【手続補正書】
【提出日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンナノ粒子流体であって、
一群のシリコンナノ粒子を含み、前記一群のシリコンナノ粒子が前記シリコンナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量で存在し、
一群のＨＭＷ分子を含み、前記一群のＨＭＷ分子が前記シリコンナノ粒子流体の約０重量％〜約１０重量％の量で存在し、
一群のキャッピング剤分子を含み、前記一群のキャッピング剤分子の少なくとも一部のキャッピング剤分子が前記一群のシリコンナノ粒子に結合している、シリコンナノ粒子流体。
【請求項２】
ＩＶ族系ナノ粒子流体であって、
一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含み、前記一群のナノ粒子が前記ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量で存在し、
一群のＨＭＷ分子を含み、前記一群のＨＭＷ分子が前記ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量で存在し、
一群のキャッピング剤分子を含み、前記一群のキャッピング剤分子の少なくとも一部のキャッピング剤分子が前記一群のナノ粒子に結合している、ＩＶ族系ナノ粒子流体。
【請求項３】
亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を用いてシリコン基板上にデュアルドープトエミッターを形成するための方法であって、前記シリコン基板が前面と裏面とを含み、前記方法が、
前記シリコン基板をテキスチャー化する工程と、
前記シリコン基板を清浄化する工程と、
前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を前記前面上に堆積する工程と、
約１５０℃〜約８００℃の第１の温度においておよび約１分〜約６０分の第１の時間の間前記シリコン基板を焼成する工程と、
前記シリコン基板を約８００℃〜約９５０℃の第２の温度においておよび約３０分〜約１８０分の第２の時間の間ＰＯＣｌ３、Ｎ２、およびＯ２の雰囲気を有する拡散炉内のドーパント源に暴露して、ＰＳＧ層が形成される工程と、
前記ＰＳＧ層を除去する工程と、
反射防止コーティングを前記前面上に堆積する工程と、
一群の前部金属コンタクトを前記前面上におよび一群の裏部金属コンタクトを前記裏面上に堆積する工程と
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
典型的な実施形態および最良の方法を開示したが、以下の請求項によって規定される本発明の主題および精神の範囲内のままで、開示された実施形態に変更および変型を行なうことができる。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．シリコンナノ粒子流体であって、
一群のシリコンナノ粒子を含み、前記一群のシリコンナノ粒子が前記シリコンナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量で存在し、
一群のＨＭＷ分子を含み、前記一群のＨＭＷ分子が前記シリコンナノ粒子流体の約０重量％〜約１０重量％の量で存在し、
一群のキャッピング剤分子を含み、前記一群のキャッピング剤分子の少なくとも一部のキャッピング剤分子が前記一群のシリコンナノ粒子に結合している、シリコンナノ粒子流体。
２．前記一群のシリコンナノ粒子が、前記シリコンナノ粒子流体の約２重量％〜約１５重量％の量で存在する、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
３．前記一群のシリコンナノ粒子が、前記シリコンナノ粒子流体の約４重量％〜約１０重量％の量で存在する、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
４．前記一群のＨＭＷ分子が、前記シリコンナノ粒子流体の約０重量％〜約４重量％の量で存在する、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
５．前記一群のＨＭＷ分子が、前記シリコンナノ粒子流体の約０．５重量％〜約２重量％の量で存在する、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
６．前記一群のキャッピング剤分子が、一群のアルコール分子および一群のケトン分子の少なくとも一方を含む、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
７．前記一群のアルコール分子が、前記シリコンナノ粒子流体の９０重量％までの量で存在する、前記６に記載のシリコンナノ粒子流体。
８．前記一群のアルコール分子が、前記シリコンナノ粒子流体の８０重量％までの量で存在する、前記６に記載のシリコンナノ粒子流体。
９．前記一群のアルコール分子が、シリコンナノ粒子流体の７０重量％までの量で存在する、前記６に記載のシリコンナノ粒子流体。
１０．前記一群のアルコール分子が、一群の環状アルコール分子、一群の直鎖状アルコール分子、および一群の分枝状アルコール分子の少なくとも１つを含む、前記６に記載のシリコンナノ粒子流体。
１１．前記一群のケトン分子が、一群の環状ケトン分子、一群の直鎖状ケトン分子、および一群の分枝状ケトン分子の少なくとも一方を含む、前記６に記載のシリコンナノ粒子流体。
１２．前記一群のナノ粒子が、ドープされたおよびドープされていないナノ粒子の一方である、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
１３．前記一群のナノ粒子がホウ素およびリンの一方でドープされる、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
１４．前記一群のＨＭＷ分子がエチルセルロースを含む、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
１５．前記シリコンナノ粒子流体が約１０ｓｅｃ−１の剪断速度において約５ＫｃＰ〜約２０ＫｃＰの粘度を有する、前記１に記載のシリコンナノ粒子流体。
１６．ＩＶ族系ナノ粒子流体であって、
一群のナノ粒子を構成する一群のＩＶ族原子を含み、前記一群のナノ粒子が前記ナノ粒子流体の約１重量％〜約２０重量％の量で存在し、
一群のＨＭＷ分子を含み、前記一群のＨＭＷ分子が前記ナノ粒子流体の約０重量％〜約５重量％の量で存在し、
一群のキャッピング剤分子を含み、前記一群のキャッピング剤分子の少なくとも一部のキャッピング剤分子が前記一群のナノ粒子に結合している、ＩＶ族系ナノ粒子流体。
１７．亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を用いてシリコン基板上にデュアルドープトエミッターを形成するための方法であって、前記シリコン基板が前面と裏面とを含み、前記方法が、
前記シリコン基板をテキスチャー化する工程と、
前記シリコン基板を清浄化する工程と、
前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を前記前面上に堆積する工程と、
約１５０℃〜約８００℃の第１の温度においておよび約１分〜約６０分の第１の時間の間前記シリコン基板を焼成する工程と、
前記シリコン基板を約８００℃〜約９５０℃の第２の温度においておよび約３０分〜約１８０分の第２の時間の間ＰＯＣｌ３、Ｎ２、およびＯ２の雰囲気を有する拡散炉内のドーパント源に暴露して、ＰＳＧ層が形成される工程と、
前記ＰＳＧ層を除去する工程と、
反射防止コーティングを前記前面上に堆積する工程と、
一群の前部金属コンタクトを前記前面上におよび一群の裏部金属コンタクトを前記裏面上に堆積する工程と
を含む方法。
１８．前記シリコン基板をテキスチャー化する前に、前記シリコン基板を硫酸溶液中で予備清浄化する工程をさらに含む、前記１７に記載の方法。
１９．前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を前記シリコン基板上に堆積する前に、前記シリコン基板をＨＦ／ＨＣｌまたはＢＯＥの一方で予備清浄化する工程をさらに含む、前記１７に記載の方法。
２０．前記シリコン基板をテキスチャー化する前記工程が、前記シリコン基板をＨ２Ｏ、ＩＰＡ、およびＫＯＨを含む溶液に暴露する工程を含む、前記１７に記載の方法。
２１．前記シリコン基板を清浄化する前記工程が、前記シリコン基板をＳＣ−２、ピラニア、ＢＯＥ、およびＨ２Ｏの溶液に暴露する工程を含む、前記１７に記載の方法。
２２．前記シリコン基板を前記ドーパント源に暴露する前に、前記シリコン基板をＨＦ、ＨＦ／ＨＣｌ、ＢＯＥ、ＳＣ−１、ＳＣ−２、およびＨＣｌの少なくとも１つで清浄化する工程をさらに含む、前記１７に記載の方法。
２３．前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を前記前面上に堆積する前記工程が、スクリーン印刷機を使用する工程を含む、前記１７に記載の方法。
２４．前記シリコン基板を前記第１の温度において焼成する工程が、ベルト炉、管状炉、または対流炉の１つで行なわれる、前記１７に記載の方法。
２５．前記シリコン基板を前記第１の温度において焼成する工程が、空気、酸素と窒素との混合物、および窒素の１つを含む環境内で行なわれる、前記１７に記載の方法。
２６．前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を堆積する工程が、約０．０４ｍｇ／ｃｍ２〜約３．０ｍｇ／ｃｍ２の単位基板表面績当りの質量を堆積する工程を包含する、前記１７に記載の方法。
２７．前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を堆積する工程が、約０．２ｍｇ／ｃｍ２〜約２．０ｍｇ／ｃｍ２の単位基板表面績当りの質量を堆積する工程を包含する、前記１７に記載の方法。
２８．前記亜臨界剪断減粘性ナノ粒子流体を堆積する工程が、約０．４ｍｇ／ｃｍ２〜約１．５ｍｇ／ｃｍ２の単位基板表面績当りの質量を堆積する工程を包含する、前記１７に記載の方法。