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【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が裏面側に形成されたシリコン基板と、
前記シリコン基板の裏面側に形成された裏面側パッシベーション膜と、
前記シリコン基板の受光面上に形成された受光面側パッシベーション膜と、
前記受光面側パッシベーション膜上に形成された反射防止膜とを含み、
前記受光面側パッシベーション膜の屈折率が前記反射防止膜の屈折率よりも高く、
前記受光面側パッシベーション膜および前記反射防止膜が共に窒化シリコン膜からなり、
前記裏面側パッシベーション膜が酸化シリコン膜からなることを特徴とする、太陽電池。
【請求項２】
前記裏面側パッシベーション膜が熱酸化シリコン膜からなることを特徴とする、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記受光面側パッシベーション膜の膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記受光面側パッシベーション膜の屈折率が２．６以上であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の太陽電池。
【請求項５】
ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板を酸素雰囲気中で加熱して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面の反対側の他方の面側に形成された前記酸化シリコン膜を除去する工程と、
前記酸化シリコン膜が除去された前記シリコン基板の前記他方の面側に、第１のガスを用いたＣＶＤ法により第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の窒化シリコン膜上に、前記第１のガスとは組成が異なる第２のガスを用いたＣＶＤ法により第２の窒化シリコン膜を形成する工程とを含む、太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記第１のガスおよび前記第２のガスが、シランガスと、アンモニアガスと、を含むことを特徴とする、請求項５に記載の太陽電池の製造方法。
【請求項７】
ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板を酸素雰囲気中で加熱して酸化シリコン膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面の反対側の他方の面側に形成された前記酸化シリコン膜を除去する工程と、
前記酸化シリコン膜が除去された前記シリコン基板の前記他方の面側に、第１のＲＦパワー密度でプラズマＣＶＤ法により第１の窒化シリコン膜を形成する工程と、
前記第１の窒化シリコン膜上に、第１のＲＦパワー密度よりも大きい第２のＲＦパワー密度でプラズマＣＶＤ法により第２の窒化シリコン膜を形成する工程とを含む、太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記第１の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバと前記第２の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバとが異なることを特徴とする、請求項５から７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板の前記一方の面側に保護膜を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記一方の面側を前記保護膜で保護した状態で前記シリコン基板の前記一方の面と反対側の他方の面側をテクスチャ加工する工程と、
前記シリコン基板の前記テクスチャ加工された前記他方の面側にパッシベーション膜を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記保護膜が酸化シリコン膜からなることを特徴とする、請求項９に記載の太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の太陽電池の製造方法においては、第１の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバと第２の窒化シリコン膜の形成に用いられる製膜チャンバとが異なっていてもよい。また、本発明は、ｐ型不純物拡散領域およびｎ型不純物拡散領域が一方の面側に形成されたシリコン基板の一方の面側に保護膜を形成する工程と、シリコン基板の一方の面側を保護膜で保護した状態でシリコン基板の一方の面と反対側の他方の面側をテクスチャ加工する工程と、シリコン基板のテクスチャ加工された他方の面側にパッシベーション膜を形成する工程とを含む太陽電池の製造方法である。ここで、保護膜は酸化シリコン膜からなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プライマリ同期チャネルとセカンダリ同期チャネルとが含まれた同期チャネルを生成する生成部と、
前記同期チャネルを含む信号を無線送信する送信部とを備え、
前記生成部において、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応するように、プライマリ同期チャネルが複数種類規定されており、セカンダリ同期チャネルは、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応して所定の生成多項式から導出されたスクランブルコードを使用することを特徴とする基地局装置。
【請求項２】
前記生成部は、セクタに対応したスクランブルコードを使用することを特徴とする請求項１に記載の基地局装置。
【請求項３】
前記所定の生成多項式から導出されるスクランブルコードは、線形帰還シフトレジスタ(LFSR)系列に属することを特徴とする請求項１または２に記載の基地局装置。
【請求項４】
前記所定の生成多項式から導出されるスクランブルコードは、M系列であることを特徴とする請求項３に記載の記載の基地局装置。
【請求項５】
前記セカンダリ同期チャネルを特定することで、セルIDグループ及び無線フレームタイミングが特定されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の基地局装置。
【請求項６】
プライマリ同期チャネルとセカンダリ同期チャネルとが含まれた同期チャネルを生成するステップと、
前記同期チャネルを含む信号を無線送信するステップとを備え、
前記生成するステップにおいて、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応するように、プライマリ同期チャネルが複数種類規定されており、セカンダリ同期チャネルは、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応して所定の生成多項式から導出されたスクランブルコードを使用することを特徴とする送信方法。
【請求項７】
前記生成するステップは、セクタに対応したスクランブルコードを使用することを特徴とする請求項６に記載の送信方法。
【請求項８】
前記所定の生成多項式から導出されるスクランブルコードは、線形帰還シフトレジスタ(LFSR)系列に属することを特徴とする請求項６または７に記載の送信方法。
【請求項９】
前記所定の生成多項式から導出されるスクランブルコードは、M系列であることを特徴とする請求項８に記載の記載の送信方法。
【請求項１０】
前記セカンダリ同期チャネルを特定することで、セルIDグループ及び無線フレームタイミングが特定されることを特徴とする請求項６から９のいずれかに記載の送信方法。
【請求項１１】
プライマリ同期チャネルとセカンダリ同期チャネルとが含まれた同期チャネルを無線送信する基地局装置と、
前記基地局装置からの同期チャネルを受信するユーザ装置とを備え、
前記基地局装置では、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応するように、プライマリ同期チャネルが複数種類規定されており、セカンダリ同期チャネルは、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応して所定の生成多項式から導出されたスクランブルコードを使用することを特徴とする無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システム、基地局装置及び送信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
一実施例では基地局装置が使用される。基地局装置は、プライマリ同期チャネルとセカンダリ同期チャネルとが含まれた同期チャネルを生成する生成部と、前記同期チャネルを含む信号を無線送信する送信部とを備え、
前記生成部において、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応するように、プライマリ同期チャネルが複数種類規定されており、セカンダリ同期チャネルは、複数種類のプライマリ同期チャネル系列番号のそれぞれに対応して所定の生成多項式から導出されたスクランブルコードを使用することを特徴とする基地局装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月21日(2009.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センター側装置と、当該センター側装置に通信回線を介して接続された無線親機と、当該無線親機との間で無線通信を行う複数の無線子機とから構成され、前記無線子機は前記無線親機を通じてセンター側装置とデータ通信を行う無線データ通信システムであって、前記無線親機及び前記無線子機は無線通信開始までは初期設定の間欠受信動作を行い、前記無線親機及び前記無線子機は、電池と商用電源との二種類の電源種別によって動作することを特徴とする無線データ通信システム。
【請求項２】
無線親機及び前記無線子機は、通信相手が前記商用電源の場合には前記初期設定の前記間欠受信動作より短い周期の間欠受信動作で動作することを特徴とする請求項１に記載の無線データ通信システム。
【請求項３】
前記センター装置から前記無線親機を介して複数の前記無線子機を一括で起動する一括動作では、前記無線親機の前記電源種別に関係なく、前記無線子機は、前記無線親機からの一括起動電文を受信確認後に前記間欠受信間隔を前記初期設定の前記間欠受信動作より短い周期の間欠受信動作で動作することを特徴とする請求項１に記載の無線データ通信システム。
【請求項４】
前記無線親機は、複数の前記無線子機を一括で起動する一括動作の後は、前記初期設定の前記間欠受信動作より短い周期の間欠受信動作に則した電文を送信することを特徴とする請求項１に記載の無線データ通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体素子、このパワー半導体素子の一面に設けられる第１電極板、前記パワー半導体素子の他面に設けられる第２電極板および、前記パワー半導体素子と前記第１電極板との間に設けられ絶縁基板とからなる半導体装置と、
この半導体装置を構成する前記第１電極板の主面に、第１のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第１のバスバーと、
前記半導体装置を構成する前記第２電極板の主面に、第２のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第２のバスバーと、
前記第１のバスバーにおける第１電極板がはんだ付けされる主面および、前記第２のバスバーにおける第２電極板がはんだ付けされる主面のそれぞれに設けられ、前記第１のはんだ部材および第２のはんだ部材のはんだ接合厚さを規制するはんだ付け制御手段と
を具備することを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項２】
前記はんだ付け制御手段は、
前記第１のバスバーにおける前記第１電極板がはんだ付けされる主面を覆うとともに、第１電極板がはんだ付けされる位置に、第１電極板の主面よりも大きな面積の取付け部を形成するソルダーレジスト膜であり、
前記第２のバスバーにおける前記第２電極板がはんだ付けされる主面を覆うとともに、第２電極板がはんだ付けされる位置に、第２電極板の主面よりも大きな面積の取付け部を形成するソルダーレジスト膜であることを特徴とする請求項１記載のパワー半導体モジュール。
【請求項３】
前記はんだ付け制御手段は、
前記第１のバスバーにおける前記第１電極板がはんだ付けされる主面を覆うとともに、第１電極板がはんだ付けされる位置に、第１電極板の主面よりも大きな面積の取付け領域を区画するとともに、前記取付け領域が複数に区画されるように仕切り領域を有するソルダーレジスト膜であり、
前記第２のバスバーにおける前記第２電極板がはんだ付けされる主面を覆うとともに、第２電極板がはんだ付けされる位置に、第２電極板の主面よりも大きな面積の取付け領域を区画するとともに、前記取付け領域が複数に区画されるように仕切り領域を有するソルダーレジスト膜であることを特徴とする請求項１記載のパワー半導体モジュール。
【請求項４】
前記はんだ付け制御手段は、
前記第１のバスバーにおける前記第１電極板がはんだ付けされる主面の一端部に設けられ、前記第１電極板の一端が載る第１の突条部であり、前記主面の端縁から前記第１の突条部までの長さ寸法（Ｌａ）と、第１電極板の一端縁から他端縁までの長さ寸法（Ｌ）とが略同一に設定され、
前記第２のバスバーにおける前記第２電極板がはんだ付けされる主面の一端部に設けられ、前記第２電極板の一端が載る第２の突条部であり、前記主面の端縁から前記第２の突条部までの長さ寸法（Ｌｂ）と、第２電極板の一端縁から他端縁までの長さ寸法（Ｌ）とが略同一に設定されることを特徴とする請求項１記載のパワー半導体モジュール。
【請求項５】
パワー半導体素子、このパワー半導体素子の一面に設けられる第１電極板、前記パワー半導体素子の他面に設けられる第２電極板および、前記パワー半導体素子と前記第１電極板との間に設けられ、一部が前記第１電極板および第２電極板の外周縁より外側に突出する引出し部を備え、この引出し部に前記パワー半導体素子の制御電極と接続する外部接続端子を備えた絶縁基板からなる半導体装置と、
この半導体装置を構成する第１電極板の主面の前記外周縁と端縁を位置合せされ、第１電極板の主面に、第１のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第１のバスバーと、
前記半導体装置を構成する第２電極板の主面の前記外周縁と端縁を位置合せされ、第２電極板の主面に、第２のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第２のバスバーと、
前記半導体装置に設けられ、前記第１のはんだ部材および第２のはんだ部材のはんだ接合厚さを規制するはんだ付け制御手段と
を具備することを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項６】
半導体装置を構成する第１電極板と、第２電極板および絶縁基板は、第１のバスバーと第２のバスバーの端縁と位置合せされる前記外周縁から、前記引出し部の突出方向と逆方向に形成される加工用辺部を備えていて、
前記はんだ付け制御手段は、前記加工用辺部の前記外周縁から所定距離に亘って設けられる切欠部であることを特徴とする請求項５記載のパワー半導体モジュール。
【請求項７】
半導体装置を構成する第１電極板と、第２電極板および絶縁基板は、第１のバスバーと第２のバスバーの端縁と位置合せされる外周縁から前記引出し部の突出方向と逆方向に形成される加工用辺部を備えていて、
前記はんだ付け制御手段は、前記加工用辺部の前記外周縁から互いに同一の間隔を存して設けられる複数の切欠部であり、これら切欠部の切欠面積は、前記外周縁から漸次小さく形成されることを特徴とする請求項５記載のパワー半導体モジュール。
【請求項８】
パワー半導体素子、このパワー半導体素子の一面に設けられる第１電極板、前記パワー半導体素子の他面に設けられる第２電極板および、前記パワー半導体素子と前記第１電極板との間に設けられ絶縁基板とからなる半導体装置と、
この半導体装置を構成する第１電極板主面に、第１のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第１のバスバーと、
前記半導体装置を構成する第２電極板主面に、第２のはんだ部材を介してはんだ付け接合される導電部材である第２のバスバーとを具備し、
前記第１のはんだ部材および第２のはんだ部材は、はんだ接合厚さと同一直径で、かつはんだ成分に固溶しない金属ボールが混入されることを特徴とするパワー半導体モジュール。
【請求項９】
前記第１のバスバーにおける前記第１電極板がはんだ付けされる主面は、ソルダーレジスト膜で覆われるとともに、このソルダーレジスト膜の第１電極板がはんだ付けされる位置に、第１電極板の取付け部が形成され、
前記第２のバスバーにおける前記第２電極板がはんだ付けされる主面は、ソルダーレジスト膜で覆われるとともに、このソルダーレジスト膜の第２電極板がはんだ付けされる位置に、第２電極板の取付け部が形成されることを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれかに記載のパワー半導体モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元容積測定画像をレンダリングする方法であって、
再構成された容積測定画像（４９）内で関心空間（５６）を通るそれぞれの射線（５４）及び１種以上の加重関数に基づいて、レンダリングされる画像の各々のピクセル（５８）のピクセル値を決定するステップと、
前記レンダリングされた画像を表示するステップと、
を備え、
少なくとも１種の加重関数は深さ依存型加重関数であり、
前記深さ依存型加重関数が３次元となるように、前記射線（５４）が、前記三次元容積測定画像に関する角度からずれている、三次元容積測定画像をレンダリングする方法。
【請求項２】
少なくとも１種の加重関数は、前記ピクセル値を決定するのに用いられるオパシティ項を修正する深さ依存型加重関数である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ピクセル値を決定するステップが、深さ依存型加重関数に基づいて、色、強度、グレイ・スケール値を決定するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記容積測定画像の一部のコントラストを強調するステップを含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記一部のコントラスト強調は前記一部の深さに比例している、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
関心空間に対して異なる相対位置から前記関心空間を通る放射線流（１６、２０）を放出するように構成されているＸ線源（１２）と、
それぞれの放射線流（１６、２０）に応答して各々１以上の信号を発生し得る複数の検出器素子を含んでいる検出器アレイ（２２）と、
前記Ｘ線源（１２）を制御して前記複数の検出器素子から前記１以上の信号を取得するように構成されているシステム制御器（２４）と、
前記１以上の信号を受け取り、該１以上の信号から三次元容積測定画像データ集合（４９）を再構成し、該再構成された容積測定画像（４９）内で関心空間（５６）を通るそれぞれの射線（５４）及び１種以上の加重関数に基づいて、レンダリングされる画像の各々のピクセル（５８）のピクセル値を決定するように構成されているコンピュータ・システム（３６）と、
前記レンダリングされた画像を表示するように構成されている操作者ワークステーション（４０）と、
を備え、
少なくとも１種の加重関数は深さ依存型加重関数であり、
前記深さ依存型加重関数が３次元となるように、前記射線（５４）が、前記三次元容積測定画像に関する角度からずれている、
トモシンセシス・イメージング・システム（１０）。
【請求項７】
少なくとも１種の加重関数は、前記ピクセル値を決定するのに用いられるオパシティ項を修正する深さ依存型加重関数である、請求項６に記載のトモシンセシス・イメージング・システム（１０）。
【請求項８】
前記コンピュータ・システム（３６）が、深さ依存型加重関数に基づいて、色、強度、グレイ・スケール値を決定するように構成されている、請求項６に記載のトモシンセシス・イメージング・システム（１０）。
【請求項９】
前記コンピュータ・システム（３６）は前記容積測定画像の一部のコントラストを強調するように構成されている、請求項６に記載のトモシンセシス・イメージング・システム（１０）。
【請求項１０】
前記一部のコントラスト強調は前記部分の深さに比例している、請求項９に記載のトモシンセシス・イメージング・システム（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度を決定する方法であって、
前記ニップの速度プロフィールの解析的形式を表す式の集合をパラメータ化するステップと、
シミュレーション及び繰り返し処理を通じて、ある具体的な状況に適用できる前記パラメータの値を決定するステップと、
前記決定されたパラメータの値に基づいて前記ニップの速度プロフィールを決定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
媒体見当合わせ処理をシミュレーションする方法であって、
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度予定プロフィールに誤差を入力するステップと、
前記誤差に基づいて出力値を決定するステップと、
前記出力値を用いて回帰処理を行い、前記誤差が前記出力値に影響する様子を示すシミュレーション関係を得るステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項３】
少なくとも、ニップと、媒体の位置を検出するセンサ又はセンサシステムと、を含む媒体見当合わせシステムに関連して用いられる装置であって、
ニップ速度予定プロフィールに適用された誤差パラメータと予定プロフィールの出力値との間のシミュレーション関係を記憶するメモリと、
前記媒体見当合わせシステムの前記ニップを制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記センサの入力及び前記シミュレーション関係に基づいて望ましい修正パラメータを決定し、前記望ましい修正パラメータに基づいて前記ニップの速度プロフィールを制御することを特徴とする装置。
【請求項４】
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度を決定する方法であって、
媒体の進行方向の位置を調整するために予め設定された前記ニップの第１速度パターンと、前記媒体の進行方向に対して垂直な方向の位置を調整するために予め設定された前記ニップの第２速度パターンと、前記媒体の進行方向に対する前記媒体の側辺の角度を調整するために予め設定された前記ニップの第３速度パターンと、について、前記媒体のある具体的な状態に応じて、前記３つの速度パターンのそれぞれに含まれるパラメータの値を決定するステップと、
前記第１速度パターン、前記第２速度パターン、前記第３速度パターン、及び前記決定されたパラメータの値に基づいて、前記ニップの速度プロフィールを決定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
図４２から図４５に示す方法は、コンピュータ上で実行できるコンピュータプログラム製品に実現できる。コンピュータプログラム製品は、制御プログラムを記録できるコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって良いし、又は、制御プログラムをデータ信号として具体化する伝送可能な搬送波であってもよい。さらに、コンピュータプログラム製品は、電子写真（xerographic）装置などの装置で用いることができる。このような装置は、媒体見当合わせシステムにおいてニップを制御するのに用いることができる。なお、以下に、付記として本発明の構成の例を示す。
（付記１）
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度を決定する方法であって、
前記ニップの速度プロフィールの解析的形式を表す式の集合をパラメータ化するステップと、
シミュレーション及び繰り返し処理を通じて、ある具体的な状況に適用できる前記パラメータの値を決定するステップと、
前記決定されたパラメータの値に基づいて前記ニップの速度プロフィールを決定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
（付記２）
媒体見当合わせ処理をシミュレーションする方法であって、
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度予定プロフィールに誤差を入力するステップと、
前記誤差に基づいて出力値を決定するステップと、
前記出力値を用いて回帰処理を行い、前記誤差が前記出力値に影響する様子を示すシミュレーション関係を得るステップと、
を備えることを特徴とする方法。
（付記３）
少なくとも、ニップと、媒体の位置を検出するセンサ又はセンサシステムと、を含む媒体見当合わせシステムに関連して用いられる装置であって、
ニップ速度予定プロフィールに適用された誤差パラメータと予定プロフィールの出力値との間のシミュレーション関係を記憶するメモリと、
前記媒体見当合わせシステムの前記ニップを制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記センサの入力及び前記シミュレーション関係に基づいて望ましい修正パラメータを決定し、前記望ましい修正パラメータに基づいて前記ニップの速度プロフィールを制御することを特徴とする装置。
（付記４）
媒体見当合わせシステムにおけるニップの速度を決定する方法であって、
媒体の進行方向の位置を調整するために予め設定された前記ニップの第１速度パターンと、前記媒体の進行方向に対して垂直な方向の位置を調整するために予め設定された前記ニップの第２速度パターンと、前記媒体の進行方向に対する前記媒体の側辺の角度を調整するために予め設定された前記ニップの第３速度パターンと、について、前記媒体のある具体的な状態に応じて、前記３つの速度パターンのそれぞれに含まれるパラメータの値を決定するステップと、
前記第１速度パターン、前記第２速度パターン、前記第３速度パターン、及び前記決定されたパラメータの値に基づいて、前記ニップの速度プロフィールを決定するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
（付記５）
媒体見当合わせ処理をシミュレーションする方法であって、
ある見当誤差を媒体の初期状態として設定するステップと、
媒体見当合わせシステムにおけるニップの予定速度プロフィールを用いて、前記初期状態から前記ニップを動作させた場合の媒体見当合わせ処理終了時の前記媒体の状態を表す終了状態を求めるステップと、
前記２つのステップを複数回繰り返して得られる見当誤差と終了状態との複数の組み合わせを用いた回帰処理を行うことで、見当誤差と終了状態との間の関係を取得するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
（付記６）
ニップと、前記ニップに対する媒体の相対的な位置を検出するセンサと、を含む媒体見当合わせシステムに用いられる装置であって、
初期状態となる媒体の見当誤差と、予め設定された前記ニップの速度プロフィールである予定速度プロフィールに応じて、前記初期状態から前記ニップを動作させた場合の媒体見当合わせ処理終了時の前記媒体の状態を表す終了状態と、の間の関係を記憶するメモリと、
前記媒体見当合わせシステムの前記ニップを制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、前記センサで検出した媒体の状態に基づき前記メモリに記憶された見当誤差と終了状態との間の関係を用いて求められた予定終了状態と、媒体見当合わせ処理終了時の望ましい媒体の状態と、に基づいて、前記ニップに実際に適用される速度プロフィールを決定することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月24日(2009.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メルトインデックスが５．０〜２０．０ｇ／１０分のプロピレン単独重合体と、メルトインデックスが０．１〜１．０ｇ／１０分で且つプロピレンを５０重量％以上含有するエチレン−プロピレン共重合体と、メルトインデックスが２．０〜８．０ｇ／１０分で且つプロピレンを５０重量％以上含有するエチレン−プロピレン共重合体とからなり、前記プロピレン単独重合体１５〜３５重量％、前記メルトインデックスが０．１〜１．０ｇ／１０分のエチレン−プロピレン共重合体２０〜４０重量％及び前記メルトインデックスが２．０〜８．０ｇ／１０分のエチレン−プロピレン共重合体３０〜６５重量％からなる、密度が０．０５〜０．２ｇ／ｃｍ3 であるオレフィン系樹脂発泡シートであって、１６０℃における破断強度が０．０８ＭＰａ以上で且つ１６０℃における伸度が２２０％以上であると共に、１９０℃にて５０％圧縮した後の厚み損失率が４０〜８０％であることを特徴とするオレフィン系樹脂発泡シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のオレフィン系樹脂発泡シートは、メルトインデックスが５．０〜２０．０ｇ／１０分のプロピレン単独重合体と、メルトインデックスが０．１〜１．０ｇ／１０分で且つプロピレンを５０重量％以上含有するエチレン−プロピレン共重合体と、メルトインデックスが２．０〜８．０ｇ／１０分で且つプロピレンを５０重量％以上含有するエチレン−プロピレン共重合体とからなり、前記プロピレン単独重合体１５〜３５重量％、前記メルトインデックスが０．１〜１．０ｇ／１０分のエチレン−プロピレン共重合体２０〜４０重量％及び前記メルトインデックスが２．０〜８．０ｇ／１０分のエチレン−プロピレン共重合体３０〜６５重量％からなる、密度が０．０５〜０．２ｇ／ｃｍ3 であるオレフィン系樹脂発泡シートであって、１６０℃における破断強度が０．０８ＭＰａ以上で且つ１６０℃における伸度が２２０％以上であると共に、１９０℃にて５０％圧縮した後の厚み損失率が４０〜８０％であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１モルの多糖無水糖単位（「ＡＳＵ」）当たり最大７０モル％のカルボキシル基と１モルの多糖ＡＳＵ当たり最大２０モル％のアルデヒド基とを有する少なくとも１種の改質多糖を含む多糖組成物。
【請求項２】
前記の少なくとも１種の改質多糖が少なくとも１つのホスホネート部分をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項３】
前記の少なくとも１種の改質多糖と、ホスホネート部分を有する少なくとも１種のモノマーとの混合物をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項４】
前記の少なくとも１種の改質多糖が少なくとも１つのスルホネート部分をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項５】
前記の少なくとも１種の改質多糖と、スルホネート部分を有する少なくとも１種のモノマーとの混合物をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項６】
前記の少なくとも１種の改質多糖は少なくとも１つのホスホネート部分をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項７】
前記の少なくとも１種の改質多糖と、ホスフェート部分を有する少なくとも１種のモノマーとの混合物をさらに含む、請求項１の多糖組成物。
【請求項８】
水性処理組成物中における請求項１の多糖組成物の使用であって、前記水性処理組成物はスケール形成を防止することができ、前記水性処理組成物中に前記の少なくとも１種の改質多糖が少なくとも０．５ｍｇ／Ｌの量で存在する、多糖組成物の使用。
【請求項９】
クリニーング配合物における請求項１の多糖組成物の使用であって、前記の少なくとも１種の改質多糖ポリマーはクリニーング配合物の０．０１〜１０重量％の量で存在する、多糖組成物の使用。
【請求項１０】
分散剤における請求項１の多糖組成物の使用であって、前記分散剤は、１種以上のミネラル、１種以上の有機成分、および／または１種以上の農薬活性成分を分散させることができる、多糖組成物の使用。
【請求項１１】
請求項１０の多糖組成物であって、前記組成物は１種以上のミネラルを分散させることができ、分散される前記１種以上のミネラルはタルク、二酸化チタン、雲母、沈殿炭酸カルシウム、摩砕炭酸カルシウム、沈殿シリカ、シリケート、酸化鉄、粘土、カオリン粘土、石膏、またはこれらの組合せである、多糖組成物。
【請求項１２】
請求項１０の多糖組成物であって、前記組成物は１種以上の有機成分を分散させることができ、分散される前記１種以上の有機成分はカーボンブラック、染料、インク、蛍光剤、またはこれらの組合せである、多糖組成物。
【請求項１３】
請求項１０の多糖組成物であって、前記組成物は１種以上の農薬活性成分を分散させることができ、分散される前記１種以上の農薬活性成分は防腐剤、除草剤、殺虫剤、成長制御物質、またはこれらの組合せである、多糖組成物。
【請求項１４】
水性処理システムにおける請求項１の多糖組成物の使用であって、
前記水性処理システムは水処理システム、油田システム、またはクリニーングシステムであり、かつ
前記水性処理システムは、スルフェートスケール、カーボネートスケール、および／またはホスフェートスケールを最小にすることができる、多糖組成物の使用。
【請求項１５】
ガラス繊維結合剤またはセメント組成物における請求項１の多糖組成物の使用。
【請求項１６】
多糖組成物の調製法であって、
水性媒体中で多糖を酸化する工程（水性媒体は、１モルの多糖無水糖単位（「ＡＳＵ」）当たり最大１０６．３７ｇの活性塩素の当量酸化力と媒介量のニトロキシルラジカルとを有するオキシダントを有する）、ここで、生じる改質多糖は１モルの多糖ＡＳＵ当たり最大７０モル％のカルボキシル基と１モルの多糖ＡＳＵ当たり最大２０モル％のアルデヒド官能基とを有し、そして
制御された温度とｐＨ下で酸化多糖を分解する工程、
とを含む調製法。
【請求項１７】
請求項１６の調製法であって、前記多糖は顆粒デンプンであり、前記調製法は、
前記酸化デンプンをろ過し洗浄して、デンプンを分解する前にニトロキシルメディエータと塩副産物を除去する工程、および
デンプンを架橋する工程、ここで、デンプンは酸化の前に架橋される、
をさらに含む、調製法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分を含む、低排出ガス高負荷ディーゼルエンジン用の低硫黄、低硫酸灰分及び低リン潤滑油組成物：
（ａ）主要量の潤滑粘度の油、
（ｂ）潤滑油組成物の全質量に基づき少なくとも２質量％のマンニッヒ縮合物の金属塩を含む耐摩耗性添加剤組成物。
【請求項２】
マンニッヒ縮合物の濃度が、潤滑油組成物の全質量に基づき２質量％乃至１２質量％の範囲にある請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項３】
マンニッヒ縮合物の濃度が、潤滑油組成物の全質量に基づき３質量％乃至９質量％の範囲にある請求項２に記載の潤滑油組成物。
【請求項４】
マンニッヒ縮合物の濃度が、潤滑油組成物の全質量に基づき４質量％乃至７質量％の範囲にある請求項３に記載の潤滑油組成物。
【請求項５】
耐摩耗性添加剤組成物（ｂ）においてマンニッヒ縮合物が、炭素原子数１〜炭素原子数２０のアルデヒドと、アンモニア、低級アルキルアミン、ポリアミンおよびそれらの混合物から選ばれた窒素塩基化合物と、アルキルフェノールとの縮合物である請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項６】
マンニッヒ縮合物のアルキルフェノールのアルキル基が、直鎖或は分枝鎖アルキル基またはそれらの混合物である請求項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項７】
マンニッヒ縮合物のアルキルフェノールのアルキル基が分枝鎖アルキル基である請求項６に記載の潤滑油組成物。
【請求項８】
マンニッヒ縮合物においてアルキルフェノールのアルキル基が、炭素原子数４〜炭素原子数６０である請求項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項９】
マンニッヒ縮合物のアルキルフェノールのアルキル基が、炭素原子数６〜炭素原子数４０である請求項８に記載の潤滑油組成物。
【請求項１０】
マンニッヒ縮合物のアルキルフェノールのアルキル基が、炭素原子数８〜炭素原子数２０である請求項９に記載の潤滑油組成物。
【請求項１１】
低級アルキルアミンのアルキル基が炭素原子数１〜炭素原子数１０であり、そしてポリアミンがアミン窒素原子数２〜アミン窒素原子数１２で炭素原子数２〜炭素原子数４０である請求項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項１２】
マンニッヒ縮合物を製造するための窒素塩基化合物が、アルキル基の炭素原子数が１〜１０の低級アルキルアミンである請求項１１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１３】
低級アルキルアミンがアルキルモノ−アミンである請求項１２に記載の潤滑油組成物。
【請求項１４】
ポリアミンが、モノ−アルキレンポリアミン、ポリアルキレンポリアミンまたはそれらの混合物である請求項１１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１５】
マンニッヒ縮合物を製造するのに用いられたアルデヒドがホルムアルデヒドである請求
項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項１６】
マンニッヒ縮合物を製造するのに用いられたアルデヒドがパラホルムアルデヒドである請求項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項１７】
耐摩耗性添加剤組成物（ｂ）においてマンニッヒ縮合物が、アルキルフェノールと、ただし、アルキルフェノールのアルキル基は炭素原子数８〜炭素原子数２０の分枝鎖アルキル基である、パラホルムアルデヒドとモノ−メチルアミンとから製造されたものである請求項５に記載の潤滑油組成物。
【請求項１８】
マンニッヒ縮合物の金属塩の金属が、アルカリ金属またはアルカリ土類金属である請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１９】
金属がアルカリ土類金属である請求項１８に記載の潤滑油組成物。
【請求項２０】
アルカリ土類金属がカルシウムである請求項１９に記載の潤滑油組成物。
【請求項２１】
硫黄分が、潤滑油の全質量に基づき０．０質量％乃至０．４質量％の範囲にある請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項２２】
硫黄分が、潤滑油の全質量に基づき０．０５質量％乃至０．３質量％の範囲にある請求項２１に記載の潤滑油組成物。
【請求項２３】
硫黄分が、潤滑油の全質量に基づき０．１質量％乃至０．２質量％の範囲にある請求項２２に記載の潤滑油組成物。
【請求項２４】
硫酸灰分が、潤滑油の全質量に基づき０．２質量％乃至４．０質量％の範囲にある請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項２５】
硫酸灰分が、潤滑油の全質量に基づき０．３質量％乃至２．０質量％の範囲にある請求項２４に記載の潤滑油組成物。
【請求項２６】
硫酸灰分が、潤滑油の全質量に基づき０．５質量％乃至１．２質量％の範囲にある請求項２５に記載の潤滑油組成物。
【請求項２７】
リン分が、潤滑油の全質量に基づき０．００５質量％乃至０．０６質量％の範囲にある請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項２８】
リン分が、潤滑油の全質量に基づき０．０１５質量％乃至０．０５質量％の範囲にある請求項２７に記載の潤滑油組成物。
【請求項２９】
リン分が、０．０３質量％乃至０．０４質量％の範囲にある請求項２８に記載の潤滑油組成物。
【請求項３０】
潤滑油組成物が更に、清浄剤、分散剤、酸化防止剤、粘度指数向上剤、腐食防止剤、耐摩耗性添加剤、摩擦緩和剤、流動点降下剤および消泡剤から選ばれた一種以上の潤滑油添加剤を含む請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項３１】
下記の成分を含む、低排出ガス高負荷ディーゼルエンジン用の低硫黄、低硫酸灰分及び低リン潤滑油濃縮物：
（ａ）潤滑油濃縮物の全質量に基づき１０質量％乃至９０質量％の潤滑粘度の油、および
（ｂ）潤滑油濃縮物の全質量に基づき少なくとも２質量％の、マンニッヒ縮合物の金属塩からなる耐摩耗性添加剤組成物。
【請求項３２】
低排出ガス高負荷ディーゼルエンジンを潤滑にする方法であって、下記の成分を含む低硫黄、低硫酸灰分及び低リン潤滑油組成物を用いて潤滑にすることからなる方法：
（ａ）主要量の潤滑粘度の油、および
（ｂ）潤滑油組成物の全質量に基づき少なくとも２質量％のマンニッヒ縮合物の金属塩からなる耐摩耗性添加剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）メタクリル酸アルキルエステルと、メタクリル酸と、架橋剤と、遊離基開始剤と、適当であればポロゲンとの単量体混合物を水性相中で懸濁重合によって硬化して、ビーズ重合体を得る、および
ｂ）得られたビーズ重合体をアルカリ性条件下で１００〜１６０℃の温度で鹸化することを特徴とするポリメタクリル酸タイプの弱酸性陽イオン交換体を製造する方法。
【請求項２】
処理工程ａ）において、メタクリル酸メチルと、メタクリル酸と、架橋剤と、遊離基開始剤と、適当であればポロゲンとの単量体混合物を使用することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理工程ａ）において使用される前記単量体混合物が、メタクリル酸メチルと、メタクリル酸と、架橋剤との総量を基準にして、１０〜３５重量％のメタクリル酸を含有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
処理工程ａ）において使用される前記単量体混合物が、メタクリル酸メチルと、メタクリル酸と、架橋剤との総量を基準にして、５〜７０重量％、好ましくは１０〜６５重量％のポロゲンを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記架橋剤が、ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、ブタンジオールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、または前記化合物の混合物であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ポロゲンが、メチルイソブチルケトン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、イソオクタン、イソドデカン、ｎ−ブタノール、２−ブタノール、イソブタノール、ｔ−ブタノール、オクタノール、または前記化合物の混合物であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ａ）メタクリル酸アルキルエステルと、メタクリル酸と、架橋剤と、遊離基開始剤と、適当であればポロゲンとの単量体混合物を水性相中で懸濁重合によって硬化すること、および
ｂ）得られたビーズ重合体を１００〜１６０℃の温度でアルカリ鹸化することによって得ることが可能なポリメタクリル酸タイプの弱酸性陽イオン交換体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正の位相差を与えるラクトン環構造と負の位相差を与える構造単位とを有するアクリル系共重合体であって、下記の条件：
（Ａ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上であること；
（Ｂ）該共重合体からなるフィルムの全光線透過率が８５％以上であること；
（Ｃ）該フィルムの面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が１０ｎｍ以下であり、かつ該フィルムを１．５倍延伸した後の面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差と、延伸前の該フィルムの面方向の厚さ１００μｍあたりの位相差との差が２０ｎｍ以下であること；
を満足し、負の位相差を与える該構造単位が下記式（２）：
【化１】
2007063541.tif 000001
［式中、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０およびＲ１１は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、炭素数１〜２０の有機残基を表す；なお、有機残基は酸素原子を含有していてもよい］
で示される芳香族ビニル単位であることを特徴とするアクリル系共重合体。
【請求項２】
前記ラクトン環構造が下記式（１）：
【化２】
2007063541.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜２０の有機残基を表す；なお、有機残基は酸素原子を含有していてもよい］
で示される請求項１記載のアクリル系共重合体。
【請求項３】
（メタ）アクリル酸アルキルエステル（ただし、アルキル基の炭素数は１〜７）由来の構造単位をさらに有する請求項１または２記載のアクリル系共重合体。
【請求項４】
空気雰囲気下、２８０℃で６０分間加熱後の前記共重合体の１５％クロロホルム溶液の光路長１ｃｍにおける加熱後の着色度（ＹＩ）が２０以下である請求項１〜３のいずれか１項記載のアクリル系共重合体。
【請求項５】
正の位相差を与える構造単位と負の位相差を与える芳香族単量体由来の構造単位とを有するアクリル系共重合体であって、下記の条件：
（Ａ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上であること；
（Ｂ）該共重合体からなるフィルムの全光線透過率が８５％以上であること；
（Ｄ）該フィルムの面方向および厚さ方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が１０ｎｍ以下であること；
（Ｅ）該共重合体が窒素原子を含まず、該共重合体の１５％クロロホルム溶液の光路長１ｃｍにおける着色度（ＹＩ）が３未満であること；
を満足することを特徴とするアクリル系共重合体。
【請求項６】
正の位相差を与える構造単位と負の位相差を与える芳香族単量体由来の構造単位とを有するアクリル系共重合体であって、下記の条件：
（Ａ）ガラス転移温度（Ｔｇ）が１００℃以上であること；
（Ｂ）該共重合体からなるフィルムの全光線透過率が８５％以上であること；
（Ｄ）該フィルムの面方向および厚さ方向の厚さ１００μｍあたりの位相差が１０ｎｍ以下であること；
（Ｆ）該フィルムを、延伸後に、２５℃、６５％ＲＨの雰囲気下、半径１ｍｍで１８０°に折り曲げた際にクラックを生じないこと；
を満足することを特徴とするアクリル系共重合体。
【請求項７】
前記正の位相差を与える構造単位が、下記式（１）：
【化３】
2007063541.tif 000003
［式中、Ｒ１、Ｒ２およびＲ３は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜２０の有機残基を表す；なお、有機残基は酸素原子を含有していてもよい］
で示されるラクトン環構造を有する請求項５または６記載のアクリル系共重合体。
【請求項８】
１ｇあたりに含まれる平均粒子径２０μｍ以上の異物数が５０個以下である請求項１〜７のいずれか１項記載のアクリル系共重合体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載のアクリル系共重合体からなるフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｒＯ２又はＡｌ２Ｏ３のいずれかからなる高屈折率層とＳｉＯ２からなる低屈折率層とを交互に積層してなる多層膜の成膜方法であって、
プラズマを用いない通常蒸着により少なくとも１層の低屈折率層を形成するステップ、及び、
プラズマを用いた蒸着により少なくとも１層の高屈折率層を形成するステップ
からなり、
基板上にｎ（ｎ≧２）層の該多層膜を積層する場合に、さらに、
該基板からみて最外層となる第ｎ層を、該第ｎ層が該低屈折率層であるか該高屈折率層であるかにかかわらず、該プラズマを用いた蒸着により形成するステップを含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
請求項１記載の成膜方法であって、さらに、
該基板に接する第１層を、該第１層が該低屈折率層であるか該高屈折率層であるかにかかわらず、該プラズマを用いた蒸着により形成するステップを含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項３】
基板及び該基板上に請求項１又は２記載の成膜方法によって形成された多層膜からなる光学部品。
【請求項４】
受光部（基板）を有する光学製品であって、該受光部に請求項１又は２記載の成膜方法によって多層膜が形成されたことを特徴とする光学製品。
【請求項５】
多層膜の成膜装置であって、
プラズマを用いない通常蒸着を行う第１の成膜手段、プラズマを用いた蒸着を行う第２の成膜手段、および、予め入力された成膜プログラムに基づいて通常蒸着による成膜とプラズマを用いた蒸着による成膜とを切り換える制御装置を備え、
ＳｉＯ２からなる少なくとも１層の低屈折率層が該第１の成膜手段によって形成され、
ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＳ、ＺｒＯ２又はＡｌ２Ｏ３のいずれかからなる少なくとも１層の高屈折率層が該第２の成膜手段によって形成され、
基板上にｎ（ｎ≧２）層の該多層膜が積層される場合に、
該基板からみて最外層となる第ｎ層が該低屈折率層であるか該高屈折率層であるかにかかわらず、該第ｎ層が該プラズマを用いた蒸着により形成されること特徴とする成膜装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の成分を含む潤滑油組成物：
ａ）主要量の潤滑粘度の油、および
ｂ）下記の物質の反応生成物の未硫化アルカリもしくはアルカリ土類金属塩からなる清浄剤：
（１）炭素原子数が少なくとも１０のオレフィンであって、そのオレフィンのうちの８０モル％より多くが線状でＣ20−Ｃ30のｎ−アルファオレフィンであり、１０モル％未満が炭素原子数２０未満の線状オレフィンであり、そして５モル％未満が炭素原子数１８以下の分枝鎖オレフィンであるオレフィン、および
（２）ヒドロキシ芳香族化合物。
【請求項２】
アルファオレフィンがエチレンのオリゴマー化により誘導されたものである請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
アルファオレフィンがアルファオレフィンの混合物である請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
アルファオレフィンがＣ20及びＣ24のアルファオレフィンを主要量で含む請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
アルファオレフィン混合物が、６０乃至９０質量％のＣ20及びＣ24のアルファオレフィン、および４０乃至１０質量％のＣ26及びＣ28のアルファオレフィンを含む請求項３に記載の組成物。
【請求項６】
アルカリもしくはアルカリ土類金属塩が、アルカリ酸化物またはアルカリ水酸化物から選ばれた金属塩基から誘導されたものである請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
アルカリもしくはアルカリ土類金属塩が、アルカリ土類酸化物またはアルカリ土類水酸化物から選ばれた金属塩基から誘導されたものである請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
金属塩基が、酸化カルシウム、水酸化カルシウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム、石灰およびドロマイトからなる群より選ばれる請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
ヒドロキシ芳香族化合物が、フェノール、カテコール、レソルシノール、ヒドロキノンおよびピロガロールからなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
ヒドロキシ芳香族化合物がフェノールである請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
ヒドロキシ芳香族化合物が、カテコール、レソルシノールおよびヒドロキノンからなる群より選ばれる請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
清浄剤の塩基価ＢＮが、標準ＡＳＴＭ−Ｄ−２８９６に従って測定したときに３乃至６０である請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
さらに、第二の清浄剤を含む請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１４】
主要量の潤滑粘度の油および未硫化フェネート清浄剤を含む潤滑油組成物であって、該フェネート清浄剤が基本的に、炭素原子数が少なくとも１０のオレフィンであって、該オレフィンのうちの８０モル％より多くが線状でＣ20−Ｃ30のｎ−アルファオレフィンであり、１０モル％未満が炭素原子数２０未満の線状オレフィンであり、そして５モル％未満
が炭素原子数１８以下の分枝鎖オレフィンであるオレフィンから誘導された線状アルキルフェノールのカルシウム塩からなる潤滑油組成物。
【請求項１５】
線状Ｃ20−Ｃ30ｎ−アルファオレフィンが、６０乃至９０質量％のＣ20及びＣ24のアルファオレフィン、および４０乃至１０質量％のＣ26及びＣ28のアルファオレフィンを含む請求項１４に記載の組成物。