(57)【要約】【課題】渦電流損失が少なく、インダクタンス特性に優れ、外部からの力が加わっても剥離しない下地電極膜を有し、しかもワイヤの継線部の接続が容易で断線不良などが生じない電子部品を提供すること。【解決手段】基体と、基体を被覆する下地電極膜２０とを有する。少なくとも下地電極膜２０が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜２０ａと、電解ニッケルメッキ膜２０ｂとを有する。無電解ニッケルメッキ膜２０ａの厚さが、１．３〜１．７μｍであり、電解ニッケルメッキ膜の厚さ２０ｂが、１．８〜２．２μｍである。【選択図】図１
2008166596.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体を被覆する下地電極膜とを有し、
少なくとも前記下地電極膜が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜と、電解ニッケルメッキ膜とを有し、
前記無電解ニッケルメッキ膜の厚さが、１．３〜１．７μｍであり、
前記電解ニッケルメッキ膜の厚さが、１．８〜２．２μｍである電子部品。
【請求項２】
コイルを形成するようにワイヤが巻回されるコアの巻芯部と、
前記コアの巻芯部と一体に形成され、前記巻芯部の軸方向両側に形成される一対のフランジと、
前記ワイヤの継線部が接続されるように、各フランジの外周および外側端面を被覆する前記下地電極膜と、
前記下地電極膜を覆うように形成される外部電極膜とを有する請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記下地電極膜の厚さが、３．１〜３．９μｍである請求項１または２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記外部電極膜がメッキ膜で構成してある請求項２または３に記載の電子部品。
【請求項５】
前記外部電極膜が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜と、電解ニッケルメッキ膜と、電解スズメッキ膜とを有する請求項４に記載の電子部品。
【請求項６】
前記ワイヤが巻回された巻芯部の外周を外装樹脂部で被覆してある請求項２〜５のいずれかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記外装樹脂部が、各フランジの外周に位置する前記ワイヤの継線部を途中まで被覆する樹脂製フランジ被覆部を有し、
前記外部電極膜が、前記ワイヤの継線部と接続するように、前記フランジの端面から当該フランジの外周面を直接に覆うと共に、前記外装樹脂部のフランジ被覆部を覆うように形成してある請求項６に記載の電子部品。
【請求項８】
前記外装樹脂部がフェライト粉を含む請求項６または７に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に係り、さらに詳しくは、渦電流損失が少なく、インダクタンス特性に優れ、外部からの力に強い下地電極膜を有し、しかもワイヤの継線部の接続が容易で断線不良などが生じない電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、たとえば下記の特許文献１に示す巻線型電子部品が知られている。この特許文献１に示す巻線型電子部品では、フェライトコアにおける巻芯部の両端に形成してあるフランジの端面に、銀ペーストなどの導電性ペースト膜で電極膜を形成する。
【０００３】
導電性ペースト膜で電極膜を形成する場合には、どうしても電極膜の厚みが厚くなる。フランジの端面では、巻芯部で発生する磁界の方向が垂直に通過することから、その端面に形成してある電極膜の厚みが大きいと、その部分での渦電流が大きくなってしまう。その結果、巻線型電子部品におけるコアロスが大きくなってしまう。
【０００４】
また、電極膜の厚みが大きいと、限定されたサイズでは、相対的に、フェライトコアの体積を小さくする必要があり、その分、インダクタンス特性を劣化させるおそれがある。
【０００５】
さらに、従来の巻線型電子部品では、フランジ表面におけるフェライト粒子間の界面には微小な隙間が存在するため、この界面上に形成された下地電極膜はフランジ表面との密着性が充分ではない。その結果、フランジに下地電極膜を形成し、巻芯部の外周を外装樹脂部で被覆した後に、フランジに形成された下地電極膜に付着した余分な樹脂（以下、バリと記す）をブラスト処理によって除去する際に、下地電極膜の一部が剥離、破損してしまうおそれがある。
【０００６】
また、従来の巻線型電子部品では、ワイヤの継線部における接続が困難であり、断線不良などが生じるおそれもあった。
【特許文献１】特許第３３１９６９７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、渦電流損失が少なく、インダクタンス特性に優れ、外部からの力が加わっても剥離しない下地電極膜を有し、しかもワイヤの継線部の接続が容易で断線不良などが生じない電子部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明に係る電子部品は、
基体と、
前記基体を被覆する下地電極膜とを有し、
少なくとも前記下地電極膜が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜と、電解ニッケルメッキ膜とを有し、
前記無電解ニッケルメッキ膜の厚さが、１．３〜１．７μｍであり、
前記電解ニッケルメッキ膜の厚さが、１．８〜２．２μｍである。
【０００９】
また、本発明に係る電子部品は、
コイルを形成するようにワイヤが巻回されるコアの巻芯部と、
前記コアの巻芯部と一体に形成され、前記巻芯部の軸方向両側に形成される一対のフランジと、
前記ワイヤの継線部が接続されるように、各フランジの外周および外側端面を被覆する前記下地電極膜と、
前記下地電極膜を覆うように形成される外部電極膜とを有する。
【００１０】
本発明に係る電子部品では、少なくとも下地電極膜がニッケルメッキ膜で構成してあるために、銀ペースト膜に比較して、下地電極膜を均一に薄くすることができる。また、ニッケルは、銀に比較して比抵抗が大きい。そのため、フランジの端面において巻芯部で発生する磁界の方向が垂直に通過したとしても、その部分での渦電流は小さい。その結果、電子部品におけるコアロスが小さくなる。
【００１１】
また、本発明では、前記下地電極膜が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜と、電解ニッケルメッキ膜とを有する。何ら電極が形成されていない段階では、コアの表面には、電解メッキが困難である。そこで、最初に、コアが有するフランジの表面に無電解メッキ法により無電解ニッケルメッキ膜を形成し、その後に、無電解ニッケルメッキ膜の表面に電解メッキ法により電解ニッケルメッキ膜を形成する。その結果、フランジと下地電極膜全体との密着性、および下地電極膜全体の強度を向上させることができる。
【００１２】
また、本願発明では、無電解ニッケルメッキ膜の厚さを、１．３〜１．７μｍとすることによって、メッキ膜に応力が生じず、高強度で、フランジとの密着性が高く、かつ、厚さが均一な無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。その結果、ブラスト処理によって下地電極膜に付着したバリを除去する際に、下地電極膜が剥離、破損することを防止できる。
【００１３】
また、本願発明では、電解ニッケルメッキ膜の厚さを、１．８〜２．２μｍとすることによって、電解ニッケルメッキ膜における渦電流を減少させることができ、かつ、高強度の無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。その結果、ブラスト処理によって下地電極膜に付着したバリを除去する際に、下地電極膜が剥離、破損することを防止できる。
【００１４】
また、電解ニッケルメッキ膜は、無電解ニッケルメッキ膜に比較して、膜質が緻密であり、強度に優れている。そのため、熱圧着法などで電解ニッケル膜の上にワイヤの継線を行うことで、断線不良などが生じるおそれも少ない。
【００１５】
また、本発明の電子部品では、電極膜の厚みが小さいため、限定されたサイズにおいて、相対的に、フェライトコアの体積を大きくすることが可能であり、その分、インダクタンス特性が向上する。
【００１６】
さらにまた本発明の電子部品では、フランジの外周に、熱圧着法などを用いて容易にワイヤの継線を行うことが可能であり、しかも断線不良などが生じるおそれも少ない。
【００１７】
また、本発明では、フランジの外側端面に位置する下地電極膜の膜厚が極端に薄いために、電子部品のサイズが小型化しても、電子部品の軸方向長さ寸法のバラツキを抑制することができる。
【００１８】
そのために、この電子部品が実装される基板部分のランド寸法と誤差が生じることが少なくなり、実装不良を防止することができる。さらに、プリント基板などにおいては、ランドパターンに余裕をもたせた設計とする必要が無くなり、高実装密度が容易になる。
【００１９】
好ましくは、前記下地電極膜の厚さが、３．１〜３．９μｍである。
【００２０】
下地電極膜の厚さを、３．１〜３．９μｍとすることによって、コアのフランジと下地電極膜との密着性、および下地電極膜の強度を向上させることができる。その結果、ブラスト処理によって下地電極膜に付着したバリを除去する際に、下地電極膜が剥離、破損することを防止できる。
【００２１】
好ましくは前記外部電極膜がメッキ膜で構成してある。外部電極膜までもメッキ膜で構成することで、さらに、渦電流損失が少なく、インダクタンス特性に優れ、しかもワイヤの継線部の接続が容易で断線不良などが生じない巻線型電子部品を提供することができる。
【００２２】
好ましくは、前記外部電極膜が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜と、電解ニッケルメッキ膜と、電解スズメッキ膜とを有する。最も外側をスズメッキ膜で構成することで、巻線型電子部品を基板に対してハンダ実装する時に、ハンダとの接合性が向上する。
【００２３】
好ましくは、前記ワイヤが巻回された巻芯部の外周を外装樹脂部で被覆してある。
【００２４】
好ましくは、前記外装樹脂部が、各フランジの外周に位置する前記ワイヤの継線部を途中まで被覆する樹脂製フランジ被覆部を有し、
前記外部電極膜が、前記ワイヤの継線部と接続するように、前記フランジの端面から当該フランジの外周面を直接に覆うと共に、前記外装樹脂部のフランジ被覆部を覆うように形成してある。
【００２５】
このような構成にすることで、ワイヤの継線部における接続強度が向上し、断線不良などが生じるおそれがさらに少なくなる。
【００２６】
好ましくは、前記外装樹脂部がフェライト粉を含む。外装樹脂部にフェライト粉を含ませることで、巻線型電子部品のインダクタンス特性がさらに向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１は本発明の一実施形態に係るコイルチップ部品の縦断面図、
図２は図１に示すII部の拡大要部断面図、
図３はコイルチップ部品の斜視図、
図４はコアのメッキ処理を行うためのマスキングに用いる基板の要部断面図、
図５はコイルチップ部品の製造工程の一例を示す金型および部品の要部断面図である。
【００２８】
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る巻線型電子部品としてのコイルチップ部品２は、コア（芯材）としてのドラムコア４を有する。ドラムコア４は、フェライト材料で構成してある。ドラムコア４は、コイル部１０を構成するワイヤ１０ａが、コア４の軸方向に沿って巻回してある巻芯部４ａを有する。
【００２９】
巻芯部４ａの軸方向の両端である第１端部および第２端部には、それぞれ第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃが一体に形成してある。第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃの外形寸法は、巻芯部４ａの外径寸法よりも大きくなっている。
【００３０】
巻芯部４ａの横断面は、特に限定されず、長方形断面、円形断面、あるいは、その他の断面形状であっても良い。第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃの横断面形状は、長方形断面などの角形形状である。第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃは、同じサイズであり、たとえば縦が０．８２ｍｍ、横が０．３０ｍｍ程度である。また、巻芯部４ａの外径は、０．４２ｍｍ程度である。ドラムコア４の軸方向全長（部品２の全長と略同じ）Ｌ０は、１．６３７ｍｍ程度である。
【００３１】
図１に示すように、コイル部１０を構成するワイヤ１０ａの両端に形成してある継線部１０ｂおよび１０ｃは、各フランジ４ｂおよび４ｃの外周位置において、下地電極膜２０と接続される。ワイヤ１０ａの継線部１０ｂおよび１０ｃは、下地電極膜２０が形成された後に、各フランジ４ｂおよび４ｃの外周に熱圧着などの手段で固定され、これらの継線接続が確保される。
【００３２】
ワイヤ１０ａは、たとえば銅線をウレタン樹脂などの皮膜で被覆したワイヤであり、ワイヤ１０ａの継線部１０ｂおよび１０ｃを、ヒータチップなどで熱圧着することで皮膜が溶融し、継線部が押し潰されて下地電極膜２０と接続する。熱圧着条件は、６００〜６４０°Ｃの温度で、荷重４００〜４５０ｇ、加圧時間０．１〜０．５秒の条件である。ワイヤ１０ａの線径は０．０５８〜０．０６５ｍｍである。
【００３３】
下地電極膜２０は、図２に示すように、多層膜で構成してあり、第１下地電極膜２０ａは、１．３〜１．７μｍの膜厚を有する無電解ニッケルメッキ膜であり、第２下地電極膜２０ｂは、１．８〜２．２μｍの膜厚を有する電解ニッケルメッキ膜である。下地電極膜２０の総膜厚（無電解ニッケルメッキ膜の膜厚と、電解ニッケルメッキ膜の膜厚の合計）は、３．１〜３．９μｍである。
【００３４】
この下地電極膜２０をメッキ法にて形成するために、図４に示すように、ワイヤ１０ａの巻線を行う前のドラムコア４を、メッキマスクとしてのゴム製基板７０で保持し、メッキ処理を行う。ゴム製基板７０には、嵌合穴７２が形成してあり、各嵌合穴７２にドラムコア４を嵌め込み、巻芯部４ａにメッキ液が流入することを阻止する。
【００３５】
なお、メッキ処理の前には、ドラムコア４の表面を粗面化処理する。粗面化処理としては、熱エッチング処理が例示される。熱エッチング処理に際しては、ドラムコア４を９５０〜１０８０°Ｃの温度で約５５〜６５分間熱処理する。その熱処理により、ドラムコア４の表面は粗面化され、メッキ膜が接合しやすくなる。
【００３６】
下地電極膜２０と継線部１０ｂおよび１０ｃが接続された後、コイル部１０が形成してある巻芯部４ａの外周凹部に、樹脂をモールド成形して外装樹脂部３０が形成される。外装樹脂部３０を構成する樹脂としては、特に限定されず、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ジアリルフタレート樹脂、ポリエステル樹脂などが例示される。
【００３７】
外装樹脂部３０は、たとえば図５に示す金型８０および８２を用いて成型される。図５に示すように、金型８０および８２が閉じることにより形成される複数のキャビティ８４の内部に、コイル部１０が形成してある継線済のドラムコア４を、隣接するドラムコア４の第１フランジ４ｂの端面が、隣のドラムコア４の第２フランジの端面に接触するように、軸方向に並んで配置する。
【００３８】
金型８０および８２には、隣接して配置されたドラムコア４の第１フランジ４ｂと第２フランジ４ｃとの接触部外周を保持する保持用凸部８６が形成してあり、その両側に、図１に示す樹脂製フランジ被覆部３０ａを形成するための周方向隙間８８が形成してある。周方向隙間８８は、キャビティ８４に連通してあり、キャビティ８４に樹脂を射出して成形し、金型８０，８２を開くことで、図１に示すフランジ被覆部３０ａを有する外装樹脂部３０が一体化された複数の素子本体５が得られる。外装樹脂部３０の４側面は、それぞれ平坦面である。
【００３９】
各素子本体５の外装樹脂部３０の外径寸法は、第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃの外形寸法（コア部の最大外形寸法）よりも大きくなり、第１フランジ４ｂおよび第２フランジ４ｃの外周には、所定厚みのフランジ被覆部３０ａが形成される。フランジ被覆部３０ａは、外装樹脂部３０と一体に成型され、フランジ部４ｂ，４ｃの外周を、内側から外側に向けて軸方向途中位置まで覆うように形成してある。
【００４０】
このフランジ被覆部３０ａの厚みは、後述する段差状凹部５０の深さＨ１に対応する。また、このフランジ被覆部３０ａの軸方向の長さは、後述する段差状凹部５０の軸方向幅（Ｗ１）を適切に調整するように決定される。
【００４１】
外装樹脂部３０が形成された後に、素子本体５の軸方向両端部に対して、ブラスト処理を施す。このブラスト処理によって、素子本体５の軸方向両端部に形成されたバリ（余分な樹脂）を除去する。
【００４２】
ブラスト処理の後に、素子本体５の軸方向両端部に、一対の外部電極膜４０を形成することで、コイルチップ部品２が得られる。外部電極膜４０は、外装樹脂部３０を形成した後に形成される。
【００４３】
この実施形態では、各外部電極膜４０は、図２に示すように、多層膜で構成してあり、第１外部電極膜４０ａが好ましくは２．０μｍ以下、さらに好ましくは０．５〜２．０μｍの無電解ニッケルメッキ、第２外部電極膜４０ｂが好ましくは２．０μｍ以下、さらに好ましくは０．５〜２．０μｍの電解ニッケルメッキ、第３外部電極膜４０ｃが好ましくは３．０〜４．０μｍの電解スズメッキである。外部電極膜４０の総厚みは、８μｍ以下である。なお、メッキ処理に際しては、図４に示すゴム製基板７０と同様なメッキマスクを用いる。
【００４４】
各外部電極膜４０は、各フランジ４ｂ，４ｃの端面から当該フランジ４ｂ，４ｃの外周面を直接に覆うと共に、外装樹脂部３０のフランジ被覆部３０ａを覆うように、段差状に形成してある。各外部電極膜４０は、各フランジ４ｂ，４ｃの端面と、当該フランジ４ｂ，４ｃの外周面の一部で、下地電極膜２０および継線部１０ｂおよび１０ｃに対して直接に接続してある。しかも、各外部電極膜４０は、外装樹脂部３０のフランジ被覆部３０ａを覆うように形成してあることから、各端部４０の外周面には、周方向に連続する段差状凹部５０が形成される。
【００４５】
図１に示すように、段差状凹部５０は、素子本体５の軸方向端面から所定幅（Ｗ１）で形成してあり、各外部電極膜の全幅（Ｗ０）に対しての比率（Ｗ１／Ｗ０）が、好ましくは０．１〜０．８、さらに好ましくは０．３〜０．６である。比率（Ｗ１／Ｗ０）を上記範囲にすることで、外部電極膜４０とコイルの継線部１０ｂ，１０ｃとの接続が十分に確保され、外部電極膜４０と外装樹脂部３０との接合強度も高い。また、この範囲にすることで、ツームストーン現象を抑制させる効果が大きい。
【００４６】
なお、ツームストーン現象とは、コイルチップ部品を基板へ実装する時に、電子部品の両端部に形成してある外部電極膜のハンダペースト面で発生するモーメントのアンバランスにより、電子部品が立ち上がってしまい、接合不良となる現象である。
【００４７】
また、段差状凹部５０は、各外部電極膜４０の最大外周面寸法からの深さ（Ｈ１）が１０〜４０μｍとなるように形成してある。深さＨ１をこの範囲にすることで、外部電極膜４０とコイルの継線部１０ｂ，１０ｃとの接続が十分に確保され、外部電極膜４０と外装樹脂部３０との接合強度も高い。また、この範囲にすることで、ツームストーン現象を抑制させる効果が大きい。また、この深さＨ１が深すぎると、限られたチップサイズでは、相対的に、ドラムコア４におけるフランジ部４ｂ，４ｃの最大外形寸法が小さくなり、電気的な性能が低下してしまう傾向にある。
【００４８】
各外部電極膜４０の最大外周面の全高さ（Ｈ０）に対して段差状凹部５０の深さ（Ｈ１）の比率（Ｈ１／Ｈ０）は、０．０１１〜０．０４５の範囲にある。この比率の範囲に設定することで、外部電極膜４０とコイルの継線部１０ｂ，１０ｃとの接続が十分に確保され、外部電極膜４０と外装樹脂部３０との接合強度も高い。また、この範囲にすることで、ツームストーン現象を抑制させる効果が大きい。
【００４９】
本実施形態に係るコイルチップ部品２では、下地電極膜２０がニッケルメッキ膜で構成してあるために、銀ペースト膜に比較して、下地電極膜を均一に薄くすることができる。また、ニッケルは、銀に比較して比抵抗が大きい。そのため、図３に示すように、コイルチップ部品２の端面２ａ、２ｂにおいて巻芯部で発生する磁界の方向Ｍが垂直に通過したとしても、その部分での渦電流は小さい。その結果、コイルチップ部品２におけるコアロスが小さくなる。
【００５０】
また、本実施形態では、下地電極膜２０が、内側から順に、無電解ニッケルメッキ膜（第１下地電極膜２０ａ）と、電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）とを有する。何ら電極が形成されていない段階では、コア４の表面には、電解メッキが困難である。そこで、コア４の表面に対して、最初に無電解メッキ法により無電解ニッケルメッキ膜を形成し、その後に、無電解ニッケルメッキ膜の表面に電解メッキ法により電解ニッケルメッキ膜を形成する。その結果、フランジ４ｂ、４ｃと下地電極膜２０全体との密着性、および下地電極膜２０全体の強度を向上させることができる。
【００５１】
また、本実施形態では、無電解ニッケルメッキ膜（第１下地電極膜２０ａ）の厚さを、１．３〜１．７μｍとすることによって、メッキ膜に応力を生じさせることがなく、フランジ４ｂ，４ｃとの密着性が高く、高強度で、かつ、厚さが均一な無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。その結果、ブラスト処理によって下地電極膜２０に付着したバリを除去する際に、下地電極膜２０が剥離、破損することを防止できる。
【００５２】
また、本実施形態では、電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）の厚さを、１．８〜２．２μｍとすることによって、電解ニッケルメッキ膜における渦電流を減少させることができ、かつ、高強度の無電解ニッケルメッキ膜を形成することができる。その結果、ブラスト処理によって下地電極膜２０に付着したバリを除去する際に、下地電極膜２０が剥離、破損することを防止できる。
【００５３】
また、電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）は、無電解ニッケルメッキ膜（第１下地電極膜２０ａ）に比較して、膜質が緻密であり、強度に優れている。そのため、熱圧着法などで電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）の上にワイヤ１０ａの継線を行うことで、断線不良などが生じるおそれも少ない。
【００５４】
また、本実施形態のコイルチップ部品２では、電極膜の厚みが小さいため、限定されたサイズにおいて、相対的に、フェライトコアの体積を大きくすることが可能であり、その分、インダクタンス特性が向上する。本発明者等の実験によれば、約３０％のインダクタンス特性の向上が見られた。
【００５５】
また、本実施形態では、フランジ４ｂ，４ｃの外側端面に位置する下地電極膜２０および外部電極膜４０の膜厚が極端に薄いために、コイルチップ部品２のサイズが小型化しても、コイルチップ部品２の軸方向長さ寸法のバラツキを抑制することができる。そのために、このコイルチップ部品２が実装される基板部分のランド寸法と誤差が生じることが少なくなり、実装不良を防止することができる。さらに、プリント基板などにおいては、ランドパターンに余裕をもたせた設計とする必要が無くなり、高実装密度が容易になる。
【００５６】
本実施形態では、特に、チップの最大高さＨ０が、０．９ｍｍ以下の小型で、５ｍｇ以下の軽量なコイルチップ部品２であっても、実装に際してのハンダのリフロー時に、外部電極膜４０の底面に形成してある段差状凹部５０と基板６０との隙間にハンダが入り込む。その段差状凹部５０は、外部電極膜４０の周方向に連続して形成してあるために、ハンダの回り込み量も十分に確保することができる。その結果、いわゆるツームストーン現象を効果的に防止することができ、実装不良を防止することができる。たとえば従来のコイルチップ部品（段差状凹部５０がない）では、１０万個に１０個程度の割合で、ツームストーン現象が生じていたのに対して、本発明の実施例（段差状凹部５０がある）では、ツームストーン現象が生じたものは０個であった。
【００５７】
また、本実施形態では、段差状凹部５０にハンダが回り込むことで、ハンダにより形成されるフィレットの大きさを小さくしても十分な接合強度が得られ、高密度な実装が可能になる。
【００５８】
また、本実施形態では、フランジ４ｂ，４ｃの最大外形寸法よりも大きな外形寸法を有する外装樹脂部３０の両端部外周を覆うように、外部電極膜４０を形成することで、段差状凹部５０を形成してある。このために、フランジ自体に加工する必要はなく、フランジの体積が減少することはなく、コイルチップとしての性能には全く影響しない。しかも、樹脂成形により段差状凹部５０を形成することができるので、製造工程が煩雑になることもない。
【００５９】
さらに本実施形態では、図１に示す各外部電極膜４０の軸方向幅Ｗ０を、好ましくは０．４１ｍｍとすることで、外部電極膜４０の縁部間に位置する外装樹脂部３０の上側平坦部３０ｂの軸方向幅Ｌ１を０．８１７ｍｍ程度にすることができる。この上側平坦部３０ｂの軸方向幅Ｌ１は、部品２の全長Ｌ０に対して、３０〜７０％の長さである。
【００６０】
このような軸方向長さＬ１を有する外装樹脂部３０の上側平坦部３０ｂは、図１に示すように、吸着ノズル９０により良好に吸着保持が可能である。しかも、外部電極膜４０の厚みｔ１が８μｍ以下と薄いので、吸着ノズル９０の端が外部電極膜４０の上に位置したとしても、吸着ノズル９０により吸着作用はそれほど低下せず、十分な吸着力で部品を保持することができる。
【００６１】
さらにまた本実施形態のコイルチップ部品２では、フランジ４ｂ，４ｃの外周に、熱圧着法などを用いて容易にワイヤ１０ａの継線を行うことが可能であり、しかも断線不良などが生じるおそれも少ない。
【００６２】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。
【００６３】
たとえば、本発明に係るコイルチップ部品の具体的な断面構造は、図１に示す実施形態に限定されず、種々の態様があり得る。
【実施例】
【００６４】
以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００６５】
実施例１
上述の本願発明に係るコイルチップ部品の製造方法を用いて、外層樹脂部３０および外部電極膜４０が形成されていないこと以外は図１、２に示すコイルチップ部品２と同様の構造を有する実施例１のコイルチップを作製した。なお、実施例１においては、下地電極膜２０を構成する無電解ニッケルメッキ膜（第１下地電極膜２０ａ）の膜厚を１．５μｍとし、電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）の膜厚を、２．０μｍとし、下地電極膜２０の総膜厚を３．５μｍとした。
【００６６】
比較例１
下地電極膜として、厚さ２０μｍのＡｇペースト膜を有すること以外は、実施例１と同様の構造を有する比較例１のコイルチップを作製した。
【００６７】
実施例２，３、比較例２〜８
無電解ニッケルメッキ膜（第１下地電極膜２０ａ）の膜厚、電解ニッケルメッキ膜（第２下地電極膜２０ｂ）の膜厚、および下地電極膜２０の総膜厚を表１に示す値としたこと以外は、実施例１と同様の構造を有する実施例２，３、比較例２〜８の各コイルチップを作製した。
【００６８】
【表１】
2008166596.tif 000003
【００６９】
評価
実施例１〜３，比較例１〜８の各コイルチップに対して、インダクタンス値（単位：μＨ）を測定した。このように、外層樹脂部３０および外部電極膜４０が形成されていない状態で、各コイルチップのインダクタンス値を測定することにより、無電解ニッケルメッキ膜、電解ニッケルメッキ膜、および下地電極膜それぞれの膜厚が、インダクタンス値に及ぼす影響を厳密に調べることができる。なお、インダクタンス値を測定する際の周波数は、２．５２ＭＨｚとした。結果を表１に示す。なお、表１において、インダクタンス値が５．６８μＨ以上の場合、判定を「○」と記した。また、インダクタンス値が５．６８μＨ未満の場合、判定を「△」と記した。インダクタンス値が５．６８μＨ以上であり、判定が「○」であることが好ましい。
【００７０】
次に、実施例１〜３，比較例１〜８の各コイルチップに外層樹脂部３０を形成し、各コイルチップに対して、バリを除去するためのブラスト処理を施した。ブラスト処理後、下地電極膜２０が剥離したコイルチップが見つかった場合、表１において「剥離有り」とした。また、ブラスト処理後、下地電極膜が剥離したコイルチップがなかった場合、表１において判定を「剥離無し」と記した。「剥離無し」のコイルチップが好ましい。なお、ブラスト処理は、面積１ｃｍ２（平方センチメートル）当り１〜２ｋｇの圧力下で、１５分間行った。  実施例１〜３，比較例１〜８の各コイルチップの数量は１０００個であった。
【００７１】
実施例１〜３においては、無電解ニッケルメッキ膜の膜厚が１．３〜１．７μｍ、電解ニッケルメッキ膜の膜厚が１．８〜２．２μｍ、下地電極膜の総膜厚が３．１〜３．９μｍであった。その結果、インダクタンス値が高く、かつ、ブラスト処理後に下地電極膜が剥離しなかった。
【００７２】
比較例１では、下地電極膜がＡｇペースト膜であったため、インダクタンス値が低かった。
【００７３】
比較例２，３では、無電解ニッケルメッキ膜、電解ニッケルメッキ膜、および下地電極膜が厚過ぎたため、下地電極膜に流れる渦電流が大きくなり、インダクタンス値が低かった。
【００７４】
比較例４，５、７では、無電解ニッケルメッキ膜の膜厚が１．３〜１．７μｍの範囲外であり、電解ニッケルメッキ膜の膜厚も１．８〜２．２μｍの範囲外であった。比較例４，５においては、特に電解ニッケルメッキ膜が薄かったため、下地電極膜全体の強度が低下し、ブラスト処理後に下地電極膜が剥離した。また、比較例７では、特に電解ニッケルメッキ膜が厚かったため、下地電極膜に流れる渦電流が大きくなり、インダクタンス値が低かった。
【００７５】
比較例８では、無電解ニッケルメッキ膜、電解ニッケルメッキ膜、および下地電極膜が薄過ぎたため、ブラスト処理後に下地電極膜が剥離した。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】図１は本発明の一実施形態に係るコイルチップ部品の縦断面図である。
【図２】図２は図１に示すII部の拡大要部断面図である。
【図３】図３はコイルチップ部品の斜視図である。
【図４】図４はコアのメッキ処理を行うためのマスキングに用いる基板の要部断面図である。
【図５】図５はコイルチップ部品の製造工程の一例を示す金型および部品の要部断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
２…  コイルチップ部品
２ａ，２ｂ…  端面
４…  ドラムコア
４ａ…  巻芯部
４ｂ…  第１フランジ
４ｃ…  第２フランジ
５…  素子本体
１０…  コイル部
１０ａ…  ワイヤ
１０ｂ，１０ｃ…  継線部
２０…  下地電極膜
２０ａ…  第１下地電極膜
２０ｂ…  第２下地電極膜
３０…  外装樹脂部
３０ａ…  フランジ被覆部
３０ｂ…  上側平坦部
４０…  外部電極膜
４０ａ…  第１外部電極膜
４０ｂ…  第２外部電極膜
４０ｃ…  第３外部電極膜
５０…  段差状凹部
６０…  基板
７０…  ゴム製基板
７２…  嵌合穴
８０，８２…  金型
８４…  キャビティ
８６…  保持用凸部
８８…  周方向隙間
９０…  吸着ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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