【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光活性デバイスの半導体層の半導体材料の導電帯と価電子帯のポジション、及び／又は導電帯と価電子帯との間のエネルギーの差を調整する方法、及び前記光活性デバイスの開路電圧を調整する方法であって、
化学式ＡｘＢ１−ｘＣｙを有する半導体化合物を使い、
Ａ及びＢは、金属又は金属に近い物質であって、Ｃは、非金属又は金属に近い物質であって、ｘは０．００１から０．９９９の範囲にあって、ｙは０．１から１０の範囲にあり、
前記半導体化合物は、少なくとも二つの前駆物質から合成され、
当該前駆物質は、化学式Ａｕ（ｉＰｒＯ）ｗとＢｓ（ｉＰｒＯ）ｔである金属イソプロポキシドであって、
Ａ及びＢはＺｒ、Ｔｉ，Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ，Ｗ、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｇａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，ＣｕＡｌ，ＣｕＮｉ，ＰｂＺｒ，ＳｒＴｉ，ＢａＺｒ，ＳｒＣｕ２から成る官能基から選択される金属又は金属に近い物質であって、
ｓ、ｕ、ｔ及びｗは、１〜１０の範囲にあり、（ｉＰｒＯ）はイソプロポキシド基であり、
前記金属に近い物質は、金属と非金属との中間の特性を有することを特徴とする、方法。
【請求項２】
光活性デバイスの半導体層の半導体材料の導電帯と価電子帯のポジション、及び／又は導電帯と価電子帯との間のエネルギーの差を調整する方法、及び前記光活性デバイスの開路電圧を調整する方法であって、
化学式ＡｘＢ１−ｘＣｙを有する半導体化合物を使い、
Ａ及びＢは、金属又は金属に近い物質であって、Ｃは、非金属又は金属に近い物質であって、ｘは０．００１から０．９９９の範囲にあって、ｙは０．１から１０の範囲にあり、
前記半導体化合物は、酸化物ＡＯｍ及び窒化物Ｂ（ＮＯ３）ｑから合成され、Ａ及びＢは、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ，Ｗ、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｇａ，Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｕ，ＣｕＡｌ，ＣｕＮｉ，ＰｂＺｒ，ＳｒＴｉ，ＢａＺｒ，ＳｒＣｕ２から成る官能基から選択される金属又は金属に近い物質であって、
ｍ及びｑは、０．１から１０の範囲にあって、上記酸化物及び上記窒化物は、共に反応し、
前記金属に近い物質は、金属と非金属との中間の特性を有することを特徴とする、方法。
【請求項３】
前記Ｃは、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｓ、Ｓｅ、Ａｓ、ＮＯ２、ＮＯ３、ＳＯ３、ＳＯ４、ＰＯ４、ＰＯ３、ＣＯ３から成るグループから選択されることを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記半導体化合物は、価電子帯の上端及び導電帯の下端を有し、前記価電子帯の前記上端は第１の半導体化合物ＡＣｖの価電子帯の上端及び第２の半導体化合物ＢＣｚの価電子帯の上端の間にあり、
前記半導体化合物の前記導電帯の前記下端は、前記第１の半導体化合物ＡＣｖの導電帯の下端と前記第２の半導体化合物ＢＣｚの導電帯の下端の間にあり、
ｖ及びｚは、０．１から１０の範囲にあって、
化学式ＡｘＢ１−ｘＣｙはｙ＝（１−ｘ）＊ｚ＋ｘ＊ｖであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ＣはＯであって、前記半導体化合物は、混合半導体酸化物であることを特徴とする、請求項１〜４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
３以上の異なる前駆物質から、上記半導体化合物は合成されることを特徴とする、請求項１、又は請求項３〜５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
ＡＣｖ及びＢＣｚは、それぞれＴｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＺｒＯ２、ＣｅＯ２、ＷＯ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２、ＣｒＯ３、ＳｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３、ＣｕＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＣｕＡｌＯ２、ＳｒＴｉＯ３、ＳｒＣｕＯ２、及びＺｒＴｉＯ４から成るグループから選択されることを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項８】
前記半導体化合物の構成要素Ａ及びＢは、１：１０００〜１０００：１の範囲にあることを特徴とする、請求項１〜７の何れかに記載の方法。
【請求項９】
前記酸化物及び前記窒化物は、互いに反応した後、生成物が焼結されることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
化学式Ａｕ（ｉＰｒＯ）ｗ及びＢｓ（ｉＰｒＯ）ｔである金属イソプロポキシドであって、Ａ及びＢがＺｒ、Ｔｉ，Ｈｆ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ，Ｗ、Ｍｎ，Ｆｅ，Ｒｕ，Ｏｓ、Ｃｏ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｚｎ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｅ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｇａ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，ＣｕＡｌ，ＣｕＮｉ，ＰｂＺｒ，ＳｒＴｉ，ＢａＺｒ，ＳｒＣｕ２から成るグループから選択される金属又は金属に近い物質であって、ｓ、ｕ、ｔ、及びｗは０．１から１０の範囲にあり、（ｉＰｒＯ）はイソプロポキシド基である少なくとも二つの前駆分子を混合して反応するステップと、
１〜２０時間、５０〜３００℃の温度で、任意に酸存在下で、混合した生成物を熱するステップと、
前記半導体化合物を得るために前記生成物を濾過するステップ、又は前記Ａ及び前記Ｂを含む酸化物ＡＯｍと窒化物Ｂ（ＮＯ３）ｑを反応させ、ｍ及びｑは０．１から１０の範囲にあるステップの何れかと、
３００℃超過で、１０〜６０分間、生成物を焼結するステップと、
から成る手段によって半導体化合物が合成されることを特徴とする、請求項１〜９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体化合物が、１μｍ以下の平均粒径を有する半導体微粒子として前記光活性デバイスの前記半導体層で混合されることを特徴とする、請求項１〜１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体微粒子は、前記半導体微粒子を構成する半導体化合物と同じ及び／もしくはそれ以外の半導体化合物から成る外殻を有することを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体微粒子は、棒状、筒状、円柱状、立方体状、平行六面体状、球状、ボール状、楕円体状から成るグループから選択される形状を有することを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
上記半導体微粒子は、少なくとも２種類の粒子の混合物であって、当該粒子は、平均粒径又は平均長さ、及び／又は組成が異なることを特徴とする、請求項１１〜１３の何れかに記載の方法。
【請求項１５】
前記半導体微粒子は、第１の粒子と第２の粒子の混合物であって、
当該第１の粒子は、１ｎｍから３０ｎｍまでの範囲にある平均粒径又は平均長さを有し、
前記第２の粒子は、５０ｎｍから５００ｎｍまでの範囲にある平均粒径及び／又は５０ｎｍから５μｍの範囲にある平均長さを有することを特徴とする、請求項１１〜１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
前記半導体微粒子は、第１の粒子と第２の粒子の混合物であって、
当該第１の粒子は、請求項１〜１０のいずれか１項に規定されたような第１の半導体化合物ＡｘＢ１−ｘＣｙで、ＣはＯである化合物から成り、
当該第２の粒子は、請求項１〜１０のいずれか１項に規定されたような第２の半導体化合物ＡｘＢ１−ｘＣｙで、ＣはＯである化合物から成るか、
又は当該第２の粒子は、ＡＣｖ及び／又はＢＣｚに関する請求項７で規定されたような半導体酸化物から成り、
前記第１の半導体化合物及び前記第２の半導体化合物は同じであっても違ってもよいことを特徴とする、請求項１１〜１５の何れかに記載の方法。
【請求項１７】
前記半導体層は、１μｍ以下の範囲の粒径を有する細孔を含むことを特徴とする、請求項１〜１６の何れかに記載の方法。
【請求項１８】
前記光活性デバイスを製造する過程で、前記半導体微粒子は、シルク捺染、ドクターブレード、ドロップキャスティング、スピンコーティング、インクジェットプリンティング、静電自己積層、リフトオフ、鉱化又はアノード酸化によって適用されることを特徴とする、請求項１１〜１６の何れかに記載の方法。
【請求項１９】
前記半導体層に色素を含み、
前記半導体材料は、導電帯の上端が前記色素の光励起状態より下かもしくは同じであるように選択され、前記色素の光励起により前記色素から前記導電帯に電子が入り、上端が請求項４〜１０のいずれか１項に規定されているようなＡＣｖとＢＣｚの導電帯の上端の間にあることを特徴とする、請求項１〜１８の何れかに記載の方法。
【請求項２０】
前記調整は、前記導電帯及び前記価電子帯の間の前記エネルギーの差を広げること又は狭めることであり、前記調整は、前記導電帯及び価電子帯間のバンドギャップのポジションのシフトであることを特徴とする、請求項１〜１９の何れかに記載の方法。
【請求項２１】
前記光活性デバイスは、色素増感太陽電池（ＤＳＳＣ）であることを特徴とする、請求項１〜２０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記調整は、前記光励起状態から前記半導体材料の前記導電帯に電子が入ることを可能にするために前記色素の光励起状態に関するものであり、
更に前記調整は、色素増感太陽電池に存在する酸化還元対の酸化還元電位に関するものであることを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
請求項５で規定される混合半導体酸化物であるような半導体材料としての半導体化合物を有する半導体層から成る、光活性デバイスであり、請求項１〜２２のいずれか１項に記載の方法によって調整されることを特徴とする、光活性デバイス。
【請求項２４】
前記半導体層に色素を含み、
前記半導体材料の導電帯の上端を前記色素の励起状態にできるだけ近くして、
前記色素の励起状態から前記半導体材料の導電帯に電子が効率的に入るように前記色素の励起状態に関して前記半導体材料の導電帯が調整されることを特徴とする、請求項２３に記載の光活性デバイス。
【請求項２５】
色素増感太陽電池、光活性触媒、自己浄化窓、水精製システムを含むグループから選択されるデバイスであることを特徴とする、請求項２３または２４に記載の光活性デバイス。