【手続補正書】
【提出日】平成25年11月7日(2013.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースを処理する方法であって、
前記ワークピースの表面に隣接したプラズマシースを有するプラズマを生成する段階と、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界の形状を制御して、前記形状の一部が前記ワークピースの前記表面に平行とならないようにする段階と、
前記ワークピースの、ある平面に平行な前記表面の第１の部分を前記プラズマにより除去する段階と、
前記ワークピースを、前記平面に平行な方向に回転させる段階と、
前記ワークピースの前記表面の第２の部分を前記プラズマにより除去する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記ワークピースは、前記第１の部分を除去する段階の後、ｖ形状の溝を規定し、前記ワークピースは、前記第２の部分を除去する段階の後、ピラミッド形状の溝を規定する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ワークピースは太陽電池である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ワークピースはＳｉを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の部分を除去する段階および前記第２の部分を除去する段階は、希ガス、Ｈ、Ｎ、およびＦからなる群から選択される種を用いて実行される請求項１に記載の方法。
【請求項６】
回転させる段階は、前記ワークピースを９０°移動（ｔｒａｎｓｌａｔｉｎｇ）させる段階を有する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記プラズマから形成されるイオンは焦点を有し、前記焦点は、前記プラズマシースと前記ワークピースの前記表面との間、または前記ワークピースの前記表面の下方に存在する請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ワークピースを製造する方法であって、
前記ワークピースの表面に隣接したプラズマシースを有するプラズマを生成する段階と、
前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界の形状を制御して、前記形状の一部が前記ワークピースの前記表面に平行とならないようにする段階と、
前記ワークピースの前記表面のある領域を前記プラズマにより除去する段階と、
前記ワークピースの前記領域にドーピングする段階と
を備える方法。
【請求項９】
前記ワークピースは太陽電池である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記太陽電池は、前記表面の上に酸化層および反射防止コーティングを有し、除去する段階は、前記表面の前記領域の上の前記酸化層および前記反射防止コーティングをエッチスルーもしくはスパッタオフする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
除去する段階およびドーピングする段階は、少なくとも部分的に同時に実行される請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
除去する段階およびドーピングする段階は、ＢおよびＰからなる群から選択される第１の種と、ＨｅおよびＦからなる群から選択される第２の種とを用いる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
除去する段階は、希ガス、Ｈ、Ｎ、およびＦからなる群から選択される種を用いて実行される請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
太陽電池を製造する方法であって、
前記太陽電池の表面の少なくとも第１の領域をテクスチャリングする段階と、
前記太陽電池の前記表面にドーパントを注入する段階と、
プラズマシースを有するプラズマを、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の境界の形状を制御して、前記形状の一部が前記太陽電池の前記表面に平行とならないように生成することにより、前記プラズマで、前記太陽電池の前記表面の少なくとも１つの第２の領域を除去する段階と、
前記太陽電池の前記少なくとも１つの第２の領域にドーピングする段階と、
前記少なくとも１つの第２の領域上に金属層を形成する段階と
を備える方法。
【請求項１５】
テクスチャリングする段階は、化学エッチング、プラズマエッチング、レーザテクスチャリング、またはプラズマの使用を含み、前記プラズマと前記プラズマシースとの間の前記境界の前記形状は、前記形状の一部が前記太陽電池の前記表面に平行とならないように調整される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記太陽電池の前記表面の上に、反射防止コーティングを堆積し、酸化層を形成する段階をさらに備える請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの第２の領域を除去する段階は、前記少なくとも１つの第２の領域の上の前記反射防止コーティングおよび前記酸化層を除去する請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
注入する段階は、前記太陽電池に第１のドープ領域を形成し、前記少なくとも１つの第２の領域を除去する段階は、前記少なくとも１つの第２の領域内の前記第１のドープ領域を除去する請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
除去する段階は、希ガス、Ｈ、Ｎ、およびＦからなる群から選択される種を用いて実行される請求項１４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
ワークピース１００の少なくとも１つの領域１１０９が、図１１Ｅでエッチングもしくはスパッタリングされる。１つ以上の領域１１０９をエッチングもしくはスパッタリングしてもよい。領域１１０９のエッチングもしくはスパッタリングにより、ワークピース１００、ＡＲＣ１１０７、酸化層１１０６、および第１のドープ領域１１１２の一部が除去されるが、その他のエッチングもしくはスパッタリング深さも可能である。図１１Ｅのエッチングもしくはスパッタリングでは、Ｈ、Ｎ、Ｈｅもしくはその他の希ガス、その他の不活性ガス、Ｆ、または当業者に周知のその他の種であってよいイオン１１０８が用いられる。一例では、図６から図８と同様の方法でイオン１１０８を用いて、領域１１０９はエッチングもしくはスパッタリングされる。このエッチングもしくはスパッタリングを複数工程実行してｖ形状の溝１１１３を形成してよいが、代わりに、溝もしくはテクスチャ化領域を１つだけ形成してもよい。ＡＲＣ１１０７は、厚さが約４００から８００Åであればよく、この厚さはイオン１１０８によってエッチスルーもしくはスパッタオフされる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次に、図１１Ｆで領域１１０９をドーピングする。ドーパント１１１０は、Ｂ、Ａｓ、Ｐ、Ｇａ、Ａｌ、または当業者に周知のその他のドーパントであってよい。たとえば、プラズマドーピング型もしくはビームライン型のイオン注入機を用いて、絶縁性調整器１０１によりプラズマシースを調整することにより、またはドーパントを拡散させることにより、ドーパント１１１０を注入してよい。酸化層１１０６およびＡＲＣ１１０７は、第２のドープ領域１１１１だけが形成されるようにマスクとして機能してよい。ドーパント１１１０は、酸化層１１０６およびＡＲＣ１１０７の存在により、ワークピース１００のその他の領域には注入されない。次に、図１１Ｇで、領域１１０９内には、第２のドープ領域１１１１上に金属層１１１４が形成される。この金属層１１１４は、太陽電池のコンタクトであってよく、第２のドープ領域１１１１によって電荷収集が補助される。金属層１１１４は、たとえば、スクリーン印刷、インクジェット処理、または電気めっきを用いて形成してよい。金属層１１１４は、第２のドープ領域１１１１と位置合わせされる。電気めっきを用いて金属層１１１４を形成する場合、リソグラフィ工程および洗浄工程が必要でなくなるかもしれない。図１０Ａから１０Ｃでのように、イオン１１０８およびドーパント１１１０は、少なくとも部分的に同時に、注入、エッチング、もしくはスパッタリングされる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１Ｇ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１Ｇ】
2013516071.tif 000001