(57)【要約】【課題】高い輝度を得ることができる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。【解決手段】第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子を包んで前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子の少なくとも一部を含む凸部を表面に有するコーティング層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。【選択図】図１
2008166311.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、
前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、
前記蛍光体粒子を包んで前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子の少なくとも一部を含む凸部を表面に有するコーティング層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、
前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、
前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子と前記蛍光体粒子の表面に被覆された被覆層とを有する凸部を表面に有するコーティング層と、
を備えたことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記半導体積層体の前記第２の主面側に設けられた基板と、
前記基板と前記半導体積層体との間に設けられた反射膜と、
をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに１つに記載の半導体発光素子と、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、
少なくとも前記半導体発光素子を覆う透明樹脂と、
を備え、
前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、
前記透明樹脂は、前記コーティング層と比較して小さいかまたは等しい屈折率を有することを特徴とする半導体発光装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光素子と、
絶縁性基板と、
前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、
前記絶縁性基板に接着された透明カバーと、
を備え、
前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、
前記コーティング層を介して取り出された前記第１及び第２の波長の光は、前記透明カバーを介して外部へ放射されることを特徴とする半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子及び半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物系半導体を発光層として有する発光素子からの放射光と、この放射光を吸収した蛍光体から励起された波長変換光とを混合することにより、白色光を含む混合色を得ることができる。このような半導体発光装置において、高輝度化の要求が高まっている。
【０００３】
しかしながら、いわゆる表面実装（ＳＭＤ：Surface Mounted Device）型の半導体発光装置においては、半導体発光素子のチップは側壁をリフレクタとする凹部の底面に配置され、チップと比較して大きな容積を有する凹部内透明樹脂層に蛍光体が分散配置されている。このために、光が凹部内に広がることになり輝度を高めることが困難となる。
【０００４】
半導体発光素子の表面に、蛍光体を含むコーティング層を設けた半導体発光装置及びその製造方法に関する技術開示例がある（特許文献１）。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／００６１４３３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、高い輝度を得ることができる半導体発光素子及び半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、前記蛍光体粒子を包んで前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子の少なくとも一部を含む凸部を表面に有するコーティング層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【０００７】
また、本発明の他の一態様によれば、第１及び第２の主面を有し発光層を含む半導体積層体と、前記発光層から放出される第１の波長の光を吸収し前記第１の波長とは異なる第２の波長の光を放射する蛍光体粒子と、前記半導体積層体の前記第１の主面上に設けられ、前記第１及び第２の波長の光に対して透光性を有し、前記蛍光体粒子と前記蛍光体粒子の表面に被覆された被覆層とを有する凸部を表面に有するコーティング層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、上記のいずれかの半導体発光素子と、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、少なくとも前記半導体発光素子を覆う透明樹脂と、を備え、前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、前記透明樹脂は、前記コーティング層と比較して小さいかまたは等しい屈折率を有することを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【０００９】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、上記のいずれかの半導体発光素子と、絶縁性基板と、前記絶縁性基板上に設けられたパターン配線と、前記絶縁性基板に接着された透明カバーと、を備え、前記半導体発光素子は、前記パターン配線上に接着され、前記コーティング層を介して取り出された前記第１及び第２の波長の光は、前記透明カバーを介して外部へ放射されることを特徴とする半導体発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、高い輝度を得ることができる半導体発光素子及び半導体発光装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光素子を表し、図１（ａ）はその模式断面図、図１（ｂ）はその表面近傍の部分拡大模式断面図であり、図１（ｃ）はその断面を表す写真である。半導体発光素子５０は、基板３０と、半導体積層体１０と、蛍光体粒子４０と、コーティング層４２と、を含んでいる。
【００１２】
半導体積層体１０は、例えば窒化物系半導体を含み、ｐ型層１４、発光層１６、ｎ型層１８を有し、ｎ型層１８の上にはｎ側電極２０が設けられている。図１（ａ）に表した構造において、半導体積層体１０のｐ型層１４に近接して設けられた反射膜１２は導電性基板３０の一方の主面と接合金属３２により接着され、他方の主面にはｐ側電極３４が設けられる。
【００１３】
ｎ型層１８側である半導体積層体１０の第１の主面上に設けられ透光性を有するコーティング層４２には、蛍光体粒子４０が高濃度に混合されている。つまり、コーティング層４２は、蛍光体粒子４０を包んで半導体積層体１０の第１の主面上に設けられている。この場合、コーティング層４２は、ｎ側電極２０上には設けなくてもよい。また、半導体積層体１０とコーティング層４２との間には、絶縁膜などの他の要素を設けてもよい。発光層１６から図１（ａ）の上方へ向かう光は、コーティング層４２を透過する光と、蛍光体粒子４０に吸収される光と、を含む。
【００１４】
発光層１６からの光が蛍光体粒子４０に吸収され、蛍光体粒子４０が励起されると、波長変換された光が放射される。例えば窒化物系半導体の場合、発光層１６から４５０〜４６０ｎｍの青色光が放射され、蛍光体粒子４０を珪酸塩系の黄色蛍光体とすると波長変換光としてピーク波長が５６０ｎｍ近傍である黄色光が得られる。このため半導体発光素子５０の上方において、青色光及び黄色光の混合色が得られる。
【００１５】
図１に表す半導体発光素子５０は、ウェーハ状の半導体積層体１０上に蛍光体粒子４０を混合した液体状のコーティング材を塗布し硬化した後に分割してチップ化される。
【００１６】
本実施形態において、コーティング層４２の表面は、図１（ｂ）のように凸部４４を有する。凸部４４は、蛍光体粒子４０の少なくとも一部を含む。すなわち、凸部４４は、蛍光体粒子４０と、その表面を被覆する被覆層４２ａと、を有する。図１（ｂ）の左側に表す凸部４４ａのように、コーティング層４２の凸部４４ａが蛍光体粒子４０の表面形状に応じて蛍光体粒子４０を被覆層４２ａで包むようにコーティング層４２が形成されると、蛍光体粒子４０から放出された黄色光Ｙ１は凸部４４ａの断面における接線Ｔ１に対して垂直に近い角度で空気中に入射する。すなわち、空気層に対する入射角はゼロに近いので全反射を抑制でき、半導体発光素子５０のチップ側面方向への光の広がりを低減できる。
【００１７】
また、図１（ｂ）の右側に表す凸部４４ｂのように、蛍光体粒子４０がコーティング層４２の凸部４４ｂにわずかに含まれ、表面からより深い部分に配置された場合でも、コーティング層４２の内部から上方に向かう蛍光体粒子４０からの黄色光Ｙ２は、凸部４４ｂの被覆層４２ａの断面の点Ｐ２において空気との界面における入射角θ２を小さくし被覆層４２ａにおける全反射の発生を低減できる。なお、発光層１６からの青色光Ｂ１及びＢ２が凸部４４ａ、４４ｂから放射される場合にも、空気層への入射角を小さくできるので全反射が低減され、チップ側面方向への光の広がりを低減できる。
【００１８】
凸部４４の外側領域の表面４５は、図１（ｂ）のように平坦部４５ａあるいは凹部４５ｂを有する。蛍光体粒子４０の少なくとも一部分が、凸部４４の外側表面４５より凸部４４の先端部の方向に高さＭだけ突出していると凹部４０の高さＨが大きくなり、空気層への入射角を小さくでき、全反射を低減できる。例えば、蛍光体粒子４０が球形に近い場合、高さＭは球の半径程度であることがより好ましい。なお、コーティング層４２を、屈折率が約１．４であるシリコーン樹脂とすると、空気層へ入射する場合に全反射を生じる臨界角θｃは約４５度となる。
【００１９】
図１（ｃ）は、黄色蛍光体が、コーティング層４２を含めた全質量に対して６０質量％の場合におけるシリコーン樹脂のコーティング層４２の断面を表す。なお、この写真から分かるように、蛍光体粒子４０の形状は多様であるので、等しい容積を有する球の直径により粒径を表す。
【００２０】
図１（ｃ）のように高濃度に分散された蛍光体粒子４０は近接し、コーティング層４２が蛍光体粒子４０を覆うことにより表面に凸部４４が形成できる。このように高濃度とすることにより、コーティング層４２の厚みを薄くしても、波長変換を効率よく行うことができる。また、蛍光体粒子４０の直径が大きいほうが輝度を高くすることが容易となるが、薄いコーティング層４２であっても均一な発光とするために黄色の蛍光体粒子４０の平均粒径は１５〜２０μｍとすることが好ましい。
【００２１】
図２は本実施形態にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。セラミックまたは樹脂成型体のような絶縁性基板６０には、パターン配線６２、６３が設けられている。パターン配線６２と対向するパターン配線６３の端部に、図１の半導体発光素子５０がマウント材６４により接着される。半導体発光素子５０の表面のコーティング層４２が設けられていないｎ側電極２０部分及びパターン配線６２の端部は２５〜４０μｍの金線のボンディングワイヤ６６により接続される。なお、パターン配線はリードフレームであってもよい。ボンディングワイヤ６６及び半導体発光素子５０の保護のために透明カバー６８が取り付けられる。
【００２２】
半導体積層体１０の直上に配置された蛍光体粒子４０に青色光が照射され、励起された黄色光Ｙ３は全反射が低減されコーティング層４２から上方により多く放射される。また、青色光Ｂ３も同様に全反射が低減されコーティング層４２から上方に多く放射される。青色光Ｂ３及び黄色光Ｙ３は、透明カバー６８を経由して外部に取り出され混合色が得られる。
【００２３】
本実施形態において、コーティング層４２の表面が凸型形状を有しているために空気層との間の全反射が低減され、かつ蛍光体粒子４０が半導体積層体１０の略表面に配置されているので、光源を一辺がＥである半導体発光素子５０のチップと略同じに保つことができ、輝度を高くすることができる。
【００２４】
図３は、本実施形態の半導体発光素子５０のコーティング層４２を設ける前の模式断面図を表す。図３（ａ）において、窒化物系を含む半導体積層体１０は、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属気相成長）法などにより仮基板（図示せず）上に結晶成長される。ｐ型層１４に隣接して銀（Ａｇ）などを含む反射膜１２を形成し、シリコンなどの導電性基板３０の一方の主面とＡｎＳｎ系合金などの接合金属３２を用いて接着する。
【００２５】
続いて仮基板を除去しｎ側電極２０を形成する。導電性基板３０の他方の主面には、ｐ側電極３４が設けられる。発光層１６から放射された青色光はＡｇを含む反射膜１２の高反射率のために効率よく反射されｎ側電極２０の側から取り出される。なお、チップの側面が露出しているが、反射膜１２が発光層１６の直下に近接しているのでチップ側面からの青色光の放射が低減されるので光取り出し効率が低下することはない。
【００２６】
また、図３（ｂ）のように、ｎ型層１８の表面に微少凹凸１９を形成すると半導体積層体１０及びコーティング層４２の間において全反射をより低減することができる。なお、基板を導電性基板３０としたが、本発明はこれに限定されず絶縁性基板であってもよい。しかし、導電性基板３０であるほうが電極の取り出しが簡素となり、チップサイズを縮小することができる。
【００２７】
図４は、比較例にかかる半導体発光装置を表し、図４（ａ）は模式断面図、図４（ｂ）は半導体発光素子の模式断面図である。セラミックのような絶縁性基板１１０には、パターン配線１１２、１１３が設けられている。パターン配線１１２と対向するパターン配線１１３の端部に、図４（ｂ）の半導体発光素子１１８がマウントされる。半導体発光素子１１８のｐ側電極１２８及びパターン配線１１３の端部は２５〜４０μｍφの金線であるボンディングワイヤ１２２により、ｎ側電極１３０及びパターン配線１１２の端部はボンディングワイヤ１２１により接続される。
【００２８】
側板１２４には凹部１２６が設けられ、その側壁には反射膜（図示せず）が設けられ光を上方に向けて反射する。凹部１２６には、蛍光体粒子１１６が混合された透明樹脂１１７が充填されている。半導体発光素子１１８から、例えば青色光Ｂ５、Ｂ６が放射されると、青色光を吸収し励起された蛍光体粒子１１６から波長変換された黄色光Ｙ５、Ｙ６が放射される。このため青色光Ｂ７及び黄色光Ｙ５、Ｙ６の混合色を凹部１２６の上方において取り出すことができる。
【００２９】
図４（ａ）に矢印Ｂ６で表すように、半導体素子１１８からの光はチップ側面方向へも放射される。蛍光体粒子１１６は凹部１２６の中に分散して配置されている。半導体発光素子１１８から側面方向へ放射された青色光Ｂ６が、凹部１２６の底部に分散している蛍光体粒子１１６に吸収され、励起により波長変換された黄色光Ｙ６が放射される。また、青色光Ｂ５は、透明樹脂１１７から空気層への入射角θ５が全反射を生じる臨界角θｃより大きいと空気層との界面で全反射を生じ凹部１２６の側壁及び基板１１０の表面に向かう。この青色光Ｂ５が蛍光体粒子１１６を励起すると黄色光Ｙ５を放射する。
【００３０】
このため凹部１２６の上方から見ると、半導体発光素子１１８のチップの周囲の凹部１２６において微発光領域が生じ、光源面積は凹部１２６の幅Ｃのように広がり、チップ面積より大きくなる。また、基板１１０の表面に向かった光のうち基板１１０で吸収され、凹部１２６の側壁へ向かった光のうち上方に取り出せない部分は損失となる。これらのために、第１比較例において輝度が低下する。
【００３１】
なお、図４（ｂ）に表す比較例における半導体発光素子１１８は、サファイヤ基板１２０上に、ｎ型ＧａＮ層１３２、発光層１３４、ｐ型ＩｎＧａＮ層１３６がこの順序で、例えばＭＯＣＶＤ法を用いた結晶成長により形成される。ｐ型層１３６上にはｐ側電極１２８が、ｎ型層１３２にはｎ側電極  が設けられている。
【００３２】
ここで、輝度と光源面積の関係について説明をする。照明用途における光学特性を表すのに光度（ｃｄ：カンデラ）を光源面積で除した輝度（ｃｄ／ｍｍ２）を用いると便利である。半導体発光装置からの放射光をレンズなどにより集光する場合、光源面積が小さい程制御性が良好となり、輝度をより高くできる。
【００３３】
比較例において、例えば半導体発光素子１１８のチップサイズを１ｍｍ×１ｍｍの正方形とする。例えば、半導体発光素子の寸法公差として±０．０５ｍｍ、チップマウント位置ずれ公差として±０．０５ｍｍ、マウント工程における凹部１２６の側壁とコレット直径との間隔余裕として０．１ｍｍとする。ここで凹部１２６を円柱状とすると直径が約１．８ｍｍとなり、凹部１２６はチップの約２．５倍の面積となる。すなわち、発光面積の増加に対応して輝度が低下する。図４（ａ）のように凹部１２６が上に向かって拡幅する場合、輝度はさらに低下する。
【００３４】
これに対して、図１に表す本実施形態においては、光源面積をほぼチップサイズに小さく保ち、輝度を高めることが容易となる。また、図３のチップ構造を用いると反射膜１２により上方への放射光を増やし、輝度をより高めることができる。
【００３５】
次に、本実施形態において輝度を高める作用について光線追跡法を用いたシミュレーションにより説明する。ここで、チップは一辺が１ｍｍの正方形とし、基板は８ｍｍ×６ｍｍの矩形とする。蛍光体粒子は、混合色が白色光となるような組成とする。また、透明樹脂層の厚みは０．６ｍｍとし、透過率を１００％とする。
【００３６】
図５は、シミュレーション結果を表し、図５（ａ）は本実施形態の断面における光路を表す模式図、図５（ｂ）は図４（ａ）の比較例における光路を表す模式図、図５（ｃ）は比光度の角度依存性を表すグラフ図である。図５（ａ）は、図１に表す本実施形態にかかる半導体発光素子５０において、放射光は蛍光体粒子４０が高濃度に分散されコーティング層４２中で散乱をした後、多くの光が上面から取り出される状態を表している。
【００３７】
一方、図５（ｂ）は比較例であり、透明樹脂１１７から空気層への入射角が臨界角θｃを越えた放射光は全反射を生じて外へ取り出すことができない。全反射された光のうち、基板１１０の表面に当たった約６０％は基板１１０に吸収されるために全放射束が本実施形態と比較して約６％低下する。
【００３８】
また、全反射され、基板１１０に吸収されず側面方向に逃げる光がさらに生じるために比較例の輝度は、本実施形態より約３４％低下する。図５（ｃ）に縦軸は比光度を表し、横軸は半導体発光装置の光軸からの角度（度）である。光軸上のピーク光度は、比較例において本実施形態の約６６％と低下し、±１００度近傍にサブピークを生じている。すなわち、本実施形態においては、輝度を比較例の約１．５倍にできる。
【００３９】
図６は、透明樹脂の有無による色度の違いを説明する図であり、図６（ａ）は本実施形態、図６（ｂ）は透明樹脂１１７がある本実施形態の変形例、図６（ｃ）は光束の光度依存性を表すグラフ図である。図６（ａ）は、屈折率が約１．４であるコーティング層４２から屈折率が１．０の空気層へ光が放射される場合、屈折率差により放射光がコーティング層４２内に閉じこめられ蛍光体粒子４０との衝突確率が高い。
【００４０】
一方、図６（ｂ）において、蛍光体粒子４０が混合されたコーティング層４２及び透明樹脂層１１７の屈折率は共に約１．４であり差がない。このために放射光は透明樹脂層１１７に取り出されやすく蛍光体粒子４０との衝突確率が低くなる。もし、透明樹脂１１７の屈折率を１．４より小さくすると衝突確率は図６（ａ）に近づく。
【００４１】
図６（ｃ）において、縦軸は光束（ｌｍ）、横軸は色度Ｃｘを表す。青色光及び黄色光の混合により白色光を得る場合、Ｃｘが０．４以下の範囲では色度Ｃｘが大きいほど光束が高い。コーティング層４２の上方に屈折率に差がない透明樹脂１１７を配置するとコーティング層４２内から放射光が取り出されにくく、色度Ｃｘの低下を生じる。このために色度図において白色光を得るのに必要な色度Ｃｘを確保するには、コーティング層１１７の屈折率以下である透明樹脂１１７を介して光を放射する構造より図６（ａ）の方が好ましい。
【００４２】
次に、図１に表す蛍光体粒子４０を含んだコーティング層４２の形成方法について説明する。なお、コーティング層４２は透明シリコーン樹脂を含むものとする。液状のシリコーン樹脂に、アルカリ土類金属の珪酸塩などを含む黄色蛍光体を混合する。この場合、蛍光体粒子４０は、例えば６０重量％のように高くする。ディスペンサを用いて混合液をウェーハ状の半導体発光素子の上面にポッティングなどにより少量塗布する。塗布に際してスピンコート法を採用すると厚みをより均一にできる。コーティング層４２の厚みは、例えば５０μｍとする。
【００４３】
さらに、ワイヤボンディングの箇所に図１（ａ）に破線で表す幅Ｌの開口を設けるなど、必要に応じてウェーハ状態でパターニングを行い、チップに分離をすれば図１の半導体発光素子５０を得ることができる。なお、コーティング層４２は、シリコーンなどの液状樹脂に限定されない。
【００４４】
また、半導体発光素子の発光側表面近傍に蛍光体粒子を配置する方法として、チップをフリップチップ実装することによりボンディングワイヤをなくし発光側表面に蛍光体を含む透明シートを被覆する、重力、遠心分離機により蛍光体粒子を沈降させる、蛍光体粒子を電着により発光側表面に直接形成するなどの方法がある。しかしながら、これらの方法はいずれも、工程が複雑で生産性が低く、色度制御が難しい。これに対して本実施形態による構造は、生産性が高くかつ色度制御が容易である。
【００４５】
図２における半導体発光素子５０及びターン配線６３をより確実に接着する構造について説明する。半導体発光装置の動作電流が０．５Ａより大きい用途の場合、Ａｇペーストのような導電性接着剤のマウント材６４を用いてチップをマウントするよりも、金属共晶のマウント材６４を用いるとよい。例えば、ＡｕＳｎを用いると、熱抵抗Ｒｔｈ（Ｊ−Ａ）は約１０℃／Ｗに低減され、接合温度の上限を１２５℃とすると周囲温度１００℃近傍まで使用可能となる。また、ＡｕＳｎは青色光や紫外光照射による変色がなく、接合強度はＡｇペーストより高い。
【００４６】
ＡｕＳｎ接合工程は、例えば半導体発光素子の接合する側の電極に蒸着法などを用いてＡｕＳｎを形成し、３１０℃で配線パターン６３に接着する。またはパターン配線６３上にＡｕＳｎペーストを塗布し、半導体発光素子を載置し、３１０℃の高温リフローを用いて接着することもできる。なお、ＡｕＳｎ以外に、ＡｕＳｂ、ＡｕＳｉ、ＡｕＧｅ、ＳｎＡｇＣｕ系のマウント材６４を用いることもできる。このようなマウント材６４を用いることにより、高輝度の半導体発光装置をより高温で安定に動作させることができる。
【００４７】
なお、説明した黄色蛍光体としては、例えば組成式が（Ｍｅ１−ｙＥｕｙ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ２＋（ＭｅはＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇから選ばれる少なくともひとつのアルカリ土類金属元素、０＜ｙ≦１）で表される珪酸塩系材料を用いることができる。蛍光体材料としては、珪酸塩系材料に限らず、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）または酸窒化物系半導体であってもよい。
【００４８】
以上、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら実施の形態に限定されない。半導体発光素子及び半導体発光装置を構成する半導体積層体、導電性基板、反射膜、蛍光体粒子、コーティング層、絶縁性基板、パターン配線、透明カバーなどに関して当業者が各種設計変更を行ったものであっても本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【００４９】
なお、本明細書において「窒化物系半導体」とは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる化学式において組成比ｘ及びｙをそれぞれの範囲内で変化させたすべての組成の半導体を含むものとする。またさらに、上記化学式において、ボロン（Ｂ）を含むものや、Ｎ（窒素）以外のＶ族元素もさらに含むもの、あるいは導電型などを制御するために添加される各種のドーパントのいずれかをさらに含むものも、「窒化物系半導体」に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態にかかる半導体発光素子の模式図である。
【図２】図１の半導体発光素子を用いた半導体発光装置である。
【図３】図１の半導体発光素子にコーティング層を設ける前の模式断面図である。
【図４】比較例にかかる半導体発光装置の模式断面図である。
【図５】光線追跡法を用いたシミュレーション結果を表す図である。
【図６】光線追跡法を用いたシミュレーション結果を表す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０  半導体積層体、１２  反射膜、１６  発光層、３０  導電性基板、３２  接合金属、４０  蛍光体粒子、４２  コーティング層、４２ａ  被覆層、４４、４４ａ、４４ｂ  凸部、４５  外側表面、５０  半導体発光素子、６０  絶縁性基板、６２、６３  パターン配線、６８  透明カバー
【図２】
2008166311.tif 000003
【図３】
2008166311.tif 000004
【図４】
2008166311.tif 000005
【図５】
2008166311.tif 000006
【図６】
2008166311.tif 000007
【図１】
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