【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、
光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードと前記電荷蓄積部との間に配置され、前記フォトダイオードで発生された電子の前記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造と
を有し、
前記ゲート構造は、複数段のゲートよりなり、
前記複数段のゲートは、少なくとも、
前記フォトダイオードに隣接して配置され、前記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御する前段のゲートと、
前記前段のゲートの後段において、前記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ隣接して配置され、前記前段のゲートの読み出し制御により読み出された電子を前記複数の電荷蓄積部のそれぞれに分配する制御を行う複数の後段のゲートと
を有することを特徴とする固体撮像素子の画素構造。
【請求項２】
光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、
光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードと前記電荷蓄積部との間に配置され、前記フォトダイオードで発生された電子の前記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造と
を有し、
前記ゲート構造は、２段のゲートよりなり、
前記２段のゲートは、
前記フォトダイオードに隣接して配置された第１段のゲートと、
前記第１段のゲートの前記複数の電荷蓄積部において、前記第１段のゲートと所定の間隙を開けて隣接してそれぞれ配置されるとともに、前記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置された複数の第２段のゲートと
であって、
前記第１段のゲートは、前記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御し、
前記複数の第２段のゲートは、前記第１段のゲートの読み出し制御により読み出された電子を前記複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行う
ことを特徴とする固体撮像素子の画素構造。
【請求項３】
光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、
光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、
前記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、
前記フォトダイオードと前記電荷蓄積部との間に配置され、前記フォトダイオードで発生された電子の前記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造と
を有し、
前記ゲート構造は、
前記フォトダイオードに隣接して配置された第１段のゲートと、
前記第１段のゲートと前記複数の電荷蓄積部との間に、前記第１段のゲートと所定の間隙を開けて隣接して配置された第２段のゲートと、
前記第２段のゲートの前記複数の電荷蓄積部側において、前記第２段のゲートと所定の間隙を開けて隣接するとともに、前記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置された複数の第３段のゲートと
の３段のゲートよりなり、
前記第１段のゲートは、前記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御し、
前記第２段のゲートは、前記第１段のゲートの読み出し制御により読み出された電子の前記複数の第３段のゲートへの移動を制御し、
前記複数の第３段のゲートは、前記第２段のゲートの移動制御により移動された電子を前記複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行う
ことを特徴とする固体撮像素子の画素構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、本発明のうち請求項１に記載の発明は、光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、上記フォトダイオードと上記電荷蓄積部との間に配置され、上記フォトダイオードで発生された電子の上記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造とを有し、上記ゲート構造は、複数段のゲートよりなり、上記複数段のゲートは、少なくとも、上記フォトダイオードに隣接して配置され、上記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御する前段のゲートと、上記前段のゲートの後段において、上記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ隣接して配置され、上記前段のゲートの読み出し制御により読み出された電子を上記複数の電荷蓄積部のそれぞれに分配する制御を行う複数の後段のゲートとを有するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、上記フォトダイオードと上記電荷蓄積部との間に配置され、上記フォトダイオードで発生された電子の上記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造とを有し、上記ゲート構造は、２段のゲートよりなり、上記２段のゲートは、上記フォトダイオードに隣接して配置された第１段のゲートと、上記第１段のゲートの上記複数の電荷蓄積部において、上記第１段のゲートと所定の間隙を開けて隣接してそれぞれ配置されるとともに、上記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置された複数の第２段のゲートとであって、上記第１段のゲートは、上記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御し、上記複数の第２段のゲートは、上記第１段のゲートの読み出し制御により読み出された電子を上記複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行うようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のうち請求項３に記載の発明は、光電変換により発生した電子を分配して電荷蓄積を行う固体撮像素子の画素構造において、光電変換により電子を発生するフォトダイオードと、上記フォトダイオードで発生された電子を蓄積する複数の電荷蓄積部と、上記フォトダイオードと上記電荷蓄積部との間に配置され、上記フォトダイオードで発生された電子の上記複数の電荷蓄積部への転送を制御するゲート構造とを有し、上記ゲート構造は、上記フォトダイオードに隣接して配置された第１段のゲートと、上記第１段のゲートと上記複数の電荷蓄積部との間に、上記第１段のゲートと所定の間隙を開けて隣接して配置された第２段のゲートと、上記第２段のゲートの上記複数の電荷蓄積部側において、上記第２段のゲートと所定の間隙を開けて隣接するとともに、上記複数の電荷蓄積部のそれぞれに対応してそれぞれ配置された複数の第３段のゲートとの３段のゲートよりなり、上記第１段のゲートは、上記フォトダイオードで発生した電子の読み出しを制御し、上記第２段のゲートは、上記第１段のゲートの読み出し制御により読み出された電子の上記複数の第３段のゲートへの移動を制御し、上記複数の第３段のゲートは、上記第２段のゲートの移動制御により移動された電子を上記複数の電荷蓄積部へそれぞれ分配する制御を行うようにしたものである。
ことを特徴とする固体撮像素子の画素構造。