【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．
【化１】
2011530618.tif 000001
をそれぞれ含む、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド化合物の１種以上を含む硬化性成分であって、式中、
ｍ＝１−１５であり、
ｐ＝０−１５であり、
各Ｒ２は、独立して、水素またはメチル基から選択され、および
Ｊは有機または有機シロキサン基、およびそれらの２種以上の組合せを含む一価または多価部分構造を含み；ならびに
ｂ．コバルトベンゾエート、コバルトオクトエート、ジルコニウムオクトエート、セリウムオクトエート、鉄オクトエート、コバルトオレエート、コバルトデカノエート、コバルトホルメート、コバルトアセテート、コバルトサリシレート、コバルトステアレート、鉛ステアレート、およびニッケルオクトエートからなる群より選択される金属／カルボキシレート錯体およびペルオキシドの組合せを含む硬化剤成分、を含み、
１００℃未満の温度条件下で、３０から９０分間に渡って硬化される硬化性組成物。
【請求項２】
３０から９０分間に渡って、５５−７０℃の温度条件下で硬化性である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
さらに、フィラーを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記フィラーが、電気伝導性である、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記フィラーが、熱伝導性である、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記金属／カルボキシレート錯体が、硬化性成分の１００部を基準にして０．０５から２０部の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記ペルオキシドが、ペルオキシジカルボネートおよび芳香族ペルオキシネオデカノエートからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記ペルオキシドが、硬化性成分の１００部を基準にして０．０５から２０部の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記マレイミド含有化合物、前記ナジイミド含有化合物、および前記イタコンイミド含有化合物が、１価基に結合したマレイミド官能基、イタコンイミド官能基またはナジイミド官能基をそれぞれ含み、または多価基によって分離されたマレイミド官能基、イタコンイミド官能基またはナジイミド官能基をそれぞれ含み、前記１価基または前記多価基の各々は、前記マレイミド含有化合物、前記イタコンイミド含有化合物または前記ナジイミド含有化合物をそれぞれ液体にするのに充分な長さおよび分岐を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記マレイミド含有化合物、前記ナジイミド含有化合物、および前記イタコンイミド含有化合物のＪが、以下の（ａ）〜（ｉ）からなる群より選択されるものである、請求項１に記載の組成物。
（ａ）任意に、前記アルキル鎖上に置換基として、または前記アルキル鎖の主鎖の一部として任意に置換されたアリール部分構造を含有し、およびここで、前記アルキル鎖は、２０個までの炭素原子を有する、飽和直鎖アルキルまたは分岐鎖アルキル；
（ｂ）構造：−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−
（但し、各Ｒ３は、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
各Ｒ４は、独立して、水素、低級アルキルまたはアリールであり、
ｄ＝１−１０であり、
ｅ＝１−１０であり、および
ｆ＝１−５０である。）
を有するシロキサン；
（ｃ）構造：［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｆ−（ＣＲ２）ｓ−
（但し、各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｒ＝１−１０であり、
ｓ＝１−１０であり、および
ｆは上で定義されたとおりである。）
を有するポリアルキレンオキシド；
（ｄ）構造：
【化２】
2011530618.tif 000002
（但し、各Ａｒは、３から１０個までの範囲の炭素原子を有する１置換、２置換または３置換芳香族またはヘテロ芳香族環であり、および
Ｚは、
（ｉ）飽和直鎖アルキレンまたは分岐鎖アルキレンであって、任意に、前記アルキレン鎖上の置換基としてまたは前記アルキレン鎖の主鎖の一部として飽和環状部分構造を含み、または
（ｉｉ）構造：−［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｑ−（ＣＲ２）ｓ−を有するポリアルキレンオキシドであって、構造中、
各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｒおよびｓは各々上で定義されたものと同じであり、および
ｑは１から５０までの範囲に入る。）
を有する芳香族基；
（ｅ）構造：
【化３】
2011530618.tif 000003
（但し、各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｔは２から１０までの範囲に入り、
ｕは２から１０までの範囲に入り、および
Ａｒは上で定義されたものと同じである。）
を有するジ−またはトリ−置換芳香族部分；
（ｆ）構造：
【化４】
2011530618.tif 000004
（但し、
各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｔ＝２−１０であり、
ｋ＝１、２、または３であり、
ｇ＝１から５０までであり、
各Ａｒは上で定義されたとおりであり、
Ｅは、−Ｏ−または−ＮＲ５−であり、ここで
Ｒ５は水素または低級アルキルであり、および
Ｗは、
（ｉ）直鎖または分岐鎖アルキル、アルキレン、オキシアルキレン、アルケニル、アルケニレン、オキシアルケニレン、エステル、またはポリエステル、
（ｉｉ）構造：−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−、または−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−Ｃ（Ｒ３）−Ｏ（Ｏ）Ｃ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｄ−［Ｓｉ（Ｒ４）２−Ｏ］ｆ−Ｓｉ（Ｒ４）２−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（Ｃ（Ｒ３）２）ｅ−を有するシロキサンであって、構造中、
各Ｒ３は、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
各Ｒ４は、独立して、水素、低級アルキルまたはアリールであり、
ｄ＝１−１０であり、
ｅ＝１−１０であり、および
ｆ＝１−５０であり；または
（ｉｉｉ）構造：−［（ＣＲ２）ｒ−Ｏ−］ｆ−（ＣＲ２）ｓ−を有するポリアルキレンオキシドであって、構造中、
各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｒ＝１−１０であり、
ｓ＝１−１０であり、および
ｆは上で定義されたとおりであり、
前記ポリアルキレンオキシドは、任意に、ヒドロキシ、アルコキシ、カルボキシ、ニトリル、シクロアルキルまたはシクロアルケニルから選択される置換基を含有する。）
を有する芳香族基；
(ｇ）構造：Ｒ７−Ｕ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ６−Ｒ８−ＮＲ６−Ｃ（Ｏ）−（Ｏ−Ｒ８−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ６−Ｒ８−ＮＲ６−Ｃ（Ｏ））ｖ−Ｕ−Ｒ８−（但し、構造中、
各Ｒ６は、独立して、水素または低級アルキルであり、
各Ｒ７は、独立して、１から１８個の炭素原子を有するアルキル、アリール、またはアリールアルキル基であり、
各Ｒ８は鎖中に１００個までの原子を有するアルキルまたはアルキルオキシ鎖であり、任意に、Ａｒで置換されており、
Ｕは、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｎ（Ｒ）−、または−Ｐ（Ｌ）１，２−であり、ここで、
Ｒは上で定義されたとおりであり、
各Ｌは、独立して、＝Ｏ、＝Ｓ、−ＯＲまたは−Ｒであり、および
ｖ＝０−５０である。）
を有するウレタン基；
（ｈ）多環式アルケニル；および
（ｉ）それらの組合せ。
【請求項１１】
前記式中、
ｍ＝１−６であり、
ｐ＝０であり、
各Ｒ２が、独立して、水素またはメチル基から選択され、および
Ｊが、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン、置換ヒドロカルビレン、ヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビレン、ポリシロキサン、ポリシロキサン−ポリウレタンブロックコポリマー、およびそれらの２種以上の組合せからなる群より選択される１価または多価基であり、任意に、共有結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｓ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｓ（Ｏ）−、−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−Ｏ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｃ（Ｓ）−ＮＲ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｓ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−ＮＲ−Ｏ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−Ｏ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−ＮＲ−、−Ｏ−ＮＲ−Ｓ（Ｏ）２−、−Ｏ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−Ｓ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−、−ＮＲ−Ｐ（Ｏ）Ｒ２−から選択される１種以上の連結基を含有し、ここで、各Ｒは、独立して、水素、アルキルまたは置換アルキル、およびそれらのいずれか２種以上の組合せである、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
前記マレイミド含有化合物、前記ナジイミド含有化合物、および前記イタコンイミド含有化合物が、１価基に結合したマレイミド官能基、ナジイミド官能基またはイタコンイミド官能基をそれぞれ含み、または多価基によって分離されたマレイミド官能基、ナジイミド官能基またはイタコンイミド官能基をそれぞれ含み、前記１価基または前記多価基の各々は、前記マレイミド含有化合物、前記ナジイミド含有化合物または前記イタコンイミド含有化合物をそれぞれ液体にするのに充分な長さおよび分岐を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
接着剤で回路基板にチップダイを取り付けるための方法であって、
（ａ）請求項１に記載の組成物を前記チップダイに塗布するステップ、
（ｂ）組立品を形成するために前記チップダイを前記回路基板と接合するステップであって、ここで、前記チップダイおよび前記回路基板は、ステップ（ａ）で塗布された前記組成物によって分離されており、および
（ｃ）ステップ（ｂ）で形成された前記組立品を、前記組成物を硬化するのに適した条件に置くステップ、を含む方法。
【請求項１４】
担体基体に取り付けられた、および担体基体との電気的相互接続で取り付けられた半導体チップを含む製造品であって、前記半導体チップは第１の表面および第２の表面を有し、前記担体基体との電気的な接合を提供するために前記第１の表面がその上に事前に決定されたパターンで配置された電気接点を有し、および前記第２の表面がその表面層または一部分上に配置された請求項１に記載の硬化された組成物を有し、それによって、前記半導体チップと前記担体基体との間の接合を提供する、製造品。
【請求項１５】
請求項１に記載の前記組成物の反応生成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
【化１】
2011530618.tif 000005
をそれぞれ含むマレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド含有化合物を含む硬化性成分、ここで、
ｍ＝１−１５であり、
ｐ＝０−１５であり、
各Ｒ２は、独立して、水素または低級アルキルから選択され、
Ｊは、有機または有機シロキサン基、およびそれらの組合せを含む一価または多価部分構造を含み；および
ｂ．金属／カルボキシレート錯体およびペルオキシドの組合せを含む硬化剤成分
を含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
【化２】
2011530618.tif 000006
をそれぞれ含む、マレイミド、ナジイミドまたはイタコンイミド含有化合物を含む硬化性成分、ここで、
ｍ＝１−１５であり、
ｐ＝０−１５であり、
各Ｒ２は、独立して、水素または低級アルキルから選択され、
Ｊは、有機または有機シロキサン基、およびそれらの２つ以上の組合せを含む１価または多価部分構造を含み、および
ｂ．金属／カルボキシレート錯体およびペルオキシドの組合せを含む硬化剤成分
を含む。