Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像を前記画像毎に付与された番号とともに表示手段に表示させて、いずれか１又は複数の前記画像を選択させる画像選択装置であって、
少なくとも前記画像毎の前記番号を記憶する記憶手段と、
前記画像毎に付与された番号を、前記表示手段に表示されている複数の画像で連続する番号となるように更新する更新手段と、
を備えたことを特徴とする画像選択装置。
【請求項２】
前記記憶手段は前記画像毎のランクを更に記憶し、
前記画像毎の前記ランクを設定するランク設定手段と、
前記ランクが設定されている前記画像の前記表示手段への表示を表示又は非表示の何れかに切り替えるための表示属性を前記ランク毎に記憶する表示属性記憶手段と、
前記ランク毎の表示属性を用いて、前記ランク毎に該ランクが設定されている前記画像の前記表示手段への表示を表示又は非表示の何れかに制御する表示制御手段とを更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像選択装置。
【請求項３】
前記全ての画像のランクを特定ランクにリセットするリセット手段とを、更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像選択装置。
【請求項４】
操作者により入力された状態保存指示に応じて、該状態保存指示時点での前記画像毎のランク，前記画像毎の番号，前記ランク毎の表示属性の各設定を前記記憶手段に保存する状態保存手段と、
操作者からの再現指示に応じて、前記状態保存指示時点での前記画像毎のランク，前記画像毎の番号，前記ランク毎の表示属性を、前記記憶手段に保存されている前記各設定を用いて表示する再現手段と、
を備えることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の画像選択装置。
【請求項５】
前記状態保存手段は、前記記憶手段に記憶された前記画像毎のランク，前記画像毎の番号，前記ランク毎の表示属性の設定を時系列に複数保存可能であり、
前記再現手段は、操作者からの第１の再現指示に応じて、ある前記状態保存指示時点での前記画像毎のランク，前記画像毎の番号，前記ランク毎の表示属性の前記各設定を用いた表示を、前記記憶手段に時系列に保存されている１つ前の状態保存指示時点の設定を用いて表示し、また、操作者からの第２の再現指示に応じて、ある状態保存指示時点での前記画像毎のランク，前記画像毎の番号，前記ランク毎の表示属性の設定を用いた表示を、前記記憶手段に時系列に保存されている１つ後の状態保存指示時点の設定を用いて表示する、
ことを特徴とする請求項４に記載の画像選択装置。
【請求項６】
複数の画像を前記画像毎に付与された番号とともに表示手段に表示させて、いずれか１又は複数の画像を選択させる画像選択装置の制御方法であって、
少なくとも前記画像毎の前記番号を記憶する記憶ステップと、
前記画像毎に付与された番号を、前記表示手段に表示されている複数の画像で連続する番号となるように更新する更新ステップと、
を備えたことを特徴とする画像選択装置の制御方法。
【請求項７】
複数の画像を前記画像毎に付与された番号とともに表示手段に表示させて、いずれか１又は複数の画像を選択させる画像選択装置を、
少なくとも前記画像毎の前記番号を記憶する記憶手段と、
前記画像毎に付与された番号を、前記表示手段に表示されている複数の画像で連続する番号となるように更新する更新手段として機能させるための制御プログラム。
【請求項８】
複数の画像を前記画像毎に付与された番号とともに表示手段に表示させて、いずれか１又は複数の画像を選択させる画像選択装置を、
少なくとも前記画像毎の前記番号を記憶する記憶手段と、
前記画像毎に付与された番号を、前記表示手段に表示されている複数の画像で連続する番号となるように更新する更新手段として機能させるための制御プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、複数の画像をサムネール表示して、効率的な写真選択を可能にすると共に、所望の選択操作の結果選択されて表示されている複数の画像の番号が飛び番になっている場合に、元々の画像ファイル名称との関連付けを失うことなく、簡単な操作で連続した番号で表示可能な仕組を提供することである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、複数の画像を前記画像毎に付与された番号とともに表示手段に表示させて、いずれか１又は複数の前記画像を選択させる画像選択装置であって、少なくとも前記画像毎の前記番号を記憶する記憶手段と、前記画像毎に付与された番号を、前記表示手段に表示されている複数の画像で連続する番号となるように更新する更新手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、複数の画像をサムネール表示して、効率的な写真選択を可能にすると共に、所望の選択操作の結果選択されて表示されている複数の画像の番号が飛び番になっている場合に、元々の画像ファイル名称との関連付けを失うことなく、簡単な操作で連続した番号で表示可能な優れた撮像画像選択環境を構築することができる等の効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体又は半導体からなる微粒子と、この微粒子と結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、この導電路の導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置において、
前記微粒子に結合した前駆体分子と、隣接する前記微粒子に結合した他の前駆体分子  とが結合を形成して、前記微粒子間を連結する前記有機半導体分子を構成しており、
前記前駆体分子は、前記微粒子に結合した第１の分子と、１種以上の第２の分子との  重合によって生じた分子である
ことを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記前駆体分子と前記他の前駆体分子との前記結合が、錯体形成反応、縮合反応、置換反応、カップリング反応、付加反応、水素結合形成反応、及びπ−πスタッキング形成反応からなる群より選ばれた少なくとも一種の反応によって形成されている、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項３】
前記結合を形成する連結基が、前記重合において前記前駆体分子に導入されている、請求項２に記載した半導体装置。
【請求項４】
前記有機半導体分子と前記微粒子とが交互に結合し、かつ、前記微粒子に単数又は複数個の前記有機半導体分子が結合することによって、ネットワーク型の前記導電路が形成されている、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項５】
前記第１の分子と前記第２の分子との前記重合によって、分子骨格に共役系を有する、長鎖状の導電部が形成されている、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項６】
前記導電部の主要部が同一構造単位の繰り返しからなる、請求項５に記載した半導体装置。
【請求項７】
前記有機半導体分子の自然長が５ｎｍ以上である、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項８】
前記微粒子は、前記導体としての金、銀又は白金、或いは前記半導体としての硫化カドミウム、セレン化カドミウム、シリコン、又は酸化チタンからなる、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項９】
前記微粒子は、粒子径１０ｎｍ以下の微粒子である、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の分子が前記微粒子にチオール基−ＳＨ、アミノ基−ＮＨ2 、イソシアノ基−ＮＣ、チオアセトキシル基−ＳＣＯＣＨ3 、カルボキシル基−ＣＯＯＨ、又はホスホノ基−ＰＯ(ＯＨ)2によって結合している、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項１１】
前記導電路を有するチャネル領域が形成され、このチャネル領域の両側にソース電極及びドレイン電極が設けられ、これらの両電極間にゲート電極が設けられている絶縁ゲート型電界効果トランジスタとして構成された、請求項１に記載した半導体装置。
【請求項１２】
前記ソース電極及び／又は前記ドレイン電極の表面に、前記前駆体分子と結合して導電路を形成することのできる下地分子によって、下地分子層が形成されている、請求項１１に記載した半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記ノイズ抑圧部は、
前記画像データを帯域制限して高域成分を出力するハイパスフィルタと、
前記高域成分のノイズを抑圧する高域成分のノイズ抑圧部と、
前記高域成分のノイズ抑圧部から出力される高域成分を前記出力データと合成する合成部とを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、複数の容量線と、対向電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差の各々に対応して設けられた複数の画素と、を具備し、前記複数の画素の各々は、画素電極と、対応するデータ線と前記画素電極との間に介挿されて、対応する走査線に供給される走査信号に応じて制御されるスイッチング素子と、前記画素電極に接続された蓄積容量と、を備え、前記画素電極と前記対向電極との間に液晶が挟持される液晶表示装置であって、
前記複数の走査線は、第１の走査線と、前記複数の走査線のうち前記第１の走査線と隣り合う第２の走査線と、を有し、
前記複数の容量線は、第１の容量線と、前記複数の容量線のうち前記第１の容量線と隣り合う第２の容量線と、を有し、
前記複数の画素のうち、前記第１の走査線に接続されたスイッチング素子を有する画素において、前記蓄積容量の一端は、前記第１の容量線に接続されており、
前記複数の画素のうち、前記第２の走査線に接続されたスイッチング素子を有する画素において、前記蓄積容量の一端は、前記第２の容量線に接続されており、
第１選択信号がハイレベルであれば、第１の入力端を選択し、前記第１選択信号がローレベルであれば、第２の入力端を選択して、前記第１の入力端又は前記第２の入力端のうち選択した入力端の電位を前記第１の容量線に供給する第１のセレクタと、
第２選択信号がハイレベルであれば、第３の入力端を選択し、前記第２選択信号がローレベルであれば、第４の入力端を選択して、前記第３の入力端又は前記第４の入力端のうち選択した入力端の電位を前記第２の容量線に供給する第２のセレクタと、
を備え、
第１電位が前記第１の入力端及び第４の入力端に接続され、
前記第１電位よりも高い第２電位が前記第２の入力端及び第３の入力端に接続される、ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
第１回路と、第２回路とをさらに備え、
前記第１回路は、前記第１の走査線に供給される走査信号に基づき、前記第１選択信号を前記第１セレクタに供給する、
前記第２回路は、前記第２の走査線に供給される走査信号に基づき、前記第２選択信号を前記第２セレクタに供給する、
ことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、複数の走査線と、複数のデータ線と、複数の容量線と、対向電極と、前記複数の走査線と前記複数のデータ線との交差の各々に対応して設けられた複数の画素と、を具備し、前記複数の画素の各々は、画素電極と、対応するデータ線と前記画素電極との間に介挿されて、対応する走査線に供給される走査信号に応じて制御されるスイッチング素子と、前記画素電極に接続された蓄積容量と、を備え、前記画素電極と前記対向電極との間に液晶が挟持される液晶表示装置であって、前記複数の走査線は、第１の走査線と、前記複数の走査線のうち前記第１の走査線と隣り合う第２の走査線と、を有し、前記複数の容量線は、第１の容量線と、前記複数の容量線のうち前記第１の容量線と隣り合う第２の容量線と、を有し、前記複数の画素のうち、前記第１の走査線に接続されたスイッチング素子を有する画素において、前記蓄積容量の一端は、前記第１の容量線に接続されており、前記複数の画素のうち、前記第２の走査線に接続されたスイッチング素子を有する画素において、前記蓄積容量の一端は、前記第２の容量線に接続されており、第１選択信号がハイレベルであれば、第１の入力端を選択し、前記第１選択信号がローレベルであれば、第２の入力端を選択して、前記第１の入力端又は前記第２の入力端のうち選択した入力端の電位を前記第１の容量線に供給する第１のセレクタと、第２選択信号がハイレベルであれば、第３の入力端を選択し、前記第２選択信号がローレベルであれば、第４の入力端を選択して、前記第３の入力端又は前記第４の入力端のうち選択した入力端の電位を前記第２の容量線に供給する第２のセレクタと、を備え、第１電位が前記第１の入力端及び第４の入力端に接続され、前記第１電位よりも高い第２電位が前記第２の入力端及び第３の入力端に接続される、ことを特徴とする。
ここで、第１回路と、第２回路とをさらに備え、前記第１回路は、前記第１の走査線に供給される走査信号に基づき、前記第１選択信号を前記第１セレクタに供給し、前記第２回路は、前記第２の走査線に供給される走査信号に基づき、前記第２選択信号を前記第２セレクタに供給する、ことが好ましい。
また、本発明に係る液晶表示装置にあっては、オン電圧が印加された後にオフ電圧が印加される走査線と、対向電極と画素電極とによって液晶が挟持された液晶容量と、前記走査線にオン電圧が印加された場合に、階調を指示する階調データに対応し、かつ、前記液晶容量への書込極性に対応した電圧を、データ線に印加するＤ／Ａ変換器と、前記データ線と前記画素電極との間に介挿されて、前記走査線にオン電圧が印加されるとオンする一方、オフ電圧が印加されるとオフするスイッチング素子と、一端が前記画素電極に接続される一方、前記走査線にオン電圧が印加された期間における書込極性が正極性書込に対応するものであったならば、前記走査線にオフ電圧が印加されたときに、他端の電位が高位にシフトし、前記走査線にオン電圧が印加された期間における書込極性が負極性書込に対応するものであったならば、前記走査線にオフ電圧が印加されたときに、他端の電位が低位にシフトする蓄積容量とを具備する構成を特徴としている。
この構成によれば、走査線にオン電圧が印加されると、当該走査線に接続されたスイッチング素子がオンする結果、液晶容量および蓄積電極には、データ線への印加電圧に応じた電荷が蓄積される。この後、スイッチング素子がオフすると、蓄積容量における他端の電圧がシフトするので、その分、蓄積容量における一端の電圧が持ち上げられる（または持ち下げられる）。と同時に、持ち上げられた（または持ち下げられた）分の電荷が、液晶容量に分配されるので、液晶容量には、データ線への印加電圧以上（または以下）に対応する電圧実効値が印加されることになる。換言すれば、画素電極に印加される電圧振幅に比べて、データ線に印加する電圧信号の電圧振幅が小さく抑えられる。このため、データ線に寄生する容量によって無駄に消費される電力が抑えられるので、低消費電力化を図ることが可能となる。さらに、Ｄ／Ａ変換器の大規模化が防止され、または、Ｄ／Ａ変換器の出力電圧を拡大するレベルシフタが不要となるので、データ線のピッチを狭くでき、その分、高精細化を図ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
第３実施形態の温度制御装置５Ｂでは、ＰＷＭコントローラ５１がＰＷＭ信号をＭＯＳＦＥＴ６１のゲートに出力する。そのＰＷＭ信号がオン状態である場合には、ＭＯＳＦＥＴ６１，６２共にオンになり、電流が温度依存性抵抗ヒータ１１に流れ、ＰＷＭ信号がオフ状態である場合には、ＭＯＳＦＥＴ６１，６２共にオフになり、電流が温度依存性抵抗ヒータ１１に流れない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
以上のような熱平衡状態から燃料や水の供給がなされて、改質器７において改質反応が開始し、燃焼器９にて燃焼が生じた時（運転状態）、改質器７を２８０［℃］に維持するために必要な温度依存性抵抗ヒータ１１による供給熱量が０．４［Ｗ］であるとすれば、このとき温度依存性抵抗ヒータ１１の電圧が１０［Ｖ］、電流が４０［ｍＡ］である。なお、この状態においてもオペアンプＯＰ３のゲインは起動時におけるゲインと同じであるから、この温度依存性抵抗ヒータ１１の電圧はＡＤＣ５６にて１０［Ｖ］／１１７［ｍＶ］＝８５［ｄｉｇｉｔ］のみでの測定となる。これは温度で考えると、２８０［℃］／８５［ｄｉｇｉｔ］＝３．２９［℃／ｄｉｇｉｔ］の分解能となり、フィードバック制御に用いる温度としては適切な精度が得られていないことがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
なお、ここで適用可能なＰＷＭ信号の周波数の範囲について、ＡＤＣ５６にはＬＴ１２９６（リニアテクノロジー製）というＩＣを選定した場合の例を挙げておく。このＩＣは動作クロック周波数が最速で１［ＭＨｚ］であり、このときのサンプリング時間が２．５［クロック］≒２．５［μｓ］であり、変換完了までの時間が２２［クロック］≒２２［μｓ］となる。このサンプリング時間を１０［％］のデューティに相当させ、ＰＷＭ信号がオン状態である時の電流がナノ秒オーダーで安定する(待ち時間不要)とすると、ＰＷＭ震央の周波数は２５［μｓ］＝４０［ｋＨｚ］となる。これは変換完了時間２２［μｓ］より長い時間であり、連続してＡＤ変換を行ったとしても問題ない周波数である。一方、温度制御を１００［ｍｓ］間隔で行う場合、最大値と最小値を除いた３つの値の平均として測定値を求められるよう、この間隔の間に最低５回は測定を行っておきたい。このときＰＷＭ信号の周波数は１００［ｍｓ］／５＝２０［ｍｓ］＝５０［Ｈｚ］であり、１［％］相当のデューティの時間が２００［μｓ］となるから、この場合にはこの１［％］をＡＤ変換に充てれば十分である。ただし、この周波数を検討するのは、温度が制御の周期で変動しないよう、温度応答速度が２０［ｍｓ］より十分遅いと確認できた際に限るのが望ましい。以上より、ＡＤＣ５６にはＬＴ１２９６（リニアテクノロジー製）を用いた場合、ＰＷＭ信号の周波数の上限は４０［ｋＨｚ］、下限は５０［Ｈｚ］と求めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソフトウェア製品系列を分析して前記ソフトウェア製品系列の構成情報を出力するソフトウェア製品系列分析装置であって、
前記ソフトウェア製品系列は、複数のソフトウェア製品で構成され、かつ
前記ソフトウェア製品は、複数のソフトウェア部品で構成されており、
前記ソフトウェア製品で用いたソフトウェア部品のバージョン情報である変更履歴と該ソフトウェア部品との関係を行列として表現する変更履歴処理手段と、
前記変更履歴処理手段によって表現された行列を用いて因子分析を行って、行列の固有ベクトルである因子及び、少なくとも因子の固有値，因子の累積値，因子係数，因子得点のいずれか一つを求める因子分析手段と、
前記因子分析手段の分析結果を用いてソフトウェア製品系列の可変点となるソフトウェア部品とを求める可変性分析手段と、
を有することを特徴とするソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項２】
前記変更履歴処理手段は、前記変更履歴を、前記ソフトウェア製品間でソフトウェア部品のバージョンが変更されたか否かの二値データに変換することを特徴とする請求項１に記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項３】
前記変更履歴処理手段は、前記ソフトウェア製品のバージョンを管理するソフトウェアバージョン管理システムとの通信手段を有することを特徴とする請求項１から２の何れかに記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項４】
前記因子分析手段は、前記変更履歴処理手段によって数値化された変更履歴に対して因子分析を行うにあたり、製品間の変更を観測変数とし、数値化された各ソフトウェア部品のバージョン番号の変更をケースとすることを特徴とする、請求項１から３の何れかに記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項５】
前記因子分析手段は、因子分析によって得られた固有値又は累積値に基づいて分析する因子数を求めることを特徴とする、請求項１から４に記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項６】
前記可変性分析手段は、前記変更特徴分析手段により求められた因子および因子得点を用いて、因子得点の絶対値が一定の値を超えるソフトウェア部品が少なくとも一つある場合に、該因子はソフトウェア製品系列の可変点であると判断することを特徴とする、請求項１から５に記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【請求項７】
前記可変性分析手段は、あるソフトウェア部品が複数の可変点に対応していることを分析して出力することを特徴とする、請求項６に記載のソフトウェア製品系列分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
合成例３
（Ａ−３）前述したカルボキシル基含有樹脂（４）に該当し、脂環式ジイソシアネートを使用した感光性カルボキシル基含有ウレタン樹脂の合成：
撹拌装置、温度計、コンデンサーを備えた反応容器に、１，５−ペンタンジオールと１，６−ヘキサンジオールから誘導されるポリカーボネートジオール（数平均分子量８００）２４００ｇ（３ｍｏｌ）、ジメチロールプロピオン酸６０３ｇ（４．５ｍｏｌ）、及びモノヒドロキシル化合物として２−ヒドロキシエチルアクリレート２３８ｇ（２．６ｍｏｌ）を投入した。次いで、ポリイソシアネートとしてイソホロンジイソシアネート１８８７（８．５ｍｏｌ）投入し、撹拌しながら６０℃まで加熱して停止し、反応容器内の温度が低下し始めた時点で再度加熱して８０℃で撹拌を続け、赤外線吸収スペクトルでイソシアネート基の吸収スペクトル（２２８０ｃｍ−１）が消失したことを確認して反応を終了した。固形分が５０質量％となるようにカルビトールアセテートを添加した。得られた感光性カルボキシル基含有ウレタン樹脂の固形分の酸価は５０ｍｇＫＯＨ／ｇであった。以下、この反応生成物を樹脂溶液（Ａ−３）とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  直流電源と、この直流電源からの出力を矩形波直流電圧に整形して駆動信号を生成する駆動信号回路と、該駆動信号回路からの前記駆動信号によりスイッチングするスイッチング回路と、１次側は前記スイッチング回路と接続され、２次側は放電灯と接続されるパルストランスとを具備し、前記駆動信号は互いに位相の反転した２つのパルス波形で構成され、調光時は毎回同じ数だけのパルスが前記放電灯に入力されるように構成されたことを特徴とする放電灯駆動装置。
【請求項２】  上記駆動信号回路にはカウンタを備えた回路を設けて駆動信号を生成するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の放電灯駆動装置。
【請求項３】  上記駆動信号回路にはマイクロコンピュータを設けて駆動信号を生成するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の放電灯駆動装置。
【請求項４】上記放電灯が、該放電灯を構成する複数の電極の内、少なくとも１の電極がバルブ外面に設けられ、このバルブ内には希ガスが封入されている外部電極式の放電灯であることを特徴とする請求項１、２又は３に記載の放電灯駆動装置。
【請求項５】  直流電源と、この直流電源からの出力を矩形波直流電圧に整形して駆動信号を生成する駆動信号回路と、前記駆動信号を出力する駆動信号出力端子を備えてなるインバータ駆動信号ユニットと、
パルストランスの２次側に放電灯を設け、前記パルストランスの１次側には、このパルストランスをスイッチングするスイッチング回路を設け、前記駆動信号を入力するための駆動信号入力端子を備えてなる放電灯スイッチングユニットとを具備しており、１個のインバータ駆動信号ユニットで複数の放電灯を同時点灯可能なように構成したことを特徴とする放電灯駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、直流電源と、この直流電源からの出力を矩形波直流電圧に整形して駆動信号を生成する駆動信号回路と、該駆動信号回路からの前記駆動信号によりスイッチングするスイッチング回路と、１次側は前記スイッチング回路と接続され、２次側は放電灯と接続されるパルストランスとを具備し、前記駆動信号は互いに位相の反転した２つのパルス波形で構成され、調光時は毎回同じ数だけのパルスが前記放電灯に入力されるように構成されたことを特徴とする。
本発明のうち請求項２に記載の発明は、上記駆動信号回路にはカウンタを備えた回路を設けて駆動信号を生成するようにしたことを特徴とする。
本発明のうち請求項３に記載の発明は、上記駆動信号回路にはマイクロコンピュータを設けて駆動信号を生成するようにしたことを特徴とする。
本発明のうち請求項４に記載の発明は、放電灯が、該放電灯を構成する複数の電極の内、少なくとも１の電極がバルブ外面に設けられ、このバルブ内には希ガスが封入されている外部電極式の放電灯であることを特徴とする。
本発明のうち請求項５に記載の発明は、直流電源と、この直流電源からの出力を矩形波直流電圧に整形して駆動信号を生成する駆動信号回路と、前記駆動信号を出力する駆動信号出力端子を備えてなるインバータ駆動信号ユニットと、パルストランスの２次側に放電灯を設け、前記パルストランスの１次側には、このパルストランスをスイッチングするスイッチング回路を設け、前記駆動信号を入力するための駆動信号入力端子を備えてなる放電灯スイッチングユニットとを具備しており、１個のインバータ駆動信号ユニットで複数の放電灯を同時点灯可能なように構成したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラテン上に貼付された研磨パッドの表面に、該研磨パッドに対して相対的に移動しつつウェーハを押し付けて該ウェーハの研磨を行うウェーハ研磨用ヘッドであって、
下方に開口部が形成される略円盤形状のヘッド本体と、
前記ヘッド本体の前記開口部に張られて前記ヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で前記ウェーハを受ける略円形の可撓膜とを有し、
前記可撓膜は、外周部の肉厚が、前記ウェーハを受ける前記内周部の肉厚よりも厚く形成されていることを特徴とするウェーハ研磨用ヘッド。
【請求項２】  前記可撓膜の内周部のうち、前記ウェーハの外周縁近傍を受ける部分が、前記外周部側に行くにつれて肉厚が厚くなるように肉厚にテーパーを有する形状に形成されていることを特徴とする請求項１記載のウェーハ研磨用ヘッド。
【請求項３】  前記可撓膜において、少なくとも前記ウェーハの外周縁と対向する部分とこの部分よりも外周側に位置する部分とが前記外周部とされ、
前記可撓膜は、この外周部を前記内周部に対して上方に折り返され、かつ前記外周部を前記内周部よりも上方に位置させた状態で前記ヘッド本体の前記開口部に張られていることを特徴とする請求項１または２に記載のウェーハ研磨用ヘッド。
【請求項４】  プラテン上に貼付された研磨パッドの表面に、該研磨パッドに対して相対的に移動しつつウェーハを押し付けて該ウェーハの研磨を行うウェーハ研磨用ヘッドであって、
下方に開口部が形成される略円盤形状のヘッド本体と、前記ヘッド本体の前記開口部に張られて前記ヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成するとともに、内周部下面で前記ウェーハを受ける略円形の可撓膜とを有し、
前記可撓膜は、外周部を前記内周部に対して上方に折り返され、かつ前記外周部を前記内周部よりも上方に位置させた状態で前記ヘッド本体の前記開口部に張られており、前記外周部の肉厚が、前記ウェーハを受ける前記内周部の肉厚よりも厚く形成されていることを特徴とするウェーハ研磨用ヘッド。
【請求項５】  さらに、前記可撓膜の内周部（７ａ）のうち、前記ウェーハＷの外周縁近傍を受ける部分が、外周部（７ｂ）側に行くにつれて肉厚が厚くされていることを特徴とする請求項４に記載のウェーハ研磨用ヘッド。
【請求項６】  表面に研磨パッドが貼付されたプラテンと、
研磨すべきウェーハの一面を保持して他面を前記研磨パッドに当接させるウェーハ研磨用ヘッドとを備え、
前記ウェーハを前記研磨パッドに当接させた状態で前記プラテンと前記ウェーハとを相対移動させることで該ウェーハの研磨を行う研磨装置であって、
前記ウェーハ研磨用ヘッドとして、請求項１から５のいずれかに記載のウェーハ研磨用ヘッドを備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項７】  ウェーハ研磨用ヘッドに用いられる可撓膜であって、
ヘッド本体との間に外部と仕切られてなる加圧室を形成すると共に、下面でウェーハを受けるように構成された内周部と、
該内周部に対して上方に折り返された状態で前記ヘッド本体の保持部材に保持されて、当該可撓膜を前記ウェーハ研磨用ヘッドに保持するための外周部とを備え、
前記外周部の肉厚が、前記内周部の肉厚よりも厚くされていることを特徴とする可撓膜。
【請求項８】  前記外周部の肉厚は、前記ウェーハ研磨用ヘッドに用いられるリテーナリングの内周面と前記ウェーハの外周縁との間に形成される隙間の幅と同じかそれよりも大きくなるように構成されたことを特徴とする請求項７に記載の可撓膜。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素−ハロゲン化合物及び窒素を備え、少なくとも２つの材料を選択的にエッチングするホウ素−ハロゲンプラズマにおいて、第１材料のエッチング速度は、上記第１材料の表面に保護ＢｘＮｙ層を堆積することでほぼゼロまで減じられ、第２材料へのＢｘＮｙ層の堆積が避けられる、プラズマ組成。
【請求項２】
上記ホウ素−ハロゲン化合物は、ＢＣｌ３である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項３】
さらに不活性な化合物を備える、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項４】
窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は、１９：１から５．６：１である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項５】
窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は、９：１から６．７：１である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項６】
上記第２材料は、高ｋ材料である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項７】
上記高ｋ材料はＨｆＯ２である、請求項６記載のプラズマ組成。
【請求項８】
上記第１材料はシリコンであり、窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は９：１である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項９】
上記シリコンは、ドープされていない多結晶シリコン、又はドープされた多結晶シリコンである、請求項８記載のプラズマ組成。
【請求項１０】
上記第１材料はシリコン酸化膜であり、窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は９：１から６．７：１である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１１】
上記第１材料及び上記第２材料は、半導体デバイスにおけるゲートスタックの部分である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１２】
上記第１材料及び上記第２材料は、不揮発性メモリデバイスの部分である、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１３】
上記保護ＢｘＮｙ層は、イオンボンバードによる上記ホウ素−ハロゲンプラズマを使用したプラズマエッチングの間に少なくとも部分的に除去される、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１４】
イオンボンバードは、プラズマエッチングの間、ゼロとは異なる基板バイアスを使用して導かれる、請求項１３記載のプラズマ組成。
【請求項１５】
プラズマエッチングの間の上記基板バイアスは、−３０Ｖから−６０Ｖである、請求項１４記載のプラズマ組成。
【請求項１６】
上記保護ＢｘＮｙ層は、プラズマエッチング後に、湿式のすすぎにより除去される、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１７】
プラズマ出力は、１００Ｗから１２００Ｗである、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１８】
プラズマ出力は、約４５０Ｗである、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項１９】
上記プラズマ内の圧力は、５ｍＴから８０ｍＴである、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項２０】
上記プラズマ内の圧力は、５ｍＴである、請求項１記載のプラズマ組成。
【請求項２１】
第１材料上の第２材料を選択的にエッチングする方法であって、該方法は、
プラズマを使用したドライエッチングを行い、ここで、ドライエッチングの間、上記第１材料のエッチング速度がほぼゼロに落ちるように第１材料上に保護及び水溶性の膜が堆積され、それにより、保護及び水溶性の膜は、ほぼ第２材料上に堆積されず、
上記第１材料上から上記保護及び水溶性の膜を除去する、
の工程を備える、エッチング方法。
【請求項２２】
上記プラズマは、ホウ素−ハロゲン化合物及び窒素を備え、窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は、１９：１から５．６：１である、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項２３】
上記ホウ素−ハロゲン化合物は、ＢＣｌ３である、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項２４】
上記保護及び水溶性の膜は、ＢｘＮｙを含む膜である、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項２５】
プラズマ内における窒素に対するＢＣｌ３の比率は、９：１から６．７：１である、請求項２３に記載のエッチング方法。
【請求項２６】
上記第２材料は、高ｋ材料である、請求項２３に記載のエッチング方法。
【請求項２７】
上記第２材料は、ＨｆＯ２である、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項２８】
上記第１材料はシリコンであり、窒素に対するＢＣｌ３の比率は、９：１である、請求項２１に記載のエッチング方法。
【請求項２９】
上記シリコンは、ドープされていない多結晶シリコン、又はドープされた多結晶シリコンである、請求項２８記載のエッチング方法。
【請求項３０】
上記第１材料はシリコン酸化膜であり、窒素に対する上記ホウ素−ハロゲン化合物の比率は９：１から６．７：１である、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３１】
上記保護及び水溶性の層は、イオンボンバードによりプラズマを使用してエッチングの間に除去される、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３２】
上記イオンボンバードは、プラズマエッチングの間、ゼロとは異なる基板バイアスを使用して導かれる、請求項３１記載のエッチング方法。
【請求項３３】
プラズマエッチングの間の上記基板バイアスは、−３０Ｖから−６０Ｖである、請求項３２記載のエッチング方法。
【請求項３４】
上記保護及び水溶性の層は、エッチング後に、湿式のすすぎにより除去される、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３５】
プラズマ出力は、１００Ｗから１２００Ｗである、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３６】
プラズマ出力は、約４５０Ｗである、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３７】
上記プラズマ内の圧力は、５ｍＴから８０ｍＴである、請求項２１記載のエッチング方法。
【請求項３８】
上記プラズマ内の圧力は、５ｍＴである、請求項２１記載のエッチング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子とこれに連結されたストレージノードを含む相変化メモリ素子において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結された下部電極と、
前記下部電極上に形成された相変化層と、
前記相変化層上に形成された上部電極と、を備えるが、
前記下部及び上部電極は、前記相変化層より融点が高く、異なるタイプの熱電物質からなることを特徴とする相変化メモリ素子。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、トランジスタ型またはダイオード型であることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項３】
前記下部電極の上面は、凹状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項４】
前記下部電極と前記相変化層との間に下部電極コンタクト層が備えられたことを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項５】
前記相変化層の厚さは、１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項６】
前記下部電極は、Ｎ型熱電物質であって、前記上部電極は、Ｐ型熱電物質からなることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項７】
前記上部電極は、Ｎ型熱電物質であって、前記下部電極は、Ｐ型熱電物質からなることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項８】
前記下部電極、相変化層及び上部電極のゼーベック係数は、相異なることを特徴とする請求項１に記載の相変化メモリ素子。
【請求項９】
前記Ｎ型熱電物質は、ｎ−ＳｉＧｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｂｉ２Ｔｅ３（Ｓｂ２Ｔｅ３の含量＜Ｂｉ２Ｔｅ３の含量）、主成分がＧｅＴｅである物質、主成分がＳｎＴｅである物質、主成分がＰｂＴｅである物質、主成分がＴｅＡｇＧｅＳｂである物質、二元系スクッテルダイトの構造を有し、ＭＸ３組成（ここで、Ｍ＝Ｃｏ，Ｒｈ，またはＩｒ；Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、ＲＴ４Ｘ１２組成（Ｒ＝ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン；Ｔ＝Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、そして、Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質及び包接化合物構造を有し、Ａ８Ｂ１６Ｅ３０組成（Ａ＝アルカリ土類金属；Ｂ＝ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）；Ｅ＝Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎ）に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項６に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１０】
前記Ｐ型熱電物質は、ｐ−ＳｉＧｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｂｉ２Ｔｅ３（Ｓｂ２Ｔｅ３の含量＞Ｂｉ２Ｔｅ３の含量）、主成分がＧｅＴｅである物質、主成分がＳｎＴｅである物質、主成分がＰｂＴｅである物質、主成分がＴｅＡｇＧｅＳｂである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、ＭＸ３組成（Ｍ＝Ｃｏ，Ｒｈ，またはＩｒ；Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、ＲＴ４Ｘ１２組成（Ｒ＝ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン；Ｔ＝Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、そして、Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、包接化合物構造を有し、Ａ８Ｂ１６Ｅ３０組成（Ａ＝アルカリ土類金属；Ｂ＝ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）；Ｅ＝Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎ）に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項６に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１１】
前記下部電極コンタクト層は、前記下部電極と同じタイプの熱電物質からなることを特徴とする請求項４に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１２】
前記下部電極、相変化層及び上部電極のゼーベック係数をそれぞれＳ１、Ｓ２及びＳ３とするとき、前記Ｓ１、Ｓ２及びＳ３は、Ｓ１＜Ｓ２＜Ｓ３の関係、Ｓ１＜Ｓ３＜Ｓ２の関係及びＳ２＜Ｓ１＜Ｓ３の関係からなる群のうち何れか一関係を満たすことを特徴とする請求項８に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１３】
前記Ｓ１、Ｓ２及びＳ３の間の関係において、Ｓ１とＳ３とは、Ｓ３−Ｓ１＞１００μＶ／Ｋの関係（Ｋは、絶対温度）を満たすことを特徴とする請求項１２に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１４】
前記Ｎ型熱電物質は、ｎ−ＳｉＧｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｂｉ２Ｔｅ３（Ｓｂ２Ｔｅ３の含量＜Ｂｉ２Ｔｅ３の含量）、主成分がＧｅＴｅである物質、主成分がＳｎＴｅである物質、主成分がＰｂＴｅである物質、主成分がＴｅＡｇＧｅＳｂである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、ＭＸ３組成（ここで、Ｍ＝Ｃｏ、Ｒｈ、またはＩｒ；Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、ＲＴ４Ｘ１２組成（Ｒ＝ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン；Ｔ＝Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、そして、Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質及び包接化合物構造を有し、Ａ８Ｂ１６Ｅ３０組成（Ａ＝アルカリ土類金属；Ｂ＝ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）；Ｅ＝Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎ）に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項７に記載の相変化メモリ素子。
【請求項１５】
前記Ｐ型熱電物質は、ｐ−ＳｉＧｅ、Ｓｂ２Ｔｅ３−Ｂｉ２Ｔｅ３（Ｓｂ２Ｔｅ３の含量＞Ｂｉ２Ｔｅ３の含量）、主成分がＧｅＴｅである物質、主成分がＳｎＴｅである物質、主成分がＰｂＴｅである物質、主成分がＴｅＡｇＧｅＳｂである物質、二元系スクッテルダイト構造を有し、ＭＸ３組成（Ｍ＝Ｃｏ，Ｒｈ，またはＩｒ；Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、充填スクッテルダイト構造を有し、ＲＴ４Ｘ１２組成（Ｒ＝ランタノイド、アクチノイドまたはアルカリ土類イオン；Ｔ＝Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、そして、Ｘ＝Ｐ，Ａｓ，またはＳｂ）を有する物質、包接化合物構造を有し、Ａ８Ｂ１６Ｅ３０組成（Ａ＝アルカリ土類金属；Ｂ＝ＩＩＩ族元素（Ｇａ，Ａｌ）；Ｅ＝Ｓｉ，Ｇｅ，またはＳｎ）に若干のドーピングをした物質からなる群のうち選択された何れか一つであることを特徴とする請求項７に記載の相変化メモリ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】相変化メモリ素子
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に複数の素子群を形成し、
前記複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の素子群において隣り合う２つの素子群間の領域に設けられた前記絶縁膜に開口部を選択的に形成して前記基板を露出させ、
前記絶縁膜および前記開口部を覆うように第１のフィルムを設け、
前記基板を除去して前記素子群を露出させ、
前記露出した素子群の表面を覆うように第２のフィルムを設け、
前記絶縁膜が露出しないように前記複数の素子群の間を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の一方の面上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の素子群を形成し、
前記複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の素子群において隣り合う２つの素子群間の領域に設けられた前記絶縁膜に開口部を選択的に形成して前記基板または前記下地膜を露出させ、
前記絶縁膜および前記開口部を覆うように第１のフィルムを設け、
前記基板を除去して前記下地膜を露出させ、
前記露出した下地膜の表面を覆うように第２のフィルムを設け、
前記絶縁膜が露出しないように前記複数の素子群の間を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面上に複数の素子群を形成し、
前記複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の素子群において隣り合う２つの素子群間の領域に設けられた前記絶縁膜に開口部を選択的に形成して前記基板を露出させ、
前記絶縁膜および前記開口部を覆うように第１のフィルムを設け、
前記基板の他方の面から前記基板を薄膜化し、
前記薄膜化した基板を化学反応処理により除去して前記素子群を露出させ、
前記露出した素子群の表面を覆うように第２のフィルムを設け、
前記絶縁膜が露出しないように前記複数の素子群の間を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の一方の面上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に複数の素子群を形成し、
前記複数の素子群を覆うように絶縁膜を形成し、
前記複数の素子群において隣り合う２つの素子群間の領域に設けられた前記絶縁膜に開口部を選択的に形成して前記基板または前記下地膜を露出させ、
前記絶縁膜および前記開口部を覆うように第１のフィルムを設け、
前記基板の他方の面から前記基板を薄膜化し、
前記薄膜化した基板を化学反応処理により除去して前記下地膜を露出させ、
前記露出した下地膜の表面を覆うように第２のフィルムを設け、
前記絶縁膜が露出しないように前記複数の素子群の間を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記基板の薄膜化は、研削処理、研磨処理の一方または両方により行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
前記化学反応処理は、前記薄膜化した基板を薬液に浸すことにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２または請求項４において、
前記下地膜を、窒化物で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記開口部は、レーザ光を照射することにより形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記基板として、ガラス基板を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１のフィルムの材料として、前記絶縁膜の材料より弾性率が低い材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のフィルムの材料として、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルを用い、
前記第２のフィルムの材料として、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニルを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ガスによる処理雰囲気を形成する処理容器内に設けられ、被処理基板を載置する載置台と、この載置台に設けられたピン挿通孔に夫々挿入され、出没動作により載置台に対する基板の受け渡しを行うための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する昇降体と、を備え、昇降機構により昇降体を介してリフタピンを昇降させる基板載置機構において、
前記ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、
前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、
を備えたことを特徴とする基板載置機構。
【請求項２】
処理ガスによる処理雰囲気を形成する処理容器内に被処理基板を載置するために設けられ、貫通孔を有する載置台と、ピン挿通孔を有し、前記載置台の貫通孔内から当該載置台の下方に突出するように設けられたスリーブと、前記ピン挿通孔に挿入され、出没動作により載置台に対する基板の受け渡しを行うためのリフタピンと、前記リフタピンを支持する昇降体と、前記昇降体を介して前記リフタピンを昇降させる昇降機構と、を備えた基板載置機構において、
前記ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、
前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、
を備えたことを特徴とする基板載置機構。
【請求項３】
前記環状突出部の上面側は、拡径部を案内してリフタピンをピン挿通孔の中央に位置させるために内側下方に向かって傾斜していることを特徴とする請求項１または２記載の基板載置機構。
【請求項４】
前記拡径部の下面側は、内側下方に向かって傾斜していることを特徴とする請求項３記載の基板載置機構。
【請求項５】
前記リフタピンにおいて、基板を支持するときに突出する部分は拡径部よりも小径に形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の基板載置機構。
【請求項６】
前記拡径部を第１の拡径部とすると、この拡径部よりも上方側であってかつリフタピンが基板を受け取る上昇位置にあるときにピン挿通孔の中に位置する部分に第２の拡径部が設けられていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一つに記載の基板載置機構。
【請求項７】
前記リフタピンは昇降体とは分離されて設けられており、リフタピンの自重により拡径部が環状突出部に支持されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の基板載置機構。
【請求項８】
処理容器と、処理容器内に設けられた請求項１ないし７のいずれか一つに記載の基板載置機構と、被処理基板に対して処理を行う処理ガスを処理容器内に供給する処理ガス供給部と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の基板載置機構は処理ガスによる処理雰囲気を形成する処理容器内に設けられ、被処理基板を載置する載置台と、この載置台に設けられたピン挿通孔に夫々挿入され、出没動作により載置台に対する基板の受け渡しを行うための複数のリフタピンと、これらのリフタピンを支持する昇降体と、を備え、昇降機構により昇降体を介してリフタピンを昇降させる基板載置機構において、前記ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、を備えたことを特徴とする。  
また、本発明の他の基板載置機構は、処理ガスによる処理雰囲気を形成する処理容器内に被処理基板を載置するために設けられ、貫通孔を有する載置台と、ピン挿通孔を有し、前記載置台の貫通孔内から当該載置台の下方に突出するように設けられたスリーブと、前記ピン挿通孔に挿入され、出没動作により載置台に対する基板の受け渡しを行うためのリフタピンと、前記リフタピンを支持する昇降体と、前記昇降体を介して前記リフタピンを昇降させる昇降機構と、を備えた基板載置機構において、
前記ピン挿通孔の下端の開口部に内側に環状に突出して形成された環状突出部と、
前記リフタピンに形成され、当該リフタピンが下降したときに環状突出部に支持されて前記開口部を塞ぐ拡径部と、
を備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と電気的に接続される第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電膜上に第１の開口部及び前記第２の導電膜上に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部内、前記第２の開口部内、及び前記第２の絶縁膜上に形成された第３の導電膜と、
を有し、
前記第１の開口部において前記第１の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在する
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
半導体膜を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と電気的に接続される第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電膜上に第１の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された第３の導電膜と、
を有し、
前記第１の開口部において前記第１の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在する
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
半導体膜を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記半導体膜と電気的に接続される第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電膜上に第１の開口部及び前記第２の導電膜上に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１開口部内、前記第２開口部内、及び前記第２の絶縁膜上に形成された第３の導電膜と、
を有し、
前記第１の開口部において前記第１の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在し、
前記第２の開口部において前記第２の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在しない
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
第１の半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２の半導体膜を有する第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の半導体膜と電気的に接続される第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第２の半導体膜と電気的に接続される第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電膜上に第１の開口部及び前記第２の導電膜上に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された第３の導電膜と、
前記第２の開口部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された第４の導電膜と、
を有し、
前記第１の開口部において前記第１の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在する
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
第１の半導体膜を有する第１の薄膜トランジスタと、
第２の半導体膜を有する第２の薄膜トランジスタと、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタ上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の半導体膜と電気的に接続される第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第２の半導体膜と電気的に接続される第２の導電膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記第１の導電膜上に第１の開口部及び前記第２の導電膜上に第２の開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の開口部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された第３の導電膜と、
前記第２の開口部内及び前記第２の絶縁膜上に形成された第４の導電膜と、
を有し、
前記第１の開口部において前記第１の導電膜と前記第３の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在し、
前記第２の開口部において前記第２の導電膜と前記第４の導電膜との間に前記第２の絶縁膜が存在しない
ことを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５において、
前記第１の導電膜と前記第３の導電膜とは、前記第１の開口部において、絶縁破壊により短絡する程度に近接していることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項の記憶装置がアンテナを有することを特徴とする半導体装置。