【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
導電層が形成された第１の主面の反対側に位置する積層用基板の第２の主面から前記導電層に到達するビアホールを形成し、該ビアホールを導電性ペーストで埋設する埋設工程と、
前記埋設工程後に、前記積層用基板の第２の主面と前記バンプが形成された側の前記基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記積層用基板を押圧して、前記ビアホールに埋設された前記導電性ペーストに前記バンプの先端を挿入することで、前記導電層と前記バンプとを前記導電性ペーストにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記導電層をエッチングしてパターニングするパターニング工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記導電層を給電層とする電解メッキにより、パターンメッキを行うメッキ工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記基板に積層する導電層上に、導電性ペーストよりなる接続パターンを形成する接続パターン工程と、
前記接続パターンが形成された側の前記導電層と前記バンプが形成された側の前記基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記導電層を押圧して、前記接続パターンに前記バンプの先端を挿入することで、前記導電層と前記バンプとを前記接続パターンにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記導電層をエッチングしてパターニングするパターニング工程をさらに有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電層を給電層とする電解メッキにより、パターンメッキを行うメッキ工程をさらに有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記導電層は、該導電層を支持する支持層上に積層されて、前記絶縁層を介して前記基板上に貼り付けられ、該導電層が前記基板上に貼り付けられた後で前記支持層が除去されることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板に積層する前記導電層は、多層配線構造を構成する導電層であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記バンプの先端を導電性ペーストよりなる層に接触させ、前記バンプの先端に前記導電性ペーストよりなる接続パターンを転写する転写工程と、
前記基板に積層する導電層と前記接続パターンが形成された側の基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記導電層を押圧することで、前記導電層と前記バンプとを前記接続パターンにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記のチップサイズパッケージングでは、例えば半導体チップの電極パッド上にボンディングワイヤよってバンプを形成し、当該バンプに接続される再配線を形成してパッケージング（半導体装置）を形成する方法が提案されていた（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−６４０４９号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
このため、上記のボンディングワイヤにより形成されるバンプは、バンプが形成される電極パッドの面からの高さにばらつきが生じてしまい、そのままではバンプに接続される再配線を形成することが困難となってしまう。このため、バンプに所定の加重を加えてバンプを平坦化する工程が必要となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１の観点によれば、基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
導電層が形成された第１の主面の反対側に位置する積層用基板の第２の主面から前記導電層に到達するビアホールを形成し、該ビアホールを導電性ペーストで埋設する埋設工程と、
前記埋設工程後に、前記積層用基板の第２の主面と前記バンプが形成された側の前記基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記積層用基板を押圧して、前記ビアホールに埋設された前記導電性ペーストに前記バンプの先端を挿入することで、前記導電層と前記バンプとを前記導電性ペーストにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の他の観点によれば、基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記基板に積層する導電層上に、導電性ペーストよりなる接続パターンを形成する接続パターン工程と、
前記接続パターンが形成された側の前記導電層と前記バンプが形成された側の前記基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記導電層を押圧して、前記接続パターンに前記バンプの先端を挿入することで、前記導電層と前記バンプとを前記接続パターンにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のその他の観点によれば、基板の半導体チップに相当する領域に形成された電極パッド上に、ボンディングワイヤによってバンプを形成するバンプ形成工程と、
前記バンプの先端を導電性ペーストよりなる層に接触させ、前記バンプの先端に前記導電性ペーストよりなる接続パターンを転写する転写工程と、
前記基板に積層する導電層と前記接続パターンが形成された側の基板との間に絶縁層を配置し、その後、前記バンプの先端が前記絶縁層を貫通するように、前記導電層を押圧することで、前記導電層と前記バンプとを前記接続パターンにより接合する接合工程と、
前記接合工程後に、前記基板を個片化する個片化工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
または、例えば上記の第２の工程は、１）前記バンプの先端を導電性ペーストよりなる層に接触させ、該先端に該導電性ペーストを転写する工程と、２）前記基板に積層する導電層を、絶縁層を介して該基板上に貼り付け、前記導電層と前記バンプを前記導電性ペーストにより接合する工程と、を有するように構成すればよい（第３の方法）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
まず、先に説明した第１の方法の一例について、図１Ａ〜図１Ｋに基づき、手順を追って説明する。ただし、以下の文中（以下の図中）では、先に説明した部分には同一の符号を用い、説明を省略する場合がある（以下の実施例でも同様）。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
次に、図１Ｃに示す工程において、電極パッド１０３上に、例えばワイヤボンディング装置を用いて、Ａｕよりなるボンディングワイヤにより形成されるバンプ１０４を形成する。上記のワイヤボンディング装置は、ボンディングワイヤの電極パッド１０３への接合と、当該接合後のボンディングワイヤの切断を連続的に行うことで、突起部を有するバンプ１０４を形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
次に、図８Ｈに示す工程において、多層配線構造ＭＬ１を、絶縁層１０５を介して基板１０１Ａ上に貼り付け、導電層３０１とバンプ１０４を接続パターン３０２（導電性ペースト）により接合する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
次に、図９Ｇに示す工程において、多層配線構造ＭＬ２を、絶縁層１０５を介して基板１０１Ａ上に貼り付け、導電層２０８とバンプ１０４を接続パターン３０２（導電性ペースト）により接合する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
まず、図１０Ａに示す工程において、基板１０１Ａの電極パッド１０３上に形成されたバンプ１０４の先端を、例えばスキージ装置３０２Ｂに設置された導電性ペーストよるなる転写層３０２Ａに接触させ、バンプ１０４の先端に導電性ペーストを転写する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
本発明は、信頼性の高い半導体装置を低コストで生産することが可能な半導体装置の製造方法に適用できる。