【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有する基板コアと、
チップ第１主面及びチップ第２主面を有するセラミック焼結体、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体、前記チップ第１主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の第１端子電極、前記チップ第２主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の第２端子電極を有し、前記コア主面と前記チップ第１主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された埋め込み用セラミックチップと、
前記収容穴部の内面と前記埋め込み用セラミックチップの側面との隙間を埋めて前記埋め込み用セラミックチップを固定する充填剤と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記チップ第１主面の上にて交互に積層したビルドアップ層と
を備え、
前記複数の第２端子電極を包囲する第２主面側凸部を前記チップ第２主面上に突設したことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
コア主面及びコア裏面を有し、前記コア主面及び前記コア裏面の両方にて開口する収容穴部を有する基板コアと、
チップ第１主面及びチップ第２主面を有するセラミック焼結体、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体、前記チップ第１主面上に突設され前記内部導体に導通する複数の第１端子電極、前記チップ第２主面上に突設され前記内部導体に導通する複数の第２端子電極を有し、前記コア主面と前記チップ第１主面とを同じ側に向けかつ前記コア裏面と前記チップ第２主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された埋め込み用セラミックチップと、
前記収容穴部の内面と前記埋め込み用セラミックチップの側面との隙間を埋めて前記埋め込み用セラミックチップを固定する充填剤と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記チップ第１主面の上にて交互に積層した第１ビルドアップ層と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア裏面及び前記チップ第２主面の上にて交互に積層した構造を有する第２ビルドアップ層と
を備え、
前記複数の第２端子電極を包囲する第２主面側凸部を前記チップ第２主面上に突設したことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
前記複数の第１端子電極を包囲する第１主面側凸部を前記チップ第１主面上に突設したことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１主面側凸部は前記複数の第１端子電極と同じまたはそれ以上の高さを有し、前記第２主面側凸部は前記複数の第２端子電極と同じまたはそれ以上の高さを有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第１主面側凸部及び前記第２主面側凸部は、前記チップ第１主面及び前記チップ第２主面の外縁部にそれぞれ配置されたメタライズ層であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記埋め込み用セラミックチップは、セラミック誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層配置された構造のセラミックキャパシタであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記チップ第１主面上及び前記チップ第２主面上には段差部が存在するとともに、前記段差部を含む領域に前記第１主面側凸部及び前記第２主面側凸部がそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項８】
前記第２主面側凸部の幅が、５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項９】
前記複数の第２端子電極及び前記第２主面側凸部の表面には、前記複数の第２端子電極を構成する金属よりも柔らかい金属からなる金属層が形成されるとともに、その金属層の表面粗さＲａが０．２μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１０】
前記埋め込み用セラミックチップのチップ縁から前記第２主面側凸部までの距離が、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１１】
前記チップ第２主面において前記複数の第２端子電極同士の間、及び、前記複数の第２端子電極と前記第２主面側凸部との間にできる凹部が、前記層間絶縁層で埋められていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項１２】
高分子材料を主体として形成された基板コアの収容穴部内に収容され、前記収容穴部との隙間を充填剤で埋めた状態で使用されるセラミックチップであって、
チップ主面を有する板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体と、
前記チップ主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の端子電極と、
前記複数の端子電極を包囲するようにして前記チップ主面上に突設された凸部と
を備えることを特徴とする埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１３】
前記凸部は前記複数の端子電極と同じまたはそれ以上の高さを有することを特徴とする請求項１２に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１４】
前記凸部は前記チップ主面の外縁部に配置されたメタライズ層であることを特徴とする請求項１２または１３に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１５】
セラミック誘電体層を介して第１内部電極層と第２内部電極層とが交互に積層配置された構造のセラミックキャパシタであることを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１６】
前記チップ主面上には段差部が存在するとともに、前記段差部を含む領域に前記凸部が配置されていることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１７】
前記凸部の幅が、５０μｍ以上であることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか１項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１８】
前記複数の第２端子電極及び前記第２主面側凸部の表面には、前記複数の端子電極を構成する金属よりも柔らかい金属からなる金属層が形成されるとともに、その金属層の表面粗さＲａが０．２μｍ以上であることを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか１項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項１９】
チップ縁から前記凸部までの距離が、２００μｍ以下であることを特徴とする請求項１２乃至１８のいずれか１項に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項２０】
コア主面及びコア裏面を有し、前記コア主面及び前記コア裏面の両方にて開口する収容穴部を有する基板コアと、
チップ第１主面及びチップ第２主面を有するセラミック焼結体、前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体、前記チップ第１主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の第１端子電極、前記チップ第２主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の第２端子電極を有し、前記コア主面と前記チップ第１主面とを同じ側に向けかつ前記コア裏面と前記チップ第２主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部内に収容された埋め込み用セラミックチップと、
前記収容穴部の内面と前記埋め込み用チップの側面との隙間を埋めて前記埋め込み用セラミックチップを固定する充填剤と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア主面及び前記チップ第１主面の上にて交互に積層した構造を有した第１ビルドアップ層と、
層間絶縁層及び導体層を前記コア裏面及び前記チップ第２主面の上にて交互に積層した構造を有する第２ビルドアップ層と
を備え、前記チップ第２主面上の外周縁部に、第２主面側ダムメタライズ層が配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２１】
前記複数の第２端子電極は、グランド第２端子電極と電源第２端子電極とからなり、
前記グランド第２端子電極が前記第２主面側ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記電源第２端子電極を包囲する第２プレーングランド電極とされているか、或いは、前記電源第２端子電極が前記第２主面側ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記グランド第２端子電極を包囲する第２プレーン電源電極とされている
ことを特徴とする請求項２０に記載の配線基板。
【請求項２２】
前記チップ第１主面上の外周縁部に、第１主面側ダムメタライズ層が配置されており、
前記複数の第１端子電極は、グランド第１端子電極と電源第１端子電極とからなり、
前記グランド第１端子電極が前記第１主面側ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記電源第１端子電極を包囲する第１プレーングランド電極とされているか、或いは、前記電源第１端子電極が前記第１主面側ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記グランド第１端子電極を包囲する第１プレーン電源電極とされている
ことを特徴とする請求項２１に記載の配線基板。
【請求項２３】
前記ダムメタライズ層は、チップ縁まで形成されていることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項２４】
前記チップ第１主面上或いは前記チップ第２主面上に切欠部が存在するとともに、前記ダムメタライズ層は少なくとも前記切欠部まで形成されていることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項２５】
前記ダムメタライズ層は前記切欠部を含む領域に配置されていることを特徴とする請求項２４に記載の配線基板。
【請求項２６】
前記ダムメタライズ層は、外縁がＲ面とされていることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項２７】
高分子材料を主体として形成された基板コアの収容穴部内に収容され、前記収容穴部との隙間を充填剤で埋めた状態で使用されるセラミックチップであって、
チップ主面を有する板状のセラミック焼結体と、
前記セラミック焼結体の内部に形成された内部導体と、
前記チップ主面上に突設され前記内部導体に導通するメタライズ層からなる複数の端子電極と
を有し、
前記チップ主面上の外周縁部に、ダムメタライズ層が配置されており、
前記複数の端子電極は、グランド端子電極と電源端子電極とからなり、
前記グランド端子電極が前記ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記電源端子電極を包囲するプレーングランド電極とされているか、或いは、前記電源端子電極が前記ダムメタライズ層と繋がっておりかつ複数の前記グランド端子電極を包囲するプレーン電源電極とされている
ことを特徴とする埋め込み用セラミックチップ。
【請求項２８】
前記ダムメタライズ層は、チップ縁まで形成されていることを特徴とする請求項２７に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項２９】
前記チップ主面上に切欠部が存在するとともに、前記ダムメタライズ層は少なくとも前記切欠部まで形成されていることを特徴とする請求項２７に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項３０】
前記ダムメタライズ層は前記切欠部を含む領域に配置されていることを特徴とする請求項２９に記載の埋め込み用セラミックチップ。
【請求項３１】
前記ダムメタライズ層は、外縁がＲ面とされていることを特徴とする請求項２７に記載の埋め込み用セラミックチップ。