【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を昇圧する昇圧回路であって、
直列接続された第１〜第Ｎ（Ｎは２以上の整数）のチャージポンプユニットを有するチャージポンプ回路を含み、
前記第１〜第Ｎのチャージポンプユニットの各チャージポンプユニットは、
チャージポンプ用のキャパシタ間の電荷転送を行うための電荷転送回路と、
その一端が前記電荷転送回路に接続されるチャージポンプ用の第１のキャパシタと、
その一端が前記電荷転送回路に接続されるチャージポンプ用の第２のキャパシタと、
第１のクロックが供給される第１のクロック供給ノードと前記第１のキャパシタの他端との間に設けられ、前記第１のクロックの電圧を昇圧することで得られる第１の変換クロックを、前記第１のキャパシタの他端に出力する第１の電圧変換回路と、
第２のクロックが供給される第２のクロック供給ノードと前記第２のキャパシタの他端との間に設けられ、前記第２のクロックの電圧を昇圧することで得られる第２の変換クロックを、前記第２のキャパシタの他端に出力する第２の電圧変換回路とを含むことを特徴とする昇圧回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の電圧変換回路は、
前記第１のクロックが第１の電圧レベルである場合には、前記第１の電圧レベルの電圧を前記第１のキャパシタの他端に出力し、前記第１のクロックが第２の電圧レベルである場合には、前記第１、第２の電圧レベルの電圧差をＭ（Ｍ＞１）倍に昇圧した電圧を前記第１のキャパシタの他端に出力し、
前記第２の電圧変換回路は、
前記第２のクロックが前記第１の電圧レベルである場合には、前記第１の電圧レベルの電圧を前記第２のキャパシタの他端に出力し、前記第２のクロックが前記第２の電圧レベルである場合には、前記第１、第２の電圧レベルの電圧差をＭ倍に昇圧した電圧を前記第２のキャパシタの他端に出力することを特徴とする昇圧回路。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記電荷転送回路は、
チャージポンプユニットの入力ノードと、前記第２のキャパシタの一端が接続される出力ノードとの間に設けられ、そのゲートが前記第１のキャパシタの一端に接続される第１のトランジスタと、
前記入力ノードと前記第１のキャパシタの一端との間に設けられ、そのゲートがチャージポンプユニットの前記出力ノードに接続される第２のトランジスタを含むことを特徴とする昇圧回路。
【請求項４】
請求項３において、
チャージポンプ用のクロックを生成してチャージポンプ回路に供給するクロック供給回路を含み、
前記クロック供給回路は、
前記第１〜第Ｎのチャージポンプユニットのうちの第Ｋ（１≦Ｋ＜Ｎ）のチャージポンプユニットの前記第２の電圧変換回路に対して前記第２のクロックとして第２のクロックパルスを供給している期間内において、前記第Ｋのチャージポンプユニットの次段の第Ｋ＋１のチャージポンプユニットの前記第１の電圧変換回路に対して、前記第２のクロックパルスよりもパルス幅が短い第１のクロックパルスを前記第１のクロックとして供給することを特徴とする昇圧回路。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第１の電圧変換回路は第１の電圧変換用キャパシタを含み、前記第２の電圧変換回路は第２の電圧変換用キャパシタを含み、
前記第１、第２のキャパシタは高耐圧キャパシタにより形成され、
前記第１、第２の電圧変換用キャパシタは、前記高耐圧キャパシタよりも耐圧が低い低耐圧キャパシタにより形成されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記第１の電圧変換回路は、
第１の電荷蓄積ノードと、クロックに基づき電圧レベルが変化する第１の電圧変化ノードとの間に設けられる第１の電圧変換用キャパシタと、
第２の電源と前記第１の電荷蓄積ノードとの間に設けられ、前記第１の電荷蓄積ノードのプリチャージを行う第１のプリチャージ回路と、
前記第１の電荷蓄積ノードと第１の出力ノードとの間に設けられ、第１の電荷転送期間において、前記第１の電荷蓄積ノードに蓄積された電荷を前記第１の出力ノードに転送する第１の電荷転送回路と、
前記第１の出力ノードと第１の電源との間に設けられ、第１のディスチャージ期間において、前記第１の出力ノードのディスチャージを行う第１のディスチャージ回路とを含み、
前記第２の電圧変換回路は、
第２の電荷蓄積ノードと、クロックに基づいて電圧レベルが変化する第２の電圧変化ノードとの間に設けられる第２の電圧変換用キャパシタと、
第２の電源と前記第２の電荷蓄積ノードとの間に設けられ、前記第２の電荷蓄積ノードのプリチャージを行う第２のプリチャージ回路と、
前記第２の電荷蓄積ノードと第２の出力ノードとの間に設けられ、第２の電荷転送期間において、前記第２の電荷蓄積ノードに蓄積された電荷を前記第２の出力ノードに転送する第２の電荷転送回路と、
前記第２の出力ノードと第１の電源との間に設けられ、第２のディスチャージ期間において、前記第２の出力ノードのディスチャージを行う第２のディスチャージ回路とを含むことを特徴とする昇圧回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の電圧変換回路の前記第１の電荷転送回路が、前記第１の電荷蓄積ノードから前記第１の出力ノードへの電荷転送を行っている期間において、前記第２の電圧変換回路の前記第２のディスチャージ回路が、前記第２の出力ノードのディスチャージを行い、
前記第２の電圧変換回路の前記第２の電荷転送回路が、前記第２の電荷蓄積ノードから前記第２の出力ノードへの電荷転送を行っている期間において、前記第１の電圧変換回路の前記第１のディスチャージ回路が、前記第１の出力ノードのディスチャージを行うことを特徴とする昇圧回路。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１、第２の電圧変換回路には、前記第１のクロックと、前記第１のクロックに対してノンオーバラップの関係にある前記第２のクロックが供給され、
前記第１のクロックが第２の電圧レベルであり前記第２のクロックが第１の電圧レベルである場合には、前記第１の電荷転送回路が、前記第１の電荷蓄積ノードから前記第１の出力ノードへの電荷転送を行い、前記第２のディスチャージ回路が、前記第２の出力ノードのディスチャージを行い、
前記第１のクロックが第１の電圧レベルであり前記第２のクロックが第２の電圧レベルである場合には、前記第２の電荷転送回路が、前記第２の電荷蓄積ノードから前記第２の出力ノードへの電荷転送を行い、前記第１のディスチャージ回路が、前記第１の出力ノードのディスチャージを行うことを特徴とする昇圧回路。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１〜第Ｎのチャージポンプユニットは第１の方向に沿って配置され、
前記第１〜第Ｎのチャージポンプユニットの各チャージポンプユニットでは、
前記第１の方向に直交する方向を第２の方向とした場合に、前記第１、第２のキャパシタが前記第１の方向に沿って配置され、前記第１のキャパシタと前記第１の電圧変換回路が前記第２の方向に沿って配置され、前記第２のキャパシタと前記第２の電圧変換回路が前記第２の方向に沿って配置されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の電圧変換回路は第１の電圧変換用キャパシタを含み、前記第２の電圧変換回路は第２の電圧変換用キャパシタを含み、
前記第１のキャパシタと前記第１の電圧変換用キャパシタとの間に、前記第１の電圧変換回路の前記第１の電圧変換用キャパシタ以外の回路が配置され、
前記第２のキャパシタと前記第２の電圧変換用キャパシタとの間に、前記第２の電圧変換回路の前記第２の電圧変換用キャパシタ以外の回路が配置されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１、第２のキャパシタは高耐圧キャパシタにより形成され、
前記第１、第２の電圧変換用キャパシタは、前記高耐圧キャパシタよりも耐圧が低い低耐圧キャパシタにより形成されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
チャージポンプ用のクロックを生成して供給するクロック供給回路を含み、
前記第１〜第Ｎのチャージポンプユニットの各チャージポンプユニットでは、
前記第１、第２のキャパシタと前記クロック供給回路との間に、前記第１、第２の電圧変換回路が配置されることを特徴とする昇圧回路。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記クロック供給回路と前記第１、第２の電圧変換回路との間には、前記クロック供給回路が供給するクロックの信号線を含む信号線が配線される配線領域が設けられることを特徴とする昇圧回路。
【請求項１４】
複数の不揮発性メモリセルが配列されるメモリセルアレイと、
請求項１乃至１３のいずれかに記載の昇圧回路により生成された昇圧電圧に基づいて、不揮発性メモリセルのデータの書き込み、読み出し、消去の少なくとも１つを行うためのアクセスコントローラとを含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【請求項１５】
昇圧回路に用いられるチャージポンプ回路であって、
一端及び他端を有する第１のキャパシタ、
一端及び他端を有する第２のキャパシタと、
前記第１のキャパシタの前記一端から前記第２のキャパシタの前記一端に電荷を転送する電荷転送回路と、
第１のクロックの電圧を昇圧して第１の変換クロックを生成し、前記第１のキャパシタの前記他端に供給する第１の電圧変換回路と、
第２のクロックの電圧を昇圧して第２の変換クロックを生成し、前記第２のキャパシタの前記他端に供給する第２の電圧変換回路と、
を含むことを特徴とするチャージポンプ回路。
【請求項１６】
請求項１５に記載のチャージポンプ回路を複数個含み、
前記複数個のうちの第１のチャージポンプ回路における第１の電荷転送回路と、
前記複数個のうちの第２のチャージポンプ回路における第２の電荷転送回路と、
を直列に接続したことを特徴とする昇圧回路。
【請求項１７】
請求項１５に記載のチャージポンプ回路、または請求項１６に記載の昇圧回路を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】昇圧回路、不揮発性メモリ装置及びチャージポンプ回路
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、昇圧回路、不揮発性メモリ装置及びチャージポンプ回路に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路の大規模化を抑えながら昇圧効率を向上できる昇圧回路、これを含む不揮発性メモリ装置、及びチャージポンプ回路を提供することにある。