(57)【要約】【課題】  画像読取パネルを備えた画像読取装置において、画像読取パネルの異なる層上に設けられた配線同士を接続するための上下導通用のコンタクト部に水分に起因する電食が生じにくいようにする。【解決手段】  画像読取パネル８は、ガラス基板９上の画像読取領域上に静電気保護用透明導電膜１０が設けられた構造となっている。この場合、静電気保護用透明導電膜１０の周囲におけるガラス基板９上にはシール材１１が設けられている。そして、ガラス基板９上の異なる層上に設けられた配線同士を接続するための上下導通用のコンタクト部は、静電気保護用透明導電膜１０の周囲に設けられ、シール材１１で覆われている。【選択図】  図１
2008210932.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上の画像読取領域に配列された複数の画像読取素子と、前記基板上の前記画像読取領域の外側に設けられ、前記基板上の異なる層上に設けられた配線同士を接続するための複数の上下導通用のコンタクト部と、前記基板上の前記画像読取領域の外側に前記コンタクト部を覆うように設けられたシール材とを備えていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された配線と、前記配線と異なる層上に設けられた他の配線とを接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線の一端部と、前記第１の配線上に絶縁膜を介して設けられた第２の配線の一端部と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線の一端部とを接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項４】
請求項３に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線の一端部と、前記第１の配線と同一の層上に設けられた第２の配線の一端部と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線の一端部とを接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項６】
請求項５に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項７】
請求項５または６に記載の発明において、前記第１の配線および前記第２の配線はＩＴＯからなることを特徴とする画像読取装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記第１の配線は前記基板の端面近傍で切断されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項９】
請求項１に記載の発明において、前記配線は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線と、前記第１の配線と同一の層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線とからなり、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と平行するように設けられ、前記コンタクト部は、前記第２の配線の一端部と前記他の配線の先端部とを接続するものであり、前記第１の配線の一端部は前記第２の配線の途中に接続されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１０】
請求項３〜９のいずれかに記載の発明において、前記画像読取素子はトップゲート電極およびボトムゲート電極を有する光電変換型の薄膜トランジスタからなり、前記第２の配線は前記薄膜トランジスタのトップゲート電極に接続されたトップゲートラインであり、前記第３の配線は前記トップゲートラインの一端部に接続された引き回し線であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線と、前記第１の配線下の同一層上に絶縁膜を介して設けられた第２の配線および第３の配線とを接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の発明において、前記第１の配線はＩＴＯからなることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の発明において、前記第１の配線は前記基板の端面近傍で切断されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１５】
請求項１１〜１４のいずれかに記載の発明において、前記画像読取素子はトップゲート電極およびボトムゲート電極を有する光電変換型の薄膜トランジスタからなり、前記第２の配線は前記薄膜トランジスタのボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインであり、前記第３の配線は前記ボトムゲートラインの一端部に接続された引き回し線であることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の発明において、前記シール材を含む前記基板は、前記基板上の前記画像読取領域に対応する部分に開口部を有するケース内に設けられ、前記シール材は、前記ケースの開口部の周囲からなるシール材押さえ部によって押さえ付けられていることを特徴とする画像読取装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は画像読取装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の画像読取装置には、光電変換素子としてのダブルゲート型の薄膜トランジスタを備えたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、ダブルゲート型の薄膜トランジスタは、アモルファスシリコンからなる半導体薄膜下にボトムゲート絶縁膜を介してボトムゲート電極および該ボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインが設けられ、半導体薄膜上にトップゲート絶縁膜を介してトップゲート電極および該トップゲート電極に接続されたトップゲートラインが設けられた構造となっている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−９４０４０号公報
【０００４】
ところで、上記従来の画像読取装置では、例えば指紋読取装置として用いる場合、薄膜トランジスタ上にオーバーコート膜を介して静電気保護用透明導電膜を設け、静電気保護用透明導電膜上に指紋読み取りのために接触された指が静電気を帯びているとき、その静電気を静電気保護用透明導電膜を介して逃がすようになっている。
【０００５】
しかしなから、静電気保護用透明導電膜は、その上に指紋読み取りのために接触された指が静電気を帯びているとき、その静電気を逃がすことができるが、画像読取装置の製造工程中の静電気については何ら対応することができず、画像読取装置の製造工程中の静電気に起因して薄膜トランジスタが静電破壊することがある。
【０００６】
これを防止するには、完成された画像読取装置を複数個形成することが可能な面積を有する大型基板を用意し、大型基板上の画像読取装置形成領域の周囲の格子状の余剰領域に格子状のショートバーを形成し、画像読取装置形成領域内に形成されたボトムゲートラインやトップゲートライン等の配線をショートバーから画像読取装置形成領域内に引き出された引き出し線に接続し、製造工程中の静電気をショートバーを介して逃がし、所定の工程後に、大型基板をショートバーからの引き出し線と共に切断して複数個の画像読取装置を得ることが考えられる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、薄膜トランジスタのボトムゲート電極に接続されるボトムゲートラインはボトムゲート絶縁膜下に形成され、薄膜トランジスタのトップゲート電極に接続されるトップゲートラインはトップゲート絶縁膜上に形成されるため、これらのラインを含む配線をショートバーからの引き出し線に接続するには上下導通用のコンタクト部を形成する必要がある。しかしながら、コンタクト部はその構造上段差や凹凸があるので、それ以外の平坦な部分に比べて、水分に起因する電食が生じやすいという問題がある。
【０００８】
そこで、この発明は、上下導通用のコンタクト部に水分に起因する電食が生じにくいようにすることができる画像読取装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板と、前記基板上の画像読取領域に配列された複数の画像読取素子と、前記基板上の前記画像読取領域の外側に設けられ、前記基板上の異なる層上に設けられた配線同士を接続するための複数の上下導通用のコンタクト部と、前記基板上の前記画像読取領域の外側に前記コンタクト部を覆うように設けられたシール材とを備えていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された配線と、前記配線と異なる層上に設けられた他の配線とを接続するものであることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線の一端部と、前記第１の配線上に絶縁膜を介して設けられた第２の配線の一端部と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線の一端部とを接続するものであることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線の一端部と、前記第１の配線と同一の層上に設けられた第２の配線の一端部と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線の一端部とを接続するものであることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、請求項５または６に記載の発明において、前記第１の配線および前記第２の配線はＩＴＯからなることを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記第１の配線は前記基板の端面近傍で切断されていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記配線は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線と、前記第１の配線と同一の層上に設けられた第２の配線と、前記第１の配線下に絶縁膜を介して設けられた第３の配線とからなり、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と平行するように設けられ、前記コンタクト部は、前記第２の配線の一端部と前記他の配線の先端部とを接続するものであり、前記第１の配線の一端部は前記第２の配線の途中に接続されていることを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項３〜９のいずれかに記載の発明において、前記画像読取素子はトップゲート電極およびボトムゲート電極を有する光電変換型の薄膜トランジスタからなり、前記第２の配線は前記薄膜トランジスタのトップゲート電極に接続されたトップゲートラインであり、前記第３の配線は前記トップゲートラインの一端部に接続された引き回し線であることを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記コンタクト部は、端面が前記基板の端面から露出された第１の配線と、前記第１の配線下の同一層上に絶縁膜を介して設けられた第２の配線および第３の配線とを接続するものであることを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明は、請求項１１に記載の発明において、前記第３の配線は、一方向に延びる一の配線および該一の配線の一端部から前記基板の端面に対して離間する方向に延びる他の配線を有し、前記他の配線は前記第１の配線と重なり合う位置に設けられ、前記コンタクト部は、前記第１の配線の一端部、前記第２の配線の一端部および前記他の配線の先端部を接続するものであることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記第１の配線はＩＴＯからなることを特徴とするものである。
請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の発明において、前記第１の配線は前記基板の端面近傍で切断されていることを特徴とするものである。
請求項１５に記載の発明は、請求項１１〜１４のいずれかに記載の発明において、前記画像読取素子はトップゲート電極およびボトムゲート電極を有する光電変換型の薄膜トランジスタからなり、前記第２の配線は前記薄膜トランジスタのボトムゲート電極に接続されたボトムゲートラインであり、前記第３の配線は前記ボトムゲートラインの一端部に接続された引き回し線であることを特徴とするものである。
請求項１６に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記シール材を含む前記基板は、前記基板上の前記画像読取領域に対応する部分に開口部を有するケース内に設けられ、前記シール材は、前記ケースの開口部の周囲からなるシール材押さえ部によって押さえ付けられていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
この発明によれば、基板上の画像読取領域の外側に、基板上の異なる層上に設けられた配線同士を接続するための複数の上下導通用のコンタクト部を設け、基板上の画像読取領域の外側にシール材をコンタクト部を覆うように設けているので、シール材で覆われたコンタクト部に水分に起因する電食が生じにくいようにすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての画像読取装置の要部の断面図を示す。この画像読取装置は、ステンレス鋼等からなる上部ケース１および下部ケース２を備えている。上部ケース１には方形状の開口部３およびフレキシブル配線基板挿通用切欠部４が設けられている。開口部３の周囲における上部ケース１は下方に向かってほぼへ字状に折り曲げられ、この折り曲げられた部分の先端部はシール材押さえ部５となっている。
【００１２】
両ケース１、２内には、下から順に、フレキシブル配線基板６、平面型のバックライト７および画像読取パネル８が設けられている。平面型のバックライト７は、図示しないＬＥＤ等の光源と導光板とから構成される。画像読取パネル８は、後で詳述するが、ガラス基板９とガラス基板９上に設けられた薄膜トランジスタ型の光電変換素子を含む画像読取部８ａと画像読取部８ａの画像読取領域上に設けられた平面方形状の静電気保護用透明導電膜１０とを有する。この場合、静電気保護用透明導電膜１０の周囲におけるガラス基板９上にはアクリル系樹脂シート等からなる方形枠状のシール材１１が設けられ、シール材１１の外側におけるガラス基板９上の所定の１箇所には駆動回路用半導体素子１２が搭載されている。
【００１３】
画像読取パネル８のシール材１１の上面は上部ケース１のシール材押さえ部５によって押さえ付けられている。画像読取パネル８の静電気保護用透明導電膜１０は上部ケース１の開口部３を介して露出されている。そして、上部ケース１の開口部３を介して静電気保護用透明導電膜１０の上面に指紋読み取りのために接触された指が静電気を帯びているとき、その静電気を静電気保護用透明導電膜１０を介して逃がすようになっている。
【００１４】
フレキシブル配線基板６の一端部は、バックライト７および画像読取パネル８の側面に沿うように折り曲げられた後に、画像読取部８ａ上の一端部に異方性導電接着剤（図示せず）を介して接合されている。フレキシブル配線基板６の他端部は、上部ケース１のフレキシブル配線基板挿通用切欠部４を介して両ケース１、２の外部に突出されている。バックライト７は、フレキシブル配線基板６に電気的に接続され、その上面から出射される光を画像読取パネル８の下面に照射するようになっている。
フレキシブル配線板６には、制御信号用およびデータ信号用の多数の配線と共に、接地用の配線も設けられており、接地用の配線は、図示はしないが、導電性接着剤等により下部ケース２に接合されている。また、静電気保護用透明導電膜１０は、上記のようなフレキシブル配線板６の接地用の配線に接続されている。
【００１５】
次に、図２は画像読取パネル８を説明するために示すもので、完成された画像読取パネル８を複数個形成することが可能な面積を有するガラス基板９上に画像読取部８ａおよび静電気保護用透明導電膜１０等が形成された状態における等価回路的平面図を示す。完成された画像読取パネル８を複数個形成することが可能な面積を有するガラス基板９は、画像読取部８ａが形成された後、最終的には、画像読取部８ａと共に、一点鎖線で示す格子状のカットライン２１に沿って切断されることにより、カットライン２１で囲まれた単体形成領域２２からなる各単体に分断されるようになっている。
【００１６】
画像読取部８ａの各単体形成領域２２の周囲の格子状の余剰領域２３には、行方向に延びる第１のショートバー２４および列方向に延びる第２のショートバー２５が全体として格子状に設けられている。この場合、第１のショートバー２４および第２のショートバー２５は、後述する如く、異なる層上に設けられ、互いに交差するだけで接続されていない。
【００１７】
単体形成領域２２の図２における上側の中央部（画像読取領域）上には平面方形状の静電気保護用透明導電膜１０が設けられている。静電気保護用透明導電膜１０下には光電変換素子（画像読取素子）としての複数の薄膜トランジスタ２６がマトリックス状に配置されている。薄膜トランジスタ２６は、その具体的な構造については後で説明するが、トップゲート電極２７、ボトムゲート電極２８、ドレイン電極２９およびソース電極３０を備えている。
【００１８】
静電気保護用透明導電膜１０下には、行方向に配置され、薄膜トランジスタ２６のトップゲート電極２７に接続された複数のトップゲートライン３１と、行方向に配置され、薄膜トランジスタ２６のボトムゲート電極２８に接続された複数のボトムゲートライン３２と、列方向に配置され、薄膜トランジスタ２６のドレイン電極２９に接続された複数のドレインライン３３と、列方向に配置され、薄膜トランジスタ２６のソース電極３０に接続された複数のソースライン３４とが設けられている。
【００１９】
各トップゲートライン３１の左端部は、静電気保護用透明導電膜１０の左側に設けられた白丸で示すトップゲート用コンタクト部３５およびその左側に設けられた引き出し線３６を介して、その左側の第２のショートバー２５に接続されている。各ボトムゲートライン３２の右端部は、静電気保護用透明導電膜１０の右側に設けられた白丸で示すボトムゲート用コンタクト部３７およびその右側に設けられた引き出し線３８を介して、その右側の第２のショートバー２５に接続されている。
【００２０】
各ドレインライン３３の上端部は、静電気保護用透明導電膜１０の上側に設けられた白丸で示すドレイン用コンタクト部３９およびその上側に設けられた引き出し線４０を介して、その上側の第１のショートバー２４に接続されている。各ソースライン３４の上端部は、ソース用コンタクト部３９の上側に行方向に延びて設けられた共通引き回し線４１に接続されている。共通引き回し線４１の両端部は白丸で示すソース用コンタクト部４２に接続されている。
【００２１】
単体形成領域２２内において静電気保護用透明導電膜１０の下側には、点線で示す１つの駆動回路用半導体素子搭載領域４３が設けられている。駆動回路用半導体素子搭載領域４３内の左側の上側および下側には、それぞれ、トップゲート用出力端子４４およびトップゲート用入力端子４５が設けられている。駆動回路用半導体素子搭載領域４３内の中央部の上側および下側には、それぞれ、ドレイン用出力端子４６およびドレイン用入力端子４７が設けられている。駆動回路用半導体素子搭載領域４３内の右側の上側および下側には、それぞれ、ボトムゲート用出力端子４８およびボトムゲート用入力端子４９が設けられている。
【００２２】
トップゲート用出力端子４４は、その上側に設けられた引き回し線５０を介してトップゲート用コンタクト部３５に接続されている。ドレイン用出力端子４６は、その上側に設けられた引き回し線５１を介してドレインライン３３の下端部に接続されている。ボトムゲート用出力端子４８は、その上側に設けられた引き回し線５２を介してボトムゲート用コンタクト部３７に接続されている。
【００２３】
各入力端子４５、４７、４９は、その下側に設けられた各引き回し線５３、５４、５５、各外部接続端子５６、５７、５８および各引き出し線５９、６０、６１を介して、その下側の第１のショートバー２４に接続されている。静電気保護用透明導電膜１０の所定の２箇所は、その下側に設けられた引き回し線６２、外部接続端子６３および引き出し線６４を介して、その下側の第１のショートバー２４に接続されている。２つのソース用コンタクト部４２は、その下側に設けられた引き回し線６５、外部接続端子６６および引き出し線６７を介して、その下側の第１のショートバー２４に接続されている。
【００２４】
次に、図２に示すものの一部の具体的な構造の一例について説明する。まず、薄膜トランジスタ２６の部分について、図３に示す図２のIII−III線断面図を参照して説明する。ガラス基板９の上面の所定の箇所にはクロムからなるボトムゲート電極２８および該ボトムゲート電極２８に接続されたボトムゲートライン３２が設けられている。ボトムゲート電極２８およびボトムゲートライン３２を含むガラス基板９の上面には窒化シリコンからなるボトムゲート絶縁膜７１が設けられている。
【００２５】
ボトムゲート電極２８上におけるボトムゲート絶縁膜７１の上面の所定の箇所には真性アモルファスシリコンからなる半導体薄膜７２が設けられている。半導体薄膜７２の上面中央部には窒化シリコンからなるチャネル保護膜７３が設けられている。チャネル保護膜７３の上面両側およびその両側における半導体薄膜７２の上面にはｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層７４、７５が設けられている。
【００２６】
一方のオーミックコンタクト層７４の上面およびボトムゲート絶縁膜７１の上面の所定の箇所にはクロムからなるドレイン電極２９および該ドレイン電極２９に接続されたドレインライン３３が設けられている。他方のオーミックコンタクト層７５の上面およびボトムゲート絶縁膜７１の上面の所定の箇所にはクロムからなるソース電極３０および該ソース電極３０に接続されたソースライン３４が設けられている。ドレイン電極２９およびソース電極３０等を含むボトムゲート絶縁膜７１の上面には窒化シリコンからなるトップゲート絶縁膜７６が設けられている。
【００２７】
半導体薄膜７２上におけるトップゲート絶縁膜７６の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなるトップゲート電極２７が設けられている。トップゲート絶縁膜７６の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなるトップゲートライン３１がトップゲート電極２７に接続されて設けられている。トップゲート電極２７およびトップゲートライン３１を含むトップゲート絶縁膜７６の上面には窒化シリコンからなるオーバーコート膜７７が設けられている。オーバーコート膜７７の上面の所定の箇所にはＩＴＯからなる静電気保護用透明導電膜１０が設けられている。
【００２８】
ここで、ダブルゲート型の薄膜トランジスタ２６は、ボトムゲート電極２８、ボトムゲート絶縁膜７１、半導体薄膜７２、チャネル保護膜７３、オーミックコンタクト層７４、７５、ドレイン電極２９、ソース電極３０、トップゲート絶縁膜７６およびトップゲート電極２７により構成されている。
【００２９】
次に、図２に示すトップゲート用コンタクト部３５の部分について、図４に示す図２のIV−IV線断面図を参照して説明する。トップゲート用コンタクト部３５の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなる引き回し線（第３の配線）５０の一端部に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる第２のショートバー２５から引き出された引き出し線（第１の配線）３６の一端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール８１を介して接続されている。
【００３０】
また、引き出し線３６の一端部に、トップゲート絶縁膜７６の上面に設けられたＩＴＯからなるトップゲートライン（第２の配線）３１の一端部がトップゲート絶縁膜７６に設けられたコンタクトホール８２を介して接続されている。この場合、図２に示すように、引き出し線３６とソース用の引き回し線６５とが互いに交差しているが、図４に示すように、その間にボトムゲート絶縁膜７１が介在するため、ショートすることはない。
【００３１】
次に、図２に示すボトムゲート用コンタクト部３７の部分について、図５に示す図２のＶ−Ｖ線断面図を参照して説明する。ボトムゲート用コンタクト部３７の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなるボトムゲートライン（第２の配線）３２および引き回し線（第３の配線）５２の互いに接続された共通一端部に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる第２のショートバー２５から引き出された引き出し線（第１の配線）３８の一端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール８３を介して接続されている。この場合、図２に示すように、引き出し線３８とソース用の引き回し線６５とが互いに交差しているが、図５に示すように、その間にボトムゲート絶縁膜７１が介在するため、ショートすることはない。
【００３２】
次に、図２に示すドレイン用コンタクト部３９の部分について、図６に示す図２のVI−VI線断面図を参照して説明する。ドレイン用コンタクト部３９の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなる第１のショートバー２４から引き出された引き出し線４０の一端部に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなるドレインライン３３の一端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール８４を介して接続されている。この場合、図２に示すように、引き出し線４０とソース用の共通引き回し線４１とが互いに交差しているが、図６に示すように、その間にボトムゲート絶縁膜７１が介在するため、ショートすることはない。
【００３３】
次に、図２に示すソース用コンタクト部４２の部分について、図７に示す図２のVII−VII線断面図を参照して説明する。ソース用コンタクト部４２の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなる引き回し線６５の一端部に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる共通引き回し線４１の両端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール８５を介して接続されている。この場合も、共通引き回し線４１とドレイン用の引き出し線４０とは、その間にボトムゲート絶縁膜７１が介在するため、ショートすることはない。
【００３４】
ここで、図２において、ガラス基板９等を一点鎖線で示すカットライン２１に沿って切断すると、単体化された複数個の画像読取パネル８が得られる。この後、駆動回路用半導体素子搭載領域４３に駆動回路用半導体素１２（図１参照）を搭載し、静電気保護用透明導電膜１０の周囲における画像読取部８ａ（オーバーコート膜７７）上にアクリル系樹脂シート等からなる方形枠状のシール材１１（図１参照）を設けると、図１に示す画像読取パネル８が得られる。
【００３５】
そして、画像読取部８ａの外部接続端子５６、５７、５８、６３、６６の部分にフレキシブル配線基板６の一端部を異方性導電接着剤（図示せず）を介して接合し、両ケース１、２内に、下から順に、フレキシブル配線基板６、バックライト７および画像読取パネル８を収容し、フレキシブル配線基板６の他端部を上部ケース１のフレキシブル配線基板挿通用切欠部４を介して両ケース１、２の外部に突出させ、且つ、上部ケース１のシール材押さえ部５を画像読取パネル８のシール材１１の上面に押さえ付けると、図１に示す画像読取装置が得られる。この場合、共通引き回し線４１および引き回し線６５は、外部接続端子６６に接続されたフルキシブル配線基板６の接地用の配線によって接地される。
【００３６】
ところで、単体化された画像読取パネル８では、図２を参照して説明すると、各コンタクト部３５、３７、３９、４２が静電気保護用透明導電膜１０の左辺、右辺および上辺の外側に配置されている。そして、これらのコンタクト部３５、３７、３９、４２を、静電気保護用透明導電膜１０の周囲における画像読取部８ａ（オーバーコート膜７７）上に設けられた図１に示す方形枠状のシール材１１によって覆うと、上下導通用のコンタクト部３５、３７、３９、４２に水分に起因する電食が生じにくいようにすることができる。
【００３７】
ところで、図２において、画像読取部８ａおよびガラス基板９等を一点鎖線で示すカットライン２１に沿って切断すると、特に、トップゲート用の引き出し線３６およびボトムゲート用の引き出し線３８の切断面（端面）がガラス基板９の切断面（端面）から露出される。この場合、引き出し線３６、３８は腐食しやすいクロムによって形成されているので、その露出部分が腐食するおそれがある。そして、このような腐食が進行すると、コンタクト部３５、３７で断線が生じてしまう。そこで、以下に、コンタクト部３５、３７で断線が生じにくいようにすることができるこの発明の第２〜第５実施形態について説明する。
【００３８】
（第２実施形態）
図８（Ａ）はこの発明の第２実施形態におけるトップゲート用コンタクト部３５の部分の等価回路的平面図を示し、図８（Ｂ）はそのVIIIB−VIIIB線に沿う断面図を示す。このトップゲート用コンタクト部３５の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなる引き回し線（第３の配線）５０は、図８（Ａ）において列方向に延びる第１の引き回し線（一の配線）５０ａと、第１の引き回し線５０ａの一端部からカットライン２１（ガラス基板９の端面）に対して離間する方向に延びる第２の引き回し線５０ｂとからなっている。この場合、第２の引き回し線５０ｂは、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる引き出し線（第１の配線）３６と重なり合う位置に設けられている。
【００３９】
そして、第２の引き回し線５０ｂの先端部に引き出し線３６の一端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール９１を介して接続されている。また、引き出し線３６の一端部に、トップゲート絶縁膜７６の上面に設けられたＩＴＯからなるトップゲートライン（第２の配線）３１の一端部がトップゲート絶縁膜７６に設けられたコンタクトホール９２を介して接続されている。この場合、図８（Ａ）に示すように、トップゲート用コンタクト部３５の全ては列方向に延びる一直線上（例えば、図１に示すシール材１１の幅方向中心部下）に配置されている。
【００４０】
つまり、図２に示された第１実施形態においては、引き回し線５０は、図２における垂直方向（上下方向）に延出され、一端部が、直接、トップゲート用コンタクト部３５に引き出されているのに対し、図８（Ａ）、（Ｂ）に示された第２実施形態においては、引き出し線５０は、図２における垂直方向（上下方向）に延出され（この部分が第１の引き回し線５０ａである）、引き出し線３６と重なる位置で９０度屈曲され、引き出し線３６と重合して水平方向（左右方向）に延出され（この部分が第２の引き回し線５０ｂである）、その一端部がトップゲート用コンタクト部３５に引き出されているのである。換言すれば、図８（Ａ）、（Ｂ）に示された第２実施形態の場合、図２に示された第１実施形態の場合よりも、トップゲート用コンタクト部３５が引き出し線３６の第２の引き回し線５０ｂの長さだけ、図２における右方向に移動したものである。
【００４１】
さて、画像読取部８ａおよびガラス基板９等を一点鎖線で示すカットライン２１に沿って切断すると、クロムからなる引き出し線３６の切断面がガラス基板９の切断面から露出される。そして、この露出された引き出し線３６の部分が腐食し、この腐食が進行しても、トップゲート用コンタクト部３５が引き出し線３６の第２の引き回し線５０ｂの長さ分だけ、図２における右方向によっているので、図２および図４に示す場合と比較して、第２の引き回し線５０ｂの長さに対応する引き出し線３６の長さ分だけ、トップゲート用コンタクト部３５で断線が生じにくいようにすることができる。この場合、引き出し線３６の第２の引き回し線５０ｂは、引き出し線３６と重合しているので、開口率の低減はないかあるいは小さくて済む。
【００４２】
次に、図９（Ａ）はこの発明の第２実施形態におけるボトムゲート用コンタクト部３７の部分の等価回路的平面図を示し、図９（Ｂ）はそのIXB−IXB線に沿う断面図を示す。このボトムゲート用コンタクト部３７の部分では、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなる引き回し線（第３の配線）５２は、図９（Ａ）において列方向に延びる第１の引き回し線（一の配線）５２ａと、第１の引き回し線５２ａの一端部からカットライン２１（ガラス基板９の端面）に対して離間する方向に延びる第２の引き回し線５２ｂとからなっている。この場合、第２の引き回し線５２ｂは、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる引き出し線（第１の配線）３８と重なり合う位置に設けられている。
【００４３】
そして、ガラス基板９の上面に設けられたクロムからなるボトムゲートライン（第２の配線）３１の一端部と第２の引き回し線５２ｂの先端部とからなる互いに接続された共通部分に引き出し線３８の一端部がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール９３を介して接続されている。この場合、図９（Ａ）に示すように、ボトムゲート用コンタクト部３７の全ては列方向に延びる一直線上（例えば、図１に示すシール材１１の幅方向中心部下）に配置されている。
【００４４】
さて、ガラス基板９等を一点鎖線で示すカットライン２１に沿って切断すると、クロムからなる引き出し線３８の切断面がガラス基板９の切断面から露出される。そして、この露出された引き出し線３８の部分が腐食し、この腐食が進行しても、図２および図５に示す場合と比較して、第２の引き回し線５２ｂの長さに対応する分だけ、ボトムゲート用コンタクト部３７で断線が生じにくいようにすることができる。
【００４５】
（第３実施形態）
図１０（Ａ）はこの発明の第３実施形態におけるトップゲート用コンタクト部３５の部分の等価回路的平面図を示し、図１０（Ｂ）はそのＸB−ＸB線に沿う断面図を示す。このトップゲート用コンタクト部３５の部分において、図８（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、トップゲート絶縁膜７６の上面に、クロムよりも腐食しにくいＩＴＯからなる第２のショートバー２５およびそれから引き出された引き出し線３６を設けた点である。この場合、引き出し線３６の一端部は、トップゲート絶縁膜７６の上面に設けられたＩＴＯからなるトップゲートライン３１の一端部に接続されている。
【００４６】
そして、第２の引き回し線５０ｂの一端部に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる中継接続パッド９１がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール９２を介して接続されている。また、中継接続パッド９１に引き出し線３６およびトップゲートライン３１の互いに接続された共通一端部がトップゲート絶縁膜７６に設けられたコンタクトホール９３を介して接続されている。
【００４７】
次に、図１１（Ａ）はこの発明の第３実施形態におけるボトムゲート用コンタクト部３７の部分の等価回路的平面図を示し、図１１（Ｂ）はそのXIB−XIB線に沿う断面図を示す。このボトムゲート用コンタクト部３７の部分において、図９（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、トップゲート絶縁膜７６の上面に、クロムよりも腐食しにくいＩＴＯからなる第２のショートバー２５およびそれから引き出された引き出し線３８を設けた点である。
【００４８】
そして、ボトムゲートライン３２の一端部と第２の引き回し線５２ａの先端部とからなる互いに接続された共通部分に、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなる中継接続パッド９４がボトムゲート絶縁膜７１に設けられたコンタクトホール９５を介して接続されている。また、中継接続パッド９４に引き出し線３８の一端部がトップゲート絶縁膜７６に設けられたコンタクトホール９６を介して接続されている。
【００４９】
次に、図１２はこの発明の第３実施形態におけるドレイン用コンタクト部３９の部分の断面図を示す。このドレイン用コンタクト部３９の部分において、図６に示す場合と異なる点は、トップゲート絶縁膜７６の上面に、クロムよりも腐食しにくいＩＴＯからなる第１のショートバー２４およびそれから引き出された引き出し線４０を設けた点である。そして、ボトムゲート絶縁膜７１の上面に設けられたクロムからなるドレインライン３３の一端部に引き出し線４０の一端部がトップゲート絶縁膜７６に設けられたコンタクトホール９７を介して接続されている。
【００５０】
（第４実施形態）
図１３はこの発明の第４実施形態におけるトップゲート用コンタクト部３５の部分の断面図を示す。このトップゲート用コンタクト部３５の部分において、図１０（Ｂ）に示す場合と異なる点は、カットライン２１の右側におけるオーバーコート膜７７の所定の箇所に開口部９８を設け、開口部９８を介して露出されたＩＴＯからなる引き出し線３６をエッチングして除去し、引き出し線３６を開口部９８の部分で切断した点である。
【００５１】
この場合、ガラス基板９等を一点鎖線で示すカットライン２１に沿って切断し、引き出し線３６の切断面の部分が腐食し、この腐食が進行しても、引き出し線３６がガラス基板９の切断面（端面）近傍で予め切断されているため、腐食がそれ以上進行しないようにすることができる。なお、図１１に示す引き出し線３８および図１２に示す引き出し線４０をカットライン２１（ガラス基板９の切断面（端面））の近傍で予め切断するようにしてもよい。但し、この第４実施形態では、製造工程中における静電気防止機能が多少損なわれる。このため、製造工程中において静電気による弊害の最も小さい引き出し線のみに、この構造を採用することが望ましい。また、合わせて、切断はできるだけ最終工程に近い工程で行う、あるいは、開口部９８の幅は、静電気が開口部を超えて転移できるようにできるだけ小さい寸法とする等も考慮する必要がある。
【００５２】
（第５実施形態）
図１４（Ａ）はこの発明の第５実施形態におけるトップゲート用コンタクト部３５の部分の等価回路的平面図を示し、図１４（Ｂ）はそのXIVB−XIVB線に沿う断面図を示し、図１４（Ｃ）はそのXIVC−XIVC線に沿う断面図を示す。このトップゲート用コンタクト部３５の部分において、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と異なる点は、引き出し線３６を第２の引き回し線５０ｂと平行する位置に設け、引き出し線３６を、一旦、トップゲート用コンタクト部３５を超えて図１４（Ａ）における右方向に延出し、その一端部をトップゲートライン３１の途中に接続させた点である。つまり、引き出し線３６は、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す場合に対し、トップゲートライン３１がトップゲート用コンタクト部３５に達する位置から該引き出し線３６がトップゲートライン３１に接続された位置までの引き出し線分３１ｂの長さ分長く延出されている。
【００５３】
このようにした場合には、図１０（Ａ）、（Ｂ）に示す場合と比較して、引き出し線３６の引き出し線分３１ｂの長さに対応する分だけ引き出し線３６が長くなっており、この引き出し線分３１ｂの長分、引き出し線３６の腐食の進行に起因するトップゲートライン３１における断線をより一層生じにくいようにすることができる。
【００５４】
（その他の実施形態）
上記実施形態では、光電変換素子としてダブルゲート型の薄膜トランジスタを用いた場合について説明したが、これに限らず、フォトダイオードやＣＣＤ等を用いるようにしてもよい。また、画像読取素子としては、光電変換型に限らず、容量検出型や磁電変換型等を用いるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】この発明の第１実施形態としての画像読取装置の要部の断面図。
【図２】図１に示す画像読取パネルを説明するために示すもので、完成された画像読取パネルを複数個形成することが可能な面積を有するガラス基板上に静電保護用の静電気保護用透明導電膜等が形成された状態における等価回路的平面図。
【図３】図２に示す薄膜トランジスタの部分の断面図。
【図４】図２に示すトップゲート用コンタクト部の部分の断面図。
【図５】図２に示すボトムゲート用コンタクト部の部分の断面図。
【図６】図２に示すドレイン用コンタクト部の部分の断面図。
【図７】図２に示すソース用コンタクト部の部分の断面図。
【図８】（Ａ）はこの発明の第２実施形態におけるトップゲート用コンタクト部の部分の等価回路的平面図、（Ｂ）はそのVIIIB−VIIIB線に沿う断面図。
【図９】（Ａ）はこの発明の第２実施形態におけるボトムゲート用コンタクト部の部分の等価回路的平面図、（Ｂ）はそのIXB−IXB線に沿う断面図。
【図１０】（Ａ）はこの発明の第３実施形態におけるトップゲート用コンタクト部の部分の等価回路的平面図、（Ｂ）はそのＸB−ＸB線に沿う断面図。
【図１１】（Ａ）はこの発明の第３実施形態におけるボトムゲート用コンタクト部の部分の等価回路的平面図、（Ｂ）はそのXIB−XIB線に沿う断面図。
【図１２】この発明の第３実施形態におけるドレイン用コンタクト部の部分の断面図。
【図１３】この発明の第４実施形態におけるトップゲート用コンタクト部の部分の断面図。
【図１４】（Ａ）はこの発明の第５実施形態におけるトップゲート用コンタクト部の部分の等価回路的平面図、（Ｂ）はそのXIVB−XIVB線に沿う断面図、（Ｃ）はそのXIVC−XIVC線に沿う断面図。
【符号の説明】
【００５６】
１  上部ケース
２  下部ケース
３  開口部
４  フレキシブル配線基板挿通用切欠部
５  シール材押さえ部
６  フレキシブル配線基板
７  バックライト
８  画像読取パネル
９  ガラス基板
１０  静電気保護用透明導電膜
１１  シール材
１２  駆動回路用半導体素子
２１  カットライン
２２  単体形成領域
２３  余剰領域
２４  第１のショートバー
２５  第２のショートバー
２６  薄膜トランジスタ
２７  トップゲート電極
２８  ボトムゲート電極
２９  ドレイン電極
３０  ソース電極
３１  トップゲートライン
３２  ボトムゲートライン
３３  ドレインライン
３４  ソースライン
３５  トップゲート用コンタクト部
３６  引き出し線
３７  ボトムゲート用コンタクト部
３８  引き出し線
３９  ドレイン用コンタクト部
４０  引き出し線
４１  共通引き回し線
４２  ソース用コンタクト部
４３  駆動回路用半導体素子搭載領域
５０、５１、５２、６２、６５  引き回し線
【図１】
2008210932.tif 000003
【図２】
2008210932.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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