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【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＲＧＢ信号を入力信号とする方式と、輝度色差信号を前記入力信号とする方式とに対応する表示装置であって、
複数の画素を有する表示パネルと、
前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき、前記輝度色差信号を第２のＲＧＢ信号に変換するビデオフォーマット変換回路と、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるとき前記第１のＲＧＢ信号を選択し、前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき前記第２のＲＧＢ信号を選択して前記画素へと出力する入力切替回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１のＲＧＢ信号を入力信号とする方式と、輝度色差信号を前記入力信号とする方式とに対応する表示装置であって、
複数の画素を有する表示パネルと、
前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき、前記輝度色差信号をデジタル形式の第２のＲＧＢ信号に変換するビデオフォーマット変換回路と、
前記デジタル形式の第２のＲＧＢ信号をアナログ形式の第３のＲＧＢ信号に変換するＤＡ変換回路と、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるとき前記第１のＲＧＢ信号を選択し、前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき前記第３のＲＧＢ信号を選択して前記画素へと出力する入力切替回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１のＲＧＢ信号を入力信号とする方式と、輝度色差信号を前記入力信号とする方式とに対応する表示装置であって、
複数の画素を有する表示パネルと、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるか前記輝度色差信号であるかを判別する信号判別回路と、
前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき、前記輝度色差信号を第２のＲＧＢ信号に変換するビデオフォーマット変換回路と、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるとき前記第１のＲＧＢ信号を選択し、前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき前記第２のＲＧＢ信号を選択して前記画素へと出力する入力切替回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１のＲＧＢ信号を入力信号とする方式と、輝度色差信号を前記入力信号とする方式とに対応する表示装置であって、
複数の画素を有する表示パネルと、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるか前記輝度色差信号であるかを判別する信号判別回路と、
前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき、前記輝度色差信号をデジタル形式の第２のＲＧＢ信号に変換するビデオフォーマット変換回路と、
前記デジタル形式の第２のＲＧＢ信号をアナログ形式の第３のＲＧＢ信号に変換するＤＡ変換回路と、
前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるとき前記第１のＲＧＢ信号を選択し、前記入力信号が前記輝度色差信号であるとき前記第３のＲＧＢ信号を選択して前記画素へと出力する入力切替回路とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記入力切替回路は、前記信号判別回路の前記判別の結果として生成されるモード信号に応じて前記選択を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、
前記ビデオフォーマット変換回路は、前記信号判別回路の前記判別の結果として生成されるモード信号に応じて前記変換を行うことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記信号判別回路は、前記入力信号が伝送されるバスラインの本数から、前記入力信号が前記第１のＲＧＢ信号であるか前記輝度色差信号であるかを判別して前記モード信号を生成することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記入力切替回路からの出力を、前記画素に入力するコントローラを有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが面積の異なる第１階調領域と第２階調領域とに分割された複数のサブ画素であり、水平方向で隣接した二つのサブ画素間では第１階調領域と第２階調領域とが上下方向で反対に配列された複数のサブ画素、
サブ画素の第１階調領域と第２階調領域とを独立に駆動する複数の薄膜トランジスタ、
前記薄膜トランジスタに接続され、サブ画素の第１階調領域には第１データ信号を供給し、第２階調領域には第２データ信号を供給する複数のデータライン、及び、
前記薄膜トランジスタを水平同期期間単位で駆動するゲートライン、
を具備する液晶パネル。
【請求項２】
サブ画素の第１階調領域と第２階調領域とがＶ字形であり、各Ｖ字形の頂点が水平方向に配列され、前記第１階調領域と前記第２階調領域とのそれぞれの両辺が水平方向に対して対称に折れ曲がっている、請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記複数のゲートラインの一つが前記第１階調領域と前記第２階調領域との各Ｖ字形の頂点に重なり、前記複数のゲートラインの別の一つが、上下方向で隣接する二つのサブ画素間の境界部と重なっている、請求項２に記載の液晶パネル。
【請求項４】
前記液晶パネルが、前記境界部と重なっているストレージライン、を更に具備し、
前記ストレージラインに近接し、又は重なっている接続部によって前記薄膜トランジスタがサブ画素の第１階調領域と第２階調領域とのそれぞれの画素電極に接続された、
請求項３に記載の液晶パネル。
【請求項５】
同じサブ画素に含まれる第１階調領域と第２階調領域との間の面積比率が（１．５〜３）：１である、請求項１に記載の液晶パネル。
【請求項６】
それぞれが面積の異なる第１階調領域と第２階調領域とに分割された複数のサブ画素であり、水平方向で隣接する二つのサブ画素間では第１階調領域と第２階調領域とが上下方向で反対に配列された複数のサブ画素、
サブ画素の第１階調領域と第２階調領域とを独立に駆動する複数の薄膜トランジスタ、
前記薄膜トランジスタに接続され、サブ画素の第１階調領域には第１データ信号を供給し、第２階調領域には第２データ信号を供給する複数のデータライン、及び、
前記薄膜トランジスタを水平同期期間単位で駆動するゲートライン、
を具備する液晶パネル、を駆動する方法であり、
ルックアップテーブルを用いて入力データ信号を前記第１データ信号と前記第２データ信号とに変調する段階、
前記第１データ信号と前記第２データ信号とを交互に出力する段階、
ガンマ電圧を用いて前記第１データ信号と前記第２データ信号とを交互にアナログ信号に変換する段階、及び、
アナログ信号に変換された前記第１データ信号と前記第２データ信号とを水平同期期間ごとに交互に前記複数のデータラインのそれぞれに同期して供給する段階、
を含む、液晶パネルの駆動方法。
【請求項７】
サブ画素の第１階調領域と第２階調領域とがＶ字形であり、各Ｖ字形の頂点が水平方向に配列され、前記第１階調領域と前記第２階調領域とのそれぞれの両辺が水平方向に対して対称に折れ曲がっている、請求項６に記載の液晶パネルの駆動方法。
【請求項８】
同じサブ画素に含まれる第１階調領域と第２階調領域との間の面積比率が（１．５〜３）：１である、請求項６に記載の液晶パネルの駆動方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶パネルの駆動方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線とソース配線によって定義された複数の画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、
ゲート配線とソース配線とに連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、
前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の厚さは、前記光の赤色ピーク波長帯に依存する（ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項４記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式１によって定義されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【数１】
2007086782.tif 000001
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項７】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項６記載のアレイ基板。
【請求項８】
光を用いて画像を表示する液晶表示パネルにおいて、
ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚さで前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを含むアレイ基板と、
前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項９】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項８記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項９記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項９記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示パネル。
【請求項１３】
前記対向基板は、カラーフィルタパターンを含むことを特徴とする請求項８記載の液晶表示パネル。
【請求項１４】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式２によって定義されることを特徴とする請求項８記載の液晶表示パネル。
【数２】
2007086782.tif 000002
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、前記第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項１５】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項１４記載の液晶表示パネル。
【請求項１６】
光を発生する光源と、
ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第１絶縁膜と前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚で前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１７】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【請求項１８】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項１９記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は下記の数式３によって定義されることを特徴とする請求項１６記載の液晶表示装置。
【数３】
2007086782.tif 000003
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項２２】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項２１記載の液晶表示装置。
【請求項２３】
ゲート配線とソース配線によって定義される画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、
ゲート配線とソース配線に連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチイング素子と電気的に連結される画素電極と、
前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の変動を最小化させるように調節されることを特徴とするアレイ基板。
【請求項２４】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板。
【請求項２５】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板。
【請求項２６】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板。
【請求項２７】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項２６記載のアレイ基板。
【請求項２８】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記光の赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式４によって定義されることを特徴とする請求項２３記載のアレイ基板。
【数４】
2007086782.tif 000004
ここで、Ｎは、第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項２９】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項２８記載のアレイ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプの光が側部から入射される入射面と、
前記入射面の端部から前記入射面に対して垂直な出射面と、
前記出射面と対向する反射面と、
を含み、
前記出射面には複数の帯形状の構造物が同心円を成すように配置された集光パターンが形成されることを特徴とする光学板。
【請求項２】
前記集光パターンは、フレネルレンズ形状を有することを特徴とする請求項１記載の光学板。
【請求項３】
前記反射面には、光を拡散反射するための拡散パターンが形成されることを特徴とする請求項１記載の光学板。
【請求項４】
ランプからの光が入射される入射面、及び前記入射面と対向する出射面を含む拡散板と、
複数の凸レンズからなるレンズアレイを有し、前記凸レンズの凸面が前記出射面に接触するように拡散板に付着されたレンズシートと、
を含むことを特徴とする光学板。
【請求項５】
前記凸レンズは、半楕円体形状を有することを特徴とする請求項４記載の光学板。
【請求項６】
前記入射面にはフレネルレンズ形状を有する集光パターンが形成されることを特徴とする請求項４記載の光学板。
【請求項７】
前記入射面には複数の帯形状の構造物が同心円を成す集光パターンが形成された集光シートが付着されることを特徴とする請求項４記載の光学板。
【請求項８】
透明樹脂板の出射面にコーティング液を塗布する段階と、
集光パターンに対応される溝を有するモールドを介して前記コーティング液を成型してプリズム機能を有する複数の帯形状の構造物が同心円を成す集光パターンを形成する段階と、
前記コーティング液を硬化する段階と、
前記出射面と向き合う前記透明樹脂板の反射面に拡散パターンを形成する段階と、を更に含み、
前記コーティング液は紫外線硬化性樹脂からなり、前記集光パターンはフレネルレンズ形状を有することを特徴とする光学板の製造方法。
【請求項９】
拡散板の出射面上に複数の凸レンズからなるレンズアレイを有するレンズシートを前記凸レンズが前記出射面に接触するように形成する段階と、
前記出射面と向き合う前記拡散板の入射面上に複数の帯形状の構造物が同心円を成す集光パターンを形成する段階と、
を含み、
前記レンズシートを形成する段階は、
ベースフィルム上にコーティング液をコーティングする段階と、
前記レンズアレイに対応される溝を有する第１マスターフィルムを介して前記コーティング液を成型する段階と、
前記第１マスターフィルムを介して成型された前記コーティング液を硬化して前記レンズシートを製造する段階と、
前記レンズシートを前記拡散板の出射面に前記凸レンズが前記出射面に接触するように付着する段階と、を含むことを特徴とし、
前記集光パターンを形成する段階は、
ベースフィルム上にコーティング液をコーティングする段階と、
前記集光パターンに対応される溝を有する第２マスターフィルムを介して前記コーティング液を成型する段階と、
前記第２マスターフィルムを介して成型された前記コーティング液を硬化して集光シートを製造する段階と、
前記集光シートを前記拡散板の入射面に付着する段階と、を含むことを特徴とする光学板の製造方法。
【請求項１０】
光を発生するランプと、
側部に配置された前記ランプからの光が入射される入射面、前記入射面の上辺から垂直に延長された出射面、及び前記出射面と向き合う反射面を含み、前記出射面には複数の帯形状の構造物が同心円を成す集光パターンが形成された光学板と、
前記光学板の前記出射面上に配置され画像を表示する表示パネルと、
を含み、
前記凸レンズは半楕円体形状を有し、前記集光パターンはフレネルレンズ形状を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外面を有し、部分的に液化することが可能な組成物層を含有する感光性要素から、レリーフパターンを形成するための方法であって、
前記外面を、前記層の一部を液化させるのに十分な温度にまで加熱するステップと、
前記外面に接触し、前記外面に平行な方向の張力下にある吸収材料を含んだ現像媒体を、前記外面に提供するステップと、
前記現像媒体および前記外面を押圧して、液化した材料の少なくとも一部が前記吸収材料によって除去されるのに十分な圧力で接触させるステップと
を含み、
前記現像媒体が、前記吸収材料に隣接しかつ前記外面とは反対側にあり、前記外面に平行な方向の張力下にある柔軟な支持体をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記現像媒体と、前記現像媒体を支持する接触部材との間に、相対運動をもたらすステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記吸収材料は弾性率を有し、前記現像媒体は、前記吸収材料の弾性率よりも大きい弾性率を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
この結果は、弾性率および降伏点により決定されたように、吸収材料（すなわち不織布）と支持体（すなわちポリエステルフィルム）との組合せによって、吸収材料だけの場合に比べ、改善された機械的強度が提供されたことを実証している。吸収材料と支持体との組合せによる機械的強度の改善は、熱現像中に経験したように、室温および高温で観察された。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  外面を有し、部分的に液化することが可能な組成物層を含有する感光性要素から、レリーフパターンを形成するための方法であって、
前記外面を、前記層の一部を液化させるのに十分な温度にまで加熱するステップと、
前記外面に接触し、張力下で前記外面に平行な方向にある吸収材料を含んだ現像媒体を、前記外面に提供するステップと、
前記現像媒体および前記外面を押圧して、液化した材料の少なくとも一部が前記吸収材料によって除去されるのに十分な圧力で接触させるステップと
を含み、
前記現像媒体が、前記吸収材料に隣接しかつ前記外面とは反対側にある支持体をさらに含むことを特徴とする方法。
［２］  前記現像媒体と前記感光性要素との間に相対運動をもたらすステップをさらに含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［３］  前記現像媒体と、前記現像媒体を支持する接触部材との間に、相対運動をもたらすステップをさらに含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［４］  前記接触部材は、楕円形、放物線状、弓形、円形、半円形、楔形、三角形、長方形、および多角形からなる群から選択された断面形状を有することを特徴とする［３］に記載の方法。
［５］  前記現像媒体を提供するステップは、押圧前に現像媒体のウェブを形成するために、第１のウェブとして吸収材料を供給すること、および第２のウェブとして支持体を供給することを含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［６］  前記支持体は、ポリエチレンテレフタレートフィルムおよびポリエチレンナフタレートからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［７］  前記吸収材料は、不織材料、繊維織布材料、用紙、多孔質材料、連続気泡フォーム、およびこれらの組合せからなる群から選択されることを特徴とする［１］に記載の方法。
［８］  前記吸収材料は弾性率を有し、前記現像媒体は、前記吸収材料の弾性率よりも大きい弾性率を有することを特徴とする［１］に記載の方法。
［９］  前記加熱するステップの前に、前記感光性要素を化学線で画像通りに露光するステップをさらに含むことを特徴とする［１］に記載の方法。
［１０］  ［９］に記載の方法により作製されたことを特徴とするフレキソ印刷フォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空室と、
前記真空室に接続され、前記真空室内の圧力を、前記真空室の外部環境の圧力よりも低い値にするための真空ポンプと、
テスト気体に関して選択的に透過可能であるとともに、前記真空室の少なくとも一部分を外部環境から分離する膜（３）と、
前記膜（３）を加熱する加熱手段（１７）と、
前記真空室における少なくとも１種の前記テスト気体の存在を検出する検出器と、
前記選択的に透過可能な膜（３）と関連付けられて、気体流を、外部環境から前記膜の近傍へ案内する流れ搬送部材（５、５´）と
を含むテスト気体の存在を検出する装置（１、１´）。
【請求項２】
前記流れ搬送部材（５、５´）は、
前記気体流を外部環境から前記膜（３）の近傍へ運ぶ取入ダクト（７；７´）と、
前記取入ダクト（７；７´）と連通し、前記膜（３）の表面に対向している拡散部材（９；９´）と、
前記拡散部材（９；９´）と連通して、前記気体流を排出させる取出ダクト（１１；１１´）と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
外部環境から、前記取入ダクト（７；７´）、前記拡散部材（９；９´）、および前記取出ダクト（１１；１１´）を連続的に介して、気体流をポンピングするためのポンピング装置に、前記搬送部材（５，５´）が関連付けられていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記取入ダクト（７；７´）に対応して、前記気体流を予備加熱する予備加熱装置（１３）が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記気体流を予備加熱する前記予備加熱装置が、電気的抵抗体（１３）を含むことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記取出ダクト（１１；１１´）の少なくとも一部分は、前記取入ダクト（７；７´）の少なくとも一部分に隣接して形成されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項７】
互いに隣接している、前記取出ダクト（１１；１１´）の前記少なくとも一部分と、前記取入ダクト（７；７´）の前記少なくとも一部分とは相互に平行であることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記取出ダクト（１１；１１´）の少なくとも一部分は、前記取入ダクト（７；７´）の少なくとも一部分を包囲するとともに、それと同軸である請求項２ないし５のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
前記取出ダクト（１１；１１´）の前記少なくとも一部分における前記気体流の方向は、前記取入ダクト（７；７´）の前記少なくとも一部分における前記気体流の方向と反対であることを特徴とする請求項６ないし８のいずれかに記載の装置。
【請求項１０】
前記流れ搬送部材（５、５´）は、セラミックまたはステンレススチールのような熱伝導性が限定された材料を用いて製造されていることを特徴とする請求項４ないし９のいずれかに記載の装置。
【請求項１１】
前記拡散部材（９；９´）は、前記取入ダクト（７；７´）の軸に対して実質的に垂直な面内で延びていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１２】
前記拡散部材（９；９´）は、前記膜（３）の前記表面を均一に覆っていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１３】
前記拡散部材は複数のチャネル（９´ａ、９´ｂ、９´ｃ….９´ｎ）を含み、これらのチャネルは、前記取入ダクト（７´）の一端部から始まり、前記膜（３）の表面全体に延びており、前記取出ダクト（１１´）の一端部と結合していることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１４】
前記膜（３）は、前記テスト気体を透過する材料で形成された厚みの薄い領域を複数個含み、そして、前記チャネル（９´ａ、９´ｂ、９´ｃ….９´ｎ）は、前記厚みの薄い領域に重なって形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１５】
前記流れ搬送部材（５）は、円錐状部分（５ｂ）の小径基部に結合した円筒状部分（５ａ）を含み、前記円錐状部分（５ｂ）の大径基部（５ｃ）は、前記膜（３）の前記表面に対向してそれに対して、たとえば接着により結合されていることを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項１６】
前記取入ダクト（７）は、前記流れ搬送部材の前記円筒状部分（５ａ）と前記円錐状部分（５ｂ）との軸に沿って延びており、
前記拡散部材（９）は、前記円錐状部分（５ｂ）の前記大径基部（５ｃ）に対応して形成され、
前記取出ダクト（１１）は、前記流れ搬送部材（５）の前記円錐状部分（５ｂ）の外表面に沿って、そして前記円筒状部分（５ａ）の外表面の一部分に沿って延びている
ことを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１７】
前記テスト気体が、ヘリウムであることを特徴とする請求項１ないし１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
真空ポンプに関連付けられた真空室を設ける工程であって、前記真空室の少なくとも一部分が、テスト気体を選択的に透過可能である膜（３）により、外部環境から分離されている工程と、
前記真空ポンプにより、前記真空室内の圧力を外部環境の圧力よりも低い圧力へ低減させる工程と、
前記膜（３）が前記テスト気体を透過可能になる温度まで、前記膜（３）を加熱する工程と、
外部環境から前記膜（３）の近傍へと気体を案内する工程と、
真空条件に関して前記真空ポンプにより吸収される電流の変化があれば、その変化を検出する工程と
を含むテスト気体の存在を検出する方法。
【請求項１９】
前記膜を通過した前記テスト気体の量を、前記電流の変化から取得する工程と、
前記膜を通過した前記テスト気体の前記量から、テスト対象の環境に存在する前記テスト気体の量を取得する工程と
をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記気体流を、外部環境から前記膜へ強制的に搬送する請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記膜（３）へ搬送される前に、前記気体流を予備加熱する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記膜（３）へと搬送された後に前記膜の前記表面を流れた流出する気体流から熱を少なくとも部分的に回収し、前記熱を流入する第２の気体流に伝達し、続いて、前記第２の気体流を、前記膜（３）へと強制的に搬送する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記気体流は、前記膜（３）の表面全体へ均一に搬送されることを特徴とする請求項１８ないし２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２４】
前記膜（３）は、前記テスト気体に対して高い透過性を有する領域と、前記テスト気体に対してほとんど透過性を有さない領域とを含み、前記気体流は、前記膜（３）において前記テスト気体に対して高い透過性を有する前記領域に選択的に搬送されることを特徴とする請求項１８ないし２２のいずれかに記載の方法。
【請求項２５】
前記テスト気体が、ヘリウムであることを特徴とする請求項１８ないし２２のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】粒子検出センサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に微小構造体と、薄膜トランジスタと、を有する検出部を有し、
前記微小構造体は、開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極と、で構成され、
前記一対の電極と検出対象物の接触により、前記一対の電極同士が接触状態又は非接触状態をとることを特徴とする粒子検出センサ。
【請求項２】
基板上に微小構造体と、薄膜トランジスタと、を有する検出部を有し、
前記微小構造体は、開口部が設けられた基体と、前記開口部に流入する気流の経路に設けられ、接触可能に設けられた一対の電極と、で構成され、
前記一対の電極と検出対象物の接触により、前記一対の電極同士が接触状態又は非接触状態をとり、
前記薄膜トランジスタは、前記基板上に設けられた半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層を介して前記半導体層上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられた第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層及び前記ゲート絶縁層に設けられた第１のコンタクトホールを介して、前記半導体層と電気的に接続されるソース電極又はドレイン電極と、
前記ソース電極又はドレイン電極上に設けられた第２の絶縁層と、で構成され、
前記微小構造体は、前記半導体層が設けられていない前記基板上の前記第２の絶縁層及び前記第１の絶縁層に設けられた第２のコンタクトホールからなる前記開口部と、
前記第２の絶縁層上に設けられ、前記開口部をまたいでブリッジ構造となる前記一対の電極と、で構成されることを特徴とする粒子検出センサ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記薄膜トランジスタは、前記微小構造体が有する前記一対の電極同士の接触状態又は非接触状態を検出する回路を構成することを特徴とする粒子検出センサ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記検出部を含む検出ユニットと接続され、前記粒子検出センサ内を減圧状態とする吸引ユニットを有することを特徴とする粒子検出センサ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、無線通信機能を有することを特徴とする粒子検出センサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記検出対象物は花粉であることを特徴とする粒子検出センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを真空処理する複数のプロセス処理装置と、ウェハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、前記複数のプロセス処理装置と前記カセット載置手段との間に設けた搬送手段と、該搬送手段を用いて前記カセット載置手段上に載置される任意のカセット内からウェハを前記各プロセス処理装置に搬入し、前記各プロセス処理装置で真空処理された処理済ウェハを搬出する搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、
前記カセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介して共通の処理を施す複数のプロセス処理装置へ順次搬送し、搬送したウェハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す処理、及び前記複数のカセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介してカセット毎にそれぞれ異なるプロセス処理装置へ搬送し、搬送したウェハにプロセス処理装置毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す処理の何れかを選択的に施すとともに処理を施した後のウェハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の真空処理装置において、
前記いずれかのプロセス処理装置に装置停止の必要が生じたとき、装置停止の必要が生じたプロセス処理装置に対するカセットからのウェハの搬出を中断し、前記装置停止の必要が生じたプロセス処理装置内のウェハをもとのカセットに戻したのち装置停止の必要がないプロセス処理装置に対するカセットからのウェハの搬出を継続し処埋を再開することを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
カセット載置手段に載置される任意のカセット内から搬送手段を介してウェハを複数のプロセス処理装置に搬送し、該ウェハの真空処理を行う真空処理方法において、
前記カセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介して共通の処理を施す複数のプロセス処理装置へ順次搬送し、搬送したウェハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す処理、及び前記複数のカセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介して各カセット毎にそれぞれ異なるプロセス処理装置へ搬送し、搬送したウェハにプロセス処理装置毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す処理の何れかを選択的に施すとともに処理を施した後のウェハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すことを特徴とする真空処理方法。
【請求項４】
請求項３記載の真空処理方法において、
前記いずれかのプロセス処理装置に装置停止の必要が生じたとき、装置停止の必要が生じたプロセス処理装置に対するカセットからのウェハの搬出を中断し、前記装置停止の必要が生じたプロセス処理装置内のウェハをもとのカセットに戻したのち装置停止の必要がないプロセス処理装置に対するカセットからのウェハの搬出を継続し処埋を再開することを特徴とする真空処埋方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、ウェハを真空処理する複数のプロセス処理装置と、ウェハを収納できる複数のカセットを載置し得るカセット載置手段と、前記複数のプロセス処理装置と前記カセット載置手段との間に設けた搬送手段と、該搬送手段を用いて前記カセット載置手段上に載置される任意のカセット内からウェハを前記各プロセス処理装置に搬入し、前記各プロセス処理装置で真空処理された処理済ウェハを搬出する搬送制御を行う制御手段とで構成された真空処理装置において、前記カセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介して共通の処理を施す複数のプロセス処理装置へ順次搬送し、搬送したウェハに共通のレシピを適用して共通の処理を施す処理、及び前記複数のカセット内に収納された複数のウェハを前記搬送手段を介してカセット毎にそれぞれ異なるプロセス処理装置へ搬送し、搬送したウェハにプロセス処理装置毎に異なるレシピを適用して異なる処理を施す処理の何れかを選択的に施すとともに処理を施した後のウェハを前記搬送手段を介してもとのカセットに戻すようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
宛先毎に2個以上の優先度別出力キューを持つ複数個の送信元ノードと、前記複数個の
送信ノードから投入されたデータを、その宛先毎に均等に配信するスイッチと、前記スイ
ッチからデータを受信する複数個の宛先ノードにより構成するスイッチファブリックにお
ける優先度帯域制御方法であって、
各送信元ノードは、
各々が管理するスイッチの宛先毎の受信バッファ空き容量が、設定した輻輳閾値以下とな
ったら当該宛先が輻輳しているとみなし、当該宛先に対し、前記優先度別出力キューから
のデータ出力を優先度に応じて予め設定した帯域まで制限し、
また、前記宛先毎の受信バッファ空き容量が設定した輻輳解除閾値以上となったら当該宛
先の輻輳が解除されたとみなし、前記の優先度に応じた帯域制限を解除することを特徴と
するスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項２】
宛先毎に2個以上の優先度別出力キューを持つ複数個の送信元ノードと、前記複数個の
送信ノードから分割してそれぞれ投入されたデータを、その宛先毎に均等に配信する複数
個のスイッチと、前記スイッチからデータを受信する複数個の宛先ノードとを持ち、全て
の前記送信元ノードと全ての前記宛先ノードが、前記複数個のスイッチ全てに対し接続を
持つスイッチファブリックにおける優先度帯域制御方法であって、
各送信元ノードは、
各々が管理するスイッチの宛先毎の受信バッファ空き容量が、設定した輻輳閾値以下とな
ったら当該宛先が輻輳しているとみなし、当該宛先に対し、前記優先度別出力キューから
のデータ出力を優先度に応じて予め設定した帯域まで制限し、
また、前記宛先毎の受信バッファ空き容量が設定した輻輳解除閾値以上となったら当該宛
先の輻輳が解除されたとみなし、前記の優先度に応じた帯域制限を解除することを特徴と
するスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項３】
請求項１に記載の優先度帯域制御方法において、ある送信元ノードからのデータが複数
の宛先へ配信すべきマルチキャストデータである場合、当該宛先のうち少なくとも一つが
輻輳状態にあれば、当該マルチキャストの全ての宛先に対し、前記優先度別出力キューか
らのデータ出力を優先度に応じて、予め設定した帯域まで制限することを特徴とするスイ
ッチの優先度帯域制御方法。
【請求項４】
請求項１に記載の優先度帯域制御方法において、送信元ノードが管理するスイッチの宛
先毎の受信バッファ空き容量を複数の宛先で共有する方法及びスイッチシステム。
【請求項５】
請求項１に記載の優先度帯域制御方法において、前記優先度別出力キューからのデータ
出力を優先度に応じて予め設定した帯域まで制限している時に、送信元ノードから可変長
データを固定長データに分割し、帯域制限にかからない量ずつだけ固定長データを出力す
ることを特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項６】
請求項１に記載の優先度帯域制御方法において、前記優先度別出力キューからのデータ
出力を優先度に応じて予め設定した帯域まで制限している時に、送信元ノードから可変長
データの先頭の取り出しに成功したら、スイッチの当該宛先の受信バッファ空き容量があ
る限り、可変長データを固定長データに分割し、帯域制限に拠らずデータを出力すること
を特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項７】
請求項１に記載の優先度帯域制御方法において、ある送信元からある宛先への経路毎に
複数個のスイッチデバイスでスイッチステージを構成し、送信元で管理するスイッチの宛
先毎の受信バッファ空き容量は、送信元ノードに最も近いステージのスイッチの宛先毎に
管理することを特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。    
【請求項８】
宛先毎に2個以上の優先度別出力キューを持つ複数個の送信元ノードと、
前記複数個の送信ノードから投入されたデータを、その宛先毎に均等に配信するスイッチ
と、前記スイッチからデータを受信する複数個の宛先ノードにより構成するスイッチファ
ブリックにおける優先度帯域制御方法であって、
送信元に最も近いスイッチデバイスの受信バッファ空き容量の情報のみにより、優先度帯
域制御の有効化と無効化を切り替えることを特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項９】
宛先毎に2個以上の優先度別出力キューを持つ複数個の送信元ノードと、
前記複数個の送信ノードから投入されたデータを、その宛先毎に均等に配信するスイッチ
と、前記スイッチからデータを受信する複数個の宛先ノードにより構成するスイッチファ
ブリックにおいて、
優先度帯域制御を有効化した場合には、高優先度のデータの通過率を低優先度のデータの
通過率より向上させ、
優先度帯域制御を無効化した場合には、優先度によらず一定のデータ通過率を維持するこ
とを特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。
【請求項１０】
宛先毎に2個以上の優先度別出力キューを持つ複数個の送信元ノードと、前記複数個の
送信ノードから投入されたデータを、その宛先毎に均等に配信するスイッチと、前記スイ
ッチからデータを受信する複数個の宛先ノードにより構成するスイッチファブリックにお
ける優先度帯域制御方法であって、
優先度帯域制御を有効化した場合には、高優先度のデータの通過遅延を低優先度のデータ
の通過遅延より小さくし、
優先度帯域制御を無効化した場合には、優先度によらず一定のデータ通過遅延を維持する
ことを特徴とするスイッチの優先度帯域制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体から記録画像を再生し、再生画像信号を出力する再生手段（３２）と、
当該再生画像信号を外部に出力する画像出力手段（３８，４０；１１２，１１４）と、
当該画像出力手段への外部機器の接続を検知する接続検知手段（６２，１５０）と、
当該接続検知手段の検知結果に従い、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されていないときには、第１のサイズの第１の操作アイコンを表示し、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されているときには、当該第１のサイズよりも大きい第２のサイズの第２の操作アイコンを表示する画像表示手段（２６）と、
当該画像表示手段の表示画像を透過するタッチパネル（２８）と、
当該画像表示手段に表示される操作アイコンのサイズに応じた範囲の、当該タッチパネルの操作を受け付ける操作受付け手段（５０）
とを具備することを特徴とする画像再生装置。
【請求項２】
更に、
当該第１及び第２の操作アイコンの画像信号を発生可能なアイコン画像発生手段（５０，５６）と、
当該再生画像信号又は所定背景画像信号に当該アイコン画像発生手段からの当該第１及び第２の操作アイコンの何れかの画像信号を重畳し、当該画像表示手段に供給する重畳器（２４）
とを具備することを特徴とする請求項１に記載の画像再生装置。
【請求項３】
当該重畳器は、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されていないときには、当該再生画像信号に当該第１の操作アイコンの画像信号を重畳し、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されているときには、当該所定背景画像信号に当該第２の操作アイコンを重畳することを特徴とすることを特徴とする請求項２に記載の画像再生装置。
【請求項４】
当該画像出力手段がデジタルインターフェース（１１２）を有し、
当該接続検知手段が、当該デジタルインターフェースを介して、当該外部機器の種類を判別するコマンドを発行し、当該外部機器からのレスポンスを受信する手段（１５０）であり、
当該重畳器は、当該画像出力手段に当該外部機器として画像表示機能を具備する画像表示機器が接続されていないときには、当該再生画像信号に当該第１の操作アイコンの画像信号を重畳し、当該画像出力手段に当該画像表示機器が接続されているときには、当該所定背景画像信号に当該第２の操作アイコンを重畳することを特徴とすることを特徴とする請求項２に記載の画像再生装置。
【請求項５】
更に、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されているときには、当該第１の操作アイコンを当該画像表示手段に表示させるか、当該第２の操作アイコンを表示させるかを設定する設定手段を具備することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の画像再生装置。
【請求項６】
記録媒体から記録画像を再生し、再生画像信号を出力する再生手段（３２）と、
当該再生画像信号を外部に出力する画像出力手段（３８，４０；１１２，１１４）と、
当該画像出力手段への外部機器の接続を検知する接続検知手段（６２，１５０）と、
操作アイコンを表示する画像表示手段（２６）と、
当該画像表示手段の表示画像を透過するタッチパネル（２８）
とを具備する画像再生装置の制御方法であって、
当該接続検知手段の検知結果に従い、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されていないときには、当該操作アイコンとして、第１のサイズの第１の操作アイコンを当該画像表示手段に表示させ、
当該接続検知手段の検知結果に従い、当該画像出力手段に当該外部機器が接続されているときには、当該第１のサイズよりも大きい第２のサイズの第２の操作アイコンを当該画像表示手段に表示させる
ことを特徴とする画像再生装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３は、映像モニタ８０が出力端子４０に接続していないときの、ＬＣＤ２６の再生画面例を示し、図４は、映像モニタ８０が出力端子４０に接続しているときの、ＬＣＤ２６の再生画面例を示す。図３では、ＬＣＤ２６の画面には、再生画像にタイムコード９０及び通常サイズの操作アイコン９２ａが重畳されて表示される。図４では、再生画像が映像モニタ８０の画面に表示され、ＬＣＤ２６の画面には、タイムコード９０及び拡大サイズの操作アイコン９２ｂが表示される。ＣＰＵ５０は、外部映像モニタ８０を利用しないときには、通常サイズの操作アイコン９２ａをＯＳＤ制御装置２４に供給するが、映像モニタ８０の利用時には、拡大サイズの操作アイコン９２ｂをＯＳＤ制御装置２４に供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
アイコン拡大機能がオフに設定されているか（Ｓ１）、アイコン拡大機能がオンに設定されていても、映像モニタ８０が出力端子４０に接続されていない場合（Ｓ２）、拡大された操作アイコン９２ｂがＬＣＤ２６上に表示中かどうかを判断する（Ｓ６）。拡大サイズのアイコン９２ｂを表示中であれば（Ｓ６）、ＣＰＵ５０は、ＲＯＭ５６から通常サイズの操作アイコン９２ａ（のビットマップデータ）を読み出して、ＯＳＤ制御装置２４に供給する。これにより、通常サイズの操作アイコン９２ａが表示される（Ｓ７）。また、このとき、ＯＳＤ制御装置２４は、背景部分の単一色（例えばブルーバック）によるマスクを解除する（Ｓ８）。これにより、図３に例示するように、再生画像上にタイムコード９０と通常サイズの操作アイコン９２ａが重ねて表示される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２及び第３のＤフリップフロップを備えたクロック信号生成装置と、
前記クロック信号生成装置から出力される互いに反転した信号波形を有する前記第１出力及び前記第２出力を用いて、サンプル期間とホールド期間を切替えて、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器と、
を備えたアナログ−デジタル変換装置であって、
前記第１のＤフリップフロップは、
第１のＤ入力端子と、
クロック信号を入力する第１のクロック入力端子と、
前記クロック信号に基づいて、前記第１のＤ入力端子への入力信号を保持して出力する第１の出力端子と、
前記クロック信号に基づいて、前記第１のＤ入力端子への入力信号を反転して出力すると共に、前記出力を前記第１のＤ入力端子にフィードバックして入力する第１の反転出力端子と、
を備え、
前記第２のＤフリップフロップは、
前記第１のＤフリップフロップの前記第１の出力端子からの出力を入力する第２のＤ入力端子と、
前記クロック信号を入力する第２のクロック入力端子と、
前記クロック信号に基づいて、前記第２のＤ入力端子への入力信号を保持して第１出力として出力する第２の出力端子と、
を備え、
前記第３のＤフリップフロップは、
前記第１のＤフリップフロップの前記第１の反転出力端子からの出力を入力する第３のＤ入力端子と、
前記クロック信号を入力する第３のクロック入力端子と、
前記クロック信号に基づいて、前記第３のＤ入力端子への入力信号を保持して第２出力として出力する第３の出力端子と、
を備え、
前記第２のＤフリップフロップの前記第２の出力端子からの前記第１出力と、前記第３のＤフリップフロップの前記第３の出力端子からの前記第２出力とは、互いに同じタイミングで反転した信号波形を有すると共に
前記第２のＤフリップフロップと前記第３のフリップフロップとは、クロック信号に対する非反転出力のタイミングが同じである、アナログ−デジタル変換装置。
【請求項２】
前記Ａ／Ｄ変換器は、
前記クロック信号生成装置から出力される前記第１出力を用いてＡチャネル側のサンプル期間とホールド期間を切替えて、入力された前記アナログ信号をデジタル信号に変換するＡチャネル側変換器と、
前記クロック信号生成装置から出力される前記第２出力を用いてＢチャネル側のサンプル期間とホールド期間を切替えて、入力された前記アナログ信号をデジタル信号に変換するＢチャネル側変換器と
を備えることを特徴とする請求項１に記載のアナログ−デジタル変換装置。
【請求項３】
請求項１に記載の前記アナログ−デジタル変換装置を搭載したことを特徴とするＩＣチップ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の模式的な正面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置におけるビームのスキャン速度（相対速度一定）で規格化した最大ビーム電流密度とゲート絶縁膜の破壊率との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置の模式的な正面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置におけるビームのスキャン速度で規格化した最大ビーム電流密度とゲート絶縁膜の破壊率との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置の模式的な正面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置におけるビームのスキャン速度（相対速度一定）で規格化した最大ビーム電流密度とゲート絶縁膜の破壊率との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る半導体製造装置の模式的な正面図である。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る半導体製造装置におけるビームのスキャン速度で規格化した最大ビーム電流密度とゲート絶縁膜の破壊率との関係を示すグラフである。
【図９】（ａ）はイオンビームとフラッドガンによる電子との位置関係を示す模式図である。（ｂ）はイオンビームとそれを取り巻くフラッドガンによる電子とがウェハ表面を走査したときのウェハ表面における電位を示す模式図である。
【図１０】（ａ）は従来例であって、図９（ｂ）のイオンビームとそれを取り巻くフラッドガンによる電子とを用いてウェハを走査した場合のウェハ表面の電位の変化と最大破壊電圧との関係を示すグラフである。（ｂ）は従来例に係るイオンビームのスキャン方法の一例を示す模式的な斜視図である。
【図１１】（ａ）は本発明の概念を示すグラフであって、イオンビームとウェハとの相対速度及びイオンビームの最大ビーム電流密度を種々の条件で変更した場合のウェハ上のゲート絶縁膜の破壊率を示すグラフである。（ｂ）は本発明の概念を示すグラフであって、ビーム電流密度を走査速度で規格化した値とウェハ上のゲート絶縁膜の破壊率との関係を示すグラフである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
さらに、ガスＧ４の供給量は以下のように調節されることが好ましい。
通常、フローチャネル３〜５にガスＧ１〜Ｇ３を流すとフローチャネル４の内部空間１１に圧力勾配が生じ、フローチャネル４の上流側Ａの圧力ＰＡがフローチャネル４の下流側Ｂの圧力ＰＢよりも大きくなる。たとえばフローチャネル４におけるガスＧ１〜Ｇ３の平均流速が１ｍ／ｓ前後である場合には、圧力ＰＡと圧力ＰＢとの間に１０Ｐａ程度の圧力差が生じる。反応容器９の内部空間８の圧力Ｐ８が圧力ＰＢよりも小さい場合には、隙間１３や流路７を通じてガスＧ１〜Ｇ３が内部空間１１から内部空間８へ漏れ易くなる。一方、圧力Ｐ８が圧力ＰＡよりも大きい場合には、隙間１３や流路７を通じてガスＧ４が内部空間８から内部空間１１へ浸入し易くなる。そこで、内部空間８の圧力Ｐ８が圧力ＰＡよりも小さく圧力ＰＢよりも大きくなるような供給量を予め算出しておき、この供給量でガスＧ４を供給することにより、ガスＧ１〜Ｇ３の漏れおよびガスＧ４の浸入を抑制することができ、内部空間１１におけるガスＧ１〜Ｇ３の流れを均一にすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（実施の形態２）
図２は、本発明の実施の形態２における気相成長装置の構成を示す断面図である。図２を参照して、本実施の形態における気相成長装置１は、差圧計２５を備えている点において実施の形態１の気相成長装置とは異なっている。フローチャネル４の上部には反応容器９の内部空間８に通じる細管２３が設けられており、差圧計２５は細管２３に取り付けられている。細管２３の位置は、フローチャネル４の上流側Ａと下流側Ｂとの中間か、サセプタ１７の中心位置の真上に設けられていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
差圧計２５はフローチャネル４の内部空間１１の圧力と、反応容器９の内部空間８の圧力との圧力差を計測する。差圧計２５で測定された圧力差が小さくなるように、内部空間８に供給するガスＧ４の供給量が調節される。差圧計２５からの差圧信号を、図示しないマスフローコントローラに送信し、マスフローコントローラによってガスＧ４の供給量を調節してもよい。これにより、内部空間８を常に適切な圧力に調節することができ、ガスＧ１〜Ｇ３の漏れを効果的に抑制することができる。