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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下りリンクの周波数帯域が、１以上のキャリア周波数を含む周波数ブロックを複数個含み、１ユーザへのデータ伝送に１以上の周波数ブロックが利用される通信システムで使用される無線通信装置であって、
通信相手から信号を受信する受信部と、
下りリンクの周波数帯域に含まれる複数個の周波数ブロックのうちの所定数個の周波数ブロックに対する受信信号品質を測定する測定部と、
前記測定部における測定結果をもとにＣＱＩを決定する生成部と、
前記生成部において決定したＣＱＩが含まれた上りリンクの制御チャネルを送信する送信部とを備え、
前記送信部は、ＣＱＩを含んだ上りリンクの制御チャネルの送信頻度を調整することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記送信部は、前記受信部において受信した信号をもとに、ＣＱＩを含んだ上りリンクの制御チャネルの送信頻度を調整することを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記測定部は、下りリンクの周波数帯域に含まれる複数個の周波数ブロックの受信信号品質を測定した後、所定数個の周波数ブロックに対する受信信号品質を選択することを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記測定部は、測定した複数の受信信号品質のうち品質の良い上位所定数個を選択することを特徴とする請求項３に記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記生成部は、ＣＱＩを基準値との差分で表現することを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記生成部における基準値は、下りリンクの周波数帯域に対するＣＱＩであることを特徴とする請求項５に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記生成部は、前記差分と閾値との比較を行うことを特徴とする請求項５に記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記送信部から上りリンクの制御チャネルで送信されるＣＱＩが、時間順に送信され且つ前回送信されたものとの差分で表現されることを特徴とする請求項１に記載の無線通信装置。
【請求項９】
下りリンクの周波数帯域が、１以上のキャリア周波数を含む周波数ブロックを複数個含み、１ユーザへのデータ伝送に１以上の周波数ブロックが利用される通信システムで使用される無線通信方法であって、
通信相手から信号を受信するステップと、
下りリンクの周波数帯域に含まれる複数個の周波数ブロックのうちの所定数個の周波数ブロックに対する受信信号品質を測定するステップと、
測定結果をもとにＣＱＩを決定するステップと、
決定したＣＱＩが含まれた上りリンクの制御チャネルを送信するステップとを備え、
前記送信するステップは、ＣＱＩを含んだ上りリンクの制御チャネルの送信頻度を変更することを特徴とする無線通信方法。
【請求項１０】
前記送信するステップは、受信した信号をもとに、ＣＱＩを含んだ上りリンクの制御チャネルの送信頻度を調整することを特徴とする請求項９に記載の無線通信方法。
【請求項１１】
前記測定するステップは、下りリンクの周波数帯域に含まれる複数個の周波数ブロックの受信信号品質を測定した後、所定数個の周波数ブロックに対する受信信号品質を選択することを特徴とする請求項９に記載の無線通信方法。
【請求項１２】
前記測定するステップは、測定した複数の受信信号品質のうち品質の良い上位所定数個を選択することを特徴とする請求項１１に記載の無線通信方法。
【請求項１３】
前記決定するステップは、ＣＱＩを基準値との差分で表現することを特徴とする請求項９に記載の無線通信方法。
【請求項１４】
前記決定するステップにおける基準値は、下りリンクの周波数帯域に対するＣＱＩであることを特徴とする請求項１３に記載の無線通信方法。
【請求項１５】
前記決定するステップは、前記差分と閾値との比較を行うことを特徴とする請求項１３記載の無線通信方法。
【請求項１６】
前記送信するステップにおいて上りリンクの制御チャネルで送信されるＣＱＩが、時間順に送信され且つ前回送信されたものとの差分で表現されることを特徴とする請求項９に記載の無線通信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明では、下りリンクの周波数帯域が、１以上のキャリア周波数を含む周波数ブロックを複数個含み、１ユーザへのデータ伝送に１以上の周波数ブロックが利用される通信システムで使用される無線通信装置が使用される。本装置は、
通信相手から信号を受信する受信部と、
下りリンクの周波数帯域に含まれる複数個の周波数ブロックのうちの所定数個の周波数ブロックに対する受信信号品質を測定する測定部と、
前記測定部における測定結果をもとにＣＱＩを決定する生成部と、
前記生成部において決定したＣＱＩが含まれた上りリンクの制御チャネルを送信する送信部とを備え、
前記送信部は、ＣＱＩを含んだ上りリンクの制御チャネルの送信頻度を調整することを特徴とする無線通信装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音を発する発音点と当該発音点から発せられた音を受ける受音点とが配置された音響空間の音響特性をシミュレートするために、前記発音点から出力される音声信号を加工して前記受音点において受信される音声信号を合成するためのパラメータを生成するパラメータ生成装置であって、
前記音響空間を表す音響空間画像と、前記発音点を表す発音点画像と、前記受音点を表す受音点画像とを指定されたスケールでディスプレイ上に表示する表示手段と、
前記スケールの変更指示を受信する手段と、
前記変更指示によって変更されたスケールにおいて前記音響空間画像と前記発音点画像と前記受音点画像とが、前記ディスプレイ上に変更前のスケールにおける表示位置と同一位置に表示されるように、前記音響空間の寸法と前記発音点の位置と前記受音点の位置とを再設定する位置再設定手段と、
該位置再設定手段において設定された結果に基づいて前記パラメータを生成するパラメータ生成手段と
を有することを特徴とするパラメータ生成装置。
【請求項２】
所定距離を隔てて配置される複数のスピーカを表すスピーカ画像を、前記受音点画像を囲むように、かつ、前記スケールによって前記所定距離を縮尺して前記ディスプレイ上に表示するスピーカ表示手段
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のパラメータ生成装置。
【請求項３】
音を発する発音点と当該発音点から発せられた音を受ける受音点とが配置された音響空間の音響特性をシミュレートするために、前記発音点から出力される音声信号を加工して前記受音点において受信される音声信号を合成するためのパラメータを生成するパラメータ生成装置として、コンピュータを機能させるためのプログラムであって、
前記コンピュータを、
前記音響空間を表す音響空間画像と、前記発音点を表す発音点画像と、前記受音点を表す受音点画像とを指定されたスケールでディスプレイ上に表示する表示手段と、
前記スケールの変更指示を受信する手段と、
前記変更指示によって変更されたスケールにおいて前記音響空間画像と前記発音点画像と前記受音点画像とが、前記ディスプレイ上に変更前のスケールにおける表示位置と同一位置に表示されるように、前記音響空間の寸法と前記発音点の位置と前記受音点の位置とを再設定する位置再設定手段と、
該位置再設定手段において設定された結果に基づいて前記パラメータを生成するパラメータ生成手段と、
として機能させるためのプログラム。
【請求項４】
前記コンピュータをさらに、
所定距離を隔てて配置される複数のスピーカを表すスピーカ画像を、前記受音点画像を囲むように、かつ、前記スケールによって前記所定距離を縮尺して前記ディスプレイ上に表示するスピーカ表示手段
として機能させることを特徴とする請求項３記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため本発明にあっては、下記構成を具備することを特徴とする。なお、括弧内は例示である。
請求項１記載のパラメータ生成装置にあっては、音を発する発音点（１０４）と当該発音点（１０４）から発せられた音を受ける受音点（１０６）とが配置された音響空間（１０２）の音響特性をシミュレートするために、前記発音点（１０４）から出力される音声信号（Ｓi）を加工して前記受音点（１０６）において受信される音声信号を合成するためのパラメータ（遅延部６０のタップ位置およびＰＡＮ制御部６２、マトリクスミキサ６４，６６における各乗算器の減衰率等）を生成するパラメータ生成装置であって、前記音響空間（１０２）を表す音響空間画像（２０４）と、前記発音点（１０４）を表す発音点画像（２１０）と、前記受音点（１０６）を表す受音点画像（２１２）とを指定されたスケールでディスプレイ上に表示する表示手段と、前記スケールの変更指示を受信する手段と、前記変更指示によって変更されたスケールにおいて前記音響空間画像（２０４）と前記発音点画像（２１０）と前記受音点画像（２１２）とが、前記ディスプレイ上に変更前のスケールにおける表示位置と同一位置に表示されるように、前記音響空間（１０２）の寸法と前記発音点（１０４）の位置と前記受音点（１０６）の位置とを再設定する位置再設定手段（ＳＰ８）と、該位置再設定手段（ＳＰ８）において設定された結果に基づいて前記パラメータを生成するパラメータ生成手段（ＳＰ１１２〜ＳＰ１３２）とを有することを特徴とする。
さらに、請求項２記載の構成にあっては、請求項１記載のパラメータ生成装置において、所定距離を隔てて配置される複数のスピーカを表すスピーカ画像（２１４）を、前記受音点画像（２１２）を囲むように、かつ、前記スケールによって前記所定距離を縮尺して前記ディスプレイ上に表示するスピーカ表示手段（ＳＰ４，ＳＰ６）をさらに有することを特徴とする。
また、請求項３記載のプログラムにあっては、音を発する発音点（１０４）と当該発音点（１０４）から発せられた音を受ける受音点（１０６）とが配置された音響空間（１０２）の音響特性をシミュレートするために、前記発音点（１０４）から出力される音声信号（Ｓi）を加工して前記受音点（１０６）において受信される音声信号を合成するためのパラメータ（遅延部６０のタップ位置およびＰＡＮ制御部６２、マトリクスミキサ６４，６６における各乗算器の減衰率等）を生成するパラメータ生成装置として、コンピュータを機能させるためのプログラムであって、前記コンピュータを、前記音響空間（１０２）を表す音響空間画像（２０４）と、前記発音点（１０４）を表す発音点画像（２１０）と、前記受音点（１０６）を表す受音点画像（２１２）とを指定されたスケールでディスプレイ上に表示する表示手段と、前記スケールの変更指示を受信する手段と、前記変更指示によって変更されたスケールにおいて前記音響空間画像（２０４）と前記発音点画像（２１０）と前記受音点画像（２１２）とが、前記ディスプレイ上に変更前のスケールにおける表示位置と同一位置に表示されるように、前記音響空間（１０２）の寸法と前記発音点（１０４）の位置と前記受音点（１０６）の位置とを再設定する位置再設定手段（ＳＰ８）と、該位置再設定手段（ＳＰ８）において設定された結果に基づいて前記パラメータを生成するパラメータ生成手段（ＳＰ１１２〜ＳＰ１３２）と、として機能させるためのものであることを特徴とする。
さらに、請求項４記載の構成にあっては、請求項３記載のプログラムにおいて、前記コンピュータをさらに、所定距離を隔てて配置される複数のスピーカを表すスピーカ画像（２１４）を、前記受音点画像（２１２）を囲むように、かつ、前記スケールによって前記所定距離を縮尺して前記ディスプレイ上に表示するスピーカ表示手段（ＳＰ４，ＳＰ６）として機能させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メディアストリームのパケットをアクセスノードのバッファに格納することと、
メディアストリームの受信を求める要求を復号器から受信することと、
受信を求める要求を受信したことに応答して、復号器による受信のために、アクセスノードからメディアストリームの前記パケットの少なくとも一部分をユニキャストすることとを含む方法。
【請求項２】
情報を評価し、それにより、バッファの中にメディアストリームの前記パケットを格納するための決定が行われ、前記格納は、メディアストリームの前記パケットがバッファに格納されるべきであることを示す前記情報に応答して実行される、ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
バッファの中に格納されたメディアストリームの前記パケットが、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応するかどうかを決定するために情報を評価し、前記ユニキャストは、バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットの少なくとも一部分が、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応するという決定に応答して実行される、ことをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットのいずれも、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応しないという決定に応答して、より中央に位置したネットワーク要素による受信のために、受信を求める要求をアクセスノードから転送することをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
情報を評価し、それにより、バッファにメディアストリームの前記パケットを格納するための決定が行われ、前記格納は、メディアストリームの前記パケットがバッファに格納されるべきであることを示す前記情報に応答して実行される、ことをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ユニキャストのパケット伝送が、マルチキャストを介して複数の他の復号器に提供されている、対応するメディアストリームのパケット伝送と整列するように前記ユニキャストを実行することと、
前記ユニキャストの前記パケット伝送が対応するメディアストリームのパケット伝送と整列させられた後に、前記マルチキャストを介してメディアストリームを復号器に提供することとをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項７】
情報を評価し、それにより、バッファにメディアストリームの前記パケットを格納するための決定が行われ、前記格納は、メディアストリームの前記パケットがバッファに格納されるべきであることを示す前記情報に応答して実行されることと、
バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットが、受信を求める要求の中のメディアストリーム指定識別子に対応するかどうかを決定するために情報を評価し、前記ユニキャストは、バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットの少なくとも一部分が、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応するという決定に応答して実行されることと、
バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットのいずれも、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応しないという決定に応答して、より中央に位置したネットワーク要素による受信のために、受信を求める要求をアクセスノードから転送することとをさらに含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも１つのデータ処理装置と、
前記少なくとも１つのデータ処理装置に接続されたバッファと、
前記少なくとも１つのデータ処理装置に接続されたメモリと、
前記メモリからアクセス可能であり、前記少なくとも１つのデータ処理装置によって処理可能である命令であって、前記少なくとも１つのデータ処理装置が、
バッファにメディアストリームのパケットを格納することと、
メディアストリームの受信を求める要求を復号器から受信すること、および
受信を求める要求を受信したことに応答して、復号器による受信のために、アクセスノードからメディアストリームの前記パケットの少なくとも一部分をユニキャストすることとを、容易にすることができるようにするために構成された前記命令とを含むアクセスネットワーク要素。
【請求項９】
前記命令は、前記少なくとも１つのデータ処理装置が、情報を評価し、それにより、バッファにメディアストリームの前記パケットを格納するための決定が行われることを容易にすることができるようにするようにさらに構成され、
前記格納は、メディアストリームの前記パケットがバッファに格納されるべきであることを示す前記情報に応答して実行される請求項８に記載のアクセスネットワーク要素。
【請求項１０】
前記命令は、前記少なくとも１つのデータ処理装置が、バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットが受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応するかどうかを決定することを容易にすることができるようにするようにさらに構成され、
前記ユニキャストは、バッファに格納されたメディアストリームの前記パケットの少なくとも一部分が、受信を求める要求の中で指定されたメディアストリーム識別子に対応するという決定に応答して実行される請求項８に記載のアクセスネットワーク要素。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像に情報を埋め込む画像処理装置であって、
埋め込む情報に基づいて少なくとも２種類の所定のパターンの相対的な関係を判定する判定手段と、
前記判定手段によって判定された相対的な関係を形成するように前記所定のパターンを前記画像に重畳させるパターン重畳手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記相対的な関係は、前記所定のパターンの相対的な角度であることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記相対的な関係は、前記所定のパターンの配列と相対的な角度との組み合わせであることを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記少なくとも２種類の所定のパターンは、それぞれのドットの配置の少なくとも一部が共通することを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像に埋め込まれた情報を抽出する画像処理装置であって、
前記画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から少なくとも２種類の所定のパターンを検出するパターン検出手段と、
種類の異なる前記所定のパターンの相対的な関係に基づいて前記埋め込まれた情報を判定する判定手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
前記相対的な関係は、前記所定のパターンの相対的な角度であることを特徴とする請求項５記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記少なくとも２種類の所定のパターンは、それぞれのドットの配置の少なくとも一部が共通することを特徴とする請求項５又は６記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像に重畳された少なくとも２種類の所定のパターンの相対的な角度に基づいて前記画像より情報を抽出する画像処理装置であって、
前記画像より前記所定のパターンを検出するパターン検出手段と、
前記所定のパターンの角度を検出する角度検出手段と、
検出された角度を所定の量子化単位に従った量子化角度に量子化し、該量子化角度に基づいて前記相対的な角度を判定する判定手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
前記判定手段は、前記量子化角度ごとに割り当てられた角度領域のうちいずれの前記角度領域に前記所定のパターンの角度が含まれるかに応じて当該角度を量子化することを特徴とする請求項８記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記所定の量子化単位は、前記画像に前記所定のパターンが重畳される際の量子化単位の２分の１であり、
前記判定手段は、前記量子化角度ごとに割り当てられた前記角度領域のうち前記所定のパターンの角度が含まれる前記角度領域とその隣の前記角度領域とを連結することによって生成される連結角度領域が対応する量子化角度に、当該角度を量子化することを特徴とする請求項８又は９記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記連結角度領域は、前記所定のパターンの角度が含まれる前記角度領域と、その隣の角度領域であって前記所定のパターンの角度に近い方の前記角度領域とを連結することによって生成されることを特徴とする請求項１０記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記角度領域は、前記所定のパターンが前記画像に重畳され、前記画像より検出されるまでに生じ得る角度的な誤差の幅より大きいことを特徴とする請求項１０又は１１記載の画像処理装置。
【請求項１３】
画像処理装置を、請求項１乃至４いずれか一項記載の各手段として機能させるための画像処理プログラム。
【請求項１４】
画像処理装置を、請求項５乃至７いずれか一項載の各手段として機能させるための画像処理プログラム。
【請求項１５】
画像処理装置を、請求項８乃至１２いずれか一項記載の各手段として機能させるための画像処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像処理装置及び画像処理プログラムに関し、特に画像に対して情報を埋め込み、又は抽出する画像処理装置及び画像処理プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、画像に対して複数ビットの情報を埋め込み、また抽出することのできる画像処理装置及び画像処理プログラムの提供を目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そこで上記課題を解決するため、本発明は、画像に情報を埋め込む画像処理装置であって、埋め込む情報に基づいて少なくとも２種類の所定のパターンの相対的な関係を判定する判定手段と、前記判定手段によって判定された相対的な関係を形成するように前記所定のパターンを前記画像に重畳させるパターン重畳手段とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記課題を解決するため、本発明は、画像に埋め込まれた情報を抽出する画像処理装置であって、前記画像を取得する画像取得手段と、前記画像から少なくとも２種類の所定のパターンを検出するパターン検出手段と、種類の異なる前記所定のパターンの相対的な関係に基づいて前記埋め込まれた情報を判定する判定手段とを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明によれば、画像に対して複数ビットの情報を埋め込み、また抽出することのできる画像処理装置及び画像処理プログラムを提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入力を有し、同複数の入力の各入力が複数の信号経路の各信号経路に結合され、各信号経路がそれぞれの周波数帯域の複数のＲＦ信号の中から所定のＲＦ信号を受信し、前記複数の入力のうちの所定の入力で受信したＲＦ信号を選択回路の出力に選択的に送信する前記選択回路と、
前記選択回路に結合され、前記選択的に送信されたＲＦ信号と基準信号群とを受信して組み合わせることによって出力信号群を生成するミキサコアと、
を備える受信機。
【請求項２】
複数の周波数帯域の通信信号群を受信する通信装置であって、同通信装置が、
複数の周波数帯域の通信信号群を受信するアンテナ回路と、
前記複数の周波数帯域のうちの第１の周波数帯域の通信信号群を受信するために前記アンテナ回路に結合された第１の信号経路と、
前記複数の周波数帯域のうちの第２の周波数帯域の通信信号群を受信するために前記アンテナ回路に結合された第２の信号経路と、
前記第１の信号経路と前記第２の信号経路とに結合されて、前記第１の信号経路又は前記第２の信号経路のどちらかで検出された通信信号群を信号経路選択回路の出力に転送する前記信号経路選択回路と、
基準信号群を生成する信号発生器と、
前記信号経路選択回路に転送された通信信号群を受信し、前記基準信号と組み合わせて出力通信信号群を生成するための、前記信号経路選択回路の出力に結合されたミキサコア
と、
を備える通信装置。
【請求項３】
前記アンテナと信号経路選択回路との間に直列に結合された第１のフィルタを更に備え、同第１のフィルタが、前記第１の周波数帯域内の通信信号群を通す請求項２に記載の通信装置。
【請求項４】
複数の周波数帯域の通信信号群を受信する方法であって、前記方法が、
複数の周波数帯域のうちの一つの周波数帯域の、帯域幅を有する通信信号群を受信する工程と、
前記複数の周波数帯域のうちの第１の周波数帯域の通信信号群を第１の信号経路に結合する工程と、
前記複数の周波数帯域のうちの第２の周波数帯域の通信信号群を第２の信号経路に結合する工程と、
前記第１の信号経路又は前記第２の信号経路のうち一方のアサートされた通信信号群をミキサの第１の入力に結合する工程と、
局部発振器信号群を前記ミキサの第２の入力に結合する工程と、
前記ミキサの出力を生成するために、前記局部発振器信号と前記アサートされた通信信号とを、前記第１の周波数帯域又は前記第２の周波数帯域のどちらかで混合する工程と、を含む方法。
【請求項５】
前記局部発振器信号が低帯域同相フィルタと低帯域直交位相フィルタとにより生成され、前記フィルタが、異なる帯域幅の通信信号群に対応するよう変更されるプログラム可能な帯域幅を有する請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板；
前記半導体基板上のドープされた導電膜；
前記ドープされた導電膜上の非晶質半導体物質を含む拡散バリヤ膜；
前記拡散バリヤ膜上のオーミックコンタクト膜；
前記オーミックコンタクト膜上の金属バリヤ膜；および
前記金属バリヤ膜上の金属膜；
を含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記ドープされた導電膜は、ドープされたポリシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記非晶質半導体物質は、Ｓｉ、Ｇｅ及びＧａＡｓを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記オーミックコンタクト膜は、高融点金属シリサイドを含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記高融点金属シリサイドは、Ｗ及びＳｉを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記金属膜は、高融点金属を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記拡散バリヤ膜の厚さは、３０Å以上であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項８】
半導体基板；
前記半導体基板内に形成された第１の導電型のソース／ドレイン領域；
前記ソース／ドレイン領域の間のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜；および
前記ゲート絶縁膜上のドープされた導電膜、前記ドープされた導電膜上の非晶質シリコン物質を含む拡散バリヤ膜、前記拡散バリヤ膜上のオーミックコンタクト膜、前記オーミックコンタクト膜上の金属バリヤ膜及び前記金属バリヤ膜上の金属膜を含む多層ゲート電極；
を含むことを特徴とする半導体素子。
【請求項９】
前記第１の導電型は、Ｐ型であることを特徴とする請求項８に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記ゲート電極下部の前記半導体基板内にリセスチャネルトレンチが形成され、前記ゲート絶縁膜は、前記リセスチャネルトレンチの内表面に沿って形成されたことを特徴とする請求項８または９に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記半導体基板内に形成された第２の導電型のソース／ドレイン領域；
前記第２の導電型のソース／ドレイン領域の間のチャネル領域上に形成された第２のゲート絶縁膜；および
前記第２のゲート絶縁膜上に形成されたドープされた導電膜、前記ドープされた導電膜上の非晶質半導体物質を含む拡散バリヤ膜、前記拡散バリヤ膜上のオーミックコンタクト膜、前記オーミックコンタクト膜上の金属バリヤ膜及び前記金属バリヤ膜上の金属膜を含む第２の多層ゲート電極；
をさらに含むことを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記第２の導電型は、ｎ型であること
を特徴とする請求項１１に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記第２の多層ゲート電極下部の前記半導体基板内にリセスチャネルトレンチが形成され、前記第２のゲート絶縁膜は、前記リセスチャネルトレンチの内表面に沿って形成されたことを特徴とする請求項１１または１２に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された、一対の第１の不純物領域と、前記一対の第１の不純物領域に挟まれた一対の第２の不純物領域と、前記一対の第２の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、
前記第１の不純物領域の一部を露出するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極上に形成された、第２のゲート電極と、
前記第１および第２のゲート電極の側面に接して形成されたサイドウォールと、
前記露出した第１の不純物領域の膜厚全体に形成されたシリサイド層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜のチャネル長方向の端部は、前記サイドウォールの端部と一致し、
前記第１のゲート電極は、前記第２のゲート電極よりもゲート長方向の長さが長く、
前記チャネル形成領域は、前記第１および第２のゲート電極と重なり、
前記第１の不純物領域は、前記第１および第２のゲート電極と重ならず、
前記第２の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重なり、かつ、前記第２のゲート電極と重ならず、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記チャネル形成領域のチャネル長は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された、一対の第３の不純物領域と、前記一対の第３の不純物領域に挟まれた一対の第１の不純物領域と、前記一対の第１の不純物領域に挟まれた一対の第２の不純物領域と、前記一対の第２の不純物領域に挟まれたチャネル形成領域と、を有する半導体膜と、
前記第３の不純物領域を露出するゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成された、第１のゲート電極と、
前記第１の導電膜上に形成された、第２のゲート電極と、
前記第１および第２のゲート電極の側面に接して形成されたサイドウォールと、
前記第３の不純物領域の表面に形成されたシリサイド層と、を有し、
前記ゲート絶縁膜のチャネル長方向の端部は、前記サイドウォールの端部と一致し、
前記第１のゲート電極は、前記第２のゲート電極よりもゲート長方向の長さが長く、
前記チャネル形成領域は、前記第１および第２のゲート電極と重なり、
前記第１の不純物領域は、前記サイドウォールと重なり、かつ、前記第１および第２のゲート電極と重ならず、
前記第２の不純物領域は、前記第１のゲート電極と重なり、かつ、前記第２のゲート電極と重ならず、
前記第３の不純物領域は、前記第１および第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記チャネル形成領域のチャネル長は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の不純物領域のチャネル長方向の長さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さは、２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、ゲート絶縁膜を介して、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に、レジストを形成し、
前記レジストをマスクとして、前記第２の導電膜をエッチングすることによって、第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜をマスクとして、前記第１の導電膜をエッチングすることによって、第１のゲート電極を形成し、
エッチングにより、前記レジストを後退させ、かつ、前記後退するレジストをマスクとして、前記第３の導電膜をエッチングすることによって、第１のゲート電極よりもゲート長が短い第２のゲート電極を形成し、
前記第１および前記第２のゲート電極をマスクとして、不純物元素を前記半導体膜に対してドーピングすることによって、前記第１および第２のゲート電極と重なるチャネル形成領域、前記第１および第２のゲート電極と重ならない一対の第１の不純物領域ならびに前記第１のゲート電極と重なり、かつ、前記第２のゲート電極と重ならない一対の第２の不純物領域を形成し、
前記第１および前記第２のゲート電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記サイドウォールをマスクとして、前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の不純物領域の一部を露出させ、
前記露出した第１の不純物領域に接して金属膜を形成し、
加熱処理により、前記金属膜と接する前記露出した第１の不純物領域の膜厚全体にシリサイド層を形成し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記チャネル形成領域のチャネル長は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜上に、ゲート絶縁膜を介して、第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に、第２の導電膜を形成し、
前記第２の導電膜上に、レジストを形成し、
前記レジストをマスクとして、前記第２の導電膜をエッチングすることによって、第３の導電膜を形成し、
前記第３の導電膜をマスクとして、前記第１の導電膜をエッチングすることによって、第１のゲート電極を形成し、
エッチングにより、前記レジストを後退させ、かつ、前記後退するレジストをマスクとして、前記第３の導電膜をエッチングすることによって、第１のゲート電極よりもゲート長が短い第２のゲート電極を形成し、
前記第１および前記第２のゲート電極をマスクとして、不純物元素を前記半導体膜に対してドーピングすることによって、前記第１および第２のゲート電極と重なるチャネル形成領域、前記第１および第２のゲート電極と重ならない一対の第１の不純物領域ならびに前記第１のゲート電極と重なり、かつ、前記第２のゲート電極と重ならない一対の第２の不純物領域を形成し、
前記第１および前記第２のゲート電極の側面に接してサイドウォールを形成し、
前記サイドウォールをマスクとして、前記ゲート絶縁膜をエッチングすることによって、前記第１の不純物領域の一部を露出させ、
前記露出した第１の不純物領域に接して金属膜を形成し、
加熱処理により、前記金属膜と接する前記露出した第１の不純物領域の表面にシリサイド層を形成し、
前記サイドウォールをマスクとして前記露出した第１の不純物領域に、不純物元素をドーピングすることによって、第３の不純物領域を形成し、
前記第３の不純物領域は、前記第１および第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域より不純物元素の濃度が高く、
前記チャネル形成領域のチャネル長は、０．１μｍ以上１．０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記サイドウォール形成前に、前記第１のゲート電極をマスクとして、不純物元素を前記半導体膜に対して斜めにドーピングすることによって、前記チャネル形成領域と、前記一対の第２の不純物領域それぞれとの間に、第４の不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円柱状のチャンバーと、
前記チャンバー内に回転可能に設けられたキャリア載置体と、
前記キャリア載置体に設けられたキャリア固定治具と、
前記チャンバーに近接して設けられたイオナイザーと、
前記チャンバーに近接し、前記イオナイザーを内包するように設けられたシースと、
前記チャンバー及び前記シースに形成された開口部と、
を有し、
前記開口部は、前記イオナイザーで発生したイオンが前記チャンバー内に拡散するように設けられている
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
円柱状のチャンバーと、
前記チャンバー内に回転可能に設けられたキャリア載置体と、
前記キャリア載置体に設けられたキャリア固定治具と、
前記チャンバーに近接して設けられた軟Ｘ線イオナイザーと、
前記チャンバーに近接し、前記軟Ｘ線イオナイザーを内包するように設けられたシースと、
前記チャンバー及び前記シースに形成された開口部と、
を有し、
前記開口部は、前記軟Ｘ線イオナイザーで発生したイオンは前記チャンバー内に拡散し、前記軟Ｘ線イオナイザーから照射される軟Ｘ線は遮蔽するように遮蔽板が設けられている
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記遮蔽板は、ポリ塩化ビニルまたはアルミニウムからなる
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記キャリア固定治具は可動である
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記チャンバー内、若しくは前記チャンバーに近接して設けられた液体供給手段、気体供給手段、または被処理物感知手段を有する
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記シースは、ガラス、金属、ポリプロピレン、ポリエチレン、またはポリテトラフルオロエチレンからなる
ことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月4日(2008.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
給電を受け始めてから動作が安定するまで一定の時間を要するランプと、
前記ランプに給電するランプ電源と、
外部から入力される複数の映像信号のうちいずれかの映像信号による映像を表示するための映像処理部と、
初期状態に前記複数の映像信号のうち少なくとも一つが入力されると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させ、入力された映像信号の入力が停止すると、停止時刻から所定の時間内に前記複数の映像信号のうちいずれか入力されているかどうかを調査し、いずれか一つの映像信号の入力があるときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に続けさせ、いずれの映像信号も入力されていないときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に停止させる制御部と、
を有する映像機器。
【請求項２】
前記制御部は、
前記ランプをオフする旨の指示が入力されると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に停止させ、前記ランプへの給電停止前に入力されていた映像信号が前記ランプへの給電停止後にも継続して入力される場合、前記ランプへの給電停止の状態を前記ランプ電源に維持させる、請求項１記載の映像機器。
【請求項３】
前記制御部には、前記複数の映像信号のうちいずれかの映像信号が入力されたときに、前記ランプをオンするか否かの判断基準となるフラグの情報を格納するための回路が設けられ、
前記制御部は、
前記初期状態に前記フラグをオンに設定し、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させる際に前記フラグをオフに設定し、前記入力された映像信号の入力が停止した後、前記複数の映像信号のうちいずれの映像信号も入力されなかったときに前記フラグをオンに設定し、
前記複数の映像信号のうちいずれかの映像信号が入力されるとき、前記フラグがオフであると、前記ランプへの給電停止の状態を前記ランプ電源に維持させ、前記フラグがオンであると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させる、請求項２記載の映像機器。
【請求項４】
給電を受け始めてから動作が安定するまで一定の時間を要するランプと、前記ランプに給電するランプ電源と、外部から入力される複数の映像信号のうちいずれかの映像信号による映像を表示するための映像処理部とを有する映像機器における前記ランプ電源を制御する方法であって、
初期状態に前記複数の映像信号のうち少なくとも一つが入力されると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させ、
入力された映像信号の入力が停止すると、停止時刻から所定の時間内に前記複数の映像信号のうちいずれか入力されているかどうかを調査し、いずれか一つの映像信号の入力があるときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に続けさせ、いずれの映像信号も入力されていないときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に停止させる、電源制御方法。
【請求項５】
前記ランプをオフする旨の指示が入力されると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に停止させ、前記ランプへの給電停止前に入力されていた映像信号が前記ランプへの給電停止後にも継続して入力される場合、前記ランプへの給電停止の状態を前記ランプ電源に維持させる、請求項４記載の電源制御方法。
【請求項６】
前記複数の映像信号のうちいずれかの映像信号が入力されたときに前記ランプをオンするか否かの判断基準となるフラグを、前記初期状態にオンに設定し、
前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させる際に前記フラグをオフに設定し、
前記入力された映像信号の入力が停止した後、前記複数の映像信号のうちいずれの映像信号も入力されなかったときに前記フラグをオンに設定し、
前記複数の映像信号のうちいずれかの映像信号が入力されるとき、前記フラグがオフであると、前記ランプへの給電停止の状態を前記ランプ電源に維持させ、前記フラグがオンであると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させる、請求項５記載の電源制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の映像機器は、
給電を受け始めてから動作が安定するまで一定の時間を要するランプと、
前記ランプに給電するランプ電源と、
外部から入力される複数の映像信号のうちいずれかの映像信号による映像を表示するための映像処理部と、
初期状態に前記複数の映像信号のうち少なくとも一つが入力されると、前記ランプへの給電を前記ランプ電源に開始させ、入力された映像信号の入力が停止すると、停止時刻から所定の時間内に前記複数の映像信号のうちいずれか入力されているかどうかを調査し、いずれか一つの映像信号の入力があるときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に続けさせ、いずれの映像信号も入力されていないときは前記ランプへの給電を前記ランプ電源に停止させる制御部と、
を有する構成である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月24日(2008.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
画素回路の動作は以下のよう進行する。まず、トランジスタＴ１がオン状態に制御される。これにより、画素回路は信号線Ｖsig と接続される。このとき、信号線Ｖsig に印加されている信号電位Ｖdataに対応する電荷が記憶容量Ｃに蓄えられる。なお、信号電位Ｖdataの書き込み時、電源電圧ＶＤＤは接地電位に制御される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
信号電位Ｖdataの書き込みが終了すると、トランジスタＴ１がオフ制御され、同時に、電源電圧ＶＤＤが駆動電圧（正の電源電圧）に制御される。この制御に伴い、トランジスタＴ１をオフ制御した瞬間のゲート・ソース間電圧Ｖgs（記憶容量Ｃの保持電圧）に応じた駆動電流が流れ始める。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（ｂ）駆動トランジスタの温度特性に起因した駆動電流の変動原理
次に、駆動トランジスタＴ２の温度特性に起因して駆動電流が変動する仕組みを説明する。
図５に、駆動トランジスタの電流−電圧特性が一般に有する温度特性を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（Ｃ−１）表示兼測定用画素の配置例
図７に、通常の画面表示にも測定にも使用される画素（表示兼測定用画素）の配置例を示す。図７に示す表示兼測定用画素７は、有機ＥＬパネルモジュール１を構成する有機ＥＬパネル３上に配置される。なお、この場合、表示兼測定画素７は、有効表示領域５内に配置される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この形態例の場合、有機ＥＬパネル３はカラー表示用であり、パネル解像度に応じて画素９が発光色の配列に従ってマトリクス状に配置される。ただし、複数色の有機発光層を積層した構造を有する有機ＥＬ素子が画素９を構成する場合、１つの画素が複数の発光色に対応する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また、この形態例の場合には、温度変動に伴う有機ＥＬ素子の両極間電圧の測定時以外には、薄膜トランジスタＴ３をオフ制御して表示兼測定用画素７を通常の表示動作に使用できる。従って、測定専用のダミー画素を用意する場合に比して回路構成を簡略化できる。結果的に装置のコストアップを回避できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
もっとも、ダミー画素５７がパネル全体の劣化状態や駆動温度を反映しているとみなせる場合には、フレーム平均値算出部５９は必ずしも必要でない。その場合は、測定タイミング以外の期間では、ダミー画素５７を特定の階調値で発光制御すれば良い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
しかし、ＲＧＢ別にカソード電極が分割配置されている場合には、ＲＧＢ別に有機ＥＬ素子の両極間電圧Ｖｅｌを測定し、ブートストラップ動作後のゲート・ソース間電圧Ｖｇｓ’が一定になるように各カソード電位を制御すれば良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
（ｂ）表示モジュール
前述した各形態例に係る有機ＥＬパネルモジュールは、図１７に示す外観構成の有機ＥＬパネルモジュール６１の形態で流通することもできる。
有機ＥＬパネルモジュール６１は、支持基板６５の表面に対向部６３を貼り合わせた構造を有している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
また、この種の電子機器７１には、例えばコンピュータが想定される。図２３に、ノート型コンピュータ１４１の外観例を示す。
ノート型コンピュータ１４１は、下側筐体１４３、上側筐体１４５、キーボード１４７及び表示画面１４９で構成される。このうち、表示画面１４９の部分が、形態例で説明した有機ＥＬパネルモジュールに対応する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
【図１】有機ＥＬ素子の電流−電圧特性が有する温度特性を説明する図である。
【図２】画素回路例を示す図である。
【図３】ブートストラップ動作に伴う駆動トランジスタのゲート・ソース電圧の変化を説明する図である。
【図４】ブートストラップ動作に伴う駆動トランジスタのゲート・ソース電圧の温度特性を説明する図である。
【図５】駆動トランジスタの電流−電圧特性が有する温度特性を説明する図である。
【図６】発明の補正原理を説明する図である。
【図７】表示兼測定用画素の配置例を示す図である。
【図８】有機ＥＬパネルモジュールの回路構成例を示す図である。
【図９】カソード電位制御部の内部構成例を示す図である。
【図１０】両極間電圧測定部の内部構成例を示す図である。
【図１１】基準電位Ｖcathode(i)に設定例に応じたカソード電位値の設定手法を説明する図である。
【図１２】基準電位Ｖcathode(i)に設定例に応じたカソード電位値の設定手法を説明する図である。
【図１３】カソード電位印加部の内部構成例を示す図である。
【図１４】カソード電位印加部で消費される電力と有機ＥＬパネルで消費される電力との関係を示す図である。
【図１５】ダミー画素の配置例を示す図である。
【図１６】有機ＥＬパネルモジュールの回路構成を示す図である。
【図１７】表示モジュールの構成例を示す図である。
【図１８】電子機器の機能構成例を示す図である。
【図１９】電子機器の商品例を示す図である。
【図２０】電子機器の商品例を示す図である。
【図２１】電子機器の商品例を示す図である。
【図２２】電子機器の商品例を示す図である。
【図２３】電子機器の商品例を示す図である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の物理計算機を含む複数の物理計算機と、該複数の物理計算機にネットワークを介して接続される、該物理計算機及び該論理区間を管理する管理装置とを含み、各物理計算機に論理区画を生成してＯＳを動作させることができる仮想計算機システムにおいて、
該第１の物理計算機は；
第１の物理ＨＢＡと、
該第１物理計算機又はそこに形成された第１論理区画に障害が発生したことを検出する障害検出手段と、
該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及び該第１論理区画に設けられた論理ＨＢＡに割り当てられたＷＷＮであるvfcＷＷＮを管理する第１管理手段と、を有し、
該管理装置は；
該障害検出手段からの障害発生の報告を受けて、該第１管理手段から該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを受信する手段と、
交代先の第２の物理計算機を決定して、該第２の物理計算機へ該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを送信する手段と、を有し、
該第２の物理計算機は；
第２の物理ＨＢＡと、
該管理装置から送信された該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを受信する手段と、
該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報に基づいて、該第２の物理計算機上に第２論理区画を生成することが可能かを判定する手段と、
該判定手段によって該第２論理区間の生成が可能と判定された場合、該vfcＷＷＮに基づいて第２論理区画を生成する手段と、を有し、
該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報は、第１の物理ＨＢＡの情報を含み、
該第２論理区画を生成する手段では、該生成した第２論理区間に論理ＨＢＡを設け、該第２論理区間に設けられた論理ＨＢＡに、該vfcＷＷＮを割り当てることを特徴とする仮想計算機システム。
【請求項２】
該第１の物理計算機は、障害を検出した時、該第１論理区画の動作を停止させて、該動作の停止を該管理装置へ報告する手段を有し、
該第２の物理計算機は、該第２論理区画の生成が完了すると、該完了の報告を該管理装置へ送る手段を有し、
該管理装置は、該動作の停止を受け取った時、該第１論理区画の停止状態を表示する手段と、該完了報告を受け取った時、該第２物理計算機へ該第２論理区画を起動させるコマンドを送出する手段と、有し、
該第２の物理計算機は、該起動コマンドを受信した時、該第２論理区間の起動を行うことを特徴とする請求項１記載の仮想計算機システム。
【請求項３】
前記判定手段は、前記第１の物理計算機の実効ＣＰＵ性能と、前記第２の物理計算機の実効ＣＰＵ性能を計算することを特徴とする請求項１又は２記載の仮想計算機システム。
【請求項４】
前記判定手段は、前記第１の物理計算機の実効ＣＰＵ性能が、前記第２の物理計算機の実効ＣＰＵ性能以上であることを調べて、該第２論理区画の生成が可能かを判定することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの仮想計算機システム。
【請求項５】
前記判定手段は、前記第２の物理計算機のメモリの容量が十分に空いているかを調べて、該第２論理区画の生成が可能かを判定することを特徴とする請求項請求項１乃至４のいずれかの仮想計算機システム。
【請求項６】
前記判定手段は、該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報に含まれる第１の物理ＨＢＡの数が、前記第２物理計算機の第２の物理ＨＢＡに確保できるかを調べて、前記第２物理計算に該第２論理区画の生成が可能かを判定することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの仮想計算機システム。
【請求項７】
前記第１及び第２の物理計算機が有する各手段は、第１及び第２の論理区画を管理するハイパーバイザー内に備えられることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかの仮想計算機システム。
【請求項８】
第１及び第２の物理計算機を含む複数の物理計算機と、該複数の物理計算機にネットワークを介して接続される、該物理計算機及び該物理計算機に生成される論理区間を管理する管理装置を有する仮想計算機システムにおける該論理区間の移行制御方法であって、
該第１の物理計算機において、該第１物理計算機又はそこに形成された第１論理区画に障害が発生したことを検出する障害検出ステップと、
該第１の物理計算機において、該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及び該第１論理区画に設けられた論理ＨＢＡに割り当てられたＷＷＮであるvfcＷＷＮを管理するステップと、
該管理装置において、該障害検出ステップからの障害発生の報告を受けて、該該第１物理計算機から送信された、該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを受信するステップと、
該管理装置において、該第１の物理計算機の交代先となる第２の物理計算機を決定して、該第２の物理計算機へ該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを送信するステップと、
該第２の物理計算機において、該管理装置から送信された該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報及びvfcＷＷＮを受信するステップと、
該第２の物理計算機において、該第１論理区画のＩ／Ｏ構成情報に基づいて、該第２の物理計算機上に第２論理区画を生成することが可能かを判定するステップと、
該第２の物理計算機において、該判定ステップによって該第２論理区間の生成が可能と判定された場合、該vfcＷＷＮに基づいて第２論理区画を生成するステップとを有し、
該生成ステップによって生成された第２論理区間に論理ＨＢＡを設け、該論理ＨＢＡに該vfcＷＷＮを割り当てることを特徴とする論理区画の移行制御方法。