(57)【要約】【課題】陰極端子を下面で横断させ陽極端子と近接して低インピーダンスに設計された電解コンデンサを多層基板の電源ラインと接続するとき、多層基板のランドの外側に陽極と陰極の電極のビアを離して形成しているため、電解コンデンサとビアを介して電源ラインとを結ぶ回路のインピーダンスを小さくできない課題があった。【解決手段】陽極下面露出部３と陰極下面露出部５とを電解コンデンサ１の外装樹脂６の下面から露出させ、この陽極下面露出部３、陰極下面露出部５間に外装樹脂６の絶縁領域８を設け、一方基板２１には陽極下面露出部３と陰極下面露出部５に接合する第１ランド２３、第２ランド２７を設け、電解コンデンサ１の絶縁領域８に対向するこの第１ランド２３、第２ランド２７間に第１ビア２４、第２ビア２８を設けて、電解コンデンサ１を基板２１に実装することによって、電解コンデンサの実装体のインピーダンスを低減することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けた第１ランド、第２ランドに、電解コンデンサの陽極端子、陰極端子を夫々実装した電解コンデンサの実装体であって、
前記基板が、第１導体パターンを介して前記第１ランドと接続する第１ビアと、第２導体パターンを介して前記第２ランドと接続する第２ビアとを備え、
前記電解コンデンサが、外装樹脂の下面から露出した前記陽極端子の陽極下面露出部と、前記陰極端子の陰極下面露出部とを夫々一つ以上備え、かつ前記陽極下面露出部、前記陰極下面露出部のいずれかから選ばれる下面露出部間に挟まれる領域に絶縁領域が設けられ、
前記第１ビアと前記第２ビアが、前記絶縁領域に対向する前記基板上に設けられ、前記基板内部に延びた、電解コンデンサの実装体。
【請求項２】
前記基板に形成された前記第１導体パターンと前記第２導体パターンを隣接させ、この隣接する箇所に夫々前記第１ビア、前記第２ビアを設けた請求項１に記載の電解コンデンサの実装体。
【請求項３】
前記第１ビアと前記第２ビアが、いずれか一方のビア間に他方のビアが交互に設けられた請求項１又は請求項２に記載の電解コンデンサの実装体。
【請求項４】
前記電解コンデンサが、前記陰極下面露出部を前記外装樹脂の下面の両端部側に設け、該陰極下面露出部間と直交する前記外装樹脂の下面の少なくとも一方の端部側に前記陽極下面露出部を設け、前記陰極下面露出部と前記陽極下面露出部に接して囲まれる領域に外装樹脂の前記絶縁領域が形成された請求項１に記載の電解コンデンサの実装体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に使用される電解コンデンサを回路基板に実装した電解コンデンサの実装体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の高速化、高周波化に伴って、ＣＰＵの電源ライン等に使用される電解コンデンサは、低周波領域に加えて１ＭＨｚ〜１ＧＨｚ付近までの高周波領域に至る広帯域のノイズ除去や過渡応答性に優れたものとするために、大容量で低インピーダンスの特性が強く要望されている。
【０００３】
このような電解コンデンサとして、導電性高分子を固体電解質に用いＥＳＲ（等価直列抵抗）を小さくしたチップ型の低インピーダンスの固体電解コンデンサが知られている。
【０００４】
図１１は、従来の固体電解コンデンサの側面断面図、図１２は、同下面図、図１３は、従来の固体電解コンデンサが実装される基板の上面図、図１４は、電解コンデンサを用いた回路図である。
【０００５】
図１１に示す固体電解コンデンサ４７は、一方側に陽極部４２、他方側に陰極部４３を形成したコンデンサ素子４１を備え、陰極部４３は誘電体酸化皮膜層、ピロール、チオフェン、アニリン等の電気伝導度の高い導電性高分子から構成される固体電解質層、陰極層（いずれも図示せず）が順次形成されたものである。
【０００６】
さらに複数のコンデンサ素子４１を各々の陽極部４２、陰極部４３を積層して、積層したコンデンサ素子４１の陽極部４２、陰極部４３に陽極端子４４、陰極端子４５が接合され、外装樹脂４６によって外装されている。
【０００７】
図１２に示すように、外装樹脂４６の実装面となる下面で陽極端子４４とＴ字状に下面を横切るように設けた陰極端子４５とを近接するように露出させて、低インピーダンス特性をもつ固体電解コンデンサ４７としたものである。
【０００８】
図１３に示すように、固体電解コンデンサ４７が実装される多層基板は、基板上に１つずつ設けられた第１ランド５１と第２ランド５３とが対向する側と反対側の第１ランド５１の外方に第１ビア５２を備え、この第１ビア５２を介して第１ランド５１と多層基板内部のＶｃｃ層と繋がり、同様に第２ランド５３の外方に第２ビア５４が設けられ第２ビア５４を介して第２ランド５３と多層基板内部のＧＮＤ層とが繋がったものである。
【０００９】
さらに第１ランド５１、第２ランド５３と固体電解コンデンサ４７の下面に露出した陽極端子４４、陰極端子４５とを夫々半田付けして、従来の電解コンデンサの実装体を構成したものであった。
【００１０】
従来の電解コンデンサの実装体は、例えば図１４に示す電源ラインの回路の一部を構成するもので、この回路は電圧や電流をＤＣ―ＤＣコンバータや３端子レギュレータの電圧変換機構６４を介して電源６２からＣＰＵ等の負荷部品６３に供給するもので、固体電解コンデンサ４７等の電解コンデンサ６１をデカップリングとして用いて電源ライン６５とグランドライン６６に接続して使用される。
【００１１】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１に示すものが知られている。
【特許文献１】特開２００６−２７００１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
このように従来は、外装樹脂４６の下面に設けた陽極端子４４と下面で横断するように設けた陰極端子４５とを近接させた低インピーダンスの固体電解コンデンサ４７を多層基板に接続するとき、多層基板が異なる電極のビア５２、５４をランド５１、５３の外側にお互いに離して設けたものであるため、ＣＰＵが高速化するに従い固体電解コンデンサ４７を低インピーダンスにしてもビア５２、５４のインピーダンスの影響が高くなり、高周波領域におけるノイズ除去が十分でない課題があった。
【００１３】
本発明は、このような従来の課題を解決し、低インピーダンスの電解コンデンサの実装体を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明は、基板に設けた第１ランド、第２ランドに、電解コンデンサの陽極端子、陰極端子を夫々実装した電解コンデンサの実装体であって、前記基板が、第１導体パターンを介して第１ランドと接続する第１ビアと、第２導体パターンを介して第２ランドと接続する第２ビアとを備え、前記電解コンデンサが、外装樹脂の下面から露出した前記陽極端子の陽極下面露出部と、前記陰極端子の陰極下面露出部とを夫々一つ以上備え、かつ陽極下面露出部、陰極下面露出部のいずれかから選ばれる下面露出部間に挟まれる領域に絶縁領域が設けられ、前記第１ビアと前記第２ビアが、前記絶縁領域に対向する基板上に設けられ、基板内部に延びた、電解コンデンサの実装体である。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明の電解コンデンサの実装体によれば、電解コンデンサの絶縁領域が、陽極下面露出部、陰極下面露出部のいずれかから選ばれる下面露出部間に挟まれる領域に設けられたもので、この絶縁領域に対向する基板の領域に第１ビア、第２ビアを設けることによって、電解コンデンサ本体と第１ビア、第２ビアとの異なった電極間の誤った導通を防止しながら、第１ビア、第２ビアの対のビアを近接させることができるので、電解コンデンサに接続する対のビアのインピーダンスを小さくすることができる。
【００１６】
以上のように、電解コンデンサと基板とで構成される電解コンデンサの実装体のインピーダンスを小さくできる作用効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の電解コンデンサの実装体について説明する。
【００１８】
図１は本発明の実施の形態１における電解コンデンサの実装体の上面図、図２は同電解コンデンサの下面図、図３（ａ）および図３（ｂ）は同基板の上面図、図４は同電解コンデンサの実装体の側面断面図、図５は同コンデンサ素子の構成を示す断面図である。
【００１９】
実施の形態１における電解コンデンサの実装体は、基板に設けた第１ランド、第２ランドに、電解コンデンサの陽極端子、陰極端子を夫々対向するように電解コンデンサを実装したものである。
【００２０】
実施の形態１における電解コンデンサの構成について説明する。
【００２１】
まず、図５に示すように、コンデンサ素子１０は平板状の形状で、陽極体１１がアルミニウム、タンタル、チタン、ニオブ等の弁作用金属からなる箔であり、陽極体１１の一方には陽極体１１表面が露呈した陽極部１２が設けられている。この陽極体１１の他方には陰極部１３を設け、陰極部１３側の陽極体１１は誘電体酸化皮膜層１４、さらに誘電体酸化皮膜層１４の表面にポリピロール、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子から選択される固体電解質層１５が形成されている。
【００２２】
固体電解質層１５の表面には陰極層１６が設けられ、陰極層１６はグラファイト等からなるカーボン層と、銀、ニッケル、銅等の導電性粒子とエポキシ等の樹脂からなる導電性ペーストを塗布、硬化させた導電体層とを順次積層したものである。
【００２３】
陽極部１２と陰極部１３との境界には、ポリイミド樹脂、シリコン樹脂などの絶縁性樹脂からなる分離部１７が陽極体１１上に帯状に設けられ、この分離部１７によって固体電解質層１５や陰極層１６が陽極部１２に形成されないように防止されている。
【００２４】
陽極体１１は、弁作用金属の箔を用いたものの他に、弁作用金属の粉末からなる薄状の多孔質焼結体に弁作用金属部材を多孔質焼結体に埋め込んで接合したものでもよい。
【００２５】
次に、図４に示すように、電解コンデンサ１にはコンデンサ素子１０が複数積層され、陽極部１２が一枚ずつ交互に相反するように一方向に並べられ積層された陽極部１２が陽極端子２上面に載置され、積層した陽極部１２と陽極端子２が溶接により接合されている。積層されたコンデンサ素子１０の陰極部１３は、両端の陽極端子２間に積層され陰極端子４上面に載置され、積層した陰極部１３と陰極端子４が導電性接着剤を介して接合されている。
【００２６】
また、電解コンデンサ１は、コンデンサ素子１０を一個ずつ交互に相反させて積層する代わりに複数個ずつ一方方向に並べ相反させて積層してもよい。
【００２７】
陽極端子２、陰極端子４は、銅等の金属又は鉄−ニッケル合金等の合金の基材から構成され、陽極端子２は、電解コンデンサ１の陽極部１２と接続する陽極端子２の上面から外装樹脂６の内部を下方に延び、外装樹脂６の実装面となる下面に露出した陽極下面露出部３に繋がって形成されている。
【００２８】
一方、陰極端子４は、電解コンデンサ１の陰極部１３と接続する陰極端子４の上面から外装樹脂６の内部を下方に延び、外装樹脂６の実装面となる下面に露出した陰極下面露出部５に繋がって形成されている。
【００２９】
さらに、図２に示すように、陽極端子２の陽極下面露出部３は、実装面となる外装樹脂６の下面における対向する両端部に略矩形状に形成され、各々の陽極下面露出部３の外周の一辺の一部又は全体が外装樹脂６の端面から表出し、その他の外周が外装樹脂６と接している。
【００３０】
陰極端子４の陰極下面露出部５は、両端の陽極端子２を結ぶ方向に直交する外装樹脂６の下面における両端部に略矩形状に形成され、陰極下面露出部５の外周の一辺の一部又は全体が外装樹脂６の側面から表出し、その他の外周が外装樹脂６と接している。
【００３１】
２つの陽極端子２の陽極下面露出部３、２つの陰極端子４の陰極下面露出部５の４箇所は外装樹脂６を介して分離され、この外装樹脂６によって陽極下面露出部３間及び陰極下面露出部５間に挟まれる絶縁領域８が形成されている。この絶縁領域８は、陽極下面露出の対向する辺に沿う平行線と、陰極下面露出部５の対向する辺に沿う平行線とに囲まれる四角形状の領域からなるものである。
【００３２】
また、絶縁領域８に絶縁性の樹脂ペーストを塗布する、または絶縁フィルムを貼付けて絶縁領域８を形成してもよい。
【００３３】
このように構成された電解コンデンサは、コンデンサ素子を相反させ積層することで、一方方向に積層したコンデンサ素子に比較しＥＳＬ（等価直列抵抗）を小さくできる。また陽極端子と陰極端子を近接させ下面に露出することで、電解コンデンサのＥＳＲ（等価直列抵抗）、ＥＳＬを小さくでき、低インピーダンスの電解コンデンサとするものである。
【００３４】
上記に述べたコンデンサ素子を相反して積層する代わりに、陽極体の両端に設けた陽極部間に陰極部を設け、陽極体が陰極部を貫通する貫通コンデンサ素子を用いて電解コンデンサを構成してもよい。
【００３５】
次に、実施の形態１の基板の構成について説明する。
【００３６】
まず、図１に示すように、基板２１の第１ランド２３、第２ランド２７は、電解コンデンサ１の夫々陽極下面露出部３、陰極下面露出部５と同じ、又は相似した形状で、夫々陽極下面露出部３、陰極下面露出部５の下側に対向して設けられている。
【００３７】
さらに、図４に示すように、第１ランド２３、第２ランド２７の表面には、半田付けを容易にするため錫めっき等の金属層（図示せず）が形成され、第１ランド２３と陽極下面露出部３、第２ランド２７と陰極下面露出部５が重ね合わせられるようにして半田付け３３によって接合されている。
【００３８】
また、図１に示すように、第１ビア２４と第２ビア２８は、電解コンデンサ１の下面の外装樹脂６からなる絶縁領域８の下側に対向する基板２１の箇所となるビア形成領域に形成されている。
【００３９】
この第１ビア２４と第２ビア２８が、第１ランド２３間と平行な線上に対に並び、この対のビアは第１ランド２３に近接しビア形成領域の中央部分より離れて設けられ、さらに複数個の対のビアが第２ランド２７間に平行な列に設けられている。
【００４０】
また、第１ビア２４、第２ビア２８は一つ又は複数形成することができる。
【００４１】
このビア形成領域内では、基板２１の上面に形成された第１ビア２４、第２ビア２８は電解コンデンサ１の外装樹脂６の絶縁領域８に重なり合うので、電解コンデンサ１の陽極部１２と第２ビア２８、又は陰極部１３と第１ビア２４とが導通せずに第１ビア２４、第２ビア２８の配置を設定することができる。
【００４２】
図３（ａ）に示すように、第１導体パターン２２及び第２導体パターン２６は、銅の金属箔からなり、第１導体パターン２２、第２導体パターン２６を介して夫々第１ランド２３と第１ビア２４が接続され、第２ランド２７と第２ビア２８が接続されている。
【００４３】
第１ランド２３と第１ビア２４、第２ランド２７と第２ビア２８は、エポキシ等の絶縁性樹脂からなるレジスト３２で被覆した夫々第１導体パターン２２、第２導体パターン２６の一部をレジスト３２から露出させたもので、レジスト３２により分離されて形成されている。
【００４４】
第１導体パターン２２は、第２導体パターン２６によって分離され第２導体パターン２６の側面に沿って帯状に設けられ、第２導体パターン２６と隣接する箇所に第１ビア２４を備えている。
【００４５】
第２導体パターン２６は、第１ランド２３間を貫通するように対向する第２ランド２７間に渡って設けられ、第１導体パターン２２と隣接する帯の側面の両側に第２ビア２８を備えている。
【００４６】
図３（ｂ）に示す第１ビア２４ａ、第２ビア２８ａは、第１導体パターン２２ａ間に対応する部分を突起状に形成し、この突起３５ａに対応する隣接する箇所の第２導体パターン２６ａの両側に凹状の切欠き３５ｂを形成し、この箇所に第１ビア２４ａ、第２ビア２８ａを設けたもので、第１ビア２４ａ、第２ビア２８ａは、図３（ａ）に比較しビア形成領域の中央寄りに設けられている。
【００４７】
しかし、第１ビア２４ａ、第２ビア２８ａの並び方については、図３（ａ）と同様に、第１ビア２４ａと第２ビア２８ａは、第１ランド２３ａ間と平行な線上に対に並び、さらに複数個の対のビアが第２ランド２７ａ間に平行な列に設けられている。このように、第１導体パターン２２ａと第２導体パターン２６ａとが隣接する部分を加工することにより、第１ビア２４ａと第２ビア２８ａの間隔を保ちながらビア形成領域内での配置を調整することができる。
【００４８】
図４に示すように、第１ビア２４、第２ビア２８は、更に基板２１の内部で線状に延び、平行に配設されている。第１ビア２４が基板２１上面と平行に基板２１内部に設けられた電源ラインを構成するＶｃｃ層３０に接合され、第２ビア２８がＶｃｃ層３０の下層に分離して設けられたグランドラインを構成するＧＮＤ層３１に接合され、第１ビア２４と第２ビア２８に流れる電流は夫々反対方向に流れるものである。
【００４９】
また、ＧＮＤ層３１はＶｃｃ層３０の上層に設けてもよい。
【００５０】
この電源ライン、グランドラインは、例えば図１４に示す回路の電源ライン６５、グランドライン６６に対応するものである。
【００５１】
実施の形態１の第１ビア２４と第２ビア２８は、第１ランド２３間及び第２ランド２７間に囲まれる領域の内に設けられるので、第１ビア２４、第２ビア２８間の距離を近づけることができる。これによって、基板２１内部に平行に配設された第１ビア２４と第２ビア２８間のインピーダンスを小さくすることができる。
【００５２】
また、実施の形態１の電解コンデンサ１は、陽極下面露出部３の両側に近接して陰極下面露出部５を設けたものであるので、インピーダンスを小さくすることができる。従って、電解コンデンサ１のインピーダンス特性とビアのインピーダンス特性との総和を小さくでき、電解コンデンサ１と基板２１とで構成される電解コンデンサ１の実装体のインピーダンスを小さくできる顕著な効果を奏するものである。
【００５３】
なお、実施の形態１の第１ビア２４、第２ビア２８は、第１ランド２３間及び第２ランド２７間に囲まれる領域の内側に設けるものであるが、電解コンデンサ１の流れる電流量の増加などに応じて、第１ランド２３、第２ランド２７の外側に更に設けてもよい。
【００５４】
実施の形態２から実施の形態４は、実施の形態１と同じ構成については同一の名称と符号を用い、その詳細な説明を省略し異なる部分についてのみ以下に図面を用いて説明をする。
【００５５】
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１と第１ビア、第２ビア、第１導体パターン、第２導体パターンの構成が実施の形態１と一部異なるようにしたものである。
【００５６】
図６は、実施の形態２における基板の拡大上面図であり、第１ビア、第２ビアの配設を示す。
【００５７】
実施の形態２は、第１ビアと第２ビアが、いずれか一方のビア間に他方のビアが交互に設けられたものである。
【００５８】
実施の形態２は、図６（ａ）に示すものは、第１ビア２４ｂと第２ビア２８ｂが、第１ランド２３間に直角方向に並んで、第１ビア２４ｂ又は第２ビア２８ｂのいずれか一方のビア間に他方のビアが重なり、一方のビア間を結ぶ線の中心より少し離れるように他方のビアが設けられたものである。
【００５９】
第１導体パターン２２ｂ、第２導体パターン２６ｂは、先端が狭くなるように台形形状または三角形状に形成された突起３６を隣接する箇所に交互に設け、この夫々の突起３６が交互に挟み込まれており、夫々の突起３６の幅広部分に第１ビア２４ｂ、第２ビア２８ｂが形成されたものである。
【００６０】
図６（ｂ）に示すものは、第１ビア２４ｃと第２ビア２８ｃが、第１ランド２３間に直角方向に一列に並んで、第１ビア２４ｃと第２ビア２８ｃが交互に設けられたものである。
【００６１】
第１導体パターン２２ｃ、第２導体パターン２６ｃは、隣接する箇所に交互に矩形状の突起３７を設け、この夫々の突起３７が交互に挟み込まれるように設けられ、夫々の突起３７に第１ビア２４ｃ、第２ビア２８ｃが形成されたものである。
【００６２】
実施の形態２は、第１ビア、第２ビアの対のビアを近接して設けることができるため、対のビアのインピーダンスを小さくできる。
【００６３】
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態１と第１ビア、第２ビア、第１導体パターン、第２導体パターンの構成が一部異なるようにしたものである。
【００６４】
図７は、実施の形態３における基板の上面図である。
【００６５】
実施の形態３は、図７に示すように、第１導体パターン２２ｄが第２ランド２７ｄ間を貫通するように対向する第１ランド２３ｄ間に渡って帯状に設けられ、第２導体パターン２６ｄが第１導体パターン２２ｄによって分離され第１導体パターン２２ｄの側面に沿って設けられ、第１導体パターン２２ｄと第２導体パターン２６ｄが隣接する箇所に夫々第１ビア２４ｄ、第２ビア２８ｄが対向して並列に設けられているものである。
【００６６】
（実施の形態４）
実施の形態４は、実施の形態１の電解コンデンサと基板の構成が一部異なるものである。
【００６７】
図８は、実施の形態４における電解コンデンサの側面断面図、図９は、同電解コンデンサの下面図、図１０は同基板の上面図である。
【００６８】
実施の形態４の電解コンデンサ１ｅは、図８に示すように、複数のコンデンサ素子１０の陽極部１２を一方側のみに重ねて積層し他方に陰極部１３を積層したものである。また単数のコンデンサ素子１０を用いたものでもよい。
【００６９】
積層された陽極部１２、陰極部１３は、夫々陽極端子２ｅ、陰極端子４ｅの上面に載置され接合され、この陽極端子２ｅ、陰極端子４ｅが外装樹脂６ｅの実装面となる下面に露出した陽極下面露出部３ｅ、陰極下面露出部５ｅに繋がって形成されている。
【００７０】
図９に示すように、陽極端子２ｅの陽極下面露出部３ｅ、陰極端子４ｅの陰極下面露出部５ｅは、外装樹脂６ｅの対向する端部側に略矩形状に設け、陽極下面露出部３ｅ、陰極下面露出部５ｅ間に挟まれる領域、すなわち陰極下面露出部５ｅが対向する辺に沿った平行な線と、並びにこの線と直交する陽極下面露出部３ｅの下面の中央に面する辺に沿った線と該線に平行で陰極下面露出部５ｅの端面に沿う線とに囲まれる外装樹脂６ｅの下面の領域を絶縁領域８ｅとしたものである。
【００７１】
図１０に示すように、基板の第１ランド２３ｅ、第２ランド２７ｅは、電解コンデンサ１ｅの夫々陽極下面露出部３ｅ、陰極下面露出部５ｅに略同じ又は相似した形状で、夫々陽極下面露出部３ｅ、陰極下面露出部５ｅの下側に対向して設けられるものである。
【００７２】
第１ビア２４ｅと第２ビア２８ｅは、電解コンデンサ１ｅの下面の外装樹脂６ｅからなる絶縁領域８ｅの下側に対向する基板の箇所となるビア形成領域に形成されるものであり、第１ビア２４ｅと第２ビア２８ｅが、第２ランド２７ｅ間と直交する線上に対に並び、この対のビアは第１ランド２３ｅに近接して設けられ、さらに複数個の対のビアが第２ランド２７ｅ間に平行な列に設けられている。
【００７３】
ここで、第１導体パターン２２ｅ及び第２導体パターン２６ｅは、銅の金属箔からなり、第１導体パターン２２ｅ、第２導体パターン２６ｅを介して夫々第１ランド２３ｅと第１ビア２４ｅが接続され、第２ランド２７ｅと第２ビア２８ｅが接続されている。
【００７４】
実施の形態１〜４に示すように、電解コンデンサの陽極下面露出部に近接して陰極下面露出部を両端に設け、さらに両端の陰極下面露出部と陽極下面露出部に接して囲まれる外装樹脂からなる絶縁領域に対向する基板の箇所に第１ビア、第２ビアを近接して設けることによって、電解コンデンサの実装体のインピーダンスを小さくできる顕著な作用効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態１における電解コンデンサの実装体の上面図
【図２】本発明の実施の形態１における電解コンデンサの下面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態１における基板の上面図、（ｂ）本発明の実施の形態１における他の基板の上面図
【図４】本発明の実施の形態１における電解コンデンサの実装体の側面断面図
【図５】本発明の実施の形態１におけるコンデンサ素子の断面図
【図６】（ａ）本発明の実施の形態２における基板の拡大上面図、（ｂ）本発明の実施の形態２における他の基板の拡大上面図
【図７】本発明の実施の形態３における基板の上面図
【図８】本発明の実施の形態４における電解コンデンサの側面断面図
【図９】本発明の実施の形態４における電解コンデンサの下面図
【図１０】本発明の実施の形態４における基板の上面図
【図１１】従来の固体電解コンデンサの側面断面図
【図１２】従来の固体電解コンデンサの下面図
【図１３】従来の固体電解コンデンサが実装される基板の上面図
【図１４】電解コンデンサを用いた回路図
【符号の説明】
【００７６】
１  電解コンデンサ
２  陽極端子
３  陽極下面露出部
４  陰極端子
５  陰極下面露出部
６  外装樹脂
８  絶縁領域
１０  コンデンサ素子
１１  陽極体
１２  陽極部
１３  陰極部
１４  誘電体酸化皮膜層
１５  固体電解質層
１６  陰極層
１７  分離部
２１  基板
２２  第１導体パターン
２３  第１ランド
２４  第１ビア
２６  第２導体パターン
２７  第２ランド
２８  第２ビア
３０  Ｖｃｃ層
３１  ＧＮＤ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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