【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅又は銅合金である第１の金属層、及びタンタル、窒化タンタル又は二酸化ケイ素である第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨するための組成物であって、
（ｉ）液体キャリア、
（ｉｉ）０．１〜３０．０ｗｔ％の少なくとも１種の酸化剤、
（ｉｉｉ）前記組成物が基体の前記第１の層を研磨する速度を増加させ、且つリン酸塩、ホスホン酸、カルボキシル酸及びそれらの塩からなる群より選択される０．０５〜１０．０ｗｔ％の少なくとも１種の研磨添加剤、並びに
（ｉｖ）リシン、イソホロンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、シクロヘキシル−１，３−プロパンジアミン、チオミカミン、（アミノプロピル）−１，３−プロパンジアミン、テトラエチレン−ペンタアミン、テトラジエチルブタンジアミン、プロピルアミン、ジアミノプロパノール、アミノブタノール、（２−アミノエトキシ）エタノール、ポリ［ビス（２−クロロエーテル）−アルト−１，３−ビス（３−ジメチルアミノ）プロピル］又はそれらの混合物からなる群より選択されるカチオン性窒素含有化合物である０．００１〜５．０ｗｔ％の少なくとも１種の停止化合物、
を含有する、多層基体の１又は複数の層を研磨するための組成物。
【請求項２】
前記液体キャリアが非水性溶媒である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記液体キャリアが水である、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記少なくとも１種の停止化合物が、０．０５〜３．０ｗｔ％の濃度で前記液体キャリア中に存在する、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記少なくとも１種の研磨添加剤が、ピロリン酸塩、トリ−リン酸塩、縮合リン酸塩、モノ−ホスホン酸、ジ−ホスホン酸、トリ−ホスホン酸、ポリ−ホスホン酸、これらのホスホン酸の塩、ジカルボキシル酸、トリカルボキシル酸、及びポリカルボキシル酸からなる群より選択される、請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも１種の停止化合物がアミノプロピル基を有する、請求項１〜５のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも１種の酸化剤がペルオキシドである、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記基体に結合した少なくとも１つの層の研磨速度を低下させる少なくとも１種のポリマー化合物を更に含有している、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも１種の不動態フィルム形成剤を更に含有している、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の組成物、並びに研磨パッド及び／又は研磨材を含む、前記第１の金属層及び前記第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨するための系。
【請求項１１】
前記系が前記液体キャリアに懸濁されている研磨材を含有している、請求項１０に記載の系。
【請求項１２】
前記研磨材が前記研磨パッドに固定されている、請求項１１に記載の系。
【請求項１３】
前記研磨材が金属酸化物研磨材である、請求項１０〜１２のいずれかに記載の系。
【請求項１４】
前記研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの共生成物、並びにそれらの混合物からなる群より選択される、請求項１３に記載の系。
【請求項１５】
前記研磨材がアルミナである、請求項１４に記載の系。
【請求項１６】
系に研磨材が存在せず、且つ前記研磨パッドが非研磨性のパッドである、請求項１０に記載の系。
【請求項１７】
請求項１０〜１６のいずれかに記載の系を基体の表面に接触させること、及びこの系によって前記基体の少なくとも一部を研磨することを含む、基体の研磨方法。
【請求項１８】
銅又は銅合金である第１の金属層、及びタンタル、窒化タンタル又は二酸化ケイ素である第２の層を有する多層基体の１又は複数の層を研磨する方法であって、
（ａ）請求項１０〜１６のいずれかに記載の系を、前記第１の金属層に接触させること、及び
（ｂ）前記基体から前記第１の金属層の少なくとも一部が除去されるまで、前記第１の金属層を前記系で研磨すること、
を含む、多層基体の１又は複数の層を研磨する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
停止化合物は、多層基体の１又は複数の層の少なくとも一部を系が研磨する能力を抑制する任意の適当な化合物でよい。適当な停止化合物は、上述のように、第１の金属層、第２の層、及び／又は多層基体の１又は複数の追加の層に作用（例えば付着）し、本発明の系による１又は複数の層の除去を少なくとも部分的に抑制する。好ましくは停止化合物は、上述のように、多層基体の第２の層に作用（例えば付着）し、系による第２の層の除去を少なくとも部分的に抑制する。「少なくとも部分的に抑制」とは、本明細書の記載において、系による第１の金属層：第２の層（Ｃｕ：Ｔａ／ＴａＮ／ＳｉＯ２）の研磨選択性が、少なくとも約１０：１、好ましくは少なくとも約３０：１、より好ましくは少なくとも約５０：１、最も好ましくは少なくとも約１００：１であることを意味している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本発明の系は更に、系の性能を改良又は促進する１又は複数の追加の添加剤を含有することができる。適当な追加の添加剤としては例えば、不動態フィルム形成添加剤、基体の少なくとも１つの層の研磨速度を低下させるポリマー化合物、分散剤、界面活性剤、安定化剤、ｐＨ調節剤、調節剤、緩衝剤、及び／又は金属及び酸化物の研磨を促進及び／又は制御する他の添加剤を挙げることができる。そのような追加の添加剤は、当業者に既知である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
研磨パッドの使用を包含する任意の適当な技術によって、本発明の系で基体を処理することができる。好ましくは系を基体表面に適用し、基体の１又は複数の層の少なくとも一部が除去されるようにして研磨する。より好ましくは、第１の金属層及び第２の層を有する多層基体の第１の金属層に系を適用し、そして第１の金属層の少なくとも一部が基体から除去されるまで、系で第１の金属層を研磨する。その後、第２の研磨系、組成物及び／又はスラリーを続く研磨工程で使用して、多層基体の第２の層、誘電体層、及び／又は１又は複数の追加の層の少なくとも一部を除去する。好ましくは第２の研磨系は、多層基体の第２の層（Ｔａ又はＴａＮ又はＳｉＯ２）に対する研磨選択性が、基体の第１の金属層（例えばＣｕ）に対する研磨選択性よりも大きい。更に、一連の研磨工程の一部又は全ての後で清浄化組成物を使用して、研磨された基体の断片、及び／又は研磨系、組成物及び／又はスラリーの断片を除去することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
表２に挙げたデータから明らかなように、研磨添加剤及び停止化合物を含有する系（系２Ａ〜２Ｃ）によって示される銅の除去とタンタルの除去との比（すなわちＣｕ：Ｔａ除去選択性）は、研磨添加剤及び停止化合物を含有していない標準対照系のＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。更に、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０６０製品を含有する系（系２Ｃ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性は、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０００製品を含有する系（系２Ｂ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。またこの系２Ｂの銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性は、停止化合物及びＤｅｑｕｅｓｔ（商標）２０１０製品を含有する系（系２Ａ）の銅除去速度及びＣｕ：Ｔａ除去選択性よりも大きかった。更に研磨添加剤及び停止化合物を含有する系（系２Ａ〜２Ｃ）によって示されるＳｉＯ２除去速度は、研磨添加剤及び停止化合物を含有しない標準対照系のＳｉＯ２の除去速度よりも小さかった。