【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された第１の金属層と、該第１の金属層上に配置された絶縁層と、第１の半導体層と、第２の金属層と、を含むスイッチング素子と、
前記スイッチング素子上に配置された第３の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に配置された第４の金属層と、を含み、前記スイッチ素子に接続された変換素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素領域と、を有する変換装置であって、
前記第２の金属層により形成され、列方向の複数の前記スイッチング素子が列毎に接続された複数の信号配線と、
前記第４の金属層により形成され、複数の前記変換素子に接続されたバイアス配線と、
前記第１の金属層により前記画素領域外に形成され、前記複数の信号配線と接続された外部信号配線と、を有し、
前記外部信号配線部と前記バイアス配線とは交差して配置されていることを特徴とする変換装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、前記絶縁基板上に配置された前記第１の金属層からなる駆動電極と、前記駆動電極上に配置された前記絶縁層と、前記絶縁層上に配置された前記第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に配置された前記第２の金属層からなるソース又はドレイン電極と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の変換装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子と前記変換素子との間に配された層間絶縁層を更に有し、前記外部信号配線部と前記バイアス配線とが更に前記層間絶縁層を挟んで交差することを特徴とする請求項２に記載の変換装置。
【請求項４】
前記第２の金属層と前記第３の金属層とが同一の金属層により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の変換装置。
【請求項５】
前記第４の金属層により前記画素領域外に形成され、前記外部信号配線部と接続された第２の外部信号配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項６】
前記第１の金属層により形成され、行方向の複数の前記スイッチング素子が行毎に接続された複数の駆動配線と、前記第４の金属層により前記画素領域外に形成され、前記駆動配線と接続された外部駆動配線部と、を更に含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項７】
前記外部駆動配線部は第１端子部を、前記第２の外部信号配線部は第２端子部を、前記バイアス配線は第３端子部をそれぞれ有し、前記第１端子部には前記スイッチング素子を駆動するための駆動回路が、前記第２端子部には前記変換素子によって変換された電気信号を処理するための信号処理回路が、前記第３端子部には前記変換素子にバイアスを印加するためのバイアス電源部がそれぞれ接続されていることを特徴とする請求項６に記載の変換装置。
【請求項８】
前記変換素子は、光電変換素子であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項９】
前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第２の半導体層との間に配された第２の絶縁層と、前記第２の半導体層と前記上部電極との間に配された第２の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項１０】
前記光電変換素子は、前記下部電極と前記第２の半導体層との間に配された第２の不純物半導体層と、前記第２の半導体層と前記上部電極との間に配された第３の不純物半導体層と、を更に含む光電変換素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項１１】
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、非晶質シリコンからなることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の変換装置。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか１項に記載の変換装置と、
前記変換素子層上に配され、入射した放射線を可視光に変換する波長変換体と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を具備することを特徴とする放射線検出システム。
【請求項１４】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に配置された第１の金属層と、前記第１の金属層上に配置された絶縁層と、第１の半導体層と、第２の金属層と、を含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された第３の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に配置された第４の金属層と、を含み、前記スイッチング素子に接続された変換素子と、を有する画素が行方向及び列方向に複数配置された画素領域と、を備えた変換装置であって、
信号配線は前記列方向の複数の前記スイッチング素子に接続され、バイアス配線は複数の前記変換素子に接続され、
前記信号配線と前記バイアス配線が交差する交差部において、前記信号配線は前記第１の金属層からなり、前記バイアス配線は前記第４の金属層からなることを特徴とする変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明に係る変換装置及び放射線検出装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された第１の金属層と、前記第１の金属層上に配置された絶縁層と、第１の半導体層と、第２の金属層と、を含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された第３の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に配置された第４の金属層と、を含み、前記スイッチ素子に接続された変換素子と、を含む複数の画素が行列状に配置された画素領域を有する変換装置であって、前記第２の金属層により形成され、列方向の複数の前記スイッチング素子が列毎に接続された複数の信号配線と、前記第４の金属層により形成され、複数の前記変換素子に接続されたバイアス配線と、前記第１の金属層により前記画素領域外に形成され、前記複数の信号配線と接続された外部信号配線と、を有し、前記外部信号配線部と前記バイアス配線とは交差して配置されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明に係る変換装置及び放射線検出装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に配置された第１の金属層と、前記第１の金属層上に配置された絶縁層と、第１の半導体層と、第２の金属層と、を含むスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に配置された第３の金属層からなる下部電極と、前記下部電極上に配置された第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に配置された第４の金属層と、を含み前記スイッチング素子に接続された変換素子と、を有する画素が行方向及び列方向に複数配置された画素領域を備えた変換装置であって、信号配線は前記列方向の複数の前記スイッチング素子に接続され、バイアス配線は複数の前記変換素子に接続され、前記信号配線と前記バイアス配線が交差する交差部において、前記信号配線は前記第１の金属層からなり、前記バイアス配線は前記第４の金属層からなることを特徴とするものである。