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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
原則的には、ＩＩＩ族の窒化物層の、極性が低減された配向性は請求項１に記載したように、平坦な基板上に閃亜鉛鉱又はダイヤモンド構造と、（１１１）表面に対して＞９°配向性がずれた表面とを用いることによって達成できる。このような表面は例えばケイ素の場合、たいていは安定的な（１１１）表面の連続からなり、（００１）状のステップ又は表面と交互になっている。この（１１１）表面では適切な方法導入によって、ｃ平面配向性でＧａＮが成長し、このため、表面に対して相応する角度で傾いている。このことは傾きが小さい場合、例えばＳｉ（２１１）の場合に特に良好に成功する。と言うのもこの場合、（１１１）表面テラスは、複数原子の幅があるからである。ＩＩＩ族窒化物層を、表面基準に対して明らかにより大きい角度でずらしたい場合には、表面基準に対する（１１１）平面のずれができるだけ大きい基板を使用するべきであろう。これは例えば、平面、例えばＳｉ（３１１）、Ｓｉ（４１１）、Ｓｉ（５１１）などである。請求項８に記載のようにここでは、基板の前処理、すなわち（１１１）表面を有する幅広いテラスの形成を、物理的又は化学的なプロセスによる処理で行い、ここで生じる（１１１）テラスは、３回表面対称性を有する。相応する前処理によって、より高いステップ、ひいてはより幅広い（１１１）平面が可能になり、このステップ上でＩＩＩ族窒化物層がほぼ完全にｃ軸配向性で成長する。このため理想的には、汚染を避けるために、エピタキシー前に基板を高純度の加熱チャンバで加熱し、これによりステップのクラスター、及びより幅広い（１１１）テラスの形成を強化する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＶ族半導体基板と、
前記ＩＶ族半導体基板上に成長させた半極性又は非極性のＩＩＩ族窒化物層少なくとも１つと
を有する層構造であって、
前記ＩＩＩ族窒化物層が、ウルツ鉱型結晶構造を有し、
前記ＩＶ族半導体基板が、閃亜鉛鉱結晶構造又はダイヤモンド結晶構造を有し、
前記ＩＩＩ族窒化物層が、巨視的には平面である前記基板の基板表面に成長されたものであり、当該基板表面は、前記基板の結晶構造の（１１１）表面に対して９°超ずれており、かつステップによって分離されているテラスを、微視的には多数有し、当該テラスは、（１１１）表面を有するものであり、前記テラスは、基板の結晶構造の少なくとも２つのモノレイヤーにわたっている、前記層構造。
【請求項２】
前記ＩＩＩ族窒化物層が、（３２２）、（２１１）、（４１１）、（５１１）、又は（ｎ１１）基板表面で成長されたものであり、ｎは５より大きい、請求項１に記載の層構造。
【請求項３】
前記テラスが、三回表面対称性を有する（１１１）表面を有することを特徴とする、請求項１に記載の層構造。
【請求項４】
多数の半極性又は非極性のＩＩＩ族窒化物層が、前記基板上に連続層の形態で成長されたものであり、前記連続層が、前記基板に直接成長させたＩＩＩ族窒化物シード層を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の層構造。
【請求項５】
請求項１から４までのいずれか１項に記載の層構造を有する、半導体構成要素。
【請求項６】
ＩＶ族半導体基板と、
前記ＩＶ族半導体基板上に成長させた半極性又は非極性のＩＩＩ族窒化物層であって、ウルツ鉱結晶構造を有するもの、少なくとも１つと
を有する層構造を製造するための方法であって、
以下の工程：
結晶構造が閃亜鉛鉱構造又はダイヤモンド結晶構造であるＩＶ族半導体基板を用意する工程、
前記ＩＩＩ族窒化物層を前記ＩＶ族半導体の基板表面上に成長させる工程、
当該基板表面は平面状であり、かつ前記基板の結晶構造の（１１１）表面に対して＞９°配向性がずれているか、又は
当該基板表面が、ステップによって相互に分離されている多数のテラスを有し、前記テラスは（１１１）表面を有し、かつ前記基板の結晶構造の少なくとも２つのモノレイヤーにわたっている、
を有する、前記層構造を製造するための方法。
【請求項７】
多数の半極性又は非極性のＩＩＩ族窒化物層を基板上に連続層の形で成長させ、かつ前記基板に直接シード層を、気相法、分子照射法、又はスパッタリング法によって反応チャンバ内で成長させる、請求項６に記載の方法であって、
前記シード層を堆積させる間の基板温度が、気相法を用いる場合には９００℃未満であり、分子照射法若しくはスパッタリング法を用いる場合には、７００℃未満である、前記方法。
【請求項８】
ＩＩＩ族窒化物層の成長前に、前記基板を窒素ガス流又は水素ガス流内で温度処理し、これにより（１１１）表面を有するテラスの面積割合を、前記基板表面上で上昇させる、請求項６又は７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・少なくとも１つの接点個所（１Ａ）を備える支持体（１）と、
・第１の接点面（２Ａ）と第２の接点面（２Ｂ）とを有する発光半導体チップ（２）と、
・第１の切欠部（４Ａ）と第２の切欠部（４Ｂ）とを備える絶縁層（４）と、
・少なくとも１つの導電性導体路構造体（８）と、
を有する光電モジュール（１００）であって、
・前記第１の接点面（２Ａ）は、前記発光半導体チップ（２）の支持体（１）とは反対の側に配置されており、
・前記絶縁層（４）は少なくとも部分的に支持体（１）および半導体チップ（２）の上に取り付けられており、前記第１の切欠部（４Ａ）を前記第１の接点面（２Ａ）の領域に有し、かつ前記第２の切欠部（４Ｂ）を前記接点個所（１Ａ）の領域に有し、
・前記導電性導体路構造体（８）は前記絶縁層（４）の上に配置されており、前記第１の接点面（２Ａ）は前記支持体（１）の前記接点個所（１Ａ）と電気的に接触接続しており、
・前記絶縁層（４）は、焼結されたセラミック材料から形成されている光電モジュール（１００）。
【請求項２】
少なくとも２つの発光半導体チップ（２）を有し、前記絶縁層（４）は当該少なくとも２つの発光半導体チップ（２）の間に部分的に配置されている、請求項１に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項３】
前記絶縁層（４）は、前記切欠部（４Ａ、４Ｂ）を除いて、光電モジュール（１００）の露出した外面に形状結合して取り付けられている、請求項１または２に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項４】
前記絶縁層（４）は光透過性であり、前記半導体チップ（２）の光線出射面（３）を部分的に覆っている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項５】
前記絶縁層（４）はセラミック発光物質からなる、請求項１から４までのいずれか１項に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項６】
前記絶縁層（４）内にある第１の切欠部（４Ａ）は、前記半導体チップ（２）の光線出射面（３）と前記支持体（１）との間を半導体チップ（２）の側面（９）に沿って連続して延在しており、前記第１の接点面（２Ａ）と前記支持体（１）によって側方が制限されている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項７】
前記絶縁層（４）内にある第１の切欠部（４Ａ）は、隣接する複数の半導体チップ（２）の間に連続して延在しており、前記接点面（２Ａ）によって側方が制限されている、請求項１から６までのいずれか１項に記載の光電モジュール（１００）。
【請求項８】
複数の半導体チップ（２）の間にはアイソレーション層（５）が配置されている、請求項１から７までのいずれか１項に記載の光電モジュール（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端面発光半導体レーザーであって、
放射ビームを生成する活性領域（１）と、
前記活性領域（１）にて生成された放射ビームを半導体レーザー内に誘導するのに適した全導波路（８）とを有し、
前記全導波路（８）は、第１のｎ型ドープ層（４）と第２のｎ型ドープ層（５）とを含み、前記第２のｎ型ドープ層（５）は第１のｎ型ドープ層（４）と活性領域（１）との間に設けられており、さらにレーザービームの基本モードが実質的に前記第２のｎ型ドープ層（５）に制限されており、
前記第２のｎ型ドープ層（５）の屈折率ｎ2は、前記第１のｎ型ドープ層（４）の屈折率ｎ1よりも大きさｄｎだけ大きく、さらに
前記全導波路（８）は、ｐ型ドープ層（１２）から開放されているか、又は、
前記全導波路（８）は、唯一のｐ型ドープ層（１２）を有し、該ｐ型ドープ層の厚さは、全導波路（８）の厚さの１０％の値よりも小さいことを特徴とする端面発光半導体レーザー。
【請求項２】
前記全導波路（８）は一次導波路（８１）と二次導波路（８２）とを有し、第１のｎ型ドープ層（４）は前記二次導波路（８２）の一部である、請求項１記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項３】
前記全導波路（８）はさらに第１の非ドープ層（２）を有し、該第１の非ドープ層（２）は活性領域（１）と第２のｎ型ドープ層（５）との間に設けられ、前記第１の非ドープ層（２）の屈折率ｎ3は、第２のｎ型ドープ層（５）の屈折率ｎ2よりも大である、請求項１又は２記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項４】
前記全導波路（８）は、第２の非ドープ層（３）を有し、該第２の非ドープ層は活性領域（１）の、第１の非ドープ層（２）とは反対側に設けられている、請求項１から３いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項５】
前記第１の非ドープ層（２）と第２の非ドープ層（３）は異なる厚さを有している、請求項１から４いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項６】
さらにｎ型ドープ外被層（６）とｐ型ドープ外被層（７）を有している、請求項１から５いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項７】
前記第１のｎ型ドープ層（４）と第２のｎ型ドープ層（５）との間の屈折率差分ｄｎは、０.０３乃至０.１の間の値であり、この場合境界の値も含まれる、請求項１から６いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項８】
第２のｎ型ドープ層（５）の厚さが全導波路（８）の厚さの８％乃至２０％の間の値を有している、請求項１から７いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項９】
第２のｎ型ドープ層（５）の厚さは、２００ｎｍ乃至８００ｎｍの間の値を有し、この場合境界の値も含まれている、請求項８記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項１０】
第１のｎ型ドープ層（４）内のｎ型ドープ剤は全導波路（８）の外側に向けて段階的に又は連続的に増加している、請求項１から９いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項１１】
前記半導体レーザーは、砒化物化合物半導体材料をベースとしている、請求項１から１０いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【請求項１２】
赤外線スペクトル領域のレーザービームが放出される、請求項１から１１いずれか１項記載の端面発光半導体レーザー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの絶縁層及び少なくとも１つの半導電性層を含む成形又は押出製品であって、前記半導電性層は重量％で：
Ａ．１〜３０重量％の導電性充填剤；
Ｂ．１０〜９０重量％の非オレフィンエラストマー；
Ｃ．１０〜９０重量％のオレフィンエラストマー；及び
Ｄ．任意で、０．５〜２．５重量％の過酸化物
を含む製品。
【請求項２】
前記製品は、電気部品又は遮蔽ケーブルである、請求項１に記載の製品。
【請求項３】
前記導電性充填剤は、導電性カーボンブラックを含む、請求項２に記載の製品。
【請求項４】
前記導電性充填剤は、金属粒子又は粉末を含む、請求項２に記載の製品。
【請求項５】
前記導電性充填剤は、カーボンブラック及び金属粒子又は粉末のブレンドを含む、請求項２に記載の製品。
【請求項６】
前記非オレフィンポリマーは、シリコーン樹脂及びウレタンゴムの内の少なくとも１つである、請求項２に記載の製品。
【請求項７】
前記オレフィンエラストマーは、直鎖状の均質に分岐したポリエチレン樹脂である、請求項１に記載の製品。
【請求項８】
前記非オレフィン及びオレフィンエラストマーは、１０：９０〜９０：１０の非オレフィン：オレフィンエラストマー重量比で存在する、請求項２に記載の製品。
【請求項９】
半導電性組成物であって、前記組成物の重量に基づいて：
Ａ．１〜３０重量％の導電性充填剤；
Ｂ．１０〜９０重量％の非オレフィンエラストマー；
Ｃ．１０〜９０重量％のオレフィンエラストマー；及び
Ｄ．任意で、０．５〜２．５重量％の過酸化物
を含む組成物。
【請求項１０】
前記絶縁層は、シラングラフト化ポリオレフィン又はヒドロキシ末端シリコーンで架橋されたシラン−オレフィンコポリマーを含む、請求項１に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体高分子形燃料電池のカソード触媒として使用するための触媒であって、
（Ａ）担体、
（Ｂ）ロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀及び金から成る群から選択された少なくとも１種の触媒活性金属、又はロジウム、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀及び金から成る群から選択された少なくとも１種の金属を含有する合金、並びに
（Ｃ）Ｔｉ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｃｒ及びＺｒから選択された少なくとも１種の金属の少なくとも１種の酸化物
を含有する、固体高分子形燃料電池のカソード触媒として使用するための触媒において、少なくとも１種の金属酸化物（Ｃ）の少なくとも１種の金属の割合が、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の質量％の合計を基準として０．０１〜０．９質量％の範囲にあり、触媒活性金属の割合が、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の質量パーセントの合計を基準として１０〜５０質量％の範囲にあり、且つ担体の割合が、成分（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の質量パーセントの合計を基準として４９．１〜８９．９９質量％の範囲にあることを特徴とする、固体高分子形燃料電池のカソード触媒として使用するための触媒。
【請求項２】
前記担体が、炭素担体、ポリマー及びセラミックから選択されていることを特徴とする、請求項１記載の触媒。
【請求項３】
前記少なくとも１種の触媒活性金属（Ｂ）の合金が、ＰｔＮｉ、ＰｔＦｅ、ＰｔＶ、ＰｔＣｒ、ＰｔＴｉ、ＰｔＣｕ、ＰｔＰｄ、ＰｔＲｕ、ＰｄＮｉ、ＰｄＦｅ、ＰｄＣｒ、ＰｄＴｉ、ＰｄＣｕ及びＰｄＲｕの群から選択されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の触媒。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載されるような触媒の製造法であって、
以下の工程：
（ａ）前記白金族からの少なくとも１種の触媒活性金属を前記担体上に析出する工程、及び
（ｂ）前記少なくとも１種の金属酸化物の少なくとも１種の加水分解可能な前駆体化合物を前記担体上に析出する工程、及び
（ｃ）熱処理を実施する工程
を包含し、その際、工程段階（ａ）及び（ｂ）を続けて又は平行して実施し、その際、工程段階（ｂ）を工程段階（ａ）の前に実施してもよい、請求項１から３までのいずれか１項に記載されるような触媒の製造法において、工程段階（ｃ）を少なくとも２つの段階において異なる温度で実施し、その際、該温度は段階から段階へと増大することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載されるような触媒の製造法。
【請求項５】
工程段階（ａ）の後に、前記少なくとも１種の触媒活性金属が析出されている前記担体を、少なくとも１種の更なる触媒活性金属及び／又は少なくとも１種の遷移金属と混ぜ、引き続き工程段階（ｂ）及び（ｃ）を任意の順序で実施する、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記白金族からの少なくとも１種の触媒活性金属を含有する少なくとも１種の化合物がＰｔ（ＮＯ3）2であることを特徴とする、請求項４又は５記載の方法。
【請求項７】
工程（ｃ）での前記加熱を還元性雰囲気下で行うことを特徴とする、請求項４から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記還元性雰囲気が水素を含有することを特徴とする、請求項４から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
工程（ｃ）での前記温度が９０〜９００℃の範囲にあることを特徴とする、請求項４から８までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個の光源と、
略円形の横断面を有し、
前記円形横断面の弦に位置する傾斜縁部を有し、
前記光源に接続されたときに、光学素子の長さに沿って位置する一連の発光点から可視光線を放射するように構成され、前記光学素子が連続的な光ガイドを形成するように、前記光学素子の各末端部及び前記光源がスリーブ内に保持される光学素子と、を含み、
前記光学素子がハウジング内に収まり、前記光学素子が前記ハウジング内で好ましい配向に配置されるように、前記ハウジング内に引っ張り状態で保持されるように更に構成され、
前記傾斜縁部によって、前記光学素子が前記好ましい配向で配置されるようになる照明システム。
【請求項２】
前記光学素子が、非伸長長さと、伸長長さと、を有し、前記光学素子がその伸長長さで保持されるために引っ張り状態である、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記光学素子の前記傾斜縁部が、チャネル形状のハウジングの内面と接触するように構成され、前記チャネル形状のハウジングの外面が、照明を受ける物体の外辺部を形成する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項４】
前記光学素子の非傾斜面が、チャネル形状のハウジングの内面と接触するように構成され、前記チャネル形状のハウジングの外面が、照明を受ける物体の外辺部を形成する、請求項１に記載の照明システム。
【請求項５】
（ａ）前記光学素子の長さに沿って定間隔で配置され、前記一連の発光点を作る、複数のノッチ、
（ｂ）粗面、
の少なくとも一つが前記光学素子に設けられる、請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する端部を有する光導波路と、
ハウジングを有するコネクタであって、少なくとも１つの光源が前記ハウジングの中に収容され、電力供給に前記光源を接続する電気的接点を有し、前記光導波路の一の端部へ光を供給するように前記コネクタは前記光導波路の一の端部に結合され、これにより前記光導波路端部が照射されたときに、前記コネクタと前記光導波路端部との接合部における照明の途切れが観察者から見えず、
ベースと、長さを有するチャネルを規定する２つの縁部を備える光導波路レールであって、前記光導波路と前記コネクタは前記チャネルに沿って移動可能に保持され、
前記チャネル内に配置され、電力供給に電気的に接続可能な２つのストリップ状導電体は、前記ストリップ状導電体の１つは前記光導波路レールの各縁部上にあり、少なくとも１つの電気的接点に接することによって、それぞれの電気的接点は１つのストリップ状導電体に接したまま前記光導波路レールに沿って前記コネクタが移動可能となる、光導波路照明システム。
【請求項２】
対向する端部を有する１つの光導波路又は２つの光導波路を備え、
ハウジングを有するコネクタであって、少なくとも１つの光源が前記ハウジングの中に収容され、電力供給に前記光源を接続する電気的接点を有し、前記コネクタは２つの光導波路を結びつけるために、（ａ）前記１つの光導波路のそれぞれ対向する端部又は（ｂ）前記２つの光導波路のそれぞれの１つの端部に光を供給し、これにより前記２つの光導波路端部が照射されたときに、前記コネクタと前記２つの光導波路端部との接合部における照明の途切れが観察者から見えず、
ベースと、長さを有するチャネルを規定する２つの縁部を備える光導波路レールであって、前記光導波路と前記コネクタは前記チャネルに沿って移動可能に保持され、
前記チャネル内に配置され、電力供給に電気的に接続可能な２つのストリップ状導電体は、前記ストリップ状導電体の１つは前記光導波路レールの各縁部上にあり、少なくとも１つの電気的接点に接することによって、それぞれの電気的接点は１つのストリップ状導電体に接したまま前記光導波路レールに沿って前記コネクタが移動可能となる、光導波路照明システム。
【請求項３】
前記コネクタとそれぞれの光導波路がキノコ状の断面を有する、請求項１又は２記載の光導波路照明システム。
【請求項４】
前記光導波路レールの前記チャネルが四角形状のチャネルであり、それぞれの光導波路が四角形の断面形状のベース部と円形の断面形状の上部を有し、前記ハウジングが四角形の断面形状のベース部と円形の断面形状の上部を有し、これにより前記ハウジングの前記上部とそれぞれの光導波路が、前記光導波路レールを隠すように前記ベース部を超えて投影する、請求項１〜３のいずれか一項記載の光導波路照明システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の端壁と、
第二の端壁と、
第一の側壁と、
第二の側壁と、
複合ベースと、
を備え、
前記第一の側壁、第二の側壁、第一の端壁、第二の端壁の各々が強化層を収容するための隙間を有する二重壁を備えている棺。
【請求項２】
前記第一の側壁と前記第二の側壁と隣接する第一の強化層を備えている、請求項１に記載の棺。
【請求項３】
前記第一の端壁と前記第二の端壁と隣接する第二の強化層を備えている、請求項２に記載の棺。
【請求項４】
前記棺の角部に設けられる強化片を備えている、請求項２または３に記載の棺。
【請求項５】
前記第一の強化層は、ある交差角を通過し前記第一の端壁と前記第二の端壁のうちいずれか一方に伸びるように配置されている、請求項２に記載の棺。
【請求項６】
前記第二の強化層は、ある交差角を通過し前記第一の側壁と前記第二の側壁のうちいずれか一方に伸びるように配置されている、請求項３に記載の棺。
【請求項７】
前記第一の側壁の前記隙間および前記第二の側壁の前記隙間に位置された第三の強化層を備えている、請求項１に記載の棺。
【請求項８】
前記第一の端壁の前記隙間および前記第二の端壁の前記隙間に位置された第四の強化層を備えている、請求項１に記載の棺。
【請求項９】
前記棺の角部に設けられる強化片を備えている、請求項７または８に記載の棺。
【請求項１０】
前記第三の強化層は、ある交差角を通過し前記第一の端壁と前記第二の端壁のうちいずれか一方に伸びるように配置されている、請求項７に記載の棺。
【請求項１１】
前記第三の強化層は、前記第一および第二の側壁に部分的に拡がり、前記第一の端壁と前記第二の端壁のいずれか一方に完全に拡がる、請求項１０に記載の棺。
【請求項１２】
前記第四の強化層は、ある交差角を通過し前記第一の側壁と前記第二の側壁のうちいずれか一方に伸びるように配置されている、請求項８に記載の棺。
【請求項１３】
前記第四の強化層は、前記第一および第二の端壁に部分的に拡がり、前記第一の側壁と前記第二の側壁のいずれか一方に完全に拡がる、請求項１２に記載の棺。
【請求項１４】
底面を有する蓋を備え、
前記底面は、その底面上に配置されて、前記棺の上面を受けるための隙間を生じさせる構造を備えた、請求項１から１３のいずれか一項に記載の棺。
【請求項１５】
液体不透過トレイを備え、
前記液体不透過トレイは前記棺の台を構成する、請求項１から１４のいずれか一項に記載の棺。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
女性の生殖組織の粘膜上皮の下にある組織内の治療領域を再構築する装置であって、
両手内に保持されるように構成される細長いハンドル部と、
前記細長いハンドル部に着脱自在に連結するように構成される治療チップであって、縦軸を有するシャフトと、上皮―接触表面を有するエネルギー運搬素子と、前記エネルギー運搬素子を内部的に冷却するように構成された内部冷却室と、を有する治療チップと、
を備え、
前記エネルギー運搬素子が、標的組織を加熱するためにＲＰエネルギーを伝達する間に、前記上皮の冷却が可能となるように構成された熱伝導性表面を備える装置。
【請求項２】
前記エネルギー運搬素子が前記シャフトの前記縦軸と実質的に平行となるように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記エネルギー運搬素子が約０．７５ｃｍ〜約１．２５ｃｍの幅を有するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記エネルギー運搬素子が約１ｃｍ〜約３ｃｍの長さを有するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記エネルギー運搬素子が平坦となるように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記内部冷却室が、前記エネルギー運搬素子の内部部分上に冷却液体を噴霧するように構成された複数の冷却ノズルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
３つの冷却ノズルを備える請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記エネルギー運搬素子が少なくとも一つのＲＦ電極を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ネルギー運搬素子の付近に配置された少なくとも一つの温度センサーを更に有する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
患者から遠ざかる方向に使用冷却剤を導くように構成された前記細長いハンドル部から近位に延在する戻り冷却剤経路を更に備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ハンドル部を統合型のコントローラに接続するフラット・ケーブルを更に備え、
前記ケーブルが、冷却剤運搬チャンネル及び冷却剤戻りチャンネル、少なくとも一つのＲＦ電力線を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記ハンドル部は、ＲＦエネルギーの印加を制御するボタン又はスイッチを含まない、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
女性の生殖組織の粘膜上皮の下にある組織内の治療領域を再構築するシステムであって、
両手内に保持されるように構成される細長いハンドル部であって、長手方向に延在する細長いハンドルハンドル部と、
着脱自在に前記細長いハンドル部に連結されるように構成された治療チップであって、上皮―接触表面を有する複数のエネルギー運搬素子と、前記エネルギー運搬素子を内部的に冷却するように構成された少なくとも一つの内部冷却室と、を備える治療チップと、
を備え、  
前記エネルギー運搬素子が、
前記標的組織を加熱するＲＦエネルギーを伝達する間に、前記上皮の冷却を可能とするように構成される熱伝導性表面と、
ハウジングと、前記ハウジング内のＲＦ発振器と、前記ハウジング内の冷却サブシステムと、前記治療チップの動作を制御すると共に、前記治療チップが前記標的組織と接触しているかを決定するコントローラと、を含む統合型のコントローラと、
を備えるシステム。
【請求項１４】
前記ハンドル部を前記統合型のコントローラに連結するフラット・ケーブルを更に備え、前記ケーブルが冷却剤運搬チャンネルと、冷却剤戻りチャンネルと、少なくとも一つのＲＦ電力線とを備える、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記統合型のコントローラに連結されるように構成されていると共に、複数のエネルギー被駆動素子によって、ＲＦエネルギーの印加を引き起こすように構成されたフットスイッチを更に備える、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
前記統合型のコントローラが、制御情報を表示するように構成された表示装置を更に備える、請求項１３のシステム。
【請求項１７】
前記統合型のコントローラが、接触状況を示す前記複数のエネルギー―運搬素子の図表を表示するように構成された表示装置を更に備える、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１８】
前記統合型のコントローラが携帯可能である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１９】
前記統合型のシステムが５０パウンド未満の重さを有する、請求項１３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
埋込型医療機器とともに使用するための外部充電器であって、
前記埋込型医療機器によって受け取ることができるエネルギーを生成し、前記埋込型医療機器に電力を供給するか又はそれを充電するためのコイルと、
前記外部充電器の温度を検出し、温度設定点に従って前記コイルの活性化を制御するための温度モニタ及び制御回路と、
充電セッション中に、前記温度設定点を前記温度モニタ及び制御回路に指示するための温度プログラムを備えたメモリと、
を備え、
前記温度設定点が充電セッション中に変化するように構成されている、
ことを特徴とする外部充電器。
【請求項２】
前記温度設定点は前記充電セッション中に低下することを特徴とする、請求項１に記載の外部充電器。
【請求項３】
前記温度設定点は、第１の期間の間は第１の温度に設定され、第２の期間の間は第２の温度に設定されることを特徴とする、請求項１に記載の外部充電器。
【請求項４】
前記第１の温度は前記第２の温度より高く、前記第１の時間は前記第２の時間より短いことを特徴とする、請求項３に記載の外部充電器。
【請求項５】
前記温度プログラムは、前記充電セッションの開始時に自動的に実行されることを特徴とする、請求項１に記載の外部充電器。
【請求項６】
前記温度モニタ及び制御回路は、所定の充電時間の後に前記コイルの活性化を無効化することを特徴とする、請求項１に記載の外部充電器。
【請求項７】
埋込型医療機器とともに使用するための外部充電器であって、
前記埋込型医療機器によって受け取ることができるエネルギーを生成し、前記埋込型医療機器に電力を供給するか又はそれを充電するように選択的に活性化されるコイルと、
前記外部充電器の温度を検出するための温度感知素子と、
充電セッション中に前記外部充電器の温度がプログラム可能最高温度を越えるとき、前記コイルの活性化を無効化するか又は減少させるように構成された制御回路と、
を備え、
前記最高温度は前記充電セッション中に時間とともに自動的に変化するようにプログラムされる、
ことを特徴とする外部充電器。
【請求項８】
ユーザインタフェースを更に備え、前記ユーザインタフェースは、前記プログラム可能最高温度の選択を可能にするように構成されることを特徴とする、請求項７に記載の外部充電器。
【請求項９】
前記ユーザインタフェースは、前記プログラム可能最高温度を複数の事前定義された最高温度から選択するように構成されることを特徴とする、請求項８に記載の外部充電器。
【請求項１０】
前記最高温度は、充電セッションの第１の部分の間の第１のプログラム可能最高温度、及び前記充電セッションの第２の部分の間の第２のプログラム可能最高温度を備える、
ことを特徴とする、請求項７に記載の外部充電器。
【請求項１１】
前記第１のプログラム可能最高温度は前記第２のプログラム可能最高温度より高いことを特徴とする、請求項１０に記載の外部充電器。
【請求項１２】
前記制御回路は、所定の充電時間の後に前記コイルの活性化を無効化することを特徴とする、請求項７に記載の外部充電器。
【請求項１３】
前記制御回路は、前記充電セッション中に、前記外部充電器の温度がプログラム可能最低温度より低くなるとき、前記コイルの活性化を有効化するようにさらに構成され、
前記最低温度は前記充電セッション中に時間とともに自動的に変化するようにプログラムされる、
ことを特徴とする、請求項７に記載の外部充電器。
【請求項１４】
前記制御回路は、前記充電セッション中に、前記外部充電器の温度が前記プログラム可能最高温度より低くなるとき、前記コイルの活性化を有効にするように構成されることを特徴とする、請求項７に記載の外部充電器。
【請求項１５】
エネルギーを受け取って埋込型医療機器を動作させるための電力を供給するための第１のコイルを備えた前記埋込型医療機器と、
前記第１のコイルによって受け取ることができるエネルギーを生成するように選択的に活性化される第２のコイル、及び、外部充電器の部分の温度を検出するための温度感知素子を備えた制御回路、を備えた前記外部充電器と、
を備え、
前記制御回路は、前記外部充電器の温度がプログラム可能最高温度を超えるとき、前記第２のコイルの活性化を無効化するように構成されており、
前記プログラム可能最高温度は、充電セッション中に時間とともに自動的に変化する、
ことを特徴とするシステム。
【請求項１６】
前記プログラム可能最高温度をプログラムするように構成された、前記外部充電器のためのユーザインタフェースをさらに備えることを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記ユーザインタフェースは、前記プログラム可能最高温度を直接入力するように構成されることを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記ユーザインタフェースは、前記プログラム可能最高温度を複数の事前定義された最高温度から選択するように構成されることを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１９】
前記ユーザインタフェースは、複数の温度プログラムのうちの１つのプログラムを選択するように構成され、
前記選択されたプログラムは、前記プログラム可能最高温度を、充電セッションの第１の部分の間は第１の最高温度として、そして、前記充電セッションの第２の部分の間は、前記第１の最高温度とは異なる第２の最高温度として確立する、
ことを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２０】
前記ユーザインタフェースは、複数の温度プログラムから１つのプログラムを選択するように構成され、
前記複数の温度プログラムのうちの第１のプログラムは、前記プログラム可能最高温度を、全充電セッションに対する第１の最高温度として確立し、
前記複数の温度プログラムのうちの第２のプログラムは、前記プログラム可能最高温度を、充電セッションの第１の部分の間は第１の最高温度として、そして、前記充電セッションの第２の部分の間は、前記第１の最高温度とは異なる第２の最高温度として確立する、
ことを特徴とする、請求項１６に記載のシステム。
【請求項２１】
前記温度検出回路は、前記充電セッション中に前記外部充電器の温度がプログラム可能最低温度より低くなるとき、前記コイルの活性化を有効化するようにさらに構成され、
前記プログラム可能最低温度は前記プログラム可能最高温度に依存する、
ことを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２２】
前記温度検出回路は、充電セッション中に前記外部充電器の温度が前記プログラム可能最高温度より低くなるとき、前記コイルの活性化を有効化するように構成されることを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【請求項２３】
前記制御回路は、所定の充電時間の後に前記コイルの活性化を無効化することを特徴とする、請求項１５に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠隔医療システムであって、
手持ち操作用に構成されるハウジングと、第１の場所で聴診信号を感知する変換器と、ヘッドセットのイヤホンを通して聴診信号に対応する音声信号を配信するヘッドセットと、を備える、第１の生物音響センサであって、前記聴診信号を前記聴診信号を表すデジタル信号に変換するプロセッサと、セキュアデジタルネットワークを介して前記デジタル信号を第２の場所に無線で伝送するアンテナと、を更に備える第１の生物音響センサと、
手持ち操作用に構成されるハウジングと、変換器と、ヘッドセットのイヤホンを通して音声信号を配信するヘッドセットと、を備える第２の生物音響センサであって、前記セキュアデジタルネットワークを介して第２の場所で前記聴診信号を表す前記デジタル信号を受信するアンテナと、前記デジタル信号を前記聴診信号に対応する音声信号に変換し、前記第１の場所における聴診音を感知して、前記第２の生物音響センサのヘッドセットのイヤホンを通して実質的にリアルタイムで前記音声信号を配信するプロセッサと、を更に備える第２の生物音響センサと、
を含む、遠隔医療システム。
【請求項２】
生物音響センサであって、
手持ち操作用に構成されるハウジングと、
前記ハウジングに支持され、第１の場所で聴診信号を感知する変換器と、
前記ハウジングに結合され、ヘッドセットのイヤホンを通して前記聴診信号に対応する音声信号を配信するように構成されるヘッドセットと、
前記第１の場所における前記聴診音を感知して、第２の場所の１つ以上のリモート生物音響センサのヘッドセットに実質的にリアルタイムで前記聴診信号に対応する音声信号が提供されるように、前記ハウジング内に配置され、前記聴診信号を表す第１のデジタル信号に変換し、セキュアデジタルネットワークを介して前記生物音響センサから第１のデジタル信号を第２の場所に無線で伝送するよう構成されるプロセッサと、
を備える、生物音響センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）細胞増殖を補助するのに有効な組成を有する増殖培地において、真核細胞を培養し；
ｂ）培養した細胞を増殖培地から分離し；
ｃ）培養した細胞を、細胞生存を維持するのに適しているが、実質的な細胞増殖を補助するには適していない組成を有する基本培地において維持する、
工程を含む方法により、馴化細胞培地を調製することを含む薬学的組成物の製造のためのプロセス。
【請求項２】
細胞が、真皮鞘（ｄｅｒｍａｌ  ｓｈｅａｔｈ）、真皮乳頭（ｄｅｒｍａｌ  ｐａｐｉｌｌａ）または真皮線維芽細胞である、請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
基本培地が、培養細胞導入前に、タンパク質不含である、請求項１または請求項２記載のプロセス。
【請求項４】
細胞が、マイクロキャリアーに付着して培養される、請求項１〜３のいずれか一項記載のプロセス。
【請求項５】
細胞が、増殖培地からの分離後、および基本培地内への導入前に洗浄される、請求項１１〜４のいずれか一項記載のプロセス。
【請求項６】
工程ｃ）の産物を、続いて、以下の１またはそれより多いプロセス：
ａ）部分的または完全精製；
ｂ）凍結；
ｃ）凍結乾燥；および
ｄ）乾燥
に供する、請求項１〜５のいずれか一項記載のプロセス。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項記載のプロセスによって産生される薬学的組成物。
【請求項８】
ＩＬ−６、Ｇｒｏ−α、ＳＤＦ−１、ＦＧＦ−２、ＳＰＡＲＣ、ＰＡＩ−１、ＩＬ−８、コラーゲン、フィブロネクチン、Ｉ−３０９、ＩＬ−１３、ＭＩＦおよびＳＤＦ−１およびＴＧＦ−βタンパク質の１またはそれより多くを含む、請求項７記載の薬学的組成物。
【請求項９】
薬剤の製造のための、請求項７または請求項８記載の薬学的組成物の使用。
【請求項１０】
創傷治癒のための薬剤の製造のための、請求項７または８記載の薬学的組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウラン（VI）源におけるウラン（VI）のウラン（IV）への還元に関与する、サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１由来の単離されたポリペプチドであって、配列番号１のアミノ酸配列を含むポリペプチド。
【請求項２】
ＳＤＳ−ＰＡＧＥゲル解析によって示される、７０ｋＤａの分子量を有する均質なタンパク質であることを特徴とする、請求項１に記載のポリペプチド。
【請求項３】
ＮＣＢＩ ＢＬＡＳＴＰ解析によって明らかにされる、ペプチドＡＢＣトランスポーター、ペプチド結合タンパク質である、請求項１又は２に記載のポリペプチド。
【請求項４】
Ｕ（VI）源が、ＵＯ２（ＣＨ３ＣＯＯ）２．２Ｈ２Ｏ及びＵＯ２（ＮＯ３）２からなる群から選択される、請求項１〜３のいずれかに記載のポリペプチド。
【請求項５】
配列番号２のヌクレオチド配列を含む、配列番号１のアミノ酸配列をコードする単離された核酸分子。
【請求項６】
請求項５に記載の核酸分子を包含するベクター。
【請求項７】
請求項６に記載のベクターを包含する宿主細胞。
【請求項８】
ａ）配列番号２の核酸分子を宿主細胞にトランスフェクトするステップと、
ｂ）前記宿主細胞を培養して、前記宿主細胞において配列番号１のポリペプチドを発現させるステップとを包含し、
ｃ）配列番号１の前記ポリペプチドを単離及び精製するステップを包含してもよい、
ウラン（VI）源におけるウラン（VI）のウラン（IV）への還元に関与する、請求項１〜４のいずれかに記載の少なくとも１種類のポリペプチドを作製するための方法。
【請求項９】
請求項７に記載の宿主細胞から得られた配列番号１のＵ（VI）耐性遺伝子で形質転換された微生物。
【請求項１０】
Ｕ（VI）源で汚染された用地のバイオレメディエーション又は少なくとも部分的なバイオレメディエーションのための方法であって、サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１の増殖を刺激してそこに存在するＵ（VI）源におけるＵ（VI）をＵ（IV）へと還元するために、汚染された用地に電子供与体を導入するステップを含む、又はＵ（VI）汚染された用地から環境媒体を取り出し、このような環境媒体に電子供与体を十分な期間導入して、サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１に、そこに存在するＵ（VI）源におけるＵ（VI）をＵ（IV）へと還元させるステップを含む方法。
【請求項１１】
サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１が、南アフリカ北西州のウィットウォータースランド盆地北西部周縁に位置するムポネン鉱山に由来する、又はこの用地から得られた環境媒体に由来する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
Ｕ（VI）源が、ＵＯ２（ＣＨ３ＣＯＯ）２．２Ｈ２Ｏ及びＵＯ２（ＮＯ３）２からなる群から選択される、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
還元が好気条件下において行われる、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
電子供与体が、Ｈ２、還元型キノン（ヒドロキノン）、酢酸塩、乳酸塩、クエン酸、及びピルビン酸塩からなる群から選択される、請求項１０〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
インサイチュ、エクスサイチュ又はその両方で実施され得る、六価Ｕ源で汚染された用地のバイオレメディエーション又は少なくとも部分的なバイオレメディエーションに用いられる、請求項１０〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
ウラン（VI）源におけるウラン（VI）のウラン（IV）への還元における、請求項１〜４のいずれかに記載のポリペプチドの使用。
【請求項１７】
Ｕ（VI）汚染された用地又はＵ（VI）汚染された環境媒体のバイオレメディエーション又は少なくとも部分的なバイオレメディエーションにおける、サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１の使用。
【請求項１８】
サーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１が、レメディエーション又は少なくとも部分的にレメディエーションされるべきＵ（VI）汚染された用地又はＵ（VI）汚染された環境媒体に由来する、請求項１７に記載のサーマス・スコトダクタス株ＳＡ−０１の使用。
【請求項１９】
Ｕ（VI）汚染された用地又はＵ（VI）汚染された環境媒体のバイオレメディエーション又は少なくとも部分的なバイオレメディエーションにおける、請求項９に記載の微生物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導入遺伝子発現のための方法であって：
（ａ）真核生物、好ましくは、ほ乳類宿主細胞を提供し（ここで、前記宿主細胞は、相同性組換え（ＨＲ）の増大、非相同的末端結合（ＮＨＥＪ）の減少および／または前記細胞におけるＨＲ／ＮＨＥＪ比の増強のために修飾または処理されている）、そして
（ｂ）前記細胞を、
前記導入遺伝子を含む少なくとも１つのベクター、および
マトリックス付着領域（ＭＡＲ）エレメント（ここで、前記ＭＡＲエレメントは前記導入遺伝子にシスまたはトランスで提供される）
でトランスフェクトすることを含む、方法。
【請求項２】
前記（ｂ）におけるトランスフェクションが後続トランスフェクションであり、ベクターまたは核酸フラグメントなどの核酸での初期トランスフェクションが先行する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記細胞の集団の３０％超がＧ１期にある場合、前記初期および後続トランスフェクションがある時点で起こる、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記初期トランスフェクションの前記核酸が、導入遺伝子を含む少なくとも１つのベクターであり、前記初期トランスフェクションの少なくとも１つの前記ベクターおよび前記少なくとも１つの後続トランスフェクションの少なくとも１つのベクターが前記細胞のゲノム中への組み込み前および／または組み込み後に１つまたはそれ以上のコンカテマー構造を形成する、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記細胞の前記ＨＲ／ＮＨＥＪ比が、前記トランスジェニック配列を含まず、突然変異していない前記細胞において見いだされる比よりもそれぞれ２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０倍まで高いか、または前記ＮＨＥＪの活性が０に等しい、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの初期トランスフェクションがシングルトランスフェクションである、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記初期トランスフェクションの前記核酸が、ＭＡＲエレメントおよび前記導入遺伝子を含むベクターであり、前記初期トランスフェクション後に、前記導入遺伝子の前記発現が初期レベルに達し、前記後続トランスフェクション後の前記導入遺伝子の前記発現が、付加的であるよりも高い後続レベルに達し、好ましくは１回の後続トランスフェクション後に、前記初期レベルの２倍、３倍または４倍を越える後続レベルに達する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記（ａ）における核酸が、ＭＡＲエレメントおよび前記導入遺伝子を含むベクターであり、前記初期トランスフェクション後に、前記細胞のゲノム中に組み込まれる前記導入遺伝子のコピー数が（ｎ）に等しく、前記少なくとも１つの後続トランスフェクション後に、前記ゲノム中に組み込まれる前記導入遺伝子コピー数が２（ｎ）、３（ｎ）または４（ｎ）を越える、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの第１トランスフェクションの前記ベクターのベクター配列が、前記後続トランスフェクション（複数可）の少なくとも第１のもののベクターのベクター配列と１００％または少なくとも９５％、９０％、８５％もしくは８０％の配列同一性を有する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記初期トランスフェクションの前記ベクターがＭＡＲエレメントを含み、前記ＭＡＲエレメントが前記後続トランスフェクション（複数可）の少なくとも第１のもののベクターの前記ＭＡＲエレメントと１００％または少なくとも９５％、９０％、８５％もしくは８０％の配列同一性を有する、請求項２〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記初期トランスフェクションの前記ベクターが導入遺伝子を含み、前記導入遺伝子が前記後続トランスフェクション（複数可）の少なくとも第１のもののベクターの導入遺伝子と１００％または少なくとも９５％、９０％、８５％もしくは８０％の配列同一性を有する、請求項２〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記ＭＡＲエレメントが前記導入遺伝子のプロモーター／エンハンサー配列の上流に位置する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＭＡＲ配列が配列番号１〜３と少なくとも９０％の配列同一性を有するか、またはその変異体である、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
（ａ）ＮＨＥＪサプレッサー、たとえばＮＵ７０２６および／またはワートマニンを発現するトランスジェニック配列、
（ｂ）たとえばＲａｄ  ５１、Ｒａｄ  ５２、ＲｅｃＡ、Ｒａｄ  ５４、ＲｕｖＣもしくはＢＲＣＡ２といった１つまたはそれ以上のＨＲ酵素またはたとえばＲＳ−１といったＨＲアクチベーターを発現するトランスジェニック配列、
（ｃ）ＮＨＥＪ遺伝子を不活性化または下方調節する突然変異、たとえば、ｘｒｃｃ４遺伝子、ＲＡＤ５１鎖トランスフェラーゼ遺伝子、ＤＮＡ依存性タンパク質キナーゼ遺伝子、Ｒａｄ５２遺伝子、ＲｅｃＡ遺伝子、Ｒａｄ５４遺伝子、ＲｕｖＣ遺伝子および／または、ＢＲＣＡ２遺伝子における突然変異ならびに／または
（ｄ）ＨＲ酵素、ＨＲアクチベーターもしくはＮＨＥＪサプレッサーの発現もしくは活性を増強する突然変異、たとえば、ＲＡＤ５１鎖トランスフェラーゼ遺伝子、ＤＮＡ依存性タンパク質キナーゼ遺伝子、Ｒａｄ５２遺伝子、ＲｅｃＡ遺伝子、Ｒａｄ５４遺伝子、ＲｕｖＣ遺伝子および／または、ＢＲＣＡ２遺伝子における突然変異、ならびに
前記細胞の前記ゲノム中に組み込まれた導入遺伝子
を含む組換え真核生物、好ましくはほ乳類宿主細胞であって、
（ａ）および／または（ｂ）の前記トランスジェニック配列を含まない前記細胞において見いだされる比よりも２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１５、２０、２５、３０倍よりも高いＨＲ／ＮＨＥＪ比を有し、
マトリックス付着領域（ＭＡＲ）エレメントを含む、
組換え真核生物の宿主細胞。
【請求項１５】
前記導入遺伝子が前記細胞のゲノムの１つの座中に組み入れられ、そしてコンカテマー構造、好ましくは、少なくとも２００、３００、４００、５００または６００コピーの前記導入遺伝子を含むコンカテマー構造を形成する、請求項１４記載の細胞。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのＭＡＲエレメントが配列番号１〜３と少なくとも９０％の配列同一性を有するか、または配列番号１〜３の変異体である、請求項１４または１５に記載の細胞。
【請求項１７】
前記ＭＡＲエレメントが前記導入遺伝子のプロモーター／エンハンサー配列の上流に位置する、請求項１４〜１６のいずれかに記載の細胞。
【請求項１８】
前記導入遺伝子の発現における請求項１４〜１７のいずれかに記載のいずれか１つの組換え真核生物宿主細胞の使用。
【請求項１９】
ａ．第１容器中に、場合によってＭＡＲエレメントおよび前記ベクター中への導入遺伝子の組み込みのための制限部位を含むベクター、
ｂ．第２容器中に、請求項１４〜１７のいずれかに記載の組換え真核生物宿主細胞、および
ｃ．導入遺伝子発現のために前記細胞をトランスフェクトする際の前記ベクターの使用法の説明書
を含むキット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステント付き補綴心臓弁を経皮的に配置するための搬送器具であって、
遠位先端、近位端、およびステント付き補綴心臓弁と選択的に係合するように構成された連結構造を提供する中間部を画定する内側シャフト組立体と、
前記シャフトの少なくとも前記中間部を摺動自在に受け入れるようなサイズにされたルーメンを形成し、遠位領域で終了するシースと、
前記シースとは別に形成された管状搬送カプセルであって、前記シースの前記遠位領域に取り付けられた近位帯と、遠位端を終了する遠位帯と、を画定し、前記遠位帯が通常状態と拡がり状態との間で移行するように構成され、前記遠位端の直径が前記通常状態よりも前記拡がり状態で大きく、前記カプセルが自然に前記通常状態を取るように構成された形状記憶構成部品を含む、管状搬送カプセルと、を備え、
前記器具が、ステント付き補綴心臓弁を前記搬送カプセルの内部に摺動自在に受け入れるように構成され、前記ステント付き補綴心臓弁の一部が前記カプセルの遠位で露出されて半径方向に拡張する可逆的一部展開手順を実行するように操作可能であり、その後に、前記カプセルが前記ステント付き補綴心臓弁に対して遠位に進み、それによって、前記遠位帯が前記拡がり状態に移行して、折り畳む力を前記ステント付き補綴心臓弁に加え、前記ステント付き補綴心臓弁を半径方向に折り畳むようにする、
ことを特徴とする搬送器具。
【請求項２】
前記カプセルがレーザーカット管を含む、
請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記カプセルがポリマー被包する前記レーザーカット管をさらに含む、
請求項２に記載の器具。
【請求項４】
前記レーザーカット管がＮｉｔｉｎｏｌで形成されている、
請求項２に記載の器具。
【請求項５】
前記カプセルが前記近位帯と前記遠位帯との間に第１中間帯をさらに画定し、前記中間帯が少なくとも前記遠位帯と比較して高められた半径方向屈曲性を有する、
請求項２に記載の器具。
【請求項６】
前記レーザーカット管が、複数の概ね長手方向に延在し、前記遠位帯に沿って格子状構造を形成する相互連結された主スプラインと、概ね円周方向に延在し、前記中間帯に沿って相互連結された複数の部分を画定する、
請求項５に記載の器具。
【請求項７】
前記遠位帯が、前記遠位端の反対側で、前記中間帯の遠位に配置された基部を形成し、さらに、前記遠位帯の前記主スプラインが前記基部から延出し、前記収縮状態と前記拡がり状態との間で移行する時に前記基部に対して旋回する、
請求項６に記載の器具。
【請求項８】
前記レーザーカット管が、前記遠位端で、前記主スプラインの隣接するものが円周方向に相互連結する波状の筋交いをさらに画定する、
請求項７に記載の器具。
【請求項９】
前記レーザーカット管が、前記円周部の隣接するものを長手方向に相互連結する、前記中間帯に沿った少なくとも１つの縦スパインをさらに画定する、
請求項６に記載の器具。
【請求項１０】
前記シースが、少なくとも１つの縦シーススパインを保持するポリマー管を含み、さらに、前記管の前記少なくとも１つの縦スパインが、少なくとも１つの縦搬送シーススパインに沿って長手方向に位置合わせされた、
請求項９に記載の器具。
【請求項１１】
前記中間帯が、２つの円周方向に反対側の縦スパインを含む、
請求項９に記載の器具。
【請求項１２】
前記カプセルが、前記遠位帯と前記第１中間帯との間に第２中間帯をさらに画定し、前記第２中間帯が折り畳み状態と拡張状態との間で移行するように構成され、前記第２中間帯の直径が、前記折り畳み状態より前記拡張状態での方が大きい、
請求項５に記載の器具。
【請求項１３】
前記カプセルの前記形状記憶構成部品が、自然に前記折り畳み状態を取るように構成されている、
請求項１２に記載の器具。
【請求項１４】
前記遠位帯が第１管状部によって形成され、前記中間帯が第２管状部によって形成され、さらに、前記第１および第２管状部が別々に形成されて、材料、壁の厚さ、および直径から成るグループから選択される少なくとも１つの特性に関して異なる、
請求項５に記載の器具。
【請求項１５】
ステント付き補綴心臓弁を経皮的に配置するための搬送器具であって、
遠位先端、近位端、およびステント付き補綴心臓弁と選択的に係合するように構成された連結構造を提供する中間部を画定する内側シャフト組立体と、
前記シャフトの少なくとも前記中間部を摺動自在に受け入れるようなサイズのルーメンを形成し、遠位領域で終了するシースと、
前記シースの前記遠位領域とは別に形成され、前記遠位領域に取り付けられていて、
遠位広がり可能帯および中間屈曲性帯を画定するように切り込まれた管と、
前記管を包み、シリコンポリマーと混合された熱可塑性ポリエーテルウレタンを含むポリマー被包とを含む搬送カプセルと、
備えていることを特徴とする器具。