【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図10を参照して、イオン源及びレンズの素子をさらに具体的に説明する。ガス供給管405はガス・ポート365から、好ましくは、例えば、DuPont社製のVespelのような絶縁材から成る絶縁性支持ロッド410を通過する。ガス供給管405は電離箱ブロック380の内部を通過する。好ましくはタンタル、トリエーテッド・イリジウムまたは酸化トリウムから成るフィラメントを公知の態様でフィラメント・ブロック415内に配置する。フィラメント・ブロック415の基部の周りにウェーネルト電極420が配置され、この電極420はフィラメントから放出される電子を通過させ、電離箱ブロック380の中央における電離域へ誘導する。フィラメント素子によって放出される電子425の経路の周りには1対の中間電極、即ち、G2電極425及びG3電極430を同様の態様で配置されている。ガス、好ましくはアルゴンが公知のガス・タンク795から供給され、ガス流量は、詳しくは図14に示すように、質量流量コントローラ790及びコンピュータ550によって制御され、維持される。G2及びG3電極425及び430をそれぞれ利用することにより、フィラメントから電離箱ブロック380の中空凹部内の電離域へ電子を誘導する。G3電極と出射孔435との間に適当な電位差、好ましくは1 V乃至20 Vを作用させることによって電離域内に電界を発生させる。フィラメントからの電子の一部は電離域に入り、ガス供給管405によって電離域に導入されるガスの原子と衝突する。衝突の結果発生した電離ガス原子の一部は、当業者が周知のように、上記電界の作用下に出射孔435に向けられる。イオンの一部は出射孔435を囲む金属と衝突し、金属部分と一緒に移動することで無駄になるが、一部は出射孔435を通過してレンズに向けられる。同じく当業者には周知のように、この電極構成は±2 eVの範囲内の均一な運動エネルギーを有するイオンを発生させるために利用されるタイプの構成であり、試料に対する電離箱ブロック380におけるバイアス電圧、典型的には10 eV乃至6 keVと密接に関連する平均エネルギーを有するイオンを発生させる。それぞれの電極には、コネクタ370及び電気接点ブロック400を介して、詳しくは後述するように、プロセッサ・インターフェースを介してユーザーによって決定された電圧が印加される。出射孔435から放出されたイオンは、円錐状の孔を有し、電気的に接地されているレンズ・エントランス電極450へ向けられる。レンズ・エントランス電極450はレンズ支持フランジ445によって支持され、フランジ445は低エネルギー源キャリヤ・トップ・フランジ385から直接延びている低エネルギー・ハウジング支持ロッド375によって支持されている。レンズ・エントランス電極450、レンズ接地セクション460、レンズ作用セクション465及び偏向セクション470などのレンズ素子はすべてレンズ・ハウジング475内に収納され、このハウジング475もレンズ支持フランジ455に取付けられて内蔵型ユニットを形成している。レンズ作用セクション465は外部低エネルギー・レンズ・コネクタ440を介して外部電源と電気的に接続し、外部電源は後述するように中央処理装置の制御下にある。イオンビームのエネルギーに比例する、通常は約200乃至1000 Vの電圧がレンズ作用セクション465に印加されると、出射孔435のイオンが試料上に約1の倍率範囲、即ち、0.1乃至10の倍率で画像を形成する。適当に寸法設定された出射孔435なら���、試料表面に約1 μm - 100μmの画像サイズまたはスポット・サイズが達成される。ビームはレンズ素子の孔を通ってレンズの最終部分、即ち、ラスター化機能を有する偏向セクション470に達する。偏向セクション470はビームの経路を中心に環状を呈する複数の電気的絶縁体から成る。それぞれの電気的に絶縁された偏向素子470に随意の電圧を印加することによって、レンズから射出するビームを電圧に比例する所要の角度、通常は0乃至10°の角度だけ偏向させる。レンズの出口でビームを偏向させることによって、試料表面上の画像またはスポットの位置が変わる。従って、中央プロセッサからの適当な電気的制御によって、偏向セクション470の真下に位置する試料の表面のパターンにビームを向けることになる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する装置であって、
真空チェンバと；
前記真空チェンバ内に設けられ、少なくとも１つの集束電極を有し、（i）10 eV乃至1 keVの有効連続低エネルギーと、（ii）１μｍ乃至１００μｍの範囲の小ビーム直径とを同時に有する少なくとも1条のイオンビームを発生させることができるイオン源と；
真空下に前記少なくとも1条のイオンビームを前記試料に選択的に衝突させるため前記真空チェンバ内で前記試料を支持し且つ操作するためのステージを含むことを特徴とする前記装置。
【請求項２】
前記イオン源が分離可能なイオン発生源部材及びレンズ部材をも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記レンズ部材がイオンビームの経路を変更するための少なくとも１つの偏向セクションをも含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記偏向させられたビームを、試料表面を横切るラスター化することができることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記イオンビームの直径が1μm乃至0.5mmの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記イオンビームの直径が約10μmであることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記イオンビームの直径が約10μmであり、ビーム・エネルギーが10 eV 乃至6 keVの範囲であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記イオンビームの直径が約20μmであり、ビーム・エネルギーが10 eV 乃至1 keVの範囲であることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記イオン源が複数のイオン源から成ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数のイオン源を単一の真空チェンバ内に配置したことを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記装置がロード・ロックをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ロード・ロックが前記装置の前記真空チェンバとは独立に排気し、換気できるロード・ロック真空チェンバをも含むことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記試料台がロード・ポジションにある間、前記ロード・ロックが前記装置の外部から前記試料台へのアクセスを可能にすることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記試料台がロード・ポジションにあり、前記真空チェンバ内に真空状態が維持されている間、前記ロード・ロックが前記装置の外部に位置する前記試料台へのアクセスを可能にすることを特徴とする請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
試料及び試料台の温度を低下させる冷却システムをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記冷却システムが冷却媒貯蔵層をも含むことを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
真空ポンプ・システムをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１８】
前記真空ポンプ・システムが主ポンプと粗ポンプをも含むことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記主ポンプがターボ分子ポンプであることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記真空ポンプ・システムがオイル非使用ポンプであることを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項２１】
前記粗ポンプが別個にロード・ロックと真空連通関係にあることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
ミリング処理中に試料を観察するため前記真空チェンバ内に設けた少なくとも1つの撮像モジュールをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
前記少なくとも1つの撮像モジュールを光学的、電気光学的または電子顕微鏡から成る群から選択したことを特徴とする請求項２２に記載の装置。
【請求項２４】
前記少なくとも1つの撮像モジュールがCCD装置であることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記CCD装置にズーム撮像能力を設けたことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
前記CCD装置を高エネルギー・イオン源と併用したことを特徴とする請求項２４に記載の装置。
【請求項２７】
前記少なくとも1つの撮像モジュールが2次電子検出器であることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２８】
前記2次電子検出器が電極、シンチレータ及び光電子増倍管をも含むことを特徴とする請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記2次電子検出器を低エネルギー・イオン源と併用することを特徴とする請求項２７に記載の装置。
【請求項３０】
前記試料台が前記試料を支持し、固定する試料ホルダをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３１】
前記試料ホルダを回転させることができることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３２】
前記試料ホルダを前記試料台に内蔵されているモータによって回転させることを特徴とする請求項３１に記載の装置。
【請求項３３】
前記試料ホルダをイオンビームに対して0乃至45°の範囲内で傾倒させることができること特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３４】
前記試料ホルダを前記台によって支持し、前記台を傾倒させることができることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３５】
前記試料台が位置決めモジュールによって支持されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３６】
前記装置を選択的に動作させるためのコンピュータをも含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３７】
前記コンピュータが前記イオン源モジュールと電子通信関係にあることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項３８】
前記コンピュータを利用することによって前記イオン源モジュールを制御することを特徴とする請求項３７に記載の装置。
【請求項３９】
前記コンピュータを利用することによって前記イオン源モジュールに対する前記試料ホルダの位置を検出することを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４０】
前記コンピュータを利用することによって前記イオン源からのイオンビームに対して前記試料を変位させることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４１】
前記コンピュータがミリング処理中に試料を観察するための少なくとも1つの撮像モジュールと電子通信関係にあることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４２】
前記コンピュータを利用することによって前記撮像モジュールを制御することを特徴とする請求項４１に記載の装置。
【請求項４３】
前記コンピュータを利用することによって前記撮像モジュールの出力を表示することを特徴とする請求項４１に記載の装置。
【請求項４４】
前記コンピュータを利用することによって装置によるイオン・ミリング処理機能を自動的に行う動作アルゴリズムをプログラムできることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４５】
前記コンピュータを利用することによって装置によるミリング処理、撮像、真空化及び試料操作を自動的に行う動作アルゴリズムをプログラムできることを特徴とする請求項３６に記載の装置。
【請求項４６】
イオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する方法であって、
少なくとも１つの集束電極を利用して、前記試料の表面に、（i）10 eV乃至1 keVの低エネルギー・レベルと、（ii）１μｍ乃至１００μｍの範囲の直径を有する小衝突スポットとを同時に有する少なくとも1条のイオンビームを集束させるステップを含むことを特徴とするイオン衝突を利用して試料から選択的に材料を除去する方法。
【請求項４７】
イオンビームの経路を偏向させて前記ビームを試料表面を横切るラスター化するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記イオンビームの衝突スポットの直径が約１０μmであることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項４９】
前記イオンビームの衝突スポットの直径が約２０μmであり、ビームのエネルギーが10 eV乃至6 keVであることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５０】
前記イオンビームの直径が約20 μmであり、ビームのエネルギーが10 eV乃至1 keVであることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５１】
前記イオンを衝突させるステップが前記試料に対する複数のイオンビームを衝突させるステップから成ることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５２】
前記連続エネルギー領域が10 eV乃至6 keVである複数のイオンビームをさらに有することを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５３】
前記連続エネルギー領域が10 eV乃至1 keVであることを特徴とする請求項５２に記載の方法。
【請求項５４】
前記ビームの1条をミリング処理すべき試料の頂面に集束させ、前記ビームの他の1条を前記試料の底面に集束させることを特徴とする請求項５３に記載の方法。
【請求項５５】
イオンビームを衝突させるステップが前記衝突をコンピュータで制御するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５６】
閉ざされた真空チェンバ内に前記試料を密封するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５７】
閉ざされた真空チェンバ内に前記試料を密封する前記ステップがコンピュータで前記密封を制御するステップをも含むことを特徴とする請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
イオンビームを衝突させる前に試料を真空下に置くステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項５９】
試料を真空下に置く前記ステップが前記真空チェンバを粗ポンプで排気した後、さらに主ポンプで排気するステップであることを特徴とする請求項５８に記載の方法。
【請求項６０】
真空下に置く前に、試料を駆動してロード・ロックを通過させるステップをも含むことを特徴とする請求項５８に記載の方法。
【請求項６１】
試料を真空下に置く前記ステップが別途にロード・ロックを排気するステップをも含むことを特徴とする請求項５８に記載の方法。
【請求項６２】
前記イオンビームを衝突させた後、前記チェンバから前記試料を引き出すステップをも含むことを特徴とする請求項５６に記載の方法。
【請求項６３】
イオンビームを衝突させる間、試料及び試料台を冷却するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６４】
真空チェンバから引き出す前に試料を暖めるステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６５】
前記試料台の温度をモニターするステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６６】
イオンビームを衝突させる間、試料及び試料台を冷却するステップ及び真空チェンバから引き出す前に試料及び試料台を暖めるステップをも含み、試料台とロード・ロックとの物理的接触によって前記暖めるステップを起動させることを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６７】
イオンビームを衝突させながら試料を観察するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６８】
前記試料の前記観察の画像を記録するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項６９】
試料の観察及び試料の画像記録のいずれか一方のステップを含み、前記観察及び記録ステップの少なくとも一方のステップが、光学的装置、電気光学的装置及び電子顕微鏡装置から成る群から選択される少なくとも1つの撮像モジュールを利用することを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７０】
前記観察及び記録ステップの少なくとも一方のステップが前記観察及び記録をコンピュータで制御するステップを含むことを特徴とする請求項６９に記載の方法。
【請求項７１】
前記イオンビームを衝突させながら試料を回転させるステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７２】
前記イオンビームを衝突させながら前記イオンビームに対して0乃至45°の角度に試料を傾倒させるステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７３】
イオンビームに対する試料の位置を検出するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７４】
イオンビームに対する試料の幾何学的配置を検出するステップをも含むことを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７５】
試料の位置をコンピュータで制御することを特徴とする請求項７３に記載の方法。
【請求項７６】
前記イオンビームの集束をコンピュータで制御することを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項７７】
装置のイオン・ミリング処理機能を自動的に行う動作アルゴリズムをプログラムするステップをも含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項７８】
前記動作アルゴリズムを実行するステップをも含むことを特徴とする請求項７７に記載の方法。
【請求項７９】
装置のイオン・ミリング処理、撮像、真空化及び試料操作の機能を自動的に行う動作アルゴリズムをプログラムするステップをも含むことを特徴とする請求項７６に記載の方法。
【請求項８０】
前記動作アルゴリズムを実行するステップをも含むことを特徴とする請求項７９に記載の方法。