【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マウンティングプレートに取り付けられた１以上のＬＥＤであって、前記１以上のＬＥＤはマルチＬＥＤを含み、前記マルチＬＥＤは、（ｉ）直列配置、（ｉｉ）並列配置、並びに、（ｉｉｉ）直列及び並列配置の１つで配置されている、１以上のＬＥＤと、
温度に反応するスイッチ及び抵抗を含むバイパス回路であって、前記スイッチ及び前記抵抗は、前記１以上のＬＥＤに並列に接続され、前記マウンティングプレートに取り付けられており、かつ、前記マウンティングプレートの動作温度に応答するよう配置されており、前記マウンティングプレートの前記動作温度が閾値温度未満である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、それにより、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上の場合、前記マウンティングプレートの前記動作温度を応答可能に制限する、バイパス回路と
を備えた、熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項２】
前記閾値温度は、７５〜９５℃の範囲である請求項１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項３】
前記１以上のＬＥＤにおける前記動作温度を制限するべく、前記ＬＥＤ動作条件に応答して前記１以上のＬＥＤを冷却する冷却要素を作動させるアクチュエータを更に備える請求項１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項４】
前記スイッチは、バリスタを含む請求項１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項５】
ヒートシンク構造を更に含む請求項１から３のいずれか１項に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項６】
前記ヒートシンク構造は、前記１以上のＬＥＤの対流冷却のために配置される伝熱面を更に含む請求項１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項７】
前記１以上のＬＥＤの前記動作温度を監視し、監視した前記動作温度を示す信号を生成する熱電対を更に備え、
前記アクチュエータは、前記熱電対から前記動作温度を示す信号を受信するべく前記熱電対と接続され、前記１以上のＬＥＤにおける前記動作温度を制限するべく、前記冷却要素の動作を前記温度に応じて調整する請求項３に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項８】
マウンティングプレートに取り付けられた１以上のＬＥＤの動作に適用される熱制御システムであって、前記１以上のＬＥＤはマルチＬＥＤを含み、前記マルチＬＥＤは、（ｉ）直列配置、（ｉｉ）並列配置、並びに、（ｉｉｉ）直列及び並列配置の１つで配置されており、前記熱制御システムは、
温度に反応するスイッチ及び抵抗を含むバイパス回路であって、前記スイッチ及び前記抵抗は、前記１以上のＬＥＤに並列に接続され、前記マウンティングプレートに取り付けられており、かつ、前記マウンティングプレートの動作温度に応答するよう配置されており、前記マウンティングプレートの前記動作温度が閾値温度未満である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、それにより、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上の場合、前記マウンティングプレートの前記動作温度を応答可能に制限する、バイパス回路
を有する、熱制御システム。
【請求項９】
前記スイッチは、バリスタを含む請求項８に記載の熱制御システム。
【請求項１０】
メイン回路と接続可能なバイパス回路を有する熱保護アセンブリを備え、
前記メイン回路は、マウンティングプレートに取り付けられた１以上のＬＥＤを含み、前記１以上のＬＥＤはマルチＬＥＤを含み、前記マルチＬＥＤは、（ｉ）直列配置、（ｉｉ）並列配置、並びに、（ｉｉｉ）直列及び並列配置の１つで配置されており、
前記バイパス回路は、温度に反応するスイッチ及び抵抗を含むバイパス回路であって、前記スイッチ及び前記抵抗は、前記１以上のＬＥＤに並列に接続され、前記マウンティングプレートに取り付けられており、かつ、前記マウンティングプレートの動作温度に応答するよう配置されており、前記マウンティングプレートの前記動作温度が閾値温度未満である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、それにより、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上の場合、前記マウンティングプレートの前記動作温度を応答可能に制限する、ＬＥＤ熱管理システム。
【請求項１１】
前記スイッチは、バリスタを含む請求項１０に記載のＬＥＤ熱管理システム。
【請求項１２】
前記１以上のＬＥＤにおける前記動作温度を制限するべく、前記ＬＥＤ動作条件に応答して前記１以上のＬＥＤを冷却する熱電冷却器を含む請求項１０に記載のＬＥＤ熱管理システム。
【請求項１３】
１以上のＬＥＤの寿命を延ばす方法であって、
前記１以上のＬＥＤはマルチＬＥＤを含み、前記マルチＬＥＤは、（ｉ）直列配置、（ｉｉ）並列配置、並びに、（ｉｉｉ）直列及び並列配置の１つで配置されており、前記１以上のＬＥＤは、閾値温度を上回る温度では熱に起因した劣化が生じ易く、前記１以上のＬＥＤに供給されている電力により、前記１以上のＬＥＤの温度が前記閾値温度を超える熱が発生し、
バイパス回路を通じて前記１以上のＬＥＤに供給された前記電力を部分的に分岐することであって、前記バイパス回路は、温度に反応するスイッチ及び抵抗を含み、前記スイッチ及び前記抵抗は、前記１以上のＬＥＤに並列に接続され、前記１以上のＬＥＤを支持するマウンティングプレートに取り付けられており、前記マウンティングプレートの前記動作温度が閾値温度未満である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じて、前記１以上のＬＥＤの熱発生を低減する、ことを備えるＬＥＤの寿命を延ばす方法。
【請求項１４】
前記１以上のＬＥＤを前記閾値温度以下に維持するべく、バイパス回路を通じて、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤを迂回させて別経路に切り替え、前記１以上のＬＥＤを含むメイン回路に戻す段階を含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記バイパス回路の前記スイッチは、バリスタを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記１以上のＬＥＤからの熱を取り除くヒートシンク構造を使用することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記１以上のＬＥＤから、対流冷却によって熱を取り除くための伝熱面を含む熱制御部を使用することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
前記１以上のＬＥＤから熱を取り除く熱電冷却器を使用することを含む請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記１以上のＬＥＤの温度を監視する段階と
前記温度を示す信号を生成する段階と、
動作時の前記ＬＥＤを前記閾値温度以下に維持するべく、前記ＬＥＤを冷却する冷却器を、前記信号に応じて調整するアクチュエータに前記信号を送信する段階とを備える請求項１３に記載の方法。
【請求項２０】
前記冷却器は、熱電冷却器を含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
マウンティングプレートに取り付けられた１以上のＬＥＤであって、前記１以上のＬＥＤはマルチＬＥＤを含み、前記マルチＬＥＤは、（ｉ）直列配置、（ｉｉ）並列配置、並びに、（ｉｉｉ）直列及び並列配置の１つで配置されている、１以上のＬＥＤと、
応答しなかった場合に、前記１以上のＬＥＤに熱損傷を発生させてしまうような動作温度に応答するよう構成された熱管理システムと
を備え、
前記動作温度が閾値温度未満である場合には、前記熱管理システムは非アクティブ状態とされ、前記動作温度が前記閾値温度以上となった場合には、前記熱損傷を低減する又は防ぐべく熱管理システムがアクティブ状態とされ、
前記熱管理システムは、
（ａ）対流冷却、熱伝冷却及び放射冷却のうちの少なくとも１つにより、前記１以上のＬＥＤを冷却する冷却デバイスと、
（ｂ）温度に反応するスイッチ及び抵抗を含むバイパス回路であって、前記スイッチ及び前記抵抗は、前記１以上のＬＥＤに並列に接続され、前記マウンティングプレートに取り付けられており、かつ、前記マウンティングプレートの動作温度に応答するよう配置されており、前記マウンティングプレートの前記動作温度が閾値温度未満である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、それにより、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上の場合、前記マウンティングプレートの前記動作温度を応答可能に制限する、バイパス回路と
を有する、熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項２２】
前記閾値温度は、７５〜９５℃の範囲である請求項２１記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項２３】
前記スイッチは、ドーパントレベルが深いワイドバンドギャップ半導体を含み、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度未満である場合、前記スイッチは開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記ワイドバンドギャップ半導体のキャリアは熱的にアクティブ状態となり、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、かつ、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐する、請求項１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。
【請求項２４】
前記スイッチは、ドーパントレベルが深いワイドバンドギャップ半導体を含み、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度未満である場合、前記スイッチは開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記ワイドバンドギャップ半導体のキャリアは熱的にアクティブ状態となり、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、かつ、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐する、請求項８に記載の熱制御システム。
【請求項２５】
前記スイッチは、ドーパントレベルが深いワイドバンドギャップ半導体を含み、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度未満である場合、前記スイッチは開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記ワイドバンドギャップ半導体のキャリアは熱的にアクティブ状態となり、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、かつ、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐する、請求項１０に記載のＬＥＤ熱管理システム。
【請求項２６】
前記スイッチは、ドーパントレベルが深いワイドバンドギャップ半導体を含み、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度未満である場合、前記スイッチは開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記ワイドバンドギャップ半導体のキャリアは熱的にアクティブ状態となり、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、かつ、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐する、請求項１３に記載の方法。
【請求項２７】
前記スイッチは、ドーパントレベルが深いワイドバンドギャップ半導体を含み、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度未満である場合、前記スイッチは開放し、前記マウンティングプレートの前記動作温度が前記閾値温度以上である場合、前記ワイドバンドギャップ半導体のキャリアは熱的にアクティブ状態となり、前記スイッチを少なくとも部分的に閉じ、かつ、電流を少なくとも部分的に前記１以上のＬＥＤから前記バイパス回路を通じて分岐する、請求項２１に記載の熱的制御されたＬＥＤアセンブリ。