(57)【要約】【課題】ホトセンサ素子と、ホトセンサ配線の不良を検査する。【解決手段】基板と、表示領域に設けられた複数の画素と、前記複数の画素に映像電圧を印加する複数の映像線とを有し、前記基板は、前記表示領域以外の領域に設けられた少なくとも１個のホトセンサ素子と、前記少なくとも１個のホトセンサ素子に接続されたホトセンサ配線と、前記少なくとも１個のホトセンサ素子と、前記複数の映像線のうちの少なくとも１本の映像線とを接続する少なくとも１個の第１スイッチング素子とを有し、前記ホトセンサ素子の検査時に、前記第１スイッチング素子をオンとするとともに、前記ホトセンサ配線を介して前記少なくとも１個のホトセンサ素子に所定の検査電圧を印加することによって、前記画素に前記第１スイッチング素子及び前記映像線を介して信号を印加し、そのときの前記画素の点灯状態に応じて、前記少なくとも１個のホトセンサ素子と前記ホトセンサ配線のうちの少なくとも一方の不良を検出できるようにする。【選択図】図２
2008009246.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、表示領域に設けられた複数の画素と、前記複数の画素に映像電圧を印加する複数の映像線とを有する表示装置であって、
前記基板は、前記表示領域以外の領域に設けられた少なくとも１個のホトセンサ素子と、
前記少なくとも１個のホトセンサ素子に接続されたホトセンサ配線と、
前記少なくとも１個のホトセンサ素子と、前記複数の映像線のうちの少なくとも１本の映像線とを接続する少なくとも１個の第１スイッチング素子とを有し、
前記ホトセンサ素子の検査時に、前記第１スイッチング素子をオンとするとともに、前記ホトセンサ配線を介して前記少なくとも１個のホトセンサ素子に所定の検査電圧を印加することによって、前記画素に前記第１スイッチング素子及び前記映像線を介して信号を印加し、そのときの前記画素の点灯状態に応じて、前記少なくとも１個のホトセンサ素子と前記ホトセンサ配線のうちの少なくとも一方の不良を検出できることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記基板は、前記少なくとも１個のホトセンサ素子を構成する少なくとも１個の薄膜トランジスタと、
第１検査端子と、
第２検査端子と、
第３検査端子と、
第１検査制御端子と、
前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの第１電極と前記第１検査端子とを接続する第１ホトセンサ配線と、
前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの第２電極と前記第２検査端子とを接続する第２ホトセンサ配線と、
前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極と前記第３検査端子とを接続する第３ホトセンサ配線と、
前記少なくとも１個の第１スイッチング素子の制御電極と前記第１検査制御端子とを接続する第１検査制御配線とを有し、
前記薄膜トランジスタの前記第１電極は、前記第１スイッチング素子を介して前記少なくとも１本の映像線と接続されており、
前記ホトセンサ素子の検査時に、前記第１検査制御端子に、前記第１スイッチング素子がオンとなる制御電圧を印加することにより、前記第１スイッチング素子をオンとするとともに、前記第１乃至前記第３ホトセンサ配線を介して前記少なくとも１個の薄膜トランジスタに前記所定の検査電圧を印加することによって、前記画素に前記第１スイッチング素子及び前記映像線を介して前記信号を印加し、そのときの前記画素の前記点灯状態に応じて、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタと前記第１乃至前記第３ホトセンサ配線とのうちの少なくとも１つの不良を検出できることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記基板の周辺部に形成された端子群と、
前記端子群の所定の端子に、電気的・機械的に接続されるフレキシブル配線基板とを有し、
前記端子群は、第１ホトセンサ端子と、
第２ホトセンサ端子と、
第３ホトセンサ端子とを有し、
前記第１ホトセンサ端子は、前記第１ホトセンサ配線を介して前記第１検査端子に接続され、
前記第２ホトセンサ端子は、前記第２ホトセンサ配線を介して前記第２検査端子に接続され、
前記第３ホトセンサ端子は、前記第３ホトセンサ配線を介して前記第３検査端子に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記端子群は、第１制御端子を有し、
前記第１の基板は、前記少なくとも１個の第１スイッチング素子の前記制御電極と前記第１制御端子とを接続する第１制御配線を有し、
前記第１制御端子には、通常の使用状態において、前記少なくとも１個の第１スイッチング素子をオフとする制御電圧が供給されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板は、前記複数の画素に走査電圧を印加する複数の走査線と、
Ｍ個の映像線検査端子と、
Ｎ個の走査線検査端子と、
前記複数の映像線をＭ個のグループにグループ分けし、各グループ内の前記映像線と前記Ｍ個の映像線検査端子の中の１つの映像線検査端子とを接続する複数の第２スイッチング素子と、
前記複数の走査線をＮ個のグループにグループ分けし、各グループ内の前記走査線と前記Ｎ個の走査線検査端子の中の１つの走査線検査端子とを接続する複数の第３スイッチング素子とを有し、
前記第１スイッチング素子をオフとし、前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子をオンとし、前記Ｍ個の映像線検査端子と前記Ｎ個の走査線検査端子とに所定の検査電圧を印加することにより、前記表示装置の点灯検査ができることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子は、通常の使用状態ではオフされていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子の上に、前記表示装置を駆動する半導体チップが配置されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記Ｍは３であり、
前記３つの映像線検査端子は、赤色映像線検査端子と、緑色映像線検査端子と、青色映像線検査端子であることを特徴とする請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記Ｎは２であり、
前記複数の走査線は、隣合う走査線が、前記Ｎ個の走査線検査端子のうち、互いに異なる走査線検査端子に接続されていることを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記Ｎは４であり、
前記複数の走査線は、隣合う走査線が、前記Ｎ個の走査線検査端子のうち、互いに異なる走査線検査端子に接続されていることを特徴とする請求項５ないし請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１スイッチング素子は、通常の使用状態ではオフされていることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記ホトセンサ配線に接続された静電気保護回路を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１個のホトセンサ素子をＰ個のグループに分割する第４スイッチング素子を有することを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記Ｐ個のグループの各グループは、前記複数の映像線のうちの複数本に接続されている特徴とする請求項１３に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第４スイッチング素子は、通常の使用状態ではオンされていることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記少なくとも１個のホトセンサ素子が形成された領域の前記ホトセンサ素子よりも観察者側には遮光膜が形成されていないことを特徴とする請求項１ないし請求項１５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有することを特徴とする請求項１ないし請求項１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に係り、特に、表示パネル内にホトセンサ素子を備えた表示装置の不良検出方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
アクティブ素子として薄膜トランジスタを使用するＴＦＴ方式の液晶表示モジュールは高精細な画像を表示できるため、テレビ、パソコン用ディスプレイ等の表示装置として使用されている。特に、小型のＴＦＴ方式の液晶表示装置は、携帯電話機の表示部として多用されている。
一般に、液晶表示モジュールでは、隣接する２本の走査線（ゲート線ともいう。）と、隣接する２本の映像線（ソース線またはドレイン線ともいう。）とで囲まれる領域に、走査線からの走査信号によってオンする薄膜トランジスタと、映像線からの映像信号が前述の薄膜トランジスタを介して供給される画素電極とが形成されて、所謂、画素が構成される。
これら複数の画素が形成された領域が表示領域であり、当該表示領域を囲んで周辺領域が存在する。周辺領域には、映像駆動回路及び走査線駆動回路を構成する半導体チップ、あるいは、表示領域の走査線と、映像線とを夫々接続するための配線が設けられている。
【０００３】
このように、携帯電話機用の液晶表示モジュールにおいて、周辺領域には、映像駆動回路及び走査線駆動回路を構成する半導体チップ、あるいは、表示領域の走査線と、映像線とを夫々接続するための配線が設けられているが、近年、画像表示領域が大きくなるにつれて、この周辺領域が狭くなりつつある。
そのため、液晶表示パネルを点灯させて検査するための検査端子を設けるスペースを、周辺領域に確保することができないという問題点があった。
なお、検査端子を設けずに、走査線の半導体チップとの接続端子、あるいは、映像線の半導体チップとの接続端子を検査端子として使用することも可能であるが、この場合には、検査装置の端子と接続端子との位置合わせが困難になるという問題点がある。
そのため、液晶表示パネルの不良検出方法として、擬似ダイナミック点灯検査（以下、ＱＤ点灯検査という。）が採用されている。（下記、特許文献１、特許文献２参照）
このＱＤ点灯検査によれば、検査端子の個数を減らすことができるので、周辺領域が狭くなっても、液晶表示パネルを点灯させて検査するための検査端子を配置することが可能である。
【０００４】
一方、携帯電話機用の液晶表示モジュールにおいて、液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えたものも知られている。
この液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えた液晶表示モジュールでは、ホトセンサ素子の出力（換言すれば、外光の明るさ）により、バックライトを構成する白色発光ダイオードの明るさを制御することが可能となる。
液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えた液晶表示モジュールにおいて、ホトセンサ素子、および、ホトセンサ素子に接続された第１乃至第３ホトセンサ配線の一般的な検査手法としては、第１乃至第３ホトセンサ配線の、それぞれの入力端子に信号を印加して差電流値をモニタリングすることによりオープン・ショートを判定する電流モニタ方式が想定される。
【０００５】
なお、本願発明に関連する先行技術文献としては以下のものがある。
【特許文献１】特開２００４−１０１８６３号公報
【特許文献２】特開２００１−３２４７２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述したように、液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えた液晶表示モジュールにおいて、ホトセンサ素子、および、第１乃至第３ホトセンサ配線の検査手法としては電流モニタ方式が想定されるが、この検査方法では、差電流値をモニタリングする検査設備が必要になるという問題点がある。
また、第１乃至第３ホトセンサ配線の、それぞれの入力端子は、検査端子と比較して面積が小さいため、検査装置の端子と入力端子との位置合わせが難しくなるという問題点もあった。
本発明は、前記従来技術の問題点を解決するためになされたものであり、本発明の目的は、表示装置において、ホトセンサ配線を介してホトセンサ素子に所定の検査電圧を印加したときの表示パネルの点灯状態に応じて、ホトセンサ素子と、ホトセンサ配線の不良を検査することが可能となる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。
（１）基板と、表示領域に設けられた複数の画素と、前記複数の画素に映像電圧を印加する複数の映像線とを有する表示装置であって、前記基板は、前記表示領域以外の領域に設けられた少なくとも１個のホトセンサ素子と、前記少なくとも１個のホトセンサ素子に接続されたホトセンサ配線と、前記少なくとも１個のホトセンサ素子と、前記複数の映像線のうちの少なくとも１本の映像線とを接続する少なくとも１個の第１スイッチング素子とを有し、前記ホトセンサ素子の検査時に、前記第１スイッチング素子をオンとするとともに、前記ホトセンサ配線を介して前記少なくとも１個のホトセンサ素子に所定の検査電圧を印加することによって、前記画素に前記第１スイッチング素子及び前記映像線を介して信号を印加し、そのときの前記画素の点灯状態に応じて、前記少なくとも１個のホトセンサ素子と前記ホトセンサ配線のうちの少なくとも一方の不良を検出できる。
（２）（１）において、前記基板は、前記少なくとも１個のホトセンサ素子を構成する少なくとも１個の薄膜トランジスタと、第１検査端子と、第２検査端子と、第３検査端子と、第１検査制御端子と、前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの第１電極と前記第１検査端子とを接続する第１ホトセンサ配線と、前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの第２電極と前記第２検査端子とを接続する第２ホトセンサ配線と、前記ホトセンサ配線を構成し、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタの制御電極と前記第３検査端子とを接続する第３ホトセンサ配線と、
前記少なくとも１個の第１スイッチング素子の制御電極と前記第１検査制御端子とを接続する第１検査制御配線とを有し、前記薄膜トランジスタの前記第１電極は、前記第１スイッチング素子を介して前記少なくとも１本の映像線と接続されており、前記ホトセンサ素子の検査時に、前記第１検査制御端子に、前記第１スイッチング素子がオンとなる制御電圧を印加することにより、前記第１スイッチング素子をオンとするとともに、前記第１乃至前記第３ホトセンサ配線を介して前記少なくとも１個の薄膜トランジスタに前記所定の検査電圧を印加することによって、前記画素に前記第１スイッチング素子及び前記映像線を介して前記信号を印加し、そのときの前記画素の前記点灯状態に応じて、前記少なくとも１個の薄膜トランジスタと前記第１乃至前記第３ホトセンサ配線とのうちの少なくとも１つの不良を検出できる構成としても良い。
（３）（２）において、前記基板の周辺部に形成された端子群と、前記端子群の所定の端子に、電気的・機械的に接続されるフレキシブル配線基板とを有し、前記端子群は、第１ホトセンサ端子と、第２ホトセンサ端子と、第３ホトセンサ端子とを有し、前記第１ホトセンサ端子は、前記第１ホトセンサ配線を介して前記第１検査端子に接続され、前記第２ホトセンサ端子は、前記第２ホトセンサ配線を介して前記第２検査端子に接続され、前記第３ホトセンサ端子は、前記第３ホトセンサ配線を介して前記第３検査端子に接続されている構成としても良い。
（４）（３）において、前記端子群は、第１制御端子を有し、前記第１の基板は、前記少なくとも１個の第１スイッチング素子の前記制御電極と前記第１制御端子とを接続する第１制御配線を有し、前記第１制御端子には、通常の使用状態において、前記少なくとも１個の第１スイッチング素子をオフとする制御電圧が供給される構成としても良い。
【０００８】
（５）（１）から（４）の何れかにおいて、前記基板は、前記複数の画素に走査電圧を印加する複数の走査線と、Ｍ個の映像線検査端子と、Ｎ個の走査線検査端子と、前記複数の映像線をＭ個のグループにグループ分けし、各グループ内の前記映像線と前記Ｍ個の映像線検査端子の中の１つの映像線検査端子とを接続する複数の第２スイッチング素子と、前記複数の走査線をＮ個のグループにグループ分けし、各グループ内の前記走査線と前記Ｎ個の走査線検査端子の中の１つの走査線検査端子とを接続する複数の第３スイッチング素子とを有し、前記第１スイッチング素子をオフとし、前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子をオンとし、前記Ｍ個の映像線検査端子と前記Ｎ個の走査線検査端子とに所定の検査電圧を印加することにより、前記表示装置の点灯検査ができる構成としても良い。
（６）（５）において、前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子は、通常の使用状態ではオフされている構成としても良い。
（７）（５）または（６）において、前記複数の第２スイッチング素子及び前記複数の第３スイッチング素子の上に、前記表示装置を駆動する半導体チップが配置されている構成としても良い。
（８）（５）から（７）の何れかにおいて、前記Ｍは３であり、前記３つの映像線検査端子は、赤色映像線検査端子と、緑色映像線検査端子と、青色映像線検査端子である構成としても良い。
（９）（５）から（８）の何れかにおいて、前記Ｎは２であり、前記複数の走査線は、隣合う走査線が、前記Ｎ個の走査線検査端子のうち、互いに異なる走査線検査端子に接続されている構成としても良い。
（１０）（５）から（８）の何れかにおいて、前記Ｎは４であり、前記複数の走査線は、隣合う走査線が、前記Ｎ個の走査線検査端子のうち、互いに異なる走査線検査端子に接続されている構成としても良い。
【０００９】
（１１）（１）から（１０）の何れかにおいて、前記第１スイッチング素子は、通常の使用状態ではオフされている構成としても良い。
（１２）（１）から（１１）の何れかにおいて、前記ホトセンサ配線に接続された静電気保護回路を有する構成としても良い。
（１３）（１）から（１２）の何れかにおいて、前記少なくとも１個のホトセンサ素子をＰ個のグループに分割する第４スイッチング素子を有する構成としても良い。
（１４）（１３）において、前記Ｐ個のグループの各グループは、前記複数の映像線のうちの複数本に接続されている構成としても良い。
（１５）（１３）または（１４）において、前記第４スイッチング素子は、通常の使用状態ではオンされている構成としても良い。
（１６）（１）から（１５）の何れかにおいて、前記少なくとも１個のホトセンサ素子が形成された領域の前記ホトセンサ素子よりも観察者側には遮光膜が形成されていない構成としても良い。
（１７）（１）から（１６）の何れかにおいて、前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有する構成としても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。
本発明の表示装置によれば、ホトセンサ配線を介してホトセンサ素子に所定の検査電圧を印加したときの表示パネルの点灯状態に応じて、ホトセンサ素子と、ホトセンサ配線の不良を検査することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
以下の実施例では、表示装置の一例として、液晶表示装置に本発明を適用した例を説明する。
図１は、本発明の実施例の液晶表示モジュールの液晶表示パネルの概略構成を示すブロック図である。本実施例の液晶表示モジュールは、携帯電話機の表示部として使用される、小型のＴＦＴ方式の液晶表示モジュールである。
図１に示すように、本実施例の液晶表示パネルは、画素電極、薄膜トランジスタ等が設けられた第１の基板（ＴＦＴ基板、アクティブマトリクス基板ともいう）（ＳＵＢ１）と、カラーフィルタ等が形成される第２の基板（対向基板ともいう）（ＳＵＢ２）とを、所定の間隙を隔てて重ね合わせ、該両基板間の周縁部近傍に枠状に設けたシール材により、両基板を貼り合わせると共に、シール材の一部に設けた液晶封入口から両基板間のシール材の内側に液晶を封入、封止し、さらに、両基板の外側に偏光板を貼り付けて構成される。
このように、本実施例の液晶表示モジュールでは、液晶が一対の基板の間に挟持された構造となっている。
【００１２】
また、第１の基板（ＳＵＢ１）は、第２の基板（ＳＵＢ２）よりも大きな面積を有し、第１の基板（ＳＵＢ１）の、第２の基板（ＳＵＢ２）と対向しない領域には、薄膜トランジスタを駆動するドライバを構成する半導体チップ（Ｄｒ）が実装され、さらに、当該領域の一辺の周辺部には、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）が実装される。本実施例では半導体チップ（Ｄｒ）により表示装置を駆動する例を示しているが、駆動回路を薄膜トランジスタ等を用いて第１の基板（ＳＵＢ１）に一体的に形成して駆動回路を内蔵してもよい。
尚、基板の材質は絶縁性の基板であればよく、ガラスに限られず、プラスチックなどでもよい。また、カラーフィルタは対向基板側ではなくＴＦＴ基板側に設けてもよい。モノクロの場合はカラーフィルタは不要である。フィールドシーケンシャル方式の液晶表示装置であれば、カラーフィルタを設けず、白色発光ダイオードの代わりに３色の光源を用いればよい。
また、対向電極は、ＴＮ方式やＶＡ方式の液晶表示パネルであれば対向基板側に設けられる。ＩＰＳ方式の場合は、ＴＦＴ基板側に設けられる。
なお、本発明において、液晶パネルの内部構造とは関係がない場合は、液晶パネルの内部構造の詳細な説明は省略する。さらに、本発明は、どのような構造の液晶パネルであっても適用可能である。
【００１３】
図２は、本実施例の第１の基板（ＳＵＢ１）を説明するための模式図である。
図２において、ＡＲは表示領域であり、この表示領域ＡＲ内には、画素がマトリクス状に形成される。本実施例の場合、画素電極（ＩＴＯ１）と、映像電圧を画素電極（ＩＴＯ１）に印加するための薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が画素を構成し、マトリクス状に形成される。
行方向の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のゲート電極は、走査線（Ｇ）に接続され、列方向の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のドレイン電極は、映像線（Ｄ）に接続される。薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース電極は、画素電極（ＩＴＯ１）に接続される。
また、画素電極（ＩＴＯ１）と対向信号線（ＣＴ）との間には、保持容量（Ｃst）が形成される。
本実施例では、走査線（Ｇ）に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）をオンとするＨｉｇｈレベルの走査電圧を順次印加する。これにより、１表示ラインの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が順次オンとなり、映像線（Ｄ）上の映像電圧が、１表示ラインの画素電極（ＩＴＯ１）に印加されるので、液晶表示パネルに画像が表示される。
【００１４】
本実施例の液晶表示パネルは、内部にホトセンサ素子を備えている。即ち、本実施例では、第１の基板（ＳＵＢ１）の表示領域（ＡＲ）以外の周辺領域で、第２の基板（ＳＵＢ２）と対向する領域（図２の矢印１０で示す領域）に少なくとも１個のホトセンサ素子を構成する少なくとも１個のトランジスタ（ＰＳ）が配置される。このホトセンサ素子として、薄膜トランジスタを用いることができる。本実施例では、複数のトランジスタ（ＰＳ）を配置した。
複数のトランジスタ（ＰＳ）のソース電極は、第１ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ）を介して、検査端子（ＣＰＳＳ）と、入力端子（ＰＳＳ）に接続される。同様に、複数のトランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極は、第２ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）を介して、検査端子（ＣＰＳＤ）と、入力端子（ＰＳＤ）に接続される。
さらに、複数のトランジスタ（ＰＳ）のゲート電極は、第３ホトセンサ配線（ＰＳＧＷ）を介して、検査端子（ＣＰＳＧ）と、入力端子（ＰＳＧ）に接続される。
複数のトランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極は、第１スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＰＳＴｒ）を介して、液晶表示パネルの映像線（Ｄ）に接続される。トランジスタ（ＰＳＴｒ）としては、薄膜トランジスタを用いることができる。
トランジスタ（ＰＳＴｒ）のゲート電極は、配線（ＰＳＴＧＷ１）を介して、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に接続されるとともに、配線（ＰＳＴＧＷ２）を介して、入力端子（ＶＧＬ２）に接続される。ここで、図２に示す各配線は、第１の基板（ＳＵＢ１）上に形成された配線である。
【００１５】
また、第２の基板（ＳＵＢ２）と対向しない領域に、検査端子（ＣＲ，ＣＧ，ＣＢ）と、検査端子（ＣＲ，ＣＧ，ＣＢ）に接続される映像線検査配線（ＤＲＷ，ＤＧＷ，ＤＢＷ）が配置される。
そして、赤色映像線は、第２スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＱＤＴｒａ）を介して赤色映像線検査配線（ＤＲＷ）に接続され、緑色映像線は、トランジスタ（ＱＤＴｒａ）を介して緑色映像線検査配線（ＤＧＷ）に接続され、青色映像線は、トランジスタ（ＱＤＴｒａ）を介して青色映像線検査配線（ＤＲＷ）に接続される。本実施例では、１本目、４本目、７本目、・・・の映像線（Ｄ）が検査端子（ＣＲ）に、２本目、５本目、８本目、・・・の映像線（Ｄ）が検査端子（ＣＧ）に、３本目、６本目、９本目、・・・の映像線（Ｄ）が検査端子（ＣＢ）に、それぞれグループ分けされて接続された構成となっている。
また、第２の基板（ＳＵＢ２）と対向しない領域に、検査端子（ＣＧ１，ＣＧ２，ＣＧ３，ＣＧ４）と、検査端子（ＣＧ１，ＣＧ２，ＣＧ３，ＣＧ４）に接続される走査線検査配線（Ｇ１Ｗ，Ｇ２Ｗ，Ｇ３Ｗ，Ｇ４Ｗ）が配置される。
そして、奇数行目の走査線は、第３スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＱＤＴｒｂ）を介して、走査線検査配線（Ｇ１Ｗ，Ｇ３Ｗのうちの何れか）に接続され、偶数行目の走査線は、第３スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＱＤＴｒｂ）を介して、走査線検査配線（Ｇ２Ｗ，Ｇ４Ｗのうちの何れか）に接続される。また、対向信号線（ＣＴ）は、コモン配線（ＣＷ）を介して入力端子（ＶＣＯＭ１）に接続される。本実施例では、１本目、５本目、９本目、・・・の走査線（Ｇ）が検査端子（ＣＧ１）に、２本目、６本目、１０本目、・・・の走査線（Ｇ）が検査端子（ＣＧ２）に、３本目、７本目、１１本目、・・・の走査線（Ｇ）が検査端子（ＣＧ３）に、４本目、８本目、１２本目、・・・の走査線（Ｇ）が検査端子（ＣＧ４）に、それぞれグループ分けされて接続された構成となっている。尚、本実施例のように４つにグループ分けするのではなく、奇数行目と偶数行目の２つにグループ分けしてもよい。
また、走査線（Ｇ）の引き回しを、図２のように一方の辺（左側の辺）だけから引き回すのではなく、両方の辺（左側の辺と右側の辺）から引き回す場合は、左側の辺から引き回す４つのグループ（または２つのグループ）と、右側の辺から引き回す４つのグループ（または２つのグループ）の合計８つのグループ（または４つのグループ）に分け、走査線（Ｇ）の検査端子もそれぞれに対応して８つ（または４つ）にしてもよい。
第２スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＱＤＴｒａ）のゲート電極、および、第３スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＱＤＴｒｂ）のゲート電極は、配線（ＴＧＷ）を介して検査端子（ＣＴＧ）と、入力端子（ＶＧＬ１）に接続される。トランジスタ（ＱＤＴｒａ）とトランジスタ（ＱＤＴｒｂ）としては、薄膜トランジスタを用いることができる。
本実施例では、第２スイッチング素子をオンするための配線及び端子と、第３スイッチング素子をオンするための配線及び端子を共通化した例を示しているが、これらを別々に設けても良い。
【００１６】
なお、図２において、入力端子（ＶＣＯＭ１）と、入力端子（ＶＣＯＭ２）には、対向電極に印加する共通電圧（Ｖｃｏｍ）が供給される。
また、図２において、点線枠で示すＦＰＣは、第１の基板（ＳＵＢ１）のこの一辺に実装されるフレキシブル配線基板を示し、入力端子（ＰＳＳ，ＰＳＧ，ＰＳＤ，ＶＣＯＭ１，ＶＣＯＭ２，ＶＧＬ１，ＶＧＬ２）は、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）上の所定の端子と電気的・機械的に接続されている。
次に、図２に示すホトセンサ素子（トランジスタ（ＰＳ））、及び第１乃至第３ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ，ＰＳＤＷ，ＰＳＧＷ）の検査方法について説明する。
（１）初めに、検査端子（ＣＲ，ＣＧ，ＣＢ）に、例えば、それぞれ０Ｖの電圧（ＶＣＲ＝ＶＣＧ＝ＶＣＢ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＧ１，ＣＧ２，ＣＧ３，ＣＧ４）に、例えば、それぞれ１３Ｖの電圧（ＶＣＧ１＝ＶＣＧ２＝ＶＣＧ３＝ＶＣＧ４＝１３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＣ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＣ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＴＧ＝２６Ｖ）を印加する。すなわち、検査のための初期状態として、トランジスタ（ＱＤＴｒａ、ＱＤＴｒｂ）をオンするとともに、各画素のトランジスタ（ＴＦＴ）をオンする。そして、映像信号として０Ｖを印加することで画素を非点灯状態にする。尚、ここでは、ノーマリホワイトモードの液晶表示パネルを用いている場合を例に説明する。
（２）次に、検査端子（ＣＰＳＳ）に、例えば、０Ｖの電圧（ＶＣＰＳＳ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＧ）に、例えば、−５Ｖの電圧（トランジスタ（ＰＳ）がオフする電圧）（ＶＣＰＳＧ＝−５Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＤ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＰＳＤ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＰＳＴＧ＝２６Ｖ）を印加する。これにより、第１スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＰＳＴｒ）がオンする。第２ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）に断線がなければ、トランジスタ（ＰＳＴｒ）及び映像線（Ｄ）を介して３．３Ｖの電圧が画素に供給されるため、画素が点灯する。逆に、表示領域（ＡＲ）が点灯しなければ、第２ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）の断線を検出できる。
【００１７】
（３）次に、検査端子（ＣＰＳＳ）に、例えば、０Ｖの電圧（ＶＣＰＳＳ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＧ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（トランジスタ（ＰＳ）がオンする電圧）（ＶＣＰＳＧ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＤ）に、例えば、０Ｖの電圧（ＶＣＰＳＤ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＰＳＴＧ＝２６Ｖ）の電圧を印加する。これにより、映像線（Ｄ）に３．３Ｖの電圧が流れる、すなわち、表示領域（ＡＲ）が点灯すれば、第３ホトセンサ配線（ＰＳＧＷ）と第２ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）との間のショートを検出できる。
（４）次に、検査端子（ＣＰＳＳ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＰＳＳ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＧ）に、例えば、−５Ｖの電圧（ＶＣＰＳＧ＝−５Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＤ）に、例えば、０Ｖの電圧（ＶＣＰＳＤ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＰＳＴＧ＝２６Ｖ）の電圧を印加する。これにより、映像線（Ｄ）に３．３Ｖの電圧が流れる、すなわち、表示領域（ＡＲ）が点灯すれば、第１ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ）と第３ホトセンサ配線（ＰＳＧＷ）との間、あるいは、第１ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ）と第２ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）との間のショートを検出できる。例えば、トランジスタ（ＰＳ）がオフできないという不良の時もこれに該当する。
【００１８】
（５）次に、検査端子（ＣＰＳＳ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＰＳＳ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＧ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＰＳＧ＝３．３Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＤ）に、例えば、０Ｖの電圧（ＶＣＰＳＤ＝０Ｖ）を印加し、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＰＳＴＧ＝２６Ｖ）の電圧を印加する。これにより、表示領域（ＡＲ）が点灯しなければ、第１ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ）、または、第３ホトセンサ配線（ＰＳＧＷ）の断線を検出できる。また、トランジスタ（ＰＳ）がオンできないという不良の時もこれに該当する。
以上により、ホトセンサ素子およびホトセンサ配線のうちの少なくとも一方の不良を検査できる。
尚、画素の点灯、非点灯の状態を逆にして検査を行っても良い。また、ノーマリブラックモードの液晶表示パネルを用いても良い。何れの場合も、それぞれの検査端子に印加する電圧を適宜変更することで対応可能である。
さらに、ホトセンサ素子の動作を確かめるために、（４）の状態において、光を照射したときに画素が点灯するかどうかを確認しても良い。
検査終了後、通常の使用状態として、液晶表示パネルを駆動させるときには、入力端子（ＶＧＬ２）に、例えば、−５Ｖの電圧を印加する。これにより、配線（ＰＳＴＧＷ２）を介して、トランジスタ（ＰＳＴｒ）のゲート電極に、−５Ｖの電圧が印加されるので、トランジスタ（ＰＳＴｒ）をオフとすることができるので、安定して画像を表示することができる。尚、この実施例ではフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）と接続する端子（ＶＧＬ２）を介してトランジスタ（ＰＳＴｒ）をオフする電圧を印加しているが、半導体チップ（Ｄｒ）の出力端子から供給する構成としても良い。
【００１９】
図４は、従来の、液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えた液晶表示モジュールにおける、第１の基板（ＳＵＢ１）を説明するための模式図である。
図４に示す従来の構成では、第１スイッチング素子を構成するトランジスタ（ＰＳＴｒ）が設けられておらず、そのため、ホトセンサ素子を構成する複数のトランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極は、液晶表示パネルの映像線（Ｄ）に接続されていない。また、検査端子（ＣＰＳＳ，ＣＰＳＧ，ＣＰＳＤ，ＣＰＳＴＧ）も設けられていない。
図４に示す液晶表示モジュールでは、第１乃至第３ホトセンサ配線の、それぞれの入力端子（ＰＳＳ，ＰＳＧ，ＰＳＤ）に信号を印加して、差電流値をモニタリングすることにより、所謂、電流モニタ方式により、トランジスタ（ＰＳ）、および、第１乃至第３ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ，ＰＳＤＷ，ＰＳＧＷ）のオープン・ショートを判定する。
しかしながら、前述したように、電流モニタ方式による検査方法では、差電流値をモニタリングする検査設備が必要になるという問題点がある。さらに、また、第１乃至第３ホトセンサ配線の、それぞれの入力端子（ＰＳＳ，ＰＳＧ，ＰＳＤ）は、検査端子（ＣＰＳＳ，ＣＰＳＧ，ＣＰＳＤ）と比較して面積が小さいため、検査装置の端子と入力端子との位置合わせが難しくなるという問題点もあった。
【００２０】
しかしながら、本実施例によれば、ホトセンサ素子を構成する複数のトランジスタ（ＰＳ）、及び、第１乃至第３ホトセンサ配線（ＰＳＳＷ，ＰＳＤＷ，ＰＳＧＷ）に対するオープン・ショートを、差電流値ではなく表示領域（ＡＲ）の点灯可否でモニタリングすることが可能となる。
これにより、差電流値をモニタリングする装置を新たに導入する必要がなく、現状の検査装置で検査することが可能となる。
また、検査終了後、液晶表示パネルを駆動させるときには、入力端子（ＶＧＬ２）に、例えば、−５Ｖの電圧を印加することで、トランジスタ（ＰＳＴｒ）をオフとすることができるので、安定して画像を表示することができる。
前述したように、ホトセンサ素子（トランジスタ（ＰＳ））は、第１の基板（ＳＵＢ１）の表示領域（ＡＲ）以外の周辺領域で、第２の基板（ＳＵＢ２）と対向する領域に配置される。
一般に、第２の基板（ＳＵＢ２）の、表示領域（ＡＲ）以外の周辺領域には、遮光目的で遮光膜（ＢＭ）が形成される。
そのため、第２の基板（ＳＵＢ２）の表示領域（ＡＲ）以外の周辺領域に、遮光膜（ＢＭ）が形成されている場合には、図３に示すように、表示領域（ＡＲ）以外の周辺領域に形成された遮光膜（ＢＭ）における、ホトセンサ素子を構成する複数のトランジスタ（ＰＳ）と対向する部分に開口部１１を形成する必要がある。
【００２１】
以下、本実施例のＱＤ点灯検査について説明する。尚、以下の説明では、ノーマリホワイトモードの液晶表示パネルを使用した場合について説明する。
図２において、初めに、検査端子（ＣＰＳＴＧ）に、例えば、−５Ｖの電圧（ＶＣＰＳＴＧ＝−５Ｖ）を印加し、トランジスタ（ＰＳＴｒ）をオフとする。また、検査端子（ＣＴＧ）に、例えば、２６Ｖの電圧（ＶＣＴＧ＝２６Ｖ）を印加し、トランジスタ（ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ）をオンとし、さらに、検査端子（ＣＣ）に、例えば、３．３Ｖの電圧（ＶＣＣ＝３．３Ｖ）を印加する。
（１）検査端子（ＣＲ，ＣＧ，ＣＢ）に、所定の電圧を印加し、奇数行目の走査線検査用の検査端子（ＣＧ１，ＣＧ３）に、パルス電圧を印加する。一方、偶数行目の走査線検査用の検査端子（ＣＧ２，ＣＧ４）に、検査端子（ＣＧ１，ＣＧ３）に印加したパルス電圧に対して、周期をずらしたパルス電圧を印加する。このような構成とすることで、液晶表示パネルの表示状態を観察することにより、走査線間の短絡を検出することができる。
（２）次に、赤色映像線検査用の検査端子（ＣＲ）に供給する電圧を対向電圧とほぼ等しい電圧（例えば３．６Ｖ）とし、緑色及び青色映像線検査用の検査端子（ＣＧ，ＣＢ）に供給する電圧を対向電圧からの差が大きい電圧（例えば７Ｖ）にすることで、液晶表示パネルに赤を表示することができる。このとき、正常に赤が表示されているかどうかを調べることで、赤色映像線の断線や、赤色映像線と、赤色映像線に隣接する映像線との間の短絡を検査することができる。
同様にして、緑色、または、青色のどちらか一方を表示することで、断線や、隣合う映像線間の短絡を検査することができる。
尚、画素のＱＤ点灯検査は、本発明のホトセンサ素子の検査よりも前に行うことが望ましい。
【００２２】
検査終了後は、入力端子（ＶＧＬ１）に、例えば、−５Ｖの電圧を印加する。これにより、通常の使用状態では、配線（ＴＧＷ）を介して、トランジスタ（ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ）のゲート電極に、−５Ｖの電圧が印加されるので、トランジスタ（ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ）をオフとすることができるので、安定して画像を表示することができる。
なお、図２において、実線で示す領域（Ｄｒ）は、液晶駆動用の半導体チップが実装される領域であり、検査終了後に、各映像線、および走査線の一端は、半導体チップ（Ｄｒ）の所定の電極と接続される。トランジスタ（ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ）は、半導体チップ（Ｄｒ）に覆われて隠されることが望ましい。
また、この実施例ではフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）と接続する端子（ＶＧＬ１）を介してトランジスタ（ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ）をオフする電圧を印加しているが、半導体チップ（Ｄｒ）の出力端子から供給する構成としても良い。
【００２３】
図５は、本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
本実施例では、ホトセンサ配線に、静電気保護回路を接続している。図５では、静電気保護回路の一例として、少なくとも１個の抵抗（Ｒ）を接続した例を示した。
【００２４】
図６は、本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
本実施例でも、ホトセンサ配線に、静電気保護回路を接続している。図６では、静電気保護回路の一例として、少なくとも１個のダイオード（ＤＩＯＤＥ）を接続した例を示した。双方向ダイオード（ＤＩＯＤＥ）の接続点には、入力端子（ＶＧＬ３）が接続されており、例えば、−５Ｖの電圧が印加されている。
尚、この実施例ではフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）と接続する端子（ＶＧＬ３）を介して双方向ダイオード（ＤＩＯＤＥ）の接続点に所定の電圧を印加しているが、半導体チップ（Ｄｒ）の出力端子から供給する構成としても良い。
【００２５】
図７は、本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
本実施例は、第４スイッチング素子（例えば薄膜トランジスタなどによるトランジスタ（ＰＳＴｒ２））によって、ホトセンサ素子（トランジスタ（ＰＳ））を分割した実施例である。
図２で説明した実施例の場合、ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）がトランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極に常に共通に接続されているため、例えば検査工程の（５）において、トランジスタ（ＰＳ）の一部がオンしないという不良があったとしても、一部のトランジスタ（ＰＳ）が正常にオンすれば、正常と判断されてしまう可能性がある。
そこで、図７に示すように、ホトセンサ配線（ＰＳＤＷ）の途中に、トランジスタ（ＰＳＴｒ２）を配置することで、トランジスタ（ＰＳ）を複数（Ｐ個）のグループに分割する構成とした。トランジスタ（ＰＳＴｒ２）のゲート電極には、検査端子（ＣＰＳＴＧ２）と配線（ＰＳＴＧＷ３）と入力端子（ＶＧＨ）が接続されている。
映像線（Ｄ）も、Ｐ個のグループに分割されている。各グループには、少なくとも１本以上の映像線（Ｄ）が含まれている。ここでは、３本ごとに１つのグループを構成した例を示している。Ｐグループに分割されたトランジスタ（ＰＳ）の各グループは、Ｐグループに分割された映像線（Ｄ）のうちの１つのグループにそれぞれ一対一で対応して、トランジスタ（ＰＳＴｒ）を介して接続されている。
このように構成することで、トランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極を分割して検査したい場合には、例えば、検査端子（ＣＰＳＴＧ２）に−５Ｖの電圧を印加し、トランジスタ（ＰＳＴｒ２）をオフすればよい。トランジスタ（ＰＳ）のドレイン電極をつなげたまま検査したい場合には、例えば、検査端子（ＣＰＳＴＧ２）に１５Ｖの電圧を印加し、トランジスタ（ＰＳＴｒ２）をオンすればよい。
また、通常の使用状態では、例えば、入力端子（ＶＧＨ）に１５Ｖの電圧を印加し、トランジスタ（ＰＳＴｒ２）をオンすればよい。尚、この実施例ではフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）と接続する端子（ＶＧＨ）を介してトランジスタ（ＰＳＴｒ２）をオンする電圧を印加しているが、半導体チップ（Ｄｒ）の出力端子から供給する構成としても良い。
尚、１つのグループの中の映像線（Ｄ）の数は、１本でも構わないが、図７のように２本以上であった方が、画素の点灯または非点灯を判断しやすいので、より好ましい。
また、図５で説明した抵抗（Ｒ）を用いた静電気保護回路を接続しても良い。
【００２６】
図８は、本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
図８では、図７の静電気保護回路を、図６で説明したダイオード（ＤＩＯＤＥ）で構成した実施例である。
【００２７】
尚、本発明は、液晶表示装置に限られず、例えば、有機ＥＬ表示装置など、画素を有する表示装置全般に適用可能である。
また、静電気保護回路の構成は、明細書で説明した構成以外の構成としても良い。さらに、例えば図７や図８において、静電気保護回路を設けるか否かは任意である。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例の液晶表示モジュールの液晶表示パネルの概略構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施例の第１の基板を説明するための模式図である。
【図３】本発明の実施例の第２の基板側に形成される開口部を説明するための図である。
【図４】従来の、液晶表示パネル内にホトセンサ素子を備えた液晶表示モジュールにおける第１の基板を説明するための模式図である。
【図５】本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
【図６】本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
【図７】本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
【図８】本発明の実施例の変形例を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００２９】
１０  第１の基板における第２の基板と対向する領域
１１  開口部
ＳＵＢ１  第１の基板
ＳＵＢ２  第２の基板
ＡＲ  表示領域
Ｇ  走査線
Ｄ  映像線、
Ｄｒ  半導体チップ
ＦＰＣ  フレキシブル配線基板
ＩＴＯ１  画素電極
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ＣＴ  対向信号線
ＰＳ  ホトセンサ素子を構成するトランジスタ
ＰＳＳＷ，ＰＳＤＷ，ＰＳＧＷ  ホトセンサ配線
ＣＰＳＳ，ＣＰＳＤ，ＣＰＳＧ，ＣＰＳＴＧ，ＣＰＳＴＧ２，ＣＣ，ＣＲ，ＣＧ，ＣＢ，ＣＧ１〜ＣＧ４，ＣＴＧ  検査端子
ＰＳＳ，ＰＳＤ，ＰＳＧ，ＶＣＯＭ１，ＶＧＬ１，ＶＧＬ２，ＶＧＬ３，ＶＧＨ，ＶＣＯＭ２  入力端子
ＰＳＴＧＷ１，ＰＳＴＧＷ２，ＰＳＴＧＷ３，ＣＷ，ＴＧＷ  配線
ＤＲＷ，ＤＧＷ，ＤＢＷ  映像線検査配線
ＰＳＴｒ，ＱＤＴｒａ，ＱＤＴｒｂ，ＰＳＴｒ２  スイッチング素子を構成するトランジスタ
Ｇ１Ｗ，Ｇ２Ｗ，Ｇ３Ｗ，Ｇ４Ｗ  走査線検査配線
ＢＭ  遮光膜
Ｒ，ＤＩＯＤＥ  静電気保護回路
【図１】
2008009246.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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