(57)【要約】【課題】リードフレームおよびそのリードフレームの製造方法を提供する。【解決手段】まず、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面から選択的にエッチングする。その後、ベース材料の第一の側面上のエッチングされた領域が、充填用化合物で充填される。その後、ベース材料が、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からエッチングされる。【選択図】図３ｄ
2008182240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を提供する段階と、
エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと前記第一の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする段階と、
前記ベース材料の前記第一の側面上の前記エッチングされた領域を充填用化合物で充填する段階と、
前記第二の側面上に前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階とを備える、リードフレームの製造方法。
【請求項２】
前記エッチングレベルが、前記ベース材料の厚さの略半分である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記充填用化合物が穴埋めインクを含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
前記充填用化合物で充填する段階が、前記穴埋めインクを前記エッチングされた領域上へと印刷する段階を含む、請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記充填用化合物がモールド化合物を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
前記充填用化合物を導入した後に、前記ベース材料の前記第一の側面から余剰な充填用化合物を除去する段階を更に備える、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ベース材料の前記第一の側面を被覆する一方で、被覆されていない前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階を更に備える、請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第二の側面をエッチングした後に、前記充填用化合物で充填されていない前記ベース材料の前記第一及び第二の側面の領域上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記ベース材料の前記第二の側面の略全てが、選択的にエッチングされず、前記第二の側面上の前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへとエッチングされる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記ベース材料の前記第二の側面上の選択された領域のみが、前記第二の側面上の前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと選択的エッチングによって、エッチングされる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第二の側面をエッチングする前に、前記ベース材料の前記第二の側面を被覆して、
前記ベース材料の前記第一の側面上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記ベース材料の前記第二の側面をエッチングする前に、メッキされた前記ベース材料の前記第一の側面を被覆する段階を含む、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記ベース材料の前記第二の側面をエッチングした後に、前記第二の側面上に一つ以上のメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項１２に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記第一の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする前に、準備されている前記ベース材料の第二側面上にメッキ層を堆積させる段階を更に備える、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記第二の側面から前記ベース材料をエッチングする段階は、前記第二の側面上にメッキされたメッキ層を選択的に被覆する一方で、被覆された前記メッキ層をエッチングせずに前記第二側面上に前記充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと前記第二の側面から前記ベース材料を選択的にエッチングする段階を更に備える、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、
前記ダイパッド及び前記リードをインターロックするための前記ベース材料の前記エッチングされた領域に形成された充填用化合物とを含み、
前記充填用化合物が、前記ベース材料の平坦な前記第一及び第二の側面と略同一平面であるように形成されている、リードフレーム。
【請求項１７】
前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記ダイパッドのエッジに沿って間隔の空けられた複数のノッチを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項１６に記載のリードフレーム。
【請求項１８】
前記ノッチが半円形または四角形である、請求項１７に記載のリードフレーム。
【請求項１９】
前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記ダイパッドを前記リードに接続するタイバーを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項１６に記載のリードフレーム。
【請求項２０】
前記ダイパッドのそれぞれが、前記ダイパッドに対して前記充填用化合物を固定するための、前記充填用化合物によって取り囲まれた複数の小型パッドを有する、請求項１６に記載のリードフレーム。
【請求項２１】
前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置された複数のくぼみを備えた前記ベース材料上の固定用特徴部を含む、請求項１６に記載のリードフレーム。
【請求項２２】
前記複数のくぼみが略Ｔ字型またはＭ字型である、請求項２１に記載のリードフレーム。
【請求項２３】
実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、
前記ダイパッド及び前記リードをインターロックするための前記ベース材料の前記エッチングされた領域に形成された充填用化合物と、
前記ベース材料に対して前記充填用化合物を固定するための、前記エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置されたくぼみ形状の固定用特徴部とを備える、リードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置に係り、特に、半導体のアセンブリ及びパッケージング中に半導体集積回路チップを支持するために使用されるリードフレーム等のチップキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームは伝統的に、その上に取り付けられた半導体回路に電気相互接続を提供するために使用される。典型的に、リードフレームを製造するために使用されるベース材料は、銅合金、ステンレス鋼または４２合金である。しかしながら、より小さくて薄いパッケージサイズを有しながらもより高いリード数を有する高性能装置に対する要求によって、より高価なボール・グリッド・アレイ（Ｂａｌｌ‐Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ，ＢＧＡ）等の積層基板が急速に使用されるようになっている。
【０００３】
モールド化合物がリードフレームの一側の上のみにおいてリードフレーム上へとモールドされるというＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏ‐Ｌｅａｄ）パッケージが開発されている。これは、小さなサイズ、費用対効果、高い歩留まりで知られている。これは、ＢＧＡパッケージと性能及び効率において匹敵する。また、ＱＦＮパッケージは、共平面性及び放熱性が改善された高速回路に対して、特定の機械的利点を有する。ＱＦＮパッケージは、高周波数応用において“ノイズ”を生成するアンテナとして機能することがあるガルウイング型リードを有さないので、その電気性能は、従来のリードパッケージに対して優れている。
【０００４】
ＱＦＮパッケージは、低リード数アレイにおいて使用されるのに最適である。それにも関わらず、標準的なリードフレームパッケージと比較した際のＱＦＮパッケージの他の利点は、より高密度の相互接続を提供できるという点である。ＱＦＮパッケージのリードは典型的に、一、二または三列の構成で配置されている。また、ＱＦＮパッケージは、リードフレームに基づいたパッケージングが、積層に基づいた基板よりもコストが安いという利点を生かしている。何故ならば、多くの高コストの製造段階を介して印刷回路基板を製造するのよりも、単純に銅の薄いピースをエッチングしてリードフレームを形成する方が安価だからである。
【０００５】
しかしながら、既存のリードフレーム製造プロセスは、電気相互接続の多重の列を容易に備えることができるＢＧＡパッケージと比較して同程度の性能を有するリードフレームを製造するには、依然として不安定である。このような高性能リードフレームを製造可能なリードフレームを製造するための新規プロセスを開発する必要があるということは明らかである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、より高価なＢＧＡ基板に対して有効な代替物として使用可能なリードフレーム等のチップキャリアを開発することが、本発明の課題の一つである。
【０００７】
また、従来のリードフレームと比較して比較的多数のリードを有し、そのリードがインターロック構造で適切に支持されてリードフレームが高密度パッケージングに適しているチップキャリアを製造することが、本発明の他の課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一側面によると、リードフレームの製造方法が提供される。本製造方法は、平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料を提供する段階と、エッチングされた領域を形成するための所定のエッチングレベルへと第一の側面からベース材料を選択的にエッチングする段階と、ベース材料の第一の側面上のエッチングされた領域を充填用化合物で充填する段階と、第二の側面上に充填用化合物を露出させるためのエッチングレベルへと第二の側面からベース材料をエッチングする段階とを備える。
【０００９】
本発明の第二側面によるとリードフレームが提供される。本リードフレームは、実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、ダイパッド及びリードをインターロックするためのベース材料のエッチングされた領域に形成された充填用化合物とを含み、充填用化合物が、ベース材料の平坦な第一及び第二の側面と略同一平面であるように形成されている。
【００１０】
本発明の第三側面によるとリードフレームが提供される。本リードフレームは、実質的に平坦な第一及び第二の側面を有するベース材料であり、該ベース材料のエッチングされた領域によって離隔された少なくとも一つのダイパッド及び複数のリードを画定するベース材料と、ダイパッド及びリードをインターロックするためのベース材料のエッチングされた領域に形成された充填用化合物と、ベース材料に対して充填用化合物を固定するための、エッチングされた領域の周囲のエッジに沿って配置されたくぼみ形状の固定用特徴部とを備える。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の好ましい実施形態を例示する添付図面を参照して、本発明の更なる詳細を開示する。図面の特殊性及びそれに関連する開示は、特許請求の範囲によって定められる本発明の広範な同一性の一般性を失わせるものではないということは理解されたい。
【００１２】
本発明によるリードフレーム及びその製造の特徴は、添付図面を参照して、以下の詳細な開示を読むことによって、完全に理解されるものである。
【００１３】
図１は、半導体ダイ１１を支持するために使用される本発明の好ましい実施形態によるリードフレームの部分切開平面図である。リードフレームは、リード１２と、半導体ダイ１１がその上に結合されるダイパッド１０とを備える。半導体ダイは、ファインワイヤ１３（典型的には金ワイヤ）を用いてリード１２に接続される。リード１２及びダイパッド１０は、ニッケル、ニッケル合金の第一層、パラジウム、金、銀、これらの合金の第二層でメッキされて、リード１２とワイヤ１３との間の接続性を増強させ、並びに、リード１２及びダイパッド１０の印刷回路基板上へのはんだぬれ性を増強させる。望ましくは、リードフレームはリード１２の内側と外側のリングを備え、リードフレーム内の電機接続の密度を増大させる。
【００１４】
図２ａから２ｆは、ベース材料が図１のリードフレームを製造するためのものである製造プロセスの第一パート中の多様な段階におけるベース材料の断面図を示す。図２ａは、そこからリードフレームが形成される第一及び第二の平坦な側面を有するベース金属２０から成る金属ベース材料を示す。例えば、ベース材料は、略０．００３から０．０２０インチまでの厚さの銅の薄いシートを含む。
【００１５】
図２ｂは、フォトレジスト層２１がベース金属２０の第一側面上に加えられた様子を示す。フォトレジスト２１は、感光性アクリルポリマーの系を含み得て、また、シート形状または液体として適用され得る。その厚さは０．０００２から０．００３インチまでの範囲で有り得る。
【００１６】
図２ｃは、フォトレジスト層２１がマスキングされて、露光されて、その後、フォトレジスト層２１のマスキングされていない領域を除去するために現像されて、リードフレームパターンを形成するために選択的にエッチングされるベース金属の特定の領域２２が露出される様子を示す。
【００１７】
図２ｄは、第一ハーフエッチングプロセス後のリードフレーム構造を示し、このプロセス中に、ベース金属２０の露出された領域２２が、所望のリードフレームパターンを生じさせるための所定のエッチングレベルへと、ベース金属２０のシートの厚さの略半分に選択的にエッチングされる２３。このエッチングプロセスは典型的には湿式エッチングプロセスであり、塩化第二鉄または塩化第二銅がエッチング剤として使用される。ここで、当該分野においては、多数の他の周知のエッチングプロセス及びエッチング剤が存在しており、本発明は特定のエッチングプロセスに限定されるものではない。
【００１８】
図２ｅでは、残存するフォトレジストが、エッチングされたベース材料から剥離されて、ハーフエッチングされたリードフレームパターン２４が残される。この剥離プロセスは、アルカリ溶液での水溶解を用いて行われることが好ましい。
【００１９】
ベース金属２０の第一側面上のエッチングされた領域はその後、充填用化合物２５で充填される。図２ｆは、モールド化合物や穴埋めインクなどの充填用化合物２５が、それぞれモールドまたは印刷によってリードフレーム２４のハーフエッチングされた領域のキャビティ内に導入された後のハーフエッチングされたリードフレーム２４を示す。このプロセスの後には、リード１２及びダイパッド１０の両方が、硬化プラスチックモールド化合物または穴埋めインクによって、取り囲まれて、インターロックされている。従来の下流プロセスとの互換性のために、モールド化合物は、半導体パッケージング産業において一般的に使用されている熱硬化型プラスチック化合物であることが好ましい。充填用化合物２５を注入した後に、余剰の充填用化合物を除去するために、好ましくは、モールド化合物または穴埋めインクのにじみのばり取りが化学的なばり取りまたは機械的なばり取りのどちらか、またはその両方によって実行される。
【００２０】
代替案として、上述のようにベース金属２０の第一側面をエッチングする前に、電気分解または他のメッキプロセスによって、ベース金属２０の第二側面の全体または選択された領域の上に、一つ以上のメッキ層２８（図３及び４を参照）を堆積させることが可能である。この場合、ベース金属の第二側面は、第一側面上のエッチングの際にメッキ層２８を保護するために、適切に被覆されることが望ましい。第一側面上のエッチングの後には、エッチングされた領域は、充填用化合物２５で同様に充填される。
【００２１】
図２に示されるプロセスの後で、二つの選択肢のいずれか一つを用いて、最終的なリードフレームを製造することができる。
【００２２】
図３ａから３ｄは、完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の様々な段階におけるベース材料の断面図を示す。図３ａは、積層後のリードフレームを示し、積層中においては、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたは他のカバー層が、エッチングマスク２６として第一側面に加えられて、（既にハーフエッチングされている）第一側面の上面が、第二エッチングプロセス中に更にエッチングされることを防止するために、モールドされたリードフレームパターンを被覆する。
【００２３】
図３ｂでは、選択的エッチングではなくて、第二側面上の被覆されていない表面の実質的に全てがハーフエッチングされており、第二エッチングプロセス後のリードフレーム構造２７が示されている。この第二エッチングプロセス中に、エッチングマスクによって被覆されていない銅シートの表面は、リードフレーム構造２７を生じさせるためのエッチングレベルへと、ベース金属２０の厚さの略半分にエッチングされる。このエッチングプロセスは、図２ｄのプロセスと同じものであるが、選択的にマスキングせずに実施されることが好ましく、ベース金属２０の第二側面の全てがこのエッチングレベルへとエッチングされることになる。第二側面からベース金属２０をエッチングした後では、充填用化合物２５が第二側面上に露出される。
【００２４】
図３ｃは、層またはテープの剥離後のリードフレーム構造２７を示し、この剥離中に、エッチングマスクとして使用された保護層２６が除去される。
【００２５】
図３ｄは、メッキプロセス後の完成したリードフレーム２９を示し、このメッキプロセス中に、複数のメッキ層２８が、充填用化合物２５で充填されていないベース金属２０の第一及び第二側面の領域上に堆積される。まず、ニッケルまたはニッケル合金の中間層２８が、好ましくは無電解メッキプロセスによって加えられる。中間層の厚さは典型的には、０．２５から１０マイクロメートルまでで有り得て、より好ましくは、０．５から５マイクロメートルまでの範囲内である。次に、一つ以上の保護層を、好ましくは無電解メッキまたは浸漬プロセスによって、メッキするが、ここで、パラジウム、パラジウム合金、金、金合金、銀から成る組から選択された少なくとも一つの金属がメッキされる。保護層の厚さは、０．００１から５マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。充填用化合物２５は導電体ではないので、このメッキ層２８は、充填用化合物の上にはメッキされない。これによって、本発明の好ましい実施形態によるリードフレームが製造される。
【００２６】
図４ａから４ｇは、完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の様々な段階におけるベース材料の断面図を示す。本実施形態では、メッキは、リードフレーム構造２７の一つの表面上（好ましくは第一側面上）にまず行われる。図４ａは、積層後のリードフレームを示し、この積層中に、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたは他のカバー層が、メッキマスク２６として加えられて、メッキ中に銅シートの充填されていない第二側面上でメッキが生じることを防止するために、銅シートを被覆する。
【００２７】
図４ｂは、メッキ後のリードフレームを示し、ニッケル／パラジウム、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム／金、及び／又は、銀及び錫を含む一方のメッキ層２８が、好ましくは電気メッキ及び／又は無電解メッキによって、メッキされ得る。このメッキ層２８のメッキの厚さは、０．００１から５マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。
【００２８】
図４ｃは、マスクを剥離した後のリードフレーム構造を示し、第二側面用のカバー層として使用されたエッチングマスク２６が除去されている。
【００２９】
図４ｄは、積層後のリードフレーム構造を示し、この積層中に、リードフレームの第一側面上のハーフエッチングされた表面が第二エッチングプロセス中にエッチングされることを防止するために、テープ、フォトレジスト、印刷レジストまたはエッチングマスク２６等の他のカバー層が加えられる。
【００３０】
図４ｅは、第二エッチング後のリードフレームを示し、第二エッチング中に、ベース材料の第二側面が、充填用化合物２５を露出させるためにシートの深さの半分にエッチングされる。このエッチングプロセスは、図３ｂに関して説明したエッチングプロセスと同じものである。
【００３１】
第一側面をエッチングする前にメッキ層２８でベース金属２０の第二側面の全てがメッキされているという上述の代替案のプロセスにおいては、第二側面の全てがエッチングされないことが望ましい。その代わりに、第二側面上のメッキ層２８が最終的な製品において維持される領域は、こうしたエッチング中に被覆されることが望ましい。従って、この場合、ベース金属２０の第二側面上に充填用化合物２５を露出させるために、充填用化合物２５が位置するベース金属２０の選択された領域のみが、第二側面上でエッチングされる。従って、ベース金属２０の第二側面は既にメッキされているので、図４ｆに関連して以下に開示されるベース金属２０の第二側面の更なるメッキは必要ない。
【００３２】
図４ｆは、ベース金属２０の第二側面のエッチング後の第二側面のメッキ後のリードフレームを示す。複数のメッキ層２８が、充填用化合物２５によって充填されていない領域の上に堆積されている。選択肢の一つは、メッキ（好ましくは無電解メッキ）によって、ニッケルまたはニッケル合金の中間層を加えることである。ニッケル層の厚さは典型的には、０．２５から１０マイクロメートルまでで有り得て、好ましくは０．５から５マイクロメートルまでの範囲内である。その後、一つ以上の保護層が、好ましくは無電解または浸漬メッキによって、メッキされ、このメッキ中に、パラジウム、パラジウム合金、金、金合金から成る組から選択された少なくとも一つの金属がメッキされる。保護層の厚さは０．００１から５マイクロメートルまでの範囲内であることが好ましい。他の選択肢は、銀または錫の層を０．００１から５マイクロメートルの範囲内で、好ましくは、無電解または浸漬メッキを用いてメッキすることである。充填用化合物２５は導電体ではないので、このメッキ層２８は、充填用化合物の上にはメッキされない。
【００３３】
図４ｇは、層またはテープの剥離後の完成したリードフレーム構造２９を示し、この剥離中に、エッチングマスク２６またはカバー層として使用された積層が除去される。
【００３４】
図５ａから５ｄは、本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームの様々なレイアウトを示す。図５ａは、２列のリードレイアウトを有するリードフレーム１４の平面図である。この構成では、それぞれのダイパッド１０を取り囲む二列のリード１２が存在する。それぞれのダイパッド１０は複数のリード１２によって取り囲まれており、リード１２及びダイパッド１０は、リードフレーム１４のベース材料のエッチングされた領域１６によって離隔されている。ダイパッド１０及びリード１０のインターロックのために、充填用化合物２５が、リードフレーム１４のエッチングされた領域１６中に導入されている。図３ｄ及び４ｇに示されるように、充填用化合物２５は、ベース材料の第一及び第二の平坦な側面と実質的に同一平面であるように形成される。リード１２は正方形または矩形の形状で有り得て、また、規則的な一直線のパターンに配置され得る。
【００３５】
図５ｂは、３列のリードレイアウトを有するリードフレーム１４の平面図である。この構成では、それぞれのダイパッド１０を取り囲む三列のリード１２が存在する。リード１２は正方形または矩形の形状で有り得て、また、規則的な一直線のパターンに配置され得る。このレイアウトによって、リードフレーム１４が、２列のリードレイアウトよりも高いリード数を提供可能になる。
【００３６】
図５ｃは、３列のリードレイアウトを有する他のリードフレーム１４の平面図であるが、リードは、規則的な一直線のパターンの代わりに、スタガード型パターンを有する。このスタガード型パターンは、ワイヤ結合ループレイアウトの選択肢をより多くする利点を有する。
【００３７】
図５ｄは、３列のスタガード型リードレイアウトを有する更に他のリードフレーム１４の平面図であるが、リード１２は、四角形の代わりに、円形にエッチングされている。円形のリード１２は、モールド中にモールド化合物の流れを促進することに役立ち得る。
【００３８】
図６ａから６ｅは、本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、モールドの固定を増強するための様々な特徴部を示す。図６ａはモールド化合物でリードフレーム１４をモールドする際のモールドのボイドを防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための複数の特徴部を示す。
【００３９】
固定用特徴部の一つは、ダイパッド１０のエッジに沿って予めエッチングされて間隔の空けられた多重ノッチという形状で有り得るノッチイン特徴部３０を含む。これはモールド後のモールド化合物を固定するためのものであり、モールド化合物が外れることを防止する。また、ノッチイン特徴部３０は、モールドの流れを促進し、モールドのボイドを排除することができる。このノッチイン特徴部は、正方形や矩形等の四角形で有り得る。
【００４０】
更なる固定用特徴部は、リードフレーム１４のエッチングされた領域１６の周囲のエッジに沿ったくぼみで有り得て、リードフレーム１４に対して充填用化合物２５を固定するためのものである。くぼみは、エッチングされた領域１６の側面に沿った実質的なＴ字型で有り得て（例えばＴ字型ロック３１）、または、コーナーの実質的なＭ字型（例えばＭ字型ロック３２）で有り得る。また、Ｔ字型ロック３１及びＭ字型ロック３２は、モールドのボイドが、リードフレーム１４のモールドパネルのエッジ上に形成されることを防止するのに役立つ。
【００４１】
図６ｂは、モールド固定用及びボイド形成防止用特徴部が、ダイパッド１０のエッジ上の半円形のノッチイン特徴部３３である場合を示すリードフレーム１４の平面図である。この半円形は、モールドのボイドを防止することにおいて優れた性能を示す。
【００４２】
図６ｃは、ダイパッド１０上の他のモールド固定用特徴部を示し、ダイパッド１０の全体が多数の小型パッド３４から成っている。小型パッド３４のそれぞれは、エッチングされた領域１６においてこの小型パッドが充填用化合物２５で取り囲まれた際に、充填用化合物２５に対する固定用特徴部として機能し得る。
【００４３】
図６ｄは、ベース材料に対して充填用化合物を固定するための固定用特徴部として機能する露出されたタイバー３５を示す。露出されたタイバー３５のそれぞれは、ダイパッド１０をコーナーのリード１２に接続し、また、タイバー３５はそれぞれのダイパッド１０のコーナーに位置していることが好ましい。これは、ダイパッド１０が大型のダイサイズ用に設計されている場合に特に有益である。更に、図６ａ及び６ｄの特徴部を組み合わせて、より良いリードフレーム性能を達成することができる。
【００４４】
図６ｅは、リードフレーム１４上に非金属のダイパッド１０を有するリードフレーム１４の平面図である。金属ダイパッド１０の代わりに、リードフレーム上に取り付けられたダイが、上述のようなダイパッドの位置において、リードフレーム１４のエッチングされた領域１６上へと導入された充填用化合物上に、直接存在している。
【００４５】
従って、本発明により、まずベース材料の一側からベース材料をエッチングして、モールド化合物や穴埋めインク等の充填用化合物を、ダイパッド及びリードの保持用のインターロックリードフレームパターンとして加えることによる、リードフレームの製造方法が開示された。その後、ベース材料は反対側からエッチングされて、充填用化合物が露出される。これによって、リードフレームのリード数が大幅に増加し、また、最終的なパッケージの厚さが減少する。
【００４６】
また、リードフレームパターンをインターロックし、それによって、従来技術の方法と比較してリード数を顕著に増加し、パッケージングの厚さを減少するために、モールド化合物や穴埋めインク等の充填用化合物を使用する、新規リードフレームが開示された。本発明の好ましい実施形態によって、２ミルという薄さのより薄いリードフレームの製造が可能になる。また、本発明のプロセスによって、リードフレームとこれをインターロックする充填用化合物との間の接着性を良くすることができる。
【００４７】
使用されるフォトレジスト、モールド化合物、穴埋めインク、印刷レジスト及びテープの種類、リードフレームを形成するためにベース材料をエッチングするプロセス、リードとパッドとの間のインターロックを形成するためにモールドするまたはインクで穴埋めするプロセス、モールドのにじみを除去するためのばり取りのプロセス、メッキ層を堆積させるプロセス等の上述の様々なプロセスの詳細は、例示目的のためだけに提供されたものであり、均等な結果を提供する他のプロセス及び材料で代替してもよいということは認識されたい。
【００４８】
本発明の原理について、本願で開示される特定の方法に関して明示したが、本発明の実施において、多様な逸脱が行われ得ることは認識されたい。本発明の範囲は、本願で開示される特定の方法に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって判断されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームの部分切開平面図である。
【図２ａ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図２ｂ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図２ｃ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図２ｄ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図２ｅ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図２ｆ】図１のリードフレームを製造するために、充填用化合物がベース材料に組み込まれる製造プロセスの第一パート中の或る段階におけるベース材料の断面図である。
【図３ａ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図３ｂ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図３ｃ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図３ｄ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第一の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ａ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｂ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｃ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｄ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｅ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｆ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図４ｇ】完成したリードフレームを製造するための本発明の第二の好ましい実施形態による製造プロセスの第二パート中の或る段階におけるベース材料の断面図を示す。
【図５ａ】本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームのレイアウトを示す。
【図５ｂ】本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームのレイアウトを示す。
【図５ｃ】本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームのレイアウトを示す。
【図５ｄ】本発明の好ましい実施形態による製造プロセスを利用して製造することのできるリードフレームのレイアウトを示す。
【図６ａ】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための特徴部を示す。
【図６ｂ】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための特徴部を示す。
【図６ｃ】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための特徴部を示す。
【図６ｄ】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための特徴部を示す。
【図６ｅ】本発明の好ましい実施形態によるリードフレームのモールド中のモールドのボイド形成を防止し、充填用化合物に対する固定を増強するための特徴部を示す。
【符号の説明】
【００５０】
１０  ダイパッド
１１  半導体ダイ
１２  リード
１３  ファインワイヤ
１４  リードフレーム
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図２ｃ】
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【図２ｄ】
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【図２ｅ】
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【図２ｆ】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図１】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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【図６ｅ】
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【外国語明細書】
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