【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項２】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項５】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項６】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項８】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項９】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を変化させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１０】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１１】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１２】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１３】
絶縁基板上に第１の層を形成し、
前記第１の層上にフォトマスクを用いて第１のレジストマスクを形成し、
前記第１のレジストマスクの外形寸法を拡大させる処理を行った後、該第１のレジストマスクを用いて前記第１の層を加工することにより第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記構造層上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に前記フォトマスクを用いて第２のレジストマスクを形成し、
前記第２のレジストマスクを用いて前記第２の層を加工することにより第２の犠牲層を形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれか一において、
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１３のいずれか一において、
前記第２の犠牲層を覆って絶縁層を形成し、
前記構造層及び前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部からエッチング剤を導入することにより、前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５において、
前記絶縁層の開口部と同時に、前記構造層と電気的に接続される配線を形成するための開口部を前記絶縁層に形成することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至１６のいずれか一において、
前記構造層は、エッチングに際して前記第１の犠牲層及び前記第２の犠牲層と選択比が取れるチタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、又は珪素のいずれか一又は複数を有するように形成される
ことを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１８】
請求項３、４、１０又は１１のいずれか一において、
前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を縮小させる処理に酸素プラズマを用いることを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項１９】
請求項５、６、１２又は１３のいずれか一において、
前記第１又は第２のレジストマスクのフォトリソグラフィー工程における露光量を調整することにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項２０】
請求項５、６、１２又は１３のいずれか一において、
前記第１又は第２のレジストマスクとしてポジ型のレジストマスクを使用し、前記フォトリソグラフィー工程における露光量を少なくする、又は露光時間を短くすることにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項２１】
請求項５、６、１２又は１３のいずれか一において、
前記第１又は第２のレジストマスクとして
ネガ型のレジストマスクを使用し、前記フォトリソグラフィー工程における露光量を多くする、又は露光時間を長くすることにより、前記第１又は第２のレジストマスクの外形寸法を拡大することを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項２２】
請求項１乃至２１のいずれか一において、
前記第１の犠牲層又は前記第２の犠牲層は、チタン、アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタル、又は珪素のいずれか一又は複数を有するように形成されることを特徴とする微小構造体の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか一に記載の方法により作製された微小構造体と、
絶縁基板上のトランジスタを電気的に接続するように貼り合わせることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。