Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）２８０℃より高い融点を有する半芳香族性ポリアミドを全組成に対して約４０〜約９０重量％含有し、（ｂ）約１８００〜約２２００の低平均分子量、１４０℃において１５００〜２０００ｍＰａ  ｓｅｃの溶融粘度、１５〜２４ｍｇ  ＫＯＨ／ｇの酸末端を有する１つ以上の酸化ポリエチレン潤滑剤を含む高温ポリアミド樹脂組成物であって、前記組成物中に存在する潤滑剤の全量が、前記組成物の全重量に対して約０．１〜約０．６重量％である高温ポリアミド樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物から作られる造形品。
【請求項３】
（ａ）半芳香族性ポリアミド及び（ｂ）約１８００〜約２２００の低平均分子量、１４０℃において１５００〜２０００の溶融粘度、及び１５〜２４の酸末端を有する１つ以上の酸化ポリエチレン潤滑剤を含む組成物の製造方法であって、前記組成物は融点が２８０℃より高い半芳香族性ポリアミドを全組成に対して約４０〜約９０重量％含み、当該組成物中に存在する（ｂ）潤滑剤の全量が組成物の全重量に対して約０．１〜約０．６重量％である組成物であり、前記製造方法は（ｉ）第一の混合工程において前記半芳香性ポリアミドと前記潤滑剤を含む材料を混合し中間組成物を形成する工程と、次いで（ｉｉ）次の混合行程において工程（ｉ）の中間組成物と、任意選択的に他の成分を、前記中間組成物が溶融している間に、二軸押出機中に導入し混合する工程とを含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
表４にリストされたポリアミド６Ｔ／６６実施例において、実施例５はＬｉｃｏｗａｘ  ＰＥＤ  １９１を使用し突き出し抵抗が最も低く、金型付着がなかった。このように、ポリアミド６Ｔ／ＤＴ及びポリアミド６Ｔ／６６については、数平均分子量が約１８００〜約２２００を有する酸化ポリエチレンワックスが離型性に効果があり、また金型付着がなかった。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．（ａ）２８０℃より高い融点を有する半芳香族性ポリアミドを全組成に対して約４０〜約９０重量％含有し、（ｂ）約１８００〜約２２００の低平均分子量、１４０℃において１５００〜２０００ｍＰａ  ｓｅｃの溶融粘度、１５〜２４ｍｇ  ＫＯＨ／ｇの酸末端を有する１つ以上の酸化ポリエチレン潤滑剤を含む高温ポリアミド樹脂組成物であって、前記組成物中に存在する潤滑剤の全量が、前記組成物の全重量に対して約０．１〜約０．６重量％である高温ポリアミド樹脂組成物。
２．前記半芳香族性ポリアミドは、テレフタル酸及び任意選択的に１つ以上の追加の脂肪族カルボン酸であるカルボン酸成分から誘導され、脂肪族ジアミン成分はヘキサメチレンジアミン又はヘキサメチレンジアミンと２−メチルペンタメチレンジアミンの混合物である前記１に記載の組成物。
３．ガラス繊維、タルク、ウォラストナイト、熱安定剤、抗酸化剤、及び衝撃改良材からなる群から選択される１つ以上の添加剤をさらに含む前記１に記載の組成物。
４．前記１に記載の組成物から作られる造形品。
５．コンパウンドされたペレットの形状であり、ガラス繊維、熱安定剤、抗酸化剤、及び光安定剤の１つ以上を含む前記４に記載の造形品。
６．（ａ）半芳香族性ポリアミド及び（ｂ）約１８００〜約２２００の低平均分子量、１４０℃において１５００〜２０００の溶融粘度、及び１５〜２４の酸末端を有する１つ以上の酸化ポリエチレン潤滑剤を含む組成物の製造方法であって、前記組成物は融点が２８０℃より高い半芳香族性ポリアミドを全組成に対して約４０〜約９０重量％含み、当該組成物中に存在する（ｂ）潤滑剤の全量が組成物の全重量に対して約０．１〜約０．６重量％である組成物であり、前記製造方法は（ｉ）第一の混合工程において前記半芳香性ポリアミドと前記潤滑剤を含む材料を混合し中間組成物を形成する工程と、次いで（ｉｉ）次の混合行程において工程（ｉ）の中間組成物と、任意選択的に他の成分を、前記中間組成物が溶融している間に、二軸押出機中に導入し混合する工程とを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2012533618.tif 000001
（式中、Ｒ3は、アルキル、シクロアルキル、アラルキル、又はアリールである）
の精製された化合物を製造するプロセスであって、
（ａ）式（ＩＩ）：
【化２】
2012533618.tif 000002
（式中、各Ｒ1およびＲ2は独立にヒドロキシル保護基を表す）の化合物を、
式（ＩＩＩ）：Ｘ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ3（式中、Ｘはアシル活性化基およびＲ3は上記で定義済み）のアシル化試薬と有機溶媒中で反応させ、式（ＩＶ）：
【化３】
2012533618.tif 000003
（式中、各Ｒ1、Ｒ2、およびＲ3は上記で定義済み）のアシル化化合物を製造すること；（ｂ）式（ＩＶ）のアシル化化合物を脱保護して式（Ｉ）の化合物を得ること；さらに
（ｃ）式（Ｉ）の化合物をｎ−ペンタノールで精製すること、
を含むプロセス。
【請求項２】
Ｘがハロゲン化物である請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
Ｒ3がＣ１〜Ｃ６アルキルである請求項１記載のプロセス。
【請求項４】
Ｒ3がペンチル基である請求項１記載のプロセス。
【請求項５】
反応ステップ（ａ）が、式（ＩＩ）の化合物の３．５〜５．０モル当量の塩基の存在下で行われる請求項１記載のプロセス。
【請求項６】
塩基が、式（ＩＩ）の化合物の３．５〜４．５モル当量のピリジンである請求項５記載のプロセス。
【請求項７】
脱保護ステップ（ｂ）が、約０〜１０℃の温度での加水分解反応により行われる請求項１記載のプロセス。
【請求項８】
精製ステップ（ｃ）が６０℃未満の温度で行われる請求項１記載のプロセス。
【請求項９】
反応ステップ（ａ）および脱保護ステップ（ｂ）が、同じリアクターで連続的に行われる請求項１記載のプロセス。
【請求項１０】
Ｄ90が２５０〜３５０ミクロン、Ｄ50が１００〜１２０ミクロンおよびＤ10が２５〜３０ミクロンの平均粒形を有するカペシタビン。
【請求項１１】
カペシタビンの製造プロセスであって、式（ＩＶ）：
【化４】
2012533618.tif 000004
の化合物の脱保護を酵素で行うことを含むプロセス。
（式中、各Ｒ1およびＲ2は独立にヒドロキシル保護基、Ｒ3はアルキル、シクロアルキル、アラルキル、又はアリールを表す）
【請求項１２】
酵素がリパーゼである請求項１１記載のプロセス。
【請求項１３】
Ｒ3がペンチル基である請求項１１記載のプロセス。
【請求項１４】
【化５】
2012533618.tif 000005
【化６】
2012533618.tif 000006
【化７】
2012533618.tif 000007
【化８】
2012533618.tif 000008
【化９】
2012533618.tif 000009
を含むカペシタビン。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凍結保存細胞の生存率を向上させる方法であって、ポリエーテルの存在下で凍結保存細胞を解凍することを含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露出した身体組織への塗布用局所製剤であって、前記製剤は酸化銀（ＩＩ）および酸化亜鉛を含み、前記酸化銀（ＩＩ）および前記酸化亜鉛は担体媒質内で親密に分散し、
前記酸化銀（ＩＩ）に対する前記酸化亜鉛の比は、重量比で少なくとも０．５：１、少なくとも１：１、少なくとも２：１、少なくとも３：１、または少なくとも４：１である、局所製剤。
【請求項２】
前記製剤は少なくとも０．０５重量％の酸化銀（ＩＩ）および、少なくとも０．０５重量％の酸化亜鉛を含む、請求項１に記載の局所製剤。
【請求項３】
前記製剤は２５重量％未満、２０重量％未満、１５重量％未満、１２重量％未満、または１０重量％未満の酸化亜鉛を含む、請求項１または２に記載の局所製剤。
【請求項４】
前記酸化銀（ＩＩ）に対する前記酸化亜鉛の前記重量比が１００：１未満、５０：１未満、２０：１未満、１２：１未満、１０：１未満または８：１未満である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の局所製剤。
【請求項５】
前記担体媒質が、液体蝋エステルをさらに含む、請求項１から４のいずれか１項に記載の局所製剤。
【請求項６】
前記酸化銀（ＩＩ）および酸化亜鉛は選択され、前記酸化銀（ＩＩ）および酸化亜鉛は前記担体媒質内に分散し、そこで前記製剤の白色度は式：
Ｌ＊ ≧（Ｌ０＊）＋ ２
を満たし、Ｌｏ＊は、前記酸化亜鉛抜きの前記製剤の基準白色度値であり、Ｌ＊は前記酸化亜鉛を含む前記製剤の白色度値である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の局所製剤。
【請求項７】
前記酸化銀（ＩＩ）、前記酸化亜鉛および前記担体媒質は選択され、前記酸化銀（ＩＩ）および前記酸化亜鉛は前記担体媒質内に分散し、前記製剤の前記白色度値Ｌ＊は少なくとも７５、少なくとも７８、少なくとも８０、または少なくとも８２または少なくとも８４である、請求項６に記載の局所製剤。
【請求項８】
前記酸化銀（ＩＩ）の含有量は少なくとも約０．５重量％であり、前記酸化銀（ＩＩ）、前記酸化亜鉛および前記担体媒質は選択され、前記酸化銀（ＩＩ）および前記酸化亜鉛は前記担体媒質内に分散し、そこで、前記製剤の白色度値Ｌ＊は少なくとも８０、少なくとも８２または少なくとも８４である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の局所製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリ尿素、ポリアクリレートおよびポリスルフィドからなる群から選択される少なくとも１つの化合物１０〜９０質量％と、
（Ｂ）少なくとも１つのシクロヘキサンポリカルボン酸誘導体１〜５０質量％と、
を含む接着剤またはシール剤であって、
該接着剤またはシール剤がＣ4〜Ｃ8−アルキルテレフタレートを含まない、前記接着剤またはシール剤。
【請求項２】
前記接着剤またはシール剤が、以下のさらなる成分、
１〜８０質量％の充てん剤、
０〜５０質量％の水および／または溶剤、
０〜２０質量％のレオロジー改質剤
のうち少なくとも１つを含むことを特徴とする、請求項１に記載の接着剤またはシール剤。
【請求項３】
前記成分（Ｂ）が、化学式（Ｉ）
【化１】
2012533664.tif 000001
［式中、
Ｒ1は、飽和シクロヘキサン環の置換基であって、Ｃ1〜Ｃ10−アルキル基またはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル基であり、
ｍは、０、１、２、３、または４であり、
ｎは、２、３、または４であり
Ｒは、Ｃ1〜Ｃ30−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ30−アルコキシ基、Ｃ3〜Ｃ8−シクロアルキル基、Ｃ6〜Ｃ30−アリールフェニル基、またはＣ1〜Ｃ30−アルキル−シクロアルキル基を表し、この場合、少なくとも１つの基Ｒは、Ｃ1〜Ｃ30−アルキル基、Ｃ1〜Ｃ30−アルコキシ基、またはＣ3〜Ｃ8−シクロアルキル基である］の少なくとも１つのシクロヘキサンポリカルボン酸誘導体を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の接着剤またはシール剤。
【請求項４】
前記成分（Ｂ）が、シクロヘキサン−１，２−ジカルボン酸ジ（イソノニル）エステルであることを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤
【請求項５】
さらなる成分として、助剤および添加剤、分散剤、膜形成助剤、顔料、レオロジー助剤、捕水剤、定着剤、触媒、光安定剤および老化防止剤、防炎剤、および／または殺生物剤が含まれていることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤。
【請求項６】
前記接着剤またはシール剤が１成分系であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤。
【請求項７】
前記接着剤またはシール剤が２成分系であることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤を製造する方法において、
ａ）成分（Ａ）の３０〜５０質量％と、成分（Ｂ）すべてと、場合によりそのほかの成分とを装入して混合し、
ｂ）成分（Ａ）の残りと、場合によりそのほかの成分とを添加して混合することを特徴とする、前記接着剤またはシール剤の製造方法。
【請求項９】
前記方法が不連続的に行われることを特徴とする、請求項８に記載の接着剤またはシール剤の製造方法。
【請求項１０】
前記方法が連続的に行われることを特徴とする、請求項８に記載の接着剤またはシール剤の製造方法。
【請求項１１】
接合部分間に素材結合を生じるための、請求項１から７までのいずれか１項に記載の接着剤またはシール剤の使用。
【請求項１２】
コンクリート、モルタル、ガラス、金属、セラミックス、プラスチックおよび／または木材からなる接合部分間に素材結合を生じるための、請求項１１に記載の接着剤またはシール剤の使用。
【請求項１３】
前記接合部分の１つが表面であり、もう１つが絨毯敷き材、ＰＶＣ敷き材、積層物、ゴム敷き材、コルク敷き材、リノリウム敷き材、木材敷き材、またはタイルであることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の接着剤またはシール剤の使用。
【請求項１４】
前記素材結合が、地上建築の接合部、伸縮接合部、床の接合部、ファサードの接合部、建物の境界接合部、連結接合部、ガラスグレージング、窓ガラスグレージング、構造物ガラスグレージング、屋根ガラスグレージング、窓シーリング、または衛生領域の密封接合部であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の接着剤またはシール剤の使用。
【請求項１５】
前記接合部分が、電気、機械、自動車、貨物自動車、キャンピングカー、列車、トレーラー、航空機、船舶又は線路建造における部分であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の接着剤またはシール剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
液晶媒体であって、
−  少なくとも１つの式Ｉの化合物、および
−  少なくとも１つの式ＩＩの化合物
または、
−  少なくとも１つの式Ｉの化合物、および
−  少なくとも１つの式ＩＩＩの化合物
または、
−  少なくとも１つの式ＩＩの化合物、および
−  少なくとも１つの式ＩＩＩの化合物
または、
−  少なくとも１つの式Ｉの化合物、および
−  少なくとも１つの式ＩＩの化合物、および
−  少なくとも１つの式ＩＩＩの化合物：
−
【化１】
2012533662.tif 000001
式中、
Ｌ１１は、Ｒ１１またはＸ１１を表し、
Ｌ１２は、Ｒ１２またはＸ１２を表し、
Ｒ１１およびＲ１２は、互いに独立して、Ｈ、１〜１５個のＣ原子を有する非フッ素化アルキルもしくは非フッ素化アルコキシ、または２〜１５個のＣ原子を有する非フッ素化アルケニル、非フッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化アルコキシアルキルを表し、
Ｘ１１およびＸ１２は、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５、１〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルキルもしくはフッ素化アルコキシ、または２〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルケニル、非フッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化もしくはフッ素化アルコキシアルキルを表し、および
【化２】
2012533662.tif 000002
は、互いに独立して、
【化３】
2012533662.tif 000003
を表す、
−
【化４】
2012533662.tif 000004
式中、
Ｌ２１は、Ｒ２１を表し、および、Ｚ２１および／またはＺ２２がtrans−ＣＨ＝ＣＨ−またはtrans−ＣＦ＝ＣＦ−を表す場合は、代替的にＸ２１を表し、
Ｌ２２は、Ｒ２２を表し、および、Ｚ２１および／またはＺ２２がtrans−ＣＨ＝ＣＨ−またはtrans−ＣＦ＝ＣＦ−を表す場合は、代替的にＸ２２を表し、
Ｒ２１およびＲ２２は、互いに独立して、Ｈ、１〜１７個のＣ原子を有する非フッ素化アルキルもしくは非フッ素化アルコキシ、または２〜１５個のＣ原子を有する非フッ素化アルケニル、非フッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化アルコキシアルキルを表し、
Ｘ２１およびＸ２２は、互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５、１〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルキルもしくはフッ素化アルコキシ、または２〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルケニル、フッ素化アルケニルオキシもしくはフッ素化アルコキシアルキルを表し、
Ｚ２１およびＺ２２の１つは、trans−ＣＨ＝ＣＨ−、trans−ＣＦ＝ＣＦ−または−Ｃ=Ｃ−を表し、もう１つは、これとは独立して、trans−ＣＨ＝ＣＨ−、trans−ＣＦ＝ＣＦ−または単結合を表し、および、
【化５】
2012533662.tif 000005
は、互いに独立して、
【化６】
2012533662.tif 000006
を表す、
−
【化７】
2012533662.tif 000007
式中、
Ｌ３１は、Ｒ３１またはＸ３１を表し、
Ｌ３２は、Ｒ３２またはＸ３２を表し、
Ｒ３１およびＲ３２は、互いに独立して、Ｈ、１〜１７個のＣ原子を有する非フッ素化アルキルもしくは非フッ素化アルコキシ、または２〜１５個のＣ原子を有する非フッ素化アルケニル、非フッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化アルコキシアルキルを表し、
Ｘ３１およびＸ３２は、互いに独立して、Ｈ、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５、１〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルキルもしくはフッ素化アルコキシ、または２〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルケニル、非フッ素化もしくはフッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化もしくはフッ素化アルコキシアルキルを表し、
Ｚ３１からＺ３３は、互いに独立して、trans−ＣＨ＝ＣＨ−、trans−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ=Ｃ−または単結合を表し、および
【化８】
2012533662.tif 000008
は、互いに独立して、
【化９】
2012533662.tif 000009
を表す、
および
−  任意に、１または２以上のさらなる化合物、
を含むことを特徴とする、前記液晶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
Ｒ２１およびＲ２２は、互いに独立して、Ｈ、１〜１７個の、好ましくは３〜１０個のＣ原子を有する非フッ素化アルキルもしくは非フッ素化アルコキシ、または２〜１５個の、好ましくは３〜１０個のＣ原子を有する非フッ素化アルケニル、非フッ素化アルケニルオキシもしくは非フッ素化アルコキシアルキルを、好ましくはアルキルまたは非フッ素化アルケニルを表し、
Ｘ２１およびＸ２２は、互いに独立して、Ｆ、Ｃｌ、−ＣＮ、−ＮＣＳ、−ＳＦ５、１〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルキルもしくはアルコキシ、または２〜７個のＣ原子を有するフッ素化アルケニル、アルケニルオキシもしくはアルコキシアルキル、またはＮＣＳ、好ましくは−ＮＣＳを表し、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
式Ｉ−１ｃの化合物は、好ましくは式Ｉ−１ｃ−１〜Ｉ−１ｃ−４の化合物の群から選択され、好ましくは式Ｉ−１ｃ−１およびＩ−１ｃ−２の化合物の群から選択され、さらに好ましくはこれら式Ｉ−１ｃの化合物は、主にこれらからなり、さらにより好ましくは本質的にこれらからなり、極めて特に好ましくは完全にこれらからなる：
【化２４】
2012533662.tif 000010
式中、
Ｒ１１は、上述の意味を有し、好ましくはＣｎＨ２ｎ＋１を表し、式中、
ｎは、０〜１５の範囲の、好ましくは１〜７の範囲の、および特に好ましくは１〜５の整数を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号1のアミノ酸配列を含むポリペプチドまたは該ポリペプチドの医薬上許容される塩、ここで、該ポリペプチドは配列番号4のアミノ酸配列を含むヒト血清アルブミン (HSA)の変異体と接合している。
【請求項２】
配列番号1のアミノ酸配列を含むポリペプチドまたは該ポリペプチドの医薬上許容される塩、ここで、該ポリペプチドは配列番号6のアミノ酸配列を含むヒト血清アルブミン (HSA)の変異体と接合している。
【請求項３】
該ポリペプチドがリンカーアミノ酸配列を含む請求項 1または2のポリペプチド。
【請求項４】
該リンカーアミノ酸配列がグリシンおよびセリンアミノ酸の組合せを含む請求項 3 のポリペプチド。
【請求項５】
該リンカーアミノ酸配列が配列番号8のアミノ酸配列を含む請求項 3のポリペプチド。
【請求項６】
配列番号9のアミノ酸配列を含むポリペプチド、または該ポリペプチドの医薬上許容される塩。
【請求項７】
配列番号11のアミノ酸配列を含むポリペプチド、または該ポリペプチドの医薬上許容される塩。
【請求項８】
配列番号10のヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチド。
【請求項９】
配列番号12のヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチド。
【請求項１０】
請求項 1または2のポリペプチド、またはその医薬上許容される塩、および医薬上許容される担体を含む、生理的に許容される組成物。
【請求項１１】
配列番号9のアミノ酸配列を含むポリペプチド、または該ポリペプチドの医薬上許容される塩、および医薬上許容される担体を含む、生理的に許容される組成物。
【請求項１２】
配列番号10のヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチド、または該ポリペプチドの医薬上許容される塩、および医薬上許容される担体を含む、生理的に許容される組成物。
【請求項１３】
αｖβ３ インテグリン関連疾患の治療および/または予防のための、治療上有効量の請求項 1または2のポリペプチドまたはその医薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１４】
αｖβ３ インテグリン関連疾患の治療および/または予防のための、治療上有効量の配列番号9のアミノ酸配列を含むポリペプチドまたはその医薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１５】
αｖβ３ インテグリン関連疾患の治療および/または予防のための、治療上有効量の配列番号10のヌクレオチド配列を含むポリヌクレオチドによってコードされるポリペプチドまたはその医薬上許容される塩を含む医薬組成物。
【請求項１６】
該αｖβ３ インテグリン関連疾患が骨における腫瘍増殖または腫瘍転移である請求項 14または15の医薬組成物。
【請求項１７】
該αｖβ３ インテグリン関連疾患が、加齢性黄斑変性症、糖尿病性網膜症、角膜新血管新生疾患、加齢性虚血誘導性新血管形成網膜症、高度近視、および未熟児網膜症からなる群から選択される血管形成関連眼疾患である請求項 14 または15の医薬組成物。
【請求項１８】
該αｖβ３ インテグリン関連疾患が、骨粗しょう症、悪性腫瘍誘導性高カルシウム血症、多発性骨髄腫、およびパジェット病からなる群から選択される請求項 14または15の医薬組成物。
【請求項１９】
別の活性薬剤と組み合わせて投与されるものである、請求項 14または15の医薬組成物。
【請求項２０】
該別の活性薬剤が、VEGF アンタゴニスト、抗炎症薬、ビスホスフォネート、および細胞毒性薬からなる群から選択される請求項 19 の医薬組成物。
【請求項２１】
以下の工程を含む、請求項 1 または 2のポリペプチドの製造方法：
(a)請求項 1または2のポリペプチドをコードする遺伝子を構築する工程、
(b)工程 (a)の遺伝子を宿主細胞にトランスフェクトする工程; 
(c)該宿主細胞を培地において成育させる工程;および、
(d)該ポリペプチドを単離する工程。
【請求項２２】
以下の工程を含む、配列番号9のアミノ酸配列を含むポリペプチドの製造方法：
(a)該ポリペプチドをコードする遺伝子を構築する工程、
(b)工程 (a)の遺伝子を宿主細胞にトランスフェクトする工程; 
(c)該宿主細胞を培地において成育させる工程;および、
(d)該ポリペプチドを単離する工程。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式によって表されるエポキシシランと
【化１】
2012533675.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；Ｘは、少なくとも１つのオキシラン環を有する有機基を表す）；
以下の式によって表されるフッ素化シランと、
【化２】
2012533675.tif 000002
（式中、
Ｒｆは、３〜５個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基を表し、
Ｒ４は、Ｈ又は１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｚは、直鎖アルキレン基を表す）；
光酸と、を含む、硬化性組成物。
【請求項２】
フォトツールをコーティングする方法であって、前記フォトツールの少なくとも一部上に硬化性組成物をコーティングする工程と、前記硬化性組成物を硬化させる工程とを含み、前記硬化性組成物が、
以下の式によって表されるエポキシシランと、
【化３】
2012533675.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；Ｘは、少なくとも１つのオキシラン環を有する有機基を表す）；
以下の式によって表されるフッ素化シランと
【化４】
2012533675.tif 000004
（式中、
Ｒｆは、３〜５個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基を表し、
Ｒ４は、Ｈ又は１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｚは、直鎖アルキレン基を表す）；
光酸と、を含む、方法。
【請求項３】
主表面の少なくとも一部上に保護コーティングが配置されたフォトツールを含むコーティングされたフォトツールであって、前記保護コーティングが、
以下の式によって表されるエポキシシランと
【化５】
2012533675.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；Ｘは、少なくとも１つのオキシラン環を有する有機基を表す）；
以下の式によって表されるフッ素化シランと、
【化６】
2012533675.tif 000006
（式中、
Ｒｆは、３〜５個の炭素原子を有するペルフルオロアルキル基を表し、
Ｒ４は、Ｈ又は１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、独立して、１〜４個の炭素原子を有するアルキル基を表し；
Ｚは、直鎖アルキレン基を表す）；
光酸と、を含む、硬化性組成物の反応産物を含む、コーティングされたフォトツール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイと、
第２のメモリセルブロックを非活性化しながら、第１のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路と、
少なくとも１つの第２のブロック選択素子に第２の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも１つの第１のブロック選択素子に第１の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第１のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すことができる読出回路とを備える、装置。
【請求項２】
複数の行は、前記第１のメモリセルブロックおよび前記第２のメモリセルブロックを規定する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１および第２のメモリセルブロックは、各列に沿って直列に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記選択回路は、各ブロックおよび列について、グローバル制御ラインとグローバル選択制御ラインとの間に接続されるブロック選択素子を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
各グローバル制御ラインは、メモリセルブロックの数に等しい数のブロック選択素子だけに接続される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
単一のグローバル選択制御ラインが、選択されたメモリセルブロックの全ての前記ブロック選択素子の抵抗状態をプログラムする、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記ブロック選択素子は、プログラマブルメタライゼーションセル（ＰＭＣ）として特徴付けられる、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記ブロック選択素子は、ダイオードに直列に接続される、請求項４に記載の装置。
【請求項９】
前記不揮発性メモリセルは、抵抗検知素子（ＲＳＥ）を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ＲＳＥは、抵抗性ランダムアクセスメモリ（ＲＲＡＭ（登録商標））セルとして特徴付けられる、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
予め定められたしきい値を下回る電流がブロック選択素子に流れるのを防止するユニフローデバイス（uni-flow device）をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
方法であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイ、第２のメモリセルブロックを非活性化しながら第１のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路、および読出回路を提供するステップと、
少なくとも１つの第２のブロック選択素子に第２の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも１つの第１のブロック選択素子に第１の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第１のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すステップとを備える、方法。
【請求項１３】
前記選択回路は、各ブロックおよび列について、グローバル制御ラインとグローバル選択制御ラインとの間に接続されるブロック選択素子を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ブロック選択素子は、前記グローバル制御ラインおよび前記グローバル選択制御ラインに電流を流すことによってプログラムされる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
漏れ電流量は、前記予め定められたメモリセルを読出している間に測定される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
装置であって、
行および列に配列された不揮発性メモリセルのクロスポイントアレイと、
第２のメモリセルブロックを非活性化しながら、第１のメモリセルブロックを活性化することができる選択回路とを備え、
多くの選択ラインは、前記第１および第２のメモリセルブロックに結合され、
前記装置は、
少なくとも１つの第２のブロック選択素子に第２の抵抗状態をプログラミングしながら、少なくとも１つの第１のブロック選択素子に第１の抵抗状態をプログラミングすることによって、低減された漏れ電流で、前記第１のメモリセルブロックにおける予め定められたメモリセルの論理状態を読出すことができる読出回路をさらに備え、
第１のグローバル制御ラインは、前記第１のブロック選択素子の各々を管理し、第２のグローバル制御ラインは前記第２のブロック選択素子の各々を管理し、
各第１および第２の選択素子は、前記不揮発性メモリセルと前記グローバル制御ラインとの間の共通の水平面に存在する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗リーダであって、
第１の磁気シールド素子を備え、前記第１の磁気シールド素子は、グレイン成長抑制層によって分離される２つの強磁性異方性層を備え、
前記磁気抵抗リーダは、さらに、
第２の磁気シールド素子と、
前記第１の磁気シールド素子を前記第２の磁気シールド素子から分離する磁気抵抗センサ積層体とを備える、磁気抵抗リーダ。
【請求項２】
前記磁気抵抗リーダは、１００％以上のＴＭＲ比を有するトンネリング磁気抵抗リーダである、請求項１に記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項３】
前記グレイン成長抑制層は、１００オングストローム未満の厚みを有する、請求項１または２に記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項４】
前記グレイン成長抑制層は、非磁性である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項５】
前記グレイン成長抑制層は、磁性である、請求項１から３のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項６】
前記第１の磁気シールド素子は、さらに、硬質磁性層を備える、請求項１から５のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項７】
前記強磁性異方性層は、ＮｉＦｅを備え、前記グレイン成長抑制層は、Ｒｕ，Ｔａ，Ｎｂ，ＺｒまたはＨｆを備える、請求項１から６のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項８】
前記２つの強磁性異方性層は、およそ等しい厚みを有する、請求項１から７のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項９】
前記グレイン成長抑制層は、前記磁気抵抗リーダの磁気アニーリングの間、拡散、欠陥移動およびグレイン結晶化を抑制する、請求項１から８のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項１０】
前記第１の磁気シールド素子は、さらに、第３の強磁性異方性層を備え、
第２のグレイン成長抑制層が、前記第３の強磁性異方性層と前記第２の強磁性異方性層との間に位置する、請求項１から９のいずれかに記載の磁気抵抗リーダ。
【請求項１１】
磁気抵抗リーダを製造する方法であって、
第１のシールド素子を蒸着するステップを備え、前記第１の磁気シールド素子は、グレイン成長抑制層によって分離される２つの強磁性異方性層を備え、
前記方法は、さらに、
前記第１のシールド素子を磁気設定アニール温度でアニーリングして設定アニールされた第１のシールドを形成するステップと、
前記アニールされた第１のシールドに磁気抵抗センサ積層体を蒸着するステップと、
前記磁気抵抗センサ積層体を磁気クロス設定アニール温度でアニーリングしてクロス設定アニールされた磁気抵抗センサ積層体を形成するステップと、
前記クロス設定アニールされた磁気抵抗センサ積層体に第２のシールド素子を蒸着するステップとを備える、方法。
【請求項１２】
前記磁気設定アニール温度は、３９０℃より大きい、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記磁気クロス設定アニール温度は、３００℃より大きい、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記グレイン成長抑制層は、１００オングストローム未満の厚みを有する、請求項１１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記グレイン成長抑制層は、非磁性である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１のシールド素子を形成するステップは、
前記第１のシールド素子の露出した表面を研磨して、平坦な露出した第１のシールド表面を形成するステップと、
前記平坦な露出した第１のシールド表面に化学機械研磨ストップ層を蒸着するステップと、
前記第１のシールド素子の周囲に絶縁材料を蒸着するステップと、
前記化学機械研磨ストップ層まで化学機械研磨を行なうことにより絶縁材料を除去するステップと、
前記化学機械研磨ストップ層を除去して、研磨された第１のシールド素子を形成するステップとを含む、請求項１１から１５のいずれかに記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨するステップは、研磨対象の強磁性異方性層の２％未満を除去する、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多次元微細構造を形成するための方法であって、
第１の誘電材料に埋込まれた第１の導電性経路を有するベース領域を設けるステップと、
各々が、前記第１の導電性経路に接触する第１のシード層で部分的に充填された複数のビア領域を、前記第１の誘電材料にエッチングするステップと、
前記複数のビア領域の各々に導電性垂直構造を形成するように前記第１のシード層を使用するステップとを備え、各導電性垂直構造は、前記ベース領域の上方の第１の距離まで延在する垂直の側壁を有する、方法。
【請求項２】
前記第１の誘電材料は酸化物である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記導電性垂直構造は電気めっき作業で形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記使用するステップはさらに、
前記ベース領域の上方の第２の距離まで延在する導電性素子が形成される中心領域を規定するパターニング材料を用いて、各垂直構造を埋込むステップと、
前記パターニング材料を、前記第１の距離まで第２の誘電材料に置換えて、前記導電性素子を前記第２の誘電材料に埋込むステップと、
前記第１の距離で前記第２の誘電材料に接触隣接する第２のシード層上に、各支柱を電気的に接続する第２の導電性経路を作製するステップとを含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の導電性経路は両側の第１の端および第２の端を有し、第１の導電性垂直構造が前記第１の端に接触して形成され、第２の導電性垂直構造が前記第２の端に接触して形成される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の導電性経路の上方に、かつ隣接する１対の導電性垂直構造の間に導電性素子を形成するステップをさらに備え、前記導電性素子は機械的に支持されており、介在誘電材料によって前記第１の導電性経路および前記隣接する１対の導電性垂直構造から電気的に絶縁されている、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記微細構造はインダクタとして特徴付けられる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
多次元微細構造を形成するための方法であって、
第１の誘電材料に第１の導電性経路を埋込むステップと、
前記第１の誘電材料に複数のビア領域をエッチングして、前記第１の導電性経路を選択的に露出させるステップと、
前記ビア領域を第１のシード層で部分的に充填するステップと、
前記複数のビア領域の各々に前記第１の導電性経路と電気接触した導電性支柱を形成するように前記第１のシード層を使用するステップとを備える、方法。
【請求項９】
各導電性支柱は、ベース領域の上方の第１の距離まで延在する垂直の側壁を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
隣接する１対の導電性支柱の間に、かつ前記第１の導電性経路の上方に導電性素子を形成するステップをさらに備え、前記導電性素子は、前記隣接する１対の導電性支柱の各々から電気的に絶縁されている、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記導電性支柱と導電性素子は異なる材料で形成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性素子は強磁性体である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の導電性経路および前記導電性支柱から導電性素子を取囲む導電性コイルが形成される、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記使用するステップはさらに、
中心領域を規定するパターニング材料を用いて各支柱を埋込むステップと、
前記中心領域の内部に導電性素子を形成するステップと、
前記導電性素子とそれぞれの前記導電性支柱との間の前記パターニング材料および前記第１のシード層の一部を除去するステップとを含む、請求項８〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記パターニング材料を、前記導電性支柱の全高まで第２の誘電材料に置換えて、前記導電性素子を前記第２の誘電材料に埋込むステップと、
隣接する１対の前記導電性支柱を電気的に接続する第２の導電性経路を形成するステップとをさらに備え、前記第２の導電性経路は前記導電性素子にまたがる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の導電性経路は第１の方向に直線状に延在し、前記第２の導電性経路は、前記第１の方向に対して非直交の第２の方向に直線状に延在する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の導電性経路は両側の第１の端および第２の端を有し、第１の導電性支柱が前記第１の端に接触係合して形成され、第２の導電性支柱が前記第２の端に接触係合して形成される、請求項８〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記導電性支柱の各々は、単一の電気めっき作業で形成される一体部品である、請求項８〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ビア領域は、前記微細構造の中の唯一のエッチングされた特徴である、請求項８〜１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
三次元微細構造装置であって、
共通のシード層と、
前記共通のシード層の上に形成された少なくとも１つの第１の垂直部品と、
前記共通のシード層の上に形成され、前記第１の垂直部品とは異なる材料を有する少なくとも１つの第２の垂直部品とを備え、前記第１および第２の垂直部品の各々は、直線の垂直側壁形状からなる均一の断面を有する、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザーの気質を示す属性を視覚表示に適用するための方法であって、
前記ユーザーの視覚表示をレンダリングするステップと、
物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを受信するステップと、
前記ユーザーの気質を推論するために、前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを解析するステップと、
前記ユーザーの気質に基づいて、視覚表示用の既存の動画を決定するステップと、
表示装置上の視覚表示用に、前記既存の動画を表示するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記ユーザーの気質を示す属性を視覚表示に適用するステップが、前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータの受信に対しリアルタイムに実行されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを解析するステップが、ユーザーの特徴、ユーザーの物理的特性、ユーザーの行動、ユーザーの音声パターン、ユーザーの声、ジェスチャ、又は履歴データの解析を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータが、前記物理的な空間におけるユーザーの特徴の少なくとも１つを代表していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
更に、ユーザーの特徴の少なくとも１つを前記視覚表示に適用するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザーの気質を推論するために前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを解析するステップが、前記ユーザーのデータと、特定の気質に対する特徴と相互に関連があるテーブルとの比較を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記ユーザーの気質が、一般的な後ろ向き、一般的な前向き、両面の感情、退屈、満足、悲しみ、不満、興奮、又は怒りのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
更に、
物理的な空間内の前記ユーザーを示す第２のデータを受信するステップと、
前記第２のデータと前記データとの間の違いに基づいて、前記ユーザーの気質の変化を決定するステップと、
前記ユーザーの気質の変化に基づいて、視覚表示用の既存の第２の動画を決定するステップと、
表示装置上の視覚表示用に、前記既存の第２の動画を表示するステップと、を含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
更に、前記既存の動画を前記ユーザーの気質に対応している複数の既存の動画から選択するステップを含む請求項１記載の方法。
【請求項１０】
ユーザーの気質を示す属性を視覚表示に適用するためのシステムであって、前記システムが、
プロセッサーと、
システムが作動中前記プロセッサーに通信的に接続するメモリーであって、プロセッサー実行可能命令を担持するものを含み、
前記プロセッサー実行可能命令が前記プロセッサー上で実行されたとき前記システムに、
前記ユーザーの前記視覚表示をレンダリングするステップと、
物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを受信するステップと、
前記ユーザーの気質を推論するために、前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを解析するステップと、
前記ユーザーの気質に基づいて、視覚表示用の既存の動画を決定するステップと、
表示装置上の視覚表示用に、前記既存の動画を表示するステップと、
を実行させることを特徴とするシステム。
【請求項１１】
前記プロセッサー上で実行されたとき前記システムに、表示装置上の視覚表示用に、前記既存の動画を少なくとも表示するステップを実行させる命令が、前記物理的な空間内のユーザーを示す前記データの受信に対してリアルタイムに表示装置上の視覚表示用に、前記既存の動画を表示することを特徴とする請求項１０記載のシステム。
【請求項１２】
更に、特定の気質に相互に関連がある特徴を提供するテーブルを格納するメモリーを含む請求項１０記載のシステム。
【請求項１３】
気質を示す属性を視覚表示に適用するための計算機可読記憶媒体であって、計算機実行可能命令を担持し、前記計算機実行可能命令がコンピューター上で実行されたとき、当該コンピューターをして、
ユーザーの前記視覚表示をレンダリングするステップと、
物理的な空間内のユーザーを示すデータを受信するステップと、
前記ユーザーの気質を推論するために、前記物理的な空間内の前記ユーザーを示すデータを解析するステップと、
前記ユーザーの気質に基づいて、視覚表示用の既存の動画を決定するステップと、
表示装置上の視覚表示用に、前記既存の動画を表示するステップと、
を含む処理を実行させることを特徴とする媒体。
【請求項１４】
更に、コンピューター上で実行されたとき、当該コンピューターをして、
前記気質識別ジェスチャを表しているフィルターを提供するステップであって、前記フィルターが、前記気質識別ジェスチャに関する基本情報を含むものと、
前記フィルターを前記データに適用し、前記気質識別ジェスチャに関する前記基本情報からの出力を決定するステップと、
を含む処理を実行させる計算機実行可能命令を担持ことを特徴とする請求項１３記載の媒体。
【請求項１５】
更に、前記ユーザーの気質に対応している複数の既存の動画から前記既存の動画を選択するステップを含む請求項１３記載の媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気情報および光学情報を読み取る読み取り装置であって、前記読み取り装置は読み取り素子を備え、前記読み取り素子は、重複した磁気識別特徴および光学識別特徴を読み取るように構成された磁気光学基板を備え、前記磁気光学基板は、少なくとも部分的に光学的に透明である、読み取り装置。
【請求項２】
前記磁気光学基板は層構成を備え、前記層構成は、
光学的に透明な基板と、
第１の被膜層と、
第２の被膜層と
を含む、請求項１に記載の読み取り装置。
【請求項３】
前記第２の被膜層は、部分的に光学的に透明であり、かつ部分的に反射性を有する、請求項２に記載の読み取り装置。
【請求項４】
前記第２の被膜層は、光のうちの少なくとも一部を反射し、前記光は単色性である、請求項３に記載の読み取り装置。
【請求項５】
前記第２の被膜層はダイクロイックミラーを備える、請求項３に記載の読み取り装置。
【請求項６】
前記第２の被膜層は誘電ミラーを備える、請求項３に記載の読み取り装置。
【請求項７】
前記第２の被膜層は、反射性を変更させるように構成される、請求項２に記載の読み取り装置。
【請求項８】
前記第２の被膜層は切り替え可能ミラーである、請求項７に記載の読み取り装置。
【請求項９】
前記反射性は、偏光性および波長性からなる群から選択される、請求項７に記載の読み取り装置。
【請求項１０】
前記読み取り装置は、前記磁気識別特徴と共に磁場を誘導する交流電流を生成するように構成される、請求項１に記載の読み取り装置。
【請求項１１】
前記読み取り装置は、導電コイルを備える、請求項１０に記載の読み取り装置。
【請求項１２】
前記読み取り装置は、前記磁気識別特徴のそれぞれに対して略均一の磁場を生成するように構成される１つまたは複数の磁石を備える、請求項１に記載の読み取り装置。
【請求項１３】
前記読み取り装置は、少なくとも２つの単色光信号を生成するように構成された光源を備え、前記少なくとも２つの単色光信号は、前記光学識別特徴の画像または前記磁気識別特徴の画像を生成可能な波長のものである、請求項１に記載の読み取り装置。
【請求項１４】
前記少なくとも２つの単色信号のうちの一方は、偏光レンズを透過する、請求項１３に記載の読み取り装置。
【請求項１５】
前記読み取り装置は、前記光学識別特徴の画像および前記磁気識別特徴の画像に基づいて、画像を生成するように構成される、請求項１４に記載の読み取り装置。
【請求項１６】
前記読み取り装置は、２つ以上の光源を備え、第１の光源は、前記光学識別特徴の画像を生成可能な単色光信号を生成するように構成され、第２の光源は、前記磁気識別特徴の画像を生成可能な単色光信号を生成するように構成される、請求項１に記載の読み取り装置。
【請求項１７】
前記単色光信号のうちの少なくとも１つは、偏光レンズを透過する、請求項１６に記載の読み取り装置。
【請求項１８】
前記読み取り装置は、前記光学識別特徴の画像および前記磁気識別特徴の画像に基づいて、画像を生成するように構成される、請求項１７に記載の読み取り装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月16日(2013.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
インフラストラクチャネットワーク（２００）を形成する物理ノードのセットから選択される物理ノード（２０２，２０４，２０６，２０８）にインストールされた複数の仮想ノードを含む少なくとも１つの仮想ネットワーク（２１４，２１６，２１８）の性能の自動化された管理方法であって、
ここで、前記物理ノードはシグナリングネットワーク（２１２）を通して相互接続されているものとする、前記方法であり、
各仮想ネットワーク（２１４）に対して、以下の各段階：
−前記仮想ネットワーク（２１４）の少なくとも１つの仮想ノード（２０２２，２０４４，２０６２，２０８６）のロード状態に関する、ロードデータと呼ばれるデータを決定する段階；
−前記データ及び少なくとも１つの所定の規準に従って、前記仮想ネットワーク（２１４）の少なくとも１つのオーバーロードされた仮想ノード（２０８６）を決定する段階；及び
−前記オーバーロードされた仮想ノード（２０８６）を再定義する段階であって、前記オーバーロードされたノードは前記再定義の後に追加のリソースから利益を得る前記段階；
を含む、前記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
利用可能な追加のリソースを備えた少なくとも１つの物理ノード（２１０）を識別する段階が、インフラストラクチャネットワーク（２００）の物理ノードの少なくとも一部の間で、前記物理ノード（２０２，２０４，２０６，２０８，２１０）の各々と関連づけられた可用性ファイルを共有することを含む、請求項５又は９に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
各物理ノード２０２〜２１０は、コンフィギュアされていない「ブランク」仮想ノードのストック、すなわち、ノード２０２についてストック２０２０、ノード２０４についてストック２０４０、ノード２０６についてストック２０６０、ノード２０８についてストック２０８０、そしてノード２１０についてストック２１００を含む。物理ノードの各々における仮想ノードの各々は、仮想ノードストックから選択される、ブランク仮想ノードの特定のコンフィギュレーションによって得られる。仮想ノードのコンフィギュレーションは、仮想ネットワークにおいて確立されるサービスに依存しており、これらのサービス、すなわち、例えば、バンキングトランザクション、電気通信などに適合される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図３を参照するに、コンピュータプログラム３０２は各物理ノード３００上で実行される。このコンピュータプログラム３０２は物理ノード３００にインストールされた仮想ノード３０４〜３０８の各々のアクティビティを監視する。仮想ノード３０４〜３０８の各々のロード状態に関するデータは、データファイル３１０に、例えば、ＸＭＬフォーマットで統合される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図２に示す例において、仮想ネットワーク２１４の仮想ルータ２０８６は６０ｍｓより長い待ち時間のためにオーバーロードされたと識別される。他の仮想ルータのリソースの参照は、利用可能なリソース、すなわち、６０ｍｓより少ない待ち時間を有する物理ルータ２１０上のインアクティブな仮想ルータ２１０２が識別されることを示す。シグナリングネットワーク２１２を用いたNetconfコンフィギュレーションプロトコルに従って、物理ルータ２１０のハイパーバイザに、オーバーロードされた仮想ルータ２０８６のコンフィギュレーションデータが送信される。オーバーロードされたルータ２０８６のコンフィギュレーションデータを用いてインアクティブな仮想ルータ２１０２がコンフィギュアされる。ひとたびコンフィギュレーションが行われると、ルーティングテーブルがアップデートされて交換され、そして、仮想ルータ２１０２がルータ２０８６に取って代わる。ルータコンフィギュレーション２０８６が上書きされ、そして、ルータ２０８６はインアクティブルータとなりルータストック２０８０に戻される。