Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品品質に影響を与える少なくとも１つのパラメータによる少なくとも１つの閾値の超過を機械で読み取り可能に指示するように働くバーコード付きインジケータであって、
第１の複数のバーコード・バー、及び少なくとも１つの第１着色可能エリアを含む第１バーコードと、
第２の複数のバーコード・バー、及び少なくとも第２着色可能エリアを含む少なくとも第２バーコードと、
前記第１バーコードと前記少なくとも第２バーコードとの間に延びる少なくとも１つの介在線であって、バーコードリーダが、前記第１バーコードの部分と、前記少なくとも第２バーコードの部分とを、単一のバーコードの部分として読み取るのを防止することができる少なくとも１つの介在線と、を具備するバーコード付きインジケータ。
【請求項２】
前記第１バーコードは、前記少なくとも１つの閾値の超過前には読み取り可能であり、
前記第２バーコードは、前記少なくとも１つの閾値の超過前には読み取り不能であり、
前記少なくとも１つの閾値を超えると、前記第１バーコードは、前記少なくとも１つの第１着色可能エリアの少なくとも一部の着色の結果として読み取り不能になり、そしてほぼ同時に前記少なくとも第２バーコードは、前記少なくとも第２着色可能エリアの少なくとも一部の着色の結果として読み取り可能になる、請求項１に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの第１着色可能エリアは、最初は無着色であり、及び最初は無着色の複数の着色可能エリアから成る第１集合の部分を形成しており、前記第１集合の部分は、前記第１バーコードが前記少なくとも１つの閾値の超過前の第１バーコード読み取り可能状態にあるときに前記第１バーコードのバーの間の場所に位置しており、
前記少なくとも第２着色可能エリアは、最初は無着色であり、及び最初は無着色の複数の着色可能エリアから成る第２集合の部分を形成しており、前記第２集合の部分は、前記第２バーコードが前記少なくとも１つの閾値の超過後の第２バーコード読み取り可能状態にあるときにのみ現れる前記第２バーコードのバーの場所に位置しており、
前記少なくとも第２バーコードが、前記少なくとも１つの閾値の超過前には第２バーコード読み取り不能状態にあり、
前記第２集合が無着色である結果として、単一の狭幅バーコード・バーを上回るバーコード・バーが、前記少なくとも第２バーコードから欠けている、請求項２に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項４】
前記着色可能エリアの第１集合及び前記着色可能エリアの第２集合のうちの少なくとも一方の部分を形成する着色可能エリアが順次着色される、請求項３に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの介在線は、前記第１及び前記第２の複数のバーコード・バーのうちの少なくとも一方と同じ色で現れる、請求項１から４までのいずれか一項に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの介在線は、前記第１及び前記第２のバーコードの全長に沿って延びている、請求項１から５までのいずれか一項に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項７】
前記インジケータ上の第１の場所に配置された着色剤と、
前記第１の場所から着色のために前記第１及び第２の着色可能エリアへ、少なくとも部分的に時間関数である速度で前記着色剤が移動するのを可能にするように働く着色剤経路と、をさらに具備する、請求項１から６までのいずれか一項に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項８】
前記着色剤経路は、前記着色剤が、前記第１の場所から前記第１着色可能エリア及び前記第２着色可能エリアへ拡散することによって移動するのを可能にするように働く、請求項７に記載のバーコード付き品質インジケータ。
【請求項９】
製品品質に影響を与える少なくとも１つのパラメータによる少なくとも１つの付加的な閾値の超過を機械で読み取り可能に指示するように働く、請求項１から８までのいずれか一項に記載のバーコード付きインジケータであって、
第３の複数のバーコード・バー、及び少なくとも第３着色可能エリアを含む少なくとも第３バーコードと、
前記少なくとも第２バーコードと前記少なくとも第３バーコードとの間に延びる少なくとも１つの付加的な介在線と、をさらに具備し、
前記付加的な介在線は、バーコードリーダが、前記少なくとも第２バーコードの部分と前記少なくとも第３バーコードの部分とを単一のバーコードの部分として読み取るのを防止することができる、バーコード付きインジケータ。
【請求項１０】
前記少なくとも第３バーコードは、前記少なくとも１つの付加的な閾値の超過前には読み取り不能であり、
前記少なくとも第２バーコードは、少なくとも第４着色可能エリアを含んでおり、
前記少なくとも１つの付加的な閾値を超えると、前記少なくとも第２バーコードは、前記少なくとも第４着色可能エリアの少なくとも一部の着色の結果として読み取り不能になり、そしてほぼ同時に、前記少なくとも第３バーコードは、前記少なくとも第３着色可能エリアの少なくとも一部の着色の結果として読み取り可能になる、請求項９に記載のバーコード付きインジケータ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子と、
該光学素子を支持するフレームと、
第一地点接触と、第二地点接触と、第三地点接触とを有し、且つ、シャーシへの締結のために構成される第一表面と、該第一表面とは反対の第二表面とを有するベース部材と、
前記フレームを前記ベース部材に引き付ける引力をもたらし、前記フレームを前記第一地点接触、前記第二地点接触、及び前記第三地点接触に位置付ける吸引手段と、
前記第一表面から前記第二表面に前記ベース部材を通じて延びるネジ山付き偏揺れ調節キャビティと、
第一の向きにおいて前記ネジ山付き偏揺れ調節キャビティ内に挿入されるときに、前記第一表面の方向から前記第一地点接触を再位置決めするための調節を可能にし、且つ、反対の向きにおいて前記ネジ山付き偏揺れ調節キャビティ内に挿入されるときに、前記第二表面の方向から前記第一地点接触を再位置決めするための調節を可能にするネジ山付き偏揺れ調節インサートと、
前記第一表面から前記第二表面に前記ベース部材を通じて延びるネジ山付き縦揺れ調節キャビティと、
第一の向きにおいて前記ネジ山付き縦揺れ調節キャビティ内に挿入されるときに、前記第一表面の方向から前記第二地点接触を再位置決めするための調節を可能にし、且つ、反対の向きにおいて前記ネジ山付き縦揺れ調節キャビティ内に挿入されるときに、前記第二表面の方向から前記第二地点接触を再位置決めするための調節を可能にするネジ山付き縦揺れ調節インサートとを含む、
運動力学的な光学マウント。
【請求項２】
前記ネジ山付き偏揺れ調節インサート又は前記ネジ山付き縦揺れ調節インサートは、ネジである、請求項１に記載の運動力学的な光学マウント。
【請求項３】
前記ネジ山付き縦揺れ調節インサート又は前記ネジ山付き偏揺れ調節インサートは、テーパ付き中間部を有するネジであり、それによって、前記第一表面又は前記第二表面の何れかの方向からの前記対応する地点接触の再位置決めを可能にする、請求項１に記載の運動力学的な光学マウント。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）前側主表面及び裏側主表面を有するキャリアシートと、
（ｂ）前記キャリアシートの前記前側主表面に取り外し可能に配置された複数個のラベルと、を含むラベルアセンブリであって、
前記キャリアシートが、その内部に形成された
（１）前記キャリアシートをほぼ対称な半分に分割するように前記キャリアシートの第１の端部から前記キャリアシートの対向する端部まで延びている二等分線、及び
（２）それ自体で閉じており、前記二等分線と２箇所で交差し、前記キャリアシートの端部とは交差せず、前記キャリアシートをフレーム部分及び配列部分に分割する外周線、のような、二等分線及び外周線を有し、
前記二等分線及び前記外周線が、前記キャリアシートの前記配列部分を２つの裏材区分に分割するように交差し、前記外周線と交差する２点間に位置する少なくとも前記二等分線の部分が、脆弱剥離線であり、前記外周線と交差する２点間に位置する少なくとも前記二等分線の部分が、前記配列部分及び前記外周線に対する対称線であり、前記外周線が、ほぼその全長で脆弱剥離線である、ラベルアセンブリ。
【請求項２】
前記キャリアシートが、
（３）前記アセンブリの対向する端部からほぼ等距離に配置され、前記外周線と２度及び前記二等分線と１度交差し、前記二等分線にほぼ垂直な中央横線、のような、追加の脆弱剥離線を少なくとも１つ有する、請求項１に記載のラベルアセンブリ。
【請求項３】
前記ラベルが、前記脆弱剥離線のいずれにも接しないか又は重ならない、請求項１に記載のラベルアセンブリ。
【請求項４】
前記アセンブリを前記二等分線に沿って折り畳む工程と、前記アセンブリを前記中央横線に沿って折り畳む工程と、前記キャリアシートの前記フレーム部分を前記キャリアシートの前記配列部分から前記外周線に沿って剥離する工程と、を含む、請求項２に記載のラベルアセンブリを使用する方法。
【請求項５】
前記キャリアシートの前記フレーム部分が、一体部材として取り外される、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月30日(2013.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コヒーレント光を輻射するコヒーレント光源サブシステムと、
１以上の空間光変調器を含み、上記コヒーレント光を画像データに従い操作する成像サブシステムと、
上記成像サブシステムを経たコヒーレント光から中間像たる空間実像を発生させる中継サブシステムと、
上記中間像が現れる中間像面又はその近傍に配置されており伝搬時に当該中間像が通る曲面を有し、上記曲面には幾つかの表面構造が設けられているスペックル低減素子と、
上記スペックル低減素子を運動させる駆動サブシステムと、
上記スペックル低減素子越しに上記中間像を捉えてスクリーンに投射する投射サブシステムであって、上記投射サブシステムは湾曲物面を上記スクリーンに投射するように構成され、上記湾曲物面の曲率が上記スペックル低減素子の曲面の曲率にほぼ一致する、投射サブシステムと、
を備えるコヒーレント光投射機。
【請求項２】
請求項１記載のコヒーレント光投射機であって、上記投射サブシステムは、深さが１００から２００μｍ、範囲が１インチの湾曲物面を投射するように構成されている。
【請求項３】
コヒーレント光源サブシステムにてコヒーレント光を発生させるステップと、
上記コヒーレント光を画像データに従い、１以上の空間光変調器を含む成像サブシステムで操作し像を発生させるステップと、
上記成像サブシステムを経たコヒーレント光から中継サブシステムにて中間像たる空間実像を発生させるステップと、
上記中間像が現れる中間像面又はその近傍に配置され、表面構造が設けられた曲面を有するスペックル低減素子越しに当該中間像を伝搬させるステップと、
上記スペックル低減素子を上記中間像が伝搬する際に、駆動サブシステムを用い当該スペックル低減素子をその素子の光軸に対し平行な方向に沿い運動させるステップと、
上記スペックル低減素子越しに上記中間像を捉え、湾曲物面をスクリーンに投射するように構成され、上記湾曲物面の曲率が上記スペックル低減素子の曲面の曲率にほぼ一致している投射サブシステムを用いてスクリーンに投射するステップと、
を有する光投射方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物質を光学的に検出するためのアレイであって、該アレイは、少なくとも２つの個別の光学的に応答可能な検出エレメントを備え、
それぞれの検出エレメントは、２つの反射層の間にある光学的反応性層を備え、
それぞれの検出エレメントの前記光学的反応性層は、高被検物質反応性第１サブ層を少なくとも備え、該検出エレメントの少なくとも一方の前記光学的反応性層は、低被検物質反応性第２サブ層を更に備え、
それぞれの検出エレメントの前記第１サブ層及び前記第２サブ層は厚さを備え、一方の検出エレメントの前記第１サブ層及び前記第２サブ層の厚さは、もう一方の検出エレメントの前記第１サブ層及び前記第２サブ層の厚さとはそれぞれ著しく異なる、アレイ。
【請求項２】
観察できる環境で被検物質を検出する光学的方法であって、
観察できる環境で、被検物質の第１のより低い濃度の存在下で、第１の外観から第２の外観へと変化し、かつ、被検物質の第２のより高い濃度の存在下で、前記第２の外観から前記第１の外観へと戻って変化する、少なくとも１つの第１の検出エレメントと、
被検物質の前記第１のより低い濃度の存在下で、前記第１の外観から前記第２の外観へと変化せず、より低い濃度とより高い濃度との間である被検物質の第３の中間の濃度の存在下で、前記第１の外観から前記第２の外観へと変化し、被検物質の第２のより高い濃度の存在下で、前記第２の外観から前記第１の外観へと戻って変化しない、少なくとも１つの第２の検出エレメントと、を含むアレイを提供する工程と、
前記検出エレメントのアレイを、被検物質を含む可能性がある環境に曝露させる工程と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検物質を検出するための、光学的に応答可能な検出エレメントであって、
反射層と準反射層との間にある光学的反応性層を含み、
該光学的反応性層は、少なくとも、高被検物質反応性第１サブ層と、低被検物質反応性第２サブ層とを含む、検出エレメント。
【請求項２】
前記高被検物質反応性サブ層が、固有のミクロ孔質ポリマーを含む、請求項１に記載の検出エレメント。
【請求項３】
被検物質を検出するための検出エレメントの製造方法であって、
光学的に透明な基材上に準反射層を形成する工程と、
該準反射層の上に、低被検物質反応性材料の層を形成する工程と、
該低被検物質反応性材料の層の上に、高被検物質反応性材料の層を形成する工程と、
該高被検物質反応性材料の層の上に、被検物質浸透性反射層を形成する工程と、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体試料中の被検体を検出するマイクロ流体装置であって、
第一方向軸を備える分離流路を有する分離媒体と、
第二方向軸を備える標識流路を有する結合媒体であって、前記結合媒体は前記分離媒体と流体連絡している、結合媒体と、を含み、
前記マイクロ流体装置は、２つ以上の方向的に異なる流動場に試料を曝すように構成されている、マイクロ流体装置。
【請求項２】
前記２つ以上の方向的に異なる流動場は、２つ以上の方向的に異なる電場を含む、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項３】
前記分離媒体はポリマーゲルを含む、請求項１又は２に記載のマイクロ流体装置。
【請求項４】
前記結合媒体は、担体と安定的に会合した結合メンバーを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項５】
前記担体は膜を含む、請求項４に記載のマイクロ流体装置。
【請求項６】
前記担体はポリマーゲルを含む、請求項４に記載のマイクロ流体装置。
【請求項７】
前記結合メンバーは、タンパク質またはその結合断片を含む、請求項４から６のいずれか一項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項８】
前記タンパク質は抗体である、請求項７に記載のマイクロ流体装置。
【請求項９】
前記被検体は蛍光標識を含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項１０】
前記第二方向軸は前記第一方向軸に対して直交している、請求項１から９のいずれか一項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項１１】
前記マイクロ流体装置は、前記分離媒体および前記結合媒体を収容するチャンバを含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項１２】
流体試料中の被検体を検出する方法において、
（ａ）２つ以上の方向的に異なる流動場に試料を曝すように構成されているマイクロ流体装置内に前記流体試料を導入するステップであって、前記マイクロ流体装置は、
（ｉ）第一方向軸を備える分離流路を有する分離媒体と、
（ｉｉ）第二方向軸を備える標識流路を有する結合媒体であって、前記結合媒体は前記分離媒体と流体連絡している、前記結合媒体とを含む、ステップと、
（ｂ）分離試料を生成するために前記分離媒体を通るように前記試料を配向するステップと、
（ｃ）前記分離試料中の前記被検体を検出するステップと、を含む方法。
【請求項１３】
前記２つ以上の方向的に異なる流動場は、２つ以上の方向的に異なる電場を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記方法は前記分離試料を前記結合媒体に移送するステップを含む、請求項１２又は１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記方法は、結合メンバーを前記分離試料に移送するステップを含む、請求項１２から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記試料を配向するステップに先立って、前記試料を濃縮するステップをさらに含む、請求項１２から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記方法は診断方法である、請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記方法は検証方法である、請求項１２から１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
流体試料中の被検体を検出するシステムにおいて、
（ａ）２つ以上の方向的に異なる流動場に試料を曝すように構成されているマイクロ流体装置であって、
（ｉ）第一方向軸を備える分離流路を有する分離媒体と、
（ｉｉ）第二方向軸を備える標識流路を有する結合媒体であって、前記結合媒体は前記分離媒体と流体連絡している、結合媒体と、を含むマイクロ流体装置と、
（ｂ）検出器と、を含むシステム。
【請求項２０】
前記２つ以上の方向的に異なる流動場は、２つ以上の方向的に異なる電場を含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記検出器は、光電子増倍管、電荷結合素子、強化電荷結合素子、相補型金属酸化物半導体センサー、視感色彩読み取り、またはフォトダイオードである、請求項１９又は２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記マイクロ流体装置を通じて流体を配向するように構成されているマイクロ流体素子をさらに含む、請求項１９から２１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２３】
（ａ）２つ以上の方向的に異なる流動場に試料を曝すように構成されているマイクロ流体装置であって、
（ｉ）第一方向軸を備える分離流路を有する分離媒体と、
（ｉｉ）第二方向軸を備える標識流路を有する結合媒体であって、前記結合媒体は前記分離媒体と流体連絡している、結合媒体と、を含むマイクロ流体装置と、
（ｂ）緩衝液と、を含むキット。
【請求項２４】
前記２つ以上の方向的に異なる流動場は、２つ以上の方向的に異なる電場を含む、請求項２３に記載のキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
特定の実施形態において、マイクロ流体装置は、１ｃｍから５ｍｍを含む、５ｃｍから５ｍｍなど、１０ｃｍから１ｍｍの範囲の幅を有する。場合により、マイクロ流体装置は、１０ｃｍから５ｍｍ、または１ｃｍから５ｍｍを含む、５０ｃｍから１ｍｍなど、１００ｃｍから１ｍｍの範囲の長さを有する。特定の態様において、マイクロ流体装置は、たとえば１０ｃｍ２以下、または５ｃｍ２以下、または３ｃｍ２以下、または１ｃｍ２以下、または０．５ｃｍ２以下、または０．２５ｃｍ２以下、または０．１ｃｍ２以下など、５０ｃｍ２以下を含む、１００ｃｍ２以下など、１０００ｃｍ２以下の面積を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅器と、
前記増幅器に電気的に接続された、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極と、
前記２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤと、
光子が前記ナノワイヤ上に入射して前記ナノワイヤを加熱できるようにするために配置された集束素子と、
を含み、
前記増幅器は、前記ナノワイヤに光子がぶつかるのに応じて前記ナノワイヤが加熱されることに応答して、前記電極の電圧変化を検出するように構成され、
前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置されている、
装置。
【請求項２】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは、前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記集束素子は、ピンホール素子又は小型アンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
検出アレイと、
焦点面を有する光学系と、
コンピュータ装置と、
を含む装置であって、前記検出アレイの個々の検出要素が、
増幅器と、
前記増幅器に電気的に接続された、約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極と、
前記２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤと、
光子が前記ナノワイヤ上に入射して前記ナノワイヤを加熱できるようにするために配置された集束素子と、ここで、前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置され、
を含み、前記増幅器は、前記ナノワイヤに光子がぶつかるのに応じて前記ナノワイヤが加熱されることに応答して、電圧変化を検出するように構成され、
前記検出アレイは、前記光学系により収集された光子が前記検出アレイにぶつかって前記検出アレイの集束素子に入り込むように前記焦面内に配置され、
前記コンピュータ装置は、前記検出器アレイの前記検出要素と通信し、前記検出器アレイからの信号を収集して、前記光学系に入射する放射線に関連する画像を作成するように構成される、
ことを特徴とする装置。
【請求項７】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項９】
前記集束素子は、ピンホール素子又は小型アンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
約５マイクロメーターから約３０マイクロメーター離れた２つの電極をまたいで結合されたナノワイヤ上に集束素子を通じて光を受光するステップと、
前記２つの電極をまたいで結合された前記ナノワイヤ上に前記集束素子を通じて光を受光したことに応答して、前記２つの電極に電気的に接続された増幅器を用いて電圧変化を検知するステップと、
を含み、
前記集束素子は、前記２つの電極の一方とのナノワイヤコンタクトに近接するナノワイヤに入射する光子が入るように配置されていることを特徴とする方法。
【請求項１２】
光学系を通じて、該光学系の焦点面内に配置された検出器アレイ上に光を集束させ、前記光学系により収集された光子が前記検出アレイにぶつかって前記検出アレイの集束素子に入り込むようにするステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記検出器アレイからの信号を収集して、前記光学系に入射する放射線に関連する画像を作成するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ナノワイヤは、単一のＢｉ2Ｔｅ3結晶を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記電極及び前記増幅器は基板に装着され、前記ナノワイヤは前記基板と直接接触せずに配置される、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記集束素子は、ピンホール素子又は小型アンテナの少なくとも一方を含む、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記増幅器は、単一光子のエネルギー準位に相当するエネルギー準位に対応する電圧変化を検出するように構成されている、
ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動質量体構造部（１２）と、駆動要素（１３）と、評価要素（１５）と、を含み、
前記駆動要素（１３）は、可動質量体構造部（１２）を運動（１４）中にずらす及び／又は保持するように適合化され、
前記評価要素（１５）は、角速度（Ω）に対する可動質量体構造部（１２）のリアクション（４０）を検出するように適合化され、
前記可動質量体構造部（１２）は、駆動用質量体（１６）および検出用質量体（１８）を含み、
前記駆動用質量体（１６）は、ばね装置を用いた機械的結合によって前記検出用質量体（１８）に接続され、
前記駆動用質量体（１６）は、駆動振動（１４）の方向に可動である、
ヨーレートーセンサ（１０）において、
直交成分補償電極（３８）が設けられており、
前記駆動質量体（１６）は、前記直交成分補償電極（３８）を用いて前記検出質量体（１８）の検出振動（４０）に対する応力作用が消滅するまで回転可能であり、
前記直交成分補償電極（３８）は、検査信号（４２）の検査信号供給側（２２）に接続され、
前記検査信号供給側（２２）は、検査信号（４２）を前記直交成分補償電極（３８）に送出し、
検査信号（４２）の処理方向（４５）に関する応答信号（４７）の読出し箇所（５０）が、検査信号（４２）の給電箇所（４８）と、可動質量体構造部（１２）の偏倚量（４０）をフィードバックするための調整部材（３８）と、の間、かつ、調整部材（３８）の前に設けられていることを特徴とするヨーレートセンサ。
【請求項２】
前記可動質量体構造部（１２）への検査信号（４２）の給電に対して、別のアクチュエータ（３９）又は別の電極（３９）が直交成分の補償のための要素として設けられている、請求項１記載のヨーレートセンサ。
【請求項３】
前記検査信号（４２）は、実質的に平均ゼロの特性を有する応答信号（４７）を引き起こすために利用されている、請求項１または２記載のヨーレートセンサ。
【請求項４】
前記検査信号（４２）のレベルと、該検査信号（４２）の処理ループ（４３）を介して引き起こされる応答信号（４７）のレベルとの間の関係が線形である、請求項１から３いずれか１項記載のヨーレートセンサ。
【請求項５】
ヨーレートセンサ（１０）の機能性検査のための方法であって、
駆動用質量体（１６）および検出用質量体（１８）を含む可動質量体構造部（１２）を駆動するステップと、
直交成分制御ループ（４４）の給電箇所（４８）にて直交成分制御ループ（４４）に検査信号（４２）を給電するステップと、
可動質量体構造部（１２）の偏倚量（４０）をフィードバックするステップと、
可動質量体構造部（１２）からフィードバックされた度量を検出するステップと、
直交成分制御ループ（４４）から、検査信号（４２）に依存する応答信号（４７）を読出すステップと、
を含み、
前記直交成分制御ループ（４４）は、駆動質量体（１６）の直交成分補償電極（３８）に接続され、前記駆動質量体（１６）は、前記検出質量体（１８）と作用結合され、
検査信号（４２）の処理方向（４５）に関連して、応答信号（４７）の読出しが、検査信号（４２）の給電箇所（４８）と、可動質量体構造部（１２）のフィードバック箇所（４９）と、の間、かつ、フィードバック箇所（４９）の前で行われるようにしたことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記応答信号（４７）のパワースペクトルの主要部分が、角速度情報（３０）に対する出力フィルタ（５１）の帯域幅の上方に存在している、請求項５記載の方法。
【請求項７】
応答信号（４７）のパワースペクトルの主要部分が、直交成分制御ループ（４４）の帯域幅の上方に存在している、請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記検査信号（４２）の周波数（ωＴ）が、直交成分制御ループ（４４）の制御時定数の逆数値よりも小さい、請求項５から７いずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記検査信号（４２）は、正弦波状の経過特性を有している、請求項５から８いずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記検査信号（４２）は、直交成分制御ループ（４４）の逆の作動点依存性に相応して調整される、請求項５から９いずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
従来方式のセンサ、例えばＤＥ１０２００５００４７７５Ａ１明細書に記載されているセンサでは、応答信号（若しくは検査信号）のための読出し箇所が、可動質量体構造部の偏倚量をフィードバックするための調整部材と、検査信号を供給するための給電箇所との間に設けられていない。そのような従来方式のセンサにおける欠点は、前記給電箇所と読出し箇所との間の、直交成分をコントロールしている制御ループ区間が、機能性検査によって把握できないことである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明のさらに別の実施形態によれば、前記検査信号の周波数が、直交成分制御ループの制御時定数の逆数よりも小さくなる。これにより機能性検査の制度が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
[0029]  対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。
【図１】[0030]典型的なリソグラフィ投影システムを示す例示的ブロック図である。
【図２】[0031]リソグラフィシミュレーションモデルの機能モジュールを示す例示的ブロック図である。
【図３Ａ】[0032]本発明の実施形態による１つの例示的なＳＭＯプロセスを示すフローチャートである。
【図３Ｂ】[0033]パターン選択アルゴリズムを示す詳細なフローチャートである。
【図４】[0034]本発明によるＳＭＯプロセスの一実施形態に含むことができる１つの例示的なパターン選択方法を示すフローチャートである。
【図５Ａ】[0035]本発明によるＳＭＯプロセスの別の実施形態に含むことができる１つの例示的なパターン選択方法を示すフローチャートである。
【図５Ｂ】[0036]ベースライン光源又は初期光源構成が選択された後にＳＭＯプロセスが実行される一例を示すフローチャートである。
【図６】[0037]本発明によるＳＭＯプロセスの別の実施形態に含むことができる１つの例示的なパターン選択方法を示すフローチャートである。
【図７】[0038]本発明によるＳＭＯプロセスの別の実施形態に含むことができる１つの例示的なパターン選択方法を示すフローチャートである。
【図８】[0039]本発明によるＳＭＯプロセスの別の実施形態に含むことができる１つの例示的なパターン選択方法を示すフローチャートである。
【図９】[0040]図９Ａ〜図９Ｏを含み、図８の方法に従って選択されたクリップの例示的な回折次数分布を示す。
【図１０】[0041]本発明による様々なパターン選択方法のプロセスウィンドウの性能を比較するグラフである。
【図１１】[0042]本発明による様々なパターン選択方法の処理実行時間の性能を比較するチャートである。
【図１２】[0043]本発明のシミュレーション方法の実施を支援することができるコンピュータシステムを示すブロック図である。
【図１３】[0044]本発明の方法と共に使用するのに適したリソグラフィ投影装置の概略図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
[0099]  ステップＳ８０８で、グループの各々から１つのクリップが選択される。例えば、Ｓ８０６は、５〜１５個のクリップのグループを形成することを含み、１つのクリップが各グループからランダムに選択される。図９Ａ〜図９Ｏは、完全なクリップの集合から計算された１５個の個々のクリップについての例示的な回折次数分布９０２Ａ〜９０２Ｏを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013509604.tif 000001
【図２】
2013509604.tif 000002
【図３Ａ】
2013509604.tif 000003
【図３Ｂ】
2013509604.tif 000004
【図４】
2013509604.tif 000005
【図５Ａ】
2013509604.tif 000006
【図５Ｂ】
2013509604.tif 000007
【図６】
2013509604.tif 000008
【図７】
2013509604.tif 000009
【図８】
2013509604.tif 000010
【図９Ａ】
2013509604.tif 000011
【図９Ｂ】
2013509604.tif 000012
【図９Ｃ】
2013509604.tif 000013
【図９Ｄ】
2013509604.tif 000014
【図９Ｅ】
2013509604.tif 000015
【図９Ｆ】
2013509604.tif 000016
【図９Ｇ】
2013509604.tif 000017
【図９Ｈ】
2013509604.tif 000018
【図９Ｉ】
2013509604.tif 000019
【図９Ｊ】
2013509604.tif 000020
【図９Ｋ】
2013509604.tif 000021
【図９Ｌ】
2013509604.tif 000022
【図９Ｍ】
2013509604.tif 000023
【図９Ｎ】
2013509604.tif 000024
【図９Ｏ】
2013509604.tif 000025
【図１０】
2013509604.tif 000026
【図１１】
2013509604.tif 000027
【図１２】
2013509604.tif 000028
【図１３】
2013509604.tif 000029
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月17日(2013.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時間標識情報を音声データ中に符号化する方法であって、前記音声データはビットストリームであり、当該方法は、
時間標識情報を前記音声データ中の音声メタデータとして符号化することで、ジョイントビットストリームを形成するステップを含み、前記時間標識情報は、前記音声データ中の音声オブジェクトの複数の区分を示し、前記時間標識情報は、前記音声データの複数の位置において符号化されており、前記複数の位置は、前記音声データビットストリーム中に特定の発生率で発生し、前記時間標識情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータコンテナ内において符号化されており、これにより、対応する復号器は前記時間標識情報によって示される前記音声オブジェクトの区分の先頭から前記音声オブジェクトの再生を開始できる、
方法。
【請求項２】
前記音声オブジェクトは楽曲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記区分は前記音声オブジェクトの特徴部分である、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記音声オブジェクトは楽曲であり、前記区分は、コーラス、リフレインまたはその一部である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記音声オブジェクトは楽曲であり、前記複数の区分は、前記楽曲の時間的音楽的構造に関連する異なる区分である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記複数の区分は、以下の区分、すなわち、
導入部、
歌詞、
リフレインもしくはコーラス、
ブリッジ、または
ソロ、
のうち少なくとも１つを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記音声オブジェクトは楽曲であり、前記時間標識情報は、以下、すなわち、
前記楽曲内における、特定の楽器または楽器グループの発生、
歌声の発生、
前記楽曲の中で一番音の大きな部分、
主題、
動機、または
主題の変形、
のうち少なくとも１つを示す、請求項１ないし６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記時間標識情報は、
前記区分の開始位置、および
前記区分の終了位置または継続長さ、
を指定する、請求項１ないし７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記方法は、
前記音声データ中のラベル付け情報を符号化することを含み、前記ラベル付け情報は、前記音声オブジェクトの前記複数の区分をラベル付けし、前記ラベル付け情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータとして符号化される、
請求項１ないし８のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記音声オブジェクトは楽曲であり、前記時間標識情報は、特定の音楽的特性を有する区分を示し、前記ラベル付け情報はそのセクションについての特定の音楽的特性を記述する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記音楽的特性は、以下、すなわち、
特定のテンポ、
特定のアーティキュレーション、
特定のムード、
特定の調性、または
特定の音楽的スタイルまたはジャンル、
のうち１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ラベル付け情報はテキストラベルとして符号化される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記ラベル付け情報は、表のインデックスとして符号化される、請求項９ないし１２のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記時間標識情報は、
秒値、
秒値および端数秒値、
サンプル番号、
フレーム番号、
整数のフレーム番号および整数のサンプル番号、または
整数のフレーム番号および端数のフレーム値、
を含む、請求項１ないし１３のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の位置のうちある所与の位置における時間標識情報は、前記ビットストリーム中の前記所与の位置の発生に関連して指定される、請求項１ないし１４のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記時間標識情報は、
ＭＰＥＧ−２または−４  ＡＡＣ音声データの拡張ペイロードコンテナ、あるいは
ＭＰＥＧ−４パート１２に適合するメタデータコンテナ、
中に符号化される、請求項１ないし１５のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
音声データおよび音声メタデータを含むジョイントビットストリーム中の時間標識情報を復号する方法であって、
前記ジョイントビットストリーム中の前記音声メタデータとして提供された時間標識情報を復号するステップを含み、前記時間標識情報は、前記音声データ中に符号化された音声オブジェクトの複数の区分を示し、前記時間標識情報は、前記音声データの複数の位置において符号化され、前記時間標識情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータコンテナ内において符号化され、前記複数の位置は、前記音声データビットストリーム中に特定の発生率で発生し、それにより、前記時間標識情報によって示される前記音声オブジェクトの区分の先頭から前記音声オブジェクトの再生を開始できるようにする、
方法。
【請求項１８】
時間標識情報を音声データ中の音声メタデータとして符号化するように構成された符号化器であって、前記音声データはビットストリームであり、これによりジョイントビットストリームが形成され、前記時間標識情報は、前記音声データ中に符号化された音声オブジェクトの複数の区分を示し、前記時間標識情報は、前記音声データの複数の位置において符号化され、前記複数の位置は、前記音声データビットストリーム中に特定の発生率で発生し、前記時間標識情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータコンテナ内において符号化され、これにより、対応する復号器が、前記時間標識情報によって示される前記音声オブジェクトの区分の先頭から前記音声オブジェクトの再生を開始できるようにする、符号化器。
【請求項１９】
音声データを含むジョイントビットストリーム中の音声メタデータとして提供された時間標識情報を復号するように構成された復号器であって、前記時間標識情報は、前記音声データ中に符号化された音声オブジェクトの複数の区分を示し、前記時間標識情報は、前記音声データの複数の位置において符号化され、前記複数の位置は、前記音声データビットストリーム中に特定の発生率で発生し、前記時間標識情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータコンテナ内において符号化され、これにより、当該復号器が、前記時間標識情報によって示される前記音声オブジェクトの区分の先頭から前記音声オブジェクトの再生を開始できるようにする、復号器。
【請求項２０】
音声データおよび音声メタデータとしての時間標識情報を含むジョイントビットストリームであって、前記時間標識情報は、前記音声データ中に符号化された音声オブジェクトの複数の区分を示し、前記音声データはビットストリームであり、前記時間標識情報は、前記音声データの複数の位置において符号化され、前記複数の位置は、前記音声データビットストリーム中に特定の発生率で発生し、前記時間標識情報は前記ジョイントビットストリームのメタデータコンテナ内において符号化され、これにより、復号器が、前記時間標識情報によって示される前記音声オブジェクトの区分の先頭から前記音声オブジェクトの再生を開始できるようにする、ジョイントビットストリーム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生するための半導体系の光源（ＬＤ）を有する、光学的センサのための光発信器において、半導体系の光源（ＬＤ）が多層プリント基板（ＬＰ）の両外側層（ＯＬ，ＵＬ）間の構造空間内に配置され、半導体系の光源（ＬＤ）の光出射方向がプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）にほぼ平行に向けられ、半導体系の光源（ＬＤ）から放射される光をプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）に対してほぼ垂直な方向に転向させるための転向ユニット（ＵＥ）が設けられていることを特徴とする光発信器。
【請求項２】
転向要素（ＵＥ）が構造空間内に配置されていることを特徴とする請求項１記載の光発信器。
【請求項３】
プリント基板（ＬＰ）の両外側層（ＯＬ，ＵＬ）の一方が転向された光の出射のために転向要素（ＵＥ）の領域に開口（ＡＳＰ）又は透明封鎖要素（ＦＳ）を有することを特徴とする請求項２記載の光発信器。
【請求項４】
転向要素（ＵＥ）が半導体系の光源（ＬＤ）の光出射方向においてプリント基板の端面側に隣接して配置され、構造空間が光のための端面側の出射口又は端面側の透明封鎖要素（ＦＳ）を有することを特徴とする請求項１記載の光発信器。
【請求項５】
転向要素（ＵＥ）がプリズム又はミラーであることを特徴とする請求項１乃至４の１つに記載の光発信器。
【請求項６】
転向要素（ＵＥ）の反射面が光線の集束又は拡張のために凸面又は凹面に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の光発信器。
【請求項７】
転向要素（ＵＥ）および少なくとも１つの光学レンズ（Ｌ）が１つの光学モジュールにまとめられていることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の光発信器。
【請求項８】
半導体系の光源（ＬＤ）が放熱のためにプリント基板（ＬＰ）の接触面（ＫＦ）に接触していることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の光発信器。
【請求項９】
半導体系の光源（ＬＤ）がボンディング又は貫通接触によりプリント基板（ＬＰ）の導体路又は接触面（ＬＰＤ）に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の光発信器。
【請求項１０】
光を検出するための半導体系の光検出器を有する、光学的センサのための光受信器において、半導体系の光検出器が多層プリント基板（ＬＰ）の両外側層（ＯＬ，ＵＬ）間の構造空間内に配置され、半導体系の光検出器の感光検出面がプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）にほぼ垂直に向けられ、半導体系の光検出器によって検出されるべき光をプリント基板（ＬＰ）の層（ＬＡＹ）に対してほぼ垂直な方向から転向させるための転向ユニット（ＵＥ）が設けられていることを特徴とする光受信器。
【請求項１１】
半導体系の光検出器がＣＣＤセンサ又はＣＭＯＳセンサであることを特徴とする請求項１０記載の光受信器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波路領域（４）を有する半導体ボディ（１０）を備えた端面発光型半導体レーザであって、
−  前記導波路領域（４）が、第１の導波路層（２Ａ）と、第２の導波路層（２Ｂ）と、前記第１の導波路層（２Ａ）と前記第２の導波路層（２Ｂ）との間に配置されておりレーザ放射（１７）を生成する活性層（３）と、を備えており、
−  前記導波路領域（４）が、第１のクラッド層（１Ａ）と、前記半導体ボディ（１０）の成長方向において前記導波路領域（４）の下流に配置されている第２のクラッド層（１Ｂ）と、の間に配置されており、
−  前記活性層（３）によって放出されるレーザ放射の横モードを選択するための位相構造（６）が、前記半導体ボディ（１０）に形成されており、前記位相構造（６）が、前記半導体ボディ（１０）の上面（５）から前記第２のクラッド層（１Ｂ）の中に延在する少なくとも１つの切り欠き部（７）、を備えており、
−  前記第２のクラッド層（１Ｂ）の半導体材料とは異なる半導体材料からなる少なくとも１層の第１の中間層（１１）が、前記第２のクラッド層（１Ｂ）に埋め込まれており、
−  前記切り欠き部（７）の少なくとも一部分が前記半導体ボディ（１０）の前記上面（５）から前記第１の中間層（１１）の中まで延在しており、
前記第２のクラッド層（１Ｂ）に第２の中間層（１２）が埋め込まれており、前記切り欠き部（７）の少なくとも一部分が前記第２の中間層（１２）の中まで延在しており、
前記切り欠き部（７）が、少なくとも１つの第１の部分において前記第１の中間層（１１）の中まで延在しており、少なくとも１つの第２の部分において前記第２の中間層（１２）の中まで延在しており、前記切り欠き部（７）が、前記第１の部分と前記第２の部分の間で空間的に変化している深さを有する、
端面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
前記中間層（１１）の前記半導体材料が、前記第２のクラッド層（１Ｂ）に含まれていないＩＩＩ族またはＶ族の少なくとも１種類の元素を含んでいる、
請求項１に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
前記第２のクラッド層（１Ｂ）が、ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓ（０≦ｘ≦１）を含んでおり、前記中間層（１１）が、ＩｎもしくはＰまたはその両方を含んでいる、
請求項１または請求項２のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
前記中間層（１１）が、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内（両端値を含む）の厚さを有する、
請求項１から請求項３のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
前記第２のクラッド層（１Ｂ）が、前記導波路領域（４）に隣接している第１の部分層（１Ｃ）と、前記第１の部分層（１Ｃ）に隣接している第２の部分層（１Ｄ）とを含んでおり、前記第１の部分層（１Ｃ）が前記第２の部分層（１Ｄ）よりも高い屈折率を有する、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
前記少なくとも１層の中間層（１１，１２）が、前記第２のクラッド層（１Ｂ）の前記第１の部分層（１Ｃ）に埋め込まれている、
請求項５に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
前記位相構造（６）の少なくとも一部分にカバー層（１５）が設けられている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
前記カバー層（１５）が、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、セレン化亜鉛、ゲルマニウム、またはベンゾシクロブテンを含んでいる、
請求項７に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
前記半導体ボディ（１０）に少なくとも１つのコンタクト帯状片（８）が形成されている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
前記コンタクト帯状片（８）が、１０μｍ〜５００μｍの範囲内（両端値を含む）の幅ｂを有する、
請求項９に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
複数のコンタクト帯状片（８）を備えている、
請求項９または請求項１０に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１２】
前記コンタクト帯状片（８）が距離ｄおよび幅ｂを有し、
０．０１≦ｂ／ｄ≦０．５が成り立つ、
請求項１１に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１３】
動作時、７８０ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲内の波長を有する、赤外スペクトル領域のレーザ放射（１７）、を放出する、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の端面発光型半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層もしくは多層の複層ガラス又はソーラーモジュールの製造用エッジシールであって、前記エッジシールがシーラントと結合剤を含み、前記シーラントが特殊な反応性基で変性された重合体を含有しており、以下の総組成：
ａ）組成物全体の約１０〜８０重量％の量の不飽和又は反応性ポリオレフィン又はその組合せと；
ｂ）組成物全体の約５〜約８０重量％の量で配合されたオレフィン系重合体又はその組合せと；
ｃ）組成物全体の約１０〜約６０重量％の量の少なくとも１種の充填剤と；
ｄ）組成物全体の約２．５〜約２５重量％の量で配合された乾燥剤又は水分捕捉剤の少なくとも１種と； 
ｅ）組成物全体の約０．１〜約３重量％の量で配合された酸化防止剤又はＵＶ安定剤を含む少なくとも１種の老化防止剤
を有する前記エッジシール。
【請求項２】
オレフィン系重合体が組成物全体の約５〜約５０重量％の量で配合されており、シラン変性重合体が組成物全体の約５〜約３０重量％の量で配合されている請求項１に記載のエッジシール。
【請求項３】
充填剤が更に組成物全体の約５〜約５０重量％の量で配合された微粒子充填剤を含む請求項２に記載のエッジシール。
【請求項４】
オレフィン系重合体がポリイソブチレン、ポリブテン、ブチルゴム（ポリイソブチレン・イソプレン）、スチレンブロック共重合体、ＳＢＳ（スチレン・ブタジエン・スチレン）、ＳＩＳ（スチレン・イソプレン・スチレン）、ＳＥＢＳ（スチレン・エチレン・ブチレン・スチレン）、ＳＥＰＳ（スチレン・エチレン・プロピレン・スチレン）、ＳＩＢＳ（スチレン・イソプレン・ブタジエン・スチレン）、ＳＰＩＢＳ（スチレン・ポリイソブチレン・スチレン）及びその変性物、並びにαオレフィンの非晶質共重合体及び／又は三元共重合体（ＡＰＡＯ）から構成される群から選択される請求項２に記載のエッジシール。
【請求項５】
シラン変性重合体がポリイソブチレン、ポリブテン、ブチルゴム（ポリイソブチレン・イソプレン）、スチレンブロック共重合体、ＳＢＳ（スチレン・ブタジエン・スチレン）、ＳＩＳ（スチレン・イソプレン・スチレン）、ＳＥＢＳ（スチレン・エチレン・ブチレン・スチレン）、ＳＥＰＳ（スチレン・エチレン・プロピレン・スチレン）、ＳＩＢＳ（スチレン・イソプレン・ブタジエン・スチレン）、ＳＰＩＢＳ（スチレン・ポリイソブチレン・スチレン）、並びにαオレフィンの非晶質共重合体及び／又は三元共重合体（ＡＰＡＯ）から構成される群から選択される請求項２に記載のエッジシール。
【請求項６】
ＡＰＡＯ重合体が式（１）：
【化１】
2013509694.tif 000001
［式中、−Ａ−は
−（ＣＨ２）ｍ−（２）、
−Ｓ−（ＣＨ２）ｍ−（３）又は
【化２】
2013509694.tif 000002
であり、
Ｒ１及びＲ２は同一又は異なり、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜２０のアリール基、又は炭素原子数７〜２０のアラルキル基であり、
Ｘは水酸基又は加水分解性基であり、
ａは０、１、２又は３であり、ｂは０、１又は２であり、ａとｂの和は１以上であり、ｎは０〜１８の整数であり、ｍは０〜４の整数であり、Ｒ３は
【化３】
2013509694.tif 000003
である］の少なくとも１個の基で変性されており、当該基が末端基であるか又は分子鎖内に統計的に分布している、請求項５に記載のエッジシール。
【請求項７】
シーラントの微粒子充填剤が重質及び軽質チョーク、ケイ酸塩、石灰、酸化ケイ素並びにカーボンブラックを含む群から選択される請求項３に記載のエッジシール。
【請求項８】
シーラントのチョークが表面処理された炭酸カルシウムである請求項７に記載のエッジシール。
【請求項９】
シーラントのケイ酸塩がタルク、カオリン、マイカ、酸化ケイ素、シリカ及びケイ酸カルシウム又はケイ酸マグネシウムから構成される群から選択される請求項７に記載のエッジシール。
【請求項１０】
シーラントの乾燥剤又は水分捕捉剤がモレキュラーシーブ、五酸化リン、酸化カルシウム、無水塩、エポキシ化植物油、カルボジイミド、ｐ−トルエンスルホニルイソシアネート又はその組合せから構成される群から選択される請求項１に記載のエッジシール。
【請求項１１】
シーラントの乾燥剤又は水分捕捉剤が３Ａ〜１０Ａ型のモレキュラーシーブ（ゼオライト）から選択される請求項１に記載のエッジシール。
【請求項１２】
シーラントの老化防止剤がヒンダードフェノール、チオエーテル、メルカプト化合物、亜リン酸エステル、ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、ＨＡＬＳ（ヒンダードアミン系光安定剤）及び酸化防止剤を含む群から選択される請求項１に記載のエッジシール。
【請求項１３】
不飽和又は反応性ポリオレフィンがＥＰＤＭ、ポリオレフィンアクリレート、及びハロブチルから構成される群から選択される請求項１に記載のエッジシール。
【請求項１４】
オレフィン系重合体が約３０〜約５０重量％の量で配合されており、約５，０００Ｄ〜約１，０００，０００ＤのＭｎをもち、シラン変性重合体が約５〜約２５重量％の量で配合されており、乾燥剤又は水分捕捉剤が組成物全体の約１５重量％までの量で配合されている請求項２に記載のエッジシール。