【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正方晶ジルコニアと、ＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９９％以上の密度、及び１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２】
正方晶ジルコニアと、ＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ及び５００ｍｓ未満の電圧減衰時間を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３】
正方晶ジルコニアと、ＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９５％以上の密度、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項４】
正方晶ジルコニアと、ＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ理論密度の９５％以上の密度、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、及びＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールにおいて少なくとも５０のＬ＊色測定値を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項５】
正方晶ジルコニアと、ＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択される抵抗率改質剤とを含む焼結混合物を含有し、且つ１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率、少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ、及び１０ガウス以下の残留束密度を有する、ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項６】
正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９％の密度を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項７】
正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を、理論的密度の少なくとも９９．５％の密度を達成するのに十分な時間及び十分な温度で焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項８】
正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を焼結することにより生成される、ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）５００ｍｓ未満の電圧減衰時間、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項９】
正方晶ジルコニア多結晶（ＴＺＰ）と１又はそれよりも多くの抵抗率改質剤とを含む混合物を焼結することにより生成される、非磁性ＥＳＤ散逸セラミックであって、
前記抵抗率改質剤が、前記混合物の５容量％〜６０容量％を構成し、且つＺｎＯ、ドープされたＳｎＯ２、ＬａＭｎＯ３、ＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３及びそれらの混合物からなる群より選択され；且つ
前記ＥＳＤ散逸セラミックが以下の物性を有する：
（ａ）１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率；
（ｂ）少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さ；
（ｃ）１０ガウス以下の残留束密度、
ＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１０】
理論密度の９９％以上の密度を有する、請求項２〜５、８及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１１】
少なくとも４００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１、３及び４のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１２】
少なくとも５００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１〜５、８及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１３】
少なくとも６００ＭＰａの曲げ強さを有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１４】
５００ｍｓ未満の電圧減衰時間を有する、請求項１、３〜５及び９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１５】
１０５〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、請求項１〜６のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１６】
１０６〜１０９Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１７】
前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の５容量％以上を構成する、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１８】
前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の１０容量％以上を構成する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項１９】
前記抵抗率改質剤が、前記焼結混合物の６０容量％以下を構成する、請求項１〜５のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２０】
前記正方晶ジルコニアが安定化されている、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２１】
前記正方晶ジルコニアがイットリアで安定化されている、請求項２０に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２２】
３０００Å未満のＲａを有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２３】
タンブラー磨きにより表面処理されており、且つ６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２４】
６８ｋＨｚの周波数で３０秒間にわたって前記ＥＳＤ散逸セラミックを超音波浴で処理して、粒子を水中に移動させることによって粒子生成試験を行ったときに、６００粒子／ｃｍ２未満の粒子生成試験結果を示す、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２５】
１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２６】
無圧焼結されている、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２７】
前記無圧焼結の後で、熱間静水圧プレスされている、請求項２６に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２８】
ＭＲ（磁気抵抗）ヘッド支持体；磁気ヘッド製造のための移送具；ＨＧＡ（ヘッドジンバルアセンブリー）、ＨＳＡ（ヘッドスタックアセンブリー）、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）アセンブリー用の工具、取付具及び容器；ウェハー取扱い、加工処理及び清浄用の工具、取付具及び容器；ワイヤ結合、トリミング、切断用の工具、取付具及び容器；ＩＣチップ取扱い用のピックアンドプレースノズル；接着剤及びはんだ分配用のノズル；ウェハー取扱い取付具；エンドエフェクター；真空チャック；ＩＣ取扱い及び試験用取付具；ＥＳＤ感受性デバイス用の工具、取付具及び容器；ＩＣ及び磁気ヘッド用のアセンブリー取付具；ピンセット；ねじ回し；鋏；刃；ロボット指用部品；電気光学的コーティングプロセス用の工具、取付具及び容器；レチクル（フォトマスク）用の工具、取付具及び容器からなる群より選択される用途のために使用される、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項２９】
前記ＥＳＤ散逸セラミックが、集積回路取付具である、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３０】
前記抵抗率改質剤が、１０−３ｍｌ／ｍｏｌのモル磁化率を有する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３１】
一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、且つ８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１５〜４０容量％ＺｎＯを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３２】
一次熱処理として焼結することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１０〜５０容量％の半導電性のドープされたＳｎＯ２を含み、且つ体積抵抗率が１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３３】
一次熱処理として焼結し、その後で二次熱処理として熱間静水圧圧縮成型することにより理論的密度の少なくとも９５％まで密度を高められており、且つ７５容量％のＹ−ＴＺＰ及び２５容量％のＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ３を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ散逸セラミック。
【請求項３４】
ＺｒＯ２及び半導電性のドープされたＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、以下の物性を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ散逸セラミック：
（ａ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｂ）理論値の少なくとも９９％の密度。
【請求項３５】
ＺｒＯ２及び半導電性のドープされたＳｎＯ２を含むＥＳＤ散逸セラミックであって、以下の物性を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載のＥＳＤ散逸セラミック：
（ａ）１０ＧＰａより大きいビッカーズ硬度；及び
（ｂ）ＬＫＥ比色計でのＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊スケールで、少なくとも５０のＬ＊色測定値。
【請求項３６】
請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミックを含む、ウェハー処理のための工具を提供すること、及び
前記工具を用いて、前記ウェハーを処理すること、
を含む、ウェハーの処理方法。
【請求項３７】
（ａ）８５〜６０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１５〜４０容量％のＺｎＯを含む混合物を生成し、そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％まで前記混合物の密度を高めること、
を含み、明色ＥＳＤ散逸セラミックを製造する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミックの製造方法。
【請求項３８】
（ａ）９０〜５０容量％のＹ−ＴＺＰ及び１０〜５０容量％の半導電性のドープされたＳｎＯ２を含む混合物を生成し；そして
（ｂ）一次熱処理により理論的密度の少なくとも９５％まで前記混合物の密度を高めること、
を含み、１０３〜１０１１Ｏｈｍ−ｃｍの範囲の体積抵抗率を有する明色ＥＳＤ散逸セラミックを製造する、請求項１〜９のいずれかに記載のＥＳＤ散逸セラミックの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
半絶縁性セラミックの使用は、いくつかのＥＳＤ制御の用途に関して報告されている。概して、半絶縁性セラミックは、導電性又は半導電性セラミックを絶縁性セラミックと混合することにより調製される。これはＥＳＤ散逸ポリマーの場合の製造方法と同様である。過去において、混合法に基づいて、他の用途のためにいくつかの半絶縁性材料が調製された。例えば特許文献１は、金属酸化物ドープされた安定化ジルコニアが、イオン及び電気の両方に対する伝導性を高温において有する、と報告している。ＬａＣｒＯ３ドープされた安定化ジルコニアも、高温導電体に関して試験された３。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
非特許文献１は、ＥＳＤ散逸ポリマー及びセラミックピンセットが、ＭＲヘッドの製造及び取扱い中に用いられ得る、と報告している。試験結果は、「ドープされた」ジルコニア（ベンダ所有）製ピンセットが最良の性能を示す、ということを明示した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
別の好ましい実施態様では、明色ＥＳＤ散逸セラミックのための、Ｙ−ＴＺＰ生成物に基づき、１５〜４０％のＺｎＯ又は１５〜６０％のドープされたＳｎＯ２を含む粒状複合材料を提供する。「明色」という用語は、セラミック材料が、黒色又は別の暗色でないことを意味する。好ましい明色材料は、白色、オフホワイト、明灰色、黄褐色等である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
ほとんどの導電性金属とは異なり、セラミックは広範囲の導電率及び抵抗率を示す。セラミックは、バルク特性において、絶縁性、半導電性及び導電性である。電気抵抗率は、絶縁相中に導電性又は半導電性相をドープすることにより適合され得る。したがって抵抗率改質剤は、材料の導電特性を適合するために広範に用いられてきた。このような適合可能性に関して、多数の周知の導電性セラミック類が存在する。改質剤は、基材材料と反応性又は非反応性であり得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
導電性酸化物、例えば遷移金属酸化物、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ２Ｏ３、ＮｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３等も、ジルコニアの電気的抵抗率を最適化するために試験された。３〜１５モル％の鉄酸化物はイットリア安定化セラミックにドープされて、２５０℃で〜１０５Ｏｈｍ−ｃｍの電気抵抗率を提供し得る、ということが報告されている１１（前記引用の日本国特許出願（京セラ）も参照）。しかしながらいくつかの酸化物添加剤は、Ｙ−ＴＺＰの変成性を変えて、破壊靱性を悪化させる。遷移金属酸化物は、ジルコニアにおいて着色剤として作用して、特徴的な暗色を生じる。したがってこれらの添加剤は、白色／明色材料に関しては満足すべきものではない。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
明色ＥＳＤ散逸セラミックは、Ｙ−ＴＺＰマトリクス中にＺｎＯ粒を分散させることにより調製され得る、ということが判明している。さらに、Ｙ−ＴＺＰ中にドープされたＳｎＯ２も、所望の抵抗率を有する明色材料を達成するのに有効である。２〜３の暗色（又は黒色）ＥＳＤ散逸セラミックも、Ｙ−ＴＺＰ中にＬａＭｎＯ３、ＬａＣｒＯ３、ＺｒＣ及びＢａＦｅ１２Ｏ１９を添加することにより調製された。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
実施例２「ＳｎＯ２」
Ｚｉｒｃｏｎｉａ Ｓａｌｅｓ ｏｆ Ａｍｅｒｉｃａから入手可能な約３モル％のイットリアを含有するＹ−ＴＺＰ粉末（ＨＳＹ３．０）を、Ｙ−ＴＺＰ微粉砕媒質を有するジャーミル中で、ＳＧＣ＆Ｐから入手可能な種々の量の酸化スズ（ＳｎＯ２、Ｔ１１８６）と混合した。粉末は、導電率改良のために公称１％のＳｂ２Ｏ３及び０．５％のＣｕＯの僅かなドーパントを有する。混合前に、ドープされた酸化スズを微粉砕して、表面積を約１５ｍ２／ｇとした。Ｙ−ＴＺＰの表面積は、微粉砕前は７ｍ２／ｇであった。１２ｍ２／ｇの表面積に微粉砕された別の市販の酸化スズ粉末（Ａｌｆａ Ａｅｓａｒ， Ｗａｒｄ Ｈｉｌｌ， ＭＡ）も用いた。実験室的方法により微粉砕粉末を粒状化して、加圧可能粉末にした。粉末を４０ＭＰａでスチール金型中に一軸加圧して、次に２０７ＭＰａでＣＩＰ処理して、未焼成体を生成した。未焼成体を２℃／分で所望の焼結温度（１４００〜１５００℃）に１時間焼結して、約９５％Ｔ．Ｄ．よりも高い焼結密度を達成した。焼結中の２相間に反応はないと仮定して、組成に基づいた混合規則により、理論的密度を算定した。いくつかの焼結体を、４５分間にわたってＡｒ中においてＨＩＰ処理して、完全密度を達成した。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
ＨＩＰ処理した５０％ドープされたＳｎＯ２／ＨＳＹ３．０の特性を測定し、以下の表５に要約している。当該物質は、明ないし中等度灰色を示す。当該物質は、典型的Ｙ−ＴＺＰの場合と同様である２０容量％ＺｎＯ／ＹＺ１１０の場合よりも剛性で、より硬い。さらに当該物質は、実質的に非磁性でもある。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０８】
体積抵抗率に及ぼすＨＩＰ処理の作用も測定した。実施例１及び２に記載した他の物質とは異なって、当該物質の体積抵抗率は、焼結の前後で変化しなかった。種々のドープされたＬａＭｎＯ３及びＬａＢＯ３（Ｂ＝Ａｌ、Ｍｎ又はＣｏ）１９，２０群は、ジルコニア中の半導電性分散質として用いられ得る、と考えられる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２５】
本実施例では、試料表面の研削を用いて、局所的な領域における試料の導電率を促進した。これは、化学的手段、例えば原子水素により導電性相を局所的に還元することによって、又は導電性相の導電率を促進する添加剤（例えば酸化亜鉛中のアルミナ）を拡散させることによって、又は導電率阻害剤の濃度を局所的に下げる（酸化亜鉛中の酸化リチウムは導電率を低減し、そしてリチウムドープされた試料中のリチウム濃度は、ＨＣｌ雰囲気中での加熱処理により低減され得る）ことによっても、成し遂げられ得る。