【手続補正書】
【提出日】平成25年2月4日(2013.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ−Ｄ）の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒：
【化１】
2012517339.tif 000001
式中：
Ｒ６は独立して（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５のそれぞれは、独立して、水素原子又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり；
Ｌのそれぞれは、独立して、ハロ、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＫＲＬＮ−、ＲＬＯ−、ＲＬＳ−、又はＲＫＲＬＰ−であり、ここでＲＫ及びＲＬはそれぞれ独立して、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ1０）ヒドロカルビル、若しくは（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり、又は、ＲＫ及びＲＬは一体となって（Ｃ2−Ｃ４０）ヒドロカルビレン若しくは（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成し、ここでそれぞれのＬは独立して、Ｍに結合した１価のアニオン部分であり；及び
Ｍのそれぞれは＋２の形式酸化状態にある鉄であり；
上述した（Ｃ１−Ｃ４０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、及び（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、それぞれ独立して、相互に同じであるか又は異なっており、かつ独立して非置換であるか又は１以上の置換基ＲＳによって置換されており；かつ
ＲＳのそれぞれは、独立して、ハロ、ポリフルオロ、パーフルオロ、非置換の（Ｃ１−Ｃ１8）ヒドロカルビル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、オキソ（すなわち＝Ｏ）、Ｒ３Ｓｉ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、又はＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、ここでＲのそれぞれは、独立して、非置換の（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビルであり；そして  式中、０〜５のＲ１Ａが存在し、Ｒ１Ａのそれぞれは、独立して、水素原子又は（Ｃ１−Ｃ３）アルキルである。
【請求項２】
Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４のそれぞれは、独立して、水素原子又はメチルである、請求項１に記載の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒。
【請求項３】
Ｒ５が水素原子、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、又は（Ｃ６−Ｃ１０）アリールである、請求項１又は２に記載の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒。
【請求項４】
Ｒ１及びＲ６のそれぞれは、独立して、（Ｃ１−Ｃ６）アルキル、又は（Ｃ６−Ｃ１０）アリールである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒。
【請求項５】
異性化／ヒドロアルミニウム化触媒が式（１）のものである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒：
【化２】
2012517339.tif 000002
。
【請求項６】
式（２）、（４）、及び（５）のいずれかひとつの異性化／ヒドロアルミニウム化触媒：
【化３】
2012517339.tif 000003
。
【請求項７】
トリアルキルアルミニウム化合物を製造する方法であって、成分（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）を含む成分を一緒に接触させる工程を含む方法：
（ａ）式（Ａ）のトリアルキルアルミニウム前駆物質：
【化４】
2012517339.tif 000004
式（Ａ）において、３つのＲＡのうち、２つのＲＡは独立して（Ｃ１−Ｃ４０）アルキルであり、ひとつのＲＡは独立して（Ｃ２−Ｃ４０）アルキルである；
（ｂ）式（Ｂ）の内部オレフィン：
Ｈ３Ｃ−（ＣＨ２）ｘ−ＣＨ＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｙ−ＣＨ３    （Ｂ）、
式中、ｘ及びｙはそれぞれ独立して０〜５０の整数である；又は、
式（Ｅ）のアルファオレフィン：
ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＨ２）ｚＣＨ３      （Ｅ）
式中、ｚは１＋ｘ＋ｙの合計に等しい整数である；又は、
式（Ｂ）の内部オレフィン及び式（Ｅ）のアルファオレフィンを含む混合物；及び
（ｃ）触媒量の、式（Ｉ）の異性化／ヒドロアルミニウム化触媒
【化５】
2012517339.tif 000005
式中：
Ｒ１とＲ６のそれぞれは、独立して、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり；
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５のそれぞれは、独立して、水素原子又は（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルであり；
Ｌのそれぞれは、独立して、ハロ、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（Ｈ）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｎ（（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル）−、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビルＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＫＲＬＮ−、ＲＬＯ−、ＲＬＳ−、又はＲＫＲＬＰ−であり、ここでＲＫ及びＲＬはそれぞれ独立して、水素原子、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ、［（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル］３Ｓｉ（Ｃ１−Ｃ1０）ヒドロカルビル、若しくは（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビルであり、又は、ＲＫ及びＲＬは一体となって（Ｃ2−Ｃ４０）ヒドロカルビレン若しくは（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンを形成し、ここでそれぞれのＬは独立して、Ｍに結合した１価のアニオン部分であり；及び
Ｍのそれぞれは、独立して、鉄、コバルト、ニッケル、銅又は亜鉛の金属であり、前記金属は＋２の形式酸化状態にあり；
上述した（Ｃ１−Ｃ４０）アルキル、（Ｃ１−Ｃ１０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ２０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヒドロカルビル、（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビル、（Ｃ２−Ｃ４０）ヒドロカルビレン、及び（Ｃ１−Ｃ４０）ヘテロヒドロカルビレンは、それぞれ独立して、相互に同じであるか又は異なっており、かつ独立して非置換であるか又は１以上の置換基ＲＳによって置換されており；かつ
ＲＳのそれぞれは、独立して、ハロ、ポリフルオロ、パーフルオロ、非置換の（Ｃ１−Ｃ１8）ヒドロカルビル、Ｆ３Ｃ−、ＦＣＨ２Ｏ−、Ｆ２ＨＣＯ−、Ｆ３ＣＯ−、オキソ（すなわち＝Ｏ）、Ｒ３Ｓｉ−、ＲＯ−、ＲＳ−、ＲＳ（Ｏ）−、ＲＳ（Ｏ）２−、Ｒ２Ｐ−、Ｒ２Ｎ−、Ｒ２Ｃ＝Ｎ−、ＮＣ−、ＲＣ（Ｏ）Ｏ−、ＲＯＣ（Ｏ）−、ＲＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ）−、又はＲ２ＮＣ（Ｏ）−であり、ここでＲのそれぞれは、独立して、非置換の（Ｃ１−Ｃ１８）ヒドロカルビルであり；
ここにおいて、接触工程は、（トリアルキルアルミニウム化合物）−生成条件下で行われ、そして、式（Ｄ）のトリアルキルアルミニウム化合物を生成し：
【化６】
2012517339.tif 000006
式中、少なくとも１つのＲＤは、式（Ｂ）の内部オレフィンから誘導されるか又は式（Ｅ）のアルファ−オレフィンから誘導される第一級アルキル基であり、残りのＲＤはいずれも、独立して、（Ｃ１−Ｃ４０）アルキルである。
【請求項８】
Ｍのそれぞれは独立して、鉄、ニッケル、銅又は亜鉛の金属であり、及びＭはコバルトである、請求項７記載の方法。
【請求項９】
式（Ｄ）のトリアルキルアルミニウム化合物の収量が、２４時間の反応時間後で少なくとも５０％である、請求項７又は８に記載の方法。