【手続補正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するためのプロセッサに基づく方法であって、
仮想的なフォトレジスト体積内における、酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するステップと、
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するステップと、
前記仮想的なフォトレジスト体積内における、酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するステップと、
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定するステップと、
前記仮想的なフォトレジスト体積の現像を計算するステップと、
前記仮想的なフォトレジスト体積の前記現像により生成された前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像をプロセッサを用いて生成するステップと、
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性に少なくとも部分的に基づくプロセスを用いて集積回路を製造するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定する前記ステップは、仮想的なフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の所望する個数を指定するステップと、クエンチャの所望する個数を指定するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定する前記ステップは、実在のフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の実際の個数およびクエンチャの実際の個数を入力するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定する前記ステップは、仮想的な露光に基づいて、光子の所望する個数を指定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定する前記ステップは、既知の露光に基づいて、光子の個数を入力するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定する前記ステップは、光分解機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定する前記ステップは、イオン化機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測する前記ステップは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のハードコピー出力を定規を用いて計測するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測する前記ステップは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のデータファイルを数学的に評価するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するためのプロセッサに基づく方法であって、
フォトレジストパラメータおよび露光パラメータを、フォトレジストプロセスの確率モデルに入力するステップと、
前記確率モデルから前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルを前記プロセッサを用いて計算するステップと、
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を前記プロセッサ上で実行されるＣＤＳＥＭシミュレータを用いて計測するステップと、
を含む方法。
【請求項１２】
コンピュータ可読媒体上に配置され、プロセッサによって実行された際に、シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するようプロセッサに命じるための命令モジュール、を有するコンピュータ可読媒体であって、前記命令モジュールは一時的信号ではなく、且つ前記命令モジュールは、
仮想的なフォトレジスト体積内における、酸発生剤およびクエンチャの個数を判定することと、
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定することと、
前記仮想的なフォトレジスト体積内における、酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定することと、
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定することと、
前記仮想的なフォトレジスト体積の現像を計算することと、
前記仮想的なフォトレジスト体積の前記現像により生成された前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像を前記プロセッサを用いて生成することと、
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測することと、
を実施するよう動作する、コンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するための前記命令モジュールは、仮想的なフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の所望する個数を指定することと、クエンチャの所望する個数を指定することとを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
前記仮想的なフォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するための命令モジュールは、実在のフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の実際の個数およびクエンチャの実際の個数を入力することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するための前記命令モジュールは、仮想的な露光に基づいて、光子の所望する個数を指定することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
前記仮想的なフォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するための前記命令モジュールは、既知の露光に基づいて、光子の所望する個数を入力することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１７】
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するための前記命令モジュールは、光分解機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１８】
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するための前記命令モジュールは、イオン化機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項１９】
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するための前記命令モジュールは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のハードコピー出力を定規を用いて計測することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
前記シミュレーションされたフォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するための前記命令モジュールは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のデータファイルを数学的に評価することを含む、請求項１２に記載のコンピュータ可読媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本発明に対する実施形態の前述の説明は、例示および説明の目的のために提示されたものである。説明は、網羅的であることを意図するものではなく、または発明を、開示された正確な形に限定することを意図するものでもない。様々な変更例または変化例が上述の教示に照らし合わせると明らかになる。これらの実施形態のすべては、本発明の原理および実際的な適用を例示し、それにより当業者が様々な実施形態において、および考えられる特定の使用に適した様々な変更例とともに、本発明を利用することを可能とする努力において、選択および説明されたものである。係る変更例および変化例のすべては、本発明が公正に、法律的に、等価論的に権利を有する範囲に応じて解釈されるとき、添付の請求項により定められる本発明の範囲に含まれる。
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
フォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するためのプロセッサに基づく方法であって、
フォトレジスト体積内における、酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するステップと、
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するステップと、
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するステップと、
前記フォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定するステップと、
前記フォトレジスト体積の現像を計算するステップと、
前記フォトレジスト体積の前記現像により生成された前記フォトレジストプロファイルの３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像を前記プロセッサを用いて生成するステップと、
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するステップと、
を含む方法。
［適用例２］
前記フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定する前記ステップは、仮想的なフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の所望する個数を指定するステップと、クエンチャの所望する個数を指定するステップとを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例３］
前記フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定する前記ステップは、実在のフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の実際の個数およびクエンチャの実際の個数を入力するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例４］
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定する前記ステップは、仮想的な露光に基づいて、光子の所望する個数を指定するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例５］
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定する前記ステップは、既知の露光に基づいて、光子の個数を入力するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例６］
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定する前記ステップは、光分解機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例７］
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定する前記ステップは、イオン化機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例８］
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測する前記ステップは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のハードコピー出力を定規を用いて計測するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例９］
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測する前記ステップは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のデータファイルを数学的に評価するステップを含む、適用例１に記載の方法。
［適用例１０］
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性に少なくとも部分的に基づくプロセスを用いて集積回路を製造するステップをさらに含む、適用例１に記載の方法。
［適用例１１］
フォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するためのプロセッサに基づく方法であって、
フォトレジストパラメータおよび露光パラメータを、フォトレジストプロセスの確率モデルに入力するステップと、
前記確率モデルから前記フォトレジストプロファイルを前記プロセッサを用いて計算するステップと、
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を前記プロセッサ上で実行されるＣＤＳＥＭシミュレータを用いて計測するステップと、
を含む方法。
［適用例１２］
コンピュータ可読媒体上に配置された、フォトレジストプロファイルの寸法特性を計測するようプロセッサに命じるための命令モジュール、を有するコンピュータ可読媒体であって、前記命令モジュールは一時的信号ではなく、且つ前記命令モジュールは、
フォトレジスト体積内における、酸発生剤およびクエンチャの個数を判定することと、
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定することと、
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定することと、
前記フォトレジスト体積内における酸とクエンチャとの反応の回数を判定することと、
前記フォトレジスト体積の現像を計算することと、
前記フォトレジスト体積の前記現像により生成された前記フォトレジストプロファイルの３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像を前記プロセッサを用いて生成することと、
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測することと、
を実施するよう動作する、コンピュータ可読媒体。
［適用例１３］
前記フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するための前記命令モジュールは、仮想的なフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の所望する個数を指定することと、クエンチャの所望する個数を指定することとを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１４］
前記フォトレジスト体積内における酸発生剤およびクエンチャの個数を判定するための命令モジュールは、実在のフォトレジスト構築に基づいて、酸発生剤の実際の個数およびクエンチャの実際の個数を入力することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１５］
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するための前記命令モジュールは、仮想的な露光に基づいて、光子の所望する個数を指定することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１６］
前記フォトレジスト体積により吸収された光子の個数を判定するための前記命令モジュールは、既知の露光に基づいて、光子の所望する個数を入力することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１７］
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するための前記命令モジュールは、光分解機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１８］
酸に変換された前記酸発生剤の個数を判定するための前記命令モジュールは、イオン化機構により酸に変換された前記酸発生剤を計算することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例１９］
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するための前記命令モジュールは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のハードコピー出力を定規を用いて計測することを含む、適用例１２に記載の方法。
［適用例２０］
前記フォトレジストプロファイルの前記寸法特性を計測するための前記命令モジュールは、前記３次元的にシミュレーションされた走査型電子顕微鏡画像のデータファイルを数学的に評価することを含む、適用例１２に記載の方法。