【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する前後面を有する半導体基板と、
放射線を受光するように構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、
前記半導体基板の後面に形成されている複数のアノード電極であって、半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数が、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材料の仕事関数よりも小さい、アノード電極と、
アノード電極がカソード電極よりも高電位で維持され、かつ、信号がアノード電極から収集されるように、作動中に順バイアスを検出器に印加する手段と
を含む、放射線検出器システム。
【請求項２】
半導体基板がCdTeまたはCZTを含み、かつ該基板がp-n接合またはp-i-n接合をしていない、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項３】
複数のアノード電極が、2つの隣接するアノード電極ピクセルの各々の間にピクセル間ギャップを有するピクセルとして構成されている、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項４】
ピクセル間ギャップ幅が、100μmから500μmの間である、請求項3記載の放射線検出器システム。
【請求項５】
カソード電極と電気的に接触して位置づけられている導電性ハウジングをさらに含む、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項６】
アノード電極およびカソード電極に電気的に接続される電圧源をさらに含む、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項７】
カソード電極材料の仕事関数が約4.5eV未満であり、アノード電極材料の仕事関数が約4.8eV以上である、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項８】
カソード電極材料がIn、Al、およびTiのうちの1つを含み、アノード電極材料がAuおよびPtのうちの1つを含み、かつ半導体基板がCdTeまたはCZTを含む、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項９】
順バイアスが、カソード電極材料から半導体基板の前面に電子を注入するように前記検出器が構成されている、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項１０】
放射線が、ガンマ線放射線およびX線放射線のうちの少なくとも1つを含む、請求項1記載の放射線検出器システム。
【請求項１１】
複数のアノード電極が、2つの隣接するアノード電極ピクセルの各々の間にピクセル間ギャップを有するピクセルとして構成されており、かつ、信号が、各ピクセルで受光された放射線に対応する計測された電流または電圧を含む、請求項1記載の放射線検出器システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
最後に、別の態様は、以下の工程を含む、放射線検出器を作動させる方法に関する。すなわち、a)対向する前後面を有する半導体基板と、放射線を受光するように構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、前記半導体基板の後面に形成されている複数のアノード電極とを含む放射線検出器を提供する工程；b)放射線をカソード電極で受光する工程;c)アノード電極をカソード電極よりも高電位で維持するために順バイアスを検出器に印加する工程；d)信号をアノード電極から収集する工程。
[本発明1001]
対向する前後面を有する半導体基板と、
放射線を受光するように構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、
前記半導体基板の後面に形成されている複数のアノード電極と
を含む、放射線検出器であって、
半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数が、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材料の仕事関数よりも小さい、
放射線検出器。
[本発明1002]
カソード電極材料の仕事関数が約4.5eV未満であり、かつアノード電極材料の仕事関数が約4.8eV以上である、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1003]
カソード電極材料が、In、Al、およびTiのうちの1つを含む、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1004]
アノード電極材料が、AuおよびPtのうちの1つを含む、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1005]
半導体基板がCdTeまたはCZTを含み、かつ該基板がp-n接合またはp-i-n接合をしていない、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1006]
複数のアノード電極が、2つの隣接するアノード電極ピクセルの各々の間にピクセル間ギャップを有するピクセルとして構成されている、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1007]
ピクセル間ギャップ幅が、100μmから500μmの間である、本発明1006の放射線検出器。
[本発明1008]
ピクセル間ギャップ幅が、200μmから400μmの間である、本発明1007の放射線検出器。
[本発明1009]
カソード電極と電気的に接触して位置づけられている導電性ハウジングをさらに含む、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1010]
アノード電極およびカソード電極に電気的に接続される電圧源をさらに含む、本発明1001の放射線検出器。
[本発明1011]
対向する前後面を有する半導体基板と、
放射線を受光するように構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、
前記半導体基板の後面に形成されている複数のアノード電極であって、半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数が、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材料の仕事関数よりも小さい、アノード電極と、
アノード電極がカソード電極よりも高電位で維持され、かつ、信号がアノード電極から収集されるように、作動中に順バイアスを検出器に印加する手段と
を含む、放射線検出器システム。
[本発明1012]
カソード電極材料の仕事関数が約4.5eV未満であり、アノード電極材料の仕事関数が約4.8eV以上である、本発明1011の放射線検出器システム。
[本発明1013]
カソード電極材料がIn、Al、およびTiのうちの1つを含み、アノード電極材料がAuおよびPtのうちの1つを含み、かつ半導体基板がCdTeまたはCZTを含む、本発明1011の放射線検出器システム。
[本発明1014]
以下の工程を含む、放射線検出器を作動させる方法：
対向する前後面を有する半導体基板と、
放射線を受光するように構成され、前記半導体基板の前面に位置づけられたカソード電極と、
前記半導体基板の後面に形成されている複数のアノード電極と
を含む放射線検出器であって、半導体基板の前面に接触しているカソード電極材料の仕事関数が、半導体基板の後面に接触しているアノード電極材料の仕事関数よりも小さい、放射線検出器を提供する工程；
放射線をカソード電極で受光する工程;
アノード電極をカソード電極よりも高電位で維持するために順バイアスを検出器に印加する工程；および
信号をアノード電極から収集する工程。
[本発明1015]
カソード電極材料の仕事関数が約4.5eV未満であり、かつアノード電極材料の仕事関数が約4.8eV以上である、本発明1014の方法。
[本発明1016]
カソード電極材料がIn、Al、およびTiのうちの1つを含み、アノード電極材料がAuおよびPtのうちの1つを含み、かつ半導体基板がCdTeまたはCZTを含む、本発明1014の方法。
[本発明1017]
順バイアスが、カソード電極材料から半導体基板の前面に電子を注入する、本発明1014の方法。
[本発明1018]
放射線が、ガンマ線放射線およびX線放射線のうちの少なくとも1つを含む、本発明1014の方法。
[本発明1019]
複数のアノード電極が、2つの隣接するアノード電極ピクセルの各々の間にピクセル間ギャップを有するピクセルとして構成されており、かつ、信号が、各ピクセルで受光された放射線に対応する計測された電流または電圧を含む、本発明1014の方法。
[本発明1020]
ピクセル間ギャップ幅が、100μmから500μmの間である、本発明1019の方法。