Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心血管疾患を有するか、もしくは心血管疾患の危険性のある対象、または心血管疾患の合併症の危険性のある対象を同定する方法であって、
ａ）トリメチルアミン（ＴＭＡ）含有化合物が、クロトノベタイン、ガンマブチロベタイン、またはカルニチンから選択される、前記対象から得られる生体試料中の前記ＴＭＡ含有化合物のレベルを決定することと、
ｂ）前記生体試料の前記ＴＭＡ含有化合物のレベルを、対照値と比較することと、を含み、
前記対照値と比較して、前記生体試料中の前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが上昇する対象は、心血管疾患または心血管疾患の合併症を有するか、または発生する危険性がある、方法。
【請求項２】
心血管疾患の症状を減少させる治療薬、または心血管疾患の危険性を減少させる治療薬を用いて、前記対象を治療するステップｃ）をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記治療薬は、以下から成る群から選択される、請求項２に記載の方法：抗生物質、プロバイオティクス、抗凝固剤、抗血小板薬、抗血栓薬、ジギタリス薬、利尿薬および血管拡張剤。
【請求項４】
心血管疾患の合併症を経験する対象の危険性を、前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも高い場合に、高いと見なし、かつ前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも低い場合に、低いと見なすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記合併症は、以下、非致死性心筋梗塞、脳卒中、狭心症、一過性脳虚血発作、うっ血性心不全、大動脈瘤、大動脈解離、および死のうちの１つ以上である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
心血管疾患を有するか、あるいは発生する対象の危険性を、前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも高い場合に、高いと見なし、かつ前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも低い場合に、低いと見なすステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記生体試料は、全血、血清、血漿、尿、脳脊髄液、または気管支肺胞洗浄を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記危険性は、心血管疾患を有するか、あるいは翌３年以内に発生する危険性である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
対象を、真性糖尿病、インスリン耐性、メタボリックシンドローム、ＮＡＦＬＤ、またはＮＡＳＨを有するか、あるいは発生する危険性があると同定する方法であって、
ａ）前記対象から得られる生体試料中のトリメチルアミン（ＴＭＡ）含有化合物のレベルを決定することと、
ｂ）前記生体試料中の前記ＴＭＡ含有化合物のレベルを、対照値と比較することと、を含み、
前記対照値と比較して、前記生体試料中の前記ＴＭＡ含有化合物のレベルが上昇する対象は、真性糖尿病、インスリン耐性、メタボリックシンドローム、ＮＡＦＬＤ、またはＮＡＳＨを発生する危険性があるか、あるいは有する、方法。
【請求項１０】
真性糖尿病、インスリン耐性、メタボリックシンドローム、ＮＡＦＬＤ、またはＮＡＳＨを有するか、あるいは発生する前記対象の危険性を、ＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも高い場合に、高いと見なし、かつＴＭＡ含有化合物のレベルが前記対照値よりも低い場合に、低いと見なすステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＴＭＡ含有化合物は、クロトノベタイン、ガンマブチロベタイン、またはカルニチンから成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記生体試料は、全血、血清、血漿、尿、脳脊髄液、または気管支肺胞洗浄を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＴＭＡ含有化合物は、トリメチルアミン−Ｎ−オキシド、コリン、またはベタインから成る群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記危険性は、翌３年以内に、真性糖尿病、インスリン耐性、メタボリックシンドローム、ＮＡＦＬＤ、またはＮＡＳＨを発生する危険性である、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
状態を治療するか、あるいは状態の進行を予防する方法であって、対象におけるカルニチンからのトリメチルアミン、ＴＭＡＮＯ、クロトノベタイン、および／またはガンマブチロベタインの形成を減少させ、それによって、心血管疾患、真性糖尿病、インスリン耐性、メタボリックシンドローム、ＮＡＦＬＤ、またはＮＡＳＨから成る群から選択される状態を、少なくとも部分的に治療するか、あるいは状態の進行を予防するように、前記対象に、抗生物質を投与することを含む、方法。
【請求項１６】
前記対象に、プロバイオティクスを投与することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記抗生物質は、７日以下の短期間にわたって、前記対象に投与される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記抗生物質は、メトロニダゾール、シプロフロキサシン、ネオマイシン、およびアモキシシリンから成る群から選択される、１つの抗生物質またはそれらの抗生物質の組み合わせである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記対象は、トリメチルアミン尿症を有さない、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のイメージングヘッドを含むイメージングシステムの校正を変更する方法であって、
前記複数のイメージングヘッドの少なくとも第２イメージングヘッドの位置に基づいて前記複数のイメージングヘッドの第１イメージングヘッドのイメージング機能を調整することを含む、方法。
【請求項２】
前記第１イメージングヘッドは、アドレス指定可能な複数の第１チャネルを含み、前記第１イメージングヘッドのイメージング機能を調整することは、前記複数の第１チャネルの少なくとも１つの作動タイミングを調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１イメージングヘッドのイメージング機能を調整することは、前記第１イメージングヘッドの速度及び位置の少なくとも一方を調整することを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光材料の層を支持するキャリアを備える基板を用意する工程と、
像を備えるマスクを用意する工程であって、前記像は、連続する第１、第２、及び第３の像部分を備え、順次、
ｉ）前記基板が第２の速度で第２の方向に沿って露光領域を通って前進する間、光線を、それが前記第１の像部分を第１の速度で第１の方向に沿って走査し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、
ｉｉ）前記基板が第４の速度で前記第２の方向に沿って前記露光領域を通って前進する間、前記光線を、それが第３の速度で前記第２の像部分に衝突し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、
ｉｉｉ）前記基板が第６の速度で前記第２の方向に沿って前記露光領域を通って前進する間、前記光線を、それが第５の速度で前記第１の方向に沿って前記第３の像部分を走査し、その後前記露光領域で前記感光材料の層に衝突するように、前記マスク上に導き、前記第１の速度及び前記第５の速度が前記第３の速度より大きい、工程と、を含む、方法。
【請求項２】
構成要素：
ａ）光線を発生させるための源と、
ｂ）マスクを受容するように適合され、第１の速度、第２の速度、及び第３の速度で線状の第１の方向に沿って前進することができるマスクマウントであって、前記マスクが像を備え、前記第１の像が連続する第１、第２、及び第３の像部分を備える、マスクマウントと、
ｃ）前記マスクマウントと連通し、前記第１の速度、前記第２の速度、及び前記第３の速度のそれぞれで平行移動することができる、マスクステージと、
ｄ）第２の方向に沿って露光領域を通って第４の速度で基板を前進させるためのコンベヤーアセンブリであって、前記基板がキャリア及び感光材料の層を備える、コンベヤーアセンブリと、
ｅ）前記マスクに衝突し、その結果、前記光線が、その後前記露光領域内で前記感光材料上に導かれるように、前記光線を導くための少なくとも１つの光学素子と、を備える、装置。
【請求項３】
ａ）前記コンベヤーアセンブリと連通し、前記第４の速度を変化させることができる、コンベヤーアセンブリコントローラを更に備える、請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
以上、その好適な実施形態を具体的に参照し本発明を詳細に説明したが、それらに対し変形乃至改良を施したものも、本発明の技術的範囲に包含されるので、その点を了解されたい。例えば、本願記載の実施形態ではレーザ光源アレイを例示したが、それ以外の固体輻射部品を使用することもできる。個々の光路に補助的なレンズその他の光学部品を付加することもできる。投射機内の各所に種々のセンサを設け、個々の色変調チャネルにおける光強度を検出することもできる。重要なのは、照明用固体光源整列装置及び方法が提供されることである。なお、以下に、付記として本発明の構成の一例を示す。
（付記１）
（ａ）（ｉ）長尺で前縁、第１側縁及び第２側縁のあるベース並びに（ｉｉ）個別のヨー調整及びピッチ調整が可能な複数個のベース側反射器を有するビーム整列室と、
（ｂ）それぞれ光ビームアレイを発生させる複数個の光源アレイと、
を備え、光源アレイのうちベース側反射器と対をなすもので生じた光ビームアレイがそのベース側反射器にてビーム整列室の長手方向沿いに反射され、それらの光ビームアレイで平行光ビーム二次元整列アレイが形成されるビーム整列システム。
（付記２）
付記１記載のビーム整列システムであって、その光源アレイが、ビーム整列室内の対応するベース側反射に光ビームアレイが届くようビーム整列室外に配置されたビーム整列システム。
（付記３）
付記２記載のビーム整列システムであって、その光源アレイのうち幾つかがビーム整列室から見て一方の側、残りがそれとは逆の側にあるビーム整列システム。
（付記４）
付記１記載のビーム整列システムであって、
そのビーム整列室が、ベースから隔たった位置にあるカバー並びに個別のヨー調整及びピッチ調整が可能な複数個のカバー側反射器を有し、
光源アレイのうちカバー側反射器と対をなすもので生じた光ビームアレイがそのカバー側反射器にてビーム整列室の長手方向沿いに反射され、それらとベース側反射器にて反射された光ビームアレイとで平行光ビーム二次元整列アレイが形成されるビーム整列システム。
（付記５）
付記４記載のビーム整列システムであって、ヨー及びピッチの個別調整をカバー側反射器，ベース側反射器双方に対し同じ孔から行えるよう、そのカバーに調整用アクセス孔が設けられたビーム整列システム。
（付記６）
付記１記載のビーム整列システムであって、
平行光ビーム二次元整列アレイを形成する光ビームの拡散がビーム整列室内で一軸又は複数軸に沿い補正されるよう、その平行光ビーム二次元整列アレイの光路上に配置された１個又は複数個の光学素子を備え、
個々の光源と光学素子との間の光学的距離がどの光ビームでもほぼ等しくなるよう、光源アレイに備わる光学素子が配置されたビーム整列システム。
（付記７）
付記６記載のビーム整列システムであって、その補正により平行光ビーム二次元整列アレイの平行度を高めるビーム整列システム。
（付記８）
付記６記載のビーム整列システムであって、その光学素子として、ある一軸に沿い光ビーム拡散を補正する円柱面レンズを備えるビーム整列システム。
（付記９）
付記６記載のビーム整列システムであって、その光学素子として、ある二軸に沿い光ビーム拡散を補正すべく交差配置された一対の円柱面レンズを備えるビーム整列システム。
（付記１０）
付記１記載のビーム整列システムであって、そのベース側反射器が、一軸又は複数軸についてその拡散が補正されていない光ビームに対し、ビーム整列室内である一軸沿いに補正を施す円柱面反射器であるビーム整列システム。
（付記１１）
付記１記載のビーム整列システムであって、その光源アレイがレーザ光源を有するビーム整列システム。
（付記１２）
付記１記載のビーム整列システムであって、そのビーム整列室が開放型で、ベースの第１側縁又は第２側縁につながる側壁を欠くビーム整列システム。
（付記１３）
付記１記載のビーム整列システムであって、そのビーム整列室が開放型で、ベースの縁につながる側壁を欠くビーム整列システム。
（付記１４）
平行レーザ光ビーム二次元アレイを発生させるレーザ光源サブシステムと、
その平行レーザ光ビーム二次元アレイをユニフォマイズする照明サブシステムと、
ユニフォマイズされた平行レーザ光ビーム二次元アレイを操作する成像サブシステムと、
その操作で生じる像をスクリーン上に投射する投射サブシステムと、
を備えるレーザ光投射機にて、レーザ光源サブシステムの一構成要素として使用される付記１記載のビーム整列システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行光ビームの二次元整列アレイを生成するビーム整列システムであって、
（ａ）（ｉ）前縁、第１側縁及び第２側縁を備え長さ方向に延在するベース並びに（ｉｉ）それぞれが独立したヨー調整及びピッチ調整を備えベースに設けられた複数の反射器、を有するビーム整列室と、
（ｂ）複数個の光源アレイであって、それぞれの光源アレイが光ビームアレイを発生させ、対応する反射器と対になり、対応する反射器に光ビームを向かわせるように配置された、複数個の光源アレイと、
を備え、
反射器はビーム整列室の長さ方向に沿って光ビームを向かわせるように配置され、
ヨー調整及びピッチ調整は光ビームアレイを整列させるように配置され、
そのことにより、平行光ビームの二次元整列アレイを形成するビーム整列システム。
【請求項２】
請求項１記載のビーム整列システムであって、
ビーム整列室へ入射する各光ビームは少なくとも一軸に対して拡散が補正されておらず、
少なくとも一軸に対してビームの拡散を補正するように、光ビームの二次元整列アレイの光路上に配置された１個又は複数個の光学素子を更に備え、
各光源と１個又は複数個の光学素子との間の光学的距離が各光ビームに対してほぼ等しくなるように、光源が配置されている、ビーム整列システム。
【請求項３】
請求項１記載のビーム整列システムであって、
ビーム整列室へ入射する各光ビームは少なくとも一軸に対して拡散が補正されておらず、
反射器は、一軸に対してビームの拡散を補正する円筒形状の反射器である、ビーム整列システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＡＤシステムにおけるワイヤフレーム結合のための方法であって、
ＣＡＤシステムが、ロードされた、第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリおよび第１の３Ｄフィーチャを含むＣＡＤデータを受け付けるステップと、
ＣＡＤシステムが、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリと前記第１の３Ｄフィーチャとの間の第１の双方向論理関係を保持するステップと、
ＣＡＤシステムが前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更の入力を受け付けるステップと、
前記入力に応じて、前記ＣＡＤシステムが、前記第１の双方向論理関係を用いて、前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更および前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対する対応する変更を行い、前記ＣＡＤシステムに変更を保存するステップと、
を含む、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ＣＡＤシステムは、ロードされた第２の３Ｄフィーチャをさらに受け付け、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第２の双方向論理関係を保持する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ＣＡＤシステムは、第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを形成し、前記第２の双方向論理関係を破棄し、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係を保持する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更は、前記第１の３Ｄフィーチャを、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとは異なる平面に動かすものである、請求項１乃至３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＡＤシステムは、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対応する第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを、前記異なる平面に形成する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ＣＡＤシステムは、前記第１の３Ｄフィーチャと前記第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係をさらに保持する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記第１の２ＤワイヤフレームジオメトリはＣＡＤレイアウトである、請求項１乃至６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
プロセッサとアクセス可能メモリとを備えるＣＡＤシステムであって、前記ＣＡＤシステムは、
ロードされた、第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリおよび第１の３Ｄフィーチャを含むＣＡＤデータを受け付け、
前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリと前記第１の３Ｄフィーチャとの間の第１の双方向論理関係を保持し、
前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更の入力を受け付け、
前記入力に応じて、前記第１の双方向論理関係を用いて、前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更および前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対する対応する変更を行い、変更を保存する、
ことを特徴とするＣＡＤシステム。
【請求項９】
前記ＣＡＤシステムは、ロードされた第２の３Ｄフィーチャをさらに受け付け、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第２の双方向論理関係を保持する、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１０】
前記ＣＡＤシステムは第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを形成し、前記第２の双方向論理関係を破棄し、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係を保持する、請求項９記載のＣＡＤシステム。
【請求項１１】
前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更は、前記第１の３Ｄフィーチャを、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとは異なる平面に動かすものである、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１２】
前記ＣＡＤシステムは、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対応する第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを、前記異なる平面に形成する、請求項１１記載のＣＡＤシステム。
【請求項１３】
前記ＣＡＤシステムは、前記第１の３Ｄフィーチャと前記第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係をさらに保持する、請求項１２記載のＣＡＤシステム。
【請求項１４】
前記第１の２ＤワイヤフレームジオメトリはＣＡＤレイアウトである、請求項８記載のＣＡＤシステム。
【請求項１５】
プロセッサとアクセス可能メモリとを備えるデータ処理システムのためのコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムは、前記プロセッサに、
ロードされた、第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリおよび第１の３Ｄフィーチャを含むＣＡＤデータを受け付けるステップと、
前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリと前記第１の３Ｄフィーチャとの間の第１の双方向論理関係を保持するステップと、
前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更の入力を受け付けるステップと、
前記入力に応じて、前記第１の双方向論理関係を用いて、前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更および前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対する対応する変更を行い、変更を保存するステップと、
を実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１６】
前記プロセッサに、さらに、前記データ処理システムに、ロードされた第２の３Ｄフィーチャを受け付けさせ、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の双方向論理関係を保持させるステップを実行させる、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項１７】
前記プロセッサに、さらに、前記データ処理システムに、第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを形成させ、前記第２の双方向論理関係を破棄させ、前記第２の３Ｄフィーチャと前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係を保持させるステップを実行させる、請求項１６記載のコンピュータプログラム。
【請求項１８】
前記第１の３Ｄフィーチャに対する変更は、前記第１の３Ｄフィーチャを、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリとは異なる平面に動かすものである、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項１９】
前記プロセッサに、さらに、前記データ処理システムに、前記第１の２Ｄワイヤフレームジオメトリに対応する第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリを、前記異なる平面に形成するステップを実行させる、請求項１８記載のコンピュータプログラム。
【請求項２０】
前記プロセッサに、さらに、前記データ処理システムに、前記第１の３Ｄフィーチャと前記第２の２Ｄワイヤフレームジオメトリとの間の第３の双方向論理関係を保持させるステップを実行させる、請求項１９記載のコンピュータプログラム。
【請求項２１】
前記第１の２ＤワイヤフレームジオメトリはＣＡＤレイアウトである、請求項１５記載のコンピュータプログラム。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１のいずれか１項記載のコンピュータプログラムを記録した、コンピュータ読み取り可能記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ワイヤフレーム結合のためのＣＡＤシステム、方法、プログラムおよび記録媒体
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2012528384.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２演算数を受け取るための第１および第２入力、和シグナルを提供するための第１出力、ならびにキャリー・シグナルを提供するための第２出力を有する乗算器（４２０）と、
前記第１および第２演算数の符号ビットを受け取るための第１および第２入力、第３演算数を受け取るための第３入力、バイアス加数シグナルを提供するための第１出力、ならびに前記第１および第２演算数の積の符号を表すシグナルを提供するための第２出力を有するバイアス加数発生器（４４０）と、
前記乗算器の前記第１および第２出力に結合される第１および第２入力、前記バイアス加数シグナルを受け取るための第３入力、ならびに前記第１、第２および第３入力の和を表すシグナルを提供するための出力を有する加算器（４３０）と、
前記加算器の前記第１出力に結合される第１入力、飽和最小値を受け取るための第２入力、飽和最大値を受け取るための第３入力、制御入力、および飽和シグナルを伴う乗算加算結果を提供するための出力を有するマルチプレクサ（４６６）と、
前記バイアス加数発生器の前記第２出力に結合される第１入力、前記和の符号を表すシグナルを受け取るための第２入力、および前記マルチプレクサの前記制御入力に結合される出力を有する選択ロジック（４６８）とを備えた乗算加算器（４００）。
【請求項２】
前記乗算器はブースの再コーディング（４２２）を使用することで特徴付けられるキャリー・セーブ乗算器配列（４２４）である請求項１の乗算加算器（４００）。
【請求項３】
前記バイアス加数シグナルは前記和およびキャリー・シグナルと同じビット数を含む請求項１の乗算加算器（４００）。
【請求項４】
前記第１、第２および第３演算数の各々は符号付き整数からなる請求項１，２，３のいずれかの乗算加算器（４００）。
【請求項５】
前記バイアス加数発生器（４４０）は、
前記第１演算数の符号ビットを受け取るための第１入力、前記第２演算数の符号ビットを受け取るための第２入力、ならびに前記第１および第２演算数の前記積の前記符号を表す符号シグナルを提供するための出力を有するロジックゲート（５５０）と、
第１バイアスを受け取るための第１入力、第２バイアスを受け取るための第２入力、第３バイアスを受け取るための第３入力、第４バイアスを受け取るための第４入力、前記ロジックゲートの前記出力に結合される第１制御入力、前記第３演算数の前記符号を受け取るための第２制御入力、ならびに前記加算器の前記第３入力に結合されて前記バイアス加数シグナルを供給するための出力を有するマルチプレクサ（５６０）と、を備える請求項３の乗算加算器（４００）。
【請求項６】
前記第１および第２演算数はパックされた演算数からなり、前記乗算加算器は飽和を伴う類似する複数の乗算加算結果を生成するための複数のセクションを備える請求項１，２，３，５のいずれかの乗算加算器（４００）。
【請求項７】
第１および第２演算数の和を表す和シグナルおよび第１および第２演算数の積を表すキャリー・シグナルを提供するための乗算器（２２０）と、
前記和シグナル、前記キャリー・シグナルおよびバイアス・シグナルの和を表す中間結果シグナルを提供するための加算器（２３０）と、
前記第１および第２演算数の積の符号によって決定される値を有する前記バイアス・シグナルを提供するためのバイアス発生器（２４０）と、
前記積の前記符号および前記中間結果の符合に応じて、前記加算器の前記第１出力シグナルの部分、飽和最小値および飽和最大値の１つを選択するための出力選択回路（２６０）と、を備えた演算処理部（２００）。
【請求項８】
前記加算器は符号拡張加数に基づいて前記中間結果シグナルをさらに提供する請求項７の演算処理部（２００）。
【請求項９】
第３演算数を符号拡張して前記符号拡張加数を提供するための符号拡張ロジック（２５０）をさらに備えた請求項８の演算処理部（２００）。
【請求項１０】
前記第１、第２および第３演算数の各々は符号付き整数からなる請求項７，８，９のいずれかの演算処理部（２００）。
【請求項１１】
前記バイアス発生器（２４０）は前記第１および第２演算数の前記積の前記符号に応じて負のバイアスおよび正のバイアスの一方を前記バイアス・シグナルとして提供する請求項９の演算処理部（２００）。
【請求項１２】
前記第１（６１２）および第２（６１４）演算数はパックされた演算数からなり、前記演算処理部は飽和を伴う類似する複数の結果（６１８）を生成するための複数のセクションを備える請求項７，８，９，１１のいずれかの演算処理部（２００）。
【請求項１３】
前記出力選択回路（２６０，４６０）は前記第１出力シグナルの前記部分の最上位ビットをさらに反転する（４５０）請求項７の演算処理部（２００）。
【請求項１４】
第１（２１２）および第２（２１４）演算数の和を表す和シグナルおよび第１（２１２）および第２（２１４）演算数の積を表すキャリー・シグナルを形成することと、
前記第１および第２演算数の積の符号によって決定される値を有するバイアス・シグナル（２４０）を形成することと、
前記和シグナル、前記キャリー・シグナル、符号拡張加数および前記バイアス・シグナルの加算（２３０）に応じて第１出力シグナルを提供することと、
前記積の前記符号および前記第１出力シグナルの符合に応じて、前記第１出力シグナルの部分、飽和最小値（４６２）および飽和最大値（４６４）の１つを最終結果として選択することと、を備えた方法。
【請求項１５】
前記和およびキャリー・シグナルを形成することは、キャリー・セーブ乗算器配列（４２４）およびブースの再コーディング（４２２）を使用して前記和およびキャリー・シグナルを形成することをさらに備える請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記和およびキャリー・シグナルの各々のビットサイズと一致するように第３演算数（２１６）を符号拡張すること（２５０）をさらに備えた請求項１４の方法。
【請求項１７】
前記バイアス・シグナルを形成することは、
前記第１演算数（２１２）の符号ビット、
前記第２演算数（２１４）の符号ビット、
前記第１および第２演算数に基づいて前記乗算の前記積の前記符号を決定すること、ならびに
前記積の前記符号に基づいて負のバイアス（２４２）または正のバイアス（２４４）の間で選択すること（２４８）、に応じて前記バイアス・シグナルを形成することをさらに備える請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記最終結果は前記第３演算数と同じバイナリビット数からなる請求項１４，１５，１６，１７のいずれかの方法。
【請求項１９】
前記和およびキャリー・シグナルを形成することは、当該第１および第２のパックされた演算数の積を表すパックされた和およびキャリー・シグナルを形成することを備える請求項１４の方法。
【請求項２０】
前記第１出力シグナルを提供することは、前記和シグナル、前記キャリー・シグナル、前記符号拡張加数および前記バイアス・シグナルの和として前記第１出力シグナルを提供することを備え、前記最終結果は前記和より少ないバイナリビット数からなる請求項１４，１５，１６，１７のいずれかの方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチセンス装置であって、
タッチ面と、電極マトリックスを画定する複数の電極と、を含むパネルであって、前記複数の電極が、複数の駆動電極と、複数の受信電極と、を含み、各駆動電極が、前記マトリックスのそれぞれのノードにおいて各受信電極に容量的に結合され、前記パネルが、前記ノードの所与の１つに隣接した前記タッチ面にタッチすると、前記所与のノードに関連する前記駆動電極と前記受信電極との間の結合静電容量が変化するように構成された、パネルと、
駆動信号を生成し、前記駆動信号を前記駆動電極に一度に１つ供給するように構成された駆動ユニットと、
各駆動電極に供給される各駆動信号について、前記複数の受信電極に対する応答信号を生成するように構成された感知ユニットであって、前記応答信号のそれぞれが前記駆動信号の微分表現を含み、前記応答信号のそれぞれの振幅が前記関連するノードにおける結合静電容量に反応する、感知ユニットと、
前記ノードのそれぞれに対する前記応答信号のそれぞれの前記振幅を測定し、それから前記タッチ面上の時間的に重複した複数のタッチが存在する場合、該タッチの位置を判定するように構成された測定ユニットと、を含む、タッチセンス装置。
【請求項２】
前記感知ユニットが、前記受信電極のそれぞれについて、前記それぞれの受信電極に結合された反転入力を有するオペアンプを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記感知ユニットが、前記受信電極を一定電圧で維持するように更に構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記感知ユニットが、前記受信電極のそれぞれについて、前記それぞれの応答信号の最大振幅を表すピーク検出器出力を供給するように構成されたピーク検出器を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
各ピーク検出器がサンプル／ホールドバッファを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記駆動信号が複数の連続パルスを含み、各応答信号が対応する複数の応答パルスを含み、前記測定ユニットが、各応答信号について、前記複数の応答パルスの振幅を表す振幅を測定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記測定ユニットが、各応答信号について、前記複数の応答パルスの最大振幅を測定するように構成される、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
仮想空間に関連したアバターのモデルと、物理空間に関連したユーザーのモデルとを使用するためのシステムであって、
命令を格納したメモリーを含み、前記命令は、実行されると前記システムに、少なくとも、
前記ユーザーの画像を処理して、前記ユーザーのエンド・エフェクターの前記物理空間における位置を判定し、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターは、前記ユーザーの前記モデルに関連したノードから選択され、かつ前記ユーザーの一部に動きにおいて関連し、
前記アバターのエンド・エフェクターの前記仮想空間における位置を判定し、前記アバターの前記エンド・エフェクターは、前記アバターの前記モデルに関連したノードから選択されかつ前記ユーザーの前記エンド・エフェクターに関連し、前記アバターの前記エンド・エフェクターの前記位置は、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターの前記位置を使用して計算され、
前記アバター・モデルに解剖学的に可能なポーズを求めるために、前記アバター・モデルに関連した前記ノードから選択された関節の位置を判定し、前記関節の位置が、少なくとも前記アバターの前記エンド・エフェクターの前記位置から判定され、前記解剖学的に可能なポーズが、前記関節の前記判定された位置に前記関節を設定し、前記仮想空間に前記アバターの前記エンド・エフェクターの前記位置を維持すること、をさせる、システム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、前記関節の位置を判定することが、更に、
前記ユーザーの関節の向きに少なくとも近づけるように、前記関節の向きを決定することを含み、前記ユーザーの前記関節の向きが、前記ユーザーの前記画像から生成されたデーターから得られる、システム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムであって、前記メモリーは更に命令を含み、該命令は、実行されると前記システムに、
前記ユーザーの前記画像から前記ユーザーの前記モデルを生成させ、前記ユーザーの前記モデルが前記ユーザーの前記エンド・エフェクターの位置を含む、システム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムであって、前記メモリーは更に命令を含み、該命令は、実行されると前記システムに、  
アニメーション・ストリームを生成することであって、前記アニメーション・ストリームが、前記関節の前記位置と、前記アバターの前記エンド・エフェクターの前記位置とを含み、
前記アニメーション・ストリームをグラフィクス・プロセッサーに送ること、
をさせる、システム。
【請求項５】
請求項１記載のシステムにおいて、前記関節の前記位置を判定することが、更に、
前記関節がユーザーの特定の関節と関連付けられないと判定することであって、前記ユーザーの前記画像から生成されたデーターが前記ユーザーの前記特定の関節についての位置情報を含まないときに、前記関節が前記ユーザーの前記特定の関節と関連付けられず、
デフォルトの位置に近づけるように、前記関節の前記位置を設定することと、
を含む、システム。
【請求項６】
請求項１記載のシステムであって、前記メモリーは更に命令を含み、該命令は、実行されると前記システムに、
前記アバターの前記エンド・エフェクターの前記位置を受けるアプリケーションの実行中に、前記アプリケーションから前記アバターの前記モデルの要求を受けることと、
前記アプリケーションの実行中に、モデルのライブラリーから前記アバターの前記モデルを選択することと、
をさせる、システム。
【請求項７】
請求項１記載のシステムであって、前記メモリーは更に命令を含み、該命令は、実行されると前記システムに、
前記ユーザーの特定の関節と前記アバターの特定の関節との間の関係を生成することと、
前記アバター・モデルのサイズに当てはまるように、前記ユーザーのエンド・エフェクターを前記ユーザーの前記特定の関節に結合する相互接続を生成することと、
をさせる、システム。
【請求項８】
請求項１記載のシステムであって、前記メモリーは更に命令を含み、該命令は、実行されると前記システムに、
前記ユーザーのエンド・エフェクターを、前記ユーザーとは異なるスケルトン・アーキテクチャーを有する前記アバター・モデルにマッピングすること、
をさせる、システム。
【請求項９】
物理環境にあるユーザーに仮想環境にあるアバターを関連付けるための方法であって、
アバター・モデルをロードするステップであって、前記アバター・モデルが、エンド・エフェクターと、複数のノードとを含む、ステップと、
前記ユーザーのエンド・エフェクターについての第１位置情報を受け取るステップであって、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターが、前記ユーザーの画像において取り出され、前記物理環境と相互作用する前記ユーザーの一部と関連付けられ、前記第１位置情報が、前記画像から判定される、ステップと、
前記アバター・モデルの前記エンド・エフェクターの第１位置を判定するステップであって、前記第１位置が、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターについての前記第１位置情報を使って計算される、ステップと、
前記ユーザーの前記エンド・エフェクターについての第２位置情報を受け取るステップであって、前記第２位置情報が前記ユーザーの第２画像から判定される、ステップと、
前記アバター・モデルの前記エンド・エフェクターの前記第１位置を第２位置に更新するステップであって、前記第２位置が、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターについての前記第２位置情報を使って計算される、ステップと、
前記アバター・モデルに解剖学的に可能なポーズを求めるために、前記ノードの位置を判定するステップであって、前記解剖学的に可能なポーズが、前記ノードを前記判定された位置に設定し、かつ前記アバター・モデルの前記エンド・エフェクターの前記第２位置を維持する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法であって、更に、
前記ユーザーの前記エンド・エフェクターを含むユーザー・モデルを生成するステップと、
前記ユーザー・モデルから、前記ユーザーの前記エンド・エフェクターについての前記位置情報を判定するステップと、
を含む方法。
【請求項１１】
請求項９記載の方法であって、前記アバター・モデルは、ヒトでないアバター・モデルを含む、方法。
【請求項１２】
請求項９記載の方法であって、更に、
前記ユーザーの関節の向きに少なくとも近づけるように、前記アバター・モデルの関節の向きを設定するステップを含み、前記ユーザーの前記関節の向きが、生成されたユーザー・モデルから決定される、方法。
【請求項１３】
請求項９記載の方法であって、更に、
前記アバター・モデルからアニメーション・ストリームを生成するステップと、
前記アニメーション・ストリームを予め定められたアニメーションと混合するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
プロセッサ実行可能命令を含むコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、前記プロセッサ実行可能命令が、プロセッサにより実行されると、前記プロセッサに請求項９から１３のいずれかに記載の方法を実行させる、コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線デバイスからのコードを有効化する方法であって、
（ａ）リーダから、前記リーダの読み取りフィールドにおいて電磁界から電力を生成または抽出する前記無線デバイスへ信号をブロードキャストする段階と、
（ｂ）前記無線デバイスから再放射および後方散乱の少なくとも一方がなされ、予め定められた品質、特性、および特徴の少なくとも１つを有する有効化コードを読み取る段階と、
（ｃ）前記有効化コードを参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つと比較する段階と、
（ｄ）前記有効化コードの前記予め定められた品質、特性、および特徴の少なくとも１つが前記参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つに整合する場合には、前記有効化コードを有効化する段階と、
（ｅ）前記有効化コードが有効化される前に前記リーダが前記無線デバイスから受信した任意の送信を無視する段階と
を備え、
前記リーダは、前記無線デバイスが十分な電圧又は電力を有さないときに、不完全なデータおよび不正確なデータの少なくとも一方を受信する、方法。
【請求項２】
前記有効化コードは、予め定められた数のビットを含み、
前記参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つは、予想された数のビットからなり、
前記有効化コードは、前記予め定められた数のビットが前記予想された数のビットと整合する場合に有効化される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リーダの読み取りフィールド内の１以上の無線デバイスから複数の有効化コードを読み取る段階をさらに備える請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記有効化コードは、前記無線デバイスから複数回再放射および後方散乱の少なくとも一方がなされる請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
前記有効化コードの再放射および後方散乱の少なくとも一方の各々の前および後の少なくとも一方に、予め定められたサイレント期間が存在する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記無線デバイスからの第１の再放射および後方散乱の少なくとも一方による第１の有効化コードを、前記無線デバイスからの第２の再放射および後方散乱の少なくとも一方による第２の有効化コードと比較して、前記第１の有効化コードおよび前記第２の有効化コードが整合する場合に、前記有効化コードを有効化する段階をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項７】
請求項１から４の何れか１項に記載の方法を実行するコンピュータ実行可能な命令セットを格納するコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
前記コンピュータ実行可能な命令セットは、さらに、前記リーダのメモリに複数の有効化コードを格納する請求項７に記載のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
コード送信を有効化し、電磁界を供給するリーダであって、
（ａ）リーダの読み取りフィールドにあり前記リーダの前記読み取りフィールドにより電力供給されている無線デバイスへ無線信号をブロードキャストするアンテナと、
（ｂ）前記アンテナがブロードキャストする前記無線信号の変調、および予め定められた品質、特性、および特徴の少なくとも１つを有する有効化コードを含み前記無線デバイスが十分な電圧又は電力を有するときに前記無線デバイスから再放射または後方散乱される応答の復調の少なくとも一方をする無線通信モジュールと、
（ｃ）前記予め定められた品質、特性、および特徴の少なくとも１つを参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つと比較して、受信した前記有効化コードが前記参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つに整合する場合には、前記有効化コードを有効化し、前記有効化コードが有効化される前に前記リーダが前記無線デバイスから受信した任意の送信を無視する有効化回路と、
（ｄ）前記無線デバイスとの間の通信を処理、伝達、および管理の少なくとも１つをするコントローラと
を備え、
前記無線デバイスが十分な電圧又は電力を有さないときに、不完全なデータおよび不正確なデータの少なくとも一方を受信するリーダ。
【請求項１０】
前記リーダは、前記応答の前および後の少なくとも一方の予め定められたサイレント期間により、再放射および後方散乱の少なくとも一方がなされた有効化コードを識別する請求項９に記載のリーダ。
【請求項１１】
前記有効化コードは、予め定められた数のビットを含む請求項９または１０に記載のリーダ。
【請求項１２】
（ｉ）前記参照品質、特性、および特徴の少なくとも１つ、並びに（ii）１以上の無線デバイスからの有効化コードのリストを格納するメモリをさらに備える請求項９から１１の何れか１項に記載のリーダ。
【請求項１３】
前記コントローラは、予め定められた期間が経つと、または、前記１以上の無線デバイスに対する電力が停止されると、前記有効化コードのリストをリセットする請求項１２に記載のリーダ。
【請求項１４】
前記有効化回路は、前記無線デバイスからの複数の連続する応答をそれぞれ互いに比較して、前記複数の連続する応答が互いに整合する場合に、前記無線デバイスからの前記有効化コードを有効化する請求項９から１２の何れか１項に記載のリーダ。
【請求項１５】
デバイスであって、
（ａ）前記デバイスがリーダの読み取りフィールド内にあるとき前記リーダからの無線信号を受信して、前記デバイスが十分な電圧又は電力を有するときに予め定められた品質、特性、および特徴の少なくとも１つを有する有効化コードを含む応答信号を再放射または後方散乱するアンテナと、
（ｂ）前記アンテナに連結され、前記リーダの前記読み取りフィールドにより電力供給され、前記無線信号を復調または処理して、前記無線信号の吸収を復調して前記応答信号を提供する無線通信回路と、
（ｃ）（１）有効化コード格納領域を含むメモリ、および、（２）前記有効化コードを提供する応答生成器を含む応答回路と
を備え、
電磁界を検知して、前記電磁界から電力を抽出して、前記デバイスが十分な電圧又は電力を有さないときに、不完全なデータおよび不正確なデータの少なくとも一方を前記リーダに送信するデバイス。
【請求項１６】
前記無線通信回路は、（ｉ）前記リーダから受信したコマンドおよびデータの少なくとも一方を復調する復調器と、（ｉｉ）前記アンテナに対する前記有効化コードを含む信号を変調するデータ変調器とを有する請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記無線通信回路は、前記応答回路のロジック用のクロック信号を生成するクロック抽出器を有する請求項１５または１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記ロジックは、前記メモリと通信する少なくとも１つの循環シフトレジスタを有する請求項１７に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記無線通信回路は整流器を有し、前記整流器は、（ｉ）前記アンテナが受信した信号を受信し、（ｉｉ）電力を上流および下流に提供する請求項１６に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記応答生成器は、各有効化コードの再放射および後方散乱の少なくとも一方の前および後の少なくとも一方の予め定められたサイレント期間を利用して、前記有効化コードの１つを複数回提供する請求項１５から１８の何れか１項に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードを製造する方法であって、
半導体ボディ（１０）を備えている発光ダイオードチップ（１）を形成するステップと、
前記発光ダイオードの動作時に発生する電磁放射（４）の少なくとも一部分がルミネセンス変換材料（３）に入射するように、前記ルミネセンス変換材料（３）を前記半導体ボディ（１０）の外側領域に溶射によって塗布するステップと、
を有し、
前記溶射は、冷間ガス溶射であり、
前記ルミネセンス変換材料（３）は、少なくとも１種類の有機蛍光体を備える、方法。
【請求項２】
発光ダイオードを製造する方法であって、
半導体ボディ（１０）を備えている発光ダイオードチップ（１）を形成するステップと、
放射に対して透過性のキャリア（６）を形成するステップと、
前記キャリア（６）の外側領域にルミネセンス変換材料（３）を溶射によって塗布するステップと、
前記発光ダイオードの動作時に発生する電磁放射（４）の少なくとも一部分が前記ルミネセンス変換材料（３）に入射するように、前記発光ダイオードチップ（１）の放射出口領域（１４）に前記キャリア（６）を配置するステップと、
を有し、
前記溶射は、冷間ガス溶射であり、
前記ルミネセンス変換材料（３）は、少なくとも１種類の有機蛍光体を備える、
方法。
【請求項３】
前記ルミネセンス変換材料（３）の形成のために、異なる複数種類の蛍光体を備える層が冷間ガス溶射を用いて積層される、
請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体ボディ（１０）または前記キャリア（６）に面した第１の層が無機蛍光体からなる一方、前記第１の層に接して配置された第２の層が１種類の有機蛍光体からなる、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ルミネセンス変換材料（３）の粒子が、１μｍ〜５０μｍの範囲内、特に、２μｍ〜１５μｍの範囲内の平均直径を有し、
前記ルミネセンス変換材料（３）が、電磁放射の下方変換に適している、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ルミネセンス変換材料（３）が少なくとも１種類の無機蛍光体を備えている、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ルミネセンス変換材料（３）が、無機蛍光体として、
希土類金属をドープしたガーネット、希土類金属をドープしたアルカリ土類金属硫化物、希土類金属をドープしたチオガレート、希土類金属をドープしたアルミン酸塩、希土類金属をドープしたオルト珪酸塩、希土類金属をドープしたクロロシリケート、希土類金属をドープしたアルカリ土類金属系窒化ケイ素、希土類金属をドープした酸窒化物、希土類金属をドープしたアルミニウム酸窒化物、のうちの少なくとも１種類を備えている、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ルミネセンス変換材料（３）が複数の種類の有機蛍光体のみを備えている、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ルミネセンス変換材料（３）が、有機蛍光体として、
ペリレン、ベンゾピレン、クマリン、ローダミン、アゾ染料、テリレン染料、クアテリレン染料、ナフタルイミド染料、シアニン染料、キサンテン染料、オキサジン染料、アントラセン染料、ナフタセン染料、アントラキノン染料、チアジン染料、のうちの少なくとも１種類を備えている、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ルミネセンス変換材料（３）が、少なくとも１種類の無機蛍光体と有機蛍光体とを備えている、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ルミネセンス変換材料（３）が塗布された後、前記ルミネセンス変換材料（３）の一部分が除去される、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶射がナノ粉末のプラズマ堆積法であり、
前記ルミネセンス変換材料（３）の、堆積する前記粒子の平均直径が１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であり、
前記ルミネセンス変換材料（３）が、電磁放射の下方変換に適している、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一層の誘電体層を有する電子装置であって、該誘電体層が少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物に基づく架橋有機化合物を含み、該化合物が少なくとも一個の以下の官能基：
（ｉ）少なくとも一個のアクリレート基であり、当該少なくとも一個のアクリレート基を含む少なくとも一種の化合物が、ホモポリマーまたはコポリマー状のポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレート、及びアクリレートから選ばれ、該コポリマーが、ランダムコポリマーであってもブロックコポリマーであってもよく、以下の式： 
【化１】
2012528476.tif 000001
Ｒ９＝Ｈ、Ｍｅ  
Ｒ１０＝ＣｎＨ２ｎ＋１（なお、ｎは１〜６である）、
［式中
Ｒ７は、独立してＨ、ＯＲ８−、アルキル、アルケニル、アルキニル、−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ８、
−Ｃ（Ｏ）−Ｒ８、−ＯＨ、−ＯＨ−Ｃ（Ｏ）−ＯＲ８−、−Ｃ（Ｏ）−Ｒ８−で置換されたアルキル、
一個以上の、好ましくは一個または二個の酸素原子で分断されたアルキル、
アリール、ヘテロアリール、シクロアルキル、あるいはヘテロシクロアルキルであり；  Ｘは、ＣＲ８２、Ｏ、ＮＲ８、ＳｉＯまたはＳｉＲ８２であり；  
Ｒ８は、Ｈ、アルキル、アリール、ヘテロアリール、シクロアルキルまたはヘテロシクロアルキル、ビニル、アルケニル、アルキニル、シクロアルケニル、シクロアルキニルであり、
ｎは１〜２０であり、
ｏ＋ｍは、１〜５００である］
の内の一種を有するもの；及び／又は
（ｉｉｉ）少なくとも一個の側鎖中の少なくとも一個のオレフィン性二重結合及び／又は少なくとも一個の三重結合であり、少なくとも一個の側鎖中に少なくとも一個のオレフィン性二重結合及び／又は少なくとも一個の三重結合を有する少なくとも一つの化合物が少なくとも一種のアルキド樹脂であるもの；  
を有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
（ｉｉｉ）上記アルキド樹脂が下記式：
【化２】
2012528476.tif 000002
［式中
ａとｃは、
独立して１〜２０であり； 
ｂは０または１であり；  
ｄは１〜１０００である］
を有する請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
上記少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物が、照射及び／又は熱エネルギーを用いて架橋可能である請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
上記少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物が、過酸化物、ヒドロペルオキシド、過酸エステル、アゾ化合物、立体障害エタン誘導体、アシロインおよびその誘導体、ジケトン、フェノン、有機スルフイド、Ｓ−アシルチオカルバメート、ビニル基またはアクリレート基を含む開始剤からなる群から選ばれる少なくとも一種の開始剤の存在下で架橋される請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項５】
上記少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物が、少なくとも一種の反応性希釈剤及び／又は少なくとも一種の非架橋性ポリマーとの混合物中で用いられる請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項６】
上記少なくとも一種のラジカル架橋可能な化合物が、増量剤と希釈剤、レオロジー的増粘剤、着色剤、界面活性剤、フィルム成形剤、安定剤からなる群から選ばれる少なくとも一種の添加物との混合物中で用いられる請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項７】
上記誘電体層の誘電率が、２．３以上である請求項１〜６のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項８】
上記電子装置が、薄膜トランジスタとトランジスタアレイ、キャパシター、エレクトロルミネセンスランプ、集積回路からなる群から選ばれる請求項１〜７のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項９】
上記電子装置がさらに半導体層を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の電子装置。
【請求項１０】
上記装置がトップゲート構造を有する薄膜トランジスタである請求項８または９に記載の電子装置。
【請求項１１】
上記装置がボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタである請求項８または９に記載の電子装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の電子装置を製造する方法であって、上記少なくとも一種のラジカル的に架橋可能な化合物をラジカル的に架橋させる工程を含むことを特徴とする製造方法。