(57)【要約】【課題】  炭素を含まないガスを利用して半導体材料をドライエッチングすることによって、上部に丸みを持つ溝を形成するための技術を提供すること。【解決手段】  本発明では、有底の溝３０を有する半導体基板を製造する。まず、半導体材料炭素を含むマスク２０によって被覆されているマスク被覆領域１０ｂとそのマスクによって被覆されていないマスク非被覆領域１０ｃとを有する半導体材料１０を用意する。さらに、マスク２０とマスク非被覆領域１０ｃの両方に向けて炭素を含まないガスを供給することによって、マスク非被覆領域１０ｃから半導体材料１０内に向けて伸びる有底の溝３０を形成する。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有底の溝を有する半導体基板を製造する方法であり、
炭素を含むマスクによって被覆されているマスク被覆領域とそのマスクによって被覆されていないマスク非被覆領域とを有する半導体材料を用意する用意工程と、
マスクとマスク非被覆領域の両方に向けて炭素を含まないガスを供給することによって、マスク非被覆領域から半導体材料内に向けて伸びる有底の溝を形成する溝形成工程と
を備える製造方法。
【請求項２】
前記溝内にトレンチゲート電極を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１の製造方法。
【請求項３】
前記半導体材料は、シリコンによって構成されていることを特徴とする請求項１又は２の製造方法。
【請求項４】
前記マスクは、
前記半導体材料の表面に接しており、かつ、所定のマスクパターンを有している第１マスクと、
第１マスクの表面に接しており、前記所定のマスクパターンを有しており、かつ、炭素を含む第２マスクと
を有することを特徴とする請求項１から３のいずれかの製造方法。
【請求項５】
前記第１マスクは、絶縁体によって構成されていることを特徴とする請求項４の製造方法。
【請求項６】
前記用意工程は、
表面に絶縁体領域が接している半導体材料を用意する工程と、
前記所定のマスクパターンを有する前記第２マスクによって被覆されている第２マスク被覆領域と前記第２マスクによって被覆されていない第２マスク非被覆領域とを前記絶縁体領域の表面に形成する工程と、
前記絶縁体領域の第２マスク非被覆領域から前記半導体材料の前記表面まで伸びる孔を前記絶縁体領域に形成することによって、前記所定のマスクパターンを有する前記第１マスクを形成する工程と
を有することを特徴とする請求項５の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有底の溝を有する半導体基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、トレンチゲート電極を有する半導体装置が広く知られている。このような半導体装置を製造する場合、まず、半導体材料に有底の溝が形成される。次いで、トレンチゲート電極を溝内に形成する。半導体材料に有底の溝を形成するための方法として、以下の特許文献１及び特許文献２の技術が知られている。
図１０を参照にして、特許文献１の方法について説明する。表面にマスク１２０が接している半導体材料１１０が用意される。このマスク１２０は、シリコン酸化膜である。マスク１２０は、開口１１８を有する。溝１３０が形成される前は、半導体材料１１０の上面はフラットである。即ち、図１０の破線で示す位置まで半導体材料１１０が存在している。マスク１２０の上面に向けて炭素を含まないガスが供給される。これにより、マスク１２０の開口１１８に対応する部分に存在する半導体材料１１０がエッチングされ、溝１３０が形成される。ドライエッチングする場合、半導体材料１１０の溝１３０の側面及び底面に酸化膜１３２が形成される。酸化膜１３２が形成された半導体材料１１０は、エッチングが進行しにくくなる。ただし、溝１３０の底面にはイオンによるスパッタの効果のために、溝１３０の底面はエッチングが進行していく。一方において、溝１３０の側面には底面ほどに高圧のガスが供給されないために、酸化膜１３２が形成されている溝１３０の側面はエッチングが進行しにくい。この結果、マスク１２０の開口１１８の幅にほぼ一致する幅を有する溝１３０が形成される。次いで、溝１３０内にトレンチゲート電極（図示省略）が形成される。このような過程を経て、トレンチゲート電極を有する半導体装置が製造される。
【０００３】
続いて、図１１を参照して、特許文献２の方法について説明する。特許文献２の方法では、炭素を含むガスを利用してドライエッチングを行なうことによって、半導体材料２１０に溝２３０を形成する。半導体材料２１０の表面に接しているマスク２２０は、シリコン酸化膜及びシリコン窒化膜によって構成されている。マスク２２０の上面に向けて炭素を含むガス（Ｃ４Ｆ８とＡｒの混合ガス）が供給される。これにより、半導体材料２１０がエッチングされ、溝２３０が形成される。炭素を含むガスを利用してドライエッチングする場合、溝２３０の側面及び底面に形成される酸化膜の酸素がガス中の炭素と反応して炭化水素（例えば一酸化炭素）になるために、溝２３０内に酸化膜がほとんど形成されない。このために、溝２３０の側面もエッチングが進行する。この結果、マスク２２０の開口２１８の幅より広い幅を有する溝２３０が形成される。
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１９６５２３号公報
【特許文献２】特開２００６−２３７１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、炭素を含まないガスを利用してドライエッチングする場合（特許文献１の場合）、マスク１２０の開口１１８の幅と溝１３０の幅の寸法差がほとんどなく、意図した幅を持つ溝１３０を形成することができる。しかしながら、図１０の例では、溝１３０の上部１３０ａが角張っている。溝１３０の上部１３０ａが角張っていると、完成された半導体装置に通電した場合に、溝１３０の上部１３０ａに電界が集中しやすくなることが知られている。このことは、例えば特許文献２の段落「０００３」に記載されている。電界が集中しやすい部分が存在すると、半導体装置が破損しやすい。
【０００６】
一方において、特許文献２には、高次フルオロカーボンガス（例えばＣ４Ｆ８）を利用してドライエッチングを行なうと、溝上部に丸みが形成されると開示されている。しかしながら、炭素を含むガスを利用してドライエッチングする場合、図１１に示されるように、溝２３０の側面の全体がオーバーエッチングされてしまう。マスク２２０の開口２１８の幅と溝２３０の幅の寸法差が大きくなってしまうために、意図した幅を持つ溝２３０を形成することができない。
【０００７】
本発明は、上記した実情に鑑みてなされたものであり、炭素を含まないガスを利用して半導体材料をドライエッチングすることによって、上部に丸みを持つ溝を形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明では、有底の溝を有する半導体基板を製造する。この製造方法は、炭素を含むマスクによって被覆されているマスク被覆領域とそのマスクによって被覆されていないマスク非被覆領域とを有する半導体材料を用意する用意工程を備える。さらに、マスクとマスク非被覆領域の両方に向けて炭素を含まないガスを供給することによって、マスク非被覆領域から半導体材料内に向けて伸びる有底の溝を形成する溝形成工程を備える。
なお、上記の「マスクとマスク非被覆領域の両方に向けて炭素を含まないガスを供給する」とは、少なくともマスクの開口の付近にガスを供給することを意味している。マスクの表面の全体に向けてガスを供給してもよいし、マスクの開口の付近のみにガスを供給してもよい。
この方法では、マスクに炭素が含まれている。マスクに向けて供給されたガスがマスクを侵食する。この結果、マスクから炭素が供給される。マスクから供給された炭素は、ガスとともに溝内に進入していく。マスクから近い溝上部には、炭素が多く供給される。このために、溝上部の側面には酸化膜が形成されにくくなる。溝上部の側面はエッチングが進行しやすく、溝上部に丸みが形成される。
一方において、溝下部には、マスク非被覆領域に向けて供給されて炭素を含まないガスが多く供給される。マスクからの炭素の一部が、溝下部にも供給されるかもしれない。しかしながら、マスクから遠い溝下部に供給される炭素量は、マスクから近い溝上部に供給される炭素量と比べて少ない。このために、溝上部と比べると溝下部には酸化膜が形成されやすく、溝下部の側面はエッチングが進行しにくい。溝下部の側面がオーバーエッチングされることを防止することができる。
本方法によると、上部に丸みを持つ溝をドライエッチングによって形成することができる。また、炭素を含まないガスを利用してドライエッチングするために、溝の側面の全体がオーバーエッチングされることを防止することができる。本方法によると、意図した幅を持つ溝が形成されている半導体基板を製造することができる。
【０００９】
上記の方法によって製造された半導体基板は、トレンチゲート電極を有する半導体装置に好適に利用することができる。この場合、溝の側面及び底面に絶縁層を形成し、その後にトレンチゲート電極を溝内に形成してもよい。
溝上部が角張っていると、その部分に形成される絶縁層が薄くなる。この場合、トレンチゲート電極に通電した場合に、溝上部（絶縁層の薄い部分）に電界が集中してしまう。これに対し、本方法によって製造された半導体基板は、溝上部に丸みが形成されているために、その部分に形成される絶縁層の厚みを大きくすることができる。このために、トレンチゲート電極に通電した場合に、溝上部に電界が集中しにくくなる。安定的な電気特性を発揮する半導体装置を実現することができる。
なお、本方法によって製造された半導体基板は、溝内に電極以外の電子部品が配置される半導体装置に利用されてもよい。例えば、溝内に電極以外の導電体が配置されている半導体装置に利用されてもよい。
【００１０】
上記の半導体材料は、シリコンによって構成されていてもよい。一方において、上記の半導体材料は、窒化ガリウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素等の他の材料によって構成されてもよい。
【００１１】
上記のマスクは、単層マスクであってもよいし、多層マスクであってもよい。前者の場合、その単層マスクに炭素が含まれる。後者の場合、少なくとも最上位の層に炭素が含まれていることが好ましい。なお、多層マスクの全部の層に炭素が含まれていてもよいし、多層マスクの最上位の層のみに炭素が含まれていてもよい。
本発明の方法では、単層マスクと多層マスクのいずれを利用してもよいが、多層マスクを利用する方が好ましい。この理由を以下に説明する。単層マスクを利用する場合、単層マスクに向けて供給されるガスが単層マスクを侵食する。単層マスクは、開口の付近において侵食されやすい。このために、溝を形成している過程において、単層マスクの開口の幅が広くなっていく。単層マスクの開口の幅が広くなると、その開口の形状に合わせて形成される溝の幅も広くなる。このために、単層マスクを利用する場合、意図した幅を持つ溝を形成しにくい。これに対し、多層マスクを利用する場合、最上位の層が侵食されて開口の幅が広くなったとしても、それより下の層の開口の形状は維持される。このために、意図した幅を持つ溝を形成することができる。
【００１２】
多層マスクを利用する場合、以下のようにマスクを構成してもよい。即ち、マスクは、第１マスクと第２マスクを有していてもよい。第１マスクは、半導体材料の表面に接しており、かつ、所定のマスクパターンを有していてもよい。また、第２マスクは、第１マスクの表面に接しており、上記の所定のマスクパターンを有しており、かつ、炭素を含んでいてもよい。
この構成では、二層マスクが利用されている。上層である第２マスクには、炭素が含まれている。このために、ガスによって第２マスクが侵食され、第２マスクから炭素が供給されることになる。なお、下層である第１マスクには、炭素が含まれていてもよいし、炭素が含まれていなくてもよい。
この構成によると、ガスによって第２マスクが侵食されても、第１マスクの開口の形状が維持される。このために、意図した幅を持つ溝を形成することができる。
【００１３】
なお、上記の第１マスクは、絶縁体によって構成されていてもよい。絶縁体を利用してマスクを形成すると、所望のマスクパターンを精度よく形成することができる。このために、意図した形状を持つ溝を形成することができる。
【００１４】
第１マスクが絶縁体である場合、上記の用意工程は、以下の工程を有していてもよい。即ち、表面に絶縁体領域が接している半導体材料を用意する工程を有していてもよい。さらに、上記の所定のマスクパターンを有する第２マスクによって被覆されている第２マスク被覆領域と第２マスクによって被覆されていない第２マスク非被覆領域とを絶縁体領域の表面に形成する工程を有していてもよい。また、絶縁体領域の第２マスク非被覆領域から半導体材料の表面まで伸びる孔を絶縁体領域に形成することによって、上記の所定のマスクパターンを有する第１マスクを形成する工程を有していてもよい。
このようにすると、異なる材料によって構成される２つの層を同じマスクパターンに形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、トレンチゲート電極が溝内に形成されている半導体基板を製造する。この製造過程を順に説明していく。なお、以下の説明では、各構成要素について、各図に示される上側の面を表面とし、下側の面を裏面とする。
まず、図１に示される半導体材料１０を用意する。図１は、半導体材料１０の断面図を示す。半導体材料１０は、シリコンによって形成されている。
半導体材料１０の表面１０ａに絶縁体領域１２が接している。本実施形態の絶縁体領域１２は、厚みＤ２を有する半導体材料１０の表面１０ａに対してＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）を実施することによって形成されたものである。絶縁体領域１２は、炭素を含んでいない。
なお、絶縁体領域１２は、厚みＤ１を有する半導体材料１０を酸化（例えば熱酸化）させることによって形成されてもよい。
【００１６】
次いで、図２に示されるように、絶縁体領域１２の表面１２ａにレジストマスク１４を形成する。本実施形態では、フォトリソグラフィを利用してレジストマスク１４を形成する。フォトリソグラフィに利用されるレジスト材料は、炭素を含んでいる。例えば、本実施形態のレジスト材料は、ノボラック樹脂である。レジスト材料に炭素が含まれているために、レジストマスク１４も炭素を含んでいる。
レジストマスク１４は、開口１６を有する。このために、絶縁体領域１２の表面１２ａには、レジストマスク１４によって被覆されている領域１２ｂと、レジストマスク１４によって被覆されていない領域１２ｃが形成されている。以下では、前者の領域１２ｂのことをレジスト被覆領域と呼び、後者の領域１２ｃのことをレジスト非被覆領域と呼ぶ。
【００１７】
続いて、絶縁体領域１２の表面１２ａに対してドライエッチングを実施する。本実施形態では、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching; RIE）を実施する。また、本実施形態のエッチングガスは、炭素を含むものである。例えば、ＣＦ４とＣＨＦ３とＡｒの比率が、９：１：１００の混合ガスを利用する。また、ＲＦ周波数は、３８０ＫＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの範囲内を利用する。ガス圧は、３０〜２００ｍＴｏｒｒを利用する。
図３に示されるように、レジスト被覆領域１２ｂはエッチングされないが、レジスト非被覆領域１２ｃはエッチングが進行する。これにより、レジスト非被覆領域１２ｃから半導体材料１０の表面１０ａまで伸びる孔１８が絶縁体領域１２に形成される。レジストマスク１４の開口１６と同じ幅を有する孔１８が絶縁体領域１２に形成される。即ち、レジストマスク１４と同じマスクパターンを有する絶縁体マスク１２が形成される。本実施形態では、絶縁体マスク１２とレジストマスク１４の２つのマスク層を利用して、後述するトレンチエッチングを実施する。即ち、本実施形態では、多層マスクを利用する。なお、以下では、絶縁体マスク１２とレジストマスク１４を合わせて単にマスク２０と呼ぶことがある。
絶縁体マスク１２が形成されると、半導体材料１０の表面１０ａの一部１０ｃが露出する。即ち、半導体材料１０の表面１０ａには、マスク２０によって被覆されている領域１０ｂと、マスク２０によって被覆されていない領域１０ｃが形成されている。以下では、前者の領域１０ｂのことをマスク被覆領域と呼び、後者の領域１０ｃのことをマスク非被覆領域と呼ぶ。
【００１８】
次いで、半導体材料１０の表面１０ａに対してドライエッチングを実施する。本実施形態では、反応性イオンエッチングを実施する。このエッチングガスは、炭素を含まない。エッチングガスとしては、例えば、ＳＦ６、ＨＢｒ、ＮＦ３、ＳｉＦ４等を利用することができる。また、エッチング条件としては、ＳＦ６／Ｏ２比が０．５〜１．５であり、ＲＦパワーが５００〜１５００Ｗであり、圧力が１０〜１００ｍＴである。
図４に示されるように、エッチングガスは、レジストマスク１４の表面１４ａと半導体材料１０のマスク非被覆領域１０ｃの両方に供給される。マスク被覆領域１０ｂはエッチングされないが、マスク非被覆領域１０ｃはエッチングが進行する。これにより、マスク非被覆領域１０ｃから半導体材料１０内に向けて伸びる溝３０が形成されていく。レジストマスク１４に向けて供給されたガスがレジストマスク１４を侵食する。即ち、レジストマスク１４は少しずつ削られていく。これにより、レジストマスク１４から炭素が供給される。レジストマスク１４から供給された炭素は、ガスとともに溝３０内に進入する。レジストマスク１４から近い溝上部の側面３０ａには、多くの炭素が供給される。この炭素は、溝上部の側面３０ａに形成される酸化膜の酸素と反応して一酸化炭素になる。このために、溝上部の側面３０ａに酸化膜が形成されにくい。溝上部の側面３０ａは、酸化膜が形成されにくいために、エッチングが進行しやすい。溝上部の側面３０ａは、ややオーバーエッチングされる。この結果、溝上部の側面３０ａに丸み（テーパ）が形成される。溝上部の側面３０ａは、絶縁体マスク１２の孔（開口）１８よりも外側に位置している。
【００１９】
ドライエッチングが進むと、溝３０が深くなっていく。図５には、所望の深さに形成された溝３０が示されている。上述したように、溝上部には多くの炭素が供給されるために、溝上部の側面３０ａに丸みが形成される。一方において、溝下部には、マスク非被覆領域１０ｃに向けて供給されて炭素を含まないガスが多く供給される。レジストマスク１４からの炭素の一部は、溝下部にも供給されるかもしれない。しかしながら、レジストマスク１４から遠い溝下部に供給される炭素量は、レジストマスク１４から近い溝上部に供給される炭素量と比べて少ない。このために、溝上部と比べると溝下部には酸化膜３２が形成されやすく、溝下部の側面３０ｂはエッチングが進行しにくい。溝下部の側面３０ｂがオーバーエッチングされることが防止される。溝３０は、深い位置にある側面ほどエッチングが進行しにくい。このために、溝３０の側面の全体が、テーパ形状を有する。
【００２０】
なお、溝上部の側面３０ａに丸みが形成される理由として、別の理由を推察することができる。図５に示されるように、レジストマスク１４は、ドライエッチングが進行するにつれて削られていく。特に、レジストマスク１４の開口１６の付近が削られていく。レジストマスク１４の開口１６の付近が削られると、レジストマスク１４から溝３０内に供給される炭素量が少なくなるものと思われる。即ち、ドライエッチングの初期段階ではレジストマスク１４から溝３０内に供給される炭素量が多く、ドライエッチングが進むにつれてレジストマスク１４から溝３０に供給される炭素量が少なくなるものと思われる。この場合、ドライエッチングの初期段階では、溝３０内に供給される炭素量が多いために、溝上部の側面３０ａに酸化膜３２が形成されにくい。この結果、溝上部の側面３０ａのエッチングが進行し、溝上部の側面３０ａに丸みが形成される。これに対し、ドライエッチングの終盤段階では、溝３０内に供給される炭素量が少ないために、溝３０内に酸化膜３２が形成されやすい。この結果、溝下部の側面３０ｂのエッチングが進行しにくくなり、溝下部の側面３０ｂがオーバーエッチングされることが防止される。
【００２１】
レジストマスク１４の開口１６の付近が削られていくと、レジストマスク１４の開口１６の幅が変化する。しかしながら、本実施形態では、多層マスクを利用しているために、レジストマスク１４の開口１６の幅が変化しても絶縁体マスク１２の開口１８の幅は維持される。絶縁体マスク１２の開口１８の幅が維持されている状態でエッチングが進行していく。レジストマスク１４が削られても絶縁体マスク１２の開口１８に従った形状を持つ溝３０を形成することができる。意図した形状を持つ溝３０を形成することができる。
【００２２】
なお、炭素を含まないガスを利用してドライエッチングを行なう場合、溝３０の底面３０ｃから上方に伸びる酸化物（いわゆる残渣）３６が形成されることがある。本実施形態の場合、炭素を含まないガスを利用してドライエッチングを行なうが、レジストマスク１４から溝３０内に炭素が供給される。この炭素が酸化物３６と反応するために、酸化物３６が除去される。本実施例では、溝３０の底面３０ｃに酸化物３６が形成されにくく、溝３０を形成した後に酸化物３６を除去する工程を行なう必要がない。
【００２３】
続いて、レジストマスク１４と絶縁体マスク１２を除去する。図６は、この除去工程が実施された後の半導体材料１０を示す。この除去工程は、様々な公知の手法を利用して実施することができる。例えば、アッシングすることによってレジストマスク１４を除去することができる。
【００２４】
次いで、半導体材料１０の表面１０ａと溝３０内を酸化させる。図７は、この酸化工程が実施された後の半導体材料１０を示す。この酸化工程を実施することによって、酸化膜３４が形成される。酸化膜３４は、上記したドライエッチングによって形成される酸化膜３２（図６等参照）よりも厚い。
溝上部の側面３０ａに丸みが形成されていないと、その部分に形成される酸化膜が薄くなってしまう。この場合、最終的に完成した半導体装置に通電すると、薄い酸化膜のところに電界が集中しやすくなる。これに対し、本実施形態では、溝上部の側面３０ａに丸みが形成されているために、その部分に形成される酸化膜３４を十分に厚くすることができる。最終的に製造される半導体装置において、溝上部に電界が集中しにくい。
【００２５】
続いて、図８に示されるように、不純物雰囲気の中で溝３０内にポリシリコン３８を堆積させる。これにより、溝３０内に導体のポリシリコン３８が形成されることになる。このポリシリコン３８は、トレンチゲート電極として機能する。
【００２６】
次に、図９に示されるように、半導体材料１０の表面１０ａに形成されていた酸化膜３４と、溝３０の外部に堆積されたポリシリコン３８を除去する。いわゆるエッチバック工程を実行する。これにより、溝３０内にトレンチゲート電極３８が形成されている半導体基板５０が完成する。
半導体基板５０は、例えば、ＩＧＢＴやＭＯＳトランジスタに利用される。半導体基板５０をＩＧＢＴ等に利用する場合、トレンチゲート電極３８の上面に絶縁膜が形成され、その後に半導体材料１０の表面１０ａに主電極（エミッタ電極）が形成される。
【００２７】
上記の実施形態によると、ドライエッチングによって溝上部の側面３０ａに丸みを形成することができる。溝３０が形成された後に、溝上部の側面３０ａに丸みを形成する工程を実施する必要がない。
また、上記の実施例形態では、炭素を含まないガスを利用するために、溝下部の側面３０ｂがオーバーエッチングされにくい。このために、溝３０の側面の全体がオーバーエッチングされることを抑制することができる。意図した幅を持つ溝３０を形成することができる。
溝上部の側面３０ａに丸みが形成されているために、その部分に形成されている酸化膜３４が十分に厚い。このために、完成した半導体装置（例えばＩＧＢＴ）のトレンチゲート電極３８に通電した場合に、酸化膜３４の一部に電界が集中することを抑制することができる。本実施形態によると、電気特性が安定している半導体装置を製造することができる。
【００２８】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、上記の実施例では、半導体材料にシリコンを用いているが、それ以外の半導体材料を用いてもよい。例えば、窒化ガリウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素等を半導体材料に用いてもよい。
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】有底の溝が形成されている半導体基板の製造過程を示す。
【図２】半導体基板の製造過程を示す（図１の続き）。
【図３】半導体基板の製造過程を示す（図２の続き）。
【図４】半導体基板の製造過程を示す（図３の続き）。
【図５】半導体基板の製造過程を示す（図４の続き）。
【図６】半導体基板の製造過程を示す（図５の続き）。
【図７】半導体基板の製造過程を示す（図６の続き）。
【図８】半導体基板の製造過程を示す（図７の続き）。
【図９】半導体基板の製造過程を示す（図８の続き）。
【図１０】従来の製造過程を説明するための図を示す。
【図１１】従来の製造過程を説明するための図を示す。
【符号の説明】
【００３０】
１０：半導体材料
１０ａ：半導体材料の表面
１０ｂ：マスク被覆領域
１０ｃ：マスク非被覆領域
１２：絶縁体マスク
１４：レジストマスク
２０：マスク
３０：溝
３０ａ：溝上部の側面
３０ｂ：溝下部の側面
３０ｃ：溝の底面
３２：酸化膜
【図１】
2008135534.tif 000003
【図２】
2008135534.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2008135534.tif 000008
【図７】
2008135534.tif 000009
【図８】
2008135534.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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