【手続補正書】
【提出日】平成21年10月27日(2009.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に形成され、且つ前記画素電極に電気的に接続されており、前記開口領域に臨む一の端面を有する第１導電膜と、
前記第１導電膜上に形成されており、前記開口領域に臨む他の端面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上から前記一の端面及び前記他の端面に延びるように形成されており、前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続された第２導電膜と、
前記第２導電膜上に形成されると共にコンタクトホールを有する第２絶縁膜と、を備え、
前記コンタクトホールを介して前記画素電極と前記第２導電膜とが電気的に接続されており、前記第２導電膜における前記第１導電膜の前記一の端面との接続部は、平面視で前記コンタクトホールよりも前記開口領域側に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２導電膜は、前記第１導電膜及び前記画素電極を電気的に中継する島状の中継層であり、前記第２導電膜のうち前記絶縁膜上に延びる部分は前記データ線と同層に形成されていること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１導電膜は、半導体膜であり、
前記第２導電膜は、前記半導体膜に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を隔てる非開口領域に第１導電膜を形成する第１工程と、
前記第１導電膜を覆うように絶縁膜を形成する第２工程と、
前記第１導電膜の一の端面が前記開口領域に向かって露出するように前記絶縁膜を除去する第３工程と、
前記絶縁膜上から、前記第３工程において露出した前記絶縁膜の他の端面、及び前記一の端面に延び、且つ前記一の端面を介して前記第１導電膜に電気的に接続される第２導電膜を形成する第４工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程において、前記絶縁膜をドライエッチングによって除去すること
を特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線と、
前記複数のデータ線及び前記複数の走査線の交差に対応して設けられる複数の画素の夫々に形成された画素電極と、
前記複数の画素のうち互いに隣接する画素の開口領域を互いに隔てる非開口領域に形成された導電層のうち前記基板上の互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々において、前記導電層の各々一部を構成する第１部分及び第２部分と、
前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１傾斜面を有しており、前記第１領域のうち前記隔てる領域側に延びる第１部分領域において前記第１部分が露出するように前記第１部分上に形成された第１絶縁部と、
前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２傾斜面を有しており、前記第２領域のうち前記隔てる領域側に延びる第２部分領域において前記第２部分が露出するように前記第１絶縁部と同層に形成された第２絶縁部と、
前記第１絶縁部の上面から前記第１傾斜面及び前記第１部分の上面に延びる第１導電膜と、
前記第２絶縁部の上面から前記第２傾斜面及び前記第２部分の上面に延びており、前記第１導電膜に供給される電位と異なる電位を有する第２導電膜と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であること
を特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜の夫々は、前記半導体層に接するチタン膜を含んでいること
を特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第１導電膜及び前記第２導電膜は、前記チタン膜より高い導電率を有する金属膜と、前記金属膜を保護する保護膜とを有していること
を特徴とする請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
基板上で互いに交差する複数のデータ線及び複数の走査線の交差に対応して形成される画素電極が設けられる複数の画素のうち互いに隣接する画素の夫々の開口領域を互いに隔てる非開口領域となるべき領域において、前記非開口領域のうち前記基板上で互いに重ならない第１領域及び第２領域の夫々に位置する第１部分及び第２部分を含む導電層を形成する第１工程と、
前記導電層上に絶縁層を形成する第２工程と、
前記第１領域において前記第１部分が露出するように前記絶縁層を貫通しており、前記第１領域及び前記第２領域を隔てる領域を介して前記第１領域の側から前記第２領域の側に臨み、且つ前記第１領域から前記第２領域に向かって前記第１部分の上面に近づくように前記第１部分の上面に対して傾斜した第１内壁面を有する第１穴部を形成する第３工程と、
前記第２領域において前記第２部分が露出するように前記絶縁膜を貫通しており、前記隔てる領域を介して前記第２領域の側から前記第１領域の側に臨み、且つ前記第２領域から前記第１領域に向かって前記第２部分の上面に近づくように前記第２部分の上面に対して傾斜した第２内壁面を有する第２穴部を形成する第４工程と、
前記絶縁膜の上面から、前記第１部分のうち前記第１穴部に露出する第１露出部、及び前記第２部分のうち前記第２穴部に露出する第２露出部の夫々に延びる導電膜を形成する第５工程と、
前記隔てる領域、前記第１領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域、及び前記第２領域のうち前記隔てる領域に近い側に延びる領域において、前記導電膜及び前記絶縁膜を除去する第６工程と
を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第６工程において、前記絶縁膜及び前記導電膜に噴射するガスのガス比を調整可能なドライエッチング法を用いて、前記絶縁膜及び前記導電膜を選択的に除去すること
を特徴とする請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記導電層は、半導体層であり、
前記半導体層のうち前記隔てる領域に延びる部分は、チャネル領域部であり、
前記第１部分は、前記チャネル領域部からみて前記データ線側に電気的に接続されたデータ線側導電部であり、
前記第２部分は、前記チャネル領域部からみて前記画素電極側に電気的に接続された画素電極側導電部であり、
前記第６工程において、前記データ線側導電部及び前記画素電極側導電部の夫々は、前記半導体層の下層側に延びる部分がエッチングされないようにエッチングストッパーとして兼用されること
を特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置及びその製造方法