(57)【要約】    【課題】  ロードロック室を具備した基板処理装置に於いて、減圧状態でのロードロック室の酸素濃度の測定を、常圧で実施し、安価な酸素濃度測定器の使用を可能とすると共にスループットの向上を図るものである。    【解決手段】  基板８を処理する処理室１と、該処理室に気密に連設された予備室２と、該予備室に連通すると共に排気手段１３に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路１５と、該排気路の隔離可能な部分１８に接続された酸素濃度測定手段１４とを具備した。    【選択図】          図１
2008210852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設された予備室と、該予備室に連通すると共に排気手段に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路と、該排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記隔離可能な部分に不活性ガス供給手段が接続された請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設され基板を収納可能な予備室と、該予備室に連通される第１排気路と、前記予備室に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な第２排気路と、前記第１排気路、前記第２排気路を介して前記予備室を排気する排気手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記処理室から隔離した前記予備室を前記第１排気路、前記第２排気路を介して排気する工程と、該第２排気路を気密に隔離する工程と、該第２排気路に不活性ガスを供給する工程と、該第２排気路の酸素濃度を測定する工程と、該第２排気路の酸素濃度が所定値以下となった場合に前記処理室と前記予備室とを連通して前記処理室に基板を装入する工程と、基板を前記処理室で処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ等の被処理基板に対して、ＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行う基板処理装置に関し、特に処理室に連設された予備室を具備する基板処理装置及び該基板処理装置による半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ等の基板にＣＶＤ、ドライエッチング、スパッタ等所要の処理を行い半導体装置を製造する装置として基板処理装置があり、基板処理装置には基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置、或は所定枚数を一度に処理するバッチ式の基板処理装置とがある。
【０００３】
バッチ式の基板処理装置では所定数の基板（以下、ウェーハ）が基板保持具（以下、ボート）に水平姿勢で多段に保持され、該ボートをボート装脱手段（以下、ボートエレベータ）により処理室内に装入、引出しする様にし、前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室内に収納させ、ウェーハを前記ボートに保持させた状態で、所要の処理を行い、処理後は前記ボートエレベータにより前記ボートを前記処理室から引出している。
【０００４】
又、該処理室への前記ボートの装脱過程でのウェーハの自然酸化を防止する為、気密な予備室（以下ロードロック室）を具備する基板処理装置がある。該ロードロック室は前記処理室に気密に連設され、又該処理室と前記ロードロック室とはゲートバルブによって気密に隔離可能となっている。
【０００５】
前記ロードロック室では、内部を真空引きして雰囲気中の酸素、水を排出して酸素濃度を低下させ、又前記ロードロック室内部を昇圧、或は大気圧復帰させる場合は、不活性ガス、例えば窒素ガスを供給して前記ロードロック室の酸素濃度が上昇することを抑制している。
【０００６】
又、ウェーハを処理する場合、前記処理室から隔離された前記ロードロック室に対して上記した真空引きと不活性ガスの供給を繰返し実施するサイクルパージが実施され、前記ロードロック室内の酸素濃度を測定し、所定の酸素濃度以下となった状態で、前記処理室と前記ロードロック室を連通し、前記ボートに装填されたウェーハを前記ボートと共に前記処理室に装入し、ウェーハを加熱し、又処理ガスを導入して所要の処理を実施している。
【０００７】
前記処理室、前記ロードロック室を減圧状態のまま、前記ボートの装脱を行う様にすれば、前記処理室、前記ロードロック室を大気圧復帰する時間が省略でき、スループットの向上を図り得る。
【０００８】
ところが、減圧状態で、酸素濃度を検出する為には、高価な酸素濃度測定器が必要であり、基板処理装置自体が高価となってしまうという問題があった。
【０００９】
【特許文献１】特開平４−２８０６２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は斯かる実情に鑑み、ロードロック室を具備した基板処理装置に於いて、減圧状態でのロードロック室の酸素濃度の測定を、常圧で実施し、安価な酸素濃度測定器の使用を可能とすると共にスループットの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設された予備室と、該予備室に連通すると共に排気手段に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路と、該排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備する基板処理装置に係り、又前記隔離可能な部分に不活性ガス供給手段が接続された基板処理装置に係るものである。
【００１２】
又本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設され基板を収納可能な予備室と、該予備室に連通される第１排気路と、前記予備室に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な第２排気路と、前記第１排気路、前記第２排気路を介して前記予備室を排気する排気手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記処理室から隔離した前記予備室を前記第１排気路、前記第２排気路を介して排気する工程と、該第２排気路を気密に隔離する工程と、該第２排気路に不活性ガスを供給する工程と、該第２排気路の酸素濃度を測定する工程と、該第２排気路の酸素濃度が所定値以下となった場合に前記処理室と前記予備室とを連通して前記処理室に基板を装入する工程と、基板を前記処理室で処理する工程とを有する半導体装置の製造方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設された予備室と、該予備室に連通すると共に排気手段に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な排気路と、該排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備するので、酸素濃度測定は隔離の部分の小さな容積について実施すればよく、大気圧復帰、真空引き等が短時間で実行でき、スループットが向上する。
【００１４】
又本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室に気密に連設され基板を収納可能な予備室と、該予備室に連通される第１排気路と、前記予備室に連通され、少なくとも一部が気密に隔離可能な第２排気路と、前記第１排気路、前記第２排気路を介して前記予備室を排気する排気手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記第２排気路の隔離可能な部分に接続された酸素濃度測定手段とを具備する基板処理装置に於いて、前記処理室から隔離した前記予備室を前記第１排気路、前記第２排気路を介して排気する工程と、該第２排気路を気密に隔離する工程と、該第２排気路に不活性ガスを供給する工程と、該第２排気路の酸素濃度を測定する工程と、該第２排気路の酸素濃度が所定値以下となった場合に前記処理室と前記予備室とを連通して前記処理室に基板を装入する工程と、基板を前記処理室で処理する工程とを有するので、酸素濃度測定が短時間に実行でき、スループットが向上する等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１６】
先ず、図１により本発明に係る基板処理装置の概略を説明する。
【００１７】
処理炉１はロードロック室２の上側に気密に連設されており、前記処理炉１の内部には処理室が画成され、該処理室の下端開口部は炉口を形成し、該炉口は炉口ゲートバルブ３によって気密に閉塞され、又開放可能となっている。
【００１８】
前記処理炉１には処理ガス、パージガス等のガスを供給可能であり、又真空ポンプ等を具備する排気手段が接続され、前記処理室を排気可能となっている。
【００１９】
前記ロードロック室２の内部には、ボート昇降機構であるボートエレベータ４が設けられ、該ボートエレベータ４からは昇降アーム５が水平方向に延出し、該昇降アーム５によってシールキャップ６が支持され、該シールキャップ６に基板保持具であるボート７が支持される。該ボート７は、基板（以下ウェーハ）８を水平姿勢で多段に保持する。
【００２０】
前記ロードロック室２には、ガス供給管９が接続され、該ガス供給管９を介して窒素ガス等の不活性ガスが前記ロードロック室２に供給される様になっている。
【００２１】
又、該ロードロック室２には第１排気管１１が接続され、該第１排気管１１は第１バルブ１２を介して真空ポンプ等を具備する排気手段１３に接続されている。該排気手段１３には酸素濃度検出手段１４が設けられている。
【００２２】
該酸素濃度検出手段１４について説明する。
【００２３】
前記排気手段１３の上流側に前記第１排気管１１から分岐し、再び合流するバイパス路である第２排気管１５を設け、該第２排気管１５の分岐点より上流側に第２バルブ１６、合流点より下流側に第３バルブ１７が設けられる。前記第２排気管１５の前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７の間はサンプリング部１８となっており、該サンプリング部１８は前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７の開閉によって前記第１排気管１１から気密に隔離可能である。
【００２４】
前記サンプリング部１８に酸素濃度検出管１９が連通され、該酸素濃度検出管１９には酸素濃度検出計２１が設けられている。前記酸素濃度検出管１９には、前記酸素濃度検出計２１の上流側（吸込み路）、下流側（排出路）にそれぞれ第４バルブ２２、第５バルブ２３が設けられている。又、前記サンプリング部１８には不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する窒素ガス供給管２４が接続され、前記サンプリング部１８内部の圧力を検出する圧力検出器２５が接続されている。該圧力検出器２５の検出結果、前記酸素濃度検出計２１の検出結果はそれぞれ制御装置６５に送出される。
【００２５】
次に、前記処理炉１の一例について、図２を参照して説明する。
【００２６】
該処理炉１は加熱手段としてのヒータ３８を有する。該ヒータ３８は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース３９に支持されることにより垂直に設置されている。
【００２７】
前記ヒータ３８の内側には、該ヒータ３８と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ４１が配設されている。該プロセスチューブ４１は内部反応管４２と、その外側に同心に設けられた外部反応管４３とから構成されている。
【００２８】
前記内部反応管４２は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）又は炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状であり、前記外部反応管４３は、例えば石英又は炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状となっている。
【００２９】
前記内部反応管４２の内部には処理室４４が画成され、該処理室４４にはウェーハ８が前記ボート７によって保持され、収容可能となっている。該ボート７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、所定枚数のウェーハ８を水平姿勢で且つ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持する様に構成されている。尚、前記ボート７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板３１が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、前記ヒータ３８からの熱がマニホールド４５側に伝わり難くなる様構成されている。
【００３０】
前記外部反応管４３の下方には、該外部反応管４３と同心円状に前記マニホールド４５が配設されている。該マニホールド４５は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状となっており、該マニホールド４５の上端に前記外部反応管４３が気密に立設され、前記マニホールド４５の内壁に突設された内フランジ４６に前記内部反応管４２が立設されている。前記プロセスチューブ４１と前記マニホールド４５により反応容器が形成される。
【００３１】
前記シールキャップ６にはガス導入部としてのノズル５０が前記処理室４４に連通する様に設けられ、前記ノズル５０にはガス供給管４７が接続されている。該ガス供給管４７には、ガス流量制御器４８を介して図示しない処理ガス供給源や不活性ガス供給源が接続されている。前記ガス流量制御器４８には、ガス流量制御部４９が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３２】
前記マニホールド４５には、前記処理室４４の雰囲気を排気する排気管５１が設けられている。該排気管５１は、前記内部反応管４２と前記外部反応管４３との間に形成される筒状空間５２の下端部に連通している。前記排気管５１には圧力センサ５３及び圧力調整装置５４を介して真空ポンプ等の真空排気装置５５が接続されており、前記処理室４４の圧力が所定の圧力（真空度）となる様真空排気し得る様に構成されている。
【００３３】
前記圧力調整装置５４及び前記圧力センサ５３には、圧力制御部５６が電気的に接続されており、該圧力制御部５６は前記圧力センサ５３により検出された圧力に基づいて前記圧力調整装置５４により前記処理室４４の圧力が所望の圧力となる様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３４】
前記マニホールド４５の下端開口部は炉口部を形成し、該炉口部は前記シールキャップ６によって気密に閉塞可能である。該シールキャップ６は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。該シールキャップ６の下面側には、前記ボート７を回転させる回転機構５７が設置されている。該回転機構５７の回転軸５８は前記シールキャップ６を貫通してボート受け台５９に連結されており、前記ボート７を回転させることでウェーハ８を回転させる様に構成されている。前記シールキャップ６は前記ボートエレベータ４によって垂直方向に昇降される様に構成されており、これにより前記ボート７を前記処理室４４に対し装入引出しすることが可能となっている。前記炉口ゲートバルブ３、前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７、前記第４バルブ２２、前記第５バルブ２３、前記回転機構５７及び前記ボートエレベータ４には、駆動制御部６０が電気的に接続されており、所望の作動をする様所望のタイミングにて制御する様に構成されている。
【００３５】
前記筒状空間５２には温度センサ６２が前記内部反応管４２の下部から上部に掛渡って立設されている。前記ヒータ３８と前記温度センサ６２には、電気的に温度制御部６３が接続されており、該温度制御部６３は前記温度センサ６２により検出された温度情報に基づき前記ヒータ３８への通電状態を調整することにより前記処理室４４の温度が所望の温度分布となる様に制御する。
【００３６】
前記ガス流量制御部４９、前記圧力制御部５６、前記駆動制御部６０、前記温度制御部６３は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部６４に電気的に接続されている。前記ガス流量制御部４９、前記圧力制御部５６、前記駆動制御部６０、前記温度制御部６３、前記主制御部６４は前記制御装置６５として構成されている。
【００３７】
次に、上記構成に係る処理炉１を用いて、半導体デバイスの製造工程の１工程として、ＣＶＤ法によりウェーハ８上に薄膜を生成する方法について説明する。尚、以下の説明に於いて、基板処理装置を構成する各部の作動は前記制御装置６５により制御される。
【００３８】
前記炉口ゲートバルブ３が前記処理室４４を気密に閉塞し、該処理室４４は所定の負圧状態で密閉される。
【００３９】
前記ロードロック室２に設けられているゲートバルブ（図示せず）が開放され、前記ボート７に所定枚数のウェーハ８が装填される。ゲートバルブが閉塞され、前記ロードロック室２が前記処理室４４とは隔離した状態で密閉される。
【００４０】
前記第１バルブ１２、前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７が開放された状態で、又前記第４バルブ２２、前記第５バルブ２３が閉塞された状態で、前記排気手段１３により前記ロードロック室２が真空引きされ、減圧される。次に、前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７を閉塞し、前記サンプリング部１８を気密状態で前記ロードロック室２、前記第１排気管１１から隔離する。
【００４１】
前記窒素ガス供給管２４より窒素ガスを導入して前記サンプリング部１８を大気圧迄復圧する。復圧したかどうかは、前記圧力検出器２５の検出圧力によって判断する。
【００４２】
前記第４バルブ２２、前記第５バルブ２３を開き、前記酸素濃度検出計２１によって前記サンプリング部１８内の酸素濃度が所定値以下であるかどうかを測定する。
【００４３】
前記サンプリング部１８の酸素濃度は、前記ロードロック室２の酸素濃度であり、前記酸素濃度検出計２１によって酸素濃度が所定値以下と測定されると、前記ロードロック室２の酸素濃度が所定値以下となったと判断される。
【００４４】
尚、前記サンプリング部１８による測定結果が、所定値に達していないと、前記第４バルブ２２、前記第５バルブ２３が閉じられ、更に前記ロードロック室２の真空引きが実施される。
【００４５】
先ず、前記第３バルブ１７が開かれ、前記排気手段１３により前記サンプリング部１８内が真空引きされ、次に前記第２バルブ１６が開かれ、前記第１排気管１１、前記第２排気管１５を介して前記ロードロック室２の真空引きが行われる。
【００４６】
真空引きが実施された後、更に前記サンプリング部１８が前記第２バルブ１６、前記第３バルブ１７によって気密隔離されると、前記サンプリング部１８に窒素ガスが供給され、同様にして、前記第４バルブ２２、前記第５バルブ２３が開かれ、前記酸素濃度検出計２１による酸素濃度の測定が行われる。
【００４７】
前記サンプリング部１８の酸素濃度が所定値以下と測定されると、前記炉口ゲートバルブ３が開放され、前記ボートエレベータ４によって前記ボート７が前記処理室４４に装入される。この状態で、前記シールキャップ６は炉口部を気密に閉塞する。
【００４８】
前記処理室４４が所望の圧力（真空度）となる様に前記真空排気装置５５によって真空排気される。この際、前記処理室４４の圧力は、前記圧力センサ５３で検出され、検出結果に基づき前記圧力調整装置５４が、前記処理室４４の圧力をフィードバック制御する。
【００４９】
又、該処理室４４が所望の温度となる様に前記ヒータ３８によって加熱される。この際、前記処理室４４が所望の温度分布となる様に前記温度センサ６２が検出した温度情報に基づき前記ヒータ３８への通電具合がフィードバック制御される。続いて、前記回転機構５７により、前記ボート７が回転される。該ボート７と一体にウェーハ８が回転され、該ウェーハ８に対する処理が均一化される。
【００５０】
次に、処理ガス供給源（図示せず）から処理ガスが供給され、前記ガス流量制御器４８にて所望の流量となる様に制御されたガスは、前記ガス供給管４７を流通して前記ノズル５０から前記処理室４４に導入される。導入されたガスは該処理室４４を上昇し、前記内部反応管４２の上端開口で折返し、前記筒状空間５２を流下して前記排気管５１から排気される。ガスは前記処理室４４を通過する際にウェーハ８の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ８の表面上に薄膜が成膜される。
【００５１】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室４４が不活性ガスに置換されると共に、該処理室４４の圧力が常圧に復帰される。
【００５２】
前記ボートエレベータ４により前記シールキャップ６を介して前記ボート７が降下される。
【００５３】
処理後の処理済みウェーハ８の搬出については、上記説明の通りである。
【００５４】
尚、一例迄、本実施の形態の処理炉にてウェーハを処理する際の処理条件としては、例えば、Ｐｏｌｙ−Ｓｉ膜の成膜に於いては、処理温度５００℃、処理圧力２００Ｐａ、ガス種ＳｉＨ4 、ガス供給流量２０００ｓｃｃｍが例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウェーハに処理がなされる。
【００５５】
上記した様に、基板処理を実施する工程で、前記ロードロック室２を減圧し所定酸素濃度以下にする工程があるが、本発明では、前記ロードロック室２の雰囲気を前記サンプリング部１８でサンプリングし、該サンプリング部１８を不活性ガスで大気圧に復帰させ、酸素濃度を測定する。
【００５６】
従って、前記酸素濃度検出計２１は常圧用のものでよく、安価な酸素濃度検出計２１を使用することができる。又、前記サンプリング部１８は、配管の一部の極限られた部分であり、大気圧復帰する場合に必要な不活性ガス流量は少なくてよく、又短時間での大気圧復帰が可能である。
【００５７】
例えば、３００ｍｍ径のウェーハ８を処理する基板処理装置の前記ロードロック室２の容積が８００Ｌとした場合、前記サンプリング部１８の容積は１０Ｌ程度でよく、同流量の窒素ガスで大気圧復帰させる為の時間は１／８０に短縮でき、スループットを大幅に短縮できる。
【００５８】
尚、酸素濃度に限らず、種々の気体についての濃度検出が可能であり、例えば水分濃度についても同様である。
【００５９】
図３は第２の実施の形態を示すものであり、該第２の実施の形態では、第２排気管１５を第１排気管１１から分岐せず、直接ロードロック室２に連通したものである。
【００６０】
図４は第３の実施の形態を示すものであり、該第３の実施の形態では、排気手段１３を排気装置１３ａ、排気装置１３ｂで構成し、第１排気管１１に前記排気装置１３ａ、第２排気管１５に前記排気装置１３ｂをそれぞれ個別に接続し、前記排気装置１３ａ、前記排気装置１３ｂによって個別に排気する様にしたものである。
【００６１】
図５は第４の実施の形態を示すものであり、該第４の実施の形態は、第３の実施の形態に於いて、第２排気管１５を第１排気管１１から分岐せず、直接ロードロック室２に連通したものである。
【００６２】
又、酸素濃度検出計２１は前記第２排気管１５の第２バルブ１６と第３バルブ１７との間に直接設けてもよい。直接設けることで、酸素濃度検出管１９、第４バルブ２２、第５バルブ２３を省略することができる。
【００６３】
尚、上記実施の形態では、第２排気管１５の一部をサンプリング部１８としたが、前記第２排気管１５の途中に別途サンプリング部１８としてのチャンバを設けてもよい。
【００６４】
尚、本発明は半導体装置の基板処理装置に限らず、ロードロック室２を具備した基板処理装置であれば実施可能であり、例えばＬＣＤ装置を製造する基板処理装置にも実施可能であり、又横型の基板処理装置に対しても実施可能である。又、基板処理についても、ガスを使用する全ての処理に適応ができることは言う迄もない。
【００６５】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６６】
（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室に隣接して設けられる予備室と、該予備室内を排気する排気路と、該排気路をバイパスするバイパス路と、該バイパス路の少なくとも一部を前記排気路と隔離する為に前記バイパス路に設けられる第１及び第２の開閉手段と、前記第１の開閉手段と前記第２の開閉手段との間のバイパス路に接続される酸素濃度計測手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【００６７】
（付記２）前記バイパス路に於ける前記第１及び第２の開閉手段とに囲われる空間の容量は前記予備室内の容量よりも小さい付記１の基板処理装置。
【００６８】
（付記３）前記酸素濃度計測手段は吸込み路及び排気路が前記バイパス路に接続されており、前記吸込み路及び排気路それぞれに第３及び第４の開閉手段が設けられている付記１の基板処理装置。
【００６９】
（付記４）前記酸素濃度計測手段の計測結果が、所定の酸素濃度以下であれば、前記処理室と前記予備室とを隔離するゲートバルブを開く様に制御する制御手段を更に具備する付記１の基板処理装置。
【００７０】
（付記５）前記酸素濃度計測手段の計測結果が、所定の酸素濃度以下であれば、前記処理室と前記予備室とを隔離するゲートバルブを開く付記１の基板処理装置。
【００７１】
（付記６）排気路をバイパスするバイパス路の少なくとも一部を前記排気路と隔離する為に前記バイパス路に設けられる第１及び第２の開閉手段を開く工程と、予備室内を前記排気路及び前記バイパス路から排気する工程と、前記第１及び第２の開閉手段を閉じる工程と、前記第１の開閉手段と前記第２の開閉手段との間のバイパス路に接続される不活性ガス供給手段により前記バイパス路内に不活性ガスを供給する工程と、前記第１の開閉手段と前記第２の開閉手段との間のバイパス路に接続される酸素濃度計測手段により前記バイパス路内の酸素濃度を測定する工程と、ゲートバルブを開くことにより前記予備室に隣接して設けられる処理室を開く工程と、該処理室内に基板を搬入する工程と、基板を前記処理室にて処理する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す概略構成図である。
【図２】該基板処理装置に用いられる処理炉の一例を示す断面図である。
【図３】第２の実施の形態の要部を示す説明図である。
【図４】第３の実施の形態の要部を示す説明図である。
【図５】第４の実施の形態の要部を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１              処理炉
２              ロードロック室
３              炉口ゲートバルブ
４              ボートエレベータ
７              ボート
８              ウェーハ
１１            第１排気管
１３            排気手段
１４            酸素濃度検出手段
１５            第２排気管
１８            サンプリング部
１９            酸素濃度検出管
２１            酸素濃度検出計
２４            窒素ガス供給管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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