(57)【要約】      （修正有）【課題】洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供する。【解決手段】一般式（１）のノニオン性界面活性剤および一般式（２）のノニオン性界面活性剤から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。2008182221.tif 0000112008182221.tif 000012【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）で示されるノニオン性界面活性剤および一般式（２）で示されるノニオン性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤。
【化１】
2008182221.tif 000008
［式中、Ｒ1は炭素数６〜２４の芳香環含有炭化水素基、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、ｎは１〜５の整数、ｍは１〜１００の整数を表し、ｎ個の（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｃ−）は同一でも異なっていてもよく、ｍ個のＡＯは同一でも異なっていてもよい。］
【化２】
2008182221.tif 000009
［式中、Ｒ4は、炭素数１〜２４の炭化水素基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、ｐは１〜７の整数、ｋは１〜１００の整数を表し、ｐ個のＲ4は同一でも異なっていてもよく、ｋ個のＡＯはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
【請求項２】
前記ノニオン性界面活性剤（Ａ）が一般式（１）で示されるノニオン性界面活性剤であって、クミルフェノールのアルキレンオキサイド付加物である請求項１記載の洗浄剤。
【請求項３】
前記ノニオン性界面活性剤（Ａ）のＨＬＢ値が１０〜１６である請求項１または２記載の洗浄剤。
【請求項４】
前記アニオン性界面活性剤（Ｂ）が、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ１）および／または低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ２）であり、（Ｂ１）および（Ｂ２）がスルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸エステル（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有する請求項１〜３のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項５】
前記高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ１）の重量平均分子量が３００〜８００，０００である請求項４記載の洗浄剤。
【請求項６】
前記低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ２）が、炭素数３〜８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数３〜８の脂肪族アルコールのエチレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、炭素数３〜８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）、炭素数３〜８の脂肪族アルコールの燐酸（モノまたはジ）エステル（塩）および炭素数３〜８の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸（モノまたはジ）エステル（塩）からなる群から選ばれる１種以上である請求項４または５記載の洗浄剤。
【請求項７】
さらにアルカリ成分（Ｄ）を含有し、ｐＨが９〜１４である請求項１〜６のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項８】
前記アルカリ成分（Ｄ）が、一般式（３）で示される有機アルカリ（Ｄ１）、炭素数２〜１４のアルカノールアミン（Ｄ３）および／またはヒドロキシルアミン（Ｄ４）である請求項７記載の洗浄剤。
【化３】
2008182221.tif 000010
［式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ9Ｏ）q−Ｈで表される基であり、Ｒ9は炭素数２〜４のアルキレン基、qは１〜６の整数を表し、ｑ個の（Ｒ9Ｏ）は同一であっても異なっていてもよい。］
【請求項９】
前記ノニオン性界面活性剤（Ａ）に対する前記アニオン性界面活性剤（Ｂ）の重量比が０．０５〜３である請求項１〜８のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法によって洗浄する工程を含む半導体基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板用洗浄剤に関するものである。さらに詳しくは、ノニオン性界面活性剤およびアニオン性界面活性剤を含有する半導体基板用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用基板の洗浄技術において、近年、超ＬＳＩなどに代表される微細加工技術の進歩につれて、基板上に残存する微量の不純物（金属イオンや、金属などの無機物およびレジスト樹脂などの有機物のパーティクル）がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、不純物の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄の対象であるパーティクル自体が、最近では、より微粒子化してきており、微粒子化されたパーティクルは従来以上にさらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため、パーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法が提案されている（特許文献−１および２）。
【０００３】
【特許文献−１】特開平５−１３８１４２号公報
【特許文献−２】特開平６−４１７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献−１で提案されている界面活性剤は非イオン界面活性剤であるため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が不十分である。また、上記特許文献−２で提案されている界面活性剤はアニオン性界面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの微粒子除去性が不十分である。
また、使用時に泡立ちが激しく使用できないなどといった深刻な問題があった。
【０００５】
従って、本発明の目的は、洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする半導体基板用洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決する半導体基板用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、一般式（１）で示されるノニオン性界面活性剤および一般式（２）で示されるノニオン性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上のノニオン性界面活性剤（Ａ）、アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなる半導体基板用洗浄剤；並びに該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法によって洗浄する工程を含む半導体基板の製造方法；である。
【０００８】
【化４】
2008182221.tif 000002
【０００９】
式中、Ｒ1は炭素数６〜２４の芳香環含有炭化水素基、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２４の炭化水素基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、ｎは１〜５の整数、ｍは１〜１００の整数を表し、ｎ個の（Ｒ1Ｒ2Ｒ3Ｃ−）は同一でも異なっていてもよく、ｍ個のＡＯは同一でも異なっていてもよい。
【００１０】
【化５】
2008182221.tif 000003
【００１１】
式中、Ｒ4は、炭素数１〜２４の炭化水素基、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基であり、ｐは１〜７の整数、ｋは１〜１００の整数を表し、ｐ個のＲ4は同一でも異なっていてもよく、ｋ個のＡＯはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体基板洗浄剤は、低泡性であり、微粒子状パーティクルやワックスの洗浄性に優れ、かつ基板の平坦性にも優れているという効果を奏するので、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができる可能性がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明で用いるノニオン性界面活性剤（Ａ）［以下において、単に（Ａ）と表記する場合がある］のうちの１種としては、一般式（１）で示されるノニオン性界面活性剤（Ａ１）が挙げられる。
【００１４】
一般式（１）中のＲ1で示される炭素数６〜２４の芳香環含有炭化水素基としては、フェニル、メチルフェニル、エチルフェニル、ｎ−またはｉ−プロピルフェニル、ブチルフェニル、ペンチルフェニル、ヘキシルフェニル、ヘプチルフェニル、オクチルフェニル、ノニルフェニル、デシルフェニル、ウンデシルフェニル、ドデシルフェニル、メチルナフチル、エチルナフチル、ｎ−またはｉ−プロピルナフチル、ブチルナフチル、ペンチルナフチル、ヘキシルナフチル、ヘプチルナフチル、オクチルナフチル、ノニルナフチル、デシルナフチル、ウンデシルナフチルおよびドデシルナフチル基などが挙げられる。
【００１５】
Ｒ2およびＲ3のうちの炭素数１〜２４の炭化水素基としては、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基および芳香環含有炭化水素基などが挙げられる。
脂肪族炭化水素基としては、炭素数１〜２４のアルキル基および炭素数２〜２４のアルケニル基などが挙げられる（直鎖状または分岐状のいずれでもよい）。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシルおよびテトラコシルなどが挙げられる。
炭素数２〜２４のアルケニル基としては、プロペニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、２−エチルデセニル、エイコセニル、ヘキコセニル、ドコセニル、トリコセニルおよびテトラコセニルなどが挙げられる。
【００１６】
脂環式炭化水素基としては、炭素数３〜２４のシクロアルキル基等が含まれ、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、シクロオクチル、シクロノニル、シクロデシル、シクロドデシル、シクロヘキサデシルおよびシクロエイコシル等が挙げられる。
【００１７】
芳香環含有炭化水素基としては、前記Ｒ1で例示した基と同様のものが挙げられる。
【００１８】
一般式（１）中のｎは1〜５の整数であり、好ましくは１〜３である。
【００１９】
一般式（１）中のＡＯとしては、炭素数２〜４のオキシアルキレン基、例えばオキシエチレン基、１，２−オキシプロピレン基、１，３−オキシプロピレン基、１，２−オキシブチレン基および１，４−オキシブチレン基などが挙げられる。
ＡＯのうち、洗浄性の観点から好ましいのは、オキシエチレン基、１，２−オキシプロピレン基、１，２−オキシブチレン基および１，４−オキシブチレン基であり、さらに好ましいのはオキシエチレン基、１，２−オキシプロピレン基およびこれらの併用であり、併用の場合のｍ個のＡＯの結合様式はランダム結合であってもブロック結合であってもよい。
また、一般式（１）中のｍは、１〜１００の整数であり、好ましくは１〜２０である。なお、一般式（１）で示されるノニオン性界面活性剤（Ａ１）は、通常、一般式（１）で表されるｍが整数である化合物の混合物（ｍに分布のある混合物）として製造され、本発明におけるオキシアルキレン基（ＡＯ）を含む界面活性剤は、通常は、いずれも単一の化合物の混合物であるが、単一の化合物であってもよい。
【００２０】
本発明で用いるノニオン性界面活性剤（Ａ）のうちの１種としては、一般式（２）で示されるノニオン性界面活性剤（Ａ２）が挙げられる。
一般式（２）中の炭素数１〜２４の炭化水素基としては、前記のＲ2またはＲ3で挙げた基と同様のものが挙げられる。また一般式（２）中のｐは１〜７の整数、好ましくは１〜３である。ＡＯは、前記と同様のものが挙げられる。ｋは前記のｍと同様の整数が挙げられる。
【００２１】
本発明のノニオン性界面活性剤（Ａ）は、（Ａ１）、（Ａ２）並びに（Ａ１）と（Ａ２）の併用のいずれでもよく、さらに（Ａ１）または（Ａ２）はそれらのうちのそれぞれ２種以上の併用であってもよい。
好ましいのは、（Ａ１）または（Ａ１）のうちの２種以上の併用である。
【００２２】
本発明のノニオン性界面活性剤（Ａ）の具体例のうち、（Ａ１）としてはクミルフェノールのアルキレンオキサイド付加物および（モノ、ジまたはトリ）スチレン化フェノールのアルキレンオキサイド付加物などが挙げられる。
（Ａ２）としてはαまたはβ−ナフトールのアルキレンオキサイド付加物などが挙げられる。
（Ａ）の内で、洗浄性の観点から好ましいのは（Ａ１）、さらに好ましいのはクミルフェノールのアルキレンオキサイド付加物および（モノ、ジまたはトリ）スチレン化フェノールのアルキレンオキサイド付加物、特に好ましいのはクミルフェノールのアルキレンオキサイド付加物、最も好ましいのはクミルフェノールのエチレンオキサイド（以下、ＥＯと略記）付加物である。
【００２３】
（Ａ）のＨＬＢ値は、有機物に対する洗浄力の観点から、１０〜１６であり、好ましくは１１〜１４、さらに好ましくは１１．５〜１３．５、特に好ましくは１２〜１３である。
なお、本発明において、ＨＬＢ値は、小田法により、下式（１）を用いて算出される値である。［藤本武彦著、新・界面活性剤入門（三洋化成工業株式会社）、ｐ１９７］
【００２４】
ＨＬＢ＝１０×（無機性／有機性）                （１）
なお、式中の有機性、無機性とは、分子を構成する原子及び官能基ごとに定められた数値の合計値であり、上記文献中に記載された値を用いることができる。
具体的には、クミルフェノールのＥＯ１０モル付加物の場合は、上記文献のｐ．１９８記載の第３・３・１１表に記載の値を用いると、ＣＨ3（有機性２０）×２個、Ｃ（有機性２０）×１個、ベンゼン核（有機性１２０、無機性１５）×２個、ＯＨ（無機性１００）×１個、オキシエチレン基（有機性４０、無機性７５）×１０個となり、各有機性、無機性の値の総和から上記式（１）により計算し、ＨＬＢ値１２．６が得られる。
【００２５】
（Ａ）の曇点は、洗浄力の観点から、２％濃度において、１０℃以上が好ましく、さらに好ましくは２５〜９５℃、特に好ましくは４０〜９０℃である。曇点がこの範囲にあると、洗浄時に（Ａ）が析出し基板表面に付着することがなく好ましい。
上記および以下において、特に規定しない限り、％は重量％を示す。
【００２６】
本発明におけるアニオン性界面活性剤（Ｂ）［以下において、単に（Ｂ）と表記する場合がある］としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ１）（分子中に繰り返し単位を３個以上有するもの）および低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ２）が挙げられる。
【００２７】
（Ｂ）のうちで、低起泡性、洗浄性および平坦性の観点から好ましいのは、（Ｂ１）、（Ｂ２）およびこれらの併用であり、さらに好ましいのは（Ｂ１）および（Ｂ２）がスルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸エステル（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる１種以上の基を有するアニオン性界面活性剤であることである。なお、「スルホン酸（塩）基」は「スルホン酸基およびスルホン酸塩基」を表し、以下同様の表現を用いる。
【００２８】
（Ｂ１）の具体例としては、以下の（Ｂ１−１）〜（Ｂ１−５）が挙げられる。
（Ｂ１−１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物およびこれらの塩など；
【００２９】
（Ｂ１−２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物およびセルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースの硫酸エステル化物並びにこれらの塩など；
【００３０】
（Ｂ１−３）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物およびセルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースのリン酸エステル化物並びにこれらの塩など；
【００３１】
（Ｂ１−４）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸｝、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルエタンホスホネート｝、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエタンホスホン酸共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリロイルオキシエチルエタンホスホネート共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物およびこれらの塩など；
【００３２】
（Ｂ１−５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物およびこれらの塩など。
【００３３】
（Ｂ１）が塩である場合の対イオンとしては、例えば、１級アミン｛例えば、アルキルアミン（メチルアミン、エチルアミンおよびブチルアミンなど）、モノエタノールアミンおよびグアニジン｝、２級アミン｛例えば、ジアルキルアミン（ジメチルアミン、ジエチルアミンおよびジブチルアミンなど）およびジエタノールアミン｝並びに３級アミン｛例えば、トリアルキルアミン（トリメチルアミン、トリエチルアミンおよびトリブチルアミンなど）、トリエタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（以下、ＤＡＢＣＯと略記）、１Ｈ−イミダゾール、１−エチル−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾールおよび１，４，５，６−テトラヒドロ−ピリミジン｝にプロトンが付加したカチオン、アンモニウムカチオン並びに第４級アンモニウムカチオン（テトラメチルアンモニウムカチオン、テトラエチルアンモニウムカチオン、１−メチル−３−メチル−イミダゾリウムカチオンおよび１−エチル−３−メチル−イミダゾリウムカチオンなど）が挙げられる。
対イオンの内でパーティクル除去性および残存アルカリ金属原子含有量の観点から好ましいのは、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ＤＢＵ、ＤＢＮおよびＤＡＢＣＯにプロトンが付加したカチオン、テトラメチルアンモニウムカチオン並びにテトラエチルアンモニウムカチオン、特に好ましいのはＤＢＵ、ＤＢＮおよびＤＡＢＣＯにプロトンが付加したカチオン、テトラメチルアンモニウム塩並びにテトラエチルアンモニウム塩である。
【００３４】
（Ｂ１）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）は、パーティクルの再付着防止性および低泡性の観点等から、３００〜８００，０００が好ましく、さらに好ましくは６００〜４００，０００、特に好ましくは１，０００〜８０，０００、最も好ましくは２，０００〜４０，０００である。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される［例えば、装置本体：Ｗａｔｅｒｓ５１０（日本ウォーターズ・リミテッド製）、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理装置：ＳＣ−８０１０（東ソー株式会社製）］。
【００３５】
低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ２）は、分子中の繰り返し単位が３個未満のものであり、具体的には、スルホン酸系界面活性剤｛例えば、炭素数１〜２４のアルコールのスルホコハク酸（モノまたはジ）エステル（塩）、炭素数３〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）および炭素数３〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）、石油スルホネート（塩）｝；硫酸エステル系界面活性剤｛例えば、炭素数３〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数３〜１８の脂肪族アルコールのＥＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）および硫酸化オレフィン（塩）｝；脂肪酸系界面活性剤｛例えば、炭素数３〜１８の脂肪酸（塩）および炭素数３〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）｝；並びにリン酸エステル系界面活性剤｛例えば、炭素数３〜２４の脂肪族アルコールの燐酸（モノまたはジ）エステル（塩）および炭素数３〜２４の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸（モノまたはジ）エステル（塩）｝；などが挙げられる。
【００３６】
これら（Ｂ２）のうちで、低泡性、洗浄性および平坦性の観点から好ましいものとしては、以下の（Ｂ２−１）〜（Ｂ２−９）が挙げられる。
（Ｂ２−１）炭素数１〜８のアルコールのスルホコハク酸（モノまたはジ）エステル（塩）；
（Ｂ２−２）炭素数３〜１２のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、例えばプロピレンテトラマーのスルホン酸化物（塩）；
（Ｂ２−３）炭素数３〜８のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）；
（Ｂ２−４）炭素数３〜８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、例えばブタノール硫酸エステル（塩）、２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）、オクタノール硫酸エステル（塩）および１，６−ヘキサンジオールのジ硫酸エステル（塩）；
（Ｂ２−５）炭素数３〜８の脂肪族アルコールのＥＯ１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、
例えば１，６−ヘキサンジオールのプロピレンオキサイド（以下、ＰＯと略記）５モル付加物のジ硫酸エステル（塩）、エチレングリコールもしくはグリセリンのＥＯ付加物のモノ硫酸エステル（塩）およびソルビトールのＰＯ・ＥＯブロック付加物のトリ硫酸エステル（塩）；
（Ｂ２−６）炭素数３〜８の脂肪酸（塩）、例えばオクタン酸（塩）および２−エチル酪酸（塩）；
（Ｂ２−７）炭素数３〜８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）；
（Ｂ２−８）炭素数３〜８の脂肪族アルコールの燐酸（モノまたはジ）エステル（塩）、例えばｎ−ブタノール燐酸エステル（塩）；
（Ｂ２−９）炭素数３〜８の脂肪族アルコールのアルキレンオキサイド付加物の燐酸（モノまたは、ジ）エステル（塩）。
【００３７】
（Ｂ２−１）〜（Ｂ２−９）のうち好ましいものは、洗浄性および平坦性の観点から（Ｂ２−１）、（Ｂ２−２）、（Ｂ２−４）、（Ｂ２−５）、（Ｂ２−７）、（Ｂ２−８）および（Ｂ２−９）であり、さらに好ましいものは（Ｂ２−４）、（Ｂ２−５）、（Ｂ２−７）、（Ｂ２−８）および（Ｂ２−９）である。
（Ｂ２）が塩である場合の対イオンとしては、上記の（Ｂ１）の場合と同様のカチオンが挙げられ、好ましいものも同様である。
【００３８】
本発明の洗浄剤に含まれる水（Ｃ）としては、通常、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）及び超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）、好ましくはイオン交換水及び超純水、さらに好ましくは超純水が使用される。
【００３９】
本発明における（Ａ）〜（Ｃ）の合計重量に基づく、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のそれぞれの含有量は、好ましくは、（Ａ）が０．１〜２０％、（Ｂ）が０．１〜１０％および（Ｃ）が７０〜９９．５％であり、さらに好ましくは、（Ａ）が０．５〜１０％、（Ｂ）が０．２〜６．５％および（Ｃ）が８５〜９９．３％であり、特に好ましくは、（Ａ）が２〜１０％、（Ｂ）が０．５〜２％および（Ｃ）が８８〜９７％である。
【００４０】
（Ａ）が０．１％以上であれば、洗浄剤の表面張力が低くなり細部へも浸透しやすくなるため、所望の洗浄効果を発揮し易く、２０％以下であれば使用時の泡立ちが抑えられ好ましい。
【００４１】
（Ａ）に対する（Ｂ）の重量比［（Ｂ）／（Ａ）］は、好ましくは０．０５〜３、さらに好ましくは０．０７〜２、特に好ましくは０．１〜１である。（Ａ）に対する（Ｂ）の重量比が０．０５〜３であれば微粒子化したパーティクルの除去性が発揮しやすい。
【００４２】
本発明の洗浄剤は、上記の（Ａ）〜（Ｃ）以外に、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらに以下のアルカリ成分（Ｄ）、キレート剤（Ｅ）、他の界面活性剤（Ｆ）、分散剤（Ｇ）、３価以上の多価アルコール（Ｈ）、水溶性有機溶剤（Ｉ）およびその他の添加剤（Ｊ）からなる群から選ばれる１種以上の任意成分を含有もしてもよい。
【００４３】
アルカリ成分（Ｄ）［以下において、単に（Ｄ）と表記する場合がある］を含有することにより、パーティクルまたはワックス汚れに対する洗浄性がさらに向上する。
（Ｄ）としては、一般式（３）で表される第４級アンモニウム塩（Ｄ１）、アンモニア（Ｄ２）、炭素数２〜１４のアルカノールアミン（Ｄ３）、ヒドロキシルアミン（Ｄ４）および（Ｄ１）〜（Ｄ４）の併用が挙げられる。
【００４４】
【化６】
2008182221.tif 000004
【００４５】
式中、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7およびＲ8は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ9Ｏ）r−Ｈで表される基であり、Ｒ9Ｏは炭素数２〜４のオキシアルキレン基、ｒは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４の炭化水素基としては、前述のＲ2およびＲ3で例示した基と同様の基が挙げられる。
炭素数２〜４のオキシアルキレン基としては、前述のＡＯで例示した基と同様の基が挙げられる。
ｒは１〜３が好ましい。
【００４６】
（Ｄ１）の具体例としては、以下の（Ｄ１１）〜（Ｄ１５）のカチオンとハイドロキサイドアニオンとからなる塩が例示できる。
（Ｄ１１）アルキル基の炭素数１〜６のテトラアルキルアンモニウムカチオン：
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウムおよびトリメチルエチルアンモニウムなど。
【００４７】
（Ｄ１２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン：
トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど。
【００４８】
（Ｄ１３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン：
ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど。
【００４９】
（Ｄ１４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオン：
メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど。
【００５０】
（Ｄ１５）オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン：
（ｉ）オキシアルキレン基を１個有するカチオン［ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉ）オキシアルキレン基を２個有するカチオン［ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス（２−ヒドロキシエトキシエチル）オクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉｉ）オキシアルキレン基を３個有するカチオン［トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど］。
【００５１】
炭素数２〜１４のアルカノールアミン（Ｄ３）としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミンおよびＮ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンなどが挙げられる。（Ｄ３）の内の好ましいのはモノエタノールアミン、ジエタノールアミンおよびトリエタノールアミンである。
【００５２】
（Ｄ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｄ１）、炭素数２〜１４のアルカノールアミン（Ｄ３）およびヒドロキシルアミン（Ｄ４）が好ましく、洗浄性とリンス性の観点等から、さらに好ましくは（Ｄ１）であり、特に好ましくは（Ｄ１１）〜（Ｄ１４）、とりわけ好ましくは（Ｄ１１）および（Ｄ１２）であり、最も好ましくはテトラメチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩、テトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。
【００５３】
アルカリ成分（Ｄ）を使用する場合、洗浄性の観点等から、（Ｄ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．１〜１０％、さらに好ましくは０．３〜８％、特に好ましくは０．５〜５％である。
【００５４】
本発明の洗浄剤にアルカリ成分（Ｄ）を使用する場合の洗浄剤のｐＨは、好ましくは９〜１４であり、さらに好ましくは１０〜１３．５、特に好ましくは１１〜１３である。ｐＨが９〜１４であれば、さらにパーティクル除去の効果を発揮しやすい。
【００５５】
キレート剤（Ｅ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）｛エチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）（ＴＴＨＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸（塩）（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）およびグルタミン酸（塩）など｝；ヒドロキシカルボン酸（塩）｛ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）およびグルコン酸（塩）など｝；シクロカルボン酸（塩）｛ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）およびシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）など｝；エーテルカルボン酸（塩）（カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネートおよび酒石酸ジサクシネートなど）；その他カルボン酸（塩）（マレイン酸誘導体およびシュウ酸（塩）など）；ホスホン酸（塩）｛メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）およびテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）など｝；などが挙げられる。
なお、（Ｅ）が塩である場合の対イオンとしては、上述の高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ１）の場合と同様のカチオンが挙げられ、好ましいものも同様である。またこれらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５６】
これらの内で金属補足性の観点から好ましいのは、アミノポリカルボン酸（塩）、ヒドロキシカルボン酸（塩）およびホスホン酸（塩）であり、さらに好ましくはアミノポリカルボン酸（塩）、ホスホン酸（塩）、特に好ましくはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）およびエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、最も好ましくはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、１−ヒドロキシエチリデン−１および１−ジホスホン酸（塩）である。
【００５７】
キレート剤（Ｅ）を使用する場合、基板への金属の拡散を防止する観点等から、（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．０１〜５％、さらに好ましくは０．０５〜３％、特に好ましくは０．１〜１％である。
【００５８】
他の界面活性剤（Ｆ）としては、（Ａ）以外のノニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上の界面活性剤が挙げられる。
【００５９】
（Ａ）以外のノニオン性界面活性剤としては、アルキレンオキサイド付加型非イオン界面活性剤［高級アルコール（炭素数８〜１８）、アルキル（但し、芳香族環を有しない）フェノール（炭素数１０〜２４）、高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）、脂肪族第１級または第２級アミン（炭素数６〜３６）にアルキレンオキサイド｛炭素数２〜４、例えばＥＯ、ＰＯ、１，２−ブチレンオキサイド、ＴＨＦなど、以下同じ｝を付加させたもの（Ｍｎ１５８〜２００，０００）；ポリオキシアルキレングリコール（Ｍｎ１５０〜６，０００）に高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）などを反応させたもの；ジオールまたは３〜８価の多価アルコールなどの水酸基含有化合物に高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）を反応させて得られたエステル化物にアルキレンオキサイドを付加させたもの（Ｍｎ２５０〜３０，０００）、高級脂肪酸（炭素数８〜２４）アミドにアルキレンオキサイドを付加させたもの（Ｍｎ２００〜３０，０００）、多価アルコール｛下記の（Ｈ）｝アルキル（炭素数８〜６０）エーテルにアルキレンオキサイドを付加させたもの（Ｍｎ１２０〜３０，０００）など］、多価アルコール（炭素数３〜２０）型非イオン界面活性剤［多価アルコール脂肪酸（炭素数８〜６０）エステル、多価アルコールアルキル（炭素数８〜６０）エーテル、脂肪酸（炭素数８〜６０）アルカノールアミドなど］およびポリオキシエチレンとポリオキシプロピレンをランダムまたはブロック縮合させたプルロニックまたはテトロニック型などが挙げられる。
【００６０】
カチオン性界面活性剤としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩およびアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩｝並びにアミン系界面活性剤｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミンおよび炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩または有機酸塩｝などが挙げられる。
【００６１】
両性界面活性剤としては、ベタイン型両性界面活性剤[例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタインおよびスルフォベタイン型両性界面活性剤｝、アミノ酸型両性界面活性剤｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型およびアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型］両性界面活性剤およびグリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型など］両性界面活性剤｝並びにアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤｝などが挙げられる。
【００６２】
これらの他の界面活性剤（Ｆ）を使用する場合、（Ｆ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは０．０００１〜１０％である。
【００６３】
分散剤（Ｇ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類およびその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩およびカチオン化デンプンなど）；ポバール；縮合リン酸（メタリン酸およびピロリン酸など）やリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸およびトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸など｝などが挙げられ、上記の（Ｂ）も分散作用があるが、本発明においては分散剤（Ｇ）には含めない。
これらの分散剤（Ｇ）を使用する場合、分散剤（Ｇ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは０．０００１〜１０である。
【００６４】
他の成分の内の、アルカリ成分（Ｄ）、キレート剤（Ｅ）、他の界面活性剤（Ｆ）および分散剤（Ｇ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常５０％以下、好ましくは１〜３０％である。
【００６５】
任意成分のうちの３価以上の多価アルコール（Ｈ）［以下において、単に（Ｈ）と表記する場合がある］は、特に金属（アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止するという観点等から添加してもよい。
（Ｈ）としては、
（Ｈ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパンおよびペンタエリスリトールなど）；
（Ｈ２）（Ｈ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリンおよびペンタグリセリンなど）；
（Ｈ３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロースおよびリブロースなど）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボースおよびタガトースなど）およびヘプトース（セドヘプツロースなど）｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオースおよびラクトースなど）および三糖類（ラフィノースおよびマルトトリオースなど）；
（Ｈ４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトールおよびズルシトールなど）；
（Ｈ５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡなど）；
並びにこれらのアルキレンオキサイド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）などが挙げられる。
また（Ｈ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【００６６】
（Ｈ）の内、金属腐食を防止する効果の高い点から、（Ｈ１）、（Ｈ２）、（Ｈ３）および（Ｈ４）が好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロースおよびソルビトールである。
【００６７】
（Ｈ）を使用する場合、（Ｈ）の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常２０％以下、好ましくは１〜２０％、さらに好ましくは２〜１０％、特に好ましくは３〜７％である。
【００６８】
（Ｈ）は、本発明の洗浄剤がアルカリ成分（Ｄ）を含有する場合に、金属配線（アルミなど）を有する基板に対し特に優れた金属腐食防止効果を発揮することができる。
この場合、（Ｄ）と水（Ｃ）の合計重量に対する（Ｄ）の含有量は、洗浄性の観点等から、０．１〜５０％が好ましく、さらに好ましくは０．５〜４０％、特に好ましくは１〜３５％である。また、（Ｄ）と（Ｈ）の合計重量に対する（Ｈ）の含有量は、金属腐食を防止する観点等から、１０〜９０％が好ましく、さらに好ましくは２０〜８０％、特に好ましくは３０〜７５％である。
【００６９】
水溶性有機溶剤（Ｉ）［以下において、単に（Ｉ）と表記する場合がある］としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
例えば、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、３−メチルスルホランおよび２，４−ジメチルスルホランなど｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホンおよびビス（２−ヒドロキシエチル）スルホンなど｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドなど｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドンおよびＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドンなど｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトンおよびδ−バレロラクトンなど｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ルおよびイソプロパノ−ルなど｝；グリコールおよびグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテルおよびトリエチレングリコールジエチルエーテルなど｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノンおよび３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなど）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリルおよびベンゾニトリルなど）；カーボネート（エチレンカーボネートおよびプロピオンカーボネートなど）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノンおよびジアセトンアルコールなど）；環状エーテル（テトラヒドロフランおよびテトラヒドロピランなど）が挙げられる。
また（Ｉ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【００７０】
（Ｉ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコールおよびグリコールエーテルが好ましく、さらに好ましくはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールおよびプロピレングリコールである。
【００７１】
（Ｉ）を使用する場合、洗浄剤中に含まれる（Ｉ）と水（Ｃ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常９０％以下、好ましくは１０〜９０％、さらに好ましくは３０〜８０％である。
また、水（Ｃ）に対する（Ｉ）の重量比｛（Ｉ）／（Ｃ）｝は、パーティクルや油汚れに対する洗浄性の観点等から１未満が好ましく、さらに好ましくは０．５以下、特に好ましくは０．２以下である。
【００７２】
その他の添加剤（Ｊ）としては、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、還元剤、ハイドロトロープ剤および防腐剤などが挙げられる。
【００７３】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノールおよび２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノールなど｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミンおよびモノノニルジフェニルアミンなどのモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミンおよび４，４’−ジペンチルジフェニルアミンなどのジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミンおよびテトラヘキシルジフェニルアミンなどのポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミンおよびフェニル−α−ナフチルアミンなどのナフチルアミンなど｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）およびビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィドなど｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスファイト、ジフェニルジイソオクチルホスファイトおよびトリフェニルホスファイトなど｝；などが挙げられる。
【００７４】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾールおよび２−メルカプトベンゾチアゾールなどの含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物およびドデセニルコハク酸アミドなどのアルキルまたはアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエートおよびペンタエリスリトールモノオレエートなどの多価アルコール部分エステル等が挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７５】
ｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸および硝酸などの鉱酸ならびにモノエタノールアミンおよびトリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アンモニアなどの水溶性アミンが挙げられ、金属イオンなどの不純物を実質的に含まないものであればどのようなものでも使用でき、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７６】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸、無機酸およびこれらの塩が挙げられる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸およびマンデル酸などが挙げられ、無機酸としては、例えばリン酸およびホウ酸が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、カチオンが上述の高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ１）で例示したカチオンであるものが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７７】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーンおよびポリエーテルシリコーンなどを構成成分とする消泡剤など｝などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００７８】
還元剤としては、亜硫酸塩（例えば、亜硫酸ナトリウムおよび亜硫酸アンモニウム）、チオ硫酸塩（例えば、チオ硫酸ナトリウムおよびチオ硫酸アンモニウム）、亜リン酸塩（例えば、亜リン酸ナトリウムおよび亜リン酸アンモニウム）、次亜リン酸塩（例えば、次亜リン酸ナトリウムおよび次亜リン酸アンモニウム）、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒドおよびアセトアルデヒド）、リン系還元剤（例えば、トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン）、その他の有機系還元剤（例えば、ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、１，４−ナフトキノン−２−スルホン酸、アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、、没食子酸、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミン、システイン、アミノエタンチオール、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノールおよびピロガロール）およびこれらの誘導体などが挙げられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００７９】
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）およびクメンスルホン酸（塩）などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００８０】
防腐剤としては、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジンなど｝、イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンおよび５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オンなど｝、ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）など｝、モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリンおよび４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリンなど｝、ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾールなど｝、その他の防腐剤｛ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメートおよび２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオールなど｝などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００８１】
その他の添加剤（Ｊ）を使用する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、還元剤、ハイドロトロープ剤および防腐剤が、洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．００１〜１０％である。また消泡剤の添加量は通常１％以下、好ましくは０．０００１〜１％である。
また、その他の添加剤（Ｊ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて通常３０％以下、好ましくは０．００１〜３０％である。
【００８２】
本発明の洗浄剤の製品形状は、液状および固状などの任意の形状が適用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点等から液状が好ましく、特に好ましくは溶液状である。
溶液状にする場合の溶剤としては、本発明の洗浄剤に用いる水（Ｃ）のみ、または水と水溶性有機溶剤（Ｉ）の混合溶剤が使用できる。好ましいのは水のみによる水溶液である。
【００８３】
本発明の洗浄剤の製造は、上記の（Ａ）〜（Ｃ）の必須成分および任意成分を常温〜８０℃で混合することで行うことができる。
混合に際しての投入の順序は特に限定されないが、通常は、低粘度の液状の成分で比較的含有量の多い成分（例えば水など）を最初に仕込んでおいて、その中に、その他の液体成分や固体成分を、必要により加熱しながら添加するという方法で行われる。混合装置としては、特に限定されないが、櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置などが使用できる。
【００８４】
本発明の洗浄剤を用いてエレクトロニクス材料を洗浄する際には、必要によりさらに洗浄剤を水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記水（Ｃ）で例示したものと同様のものが使用できるが、好ましくはイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）または超純水（比抵抗値１８ＭΩ・ｃｍ以上）、さらに好ましくは超純水である。
希釈して使用する場合の希釈倍率をしては、好ましくは２〜５００倍、さらに好ましくは５〜２００倍、特に好ましくは１０〜１００倍である。
【００８５】
本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のｐＨは、１〜１３が好ましく、さらに好ましくは４〜１２．５、特に好ましくは８〜１２である。
【００８６】
本発明の洗浄剤中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ，Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｂ、ＮｉおよびＺｎ原子の合計含有量は、半導体基板の金属汚染を防ぐ観点から、洗浄剤の重量に基づいて１００ｐｐｂ以下が好ましく、さらに好ましくは５０ｐｐｂ以下、特に好ましくは２０ｐｐｂ以下である。
これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ発光分析法およびＩＣＰ質量分析法が利用できるが、分析精度の観点から、好ましくはＩＣＰ質量分析法である。
【００８７】
本発明の洗浄剤の洗浄対象物（汚れ）は、油分、人体からの汚れ（指紋など）、樹脂（レジスト樹脂およびワックスなど）、可塑剤（ジオクチルフタレートなど）、有機パーティクルなどの有機物並びに無機パーティクル（研磨剤および研磨屑など）などの無機物が挙げられる。
【００８８】
本発明の洗浄剤の２％水溶液の起泡力は、使用中の泡立ちを抑えるという観点から、好ましくは２００ｍｍ以下、さらに好ましくは１２０ｍｍ以下、特に好ましくは８０ｍｍ以下である。また、上記の起泡力の下限値は０ｍｍである。
また、上記と同様の観点から、上記泡の安定度は、好ましくは１８０ｍｍ以下、さらに好ましくは１００ｍｍ以下、特に好ましくは５０ｍｍ以下である。また、上記泡の安定度の下限値は０ｍｍである。
ここで、本発明の洗浄剤の起泡力および泡の安定度とは、ロス・マイルス試験｛ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）｝に準じて測定することができ、本ＪＩＳで定める装置、また試験液として超純水を用いて調整した洗浄剤の２％水溶液を用いた試験により、全ての試験液を流出した直後の泡の高さを起泡力とし、また５分後の泡の高さを泡の安定度として表す。なお測定値は、目視にて測定した値を指す。
【００８９】
本発明の洗浄剤の曇点は、洗浄力の観点から、２０℃以上が好ましく、さらに好ましくは４０〜９５℃、特に好ましくは４５〜９０℃である。曇点がこの範囲にあると、長期保管時においても洗浄剤中の成分が分離することがなく安定であり好ましい。
【００９０】
本発明の洗浄剤の２５℃での表面張力（ｄｙｎ／ｃｍ）は、１０〜６５が好ましく、さらに好ましくは１５〜４０、特に好ましくは２０〜４０である。
表面張力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ  ３０４に従って測定できる。
【００９１】
本発明の半導体基板の製造方法は、上記の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動および枚葉式洗浄からなる群から選ばれる１種以上の洗浄方法によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法である。特に、超音波洗浄法を含む洗浄方法において洗浄効果を良好に発揮することができる。
【００９２】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、さらに好ましくは１５〜７０℃、特に好ましくは２０〜６０℃である。
【００９３】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量は、前述の測定条件で測定した。なお、実施例および比較例用いる超純水は比抵抗値が１８ＭΩ・ｃｍ以上のものを使用した。
【００９４】
［製造例１］
撹拌装置および温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノールを２１２ｇ（１．０モル）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２５％水溶液１０ｇ（２．６モル％）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド４４０ｇ（１０．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで約３時間熟成し、粗生成物を得た。残存するテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを分解および除去するために、この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下に、温度を１５０℃に２時間保持して、本発明の非イオン性界面活性剤であるクミルフェノールエチレンオキサイド１０モル付加物（Ａ−１）６４０ｇを得た。（Ａ−１）のＨＬＢ値は１２．６であり、曇点は８０℃であった。
【００９５】
［製造例２］
撹拌装置および温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、２−ナフトール１４４ｇ（１．０モル）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２５％水溶液１０ｇ（２．６モル％）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド３５２ｇ（８．０モル）を、反応温度を１００℃に制御しながら、３時間かけて滴下した後、１００℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで約３時間熟成し、粗生成物を得た。残存するテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを分解および除去するために、この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下に、温度を１５０℃に２時間保持して、本発明の非イオン性界面活性剤である２−ナフトールエチレンオキサイド８モル付加物（Ａ−２）４９０ｇを得た。（Ａ−２）のＨＬＢ値は１３．０であり、曇点は９５℃であった。
【００９６】
［製造例３］
撹拌装置および温度制御装置付きの容積１リットルのステンレス製オートクレーブに、クミルフェノール４２ｇ（０．２モル）およびテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの２５％水溶液２ｇ（２．６モル％）を仕込み、１００℃、４ｋＰａ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド４４０ｇ（１０．０モル）とプロピレンオキサイド２９０ｇ（５．０モル）の混合物を、反応温度を１００℃に制御しながら、１０時間かけて滴下した後、１００℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで約３時間熟成し、粗生成物を得た。残存するテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを分解および除去するために、この粗生成物を２．６ｋＰａ以下の減圧下に、温度を１５０℃に２時間保持制御して、本発明の非イオン性界面活性剤であるクミルフェノールエチレエンオキサイド・プロピレンオキサイド７５モルランダム付加物（Ａ−３）７７０ｇを得た。（Ａ−３）のＨＬＢ値は１２．３であり、曇点は８０℃であった。
【００９７】
［製造例４］
オクチルベンゼンスルホン酸１３６部、超純水２４５部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液を２５％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（以下、ＴＭＡＨと略記する）水溶液（約１８０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりオクチルベンゼンスルホン酸ＴＭＡＨ塩（Ｂ−１）の４０％水溶液を得た。
【００９８】
［製造例５］
オクタン酸１４４部、超純水３００部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクタン酸水溶液をジエタノールアミン（約１００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりオクタン酸ジエタノールアミン塩（Ｂ−２）の４０％水溶液を得た。
【００９９】
［製造例６］
温調および攪拌が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００部、超純水１００部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７部およびジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５部を系内温度を７５℃に保ちながら３．５時間かけてそれぞれ滴下した（同時に適下開始）。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水約９００を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去してポリアクリル酸水溶液を得た。得られたポリアクリル酸水溶液をジエタノールアミン（約４５０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりポリアクリル酸ジエタノールアミン塩（Ｂ−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−３）のＭｗは１０，０００であった。
【０１００】
［製造例７］
温調および還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に系内温度を９０℃に保ちながら６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後さらに９０℃で１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後さらに２０℃で３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％ＴＭＡＨ水溶液（約４００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりポリスチレンスルホン酸ＴＭＡＨ塩（Ｂ−４）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−４）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【０１０１】
［製造例８］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部および超純水１０部を仕込み、３７％ホルムアルデヒド水溶液８部を８０℃で３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して、水浴中で２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｂ−５）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−５）のＭｗは、５，０００であった。
【０１０２】
［製造例９］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２２７部、アクリル酸７８部および超純水１３１部からなる７０％モノマー水溶液４３６部を使用したこと以外は、製造例６と同様に重合して、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体の水溶液を得た。得られたアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体の水溶液に、温度を２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加えてｐＨ６．５に調製し（ＤＢＵ約２８０部使用）超純水で濃度調整することによりアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体ＤＢＵ塩（Ｂ−６）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−６）のＭｗは８，０００であった。
【０１０３】
［製造例１０］
アクリル酸の７５％水溶液４０７部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の５０％水溶液［三洋化成（株）社製、エレミノールＲＳ−３０］３２０部およびアクリル酸１４５部からなる６５％モノマー水溶液４６５部を使用したこと以外は、製造例６と同様に重合して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩／アクリル酸共重合体の水溶液を得た。得られた共重合体の水溶液を固形分濃度１０％になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を用いて、溶液中のナトリウムイオンが１ｐｐｍ以下になるまで除去した。なお、ナトリウム含量はＩＣＰ発光分析装置（島津製作所株式会社製、ＩＣＰＳ−８０００）を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体の水溶液に、温度を２５℃に調整しながら２５％ＴＭＡＨ水溶液（約６００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体ＴＭＡＨ塩（Ｂ−７）の１０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−７）のＭｗは９，０００であった。
【０１０４】
[製造例１１]
攪拌装置および温度制御装置付のガラス製反応装置にｎ−ブタノール１７３部を仕込み、攪拌下で７０℃に温調した。ここに無水リン酸１３５部を系内温度を７０℃に保ちながら２時間かけて滴下後、さらに７０℃にて３時間攪拌を継続し、ｎ−ブタノールリン酸エステルを得た。得られたｎ−ブタノールリン酸エステルを３０℃まで冷却し、これに２５％ＴＭＡＨ水溶液（約５２０部）をｐＨが７になるまで、攪拌下、冷却しながら２５℃で徐々に加え、ｎ−ブタノールリン酸エステルＴＭＡＨ塩（Ｂ−８）の４７％水溶液を得た。
【０１０５】
[製造例１２]
攪拌装置および温度制御装置付のガラス製反応装置に２−エチルヘキサノール２６部を仕込み、攪拌下で０℃まで冷却した。ここにクロロスルホン酸２３部を系内温度を０℃に保ちながら３時間かけて滴下し、２−エチルヘキサノール硫酸エステルを得た。得られた２−エチルヘキサノール硫酸エステルを濃度が１０％になるように超純水で調整した。予め再生剤（ＮａＯＨ水溶液）でＯＨ形に調整した陰イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲＡ４００Ｊ」（オルガノ株式会社製）を充填して垂直に立てた直径３ｃｍ、長さ５０ｃｍのクロマトグラフ管の上から、２５℃で２−エチルヘキサノール硫酸エステルの１０％水溶液を少量ずつ徐々に通液した。流出液を、再度カラムの上から通す操作をＩＣＰ（島津製作所株式会社製ＩＣＰＳ−８０００）を用いた流出液のクロライド含量が１ｐｐｍ未満になるまで繰り返し行い、水溶液中のクロライドを除去した。
これにＤＢＵ（約３０部）をｐＨが７になるまで、攪拌下、冷却しながら２５℃で徐々に加え、２−エチルヘキサノール硫酸エステルＤＢＵ塩（Ｂ−９）の１６％水溶液を得た。
【０１０６】
[製造例１３]
２−エチル酪酸１１６部およびイオン交換水３５０部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。この２−エチル酪酸水溶液に、冷却下、２５℃でｐＨ７になるまでＮ−メチルジエタノールアミン（約１２０部）を加えて中和することで、２−エチル酪酸Ｎ−メチルジエタノールアミン塩（Ｂ−１０）の４０％水溶液を得た。
【０１０７】
［比較製造例１］
撹拌および温調可能なオートクレーブにラウリルアルコールを１８６部（１．０モル）および水酸化カリウム０．５部を仕込み、１００℃、３０ｍｍＨｇ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド４４０部（１０．０モル）を、反応温度を１６０℃に保ちながら、３時間かけて滴下した後、１６０℃で２時間熟成し、液状の粗製ポリエーテルを得た。この粗製ポリエーテルを約８０℃まで冷却し、超純水６部および陽イオン交換樹脂｛オルガノ株式会社製、アンバーライトＩＲ１２０Ｂ（Ｈ）｝１００部を加えて室温（約２０℃）で３０分間撹拌した後、減圧濾過、および脱水を行い、比較のノニオン性界面活性剤（ラウリルアルコールのエチレンオキサイド１０モル付加物、ＨＬＢ値１３．２、曇点８５℃）（Ｓ−１）を得た。
【０１０８】
［実施例１〜２１］および［比較例１〜４］
表１および表２に記載の各成分を、表１および表２記載の配合量（但し、表１および表２では固形分で表示）で、ビーカー中で室温（約２０℃）で均一撹拌・混合して実施例１〜２１および比較例１〜４の洗浄剤を作製した。表１および表２中のアルカリ成分（Ｄ）、キレート剤（Ｅ）の略号は下記の通りである。
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
ＤＥＡ：ジエタノールアミン
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸２アンモニウム
得られた実施例１〜２１および比較例１〜４の洗浄剤のｐＨを２５℃でｐＨメーター（堀場製作所社製、Ｍ−１２）を用いて測定した。
また、実施例１〜２１および比較例１〜４の洗浄剤を予め２０倍量の超純水で希釈したものを試験液に用い、以下の方法により微粒子付着数および表面平坦性を測定した。
さらに、実施例１〜２１および比較例１〜４の洗浄剤の起泡力および泡の安定度について、ＪＩＳ  Ｋ３３６２（１９９８）に準じて測定した。
これらの測定結果を表１および表２に示す。
【０１０９】
＜微粒子付着数＞
コロイダルシリカ（平均粒径５０ｎｍ）の４０％水分散液（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）１，０００部を超純水で１０倍に希釈した分散液を作成した。
上記分散液に、２５℃で、８インチブランケットＴＥＯＳウエハ（アドバンテック社製、膜厚１５，０００Å）をウエハ全面が浸かる様にして、２５℃で１分間浸漬した後、ウエハを取り出し、流水で３０秒間洗浄して、スピン乾燥させることで、表面がコロイダルシリカで汚染されたウエハを作製した。ＰＶＡブラシの付いた枚葉式洗浄装置を用いて、試験液を約２５ｍｌ／ｓの速度で上記汚染されたウエハ上に供給しながら、室温（２３℃）で２０秒間スクラブ洗浄した。その後、超純水で３０秒間リンス、続いてスピン乾燥し、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、ＷＭ−２５００）を使ってシリコンウェハ表面に付着した０．１４μｍ以上のパーティクル数を測定した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【０１１０】
＜表面平坦性＞
ベアシリコンウエハを１ｃｍ×１ｃｍの大きさにカットし、２０ｍｌのガラス製容器に各試験液を１０ｍｌ採り、５０℃に温調した後、前記ウエハを入れ、５０℃で１０分間浸漬した。浸漬後、ピンセットを用いてウエハを取り出し、流水中で３０秒間リンスして試験液を流した後、室温下（２５℃）、窒素でブローすることでウエハを乾燥した。乾燥したウエハの表面粗さ（Ｒａ）を原子間力顕微鏡（エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製、Ｅ−Ｓｗｅｅｐ）を用いて測定し、表面平坦性を評価した。なお、試験前のウエハの表面粗さ（Ｒａ）は、０．０５０ｎｍであった。
【０１１１】
【表１】
2008182221.tif 000005
【０１１２】
【表２】
2008182221.tif 000006
【０１１３】
さらに、実施例９〜２１、比較例３〜４の洗浄剤を予め２０倍量の超純水で希釈したものを試験液に用い、以下の方法によりワックス除去性を評価した。結果を表３に示す。
＜ワックス洗浄性＞
市販のワックス（日化精工株式会社製、スカイリキッド）を８インチシリコンウエハ上に５ｍｌ滴下し、１０００ｒｐｍで３秒間回転させて均一に塗布した。塗布したウエハを１００℃に温調したホットプレート上で５分間加温した後、２ｃｍ×５ｃｍの大きさにカットして試験用ウエハを作製した。１００ｍｌのガラス製ビーカーに各試験液を１００ｍｌ採り、４０℃に温調した後、上記試験用ウエハを入れ、５分間浸漬した。浸漬後、ピンセットを用いてウエハを取り出し、流水中で３０秒間リンスして試験液を流した後、室温下（２５℃）、窒素でブローすることでウエハを乾燥した。乾燥したウエハ表面のワックスの残存状態を、以下の評点に従い目視で評価した。
○：表面にワックスの残存が観察されない。
△：僅かにワックスの跡が観察される。
×：はっきりと汚れが残存している。
【０１１４】
【表３】
2008182221.tif 000007
【０１１５】
表１〜２の結果から、本発明の洗浄剤はウエハ当たりの付着粒子数を大幅に減少させることができることがわかった。また、洗浄後のウエハ表面の平坦性にほとんど変化が無いことから、洗浄時にウエハ表面荒れを引き起こす心配がないこともわかった。さらに、本発明の洗浄剤は低泡性に非常に優れ、洗浄時に問題となる起泡によるトラブルがないといった効果も奏することがわかった。
また、表３の結果から、アルカリ成分（Ｄ）を添加した本発明の洗浄剤（実施例９〜２１）はワックスに対して高い洗浄性を示すことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明の洗浄剤は、半導体基板上のパーティクルの洗浄性や有機物汚れに対する浸透性に優れているため、半導体用基板（半導体素子およびシリコンウェハなど）を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。