Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脊椎ロッドであって、
第１の厚さを画定する第１の伸長区画と、
第２の厚さを画定する第２の伸長区画と、
第１の伸長区画と第２の伸長区画の間に設置され第３の厚さを画定する中間区画であり、前記中間区画が開口端を画定する内部表面を有する、中間区画と、
前記中間区画の前記内部表面の少なくとも一部と係合するように構成された外部表面を有する抵抗部材と、
を具備し、
前記第３の厚さが、前記開口端の上部から前記開口端の下部までの方向と直行する方向に沿う厚さであり、前記第１の厚さの方向および前記第２の厚さの方向が前記第３の厚さの方向と平行であり、前記第３の厚さが、前記第１の厚さおよび前記第２の厚さの少なくとも１つの寸法よりも小さい寸法を有し、
前記中間区画が、前記第３の厚さの方向と直行する方向に沿う幅を画定し、前記第３の厚さの前記寸法が前記幅の寸法以下であり、
前記中間区画の前記内部表面が空洞および第１の固定部を画定し、前記空洞が前記抵抗部材を配置するように構成され、前記抵抗部材の前記外部表面が第２の固定部を画定し、
前記第１の固定部が前記第２の固定部と係合して、前記抵抗部材が、前記中間区画から移動および排出させるための構成で前記中間区画に機械的に固定される、脊椎ロッド。
【請求項２】
前記第１の固定部が柱であり、前記第２の固定部が前記柱を受け取るための開口部である、請求項１に記載の脊椎ロッド。
【請求項３】
前記幅の寸法が前記第１の厚さおよび前記第２の厚さの寸法の少なくとも一方以上である、請求項１又は２に記載の脊椎ロッド。
【請求項４】
前記中間区画が、Ｕ字型の構成を有し、前記Ｕ字型の構成の両端部が前記開口端の上部および前記開口端の下部にそれぞれ対応する請求項１乃至３の何れか１項に記載の脊椎ロッド。
【請求項５】
前記中間区画が、Ｖ字型の構成を有し、前記Ｖ字型の構成の両端部が前記開口端の上部および前記開口端の下部にそれぞれ対応する請求項１乃至３の何れか１項に記載の脊椎ロッド。
【請求項６】
前記第３の厚さが２〜６ｍｍの範囲である、請求項１に記載の脊椎ロッド。
【請求項７】
前記幅が３〜１０ｍｍの範囲である、請求項１に記載の脊椎ロッド。
【請求項８】
前記第１の伸長区画および第２の伸長区画が第１の材料から製造され、前記中間区画が第２の材料から製造される、請求項１乃至７の何れか１項に記載の脊椎ロッド。
【請求項９】
前記第１の伸長区画および前記中間区画が、第１の面を画定する第１の移行部を画定するように、前記第１の伸長区画が前記開口端に隣接して配置され、
前記第２の伸長区画および前記中間区画が、第２の面を画定する第２の移行部を画定するように、前記第２の伸長区画が前記開口端に隣接して配置され、
前記第１の面が、前記第２の面に対して角度を形成して配置される、請求項１乃至８の何れか１項に記載の脊椎ロッド。
【請求項１０】
前記中間区画が、前記第１の伸長区画および第２の伸長区画からオフセットされるように前記第１の移行部および第２の移行部から延在する、請求項９に記載の脊椎ロッド。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】脊椎ロッド
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
第１の厚さと第２の厚さの少なくとも一方は、直径であると想定される。中間区画は、第三の厚さの寸法が中間区画の幅以下になるように、第１の厚さと第２の厚さのそれぞれと関連して、幅を画定する。中間区画の断面積が、第１の区画と第２の区画の少なくとも一方の断面積の１０％よりも大きいか、または等しくなるように、中間区画は第三の厚さの寸法に基づいて断面積を画定しうるものであり、第１の区画は第１の厚さの寸法に基づいて断面積を画定でき、第２の区画は第２の厚さの寸法に基づいて断面積を画定できる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
上部区画３２は、開口端４０の上部４２に隣接して配置され、その移行部が正面４３を画定する。下部区画３４は下部４４に隣接して配置され、その移行部が正面４５を画定する。内部表面３８は空洞４６およびたとえば柱４８のような第１の固定部を画定する。図３に示されるように、柱４８は、円筒形の第１の部分４９ａ、および面３８へ柱４８が移行するにしたがって直径が増加する第２の部分４９ｂを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月7日(2013.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のルミネッセンス粒子と、第１の光導波路と、を含むルミネッセンスシートであって、前記複数のルミネッセンス粒子の少なくとも幾つかは、吸収周波数の少なくとも第１スペクトルの太陽光を吸収することによって励起状態になることができ、励起状態になると、放出周波数の少なくとも第１スペクトルの光を誘導放出することができる、ルミネッセンスシートと、
少なくとも１つの光源であって、一部が前記放出周波数の第１スペクトル内のスペクトルであるポンプ光を発生し、第１の進行方向に進行している前記ポンプ光が、前記吸収周波数の第１スペクトルの太陽光を吸収した励起状態の前記ルミネッセンス粒子の少なくとも１つを刺激したときに、前記励起状態のルミネッセンス粒子が、前記放出周波数の第１スペクトル内のスペクトルを有する放出光を前記ポンプ光の前記第１の進行方向に放出する、光源と、を具備し、
前記第１の光導波路は、前記放出光と前記ポンプ光とを、内部全反射させることにより、光収集領域に集光させることをアシストする、誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項２】
前記ルミネッセンスシートの形状が、１つの焦点を有する概して円形ディスクの形状である場合、前記光源および前記光収集領域がいずれも前記焦点の近傍にあり、
前記ルミネッセンスシートの形状が、２つの焦点を有する概して楕円形ディスクの形状である場合、前記光源が前記焦点の一方にあり、前記光収集領域が前記焦点のもう一方にあり、
前記ルミネッセンスシートの形状が、概して、楕円形ディスクの一部分からなる形状であり、前記楕円形ディスクの前記一部分が、その縁部に２つの焦点を有する場合、前記光源が前記焦点の一方にあり、前記光収集領域が前記焦点のもう一方にあり、
前記ルミネッセンスシートの形状が、概して、多くの反射小面からなる反射縁部を形成する楕円形ディスクの複数の部分からなる形状であり、前記楕円形ディスクの複数の部分のそれぞれが、前記複数の部分の他の部分と共通する２つの共通焦点を有する場合、前記光源が前記共通焦点の一方にあり、前記光収集領域が前記共通焦点のもう一方にある、請求項１に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項３】
前記光収集領域および前記少なくとも１つの光源の少なくとも１つに隣接する少なくとも１つの二次光学部品をさらに備える、請求項１または２に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項４】
前記少なくとも１つの二次光学部品が、隣接する材料と異なる材料で作られている、請求項３に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項５】
更に、前記ルミネッセンスシートの端部に位置する第一の反射器を具備し、前記第一の反射器は、前記光収集領域に光を反射する、請求項１から４のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項６】
更に、前記ルミネッセンスシートに光学的に結合された第２の光導波路を具備し、前記第２の光導波路が、少なくとも前記ルミネッセンスシートから受けた光を前記光収集領域に導き、
前記ルミネッセンスシートと前記第２の光導波路とが交互に積み重ねられ、前記ルミネッセンスシートおよび前記第２の光導波路の双方よりも屈折率が低い第１の材料によって互いに分離されており、
前記ルミネッセンスシート内の光の巨視的進行方向と、前記第２の光導波路内の光の巨視的進行方向とが概して互いに反対である、請求項１から５のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項７】
前記ルミネッセンスシートが、透明基板から構成され、前記ルミネッセンス粒子が、前記基板中に含浸されたルミネッセンス色素である、請求項１から６のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項８】
前記ルミネッセンス粒子が、前記第一の光導波路に隣接するとともに前記第一の光導波路と光学的に結合されたルミネッセンス層内にある、請求項１から７のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器と、前記集光器の前記光収集領域に配置された少なくとも１つの光起電力セルとを備える、太陽エネルギーコレクタ。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの光源と、前記少なくとも１つの光起電力セルが、単一の回路基板上に配置されている、請求項９に記載の太陽エネルギーコレクタ。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの光源が、前記少なくとも１つの光起電力セルからのエネルギーによって電力を供給される、請求項９または１０に記載の太陽エネルギーコレクタ。
【請求項１２】
互いに隣接するとともに光学的に結合された、請求項１から８のいずれか１項に記載の少なくとも２つの誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器と、
前記少なくとも２つの集光器の前記光収集領域のそれぞれに配された少なくとも１つの光起電力セルと、を具備し、
前記少なくとも２つの集光器のそれぞれの前記ルミネッセンス粒子が、他方の集光器と少なくとも部分的に異なる、吸収周波数のスペクトル内の太陽光を吸収することによって励起状態になることができ、励起状態になると、他方の集光器と少なくとも部分的に異なる、放出周波数のスペクトルの光を誘導放出することができる、太陽エネルギーコレクタ。
【請求項１３】
前記誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器の前記ルミネッセンスシートの少なくとも２つが、前記少なくとも２つのルミネッセンスシートよりも屈折率が低い第２の材料によって互いに分離されている、請求項１２に記載の太陽エネルギーコレクタ。
【請求項１４】
請求項１から８のいずれか１項に記載の誘導放出ルミネッセンス光導波路太陽光集光器の複数を具備し、前記集光器の少なくとも２つの光源が、中心光源と光学的に連絡して前記中心光源によって生成されるポンプ光を放出する、太陽エネルギーコレクタアセンブリ。
【請求項１５】
（ｉ）複数のルミネッセンス粒子と少なくとも１つの光導波路とを有する少なくとも１つのルミネッセンスシートを太陽光に暴露して、吸収周波数の少なくとも第１スペクトル内の太陽光を吸収させることによって前記ルミネッセンス粒子を励起状態にするステップであって、前記励起状態のルミネッセンス粒子が、放出周波数の少なくとも第１スペクトル内の放出光を誘導放出することができるステップと、
（ii）一部が前記放出周波数の少なくとも第１スペクトル内のスペクトルを有するとともに、第１の方向に進行するポンプ光によって前記励起状態のルミネッセンス粒子を刺激して、前記励起状態のルミネッセンス粒子に、前記放出周波数の少なくとも第１スペクトル内のスペクトルを有する放出光を、前記ポンプ光の前記第１の進行方向に放出させるステップと、
（iii）前記少なくとも１つの光導波路内に、前記放出光および前記ポンプ光を閉じ込めるステップと、
（iv）前記放出光および前記ポンプ光が、前記少なくとも１つの光導波路内を内部全反射によって光収集領域まで伝搬して、集光されるステップと、を含む、太陽光を集光する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共有結合性有機骨格（ＣＯＦ）として配列した、複数のセグメントと複数の連結基とを含む構造化有機薄膜（ＳＯＦ）を含むことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記電子デバイスは、ＲＦＩＤ（radio frequency identification）タグ、光受容体、有機発光ダイオード、および薄膜トランジスタから成る群より選ばれることを特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記電子デバイスは電子写真用画像形成部材であって、前記電子写真用画像形成部材は、支持基材と、導電性接地面と、電荷障壁層と、電荷発生層と、電荷輸送層と、オーバーコート層と、グラウンドストリップとを含むことを特徴とする、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記電荷輸送層または前記オーバーコート層は、前記ＳＯＦを含んでいることを特徴とする、請求項３に記載の電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層が上に配置されたシリコン含有層を、還元性ガスを含む還元性雰囲気中でアニールするステップと、
アニールの後で、前記シリコン含有層を露出させるエッチングプロセスを使用して前記第１の層を除去するステップであって、前記エッチングプロセスは、前記還元性ガスと異なるエッチャントガスから形成されたプラズマを用いる除去ステップと、
前記露出させたシリコン含有層上に第２の層を堆積させるステップと
を含む、層の堆積方法。
【請求項２】
前記還元性雰囲気が、非プラズマ状態の還元性ガスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記還元性雰囲気が、還元性ガスから形成されたプラズマを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記還元性ガスが、水素（Ｈ２）、または水素（Ｈ２）と、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、およびヘリウム（Ｈｅ）のうちの少なくとも１つとを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記アニールするステップが、
約摂氏１００度から約摂氏７００度の温度で前記シリコン含有層をアニールすること
をさらに含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記アニールするステップが、
約摂氏３００度から約摂氏７００度の温度で前記シリコン含有層をアニールすること
をさらに含む、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記アニールするステップが、
約１分以下の期間にわたり前記シリコン含有層をアニールすること
をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記アニールするステップが、
約３０秒未満の期間にわたり前記シリコン含有層をアニールすること
をさらに含む、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記エッチャントガスが、三フッ化窒素（ＮＦ３）およびアンモニア（ＮＨ３）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチングプロセスが、
前記プラズマを使用して前記第１の層を昇華可能固体へと少なくとも部分的に変換することと、約１００度よりも高い温度で前記シリコン含有層をアニールすることによって前記昇華可能固体を除去することと
をさらに含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
第１のチャンバ内で前記アニールを実行することと、
不活性雰囲気中で、前記第１のチャンバと第２のチャンバとの間で前記シリコン含有層を搬送することと、
前記第２のチャンバ内で前記除去を実行することと、
不活性雰囲気中で、前記第２のチャンバと第３のチャンバとの間で前記シリコン含有層を搬送することと、
前記第１のチャンバと同じまたは異なる前記第３のチャンバ内で前記堆積を実行することと
をさらに含む、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の層が酸化物層を含む、請求項１ないし１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン含有層が、シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコン炭素（ＳｉＣ）、シリコンリン（ＳｉＰ）、シリコンホウ素（ＳｉＢ）、シリコンゲルマニウムホウ素（ＳｉＧｅＢ）、シリコンゲルマニウムリン（ＳｉＧｅＰ）、およびシリコン炭素リン（ＳｉＣＰ）のうちの少なくとも１つを包含し、前記第２の層が、シリコン（Ｓｉ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、シリコン炭素（ＳｉＣ）、シリコンリン（ＳｉＰ）、シリコンホウ素（ＳｉＢ）、シリコンゲルマニウムホウ素（ＳｉＧｅＢ）、シリコンゲルマニウムリン（ＳｉＧｅＰ）、シリコン炭素リン（ＳｉＣＰ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、アルミニウムヒ素（ＡｌＡｓ）、インジウムヒ素（ＩｎＡｓ）、アルミニウムアンチモン（ＡｌＳｂ）、インジウムアンチモン（ＩｎＳｂ）、ガリウムアンチモン（ＧａＳｂ）、ガリウムリン（ＧａＰ）、アルミニウムリン（ＡｌＰ）、およびインジウムリン（ＩｎＰ）のうちの少なくとも１つを含む、請求項１ないし１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記シリコン含有層がシリコン（Ｓｉ）であり、前記第２の層がシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記露出させたシリコン含有層上に前記第２の層を堆積させるステップの前に、前記シリコン含有層を不活性雰囲気中で堆積プロセスチャンバに搬送するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射エネルギーの標的内への非接触注入のためのシステムであって、該システムは、
標的内への放射加熱の印加を容易にする照射区域に前記標的を配置するように動作する手段と、
少なくとも１つの半導体ベースの狭帯域放射線放出装置素子であって、前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は、前記標的の所望の吸収特性と一致する放射熱出力の狭波長帯域で放射線を放出するように動作し、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は実装面発光レーザーダイオード装置であり、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は、前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置からの照射パターンの中心軸が実装対象の最大平面に対してほぼ直角に向けられるように、回路基板および冷却基板のうちの少なくとも１つを含む前記実装対象に実装される、狭帯域放射線放出装置と、
そこからの照射が前記照射区域内の標的に向けられるように前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出ダイオード装置を位置決めするように構成されている実装配列と、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置に電流を供給するように動作する手段と、を含むシステム。
【請求項２】
放射エネルギーの標的内への非接触注入のためのシステムであって、該システムは、
少なくとも１つの半導体ベースの狭帯域放射線放出装置素子であって、前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は、前記標的の所望の吸収特性と一致する放射熱出力の狭波長帯域で放射線を放出するように動作し、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は実装面発光レーザーダイオード装置であり、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置は、前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置からの照射パターンの中心軸が実装対象の最大平面に対してほぼ直角に向けられるように、回路基板および冷却基板のうちの少なくとも１つを含む実装対象に実装される、狭帯域放射線放出装置と、
そこからの照射が前記照射区域内の標的に向けられるように前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出ダイオード装置を位置決めするように構成されている実装配列と、
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置に電流を供給するように動作する手段と、を含むシステム。
【請求項３】
前記少なくとも１つの半導体ベースの狭帯域放射線放出装置素子が、２つ以上の面発光レーザーダイオード装置のアレイを形成する、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記アレイがＸ×Ｙマトリクスの面発光レーザーダイオード装置を含み、ＸおよびＹはいずれも１より大きい、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
装置が少なくとも２つの異なる装置タイプのアレイに含まれ、
前記装置タイプは、異なる波長を生成すること、異なるウェハー基板の化学的性質から、異なる物理的サイズ、異なる電力出力、および異なる装置出力パターンで製造されることのうちの少なくとも１つによって定義される、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記アレイに含まれる前記異なる装置タイプが少なくとも２つの異なる波長を生成することが可能であり、それらの波長の中心が相互に１５０ｎｍ超離れている、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記少なくとも１つの狭帯域放射線放出装置に電流を供給するように動作する前記手段が、
インテリジェント制御器によって制御され得る少なくとも１つの電流制御電源によって選択的に電流を供給することが可能なシステムを含み、
前記電源を制御する前記インテリジェント制御器が、プログラマブル論理制御器、マイクロプロセッサベースの制御基板、コンピュータ制御システム、および組み込み論理制御器のうちの少なくとも１つからなる、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項８】
前記インテリジェント制御器が、少なくとも２つの異なる装置タイプからの放射線を選択的に制御する能力を有する、請求項５に記載のシステム。
【請求項９】
各レーザーダイオード装置内のレーザー発振が前記装置の実装平面と平行な方向に発生し、その一方で前記出力照射パターンの前記中心軸はこれに対してほぼ直角である、請求項３に記載のシステム。
【請求項１０】
標的に関連づけられた放射エネルギーの発生のための照射アレイであって、
前記アレイは、実装されている基板のいずれの端とも同一平面になるようには前記装置が実装されていない、半導体照射アレイを含み、
前記実装基板は、熱を伝導する少なくとも１つの層および供給電流を伝導する１つの層を有する高熱伝導基板として構成されており、
前記アレイは面発光半導体レーザー装置を含み、
前記アレイの光学的光子出力の軸は、前記実装基板の大きい平面に対して実質的に直交しており、
前記実装基板は、水ジャケット冷却システム、放熱フィン配列、状態変化冷却器、圧縮媒体冷却器、および熱電冷却器のうちの少なくとも１つと熱的に結合されるように構成されている、照射アレイ。
【請求項１１】
前記アレイがＸ×Ｙアレイの面発光装置であり、それによればＸおよびＹはいずれも１より大きい、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記アレイが面発光装置の配列であり、それによれば前記装置のうちのいくつかは隣接する装置に対して回転する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
標的アイテムを照射する方法であって、該方法は、
標的アイテムを照射区域内に導入するステップと、
実装面発光レーザーダイオード装置を使用して前記標的アイテムの所望の吸収特性と一致する放射熱出力の狭波長帯域で放射線を放出するステップであって、前記実装面発光レーザーダイオード装置は、前記装置からの照射パターンの中心軸が実装対象の最大平面に対して実質的に直角に向けられるように、回路基板および冷却基板のうちの少なくとも１つを含む前記実装対象に実装されている、ステップと、
前記照射装置に基づいて前記標的アイテムを照射するステップと、を含む方法。
【請求項１４】
前記標的アイテムが食品アイテムである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記標的アイテムが予備成形プラスチックボトルである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの装置によって標的に熱が注入される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの装置によって標的に熱が注入される、請求項２に記載のシステム。
【請求項１８】
前記装置によって標的に熱が注入される、請求項１０に記載のアレイ。
【請求項１９】
前記装置によって標的に熱が注入される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の磁気トンネル接合セルであって、
前記磁気トンネル接合セルは、
強磁性自由層と、
第１の固定基準層と、
第２の固定基準層とを備え、
各々は、前記基板に垂直な磁気異方性を有し、
前記自由層は、前記第１の固定基準層と前記第２の固定基準層との間にあり、かつ前記基板に垂直であるとともにスピントルクによって第１の方向から反対の第２の方向へ切換可能な磁化方向を有し、
前記自由層の磁化は、前記第１の固定基準層および前記第２の固定基準層の各々に結合される、磁気トンネル接合セル。
【請求項２】
前記自由層と前記第１の固定基準層との間に配置された第１の非磁気バリヤ層と、
前記自由層と前記第２の固定基準層との間に配置された第２の非磁気バリヤ層とをさらに備える、請求項１に記載の磁気トンネル接合セル。
【請求項３】
前記第１の固定基準層および前記第２の固定基準層の少なくとも一方は、不平衡合成反強磁性（ＳＡＦ）結合構造である、請求項１または２に記載の磁気トンネル接合セル。
【請求項４】
基板上の磁気メモリセルであって、
前記メモリセルは、
前記基板に垂直な磁気異方性および磁化を有する強磁性自由層を備え、前記磁化は、スピントルクによって切換可能であり、
前記メモリセルは、
前記基板に垂直に固定された磁気異方性および磁化を有する第１の固定基準層をさらに備え、前記第１の固定基準層は、前記基板と前記自由層との間に配置され、
前記メモリセルは、
前記自由層と前記第１の固定基準層との間に配置された第１の非磁気バリヤ層と、
前記基板に垂直に固定された磁気異方性および磁化を有する第２の固定基準層とをさらに備え、前記自由層は、前記第１の固定基準層と前記第２の固定基準層との間に配置され、
前記メモリセルは、
前記自由層と前記第２の固定基準層との間に配置された第２の非磁気バリヤ層をさらに備える、メモリセル。
【請求項５】
前記第１の固定基準層および前記第２の固定基準層は同じである、請求項４に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記第１の固定基準層と前記基板との間に配置された、第１の反強磁性材料（ＡＦＭ）層をさらに備える、請求項４または５に記載のメモリセル。
【請求項７】
第２の反強磁性材料（ＡＦＭ）層をさらに備え、前記第２の固定基準層は、前記第２のＡＦＭ層と前記第２の非磁気バリヤ層との間に配置される、請求項４〜６のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記第１の固定基準層と前記基板との間に配置された第１の反強磁性材料（ＡＦＭ）層と、
第２の反強磁性材料（ＡＦＭ）層とをさらに備え、
前記第２の固定基準層は、前記第２のＡＦＭ層と前記第２の非磁気バリヤ層との間に配置される、請求項４〜７のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記第１の固定基準層および前記第２の固定基準層の各々は、不平衡合成反強磁性（ＳＡＦ）結合構造であり、
前記メモリセルは、
前記第１の固定基準層と前記基板との間に配置された第１の反強磁性材料（ＡＦＭ）層と、
第２の反強磁性材料（ＡＦＭ）層とをさらに備え、
前記第２の固定基準層は、前記第２のＡＦＭ層と前記第２の非磁気バリヤ層との間に配置される、請求項４〜８のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記自由層、前記第１の固定基準層、および前記第２の固定基準層の各々は領域を有し、前記第２の固定基準層の領域は、前記自由層の領域よりも少ない、請求項４〜９のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項１１】
前記自由層の領域は、前記第１の固定基準層の領域よりも少ない、請求項１０に記載のメモリセル。
【請求項１２】
メモリアレイであって、
交点アレイを形成する複数のワードラインおよび複数のビットラインを備え、
請求項４〜１１のいずれか１項に記載の前記メモリセルは、前記アレイの交点に配置される、メモリアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの活性領域を有するワークピースを提供するステップ、
電気活性材料を含む液体組成物を前記ワークピースにおける前記活性領域上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、−２５〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の減圧下で、１〜１００分間の第１の期間の間処理して、部分乾燥層を形成するステップ、
前記部分乾燥層を、１〜５０分間の第２の期間の間１００℃を超える温度に加熱して乾燥層を形成するステップ、
を含み、前記乾燥層は、前記活性領域において実質的に平坦なプロファイルを有する、電気活性材料の層を形成する方法。
【請求項２】
陽極、陰極、および、これらの間の電気活性層を備え、前記電気活性層は、液相堆積により形成され、実質的に平坦なプロファイルを有する、少なくとも１つの活性領域を有する電子素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
明確さのために、本明細書において個別の実施形態の文脈で記載されている一定の特性はまた、単一の実施形態の組み合わせで提供されていてもよいことが認識されるべきである。反対に、簡潔さのために、単一の実施形態の文脈で記載されている種々の特性はまた、個別にまたは任意のサブコンビネーションで提供されていてもよい。さらに、範囲で記載されている値に対する言及は、その範囲内の値の各々および全てを含む。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．少なくとも１つの活性領域を有するワークピースを提供するステップ、
電気活性材料を含む液体組成物を前記ワークピースにおける前記活性領域上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、−２５〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の減圧下で、１〜１００分間の第１の期間の間処理して、部分乾燥層を形成するステップ、
前記部分乾燥層を、１〜５０分間の第２の期間の間１００℃を超える温度に加熱して乾燥層を形成するステップ、
を含み、前記乾燥層は、前記活性領域において実質的に平坦なプロファイルを有する、電気活性材料の層を形成する方法。
２．前記乾燥層が、前記活性領域の９０％にわたって＋／−１０％未満の厚さ変動を有する、１に記載の方法。
３．前記液体組成物が、インクジェット印刷および連続ノズルコーティングからなる群から選択される技術により堆積される、１に記載の方法。
４．前記ワークピースが複数の活性領域を有する、１に記載の方法。
５．前記電気活性材料が、ホスト材料および第１の色に対応する光活性ゲスト材料を含んでおり、および、前記液体組成物が、前記活性領域の第１の部分に堆積される、４に記載の方法。
６．第２のホスト材料および第２の色に対応する第２の光活性ゲスト材料を含む第２の液体組成物が、前記活性領域の第２の部分に堆積される、５に記載の方法。
７．第３のホスト材料および第３の色に対応する第３の光活性ゲスト材料を含む第３の液体組成物が、前記活性領域の第３の部分に堆積される、６に記載の方法。
８．前記電気活性材料が正孔注入材料から本質的に構成される、１に記載の方法。
９．前記電気活性材料が正孔輸送材料から本質的に構成される、１に記載の方法。
１０．前記ワークピース上の前記湿潤層が、２０〜８０℃の範囲内の温度、１０-2〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜２５分間の時間の間処理される、１に記載の方法。
１１．前記ワークピース上の前記湿潤層が、３０〜６０℃の範囲内の温度、１０-2〜１Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜１５分間の時間の間処理される、１に記載の方法。
１２．前記ワークピース上の前記湿潤層が、−２５〜１０℃の範囲内の温度、１〜１０００Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜２５分間の時間の間処理される、１に記載の方法。
１３．前記ワークピース上の前記湿潤層が、−１０〜０℃の範囲内の温度、１０〜１００Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜１５分間の時間の間処理される、１に記載の方法。
１４．前記減圧が、１０-4〜１０-6Ｔｏｒｒの範囲内である、１に記載の方法。
１５．前記減圧が、乾燥真空ポンプ、ターボポンプ、回転真空ポンプ、油拡散ポンプ、低温ポンプおよび吸着ポンプからなる群から選択されるポンプにより減圧される、１４に記載の方法。
１６．前記ポンプがターボ分子ポンプである、１５に記載の方法。
１７．陽極、陰極、および、これらの間の電気活性層を備え、前記電気活性層は、液相堆積により形成され、実質的に平坦なプロファイルを有する、少なくとも１つの活性領域を有する電子素子。
１８．前記電気活性層が光活性層である、１７に記載の素子。
１９．前記電気活性層が発光層である、１８に記載の素子。
２０．前記電気活性層が正孔輸送層である、１７に記載の素子。
２１．前記電気活性層が正孔注入層である、１７に記載の素子。
２２．前記活性領域が、物理的閉じ込め構造によってサブピクセル領域に分けられており、前記電気活性層が前記サブピクセル領域中にある、１７に記載の素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加工物上に規則的アレイをサブピクセル行印刷する方法において、前記サブピクセルがｃ種類の異なる色を有しかつサブピクセルピッチｓを有する方法であって、
（ａ）  ｐというノズル間間隔を伴って行の形で配置されたｚ個のノズルを有するプリントヘッドを提供するステップであって、ｚ＝ｎ1（ｃ）、ｐ＝（ｃ−１）（ｓ）であり、前記プリントヘッドが前記加工物に対して第１の位置にあるステップと；
（ｂ）  前記ｃ種類の色の各々について1つずつのc種類の異なる印刷用インクを提供するステップと；
（ｃ）  規則的な交互パターンで前記ノズルに前記印刷用インクの各々を供給するステップと；
（ｄ）  前記プリントヘッドでｚ行のサブピクセルの第1のセットを印刷するステップと；
（ｅ）  前記プリントヘッドに対して横方向に前記加工物を距離ｄ1だけ移動させるステップであって、ｄ1＝ｚ（ｓ）であるステップと；
（ｆ）  前記プリントヘッドでｚ行のサブピクセルの第２のセットを印刷するステップと；
（ｇ）  ｚ行のサブピクセルを合計で（ｎ2＋２）セットのために、（ｅ）ステップおよび（ｆ）ステップをｎ2回反復するステップと、
を含み、
ｃは、１より大きい整数であり；
ｎ1は、ｃが奇数である場合にはｎ1も奇数であることを条件として、０より大きい整数であり；
ｎ2は０よりも大きい整数である、
方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本明細書中において、明確さを期して別個の実施形態に関連して記述されている一部の特徴を、単一の実施形態の中に組合せた形で提供してもよい、ということを認識すべきである。反対に、簡略化のため単一の実施形態に関連して記述されているさまざまな特徴を、別個に、または任意の下位組合せの形で提供してもよい。本明細書中で規定されているさまざまな範囲内の数値の使用は、あたかもその提示された範囲内の最小値および最大値の両方の前に「約」という語があるかのように、近似値として提示されてもよい。このようにして、提示された範囲の上下のわずかな変形形態を用いて、範囲内の値と実質的に同じ結果を達成することができる。同様に、これらの範囲の開示は、１つの値の一部の成分を異なる値の一部の成分と混合した場合に結果としてもたらされ得る少数値を含めた最小および最大平均値の間の全ての値を含む連続的範囲として意図されている。さらに、より広い範囲およびより狭い範囲が開示されている場合、１つの範囲からの最小値を、別の範囲からの最大値と整合させることおよびその逆が、本発明が企図するものの中に入る。
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．加工物上に規則的アレイをサブピクセル行印刷する方法において、前記サブピクセルがｃ種類の異なる色を有しかつサブピクセルピッチｓを有する方法であって、
（ａ）  ｐというノズル間間隔を伴って行の形で配置されたｚ個のノズルを有するプリントヘッドを提供するステップであって、ｚ＝ｎ1（ｃ）、ｐ＝（ｃ−１）（ｓ）であり、前記プリントヘッドが前記加工物に対して第１の位置にあるステップと；
（ｂ）  前記ｃ種類の色の各々について1つずつのc種類の異なる印刷用インクを提供するステップと；
（ｃ）  規則的な交互パターンで前記ノズルに前記印刷用インクの各々を供給するステップと；
（ｄ）  前記プリントヘッドでｚ行のサブピクセルの第1のセットを印刷するステップと；
（ｅ）  前記プリントヘッドに対して横方向に前記加工物を距離ｄ1だけ移動させるステップであって、ｄ1＝ｚ（ｓ）であるステップと；
（ｆ）  前記プリントヘッドでｚ行のサブピクセルの第２のセットを印刷するステップと；
（ｇ）  ｚ行のサブピクセルを合計で（ｎ2＋２）セットのために、（ｅ）ステップおよび（ｆ）ステップをｎ2回反復するステップと、
を含み、
ｃは、１より大きい整数であり；
ｎ1は、ｃが奇数である場合にはｎ1も奇数であることを条件として、０より大きい整数であり；
ｎ2は０よりも大きい整数である、
方法。
２．ｃが２、３または４である、１に記載の方法。
３．ｎ1が少なくとも２である、１に記載の方法。
４．ｃ＝２であり、かつｎ1＝４〜８、ｎ2＝３である、１に記載の方法。
５．ｃ＝３であり、かつｎ1＝３または５である、１に記載の方法。
６．ｃ＝４であり、ｎ1＝２〜４である、１に記載の方法。
７．各々の印刷用インクが電界発光材料と液体媒質を含む、１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム形成性材料および少なくとも１種の溶剤を含む液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、凝縮器を備える減圧チャンバ中に入れるステップ；および
前記湿潤層を、−２５°〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で１〜１００分間の間処理するステップ、
を含み、前記凝縮器は、前記溶剤が前記適用された減圧で液体として凝縮されることとなる温度で維持される、減圧乾燥方法。
【請求項２】
電気活性材料の層を形成する方法であって、
少なくとも１つの活性領域を有するワークピースを提供するステップ、
前記電気活性材料および少なくとも１種の溶剤を含む液体組成物を、前記活性領域において前記ワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、凝縮器を備える減圧チャンバに入れるステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、−２５°〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の減圧下で、１〜１００分間の第１の期間の間処理して部分乾燥層を形成するステップであり、前記凝縮器は、前記適用された減圧で前記溶剤が液体として凝縮されることとなる温度で維持されるステップ、
前記部分乾燥層を、１〜５０分間の第２の期間の間１００℃を超える温度に加熱して乾燥層を形成するステップ
を含み、
前記乾燥層は、前記活性領域において実質的に平坦なプロファイルを有する、電気活性材料の層を形成する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
明確さのために、本明細書において個別の実施形態の文脈で記載されている一定の特性はまた、単一の実施形態の組み合わせで提供されていてもよいことが認識されるべきである。反対に、簡潔さのために、単一の実施形態の文脈で記載されている種々の特性はまた、個別にまたは任意のサブコンビネーションで提供されていてもよい。さらに、範囲で記載されている値に対する言及は、その範囲内の値の各々および全てを含む。
本出願は、特許請求の範囲に記載の発明を含め、以下の発明を包含する。
（１）  フィルム形成性材料および少なくとも１種の溶剤を含む液体組成物をワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、凝縮器を備える減圧チャンバ中に入れるステップ；および
前記湿潤層を、−２５°〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の適用された減圧下で１〜１００分間の間処理するステップ、
を含み、前記凝縮器は、前記溶剤が前記適用された減圧で液体として凝縮されることとなる温度で維持される、減圧乾燥方法。
（２）  前記凝縮器が表面凝縮器である、（１）に記載の方法。
（３）  前記表面凝縮器が、コイルおよびプレートからなる群から選択される、（２）に記載の方法。
（４）  前記凝縮器が２０℃未満の温度で維持される、（１）に記載の方法。
（５）  前記凝縮器が、−１５〜１５℃の範囲内の温度で維持されている、（１）に記載の方法。
（６）  前記減圧チャンバが、凝縮された溶剤を前記チャンバから除去する手段をさらに備える、（１）に記載の方法。
（７）  前記溶剤が１０-2Ｔｏｒｒ未満の蒸気圧を有する、（１）に記載の方法。
（８）  電気活性材料の層を形成する方法であって、
少なくとも１つの活性領域を有するワークピースを提供するステップ、
前記電気活性材料および少なくとも１種の溶剤を含む液体組成物を、前記活性領域において前記ワークピース上に堆積させて湿潤層を形成するステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、凝縮器を備える減圧チャンバに入れるステップ、
前記ワークピース上の前記湿潤層を、−２５°〜８０℃の範囲内の制御温度、および、１０-6〜１，０００Ｔｏｒｒの範囲内の減圧下で、１〜１００分間の第１の期間の間処理して部分乾燥層を形成するステップであり、前記凝縮器は、前記適用された減圧で前記溶剤が液体として凝縮されることとなる温度で維持されるステップ、
前記部分乾燥層を、１〜５０分間の第２の期間の間１００℃を超える温度に加熱して乾燥層を形成するステップ
を含み、
前記乾燥層は、前記活性領域において実質的に平坦なプロファイルを有する、電気活性材料の層を形成する方法。
（９）  前記乾燥層が、前記活性領域の９０％にわたって＋／−１０％未満の厚さ変動を有する、（８）に記載の方法。
（１０）  前記液体組成物が、インクジェット印刷および連続ノズルコーティングからなる群から選択される技術により堆積される、（８）に記載の方法。
（１１）  前記ワークピースが複数の活性領域を有する、（８）に記載の方法。
（１２）  前記電気活性材料が、ホスト材料および第１の色に対応する光活性ゲスト材料を含み、および、前記液体組成物が、前記活性領域の第１の部分に堆積される、（１１）に記載の方法。
（１３）  第２のホスト材料および第２の色に対応する第２の光活性ゲスト材料を含む第２の液体組成物が、前記活性領域の第２の部分に堆積される、（１２）に記載の方法。
（１４）  第３のホスト材料および第３の色に対応する第３の光活性ゲスト材料を含む第３の液体組成物が、前記活性領域の第３の部分に堆積される、（１３）に記載の方法。
（１５）  前記凝縮器が表面凝縮器である、（８）に記載の方法。
（１６）  前記凝縮器が、２０℃未満の温度で維持される、（８）に記載の方法。
（１７）  前記凝縮器が、−１５°〜１５℃の範囲内の温度で維持されている、（８）に記載の方法。
（１８）  前記減圧チャンバが、凝縮された溶剤を前記チャンバから除去する手段をさらに備える、（８）に記載の方法。
（１９）  前記ワークピース上の前記湿潤層が、２０〜８０℃の範囲内の温度、１０-2〜１０Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜２５分間の時間処理される、（８）に記載の方法。
（２０）  前記ワークピース上の前記湿潤層が、３０〜６０℃の範囲内の温度、１０-2〜１Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜１５分間の時間の間処理される、（８）に記載の方法。
（２１）  前記ワークピース上の前記湿潤層が、−２５°〜１０℃の範囲内の温度、１〜１０００Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜２５分間の時間の間処理される、（８）に記載の方法。
（２２）  前記ワークピース上の前記湿潤層が、−１０〜０℃の範囲内の温度、１０〜１００Ｔｏｒｒの範囲内の圧力で、５〜１５分間の時間の間処理される、（８）に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの他の端末を備えるメッシュ・ブロードキャスト・ネットワークにおいて、マルチ・セクタ・アンテナを有する端末の較正方法であって、
較正対象である前記端末の前記アンテナの前記セクタの少なくとも１つを選択するステップと、
前記メッシュ・ブロードキャスト・ネットワークに存在する他の端末によって送信された識別信号および受信信号レベル情報を、前記選択されたセクタによって受信するステップと、
各選択されたセクタごとに、ネットワーク端末の受信された異なる識別信号および受信信号レベル情報の対応する項目を、較正対象である前記端末のメモリに格納するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
較正対象である前記端末の前記アンテナ・セクタの前記選択は、各セクタに関連づけられた切換え手段のコマンドによって行われることを特徴とする請求項１に記載の較正方法。
【請求項３】
各アンテナ・セクタの少なくとも１つの動作周波数に適用されることを特徴とする請求項１に記載の較正方法。
【請求項４】
前記較正は、一定の間隔で繰り返されることを特徴とする請求項１に記載の較正方法。
【請求項５】
少なくとも１つの他の端末を含む、マルチ・セクタ・アンテナを備えるメッシュ・ネットワークの端末であって、前記アンテナ・セクタの少なくとも１つに関して、前記メッシュ・ネットワークに存在する前記他の端末それぞれによって送信される、受信した識別信号、及び、前記受信された識別信号レベルに対応する情報を記憶するためのメモリも備え、それゆえに、前記ネットワークの前記他の端末に関して前記端末の較正を可能にすることを特徴とする端末。
【請求項６】
切換え手段は、各アンテナ・セクタに関連づけられ、それゆえに、各アンテナ・セクタの逐次的または連続した選択を可能にすることを特徴とする請求項５に記載のメッシュ・ネットワークの端末。
【請求項７】
前記マルチ・セクタ・アンテナは、デュアルバンドであることを特徴とする請求項５に記載のメッシュ・ネットワークの端末。
【請求項８】
ローパスフィルタまたはノッチフィルタは、各アンテナ・セクタに関連づけられることを特徴とする請求項７に記載のメッシュ・ネットワークの端末。
【請求項９】
請求項５から８で定義される複数の端末によって形成されることを特徴とするメッシュ・ネットワーク。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月28日(2013.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁導体の複数のツイストペアと、
金属形状の少なくとも１つの層と絶縁基板とを有する、積層フィルムであって、前記フィルムは、前記複数のツイストペアに巻き付けられ、前記金属形状は、前記積層フィルムの金属層から形成される積層フィルムと、を備え、
前記金属形状は、約０.５ミルないし約８ミルの範囲の幅を有するギャップによって、相互に分離されることを特徴とする通信ケーブル。
【請求項２】
第１のケーブルの第１の端部に機械的に取り付けられ、前記絶縁導体の複数のツイストペアに電気的に接続される第１の端部コネクタと、
前記第１のケーブルの第２の端部に機械的に取り付けられ、前記絶縁導体の複数のツイストペアに電気的に接続される第２の端部コネクタと、をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項３】
前記金属形状は、ランダム配置で、前記積層フィルム上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項４】
前記金属形状は、疑似ランダム配置で、前記積層フィルム上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項５】
前記金属形状は、前記フィルムに沿って縦方向に反復するパターンで、前記積層フィルム上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項６】
前記積層フィルムは、前記絶縁基板と前記金属層との間に、接着層を含むことを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項７】
前記接着層は、レーザ切断の間にレーザ光線を吸収するように構成される着色顔料を含むことを特徴とする請求項６に記載の通信ケーブル。
【請求項８】
前記金属層から前記絶縁基板の反対側に第２の金属層をさらに備え、前記第２の金属層は、レーザ切断によって形成される第２の組の金属形状を有することを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項９】
前記パターンは、０.１ｍないし１００ｍの範囲から選択されるパターン長を有することを特徴とする請求項５に記載の通信ケーブル。
【請求項１０】
前記金属形状は、前記金属形状と前記絶縁導体のツイストペアとの間に所望されない電磁結合を形成しないように選択される、固定長を有することを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項１１】
前記金属形状は、前記絶縁導体のツイストペアの効果的なペア撚り長さの整数または半整数倍数を避けるように選択される長さを有することを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項１２】
前記金属形状は複数の列に形成されることを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項１３】
前記金属形状は少なくとも三つの列に形成されることを特徴とする請求項１２に記載の通信ケーブル。
【請求項１４】
前記金属形状は、約０.１マイクロメートルないし約１００マイクロメートルの範囲内の厚みを有することを特徴とする請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項１５】
絶縁導体の複数のツイストペアと、
少なくとも１つの吸収層と、少なくとも１つの金属層と、少なくとも１つの絶縁基板層とを有する、積層フィルムであって、前記フィルムは、前記複数のツイストペアに巻き付けられ、前記金属層は、前記積層フィルムの前記金属層から形成される複数の金属形状を備える、積層フィルムと、を備え、
前記金属形状は、約０.５ミルないし約８ミルの範囲の幅を有するギャップによって、相互に分離されることを特徴とする通信ケーブル。