(57)【要約】【課題】パッシブシミングを有効に機能させて主磁場の均一性を安定的に保つことを可能とする。【解決手段】ＭＲＩ装置１００は、主磁場の均一性の補正のために磁性金属をポケットに収容する。ポケットに収容された磁性金属の温度、ポケットの温度、ならびにポケットの近傍の温度のいずれかに関係する温度情報をセンサーにより取得する。システムコントローラ２７は、センサーにより取得された温度情報に基づいて、磁性金属の温度を予め加温された目標温度に調節する。【選択図】      図１
2008114051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主磁場の均一性の補正のために磁性金属を収容部に収容した磁気共鳴装置において、
前記収容部に収容された前記磁性金属の温度、前記収容部の温度、ならびに前記収容部の近傍の温度のいずれかに関係する温度情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記温度情報に基づいて、前記磁性金属の温度を予め加温された目標温度に調節する温度調節手段とを具備することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気共鳴装置において、前記温度調節手段は、
前記磁性金属を冷却する冷却手段と、
前記磁性金属の温度が前記目標温度に調節されるように前記冷却手段の冷却能力を制御する制御手段とを具備することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項３】
請求項２に記載の磁気共鳴装置において、前記冷却手段は、冷却水を用いて前記磁性金属を冷却することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項４】
請求項２に記載の磁気共鳴装置において、前記冷却手段は、気体を用いて前記磁性金属を冷却することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項５】
請求項２に記載の磁気共鳴装置において、前記温度調節手段は、前記磁性金属を加熱する加熱手段をさらに備え、
前記制御手段は、前記磁性金属の温度が前記目標温度に調節されるように前記冷却手段の冷却能力および前記加熱手段の加熱能力を制御することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項６】
請求項５に記載の磁気共鳴装置において、前記加熱手段は、ヒーターにより前記磁性金属を加熱することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項７】
請求項２に記載の磁気共鳴装置において、
前記主磁場に重畳する傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段をさらに備え、
かつ前記制御手段は、前記磁性金属の温度を上昇させるために前記傾斜磁場発生手段を動作させることを特徴とする
【請求項８】
請求項１に記載の磁気共鳴装置において、前記取得手段は、前記収容部に収容された前記磁性金属の温度、前記収容部の温度、ならびに前記収容部の近傍の温度のいずれかを測定する温度センサーを含むことを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項９】
請求項８に記載の磁気共鳴装置において、前記温度センサーは、前記磁性金属の温度変化に対して既知の相関係数で温度が変化する位置に配置され、
前記温度調節手段は、前記温度センサーにより測定された温度と前記相関係数とに基づいて推定される前記磁性金属の温度を調節することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の磁気共鳴装置において、前記目標温度は前記主磁場の均一性を保つ温度であることを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の磁気共鳴装置において、
前記主磁場に重畳する傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生手段をさらに備え、
かつ前記温度調節手段は、それぞれ前記傾斜磁場発生手段の動作パターンが異なる複数のシーケンスのうちで前記傾斜磁場発生手段による発熱量が大きくなる一部のシーケンスを利用した磁気共鳴信号の収集を行うときに前記磁性金属の温度を調節することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の磁気共鳴装置において、前記温度調節手段は、撮影開始時刻に先立って前記磁性金属の温度の調節を開始することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１３】
主磁場の均一性の補正のために磁性金属を収容部に収容した磁気共鳴装置において、
前記収容部に収容された前記磁性金属の温度、前記収容部の温度、ならびに前記収容部の近傍の温度のいずれかに関係する温度情報を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得された前記温度情報に基づいて、前記磁性金属の温度を常温よりも高い目標温度に調節する温度調節手段とを具備することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の磁気共鳴装置において、前記温度調節手段は、前記磁気共鳴装置にて磁気共鳴信号の収集を行っているときに前記磁性金属の温度を前記目標温度に調節することを特徴とする磁気共鳴装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の磁気共鳴装置において、前記温度調節手段は、前記磁気共鳴装置にて磁気共鳴信号の収集を行わないときに前記磁性金属の温度を前記目標温度に調節することを特徴とする磁気共鳴装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主磁場の均一性の補正のために磁性金属を収容部に収容した磁気共鳴装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気共鳴装置には、主磁場を発生するための磁石（永久磁石や電磁石）と、傾斜磁場を発生させるための勾配磁場システム（傾斜磁場コイル）とを備えている。主磁場は静磁場であり、均一性が高いことが望ましい。そこで、主磁場の均一性を保つために、シミングが行われる。シミングは、パッシブシミングとアクティブシミングとに大別される。パッシブシミングは、磁石の近傍にシムと呼ばれる磁性金属（鉄片など）を配置して主磁場の磁場分布を調整する。より具体的には、複数個の磁性金属の配置を工夫することにより、主磁場の均一性を保つ。アクティブシミングは、コイル（シムコイル）に流す電流を調整して主磁場を均一化するための補正磁場を発生する。
【０００３】
さてパッシブシミングにおいては、磁性金属の温度の変動によって、主磁場の不均一性が生じることが知られている。また、磁性金属の温度の変動によって、主磁場にオフセットが生じることが知られている。この温度の変動の原因としては、主として傾斜磁場コイルからの発熱および傾斜磁場の発生により誘起される渦電流により磁性金属にて生じる発熱などがある。これらの発熱によって磁性金属の温度が変化すると、磁性金属の磁化率が変化し、この結果主磁場の強度が部分的または全体的に変化してしまうのである。
【０００４】
このような主磁場の不均一性等を補正するための補正磁場を勾配磁場に含める技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この技術では、磁石の温度を検出して、その温度に従って補正量を決定する。そして、この補正量に応じた電流値のオフセットを、本来必要とされる勾配磁場を発生するための電流に加えて、勾配磁場コイルに供給する。
【特許文献１】特開平２−２０６４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の従来の技術では、勾配磁場により主磁場を補正するため、補正量および補正分解能に限りがあり、主磁場の均一性および強度を一定に保つことができるとは限らなかった。
【０００６】
本発明はこのような事情を考慮してなされたものであり、その目的とするところは、パッシブシミングを有効に機能させて主磁場を安定的に保つことが可能な磁気共鳴装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の態様による磁気共鳴装置は、主磁場の均一性の補正のために磁性金属を収容部に収容した磁気共鳴装置において、前記収容部に収容された前記磁性金属の温度、前記収容部の温度、ならびに前記収容部の近傍の温度のいずれかに関係する温度情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記温度情報にに基づいて、前記磁性金属の温度を予め加温された目標温度に調節する温度調節手段とを備えた。
【０００８】
本発明の第２の態様による磁気共鳴装置は、主磁場の均一性の補正のために磁性金属を収容部に収容した磁気共鳴装置において、前記収容部に収容された前記磁性金属の温度、前記収容部の温度、ならびに前記収容部の近傍の温度のいずれかに関係する温度情報を取得する取得手段と、前記取得手段により取得された前記温度情報に基づいて、前記磁性金属の温度を常温よりも高い目標温度に調節する温度調節手段とを備えた。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、パッシブシミングを有効に機能させて主磁場の均一性を安定的に保つことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
図１は本発明の一実施形態に係る磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置１００の一部の概略図である。
【００１２】
本実施形態におけるＭＲＩ装置１００は、ガントリ１０、磁石１１、傾斜磁場コイルユニット１２、傾斜磁場電源２２、高周波コイル（ＲＦコイル）２３、送信器２４、受信器２５、シーケンサ２６、システムコントローラ２７、入力器２８、演算ユニット２９、記憶ユニット３０、表示器３１、ヒーター制御部３２および流量制御部３３を備える。さらにはＭＲＩ装置１００は、ガントリ１０に隣接して配置されるが図示を省略している寝台を備える。ガントリ１０は典型的には、その内側中央部に略円筒状に撮影空間１０ａが貫通して形成されている。この撮影空間１０ａの軸方向をＺ方向とし、このＺ方向に直交するとともに互いにも直交する２方向をＸ方向（左右方向）およびＹ方向（上下方向）として定義する。図１では、ガントリ１０はＹＺ面で破断した半分のみを示している。
【００１３】
ガントリ１０は、磁石１１および傾斜磁場コイルユニット１２を収容する。磁石１１は、撮影空間１０ａに主磁場（静磁場）Ｂ0を発生する。この磁石１１としては、典型的には、超電導磁石が用いられる。磁石１１の全体形状は、略円筒状に形成されている。磁石１１の内側には、マグネットボア（以下、単にボアと称する）１１ａが形成されている。ボア１１ａの軸心は、撮影空間１０ａの軸心に一致する。傾斜磁場コイルユニット１２は、ボア１１ａ内に配置される。傾斜磁場コイルユニット１２は、傾斜磁場電源２２からＸ，Ｙ，Ｚの各軸に対応した駆動電流の供給を個別に受けてＸ，Ｙ，Ｚの各軸に関する傾斜磁場を個別に発生するための３組のコイルを含む。
【００１４】
ＲＦコイル２３は、撮影時には撮影空間１０ａの内側に配置される。ＲＦコイル２３には、送信器２４および受信器２５が接続されている。送信器２４は、シーケンサ２６の制御のもと、ラーモア周波数で振動するパルス電流をＲＦコイル２３に供給する。受信器２５は、ＲＦコイル２３を介して磁気共鳴（ＭＲ）信号を受信し、各種の信号処理を施して、対応するデジタル信号を形成する。寝台の天板３４は、ガントリ１０の撮影空間１０ａに対して挿抜可能に配置されていて、その上面には被検体２００が載置される。
【００１５】
シーケンサ２６は、ＭＲＩ装置１００全体を管理するシステムコントローラ２７の制御の下に置かれている。システムコントローラ２７には、入力器２８が接続される。オペレータは、入力器２８を介して、スピンエコー（ＳＥ）法やエコープラナー（ＥＰＩ）法等の複数種類のパルスシーケンスの中から所望とするパルスシーケンスを選択することができる。システムコントローラ２７は、選択されたパルスシーケンスをシーケンサ２６にセットする。シーケンサ２６は、セットされたパルスシーケンスにしたがって、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向の各傾斜磁場の印加タイミングおよび強度、高周波磁場の印加タイミングや、振幅および継続時間等を制御する。
【００１６】
演算ユニット２９は、受信器２５で形成されたＭＲ信号（デジタルデータ）を入力して、内蔵するメモリで形成される２次元フーリエ空間への実測データの配置、画像再構成のためのフーリエ変換などを行い、画像データやスペクトルデータを発生する。記憶ユニット３０は、演算された画像データを保管する。表示器３１は、画像を表示する。
【００１７】
ヒーター制御部３２は、傾斜磁場コイルユニット１２に内蔵された後述するヒーターの発熱量を制御する。流量制御部３３は、傾斜磁場コイルユニット１２に内蔵された後述する冷却パイプを流れる冷却液の流量を制御する。なお冷却液は、図示を省略している冷却装置によって冷却されている。システムコントローラ２７は、傾斜磁場コイルユニット１２に内蔵された後述するセンサーにより測定される温度に基づいて、傾斜磁場コイルユニット１２に内蔵された磁性金属の温度を目標温度にするようにヒーター制御部３２および流量制御部３３を制御する機能を備える。
【００１８】
図２は、傾斜磁場コイルユニット１２の概略構成を示す斜視図である。
【００１９】
図２に示すように、傾斜磁場コイルユニット１２は、複数のポケット１３が設けられるとともに、複数の冷却パイプ１４、複数のヒーター１５およびセンサー１６を含む。
【００２０】
ポケット１３は、傾斜磁場コイルユニット１２の軸心に沿った貫通孔状をなし、その内部に磁性金属が必要に応じて配置される。なお、図２では、４つのポケット１３を示している。ポケット１３の数は、任意であって良く、物理的な制限もあるものの多いほど好ましい。磁性金属の配置の自由度が高まり、磁場均一性の補正の精密度を向上できるためである。好ましいポケット１３の数は、例えば１２個または２４個である。冷却パイプ１４は、ポケット１３のそれぞれに対して傾斜磁場コイルユニット１２の内周側に隣接した位置に、ポケット１３に並行して配置される。冷却パイプ１４は、ポケット１３内に配置された磁性金属を冷却するための冷却液の流路となる。冷却パイプ１４における冷却液の流量は、流量制御部３３によって制御される。ヒーター１５は、ポケット１３のそれぞれに対して傾斜磁場コイルユニット１２の外周側に隣接した位置に、ポケット１３に並行して配置される。ヒーター１５は、ポケット１３内に配置された磁性金属を加熱する。ヒーター１５の発熱温度は、ヒーター制御部３２によって制御される。センサー１６は、いずれかのポケット１３の近傍に配置される。センサー１６は、ポケット１３内に配置された磁性金属の温度を測定する。センサー１６は、測定した温度を表す信号をシステムコントローラ２７に送る。センサー１６としては、半導体センサーや熱電対などが利用可能である。
【００２１】
図３は傾斜磁場コイルユニット１２のＸＹ平面における断面図である。
【００２２】
図３に示すように傾斜磁場コイルユニット１２は、内周側からメインコイル層１２ａ、シム層１２ｂおよびシールドコイル層１２ｃに分かれる。そしてポケット１３、冷却パイプ１４およびヒーター１５は、いずれもシム層１２ｂに設けられている。そしてシム層１２ｂは、これらポケット１３、冷却パイプ１４およびヒーター１５を樹脂で円筒状にモールドして形成される。メインコイル層１２ａは、傾斜磁場電源２２からの電流の供給を受けて、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸それぞれに沿って磁場強度が変化する傾斜磁場を発生する３種類のメインコイル（Ｘ−メインコイル、Ｙ−メインコイル、Ｚ−メインコイル）を樹脂で円筒状にモールドして形成される。シールドコイル層１２ｃは、傾斜磁場電源２２からの電流の供給を受けて、メインコイル層１２ａからの漏洩磁場を遮蔽するための磁場を発生する３種類のシールドコイル（Ｘ−シールドコイル、Ｙ−シールドコイル、Ｚ−シールドコイル）を樹脂で円筒状にモールドして形成される。すなわち傾斜磁場コイルユニット１２は、いわゆるＡＳＧＣ（actively shielded gradient coil）である。
【００２３】
なお図３においては、メインコイル層１２ａおよびシールドコイル層１２ｃはその断面輪郭のみを示し、内部の詳細な構造は図示を省略している。
【００２４】
次に以上のように構成されたＭＲＩ装置１００の動作について説明する。
【００２５】
撮像時において磁石１１は、撮影空間１０ａ内に主磁場を発生する。この主磁場には、通常数キロガウスから数１０キロガウス（数テスラ）程度の強度が要求される。主磁場は強度の他に、空間的な均一性が要求される。均一な磁場が求められる空間的領域は、一般には直径５０ｃｍ程度の球状領域である。空間的均一性は、主磁場強度が１．５テスラの場合、上記の空間的領域の全域にわたり通常数１０ｐｐｍ以下であることが必要とされる。
【００２６】
磁石１１は、上記の要件を満たした磁場を発生できるように製造される。しかしながら、磁石１１が発生した磁場は、周囲に存在する磁性体の影響を受けて歪む。そこで例えばＭＲＩ装置１００の設置作業やメンテナンス作業の一環として、主磁場の不均一性が補正されるようにポケット１３内に適宜に磁性金属が作業者によって配置される。すなわち、ポケット１３内に磁性金属を配置することによって、その影響によって主磁場の磁場分布が変化する。そこで、その磁場分布の変化が主磁場の不均一性を補正するように働くように適切に磁性金属を配置することにより、主磁場の不均一性を補正できる。
【００２７】
しかしながら磁性金属の磁化率は温度に応じて変化する。ポケット１３内に配置されている磁性金属の磁化率が変化した場合、磁性金属の主磁場に対する影響具合が変化し、主磁場の不均一性も低下する。そこでこのようにして生じる主磁場の不均一性の低下を抑えるために、システムコントローラ２７は以下のような温度制御を行う。
【００２８】
（基本動作）
傾斜磁場コイル１２から発せられた熱がポケット１３内の磁性金属に伝わることによって磁性金属が所定の温度よりも高くなった場合や、スタンバイ状態において磁性金属が所定の温度よりも低くなった場合において、センサー１６で測定された磁性金属の温度がシステムコントローラ２７に送出される。システムコントローラ２７は、測定結果に基づいて、磁性金属の温度を上げる必要がある場合には、ヒーター制御部３２にヒーター１５を作動させて磁性金属の温度を所定の温度まで上げるように指令を出す。その逆に、磁性金属の温度を下げる必要がある場合には、流量制御部３３に冷却パイプ１４における冷却液の流量を増加して磁性金属を所定の温度まで下げるように指令を出す。ヒーター制御部３２および流量制御部３３は、システムコントローラ２７の指令に基づいて、磁性金属の温度を一定温度に保つように制御する。これにより、磁性金属の温度が、常にほぼ一定に保たれることになるので、磁性金属の温度変化による磁化率の変化が少なくなる。従って、主磁場の均一性を保つことができる。
【００２９】
以下に、温度制御についてより具体的に説明する。
【００３０】
（磁性金属の配置作業時）
磁性金属をポケット１３内に配置する作業が行われる場合、システムコントローラ２７は例えば作業者による指示などに基づいてその旨を認知する。そしてこの場合にシステムコントローラ２７は、センサー１６により測定される磁性金属の温度が予め定められた目標温度となるように、ヒーター制御部３２および流量制御部３３を制御する。ここで目標温度は、常温よりも高く定められる。かつ目標温度は、磁性金属の周辺に位置する樹脂などが変性する温度よりも低く定められる。このような条件を満たす目標温度の範囲は、通常は４０〜８０℃程度である。
【００３１】
さて、上記の作業時には、通常はガントリ１０において大きな発熱は生じない。このためポケット１３内に配置されている磁性金属の温度は、常温程度となっていることが多い。すなわち、磁性金属の温度は目標温度を下回っている場合が多い。そこでこのような状態であればシステムコントローラ２７は、ポケット１３内に配置されている磁性金属の温度が目標温度まで上昇されるようにヒーター１５の発熱量をヒーター制御部３２を介して制御する。もし、何らかの理由で磁性金属の温度が目標温度を上回っていた場合や、ヒーター１５による加熱の結果として磁性金属の温度が目標温度を上回った場合にはシステムコントローラ２７は、ポケット１３内に配置されている磁性金属の温度が目標温度まで低下されるように冷却パイプ１４における冷却液の流量を流量制御部３３を介して制御する。
【００３２】
このようにして磁性金属をポケット１３内に配置する作業は、磁性金属の温度が目標温度となる環境下にて行われる。すなわち、磁性金属の温度が目標温度であるときに主磁場の均一性が高くなるように磁性金属が配置される。
【００３３】
（撮影時）
撮影時には、傾斜磁場コイルユニット１２のメインコイルおよびシールドコイルへの通電が高速にスイッチングされる。この結果、メインコイルおよびシールドコイルが発熱し、この発熱によって磁性金属が加熱される。また、磁場により磁性金属に生じる渦電流によっても磁性金属が加熱される。そこでシステムコントローラ２７は、センサー１６による測定結果に基づいて、磁性金属の温度上昇に合わせて冷却液による冷却能力を増加し、磁性金属の温度が目標温度に維持されるように冷却パイプ１４における冷却液の流量を流量制御部３３を介して制御する。
【００３４】
なお、長時間にわたりスタンバイ状態となっていた場合には、磁性金属の温度は常温程度になっている場合がある。この場合にシステムコントローラ２７は、磁性金属の温度を目標温度まで上昇させるようにヒーター１５の発熱量をヒーター制御部３２を介して制御する。このように磁性金属を加熱する場合、磁性金属の温度が目標温度まで上昇するよりも前に撮影を開始しても良いし、磁性金属の温度が目標温度まで上昇するのを待って撮影を開始しても良い。前者の場合には、撮影時間の短縮を図ることができる。後者の場合には、主磁場の変動の影響が少ない高画質な撮影が行える。
【００３５】
撮影開始時刻が予め定まっているならば、その撮影開始時刻よりも前に磁性金属の温度を目標温度まで上昇させるように、システムコントローラ２７がヒーター１５をヒーター制御部３２を介して制御しても良い。このようにすれば、主磁場の変動の影響が少ない高画質な撮影が行えるとともに、撮影時間の短縮を図ることができる。もちろん、スタンバイ状態においても磁性金属の温度が目標温度となるように、冷却液の流量およびヒーター１５の発熱量をシステムコントローラ２７により制御しても良い。
【００３６】
以上のようにＭＲＩ装置１００によれば、撮影時には磁性金属の温度をほぼ目標温度で一定に維持するため、磁性金属の温度変化に起因する主磁場の均一性の変化は撮影中にはほとんど生じない。この結果、安定した主磁場の中での撮影が行え、高画質な画像を得ることが可能となる。
【００３７】
またＭＲＩ装置１００は、磁性金属の配置作業時にもポケット１３内に配置されている磁性金属の温度を目標温度で一定に維持するため、この作業時に磁性金属の配置が適切に行われるならば、撮影時において主磁場の均一性が高い状態を維持することができる。この結果、空間的な画質のばらつきが小さく高画質な画像を得ることが可能となる。
【００３８】
ところで、傾斜磁場コイルユニット等の冷却は従来より行われていた。このような冷却は従来、冷却対象物の温度をできるだけ低下させることが望ましいとされ、そのために大きな冷却能力が必要とされていた。しかしながらＭＲＩ装置１００は、目標温度を常温よりも高い温度として、磁性金属の温度をある程度高い状態に維持する。このことからＭＲＩ装置１００は、上記の従来の常識に基づいて要求されるよりも小さな冷却能力を備えていれば良い。ただしＭＲＩ装置１００では、目標温度を磁性金属の周辺に位置する樹脂などが変性する温度よりも低く定めるから、上記のように磁性金属の温度を高く維持することにより周囲の部材などが変質してしまうことはない。
【００３９】
この実施形態は、次のような種々の変形実施が可能である。
【００４０】
(1)  センサー１６は、磁性金属の温度に関係する温度を測ることができれば、どこに配置しても良い。磁性金属の近傍であれば良いことはもちろんであるが、例えば、磁性金属の温度変化に相関性が見られるような位置（例えば、磁性金属の温度変化が２倍になった場合に、１．５倍の温度変化が現れるような位置）であれば、どのような位置でも良い。この場合には、センサー１６と磁性金属の温度との相関係数をあらかじめシステムコントローラ２７に与えておくことにより、この相関係数とセンサー１６での測定温度とに基づいて磁性金属の温度をシステムコントローラ２７にて判定することができる。
【００４１】
(2)  上記の実施形態では、ＭＲＩ装置１００は、冷却パイプ１４およびヒーター１５を設けている。しかし、冷却手段および加熱手段を１つずつ備えていても良い。この場合には、例えば、冷却手段としての冷却パイプ１４や、加熱手段としてのヒーター１５を、傾斜磁場コイルユニット１２がなす円筒形状の中心軸に沿って、らせん状に配置して、全ての磁性金属の冷却や加熱を行っても良い。この場合において、冷却パイプ１４やヒーター１５は、傾斜磁場コイルユニット１２の内周面あるいは外周面のいずれかに沿って配置しても良いし、磁石１１の内周面と傾斜磁場コイルユニット１２の外周面との間に配置しても良い。すなわち、磁性金属の冷却あるいは加熱が可能であれば、どのような構成であっても構わない。なお、冷媒は、空気などの気体を用いても構わない。
【００４２】
(3)  冷却パイプ１４とヒーター１５との位置を上記の実施形態に対して入れ替えた構成でも良い。また、センサー１６は、複数を設けるようにしても良い。例えば、各ポケット１３に対して１つずつセンサー１６を設けて、各磁性金属に対して個別に温度制御を行うようにしても良い。
【００４３】
(4)  冷却手段としては、傾斜磁場コイルユニット１２自体の冷却のために傾斜磁場コイルユニット１２に従来から設けられている冷却機構を流用しても良い。
【００４４】
図４および図５は冷却手段として流用可能な冷却機構を備えた傾斜磁場コイルユニット４０の構成を示す図であり、図４は斜視図、図５はＸＹ平面における断面図である。なお図４では、傾斜磁場コイルユニット４０はＹＺ面で破断した半分のみを示している。この傾斜磁場コイルユニット４０は、メインコイル層４０ａ、シム層４０ｂおよびシールドコイル層４０ｃを含む。メインコイル層４０ａおよびシールドコイル層４０ｃは、傾斜磁場コイルユニット１２におけるメインコイル層１２ａおよびシールドコイル層１２ｃと等価である。シム層４０ｂには、ポケット１３に等価なポケット４１が複数設けられている。さらにシム層４０ｂには、複数の冷却チューブ４２がＺ軸を中心とする円周上に配置される。冷却チューブ４２の各々は、Ｚ軸に平行に配列される。冷却チューブ４２は、２本ずつが１つのポケット４１を挟み込む状態で配置される。冷却チューブ４２は略角筒または略円筒形状であり、その内部は冷却水が流れる流路となる。複数の冷却チューブ４２は、それぞれが形成する流路が１本に連結されるように傾斜磁場コイルユニット４０の側端において図４に示すように接続されている。
【００４５】
(5)  加熱手段としては、傾斜磁場コイルユニット１２のメインコイルやシールドコイルを用いても良い。すなわち、撮影を行わないときに傾斜磁場コイルユニット１２のメインコイルやシールドコイルへの通電をスイッチングして発熱させることによって、磁性金属を加熱することができる。なお、ＭＲＩにおける既知の撮像法のなかには、主磁場の不均一性がそれほど問題にならない撮影法と、大きな問題になる撮影法とがある。そこで磁性金属の温度が低いときには前者の撮影法を使用し、これにより磁性金属の温度が目標温度まで上昇したのちに後者の撮影法を使用することにすれば、撮影を行わないときにおけるメインコイルやシールドコイルへの通電をスイッチングをも省略することができる。
【００４６】
(6)  前記２種類の撮像法のうちの後者の撮影法を使用した撮影時にのみ前記実施形態のような磁性金属の温度制御を実施しても良い。
【００４７】
(7)  目標温度は、主磁場の均一性が最も高くなる温度であることが望ましい。しかし、そのような温度から目標温度が外れていたとしても、主磁場の均一性が撮影途中に変動しないようにすれば、変動する場合に比べて画質を向上できる。そこで目標温度は、自動または手動で変更可能としても良い。目標温度を自動で変更する場合には、例えばＭＲＩ装置１００の起動直後で磁性金属の温度が低いときには目標温度を低めに設定し、磁性金属の温度が十分に上昇したのちには目標温度を高めに設定することが考えられる。これにより、起動直後には、磁性金属の温度が目標温度まで上昇するのに要する時間の短縮を図って、撮影を開始できるまでの時間を短縮することが可能となる。また、その後には、目標温度を主磁場の均一性が高くなる温度に設定して、より高画質な撮像を可能とすることが可能となる。
【００４８】
(8)  磁性金属の温度がある程度変動しても、その変動幅がある程度の範囲内であるならば、それに伴う主磁場の均一性の変動が画質に及ぼす影響は小さくなる。このため、目標温度は、ある程度の幅を含んでいても良い。
【００４９】
(9)  撮影を行わない磁気共鳴装置にも本発明の適用が可能である。
【００５０】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の一実施形態に係るＭＲＩ装置１００の一部の概略図である。
【図２】図１中の傾斜磁場コイルユニット１２の構成を示す斜視図。
【図３】図１中の傾斜磁場コイルユニット１２のＸＹ平面における断面図。
【図４】磁性金属のための冷却手段として流用可能な冷却機構を備えた傾斜磁場コイルユニット４０の構成を示す斜視図。
【図５】磁性金属のための冷却手段として流用可能な冷却機構を備えた傾斜磁場コイルユニット４０のＸＹ平面における断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１０…ガントリ、１１…磁石、１２，４０…傾斜磁場コイルユニット、１２ａ，４０ａ…メインコイル層、１２ｂ，４０ｂ…シム層、１２ｃ，４０ｃ…シールドコイル層、１３，４０…ポケット、１４…冷却パイプ、１５…ヒーター、１６…センサー、２１…静磁場電源、２２…傾斜磁場電源、２３…ＲＦコイル、２４…送信器、２５…受信器、２６…シーケンサ、２７…システムコントローラ、２８…入力器、２９…演算ユニット、３０…記憶ユニット、３１…表示器、３２…ヒーター制御部、３３…流量制御部、４２…冷却チューブ、１００…ＭＲＩ装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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