Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともＩｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含む酸化物半導体膜のエッチング方法において、炭化水素を含むガスでエッチングすることを特徴とする酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項２】
前記エッチング時の前記炭化水素を含むガスの圧力は、０．６Ｐａ以上３．５Ｐａ以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項３】
前記エッチング時のＲＦパワー密度は、０．１Ｗ／ｃｍ２以上２０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項４】
前記酸化物半導体膜は、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である透明アモルファス酸化膜であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項５】
前記酸化物半導体膜の膜厚は、１ｎｍ以上２ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項６】
前記エッチング時の、前記酸化物半導体膜の表面温度は、−２０℃以上２００℃以下の範囲であることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項７】
前記エッチングプロセスに使用するガスは、炭化水素とＡｒの混合ガスであることを特徴とする請求項１記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【請求項８】
前記炭化水素とＡｒの混合ガス中で、Ａｒの割合は５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下の範囲であることを特徴とする請求項７記載の酸化物半導体膜のドライエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
炭化水素を含むドライエッチングガスを用いる場合、同ガスの好適な圧力条件は、０．６Ｐａ以上３．５Ｐａ以下の範囲である。この圧力よりも低い場合には、ガス自体の排気が主であり、放電を形成するのに十分な量のガス量を装置内に保つことができない。一方、この圧力範囲よりも高い圧力条件にては、プラズマによって解離されない中性ガスが主となり、解離されたイオンと衝突し、エッチング速度を低下させてしまう結果となる。更に、問題とする不揮発性物質を多く発生しやすい状態にもなってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、高いＲＦパワーで印加された電極はより高い運動エネルギを持つ正イオンに衝撃され、物理的なスパッタ及び温度を高める効果がある。炭化水素を含むドライエッチングガスを用いることにより、好適なＲＦパワー密度条件は、０．１Ｗ／ｃｍ２以上２０ Ｗ／ｃｍ２以下の範囲である。更に好ましくは、０．６Ｗ／ｃｍ２以上１０Ｗ／ｃｍ２以下の範囲である。最も好ましくは、１．９Ｗ／ｃｍ２以上６Ｗ／ｃｍ２以下の範囲である。このＲＦパワー密度よりも低い場合には、エッチング効果が小さく、問題とする不揮発性炭化物を多く発生しやすい状態になる。ＲＦパワー密度２Ｗ／ｃｍ２以上の場合、不揮発物は良好に除去できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏから構成される膜をエッチング時間が長いと、プラズマ温度が上昇するとともにプラズマ解離度を高め不揮発物の生成速度が急増する。炭化水素を含むドライエッチングガスを用いること、および対フォトレジストのエッチング選択比により、好適な前記酸化物半導体の膜厚条件は、１ｎｍ以上２ｍｍ以下の範囲である。不揮発生成物の堆積を回避するため、更に好ましくは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲である。この膜厚よりも低い場合には、エッチング装置のガス供給システム、プラズマ電源などにより、短時間にうまく正確にガスを供給して、かつマッチングしてプラズマを励起することは難しい。エッチング誤差が生じると、下地の基板はエッチングされる恐れがあるため、特にプラスチック樹脂基板を使用する際に注意を要する。前記酸化物半導体膜の膜厚は２００ｎｍ以下である限り、大量の不揮発物を発生させることなく効率的に除去できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、本発明において、プロセスガスすなわちエッチングガスは炭化水素と希釈用ガスとの混合物が使用され、希釈用ガスとしてはヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、水素等あるが、特にアルゴン（Ａｒ）を使用することが好ましい。これらの希釈用ガスはプラズマ安定作用、及びＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｏ、Ｃ等が重合して堆積するのを防止する作用を有している。特に、異方性エッチング性能を向上させることが期待される。炭化水素にアルゴンを混ぜるドライエッチングガスを用いることにより、好適なアルゴン割合の条件は、５ｍｏｌ％以上８０ｍｏｌ％以下の範囲である。更に好ましくは、２０ｍｏｌ％以上７５ｍｏｌ％以下の範囲である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離領域の両側に形成された完全空乏型絶縁ゲート電界効果型トランジスタを有する半導体装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１絶縁膜と、
前記半導体基板上に前記第１絶縁膜を介して配置された単結晶半導体薄膜と、
前記単結晶半導体薄膜上に形成された第２絶縁膜を介して配置されたゲート電極と、
前記素子分離領域の両側であってかつ前記半導体基板内の前記第１絶縁膜を含む領域に形成された応力印加領域とを有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記応力印加領域は、前記完全空乏型絶縁ゲート電界効果型トランジスタのソースドレイン領域の下部に設けられている半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記完全空乏型絶縁ゲート電界効果型トランジスタはNMOSトランジスタとPMOSトランジスタとを有し、前記応力印加領域の応力方向が、前記NMOSトランジスタのチャネルが形成される領域においては引っ張り応力、前記PMOSトランジスタのチャネルが形成される領域においては圧縮応力となる半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記応力印加領域は前記半導体基板内に形成された非晶質領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された第１絶縁膜を介して配置された単結晶半導体薄膜と、前記単結晶半導体薄膜上に形成された第２絶縁膜を介して配置されたゲート電極とを少なくとも含む完全空乏型絶縁ゲート電界効果型トランジスタを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１絶縁膜の裏面側の前記半導体基板内に非晶質化領域を形成する工程と、
前記非晶質化領域以外の部分より応力を印加した状態において、前記非晶質化領域を再結晶化する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記非晶質化領域を形成する工程は、前記第１絶縁膜の裏面の所定領域をイオン注入法により非晶質化する工程である半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
〔テープ特性の評価法〕
［１］磁性塗料の作製
磁性粉末０.５００ｇを秤量し、ポット（内径４５ｍｍ、深さ１３ｍｍ）へ入れる。蓋を開けた状態で１０分間放置する。次にビヒクル〔塩ビ系樹脂ＭＲ‐１１０（２２質量％）、シクロヘキサノン（３８.７質量％）、アセチルアセトン（０.３質量％）、ステアリン酸ｎブチル（０.３質量％）、メチルエチルケトン（ＭＥＫ，３８.７質量％）の混合溶液〕をマイクロピペットで０.７００ｍＬ採取し、これを前記のポットに添加する。すぐにスチールボール（２φ）３０ｇ、ナイロンボール（８φ）１０個をポットへ加え、蓋を閉じ１０分間静置する。その後、このポットを遠心式ボールミル（ＦＲＩＴＳＣＨ  Ｐ−６）にセットし、ゆっくりと回転数を上げ、６００ｒｐｍに合わせ、６０分間分散を行う。遠心式ボールミルが停止した後、ポットを取り出し、マイクロピペットを使用し、あらかじめＭＥＫとトルエンを１：１で混合しておいた調整液を１.８００ｍＬ添加する。再度、遠心式ボールミルにポットをセットし、６００ｒｐｍで５分間分散し、分散を終了する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［２］磁気テープの作製
前記の分散を終了した後、ポットの蓋を開け、ナイロンボールを取り除き、塗料をスチールボールごとアプリケータ（５５μｍ）へ入れ、支持フィルム（東レ株式会社製のポリエチレンフィルム：商品名１５Ｃ−Ｂ５００：膜厚１５μｍ）に対して塗布を行う。塗布後、すばやく５.５ｋＧの配向器のコイル中心に置き、磁場配向させ、その後乾燥させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
得られたオキシ水酸化鉄主体の粉末を反応槽に入れ、水素ガスにより６５０℃、３ｈの還元処理を施した後、１００℃まで冷却を行った。これにより、α−Ｆｅの粉末が得られた。この温度で水素ガスからアンモニアガスに切り替えて、再度１３０℃まで昇温し、２０ｈ窒化処理を行った。これによりα−Ｆｅが窒化され、窒化鉄粉末（ベース粉末）が得られた。後述のＸ線回折結果から、このベース粉末はＦｅ16Ｎ2相主体の粉末である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
〔実施例４〕
実施例１の「徐還元処理」を実施例２の条件に変更し、さらに「徐酸化処理」において、窒素ガス置換で６０℃まで冷却し、粉末粒子を酸素濃度２ｖｏｌ％の酸素−窒素混合ガスに６０℃で６０ｍｉｎ曝す処理を行ったこと以外、実施例１と同様の条件で磁性粉末を製造し、実施例１と同様の測定を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
例えば、寸法差をなくすために、矩形配列の周辺部付近のパターンを図２Ａのパターン７に示すように、図１Ａのパターン４よりも大きくしていた。その結果、基板上に転写された転写パターンの寸法差をなくしていた（図２Ｂの８）。このように、ＯＰＣでは、マスクパターンサイズを変えることにより、透過部の光量を調節することで、基板上の転写パターンサイズを制御している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図１１では、ホールが存在しない部分の配線の内部にレジストが解像しない程度の寸法の補助パターン１５が形成されている。補助パターンサイズは半導体基板上で７０ｎｍ以下が望ましい。また、補助パターンの形状は、多角形、例えば、矩形でよい。このような補助パターン１５によって、ホールが存在しない部分近傍を露光する際の露光量を減少させている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2007335543.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、圧電体膜と、上部電極と、を有する圧電素子の製造方法であって、
白金又はイリジウムからなり（００２）に優先配向した前記下部電極を形成する工程と、
スパッタ法又はＭＯＣＶＤ法を用いて、前記下部電極上に（００２）に優先配向した第１圧電体膜を形成する工程と、
液相プロセス法を用いて、前記第１圧電体膜上に第２圧電体膜を形成する工程と、
前記第２圧電体膜上に前記上部電極を形成する工程と、を備える圧電素子の製造方法。
【請求項２】
前記液相プロセス法は、ゾル−ゲル法である請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項３】
前記圧電体膜は、強誘電体からなる請求項１又は２に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項４】
前記圧電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛からなる請求項１乃至３何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１圧電体膜を形成する工程において、前記第１圧電体膜は、前記下部電極側がチタンリッチであり前記上部電極側がジルコニウムリッチである請求項４に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１圧電体膜は、膜厚が前記第１圧電体膜を焼成した後に１ｎｍ〜２０ｎｍである請求項１乃至５何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項７】
前記下部電極は、ジルコニウムからなる密着層上に形成する請求項１乃至６何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月9日(2009.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上にチタン酸ジルコン酸鉛からなる第１圧電体前駆体膜を形成する工程と、
前記第１圧電体前駆体膜上にジルコニウム膜を形成する工程と、
前記第１圧電体前駆体膜及び前記ジルコニウム膜を焼成し、第１圧電体膜を形成する工程と、
前記第１圧電体膜上に第２圧電体膜を形成する工程と、
前記第２圧電体上に上部電極を形成する工程と、を備える圧電素子の製造方法。
【請求項２】
前記下部電極は、（００２）に優先配向している請求項１に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項３】
前記下部電極は、白金からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１圧電体膜および前記第２圧電体膜は、液相プロセス法により形成する請求項１乃至３何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項５】
前記液相プロセス法は、ゾル−ゲル法であることを特徴とする請求項４に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項６】
前記ジルコニウム膜は、スパッタ法により形成することを特徴とする請求項１乃至５何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項７】
前記ジルコニウム膜の膜厚は、２ｎｍ〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１圧電体前駆体膜を形成する工程の前に、前記下部電極上にチタン膜を形成する工程をさらに備え、前記第１圧電体前駆体膜は前記チタン膜上に形成することを特徴とする請求項１乃至７何れか一項に記載の圧電素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電素子の製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理容器、該真空処理容器内に収容した試料台を備え、前記真空処理容器内に導入した処理ガスに高周波電力を供給して前記試料台上部に形成される放電室にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、
前記真空処理容器は、該真空処理容器の上部開口部を覆う蓋部材、前記試料台を収容するチャンバ、該チャンバと前記蓋部材を結合する筒状の放電室壁部材を備え、
前記チャンバは、前記試料台を収容する内側チャンバと該内側チャンバを真空空間を介して収容する外側チャンバを備え、
前記放電室壁部材は、前記放電室部に対向する放電室内側壁部材、並びに該内側壁部材および前記内側チャンバと熱伝導接触する放電室外側壁部材を備え、該放電室外側壁部材の外周に該外周壁面に当接する弾性体を介して備えられた加熱手段により前記放電室内側壁部材および内側チャンバを加熱することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記内側チャンバは外側チャンバに対して取り外し自在に取り付けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、 
前記内側チャンバは、該内側チャンバ上部のみを真空空間を介して収容する外側チャンバを備え、前記内側チャンバ下部の外周部には加熱手段を配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記外側チャンバは熱媒体が通流する媒体通路を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項３記載のプラズマ処理装置において、
前記内側チャンバの下部外周部に配置した加熱手段と、前記放電室壁部材に配置した加熱手段による加熱温度はそれぞれ異なる温度に設定可能であることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
真空処理容器、該真空処理容器内に収容した試料台を備え、前記真空処理容器内に導入した処理ガスに高周波電力を供給して前記試料台上部に形成される放電室にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置の運転方法において、
前記前記真空処理容器は、該真空処理容器の上部開口部を覆う蓋部材、前記試料台を収容するチャンバ、該チャンバと前記蓋部材を結合する筒状の放電室壁部材を備え、
前記チャンバは、前記試料台を収容する内側チャンバと該内側チャンバを真空空間を介して収容する外側チャンバを備え、
前記放電室壁部材は、前記放電室部に対向する放電室内側壁部材、該内側壁部材と熱伝導接触する放電室外側壁部材、並びに前記放電室外側壁部材および前記外側チャンバと接触する放電室ベースプレートを備え、
プラズマ処理時に前記放電室内壁部材および内側チャンバを加熱手段により加熱して個別に温度調整すると共に、前記放電室ベースプレートおよび外側チャンバに熱媒体を通流して前記放電室ベースプレートおよび外側チャンバを人体に安全な温度に調整することを特徴とするプラズマ処理装置の運転方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
真空処理容器、該真空処理容器内に収容した試料台を備え、前記真空処理容器内に導入した処理ガスに高周波電力を供給して前記試料台上部に形成される放電室にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記試料台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記真空処理容器は、該真空処理容器の上部開口部を覆う蓋部材、前記試料台を収容するチャンバ、該チャンバと前記蓋部材を結合する筒状の放電室壁部材を備え、前記チャンバは、前記試料台を収容する内側チャンバと該内側チャンバを真空空間を介して収容する外側チャンバを備え、前記放電室壁部材は、前記放電室部に対向する放電室内側壁部材、並びに該内側壁部材および前記内側チャンバと熱伝導接触する放電室外側壁部材を備え、該放電室外側壁部材の外周に該外周壁面に当接する弾性体を介して備えられた加熱手段により前記放電室内側壁部材および内側チャンバを加熱する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光層を含む少なくとも一層の有機層を有する発光素子であって、前記有機層の少なくとも一層が、少なくとも１種の下記一般式（１）で示される化合物と、少なくとも一種の燐光発光材料を含有することを特徴とする発光素子。
【化１】
2007335638.tif 000001
（ｎは３以上１２以下の整数であり、Ａｒは、置換基を有してもよいアリーレン基、ヘテロアリーレン基であり、全てのＡｒは同一でも、異なっていても良い。Ｘは、置換基を有してもよい２価の非芳香族性連結基であり、全てのＸは同一でも、異なっていても良い。）
【請求項２】
前記Ｘが、−ＣＲ1Ｒ2−（Ｒ1，Ｒ2は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、アルコキシル基、アルキルアミノ基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換えられても良い。）、−Ｏ−、−ＮＲ3−（Ｒ3は、水素原子、直鎖状または分岐状のアルキル基、置換または無置換のアリール基またはヘテロアリール基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換えられても良い。）、−Ｓ−であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記ｎが４であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記一般式（１）で示される化合物を含有する層が発光層であることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の発光素子。
【請求項５】
前記一般式（１）で示される化合物が下記式に示される化合物であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の発光素子。
【化２】
2007335638.tif 000002
【請求項６】
前記燐光発光材料が金属配位化合物であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の発光素子。
【請求項７】
前記金属配位化合物がイリジウム配位化合物であることを特徴とする請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
前記一般式（１）で示される化合物を含有する層が複数の燐光発光材料を含有することを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の発光素子。
【請求項９】
前記燐光発光材料の最低励起三重項状態のエネルギー順位が、前記一般式（１）で示される化合物の最低励起三重項状態のエネルギー順位より低いことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の発光素子。
【請求項１０】
前記燐光発光材料が青色発光材料であることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に減圧される処理室を形成する真空容器と、
該真空容器内にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記真空容器内に配置した試料台上に載置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記試料台に配置され前記試料を前記試料台に吸着させる手段と、
前記試料台内に配置され、前記試料台の上方に移動して前記試料を試料台上面から押し上げるピンと、
前記減圧された処理室とは封止され大気圧にされた室内に配置され前記ピンと連結されてこれを駆動する駆動機構であってシリンダ内部の空間内の可圧縮性流体によってこのシリンダ内部で駆動されるピストンの動作により前記ピンを駆動する駆動機構と、
前記ピンと前記大気圧にされた室との間を封止するとともに前記ピンの動作に伴って伸縮するベローズと、
前記シリンダ内の空間の前記可圧縮性の流体による前記ピンの前記試料への押し付け力が所定の値以下となるように調整する調節器とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ処理装置において、
前記ピンは接地され、前記駆動機構がその先端を前記試料に押し付けて接触させてから前記試料が前記試料台から離脱するまで前記ピストンの位置を維持することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置において、
前記ピンが前記試料と接触した後、前記接触状態が所定時間以上連続した湯合に前記ピンの駆動を停止することを特徴とするプラズマ処置装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズマ処理装置において、
前記ピンまたはピンに連続されている部材の位置を検出するセンサを備え、該センサからの出力を用いて前記試料の試料台上面からの離脱を検出した後は、前記所定値以上の押し上げ力で前記ピンを駆動することを特徴とするプラズマ処置装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
内部に減圧される処理室を形成する真空容器と、
該真空容器内にプラズマを生成し、生成したプラズマにより前記真空容器内に配置した試料台上に載置された試料にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記試料台に配置され前記試料を前記試料台に吸着させる手段と、
前記試料台内に配置され、前記試料台の上方に移動して前記試料を試料台上面から押し上げるピンと、
前記減圧された処理室とは封止され大気圧にされた室内に配置され前記ピンと連結されてこれを駆動する駆動機構であってシリンダ内部の空間内の可圧縮性流体によってこのシリンダ内部で駆動されるピストンの動作により前記ピンを駆動する駆動機構と、
前記ピンと前記大気圧にされた室との間を封止するとともに前記ピンの動作に伴って伸縮するベローズと、
前記シリンダ内の空間の前記可圧縮性の流体による前記ピンの前記試料への押し付け力が所定の値以下となるように調整する調節器とを備えた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電型がｐ型の第１の半導体層と、導電型がｐ型の第２の半導体層と、裏面電極としての導電層とを備え、各層がこの順番で積層されている太陽電池であって、
前記第１の半導体層は、前記第２の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層であり、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層の結晶構造が異なり、
前記第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ1と前記第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ2とが、Ｅｇ1＜Ｅｇ2の関係を満たし、
前記第１の半導体層のキャリア濃度Ｐ1と前記第２の半導体層のキャリア濃度Ｐ2とが、Ｐ1≦Ｐ2の関係を満たす、太陽電池。
【請求項２】
前記第１の半導体層の抵抗率ρ1と前記第２の半導体層の抵抗率ρ2とが、ρ1≧ρ2の関係を満たす、請求項１記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１の半導体層がカルコパイライト構造半導体からなる、請求項１記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第２の半導体層の厚さが１０ｎｍ以上１μｍ以下である、請求項１記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第２の半導体層が、酸化物、窒化物および硫化物からなる群より選ばれる１つからなる、請求項１記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第２の半導体層が、ＣｕＯ、Ｃｕ2Ｏ、Ａｇ2Ｏ、ＮｉＯ、Ｆｅ2Ｏ3、ＣｕＡｌＯ2、ＣｕＧａＯ2およびＣｕＩｎＯ2からなる群より選ばれる１つからなるか、または前記群より選ばれる２つ以上を含む固溶体からなる、請求項５記載の太陽電池。
【請求項７】
前記第２の半導体層が、ＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮからなる群より選ばれる１つからなるか、または前記群より選ばれる２つ以上を含む固溶体からなる、請求項５記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第２の半導体層が、Ａｇ2Ｓ、ＣｕＳ、Ｃｕ2Ｓ、ＮｉＳ、ＦｅＳおよびＦｅＳ2からなる群より選ばれる１つからなるか、または前記群より選ばれる２つ以上を含む固溶体からなる、請求項５記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第１の半導体層が、Ｃｕ、ＩｎおよびＳｅを含むカルコパイライト構造半導体からなり、
前記第２の半導体層が、酸化銅からなる、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１０】
前記導電層が金属からなる、請求項１記載の太陽電池。
【請求項１１】
前記導電層が複数の導電体の薄膜からなる、請求項１記載の太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
すなわち、本発明は、
導電型がｐ型の第１の半導体層と、導電型がｐ型の第２の半導体層と、裏面電極としての導電層とを備え、各層がこの順番で積層されている太陽電池であって、
第１の半導体層は、第２の半導体層よりも光入射側に位置する光吸収層であり、
第１の半導体層と第２の半導体層の結晶構造が異なり、
第１の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ1と第２の半導体層の禁制帯幅Ｅｇ2とが、Ｅｇ1＜Ｅｇ2の関係を満たし、
第１の半導体層のキャリア濃度Ｐ1と第２の半導体層のキャリア濃度Ｐ2とが、Ｐ1≦Ｐ2の関係を満たす、太陽電池を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記液体回収口を第１の液体回収口として、前記ノズルユニットの前記基板側の表面には、前記第１の液体回収口と、前記第１液体回収口とは異なる第２の液体回収口と、が設けられ、
前記第２の液体回収口は、前記第１の液体回収口の外側に配置されることを特徴とする請求項１又は３記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置及びデバイス製造方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この対物レンズ１０３は、キャリッジ１０６の上面に穿たれた窓の内部に、その光軸が、図示せぬスピンドルにクランプされた光ディスクＤと垂直な方向を向くように、保持されている。そして、キャリッジ１０６における対物レンズ１０３の側方には、この対物レンズ１０３によって光ディスクＤの記録面上に集光されるべきレーザー光を発する半導体レーザー１１０が取り付けられている。１０２は、この半導体レーザー１１０から発したレーザー光を、そのビーム軸が対物レンズ１０３の光軸と合致する方向に反射させて、対物レンズ１０３に入射させる立ち上げミラーである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このとき、上述した分離型の光ピックアップ（即ち、半導体レーザー及びコリメータレンズが固定部に取り付けられた構成のもの）と同様に、レーザー光が光ディスクＤと平行に立ち上げミラー１０２に入射するように配置するならば、この立ち上げミラー１０２は、レーザー光を単に９０度反射させれば良い。しかしながら、図６に示すように、半導体レーザー１１０のパッケージ外径は、立ち上げミラー１０２に入射する際におけるレーザー光の径よりも相当大きいので、レーザー光を光ディスクと平行に立ち上げミラー１０２の中心に入射させるには、半導体レーザー１１０のパッケージの外周の一部を、立ち上げミラー１０２の下縁よりも下方に張り出させなければならない。そこで、特許文献１の構成では、半導体レーザー１１０自体を光ディスクＤに対して傾斜して配置することにより、半導体レーザー１１０の設置位置を光ディスクＤに近づけ、もって、キャリッジ１０６全体の厚さを薄くできるようにしている。
【特許文献１】特開平１０−１７７７３５号
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
このファインアクチュエータ機構は、その一端が対物レンズ７が嵌め込まれた鏡筒１２ａとして形成されているとともに他端が光ディスクＤに直交する方向に貫通した矩形枠状の枠部１２ｂとして形成されているレンズ枠１２，このレンズ枠１２をキャリッジ４の内部空洞内において光ディスクＤに直交する方向にのみ平行移動可能に支持する複数本の支持ワイヤ（図示略），矩形の板を断面Ｕ字状に折り曲げたのと等価な形状を有するとともに、レンズ枠１２の枠部１２ｂ内に貫通した状態でキャリッジ４の底面に固定されている磁気コア１３，この磁気コア１３内の相対する内面に互いにＳ極とＮ極とを対向させて固着された一対の永久磁石１４，１５，及び、一方の永久磁石１５と磁気コア１３の一方端部とを包囲するように（但し、これら永久磁石１５及び磁気コア１３に対して進退可能に）巻かれて枠部１２ｂの内面に固定されたコイル１６から、構成されている。従って、このコイル１６に電流が流されると、電流の向きに応じて、光ディスクＤに接近する向き，若しくは光ディスクＤから離れる向きの電磁力がこのコイル１６に生じるので、対物レンズ７を保持するレンズ枠１２の全体が、光ディスクＤに対して垂直な方向に移動し、光ディスクＤに接近し、又は、光ディスクＤから離反するのである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発生手段と、
前記マイクロ波発生手段からマイクロ波を伝送する導波管と、
前記マイクロ波で加熱する被加熱物を収納する加熱室と、
前記導波管から前記加熱室に前記マイクロ波を放射するための少なくとも１つの回転アンテナと、
前記回転アンテナを回転駆動する駆動手段と、
前記加熱室内の温度分布を検出する温度分布検出手段と、
前記温度分布検出手段の検出結果に基づき前記駆動手段を制御して前記回転アンテナの向きを制御する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記加熱室内の特定の領域に対して前記回転アンテナの放射指向性の強い部分を向けるときの前記回転アンテナの角度を記憶するアンテナ角度記憶部と、前記回転アンテナが所定の角度で停止する上限時間を記憶する停止上限時間記憶部と、前記回転アンテナが停止している時間をカウントする停止時間計時部とを有し、前記温度分布検出手段が検出した各検出領域の温度のうち低温部分に前記回転アンテナの放射指向性の強い部分を向けて停止し、前記停止時間計時部がカウントした時間が前記停止上限時間記憶部が記憶する時間に到達するとき、ずらした位置に前記回転アンテナを移動させるマイクロ波加熱装置。
【請求項２】
前記制御手段は、往復角度を記憶する往復角度記憶部を有し、前記温度分布検出手段が検出した検出結果に基づき前記アンテナ角度記憶部を参照して決定された角度を中心として、前記往復角度記憶部が記憶する角度だけ前記回転アンテナを往復揺動させる請求項１に記載のマイクロ波加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月18日(2009.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
制御プロセッサ１４で監視すべき通信制御パケットの種類は、監視パケットテーブル１７で指定されている。制御プロセッサ１４は、受信バッファ１３Ｒから読み出した通信制御パケットが、監視対象か否かを判定し、監視対象になっていない通信制御パケットは、直ちに送信バッファ１３Ｔに出力する。監視対象になっている通信制御パケットを受信すると、制御プロセッサ１４は、通信制御ルーチン１６に従って接続管理テーブル１８を更新した後、通信制御パケットを送信バッファ１３Ｔに出力する。後述するように、制御プロセッサ１４は、接続開始要求に応答してＧＷ装置から返送された複数の応答パケットのうち、１つを選択的にユーザ端末に転送し、残りを廃棄することによって、ＧＷ選択を実現する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板上に、ｎ型クラッド層、アンドープ活性層、Ｚｎドープガイド層、およびＣドープクラッド層をこの順に形成する工程を有し、
前記Ｚｎドープガイド層の形成温度から前記Ｃドープクラッド層の形成温度まで薄膜成長温度を降温するために、前記Ｚｎドープガイド層上に前記Ｃドープクラッド層を形成する前に、前記活性層と前記ガイド層との間の界面から一定の間隔を有する位置で、薄膜成長が中断されることを特徴とする半導体光素子の製造方法。
【請求項２】
前記半導体基板はGaAsからなり、前記ｎ型クラッド層はAlGaAsからなり、前記活性層はAlGaAs/AlGaAs、あるいは GaAs/AlGaAsからなり、
前記Ｃドープクラッド層および前記Ｚｎドープガイド層のいずれもが、ｐ型クラッド層に含まれ、かつGaAlAsからなることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項３】
前記Ｃドープクラッド層は、ｐ型クラッド層内に含まれ、前記ｐ型クラッド層内の前記Ｃドープクラッド層にドープするＣ濃度は、5 x 1017 乃至 5 x 1018cm-3の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項４】
前記Ｚｎドープガイド層の成長後であって、前記Ｃドープクラッド層の形成前に、前記薄膜成長が中断されることを特徴とする請求項１記載の半導体光素子の製造方法。
【請求項５】
前記Ｚｎドープガイド層と前記Ｃドープクラッド層との間に形成されたＺｎドープ組成傾斜層内で、前記薄膜成長が中断されることを特徴とする請求項４記載の半導体光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
一般に、乗用車は車輪の後方位置に、図８（ａ）に示すようなマッドガード５１を備えている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。このマッドガード５１は合成樹脂を材質としており、車体への取付箇所となる断面Ｌ字形状のフランジ部５２と、フランジ部５２の先端に一体形成され断面湾曲形状をなすガード部５３とを備えている。ガード部５３は外表面（図８では左側面）が意匠面５３ａとなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、フランジ部５２の厚みＷ１とガード部５３の厚みＷ２とを同じにした場合、意匠面５３ａには、フランジ部５２とガード部５３との結合部５４付近でヒケ（凹部）５５が発生してしまう。これは、ガード部５３とフランジ部５２との結合部位の樹脂量が他の部位のそれに比べて多くなってしまい、これが原因で収縮差が生じることから起こる。従って、図８（ｂ）に示すようにフランジ部５２の先端の肉厚を全域に亘って薄くすることで薄肉部５６を設け、ガード部５３とフランジ部５２との結合部位の樹脂量を少なくしてヒケ５５の発生を抑えている（例えば、特許文献３（図４）参照）。
【特許文献１】特開平８−１３３１２９号公報
【特許文献２】特開平４−２５４２６７号公報
【特許文献３】特開平８−２４４６４９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の負荷端子を有し、少なくとも第１の分散負荷を含む第１の分散負荷センターであって、前記第１の分散負荷には、中央演算処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、グラフィックスプロセッシングユニット（ＧＰＵ）、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、およびＤＶＤドライブからなるグループから選択された少なくとも１個の負荷が含まれる、第１の分散負荷センターと、
第１および第２の負荷端子を有し、少なくとも第２の分散負荷を含む第２の分散負荷センターであって、前記第２の分散負荷には、インターフェースと通信する前記ＣＰＵ、前記メモリ、前記グラフィックスプロセッシングユニット（ＧＰＵ）、前記ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）、および前記ＤＶＤドライブからなるグループから選択された少なくとも１個の負荷が含まれる、第２の分散負荷センターと、
前記第１の分散負荷センターの前記第１および第２の負荷端子に直接接続され、主として電力を供給する第１のバッテリを含む第１の分散電力システムと、
前記第２の分散負荷センターの前記第１および第２の負荷端子に直接接続され、主として電力を供給する第２バッテリを含む第２の分散電力システムと、を備え、
前記第１および第２の分散負荷センターの前記第１の負荷端子同士が通信し、前記第１および第２の分散負荷センターの前記第２の負荷端子同士が通信し、
前記第１の分散電力システムが前記第２の分散負荷センターに電力を供給し、前記第２の分散電力システムが前記第１の分散負荷センターに電力を供給し、
前記第１の分散電力システムが前記第１の分散負荷および前記第２の分散負荷に電力を供給するとともに、前記第２の分散電力システムが前記第１の分散負荷および前記第２の分散負荷に電力を供給する、分散電力システム。
【請求項２】
請求項１に記載の分散電力システムを備えるモバイルコンピューティング機器であって、
前記中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、
前記ＣＰＵと通信する前記メモリと、
前記メモリおよび前記ＣＰＵと通信するインターフェースと、
前記インターフェースと通信するディスプレイと、
をさらに備える、モバイルコンピューティング機器。
【請求項３】
前記第１の分散電力システムに流れる電流を検出して前記電流を選択的に減少させる検出保護モジュールをさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項４】
モバイルコンピューティング機器がラップトップコンピュータを含む、請求項２に記載のモバイルコンピューティング機器。
【請求項５】
前記第１および第２のバッテリを含むバッテリパックをさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項６】
前記第１のバッテリを含む第１のバッテリパックと、前記第２のバッテリを含む第２のバッテリパックとをさらに備え、
前記第１のバッテリパックが第１の物理的寸法を有し、前記第２のバッテリパックが第２の物理的寸法を有し、
前記第１の物理的寸法の少なくとも１つが前記第２の物理的寸法の少なくとも１つとは異なり、
前記モバイルコンピューティング機器内で、前記第１のバッテリパックが前記第２のバッテリパックから離して配置される、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項７】
前記第１のバッテリと、前記第２のバッテリと、前記第１および第２のバッテリの第１の端子間の第１の接続部を含むバッテリパックならびに前記第１および第２のバッテリの第２の端子間の第２の接続部を含むバッテリパックとをさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項８】
前記第１および第２の分散負荷センターの前記第１の負荷端子間の接続部と、前記第１および第２の分散負荷センターの前記第２の負荷端子間の接続部とを提供するマザーボードをさらに備える、請求項２に記載のモバイルコンピューティング機器。
【請求項９】
前記各接続部は、
前記第１および第２の分散負荷センターの前記各第１の端子を前記マザーボードの電力配線／平面に接続する第１の金属補剛材と、
前記第１および第２の分散負荷センターの前記各第２の端子を前記マザーボードのアース配線／平面に接続する第２の金属補剛材と、
を含む、請求項８に記載のモバイルコンピューティング機器。
【請求項１０】
前記第１のバッテリが第１の容量を有し、前記第２のバッテリが前記第１の容量とは異なる第２の容量を有する、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項１１】
前記第１のバッテリから第１の電圧を受け取って前記第１の分散負荷センターに第２の電圧を出力する第１のＤＣ／ＤＣコンバータをさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項１２】
前記ＤＣ／ＤＣコンバータが降圧コンバータおよび昇圧コンバータのいずれか一方である、請求項１１に記載の分散電力システム。
【請求項１３】
前記第１のバッテリから第３の電圧を受け取って前記第２の分散負荷センターに第４の電圧を出力する第２のＤＣ／ＤＣコンバータをさらに備える、請求項１１に記載の分散電力システム。
【請求項１４】
前記第１のバッテリから第１の電圧を受け取って第２の電圧を出力する第１のＤＣ／ＤＣコンバータと、
前記第１のＤＣ／ＤＣコンバータから前記第２の電圧を受け取って前記第２の分散負荷センターに第３の電圧を出力する第２のＤＣ／ＤＣコンバータと、
をさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項１５】
前記第１のＤＣ／ＤＣコンバータが降圧コンバータであり、前記第２のＤＣ／ＤＣコンバータが昇圧コンバータである、請求項１４に記載の分散電力システム。
【請求項１６】
前記第２のＤＣ／ＤＣコンバータが１：ｎコンバータである、請求項１５に記載の分散電力システム。
【請求項１７】
前記第１のバッテリおよび前記第２のバッテリの少なくとも一方がユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）バッテリである、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項１８】
前記ＵＳＢバッテリが短絡回路保護デバイスを含む、請求項１７に記載の分散電力システム。
【請求項１９】
前記第１の分散負荷センターが第１の電圧で動作し、前記第２の分散負荷センターが前記第１の電圧および第２の電圧の少なくとも一方で動作する、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項２０】
前記第１の分散電力システムの第１および第２の端子の少なくとも一方の接続を選択的に切断する第１の接触器と、
前記第２の分散電力システムの第１および第２の端子の少なくとも一方の接続を選択的に切断する第２の接触器と、
前記第１および第２の接触器の少なくとも一方と通信し、前記第１および第２の分散電力システムの少なくとも一方で短絡回路を検出し、前記第１および第２の分散電力システムの少なくとも一方の接続を選択的に切断する短絡回路検出モジュールと、
をさらに備える、請求項１に記載の分散電力システム。
【請求項２１】
前記第１のＤＣ／ＤＣコンバータが第１の周波数で動作し、前記第２のＤＣ／ＤＣコンバータが前記第１の周波数とは異なる第２の周波数で動作する、請求項１４に記載の分散電力システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路デバイスにおいて用いられるシリアルインタフェースであって、
該シリアルインタフェースは、
第１の範囲のデータレートにわたって動作可能な第１の数のシリアルデータチャネルと、
第２の範囲のデータレートにわたって動作可能な第２の数のシリアルデータチャネルと
を含み、
該第１の範囲および該第２の範囲の各々はそれぞれ最高データレートを有し、該第２の範囲の最高データレートは該第１の範囲の最高データレートよりも実質的に高い、シリアルインタフェース。
【請求項２】
前記第２の範囲のデータレートが前記第１の範囲のデータレートと実質的に連続する、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項３】
前記第１の範囲のデータレートが約０．６Ｇｂｐｓ〜約４Ｇｂｐｓであり、前記第２の範囲のデータレートが、約４Ｇｂｐｓ〜約１０Ｇｂｐｓである、請求項２に記載のシリアルインタフェース。
【請求項４】
前記第２の範囲のデータレートが前記第１の範囲のデータレートとオーバーラップする、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項５】
前記第１の範囲のデータレートが約１Ｇｂｐｓ〜約６．５Ｇｂｐｓであり、前記第２の範囲のデータレートが約４Ｇｂｐｓ〜約１０Ｇｂｐｓである、請求項４に記載のシリアルインタフェース。
【請求項６】
前記第２の数が前記第１の数よりも小さい、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項７】
前記第２の数が１である、請求項６に記載のシリアルインタフェース。
【請求項８】
前記第１の数が４である、請求項７に記載のシリアルインタフェース。
【請求項９】
前記第１の数が４である、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１０】
前記第２の数のチャネルの各チャネルが、前記第１の数のチャネルの全チャンネルよりも、該第１の数のチャネルおよび該第２の数のチャネルの別のチャネルからアイソレートされている、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１１】
前記第２の数のチャネルの各チャネルが、物理コード化サブレイヤモジュールと、物理媒体接続モジュールと、クロック管理ユニットとを含む、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１２】
前記第１の数のチャネルの各チャネルが、物理コード化サブレイヤモジュールと、物理媒体接続モジュールとを含み、該第１の数のチャネルのチャネルがクロック管理ユニットを共有する、請求項１１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１３】
前記第１の数のチャネルの全チャネルが単一のクロック管理ユニットを共有する、請求項１２に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１４】
前記第１の数のチャネルの各チャネルが、物理コード化サブレイヤモジュールと、物理媒体接続モジュールとを含み、該第１の数のチャネルのチャネルがクロック管理ユニットを共有する、請求項１に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１５】
前記第１の数のチャネルの全チャネルが単一のクロック管理ユニットを共有する、請求項１４に記載のシリアルインタフェース。
【請求項１６】
請求項１に記載のシリアルインタフェースを備えたプログラマブルロジックデバイス。
【請求項１７】
処理回路と、
該処理回路に結合されたメモリと、
該処理回路と該メモリとに結合された請求項１６に記載のプログラマブルロジックデバイスと
を備える、デジタル処理システム。
【請求項１８】
請求項１６に記載のプログラマブルロジックデバイスが取り付けられたプリント基板。
【請求項１９】
前記プリント基板に取り付けられ、前記プログラマブルロジックデバイスに結合されたメモリ回路をさらに備える、請求項１８に記載のプリント基板。
【請求項２０】
前記プリント基板に取り付けられ、前記メモリ回路に結合された処理回路をさらに備える、請求項１９に記載のプリント基板。
【請求項２１】
請求項１に記載のシリアルインタフェースを備えた集積回路デバイス。
【請求項２２】
処理回路と、
該処理回路に結合されたメモリと、
該処理回路と該メモリとに結合された請求項２１に記載の集積回路デバイスと
を備える、デジタル処理システム。
【請求項２３】
請求項２１に記載の集積回路デバイスが取り付けられたプリント基板。
【請求項２４】
前記プリント基板に取り付けられ、前記集積回路デバイスに結合されたメモリ回路をさらに備える、請求項２３に記載のプリント基板。
【請求項２５】
前記プリント基板に取り付けられ、前記メモリ回路に結合された処理回路をさらに備える、請求項２４に記載のプリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
後者の実施形態では、低速チャネルに対するＰＣＳは、増大した最高データレートを処理可能である必要がある。一つの解決手段は、同時係属の同一譲受人に譲渡された米国特許第６，８８８，３７８号に示されており、その特許の全容は、本明細書において援用される。その特許は、高速において、２つのＰＣＳモジュールを各ＰＭＡモジュールとともに用いるシリアルインタフェース（２つのＰＣＳモジュールのうちの１つに対応するＰＭＡモジュールは使用されないままである）を開示している。別の解決手段は、同時係属の同一譲受人に譲渡された米国特許出願第１１／１７７，０３４号（２００５年7月８日に出願）（代理人整理番号ＡＬＴ−３８４（Ａ１９４４））（対応日本出願第２００６−１０７９５６号（２００６年４月１０日に出願))に示されており、その特許出願の全容は、本明細書において援用される。その特許出願は、所望のレートに応じて異なったモードで動作する２つの異なった内部経路を有するＰＣＳを開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
上述したように、より広範なデータレートのＰＭＡモジュール３６を提供するためには、先に援用した米国特許第６，８８８，３７６号のように２つのＰＣＳモジュール３５を共有する必要があり得るか、先に援用した米国特許出願第１１／１７７，０３４号（２００５年７月８日に出願）（代理人整理番号ＡＬＴ−３８４（Ａ１９４４））（対応日本出願第２００６−１０７９５６号（２００６年４月１０日に出願))に記載のように所望のレートに応じて異なったモードで動作する２つの異なった内部経路を有するＰＣＳモジュールがＰＣＳモジュール３５として提供され得る。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月13日(2008.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、
表示単位を構成するドット領域内において、前記一対の基板のうち一方の基板側には、電極上に設けた誘電体突起、及び前記電極に設けた開口スリット又は前記電極の縁端部が設けられてなり、
前記誘電体突起の誘電率をεt1、前記液晶の長軸方向の誘電率をε//、短軸方向の誘電率をε⊥としたときに、εt1＞ε//の関係を有していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記開口スリットの内側に設けられ、誘電率εt2がε//＞εt2の関係を有する他の誘電体突起を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。