【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に複数の結晶粒で構成される半導体膜を有し、
前記結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛２１１｝方位が４割以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板の上方に複数の結晶粒で構成される半導体膜を有し、
前記結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は、±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛２１１｝方位が４割以上であり、
前記基板表面に平行かつ前記結晶粒の長径方向に平行な方向を第２方向とし、前記第２方向を法線ベクトルとする面を第２面とすると、前記第２面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛１１０｝方位は５割以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板の上方に複数の結晶粒で構成される半導体膜を有し、
前記結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛２１１｝方位が４割以上であり、
前記第１方向及び前記結晶粒の長径方向に垂直な、結晶粒の短径方向を第３方向とし、前記第３方向を法線ベクトルとする面を第３面とすると、前記第３面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛１１１｝方位は４割以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板の上方に複数の結晶粒で構成される半導体膜を有し、
前記結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に平行かつ前記結晶粒の長径方向に平行な方向を第２方向とし、前記第２方向を法線ベクトルとする面を第２面とすると、前記第２面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛１１０｝方位は５割以上であり、
前記基板表面に平行かつ前記第２方向に垂直な方向を第３方向とし、前記第３方向を法線ベクトルとする面を第３面とすると、前記第３面における前記複数の結晶粒で構成される半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛１１１｝方位は４割以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記半導体膜は珪素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置とは、薄膜トランジスタ、駆動回路、電源回路、ＩＣ、メモリ、ＣＰＵ、記憶素子、ダイオード、光電変換素子、抵抗素子、コイル、容量素子、インダクタ、画素、ＣＣＤ、またはセンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置を用いて作製した薄膜集積回路装置、デジタルビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、反射型プロジェクター、画像表示装置、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置、携帯型の情報処理端末、ゲーム機器、コンピュータ、または記録媒体を備えた画像再生装置。
【請求項８】
下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方にキャップ膜を２００ｎｍ以上の厚さで形成し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜にレーザビームを照射して前記半導体膜を結晶化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板の上方に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方にキャップ膜を２００ｎｍ以上の厚さで形成し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜にレーザビームを走査させながら照射して前記半導体膜を結晶化させ、
前記結晶化された半導体膜の結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内において｛２１１｝方位が４割以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板の上方に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方にキャップ膜を２００ｎｍ以上の厚さで形成し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜にレーザビームを走査させながら照射して前記半導体膜を結晶化させ、
前記結晶化された半導体膜の結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛２１１｝方位の割合は４割以上であり、
前記レーザビームの走査方向および前記基板表面に平行な方向を第２方向とし、前記第２方向を法線ベクトルとする面を第２面とすると、前記第２面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛１１０｝方位の割合は５割以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板の上方に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方にキャップ膜を２００ｎｍ以上の厚さで形成し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜にレーザビームを走査させながら照射して前記半導体膜を結晶化させ、
前記結晶化された半導体膜の結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記基板表面に垂直な方向を第１方向とし、前記第１方向を法線ベクトルとする面を第１面とすると、前記第１面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛２１１｝方位の割合は４割以上であり、
前記レーザビームの走査方向と垂直かつ前記基板表面に平行な方向を第３方向とし、前記第３方向を法線ベクトルとする面を第３面とすると、前記第３面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛１１１｝方位の割合は４割以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板の上方に下地絶縁膜を形成し、
前記下地絶縁膜の上方に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上方にキャップ膜を２００ｎｍ以上の厚さで形成し、
前記キャップ膜を介して前記半導体膜にレーザビームを走査させながら照射して前記半導体膜を結晶化させ、
前記結晶化された半導体膜の結晶粒の粒径は、幅が０．０１μｍ以上、長さが１μｍ以上であり、
前記レーザビームの走査方向および前記基板表面に平行な方向を第２方向とし、前記第２方向を法線ベクトルとする面を第２面とすると、前記第２面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛１１０｝方位の割合は５割以上であり、
前記レーザビームの走査方向と垂直かつ前記基板表面に平行な方向を第３方向とし、前記第３方向を法線ベクトルとする面を第３面とすると、前記第３面における前記結晶化された半導体膜の面方位は±１０°の角度揺らぎの範囲内における｛１１１｝方位の割合は４割以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか１項において、前記半導体膜は、珪素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか１項において、前記レーザビームは、連続発振のレーザまたは発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか１項において、前記キャップ膜をゲート絶縁膜として用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１５のいずれか１項において、前記半導体膜の結晶化前に、前記キャップ膜の上方に金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか１項において、前記下地絶縁膜の下方に剥離層を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項８乃至請求項１７のいずれか１項において、前記レーザビームを照射する部分に重なり合うように気体を吹き付け、前記気体は３００℃以上であり、前記気体は不活性気体又は空気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項８乃至請求項１７のいずれか１項において、前記レーザビームを照射する部分に重なり合うようにプラズマを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。