【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反復単位{MA(ER)(ER)}および{MB(ER)(ER)}を含む化合物であって、ここで各MAはCuであり、各MBは、InまたはGaであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そして各Rは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、化合物。
【請求項２】
各Eが硫黄またはセレンである、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
Eがセレンである、請求項1に記載の化合物。
【請求項４】
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、請求項1に記載の化合物。
【請求項５】
前記化合物が、実験式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)wを有し、ここでxは、0.5〜1.5であり、yは、0〜1であり、zは、0〜1であり、vは、0.5〜1.5であり、wは、2〜6であり、そしてRは、R基を表し、該Ｒ基は、数がw個あり、該Ｒ基は独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項６】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.5であり、zは、0.5〜1であり、vは、0.9〜1.1であり、そしてwは、2〜6である、請求項5に記載の化合物。
【請求項７】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.3であり、zは、0.7〜1であり、vは1であり、そしてwは、3〜5である、請求項5に記載の化合物。
【請求項８】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.2であり、zは、0.8〜1であり、vは1であり、そしてwは、3.5〜4.5である、請求項5に記載の化合物。
【請求項９】
前記化合物は、Cuが欠乏しているか、またはCuが富化されている、請求項1に記載の化合物。
【請求項１０】
前記化合物は、無機ポリマーまたは配位ポリマーである、請求項1に記載の化合物。
【請求項１１】
前記化合物は、直鎖、分枝鎖、環状、または上記のいずれかの混合物である、請求項1に記載の化合物。
【請求項１２】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜8)アルキルから選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項１３】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜6)アルキルから選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項１４】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜4)アルキルから選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項１５】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜3)アルキルから選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項１６】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜2)アルキルから選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項１７】
前記化合物が、約100℃未満の温度で油状物である、請求項1に記載の化合物。
【請求項１８】
３個以上の反復単位{MB(ER)(ER)}を含む、請求項1に記載の化合物。
【請求項１９】
３個以上の反復単位{MA(ER)(ER)}を含む、請求項1に記載の化合物。
【請求項２０】
前記化合物が、交互コポリマー、ブロックコポリマー、またはランダムコポリマーである、請求項1に記載の化合物。
【請求項２１】
式(AB)nをさらに含み、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、２以上であり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、請求項1に記載の化合物。
【請求項２２】
前記化合物が、式:(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、(RE)2-(BA)nB(BA)mB、cyclic(AB)n、cyclic(BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]-、(RE)2-[(BA)nB]-、
【化２１】
2013501128.tif 000001
(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m、(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m(AB1)p、およびこれらの混合物のうちのいずれか１つを有し、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、１以上であり、mは、１以上であり、そしてpは、１以上である
、請求項1に記載の化合物。
【請求項２３】
前記化合物が、反復単位式:  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)(SnBu)In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SesBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)(SnBu)(In,Ga)(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(In,Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SenBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SesBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{(1.2  Cu)(1.2  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(1.3  Cu)(1.3  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(1.5  Cu)(1.5  Seヘキシル)(Seヘキシル)(0.80  In,0.20  Ga)(Seヘキシル)2};  
{(0.85  Cu)(0.85  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(0.9  Cu)(0.9  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(0.75  Cu)(0.75  StBu)(SnBu)(0.80  In,0.20  Ga)(SnBu)2};  
{(0.8  Cu)(0.8  SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{(0.95  Cu)(0.95  StBu)(SetBu)(0.70  In,0.30  Ga)(SetBu)2};  
{(0.98  Cu)(0.98  SetBu)(StBu)(0.600  In,0.400  Ga)(StBu)2};  
{(0.835  Cu)(0.835  SetBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.8  In,0.2  Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.67  In,0.33  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(0.875  In,0.125  Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.99  In,0.01  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(0.97  In,0.030  Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SesBu)2In(SesBu)2};  {Cu(SesBu)2Ga(SesBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)2In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)2Ga(SenBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)Ga(SetBu)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2},  
{Cu(Se(n-ペンチル))(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(Se(n-ヘキシル))(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(S(n-ヘプチル))(StBu)(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};および
{Cu(S(n-オクチル))(StBu)(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2}
のうちのいずれか１つを有する、請求項1に記載の化合物。
【請求項２４】
請求項1〜23のいずれか１項に記載の１種以上の化合物および１種以上のキャリアを含有する、インク。
【請求項２５】
前記インクが、有機キャリア中の前記化合物の溶液である、請求項24に記載のインク。
【請求項２６】
前記インクが、有機キャリア中の前記化合物のスラリーまたは懸濁物である、請求項24に記載のインク。
【請求項２７】
ドーパントまたはアルカリドーパントをさらに含有する、請求項24に記載のインク。
【請求項２８】
さらなるインジウム含有化合物、さらなるガリウム含有化合物、またはモリブデン含有化合物の添加をさらに含む、請求項24に記載のインク。
【請求項２９】
界面活性剤、分散剤、乳化剤、消泡剤、乾燥剤、充填剤、樹脂結合剤、増粘剤、粘度調整剤、酸化防止剤、流動剤、可塑剤、伝導性剤、結晶化促進剤、増量剤、フィルム調整剤、接着促進剤、および色素からなる群より選択される１種以上の成分をさらに含有する、請求項24に記載のインク。
【請求項３０】
伝導性ポリマー、金属銅、金属インジウム、金属ガリウム、金属亜鉛、アルカリ金属、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ナトリウムカルコゲネート、カルシウムカルコゲネート、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化インジウム、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、テルル化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化銅、セレン化銅、テルル化銅、硫化モリブデン、セレン化モリブデン、テルル化モリブデン、および上記のもののいずれかの混合物からなる群より選択される１種以上の成分をさらに含有する、請求項24に記載のインク。
【請求項３１】
a)モノマー化合物MB1(ER)3、MB2(ER)3、およびMA(ER)を提供する工程;ならびに
b)該モノマー化合物を接触させる工程、
を包含し;
ここでMB1はInであり、MB2はGaであり、MAはCuであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、前駆体化合物を作製するための方法。
【請求項３２】
MB1とMB2との両方がInであるか、または両方がGaである、請求項31に記載の方法。
【請求項３３】
各Eが硫黄またはセレンである、請求項31に記載の方法。
【請求項３４】
Eがセレンである、請求項31に記載の方法。
【請求項３５】
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、請求項31に記載の方法。
【請求項３６】
前記化合物が、Cuが欠乏しているかまたはCuが富化されている、請求項31に記載の方法。
【請求項３７】
前記モノマー化合物が、堆積、スプレー、コーティング、または印刷のプロセスで接触させられる、請求項31に記載の方法。
【請求項３８】
前記モノマー化合物が、約-60℃〜約100℃、または約0℃〜約200℃の温度で接触させられる、請求項31に記載の方法。
【請求項３９】
モノマーMB1(ER)3、MB2(ER)3、およびMA(ER)を反応させることを包含するプロセスにより作製される化合物であって、ここでMB1はInであり、MB2はGaであり、MAはCuであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、化合物。
【請求項４０】
MB1とMB2との両方がInである、請求項39に記載の化合物。
【請求項４１】
各Eが硫黄またはセレンである、請求項39に記載の化合物。
【請求項４２】
Eがセレンである、請求項39に記載の化合物。
【請求項４３】
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、請求項39に記載の化合物。
【請求項４４】
前記化合物が、実験式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)wを有し、ここでxは、0.5〜1.5であり、yは、0〜1であり、zは、0〜1であり、vは、0.5〜1.5であり、wは、2〜6であり、そしてRは、R基を表し、該Ｒ基は、数がw個あり、該Ｒ基は独立して、アルキル、アリール、
ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項４５】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.5であり、zは、0.5〜1であり、vは、0.9〜1.1であり、そしてwは、2〜6である、請求項44に記載の化合物。
【請求項４６】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.3であり、zは、0.7〜1であり、vは1であり、そしてwは、3〜5である、請求項44に記載の化合物。
【請求項４７】
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.2であり、zは、0.8〜1であり、vは1であり、そしてwは、3.5〜4.5である、請求項44に記載の化合物。
【請求項４８】
前記化合物はCuが欠乏している、請求項39に記載の化合物。
【請求項４９】
前記化合物は、無機ポリマーまたは配位ポリマーである、請求項39に記載の化合物。
【請求項５０】
前記化合物は、直鎖、分枝鎖、環状、または上記のいずれかの混合物である、請求項39に記載の化合物。
【請求項５１】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜8)アルキルから選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項５２】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜6)アルキルから選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項５３】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜4)アルキルから選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項５４】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜3)アルキルから選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項５５】
各Rは、各存在について独立して、(C1〜2)アルキルから選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項５６】
前記化合物は、約100℃未満の温度で油状物である、請求項39に記載の化合物。
【請求項５７】
３個以上の反復単位{MB(ER)(ER)}を含む、請求項39に記載の化合物。
【請求項５８】
３個以上の反復単位{MA(ER)(ER)}を含む、請求項39に記載の化合物。
【請求項５９】
前記化合物が、交互コポリマー、ブロックコポリマー、またはランダムコポリマーである、請求項39に記載の化合物。
【請求項６０】
式(AB)nをさらに含み、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、２以上であり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、請求項39に記載の化合物。
【請求項６１】
前記化合物が、式:(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、(RE)2-(BA)nB(BA)mB、cyclic(AB)n、cyclic(BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]-、(RE)2-[(BA)nB]-、
【化２２】
2013501128.tif 000002
【化２３】
2013501128.tif 000003
(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m、(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m(AB1)p、およびこれらの混合物のうちのいずれか１つを有し、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、１以上であり、mは、１以上であり、そしてpは、１以上である
、請求項39に記載の化合物。
【請求項６２】
前記化合物が、反復単位式:{Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)(SnBu)In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SesBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)(SnBu)(In,Ga)(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(In,Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SenBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SesBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{(1.2  Cu)(1.2  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(1.3  Cu)(1.3  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(1.5  Cu)(1.5  Seヘキシル)(Seヘキシル)(0.80  In,0.20  Ga)(Seヘキシル)2};  
{(0.85  Cu)(0.85  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(0.9  Cu)(0.9  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(0.75  Cu)(0.75  StBu)(SnBu)(0.80  In,0.20  Ga)(SnBu)2};  
{(0.8  Cu)(0.8  SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{(0.95  Cu)(0.95  StBu)(SetBu)(0.70  In,0.30  Ga)(SetBu)2};  
{(0.98  Cu)(0.98  SetBu)(StBu)(0.600  In,0.400  Ga)(StBu)2};  
{(0.835  Cu)(0.835  SetBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.8  In,0.2  Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.67  In,0.33  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(0.875  In,0.125  Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.99  In,0.01  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(0.97  In,0.030  Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SesBu)2In(SesBu)2};  {Cu(SesBu)2Ga(SesBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)2In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)2Ga(SenBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)Ga(SetBu)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2},  
{Cu(Se(n-ペンチル))(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(Se(n-ヘキシル))(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(S(n-ヘプチル))(StBu)(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};および
{Cu(S(n-オクチル))(StBu)(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2}
のうちのいずれか１つを有する、請求項39に記載の化合物。
【請求項６３】
基材上に堆積した請求項1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインク
を備える、物品。
【請求項６４】
前記堆積が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延および上記のもののいずれかの組み合わせにより行われる、請求項63に記載の物品。
【請求項６５】
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項63に記載の物品。
【請求項６６】
前記基材が、管、円柱、ローラー、ロッド、ピン、シャフト、平面、板、刃、はね、湾曲表面または球体が挙げられる成形された基材である、請求項63に記載の物品。
【請求項６７】
(a)請求項1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;および
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程
を包含する、物品を作製するための方法。
【請求項６８】
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、請求項67に記載の方法。
【請求項６９】
基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項67に記載の方法。
【請求項７０】
工程(c)が繰り返される、請求項67に記載の方法。
【請求項７１】
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７２】
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程をさらに包含し、その後、工程(c)を繰り返す、請求項67に記載の方法。
【請求項７３】
前記基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって前記材料をアニーリングする工程をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７４】
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程、および該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７５】
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、該化合物またはインクを材料に転換する工程、該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程、および該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７６】
(d)前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程;
(e)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;
(f)工程(d)および工程(e)を繰り返す工程;ならびに
(g)該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程
をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７７】
(d)前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程;
(e)該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程;ならびに
(f)工程(c)、工程(d)および工程(e)を繰り返す工程
をさらに包含する、請求項67に記載の方法。
【請求項７８】
加熱またはアニーリングの工程のいずれかの前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、請求項67〜77のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７９】
請求項67〜77のいずれか１項に記載の方法によって作製された物品。
【請求項８０】
請求項67〜77のいずれか１項に記載の方法によって作製された光起電性デバイス。
【請求項８１】
(a)請求項1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約20℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これによって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する材料を製造する、工程
を包含する、材料を作製するための方法。
【請求項８２】
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、請求項81に記載の方法。
【請求項８３】
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、請求項81に記載の方法。
【請求項８４】
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項81に記載の方法。
【請求項８５】
工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、請求項81に記載の方法。
【請求項８６】
前記材料が半導体である、請求項81に記載の方法。
【請求項８７】
前記材料が薄膜の形態である、請求項81に記載の方法。
【請求項８８】
請求項81〜87のいずれか１項に記載の方法により作製された材料。
【請求項８９】
請求項81〜87のいずれか１項に記載の方法により作製された材料を含む、光起電性デバイス。
【請求項９０】
(a)請求項1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約20℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これによって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する薄膜材料を製造する、工程
を包含するプロセスによって作製された、薄膜材料。
【請求項９１】
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、請求項90に記載の薄膜材料。
【請求項９２】
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、請求項90に記載の薄膜材料。
【請求項９３】
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項90に記載の薄膜材料。
【請求項９４】
前記プロセスが、工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、請求項90に記載の薄膜材料。
【請求項９５】
請求項90〜94のいずれか１項に記載の薄膜材料で作製された光起電性アブソーバー。
【請求項９６】
請求項90〜94のいずれか１項に記載のプロセスによって作製された薄膜材料を備える光起電性デバイス。
【請求項９７】
電力を提供するための光起電性システムであって、請求項96に記載の光起電性デバイスを備える、光起電性システム。
【請求項９８】
電力を提供するための方法であって、請求項97に記載の光起電性システムを使用して光を電気エネルギーに変換する工程を包含する、方法。
【請求項９９】
(a)請求項1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約100℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これによって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する光起電性アブソーバー層を製造する、工程
を包含する、光起電性アブソーバー層を基材上に作製するための方法。
【請求項１００】
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、請求項99に記載の方法。
【請求項１０１】
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、請求項99に記載の方法。
【請求項１０２】
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項99に記載の方法。
【請求項１０３】
工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、請求項99に記載の方法。
【請求項１０４】
請求項99〜103のいずれか１項に記載の方法によって作製された光起電性アブソーバー
層を備える光起電性デバイス。
【請求項１０５】
材料を作製するためのインクであって、該インクは式MB(ER)3を有する１種以上の化合物を含有する組成物を含み、MBは、InまたはGaであり、Eは、SまたはSeであり、そしてRは、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、およびシリルから選択される、インク。
【請求項１０６】
前記インクが、式In(ER)3を有する化合物および式Ga(ER)3を有する化合物を含有する組成物を含む、請求項105に記載のインク。
【請求項１０７】
Rが、(C1)アルキル、(C2)アルキル、(C3)アルキル、(C4)アルキル、(C5)アルキル、(C6)アルキル、(C7)アルキル、(C8)アルキル、(C9)アルキル、(C10)アルキル、(C11)アルキル、(C12)アルキル、(C13)アルキル、(C14)アルキル、(C15)アルキル、(C16)アルキル、(C17)アルキル、(C18)アルキル、(C19)アルキル、(C20)アルキル、(C21)アルキル、または(C22)アルキルである、請求項105に記載のインク。
【請求項１０８】
MB(ER)3が、In(SesecBu)3、In(StBu)3、In(SenBu)3、Ga(SesecBu)3、Ga(SetBu)3、Ga(SEt)3、Ga(StBu)3、またはGa(SenBu)3である、請求項105に記載のインク。
【請求項１０９】
MB(ER)3を有する化合物であって、MBは、InまたはGaであり、Eは、Seであり、そしてRは、アルキルである、化合物。
【請求項１１０】
Rが、(C1)アルキル、(C2)アルキル、(C3)アルキル、(C4)アルキル、(C5)アルキル、(C6)アルキル、(C7)アルキル、(C8)アルキル、(C9)アルキル、(C10)アルキル、(C11)アルキル、(C12)アルキル、(C13)アルキル、(C14)アルキル、(C15)アルキル、(C16)アルキル、(C17)アルキル、(C18)アルキル、(C19)アルキル、(C20)アルキル、(C21)アルキル、または(C22)アルキルである、請求項109に記載の化合物。
【請求項１１１】
MB(ER)3が、In(SesecBu)3、In(StBu)3、In(SenBu)3、Ga(SesecBu)3、Ga(SetBu)3、Ga(SEt)3、Ga(StBu)3、またはGa(SenBu)3である、請求項109に記載の化合物。
【請求項１１２】
基材上に光起電性アブソーバー層を作製するためのプロセスであって、該プロセスは、
(a)基材を提供する工程;
(b)インクを該基材に堆積させる工程であって、該インクは、式MB(ER)3を有する１種以上の化合物を含み、MBは、InまたはGaであり、Eは、SまたはSeであり、そしてRは、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、およびシリルから選択される、工程;
(c)最初の層を加熱する工程；
(d)ポリマー前駆体化合物を該基材に堆積させる工程；および
(e)該基材を加熱する工程；
を包含する、プロセス。
【請求項１１３】
前記ポリマー前駆体化合物は、Cuが富化されている、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１４】
前記ポリマー前駆体化合物は、実験式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)wを有し、ここでxは、0.5〜1.5であり、yは、0〜1であり、zは、0〜1であり、vは、0.5〜1.5であり、wは、2〜6であり、そしてRは、R基を表し、これらのR基は、数がw個あり、これらのR基は独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、およびシリルから選択される、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１５】
Eは、Seであり、そしてRは、(C1)アルキル、(C2)アルキル、(C3)アルキル、(C4)アルキル、(C5)アルキル、または(C6)アルキルであり、前記ポリマー前駆体化合物は、Cuが富化されている、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１６】
前記インクはアルカリ金属ドーパントをさらに含む、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１７】
各加熱するプロセスは、100℃〜400℃の温度で前記層に転換する工程、または300℃〜650℃の温度で該層をアニーリングする工程、またはセレン蒸気の存在下で300℃〜650℃の温度で該層をアニーリングする工程を包含するプロセスである、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１８】
工程(b)および工程(c)、または工程(d)および工程(e)、または工程(b)、工程(c)、工程(d)および工程(e)は繰り返される、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１１９】
工程(b)および工程(d)が相互交換され、その結果、前記ポリマー前駆体化合物が、前記インクより前に、前記基材に堆積される、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１２０】
前記ポリマー前駆体化合物が、CIS前駆体またはCIGS前駆体であり、前記ポリマー前駆体化合物は、Cuが欠乏しているか、Cuが富化されている、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１２１】
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、浸漬コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、請求項112に記載のプロセス。
【請求項１２２】
請求項112に記載のプロセスにより作製される光起電性アブソーバー。
【請求項１２３】
基材上にインクを堆積させるためのプロセスであって、該プロセスは、
(a)基材を提供する工程;
(b)インクを該基材に堆積させる工程であって、該インクは、式MB(SeR)3を有する１種以上の化合物を含み、MBは、InまたはGaであり、そしてRは、アルキルであり、有機溶媒中に溶解される、工程;
(c)該基材を加熱する工程；
を包含する、プロセス。
【請求項１２４】
Rは、(C1)アルキル、(C2)アルキル、(C3)アルキル、(C4)アルキル、(C5)アルキル、または(C6)アルキルである、請求項123に記載のプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
この簡単な要旨は、発明の詳細な説明、ならびに図面、添付の実施例および特許請求の範囲と一緒に考慮されて、全体として、本発明の開示を網羅する。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
反復単位{MA(ER)(ER)}および{MB(ER)(ER)}を含む化合物であって、ここで各MAはCuであり、各MBは、InまたはGaであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そして各Rは、各存在
について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、化合物。
（項目２）
各Eが硫黄またはセレンである、項目1に記載の化合物。
（項目３）
Eがセレンである、項目1に記載の化合物。
（項目４）
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、項目1に記載の化合物。
（項目５）
前記化合物が、実験式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)wを有し、ここでxは、0.5〜1.5であり、yは、0〜1であり、zは、0〜1であり、vは、0.5〜1.5であり、wは、2〜6であり、そしてRは、R基を表し、該Ｒ基は、数がw個あり、該Ｒ基は独立して、アルキル、アリール、
ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、項目1に記載の化合物。
（項目６）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.5であり、zは、0.5〜1であり、vは、0.9〜1.1であり、そしてwは、2〜6である、項目5に記載の化合物。
（項目７）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.3であり、zは、0.7〜1であり、vは1であり、そしてwは、3〜5である、項目5に記載の化合物。
（項目８）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.2であり、zは、0.8〜1であり、vは1であり、そしてwは、3.5〜4.5である、項目5に記載の化合物。
（項目９）
前記化合物は、Cuが欠乏しているか、またはCuが富化されている、項目1に記載の化合物。
（項目１０）
前記化合物は、無機ポリマーまたは配位ポリマーである、項目1に記載の化合物。
（項目１１）
前記化合物は、直鎖、分枝鎖、環状、または上記のいずれかの混合物である、項目1に記載の化合物。
（項目１２）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜8)アルキルから選択される、項目1に記載の化合物。
（項目１３）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜6)アルキルから選択される、項目1に記載の化合物。
（項目１４）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜4)アルキルから選択される、項目1に記載の化合物。
（項目１５）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜3)アルキルから選択される、項目1に記載の化合物。
（項目１６）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜2)アルキルから選択される、項目1に記載の化合物。
（項目１７）
前記化合物が、約100℃未満の温度で油状物である、項目1に記載の化合物。
（項目１８）
３個以上の反復単位{MB(ER)(ER)}を含む、項目1に記載の化合物。
（項目１９）
３個以上の反復単位{MA(ER)(ER)}を含む、項目1に記載の化合物。
（項目２０）
前記化合物が、交互コポリマー、ブロックコポリマー、またはランダムコポリマーである、項目1に記載の化合物。
（項目２１）
式(AB)nをさらに含み、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、２以上であり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、項目1に記載の化合物。
（項目２２）
前記化合物が、式:(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、(RE)2-(BA)nB(BA)mB、cyclic(AB)n、cyclic(BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]-、(RE)2-[(BA)nB]-、
【化２１】
2013501128.tif 000004
(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m、(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m(AB1)p、およびこれらの混合物のうちのいずれか１つを有し、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、１以上であり、mは、１以上であり、そしてpは、１以上である
、項目1に記載の化合物。
（項目２３）
前記化合物が、反復単位式:  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)(SnBu)In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SesBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)(SnBu)(In,Ga)(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(In,Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SenBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SesBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{(1.2  Cu)(1.2  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(1.3  Cu)(1.3  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(1.5  Cu)(1.5  Seヘキシル)(Seヘキシル)(0.80  In,0.20  Ga)(Seヘキシル)2};  
{(0.85  Cu)(0.85  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(0.9  Cu)(0.9  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(0.75  Cu)(0.75  StBu)(SnBu)(0.80  In,0.20  Ga)(SnBu)2};  
{(0.8  Cu)(0.8  SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{(0.95  Cu)(0.95  StBu)(SetBu)(0.70  In,0.30  Ga)(SetBu)2};  
{(0.98  Cu)(0.98  SetBu)(StBu)(0.600  In,0.400  Ga)(StBu)2};  
{(0.835  Cu)(0.835  SetBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.8  In,0.2  Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.67  In,0.33  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(0.875  In,0.125  Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.99  In,0.01  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(0.97  In,0.030  Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SesBu)2In(SesBu)2};  {Cu(SesBu)2Ga(SesBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)2In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)2Ga(SenBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)Ga(SetBu)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2},  
{Cu(Se(n-ペンチル))(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(Se(n-ヘキシル))(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(S(n-ヘプチル))(StBu)(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};および
{Cu(S(n-オクチル))(StBu)(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2}
のうちのいずれか１つを有する、項目1に記載の化合物。
（項目２４）
項目1〜23のいずれか１項に記載の１種以上の化合物および１種以上のキャリアを含有する、インク。
（項目２５）
前記インクが、有機キャリア中の前記化合物の溶液である、項目24に記載のインク。
（項目２６）
前記インクが、有機キャリア中の前記化合物のスラリーまたは懸濁物である、項目24に記載のインク。
（項目２７）
ドーパントまたはアルカリドーパントをさらに含有する、項目24に記載のインク。
（項目２８）
さらなるインジウム含有化合物、さらなるガリウム含有化合物、またはモリブデン含有化合物の添加をさらに含む、項目24に記載のインク。
（項目２９）
界面活性剤、分散剤、乳化剤、消泡剤、乾燥剤、充填剤、樹脂結合剤、増粘剤、粘度調整剤、酸化防止剤、流動剤、可塑剤、伝導性剤、結晶化促進剤、増量剤、フィルム調整剤、接着促進剤、および色素からなる群より選択される１種以上の成分をさらに含有する、項目24に記載のインク。
（項目３０）
伝導性ポリマー、金属銅、金属インジウム、金属ガリウム、金属亜鉛、アルカリ金属、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、ナトリウムカルコゲネート、カルシウムカルコゲネート、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、テルル化カドミウム、硫化インジウム、セレン化インジウム、テルル化インジウム、硫化ガリウム、セレン化ガリウム、テルル化ガリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化銅、セレン化銅、テルル化銅、硫化モリブデン、セレン化モリブデン、テルル化モリブデン、および上記のもののいずれかの混合物からなる群より選択される１種以上の成分をさらに含有する、項目24に記載のインク。
（項目３１）
a)モノマー化合物MB1(ER)3、MB2(ER)3、およびMA(ER)を提供する工程;ならびに
b)該モノマー化合物を接触させる工程、
を包含し;
ここでMB1はInであり、MB2はGaであり、MAはCuであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、前駆体化合物を作製するための方法。
（項目３２）
MB1とMB2との両方がInであるか、または両方がGaである、項目31に記載の方法。
（項目３３）
各Eが硫黄またはセレンである、項目31に記載の化合物。
（項目３４）
Eがセレンである、項目31に記載の化合物。
（項目３５）
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、項目31に記載の化合物。
（項目３６）
前記化合物が、Cuが欠乏しているかまたはCuが富化されている、項目31に記載の化合物。
（項目３７）
前記モノマー化合物が、堆積、スプレー、コーティング、または印刷のプロセスで接触させられる、項目31に記載の方法。
（項目３８）
前記モノマー化合物が、約-60℃〜約100℃、または約0℃〜約200℃の温度で接触させられる、項目31に記載の方法。
（項目３９）
モノマーMB1(ER)3、MB2(ER)3、およびMA(ER)を反応させることを包含するプロセスにより作製される化合物であって、ここでMB1はInであり、MB2はGaであり、MAはCuであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、化合物。
（項目４０）
MB1とMB2との両方がInである、項目39に記載の化合物。
（項目４１）
各Eが硫黄またはセレンである、項目39に記載の化合物。
（項目４２）
Eがセレンである、項目39に記載の化合物。
（項目４３）
前記化合物が、CIGS前駆体化合物、CIS前駆体化合物またはCGS前駆体化合物である、項目39に記載の化合物。
（項目４４）
前記化合物が、実験式Cux(In1-yGay)v((S1-zSez)R)wを有し、ここでxは、0.5〜1.5であり、yは、0〜1であり、zは、0〜1であり、vは、0.5〜1.5であり、wは、2〜6であり、そしてRは、R基を表し、該Ｒ基は、数がw個あり、該Ｒ基は独立して、アルキル、アリール、
ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、項目39に記載の化合物。
（項目４５）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.5であり、zは、0.5〜1であり、vは、0.9〜1.1であり、そしてwは、2〜6である、項目44に記載の化合物。
（項目４６）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.3であり、zは、0.7〜1であり、vは1であり、そしてwは、3〜5である、項目44に記載の化合物。
（項目４７）
xは、0.7〜1.2であり、yは、0〜0.2であり、zは、0.8〜1であり、vは1であり、そしてwは、3.5〜4.5である、項目44に記載の化合物。
（項目４８）
前記化合物はCuが欠乏している、項目39に記載の化合物。
（項目４９）
前記化合物は、無機ポリマーまたは配位ポリマーである、項目39に記載の化合物。
（項目５０）
前記化合物は、直鎖、分枝鎖、環状、または上記のいずれかの混合物である、項目39に記載の化合物。
（項目５１）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜8)アルキルから選択される、項目39に記載の化合物。
（項目５２）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜6)アルキルから選択される、項目39に記載の化合物。
（項目５３）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜4)アルキルから選択される、項目39に記載の化合物。
（項目５４）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜3)アルキルから選択される、項目39に記載の化合物。
（項目５５）
各Rは、各存在について独立して、(C1〜2)アルキルから選択される、項目39に記載の化合物。
（項目５６）
前記化合物は、約100℃未満の温度で油状物である、項目39に記載の化合物。
（項目５７）
３個以上の反復単位{MB(ER)(ER)}を含む、項目39に記載の化合物。
（項目５８）
３個以上の反復単位{MA(ER)(ER)}を含む、項目39に記載の化合物。
（項目５９）
前記化合物が、交互コポリマー、ブロックコポリマー、またはランダムコポリマーである、項目39に記載の化合物。
（項目６０）
式(AB)nをさらに含み、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、２以上であり、そしてRは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される、項目39に記載の化合物。
（項目６１）
前記化合物が、式:(RE)2-BB(AB)n、(RE)2-B(AB)nB、(RE)2-B(AB)nB(AB)m、(RE)2-(BA)nBB、(RE)2-B(BA)nB、(RE)2-(BA)nB(BA)mB、cyclic(AB)n、cyclic(BA)n、(RE)2-(BB)(AABB)n、(RE)2-(BB)(AABB)n(AB)m、(RE)2-(B)(AABB)n(B)(AB)m、(RE)2-[B(AB)n]-、(RE)2-[(BA)nB]-、
【化２２】
2013501128.tif 000005
【化２３】
2013501128.tif 000006
(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m、(RE)2-BB(AB1)n(AB2)m(AB1)p、およびこれらの混合物のうちのいずれか１つを有し、ここでAは、前記反復単位{MA(ER)(ER)}であり、Bは、前記反復単位{MB(ER)(ER)}であり、nは、１以上であり、mは、１以上であり、そしてpは、１以上である
、項目39に記載の化合物。
（項目６２）
前記化合物が、反復単位式:{Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)(SnBu)In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SetBu)2In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)In(SenBu)2};  {Cu(StBu)(SiPr)In(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)In(SetBu)2};  {Cu(SetBu)(StBu)Ga(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)Ga(StBu)2};  {Cu(SesBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)In(SeiPr)2};  {Cu(SetBu)(SsBu)In(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)Ga(SeiPr)2};  {Cu(StBu)(SiPr)Ga(SiPr)2},  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)(SnBu)(In,Ga)(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  {Cu(StBu)2(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(In,Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(In,Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SenBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SnBu)(StBu)(In,Ga)(StBu)2};  
{Cu(SesBu)(SetBu)(In,Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(In,Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(In,Ga)(SiPr)2};  
{(1.2  Cu)(1.2  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(1.3  Cu)(1.3  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(1.5  Cu)(1.5  Seヘキシル)(Seヘキシル)(0.80  In,0.20  Ga)(Seヘキシル)2};  
{(0.85  Cu)(0.85  SetBu)(SenBu)(0.7  In,0.3  Ga)(SenBu)2};  
{(0.9  Cu)(0.9  StBu)(StBu)(0.85  In,0.15  Ga)(StBu)2};  
{(0.75  Cu)(0.75  StBu)(SnBu)(0.80  In,0.20  Ga)(SnBu)2};  
{(0.8  Cu)(0.8  SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{(0.95  Cu)(0.95  StBu)(SetBu)(0.70  In,0.30  Ga)(SetBu)2};  
{(0.98  Cu)(0.98  SetBu)(StBu)(0.600  In,0.400  Ga)(StBu)2};  
{(0.835  Cu)(0.835  SetBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.8  In,0.2  Ga)(StBu)2};  
{Cu(SetBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(SetBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.67  In,0.33  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(SetBu)(SsBu)(0.875  In,0.125  Ga)(SsBu)2};  
{Cu(SetBu)(SeiPr)(0.99  In,0.01  Ga)(SeiPr)2};  
{Cu(StBu)(SiPr)(0.97  In,0.030  Ga)(SiPr)2},  
{Cu(SesBu)2In(SesBu)2};  {Cu(SesBu)2Ga(SesBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(StBu)2In(SnBu)2};  
{Cu(SetBu)2Ga(SenBu)2};  {Cu(SetBu)2Ga(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2In(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)In(SetBu)2};  
{Cu(StBu)2Ga(StBu)2};  {Cu(SenBu)(SetBu)Ga(SetBu)2},  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(SetBu)(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};  
{Cu(StBu)2(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2},  
{Cu(Se(n-ペンチル))(SenBu)(0.5  In,0.5  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(Se(n-ヘキシル))(SenBu)(0.75  In,0.25  Ga)(SenBu)2};  
{Cu(S(n-ヘプチル))(StBu)(0.75  In,0.25  Ga)(StBu)2};および
{Cu(S(n-オクチル))(StBu)(0.9  In,0.1  Ga)(StBu)2}
のうちのいずれか１つを有する、項目39に記載の化合物。
（項目６３）
基材上に堆積した項目1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインク
を備える、物品。
（項目６４）
前記堆積が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延および上記のもののいずれかの組み合わせにより行われる、項目63に記載の物品。
（項目６５）
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、項目63に記載の物品。
（項目６６）
前記基材が、管、円柱、ローラー、ロッド、ピン、シャフト、平面、板、刃、はね、湾曲表面または球体が挙げられる成形された基材である、項目63に記載の物品。
（項目６７）
(a)項目1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;および
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程
を包含する、物品を作製するための方法。
（項目６８）
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、項目67に記載の方法。
（項目６９）
基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、項目67に記載の方法。
（項目７０）
工程(c)が繰り返される、項目67に記載の方法。
（項目７１）
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７２）
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程をさらに包含し、その後、工程(c)を繰り返す、項目67に記載の方法。
（項目７３）
前記基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって前記材料をアニーリングする工程をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７４）
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程、および該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７５）
前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、該化合物またはインクを材料に転換する工程、該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程、および該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７６）
(d)前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程;
(e)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;
(f)工程(d)および工程(e)を繰り返す工程;ならびに
(g)該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程
をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７７）
(d)前記基材を約100℃〜約400℃の温度で加熱して、前記化合物またはインクを材料に転換する工程;
(e)該基材を約300℃〜約650℃の温度で加熱することによって該材料をアニーリングする工程;ならびに
(f)工程(c)、工程(d)および工程(e)を繰り返す工程
をさらに包含する、項目67に記載の方法。
（項目７８）
加熱またはアニーリングの工程のいずれかの前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、項目67〜77のいずれか１項に記載の方法。
（項目７９）
項目67〜77のいずれか１項に記載の方法によって作製された物品。
（項目８０）
項目67〜77のいずれか１項に記載の方法によって作製された光起電性デバイス。
（項目８１）
(a)項目1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約20℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これによって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する材料を製造する、工程
を包含する、材料を作製するための方法。
（項目８２）
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、項目81に記載の方法。
（項目８３）
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、項目81に記載の方法。
（項目８４）
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、項目81に記載の方法。
（項目８５）
工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、項目81に記載の方法。
（項目８６）
前記材料が半導体である、項目81に記載の方法。
（項目８７）
前記材料が薄膜の形態である、項目81に記載の方法。
（項目８８）
項目81〜87のいずれか１項に記載の方法により作製された材料。
（項目８９）
項目81〜87のいずれか１項に記載の方法により作製された材料を含む、光起電性デバイス。
（項目９０）
(a)項目1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約20℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これによって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する薄膜材料を製造する、工程
を包含するプロセスによって作製された、薄膜材料。
（項目９１）
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、項目90に記載の薄膜材料。
（項目９２）
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア
印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、項目90に記載の薄膜材料。
（項目９３）
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、項目90に記載の薄膜材料。
（項目９４）
前記プロセスが、工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、項目90に記載の薄膜材料。
（項目９５）
項目90〜94のいずれか１項に記載の薄膜材料で作製された光起電性アブソーバー。
（項目９６）
項目90〜94のいずれか１項に記載のプロセスによって作製された薄膜材料を備える光起電性デバイス。
（項目９７）
電力を提供するための光起電性システムであって、項目96に記載の光起電性デバイスを備える、光起電性システム。
（項目９８）
電力を提供するための方法であって、項目97に記載の光起電性システムを使用して光を電気エネルギーに変換する工程を包含する、方法。
（項目９９）
(a)項目1〜30のいずれか１項に記載の１種以上の化合物またはインクを提供する工程;
(b)基材を提供する工程;
(c)該化合物またはインクを該基材に堆積させる工程;および
(d)該基材を約100℃〜約650℃の温度で不活性雰囲気中で加熱する工程であって、これ
によって、0.001マイクロメートル〜100マイクロメートルの厚さを有する光起電性アブソーバー層を製造する、工程
を包含する、光起電性アブソーバー層を基材上に作製するための方法。
（項目１００）
前記基材が、約100℃〜約550℃、または約200℃〜約400℃の温度で加熱される、項目99に記載の方法。
（項目１０１）
前記堆積させる工程が、スプレー、スプレーコーティング、スプレー堆積、スプレー熱分解、印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷、エアロゾルジェット印刷、インク印刷、ジェット印刷、スタンプ/パッド印刷、転写、パッド印刷、フレキソ印刷、グラビア
印刷、密着焼付け、裏面印刷、感熱印刷、リソグラフィー、電子写真印刷、電着、電気めっき、無電解めっき、浴堆積、コーティング、湿式コーティング、スピンコーティング、ナイフコーティング、ローラーコーティング、ロッドコーティング、スロットダイコーティング、マイヤーバーコーティング、リップ直接コーティング、毛管コーティング、液体堆積、溶液堆積、１層ごとの堆積、スピンキャスティング、溶液流延、および上記のもののいずれかの組み合わせによって行われる、項目99に記載の方法。
（項目１０２）
前記基材が、半導体、ドープ半導体、ケイ素、ヒ化ガリウム、絶縁体、ガラス、モリブデンガラス、二酸化ケイ素、二酸化チタン、酸化亜鉛、窒化ケイ素、金属、金属箔、モリブデン、アルミニウム、ベリリウム、カドミウム、セリウム、クロム、コバルト、銅、ガリウム、金、鉛、マンガン、モリブデン、ニッケル、パラジウム、白金、レニウム、ロジウム、銀、ステンレス鋼、鋼、鉄、ストロンチウム、スズ、チタン、タングステン、亜鉛、ジルコニウム、金属合金、金属ケイ化物、金属炭化物、ポリマー、プラスチック、伝導性ポリマー、コポリマー、ポリマーブレンド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエステルフィルム、マイラー、ポリフッ化ビニル、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリ塩化ビニル、アクリロニトリルブタジエンスチレンポリマー、シリコーン、エポキシ、紙、コート紙、および上記のもののいずれかの組み合わせからなる群より選択される、項目99に記載の方法。
（項目１０３）
工程(c)または工程(d)の前、最中または後のいずれかに、セレン化または硫黄化の任意の工程をさらに包含する、項目99に記載の方法。
（項目１０４）
項目99〜103のいずれか１項に記載の方法によって作製された光起電性アブソーバー
層を備える光起電性デバイス。