(57)【要約】【課題】現像液が基板上に残ることを抑制することができる基板現像方法および現像装置を提供する。【解決手段】基板に現像液を供給し（ステップＳ１）、現像液が供給された基板にリンス液を供給して現像液を洗い流し（ステップＳ２）、第１の回転乾燥を行う（ステップＳ３）。このように基板上の現像液は微量してから、ＣＯ２溶解液を基板に供給する（ステップＳ４）。基板上の微量の現像液はＣＯ２溶解液と中和する。この中和反応によって生成された生成物（塩）はＣＯ２溶解液に容易に溶解するので、ＣＯ２溶解液とともに効率よく洗い流される。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥の発生を防止することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を現像する基板現像方法において、
基板に現像液を供給する現像過程と、
現像液を中和するための中和物質を含んだ処理液を基板に供給して、現像液を中和して基板外へ除去する中和除去過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板現像方法において、
前記処理液は酸性であることを特徴とする基板現像方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板現像方法において、
前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むことを特徴とする基板現像方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板現像方法において、
中和除去過程では、前記処理液の液滴を基板に噴射することを特徴とする基板現像方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記中和除去過程では、基板を回転させた状態で前記処理液を供給することを特徴とする基板現像方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像過程後であって前記中和除去過程の前に、
基板にリンス液を供給するリンス過程と、
基板を回転させて基板からリンス液を振り切る第１乾燥過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像過程後であって前記中和除去過程の前に、
基板を回転させて基板から現像液を振り切る現像液振り切り過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【請求項８】
基板を現像する基板現像方法において、
基板に現像液を供給する現像過程と、
現像液を中和するための中和物質を基板に供給する中和過程と、
基板に洗浄液を供給して、現像液が中和して生成された生成物を基板外へ除去する除去過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【請求項９】
請求項８に記載の基板現像方法において、
前記中和過程は炭酸ガスを基板に噴射することを特徴とすることを特徴とする基板現像方法。
【請求項１０】
基板を現像する現像装置において、
基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
現像液を中和するための中和物質を含んだ処理液を供給する処理液供給手段と、
基板に現像液を供給した後に、基板に前記処理液を供給して、現像液を中和して基板外へ除去する中和除去処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の現像装置において、
前記処理液は酸性であることを特徴とする現像装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１に記載の現像装置において、
前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むことを特徴とする現像装置。
【請求項１３】
請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の現像装置において、
前記処理液供給手段は、前記処理液の液滴を基板に噴射することを特徴とする現像装置。
【請求項１４】
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の現像装置において、
前記制御手段は、前記回転保持手段で基板を回転させつつ、前記中和除去処理を行うことを特徴とする現像装置。
【請求項１５】
請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の現像装置において、
前記制御手段は、現像液が供給された基板を前記回転保持手段で回転させて基板から現像液を振り切り、その後に前記中和除去処理を行うことを特徴とする現像装置。
【請求項１６】
請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の現像装置において、
基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、
を備え、
前記制御手段は、現像液が供給された基板に対し、前記リンス液供給手段からリンス液を供給し、前記回転保持手段で基板を回転させて基板からリンス液を振り切り、その後に前記中和除去処理を行うことを特徴とする現像装置。
【請求項１７】
基板を現像する現像装置において、
基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
現像液を中和するための中和物質を基板に供給する中和物質供給手段と、
基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
基板に現像液を供給した後に、基板に前記中和物質を供給して中和処理を行い、かつ、基板に前記洗浄液を供給して、現像液が中和して生成された生成物を基板外へ除去する除去処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の現像装置において、
前記中和物質供給手段は炭酸ガスを基板に供給することを特徴とする現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を現像する基板現像方法および現像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現像装置は、基板を回転可能に保持するスピンチャックと基板に現像液を供給するノズル等を備えているものがある。この装置では、スピンチャックに保持された基板に現像液を供給して、基板の表面に形成されたレジスト膜のうちパターン部以外を溶解する。引き続いて基板を洗浄・乾燥して、溶解したレジスト膜を除去する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３１５６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、基板を洗浄しても現像液を十分に洗い流すことができず、レジスト膜上またはレジスト膜内に現像液が残ってしまう。また、基板を乾燥しても、現像液の特性上、現像液を完全に蒸発させることは困難である。結果として、基板上に残った現像液は現像欠陥となるという不都合がある。また、レジスト膜に形成したラインの電気特性に関する検査を画像によって行うとき、残存する現像液がラインの欠陥まで隠してしまい、適切に検査を行うことができないという不都合がある。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、現像液が基板上に残ることを抑制することができる基板現像方法および現像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板を現像する基板現像方法において、基板に現像液を供給する現像過程と、現像液を中和するための中和物質を含んだ処理液を基板に供給して、現像液を中和して基板外へ除去する中和除去過程と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、中和除去過程では、現像液は処理液と中和する。この中和反応により生成される生成物（塩）は、処理液に容易に溶け、かつ、沈殿しないので、生成物を処理液とともに基板外に除去することができる。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、基板上に現像液が残る「現像液残り」による現像欠陥の発生を防止することができる。
【０００８】
本発明において、前記処理液は酸性であることが好ましい（請求項２）。現像液を好適に中和することができる。
【０００９】
また、本発明において、前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むことが好ましい（請求項３）。現像液を好適に中和することができる。
【００１０】
また、本発明において、中和除去過程では、前記処理液の液滴を基板に噴射することが好ましい（請求項４）。現像液の中和反応を促進することができる。
【００１１】
また、本発明において、前記中和除去過程では、基板を回転させた状態で前記処理液を供給することが好ましい（請求項５）。基板全体にわたって現像液を中和をさせることができる。
【００１２】
また、本発明において、前記現像過程後であって前記中和除去過程の前に、基板にリンス液を供給するリンス過程と、基板を回転させて基板からリンス液を振り切る第１乾燥過程と、を備えていることが好ましい（請求項６）。基板上の現像液を微量にしてから現像液を中和するので、現像液残りの抑制効果が高い。
【００１３】
また、本発明において、前記現像過程後であって前記中和除去過程の前に、基板を回転させて基板から現像液を振り切る現像液振り切り過程と、を備えていることが好ましい（請求項７）。基板上の現像液の量を低減してから現像液を中和するので、現像液残りの抑制効果が高い。
【００１４】
また、請求項８に記載の発明は、基板を現像する基板現像方法において、基板に現像液を供給する現像過程と、現像液を中和するための中和物質を基板に供給する中和過程と、基板に洗浄液を供給して、現像液が中和して生成された生成物を基板外へ除去する除去過程と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１５】
［作用・効果］請求項８に記載の発明によれば、中和過程では、現像液は中和物質と中和する。この中和反応により生成物（塩）が生成される。また、除去過程では、生成物（塩）を処理液に溶解させて、生成物を処理液とともに基板外に除去することができる。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥の発生を抑制することができる。
【００１６】
本発明において、前記中和過程は炭酸ガスを基板に噴射することを特徴とすることが好ましい（請求項９）。現像液を好適に中和することができる。
【００１７】
また、請求項１０に記載の発明は、基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、現像液を中和するための中和物質を含んだ処理液を供給する処理液供給手段と、基板に現像液を供給した後に、基板に前記処理液を供給して、現像液を中和して基板外へ除去する中和除去処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１８】
［作用・効果］請求項１０に記載の発明によれば、処理液供給手段を備えているので、基板上の現像液を中和することができる。また、この中和反応により生成される生成物（塩）は、処理液に容易に溶けて沈殿しないので、生成物を処理液とともに基板外に除去することができる。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥を抑制することができる。
【００１９】
本発明において、前記処理液は酸性であることが好ましい（請求項１１）。現像液を好適に中和することができる。
【００２０】
また、本発明において、前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むことが好ましい（請求項１２）。現像液を好適に中和することができる。
【００２１】
また、本発明において、前記処理液供給手段は、前記処理液の液滴を基板に噴射することが好ましい（請求項１３）。現像液の中和反応を促進することができる。
ことができる。
【００２２】
また、本発明において、前記制御手段は、前記回転保持手段で基板を回転させつつ、前記中和除去処理を行うことが好ましい（請求項１４）。基板全体にわたって現像液の中和をさせることができる。
【００２３】
また、本発明において、前記制御手段は、現像液が供給された基板を前記回転保持手段で回転させて基板から現像液を振り切り、その後に前記中和除去処理を行うことが好ましい（請求項１５）。基板上の現像液の量を低減してから現像液を中和するので、現像液残りの抑制効果が高い。
【００２４】
また、本発明において、基板にリンス液を供給するリンス液供給手段と、を備え、前記制御手段は、現像液が供給された基板に対し、前記リンス液供給手段からリンス液を供給し、前記回転保持手段で基板を回転させて基板からリンス液を振り切り、その後に前記中和除去処理を行うことが好ましい（請求項１６）。基板上の現像液を微量にしてから現像液を中和するので、現像液残りの抑制効果が高い。
【００２５】
また、請求項１７に記載の発明は、基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、現像液を中和するための中和物質を基板に供給する中和物質供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板に現像液を供給した後に、基板に前記中和物質を供給して中和処理を行い、かつ、基板に前記洗浄液を供給して、現像液が中和して生成された生成物を基板外へ除去する除去処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００２６】
［作用・効果］請求項１７に記載の発明によれば、中和物質供給手段を備えているので、基板上の現像液を中和することができる。この中和反応により生成物（塩）が生成される。
また、洗浄液供給手段を備えているので、生成物（塩）を処理液に溶解させて、生成物を処理液とともに基板外に除去することができる。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥の発生を抑制することができる。
【００２７】
本発明において、前記中和物質供給手段は炭酸ガスを基板に供給することが好ましい（請求項１８）。現像液を好適に中和することができる。
【００２８】
なお、本明細書は、次のような基板現像方法および現像装置に係る発明も開示している。
【００２９】
（１）請求項１から請求項７のいずれかに記載の基板現像方法において、前記処理液は、中和物質が水に溶解してなる水溶液であることを特徴とする基板現像方法。
【００３０】
前記（１）に記載の発明によれば、現像液を好適に中和することができる。
【００３１】
（２）請求項８に記載の基板現像方法において、前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むことを特徴とする基板現像方法。
【００３２】
前記（２）に記載の発明によれば、現像液を好適に中和することができる。
【００３３】
（３）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記中和物質としての炭酸ガスとともに前記洗浄液の液滴を基板に噴射して、前記中和過程と前記除去過程とを並行して行うことを特徴とする基板現像方法。
【００３４】
前記（３）に記載の発明によれば、現像液の中和反応を促進することができる。
【００３５】
（４）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記中和過程では基板を回転させた状態で前記中和物質を供給することを特徴とする基板現像方法。
【００３６】
前記（４）に記載の発明によれば、基板全体にわたって現像液の中和をさせることができる。
【００３７】
（５）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記現像過程後であって前記中和過程および前記除去過程の前に、基板にリンス液を供給するリンス過程と、基板を回転させて基板からリンス液を振り切る第１乾燥過程と、を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【００３８】
前記（５）に記載の発明によれば、基板上の現像液を微量にしてから現像液を中和するので、効果的に現像液を基板外に除去できる。
【００３９】
（６）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記現像過程後であって前記中和過程および前記除去過程の前に、基板を回転させて基板から現像液を振り切る現像液振り切り過程と、を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【００４０】
前記（６）に記載の発明によれば、基板上の現像液の量を低減してから現像液を中和するので、効果的に現像液を基板外に除去できる。
【００４１】
（７）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記除去過程では基板を回転させた状態で洗浄液を供給することを特徴とする基板現像方法。
【００４２】
前記（７）に記載の発明によれば、基板全体にわたって現像液の中和をさせることができる。
【００４３】
（８）請求項８または請求項９に記載の基板現像方法において、前記洗浄液は純水であることを特徴とする基板現像方法。
【００４４】
前記（８）に記載の発明によれば、現像液を好適に中和することができる。
【００４５】
（９）請求項１０から請求項１６のいずれかに記載の現像装置において、前記処理液は、中和物質が水に溶解してなる水溶液であることを特徴とする現像装置。
【００４６】
前記（９）に記載の発明によれば、現像液を好適に中和することができる。
【００４７】
（１０）請求項１７に記載の現像装置において、前記中和物質は、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸の少なくともいずれかを含むものであることを特徴とする現像装置。
【００４８】
前記（１０）に記載の発明によれば、現像液を好適に中和することができる。
【００４９】
（１１）請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記中和物質供給手段から前記中和物質を供給させる際に前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給させて、前記中和処理と前記除去処理とを並行して行うことを特徴とする現像装置。
【００５０】
前記（１１）に記載の発明によれば、効率よく現像液を中和して基板外へ除去できる。
【００５１】
（１２）請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記回転保持手段で基板を回転させつつ、前記中和処理を行うことを特徴とする現像装置。
【００５２】
前記（１２）に記載の発明によれば、基板全体にわたって現像液の中和をさせることができる。
【００５３】
（１３）請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、前記制御手段は、現像液が供給された基板を前記回転保持手段で回転させて基板から現像液を振り切り、その後に前記中和処理と前記除去処理を行うことを特徴とする現像装置。
【００５４】
前記（１３）に記載の発明によれば、基板上の現像液の量を低減してから現像液を中和するので、効果的に現像液を基板外に除去できる。
【００５５】
（１４）請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、前記制御手段は、現像液が供給された基板に対し、前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給し、前記回転保持手段で基板を回転させて基板から洗浄液を振り切り、その後に前記中和処理と前記除去処理を行うことを特徴とする現像装置。
【００５６】
前記（１４）に記載の発明によれば、基板上の現像液を微量にしてから現像液を中和するので、効果的に現像液を基板外に除去できる。
【００５７】
（１５）請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、前記洗浄液は純水であることを特徴とする現像装置。
【００５８】
前記（１５）に記載の発明によれば、純水に中和物質が溶解した水溶液を処理液とすることができる。
【発明の効果】
【００５９】
この発明に係る現像装置によれば、処理液供給手段を備えているので、基板上の現像液を中和することができる。また、この中和反応により生成される生成物（塩）は、処理液に容易に溶けて沈殿しないので、生成物を処理液とともに基板外に除去することができる。したがって、基板上に現像液が残ることを抑制することができる。この結果、現像液残りによる現像欠陥を抑制することができる。
【実施例１】
【００６０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【００６１】
本実施例に係る現像装置は、基板Ｗの下面を吸着して、基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャック１を備えている。スピンチャック１にはモータ３の出力軸３ａが連結されており、モータ３は基板Ｗを鉛直軸周りに回転させる。スピンチャック１の周囲には、飛散防止カップ５が配備されている。飛散防止カップ５は、基板Ｗの外周から周囲に飛散する現像液等を下方へ案内するとともに回収する機能を備える。スピンチャック１及びモータ３は、この発明における回転保持手段に相当する。なお、回転保持手段は、上記の例に限らず、基板Ｗの端縁を保持する複数のピンが設けられた回転板で構成してもよい。
【００６２】
本装置は、現像液を供給する現像液ノズル１１と、純水に二酸化炭素が溶解してなる炭酸（以下、「ＣＯ２溶解水」という）を供給する処理液ノズル２１と、リンス液を供給するリンスノズル３１とを備えている。なお、ＣＯ２溶解水は弱酸性である。各ノズル１１、２１、３１は、それぞれ図示省略のアームに支持されて、基板Ｗの略中心Ｐ上方に当たる処理位置（図１において２点鎖線で示す位置）と、基板Ｗ上方から外れた待機位置（図１において実線で示す各位置）とにわたってそれぞれ移動可能に設けられている。二酸化炭素はこの発明における中和物質に相当し、ＣＯ２溶解水はこの発明における処理液に相当する。
【００６３】
現像液ノズル１１には現像液配管１３の一端が連通接続されており、その他端は現像液供給源１５に連通接続されている。現像液配管１３には現像液の流路を開閉する開閉弁１７が設けられている。現像液ノズル１１は、この発明における現像液供給手段に相当する。
【００６４】
同様に、処理液ノズル２１には処理液配管２３の一端が連通接続されており、その他端はＣＯ２溶解水供給源２５に連通接続されている。処理液配管２３にはＣＯ２溶解水の流路を開閉する開閉弁２７が設けられている。また、リンスノズル３１にはリンス配管３３の一端が連通接続されており、その他端はリンス液供給源３５に連通接続されている。リンス配管３３にはリンス液の流路を開閉する開閉弁３７が設けられている。処理液ノズル２１とリンスノズル３１は、それぞれこの発明における処理液供給手段とリンス液供給手段に相当する。
【００６５】
さらに、本装置は、上述した各構成を操作する制御部４１を備えている。具体的には、モータ３を駆動させて基板Ｗの回転数を制御し、図示省略のアームを駆動させて各ノズル１１、２１、３１の位置を制御し、開閉弁１７、２７、３７を開放・閉止させて現像液、ＣＯ２溶解水、リンス液の供給量を制御する。この制御部４１は処理レシピ（処理プログラム）等を予め記憶しており、ロット単位で入力される基板Ｗの処理情報に応じて処理レシピを選択して各構成を統括的に制御する。制御部４１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００６６】
次に、図を参照して現像装置の３つの処理例を例示する。ここで、スピンチャック１には、レジスト膜が被着された基板Ｗが既に吸着保持されているものとする。
【００６７】
＜処理例１＞
図２（ａ）は、基板を現像する処理例１の動作を示すフローチャートである。以下、各過程について説明する。
【００６８】
＜ステップＳ１＞  現像液の供給（現像過程）
制御部４１はモータ３を駆動してスピンチャック１に保持される基板Ｗを回転させつつ、現像液ノズル１１を基板Ｗの略中心Ｐ上方の処理位置まで移動させて、開閉弁１７を開放する。ノズル１１は、現像液供給源１５から供給された現像液を基板Ｗに供給する。基板Ｗに供給された現像液は遠心力を受けて基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗを現像する。所定の期間が経過すると開閉弁１７を閉止して、現像液ノズル１１を待機位置に戻す。
【００６９】
＜ステップＳ２＞  リンス液の供給（リンス過程）
制御部４１はリンスノズル３１を処理位置まで移動させて、開閉弁３７を開放する。リンスノズル３１は、リンス液供給源３５から供給されたリンス液を基板Ｗに供給する。これにより、基板Ｗ上の現像液はリンス液によって洗い流され、リンス液とともに基板Ｗ外へ捨てられる。所定の期間が経過すると、開閉弁３７を閉止して、リンスノズル３１を待機位置に戻す。
【００７０】
＜ステップＳ３＞  第１の回転乾燥（第１乾燥過程）
制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させる。これにより、リンス液を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【００７１】
＜ステップＳ４＞  ＣＯ２溶解水の供給（中和除去過程）
制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、処理液ノズル２１を処理位置まで移動させて開閉弁２７を開放する。処理液ノズル２１は、ＣＯ２溶解水供給源２５から供給されたＣＯ２溶解水を基板Ｗに供給する。ＣＯ２溶解水は基板Ｗの全体に広がり、レジスト膜の表面やレジスト膜内部の各所に残っている基板Ｗ上の現像液を中和する。これにより、基板Ｗの全体にわたって現像反応が完全に停止し、現像液はＣＯ２溶解水と中和反応を起こして生成物（塩）を生成する。この生成物は沈殿することなく、ＣＯ２溶解水に容易に溶ける。ＣＯ２溶解水に溶けた生成物は、ＣＯ２溶解水とともに基板Ｗから振り切られて基板Ｗ外へ捨てられる。
【００７２】
＜ステップＳ５＞  第２の回転乾燥
制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【００７３】
このような処理例１によれば、ＣＯ２溶解水を供給することで（ステップＳ４）、現像液を中和してＣＯ２溶解水に可溶な状態に変えるので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができる。よって、基板Ｗ上に現像液が残ることを抑制することができ、現像欠陥を防止することができる。
【００７４】
また、基板Ｗを回転させつつ、ＣＯ２溶解水を供給するので、基板Ｗの全体にわたってムラなく現像液を中和させることができる。
【００７５】
また、現像液を供給した（ステップＳ１）後であってＣＯ２溶解水を供給する（ステップＳ４）の前にリンス液の供給を行う（ステップＳ２）ことで、主として基板Ｗに被着するレジスト膜表面の現像液をリンス液によって洗い流すことができる。また、リンス液の供給に引き続いて第１の回転乾燥を行う（ステップＳ３）ので、基板Ｗからリンス液を振り切るとともに、レジスト膜中にしみ込んだ現像液をレジスト表面に浮き出させることができる。このため、ステップＳ４において中和する現像液は微量であるので、現像液の中和反応を十分に進めることができる。また、現像液の一部がレジスト表面上にしみ出てきた状態でＣＯ２溶解水を供給することができるので、現像液の中和反応を効率よく進めることができる。よって、現像液残りを効果的に抑制することができる。
【００７６】
＜処理例２＞
図２（ｂ）は、基板を現像する処理例２の動作を示すフローチャートである。なお、処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。
【００７７】
＜ステップＳ１＞  現像液の供給（現像過程）
基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する。
【００７８】
＜ステップＳ６＞  現像液振り切り回転（現像液振り切り回転）
制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させて、基板Ｗ上の現像液を基板Ｗから振り切る。
【００７９】
＜ステップＳ４＞  ＣＯ２溶解水の供給（中和除去過程）
制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、ＣＯ２溶解水を基板Ｗに供給する。これにより、現像液を中和して基板Ｗ外に除去する。
【００８０】
＜ステップＳ５＞  第２の回転乾燥
制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【００８１】
このような処理例２によっても、処理例１と同様にＣＯ２溶解水の供給を行う（ステップＳ４）ので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができ、現像欠陥が発生することを防止することができる。
【００８２】
また、処理例２によれば、現像液を供給した（ステップＳ１）後であってＣＯ２溶解水を供給する（ステップＳ４）前に、現像液を基板Ｗから振り切って基板Ｗ外に捨てる（ステップＳ６）ことで、基板Ｗ上の現像液を微量にすることができる。このため、基板Ｗ上にある現像液を十分に中和することができる。よって、現像液残りを効果的に抑制することができる。
【００８３】
＜処理例３＞
図２（ｃ）は、基板を現像する処理例３の動作を示すフローチャートである。処理例１と同じステップについては、同符号を付して簡略に説明する。
【００８４】
制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＳ１）。続いて、制御部４１はＣＯ２溶解水を基板Ｗに供給する（ステップＳ４）。これにより、現像液を中和して基板Ｗ外に除去する。続いて、制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する（ステップＳ５）。
【００８５】
このような処理例３によっても、処理例１と同様にＣＯ２溶解水を供給する（ステップＳ４）ので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができ、現像欠陥の発生を防止することができる。
【００８６】
また、処理例３のように、リンス液を供給するステップＳ２を省いて動作させる場合にあっては、リンスノズル３１及びこれに付随するリンス液供給源３５等を省略して構成するように変更することもできる。
【実施例２】
【００８７】
以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。図３は、実施例２に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００８８】
本装置は、実施例１で説明した処理液ノズル２１に変えて、２流体ノズル５１を備えている。２流体ノズル５１は、加圧された炭酸ガス（以下では、ＣＯ２ガスと記載する）が流入する外管と、純水が流入する内管とを備えた２重管構造を有するとともに、ＣＯ２ガスと純水とが合流する混合室を備えている（いずれも図示を省略）。そして、この混合室で液滴を生成し、２流体ノズル５１の吐出孔から生成した液滴を噴射する。なお、生成される液滴は、純水とＣＯ２ガスとが混合してなるＣＯ２溶解水の液滴である。この２流体ノズル５１も、図示省略のアームに支持されて、基板Ｗの略中心Ｐ上方に当たる処理位置（図１において２点鎖線で示す位置）と、基板Ｗ上方から外れた待機位置（図１において実線で示す位置）とにわたって移動可能に設けられている。なお、ＣＯ２ガスはこの発明における中和物質に相当し、ＣＯ２溶解水はこの発明における処理液に相当する。
【００８９】
２流体ノズル５１には、ガス配管５２および純水配管５５が連通接続されている。ガス配管５２の他端側はＣＯ２ガス供給源５３に連通接続されている。ガス配管５２にはＣＯ２ガスの流路を開閉する開閉弁５４が設けられている。また、純水配管５５の他端側は純水供給源５６に連通接続されている。純水配管５５には純水の流路を開閉する開閉弁５７が設けられている。２流体ノズル５１はこの発明における処理液供給手段に相当する。
【００９０】
制御部４１は、さらに、開閉弁５４，５７を開放・閉止させてＣＯ２ガス及び純水の供給量を制御する。
【００９１】
次に、図を参照して現像装置の３つの処理例を例示する。ここで、スピンチャック１には、レジスト膜が被着された基板Ｗが既に吸着されているものとする。
【００９２】
＜処理例４＞
図４（ａ）は、基板を現像する処理例４の動作を示すフローチャートである。以下、各過程について説明する。なお、処理例１等と同種の処理については簡略に説明する。
【００９３】
＜ステップＴ１＞  現像液の供給（現像過程）
制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する。
【００９４】
＜ステップＴ２＞  第１のリンス液の供給（リンス過程）
続いて、制御部４１は基板Ｗを回転させた状態のまま、基板Ｗにリンス液を供給する。
【００９５】
＜ステップＴ３＞  第１の回転乾燥（第１乾燥過程）
制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させて、基板Ｗからリンス液を振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【００９６】
＜ステップＴ４＞  ＣＯ２溶解水の噴霧供給（中和除去過程）
制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、２流体ノズル５１を処理位置まで移動させて、開閉弁５４、５７を開放する。２流体ノズル５１は、供給されるＣＯ２ガスと純水を混合してＣＯ２溶解水の液滴を生成し、この液滴を基板Ｗに噴射する。噴霧供給されたＣＯ２溶解水の液滴は基板Ｗの全体に広がり、レジスト膜の表面やレジスト膜内部の各所に残っている基板Ｗ上の現像液を中和する。この中和反応により生成された生成物（塩）は、ＣＯ２溶解水に容易に溶けて、ＣＯ２溶解水とともに基板Ｗから振り切られて基板Ｗ外へ捨てられる。
【００９７】
＜ステップＴ５＞  第２のリンス液の供給（中和除去過程）
制御部４１は再び基板Ｗにリンス液を供給する。これにより、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水はリンス液に置換される。
【００９８】
＜ステップＴ６＞  第２の回転乾燥
制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、リンス液を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【００９９】
このような処理例４によれば、ＣＯ２溶解水の噴霧供給する（ステップＴ４）ことで現像液を中和させて、現像液をＣＯ２溶解水に可溶な状態に変えるので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができる。よって、基板Ｗ上に現像液が残ることを抑制することができ、現像欠陥を抑制できる。
【０１００】
また、基板Ｗを回転させつつ、ＣＯ２溶解水を噴霧供給する（ステップＴ４）ので、基板Ｗの全体にムラなくＣＯ２溶解水を供給することができるので、基板Ｗ上の現像液をムラなく中和させることができる。また、ＣＯ２溶解水を供給する際に基板Ｗに物理的エネルギーを加味することができ、現像液の中和反応を促進させることができる。
【０１０１】
＜処理例５＞
図４（ｂ）は、基板を現像する処理例５の動作を示すフローチャートである。以下、各過程について説明する。なお、処理例４等と同様の処理については簡略に説明する。
【０１０２】
まず、制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＴ１）。続いて、制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させて、基板Ｗ上の現像液を基板Ｗから振り切る（ステップＴ７：リンス過程）。続いて、制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、ＣＯ２溶解水を基板Ｗに噴霧供給する（ステップＴ４）。続いて、制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する（ステップＴ６）。
【０１０３】
このような処理例５によっても、処理例４と同様にＣＯ２溶解水を噴霧供給するので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができ、現像欠陥の発生を防止できる。
【０１０４】
また、処理例５によれば、現像液を供給した（ステップＴ１）後であってＣＯ２溶解水を噴霧供給する（ステップＴ４）前に、現像液を基板Ｗから振り切って基板Ｗ外に捨てるので、基板Ｗ上の現像液を微量にすることができる。このため、基板Ｗ上にある現像液を十分に中和することができる。よって、現像液残りを効果的に抑制することができる。
【０１０５】
また、処理例５のように、第１、第２のリンス液を供給するステップＴ２、Ｔ５を省いて動作させる場合にあっては、リンスノズル３１及びこれに付随するリンス液供給源３５等を省略して構成するように変更することもできる。
【０１０６】
＜処理例６＞
図４（ｃ）は、基板を現像する処理例６の動作を示すフローチャートである。なお、処理例４等と同様の処理については簡略に説明する。
【０１０７】
まず、制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する（ステップＴ１）。続いて、制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、ＣＯ２溶解水を基板Ｗに噴霧供給する（ステップＴ４）。続いて、制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する（ステップＴ６）。
【０１０８】
このような処理例６によっても、処理例４と同様にＣＯ２溶解水を噴霧供給するので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができ、現像欠陥の発生を防止できる。
【０１０９】
また、処理例６では、処理例５と同様に、リンス液を供給する第１、第２のステップＴ２、Ｔ５を省いて動作させるため、リンスノズル３１等を省略して構成するように変更することもできる。
【実施例３】
【０１１０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例３を説明する。図５は、実施例３に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０１１１】
本装置は、実施例１で説明した処理液ノズル２１に換えて、炭酸ガス（以下、ＣＯ２ガスと記載する）を基板Ｗに供給するガス吹出口６１を備えている。ガス吹出口６１は基板Ｗの上方に配置されている。ガス吹出口６１にはガス配管６３が連通接続されている。ガス配管６３の他端側はＣＯ２ガス供給源６５に連通接続されている。ガス配管６３にはＣＯ２ガスの流路を開閉する開閉弁６７が設けられている。ＣＯ２ガスはこの発明における中和物質に相当し、ガス吹出口６１はこの発明における中和物質供給手段に相当する。
【０１１２】
また、実施例１で説明したリンスノズル３１に換えて、純水を供給する純水ノズル７１を備えている。純水ノズル７１も、図示省略のアームに支持されて、基板Ｗの略中心Ｐ上方に当たる処理位置（図５において２点鎖線で示す位置）と、基板Ｗ上方から外れた待機位置（図５において実線で示す各位置）とにわたって移動可能に設けられている。純水ノズル７１には純水配管７３の一端が連通接続されており、その他端は純水供給源７５に連通接続されている。純水配管７３には純水の流路を開閉する開閉弁７７が設けられている。純水はこの発明における洗浄液に相当し、純水ノズル７１はこの発明における洗浄液供給手段に相当する。
【０１１３】
制御部４１は、さらに、開閉弁６７、７７を開放・閉止させてＣＯ２ガス、純水の供給量を制御する。
【０１１４】
次に、図を参照して現像装置の２つの処理例を例示する。ここで、スピンチャック１には、レジスト膜が被着された基板Ｗが既に吸着されているものとする。
【０１１５】
＜処理例７＞
図６（ａ）は、基板を現像する処理例７の動作を示すフローチャートである。以下、各過程について説明する。なお、処理例１等と同種の処理については簡略に説明する。
【０１１６】
＜ステップＵ１＞  現像液の供給（現像過程）
制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する。
【０１１７】
＜ステップＵ２＞  第１の純水供給（リンス過程）
続いて、制御部４１は基板Ｗを回転させた状態のまま、基板Ｗに純水を供給する。
【０１１８】
＜ステップＵ３＞  第１の回転乾燥（第１乾燥過程）
制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させて、基板Ｗから純水を振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【０１１９】
＜ステップＵ４＞  ＣＯ２ガスの供給（中和過程）
制御部４１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、開閉弁６７を開放する。ガス吹出口６１は、ＣＯ２ガス供給源６５から供給されるＣＯ２ガスを下方に吹き出して、基板Ｗの全面に供給する。供給されたＣＯ２ガスは、基板Ｗ上に僅か残っている純水等に溶解する。このＣＯ２ガスが純水等に溶解されてなる処理液は、レジスト膜の表面やレジスト膜内部の各所に残っている基板Ｗ上の現像液を中和する。この中和反応により生成物（塩）が生成される。
【０１２０】
＜ステップＵ５＞  第２の純水供給（除去過程）
制御部４１は再び基板Ｗに純水を供給する。上述した生成物（塩）は、純水に容易に溶けて洗い流される。
【０１２１】
＜ステップＵ６＞  第２の回転乾燥
制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上の純水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【０１２２】
このような処理例７によれば、ＣＯ２ガスを供給する（ステップＵ４）ので、現像液を中和させて現像液を純水に可溶な状態に変えることができる。よって、基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に効果的に除去することができる。したがって、基板Ｗ上に現像液が残ることを抑制することができ、現像欠陥の発生を防止できる。
【０１２３】
＜処理例８＞
図６（ｂ）は、基板を現像する処理例８の動作を示すフローチャートである。以下、各過程について説明する。なお、処理例７等と同様の処理については簡略に説明する。
【０１２４】
＜ステップＵ１＞  現像液の供給（現像過程）
制御部４１は基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに現像液を供給する。
【０１２５】
＜ステップＵ７＞  現像液振り切り回転（現像液振り切り過程）
制御部４１は基板Ｗをより高速に回転させて、基板Ｗ上の現像液を基板Ｗから振り切る。
【０１２６】
＜ステップＵ４、Ｕ５＞  ＣＯ２ガスの供給（中和過程）と第２の純水供給（除去過程）
制御部４１は基板Ｗに対して、ＣＯ２ガスの供給と、純水の供給を並行して行う。なお、ＣＯ２ガス及び純水を供給する各期間は同一の場合に限られず、互いに異なっていてもよい。基板Ｗ上に供給された純水はＣＯ２ガスを溶解して、ＣＯ２溶解水になる。そして、レジスト膜の表面やレジスト膜内部の各所に残っている基板Ｗ上の現像液を中和する。この中和反応により生成された生成物（塩）は、ＣＯ２溶解水に容易に溶けて、ＣＯ２溶解水とともに基板Ｗ外へ捨てられる。
【０１２７】
＜ステップＵ６＞  第２の回転乾燥
制御部４１は基板Ｗを再び高速に回転させて、基板Ｗ上のＣＯ２溶解水を基板Ｗから振り切りつつ、基板Ｗを乾燥する。
【０１２８】
このような処理例８によっても、処理例６と同様にＣＯ２ガスを供給する（ステップＵ４）ので、効果的に基板Ｗ上の現像液を基板Ｗ外に除去することができ、現像欠陥を抑制できる。
【０１２９】
また、処理例８によれば、ＣＯ２ガスの供給と純水の供給とを並行して行うので、一連の処理に要する時間を短縮することができる。
【０１３０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１３１】
（１）上述した各実施例では、純水またはリンス液に二酸化炭素を混合又は溶解したが、このような中和物質は二酸化炭素に限られない。たとえば、過酸化水素やカルボン酸を中和物質としてもよい。あるいは、二酸化炭素、過酸化水素及びカルボン酸のうち、２つ以上を中和物質として選択してもよい。なお、本明細書における中和物質は、そのもの自体が現像液を中和する物質に限られず、現像液を中和するための物質も含む。
【０１３２】
（２）上述した各実施例では、現像液を中和する際、および、この中和反応によって生成された生成物を基板Ｗ外に除去する際は、基板Ｗを回転させていたが、これに限られず、基板Ｗを静止させていてもよい。具体的には、ＣＯ２溶解水の供給（ステップＳ４）、ＣＯ２溶解水の噴霧供給（ステップＴ４）、第２のリンス液の供給（ステップＴ５）、ＣＯ２ガスの供給（ステップＵ４）、第２の純水供給（ステップＵ５）については、適宜、基板Ｗを静止させつつ、行ってもよい。
【０１３３】
（３）上述した各実施例では、現像液ノズル１１、処理液ノズル２１、リンスノズル３１、２流体ノズル５１は、いずれも基板Ｗの略中心Ｐ上方を処理位置としていたが、これに限られない。たとえば、基板Ｗ上を移動させつつ、現像液等を供給するように変更してもよい。例えば、現像液ノズル１１を基板Ｗの外縁より外側の位置から基板Ｗの略中心Ｐ上方の位置まで移動させながら現像液を供給するようにしてもよい。
【０１３４】
（４）上述した実施例２の２流体ノズル５１は、ＣＯ２ガスと純水が供給されるように構成されていたが、これに限られない。たとえば、中和物質を含んだ処理液を供給する処理液供給源を純水供給源５６に換えて備えるように構成して、この処理液を２流体ノズル５１に供給するように変更してもよい。また、この場合には、ＣＯ２ガス供給源５３に換えて不活性ガス供給源を備えて、２流体ノズル５１に窒素ガス等の不活性ガスを供給するように変更してもよい。あるいは、ＣＯ２ガス供給源５３に換えてエア供給源を備えて圧縮空気を供給するように変更してもよい。
【０１３５】
（５）上述した実施例２では、処理例４〜６を説明したが、これに限られない。たとえば、処理例４において、ＣＯ２溶解水の噴霧供給（ステップＴ４）の後であって第２の回転乾燥（ステップＴ６）の前に、第２のリンス液の供給（ステップＴ５）を省略してもよい。処理例５、６において、ＣＯ２溶解水の噴霧供給（ステップＴ４）の後であって第２の回転乾燥（ステップＴ６）の前に、第２のリンス液の供給（ステップＴ５）を行うように変更してもよい。
【０１３６】
（６）上述した実施例３では、処理例７、８を説明したが、これに限られない。たとえば、処理例７において、現像液の供給（ステップＵ１）の後であってＣＯ２ガスの供給（ステップＵ４）の前に、現像液振り切り回転（ステップＵ７）を行うように変更してもよい。また、処理例８において、現像液の供給（ステップＵ１）の後であってＣＯ２ガスの供給（ステップＵ４）および第２のリンス液の供給（ステップＵ５）の前に、第１のリンス液の供給（ステップＵ２）および／または第１の回転乾燥（ステップＵ３）を行うように変更してもよい。
【０１３７】
（７）上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせてるように変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】実施例１に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】基板を現像する処理例１から処理例３の動作を示すフローチャートである。
【図３】実施例２に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】基板を現像する処理例４から処理例６の動作を示すフローチャートである。
【図５】実施例３に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】基板を現像する処理例７と処理例８の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１３９】
１  …  スピンチャック
３  …  モータ
１１  …  現像液ノズル
２１  …  処理液ノズル
３１  …  リンスノズル
４１  …  制御部
５１  …  ２流体ノズル
６１  …  ガス吹出口
７１  …  純水ノズル
Ｗ  …  基板
【図１】
2008210873.tif 000003
【図２】
2008210873.tif 000004
【図３】
2008210873.tif 000005
【図４】
2008210873.tif 000006
【図５】
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【図６】
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