【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子素子であって、
該電子素子は、
パッケージ化されていない無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイであって、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、その第１の表面上に第１および第２の異なる非共平面の接点を有する、パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと、
柔軟な基板であって、該柔軟な基板は、その第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と該第２の伝導性配線とは、その間の間隙によって該基板上において分離されている、柔軟な基板と
を備え、
該第１および第２の接点は、該第１の接点と該第２の接点との非共平面性にもかかわらず、該配線または該接点を電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着され、それらと電気的に接触している、電子素子。
【請求項２】
前記基板は、可撓性および変形可能である、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記無機ＬＥＤダイは、半導体材料を含み、該半導体材料は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、またはそれらの合金あるいは混合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記接着材料は、異方性導電接着剤（ＡＣＡ）を含み、該異方性導電接着剤（ＡＣＡ）は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続する、請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記ＡＣＡの一部分は、前記間隙の中に配置され、前記第１の接点を前記第２の接点から実質的に隔離する、請求項４に記載の素子。
【請求項６】
前記第１の配線の厚さおよび前記第２の配線の厚さは、実質的に一様であり、相互に実質的に等しい、請求項１に記載の素子。
【請求項７】
反射性材料をさらに含み、該反射性材料は、前記無機ＬＥＤダイの前記第１の表面の少なくとも一部分を覆っている、請求項１に記載の素子。
【請求項８】
前記第１の接点と前記第２の接点との間のオフセットは、前記無機ＬＥＤダイの前記第１の表面に実質的に垂直な寸法に沿って、少なくとも０．２５μｍである、請求項１に記載の素子。
【請求項９】
前記基板は、前記第１の配線と前記第２の配線との間に局所的な変形を含み、それにより、前記第１の接点と該基板との間の距離は、前記第２の接点と該基板との間の距離に実質的に等しい、請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
前記無機ＬＥＤダイは、前記第１の配線と前記第２の配線との間の前記間隙を横断して延在し、前記素子は、該無機ＬＥＤダイに近接した第２の無機ＬＥＤダイをさらに備え、該第２の無機ＬＥＤダイは、該第１の配線と該第２の配線との間の該間隙を横断して延在している、請求項１に記載の素子。
【請求項１１】
前記第１および第２の伝導性配線は、伝導性インクを含む、請求項１に記載の素子。
【請求項１２】
前記第１および第２の伝導性配線は、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、または炭素のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の素子。
【請求項１３】
前記基板は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、または紙のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の素子。
【請求項１４】
前記第１の配線と前記第２の配線との間の前記間隙は、約２５μｍと約１０００μｍとの間の範囲にある、請求項１に記載の素子。
【請求項１５】
前記無機ＬＥＤダイと熱的に連絡しているヒートシンクが存在しない、請求項１に記載の素子。
【請求項１６】
蛍光体材料をさらに含み、該蛍光体材料は、前記無機ＬＥＤダイの少なくとも一部分を覆って配置され、該蛍光体材料は、該無機ＬＥＤダイによって放出される光の少なくとも一部分を異なる波長の光に変換する、請求項１に記載の素子。
【請求項１７】
光透過性材料をさらに含み、該光透過性材料は、前記無機ＬＥＤダイと前記蛍光体材料との間に配置されている、請求項１６に記載の素子。
【請求項１８】
反射面をさらに備え、該反射面は、前記蛍光体材料を覆って配置され、前記柔軟な基板に向かって変換された光を反射する、請求項１６に記載の素子。
【請求項１９】
第２の基板をさらに備え、該第２の基板は、前記柔軟な基板ならびに前記第１および第２の伝導性配線を覆って配置され、該第２の基板は、それによって画定された開口部を備え、前記無機ＬＥＤダイおよび前記蛍光体材料は、該開口部の中に配置されている、請求項１６に記載の素子。
【請求項２０】
透明フィルムをさらに備え、該透明フィルムは、前記第２の基板の前記開口部を覆って配置されている、請求項１９に記載の素子。
【請求項２１】
前記第２の基板は、可撓性である、請求項１９に記載の素子。
【請求項２２】
前記第１および第２の接点の各々の辺の長さまたは直径は、７０μｍ未満である、請求項１に記載の素子。
【請求項２３】
前記第１の表面の全面積は、前記第１の接点の面積の少なくとも１５倍である、請求項１に記載の素子。
【請求項２４】
前記接着材料は、実質的に等方性の接着剤を含み、該接着剤は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続し、前記間隙の中に配置された非伝導性接着材料をさらに含む、請求項１に記載の素子。
【請求項２５】
前記半導体ダイによって放出される波長に対する前記基板の反射率は、８０％よりも大きい、請求項１に記載の素子。
【請求項２６】
前記半導体ダイによって放出される波長に対する前記基板の透過率は、８０％よりも大きい、請求項１に記載の素子。
【請求項２７】
電子素子であって、
該電子素子は、
パッケージ化されていない無機発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイであって、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、その第１の表面上に第１および第２の異なる非共平面の接点を有する、パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと、
基板であって、該基板は、（ｉ）力に応じて柔軟で、および弾性的であり、または（ｉｉ）力に応じて永久に変形可能であり、該基板は、その第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と該第２の伝導性配線とは、その間の間隙によって該基板上において分離されている、基板と
を備え、
該第１および第２の接点は、該第１の接点と該第２の接点との非共平面性にもかかわらず、該配線を一緒に電気的に架橋することなく、または該接点を一緒に電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着的に結合され、それらと電気的に接触しており、該基板は、局所的な屈曲または局所的な変形を含み、該局所的な屈曲または局所的な変形は、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの動作の間に該接点と該配線との間の電気的接触を維持する、電子素子。
【請求項２８】
前記基板は、（ｉ）力に応じて柔軟で、および弾性的であるが、（ｉｉ）力に応じて永久に変形可能ではない、請求項２７に記載の素子。
【請求項２９】
前記基板は、（ｉ）力に応じて永久に変形可能であるが、（ｉｉ）力に応じて柔軟ではなく、および弾性的ではない、請求項２７に記載の素子。
【請求項３０】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、半導体材料を含み、該半導体材料は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、またはそれらの合金あるいは混合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項３１】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、半導体材料を含み、該半導体材料は、シリコン、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、ＺｎＯ、またはそれらの合金あるいは混合物のうちの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項３２】
前記接着材料は、異方性導電接着剤（ＡＣＡ）を含み、該異方性導電接着剤（ＡＣＡ）は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続する、請求項２７に記載の素子。
【請求項３３】
前記ＡＣＡの一部分は、前記間隙の中に配置され、前記第１の接点を前記第２の接点から実質的に隔離する、請求項３２に記載の素子。
【請求項３４】
前記接着材料は、実質的に等方性の接着剤を含み、該接着剤は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続し、前記間隙の中に配置される非伝導性接着材料をさらに含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項３５】
前記第１の配線の厚さおよび前記第２の配線の厚さは、実質的に一様であり、相互に実質的に等しい、請求項２７に記載の素子。
【請求項３６】
反射性材料をさらに含み、該反射性材料は、前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの前記第１の表面の少なくとも一部分を覆っている、請求項２７に記載の素子。
【請求項３７】
前記第１の接点と前記第２の接点との間のオフセットは、前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの前記第１の表面に実質的に垂直な寸法に沿って、少なくとも０．２５μｍである、請求項２７に記載の素子。
【請求項３８】
前記基板は、前記第１の配線と前記第２の配線との間に局所的な変形を含み、それにより、前記第１の接点と該基板との間の距離は、前記第２の接点と該基板との間の距離に実質的に等しい、請求項２７に記載の素子。
【請求項３９】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、前記第１の配線と前記第２の配線との間の前記間隙を横断して延在し、前記素子は、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイに近接した第２のパッケージ化されていない無機ＬＥＤダイをさらに備え、該第２のパッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、該第１の配線と該第２の配線との間の該間隙を横断して延在している、請求項２７に記載の素子。
【請求項４０】
前記第１および第２の伝導性配線は、伝導性インクを含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項４１】
前記第１および第２の伝導性配線は、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、または炭素のうちの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項４２】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイによって放出される波長に対する前記基板の反射率は、８０％よりも大きい、請求項２７に記載の素子。
【請求項４３】
前記基板は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、または紙のうちの少なくとも１つを含む、請求項２７に記載の素子。
【請求項４４】
前記第１の配線と前記第２の配線との間の前記間隙は、約２５μｍと約１０００μｍとの間の範囲にある、請求項２７に記載の素子。
【請求項４５】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと熱的に連絡しているヒートシンクが存在しない、請求項２７に記載の素子。
【請求項４６】
蛍光体材料をさらに含み、該蛍光体材料は、前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイを覆って配置され、それを少なくとも部分的に包囲し、該蛍光体材料は、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイによって放出される光の少なくとも一部分を異なる波長の光に変換する、請求項２７に記載の素子。
【請求項４７】
第２の基板をさらに備え、該第２の基板は、前記基板ならびに前記第１および第２の伝導性配線を覆って配置され、該第２の基板は、それによって画定された開口部を備え、前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイおよび前記蛍光体材料は、該開口部の中に配置されている、請求項４６に記載の素子。
【請求項４８】
光透過性材料をさらに含み、該光透過性材料は、前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと前記蛍光体材料との間に配置されている、請求項４６に記載の素子。
【請求項４９】
前記第１および第２の接点の各々の辺の長さまたは直径は、７０μｍ未満である、請求項２７に記載の素子。
【請求項５０】
前記第１の表面の全面積は、前記第１の接点の面積の少なくとも１５倍である、請求項２７に記載の素子。
【請求項５１】
前記パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの長さは、３００μｍ未満であり、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの長さ対幅のアスペクト比は、２：１よりも大きい、請求項２７に記載の素子。
【請求項５２】
前記第１および第２の接点の各々の辺の長さまたは直径は、２０μｍ未満である、請求項５１に記載の素子。
【請求項５３】
電子素子であって、
該電子素子は、
パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイであって、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイは、その第１の表面上に第１および第２の離間された接点を有する、パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと、
基板であって、該基板は、（ｉ）力に応じて柔軟で、および弾性的であり、または（ｉｉ）力に応じて永久に変形可能であり、該基板は、結合領域中において、該基板の第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と該第２の伝導性配線とは、その間の間隙を画定する、基板と
を備え、
（ｉ）該第１および第２の接点は、該配線を一緒に電気的に架橋することなく、または該接点を一緒に電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着的に結合され、それらと電気的に接触しており、（ｉｉ）少なくとも該結合領域中において、該基板の該第１の表面の上方の該第１および第２の配線の高さは、１０μｍを超えなく、および（ｉｉｉ）該接点と該配線との間の電気的接触は、該基板の該第１の表面の上方の該第１および第２の配線の高さにもかかわらず、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの動作の間に維持される、電子素子。
【請求項５４】
少なくとも前記結合領域中において、前記基板の前記第１の表面の上方の前記第１および第２の配線の高さは、５μｍを超えない、請求項５３に記載の素子。
【請求項５５】
電子素子であって、
該電子素子は、
複数の活性半導体層と複数の接点とを備えるパッケージ化されていない無機ＬＥＤダイであって、該活性半導体層のうちの第１および第２の層は、非平面的な第１の表面を集合的に画定し、該非平面的な第１の表面に該接点のうちの第１および第２の接点が接合されている、パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイと、
基板であって、該基板は、（ｉ）力に応じて柔軟で、および弾性的であり、または（ｉｉ）力に応じて永久に変形可能であり、該基板は、その第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と該第２の伝導性配線とは、その間の間隙によって該基板上において分離されている、基板と
を備え、
該第１および第２の接点は、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの該第１の表面の非共平面性にもかかわらず、該配線を一緒に電気的に架橋することなく、または該接点を一緒に電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着的に結合され、それらと電気的に接触しており、該基板は、局所的な屈曲または局所的な変形を含み、該局所的な屈曲または局所的な変形は、該パッケージ化されていない無機ＬＥＤダイの動作の間に該接点と該配線との間の電気的接触を維持する、電子素子。
【請求項５６】
前記基板が取り付けられている剛性のフレームをさらに備える、請求項２７に記載の素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
これらおよび他の目的は、本発明の利点および特徴とともに、以下の説明、添付図面、および請求項への参照を通して、より明白となるであろう。さらに、本明細書で説明される種々の実施形態の特徴は、相互排他的ではなく、種々の組み合わせおよび順列で存在できることを理解されたい。本明細書で使用されるように、「実質的」という用語は、±１０％、いくつかの実施形態では、±５％を意味する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
電子素子であって、
該電子素子は、
半導体ダイであって、該半導体ダイは、その第１の表面上に第１および第２の異なる非共平面の接点を有する、半導体ダイと、
柔軟な基板であって、該柔軟な基板は、その第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と第２の伝導性配線とは、その間の間隙によって該基板上において分離されている、柔軟な基板と
を備え、
該第１および第２の接点は、該第１の接点と第２の接点との非共平面性にもかかわらず、該配線または該接点を電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着され、それらと電気的に接触している、電子素子。
（項目２）
前記基板は、可撓性であるが、変形可能でない、項目１に記載の素子。
（項目３）
前記基板は、変形可能であるが、可撓性ではない、項目１に記載の素子。
（項目４）
前記基板は、可撓性および変形可能である、項目１に記載の素子。
（項目５）
前記半導体ダイは、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを備える、項目１に記載の素子。
（項目６）
前記ＬＥＤダイは、無機ＬＥＤダイを備える、項目３に記載の素子。
（項目７）
前記半導体ダイは、レーザを備える、項目１に記載の素子。
（項目８）
前記半導体ダイは、半導体材料を含み、該半導体材料は、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、またはそれらの合金あるいは混合物のうちの少なくとも１つを含む、項目１に記載の素子。
（項目９）
前記半導体ダイは、半導体材料を含み、該半導体材料は、シリコン、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＡｌＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、ＺｎＯ、またはそれらの合金あるいは混合物のうちの少なくとも１つを含む、項目１に記載の素子。
（項目１０）
前記接着材料は、異方性導電接着剤（ＡＣＡ）を含み、該異方性導電接着剤（ＡＣＡ）は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続する、項目１に記載の素子。
（項目１１）
前記ＡＣＡの一部分は、前記間隙の中に配置され、前記第１の接点を前記第２の接点から実質的に隔離する、項目１０に記載の素子。
（項目１２）
前記接着材料は、実質的に等方性の接着剤を含み、該接着剤は、前記第１の接点を前記第１の配線にのみ、前記第２の接点を前記第２の配線にのみ電気的に接続し、前記間隙の中に配置される非伝導性接着材料をさらに含む、項目１に記載の素子。
（項目１３）
前記第１の配線の厚さおよび前記第２の配線の厚さは、実質的に一様であり、相互に実質的に等しい、項目１に記載の素子。
（項目１４）
反射性材料をさらに含み、該反射性材料は、前記半導体ダイの前記第１の表面の少なくとも一部分を覆っている、項目１に記載の素子。
（項目１５）
前記第１の接点と第２の接点との間のオフセットは、前記半導体ダイの前記第１の表面に実質的に垂直な寸法に沿って、少なくとも０．２５μｍである、項目１に記載の素子。
（項目１６）
前記半導体ダイは、パッケージ化されていない、項目１に記載の素子。
（項目１７）
前記基板は、前記第１の配線と第２の配線との間に局所的な変形を含み、前記第１の接点と該基板との間の距離は、前記第２の接点と該基板との間の距離に実質的に等しい、項目１に記載の素子。
（項目１８）
前記半導体ダイは、前記第１の配線と第２の配線との間の前記間隙を横断して延在し、該半導体ダイは、該半導体ダイに近接した第２の半導体ダイをさらに備え、該第２の半導体ダイは、該第１の配線と第２の配線との間の該間隙を横断して延在している、項目１に記載の素子。
（項目１９）
前記第１および第２の伝導性配線は、伝導性インクを含む、項目１に記載の素子。
（項目２０）
前記伝導性インクは、銀、金、アルミニウム、クロム、銅、または炭素のうちの少なくとも１つを含む、項目１９に記載の素子。
（項目２１）
前記半導体ダイによって放出される波長に対する前記基板の反射率は、８０％よりも大きい、項目１に記載の素子。
（項目２２）
前記半導体ダイによって放出される波長に対する前記基板の透過率は、８０％よりも大きい、項目１に記載の素子。
（項目２３）
前記基板は、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル、ポリイミド、ポリエチレン、または紙のうちの少なくとも１つを含む、項目１に記載の素子。
（項目２４）
前記第１の配線と第２の配線との間の前記間隙は、約２５μｍと約１０００μｍとの間の範囲にある、項目１に記載の素子。
（項目２５）
前記半導体ダイと熱的に連絡しているヒートシンクが存在しない、項目１に記載の素子。
（項目２６）
蛍光体材料をさらに含み、該蛍光体材料は、前記半導体ダイを覆って配置され、それを少なくとも部分的に包囲し、該蛍光体材料は、該半導体ダイによって放出される光の少なくとも一部分を異なる波長の光に変換する、項目１に記載の素子。
（項目２７）
第２の基板をさらに備え、該第２の基板は、前記柔軟な基板ならびに前記第１および第２の伝導性配線を覆って配置され、該第２の基板は、それによって画定された開口部を備え、前記半導体ダイおよび前記蛍光体材料は、該開口部の中に配置される、項目２６に記載の素子。
（項目２８）
透明フィルムをさらに備え、該透明フィルムは、前記第２の基板の前記開口部を覆って配置される、項目２７に記載の素子。
（項目２９）
前記第２の基板は、柔軟である、項目２７に記載の素子。
（項目３０）
光透過性材料をさらに含み、該光透過性材料は、前記半導体ダイと前記蛍光体材料との間に配置される、項目２６に記載の素子。
（項目３１）
反射面をさらに備え、該反射面は、前記蛍光体材料を覆って配置され、前記柔軟な基板に向かって変換された光を反射する、項目２６に記載の素子。
（項目３２）
電子素子であって、
該電子素子は、
半導体ダイであって、該半導体ダイは、その第１の表面上に第１および第２の離間接点を有する、半導体ダイと
柔軟な基板であって、該柔軟な基板は、結合領域中におけるその第１の表面上に、第１および第２の伝導性配線を有し、該第１の伝導性配線と第２の伝導性配線とは、その間に間隙を画定する、柔軟な基板と
を備え、
（ｉ）該第１および第２の接点は、該配線または該接点を電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着され、それらと電気的に接触しており、および（ｉｉ）少なくとも該結合領域中において、該基板の該第１の表面の上方の該第１および第２の配線の高さは、１０μｍを超えない、電子素子。
（項目３３）
少なくとも前記結合領域中において、前記基板の前記第１の表面の上方の前記第１および第２の配線の前記高さは、５μｍを超えない、項目３２に記載の素子。
（項目３４）
少なくとも前記結合領域中において、前記基板の前記第１の表面の上方の前記第１および第２の配線の前記高さは、１μｍを超えない、項目３２に記載の素子。
（項目３５）
電子素子を形成する方法であって、
該方法は、
柔軟な基板を提供することであって、該柔軟な基板は、結合領域中におけるその第１の表面上に、第１および第２の伝導性配線を有し、該第１および第２の伝導性配線は、その間の間隙によって該基板上において分離されている、ことと、
該柔軟な基板または半導体ダイのうちの少なくとも１つに圧力を印加することによって、圧力活性化接着材料を用いて、半導体ダイの第１および第２の接点をそれぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着することであって、それにより、（ｉ）該第１の接点と該第１の配線との間、または（ｉｉ）該第２の接点と該第２の配線との間のうちの少なくとも１つの間において電気接続を確立するが、該配線または該接点を電気的に架橋しない、ことと
を含む、方法。
（項目３６）
前記基板は、可撓性であるが、変形可能ではない、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
前記基板は、変形可能であるが、可撓性ではない、項目３５に記載の方法。
（項目３８）
前記基板は、可撓性および変形可能である、項目３５に記載の方法。
（項目３９）
前記基板を提供することは、その上に前記第１および第２の配線を印刷することを含む、項目３５に記載の方法。
（項目４０）
前記接着材料を硬化させることをさらに含む、項目３５に記載の方法。
（項目４１）
前記第１の接点と第２の接点とは、非共平面的である、項目３５に記載の方法。
（項目４２）
前記柔軟な基板または前記半導体ダイのうちの少なくとも１つに圧力を印加することは、実質的に剛性の表面と実質的に順応的な表面との間にある該基板および該半導体ダイを圧縮することを含み、該圧縮することにより、前記第１の接点と第２の接点との非共平面性にもかかわらず、該第１および第２の接点を前記第１および第２の配線に接着する、項目４１に記載の方法。
（項目４３）
接着する前に、前記第１および第２の接点または前記第１および第２の配線のうちの少なくとも１つの上に前記接着材料を提供することをさらに含む、項目３５に記載の方法。
（項目４４）
前記接着材料を提供することは、実質的に液体の形態の該接着材料を分注することを含む、項目４３に記載の方法。
（項目４５）
前記接着材料は、異方性導電接着剤（ＡＣＡ）を含む、項目４３に記載の方法。
（項目４６）
前記間隙内において前記柔軟な基板を覆って非伝導性接着材料を形成することを含む、項目４３に記載の方法。
（項目４７）
前記半導体ダイの少なくとも一部分を覆って蛍光体材料を形成することをさらに含み、該蛍光体材料は、該半導体ダイによって放出される光の少なくとも一部分を異なる波長の光に変換する、項目３５に記載の方法。
（項目４８）
前記柔軟な基板の前記第１の表面上に第２の基板を配置することをさらに含み、該第２の基板は、それを通る開口部を画定し、該開口部の中に前記半導体ダイが配置される、項目３５に記載の方法。
（項目４９）
前記開口部を蛍光体材料によって少なくとも部分的に充填することをさらに含み、該充填することにより、該蛍光体材料が前記半導体ダイを少なくとも部分的に包囲する、項目４８に記載の方法。
（項目５０）
第２の基板を前記柔軟な基板の前記第１の表面上に形成することをさらに含み、該第２の基板は、くぼみを備え、該くぼみの中に前記半導体ダイが配置される、項目３５に記載の方法。
（項目５１）
蛍光体材料をさらに含み、該蛍光体材料は、前記くぼみの表面を覆って配置され、該蛍光体材料は、前記半導体ダイによって放出される光の少なくとも一部分を異なる波長の光に変換する、項目５０に記載の方法。
（項目５２）
前記蛍光体材料は、前記半導体ダイと反射面との間に配置され、該反射面は、前記柔軟な基板に向かって前記変換された光を反射する、項目５１に記載の方法。
（項目５３）
前記半導体ダイは、パッケージ化されていない、項目３５に記載の方法。
（項目５４）
前記半導体ダイは、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイを備える、項目３５に記載の方法。
（項目５５）
前記ＬＥＤダイは、無機ＬＥＤダイを備える、項目５４に記載の方法。
（項目５６）
前記半導体ダイは、レーザを備える、項目３５に記載の方法。
（項目５７）
前記柔軟な基板を提供すること、および前記接点を前記配線に接着することは、ロールツーロール工程において行われる、項目３５に記載の方法。
（項目５８）
接着材料を用いて、第２の半導体ダイの第１および第２の接点を第３および第４の伝導性配線に接着することをさらに含み、該第３および第４の伝導性配線は、前記第１の表面の反対側の前記柔軟な基板の第２の表面上に配置されている、項目３５に記載の方法。
（項目５９）
前記第１および第２の接点は、実質的に共平面的であり、少なくとも前記結合領域中において、前記基板の前記第１の表面の上方の前記第１および第２の配線の高さは、１０μｍを超えない、項目３５に記載の方法。
（項目６０）
電子素子であって、
該電子素子は、
複数の活性半導体層と複数の接点とを備える半導体ダイであって、該活性半導体層のうちの第１および第２の層は、非平面的な第１の表面を集合的に画定し、該非平面的な第１の面に該接点のうちの第１および第２の接点が接合される、半導体ダイと、
柔軟な基板であって、該柔軟な基板は、その第１の表面上に第１および第２の伝導性配線を有し、該第１および第２の伝導性配線は、その間の間隙によって該基板上において分離されている、柔軟な基板と
を備え、
該第１および第２の接点は、該半導体ダイの該第１の表面の非平面性にもかかわらず、該配線または該接点を電気的に架橋することなく、圧力活性化接着材料を用いて、それぞれ、該第１および第２の伝導性配線に接着され、それらと電気的に接触している、電子素子。
（項目６１）
前記半導体ダイは、半導体基板を備え、該半導体基板の上に、前記複数の活性半導体層が配置されている、項目６０記載の素子。
（項目６２）
前記複数の活性半導体層は、発光量子井戸を備え、該発光量子井戸は、前記第１の活性半導体層と第２の活性半導体層との間に配置されている、項目６０記載の素子。