【手続補正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基材としての基板上に形成されたフリップチップ接続用のパッド部分を含む配線層と、前記パッド部分のみを露出させて前記基板及び前記配線層を覆うように形成された絶縁層とを備え、
前記配線層は、配線部分を構成する第１のめっき配線の上に、前記パッド部分を構成する、前記第１のめっき配線と結晶配向が異なる第２のめっき配線が積み重ねられた構造を有し、前記パッド部分の上面が前記絶縁層の表面と同一面上に位置するように形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
少なくとも最表層に導体層が形成された基板の一方の面に、形成すべきフリップチップ接続用のパッド部分を含む所要の配線層の形状に従ってパターニングされた開口部を備えた第１のレジスト層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層の開口部から露出している前記導体層を給電層として電解めっきを施し、当該開口部内を部分的に埋め込むように第１の配線層を形成する工程と、
電解めっきの条件を変えて前記第１の配線層に電解めっきを施し、当該開口部内の残りの部分を埋め込むように前記第１の配線層と結晶配向が異なる第２の配線層を形成する工程と、
前記第１のレジスト層及び前記第２の配線層上に、当該第２の配線層のパッド部分に対応する領域のみを残すようにパターニングされた第２のレジスト層を形成する工程と、
前記第２のレジスト層をマスクにして、前記第２の配線層の露出している部分をエッチングする工程と、
前記第２のレジスト層及び第１のレジスト層を除去した後、前記基板及び前記第２の配線層を覆って全面に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を研磨して前記パッド部分の上面を露出させると共に、基板表面全体を平坦化する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記電解めっきの条件を変えて前記第２の配線層を形成する工程に代えて、
前記第１の配線層上にバリヤメタル層を形成し、さらに該バリヤメタル層に電解めっきを施し、当該開口部内の残りの部分を埋め込むように第２の配線層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２のレジスト層及び第１のレジスト層の除去後に前記基板から露出している前記導体層を除去した後、前記基板及び前記第２の配線層を覆って全面に絶縁層を形成することを特徴とする請求項２又は３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記バリヤメタル層は、前記第２の配線層の露出している部分をエッチングする際のストッパ層として機能することを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記バリヤメタル層は、ニッケル層上に金層が積層された２層構造を有していることを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記のフリップチップ接続に関連する技術としては、例えば、特許文献１に記載されるように、配線基板の表面にフリップチップ接続用の接続パッドと共にワイヤボンディング接続用のボンディングパッドも併せて形成するようにしたものがある。この文献に記載された技術では、基板の表面に接続パッドとボンディングパッドをパターン形成した後、接続パッドを遮蔽してボンディングパッドの表面にボンディング用のめっきを施し、次にボンディングパッド形成領域にマスキング用テープを粘着してボンディングパッドを遮蔽した後、接続パッドの表面に粘着層を被着させてその表面にはんだ粉を付着させ、テープを剥離した後、リフローによりはんだ粉を溶融して接続パッドにはんだを被着させるようにしている。また、特許文献２に記載されるように、フリップチップ実装構造において半導体素子の各電極にそれぞれ形成したはんだバンプ間がショートするのを防止するようにしたものがある。このフリップチップ実装構造では、半導体素子側に形成した各はんだバンプに対応する実装用基板の当該部位に基板側電極を形成すると共に、各基板側電極の間の部位に溝を２条形成し、はんだバンプを加熱、溶融させて半導体素子の電極と実装用基板の電極とを接続した時に、余分なはんだが基板側電極上からはみ出して実装用基板の溝内に流れこむようにすることで、隣接するバンプ間のショートを防止している。また、特許文献３に記載されるように、絶縁層と配線導体とが交互に積層された配線基板において、最外層の絶縁層上に帯状配線導体を複数並べて配設するとともに、該帯状配線導体の一部に、半導体素子の電極端子がフリップチップ接続される導電突起を帯状配線導体の幅と一致する幅で形成し、さらに導電突起の少なくとも上面が露出するようにソルダレジスト層で被覆したものがある。
【特許文献１】特開２００５−２６８３５３号公報
【特許文献２】特開２００１−５３１１１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４４６６４号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、ベース基材としての基板上に形成されたフリップチップ接続用のパッド部分を含む配線層と、前記パッド部分のみを露出させて前記基板及び前記配線層を覆うように形成された絶縁層とを備え、前記配線層は、配線部分を構成する第１のめっき配線の上に、前記パッド部分を構成する、前記第１のめっき配線と結晶配向が異なる第２のめっき配線が積み重ねられた構造を有し、前記パッド部分の上面が前記絶縁層の表面と同一面上に位置するように形成されていることを特徴とする配線基板が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この形態に係る配線基板の構成によれば、フリップチップ接続用のパッド部分（第２のめっき配線）が、これと結晶配向の異なる配線部分（第１のめっき配線）の上に積み重ねられた構造となっており、そのパッド部分（基板パッド）の上面は絶縁層の表面（配線基板の表面）と同一面上に位置している。つまり、基板パッドの側面は外部に露出せず、その上面のみが露出する。これに対し、従来の技術（図１）では基板パッド３の側面も露出していた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明の他の形態によれば、上記の形態に係る配線基板を製造する方法が提供される。その一形態に係る配線基板の製造方法は、少なくとも最表層に導体層が形成された基板の一方の面に、形成すべきフリップチップ接続用のパッド部分を含む所要の配線層の形状に従ってパターニングされた開口部を備えた第１のレジスト層を形成する工程と、前記第１のレジスト層の開口部から露出している前記導体層を給電層として電解めっきを施し、当該開口部内を部分的に埋め込むように第１の配線層を形成する工程と、電解めっきの条件を変えて前記第１の配線層に電解めっきを施し、当該開口部内の残りの部分を埋め込むように前記第１の配線層と結晶配向が異なる第２の配線層を形成する工程と、前記第１のレジスト層及び前記第２の配線層上に、当該第２の配線層のパッド部分に対応する領域のみを残すようにパターニングされた第２のレジスト層を形成する工程と、前記第２のレジスト層をマスクにして、前記第２の配線層の露出している部分をエッチングする工程と、前記第２のレジスト層及び第１のレジスト層を除去した後、前記基板及び前記第２の配線層を覆って全面に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を研磨して前記パッド部分の上面を露出させると共に、基板表面全体を平坦化する工程とを含むことを特徴とする。