【手続補正書】
【提出日】平成25年3月25日(2013.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
基板キャリア１０３は、処理モジュール１２１を通って移動すると、出力モジュール１１５に到着する。出力モジュール１１５は、出力モジュール１１５内で基板キャリア１０３がその上で中心合わせされたときに基板キャリア１０３の開口領域を通って垂直に移動するように構成された基板リフタ１１１を含む。基板リフタ１１１は、基板１０２を基板キャリア１０３からチャンバ１００からの回収用の位置へ持ち上げるために上昇することができる。出力モジュール１１５は、また、基板１０２を基板取り扱い機器によって通らせてチャンバ１００から回収することができるドアアセンブリ１１３を含む。基板１０２が基板リフタ１１１から回収されたら、基板リフタ１１１は、基板キャリア１０３の直線状の進行経路を空けるために下降することができる。次いで、基板キャリア１０３は、処理に備えて次の基板を取得するために入力モジュール１１９に戻ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１Ｂは、本発明の一実施形態に従う上側処理ヘッド１１７の下方、且つ下側処理ヘッド１１８の上方に基板キャリア１０３が位置付けられているチャンバ１００の縦断面図を示している。上側処理ヘッド１１７は、上側処理ヘッド１１７の垂直位置が駆動レール１０５Ａの垂直位置及び誘導レール１０５Ｂの垂直位置の両方に対してインデックスされ、それによってそれらのレール上に保持された基板キャリア１０３及び基板１０２の垂直位置に対してインデックスされるように、駆動レール１０５Ａ及び誘導レール１０５Ｂの両方に搭載される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
第１の上側モジュール１１７Ａは、有効後縁２０３Ａに沿って形成されたすすぎ材料吐出ポート２１１Ａの列を含む。第２の上側モジュール１１７Ｂも、有効後縁２０３Ｂに沿って形成されたすすぎ材料吐出ポート２１１Ｂの列を含む。すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの各列は、その下に基板があるときにすすぎ材料を下向きに基板に対して吐出するように構成される。一実施形態では、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列の各ポートは、約０．０３インチ（およそ０．０８センチ）の直径を有するように形成され、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列における隣り合うポートどうしは、約０．１２５インチ（およそ０．３１８センチ）の中心間距離で隔てられる。しかしながら、その他の実施形態では、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列は、それらから適切にすすぎ材料が吐出される限り、異なるサイズ及び間隔を有するように形成されてよいことを理解されるべきである。また、一実施形態では、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列は、第１／第２の上側モジュール１１７Ａ／１１７Ｂの有効後縁２０３Ａ／２０３Ｂに沿って直線状に伸びる１本又は２本以上のスロットとして形成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一実施形態では、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列及びそれらに関連付けられたすすぎ材料供給流ネットワークは、約１リットル毎分（Ｌ／分）から約４Ｌ／分の範囲内の流量ですすぎ材料を吐出するように構成される。また、すすぎ材料吐出ポート２１１Ａ／２１１Ｂの列及びそれらに関連付けられたすすぎ材料供給流ネットワークは、様々な化学的特性を有する多くの異なるすすぎ材料で動作することができる。すすぎ材料は、洗浄材料に及び洗浄されるべき基板に化学的に適合していることが望ましい。一実施形態では、すすぎ材料は、脱イオン水（ＤＩＷ）である。しかしながら、その他の実施形態では、すすぎ材料は、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセテート（ＤＭＡＣ）、ＤＩＷと容易に混合可能な極性溶媒、噴霧極性溶媒（例えばＤＩＷ）などの霧状液体、又はこれらの任意の組み合わせのように、液体状態にある多くの異なる材料の１つであることができる。上記のすすぎ材料は、例として挙げられたものであり、全てのすすぎ材料を表すのではないことを理解されるべきである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明は、幾つかの実施形態の観点から説明されてきたが、当業者ならば、先の明細書を読むこと及び図面を検討することによって、各種の代替、追加、置き換え、及び均等物を認識できることがわかる。したがって、本発明は、本発明の真の趣旨及び範囲に含まれるものとして、このようなあらゆる代替、追加、置き換え、及び均等物を含むことを意図される。
適用例１：基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前縁と後縁とを有する第１のモジュールを備え、洗浄されるべき基板の上面は、前記第１のモジュールの下方を前記前縁から前記後縁に向かう方向に通過し、前記第１のモジュールは、前記前縁に沿って形成されている洗浄材料吐出ポートの列であって、その下側に前記基板があるときに、下向きに前記基板上に洗浄材料の層を供給するように構成されている洗浄材料吐出ポートの列と、前記後縁に沿って形成されたすすぎ材料吐出ポートの列であって、その下側に前記基板があるときに、下向きに前記基板上にすすぎ材料を供給するように構成されているすすぎ材料吐出ポートの列と、前記洗浄材料吐出ポートの列の後縁側に沿って形成されている通気ポートの列と、前記通気ポートの列と前記すすぎ材料吐出ポートの列との間に形成された第１の真空ポートの列であって、その下側に前記基板があるときに、前記基板からの前記洗浄材料及び前記すすぎ材料の多相吸引、並びに前記通気ポートの列を通じて供給される空気の多相吸引を提供するように構成されている第１の真空ポートの列と、を含む、上側処理ヘッド。
適用例２：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１のモジュールは、前記第１の真空ポートの列と前記後縁との間にすすぎメニスカス領域を包囲するために、前記すすぎメニスカス領域の前半分及び後半分の付近にそれぞれ形成されている前部及び後部を含むように構成されている突状囲いを含む、上側処理ヘッド。
適用例３：適用例２に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１の真空ポートの列は、前記突状囲いの前記前部の前縁を二分するように形成され、前記突状囲いの前記後部の後縁は、前記第１のモジュールの前記後縁であり、前記すすぎ材料吐出ポートの列は、前記すすぎメニスカス領域内において前記突状囲いの前記後部の近くに形成されている、上側処理ヘッド。
適用例４：適用例３に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記突状囲いの前記後部は、前記すすぎメニスカス領域内に存在すべきほとんどの前記すすぎ材料のメニスカスの物理的閉じ込めを提供するように構成されている、上側処理ヘッド。
適用例５：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１のモジュールは、前記洗浄材料吐出ポートの列と前記第１の真空ポートの列との間に形成されているプレナム領域を含み、前記通気ポートの列は、前記プレナム領域に流体連通して接続されている、上側処理ヘッド。
適用例６：適用例５に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記プレナム領域は、前記洗浄材料吐出ポートの列によって前記基板上に配置されるべき前記洗浄材料に空気流誘発擾乱を発生させることなく前記通気ポートの列から前記第１の真空ポートの列への空気流を促すように構成されている、上側処理ヘッド。
適用例７：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１の真空ポートの列は、前記第１のモジュールの前記前縁と前記後縁との間の総分離距離を実質的に二分するように配置されている、上側処理ヘッド。
適用例８：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１の上側処理ヘッドモジュールは、前記第１の真空ポートの列の後縁側に沿って形成された第２の真空ポートの列を含み、前記第２の真空ポートの列は、その下側に前記基板があるときに前記基板からの前記洗浄材料及び前記すすぎ材料の多相吸引を提供するように構成されている、上側処理ヘッド。
適用例９：適用例８に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記第１及び第２の真空ポートの列は、独立に制御可能である、上側処理ヘッド。
適用例１０：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記すすぎ材料吐出ポートの列の各ポートは、前記後縁から前記前縁に向かう方向に下向きに傾斜するように構成されている、上側処理ヘッド。
適用例１１：適用例１０に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、前記すすぎ材料吐出ポートの列の各ポートの中心線と、下げ振りベクトルとの間の角度は、最大で約４５度までの範囲内である、上側処理ヘッド。
適用例１２：適用例１に記載の基板を洗浄するための上側処理ヘッドであって、更に、前記第１のモジュールと同一であるように構成されている第２のモジュールを備え、前記第２のモジュールは、前記第２のモジュールの前縁が前記第１のモジュールの前記後縁の後ろに位置決めされるように、前記上側処理ヘッド内において前記第１のモジュールと連続しており、前記第１モジュールと前記第２のモジュールとは、独立に制御可能である、上側処理ヘッド。
適用例１３：基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、前縁と後縁とを有する第１のモジュールを備え、洗浄されるべき基板の底面は、前記第１のモジュールの上方を前記前縁から前記後縁に向かう方向に通過し、前記第１のモジュールは、その中に吐出された材料を収集及び排出するために前記前縁に沿って形成されている排出溝と、すすぎメニスカス領域を包囲するように構成されている突状囲いであって、前記すすぎメニスカス領域の前半分及び後半分の付近にそれぞれ形成されている前部及び後部を含み、前記突状囲いの前記前部は、前記排出溝の後縁側に位置付けられている、突状囲いと、前記すすぎメニスカス領域内において前記突状囲いの前記後部に沿って形成されているすすぎ材料吐出ポートの列であって、その上方に前記基板があるときに、上向きに前記基板に対してすすぎ材料を供給するように構成されているすすぎ材料吐出ポートの列と、前記突状囲いの前記前部の前縁を二分するように形成されている真空ポートの列であって、前記すすぎ材料及び空気の多相吸引を提供するように構成されている真空ポートの列と、を含む、下側処理ヘッド。
適用例１４：適用例１３に記載の基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、前記突状囲いの前記後部は、前記すすぎメニスカス領域内に存在するべき、ほとんどの前記すすぎ材料のメニスカスの物理的閉じ込めを提供するように構成されている、下側処理ヘッド。
適用例１５：適用例１３に記載の基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、前記排出溝は、前記第１のモジュールの各外側端から、排出ポートを形成された前記排出溝の中心近くの位置に向かって下向きに傾斜されており、前記排出溝を伝って液体を流れさせ、前記排出溝内に吐出された材料が前記排出ポートに向かう動きを促すために、前記排出溝内において高い地点に液体供給ポートが形成されている、下側処理ヘッド。
適用例１６：適用例１３に記載の基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、前記すすぎ材料吐出ポートの列の各ポートは、前記後縁から前記前縁に向かう方向に上向きに傾斜するように構成されている、下側処理ヘッド。
適用例１７：適用例１６に記載の基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、前記すすぎ材料吐出ポートの列の各ポートの中心線と、下げ振りベクトルとの間の角度は、最大で約４５度までの範囲内である、下側処理ヘッド。
適用例１８：適用例１３に記載の基板を洗浄するための下側処理ヘッドであって、更に、前記第１のモジュールと同一であるように構成されている第２のモジュールを備え、前記第２のモジュールは、前記第２のモジュールの前縁が前記第１のモジュールの前記後縁の後ろに位置決めされるように、前記下側処理ヘッド内において前記第１のモジュールと連続しており、前記第１モジュールと前記第２のモジュールとは、独立に制御可能である、下側処理ヘッド。
適用例１９：基板を洗浄するためのシステムであって、前記基板を実質的に水平な向きに維持しつつ前記基板を実質的に直線状の経路で移動させるように構成されている基板キャリアと、前記基板の前記経路の上方に位置決めされている上側処理ヘッドであって、前記基板に洗浄材料を提供するように及び次いで前記基板を上側すすぎメニスカスに曝すように構成されている第１の上側モジュールを含み、前記第１の上側モジュールは、前記上側すすぎメニスカス内を前記洗浄材料に向かって且つ前記基板の移動方向に反対に実質的に一方向にすすぎ材料を流れさせるように構成されている、上側処理ヘッドと、前記基板の前記経路の下方に位置決めされている下側処理ヘッドであって、前記上側すすぎメニスカスによって前記基板に加えられる力と釣り合うように前記基板に下側すすぎメニスカスを適用するように構成されている第１の下側モジュールを含み、前記第１の下側モジュールは、前記上側処理ヘッドと前記下側処理ヘッドとの間に前記基板キャリアが存在しないときに前記第１の上側モジュールから吐出される前記洗浄材料を収集及び排出するための排出溝を提供するように構成されている、下側処理ヘッドと、を備えるシステム。
適用例２０：適用例１９に記載の基板を洗浄するためのシステムであって、前記第１の上側モジュールは、前記第１の上側モジュールの前縁に沿って形成されている洗浄材料吐出ポートの列と、前記上側すすぎメニスカスを形成されるべき領域を包囲するように構成されている突状囲いと、前記上側すすぎメニスカス内に前記すすぎ材料を吐出するように前記突状囲いの後縁側に沿って形成されているすすぎ材料吐出ポートの列と、前記すすぎ材料、前記洗浄材料、及び空気の多相吸引を提供するように前記突状囲いの前縁側に沿って形成されている真空ポートの列と、を含む、システム。
適用例２１：適用例１９に記載の基板を洗浄するためのシステムであって、前記第１の下側モジュールは、前記下側すすぎメニスカスを形成されるべき領域を包囲するように構成されている突状囲いと、前記下側すすぎメニスカス内に前記すすぎ材料を吐出するように前記突状囲いの後縁側に沿って形成されているすすぎ材料吐出ポートの列と、前記すすぎ材料及び空気の多相吸引を提供するように前記突状囲いの前縁側に沿って形成されている真空ポートの列と、を含む、システム。
適用例２２：適用例１９に記載の基板を洗浄するためのシステムであって、前記上側処理ヘッドは、前記第１の上側モジュールと同一で且つ前記第１の上側モジュールと連続するように構成されている第２の上側モジュールを含み、前記第１の上側モジュールと前記第２の上側モジュールとは、独立に制御可能である、システム。
適用例２３：適用例１９に記載の基板を洗浄するためのシステムであって、前記下側処理ヘッドは、前記第１の下側モジュールと同一で且つ前記第１の下側モジュールと連続するように構成されている第２の下側モジュールを含み、前記第１の下側モジュールと前記第２の下側モジュールとは、独立に制御可能である、システム。