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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜に対し、連続発振レーザ光もしくは発振周波数が１０ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下のパルスレーザ光を照射して、前記半導体膜を結晶化もしくは再結晶化し、
前記結晶化もしくは再結晶化された半導体膜を選択的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に、シリコンリッチの窒化シリコンからなる絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜に対し、電子温度が３ｅＶ以下であり電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であるプラズマで生成された酸素ラジカルによって酸化処理を行い、
前記酸化処理された絶縁膜上に、導電層を形成し、
前記導電層を、回折格子パターンあるいは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルを用いた、膜厚を意図的に異ならせて形成した第１のマスクパターンおよび膜厚を意図的に異ならせず形成した第２のパターンを用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板に対し、電子温度が３ｅＶ以下であり電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であるプラズマで生成された窒素ラジカルによって窒化処理をして、プラズマ窒化膜を形成し、
前記ガラス基板上に、半導体膜を形成し、
前記半導体膜に対し、連続発振レーザ光もしくは発振周波数が１０ＭＨｚ以上１００ＧＨｚ以下のパルスレーザ光を照射して、前記半導体膜を結晶化もしくは再結晶化し、
前記結晶化もしくは再結晶化された半導体膜を選択的にエッチングして島状半導体層を形成し、
前記島状半導体層上に、シリコンリッチの窒化シリコンからなる絶縁膜を成膜し、
前記絶縁膜に対し、電子温度が３ｅＶ以下であり電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上であるプラズマで生成された酸素ラジカルによって酸化処理を行い、
前記酸化処理された絶縁膜上に、導電層を形成し、
前記導電層を、回折格子パターンあるいは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを含むフォトマスクまたはレチクルを用いた、膜厚を意図的に異ならせて形成した第１のマスクパターンおよび膜厚を意図的に異ならせず形成した第２のパターンを用いてエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、
前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜の他方の面上に形成され、前記第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、
前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、
前記第１の絶縁膜の他方の面上に形成された第２の導電膜とを有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、及び前記第２の絶縁膜に形成された穴を通して前記第１の導電膜と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、もしくはインダクタから選ばれた一つまたは複数の素子を有する回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体装置は、さらにアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体装置は、可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜と、前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記第１の導電膜と重なるように形成された第２の導電膜とを形成し、
レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜の一方の面上に形成された薄膜回路を含む層と、前記薄膜回路を含む層上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第１の導電膜とを形成し、
前記第１の絶縁膜の他方の面上に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に薄膜回路を含む層を形成し、
前記薄膜回路を含む層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第２の絶縁膜、及び前記第１の導電膜を有する積層物を前記基板から剥離し、
前記積層物の前記基板から剥離した面に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
レーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に薄膜回路を含む層を形成し、
前記薄膜回路を含む層上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、
第１のレーザーを照射して前記剥離層の一部を除去し、
前記第１の絶縁膜、前記薄膜回路を含む層、前記第２の絶縁膜、及び前記第１の導電膜を有する積層物を前記基板から剥離し、
前記積層物の前記基板から剥離した面に、前記第１の導電膜と重なるように第２の導電膜を形成し、
第２のレーザーを照射することにより、前記第１の導電膜と前記第２の導電膜とを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のレーザーとして、ＵＶレーザーを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一において、
前記基板と前記剥離層との間に、酸化珪素膜、窒化珪素膜、酸化窒化珪素膜、または窒化酸化珪素膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一において、
前記剥離層として、タングステン膜と、前記タングステン膜上に形成されたタングステン酸化物とを有する積層構造を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６乃至１２のいずれか一において、
前記薄膜回路は、薄膜トランジスタ、抵抗、コンデンサ、もしくはインダクタから選ばれた一つまたは複数の素子を有する回路であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月2日(2009.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜を除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜の少なくとも一部を残して除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、大気に曝されることなく連続的に前記金属酸化膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜を除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、大気に曝されることなく連続的に前記金属酸化膜上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜の少なくとも一部を残して除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、前記金属酸化膜上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に半導体膜を有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜を除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離し、
積層する前記金属酸化膜、前記第１の絶縁膜、及び前記半導体膜は大気に曝されることなく連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に一酸化二窒素雰囲気下又は一酸化二窒素とアルゴンとの混合気体雰囲気下でプラズマ処理を行うことによって前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、前記金属酸化膜上に第１の絶縁膜を形成し、前記第１の絶縁膜上に半導体膜を有する素子形成層を形成し、
前記素子形成層を覆って第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記素子形成層に開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記金属膜および前記金属酸化膜の少なくとも一部を残して除去し、
前記基板から前記素子形成層を剥離し、
積層する前記金属酸化膜、前記第１の絶縁膜、及び前記半導体膜は大気に曝されることなく連続的に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属膜は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、鉛（Ｐｂ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の基板と、を有し、
前記トランジスタは、半導体層と、第２の導電層と、前記半導体層と前記第２の導電層の間に設けられた第４の絶縁層とを有し、
前記第１の絶縁層、前記第２の絶縁層、前記第３の絶縁層及び前記第４の絶縁層の少なくとも１つは、前記トランジスタと重ならないように設けられた段差部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の基板と、を有し、
前記トランジスタは、半導体層と、第２の導電層と、前記半導体層と前記第２の導電層の間に設けられた第４の絶縁層とを有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の少なくとも一方と同じ層に、前記トランジスタと重ならないように設けられた第３の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の基板上の第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上のトランジスタと、
前記トランジスタ上の第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された第１の導電層と、
前記第１の導電層上の第３の絶縁層と、
前記第３の絶縁層上の第２の基板と、を有し、
前記トランジスタは、第１の半導体層と、第２の導電層と、前記第１の半導体層と前記第２の導電層の間に設けられた第４の絶縁層とを有し、
前記第１の半導体層と同じ層に、前記トランジスタと重ならないように設けられた第２の半導体層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記トランジスタは、亀裂と重ならない領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１において、前記段差部は、前記トランジスタと重ならない領域に、亀裂を進行させることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２において、前記第３の導電層は、多角形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２において、前記第３の導電層は、前記トランジスタと重ならない領域に、亀裂を進行させる形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項３において、前記第２の半導体層は、多角形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項３において、前記第２の半導体層は、前記トランジスタと重ならない領域に、亀裂を進行させる形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記第１の基板と前記第１の絶縁層の間に設けられた保護層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記第２の基板と前記第３の絶縁層の間に設けられた保護層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の基板の厚さは、１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、前記第１の基板と前記第２の基板は、それぞれ、可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記第１の配線に達する開口と、
前記絶縁膜上に第２の配線と、
前記絶縁膜上に前記開口を介して前記第１の配線と電気的に接続する電極と、
前記絶縁膜上に前記電極と前記第２の配線との間に有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記電極及び前記第２の配線は同じ材料であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記有機化合物を含む層は、前記電極、前記第２の配線、及び前記絶縁膜上に設けられた一対の絶縁物の間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記有機化合物を含む層は、前記電極の側面及びその上端部と、前記電極の側面に対向する前記第２の配線の側面及びその上端部との両方を覆うことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の前記第１の配線に達する第１の開口と、
前記第１の絶縁膜上に第２の配線と、
前記第１の絶縁膜上に前記第１の開口を介して前記第１の配線と電気的に接続する電極と、
前記電極の一方の側面と、該側面に対向する前記第２の配線の側面との両方に達する第２の開口を有し、且つ、前記電極のもう一方の側面を覆う第２の絶縁膜と、
前記第２の開口に有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記第１の配線に達する開口と、
前記絶縁膜上に第２の配線と、
前記絶縁膜上に前記開口を介して前記第１の配線と電気的に接続する電極と、
前記絶縁膜上に前記電極、前記第２の配線、及び前記開口を覆う有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記第１の配線に達する開口と、
前記絶縁膜上に第２の配線と、
前記絶縁膜上に前記開口を介して前記第１の配線と電気的に接続する電極と、
前記絶縁膜上に、前記電極の一方の側面、前記第２の配線の一方の側面、及び前記開口を覆う有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記電極の側面と、該側面に対向する前記第２の配線の側面は、テーパー形状を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜の前記第１の配線に達する第１の開口と、
前記第１の絶縁膜上に第２の配線と、
前記１の開口と重なり、且つ、前記第２の配線の一方の側面に達する第２の開口を有する第２の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に前記第２の配線の一方の側面と接し、且つ、前記第１の開口を覆う有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の配線と、
前記第１の配線を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記第１の配線に達する開口と、
前記絶縁膜上に第２の配線と、
前記絶縁膜上に前記第２の配線の一方の側面と接し、且つ、前記開口を覆う有機化合物を含む層とを有し、
前記有機化合物を含む層がメモリ素子を構成することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を有する層を形成し、
前記金属膜を有する層上にトランジスタを有する層を形成し、
前記トランジスタを有する層上に樹脂層を形成し、
前記第１の温度の加熱処理をおこなうことによって前記基板から前記トランジスタを有する層を剥離し、
前記第１の温度よりも高い第２の温度の加熱処理をおこなうことによって前記トランジスタを有する層から前記樹脂層を剥離させる
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に金属膜を有する層を形成し、
前記金属膜を有する層上にトランジスタを有する層を形成し、
前記トランジスタを有する層上に樹脂層を形成し、
第１の温度の加熱処理をおこなうことによって前記基板から前記トランジスタを有する層を剥離し、
前記第１の温度よりも高い第２の温度の加熱処理をおこなうことによって前記トランジスタを有する層から前記樹脂層を剥離させ、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成した後、又は前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成する前に、前記金属膜を有する層の一部を露出させる
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記トランジスタを有する層の前記トランジスタが設けられていない領域において、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成した後に、前記樹脂層及び前記トランジスタを有する層に開口部を形成することによって、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項３において、
前記トランジスタを有する層上に前記樹脂層を形成する前に、前記トランジスタを有する層に開口部を形成することによって、前記金属膜を有する層の一部を露出させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
レーザビームを照射することによって前記開口部を形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記トランジスタを有する層上に樹脂材料を塗布し、
前記第１の温度よりも低い第３の温度で加熱処理をおこなうことによって、前記樹脂材料を硬化させて前記樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
加熱装置から取り出さずに前記第１の温度の加熱処理及び前記第２の温度の加熱処理を連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の温度は９０℃以上１２０℃以下、
前記第２の温度は１５０℃以上２５０℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７において、
加熱装置から取り出さずに前記第３の温度の加熱処理、前記第１の温度の加熱処理及び前記第２の温度の加熱処理を連続して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７又は請求項１０において、
前記第３の温度は５０℃以上９０℃未満、
前記第１の温度は９０℃以上１２０℃以下、
前記第２の温度は１５０℃以上２５０℃以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記金属膜を有する層を形成する前に、前記基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属膜を有する層を形成した後に、前記金属膜を有する層上に絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、酢酸ビニル樹脂、ビニル共重合樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、又はアクリル樹脂を用いて前記樹脂層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記トランジスタとして薄膜トランジスタを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
しきい値電圧が−２４Ｖ以上−０．１Ｖ以下の範囲であるＮ型ＭＯＳ容量素子と、
前記Ｎ型ＭＯＳ容量素子と電気的に接続されたコイルアンテナと、を有する共振回路を備え、
前記Ｎ型ＭＯＳ容量素子のしきい値電圧の絶対値は、最小動作電源電圧の１／２以上、最大動作電源電圧の２倍以下であり、
前記アンテナを介して無線でデータを送受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記Ｎ型ＭＯＳ容量素子の半導体領域には、Ｎ型不純物元素が１×１０１７以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
しきい値電圧が０．１Ｖ以上２４Ｖ以下の範囲であるＰ型ＭＯＳ容量素子と、
前記Ｐ型ＭＯＳ容量素子と電気的に接続されたコイルアンテナと、を有する共振回路を備え、
前記Ｐ型ＭＯＳ容量素子のしきい値電圧の絶対値は、最小動作電源電圧の１／２以上、最大動作電源電圧の２倍以下であり、
前記アンテナを介して無線でデータを送受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
しきい値電圧が２Ｖ以上１５Ｖ以下の範囲であるＰ型ＭＯＳ容量素子と、
前記Ｐ型ＭＯＳ容量素子と電気的に接続されたコイルアンテナと、を有する共振回路を可撓性を有する基板上に備え、
前記Ｐ型ＭＯＳ容量素子のしきい値電圧の絶対値は、最小動作電源電圧の１／２以上、最大動作電源電圧の２倍以下であり、
前記アンテナを介して無線でデータを送受信することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記Ｐ型ＭＯＳ容量素子の半導体領域には、Ｐ型不純物元素が１×１０１７以上１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の濃度で含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記半導体装置は、薄膜トランジスタを含む集積回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の半導体装置が搭載されていることを特徴とする紙幣、硬貨、有価証券、証書、無記名債券、包装用容器、書籍、記録媒体、乗物、食品、衣類、保健用品、生活用品、薬品あるいは電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成した後、
前記基板から前記トランジスタを力学的手段または機械的手段により剥離し、
前記剥離層の形成は、金属膜を形成し、溶液を用いる方法で前記金属膜上に接して金属酸化膜を形成することによって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成した後、
前記剥離層の一部を露出させる開口部を形成し、
前記開口部にエッチング剤を導入して前記剥離層を一部を残して除去し、
前記基板から前記トランジスタを力学的手段または機械的手段により剥離し、
前記剥離層の形成は、金属膜を形成し、溶液を用いる方法で前記金属膜上に接して金属酸化膜を形成することによって行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化膜は、塗布乾燥法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化膜は、ゾル−ゲル法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化膜は、液相析出法によって形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、
前記金属酸化膜は、前記金属膜を酸化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記金属膜は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された元素でなる金属材料、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記金属酸化膜は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）から選択された金属の酸化膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月17日(2009.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に薄膜集積回路を有する層を形成し、
前記薄膜集積回路を有する層を覆うように樹脂層を形成し、
前記樹脂層を覆うようにフィルムを設け、
前記シリコン基板の前記薄膜集積回路を有する層を形成した面の裏面を研削し、
前記シリコン基板の研削した面を研磨し、
前記フィルムは切断せずに、前記シリコン基板と、前記絶縁膜と、前記薄膜集積回路を有する層と、前記樹脂層と、を切断することによって、
前記シリコン基板と、前記絶縁膜と、前記薄膜集積回路を有する層と、前記樹脂層の積層がそれぞれ設けられた第１の積層体及び第２の積層体を形成し、
前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に隙間が形成されるように前記フィルムを延伸させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
シリコン基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜及び第３の絶縁膜がそれぞれ設けられた薄膜集積回路を有する層を形成し、
前記薄膜集積回路を有する層を覆うように樹脂層を形成し、
前記樹脂層を覆うようにフィルムを設け、
前記シリコン基板の前記薄膜集積回路を有する層を形成した面の裏面を研削し、
前記シリコン基板の研削した面を研磨し、
前記フィルムは切断せずに、前記シリコン基板と、前記第１の絶縁膜と、前記薄膜集積回路が有する第２の絶縁膜と、前記薄膜集積回路が有する第３の絶縁膜と、前記樹脂層と、を切断することによって、
前記シリコン基板と、前記第１の絶縁膜と、前記薄膜集積回路を有する層と、樹脂層の積層がそれぞれ設けられた第１の積層体及び第２の積層体を形成し、
前記第１の積層体と前記第２の積層体との間に隙間が形成されるように前記フィルムを延伸させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記フィルムから前記第１及び第２の積層体を分離し、
前記第１及び第２の積層体の一方の面をそれぞれ第１の基体に接着させ、
前記第１及び第２の積層体の他方の面をそれぞれ第２の基体に接着させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記フィルムから前記第１及び第２の積層体を前記フィルムから分離する工程において、
前記フィルムに光を照射し、
ピックアップ手段を用いて前記フィルム上の前記第１及び第２の積層体を取り出し、
前記第１及び第２の積層体の一方の面をそれぞれ前記第１の基体に接着させる工程において、
前記ピックアップ手段を用いて前記第１及び第２の積層体をそれぞれ前記第１の基体上に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３において、前記フィルムから前記積層体を分離させ、前記第１及び第２の積層体の一方の面を前記第１の基体に接着させる工程において、
前記フィルムに光を照射し、前記第１及び第２の積層体の一方の面を覆うように前記第１の基体を設けるとともに前記第１の基体を加熱することによって、前記第１及び第２の積層体の一方の面を前記第１の基体に接着させ、
前記第１及び第２の積層体と前記フィルムとを分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、前記第１及び第２の基体は、前記第１及び第２の積層体と接着した面の裏面側に導電性材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、前記第１及び第２の基体は、前記第１及び第２の積層体と接着した面の裏面側に炭素を主成分とする薄膜がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、前記第１及び第２の基体は、前記第１及び第２の積層体と接着した面側に導電性材料がコーティングされていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記シリコン基板の研削した面を研磨する際、前記シリコン基板の厚さを１μｍ以上２０μｍ以下にすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを有する半導体装置と、測定用端子と、第１及び第２の評価用発振回路とを有し、
前記第１の評価用発振回路と、前記第２の評価用発振回路と、前記測定用端子とが電気的に接続され、
前記第１及び第２の評価用発振回路はトランジスタをそれぞれ有し、
前記第１及び第２の評価用発振回路が有するトランジスタは前記半導体装置が有するトランジスタと同一工程で作製されたことを特徴とする素子基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記測定用端子は、電源端子、グランド端子、又は制御入力端子を有することを特徴とする素子基板。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体装置が有するトランジスタは、画素部又は駆動回路部に設けられていることを特徴とする素子基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の評価用発振回路は、抵抗又は容量を介して前記測定用端子と電気的に接続されており、
前記第２の評価用発振回路は、抵抗又は容量を介して前記測定用端子と電気的に接続されていることを特徴とする素子基板。
【請求項５】
半導体装置と、第１及び第２の評価用発振回路とを有する素子基板の検査方法であって、
前記第１及び第２の評価用発振回路に形成されるトランジスタを、前記半導体装置に形成されるトランジスタと同一工程で形成し、
測定用端子を形成すると同時に、前記第１の評価用発振回路と、前記第２の評価用発振回路と、前記測定用端子とを電気的に接続する配線を形成し、
前記測定用端子を用いて前記第１及び第２の評価用発振回路のトランジスタの検査を行うことを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項６】
半導体装置と、第１及び第２の評価用発振回路とを有する素子基板の検査方法であって、
前記第１及び第２の評価用発振回路に形成されるトランジスタを、前記半導体装置に形成されるトランジスタと同一工程で形成し、
測定用端子を形成すると同時に、前記第１の評価用発振回路と、前記第２の評価用発振回路と、前記測定用端子とを電気的に接続する配線を形成し、
前記測定用端子を用いて前記第１及び第２の評価用発振回路のトランジスタの検査を行い、
前記第１及び第２の評価用発振回路を切断することを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項７】
請求項５または６において、
前記測定用端子から得られた波形が有するピークは、前記第１及び第２の評価用発振回路が有する周波数とみなすことを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項８】
請求項５または６において、
前記測定用端子から得られた波形をフーリエ変換することを特徴とする素子基板の検査方法。
【請求項９】
第１の複数のトランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の複数のトランジスタと、第１の評価用発振回路の有する第２の複数のトランジスタと、第２の評価用発振回路の有する第３の複数のトランジスタとを同一工程で形成し、
測定用端子を形成すると同時に、前記第１の評価用発振回路と、前記第２の評価用発振回路と、前記測定用端子とを電気的に接続する配線を形成し、
前記測定用端子を用いて、前記第２の複数のトランジスタ及び前記第３の複数のトランジスタの検査を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
第１の複数のトランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の複数のトランジスタと、第１の評価用発振回路の有する第２の複数のトランジスタと、第２の評価用発振回路の有する第３の複数のトランジスタとを同一工程で形成し、
測定用端子を形成すると同時に、前記第１の評価用発振回路と、前記第２の評価用発振回路と、前記測定用端子とを電気的に接続する配線を形成し、
前記測定用端子を用いて、前記第２の複数のトランジスタ及び前記第３の複数のトランジスタの検査を行い、
前記第１及び第２の評価用発振回路を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリサイド層の作製方法および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上でシリサイド層を形成するシリサイド層の作製方法であって、
前記ガラス基板上に設けられた半導体層に接してチタン膜を形成し、
ＲＴＡ法を用いた第１の加熱処理によって、第１のチタンシリサイド層を形成した後、レーザー照射を用いた第２の加熱処理によって、第２のチタンシリサイド層を形成することを特徴とするシリサイド層の作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上でシリサイド層を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、
前記ガラス基板上に設けられた半導体層に接してチタン膜を形成し、
ＲＴＡ法を用いた第１の加熱処理によって、第１のチタンシリサイド層を形成した後、レーザー照射を用いた第２の加熱処理によって、第２のチタンシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
ガラス基板上にシリコンを含む半導体膜を形成し、
前記半導体膜上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆う絶縁層を形成し、
前記絶縁層をエッチングすることによって、前記ゲート電極の両側面に接するサイドウォール絶縁層を形成するとともに、前記半導体膜の一部を露出し、
露出した前記半導体膜に接するチタン膜を形成し、
ＲＴＡ法を用いた第１の加熱処理によって、第１のチタンシリサイド層を形成した後、レーザー照射を用いた第２の加熱処理によって、第２のチタンシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第１のチタンシリサイド層を形成した後、かつ、第２の加熱処理前に、未反応の前記チタン膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記ゲート電極は半導体膜で形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第２の加熱処理は、大気雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタを含む回路を有するタグ部と、
第１のアンテナと、
前記第１のアンテナと電気的に接続する第２のアンテナと、
を有し、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナとは絶縁膜で隔てられた異なる層に形成されており、
前記第１のアンテナは、前記トランジスタと電気的に接続するソース用又はドレイン用の配線と同じ材料で同じ層に形成され、
前記第２のアンテナは、前記トランジスタと電気的に接続するソース用又はドレイン用の配線上に形成された前記絶縁膜上に形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
トランジスタを含む回路を有するタグ部と、
第１のアンテナと、
前記第１のアンテナと電気的に接続する第２のアンテナと、
を有し、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナとは絶縁膜で隔てられた異なる層に形成されており、
前記第１のアンテナは、前記トランジスタと電気的に接続するソース用又はドレイン用の配線と同じ材料で同じ層に形成され、
前記第２のアンテナは、前記トランジスタと電気的に接続するソース用又はドレイン用の配線上に形成された前記絶縁膜上に形成され、
前記第１のアンテナと前記第２のアンテナは、前記絶縁膜を挟んで前記第１のアンテナと前記第２のアンテナが交差する部分及び前記第１のアンテナと前記第２のアンテナが電気的に接続する部分以外は重ならない配置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記トランジスタは、半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極を含み、
前記トランジスタと前記第１のアンテナは、前記ゲート電極と同じ材料で同じ層に形成された配線を介して電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記ゲート電極は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた一種、もしくは複数種を含む合金や化合物を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１のアンテナは、前記タグ部を取り巻く配置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記タグ部は、前記第１のアンテナの外側に位置する配置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のアンテナ又は前記第２のアンテナは、アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、チタン、白金、銅、タンタル、金、マンガンから選ばれた一種または複数種からなる合金もしくは化合物を用いて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月27日(2009.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に、メモリ部と、周辺回路部とを有し、
前記メモリ部は、ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物を含む層と、ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有する記憶素子を複数有し、
前記周辺回路部は、前記有機化合物を含む層と同じ材料を誘電体とする容量素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上に、メモリ部と、周辺回路部とを有し、
前記メモリ部は、ビット線を構成する第１の導電層と、有機化合物を含む層と、ワード線を構成する第２の導電層との積層構造を有する記憶素子を複数有し、
前記周辺回路部は、前記有機化合物を含む層と同じ材料を誘電体とする容量素子と、トランジスタと、配線とを有し、
前記容量素子は、前記トランジスタまたは前記配線の上方に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上に、メモリ部と、周辺回路部とを有し、
前記メモリ部は、トランジスタと記憶素子と有するメモリセルを複数有し、
前記記憶素子は、前記トランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続された第１の導電層と、有機化合物を含む層と、第２の導電層の積層構造を有し、
前記周辺回路部は、前記有機化合物を含む層と同じ材料を誘電体とする容量素子を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上に、メモリ部と、周辺回路部とを有し、
前記メモリ部は、第１のトランジスタと記憶素子と有するメモリセルを複数有し、
前記記憶素子は、前記第１のトランジスタのソースまたはドレインと電気的に接続された第１の導電層と、有機化合物を含む層と、第２の導電層との積層構造を有し、
前記周辺回路部は、前記有機化合物を含む層と同じ材料を誘電体とする容量素子と、第２のトランジスタと、配線とを有し、
前記容量素子は、前記第２のトランジスタまたは前記配線の上方に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することで、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが短絡することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記周辺回路部は、共振回路、電源回路、昇圧回路、ＤＡコンバータ、または保護回路を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にトランジスタを含む層を形成し、
前記トランジスタを含む層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層を形成し、
前記導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
アブレーション加工を用いてレーザービームを選択的に照射して、前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にトランジスタを含む層を形成し、
前記トランジスタを含む層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層を形成し、
前記導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
アブレーション加工を用いてレーザービームを選択的に照射して、前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板から選択された一つ又は複数に溝を形成し、
前記溝を用いて前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面上にトランジスタを含む層を形成し、
前記トランジスタを含む層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層を形成し、
前記導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記基板の他方の面を研磨し、
アブレーション加工を用いてレーザービームを選択的に照射して、前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板の一方の面上にトランジスタを含む層を形成し、
前記トランジスタを含む層上に第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層に設けられた開口部を介して、前記トランジスタのソース又はドレインの一方に接続された導電層を形成し、
前記導電層を覆う第２の絶縁層を形成し、
前記基板の他方の面を研磨し、
アブレーション加工を用いてレーザービームを選択的に照射して、前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板から選択された一つ又は複数に溝を形成し、
前記溝を用いて前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２また請求項４において、前記第１の絶縁層、前記トランジスタを含む層に設けられた絶縁層、前記第２の絶縁層及び前記基板の切断は、前記溝にレーザービームを照射することにより行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記レーザービームの波長は１ｎｍ以上３８０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記基板はガラス基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記基板はプラスチック基板であり、前記レーザービームの波長は１ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記プラスチック基板は、ポリエチレンテレフタラートからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記レーザービームは、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザーから発振されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記基板の切断面の角部が丸みを帯びることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  表示状態が変化可能な複数の表示領域を有する可変表示部を含み、変動開始の条件の成立に応じて前記表示領域に表示される図柄の変動を開始し、該図柄の表示結果があらかじめ定められた特定表示態様となったことを条件として遊技者に有利な特定遊技状態に制御可能な遊技機であって、
遊技の進行を制御する遊技制御手段と、前記可変表示部の表示制御を行う表示制御手段とを備え、
前記遊技制御手段は、前記特定遊技状態とするか否かを決定する特定遊技状態決定手段と、前記可変表示部の表示内容を決定する表示内容決定手段と、該表示内容決定手段の決定にもとづいて、図柄の変動態様を特定可能な情報と図柄の表示結果である最終停止図柄を特定可能な情報とを出力可能なコマンド出力手段とを含み、
図柄の変動態様には、前記特定遊技状態とすると決定されたときに最終停止図柄とは異なる仮図柄を表示し、その後に前記最終停止図柄を表示することが可能な再抽選動作態様が含まれ、
前記表示制御手段は、前記仮図柄の表示時から前記最終停止図柄を表示するまでの時間が同一であって前記仮図柄に対する前記最終停止図柄の図柄変化数が異なる複数の再抽選動作態様を表示可能である
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明による遊技機は、表示状態が変化可能な複数の表示領域を有する可変表示部を含み、変動開始の条件の成立に応じて表示領域に表示される図柄の変動を開始し、図柄の表示結果があらかじめ定められた特定表示態様となったことを条件として遊技者に有利な特定遊技状態に制御可能な遊技機であって、遊技の進行を制御する遊技制御手段と、可変表示部の表示制御を行う表示制御手段とを備え、遊技制御手段は、特定遊技状態とするか否かを決定する特定遊技状態決定手段と、可変表示部の表示内容を決定する表示内容決定手段と、表示内容決定手段の決定にもとづいて図柄の変動態様（変動期間等）を特定可能な情報と図柄の表示結果である最終停止図柄を特定可能な情報とを出力可能なコマンド出力手段とを含み、特定遊技状態とすると決定されたときに最終停止図柄とは異なる仮図柄を表示しその後に最終停止図柄を表示することが可能な再抽選動作態様が含まれ、表示制御手段は、仮図柄の表示時から最終停止図柄を表示するまでの時間が同一であって仮図柄に対する最終停止図柄の図柄変化数が異なる複数の再抽選動作態様を表示可能であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、遊技機を、表示制御手段が、仮図柄の表示時から最終停止図柄を表示するまでの時間が同一であって仮図柄に対する最終停止図柄の図柄変化数が異なる複数の再抽選動作態様を表示可能であるように構成したので、表示制御手段に送出されるコマンド数を増やすことなく図柄変動の種類を増加することができ、その結果、図柄変動の種類を増加しても遊技制御手段の図柄表示に関する制御の負担を軽くすることができる効果がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】削除
【補正の内容】