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【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者における一つの治療法の有効性を評価するためのｅｘ−ｖｉｖｏ方法であって、前記治療法が免疫原性組成物の投与を含んでなり、その試験方法が、
患者への前記免疫原性組成物の投与後に患者から得た生体サンプル中のインターフェロンγ濃度を測定することを含んでなり、  約４ｐｇ／ｍｌ（例えば４．６ｐｇ／ｍｌ）を超えるインターフェロンγの濃度が治療法に対する患者の臨床転帰の成功を示す、方法。
【請求項２】
免疫原性組成物の投与を含んでなる前記治療法の開始とインターフェロンγ測定の間の時間が約４〜約８週間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
免疫原性組成物の投与を含んでなる前記治療法の開始とインターフェロンγ測定の間の時間が約５週間である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記治療法が癌を治療する方法である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
インターフェロンγの前記濃度が、Luminex（登録商標）システムを用いるマルチアナライト血漿タンパク質プロファイリングにより測定される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記生体サンプルが、血液、血漿、または血清サンプルからなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記免疫原性組成物が、少なくとも１つの標的抗原の全部または一部を含んでなる、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記免疫原性組成物が、少なくとも１つの異種性ヌクレオチド配列の全部または一部をｉｎ  ｖｉｖｏで発現する少なくとも１つの組み換えベクターを含んでなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記組み換えベクターがウイルスベクターである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ウイルスベクターが複製可能である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ウイルスベクターが複製欠陥である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記組み換えウイルスベクターが組み換えアデノウイルスベクターである、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記組み換えウイルスベクターが組み換えワクシニアウイルスベクターである、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記組み換えワクシニアウイルスベクターが組み換えＭＶＡベクターである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記患者が化学療法剤により治療された患者である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
患者が、免疫原性組成物の投与を含んでなる治療法に、治療的に応答しているか否かを試験するためのキットであって、
（ａ）患者由来の血液サンプル中のインターフェロンγ濃度を判定するための抗体、および
（ｂ）約４ｐｇ／ｍｌ（例えば４．６ｐｇ／ｍｌ）を超えるインターフェロンγの濃度が治療法に対する被験体の臨床転帰の成功を示すことを記載する、得られたデータを解釈するための説明書
を含んでなる、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザスキャナ（１０）を用いて周辺空間を光学的に走査および測定する方法であって、前記レーザスキャナ（１０）が、ある中心（Ｃi）における走査を行うために、目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）を含む当該レーザスキャナの周りを光学的に走査および測定し、それによって、異なる中心（Ｃ1、Ｃ2、．．．）を有するが前記同じ周辺空間を走査する２つの隣接する走査が測定点（Ｘ）の範囲内で重複し、したがっていくつかの目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）が前記２つの走査のいずれかによって走査され、それによって、前記２つの隣接する走査を位置合わせするために、第１のステップで、後に目標の特定をするために前記走査の前記測定点（Ｘ）内で前記目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）の場所が定められ、第２のステップで、前記２つの隣接する走査の前記場所が定められた目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）の間で対応関係候補が探され、第３のステップで、前記２つの隣接する走査結果の仮の位置合わせが行われ、重複する前記範囲内で前記測定点（Ｘ）について十分な適合度がある場合、前記仮の位置合わせが正規の位置合わせに置き換えられ、したがって前記目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）を特定することを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第２のステップ中に、前記２つの走査のいずれかの中の少なくとも１つの場所が定められた目標（Ｔi）に対して、前記目標（Ｔi）が埋め込まれ、最も近いいくつかの目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）からなる幾何形状が決定されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記場所が定められた目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）を埋め込む前記２つの隣接する走査範囲の前記幾何形状の間で、類似の幾何形状が探されることを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法であって、前記異なる２つの隣接する走査に由来する２つの目標（Ｔi）が類似の幾何形状内に埋め込まれているとすぐ、１対の対応関係候補が見つけられることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１項に記載の方法であって、前記埋め込む幾何形状が、前記場所が定められた目標（Ｔi）と前記最も近いいくつかの目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）との間の決定された距離および角度の少なくとも一方に由来することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項３または５に記載の方法であって、前記場所が定められた目標（Ｔi）と前記最も近いいくつかの目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．）との間の距離が特定の精度間隔内で互いに対応する場合、前記埋め込む幾何形状が類似していることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の方法であって、第３のステップで、仮の位置合わせ中、前記対応関係候補が最小距離を示すように、前記２つの隣接する走査が互いに対して位置関係が変更されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記対応関係候補が最小距離を示す場合、前記重複する範囲内の前記測定点（Ｘ）が統計的方法を用いて比較されることを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の方法であって、前記目標（Ｔ1、Ｔ2、．．．．）の場所が、前記第１のステップ中にそれらの形状およびそれらの勾配の少なくとも一方によって定められることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の方法であって、前記レーザスキャナ（１０）が、前記周辺空間を光学的に走査および測定するために異なる位置に設置されて、それぞれ１つの走査を行い、それによって前記レーザスキャナ（１０）が、各位置で前記走査の前記対応する中心（Ｃi）を定めることを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載の方法を実施することを特徴とするレーザスキャナ（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
第１の調節器は、システムが物質除去状態下である場合であっても、弁ＣＶ１に対する制御信号ＳＣ１を提供することに注意することが重要である。しかしながら、こうした状況下では、この制御信号は、たとえば負である、物理的に達成可能でない上記弁の開放レベルに対応する。これは、システムが実際には物質送出し状態下にあるときに第２の調節器によって生成される制御信号ＳＣ２に対しても当てはまる。これにより、制御選択器ＳＥＬＣは、制御信号ＳＣＳ１、ＳＣＳ２及びＳＣＳ３を選択することができ、それら信号は、実際に、それぞれ弁ＣＶ１、ＣＶ２及びＣＶ３に適用される。たとえば、
・ＳＣ１＜０である場合、ＳＣＳ１＝０、ＳＣＳ２＝ＳＣ２及びＳＣＳ３＝ＳＣ”３であり（物質除去状態下で動作しており、調節器ＤＣ２がシステムを制御している）、並びに、
・ＳＣ２＜０である場合、ＳＣＳ１＝ＳＣ１、ＳＣＳ２＝０及びＳＣＳ３＝ＳＣ’３である（物質送出状態下で動作しており、調節器ＤＣ１がシステムを制御している）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
好ましくは、２つの主ドープ領域は、活性領域に最も近接する部分に対してそれぞれの電極に接続されるそれらの部分に余分の厚さを備えており、この余分の厚さは前記電極の内部を形成する層で全体的に又は部分的に覆われているか、あるいは、電極と接触している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３９】
図の右側で、例えばＮ型の、主ドープ領域１０２６は、真性領域１０２１により支持されたリブの上部と接触する内側部分１０２６ａを備えている。光モード１０２９の中心からの距離ｄ１０２６において、主ドープ領域１０２６は、その上部に電極１０３６が設けられた、外側部分１０２６ｂ内に余分の厚さを形成する高低差ｈ１０２６を備えている。この余分の厚さは下方に向けられ、そしてここでは絶縁層１０１（例えば、最初のシリコン基板１００に基づいて形成されたＳＯＩ基板のシリカ）の表面まで下がる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４４】
この接合の下側は、リブ１１２０の下方の両側で水平方向に延びる、例えばＰ型の、下部と呼ばれる主ドープ部分１１２２により形成される。導波領域１１２０のそれぞれの側で、この主ドープ部分１１２２は、素子の表面まで上がる余分の厚さを形成する高低差ｈ１１２２を備えており、その上には電極１１３１ａ及び１１３１ｃが設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
主ドープ領域１１２２及び１１２６のそれぞれについて、外側部分１１２６１及び１１２２１ａの高低差ｈ１１２２，ｈ１１２６によって形成された余分の厚さは、活性領域１１２９と対応するアクセス電極１１３６及び１１３１ａとの間を流れる電流ｉ１１２６及びｉ１１２２ａが横切る材料の幅ｔ１１２６及びｔ１１２２ａの増加をもたらす。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
電流が横切るこの厚さの幅ｔ１１２６（及び／又はｔ１１２２ａ）は、これらの主ドープ領域１１２６（及び／又は１１２２）のそれぞれの外側部分１１２６１，１１２２１ａの水平方向寸法ｄ１１２６（及び／又はｄ１１２２ａ）を拡げることによって増加させることもできる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４９】
場合により、この上部の主ドープ部分１１２６は、２つの異なるドーピングレベルを有しており：中央部分１１２６ａは第１のドーピングレベルを有し、そして電極１１３６側の部分１１２６ｂは電極と接触する部分において第２のより高いドーピングレベルを有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
《容量性環境の影響》
図１２〜図１５は、図５の例と同様に余分の厚さｈ５２２及びｈ５２６を備えた形態に加えて、変調器への容量性環境の影響を低減するためにダイオード５３０に垂直に位置する層の改変の特徴を含む本発明の実施態様の例を示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５２】
絶縁を高めることによる：図１２及び図１３は、ダイオード５３０に垂直に位置する領域１３９において、好ましくは、主ドープ領域５２２及び５２６をそこに含むことによって、絶縁層５１がそれぞれ除去され及び薄化されている２つの例を示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
基板の抵抗を高めることによる：図１４は、図１２の例と同様に絶縁体の除去及び余分の厚さを備えた形態に加え、ダイオード５３０に垂直に位置する領域１３８において、好ましくは、主ドープ領域５２２及び５２６をそこに含むことによって、原基板の半導体５０が除去されている、本発明の実施態様の例を示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５４】
これらの特徴の一部の組み合わせによる：図１５は、基板のシリコン５０が除去されかつダイオード５３０に垂直に位置する領域１３７において、好ましくは、主ドープ領域５２２及び５２６をそこに含むことによって、絶縁体５１の厚さが増加されている、本発明の実施態様の例を示す。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012521576.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012521576.tif 000002
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012521576.tif 000003
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジン（１０）への燃料供給の中断中に、車両（１００）のエンジン（１０）の排気ガス温度を制御する方法であって、該エンジン（１０）が前記車両（１００）の動力伝達系統（２２）を駆動する上記方法において、２つ以上の動作モードを交互に繰り返し、これら動作モードの少なくとも１つは、１つ以上の他の動作モードより高い排気ガス温度を維持し、ブレーキトルクを生成するエンジン圧縮ブレーキ動作モードと交互に繰り返される動作モードの１つにおいて、前記エンジン（１０）を前記動力伝達系統（２２）から切り離し、所望のブレーキトルクに応じて動作モードの少なくとも１つにおいて、頻度及び／又は滞留時間を調節する、ことを特徴とする前記方法。
【請求項２】
前記エンジン（１０）が前記動力伝達系統（２２）から切り離されている間、前記エンジン（１０）の吸気マニホールド（１２）への空気流量を調整することを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記エンジン（１０）の前記吸気マニホールド（１２）における圧力を低下させることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
エンジン（１０）の排気ガス温度が、請求項１〜３のいずれかに記載の方法により制御可能である、車両（１００）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の好ましい方法のステップでは、頻度及び／又は滞留時間は、所望のブレーキトルクに応じた動作モードの少なくとも１つにおいて調節できる。有利なことに、所望のブレーキトルクは、より高いブレーキトルクを有する動作モードと交互に繰り返されると、所望のものより低いブレーキトルクを有する動作モードでも確立できる。好ましくは、所望のブレーキトルクは、ＥＧＲ再循環での運転と、より高いエンジンブレーキレベルとを交互に繰り返すことによって形成できる。運転動作地点は、質量流量が極めて低いために、排気ガス後処理システムを冷却しない。より高いエンジンブレーキレベルは、十分に高い温度を有し、後処理システムを冷却しない。その結果、低エンジンブレーキより有意に高い平均温度が得られる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
訂正前（平成２５年６月２６日付け手続補正後の内容）
電圧が印加された機械式開閉接点（７）と、これと並列に接続され、閉じた開閉接点（７）で電流阻止されている半導体電子回路（８）とを備える直流電流源（２）および電気装置（３）の間、光発電機に代表される直流電流源およびインバータに代表される電気装置の間の直流電流遮断用の断路装置（１）において、電流伝導性に接続された半導体電子回路（８）でアーク電流（ＬＢ）が開閉接点（７）から半導体電子回路（８）へ整流する断路装置であって、
−  半導体電子回路（８）が第１半導体開閉器（１１ａ）と、それと直列に接続された第２半導体開閉器（１１ｂ）を有しており、
−第１半導体開閉器（１１ａ）と第２半導体開閉器（１１ｂ）の間にエネルギー蓄積器（１３）に充電するためのアーク電圧（ＵＬＢ）がタップで取出されており、
−  開いた開閉接点（７）でアーク（ＬＢ）により前記開閉接点（７）を介して発生したアーク電圧（ＵＬＢ）が前記半導体電子回路（８）を電流伝導性に接続し、前記半導体電子回路（８）がアーク（ＬＢ）によってアーク持続時間（ｔＬＢ）以内に充電されるエネルギー蓄積器（１３）を有するように、前記半導体電子回路（８）の制御入力（１５）が前記開閉接点（７）と接続されており、および
−エネルギー蓄積器（１３）の充電時間（ｔＬＢ）の経過後に時限素子（１４）が半導体電子回路（８）の無アーク遮断のために始動することを特徴とするガルヴァーニ直流電流遮断用断路装置。
訂正後（平成２５年６月２６日付け手続補正後の内容）
電圧が印加された機械式開閉接点（７）と、これと並列に接続され、閉じた開閉接点（７）で電流阻止されている半導体電子回路（８）とを備える直流電流源（２）および電気装置（３）の間、光発電機に代表される直流電流源およびインバータに代表される電気装置の間の直流電流遮断用の断路装置（１）において、電流により導通可能に切替えられるように接続された半導体電子回路（８）でアーク電流（ＬＢ）が開閉接点（７）から半導体電子回路（８）へ整流する断路装置であって、
−  半導体電子回路（８）が第１半導体開閉器（１１ａ）と、それと直列に接続された第２半導体開閉器（１１ｂ）を有しており、
−第１半導体開閉器（１１ａ）と第２半導体開閉器（１１ｂ）の間にエネルギー蓄積器（１３）に充電するためのアーク電圧（ＵＬＢ）がタップで取出されており、
−  開いた開閉接点（７）でアーク（ＬＢ）により前記開閉接点（７）を介して発生したアーク電圧（ＵＬＢ）が前記半導体電子回路（８）を電流により導通可能に切替えられるように接続し、前記半導体電子回路（８）がアーク（ＬＢ）によってアーク持続時間（ｔＬＢ）以内に充電されるエネルギー蓄積器（１３）を有するように、前記半導体電子回路（８）の制御入力（１５）が前記開閉接点（７）と接続されており、および
−エネルギー蓄積器（１３）の充電時間（ｔＬＢ）の経過後に時限素子（１４）が半導体電子回路（８）の無アーク遮断のために始動することを特徴とするガルヴァーニ直流電流遮断用断路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
対向する面を有する透明なコアと、
少なくとも部分的に片面を覆う複数の光放出ドットのマトリックスと、
前記面に接した状態の保護層と
を備え、
前記複数のドットは、前記コアを前記保護層に接着する接着剤として機能する、照明パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の照明パネルであって、
前記コアはアクリルである
ことを特徴とする照明パネル。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１〜６のうちのいずれか１つに記載の照明パネルであって、
前記保護層は、金属、木材、プラスチック、あるいはガラスであり、且つ半透明または反射性であり得る
ことを特徴とする照明パネル。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
請求項１〜７のうちのいずれか１つに記載の照明パネルであって、
前記複数のドットのマトリックスは、エッチング、塗装、スクリーン印刷、印刷、あるいはスプレーにより、またはフィルムからの、あるいはフィルムの一部さえからの転写により、前記透明コアに塗布される
ことを特徴とする照明パネル。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちのいずれか１つに記載の照明パネルであって、
１つ光源が、前記パネルの１つの縁に隣接して、あるいは前記パネルの１つの縁上に配置されている
ことを特徴とする照明パネル。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
対向する面を有する透明なコアと、
少なくとも部分的に片面を覆う複数のドットのマトリックスと、
前記面と接した状態の、反射材料の保護層であって、複数の太陽電池を担持する、保護層と
を備え、
前記太陽電池は、電気を発生し、当該電気がバッテリーパックまたは蓄電池に伝送され、前記バッテリーパックまたは蓄電池からの電力が、前記パネルの少なくとも一つの縁に沿って配置され、前記パネルの反対側から光を放出させる光源に返される
ことを特徴とする照明太陽電池パネル。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス構成素子のための薄膜カプセル化部（１）であって、
原子層堆積法を用いて堆積された第１のＡＬＤ層（３）と、
原子層堆積法を用いて堆積された第２のＡＬＤ層（４）とを含んだ積層構造体（２）を有し、
前記第１のＡＬＤ層（３）及び前記第２のＡＬＤ層（４）は材料として、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ランタンのうちの１つを有していることを特徴とする薄膜カプセル化部。
【請求項２】
前記第１のＡＬＤ層（３）は、前記第２のＡＬＤ層（４）に直接接触している、請求項１記載の薄膜カプセル化部。
【請求項３】
前記第１のＡＬＤ層（３）は、前記第２のＡＬＤ層（４）とは異なる材料を有している、請求項１または２記載の薄膜カプセル化部。
【請求項４】
前記積層構造体（２）は、さらに少なくとも１つのさらなる別の層（６，７）を有しており、該さらなる別の層（６，７）は、プラズマを援用するプロセス手法、例えばスパッタ法、ＰＥＣＶＤ法または熱蒸着法を用いて堆積されている、請求項１から３いずれか１項記載の薄膜カプセル化部。
【請求項５】
前記さらなる別の層（６，７）は、材料として、窒化珪素、酸化珪素、酸窒化珪素、酸化インジウム錫、酸化インジウム亜鉛、アルミニウムドーピングされた酸化亜鉛、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１つ、それらの混合物ないし合金を有している、請求項１から４いずれか１項記載の薄膜カプセル化部。
【請求項６】
前記さらなる別の層（６，７）は、積層構造体（２）の外側に配設されている、請求項４または５記載の薄膜カプセル化部。
【請求項７】
前記積層構造体（２）の複数の層は、多重に、有利には周期的に繰り返されている、請求項１から６いずれか１項記載の薄膜カプセル化部。
【請求項８】
前記ＡＬＤ層（３，４）は、原子層の間において、１０ｎｍの厚さを有し、この場合境界も含まれている、請求項１から７いずれか１項記載の薄膜カプセル化部。
【請求項９】
基板（８）と、
前記基板（８）上に被着されたビーム発生及び／またはビーム受信のための活性領域（９）と、
請求項１から８いずれか１項記載の薄膜カプセル化部（１）と、を有していることを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
【請求項１０】
前記薄膜カプセル化部（１）は、基板（８）と活性領域（９）との間に設けられている、請求項９記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１１】
前記薄膜カプセル化部（１）は、活性領域（９）において生成されたビームまたは活性領域（９）において受信されたビームが当該薄膜カプセル化部（１）を貫通するように、活性領域（９）上に被着されている、請求項９または１０記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１２】
前記基板（８）は、柔軟性を備えるように形成されている、請求項９から１１いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１３】
前記オプトエレクトロニクス素子は、有機発光ダイオード、有機光起電力セル、太陽電池及び／又は有機電子素子を有している、請求項９から１２いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項１４】
オプトエレクトロニクス素子のための薄膜カプセル化部（１）を製造するための方法であって、
原子層堆積法を用いて第１のＡＬＤ層（３）を堆積するステップと、
原子堆積法を用いて第２のＡＬＤ層（４）を堆積するステップとを有し、
前記第１のＡＬＤ層（３）及び前記第２のＡＬＤ層（４）は材料として、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ランタンのうちの１つを有し
ていることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明具を含む照明器具であって、前記照明具が、作業光を提供する作業光モジュールと、周囲照明光または装飾光を提供する周囲照明光モジュールとを含むことを特徴とする照明器具。
【請求項２】
当該照明器具を周囲環境中に配置し、前記照明具を支持するためのベースをさらに含み、前記照明具が、前記ベースに対して移動可能とされていることを特徴とする請求項１記載の照明器具。
【請求項３】
前記ベースに対する前記照明具の回転、移動または相対位置のうちの少なくとも１つを検出するためのセンサと、
前記センサからの出力に基づいて、前記作業光モジュールからの光出力、および前記周囲照明光モジュールからの光出力を、動的に調整するためのプロセッサとを、さらに含むことを特徴とする請求項２記載の照明器具。
【請求項４】
前記作業光モジュールが、少なくとも１つの点光源を有し、前記周囲照明光モジュールが、少なくとも１つの面光源を有することを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の照明器具。
【請求項５】
前記少なくとも１つの点光源がＬＥＤであり、前記少なくとも１つの面光源がＯＬＥＤであることを特徴とする請求項４記載の照明器具。
【請求項６】
前記作業光モジュールがＬＥＤ光源のアレイを含み、前記周囲照明光モジュールがＯＬＥＤ光源のアレイを含み、各光源が個別に制御可能であることを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の照明器具。
【請求項７】
当該照明器具が自動的にスイッチオフされるホーム位置をさらに有することを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載の照明器具。
【請求項８】
前記ホーム位置が、前記ベースに対する前記照明具の予め規定された相対位置であり、当該照明器具が、前記ホーム位置にあるときに自動的にスイッチオフされ、かつ前記ホーム位置を脱したときに自動的にスイッチオンされることを特徴とする請求項７記載の照明器具。
【請求項９】
周囲環境を照明する方法であって、
当該照明器具を前記周囲環境中に配置するためのベースと、少なくとも１つの作業光モジュールならびに少なくとも１つの周囲照明光モジュールを支持する照明具とを有する、照明器具を提供する処理、
前記ベースに対する前記照明具の回転、移動もしくは相対位置のうちの少なくとも１つを検出する処理、および
検出された前記ベースに対する前記照明具の前記回転、前記移動もしくは前記相対位置に基づいて、前記少なくとも１つの作業光モジュールからの光出力、ならびに前記少なくとも１つの周囲照明光モジュールからの光出力を、調整する処理を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
検出された前記ベースに対する前記照明具の前記回転、前記移動または前記相対位置に基づいて、作業光の出力と周囲照明光の出力との比を調整する処理をさらに含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
検出された前記ベースに対する前記照明具の前記回転、前記移動もしくは前記相対位置を、当該照明器具のホーム位置に対応する、前記照明具の予め規定された位置と比較する処理、および
前記照明具が前記予め規定された位置に移動させられたときに、当該照明器具をスイッチオフし、前記照明具が前記予め規定された位置から脱するように移動させられたときに、当該照明器具をスイッチオンする処理をさらに含むことを特徴とする請求項９または１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アプリケーションへのコンテンツ入力を容易にするコンピュータ装置であって、前記コンピュータ装置はプロセッサおよびシステムメモリを備え、前記プロセッサは、
ウェブサーバ上に格納されたウェブドキュメントに関連したアプリケーションを、前記アプリケーションにアタッチされ、ユーザ入力を受け付けるように構成された入力メソッドコンポーネントとともに実行し、
前記ウェブドキュメントをダウンロードし、
前記ウェブドキュメントに組み込まれたコードを実行してデータを生成し、
前記データを前記アプリケーションに適用して、前記入力メソッドコンポーネントによって実行される付加的な機能性を前記アプリケーションに提供する
ように構成されたことを特徴とするコンピュータ装置。
【請求項２】
前記組み込まれたコードは、プログラミング言語内で作り出され、およびマークアップ言語に組み込まれることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ措置。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記ウェブサーバ上で更新された前記ウェブドキュメントをダウンロードするようにさらに構成され、前記更新されたウェブドキュメントは前記アプリケーションにより利用可能であることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ装置。
【請求項４】
前記組み込まれたコードは、ＵＲＬ（Uniform Resource Locator）プロトコルのハンドラを使用して実行されることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ装置。
【請求項５】
前記プロセッサは、前記入力メソッドコンポーネントまたは前記アプリケーションと関連付けられた識別子を登録し、前記登録された識別子に基づいて前記データを前記アプリケーションにルートするようにさらに構成されたことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ装置。
【請求項６】
前記アプリケーションは複数のアプリケーションを含み、前記入力メソッドコンポーネントは複数の入力メソッドコンポーネントを含み、前記プロセッサは、
前記複数の入力メソッドコンポーネントのうちのそれぞれの入力メソッドコンポーネントもしくは前記複数のアプリケーションのうちのそれぞれのアプリケーションと関連付けられた複数の識別子を登録し、
最後に登録された識別子に基づいて、前記アプリケーションに前記データをルートするようにさらに構成されたことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ装置。
【請求項７】
前記コンテンツは、テキストまたは複合オブジェクトのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンピュータ装置。
【請求項８】
コンピュータに実装されたコンテンツ方法であって、前記コンピュータはプロセッサおよびシステムメモリを含み、前記方法は、
前記プロセッサが、
ウェブサーバに格納されたウェブページに関連したアプリケーションを、前記アプリケーションにアタッチされ、ユーザ入力を受け付けるように構成された入力メソッドとともに実行するステップと、
前記ウェブページをダウンロードするステップと、
前記ウェブページに組み込まれたコードを実行して、データを生成するステップと、
前記データを前記アプリケーションに適用して、前記入力メソッドによって実行される付加的な機能性を前記アプリケーションに提供するステップと
を備えることを特徴とする方法。
【請求項９】
スクリプト言語内に前記組み込まれたコードを記述するステップと、前記コードを前記ウェブページ内のマークアップ言語に組み込むステップとをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
後続の実行用に、前記組み込まれたコードを更新するステップをさらに備え、前記データは前記更新された組み込まれたコードに基づいて生成されることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記入力メソッドを登録するステップと、前記登録に基づいて前記データを前記アプリケーションにルートするステップとをさらに備えることを特注とする請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
ユーザによる前記ウェブページとのインタラクトに応答して、前記入力メソッドと関連する前記アプリケーションに前記データを適用して、前記アプリケーションに付加的な機能を自動的に提供するステップをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
ユーザによる前記アプリケーションとのインタラクションを追跡して、前記追跡を追跡情報として格納するステップをさらに備え、
前記データを適用するステップは、前記データとともに前記追跡情報を前記アプリケーションに適用して、前記アプリケーションに付加的な機能を提供することを含む
ことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コモノマーとして炭素原子数が４、又は５以上のα−オレフィンを含み、メルトインデックス０．６〜２．２ｇ／１０分（１９０℃、５Ｋｇ荷重条件）、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）エンタルピーが１３０〜１９０ｊｏｕｌｅ／ｇで、分子量分布が２〜３０である直鎖状中密度ポリエチレン樹脂を含むポリマー１００重量部に対して、難燃剤、酸化安定剤、ＵＶ安定剤、熱安定剤及び加工助剤から選択される何れか一つ以上の添加剤０．１〜１０重量部を含む電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項２】
ポリマー１００重量部中、メルトインデックス０．１〜０．３５ｇ／１０分（１９０℃、５Ｋｇ荷重条件）、ＤＳＣエンタルピーが１９０〜２５０ｊｏｕｌｅ／ｇ、分子量分布が３〜３０である高密度ポリエチレン樹脂５〜４０重量％をさらに含む請求項１に記載の電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項３】
ポリマー１００重量部に対して、カーボンブラック１〜５重量部をさらに含む請求項１又は２に記載の電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項４】
炭素原子数が４、又は５以上のα−オレフィンは、ブテン、ペンテン、メチルペンテン、ヘキセン、オクテン及びデセンから選択される請求項１乃至３の何れか一項に記載の電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項５】
直鎖状中密度ポリエチレン樹脂は、コモノマーとして炭素原子数が４、又は５以上のα−オレフィンを含み、メルトインデックス１．４〜１．９ｇ／１０分（１９０℃、５Ｋｇ荷重条件）、ＤＳＣエンタルピーが１５０〜１９０ｊｏｕｌｅ／ｇで、分子量分布が３．５〜２３である請求項１乃至４の何れか一項に記載の電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項６】
高密度ポリエチレン樹脂は、メルトインデックス０．２〜０．３ｇ／１０分（１９０℃、５Ｋｇ荷重条件）、ＤＳＣエンタルピーが２００〜２２０ｊｏｕｌｅ／ｇ、分子量分布が５〜２３である請求項２乃至５の何れか一項に記載の電力ケーブル用非架橋ポリエチレン組成物。
【請求項７】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の非架橋ポリエチレン組成物を用いた電力ケーブル。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか一項に記載の非架橋ポリエチレン組成物を絶縁層、半導電層またはシース層に用いた多層電力ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
保護回路のあるタイプは温度ヒューズである。温度ヒューズの機能は典型的なガラスフューズの機能と似ている。すなわち、標準的な操作状況の下では、ヒューズは短絡回路のように動き、不良状態の間は、ヒューズは開回路のように動く。温度ヒューズの温度が特定の温度を超えると、これら２つの操作モードの間を移行する。これらモードの移行を容易にするために、温度ヒューズは伝導要素(又はエレメント；ｅｌｅｍｅｎｔ)を含んで成る。伝導要素とは、例えば伝導性状態から非伝導性状態へ切り替えることが可能な可溶性ワイヤー、金属接触一式、又ははんだ付け金属コンタクトである。又、検知要素が取り入れられてもよい。検知要素の物理的状態は、検知要素の温度と共に変化する。例えば、検知要素は作動(又は活性化；ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ)温度で溶融する溶融軽金属又は離散した溶融有機化合物に相当してもよい。検知要素の状態が変わると、伝導要素は電子伝導経路を物理的に遮断することにより、伝導性状態から非伝導性状態へと切り替わる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
伝導要素１４５は、第１パッド１１０および第２パッド１１５の各々と電気的に通じさせてもよい第１端部１４５ａおよび第２端部１４５ｂを含んで成る。又、伝導要素はセンサー１４５ｃを含んで成る。センサー１４５ｃは、相対的に低い融点を有し、および/又は特定の温度で復元力を失う伝導性材料又は非伝導性材料、例えばはんだ又はプラスチックから成ってもよい。ある態様では、センサー１４５ｃが復元力を失うと、センサー１４５ｃを包含するようになっている外管１４５ｄの内部に、センサー１４５ｃが配置される。例えば、センサー１４５ｃが溶けると、外管１４５ｄにより、センサー１４５ｃがハウジング１５０の内側を自由に動かないようにしてよい。別の態様では、検知要素は表面張力により包含されてもよい。リフロー可能な温度ヒューズの操作中、負荷電流が伝導要素１４５を介して流れる。例えば、電源からの負荷電流は、リフロー可能な温度ヒューズを介して、他の回路まで流れてもよい。ある態様では、伝導要素１４５を介して流れる電流は、主としてセンサー１４５ｃを介して流れる。他の態様では、主電流はセンサー１４５ｃを介して流れない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に他の態様では、伝導要素および検知要素は分離されてもよいが、検知要素を作動させて、伝導要素を低抵抗状態に維持してもよい。例えば、伝導要素は、米国特許第４５１４７１８号で開示されている４-メチルウンベリフェロンのような離散した溶融有機材料を含んで成るセンサーにより結合される「ドライ」(すなわちはんだ付けされていない)なコンタクトを含んで成ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月27日(2013.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードであって、
−  電気的に接触接続されている少なくとも１つの活性領域（１１）を備えている第１の半導体ボディ（１０）であって、前記発光ダイオードの動作時に前記活性領域（１１）において第１の波長域の電磁放射（１１０）が生成される、前記第１の半導体ボディ（１０）と、
−  前記第１の半導体ボディ（１０）の上面（１０ａ）において前記第１の半導体ボディ（１０）に固定されている第２の半導体ボディ（２０）であって、多重量子井戸構造（２１３）を有する再放出領域（２１）を有し、前記発光ダイオードの動作時に前記再放出領域（２１）において前記第１の波長域の電磁放射（１１０）が吸収されて第２の波長域の電磁放射（２２０）が再放出される、前記第２の半導体ボディ（２０）と、
−  前記第１の半導体ボディ（１０）と前記第２の半導体ボディ（２０）との間に配置されている結合材料（３０）であって、前記第１の半導体ボディ（１０）および前記第２の半導体ボディ（２０）を互いに機械的に結合している、前記結合材料（３０）と、
を備えており、
−  前記第１の半導体ボディ（１０）が、前記第２の半導体ボディ（２０）に面している自身の上面（１０ａ）に多数の光取出し構造（１４）を有し、
−  前記結合材料（３０）が、前記光取出し構造（１４）を、それらの露出している外側領域において囲んでおり、
−  前記光取出し構造（２４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の材料および前記第２の半導体ボディ（２０）の材料のいずれとも異なる材料から形成されている、
発光ダイオード。
【請求項２】
前記結合材料（３０）が電気絶縁性である、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記結合材料（３０）がシリコーンである、またはシリコーンを含んでいる、
請求項２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記光取出し構造（２４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の上面における角錐形状の突出部または角錐台形状の突出部である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第１の半導体ボディ（１０）はＩｎＧａＮ材料系をベースとしており、
前記第２の半導体ボディ（２０）はＩｎＧａＮ材料系またはＩｎＧａＡｌＰ材料系をベースとしており、
前記光取出し構造（１４，２４）の前記材料が、以下の物質、
ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｔａ２Ｏ５、
のうちの１種類を含んでいる、または１種類からなる、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記光取出し構造（１４）が、前記第１の半導体ボディ（１０）の屈折率との差異が３０％以内の屈折率を有する材料からなる、
請求項４または請求項５に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第２の半導体ボディ（２０）が、前記第１の半導体ボディ（１０）とは反対側の自身の上面（２０ａ）、もしくは、前記第１の半導体ボディに面している自身の下面（２０ｂ）、またはその両方に、多数の前記光取出し構造（２４）を有する、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記光取出し構造（２４）が、前記第２の半導体ボディ（２０）の屈折率との差異が３０％以内の屈折率を有する材料からなる、
請求項７に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記結合材料（３０）は、前記光取出し構造（２４）が前記第２の半導体ボディ（２０）に接触しないように前記光取出し構造（１４）をそれらの露出している外側領域において完全に囲んでいる、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記光取出し構造（１４，２４）の前記材料が、以下の物質、
ＴｉＯ２、ＺｎＳ、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ＢＮ、Ｔａ２Ｏ５、
のうちの１種類を含んでいる、または１種類からなる、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記第２の半導体ボディ（２０）とは反対側の前記第１の半導体ボディ（１０）の下面（１０ｂ）に、ミラー層（４０）が固定されている
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記第１の波長域が、紫外線放射もしくは青色光またはその両方の波長域の電磁放射を備えている、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記第２の波長域が、緑色光の波長域の電磁放射を備えている、
請求項１２に記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記再放出領域の前記多重量子井戸構造（２１３）が、少なくとも２０層の量子井戸層（２１１）を有する、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特性長が、即ちマトリックス中の粒子の平均幾何寸法の尺度が１０μｍ以下である第一の相の粒子が第二の相中に均一に分散しており、
第一の相の粒子または上記特性長をもつ第一の相が、第一の相の粒子が相互に接触せず、且つ巨視的な意味でマトリックス材料の全体にわたり均一な分布をしているように第二の相中に分散して存在している多相構造の熱電材料を、自己集合により製造する方法であって、
少なくとも二相の熱電材料を、当該少なくとも二相の熱電材料の成分でない金属または当該金属のカルコゲニドとともに溶融し、混合後、冷却または反応性の粉砕により結合させることからなる方法であり、
当該熱電材料と当該金属が一般式（Ｉ）：
（ＡＩＶＢＶＩ）１−ｘＭｅｘ  （Ｉ）  
式中、
ＡＩＶは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、またはこれらの組合せであり、
ＢＶＩは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、またはこれらの組合せであり、
Ｍｅは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｃｏ、またはこれらの組合せであり、
１ｐｐｍ＜ｘ＜０．８である
を有するか、
当該熱電材料と当該金属が一般式（ＩＩ）：
（ＣＶ２ＢＶＩ３）１−ｘＭｅｘ  （ＩＩ）  
式中、
Ｃｖは、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、またはこれらの組合せであり、
ＢＶＩは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、またはこれらの組合せであり、
Ｍｅは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、  Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｌ、またはこれらの組合せであり、
１ｐｐｍ＜ｘ＜０．８である、
を有するか、
当該熱電材料と当該金属カルコゲニドが一般式（ＩＩＩ）：
（ＡＩＶＢＶＩ）１−ｘ（ＭＥＢＶＩｂ）ｘ  （ＩＩＩ）  
式中、
ＡＩＶは、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、またはこれらの組合せであり、
ＢＶＩは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、またはこれらの組合せであり、
Ｍｅは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｆｅ、Ｃｏ、またはこれらの組合せであり、
１ｐｐｍ＜ｘ＜０．８であり、
０＜ｂ＜３である、
を有するか、
当該熱電材料と当該金属カルコゲニドが一般式（ＩＶ）：
（ＣＶ２ＢＶＩ３）１−ｘ（ＭｅＢＶＩｂ）ｘ  （ＩＶ）  
式中、
Ｃｖは、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉ、またはこれらの組合せであり、
ＢＶＩは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、またはこれらの組合せであり、
Ｍｅは、Ｔａ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｔｌ、またはこれらの組合せであり、
１ｐｐｍ＜ｘ＜０．８であり、
０＜ｂ＜３である
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
第一の相の粒子の特性長が１μｍ以下である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第一の相の粒子の特性長が０．１μｍ以下である請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第一の相の金属または金属カルコゲニドの比率が、熱電材料の全体に対して５〜６０原子％である請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
熱電材料の全体が銀を含まない請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法で得られる熱電材料。
【請求項７】
請求項６に記載の熱電材料を含む熱電発電機またはペルチェ装置。
【請求項８】
少なくとも一種の請求項７に記載の熱電発電機またはペルチェ装置を含むヒートポンプ、冷却器、冷蔵庫、（洗濯）乾燥機、熱源利用発電機、熱エネルギーの電気的なエネルギーへの変換用発電機。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内径と外径を備えている概ね管状の本体であって、前記管状本体は生体分解性材料で形成されている管状本体と、
前記生体分解性管状本体の前記内径と前記外径の一方の少なくとも一部分に配置される光分解性の層であって、前記光分解性の層は、患者体内の移植部位に含まれる体液に対して化学的に不活性である光分解性材料から形成され、化学的に不活性な状態から光分解性の状態に選択的に活性化されるようになっており、前記光分解性の状態は、前記生体分解性材料の生体分解を開始するために、前記光分解性の層が配置されている前記生体分解性材料の前記部分を露出するように、光分解性の層の分解を開始する、光分解性の層と
を備える、ハイブリッド分解性ステント。
【請求項２】
前記光分解性の層は、紫外線（ＵＶ）光照射システムにより、前記化学的に不活性な状態から前記光分解性の状態に選択的に活性化されるようになっている、請求項１に記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項３】
前記ＵＶ光照射システムは紫外線（ＵＶ）光源と光ファイバ部分を備え、前記光ファイバ部分は、前記ＵＶ光源と連通する近位部分と、前記管状本体の前記内径と前記外径の少なくとも一方と連通する遠位部分を備えており、前記光ファイバ部分は、前記近位部分から前記遠位部分にＵＶ光を伝播して、前記遠位部分から前記管状本体に光を照射する、請求項２に記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項４】
前記光ファイバが前記ＵＶ光の向きを変えるためのレンズ面を備える、請求項３に記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項５】
前記光分解性の材料はポリマーを含有するＵＶ光分解性のケトカルボニルより成る、請求項１乃至４の何れかに記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項６】
前記光分解性の材料は、さらにビニリデンモノマーから形成された合成ポリマーから成る、請求項５に記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項７】
前記光分解性ケトカルボニルは合成ポリマーの総重量に基づいて、約０．０１重量％から約５重量％の範囲の化学組成から成る、請求項６に記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項８】
前記生体分解性管状本体は、その中に装填された生物活性物質より成る、請求項１乃至７の何れかに記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項９】
前記光分解性の層は通気性がなく、且つ前記生体分解性管状本体の前記内径と前記外径の全長に沿って延在している、請求項１乃至８の何れかに記載のハイブリッド分解性ステント。
【請求項１０】
近位端と遠位端、並びに前記近位端から前記遠位端に延在するルーメンを有する、生体分解性の概ね管状の本体であって、前記管状本体は生体分解性管状本体の少なくとも一部分に配置された光分解性の材料を備えており、前記光分解性の材料が患者の体腔に最初に配備されるとき、化学的に不活性である管状本体と、
光分解性の材料を化学的に不活性の状態から光分解性の状態に活性化するようになされ、光源とファイバ部分を備える光照射システムであって、前記ファイバ部分が前記光源と連通する近位部分と前記管状本体と連通する遠位部分を備えており、前記ファイバ部分は、紫外線（ＵＶ）光を前記近位部から前記遠位部に伝播して、前記遠位部から前記光分解性材料に照射するように構成されている光照射システムと
を備える分解性ステントキット。
【請求項１１】
前記ファイバ部分は光ファイバである、請求項１０に記載のキット。
【請求項１２】
前記光照射システムは、前記光ファイバに配信されるようにＵＶ光の量を調節する強度制御をさらに備えている、請求項１０又は１１に記載のキット。
【請求項１３】
前記管状本体は全て前記光分解性材料から形成されている、請求項１０から１２のいずれかに記載のキット。
【請求項１４】
前記光照射システムが光分解性の材料と相互作用する適切な波長のＵＶ光を選択するための波長調整制御をさらに備えている、請求項１０から１３のいずれかに記載のキット。
【請求項１５】
前記光ファイバが前記ＵＶ光波を前記光分解性材料に選択的に導くための手段を有する、請求項１０から１４のいずれかに記載のキット。
【請求項１６】
前記光分解性の層が管状本体全体に配置されている、請求項１０から１５のいずれかに記載のキット。