【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に基板が配置される真空容器と、
前記基板と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、前記真空容器によって下面が支持される環状の外周部と、平面視で前記外周部によって囲まれた領域の中央に位置する中央部と、前記中央部から前記外周部まで放射状に延びる複数の梁部とを備え、前記外周部、前記中央部、及び前記梁部で囲まれた領域が窓部を構成する梁状構造物と、
前記梁状構造物の上面に下面が支持される誘電体板と、
前記誘電体板の上面側に配置され、高周波電力が投入されるプラズマ発生のためのコイルと、
前記梁状構造物の前記上面と前記誘電体板の前記下面との間に介在する弾性部材と、
前記梁状構造物の前記外周部に配置された斜め下向きの外周部ガス導入口と、
前記梁状構造物の前記中央部に形成され、基板の中央部分に向けて下向きにガスを噴出する中央部ガス導入口と、
前記外周部ガス導入口と中央部ガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からキャリアガスを噴出可能なキャリアガス供給源と、
前記外周部ガス導入口と中央部ガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からプロセスガスを噴出可能なプロセスガス供給源と
を備えることを特徴とする、プラズマ処理装置。
【請求項２】
前記外周部ガス導入口から前記キャリアガス供給源が前記キャリアガスを噴出させ、
前記中央部ガス導入口から前記プロセスガス供給源が前記プロセスガスを噴出させることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記外周部ガス導入口から前記プロセスガス供給源が前記プロセスガスを噴出させ、
前記中央部ガス導入口から前記キャリアガス供給源が前記キャリアガスを噴出させることを特徴とする、請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、内部に基板が配置される真空容器と、前記基板と対向する前記真空容器の上部開口に配置され、前記真空容器によって下面が支持される環状の外周部と、平面視で前記外周部によって囲まれた領域の中央に位置する中央部と、前記中央部から前記外周部まで放射状に延びる複数の梁部とを備え、前記外周部、前記中央部、及び前記梁部で囲まれた領域が窓部を構成する梁状構造物と、前記梁状構造物の上面に下面が支持される誘電体板と、前記誘電体板の上面側に配置され、高周波電力が投入されるプラズマ発生のためのコイルと、前記梁状構造物の前記上面と前記誘電体板の前記下面との間に介在する弾性部材と、前記梁状構造物の前記外周部に配置された斜め下向きの外周部ガス導入口と、前記梁状構造物の前記中央部に形成され、基板の中央部分に向けて下向きにガスを噴出する中央部ガス導入口と、前記外周部ガス導入口と中央部ガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からキャリアガスを噴出可能なキャリアガス供給源と、前記外周部ガス導入口と中央部ガス導入口のうちの少なくともいずれか一方からプロセスガスを噴出可能なプロセスガス供給源とを備えることを特徴とする、プラズマ処理装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
例えば、前記外周部ガス導入口から前記キャリアガス供給源が前記キャリアガスを噴出させ、前記中央部ガス導入口から前記プロセスガス供給源が前記プロセスガスを噴出させる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
コイルに高周波電力が投入されることにより梁状構造物の窓部には強磁場（強い交番電界）が形成される。キャリアガスは梁状構造物の外周部に形成された外周部ガス導入口から斜め下向きに噴出されるので、この強磁場を通過する。その結果、キャリアガスは十分に解離あるいはイオン化される。一方、プロセスガスは、梁状構造物の中央部に形成された中央部ガス導入口から基板の中央部分に向けて下向きに噴出されるので、窓部に形成された強磁場を通過しない。そのため、プロセスガスの過剰な解離やイオン化は生じない。従って、キャリアガスは十分に解離あるいはイオン化させつつ、プロセスガスについては過剰な解離及びイオン化を抑制でき、良好なプラズマ処理を実現できる。例えば、プロセスガスがエッチングガスの場合、キャリアガスは十分に解離あるいはイオン化させつつ、エッチングガスについては過剰な解離及びイオン化を抑制することで、ガスの種類に応じて、すなわちエッチングガスとキャリアガスのそれぞれについて、ラジカルとイオンの比を個別に制御できるので、エッチングレートや選択比が良好なエッチング処理を実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、外周部ガス導入口及び中央部ガス導入口はいずれも梁状構造物に設けられている点、及び誘電体板自体にはガス導入口等を設ける必要がない点で比較的構造が簡易である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、外周部ガス導入口及び中央部ガス導入口が形成された梁状構造物は、環状の外周部と、外周部によって囲まれた領域の中央に位置する中央部と、中央部から外周部まで放射状に延びる複数の梁部とを備える。そのため、誘電体板のすべての部分、すなわち外周部分、中央部分、及び外周部分と中央部分の間の部分が梁状構造物によって均一に支持される。従って、誘電体板を大面積化しても減圧された真空容器内と大気圧との差圧に耐えるための機械的強度を確保できるので、装置を大型化できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
代案としては、前記外周部ガス導入口から前記プロセスガス供給源が前記プロセスガスを噴出させ、前記中央部ガス導入口から前記キャリアガス供給源が前記キャリアガスを噴出させる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
梁状構造物の外周部に形成された外周部ガス導入口からプロセスガスを斜め下向きに噴出させることにより、プロセスガスの高密度プラズマ化を図ることができる。また、中央部ガス導入口からキャリアガスを噴出させることでき、エッチングレート、エッチング等のエッチング特性に寄与するプロセスガスの流量を増加又は低減することなしに基板の中央でのガス流量分布を変えることができる。その結果、基板に対するプラズマ処理の均一化できる。例えば、プロセスガスがエッチングガスの場合、基板全体でエッチングレート等にむらのない均一なエッチング処理を施すことができる。なお、ここでプロセスガスの流量を増加又は低減することなしにとは、エッチング特性に悪影響がない程度にプロセスガスの流量を増加又は低減することをも排除する意味ではないことは言うまでもない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、外周部ガス導入口及び中央部ガス導入口はいずれも梁状構造物に設けられている点、及び誘電体板自体にはガス導入口等を設ける必要がない点で比較的構造が簡易である。さらに、誘電体板のすべての部分が梁状構造物によって均一に支持されるので、誘電体板を大面積化しても必要な機械的強度を確保でき、装置の大型化が可能である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
梁状構造物の外周部に形成された外周部ガス導入口と梁状構造物の中央部に形成された中央部ガス導入口のうち少なくとも一方からキャリアガス供給源がキャリアガスを噴出可能とし、かつこれら外周部ガス導入口及び中央部ガス導入口の少なくとも一方からプロセスガス供給源がプロセスガスを噴出可能とすることで、プロセスガスの解離やイオン化をガスの種類によって個別に制御することによる良好なプラズマ処理を実現できる。あるいは、エッチングレート、エッチング形状等のエッチング特性に寄与するプロセスガスを増加又は低減することなく基板中央でのガス流量分布を変えることにより、基板に対するプラズマ処理の均一化を実現できる。また、比較的簡易な構造であり、装置の大型化も実現可能である。