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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する複数枚の樹脂材料製透明フィルムで構成された積層体からなる時計用文字板部材であって、
前記積層体中、隣り合う前記透明フィルムは屈折率が異なり、かつ、隣り合う前記透明フィルムのうち、大きい屈折率を有する第1の透明フィルムの屈折率をｎ1、小さい屈折率を有する第2の透明フィルムの屈折率をｎ2としたとき、屈折率の比ｎ1／ｎ2は、１．０３〜 １．１８であることを特徴とする時計用文字板部材。
【請求項２】
前記積層体中、前記第１の透明フィルムと、前記第２の透明フィルムとの合計枚数が、１００〜 ２５０であることを特徴とする請求項1に記載の時計用文字板部材。
【請求項３】
前記透明フィルムを構成する樹脂材料の絶対屈折率は、１．４〜 １．７である請求項１ないし２のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項４】
前記透明フィルムの平均厚さは、０．５〜 ２０μmである請求項１ないし３のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項５】
前記透明フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートを含む材料で構成されたものと、ポリプロピレンを含む材料で構成されたものとを含んでいる請求項１ないし４のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項６】
着色剤を含む材料で構成された着色フィルムを、前記積層体を構成する前記透明フィルム間に含む請求項１ないし５のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項７】
着色剤を含む材料で構成された着色フィルムを、前記積層体の、外光が入射する側の第１の面側とは反対の第２の面側に配した請求項１ないし６のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項８】
入射した光を拡散する機能を有する拡散フィルムを、前記積層体を構成する前記透明フィルム間に含む請求項１ないし７のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項９】
入射した光を拡散する機能を有する拡散フィルムを、前記積層体の、外光が入射する側の第１の面側とは反対の第２の面側に配した請求項１ないし８のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項１０】
前記積層体の法線方向から入射した光の透過率は、２０〜 ５０％である請求項１ないし９のいずれかに記載の時計用文字板部材。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の時計用文字板部材を備えたことを特徴とする時計。
【請求項１２】
光透過性を有する複数種の樹脂材料製透明フィルムを複数枚積層した積層体からなる時計用文字板部材を製造する方法であって、大きい屈折率を有する前記樹脂材料Ｘからなる透明フィルムｘの屈折率をｎx、小さい屈折率を有する前記樹脂材料Ｙからなる透明フィルムｙの屈折率をｎyとしたとき、屈折率の比ｎx／ｎyは、１．０３〜 １．１８であり、前記透明フィルムyは、前記透明フィルムx上に、前記樹脂材料Ｙを構成する液体を、液滴吐出法を用いて吐出し、乾燥若しくは熱や紫外線で硬化させて形成されたものであることを特徴とする時計用文字板部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】時計用文字板部材、時計用文字板部材の製造方法、および時計
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部接続用パッドを有する半導体装置を固定するステージと、
前記ステージに設けられ、所定の温度となるように前記半導体装置を加熱する加熱手段と、
プローブピンと、前記プローブピンを支持する支持基板とを有するプローブカードと、を備え、
前記所定の温度に加熱された前記半導体装置の前記外部接続用パッドと前記プローブピンとを接触させて前記半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置であって、
前記プローブピンは、前記支持基板の第１の面に設けられており、
前記プローブピンに囲まれた部分の前記支持基板の第１の面に、前記所定の温度と略等しくなるように前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板を加熱する抵抗発熱体を設けたことを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
前記支持基板に、前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板の温度を検出する温度検出手段を設けると共に、前記温度検出手段が検出する前記温度が前記所定の温度と略等しくなるように、前記抵抗発熱体に印加する電力を制御する電力制御手段を設けたことを特徴とする請求項１記載のプローブ装置。
【請求項３】
前記抵抗発熱体は、前記支持基板の第１の面と、前記第１の面の反対側に位置する前記支持基板の第２の面とに設けることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブ装置。
【請求項４】
前記抵抗発熱体は、金属膜がパターニングされた配線パターンであることを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか一項記載のプローブ装置。
【請求項５】
前記支持基板の熱膨張係数は、前記半導体装置の熱膨張係数と略等しいことを特徴とする請求項１ないし４のうち、いずれか一項記載のプローブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の一観点によれば、外部接続用パッドを有する半導体装置を固定するステージと、
前記ステージに設けられ、所定の温度となるように前記半導体装置を加熱する加熱手段と、
プローブピンと、前記プローブピンを支持する支持基板とを有するプローブカードと、を備え、
前記所定の温度に加熱された前記半導体装置の前記外部接続用パッドと前記プローブピンとを接触させて前記半導体装置の電気的検査を行うプローブ装置であって、
前記プローブピンは、前記支持基板の第１の面に設けられており、
前記プローブピンに囲まれた部分の前記支持基板の第１の面に、前記所定の温度と略等しくなるように前記プローブピンの配設位置に対応する部分の前記支持基板を加熱する抵抗発熱体を設けたことを特徴とするプローブ装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記弁軸は、上から順に、前記弁軸ホルダの天井部に形成された挿通穴に通される上部小径部、該上部小径部より大径の上部大径部、該上部大径部より大径の下部大径部を有しており、前記圧縮コイルばねは、前記上部大径部に外挿されるとともに、実質的に前記弁軸ホルダの天井部と前記下部大径部の上端段丘面との間に介装されていることを特徴とする請求項２に記載の流量制御弁。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記弁体が前記弁座に着座している閉弁状態では、前記天井部もしくは前記ばね受けワッシャと前記上部大径部の上端段丘面との間に所定の間隙が形成されるようになっており、前記天井部の挿通穴周縁部もしくは前記ばね受けワッシャと前記上部大径部の上端段丘面とが前記プレリフト用ストッパ手段を構成していることを特徴とする請求項３又は４に記載の流量制御弁。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
圧縮機と、該圧縮機により圧縮された冷媒を凝縮させる凝縮器と、該凝縮器で凝縮した冷媒の通過流量を制御する流量制御弁と、該流量制御弁で流量制御された冷媒を蒸発させる蒸発器と、を配管で接続してなる冷媒サイクルであって、
前記流量制御弁が請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の流量制御弁で構成されると共に、前記流量制御弁の弁室側が低圧側、前記流量制御弁の弁座側が高圧側となるように前記流量制御弁に配管を接続したことを特徴とする冷凍サイクル。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記弁軸は、好ましくは、上から順に、前記弁軸ホルダの天井部に形成された挿通穴に通される上部小径部、該上部小径部より大径の上部大径部、該上部大径部より大径の下部大径部を有しており、前記圧縮コイルばねは、前記上部大径部に外挿されるとともに、実質的に前記弁軸ホルダの天井部と前記下部大径部の上端段丘面との間に介装される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
他の好ましい態様では、前記弁体が前記弁座に着座している閉弁状態では、前記天井部もしくは前記ばね受けワッシャと前記上部大径部の上端段丘面との間に所定の間隙が形成されるようになっており、前記天井部の挿通穴周縁部もしくは前記ばね受けワッシャと前記上部大径部の上端段丘面とで前記プレリフト用ストッパ手段が構成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
別の好ましい態様では、前記駆動機構に、前記ロータが所定の閉弁位置まで回転下降せしめられた際、それ以上の回転下降を阻止するための回転下降ストッパ手段が設けられる。
また、本発明に係る冷凍サイクルは、圧縮機と、該圧縮機により圧縮された冷媒を凝縮させる凝縮器と、該凝縮器で凝縮した冷媒の通過流量を制御する流量制御弁と、該流量制御弁で流量制御された冷媒を蒸発させる蒸発器と、を配管で接続してなる冷媒サイクルであって、前記流量制御弁が本願の発明に係る流量制御弁で構成されると共に、前記流量制御弁の弁室側が低圧側、前記流量制御弁の弁座側が高圧側となるように前記流量制御弁に配管を接続したことを特徴としている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
詳細には、前記圧縮コイルばね３４は、弁軸２５の上部大径部２５ｂに外挿されて、前記弁軸ホルダ３２の天井部３２ａの下側に配在されたばね受けワッシャ３９と前記弁軸２５の下部大径部２５ａの上端段丘面２５ｆとの間に縮装されており、図２（Ａ）に示される如くに、弁体２４が弁座２２に着座している閉弁状態では、前記ばね受けワッシャ３９（の下面）と上部大径部２５ｂの上端段丘面２５ｄとの間に所定の間隙Δａが形成されるとともに、弁軸ホルダ３２の天井部３２ａ上面と前記プッシュナット３３の下端面との間に間隙Δｂが形成されるようになっている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
そして、図４（Ｂ）に示される如くのプレリフト状態から、ステータコイル５３，５３に所定の態様で通電励磁パルスを供給すると、弁本体２０に固定されたガイドブッシュ２６に対し、ロータ３０、弁軸ホルダ３２、及び弁軸７０が一方向に回転せしめられ、図４（Ｃ）に示される如くに、ガイドブッシュ２６の固定ねじ部６８と弁軸７０の上部軸体７１に形成された移動ねじ部７８とのねじ送りにより、弁軸７０が回転上昇し、それに伴い、弁体２４も引き上げられて、そのリフト量が増大せしめられる。この場合、弁体のリフト量（＝弁口２２ａの実効開口面積＝冷媒の通過流量）は、ロータ３０の回転量、すなわち、供給パルス数に応じたものとなるため、冷媒通過流量を高精度に制御することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2008128449.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源に接続されるデバイスと、
前記デバイスを制御する駆動スイッチと、
制御部の制御に基づいて前記駆動スイッチを制御する半導体スイッチとを有するデバイス駆動回路において、
前記デバイスの電源を開閉するための電源スイッチと、
所定部品に連動して作動する保護機構と、
該保護機構が作動したときに前記電源スイッチを開状態にし、前記デバイスへの電源供給を遮断させる保護機構作動検知部と
を備えたことを特徴とするデバイス駆動回路の保護装置。
【請求項２】
前記保護機構作動検知部は、前記電源の電圧を前記制御部に供給すると共に前記電源スイッチに供給し、前記保護機構が作動したときに前記電圧の供給を遮断し、
前記電源スイッチは、前記電圧が印加されているとき閉状態になり、前記電圧が遮断されたときに開状態となることを特徴とする請求項１記載のデバイス駆動回路の保護装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヨウ素価が６６〜８０のパームオレイン、及び菜種油を含み、パームオレインと菜種油の質量比が、２０：８０〜６０：４０の範囲にあり、かつ食用油脂組成物全体におけるパームオレイン、及び菜種油の合計量が７０〜１００質量％の範囲にある食用油脂組成物が、少なくとも一部が光透過性である容器に充填されていることを特徴とする容器入り食用油脂組成物。
【請求項２】
前記容器の容積が、２リットル以下である、請求項１に記載の食用油脂組成物。
【請求項３】
さらにカロテンを含む、請求項１又は２のいずれか１項に記載の食用油脂組成物。
【請求項４】
さらにコエンザイムＱ１０を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の食用油脂組成物。
【請求項５】
さらにトコトリエノール類を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の食用油脂組成物。
【請求項６】
菜種油が、全構成脂肪酸中のオレイン酸含量が７０質量％未満のキャノーラ油である請求項１〜５のいずれか１項に記載の食用油脂組成物。
【請求項７】
食用油脂組成物が、食品材料を加熱調理するためのものである請求項１〜６のいずれか１項に記載の食用油脂組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
格子構造の側壁と底壁とを有すると共に上端が開放された略直方体の篭本体と、篭本体の開放された上端を覆う略長方形の蓋とを備え、蓋は一辺を軸にした揺動による片開き可能に、又は対向する二辺の何れをも軸にした揺動による片開き可能に、篭本体に取り付けられていることを特徴とする生鳥篭。
【請求項２】
格子構造の側壁と底壁とを有すると共に上端が開放された略直方体の篭本体と、篭本体の開放された上端を覆う略長方形の蓋とを備え、蓋は水平移動による開閉可能に篭本体に取り付けられていることを特徴とする生鳥篭。
【請求項３】
蓋は、引き戸又は開き戸により開閉される開口を有していることを特徴とする請求項１又は２に記載の生鳥篭。
【請求項４】
格子構造の側壁と底壁とを有すると共に上端が開放された略直方体の篭本体と、篭本体の開放された上端を覆う二枚の略矩形の蓋とを備え、前記二枚の蓋は両開き可能に篭本体に取り付けられていることを特徴とする生鳥篭。
【請求項５】
一方の蓋は、引き戸又は開き戸により開閉される開口を有していることを特徴とする請求項４に記載の生鳥篭。
【請求項６】
格子構造の側壁と底壁とを有すると共に上端が開放された略直方体の篭本体と、篭本体の開放された上端を覆う略長方形の蓋とを備え、蓋は片開き可能な扉と扉により開閉される開口とを有しており、扉は一辺を軸にした揺動による片開き可能に又は対向する二辺の何れをも軸にした揺動による片開き可能に蓋に取り付けられていることを特徴とする生鳥篭。
【請求項７】
扉は引き戸又は開き戸により開閉される開口を有していることを特徴とする請求項６に記載の生鳥篭。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明においては、格子構造の側壁と底壁とを有すると共に上端が開放された略直方体の篭本体と、篭本体の開放された上端を覆う略長方形の蓋とを備え、蓋は片開き可能な扉と扉により開閉される開口とを有しており、扉は一辺を軸にした揺動による片開き可能に又は対向する二辺の何れをも軸にした揺動による片開き可能に蓋に取り付けられていることを特徴とする生鳥篭を提供する。
本発明に係る生鳥篭においては、蓋に形成した扉を開いて生鳥を篭に入れ、蓋に形成した扉を開いて生鳥を篭から取り出す。
扉は引き戸又は開き戸により開閉される開口を有しても良い。この場合、蓋が有する片開き可能な扉を閉じ、扉が有する引き戸又は開き戸を開いて、比較的小さな開口を介して生鳥を篭に入れる。これにより、篭詰めの際に生鳥が篭から逃げ出すのを防止できる。生鳥を篭から取り出す際には、蓋が有する片開き可能な扉を揺動して開き、扉が開いて形成された引き戸又は開き戸の開口よりも大きな開口を介して生鳥を篭から取り出す。これにより、篭から生鳥を取り出す際に生鳥が損傷するのを防止できる。蓋が有する扉は人の力で容易に開くことができるので、扉を開いた状態で生鳥篭を洗浄することが可能であり、生鳥篭内部の汚れを充分に除去することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者に送信するためのパルスを選択的に発生するＰ個のパルス発生器と、
Ｎ個のバッテリを備える電力供給システムと、
前記パルスを選択的に制御するＭ個の制御モジュールと、
前記Ｐ個のパルス発生器のうち選択された１個と、前記Ｎ個のバッテリのうち選択された少なくとも１個と、前記Ｍ個の制御モジュールのうち選択された１個とを選択的に接続するＬ個のスイッチモジュールと、
を備え、
Ｐ、Ｍ、Ｎ、およびＬが１より大きい整数である、医療機器。
【請求項２】
前記Ｍ個の制御モジュールが、前記Ｎ個のバッテリにより供給される電流を監視し、それに基づいて前記Ｌ個のスイッチモジュールを選択的に制御する、請求項１に記載の医療機器。
【請求項３】
前記Ｎ個のバッテリのうち前記選択された少なくとも１個により与えられる電流を選択的に変更するＮ個の保護モジュールをさらに備える、請求項１に記載の医療機器。
【請求項４】
前記Ｎ個のバッテリのうち前記選択された少なくとも１個により与えられる電流を選択的に制限するＮ個の保護モジュールをさらに備える、請求項３に記載の医療機器。
【請求項５】
前記Ｌ個のスイッチモジュールが、前記Ｎ個のバッテリを共通ノードに選択的に接続する第１のスイッチモジュールと、前記共通ノードを前記Ｐ個のパルス発生器および前記Ｍ個の制御モジュールに選択的に接続する第２のスイッチモジュールとを含む、請求項１に記載の医療機器。
【請求項６】
前記医療機器がペースメーカーシステムを備え、前記パルスが心臓ペーシングパルスを含む、請求項１に記載の医療機器。
【請求項７】
リード線と、
前記Ｐ個のパルス発生器のうち前記選択された１個を前記リード線に選択的に接続する第３のスイッチモジュールと、
をさらに備える、請求項６に記載の医療機器。
【請求項８】
前記Ｎ個の保護モジュールのそれぞれが電流制限モジュールを備える、請求項３に記載の医療機器。
【請求項９】
前記電流制限モジュールが、並列に接続されたＸ個のトランジスタを備え、Ｘが１より大きい整数であり、前記Ｘ個のトランジスタの制御端子が前記Ｍ個の制御モジュールの少なくとも１個と通信する、請求項８に記載の医療機器。
【請求項１０】
前記電流制限モジュールが、
抵抗素子と、
前記抵抗素子と並列に接続されて前記制御モジュールにより選択的に制御されるスイッチモジュールと、
を備える、請求項８に記載の医療機器。
【請求項１１】
前記抵抗素子が可変抵抗素子を備え、前記制御モジュールが前記可変抵抗素子の抵抗を選択的に変更する、請求項１０に記載の医療機器。
【請求項１２】
パルスを選択的に発生するパルス発生器と、
前記パルスを選択的に制御する制御モジュールと、
前記医療機器に電力を供給し、
Ｎが１より大きい整数であるＮ個のバッテリと、
共通ノードと、
前記制御モジュールからの制御信号に基づいて前記Ｎ個のバッテリのうちの第１のバッテリを前記共通ノードから選択的に切断するとともに前記Ｎ個のバッテリのうちの第２のバッテリを前記共通ノードに選択的に接続し、前記Ｎ個のバッテリの各々により与えられる電流を監視するＮ個の保護モジュールとを備える、電力供給システムとを備え、
前記制御モジュールが前記電流に基づいて前記制御信号を発生する、医療機器。
【請求項１３】
前記共通ノードを前記パルス発生器および前記制御モジュールに選択的に接続する第１のスイッチモジュールをさらに備える、請求項１２に記載の医療機器。
【請求項１４】
前記医療機器がペースメーカーシステムを備え、前記パルスが心臓ペーシングパルスを含む、請求項１２に記載の医療機器。
【請求項１５】
前記制御モジュールがＭ個の制御モジュールを備え、前記医療機器が前記Ｍ個の制御モジュールの１個を前記パルス発生器に選択的に接続する第１のスイッチモジュールをさらに備え、Ｍが１より大きい整数である、請求項１２に記載の医療機器。
【請求項１６】
前記第１のスイッチモジュールは、更に、前記Ｍ個の制御モジュールの前記１個をＮ個の保護モジュールの１個に選択的に接続する、請求項１５に記載の医療機器。
【請求項１７】
前記パルス発生器がＰ個のパルス発生器を備え、前記医療機器が前記Ｐ個のパルス発生器の１個を前記Ｍ個の制御モジュールの前記１個に選択的に接続する第２のスイッチモジュールをさらに備え、Ｐが１より大きい整数である、請求項１５に記載の医療機器。
【請求項１８】
リード線と、
前記Ｐ個のパルス発生器の前記１個を前記リード線に選択的に接続する第３のスイッチモジュールと、
をさらに備える、請求項１７に記載の医療機器。
【請求項１９】
第１のスイッチモジュールが冗長性スイッチモジュールを備える、請求項１３に記載の医療機器。
【請求項２０】
前記Ｎ個の保護モジュールのそれぞれが電流制限モジュールを備える、請求項１２に記載の医療機器。
【請求項２１】
前記電流制限モジュールが、並列に接続されたＸ個のトランジスタを備え、Ｘが１より大きい整数であり、前記Ｘ個のトランジスタの制御端子が前記制御モジュールと通信する、請求項９に記載の医療機器。
【請求項２２】
前記電流制限モジュールが、
抵抗素子と、
前記抵抗素子と並列に接続されて前記制御モジュールにより選択的に制御されるスイッチと、
を備える、請求項２０に記載の医療機器。
【請求項２３】
前記抵抗素子が可変抵抗素子を備え、前記制御モジュールが前記可変抵抗素子の抵抗を選択的に変更する、請求項２２に記載の医療機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月22日(2009.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘導性存在、近接、または位置センサであって、誘導コイルを入れるハウジングまたはケーシングのカバーリングプレートまたは実質的な平面部分の外面に相当する、センサの作業面つまりアクティブ面を画定する誘導コイルを備え、前記プレートまたは平面部分が、高い機械抵抗のある金属から作られ、コイル軸に実質的に垂直に配置され、
前記プレートまたは平面部分（４）が、前記プレートまたは平面部分（４）を少なくとも部分的に横切って広がる、少なくとも１つの切断部または類似する線形の切れ目（６、６’）を備えることを特徴とする、センサ（１）。
【請求項２】
前記少なくとも１つの横断方向に広がる切断部（６、６’）が、プレートまたは平面部分（４）の総面積に対して実質的に中心に置かれることを特徴とする、請求項１に記載の誘導性センサ。
【請求項３】
少なくとも１つの切断部（６、６’）が、プレートまたは平面部分（４）の厚み全体を通って広がり、誘電材料（７）で好ましくは緊密に充填されるスロットを形成することを特徴とする、請求項１または２に記載の誘導性センサ。
【請求項４】
少なくとも１つの切断部（６、６’）が、プレートまたは平面部分（４）の厚みの一部だけにわたって広がり、切断されておらず連続している材料の層（８）を残し、前記少なくとも１つの切断部（６、６’）が、プレートまたは平面部分（４）の外（３）面または内（３’）面に設けられ、切断部（６）が、好ましくは誘電材料（７）で充填されることを特徴とする、請求項１または２に記載の誘導性センサ。
【請求項５】
プレートまたは平面部分（４）の２つの反対側面（３と３’）の一方に位置する、少なくとも１つの連続するまたは連続しない切断部（６、６’）が、ケーシングまたはハウジング（５）に位置するコイル（２）の軸（Ｘ）と検討される面（３または３’）との交差点（Ｐ）を通過する直線上（Ｌ）に配置されることと、前記少なくとも１つの切断部（６、６’）が、前記プレートまたは平面部分（４）を横断方向に横切る前記直線（Ｌ）により画定される方向で、プレートまたは平面部分（４）の長さつまり寸法（Ｄ）の実質的な部分に相当する長さを有することとを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項６】
プレートまたは平面部分（４）が、少なくとも２つの切断部（６）を備え、該切断部（６）が、コイル（２）の軸（Ｘ）とプレートまたは平面部分（４）の検討される面（３または３’）との交差点（Ｐ）を通過する同じ直線（Ｌ）によって組で支えられ、前記交差点（Ｐ）に対して相互に対称に配置され、したがって、２つのセグメント（６）から作られる少なくとも１つの連続していない切断部（６’）を形成し、連続していない切断部（６’）が、同じ直線（Ｌ）によって支えられ、前記交差点（Ｐ）の領域内の所与の距離（ｄ）によって分離されることを特徴とする、請求項５に記載の誘導性センサ。
【請求項７】
プレートまたは平面部分（４）が、１つの切断部（６、６’）を備えることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項８】
プレートまたは平面部分（４）が、少なくとも２つの、好ましくは複数の切断部（６、６’）を備えることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項９】
切断部（６、６’）が、交差点（Ｐ）をすべて通過するさまざまな直線（Ｌ）に配置され、前記交差点（Ｐ）の周りに、好ましくは実質的に規則的な円周上の角配度置でも配列されることを特徴とする、請求項６に従属するときの請求項８に記載の誘導性センサ。
【請求項１０】
プレートまたは平面部分（４）が、二次切断部（９）をさらに備え、該二次切断部（９）が、一次切断部と接続することなく一次切断部と見なされる切断部（６）間に広がり、交差点（Ｐ）の周りに、前記交差点（Ｐ）から多様な距離に位置する１つまたは複数の同心層に配置されることを特徴とする、請求項９に記載の誘導性センサ。
【請求項１１】
切断部（６）の見掛け表面の、プレートまたは平面部分（４）の総表面に対する比率が、０．００１と０．９の中に含まれることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項１２】
切断部（６）のプレートまたは平面部分に対する表面比率が、０．０１から０．１０の間に含まれ、好ましくは約０．０５であることを特徴とする、請求項１１に記載の誘導性センサ。
【請求項１３】
切断部（６）のプレートまたは平面部分（４）に対する表面比率が、０．０５から０．２０の間に含まれ、好ましくは約０．１０であることを特徴とする、請求項１１に記載の誘導性センサ。
【請求項１４】
プレートまたは平面部分（４）が、円盤形状を有することを特徴とする、請求項１から１３のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項１５】
平面部分（４）が、円形のセクションを備えた円筒形のハウジングまたはケーシング（５）の一体端部閉鎖壁からなり、前記ハウジングまたはケーシング（５）の外面に、好ましくはねじ山が設けられることを特徴とする、請求項１から１４のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【請求項１６】
プレートまたは平面部分（４）が、特殊鋼、好ましくはステンレス鋼から作られることを特徴とする、請求項１から１５のいずれか一項に記載の誘導性センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板と、
少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、
前記カソード電極上で成長したエミッタチップ用カーボンナノチューブと、
前記下部基板に対向し位置して、蛍光物質と透明電極を含む上部基板と、
を含むことを特徴とする面光源装置。
【請求項２】
前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極の上部に形成されるゲート電極を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置。
【請求項３】
前記ゲート電極は、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、金（Ａｕ）、タングステン（Ｗ）、およびクロム（Ｃｒ）からなる群より選択される少なくとも1つの金属を含むことを特徴とする、請求項２に記載の面光源装置。
【請求項４】
２層構造のカソード電極が、クロムを含む下部カソード電極層と、チタンを含む上部カソード電極層とを含むことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の面光源装置。
【請求項５】
下部カソード電極層は、ゲート電極と同じ物質を含むことを特徴とする、請求項４に記載の面光源装置。
【請求項６】
下部基板と、少なくとも２つの層を含み、上層は銀（Ａｇ）、鉛（Ｐｂ）、ニオブ（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、ビスマス（Ｂｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、およびモリブデン−タングステン合金からなる群より選択される少なくとも１つの金属を含む、前記下部基板上に形成されたカソード電極と、前記カソード電極上に成長されたエミッタチップ用カーボンナノチューブと、前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板を含む面光源装置と、
前記面光源装置の上部に配置された液晶表示パネルと、
を含むことを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項７】
下部基板と、
前記下部基板上に形成され、少なくとも２つの層を含むカソード電極と、
前記カソード電極の上部に形成され、前記カソード電極と絶縁され開口部を通して前記カソード電極の表面の一部を露出させるゲート電極と、
前記ゲート電極の上部に形成される触媒金属層と、
前記ゲート電極の開口部に対応する前記カソード電極上に位置し、前記触媒金属層を利用して成長したカーボンナノチューブと、
前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板と、
を含むことを特徴とする、面光源装置。
【請求項８】
前記カソード電極が、下部カソード電極層および上部カソード電極層を含むことを特徴とする、請求項７に記載の面光源装置。
【請求項９】
前記下部カソード電極層が、前記ゲート電極と同じ物質を含むことを特徴とする、請求項８に記載の面光源装置。
【請求項１０】
下部基板上にカソード電極を形成する段階と、
前記カソード電極の上部に、前記カソード電極と絶縁され、前記カソード電極の表面の一部を露出させる開口部を有するゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート電極の上部の、前記ゲート電極の開口部から露出された前記カソード電極の表面に触媒金属層を形成する段階と、
前記ゲート電極の開口部に対応する前記カソード電極上にカーボンナノチューブを、前記触媒金属層を利用して成長させる段階と、
前記下部基板に対向して位置し、蛍光物質と透明電極とを有する上部基板を形成する段階と、
を含むことを特徴とする、面光源装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テキスト・コマンド駆動の端末セッションに対するコマンドを管理するためのコンピュータにより実施される方法であって、  インターフェースにおいて前記端末セッションの選択を受信するステップと、  前記インターフェースにおいて前記端末セッションに対するコマンドを受信するステップと、  前記コマンドを前記インターフェース内のリストに配列するステップと、  前記リストにおけるブレークポイントを受信するステップであって、前記送信ステップが、前記ブレークポイントに到達するまで、前記複数のコマンドを前記順に従って前記端末セッションに送信するステップを含む、ステップと、
前記インターフェースにおいて前記リスト内のブレークポイントを示すステップと、
実行のために前記コマンドを前記端末セッションに送信するステップと、  前記インターフェースにおいて結果を受信して、前記端末セッションにおける前記コマンドの実行に応答して検証するステップと、
前記インターフェースにおいて前記コマンドが前記端末セッションにおいて実行されたときに前記結果が検証されたか否かを示すステップであって、検証が実行されたかどうか、検証が失敗したかどうか、検証が行われなかったかどうか、または前記コマンドが送信されなかったか、が示される、ステップと、
前記結果を検証するためのタイムアウト値を設定するステップと、
を含むコンピュータにより実施される方法。
【請求項２】
前記リストが、順に配列された複数のコマンドを含み、前記送信ステップが、前記複数のコマンドを、前記順に従って前記端末セッションに送信するステップを含む、請求項１に記載のコンピュータにより実施される方法。
【請求項３】
前記結果を検証すべき別の端末セッションの選択を受信するステップをさらに含む、請求項１に記載のコンピュータにより実施される方法。
【請求項４】
請求項1乃至３のいずれかの方法の各ステップをコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項５】
請求項1乃至３のいずれかの方法の各ステップを実行するための各手段をすべて備える、コンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーダ／ライタからの通信信号より、受信データの開始を示す信号、前記受信データ、及び前記受信データの終了を示す信号を識別して抽出する受信回路と、
前記受信データに従って演算処理を行い、送信データを生成する演算回路と、
前記送信データの開始を示す信号、前記送信データ、及び前記送信データの終了を示す信号から前記リーダ／ライタへの通信信号を生成する送信回路と、
受信処理状態、演算処理状態、または送信処理状態のいずれか一の状態を示す状態制御レジスタとを有し、
前記状態制御レジスタが前記受信処理状態のとき、前記受信回路が動作するとともに前記演算回路及び前記送信回路が停止しており、
前記状態制御レジスタが前記演算処理状態のとき、前記演算回路が動作するとともに前記受信回路及び前記送信回路が停止しており、
前記状態制御レジスタが前記送信処理状態のとき、前記送信回路が動作するとともに前記受信回路及び前記演算回路が停止していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記状態制御レジスタは、
前記受信データの終了を示す信号を受信したときに前記受信処理状態から前記演算処理状態に変化し、
前記演算処理回路において前記演算処理が終了したときに前記演算処理状態から前記送信処理状態に変化し、
前記送信データの送信終了時に前記送信処理状態から前記受信処理状態に変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記演算回路における電源線と前記演算回路以外の回路における電源線とは、互いに独立した電源線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記演算回路が停止しているとき、前記演算回路における電源線と電源回路との電気的接続が遮断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記状態制御レジスタは、前記受信データまたは前記送信データを保存する機能を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記受信回路、前記演算回路、前記送信回路、及び前記状態制御レジスタは、ガラス基板上において薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記受信回路、前記演算回路、前記送信回路、及び前記状態制御レジスタは、プラスチック基板上において薄膜トランジスタで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アンテナの作製方法、半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷方向に沿って第１の開口部と第２の開口部とが並んだスクリーン印刷版を用いたアンテナの作製方法であって、
前記第１の開口部から導電性ペーストを押し出してダミーパターンを形成した後、続けて前記第２の開口部から前記導電性ペーストを押し出して前記アンテナを形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記印刷方向と垂直方向における前記ダミーパターンの幅は、前記印刷方向と垂直方向における前記アンテナの幅よりも広いことを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項３】
印刷方向に沿って第１の開口部と第２の開口部とが並んだスクリーン印刷版を用いたアンテナの作製方法であって、
前記第１の開口部から導電性ペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記第２の開口部から前記導電性ペーストを押し出して第２の導電膜を形成することにより、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜からなる前記アンテナを形成し、
前記印刷方向と垂直方向における前記第１の導電膜の幅は、前記印刷方向と垂直方向における前記第２の導電膜の幅よりも広いことを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の開口部はコイル状であることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項５】
トランジスタを有する素子群と、
前記トランジスタと電気的に接続され、且つ、印刷方向に沿って第１の開口部と第２の開口部とが並んだスクリーン印刷版を用いて形成されたアンテナと、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の開口部から導電性ペーストを押し出してダミーパターンを形成した後、続けて前記第２の開口部から前記導電性ペーストを押し出して前記アンテナを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記印刷方向と垂直方向における前記ダミーパターンの幅は、前記印刷方向と垂直方向における前記アンテナの幅よりも広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
トランジスタを有する素子群と、
前記トランジスタと電気的に接続され、且つ、印刷方向に沿って第１の開口部と第２の開口部とが並んだスクリーン印刷版を用いて形成されたアンテナと、を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の開口部から導電性ペーストを押し出して第１の導電膜を形成した後、続けて前記第２の開口部から前記導電性ペーストを押し出して第２の導電膜を形成することにより、前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜からなる前記アンテナを形成し、
前記印刷方向と垂直方向における前記第１の導電膜の幅は、前記印刷方向と垂直方向における前記第２の導電膜の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の開口部はコイル状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるための情報処理装置において、
前記表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるためのユーザインターフェースデータを外部より取得する取得手段と、
前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記取得したユーザインターフェースデータのユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を、前記ユーザインターフェースデータのレイアウト指定情報に対応する表示制御処理で前記表示装置の画面に表示するかどうかを判断する制御手段とを有し、
前記制御手段は、前記ユーザインターフェース部品を前記表示装置の画面に表示しないと判断した場合、前記取得したユーザインターフェースデータの代替ユーザインターフェース指定情報を参照することにより、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理で前記ユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を表示させることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理も前記表示装置の画面上の表示に適さないと判断した場合、前記ユーザインターフェース部品の階層化された表示制御ルールに関する情報を参照し、前記ユーザインターフェース部品の次善の表示制御処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示装置の画面に関する情報は、前記画面のサイズおよび解像度のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるための情報処理装置の表示制御処理方法において、
前記表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるためのユーザインターフェースデータを外部より制御手段が取得する取得ステップと、
前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記取得されたユーザインターフェースデータのユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を、前記ユーザインターフェースデータのレイアウト指定情報に対応する表示制御処理で前記表示装置の画面に表示するかどうかを制御手段が判断する判断ステップと、
前記判断ステップにおいて、前記ユーザインターフェース部品を前記表示装置の画面に表示しないと前記制御手段が判断した場合、前記取得したユーザインターフェースデータの代替ユーザインターフェース指定情報を参照することにより、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理で前記ユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を前記制御手段が前記表示装置の画面に表示させる表示制御処理ステップと、を有することを特徴とする表示制御処理方法。
【請求項５】
前記表示制御処理ステップにおいては、前記制御手段が前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理も前記表示装置の画面上の表示に適さないと判断した場合、前記ユーザインターフェース部品の階層化された表示制御ルールに関する情報を参照し、前記ユーザインターフェース部品の次善の表示制御処理を実行することを特徴とする請求項４に記載の表示制御処理方法。
【請求項６】
前記表示装置の画面に関する情報は、前記画面のサイズおよび解像度のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項４に記載の表示制御処理方法。
【請求項７】
ユーザインターフェース部品の表示を制御する情報処理装置を制御するためのプログラムにおいて、
表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるためのユーザインターフェースデータを外部より制御手段が取得する取得ステップと、
前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記取得されたユーザインターフェースデータのユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を、前記ユーザインターフェースデータのレイアウト指定情報に対応する表示制御処理で前記表示装置の画面に表示するかどうかを制御手段が判断する判断ステップと、
前記判断ステップにおいて、前記ユーザインターフェース部品を前記表示装置の画面に表示しないと前記制御手段が判断した場合、前記取得したユーザインターフェースデータの代替ユーザインターフェース指定情報を参照することにより、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理で前記ユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を前記制御手段が前記表示装置の画面に表示させる表示制御処理ステップとをコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項８】
前記表示制御処理ステップにおいては、前記制御手段が前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理も前記表示装置の画面上の表示に適さないと判断した場合、前記ユーザインターフェース部品の階層化された表示制御ルールに関する情報を参照し、前記ユーザインターフェース部品の次善の表示制御処理を実行するようコンピュータに実行させることを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
前記表示装置の画面に関する情報は、前記画面のサイズおよび解像度のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項７に記載のプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前述の問題点を鑑み、表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるための情報処理装置において、前記表示装置の画面にユーザインターフェース部品を表示させるためのユーザインターフェースデータを外部より取得する取得手段と、前記表示装置の画面に関する情報に基づいて、前記取得したユーザインターフェースデータのユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を、前記ユーザインターフェースデータのレイアウト指定情報に対応する表示制御処理で前記表示装置の画面に表示するかどうかを判断する制御手段とを有し、前記制御手段は、前記ユーザインターフェース部品を前記表示装置の画面に表示しないと判断した場合、前記取得したユーザインターフェースデータの代替ユーザインターフェース指定情報を参照することにより、前記ユーザインターフェース部品の代替の表示制御処理で前記ユーザインターフェース部品指定情報に対応するユーザインターフェース部品を表示させることを特徴とする情報処理装置等、を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続される第１の導電層を前記第１の開口部に形成し、
前記絶縁層上に、第１の樹脂層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、導電性粒子を含む層を形成し、
アンテナとして機能する第２の導電層と第２の樹脂層が形成された第２の基板と前記第１の基板を貼り合わせ、前記導電性粒子を含む層を介して、前記第１の導電層と前記第２の導電層を電気的に接続させ、
前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続される第１の導電層を前記第１の開口部に形成し、
前記絶縁層上に、第１の樹脂層を形成し、
前記第１の樹脂層上に、第２の樹脂層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、導電性粒子を含む層を形成し、
アンテナとして機能する第２の導電層が形成された第２の基板と前記第１の基板を貼り合わせ、前記導電性粒子を含む層を介して、前記第１の導電層と前記第２の導電層を電気的に接続させ、
前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続される第１の導電層を前記第１の開口部に形成し、
前記絶縁層上に、第１の樹脂層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、導電性粒子を含む層を形成し、
アンテナとして機能する第２の導電層と第２の樹脂層が形成された第２の基板と前記第１の基板を貼り合わせ、前記第２の樹脂層と導電性粒子を含む層を介して、前記第１の導電層と前記第２の導電層を電気的に接続させ、
前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上にトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続される第１の導電層を前記第１の開口部に形成し、
前記絶縁層上に、第１の樹脂層を形成し、
前記第１の導電層に接するように、第１の導電性粒子を含む第１の層を形成し、
アンテナとして機能する第２の導電層と第２の導電性粒子を含む第２の層と第２の樹脂層が形成された第２の基板と前記第１の基板を貼り合わせ、前記第１の導電性粒子を含む第１の層、前記第２の導電性粒子を含む第２の層及び第２の樹脂層を介して、前記第１の導電層と第２の導電層を電気的に接続させ、
前記第１の基板から前記トランジスタを含む積層体を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、前記導電性粒子を含む層として、銀粒子を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４において、前記第１の導電性粒子を含む第１の層と前記第２の導電性粒子を含む第２の層の一方又は両方として、銀粒子を含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記剥離層として、タングステン又はモリブデンを含む層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
トランジスタと、
前記トランジスタ上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成された開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層と、
前記絶縁層上に形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に形成された開口部を介して、前記第１の導電層と電気的に接続された導電性粒子を含む層と、
第２の樹脂層とアンテナとして機能する第２の導電層が形成された基板とを有し、
前記第２の導電層は、前記導電性粒子を含む層を介して、前記第１の導電層と電気的に接続され、前記基板は、前記第２の樹脂層を介して、前記第１の樹脂層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
トランジスタと、
前記トランジスタ上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層に形成された開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層と、
前記絶縁層上に形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、前記第１の導電層と電気的に接続された導電性粒子を含む層と、
第２の樹脂層とアンテナとして機能する第２の導電層が形成された基板とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の樹脂層と前記導電性粒子を含む層を介して、前記第１の導電層と電気的に接続され、前記基板は、前記第２の樹脂層を介して、前記第１の樹脂層上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
トランジスタと、
前記トランジスタ上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に形成された開口部を介して、前記トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層と、
前記絶縁層上に形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層に形成された開口部を介して、前記第１の導電層と電気的に接続された第１の導電性粒子を含む第１の層と、
第２の樹脂層、アンテナとして機能する第２の導電層及び第２の導電性粒子を含む第２の層が形成された基板とを有し、
前記第２の導電層は、前記第２の導電性粒子を含む第２の層、前記第２の樹脂層及び前記第１の導電性粒子を含む第１の層を介して、前記第１の導電層と電気的に接続され、前記基板は、前記第２の樹脂層を介して、前記第１の樹脂層上に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８又は請求項９において、前記導電性粒子を含む層は、銀粒子を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０において、前記第１の導電性粒子を含む第１の層と前記第２の導電性粒子を含む第２の層の一方又は両方は、銀粒子を含むことを特徴とする半導体装置。