【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）金属基板と、
ｂ）前記金属基板上の１以上の拡散バリア層と、
ｃ）前記拡散バリア層上の１以上の絶縁層と、
ｄ）前記１以上の絶縁層上のデバイス層と
を備え、
前記絶縁層は、電気デバイスから前記拡散バリア層を電気的に分離して、電気デバイス構造は、実質的に前記絶縁層の上に形成されるデバイス。
【請求項２】
前記金属基板が、前記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び前記絶縁層のうちの少なくとも１つによって封止されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記金属基板の少なくとも１つの面が、前記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び前記絶縁層のうちの少なくとも１つによって被覆されている請求項１又は２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記金属基板は、アルミニウム、銅、チタン、ステンレス鋼又はモリブデンを含み、約１０μｍから約１０００μｍの厚みを有する請求項１から３の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項５】
前記拡散バリア層の少なくとも１つは、チタン化合物を含み、
前記チタン化合物は、ＴｉｘＮｙ又はＴｉａＡｌｂＮｃを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１又はａ＋ｂ＋ｃ＝１である請求項１から４の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記１以上の拡散バリア層は、約１０ｎｍから約１μｍの厚みを有する請求項１から５の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記１以上の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含み、
前記１以上の絶縁層は、約１００ｎｍから約１０μｍの厚みを有する請求項１から６の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記デバイス層は、半導体層を含む請求項１から７の何れか１項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記半導体層上又は下に、ゲート電極を更に備え、
前記ゲート電極は、ゲート及びゲート誘電体層を有する請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
金属基板上にデバイスを形成する方法であって、
ａ）前記金属基板上に、１以上の拡散バリア層を形成する工程と、
ｂ）前記拡散バリア層上に、１以上の絶縁層を形成する工程と、
ｃ）前記１以上の絶縁層上に、デバイス層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁層は、電気デバイスから前記拡散バリア層を電気的に分離して、電気デバイス構造は、実質的に前記絶縁層の上に形成される方法。
【請求項１１】
前記金属基板が、前記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び前記絶縁層のうちの少なくとも１つによって封止される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属基板の少なくとも１つの面が、前記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び前記絶縁層のうちの少なくとも１つによって被覆される請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属基板は、アルミニウム、銅、チタン又はステンレス鋼を含み、
前記金属基板は、約１０μｍから約１０００μｍの厚みを有する請求項１０から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記１以上の拡散バリア層を形成する工程は、チタン化合物の物理的気相成長、原子層成長又は化学的気相成長を含む請求項１０から１３の何れか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記チタン化合物は、ＴｉｘＮｙ又はＴｉａＡｌｂＮｃを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１又はａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、約１０ｎｍから約１μｍの厚みを有する請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記１以上の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含み、
前記１以上の絶縁層は、約１００ｎｍから約１０μｍの厚みを有し、
前記１以上の絶縁層を形成する工程は、前記絶縁層の少なくとも１つを、物理的気相成長法、化学的気相成長法又は原子層成長法によって堆積する請求項１０から１５の何れか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記デバイス層は、半導体層を含む請求項１０から１６の何れか１項に記載の方法。
【請求項１８】
前記半導体層を少なくとも一部結晶化させるべく、前記半導体を照射する工程を更に備える請求項１７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
上記の本発明の特定の実施形態は、例示及び説明を目的として示されている。上記の記載は、本発明を完全に説明する、又は開示された形態に厳密に限定されることを意図しておらず、数多くの変形及び変更が上記の教示することろから可能であることは明らかである。また、上記に記載した実施形態は、本発明の原理及び実用的応用を最も良く説明するために記載されており、当業者であれば本発明を良好に利用することができ、様々な変更を伴う様々な実施形態を、特定の実施に適合するように考えうる。本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその均等物によって規定される。
［項目１］
ａ）金属基板と、
ｂ）上記金属基板上の１以上の拡散バリア層と、
ｃ）上記拡散バリア層上の１以上の絶縁層と、
ｄ）上記１以上の絶縁層上のデバイス層とを備えるデバイス。
［項目２］
上記金属基板が、上記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び上記絶縁層のうちの少なくとも１つによって封止されている項目１に記載のデバイス。
［項目３］
上記金属基板の少なくとも１つの面が、上記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び上記絶縁層のうちの少なくとも１つによって被覆されている項目１に記載のデバイス。
［項目４］
上記金属基板は、アルミニウム、銅、チタン、ステンレス鋼又はモリブデンを含む項目１に記載のデバイス。
［項目５］
上記金属基板は、約１０μｍから約１０００μｍの厚みを有する項目１に記載のデバイス。
［項目６］
上記拡散バリア層の少なくとも１つは、チタン化合物を含む項目１に記載のデバイス。
［項目７］
上記チタン化合物は、ＴｉｘＮｙ又はＴｉａＡｌｂＮｃを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１又はａ＋ｂ＋ｃ＝１である項目６に記載のデバイス。
［項目８］
上記１以上の拡散バリア層は、約１０ｎｍから約１μｍの厚みを有する項目１に記載のデバイス。
［項目９］
上記１以上の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含む項目１に記載のデバイス。
［項目１０］
上記１以上の絶縁層は、約１００ｎｍから約１０μｍの厚みを有する項目９に記載のデバイス。
［項目１１］
上記デバイス層は、半導体層を含む項目１に記載のデバイス。
［項目１２］
上記半導体層は、シリコン及びゲルマニウムの少なくとも一方を含む項目１１に記載のデバイス。
［項目１３］
上記半導体層は、多結晶シリコン及び多結晶ゲルマニウムの少なくとも一方を含む項目１２に記載のデバイス。
［項目１４］
上記半導体層は、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂからなる群から選択されるドーパントを更に含む項目１３に記載のデバイス。
［項目１５］
上記半導体層上又は下に、ゲート電極を更に備え、
上記ゲート電極は、ゲート及びゲート誘電体層を有する項目１１に記載のデバイス。
［項目１６］
上記半導体層は、第１導電型の第１ドーパントを有し、
上記デバイスは更に、上記半導体層の上又は上方に、第２半導体層を備え、
上記第２半導体層は、第２導電型の第２ドーパントを有する項目１１に記載のデバイス。
［項目１７］
上記デバイス層は、第１導電層を有し、
上記第１導電層は、第１金属層及び第１高濃度ドープ半導体層からなる群から選択される項目１に記載のデバイス。
［項目１８］
上記第１導電層上の誘電体層と、
上記第１導電層上の第２導電層とを更に備え、
上記第２導電層は、第２金属層及び第２高濃度ドープ半導体層からなる群から選択される項目１７に記載のデバイス。
［項目１９］
上記金属基板上又は上方に、反射防止層を更に備える項目１に記載のデバイス。
［項目２０］
上記デバイス層は、上記反射防止層の上方に位置する項目１９に記載のデバイス。
［項目２１］
上記金属基板上又は上方に、応力緩和層を更に備える項目１に記載のデバイス。
［項目２２］
金属基板上にデバイスを形成する方法であって、
ａ）上記金属基板上に、１以上の拡散バリア層を形成する工程と、
ｂ）上記拡散バリア層上に、１以上の絶縁層を形成する工程と、
ｃ）上記１以上の絶縁層上に、デバイス層を形成する工程とを備えるデバイス。
［項目２３］
上記金属基板が、上記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び上記絶縁層のうちの少なくとも１つによって封止される項目２２に記載の方法。
［項目２４］
上記金属基板の少なくとも１つの面が、上記拡散バリア層のうちの少なくとも１つ及び上記絶縁層のうちの少なくとも１つによって被覆される項目２２に記載の方法。
［項目２５］
上記１以上の拡散バリア層を形成する前に、上記金属基板を洗浄する工程を更に備える項目２２に記載の方法。
［項目２６］
上記金属基板を洗浄する工程は、上記金属基板をスパッタエッチングする工程を含む項目２５に記載の方法。
［項目２７］
上記金属基板は、アルミニウム、銅、チタン又はステンレス鋼を含む項目２２に記載の方法。
［項目２８］
上記金属基板は、約１０μｍから約１０００μｍの厚みを有する項目２２に記載の方法。
［項目２９］
上記１以上の拡散バリア層を形成する工程は、チタン化合物の物理的気相成長、原子層成長又は化学的気相成長を含む項目２２に記載の方法。
［項目３０］
上記１以上の拡散バリア層を形成する工程は、原子層成長を含む項目２９に記載の方法。
［項目３１］
上記チタン化合物は、ＴｉｘＮｙ又はＴｉａＡｌｂＮｃを含み、ここで、ｘ＋ｙ＝１又はａ＋ｂ＋ｃ＝１である項目２９に記載の方法。
［項目３２］
上記ｘは約０．５であり、上記ｙは約０．５である項目３１に記載の方法。
［項目３３］
上記１以上の拡散バリア層は、約１０ｎｍから約１μｍの厚みを有する項目２２に記載の方法。
［項目３４］
上記１以上の絶縁層は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、又はこれらの組み合わせを含む項目２２に記載の方法。
［項目３５］
上記１以上の絶縁層を形成する工程は、上記絶縁層の少なくとも１つを、物理的気相成長法、化学的気相成長法又は原子層成長法によって堆積することを含む項目３４に記載の方法。
［項目３６］
上記１以上の絶縁層を形成する工程は、絶縁体インク及び絶縁体の前躯体の少なくとも一方を印刷することを含む項目３４に記載の方法。
［項目３７］
上記１以上の絶縁層は、約１００ｎｍから約１０μｍの厚みを有する項目３４に記載の方法。
［項目３８］
上記デバイス層は、半導体層を含む項目２２に記載の方法。
［項目３９］
上記半導体層は、シリコン及びゲルマニウムの少なくとも一方を含む項目３８に記載の方法。
［項目４０］
上記半導体層は、Ｂ、Ｐ、Ａｓ及びＳｂからなる群から選択されるドーパントを更に含む項目３９に記載の方法。
［項目４１］
上記半導体層上又は下に、ゲート電極を形成する工程を更に備え、
上記ゲート電極は、ゲート及びゲート誘電体層を有する項目３９に記載の方法。
［項目４２］
上記半導体層は、第１導電型の第１ドーパントを有し、
上記デバイスは更に、上記半導体層上又は上方に、第２半導体層を備え、
上記第２半導体層は、第２導電型の第２ドーパントを有する項目３９に記載の方法。
［項目４３］
上記デバイス層は、第１導電層を有し、
上記第１導電層は、第１金属層及び第１高濃度ドープ半導体層からなる群から選択される項目２２に記載の方法。
［項目４４］
上記第１導電層上の誘電体層と、
上記第１導電層上の第２導電層とを更に備え、
上記第２導電層は、第２金属層及び第２高濃度ドープ半導体層からなる群から選択される項目４３に記載の方法。
［項目４５］
上記半導体層を少なくとも一部結晶化させるべく、上記半導体を照射する工程を更に備える項目３９に記載の方法。
［項目４６］
上記金属基板上又は上方に、反射防止層を形成する工程を更に備える項目２２に記載の方法。
［項目４７］
上記デバイス層は、上記反射防止層の上方に位置する項目４６に記載の方法。
［項目４８］
上記金属基板上又は上方に、応力緩和層を形成する工程を更に備える項目２２に記載のデバイス。
［項目４９］
上記応力緩和層は、上記金属基板上に形成され、
上記方法は更に、上記応力緩和層上に反射防止層を形成する段階を更に備え、
上記１以上の拡散バリア層は、上記反射防止層上又は上方に形成される項目４８に記載のデバイス。