(57)【要約】【課題】縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射しても、当該ビーム光の被照射面において、ラジアル・タンジェンシャル方向が均等なスポット形状を得られるようにする。【解決手段】被照射面に対してレーザ光を照射するレーザ発光装置に用いられる半導体装置であって、縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子１１と、前記発光素子１１が前記ビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対し傾いた状態で取り付けられる素子搭載面１２ａとを備える。【選択図】図５
2008182143.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子と、
前記発光素子が前記ビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対し傾いた状態で取り付けられる素子搭載面と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記発光素子がサブマウントを介してベース上に配設されるとともに、前記サブマウントまたは前記ベースのいずれか一方に、前記発光素子を前記傾いた状態とするための面傾斜角が与えられていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記サブマウントに前記面傾斜角が与えられる場合に、当該サブマウントには、前記素子搭載面と前記面傾斜角をなす関係にあるサブマウント設置面の他に、当該素子搭載面と平行な素子搭載時基準面が設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記サブマウントにおける前記素子搭載面以外の面に前記発光素子と電気的に接続するための接続端子が設けられていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記発光素子、前記サブマウントおよび前記ベースが金属キャップによって封止されるとともに、当該金属キャップが前記ベースと直接または伝熱材を介して接触するように配されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
被照射面に対してレーザ光を照射するレーザ発光装置であって、
前記レーザ光として縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子と、
前記発光素子が前記ビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対し傾いた状態で取り付けられる素子搭載面と
を備えることを特徴とするレーザ発光装置。
【請求項７】
縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子が、サブマウントを介して、ベース上に配設されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記発光素子が搭載される素子搭載面と、当該素子搭載面と所定角をなす関係にあるサブマウント設置面と、前記素子搭載面と平行な素子搭載時基準面と、が形成された前記サブマウントにおける前記素子搭載面上に、前記素子搭載時基準面を基準にして前記発光素子を搭載する素子搭載工程と、
前記発光素子の搭載後における前記サブマウントを、前記サブマウント設置面を基準にして前記ベース上に配設して、当該発光素子を前記ビーム光の光軸を回転中心にして前記サブマウント設置面に対し前記所定角の分だけ傾いた状態で取り付けるサブマウント搭載工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を備えて構成される半導体装置、レーザ発光装置および当該半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の一つとして、半導体レーザ装置が広く知られている。半導体レーザ装置は、例えばディスクドライブ装置の光ピックアップを構成するレーザ発光装置に用いられる。
【０００３】
このような半導体レーザ装置から出射されるビーム光は、光強度分布が一様ではなく、ビームの中心が高い光強度分布であることが知られている。そのため、半導体レーザ装置を用いてレーザ発光装置を構成する場合には、例えば図８に示すように、その半導体レーザ装置からのビーム光の光強度分布の中心位置を光学系（レンズ等）の中心に合致させて、そのビーム光の光利用効率を向上させるべく、半導体レーザ装置の傾きを調整することが提案されている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００４】
【特許文献１】特許第３７５９４２２号公報
【特許文献２】国際公開第０１／０１１６１５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、半導体レーザ装置から出射されるビーム光は、本来、被照射面におけるスポット形状が楕円形をしている。すなわち、半導体レーザ装置からは、例えば図９に示すように、縦横比が異なるスポット形状のビーム光が出射される。したがって、ビーム光の被照射面では、ラジアル（radial）方向とタンジェンシャル（tangenthial）方向とで光強度分布が均等にはならない。
【０００６】
このことは、ビーム光の光強度分布の中心位置を光学系の中心に合致させた場合にも生じる。つまり、単にビーム光の光強度分布の中心位置を光学系の中心に合致させただけでは、ビーム光の被照射面におけるラジアル方向とタンジェンシャル方向との光強度分布を均等にすることはできない。
【０００７】
その一方で、ビーム光の被照射面において、当該ビーム光のスポット形状を、ラジアル・タンジェンシャル方向長さが均等である最適なスポット形状とすることは、例えば光ディスクに記録するときに縦横均等な記録ピットを作ることに繋がり、当該光ディスクの記録密度向上や小型化等を図る上で非常に重要である。
【０００８】
そこで、本発明は、縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射しても、当該ビーム光の被照射面において、ラジアル・タンジェンシャル方向が均等なスポット形状を得ることのできる半導体装置、レーザ発光装置および当該半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記目的を達成するために案出された半導体装置で、縦横比が異なるスポット形状のビーム光を出射する発光素子と、前記発光素子が前記ビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対し傾いた状態で取り付けられる素子搭載面とを備えることを特徴とする。
【００１０】
上記構成の半導体装置では、発光素子を素子搭載面上に搭載すると、その発光素子がビーム光の光軸を回転中心にして傾いて取り付けられるので、ビーム光の被照射面に着目すると、発光素子が傾くのに合わせて、当該被照射面におけるビーム光のスポット形状も、当該ビーム光の光軸を回転中心にして傾くことになる。つまり、ビーム光の被照射面では、発光素子の傾きに合わせて、ビーム光のスポット形状の縦横比が変化する。したがって、発光素子が縦横比の異なるスポット形状のビーム光を出射しても、傾きの傾斜角を適宜設定することによって、当該ビーム光の被照射面におけるラジアル方向とタンジェンシャル方向との光強度分布を均等にし得るようになる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発光素子からのビーム光の被照射面において、当該ビーム光のスポット形状を、ラジアル・タンジェンシャル方向長さが均等である最適なスポット形状とすることできる。したがって、例えば光ディスクに対する光ピックアップを構成する場合に、縦横均等な記録ピットを作ることが可能となり、結果として当該光ディスクの記録密度向上や小型化等を図る上で非常に有効なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面に基づき本発明に係る半導体装置、レーザ発光装置および当該半導体装置の製造方法について説明する。
【００１３】
先ず、半導体装置を用いて構成されるレーザ発光装置について説明する。レーザ発光装置としては、例えばディスクドライブ装置の光ピックアップとして用いられるものが挙げられる。
【００１４】
図１は、光ピックアップの構成例を示す説明図である。図例の光ピックアップは、光ディスクに代表される情報記録媒体１に対してレーザ光を照射するとともに、その情報記録媒体１から得られる反射光の検出を行い得るように構成されたものである。そのために、光ピックアップでは、半導体レーザ装置１０からのビーム光の出射方向に沿って、反射面のある偏光ビームスプリッタ２０と、コリメータレンズや対物レンズ等を備えた光学系３０とが順に配設されており、半導体レーザ装置１０から出射されるビーム光が情報記録媒体１における被照射面上に集光されるようになっている。また、偏光ビームスプリッタ２０の反射面で反射される反射光の光軸上には信号検出用光学素子等を有した信号検出器４０が配設されており、当該信号検出器４０が情報記録媒体１からの情報読み取りを行うように構成されている。
【００１５】
続いて、以上のような構成のレーザ発光装置（光ピックアップ）にて用いられる半導体レーザ装置１０、すなわち本発明に係る半導体装置の一具体例について説明する。
【００１６】
図２は、半導体レーザ装置の構成例を示す説明図である。図例の半導体レーザ装置１０は、ビーム光を出射する発光素子１１がサブマウント１２を介してベース１３上に配設されてなり、さらにはそのベース１３が基板パッケージ１４に設けられたくぼみ１４ａ内に位置するように配設されてなるものである。
発光素子１１は、例えばＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によって形成されるもので、縦横比が異なるスポット形状（例えば楕円形状）のレーザビーム光を出射するものである。
サブマウント１２は、少なくとも素子搭載面とサブマウント設置面とを有しており、素子搭載面上に発光素子１１が搭載されるとともに、サブマウント設置面が銀ペーストまたは半田等の熱伝導のよい接着剤を用いてベース１３上に接合される。サブマウント１２には、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）、銅タングステン（ＣｕＷ）、ダイヤモンド等の熱伝導率の大きい材料を選択することが考えられる。
ベース１３は、銅（Ｃｕ）等の熱伝導性の良い金属材料によって形成されたもので、発光素子１１が発する熱を当該発光素子１１からサブマウント１２を介して受け取り、当該発光素子１１の冷却（高温化防止）に寄与するヒートシンクとして機能するものである。
基板パッケージ１４は、セラミック材料によって形成されたもので、半導体レーザ装置１０の基板として機能するものである。この基板パッケージ１４については、セラミック材料を用いることによって、配線融通性を確保すること容易となる。例えば、発光素子１１の電源ラインを、封止性が良いためセラミック材料内に埋め込んで、ベース１３等が配されるくぼみ１４ａ内まで配線するといった具合である。なお、基板パッケージ１４には、発光素子１１から出射されるビーム光の光軸位置に、そのビーム光を透過させるための開孔１４ｂが設けられている。
【００１７】
また、基板パッケージ１４のくぼみ１４ａ内に配された発光素子１１、サブマウント１２およびベース１３は、金属キャップ１５によって封止されている。すなわち、基板パッケージ１４のくぼみ１４ａには、熱伝導性の良い金属材料によって形成された金属キャップ１５が嵌まり込むように配されており、その金属キャップ１５の周りが封止性の良い樹脂接着剤１６で埋められている。なお、金属キャップ１５は、ベース１３と直接接触する部分を有するように配されているものとする。
【００１８】
また、基板パッケージ１４の開孔１４ｂは、リッド１７によって封止されている。すなわち、開孔１４ｂには、光透過性を有したガラス材料等からなるリッド１７が配設されているとともに、樹脂接着剤等で接合されている。そして、発光素子１１から出射されたビーム光が、基板パッケージ１４の開孔１４ｂを通り、リッド１７を透過し、金属キャップ１５とは基板パッケージ１４の反対側の面に配設された光学素子１８方向に出射されるようになっている。なお、光学素子１８は、発光素子１１からのビーム光に所定の光学的特性を与えるためのものであるが、本実施形態の半導体レーザ装置１０の主要部ではなく、また公知技術を利用して実現すればよいものであるため、ここではその説明を省略する。
【００１９】
図３は、半導体レーザ装置の他の構成例を示す説明図である。図例の半導体レーザ装置１０は、上述した構成例（図２参照）と、金属キャップ１５の取り付けが異なる。すなわち、金属キャップ１５は、基板パッケージ１４のくぼみ１４ａに嵌まり込むのではなく、そのくぼみ１４ａの周囲に銀蝋等を用いて設置された金属材料等からなるリング１９ａを介して、そのリング１９ａと溶接接合することで、当該くぼみ１４ａ内に配された発光素子１１、サブマウント１２およびベース１３を完全気密状態とするように取り付けられている。ただし、このような取り付け態様では、くぼみ１４ａに嵌まり込む場合のように各構成部品の寸法誤差を吸収することが期待できず、金属キャップ１５がベース１３と直接接触し得るとは限らない。そこで、ベース１３と金属キャップ１５との間には、その隙間を埋めるように、高熱伝導性接着剤等からなる高伝熱材１９ｂが配されており、これによりベース１３と金属キャップ１５との接触が確保されているものとする。
【００２０】
つまり、図２、３のいずれの構成においても、半導体レーザ装置１０は、基板パッケージ１４のくぼみ１４ａ内に配された発光素子１１、サブマウント１２およびベース１３が、金属キャップ１５によって封止されている。そして、当該金属キャップ１５は、ベース１３と直接または高伝熱材１９ｂを介して接触するように配されているのである。
【００２１】
次に、以上のような半導体レーザ装置１０における特徴的な構成について説明する。図４は、半導体レーザ装置の特徴的な構成の概要を示す説明図である。
【００２２】
本実施形態で説明する半導体レーザ装置１０は、図４（Ａ）に示すように、発光素子１１が出射するビーム光の光軸を回転中心にして、当該発光素子１１が基準面に対し傾いた状態で取り付けられている点に大きな特徴がある。ここで「基準面」とは、従来と同様に発光素子が配設される場合、すなわち縦横比が異なるスポット形状（例えば楕円形状）のビーム光を出射する発光素子が、そのスポット形状の長軸方向が当該ビーム光の被照射面におけるラジアル方向に沿い、かつ、短軸方向が当該ビーム光の被照射面におけるタンジェンシャル方向に沿うように配設される場合の、当該発光素子の設置面に相当する仮想的な面のことをいう。
【００２３】
つまり、本実施形態における半導体レーザ装置１０では、発光素子１１からのビーム光の光軸を回転中心にして当該発光素子１１が基準面に対して傾くような傾斜が与えられた素子搭載面上に、当該発光素子１１が取り付けられているのである。基準面に対する素子搭載面の傾斜角、すなわち基準面と素子搭載面とがなす角度は、後述するように、発光素子１１からのビーム光のスポット形状に応じて決定すればよいが、具体的には例えば４０°程度とすることが考えられる。
【００２４】
このような傾斜角が与えられた素子搭載面上に発光素子１１を搭載すると、その発光素子１１は、ビーム光の光軸を回転中心にして傾いて取り付けられる。したがって、ビーム光の被照射面では、図４（Ｂ）に示すように、発光素子１１が傾くのに合わせて、当該ビーム光のスポット形状が、当該ビーム光の光軸を回転中心にして傾くことになる。つまり、ビーム光の被照射面では、発光素子１１の傾きに合わせて、当該ビーム光のスポット形状の縦横比が変化するのである。具体的には、図例のように、スポット形状の短軸方向の大きさが「ｂ」で、長軸方向の大きさが「ｃ」であり、これらが互いに異なり「ｂ≠ｃ」であっても、光軸を回転中心にして傾くことによって、ビーム光の被照射面におけるスポット形状のラジアル方向の大きさ「ａ」とタンジェンシャル方向の大きさ「ａ」とが略同等となる。
【００２５】
これにより、本実施形態における半導体レーザ装置１０では、したがって、発光素子１１が縦横比の異なるスポット形状のビーム光を出射しても、素子搭載面の傾斜角を適宜設定することによって、図４（Ｃ）に示すように、当該ビーム光の被照射面におけるラジアル方向とタンジェンシャル方向との光強度分布（ＦＦＰ；far field pattern）を均等にし得るのである。
【００２６】
以上のように、本実施形態における半導体レーザ装置１０およびこれを用いたレーザ発光装置によれば、発光素子１１からのビーム光の被照射面において、当該ビーム光のスポット形状を、ラジアル・タンジェンシャル方向長さが均等である最適なスポット形状とすることできる。したがって、例えばレーザ発光装置をディスクドライブ装置の光ピックアップとして用いる場合に、縦横均等な記録ピットを作ることが可能となり、結果として光ディスクの記録密度向上や小型化等を図る上で非常に有効なものとなる。しかも、単にビーム光の光軸を回転中心にして発光素子１１を傾けるだけでよいため、簡素な構成で実現することが可能となり、装置の小型化や薄型化等への対応も容易となる。
【００２７】
続いて、以上のような発光素子１１の傾きを実現するための構成について説明する。
【００２８】
図５は、半導体レーザ装置の要部構成例を示す説明図である。図例は、発光素子１１が搭載されるサブマウント１２に、当該発光素子１１を傾いた状態とするための面傾斜角θが与えられている場合を示している。すなわち、サブマウント１２には、発光素子１１が搭載される素子搭載面１２ａと、当該サブマウント１２をベース１３上へ搭載するためのサブマウント設置面１２ｂとが設けられている。そして、素子搭載面１２ａとサブマウント設置面１２ｂとが面傾斜角θをなす関係となるように構成されている。
【００２９】
このような構成のサブマウント１２を用いれば、素子搭載面１２ａとサブマウント設置面１２ｂとが面傾斜角θをなす関係にあるので、サブマウント設置面１２ｂをベース１３における基準面と平行な面上へ搭載することで、素子搭載面１２ａには、発光素子１１がビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対して面傾斜角θの分だけ傾くような傾斜が与えられることになる。したがって、素子搭載面１２ａに搭載される発光素子１１について、その傾きを容易かつ確実に実現することができるのである。
【００３０】
なお、サブマウント１２には、後述する理由により、素子搭載面１２ａおよびサブマウント設置面１２ｂの他に、当該素子搭載面１２ａと平行な素子搭載時基準面１２ｃを設けることが望ましい。
また、サブマウント１２における素子搭載面１２ａ以外の面には、発光素子１１と電気的に接続するための接続端子１２ｄを設けておくことが望ましい。
【００３１】
図６は、半導体レーザ装置の他の要部構成例を示す説明図である。図例は、発光素子１１を搭載するサブマウント１２が配設されるベース１３に、当該発光素子１１を傾いた状態とするための面傾斜角θが与えられている場合を示している。すなわち、ベース１３には、長方体状または立方体状のサブマウント１２における素子搭載面１２ａと平行なサブマウント搭載面１３ａと、基準面と平行なベース面１３ｂとが設けられている。そして、サブマウント搭載面１３ａとベース面１３ｂとが面傾斜角θをなす関係となるように構成されている。
【００３２】
このような構成のベース１３を用いれば、サブマウント搭載面１３ａとベース面１３ｂとが面傾斜角θをなす関係にあるので、そのサブマウント搭載面１３ａにサブマウント１２のサブマウント設置面が相対するようにして、ベース１３上へサブマウント１２を搭載することで、そのサブマウント１２における素子搭載面１２ａには、発光素子１１がビーム光の光軸を回転中心にして基準面に対して面傾斜角θの分だけ傾くような傾斜が与えられることになる。したがって、素子搭載面１２ａに搭載される発光素子１１について、その傾きを容易かつ確実に実現することができるのである。
【００３３】
なお、このような構成においても、サブマウント１２における素子搭載面１２ａ以外の面には、発光素子１１と電気的に接続するための接続端子１２ｄを設けておくことが望ましい。
【００３４】
以上、図５または図６を用いて説明したように、発光素子１１の傾きは、サブマウント１２またはベース１３のいずれか一方に、面傾斜角θを与えることによって実現すればよく、これにより当該傾きの実現を容易かつ確実なものとすることができる。
【００３５】
ところで、サブマウント１２またはベース１３における面傾斜角θによって発光素子１１の傾きを実現する場合には、素子搭載面１２ａ以外の面に接続端子１２ｄを設けておけば、発光素子１１との電気的接続を確保するために必要なワイヤボンディング処理が煩雑化してしまうのを抑制することができる。発光素子１１に傾きを与えると、その傾きゆえに、発光素子１１に繋がる接続端子とワイヤボンドの相手端子とが同じ面内に存在せず、ワイヤボンディング処理が煩雑化してしまうことが考えられるが、素子搭載面１２ａ以外の面に接続端子１２ｄを設けることで、ワイヤボンドの相手端子の形成面に当該接続端子１２ｄが面するようにすることが実現可能となるからである。
【００３６】
また、サブマウント１２またはベース１３のいずれによって発光素子１１の傾きを実現した場合でも、そのベース１３に金属キャップ１５が直接または高伝熱材１９ｂを介して接触していれば、発光素子１１、サブマウント１２およびベース１３の完全気密状態を維持しつつ、発光素子１１で生じた熱がサブマウント１２を介してベース１３に伝わり、さらにはベース１３から金属キャップ１５に伝わるため、その金属キャップ１５からダイレクトに放熱させることができる。つまり、ベース１３をヒートシンクとして機能させつつ、金属キャップ１５を放熱手段として活用することで、発光素子１１等を金属キャップ１５で封止した場合であっても、発光素子１１における熱が問題となってしまうのを極力回避できるのである。
【００３７】
次に、以上のような半導体レーザ装置１０を構成する場合の手順、すなわち当該半導体レーザ装置１０の製造方法について説明する。ここでは、サブマウント１２に面傾斜角θを与えることによって発光素子１１の傾きを実現し、また当該サブマウント１２に素子搭載時基準面１２ｃが設けられている場合を例に挙げ、主にサブマウント１２に発光素子１１を搭載するときの手順について説明する。図７は、半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す説明図である。
【００３８】
サブマウント１２上への発光素子１１の搭載にあたっては、先ず、図７（Ａ）に示すように、当該サブマウント１２に設けられている素子搭載時基準面１２ｃを、水平面上にセットする。これにより、素子搭載時基準面１２ｃと平行な素子搭載面１２ａが水平となる状態で、サブマウント１２についてのセットが行われることになる。
【００３９】
サブマウント１２のセット後は、図７（Ｂ）に示すように、そのサブマウント１２における素子搭載面１２ａ上に発光素子１１を載置してはんだ等による固定を行う。これにより、発光素子１１は、サブマウント１２の素子搭載面１２ａ上に搭載されることになる。ただし、このとき、素子搭載面１２ａが水平状態にあるので、発光素子１１の搭載は、従来と同様の設備（素子ハンドリングロボット等）、すなわち既存の設備を用いて行うことができる。
【００４０】
そして、素子搭載面１２ａ上に発光素子１１を搭載すると、その後は、当該発光素子１１を搭載したサブマウント１２を、そのサブマウント１２におけるサブマウント設置面１２ｂがベース１３におけるサブマウント搭載面１３ａと相対する状態で、当該ベース１３上に載置して固定する。これにより、発光素子１１は、ビーム光の光軸を回転中心にしてサブマウント設置面１２ｂに対し面傾斜角θの分だけ傾いて取り付けられることになる。
【００４１】
なお、上述した工程以外の製造手順について、従来と同様の公知技術を用いればよいため、ここではその説明を省略する。
【００４２】
以上のような手順で半導体レーザ装置１０を構成すれば、ビーム光の光軸を回転中心に発光素子１１を傾けて取り付ける場合であっても、素子搭載時基準面１２ｃを基準にすることで、素子搭載面１２ａが水平状態となるようにサブマウント１２がセットされるので、発光素子１１の搭載を既存の設備を用いて行うことができ、しかもその際に発光素子１１の傾き角度に合わせた治具等を必要とすることもない。また、素子搭載時基準面１２ｃは素子搭載面１２ａと平行な面なので、その形成精度を高く維持可能なことも期待できる。したがって、素子搭載時基準面１２ｃを利用して発光素子１１のサブマウント１２上への搭載を行えば、ビーム光の光軸を回転中心に発光素子１１を傾けた構成の半導体レーザ装置１０を、容易かつ高精度に製造することが可能となるのである。
【００４３】
以上に説明した実施形態では、本発明の好適な実施具体例を説明したが、本発明はその内容に限定されるものではない。
例えば、本発明が適用可能な半導体レーザ装置は、本実施形態で例に挙げたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体によって形成されるものに限定されることはなく、またレーザ発光装置（光ピックアップ）にて用いられるものに限定されることもない。
つまり、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係るレーザ発光装置の一例である光ピックアップの構成例を示す説明図である。
【図２】本発明に係る半導体レーザ装置の構成例を示す説明図である。
【図３】本発明に係る半導体レーザ装置の他の構成例を示す説明図である。
【図４】本発明に係る半導体レーザ装置の特徴的な構成の概要を示す説明図である。
【図５】本発明に係る半導体レーザ装置の要部構成例を示す説明図である。
【図６】本発明に係る半導体レーザ装置の他の要部構成例を示す説明図である。
【図７】本発明に係る半導体レーザ装置の製造方法の一例を示す説明図である。
【図８】従来の半導体レーザ装置におけるレーザビーム光照射の概要を示す説明図である。
【図９】従来の半導体レーザ装置によるレーザビーム光の光強度分布の概要を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…情報記録媒体、１０…半導体レーザ装置、１１…発光素子、１２…サブマウント、１２ａ…素子搭載面、１２ｂ…サブマウント設置面、１２ｃ…素子搭載時基準面、１２ｄ…接続端子、１３…ベース、１３ａ…サブマウント搭載面、１３ｂ…ベース面、１４…基板パッケージ、１５…金属キャップ、１６…樹脂接着剤、１７…リッド、１９ｂ…高伝熱材、２０…偏光ビームスプリッタ、３０…光学系、４０…信号検出器、
【図１】
2008182143.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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