Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出するための吐出口が形成された吐出口面を有する記録ヘッドを用いて記録を行うためのインクジェット記録装置であって、
前記記録ヘッドの吐出口面を覆うためのキャップと、
前記キャップと連通するチューブと、当該チューブを押圧するコロと、前記コロにより押圧されるチューブ部分と前記キャップとの連通を遮断可能な弁とを備え、前記コロを回転せることにより前記記録ヘッドから前記キャップを介してインクを吸引するための吸引手段と、を有し、
前記吸引手段は、前記弁を開けた連通状態で前記コロを回転させることによりインクを吸引する第１吸引動作を行った後に、前記弁を閉じた遮断状態で前記コロを回転させ、その後、前記弁を開けて連通状態とすることで、前記第１の吸引動作時の負圧よりも高い負圧によりインクを吸引する第２吸引動作を行うことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記弁は、前記チューブ部分と前記キャップとの中間よりも前記キャップに近い位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記第１吸引動作でのインクの吸引量は、前記第２吸引動作でのインクの吸引量よりも多いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記吸引手段は、吸引の実行命令に基づいて、前記第１吸引動作と前記第２吸引動作をそれぞれ１回以上行うことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月19日(2009.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、図７は図１７に示す場合と桁ずれ補正の程度（印字タイミングを遅らせる程度）が同じ場合を示している。図７と図１７とを比較すると分かるように、本実施の形態（図７）では、往路の先空走区間及び後空走区間のうちの短い方の後空走区間についてはほとんどなくなっており、先空走区間についても後空走区間が短くなった分だけ短くなっている。すなわち、本実施の形態では、図１７に示す場合に比べて、キャリッジの往復移動に要する時間が短くなっており、スループット（印字スピード）が向上している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図１３は、印字制御において追加タイマ数Ｎｂがどのように用いられるかを説明するための図である。図１３（ａ）は、等速区間のタイマ数が印字タイミング数に等しい場合、すなわち等速区間のタイマ数が最も少ない場合の加速区間、等速区間及び減速区間を示している。図１３（ｂ）は実際の印字実行時の加速区間、等速区間及び減速区間を示している。なお、図１３においても横軸は時間軸を表している。時間軸上の縦線はキャリッジモータ１５の駆動タイミングを示している。また、図１３はＮ個の印字タイミングが設定される場合を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、桁ずれ補正レベルが２４〜２７である場合の加速区間、等速区間及び減速区間は、例えば図２に示すようになる。桁ずれ補正レベルが２４〜２７である場合には追加タイマ数Ｎｂが０になる。このため、図２に示すように等速区間はタイマ数が印字タイミング数に等しくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
［キャリッジ往復移動制御部］
キャリッジ往復移動制御部２２は制御部１１を主として実現される。キャリッジ往復移動制御部２２は、キャリッジの往復移動に係るキャリッジモータ１５のステップ数を、往路又は復路に設定される印字タイミング数に対応する、キャリッジモータ１５のステップ数と、追加ステップ数取得部２１によって取得される追加ステップ数と、に基づいて制御する。なお、記録媒体への印字領域が印字データに基づいて特定され、該印字領域に合わせて印字タイミング数が設定されるため、往路又は復路に設定される印字タイミング数は印字データに基づいて特定される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
例えば、桁ずれ補正レベルと、追加タイマ数Ｎｂ及び印字開始待ち時間Ｔｗと、を対応づけてなるテーブルを記憶部１２に記憶しておくようにしてもよい。この場合、プリンタ装置１０は、プリンタ装置１０の起動時や記憶部１２に記憶される桁ずれ補正レベルが更新された場合に、更新後の桁ずれ補正レベルに対応する追加タイマ数Ｎｂ及び印字開始待ち時間Ｔｗをテーブルから読み出すようにしてもよい。そして、プリンタ装置１０は、その追加タイマ数Ｎｂ及び印字開始待ち時間Ｔｗに基づいて、印字制御が実行されるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを研磨するためのＣＭＰ装置で使用されるポリシングクロスの、表面状態を整えるコンディショナであって、
円板状のコンディショナ基板と、
このコンディショナ基板上に設けられ、リング状凹溝により隔てられた、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部と、
これらのダイヤモンド砥粒接着部表面に接着層を介して接着されたダイヤモンド砥粒とを備え、
各ダイヤモンド砥粒接着部には、夫々相違する種類のダイヤモンド砥粒を接着し、
ダイヤモンド砥粒接着後のコンディショナの表面が、ほぼ平坦面を形成するように調整され、
前記コンディショナ基板の表面に、互いにリング状凹溝により隔てられた、外周の帯状部と内周の帯状部と中心円部とからなる、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部が形成され、
前記外周の帯状部にはJIS規格で＃４００から＃８０の粒度、前記内周の帯状部には外周の帯状部よりも粒径が小さい粒度のダイヤモンド砥粒が接着されていることを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項２】
半導体ウエハを研磨するためのＣＭＰ装置で使用されるポリシングクロスの、表面状態を整えるコンディショナであって、
円板状のコンディショナ基板と、
このコンディショナ基板上に設けられ、リング状凹溝により隔てられた、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部と、
これらのダイヤモンド砥粒接着部表面に接着層を介して接着されたダイヤモンド砥粒とを備え、
各ダイヤモンド砥粒接着部には、夫々相違する種類のダイヤモンド砥粒を接着し、
ダイヤモンド砥粒接着後のコンディショナの表面が、ほぼ平坦面を形成するように調整され、
前記コンディショナ基板の表面に、互いにリング状凹溝により隔てられた、外周の帯状部と内周の帯状部と中心円部とからなる、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部が形成され、
前記外周の帯状部にはJIS規格で＃４００から＃８０の粒度、前記内周の帯状部には外周の帯状部よりも粒径が大きい粒度のダイヤモンド砥粒が接着されていることを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項３】
半導体ウエハを研磨するためのＣＭＰ装置で使用されるポリシングクロスの、表面状態を整えるコンディショナであって、
円板状のコンディショナ基板と、
このコンディショナ基板上に設けられ、リング状凹溝により隔てられた、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部と、
これらのダイヤモンド砥粒接着部表面に接着層を介して接着されたダイヤモンド砥粒とを備え、
各ダイヤモンド砥粒接着部には、夫々相違する種類のダイヤモンド砥粒を接着し、
ダイヤモンド砥粒接着後のコンディショナの表面が、ほぼ平坦面を形成するように調整され、
前記コンディショナ基板の表面に、互いにリング状凹溝により隔てられた、外周の帯状部と内周の帯状部と中心円部とからなる、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部が形成され、
前記外周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着され、前記内周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着されていることを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項４】
半導体ウエハを研磨するためのＣＭＰ装置で使用されるポリシングクロスの、表面状態を整えるコンディショナであって、
円板状のコンディショナ基板と、
このコンディショナ基板上に設けられ、リング状凹溝により隔てられた、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部と、
これらのダイヤモンド砥粒接着部表面に接着層を介して接着されたダイヤモンド砥粒とを備え、
各ダイヤモンド砥粒接着部には、夫々相違する種類のダイヤモンド砥粒を接着し、
ダイヤモンド砥粒接着後のコンディショナの表面が、ほぼ平坦面を形成するように調整され、
前記コンディショナ基板の表面に、互いにリング状凹溝により隔てられた、外周の帯状部と内周の帯状部と中心円部とからなる、同心帯状の複数のダイヤモンド砥粒接着部が形成され、
前記外周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着され、前記内周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着されていることを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項５】
請求項３に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
外周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着され、内周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着され、外周の帯状部には内周の帯状部よりも粒径の大きなダイヤモンド砥粒を接着したことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項６】
請求項３に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
外周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着され、内周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着され、外周の帯状部には内周の帯状部よりも粒径の小さなダイヤモンド砥粒を接着したことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項７】
請求項４に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
外周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着され、内周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着され、外周の帯状部には内周の帯状部よりも粒径の大きなダイヤモンド砥粒を接着したことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項８】
請求項４に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
外周の帯状部にはシャープなダイヤモンド砥粒が接着され、内周の帯状部にはブロッキーなダイヤモンド砥粒が接着され、外周の帯状部には内周の帯状部よりも粒径の小さなダイヤモンド砥粒を接着したことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
前記粒径の大きなダイヤモンド砥粒を接着した帯状部よりも前記粒径の小さなダイヤモンド砥粒を接着した帯状部のほうが、半径方向の寸法が長いことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項１０】
請求項１に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
コンディショナ基板の半径を１００としたとき、外周の帯状部の幅は２以上３０以下、内周の帯状部の幅は２以上５０以下、中心円部の半径は２０以上になるようにサイズを選定し、
前記外周の帯状部よりも前記内周の帯状部のほうが、半径方向の寸法が長いことを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載のダイヤモンドコンディショナにおいて、
前記外周の帯状部には、最外周にテーパ面が存在し、このテーバ面にも、ダイヤモンド砥粒が接着され、
前記テーバ面には、他の面と比べて粒径の大きいダイヤモンド砥粒が接着されていることを特徴とするダイヤモンドコンディショナ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザビーム照射装置及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを射出するレーザ発振器と、
前記レーザビームを線状ビームにする光学系と、
マスクと、
複数のレンズから構成されたマイクロレンズアレイと、を有し、
前記レーザビームの被照射体は光吸収層及び該光吸収層上の光透過層からなり、前記光吸収層は第１の導電層及び該第１の導電層上の第２の導電層からなり、前記光透過層は絶縁層であり、
前記マスク及び前記マイクロレンズアレイは、前記光学系と前記被照射体との間に設けられており、
前記線状ビームは前記マスクを介して複数のレーザビームに分割され、前記複数のレーザビームは前記マイクロレンズアレイを構成する複数のレンズを介して縮小されて被照射体に照射されて前記第２の導電層が露出されることを特徴とするレーザビーム照射装置。
【請求項２】
請求項１において、前記マスクと前記被照射体とは、前記マイクロレンズアレイによって共役の関係になるように配置されていることを特徴とするレーザビーム照射装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記マスクは、複数の穴が形成されたマスク、バイナリーマスク、又は位相シフトマスクであることを特徴とするレーザビーム照射装置。
【請求項４】
レーザ発振器から射出されたレーザビームを光学系を介してエネルギーが均一化された線状ビームにし、
前記線状ビームをマスクに照射することにより複数のレーザビームに分割し、
前記複数のレーザビームをマイクロレンズアレイを構成する複数のレンズを介して縮小して被照射体に照射し、
前記被照射体は光吸収層及び該光吸収層上の光透過層からなり、前記光吸収層は第１の導電層及び該第１の導電層上の第２の導電層からなり、前記光透過層は絶縁層であり、
前記被照射体への前記複数のレーザビームの照射により、前記第２の導電層を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記マスクは、複数の穴が形成されたマスク、バイナリーマスク、又は位相シフトマスクであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップ：
ａ）溶液中でデンドリマーポリマーと金属塩とを混合して、金属イオン錯体を形成すること；
ｂ）還元環境に該金属イオン錯体を曝して、デンドリマー金属ナノ複合物を形成すること；
ｃ）触媒支持材の上に、該デンドリマー金属ナノ複合物を堆積すること；
ｄ）該デンドリマー金属ナノ複合物から溶媒を除去して、金属クラスターを形成すること；
ｅ）該デンドリマーポリマーを除去して２〜１５０原子の大きさの金属クラスターを有する触媒を生成すること
を含む触媒の生成方法。
【請求項２】
該混合ステップａ）が、該金属イオン錯体中で所望の金属ローディングが維持されるように、金属塩のデンドリマーポリマーに対するモル比を維持することを含む請求項１の方法。
【請求項３】
該所望の金属ローディングが、デンドリマーポリマー構造当たり２〜１５０金属原子である請求項２の方法。
【請求項４】
該触媒が、該触媒の全重量に基づき０.０ｌ重量％〜５０重量％の金属含有率を有する請求項１の方法。
【請求項５】
該金属塩とデンドリマーポリマー溶液とを不活性雰囲気下で混合し、そして該金属イオン錯体を形成するために充分な時間攪拌する請求項１の方法。
【請求項６】
該ステップｂ）が、水素または水素化ホウ素ナトリウムから選択された還元剤を加えることを含む請求項１の方法。
【請求項７】
該還元剤のアニオンの、該金属イオン錯体中の該金属のカチオンに対する比が、８：１である請求項６の方法。
【請求項８】
該ステップｃ）が湿式含浸を使用して行われる請求項１の方法。
【請求項９】
該ステップｄ）が、蒸発によって該溶媒を除去することを含む請求項１の方法。
【請求項１０】
該ステップｅ）が、該デンドリマー金属ナノ複合物を、高温下で酸化環境に曝すことに続き、高温下で還元環境に曝すことを含む請求項１の方法。
【請求項１１】
該酸化ステップが、該デンドリマー金属ナノ複合物を、酸素およびヘリウム環境に、３００〜５００℃の温度で、所望の時間曝すことを含む請求項１０の方法。
【請求項１２】
該還元ステップが、該デンドリマー金属ナノ複合物を、水素雰囲気に、２００〜４００℃の温度で、所望の時間曝すことを含む請求項１０の方法。
【請求項１３】
該金属塩が、プラチナ、ロジウムおよびパラジウムから選択される請求項１の方法。
【請求項１４】
該デンドリマーポリマーが、Ｇ３, Ｇ４、およびＧ５ポリアミドアミンポリマーから選択される請求項１の方法。
【請求項１５】
該触媒支持材が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、これらの酸化物から選択された２種または３種以上の酸化物および活性炭素の、混合物および／または固溶体から選択される請求項１の方法。
【請求項１６】
基材上に堆積された触媒金属を含む触媒であって、該触媒金属は、隣接した金属クラスター間で２〜１００ナノメートルの間隔を有するクラスター中に形成され、該金属クラスターが２〜１５０原子の大きさを有する触媒。
【請求項１７】
該触媒金属が、プラチナ、ロジウムおよびパラジウムから選択される請求項１６の触媒。
【請求項１８】
該基材が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、これらの酸化物から選択された２種または３種以上の酸化物および活性炭素の混合物および／または固溶体から選択される請求項１６の触媒。
【請求項１９】
基材上に堆積された触媒金属を含む触媒であって、該触媒金属のクラスターは、該クラスターの７０％が平均直径の０.６ｎｍ以内にあり、そして粒子の９９％が平均直径の１．５ｎｍ以内にあるサイズ分布を有し、該金属クラスターが２〜１５０原子の大きさを有する触媒。
【請求項２０】
該触媒金属が、プラチナ、ロジウムおよびパラジウムから選択される請求項１９の触媒。
【請求項２１】
該基材が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、これらの酸化物から選択された２種または３種以上の酸化物および活性炭素の混合物および／または固溶体から選択される請求項１９の触媒。
【請求項２２】
基材上に堆積された触媒金属を含む触媒であって、該触媒金属は、２〜１５０原子のサイズを有するクラスター中で生成される触媒。
【請求項２３】
該触媒金属が、プラチナ、ロジウムおよびパラジウムから選択される請求項２２の触媒。
【請求項２４】
該基材が、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、二酸化ケイ素、二酸化チタン、これらの酸化物から選択された２種または３種以上の酸化物および活性炭素の混合物および／または固溶体から選択される請求項２２の触媒。
【請求項２５】
以下のステップ：
ａ）溶液中でデンドリマーポリマーと金属塩とを混合して、金属イオン錯体を形成すること；
ｂ）還元環境に該金属イオン錯体を曝して、デンドリマー金属ナノ複合物を形成すること；
ｃ）触媒支持材の上に、該デンドリマー金属ナノ複合物を堆積し、該デンドリマー金属ナノ複合物に追加のデンドリマーポリマーを加えること；
ｄ）該デンドリマー金属ナノ複合物から溶媒を除去して、金属クラスターを形成すること；
ｅ）該デンドリマーポリマーを除去して触媒を生成すること
を含む触媒の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月21日(2009.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、前記筐体内に装着された回転軸を有する駆動装置と、前記駆動装置の回転軸に結合された、分離する試料を保持するロータと、前記駆動装置を前記筐体内に装着するためのダンパとから構成される遠心機において、前記筐体に弾性体を介して支持される支持部材と、前記支持部材に配設されて前記駆動装置に結合もしくは接触する減衰部とを具備する防振機構部を有し、前記防振機構部は、前記駆動装置から前記防振機構部に受ける振動変位を前記減衰部により減衰させることを特徴とする遠心機。
【請求項２】
前記支持部材は前記駆動装置の前記回転軸方向において上下に撓む薄板より成り、前記減衰部の一端は前記支持部材に固定され、前記減衰部の他端は摩擦部材を介して前記駆動装置の一部に接触されていることを特徴とする請求項１に記載された遠心機。
【請求項３】
前記減衰部は前記駆動装置に対しバネ反力を有さないことを特徴とした請求項１または請求項２に記載された遠心機。
【請求項４】
前記減衰部は前記梁部のバネ反力より小さいことを特徴とした請求項１乃至請求項３に記載された遠心機。
【請求項５】
前記減衰部は前記振動変位に対し摩擦により減衰を与えることを特徴とした請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載された遠心機。
【請求項６】
前記減衰部は磁石と摩擦部材とから成り、前記磁石の磁力により前記駆動装置の磁性部に前記摩擦部材を接触させるようにしたことを特徴とした請求項５に記載された遠心機。
【請求項７】
前記減衰部は電磁コイルによって磁化される磁石と摩擦部材とから成り、前記電磁コイルの磁力により前記駆動装置の磁性部と前記摩擦部材が接触するようにしたことを特徴とする請求項５または請求項６に記載された遠心機。
【請求項８】
前記電磁コイルの電流を制御する制御装置を有し、前記制御装置は前記ロータの回転速度の検出信号に基づいて前記電磁コイルに流す電流を制御することにより前記電磁コイルの電磁力を調整することを特徴とした請求項７に記載された遠心機。
【請求項９】
前記制御装置は、前記ロータの振動の検出信号に基づいて、前記電磁コイルに流す電流を制御することにより前記電磁コイルの電磁力を調整することを特徴とした請求項７に記載された遠心機。
【請求項１０】
前記制御装置は、前記駆動装置によって駆動される前記ロータの種類を判別する検出信号に基づいて、前記電磁コイルに流す電流を制御することにより前記電磁コイルの電磁力を調整することを特徴とした請求項７に記載された遠心機。
【請求項１１】
前記制御装置は、前記ダンパの温度またはその周囲温度の検出信号に基づいて、前記電磁コイルに流す電流を制御することにより前記電磁コイルの電磁力を調整することを特徴とした請求項７に記載された遠心機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の遠心機における一つの特徴によれば、筐体と、前記筐体内に装着された回転軸を有する駆動装置と、前記駆動装置の回転軸に結合された、分離する試料を保持するロータと、前記駆動装置を前記筐体内に装着するためのダンパとから構成される遠心機において、前記筐体に弾性体を介して支持される支持部材と、前記支持部材に配設されて前記駆動装置に結合もしくは接触する減衰部とを具備する防振機構部を有し、前記防振機構部は、前記駆動装置から前記防振機構部に受ける振動変位を前記減衰部により減衰させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の遠心機における他の特徴によれば、前記支持部材は前記駆動装置の前記回転軸方向において上下に撓む薄板より成り、前記減衰部の一端は前記支持部材に固定され、前記減衰部の他端は摩擦部材を介して前記駆動装置の一部に接触されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理液を蒸留するための蒸留装置において、
a)被処理液を加熱して気化させるための蒸留釜と、
b)該蒸留釜から取り出された被処理液蒸気を凝縮液化させるために、該被処理液蒸気を流通させる内管又は外管と、冷却液を流通させる外管又は内管とから成る二重管構造体である熱交換部と、
c)蒸留された被処理液を貯留するためのバッファタンクと、
d)該バッファタンクに入口端及び出口端が接続され、その途中に被処理液を循環させるポンプと該ポンプによる被処理液の流れを利用して前記熱交換部で液化した蒸留済みの被処理液を吸引するエジェクタとが設けられた被処理液循環流路と、
をさらに備え、前記熱交換部は前記バッファタンク内に配設され、前記被処理液蒸気が内管に、冷却液が外管に流通され、
前記被処理液はドライクリーナに使用される溶剤であって、そのドライクリーナの運転により汚れた溶剤を浄化することを特徴とする蒸留装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的とするところは、装置の小形化を図りながら溶剤蒸気の十分な凝縮液化を行って効率的な蒸留作業を行うことができる蒸留装置を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る蒸留装置は、
被処理液を蒸留するための蒸留装置において、
a)被処理液を加熱して気化させるための蒸留釜と、
b)該蒸留釜から取り出された被処理液蒸気を凝縮液化させるために、該被処理液蒸気を流通させる内管又は外管と、冷却液を流通させる外管又は内管とから成る二重管構造体である熱交換部と、
c)蒸留された被処理液を貯留するためのバッファタンクと、
d)該バッファタンクに入口端及び出口端が接続され、その途中に被処理液を循環させるポンプと該ポンプによる被処理液の流れを利用して前記熱交換部で液化した蒸留済みの被処理液を吸引するエジェクタとが設けられた被処理液循環流路と、
をさらに備え、前記熱交換部は前記バッファタンク内に配設され、前記被処理液蒸気が内管に、冷却液が外管に流通され、
前記被処理液はドライクリーナに使用される溶剤であって、そのドライクリーナの運転により汚れた溶剤を浄化することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に係る蒸留装置によれば、装置を小形化して設置の自由度を高めながら、効率の良い冷却を行って被処理液の蒸留速度を向上させることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマからの光を供給する光源装置であって、
前記プラズマからの光を反射する光学部材と、
前記光学部材で反射した光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含む
ことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
ターゲットを供給するターゲット供給装置と、
レーザー光を射出するレーザー発生部と、前記ターゲットに前記レーザー光を集光する集光素子と、を含む前記プラズマを生成するレーザー装置と、を更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項３】
電極から電圧を印加して、放電により前記プラズマを生成する印加装置を更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の光源装置。
【請求項４】
前記維持手段は、
前記光学部材の位置及び／又は角度を調整する第１の調整手段、前記集光素子の位置及び／又は角度を調整する第２の調整手段、前記ターゲット供給装置の位置及び／又は角度を調整する第３の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含む
ことを特徴とする請求項２記載の光源装置。
【請求項５】
前記維持手段は、
前記光学部材の位置及び／又は角度を調整する第１の調整手段、前記電極の位置及び／又は角度を調整する第２の調整手段のうち少なくとも一の調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含む
ことを特徴とする請求項３記載の光源装置。
【請求項６】
レチクルのパターンを被処理体に露光する露光装置であって、
プラズマからの光を供給する光源装置と、
前記光源装置からの光を用いて前記レチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを前記被処理体に投影する投影光学系と、
前記光源装置からの光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記光源装置は、前記プラズマからの光を反射する光学部材を含み、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含む
ことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
前記維持手段は、
前記光源装置を調整する調整手段と、
前記検出手段の検出結果に基づいて前記調整手段を制御する制御部と、を含む
ことを特徴とする請求項６記載の露光装置。
【請求項８】
前記照明光学系には、基準点（ＳＴＰ）が設けられており、
前記制御部は、その基準点を基準として、前記制御部を制御する
ことを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
請求項６ないし８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップと、を有する
ことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１０】
被測定体の反射率を測定する測定装置であって、
プラズマからの光を供給する光源装置と、
前記光源装置からの光を前記被測定体に照射する照射手段と、
前記被測定体で反射した光を検出する検出手段と、
前記光源装置からの光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、
前記光源装置は、前記プラズマからの光を反射する光学部材を含み、
前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含む
ことを特徴とする測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一側面としての光学装置は、プラズマからの光を供給する光源装置であって、前記プラズマからの光を反射する光学部材と、前記光学部材で反射した光の位置を一定に維持する維持手段と、を有し、前記維持手段は、前記光学部材で反射した光を検出する検出手段を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも１層の発光層を含む有機材料層を備えた有機ＥＬ素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、
対向配置された第１基板と第２基板の対向面の一方に、前記有機ＥＬ素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第１基板と第２基板の対向面の他方には、前記第１基板と第２基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜に接触する凸状になされた絶縁リブが形成され、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、前記有機ＥＬ素子を構成する一対の電極のうちのいずれか一方の電極として機能する導電性を有する注入材料を注入したことを特徴とする光デバイス。
【請求項２】
前記第２基板の前記絶縁リブの間に導電材料が予め形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項３】
前記第１基板の前記絶縁膜と前記有機材料層をカバーするように導電層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光デバイス。
【請求項４】
一対の電極間に少なくとも１層の発光層を含む有機材料層を備えた有機ＥＬ素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第１基板と第２基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機ＥＬ素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第１電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極上に前記有機ＥＬ素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第１電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第１基板と第２基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
前記第１基板と第２基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電性を有する注入材料を注入することで、前記有機ＥＬ素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第２電極を形成する第２電極形成工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【請求項５】
一対の電極間に少なくとも１層の発光層を含む有機材料層を備えた有機ＥＬ素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第１基板と第２基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機ＥＬ素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第１電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極上に前記有機ＥＬ素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第１電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第１基板と第２基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
凸状になされた前記絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を装着する導電材料装着工程と、
前記第１基板と第２基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
前記絶縁リブの間において形成される空間内に、導電性を有する注入材料を注入することで、前記導電材料と共に有機ＥＬ素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第２電極を形成する第２電極形成工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
水素ガス流路と酸化剤ガス流路とを内部に備え、水素ガス流路に水素ガスが供給され、酸化剤ガス流路に酸化剤ガスが供給されることにより発電する燃料電池スタックと、
前記燃料電池スタックに水素ガスを供給する水素供給経路と、
前記水素供給経路に接続され、前記燃料電池スタックから排出された排出オフガスを再循環させる水素循環経路と、
前記水素循環経路に設けられ、前記燃料電池スタック内に発生した生成水を貯留させる貯留装置と、
前記貯留装置内の生成水および水素を前記水素循環経路外に排出する排出バルブと、
前記排出バルブを開閉制御する開閉制御手段と、
前回の前記排出バルブの開弁開始から所定時間が経過したことを検出する開弁経過時間検出手段と、を備え、
前記開弁経過時間検出手段により検出された所定時間に基づいて、前記所定時間ごとに前記排出バルブを開弁して前記貯留装置内の生成水を排出する燃料電池システムにおいて、
前記水素ガス流路に滞留する滞留水量を推定するスタック内部滞留水量推定手段と、
前記水素ガス流路に滞留する滞留水が前記燃料電池スタックの外部に排出されるタイミングを予測するスタック内部滞留水排出予測手段と、をさらに備え、
前記所定時間が経過していない場合に、前記スタック内部滞留水量推定手段により推定された滞留水量が所定量以上であり、かつ、前記スタック内部滞留水排出予測手段により排出タイミングにあると予測されたとき、前記排出バルブを開弁して前記貯留装置内の生成水を排出することを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に係る発明は、水素ガス流路と酸化剤ガス流路とを内部に備え、水素ガス流路に水素ガスが供給され、酸化剤ガス流路に酸化剤ガスが供給されることにより発電する燃料電池スタックと、前記燃料電池スタックに水素ガスを供給する水素供給経路と、前記水素供給経路に接続され、前記燃料電池スタックから排出された排出オフガスを再循環させる水素循環経路と、前記水素循環経路に設けられ、前記燃料電池スタック内に発生した生成水を貯留させる貯留装置と、前記貯留装置内の生成水および水素を前記水素循環経路外に排出する排出バルブと、前記排出バルブを開閉制御する開閉制御手段と、前回の前記排出バルブの開弁開始から所定時間が経過したことを検出する開弁経過時間検出手段と、を備え、前記開弁経過時間検出手段により検出された所定時間に基づいて、前記所定時間ごとに前記排出バルブを開弁して前記貯留装置内の生成水を排出する燃料電池システムにおいて、前記水素ガス流路に滞留する滞留水量を推定するスタック内部滞留水量推定手段と、前記水素ガス流路に滞留する滞留水が前記燃料電池スタックの外部に排出されるタイミングを予測するスタック内部滞留水排出予測手段と、をさらに備え、前記所定時間が経過していない場合に、前記スタック内部滞留水量推定手段により推定された滞留水量が所定量以上であり、かつ、前記スタック内部滞留水排出予測手段により排出タイミングにあると予測されたとき、前記排出バルブを開弁して前記貯留装置内の生成水を排出することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ステップＳ１０６において、ＥＣＵ５１は、水素供給経路２８Ａを流れる水素ガス流量の変化が所定値Ｓよりも大きいか否かを判断する。なお、このステップＳ１０６が、本実施形態のスタック内部滞留水排出予測手段に相当する。ステップＳ１０６において、ＥＣＵ５１は、水素ガス流量の変化が所定値Ｓ以下であると判断した場合（Ｎｏ）、滞留水が排出されるタイミングにないと予測してステップＳ１０５に戻る。ちなみに、水素ガス流量の変化が所定値Ｓ以下であるとは（Ｓ１０６、Ｎｏ）、低負荷運転から急に高負荷運転に切り替えられていないことを意味している。なお、水素ガス流量の変化は、例えば水素供給経路２８Ａに流量計（図示せず）を設けて、低負荷運転時の水素ガス流量と高負荷運転時の水素ガス流量との差（所定値）に基づいて予測してもよい。あるいは、電流計５２から得られる電流値に基づいて、低負荷運転時の電流値と高負荷運転時の電流値との差（所定値）に基づいて予測してもよい。また、水素ガス流量の変化は、電流に限定されるものではなく、燃料電池スタック１０の電圧や電力に基づいて判断してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ステップＳ１０６において、ＥＣＵ５１は、水素ガス流量の変化が所定値Ｓを超えていると判断した場合には（Ｙｅｓ）、滞留水が排出されるタイミングにあると予測してステップＳ１０８に進む。ちなみに、水素ガス流量の変化が所定値Ｓを超えているとは、低負荷運転から急に高負荷運転に切り替えられたことを意味している。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記孔部には、前記カードが所定位置に挿入されたときに、前記カムピンが前記カム溝に沿って移動することを可能にする規制凸部が形成されていることを特徴とする請求項１記載のイジェクト機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１１及び図１２に示すカードコネクタ２００は、パーソナルコンピューター等の筐体（図示せず）に配設され、カードＣが挿入されるコネクタ部２１０と、カード排出手段２２０とを具備している。
コネクタ部２１０は、ハウジング２１１と、ハウジング２１１の長手方向一端に配設された、前方に向けて突出するガイドアーム２１２とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、回動アーム２２１のプレート接触部２２２近傍には、図１２（Ａ）に示すように、押圧バー移動規制プレート２２７が取り付けられている。押圧バー移動規制プレート２２７は、押圧プレート２２５の内側に前後方向に移動可能に配設される。押圧バー移動規制プレート２２７は、前後方向に延びる基板部２２７ａを備えている。基板部２２７ａの後方部には、回動アーム２２１が入り込む開口２２７ｂが形成されている。また、基板部２２７ａの前方部には、内側に折り曲げられてから徐々に縮幅するように前方斜め下方に傾斜する傾斜部２２７ｃが形成され、その傾斜部２２７ｃから前方に向けて規制部２２７ｄが形成されている。また、傾斜部２２７ｃ及び規制部２２７ｄは、ガイドアーム２１２の外側面上に位置している。規制部２２７ｄは、カードＣが回動アームのカード接触部に接触しないときには、カムピン２２５ｃのフランジの側面に接触し、押圧プレート２２５の押圧バー２２３に対する時計方向への回動を阻止するようになっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
しかしながら、図１１に示すカードコネクタ２００では、ポップ−プッシュ機構を実現するための押圧バー移動規制プレート２２７の形状が複雑であるため、量産に適さないという問題がある。
また、カードコネクタ２００では、コネクタ部２１０のガイドアーム２１２の外側面にカム溝２２６が形成されているため、カード排出手段２２０の配置をハウジング２１１の長手方向逆側に変更する場合、コネクタ部２１０の設計変更が必要となる。したがって、カードコネクタ２００では、ハウジング２１１に対するカード排出手段２２０の配置を、長手方向逆側に変更することが困難であるという問題がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本願請求項１若しくは２に係るイジェクト機構又は本願請求項３に係るカードコネクタによれば、カム溝が形成されたカム溝板を独立して備える構成により、ハウジングに対する配置を長手方向逆側に容易に変更することが可能となる。
さらに、本願請求項１若しくは２に係るイジェクト機構又は本願請求項３に係るカードコネクタによれば、カムピンが挿通される孔部を有する押圧プレートを交換することで、ポップ−プッシュ機構とプッシュ−プッシュ機構との変更を容易に行うことが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
金属フレーム２０は、ハウジング１１の前方（図１（Ａ）における下方）に配設される。金属フレーム２０は、平板頂板部２１と、平板底板部２２と、これら平板頂板部２１及び平板底板部２２を連結する一対の側壁部２３とを備える。そして、金属フレーム２０の平板頂板部２１、両側壁部２３及び平板底板部２２で囲まれた空間により、上下方向（図１（Ｄ）における上下方向）２段のダブルスロットＡ，Ｂを構成し、金属フレーム２０の両側壁部２３の内側面によりカードＣを挿抜可能に案内するようになっている。また、各側壁部２３には、図１（Ｃ）に示すように、カバー部材５０の嵌合片５２が嵌合される嵌合部２４が８つずつ設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、カム溝板７０は、図２に示すように、カム溝７１を押圧バー６０側に向けた状態で、カバー部材５０の爪部５３が嵌合凹部７７に嵌合されることによりカバー部材５０に取り付けられる。この場合、押圧バー６０のカムピン部材６３のカムピン６３ａが、カム溝板７０のカム溝７１に嵌合される。
さらに、押圧プレート８０は、図２に示すように、カバー部材５０の両支持片５４により支持され、嵌合部８１をカバー部材５０から後方へ突出した状態で、カバー部材５０の内側に配設される。この場合、押圧プレート８０は、押圧バー６０とカム溝板７０との間に配設され、カムピン部材６３のカムピン６３ａが、押圧プレート８０の規制孔８２に挿通される。また、図１（Ａ）に示すように、回動アーム３０のプレート嵌合部３１が、押圧プレート８０の嵌合部８１に嵌合される。
そして、このようにして形成されたイジェクト機構４０は、カバー部材５０の各嵌合片５２が側壁部２３の各嵌合部２４に嵌合されることにより、金属フレーム２０に取り付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に少なくとも物理現像核層とハロゲン化銀乳剤層をこの順に有する導電性材料前駆体において、物理現像核層、もしくはそれに接する層が下記一般式Ｉ、若しくはIIで示されるシランカップリング剤を含有することを特徴とする導電性材料前駆体。
【化１】
2008218096.tif 000001
（一般式Ｉ中、Ｒ１は１級アミノ基、２級アミノ基、ウレイド基、アミジノ基、グアニジノ基、ウレイレン基、イソウレイド基、チオウレイド基、チオウレイレン基、イソチオウレイレン基、カルバゾイル基、チオカルバゾイル基、セミカルバジド基、チオセミカルバジド基、カルバゾノ基、カルボノヒドラジド基、チオカルボノヒドラジド基、セミカルバゾノ基、チオセミカルバゾノ基、チオカルバゾノ基、カルボジアゾノ基、チオカルボジアゾノ基、メルカプト基、含窒素複素環基から選ばれる少なくとも１つの官能基を有する基を表す。Ｒ２はアルコキシ基又はハロゲン原子からなる基を表し、Ｒ３はメチル基、もしくはエチル基を表し、ｐは１、２又は３を表す。）
【化２】
2008218096.tif 000002
（一般式II中、Ｒ４及びＲ９はそれぞれアルコキシ基又はハロゲン原子からなる基を表し、Ｒ５及びＲ８はそれぞれメチル基、もしくはエチル基を表し、Ｒ６及びＲ７は炭素数１〜６の飽和炭化水素基を表し、ｎは２〜６の自然数であり、ｐ、ｑはそれぞれ１、２、又は３を表す。）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電性材料前駆体
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月9日(2009.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、ゲート絶縁膜及び金属膜からなるゲート電極を形成する工程（ａ１）と、
前記ゲート電極の側面に窒素を導入する工程（ｂ１）と、
前記ゲート電極をマスクに、前記半導体基板表面にソース、ドレイン領域を形成する工程（ｃ１）と
を含む、ＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ｂ１）において、前記ゲート絶縁膜の側面にも窒素が導入される、請求項１に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ１）の後に、前記ゲート電極の側面に、側壁絶縁膜を形成する工程をさらに含む、請求項１に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記側壁絶縁膜はシリコン窒化膜で構成されている、請求項３に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上に、ゲート絶縁膜及びダミーゲート電極からなるゲート領域を形成する工程（ａ２）と、
前記ゲート領域の側壁に、側壁絶縁膜を形成する工程（ｂ２）と、
前記ゲート領域及び前記側壁絶縁膜をマスクに、前記半導体基板表面にソース、ドレイン領域を形成する工程（ｃ２）と、
前記ゲート領域の側方に平坦化された絶縁膜を形成する工程（ｄ２）と、
前記ゲート領域における前記ダミーゲート電極を除去して、前記側壁絶縁膜で画された凹部を形成する工程（ｅ２）と、
前記凹部の側面及び底面上に、表面が窒化された第１の金属薄膜を形成し、さらに、前記凹部内に、第２の金属膜を埋設して、第１の金属薄膜及び第２の金属膜からなるゲート電極を形成する工程（ｆ２）と
を含む、ＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記工程（ａ２）の後に、前記ゲート領域における前記ダミーゲート電極の側面に窒素を導入する工程（ｇ２）をさらに含む、請求項５に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記側壁絶縁膜はシリコン窒化膜で構成されている、請求項５に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｇ２）において、前記ゲート絶縁膜の側面にも窒素が導入される、請求項６に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜４の何れかに記載の方法により製造されたＭＩＳ型半導体装置であって、
該ＭＩＳ型半導体装置は金属ゲート電極を備え、該ゲート電極の側面には、窒素が導入されている、ＭＩＳ型半導体装置。
【請求項１０】
請求項５〜８の何れかに記載の方法により製造されたＭＩＳ型半導体装置であって、
該ＭＩＳ型半導体装置は、側壁絶縁膜で画されたゲート領域内に、第２の金属膜が埋設された金属ゲート電極を備え、前記第２の金属膜と前記側壁絶縁膜との間に、表面が窒化された第１の金属薄膜が形成されている、ＭＩＳ型半導体装置。
【請求項１１】
前記側壁絶縁膜で画されたゲート領域内のゲート絶縁膜の側面に、窒素が導入されている、請求項１０に記載のＭＩＳ型半導体装置。
【請求項１２】
半導体基板上に、ゲート絶縁膜及び多結晶シリコン膜からなるゲート領域を形成する工程（ａ３）と、
前記ゲート領域における前記多結晶シリコン膜の側面に窒素を導入する工程（ｂ３）と、
前記ゲート領域をマスクに、前記半導体基板表面にソース、ドレイン領域を形成する工程（ｃ３）と、
前記多結晶シリコン膜上に金属膜を形成する工程（ｄ３）と、
前記多結晶シリコン膜と前記金属膜とをシリサイド化反応させて、前記多結晶シリコン膜の全領域がフルシリサイド化されてなるゲート電極を形成する工程（ｅ３）と
を含む、ＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記工程（ｂ３）の後に、前記ゲート領域の側壁に、側壁絶縁膜を形成する工程をさらに含む、請求項１２に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記側壁絶縁膜はシリコン窒化膜で構成されている、請求項１３に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記工程（ｂ３）は、前記多結晶シリコン膜の側面をプラズマ窒化処理することによって実行される、請求項１２に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記工程（ｂ３）において、前記ゲート領域の前記ゲート絶縁膜の側面にも窒素が導入される、請求項１２に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記工程（ｃ３）の後、前記ゲート領域の側方に平坦化された絶縁膜を形成する工程をさらに含み、
前記工程（ｄ３）において、前記金属膜は、前記多結晶シリコン膜上を含む前記絶縁膜上に形成される、請求項１２に記載のＭＩＳ型半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２〜１７の何れかに記載の方法により製造されたＭＩＳ型半導体装置であって、
前記ＭＩＳ型半導体装置は、多結晶シリコン膜がフルシリサイド化されてなるゲート電極を備え、該ゲート電極の側面には、窒素が導入されている、ＭＩＳ型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、本発明のＭＩＳ型半導体装置の製造方法は、ゲート領域に形成された多結晶シリコン膜の側面に予め窒素を導入し、然る後に、多結晶シリコン膜を金属膜と反応させることによって、フルシリサイド化ゲート電極を形成する方法を採用する。すなわち、応力の集中する多結晶シリコン膜の側面に導入された窒素に、金属膜中の金属元素の拡散を抑制する作用をもたらすことによって、その後のシリサイド化の熱処理において、金属膜中の金属元素が多結晶シリコン膜の側面に沿ってゲート絶縁膜中に拡散するのを効果的に防ぐことができる。
また、当該方法を金属ゲート電極に適用しても、同様の効果を発揮することができる。すなわち、金属ゲート電極の側面に予め窒素を導入することによって、その後の熱処理（例えば、ソース、ドレイン領域にイオン注入された不純物の活性化熱処理）時に、金属ゲート電極の側面に沿って、金属ゲート電極中の金属元素がゲート絶縁膜中に拡散するのを防止することができる。これにより、金属の仕事関数が安定し、しきい値電圧のばらつきを小さくすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような方法により、フルシリサイド化ゲート電極の形成時に、金属膜中の金属元素がゲート絶縁膜中に拡散するのを防止することができ、リーク電流の少ない、信頼性の高いＭＩＳ型半導体装置を製造することができる。
本発明に係る他のＭＩＳ型半導体装置の製造方法は、半導体基板上に、ゲート絶縁膜及び金属膜からなるゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の側面に窒素を導入する工程と、ゲート電極をマスクに、半導体基板表面にソース、ドレイン領域を形成する工程とを含むことを特徴とする。