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【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極上に順に積層されたホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極とを有し、
前記発光層は下記一般式（１）で表される構造を有する有機金属錯体を有し、
前記電子注入層は、有機化合物と前記有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有することを特徴とする発光素子。
【化１】
2006352106.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
【請求項２】
第１の電極上に順に積層されたホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極とを有し、
前記発光層は下記一般式（２）で表される有機金属錯体を有し、
前記電子注入層は、有機化合物と前記有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有することを特徴とする発光素子。
【化２】
2006352106.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ５は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
【請求項３】
請求項２において、前記アニオン性の配位子Ｌが、下記式（３）〜（９）のいずれかで表される配位子であることを特徴とする発光素子。
【化３】
2006352106.tif 000003
【請求項４】
請求項２において、前記アニオン性の配位子Ｌが、ベータジケトン構造を有するアニオン性の配位子、カルボキシル基を有するアニオン性の二座配位子またはフェノ−ル性水酸基を有するアニオン性の二座配位子であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、外部量子効率５％以上かつＣＩＥ色度座標Ｘ≧０．７、Ｙ≦０．３であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、電流効率が２．０ｃｄ／Ａ以上かつＣＩＥ色度座標Ｘ≧０．７、Ｙ≦０．３であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記電子供与性を示す物質は仕事関数が小さい金属であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項７において、前記金属はＬｉ、Ｍｇ、Ｃｓのいずれか一であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記電子輸送層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有することを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記ホール輸送層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有することを特徴とする発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記発光層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有するホスト材料を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、前記発光層に接して設けられた正孔輸送層と、前記発光層に接して設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層と前記第２の電極との間に設けられた混合層と、を有し、
前記発光層は、一般式（１）で表される有機金属錯体と、ホストとを含み、
前記混合層は、電子輸送性物質と、前記電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質とを含んでいる
ことを特徴とする発光装置。
【化１】
2006352102.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、電子吸引基を表す。また、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素または炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項２】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、前記発光層に接して設けられた正孔輸送層と、前記発光層に接して設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層と前記第２の電極との間に設けられた混合層と、を有し、
前記発光層は、一般式（１）で表される有機金属錯体と、ホストとを含み、
前記混合層は、第１の電子輸送性物質と、前記第１の電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質とを含み、
前記正孔輸送層は、前記ホストとのイオン化ポテンシャルの差の絶対値が０．４ｅＶ以下である正孔輸送性物質を含み、
前記電子輸送層は、前記ホストとの電子親和力の差の絶対値が０．５ｅＶ以下である第２の電子輸送性物質を含むことを特徴とする発光装置。
【化２】
2006352102.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、電子吸引基を表す。また、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素または炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項３】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、前記発光層に接して設けられた正孔輸送層と、前記発光層に接して設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層と前記第２の電極との間に設けられた混合層と、を有し、
前記発光層は、一般式（１）で表される有機金属錯体と、ホストとを含み、
前記混合層は、電子輸送性物質と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を含むことを特徴とする発光装置。
【化３】
2006352102.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ、電子吸引基を表す。また、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ、水素または炭素数１乃至４のアルキル基のいずれかを表す。Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
【請求項４】
前記一般式（１）で表される前記有機金属錯体における前記モノアニオン性の配位子は、構造式（１）乃至構造式（７）のいずれかで表される配位子であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の発光装置。
【化４】
2006352102.tif 000004
【請求項５】
前記一般式（１）で表される前記有機金属錯体におけるＲ１、Ｒ２で表される電子吸引基は、ハロゲン基、−ＣＦ３基、シアノ基、又はアルコキシカルボニル基のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項６】
第１の電極と第２の電極との間に、発光層と、前記発光層に接して設けられた正孔輸送層と、発光層に接して設けられた電子輸送層と、前記電子輸送層と前記第２の電極との間に設けられた混合層とを有し、
前記発光層は、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）−５−メチルピラジナト］イリジウム（ＩＩＩ）と、ホストとを含み、
前記混合層は、電子輸送性物質と、前記電子輸送性物質に対し電子供与性を示す物質とを含んでいる
ことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
前記正孔輸送層は、前記ホストとのイオン化ポテンシャルの差の絶対値が０．４ｅＶ以下である正孔輸送性物質を含み、
前記電子輸送層は、前記ホストとの電子親和力の差の絶対値が０．５ｅＶ以下である電子輸送性物質を含むことを特徴とする請求項３乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項８】
前記電子供与性を示す物質は、アルカリ金属またはアルカリ土類金属であることを特徴とする請求項２、請求項４乃至請求項７のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置を含む電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信する送信部と、
前記送信部において使用される帯域幅にかかわらず、前記送信部において使用される帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、同期チャネルを多重化する多重化部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記多重化部は、中央帯域に制御チャネルも多重化することを特徴とする請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信する送信部と、
前記送信部において使用される帯域幅にかかわらず、前記送信部において使用される帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、制御チャネルを多重化する多重化部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項４】
前記多重化部において多重化される制御チャネルには、前記送信部において使用される帯域幅に関する情報が含まれていることを特徴とする請求項２または３に記載の送信装置。
【請求項５】
所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信するステップと、
使用される帯域幅にかかわらず、帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、同期チャネルを多重化するステップと、
を備えることを特徴とする送信方法。
【請求項６】
前記多重化するステップは、中央帯域に制御チャネルも多重化することを特徴とする請求項５に記載の送信方法。
【請求項７】
所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信するステップと、
使用される帯域幅にかかわらず、帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、制御チャネルを多重化するステップと、
を備えることを特徴とする送信方法。
【請求項８】
前記多重化するステップにおいて多重化される制御チャネルには、前記送信するステップにおいて使用される帯域幅に関する情報が含まれていることを特徴とする請求項６または７に記載の送信方法。
【請求項９】
所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信するとともに、使用される帯域幅にかかわらず、帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、同期チャネルを多重化する基地局と、
前記基地局からの同期チャネルを受信することによって同期を確立するとともに、前記基地局からの送信データを受信する移動局と、
を備えることを特徴とする通信システム。
【請求項１０】
予め規定された複数の帯域幅のいずれかを使用して、送信データを送信する送信部と、
前記送信部において使用される帯域幅にかかわらず、前記送信部において使用される帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、同期チャネルを多重化する多重化部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項１１】
予め規定された複数の帯域幅のいずれかを使用して、送信データを送信する送信部と、
前記送信部において使用される帯域幅にかかわらず、前記送信部において使用される帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、制御チャネルを多重化する多重化部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送信装置、送信方法及び通信システム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の一形態では送信装置が使用される。送信装置は、所定の中心周波数を中心とする帯域において、複数種類規定された帯域幅のうちのいずれかの帯域幅を使用して、送信データを送信する送信部と、前記送信部において使用される帯域幅にかかわらず、前記送信部において使用される帯域の中心部分に規定した所定幅の中央帯域に、同期チャネルを多重化する多重化部とを備える送信装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが、受光量に応じて光電変換信号を出力する光電変換部を含む、２次元に配置された複数の画素と、
クランプ回路を含む出力部と、
前記クランプ回路に基準信号を出力する信号供給回路と、
前記画素からの前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路へ出力するのに先だって、前記基準信号をクランプし、その後、前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路に出力し、その後、前記画素のノイズ信号を前記クランプ回路へ出力する第１の制御を行う制御部と、
前記クランプ回路によって処理された前記光電変換信号を含む信号と前記ノイズ信号との差分処理を行う差分回路と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記撮像装置は、第１の走査方法と第２の走査方法とを含む複数の走査方法により駆動可能であって、
前記制御部は、前記第１の走査方法では、前記画素からのノイズ信号を前記クランプ回路でクランプし、その後、前記光電変換信号を前記クランプ回路に出力する第２の制御を行い、前記第２の走査方法では、前記第１の制御を行うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記出力部は、前記クランプ回路の出力を増幅して出力するアンプを更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記複数の画素の各々は、さらに、信号を保持する保持部と、前記光電変換部から前記光電変換信号を前記保持部に転送する転送スイッチと、前記保持部に保持された信号を増幅して出力する増幅部と、前記保持部をリセットするためのリセットスイッチとを有し、
前記ノイズ信号は、前記保持部をリセットした時に、前記増幅部を介して読み出された信号であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記複数の画素の各々は、さらに、信号を保持する保持部と、前記光電変換部から前記光電変換信号を前記保持部に転送する転送スイッチとを有し、
前記制御部は、さらに、前記複数の画素の前記光電変換信号を前記保持部に同じタイミングで転送し、その後、予め設定された数のライン毎に前記保持部に保持された信号を前記画素から順次読み出すように駆動するか、若しくは、前記光電変換信号を予め設定された数のライン毎に前記保持部に第１周期で順次転送し、その後、予め設定された数のライン毎に前記保持部に保持された信号を前記画素から第２周期で順次読み出すように制御し、
前記第１周期は、前記第２周期よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項６】
静止画撮影を行う場合には前記第１の走査方法により、動画撮影を行う場合には、前記第２の走査方法により駆動されることを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記複数の画素の各々は、さらに、信号を保持する保持部と、前記光電変換部から前記光電変換信号を前記保持部に転送する転送スイッチとを有し、
前記制御部は、さらに、前記第１の走査方法では、前記光電変換信号を前記保持部に転送し、その後、前記保持部に保持された信号を前記画素から読み出す動作を、予め設定された数のライン毎に順次行い、前記第２の走査方法では、前記複数の画素の前記光電変換信号を前記保持部に同じタイミングで転送し、その後、予め設定された数のライン毎に前記保持部に保持された信号を前記画素から順次読み出すように駆動するか、若しくは、前記光電変換信号を予め設定された数の所定ライン毎に前記保持部に第１周期で順次転送し、その後予め設定された数のライン毎に前記保持部に保持された信号を前記画素から第２周期で順次読み出すように制御し、
前記第１周期は、前記第２周期よりも短いことを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項８】
メカシャッタと、
静止画撮影の際に前記第１の走査方法を行い、動画撮影の際に前記第２の走査方法を行うように駆動を切り替える切り替え部とを有し、
前記制御部は、前記第１の走査方法では、前記メカシャッタが閉じられた後に制御を行い、前記第２の走査方法では、前記メカシャッタを開いたまま、制御を行うことを特徴とする請求項７に記載の撮像装置。
【請求項９】
それぞれが、受光量に応じて光電変換信号を出力する光電変換部を含む、２次元に配置された複数の画素と、クランプ回路を含む出力部と、前記クランプ回路に基準信号を出力する信号供給回路とを有する撮像装置の制御方法であって、
前記画素からの前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路へ出力するのに先だって、前記基準信号をクランプするステップと、
前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路に出力するステップと、
前記ノイズ信号を前記クランプ回路へ出力するステップと、
前記クランプ回路によって処理された前記光電変換信号を含む信号と前記ノイズ信号との差分処理を行うステップと
を有することを特徴とする制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記目的を達成するために、本発明の撮像装置は、それぞれが、受光量に応じて光電変換信号を出力する光電変換部を含む、２次元に配置された複数の画素と、クランプ回路を含む出力部と、前記クランプ回路に基準信号を出力する信号供給回路と、前記画素からの前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路へ出力するのに先だって、前記基準信号をクランプし、その後、前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路に出力し、その後、前記画素のノイズ信号を前記クランプ回路へ出力する第１の制御を行う制御部と、前記クランプ回路によって処理された前記光電変換信号を含む信号と前記ノイズ信号との差分処理を行う差分回路とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、それぞれが、受光量に応じて光電変換信号を出力する光電変換部を含む、２次元に配置された複数の画素と、クランプ回路を含む出力部と、前記クランプ回路に基準信号を出力する信号供給回路とを有する撮像装置の制御方法であって、前記画素からの前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路へ出力するのに先だって、前記基準信号をクランプするステップと、前記光電変換信号を含む信号を前記クランプ回路に出力するステップと、前記ノイズ信号を前記クランプ回路へ出力するステップと、前記クランプ回路によって処理された前記光電変換信号を含む信号と前記ノイズ信号との差分処理を行うステップとを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
許可されたチャネル使用期間（ＴＸＯＰ：Transmission Opportunity）から送達確認応答を受信する期間を除いた期間内に、複数のデータの送信、及び前記複数のデータの送達確認応答を要求する送達確認要求の送信を行う送信手段と、
前記チャネル使用期間内に前記送達確認応答を受信する受信手段と、を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記チャネル使用期間内に前記送達確認応答を受信できるように、前記複数のデータの伝送及び前記送達確認要求の送信を調整する調整手段をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記チャネル使用期間内に前記送達確認応答を受信できるように、前記チャネル使用期間長の調整を行う調整手段をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記送信手段は、前記複数のデータにおける最後のデータと前記送達確認要求を１つの物理フレームにアグリゲートして送信することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記送信手段は、複数のＭＡＣフレームと前記各ＭＡＣフレームの長さ情報を有し各ＭＡＣフレームの区切りを示す情報を含む１つの物理フレームを送信し、前記ＭＡＣフレームは前記データと前記送達確認要求を含む請求項１乃至４のいずれかに記載の無線通信装置。
【請求項６】
時間的に連続的なチャネル使用期間を獲得する獲得手段と、
少なくとも、選択再送の対象となる１つ以上のデータ単位、及び選択再送の送達確認要求情報を送信する送信手段と、
前記データ単位と前記送達確認要求情報とを前記獲得手段が獲得したチャネル使用期間内に送信するように調整する調整手段と、を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項７】
前記獲得手段は、ＲＴＳフレームの送信及び前記ＲＴＳフレームに対応するＣＴＳフレームの受信により、前記連続的なチャネル使用期間を獲得することを特徴とする請求項６記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記獲得手段は、制御局からの指示により、前記連続的なチャネル使用期間を獲得することを特徴とする請求項６記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記獲得手段は、自らを制御局として、前記連続的なチャネル使用期間を獲得することを特徴とする請求項６記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記選択再送の対象となる１つ以上のデータ単位、及び選択再送の送達確認要求情報を送信する宛先の装置に対して、パーシャルＡＣＫによる送達確認要求を行うことを特徴とする請求項６乃至９のいずれかに記載の無線通信装置。
【請求項１１】
前記連続的なチャネル使用期間が、ＴｘＯＰ（Transmission Opportunity）であり、
前記選択再送がブロックＡＣＫであり、
前記選択再送の対象となるデータ単位がＱｏＳデータのフレーム、またはＭＰＤＵであり、
前記送達確認要求情報がブロックＡＣＫ要求であることを特徴とする請求項６記載の無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラグと、
前記プラグ上の相変化材料層と、
前記相変化材料層上の電極とを有し、
前記相変化材料層の内の前記プラグと前記電極とに挟まれる領域の相状態でデータを記憶する半導体記憶装置であって、
前記プラグと前記相変化材料層との間に、トンネル電流が流れる厚さの絶縁体により構成される界面層を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記相変化材料層はカルコゲナイド材料を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記界面層の膜厚が、０．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記界面層の膜厚が、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記界面層が、Ｔｉ酸化膜、Ｚｒ酸化膜、Ｈｆ酸化膜、Ｔａ酸化膜、Ｎｂ酸化膜、Ｃｒ酸化膜、Ｍｏ酸化膜、Ｗ酸化膜、Ａｌ酸化膜のいずれかから選ばれた少なくとも一種類以上からなる請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
プラグと、
前記プラグ上の相変化材料層と、
前記相変化材料層上の電極とを有し、
前記相変化材料層の内の前記プラグと前記電極とに挟まれる領域の相状態でデータを記憶する半導体記憶装置であって、
前記プラグと前記相変化材料層との間に、トンネル電流が流れる厚さの半導体により構成される界面層を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
前記相変化材料層はカルコゲナイド材料を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記界面層の膜厚が、０．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記界面層の膜厚が、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記界面層が、Ｓｉを含む材料からなる請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
プラグと、
前記プラグ上の相変化材料層と、
前記相変化材料層上の電極とを有し、
前記相変化材料層の内の前記プラグと前記電極とに挟まれる領域の相状態でデータを記憶する半導体記憶装置であって、
前記プラグと前記相変化材料層との間に、半導体材料と前記プラグに用いられる材料との合金により構成される界面層を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記相変化材料層はカルコゲナイド材料を含むことを特徴とする請求項１１記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記界面層が、Ｓｉを含む材料からなる請求項１１記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に発光物質を含む層を挟持してなる発光素子において、
前記発光物質を含む層の一部であって、かつ前記一対の電極のいずれか一方に接してビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素と金属酸化物とを含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に発光物質を含む層を挟持してなる発光素子において、
前記発光物質を含む層の一部に第１の層及び第２の層を有し、
前記第１の層は、前記一対の電極の一方に接して設けられ、
前記第２の層は、前記一対の電極の他方に接して設けられ、
前記第１の層及び前記第２の層は、ビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素と金属酸化物とを含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
陽極と陰極との間に発光物質を含む層を挟持してなる発光素子において、
前記発光物質を含む層の一部にバッファー層と電子発生層とを有し、
前記バッファー層は、ビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素と、金属酸化物と、を含み、
前記電子発生層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた物質と、を含み、
前記バッファー層は、前記陰極と前記電子発生層との間にそれぞれと接して形成されることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
陽極と陰極との間に発光物質を含む層を挟持してなる発光素子において、
前記発光物質を含む層の一部に前記陽極及び前記陰極と接することなく形成されたバッファー層および電子発生層とを少なくとも有し、
前記バッファー層は、ビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素と、金属酸化物と、を含み、
前記電子発生層は、電子輸送性物質またはバイポーラ性物質と、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物の中から選ばれた物質と、を含み、
前記電子発生層は、前記バッファー層よりも前記陽極側であって、かつ前記バッファー層と接して形成されることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、またはレニウム酸化物のいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素は、構造式（１）〜（５）で示されるいずれかであることを特徴とする発光素子。
【化１】
2006352095.tif 000001
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記ビニル骨格を少なくとも一つ有する芳香族炭化水素は、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有することを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の発光素子を用いて形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置を用いて形成されたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、金属を含む第１の層を形成し、
前記第１の層上に、無機材料を含む第２の層を形成し、
前記第２の層上に、薄膜トランジスタを含む第３の層を形成し、
前記第３の層上に、樹脂を含む第４の層を形成し、
レーザー光を照射することにより、少なくとも前記第１の層が露出するように、前記第２の層、前記第３の層及び前記第４の層に開口部を形成し、
前記第４の層上に、樹脂を含む第５の層を形成し、
前記基板から、前記第３の層と前記第５の層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、第１の無機材料を含む第１の層を形成し、
前記第１の層上に、金属を含む第２の層を形成し、
前記第２の層上に、第２の無機材料を含む第３の層を形成し、
前記第３の層上に、薄膜トランジスタを含む第４の層を形成し、
前記第４の層上に、樹脂を含む第５の層を形成し、
レーザー光を照射することにより、少なくとも前記第２の層が露出するように、前記第３の層、前記第４の層及び前記第５の層に開口部を形成し、
前記第５の層上に、樹脂を含む第６の層を形成し、
前記基板から、前記第４の層と前記第６の層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の層の内部又は前記第１の層と前記第２の層の間を境界として、前記基板から、前記第３の層と前記第５の層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記第３の層は、アンテナとして機能する導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、
前記第２の層の内部又は前記第２の層と前記第３の層の間を境界として、前記基板から、前記第４の層と前記第６の層を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２において、
前記第４の層は、アンテナとして機能する導電層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
リロードライセンス分析（ＲＬＡ）は、プラントの運転スタッフ及びエンジニアリングスタッフに、過去、現在及び計画した将来のプラント運転条件と重要な予測性能結果を文書にする一連の評価、データ収集及び分析を引き続き行うことを要求する。各分析パッケージ又はモジュールを実行した後に、その結果が検証される必要がある。評価及び分析は、様々なパラメータについての許容可能な入力及び出力の範囲を確定する段階と、分析結果をそれらの許容可能なデータ範囲と比較する段階とを含む。現在、リロードライセンシングのために利用されるシステム及び方法は、時間及びエンジニアリング資源に大きな投資を必要としかつ原子炉オペレータに長いＲＬＡ準備期間をもたらし、これらの全ては、原子炉の運転のコストを上昇させ、また原子炉の運転に制約を与えることになる。
【特許文献１】米国特許第５，４９０，１８５号公報
【特許文献２】米国特許第５，７９３，６３６号公報
【特許文献３】米国特許第５，９２３，７１７号公報
【特許文献４】米国特許第５，９６０，０５１号公報
【特許文献５】米国特許第６，３３８，１４９号公報
【特許文献６】米国特許第６，５０４，８８９号公報
【特許文献７】米国特許第６，６７４，８２５号公報
【特許文献８】米国特許公開第２００４／００１３２２０号公報
【特許文献９】米国特許第６，７２１，３８３号公報
【特許文献１０】米国特許公開第２００４／００７１２５３号公報
【特許文献１１】米国特許公開第２００４／０２３６５４４号公報
【特許文献７】米国特許第６，６９７，４４７号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料棒の破損を評価する方法であって、
燃料棒の運転状態を監視する監視段階と、
各々が個々の燃料棒の破損の尤度を反映する複数の燃料棒パラメータを、前記燃料棒の運転状態から計算する計算段階と、
前記計算した燃料棒パラメータを、対応するパラメータ限界値と比較する比較段階と、
計算された前記燃料棒パラメータの中に前記パラメータ限界値を超えるものが少なくとも一つあれば、計画された発電所運転条件を運転者から受け取る受け取り段階と、
前記計算段階と比較段階と受け取り段階とを繰り返す段階であって、前記計算段階が、前記計算された前記燃料棒パラメータの中に前記対応するパラメータ限界値を超えるものが少なくとも一つある場合に、前記計画された発電所運転条件と燃料棒運転条件とから、別途複数の燃料棒パラメータを計算するものであるような、繰り返し段階と、
前記計算した燃料棒パラメータに基づいてプラント運転パラメータを更新する段階とを具備することを特徴とする燃料棒破損評価方法。
【請求項２】
前記燃料棒運転条件の前記監視段階は、定期的な時間間隔で前記燃料棒運転条件のデータを収集することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記燃料棒運転条件を監視する段階はリアルタイムに行われることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記燃料棒運転条件を監視する段階は、プラントコンピュータ、炉心監視システム及び前記プラントコンピュータにリンクしていないコンピュータのうちの少なくとも１つにより、前記燃料棒運転条件のデータを定期的な時間間隔で収集する段階を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記燃料棒運転条件を監視する段階は、前記燃料棒運転条件のデータを、インターネットを介して、プラントコンピュータ、炉心監視システム及び前記プラントコンピュータにリンクしていないコンピュータのうちの少なくとも１つからなるシステムから収集ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記複数の燃料棒パラメータは、実運転条件から計算されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記燃料棒パラメータが、応力、内部ガス圧力、温度、変形、核分裂生成ガスの放出、燃料膨張及び焼締まり、被覆熱膨張並びに被覆腐食の少なくとも１つのであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記計算された前記燃料棒パラメータが前記燃料棒パラメータ限界値よりも大きい場合に、オペレータに通知する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば原子力発電プラントなどの大規模設備では、全ての燃料棒の燃料棒パラメータを監視することは、複雑かつ時間が掛かるプロセス（例えば、原子炉は一般的に、約６万個の燃料棒を有する場合がある）となる。例えば、プラント要員は、適切な運転を確保するために、傾向を記録し、分析し、解釈し、判定し、かつ燃料棒に関する運転条件データを維持することを求められるが、出力停止中のオフラインでの作業の間でも、フープ応力、内部圧力、温度及び核分裂ガス放出のような燃料棒のパラメータを測定することが知られている。しかしながら、これらの棒パラメータの測定は一般的に、破損が起こった後にのみ可能である。従って、原子炉出力操作前にあるいは出力操作中のような、これらの燃料棒パラメータが分からない状態では、運転戦略において破損の確率を減少させるように燃料棒の特性を考慮することはできない。さらに、燃料棒が破損した場合には、燃料棒の内部の状態は、正常運転の燃料棒から大幅に異なっている可能性がある。従って、一旦燃料棒が破損すると、水素脆化や被覆健全性の不足から生じる他のメカニズムによって破損燃料棒が損傷されないようにする耐性は非常に小さくなっているので、破損の程度（劣化）が進行する可能性があるか否かは、破損燃料を除去することができるまでの間は、炉心を運転する上での最大の懸念事項である。従って、破損燃料棒の挙動を判定するモデルは、正常な燃料棒に適用するものとは異なったものになる。
【特許文献１】米国特許第４，７６４，３３５号
【特許文献２】米国特許第４，４１５，５２４号
【特許文献３】米国特許第４，３８４，４８９号
【特許文献４】米国特許第４，０７９，６２０号
【特許文献５】米国特許第４，１２６，５１４号
【特許文献６】米国特許第３，７８６，２５７号
【特許文献７】米国特許第６，３４５，０８１号
【非特許文献１】Schultz, Control of Nuclear Reactorsnd Power Plants, McGraw-Hiull Book Company, Inc. copyright 1961, pages 406, 407, 412, 413,417, 418, 423-427
【非特許文献２】Lewis, Nuclear Power Reactor Safety, John Wiley & Sons, Inc., copyright 1977, pages 72, 73, 79, 82, 84, 85, 98,99, 102, 105-107, 176-178,292-3
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
較正中に、ベクトルネットワークアナライザによって基準周波数変換装置に刺激信号を印加するステップと、
前記基準周波数変換装置の応答を計測するステップと、
前記計測された応答及び単一ポート誤差較正項からのデータを使用して順方向及び逆方向の伝送トラッキング誤差項を決定するステップ
を含み、
前記基準周波数変換装置が、順方向及び逆方向において同一の変換能力を有し、且つ、未知の入力及び出力反射特性を有する、方法。
【請求項２】
前記計測された応答からの前記データは、スイッチ誤差が補正されたＣ１２データ計測値とスイッチ誤差が補正されたＣ２１データ計測値を有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記決定するステップは、前記計測された応答、順方向反射誤差項、及び逆方向反射誤差項からのデータを使用してパラメータを算出するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記計測するステップは、前記刺激信号および周波数変換された信号にそれぞれ対応する２つの周波数において信号を計測するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記計測ステップの事前に、前記基準周波数変換装置によって実行される周波数変換に関連する量だけ前記基準周波数変換装置の出力をアップコンバートするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記計測ステップの事前に、前記基準周波数変換装置によって実行される周波数変換に関連する量だけ前記基準周波数変換装置の出力をダウンコンバートするステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記計測するステップは、複数の位相コヒーレントミキサを用いて、前記刺激信号と前記基準周波数変換装置からの周波数変換された信号とを処理するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記基準周波数変換装置の入力側または出力側の少なくとも一方において、フィルタリングを実行するステップを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
被検周波数変換装置に刺激信号を印加するステップと、
前記被検周波数変換装置の応答を計測し、試験データを生成するステップと、
前記順方向及び前記逆方向の伝送トラッキング誤差項を用いて、前記試験データにベクトル誤差補正を施すステップを、さらに含む、請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
Ｔｍｃは、スイッチ誤差が補正された計測値の転送パラメータのバージョンである。誤差項には、方向性（添え字「Ｄ」によって表記されている）、ソース整合（添え字「Ｓ」によって表記されている）、反射トラッキング（添え字「Ｒ」によって表記されている）の項が含まれている。この方向性、ソース整合（source match）、及び反射トラッキング（反射追跡、reflection tracking）の誤差項は、従来の線形単一ポート較正法から決定可能である。尚、この数学的な説明においては、これらの誤差項が既知であることが想定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
通常、パラメータｋの符号は、基準ＦＴＤの位相に関する想定によって決定されることに留意されたい。次いで、順方向伝送トラッキング（順方向伝送追跡）及び逆方向伝送トラッキング（逆方向伝送追跡）を次のように計算できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４は、代表的な一実施形態によるフローチャート４００を示している。ステップ４０１において、方向性、ソース整合、及び反射トラッキングなどの典型的な単一ポート誤差項を決定する。ステップ４０２において、２ポート較正を実行し、刺激信号を基準ＦＴＤのポートに印加して、２つのそれぞれの周波数においてＦＴＤの応答の計測値を取得する。順方向及び逆方向において実質的に等しい変換効率を有する基準ＦＴＤを選択することにより、基準ＦＴＤは、未知の入力及び出力反射特性を有している可能性がある。ステップ４０３において、ｋパラメータとβ／α項を算出する。ステップ４０４において、これらの項を使用して、ベクトルネットワークアナライザのベクトル誤差補正データを更新する（例えば、順方向及び逆方向のトラッキング誤差項を算出する）。ステップ４０５において、被検ＦＴＤを分析する。ステップ４０６において、被検ＦＴＤに関連するデータをベクトル誤差補正に従って処理する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
１０７ ソース
１０８ 基準周波数変換装置（ＦＴＤ）
１００、５００ ベクトルネットワークアナライザ
５０３ 較正ロジック
５０５ 伝送トラッキング誤差項（伝送追跡誤差項）
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を含んだ有機電子デバイスであって、
前記画素は、
アンダーゲートＴＦＴであり、かつ第１の導電性部材の第１の部分は第１のトランジスタのゲート電極である第１のトランジスタと、
前記第１の導電性部材の第２の部分は容量性電子部品の第１の電極である容量性電子部品と
を具えたことを特徴とする画素を含んだ有機電子デバイス。
【請求項２】
画素を含んだ有機電子デバイスであって、
前記画素は、
平面図によれば長さおよび幅を有する第１のトランジスタであり、前記第１のトランジスタの長さは前記第１のトランジスタの幅よりも長い第１のトランジスタと、
平面図によれば長さおよび幅を有する容量性電子部品であり、前記容量性電子部品の長さは前記容量性電子部品の幅よりも大きい容量性電子部品と
を具え、
平面図によれば、前記第１のトランジスタおよび前記第１の容量性電子部品は前記第１のトランジスタおよび前記容量性電子部品の長さに対して実質的に平行であるラインに沿って実質的に互いに同一境界であることを特徴とする有機電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
厚さ、幅、および長さを含む多くの寸法をいくつかの実施形態に関して記載した。本発明の範囲はその寸法または寸法の範囲に限定されるものではない。本願明細書を読めば、当業者は他の寸法を用いることができることを理解するであろう。
その他の実施形態 
１．画素を含んだ有機電子デバイスであって、前記画素は、アンダーゲートＴＦＴであり、かつ第１の導電性部材の第１の部分は第１のトランジスタのゲート電極である第１のトランジスタと、前記第１の導電性部材の第２の部分は容量性電子部品の第１の電極である容量性電子部品とを具えたことを特徴とする画素を含んだ有機電子デバイス。
２．第２の導電性部材の第１の部分は、前記第１のトランジスタのソース／ドレイン領域のコンタクト構造体であり、かつ前記第２の導電性部材の第２の部分は、前記容量性電子部品の第２の電極であることを特徴とする１記載の有機電子デバイス。
３．第１の層の第１の部分は、前記第１のトランジスタ用のゲート誘電体層の少なくとも一部であり、かつ前記第１の層の第２の部分は、前記容量性電子部品用のキャパシタ誘電体層の少なくとも一部であることを特徴とする２記載の有機電子デバイス。
４．前記第１のトランジスタは、第１の半導体層の一部を含むチャネル領域と、前記第１の半導体層の上に重なる第２の半導体層の離間された部分であるソース／ドレイン領域とを具え、前記第２の半導体層は前記第１のトランジスタのチャネル領域およびソース／ドレイン領域と接し、かつその上に重なることを特徴とする２記載の有機電子デバイス。
５．前記画素は、アンダーゲートＴＦＴである選択トランジスタをさらに具えたことを特徴とする１記載の有機電子デバイス。
６．前記第１の半導体層は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）、連続粒界シリコン（ＣＧＳ）、またはそれらの任意の組合せとして形成されることを特徴とする３記載の有機電子デバイス。
７．前記有機電子デバイスは、ボトムエミッション電子デバイスであり、かつ前記画素は、少なくとも約４０％の開口率を有することを特徴とする１記載の有機電子デバイス。
８．選択トランジスタをさらに具え、前記選択トランジスタはチャネル領域を含み、前記選択トランジスタの前記チャネル領域、前記第１のトランジスタ、またはその両方は物理的チャネル長を有し、前記物理的チャネル長は前記有機電子デバイスの設計基準の最小寸法の２倍以下であることを特徴とする１記載の有機電子デバイス。
９．前記物理的チャネル長は、前記有機電子デバイスの設計基準の最小寸法の１．２倍以下であることを特徴とする１記載の有機電子デバイス。
１０．画素を含んだ有機電子デバイスであって、前記画素は、平面図によれば長さおよび幅を有する第１のトランジスタであり、前記第１のトランジスタの長さは前記第１のトランジスタの幅よりも長い第１のトランジスタと、平面図によれば長さおよび幅を有する容量性電子部品であり、前記容量性電子部品の長さは前記容量性電子部品の幅よりも大きい容量性電子部品とを具え、平面図によれば、前記第１のトランジスタおよび前記第１の容量性電子部品は前記第１のトランジスタおよび前記容量性電子部品の長さに対して実質的に平行であるラインに沿って実質的に互いに同一境界であることを特徴とする有機電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
基板と、
第１画素と
を含み、前記第１画素は、
前記基板の上に重なる第１画素駆動回路と、
第１電極および第１有機層を含む第１電子コンポーネントと
を含み、
前記第１電極は、前記第１画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なり、
前記第１画素内で、
前記第１有機層は、前記第１電極の上に重なり、
前記第１有機層は、ウェル構造に接触せず、
前記第１有機層は、中央部分および縁部分を備え、
前記第１有機層の前記縁部分の厚さは、前記第１有機層の前記中央部分と大きく異なり、
平面図では、前記第１有機層の前記縁部分の少なくとも一部は、前記第１画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なること
を特徴とする電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
わかりやすいように別々の実施形態の文脈において前後して説明される本発明のある種の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせて実現することもできることを理解されたい。逆に、簡単にするために１つの実施形態の文脈の中で説明される本発明の様々な特徴は、別々に、または組合せに準ずるものの中で実現することもできる。さらに、範囲において表した値を参照する場合には、その範囲内のすべての値を含む。
本発明は、添付の特許請求の範囲に記載の発明を含む以下の発明を包含する。
（１）  電子デバイスであって、基板と、第１画素とを含み、前記第１画素は、前記基板の上に重なる第１画素駆動回路と、第１電極および第１有機層を含む第１電子コンポーネントとを含み、前記第１電極は、前記第１画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なり、前記第１画素内で、前記第１有機層は、前記第１電極の上に重なり、前記第１有機層は、ウェル構造に接触せず、前記第１有機層は、中央部分および縁部分を備え、前記第１有機層の前記縁部分の厚さは、前記第１有機層の前記中央部分と大きく異なり、平面図では、前記第１有機層の前記縁部分の少なくとも一部は、前記第１画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なることを特徴とする電子デバイス。
（２）  前記第１画素駆動回路は、選択トランジスタおよび駆動トランジスタを備え、平面図では、前記第１有機層の前記縁部分の前記少なくとも一部は、前記選択トランジスタ、前記駆動トランジスタ、またはこれらの組合せの上に重なることを特徴とする（１）に記載の電子デバイス。
（３）  前記第１有機層の前記縁部分の前記少なくとも一部は、前記選択トランジスタの上に重なることを特徴とする（２）に記載の電子デバイス。
（４）  第１電源ライン、第２電源ライン、データライン、および選択ラインを備え、平面図では、前記第１有機層の前記縁部分の前記少なくとも一部は、前記第１電源ライン、前記第２電源ライン、前記データライン、前記選択ライン、またはこれらの任意の組合せの上に重なることを特徴とする（１）に記載の電子デバイス。
（５）  前記第１有機層は、有機活性層、電荷搬送層、電荷遮蔽層、電荷注入層、およびこれらの任意の組合せからなる群から選択されることを特徴とする（１）に記載の電子デバイス。
（６）  第２電極をさらに含み、前記第１有機層は、第１有機活性層であり、前記第２電極は、前記第１有機活性層の上に重なることを特徴とする（１）に記載の電子デバイス。
（７）  前記電子デバイスは、有機電子デバイスであることを特徴とする（６）に記載の電子デバイス。
（８）  第２画素をさらに含み、前記第２画素は、前記基板の上に重なる第２画素駆動回路と、第１電極および第２有機層を含む第２電子コンポーネントとを含み、前記第１有機層は、前記第２有機層と異なる組成を有する第１有機活性層であり、前記第２電子コンポーネントの前記第１電極は、前記第２画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なり、前記第２画素内で、前記第２有機層は、前記第２電子コンポーネントの前記第１電極の上に重なり、前記第２有機層は、ウェル構造に接触せず、前記第２有機層は、中央部分および縁部分を備え、前記第２有機層の前記縁部分の厚さは、前記第２有機層の前記中央部分と大きく異なり、平面図では、前記第２有機層の前記縁部分の少なくとも一部は、前記第２画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なることを特徴とする（１）に記載の電子デバイス。
（９）  前記第２画素駆動回路は選択トランジスタを含み、平面図では、前記第２有機層の前記縁部分の前記少なくとも一部は、前記第２画素駆動回路の前記選択トランジスタの上に重なることを特徴とする（８）に記載の電子デバイス。
（１０）  前記第１画素駆動回路に接続されない選択ラインをさらに含み、平面図では、前記第２有機層の前記縁部分の前記少なくとも一部は、前記選択ラインの上に重なることを特徴とする（８）に記載の電子デバイス。