【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有し、
前記トランジスタの半導体層と電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極の端部を覆う絶縁物と、前記第１の電極上に設けられたバッファ層と、前記バッファ層上に設けられた有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極とを有する発光素子を有し、
前記第１の電極は、複数の金属層の積層構造を有し、第１領域と、前記第１領域と積層数が異なる第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との境界部に段差部とを有し、
前記段差部は、前記絶縁物で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記発光装置は、前記発光素子が複数設けられた画素部と、複数のトランジスタを有する駆動回路とを有し、
前記駆動回路は、前記第２領域と同じ積層構造を有する配線を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１領域に接して前記バッファ層が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記第１領域における金属層の積層数は、前記第２領域における金属層の積層数よりも少ないことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の電極は、Ｔｉ、ＴｉＮ、ＴｉＳｉＸＮＹ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、ＷＳｉＸ、ＷＮＸ、ＷＳｉＸＮＹ、Ｔａ、ＴａＮＸ、ＴａＳｉＸＮＹ、ＮｂＮ、ＭｏＮ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｉｎ、及びＭｏから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料を主成分とする膜またはそれらの積層膜を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
一つの前記発光素子における発光領域の面積は、一つの前記発光素子における前記第１領域の面積よりも小さいことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記バッファ層は、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記バッファ層は、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、前記無機化合物は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、および酸化レニウムからなる群より選ばれるいずれか一または複数であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記バッファ層は、ホール輸送性を有する有機化合物と、無機化合物とを含む複合材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記第２の電極は透光性を有する導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光装置を具備していることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
トランジスタの半導体層を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記トランジスタの半導体層と接する金属層の積層構造を有する電極を形成する工程と、
前記電極の積層構造の一部を部分的に除去して、第１領域と、前記第１領域より積層数が多い第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との境界部に段差部とを形成する工程と、
前記第１の電極の端部、前記段差部、及び前記第２領域を覆う絶縁物を形成する工程と、
前記第１領域上にバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に、第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記バッファ層を、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料を用いて形成し、前記無機化合物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３において、
前記バッファ層を、有機化合物と無機化合物とを含む複合材料を用いて形成し、前記無機化合物は、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、および酸化レニウムからなる群より選ばれるいずれか一または複数であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一において、
前記バッファ層を、ホール輸送性を有する有機化合物と、無機化合物とを含む複合材料とを用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一において、
前記第２の電極を、透光性を有する導電膜を用いて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
トランジスタの半導体層を形成する工程と、
前記トランジスタの半導体層を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記トランジスタの半導体層と接する金属層の積層構造を有する電極を形成する工程と、
前記電極の積層構造の一部を部分的に除去して、第１領域と、前記第１領域より積層数が多い第２領域と、前記第１領域と前記第２領域との境界部に段差部とを形成する工程と、
前記第１の電極の端部、前記段差部、及び前記第２領域を覆う絶縁物を形成する工程と、
成膜室内で前記基板を移動させ、且つ、前記基板の移動方向と垂直な方向に第１の蒸着源を移動させて、前記第１領域上にバッファ層を形成する工程と、
前記成膜室内で前記基板を移動させ、且つ、前記基板の移動方向と垂直な方向に第２の蒸着源を移動させて、前記バッファ層上に前記有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に、第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の電極とを有する発光素子を複数有する発光装置の作製方法であって、
成膜室内で前記基板を移動させ、且つ、前記基板の移動方向と垂直な方向に蒸着源を移動させて、前記第１の電極上に前記有機化合物を含む層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
成膜室内に、
基板を第１の方向に移動する手段と、
前記成膜室の内壁に固定され、加熱温度調節が可能な蒸着シールドと、
前記蒸着シールドの下方に設けられた蒸着源と、
前記蒸着源を前記第１の方向と垂直な第２の方向に移動する手段とを有し、
前記蒸着シールドは、前記基板の幅よりも広い矩形形状であり、
前記蒸着シールドの上面に複数の開口部が設けられており、
前記蒸着源から蒸発された蒸着材料は、前記蒸着シールドに設けられた前記複数の開口部を通過して前記基板に蒸着されることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記蒸着装置はインライン型の製造装置の２つの処理室の間に連結していることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２１】
請求項１９において、
前記蒸着装置はマルチチャンバー型の製造装置の搬送室に連結していることを特徴とする蒸着装置。