【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのカソードを含むスパッタリングシステムにおいてガスイオンを制御する方法であって、
変調電力信号を発生させるステップと、
前記変調電力信号を前記カソードに供給するステップと、
前記変調電力信号を用いて前記スパッタリングシステムのガスイオンのイオンエネルギーを制御するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
変調電力信号を生成するステップが振幅変調電力信号を生成するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
変調電力信号を生成するステップが周波数変調電力信号を生成するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
変調電力信号を生成するステップがパルス幅変調電力信号を生成するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
変調電力信号を生成するステップがパルス振幅変調電力信号を生成するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記スパッタリングシステムがスパッタリングしている間に、前記変調電力信号の特性を能動的に変えて、それによって膜成長に影響を与えるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記変調電力信号が直流信号を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記変調電力信号が交流信号を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記変調電力信号の変調を変化させてガスイオン密度を増加させるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記変調電力信号の変調を変化させてガスイオン密度を減少させるステップをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
スパッタリングシステムにおいてガスイオン密度およびスパッタリングレートを制御する方法であって、
高周波数の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第１の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記電力信号の前記周波数を減少させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第１の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
基板上の膜の少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第１の濃度のガスイオンの少なくとも一部を前記膜に衝突させるステップと、
前記高周波数の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第２の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記電力信号の前記周波数を減少させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第２の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
前記基板上の前記膜の前記少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第２の濃度のガスイオンの少なくとも一部を前記膜に衝突させるステップと、
を備える方法。
【請求項１２】
スパッタリングシステムにおいてガスイオン密度およびスパッタリングレートを制御する方法であって、
第１のパルス幅の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第１の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記第１のパルス幅の電力信号の前記パルス幅を増加させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第１の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
基板上の膜の少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第１の濃度のガスイオンの少なくとも一部を前記膜に衝突させるステップと、
前記第１のパルス幅の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第２の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記第１のパルス幅の電力信号の前記パルス幅を増加させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第２の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
前記基板上の前記膜の前記少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第２の濃度のガスイオンの少なくとも一部を前記膜に衝突させるステップと、
を備える方法。
【請求項１３】
スパッタリングシステムにおいてガスイオン密度およびスパッタリングレートを制御する方法であって、
高振幅の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第１の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記電力信号の前記振幅を増加させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第１の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
基板上の膜の少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第１の濃度のガスイオンの少なくとも一部を用いて前記膜に衝突させるステップと、
前記高振幅の電力信号を前記カソードに印加して、それによって第２の濃度のガスイオンを生成するステップと、
前記カソードに印加された前記電力信号の前記振幅を増加させて、それによって前記スパッタリングレートを増加させ、かつ前記カソード周辺での前記第２の濃度のガスイオンを減少させるステップと、
前記基板上の前記膜の前記少なくとも１つの膜質特性を制御するために、前記第２の濃度のガスイオンの少なくとも一部を前記膜に衝突させるステップと、
を備える方法。
【請求項１４】
前記ガスイオンの少なくとも一部を基板上の膜に衝突させるステップを更に備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記変調電力信号を用いて前記スパッタリングシステムにおいて前記ガスイオンの前記イオンエネルギーを制御するステップは、基板上に堆積している膜の間隙を減らすために、前記変調電力信号を用いて前記スパッタリングシステムにおいて前記ガスイオンの前記イオンエネルギーを制御するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つのカソードを含むスパッタリングシステムにおいてガスイオンを制御する方法であって、
変調電力信号を発生させるステップと、
前記変調電力信号を前記カソードに供給するステップと、
前記変調電力信号を用いて前記スパッタリングシステムのガスイオンのイオン密度を制御するステップと、
前記ガスイオンの少なくとも一部を基板上の膜に衝突させるステップと、
を備える、方法。
【請求項１７】
前記変調電力信号を用いて前記スパッタリングシステムにおいて前記ガスイオンのイオンエネルギーを制御するステップを更に備え、
前記基板上の膜に衝突する前記ガスイオンが前記膜の間隙を埋めることを促進するのに十分なエネルギーを有するように、前記イオンエネルギーを制御する、請求項１６に記載の方法。

【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
[0008]成膜業界（厚膜と薄膜の両方）が直面するデブリの問題には、２種類のデブリタイプが含まれる。第１のタイプのデブリには、ターゲットに起因するデブリが含まれ、第２のタイプのデブリには、成長中の膜自身および基板キャリアに起因するデブリが含まれる。この第２のタイプのデブリは、多くの場合、ターゲットに起因するデブリが膜に衝突した後に発生する。ターゲットに起因するデブリは、多くの場合、ノジュールや電気アークの結果である（ノジュールは、ターゲット上に材料が積み重なったものであり、多くの場合、スパッタリングされた材料が、基板上ではなくターゲットやカソード上に堆積されて形成される）。

【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
[0012]ノジュールは、重大な問題を引き起こす可能性があり、そのうち最も重大な問題は、アークとデブリである。負に帯電したターゲットに向かって引きつけられる正に帯電したイオンは、ノジュール上に集積し、そのノジュールが物理的に成長し、あるいは過剰成長する原因となる。そして、イオンがノジュール上に溜まるにつれて、ノジュールとターゲット表面の間で電位が生じ、その表面に沿って電流が流れる。そして、ある時点で、熱ストレスまたは絶縁破壊のいずれかによって、ノジュールとターゲット表面との間で、アークが生じる。基本的に、このアークによってノジュールは破裂して、粒子を基板に向けて吹き飛ばし、その結果、デブリが形成される。この粒子は、流星が月に衝突するのと同じように成長中の膜に衝突する。

【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
[0013]膜に衝突するターゲット粒子は、次の３つの問題を引き起こす可能性がある。まず第１に、この粒子は、膜上で成長している結晶を壊す可能性がある。場合によっては、この衝突によって膜表面に大きな傷が付いたり、クレーターが生じたりする。第２に、ターゲットに起因するデブリが、遊離して存在する膜粒子を壊し、その結果、堆積プロセス中に、膜に影を残す可能性がある。この粒子は、その後、膜の他の部分に再堆積する。最後に、ターゲットから吹き飛ばされた高温のデブリは、特に、ポリマー上に成長している場合は、成長中の膜を焼く可能性がある。

【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
[0025]不完全結晶、および間隙は、堆積不良、および／または膜に衝突する高エネルギー粒子によって生じる可能性がある。例えば、不必要に高いカソード電圧は、スパッタリングされた原子１４０、反射された中性原子１５０、あるいは生成したイオン１４５に過大なエネルギーを与える可能性がある。この高エネルギー粒子は、成長中の膜１１５に衝突し、膜に乱れを生じる。従って、カソード９０の電圧制御は、高品質膜を生成するのに有用となる。

【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
[0029]しかし、段階２では、段階１と比較するとイオン１４５（負に帯電した所望の酸素イオンを含む）の生成が多い。この増加したイオン数は、段階３でターゲットに衝突するのに利用可能となる。また、この増加したイオンは、成長中の膜１１５にも穏やかに衝突し、スパッタリングされた材料を緻密化し定着させ、それによって膜中の間隙を埋める。このプロセスを、膜表面のイオン１４５によって表す。