【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの金属と少なくとも２つの配位子とを含む少なくとも１つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも１つの第１の配位子が、該金属へのσドナーであり、かつ該金属錯体を加熱する際に揮発し、第１の配位子とは異なる少なくとも１つの第２の配位子もまた、該金属錯体を加熱する際に揮発し、該金属錯体が２５℃の溶媒に可溶性であり、前記金属錯体が少なくとも２５重量％の金属を含む、組成物。
【請求項２】
該金属が銀、金、銅、白金、またはルテニウムである、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
該金属錯体が金属中心を１つだけ含む、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
該金属が（Ｉ）または（ＩＩ）の酸化状態である、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
第１の配位子が単座配位子であるか、二座配位子であるか、または三座配位子である、請求項１記載の組成物。
【請求項６】
第１の配位子が、少なくとも２個の窒素を含むアミン化合物であるか、少なくとも２個の窒素を含む非対称アミン化合物であるか、またはアミンである、請求項１記載の組成物。
【請求項７】
第１の配位子が硫黄含有配位子である、請求項１記載の組成物。
【請求項８】
第１の配位子がチオエーテルである、請求項１記載の組成物。
【請求項９】
第１の配位子がホスフィンではない、請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
第２の配位子がカルボキシレートである、請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
第２の配位子が、アルキル基を含むカルボキシレートである、請求項１記載の組成物。
【請求項１２】
第２の配位子が、ＯＯＣ−Ｒで表されるカルボキシレートであり、式中、Ｒがアルキル基であり、Ｒが５個以下の炭素原子を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
ナノ粒子を実質的に含まないか、またはナノ粒子を全く含まない、請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
２００℃未満の温度で始まる急な分解遷移を有するか、または
１５０℃未満の温度で始まる急な分解遷移を有する、
請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
金属（０）の実質的堆積を伴わずに約２５℃で少なくとも１００時間貯蔵可能である、請求項１記載の組成物。
【請求項１６】
前記錯体用の少なくとも１つの溶媒をさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
少なくとも１つの芳香族炭化水素溶媒をさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項１８】
前記金属錯体が少なくとも５０重量％の金属を含むか、または
前記金属錯体が少なくとも７０重量％の金属を含む、
請求項１記載の組成物。
【請求項１９】
第２の配位子がカルボキシレートであり、第１の配位子が多座アミンであり、前記金属が銀、金または銅である、請求項１記載の組成物。
【請求項２０】
第２の配位子がカルボキシレートであり、第１の配位子が多座アミンであり、前記金属が銀または金であり、前記溶媒がトルエンまたはキシレンである、請求項１記載の組成物。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項記載の組成物を含むインクを表面上に堆積させる工程、および
該インクを加熱または照射することによって導電性金属膜を生成する工程
を含む、方法。
【請求項２２】
前記生成する工程が加熱することによって行われるか、または
前記生成する工程が照射することによって行われる、
請求項２１記載の方法。
【請求項２３】
前記インクが請求項１記載の組成物を含む、請求項２１記載の方法。
【請求項２４】
前記金属が金、銀または銅である、請求項２１記載の方法。
【請求項２５】
前記インクが、堆積前にナノ粒子を実質的に含まないか、または
前記インクが、堆積後にナノ粒子を実質的に含まない、請求項２１記載の方法。
【請求項２６】
前記堆積させる工程がインクジェット堆積によって行われる、請求項２１記載の方法。
【請求項２７】
前記生成する工程が約２５０℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われるか、または
前記生成する工程が約２００℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われるか、または
前記生成する工程が約１５０℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、
請求項２１記載の方法。
【請求項２８】
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも１，０００Ｓ／ｃｍの導電率を有するか、または
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも５，０００Ｓ／ｃｍの導電率を有するか、または
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも１０，０００Ｓ／ｃｍの導電率を有する、
請求項２１記載の方法。
【請求項２９】
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の２５パーセント以内の仕事関数を有するか、または
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の１０パーセント以内の仕事関数を有するか、または
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の５パーセント以内の仕事関数を有する、
請求項２１記載の方法。
【請求項３０】
錯体が中性錯体である、請求項１記載の組成物。
【請求項３１】
第１の配位子の分子量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下であり、かつ第２の配位子の分子量が２５０ｇ／ｍｏｌ以下である、請求項１記載の組成物。
【請求項３２】
第１の配位子が架橋アルキレンを含み、アミノ窒素原子を一緒に連結し、かつアミンにおける炭素原子の数が１０以下である、請求項１記載の組成物。
【請求項３３】
アミン配位子が対称アミン配位子である、請求項１記載の組成物。
【請求項３４】
第２の配位子がイソブチレートまたはシクロプロペートのカルボキシレート配位子である、請求項１記載の組成物。
【請求項３５】
アミン配位子がエチレンジアミン配位子である、請求項１記載の組成物。
【請求項３６】
錯体が無溶媒の形態である、請求項１記載の組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
[本発明1001]
少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が、該金属へのσドナーであり、かつ該金属錯体を加熱する際に揮発し、第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子もまた、該金属錯体を加熱する際に揮発し、該金属錯体が25℃の溶媒に可溶性である、組成物。
[本発明1002]
該金属が銀、金、銅、白金、またはルテニウムである、本発明1001の組成物。
[本発明1003]
該金属錯体が金属中心を1つだけ含む、本発明1001の組成物。
[本発明1004]
該金属が(I)または(II)の酸化状態である、本発明1001の組成物。
[本発明1005]
第1の配位子が単座配位子である、本発明1001の組成物。
[本発明1006]
第1の配位子が二座配位子である、本発明1001の組成物。
[本発明1007]
第1の配位子が三座配位子である、本発明1001の組成物。
[本発明1008]
第1の配位子が、少なくとも2個の窒素を含むアミン化合物である、本発明1001の組成物。
[本発明1009]
第1の配位子が、少なくとも2個の窒素を含む非対称アミン化合物である、本発明1001の組成物。
[本発明1010]
第1の配位子がアミンである、本発明1001の組成物。
[本発明1011]
第1の配位子が硫黄含有配位子である、本発明1001の組成物。
[本発明1012]
第1の配位子がチオエーテルである、本発明1001の組成物。
[本発明1013]
第1の配位子がホスフィンではない、本発明1001の組成物。
[本発明1014]
第2の配位子がカルボキシレートである、本発明1001の組成物。
[本発明1015]
第2の配位子が、アルキル基を含むカルボキシレートである、本発明1001の組成物。
[本発明1016]
第2の配位子が、OOC-Rで表されるカルボキシレートであり、式中、Rがアルキル基であり、Rが5個以下の炭素原子を有する、本発明1001の組成物。
[本発明1017]
ナノ粒子を実質的に含まない、本発明1001の組成物。
[本発明1018]
ナノ粒子を全く含まない、本発明1001の組成物。
[本発明1019]
200℃未満の温度で始まる急な分解遷移を有する、本発明1001の組成物。
[本発明1020]
150℃未満の温度で始まる急な分解遷移を有する、本発明1001の組成物。
[本発明1021]
金属(0)の実質的堆積を伴わずに約25℃で少なくとも100時間貯蔵可能である、本発明1001の組成物。
[本発明1022]
前記錯体用の少なくとも1つの溶媒をさらに含む、本発明1001の組成物。
[本発明1023]
少なくとも1つの芳香族炭化水素溶媒をさらに含む、本発明1001の組成物。
[本発明1024]
少なくとも1つの溶媒をさらに含み、前記錯体の濃度が約200mg/mLまたはそれ未満である、本発明1001の組成物。
[本発明1025]
前記溶媒が芳香族炭化水素溶媒である、本発明1001の組成物。
[本発明1026]
前記金属錯体が少なくとも25重量%の金属を含む、本発明1001の組成物。
[本発明1027]
前記金属錯体が少なくとも50重量%の金属を含む、本発明1001の組成物。
[本発明1028]
前記金属錯体が少なくとも70重量%の金属を含む、本発明1001の組成物。
[本発明1029]
第2の配位子がカルボキシレートであり、第1の配位子が多座アミンであり、前記金属が銀、金または銅である、本発明1001の組成物。
[本発明1030]
第2の配位子がカルボキシレートであり、第1の配位子が多座非対称アミンであり、前記金属が銀または金であり、前記溶媒がトルエンまたはキシレンである、本発明1001の組成物。
[本発明1031]
少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が硫黄含有配位子であり、第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子がカルボキシレートであってよく、該金属錯体が25℃の溶媒に可溶性である、組成物。
[本発明1032]
前記錯体中の金属の含有量が少なくとも50重量%であり、前記組成物がナノ粒子を実質的に含まない、本発明1031の組成物。
[本発明1033]
前記硫黄含有配位子が環状または直鎖状チオエーテル配位子である、本発明1031の組成物。
[本発明1034]
前記硫黄含有配位子が環状チオエーテルである、本発明1031の組成物。
[本発明1035]
前記硫黄含有配位子がジアルキルチオエーテルである、本発明1031の組成物。
[本発明1036]
前記硫黄含有配位子がジチアアルカンである、本発明1031の組成物。
[本発明1037]
前記硫黄含有配位子がジチオオクタンである、本発明1031の組成物。
[本発明1038]
前記硫黄含有配位子が1個または2個の硫黄原子を含む、本発明1031の組成物。
[本発明1039]
前記硫黄含有配位子が二座配位子である、本発明1031の組成物。
[本発明1040]
前記硫黄含有配位子が6個以下の炭素を有する、本発明1031の組成物。
[本発明1041]
少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子がアミノ配位子であり、第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子がカルボキシレートであってよく、該金属錯体が25℃の溶媒に可溶性である、組成物。
[本発明1042]
前記錯体中の金属の含有量が少なくとも50重量%であり、前記組成物がナノ粒子を実質的に含まない、本発明1041の組成物。
[本発明1043]
第2の配位子がカルボキシレートである、本発明1041の組成物。
[本発明1044]
前記金属が銀、金、銅、白金、またはルテニウムである、本発明1041の組成物。
[本発明1045]
前記金属錯体が金属中心を1つだけ含む、本発明1041の組成物。
[本発明1046]
前記金属が(I)または(II)の酸化状態である、本発明1041の組成物。
[本発明1047]
第1の配位子が単座配位子である、本発明1041の組成物。
[本発明1048]
第1の配位子が二座配位子である、本発明1041の組成物。
[本発明1049]
第1の配位子が三座配位子である、本発明1041の組成物。
[本発明1050]
第1の配位子が、少なくとも2個の窒素を含む非対称アミノ配位子である、本発明1041の組成物。
[本発明1051]
(I)または(II)酸化状態の少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの中性金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が、該金属への中性σドナーであり、かつ該金属錯体を150℃未満の温度まで加熱する際に揮発し、第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2のアニオン性配位子もまた、該金属錯体を150℃未満の温度まで加熱する際に揮発し、任意で該金属錯体が25℃の溶媒に可溶性である、組成物。
[本発明1052]
第1の配位子が硫黄含有配位子である、本発明1051の組成物。
[本発明1053]
第1の配位子がテトラヒドロチオフェンである、本発明1051の組成物。
[本発明1054]
第1の配位子がチオエーテルである、本発明1051の組成物。
[本発明1055]
第1の配位子が少なくとも2個の硫黄を含む、本発明1051の組成物。
[本発明1056]
第1の配位子が6個以下の炭素原子を有する、本発明1051の組成物。
[本発明1057]
第1の配位子が4個以下の炭素原子を有する、本発明1051の組成物。
[本発明1058]
第1の配位子が2個以下の炭素原子を有する、本発明1051の組成物。
[本発明1059]
第1の配位子第2の配位子がカルボキシレートである、本発明1051の組成物。
[本発明1060]
前記錯体中の炭素原子の数が12以下である、本発明1051の組成物。
[本発明1061]
本発明1001〜1060のいずれかの組成物を含むインクを表面上に堆積させる工程、および
該インクを加熱または照射することによって導電性金属膜を生成する工程
を含む、方法。
[本発明1062]
前記生成する工程が加熱することによって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1063]
前記生成する工程が照射することによって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1064]
前記インクが本発明1001の組成物を含む、本発明1061の方法。
[本発明1065]
前記インクが本発明1031の組成物を含む、本発明1061の方法。
[本発明1066]
前記インクが本発明1041の組成物を含む、本発明1061の方法。
[本発明1067]
前記インクが本発明1051の組成物を含む、本発明1061の方法。
[本発明1068]
前記金属が金、銀または銅である、本発明1061の方法。
[本発明1069]
前記インクが、堆積前にナノ粒子を実質的に含まない、本発明1061の方法。
[本発明1070]
前記インクが、堆積後にナノ粒子を実質的に含まない、本発明1061の方法。
[本発明1071]
前記堆積させる工程がインクジェット堆積によって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1072]
前記生成する工程が約250℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1073]
前記生成する工程が約200℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1074]
前記生成する工程が約150℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1061の方法。
[本発明1075]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも1,000S/cmの導電率を有する、本発明1061の方法。
[本発明1076]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも5,000S/cmの導電率を有する、本発明1061の方法。
[本発明1077]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも10,000S/cmの導電率を有する、本発明1061の方法。
[本発明1078]
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の25パーセント以内の仕事関数を有する、本発明1061の方法。
[本発明1079]
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の10パーセント以内の仕事関数を有する、本発明1061の方法。
[本発明1080]
前記膜が線の形態であり、該線が、純金属の仕事関数の5パーセント以内の仕事関数を有する、本発明1061の方法。
[本発明1081]
堆積物を形成するためにインクを表面上に堆積させる工程、該堆積物を、純金属の仕事関数の25パーセント以内の仕事関数を示す金属膜に変換する工程
を含む、方法。
[本発明1082]
前記堆積物が加熱される、本発明1081の方法。
[本発明1083]
前記堆積物が照射される、本発明1081の方法。
[本発明1084]
前記インクが本発明1001〜1060のいずれかの組成物を含む、本発明1081の方法。
[本発明1085]
前記インクが本発明1001の組成物を含む、本発明1081の方法。
[本発明1086]
前記インクが本発明1031の組成物を含む、本発明1081の方法。
[本発明1087]
前記インクが本発明1041の組成物を含む、本発明1081の方法。
[本発明1088]
前記インクが本発明1051の組成物を含む、本発明1081の方法。
[本発明1089]
前記金属が金、銀または銅である、本発明1081の方法。
[本発明1090]
前記インクが、堆積前にナノ粒子を実質的に含まない、本発明1081の方法。
[本発明1091]
前記インクが、堆積後にナノ粒子を実質的に含まない、本発明1081の方法。
[本発明1092]
前記堆積させる工程がインクジェット堆積によって行われる、本発明1081の方法。
[本発明1093]
前記変換する工程が、約250℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1081の方法。
[本発明1094]
前記変換する工程が、約200℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1081の方法。
[本発明1095]
前記変換する工程が、約150℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1081の方法。
[本発明1096]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも1,000S/cmの導電率を有する、本発明1081の方法。
[本発明1097]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも5,000S/cmの導電率を有する、本発明1081の方法。
[本発明1098]
前記膜が線の形態であり、該線が少なくとも10,000S/cmの導電率を有する、本発明1081の方法。
[本発明1099]
前記膜が線の形態であり、前記金属膜が、純金属の仕事関数の10パーセント以内の仕事関数を示す、本発明1081の方法。
[本発明1100]
前記膜が線の形態であり、前記金属膜が、純金属の仕事関数の5パーセント以内の仕事関数を示す、本発明1081の方法。
[本発明1101]
少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が、該金属へのσドナーであり、かつ該金属錯体を加熱する際に揮発し、少なくとも1つの第2の配位子もまた、該金属錯体を加熱する際に揮発し、該金属錯体が25℃の溶媒に可溶性である、組成物。
[本発明1102]
第1の配位子および第2の配位子が同一の配位子である、本発明1101の組成物。
[本発明1103]
第1の配位子および第2の配位子が異なる配位子である、本発明1101の組成物。
[本発明1104]
前記金属が銅である、本発明1101の組成物。
[本発明1105]
第1の配位子が少なくとも1個の窒素原子および少なくとも2個の酸素原子を含む、本発明1101の組成物。
[本発明1106]
第1の配位子および第2の配位子が同一の配位子であり、第1の配位子が少なくとも1個の窒素原子および少なくとも2個の酸素原子を含む、本発明1101の組成物。
[本発明1107]
第1の配位子および第2の配位子が同一の配位子であり、第1の配位子が、少なくとも1個の窒素原子および少なくとも2個の酸素原子、ならびに少なくとも1個のフッ素を含む、本発明1101の組成物。
[本発明1108]
第1の配位子が三座配位子である、本発明1101の組成物。
[本発明1109]
第1の配位子が三座シッフ塩基配位子である、本発明1101の組成物。
[本発明1110]
第1の配位子が、少なくとも1個の第二級アミン基、少なくとも1個のカルボニル基、および少なくとも1個のエーテル基を含む、本発明1101の組成物。
[本発明1111]
少なくとも1つの金属と少なくとも2つの配位子とを含む少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が、該金属へのσドナーであり、かつ該金属錯体を約250℃またはそれ未満の温度まで加熱する際に揮発し、第1の配位子と異なっていてもよい少なくとも1つの第2の配位子もまた、該金属錯体を約250℃またはそれ未満の温度まで加熱する際に揮発する、組成物。
[本発明1112]
前記金属錯体が150℃またはそれ未満の温度まで加熱される、本発明1111の組成物。
[本発明1113]
前記金属錯体が25℃で可溶性である、本発明1111の組成物。
[本発明1114]
加熱の際に、純金属の仕事関数の25パーセント以内の仕事関数を有する金属を与える、本発明1111の組成物。
[本発明1115]
加熱の際に、少なくとも1,000S/cmの導電率を有する金属組成物を与える、本発明1111の組成物。
[本発明1116]
堆積物を形成するためにインクを表面上に堆積させる工程、該堆積物を、少なくとも1,000S/cmの導電率を示す金属膜に変換する工程
を含む、方法。
[本発明1117]
前記導電率が少なくとも5,000S/cmである、本発明1116の方法。
[本発明1118]
前記導電率が少なくとも10,000S/cmである、本発明1116の方法。
[本発明1119]
前記変換する工程が、約200℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1116の方法。
[本発明1120]
前記変換する工程が、約150℃またはそれ未満の温度で加熱することによって行われる、本発明1116の方法。
[本発明1121]
少なくとも1つの金属と該金属に結合した少なくとも2つの配位子とから本質的になる少なくとも1つの金属錯体を含む、組成物であって、少なくとも1つの第1の配位子が、該金属への中性ドナーであり、かつ該金属錯体を加熱する際に揮発し、第1の配位子とは異なる少なくとも1つの第2の配位子が、該金属錯体を加熱する際に同じく揮発し、かつ負に荷電している、組成物。
[本発明1122]
第1の配位子が窒素および/または硫黄から本質的になる、本発明1121の組成物。
[本発明1123]
第2の配位子がカルボキシレートから本質的になる、本発明1121の組成物。
[本発明1124]
前記錯体がトルエンに可溶性である、本発明1121の組成物。
[本発明1125]
前記金属、第1の配位子、および第2の配位子から本質的になる前記錯体が、中性に荷電している、本発明1121の組成物。
少なくともいくつかの態様の他の利点は、以下に記載の局面を含む。