(57)【要約】      （修正有）【課題】発光層の全体発光波長に対して高い透過率を有する上部電極を具備する前面発光有機電界発光表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板１００と、基板１００上に形成された第１電極１１０と、第１電極１１０上に形成され、発光層を含む有機膜層１２０と、有機膜層１２０上に形成され、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０と、を含む有機電界発光表示装置。【選択図】図１
2008166283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１電極と、
前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に形成され、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
前記第２電極に含まれる前記イッテルビウム（Ｙｂ）層の厚さは、２０ないし３０Åであり、
前記第２電極に含まれる前記銀（Ａｇ）層の厚さは、７０ないし９０Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項３】
前記第２電極の厚さは、９０ないし１２０Åであることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
前記第２電極は、３８０ないし７６５ｎｍの発光波長領域で４６％ないし９０％の透過率を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、０よりも大きく４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅまでの面抵抗値を有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
前記発光層は、単一色発光層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、白色発光層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
前記白色発光層は、相異なる波長領域の光を放出する複数の発光層が積層された構造であることを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
前記白色発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層が積層された構造であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
前記発光層を含む有機膜層上に形成された第２電極上部にカラーフィルター層をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
前記発光層は、青色発光層であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１２】
前記発光層を含む有機膜層上に形成された第２電極上部に色変換層をさらに含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１３】
前記発光層は、赤色画素領域、緑色画素領域及び青色画素領域にそれぞれ形成された赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１４】
前記第１電極は、反射膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１５】
前記反射膜は、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金で構成される群から選択される一つで形成されることを特徴とする請求項１４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１６】
基板を提供する段階と、
提供された基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に発光層を含む有機膜層を形成する段階と、
前記有機膜層上にイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２電極を形成する段階は、前記第２電極をスパッタリング法または真空蒸着法で形成する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記発光層を含む有機膜層を形成する段階は、前記発光層を真空蒸着法、インクジェットプリント法またはレーザー熱転写法のうちいずれか一つの方法で形成する段階を含むことを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示装置及びその製造方法に係り、さらに詳細には前面発光構造において、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む上部電極を形成することによって、発光層の全体発光波長に対して高い透過率を有する有機電界発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、有機電界発光表示装置は、電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）注入電極（ｃａｔｈｏｄｅ）と正孔（ｈｏｌｅ）注入電極（ａｎｏｄｅ）からそれぞれ電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）を発光層内部に注入させて、注入された電子（ｅｌｅｃｔｒｏｎ）と正孔（ｈｏｌｅ）が結合した励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光する発光表示装置である。
【０００３】
このような原理によって従来の液晶薄膜表示素子とは違って別途の光源を必要としないので素子の体積と重量を減らすことができる長所がある。
【０００４】
一般的な有機電界発光表示装置の構造は、基板と、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された発光層（ｅｍｉｓｓｉｏｎ  ｌａｙｅｒ；ＥＭＬ）を含んだ有機膜と、前記有機膜上に形成された上部電極とから成っている。前記有機膜は前記下部電極と発光層間に正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ：ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ：ＨＴＬ）、電子抑制層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＥＢＬ）を含み、前記発光層（ＥＭＬ）と前記上部電極間に正孔抑制層（ｈｏｌｅ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ：ＨＢＬ）、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ；ＥＴＬ）、電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ；ＥＩＬ）をさらに含むこともできる。
【０００５】
また、有機電界発光表示装置は発光層から発生した光が放出される方向によって背面発光構造と前面発光構造に分けることができるが、背面発光構造は素子が形成された基板側に光が放出されるものであって上部電極を反射電極で形成して下部電極を透明電極で形成する。ここで、有機電界発光表示装置が薄膜トランジスタを形成する際にアクティブマトリックス方式を採択する場合、薄膜トランジスタが形成された部分は光が透過できなくなるので光が出ることができる面積が減ることになる。これと違って、前面発光構造は上部電極を半透過金属膜で形成し、下部電極を反射膜が含まれる透明電極で形成することによって光が基板側とは反対の方向に放出されるので光が透過する面積が背面発光構造より広くなる。
【０００６】
従来、前面発光有機電界発光表示装置では光が放出される上部電極をＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成したり、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のような金属膜を非常に薄く形成したりすることによって、光を放出できるように形成していた。
【０００７】
しかし、前記のようにＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電物質で形成する場合、透過率は良いが高い仕事関数値によって上部電極がカソードである構造には不適合であって、上部電極がカソードである構造に好適であるようにするためにマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）のような半透過金属膜で形成する場合、透過率を向上させるために薄く形成するようになれば抵抗値が高くなって電極で不適合になる問題点がある。
【特許文献１】特許第２００５−３４０２０２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
したがって本発明は前記した従来技術の問題点を解決するために、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層構造で上部電極を形成することによって発光層の全体発光波長に対して高い透過率を有する上部電極を具備する前面発光有機電界発光表示装置を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために本発明は、基板と、前記基板上に形成された第１電極と、前記第１電極上に形成され、発光層を含む有機膜層と、前記有機膜層上に形成され、イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
【００１０】
また、本発明は基板を提供する段階と、提供された基板上に第１電極を形成する段階と、前記第１電極上に発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記有機膜層上にイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によると、前面発光有機電界発光表示装置において、上部電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成することによって、全体発光波長領域に対して透過率を向上させることができ、さらに発光効率を改善することができる。また共振効果を最小化することによって、特に相異なる波長領域の光を混合して白色発光を具現する場合、共振効果による色の偏りを改善することができて白色を具現するのに好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明をさらに具体的に説明するために本発明による望ましい実施形態を添付した図面を参照してさらに詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されなくて他の形態に具体化されることができる。
【００１３】
図１は本発明の第１実施形態による前面発光型有機電界発光表示装置を示した断面図である。
【００１４】
図１を参照すると、基板１００上に第１電極１１０が形成される。前記基板１００は前記第１電極１１０に接続する少なくとも一つの薄膜トランジスタ（図示せず）を具備することができる。
【００１５】
前記第１電極１１０は反射型アノード電極で形成されることができ、この場合銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）またはこれらの合金膜で反射膜を形成して、前記反射膜上にＩＴＯ、ＩＺＯまたはＺｎＯ等の透明電極物質が積層された構造にすることができる。前記第１電極１１０の形成は、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法、気相蒸着（ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、イオンビーム蒸着（ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、電子ビーム蒸着（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｂｅａｍ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法またはレーザアブレーション（ｌａｓｅｒ  ａｂｌａｔｉｏｎ）法を用いて遂行することができる。
【００１６】
前記第１電極１１０上に発光層を含む有機膜層１２０を形成する。前記発光層は白色発光層または青色発光層から成ることがあり、前記白色発光層は単一層または多重層から成ることがある。
【００１７】
前記白色発光層が単一層である場合、白色発光物質を用いることができる。または赤色発光物質と緑色発光物質と青色発光物質を混合して白色発光を得ることができる。前記赤色発光物質は高分子物質であるポリチオフェン（ＰＴ；ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）及びその誘導体で構成される群から選択される一つで形成されることができる。また前記緑色発光物質は低分子物質であるアルミニウムキノリン複合体（Ａｌｑ３）、ＢｅＢｑ２及びＡｌｍｑ、高分子物質であるポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ；ｐｏｌｙ（ｐ−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ））及びその誘導体で構成される群から選択される一つで形成されることができる。また前記青色発光物質は低分子物質であるＺｎＰＢＯ、Ｂａｌｑ、ＤＰＶＢｉ及びＯＸＡ−Ｄ、高分子物質であるポリフェニレン（ＰＰＰ；ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）及びその誘導体で構成される群から選択される一つで形成されることができる。
【００１８】
前記白色発光層が多重層である場合、相異なる波長領域の光を放出する二重層で構成されることができる。一層はオレンジレッド領域の光を放出する発光層から成り、他の一層はブルー領域の光を放出する発光層から成ることがある。またオレンジレッド領域の光を放出する発光層は燐光発光層から成り、ブルー領域の光を放出する発光層は蛍光発光層から成ることがある。燐光発光層は同じ波長領域の光を放出する蛍光発光層に比べて発光特性が優秀であって、蛍光発光層は燐光発光層に比べて寿命特性が優秀である。したがってオレンジレッド領域の光を放出する燐光発光層とブルー領域の光を放出する蛍光発光層を積層して形成した白色発光層は発光効率及び寿命特性が優秀なことがある。また、二重層である白色発光層は高分子物質、低分子物質またはこれらの二重層で形成されることができる。
【００１９】
前記白色発光層が三重層である場合、赤色、緑色及び青色発光層の積層構造であることができ、これらの積層順序は特別に限定されない。
【００２０】
前記赤色発光層はＡｌｑ３（ホスト）／ＤＣＪＴＢ（蛍光ドーパント）、Ａｌｑ３（ホスト）／ＤＣＭ（蛍光ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＰｔＯＥＰ（燐光有機金属錯体）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
【００２１】
前記緑色発光層はＡｌｑ３、Ａｌｑ３（ホスト）／Ｃ５４５ｔ（ドーパント）、ＣＢＰ（ホスト）／ＩｒＰＰＹ（燐光有機物錯体）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
【００２２】
また、前記青色発光層はＤＰＶＢｉ、スピロ−ＤＰＶＢｉ、スピロ−６Ｐ、ジスチリルベンゼン（ＤＳＢ）、ジスチリルアリレン（ＤＳＡ）等の低分子物質とＰＦＯ系高分子、ＰＰＶ系高分子等の高分子物質を用いることができる。
【００２３】
また、前記有機膜層１２０は正孔注入層、正孔輸送層、電子抑制層、正孔抑制層、電子注入層及び電子輸送層のうちから選択される単一層または多重層をさらに含むことができる。
【００２４】
前記正孔注入層は有機電界発光表示装置の有機発光層に正孔注入を容易にして素子の寿命を増加させることができる役割をする。前記正孔注入層はアリールアミン系化合物及びスターバスト型アミン類等で構成されることができる。さらに詳細には４、４’、４’’トリス［（３−メチルフェニル（フェニル）アミノ）］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、１、３、５−トリス［４−（３−メチルフェニルフェニルアミノ）フェニル］ベンゼン（ｍ−ＭＴＤＡＴＢ）及びフタロシアニン銅（ＣｕＰｃ）等で構成されることができる。
【００２５】
前記正孔輸送層はアリーレンジアミン誘導体、スターバスト型化合物、スピロ基を有するビフェニルジアミン誘導体及びラダー型化合物等で構成されることができる。さらに詳細にはＮ、Ｎ−ジフェニル−Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１、１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン（ＴＰＤ）であるか４、４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＢ）であることがある。
【００２６】
前記電子抑制層は有機電界発光表示装置の駆動過程において有機発光層で生成された励起子が拡散されることを抑制する役割をする。このような電子抑制層はＢａｌｑ、ＢＣＰ、ＣＦ−Ｘ、ＴＡＺまたはスピロ−ＴＡＺを用いて形成することができる。
【００２７】
前記正孔抑制層は有機発光層内で電子移動度より正孔移動度が大きい場合正孔が電子注入層に移動するのを防止する役割をする。ここで前記正孔抑制層は２−（４−ビフェニル）−５−（４−ブチルフェニル）−１、３、４−オキシジアゾール（ＰＢＤ）、スピロ−ＰＢＤ及び３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１、２、４−トリアゾール（ＴＡＺ）で構成される群から選択された一つの物質からなることができる。
【００２８】
前記電子輸送層は電子をよく収容できる金属化合物で構成されて、カソード電極から供給された電子を安定に輸送できる特性が優秀な８−ハイドロキノリンアルミニウム塩（Ａｌｑ３）で構成されることができる。
【００２９】
前記電子注入層は１、３、４−オキシジアゾール誘導体、１、２、４−トリアゾール誘導体及びＬｉＦで構成される群から選択される一つ以上の物質からなることができる。
【００３０】
また前記有機膜層１２０は真空蒸着法、インクジェットプリンティング法またはレーザー熱転写法のうちからいずれか一つを利用して形成することができる。
【００３１】
前記有機膜層１２０上にイッテルビウム（Ｙｂ）層１３０ａと銀（Ａｇ）層１３０ｂとを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０を形成する。前記第２電極１３０はスパッタリング法または真空蒸着法を用いてイッテルビウム（Ｙｇ）と銀（Ａｇ）をそれぞれ蒸着することによって形成する。この時、前記第２電極１３０は９０ないし１２０Åの厚さに形成することが望ましい。前記第２電極の厚さが９０Å以上では４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下の面抵抗値を有することができるようになり、上部電極として用いることが望ましく、１２０Å以下では発光層の全体発光波長領域内で４０％以上の透過率を有することができて透過率面で望ましい。さらに具体的には、イッテルビウム（Ｙｂ）層は２０ないし３０Åの厚さで、銀（Ａｇ）層は７０ないし９０Åで形成することが望ましい。イッテルビウム（Ｙｂ）の厚さが２０ないし３０Å、または銀（Ａｇ）層の厚さが７０Å以上では、４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下の面抵抗値を有することができるようになり、上部電極として用いることが望ましく、銀（Ａｇ）層の厚さが９０Å以下では発光層の波長領域である３８０ｎｍないし７６５ｎｍの波長領域で４０％以上の透過率を有することができるようになり望ましい。
【００３２】
前記イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極１３０は全体発光波長領域に対して透過率が優れているので、従来第２電極で半透過金属膜を利用する場合に比べて顕著に高い発光効率を有することができる。また、第２電極を半透過金属膜を用いた場合に発生する共振効果を除去できるようになって、特定波長領域に光の色が偏する現象を除去できる。したがって、相異なる領域の波長を混合することで白色を具現する白色発光層を具備した有機電界発光表示装置において、第２電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成すれば、各波長領域に該当する光を均等に透過させるようになって色の偏りなく白色を具現することができる。また、一定の厚さを備えた膜を電極に用いるため、好適な適正値以下の面抵抗値を有することになり、前面発光構造において上部電極として好適である。
【００３３】
前記第２電極１３０上に透明保護膜を形成することができる。前記透明保護膜は無機膜、有機膜またはこれらの多重層から成ることがある。前記無機膜はＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｓｉ０２、ＳｉＮｘ、Ｙ２Ｏ３またはＡｌ２Ｏ３から成ることがあり、前記有機膜はパリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）またはＨＤＰＥから成ることがある。前記透明保護膜は外部の水分や酸素から下部の有機膜層の劣化を防止する役割をすることができる。
【００３４】
前記発光層が白色発光層または青色発光層の場合には、前記透明保護膜上にカラーフィルター層または色変換層（１４０Ｒ、１４０Ｇ、１４０Ｂ）を形成することができる。前記カラーフィルター層は顔料と高分子バインダーを含むことができ、前記顔料の種類によって赤色、緑色及び青色カラーフィルター層に区分することができる。それぞれのカラーフィルター層は前記発光層からの白色入射光を赤色領域の波長、緑色領域の波長及び青色領域の波長で透過させる特性を有する。また、前記色変換層は蛍光物質と高分子バインダーを含むことができ、前記蛍光物質は前記発光層から入射した光により励起されて基底状態に転移しながら前記入射光より長波長の光を放出し、前記蛍光物質の種類によって前記発光層からの青色入射光をそれぞれ赤色、緑色及び青色の光に変換させる赤色色変換層１４０Ｒ、緑色色変換層１４０Ｇ及び青色色変換層１４０Ｂに区分することができる。
【００３５】
図２は本発明の第２実施形態による前面発光型有機電界発光表示装置を示した断面図である。
【００３６】
第２実施形態による前面発光型有機電界発光表示装置は赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の単位画素領域に赤色、緑色及び青色の発光層がそれぞれ形成された前面発光型有機電界発光表示装置である。第２実施形態で特別に言及される場合を除いては、前記第１実施形態で言及されたことを参照する。
【００３７】
図２を参照すると、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）単位画素領域を有する基板２００を提供する。前記基板の各単位画素領域上に第１電極２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂを形成する。前記基板２００は第１電極２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂにそれぞれ接続する薄膜トランジスタ（図示せず）を具備することができる。前記第１電極間には画素領域を定義する絶縁膜２２０を形成する。
【００３８】
前記第１電極の各画素領域上に赤色、緑色または青色発光層を含む有機膜層２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂをそれぞれ形成する。前記発光層の形成は高精細マスクを用いた真空蒸着法、インクジェットプリント法またはレーザー熱転写法を用いて遂行することができる。
【００３９】
また前記有機膜層は正孔注入層、正孔輸送層、電子抑制層、正孔抑制層、電子注入層及び電子輸送層のうちから選択される単一層または多重層をさらに含むことができる。
【００４０】
前記有機膜層上にイッテルビウム（Ｙｂ）層２４０ａと銀（Ａｇ）層２４０ｂとを含んで成る積層膜を含む第２電極２４０を形成する。
【００４１】
前記イッテルビウム（Ｙｂ）層２４０ａと銀（Ａｇ）層２４０ｂとを含んで成る積層膜を含む第２電極２４０は全体発光波長領域に対して透過率が優れているので、赤色、緑色、青色画素領域の各発光層から発生する光の外部取り出し効率が向上して、従来第２電極で半透過金属膜を利用する場合に比べて顕著に高い発光効率を有することができる。また、一定の厚さを備えた膜を電極に用いるため、好適な適正値以下の面抵抗値を有することになり、前面発光構造において上部電極として好適である。
【００４２】
以下、本発明を下記実験例（ｅｘａｍｐｌｅ）を挙げて例示するが、本発明の保護範囲は下記の実験例により限られるものではない。
【００４３】
（実験例１）
基板上にＩＴＯを用いて２ｍｍ×２ｍｍの面積を有する第１電極を形成して、これを超音波洗浄及び前処理（ＵＶ−Ｏ３処理、熱処理）した。前記前処理された第１電極上にＩＤＥ４０６（ＩＤＥＭＩＴＳＵ社）を７５０Åの厚さに真空蒸着することによって、正孔注入層を形成した。前記正孔注入層上にＩＤＥ３２０（ＩＤＥＭＩＴＳＵ社）を１５０Åの厚さに真空蒸着することによって、正孔輸送層を形成した。ＢＨ２１５（ＩＤＥＭＩＴＳＵ社）にＢＤ０５２（ＩＤＥＭＩＴＳＵ社）を５重量％でドーピングして前記正孔輸送層上に８０Åの厚さに真空蒸着することによって、青色発光層を形成した。前記青色発光層上にＴＭＭ００４（ＭＥＲＣＫ社）にＩｒ（ＰＰｙ）３を７重量％でドーピングして１００Åの厚さに真空蒸着することによって、緑色発光層を形成した。前記緑色発光層上にＴＭＭ００４（ＭＥＲＣＫ社）にＴＥＲ０２１（ＭＥＲＣＫ社）を１５重量％でドーピングして１２０Åの厚さに真空蒸着することによって、赤色発光層を形成した。これによって青色、緑色及び赤色発光層が積層された白色発光層を形成した。前記赤色発光層上にＢＡｌｑを５０Åの厚さに真空蒸着して、Ａｌｑ３を３００Åの厚さに真空蒸着して、続いてＬｉＱを５Åの厚さに真空蒸着することによって、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層を順に形成した。前記電子注入層上にイッテルビウム（Ｙｂ）を１０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００４４】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４５】
（実験例２）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００４６】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４７】
（実験例３）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を３０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００４８】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００４９】
（実験例４）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を４０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を７０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５０】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５１】
（実験例５）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を５０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５２】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５３】
（実験例６）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を６０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５４】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５５】
（実験例７）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を８０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５６】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５７】
（実験例８）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はイッテルビウム（Ｙｂ）を２０Åの厚さ、銀（Ａｇ）を９０Åの厚さに真空蒸着することによってイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜を含む第２電極を形成した。
【００５８】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００５９】
（比較例１）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１２０Åの厚さに形成する。
【００６０】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６１】
（比較例２）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１４０Åの厚さに形成する。
【００６２】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６３】
（比較例３）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１６０Åの厚さに形成する。
【００６４】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６５】
（比較例４）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして１８０Åの厚さに形成する。
【００６６】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６７】
（比較例５）
実験例１と同じ方法で基板、第１電極、発光層を形成し、第２電極はマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）を原子比１０：１にして２００Åの厚さに形成する。
【００６８】
前記有機電界発光表示装置の透過率及び第２電極の面抵抗を測定した。
【００６９】
下記表１は前記実験例１ないし実験例８と比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の上部電極の面抵抗を測定したものである。
【００７０】
下記表１を参照すると、前記実験例１ないし実験例８のうちで実験例２ないし実験例３及び実験例７ないし実験例８は面抵抗値が４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下ではあるが、実験例１、４、５及び実験例６は４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅを超過する。有機電界発光表示装置の駆動面からして、上部電極の面抵抗値は４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下であることより好ましい。したがってイッテルビウム（Ｙｂ）層は２０ないし３０Å、銀（Ａｇ）層は７０ないし９０Åの厚さに形成することが望ましい。
【００７１】
図３ないし図５は前記実験例１ないし実験例８と比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の透過率を示したグラフである。
【００７２】
図３を参照すると、前記実験例１は全体発光波長に対して５０％ないし８０％の透過率を示し、前記実験例２は６０％ないし８０％の透過率を示す。また、前記実験例３は５７％ないし８７％の透過率を示し、前記実験例４は６２％ないし９０％の透過率を示す。
【００７３】
図４を参照すると、前記実験例５は全体発光波長に対して５２％ないし８１％の透過率を示し、前記実験例６は４６％ないし７６％の透過率を示し、前記実験例７は５０％ないし７５％の透過率を示す。また、前記実験例８は４６％ないし７８％の透過率を示す。
【００７４】
図５を参照すると、前記比較例１は全体発光波長に対して２５％ないし６１％の透過率を示し、前記比較例２は１８％ないし５０％の透過率を示し、前記比較例３は１５％ないし４５％の透過率を示す。また、前記比較例４は１０％ないし３５％の透過率を示し、前記比較例５は９％ないし３３％の透過率を示す。
【００７５】
結果的に、第２電極をイッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層とを含んで成る積層膜で形成した前記実験例１ないし実験例８による有機電界発光表示装置は第２電極をマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）で形成した前記比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置より発光層の全体発光波長領域に対して高い透過率を有する。特に前記実験例２ないし実験例３及び実験例７ないし実験例８による有機電界発光表示装置は、従来技術による比較例１ないし比較例５による有機電界発光表示装置の透過率より高い透過率を有し、さらに４５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ以下の面抵抗値を有するので第２電極として用いることがさらに望ましい。
【００７６】
また実験例８及び比較例１を比較すると、実験例８による第２電極の総厚さは１１０Åであって比較例１による第２電極の総厚さである１２０Åより薄いにもかかわらず、全体発光波長に対して２０％程度さらに高い透過率を有し、１５．５ｏｈｍ／ｓｑｕａｒｅ程度さらに低い面抵抗値を有する。   
【００７７】
また、実験例１ないし実験例８による有機電界発光表示装置は、前記第２電極が全体発光波長に対して高い透過率を示すので、共振（ｍｉｃｒｏｃａｖｉｔｙ）効果を最小化することができる。それゆえ発光層を二つ以上の色の発光波長が混合されて白色を発光する発光層で形成する場合、それぞれの色に該当する発光波長が共振効果の抑制によっていずれか一方に偏らずに全体発光波長に対して高い透過率で透過できて白色を具現することにおいてさらに望ましい。
【００７８】
【表１】
2008166283.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、有機電界発光表示装置およびその製造方法関連の技術分野に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示装置の断面図である。
【図３】イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層の厚さの違いによる透過率変化を示すグラフである。
【図４】イッテルビウム（Ｙｂ）層と銀（Ａｇ）層の厚さによる透過率変化を示すグラフである。
【図５】マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）層の厚さの違いによる透過率変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８１】
１００、２００  基板、
１１０、２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂ  第１電極、
１２０、２３０Ｒ、２３０Ｇ、２３０Ｂ  有機膜層、
１３０、２４０  第２電極、
１４０Ｒ、１４０Ｂ、１４０Ｇ  カラーフィルター層または色変換層。
【図１】
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【図２】
2008166283.tif 000005
【図３】
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【図４】
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【図５】
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