【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子エネルギー分析器装置であって、
荷電粒子の通過のための開口をもつ第１の導電性メッシュであって、第１の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列される、第１のメッシュと、
前記第１のメッシュの前記第２の側部と前記第１の電極との間に、第１のキャビティが形成されるように配列される、第１の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第２の導電性メッシュであって、第２の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第１の側部に受け渡すように配列される、第２のメッシュと、
前記第２のメッシュの第１の側部と前記第２の電極との間に第２のキャビティが形成されるように配列される、第２の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第３の導電性メッシュであって、第１の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列される、第３のメッシュと、
前記荷電粒子が前記第３のメッシュを通過した後に、前記荷電粒子を受け取るように配列される、位置検知荷電粒子検出器と
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記第１のメッシュ、前記第２のメッシュ、および、前記第３のメッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の装置であって、
前記第１の電極が、第１の導電性プレートを備え、前記第２の電極が、第２の導電性プレートを備える、装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記第１のメッシュ、前記第２のメッシュ、および、前記第３のメッシュが、電気的に接地され、前記第１の電極および前記第２の電極に負の電圧が印加される、装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記メッシュを前記電極に電気的に結合する抵抗的側壁
をさらに備える、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、電圧ステップダウンアレイを備える、装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、抵抗性コーティングを施した側壁を備える、装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記荷電粒子の軌跡が、前記第１のメッシュを通って前記第１のキャビティに入り、前記第１の電極から離れて偏向し、前記第２のメッシュを通って前記第２のキャビティに入り、前記第２の電極から離れて偏向し、前記第３のメッシュを通って前記第２のキャビティから出る、装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記第１のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第１の導電性シールドと、前記第２のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第２の導電性シールドと
をさらに備える装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の表面の前に配列される金属メッシュと、
前記金属メッシュと前記表面との間の電圧差によって生成された静電界と
をさらに備える、装置。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の検出器セグメント
をさらに備える、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、台形の検出器表面を備える、装置。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、極方向に回転可能である、装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれか一項に記載の装置であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記装置が、
１次電子ビームを発生するように構成される電子ソースと、
前記１次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させるように構成される対物レンズと、
前記ターゲット基板の前記表面にわたって、前記１次電子ビームを制御可能に偏向させるように構成されるデフレクタと
をさらに備え、
前記１次電子ビームが、前記ターゲット基板の前記表面から２次電子を射出させ、
前記２次電子の軌跡が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティを通過し、前記位置検知荷電粒子検出器によって検出される、
装置。
【請求項１５】
荷電粒子のエネルギーを分析する方法であって、
前記荷電粒子を、第１の導電性メッシュを通過させて、第１のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第１の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第２の導電性メッシュを通過させて、前記第１のキャビティから出し、第２のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第２の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第３の導電性メッシュを通過させて、前記第２のキャビティから出すことと、
位置検知検出器を用いて前記荷電粒子を検出することと
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１の導電性メッシュ、前記第２の導電性メッシュ、および、前記第３の導電性メッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６に記載の方法であって、
前記導電性メッシュが電気的に接地され、前記第１の導電性プレートおよび前記第２の導電性プレートに負の電圧が印加される、方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
第１の導電性シールドを使用して前記第１のキャビティを遮蔽することと、
第２の導電性シールドを用いて前記第２のキャビティを遮蔽することと
をさらに備える、方法。
【請求項１９】
請求項１５から請求項１８までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記方法が、
電子銃を使用して１次電子ビームを発生することと、
前記１次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させることと、
前記ターゲット基板の前記表面から２次電子を射出させることと、
前記１次電子ビームを、前記ターゲット基板の前記表面にわたって制御可能に偏向させることと
をさらに含み、
前記ターゲット基板の前記表面から射出される前記２次電子の軌跡が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティを通って進み、前記位置検知検出器によって検出される、
方法。
【請求項２０】
請求項１５から請求項１９までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記検出器表面で発生した３次電子を抑制または除去するように、検出器表面と前記検出器表面の前のメッシュとの間に静電界を印加すること
をさらに含む、方法。
【請求項２１】
請求項１５から請求項２０までのいずれか一項に記載の方法であって、
前記位置検知検出器のセグメントの極回転をさらに備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
他の実施形態、態様および特徴も開示される。
本発明は以下の適用例としても実現可能である。
［適用例１］
荷電粒子エネルギー分析器装置であって、
荷電粒子の通過のための開口をもつ第１の導電性メッシュであって、第１の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列される、第１のメッシュと、
前記第１のメッシュの前記第２の側部と前記第１の電極との間に、第１のキャビティが形成されるように配列される、第１の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第２の導電性メッシュであって、第２の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第１の側部に受け渡すように配列される、第２のメッシュと、
前記第２のメッシュの第１の側部と前記第２の電極との間に第２のキャビティが形成されるように配列される、第２の電極と、
前記荷電粒子の通過のための開口をもつ第３の導電性メッシュであって、第１の側部上で前記荷電粒子を受け取り、前記荷電粒子を第２の側部に受け渡すように配列される、第３のメッシュと、
前記荷電粒子が前記第３のメッシュを通過した後に、前記荷電粒子を受け取るように配列される、位置検知荷電粒子検出器と
を備える、装置。
［適用例２］
適用例１に記載の装置であって、
前記第１のメッシュ、前記第２のメッシュ、および、前記第３のメッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、装置。
［適用例３］
適用例１に記載の装置であって、
前記第１の電極が、第１の導電性プレートを備え、前記第２の電極が、第２の導電性プレートを備える、装置。
［適用例４］
適用例１に記載の装置であって、
前記第１のメッシュ、前記第２のメッシュ、および、前記第３のメッシュが、電気的に接地され、前記第１の電極および前記第２の電極に負の電圧が印加される、装置。
［適用例５］
適用例１に記載の装置であって、
前記メッシュを前記電極に電気的に結合する抵抗的側壁
をさらに備える、装置。
［適用例６］
適用例５に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、電圧ステップダウンアレイを備える、装置。
［適用例７］
適用例５に記載の装置であって、
前記抵抗的側壁が、抵抗性コーティングを施した側壁を備える、装置。
［適用例８］
適用例１に記載の装置であって、
前記荷電粒子の軌跡が、前記第１のメッシュを通って前記第１のキャビティに入り、前記第１の電極から離れて偏向し、前記第２のメッシュを通って前記第２のキャビティに入り、前記第２の電極から離れて偏向し、前記第３のメッシュを通って前記第２のキャビティから出る、装置。
［適用例９］
適用例１に記載の装置であって、
前記第１のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第１の導電性シールドと、前記第２のキャビティにおいて静電界を遮蔽するように配列される第２の導電性シールドと
をさらに備える装置。
［適用例１０］
適用例１に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の表面の前に配列される金属メッシュと、
前記金属メッシュと前記表面との間の電圧差によって生成された静電界と
をさらに備える、装置。
［適用例１１］
適用例１に記載の装置であって、
前記位置検知荷電粒子検出器の検出器セグメント
をさらに備える、装置。
［適用例１２］
適用例１１に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、台形の検出器表面を備える、装置。
［適用例１３］
適用例１１に記載の装置であって、
前記検出器セグメントが、極方向に回転可能である、装置。
［適用例１４］
適用例１に記載の装置であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記装置が、
１次電子ビームを発生するように構成される電子ソースと、
前記１次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させるように構成される対物レンズと、
前記ターゲット基板の前記表面にわたって、前記１次電子ビームを制御可能に偏向させるように構成されるデフレクタと
をさらに備え、
前記１次電子ビームが、前記ターゲット基板の前記表面から２次電子を射出させ、
前記２次電子の軌跡が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティを通過し、前記位置検知荷電粒子検出器によって検出される、
装置。
［適用例１５］
荷電粒子のエネルギーを分析する方法であって、
前記荷電粒子を、第１の導電性メッシュを通過させて、第１のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第１の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第２の導電性メッシュを通過させて、前記第１のキャビティから出し、第２のキャビティに入れることと、
前記荷電粒子を第２の導電性プレートから離れて偏向させることと、
前記荷電粒子を、第３の導電性メッシュを通過させて、前記第２のキャビティから出すことと、
位置検知検出器を用いて前記荷電粒子を検出することと
を含む、方法。
［適用例１６］
適用例１５に記載の方法であって、
前記第１の導電性メッシュ、前記第２の導電性メッシュ、および、前記第３の導電性メッシュが、単一のメッシュ構造の一部である、方法。
［適用例１７］
適用例１５に記載の方法であって、
前記導電性メッシュが電気的に接地され、前記第１の導電性プレートおよび前記第２の導電性プレートに負の電圧が印加される、方法。
［適用例１８］
適用例１７に記載の方法であって、
第１の導電性シールドを使用して前記第１のキャビティを遮蔽することと、
第２の導電性シールドを用いて前記第２のキャビティを遮蔽することと
をさらに備える、方法。
［適用例１９］
適用例１５に記載の方法であって、
前記荷電粒子が電子を含み、前記方法が、
電子銃を使用して１次電子ビームを発生することと、
前記１次電子ビームを、ターゲット基板の表面にあるスポットに集束させることと、
前記ターゲット基板の前記表面から２次電子を射出させることと、
前記１次電子ビームを、前記ターゲット基板の前記表面にわたって制御可能に偏向させることと
をさらに含み、
前記ターゲット基板の前記表面から射出される前記２次電子の軌跡が、前記第１のキャビティおよび前記第２のキャビティを通って進み、前記位置検知荷電粒子検出器によって検出される、
方法。
［適用例２０］
適用例１５に記載の方法であって、
前記検出器表面で発生した３次電子を抑制または除去するように、検出器表面と前記検出器表面の前のメッシュとの間に静電界を印加すること
をさらに含む、方法。
［適用例２１］
適用例１５に記載の方法であって、
前記位置検知荷電粒子検出器のセグメントの極回転をさらに備える、方法。