【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部は、アモルファスと、前記アモルファス中に散在する結晶とを有するアモルファス状態のＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｂのうちいずれか１種以上）で形成されていることを特徴とする接触子。
【請求項２】
前記結晶は、Ｎｉ−Ｘで形成された金属間化合物結晶である請求項１記載の接触子。
【請求項３】
前記Ｎｉ−Ｘ中、アモルファスが６０体積％以上占めている請求項１又は２に記載の接触子。
【請求項４】
前記結晶の粒径は、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内である請求項１ないし３のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項５】
前記弾性変形部は、Ｎｉ−Ｘのみで形成されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項６】
前記弾性変形部には、膜厚方向から切断した断面の一部に、前記Ｎｉ−Ｘからなる弾性領域が形成されている請求項１ないし４のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項７】
前記弾性変形部は、導電性部材と、補助弾性部材とを有し、前記導電性部材は前記補助弾性部材よりも比抵抗が低く、前記補助弾性部材は前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高く、前記補助弾性部材が、前記Ｎｉ−Ｘで形成される請求項６記載の接触子。
【請求項８】
前記弾性変形部は全体がアモルファス状態で形成されている請求項１ないし６のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項９】
前記元素ＸはＰである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１０】
Ｐの組成比は、１５原子％以上で３０原子％以下である請求項９記載の接触子。
【請求項１１】
前記元素ＸはＷである請求項１ないし８のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１２】
Ｗの組成比は、１４．５原子％以上で３６原子％以下である請求項１１記載の接触子。
【請求項１３】
Ｗの組成比は２０原子％以上である請求項１２記載の接触子。
【請求項１４】
前記Ｎｉ−Ｘはメッキ形成されたものである請求項１ないし１３のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１５】
前記アモルファス及び前記結晶以外に、１ｎｍ以下の超微細析出物が混在している請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１６】
前記弾性変形部は、荷重が１９．６ｍＮ以上、変位が０．１ｍｍ以上の降伏点を有する請求項１ないし１５のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１７】
前記弾性変形部は螺旋状に形成されている請求項１ないし１６のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１８】
前記弾性変形部は、立体成形された状態で加熱されている請求項１ないし１７のいずれか１項に記載の接触子。
【請求項１９】
基台と、前記基台に設けられた接触子とを有し、電子部品の外部接続部が、前記接触子の弾性変形部に接触する接続装置において、
前記接触子の前記弾性変形部が請求項１ないし１８のいずれか１項に記載された構成にて形成されていることを特徴とする接続装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】接触子及び前記接触子を用いた接続装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（集積回路）等が装着される接触子を有する接続装置（例えばＩＣソケットなど）に係わり、特に、前記接触子をアモルファス状態で形成してばね特性を向上させた接触子及び前記接触子を用いた接続装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、接触子をアモルファス状態で形成し、従来に比べてバネ特性の向上を可能とした接触子及び前記接触子を用いた接続装置を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部は、アモルファスと、前記アモルファス中に散在する結晶とを有するアモルファス状態のＮｉ−Ｘ（ただしＸは、Ｐ、Ｗ、Ｂのうちいずれか１種以上）で形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明では、前記結晶は、Ｎｉ−Ｘで形成された金属間化合物結晶であることが好ましい。また、前記Ｎｉ−Ｘ中、アモルファスが６０体積％以上占めていることが好ましい。また、前記結晶の粒径は、３ｎｍ〜１５ｎｍの範囲内であることが好ましい。
また本発明では、前記弾性変形部は、Ｎｉ−Ｘのみで形成されている形態であってもよいし、前記弾性変形部には、膜厚方向から切断した断面の一部に、前記Ｎｉ−Ｘからなる弾性領域が形成されている形態であってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明では、前記弾性変形部は、導電性部材と、補助弾性部材とを有し、前記導電性部材は前記補助弾性部材よりも比抵抗が低く、前記補助弾性部材は前記導電性部材よりも降伏点及び弾性係数が高く、前記補助弾性部材が、前記Ｎｉ−Ｘで形成されることが好ましい。このような構成とすることで、後述の実験結果にも示すようにへたり率を適切に低減できる等、ばね特性を向上させることができ、良好な導電性も確保することが出来る。
また本発明では、前記弾性変形部は全体がアモルファス状態で形成されている形態であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また本発明では、前記アモルファス及び前記結晶以外に、１ｎｍ以下の超微細析出物が混在していてもよい。前記超微細析出物の析出は特にばね特性に悪影響を与えないため、前記超微細析出物の析出があってもかまわない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また本発明では、前記弾性変形部は、立体成形された状態で加熱されていることが好ましい。加熱することで前記弾性変形部は、所定の立体形状を適切に保つ。特に本発明では、前記弾性変形部を変形加工の際、加熱しても前記弾性変形部はアモルファス状態を適切に保っている。このため前記弾性変形部のばね特性は従来よりも適切に高く維持されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】