【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の端子（２１１，４０１）および第２の端子（２１２，４０２）を有する第１の半導体機能領域（２１，２４）を有するオプトエレクトロニクス半導体チップであって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部（４）を有し、
前記コンタクトパターン部（４）は、前記第１の半導体機能領域（２１，２４）に導電接続されており、
前記コンタクトパターン部（４）は、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３，４０）を有し、
・前記導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）が断路された場合、前記第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と前記第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成され、該導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）が断路されていない場合、該導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）は該第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを接続して該第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる、オプトエレクトロニクス半導体チップにおいて、
動作可能な半導体機能領域（２０）が複数設けられており、相互に直列接続されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項２】
前記半導体機能領域（２１，２４）は、放射生成または放射受信のために設けられた活性ゾーンを含む、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項３】
前記導体パターン（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）は前記第１の半導体機能領域（２１）に並列接続されている、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項４】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記コンタクトパターン部の接続領域（４２；９３）が、前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを接続し、
前記導体パターンは、
・前記第１の端子（２１１）と前記接続領域（４２；９３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）と、
・前記接続領域（４２）と前記第４の端子（２２４）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態に形成された第２の分岐（７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）と
を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項５】
前記第１の分岐（４１，８１，４４，８２）と前記第２の分岐（８２，４４，８３，４３）とは、分離可能であるかまたは分離された状態に形成された同じ領域（８２）を共有する、請求項４記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項６】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記導体パターン部は、
・前記第１の端子（２１１）と前記第３の端子（２２３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第１の分岐（４１，９１，９３）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第４の分岐（２２４）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第２の分岐（９３，９２，４２）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）との間に延在し、断路可能であるかまたは断路された状態で形成された第３の分岐（９３）と
を有する、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項７】
前記分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２；９３）はいずれも断路されていないか、
または、
前記第３の分岐（９３）のみが断路されているか、
または、
前記第１の分岐および／または前記第２の分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２）のみが断路されている、
請求項６記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ。
【請求項８】
オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部を適合するための方法であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップは、
・第１の端子（２１１）および第２の端子（２１２）を有する第１の半導体機能領域（２１，２４）と、
・前記第１の半導体機能領域（２１，２４）に導電接続された、該オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的コンタクトを行うためのコンタクトパターン部（４）と、
・相互に直列接続された、動作可能な複数の半導体機能領域（２０）と
を有し、
前記コンタクトパターン部（４）は、断路可能な導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３，４０）を有し、
前記方法は、
・前記第１の端子（２１１）と前記第２の端子（２１２）とを接続して前記第１の半導体機能領域（２１）を短絡させる前記導体パターン部（４１，７１，４２；４１，８１，４４，８２，４２；４１，９１，９３）を断路することにより、該第１の半導体機能領域（２１）の第１の端子（２１１）と該第２の端子（２１２）とを介して動作電流路が形成されるようにする
ことを特徴とする方法。
【請求項９】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域（２２）が設けられており、
前記コンタクトパターン部（４）の接続領域（４２；９３）が、前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを接続し、
前記導体パターンは、
・前記第１の端子（２１１）と前記接続領域（４２；９３）とを電気的に接続する第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）と、
・前記接続領域（４２）と前記第４の端子（２２４）とを電気的に接続する第２の分岐（７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）と
を有し、
前記第１の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１）を断路するか、
または、
前記第２の分岐（７１，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）を断路するか、
または、
前記第１の分岐および前記第２の分岐（４１，７１；４１，８１，４４，８２；４１，９１；７２，４３；８２，４４，８３，４３；９２，４２）を断路する、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
第３の端子（２２３）および第４の端子（２２４）を有する第２の半導体機能領域が設けられており、
前記導体パターン部は、
・前記第１の端子（２１１）と前記第３の端子（２２３）とを電気的に接続する第１の分岐（４１，９１，９３）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第４の端子（２２４）とを電気的に接続する第２の分岐（９１，９３，４２）と、
・前記第２の端子（２１２）と前記第３の端子（２２３）とを電気的に接続する第３の分岐（９３）と
を有し、
前記第３の分岐（９３）を断路するか、
または、
前記第１の分岐（４１，９１，９３）を断路するか、
または、
前記第２の分岐（９１，９３，４２）を断路するか、
または、
前記第１の分岐および前記第２の分岐（４１，９１，９３；９１，９３，４２）を断路する、
請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体機能領域（２）の全順方向電圧を検出し、
前記全順方向電圧と所定の給電電圧との差が小さくなるように、前記導体パターン部（４１，４２，４３，７１，７２，８１，８２，９１，９２，９３）を断路する、
請求項８から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記導体パターン部（４１，４２，４３，７１，７２，８１，８２，９１，９２，９３）の一部（６１，６２，６３）をレーザによってアブレーションすることにより、前記断路を行う、請求項８から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記断路をリソグラフィ法によって行う、請求項８から１２までのいずれか１項記載の方法。