【手続補正書】
【提出日】平成21年2月11日(2009.2.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記絶縁膜に設けられた開口部に前記絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた層間絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記絶縁膜に設けられた開口部に前記絶縁膜よりガラス転移点が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた絶縁膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記絶縁膜に設けられた開口部に前記絶縁膜より塑性を有する物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜よりガラス転移点が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたアンテナとして機能する第２の導電膜と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜より塑性を有する物質が充填されて設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、単結晶の半導体膜にチャネル領域を設けた電界効果型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記複数のトランジスタの少なくとも１つは、有機トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、
前記屈折部分が設けられる領域に対応する前記基板の裏面に凹凸のパターンが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたＥＬ素子と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた空間であることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたＥＬ素子と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜より弾性率が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたＥＬ素子と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜よりガラス転移点が低い物質が充填されて設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
可撓性を有する基板上に設けられた、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタを覆って設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ且つ前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜を覆って形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成されたＥＬ素子と、
前記複数のトランジスタの間に設けられた屈折部分とを有し、
前記屈折部分は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に設けられた開口部に、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜より塑性を有する物質が充填されて設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一において、前記ＥＬ素子は、有機化合物材料、または分散型若しくは薄膜型無機化合物材料からなる発光素子を有することを特徴とする表示装置。