(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0006656508.tif 000028
（式中、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、又は二価の脂環族基を表し、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、ＮＨを表し、ｎは０又は１を表し、Ｒ３は、ｎ＝０の場合、置換基として芳香族炭化水素基、複素芳香族基又は脂環式炭化水素基をもつ炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【化２】
0006656508.tif 000029
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜２０の整数を表す。）
から選ばれる基を表し、
ｎ＝１の場合、置換基を有しても良い芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、置換基として芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【化３】
0006656508.tif 000030
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜２０の整数を表す。）
から選ばれる基を表す。）
で表される化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、それを用いた有機半導体材料、これを含有する有機半導体インク、及びそれを用いた有機トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アモルファスシリコンや多結晶シリコンを用いてなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などのスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いたＴＦＴの作製に用いられるＣＶＤ装置は、高価であるため、大型のＴＦＴ素子の製造は製造コストの増大を招くことになる。また、シリコン材料は高温下で成膜されるため、今後フレキシブルディスプレイの基板候補であるプラスチック基板には耐熱性の問題から展開できない。これを解決するために、シリコン半導体に代えて、有機半導体をチャネル半導体層に用いた有機ＴＦＴが提案されている。
【０００３】
有機半導体は溶液とすることで、低温で印刷成膜できるため、大規模な製造設備を必要とせず、また、耐熱性の乏しいプラスチック上にも適用でき、フレキシブルディスプレイを牽引すると期待されている。一方、有機半導体はシリコン半導体に比べ、キャリア移動度が低く、その結果、ＴＦＴの応答速度が遅くなることが実用化の課題であったが、近年、アモルファスシリコン同等の移動度の有機半導体が開発されてきた。
【０００４】
例えば、特許文献１には、２，７−置換[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ][１]ベンゾチオフェン骨格（以下、[１]ベンゾチエノ[３，２−ｂ][１]ベンゾチオフェンをＢＴＢＴと略する）を有する化合物が記載されており、その置換基として、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、ハロゲンを有するＣ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ１−Ｃ１８アルキルオキシ、Ｃ１−Ｃ１８アルキルチオ、もしくはアリール、又は、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ１８アルキル、ハロゲンを有するＣ１−Ｃ１８アルキル、Ｃ１−Ｃ１８アルキルオキシ、Ｃ１−Ｃ１８アルキルチオの少なくとも一つを有するアリールであるものが記載されている。これら化合物の移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は、０．１７〜０．３１ｃｍ２／Ｖｓであるという。
【０００５】
また、特許文献２には、２，７−置換ＢＴＢＴ骨格を有する化合物が記載されており、その置換基として、水素原子、ハロゲノ置換Ｃ１−Ｃ３６脂肪速炭化水素基であるものが記載されている。これら化合物の移動度（ｃｍ２／Ｖｓ）は、０．１２〜４．５ｃｍ２／Ｖｓであることが記載されている。
【０００６】
一方、特許文献３には、２−アルキル−７−アリールＢＴＢＴが開示されている。この化合物は、高次の液晶相を経由して結晶化することにより、分子配列の秩序性が高い
膜を簡便に形成することができ、移動度５ｃｍ２／Ｖｓに達する高い移動度の膜を容易に与えることができるという。しかし、この化合物は、アリール基がＢＴＢＴと直接結合しており、有機溶媒への溶解性が低いことが課題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００６−０７７８８８号公報
【特許文献２】ＷＯ２００８−４７８９６号公報
【特許文献３】ＷＯ２０１２−１２１３９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来材料は、未だ移動度が１ｃｍ２／Ｖｓ未満のものが多く、液晶表示装置や有機ＥＬを駆動するには不十分である。また、高移動度が報告されている特許文献２の化合物はスピンコート成膜することができるものの、高移動度を発現するためには熱処理しなければならず、処理温度や処理時間のバラツキによって、同条件で作製したＴＦＴであっても、移動度のバラツキが大きい。
【０００９】
従って、有機半導体材料には分子自身のキャリア移動度の向上に加え、印刷成膜しても性能が低下せず、容易に高い移動度の膜を形成することが求められている。
【００１０】
そこで、本発明の課題は、高い溶媒溶解性をもち、煩雑なプロセスを得ることなく高いキャリア移動度をもった膜を得ることができる化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明では、鋭意検討を行ったところ、ＢＴＢＴ誘導体のアルキル置換基に特定構造の可溶性官能基を導入することで、有機溶媒への高い溶解性を示し、高い移動度の膜を容易に形成することを見出し、本発明を完成するに至った。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高い溶解性と高い移動度を兼ね備えた有機半導体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ボトムゲートボトムコンタクト型トランジスタの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
即ち、本発明は以下の項目から構成される。
１．一般式（１）
【００１５】
【化１】
0006656508.tif 000002
【００１６】
(式中、Ａｒは置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、Ｒ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、又は二価の脂環族基を表し、Ｘ１、Ｘ２は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、ＮＨを表し、ｎは０又は１を表し、Ｒ３は、ｎ＝０の場合、置換基として芳香族炭化水素基、複素芳香族基又は脂環式炭化水素基をもつ炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【００１７】
【化２】
0006656508.tif 000003
【００１８】
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜２０の整数を表す。）
から選ばれる基を表し、
ｎ＝１の場合、置換基を有しても良い芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、置換基として芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【００１９】
【化３】
0006656508.tif 000004
【００２０】
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜○の整数を表す。）
から選ばれる基を表す。）
で表される化合物、
２．１．に記載の化合物を含有する有機半導体材料
３．２．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体インク、
４．２．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体膜、
５．２．に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体デバイス、
６．２．に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタ。
【００２１】
（一般式（１）で表される化合物）
本発明の一般式（１）で表される置換基のＡｒは、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基または置換基を有してもよい複素芳香族基であれば、特に制限はないが、例えば以下のものを挙げることができる。
置換基を有してもよい芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフテニル基、アントラニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ｐ−ターフェニル基、クォーターフェニル基などの無置換の炭素数６〜２４の単環または多環式芳香族炭化水素基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、メシチル基、ジュリル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−デカフェニル基、４−ステアリルフェニル基、９，９‘−ジヘキシルフルオレニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数１〜１８のアルキル基で置換されたアルキル置換芳香族炭化水素基、
スチリル基、４−ブテニルフェニル基、４−オクタデセニルフェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数２〜２０のアルケニル基で置換されたアルケニル置換芳香族炭化水素基、
【００２２】
４−フルオロフェニル基、２，６−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−パーフルオロフェニル基など、前記の芳香族炭化水素基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換されたハロゲン化芳香族炭化水素基、
４−（２−エトキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘプチルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（１２−エトキシドデシル）フェニル基、４−（シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換芳香族炭化水素基、
４−（メチルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）フェニル基、４−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）フェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換芳香族炭化水素基、
４−（３−オクチルアミノプロピル）フェニル基、４−（３−ドデシルアミノプロピル）フェニル基、４−（ジエチルアミノエチル）フェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換芳香族炭化水素基、などが挙げられる。
【００２３】
また、置換基を有してもよい複素芳香族基としては、ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基など、５員環または６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基にベンゼンが縮合した多環式複素芳香族基、
５−メチルチエニル基、５−ヘキシルチエニル基、５−デカチエニル基、５−ステアリルチエニル基など前記複素芳香族基が炭素数１〜２０のアルキル基で置換されたアルキル置換複素芳香族基、
【００２４】
フルオロピリジニル基、フルオロインドリル基など、前記の複素芳香族基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換されたハロゲン化複素芳香族基、
５−（２−エトキシエチル）チエニル基、５−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）チエニル基、５−（２−シクロヘキシルオキシエチル）チエニル基、５−（１２−エトキシドデシル）チエニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換複素芳香族基、
【００２５】
５−（メチルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）チエニル基、５−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）チエニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換複素芳香族基、
５−（３−オクチルアミノプロピル）チエニル基、５−（３−ドデシルアミノプロピル）チエニル基、５−（ジエチルアミノエチル）チエニル基など、前記の複素芳香族基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換複素芳香族基、などが挙げられる。  
【００２６】
上記の中でも、高い溶解性と移動度を維持するため、Ａｒは、単環式芳香族炭化水素基、または単環式複素芳香族基が好ましい。また、置換基を有す場合は、炭素数１〜１２の置換基を有する芳香族炭化水素基または複素芳香族基が特に好ましい。
【００２７】
一般式（１）の−Ｒ１−Ｘ１−（Ｒ２−Ｘ２）ｎ−Ｒ３で表される置換基のＲ１、Ｒ２は、それぞれ独立して、炭素数１〜２０のアルキレン基、又は脂環族基であれば、特に制限はないが、Ｒ１は、溶解性と移動度の観点から炭素数８〜１５が好ましい。  Ｒ２は、溶解性の観点から、炭素数５以下が好ましく、特に好ましくは、炭素数３以下である。
【００２８】
一般式（１）で表されるＸ１、Ｘ２は、それぞれ独立してＯ、Ｓ、ＮＨであれば、特に制限はないが、溶解性と移動度の観点からＯが好ましい。
【００２９】
一般式（１）で表されるＲ３は、ｎ＝０の場合、置換基として芳香族炭化水素基、複素芳香族基又は脂環式炭化水素基をもつ炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【００３０】
【化４】
0006656508.tif 000005
【００３１】
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜２０の整数を表す。）
から選ばれる基であれば問題ないが、Ｒ３は、溶解性と移動度の観点から５以下のアルキル基が好ましく、特に好ましくは炭素数３以下のアルキル基である。
【００３２】
また、置換基として芳香族炭化水素基は、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフテニル基、アントラニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ｐ−ターフェニル基、クォーターフェニル基などの無置換の炭素数６〜２４の単環または多環式芳香族炭化水素基、
【００３３】
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、メシチル基、ジュリル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−デカフェニル基、４−ステアリルフェニル基、９，９‘−ジヘキシルフルオレニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数１〜１８のアルキル基で置換されたアルキル置換芳香族炭化水素基、
スチリル基、４−ブテニルフェニル基、４−オクタデセニルフェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数２〜２０のアルケニル基で置換されたアルケニル置換芳香族炭化水素基、
【００３４】
４−フルオロフェニル基、２，６−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−パーフルオロフェニル基など、前記の芳香族炭化水素基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換されたハロゲン化芳香族炭化水素基、
４−（２−エトキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘプチルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（１２−エトキシドデシル）フェニル基、４−（シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換芳香族炭化水素基、
【００３５】
４−（メチルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）フェニル基、４−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）フェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換芳香族炭化水素基、
４−（３−オクチルアミノプロピル）フェニル基、４−（３−ドデシルアミノプロピル）フェニル基、４−（ジエチルアミノエチル）フェニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換芳香族炭化水素基、などが挙げられる。
【００３６】
また、置換基として複素芳香族基は、ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基など、５員環または６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基にベンゼンが縮合した多環式複素芳香族基、
５−メチルチエニル基、５−ヘキシルチエニル基、５−デカチエニル基、５−ステアリルチエニル基など前記複素芳香族基が炭素数１〜２０のアルキル基で置換されたアルキル置換複素芳香族基、
【００３７】
フルオロピリジニル基、フルオロインドリル基など、前記の複素芳香族基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲンで置換されたハロゲン化複素芳香族基、５−（２−エトキシエチル）チエニル基、５−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）チエニル基、５−（２−シクロヘキシルオキシエチル）チエニル基、５−（１２−エトキシドデシル）チエニル基など、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換複素芳香族基、
【００３８】
５−（メチルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）チエニル基、５−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）チエニル基など、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換複素芳香族基、
５−（３−オクチルアミノプロピル）チエニル基、５−（３−ドデシルアミノプロピル）チエニル基、５−（ジエチルアミノエチル）チエニル基など、前記の複素芳香族基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換複素芳香族基、などが挙げられる。
【００３９】
また、置換基として脂環式炭化水素基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロへキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロプロペン基、シクロブテン基、シクロペンテン基、シクロへキセン基、シクロヘプテン基、シクロオクテン基などが挙げられる。
【００４０】
上記の中でも、高い溶解性を維持するため、置換基としては、単環式芳香族炭化水素基、単環式複素芳香族基が好ましい。
【００４１】
一般式（１）で表されるＲ３は、ｎ＝１の場合、置換基を有しても良い芳香族炭化水素基又は複素芳香族基、置換基として芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を有してもよい炭素数１〜２０のアルキル基、又は一般式（Ａ）〜（Ｃ）
【００４２】
【化５】
0006656508.tif 000006
【００４３】
（Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基を表し、ｍは、１〜○の整数を表す。）
から選ばれる基であれば特に制限はないが、溶解性の観点から、炭素数５以下のアルキル基が好ましく、特に好ましくは炭素数３以下のアルキル基である。
【００４４】
また、Ａｒ’は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であるが、当該Ａｒ’は、前記の置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基と同一の基を挙げることができる。
【００４５】
また、一般式（１）の−Ｒ１−Ｘ１−（Ｒ２−Ｘ２）ｎ−Ｒ３で表される置換を具体的には、ｎ＝０の場合、（Ｉ）アラルコキシアルキル基、ｎ＝１の場合、（ＩＩ）アルコキシアルコキシアルキル基、（ＩＩＩ）アリールオキシアルコキシアルキル基であり、それぞれを以下のように例示できる。
【００４６】
（Ｉ）アラルコキシアルキル基としては、例えば、ベンジルオキシメチル基、２−（ベンジルオキシ）エチル基、３−（ベンジルオキシ）プロピル基、４−（ベンジルオキシ）ブチル基、５−（ベンジルオキシ）ペンチル基,６−（ベンジルオキシ）ヘキシル基、７−（ベンジルオキシ）ヘプチル基、８−（ベンジルオキシ）オクチル基、９−（ベンジルオキシ）ノニル基、１０−（ベンジルオキシ）デシル基、 １１−（ベンジルオキシ）ウンデシル基、１２−（ベンジルオキシ）ドデシル基、１３−（ベンジルオキシ）トリデシル基、１４−（ベンジルオキシ）テトラデシル基、１５−（ベンジルオキシ）ペンタデシル基、１６−（ベンジルオキシ）ヘキサデシル基、１７−（ベンジルオキシ）ヘプタデシル基、１８−（ベンジルオキシ）オクタデシル基、１９−（ベンジルオキシ）ノナデシル基、２０−（ベンジルオキシ）イコシル基、
【００４７】
フェネトキシメチル基、２−フェネトキシエチル基、３−フェネトキシプロピル基、４−フェネトキシブチル基、５−フェネトキシペンチル基,６−フェネトキシヘキシル基、７−フェネトキシヘプチル基、８−フェネトキシオクチル基、９−フェネトキシノニル基、１０−フェネトキシデシル基、 １１−フェネトキシウンデシル基、１２−フェネトキシドデシル基、１３−フェネトキシトリデシル基、１４−フェネトキシテトラデシル基、１５−フェネトキシペンタデシル基、１６−フェネトキシヘキサデシル基、１７−フェネトキシヘプタデシル基、１８−フェネトキシオクタデシル基、１９−フェネトキシノナデシル基、２０−フェネトキシイコシル基、
などが挙げられる。
【００４８】
（ＩＩ）アルコキシアルコキシアルキル基としては、例えば（メトキシメトキシ）メチル基、２−（メトキシメトキシ）エチル基、３−（メトキシメトキシ）プロピル基、４−（メトキシメトキシ）ブチル基、５−（メトキシメトキシ）ペンチル基、６−（メトキシメトキシ）ヘキシル基、７−（メトキシメトキシ）ヘプチル基、８−（メトキシメトキシ）オクチル基、９−（メトキシメトキシ）ノニル基、１０−（メトキシメトキシ）デシル基、１１−（メトキシメトキシ）ウンデシル基、１２−（メトキシメトキシ）ドデシル基、１３−（メトキシメトキシ）トリデシル基、１４−（メトキシメトキシ）テトラデシル基、１５−（メトキシメトキシ）ペンタデシル基、１６−（メトキシメトキシ）ヘキサデシル基、１７−（メトキシメトキシ）ヘプタデシル基、１８−（メトキシメトキシ）オクタデシル基、１９−（メトキシメトキシ）ノナデシル基、２０−（メトキシメトキシ）イコシル基、
【００４９】
（メトキシエトキシ）メチル基、２−（メトキシエトキシ）エチル基、３−（メトキシエトキシ）プロピル基、４−（メトキシエトキシ）ブチル基、５−（メトキシエトキシ）ペンチル基、６−（メトキシエトキシ）ヘキシル基、７−（メトキシエトキシ）ヘプチル基、８−（メトキシエトキシ）オクチル基、９−（メトキシエトキシ）ノニル基、１０−（メトキシエトキシ）デシル基、１１−（メトキシエトキシ）ウンデシル基、１２−（メトキシエトキシ）ドデシル基、１３−（メトキシエトキシ）トリデシル基、１４−（メトキシエトキシ）テトラデシル基、１５−（メトキシエトキシ）ペンタデシル基、１６−（メトキシエトキシ）ヘキサデシル基、１７−（メトキシエトキシ）ヘプタデシル基、１８−（メトキシエトキシ）オクタデシル基、１９−（メトキシエトキシ）ノナデシル基、２０−（メトキシエトキシ）イコシル基、
【００５０】
（メトキシプロポキシ）メチル基、２−（メトキシプロポキシ）エチル基、３−（メトキシプロポキシ）プロピル基、４−（メトキシプロポキシ）ブチル基、５−（メトキシプロポキシ）ペンチル基、６−（メトキシプロポキシ）ヘキシル基、７−（メトキシプロポキシ）ヘプチル基、８−（メトキシプロポキシ）オクチル基、９−（メトキシプロポキシ）ノニル基、１０−（メトキシプロポキシ）デシル基、１１−（メトキシプロポキシ）ウンデシル基、１２−（メトキシプロポキシ）ドデシル基、１３−（メトキシプロポキシ）トリデシル基、１４−（メトキシプロポキシ）テトラデシル基、１５−（メトキシプロポキシ）ペンタデシル基、１６−（メトキシプロポキシ）ヘキサデシル基、１７−（メトキシプロポキシ）ヘプタデシル基、１８−（メトキシプロポキシ）オクタデシル基、１９−（メトキシプロポキシ）ノナデシル基、２０−（メトキシプロポキシ）イコシル基、
【００５１】
（ベンジルオキシメトキシ）メチル基、２−（（ベンジルオキシ）メトキシ）エチル基、３−（（ベンジルオキシ）メトキシ）プロピル基、４−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ブチル基、５−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ペンチル基、６−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ヘキシル基、７−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ヘプチル基、８−（（ベンジルオキシ）メトキシ）オクチル基、９−（（ベンジルオキシ）メトキシ））ノニル基、１０−（（ベンジルオキシ）メトキシ）デシル基、１１−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ウンデシル基、１２−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ドデシル基、１３−（（ベンジルオキシ）メトキシ）トリデシル基、１４−（（ベンジルオキシ）メトキシ）テトラデシル基、１５−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ペンタデシル基、１６−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ヘキサデシル基、１７−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ヘプタデシル基、１８−（（ベンジルオキシ）メトキシ）オクタデシル基、１９−（（ベンジルオキシ）メトキシ）ノナデシル基、２０−（（ベンジルオキシ）メトキシ）イコシル基、
【００５２】
（フェネトキシメトキシ）メチル基、２−（（フェネトキシ）メトキシ）エチル基、３−（（フェネトキシ）メトキシ）プロピル基、４−（（フェネトキシ）メトキシ）ブチル基、５−（（フェネトキシ）メトキシ）ペンチル基、６−（（フェネトキシ）メトキシ）ヘキシル基、７−（（フェネトキシ）メトキシ）ヘプチル基、８−（（フェネトキシ）メトキシ）オクチル基、９−（（フェネトキシ）メトキシ））ノニル基、１０−（（フェネトキシ）メトキシ）デシル基、１１−（（フェネトキシ）メトキシ）ウンデシル基、１２−（（フェネトキシ）メトキシ）ドデシル基、１３−（（フェネトキシ）メトキシ）トリデシル基、１４−（（フェネトキシ）メトキシ）テトラデシル基、１５−（（フェネトキシ）メトキシ）ペンタデシル基、１６−（（フェネトキシ）メトキシ）ヘキサデシル基、１７−（（フェネトキシ）メトキシ）ヘプタデシル基、１８−（（フェネトキシ）メトキシ）オクタデシル基、１９−（（フェネトキシ）メトキシ）ノナデシル基、２０−（（フェネトキシ）メトキシ）イコシル基、
【００５３】
（ベンジルオキシエトキシ）メチル基、２−（（ベンジルオキシ）エトキシ）エチル基、３−（（ベンジルオキシ）エトキシ）プロピル基、４−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ブチル基、５−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ペンチル基、６−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ヘキシル基、７−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ヘプチル基、８−（（ベンジルオキシ）エトキシ）オクチル基、９−（（ベンジルオキシ）エトキシ））ノニル基、１０−（（ベンジルオキシ）エトキシ）デシル基、１１−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ウンデシル基、１２−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ドデシル基、１３−（（ベンジルオキシ）エトキシ）トリデシル基、１４−（（ベンジルオキシ）エトキシ）テトラデシル基、１５−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ペンタデシル基、１６−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ヘキサデシル基、１７−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ヘプタデシル基、１８−（（ベンジルオキシ）エトキシ）オクタデシル基、１９−（（ベンジルオキシ）エトキシ）ノナデシル基、２０−（（ベンジルオキシ）エトキシ）イコシル基、
【００５４】
（フェネトキシエトキシ）メチル基、２−（（フェネトキシ）エトキシ）エチル基、３−（（フェネトキシ）エトキシ）プロピル基、４−（（フェネトキシ）エトキシ）ブチル基、５−（（フェネトキシ）エトキシ）ペンチル基、６−（（フェネトキシ）エトキシ）ヘキシル基、７−（（フェネトキシ）エトキシ）ヘプチル基、８−（（フェネトキシ）エトキシ）オクチル基、９−（（フェネトキシ）エトキシ））ノニル基、１０−（（フェネトキシ）エトキシ）デシル基、１１−（（フェネトキシ）エトキシ）ウンデシル基、１２−（（フェネトキシ）メトキシ）ドデシル基、１３−（（フェネトキシ）エトキシ）トリデシル基、１４−（（フェネトキシ）エトキシ）テトラデシル基、１５−（（フェネトキシ）エトキシ）ペンタデシル基、１６−（（フェネトキシ）エトキシ）ヘキサデシル基、１７−（（フェネトキシ）エトキシ）ヘプタデシル基、１８−（（フェネトキシ）エトキシ）オクタデシル基、１９−（（フェネトキシ）エトキシ）ノナデシル基、２０−（（フェネトキシ）エトキシ）イコシル基、
【００５５】
（ベンジルオキシプロポキシ）メチル基、２−（（ベンジルオキシ）プロポシ）エチル基、３−（（ベンジルオキシ）プロポシ）プロピル基、４−（（ベンジルオキシ）プロポ）ブチル基、５−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ペンチル基、６−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ヘキシル基、７−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ヘプチル基、８−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）オクチル基、９−（（ベンジルオキシ）プロポキシ））ノニル基、１０−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）デシル基、１１−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ウンデシル基、１２−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ドデシル基、１３−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）トリデシル基、１４−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）テトラデシル基、１５−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ペンタデシル基、１６−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ヘキサデシル基、１７−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ヘプタデシル基、１８−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）オクタデシル基、１９−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）ノナデシル基、２０−（（ベンジルオキシ）プロポキシ）イコシル基、
【００５６】
（フェネトキシプロポキシ）メチル基、２−（（フェネトキシ）プロポキシ）エチル基、３−（（フェネトキシ）プロポキシ）プロピル基、４−（（フェネトキシ）プロポキシ）ブチル基、５−（（フェネトキシ）プロポキシ）ペンチル基、６−（（フェネトキシ）プロポキシ）ヘキシル基、７−（（フェネトキシ）プロポキシ）ヘプチル基、８−（（フェネトキシ）プロポキシ）オクチル基、９−（（フェネトキシ）プロポキシ））ノニル基、１０−（（フェネトキシ）プロポキシ）デシル基、１１−（（フェネトキシ）プロポキシ）ウンデシル基、１２−（（フェネトキシ）プロポキシ）ドデシル基、１３−（（フェネトキシ）プロポキシ）トリデシル基、１４−（（フェネトキシ）プロポキシ）テトラデシル基、１５−（（フェネトキシ）プロポキシ）ペンタデシル基、１６−（（フェネトキシ）プロポキシ）ヘキサデシル基、１７−（（フェネトキシ）プロポキシ）ヘプタデシル基、１８−（（フェネトキシ）プロポキシ）オクタデシル基、１９−（（フェネトキシ）プロポキシ）ノナデシル基、２０−（（フェネトキシ）プロポキシ）イコシル基、などが挙げられる。
【００５７】
（ＩＩＩ）アリールオキシアルコキシアルキル基としては、例えば（フェノキシメトキシ）メチル基、２−（フェノキシメトキシ）エチル基、３−（（フェノキシメトキシ）プロピル基、４−（フェノキシメトキシ）ブチル基、５−（フェノキシメトキシ）ペンチル基、６−（フェノキシメトキシ）ヘキシル基、７−（フェノキシメトキシ）ヘプチル基、８−（フェノキシメトキシ）オクチル基、９−（フェノキシメトキシ）ノニル基、１０−（フェノキシメトキシ）デシル基、１１−（フェノキシメトキシ）ウンデシル基、１２−（フェノキシメトキシ）ドデシル基、１３−（フェノキシメトキシ）トリデシル基、１４−（フェノキシメトキシ）テトラデシル基、１５−（フェノキシメトキシ）ペンタデシル基、１６−（フェノキシメトキシ）ヘキサデシル基、１７−（フェノキシメトキシ）ヘプタデシル基、１８−（フェノキシメトキシ）オクタデシル基、１９−（フェノキシメトキシ）ノナデシル基、２０−（フェノキシメトキシ）イコシル基、
【００５８】
（フェノキシエトキシ）メチル基、２−（２−フェノキシエトキシ）エチル基、３−（（２−フェノキシエトキシ）プロピル基、４−（２−フェノキシエトキシ）ブチル基、５−（２−フェノキシエトキシ）ペンチル基、６−（２−フェノキシエトキシ）ヘキシル基、７−（２−フェノキシエトキシ）ヘプチル基、８−（２−フェノキシエトキシ）オクチル基、９−（２−フェノキシエトキシ）ノニル基、１０−（２−フェノキシエトキシ）デシル基、１１−（２−フェノキシエトキシ）ウンデシル基、１２−（２−フェノキシエトキシ）ドデシル基、１３−（２−フェノキシエトキシ）トリデシル基、１４−（２−フェノキシエトキシ）テトラデシル基、１５−（２−フェノキシエトキシ）ペンタデシル基、１６−（２−フェノキシエトキシ）ヘキサデシル基、１７−（２−フェノキシエトキシ）ヘプタデシル基、１８−（２−フェノキシエトキシ）オクタデシル基、１９−（２−フェノキシエトキシ）ノナデシル基、２０−（２−フェノキシエトキシ）イコシル基、
【００５９】
（３−フェノキシプロポキシ）メチル基、２−（３−フェノキシプロポシ）エチル基、３−（３−フェノキシプロポキシ）プロピル基、４−（３−フェノキシプロポキシ）ブチル基、５−（３−フェノキシプロポキシ）ペンチル基、６−（３−フェノキシプロポキシ）ヘキシル基、７−（３−フェノキシプロポキシ）ヘプチル基、８−（３−フェノキプロポキシ）オクチル基、９−（３−フェノキシプロポキシ）ノニル基、１０−（３−フェノキシプロポキシ）デシル基、１１−（３−フェノキシプロポキシ）ウンデシル基、１２−（３−フェノキシプロポキシ）ドデシル基、１３−（３−フェノキシプロポキシ）トリデシル基、１４−（３−フェノキシプロポキシ）テトラデシル基、１５−（３−フェノキシプロポキシ）ペンタデシル基、１６−（３−フェノキシプロポキシ）ヘキサデシル基、１７−（３−フェノキシプロポキシ）ヘプタデシル基、１８−（３−フェノキシプロポキシ）オクタデシル基、１９−（３−フェノキシプロポキシ）ノナデシル基、２０−（３−フェノキシプロポキシ）イコシル基、などが挙げられる。
【００６０】
上記の中でも、
（Ｉ）炭素数８〜２０の脂肪族炭化水素からなるアラルコキシアルキル基、
（ＩＩ）炭素数８〜２０の脂肪族炭化水素からなるアルコキシアルコキシアルキル基、
（ＩＩＩ）炭素数８〜２０の脂肪族炭化水素からなるアリールオキシアルコキシアルキル基、が有機溶媒溶解性および移動度の観点から好ましい。
【００６１】
また、上記の中でも脂肪族炭化水素の炭素の数は、Ｒ１＞（Ｒ２＋Ｒ３）であることが、有機溶媒溶解性および移動度の観点からさらに好ましい。
【００６２】
以上説明した置換基を有する本発明の具体的な化合物として、以下を挙げることがで      
きるが、これらに限られるものではない。
【００６３】
【化６】
0006656508.tif 000007
【００６４】
【化７】
0006656508.tif 000008
【００６５】
【化８】
0006656508.tif 000009
【００６６】
【化９】
0006656508.tif 000010
【００６７】
【化１０】
0006656508.tif 000011
【００６８】
【化１１】
0006656508.tif 000012
【００６９】
(本発明化合物の合成)
本発明化合物の合成は、公知慣用の方法を組み合わせて行うことができる。
合成経路の一例は、以下を挙げることができる。
(合成ルートの一例)
【００７０】
【化１２】
0006656508.tif 000013
【００７１】
先ず、ＢＴＢＴを臭素化後、アリール誘導体との鈴木宮浦カップリング反応を行う。次  に、ハロゲン置換された脂肪族カルボン酸クロライドフリーデルクラフツアシル化反応し、その後、ウォルフ・キッシュナー還元することにより末端にハロゲン基を有するアルキル化された化合物を得る。次いで、水酸基を有する化合物とエーテル化反応を行うことで目的の化合物を得ることができる。
【００７２】
上記反応は、特に限定されることなく、公知慣用の試薬が使用でき、反応温度も公知慣用何れの温度も適用することができる。
【００７３】
以上のように得られる本発明の有機半導体材料は、溶媒溶解性が高く、成膜後に分子の並びが制御されているため、高い電荷移動度を発現する。従来化合物より素子間での移動度のバラツキが少なくなるため、種々の有機半導体デバイスに有用である。
【００７４】
本発明に関わる有機半導体材料をデバイスに応用する観点からみると、コア部のＨＯＭＯ、ＬＵＭＯのエネルギー準位も重要となる。一般に、有機半導体のＨＯＭＯレベルは、脱水されたジクロロメタンなどの有機溶媒に被検物質を、例えば、１ｍｍｏｌ／Ｌから１０ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解し、テトラブチルアンモニウム塩などの支持電解質を０．２ｍｏｌ／Ｌ程度加え、この溶液にＰｔなどの作用電極とＰｔなどの対向電極、およびＡｇ／ＡｇＣｌなど参照電極を挿入後、ポテンショスタットにて５０ｍＶ／ｓｅｃ程度の速度で掃引し、ＣＶ曲線を書かせ、ピークの電位および基準となる、例えばフェロセンなどの既知物質との電位の差より、ＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルを見積ることができる。ＨＯＭＯレベル、ＬＵＭＯレベルが用いた有機溶媒の電位窓よりも外れている場合、紫外可視吸収スペクトラムの吸収端より、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯレベルを計算し、測定できたレベルから差し引くことでＨＯＭＯレベルやＬＵＭＯレベルを見積ることができる。この方法は、Ｊ．Ｐｏｍｍｅｒｅｈｎｅ，  Ｈ．Ｖｅｓｔｗｅｂｅｒ，  Ｗ．Ｇｕｓｓ，  Ｒ．Ｆ．Ｍａｈｒｔ，  Ｈ．Ｂａｓｓｌｅｒ，  Ｍ．Ｐｏｒｓｃｈ，ａｎｄ  Ｊ．Ｄａｕｂ，Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，７，５５１（１９９５）を参照にすることができる。
【００７５】
一般に、有機半導体材料のＨＯＭＯ，ＬＵＭＯレベルは、それぞれ陽極、陰極と電気的な接触の目安を与え、電極材料の仕事関数との差によって決まるエネルギー障壁の大きさによって電荷注入が制限されることになるので、注意が必要である。金属の仕事関数は、しばしば、電極として用いられる物質の例をあげると、銀（Ａｇ）４．０ｅＶ、アルミニウム（Ａｌ）４．２８ｅＶ、金（Ａｕ）５．１ｅＶ、カルシウム（Ｃａ）２．８７ｅＶ、クロム（Ｃｒ）４．５ｅＶ、銅（Ｃｕ）４．６５ｅＶ、マグネシウム（Ｍｇ）３．６６ｅＶ、モリブデン（Ｍｏ）４．６ｅＶ、白金（Ｐｔ）５．６５ｅＶ、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）４．３５〜４．７５ｅＶ、酸化亜鉛（ＺｎＯ）４．６８ｅＶであるが、前述の観点から、有機半導体材料と電極物質との仕事関数の差は１ｅＶ以下が好ましく、より、好ましくは０．８ｅＶ以下、さらに好ましくは、０．６ｅＶ以下である。金属の仕事関数は、必要に応じて、下記の文献を参照することができる。
文献Ｄ：化学便覧  基礎編  改訂第５版ＩＩ−６０８−６１０  １４．１  ｂ仕事関数  （丸善出版株式会社）（２００４）
【００７６】
コア部の共役したπ−電子系の大きさによりＨＯＭＯ、ＬＵＭＯエネルギー準位は影響を受けるため、共役系の大きさは材料を選択する際に参考となる。また、ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯエネルギー準位を変化させる方法として、コア部にヘテロ元素を導入することは有効である。
【００７７】
適用可能な有機半導体デバイスとしては、ダイオード、有機トランジスタ、メモリ、フォトダイオード、発光ダイオード、発光トランジスタや、ガスセンサー、バイオセンサー、血液センサー、免疫センサー、人工網膜、味覚センサーなどのセンサー類、ＲＦＩＤ等が挙げられる。
【００７８】
中でも、本発明の有機半導体材料は、０．１ｃｍ２／Ｖｓ以上の高い電荷移動度を有するので、有機トランジスタまたは発光デバイスへの応用が特に有用である。有機トランジスタは、ディスプレイを構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用できる。ディスプレイの例としては、液晶ディスプレイ、分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミックディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等が挙げられる。
【００７９】
なお、有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極、およびゲート絶縁層、有機半導体層を有して成るものであり、各電極や各層の配置によって種々のタイプのトランジスタがあるが、本発明の有機半導体材料はトランジスタの種類に限定されることなく、何れのトランジスタにも使用することができる。トランジスタの種類については、アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」などを参照することができる。
【００８０】
（移動度について）
本発明における移動度は、ホールや電子などのキャリアの移動度であり、有機半導体材料の性能を表す指標となる。移動度には、ＴＯＦ（Ｔｉｍｅ−ｏｆ−Ｆｌｉｇｈｔ）法による移動度（μＴＯＦ：単位ｃｍ２／Ｖ・ｓ）、および有機トランジスタにより求められる移動度（μＦＥＴ：単位ｃｍ２／Ｖ・ｓ）があり、μＴＯＦやμＦＥＴが高いほど、キャリアが流れ易いことになる。
【００８１】
移動度（μＴＯＦ）は、ＴＯＦ測定用セルの電極間の電圧をＶ、電極間距離をｄ、光電流の波形から算出した膜厚中を横切る時間をＴｒとし、下記式（ｉ）により求められる。また、移動度（μＦＥＴ）は、ドレイン電圧ＶＤを固定し、ゲート電圧ＶＧを変化させることによって得られる伝達特性の曲線を用いて、下記式（ｉｉ）により求められる。
【００８２】
【数１】
0006656508.tif 000014
【００８３】
【数２】
0006656508.tif 000015
【００８４】
（式（ｉｉ）中、Ｃｉｎはゲート絶縁膜の単位面積当たりの電気容量、ＩＤはドレイン電流、Ｌはチャンネル長、Ｗはチャンネル幅、ＶＴＨは閾値電圧である。）
有機半導体をデバイスに応用する際の有用性はその物質の示す移動度が一つの目安となる。これは、移動度によってデバイスの特性が制限されるからである。従来、アモルファス有機半導体においては、移動度は高いものでも１０−２ｃｍ２／Ｖｓ程度であり、一般には１０−５〜１０−３ｃｍ２／Ｖｓの値である。
【００８５】
液晶性物質は、非液晶物質と同様、結晶相を示すことから、液晶物質を有機半導体として用いる際、液晶相ばかりでなく、結晶相において有機半導体として用いることができることは言うまでもない。一般に、結晶相における移動度は液晶相における移動度に比較して、約半桁から１桁程度高い場合が多く、特に、高移動度を必要とするトランジスタ応用や電荷やエキシトンの大きな拡散長が要請される太陽電池等への応用には結晶    
相の利用が有効である。
【００８６】
（半導体デバイス動作の確認）
実施例に示すように、ＦＥＴを作製し、その特性を評価することにより本発明の有機半導体材料が、有機トランジスタとして使用可能であることを確認可能である。    
このような方法による半導体デバイス動作確認の詳細に関しては、例えば文献  Ｓ．  Ｆ．Ｎｅｌｓｏｎａ，Ｙ．−Ｙ．Ｌｉｎ，Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈ，ａｎｄ  Ｔ．  Ｎ．Ｊａｃｋｓｏｎ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ−ｉｎｄｅｐｅｎｄｅｎｔ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｉｎ  ｈｉｇｈ−ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ｐｅｎｔａｃｅｎｅ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７２，Ｎｏ．１５  １８５４−１８５６（１９９８）を参照することができる。
【００８７】
（有機半導体インク）
本発明の有機半導体材料は、蒸着して半導体膜を形成しても構わないが、低温成膜が可能で、生産性に優れる印刷用インクとして使用するのが好ましい。インクを調製するためには、本発明の有機半導体材料を溶媒に溶解し、半導体性能を損なわない範囲で、インク特性を付与するために、フッ素系やシリコン系などのレベリング剤、およびポリスチレンやアクリル樹脂などの高分子化合物を粘度調整剤として添加することもできる。
【００８８】
使用する有機溶媒は何を用いても構わず、また２種以上の有機溶媒を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカンなどの脂肪族系溶媒；シクロヘキサンなどの脂環式系溶媒；ベンゼン、トルエン、クメン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ｐ−シメン、メシチレン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、３，５−ジメトキシトルエン、２，４−ジメチルアニソール、フェネトール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、１，５−ジメチルテトラリン、ｎ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ペンチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、アニソール、ベンジルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン系溶媒；その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミドなどが挙げられるが、これらに限定されることはない。
調製された液体組成物における本発明の有機半導体材料の濃度としては、０．０１〜２０重量％であることが好ましく、さらには０．１〜１０重量％であることが好ましい。      
使用する有機溶媒は１種類でもよいが、所望の均質性の高い薄膜を得るため、複数の種類の溶媒を混合して用いてもよい。
【００８９】
（有機トランジスタ）
次に本発明の有機半導体材料を含有する有機トランジスタについて説明する。
有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極、およびゲート絶縁層、有機半導体層を有して成るものであり、各電極や各層の配置によって種々のタイプのトランジスタがあるが、本発明の有機半導体材料はトランジスタの種類に限定されることなく、何れのトランジスタにも使用することができる。トランジスタの種類については、アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」などを参照することができる。
図１に示すボトムコンタクト型を一例に詳説すると、１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４は有機半導体、５はソース電極、６はドレイン電極である。
【００９０】
基板としては、ガラスやフレキシブルな樹脂製シートで構成され、例えば、プラスチックフィルムをシートとして用いることができる。前記プラスチックフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等からなるフィルム等が挙げられる。このように、プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
【００９１】
ゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極の電極材料は、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等の金属電極が用いられるが、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体なども好適に用いられる。
【００９２】
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等によるレジストを用いてエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、導電性微粒子分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。更に導電性ポリマーや導電性微粒子を含むインク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
【００９３】
ゲート絶縁層は、パリレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂；ＵＶ硬化性樹脂などの有機薄膜が好適に使用できるが、酸化シリコン膜などの無機材料も用いることができる。
【００９４】
ゲート絶縁層はスピンコート法、キャスト法、ディップ法、インクジェット法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、ディスペンス法等の公知の湿式成膜方法により薄膜を作製することが可能であり、必要に応じフォトリソグラフ法で必要な形状にパターニングしても良い。
有機半導体層は、真空蒸着法等の公知慣用の製造方法で製造することができるが、組成物を有機半導体材料用インクとし、印刷法で簡便に有機半導体層を形成できる。
【００９５】
印刷法の一例を挙げると、スピンコート法、キャスト法、ディップ法、インクジェット法、ドクターブレード法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、ディスペンス法等の公知の湿式成膜方法により薄膜を作製することが可能である。また、キャスト法などによっては平板状結晶や厚膜状態の形態をとることも可能である。
本発明の有機トランジスタは、ディスプレイを構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用できる。ディスプレイの例としては、液晶ディスプレイ、分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミックディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等が挙げられる。
【００９６】
（有機半導体デバイス）
適用可能な有機半導体デバイスとしては、ダイオード、有機トランジスタ、メモリ、フォトダイオード、発光ダイオード、発光トランジスタや、ガスセンサー、バイオセンサー、血液センサー、免疫センサー、人工網膜、味覚センサーなどのセンサー類、ＲＦＩＤ等が挙げられる。
【実施例】
【００９７】
本発明を実施例でさらに詳細に説明する。
＜トランジスタの作製＞
熱酸化膜付シリコンウエハー（ヘビードープｐ型シリコン（Ｐ＋−Ｓｉ）、熱酸化膜（ＳｉＯ２）厚さ：３００ｎｍ）を２０×２５ｍｍに切断後、この切断したシリコンウエハー（こののち基板と略す）を中性洗剤、超純水、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、アセトン、ＩＰＡの順に超音波洗浄を行った。
次に、以下実施例、比較例で合成した化合物をｐ−キシレンに溶解させ、溶液を調整した。溶液の濃度は０．４ｗｔ％から０．１ｗｔ％とした。この溶液、および、溶液を基板に塗布するガラス製のピペットを予め、ホットステージ上で所定の温度に加熱しておき、上記の基板をオーブン内に設置したスピンコータ上に設置し、オーブン内を６０℃に昇温した後、溶液を基板上に塗布し、基板を回転（約３０００ｒｐｍ、３０秒）させた。回転停止後、基板を素早く取り出し室温まで冷却させた。
更に、有機半導体層を塗布した基板に、真空蒸着法（２×１０−６Ｔｏｒｒ）を用いて、金をメタルマスクを介してパターン蒸着することにより、ソース・ドレイン電極を形成した（チャネル長：チャネル幅＝７５μｍ：３０００μｍ）。
【００９８】
作製した有機トランジスタの評価は、通常の大気雰囲気下において、２電源のソース・メジャーメントユニットを用いて、ソース電極、ドレイン電極間に流れる電流を、ゲート電極（Ｐ＋−Ｓｉ）に電圧をスイープ印加（Ｖｓｇ：＋４０〜−６０Ｖ）しながら測定（伝達特性）することによりおこなった（ソース電極、ドレイン電極間電圧Ｖｓｄ：−８０Ｖ）。移動度は、該伝達特性における、√Ｉｄ−Ｖｇの傾きから、飽和特性の式を用いた周知の方法により算出した。なお、移動度、オンオフ比の測定は５つのトランジスタについて行い、その平均値を記載した。
【００９９】
（溶解性試験）
２５±１℃の恒温水槽中で、スクリュー管に以下実施例、比較例で合成した化合物を０．１ｇ仕込み、任意量のｐ−キシレンを全内容量に対して化合物が１ｗｔ％となるように加え、溶解性試験を行った。目視により溶解を確認し、恒温水槽中に３０分放置し、析出がない場合を溶解量とした。１ｗｔ％で溶解しない場合、ｐ−キシレンを加え、０．０５ｗｔ％刻みになるよう合成化合物量を下げ、溶解するまで試験を行った。
（実施例１）
【０１００】
【化１３】
0006656508.tif 000016
【０１０１】
特開２０１０−２７５１９２号公報に記載の方法で得たＢＴＢＴ ４．４５ｇ（１８．５ｍｍｏｌ）、クロロホルム４００ｍＬ、臭素３．５８ｇ（２２．４ｍｍｏｌ）をクロロホルム２０ｍＬに溶解した溶液を加え、室温で３日間反応した。次いで、反応液に１％次亜塩素酸ナトリウム水溶液５０ｍＬを加えて撹拌し、有機相を分離した。有機相を飽和塩化ナトリウム水溶液５０ｍＬで洗浄し、有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒留去して２−ブロモＢＴＢＴの混合物を得た。
【０１０２】
【化１４】
0006656508.tif 000017
【０１０３】
次に、前記の２−ブロモＢＴＢＴの混合物に、フェニルホウ酸３．４ｇ（２７．９ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム６．３ｇ（４６ｍｍｏｌ）、ジオキサン４００ｍＬ、蒸留水５０ｍＬを加え、フラスコ内をアルゴンで２０分間置換後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１．０ｇ（０．９ｍｍｏｌ）トリｔ−ブチルホスフィン４．３ｍＬ（４．３ｍｍｏｌ）を加え、３時間加熱還流した。冷却後、蒸留水４００ｍＬを加え、不溶分をろ集、水洗し、さらにメタノールで洗浄した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：シクロヘキサン）により、反応生成物から原点成分を除去して２−フェニルＢＴＢＴの混合物４．０４ｇを得た後、さらにトルエン６０ｍＬで再結晶して２−フェニルＢＴＢＴ３．２３ｇ（ＢＴＢＴからの収率５６％）を得た。
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：８．１４ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．９５ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝７．０Ｈｚ，１Ｈ）、７．９４ｐｐｍ（ｄ,Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．９０ｐｐｍ（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．７１ｐｐｍ（ｄｄ，Ｊ＝７．０ａｎｄ１．６Ｈｚ，１Ｈ）、７．７０ｐｐｍ（ｄｄ，Ｊ＝７．２ａｎｄ１．４Ｈｚ．２Ｈ）、７．４９ｐｐｍ（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，２Ｈ）、７．４７ｐｐｍ（ｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．４２ｐｐｍ（ｔ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ）、７．３５ｐｐｍ（ｔｔ，Ｊ＝７．２ａｎｄ１．４Ｈｚ，１Ｈ）
【０１０４】
【化１５】
0006656508.tif 000018
【０１０５】
１２−ブロモドデカン酸２．８０ｇ（１０．１ｍｍｏｌ）を脱水クロロホルム（２０ｍＬ、関東化学製）に溶解し、氷浴下、塩化オキザリル２．６７ｇ（２１ｍｍｏｌ）次いで、脱水ＤＭＦ０．１ｍＬを滴下する。さらに４５℃（浴温）で２時間反応後、反応液を溜去し、さらにベンゼンを加え濃縮する。残留物（少量のガム状固体を含むオイル）を石油ベンジン（〜３０ｍＬ）で抽出し、氷水で洗浄、無水硫酸ナトリウムで脱水後、濃縮乾固して１２−ブロモドデカノイルクロリド２．９３ｇ（９８％）を得た。
【０１０６】
【化１６】
0006656508.tif 000019
【０１０７】
２−フェニルＢＴＢＴ１．５９ｇ（５．０３ｍｍｏｌ）（1.59ｇ）のジクロロメタン溶液１８０ｍＬに６℃（内温）に冷却下、無水塩化アルミニウム２．３９ｇ（１８．１ｍｍｏｌ）を加え、さらに３０分間で、−６０℃に冷却し、２−ブロモドデカノイルクロリド２．９３ｇ（９．９ｍｍｏｌ）のジクロロメタン溶液８ｍＬを滴下する。その温度で２時間反応後、水１００ｍＬを滴下して反応を停止し、室温で１晩攪拌する。クロロホルム約４００ｍＬを加えて下層（固体を含んでいる）を取り、１０％食塩水で洗浄後、下層を濃縮し、メタノールを加えて攪拌後、固体を濾取し、これをトルエンから再結晶化して精製し、２−（１２−ブロモドデシル−１−オン）−７−フェニルＢＴＢＴ２．３９ｇ（８１％）を得た。
【０１０８】
【化１７】
0006656508.tif 000020
【０１０９】
２−（１２−ブロモドデシル−１−オン）−７−フェニルＢＴＢＴ２．３３ｇ（４．  ０４ｍｍｏｌ）のジクロロメタン３００ｍＬ懸濁液を、予め調製したＢＨ３−ｔＢｕＮＨ２２．３ｇとＡｌＣｌ３ １．６９ｇ混合物のジクロロメタン溶液３５ｍＬ中に氷浴下、滴下する。１５℃で1晩反応後、０．５Ｍ塩酸６０ｍＬを加えて反応を停止し、クロロホルムで常法の後処理後、濃縮乾固して２−（１２−ブロモデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ２．２１ｇ（３．９３ｍｍｏｌ、９７％）を得た。
【０１１０】
【化１８】
0006656508.tif 000021
【０１１１】
２−（１２−ブロモデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ２００ｍｇ（０．３５４ｍｍｏ      ｌ）を脱水ＴＨＦ１０ｍＬ 、脱水ＤＭＦ２ｍＬ 、ベンジルアルコール２ｍＬの混液に溶解し、氷浴中冷却下、５５％水素化ナトリウム１００ｍｇを加える。室温で２０分攪拌後、８０℃（浴温）で更に２時間反応する。氷浴下、１Ｍ塩酸（２．５ｍＬ）を加えて反応を停止し、クロロホルムで抽出する。下層は更に水で５回洗浄し、無水硫酸ナトリウムで脱水後、大部分溶媒を溜去し、生じた固体にメタノール１０ｍＬを加えて１時間攪拌し、濾取する。この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液；シクロヘキサン−クロロホルム、２：１から１：１）で精製し、目的物である２−（１１−（ベンジルオキシ）ドデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ１４２ｍｇ（収率６８％）を得る。これをさらにトルエン−リグロインから再結晶化し、１２３ｍｇを得た。
得られた化合物について、上記トランジスタを作製し、移動度、オンオフ比ならびに、溶解性を評価し、結果を表１にまとめた。
1Ｈ-ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ  ８．１２（ｄ,１Ｈ,Ｊ１．８Ｈｚ）,７．９２（ｄ,１Ｈ,Ｊ８．２Ｈｚ）,７．７９（ｄ,１Ｈ,Ｊ〜８Ｈｚ）,７．７３（ｂｒ.ｓ,１Ｈ）,７．６９（ｄｘ２,３Ｈ,Ｊ〜８Ｈｚ）,７．４９（ｔ,２Ｈ,Ｊ〜８Ｈｚ）,７．３８（ｔｔ,１Ｈ,Ｊ〜１,〜８Ｈｚ）,７．３４〜７．２（ｍ,６Ｈｏｖｅｒｌａｐｐｄ）,４．５０（ｓ,２Ｈ,ＣＨ２-Ｐｈ)，３．４６（ｔ，２Ｈ，Ｊ６．７Ｈｚ），２．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ７．７Ｈｚ),１．７０（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ)１．６１（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），〜１．２〜１．４（ｍ，１６Ｈ）
（実施例２）
【０１１２】
【化１９】
0006656508.tif 000022
【０１１３】
２−（１２−ブロモデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ２００ｍｇを実施例１と同様にして、ベンジルアルコールに代わりに、２−メトキシエタノール２ｍＬを用いて反応し、シリカゲルカラムで精製して目的物である２−（１１−（２−メトキシエトキシ）ドデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ１３５ｍｇ（６８％）を得、トルエン−リグロインから再結晶化し１１０ｍｇを得た。得られた化合物について、実施例１と同様に溶解性および作製したトランジスタの評価結果を表１に記載した。
１Ｈ−ＮＭＲ（５００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ  ８．１２（ｄ，１Ｈ，Ｊ１．８Ｈｚ），７．９２（ｄ，１Ｈ，Ｊ８．２Ｈｚ），７．７９（ｄ，１Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．７３（ｂｒ．ｓ，１Ｈ），７．６９（ｄｘ２，３Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．４９（ｔ，２Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．３８（ｔｔ，１Ｈ，Ｊ〜１，〜８Ｈｚ），７．２９（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ＞１，７．８Ｈｚ），３．５５（ｍ，４Ｈ，ＯＣ２Ｈ４Ｏ），３．４５（ｔ，２Ｈ，Ｊ６．８Ｈｚ），３．３８（ｓ，３Ｈ，ＯＣＨ３），２．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ７．７Ｈｚ），１．７０（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），１．５９（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），〜１．２〜１．４（ｍ，１６Ｈ）
（実施例３）
【０１１４】
【化２０】
0006656508.tif 000023
【０１１５】
２−（１２−ブロモデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ２００ｍｇを実施例１と同様にして、ベンジルアルコールの代わりに、２−フェノキシエタノール（２ｍＬ）を用いて反応し、シリカゲルカラムで精製して２−（１２−（２−フェノキシエトキシ）ドデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ（１４３ｍｇ、収率６５％）を得、トルエンから再結晶化して１０３ｍｇを得た。得られた化合物について、実施例１と同様に溶解性および作製したトランジスタの評価結果を表１に記載した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ  ８．１２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ０．５，１．８Ｈｚ），７．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ０．５，８．２Ｈｚ），７．７９（ｄ，１Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．７３（ｂｒ．ｓ，１Ｈ），７．６９（ｄｘ２，３Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．４９（ｔ，２Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．３８（ｔｔ，１Ｈ，Ｊ〜１，〜８Ｈｚ），７．２５〜７．３０（ｍ，３Ｈ，Ｈ−３ａｎｄ２ＨｏｆＯＰｈ），６．９３（ｍ，３Ｈ，ＯＰｈ），４．１１（ｔ−ｌｉｋｅｍ，２Ｈ，ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ），３．７７５（ｔ−ｌｉｋｅｍ，２Ｈ，ＯＣＨ２ＣＨ２Ｏ），３．５２（ｔ，２Ｈ，Ｊ６．８Ｈｚ），２．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ７．７Ｈｚ），１．７０（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），１．６０（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），〜１．２〜１．４（ｍ，１６Ｈ），
（実施例４）
【０１１６】
【化２１】
0006656508.tif 000024
【０１１７】
２−（１２−ブロモデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ２００ｍｇを実施例１と同様にして、ベンジルアルコールの代わりに、２−（ベンジルオキシ）エタノール２ｍＬを用いて反応し、シリカゲルカラムで精製して目的物である２−（１２−（２−（ベンジルオキシ）エトキシ）ドデシル）−７−フェニルＢＴＢＴ（１３３ｍｇ、収率５９％）を得、トルエン−石油ベンジンから再結晶化して１０３ｍｇを得た。得られた化合物について、実施例１と同様に溶解性および作製したトランジスタの評価結果を表１に記載した。
１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）：δ  ８．１２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ０．５，１．８Ｈｚ），７．９２（ｄｄ，１Ｈ，Ｊ０．５，８．２Ｈｚ），７．７９（ｄ，１Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．７３（ｂｒ．ｓ，１Ｈ），７．６９（ｄｘ２，３Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．４９（ｔ，２Ｈ，Ｊ〜８Ｈｚ），７．３８（ｔｔ，１Ｈ，Ｊ〜１，〜８Ｈｚ），７．２５〜７．３６（ｍ，６Ｈ，Ｈ−３ａｎｄ５ＨｏｆＣＨ２Ｐｈ），４．５７（ｓ，２Ｈ，ＣＨ２Ｐｈ），３．６１（ｍ，４Ｈ，ＯＣ２Ｈ４Ｏ），３．４５（ｔ，２Ｈ，Ｊ６．８Ｈｚ），２．７７（ｔ，２Ｈ，Ｊ７．７Ｈｚ），１．７０（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ），１．５８（ｑｕｉｎｔ．２Ｈ，Ｊ〜７Ｈｚ）,〜１．２〜１．４（ｍ,１６Ｈ）。
【０１１８】
（比較例１）
特開２０１５−１２９０９８記載の方法にて以下の化合物を合成した。得られた化合物について、実施例同様に溶解性および作製したトランジスタの評価結果を表１に記載した。
【０１１９】
【化２２】
0006656508.tif 000025
【０１２０】
（比較例２）
実施例１の１２−ブロモデカン酸を４−ブロモブタン酸に変えた以外、同様の方法で得られた２−（４−ブロモブチル）−７−フェニルＢＴＢＴと、実施例２のメトキシエタノールをブタノールに変えたい以外は同様の方法で、２−（（４−ペンチルオキシ）ブチル）−７−フェニルＢＴＢＴを合成した。得られた化合物について、実施例１と同様に溶解性および作製したトランジスタの評価結果を表１に記載した。
【０１２１】
【化２３】
0006656508.tif 000026
【０１２２】
【表１】
0006656508.tif 000027
【０１２３】
表１より、本発明の有機半導体材料は、溶解性が高く、実用的な移動度をもつトランジスタ素子を与え、製造時の取り扱いに優れる。これに対し、比較例の化合物は、得られるトランジスタ特性の移動度が低く実用的な移動度をもつトランジスタ素子を得ることができない。または、溶解性が低いため、製造時の取り扱いが困難となる。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本発明の化合物は有機半導体としての利用が可能であり、該有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタへの利用が可能である。
【符号の説明】
【０１２５】
１．基板
２．ゲート電極
３．ゲート絶縁膜
４．有機半導体
５．ソース電極
６．ドレイン電極
【図１】
0006656508.tif 000031