Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記収容部には、前記コンタクトピンが挿通可能な複数の貫通孔が形成され、
前記位置決め部材は、板状の部材であり、該板状の部材には、前記複数の貫通孔のうちの前記コンタクトピンが挿通されていないものの上に前記位置決め凹部が設けられ、前記複数の貫通孔のうちの前記コンタクトピンが挿通されているものの上に該コンタクトピンが挿通可能な挿通穴が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の電気部品用ソケット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記板状の部材は、前記位置決め凹部の下側に、前記複数の貫通孔に挿嵌される挿嵌部が設けられたことを特徴とする請求項３に記載の電気部品用ソケット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の構成に加え、前記収容部には、前記コンタクトピンが挿通可能な複数の貫通孔が形成され、前記位置決め部材は、板状の部材であり、該板状の部材には、前記複数の貫通孔のうちの前記コンタクトピンが挿通されていないものの上に前記位置決め凹部が設けられ、前記複数の貫通孔のうちの前記コンタクトピンが挿通されているものの上に該コンタクトピンが挿通可能な挿通穴が形成されたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の構成に加え、前記板状の部材は、前記位置決め凹部の下側に、前記複数の貫通孔に挿嵌される挿嵌部が設けられたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に記載の発明によれば、収容部には、コンタクトピンが挿通可能な複数の貫通孔が形成され、位置決め部材は、板状の部材であり、この板状の部材には、複数の貫通孔のうちのコンタクトピンが挿通されていないものの上に位置決め凹部が設けられ、複数の貫通孔のうちのコンタクトピンが挿通されているものの上にコンタクトピンが挿通可能な挿通穴が形成された。従って、電気部品の端子の位置決めをしたい箇所が複数ある場合には、位置決めに使用できる複数の端子を同時に収容する板状の部材を使用すれば、各々の貫通孔に位置決め部材を設けるよりも簡単に、一度に複数の位置決め機構を収容部に設けることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４に記載の発明によれば、板状の部材は、位置決め凹部の下側に、複数の貫通孔に挿嵌される挿嵌部が設けられた。従って、板状の部材における位置決め凹部が、更に正確に収容部上に設けられるようにすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この発明の実施の形態２における「電気部品用ソケット」であるＩＣソケット１１０がこの発明の実施の形態１におけるＩＣソケット１０と異なるのは、この発明の実施の形態１では、フローティングプレート１１の収容貫通孔１１ａに、「位置決め部材」としての位置決め挿嵌棒３１が挿嵌されていたのに対して、この発明の実施の形態２では、フローティングプレート１１の複数の収容貫通孔１１ａのうち、位置決めするのに用いる収容貫通孔１１ａに対して位置決め凹部３２ｃが配置されるように、図７及び図９（Ａ），（Ｂ）で示すように、フローティングプレート１１上に「位置決め部材」としての板状の位置決め枠体（部材）３２が設けられた点である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
すなわち、この発明の実施の形態２では、「位置決め部材」である板状の位置決め枠体（部材）３２は、図８（Ａ），（Ｂ）で示すように、開口３２ｇが形成されて、フローティングプレート１１の上方から現れるようになっている。また、開口３２ｇの四隅には、平面視で略方形に並んで配置されるコンタクトピン２０の配設範囲の四隅（図７参照）を覆うように、内側に向けて凸状をなす凸部３２ｈが形成されている。この凸部３２ｈには、フローティングプレート１１の収容貫通孔１１ａのうちのコンタクトピン２０が挿通されていないものの上に設けられる位置決め凹部３２ｃと、複数の収容貫通孔１１ａのうちのコンタクトピン２０が挿通されているものの上に設けられてコンタクトピン２０が挿通可能な挿通穴３２ｅとが形成されている（図９（Ａ），（Ｂ）参照）。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
この発明の実施の形態３における「電気部品用ソケット」であるＩＣソケット２１０が、この発明の実施の形態１におけるＩＣソケット１０と異なるのは、この発明の実施の形態２では、位置決め凹部３２ｃが形成された板状の位置決め枠体３２の裏面が、平坦に形成されていたのに対して、この発明の実施の形態３では、図１０（Ａ），（Ｂ）で示すように、位置決め凹部３２ｃが形成された板状の位置決め枠体（部材）３３の裏面に、複数の収容貫通孔１１ａに挿嵌される挿嵌部３３ｆが設けられる点である。この挿嵌部３３ｆは、この発明の実施の形態１で記載した挿嵌部３１ａと同様な構成となっている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
1 ＩＣパッケージ（電気部品）
1b    端子
10 ＩＣソケット（電気部品用ソケット）
10a   ソケット本体
11    フローティングプレート（収容部）
12    配線基板
13    上側プレート
14    中間プレート
15    下側プレート
20    コンタクトピン
21 端子側接触部材
21a   第１棒状部
21b   第１フランジ部
21c   凹状接触部
22    基板側接触部材
22a   第２棒状部
22b   第２フランジ部
22c   凹状接触部
23    バネ
31    位置決め挿嵌棒
31a   挿嵌部
31b   頭部
31c   位置決め凹部
31d   凹所
32    位置決め枠体（部材）
32c   位置決め凹部
32e   挿通穴
33    位置決め枠体（部材）
33f   挿嵌部
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月1日(2009.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ（Ｎ≧１）ビットで構成されている埋め込み情報の値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターン、を並べて構成した文字画像が配されている透かし文書画像を取得する取得手段と、
前記透かし文書画像中の各文字画像について外接矩形を求める外接矩形計算手段と、
前記外接矩形計算手段が求めた注目外接矩形について振幅スペクトラムを求める第１の計算手段と、
前記注目外接矩形内の文字画像内の白画素を黒画素で置換した後の当該注目外接矩形について、振幅スペクトラムを取得するスペクトラム取得手段と、
前記第１の計算手段が求めた振幅スペクトラムと、前記スペクトラム取得手段が取得した振幅スペクトラムとの差分を、差分スペクトラムとして求める第２の計算手段と、
前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンについて、振幅スペクトラムを求める第３の計算手段と、
前記差分スペクトラムと、前記第３の計算手段が求めたそれぞれの画素パターンの振幅スペクトラムとの類似度を求める第４の計算手段と、
前記第４の計算手段が求めたそれぞれの類似度のうち、前記差分スペクトラムとの類似度が最も大きい振幅スペクトラムを求めた画素パターンを特定し、該特定した画素パターンに予め関連付けられた前記Ｎビットの値を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第３の計算手段は、
前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンのサイズを前記注目外接矩形のサイズに拡大した後、前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンについて振幅スペクトラムを求めることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
Ｎ（Ｎ≧１）ビットで構成されている埋め込み情報の値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターン、を並べて構成した文字画像が配されている透かし文書画像を取得する取得工程と、
前記透かし文書画像中の各文字画像について外接矩形を求める外接矩形計算工程と、
前記外接矩形計算工程で求めた注目外接矩形について振幅スペクトラムを求める第１の計算工程と、
前記注目外接矩形内の文字画像内の白画素を黒画素で置換した後の当該注目外接矩形について、振幅スペクトラムを取得するスペクトラム取得工程と、
前記第１の計算工程で求めた振幅スペクトラムと、前記スペクトラム取得工程で取得した振幅スペクトラムとの差分を、差分スペクトラムとして求める第２の計算工程と、
前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンについて、振幅スペクトラムを求める第３の計算工程と、
前記差分スペクトラムと、前記第３の計算工程で求めたそれぞれの画素パターンの振幅スペクトラムとの類似度を求める第４の計算工程と、
前記第４の計算工程で求めたそれぞれの類似度のうち、前記差分スペクトラムとの類似度が最も大きい振幅スペクトラムを求めた画素パターンを特定し、該特定した画素パターンに予め関連付けられた前記Ｎビットの値を出力する出力工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項４】
コンピュータを、請求項１又は２に記載の画像処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項５】
請求項４に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
即ち、Ｎ（Ｎ≧１）ビットで構成されている埋め込み情報の値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターン、を並べて構成した文字画像が配されている透かし文書画像を取得する取得手段と、
前記透かし文書画像中の各文字画像について外接矩形を求める外接矩形計算手段と、
前記外接矩形計算手段が求めた注目外接矩形について振幅スペクトラムを求める第１の計算手段と、
前記注目外接矩形内の文字画像内の白画素を黒画素で置換した後の当該注目外接矩形について、振幅スペクトラムを取得するスペクトラム取得手段と、
前記第１の計算手段が求めた振幅スペクトラムと、前記スペクトラム取得手段が取得した振幅スペクトラムとの差分を、差分スペクトラムとして求める第２の計算手段と、
前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンについて、振幅スペクトラムを求める第３の計算手段と、
前記差分スペクトラムと、前記第３の計算手段が求めたそれぞれの画素パターンの振幅スペクトラムとの類似度を求める第４の計算手段と、
前記第４の計算手段が求めたそれぞれの類似度のうち、前記差分スペクトラムとの類似度が最も大きい振幅スペクトラムを求めた画素パターンを特定し、該特定した画素パターンに予め関連付けられた前記Ｎビットの値を出力する出力手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
即ち、Ｎ（Ｎ≧１）ビットで構成されている埋め込み情報の値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターン、を並べて構成した文字画像が配されている透かし文書画像を取得する取得工程と、
前記透かし文書画像中の各文字画像について外接矩形を求める外接矩形計算工程と、
前記外接矩形計算工程で求めた注目外接矩形について振幅スペクトラムを求める第１の計算工程と、
前記注目外接矩形内の文字画像内の白画素を黒画素で置換した後の当該注目外接矩形について、振幅スペクトラムを取得するスペクトラム取得工程と、
前記第１の計算工程で求めた振幅スペクトラムと、前記スペクトラム取得工程で取得した振幅スペクトラムとの差分を、差分スペクトラムとして求める第２の計算工程と、
前記Ｎビットで表現可能なそれぞれの値に対して予め関連付けられた、当該値に応じた配置パターンで黒画素及び白画素が配置された画素パターンについて、振幅スペクトラムを求める第３の計算工程と、
前記差分スペクトラムと、前記第３の計算工程で求めたそれぞれの画素パターンの振幅スペクトラムとの類似度を求める第４の計算工程と、
前記第４の計算工程で求めたそれぞれの類似度のうち、前記差分スペクトラムとの類似度が最も大きい振幅スペクトラムを求めた画素パターンを特定し、該特定した画素パターンに予め関連付けられた前記Ｎビットの値を出力する出力工程と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像中の領域を指定する指定手段と、
前記画像を出力する際に前記領域に対して実行する処理の種別を複数ビットで表す制御情報を作成する作成手段と、
前記作成手段が作成した制御情報を、前記指定手段が指定した領域に対して埋め込む埋め込み手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記作成手段は、
前記画像を出力する際に前記領域に対して実行可能なｎ（ｎ≧２）種類の処理のうち、１以上を選択する選択手段と、
ｎビットで構成され、ｎビットの個々のビットが前記ｎ種類の処理のそれぞれと１対１で対応している制御情報であって、前記選択手段により選択された処理に対応するビットのビット値が１、前記選択手段により選択されていない処理に対応するビットのビット値が０である制御情報を作成する手段と
を備えることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記指定手段は、前記画像中に含まれているそれぞれのオブジェクトの領域のうち１以上の領域を指定することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記オブジェクトの領域は、文字領域、画像領域の何れかであることを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像中の領域を指定する指定手段と、
前記画像を出力する際に前記領域に対して実行する処理の種別を複数ビットで表す制御情報を作成する作成手段と、
前記画像における前記領域の範囲を示す範囲情報と、前記作成手段が作成した制御情報と、を連結させた透かし情報を、前記画像の全部若しくは一部に対して埋め込む埋め込み手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置が有する指定手段が、画像中の領域を指定する指定工程と、
前記画像処理装置が有する作成手段が、前記画像を出力する際に前記領域に対して実行する処理の種別を複数ビットで表す制御情報を作成する作成工程と、
前記画像処理装置が有する埋め込み手段が、前記作成工程で作成した制御情報を、前記指定工程で指定した領域に対して埋め込む埋め込み工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項７】
画像処理装置が行う画像処理方法であって、
前記画像処理装置が有する指定手段が、画像中の領域を指定する指定工程と、
前記画像処理装置が有する作成手段が、前記画像を出力する際に前記領域に対して実行する処理の種別を複数ビットで表す制御情報を作成する作成工程と、
前記画像処理装置が有する埋め込み手段が、前記画像における前記領域の範囲を示す範囲情報と、前記作成工程で作成した制御情報と、を連結させた透かし情報を、前記画像の全部若しくは一部に対して埋め込む埋め込み工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１乃至５の何れか１項に記載の画像処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項９】
請求項８に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、画像中の領域を指定する指定手段と、
前記画像を出力する際に前記領域に対して実行する処理の種別を複数ビットで表す制御情報を作成する作成手段と、
前記作成手段が作成した制御情報を、前記指定手段が指定した領域に対して埋め込む埋め込み手段と
を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月5日(2009.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７３】
まず最初に、ステップＳ１３１において、教師データ生成部１３２と生徒データ生成部１７４が、学習用画像記憶部１３１に記憶された学習用画像データから、教師データと生徒データを、それぞれ生成して出力する。すなわち、教師データ生成部１３２は、学習用画像データを、例えば、そのまま、教師データとして出力する。また、生徒データ生成部１７４には、パラメータ生成部１８１が生成するＺ＋１個の値のパラメータｚが供給される。生徒データ生成部１７４は、例えば、学習用画像データを、パラメータ生成部１８１からのＺ＋１個の値（０，１，・・・，Ｚ）のパラメータｚに対応するカットオフ周波数のＬＰＦによってフィルタリングすることにより、各フレームの教師データ（学習用画像データ）について、Ｚ＋１フレームの生徒データを生成して出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７５】
その後、ステップＳ１３２に進み、パラメータ生成部１８１は、パラメータｚを、初期値としての、例えば０にセットし、学習部１７６（図３３）のタップ選択部１９２および１９３、並びに足し込み部１９５に供給して、ステップＳ１３３に進む。ステップＳ１３３では、注目画素選択部１４１は、教師データ記憶部１３３に記憶された教師データのうち、まだ、注目画素としていないものを、注目画素として、ステップＳ１３４に進む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７６】
ステップＳ１３４では、タップ選択部１９２が、注目画素について、生徒データ記憶部１３５に記憶された、パラメータ生成部１８１が出力するパラメータｚに対する生徒データ（注目画素となっている教師データに対応する学習用画像データを、パラメータｚに対応するカットオフ周波数のＬＰＦによってフィルタリングすることにより生成された生徒データ）から予測タップを選択し、足し込み部１９５に供給する。さらに、ステップＳ１３４では、タップ選択部１９３が、やはり、注目画素について、生徒データ記憶部１３５に記憶された、パラメータ生成部１８１が出力するパラメータｚに対する生徒データからクラスタップを選択し、クラス分類部１４４に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７７】
そして、ステップＳ１３５に進み、クラス分類部１４４は、注目画素についてのクラスタップに基づき、注目画素のクラス分類を行い、その結果得られる注目画素のクラスを、足し込み部１９５に出力して、ステップＳ１３６に進む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７８】
ステップＳ１３５では、足し込み部１９５は、教師データ記憶部１３３から注目画素を読み出し、その注目画素、タップ選択部１９２から供給される予測タップ、パラメータ生成部１８１が出力するパラメータｚを用い、式（２０）における左辺の行列のコンポーネントｘi,Kｔpｘj,Kｔqと、右辺のベクトルのコンポーネントｘi,KｔpｙKを計算する。さらに、足し込み部１９５は、既に得られている行列のコンポーネントとベクトルのコンポーネントのうち、クラス分類部１４４からの注目画素のクラスに対応するものに対して、注目画素、予測タップ、およびパラメータｚから求められた行列のコンポーネントｘi,Kｔpｘj,Kｔqとベクトルのコンポーネントｘi,KｔpｙKを足し込み、ステップＳ１３７に進む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４７９】
ステップＳ１３７では、パラメータ生成部１８１が、自身が出力しているパラメータｚが、その取り得る値の最大値であるＺに等しいかどうかを判定する。ステップＳ１３７において、パラメータ生成部１８１が出力しているパラメータｚが最大値Ｚに等しくない（最大値Ｚ未満である）と判定された場合、ステップＳ１３８に進み、パラメータ生成部１８１は、パラメータｚに１を加算し、その加算値を新たなパラメータｚとして、学習部１７６（図３３）のタップ選択部１９２および１９３、並びに足し込み部１９５に出力する。そして、ステップＳ１３４に戻り、以下、同様の処理が繰り返される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８０】
また、ステップＳ１３７において、パラメータｚが最大値Ｚに等しいと判定された場合、ステップＳ１３９に進み、注目画素選択部１４１が、教師データ記憶部１３３に、まだ、注目画素としていない教師データが記憶されているかどうかを判定する。ステップＳ１３９において、注目画素としていない教師データが、まだ、教師データ記憶部１３３に記憶されていると判定された場合、ステップＳ１３２に戻り、以下、同様の処理が繰り返される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８１】
また、ステップＳ１３９において、注目画素としていない教師データが、教師データ記憶部１３３に記憶されていないと判定された場合、足し込み部１９５は、いままでの処理によって得られたクラスごとの式（２０）における左辺の行列と、右辺のベクトルを、係数種算出部１９６に供給し、ステップＳ１４０に進む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８２】
ステップＳ１４０では、係数種算出部１９６は、足し込み部１９５から供給されるクラスごとの式（２０）における左辺の行列と右辺のベクトルによって構成されるクラスごとの正規方程式を解くことにより、各クラスごとに、係数種データβm,nを求めて出力し、処理を終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶基板と、該水晶基板の一方の主面に形成される櫛歯状のＩＤＴ電極と、
前記水晶基板の他方の主面の少なくともラム波が伝搬する領域にＡｌまたはＡｌを主成分とする金属からなる調整膜が形成されており、
前記調整膜の厚さをｔ、ラム波の波長をλとしたとき、規格化調整膜厚みｔ／λが、０．０４≦ｔ／λ≦０．０８の範囲に設定されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のラム波型高周波デバイスにおいて、
前記水晶基板の前記調整膜側に接合される補強板を備え、
前記水晶基板と前記補強板との間に形成され且つ平面視においてラム波が伝搬する領域よりも広い面積を有する空間が形成され、
前記空間の周縁の対向する二辺において前記水晶基板と前記補強板とが接合されていることを特徴とするラム波型高周波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記ＩＤＴ電極と前記調整膜とが形成される圧電基板と、前記圧電基板の前記調整膜側に接合される補強板と、からなり、前記圧電基板または前記補強板のどちらか一方の前記圧電基板と前記補強板との接合面に、ラム波が伝搬する領域よりも広い面積を有する空間が形成され、前記空間の周縁において前記圧電基板と前記補強板とが接合されていることが好ましい。
また、ある実施例では、前記圧電基板の前記調整膜側に接合される補強板を備え、前記圧電基板と前記補強板との間に形成され且つ平面視においてラム波が伝搬する領域よりも広い面積を有する空間が形成され、前記空間の周縁の対向する二辺において前記圧電基板と前記補強板とが接合される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により気密に封止する構成の圧電デバイスであって、
前記圧電振動片が、
圧電材料により形成された基部と、
前記基部の一端から延びる複数の振動腕と、
前記基部は、前記基部の他端において両幅方向に延長された幅方向延長部を有し、
前記幅方向延長部を基端として、前記振動腕の両外側において、該振動腕と同じ方向に延びる一対の支持用アームと
を有しており、
前記各支持用アームは、導電性接着剤または金属バンプを介してパッケージに接合される構成とされており、
かつ、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の表面に、錘用金属膜が形成されている
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記各支持アームは、それぞれ、第１の領域および前記第１の領域よりも該支持アームの先端側の第２の領域においてパッケージに接合されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記振動腕には、駆動用の電極として励振電極が形成されているとともに、該励振電極のパターンが前記基部を通り、引出電極として前記支持用アームまで引き回されており、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の少なくとも一部の前記引出電極の厚みを付加することにより、前記錘用金属膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記振動腕の前記励振電極と前記引出電極は、前記圧電材料の表面に形成される下地層と、該下地層の表面に形成される電極層の２層の金属層により形成され、
前記厚みが付加された部分である前記錘用金属膜は、前記引出電極の表面にさらに前記下地層と同じ金属材料の金属層を形成し、その表面に前記電極層と同じ金属材料の金属層を形成してなることを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記振動腕の励振電極と引出電極は、圧電材料に形成される下地層と、該下地層の表面に形成された電極層の２層の金属層により形成され、
前記厚みが付加された部分である前記錘用金属膜は、前記引出電極の表面にさらに前記下地層と同じ金属材料で形成された１５０００ないし２００００オングストロームの厚みの金属層であることを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイス。
【請求項６】
圧電材料により形成された基部と、
前記基部の一端から延びる複数の振動腕と、
前記基部は、前記基部の他端において両幅方向に延長された幅方向延長部を有し、
前記幅方向延長部を基端として、前記振動腕の両外側において、該振動腕と同じ方向に延びる一対の支持用アームと
を有しており、
前記各支持用アームは、導電性接着剤または金属バンプを介してパッケージに接合される構成とされており、
かつ、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の表面に、錘用金属膜が形成されている
ことを特徴とする圧電振動片。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的は、第１の発明によれば、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により気密に封止する構成の圧電デバイスであって、前記圧電振動片が、圧電材料により形成された基部と、前記基部の一端から延びる複数の振動腕と、前記基部は、前記基部の他端において両幅方向に延長された幅方向延長部を有し、前記幅方向延長部を基端として、前記振動腕の両外側において、該振動腕と同じ方向に延びる一対の支持用アームと
を有しており、前記各支持用アームは、導電性接着剤または金属バンプを介してパッケージに接合される構成とされており、かつ、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の表面に、錘用金属膜が形成されている圧電デバイスにより、達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の発明は、第１または２の発明の構成において、前記振動腕には、駆動用の電極として励振電極が形成されているとともに、該励振電極のパターンが前記基部を通り、引出電極として前記支持用アームまで引き回されており、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の一部の前記引出電極の厚みを付加することにより、前記錘用金属膜が形成されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、引出電極とは別個に錘用の金属膜を形成することにより、スプリアスモードであるＺ同相モードの振動の周波数が、屈曲振動の振動モードの周波数に接近するのを防止することができるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第４の発明は、第３の発明の構成において、前記振動腕の前記励振電極と前記引出電極は、前記圧電材料の表面に形成される下地層と、該下地層の表面に形成される電極層の２層の金属層により形成され、
前記厚みが付加された部分である前記錘用金属膜は、前記引出電極の表面にさらに前記下地層と同じ金属材料の金属層を形成し、その表面に前記電極層と同じ金属材料の金属層を形成してなることを特徴とする。
第５の発明は、第３の発明の構成において、前記振動腕の励振電極と引出電極は、圧電材料に形成される下地層と、該下地層の表面に形成された電極層の２層の金属層により形成され、前記厚みが付加された部分である前記錘用金属膜は、前記引出電極の表面にさらに前記下地層と同じ金属材料で形成された１５０００ないし２００００オングストロームの厚みの金属層であることを特徴とする。
第４または５の発明の構成によれば、錘用金属膜を引出電極と同じ電極金属で形成することにより、引出電極と同じ製造手段を利用して、該錘用金属膜を形成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的は、第６の発明にあっては、圧電材料により形成された基部と、前記基部の一端から延びる複数の振動腕と、前記基部は、前記基部の他端において両幅方向に延長された幅方向延長部を有し、前記幅方向延長部を基端として、前記振動腕の両外側において、該振動腕と同じ方向に延びる一対の支持用アームとを有しており、前記各支持用アームは、導電性接着剤または金属バンプを介してパッケージに接合される構成とされており、かつ、前記各支持用アームの前記基部に近接した領域の表面に、錘用金属膜が形成されている圧電振動片により達成される。
第６の発明の構成によれば、第１の発明と同じ原理により、スプリアスモードであるＺ同相モードの振動の周波数が、屈曲振動の周波数に接近することを防止することができ、これにより、圧電デバイスのＣＩ値の上昇を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
現在、広く普及している携帯型等のオーディオ再生装置には、３極端子を用いたヘッドフォンが一般的に利用されている。
図６は、オーディオ再生装置とこれに接続されるヘッドフォンのブロック図である。
まず、ヘッドフォン側には、Ｌチャンネル（ｃｈ）端子とＲチャンネル（ｃｈ）端子と、Ｌ／Ｒの両ｃｈに流れる信号が帰還するＬｃｈ／Ｒｃｈ共通のグランド端子の３つの端子がある。
Ｌｃｈ端子に対しては、抵抗ＲＸＬを介してスピーカ部ＨＬが接続されている。更に、上記スピーカ部ＨＬには、抵抗ＲＹＬと抵抗ＲＣＯＭとを介してＲｃｈと共通のグランド端子が接続されている。
Ｒｃｈ端子に対しては、抵抗ＲＸＲを介してスピーカ部ＨＲが接続されている。更に、上記スピーカ部ＨＲには、抵抗ＲＹＲと上記抵抗ＲＣＯＭとを介して上記グランド端子が接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
メモリ部３は、書き換え可能かつシステムの電源供給が途絶えたときにも記憶したデータを保持できる不揮発性メモリであり、例えばフラッシュメモリとされる。本実施の形態の場合、このメモリ部３には、所定の音声圧縮方式により圧縮処理された圧縮オーディオデータが記憶される。
メモリ部３は、システムコントローラ２の指示に基づき圧縮オーディオデータを読出し、読出した圧縮オーディオデータをデコーダ４へ供給する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
デコーダ４は、メモリ部３から供給される圧縮オーディオデータの伸張処理を行う。さらに、伸張処理後のデータについて所定の復調処理を行い再生データにまでデコードする。これら伸張／復調処理により得られたＬｃｈオーディオデータおよびＲｃｈオーディオデータはＤＳＰ５に供給される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
この場合、オーディオ再生装置側のＬｒｅｃ−ｉｎ端子３１ａ、オーディオ再生装置側のＲｒｅｃ−ｉｎ端子３２ａからの入力信号の記録時に対応しては、システムコントローラ２が制御を行ってスイッチＳＷ−Ｌｉｎ、スイッチＳＷ−Ｒｉｎにおいて端子ｔ１に対して端子ｔ３を選択させる。これにより、Ａ／Ｄ変換器１ａ，１ｂは、入力オーディオ信号をオーディオデータへ変換する。また、これと共に記録時には、上記システムコントローラ２の制御により、スイッチＳＷ−Ｌｏｕｔ、スイッチＳＷ−Ｒｏｕｔにおいて端子ｔ１に対して端子ｔ３を選択させる。これにより、上記オーディオデータを記録系の回路へ供給することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
また、オーディオ再生装置側のＬｃｈ端子２６ａ、オーディオ再生装置側のＲｃｈ端子２８ａからの音漏れ信号に対して音漏れ低減のための動作を行う場合に対応しては、システムコントローラ２が制御を行ってスイッチＳＷ−Ｌｉｎ、スイッチＳＷ−Ｒｉｎにおいて端子ｔ１に対して端子ｔ２を選択させる。これにより、Ａ／Ｄ変換器１ａ，１ｂは、抵抗ＲＺＬ、抵抗ＲＺＲに生じる電圧を音漏れ量として計測することができる。また、これと共に音漏れ計測時には、上記システムコントローラ２の制御により、スイッチＳＷ−Ｌｏｕｔ、スイッチＳＷ−Ｒｏｕｔにおいて端子ｔ１に対して端子ｔ２を選択させる。これにより、上記Ａ／Ｄ変換器１ａ，１ｂが計測した音漏れ量を上記システムコントローラ２に供給することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
また、これまでの説明では、図１に示したヘッドフォン３０が図４に示したオーディオ再生装置１００に対して直接的に接続される場合について説明したが、例えば以下のようにして、ヘッドフォン３０がオーディオ再生装置１００に対して直接的に接続されない場合も考えられる。
例えば近年では、オーディオ再生機能を有する携帯電話機が普及しているが、このように携帯電話機を用いてオーディオ再生を行う場合、ヘッドフォン３０としては、携帯電話機のヘッドフォンジャックに対して直接的に接続されず、例えば携帯電話機とブルートゥース（Bluetooth）などの無線通信によりデータ通信が可能とされた音声出力ユニットに対して接続されて用いられることがある。つまりこの場合、携帯電話機から再生されたオーディオデータは無線により上記出力ユニットに対して送信された後、この出力ユニットに対して接続されたヘッドフォン３０から出力されることになる。このようなオーディオ再生形態とすることで、例えばユーザは携帯電話機を鞄などの中に入れたままとし、比較的小型な上記出力ユニットのみをヘッドフォンを装着できる範囲内で携帯すればよいものとすることができる。
そして、このようなオーディオ再生形態とされる場合においても、上記出力ユニットとヘッドフォン３０とが３端子接続される場合には、先に例示したものと同様の音漏れが生じる可能性がある。その場合としても、音漏れ低減を図るとした場合には、携帯電話機本体の制御部（マイクロコンピュータなど）が、先に例示したものと同様の音漏れ低減のための処理を実行すればよい。
但しこの場合、音漏れ量の計測のためのＡ／Ｄ変換器１ａ，１ｂ（計測手段）は、上記出力ユニット内において、Ｌ／Ｒの出力端子の前段に備えられるべき抵抗（抵抗ＲＺＬ,抵抗ＲＺＲに相当）の両端電圧を検出するようにして備えられるべきものとなる。
また、計測のために出力すべき基準信号は、例えばブルートゥースなどの無線通信部を介して上記出力ユニットに対して送信して出力させるようにする。
なお、音漏れ比率に応じた係数の設定は、先に述べた具体例と同様に、本体側に設けられたＤ−Ｂｌｏｃｋ６内の音漏れ低減用乗算器９ａ，９ｂおよびオーバーフロー防止用乗算器８ａ，８ｂに対して行うようにしておけばよい。これによって上記出力ユニットに対しては低減処理の施されたオーディオデータを供給でき、先の具体例の場合と同様に音漏れの低減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このカラム処理回路１０６において、比較回路１０７は、列信号線１０４−１〜１０４−ｍを介して得られる選択行の単位画素１０１の出力信号と、デジタル≡アナログ変換回路（以下、ＤＡＣ(Digital-Analog Converter)と略す）１１１によって生成される参照電圧Ｖｒｅｆとの大小比較を行う。ＤＡＣ１１１は、マスタークロックＭＣＫに同期して動作するタイミング制御回路１１２から供給される制御信号ＣＳ１とクロックＣＫＳとに基づいて参照電圧Ｖｒｅｆを生成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
特に、４個の参照電圧Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆ４に加えて、これら参照電圧とスロープの傾きが異なる参照電圧Ｖｒｅｆ５を用いるとともに、単位画素１１の出力電圧Ｖｘと参照電圧Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆ４のいずか１つとを比較する比較回路３２と、参照電圧Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆ４のいずれか１つと参照電圧Ｖｒｅｆ５とを比較する比較回路３３とをカラム処理回路１５に有し、比較回路３２，３３およびアップ／ダウンカウンタ３４の各動作によってＡＤ変換動作を行う構成を採ることで、図２（Ｃ），図３（Ｃ）から明らかなように、参照電圧Ｖｒｅｆ１〜Ｖｒｅｆ４のオフセット精度に依存せずに、即ち参照電圧相互のオフセット電圧の差が等しくなくても、高解像度ＡＤ変換を高速に実行することが可能になるために、高品質な画像を高フレームレートで取得することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
ステップＳ６において、コントローラ７２の変更後周波数誤差推定部９６は、周波数誤差記憶部９３に、チャンネル変更前のIF信号に含まれる周波数誤差の算出値ferrN´が記憶されているか否かを判断する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
ステップＳ１４において、乗算部３２−１および３２−２は、供給された受信信号の直交復調を実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
コントローラ１１１は、受信装置５１のコントローラ７２と同様に、加算部７１に対して、受信装置１の電源投入後、最初の受信動作、および、チャンネル変更後の受信動作におけるNCO３１の発振周波数のプリセット値を供給するするとともに、チャンネルが変更された場合、加算部７１から供給された周波数誤差情報と選局情報に基づいて、周波数誤差を推定し、その推定値に基づいて、ＩF周波数のプリセット値を変更する。更に、コントローラ１１１は、周波数誤差の推定値に基づいて、広帯域搬送波周波数誤差検出部１１２が実行する周波数誤差検出動作のサーチ範囲を設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
ステップＳ１８において、加算部７１は、狭帯域搬送波周波数誤差検出部１９により算出された狭帯域のキャリア周波数誤差成分と、広帯域搬送波周波数誤差検出部２０により算出された広帯域のキャリア周波数誤差成分、すなわち、周波数誤差の検出結果を加算して、ベースバンドＯＦＤＭ信号のトータルの中心周波数のずれ量を算出し、中心周波数のずれ量を示す誤差成分errを検出し、ＮＣＯ３１に供給するとともに、コントローラ７２に供給する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４５】
そしてステップＳ５１において、チャンネルの選局が変更されていないと判断された場合、加算部７１から供給される周波数成分誤差情報において、誤差成分errは０であるか否かが判断され、誤差成分errは０ではないと判断された場合、誤差成分errに応じて発振周波数が変動するｆｃ誤差補正信号が生成され、供給された受信信号の直交復調が実行される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４８】
ステップＳ６９において、加算部７１は、狭帯域搬送波周波数誤差検出部１９により算出された狭帯域のキャリア周波数誤差成分と、広帯域搬送波周波数誤差検出部１１２により算出された広帯域のキャリア周波数誤差成分、すなわち、周波数誤差の検出結果を加算して、ベースバンドＯＦＤＭ信号のトータルの中心周波数のずれ量を算出し、中心周波数のずれ量を示す誤差成分errを検出し、ＮＣＯ３１に供給するとともに、コントローラ１１１に供給する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008098723.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2008098723.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録装置であって、
映像音声データを記録する記録部と、
映像音声データの特定箇所にマーカを設定することの指示を受けるマーカ設定指示部と、
前記記録部で映像音声データを記録しているとき、前記マーカ設定指示部で指示を受けると、当該映像音声データのうち指示を受けた時刻の場面よりも以前の時刻に記録した場面に対応する箇所にマーカを設定する制御部とを有する情報記録装置。
【請求項２】
請求項１の情報記録装置であって、
映像音声データの記録開始を指示する記録開始指示部と、
前記記録開始指示部で開始された映像音声データの記録の停止を指示する記録停止指示部とを有し、
前記制御部は、当該映像音声データのうち指示を受けた時刻の場面よりも以前の時刻に記録し、且つ、記録停止指示部で記録停止されてから記録した映像音声データの場面に対応する箇所にマーカを設定する情報記録装置。
【請求項３】
請求項１の情報記録装置であって、
前記マーカ設定指示部で指示された時刻の場面からマーカを設定する場面までの遡り情報を記憶するメモリを有し、
前記制御部は、前記メモリの遡り情報を用いてマーカを設定し、
記録する映像音声データを表示する表示部を有し、
前記制御部は、前記メモリの遡り情報に基づいて前記表示部に遡る秒数又は分数を表示し、当該秒数又は分数前の場面の箇所マーカを設定するかの確認をユーザに求める情報記録装置。
【請求項４】
請求項１の情報記録装置であって、
記録する映像音声データを表示する表示部と、
映像音声データの音声又は画像により場面を抽出する場面抽出部とを有し、
前記制御部は、前記記録部で映像音声データを記録しているときに前記マーカ設定指示部で指示を受けると、前記場面抽出部で抽出した場面を前記表示部に表示する情報記録装置。
【請求項５】
請求項４の情報記録装置であって、
前記場面抽出部は映像音声データから場面を抽出すると、ユーザに通知し、
前記制御部は、当該通知がされているときに、前記マーカ設定指示部で指示を受けると、当該抽出した場面を前記表示部に表示する情報記録装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかの情報記録装置であって、
前記マーカ設定指示部は、指示及び重み付け情報を入力し、
前記制御部は、マーカを設定するとき重み付け情報をあわせて設定する。
【請求項７】
請求項６の情報記録装置であって、
前記マーカ設定指示部は、押下された圧力又は時間又は間隔又は釦の種類によって重み付け情報を入力する情報記録装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかの情報記録装置であって、
前記制御部は、前記記録媒体のファイナライズ処理又は前記記録媒体から他の記録媒体へのダビング処理のとき、設定したマーカの位置でチャプタを区切る情報記録装置。
【請求項９】
映像音声データを記録媒体に記録する情報記録方法であって、
映像音声データ記録中に、指示を受けた時刻から任意時間分前に遡った時刻のデータ位置にマーカを設定するマーカ設定ステップを有する情報記録方法。
【請求項１０】
請求項１３の情報記録方法であって、
マーカの重み付け情報を取得する重み付け情報取得ステップと、
該映像音声データと共にマーカの位置と該重み付け情報を該記録媒体に記録する記録ステップとを更に有する情報記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記反射層の材料の複素屈折率を（ｎ１＋ｉｋ１）とし、前記反射層の厚さをｄ（ｎｍ）とするとき、これらが下記の式（１）を満たすように設定されることを特徴とする請求項１に記載の近接場露光用マスク。2008098263.tif 000001
但し、ｍ，ｎを０，１，２のいずれかの添え字とし、    Ｙｍ＝（ｌｍ層の複素屈折率）＝ｎｍ＋ｉｋｍ     ｐｍ，ｎ＝（Ｙｍ−Ｙｎ）／（Ｙｍ＋Ｙｎ）    ｔｍ，ｎ＝２（ＹｍＹｎ）０．５／（Ｙｍ＋Ｙｎ）    ｔ＝ｅｘｐ［（−２πｋｌ／λ）ｄ］    γ＝（−２πｎｌ／λ）ｄ
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の能動面側に設けられた第一絶縁膜と、該第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、
前記基板の能動面側の前記第一絶縁膜上であって、前記電極パッドが形成されていない領域に形成した応力緩和層と、
該電極パッドの表面から延設された配線層が前記電極パッドの表面から前記応力緩和層の表面にかけて延設されていることと、
前記基板の能動面側の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する貫通する貫通孔と、
前記電極パッドの裏面を除き前記貫通孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、該第二絶縁膜の内側で、前記貫通孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極と、
前記基板の裏面側に形成され、前記基板の裏面から突出した前記貫通電極の端面が、前記貫通孔の径よりも大きく形成されていることと、を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記電極パッド上に設けられた前記配線層は、前記電極パッドより大きく形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
基板の能動面側に設けられた第一絶縁膜と、該第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置に、
前記基板の能動面側の前記第一絶縁膜上であって、前記電極パッドが形成されていない領域に応力緩和層を形成し、
前記電極パッドの表面から延設された配線層を、前記電極パッドの表面から前記応力緩和層の表面にかけて延設した後、
前記基板の能動面側の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する貫通する貫通孔形成し、
前記電極パッドの裏面を除き前記貫通孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、該第二絶縁膜の内側に、前記貫通孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極を形成し、  前記貫通電極は、前記基板の裏面から突出し前記貫通電極の端面が、前記貫通孔の径よりも大きく形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記配線層は、メッキ処理によって形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置が実装されていることを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の半導体装置は、  基板の能動面側に設けられた第一絶縁膜と、該第一絶縁膜上に設けられた電極パッドとを有する半導体装置であって、前記基板の能動面側の前記第一絶縁膜上であって、前記電極パッドが形成されていない領域に形成した応力緩和層と、該電極パッドの表面から延設された配線層が前記電極パッドの表面から前記応力緩和層の表面にかけて延設されていることと、前記基板の能動面側の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する貫通する貫通孔と、前記電極パッドの裏面を除き前記貫通孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、該第二絶縁膜の内側で、前記貫通孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極と、前記基板の裏面側に形成され、前記基板の裏面から突出した前記貫通電極の端面が、前記貫通孔の径よりも大きく形成されていることと、を特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、本発明の半導体装置の製造方法は、基板の能動面側に設けられた第一絶縁膜と、該第一絶縁膜上に設けられた電極パッドと、を有する半導体装置に、前記基板の能動面側の前記第一絶縁膜上であって、前記電極パッドが形成されていない領域に応力緩和層を形成し、前記電極パッドの表面から延設された配線層を、前記電極パッドの表面から前記応力緩和層の表面にかけて延設した後、  前記基板の能動面側の反対側の面である基板の裏面側から前記電極パッドに達し、前記基板と前記第一絶縁膜とを貫通する貫通する貫通孔形成し、前記電極パッドの裏面を除き前記貫通孔の少なくとも側面に設けられた第二絶縁膜と、該第二絶縁膜の内側に、前記貫通孔に埋め込まれた導電材料からなる貫通電極を形成し、前記貫通電極は、前記基板の裏面から突出し前記貫通電極の端面が、前記貫通孔の径よりも大きく形成することを特徴とする。