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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月29日(2013.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品の製造方法であって、前記食品は、鶏肉、魚肉、赤身肉、野菜、果物、または乳製品の小片からなる基材を含み、前記方法は、
水性のコーティング組成物からなるコーティングを前記基材に施す工程であって、前記水性のコーティング組成物は、乾燥重量で
セルロースガム  １５〜３５％
化工デンプン  １５〜５０％
親水コロイド  ２０〜３０％
タンパク質成分  １０〜２０％
からなる混合物０．１〜５％と水とを含み、これらの成分の百分率は全体が１００％になるように各範囲から選択され、場合によってはさらなる成分を含むことと、
細かいパン粉からなる第１のコーティングを前記水性のコーティングの上に施して、前記基材を包み込む細かいパン粉の層を形成する工程と、
バッター組成物を前記第１のコーティングの上に施して、バッターコーティングを形成する工程と、
任意で前記バッターコーティングの上に外側のパン粉の層を施す工程と
を含む、食品の製造方法。
【請求項２】
コーティング組成物中の化工デンプンの量が乾燥重量で１５〜３５％である、請求項１に記載の食品の製造方法。
【請求項３】
水性のコーティング組成物によるコーティングの前に、前記基材を安定化剤組成物に含浸させる、請求項１または２に記載の食品の製造方法。
【請求項４】
タンパク質成分が卵白、ホエータンパク質、タンパク質分離物、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の食品の製造方法。
【請求項５】
タンパク質成分が卵白である、請求項４に記載の食品の製造方法。
【請求項６】
親水コロイドがキサンタンガム、カラギーナンガム、グアーガム、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の食品の製造方法。
【請求項７】
親水コロイドがキサンタンガム、グアーガム、およびこれらの混合物からなる群から選択される、請求項６に記載の食品の製造方法。
【請求項８】
親水コロイドがキサンタンガム、またはキサンタンガムを含んだ親水コロイドの混合物からなる、請求項７に記載の食品の製造方法。
【請求項９】
安定化剤組成物が
セルロースガム  ５〜２５％
化工デンプン  １６〜５０％
増粘剤組成物  ３２〜７９％
を安定化剤組成物の乾燥重量百分率として含む、請求項３〜８のいずれか一項に記載の食品の製造方法。
【請求項１０】
安定化剤組成物中の化工デンプンの量が乾燥重量で１６〜３５％である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
増粘剤組成物が安定化剤組成物の乾燥重量百分率として
ポリデキストロース  ３０〜５５％
を含む、請求項９に記載の食品の製造方法。
【請求項１２】
増粘剤組成物が安定化剤組成物の乾燥重量百分率として
タンパク質成分  １〜２０％
を含む、請求項９または１１に記載の食品の製造方法。
【請求項１３】
増粘剤が安定化剤組成物の乾燥重量百分率として
親水コロイド  １〜１０％
を含む、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の食品の製造方法。
【請求項１４】
増粘剤成分が安定化剤組成物の乾燥重量百分率として
ポリデキストロース  １５〜３５％
タンパク質成分  １〜２０％
親水コロイド  １〜１０％
を含む、請求項９に記載の食品の製造方法。
【請求項１５】
安定化剤が乾燥重量で
セルロースガム  ５〜２５％
化工デンプン  １６〜３５％
ポリデキストロース  ３０〜５５％
親水コロイド  １〜１０％
卵白  １〜２０％
からなる混合物の水溶液を含む、請求項９に記載の食品の製造方法。
【請求項１６】
安定化剤組成物が安定化剤組成物の乾燥重量で
セルロースガム  １０〜２０％
化工デンプン  ２０〜３０％
ポリデキストロース  ３５〜４５％
親水コロイド  ３〜１０％
卵白  ３〜１８％
を含む、請求項１５に記載の食品の製造方法。
【請求項１７】
安定化剤組成物が乾燥重量で
セルロースガム  １５％
化工デンプン  ２４％
ポリデキストロース  ４０％
キサンタンガム  ６％
卵白  １５％
全体で１００％
を含む、請求項１６に記載の食品の製造方法。
【請求項１８】
肉、鶏肉、魚肉、野菜、果物、または乳製品の小片からなる基材を含んだマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品であって、前記基材が請求項１〜１７のいずれか一項に記載されているように水性のコーティング組成物でコーティングされている、食品。
【請求項１９】
請求項２〜１７のいずれか一項に記載されているように前記基材を安定化剤組成物に含浸させた、請求項１８に記載のマイクロ波調理または再加熱可能な食品。
【請求項２０】
水性のコーティング組成物が０．３％〜３％の固形分濃度を有する、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法または食品。
【請求項２１】
水性のコーティング組成物が１％の固形分濃度を有する、請求項２０に記載の方法または食品。
【請求項２２】
基材を包み込む細かいパン粉の層を形成するように、コーティング組成物からなるコーティングの上に施された細かいパン粉のコーティングと、
バッターコーティングを形成するように、前記細かいパン粉の層の上に施されたバッター組成物と
任意で前記バッターコーティングの上に施される外側のパン粉の層と
をさらに備える、請求項１８〜２１のいずれか一項に記載のマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品。
【請求項２３】
前記細かいパン粉が、キサンタンガム、カラギーナンガム、グアーガム、およびこれらの混合物からなる群から好ましくは選択される親水コロイドを含んでいる、請求項２２に記載のマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品。
【請求項２４】
前記親水コロイドがキサンタンガム、またはキサンタンガムを含んだ親水コロイドの混合物からなる、請求項２３に記載のマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品。
【請求項２５】
前記食品が請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法により得られるものである、請求項１８〜２４のいずれか一項に記載のマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品。
【請求項２６】
前記細かいパン粉が０．２５〜１ｍｍの粒径を有する、請求項１８〜２５のいずれか一項に記載のマイクロ波調理もしくは熱調理可能な、または再加熱可能な食品。
【請求項２７】
水性の安定化剤組成物が０．１〜２０％の固形分濃度を有する、請求項３〜２６のいずれか一項に記載の方法または食品。
【請求項２８】
水性の安定化剤組成物が１〜８％の固形分濃度を有する、請求項３〜２６のいずれか一項に記載の方法または食品。
【請求項２９】
水性の安定化剤組成物が３〜５％の固形分濃度を有する、請求項３〜２６のいずれか一項に記載の方法または食品。
【請求項３０】
請求項２〜１７のいずれか一項に記載の方法において使用される水性のコーティング組成物及び安定化剤組成物を形成するために水和のための成分からなる乾燥組成物を含む、包装された製品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる無線アクセス技術を使用するネットワークに渡って支援を提供する方法であって、前記方法は、
第１のネットワークに関連付けられる第１のデバイスから第１の情報を収集するステップであって、前記第１の情報は、第１の無線アクセス技術を介して、共通のプロトコルを使用して受信される、収集するステップと、
第２のネットワークに関連付けられる第２のデバイスから第２の情報を収集するステップであって、前記第２の情報は、第２の無線アクセス技術を介して、前記共通のプロトコルを使用して受信される、収集するステップと、
前記第２のデバイスに関連付けられる動作チャネルを測定するために前記第１のデバイスに命令を送信するステップと、
前記第１のデバイスから前記動作チャネルの測定値を収集するステップであって、前記測定値は前記動作チャネル上の干渉を示す、収集するステップと
を具えたことを特徴とする方法。
【請求項２】
構成を切り替えるために前記第２のデバイスに命令を送信するステップをさらに具えたことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記構成を切り替えるための前記第２のデバイスへの前記命令は、前記第２のデバイスがチャネルを切り替えることを示すことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の情報は、前記第１のデバイスの位置を含み、および前記第２の情報は、前記第２のデバイスの位置を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のデバイスと前記第２のデバイスが並置されていると決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の情報は、前記第１のネットワークの動作特性を含み、および前記第２の情報は、前記第２のネットワークの動作特性を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の情報と前記第２の情報を融合するステップをさらに具えたことを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
異なる無線アクセス技術を使用するネットワークに渡って支援を提供する集中型ゲートウェイ（ＣＧＷ）であって、前記ＣＧＷは、
第１のネットワークに関連付けられる第１のデバイスから第１の情報を収集し、前記第１の情報は、第１の無線アクセス技術を介して、共通のプロトコルを使用して受信され、
第２のネットワークに関連付けられる第２のデバイスから第２の情報を収集し、前記第２の情報は、第２の無線アクセス技術を介して、共通のプロトコルを使用して受信される
ように構成される受信機と、
送信機を介して前記第１のデバイスに命令を送し、前記第２のデバイスに関連付けられる動作チャネルを測定するように構成されるプロセッサと
を具え、
前記受信機は、前記第１のデバイスから前記動作チャネルの測定値を収集するようにさらに構成され、前記測定値は前記動作チャネル上の干渉を示すことを特徴とするＣＧＷ。
【請求項９】
前記プロセッサは、前記送信機を介して、構成を切り替えるために前記第２のデバイスに命令を送信するようにさらに構成されることを特徴とする請求項８に記載のＣＧＷ。
【請求項１０】
前記構成を切り替えるための前記第２のデバイスへの前記命令は、前記第２のデバイスがチャネルを切り替えることを示すことを特徴とする請求項９に記載のＣＧＷ。
【請求項１１】
前記第１の情報は、前記第１のデバイスの位置を含み、および前記第２の情報は、前記第２のデバイスの位置を含むことを特徴とする請求項８に記載のＣＧＷ。
【請求項１２】
前記プロセッサは、前記第１のデバイスと前記第２のデバイスが並置されていると決定するようにさらに構成されることを特徴とする請求項１１に記載のＣＧＷ。
【請求項１３】
前記第１の情報は、前記第１のネットワークの動作特性を含み、および前記第２の情報は、前記第２のネットワークの動作特性を含むことを特徴とする請求項８に記載のＣＧＷ。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記第１の情報と前記第２の情報を融合するようにさらに構成されることを特徴とする請求項１３に記載のＣＧＷ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子レンジで調理可能な又は再加熱可能な食品用コーティング組成物であって、
ａ）デンプン、
ｂ）トウモロコシ粉末を含む２つ以上の無グルテン粉末の混合物を含む粉末成分、
ｃ）ゲル化剤、
ｄ）アルファアミラーゼを含む酵素添加剤、及び
ｅ）任意の更なる原料
を含む水性混合物からなるコーティング組成物。
【請求項２】
５５〜８０重量％の水、並びに乾燥重量で
ａ）２０〜３５重量％のデンプン
ｂ）トウモロコシ粉末を含む２つ以上の無グルテン粉末の混合物を含む３５〜６０重量％の粉末成分、
ｃ）ゲル化剤、
ｄ）アルファアミラーゼを含む酵素添加剤、及び
ｅ）任意の更なる原料
を含む２０〜４５重量％の混合物からなる、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
デンプンの量が、２４〜３２乾燥重量％である、請求項１又は２に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
デンプンの量が、２９乾燥重量％である、請求項３に記載のコーティング組成物。
【請求項５】
前記デンプンが、高アミロースデンプンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項６】
前記デンプンが、トウモロコシデンプンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項７】
前記デンプンが、高温膨張デンプンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項８】
前記コーティング組成物が、乾燥重量で４０〜５５％の粉末成分を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項９】
前記コーティング組成物が、乾燥重量で４８％の粉末成分を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１０】
前記粉末成分が、大豆粉末及びトウモロコシ粉末の混合物を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１１】
前記粉末成分が、１５〜３３％の脂肪分を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１２】
前記粉末成分が、２０〜２８％の脂肪分を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１３】
前記粉末成分が、２４％の脂肪分を有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１４】
粉末：デンプン成分の重量比が、３６：６４〜８７：１３の範囲である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１５】
粉末：デンプン成分の重量比が、５０：５０〜６３：３７である、請求項１４に記載のコーティング組成物。
【請求項１６】
前記粉末成分が、乾燥重量で２５％〜７０％のトウモロコシ粉末、及び乾燥重量で３０％〜７５％の１つ又は複数の他の無グルテン粉末を含有する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１７】
乾燥重量で１％〜３％の量のＤ−キシロースを含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項１８】
２％の量のＤ−キシロースを含む、請求項１７に記載のコーティング組成物。
【請求項１９】
前記ゲル化剤の量が、０．１乾燥重量％〜５乾燥重量％である、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項２０】
前記ゲル化剤の量が、０．５乾燥重量％〜３乾燥重量％である、請求項１９に記載のコーティング組成物。
【請求項２１】
前記ゲル化剤が、グアーガムを含む、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項２２】
前記ゲル化剤が、乾燥重量で０．５〜３％の量のグアーガムを含む、請求項１〜２１のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項２３】
前記ゲル化剤が、乾燥重量で１％のグアーガムを含む、請求項１〜２２のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項２４】
６０ｒｐｍの３番スピンドルを備えたブルックフィールド粘度計を使用して、１６℃にて３８０〜４００ｍＰａ・ｓ（３８０〜４００ｃＰ）の粘性を有する、請求項１〜２３のいずれか一項に記載のコーティング組成物。
【請求項２５】
電子レンジで調理可能な又は再加熱可能な食品をコーティングする方法であって、水、及び乾燥重量で、
デンプン  ２８〜４０％
増粘剤  １８〜３０％
キサンタンガム  ２０〜３５％
卵白  １０〜２５％
を含む混合物からなる水性組成物を含む予備コーティングを塗布する工程と、
その後、請求項１〜２４のいずれか一項に記載のコーティング組成物を塗布する工程とを含む方法。
【請求項２６】
前記予備コーティングが、水、及び乾燥重量で、
デンプン  ３５％
増粘剤  ２５％
キサンタンガム  ２５％
卵白  １５％を含む混合物からなる水性組成物を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１〜２４のいずれか一項に記載のコーティング組成物を含む、電子レンジで調理可能な又は再加熱可能な食品組成物。
【請求項２８】
請求項２５又は２６に記載の方法により製造された電子レンジで調理可能な又は再加熱可能な食品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
ユーザ装置（ＵＥ）における方法であって、
位置特定サービス品質基準で識別される複数の異なる種別の商業的な位置に基づくサービスに対応する拡張されたクライアント種別又はサービス種別の集合を維持するステップと、
商業的な位置に基づくサービスに関連する測位要求を、前記測位要求に当該商業的な位置に基づくサービスに対応する拡張されたクライアント種別又はサービス種別の表示を含めて送信するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月9日(2013.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グルコースオキシダーゼを産生する微生物を検出する方法であって、
冷水に可溶なゲル化剤を含む薄膜培養器具と、
グルコースオキシダーゼを産生する微生物の成長を支持する培養培地と、
西洋ワサビペルオキシダーゼ及び少なくとも１つの発色基質を含む過酸化水素指示試薬と、
前記微生物を含有する疑いがある試料と、を提供することと、
前記培養器具中で、所定の量の前記試料と、前記培養培地と、前記過酸化水素指示試薬とを混合することと、
前記培養器具を培養することと、
前記少なくとも１つの発色基質の反応を検出することと、を含む、方法。
【請求項２】
微生物を検出する方法であって、
冷水に可溶なゲル化剤を含む薄膜培養器具と、
グルコースオキシダーゼを産生する微生物の成長を支持する培養培地と、
西洋ワサビペルオキシダーゼ及び少なくとも１つの発色基質を含む過酸化水素指示試薬と、
前記微生物を含有する疑いがある試料と、を提供することと、
所定の量の前記試料と前記培養培地を混合して、第１の混合物を形成することと、
前記培養器具中で、前記第１の混合物と前記過酸化水素指示試薬を混合することと、
前記培養器具を培養することと、
前記少なくとも１つの発色基質の反応を検出することと、を含む、方法。
【請求項３】
冷水に可溶なゲル化剤を含む薄膜培養器具と、
グルコースオキシダーゼを産生する微生物の成長を支持する培養培地と、
西洋ワサビペルオキシダーゼ及び少なくとも１つの発色基質を含む過酸化水素指示試薬と、を含む、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸を含有する試料溶液から核酸を分離する方法であって、以下のステップ：
ａ．核酸と結合することができる固相、及びエチレン−アミン化合物を含む結合混合物と、前記試料溶液とを接触させ；
ｂ．前記核酸が前記固相と結合し得る条件下、前記固相を含有する前記試料溶液をインキュベートし；そして
ｃ．前記溶液から前記固相を分離すること
を含み、ここで、核酸と結合することができる前記固相が、磁性コア、及びシリカを含む外層を有する粒子を含み、そして前記エチレン−アミン化合物は、一般式ＮＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−（ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２（式中、ｎは０〜１０又はそれ以上である）を有する、前記方法。
【請求項２】
前記固相から核酸を溶出することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記試料溶液が、バチルス属（Ｂａｃｉｌｌｕｓ）、クロストリジウム属（Ｃｌｏｓｔｒｉｄｉｕｍ）、スタヒロコッカス属（Ｓｔａｐｈｙｌｏｃｏｃｃｕｓ）、ストレプトコッカス属（Ｓｔｒｅｐｔｏｃｏｃｃｕｓ）、エンテロコッカス属（Ｅｎｔｅｒｏｃｏｃｃｕｓ）、マイコバクテリウム属（Ｍｙｃｏｂａｃｔｅｒｉｕｍ）、及びそれらの組み合わせから成る群から選択されるグラム陽性細菌の溶解によって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
固相を使用して試料から核酸を分離するための反応混合物であって：核酸と結合することができる固相であって、磁性コア、及びシリカを含む外層を有する粒子を含む前記固相、及び、エチレン−アミン化合物であって、一般式ＮＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−（ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２（式中、ｎは０〜１０又はそれ以上である）を有する前記エチレン−アミン化合物、及び金属イオンを含む、前記反応混合物。
【請求項５】
アルカリ金属の水酸化物及び洗剤をさらに含む、請求項４に記載の反応混合物。
【請求項６】
マグネシウムイオン又はマンガンイオンを含む、請求項４に記載の反応混合物。
【請求項７】
固相を使用して試料から核酸を分離するためのキットであって：核酸と結合することができる固相であって、磁性コア、及びシリカを含む外層を有する粒子を含む前記固相、及び、エチレン−アミン化合物であって、一般式ＮＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−（ＮＨ−ＣＨ２−ＣＨ２）ｎ−ＮＨ２（式中、ｎは０〜１０又はそれ以上である）を有する前記エチレン−アミン化合物を含み、並びに、溶解試薬、中和試薬、洗浄試薬及び溶出試薬の１つ又は２つ以上を含み、ここで前記溶解試薬はアルカリ金属の水酸化物及び洗剤を含み、中和試薬は前記エチレン−アミン化合物の１つ、マグネシウムイオン又はマンガンイオン、及び緩衝液を含む、前記キット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮのうちの１種類をベースとする、エピタキシャル成長した半導体積層体（１）、を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）であって、前記半導体積層体（１）が、
−  ｐ型にドープされた積層体（２）と、
−  ｎ型にドープされた積層体（４）と、
−  電磁放射を生成する目的で設けられている活性ゾーン（３）であって、前記ｐ型にドープされた積層体（２）と前記ｎ型にドープされた積層体（４）との間に位置している、活性ゾーン（３）と、
−  ＡｌｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ≦１））をベースとする１層の中間層（５）であって、前記活性ゾーン（３）を基準として前記ｎ型にドープされた積層体（４）と同じ側に位置している、中間層（５）と、
を備えており、
前記中間層（５）が、１５ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内（両端値を含む）の厚さ（Ｔ）を有し、
前記中間層（５）が、中断のない連続的な層であり、
以下の２つの関係、すなわち、
−  前記中間層（５）が、前記半導体積層体（１）の層のうち前記中間層（５）に隣接する層（４，７，１５，１７）、における割れ（１４）もしくは穴（１４）の中に延びる突出部（５０）、を有し、前記突出部（５０）が、前記割れ（１４）もしくは前記穴（１４）の境界領域に少なくとも部分的に直接接触しており、前記割れ（１４）もしくは前記穴（１４）の少なくとも一部またはすべてが、前記中間層（５）によって完全に覆われている、もしくは、
−  前記割れ（１４）もしくは前記穴（１４）の大きさが、前記半導体積層体（１）の成長方向に沿って、前記中間層（５）によって減少し、前記割れ（１４）もしくは前記穴（１４）の少なくとも一部が、前記中間層（５）の両側に延びている、
の少なくとも一方があてはまり、
前記活性ゾーン（３）への通電が前記中間層（５）を介して行われないように、電流フローは前記中間層（５）を介して達成されない、
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項２】
硝酸に対する、前記中間層（５）の固有の薬剤浸透性が、前記半導体積層体（１）の層のうち前記中間層（５）に隣接する層（４，７，１５，１７）、におけるよりも小さい、もしくは、
前記中間層（５）が硝酸に対して不浸透性である、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項３】
前記中間層（５）の１層のドーパント濃度が、４×１０１８／ｃｍ３〜５×１０１９／ｃｍ３の範囲内（両端値を含む）であり、ドーパントがＳｉである、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項４】
前記中間層（５）の１層が、ドープされていない、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項５】
０．０３≦ｘ≦０．５が成り立ち、
１層の前記中間層（５）を備えている、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項６】
ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０．０３＜ｙ≦５））をベースとする中間層（５ｂ）を備え、
前記中間層（５ｂ）は、中間層（５ａ）と前記活性ゾーン（３）との間に位置している、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項７】
ｐ型にドープされた積層体（２）の面に、前記活性ゾーン（３）において生成される放射に対するミラー（１６ａ）を構成しているｐ型コンタクト層（１２ｐ）を備え、
前記半導体チップ（１００）を機械的に支えているキャリア（９）が、前記活性ゾーン（３）とは反対側の前記ｐ型コンタクト層（１２ｐ）の面に結合され、
銀のミラーであるミラー（１６ｂ）が、電気めっきスルーホール（１０）において前記中間層（５ａ）と前記中間層（５ｂ）との間に結合されている、
請求項６に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項８】
前記ｎ型にドープされた積層体（４）の、ＧａＮをベースとする電流拡散層（７）であって、少なくとも５×１０１８／ｃｍ３のドーパント濃度でｎ型にドープされている、前記電流拡散層（７）が、前記中間層（５ａ）と前記中間層（５ｂ）との間に位置しており、前記中間層（５）に直接隣接している、
請求項６または請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項９】
前記活性ゾーン（３）を基準として前記ｎ型にドープされた積層体（４）と同じ側、前記活性ゾーン（３）とは反対側の前記半導体積層体（１）の面（４０）が、０．４μｍ〜４．０μｍの範囲内（両端値を含む）の平均粗さを有する粗面（８）を有する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１０】
前記活性ゾーン（３）を前記電気めっきスルーホール（１０）が貫いている、
請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１１】
前記電気めっきスルーホール（１０）が、前記中間層（５ｂ）を貫いている、
請求項７に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１２】
前記半導体積層体（１）の合計厚さ（Ｇ）が、１．０μｍ〜１０．０μｍの範囲内（両端値を含む）である、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１３】
前記半導体チップ（１００）に通電するための電気コンタクト接続部（１２）すべてが、前記活性ゾーン（３）とは反対側の、前記ｐ型にドープされた積層体（２）の面（２０）、に位置している、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【請求項１４】
前記中間層（５、５ａ）が、前記粗面（８）と前記活性ゾーン（３）との間に位置している、
請求項９に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々が少なくとも１つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）要素を含む、アレイ状の複数の磁気ストレージ・セルと、
前記複数の磁気ストレージ・セルに対応する少なくとも１つのビットライン及び少なくとも１つのビット相補ラインと、
を含み、
それぞれのＭＴＪ要素は、書き込み電流を第１又は第２の方向に駆動し、前記それぞれのＭＴＪ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることによって書き込まれ、かつ、読み出し電流を、前記それぞれのＭＴＪ要素を通して、前記それぞれのＭＴＪ要素が前記高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって読み出される、スピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項２】
各々のＭＴＪ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項１に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項３】
前記それぞれのＭＴＪ要素の両端の読み出し電圧は、５０ミリボルト（ｍＶ）から１００ｍＶまでの範囲に及ぶ、請求項１に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項４】
各々が磁気ストレージ・セルに対応し、電流が前記磁気ストレージ・セルを通って流れるのを可能にする、複数のワードラインをさらに含む、請求項１に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項５】
各々の磁気ストレージ・セルは、
それぞれのワードラインによってアクティブにされ、電流が前記それぞれのＭＴＪ要素を通って流れるのを可能にするスイッチング装置をさらに含む、請求項４に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項６】
前記それぞれのワードラインは、前記スイッチング装置のゲートに結合される、請求項５に記載のスピントルク・ベースのメモリ装置。
【請求項７】
各々が少なくとも１つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）要素を含んだ複数の磁気ストレージ・セルを含むスピントルク・ベースのメモリ装置を動作させるための方法であって、
書き込み電流を第１又は第２の方向に駆動することによって、それぞれのＭＴＪ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、
読み出し電流を、前記それぞれのＭＴＪ要素を通して、前記それぞれのＭＴＪ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動することによって、それぞれのＭＴＪ要素を読み出すことと、
を含む、コンピュータ実施の方法。
【請求項８】
各々のＭＴＪ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項７に記載のコンピュータ実施の方法。
【請求項９】
前記それぞれのＭＴＪ要素の両端の読み出し電圧は、５０ミリボルト（ｍＶ）から１００ｍＶまでの範囲に及ぶ、請求項７に記載のコンピュータ実施の方法。
【請求項１０】
電流が、前記磁気ストレージ・セルに対応するワードラインを介して、前記磁気ストレージ・セルを通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項７に記載のコンピュータ実施の方法。
【請求項１１】
それぞれのワードラインを介して前記それぞれのＭＴＪ要素に直列に接続されたそれぞれのスイッチング装置をアクティブにし、電流が前記それぞれのＭＴＪ要素を通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項１０に記載のコンピュータ実施の方法。
【請求項１２】
前記それぞれのワードラインを前記スイッチング装置のゲートに結合させることをさらに含む、請求項１１に記載のコンピュータ実施の方法。
【請求項１３】
各々が少なくとも１つの磁気トンネル接合（ＭＴＪ）要素を含んだ複数の磁気ストレージ・セルを含むスピントルク・ベースのメモリ装置を動作させるためプログラムであって、
書き込み電流を第１又は第２の方向に駆動することによって、それぞれのＭＴＪ要素を低抵抗状態又は高抵抗状態にプログラミングすることと、
読み出し電流を、前記それぞれのＭＴＪ要素を通して、前記それぞれのＭＴＪ要素が高抵抗状態になるのを妨害する傾向がある方向に駆動させることによって、それぞれのＭＴＪ要素を読み出すことと、
をコンピュータに実行させるコンピュータ・プログラム。
【請求項１４】
各々のＭＴＪ要素は、フリー磁性層、トンネル障壁層及び固定層を含み、読み出しのための電流は、前記固定層から前記フリー磁性層に流れる、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１５】
前記それぞれのＭＴＪ要素の両端の読み出し電圧は、５０ミリボルト（ｍＶ）から１００ｍＶまでの範囲に及ぶ、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１６】
電流が、前記磁気ストレージ・セルに対応するワードラインを介して、前記磁気ストレージ・セルを通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項１３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１７】
それぞれのワードラインを介して前記それぞれのＭＴＪ要素に直列に接続されたそれぞれのスイッチング装置をアクティブにし、電流が前記それぞれのＭＴＪ要素を通って流れるのを可能にすることをさらに含む、請求項１６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１８】
前記それぞれのワードラインを前記スイッチング装置のゲートに結合させることをさらに含む、請求項１７に記載のコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナフテン酸カルシウムとＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む原油又は原油の混合物からカルシウムを含む金属を除去するための添加剤であり、
前記添加剤は、不純物の形成を防止し、及び／又は、前記不純物がすでに有機層と水層の境界相で形成され蓄積されている場合には前記不純物を同時に除去することを特徴とし、及び
前記不純物が、前記ナフテン酸カルシウムと前記Ｈ２Ｓを含む硫黄化合物との間で、前記ナフテン酸カルシウムとＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む前記原油中又は前記原油の混合物中の水の存在下で、反応することで形成されることを特徴とし、
前記添加剤が、グリオキシル酸である、添加剤。
【請求項２】
ナフテン酸カルシウムとＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む原油又は原油の混合物からカルシウムを含む金属を除去するための方法であり、
前記方法が、不純物の形成を防止し、及び／又は、前記不純物がすでに有機層と水層の境界相で形成され蓄積されている場合には前記不純物を同時に除去することを特徴とし、及び
前記不純物が、前記ナフテン酸カルシウムと前記Ｈ２Ｓを含む硫黄化合物との間で、前記ナフテン酸カルシウムとＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む前記原油中又は原油の混合物中の水の存在下で、反応することで形成されることを特徴とし、
前記ナフテン酸カルシウム及びＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む前記原油又は前記原油の混合物を、グリオキシル酸である添加剤で処理することを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であり、不純物の形成を防止するために、前記添加剤が、前記有機層と水層とを分離する前に添加される、方法。
【請求項４】
請求項２又は３のいずれか一項に記載の方法であり、前記すでに形成された不純物を除去するために、前記不純物が形成された後に前記添加剤を添加することを含む、方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項に記載の方法であり、前記水層のｐHが、７以上か、又は７から９の間かのいずれかである、方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項に記載の方法であり、前記添加剤が、水と共に添加されるか、又は水に溶解した後に添加されるかのいずれかである、方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一項に記載の方法であり、前記添加剤が、カルシウム濃度の化学量論量又は化学量論量の２倍で添加されるか、又はカルシウム濃度に過剰量で添加される、方法。
【請求項８】
ナフテン酸カルシウム及びＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む原油又は原油の混合物からカルシウムを含む金属を除去するための、グリオキシル酸である添加剤の使用であり、
前記添加剤、不純物の形成を防止するため、及び／又は、すでに前記不純物が有機層と水層の境界相で形成され蓄積されている場合には前記不純物を同時に除去するために使用されることを特徴とし、及び
前記不純物が、前記ナフテン酸カルシウムと前記Ｈ２Ｓを含む硫黄化合物との間で、前記ナフテン酸カルシウムとＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む前記原油中又は原油の混合物中の水の存在下で、反応することで形成されることを特徴とし、
前記ナフテン酸カルシウム及びＨ２Ｓを含む硫黄化合物を含む前記原油又は前記原油の混合物を、グリオキシル酸である前記添加剤で処理することを含む、使用。
【請求項９】
請求項８に記載の使用であり、前記不純物の形成を防止するために、前記添加剤が前記有機層と前記水層を分離する前に添加される、使用。
【請求項１０】
請求項８又は９のいずれか一項に記載の使用であり、前記すでに形成された不純物を除去するために、前記不純物が形成された後に前記添加剤を添加することを含む、使用。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の使用であり、前記水層のｐＨが７以上か、又は７から９の間のいずれかである、使用。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の方法であり、前記添加剤が、水と共に添加されるか、又は水に溶解した後に添加されるかのいずれかである、使用。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれか一項に記載の使用であり、前記添加剤が、カルシウム濃度の化学量論量又は化学量論量の２倍で添加されるか、又はカルシウム濃度に過剰量で添加される、使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタン及び１種以上の高級炭化水素を含む天然ガス流の処理方法であって、
（ｉ）該天然ガス流の少なくとも一部を水蒸気及び水素と混合する工程、ここで、水蒸気：炭素比は高級炭化水素の炭素基準で０．２〜３：１の範囲であり、水素の濃度は最大５体積％である、
（ｉｉ）該混合物を１３０〜３００℃の範囲の吸気口温度で貴金属担持改質触媒に断熱的に通し、メタン、水蒸気、二酸化炭素、一酸化炭素、及び水素を含む改質ガス混合物を生成する工程、
（ｉｉｉ）該改質ガス混合物を露点以下に冷却して水を凝縮し、該凝縮物を除去して脱水改質ガス混合物を供給する工程、及び
（ｉｖ）該脱水改質ガス混合物を、酸性ガス回収装置に通し、二酸化炭素、並びに該水素及び一酸化炭素の少なくとも一部を除去し、それによってメタン流を生成する工程、
を含む、方法。
【請求項２】
該天然ガス流が、固定式沖合施設、又は浮遊式ＬＮＧ生産装置等の浮遊式沖合施設から選択される沖合処理施設にて処理される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該天然ガス流中のメタンの量が、２５〜９９体積％、好ましくは５０〜９５体積％の範囲にある、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該天然ガス流が、随伴ガス、シェールガス、タイトサンドガス、若しくは炭層メタンを含む天然ガス、又は、メタン及び１種以上の高級炭化水素を含む合成天然ガス混合物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
該メタン流をＬＮＧ液化装置にて液化する工程を更に含み、
ここで、該天然ガス流が１種以上の高級炭化水素を含有する天然ガスであり、該天然ガス液化工程がメタンのみを処理してＬＮＧとし、液化高級炭化水素が生成しないように天然ガス流が該改質段階に供給される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
該天然ガス流が天然ガス原料流の一部を含み、残りの部分を該脱水改質ガス混合物流、又はメタン流と混合し、メタン富化天然ガス流を生成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
更に、ＬＮＧ液化装置にて該メタン富化天然ガス流を液化する工程を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
該液化装置において分離された１種以上の高級炭化水素が、該天然ガス流の一部として改質器に供給される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
該天然ガス流はメタン富化天然ガスの一部及び１種以上の高級炭化水素を含有し、該メタン富化天然ガスが天然ガス原料を該脱水改質ガス混合物と混合し、該混合物を該酸性ガス回収装置に供給し、そこからメタン富化天然ガスを回収することによって生成され、該１種以上の高級炭化水素が、該メタン富化天然ガスの更なる一部を液化及び分留することによって生成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
水素が、該天然ガス／水蒸気の混合物に、最大３体積％の濃度で含まれる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
該貴金属担持改質触媒が、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ又はＲｕの少なくとも一種を０．１〜１０重量％の範囲で含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
該処理工程凝縮物の少なくとも一部が、該天然ガス流と混合する該水蒸気の少なくとも一部を生成するために使用され、該水蒸気を該天然ガス流と飽和器を用いて混合する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
該酸性ガス回収装置が、膜、又は物理洗浄溶媒系、又はアミン洗浄系を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
該メタン流を、乾燥装置を用いて乾燥することを含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
メタン及び１種以上の高級炭化水素を含む天然ガス流の処理装置であって、
（ｉ）天然ガス流に水蒸気及び水素を添加する手段と、
（ｉｉ）水蒸気及び水素を添加する該手段に作動可能に接続され、貴金属担持改質触媒を含み、該混合天然ガス流及び水蒸気が該触媒を通過し、メタン、水蒸気、二酸化炭素、一酸化炭素及び水素を含む改質ガス混合物を生成するように構成された改質器と、
（ｉｉｉ）該改質ガス混合物を露点よりも低温に冷却するために該改質器に作動可能に接続された熱交換手段、及び、処理工程凝縮物を回収し、脱水改質ガス混合物を提供するために、該熱交換手段に作動可能に接続された分離装置と、
（ｉｖ）二酸化炭素、並びに該水素及び一酸化炭素の少なくとも一部を除去し、それによりメタン流を生成するための該分離装置に作動可能に接続された酸性ガス回収装置と、を含む処理装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続水相中の疎水性粒子のエマルジョンであり、ゲルの形態である脱毛剤組成物であって、前記水相は脱毛剤を含み、前記疎水性粒子は脂肪アルコール及び１００〜６００質量単位の分子量を有するポリエチレンホモポリマーを含み、脂肪アルコール3〜20質量％及びポリエチレンホモポリマー2〜5質量％を含む、脱毛剤組成物。
【請求項２】
脂肪アルコールが、8〜22の炭素原子を含むアルキル鎖を有する、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
脱毛剤が、スルフヒドリル化合物である、請求項１又は２記載の組成物。
【請求項４】
脱毛剤に対応する酸の形態に換算して、脱毛剤1〜8質量％を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
a)  脂肪アルコール、乳化剤、ポリエチレンホモポリマーを、75℃以上で溶融相に一緒に混合する工程、
b)  溶融相を水相に乳化して、分散された疎水性粒子を含むエマルジョンを形成する工程、ここで、乳化前の水相の温度は60℃以上であり、
c)  40℃以下の温度にエマルジョンを冷ます工程、
d)  脱毛剤をエマルジョンに分散する工程
を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物の製造方法。
【請求項６】
i)不必要な毛が存在する皮膚に、請求項１又は２記載の組成物を塗布する工程、
ii)所定の時間、前記組成物を皮膚に接触させておく工程、及び
iii)組成物及び分解した毛を除去する工程、を含むヒトの皮膚から毛を除去する方法。
【請求項７】
塗布道具及び除去道具が、複合道具の二つの区別可能な面として一緒に結合されている、請求項６記載の方法。
【請求項８】
複合道具がグローブ、ミット又は親指なしミットである、請求項７記載の方法。
【請求項９】
湿潤環境において毛のケラチンを分解するための、請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アップリンクで伝送されたパケットに応答して、ｎｏｄｅ−ＢにおいてＡＣＫ／ＮＡＣＫ（ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ／ｎｅｇａｔｉｖｅ  ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ）信号を伝送する方法であって、
前記方法は、
ユーザ装置から伝送されたパケットを受信することと、
前記パケットを復号化し、前記復号化の結果に基づいて、前記パケットの受信に成功したか否かを決定することと、
前記決定の結果に基づいて、前記パケットの受信に成功したときには、ＡＣＫ信号を伝送し、前記パケットの受信に失敗したときには、ＮＡＣＫ信号を伝送することと、
無線ネットワーク制御器（ＲＮＣ）から前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報を受信することであって、前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報は、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならないか否かに関する情報を含み、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならないか否かは、前記ユーザ装置がソフトハンドオーバー状態にあるか否かを考慮して決定される、ことと、
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報を前記ユーザ装置に伝送することと、
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報に基づいて、前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルを決定することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ユーザ装置がハンドオーバーの間には、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報は、専用物理データチャネル（ＤＰＤＣＨ）に対する電力オフセット値により決定される前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力は、同一のレベルを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力は、独立して決定される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
アップリンクで伝送されたパケットに応答して、ＡＣＫ／ＮＡＣＫ（ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ／ｎｅｇａｔｉｖｅ  ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ）信号を伝送するｎｏｄｅ−Ｂであって、
前記ｎｏｄｅ−Ｂは、
ユーザ装置から伝送されたパケットを受信することと、
前記パケットを復号化し、前記復号化の結果に基づいて、前記パケットの受信に成功したか否かを決定することと、
前記決定の結果に基づいて、前記パケットの受信に成功したときには、ＡＣＫ信号を伝送し、前記パケットの受信に失敗したときには、ＮＡＣＫ信号を伝送することと、
無線ネットワーク制御器（ＲＮＣ）から前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報を受信することであって、前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報は、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならないか否かに関する情報を含み、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならないか否かは、前記ユーザ装置がソフトハンドオーバー状態にあるか否かを考慮して決定される、ことと、
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報を前記ユーザ装置に伝送することと、
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報に基づいて、前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルを決定することと
を実行するように構成されている、ｎｏｄｅ−Ｂ。
【請求項７】
前記ユーザ装置がハンドオーバーの間には、前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力が０のレベルを有していなければならない、請求項６に記載のｎｏｄｅ−Ｂ。
【請求項８】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力レベルに関する情報は、専用物理データチャネル（ＤＰＤＣＨ）に対する電力オフセット値により決定される前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力を含む、請求項６に記載のｎｏｄｅ−Ｂ。
【請求項９】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力は、同一のレベルを有する、請求項８に記載のｎｏｄｅ−Ｂ。
【請求項１０】
前記ＡＣＫ信号および前記ＮＡＣＫ信号に対する伝送電力は、独立して決定される、請求項８に記載のｎｏｄｅ−Ｂ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
前記第２実施例において、前記ＲＮＣは、前記関連したＵＥがソフトハンドオーバー状態にあるかどうかに関する情報、及び前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫ信号の伝送と関連した他の状態に関する情報を考慮した、前記ＮＡＣＫ信号のための伝送電力がオフ（ＤＴＸ）レベルを有していなければならないか否かに関する情報を前記ｎｏｄｅ−Ｂに提供する。例えば、前記ｎｏｄｅ−Ｂの物理階層は、上位階層から受信されたパラメーター値が１である場合、ＮＡＣＫ信号を用いて送信電力を”０”に設定し（例えば、”ＮＡＣＫ＿ＰＷ＿ＯＦＦ”と呼ばれる信号を用いる）、前記受信されたパラメーター値が０である場合、前記ＲＮＣによって判断されたＮＡＣＫ信号送信電力を用いてＮＡＣＫ信号を伝送する。前記ＡＣＫ／ＮＡＣＫ信号に対する前記送信電力レベルに関する情報は、前記ＲＮＣから前記ｎｏｄｅ−Ｂに伝送されることが好ましい。