【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対のリ−ド部材に接続された電極部間にフラックスの被膜を有する低融点可溶合金を接続して絶縁ケ−スに収容した温度ヒュ−ズにおいて、前記低融点可溶合金はＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金またはＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金からなり、Ａｌが１．５〜７．０ｗｔ％の範囲内で含まれ、溶融動作温度を２６０℃〜４００℃の範囲内で設定したことを特徴とする可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項２】
前記低融点可溶合金は、Ｇｅが１．５〜７．０ｗｔ％またはＭｇが１．５〜５．０ｗｔ％の範囲内で含まれることを特徴とする請求項１に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項３】
前記低融点可溶合金の１００重量部に、ＳｎまたはＩｎが５〜２５重量部の範囲内で添加されることを特徴とする請求項１または２に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項４】
前記低融点可溶合金の１００重量部に、Ｇａが２〜１３重量部の範囲内で添加されることを特徴とする請求項１または２に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項５】
前記フラックスは、所定の配合割合で調製したロジン誘導体および有機酸アミド誘導体を含むことを特徴とする請求項１ないし４に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズ。
【請求項６】
請求項５に記載の可溶合金型温度ヒュ−ズと発熱抵抗とを絶縁基板に配置し、前記発熱抵抗の通電により前記可溶合金型温度ヒュ−ズを前記動作温度で回路遮断することを特徴とする回路保護素子。
【請求項７】
絶縁基板にフラックスの被膜を有する低融点可溶合金と発熱抵抗を配置し、前記絶縁基板上で前記低融点可溶合金を絶縁キャップによりカバ−した回路保護素子であって、前記低融点可溶合金はＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金またはＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金からなり、Ａｌを１．５〜７．０ｗｔ％の範囲内で含み、溶融動作温度を２６０℃〜４００℃の範囲内で設定し、前記発熱抵抗の通電加熱により前記低融点可溶合金を前記溶融動作温度で溶断して回路遮断することを特徴とする回路保護素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上述の課題を解決するために、本発明者らは、温度ヒュ−ズまたは回路保護素子の溶断動作機能部である低融点可溶合金とフラックスの材料選択に着目し、低融点可溶合金として高温はんだから比較的酸化し易いＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金またはＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金の基合金を選びこれに耐酸化性のフラックスを組み合わせて使用することで所望する溶融動作温度の可溶合金型温度ヒュ−ズおよび保護素子が得られることを見い出した。本発明によれば、一対のリ−ド部材に接続された電極部間にフラックスの被膜を有する低融点可溶合金を接続して絶縁ケ−スに収容した温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金はＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金またはＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金のいずれかが選択され、その溶融動作温度、いわゆる融点範囲である固相点および液相点の間にあって固化状態から液化状態に実質的変化する溶解温度であって、液状化を維持する時の融点温度が、２６０℃〜４００℃の範囲内である合金を使用したことを特徴とする可溶合金型温度ヒュ−ズが提供される。この場合に、前記フラックスは、水添ロジン、不均化ロジン、重合ロジン、酸変性水添ロジン、酸変性不均化ロジンおよび酸変性重合ロジンからなる群から選択されるロジン誘導体を４０〜９０ｗｔ％と、パルミチン酸アミド、オレイン酸アミド、ステアリン酸アミド、１２−ヒドロキシステアリン酸アミド、エルカ酸アミド、ベヘニン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジオレイルアジピン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルアジピン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジオレイルセバシン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルセバシン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルパラフタル酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ジステアリルイソフタル酸アミド、Ｎ、Ｎ’−エチレンビスラウリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−エチレンビスステアリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−メチレンビスステアリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−エチレンビスオレイン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−エチレンビスベヘニン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−エチレンビス−１２−ヒドロキシステアリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ブチレンビスステアリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ヘキサメチレンビスステアリン酸アミド、Ｎ、Ｎ’−ヘキサメチレンビスオレイン酸アミドおよびＮ、Ｎ’−キシリレンビスステアリン酸からなる群から選択される有機酸アミド誘導体を６０〜１０ｗｔ％の範囲内で配合調製して使用することで酸化し易い低融点可溶合金を保護することに着目し、低融点可溶合金はキャップで被い、必要に応じて、キャップは継目全周を封止して外部からの腐食性ガスや水分の侵入を阻止することを提案する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
低融点可溶合金の組成は、Ａｌが１．５〜７．０ｗｔ％の範囲内で、Ｇｅが１．５〜７．０ｗｔ％またはＭｇが１．５〜５．０ｗｔ％の範囲内で含まれ、残部がＺｎおよび不可避不純物である。具体的に、溶融動作温度が３５２℃のｗｔ％で８９Ｚｎ−６Ａｌ−５Ｇｅまたは溶融動作温度が３４３℃のｗｔ％で９３Ｚｎ−４Ａｌ−３Ｍｇが実用化される。また、これらの組成に加えて、Ｓｎ、ＩｎまたはＧａの添加が溶融動作温度を下げるのに有効であることを見い出した。添加量はＳｎおよびＩｎのいずれか一方が５〜２０ｗｔ％の範囲内で、または、Ｇａが２〜１０ｗｔ％の範囲内で添加される。これらの添加量は選択された基合金の低融点可溶合金１００重量部に対してＳｎおよびＩｎのいずれかを５〜２５重量部の範囲内、または、Ｇａを２〜１３重量部の範囲内で添加して使用してもよい。さらに、低融点可溶合金は、表面にＳｎ、Ａｇ、Ｎｉ、ＰｄおよびＰｔからなる群から選択される金属を溶射またはクラッドめっきを施し、Ｚｎ系合金表面に薄いコ−ティング膜を形成して腐食防止に役立てることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の別の観点によれば、セラミック絶縁基板にフラックスの被膜を有する低融点可溶合金と発熱抵抗を配置し、絶縁キャップにより前記低融点可溶合金を前記絶縁基板上に気密封着して回路構成し、低融点可溶合金はＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金、Ｚｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ｚｎ−Ａｌ−Ｇｅ−Ｓｎ系合金およびＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｎ系合金かのいずれかで、その溶融動作温度が２６０℃〜４００℃の範囲内にある合金を使用し、前記発熱抵抗の通電加熱により前記低融点合金を前記溶融動作温度で溶断して回路遮断することを特徴とする回路保護素子が提供される。たとえば、絶縁基板にはセラミックが使用され、その片面に低融点可溶合金、他面に発熱抵抗を配置して熱伝達を改善することができる。ここで、低融点可溶合金は、Ａｌを１．５〜７．０ｗｔ％、Ｇｅを１．５〜７．０ｗｔ％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ−Ａｌ−Ｇｅ系合金を使用する場合、およびＡｌを１．５〜７．０ｗｔ％、Ｍｇを１．５〜５．０ｗｔ％、残部がＺｎおよび不可避不純物からなるＺｎ−Ａｌ−Ｍｇ系合金を使用する場合がある。さらには、前記低融点可溶合金１００重量部にＳｎおよびＩｎのいずれかを５〜２５重量部、またはＧａを２〜１３重量部の範囲内で添加することを特徴とする回路保護素子を開示する。