【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明により、ＲＦ発生器のための電源を提供し、電源は、第１スイッチモード電源（ＳＭＰＳ）手段と、ＤＣバス手段によって第１のＳＭＰＳ手段に直列に接続した第２のＳＭＰＳ手段とを含み、コンデンサ手段が、第１のＳＭＰＳ手段の出力の間及び第２のＳＭＰＳ手段の入力の間に接続され、第２のＳＭＰＳ手段の出力が、昇圧変圧器手段の入力に接続され、昇圧変圧器手段の出力が、整流器手段の入力に接続され、整流器手段の出力は、ＲＦ発生器手段に接続可能であり、第１のＳＭＰＳの入力は、ＲＦ発生器に対する作動電圧及びピーク電流レベルを設定するように１次電力入力に接続可能であり、第２のＳＭＰＳは、昇圧変圧器手段に給電し、かつ可変デューティサイクル及び／又は可変周波数で作動してＲＦ発生器の平均電力制御をもたらすように構成される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
有利な態様においては、制御手段は、制御手段によるＲＦ発生器を通じる電力サージの検出時に第２のＳＭＰＳ手段を停止し、その後第２のＳＭＰＳ手段を始動するように構成される。
便利な態様においては、制御手段には、振幅制御手段及びデューティサイクル制御手段が設けられる。
便利な態様においては、電源は、ＲＦ発生器に磁界を印加するための磁界発生手段を更に含み、制御手段は、磁界発生手段を制御するように構成される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
【図１】公知の低電力マグネトロンシステムの回路図である。
【図２】公知の高電力マグネトロンシステムの回路図である。
【図３（ａ１）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図３（ａ２）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図３（ｂ１）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図３（ｂ２）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図３（ｃ１）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図３（ｃ２）】異なるパルスデューティサイクルのＲＦ放射線で材料を照射することの材料の温度変化に対する効果を示す本発明の適用を理解するのに有用な一連のプロットの１つを示す図である。
【図４ａ】高電力ＲＦ発生器のための本発明による電源の回路図である。
【図４ｂ】低電力ＲＦ発生器のための本発明による電源の回路図である。
【図５】異なるデューティサイクルに対して図４ａの回路の第２のＳＭＰＳの２つの出力ポートの間で発生した波形のトレースを示す図である。
【図６】第２のＳＭＰＳからの３相出力のポートの異なる組合せの間で発生した波形のトレースを示す図である。
【図７】本発明による電源を用いたマグネトロンのアーク放電からの復帰を示す第２のＳＭＰＳからの３相出力のポートの異なる組合せの間で発生した波形のトレースを示す図である。
【図８】本発明による電源を用いたマグネトロンのアーク放電からの復帰を示す第２のＳＭＰＳからの単相出力の２つの出力の間で発生した波形のトレースを示す図である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
図では、同じ参照番号は、同じ部分を表している。
図３（ａ１）を参照すると、電力Ｐａｖｅが材料内に供給された場合に、材料の温度は、図３（ａ２）に示しているように、平衡に達するまで最初に立ち上がることになり、材料のピーク温度Ｔｍａｘは、定常状態Ｔｍｅａｎと同じになることになる。
電力が、図３（ｂ１）に示しているようにマグニチュードＰｐｋのパルスの形態で入力され、図１に例示したシステム１００におけるものと同様にデューティサイクルが高い場合には、ある程度の低い温度リップルが発生する可能性があるが、平衡に達した状態で、図３（ｂ２）に示しているように、最大温度Ｔｍａｘは、平均温度Ｔｍｅａｎと実質的に同じになることになる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
しかし、図３（ｃ１）を参照すると、ピーク電力Ｐｐｋが平均電力Ｐａｖｅよりも非常に大きく、例えば、図３（ｃ１）に示しているように１００倍大きくなるように、電源システムが非常に低いデューティサイクルを生じる場合には、材料内の温度は、電源デューティサイクルに続いて有意な熱サイクルを受ける可能性がある。この場合は、図３（ｃ２）に示しているように、最大温度Ｔｍａｘを平均温度Ｔｍｅａｎよりも非常に大きくすることができ、熱パルス中の急激な温度変化（ｄｔ）は、照射を受ける材料内に更に望ましい効果を適切に導入することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
いくつか状況において、高ピーク電力の低デューティサイクルパルスの形態での必要平均電力の送出は、有意な処理の恩典を有することができる。材料との電力結合の特定の特性を有するＲＦ電力を供給源として用いることにより、非常に有用な効果を発生させることができる。これらの効果は、以下のものを含むが、これらに限定されない。
・材料を弱め、切断及び擂り潰しのようなその後の処理を実施するのを非常に容易にする局所熱衝撃、
・化学反応の開始、及び
・材料の本体への損傷を引き起こすことなく細菌の破壊。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
ＳＭＰＳ２（４４）は、パルス幅変調技術によって平均マグネトロン電流を変更するのに用いることができる変圧器に適合する３相の公称矩形パルス駆動波形を生成するように設計される。発生する波形の種類を図５及び図６に示す。
図５は、図４ａの実施形態のＳＭＰＳ２（４４）のＰ１出力とＰ２出力の間の波形を示している。１００％のパルスでは、発生した波形５１は、半サイクル毎に各半サイクルにおいて６０°及び１２０°のところを中心とする正の半サイクルの時間Ｔ１及びＴ２におけるパルス５１１、５１２、及び負の半サイクルの時間Ｔ４及びＴ５におけるパルス５１３、５１４を生じる。図５には、それぞれ６６％及び３３％まで減少したデューティサイクルに関する波形５２及び５３も示している。非常に低いデューティサイクルを得るために、各半サイクルにおける１つのパルスＴ２及びＴ５を停止することができる。波形の周期長を増大することにより（Ｔ0からＴ0+1に）、デューティサイクルは、更に低下することになる。Ｔ１変圧器４５における飽和効果を回避するために、パルス幅は、最大デューティサイクルレベルと同じに留めなければならない。
図６は、図４ａの実施形態のＳＭＰＳ２（４４）の３つの３相出力Ｐ１、Ｐ２、及びＰ３の組合せの間の基本的位相関係を示しており、３相出力を示している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
再度図４ａを参照すると、アノード電流が、Ｒ１抵抗器４１０によってモニタされ、信号が、制御線ｃ４を通じて主制御盤４１３に入力され、出力信号が、制御線ｃ２を通じてＳＭＰＳ２（４４）に出力される。ＳＭＰＳ２のデューティサイクルを変更することにより、パルス負荷出力、及び従ってＳＭＰＳ２からの平均電力が変更される。デューティサイクル制御器４１４の主制御盤４１３への入力は、要求デューティサイクルを設定することを可能にする。マグネトロンは、少なくとも一部の他のマイクロ波電力発生器とは異なり、平均電力が増大すると共に加熱器電圧を低下させることを必要とする。主制御盤４１３は、マグネトロン４８の加熱器に電気結合された加熱器Ｔ２変圧器４７への出力を有する加熱器電源４１５を制御する制御信号を制御線ｃ３上に出力することによってこの機能も実施する。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
Ｒ１抵抗器４１０によってモニタされる電流の鋭い増大として検出される負荷障害の際には、ＳＭＰＳ２（４４）の出力は、主制御盤４１３によって即座に停止されるように構成される。図７は、障害がＴfにおいて発生し、障害が発生するパルスが時間Ｔfに実線で示しているように即座に終了される上述の効果を示している。この処理は、１μｓｅｃから２μｓｅｃという短い期間内に行うことができる。パルスの迅速な終了、及びＢＲ１（４６）からの整流された出力に対していかなるフィルタリング構成要素も用いられないということにより、マグネトロン４８を通じて障害によって発射されるエネルギが非常に低く、マグネトロン内でいかなる損傷効果も発生しないことが保証される。通常作動の復元は、必要に応じて、次のパルスＴｒ1になるはずであったものに対して試みることができる。代替的に、デューティサイクル内の同じ位置で再始動するように小さい遅延Ｔｒ2を経過させることができ、及び／又はより低いピーク又は平均電力において再始動を試ることができる。デューティサイクル内の同じ位置で再始動することにより、位相関係が維持されて変圧器の飽和が回避されることが保証される。これらの選択肢の両方とも、いかなる既存の方法よりも迅速な電力回復を可能にする。これらの選択肢はまた、処理作動が大きく中断されないような障害復帰の最終処理へのリンクを可能にする。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
好ましくは、Ｔ１変圧器４５は、整流器に給電を行う高周波変圧器に一般的な方式で設計される。芯及び銅損失の低い数値への通常の変圧器設計要件に加えて、低い漏れインダクタンスも望ましい特徴である。
高電力システムでは、ある一定の用途に対する典型的な値の組は、６５ｋＷから７０ｋＷのピークＲＦ出力に対して４Ａのピークでの２０ｋＶで作動するマグネトロンに対するＣ１電圧８００Ｖである。デューティサイクルは、３５ｋＷの平均出力電力に対して５０％である。ＳＭＰＳ１及びＳＭＰＳ２に対する作動周波数は、４、０００ｐｐｓである。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図４ｂの低電力実施形態のＳＭＰＳ２の端子Ｐａ〜Ｐｂから生じる波形は、図４ａの３相バージョンよりも遥かに単純であり、これを図８に示しており、同図には負荷障害下の挙動も示している。
低電力システムでは、ある一定の用途に対する典型的な値の組は、２００Ｗ前後のピークＲＦ出力に対して０．１５Ａのピークでの２ｋＶで作動するマグネトロンに対するＣ１電圧４００Ｖになる。デューティサイクルは、５０Ｗの平均出力電力に対して２５％になる。ＳＭＰＳ１における作動周波数は、好ましくは、１００、０００ｐｐｓであり、ＳＭＰＳ２では、好ましくは、５０、０００ｐｐｓである。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
その概念は、ＤＣバスによって直列に密接にリンクされた２つの個々のスイッチモード電源を用いることである。第１のＳＭＰＳは、１次電力入力に接続され、低い高調波成分で高い力率を維持し、同時にマグネトロン作動電圧及びピーク電流レベルを設定する。第２のＳＭＰＳは、昇圧変圧器に単相又は３相を給電し、平均電力制御を可能にする可変デューティサイクル及び／又は可変周波数で作動する。整流された出力は、フィルタリングなしに直接に負荷管（本詳細説明ではマグネトロンを考えている）に給電される。仮に管がアーク放電しても、第２のＳＭＰＳが非常に迅速に停止して、次のサイクルで再始動することができ、従って、処理の停止時間が最小にされる。２つのＳＭＰＳユニットが制御される方法、及びフィルタ又は平滑化構成要素を用いない整流の使用は新規である。