【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
少なくとも１つの表面を含むＩＩＩ族窒化物半導体材料の層と、
前記半導体材料の層の電気的応答を制御するための、前記表面上にある制御コンタクトと、
前記半導体デバイス用の導電経路を提供するオーミック・コンタクトであって、前記表面上に設けられたオーミック・コンタクトと、
前記制御コンタクトと前記オーミック・コンタクトとの間の前記表面に設けられ、約５ｎｍ〜約２００ｎｍの厚さを有する誘電体バリア層であって、前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料のバンドギャップよりも大きなバンドギャップと、前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料の伝導帯からずれている伝導帯とを有する、誘電体バリア層と、
前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料の層の前記少なくとも１つの表面を物理的に保護するため、及び表面電荷蓄積を低減するために、前記少なくとも１つの表面と前記誘電体バリア層との間に介挿したスペーサ層と、
前記誘電体バリア層上にあり、前記誘電体バリア層のバンドギャップよりも小さく、前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する誘電体保護層と、
を備えていることを特徴とする半導体デバイス。    
【請求項２】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層は、湿気及び酸化に対する物理的及び化学的なバリアを提供することを特徴とする半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、二酸化シリコンからなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層は、窒化シリコンから成るこ
とを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
請求項４記載の半導体デバイスにおいて、前記窒化シリコンは、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４、及び窒化シリコンの非化学量論組成化合物から成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、酸窒化シリコンからなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層は、窒化アルミニウムからなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体バリア層が有する厚さは、約１００ｎｍであることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項９】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層が有する厚さは、約１００〜２０００ｎｍの間であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記誘電体保護層が有する厚さは、約４００ｎｍであることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、該デバイスは、電界効果トランジスタ、及び高電子移動度トランジスタから成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。    
【請求項１２】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層と前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料の層の前記表面との間の界面は、前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料の層の前記表面と前記誘電体バリア層との間の界面よりも少ない界面準位を有し、前記スペーサ層はＳｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、窒化アルミニウム、及び窒化アルミニウム・ガリウムから成る群から選択され、前記スペーサ層と前記ＩＩＩ族窒化物半導体材料との間の界面は酸化物を含有するスペーサ層よりも電子状態が少ない、高品質の界面となることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１３】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層が有する厚さは、約０．５〜５ｎｍの間であることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１４】
請求項１記載の半導体デバイスにおいて、前記スペーサ層は、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉｘＮｙ、窒化アルミニウム、及び窒化アルミニウム・ガリウムから成る群から選択されていることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項１５】
少なくとも１つの表面を含むＩＩＩ族窒化物半導体材料の層と、制御コンタクトと、少なくとも１つのオーミック・コンタクトとを有するＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法であって、
前記少なくとも１つの表面上にスペーサ層を形成するステップであって、該スペーサ層は前記誘電体バリア層と前記ＩＩＩ族窒化物の表面との間の界面とを比較して前記表面に優れた界面品質を有する、スペーサ層を形成するステップと、
前記制御コンタクトと前記オーミック・コンタクトの間の前記ＩＩＩ族窒化物の前記表面上に形成された前記スペーサ層上に誘電体バリア層を形成するステップであって、前記誘電体バリア層が、前記ＩＩＩ族窒化物のバンドギャップよりも大きいバンドギャップと、前記ＩＩＩ族窒化物の伝導帯からずれている伝導帯とを有しており、かつ約５ｎｍから
約２００ｎｍの厚さを有している、ステップと、
水分及び酸素に対して物理的及び化学的バリアを呈しかつ前記誘電体バリア層のバンドギャップよりも小さく、前記ＩＩＩ属窒化物のバンドギャップよりも大きいバンドギャップを有する誘電体材料により、前記誘電体バリア層上に保護層を形成するステップと、
からなることを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記誘電体バリア層は、前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスのＩＩＩ族窒化物の前記表面上に形成された二酸化シリコンの層であることを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記保護層を形成する前記ステップは、前記誘電体バリア層上に窒化シリコンの層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１７記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記窒化シリコンの層を形成する前記ステップは、化学量論組成Ｓｉ３Ｎ４、及び非化学量論組成の窒化シリコンから成る群から選択した層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記誘電体バリア層を形成する前記ステップは、前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの前記ＩＩＩ族窒化物の前記表面上に形成された前記スペーサ上に、酸窒化シリコンの層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２０】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記スペーサ層を形成する前記ステップは、前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの前記ＩＩＩ族窒化物の前記表面上に、窒化シリコンからなる層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２１】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記スペーサ層を形成する前記ステップは、前記ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスの前記ＩＩＩ族窒化物の前記表面上に、窒化アルミニウム又は窒化ガリウム・アルミニウムからなる層を形成することから成ることを特徴とする方法。
【請求項２２】
請求項１５記載のＩＩＩ族窒化物半導体デバイスをパシベーションする方法において、前記スペーサ層を形成する前記ステップを、前記オーミック・コンタクト及び前記制御コンタクトの少なくとも一方の形成の前に実行することを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】改良型誘電体パッシベーションを備える半導体デバイス、及び半導体デバイスをパシベーションする方法。