(57)【要約】【課題】基板を洗浄するにあたって、リンス液の必要供給量を減少させ、レジスト膜の現像欠陥の除去効率を向上させる。【解決手段】ウェハＷを回転数３８０〜１０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液供給ノズル４０からウェハＷの中心部に、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する。その後、リンス液Ｒの吐出を１秒間停止する。その後再び、ウェハＷの中心部に、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する。このようなリンス液Ｒの間欠的な吐出、及び停止が１５秒間行われる。リンス液ＲがウェハＷ上を拡散することで、ウェハＷ上のレジスト膜の現像欠陥を除去する。【選択図】図３
2008118042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、
前記リンス液の供給流量は、８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎであることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項２】
現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、
前記基板の回転数は、３８０〜１０００ｒｐｍであることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項３】
現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、
基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、
前記リンス液の供給流量は、８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎであり、
前記基板の回転数は、３８０〜１０００ｒｐｍであることを特徴とする、基板洗浄方法。
【請求項４】
前記リンス液の供給は、１秒間隔で間欠的に行われることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
前記リンス液を供給し始めてから所定の時間に供給されるリンス液の初期供給流量は、２５０ｍｌ／ｍｉｎ以上であり、
前記所定の時間経過後に供給されるリンス液の供給流量は、前記初期供給流量よりも少ないことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にリンス液を供給して基板を洗浄する基板洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では、例えば半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、当該レジスト膜に所定のパターンを露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などが順次行われ、ウェハ上に所定のレジストのパターンが形成される。
【０００３】
ウェハの現像処理では、例えばウェハを回転させながら、ウェハ上に現像液を供給して、現像処理が行われる。そして現像液の供給と同時に、あるいは現像処理が行われた後に、ウェハを回転させながら、ウェハ中心部の上方から連続的にリンス液が供給される。そして供給されたリンス液がウェハ上を拡散してレジスト膜の現像欠陥を除去することで、ウェハの洗浄が行われる。（特許文献１）
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８４２０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ウェハを洗浄する際に、従来はリンス液が連続的に供給されているため、リンス液の一部は、先に供給されてウェハ上に拡散しているリンス液の上層部を流れて、ウェハ表面を流れないことがあった。したがって、この一部のリンス液はウェハ上に残存するレジスト膜の現像欠陥を除去できず、その結果、所定の程度にまで現像欠陥を除去するためには、リンス液の必要供給量が多くなるという問題があった。つまり、従来のようにリンス液を連続供給して洗浄する方法では、レジスト膜の現像欠陥を除去する効率が悪かった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、基板を洗浄するにあたって、リンス液の必要供給量を減少させ、レジスト膜の現像欠陥の除去効率を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を達成するため、本発明によれば、現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、前記リンス液の供給流量は、８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎであることを特徴とする、基板洗浄方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給しているので、リンス液の吐出を停止したときに、基板の表面上にある程度乾燥するが完全乾燥には至らない領域（以下、本明細書においては「乾燥域」という）ができ、続いて供給されるリンス液がこの乾燥域を流れる。つまり、本発明では、供給されるリンス液の大部分が基板の表面を流れて、基板上のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。したがって、リンス液を連続的に供給する従来のように、リンス液の一部が先に供給されて基板上に拡散しているリンス液の上層部を流れるという状況が生じないので、供給されるリンス液で効率よく現像欠陥を除去することができ、所定の程度にまで現像欠陥を除去するために供給するリンス液の必要供給量を減少させることができる。
また、基板の表面に供給するリンス液の供給流量を低流量、具体的には発明者らの知見によりリンス液の供給流量を８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎに設定しているので、基板の表面を流れるリンス液の膜厚を薄くすることができる。従来のようにリンス液の膜厚が厚い場合は、リンス液はリンス液の上層部を流れて、基板の表面を流れ難くなるが、リンス液の膜厚が薄くなると、リンス液の上層部と基板の表面の距離が近くなるため、たとえリンス液が上層部を流れても、その流れによって、基板表面のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。したがって、リンス液の必要供給量をさらに減少させて、現像欠陥を効率よく除去することができる。
【０００９】
別の観点による本発明によれば、現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、前記基板の回転数は、３８０〜１０００ｒｐｍであることを特徴とする、基板洗浄方法が提供される。
【００１０】
この方法によると、基板の表面にリンス液を供給している間、基板の回転数を高回転数にしているので、具体的には発明者らの知見により基板の回転数を３８０〜１０００ｒｐｍに設定しているので、供給されたリンス液が基板全面に拡散することができ、基板全面のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。
【００１１】
さらに別の観点による本発明によれば、現像液によって基板を現像した後に、当該基板を洗浄する基板洗浄方法であって、基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給して基板を洗浄し、前記リンス液の供給流量は、８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎであり、前記基板の回転数は、３８０〜１０００ｒｐｍであることを特徴とする、基板洗浄方法が提供される。
【００１２】
この方法によると、基板を回転させながら、基板の表面にリンス液を間欠的に供給しており、リンス液の供給流量を８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎにしているので、基板の表面を流れるリンス液の膜厚が薄くすることができ、その結果、リンス液の必要供給量を減少させて現像欠陥を効率よく除去することができる。また同時に、基板の回転数を３８０〜１０００ｒｐｍにしているので、供給されたリンス液が基板全面に拡散することができ、レジスト膜の現像欠陥をさらに効率よく除去することができる。
【００１３】
前記リンス液の供給は、１秒間隔で間欠的に行われてもよい。発明者らの知見によると、1秒間隔で間欠的にリンス液を供給すると、レジスト膜の現像欠陥を極めて効率よく除去することができる。
【００１４】
前記リンス液を供給し始めてから所定の時間に供給されるリンス液の初期供給流量は、２５０ｍｌ／ｍｉｎ以上であり、前記所定の時間経過後に供給されるリンス液の供給流量は、前記初期供給流量よりも少なくしてもよい。これによって、リンス液を供給し始めてから所定の時間に、リンス液を高流量、具体的には発明者らの知見によりリンス液を２５０ｍｌ／ｍｉｎ以上で供給しているので、レジスト膜に付着した大きい現像欠陥を最初に除去することができる。すなわち、発明者らの知見によれば、洗浄工程の初期段階において、比較的大きい流量でリンス液を供給することで、レジスト膜に付着した大きい現像欠陥を効果的に除去することができ、その後は流量を少なくしても、洗浄レベルにあまり影響しないことが分かった。したがって、リンス液の必要供給量を少なくすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、リンス液の必要供給量を減少させて、レジスト膜の現像欠陥を効率よく除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかるウェハＷの洗浄方法を実施するための現像処理装置１の構成の概略を示す。
【００１７】
現像処理装置１は、基板保持機構としてその上面にウェハＷを水平に真空吸着保持するスピンチャック２０を有している。このスピンチャック２０はモータなどを含む回転駆動部２１により鉛直回りに回転でき、かつ昇降できる。
【００１８】
スピンチャック２０の周囲には、カップ体２２が設けられている。カップ体２２は、上面にスピンチャック２０が昇降できるようにウェハＷよりも大きい開口部が形成されている。カップ体２２底部には、ウェハＷ上から零れ落ちる現像液あるいはリンス液Ｒを排出するための排液口２３が形成されており、この排液口２３には排液管２４が接続されている。
【００１９】
スピンチャック２０の上方には、ウェハＷ表面の中心部に現像液を供給するための現像液供給ノズル３０と、ウェハＷ表面の中心部にリンス液Ｒを供給するためのリンス液供給ノズル４０が配置されている。現像液供給ノズル３０は、レジスト液供給管３１を介して現像液を供給する現像液供給源３２に接続されている。また現像液供給管３１には、エアーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁や流量調整部等を含む供給機器群３３が介設されている。リンス液供給ノズル４０は、リンス液供給管４１を介してリンス液Ｒを供給するリンス液供給源４２に接続されている。またリンス液供給管４１には、エアーオペレーティドバルブや電磁弁などの制御弁や流量調整部等を含む供給機器群４３が介設されている。
【００２０】
現像液供給ノズル３０は、図２に示すようにＬ字状に屈曲したアーム３４を介して移動機構３５に接続されている。アーム３４は移動機構３５により、現像処理容器５０の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール３６に沿って、カップ体２２の一端側（図２では右側）の外側に設けられた待機領域３７から他端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できるように構成されている。待機領域３７は、現像液供給ノズル３０を収納できるように構成されていると共に、現像液供給ノズル３０の先端部を洗浄できるように構成されている。
【００２１】
リンス液供給ノズル４０は、図２に示すようにＬ字状に屈曲したアーム４４を介して移動機構４５に接続されている。アーム４４は移動機構４５により、ガイドレール３６に沿ってカップ体２２の他端側（図２では左側）の外側に設けられた待機領域４７から一端側に向かって移動できると共に、上下方向に移動できる。待機領域４７は、リンス液供給ノズル４０を収納できるように構成されていると共に、リンス液供給ノズル４０の先端部を洗浄できるように構成されている。
【００２２】
レジスト塗布装置は、図１に示すように後述する一連の動作を制御するコンピュータプログラムを有する制御部６を備えており、制御部６は回転駆動部２１、供給機器群３３、４３等を制御するように構成されている。このコンピュータプログラムは、記憶媒体例えばフレキシブルディスク（ＦＤ）、メモリーカード、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、ハードディスク等に格納され、制御部６であるコンピュータにインストールされている。
【００２３】
本実施の形態にかかる洗浄方法を実施するための現像処理装置１は以上のように構成されており、次にこの現像処理装置１で行われるウェハＷの現像処理、及び洗浄処理について説明する。
【００２４】
先ずウェハＷを保持した、現像処理装置１の外部の搬送アーム（図示せず）が現像処理容器５０内に進入し、その搬送アームからスピンチャック２０にウェハＷを受け渡す。この受け渡しはスピンチャック２０を上昇させてもよいが、図示しない昇降ピンを介して行ってもよい。そしてウェハＷをスピンチャック２０に吸着して水平に保持する。
【００２５】
次に回転駆動部２１を制御してウェハＷを回転させると共に、現像液供給ノズル３０をウェハＷの中心部上方に移動させる。そして現像液供給ノズル３０からウェハＷの中心部に現像液を吐出する。その後、現像液供給ノズル３０をウェハＷの中心部上方から待機領域３７に移動させると共に、ウェハＷの回転を止めて、ウェハＷに所定時間の現像処理を行う。
【００２６】
ウェハＷの現像処理が終了すると、リンス液供給ノズル４０をウェハＷの中心部上方に移動させると共に、回転駆動部２１を制御して回転数３８０〜１０００ｒｐｍで、ウェハＷを回転させる。
【００２７】
リンス液供給ノズル４０がウェハＷの中心部上方に移動すると、リンス液供給ノズル４０からウェハＷの中心部に、リンス液Ｒ１を供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する（図３（i））。その後、リンス液Ｒの吐出を１秒間停止する。このとき、吐出されたリンス液Ｒ１はウェハＷ上を外縁方向に拡散し、ウェハＷの中心部に乾燥域６０ができる（図３（ii））。その後、ウェハＷの中心部の乾燥域６０に、リンス液Ｒ２を供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間吐出する（図３（iii））。このようなリンス液Ｒの間欠的な吐出、及び停止は例えば１５秒間行われる。すなわち、リンス液Ｒの吐出は合計で８秒間行われ、リンス液Ｒの吐出の停止は合計で７秒間行われる。そしてリンス液ＲがウェハＷ上を拡散することにより、ウェハＷ上のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。
【００２８】
リンス液Ｒの間欠的な吐出を行った後、ウェハＷを例えば２０００ｒｐｍで回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させて除去する。こうして一連のウェハＷの現像処理、及び洗浄処理が終了する。
【００２９】
以上の実施の形態によれば、ウェハＷを回転させながら、ウェハＷの表面にリンス液Ｒを間欠的に供給するようにしたので、リンス液Ｒの吐出を停止したときにウェハＷの表面上に乾燥域６０ができ、続いて供給されるリンス液Ｒがこの乾燥域６０を流れる。つまり、本実施の形態では、供給されるリンス液Ｒの大部分がウェハＷの表面を流れて、ウェハＷ上のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。したがって、リンス液Ｒを連続的に供給した従来のように、リンス液Ｒの一部が先に供給されてウェハＷ上に拡散しているリンス液Ｒの上層部を流れるという状況が生じないので、供給されたリンス液Ｒはその大部分が現像欠陥の除去に寄与する。したがって、所定の程度にまで現像欠陥を除去するために供給するリンス液Ｒの必要供給量を減少させることができ、レジスト膜の現像欠陥の除去効率を向上させることができる。
【００３０】
また、ウェハＷの表面に供給するリンス液Ｒの供給流量を低流量、具体的にはリンス液Ｒの供給流量を８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎにしたので、ウェハＷの表面を流れるリンス液Ｒの膜厚を薄くすることができ、膜厚が厚い場合と比べて、ウェハＷの表面をリンス液Ｒが流れやすくなるので、レジスト膜の現像欠陥を除去しやすくなる。したがって、リンス液Ｒの必要供給量をさらに減少させて、現像欠陥を効率よく除去することができる。
【００３１】
さらに、ウェハＷの表面にリンス液Ｒを供給している間、ウェハＷの回転数を高回転数、具体的にはウェハＷの回転数を３８０〜１０００ｒｐｍにしたので、供給されたリンス液ＲをウェハＷ全面に拡散することができ、ウェハＷ全面のレジスト膜の現像欠陥を除去することができる。
【００３２】
なお、以上の実施の形態において、リンス液Ｒを供給し始めてから例えば３秒間、ウェハＷに供給するリンス液Ｒの初期供給流量を２５０ｍｌ／ｍｉｎ以上として、かつその後に供給されるリンス液Ｒの供給流量を、この初期供給流量よりも少なく、例えば１００ｍｌ／ｍｉｎにしてもよい。
【００３３】
この場合、図４に示すように、先ずリンス液供給ノズル４０からウェハＷの中心部に、リンス液Ｒが初期供給流量で１秒間吐出される。そして、リンス液Ｒの吐出を１秒間停止した後、再びウェハＷの中心部に、リンス液Ｒが初期供給流量で１秒間吐出される。次に初期供給流量よりも少ない供給流量で、リンス液Ｒが１秒間隔で間欠的に例えば１２秒間吐出される。
【００３４】
以上のウェハＷの洗浄方法によると、リンス液Ｒを供給し始めてから３秒間、リンス液Ｒが高流量、具体的にはリンス液Ｒが２５０ｍｌ／ｍｉｎ以上で吐出されたので、先ずレジスト膜に付着した大きい現像欠陥を最初に除去することができる。
そしてその後は、リンス液Ｒが初期供給流量よりも少ない供給流量で吐出されても、残存する現像欠陥を除去することができる。したがって、リンス液Ｒの必要供給量を少なくすることができる。
【００３５】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内であって、各種の変更例または修正例に相到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【実施例１】
【００３６】
以下、ウェハ上にリンス液を間欠的に供給する実施例において、リンス液の供給流量に依存するレジスト膜の現像欠陥の除去効率について説明する。また、リンス液を連続的に供給する従来の実施例との比較も同時に行う。なお、ウェハの洗浄処理を行う現像処理装置としては、先に図１及び図２で示した現像処理装置１を用いた。
【００３７】
ウェハＷ上へのリンス液Ｒの吐出は、以下の条件で行った。
（ケース１）
ウェハＷを１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量５０ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
（ケース２）
ウェハＷを１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量１００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
（ケース３）
ウェハＷを１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量１０００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
（ケース４）
ウェハＷを１０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量２５０ｍｌ／ｍｉｎで連続的に１５秒間吐出する。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
【００３８】
ケース１〜ケース４の洗浄処理を行った後、ウェハＷ上に残存するレジスト膜の現像欠陥について、欠陥検査装置を用いて検査した。その結果、表１に示すように、ケース２における現像欠陥数が最小であり、すなわち現像欠陥の除去効率が最もよいことが分かった。ここで、ケース１の現像欠陥のウェハＷ上の分布は図５に示したとおりであり、ケース２は図６に、ケース３は図７に、ケース４は図８にそれぞれ示したとおりであり、黒塗り部分が現像欠陥を示している。ケース３のリンス液Ｒの供給流量が高流量、あるいはケース４の連続吐出では、現像欠陥は濃く放射状に分布している。ケース２の低流量になると、現像欠陥は途切れて分布している。そして、ケース１の極低流量になると、現像欠陥はウェハＷの外周部に現れる。以上の検査結果から、本発明にしたがって、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで間欠的に吐出した場合に、効率よく現像欠陥を除去することができ、従来のリンス液Ｒの連続吐出に比べて、レジスト膜の現像欠陥が減少することが分かった。
【００３９】
【表１】
2008118042.tif 000003
【実施例２】
【００４０】
次に、ウェハ上にリンス液を間欠的に供給する実施例において、ウェハの回転数に依存するレジスト膜の現像欠陥の除去効率について説明する。なお、ウェハの洗浄処理を行う現像処理装置としては、先に図１及び図２で示した現像処理装置１を用いた。
【００４１】
ウェハＷ上へのリンス液Ｒの吐出は、以下の条件で行った。
（ケース５）
ウェハＷを５０ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量２５０ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
（ケース６）
ウェハＷを５００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量２５０ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
（ケース７）
ウェハＷを２０００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量２５０ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
【００４２】
ケース５〜ケース７の洗浄処理を行った後、ウェハＷ上に残存するレジスト膜の現像欠陥について、欠陥検査装置を用いて検査した。その結果、表２に示すように、ケース６における現像欠陥数が最小であり、すなわち現像欠陥の除去効率が最もよいことが分かった。ここで、ケース５の現像欠陥のウェハＷ上の分布は図９に示したとおりであり、ケース６は図１０に、ケース７は図１１にそれぞれ示したとおりであり、黒塗り部分が現像欠陥を示している。ケース７のウェハＷの回転数が高回転である場合、現像欠陥は濃く放射状に分布している。ケース６の低回転になると、現像欠陥は途切れて分布している。そして、ケース５の極低回転になると、現像欠陥はウェハＷの中心部に現れる。以上の検査結果から、本発明にしたがって、ウェハＷを回転数３８０〜１０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液Ｒを間欠的に吐出した場合に、効率よく現像欠陥を除去することができ、従来のリンス液Ｒの連続吐出に比べて、レジスト膜の現象欠陥が減少することが分かった。
【００４３】
【表２】
2008118042.tif 000004
【実施例３】
【００４４】
さらに、実施例１と実施例２において、それぞれ現像欠陥数が最小になった条件で、レジスト膜の現像欠陥の除去効率について検査を行った。
【００４５】
（ケース８）
ウェハＷを５００ｒｐｍで回転させながら、ウェハＷ上にリンス液Ｒを供給流量１００ｍｌ／ｍｉｎで１秒間隔で間欠的に１５秒間吐出する。すなわち、リンス液Ｒの吐出を合計８秒間行い、リンス液Ｒの吐出の停止を合計７秒間行う。その後、ウェハＷを２０００ｒｐｍで１５秒間回転させ、ウェハ上のリンス液Ｒを乾燥させる。
【００４６】
ケース８の洗浄処理を行った後、ウェハＷ上に残存するレジスト膜の現像欠陥について、欠陥検査装置を用いて検査した結果、表３に示すように、実施例１または実施例２に比べてさらに現像欠陥数が減少し、さらに効率よく現像欠陥を除去できることが分かった。ここで、ケース８の現像欠陥のウェハＷ上の分布は図１２に示すとおりである。以上の検査結果から、本発明にしたがって、ウェハＷを回転数３８０〜１０００ｒｐｍで回転させながら、リンス液Ｒを供給流量８０〜５００ｍｌ／ｍｉｎで間欠的に吐出した場合に、効率よく現像欠陥を除去することができ、従来のリンス液Ｒの連続吐出に比べて、レジスト膜の現像欠陥が減少することが分かった。
【００４７】
【表３】
2008118042.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、基板の表面にリンス液を供給して基板を洗浄する基板洗浄方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本実施の形態にかかるウェハの洗浄方法を実施するための現像処理装置の構成を示す概略断面図である。
【図２】本実施の形態にかかるウェハの洗浄方法を実施するための現像処理装置の構成を示す概略平面図である。
【図３】本実施の形態において、ウェハ上のリンス液の状態を模式的に示す作用説明図である。
【図４】他の実施の形態にかかるリンス液の供給を時系列に示す説明図である。
【図５】ケース１の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図６】ケース２の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図７】ケース３の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図８】ケース４の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図９】ケース５の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図１０】ケース６の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図１１】ケース７の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【図１２】ケース８の洗浄処理を行った後、ウェハに残存する現像欠陥の分布図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    現像処理装置
６    制御部
２０  スピンチャック
２１  回転駆動部
２２  カップ体
３０  現像液供給ノズル
３２  現像液供給源
３３  供給機器群
４０  リンス液供給ノズル
４２  リンス液供給源
４３  供給機器群
Ｒ    リンス液
Ｗ    ウェハ
【図１】
2008118042.tif 000006
【図２】
2008118042.tif 000007
【図３】
2008118042.tif 000008
【図４】
2008118042.tif 000009
【図５】
2008118042.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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