【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層と、
前記導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の基板上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の導電層に接続された第２の導電層と、
前記第２の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の基板と、を有し、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の基板の一方の面上に、半導体層、第１の絶縁層及び第１の導電層を含むトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第２の導電層と、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層に接続された第１の端子部と、
前記第２の絶縁層と前記第２の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の基板と、
第３の基板と、
前記第３の基板の一方の面上の第３の導電層と、
前記第３の導電層に接続された第２の端子部と、
前記第１の基板の他方の面上の第４の導電層と、を有し、
前記第４の導電層は、前記第１の基板と前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の端子部に電気的に接続され、
前記第２の端子部は、前記第４の導電層に電気的に接続され、
前記第１の基板の他方の面と前記第３の基板の一方の面は、対向するように設けられ、
前記第１の端子部と前記第２の端子部は重なっており、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の基板の一方の面上に、半導体層、第１の絶縁層及び第１の導電層を含むトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第２の導電層と、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層に接続された第１の端子部と、
前記第２の絶縁層と前記第２の導電層上の第３の絶縁層と、
一方の面が前記第３の絶縁層に接するように設けられた第２の基板と、
第３の基板と、
前記第３の基板の一方の面上の第３の導電層と、
前記第３の導電層に接続された第２の端子部と、
前記第２の基板の他方の面上の第４の導電層と、を有し、
前記第４の導電層は、前記第２の基板と前記第３の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の端子部に電気的に接続され、
前記第２の端子部は、前記第４の導電層に電気的に接続され、
前記第２の基板の他方の面と前記第３の基板の一方の面は、対向するように設けられ、
前記第１の端子部と前記第２の端子部は重なっており、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の基板と前記第２の基板の少なくとも一方は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の基板と前記第２の基板の間に、シール材とスペーサーの少なくとも一方を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３または請求項４において、前記第２の端子部は、異方性導電層とバンプの少なくとも一方を介して、前記第４の導電層に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の基板の一方の面上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層を形成し、
前記導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層の表面と第２の基板の一方の面が接するように、前記第２の絶縁層上に前記第２の基板を設け、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さが１００μｍ以下になるまで、前記第１の基板の他方の面と前記第２の基板の他方の面を薄膜化し、
前記第１の基板、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記第２の基板を切断して、前記第１の基板、前記トランジスタ及び前記第２の基板を含む積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１の基板の一方の面上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記第１の導電層に接続された第２の導電層を形成し、
前記第２の導電層上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層の表面と第２の基板の一方の面が接するように、前記第３の絶縁層上に前記第２の基板を設け、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さが１００μｍ以下になるまで、前記第１の基板の他方の面と前記第２の基板の他方の面を薄膜化し、
前記第１の基板、前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層及び前記第２の基板を切断して、前記第１の基板、前記トランジスタ及び前記第２の基板を含む積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の基板の一方の面上に、
半導体層、第１の絶縁層及び第１の導電層を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第２の導電層と、前記第２の導電層に接続された第１の端子部を形成し、
前記第２の絶縁層、前記第２の導電層及び前記第１の端子部上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層の表面と第２の基板の一方の面が接するように、前記第３の絶縁層上に前記第２の基板を設け、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さが１００μｍ以下になるまで、前記第１の基板の他方の面と前記第２の基板の他方の面を薄膜化し、
前記第１の基板の他方の面上に、前記第１の端子部と重なる第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層にレーザービームを照射して、前記第１の端子部と前記第３の導電層を電気的に接続させ、
前記第１の基板の他方の面と、第２の端子部と第４の導電層が設けられた第３の基板の一方の面とが向かい合うように、前記第３の基板を設けることにより、前記第３の導電層と前記第２の端子部を電気的に接続させるを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
第１の基板の一方の面上に、
半導体層、第１の絶縁層及び第１の導電層を含むトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第２の導電層と、前記第２の導電層に接続された第１の端子部を形成し、
前記第２の絶縁層、前記第２の導電層及び前記第１の端子部上に第３の絶縁層を形成し、
前記第３の絶縁層の表面と第２の基板の一方の面が接するように、前記第３の絶縁層上に前記第２の基板を設け、
前記第１の基板と前記第２の基板の各々の厚さが１００μｍ以下になるまで、前記第１の基板の他方の面と前記第２の基板の他方の面を薄膜化し、
前記第２の基板の他方の面上に、前記第１の端子部と重なる第３の導電層を形成し、
前記第３の導電層にレーザービームを照射して、前記第１の端子部と前記第３の導電層を電気的に接続させ、
前記第２の基板の他方の面と、第２の端子部と第４の導電層が設けられた第３の基板の一方の面とが向かい合うように、前記第３の基板を設けることにより、前記第３の導電層と前記第２の端子部を電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の基板と前記第２の基板の間に、シール材とスペーサーの少なくとも一方を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。