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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月28日(2013.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ワークピースを処理するためのプラズマリアクタであって、
プロセスチャンバ内部を画定し、チャンバ側壁及びチャンバ天井と、前記プロセスチャンバ内部の内側にワークピースホルダーを含む処理チャンバエンクロージャと、
前記天井の上にあり、ＲＦエンクロージャ側壁及びＲＦエンクロージャ上部カバーを含む導電性ＲＦエンクロージャと、
前記ＲＦエンクロージャ側壁上で支持されるショルダーリングと、
前記導電性ＲＦエンクロージャ内部にあり、前記ショルダーリングに隣接して位置する浮動支持板と、
前記浮動支持板の下方で前記チャンバ天井の上方の空間内で、前記浮動支持板から吊り下げられた複数の半径方向内側及び外側ＲＦプラズマソースパワーアプリケータと、
各々が前記複数のＲＦプラズマパワーアプリケータのうちの対応する１つに結合している複数のＲＦ電源と、
前記ショルダーリングに対して固定され、前記ショルダーリングの周りで周期的な間隔で離間した複数のアクチュエータであって、前記複数のアクチュエータのうちの各々１つは、軸方向に可動なアームと、前記可動アームを軸方向に駆動するモーターと、２つのジョイント端部を有する回転可能なジョイントを含み、前記ジョイント端部の一端は、前記軸方向に可動なアームに接続され、前記ジョイント端部の他端は、前記１つのアクチュエータに隣接する前記浮動支持板の一部に接続され、これによって、前記浮動板は、前記複数のアクチュエータのうちの各々１つの回転可能なジョイントによって夫々複数の位置で支持されるプラズマリアクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記複数のアクチュエータの各々は、前記ショルダーリング上に取り付けられ、前記モーターを含むモーターモジュールと、前記モーターモジュールと並んで前記可動アームを支持し、前記モーターモジュールに結合されたレールモジュールを含む請求項３記載のプラズマリアクタ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
ワークピースを処理するためのプラズマリアクタであって、
プロセスチャンバ内部を画定し、チャンバ側壁及びチャンバ天井と、前記プロセスチャンバ内部の内側にワークピースホルダーを含む処理チャンバエンクロージャと、
前記天井の上にあり、ＲＦエンクロージャ側壁及びＲＦエンクロージャ上部カバーを含む導電性ＲＦエンクロージャと、
前記ＲＦエンクロージャ側壁上で支持されるショルダーリングと、
前記導電性ＲＦエンクロージャ内部にあり、前記ショルダーリングに隣接して位置する浮動支持板と、
前記浮動支持板の下方で前記チャンバ天井の上方の空間内で、前記浮動支持板から吊り下げられた複数の半径方向内側及び外側ＲＦプラズマソースパワーアプリケータと、
各々が前記複数のＲＦプラズマソースパワーアプリケータのうちの対応する１つに結合している複数のＲＦ電源と、
前記ショルダーリングに対して固定され、前記浮動支持板の外周部に隣接して前記浮動支持板の一部と接続される単一のアクチュエータアセンブリを含み、前記単一のアクチュエータアセンブリは、前記ショルダーリングに結合され、ヨーイング軸周りで回転させるためのヨーイング回転ステージと、前記ヨーイング回転ステージと前記浮動支持板の間に結合され、前記ヨーイング軸を横切るローリング軸周りで回転させるためのローリング回転ステージと、前記ヨーイング回転ステージ及び前記ローリング回転ステージを回転させるためのアクチュエータモーターを含むプラズマリアクタ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記アクチュエータモーターは、ある方位角θで方向づけられた傾斜軸周りに前記浮動支持板を傾斜可能であり、前記プラズマリアクタは、前記アクチュエータモーターを制御し、前記傾斜軸の前記方位角θ及び前記傾斜軸周りの傾斜角αの所望の値から、前記ヨーイング及びローリング回転ステージの動作を計算するようにプログラミングされた制御装置を更に含む請求項１２記載のプラズマリアクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インターネット上で電子投票のためにモバイルデバイスを認証するためのコンピュータ実施方法であって、
ａ． 選挙当局がアクセス権を持つコンピュータ・サーバーに格納されているデータベースに、選挙以前から、緯度と経度の座標を含む有権者の郵便配達の住所の地理的な位置を格納すること、
ｂ． 有権者とデバイスの地理的位置により、モバイルデバイスからのインターネット投票をコンピュータのサーバーで受信すると、モバイルデバイスの地理的な場所がセルタワーの三角測量点の位置情報（「Ａ−ＧＰＳ」や「アシスト型ＧＰＳ」）によって有権者の登録地理的な位置から所定の距離内にあるかどうかを決定すること、および
ｃ． モバイルデバイスの地理的な場所が、有権者の登録住所から所定距離内にない場合、インターネット投票を拒否することとを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
モバイルデバイスがインターネット経由でアクセス可能な投票・ソフトウェア・アプリケーション・プログラムとグローバル・ポジショニング・システム（ＧＰＳ）データセンシング受信機を含み、デバイスがＧＰＳ位置センサーデータを第一の送信ネットワークを介して、投票ソフトウェアプログラムのアプリケーションに通信し、位置情報を含めた総合的な投票情報を第一のサーバーに送り、第二のネットワークサーバー内において情報比較を行い、位置がＧＰＳデータ位置のアドレスであることを有権者の投票申し込みプログラムの規則と認可を選挙当局または他の選挙管理局により確認し、投票可能な日付と時間
における規則と認可を含むデバイスから個人投票を処理することを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
モバイルデバイスがカメラ機能を備え、そのカメラ機能を使用し、投票者の運転免許証、手書きの署名の文書、顔、パスポート、耐久性のあるコンピュータが読み取り可能な識別子媒体からなるグループから選択される認証画像のイメージが、選挙当局のコンピュータサーバーへデバイスによってキャプチャされ、送信されることを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
インターネット上で電子投票のためにモバイルデバイスを認証するためのコンピュータシステムであって、
ａ． 有権者登録モジュールは、コンピュータ実装されたサーバーによってアクセスされ、選挙前に経度と緯度の座標を含む有権者の郵便メール配信アドレスの地理的な位置をデータベースに保存され、
ｂ． 認証モジュールは（１）モバイルデバイスから有権者による投票を受信し、（２）モバイルデバイスの地理的位置を識別するモバイルデバイスのキャリアセルタワーの三角測量のデータから受信し、（３）モバイルデバイスの地理的な場所が、有権者の登録地理的な位置から所定の距離内にあるかどうかを判断し、（４）モバイルデバイスの地理的な場所が、有権者の登録住所から所定の距離内でない場合は拒否する、よう構成されていることとを含むことを特徴とするコンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月1日(2013.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
nタイプの領域とp-タイプとの領域の間に配置されたIII族の窒化物の発光層と、
第1の層に接する湾曲制御層と、
を有する半導体構造を有するデバイスであって、
前記湾曲制御層が、GaNの理論的な格子定数よりも小さな理論的な格子定数をもち、
前記第1の層が単結晶の層として成長され、
前記湾曲制御層が、前記n-タイプの領域と前記第1の層との間に配置されているデバイス。
【請求項２】
前記湾曲制御層がアルミニウムを有する請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記湾曲制御層がAlGaNである請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記湾曲制御層が0％よりも多く且つ10%よりも少ないAlNの組成をもつ請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記湾曲制御層がAlInGaNである請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記湾曲制御層が3.165Åと3.188Åとの間の理論的な格子定数をもつ請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
前記湾曲制御層が3.180Åと3.184Åとの間の理論的な格子定数をもつ請求項１に記載のデバイス。
【請求項８】
前記湾曲制御層が0.5μmと5μmとの間の厚さである請求項１に記載のデバイス。
【請求項９】
前記湾曲制御層が1μmと2μmとの間の厚さである請求項１に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記湾曲制御層が意図的にドーピングされてはいない請求項１に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記n-タイプの領域に配置されたn-接点と、前記p-タイプの領域に配置されたp-接点とを更に有し、当該n-接点及び当該p-接点の両方が半導体構造の同じ側に形成される、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記湾曲制御層の組成及び厚さが、高い成長温度からの冷却の間に前記第1の層に誘起される熱圧縮応力を少なくとも部分的に補正するよう選択されることを特徴とする、請求項１に記載のデバイス。
【請求項１３】
-  第1の層の上に接する湾曲制御層と、
-  n-タイプの領域とp-タイプの領域との間に配置されたIII族の窒化物の発光層と、
を有する半導体構造を基板上に生成させるステップを含む方法であって、
前記湾曲制御層がGaNの理論的な格子定数よりも小さな理論的な格子定数をもち、
前記第1の層が単結晶の層として成長され、
前記湾曲制御層が、前記n-タイプの領域と前記第1の層との間に配置されていることを特徴とする、方法。
【請求項１４】
前記湾曲制御層が前記第1の層よりも遅い速度で生成されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記湾曲制御層の組成及び厚さが、高い成長温度からの冷却の間に前記第1の層に誘起される熱圧縮応力を少なくとも部分的に補正するよう選択されることを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面上に材料を堆積させる方法であって、
印刷装置を用いて前記基板の表面上に第１の印刷材料を堆積させることであって、堆積された第１の印刷材料が前記基板の表面上にパターン状に複数の第１の印刷トラックを形成する、堆積させることと、
前記基板の表面の一部の上にマーカ要素を堆積させることと、
前記基板の表面上に第２の印刷材料を堆積させることと
を含み、
堆積された第２の印刷材料が前記基板の表面上に１つ以上の第２の印刷トラックを形成し、前記第２の印刷トラックがセンタリング用特徴を含み、前記センタリング用特徴内には第２の印刷トラックがなく、前記センタリング用特徴の少なくとも一部が前記マーカ要素を有する前記基板の表面の一部の上に配置され、
前記第２の印刷トラックの少なくとも一部が前記複数の第１の印刷トラックの少なくとも一部を覆う、方法。
【請求項２】
前記センタリング用特徴が前記マーカ要素の形状と一致する形状を有し、前記第２の印刷トラックが、前記マーカ要素が前記センタリング用特徴の形状内に配置されるように位置決めされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マーカ要素が、前記基板の表面上に前記複数の第１の印刷トラックを形成している間に堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記センタリング用特徴が、前記基板の表面上に前記第２の印刷トラックを形成している間に形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記マーカ要素を堆積させることが更に、前記基板の表面上に２つ以上のマーカ要素を堆積させることを含み、前記第２の印刷材料を堆積させることが更に、２つ以上のセンタリング用特徴を有する１つ以上の第２の印刷トラックを堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記センタリング用特徴の端部と前記マーカ要素の端部の間に形成された間隙を、検査システムを用いて検出することと、
前記センタリング用特徴の端部と前記マーカ要素の端部の間に形成された間隙のサイズを、前記間隙の検出中に収集された情報を用いて決定することと、
前記間隙のサイズが所望の許容誤差内であることを検証することと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記マーカ要素が、円形、楕円形、多角形、英数字記号、十字、アスタリスク、ダッシュ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される形状を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の表面上に接続材料を堆積させることを更に含み、前記接続材料が前記マーカ要素と前記センタリング用特徴の少なくとも一部を覆う、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の第１の印刷トラックが複数の導電性フィンガを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１および第２の印刷材料が導電性ペーストを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記１つ以上の第２の印刷トラックが、前記複数の第１の印刷トラックと接触している、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
印刷装置内で基板の表面上に材料を堆積させる方法であって、
前記基板の表面上にマーカ要素と複数の第１の印刷トラックを堆積させることと、
前記基板の表面上に第２の印刷材料を堆積させて１つ以上の第２の印刷トラックを形成することと
を含み、
前記マーカ要素と前記複数の第１の印刷トラックが第１の印刷材料を含み、前記マーカ要素が前記基板の表面の一部の上に第１の形状に形成され、
前記第２の印刷トラックがセンタリング用特徴を含み、前記センタリング用特徴が前記第２の印刷材料の欠如によって画定され且つ前記マーカ要素の第１の形状と一致する第２の形状を有する、方法。
【請求項１３】
前記第１の形状が、円形、楕円形、多角形、英数字記号、十字、アスタリスク、ダッシュ、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記センタリング用特徴の端部と前記マーカ要素の端部の間に形成された間隙のサイズを、検査システムを用いて検出することと、
前記間隙のサイズを、前記印刷装置内の記憶場所に保存された所望の値と比較することと
を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数の第１の印刷トラックが導電性フィンガを含み、前記１つ以上の第２の印刷トラックがバスバーを含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射出口面（２ａ）を有する少なくとも１つの第１の半導体ボディ（２）、を備えたオプトエレクトロニクスモジュールであって、前記放射出口面（２ａ）に少なくとも１つの電気接続領域（２１，２２）が配置されており、
−  前記第１の半導体ボディ（２）が、前記放射出口面（２ａ）とは反対側の面がキャリア（１）上に位置するように配置されており、
−  少なくとも１つの第２の半導体ボディ（２）が、前記キャリア（１）上、前記第１の半導体ボディ（２）の横に配置されており、
−  前記キャリア（１）上、前記第１の半導体ボディ（２）と前記第２の半導体ボディ（２）の横隣に、絶縁材料（３）が配置されており、前記絶縁材料（３）それぞれが、フィレットを形成しており、前記半導体ボディ（２）の外面に密着状に隣接しており、
−  前記第１の半導体ボディ（２）および前記絶縁材料（３）の上に、少なくとも部分的に絶縁層（４）が配置されており、
−  前記第１の半導体ボディ（２）を平面的に接触接続するための少なくとも１つの平面状導電性構造が、前記絶縁層（４）上に配置されており、前記導電性構造が、前記第１の半導体ボディ（２）の前記電気接続領域（２１，２２）に導電接続されており、
−  前記絶縁材料（３）が、前記半導体ボディ（２）の間の領域において前記半導体ボディ（２）に密着状に隣接しており、
−  前記絶縁材料（３）は、前記絶縁層（４）のための傾斜部（ramp）を形成し、したがって前記絶縁材料（３）により前記第１の半導体ボディ（２）と前記第２の半導体ボディ（２）の外面で前記絶縁層（４）の急傾斜の側部を有利に防止し、
−  前記半導体ボディ（２）の間の領域は、前記絶縁材料（３）によって平坦になっており、したがって前記半導体ボディ（２）の間のこれらの領域における前記絶縁材料（３）の高さは、それぞれの前記半導体ボディ（２）の高さに一致しており、
−  前記半導体ボディ（２）の外面におけるフィレットの形での前記絶縁材料（３）の最大高さは、それぞれの前記半導体ボディ（２）の高さに一致しており、
−  前記絶縁材料(３)もしくは前記絶縁層(４)またはその両方は、ポリマー材料を含んでいる、
オプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項２】
前記絶縁層(４)は、一体構造に形成され、前記絶縁材料（３）を完全に覆っている、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項３】
−  前記第１の半導体ボディ（２）と前記第２の半導体ボディ（２）との間に、複数のさらなる半導体ボディ（２）が配置されており、
−  前記絶縁材料（３）が、隣り合う半導体ボディ（２）の間の領域それぞれにおいて前記半導体ボディ（２）に密着状に隣接している、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項４】
前記絶縁材料（３）もしくは前記絶縁層（４）またはその両方が変換材料を含んでいる、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項５】
前記絶縁材料（３）もしくは前記絶縁層（４）またはその両方が透過性である、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項６】
前記絶縁材料（３）が耐紫外線性である、
請求項１から請求項５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項７】
前記電気接続領域（２１，２２）は、それぞれ前記放射出口面（２ａ）に接してその端部領域に配置されており、前記電気接続領域（２１，２２）は、それぞれ前記放射出口面（２ａ）上で互いに結合されており、
前記電気接続領域（２１，２２）は、枠状に形成されており、したがって前記半導体ボディ（２）の動作時に前記電気接続領域（２１，２２）によって電流拡散が生じる、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項８】
前記放射出口面（２ａ）のうち少なくとも放射出口領域に前記絶縁層（４）が存在しない、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項９】
前記絶縁層（４）が、多機能膜であり、
周囲条件の影響に対する保護、紫外線保護、水の吸収に対する保護、劣化に対する保護、温度の影響に対する保護、割れに対する保護、から選択される少なくとも１つのさらなる機能、を提供する、
請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュール。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクスモジュールの製造方法であって、
Ａ）第１の半導体ボディ（２）を、放射出口面（２ａ）とは反対側の面がキャリア（１）上に位置するように配置するステップと、
Ｂ）前記キャリア（１）上、前記第１の半導体ボディ（２）の横隣に絶縁材料（３）を配設するステップであって、前記絶縁材料（３）がフィレットの形をとり、前記半導体ボディ（２）に密着状に形成されるように行われる、前記ステップと、
Ｃ）次いで、前記半導体ボディ（２）および前記絶縁材料（３）上に部分的に絶縁層（４）を形成するステップと、
Ｄ）次いで、前記第１の半導体ボディ（２）を電気的に接触接続するための少なくとも１つの平面状導電性構造を、前記絶縁層（４）上に形成するステップと、
を含んでいる、方法。
【請求項１１】
−  方法ステップＡ）において、前記キャリア（１）上、前記第１の半導体ボディ（２）の横に、前記第２の半導体ボディ（２）を配置し、
−  方法ステップＢ）において、前記半導体ボディ（２）の間の領域に、前記絶縁材料（３）を前記半導体ボディに密着状に形成し、前記第１の半導体ボディ（２）および前記第２の半導体ボディ（２）の外面に隣接する前記絶縁材料（３）を、フィレットとして、前記半導体ボディ（２）に密着状に形成し、
前記方法ステップＤ）の後で使用されるフォト法の実行時において前記絶縁層（４）の急傾斜の側部の発生を防ぐことにより露出工程が容易になる、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法ステップＡ）において、前記第１の半導体ボディ（２）と前記第２の半導体ボディ（２）との間に複数のさらなる半導体ボディ（２）を配置し、隣り合う半導体ボディ（２）の間の領域それぞれに、前記絶縁材料（３）を前記半導体ボディ（２）に密着状に形成する、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法ステップＢ）もしくは前記方法ステップＣ）またはその両方が、ステンシル印刷法またはスクリーン印刷法を含んでいる、
請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記方法ステップＣ）がラミネート工程を含んでいる、
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記方法ステップＣ）がディスペンシング工程または噴射工程を含んでいる、
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント回路基板の複数の要素を接続する方法であって
プリント回路基板の接続されるべき要素（１、２、４、５、６、１０、１５、１６、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）に相互適合する輪郭を提供するステップと
相互対向周辺領域（７、１１、２８、２９）の間の距離（３）を維持しながら、少なくとも１つの周辺領域（７、１１、２８、２９）上で空間的に緊密な関係にある相互補完的輪郭とともに、接続されるべき要素（１、２、４、５、６、１０、１５、１６、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を配置するステップと
プリント回路基板の接続されるべき要素（１、２、４、５、６、１０、１５、１６、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）を接続するために、少なくともその部分にわたって相互対向周辺領域（７、１１、２８、２９）を機械的に接続、特に接合または接着するステップと、を含み、接続されるべきプリント回路基板要素（６、１０）が、接続手順を実行するために、キャリア要素（２０、３０）上に配置または支持されること、接続されるべきプリント回路基板要素（６、１０）が、接続手順の間、真空を印加することによって、締め付けによって、キャリア要素（３０）から突起して要素（６、１０）の相補的くぼみ（３２）に進入する隆起またはピン（３１）などによって、キャリア要素（２０、３０）に固定されたままであること、および／または支持されるべき要素（６、１０）に対向するキャリア要素（２０、３０）の表面が、たとえばシリコーン、ゴムなど、滑り止め材料によって形成されるか、または被覆されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
接続されるべき相互対向周辺領域（７、１１、２８、２９）の間の距離（３）が、最大５００μｍおよび、特に最大２００μｍとなるように選択されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
接続されるべき要素（１５、１６）が、接続されるべき要素のうちの１つに設けられた少なくとも１つの位置合わせまたは見当合わせ要素（１７）を基準に配置または接続されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
熱または化学または紫外線または赤外線硬化性接着剤（１２）が接合に使用されることを特徴とする、請求項１、２、または３に記載の方法。
【請求項５】
接着剤（１２）の熱硬化が８０℃から３００℃の間の温度で実行されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
高粘度接着剤（１２）が使用されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
接着剤（１２）が、分注装置、テンプレート印刷、スクリーン印刷などを用いて塗布されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
接着剤（１２）が、単に接続されるべき周辺領域（７、１１、２８、２９）の側縁の垂直延伸部の一部に導入または配置されることを特徴とする、請求項４から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
接続されるべき周辺領域（７、１１、２８、２９）の一時的な接続が、剥離可能接着テープまたはラベル（２３）を用いて形成されることを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
たとえば剥離可能な紙など、剥離可能保護要素（２２）が、接続されるべき要素（６、１０）の接続されるべき周辺領域の下に配置されることを特徴とする、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
プリント回路基板の接続済み要素（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）が、特にカッターまたはレーザーを用いて、たとえば修理目的のため、相互接続された周辺領域に沿って分離され得ることを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
それ自体知られている方式で接続されるべき要素（６、１０）が各々、接続されるべき周辺領域（７、１１）上に少なくとも１つの比較的相補的な結合要素（８、９）を備えて形成されることを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
接続されるべき要素（６）の少なくとも１つの結合要素（８）が、前記要素の周辺領域から突起している輪郭づけされた結合要素によって形成され、前記距離（３）を維持しながら、これと接続されるべき要素（１０）の相補的くぼみ（９）に受容されることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
それぞれ反対側の周辺領域の、プリント回路基板の実質的に矩形の要素（６）には各々、これと協働するフレームまたはキャリア要素（１０）の結合要素（９）と各々接続された少なくとも１つの結合要素（８）が設けられることを特徴とする、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
プリント回路基板の複数の要素（１、２、４、５、６、１０、１５、１６、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）が、離間した関係で互いに接続されることを特徴とする、請求項１２、１３、または１４に記載の方法。
【請求項１６】
プリント回路基板の少なくとも２つの接続されるべき要素（１、２、４、５、６、１０、１５、１６、Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）が、距離（３）を維持してキャリア要素上に支持されながら、その少なくとも１つの周辺領域（７、１１、２８、２９）上で互いに機械的に接続、特に接合または接着されることを特徴とする、相互接続された複数の要素を含むプリント回路基板。
【請求項１７】
接続されるべき相互対向周辺領域（７、１１、２８、２９）の間の距離（３）が、最大５００μｍおよび、特に最大２００μｍとなるように選択されることを特徴とする、請求項１６に記載のプリント回路基板。
【請求項１８】
接続されるべき要素（１５、１６）が、接続されるべき要素のうちの１つに設けられた少なくとも１つの位置合わせまたは見当合わせ要素（１７）を基準に配置、および互いに接続されることを特徴とする、請求項１６または１７に記載のプリント回路基板。
【請求項１９】
熱または化学または紫外線または赤外線硬化性接着剤（１２）が接合に使用されることを特徴とする、請求項１６、１７、または１８に記載のプリント回路基板。
【請求項２０】
接着剤（１２）が、単に接続されるべき周辺領域（７、１１、２８、２９）の側縁の垂直延伸部の一部に導入または配置されることを特徴とする、請求項１９に記載のプリント回路基板。
【請求項２１】
プリント回路基板の接続済み要素（Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ）が、特にカッターまたはレーザーを用いて、たとえば修理目的のため、相互接続された周辺領域に沿って分離可能であることを特徴とする、請求項１６から２０のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項２２】
それ自体知られている方式で接続されるべき要素（６、１０）が各々、接続されるべき周辺領域（７、１１）上に少なくとも１つの比較的相補的な結合要素（８、９）を備えて形成されることを特徴とする、請求項１６から２１のいずれか一項に記載のプリント回路基板。
【請求項２３】
接続されるべき要素（６）の少なくとも１つの結合要素（８）が、前記要素の周辺領域（７）から突起している輪郭づけされた結合要素によって形成され、前記距離を維持しながら、これと接続されるべき要素（１０）の相補的くぼみ（９）に受容されることを特徴とする、請求項２２に記載のプリント回路基板。
【請求項２４】
多部品回路基板の製造のための、請求項１から１５のいずれか一項に記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のための変換手段体（５）と支持体フィルム（８）とカバーフィルム（９）とを備えた装置において、
前記変換手段体（５）は、
マトリクス材料（５０）と、
前記マトリクス材料（５０）内に埋め込まれている変換手段粒子（５５）とを有しており、
前記マトリクス材料（５０）は不完全に硬化及び／又は架橋されており、且つ、
前記変換手段体（５）は室温においてショアＡ０を上回り且つショアＡ３５以下の硬度、及び／又は、１０Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有しており、
前記変換手段体（５）は、前記支持体フィルム（８）と前記カバーフィルム（９）との間に設けられていることを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記マトリクス材料（５０）はシリコーンを含有するか、又は、シリコーンである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記マトリクス材料（５０）は熱的に完全に架橋可能及び／又は硬化可能であり、硬化時間は少なくとも１０分である、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記変換手段体（５）はチキソトロピー剤を含んでいない、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記変換手段粒子（５５）の重量割合は２０％以上７５％以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記変換手段粒子（５５）の重量割合は５５％以上７０％以下である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記変換手段体（５）の横方向の寸法は３００μｍ以上且つ３ｍｍ以下であり、
前記変換手段（５）の厚さは２０μｍ以上１２５μｍ以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記支持体フィルム（８）も前記カバーフィルム（９）も、前記マトリクス材料（５０）が完全には硬化していない限りは、前記変換手段体（５）を損傷させること無く、該変換手段体（５）から除去される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記支持体フィルム（８）エチレン−テトラフルオロエチレンフィルムである、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記変換手段体（５）は２９３Ｋの温度において、ショアＡ２以上ショアＡ１５以下の硬度を有している、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の製造方法において、
少なくとも一つの活性層を備えている半導体積層体（３）を準備するステップと、
変換手段粒子（５５）が埋め込まれているマトリクス材料（５０）を有しているワンピースの変換手段体（５）を準備するステップであって、前記マトリクス材料（５０）は不完全に架橋されており、及び／又は、硬化されており、且つ、前記変換手段体（５）は室温においてショアＡ０を上回り且つショアＡ３５以下の硬度、及び／又は、１０Ｐａ・ｓ以上１５０Ｐａ・ｓ以下の粘度を有するステップと、
前記半導体積層体（３）の上に前記変換手段体（５）を取り付け、前記半導体積層体（３）と前記変換手段体（５）とを相互に直接的に接触させるステップと、
前記変換手段体（５）を硬化させるステップであって、前記硬化後に前記変換手段体（５）の前記硬度は少なくともショアＡ３０且つ最大でショアＤ８０であるステップとを備えていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の製造方法。
【請求項１２】
前記変換手段体（５）を支持体フィルム（８）上に取り付け、カバーフィルム（９）によって覆い、
少なくとも前記支持体フィルム（８）は紫外線スペクトル領域及び青色スペクトル領域において少なくとも部分的に放射を透過させる、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス素子（１０）であって、
放射出射側（２０）を備えた少なくとも１つの半導体ボディ（２）が設けられており、該半導体ボディ（２）は、前記放射出射側（２０）とは反対側で基板（１）上に配置されており、
前記放射出射側（２０）に、少なくとも１つの電気的な接続領域（２２）が配置されており、該接続領域（２２）の上に金属化隆起部（３）が配置されており、
前記半導体ボディ（２）には、少なくとも部分的にアイソレーション層（４）が設けられており、前記金属化隆起部（３）は該アイソレーション層（４）よりも上に突き出ており、
前記放射出射側（２０）に該アイソレーション層（４）が配置されており、
前記半導体ボディ（２）との平面的な接触接続のため該アイソレーション層（４）の上に、少なくとも１つの平面導体構造（５）が配置されており、該平面導体構造（５）は、前記金属化隆起部（３）を介して前記電気的な接続領域（２２）と導電接続されている、
オプトエレクトロニクス素子（１０）において、
前記アイソレーション層（４）はシートであり、
前記金属化隆起部（３）はスタッドバンプまたはソルダ−ボールである
ことを特徴とする、
オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
前記金属化隆起部（３）は、前記放射出射側（２０）とは反対側の面上のみで丸みを有している、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項３】
前記金属化隆起部（３）は、押し潰された金のワイヤである、請求項１記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項４】
前記金属化隆起部（３）は、ニッケル−金（Ni/Au）合金および／またはニッケル−パラジウム（Ni/Pd）合金である、請求項１から３のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項５】
前記アイソレーション層（４）は、前記半導体ボディ（２）から送出される放射に対し透過性である、請求項１から４のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項６】
前記アイソレーション層（４）内に変換材料（６）が配置されている、請求項１から４のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項７】
少なくとも１つの別の半導体ボディ（２ｂ）が前記基板（１）上に配置されている、請求項１から６のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項８】
前記半導体ボディ（２ａ）と前記別の半導体ボディ（２ｂ）は、別の平面導体構造（５ｃ）を介して互いに導電接続されている、請求項７記載のオプトエレクトロニクス素子。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス素子（１０）の製造方法において、
Ａ）半導体ボディ（２）を、放射出射側（２０）とは反対側で基板（１）の上に配置するステップと、
Ｂ）前記半導体ボディ（２）の放射出射側（２０）上に配置された電気的な接続領域（２２）の上に、金属化隆起部（３）を配置するステップと、
Ｃ）次いで前記半導体ボディ（２）の上にアイソレーション層（４）を形成し、前記金属化隆起部（３）が該アイソレーション層（４）よりも上に突き出るようにし、圧力を用いて前記アイソレーション層（４）を放射出射面（２０）上に積層するステップと
を有することを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子の製造方法。
【請求項１０】
前記金属化隆起部（３）を電気的な接続領域（２２）に取り付けるために、接着プロセスまたははんだ付けプロセスを用いる、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記金属化隆起部（３）はソルダ−ボールであり、前記ステップＢ）においてはんだ付けプロセスを行う、請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体ボディ（２）の接続領域（２２）を露出させるステップ及び前記半導体ボディ（２）の接続領域（２２）の上で前記アイソレーション層（４）を除去するステップを省略する、請求項９から１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記半導体ボディ（２）は、基板（１）に面する側にコンタクト面（２３）を有しており、
前記半導体ボディ（２）は該コンタクト面（２３）を介して、前記基板（１）上に配置された導体路と接触して導電接続されており、または導電性材料を有する基板（１）と接触して導電接続されており、
前記半導体ボディ（２）の、前記基板（１）とは反対側の放射出射側（２０）に、１つの電気的な接続領域（２２）が配置されている、請求項９から１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記ステップＣ）において、前記アイソレーション層（４）を前記金属化隆起部（３）の上に押圧する、請求項９から１３のいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソード、アノード、セパレータ、および電解質を含む電気化学セルにおける水と酸との結合のための、プロトン化可能な窒素原子を含み、水によって加水分解される、ケイ素化合物の使用であって、前記電解質が、非プロトン性溶媒と、電導度塩としてリチウム塩とを含む、使用。
【請求項２】
前記ケイ素化合物は、構造要素R1‐Si‐OR2を有しており、このときＲ1は、１個〜１２個の炭素原子を有するアルキル基であり、前記アルキル基はアミノ基で置換されており、Ｒ2は１個〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、または芳香族基であることを特徴とする請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記ケイ素化合物は式R1‐Si(‐OR2)(‐R3)(‐R4)を有しており、このとき、Ｒ1およびＲ2は、前記の意味を有しており、Ｒ3およびＲ4は互いに独立して、１個〜１２個の炭素原子を有するアルキル基、または１個〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基、または芳香族基、またはアリールオキシ基であることを特徴とする請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
前記ケイ素化合物は、(アミノアルキル)‐トリアルコキシシランであることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の使用。
【請求項５】
Ｒ2は１個〜１２個の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｒ3およびＲ4は１個〜１２個の炭素原子を有するアルコキシ基であることを特徴とする請求項４に記載の使用。
【請求項６】
前記ケイ素化合物は、(2‐アミノエチル)‐トリメトキシシラン、(2‐アミノエチル)‐トリエトキシシラン、(2‐アミノエチル)‐トリプロポキシシラン、(2‐アミノエチル)‐トリブトキシシラン、(3‐アミノプロピル)‐トリメトキシシラン、(3‐アミノプロピル)‐トリエトキシシラン、(3‐アミノプロピル)‐トリプロポキシシラン、(3‐アミノプロピル)‐トリブトキシシランから成る群から選択されることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項７】
前記ケイ素化合物は、(3‐アミノプロピル)‐トリエトキシシラン、または、(3‐アミノプロピル)‐トリメトキシシランであることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項８】
前記プロトン化可能な窒素原子は、第１級、第２級、または第３級アミノ基の一部であることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
前記化合物は、０．０１重量％〜１０重量％の濃度で前記電解質中に含まれることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
前記化合物は、０．１重量％〜５重量％の濃度で前記電解質中に含まれることを特徴とする請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
前記電導度塩が、LiPF6、LiBF4、LiClO4、LiAsF6、LiCF3SO3、LiN(CF3SO2)2またはLiC(CF3SO2)3と、LiSO3CxF2x+1、LiN(SO2CxF2x+1)2またはLiC(SO2CxF2x+1)3で、０≦ｘ≦８であるものと、これらの電導度塩の内２つ以上の混合物と、から成る群から選択される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１２】
前記溶媒が、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、ブチレンカーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、エチルメチルカーボネート、メチルプロピルカーボネート、ブチルメチルカーボネート、エチルプロピルカーボネート、ジプロピルカーボネート、シクロペンタノン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、3‐メチル‐1,3‐オキサゾリジン‐2‐オン、γ‐ブチロラクトン、1,2‐ジエトキシメタン、テトラヒドロフラン、2‐メチルテトラヒドロフラン、1,3‐ジオキソラン、酢酸メチル、酢酸エチル、およびこれらの非プロトン性溶媒の内２つ以上の混合物から成る群から選択される、請求項１から１１のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
前記酸がフッ化水素酸である、請求項１から１２のいずれか一項に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
衝突回避スキームを実行するロボット装置であって：
第１ロボットマニピュレータ；
第１駆動信号により第１の予め計画された実際の経路に沿った移動のために前記第１ロボットマニピュレータを制御する第１制御器；
第２ロボットマニピュレータ；及び
第２駆動信号により第２の予め計画された意図された経路に沿った移動のために前記第２ロボットマニピュレータの移動を制御し、前記第１ロボットマニピュレータとの可能性のある衝突の決定に基づいて且つ前記の第１の予め計画された実際の経路についての予めの知識を伴わずに、前記の第１の予め計画された実際の経路から離れた回避経路に移動するように、前記の第２の予め計画された意図された経路から外す、第２制御器；
を有するロボット装置であり、
前記第１制御器及び前記第２制御器は、前記第２制御器が前記第１駆動信号に基づいて可能性のある衝突を決定するように、第１通信インタフェース及び第２通信インタフェースを介して互いに通信するように構成され；
前記第２の予め計画された意図された経路は所望の速度のシーケンスに基づき；
前記第２制御器は、回避速度のシーケンスに基づいて前記回避経路に沿って前記第２ロボットマニピュレータを移動させる一方、前記の所望の速度のシーケンスに最も近い速度を選択し；
前記回避速度は、少なくとも複数の許容可能な速度の凸集合、前記第２ロボットマニピュレータの運動エネルギー及び／又は前記第２ロボットマニピュレータの少なくとも１つの関節における力に基づく；
ロボット装置。
【請求項２】
請求項１に記載のロボット装置であって：
前記第１ロボットマニピュレータは、少なくとも１つの関節と、前記少なくとも１つの関節の位置決めを実行するために前記少なくとも１つの関節及び前記第１制御器と協働する関節センサと、を有し；
前記第２制御器は、前記少なくとも１つの関節の前記位置決めに基づいて前記可能性のある衝突を決定するように構成される；
ロボット装置。
【請求項３】
請求項１に記載のロボット装置であって、前記第２制御器は、前記第２ロボットマニピュレータと前記第１ロボットマニピュレータとの間の距離を決定し、可能性のある衝突を決定するように前記距離を少なくとも１つの閾値距離と比較するように構成される、ロボット装置。
【請求項４】
請求項１に記載のロボット装置であって：
前記第２制御器は、前記第２ロボットマニピュレータと前記第１ロボットマニピュレータとの間の距離を反復的に決定し、前記距離に基づいて、前記第１ロボットマニピュレータとの可能性のある衝突を決定するように構成され；
前記第２制御器は、前記第１ロボットマニピュレータ及び前記第２ロボットマニピュレータの幾何モデルを記憶するように構成され；
前記第２制御器は、前記第１ロボットマニピュレータ及び前記第２ロボットマニピュレータの前記幾何モデルに基づいて、前記第２ロボットマニピュレータと前記第１ロボットマニピュレータとの間の距離を決定するように構成される；
ロボット装置。
【請求項５】
請求項４に記載のロボット装置であって：
各々の幾何モデルは、それぞれのロボットマニピュレータを囲む一連のバッファゾーンを有し；
前記第２制御器は、前記第１ロボットマニピュレータ及び前記第２ロボットマニピュレータのそれぞれのバッファゾーン間の重なりに基づいて、前記第１ロボットマニピュレータと前記第２ロボットマニピュレータとの間の可能性のある衝突を決定するように構成される；
ロボット装置。
【請求項６】
請求項５に記載のロボット装置であって、前記第２制御器は、どのバッファゾーンが重なり合っているかに基づいて、異なる速度で前記第２ロボットマニピュレータを移動させるように構成される、ロボット装置。
【請求項７】
請求項３に記載のロボット装置であって：
前記第２制御器は、前記第１ロボットマニピュレータと前記第２ロボットマニピュレータとの間の接近速度を反復的に決定するように構成され；
前記第２制御器は、前記接近速度に基づいて、前記可能性のある衝突を決定するように構成される；
ロボット装置。
【請求項８】
請求項１に記載のロボット装置であって；
前記第２ロボットマニピュレータは少なくとも１つの関節を有し；
前記第２制御器は、前記少なくとも１つの関節における力に基づいて、前記の回避速度のシーケンスを決定するように構成される；
ロボット装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着座部表面（１１）を有し、かつ原動機付き車両のフロア（３）に取り付けられるように適合させた着座部材（１）を含む原動機付き車両用シートであって、前記着座部材（１）が２つの座部側面（１３）を含み、これらの座部側面（１３）が前記着座部表面（１１）を介して連結され、これらの座部側面（１３）のそれぞれが自由辺縁（１７）を有することを特徴とし；第１使用位置では、これらの自由辺縁（１７）が前記着座部表面（１１）よりも上方に配置されることを特徴とし；第２使用位置では、これらの自由辺縁（１７）が前記着座部表面の下に配置されて、前記着座部表面（１１）がこれらの座部側面によって持ち上げられるようになることを特徴とする、原動機付き車両用シート。
【請求項２】
これらの自由辺縁（１７）が前記第１及び第２使用位置において、前記フロア（３）に形成される開口部（３９）の周縁（３８）と相互作用することができることを特徴とする、請求項１に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項３】
前記第２使用位置では、前記着座部材（１）が補助椅子を形成することを特徴とする、請求項１又は２に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項４】
前記着座部材（１）が、前記着座部表面（１１）の裏側に配置される相補的嵌合着座部表面（２）と、安全ベルトストラップを案内する手段（２３，２３’）とを含むことを特徴とする、請求項３に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項５】
前記着座部材が、前記着座部材が前記第２使用位置に収納される場合に前記相補的嵌合着座部表面（２）の各側に１つずつ延設され、かつ前記相補的嵌合着座部表面（２）よりも上方に延設される２つの相補的嵌合座部側面（２１）を含むことを特徴とする請求項４に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項６】
前記案内手段が相補的嵌合座部側面に形成されることを特徴とする、請求項５に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項７】
前記着座部材（１）が前記着座部表面（１１）に略直交し、かつ背もたれを前記第１使用位置で形成する後方壁（１５）を含むことを特徴とする、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の原動機付き車両用シート。
【請求項８】
前記車両用シートが前記着座部材（１）を該着座部材の使用位置のうちの一方または他方の使用位置に係止する、前記着座部材の係止手段を含むことを特徴とする、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の原動機付き車両用シート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図３Ａを次に参照すると、消毒薬装置１００の断面図が、柄１５０を作動させる前、貯留容器に結合された状態で示されている。前に考察したように、消毒薬装置１００が貯留容器１２０に結合されると、スパイク機構２０２が膜１２８に穴を開けて、貯留容器１２０と、本体１１０の内側管腔２１２との間で流体連通をもたらす。したがって、膜１２８が壊れた後、消毒薬装置１００および取り付けられた貯留容器１２０が、上下逆にされて、消毒用薬剤１２２を、本体１１０の内側管腔２１２の中へ流入できるようにする。しかし、柄１５０を閉じた位置へと作動させる前、消毒用薬剤１２２が、膜２７０を迂回することが妨げられ、液供給チャンバ２２０中に流入することが実質的に阻止される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ｃ】
2013504404.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2013504404.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスガスから二酸化炭素を除去する方法であって、該方法は、
ａ）アンモニア性溶液を、温度約１０−２０℃において作動する少なくとも第１吸収器(14)を含んでなる吸収装置(12)に導入し、；
ｂ）前記第１吸収器(14)において、アンモニア性溶液をプロセスガスと接触させて、アンモニア性溶液によってプロセスガス中の二酸化炭素の少なくとも一部を捕捉し；
ｃ）二酸化炭素の捕捉に続いて、アンモニア性溶液を吸収装置(12)から排出し；
ｄ）吸収装置の外部において、アンモニア性溶液を温度約０−１０℃に冷却して、捕捉した二酸化炭素の少なくとも一部を固体塩として沈殿させ；
ｅ）冷却したアンモニア性溶液を分離器(34)に導入し、分離器において、沈殿した固体の少なくとも一部をアンモニア性溶液から除去し、その後、アンモニア性溶液を分離器から排出し；
ｆ）アンモニア性溶液を加熱し；及び
ｇ）加熱したアンモニア性溶液を前記吸収装置(12)に再導入する
ことを含んでなる二酸化炭素の除去法。
【請求項２】
工程ｂ）におけるアンモニア性溶液の温度が約１０−２０℃である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程ｂ）におけるアンモニア性溶液の温度が約１５℃である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
工程ｄ）において、アンモニア性溶液を約５℃に冷却する、請求項１記載の方法。
【請求項５】
工程ｆ）において、アンモニア性溶液を少なくとも７℃に加熱する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
工程ｆ）において、アンモニア性溶液を約７−１５℃に加熱する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
工程ｆ）において、アンモニア性溶液を約７−１０℃に加熱する、請求項１記載の方法。
【請求項８】
工程ｄ）の冷却及び工程ｆ）の加熱を、熱交換器(24)によって、少なくとも部分的に達成し、前記熱交換器(24)において、工程ｃ）における吸収装置(12)から排出されたアンモニア性溶液が加熱媒体であり、工程ｅ）において分離器(34)から排出されたアンモニア性溶液が冷却媒体である、請求項１記載の方法。
【請求項９】
工程ｄ）の冷却を、熱交換器(24)によって、少なくとも部分的に達成し、前記熱交換器(24)において、冷却媒体として冷水を使用する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
分離器(34)がハイドロサイクロンである、請求項１記載の方法。
【請求項１１】
分離器(34)において、固体と一緒にいくらかの液体溶液を除去して、懸濁液又はスラリーを形成し、前記懸濁液又はスラリーが、懸濁液又はスラリーの質量の約１０−２０％の固体含量を有する、請求項１記載の方法。
【請求項１２】
さらに、ｈ）第１吸収器(14)とは別個の吸収装置(12)の第２吸収器(16)において、加熱したアンモニア性溶液をプロセスガスと接触させ、前記第２吸収器(16)において、アンモニア性溶液は、プロセスガス中の二酸化炭素の少なくとも一部を吸収及び溶解することを含んでなる、請求項１記載の方法。
【請求項１３】
プロセスガスから二酸化炭素を除去するための二酸化炭素除去システム(10)であって、当該システム(10)は、
少なくとも第１吸収器(14)を含んでなり、前記第１吸収器(14)は、当該第１吸収器(14)内において、プロセスガスとアンモニア性溶液との間の接触を可能にして、プロセスガスの二酸化炭素の少なくとも一部をアンモニア性溶液によって捕捉するように配置されている吸収装置(12)；
前記吸収装置(12)から排出された後、捕捉した二酸化炭素を含むアンモニア性溶液を冷却するように配置された第１熱交換器(24)；
前記第１熱交換器から排出された後、冷却されたアンモニア性溶液中の固体の少なくとも一部を除去するように配置された分離器(34)；
前記分離器(34)から排出された後、アンモニア性溶液を加熱するように配置された第２熱交換器(44)；及び
前記吸収装置(12)と前記第１熱交換器(24)との間、前記第１熱交換器(24)と前記分離器(34)との間、前記分離器(34)と前記第２熱交換器(44)との間、及び前記第２熱交換器(44)と前記吸収装置(12)との間を接続し、これらの間でアンモニア性溶液の流動を許容するように配置された配管
を含んでなる二酸化炭素除去システム。
【請求項１４】
第１及び第２熱交換器(24, 44)は相互に協働して、第１熱交換器(24)において冷却されるアンモニア性溶液を、第２熱交換器(44)において加熱されるアンモニア性溶液を冷却媒体として少なくとも部分的に冷却し、第２熱交換器(44)において加熱されるアンモニア性溶液を、第１熱交換器(24)において冷却されるアンモニア性溶液を加熱媒体として少なくとも部分的に加熱する、請求項１３記載のシステム。