【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された、複数の半導体素子を個々に分割して半導体装置を製造する方法であって、
前記複数の半導体素子を個々に分割するための、互いに交差する第一の方向および第二の方向の分割ラインを設定し、前記半導体素子を囲む、前記第一の方向および第二の方向の分割ラインのうち、一方向の分割ライン上にエッチングにより溝を形成する工程と、
前記第一の方向および第二の方向の分割ラインに沿って、レーザ光を照射して、半導体基板の内部に改質領域を形成する工程と、
前記第一の方向および第二の方向の分割ラインに沿って半導体基板を分割して個々の半導体装置を形成する工程と
を有し、
前記溝は交差するパターンをもたないように形成されること
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記半導体素子に、ダイアフラム構造を形成する工程をさらに有すること
を特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記分割ライン上の溝は連続的に形成されること
を特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記分割ラインに形成される溝は、Ｖ溝に形成されること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記分割ラインに形成される溝は、Ｕ溝に形成されること
を特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記一方向の分割ライン上のみに溝を形成する工程と、前記半導体装置にダイアフラム構造を形成する工程とが、異方性エッチングにより同時に行われること
を特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板の内部に改質領域を形成する工程において、
前記溝が形成された分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数が、前記溝が形成されない分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数よりも少ないこと
を特徴とする請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記分割ラインに沿って半導体基板を分割して個々の半導体装置を形成する工程は、前記半導体基板に外力を加えることにより行われること
を特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記請求項１〜請求項８のいずれかの半導体装置の製造方法において形成された半導体装置を、実装基板に固着する工程を有すること
を特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体装置を実装基板に固着する工程において、前記半導体装置の裏面が、ダイボンド材によって前記実装基板の上面に接着されること
を特徴とする請求項９記載の半導体モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１〜請求項８のいずれかの半導体装置の製造方法において形成された半導体装置の裏面側において、対向する２辺のみに面取りがされていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記面取りが形成された対向する２辺は、前記半導体装置の長辺であること
を特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法、半導体モジュールの製造方法、および半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）に代表される、半導体基板の一部を薄厚化したダイアフラム構造や梁構造を有する半導体基板を分割して製造される半導体装置の製造方法、この製造方法により形成された半導体装置を実装する半導体モジュールの製造方法、ならびに前記製造方法により形成された半導体装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
そこで、本発明は、半導体基板の一部を薄厚化したダイアフラム構造や梁構造を有する半導体基板を個々の半導体装置に分割する際において、分割の品質を低下させることなく、加工タクトの向上を可能とする、すわなち、レーザ加工の走査回数を抑えることができ、且つ強度劣化による破損のない半導体装置の製造方法、およびこの製造方法により形成された半導体装置を実装する半導体モジュールの製造方法ならびに前記製造方法により形成された半導体装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明のうち請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成された、複数の半導体素子を個々に分割して半導体装置を製造する方法であって、前記複数の半導体素子を個々に分割するための、互いに交差する第一の方向および第二の方向の分割ラインを設定し、前記半導体素子を囲む、前記第一の方向および第二の方向の分割ラインのうち、一方向の分割ライン上にエッチングにより溝を形成する工程と、前記第一の方向および第二の方向の分割ラインに沿って、レーザ光を照射して、半導体基板の内部に改質領域を形成する工程と、前記第一の方向および第二の方向の分割ラインに沿って半導体基板を分割して個々の半導体装置を形成する工程とを有し、前記溝は交差するパターンをもたないように形成されることを特徴とするものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また請求項２記載の半導体装置の製造方法は、請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体素子に、ダイアフラム構造を形成する工程をさらに有することを特徴とする。
また請求項３記載の半導体装置の製造方法は、請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、前記分割ライン上の溝は連続的に形成されることを特徴とする。
また請求項４記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記分割ラインに形成される溝は、Ｖ溝に形成されることを特徴とする。
また請求項５記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記分割ラインに形成される溝は、Ｕ溝に形成されることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また請求項６に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記一方向の分割ライン上のみに溝を形成する工程と、前記半導体基板にダイアフラム構造を形成する工程とが、異方性エッチングにより同時に行われることを特徴とするものである。
また請求項７に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の内部に改質領域を形成する工程において、前記溝が形成された分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数が、溝が形成されない分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数よりも少ないことを特徴とする。
また請求項８に記載の半導体装置の製造方法は、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記分割ラインに沿って半導体基板を分割して個々の半導体装置を形成する工程は、前記半導体基板に外力を加えることにより行われることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また請求項９に記載の半導体モジュールの製造方法は、前記請求項１〜請求項８のいずれかの半導体装置の製造方法において形成された半導体装置を、実装基板に固着する工程を有することを特徴とする。
また請求項１０に記載の半導体モジュールの製造方法は、請求項９に記載の半導体モジュールの製造方法であって、前記半導体装置を実装基板に固着する工程において、前記半導体装置の裏面が、ダイボンド材によって前記実装基板の上面に接着されることを特徴とするものである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また請求項１１に記載の半導体装置は、前記請求項１〜請求項８のいずれかの半導体装置の製造方法において形成された半導体装置の裏面側において、対向する２辺のみに面取りがされていることを特徴とするものである。
また請求項１２に記載の半導体装置は、請求項１１に記載の半導体装置であって、前記面取りが形成された対向する２辺は、前記半導体装置の長辺であることを特徴とするものである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の半導体装置の製造方法は、交差する第一方向および第二方向の分割ラインのうち一方向の分割ライン上のみに、溝をエッチングで形成するため、エッチングの制御が極めて難しい溝の交差部分ができないので、極めて容易に安定した溝を形成でき、また溝の形成された分割ラインに沿って個々の半導体装置に分割するため、溝を形成しない場合に比較して、容易に直進性に優れた分割を行うことができる、という効果を有している。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板を個々の半導体装置に分割する工程において、半導体基板を個々の半導体装置に分割するための起点となる半導体基板内部に改質領域を形成する際、溝が形成された分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数が、溝が形成されない分割ラインに沿ってレーザ光を走査する回数よりも少なくても、直進性のよい安定した分割が可能であり、分割ラインに溝が形成されていない場合と比較して加工タクトを短縮することができる、という効果を有している。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに本発明の半導体装置の製造方法は、溝を形成する工程とダイアフラム構造を形成する工程とが異方性エッチングにより同時に行われるため、特に工程が増加せず、コストアップや、リードタイムが増加しない、という効果を有している。