【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板に設けられた光変調器と、前記光変調器に接続している光半導体素子と、を有し、
前記光変調器は、
光を伝搬する第一光導波路層と、
前記第一光導波路層に電界を印加する一対の電極と、
前記第一光導波路層の下面を覆う第一導電性の下部クラッド層と、
前記第一光導波路層の上に設けられる前記第一導電性の上部クラッド層と、
を備え、
前記第一光導波路層の上面と前記第一光導波路層の側面とを覆う半絶縁性半導体層が設けられており、
前記光半導体素子は、
前記半導体基板上に順次積層された、前記第一導電性の第一クラッド層と、第二光導波路層と、第二導電性の第二クラッド層と、を含む第二積層体を備え、前記光変調器に設けられた前記半絶縁性半導体層が前記第二積層体を埋設しており、
前記光半導体素子に順バイアスが印加される、光集積素子。
【請求項２】
前記第一導電性がｎ型である、請求項１に記載の光集積素子。
【請求項３】
前記第一光導波路層の上面と前記上部クラッド層の下面との間に形成された前記半絶縁性半導体層の層厚が、前記第二積層体を埋め込む前記半絶縁性半導体層の層厚より薄い、請求項１または２に記載の光集積素子。
【請求項４】
前記光半導体素子がレーザ光を増幅する光増幅器である、請求項１乃至３いずれかに記載の光集積素子。
【請求項５】
前記光半導体素子は、位相調整領域とレーザ光を増幅する光増幅領域とを有する、請求項１乃至４いずれかに記載の光集積素子。
【請求項６】
前記光半導体素子が波長可変レーザである、請求項１乃至５いずれかに記載の光集積素子。
【請求項７】
半導体基板上に第一導電性のクラッド層と第二光導波路層と第二導電性のクラッド層とを順に積層して第二積層構造を形成する工程と、
前記第一導電性のクラッド層上に第一光導波路層を積層して第一積層構造を形成する工程と、
前記第一光導波路層と前記第二光導波路層とを接続する工程と、
前記第一積層構造をエッチングして第一メサを形成するとともに、前記第二積層構造をエッチングして第二メサを形成する工程と、
前記第二メサを半絶縁性半導体層で埋め込むとともに、前記第一メサの表面を前記半絶縁性半導体層で覆う工程と、
を含む、光集積素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光集積素子およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光導波路を有する光変調器、特に光伝送装置などに用いられる光変調器と、波長可変レーザを始めとする半導体レーザ、光増幅器、位相制御装置、光導波路などの順バイアスが印加される光半導体素子とを備える半導体光集積素子およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、半導体基板と、前記半導体基板に設けられた光変調器と、前記光変調器に接続している光半導体素子と、を有し、
前記光変調器は、
光を伝搬する第一光導波路層と、
前記第一光導波路層に電界を印加する一対の電極と、
前記第一光導波路層の下面を覆う第一導電性の下部クラッド層と、
前記第一光導波路層の上に設けられる前記第一導電性の上部クラッド層と、
を備え、
前記第一光導波路層の上面と前記第一光導波路層の側面とを覆う半絶縁性半導体層が設けられており、
前記光半導体素子は、
前記半導体基板上に順次積層された、前記第一導電性の第一クラッド層と、第二光導波路層と、第二導電性の第二クラッド層と、を含む第二積層体を備え、前記光変調器に設けられた前記半絶縁性半導体層が前記第二積層体を埋設しており、
前記光半導体素子に順バイアスが印加される、光集積素子
が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
さらに、本発明によれば、上記の光集積素子に適した製造方法が提供される。すなわち、本発明によれば、半導体基板上に第一導電性のクラッド層と第二光導波路層と第二導電性のクラッド層とを順に積層して第二積層構造を形成する工程と、
前記第一導電性のクラッド層上に第一光導波路層を積層して第一積層構造を形成する工程と、
前記第一光導波路層と前記第二光導波路層とを接続する工程と、
前記第一積層構造をエッチングして第一メサを形成するとともに、前記第二積層構造をエッチングして第二メサを形成する工程と、
前記第二メサを半絶縁性半導体層で埋め込むとともに、前記第一メサの表面を前記半絶縁性半導体層で覆う工程と、
を含む光集積素子の製造方法
が提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
また、本実施形態では２〜３領域の集積素子の例を挙げて説明したが、３領域以上の集積素子においても本発明は適用可能であり、領域数に制限はないことは言うまでもない。
たとえば、以下の構成も本発明に適用することが可能である。
（１）  光を入射する入射端面と、
入射された前記光を伝搬する第一光導波路層と、
前記第一光導波路層に電界を印加する一対の電極と、
印加された前記電界によって変調された前記光を出射する出射端面と、
前記第一光導波路層の下面を覆う第一導電性の下部クラッド層と、
前記第一光導波路層の上に設けられる前記第一導電性の上部クラッド層と、
を備え、
前記第一光導波路層の上面と前記第一光導波路層の側面とを覆う半絶縁性半導体層が設けられている光変調器。
（２）  半導体基板をさらに備え、
前記下部クラッド層と前記第一光導波路層とが順に積層された第一積層体が前記半導体基板上に設けられており、
前記第一積層体が、メサ状に加工されている（１）に記載の光変調器。
（３）  半導体基板をさらに備え、
前記下部クラッド層と前記第一光導波路層とが順に積層された第一積層体が前記半導体基板上に設けられており、
前記第一積層体の表面が前記半絶縁性半導体層によって覆われている（１）または（２）に記載の光変調器。
（４）  （１）〜（３）いずれかに記載の光変調器と、
前記光変調器に接続している光半導体素子と、
を含み、
前記光半導体素子に順バイアスが印加される光集積素子。
（５）  前記光変調器と、前記光変調器に接続している前記光半導体素子と、が設けられた半導体基板を備え、
前記光半導体素子は、
前記半導体基板上に順次積層された、第一導電性の第一クラッド層と、第二光導波路層と、第二導電性の第二クラッド層と、を含む第二積層体を備え、
前記光変調器に設けられた前記半絶縁性半導体層が前記第二積層体を埋設している（４）に記載の光集積素子。
（６）  前記第一光導波路層の上面と前記上部クラッド層の下面との間に形成された前記半絶縁性半導体層の層厚が、前記第二積層体を埋め込む前記半絶縁性半導体層の層厚より薄い（４）または（５）に記載の光集積素子。
（７）  前記光半導体素子がレーザ光を増幅する光増幅器であることを特徴とする（４）〜（６）いずれかに記載の光集積素子。
（８）  前記光半導体素子は、入力電気信号に応じてレーザ光の位相を調整する位相調整領域とレーザ光を増幅する光増幅領域とを有する（４）〜（７）いずれかに記載の光集積素子。
（９）  前記光半導体素子は、波長可変レーザであって、入力電気信号に応じてレーザ光の位相を調整する位相調整領域とレーザ光を増幅する光増幅領域とを有し、
前記位相調整領域は、波長可変フィルタを含む（４）〜（８）いずれかに記載の光集積素子。
（１０）  半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に第一導電性のクラッド層と第一光導波路層とを順に積層して第一積層構造を形成する工程と、
前記第一積層構造をエッチングして第一メサを形成する工程と、
形成された前記第一メサの表面を半絶縁性半導体層で覆う工程と、
を含む光変調器の製造方法。
（１１）  半導体基板を用意する工程と、
前記半導体基板上に第一導電性のクラッド層と第二光導波路層と第二導電性のクラッド層とを順に積層して第二積層構造を形成する工程と、
前記第一導電性のクラッド層上に第一光導波路層を積層して第一積層構造を形成する工程と、
前記第一光導波路層と前記第二光導波路層とを接続する工程と、
前記第一積層構造をエッチングして第一メサを形成するとともに、前記第二積層構造をエッチングして第二メサを形成する工程と、
前記第二メサを半絶縁性半導体層で埋め込むとともに、前記第一メサの表面を前記半絶縁性半導体層で覆う工程と、
を含む光集積素子の製造方法。