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【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）、
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｂ）炭酸ガスの油相／水相の分配比を１．１以上とする油性成分、
（Ｃ）水溶性高分子    １〜２５質量％、
（Ｄ）２種以上の非イオン界面活性剤
を含有する浴用剤組成物。
【請求項２】
（Ｂ）炭酸ガスの油相／水相の分配比が１．３以上である油性成分を含有する請求項１記載の浴用剤組成物。
【請求項３】
固形浴用剤組成物である請求項１又は２記載の浴用剤組成物。
【請求項４】
成分（Ｂ）の含有量が０．１〜３０質量％である請求項１〜３のいずれか１項記載の浴用剤組成物。
【請求項５】
成分（Ｄ）が、ポリオキシエチレンアルキルエーテル及びポリオキシエチレンアルケニルエーテルから選ばれる１種以上の非イオン界面活性剤と、テトラオレイン酸ポリオキシエチレンソルビット及びポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルから選ばれる１種以上の非イオン界面活性剤とを含むものである請求項１〜４のいずれか１項記載の浴用剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１〜８の何れか１項に記載の化合物の少なくとも１つと、式（Ｍ１）、（Ｍ２）、（Ｍ３）、（Ｍ４）、（Ｍ５）、（Ｍ６）、（Ｍ７）、（Ｍ８）及び（Ｍ９）で表される化合物から選択された少なくとも１つの重合性化合物とを含有する液晶組成物。
2005097281.tif 000001
上式において、Ｒ３は独立して、水素、フッ素、塩素、シアノまたは炭素数１〜２０のアルキルであり、このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；Ｒ４は独立して、水素または炭素数１〜５のアルキルであり；Ａ３、Ａ４及びＡ５は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイルまたはフルオレン−２，７−ジイルであり；Ｂは独立して、単結合、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲン、メチル若しくはトリフルオロメチルで置き換えられた１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、ビフェニル−４，４’−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９−メチルフルオレン−２，７−ジイル、９−エチルフルオレン−２，７−ジイル、９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジイル、９−クロロフルオレン−２，７−ジイルまたは９，９−ジフルオロフルオレン−２，７−ジイルであり；Ｘ６は独立して、単結合または−Ｏ−であり；Ｚ１及びＺ２は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；ｍは独立して、１または０であり、ｎ及びｐは独立して、１〜２０の整数である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上式において、Ｒ３は独立して、水素、フッ素、塩素、シアノまたは炭素数１〜２０のアルキルであり、このアルキルにおいて、任意の−ＣＨ２−は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、または−ＣＯ−で置き換えられてもよく、任意の水素はハロゲンで置き換えられてもよく；Ｒ４は独立して、水素または炭素数１〜５のアルキルであり；Ａ３、Ａ４及びＡ５は独立して、１，４−シクロへキシレン、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイルまたはフルオレン−２，７−ジイルであり；Ｂは独立して、単結合、１，４−フェニレン、少なくとも１つの水素がハロゲン、メチル若しくはトリフルオロメチルで置き換えられた１，４−フェニレン、ナフタレン−２，６−ジイル、ビフェニル−４，４’−ジイル、フルオレン−２，７−ジイル、９−メチルフルオレン−２，７−ジイル、９−エチルフルオレン−２，７−ジイル、９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジイル、９−クロロフルオレン−２，７−ジイルまたは９，９−ジフルオロフルオレン−２，７−ジイルであり；Ｘ６は独立して、単結合または−Ｏ−であり；Ｚ１及びＺ２は独立して、単結合、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ２ＣＨ２−、または−Ｃ≡Ｃ−であり；ｍは独立して、１または０であり、ｎ及びｐは独立して、１〜２０の整数である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
【化１】
2005097323.tif 000001
（式中、Ｒ１およびＲ２は同一かまたは異なる独立した直鎖状、枝分れ状または環式の飽和または不飽和Ｃ１〜２０アルキル基であって、この基は場合によりハロゲン（Ｃｌ、Ｆ、Ｉ、Ｂｒ）、ヒドロキシ基、Ｃ１〜４アルコキシ基、ニトロ基またはシアノ基によって置換されていてもよい）で表わされる１種またはそれ以上のジアルキルフマレートを活性成分として含有する多発性硬化症を治療するための薬剤調合物。
【請求項２】
基Ｒ１およびＲ２がメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチ
ル基、第２−ブチル基、第３−ブチル基、ペンチル基、シクロペンチル基、２−エチルヘ
キシル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘプチル基、オクチル基
、ビニル基、アリル基、２−ヒドロキシエチル基、２−および／または３−ヒドロキシプ
ロピル基、２−メトキシエチル基、メトキシエチル基または２−または３−メトキシプロ
ピル基であることを特徴とする請求項１に記載の薬剤調合物。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２が同一であってメチル基またはエチル基であることを特徴とする請求項
１または２に記載の薬剤調合物。
【請求項４】
薬剤調合物の製造においてジメチルフマレートが唯一の活性成分として使用されている請求項１または２に記載の薬剤調合物。
【請求項５】
活性成分を、場合によりカプセルまたは袋（ｓａｃｈｅｔ）中の、錠剤、ミクロ錠剤、
ペレットまたは顆粒体の形の経口調合物に処方する請求項１〜４の何れかに記載の薬剤調合物。
【請求項６】
ペレットまたはミクロ錠剤の大きさまたは平均径がそれぞれ３００〜２０００μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項５に記載の薬剤調合物。
【請求項７】
軟質または硬質ゼラチンカプセルの形で存在することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の薬剤調合物。
【請求項８】
フマル酸１０〜３００ｍｇに相当する量の活性成分を含有する請求項１〜７の何れかに記載の薬剤調合物。
【請求項９】
投与単位の薬剤が腸溶被覆を施されている請求項４〜８の何れかに記載の薬剤調合物。
【請求項１０】
皮膚および経皮投与のための調合物、経腸投与のための調合物または直腸投与のための調合物の形で使用されることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の薬剤調合物。
【手続補正書】
【提出日】平成20年10月29日(2008.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】で表される基を表す。Ａ１１、Ａ１３、及びＡ１５は、同一でも異なってもよい２価基の芳香族残基若しくは水添芳香族残基を表す。Ａ１２とＡ１４は、同一でも異なってもよく、それぞれ独立にＨ（「水素原子」を表す。以下、同様。）若しくはＧを表す。但し、Ａ１２及びＡ１４の総てが、同時にＨではない。ａ１１及びａ１２は同一でも異なってもよい０以上の整数を表すが、ａ１１とａ１２とは同時に０ではない。］
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
帯電防止剤の表面濃度は、０．１〜３．０μｇ／ｃｍ２に限定される。ポリオレフィン系樹脂押出発泡体の帯電防止剤は、ほぼ気泡膜表面にブリードアウトすることから、帯電防止剤の表面濃度は、帯電防止剤添加量、発泡体密度、発泡体のセルサイズより以下の近似式で計算される。したがって下記近似式より算出した帯電防止剤の表面濃度が０．１〜３．０μｇ／ｃｍ２を満たす範囲内で、帯電防止剤添加量、発泡体密度、発泡体のセルサイズがそれぞれの好ましい範囲から選択される。帯電防止剤の表面濃度が０．１〜２．０μｇ／ｃｍ２であると吸水率が低くなるので好ましい。帯電防止剤の表面濃度が０．１〜１．０μｇ／ｃｍ２であると吸水率が更に低くなるのでより好ましい。
帯電防止剤表面濃度（μｇ／ｃｍ２）
＝（（樹脂１００質量部に対する帯電防止剤添加量（質量部）／１００）／気泡膜表面積）×１００００００
気泡膜表面積（ｃｍ２／ｇ発泡体）
＝３．２９×（１−発泡体密度／樹脂密度）／（セルサイズ／２×発泡体密度）
ここで、各物性値の単位は、
発泡体密度：ｇ／ｃｍ３   樹脂密度：ｇ／ｃｍ３   セルサイズ：ｃｍ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
[実施例２]
１５０ｍｍのバレル内径を有するスクリュー型押出機の供給領域に９００ｋｇ／時間の速度で、低密度ポリエチレン（密度０．９２１ｇ／ｃｍ３、ＭＩ＝２．９ｇ／１０分）を、樹脂１００質量部に対し、気泡調整剤としてタルク１．５質量部と帯電防止剤としてパルミチン酸モノグリセライド６０質量％とアルキル基が１０から２０（炭素数の平均値＝１５）であるアルキルスルホン酸ナトリウム４０質量％の混合物０．５質量部ともに供給した。押出機のバレル温度を１９０℃〜２１０℃に調整し、押出機の先端に取り付けた発泡剤注入口から発泡剤としてノルマルブタン（燃焼範囲下限値：１．８ｖｏｌ％）をこの樹脂１００質量部に対し１３質量部を圧入し、当該溶融樹脂組成物と混合して発泡性溶融混合物とした。この発泡性溶融混合物を押出機の出口に取り付けた冷却装置で１０８℃まで冷却した後、約３．４ｍｍの平均厚みと約２１５ｍｍ幅の開口部形状を有するオリフィスプレートより、常温、大気圧下の雰囲気中に連続的に押し出して発泡させ、樹脂発泡体の引き取り速度を調整しながら成形して、厚み６２ｍｍ、幅６００ｍｍ、長さ１０００ｍｍ、セルサイズ０．０８ｃｍ、密度０．０２２ｇ／ｃｍ３、独立気泡率９５％、帯電防止剤の表面濃度約１．４μｇ／ｃｍ２の板状樹脂発泡体を得た。得られた発泡体について発泡後３０分に帯電圧の測定を行い、この発泡体を発泡１時間後から４０℃で１０日間その後室温で３日間保存した後、吸水率の評価を行なった。その結果を表１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【表１】
2006096914.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが、第１の電極と第２の電極の間に複数個直列に接続され、該直列接続している一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられた発光セルを複数有し、
一の発光セルの第１の電極および他の発光セルの第２の電極と接触する第３の電極とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットが、第１の電極と第２の電極の間に複数個直列に接続され、該直列接続している一の発光ユニットと他の発光ユニットとの間に中間導電層が設けられた発光セルを複数有し、
前記発光ユニット、前記中間導電層、及び第２の電極を貫通する開口部と、
一の発光セルの第２の電極上及び前記開口部の側面を被覆して、一の発光セルの第１の電極を露出させる層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記開口部を介して前記一の発光セルの第１の電極および他の発光セルの第２の電極と接触する第３の電極とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１の電極は透明導電膜からなり、第２の電極および第３の電極は金属膜からなることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に並置された複数の発光セルを有し、
前記複数の発光セルのそれぞれは、第１の電荷発生層と、第２の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層と前記第２の電荷発生層の間に挟まれた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットと、を有し、
前記複数の発光セルの１つが有する第１の電荷発生層と当該発光セルと隣接する発光セルが有する前記第２の電荷発生層が電気的に接触することにより、前記複数の発光ユニットが直列に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項２】
基板上に並置された複数の発光セルと、
一対の電極と、を有し、
前記複数の発光セルのそれぞれは、第１の電荷発生層と、第２の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層と前記第２の電荷発生層の間に挟まれた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットと、を有し、
前記複数の発光セルの１つが有する第１の電荷発生層と当該発光セルと隣接する発光セルが有する前記第２の電荷発生層が電気的に接触することにより、前記複数の発光ユニットが前記一対の電極間で直列に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項３】
基板上に並置された複数の発光セルを有し、
前記複数の発光セルのそれぞれは、第１の電荷発生層と、第２の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層と前記第２の電荷発生層の間に挟まれた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットと、を有し、
前記複数の発光セルが有する発光ユニットのそれぞれは、隣接する発光セルが有する発光セルと、開口部によって分離され、
前記複数の発光セルの１つが有する第１の電荷発生層と当該発光セルと隣接する発光セルが有する前記第２の電荷発生層が、隣接する発光セル間に設けられた前記開口部を介して電気的に接触することにより、前記複数の発光ユニットが直列に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
基板上に並置された複数の発光セルと、
一対の電極と、を有し、
前記複数の発光セルのそれぞれは、第１の電荷発生層と、第２の電荷発生層と、前記第１の電荷発生層と前記第２の電荷発生層の間に挟まれた、少なくとも一層の発光層を有する発光ユニットと、を有し、
前記複数の発光セルが有する発光ユニットのそれぞれは、隣接する発光セルが有する発光セルと、開口部によって分離され、
前記複数の発光セルの１つが有する第１の電荷発生層と当該発光セルと隣接する発光セルが有する前記第２の電荷発生層が、隣接する発光セル間に設けられた前記開口部を介して電気的に接触することにより、前記複数の発光ユニットが前記一対の電極間で直列に接続されていることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記複数の発光セルのそれぞれは短冊状に設けられ、
前記複数の発光セルは、短尺方向に並置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の電荷発生層又は前記第２の電荷発光層に接して設けられた補助電極を有することを特徴とする照明装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の電荷発生層は、酸化物導電性材料を用いて設けられ、
前記第２の電荷発生層は、正孔発生層又は電子発生層を用いて設けられていることを特徴とする照明装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の電荷発生層は、正孔発生層又は電子発生層を用いて設けられ、
前記第２の電荷発生層は、酸化物導電性材料を用いて設けられていることを特徴とする照明装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記発光層は、第２族の元素と第１６族の元素を含む化合物または第１２族の元素と第１６族の元素を含む化合物である母体材料と、発光中心である不純物元素とを含むことを特徴とする照明装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記母体材料は、硫化亜鉛、硫化カドミウム、硫化カルシウム、硫化イットリウム、硫化ガリウム、硫化ストロンチウム、硫化バリウム、酸化亜鉛、酸化イットリウム、窒化アルミニウム、窒化ガリウム、窒化インジウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、硫化カルシウム−ガリウム、硫化ストロンチウム−ガリウム、硫化バリウム−ガリウムのいずれかであることを特徴とする照明装置。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記不純物元素は、発光中心となる金属元素であることを特徴とする照明装置。
【請求項１２】
請求項９又は請求項１０において、
前記不純物元素は複数種含まれており、発光中心となる金属元素と、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一と、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であることを特徴とする照明装置。
【請求項１３】
請求項１１又は請求項１２において、
前記金属元素は、前記母体材料に対して０．０５乃至５ａｔｏｍｉｃ％の濃度で含まれていることを特徴とする照明装置。
【請求項１４】
請求項９又は請求項１０において、
前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一であることを特徴とする照明装置。
【請求項１５】
請求項９又は請求項１０において、
前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であることを特徴とする照明装置。
【請求項１６】
請求項９又は請求項１０において、
前記不純物元素は複数種含まれており、銅、銀、金、白金、珪素のいずれか一と、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウムのいずれか一と、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、窒素、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスのいずれか一であることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜の両側に一対の電極が配設される電解質膜・電極構造体と、セパレータとが積層されるとともに、積層方向に貫通して反応ガスを流す反応ガス連通孔が形成される燃料電池であって、
前記セパレータは、前記電極の発電領域に対応して前記反応ガスを供給する反応ガス流路と、
前記反応ガス流路と前記反応ガス連通孔との間に設けられ、前記反応ガスの撹拌を行う入口側バッファ領域及び出口側バッファ領域と、
を備え、
前記電解質膜・電極構造体には、第１及び第２加湿部が設けられ、
前記第１加湿部は、一方の前記反応ガスである酸化剤ガスの前記出口側バッファ領域から他方の前記反応ガスである燃料ガスの前記入口側バッファ領域に、前記電解質膜・電極構造体を透過して前記水分が移動するとともに、
前記第２加湿部は、前記燃料ガスの前記出口側バッファ領域から前記酸化剤ガスの前記入口側バッファ領域に、前記電解質膜・電極構造体を透過して前記水分が移動することを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、前記反応ガス流路は、前記セパレータの一端から他端に向かって直線状に設けられるとともに、
前記入口側バッファ領域及び前記出口側バッファ領域は、略三角形状を有することを特徴とする燃料電池。
【請求項３】
請求項１又は２記載の燃料電池において、前記入口側バッファ領域及び出口側バッファ領域には、前記反応ガスの流れに抵抗となる抵抗部材が設けられるとともに、
前記抵抗部材には、前記反応ガスを前記電解質膜・電極接合体に案内する傾斜ガイド部が形成されることを特徴とする燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
セパレータは、電極の発電領域に対応して反応ガスを供給する反応ガス流路と、前記反応ガス流路と反応ガス連通孔との間に設けられ、前記反応ガスの撹拌を行う入口側バッファ領域及び出口側バッファ領域とを備えている。そして、電解質膜・電極構造体には、第１及び第２加湿部が設けられ、前記第１加湿部は、一方の反応ガスである酸化剤ガスの出口側バッファ領域から他方の反応ガスである燃料ガスの入口側バッファ領域に、電解質膜・電極構造体を透過して水分が移動するとともに、前記第２加湿部は、前記燃料ガスの前記出口側バッファ領域から前記酸化剤ガスの前記入口側バッファ領域に、前記電解質膜・電極構造体を透過して前記水分が移動している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、反応ガス流路は、セパレータの一端から他端に向かって直線状に設けられるとともに、入口側バッファ領域及び出口側バッファ領域は、略三角形状を有することが好ましく、さらに前記入口側バッファ領域及び出口側バッファ領域には、反応ガスの流れに抵抗となる抵抗部材が設けられるとともに、前記抵抗部材には、前記反応ガスを電解質膜・電極接合体に案内する傾斜ガイド部が形成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
一方、燃料ガスは、図２及び図４に示すように、燃料ガス供給連通孔３２ａから各発電セル１２を構成する第２セパレータ２６の連結路５６ａを通って入口側バッファ領域５２ａに導入される。この入口側バッファ領域５２ａには、複数の円柱状抵抗材５４ａが形成されており、燃料ガスは、前記円柱状抵抗部材５４ａにより分岐や合流が行われて、燃料ガスの撹拌が惹起される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層に保持された光増感色素によって光が吸収され、この光吸収によって励起された前記光増感色素の電子が前記半導体層を介して外部へ取り出されるように構成された色素増感型光電変換装置において、
前記半導体層に複数種の分子が保持されており、
前記複数種の分子のうち、少なくとも１種が前記光増感色素であり、
前記複数種の分子のうち、少なくとも１種が、前記半導体層に結合する官能基を同一  炭素上に複数個もち、前記光増感色素の会合を抑制することによって前記光増感色素の  光電変換効率を向上させる分子である
ことを特徴とする、色素増感型光電変換装置。
【請求項２】
前記複数個の官能基が、前記半導体層に強く結合する官能基と、前記半導体層に弱く結合する官能基とからなる、請求項１に記載した色素増感型光電変換装置。
【請求項３】
前記半導体層に強く結合する官能基が、カルボキシル基−ＣＯＯＨ、又はホスホノ基−ＰＯ（ＯＨ) 2 であり、前記半導体層に弱く結合する官能基が、シアノ基−ＣＮ、アミノ基−ＮＨ2 、チオール基−ＳＨ、又はチオン基−ＣＳ−である、請求項２に記載した色素増感型光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と対向して封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に複数の発光素子を有し、前記発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する発光層と、前記発光層上に前記複数の発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記複数の発光素子は複数色で構成され相互間が隔壁により区画された画素を形成し、前記画素がマトリクス状に配置されてなる画像表示装置であって、
前記画素は、一方向に同色画素が並んで設置され、前記一方向と直交する他方向に異色画素が並んで設置され、前記同色画素間の前記隔壁の高さが前記異色画素間の前記隔壁の高さよりも低いことを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、有機材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項３】
前記有機材料は、低分子材料系とすることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記有機材料は、高分子材料系とすることを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、無機材料により形成されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
【請求項６】
前記隔壁は、有機材料と無機材料との積層体からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項７】
前記発光層は、インクジェット法により成膜される有機発光層であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【請求項８】
前記発光層は、蒸着法により成膜される無機発光層であることを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯ電極上に有機膜と金属膜とを順次積層してなる有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置した有機ＥＬ表示装置において、
前記ＩＴＯ電極の前記有機層との境界近傍において、前記ＩＴＯ電極中の酸素含有量の深さ方向の分布が、ＩＴＯ電極内部から有機膜に向かって増加する分布となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記ＩＴＯ電極と有機膜との界面におけるＩＴＯ電極の酸素含有量を、該ＩＴＯの化学量論組成以上とすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記酸素含有量は、前記ＩＴＯ電極と前記有機膜との界面から1ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲における酸素含有量であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
有機膜と金属膜とを順次ＩＴＯ電極上に積層してなる有機ＥＬ素子をマトリクス状に配置した有機ＥＬ表示装置において、
前記ＩＴＯと前記有機層との界面に、酸素濃度がＩＴＯの化学量論組成以上となる層が存在することを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記層は、１ｎｍ以上の厚みを備えていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５において、
前記有機ＥＬ素子は、アクティブマトリクス基板上に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月24日(2009.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体に少なくとも３個配設されている複数の発光ダイオードと；
それぞれ入射面および出射面を有し、入射面が両側に配設されている各発光ダイオードにそれぞれ対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光によりそれぞれ比較的広角の配光が得られるように形成されている第１および第２の光制御体と；
入射面および出射面を有し、入射面が中間に配設されている発光ダイオードに対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光により第１および第２の光制御体のそれぞれの光軸の延長線間に比較的狭角の配光が得られるように形成されている第３の光制御体と；
開口部を有し、この開口部に第１ないし第３の光制御体のそれぞれの出射面が露出し、かつ、第１及び第２の光制御体が第３の光制御体よりも外側になるように第１ないし第３の光制御体を収容している器具本体と；
発光ダイオードを点灯させる点灯装置と；
を具備していることを特徴とするＬＥＤ照明器具。
【請求項２】
第１および第２の光制御体は、自身の光軸から光軸に対して少なくとも６０°の範囲に発光ダイオードからの放射光を出射し、第３の光制御体は、自身の光軸から光軸に対して少なくとも２０°の範囲に発光ダイオードからの放射光を出射するように形成されていることを特徴とする請求項１記載のＬＥＤ照明器具。
【請求項３】
基体に少なくとも３個配設されている複数の発光ダイオードと；
それぞれ入射面および出射面を有し、入射面が両側に配設されている各発光ダイオードにそれぞれ対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光によりそれぞれ比較的広角の配光が得られるように形成されている第１および第２の光制御体と；
入射面および出射面を有し、入射面が中間に配設されている発光ダイオードに対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光により第１および第２の光制御体のそれぞれの光軸の延長線間に比較的狭角の配光が得られるように形成されている第３の光制御体と；
開口部を有し、この開口部に第１ないし第３の光制御体のそれぞれの出射面が露出し、かつ、第１及び第２の光制御体が第３の光制御体よりも外側になるように第１ないし第３の光制御体を収容している器具本体と；
器具本体に収容されたバッテリと；
停電時に、バッテリからの直流電圧が入力されて発光ダイオードを点灯させるように構成されている点灯装置と；
を具備していることを特徴とするＬＥＤ非常灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１に記載のＬＥＤ照明器具の発明は、基体に少なくとも３個配設されている複数の発光ダイオードと；それぞれ入射面および出射面を有し、入射面が両側に配設されている各発光ダイオードにそれぞれ対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光によりそれぞれ比較的広角の配光が得られるように形成されている第１および第２の光制御体と；入射面および出射面を有し、入射面が中間に配設されている発光ダイオードに対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光により第１および第２の光制御体のそれぞれの光軸の延長線間に比較的狭角の配光が得られるように形成されている第３の光制御体と；開口部を有し、この開口部に第１ないし第３の光制御体のそれぞれの出射面が露出し、かつ、第１及び第２の光制御体が第３の光制御体よりも外側になるように第１ないし第３の光制御体を収容している器具本体と；発光ダイオードを点灯させる点灯装置と；を具備していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に記載のＬＥＤ非常灯の発明は、基体に少なくとも３個配設されている複数の発光ダイオードと；それぞれ入射面および出射面を有し、入射面が両側に配設されている各発光ダイオードにそれぞれ対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光によりそれぞれ比較的広角の配光が得られるように形成されている第１および第２の光制御体と；入射面および出射面を有し、入射面が中間に配設されている発光ダイオードに対向し発光ダイオードの光軸と自身の光軸が一致するようにして配設され、出射面から出射される発光ダイオードからの放射光により第１および第２の光制御体のそれぞれの光軸の延長線間に比較的狭角の配光が得られるように形成されている第３の光制御体と；開口部を有し、この開口部に第１ないし第３の光制御体のそれぞれの出射面が露出し、かつ、第１及び第２の光制御体が第３の光制御体よりも外側になるように第１ないし第３の光制御体を収容している器具本体と；器具本体に収容されたバッテリと；停電時に、バッテリからの直流電圧が入力されて発光ダイオードを点灯させるように構成されている点灯装置と；を具備していることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に形成された半導体装置の動作を、該半導体装置の電極パッドにプローブを接触させて異なる検査温度で電気的に検査するプローバにおいて、そのプローバの構成部品であるウェハステージを該検査温度に加熱、又は、冷却制御するウェハステージ温度制御方法であって、
ウェハステージ以外のプローバ構成部品の温度を安定させるために、前記ウェハステージを前記検査温度以上の上昇オーバーラン温度に加熱し、又は、前記検査温度以下の下降オーバーラン温度に冷却した後に、前記ウェハステージを該上昇オーバーラン温度から前記検査温度に冷却し、又は、前記ウェハステージを該下降オーバーラン温度から前記検査温度に加熱することにより、前記検査温度となるように前記ウェハステージを温度制御することを特徴とするウェハステージ温度制御方法。
【請求項２】
前記ウェハステージを検査温度に加熱する場合は、前記上昇オーバーラン温度を、前記ウェハステージを検査温度に冷却する場合は、前記下降オーバーラン温度を、それぞれ前記プローバ構成部品の安定温度まで一定時間維持する請求項１に記載のウェハステージ温度制御方法。
【請求項３】
ウェハ上に形成された半導体装置の動作を、該半導体装置の電極パッドにプローブを接触させて異なる検査温度で電気的に検査するプローバにおいて、そのプローバのウェハステージを該検査温度に加熱、又は、冷却制御するウェハステージ温度制御装置であって、
前記ウェハステージを加熱する熱源と、
前記ウェハステージを冷却する冷却ユニットと、
前記ウェハステージ以外のプローバ構成部品の温度を安定させるために、前記ウェハステージを前記検査温度以上の上昇オーバーラン温度に加熱し、又は、前記検査温度以下の下降オーバーラン温度に冷却した後に、前記ウェハステージを該上昇オーバーラン温度から前記検査温度に冷却し、又は、前記ウェハステージを該下降オーバーラン温度から前記検査温度に加熱することにより、前記検査温度となるように前記ウェハステージを温度制御する温度制御部と、を備えることを特徴とするウェハステージ温度制御装置。
【請求項４】
前記ウェハステージを検査温度に加熱する場合は、前記上昇オーバーラン温度を、前記ウェハステージを検査温度に冷却する場合は、前記下降オーバーラン温度を、それぞれ前記プローバ構成部品の安定温度まで一定時間維持する温度制御部を備える請求項３に記載のウェハステージ温度制御装置。
【請求項５】
ウェハ上に形成された半導体装置の動作を、該半導体装置の電極パッドにプローブを接触させて異なる検査温度で電気的に検査するプローバにおいて、そのプローバの構成部品であるウェハステージを、該検査温度に加熱、又は、冷却制御するウェハステージ温度制御するため、コンピュータに、
ウェハステージ以外のプローバ構成部品の温度を安定させるために、前記ウェハステージを前記検査温度以上の上昇オーバーラン温度に、前記プローバ構成部品の安定温度まで一定時間加熱し、又は、前記検査温度以下の下降オーバーラン温度に、前記プローバ構成部品の安定温度まで一定時間冷却する手順、
前記ウェハステージを前記上昇オーバーラン温度から前記検査温度に冷却し、又は、前記ウェハステージを前記下降オーバーラン温度から前記検査温度に加熱することにより、前記検査温度となるように前記ウェハステージを温度制御する手順、を実行させるプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以上の課題を解決するために、本発明に係るウェハステージ温度制御方法は、ウェハ上に形成された半導体装置の動作を、半導体装置の電極パッドにプローブを接触させて異なる検査温度で電気的に検査するプローバにおいて、そのプローバの構成部品であるウェハステージを、検査温度に加熱、又は、冷却制御するウェハステージ温度制御方法において、ウェハステージ以外のプローバ構成部品の温度を安定させるために、ウェハステージを検査温度以上の上昇オーバーラン温度に加熱し、又は、検査温度以下の下降オーバーラン温度に冷却した後に、ウェハステージを上昇オーバーラン温度から検査温度に冷却し、又は、ウェハステージを下降オーバーラン温度から検査温度に加熱することにより、検査温度となるようにウェハステージを温度制御することとした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、本発明に係るウェハステージ温度制御装置は、ウェハ上に形成された半導体装置の動作を、半導体装置の電極パッドにプローブを接触させて異なる検査温度で電気的に検査するプローバにおいて、そのプローバのウェハステージを、検査温度に加熱、又は、冷却制御するウェハステージ温度制御装置において、ウェハステージを加熱する熱源と、ウェハステージを冷却する冷却ユニットと、ウェハステージ以外のプローバ構成部品の温度を安定させるために、ウェハステージを検査温度以上の上昇オーバーラン温度に加熱し、又は、検査温度以下の下降オーバーラン温度に冷却した後に、ウェハステージを上昇オーバーラン温度から検査温度に冷却し、又は、ウェハステージを下降オーバーラン温度から検査温度に加熱することにより、検査温度となるようにウェハステージを温度制御する温度制御部とを備えて構成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
ステップＳ１０５では、温度制御部４６は、冷却ユニット４４を制御して、冷却管４２に冷媒を通すことによってウェハステージ１８を設定温度Ｔｓまで強制冷却し、ステップＳ１０６に進む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層を備えた面発光レーザであって、
前記基板と前記フォトニック結晶層との間に、前記細孔を通じて酸化された酸化領域と非酸化領域とを有するクラッド層を備え、
前記酸化領域の屈折率は、前記フォトニック結晶層の屈折率よりも低いことを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記フォトニック結晶層と、前記クラッド層の非酸化領域は、ＡｌとＧａとＡｓを含むことを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記クラッド層の非酸化領域におけるＡｌの含有割合は、前記フォトニック結晶層のＡｌの含有割合よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
面発光レーザの製造方法であって、
基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第１の工程と、
前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第２の工程と、
を有することを特徴とする面発光レーザの製造方法。
【請求項５】
前記フォトニック結晶層と前記クラッド層はＡｌを含む化合物半導体からなり、
前記クラッド層の非酸化領域におけるＡｌの含有割合は、前記フォトニック結晶層のＡｌの含有割合よりも大きいことを特徴とする請求項４に記載の面発光レーザの製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程後に、前記酸化領域を、前記フォトニック結晶層から除去する工程を有することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の面発光レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】面発光レーザ、面発光レーザの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ、面発光レーザの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、該結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光レーザ、面発光レーザの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を達成するために、以下のように構成した面発光レーザ、面発光レーザの製造方法を提供するものである。
本発明の面発光レーザは、基板上に、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層を備えた面発光レーザであって、
前記基板と前記フォトニック結晶層との間に、前記細孔を通じて酸化された酸
化領域と非酸化領域とを有するクラッド層を備え、
前記酸化領域の屈折率は、前記フォトニック結晶層の屈折率よりも低いことを特徴としている。
また、本発明の面発光レーザは、前記フォトニック結晶層と、前記クラッド層の非酸化領域は、ＡｌとＧａとＡｓを含むことを特徴としている。
また、本発明の面発光レーザは、前記クラッド層の非酸化領域におけるＡｌの含有割合は、前記フォトニック結晶層のＡｌの含有割合よりも大きいことを特徴としている。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、
基板上に、クラッド層と、面内方向に細孔が配列されたフォトニック結晶層とを有する部材を用意する第１の工程と、
前記フォトニック結晶層の細孔の下部側に位置する前記クラッド層を酸化し、該クラッド層に、該フォトニック結晶層の屈折率よりも低い屈折率を有する酸化領域、および非酸化領域を形成する第２の工程と、
を有することを特徴としている。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記フォトニック結晶層と前記クラッド層はＡｌを含む化合物半導体からなり、
前記クラッド層の非酸化領域におけるＡｌの含有割合は、前記フォトニック結晶層のＡｌの含有割合よりも大きいことを特徴としている。
また、本発明の面発光レーザの製造方法は、前記第２の工程後に、前記酸化領域を、前記フォトニック結晶層から除去する工程を有することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、従来例のような貼り合わせ技術を用いずに、フォトニック結晶層下部の部材と、その結晶層との屈折率差を確保することが可能となる面発光
レーザ、面発光レーザの製造方法を実現することができる。
これによれば、組成の異なる複数の層を有する半導体光素子においても、容易なプロセスで高屈折率差のスラブ型フォトニック結晶を形成することが可能となる。
また、パッシブ素子のみならず、レーザ等のアクティブ素子への適用が可能なスラブ型二次元フォトニック結晶素子を得ることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用して構成したスラブ型二次元フォトニック結晶素子について説明する。
本実施例では、非酸化領域を構成するＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成９０％以上）を選択的に酸化した層を上記第１の層としてのクラッドに適用し、ＡｌＧａＡｓ層（Ａｌ組成７０％以下）をコアに適用したスラブ型フォトニック結晶をＧａＡｓ基板上に形成した。
図１に、本実施例における上記第２の層を構成するスラブ型二次元フォトニック結晶素子の構成を示す。
図１において、１００はＧａＡｓ基板、１０２はＡｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓ層、１０４はＡｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ層、１０６は円柱孔及び１０８は酸化アルミ層である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の反射鏡と第２の反射鏡との間に活性層を有する垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記第１および第２の反射鏡の少なくとも一方の反射鏡は、レーザ光の放射領域に穴が面内方向に規則的に配列されている二次元フォトニック結晶を含み構成され、
前記二次元フォトニック結晶を含む反射鏡は、前記レーザ光の放射領域の中央部から周辺部に向かって実効屈折率が低下していることを特徴とする垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項２】
前記中央部に形成されている穴の深さよりも、前記周辺部に形成されている穴の深さが深いことを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項３】
前記穴に充填物が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項４】
前記中央部に形成されている穴の径は、前記周辺部に形成されている穴の径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【請求項５】
前記二次元フォトニック結晶は分布ブラッグ反射鏡に形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の垂直共振器型面発光レーザ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】垂直共振器型面発光レーザ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、垂直共振器型面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上のように、二次元フォトニック結晶は、光のモード制御に利用でき、且つ高反射率の反射鏡として用いることができる。
しかしながら、従来において、２次元フォトニック結晶を垂直共振器型面発光レーザの反射鏡に適用した場合、高反射率と横モード制御を同時に実現するような２次元フォトニック結晶による反射鏡が得られていないのが現状である。
本発明は、上記課題に鑑み、高反射率と横モード制御を同時に実現することが可能となる反射鏡を備えた垂直共振器型面発光レーザを提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記課題を解決するため、次のように構成した垂直共振器型面発光レーザを提供するものである。
本発明の垂直共振器型面発光レーザは、第１の反射鏡と第２の反射鏡との間に活性層を有する垂直共振器型面発光レーザにおいて、
前記第１および第２の反射鏡の少なくとも一方の反射鏡は、レーザ光の放射領域に穴が面内方向に規則的に配列されている二次元フォトニック結晶を含み構成され、
前記二次元フォトニック結晶を含む反射鏡は、前記レーザ光の放射領域の中央部から周辺部に向かって実効屈折率が低下していることを特徴としている。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記中央部に形成されている穴の深さよりも、前記周辺部に形成されている穴の深さが深いことを特徴としている。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記穴に充填物が設けられている
ことを特徴としている。
また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記中央部に形成されている穴の径は、前記周辺部に形成されている穴の径よりも小さいことを特徴としている。また、本発明の垂直共振器型面発光レーザは、前記二次元フォトニック結晶は分布ブラッグ反射鏡に形成されていることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明によれば、高反射率と横モード制御を同時に実現することが可能となる反射鏡を備えた垂直共振器型面発光レーザを実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
個別電極層及び共通電極層と圧電材料層とを有する圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けた圧電素子の列を具備する圧電素子ユニットの製造方法であって、
複数の圧電素子形成部材を並列させて固定治具によりテーブル上に固定してこれら複数の圧電素子形成部材に一対のローラに巻きかけられたワイヤを接触走行させることによって各圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けて前記圧電素子の列を形成し、その際、前記一対のローラ間の中央部に配置される前記圧電素子形成部材の前記テーブルに対する高さが、両端部側に配置される前記圧電素子形成部材の前記テーブルに対する高さよりも高くなるようにしたことを特徴とする圧電素子ユニットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
個別電極層及び共通電極層と圧電材料層とを有する圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けた圧電素子の列を具備する圧電素子ユニットの製造に用いられて、複数の前記圧電素子形成部材に一対のローラに巻きかけられたワイヤを接触走行させることによって各圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けて前記圧電素子の列を形成する際に、これら複数の圧電素子形成部材をテーブル上に固定するための固定治具であって、
前記圧電素子形成部材がそれぞれ配置される複数の固定部を有し、且つ各固定部の前記テーブルに対する高さがそれぞれ独立して調整できるようになっていることを特徴とする固定治具。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、個別電極層及び共通電極層と圧電材料層とを有する圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けた圧電素子の列を具備する圧電素子ユニットの製造方法であって、複数の圧電素子形成部材を並列させて固定治具によりテーブル上に固定してこれら複数の圧電素子形成部材に一対のローラに巻きかけられたワイヤを接触走行させることによって各圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けて前記圧電素子の列を形成し、その際、前記一対のローラ間の中央部に配置される前記圧電素子形成部材の前記テーブルに対する高さが、両端部側に配置される前記圧電素子形成部材の前記テーブルに対する高さよりも高くなるようにしたことを特徴とする圧電素子ユニットの製造方法にある。
かかる第１の態様では、圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分ける際に形成される各スリットの深さを均一化することができる。すなわち、停止切りをすることなく圧電素子の列を形成することができる。したがって、各圧電素子の変位特性を向上することができると共に、変位特性の均一化を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第５の態様は、個別電極層及び共通電極層と圧電材料層とを有する圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けた圧電素子の列を具備する圧電素子ユニットの製造に用いられて、複数の前記圧電素子形成部材に一対のローラに巻きかけられたワイヤを接触走行させることによって各圧電素子形成部材を櫛歯状に切り分けて前記圧電素子の列を形成する際に、これら複数の圧電素子形成部材をテーブル上に固定するための固定治具であって、前記圧電素子形成部材がそれぞれ配置される複数の固定部を有し、且つ各固定部の前記テーブルに対する高さがそれぞれ独立して調整できるようになっていることを特徴とする固定治具にある。
かかる第５の態様では、固定部の高さを調整することで、各圧電素子形成部材の高さを容易に調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から発せられた光束を集光する集光光学系と、
入射光束の形状に近づけられた断面形状で、入射した光束を内部で反射を繰り返すことで角度成分を混合して照度を均一に近づける均一化インテグレータと、
前記均一化インテグレータから光束を入射し、入射面及び出射面の断面形状が略長方形で、前記入射面の形状と被照射体に形成される照野の形状に応じた伸張率で断面の大きさが変更され、断面の大きさが変更された前記光束を射出する断面積変更インテグレータと、
を備え、
前記均一化インテグレータの出射面には、前記断面積変更インテグレータの入射面の形状に適合する形状で前記光束を通過させる通過部と、前記通過部の形状によって定められた形状で前記光束を反射させる反射部とを有する反射手段が形成される
ことを特徴とする照明光学系。
【請求項２】
前記断面積変更インテグレータから入射した光束のうち、光の振動面が入射面と平行な直線偏光の第１偏光光束のみを透過させて前記被照射体へ出射され、光の振動面が入射面と垂直な直線偏光の第２偏光光束を反射する偏光分離手段を備える
ことを特徴とする請求項１に記載の照明光学系。
【請求項３】
前記均一化インテグレータにおいて、前記入射光束の形状が略円形状であり、前記断面形状が略六角形の六角柱形状である
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の照明光学系。
【請求項４】
前記通過部は、前記断面積変更インテグレータの入射面の形状に適合するように定められると共に、前記反射手段の形成を簡便にする扁平な六角形の形状である、
ことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の照明光学系。
【請求項５】
前記集光光学系は、第１の焦点と第２の焦点を有する楕円鏡を使用し、前記第１の焦点に位置する前記光源から発せられた光束を前記第２の焦点に集光し、
前記均一化インテグレータは、前記第２の焦点又は第２の焦点と共役な点に光源像共役面が位置するように配置され、
前記断面積変更インテグレータは、射出面が前記被照射体に形成される照野と共役となるように配置される、 
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の照明光学系。
【請求項６】
前記断面積変更インテグレータは、
入射面の辺の長さよりも出射面の辺の長さが長くなるように断面の大きさが変更され、入射面から射出面へ向かうに従い間隔が次第に広がる略台形状の形状で向かい合うように形成された２つの側面と、
入射面辺の長さと射出面の辺の長さとが略同じになるように形成された２つの側面と、
を有し、
内部を通過する光束を、断面の形状が光軸に対して垂直な一の方向に沿って伸張させて出射させる
ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の照明光学系。
【請求項７】
前記略台形状の２つの側面は、光軸に対して対称に形成される
ことを特徴とする請求項６に記載の照明光学系。