【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を調整するためのデバイスであって、
第１の層（１１０２）と、
第２の層（１１１０）であって、前記第１と第２の層との間にギャップが存在し、及び前記第１及び第２の層が互いに関連して固定されている、第２の層と、
前記第１と第２の層との間の前記ギャップ内に配置された第３の層（１１０６）と、
前記第１の層と前記第２の層にわたってバイアス電圧を印加することにより、前記第１と第２の層との間に電場を選択的に誘導するように構成された制御回路（１１２０）と、
前記第３の層に固定電荷を加えるように構成された電荷ポンプ（１１１８）と、
を備えており、
前記固定電荷が加えられた後で前記第３の層が電気的に分離され、
前記制御回路は、前記バイアス電圧を変化させることにより前記第３の層が前記ギャップ内を移動することを引き起こすように構成されており、前記第３の層の前記移動は、電場と前記第３の層に加えられた固定電荷との間の静電力と、前記第３の層上に作用する機械的復元力とに基づいており、前記デバイスは、前記第３の層（１１０６）の位置に応じて、異なる波長の光を反射するように構成されているデバイス。
【請求項２】
少なくとも一つの抵抗素子（９１６）が前記第１の層の下部に配置されている請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記第３の層を電気的に分離するためのスイッチ（１１２２）をさらに備えている請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記第３の層を電気的に分離するための薄膜半導体またはＭＥＭＳスイッチ（１１２２）をさらに備えている請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項５】
前記第３の層は光学ミラーを備えている請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の層は薄い光学吸収体を備えている請求項１から５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項７】
前記制御回路は、前記デバイスがキャリブレーションモードにあるとき、前記バイアス電圧として第１の電圧を印加するように構成されている請求項１から６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
前記第１の電圧が印加された後で、前記静電力は、前記機械的復元力におおよそ等しい請求項７に記載のデバイス。
【請求項９】
前記制御回路は、前記デバイスがキャリブレーションモードにあるとき、前記バイアス電圧として第１の電圧を印加するように構成されており、前記第１の電圧を印加した後で、前記第３の層が前記第１の層の抵抗素子に接触する請求項２から６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第３の層は、前記バイアス電圧に一次比例して移動するように構成されている請求項１から９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１１】
アナログ干渉モジュレータをキャリブレーションするための方法であって、
第１の電極（１１０２）及び第２の電極（１１１０）を提供する段階であって、前記第１の電極及び第前記２の電極の間にギャップが存在するところの段階と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に電場を誘導するために、前記第１の電極及び前記第２の電極にわたってバイアス電圧を印加する段階と、
第３の電極（１１０６）上に固定電荷を誘導する段階であって、前記固定電荷が加えられた後で前記第３の電極は電気的に分離されている段階と、
前記バイアス電圧を変化させることにより前記ギャップ内で前記第３の電極を移動させる段階と、
を備えており、
前記第３の電極の移動は、電場と前記第３の電極に加えられた固定電荷との間の静電力と、前記第３の電極上に作用する機械的復元力とに基づいており、前記デバイスは、前記第３の電極（１１０６）の位置に応じて、異なる波長の光を反射するように構成されている方法。
【請求項１２】
固定電荷の量を決定する段階であって、
前記第１の電極上に堆積された少なくとも一つの抵抗素子を提供する段階と、
前記第１の電極及び前記第２の電極に前記バイアス電圧としてキャリブレーション電圧を印加する段階と、
前記キャリブレーション電圧により誘導された前記電場が、前記第１の電極の少なくとも一つの抵抗素子に前記第３の電極が接触することを引き起こすように、前記第３の電極上の固定電荷を調整する段階と、
を備えている段階、をさらに備えている請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記静電力が、前記機械的復元力と約等しくなるように、前記第３の電極上の固定電荷を調整する段階をさらに備えている請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記誘導する段階は、前記第３の電極の変位が前記バイアス電圧に一次比例して応答するように、前記第３の電極上に固定電荷を誘導する段階を備えている請求項１１から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
光を調整するためのデバイスであって、
電流を伝導するための第１の手段（１１０２）と、
電流を伝導するための第２の手段（１１１０）であって、前記第１の伝導手段及び前記第２の伝導手段との間にギャップが存在する第２の手段と、
前記第１の伝導手段と前記第２の伝導手段との間に電場を誘導するために、前記第１の伝導手段及び前記第２の伝導手段にわたってバイアス電圧を印加するための手段（１１２０）と、
電流を伝導するための第３の手段（１１０６）上に固定電荷を誘導するための手段（１１１８）と、
を備えており、
前記電流を伝導するための第３の手段は、前記固定電荷が加えられた後で、電気的に分離され、
前記バイアス電圧を印加するための手段は、前記バイアス電圧を変化させることにより前記電流を伝導するための第３の手段が前記ギャップ内を移動することを引き起こすように構成されており、前記電流を伝導するための第３の手段の前記移動は、前記電場と前記電流を伝導するための第３の手段に加えられた固定電荷との間の静電力と、前記電流を伝導するための第３の手段上に作用する機械的復元力とに基づいており、前記デバイスは、前記電流を伝導するための第３の手段（１１０６）の位置に応じて、異なる波長の光を反射するように構成されているデバイス。
【請求項１６】
前記印加手段は、制御回路を備えている請求項１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記誘導手段は、電荷ポンプを備えている請求項１５または１６に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第３の伝導手段を電気的に分離するための手段（１１２２）をさらに備えている請求項１５から１７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記電気的に分離するための手段は、スイッチを備えている請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記電気的に分離するための手段は、薄膜半導体を備えている請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記第２の伝導手段の頂部上に絶縁層が配置されている請求項１５から２０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記第３の伝導手段上に硬化層（９０８）が配置されている請求項１５から２１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記第３の伝導手段にキャパシタ（１３４４）が連通している請求項１５から２２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記第１の伝導手段は電極を備えており、前記第２の伝導手段は電極を備えており、及び前記第３の伝導手段は電極を備えている請求項１５から２３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２５】
誘導するための手段はさらに、前記第３の伝導手段の移動が、前記バイアス電圧に一次比例するように、前記電流を伝導するための第３の手段上に前記電荷を誘導するように構成されている請求項１５から２４のいずれか一項に記載のデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本願発明は、アナログ干渉モジュレータの駆動方式及びキャリブレーション方法に関連している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
方法及びデバイスは、アナログ干渉モジュレータに関連してここで説明される。アナログ干渉モジュレータは、光学特性を有するいくつかの異なる状態へ駆動されうる。様々な状態を達成するように、アナログ干渉モジュレータの駆動をキャリブレーション及び制御するための特定の方法及びデバイスが説明される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
図１３は、図１２のアナログ干渉モジュレータ１３００がキャリブレーションされる工程１４００を図示している。前記キャリブレーション工程は、特定の電圧が印加されたとき、前記中間電極１３０６が上部電極１３０２と下部電極１３１０の間の周知の位置に移動するように前記モジュレータ１３００を構成させる。工程１４００は、前記キャリブレーション工程１４００の様々な状態で干渉モジュレータ１３００を図示している図１４を参照しながら以下で説明される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７３】
振動を検知することに加えて、平衡電荷Ｑｅを得るためにステップ１４１２でスイッチ１５２２と断絶するときを決定するための他の変数が存在する。キャリブレーション工程の一つの実施形態において、スイッチ１５２２は、中間電極１５０６が抵抗柱１５１６と接触するときに開かれている。前記電荷を徐々になくすとき、中間プレートは、前記抵抗柱１５１６から分離し、及び平衡電荷を保つ。別の実施形態において、スイッチ１５２２は、中間電極１５０６が抵抗柱１５１６にスナップするのに十分な電荷を取得しているが、中間電極１５０６が抵抗柱１５１６に接触する前に、開かれている。十分な電荷を取得するのに必要な期間は、以前のキャリブレーション工程の実行の間に計算されるかまたは確立されうる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７８】
１２、１２ａ、１２ｂ  干渉モジュレータ
１４、１４ａ、１４ｂ  可動反射層
１６、１６ａ、１６ｂ  光学スタック
１８  支柱
１９  ギャップ
２０  基板
２１  プロセッサ
２２  アレイドライバ
２４  行ドライバ回路
２６  列ドライバ回路
２７  ネットワークインターフェイス
２８  フレームバッファ
２９  ドライバコントローラ
３０  ディスプレイアレイ
３２  テザー
３４  変形可能層
４０  ディスプレイデバイス
４１  ハウジング
４２  支柱プラグ
４３  アンテナ
４４  バス構造
４５  スピーカ
４６  マイクロフォン
４７  トランシーバ
４８  入力デバイス
５０  電源
５２  コンディショニングハードウェア
８００  アナログ干渉モジュレータ
８０２  上部電極
８０３  硬化層
８０４  絶縁柱
８０６  中間電極
８０８  硬化層
８１０  下部電極
８１２  基板
８１４  パッシベイション層
９００  アナログ干渉モジュレータ
９０２  上部電極
９０３  硬化層
９０６  中間電極
９０８  硬化層
９１０  下部電極
９１２  基板
９１４  誘電体パッシベイション
９１６  抵抗素子
１０００  モジュレータ
１１００  アナログ干渉モジュレータ
１１０２  上部電極
１１０４  絶縁柱
１１０６  中間電極
１１１０  下部電極
１１１８  電荷ポンプ
１１２０  制御回路
１１２２  スイッチ
１２００  アナログ干渉モジュレータ
１２０２  上部電極
１２０６  中間電極
１２１０  下部電極
１２１２  基板
１２３０、１２３２、１２３４、１２３６  位置
１３００  アナログ干渉モジュレータ
１３０２  上部電極
１３０３  パッシベイション
１３０６  中間電極
１３１０  下部電極
１３１４  パッシベイション層
１３２０  制御回路
１３４０  寄生容量
１３４２  寄生容量
１３４４  キャパシタ
１４００  キャリブレーション工程
１５００  干渉モジュレータ
１５０２  上部電極
１５０６  中間電極
１５１０  下部電極
１５１６  抵抗柱
１５２０  制御回路
１５２２  スイッチ
１５４８  ソース抵抗