【手続補正書】
【提出日】平成25年4月8日(2013.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エラーデータを追跡する方法であって、
メモリから読み出されたデータを受信するステップと、
複数のエラーおよび複数の場所を特定するために、受信したデータにエラー検出演算を実行するステップであって、複数のエラーの各エラーが複数の場所の対応する場所に関連づけられるステップと、
複数のエラーの各々に関連づけられた複数の場所に基づいて、チェックサムを生成するステップと、
前記チェックサムを前記メモリに格納するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
第１の時間に実行された第１のエラー検出演算に基づいて、第１のチェックサムを格納するステップと、第２の時間に実行された第２のエラー検出演算に基づいて、第２のチェックサムを格納するステップとをさらに含む方法。
【請求項３】
請求項２記載の方法において、
前記第１のエラー検出演算が第１のエラー訂正コード演算であり、前記第２のエラー検出演算が第２のエラー訂正コード演算である方法。
【請求項４】
請求項２記載の方法において、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとを比較するステップをさらに含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法において、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの比較に基づいて、複数の利用可能な動作のうちの１つと比較するステップをさらに含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、
複数の利用可能な動作が、データを移動すること、読み出しスクラブを開始すること、データをリフレッシュすること、データブロックを不良データとして指定すること、データをモニタリングすること、および複数のエラーのうちのあるエラーを訂正する動作を開始することのうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項７】
請求項４記載の方法において、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの決定された差が第１の所定のしきい値を満たす場合、第１の動作を開始し、前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの決定された差が第２の所定のしきい値を満たす場合、第２の動作を開始するステップをさらに含む方法。
【請求項８】
請求項４記載の方法において、
前記メモリの不良の可能性のあるワード線を特定するために、前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの決定された差が第１の所定のしきい値を満たす場合、前記第１のチェックサムおよび前記第２のチェックサムのうちの少なくとも１つによって表される場所情報を評価するステップをさらに含む方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、
前記不良の可能性のあるワード線が、前記不良の可能性のあるワード線の一端に、複数のエラーのうちの実質的にすべてが生じていることを示す場所情報に基づいて特定される方法。
【請求項１０】
請求項４記載の方法において、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの差が第２の所定のしきい値を満たすという決定に応答して、複数のエラーのうちのあるエラーがランダムであるかを決定するステップをさらに含む方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、
前記エラーがランダムであるという決定に応答して、動作を開始しないステップをさらに含む方法。
【請求項１２】
請求項１記載の方法において、
複数の場所のうちのある場所が、前記メモリの領域を含む方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、
前記メモリの領域が、ページまたはブロックのビット位置を含む方法。
【請求項１４】
エラーデータを追跡する方法であって、
第１の複数の場所に関連づけられた第１の複数のエラーを特定するために、第１の時間に第１のエラー訂正コード演算を実行するステップと、
第２の複数の場所に関連づけられた第２の複数のエラーを特定するために、第２の時間に第２のエラー訂正コード演算を実行するステップと、
データストレージデバイス内のメモリアレイのログファイルに、第１の複数の場所に相関された第１のデータを格納し、第２の複数の場所に相関された第２のデータを格納するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の方法において、
第１の複数の場所のうちのある場所が、前記データストレージデバイス内のページまたはブロックのビット位置を含む方法。
【請求項１６】
請求項１４記載の方法において、
前記第１のエラー訂正コード演算が、前記データストレージデバイス内のコントローラで実行される方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の方法において、
第１のデータが第１の複数の場所の第１のチェックサムを含み、第２のデータが第２の複数の場所の第２のチェックサムを含む方法。
【請求項１８】
エラーデータを追跡する方法であって、
第１のエラー訂正コード演算の第１の複数のエラー場所に関連づけられた第１のチェックサムを受信するステップと、
第２のエラー訂正コード演算の第２の複数のエラー場所に関連づけられた第２のチェックサムを受信するステップと、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとを比較して、比較結果をもたらすステップと、
前記比較結果に基づいて、メモリの領域に動作を開始するステップと、
を含む方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の方法において、
前記第１のエラー訂正コード演算が、前記メモリの領域内のエラーの訂正に関連づけられる方法。
【請求項２０】
請求項１８記載の方法において、
前記比較結果に基づいて、複数の利用可能な動作のうちの１つを実行するステップをさらに含む方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の方法において、
複数の利用可能な動作が、データを移動すること、読み出しスクラブを実行すること、データをリフレッシュすること、データブロックを不良データとして指定すること、データをモニタリングすること、および複数のエラーのうちのあるエラーを訂正する動作を開始することのうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項２２】
請求項１８記載の方法において、
前記メモリの領域内のエラーがランダムであるという決定に応答して、動作を開始しないステップをさらに含む方法。
【請求項２３】
請求項１８記載の方法において、
第３のエラー訂正コード演算の第３の複数のエラー場所に関連づけられた第３のチェックサムと、第４のエラー訂正コード演算の第４の複数のエラー場所に関連づけられた第４のチェックサムとを受信し、傾向を特定するために、前記第１のチェックサム、前記第２のチェックサム、前記第３のチェックサムおよび前記第４のチェックサムを使用するステップをさらに含む方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の方法において、
前記傾向に基づいて動作を開始するステップをさらに含む方法。
【請求項２５】
エラーデータを追跡する方法であって、
メモリ領域の第１のエラー場所セットに関連づけられた第１のチェックサムをメモリから取得するステップと、
前記第１のチェックサムと、前記メモリ領域の第２のエラー場所セットに関連づけられた第２のチェックサムとを比較して、比較結果をもたらすステップと、
前記比較結果に基づいて、前記メモリ領域に対して動作を開始するステップと、
を含む方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の方法において、
前記動作が、データを移動すること、データブロックを不良データとして指定すること、読み出しスクラブを実行すること、データをリフレッシュすること、データをモニタリングすること、および複数のエラーのうちのあるエラーを訂正することのうちの少なくとも１つを含む方法。
【請求項２７】
請求項２５記載の方法において、
前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの決定された差が第１の所定のしきい値を満たす場合、第１の動作を開始し、前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとの決定された差が第２の所定のしきい値を満たす場合、第２の動作を開始するステップをさらに含む方法。
【請求項２８】
請求項２５記載の方法において、
前記第１のエラー場所セットのうちのあるエラー場所が、データストレージデバイスのメモリ領域内のページまたはブロックのビット位置を含む方法。
【請求項２９】
装置であって、
メモリと、
前記メモリに連結されたエラー検出モジュールであって、前記メモリから読み出されたデータに応答して、複数の場所および複数のエラーを検出するエラー検出モジュールと、
複数のエラーの各々に関連づけられた複数の場所に基づいたチェックサムと先行チェックサムとを比較して、比較結果をもたらすように構成され、前記比較結果に基づいて、複数の利用可能な動作のうちの少なくとも１つを開始するようにさらに構成されたプロセッサと、
を備える装置。
【請求項３０】
請求項２９記載の装置において、
前記プロセッサが、前記メモリに前記チェックサムの格納を開始するようにさらに構成される装置。
【請求項３１】
請求項２９記載の装置において、
前記エラー検出モジュールが前記メモリに連結されたコントローラにエラー訂正コード（ＥＣＣ）エンジンを含み、前記コントローラおよび前記メモリが取り外し可能なデータストレージデバイスのコンポーネントである装置。
【請求項３２】
請求項３１記載の装置において、
前記コントローラが、ＥＣＣエンジンに連結されたプロセッサを含む装置。
【請求項３３】
請求項３１記載の装置において、
前記チェックサムが、ＥＣＣエンジン、多入力シグネチャレジスタ、累加算器および多項式ベースの回路のうちの少なくとも１つによって生成される装置。
【請求項３４】
装置であって、
メモリのメモリ領域を含むメモリと、
前記メモリにアクセスして、複数のメモリ領域のうちの少なくとも１つから読み出された第１のデータへの第１のエラー訂正コード演算の第１の複数のエラー場所に関連づけられた第１のチェックサムと、複数のメモリ領域のうちの少なくとも１つから読み出された第２のデータへの第２のエラー訂正コード演算の第２の複数のエラー場所に関連づけられた第２のチェックサムとを取得し、前記第１のチェックサムと前記第２のチェックサムとを比較して、比較結果をもたらし、前記比較結果に少なくとも部分的に基づいて、複数のメモリ領域のうちの少なくとも１つに関連づけられた動作を開始するように構成されたコントローラと、
を備える装置。
【請求項３５】
請求項３４記載の装置において、
前記メモリが、不揮発性メモリを含む装置。
【請求項３６】
請求項３４記載の装置において、
前記メモリが、フラッシュメモリを含む装置。
【請求項３７】
請求項３４記載の装置において、
前記コントローラが、前記メモリ内に前記第１のチェックサムおよび前記第２のチェックサムを格納するようにさらに構成される装置。