Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象からの生体試料中の、目的抗原に特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定するための方法であって、
（ａ）目的抗原（ＡｇＩ）を固定化させた固体基質を、対象からの生体試料および補体因子Ｃ１ｑと接触させる工程であって、前記接触は、前記試料中の抗ＡｇＩ補体固定抗体を前記ＡｇＩに結合させ、補体因子Ｃ１ｑを前記抗ＡｇＩ補体固定抗体に結合させるのに十分な時間行われる工程、
前記固体基質を、前記ＡｇＩに結合した抗ＡｇＩ補体固定抗体に結合した前記補体因子Ｃ１ｑに特異的に結合する能力がある少なくとも１つの検出可能に標識されたリガンドとインキュベートする工程、及び、
前記補体因子Ｃ１ｑに結合した前記検出可能に標識されたリガンドの存在または不在を検出することにより、前記生体試料中のＡｇＩに特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定する工程、あるいは、
（ｂ）目的抗原（ＡｇＩ）を固定化させた固体基質を、対象からの生体試料および直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑと接触させる工程であって、前記接触は、前記試料内の抗ＡｇＩ補体固定抗体を前記ＡｇＩに結合させ、前記直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑを前記抗ＡｇＩ補体固定抗体に結合させるのに十分な時間行われる工程、及び、
前記抗ＡｇＩ補体固定抗体に結合した前記直接標識された外因性Ｃ１ｑの存在または不在を検出することにより、前記生体試料中のＡｇＩに特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定する工程、
を含む、方法。
【請求項２】
対象からの生体試料中のヒト白血球抗原（ＨＬＡ）に特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定するための方法であって、
（ａ）対象からの生体試料を、異なるサブタイプの一群の微粒子および直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑとインキュベートする工程であって、各微粒子は、精製された異なるＨＬＡサブタイプでコーティングされ、同じＨＬＡを提示する細胞集団に由来し、前記インキュベートは、前記生体試料中の抗ＨＬＡ補体固定抗体を前記ＨＬＡに結合させ、前記補体因子Ｃ１ｑを前記生体試料中の前記抗ＨＬＡ補体固定抗体に結合させるのに十分な時間行われる工程、
前記微粒子を、前記ＨＬＡに結合した抗ＨＬＡ補体固定抗体に結合した前記補体因子Ｃ１ｑに特異的に結合する能力がある少なくとも１つの検出可能に標識されたリガンドとインキュベートする工程、及び、
前記抗ＨＬＡ補体固定抗体に結合した前記直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑの存在または不在を検出することにより、前記生体試料中のＨＬＡに特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定する工程、あるいは、
（ｂ）対象からの生体試料を、異なるサブタイプの一群の微粒子および直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑとインキュベートする工程であって、各微粒子は、精製された異なるＨＬＡサブタイプでコーティングされ、同じＨＬＡを提示する細胞集団に由来し、前記インキュベートは、前記生体試料中の抗ＨＬＡ補体固定抗体を前記ＨＬＡに結合させ、前記補体因子Ｃ１ｑを前記生体試料中の前記抗ＨＬＡ補体固定抗体に結合させるのに十分な時間行われる工程、及び、
前記抗ＨＬＡ補体固定抗体に結合した前記直接標識された外因性補体因子Ｃ１ｑの存在または不在を検出することにより、前記生体試料中のＨＬＡに特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定する工程、
を含む、方法。
【請求項３】
対象からの生体試料中の、目的抗原に特異的に結合する補体固定抗体の存在または不在を決定するためのキットであって、
目的抗原（ＡｇＩ）を固定化させた固体基質、
補体因子Ｃ１ｑに特異的に結合する能力がある検出可能に標識されたリガンド、又は、補体固定抗体に結合する能力がある直接標識された外因性Ｃ１ｑ、及び、
前記対象からの生体試料中の前記目的抗原に対する補体固定抗体の存在または不在を決定するための説明書、
を含むキット。
【請求項４】
前記目的抗原（ＡｇＩ）がヒト白血球抗原（ＨＬＡ）であり、
前記固体基質が一群の微粒子サブタイプであって、各微粒子サブタイプは、前記群が正常ヒト集団におけるＨＬＡの分布をシミュレートするように、単一細胞株または複数の細胞株の前記ＨＬＡ抗原集団を表すために、異なる精製されたＨＬＡでコーティングされる、請求項３に記載のキット。
【請求項５】
前記方法が工程（ａ）を含み、前記補体因子Ｃ１ｑは自己補体因子Ｃ１ｑである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
前記方法が工程（ａ）を含み、前記補体因子Ｃ１ｑは外因性補体因子Ｃ１ｑである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
前記方法が工程（ａ）を含み、前記補体因子Ｃ１ｑは、自己補体因子Ｃ１ｑおよび外因性補体因子Ｃ１ｑの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記固体基質はマルチウェルプレートである、請求項１に記載の方法又は請求項３に記載のキット。
【請求項９】
前記固体基質は膜である、請求項１に記載の方法又は請求項３に記載のキット。
【請求項１０】
前記固体基質は微粒子である、請求項１に記載の方法又は請求項３に記載のキット。
【請求項１１】
前記微粒子はポリスチレンビーズである、請求項２に記載の方法又は請求項４又は１０に記載のキット。
【請求項１２】
前記微粒子はラテックスビーズである、請求項２に記載の方法又は請求項４又は１０に記載のキット。
【請求項１３】
前記微粒子は磁気ビーズである、請求項２に記載の方法又は請求項４又は１０に記載のキット。
【請求項１４】
前記固体基質は細胞である、請求項１に記載の方法又は請求項３に記載のキット。
【請求項１５】
前記固体基質は細胞膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記生体試料は、血清、血液、唾液、血漿、または尿である、請求項１又は２に記載の方法又は請求項３又は４に記載のキット。
【請求項１７】
前記検出可能に標識されたリガンドは、検出可能に標識された抗体またはその結合断片である、請求項１又は２に記載の方法又は請求項３又は４に記載のキット。
【請求項１８】
前記検出可能な標識は、蛍光色素、発色団、酵素、リンカー分子、ビオチン分子、電子供与体、電子受容体、色素、金属、または放射性核種である、請求項１又は２に記載の方法又は請求項３又は４に記載のキット。
【請求項１９】
前記微粒子はアガロースビーズである、請求項２に記載の方法又は請求項４又は１０に記載のキット。
【請求項２０】
前記検出はフローサイトメトリーによる、請求項２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質としてイオン液体を備える電気化学式のガスセンサにおいて、
イオン液体が、モノアルキルアンモニウムカチオン、ジアルキルアンモニウムカチオン、およびトリアルキルアンモニウムカチオンの群から選択される少なくとも１種のカチオンを有しており、
前記カチオンの各アルキル基は、炭素数１〜４であり、分岐鎖であってもよくまたは非分岐鎖であってもよく、
さらに、ジアルキルアンモニウムカチオン及びトリアルキルアンモニウムカチオンの各アルキル基は、互いに同一または異なることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項２】
請求項１において、各アルキル基の炭素数が２〜４であることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項３】
請求項１または２において、電解質が、固体物質に少なくとも９０％程度吸収されているか、または吸収材を有していないことを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、さらに、
前記イオン液体とイオン的に接触している少なくとも２つの電極、
を備えており、
前記複数の電極は、少なくとも１つのセパレータまたは空間を介して互いに電気的に隔離されていることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記複数の電極の各々が、互いに独立して、同一または異なって、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｕ、およびＲｈの群から選択される少なくとも１種の金属、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｒｕ、およびＲｈの群から選択される金属の少なくとも１種の酸化物、これらの混合物、またはカーボンを含むことを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項において、少なくとも１種のカチオンが、エチルアンモニウムカチオンであることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、イオン液体が、硝酸アニオン、亜硝酸アニオン、テトラフルオロボレートアニオン、ヘキサフルオロホスフェートアニオン、ポリフルオロアルカンスルホネートアニオン、ビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミドアニオン、アルキルサルフェートアニオン、アルカンスルホネートアニオン、酢酸アニオン、およびフルオロアルカン酸のアニオンの群から選択される少なくとも１種のアニオンを有していることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、イオン液体が、硝酸エチルアンモニウムであることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項において、さらに、
前記電解質が吸収された粉体の固体物質、
を備えており、
前記粉体の固体物質が、平均粒径が少なくとも５μｍ、比表面積が少なくとも５０ｍ２／ｇ、ＳｉＯ２含有量が少なくとも９５重量％のケイ酸塩であることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項において、前記電解質を吸収した不織繊維の固体物質がガラス繊維であることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項において、電解質が、有機添加物、有機金属添加物、および無機添加物のうちの少なくとも１種を含む添加成分を有していることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項において、添加成分を、電解質中に０．０５〜１５重量％有していることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項において、有機添加物を含む場合、当該有機添加物は０．０５〜５．０重量％含まれ、無機添加物を含む場合、当該無機添加物は１〜１２重量％含まれ、有機金属添加物を含む場合、当該有機金属添加物は０．０５〜５．０重量％含まれていることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項において、有機添加物が、イミダゾール、Ｃ１〜Ｃ４アルキルイミダゾール、ピリジン、Ｃ１〜Ｃ４アルキルピリジン、ピロール、Ｃ１〜Ｃ４アルキルピロール、ピラゾール、Ｃ１〜Ｃ４アルキルピラゾール、ピリミジン、Ｃ１〜Ｃ４アルキルピリミジン、グアニン、Ｃ１〜Ｃ４アルキルグアニン、尿酸、安息香酸、ポルフィリン、およびポルフィリン誘導体の群から選択されることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか一項において、有機金属添加物が、金属カチオンとしてＭｎ２＋、Ｃｕ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋またはＰｂ２＋を有する金属フタロシアニンおよびその誘導体の群から選択されることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか一項において、無機添加物が、ハロゲン化アルカリ、ハロゲン化アンモニウム、少なくとも１種のＣ１〜Ｃ４アルキル基で置換されたハロゲン化アンモニウム、Ｍｎ２＋、Ｍｎ３＋、Ｃｕ２＋、Ａｇ＋、Ｃｒ３＋、Ｃｒ６＋、Ｆｅ２＋、またはＦｅ３＋の遷移金属塩、およびＰｂ２＋の鉛塩の群から選択されることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項において、無機添加物が、臭化リチウム、ヨウ化リチウム、ヨウ化アンモニウム、ヨウ化テトラメチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラプロピルアンモニウム、ヨウ化テトラブチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウム、塩化マンガン（ＩＩ）、硫酸マンガン（ＩＩ）、硝酸マンガン（ＩＩ）、塩化クロム（ＩＩＩ）、クロム酸アルカリ、塩化鉄（ＩＩ）、塩化鉄（ＩＩＩ）、および硝酸鉛（ＩＩ）の群から選択されることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１８】
請求項１１から１７のいずれか一項において、添加成分の少なくとも一部が、固体の担持体に固定化されていることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項１９】
請求項１１から１８のいずれか一項において、添加成分の少なくとも一部が、固体物質に固定化されていることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項２０】
請求項１１から１８のいずれか一項において、添加成分の少なくとも一部が、前記複数の電極のうちの少なくとも１つに固定化されていることを特徴とする、電気化学式のガスセンサ。
【請求項２１】
請求項１から１７のいずれか一項に記載の電気化学式のガスセンサであって、酸性ガス、塩基性ガス、中性ガス、酸化性ガス、還元性ガス、ハロゲンガス、ハロゲン蒸気、または水素化物ガスを検出／測定するために使用される電気化学式のガスセンサ。
【請求項２２】
請求項１８に記載の電気化学式のガスセンサであって、Ｆ２、Ｃｌ２、Ｂｒ２、Ｉ２、Ｏ２、Ｏ３、ＣｌＯ２、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｈ２Ｓ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｈ２、ＨＣｌ、ＨＢｒ、ＨＦ、ＨＣＮ、ＰＨ３、ＡｓＨ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、またはＳｉＨ４を検出／測定するために使用される電気化学式のガスセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
この移行領域に、知られているタイプの熱空気コレクターを追加することができる。図４に見られるこのコレクターは、太陽放射を吸収して熱をまわりの空気渡航率的に交換することを可能にする。この領域の移行ガラス基板２１は熱空気コレクター６の正面構造６０を構成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正面構造（３０）と背面構造（３１）を有する少なくとも一つの光起電力デバイス（３）と、正面構造（４０）と背面構造（４１）を有する少なくとも一つの温水ソーラーコレクター（４）を備えるソーラールーフィングアセンブリ（１）であって、光起電力デバイス（３）と温水ソーラーコレクター（４）のそれぞれの正面構造（３０，４０）はカバー（２）を形成するそれぞれのガラス基板（２０，２２）から成り、カバーは外側環境に向き合うための上面（１０）とその反対側の内面（１１）を有し、光起電力デバイス（３）と温水ソーラーコレクター（４）のそれぞれの背面構造（３１，４１）はカバー（２）の下に配置されて内面（１１）に向き合い、ガラス基板（２０，２２）は何も金属枠を有せず、直接に又は移行基板と呼ばれる他のガラス基板（２１）によって隔てられる形で接合されて一緒になり一様で統一的なガラスカバー（２）を形成する、ことを特徴とするルーフィングアセンブリ。
【請求項２】
棟（１２）を規定する斜面を有し、斜面は棟に近い上部（１Ｂ）と棟から離れている下部（１Ｃ）とを含み、各光起電力デバイス（３）は下部に配置され、各温水ソーラーコレクター（４）は上部に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項３】
カバー（２）の内面（１１）の下で、カバー（２）の表面に直角に二つの断熱バリア（４６，４７）を含み、二つの断熱バリア（４６，４７）が温水ソーラーコレクター（４）の両側で側方に配置されて、光起電力デバイス（３）の方へ延びる領域を開かれた形で残すようになっている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項４】
ルーフィングアセンブリの下を循環する気流の強制対流のための強制対流手段、特に、排気装置を含み、排気装置の流量が、排気装置が位置している領域及び／又は環境条件に応じて選択的に調整可能である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項５】
光起電力デバイス（３）が、温水ソーラーコレクター（４）から熱空気を発生できる熱空気サーマルコレクター（６）を有する移行領域（１Ｄ）によって隔てられ、熱空気コレクターの正面構造（６０）が移行ガラス基板（２１）によって構成される、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項６】
光起電力デバイスの背面構造（３１）が正面構造（３０）に接合された少なくとも一つの支持基板を含み、正面構造と背面構造の支持基板の間に光電池が配置されている、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項７】
温水ソーラーコレクター（４）の背面構造（４１）が、温水ソーラーコレクターの正面構造（４０）から距離ｈ2に配置された吸熱体（４２）と、吸熱体（４２）の下に配置され、カバー（２）と反対側で、並置される形で又は吸熱体（４２）から距離ｈ1のところに配置された断熱材（４３）を含み、ｈ1+ｈ2の和が10〜100 mmの範囲内、特に、30〜50 mmまでの範囲内にあるようにｈ1とｈ2が規定される、ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項８】
光起電力デバイス（３）、温水ソーラーコレクター（４）及び一つ以上の熱空気コレクター（６）が、それぞれルーフィングアセンブリの３分の１にわたって配分されている、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項９】
ガラス基板（２０，２２）と移行ガラス基板（２１）が焼き戻された一枚板のガラスから、又は積層されたガラスから、又は光起電力デバイスの場合を除き復層ガラスから形成されている、ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項１０】
ガラス基板（２０，２２）と移行ガラス基板（２１）がフックなどの固定手段（２３）によって一緒に固定されている、ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項１１】
ガラス基板（２０，２２）及び任意的な移行ガラス基板（２１）が反射防止及び／又は低放射率タイプの機能的コーティングを含む、ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項１２】
ルーフィングアセンブリは枠（１Ａ）に配置され、温水ソーラーコレクター（４）の背面構造（４１）、任意の熱空気サーマルコレクター（６）の背面構造（６１）及び移行ガラス基板（２１）である熱空気サーマルコレクター（６）の正面構造（６０）が、枠（１Ａ）に対して接合されている、ことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載のルーフィングアセンブリ。
【請求項１３】
枠（１Ａ）が断熱手段（１３）を含み、断熱手段（１３）がカバー（２）の内面（１１）に向いて配置された熱反射フィルム（１３ｃ）を含み、熱反射フィルム（１３ｃ）が各温水ソーラーコレクター（４）及び熱空気コレクター（６）の吸熱体に対する断熱材を構成できる、ことを特徴とする請求項１２に記載のルーフィングアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本願の出願人自身により、PULSTEC（登録商標）ODU-1000システム（Pulstec社のCD、DVD,ブルーレイ開発用の分析装置）を用いて行った実験の結果によると、通常のDVD＋RWディスクの場合、赤色レーザを用い、基本のDVD書き込みスピード（通常１Xで示される書き込みスピード）でデータをディスクに書き込む場合、７ｍW以下のパワーが必要であることが分かった。通常の光学的効率を考慮した場合、この書き込みパワーを得るためには、約２０ｍWの出力が得られるレーザダイオードが必要であろう。よりハイパワーなレーザダイオードを用いることにより、書き込みスピードをより速くすることができる。必要なレーザパワーは、書き込みスピードが上がる毎に、線形的に上昇する。したがって、４X書き込みスピード（基本スピードの４倍速）で書き込むためには約２７ｍWのパワーがディスク面で得られる必要があり、約８０ｍW出力のレーザダイオードが必要となる。すべての種類の書き込み可能な光記録媒体に対し、より速い記録速度が提供できるようにすることが、主要なドライバ商品となってきている。
もちろん、このようなハイパワーは、データを読み出す場合には必要ない。データ読み取り処理におけるディスク面での必要なパワーは、通常、１ｍW以下である。このことは
、データ書き込み処理とデータ読み取り処理では異なった制御を行う必要があることを示している。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【特許文献１】  米国特許出願公開第２００６／０２４４８１１号明細書
【特許文献２】  韓国公開特許第１０−２００３−０００３３４４号公報
【特許文献３】  米国特許出願公開第２００７／０２８１１２３号明細書
【特許文献４】  韓国公開特許第１０−２００８−００６８９８０号公報
【特許文献５】  米国特許出願公開第２００４／０２４１５７５号明細書
【特許文献６】  韓国登録特許第１０−０５８１６３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
屈折率ｎ２を有するクラッドと、
中心部、最大半径Ｒ、及び修正屈折率プロファイルを有するコアと、
を有する多重モード光ファイバーを製造する方法であって、
前記コアの理想的な屈折率プロファイルが、前記コアの前記中心部から半径距離ｒの関数で定義される下記の式（I）の屈折率ｎ０（ｒ）の範囲によって定義され、
【数１】
2012510643.tif 000001
（ここで、ｎ１０は、前記コアの前記中心部の屈折率であり、αは、前記理想的な屈折率プロファイルの形状を定義するパラメータであり、
【数２】
2012510643.tif 000002
は
【数３】
2012510643.tif 000003
である）
前記コアの製造中に前記コアに少なくとも一種のドーパントを追加するステップであって、
前記コアの前記修正屈折率プロファイルが、前記半径距離ｒ（０＜ｒ＜Ｒ）に対する屈折率の範囲によって定義されるように前記ドーパントの濃度が調整され、
所定の半径距離ｒ（０＜ｒ＜Ｒ）での前記修正屈折率プロファイルの屈折率が同じ値の該半径距離ｒで前記理想的な屈折率プロファイルの屈折率より小さく、
前記理想的な屈折率プロファイルの屈折率と前記修正屈折率プロファイルの屈折率との差がそれぞれの半径距離ｒによって増加するステップと、
前記多重モードの光ファイバーに前記コアを組み込むステップと、
を備える、方法。
【請求項２】
屈折率ｎ２を有するクラッドと、
中心部、最大半径Ｒ、及び修正屈折率プロファイルを有するコアと、
を有する多重モードの光ファイバーを製造する方法であって、
前記コアの理想的な屈折率プロファイルが、前記コアの前記中心部から半径距離ｒの関数で定義される下記の式（II）の屈折率ｎ０（ｒ）の範囲によって定義され、
【数４】
2012510643.tif 000004
（ここで、ｎ１０は、前記コアの前記中心部の屈折率であり、αは、前記理想的な屈折率プロファイルの形状を定義するパラメータであり、
【数５】
2012510643.tif 000005
は
【数６】
2012510643.tif 000006
である）
前記コアの製造中に前記コアに少なくとも一種のドーパントを追加するステップであって、
前記コアの前記修正屈折率プロファイルが、前記コアの前記中心部から前記半径距離ｒに対する屈折率の範囲によって定義されるように前記ドーパントの濃度が調整され、
半径距離ｒ（ｒｉ＜ｒ＜Ｒ）での前記修正屈折率プロファイルの屈折率が同じ値の該半径距離ｒで前記理想的な屈折率プロファイルの屈折率より小さく、
半径距離ｒ（ｒｉ＜ｒ＜Ｒ）で前記理想的な屈折率プロファイルの屈折率と前記修正屈折率プロファイルの屈折率との差がそれぞれの半径距離ｒによって増加するステップと、
前記多重モードの光ファイバーに前記コアを組み込む段階と、
を備える、方法。
【請求項３】
前記修正屈折率プロファイルが、半径距離ｒ（０＜ｒ≦ｒｉ）にわたって前記理想的な屈折率プロファイルの屈折率と同じである前記修正屈折率プロファイルの屈折率によって更に定義される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
半径距離ｒｉが５μｍである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
半径距離ｒｉが１μｍである、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータにより実行される方法であって、
前記コンピュータが、
第一のエンティティが主語又は目的語であるかを決定すること、及び、第二のエンティティが主語又は目的語であるかを決定することが行われるようにする処理と、
一つのグラフのサブセットが１以上の他の主語にリンクされた少なくとも１以上の主語を含む主語ノードのサブジェクトグラフであり、前記サブジェクトグラフ内の１以上の主語にそれぞれリンクされた１以上の目的語を有する前記グラフの生成を行う処理と、
を実行する方法。
【請求項２】
１以上の主語に関する主観的な評判スコアを決定する処理、
複数の目的語の任意のサブセットに対して引用スコアを割り当てる処理であって、前記引用スコアは、少なくとも一部において、前記１以上の主語によって前記目的語の引用のコンテンツとともに１以上のサーチ用語の一致に基づき決定される当該処理と、
目的語に関する選択スコアを提供するために、前記目的語に関する引用スコア、及び前記目的語を引用する主語に関する評判スコアを組み合わせる処理と、
前記選択スコアに基づき前記目的語をランク付けする処理と、
を更に実行する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の主語の見込みから１以上の目的語に関する第１のディメンジョンの主観的な評判スコアを決定する処理と、
前記評判スコアに基づき前記目的語をランク付けする処理と、
を更に実行する請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
第１の主語に関する影響度スコアを決定する処理と、
任意の主語の前記見込みから複数の目的語の任意のサブセットに対して引用スコアを割り当てることであって、前記引用スコアの評価基準は、少なくとも一部において、記述的な基準をもつ主語からの目的語の引用のための一致決定に基づく当該処理と、
目的語に関する選択スコアを提供するために、前記目的語に関する引用スコア、及び前記目的語を引用する主語に関する前記影響度スコアを組み合わせる処理と、
前記選択スコアに基づき前記目的語をランク付けする処理と、
を更に実行する請求項１〜３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記グラフは、有向リンク、若しくは有向及び無向のリンクを含む、請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記グラフは、１以上の目的語にリンクされた１以上の目的語を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記目的語は、本、映画、音楽、ドキュメント、ウェブサイト、販売対象、批評若しくは推薦され若しくは引用されるオブジェクト、ＵＲＩに関連する任意のエンティティを含み、
前記主語は、インターネットコンテンツの著者、又はインターネットウェブサイト上のブログやツイッターや批評の少なくとも１つを含むソーシャルメディアサービスのユーザをあらわすエンティティを含み、
前記リンクは、インターネットウェブサイト上のツィート(Tweet)、ブログ投稿、批評の少なくとも１つを含む主語からの目的語の引用である、請求項１〜６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
ユーザからの記述的基準を受信することを更に含む、請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
サーチクエリーにおいて提供され、前記記述的基準に含まれるサーチ用語を受信することを更に含む、請求項１〜８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択スコアに基づきトップランク付けされた目的語のサブセットを表示することを更に含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記選択スコアに基づきトップランク付けされた目的語は、サーチ結果に基づく主観を提供する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記記述的基準に基づき目的語に関するコンテンツスコアを決定することを更に含み、前記選択スコアは、前記引用スコア、前記主観的な評判スコア、及び前記コンテンツスコアに基づいている、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
第２の記述的基準に基づき、各目的語を引用する各主語に関する専門スコアを決定することを更に含み、前記選択スコアは、前記引用スコア、前記主観的な評判スコア、及び前記専門的スコアに基づいている、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記選択スコア及び目的語をランク付けすることは、目的語に関する前記引用スコア及び当該目的語を引用した主語に関する評判スコア、並びに、各目的語を引用する各主語の専門的スコアの組み合わせであり、前記主語からの全ての引用の相対的共有として記述的な基準に一致する各主語からの引用、及びすべての主語からの相対的共有として前記記述的基準に一致するすべての主語からの引用に基づいている、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
サーチ用語として、次のサーチ基準：地形、言語、及び時間の少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
第１のカウントを決定する処理であって、前記第１のカウントは、その影響度が第１の閾値及び第１の目的語を下回る主語間のリンク数に基づく当該処理と、
第２のカウントを決定する処理であって、前記第２のカウントは、その影響度が第１の閾値及び第１の目的語を上回る主語間のリンク数に基づく当該処理と、
前記第１のカウント及び前記第２のカウントを用いて前記第１の目的語の品質スコアを決定する処理と、更に含む請求項１〜１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記品質スコアはBoolean値として記憶され、前記品質スコアは、前記第１のカント及び前記第２のカウントの合計が前記第１の閾値を超え、及び前記第１のカント及び前記第２のカウントの比率が前記第２の閾値を超える場合には、真のBoolean値を決定する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記品質スコアは、前記目的語が信頼性のあるコンテンツを含むか否かの評価基準を提供する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
プロセッサと、当該プロセッサに命令を提供するメモリを備えたシステムであって、
前記プロセッサは、
第一のエンティティが主語又は目的語であるかを決定すること、及び、第二のエンティティが主語又は目的語であるかを決定することが行われるようにし、
一つのグラフのサブセットが１以上の他の主語にリンクされた少なくとも１以上の主語を含む主語ノードのサブジェクトグラフであり、前記サブジェクトグラフ内の１以上の主語にそれぞれリンクされた１以上の目的語を有する前記グラフの生成を行うシステム。
【請求項２０】
前記グラフは、１以上の目的語にリンク付けされた１以上の目的語を含む、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
コンピュータに、
第一のエンティティが、主語又は目的語であるかを決定する処理と、
第二のエンティティが、主語又は目的語であるかを決定する処理と、
一つのグラフを生成する処理であって、当該グラフのサブセットが１以上の他の主語にリンクされた少なくとも１以上の主語を含む主語ノードのサブジェクトグラフであり、前記グラフは、前記サブジェクトグラフ内の１以上の主語にそれぞれリンクされた１以上の目的を有するように当該処理と、
を実行させるためのコンピュータ命令を記憶したコンピュータ読み出し可能な記録媒体。
【請求項２２】
前記グラフは、１以上の目的語にリンク付けされた１以上の目的語を含む、請求項２１に記載のコンピュータ読み出し可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスを検査するためのプローブカードアセンブリであって、
スタック状に配置された、スティフナ構造体と、配線基板と、主面を有するフレームとであって、前記配線基板は、前記フレームと前記スティフナ構造体との間に配置される、スタック状に配置された補強材構造体と、配線基板と、主面を有するフレームと、
前記プローブカードアセンブリを介して、検査制御装置に対する前記配線基板上の電気的インターフェースに電気的に接続されるプローブをそれぞれ有する複数のプローブ基板と、
１つ以上の調節不能固定結合機構であって、それぞれが１つ以上の前記プローブ基板を前記フレームに固定し、前記主面に垂直な第１の方向において剛性であり、同時に前記主面に概ね平行な第２の方向において可撓性である調節不能固定結合機構と、
を備えるプローブカードアセンブリ。
【請求項２】
前記スティフナ構造体及び前記フレームを結合する複数の調節可能結合機構をさらに含み、前記調節可能結合機構は、前記第１の方向において剛性であり、同時に前記第２の方向において可撓性である、請求項１に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項３】
前記調節可能結合機構の剛性が、前記スティフナ構造体と前記フレームとの間の前記第１の方向における相対移動を実質的に妨げ、前記第１の調節可能結合機構の可撓性が、前記スティフナ構造体と前記フレームとの間の前記第２の方向における相対移動を可能にし、
前記調節不能固定結合機構の剛性が、前記プローブ基板のそれぞれと前記フレームとの間の前記第１の方向における相対移動を実質的に妨げ、前記調節不能固定結合機構の可撓性が、前記プローブ基板のそれぞれと前記フレームとの間の前記第２の方向における相対移動を可能にする、請求項２に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項４】
前記スティフナ構造体は、前記配線基板を前記第１の方向において剛化するために、前記配線基板の第１の側面に配置され、
前記フレームは、前記配線基板を前記第１の方向において剛化するため及び／又は前記プローブ基板を支持するために、前記配線基板の第２の側面に配置される第２の剛化構造体である、請求項１乃至３に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項５】
前記スティフナ構造体は、取付け機構を備え、前記取付け機構によって前記プローブカードアセンブリが取付け面において検査システムに結合され、かつ分離される、請求項１乃至４のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項６】
前記取付け機構は、前記取付け面に垂直な方向において剛性であり、同時に前記取付け面に概ね水平な方向において可撓性である１つ以上の構造体を備える、請求項５に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項７】
前記調節不能固定結合機構のそれぞれは、細長ピンを備え、
前記ピンの長さが概して前記第１の方向において配向され、
前記ピンの第１の端部が前記フレームに調節不能に結合され、
前記ピンの第２の端が前記プローブ基板の１つ以上に結合される、請求項１乃至６のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項８】
前記ピンの前記第１の端部は、第１の接合材によって前記フレームに結合され、
前記ピンの前記第２の端は、第２の接合材によって前記１つ以上のプローブ基板に結合される、請求項７に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項９】
前記第１の接合材及び前記第２の接合材はそれぞれ、はんだ、ろう付け材、接着剤、ナノ粒子、又は溶接材料を含む、請求項８に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１０】
前記第２の端が前記プローブ基板の前記１つにおける穴に結合される、請求項１又は９に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１１】
前記調節不能固定結合機構のそれぞれは、Ｌ字形ブラケットを備える、請求項１乃至１０のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１２】
前記調節可能結合機構のそれぞれは、前記スティフナ構造体に第１の端において固定される構造体部材を備え、前記構造体部材の部分が、前記第１の端から、前記スティフナ構造体におけるオーバーサイズ開口及び前記配線基板におけるオーバーサイズ開口部を通って、前記フレームに固定された第２の端へ延在する、請求項２乃至１１のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１３】
前記配線基板を前記フレームに結合し、場所からの前記配線基板の熱膨張又は収縮を可能にする一方で、前記配線基板上の端子と前記フレームにある開口部において配置されたインターポーザのばね相互接続との整列を維持し、前記配線基板上の前記端子を前記プローブ基板上の端子に電気的に接続することを可能にする結合機構をさらに備える、請求項１乃至１２のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１４】
前記結合機構のそれぞれは、
前記配線基板又は前記フレームのうち１つから延在する整列フィーチャと、
前記配線基板又は前記フレームのうちの他方におけるスロットと前記スロットに隣接する撓みと、を備え、
前記撓みが、前記整列フィーチャが前記スロットに挿入されている間撓む、請求項１３に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１５】
前記フレームは複数の開口部を備え、
前記プローブカードアセンブリはさらに、複数のインターポーザを備え、前記インターポーザのそれぞれは、前記開口部の１つにおいて配置され、前記配線基板の前記第２の側面上の端子を、少なくとも１つの前記プローブ基板の第１の側面上の端子と電気的に接続し、前記配線基板の前記第２の側面上の前記端子は、前記配線基板を介して前記検査制御装置への前記インターフェースに電気的に接続され、前記少なくとも１つの前記プローブ基板の前記第１の側面上の前記端子は、前記プローブ基板を介して前記プローブ基板上の前記プローブに電気的に接続される、請求項１３又は１４に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１６】
前記インターポーザのそれぞれは、インターポーザ本体の両測面から延在する可撓性導電体を備え、前記可撓性導電体は、前記配線基板の前記第２の側面上の前記端子及び前記少なくとも１つの前記プローブ基板の第１の側面上の前記端子と接触する、請求項１５に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１７】
前記インターポーザ本体は、前記平行方向において互いに対して移動可能な第１の部分と第２の部分とを備える、請求項１６に記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１８】
前記フレームと接触する温度制御装置をさらに含む、請求項１乃至１７のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【請求項１９】
前記プローブカードアセンブリをハウジングの取付け面に取付けるための結合機構をさらに備え、前記結合機構は、前記取付け面に垂直な方向において実質的に剛性であり、同時に前記取付け面に平行な方向において可撓性である、請求項１乃至１８のいずれかに記載のプローブカードアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む電源内蔵式マイクロ流体装置：
１つまたは複数の試薬が流れるように構成されるマイクロ流体チャネルの配置と、および、
前記マイクロ流体チャネルを通って前記試薬を送り込む圧力源と、
を含み、
前記圧力源は以下を含む：
圧力を発生する反応生成物を生成するように適合された物質を含む貯蔵所と、
前記貯蔵所と関連し、前記圧力を発生する反応生成物を生成する物質と反応するように適合されるトリガーと、
前記トリガーがピンを含み、及び前記ピンが前記反応生成物を生成するために触媒を含み、
前記貯蔵所と流体連通し、前記圧力を発生する反応生成物の生成の際に、前記物質を留めておくように構成される緩衝液チャンバーと、および、
１つまたは複数の試薬を含む試薬チャンバーと、
を含み、
前記チャンバーは前記圧力源とマイクロ流体チャネルの配置の間を連結する。
【請求項２】
前記物質が過酸化水素であり、前記圧力を発生する反応生成物が酸素である、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項３】
マイクロ流体チャネルの配置が、全血から血漿を分離するためのマイクロ流体分析である、請求項１又は２のいずれか１項に記載のマイクロ流体装置。
【請求項４】
前記触媒がPt又はAgである、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項５】
前記ピンが０．６から０．８ｍｍの範囲で測定される、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項６】
前記貯蔵所及び前記緩衝液チャンバとの間にチャンネルをさらに含む、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項７】
前記貯蔵所と前記試薬チャンバとの間にチャンネルをさらに含む、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項８】
前記貯蔵所と前記緩衝液チャンバとの間にチャンネルと、及び前記貯蔵所と前記試薬チャンバとの間にチャンネルとをさらに含む、請求項１に記載のマイクロ流体装置。
【請求項９】
請求項１に記載のマイクロ流体装置のための圧力生成方法であり：
第１のマイクロ流体チャンバ内に液体を準備し；
前記液体の触媒分解を実施して前記分解による圧力を生成し；及び
前記第１のマイクロ流体チャンバに接続された第２のマイクロ流体チャンバを準備し、前記生成された圧力の結果前記液体を前記第１のマイクロ流体チャンバから前記第２のマイクロ流体チャンバへの移動を可能とし、前記圧力が減少すると前記第２のマイクロ流体チャンバから前記第１のマイクロ流体チャンバへの前記液体が戻ることを可能とし、
前記触媒分解が、前記第１のマイクロ流体チャンバの内部の前記液体のレベルに依存し、それにより前記液体が前記第１のマイクロ流体チャンバから前記第２のマイクロ流体チャンバへの移動により前記液体のレベル減少が、前記触媒分解を防止し、前記第２のマイクロ流体チャンバから前記第１のマイクロ流体チャンバへの移動により前記液体のレベル増加が、前記触媒分解を促進する、方法。
【請求項１０】
前記液体が過酸化水素水又は塩素酸である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の前記第１のマイクロ流体チャンバ及び第２のマイクロ流体チャンバが、前記マイクロ流体装置上に設けられる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記マイクロ流体装置が、マイクロ流体血液分離装置である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記触媒分解により生成される圧力が前記血液を前記血液分離装置へ送り込む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記送り込まれる血液が、前記第２のマイクロ流体チャンバ及び前記血液分離装置に接続された第３のマイクロ流体チャンバに位置する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記血液分離装置が全血から血漿を分離し、血液タンパク質バイオマーカーのマルチプレックス分析と連結する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
トレンチ構造又はビア構造が形成された基板を覆うようにシード層を形成するステップと、
前記シード層の一部を有機パッシベーション膜で被覆するステップであって、前記シード層の一部を被覆することが、有機界面活性剤を含有する溶液に前記基板を浸漬することによって前記トレンチ構造又はビア構造の上部を覆うシード層を被覆することを含み、且つ前記溶液が、疎水性担体と、疎水性担体に懸濁された前記有機界面活性剤とを含む、前記被覆ステップと、
前記トレンチ構造又はビア構造をめっき液に浸漬して、前記有機パッシベーション膜で被覆されないシード層部分の上に導電材料を堆積させるステップと
を含み、前記有機パッシベーション膜は、前記めっき液に溶解させることができる、方法。
【請求項２】
前記有機界面活性剤が１−２−３−ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶液がイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板を前記めっき液から取り出すステップと、
前記パッシベーション膜を除去して、前記シード層の、これまで前記パッシベーション膜で被覆されていた部分を露出させるステップと、
前記基板を前記めっき液に浸漬して、前記基板に前記導電材料をめっきするステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パッシベーション膜を除去するステップが、前記基板をアニールすることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板を処理する方法であって、
トレンチ構造又はビア構造が形成された基板を覆うようにシード層を堆積させるステップと、
前記基板にスピン塗布して、前記シード層の少なくとも一部を覆うようにパッシベーション膜を形成するステップと、
前記トレンチ構造又はビア構造をめっき液に浸漬して、前記パッシベーション膜で被覆されないシード層部分の上に導電材料を堆積させ、前記パッシベーション膜を前記めっき液に溶解させるステップと
を含む方法。
【請求項７】
前記基板にスピン塗布するステップが、前記パッシベーション膜が前記トレンチ構造又はビア構造の側壁に沿って達する深さを制御することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
深さを制御することが、
スピン回転速度を上げて前記深さを小さくすることと、
前記スピン回転速度を下げて前記深さを深くすることと
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
深さを制御することが、更に、スピン塗布中に異なる粘度の担体を使用して前記深さを小さくすることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板を処理する方法であって、
基板に形成されたトレンチ構造又はビア構造の表面を覆うようにシード層を堆積させるステップと、
パッシベーション膜を基板の上に塗布形成して、トレンチ構造又はビア構造の上部開口部近傍のシード層を被覆するステップと、
トレンチ構造又はビア構造をめっき液に浸漬することにより、導電材料をトレンチ構造又はビア構造内にめっきするステップであって、めっき中にパッシベーション膜がめっき液に溶解する、めっきするステップと
を含む、方法。
【請求項１１】
パッシベーション膜が平面分子を有する界面活性剤を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
パッシベーション膜を塗布形成するステップが、基板に界面活性剤溶液をスピン塗布することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
界面活性剤溶液が、１−２−３ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む有機界面活性剤を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
パッシベーション膜を塗布形成するステップが、疎水性担体を含む界面活性剤溶液に基板を浸漬することを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって、
基板に形成されたトレンチ構造又はビア構造の表面を覆うようにシード層を形成するステップと、
シード層の一部を有機パッシベーション膜で被覆するステップと、
を含み、シード層の一部を被覆するステップが、
１−２−３ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）を含む有機界面活性剤を含有する溶液を基板にスピン塗布することにより、トレンチ構造又はビア構造の上部のシード層を被覆することと、
トレンチ構造又はビア構造をめっき液に浸漬して、めっき液に溶解することができる有機パッシベーション膜で被覆されないシード層の上に導電材料を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項１６】
溶液が、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
シード層の一部を被覆するステップが、更に、前記トレンチ構造又はビア構造内への有機パッシベーション膜の目標深さに応じてスピン塗布の回転速度を決定することを含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月27日(2012.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
側壁に第１材料を含むトレンチ構造を前記基板に形成する工程と、
前記トレンチ構造の上部開口部を広げる工程であって、
前記基板をエッチング液に曝すことにより、犠牲層を形成して前記トレンチ構造の前記上部開口部を閉塞することであって、前記犠牲層が、前記エッチング液と前記第１材料との反応副生成物を含むことと、
前記基板を前記エッチング液に曝し続けることにより、前記エッチング液を前記第１材料と更に反応させることと、
前記犠牲層を前記基板から除去することと
を含む、上部開口部を広げる工程と、
第２材料を堆積させて、前記トレンチ構造に充填する工程と
を含む方法。
【請求項２】
前記エッチング液が、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより、前記第１材料を除去するように調製され、前記犠牲層を形成することが、
前記副生成物で前記上部開口部を閉塞することができる前記エッチング液の第１流量を決定することと、
前記エッチング液を前記第１流量で流して、前記上部開口部を閉塞することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記上部開口部を広げる工程が、更に、前記第１流量を増やして拡幅量を大きくすることを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１材料が、窒化シリコン、酸化シリコン、及びこれらの材料の組み合わせのうちの１つを含み、
前記エッチング液が、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及び水素（Ｈ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びフッ化水素（ＨＦ）の混合物のうちの１つ、又は他の同様のフッ素、窒素、及び水素を含むソースガスのうちの１つを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記第２材料が、配線用導電材料、相変化メモリセルに充填されるゲルマニウム−セレン−テルル（ＧＳＴ）、及び金属ゲートに充填されるゲート金属のうちの１つを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
基板を処理する方法であって、
トレンチ構造を有する前記基板を処理チャンバ内に配置する工程であって、前記トレンチ構造の側壁が第１材料を含む工程と、
第１処理ガスを前記処理チャンバに流すことにより、犠牲層を形成して前記トレンチ構造の上部開口部を閉塞する工程と、
前記上部開口部を閉塞した後、前記第１処理ガスを流し続ける工程と、
前記基板をアニールして前記犠牲層を前記トレンチ構造から除去する工程と
を含む方法。
【請求項７】
副生成物で前記トレンチ構造の前記上部開口部を閉塞できる前記第１処理ガスの第１流量を決定する工程であって、前記第１処理ガスが、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより前記第１材料を除去するように調製される工程を更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１流量を決定する工程が、
前記犠牲層を除去した後に、前記第１流量を増やして上部開口部の幅を広げることと、
前記犠牲層を除去した後に、前記第１流量を減らして上部開口部の幅を狭めることと
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１処理ガスが、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びアンモニア（ＮＨ３）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及び水素（Ｈ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）、水素（Ｈ２）、及び窒素（Ｎ２）の混合物、三フッ化窒素（ＮＦ３）及びフッ化水素（ＨＦ）の混合物、他の同様のフッ素、窒素、及び水素を含むソースガスのうちの１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板を処理する方法であって、
側壁に第１材料を含むトレンチ構造を前記基板に形成する工程と、
基板をエッチング液に曝すことにより、犠牲層を形成してトレンチ構造の上部開口部を閉塞する工程であって、犠牲層が、エッチング液と第１材料との反応副生成物を含む工程と、
基板をエッチング液に曝し続けることにより、エッチング液を第１材料と更に反応させる工程と、
犠牲層を基板から除去する工程と
を含む方法。
【請求項１１】
前記エッチング液が、前記第１材料と反応して前記副生成物を生成することにより、前記第１材料を除去するように調製される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記犠牲層を形成する工程が、前記エッチング液を第１流量で流して、前記副生成物で前記上部開口部を閉塞することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記犠牲層を形成する工程が、前記第１流量を増やして、前記トレンチ構造の上部開口部近傍のエッチング速度と前記トレンチ構造の下部近傍のエッチング速度との間の比を高くすることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エッチング液が第１処理ガスと第２処理ガスとを含み、第１流量を増やすことが、前記第１処理ガスの流量を増やすことを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１材料が、酸化シリコン、窒化シリコン、及びこれらの材料の組み合わせのうちの１つを含み、前記エッチング液が、フッ素、窒素、及び水素を含むソースガスを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記犠牲層を形成する工程が、前記エッチング液から発生したプラズマに前記基板を曝すことを含む、請求項１２に記載の方法。