(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板サポートであって、
基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、前記サポート面は、前記基板の基板エッジ領域を支持するように構成されたサポート面エッジ部を含み、前記サポート面エッジ部は前記サポート体の中心部に対して縮んだ厚さを有する、サポート体と、
前記サポート面エッジ部の位置において前記サポート体上に配置され、かつ前記サポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、
作動の際、前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記サポート面上にロードされた基板の領域の上面の非平坦性を補償するために前記サポート体を局所的に曲げるように構成及び配置される、基板サポート。
【請求項２】
前記少なくとも１つのアクチュエータは、ピエゾアクチュエータを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項３】
前記サポート面は、前記サポート体の複数のバールによって形成され、各バールは、前記サポート面と垂直な長手軸を有し、第１バールと第２バールは、前記サポート面上にロードされた前記基板のエッジと実質的に垂直な方向に互いから空間を空けて配置され、前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記第１バールの長手軸と前記第２バールの長手軸との間のラインと平行な方向に収縮又は延在するように配置される、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項４】
前記サポート面の前記サポート面エッジ部は、前記サポート面の円周領域を含み、前記基板サポートは、前記円周領域にわたって分配される複数のピエゾアクチュエータを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項５】
前記基板サポートは、制御デバイスを含み、前記複数のピエゾアクチュエータは、前記制御デバイスの単一の制御信号によって作動され、及び／又は前記基板サポートは、制御デバイスを含み、前記複数のピエゾアクチュエータの各々は、前記制御デバイスの個別の制御信号によって作動される、請求項４に記載の基板サポート。
【請求項６】
前記基板サポートは、前記サポート面上にロードされた基板の領域の上面の非平坦性を測定するように構成されたセンサデバイスを含む、請求項１に記載の基板サポート。
【請求項７】
基板サポートのサポート体のサポート面上にロードされた基板の基板領域の上面の非平坦性を補償する方法であって、
前記基板サポートは、
基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、前記サポート面は、前記基板の基板エッジ領域を支持するように構成されたサポート面エッジ部を含み、前記サポート面エッジ部は前記サポート体の中心部に対して縮んだ厚さを有する、サポート体と、
前記サポート面エッジ部の位置において前記サポート体上に配置され、かつ前記サポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、
前記方法は、前記サポート体に湾曲を局所的作り出すために、前記基板サポート上にロードされた前記基板の前記基板領域の前記上面の非平坦性を表すデータに基づいて延在及び／又は収縮するために前記少なくとも１つのアクチュエータを作動させることを含み、前記サポート体の前記湾曲は、前記基板領域の前記上面の前記非平坦性を実質的に補償する、方法。
【請求項８】
データを提供するステップは、前記基板サポートの前記サポート面の前記非平坦性を測定することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記データを提供するステップは、前記基板の少なくとも前記基板領域の前記非平坦性を測定することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の少なくとも前記基板領域の前記非平坦性を測定するステップは、前記基板が前記サポート面上にロードされているときに実行される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置であって、前記リソグラフィ装置は、基板サポートを含み、
前記基板サポートは、
基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、前記サポート面は、前記基板の基板エッジ領域を支持するように構成されたサポート面エッジ部を含み、前記サポート面エッジ部は前記サポート体の中心部に対して縮んだ厚さを有する、サポート体と、
前記サポート面エッジ部の位置において前記サポート体上に配置され、かつ前記サポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、
作動の際、前記少なくとも１つのアクチュエータは、前記サポート面上にロードされた基板の領域の上面の非平坦性を補償するために前記サポート体を局所的に曲げるように構成及び配置される、リソグラフィ装置。
【請求項１２】
パターニングデバイスから基板上にパターンを転写することを含むデバイス製造方法であって、前記方法は、基板サポートのサポート体のサポート面上に前記基板をロードするステップを含み、
前記基板サポートは、
基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、前記サポート面は、前記基板の基板エッジ領域を支持するように構成されたサポート面エッジ部を含み、前記サポート面エッジ部は前記サポート体の中心部に対して縮んだ厚さを有する、サポート体と、
前記サポート面エッジ部の位置において前記サポート体上に配置され、かつ前記サポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、
前記ロードするステップは、前記サポート体に湾曲を局所的に作り出すために、前記基板サポート上にロードされた前記基板の基板領域の上面の非平坦性を表すデータに基づいて延在及び／又は収縮するために少なくとも１つのアクチュエータを作動させることを含み、前記サポート体の前記湾曲は、前記基板領域の前記上面の前記非平坦性を実質的に補償する、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願への相互参照
本願は、２０１５年６月２２日に出願した欧州特許出願第１５１７３１７２．６号の優先権を主張し、その全体を本願に参考として組み込む。
【０００２】
本発明は、基板サポート、基板サポート上にロードされた基板の上面の非平坦性を補償する方法、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、又は１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００４】
既知のリソグラフィ装置では、基板上へのパターニングデバイスのパターンの転写中に基板を支持するために基板サポートが設けられる。パターンがパターニングデバイスから基板のターゲット部分に適切に転写されることを確実にするために、上面に入射するパターン付きビームが上面と適切に位置合わせされることが重要である。したがって、基板の上面の非平坦性は望ましくない。しかしながら、実際には、例えば、ウェーハ形状の変形又は基板を支持する基板テーブルのサポート面の非平坦性によって、基板の上面は非平坦であり得る。
【０００５】
基板の上面の非平坦性の影響を補償するために、基板に入射するパターン付きビームに対する基板の相対位置がパターン付きビームに対するターゲット部分の位置を最適化するように適合される。各ターゲット部分に対して１つの最適な位置を決定することができ、この位置では、平面が決定されてパターン付きビームと位置合わせされる。このいわゆるレベリングは、ターゲット部分内の基板の上面の１次非平坦性を補償することができる。
【０００６】
しかし、ターゲット部分内では、基板サポート上にロードされた基板の上面の高次非平坦性も生じ得る。この高次非平坦性は、特に、基板のエッジ領域内に起こることがあり、異なる理由によって生じ得る。
【０００７】
例えば、基板自体のエッジ領域は、曲がっている。さらに、基板がロードされている基板サポートのサポート面は、非平坦な場合がある。
【０００８】
基板サポートの既知の実施形態では、基板サポートは、基板を支持するためにサポート面を形成するバールを含む。摩耗及び／又は研磨により、サポート面の外側バール、すなわち、基板のエッジ領域を支持するバールは、サポート面の他のバールより高さが低い傾向がある。この高さの差は、基板サポートのサポート面の非平坦性ということになり、結果として、サポート面上にロードされた基板の上面の非平坦性となる。
【発明の概要】
【０００９】
基板を支持するための基板サポート面を有する基板サポートを提供し、サポート面上にロードされた基板の上面のエッジ領域の非平坦性が補償されることが望ましい。
【００１０】
さらに、基板サポート上にロードされた基板の上面の非平坦性を補償する方法を提供することが望ましい。
【００１１】
本発明のある態様によると、基板サポートが提供され、この基板サポートは、基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、サポート面は、基板の基板領域を支持するように構成されたサポート面部を含む、サポート体と、サポート面部と位置合わせされた位置においてサポート体上に配置され、かつサポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、作動の際、少なくとも１つのアクチュエータは、サポート面上にロードされた基板の領域の上面の非平坦性を補償するためにサポート体を局所的に曲げるように構成及び配置される。
【００１２】
本発明のある態様によると、基板サポートのサポート体のサポート面上にロードされた基板の基板領域の上面の非平坦性を補償する方法が提供される。ここで、基板サポートは、サポート体上に設置され、かつ基板サポート上にロードされた基板の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータを含み、方法は、サポート体に湾曲を局所的作り出すために、基板サポート上にロードされた基板の基板領域の上面の非平坦性を表すデータに基づいて延在及び／又は収縮するために少なくとも１つのアクチュエータを作動させることを含み、サポート体の湾曲は、基板領域の上面の非平坦性を実質的に補償する。
【００１３】
本発明のある態様によると、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写するように構成されたリソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、基板サポートを含み、基板サポートは、基板を支持するように構成されたサポート面を形成するサポート体であって、サポート面は、基板の基板領域を支持するように構成されたサポート面部を含む、サポート体と、サポート面部と位置合わせされた位置においてサポート体上に配置され、かつサポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータとを備え、作動の際、少なくとも１つのアクチュエータは、サポート面上にロードされた基板の領域の上面の非平坦性を補償するためにサポート体を局所的に曲げるように構成及び配置される。
【００１４】
本発明のある態様によると、パターニングデバイスから基板上にパターンを転写することを含むデバイス製造方法が提供される。この方法は、基板サポートのサポート体のサポート面上に基板をロードするステップを含み、基板サポートは、サポート体上に設置され、かつ基板サポート上にロードされた基板の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成された少なくとも１つのアクチュエータを含み、ロードするステップは、サポート体に湾曲を局所的に作り出すために、基板サポート上にロードされた基板の基板領域の上面の非平坦性を表すデータに基づいて延在及び／又は収縮するために少なくとも１つのアクチュエータを作動させることを含み、サポート体の湾曲は、基板領域の上面の非平坦性を実質的に補償する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
本発明のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の概略図を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照符号は対応する部分を示す。
【図１】図１は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】図２は、本発明による基板サポートの第１実施形態の断面図を示す。
【図３】図３は、図２の基板サポートの上面図を示す。
【図４】図４は、非平坦性の補償の前の図２の基板サポートの断面図を示す。
【図５】図５は、非平坦性の補償の後の図２の基板サポートの断面図を示す。
【図６】図６は、本発明による基板サポートの第２実施形態の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を概略的に示している。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又は他の適切な放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築され、かつ特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１位置決めデバイスＰＭに連結されたマスクサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴとを備える。装置は、さらに、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構築され、かつ特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決めデバイスＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴ又は「基板サポート」を含む。装置は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されるパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳを含む。
【００１７】
照明システムとしては、放射を誘導し、整形し、又は制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１８】
マスクサポート構造は、パターニングデバイスの重量を支えるなどしてパターニングデバイスを支持する。マスクサポート構造は、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及び、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。マスクサポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。マスクサポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってもよい。マスクサポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に置くことができる。本明細書において使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えるとよい。
【００１９】
本明細書において使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。なお、留意すべき点として、放射ビームに付与されたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００２０】
パターニングデバイスは、透過型であっても、反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レべンソン型(alternating)位相シフト、及びハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、並びに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２１】
本明細書において使用される「投影システム」という用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学系、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えるとよい。
【００２２】
本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）である。また、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、上述のプログラマブルミラーアレイを採用しているもの、又は反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２３】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル又は「基板サポート」（及び／又は２つ以上のマスクテーブル又は「マスクサポート」）を有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルは並行して使うことができ、又は予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２４】
また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高屈折率を有する液体（例えば水）によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。また、リソグラフィ装置内の別の空間（例えば、マスクと投影システムとの間）に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させることで当技術分野において周知である。本明細書において使用される「液浸」という用語は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板との間に液体があるということを意味するものである。
【００２５】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射を受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また放射は、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源が水銀ランプである場合、放射源は、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２６】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネントを含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００２７】
放射ビームＢは、マスクサポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴ又は「基板サポート」の移動も、第２位置決めデバイスＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、又は固定されてもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１及びＭ２と、基板アライメントマークＰ１及びＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２８】
図２は、リソグラフィ装置の基板サポート１の断面図を概略的に示している。基板サポート１は、サポート体２及びサポート体２から延在する複数のバール３を含む。図２に示すように、この複数のバールは、その上側で基板２０を支持するためのサポート面を形成する。バール３とバール３との間の空間は、例えば、基板２０をサポート面上にクランプするための真空空間を作り出すために用いることができる。
【００２９】
図３は、図２の基板サポートの上面図を概略的に示している。実際には、基板サポート１は、図２及び図３に示すものよりサポート面を形成するバール３を実質的に多く含んでもよく、また、バール３とバール３との間の距離は図２及び図３に示唆するものより実質的に小さくてもよいことに留意されたい。
【００３０】
基板２０は、中心領域２１及び基板２０の円形エッジ２３に沿って延在する環状エッジ領域２２を含む実質的に円形板状の要素である。理想的には、基板が完全に平坦な要素であることであるが、実際には、基板は非平坦な上面及び下面を含み得る。
【００３１】
バール３は、サポート面の中心点から延在する同心円に配置される。バール３の内円は、基板２０の中心領域２１を支持するために設けられる一方、バール３の２つの外円は、基板２０のエッジ領域２２を支持するために設けられる。パターンをパターニングデバイスから基板２０に適切に転写するためには、基板２０の上面２４が基板２０に入射するパターン付きビームと適切に位置合わせされる必要がある。サポート面及び基板２０が完全に平坦であった場合、上面２４は、上面２４に入射するパターン付きビームと常に適切に位置合わせされる。
【００３２】
しかしながら、実際には、上面２４の非平坦性は通常起こる。例えば、基板は湾曲している。基板の各ターゲット部分に対して基板２０の上面２４の位置を最適化することが知られており、すなわち、各ターゲット部分に対して上面の最適位置を決定し、基板サポートは、６自由度で移動して、基板２０上への所望のパターンの最適な転写のためにこの最適位置でターゲット位置を保持する。このいわゆるレベリングは、ターゲット部分内の非平坦性を第１次非平坦性としてモデル化することができる場合に特に有用であり、それにより、ターゲット部分を最適位置で保持することによって平坦性を補償することができる。非平坦性は、ターゲット部分の寸法内の高次のものであってもよい。このような場合、非平坦性は、レベリングによってあまり適切ではない形で補償され得る。この高次非平坦性は、典型的には、基板２０の上面２４のエッジ領域２２で起こる。
【００３３】
この高次非平坦性は、基板のエッジ領域２２が変形しているか又は基板サポートのサポート面が平坦ではないという理由の１つ以上によってもたらされ得る。非平坦なサポート面は、典型的には、バール３の摩耗又は研磨によって生じ、それによって外円のバール３は他のバールより低い。
【００３４】
これら全ての場合において、エッジ領域２４内の基板２０の上面２４は、通常下方に湾曲する。この下方湾曲は、非平坦性の補償が、パターニングデバイスから基板２０へのパターンの転写中のレベリングによって補償できないか又は部分的にしか補償できない結果として、比較的急勾配であり得る。
【００３５】
基板のエッジ領域２２における非平坦性をさらに補償するために、基板サポート１には、エッジサポート面の円周、すなわち、基板サポート１上にロードされた基板２０のエッジ領域２２を支持するように構成されたサポート面の一部の円周にわたって延在するアンダーカット５が設けられる。
【００３６】
アンダーカット５では、ピエゾアクチュエータ６が基板サポート１上に配置される。各ピエゾアクチュエータ６の第１端は、バール３の最外円のバールと位置合わせされ、ピエゾアクチュエータ６の対向する第２端は、バール３の隣接円のバールと位置合わせされる。ピエゾアクチュエータは、サポート面とともにサポート面上に支持された基板２０の主平面と実質的に平行な面において延在する。さらに、ピエゾアクチュエータ６は、サポート面及びサポート面上にロードされた基板の中心に対して実質的に半径方向に延在する。
【００３７】
アンダーカット５は、ピエゾアクチュエータ６が望ましい場合にサポート体エッジ部７を曲げることができるように、サポート体エッジ部７の可撓性を高めるために設けられる。同時に、サポート体エッジ部７からサポート体の中心部８までの急な厚さの遷移９は、サポート体２の湾曲が実質的にサポート体エッジ部７のみに発生し、サポート体２の中心部８内には部分的にも発生しないことを確実にする。
【００３８】
ピエゾアクチュエータ６の伸長は、サポート体２のサポート体エッジ部７の自由端が上方に湾曲するという結果となる。結果的に、外側リングのバール３は、他のバール３に対して上方に移動する。これにより、基板エッジ領域２２の上面は、残りの基板２０の上面に対して上方に移動する。したがって、ピエゾアクチュエータ６の伸長は、基板２０のエッジの下方湾曲の補償という結果となり得る。
【００３９】
例えば、図４は、図２の基板サポート１を示しており、外側バール３ａは、残りのサポート面のバール３の高さより低い高さを有する。結果的に、基板２０の外側エッジ２３は、下方に湾曲し、基板の非平坦な上面２４という結果となる。実際には、非平坦性の勾配は、基板上へのパターンの転写中の基板サポートのレベリングによって非平坦性を適切に補償することができないほど大きい場合がある。
【００４０】
外側バール３ａのより低い高さは、ピエゾアクチュエータ６の伸長によって補償することができる。図５に示すように、ピエゾアクチュエータ６の作動は、ピエゾアクチュエータの伸長という結果となる。結果的に、基板サポートのエッジ部７は上方に湾曲され、外側バール３ａは、基板サポート１の他のバール３の高さと実質的に同じレベルまで上方に移動される。結果として、基板２０のエッジ領域２２の上面２４の非平坦性は実質的に減少される。
【００４１】
ピエゾアクチュエータ６の収縮又は短縮はサポート体エッジ部７の自由端の下方湾曲及びバール３ａの外側リングの下方動作へと繋がることは明らかである。この動作は、基板２０の外側エッジを下方に移動させて基板エッジ領域２２の非平坦性を補償することが望ましいときに用いることができる。
【００４２】
制御デバイス３０は、ピエゾアクチュエータ６の作動を制御するために設けられる。制御デバイス３０は、ピエゾアクチュエータ６を作動させるためにアクチュエーション信号を提供するように構成される。図２及び図３に示す実施形態では、制御デバイス３０は、単一のアクチュエーション信号を提供し、これは全てのピエゾアクチュエータ６に同時に使用される。基板２０のエッジ領域の非平坦性は、多くの場合、基板２０の外周全体に対して同じである。結果的に、基板２０のエッジ領域２２の上面２４の非平坦性を補償するために、単一のアクチュエーション信号を全てのピエゾアクチュエータ６に用いて基板２０の上面の非平坦性を補償する。
【００４３】
制御デバイス３０の別の実施形態では、制御デバイス３０は、各ピエゾアクチュエータに対して別のアクチュエーション信号を提供することにより、各ピエゾアクチュエータの動作を個別に制御できるように構成されてよい。これは、基板サポート１上にロードされた基板２０の上面のあらゆるエッジ非平坦性を補償するためにより高い可撓性を提供するが、各ピエゾアクチュエータ６を個別に制御するためにより複雑な制御戦略も必要とする。さらに別の実施形態では、ピエゾアクチュエータ６はグループに分けられてよく、各グループは、制御デバイス３０によって提供される自身のアクチュエーション信号によって作動される。
【００４４】
このような実施形態では、基板の各ターゲット部分に対して、又は、少なくとも基板２０のエッジ領域２４内の各ターゲット部分に対して、基板２０の上面の非平坦性を補償するためにピエゾアクチュエータ６の異なる設定が必要となり得る。
【００４５】
基板２０の上面の非平坦性を適切に補償するために、基板サポート１上にロードされた基板２０の上面の非平坦性を表す又は示すデータを提供しなければならない。
【００４６】
このデータは、例えば、センサデバイス４０によって取得することができる。このセンサデバイス４０は、ピエゾアクチュエータ６による補償の前の上面の非平坦性を測定し、このデータを制御デバイス３０に提供することができる。この測定データに基づいて、制御デバイス３０は、基板２０の上面２４の非平坦性を適切に補償するために必要なアクチュエーション信号を計算することができる。
【００４７】
基板２０の上面の非平坦性の原因によって、異なる制御戦略を用いて非平坦性を補償することができる。
【００４８】
非平坦性が基板サポートのサポート面の非平坦性、特に、バールの研磨によって引き起こされた場合、非平坦性は、リソグラフィ装置のセットアップ較正中に決定することができる。その後、各基板２０に対して同じ補償設定を使用することができる。
【００４９】
非平坦性はサポート面の摩耗によって、とりわけサポート面の外側バール３の摩耗によっても引き起され得るため、測定は、バール３の摩耗が補償設定の調整を必要とするか否かを決定するために定期的に繰り返されてよい。
【００５０】
基板２０自体の変形によって引き起こされる上面２４の非平坦性は、特定の基板２０の上面の測定によって決定することができる。このデータを測定し、基板が基板サポート１上に実際にロードされるまで保存することができる。
【００５１】
好ましくは、必要な補償は、レベリングのための基板の上面の測定中に決定される。パターンがパターニングデバイスから基板に転写される前に、基板上へのパターンの転写中に使用される所望のレベリング位置を決定するために、レベルマップが基板の上面により形成される。この上面の測定中、エッジ領域２２における高次非平坦性を決定し、この測定は、基板２０の上面上へのパターンの転写中にピエゾアクチュエータ６の所望の補償設定を決定するためにも使用できる。
【００５２】
図６は、本発明による基板サポート１の第２実施形態を示している。この実施形態では、サポート体２に円周溝２５が設けられる。溝２５は、サポート面と実質的に同軸であり、結果的に、サポート体２のサポート面上に設置された基板２０と同軸である。溝２５は、サポート体２、特にバール３の２つの外側リング間の曲げ性を高める。アクチュエータ６は、溝２５を埋める。すなわち、アクチュエータ６の第１端が溝２５の片側に設置され、アクチュエータ６の他方端は、溝２５の反対側に設置される。
【００５３】
アクチュエータ６の収縮の拡大は、バール３の２つの外側リングの間の外側体２における湾曲へと繋がる。これは、サポート体２の外側エッジの上方湾曲又は下方湾曲という結果となる。このサポート体２の変位を用いて基板２０の上面２４の（特に、基板２０のエッジ領域における）あらゆる非平坦性を補償することができる。
【００５４】
上記では、基板の上面の非平坦性を補償するためにピエゾアクチュエータを使用することについて述べたが、他のあらゆるアクチュエータ、特に、サポート面エッジ部と位置合わせされた位置において基板サポート上に配置され、かつサポート面の主平面と実質的に平行な方向に収縮又は延在するように構成されたリニアアクチュエータを使用してもよい。例えば、使用してもよいリニアアクチュエータの種類は、空気リニアアクチュエータ、静電リニアアクチュエータ、磁気ひずみリニアアクチュエータ又は電わいリニアアクチュエータである。
【００５５】
示される実施形態では、ピエゾアクチュエータは、サポート面の周囲にわたって均等に分配され、サポート面の半径方向に方向付けされる。別の実施形態では、あらゆる他の適切な分配及び／又は向きも使用できる。例えば、ピエゾアクチュエータの分配及び／又は向きは、基板の典型的な変形形状に特に適合されてよい。さらに、ピエゾアクチュエータの数も、基板サポート上にロードされた基板の上面の非平坦性を実質的に補償するために任意の適切な数に調整されてもよい。
【００５６】
ピエゾアクチュエータの端は、バールの２つの外側リングと位置合わせされる。別の実施形態では、ピエゾアクチュエータの端はバールと位置合わせされていなくてもよい。さらに、ピエゾアクチュエータは、好ましくは、複数のバールの範囲にわたる半径方向に延在してもよい。
【００５７】
本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターン及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又はインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００５８】
光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、当然のことながら、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せによってレジストは硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００５９】
本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長、又はおよそこれらの値の波長を有する）、及び極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、並びにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００６０】
「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことができる。
【００６１】
以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施できることが明らかである。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能命令のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形態、又はこのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【００６２】
上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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