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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいてＣＳＧ（ｃｌｏｓｅｄ  ｓｕｂｓｃｒｉｂｅｒ  ｇｒｏｕｐ）に関連したフェムトセルを運営する方法であって、
特定端末グループに属するＣＳＧ端末、及び前記特定端末グループに含まれないｎｏｎ−ＣＳＧ端末にサービスを提供する第１運営モードから、前記ＣＳＧ端末にのみサービスを提供する第２運営モードへの変更がトリガー（ｔｒｉｇｇｅｒ）される段階と、
前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末に運営モードの変更を指示し、前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末にハンドオーバーを指示し前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末に対して設定された接続を維持させる段階と、
を含む、無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項２】
前記ＣＳＧ端末は、前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末より優先して接続できる接続優先権を有することを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項３】
前記運営モードの変更をフェムトゲートウェイまたはコアネットワークに知らせる段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項４】
マクロセル及びフェムトセルを含む階層的セル構造の無線通信システムにおいてハンドオーバー手順を行う方法であって、
ハンドオーバー基準を判断する段階と、
前記ハンドオーバー基準に基づいてハンドオーバーを決定し、マクロセルまたは隣接フェムトセルにハンドオーバー手順を行う段階と、
を含み、
前記ハンドオーバー基準は、接続しているフェムトセルの電源が消えた状態、接続されたフェムトセルのデータ率が臨界値以下であるか否か、及びフェムトセルのサービス政策の少なくとも一つである、ハンドオーバー手順を行う方法。
【請求項５】
前記運営モードの変更は前記ＣＳＧ端末の要請により行われることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項６】
前記運営モードの変更は前記セルのサービス状況の変化によるか前記セルの運営者の政策に依ることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項７】
前記運営モードの変更は前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末のためのサービスが前記ＣＳＧ端末のためのサービスに影響を及ぶ場合になることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項８】
前記運営モードの変更はセル識別子（ｃｅｌｌ  ＩＤ）及びＣＳＧ識別子（ＣＳＧ  ＩＤ）を含むメッセージを通じて指示されることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項９】
前記運営モードの変更は既に設定された時間以降に変更があることを指示する放送メッセージを通じて指示されることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項１０】
前記運営モードの変更は前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末にユニキャストメッセージを伝送する方式で指示されることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項１１】
前記セルは前記ＣＳＧ端末と前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末と通信可能のフェムトセルであることを特徴とする、請求項１に記載の無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【請求項１２】
ＣＳＧに関連したセルを含む無線通信システムで動作する装置において、
特定端末グループに属するＣＳＧ端末、及び前記特定端末グループに含まれないｎｏｎ−ＣＳＧ端末にサービスを提供する第１運営モードから、前記ＣＳＧ端末にのみサービスを提供する第２運営モードへの変更をトリガー（ｔｒｉｇｇｅｒ）する第１モジュールと、
前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末に運営モードの変更を指示し、前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末にハンドオーバーを指示し前記ｎｏｎ−ＣＳＧ端末に対して設定された接続を維持させる第２モジュールを含む、無線通信システムにおける装置。
【請求項１３】
ＣＳＧに関連したフェムトセルにより行うフェムトセル運営する方法において、
前記フェムトセルに接続された全端末（ＵＥ）が、端末アイドルモード（ｉｄｌｅ  ｍｏｄｅ）または端末スリープモード（ｓｌｅｅｐ  ｍｏｄｅ）に進入する場合、または前記フェムトセルのサービス領域内に端末が存在しない場合に、前記フェムトセルがアクティブ状態モードからアイドルモードまたスリープモードに進入する段階と、
前記フェムトセルに属する端末、またはフェムトゲートウェイまたはコアネットワークから前記アクティブ状態モードへの切替を要請する要請メッセージを前記フェムトセルが受信する段階と、
前記要請メッセージにより前記フェムトセルが前記アクティブ状態モードに進入する段階を含むが、
前記アイドルモードまたスリープモードのフェムトセルは既に設定された周期ことに起きることを特徴とする、無線通信システムにおけるフェムトセルの運営方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石を自動制御して超伝導体表面近傍に磁束の波を発生させることで、超伝導体の磁化を変化させる方法。
【請求項２】
前記超伝導体が強磁性またはフェリ磁性の材料を含む磁気回路内に設置され、前記方法は前記磁化の前記変化の間または後に前記磁気回路を調整することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記調整が前記強磁性またはフェリ磁性の材料の温度を制御することでなされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記調整が、前記強磁性またはフェリ磁性の材料のキューリー温度を超えるまで前記材料を加熱することにより、前記磁気回路を開放することを含む、請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記磁石の前記自動制御が前記超伝導体表面近傍に磁束の定常波を生成する、請求項１〜４のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
【請求項６】
波の上昇時間と下降時間とが異なる、請求項１〜５のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
【請求項７】
波が印加される周期は、定常波印加の時間間隔とは10％、50％、100％、または200％以上異なる、請求項１〜６のいずれかに記載の超伝導体の磁化を変化させる方法。
【請求項８】
前記磁石が電磁石であり、前記超伝導体の前記磁化が、前記超伝導体の前記表面にて、前記超伝導体により生成される磁場が前記磁化の前記増加の間に前記電磁石により印加される最大磁場よりも大きくなるように、前記電磁石により増加される、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記磁石は電磁石であり、前記制御は、前記磁界が時間的に変化する振幅を有する周期波形を持つように、前記電磁石により印加される磁界を制御することを含み、前記振幅は、時間と共に減少する、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
超伝導体の磁化を変化させる装置であって、磁石を自動制御して前記超伝導体表面近傍に磁束の波を生成する手段を備える、装置。
【請求項１１】
さらに磁気回路を備え、前記超伝導体が前記磁気回路内に設置され、前記装置はさらに前記磁化の前記変化の間または後に前記磁気回路の磁気抵抗を調整する手段を備える、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記磁石が電磁石であり、前記装置は、前記電磁石により印加される磁界が時間的に変化する振幅を有する周期波形を持つように、前記磁界を制御する手段を備える、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
磁石を自動制御して前記超伝導体表面近傍に磁束の波を生成する前記手段が、前記超伝導体表面近傍に磁束の定常波を生成する手段を含む、請求項１０、１１または１２に記載の装置。
【請求項１４】
請求項１０、１１、１２または１３の装置を含む磁気画像装置。
【請求項１５】
変動磁束の前記波は時間と共に減少する振幅を有し、前記超伝導体の前記磁化を前記変化させることが前記超伝導体を磁化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
超伝導体の磁化を変化させる装置であって、変動磁束の波を印加する手段を備え、変動磁束の前記波は時間と共に減少する振幅を持つ、装置。
【請求項１７】
さらに磁気回路を備え、前記超伝導体は前記磁気回路内に設置され、前記装置はさらに前記超伝導体の磁化の間または後に前記磁気回路の磁気抵抗を調整する手段を備える、請求項１６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージを移動させる方法であって、
第１方向にクリアランス高さを通ってステージを加速することと、
前記クリアランス高さを通って前記加速することの後に、前記第１方向に前記ステージを減速しながら第２方向に前記ステージを加速することと、
第３方向に前記ステージを移動させることと
を含み、前記第１方向は、前記第２方向に垂直であり、前記第３方向に平行かつ前記第３方向と逆である、方法。
【請求項２】
前記加速することは、前記第１方向の前記ステージの総移動距離の約３分の２の加速距離にわたって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記減速することは、前記第１方向の前記ステージの総移動距離の約３分の１の減速距離にわたって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記減速することは、前記第１方向の前記ステージの加速距離の最大で２分の１の減速距離にわたって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クリアランス高さは距離値であり、前記ステージは別のコンポーネントとの接触を引き起こさずに前記第２方向に移動することができる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
別のコンポーネントはプローブカードまたはプローブピンである、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記クリアランス高さと接触位置との差は、少なくとも１２５マイクロメートルであるクリアランス間隔距離である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第３方向に前記ステージをさらに引き続き移動させる前に前記ステージの前記第２方向の移動が閾値未満であるかどうかを判定する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記加速することおよび前記減速することは、最大可能加速率および最大可能減速率で行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記減速することは、前記クリアランス高さを通って加速した後に、少なくとも１つのモータのパラメータを調整し、前記第１方向に前記ステージを惰行させることによって実現される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
命令のシーケンスを表すデータが記憶された機械読取可能媒体であって、コンピュータシステムによって実行された際に、前記コンピュータシステムに
第１方向にクリアランス高さを通ってステージを加速することと、
前記クリアランス高さを通って前記加速することの後に、前記第１方向に前記ステージを減速しながら第２方向に前記ステージを加速することと、
第３方向に前記ステージを移動させることと
を含み、前記第１方向は前記第２方向に垂直であり、前記第３方向に平行かつ前記第３方向と逆である、方法を行わせる、機械読取可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月23日(2012.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークにおいてルーティングする方法であって、
第２のノードへの第１のノードの登録に対応する期間を、前記期間の開始時の時間間隔が前記期間の後半の時間間隔より短い継続時間を有するような一連の時間間隔に分割するステップと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの間の通信パスに関連するコストであって、前記一連の時間間隔における後続の時間間隔に対して値が増加するコストを指定する計測値を前記時間間隔の各々に割り当てるステップと、
前記時間間隔の各々の間に、少なくとも１つのメッセージが同報通信される時間間隔と関連付けられる前記計測値を含む前記メッセージを前記第２のノードにより同報通信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記期間は、
前記一連の時間間隔の開始時のｎ個の第１の時間増分及び前記一連の時間間隔の終了時のｘ個の第２の時間間隔に分割され、
ｎ＋ｘは、前記一連の時間間隔における間隔の合計数ｚに等しく、
前記第１の時間間隔の各々は、所定の継続時間を有し、前記第２の時間増分の各々は、ｎ個の第１の時間増分のうちの所定の時間間隔よりも長い継続時間を有する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記時間間隔の前記継続時間は、前記一連の時間間隔にわたり逐次的に増加する
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記計測値を含む前記メッセージは、ルーティングアドバタイズメントである
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ルーティングアドバタイズメントは、
距離ベクトルルーティングプロトコルに準拠する
ことを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記計測値は、ホップ数である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第１のノードは、静的ＩＰアドレスを有する装置に関連付けられる
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記ネットワークは、登録されたノードに対して動的アドレス割り当てを採用する
ことを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
宛先までの通信パスを提供するために他のノードが登録される通信ネットワークにおけるノードであって、
前記ノードは、登録される他のノードまでのパスを提供できるというアドバタイズメントを前記ネットワークを介して同報通信する送信ユニットを含み、
前記アドバタイズメントは、前記他のノードが登録されている期間にわたる一連の時間間隔中に送信されるメッセージを含み、
前記一連の時間間隔の初期の時間間隔は、前記一連の時間間隔の後半の時間間隔よりも短い継続時間を有し、
前記メッセージは、前記他のノードまでのパスと関連するコストを指定する計測値を含み、
前記指定されたコストの値は、前記一連の時間間隔の後続の時間間隔に対して増加する
ことを特徴とするノード。
【請求項１０】
前記時間間隔の前記継続時間は階段関数に準拠し、第１のグループの時間間隔における各時間間隔は第１の継続時間を有し、前記一連の時間間隔の後半の第２のグループの時間間隔における時間間隔は、前記第１の継続時間よりも長い継続時間を有する
ことを特徴とする請求項９記載のノード。
【請求項１１】
前記時間間隔の前記継続時間は、前記一連の時間間隔にわたり逐次的に増加する
ことを特徴とする請求項９記載のノード。
【請求項１２】
前記時間間隔の前記継続時間は、非線形的に増加する
ことを特徴とする請求項１１記載のノード。
【請求項１３】
前記計測値は、ホップ数である
ことを特徴とする請求項９記載のノード。
【請求項１４】
前記他のノードは、
静的ＩＰアドレスを有する装置と関連付けられる
ことを特徴とする請求項９記載のノード。
【請求項１５】
前記ネットワークは、
登録されたノードに対して動的アドレス割り当てを採用する
ことを特徴とする請求項１４記載のノード。
【請求項１６】
前記時間間隔の前記継続時間は、
前記一連の時間間隔の開始と終了との間で単調に増加する
ことを特徴とする請求項９記載のノード。
【請求項１７】
第１のノードが前記第１のノードに対するアクセス権及び前記第１のノードからのアクセス権を提供する２つ以上の他のノードに登録されるネットワークにおける方法であって、
前記第１のノードが登録される前記他のノードの各々において、前記他のノードが前記第１のノードまでのパスを提供できるというアドバタイズメントであり、前記第１のノードが登録されているある期間にわたる一連の時間間隔中に送信されるメッセージを含むアドバタイズメントを同報通信するステップであり、前記一連の時間間隔の初期の時間間隔が前記一連の時間間隔の後半の時間間隔よりも短い継続時間を有し、前記メッセージの各々が前記他のノードまでの前記パスと関連するコストを指定する計測値を含み、前記指定されたコストの値が前記一連の時間間隔における後続の時間間隔に対して増加する、ステップと、
別のノードが前記第１のノードまでのパスを提供できるというアドバタイズメントを前記他のノードの１つにおいて受信すると、前記受信したアドバタイズメントに含まれる前記計測値が前記第１のノードまでのパスに対して前記１つのノードにより同報通信される前記計測値よりも低いコストを指定しているか否かを判定するステップと、
前記受信したアドバタイズメントに含まれる前記計測値が前記１つのノードにより同報通信される前記計測値よりも低いコストを指定している場合、前記１つのノードからの前記アドバタイズメントの前記同報通信を終了するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１８】
第１のノードが前記第１のノードに対するアクセス権及び前記第１のノードからのアクセス権を提供する２つ以上の他のノードに登録されるネットワークにおける方法であって、
前記第１のノードが登録される前記他のノードの各々において、前記他のノードが前記第１のノードまでのパスを提供できるというアドバタイズメントであり、前記第１のノードが登録されているある期間にわたる一連の時間間隔中に送信されるメッセージを含むアドバタイズメントを同報通信するステップであり、前記一連の時間間隔の初期の時間間隔が前記一連の時間間隔の後半の時間間隔より短い継続時間を有し、前記メッセージの各々が前記他のノードまでの前記パスと関連するコストを指定する計測値を含み、前記指定されたコストの値が前記一連の時間間隔における後続の時間間隔に対して増加する、ステップと、
送信側ノードにおいて２つ以上の他のノードから前記アドバタイズメントを受信し、前記受信したアドバタイズメントに含まれる前記計測値それぞれに基づいて前記他のノードのうちの１つを選択するステップと、
前記他のノードのうちの前記選択された１つを介して前記送信側ノードから前記第１のノードにメッセージを送信するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
前記第１のノードは、前記ネットワークにおけるエンドポイントを含み、前記他のノードは、前記ネットワークにおけるアクセスポイントを含む
ことを特徴とする請求項１７又は１８記載の方法。
【請求項２０】
前記第１のノードは、静的アドレスを有し、前記ネットワークは、前記ネットワークのノードにアクセスするために動的アドレス指定を採用する
ことを特徴とする請求項１７又は１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性ポリマー組成物であって、
約１４〜２５重量％の結晶質含有量を有する出発ベース半晶質ポリマーと、
前記ポリマー内に最大で約６０００ｐｐｍの量で分散させた、キサンテンベース分子構造体を有する可塑剤化合物とを含み、
前記ポリマー及び前記可塑剤化合物の混合体では、室温で固化させたときの結晶質相対非晶質相の比率が約０〜１５：８５〜１００であり、前記可塑剤化合物が前記非晶質内に分散されていることを特徴とする組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
キサンテンベース分子構造体を有する前記可塑剤化合物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、少なくとも約４０〜９９％低い結晶化度を示すことを特徴とする組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記半晶質ポリマーが、ポリ乳酸を含むポリアルキルカルボン酸群から選択されることを特徴とする組成物。
【請求項４】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記可塑剤化合物が、少なくとも１つのＲ基を有することを特徴とする組成物。
（ただし、Ｒ基は、水素またはハロゲンである）
【請求項５】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記キサンテンベース分子構造体が、ハロゲン化または混合ハロゲン化されていることを特徴とする組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記可塑剤化合物が、約３０００〜５０００ｐｐｍの量で存在することを特徴とする組成物。
【請求項７】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
キサンテンベース分子構造体を有する前記可塑剤化合物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、前記結晶質相の割合が少なくとも約４０％〜５００％低いことを特徴とする組成物。
【請求項８】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記可塑剤化合物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、靱性が少なくとも約４０〜６０％高く、および／または伸張耐性が少なくとも約４０〜５０％高いことを特徴とする組成物。
【請求項９】
請求項１に記載の熱可塑性ポリマー組成物であって、
前記可塑剤化合物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、破断点歪みが少なくとも約４０％高く、および／または前記組成物は実質的に非晶質であり、キサンテンまたはキサンテンベース添加物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、生分解及び堆肥化速度が速く、かつ靱性が高いことを特徴とする組成物。
【請求項１０】
熱可塑性ポリマーから成る製品であって、
前記熱可塑性ポリマーが、キサンテン分子またはキサンテン分子構造体を有する化合物を含む可塑剤化合物が組み込まれた半晶質ポリマーマトリクスを含んでおり、
前記半晶質ポリマーが、約０〜１５％の結晶質相と、約８５％〜１００％の非晶質相とを含んでおり、
前記キサンテン分子またはキサンテンベース分子構造体を有する化合物が、前記ポリマーマトリクス内に約３０００〜５０００ｐｐｍの量で存在することを特徴とする製品。
【請求項１１】
請求項１０に記載の製品であって、
前記キサンテン分子またはキサンテンベース分子構造体を有する化合物が、未改変の、ハロゲン化されたまたは混合ハロゲン化されたキサンテンベース化合物から選択されることを特徴とする製品。
【請求項１２】
請求項１０に記載の製品であって、
前記熱可塑性ポリマーが、ポリアルキルカルボン酸群から選択されることを特徴とする製品。
【請求項１３】
請求項１０に記載の製品であって、
約１４重量％以上の結晶質含有量を有する出発半晶質ポリマーと、前記ポリマー内に最大で約５０００〜６０００ｐｐｍの量で分散させた、キサンテンベース分子構造体を有する化合物とを含み、前記ポリマー及び前記可塑剤化合物の混合体では、室温で固化させたときの結晶質相対非晶質相の比率が約０〜１５：８５〜１００である前記熱可塑性組成物を押出成形することにより製造された繊維または長繊維あるいは繊維ウエブであることを特徴とする製品。
【請求項１４】
請求項１３に記載の製品であって、
前記繊維が織布の一部であるか、または前記繊維のウエブが不織布を形成することを特徴とする製品。
【請求項１５】
請求項１０に記載の製品であって、
前記熱可塑性ポリマー組成物を押出成形することにより製造されたフィルム層を含む積層構造体であることを特徴とする製品。
【請求項１６】
請求項１０に記載の製品であって、
（ａ）フィルム、繊維、繊維ウエブ、吸収性パッド、おむつ、成人用失禁用品、女性用生理用品、防護布、フェイスマスク、医療用ドレープ、ワイパ、衣類または包装材、あるいは
（ｂ）気管内チューブ、カテーテルチューブ、ブラダーまたはバルーン
であることを特徴とする製品。
【請求項１７】
結晶質相を含むポリマーを可塑化する方法であって、
約１４〜２５％の結晶化度を有する出発熱可塑性ポリマー及び全組成に対して最大で約５０００〜６０００ｐｐｍの量で存在する、キサンテンベース分子構造体を有する可塑剤化合物の混合物を用意するステップと、
前記熱可塑性ポリマー及び前記可塑剤化合物を、約１４０〜３００℃で、溶融または液体状態で混合するステップと、
前記溶融混合体中に前記可塑剤化合物を均一に分散させるステップと、
前記キサンテンベース分子構造体が非晶質相へ移動するように、前記溶融混合体を固化させるステップとを含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、
前記溶融混合体を押出成形し、室温で固体に形成するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１７に記載の方法であって、
固化したとき、前記成形された固体が、前記可塑剤化合物を含まない場合の前記出発ベース半晶質ポリマーからなる対照熱可塑性ポリマーに比較して、少なくとも４０％、最大で５００％低い結晶化度を示すことを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１７に記載の方法であって、
前記溶融混合体を約１７０〜２８０℃で加熱したことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面活性剤混合物であって、
（Ａ）アルカノールのアルコキシル化生成物を含有する短鎖の成分、この場合、該アルカノールは、８〜１２個の炭素原子を有しているものであり、アルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の平均数は０．１〜３０の値であり、アルコキシ基は、Ｃ2〜Ｃ10−アルコキシ基であり、かつアルカノールは、少なくとも１の平均分岐度を有している、および
（Ｂ）アルカノールのアルコキシル化生成物を含有する長鎖の成分、この場合、該アルカノールは、１５〜１９個の炭素原子を有しているものであり、かつアルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の平均数は０．１〜３０の値であり、アルコキシ基は、Ｃ2〜Ｃ10−アルコキシ基であり、かつアルカノールは、少なくとも２．５の平均分岐度を有している、
および／またはこれらのリン酸エステル、硫酸エステル、ならびにエーテルカルボキシレートを含有する界面活性剤混合物。
【請求項２】
アルコキシ基は、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、およびペントキシ基からなる群から無関係に選択されていることを特徴とする、請求項１記載の界面活性剤混合物。
【請求項３】
短鎖の成分（Ａ）および／または長鎖の成分（Ｂ）に関して、それぞれのアルコキシル化生成物のアルコキシ基の総数に対するエトキシ基の割合は、少なくとも０．５であることを特徴とする、請求項１または２記載の界面活性剤混合物。
【請求項４】
短鎖の成分（Ａ）の少なくとも１のアルカノールは、９〜１１個の炭素原子を有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項５】
短鎖の成分（Ａ）の少なくとも１のアルカノールは、１．０〜２．０の平均分岐度を有することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項６】
長鎖の成分（Ｂ）の少なくとも１のアルカノールは、１６〜１８個の炭素原子を有することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項７】
長鎖の成分（Ｂ）の少なくとも１のアルカノールは、２．５〜４．０の平均分岐度を有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項８】
成分（Ａ）および／または（Ｂ）に関して、アルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の平均数は、１〜３０の値である、請求項１から７までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項９】
界面活性剤混合物中の短鎖の成分（Ａ）のモル割合対界面活性剤混合物中の長鎖の成分（Ｂ）のモル割合の比率は、９９：１〜１：９９の範囲の値であることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物を含有する調製物。
【請求項１１】
請求項１から９までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物を製造する方法であって、
（ａ）アルカノール混合物をアルコキシル化する工程、この場合、該アルカノール混合物は、８〜１２個の炭素原子を有するものであり、アルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の平均数は、０．１〜３０の値であり、アルコキシ基はＣ2〜Ｃ10−アルコキシ基であり、かつアルカノール混合物は、少なくとも１の平均分岐度を有する、
（ｂ）アルカノール混合物をアルコキシル化する工程、この場合、該アルカノール混合物は、１５〜１９個の炭素原子を有するものであり、アルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の平均数は、０．１〜３０の値であり、アルコキシ基は、Ｃ2〜Ｃ10−アルコキシ基であり、かつアルカノール混合物は、少なくとも２．５の平均分岐度を有する、および
（ｃ）工程（ａ）および（ｂ）で得られたアルコキシル化生成物を混合する工程
を有する方法。
【請求項１２】
請求項１から９までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物を製造する方法であって、
（ａ）８〜１２個の炭素原子および少なくとも１の平均分岐度を有する第一のアルカノールの混合物と、１５〜１９個の炭素原子および少なくとも２．５の平均分岐度を有する第二のアルカノールの混合物とを混合する工程、および
（ｂ）第一の混合物と第二の混合物とからなる混合物をアルコキシル化する工程、この場合、アルコキシル化生成物中のアルカノール基あたりのアルコキシ基の数は、０．１〜３０の平均値を有しており、かつアルコキシ基は、Ｃ2〜Ｃ10−アルコキシ基である
を有する方法。
【請求項１３】
乳化剤、起泡調節剤、湿潤剤、特に硬質表面用のもの、保湿剤としての、請求項１から９までのいずれか１項記載の界面活性剤混合物または請求項１０記載の調製物の使用。
【請求項１４】
洗浄剤中での、硬質表面のクリーニングのための、化粧品、医薬品および農薬調製物中での、ラッカー、被覆剤、接着剤、皮革脱脂剤中での、テキスタイル産業、繊維加工、金属加工、食品産業、水処理、製紙工業、発酵又は鉱物加工のための、および乳化重合における請求項１３記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉのポリマー：
【化１】
2012512922.tif 000001
または式Ｉ’のポリマー：  
【化２】
2012512922.tif 000002
式中、
パイ−２は、次式の繰返単位からなる群から選ばれ、
【化３】
2012512922.tif 000003
式中、Ｒ1とＲ2、Ｒ3、Ｒ4は、Ｈ、ハロゲン、ＣＮ、Ｃ1-30アルキル基、Ｃ2-30アルケニル基、Ｃ1-20アルコキシ基、およびＣ1-20アルキルチオ基からなる群から選ばれる。
【請求項２】
パイ−２が
【化４】
2012512922.tif 000004
である請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
ｎが２〜５０００の整数である請求項１または２に記載のポリマー。
【請求項４】
液状媒体中に溶解または分散した請求項１−３のいずれか一項のポリマーを一種以上含む組成物。
【請求項５】
前記液状媒体が水または有機溶媒を含む請求項４の組成物。
【請求項６】
さらに一種以上の添加物を含む請求項４または５の組成物。
【請求項７】
前記添加物が、独立して、粘度調整剤、洗剤、分散剤、結合剤、相溶化剤、硬化剤、開始剤、湿潤剤、消泡剤、界面活性剤、ｐＨ調整剤、殺菌剤、および静菌剤から選ばれる
請求項６の組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項のポリマーを一種以上含む薄膜半導体。
【請求項９】
基板と、その基板上に形成された請求項８の薄膜半導体とからなる複合物。
【請求項１０】
請求項８の薄膜半導体を含む電界効果トランジスタ装置。
【請求項１１】
請求項９の複合物を含む電界効果トランジスタ装置。
【請求項１２】
請求項８の薄膜半導体を含む光起電装置。
【請求項１３】
請求項９の複合物を含む光起電装置。
【請求項１４】
請求項８の薄膜半導体を含む有機発光素子。
【請求項１５】
請求項９の複合物を含む有機発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月26日(2012.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小多孔性材料の製造方法であって、前記方法が、
エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー、希釈剤及び成核剤を含む融解混合組成物を成形する工程であって、前記成核剤が前記融解混合組成物内に均一に分散している、工程と、
前記融解混合組成物を冷却することにより、前記エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマーの固−液相分離を誘導して、相分離した材料を提供する工程と、
前記相分離した材料を延伸して、前記微小多孔性材料を提供する工程と、
を含み、前記材料は、
放射状の微細繊維によって互いに連結された複数の、個々のポリマー領域を含み、かつエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマーと、該マトリックスを通って延在し約０．０１マイクロメートルを超える平均孔径を有する複数の孔とを含む球顆マトリックスと、
前記エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー全体にほぼ均一に分散された前記成核剤と、
を含み、そして
任意に、前記相分離した材料から希釈剤を抽出することを更に含む、方法。
【請求項２】
放射状の微細繊維によって互いに連結された複数の、個々のポリマー領域を含み、かつエチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマーと、該マトリックスを通って延在し約０．０１マイクロメートルを超える平均孔径を有する複数の孔とを含む球顆マトリックスと、
前記エチレンクロロトリフルオロエチレンコポリマー内にほぼ均一に分散された成核剤と、
を含み、そして
任意に、該材料が膜又は中空繊維である、微小多孔性材料。
【請求項３】
該微小多孔性材料が、曲げ、折り畳み又はプリーツに折ることに破壊なしに耐えるのに十分な強さをもつ、請求項２に記載の微小多孔性材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性樹脂中に分散される表面修飾ナノ粒子を含む組成物であって、前記表面修飾ナノ粒子は、カルサイトコアと、前記カルサイトに結合される第１の表面修飾剤とを含む、組成物。
【請求項２】
前記第１の表面修飾剤は、前記カルサイトにイオン結合される結合基と、前記硬化性樹脂と相溶性がある相溶化セグメントとを含み、前記結合基は、カルシウムに富む表面を想定して、結合エネルギー計算法を使用して計算されるように、カルサイトに対して少なくとも０．７０電子ボルトの結合エネルギーを有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記結合基は、ホスホン酸、スルホン酸、リン酸、又はそれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記第１の表面修飾剤は、両性イオンである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記第１の表面修飾剤は、ポリエーテルアミンを含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の組成物を含む硬化組成物であって、前記硬化性樹脂は、硬化させられる、硬化組成物。
【請求項７】
基質と、該基質の少なくとも一部に結合される請求項６に記載の硬化組成物とを含む、被覆物品。
【請求項８】
請求項１に記載の組成物と、強化用繊維とを含む繊維複合材料であって、前記強化用繊維は、前記組成物で含浸される、繊維複合材料。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブタジエンポリマーを、酢酸ｎ−ブチル／酢酸エチル溶媒混合物中の、少なくとも１種のフェニルトリアルキルアンモニウムトリブロミド、ベンジルトリアルキルアンモニウムトリブロミド、テトラアルキルアンモニウムトリブロミド又は第四級ホスホニウムトリブロミドの溶液と、ブタジエンポリマー中の非芳香族炭素−炭素二重結合の少なくとも８５％を臭素化するのに充分な条件下で接触させることによって、ブタジエンポリマーを臭素化することを含んでなるプロセス。
【請求項２】
前記トリブロミド臭素化剤がフェニルトリメチルアンモニウムトリブロミド、ベンジルトリメチルアンモニウムトリブロミド、テトラエチルアンモニウムトリブロミド、テトラプロピルアンモニウムトリブロミド、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムトリブロミド又はこれらの２種若しくはそれ以上の混合物である請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
前記トリブロミド臭素化剤がテトラメチルホスホニウムトリブロミド、テトラエチルホスホニウムトリブロミド、テトラ（ｎ−プロピル）ホスホニウムトリブロミド、テトラ（ｎ−ブチル）ホスホニウムトリブロミド、テトラヘキシルホスホニウムトリブロミド、テトラオクチルホスホニウムトリブロミド、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムトリブロミド等又はこれらの２種若しくはそれ以上の混合物である請求項１記載のプロセス。
【請求項４】
反応混合物又はその一部に反溶媒を添加して、臭素化ブタジエンポリマーを溶媒混合物から沈殿させることによって、臭素化ブタジエンポリマーを回収する請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロセス。
【請求項５】
ａ．出発ブタジエンポリマーを、酢酸ｎ−ブチル／酢酸エチル溶媒混合物中の第四級アンモニウム又はホスホニウムトリブロミドの溶液と、出発ブタジエンポリマーと第四級アンモニウムトリブロミドとが反応して、臭素化ブタジエンポリマー及び第四級アンモニウム又はホスホニウムモノブロミド副生物を製造するような条件下で、接触させて、溶媒混合物中の臭素化ブタジエンポリマーの溶液又はスラリーを反応中に生成させ、
ｂ．前記臭素化ブタジエンポリマーの溶液又はスラリーを、水相と連続的又は半連続的に、接触させて、第四級アンモニウム又はホスホニウムモノブロミド水溶液又は水性スラリー及び臭素化ブタジエンポリマーの洗浄された溶液又はスラリーを形成させ、
ｃ．工程ｂに於いて得られた第四級アンモニウム又はホスホニウムモノブロミド水溶液又は水性スラリーを、元素状臭素並びに酢酸ｎ−ブチル及び酢酸エチルの混合物と、連続的又は半連続的に、接触させて、水性ラフィネート流並びに酢酸ｎ−ブチル及び酢酸エチルの混合物中の第四級アンモニウム又はホスホニウムトリブロミドの溶液を形成させ、そして
ｄ．工程ｃに於いて得られた第四級アンモニウム又はホスホニウムトリブロミド溶液を、工程ａに循環させる
工程を含んでなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主要量の潤滑粘度の基油、および少量の、環状カーボネートと（Ｉ）式の炭化水素アミン：
Ｒ1Ｒ2ＮＨ          （Ｉ）
（式中、Ｒ1は、水素または炭素原子１乃至４０個を含む炭化水素基であり、そしてＲ2は、炭素原子１乃至４０個を含む炭化水素基である）
とを反応させることにより得られる反応生成物を含む添加剤を含む潤滑油組成物。
【請求項２】
Ｒ1が、水素または炭素原子８乃至２８個を含む炭化水素基である請求項１に記載の潤
滑油組成物。
【請求項３】
該炭化水素基が、線状及び／又は分枝状のアルキル及び／又はアルケニル基を含む請求項２に記載の潤滑油組成物。
【請求項４】
Ｒ2が、炭素原子８乃至２８個を含む炭化水素基である請求項１に記載の潤滑油組成物
。
【請求項５】
該炭化水素基が、線状及び／又は分枝状のアルキル及び／又はアルケニル基を含む請求項４に記載の潤滑油組成物。
【請求項６】
該炭化水素アミンが第一級アミンである請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項７】
該環状カーボネートが、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートおよびグリセロールカーボネートからなる群より選ばれるものである請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項８】
さらに、（ａ）無灰分散剤、（ｂ）酸化防止剤、（ｄ）抗乳化剤、（ｅ）極圧剤、（ｆ）多機能添加剤、（ｇ）粘度指数向上剤、（ｈ）流動点降下剤、（ｉ）消泡剤および（ｊ）乳化剤から選ばれる少なくとも一種の補助添加剤を含む請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項９】
該環状カーボネートと該炭化水素アミンとの反応を、炭化水素アミン対環状カーボネートとしてのモル比０．５：１乃至２：１で、温度範囲６０℃乃至１８０℃で生じさせる請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１０】
該炭化水素アミンがオレイルアミンを含み、そして該環状カーボネートがグリセロールカーボネートを含む請求項９に記載の潤滑油組成物。
【請求項１１】
該炭化水素アミンが２−エチルヘキシルアミンを含み、そして該環状カーボネートがエチレンカーボネートを含む請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１２】
該炭化水素アミンがオレイルアミンを含み、そして該環状カーボネートがグリセロールカーボネートを含む請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１３】
該潤滑粘度の基油に添加する前に該反応生成物を生成させる請求項１に記載の潤滑油組成物。
【請求項１４】
該添加剤が摩耗防止剤または摩擦調整剤である請求項１に記載の潤滑油組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造式（ＩＩＩ）により表される化合物または薬学的に許容されるその塩：
【化１】
2012512907.tif 000001
〔ここで、Ｒ３は、水素、
【化２】
2012512907.tif 000002
から選択される〕。
【請求項２】
Ｒ３が、水素、
【化３】
2012512907.tif 000003
から選択される、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項３】
化合物が
【化４】
2012512907.tif 000004
である、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項４】
化合物が
【化５】
2012512907.tif 000005
である、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項５】
化合物が
【化６】
2012512907.tif 000006
である、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩と薬学的に許容される担体とを含んでなる、医薬組成物。
【請求項７】
パイロジェンフリーである、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
追加の活性剤をさらに含んでなる、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
インスリン耐性、メタボリックシンドローム、糖尿病、もしくはそれらの合併症を患っているかまたはこれらを患いやすい被験体を治療するための、あるいは被験体におけるインスリン感受性を増加させるための方法であって、それを必要とする被験体に、請求項６に記載の組成物を投与することを含んでなる、方法。
【請求項１０】
追加の活性剤を投与することをさらに含んでなる、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
【化１】
2012512905.tif 000001
を作成するための方法であって、
（ａ）
【化２】
2012512905.tif 000002
とを反応させ、ヒドラゾンを得る工程；
（ｂ）Ｆｉｓｃｈｅｒ触媒の存在下、ヒドラゾンを環化して３Ｈ−インドールを得る工程であって、ここで環化は−１５℃から約３０℃の温度で起こる、工程；
（ｃ）３Ｈ−インドールを還元して２，３−ジヒドロ−インドールを得る工程；
（ｄ）２，３−ジヒドロ−インドールをニトロ化して６−ニトロ−２，３−ジヒドロ−インドールを得る工程；
（ｅ）６−ニトロ−２，３−ジヒドロ−インドールをアシル化して、保護された６−ニトロ−２，３−ジヒドロ−インドールを得る工程；および
（ｆ）ニトロ基を変換して、６−アミノ−２，３−ジヒドロ−インドールを得る工程
を含む、方法。
【請求項２】
Ｆｉｓｃｈｅｒインドール触媒がメタンスルホン酸である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｆｉｓｃｈｅｒインドール触媒が、少なくとも１当量のメタンスルホン酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
環化が、約２０℃の温度で起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
環化が、ヘプタン、ヘキサン、トルエン、ベンゼン、およびキシレンから選択される溶媒を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
還元が、シアノ水素化ホウ素ナトリウムまたは水素化ホウ素ナトリウムでの処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
還元が、ほぼ室温の温度で起こる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ニトロ化が、ＨＮＯ３および硫酸を用いた処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
アシル化が、塩化アセチルを用いた処理を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ニトロ基の還元が、水素化を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
溶媒がヘプタンである、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
メタンスルホン酸の存在下、（Ｅ）−１−（２−メチルプロピリデン）−２−フェニルヒドラジンを還化するための方法であって、ここで温度が−１５℃から約３０℃である、方法。
【請求項１３】
少なくとも１当量のメタンスルホン酸を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
温度が約２０℃である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ヘプタン、ヘキサン、トルエン、ベンゼン、およびキシレンから選択される溶媒を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
溶媒がヘプタンである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも５当量のメタンスルホン酸を含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
５ｎｍより厚く且つ１０ｎｍ未満の厚さを有するアルミニウムフレーク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記の課題は、厚さが５ｎｍより厚く且つ１０ｎｍより薄い、アルミニウムフレークによって解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオン源、及び
一般式Ｎ（Ｒ1−ＯＨ）3（Ｉａ）の少なくとも１種のトリアルカノールアミン、及び／又は一般式Ｒ2−Ｎ（Ｒ1−ＯＨ）2（Ｉｂ）の少なくとも１種のジアルカノールアミンを縮合して、ポリアルカノールアミン（ＩＩ）、
（但し、
−Ｒ1基が、それぞれ独立して、２〜６個の炭素原子を有する、２価の、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族の炭化水素基から選ばれ、及び
−Ｒ2基が、それぞれ、水素、及び１〜３０個の炭素原子を有する、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素基から選ばれる）
又は前記ポリアルカノールアミン（ＩＩ）のアルコキシル化、置換、又はアルコキシル化と置換によって得ることができる誘導体を得ることにより得ることができる少なくとも１種の平滑化剤を含む組成物。
【請求項２】
金属イオンが銅イオンを含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
平滑化剤が、得られたポリアルカノールアミン（ＩＩ）をＣ2−〜Ｃ12−アルキレンオキシド、スチレンオキシド、グリシドール、又はグリシジルエーテルでアルコキシル化することにより得ることができる、アルコキシル化されたポリアルカノールアミンであることを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の組成物。
【請求項４】
アルキレンオキシドが、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、ブチレンオキシド、又はこれらの組み合わせから選ばれることを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
アルコキシル化の程度が、０．１〜２００、特に０．５〜２０であることを特徴とする請求項３又は４の何れかに記載の組成物。
【請求項６】
置換が、四級化、プロトン化、アルキル化、サルファテーション、フォスファテーション、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の組成物。
【請求項７】
添加剤が、式（Ｉａ）及び（Ｉｂ）のＮ−ヒドロキシアルキルアミンから選ばれる化合物と、２個のヒドロキシ基、又は２個のアミノ基、又はヒドロキシル及びアミノ基を含む少なくとも１種の化合物（Ｉｃ）とを共凝縮することによって得られることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１種の化合物（Ｉｃ）が、凝縮のために使用される全ての成分の量に対して、５０質量％以下の量で存在することを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ポリオキシアルキレンオキシドが、ブロック、ランダム、又はグラディエント構造、又はこれらの組み合わせを有することを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
少なくとも１種のトリアルカノールアミン（Ｉａ）が、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、及びトリブタン−２−オラミンから選ばれることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
更に加速剤を含むことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
更に、抑制剤を含むことを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
ポリアルカノールアミン、又はそのアルコキシル化、置換、又はアルコキシル化と置換によって得ることができる誘導体を、金属含有層を沈殿させるために溶液内で使用する方法であって、
前記ポリアルカノールアミンが、一般式Ｎ（Ｒ1−ＯＨ）3（Ｉａ）の少なくとも１種のトリアルカノールアミン、及び／又は一般式Ｒ2−Ｎ（Ｒ1−ＯＨ）2（Ｉｂ）の少なくとも１種のジアルカノールアミンを縮合して、ポリアルカノールアミン（ＩＩ）、
（但し、
−Ｒ1基が、それぞれ独立して、２〜６個の炭素原子を有する、２価の、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族の炭化水素基から選ばれ、及び
−Ｒ2基が、それぞれ、水素、及び１〜３０個の炭素原子を有する、直鎖状、又は枝分かれした脂肪族、脂環式、及び芳香族の炭化水素基から選ばれる）
を得ることにより得ることができることを特徴とする方法。
【請求項１４】
ａ）請求項１〜１２の何れか１項に記載の組成物を含む金属メッキ溶液を基材と接触させる工程、
ｂ）基材に電流密度を、基材上に金属層を沈殿させるのに十分な時間で施す工程、
によって、基材上に金属層を沈殿させる方法。
【請求項１５】
基材が、マイクロメーター又はサブマイクロメーターの寸法機構を有し、及び沈殿がマイクロメーター又はサブマイクロメーターの寸法機構を満たすように行われることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
マイクロメーター又はサブマイクロメーターの寸法機構が、１〜１０００ｎｍの寸法、及び／又は４以上のアスペクト比を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。