；
ＲＢは、水素であるか、或いはＲＢは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル又はヘテロアリールアルキルであり、それぞれ任意に置換されていてもよく、；
ＲＮは、水素又はアミノプロドラッグ基であるか、或いはＲＮは、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、ヘテロアリール、アリールアルキル又はヘテロアリールアルキルであり、それぞれ任意に置換されていてもよく；
キラル炭素が、以下の相対的に表された立体異性構造：
【化２】
2012524796.tif 000002
を有する〕
で示される化合物、又はその薬学的に許容される塩。
【請求項２】
ＲＡが、７，８−ジヒドロキシである、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
ＲＢが、アルキル、ヘテロアルキル、シクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール、へテロアリール、アリールアルキル又はヘテロアリールアルキルであり、それぞれ任意に置換されていてもよい、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項４】
ＲＢが、シクロアルキル、シクロヘテロアルキル、アリール又はヘテロアリールであり、それぞれ任意に置換されていてもよい、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項５】
ＲＢが、アリール又はヘテロアリールであり、それぞれ任意に置換されていてもよい、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項６】
ＲＢが、フェニル又は単環式へテロアリールであり、それぞれ任意に置換されていてもよい、請求項１又は２に記載の化合物。
【請求項７】
ＲＮが水素である、請求項１〜６のいずれか１項記載の化合物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物又はその薬学的に許容される塩と、その薬学的に許容される担体、賦形剤又は希釈剤とを含む、医薬組成物。
【請求項９】
パーキンソン病、統合失調症、記憶障害、認知障害又は運動障害のいずれかである、ドーパミン機能不全により生じる疾病を治療するための、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物又はその薬学的に許容される塩を含む、医薬組成物。
【請求項１０】
パーキンソン病、統合失調症、記憶障害、認知障害又は運動障害のいずれかである、ドーパミン機能不全により生じる疾病を治療するための薬剤の製造のための、請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物又はその薬学的に許容される塩の使用方法。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか１項記載の化合物を調製する方法であって、
下記の工程（ａ）〜工程（ｃ）のいずれかを含む、方法：
（ａ）下記式：
【化３】
2012524796.tif 000003
で示される化合物を、２，４，４−トリメチル−２−オキサゾリジンのアニオンと接触させて、下記式：
【化４】
2012524796.tif 000004
で示される化合物を調製する工程；
（ｂ）下記式：
【化５】
2012524796.tif 000005
で示される化合物を還元剤と接触させて、下記式：
【化６】
2012524796.tif 000006
で示される化合物を調製する工程；又は、
（ｃ）下記式：
【化７】
2012524796.tif 000007
で示される化合物を酸と接触させて、下記式：
【化８】
2012524796.tif 000008
で示される化合物を調製する工程
〔式中、Ｒは、カルボン酸又はその誘導体であり、
ＲＡ、ＲＢ、ＲＮは、それぞれ請求項１〜７のいずれか１項に記載のＲＡ、ＲＢ、ＲＮであり、
キラル炭素は、以下の相対的に表された立体異性構造：
【化９】
2012524796.tif 000009
を有する〕
【請求項１２】
請求項１１記載の方法における工程（ｂ）であって、還元剤がＣｏＣｌ２及びＫＢＨ４を含む、工程。
【請求項１３】
請求項１１記載の方法における工程（ｂ）又は工程（ｃ）であって、Ｒがオキサゾリンである、工程。
【請求項１４】
請求項１１記載の方法における工程（ｃ）であって、前記酸がプロトン性溶媒に含まれる、工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
2012524796.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結核の再活性を予防する、潜伏感染した個体に投与されるワクチン又は免疫原性組成物であって、マイコバクテリウム・ツベルクローシスの感染中に恒常的に発現している抗原、又は当該抗原をコードする核酸を含むことを特徴とするワクチン又は免疫原性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物において、ＥＳＸ−１分泌系に属する前記恒常的に発現している抗原が：
ｉ）  配列番号１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５、１６、１７、１８、３２、３３及び３４；
ｉｉ）Ｔ細胞エピトープといった、（ｉ）における配列のいずれか１つの免疫原性部分と；
ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）における配列のいずれか１つと７０％の配列相同性を有し、かつ同時に免疫原性であるアミノ酸配列の類似体と；
からなる群から選択されることを特徴とする組成物。
【請求項３】
請求項２に記載の組成物が、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又は１３の免疫原性部分の混合物といった、免疫原性部分の混合物を含むことを特徴とする組成物。
【請求項４】
請求項３に記載の組成物において、配列番号１９、２０、２１、２２、２３、２４、２５、２６、２７、２８、２９、３０及び３１からなる群から選択される抗原を特徴とする組成物。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の組成物において、前記ポリペプチドがマイコバクテリア科の細菌によって発現した抗原と融合することを特徴とする組成物。
【請求項６】
請求項５に記載の組成物において、該融合パートナーが恒常的に発現している抗原であることを特徴とする組成物。
【請求項７】
請求項６に記載の組成物が、ＣＦＰ１０に融合したＥＳＡＴ６を含むことを特徴とする組成物。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の組成物であって：マイコバクテリアの遺伝子を発現する細菌又はウイルスといった遺伝子改変細菌である組換え生ワクチン；あるいは上述のタンパク質に対する遺伝子及び遺伝子断片を発現するプラスミドであるＤＮＡワクチン、又はタンパク質自体若しくはアジュバントといった送達系で送達される前記タンパク質自体に由来する合成ペプチドであるタンパク質ワクチンといった免疫原性送達系；から選択される更なる送達系を含むことを特徴とする組成物。
【請求項９】
請求項８に記載の組成物において、前記アジュバントがＤＤＡ／ＴＤＢ及び／又はポリＩＣを含むことを特徴とする組成物。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の組成物において、前記アミノ酸配列が前記ポリペプチドの自己アジュバント効果を可能にするよう脂質化されることを特徴とする組成物。
【請求項１１】
請求項１乃至７のいずれか１項に規定の群から選択される、潜伏結核の治療用の抗原。
【請求項１２】
マイコバクテリウム・ツベルクローシス、マイコバクテリウム・アフリカヌム、又はマイコバクテリウム・ボビスといった病原性マイコバクテリアによって引き起こされる結核感染の再活性に備えた、ヒトを含む動物の治療用の薬剤の製造のための請求項１乃至１０のいずれかに記載のワクチン又は免疫原性組成物の使用。
【請求項１３】
請求項１２に記載の使用において、前記ワクチン又は免疫原性組成物が急性感染期後に、及び／又は、潜伏感染期中に投与されることを特徴とする使用。
【請求項１４】
請求項１２に記載の使用において、前記使用が病原性マイコバクテリアに潜伏感染している対象を同定するステップを具えることを特徴とする使用。
【請求項１５】
請求項１４に記載の使用において、病原性マイコバクテリアに潜伏感染している前記対象がマントーツベルクリン皮膚試験（ＴＳＴ）、クァンティフェロン試験、ＨＢＨＡに対する反応の生体外での検出、又は抗原が恒常的に発現する刺激後のＩＰ１０の検出といった診断使用で同定されることを特徴とする使用。
【請求項１６】
マイコバクテリウム・ツベルクローシス、マイコバクテリウム・ボビス、及びマイコバクテリウム・アフリカヌムといった結核菌群の種によって引き起こされる潜伏感染の再活性化に備えるワクチンの製造用の、請求項１乃至７のいずれかで規定の群から選択される抗原の使用。
【請求項１７】
請求項１６に記載の使用において、前記ワクチンが急性感染期後、及び／又は潜伏感染期中の投与用であること特徴とする使用。
【請求項１８】
請求項１６又は１７に記載の使用において、前記ワクチンが請求項１乃至７に規定の１又はそれ以上の免疫原性部分を含むことを特徴とする使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンチントン病もしくはその症状、または若年性ハンチントン病もしくはその症状を治療するための、組織カリクレイン-1(KLK1)ポリペプチド、またはその変異体もしくは活性断片を含む医薬組成物。
【請求項２】
前駆症状および発症段階のハンチントン病またはその症状を治療するための、請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項３】
KLK1ポリペプチドがヒトKLK1(配列番号1)である、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項４】
KLK1ポリペプチドが、マントヒヒKLK1(配列番号2)、カニクイザルKLK1(配列番号3)、ワタボウシタマリンKLK1(配列番号4)、イヌKLK1(配列番号5)、ヒツジKLK1(配列番号6)、ウサギKLK1(配列番号7)、ウシKLK1(配列番号8)、ウマKLK1(配列番号9)、もしくはブタKLK1(配列番号10)、またはその変異体もしくは活性断片である、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項５】
KLK1ポリペプチドが、ヒトKLK1(配列番号1)と少なくとも80%の同一性を有する、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項６】
KLK1ポリペプチドが、KLK1の単離形態、合成形態、または組換え形態である、請求項1から5のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
KLK1ポリペプチドが、ハンチントン病または若年性ハンチントン病を治療するのに有用な第2の治療化合物と同時に投与される、請求項1から6のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
薬学的に許容可能な担体を含む、請求項1から7のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前駆症状および発症段階のハンチントン病またはその症状を治療するための、請求項8に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
1日当たり約1〜約1000IUのKLK1ポリペプチド、またはその変異体もしくは活性断片を含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
若年性ハンチントン病もしくはその症状、またはハンチントン病もしくはその症状を治療するための薬物の製造における、組織カリクレイン-1(KLK1)ポリペプチド、またはその変異体もしくは活性断片の使用。
【請求項１２】
前駆症状および発症段階のハンチントン病もしくはその症状を治療するための、請求項11に記載の使用。
【請求項１３】
KLK1ポリペプチドがヒトKLK1(配列番号1)である、請求項11または12に記載の使用。
【請求項１４】
KLK1ポリペプチドが、マントヒヒKLK1(配列番号2)、カニクイザルKLK1(配列番号3)、ワタボウシタマリンKLK1(配列番号4)、イヌKLK1(配列番号5)、ヒツジKLK1(配列番号6)、ウサギKLK1(配列番号7)、ウシKLK1(配列番号8)、ウマKLK1(配列番号9)、もしくはブタKLK1(配列番号10)、またはその変異体もしくは活性断片である、請求項11または12に記載の使用。
【請求項１５】
KLK1ポリペプチドが、KLK1の単離形態、合成形態、または組換え形態である、請求項11から14のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１６】
KLK1ポリペプチドが、ヒトKLK1(配列番号1)と少なくとも80%の同一性を有する、請求項11から15のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１７】
前記薬物が、ハンチントン病または若年性ハンチントン病を治療するのに有用な第2の治療化合物を含む、請求項11から16のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１８】
KLK1ポリペプチドが、KLK1の成熟形態である、請求項1から10のいずれか一項に記載の医薬組成物、または請求項11から17のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１９】
KLK1ポリペプチドが、配列番号1の残基25から262、または配列番号10の残基25から262を含む、請求項18に記載の医薬組成物、または使用。
【請求項２０】
KLK1ポリペプチドが、配列番号1の残基25から262、または配列番号10の残基25から262と少なくとも80%の同一性を有する、請求項18に記載の医薬組成物、または使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキレン、酸素および少なくとも１種の有機塩化物を含む供給ガスを高効率銀触媒上で反応させてアルキレンオキシドを含む反応生成物を得ることによる、アルキレンオキシドを製造する方法であって、前記供給ガスは全体的触媒塩化効力を有し、前記反応はある反応温度で行われ、
反応生成物中のアルキレンオキシド濃度およびアルキレンオキシド収量の少なくとも一方の減少を選択すること；
全体的触媒塩化効力および反応温度のうちの一方が変更されると、全体的触媒塩化効力および反応温度のもう一方が選択された期間にわたって一定の値に維持されるように全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更すること
を含み、この場合、全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程は、反応生成物中のアルキレンオキシド濃度およびアルキレンオキシド収量の少なくとも一方の選択された減少に応じて全体的触媒塩化効力および反応温度の一方を変更することを含む方法。
【請求項２】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程は、全体的触媒塩化効力を一定の第１の全体的触媒塩化効力値に第１の選択された期間にわたって維持すること、反応温度を一定の第１の反応温度値に第２の選択された期間にわたって維持すること、および第１の選択された期間の終了時に全体的触媒塩化効力を一定の第１の全体的触媒塩化効力値から一定の第２の全体的触媒塩化効力値まで上昇させることを含み、この場合、第１の期間は第２の期間とは異なる、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項３】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程は、反応温度を一定の第１の反応温度値に第１の選択された期間にわたって維持すること、全体的触媒塩化効力を一定の第１の全体的触媒塩化効力値に第２の選択された期間にわたって維持すること、および第１の選択された期間の終了時に反応温度を一定の第１の反応温度値から一定の第２の反応温度値まで上昇させることを含み、この場合、第１の期間は第２の期間とは異なる、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項４】
反応生成物中のアルキレンオキシド濃度の選択された減少が約０．５モル％未満である、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項５】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程が、触媒１ｍ3当たりアルキレンオキシド約１．０ｋｔ未満の触媒経時劣化増分に対応する間隔で全体的触媒塩化効力および反応温度を交互に一方を変更することを含む、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項６】
全体的触媒塩化効力値が式：
Ｚ*＝塩化エチル当量（ｐｐｍｖ）／エタン当量（モル％）
（式中、塩化エチル当量は、供給ガス中の少なくとも１種の有機塩化物の濃度で供給ガス中の少なくとも１種の有機塩化物の同じ触媒塩化効力を与える塩化エチルのｐｐｍｖ単位での総濃度であり；
エタン当量は、供給ガス中の非塩化物含有炭化水素の濃度で供給ガス中の非塩化物含有炭化水素と同じ脱塩素効力を与えるエタンのモル％単位での総濃度である）
によって表される、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項７】
少なくとも１種の有機塩化物が、塩化エチル、二塩化エチレンおよび塩化ビニルからなる群から選択され、塩化エチル当量が下式：
塩化エチル当量（ｐｐｍｖ）＝ＥＣＬ＋２ＥＤＣ＋ＶＣＬ
（式中、ＥＣＬは、ｐｐｍｖ単位での供給ガス中の塩化エチル濃度であり、ＥＤＣは、ｐｐｍｖ単位での供給ガス中の二塩化エチレン濃度であり、ＶＣＬは、ｐｐｍｖ単位での供給ガス中の塩化ビニル濃度である）
を有する、請求項６に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項８】
供給ガス中の非塩化物含有炭化水素が、エチレンおよびエタンからなる群から選択される少なくとも１種を含み、エタン当量が下式：
エタン当量（モル％）＝Ｃ2Ｈ6＋０．０１Ｃ2Ｈ4
（式中、Ｃ2Ｈ6はモル％単位での供給ガス中のエタン濃度であり、
Ｃ2Ｈ4はモル％単位での供給ガス中のエチレン濃度である）
を有する、請求項６に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項９】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程は、全体的触媒塩化効力および反応温度を交互に上昇させることを含み、この場合、触媒塩化効力の上昇が約５．０未満のＺ*増分で行われ、反応温度の上昇が約１０℃未満の増分で行われる、請求項６に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１０】
Ｚ*が約２０未満である、請求項６に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１１】
アルキレンオキシドがエチレンオキシドであり、アルキレンがエチレンである、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１２】
有機塩化物が、二塩化エチレン、塩化エチルおよび塩化ビニルから選択される少なくとも１種である、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１３】
高効率銀触媒がレニウム促進剤を含む、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１４】
触媒経時劣化が触媒１ｍ3当たりアルキレンオキシド約１０ｋｔ未満である、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１５】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程が、供給ガス中の少なくとも１種の有機塩化物の濃度および反応温度を交互順に変更することを含む、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１６】
全体的触媒塩化効力および反応温度を交互順に変更する工程が、全体的触媒塩化効力と、反応器冷却剤液の流速および反応器蒸気冷却剤の圧力から選択される１つを交互順に変更することを含む、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１７】
供給ガスが少なくとも１種の窒素含有促進剤をさらに含む、請求項１に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１８】
供給ガスが少なくとも１種の窒素含有促進剤の全体的効力を有し、供給ガスにおける全体的塩化効力が変更されると、少なくとも１種の窒素含有促進剤の全体的効力が変更される、請求項１７に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項１９】
少なくとも１種の窒素含有促進剤の全体的効力が式：
Ｎ*＝一酸化窒素当量（ｐｐｍｖ）＊（Ｐinlet／２，３００ｋＰａ）
（式中、Ｐinletはキロパスカル単位での反応器入口圧力であり、一酸化窒素当量は、少なくとも１種の窒素含有促進剤と同じ促進効力を与えるｐｐｍｖ単位での一酸化窒素濃度である）
によって表される、請求項１８に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【請求項２０】
少なくとも１種の窒素含有促進剤の全体的効力と全体的塩化効力との比率を選択することをさらに含み、この場合、全体的塩化効力が変更されると、選択された比率を維持するために、少なくとも１種の窒素含有促進剤の全体的効力が変更される、請求項１９に記載のアルキレンオキシド製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２θ反射位置
【表１】
2012524784.tif 000001
を有する粉末Ｘ線回折パターンにより特性決定される形態Ｂと命名された１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの結晶性多形体。
【請求項２】
２−ブロモ−１−［４，５−ジヒドロ−５−（２，６−ジフルオロフェニル）−３−イソオキサゾリル］エタノンおよび１−［２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］アセチル］−４−ピペリジンカルボチオアミドをアルカノール溶剤の存在下に接触させて反応混合物を形成する工程；前記反応混合物を塩基で中和する工程；ならびに、水および所望の結晶性多形体の種子結晶を前記反応混合物に添加する工程を含む、１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの所望の結晶性多形体を製造する方法。
【請求項３】
前記アルカノール溶剤が、メタノールおよびエタノール、ならびにそれらの混合物から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
少なくとも２θ反射位置
【表２】
2012524784.tif 000002
を有する粉末Ｘ線回折パターンにより特性決定される形態Ｂと命名された１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの結晶性多形体を製造する方法であって、少なくとも２θ反射位置
【表３】
2012524784.tif 000003
を有する粉末Ｘ線回折パターンにより特性決定される形態Ａと命名された１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの結晶性多形体をアルカノールを含む溶剤と混合してスラリーを形成する工程；多形体形態Ｂの種子結晶を前記スラリーに添加する工程；ならびに、多形体形態Ａが多形体形態Ｂに転化する間前記スラリーを維持する工程を含む方法。
【請求項５】
前記溶剤が約３０容量％以下の水を含み、前記アルカノールが、メタノールおよびエタノール、ならびにそれらの混合物から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記溶剤と混合された前記多形体形態Ａが、多形体形態Ｂとの混和物である、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）少なくとも２θ反射位置
【表４】
2012524784.tif 000004
を有する粉末Ｘ線回折パターンにより特性決定される形態Ｂと命名された１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの結晶性多形体；ならびに、（ｂ）界面活性剤、固体希釈剤および液体キャリアからなる群から選択される少なくとも１種の追加の成分を含む殺菌・殺カビ組成物。
【請求項８】
成分（ａ）が分散された連続液体相を形成する液体キャリアを含む、請求項７に記載の殺菌・殺カビ組成物。
【請求項９】
前記連続液体相を形成する前記液体キャリアが、前記液体キャリアの重量を基準にして少なくとも約５０％の水を含有する、請求項８に記載の殺菌・殺カビ組成物。
【請求項１０】
前記連続液体相中に乳化された水不混和性の液体成分をさらに含む、請求項９に記載の殺菌・殺カビ組成物。
【請求項１１】
前記連続液体相を形成する前記液体キャリアが水不混和性である、請求項８に記載の殺菌・殺カビ組成物。
【請求項１２】
（ａ）１−［４−［４−［５−（２，６−ジフルオロフェニル）−４，５−ジヒドロ−３−イソオキサゾリル］−２−チアゾリル］−１−ピペリジニル］−２−［５−メチル−３−（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル］エタノンの固体形態の少なくとも１種；ならびに、（ｂ）少なくとも１種の他の殺菌・殺カビ剤および／または殺虫剤を含む殺菌・殺カビ組成物。
【請求項１３】
成分（ｂ）が、殺菌・殺カビ剤：アメトクトラジン、アミスルブロム、アゾキシストロビン、ベンチアバリカルブ、ベンチアバリカルブ−イソプロピル、ボルドー液、ボスカリド（ニコビフェン）、カルボキシン、クロロタロニル、水酸化銅、オキシ塩化銅、硫酸銅、シアゾファミド、シモキサニル、シプロコナゾール、ジフェノコナゾール、ジメトモルフ、ファモキサドン、フルアジナム、フルジオキソニル、フルオピコリド、フルシラゾール、フォルペット、フォセチル−アルミニウム、イプロバリカルブ、クレソキシム−メチル、マンコゼブ、マンジプロパミド、メタラキシル、メタラキシルＭ、ミクロブタニル、オリサストロビン、ペンチオピラド、ホスホン酸、亜リン酸および塩、ピコキシストロビン、プロパモカルブ、プロパモカルブ−ＨＣｌ、プロピコナゾール、プロキナジド、ピラクロストロビン、キノキシフェン、スピロキサミン、テブコナゾール、テトラコナゾール、トリフロキシストロビンおよびバリフェナル
から選択される、請求項１２に記載の殺菌・殺カビ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖尿病の対象における糖尿病性創傷の治療を促進する薬剤の製造における、Ｅ−セレクチンタンパク質をコードする核酸、及びＥ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤からなる群より選択される少なくとも１つの治療薬と、薬学的に許容可能な担体とを含む、組成物の使用であって、
前記薬剤は前記対象における骨髄由来前駆細胞の前記創傷への遊走を増加させる条件下で、前記対象に投与されることを特徴とする、使用。
【請求項２】
前記組成物は前記創傷又は前記創傷に隣接した部位に直接投与される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記骨髄由来前駆細胞が内皮前駆細胞（ＥＰＣ）を含む、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記組成物が、Ｅ−セレクチンタンパク質をコードする核酸、及びＥ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤を含み、ここで前記Ｅ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤がＳＤＦ−１αタンパク質又はＳＤＦ−１αタンパク質をコードする核酸である、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記対象に高圧酸素療法を実施する工程をさらに含む、請求項１に記載の使用。
【請求項６】
糖尿病性創傷を有する糖尿病の対象においてＥ−セレクチンの発現をアップレギュレートする薬剤の製造における、第一のＡＡＶ逆方向末端反復と第二のＡＡＶ逆方向末端反復との間に挿入されたＥ−セレクチンをコードするポリヌクレオチドを含有する、少なくとも１つのｒＡＡＶビリオンを包含する組成物の使用であって、前記薬剤はＥ−セレクチンの発現をアップレギュレートし、骨髄由来前駆細胞の前記創傷への遊走を誘導し、かつ前記対象における前記創傷の治癒を促進するのに有効な量で、前記糖尿病の対象に投与されることを特徴とする、使用。
【請求項７】
前記少なくとも１つのｒＡＡＶビリオンが血清型２カプシドタンパク質を含む、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記組成物は前記創傷又は前記創傷に隣接した部位に直接投与される、請求項６に記載の使用。
【請求項９】
前記骨髄由来前駆細胞がＥＰＣを含む、請求項６に記載の使用。
【請求項１０】
前記対象にＳＤＦ−１αタンパク質又はＳＤＦ−１αタンパク質をコードする核酸を投与する工程をさらに含む、請求項６に記載の使用。
【請求項１１】
前記対象に高圧酸素療法を実施する工程をさらに含む、請求項６に記載の使用。
【請求項１２】
糖尿病の対象における糖尿病性創傷の治癒を促進する薬剤の製造における、
薬学的に許容可能な担体及びＥ−セレクチンをコードするポリヌクレオチドを含む複数の骨髄由来前駆細胞を含む組成物の使用であって、
前記薬剤は、骨髄由来前駆細胞の前記創傷への遊走を増加させ、かつ前記対象における創傷の治癒を促進するのに有効な量で前記対象に投与されることを特徴とする、使用。
【請求項１３】
前記Ｅ−セレクチンをコードするポリヌクレオチドがウイルスベクター中に組み込まれている、請求項１２に記載の使用。
【請求項１４】
前記ウイルスベクターがウイルス粒子中に組み入れられている、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
前記ウイルスベクターがｒＡＡＶベクターであり、かつ、前記ウイルス粒子がＡＡＶ粒子である、請求項１４に記載の使用。
【請求項１６】
前記組成物がＳＤＦ−１αタンパク質又はＳＤＦ−１αタンパク質をコードする核酸をさらに含む、請求項１２に記載の使用。
【請求項１７】
前記組成物は前記創傷又は前記創傷に隣接した部位に直接投与される、請求項１２に記載の使用。
【請求項１８】
前記骨髄由来前駆細胞がＥＰＣを含む、請求項１２に記載の使用。
【請求項１９】
前記対象に高圧酸素療法を実施する工程をさらに含む、請求項１２に記載の使用。
【請求項２０】
哺乳類対象における少なくとも１つの糖尿病性創傷を治療するためのキットであって、
（ａ）Ｅ−セレクチンタンパク質をコードする核酸、及びＥ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤、からなる群より選択される少なくとも１つの治療薬と、薬学的に許容可能な担体とを含む、治療有効量の組成物；並びに、
（ｂ）糖尿病性創傷の治療における使用説明書
を含むキット。
【請求項２１】
前記組成物が、Ｅ−セレクチンタンパク質をコードする核酸、及びＥ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤を含み、ここで前記Ｅ−セレクチンの発現を特異的にアップレギュレートする薬剤がＳＤＦ−１αタンパク質又はＳＤＦ−１αタンパク質をコードする核酸である、請求項２０に記載のキット。
【請求項２２】
前記使用説明書が前記対象への高圧酸素療法の実施方法の説明を含む、請求項２０に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的パワーシステムに用いる光起電力アレイであって、
複数の光起電力モジュール、
前記複数の光起電力モジュールの内の少なくとも一つに結合されている電圧変換器、及び
過電圧保護回路であって、
前記電圧変換器の出力に結合すべく適合されているインターフェースと、
前記電圧変換器の出力電圧における電圧スパイクを検知する形態とされているスパイク検知器と、
前記スパイク検知器から受取られる過電圧信号に応答して前記電圧変換器の出力電圧スルーレートを調整する形態とされている電圧制御モジュールと、
を含む前記過電圧保護回路、
を含む、光起電力アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の起電力アレイであって、前記スパイク検知器が、
アナログ・デジタル変換器、及び
前記電圧変換器の前記出力電圧に対応する信号における閾値を超える増加率を検知する形態とされているデジタル検知モジュール、
を含む、光起電力アレイ。
【請求項３】
請求項１に記載の起電力アレイであって、前記電圧変換器が前記過電圧保護回路を包含している、光起電力アレイ。
【請求項４】
請求項１に記載の起電力アレイであって、前記スパイク検知器が、
オペアンプ、
前記オペアンプの第１入力に結合されている第１電圧入力回路、及び
前記オペアンプの第２入力に結合されている第２電圧入力回路、
を含み、
前記オペアンプが、前記第１電圧入力回路からの電圧と前記第２電圧入力回路からの電圧との間の差異を検知することに応答して、前記過電圧信号を出力する形態とされている、
光起電力アレイ。
【請求項５】
請求項４に記載の起電力アレイであって、
前記過電圧信号をトリガするための電圧閾値を確立する形態とされている閾値回路、
を更に含む、光起電力アレイ。
【請求項６】
請求項４に記載の起電力アレイであって、
前記過電圧信号の迅速なスイッチングを妨げる形態とされているヒステリシス回路、
を更に含む、光起電力アレイ。
【請求項７】
請求項１に記載の起電力アレイであって、前記電圧制御モジュールが、前記電圧変換器のデューティサイクルを制限する形態とされている、光起電力アレイ。
【請求項８】
太陽電池パワーシステムに用いるデバイスであって、
電圧変換器の出力に結合すべく適合されているインターフェース、
前記電圧変換器の出力電圧における電圧スパイクを検知する形態とされているスパイク検知器、及び
前記スパイク検知器からの過電圧信号に応答して前記電圧変換器の出力電圧スルーレートを調整する形態とされている電圧制御モジュール、
を含む、デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスであって、前記スパイク検知器が、
アナログ・デジタル変換器、及び
前記電圧変換器の前記出力電圧に対応する信号において閾値を超える増加率を検知する形態とされているデジタル検知モジュール、
を含む、デバイス。
【請求項１０】
請求項８に記載のデバイスであって、前記出力電圧スルーレートが閾値電圧スルーレートを超えるとき、前記スパイク検知器が前記過電圧信号を出力する形態とされている、デバイス。
【請求項１１】
請求項８に記載のデバイスであって、前記スパイク検知器が、
オペアンプ、
前記オペアンプの第１入力に結合されている第１電圧入力回路、及び
前記オペアンプの第２入力に結合されている第２電圧入力回路、
を含み、
前記第１電圧入力回路からの電圧と前記第２電圧入力回路からの電圧との間の差異を検知することに応答して、前記オペアンプが前記過電圧信号を出力する形態とされている、デバイス。
【請求項１２】
請求項１１に記載のデバイスであって、
前記過電圧信号をトリガするための電圧閾値を確立する形態とされている閾値回路、
を更に含む、デバイス。
【請求項１３】
請求項１１に記載のデバイスであって、
前記過電圧信号の迅速なスイッチングを妨げる形態とされているヒステリシス回路、
を更に含む、デバイス。
【請求項１４】
請求項８に記載のデバイスであって、前記電圧制御モジュールが、前記電圧変換器のデューティサイクルを制限する形態とされている、デバイス。
【請求項１５】
請求項８に記載のデバイスであって、前記デバイスが前記電圧変換器の一部を形成している、デバイス。
【請求項１６】
光起電力アレイにおける過電圧回避方法であって、
電圧変換器の出力電圧を検知すること、
閾値値を超える前記出力電圧の変化率に基づいて過電圧イベントを検知すること、及び
前記過電圧イベントの検知に応答して前記電圧変換器を調整すること、
を含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記電圧変換器の出力電圧を検知することが、
前記出力電圧のアナログ測定値を前記出力電圧を表すデジタル信号へ変換すること、及び
特定したサンプリング周波数で前記デジタル信号をサンプリングすること、
を含む、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、前記過電圧イベントを検知することが、
第１電圧入力回路と第２電圧入力回路との間の電圧差を検知すること、及び
前記電圧差が前記閾値値を超えるとき信号を出力すること、
を含む、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
ヒステリシスを用いて前記過電圧信号の迅速なスイッチングを回避する、
ことを更に含む、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、前記電圧変換器を調整することが、前記電圧変換器のデューティサイクルを制限することを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリユニットであって、
メモリユニットの第１の層において、第１のトランジスタ領域に広がる第１のトランジスタと、
メモリユニットの第２の層において、第２のトランジスタ領域に広がる第２のトランジスタと、
メモリユニットの第３の層において、第１のメモリ領域に広がる第１のＲＳＭセルと、
メモリユニットの第３の層において、第２のメモリ領域に広がる第２のＲＳＭセルとを備え、
第１のトランジスタは第１のＲＳＭセルに電気的に結合され、第２のトランジスタは第２のＲＳＭセルに電気的に結合され、
第２の層は第１の層と第３の層との間にあり、
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは、トランジスタ重畳領域を有し、
第１のメモリ領域および第２のメモリ領域は、第１のトランジスタ領域および第２のトランジスタ領域を越えて延在しない、メモリユニット。
【請求項２】
第１のトランジスタはソース領域およびドレイン領域を含み、第１のトランジスタのドレイン領域は、第１のドレイン電気接続を介して、第１のＲＳＭセルに電気的に結合される、請求項１に記載のメモリユニット。
【請求項３】
第２のトランジスタはソース領域およびドレイン領域を含み、第２のトランジスタのドレイン領域は第２のＲＳＭセルに電気的に結合される、請求項１または２に記載のメモリユニット。
【請求項４】
第１のビット線および第２のビット線をさらに備え、第１のＲＳＭセルは第１のビット線に電気的に結合され、第２のＲＳＭセルは第２のビット線に電気的結合される、請求項１から３のいずれか１項に記載のメモリユニット。
【請求項５】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのソースおよびドレイン領域は対向して構成される、請求項３または４に記載のメモリユニット。
【請求項６】
メモリユニットの第１の層と第２の層との間に配置されるソース線をさらに備え、第１のトランジスタおよび第２のトランジスタは別個にソース線に電気的に接続される、請求項５に記載のメモリユニット。
【請求項７】
第１のドレイン電気接続をソース線から電気的に絶縁するためのビア絶縁体をさらに備える、請求項６に記載のメモリユニット。
【請求項８】
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタのソースおよびドレイン領域は平行な構成を有する、請求項３から７のいずれか１項に記載のメモリユニット。
【請求項９】
第１のトランジスタのドレイン領域は、第２のトランジスタのドレイン領域よりも大きい、請求項３から８のいずれか１項に記載のメモリユニット。
【請求項１０】
第１のトランジスタと第２のトランジスタとの間に配置されるソース線をさらに備え、ソース線は第１のトランジスタおよび第２のトランジスタを電気的に接続する、請求項８に記載のメモリユニット。
【請求項１１】
ＲＳＭユニットであって、
メモリユニットの第１の層において、第１のトランジスタ領域に広がる第１のトランジスタと、
メモリユニットの第２の層において、第２のトランジスタ領域に広がる第２のトランジスタと、
メモリユニットの第３の層において、メモリ領域に広がるＲＳＭセルとを備え、
第１のトランジスタは第２のトランジスタに電気的に結合され、第２のトランジスタはＲＳＭセルに電気的に結合され、
第２の層は第１の層と第３の層との間にあり、
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタはトランジスタ重畳領域を有し、
メモリ領域は第１のトランジスタ領域および第２のトランジスタ領域を越えて延在しない、ＲＳＭユニット。
【請求項１２】
ＲＳＭユニットを用いる方法であって、
ＲＳＭユニットを設けることを備え、ＲＳＭユニットは
メモリユニットの第１の層において、第１のトランジスタ領域に広がる第１のトランジスタと、
メモリユニットの第２の層において、第２のトランジスタ領域に広がる第２のトランジスタと、
メモリユニットの第３の層において、メモリ領域に広がるＲＳＭセルとを含み、
第１のトランジスタは第２のトランジスタに電気的に結合され、
第２のトランジスタはＲＳＭセルに電気的に結合され、
第２の層は第１の層と第３の層との間にあり、
第１のトランジスタおよび第２のトランジスタはトランジスタ重畳領域を有し、
メモリ領域は第１のトランジスタ領域および第２のトランジスタ領域を越えて延在せず、さらに
ＲＳＭセルの抵抗状態を判断するために第１のトランジスタまたは第２のトランジスタだけを活性化することを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが光パルスを生成して半導体基板の表面の一部分を少なくとも２００℃に加熱するように構成された複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを備え、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備え、
前記光パルスが、独立して選択可能なパルス持続時間、形状、および繰返し率を有する１つまたは複数の光波長を含み、
前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、
基板処理システム。
【請求項２】
前記光パルスがプロセスガスと前記半導体基板との間の化学反応を促進させ、その結果、前記半導体基板の表面上に膜を形成する、請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記光パルスが、前記半導体基板内のドーパントを活動化させる、請求項１または２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記光パルスが、前記半導体基板を焼鈍する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記パルス持続時間が、約１００ｎｓ〜約１００μｓである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記繰返し率が約１ＭＨｚ未満である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記表面の前記部分が、１００平方ミリメートルより大きい、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項８】
前記１つまたは複数のファイバレーザの前記１つまたは複数の波長とは異なる波長に近い前記表面の前記部分からの放射を監視する光学高温測定アセンブリをさらに備える、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板処理システム。
【請求項９】
処理チャンバ内に配置された半導体基板を支持する基板支持アセンブリと、
光学アセンブリとを備え、前記光学アセンブリが、
それぞれが１つまたは複数の波長の光パルスを生成して前記半導体基板の表面の一部分を少なくとも２００℃に加熱するように構成された複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを備え、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備え、
前記光パルスが、独立して選択可能なパルス持続時間、形状、および繰返し率を有する１つまたは複数の光波長を含み、前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、
基板処理システム。
【請求項１０】
前記光学アセンブリが、前記半導体基板の一部分を一度に露出させる、請求項９に記載の基板処理システム。
【請求項１１】
前記基板支持アセンブリが、前記１つまたは複数のファイバレーザに対して可動式である、請求項９または１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
半導体基板を処置する方法であって、
表面プロセスを促進させる少なくとも１つの光パルスのパルス持続時間、形状および繰返し率を独立して選択するステップと、
前記表面プロセスを促進するために、前記少なくとも１つの光パルスで半導体基板の表面の第１の部分を少なくとも２００℃に加熱するステップとを含み、
前記少なくとも１つの光パルスが、ファイバレーザアセンブリの出力部から放出された１つまたは複数のファイバレーザ波長を含み、前記ファイバレーザアセンブリが、レーザキャビティを有する複数のファイバレーザのそれぞれが、少なくとも１つの光パルスを生成するためのドープされたコアを有する光ファイバと、前記ドープコアから前記半導体基板の前記表面に前記少なくとも１つの光パルスを伝送するための非ドープ光ファイバとを備えた複数のファイバレーザを備えたファイババンドルレーザを含み、
前記表面の前記部分が、１０平方ミリメートルより大きい面積を有する、方法。
【請求項１３】
前記半導体基板を動かすステップと、
前記半導体基板の前記表面の第２の部分を照射するステップと
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記半導体基板の表面の前記第１の部分から放出された光を受け取るステップと、
プロセス監視波長に近い前記放出された光の輝度を判定するステップとをさらに含み、前記プロセス監視波長が前記１つまたは複数のファイバレーザ波長とは異なる、
請求項１２または１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局（ＢＳ）が無線通信信号を送信する方法であって、
ユーザ装置固有（ＵＥ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ）リファレンス信号（ＲＳ）を保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｐｅｒ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を決定する段階と、
前記決定されたＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率によって前記ユーザ装置固有ＲＳを含む複数のリソース要素（ＲＥ）を送信する段階と、
を含み、
前記ＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を決定する段階は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２以下のトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を０ｄＢに決定する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を決定する段階は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２より多いトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を−３ｄＢに決定する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を決定する段階は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率γ［dB］を下記の数式
【数１】
2012524451.tif 000001
を利用して決定する段階をさらに含み、
ここで、Ｎ＿ＳＥＴは、サブフレームの伝送に使用されるユーザ装置固有ＲＳセットの総個数であることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
無線通信信号を送信する基地局（ＢＳ）であって、
ユーザ装置固有（ＵＥ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ）リファレンス信号（ＲＳ）を保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｐｅｒ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を決定する制御部と、
前記決定されたＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率によって前記ユーザ装置固有ＲＳを含む複数のリソース要素（ＲＥ）を送信する通信部と、
を含み、
前記制御部は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２以下のトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を０ｄＢに決定することを特徴とする基地局。
【請求項５】
前記制御部は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２より多いトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を−３ｄＢに決定することを特徴とする請求項４に記載の基地局。
【請求項６】
前記制御部は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率γ［dB］を下記の数式
【数２】
2012524451.tif 000002
を利用して決定し、
ここで、Ｎ＿ＳＥＴは、サブフレームの伝送に使用されるユーザ装置固有ＲＳセットの総個数であることを特徴とする請求項５に記載の基地局。
【請求項７】
ユーザ装置（ＵＥ）が無線通信信号を受信する方法であって、
ユーザ装置固有（ＵＥ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ）基準信号（ＲＳ）を含む複数のリソース要素（ＲＥ）を受信する段階を含み、
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２以下のトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｐｅｒ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率を０ｄＢに仮定することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２より多いトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を−３ｄＢに仮定することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率が
【数３】
2012524451.tif 000003
であると仮定し、
ここで、Ｎ＿ＳＥＴは、サブフレームの伝送に使用されるユーザ装置固有ＲＳセットの総個数であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
無線通信信号を受信するユーザ装置（ＵＥ）であって、
ユーザ装置固有（ＵＥ−Ｓｐｅｃｉｆｉｃ）リファレンス信号（ＲＳ）を含む複数のリソース要素（ＲＥ）を受信する通信部を含み、
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２以下のトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｐｅｒ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｅｌｅｍｅｎｔ）対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を０ｄＢに仮定することを特徴とするユーザ装置。
【請求項１１】
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内の２より多いトランスミッション層数のためのＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥの比率を−３ｄＢに仮定することを特徴とする請求項１０に記載のユーザ装置。
【請求項１２】
前記ユーザ装置は、前記ユーザ装置固有ＲＳを保有する各ＯＦＤＭシンボル内のＰＤＳＣＨ  ＥＰＲＥ対ユーザ装置固有ＲＳ  ＥＰＲＥ比率が
【数４】
2012524451.tif 000004
であると仮定し、
ここで、Ｎ＿ＳＥＴは、サブフレームの伝送に使用されるユーザ装置固有ＲＳセットの総個数であることを特徴とする請求項１１に記載のユーザ装置。