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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上で隣接する光透過型感光性樹脂の開口部に対として配置された配線を有する表示装置の製造方法であって、
前記絶縁基板の前記光透過型感光性樹脂をパターニングし、ポストベークして、ホトリソグラフィー技術で形成される限界の幅の捨て領域を介して隣接した対の開口部を形成し、
前記光透過型感光性樹脂を撥液処理し、前記隣接した対の開口部を親液処理した後、
前記隣接した対の開口部に、インクジェット塗布で前記捨て領域を含む当該隣接した対の開口部の幅と接触角で決まる実質盛り込み量で金属微粒子を含有するインクを盛り込み、
前記塗布されたインクの溶媒を蒸発・乾燥させることで前記隣接した対の開口部のそれぞれに前記盛り込み時よりも高濃度の金属微粒子を含有するインクとし、該高濃度の金属微粒子を含有するインクを前記捨て領域を境界として分離し、
前記分離されたインクを乾燥・焼成して前記配線を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記絶縁基板上には、
第１の光透過型感光性樹脂の開口部に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜の上に順次形成された半導体層及び分離されたオーミックコンタクト層と、
前記分離されたオーミックコンタクト層が分離された部分の前記半導体を保護する保護膜と、
第２の光透過型感光性樹脂の開口部に形成されたソース電極とドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタと、
前記絶縁基板上に前記薄膜トランジスタをマトリクス状に配置し、前記薄膜トランジスタのドレイン電極に接続された画素電極と前記第１の光透過型感光性樹脂の開口部に形成された補助容量配線との間で形成される補助容量と、
前記ゲートに接続される前記第１の光透過型感光性樹脂の開口部に形成されたゲート配線と、
前記ソース電極に接続される前記第２の光透過型感光性樹脂の開口部に形成されたソース配線と
を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記隣接した対の開口部が、前記絶縁基板に形成される隣接する画素部のゲート配線であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記隣接した対の開口部が、前記絶縁基板に形成される隣接する画素部のゲート配線の対、および容量配線の対であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２において、
前記隣接した対の開口部が、前記絶縁基板に形成される隣接する画素部のゲート配線と容量配線であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２において、
前記隣接した対の開口部が、前記絶縁基板に形成される隣接する画素部のソース配線であることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記分離されたインクを乾燥・焼成して前記配線を形成後、前記捨て領域をライトエッチングして隣接する配線間の短絡を防止することを特徴とする表示装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（以下「ＴＦＴ」という）を用いたインクジェット法によるアクティブマトリクス型液晶表示装置に好適な製造方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成19年7月17日(2007.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１導電型の第１の半導体領域と第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された記憶ノードと、
前記第１の半導体領域の表面に形成され、前記記憶ノードに電気的に接続された第２導電型の第１の不純物領域と、
前記第２導電型の第１の不純物領域に接触するように前記第１の半導体領域に形成された第１導電型の第２の不純物領域と、
前記第２の半導体領域の表面に形成され、前記記憶ノードに電気的に接続された第１導電型の第３の不純物領域と、
前記第３の不純物領域に接触するように前記第２の半導体領域に形成された第２導電型の第４の不純物領域とを備えた、スタティック型半導体記憶装置。
【請求項２】  第１導電型の第１の半導体領域と第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された記憶ノードと、
前記第１の半導体領域に形成された電界効果トランジスタとを備え、
前記電界効果トランジスタは、
前記第１の半導体領域上にゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側でかつ前記第１の半導体領域内に形成され、その一方が前記記憶ノードに電気的に接続される一対の第２導電型の第１の不純物領域とを含み、さらに、
前記第１の半導体領域内で前記一対の第１の不純物領域の下に形成された一対の第１導電型の第２の不純物領域と、
前記第２の半導体領域の表面に形成されて前記記憶ノードに電気的に接続された第１導電型の第３の不純物領域と、
前記第２の半導体領域の中に形成されて前記第３の不純物領域に接触する第２導電型の第４の不純物領域とを備え、
前記第２の不純物領域内の不純物濃度は、前記一対の第２の不純物領域の間の領域の不純物濃度よりも大きい、スタティック型半導体記憶装置。
【請求項３】  半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された記憶ノードとを備え、
前記記憶ノードは、所定の方向に延びる第１の記憶ノード部と、
前記第１の記憶ノード部に向かい合うように前記第１の記憶ノード部上に誘電体を介在させて形成され、前記第１の記憶ノード部の延びる方向に沿って延びる、第２の記憶ノード部とを含む、スタティック型半導体記憶装置。
【請求項４】  前記半導体基板に形成された、電位がほぼ一定の領域をさらに備え、前記第１の記憶ノード部は、前記電位がほぼ一定の領域に電気的に接続される、請求項３に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項５】  前記第１の記憶ノード部は、前記第２の記憶ノード部のほぼすべての平面領域上に形成される、請求項３または４に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項６】  負荷トランジスタおよび駆動トランジスタをさらに備え、
前記記憶ノードは、前記負荷トランジスタまたは前記駆動トランジスタのゲート電極である、請求項３から５のいずれか１項に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項７】  １対の駆動トランジスタをさらに備え、前記記憶ノードは一方の前記駆動トランジスタのゲート電極と他方の前記駆動トランジスタのドレイン領域とに電気的に接続する、請求項３から５のいずれか１項に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項８】  半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第１導電型の半導体領域と、
前記第１導電型の半導体領域に接するように前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体領域と、
前記第１導電型の半導体領域に形成された第１導電型のチャネル領域を有する電界効果トランジスタとを備え、
前記第２導電型の半導体領域は、前記第１導電型の半導体領域に接触し、前記チャネル領域に向かって延びる第１の延在領域を含む、スタティック型半導体記憶装置。
【請求項９】  前記第２導電型の半導体領域には、第２導電型のキャリアを引き付けるように前記第１導電型の半導体領域の電位と異なる電位が印加される、請求項８に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項１０】  前記第２導電型の半導体領域は、前記第１導電型の半導体領域を覆う第２の延在領域をさらに含む、請求項８または９に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【請求項１１】  半導体基板と、
前記半導体基板の上にゲート絶縁膜を介在させて形成され、記憶ノードに電気的に接続されたゲート電極と、
前記ゲート電極の側壁に接触するように形成された側壁誘電膜と、
前記ゲート電極の両側でかつ前記半導体基板の表面に形成されたソースおよびドレイン領域と、
前記ソースおよびドレイン領域の一方に接続され、かつ前記側壁誘電膜を介在させて前記ゲート電極上に形成された導電層とを備えた、スタティック型半導体記憶装置。
【請求項１２】  前記導電層の電位はほぼ一定とされる、請求項１１に記載のスタティック型半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【課題を解決するための手段】
この発明の１つの局面に従ったスタティック型半導体記憶装置は、第１導電型の第１の半導体領域と第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基板と、半導体基板上に形成された記憶ノードと、第１の半導体領域の表面に形成され、記憶ノードに電気的に接続された第２導電型の第１の不純物領域と、第２導電型の第１の不純物領域に接触するように第１の半導体領域に形成された第１導電型の第２の不純物領域と、第２の半導体領域の表面に形成され、記憶ノードに電気的に接続された第１導電型の第３の不純物領域と、第３の不純物領域に接触するように第２の半導体領域に形成された第２導電型の第４の不純物領域とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この発明の別の局面に従ったスタティック型半導体記憶装置は、第１導電型の第１の半導体領域と第２導電型の第２の半導体領域とを有する半導体基板と、半導体基板上に形成された記憶ノードと、第１の半導体領域に形成された電界効果トランジスタとを備え、電界効果トランジスタは、第１の半導体領域上にゲート絶縁膜を介在させて形成されたゲート電極と、ゲート電極の両側でかつ第１の半導体領域内に形成され、その一方が記憶ノードに電気的に接続される一対の第２導電型の第１の不純物領域とを含み、さらに、第１の半導体領域内で一対の第１の不純物領域の下に形成された一対の第１導電型の第２の不純物領域と、第２の半導体領域の表面に形成されて記憶ノードに電気的に接続された第１導電型の第３の不純物領域と、第２の半導体領域の中に形成されて第３の不純物領域に接触する第２導電型の第４の不純物領域とを備え、第２の不純物領域内の不純物濃度は、一対の第２の不純物領域の間の領域の不純物濃度よりも大きい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドッキング位置に誘導するドッキング誘導パターンを撮影するためのカメラと、
撮影された映像から前記ドッキング誘導パターンとその中心点とを抽出するドッキング誘導パターン抽出部と、
前記の抽出されたドッキング誘導パターンの画素数と基準位置で撮影されたドッキング誘導パターンの画素数比によって前記ドッキング位置までの距離情報を演算する距離情報算出部と、
前記の抽出されたドッキング誘導パターンの中心点と、撮影映像内の中心点情報及び前記ドッキング位置までの距離情報を演算して、前記ドッキング位置からの移動体オフセット情報を算出するオフセット情報算出部と、
前記オフセット情報と前記距離情報とによって移動体のホイール駆動を制御するホイール駆動部と、を具備していることを特徴とする映像認識の可能な移動体。
【請求項２】
前記カメラは、前記基準位置で撮影された映像の中心点と前記ドッキング誘導パターンの中心点とが一致するように前記移動体に装着されていることを特徴とする請求項１に記載の映像認識の可能な移動体。
【請求項３】
前記ドッキング誘導パターン抽出部は、前記ドッキング誘導パターンの彩色情報に対応する輝度レベルのエッジ検出によって前記ドッキング誘導パターンを抽出することを特徴とする請求項１に記載の映像認識の可能な移動体。
【請求項４】
前記ドッキング誘導パターン抽出部は、前記ドッキング誘導パターンの前記彩色情報とは異なる輝度レベルの検出によって前記ドッキング誘導パターンの中心点を抽出することを特徴とする請求項３に記載の映像認識の可能な移動体。
【請求項５】
ドッキング誘導信号を受信するための誘導信号受信機を更に含んでいることを特徴とする請求項１に記載の映像認識の可能な移動体。
【請求項６】
ドッキング位置に誘導するドッキング誘導パターンの中心点が電源端子と一直線上に位置するように前記ドッキング誘導パターンが印刷されている充電台と、
カメラを介して撮影された前記ドッキング誘導パターンの中心点が前記カメラを介して撮影される撮影映像内の中心点と一致するようにホイール駆動を制御して前記ドッキング位置に移動する移動体と、を具備していることを特徴とする映像認識の可能な移動体誘導システム。
【請求項７】
前記移動体は、
前記ドッキング誘導パターンを撮影するためのカメラと、
撮影された映像から前記ドッキング誘導パターンとその中心点とを抽出するドッキング誘導パターン抽出部と、
前記の抽出されたドッキング誘導パターンの画素数と基準位置で撮影されたドッキング誘導パターンの画素数比によってドッキング位置までの距離情報を演算する距離情報算出部と、
前記抽出されたドッキング誘導パターンの中心点と、前記撮影映像内の中心点情報及び前記ドッキング位置までの距離情報を演算して、前記ドッキング位置からの移動体オフセット情報を算出するオフセット情報算出部と、
前記オフセット情報と前記距離情報とによって前記移動体のホイール駆動を制御するホイール駆動部と、を具備していることを特徴とする請求項６に記載の映像認識の可能な移動体誘導システム。
【請求項８】
前記カメラは、前記基準位置で撮影された映像の中心点と前記ドッキング誘導パターンの中心点とが一致するように前記移動体に装着されていることを特徴とする請求項７に記載の映像認識の可能な移動体誘導システム。
【請求項９】
前記充電台及び前記移動体は、各々ドッキング誘導信号を送信するための誘導信号送信機と、そのドッキング誘導信号を受信するための誘導信号受信機とを更に含んでいることを特徴とする請求項６に記載の映像認識の可能な移動体誘導システム。
【請求項１０】
前記ドッキング誘導パターンとその中心点とは、互い異なる輝度レベルを有するように彩色されていることを特徴とする請求項６に記載の映像認識の可能な移動体誘導システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、該基体の上に配置された、間隙を備える導電性膜と、を具備する電子放出素子であって、
前記基体は、酸化シリコンを含む第１部分と該第１部分に並設された該第１部分よりも高い熱伝導率を有する第２部分とを少なくとも備えており、
前記第１および第２部分は、前記導電性膜に比して高抵抗であり、
前記導電性膜は、前記第１および第２部分の上に配置されており、
前記間隙は、前記第１部分の上に配置されていることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
基体と、該基体の表面に設けられた、間隙を備える導電性膜と、を具備する電子放出素子であって、
前記基体の前記表面は、絶縁性の第１部分と、前記第１部分の材料とは異なる材料からなり、前記第１部分に並設された絶縁性の第２部分と、を少なくとも備えており、
前記第１部分および前記第２部分は、前記導電性膜に比して高抵抗であり、
前記第１部分は酸化シリコンを含み、
前記第２部分の熱伝導率は、前記第１部分の熱伝導率よりも高く、
前記導電性膜は、前記第１部分および前記第２部分の上に配置されており、
前記間隙は、前記第１部分の上に配置されていることを特徴とする電子放出素子。
【請求項３】
前記第２部分は、前記第１部分を挟むように、前記第１部分の両脇に並設されていることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記第２部分の熱伝導率が、前記第１部分の熱伝導率の４倍以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記第１および第２部分を構成する材料の抵抗率が、１０８Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記導電性膜のシート抵抗が１０２Ω／□以上１０７Ω／□以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記第１部分は酸化シリコンを主体とすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項８】
複数の電子放出素子を有する電子源であって、各々の前記電子放出素子が請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項９】
電子源と該電子源から放出された電子の照射によって発光する発光体とを備える画像表示装置であって、前記電子源が請求項８に記載の電子源であることを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
受信した放送信号に含まれる映像情報、文字情報および音声情報の少なくとも１つを出力する受信装置と、該受信装置に接続された画像表示装置とを少なくとも備える情報表示再生装置であって、前記画像表示装置が請求項９に記載の画像表示装置であることを特徴とする情報表示再生装置。
【請求項１１】
一部に間隙を備えた導電性膜を具備する電子放出素子の製造方法であって、
第１部分と、該第１部分に並設され、該第１部分よりも高い熱伝導率を有する第２部分と、を備えた表面を有する基体の前記表面に、前記第１部分と前記第２部分に比して低抵抗な導電性膜を、前記第１部分と前記第２部分との双方に跨って配置した後に、前記導電性膜に電流を流すことで、前記導電性膜の一部であって、前記第１部分の上に位置する部分に、間隙を形成する工程を有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記第１部分は第１絶縁性材料からなり、前記第２部分は前記第１絶縁性材料とは異なる第２絶縁性材料からなり、
前記第２部分の熱伝導率は、前記第１部分の熱伝導率よりも高い、ことを特徴とする請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２部分は、前記第１部分を挟むように、前記第１部分の両脇に並設されていることを特徴とする請求項１１または１２に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記第２部分の熱伝導率が、前記第１部分の熱伝導率の４倍以上であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１および第２部分を構成する材料の抵抗率が１０８Ωｍ以上であることを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか１項に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１工程において、前記導電性膜のシート抵抗が１０２Ω／□以上１０７Ω／□以下であることを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第１部分は酸化シリコンを主体とすることを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１８】
複数の電子放出素子を備える電子源と該電子源から放出される電子の照射により発光する蛍光体とを備える画像表示装置の製造方法であって、前記複数の電子放出素子の各々が請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の製造方法により製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも２個以上の炭素間二重結合を有する多官能モノマーを含むポリアミド樹脂組成物の成形体を加熱架橋してなることを特徴とする転がり軸受用プラスチック保持器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は、少なくとも２個以上の炭素間二重結合を有する多官能モノマーを含むポリアミド樹脂組成物の成形体を加熱架橋してなることを特徴とする転がり軸受用プラスチック保持器を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガランギン又はフロレチンのいずれか１種以上を含有する活性酸素消去酵素発現促進剤。
【請求項２】
活性酸素消去酵素が、ＳＯＤである請求項１記載の活性酸素消去酵素発現促進剤。
【請求項３】
ガランギン又はフロレチンのいずれか１種以上を含有する活性酸素の過剰産生によって誘発又は助長される症状若しくは疾患の予防、改善又は治療薬。
【請求項４】
ガランギン又はフロレチンのいずれか１種以上を含有する、活性酸素消去酵素発現促進作用を呈するものであることを特徴とし、生活習慣病の予防又は改善のために用いる旨の表示を付した飲食品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
珪素化チタンTiSiを主成分とする導電性多孔質セラミックスが形成される請求項１記載の導電性多孔質セラミックスの製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本出願人らは先に、抵抗値が低くしかも成形が容易な導電性多孔質セラミックス、特に中空糸膜状の導電性多孔質セラミックスの製造法として、珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を焼成し、その際少くとも400℃以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成することによって、珪素化チタンTiSiを主成分として形成される導電性多孔質セラミックスを製造する方法を提案している。
【特許文献３】特開２００６−１５１７３７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂（Ａ）と（メタ）アクリロイル基を有する単量体（Ｂ）、金属石鹸及びワックスとを含有してなる樹脂組成物であって、
前記樹脂（Ａ）が、分子中に一般式〔１〕で表される環状脂肪族不飽和二塩基酸由来の構造単位を含む二塩基酸由来の構造単位、及び一般式〔２〕で表される多価アルコール由来の構造単位を有し、
かつ前記環状脂肪族不飽和二塩基酸由来の構造単位の割合が、二塩基酸由来の構造単位中の５〜５０モル％未満であり、
前記単量体（Ｂ）が、フェノキシエチルアクリレートであることを特徴とする硬化性樹脂組成物。
【化１】
2007326934.tif 000001
（式［１］中、Ｒ１は水素原子、又はメチル基、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は水素原子、又はアルキル基を表す。）
【化２】
2007326934.tif 000002
【請求項２】
一般式［１］中、Ｒ１がメチル基であり、Ｒ２，Ｒ３及びＲ４が水素原子である請求項１記載の硬化性樹脂組成物。
【請求項３】
請求項１〜２のいずれかに記載の硬化性樹脂組成物からなる防水材組成物
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明は、ポリエステル（メタ）アクリレート樹脂（Ａ）と（メタ）アクリロイル基を有する単量体（Ｂ）、金属石鹸及びワックスとを含有してなる樹脂組成物であって、  前記樹脂（Ａ）が、分子中に一般式〔１〕で表される環状脂肪族不飽和二塩基酸由来の構造単位を含む二塩基酸由来の構造単位、及び一般式〔２〕で表される多価アルコール由来の構造単位を有し、
かつ前記環状脂肪族不飽和二塩基酸由来の構造単位の割合が、二塩基酸由来の構造単位中の５〜５０モル％未満であり、
前記単量体（Ｂ）が、フェノキシエチルアクリレートであることを特徴とする硬化性樹脂組成物を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
摩擦係数が０．０５〜０．３である熱可塑性樹脂（Ａ）よりなる可動側カム部品と、熱可塑性樹脂（Ｂ）よりなる固定側カム部品を有し、該熱可塑性樹脂（Ａ）と該熱可塑性樹脂（Ｂ）の曲げ弾性率（ＡＳＴＭ、Ｄ７９０）の比（Ａ）／（Ｂ）が０．１〜０．６であることを特徴とする樹脂ヒンジ。                            
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂（Ａ）の曲げ弾性率（ＡＳＴＭ、Ｄ７９０）が２０００〜４０００ＭＰａであり、前記熱可塑性樹脂（Ｂ）の曲げ弾性率（ＡＳＴＭ、Ｄ７９０）が４０００〜２００００ＭＰａであることを特徴とする請求項１に記載の樹脂ヒンジ。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂（Ａ）及び前記熱可塑性樹脂（Ｂ）がポリアセタール樹脂またはポリアセタール樹脂を含有するポリアセタール樹脂組成物であることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂ヒンジ。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂（Ａ）が、ポリアセタール樹脂とシリコーン化合物によってグラフト化されたポリオレフィン系樹脂からなるポリアセタール樹脂組成物（Ｉ）、又はエステル化合物と珪酸カルシウムを含有するポリアセタール樹脂組成物（ＩＩ）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂ヒンジ。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂（Ａ）が、オキシメチレン単位の繰返しよりなる線状重合体の片末端が、下記一般式（１）又は（２）で表されるアルコールへのアルキレンオキシド付加物及びカルボン酸へのアルキレンオキシド付加物より成る群から選ばれた化合物で封鎖された、末端基を除く数平均分子量が１００００〜５０００００のオキシアルキレンブロック共重合体とα−オレフィン共重合体からなるポリアセタール樹脂組成物（ＩＩＩ）であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の樹脂ヒンジ。
【化１】
2007326924.tif 000001
（Ｒ１、Ｒ１’は水素、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基より選ばれ、其々同一であってもよく異なっても良い。又、異なる炭素原子に結合したＲ１、Ｒ１’も其々同一であっても異なっていてもよい。Ｒ２は、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、置換アリール基より選ばれる。ｍ＝２〜６、ｎ＝１〜１０００） 
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂（Ｂ）が、ポリアセタール樹脂と、カーボンファイバー又は炭酸カルシウムからなるポリアセタール樹脂組成物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の樹脂ヒンジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち本発明の樹脂ヒンジは、摩擦係数が０．０５〜０．３である熱可塑性樹脂（Ａ）よりなる可動側カム部品と、熱可塑性樹脂（Ｂ）よりなる固定側カム部品を有し、該熱可塑性樹脂（Ａ）と該熱可塑性樹脂（Ｂ）の曲げ弾性率（ＡＳＴＭ、Ｄ７９０）の比（Ａ）／（Ｂ）が０．１〜０．６であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂、液晶性ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）平均繊維長２μｍ以上１０μｍ以下の針状酸化チタンを１０〜２５０重量部配合してなる樹脂組成物。
【請求項２】
前記（Ｂ）の針状酸化チタンの平均繊維長（ｌ）を平均繊維径（ｄ）で除した値（ｌ／ｄ）が１２以上であることを特徴とする請求項１記載の樹脂組成物。
【請求項３】
さらに（Ｃ）針状酸化チタンを除く無機フィラーを（Ａ）融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂、液晶性ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対して５〜１５０重量部配合してなる請求項１または２記載の樹脂組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか記載の樹脂組成物を成形してなる成形品。
【請求項５】
成形品が電気・電子部品である請求項４記載の成形品。
【請求項６】
電気・電子部品が筐体、リフレクタまたはコネクタである請求項５記載の成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち本発明は、
（１）（Ａ）融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂、液晶性ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）平均繊維長２μｍ以上１０μｍ以下の針状酸化チタンを１０〜２５０重量部配合してなる樹脂組成物、
（２）前記（Ｂ）の針状酸化チタンの平均繊維長（ｌ）を平均繊維径（ｄ）で除した値（ｌ／ｄ）が１２以上であることを特徴とする上記（１）記載の樹脂組成物、
（３）さらに（Ｃ）針状酸化チタンを除く無機フィラーを（Ａ）融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂、液晶性ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対して５〜１５０重量部配合してなる上記（１）または（２）のいずれか記載の樹脂組成物、
（４）上記（１）〜（３）のいずれか記載の樹脂組成物を成形してなる成形品、
（５）成形品が電気・電子部品である（４）記載の成形品、および
（６）電気・電子部品が筐体、リフレクタまたはコネクタである（５）記載の成形品、
である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明における熱可塑性樹脂は、（Ａ）融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂、液晶性ポリマーおよびポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂が使用できる。具体例としては、例えば、液晶性ポリマー（液晶性ポリエステル樹脂、液晶性ポリエステルアミド樹脂など）、脂肪族ポリアミド、脂肪族−芳香族ポリアミド、全芳香族ポリアミドなどのポリアミド樹脂、ポリアリーレンスルフィド樹脂から選ばれる１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ポリアミド樹脂の具体例としては、例えば環状ラクタムの開環重合物、アミノカルボン酸の重縮合物、ジカルボン酸とジアミンとの重縮合物などが挙げられ、具体的にはナイロン４・６、あるいは、ポリノナンメチレンテレフタルアミドなどの脂肪族ポリアミド、ナイロン６／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）、ナイロン６・６／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）、ナイロン６／ナイロン６・６／ポリ（ヘキサメチレンイソフタルアミド）、ポリ（ヘキサメチレンイソフタルアミド）／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）、ナイロン６／ポリ（ヘキサメチレンイソフタルアミド）／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）、ナイロン１２／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）、ポリ（メチルペンタメチレンテレフタルアミド）／ポリ（ヘキサメチレンテレフタルアミド）等の半芳香族ナイロンが挙げられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に使用する融点が２８０℃以上のポリアミド樹脂は、本発明のピン圧入特性と流動性とのバランスを得るため、２５℃における硫酸溶液相対粘度（１％濃度）が、１．５〜３．５であることが好ましく、１．８〜３．０がより好ましく、２．０〜２．７がさらに好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【表１】
2007326925.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月1日(2009.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
カーカス層をトレッド部からそれぞれ左右のサイドウォール部を経てビード部に延長し、該ビード部に埋設されたビードコアの周りをその外周側に配置されたビードフィラーを包み込むようにタイヤ内側から外側に折り返す構成からなり、前記トレッド部における前記カーカス層の外周に層間でコード方向を交差させた複数のベルト層を配置すると共に、少なくとも該ベルト層の両端部の外周に２．０ｃＮ／ｄｔｅｘ負荷時の伸長率が３．５％以下の高弾性有機繊維コードを巻回してなるベルトカバー層を配設した空気入りラジアルタイヤにおいて、
前記ビードフィラーの外径の高さＨ１がタイヤ断面高さＳＨの２２〜５５％であり、前記ビードフィラーの外周端から前記カーカス層の折り返し端末までのタイヤ径方向高さＨ２が１１ｍｍ以上である空気入りラジアルタイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被破砕物を破砕する破砕ビットが配され回転する破砕ロータと、
この破砕ロータに向かって被破砕物を搬送する送りコンベアと、
この送りコンベアの上部に設けられ、前記送りコンベア上の被破砕物を上部から押さえ込みながら前記破砕ロータに向かって導入する押えローラを備える押圧フィーダ装置と、
前記破砕ロータの回転方向と対向して設けられた衝突面を有し、その衝突面と前記破砕ビットの間で被破砕物を破砕する固定刃とを備える破砕機において、
前記固定刃は、前記押えローラと前記破砕ロータの間に位置するように、前記押圧フィーダ装置に取り付けられていることを特徴とする破砕機。
【請求項２】
請求項１記載の破砕機において、
前記固定刃の衝突面は破砕作業時の押えローラの下端部の高さ以上のところに位置していることを特徴とする破砕機。
【請求項３】
請求項１又は２記載の破砕機において、
前記固定刃は他の固定刃と交換可能に構成されていることを特徴とする破砕機。
【請求項４】
請求項３記載の破砕機において、
前記固定刃は、前記他の固定刃と交換することにより、前記破砕ロータから最も近い部分から前記破砕ビットの最大回転軌道までの間隙寸法が調整可能なように構成されていることを特徴とする破砕機。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の破砕機において、
前記固定刃の被破砕物流通方向下流側、かつ前記破砕ロータ径方向外側に配された他の固定刃をさらに備えることを特徴とする破砕機。
【請求項６】
請求項１から５いずれかに記載の破砕機において、
前記押圧フィーダ装置は、前記破砕ロータの上方に設けられた回動軸によって回動自在に支持されていることを特徴とする破砕機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロメートルサイズの、三次元網目状に連続した細孔及び骨格相からなる共連続構造をもつ、有機高分子ゲル状のアフィニティ担体の製造方法であって、当該製造方法が、以下の工程（１）及び（２）：
（１）架橋剤としての、ビニルモノマー化合物、ジメタクリレート化合物又はジアクリレート化合物から選択される二官能性モノマー成分と、
リガンド担持用モノマーとしての一官能性親水性モノマーと、
前記リガンド担持用モノマーに担持されるリガンドの親水的・疎水的環境を調整するための間引き剤としての一官能性間引き剤モノマーとを、
前記二官能性モノマー成分と「前記一官能性親水性モノマーと一官能性間引き剤モノマー」の体積比率が１００〜１０：０〜９０となるように配合する工程；及び
（２）水又は分子量５００以下の水溶性溶媒中、ラジカル重合開始剤の存在下に、共重合させてゲル状体を得る工程
を含むことを特徴とするアフィニティ担体の製造方法。
【請求項２】
前記二官能性モノマー成分と「前記一官能性親水性モノマーと一官能性間引き剤モノマー」の体積比率が９５〜５０：５〜５０であることを特徴とする請求項１記載のアフィニティ担体の製造方法。
【請求項３】
前記一官能性親水性モノマーと一官能性間引き剤モノマーの配合比が、モル比で１：１〜１：１４であることを特徴とする請求項１又は２記載のアフィニティ担体の製造方法。
【請求項４】
前記一官能性親水性モノマーが、下記構造式に示されたｐＯＨ型モノマー又はＰＥＧ型モノマーであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のアフィニティ担体の製造方法。
【化１】
2007326045.tif 000001
【請求項５】
前記一官能性間引き剤モノマーの末端部がＯ−メチル基であることを特徴とする請求項４に記載のアフィニティ担体の製造方法。
【請求項６】
前記水溶性溶媒が、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、トリエチルアミン、ビニルピリジン、ホルムアミド、ジメチルホルムアミド、アセトニトリル、アセトン、メタノール及びエタノールから成るグループより選ばれたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のアフィニティ担体の製造方法。
【請求項７】
マイクロメートルサイズの、三次元網目状に連続した細孔及び骨格相とからなる共連続構造をもつ、有機高分子ゲル状のアフィニティ担体であって、
当該アフィニティ担体は、架橋剤成分としての、ビニルモノマー化合物、ジメタクリレート化合物又はジアクリレート化合物から選択される二官能性モノマー成分と、
リガンドを担持できる一官能性親水性モノマー成分と、
前記一官能性親水性モノマーに担持されるリガンドの、親水的・疎水的環境を調整するための一官能性間引き剤モノマー成分との、共重合体からなり、
しかも、前記アフィニティ担体における前記二官能性モノマー成分と「前記一官能性親水性モノマー成分と一官能性間引き剤モノマー成分」の体積比率が１００〜１０：０〜９０であるアフィニティ担体。
【請求項８】
マイクロメートルサイズの、三次元網目状に連続した細孔及び骨格相とからなる共連続構造をもつ、有機高分子ゲル状のアフィニティ担体であって、
当該アフィニティ担体が、ジメタクリレート化合物又はジアクリレート化合物から選ばれる二官能性モノマー成分と、
下記構造式に示されるところの、リガンドを担持できるｐＯＨ型モノマー又はＰＥＧ型モノマーから選ばれる一官能性親水性モノマー成分と、
下記構造式に示されるｐＯＨ型モノマー又はＰＥＧ型モノマーにおける−ＮＨＢｏｃ基に代えて、−ＯＭｅ基を有する一官能性間引き剤モノマー成分との共重合体であり、
しかも、前記アフィニティ担体における前記二官能性モノマー成分と「前記一官能性親水性モノマー成分と一官能性間引き剤モノマー成分」の体積比率が１００〜１０：０〜９０であるアフィニティ担体。
【化２】
2007326045.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ流路内を流れる流体を電気分解して気泡を発生させる工程、及び、
マイクロ流路に前記気泡を含有する流体を通過させる工程を含むことを特徴とする
マイクロ流路の洗浄方法。
【請求項２】
前記電気分解を、前記流体の流れ方向と交差する方向に電界を付与することにより行う請求項１に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項３】
前記流体が、電解質溶液、酸水溶液、アルカリ水溶液、水の分散液、及び、アルコールの分散液よりなる群から選ばれた流体である請求項１又は２に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項４】
前記流体が、水含有液である請求項１〜３のいずれか１項に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項５】
前記流体の電気伝導度が、１０μＳ／ｃｍ〜１，０００μＳ／ｃｍである請求項１〜４のいずれか１項に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項６】
電気分解を行うため２つの電極間に印加する電圧が、１．０〜３０．０Ｖである請求項１〜５のいずれか１項に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項７】
前記電極が、白金電極、金電極、白金をメッキした電極、及び、金をメッキした電極よりなる群から選ばれた電極である請求項６に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【請求項８】
前記気泡の平均粒径が、前記マイクロ流路の流路径に対し、１／５０〜１／２である請求項１〜７のいずれか１項に記載のマイクロ流路の洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被記録媒体を、カッターを用いて切断する切断手段と；
上記切断手段による切断速度を制御する切断速度制御手段と；
被記録媒体の種類を特定する手段と；
を有し、上記切断速度制御手段は、上記特定された被記録媒体の種類に応じて、上記カッターが被記録媒体に突入する速度を決定する手段であることを特徴とする切断装置。
【請求項２】
被記録媒体を、カッターを用いて切断する切断手段と；
上記切断手段による切断速度を制御する切断速度制御手段と；
温度、湿度のうちの少なくとも一方を取得する取得手段と；
を有し、上記切断速度制御手段は、上記取得手段が取得した値に応じて、上記カッターが被記録媒体に突入する速度を決定する手段であることを特徴とする切断装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
上記カッターを上記被記録媒体に対して移動させる手段を有し、
上記切断速度制御手段は、上記被記録媒体にカッターが突入する速度と上記被記録媒体を切断する速度とを上記カッターの移動速度によって制御する手段であることを特徴とする切断装置。
【請求項４】
請求項１において、
少なくとも湿度を取得する取得手段と；
上記カッターが通過することが予定される、上記被記録媒体のカット位置上にインクを吐出する吐出手段と；
上記取得手段が取得した値に応じて、上記吐出手段が上記カット位置上に吐出するインクの量を変更する変更手段と；
を有することを特徴とする切断装置。
【請求項５】
請求項２において、
上記カッターが通過することが予定される、上記被記録媒体のカット位置上にインクを吐出する吐出手段と；
上記取得手段が取得した湿度に応じて、上記吐出手段が上記カット位置に吐出するインクの量を変更する変更手段を有することを特徴とする切断装置。
【請求項６】
被記録媒体を、カッターを用いて切断する切断装置の制御方法であって、
被記録媒体の種類を特定し、
上記特定された被記録媒体の種類に応じて、当該被記録媒体の切断に際しての、上記カッターが被記録媒体に突入する速度を決定することを特徴とする切断装置の制御方法。
【請求項７】
被記録媒体を、カッターを用いて切断する切断装置の制御方法であって、
温度、湿度のうちの少なくとも一方を取得し、
上記取得した値に応じて、当該被記録媒体の切断に際しての、上記カッターが被記録媒体に突入する速度を決定することを特徴とする切断装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、特許文献４、５記載の従来例では、カット速度は被記録媒体の種類や、温湿度等の環境は考慮されていない。さらに、特許文献６の従来例では、記録媒体の種類または厚さに応じて、画像パターン、印字濃度を変えるのみで温湿度等の環境を考慮していない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、被記録媒体を、カッターを用いて切断する切断手段と、上記切断手段による切断速度を制御する切断速度制御手段と、被記録媒体の種類を特定する手段とを有し、上記切断速度制御手段は、上記特定された被記録媒体の種類に応じて、上記カッターが被記録媒体に突入する速度を決定する手段であることを特徴とする切断装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に、図１から図３に示された衝突エネルギー吸収装置５０には、カバー８０が設置されている。カバー８０は、衝突エネルギー吸収装置５０を構成するエネルギー吸収体５１，５２を覆うことができる大きさである。カバー８０は、全体の形状がほぼ長方形の箱型に形成されている。カバー８０は、その長手方向の一端が閉じた形状であり、且つ、他端が開口した筒状容器の形状を有している。二つエネルギー吸収体５１，５２を覆うカバー５０は、単一の部材として構成されている。なお、図２に示すように、車体の先頭部２において、車体輪郭が大きな曲面を成す形状の場合は、カバー８０は車体輪郭の曲面に沿うように、その一部が湾曲した形状に構成されている。カバー８０は、エネルギー吸収体５１，５２の車端側から被せられ、支持板５８に取付けられる。そして、カバー８０は、エネルギー吸収体５１，５２の車体長手方向の車体中央よりの端部すなわち根元端側で片持ち支持されている。カバー８０の片持ち支持は、支持板５８のようにエネルギー吸収装置で支持されているが、ガイド筒板６０等の軌条車両側の部材に取付けてもよい。カバー８０は、一つで、上下に並べて配置されているエネルギー吸収体５１，５２の全体を覆うことができ、開口側で支持板５８に取付けられている。カバー８０は、所定の静的強度と、エネルギー吸収体５１，５２の衝突エネルギー吸収機能を補助する衝突エネルギー吸収性能を合わせ持っている。カバー８０は、その静的強度によって、衝突エネルギー吸収装置５０の運搬・保管・組付け等の各段階で、アルミニウム合金製の筒状体即ちエネルギー吸収体５１，５２が破損する等の不具合を防止する。また、車体に衝突エネルギー吸収装置５０を実装後であっても、軽度の衝突が起こった場合には、カバー８０で衝撃を吸収してしまうことも可能である。このような場合、カバー８０自体の破損、変形によって、軽度の衝突による衝突エネルギー吸収機能を果たす。軽度の衝突の場合には、カバー８０の変形により、エネルギー吸収体５１，５２に変形が生じない。カバー８０の変形のみで、衝突エネルギーを吸収した場合には、カバー８０のみを交換する処置で済むため、大掛かりな補修或いは衝突エネルギー吸収装置５０自体の交換は不要である。衝突時にカバー８０のみの変形では衝突エネルギーを吸収しきれずに、衝撃がエネルギー吸収体５１，５２にまで及ぶ場合がある。このような大きな衝突時には、障害物等がエネルギー吸収体５１，５２に衝突する直前にカバー８０に衝突して破断予定経路Ｍに沿ってカバー８０が上下に分断される。カバー８０の破断は、エネルギー吸収体５１，５２の圧壊による荷重ピークに僅かながら先行するので、エネルギー吸収材５１，５２の圧壊ピーク荷重が更に抑えることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
軌条車両が障害物と衝突した場合、カバー８０の車端側すなわち前端部８１に大きな衝撃荷重が作用し、該カバー８０が破断した状態が図８に示されている。カバー８０は、第１スリット８４及び第２スリット８５，８６の部分が他の部分よりも強度が低いため、易破断部となり、破断予定経路Ｍに沿って破断する。カバー８０は、破断片８０ａ，８０ｂとなって上下方向に二分される分断状態が最も理想的な状態である。図８は、カバー８０が衝突方向（図３に示す矢印方向（車体の長手方向に略沿った方向））対して交差する上下方向に二つに分断されて破壊する状態を模式的に示したものである。破断片８０ａ，８０ｂは、上下方向に開くように変形するので、カバー８０の上下方向には障害となる部材が比較的に少ないため、車体の限られた内部において破断片８０ａ，８０ｂの挙動が許容される。この破断の際に、カバー８０は、衝突エネルギーの一部を吸収してエネルギー吸収体５１，５２の吸収機能を補うことができ、更に開いた後には、エネルギー吸収体５１，５２のエネルギー吸収機能を妨げることはない。ところで、カバー８０が上下方向に二分する変形を促すために、底壁部及び上壁部の車体中央寄りの位置に、さらに、別のスリットを設置した構造とすることも考えられる。なお、カバー８０の剛性は、エネルギー吸収体５１，５２よりも低く、カバー８０は軽度の衝撃によって変形するものである。したがって、仮にカバー８０の変形が上下方向に二分割されなくても、エネルギー吸収体５１，５２のエネルギー吸収機能に悪影響を及ぼすことはない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
以上説明したカバーを備えた衝撃エネルギー吸収装置の実施例は、軌条車両の先頭部に適用されたものとして示したが、本発明はこれに限定されるものではない。編成を成す軌条車両において、先頭車両に連結される中間車両の車端部のそれぞれに配置されでも、同様の作用効果を奏するものである。また、１本のエネルギー吸収体から成る衝突エネルギー吸収装置に適用することができることは言うまでもない。編成車両は前後の先頭車と所要数の中間車とからなる。例えば、先頭車両又は最後尾車両が障害物や他の車両等と衝突した時には、先頭車両又は最後尾車両と隣接する中間車両との間のみならず、隣り合う中間車両の端部間同士で次々に衝突が生じる。本発明による衝突エネルギー吸収装置を、先頭車両及び最後尾車両の端部及び中間車両の各車端部において、特に、強度の高い台枠の高さに合わせて適用しておくことで、編成のどこで衝突が生じてもその時の衝撃を本衝突エネルギー吸収装置によってそれぞれに有効的に吸収することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このように本発明は、回転ファンと被覆体を弾性変形可能な連結体で連結するのみの簡単な構成により、回転ファンの作動で発香を行い、回転ファンの作動停止により自動的に発香体を被覆体で被覆し発香を停止することができる。そのため、簡易な構成の廉価な装置により確実な発香と発香停止を可能とすることが出来る。また、発香停止時には発香体を被覆体で被覆するものであるから、発香装置の不使用時に余分な発香をすることが無く、発香体の無駄のない長期間の使用を可能とすることができるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
図２１において、エネルギー吸収体１１が最大荷重Ｐ１を生じて座屈後平均圧壊荷重がＰ１（ａｖｅ）まで低下した状態のときに寸法ａに相当する変位量を過ぎた時点で、エネルギー吸収材１２の圧壊が開始する。エネルギー吸収体１２の最大荷重Ｐ２が上乗せされた後、上乗せ量が座屈後平均圧壊荷重Ｐ２（ａｖｅ）まで低下した状態のときに寸法（ａ＋ｂ）に相当する変位量を過ぎた時点で、車端部側梁１１０の圧壊が開始される。このときの系全体の最大荷重は［Ｐｂ＋Ｐ１（ａｖｅ）＋Ｐ２（ａｖｅ）］となり、その後、座屈後平均圧壊荷重［Ｐｂ（ａｖｅ）＋Ｐ１（ａｖｅ）＋Ｐ２（ａｖｅ）］まで低下する。図１７に示す場合の系全体の最大荷重［Ｐｂ（ａｖｅ）＋Ｐ１（ａｖｅ）＋Ｐ２］よりも、［Ｐｂ−Ｐｂ（ａｖｅ）＋Ｐ２（ａｖｅ）−Ｐ２］だけ大きい最大荷重となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2007326550.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
逆火防止装置（１）に複数の固定用ピンのための径方向に向けられた穴（６）を組み込む方法であって、前記逆火防止装置は、ほぼ円形の外周を有するディスクを形成するように共に巻かれている２つの金属ストリップ（８、９）から形成され、この逆火防止装置の第１の金属ストリップ（８）は、滑らかなストリップであり、第２の金属ストリップ（９）は、規定された溝を備えている溝が設けられたストリップであり、これら２つのストリップ（８、９）は、互いに支持しあうことにより、流体を通過させるための複数の規定されたギャップ（１１）を形成し、巻かれた前記逆火防止装置（１）は、両側面で、保持プレート（５）により軸方向に完全に閉鎖され、前記穴は、スパークエロージョン電極（７）により、冷却液（１０）を注入しながら前記外周から径方向内向きに組み込まれる、方法。