Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上でマスターもしくはスレーブとして動作する通信装置であって、
他の通信装置に対してネットワークの再構築を要求する要求手段と、
前記要求手段による要求に対する応答に基づいて、前記通信装置が新たにマスターになるかスレーブになるかを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する設定手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
前記設定手段は、次にマスターの探索を行うまでの待機時間を設定することを特徴とする請求項１記載の通信装置。
【請求項３】
マスターを検知する検知手段を有し、
前記要求手段は、前記検知手段により検知したマスターに対して、前記再構築の要求を行うことを特徴とする請求項１又は２記載の通信装置。
【請求項４】
前記他の通信装置の機器能力を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した機器能力に基づいて、マスターとスレーブを交換するか判断する判断手段と、を有し、
前記要求手段は、前記判断手段による判断に応じて、前記再構築の要求を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記他の通信装置の機器能力を取得する取得手段と、
マスターとスレーブを交換するかのユーザの指示を検出する検出手段と、を有し、
前記要求手段は、前記検出手段による検出に応じて、前記再構築の要求を行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項６】
前記他の通信装置に対して自己の機器能力を通知する通知手段と、
マスターの指定を受信するマスター指定受信手段と、を有し、
前記要求手段は、前記マスター指定受信手段による受信に応じて、前記再構築の要求を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項７】
前記要求に対する応答として、ネットワーク再構築の許可を受信した場合、前記設定手段は、前記待機時間を他の通信装置の待機時間よりも短い値に設定することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項８】
ネットワーク上でマスターもしくはスレーブとして動作する通信装置であって、
ネットワーク再構築の要求を受信する受信手段と、
前記受信手段による受信に基づいて、前記通信装置が新たにマスターになるかスレーブになるかを判別する判別手段と、
前記判別手段による判別に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する設定手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項９】
前記設定手段は、次にマスターの探索を行うまでの待機時間を設定することを特徴とする請求項８記載の通信装置。
【請求項１０】
前記受信手段により受信した前記再構築の要求に対する応答を送信する送信手段を有し、
前記設定手段は、前記待機時間を、前記送信手段によりネットワーク再構築の許可を送信した通信装置の待機時間よりも長い値に設定することを特徴とする請求項８又は９記載の通信装置。
【請求項１１】
他の通信装置の機器能力を取得する取得手段と、
前記取得手段により取得した機器能力に基づいて、マスターとスレーブを交換するか判断する判断手段と、
前記判断手段による判断に応じて、次にマスターになるべき通信装置に対してマスターの指定を通知する通知手段と、
を有することを特徴とする請求項８から１０のいずれか１項に記載の通信装置。
【請求項１２】
通信装置の制御方法であって、
他の通信装置に対してネットワークの再構築を要求する要求工程と、
前記要求に対する応答に基づいて、新たにマスターになるかスレーブになるかを判別する判別工程と、
前記判別工程における判別に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１３】
通信装置の制御方法であって、
ネットワーク再構築の要求を受信する受信工程と、
前記要求の受信に基づいて、新たにマスターになるかスレーブになるかを判別する判別工程と、
前記判別工程における判別に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する工程と、
を有することを特徴とする通信装置の制御方法。
【請求項１４】
マスターもしくはスレーブとして動作する通信装置からなる通信システムであって、
スレーブは、
マスターに対してネットワーク再構築を要求する要求手段と、
前記要求に対する応答に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する手段と、を有し、
マスターは、
ネットワーク再構築の要求を受信する受信手段と、
前記受信手段による受信に基づいて、新たなマスターを決定するための動作開始までの待機時間を設定する手段と、
を有することを特徴とする通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
現在、我が国では地上デジタル放送が開始されている。地上デジタル放送では、移動受信端末、例えば携帯端末向けの放送が計画されている。この携帯端末向けの放送を良好に受信するために、携帯端末の現在位置において受信可能な地上デジタル放送番組を示すＥＰＧを携帯端末に配信する技術が、例えば特許文献１に開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１上面、及び前記第１上面とは反対側の第１下面を有する第１ベース基板と、
第１主面、前記第１主面に形成された第１パッド、及び前記第１主面とは反対側の第１裏面を有し、前記第１ベース基板上に配置された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップを封止する第１樹脂層と、
前記第１パッドと電気的に接続された第１配線と、
第２上面、及び前記第２上面とは反対側の第２下面を有し、前記第１半導体チップ上に配置された第２ベース基板と、
第２主面、前記第２主面に形成された第２パッド、及び前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２主面が前記第１半導体チップの前記第１主面と同一方向を向くように、前記第２ベース基板上に配置された第２半導体チップと、
前記第２半導体チップを封止する第２樹脂層と、
前記第２パッドと電気的に接続された第２配線と、
前記第２半導体チップ上に配置されたレジスト膜と、
前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続された第３配線と、
前記第３配線と電気的に接続され、前記第１ベース基板の前記第１下面側に配置された複数の外部端子と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップは、前記第１裏面が前記第１ベース基板の前記上面と対向するように、前記第１ベース基板上に配置され、
前記第１樹脂層は、前記第１半導体チップの前記第１パッドが露出するように、前記第１半導体チップを封止しており、
前記第１配線は、前記第１樹脂層上に配置され、
前記第２ベース基板は、前記第１配線上に配置され、
前記第２半導体チップは、前記第２裏面が前記第２ベース基板の前記第２上面と対向するように、前記第２ベース基板上に配置され、
前記第２樹脂層は、前記第２半導体チップの前記第２パッドが露出するように、前記第２半導体チップを封止しており、
前記第２配線は、前記第２樹脂層上に配置され、
前記レジスト膜は、前記第２配線上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記第２配線上には、ビルドアップ材を介してビアランドが配置されており、
前記ビアランドは、前記第３配線と電気的に接続されており、
前記ビアランドの一部は、前記レジスト膜から露出されており、
前記レジスト膜上には、複数の第３パッドを有する第３半導体チップが配置され、
前記第１樹脂層内、前記第２ベース基板内及び前記第２樹脂層内には、第４配線が形成されており、
前記第３半導体チップの前記複数の第３パッドのうちの一つは、前記ビアランドの前記一部と電気的に接続され、
前記第３半導体チップの前記複数の第３パッドのうちの一つは、前記第４配線を介して前記複数の外部端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、メモリ回路を有しており、
前記第３半導体チップは、演算処理機能を有しており、
前記複数の外部端子の一つは、前記第４配線、前記第３半導体チップ及び前記第３配線を介して、前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記第３配線は、前記第２ベース基板内に形成され、前記第１配線と電気的に接続された第１スルーホール配線と、前記第２樹脂層内に形成され、前記第２配線と電気的に接続された第２スルーホール配線とを有し、
前記第２ベース基板の厚さは、前記第２樹脂層の厚さとほぼ同じ厚さであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップ及び前記第２半導体チップは、ダブル・データ・レート・シンクロナスＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間には、プレーン層が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記プレーン層は、ＧＮＤ層であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置において、
前記第３半導体チップは、前記複数の第３パッドが形成された第３主面と、前記第３主面とは反対側の第４主面とを有し、
前記第３半導体チップは、前記第３主面が前記レジスト膜と対向するように、前記レジスト膜上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
すなわち、本発明は、第１上面、及び前記第１上面とは反対側の第１下面を有する第１ベース基板と、第１主面、前記第１主面に形成された第１パッド、及び前記第１主面とは反対側の第１裏面を有し、前記第１ベース基板上に配置された第１半導体チップと、前記第１半導体チップを封止する第１樹脂層と、前記第１パッドと電気的に接続された第１配線と、第２上面、及び前記第２上面とは反対側の第２下面を有し、前記第１半導体チップ上に配置された第２ベース基板と、第２主面、前記第２主面に形成された第２パッド、及び前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２主面が前記第１半導体チップの前記第１主面と同一方向を向くように、前記第２ベース基板上に配置された第２半導体チップと、前記第２半導体チップを封止する第２樹脂層と、前記第２パッドと電気的に接続された第２配線と、前記第２半導体チップ上に配置されたレジスト膜と、前記第１配線及び前記第２配線と電気的に接続された第３配線と、前記第３配線と電気的に接続され、前記第１ベース基板の前記第１下面側に配置された複数の外部端子と、を含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板厚方向に貫通するスルーホール内に筒状のスルーホール導体及びその内側を充填する充填材が形成されたコア部を備える配線基板であって、
前記充填材は無機フィラーを含む樹脂材料で構成され、該無機フィラーの平均粒径をＸ（μｍ）としたとき、Ｘの最大値が５μｍ、当該充填材の端面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＲｚ≦Ｘ／２を満たし、当該充填材の端面が前記スルーホール導体と接続された蓋状導体に覆われており、
前記コア部の主面上に２層以上の樹脂絶縁層が導体層を介して形成され、
前記樹脂絶縁層に埋設され前記蓋状導体と接続されたビア導体を備え、
前記ビア導体が板厚方向に連なってスタックドビアを構成するとともに、当該スタックドビアが前記蓋状導体上に位置することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記充填材の端面の十点平均粗さ（Ｒｚ）がＸ／３≦Ｒｚである請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記ビア導体が前記スルーホール上の中央領域に位置する請求項１又は２に記載の配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、
板厚方向に貫通するスルーホール内に筒状のスルーホール導体及びその内側を充填する充填材が形成されたコア部を備える配線基板であって、
充填材は無機フィラーを含む樹脂材料で構成され、該無機フィラーの平均粒径をＸ（μｍ）としたとき、Ｘの最大値が５μｍ、当該充填材の端面におけるＪＩＳ−Ｂ−０６０１に規定する十点平均粗さ（Ｒｚ）がＲｚ≦Ｘ／２を満たし、当該充填材の端面がスルーホール導体と接続された蓋状導体に覆われており、
コア部の主面上に２層以上の樹脂絶縁層が導体層を介して形成され、
樹脂絶縁層に埋設され蓋状導体と接続されたビア導体を備え、
ビア導体が板厚方向に連なってスタックドビアを構成するとともに、当該スタックドビアが蓋状導体上に位置することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の配線基板は、
充填材の端面の十点平均粗さ（Ｒｚ）をＸ／３≦Ｒｚとすることができる。これにより、充填材の端面の平均粗さＲｚを充填材に含まれる無機フィラーの平均粒径の３分の１以上とすることで、十分なアンカー効果が得られる表面粗さとすることができる。よって、蓋状導体を充填材の端面上に密着した状態で備えることができる。すなわち、上記温度サイクルによる過度の応力集中が生じてもデラミネーションを発生することなく、密着性が良好な蓋状導体を充填材端面上に備えることができ、ひいては電気的接続性に優れる高密度な配線基板を提供することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、前述したように、樹脂材と金属材とは熱膨張率が異なるので、ビア導体（金属材）と樹脂絶縁層（樹脂材）との間にも熱膨張率の差が生じることから、温度サイクルによる膨張及び収縮の影響をうける。このビア導体が蓋状導体上に形成されると、ビア導体が蓋状導体上に形成されない場合と比して蓋状導体により大きな応力が生じ、蓋状導体は充填材の端面から剥離（デラミネーション）し易くなる。また、その応力は、ビア導体をスルーホール上の中央領域に形成したときに一番大きく生じ、蓋状導体は充填材の端面から剥離（デラミネーション）し易くなる。本発明の配線基板では、そのような状況下でも剥離（デラミネーション）が生じることなく安定して蓋状導体上にビア導体を設けることができ、さらには、一番大きく応力が生じるスルーホール上の中央領域にもビア導体を設けることができる。ここで、本発明におけるスルーホール上とは、コア部から板厚方向に樹脂絶縁層を形成（積層）していく方向を上向きとしている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、通常、スタックドビアは、複数のビア導体が板厚方向に連なって形成されており、ビア導体である金属材と樹脂絶縁層である樹脂材との接する距離が長い（面積が広い）ため、その一番下方にあるビア導体と接続される蓋状導体により大きな応力が生じる。しかし、そのような状況下においても蓋状導体が充填材の端面から剥離（デラミネーション）が生じることなく安定して蓋状導体上にスタックドビアを設けることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板からなり集積回路を有する半導体基板の一面に前記集積回路に電気的に接続されて設けられた複数の柱状電極を形成し、前記半導体基板の他面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記レーザ加工により前記半導体基板の前記凹部の縁部に形成されたバリ及び前記凹部の周囲に付着したシリコン屑不要物を除去することを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑の除去は研磨材を用いた機械的研磨により行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑の除去はウェットエッチ
ングにより行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項４】
請求項１に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シ
リコン基板の一面をダイシング用の粘着テープに貼り付け、ダイシングを行うことを特徴
とする半導体装置のマーク形成方法。
【請求項５】
請求項１に記載の発明において、前記バリ及び前記シリコン屑を除去した後に、前記シ
リコン基板の一面をダイシング用の紫外線硬化型の粘着シートに貼り付け、ダイシングを
行うことを特徴とする半導体装置のマーク形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明は、上記目的を達成するため、シリコン基板からなり集積回路を有する半導体基板の一面に前記集積回路に電気的に接続されて設けられた複数の柱状電極を形成し、前記半導体基板の他面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、前記レーザ加工により前記半導体基板の前記凹部の縁部に形成されたバリ及び前記凹部の周囲に付着したシリコン屑不要物を除去することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明によれば、シリコン基板からなり集積回路を有する半導体基板の一面に前記集積回路に電気的に接続されて設けられた複数の柱状電極を形成し、前記半導体基板の他面にレーザ照射によるレーザ加工により凹部からなるマークを形成し、この後、レーザ加工により半導体基板の前記凹部の縁部に形成されたバリ及び前記凹部の周囲に付着したシリコン屑不要物を除去しているので、半導体基板の他面にレーザ加工により凹部からなるマークを形成しても、半導体基板の凹部以外の他面を平坦化することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地盤中に少なくとも一部が埋設された構造物の浮き上がりを防止するための浮き上がり防止構造であって、
前記構造物の地盤中に埋設された部分の側壁周囲全体を前記構造物を構築する際に設けられる地中連続壁で囲み、前記地中連続壁を非液状化地盤にまで達するように設けると共にジョイント筋により前記構造物と一体化することで前記地中連続壁の自重を前記構造物の自重に付加して前記構造物の浮上を防止したことを特徴とする構造物の浮き上がり防止構造。
【請求項２】
地盤中に少なくとも一部が埋設された構造物の浮き上がりを防止するための浮き上がり防止構造の構築方法において、
地盤中に非液状化地盤に達するように地中連続壁を打設する工程と、
前記地中連続壁の内側を所定の深さまで掘削する工程と、
掘削された範囲で前記地中連続壁にジョイント筋を付設する工程と、
前記地中連続壁の内側に構造物の側壁を形成すると共に前記地中連続壁と前記構造物の側壁とを前記ジョイント筋により一体化する工程
とを含むことを特徴とする構造物の浮き上がり防止構造の構築方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を達成するために、この発明に係る構造物の浮き上がり防止構造は、地盤中に少なくとも一部が埋設された構造物の浮き上がりを防止するための構造であって、前記構造物の地盤中に埋設された部分の側壁周囲全体を前記構造物を構築する際に設けられる地中連続壁で囲み、前記地中連続壁を非液状化地盤にまで達するように設けると共にジョイント筋により前記構造物と一体化することで前記地中連続壁の自重を前記構造物の自重に付加して前記構造物の浮上を防止したことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
地中連続壁は、地中構造物を構築する場合の止水や土留めのために構造物の施工予定地の周囲に予め設けられるものであるので、この地中連続壁を構造物にジョイント筋によって一体化すれば、地中構造物の重量に地中連続壁の重量が加えられる。このため、地中の構造物に作用する浮力に対抗することが可能となり、構造物の浮き上がりを防止することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、地中連続壁は、被圧水が進入しない岩盤などの非液状化地盤に達するように設けられているので、地中構造物を構築するために地中連続壁の内側を所定の深さまで掘削する際の掘削底面の盤ぶくれや被圧水の大量自噴を防止することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上述の構造物の浮き上がり防止構造は、地中に非液状化地盤に達するように地中連続壁を打設する工程と、前記地中連続壁の内側を所定の深さまで掘削する工程と、掘削された範囲で前記地中連続壁にジョイント筋を付設する工程と、前記地中連続壁の内側に構造物の側壁を形成すると共に前記地中連続壁と前記構造物の側壁とを前記ジョイント筋により一体化する工程とを少なくとも経て構築するようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以上述べたように、本発明によれば、地盤中に少なくとも一部が埋設された構造物の浮き上がり防止構造を、構造物の地盤中に埋設された部分の側壁周囲全体を前記構造物を構築する際に設けられる地中連続壁で囲み、地中連続壁を非液状化地盤にまで達するように設けると共にジョイント筋により構造物と一体化することで地中連続壁の自重を構造物の自重に付加して構造物の浮上を防止したので、浮き上がり防止機構を構築するために新たな設備や構造を設ける必要がなく、コストをかけずに構造物の浮き上がり防止を図ることが可能になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、地中連続壁は非液状化地盤にまで達するように設けられるので、地中に被圧水の層があっても、その層を地中連続壁によって確実に遮蔽することが可能となり、被圧水による掘削底面の盤ぶくれや、被圧水の大量自噴を防止することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、上述した構造物の浮き上がり防止機構が、少なくとも、地中に非液状化地盤に達するように地中連続壁を打設する工程と、前記地中連続壁の内側を所定の深さまで掘削する工程と、掘削された範囲で前記地中連続壁にジョイント筋を付設する工程と、前記地中連続壁の内側に構造物の側壁を形成すると共に前記地中連続壁と前記構造物の側壁とを前記ジョイント筋により一体化する工程とにより構築されるので、地中連続壁に設けられたジョイント筋を構造物の施工時の仮設支持部材として使用することが可能となり、構造物の構築作業を容易にすることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動口に遊技球が入球したことを検出手段が検出すると、その検出結果に基づいて制御手段において記録された乱数から各種カウンタ値を抽選し、所定のカウンタ値を取得したときに表示手段に表示演出される識別変動表示が所定の絵柄で停止すると遊技に対する付加価値を遊技者に与える第１遊技状態と、前記第１遊技状態とは異なる付加価値を与える第２遊技状態となる遊技機において、
前記第２遊技状態に移行するまでの第１経緯と、前記第１経緯とは異なる経緯で第２遊技状態に移行させる第２遊技状態移行手段を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記第２遊技状態移行手段は、
遊技球の入球を検出する入球検出手段と、
前記入球検出手段が遊技球の入球を検出すると第２遊技状態に移行するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により第２遊技状態に移行すると判定されたとき、第２遊技状態への移行を示すための動作をする複数個の動作部材とから構成され、
かつ、前記複数個の動作部材のうちの少なくとも１個の動作部材が視認しづらいものであり、
前記複数個の動作部材のうちの少なくとも１個が、遊技盤面上で動作するように配設した装飾部材の一部であることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１に記載の遊技機において、
前記絵柄は、絵柄ごとに複数の組からなり、
前記表示手段に表示される前記絵柄の変動表示を制御する表示制御手段と、
さらに、変動表示後の停止絵柄が所定絵柄の組み合わせで揃っていないにも関わらず、所定絵柄の組み合わせで揃って停止し、第２遊技状態となったときに行われる表示演出と同じ表示演出を擬似的に行うように前記表示制御手段に指示する擬似表示指示手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項４】
始動口に遊技球が入球したことを検出手段が検出すると、その検出結果に基づいて主制御手段において記録された乱数から各種カウンタ値を抽選し、所定のカウンタ値を取得したときに表示手段に表示演出される識別変動表示が所定の絵柄で停止すると遊技に対する付加価値を遊技者に与える第１遊技状態と、前記第１遊技状態とは異なる付加価値を与える第２遊技状態となる遊技機において、
遊技球を発射させる発射手段と、
前記発射手段により発射された遊技球に挙動を与えながら流下させる遊技領域を有する遊技盤と、
前記遊技盤面上で動作する動作部材と、
前記主制御手段により抽選の結果、前記第１遊技状態および第２遊技状態となることの条件が成立しているか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段の判定の結果、第２遊技状態となる条件が成立している場合、前記動作部材を作動制御する作動制御手段と、
前記主制御手段による抽選の結果、前記第１遊技状態となる条件が成立している場合、前記動作部材を作動制御する副制御手段と、
を備え、
さらに、前記遊技盤には、同時に複数個の遊技球の入賞を可能とするように前記遊技盤の前面側に備わった扉の開放・閉鎖の動作を繰り返す大入賞口と、
前記大入賞口よりも小形で遊技球の入賞を可能とする小入賞口とが形成されており、
前記動作部材は、前記小入賞口への遊技球の入球の許可および阻止する両位置に移動可能に配備され、
かつ、前記主制御手段による抽選の結果、前記第１遊技状態の条件が成立した場合、前記作動制御手段が、前記大入賞口の扉を開放・閉鎖の動作を繰り返す動作をさせるとともに、副制御手段が前記動作部材を阻止位置と許可位置とにわたって移動させ、
前記主制御手段による抽選の結果、前記第２遊技状態の条件が成立した場合、前記作動制御手段が、阻止位置と許可位置とにわたって前記動作部材を移動させる
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定数の遊技球を一単位として遊技を行い、遊技結果に応じた数の遊技球を払い出すように構成した遊技機において、
遊技機の前面に設けられるとともに遊技に供する遊技球を貯留する上皿貯留部を備える上皿と、
前記上皿に向けて球送出口から遊技球を払い出す払出装置と、
前記球送出口と前記上皿貯留部とを繋ぐ球供給通路に設けられ前記球送出口から払い出された遊技球を貯留可能な予備貯留部と、を備え、
前記球送出口の配置高さを基準に、前記予備貯留部と前記上皿貯留部とが順次に低く配置され、
前記予備貯留部は、遊技機の裏面側において遊技機の裏面に沿った方向に延出して形成されるとともに、払い出された遊技球を１球づつ整列させて前記上皿貯留部に向けて誘導する整流通路を備え、該整流通路の底面が前記上皿貯留部に向けて下傾することを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記予備貯留部は、前記整流通路と、遊技球を貯留する貯留空間とに区分けされ、いずれの底面も前記上皿貯留部に向けて下傾することを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、従来、デジタルカメラが、パーソナルコンピュータに接続され、デジタルカメラの操作部材が操作されると、その操作の内容がパーソナルコンピュータの表示装置上に表示されるシステムが知られている（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００２−１２３３４９号公報
【特許文献２】特開２００２−８４４３９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を遊技領域に発射する発射装置を備えた遊技機であって、
前記発射装置の発射強度を調整する操作が可能な発射強度操作手段と、
前記発射装置による遊技球の発射を停止させる操作が可能な発射停止操作手段と、
遊技機に設けられた電気部品を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、
遊技状態に応じて、前記発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したことに応じて前記発射装置の発射強度を複数段階の発射強度のうちいずれの強度に調整する操作をすべきかを示す信号を遊技機の外部に出力するための発射信号出力処理とを実行する
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
所定の払出条件の成立により遊技球を払い出す払出手段を備え、
制御手段は、
遊技状態に応じて、発射装置による遊技球の発射を停止すべき条件が成立したか否かを判定する発射可否判定処理と、
遊技状態に応じて、前記払出手段による遊技球の払い出しを禁止する禁止条件が成立したか否かを判定する払出禁止判定処理とを実行し、
前記払出禁止判定処理により禁止条件が成立したと判定されたときに、前記発射可否判定処理において前記発射装置による遊技球の発射を停止すべき条件が成立したと判定する
請求項１記載の遊技機。  
【請求項３】
遊技領域に設けられ、遊技球が入賞しやすい第１状態と、入賞し難いもしくは入賞しない第２状態とに変化可能な可変入賞装置を備え、
制御手段は、
遊技状態に応じて、前記可変入賞装置の状態を変化させるか否かを判定する可変入賞判定処理を実行し、
前記可変入賞判定処理により前記可変入賞装置を第１状態に変化させることが判定されたときに、発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したと判定する
請求項１または請求項２記載の遊技機。
【請求項４】
遊技状態に応じて、遊技球を遊技領域のいずれの領域に向けて発射すべきかを遊技者に報知する報知手段を備え、
制御手段は、
前記報知手段による報知を実行するか否かを判定する報知判定処理を実行し、
前記報知判定処理により前記報知手段による報知を実行することが判定されたときに、発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したと判定する
請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による遊技機は、遊技球を遊技領域に発射する発射装置を備えた遊技機であって、発射装置の発射強度を調整する操作が可能な発射強度操作手段（例えば操作ノブ５）と、発射装置による遊技球の発射を停止させる操作が可能な発射停止操作手段（例えば発射停止スイッチ）と、遊技機に設けられた電気部品（例えば、可変入賞球装置や球払出装置）を制御する制御手段（例えば遊技制御手段および払出制御手段）とを備え、制御手段が、遊技状態に応じて、発射装置の発射強度を変更すべき条件（例えば、大入賞口の設置位置を狙って遊技球を発射するような強度に変更すべきこと）が成立したことに応じて発射装置の発射強度を複数段階の発射強度（例えば、左打ち、中打ち、右打ちの３段階に応じた発射強度、ただし、３段階に限定されない）のうちいずれの強度に調整する操作をすべきかを示す信号（例えば、発射位置指定信号１，２，３）を遊技機の外部に出力するための発射信号出力処理（例えば、遊技制御手段のうちで試験端子処理を実行する手段による処理（ステップＳ３３））とを実行することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
所定の払出条件（例えば入賞口への遊技球の入賞）の成立により遊技球を払い出す払出手段（例えば球払出装置９７）を備え、制御手段が、遊技状態に応じて、発射装置による遊技球の発射を停止すべき条件が成立したか否かを判定する発射可否判定処理（例えば、払出制御手段のうちでエラー処理を実行する手段による処理（ステップＳ７５７））と、遊技状態に応じて、払出手段による遊技球の払い出しを禁止する禁止条件が成立したか否かを判定する払出禁止判定処理（例えば、払出制御手段のうちでエラー処理を実行する手段による処理（ステップＳ７５７））を実行し、払出禁止判定処理により禁止条件が成立したと判定されたときに、発射可否判定処理において発射装置による遊技球の発射を停止すべき条件が成立したと判定する（例えば、図７に示す反転回路とＡＮＤ回路による処理をソフトウェアで実行する変形例）ように構成されていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
遊技領域に設けられ、遊技球が入賞しやすい第１状態（例えば開放状態）と、入賞し難いもしくは入賞しない第２状態（例えば閉成状態）とに変化可能な可変入賞装置（例えば大入賞口）を備え、制御手段が、遊技状態に応じて、可変入賞装置の状態を変化させるか否かを判定する可変入賞判定処理（例えば、遊技制御手段のうちで特別図柄プロセス処理を実行する手段による大入賞口を開閉する処理（ステップＳ３０５））を実行し、可変入賞判定処理により可変入賞装置を第１状態に変化させることが判定されたときに、発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したと判定するように構成されていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
遊技状態に応じて、遊技球を遊技領域のいずれの領域（例えば右側領域）に向けて発射すべきかを遊技者に報知する報知手段（例えば可変表示装置９）を備え、制御手段が、報知手段による報知を実行するか否かを判定する報知判定処理（例えば、遊技制御手段のうちの可変表示装置９において右打ちを行うべきであることを判定する手段による処理）を実行し、報知判定処理により報知手段による報知を実行することが判定されたときに、発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したと判定するように構成されていてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１記載の発明では、遊技機が、発射装置の発射強度を変更すべき条件が成立したことに応じて発射装置の発射強度を複数段階の発射強度のうちいずれの強度に調整する操作をすべきかを示す信号を遊技機の外部に出力するように構成されているので、遊技機の遊技状態に応じて正確な試射試験データを得られるようにすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２記載の発明では、払出禁止判定処理により禁止条件が成立したと判定されたときに、発射可否判定処理において発射装置による遊技球の発射を停止すべき条件が成立したと判定するので、払出禁止状態において遊技球が発射されて正確な試射試験が行えないという状況の発生を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
消火設備配管上に設置され内部がスイングチャッキ式の逆止弁構造をしており、内部は隔壁によって一次側と二次側に分けられ、隔壁には連通口が穿設されており該連通口は軸支された弁体によって開閉可能であり、二次側に接続されたスプリンクラーヘッドの作動により一次側から二次側へ流水が生じた際の弁体の回動を検出して信号を出力する流水検知装置において、弁体の一次側面に円柱または先細りのテーパー形状の突起が設けられており、弁体の回動軸と弁座の高さ位置を同位置に設けたことを特徴とする流水検知装置。
【請求項２】
弁体が所定時間継続して開放された際に信号が出力される遅延手段が設けられている請求項１記載の流水検知装置。
【請求項３】
前記突起を弁体が閉止する方向に作用する手段とした請求項１又は請求項２記載の流水検知装置。
【請求項４】
弁体の一次側面にシール部材が設けられ、該シールの内側には一次側へ先細りテーパー状に突出したスカートが設置されている請求項１〜請求項３何れか１項記載の流水検知装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
弁体２の一次側面にはゴム板やＯリング等のシール部材が設けられ、またシール部材の内側には一次側へ先細りテーパー状に突出したスカート１０が設置されている。これは連通口６の一次側Ｉから二次側ＩＩへの流体の通過面積を小さくすることで、微量な流水が生じた場合でも弁体２が大きく回動するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ポンプＰの起動等による配管内の水の振動により弁体２が開く際は、弁体２が瞬時的に開いてもスカート１０が錘になり常に弁体２を閉止する方向に力が作用することから弁体２は閉止状態に戻るので、遅延機構１８によって信号が出力されることはない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
各発光半導体領域４a〜４fの一方の主面１９即ちｐ型半導体層１８の一方の主面にｐ型半導体層１８に低抵抗接続（オーミック抵抗）されている光透過性導電膜２２が設けられている。光透過性導電膜２２は、例えばITO（インジウム・錫・酸化物）から成り、各発光半導体領域４a〜４fに流れる電流の分布の均一化を図る機能を有する。もし、発光半導体領域４a〜４fの電流分布の均一化が要求されない場合には光透過性導電膜２２を省くこともできる。
各発光半導体領域４ａ〜４ｆの側面はこれ等の他方の主面２０に対して傾斜している。各発光半導体領域４ａ〜４ｆの側面の傾斜角度は、各発光半導体領域４ａ〜４ｆの他方の主面２０に対して７５度以上且つ９０度未満であることが望ましい。この範囲の傾斜角度にすれば、各発光半導体領域４ａ〜４ｆから側面方向に放射された光が隣の各発光半導体領域に漏れることを抑制できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本実施例の半導体発光装置は次の効果を有する。
（１）  駆動電流の電流通路として機能する第１の配線導体層２、３が半導体基板１の中に形成され、且つ第１〜第３の発光半導体領域４a〜４ｃの他方の主面２０が第１番目の第１の配線導体層２に電気的に接続され、第４〜第６の発光半導体領域４ｄ〜４ｆの他方の主面２０が第２番目の第１の配線導体層３に電気的に接続されている。上記の半導体発光領域（発光素子）４a〜４ｆの最下層に対する電気的配線の構成は、例えば特許文献１に示されている従来のLEDアレイにおける半導体発光領域（発光素子）の最下層に金属配線導体を接続するために最下層に横方向突出部分（台部分）を設け、横方向突出部分の上に金属配線導体を接続する構成と本質的に相違する。従来の横方向突出部分の上に金属配線導体を接続する構成の場合には、既に説明したように横方向突出部分が駆動電流全部の電流通路となるので、半導体発光領域（発光素子）の最下層及び横方向突出部分が比較的厚く形成される。これに対して本実施例では、バッファ層１５の下に駆動電流の電流通路として機能する第１の配線導体層２、３があり、且つ第１の配線導体層２、３が半導体基板１の中に形成されているので、バッファ層１5を従来よりも薄く形成することができ、各発光半導体領域４a〜４fの薄型化（小型化）が達成されるのみでなく、各発光半導体領域４a〜４f のオン抵抗の低減を図ることも可能になる。
（２）  第１〜第３の発光半導体領域４a〜４ｃに対する第１番目の第１の配線導体層２の接続、第４〜第６の発光半導体領域４ｄ〜４ｆに対する第２番目の第１の配線導体層３の接続は、発光半導体層４a〜４fと半導体基板１との間で達成されているので、従来の半導体発光領域（発光素子）の最下層における横方向突出部分（台状部分）に相当するものを設けることが不要になり、半導体基板１の一方の主面１３の面積を小さくすることができる。また、横方向突出部分（台状部分）が無い分だけ発光半導体領域４a〜４fの相互間隔を小さくすることができる。
（３）  各第１の配線導体層２、３の幅W2が各発光半導体領域４a〜４fの幅W1よりも大きいので、発光半導体領域４a〜４fの結晶性を良くすることが可能になる。即ち、既に説明したように第１の配線導体層２、３がイオン注入法で形成された半導体層の場合には、半導体基板１の一方の主面１３における第１の配線導体層２、３と半導体基板１との境界部分に微小突起が生じ、この上のエピタキシャル成長層の結晶性が悪くなる。しかし、この実施例では結晶性が悪い部分を発光半導体領域４a〜４fに使用しないので、発光半導体領域４a〜４fの結晶性は比較的良い。これにより、特性の良い発光半導体領域（発光素子）４a〜４fを提供することができる。
（４）  第１番目の第１の配線導体層２の第１〜第３の発光半導体領域４a〜４ｃが配置されていない部分、第２番目の第１の配線導体層３の第４〜第６の発光半導体領域４ｄ〜４ｆが配置されていない部分の上に低抵抗化半導体層２１が配置されているので、配線抵抗の低減を図ることができる。
（５）  各第１の配線導体層２、３が図１及び図４から明らかなように帯状に形成され、第１番目の第１の配線導体層２の上に第１、第２及び第３の発光半導体領域４a、４b、４cが配列され、第２番目の第１の配線導体層３の上に第４、第５及び第６の発光半導体領域４d、４e、４fが配列されている。従って、第１番目の第１の端子８と第１、第２及び第３の発光半導体領域４a、４ｂ、４cとの間の電気的接続、及び第２番目の第１の端子９と第４、第５及び第６の発光半導体領域４d、４e、４fとの間の電気的接続を容易に達成できる。即ち、マトリックス回路を容易に形成できる。
（６）  第１番目の第１の端子８と第２番目の第１の端子９とは半導体基板１の互いに反対側の辺の近傍に配置されているので、第１番目の第１の端子８と第２番目の第１の端子９との間の電気的分離が良好に達成されるばかりでなく、外部回路に対する電気的接続が容易なように各第１の端子８、９を大きく形成することができる。
（７）  奇数番目の第２の端子１０、１２と偶数番目の第２の端子１１とが反対側の近傍に配置されているので、第２の端子１０〜１２の相互間の電気的分離が良好に達成されるばかりでなく、外部回路に対する電気的接続が容易なように第２の端子１０〜１２を大きく形成することができる。
（８）  第１番目の第１の配線導体層２と第２の配線導体層５、６、７との交差点に第１〜第３の発光半導体領域４a〜４ｃが配置され、第２番目の第１の配線導体層３と第２の配線導体層５、６、７との交差点に第４〜第６の発光半導体領域４ｄ〜４ｆが配置されているので、発光半導体領域4a〜４fが第１の配線導体層２、３と第２の配線導体層５、６、７との層間絶縁の機能を有している。従って、第１の配線導体層２、３と第２の配線導体層５、６、７との間の電気的分離が良好に達成されている。なお、この実施例では第１番目の第１の配線導体層２の一部が第１〜第３の発光半導体領域４a〜４ｃから第２の５、６、７が延びている方向にはみ出し、また第２番目の第１の配線導体層３２の一部が第４〜第６の発光半導体領域４ｄ〜４ｆから第２の配線導体層５、６、７が延びている方向にはみ出しているが、このはみ出し部分は絶縁膜２３によって第２の配線導体層５、６、７から電気的に分離されている。第１の配線導体層２、３と第２の配線導体層５、６、７とが絶縁膜２３を介して重なる部分は極めて小さいので、絶縁膜２３による電気的分離の不良が発生する確率も極めて小さい。
（９）  半導体基板１はシリコンから成るので、サファイア基板及びSiC基板に比べて窒化物半導体からなる発光半導体領域４a〜４fから出る光の透過性が悪いので、半導体基板１の他方の主面（底面）１４で反射した光が隣りの発光半導体領域から外部に放出される現象即ち光の漏れ現象が少なくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質の一方の面に燃料極、他方の面に酸素極が形成された単電池を複数積層してなる燃料電池セルスタックであって、
隣接する単電池を燃料極同士、酸素極同士が対向するように配置し、
絶縁体からなる絶縁枠の両面に導体からなるインターコネクトが設けられた隔壁材を、隣接する単電池の燃料極同士、酸素極同士で挟持し、
対向する燃料極と隔壁材とにより燃料極に燃料ガスを供給する燃料供給流路が形成され、
対向する酸素極と隔壁材とにより酸素極に酸素を供給する酸素供給流路が形成されることを特徴とする燃料電池セルスタック。
【請求項２】
前記燃料供給流路または前記酸素供給流路のうち少なくとも一方が、略矩形状であり、且つ、ガスの流入部および流出部を結ぶ線分に対して線対称、または、前記線分の中点に対して点対称であることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池セルスタック。
【請求項３】
前記燃料供給流路または前記酸素供給流路のうち前記略矩形状とされた少なくとも一方の流路の高さは５００μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の燃料電池セルスタック。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の燃料電池セルスタックを備えることを特徴とする燃料電池装置。
【請求項５】
請求項４に記載の燃料電池装置を備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池セルスタック、燃料電池装置及び電子機器
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、燃料ガスと酸素の電気化学反応により電力を取り出す燃料電池セルスタック、燃料電池装置及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の課題は、発電セル内の流路の圧力損失を低減することである。また、燃料電池セルスタックの小型化を図り、ひいては、燃料電池装置及びそれを備える電子機器の小型化を図ることである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項１に記載の発明は、電解質の一方の面に燃料極、他方の面に酸素極が形成された単電池を複数積層してなる燃料電池セルスタックであって、隣接する単電池を燃料極同士、酸素極同士が対向するように配置し、絶縁体からなる絶縁枠の両面に導体からなるインターコネクトが設けられた隔壁材を、隣接する単電池の燃料極同士、酸素極同士で挟持し、対向する燃料極と隔壁材とにより燃料極に燃料ガスを供給する燃料供給流路が形成され、対向する酸素極と隔壁材とにより酸素極に酸素を供給する酸素供給流路が形成されることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の燃料電池セルスタックであって、前記燃料供給流路または前記酸素供給流路のうち少なくとも一方が、略矩形状であり、且つ、ガスの流入部および流出部を結ぶ線分に対して線対称、または、前記線分の中点に対して点対称であることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の燃料電池セルスタックであって、前記略矩形状とされた少なくとも一方の流路の高さは５００μｍ以下であることを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の燃料電池セルスタックを備えることを特徴とする燃料電池装置である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の燃料電池装置を備えることを特徴とする電子機器である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１に記載の発明によれば、隣接する単電池の燃料極同士、酸素極同士を対向させ、隔壁材を、隣接する単電池の燃料極同士、酸素極同士で挟持し、対向する燃料極と隔壁材とにより燃料極に燃料ガスを供給する燃料供給流路が形成され、対向する酸素極と隔壁材とにより酸素極に酸素を供給する酸素供給流路が形成されるので、燃料電池セルスタックの小型化を図り、ひいては、燃料電池装置及びそれを備える電子機器の小型化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マルチメディアデータのバイナリ記述のための拡張コードをデコーダへ供給する方法において、
前記マルチメディアデータは、記述要素として記述子（Ｄ）と記述スキーム（ＤＳ）から成り、
拡張ツリーブランチコード（ＴＢＣ）がエンコーダによりマルチメディアデータバイナリフォーマット（ＢｉＭ）に含められており、該拡張ツリーブランチコード（ＴＢＣ）によって前記デコーダは、拡張された記述スキーム（ＤＳ）を２つのパートに分割し、一方のパートはまえもって定義されベースとなる記述スキーム（ＤＳ）と同一であり、他方のパートは前記拡張ツリーブランチコード（ＴＢＣ）以降に続くことになる拡張を記述していることを通知することを特徴とする、
マルチメディアデータのバイナリ記述のための拡張コードをデコーダへ供給する方法。
【請求項２】
前記まえもって定義されベースとなる記述スキーム（ＤＳ）はＭＰＥＧ−７の記述スキーム（ＤＳ）である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも前記一方のパートが前記マルチメディアバイナリフォーマット（ＢｉＭ）における１つまたは複数のＢｉＭフラグメントにより表され、該フラグメントにより拡張記述スキーム（ＤＳ）のうちＭＰＥＧ−７と合致したパートは符号変換されることなく前記デコーダにより抽出される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
１つの記述スキーム（ＤＳ）のノードにおいて２つ以上の拡張を可能にするため、前記拡張ツリーブランチコード（ＴＢＣ）がポジションコードといっしょに使用される、請求項１から３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
ＭＰＥＧ−７標準の記述子（Ｄ）および記述スキーム（ＤＳ）の拡張を定義してフォワードコンパチビリティを可能にするために、ＭＰＥＧ−７固有の拡張ツリーブランチコード（ＴＢＣ）が含まれている、請求項１から４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
拡張を伴うＭＰＥＧ−７のデータのためのバイナリフォーマットは、ナビゲーションコマンドとナビゲーションパスとコンテンツマニピュレーションコマンドとサブツリーバイナリ表現であって、
前記ナビゲーションコマンドは、記述スキーム（ＤＳ）のどのパートを次に受け取ることになるのかの情報を前記デコーダに提供し、
前記ナビゲーションパスは、前記デコーダがＭＰＥＧ−７データフォーマット中に含まれる情報を受け取るツリーノードのアドレスを提供し、
前記コンテンツマニピュレーションコマンドは、前記サブツリーに対しどのようなコンテンツマニピュレーションを受け取るのかの情報を前記デコーダに提供する、
請求項１から５のいずれか１項記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、マルチメディアデータのバイナリ記述のための拡張コードをデコーダへ供給する方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明によればこの課題は、マルチメディアデータは、記述要素として記述子と記述スキーム（ＤＳ）から成り、拡張ツリーブランチコードがエンコーダによりマルチメディアデータバイナリフォーマットに含められており、該拡張ツリーブランチコードによって前記デコーダは、拡張された記述スキームを２つのパートに分割し、一方のパートはまえもって定義されベースとなる記述スキームと同一であり、他方のパートは前記拡張ツリーブランチコード以降に続くことになる拡張を記述していることを通知することを通知することにより解決される。