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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクセスポイント装置がＳＤＭＡ(Space Division Multiple Access：空間分割多元接続)により複数のユーザ端末とパケット通信を行うシステムにおけるアクセスポイント装置であって，
ＳＤＭＡにより１スロット中に並行してデータ伝送を行う複数のユーザ端末宛の複数の送信パケットの送信に要する送信時間長を推定し、前記推定された複数の送信パケットの送信時間長に基づいて，前記１スロット中に送信する前記送信パケットの送信パラメータを決定する送信フレーム制御部と、
前記決定された送信パラメータに基づいて前記１スロット中に前記複数のユーザ端末宛に送信する送信フレームを生成して出力する送信信号生成部と、
送信信号生成部から出力された送信フレームを前記複数のユーザ端末へＳＤＭＡにより送信するアンテナ部とを有することを特徴とするアクセスポイント装置。
【請求項２】
前記決定される送信パラメータは1送信フレームあたりのパケットのデータサイズであり，
前記送信信号生成部において、前記複数の送信パケットの中で少なくとも一つのパケットを複数のデータサイズに分割して前記送信フレームを生成することを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項３】
前記複数の送信パケットの送信パラメータは、前記１スロット中に伝送される送信パケットのうち前記送信時間長が最も短いものを基準に決定されることを特徴とする請求項１または２記載のアクセスポイント装置。
【請求項４】
前記複数の送信パケットの送信パラメータは、前記１スロット中に伝送される送信パケットのQOS（Ｑｕａｌｉｔｙ  Ｏｆ  Ｓｅｒｖｉｃｅ）データに基づいて決定されることを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項５】
前記送信信号生成部は、前記分割された送信パケットを含む最初の送信フレームを複数の他のパケットを含む送信フレームと並行してＳＤＭＡ伝送した後に送信ウェイトを変化させて，前記分割したパケットの残りを含む送信フレームを伝送することを特徴とする請求項２記載のアクセスポイント装置。
【請求項６】
前記送信フレーム制御部は、前記送信パケットの送信時間長は、該送信パケットのデータサイズに基づいて推定することを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項７】
前記決定される送信パラメータは、1送信フレームあたりのデータサイズであり，
前記送信信号生成部は、前記複数の送信パケットの中で少なくとも一つのパケットを同一の端末宛の他の送信パケットとアグリゲーションして前記送信フレームを生成することを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項８】
前記決定される送信パラメータは、各送信パケットの送信に用いられる伝送レートであり，
前記送信信号生成部は、前記複数の送信パケットの中で少なくとも一つの送信パケットを事前に決められた伝送レートと異なった伝送レートを用いて前記送信フレームを生成することを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項９】
前記複数の送信パケットの送信パラメータの決定は，該アクセスポイント装置の送信信号処理における送信ウェイトベクトルの変更，ＵＴの受信信号処理における受信ウェイトベクトルの変更，送信データの誤り訂正符号化の符号化率の変更，変調多値数の変更，変調方式の変更のいずれかによって行われることを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項１０】
前記複数の送信パケットの送信パラメータの決定は，ＳＤＭＡ伝送で生じる空間パスの空き時間の抑制度，通信システムのトータルスループット，通信システムの最大遅延時間の抑制度のいずれかを最適化する形で行われることを特徴とする請求項１記載のアクセスポイント装置。
【請求項１１】
アクセスポイントがＳＤＭＡ(Space Division Multiple Access：空間分割多元接続)により複数のユーザ端末とパケット通信を行うシステムにおける無線通信方法であって，
前記アクセスポイントにおいて、ＳＤＭＡにより１スロット中に並行してデータ伝送を行う複数のユーザ端末宛の複数の送信パケットの送信に要する送信時間長を推定する第１のステップと、
前記推定された複数の送信パケットの送信時間長に基づいて，前記１スロット中に送信する前記送信パケットの送信パラメータを決定する第２のステップと、
前記決定された送信パラメータに基づいて前記１スロット中に前記複数のユーザ端末宛に送信する送信フレームを生成して送信する第３のステップとを有することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データを入力する入力手段と、
前記入力されたデータを、ユーザにより選択された保存先に保存する保存手段と、
前記保存手段によるデータの保存処理に関する履歴情報を管理する履歴情報管理手段と、
前記入力されたデータの保存先として選択可能な複数の保存先候補の優先度を、前記履歴情報管理手段により管理されている履歴情報に基づいて決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された優先度に従って、前記複数の保存先候補を示す情報を表示する表示手段と、
前記複数の保存先候補のうち、前記表示手段に表示された情報を元にユーザにより選択された保存先に、前記入力されたデータを保存するよう前記保存手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記データ処理装置とネットワークを介して接続された複数の外部装置のいずれかと通信を行う通信手段を更に備え、
前記通信手段は、前記データの保存先として前記複数の外部装置のいずれかが選択された場合に、該選択された外部装置と通信し、前記データを該外部装置に送出することを特徴とする請求項１に記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記入力手段により入力されたデータを記憶する記憶手段を更に備え、
前記保存手段は、前記データの保存先として前記記憶手段が選択された場合に、該記憶手段に前記データを記憶させることを特徴とする請求項１または２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
前記記憶手段は、複数の記憶領域を備え、
前記表示手段は、前記データの保存先候補として、前記複数の記憶領域のそれぞれを識別可能に表示することを特徴とする請求項３に記載のデータ処理装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記複数の保存先候補の優先度を、該複数の保存先候補のそれぞれと前記データ処理装置との物理的な位置関係に基づいて決定することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項６】
前記決定手段は、前記複数の保存先候補の優先度を、該優先度の決定を行う日時に基づいて決定することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項７】
前記データ処理装置を操作するユーザを認証する認証手段を更に備え、
前記決定手段は、前記複数の保存先候補の優先度を、前記認証手段により認証されたユーザに応じて決定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記複数の保存先候補の優先度を、前記認証手段により認証されたユーザが属するグループに応じて決定することを特徴とする請求項７に記載のデータ処理装置。
【請求項９】
前記決定手段が、予め設定された複数の条件に従って、前記複数の保存先候補の優先度を決定する場合に、該複数の条件のそれぞれに対して重み付けを設定する設定手段を更に備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のデータ処理装置。
【請求項１０】
データを入力する入力工程と、
前記入力されたデータを、ユーザにより選択された保存先に保存する保存工程と、
前記保存工程でのデータの保存処理に関する履歴情報を管理する履歴情報管理工程と、
前記入力されたデータの保存先として選択可能な複数の保存先候補の優先度を、前記管理されている履歴情報に基づいて決定する決定工程と、
前記決定工程で決定された優先度に従って、前記複数の保存先候補を示す情報を表示する表示工程と、
前記複数の保存先候補のうち、前記表示工程で表示された情報を元にユーザにより選択された保存先に、前記入力されたデータを保存するよう前記保存工程を制御する制御工程と、
を備えることを特徴とするデータ処理装置の制御方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の目的を達成するために本発明のデータ処理装置は、データを入力する入力手段と、前記入力されたデータを、ユーザにより選択された保存先に保存する保存手段と、前記保存手段によるデータの保存処理に関する履歴情報を管理する履歴情報管理手段と、前記入力手段により入力されたデータの保存先として、ユーザが選択可能な複数の保存先を示す情報を管理する保存先管理手段と、予め設定された条件に従って、前記保存先管理手段により管理されている前記入力されたデータの保存先として選択可能な複数の保存先候補の優先度を、前記履歴情報管理手段により管理されている履歴情報に基づいて決定する決定手段と、前記決定手段により決定された優先度に基づいて従って、前記複数の保存先候補を示す情報を表示する表示手段と、前記複数の保存先候補のうち、前記表示手段に表示された情報を元にユーザにより選択された保存先に、前記入力されたデータを保存するよう前記保存手段を制御する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明のデータ処理装置の制御方法は、データを入力する入力工程と、前記入力されたデータを、ユーザにより選択された保存先に保存する保存工程と、前記保存工程でのデータの保存処理に関する履歴情報を管理する履歴情報管理工程と、前記入力されたデータの保存先として選択可能な複数の保存先候補の優先度を、前記管理されている履歴情報に基づいて決定する決定工程と、前記決定工程で決定された優先度に従って、前記複数の保存先候補を示す情報を表示する表示工程と、前記複数の保存先候補のうち、前記表示工程で表示された情報を元にユーザにより選択された保存先に、前記入力されたデータを保存するよう前記保存工程を制御する制御工程と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の大きさのパケットからなるペイロードを含むデータを入力する入力部と、
前記入力部により入力されたデータのペイロードの種別を識別するペイロード種別識別部と、
前記ペイロード種別識別部により識別されたペイロードをまとまりのある所定の大きさに基づいて再構成するペイロード再構成部と、
前記ペイロード再構成部により再構成された前記ペイロードを出力する出力部とを備えることを特徴とした中継装置。
【請求項２】
請求項１記載の中継装置において、
前記ペイロード種別識別部において、パケットのペイロードがMPEG-2 ＴＳ(Moving Picture Experts Group Phase 2 Transport Stream)パケットであるか否かを識別し、前記ペイロード再構成部において、ペイロードをMPEG-2 ＴＳパケット単位に分割して再構成することを特徴とした中継装置。
【請求項３】
請求項１記載の中継装置において、
前記入力部により入力される前記データに、ＲＴＰ(Real-time Transport Protocol)ヘッダＵＤＰ(User Datagram Protocol)ヘッダ、ＩＰ（Internet Protocol）ヘッダ、及びMPEG-2 ＴＳ(Moving Picture Experts Group Phase 2 Transport Stream)パケットを含むことを特徴とする中継装置。
【請求項４】
請求項１記載の中継装置において、
前記入力手段により入力されるパケットの種類と前記パケット１つ当たりのデータの大きさとを得る手段を備えることを特徴とする中継装置。
【請求項５】
複数のＴＳ(Transport Stream)パケットをＩＰ（Internet Protocol）パケットの形式で受信可能な中継装置において、
前記受信されたＩＰパケットに含まれるＩＰペイロードの種別を識別するペイロード種別識別部と、
前記ペイロード種別識別部により識別されたペイロードを前記ＴＳの単位で分割又は結合するペイロード分割・結合部と、
所定の閾値を蓄積する蓄積部と、
前記各部を統括的に制御する制御部とを備え、
前記制御部は、前記ＩＰパケットに含まれるＴＳパケット数が前記所定の閾値より大きい場合に、前記ペイロードを分割する指示を示す分割指示信号を前記ペイロード分割・結合部に出力し、前記ＩＰパケットに含まれるＴＳパケット数が前記所定の閾値より小さい場合に、前記ペイロードを結合する指示を示す結合指示信号を前記ペイロード分割・結合部に出力することを特徴とする中継装置。
【請求項６】
請求項５記載の中継装置において、
前記ペイロード分割・結合部は、前記制御部から前記分割指示信号を受信した場合は、前記ペイロードを前記ＴＳの単位で分割処理を行い、前記制御部から前記結合指示信号を受信した場合は、前記ペイロードを前記ＴＳの単位で結合処理を行うことを特徴とする中継装置。
【請求項７】
請求項６記載の中継装置において、
前記前記ペイロード分割・結合部において前記ペイロードを前記ＴＳの単位で結合処理を行う前に、受信されたＩＰペイロードに含まれるＴＳパケットを前記蓄積部に所定時間保持し、その保持時間を計測する時間計測部を備えることを特徴とする中継装置。
【請求項８】
パケットを送受信するための入出力部と、
前記入出力部から受け取ったパケットについて、送信先の宛先アドレスを確認して転送すべきか否かを判断するための送受信処理部と、
前記送受信処理部での処理に際してパケットを一時保持しておくための蓄積部と、
前記送受信処理部と前記蓄積部とを制御するための制御部とから構成され、受信したパケットのペイロードの種別を識別するペイロード種別識別部と、
ペイロードを固定長のまとまり単位で結合できるようにしたペイロード再構成部と、
パケットを保持しておく時間を管理するための管理部を備えることを特徴とした中継装置。
【請求項９】
請求項８記載の中継装置において、
前記ペイロード種別識別部でパケットのペイロードがMPEG-2 ＴＳパケットであるか否かを識別し、前記ペイロード再構成部でペイロードをMPEG-2 ＴＳパケット単位で結合することを特徴とした中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手機器にチャレンジデータを送信する送信手段と、
前記相手機器が前記チャレンジデータから生成したレスポンスデータ、および、暗号化鍵情報を前記相手機器から受信する受信手段と、
前記チャレンジデータと前記レスポンスデータに基づき前記相手機器を認証する認証手段と、
前記認証が成功した場合、前記暗号化鍵情報を復号してデータの暗号化用の鍵情報を取得する復号手段とを有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
さらに、前記復号した鍵情報を予め定められた期間保持する保持手段を有することを特徴とする請求項1に記載されたデータ処理装置。
【請求項３】
さらに、前記鍵情報を用いてデータを暗号化し、その暗号化データを前記相手機器に送信する暗号手段を有することを特徴とする請求項1または請求項2に記載されたデータ処理装置。
【請求項４】
前記相手機器は、前記鍵情報または前記暗号化鍵情報を記憶し、前記暗号化データを記憶可能なメモリカードであることを特徴とする請求項3に記載されたデータ処理装置。
【請求項５】
相手機器からチャレンジデータを受信する第一の受信手段と、
前記チャレンジデータからレスポンスデータを生成する生成手段と、
前記レスポンスデータおよびデータの暗号化用の暗号化された鍵情報を前記相手機器に送信する送信手段とを有することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項６】
さらに、前記暗号化された鍵情報を復号して得られる鍵情報により暗号化されたデータを受信する第二の受信手段を有することを特徴とする請求項5に記載されたデータ処理装置。
【請求項７】
さらに、前記鍵情報または前記暗号化された鍵情報を記憶し、前記第二の受信手段が受信した暗号化データを記憶可能なメモリを有することを特徴とする請求項6に記載されたデータ処理装置。
【請求項８】
データ処理装置と相手機器の通信によりデータを処理するデータ処理方法であって、
前記データ処理装置から前記相手機器にチャレンジデータを送信し、
前記相手機器が前記チャレンジデータから生成したレスポンスデータ、および、暗号化鍵情報を、前記データ処理装置が前記相手機器から受信し、
前記チャレンジデータと前記レスポンスデータに基づき前記データ処理装置が前記相手機器を認証し、
前記認証が成功した場合、前記データ処理装置は前記暗号化鍵情報を復号してデータの暗号化用の鍵情報を取得することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項９】
データ処理装置と相手機器の通信によりデータを処理するデータ処理方法であって、
前記データ処理装置が前記相手機器からチャレンジデータを受信し、
前記データ処理装置が前記チャレンジデータからレスポンスデータを生成し、
前記データ処理装置が前記レスポンスデータおよびデータの暗号化用の暗号化された鍵情報を前記相手機器に送信することを特徴とするデータ処理方法。
【請求項１０】
データ処理装置を制御して、請求項8または請求項9に記載されたデータ処理を実現することを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
請求項10に記載されたプログラムが記録されたことを特徴とするコンピュータが読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明にかかるデータ処理は、データ処理装置と相手機器の通信によりデータを処理するデータ処理であって、前記データ処理装置から前記相手機器にチャレンジデータを送信し、前記相手機器が前記チャレンジデータから生成したレスポンスデータ、および、暗号化鍵情報を、前記データ処理装置が前記相手機器から受信し、前記チャレンジデータと前記レスポンスデータに基づき前記データ処理装置が前記相手機器を認証し、前記認証が成功した場合、前記データ処理装置は前記暗号化鍵情報を復号してデータの暗号化用の鍵情報を取得することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、データ処理装置と相手機器の通信によりデータを処理するデータ処理であって、前記データ処理装置が前記相手機器からチャレンジデータを受信し、前記データ処理装置が前記チャレンジデータからレスポンスデータを生成し、前記データ処理装置が前記レスポンスデータおよびデータの暗号化用の暗号化された鍵情報を前記相手機器に送信することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
制御演算部108は、画像入力装置10のユーザが操作部104に配置されたシャッタボタンを押す（または、PCを介してシャッタをリモート操作してもよい）と、撮像素子101などを制御し、画像処理を実行して画像データを生成する(S31)。なお、画像データはRAM109に格納される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
次に、認証部105は、上述した機器間認証に関わる処理を開始し(S32)、認証部202から暗号化鍵情報EKs(Ki)などを受信する(S33)。そして、情報保持デバイス20の認証に成功すると(S34)、暗号化鍵情報EKs(Ki)を復号して鍵情報Kiを取得する(S35)。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、暗号処理部107は、認証部105が保持する鍵情報Kiを使用して、RAM109に格納された画像データを暗号化する(S36)。なお、機器間認証に失敗し、認証部105が鍵情報を保持しない場合、暗号処理部107は、暗号化処理を行わない。また、暗号化画像データはRAM109に格納される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
制御演算部108は、RAM109に格納された暗号化画像データを、I/F106を介して、情報保持デバイス20に出力する(S37)。情報保持デバイス20の制御部204は、画像入力装置10から暗号化画像データを受信すると当該データを記録部203に格納する。なお、認証部105が鍵情報を保持しない場合など暗号処理部107が暗号化処理に失敗した場合、制御演算部108は、暗号化していない画像データを出力する場合と、画像データを出力しない場合の二通りが考えられる。どちらを採用するかは、画像入力装置10の制御方針またはセキュリティ方針に依存する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
なお、復号部115と暗号化部212が使用する鍵を生成する方法は、一対の方法であって、双方で同じ鍵が得られなければならない。勿論、同じ鍵が得られれば、他の方法を利用することが可能である。上記では、システム鍵KsとチャレンジデータCHAを排他的論理和して鍵を生成する方法を示すが、各データを論理積する方法、データを結合してハッシュ値を得る方法など様々な二入力の関数を利用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２に示されるように、目皿状集電体、導電性ペースト層およびポッティング材層よりなる積層体部分を固定するリング状体２４、２４′は、Oリング、シリコーン系接着剤等の柔軟な弾性体シール材によるシール(図示せず)を介して、筒状体２８内に嵌装され、収容される。このように、柔軟なシール材を用いることにより、固定材による熱応力を受けた目皿状集電体２１、２１′およびリング状体２４、２４′と筒状体との間のシール性が向上する。筒状体２８の両端部には、必要に応じてカバー２９、２９′が装着される。この筒状体は、筒状体そのものを用いてもよいが、シート状のものを巻付け、その両端部を適当な固着手段によって固着させ、筒状体に形成せしめたものであってもよい。また、筒状体２８は必ずしも一体である必要はなく、それぞれのリング状体２４、２４′を収容するように、２つ以上の筒状体から構成してもよい。このような工程を経て製造することにより、筒状体には集電体２１、２１′およびリング状体２４、２４′が、固定材層の形成後、好ましくは仮固定のために使用されるパラフィン層の除去後に収納されるため、筒状体は熱応力の影響を軽減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なお、中空糸型電解質セルを形成する各部分の内、内側多孔質電極層は例えば珪素化チタンTiSi2粉末を高分子物質の有機溶媒溶液中に高充填した製膜原液から複合膜を製膜し、得られた複合膜を約1300〜1800℃で焼成し、その際少くとも400℃以上の加熱温度範囲では真空または不活性雰囲気環境下で焼成を行って得られた、珪素化チタンTiSiを主成分として形成される導電性多孔質セラミックス等から形成され、外側多孔質電極層はカーボン等から形成される。内側および外側触媒層は、例えば白金を担持させたカーボン等から形成される。また、電解質層は、例えば固体高分子形電解質またはそれを多孔質体に充填したもの、あるいは電解質成分を無機支持体に担持させた有機-無機電解質または無機電解質等から形成され、これらの中空糸型電解質セルを複数本収容する筒状ケースとしては、例えばポリスルホン樹脂、アクリル樹脂等の樹脂製またはガラス、アルミナ等の無機材質製のものが用いられる。さらに、リング状体についても筒状ケースの場合と同様の材質のものを用いることができ、好ましくは接着性等の問題から樹脂製のものが用いられる。
【特許文献２】特開２００６−１５１７３７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記オーミック電極の下部は、前記第１のIII−Ｖ族窒化物半導体層における前記２次元電子ガス層よりも１０ｎｍ以上の深さにまで形成されていることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する第１軸及び第２軸により規定される水平面に対して移動可能な第１のステージと、前記第１のステージ上で少なくとも軸方向及び軸まわりの回転方向に移動可能な第２のステージとを有するステージ装置において、
前記第２のステージの可動部が前記第１のステージに対して隙間を介して対向する部位に、前記第２のステージの可動範囲を制限する規制部材を設けたことを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記規制部材は、前記第１のステージと前記第２のステージの可動部との間の第１軸方向の隙間の最小値を規定する第１の規制部材と、前記第１のステージと前記第２のステージの可動部との間の第２軸方向の隙間の最小値を規定する第２の規制部材と、を有し、
前記第１及び第２の規制部材は、前記第２のステージの前記第１軸方向及び前記第２軸方向の可動範囲と、前記第１軸、前記第２軸、並びに当該第１軸及び第２軸に直交する第３軸の各軸まわりに回転する３方向の可動範囲とを規制することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記第１の規制部材は、前記第２のステージの可動部に対して前記第１軸方向に隙間を介して対向配置され、前記第３軸方向に延びる一対の部材からなり、前記第２のステージの可動部の前記第２軸まわりに回転する方向の可動範囲を規制し、
前記第２の規制部材は、前記第２のステージの可動部に対して前記第２軸方向に隙間を介して対向配置され、前記第３軸方向に延びる一対の部材からなり、前記第２のステージの可動部の前記第１軸まわりに回転する方向の可動範囲を規制することを特徴とする請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記第１の規制部材の一対の部材の各々は前記第１軸と平行で且つ前記第２軸方向に予め決められた距離だけ離間して配置され、
前記第２の規制部材の一対の部材の各々は前記第２軸と平行で且つ前記第１軸方向に予め決められた距離だけ離間して配置され、
前記第１及び第２の規制部材は、前記第２のステージの前記第３軸まわりに回転する方向の可動範囲を規制することを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記規制部材は、前記第２のステージの前記第３軸方向の可動範囲を規制する第３の規制部材、を有することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
互いに直交する第１軸及び第２軸により規定される水平面に対して移動可能な第１のステージと、
前記第１のステージ上で少なくとも軸方向及び軸まわりの回転方向に移動可能な第２のステージと、
前記第１のステージと前記第２のステージとが対向する部位に設けられ、所定の隙間を介して非接触で前記第２のステージを前記第１のステージに対して駆動する、コアと電磁石とを含む駆動手段と、
前記コアと電磁石とが接触しないように、前記第２のステージの可動範囲を制限する規制部材と、を有し、
前記規制部材は、前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸方向に延びる部材を含むことを特徴とするステージ装置。
【請求項７】
前記第２のステージの可動範囲は、当該第２のステージの予め決められたストローク量を満たし且つ予め決められた規制量より小さくなるように設定されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項８】
レチクルのパターン像を投影光学系を介して基板に露光する露光装置であって、
前記レチクルを照明して前記パターン像を形成する照明部と、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のステージ装置と、を有し、
前記ステージ装置により前記基板及び前記レチクルの少なくともいずれかを相対的に移動して露光することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置を用いてレチクルを介して基板を露光するステップと、
露光された前記基板を現像するステップと、
現像された前記基板を加工してデバイスを製造するステップと、を備えることを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記課題を解決し、目的を達成するために、本発明のステージ装置は、互いに直交する第１軸及び第２軸により規定される水平面に対して移動可能な第１のステージと、前記第１のステージ上で少なくとも軸方向及び軸まわりの回転方向に移動可能な第２のステージとを有するステージ装置において、前記第２のステージの可動部が前記第１のステージに対して隙間を介して対向する部位に、前記第２のステージの可動範囲を制限する規制部材を設けた。
また、本発明のステージ装置は、互いに直交する第１軸及び第２軸により規定される水平面に対して移動可能な第１のステージと、前記第１のステージ上で少なくとも軸方向及び軸まわりの回転方向に移動可能な第２のステージと、前記第１のステージと前記第２のステージとが対向する部位に設けられ、所定の隙間を介して非接触で前記第２のステージを前記第１のステージに対して駆動する、コアと電磁石とを含む駆動手段と、前記コアと電磁石とが接触しないように、前記第２のステージの可動範囲を制限する規制部材と、を有し、前記規制部材は、前記第１軸及び前記第２軸に直交する第３軸方向に延びる部材を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、本発明の露光装置は、レチクルのパターン像を投影光学系を介して基板に露光する露光装置であって、前記レチクルを照明して前記パターン像を形成する照明部と、上記ステージ装置と、を有し、前記ステージ装置により前記基板及び前記レチクルの少なくともいずれかを相対的に移動して露光する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子から出射されるビームのうちのいずれかのビームの光量を検出する検出手段と、
前記複数の発光素子それぞれに同一の値の電流を流したときに前記複数の発光素子のうちで最大光量のビームを出力する所定の発光素子からビームを出射させ、前記検出手段による該ビームの光量の検出結果に基づいて前記複数の発光素子それぞれに流す電流を制御する制御手段と
を有することを特徴とする光量制御装置。
【請求項２】
前記検出手段の検出結果に基づいて前記複数の発光素子から前記所定の発光素子を決定する決定手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記複数の発光素子それぞれに対して同一の値の電流を流してビームを出射させ、前記決定手段は、前記検出手段によって検出される前記複数の発光素子それぞれから出射されるビームの光量の検出結果から最大光量のビームを出力する発光素子を前記所定の発光素子として決定することを特徴とする請求項１に記載の光量制御装置。
【請求項３】
複数の発光素子から出射されるビームのうちのいずれかのビームの光量を検出する検出手段と、
前記複数の発光素子それぞれに流す電流の値を一定範囲内で変化させたときの前記複数の発光素子それぞれから出射されるビームのうち該ビームの光量変化が最大となる所定の発光素子からビームを出射させ、前記検出手段による該ビームの光量の検出結果に基づいて前記複数の発光素子それぞれに流す電流を制御する制御手段と
を有することを特徴とする光量制御装置。
【請求項４】
前記検出手段の検出結果に基づいて前記複数の発光素子から前記所定の発光素子を決定する決定手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記複数の発光素子それぞれに流す電流の値を一定範囲内で変化させ、前記決定手段は、前記検出手段によって検出される前記複数の発光素子それぞれから出射されるビームの光量の検出結果からビームの光量変化が最大となる発光素子を前記所定の発光素子として決定することを特徴とする請求項３に記載の光量制御装置。
【請求項５】
前記所定の発光素子を示す情報を記憶する記憶手段をさらに有し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶されている情報にしたがって特定した前記所定の発光素子からビームを出射させ、前記検出手段による該ビームの検出結果に基づいて前記複数の発光素子それぞれに流す電流を制御する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光量制御装置。
【請求項６】
前記複数の発光素子は、１以上の発光素子からなる２以上のグループに分かれており、前記決定手段は、各グループごとに前記所定の発光素子を決定し、前記制御手段は、各グループごとに、該グループにおける該所定の発光素子の光ビームの光量に基づいて、該グループに属する各発光素子に流す電流を制御することを特徴とする請求項２または４に記載の光量制御装置。
【請求項７】
前記複数の発光素子は、面発光レーザであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の光量制御装置。
【請求項８】
前記面発光レーザは、赤色面発光レーザであることを特徴とする請求項７に記載の光量制御装置。
【請求項９】
露光装置であって、
像担持体に潜像を形成するためにビームを出射する複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の光量を制御する、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の光量制御装置と
を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
画像形成装置であって、
請求項９に記載の露光装置と、
前記露光装置により潜像が形成される像担持体と、
前記像担持体上の前記潜像を現像剤像へと現像する現像装置と、
前記現像剤像を記録媒体に転写する転写装置と、
転写された現像剤像を前記記録媒体上に定着させる定着装置と
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、例えば、複数の発光素子から出射されるビームのうちのいずれかのビームの光量を検出する検出手段と、前記複数の発光素子それぞれに同一の値の電流を流したときに前記複数の発光素子のうちで最大光量のビームを出力する所定の発光素子からビームを出射させ、前記検出手段による該ビームの光量の検出結果に基づいて前記複数の発光素子それぞれに流す電流を制御する制御手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、光電変換素子とスイッチング素子とを含む画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する光電変換装置であって、
前記スイッチング素子は、前記基板側から、ゲート電極、第１の絶縁層、第２の絶縁層、半導体層の順に配置された構造を有し、
前記光電変換素子は、前記スイッチング素子の前記第１の絶縁層と同一層から形成された絶縁層上に、前記基板側から、下部電極、前記スイッチング素子の前記第２の絶縁層と同一層から形成された絶縁層、前記スイッチング素子の前記半導体層と同一層から形成された半導体層の順に配置されたＭＩＳ型構造を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれ別の層から形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれの水平方向における間隔が０であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記スイッチング素子の前記ゲート電極と前記光電変換素子の前記下部電極とは、それぞれ水平方向においてオーバーラップしていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記第２の絶縁層の膜厚は、前記第１の絶縁層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも低温で形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記スイッチング素子の前記半導体層の膜厚は、前記光電変換素子の前記半導体層の膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置の光入射側に、放射線を光に波長変換する蛍光体を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示手段に伝送するための伝送処理手段と、
を備えることを特徴とする撮像システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、放射線又は前記放射線に応じた光を電荷に変換する変換素子と前記変換素子に接続されたスイッチ素子とをそれぞれ含む複数の画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する放射線撮像装置であって、
前記変換素子は、
半導体層と、
前記半導体層に対して前記放射線の入射側に配された第１の電極層と、
前記半導体層に対して前記放射線の入射側と反対側に配された第２の電極層と、
を有し、
前記第１の電極層は、少なくとも前記半導体層が配置された領域内に複数の第１の間隙を有し、
前記第２の電極層は、少なくとも前記半導体層が配置された領域内に複数の第２の間隙を有し、
前記複数の第１の間隙と前記複数の第２の間隙とは、前記基板の表面に垂直な方向から透視した場合に、互いに重ならないように配置されている
ことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記変換素子は、前記第１の電極層と前記半導体層との間に配置された不純物半導体層をさらに有し、
前記不純物半導体層は、前記複数の第１の間隙に対応した複数の第３の間隙を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記第１の電極層は、前記複数の第１の間隙により隔てられた複数の電極を含む
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記複数の電極のうち少なくとも１つの電極は、電気的に２つの部分に切断されている
ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記複数の画素のそれぞれでは、前記変換素子が、前記スイッチ素子の上方に層間絶縁膜を介して配置されている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記変換素子は、光電変換素子である
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記光電変換素子は、ＭＩＳ型光電変換素子である
ことを特徴とする請求項６に記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
前記光電変換素子は、ＰＩＮ型光電変換素子である
ことを特徴とする請求項６に記載の放射線撮像装置。
【請求項９】
前記放射線撮像装置は、前記複数の画素に対して前記放射線の入射側に配された波長変換体をさらに有する
ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
を備えたことを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の側面に係る放射線撮像装置は、基板上に、放射線又は前記放射線に応じた光を電荷に変換する変換素子と前記変換素子に接続されたスイッチ素子とをそれぞれ含む複数の画素がマトリクス状に配置された画素領域を有する放射線撮像装置であって、前記変換素子は、半導体層と、前記半導体層に対して前記放射線の入射側に配された第１の電極層と、前記半導体層に対して前記放射線の入射側と反対側に配された第２の電極層とを有し、前記第１の電極層は、少なくとも前記半導体層が配置された領域内に複数の第１の間隙を有し、前記第２の電極層は、少なくとも前記半導体層が配置された領域内に複数の第２の間隙を有し、前記複数の第１の間隙と前記複数の第２の間隙とは、前記基板の表面に垂直な方向から透視した場合に、互いに重ならないように配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１金型面、および前記第１金型面に形成された第１キャビティを有する第１金型と、前記第１金型面と対向する第２金型面を有する第２金型とで構成されるモールド金型を準備する工程、
（ｂ）凹凸が形成された第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有する樹脂系のフィルムと、組み立て体とを、前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間に配置する工程、
（ｃ）前記第１金型および前記第２金型を閉じ、前記第１キャビティ内にモールド樹脂を充填し、前記組み立て体に封止部を形成する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１金型と前記第２金型を開いて、前記封止部が形成された前記組み立て体を前記モールド金型から離型する工程、
を含み、
前記（ｂ）工程では、前記フィルムの前記第１面が前記第１キャビティと対向するように、前記第１キャビティと前記第２金型面との間に前記フィルムを、前記フィルムと前記第２金型面との間に前記組み立て体を配置し、
前記（ｃ）工程では、前記フィルムと前記組み立て体との間に前記モールド樹脂を供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記モールド金型の前記第１金型には、前記第１キャビティに開口する吸引口が設けられており、
前記モールド樹脂を前記第１キャビティ内に充填する前に、前記吸引口を介して前記フィルムを吸引し、前記フィルムの前記第１面を前記第１キャビティに密着させることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記（ｂ）工程では、前記フィルムを前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間に配置し、前記フィルムを吸引してから、前記フィルムと前記第２金型の前記第２金型面との間に前記組み立て体を配置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間に前記フィルムを配置する前に、前記フィルムにイオン化されたドライエアーを供給することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記フィルムは、フィルム供給ローラにより前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間に供給され、
前記封止部を形成し、前記第１金型と前記第２金型を開いた後、フィルム巻取りローラにより前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間から前記フィルムを巻き取ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１、又は５の何れかにおいて、
前記組み立て体は、チップ支持部材と、前記チップ支持部材上に搭載された半導体チップとで構成され、
前記（ｂ）工程では、前記第１キャビティと前記半導体チップとの間に前記フィルムを配置することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記チップ支持部材は、基板電極が形成されたチップ支持面、および前記チップ支持面とは反対側の裏面を有し、
前記半導体チップは、パッドが形成された主面を有し、
前記組み立て体は、前記チップ支持部材と、前記半導体チップと、前記チップ支持部材の前記基板電極と前記半導体チップの前記パッドとを電気的に接続する接続部材とで構成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記接続部材はボンディングワイヤであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記チップ支持部材は、基板電極がそれぞれに形成された複数のチップ支持面、および前記複数のチップ支持面とは反対側の裏面を有し、
前記半導体チップは、パッドが形成された主面を有し、
前記組み立て体は、前記チップ支持部材の前記複数のチップ支持面上のそれぞれに搭載された複数の前記半導体チップと、前記チップ支持部材の前記基板電極と複数の前記半導体チップのそれぞれの前記パッドとを電気的に接続する接続部材とで構成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記接続部材はボンディングワイヤであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１、５、又は６の何れかにおいて、
前記（ｃ）工程では、トランスファー方式により前記モールド樹脂を充填することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１、５、６、又は１１の何れかにおいて、
前記モールド金型から離型された前記封止部の表面は、粗面に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
すなわち、本発明は、（ａ）第１金型面、および前記第１金型面に形成された第１キャビティを有する第１金型と、前記第１金型面と対向する第２金型面を有する第２金型とで構成されるモールド金型を準備する工程、（ｂ）凹凸が形成された第１面、および前記第１面とは反対側の第２面を有する樹脂系のフィルムと、組み立て体とを、前記第１金型の前記第１キャビティと前記第２金型の前記第２金型面との間に配置する工程、（ｃ）前記第１金型および前記第２金型を閉じ、前記第１キャビティ内にモールド樹脂を充填し、前記組み立て体に封止部を形成する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１金型と前記第２金型を開いて、前記封止部が形成された前記組み立て体を前記モールド金型から離型する工程、を含み、前記（ｂ）工程では、前記フィルムの前記第１面が前記第１キャビティと対向するように、前記第１キャビティと前記第２金型面との間に前記フィルムを、前記フィルムと前記第２金型面との間に前記組み立て体を配置し、前記（ｃ）工程では、前記フィルムと前記組み立て体との間に前記モールド樹脂を供給するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月14日(2009.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が形成された表示領域、
外部の駆動回路に接続されるパッド部が形成され、前記表示領域を囲む周辺領域、
前記周辺領域に形成され、前記画素と前記パッド部との間を接続している扇状の配線群で構成された第１ファンアウト部及び、
前記周辺領域で前記第１ファンアウト部に隣接し、前記画素と前記パッド部との間を接続している扇状の配線群で構成された第２ファンアウト部を有する表示パネルであり、
前記第１ファンアウト部と前記第２ファンアウト部とでは各配線の傾きが非対称であること、及び、
対称的な位置にある前記第１ファンアウト部の配線と前記第２ファンアウト部の配線との対では、一方が、他方の対応部分とは異なる抵抗を示す等抵抗部を含み、
前記等抵抗部と前記対応部分との間の抵抗差が、前記非対称性の傾きに起因する配線間の抵抗差を相殺することを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記第１ファンアウト部と前記第２ファンアウト部との各配線が、前記パッド部から前記表示領域の縦方向または横方向に延びる直線部と、前記直線部の端から前記直線部に対して斜めに傾いて延びる斜線部とを含み、
前記第１ファンアウト部と前記第２ファンアウト部とでは前記斜線部の傾きが非対称である請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記等抵抗部がジグザグパターンを含む請求項１又は２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１ファンアウト部と前記第２ファンアウト部とでは各配線の全長が実質的に同一である請求項１から３のいずれか１つに記載の表示パネル。
【請求項５】
前記等抵抗部の配線の幅が前記対応部分の配線の幅より広い請求項１から４のいずれか１つに記載の表示パネル。
【請求項６】
前記等抵抗部の配線の幅が前記対応部分の配線の幅より狭い請求項１から４のいずれか１つに記載の表示パネル。
【請求項７】
前記表示パネルが前記表示領域に、前記画素を区切る複数のソース配線と複数のゲート配線とをさらに有し、
前記第１ファンアウト部及び第２ファンアウト部の各配線群が前記ソース配線に接続されている請求項１から６のいずれか１つに記載の表示パネル。
【請求項８】
前記等抵抗部が多層金属パターンを含む請求項１から７のいずれか１つに記載の表示パネル。
【請求項９】
駆動回路をそれぞれ実装する複数の印刷回路基板及び、
複数の画素が形成された表示領域と、前記駆動回路から駆動信号を受けるパッド部が形成された、前記表示領域を囲む周辺領域とを含む表示パネルを有する表示装置であり、
前記周辺領域では、前記パッド部から前記画素に前記駆動信号を出力する扇状の配線群でそれぞれ構成された第１ファンアウト部と第２ファンアウト部とが隣接していること、
前記第１ファンアウト部と前記第２ファンアウト部とでは各配線の傾きが非対称であること及び、
対称的な位置にある前記第１ファンアウト部の配線と前記第２ファンアウト部の配線との対では、一方が、他方の対応部分とは異なる抵抗を示す等抵抗部、を含み、前記等抵抗部と前記対応部分との間の抵抗差が前記傾きの非対称性に起因する配線間の抵抗差を相殺することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層からなる構成を有する転写ベルトにおいて、
表層が、平均粒径が２０ｎｍ以下かつ波長８００ｎｍの光に対する屈折率が２．３以上の粒子を含有する高分子組成物からなる層であり、
該転写ベルトの表面粗さが、最大高さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２００１））で０．３μｍ以下である
ことを特徴とする転写ベルト。
【請求項２】
前記粒子が酸化チタン粒子である請求項１に記載の転写ベルト。
【請求項３】
前記高分子組成物が、結着材料としてのアクリル樹脂と、前記酸化チタン粒子とからなる請求項２に記載の転写ベルト。
【請求項４】
前記表層の、波長８００ｎｍの光に対する反射率（入射角５°、正反射）が、５．３％以上、６．５％以下である請求項３に記載の転写ベルト。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の転写ベルトを有する画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
すなわち、本発明は、複数の層からなる構成を有する転写ベルトにおいて、表層が、平均粒径が２０ｎｍ以下かつ波長８００ｎｍの光に対する屈折率が２．３以上の粒子を含有する高分子組成物からなる層であり、該転写ベルトの表面粗さが、最大高さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１（２００１））で０．３μｍ以下であることを特徴とする転写ベルトである。
また、本発明は、上記転写ベルトを有する画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有し、
前記各画素は、
透過型液晶キャパシタと、
前記透過型液晶キャパシタに接続されている第１反射型液晶キャパシタと、
一端が前記透過型液晶キャパシタ及び前記第１反射型液晶キャパシタと分離されている第２反射型液晶キャパシタとを有し、
前記複数の画素は互いに異なる基本色をそれぞれ表示する第１及び第２画素を有し、前記第１及び第２画素の反射率曲線が実質的に互いに一致することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素の透過率曲線と前記反射率曲線が実質的に一致することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２反射型液晶キャパシタの両端電圧は、前記第１反射型液晶キャパシタの両端電圧より小さいことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２反射型液晶キャパシタに接続されている補助キャパシタをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２画素の補助キャパシタの容量は互いに異なることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記透過型液晶キャパシタ、前記第１反射型液晶キャパシタ及び前記補助キャパシタに接続されているスイッチング素子をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記透過型液晶キャパシタ及び前記第１反射型液晶キャパシタは、前記スイッチング素子からデータ電圧の印加を受け、
前記第２反射型液晶キャパシタは、前記補助キャパシタから前記データ電圧より小さい電圧の印加を受けることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記透過型液晶キャパシタ及び前記第１反射型液晶キャパシタは、それぞれ前記スイッチング素子に接続されている透明電極及び第１反射電極を有し、
前記第２反射型液晶キャパシタは、前記透明電極及び前記第１反射電極と分離されている第２反射電極を有することを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１画素の第１及び第２反射電極の面積比と前記第２画素の第１及び第２反射電極の面積比とが互いに異なることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記複数の画素は赤色、緑色及び青色をそれぞれ表示する赤色画素、緑色画素及び青色画素を有し、前記赤色画素の第１及び第２反射電極の第１面積比は前記緑色画素の第１及び第２反射電極の第２面積比より小さく、前記青色画素の第１及び第２反射電極の第３面積比は前記第２面積比より大きいことを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。