【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調領域（６３０，７３０，９３０）を含み、制御電気信号に応じて光束を変調する電気光学素子であって、
前記光束（６１１，７１１，９１１）は、導波路（６１０，７１０，９１０）内を伝播し、そして、前記制御電気信号（６０９）を受ける１対のいわゆる電気制御要素を形成する導電性材料及び／又は半導電性材料の少なくとも１つの第一要素（６２１）及び少なくとも１つの第二要素（６２２）の作用に付され、
前記変調領域（６３０，７３０，９３０）において、前記光束（６１１，７１１，９１１）と前記１対の制御要素（６２１，６２２）との間の相互作用の少なくとも１つの第一領域（Ｒ１ａ）から少なくとも１つの第二領域（Ｒ２ａ）まで、前記光束（６１１，７１１，９１１）の進む経路の長さ（Ｌ６１１ａ，Ｌ７１１ａ，Ｌ９１１ａ）が前記制御電気信号（６０９）の進む経路の長さ（Ｌ６０９ａ，Ｌ７０９ａ，Ｌ９０９ａ）とは異なるように、前記導波路（６１０）を配置し、
ここで、前記長さの差は、前記相互作用の第一領域（Ｒ１ａ）と第二領域（Ｒ２ａ）との間の制御要素（６２１，６２２）において、光束の伝播速度（Ｖ６１１）と電気信号の伝播速度（Ｖ６０９）との間の差を低減又は補正するように決定されるものとする、
前記電気光学素子において、
−  前記変調領域において光束の進む経路が、一方の制御要素（６２２）から他方の制御要素（６２１）へ少なくとも２回（Ｒ１ａ，Ｒ２ａ）通過するように、前記導波路（６１０，７１０，９１０）を配置すること；及び
−  前記導波路が、変調領域（６３０，７３０，９３０）の少なくとも一部において、それ自体巻かれた形状であって、前記制御要素（６２１，６２２）の少なくとも２つから出ている相互に挿置された少なくとも２つの欠刻（６０１，６０２，９０１，９０２）を連続的に通過する前記形状を備えていること；
を特徴とする、前記電気光学素子。
【請求項２】
互いに向き合っている少なくとも２つの制御要素（６２１，６２２）が、相互に挿置された欠刻を含む形状を有していること、そして、導波路（６１０）が、前記欠刻を連続的に通過し、変調領域（６３０）の少なくとも一部においてそれ自体巻かれた形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
光束（６１１）の進む経路が実質的に放射状の放射部を連続的に通過する螺旋状に巻かれた部分（７９０）を備えているように、導波路を配置すること、そして、前記放射部は、相互に挿置され、一方では大部分が前記螺旋の内側に位置した制御要素の一方（６２２）から、及び、他方では大部分が前記螺旋の外側で且つ周囲に位置した制御要素の他方（６２１）から延長していることを特徴とする、請求項１又は２に記載の素子。
【請求項４】
光束（６１１）の進む経路が実質的に放射状の放射部を連続的に通過する細長く且つ螺旋状に巻かれたループを備えているように、導波路（６１０，６９０）を配置すること、そして、前記放射部は、相互に挿置され、一方では大部分が前記螺旋の内側に位置した制御要素の一方（６２２）から、及び、他方では大部分が前記螺旋の外側で且つ周囲に位置した制御要素の他方（６２１）から延長していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の素子。
【請求項５】
導波路が、１つ以上の渦巻と交差することによって螺旋の内側に貫通する部分（７１０）を備えていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の素子。
【請求項６】
交互に繰り返される方向に且つ連続的に同じ扇形部分（Ａ９００）を通る、実質的に同心性の螺旋形の一連の曲線部分（９１０２，９１０３，９１０４，９１０５）を導波路（９１０）のレイアウトが備えていること、そして、前記導波路が、一方では大部分が前記曲線部分の内部に位置した制御要素の一方（９２２）から、及び、他方では大部分が前記曲線部分の外側で且つ周囲に位置した制御要素の他方（９２１）から延長している、相互に挿置された実質的に放射状の放射部（９０１，９０２）を連続的に横切ることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の素子。
【請求項７】
螺旋が、以下のタイプの式：
【数１】
2013506167.tif 000001
［式中：
−  「ｏ（ｔ）」は時間「ｔ」の関数として螺旋の各点の座標を表す複素数であり、
−  「ｎｅｆｆ」は導波路における有効率であり、そして
−  「ｎｅｆｆ，ｃｏｍ」は制御要素における有効率である］
によって定義することができる形状を備えていることを特徴とする、請求項３〜６のいずれか一項に記載の素子。
【請求項８】
導波路の経路を計算して、最も接近して１０％まで、又は更には５％まで伝播速度の差を補正することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の素子。
【請求項９】
末端に印加された電気信号（６０９）に応じてその屈折率が変化するＰＮ型（６２１，６２２）又はＰＩＮ型（４２１，４２２）ダイオードを形成するようにドープされた、ＩＶ型半導体の、少なくとも１対の制御要素を含む活性領域に形成された導波路（６１０）を、変調領域（６３０，７３０，９３０）が含むことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１０】
変調領域が、半導体の少なくとも１対の制御要素によって囲まれた活性領域内に形成される導波路を含むこと、そして、１対のバンドギャップ半導体を形成するように選択され且つこのように前記制御要素に印加された電気信号に応じて前記活性領域における有効屈折率又は有効吸収率の変化を得るように選択された、ＩＩＩ−Ｖ型の２種類の異なった半導電性材料から形成される１つ以上の量子井戸を備えた少なくとも１つの構造を前記活性領域が含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１１】
変調領域が、制御電気信号に応じて前記変調領域を通過する光束の位相を変化させるように配置されたアーキテクチャを備えていることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１２】
少なくとも１つの変調領域を干渉計内に挿入して、前記変調領域を通過する光束の位相変調から、前記変調領域を通過する光束の強度変調を得ることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１３】
制御信号を処理することによって伝播速度の差を補正する電気回路又は電子素子のいずれも含んでいないことを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の素子を用いる又は含むデバイス。
【請求項１４】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の素子を含むデバイス又はシステム。
【請求項１５】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の素子を製造するように選択され、規定され、そして、組み合わせられた工程を含む、オプトエレクトロニクス素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の更なる特徴及び利点は、決して限定的でない実施態様の詳細な記載、及び添付の図面からより明白となるであろう：
−  図１は、ＷＯ２００５／０９３４８０に示されるような、その真性領域に垂直なドープ面を備えた側面構成のＰＩＮ型ダイオードを含む従来技術の一例を示す斜視断面図であり；
−  図２は、ＷＯ２００５／０９３４８０に示されるような、非対称マッハ・ツェンダー干渉計内に埋め込まれた、図１のダイオードのような横方向ダイオードから変調器を形成する従来技術の一例を示す上面図であり；
−  図３〜図５は、制御要素が導波路のレイアウトを完全に囲む、本発明のまっすぐな（droit）実施態様を示す縮尺通りではない上面図であり；
−  図３は、ＰＮ型ダイオードを形成する制御要素の変調領域の部分を示し、そして
−  図４は、ＰＩＮ型ダイオードを形成する制御要素の変調領域の部分を示し、
−  図５は、非対称変調器のマッハ・ツェンダー干渉計内に対称的に設けられたＰＮダイオードを備えた２つの変調領域を示し；
−  図６〜図９はＰＮダイオードが巻かれた実施態様の種々の変形態様を示し、ここでは、制御要素が、導波路の螺旋状のレイアウトと交差する実質的に放射状の相互にかみ合った構造を有するものとする；
−  図６は、同心性の制御要素を備えた変形態様を示し、ここで、導波路は入力螺旋の中で巻かれ、そして、ターンして入力螺旋に挟まれた出力螺旋の中を通って出て行くものであり；
−  図７は、同心性の制御要素を備えた変形態様を示し、ここで、導波路は中心を通って来てそして外側へと螺旋を描くものであり；
−  図８は、図６及び図７の例に対する制御要素及びそれらの電極の構造を示し；
−  図９は、並置された制御要素を備えた変形態様を示し、ここで、導波路は中心を通って来てそして外側へと交互に繰り返される螺旋の部分を描くものであり；
−  図１０〜図１２は、挟まれた欠刻の一部における、巻かれた実施態様の制御要素内の電荷密度分布を示し：
−  図１０は、制御電位の差が０Ｖの場合の測定写真を示し；
−  図１１は、制御電位の差が５Ｖの場合の測定写真を示し；
−  図１２は、制御要素の構造内の図１０及び図１１の測定位置をより広範囲に示す図面である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
同様にして、この経路は、少し先で、一方の制御要素６２１から他方の制御要素６２２への光束の第二の通過の領域に対応する第二の相互作用領域Ｒ２ａを通る。図面には、例えば、図面中の「Ｐ」ドープされた第一の制御要素６２１の内部欠刻６０１（同じ又は別のもの）から図面中の「Ｎ」ドープされた第二の制御要素６２２の外部枝部６０２までこの経路が通るときの、前記第二の相互作用領域Ｒ２ａが示されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013506167.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013506167.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2013506167.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2013506167.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013506167.tif 000006