Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源から電力の供給を受けて発熱する発熱体を備える加熱手段と、
前記発熱体の温度が温度閾値を超えたことに応答して前記発熱体を保護する第１保護手段であって、前記発熱体の温度が温度閾値を超えてから所定の応答時間が経過すると前記発熱体への電力の供給を制限することで前記発熱体を保護する第１保護手段と、
前記発熱体の昇温速度が予め定められた昇温速度よりも速いために前記第１保護手段による前記応答時間では前記発熱体の保護が間に合わない場合に、前記発熱体への電力の供給を一定時間以上制限することで前記発熱体を保護する第２保護手段と
を含むことを特徴とする定着器。
【請求項２】
前記第２保護手段は、
前記発熱体に通電される電流の値を検出する電流検出手段と、
検出された前記電流の値が第１電流閾値を超えると前記発熱体への電力の供給を制限する制限手段と、
検出された前記電流の値が、前記第１電流閾値よりも小さい第２電流閾値以下となると前記発熱体への電力の供給を再開する供給再開手段と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の定着器。
【請求項３】
前記第２保護手段は、
検出された前記電流の値と、予め設定された電流閾値とを比較する比較手段と、
前記比較手段により比較される前記電流閾値を前記第１電流閾値又は前記第２電流閾値のいずれかに設定する設定手段と
を含み、
前記設定手段は、前記電流検出手段が前記第１電流閾値を超える電流を検出すると前記比較手段によって使用される電流閾値を前記第２電流閾値に設定し、前記第２電流閾値以下の電流を検出すると前記比較手段によって使用される電流閾値を前記第１電流閾値に設定することを特徴とする請求項２に記載の定着器。
【請求項４】
前記比較手段は、
前記電流検出手段により検出された電流の値に対応する電圧値が、前記第１電流閾値に対応する第１電圧閾値を超えるとＨｉｇｈを出力し、前記電圧値が、前記第１電圧閾値以下となるとＬｏｗを出力するコンパレータ
を含み、
前記設定手段は、
前記コンパレータからの出力がＨｉｇｈとなると前記発熱体へ電流を通電させ、前記コンパレータからの出力がＬｏｗとなると前記発熱体への電流を遮断する通電制御回路と、
前記コンパレータからの出力がＬｏｗとなると、前記コンパレータに入力される電圧閾値を前記第１電圧閾値から、前記第２電流閾値に対応する第２電圧閾値へと切り替え、前記コンパレータからの出力がＨｉｇｈとなると、前記第２電圧閾値から前記第１電圧閾値へと切り替える切り替え回路と
を含むことを特徴とする請求項３に記載の定着器。
【請求項５】
前記電流検出手段により検出された電流の値に対応する電圧値が、前記第１電流閾値に対応する第１電圧閾値を超えるとＬｏｗを出力し、前記電圧値が、前記第１電圧閾値以下となるとＨｉｇｈを出力する第１コンパレータと、
前記電流検出手段により検出された電流の値に対応する電圧値が、前記第２電流閾値に対応する第２電圧閾値を超えるとＨｉｇｈを出力し、前記電圧値が、前記第２電圧閾値以下となるとＬｏｗを出力する第２コンパレータと、
第３コンパレータであって、前記第１コンパレータからの出力及び該第３コンパレータの出力とが入力される第１端子と、前記第２コンパレータからの出力が入力される第２端子とを含む該第３コンパレータと
を含み、
前記第３コンパレータは、前記第１コンパレータがＨｉｇｈになったことで、該第３コンパレータの出力がＬｏｗに切り替わり、さらに、前記第１コンパレータが再びＬｏｗに切り替わったとしても、前記第２コンパレータがＬｏｗに切り替わるまでは、Ｌｏｗを出力しつづけることで、前記発熱体への電流を遮断することを特徴とする請求項３に記載の定着器。
【請求項６】
前記第１電流閾値は、前記発熱体が損傷する可能性のある電流値未満であって、かつ、前記定着器が動作するために必要となる電流値以上であることを特徴とする請求項２ないし５のいずれか１項に記載の定着器。
【請求項７】
前記第２電流閾値は、前記発熱体が損傷する前に前記第１保護手段が動作するように規定された値であることを特徴とする請求項２ないし６のいずれか１項に記載の定着器。
【請求項８】
画像形成装置であって、
現像剤を用いて画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部により形成された画像を記録材へ加熱定着させる、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の定着器と
を含むことを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
画像形成装置の定着器が備える発熱体の保護方法であって、
前記発熱体の温度が温度閾値を超えたことに応答して前記発熱体を保護する第１保護工程であって、前記発熱体の温度が温度閾値を超えてから所定の応答時間が経過すると前記発熱体への電力の供給を制限することで前記発熱体を保護する第１保護工程と、
前記発熱体の昇温速度が予め定められた昇温速度よりも速いために前記第１保護工程による前記応答時間では前記発熱体の保護が間に合わない場合に、前記発熱体への電力の供給を一定時間以上制限することで前記発熱体を保護する第２保護工程と
を含むことを特徴とする保護方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
なお、発熱体に通電される電流の値が所定の閾値以上となると通電を遮断するような保護回路も考えられる。しかし、このような保護回路では、通電が停止されると瞬時に電流の値が閾値を下回ってしまうため、すぐに通電が再開されてしまう。これでは、発熱体の過度の昇温を抑えることができない。このような保護回路に、遮断状態を維持するためにラッチ回路を導入することも考えられる。しかし、ラッチ回路は、オーバーシュートなどの原因により誤動作を起こす可能性がある。さらに、ラッチ回路は、コストアップの要因となってしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の装置は、電源から電力の供給を受けて発熱する発熱体を備える加熱手段を備えている。また、本装置は、発熱体の温度が温度閾値を超えたことに応答して発熱体を保護する第１保護手段であって、発熱体の温度が温度閾値を超えてから所定の応答時間が経過すると発熱体への電力の供給を制限することで発熱体を保護する第１保護手段を含む。とりわけ、本装置は、発熱体の昇温速度が予め定められた昇温速度よりも速いために第１保護手段による保護が間に合わない場合に、発熱体への電力の供給を一定時間以上制限することで発熱体を保護する第２保護手段を含むことを特徴とする。第１保護手段や第２保護手段がいわゆる安全装置として機能することはいうまでもない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月1日(2009.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を偏向走査する光偏向装置であって、
支持部と、振動部と、振動部を駆動する駆動手段と、を有し、
前記振動部は、単一のねじり軸を中心にねじり振動する第1可動子と第2可動子を有すると共に、前記第1可動子と前記支持部を連結する第1ねじりバネと、前記第1可動子と前記第2可動子を連結する第2ねじりバネを有し、前記第１ねじりバネと前記第2ねじりバネは一直線上に配置されており、
前記第1可動子は、前記第2可動子を取り囲む様に配置され、且つ前記ねじり軸を中心にねじり振動するときに前記第2可動子に入射する光の少なくとも一部を遮らない様に形状決めされていることを特徴とする光偏向装置。
【請求項２】
前記第1可動子は、当該第1可動子を挟んで対向した複数の前記第1ねじりバネで前記支持部に支持され、
前記第2可動子は、当該第2可動子を挟んで対向した複数の前記第2ねじりバネで前記第1可動子に支持されることを特徴とする請求項1に記載の光偏向装置。
【請求項３】
前記第1可動子は、前記ねじり軸と平行に伸びる部分を少なくとも1つ持つ多角枠形状であり、前記多角枠形状の当該第1可動子の前記ねじり軸と平行に伸びる部分の一部を除去して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光偏向装置。
【請求項４】
前記第1可動子は、前記ねじり軸と平行に伸びる部分を持つ多角枠形状であり、前記多角枠形状の当該第1可動子の前記ねじり軸と平行に伸びる少なくとも1つの部分を全体的に除去して形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の光偏向装置。
【請求項５】
前記ねじり軸を通り、静止時の前記第2可動子に垂直な平面を基準として、前記第1可動子の両側の慣性モーメントが等しくなる様に構成されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れか1つに記載の光偏向装置。
【請求項６】
前記ねじり軸を通り、静止時の前記第2可動子に垂直な平面を基準として、前記第1可動子の両側の慣性モーメントが等しくなる様にする為の重りが当該第1可動子に付加されていることを特徴とする請求項1乃至5の何れか1つに記載の光偏向装置。
【請求項７】
前記振動部は、前記ねじり軸回りに、基準周波数となる1次の固有振動モードと、基準周波数の2倍の周波数となる2次の固有振動モードを有しており、
前記駆動手段は、基本周波数と、基本周波数の2倍の周波数で前記振動部を駆動することを特徴とする請求項1乃至6の何れか1つに記載の光偏向装置。
【請求項８】
光源と、請求項1乃至7の何れか1つに記載の光偏向装置と、感光体とを有し、
前記光源は、光の少なくとも一部が前記第1可動子により遮られない方向から前記第2可動子の反射面に当該光が入射する様に、配置され、
前記光源からの光を前記光偏向装置により偏向し、該光の少なくとも一部を前記感光体上に入射することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題に鑑み、光を偏向走査する本発明の光偏向装置は、次の様な特徴を有する。すなわち、本発明の光偏向装置は、支持部と、振動部と、振動部を駆動する駆動手段を有する。振動部は、単一のねじり軸を中心にねじり振動する第1可動子と第2可動子を有すると共に、第1可動子と支持部を連結する第1ねじりバネと、第1可動子と第2可動子を連結する第2ねじりバネを有し、第１ねじりバネと第2ねじりバネは一直線上に配置されている。第1可動子は、第2可動子を取り囲む様に配置され、且つねじり軸を中心にねじり振動するときに第2可動子に入射する光の少なくとも一部を遮らない様に形状決めされている。より具体的には、例えば、第1可動子は、第1ねじりバネで支持部に支持されると共に、第2可動子に入射する光の少なくとも一部を遮らない様に、前記ねじり軸に近い側から遠い側へと伸びて材料部を全面的に貫通して空間を形成する空白部、または前記ねじり軸から遠い側の一部の材料部を残して空間を形成する空白部を有する。そして、第2可動子は、反射面を有すると共に、第2ねじりバネで第1可動子に支持される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記課題に鑑み、本発明の画像形成装置は、光源と、上記光偏向装置と、感光体とを有する。そして、光源は、光の少なくとも一部が前記第1可動子により遮られない方向から第2可動子の反射面に当該光が入射する様に、配置され、光源からの光を光偏向装置により偏向し、該光の少なくとも一部を感光体上に入射することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、反射面などを有する第2可動子を取り囲む様に配置される第1可動子が上記の如く形状決めされているので、光の横方向の斜め入射を行った場合に、たとえ大きな入射角でも、入射光が第1可動子で遮られることを防止できる様になる。したがって、ハーフミラーを介さずに、反射面などを有する第2可動子へ光を入射できる光偏向装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
５は撮像素子ホルダ１に固定された固定筒（レンズ鏡筒本体）としての案内筒である。撮像素子ホルダ１及び案内筒５は、カメラ本体５０の内部に固定されている。案内筒５に対して（つまりはカメラ本体５０に対して）、後述する移動筒は、図２に示す収納位置（沈胴位置：第１の位置）と図３に示す撮影可能位置（突出位置：第２の位置）としてのワイド位置との間で光軸方向に進退する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
３０はステッピングモータユニットであり、第１のアクチュエータとしてのステッピングモータ３０ａと、該ステッピングモータ３０ａからの出力を減速してカム環６の大ギヤ部６ｅに伝達する減速ギヤ機構（減速ギヤ列）とにより構成されている。ステッピングモータユニット３０は、撮像素子ホルダ１に固定されている。ステッピングモータ３０ａは、図１及び図２に示す制御回路６０から不図示のフレキシブルプリント基板を介して伝達された駆動信号に応じて作動する。なお、制御回路６０は、カメラ全体の動作の制御を司り、前述した画像処理回路６１や記録回路６２の動作も制御する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
１３，１４，１５は光軸方向に延びるガイドバー（ガイド部材）である。これらガイドバー１３，１４，１５の前端部は移動筒７内に設けられた保持部７ｂ等により保持され、後端部は移動筒７の後端部に結合された金属板１６により保持されている。金属板１６は、移動筒７の後端部に設けられた位置決めダボ７ｃ（図６参照）によって移動筒７に対して位置決めされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
２５は第２のアクチュエータとしてのステッピングモータである。該ステッピングモータ２５の出力軸にはプーリーギヤ部２５ａが取り付けられている。図７に示すように、このプーリーギヤ部２５ａと円筒カム２４に形成されたギヤ部２４ｃとの間には、タイミングベルト３１が巻き掛けられている。このため、該ステッピングモータ２５が回転すると、その駆動力はタイミングベルト３１を介して円筒カム２４に伝達され、これを回転させる。円筒カム２４が回転すると、第１及び第２カム溝２４ａ，２４ｂにテーパーピン９ｃ，１７ｃがそれぞれ係合している第１可動レンズ枠９と第２可動レンズ枠１７が光軸方向に駆動される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ステッピングモータ２５は、移動筒７に設けられたフランジ部７ｄに取り付けられている。したがって、ステッピングモータ２５、円筒カム２４及びタイミングベルト３１は、移動筒７と一体的に光軸方向に移動する。また、ステッピングモータ２５は制御回路６０から、不図示のフレキシブルプリント基板を介して駆動信号が伝達されることで作動する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
撮像素子ホルダ１、案内筒５、カム環６、第３可動レンズ枠１８（第３可動レンズ４）、ガイドバー１９，２０、ステッピングモータ２７、ステッピングモータユニット３０及びフォトインタラプタ３２ｂにより、固定筒ユニットが構成される。そして、該固定筒ユニットと前述した移動筒ユニットにより沈胴型のレンズ鏡筒（レンズ装置）が構成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、以上のように構成されたレンズ鏡筒の動作について説明する。図２に示す沈胴状態から図３のワイド状態にするために制御回路６０からステッピングモータ３０ａに駆動信号が伝達されると、ステッピングモータ３０ａが作動し、その出力は減速ギヤ機構３０ｂを介してカム環６の大ギヤ部６ｅに伝達される。これにより、カム環６が案内筒５に対して光軸回りで回転する。移動筒７は、テーパーコロ１０と案内筒５の案内溝部５ｃとの係合によって光軸回りでの回転が阻止されているため、テーパーコロ１０とカム環６のカム溝部６ｂとの係合作用によって光軸方向に駆動される。これにより、移動筒７は、沈胴位置から案内筒５の前方に突出する図３のワイド位置に移動する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
ワイド状態から図４及び図５にそれぞれ示すミドルズーム及びテレ状態とするには、ステッピングモータ３０ａは作動させずに、つまりカム環６を回動させずに、ステッピングモータ２５を作動させ、第１及び第２可動レンズ枠９，１７を移動筒７内で移動させる。また、これとともにステッピングモータ２７を作動させて第３可動レンズ枠１８をそれぞれミドルズーム及びテレ状態の位置に移動させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
なお、本実施例では、デジタルスチルカメラに用いられるレンズ鏡筒について説明したが、本発明の実施例には、ビデオカメラやフィルムカメラといった他の撮影装置のレンズ鏡筒も含まれる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、本実施例では、１つの移動筒が進退する一段伸縮型の沈胴レンズ鏡筒を有する場合について説明したが、本発明の実施例には、２つ以上の移動筒が相対的に進退し、かつ撮像装置本体に対して進退する二段以上の伸縮型の沈胴レンズ鏡筒を有する場合も含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで、自律速度の算出を開始してから一定時間経過した後には、自律位置の表示を停止するようになされたものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−３８５９２号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2008058186.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＳＰＳ（Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）衛星からの衛星信号を使用して測位を行う測位装置であって、
前記測位に使用する初期位置に対する、現在時刻における前記ＳＰＳ衛星の衛星軌道上の相対位置を算出する相対位置算出手段と、  
前記測位に使用する初期位置に対する前記ＳＰＳ衛星の移動状態を算出する移動状態算出手段と、
前記移動状態に基づいて、ドップラー偏移を予想して、前記衛星信号の予想受信周波数を算出する予想受信周波数算出手段と、
前記予想受信周波数と実際の受信周波数である実測受信周波数との周波数差分を算出する周波数差分算出手段と、
前記相対位置及び前記周波数差分に基づいて、前記初期位置の誤差を算出する初期位置誤差算出手段と、
前記初期位置の誤差に基づいて、前記衛星信号のコードフェーズを使用して擬似距離を算出する第１測位方法、又は、前記衛星信号の遅延時間を使用して擬似距離を算出する第２測位方法のいずれかを選択する測位方法選択手段と、
を有することを特徴とする測位装置。
【請求項２】
前記相対位置は、
前記初期位置に対する各前記衛星位置の仰角であることを特徴とする請求項１に記載の測位装置。
【請求項３】
前記初期位置及び前記初期位置誤差を使用して、複数の測位結果を取捨選択する測位結果選択手段を有することを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の測位装置。
【請求項４】
前記衛星信号の発信周波数と前記実測受信周波数を使用して実際のドップラー偏移を算出し、さらに、実際の視線方向ベクトルを算出することによって、前記初期位置を修正する初期位置修正手段を有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の測位装置。
【請求項５】
複数のＳＰＳ衛星からの衛星信号を使用して測位を行う測位装置が、前記測位に使用する初期位置に対する、現在時刻における前記ＳＰＳ衛星の衛星軌道上の相対位置を算出する相対位置算出ステップと、
前記測位装置が、前記測位に使用する初期位置に対する前記ＳＰＳ衛星の移動状態を算出する移動状態算出ステップと、
前記測位装置が、前記移動状態に基づいて、ドップラー偏移を予想して、前記衛星信号の予想受信周波数を算出する予想受信周波数算出ステップと、
前記測位装置が、前記予想受信周波数と実際の受信周波数である実測受信周波数との周波数差分を算出する周波数差分算出ステップと、
前記測位装置が、前記相対位置及び前記周波数差分に基づいて、前記初期位置の誤差を算出する初期位置誤差算出ステップと、
前記測位装置が、前記初期位置の誤差に基づいて、前記衛星信号のコードフェーズを使用して擬似距離を算出する測位方法、または、前記衛星信号の遅延時間を使用して擬似距離を算出する測位方法のいずれかを選択する測位方法選択ステップと、
を有することを特徴とする測位装置の制御方法。
【請求項６】
コンピュータに、
複数のＳＰＳ衛星からの衛星信号を使用して測位を行う測位装置が、前記測位に使用する初期位置に対する、現在時刻における前記ＳＰＳ衛星の衛星軌道上の相対位置を算出する相対位置算出ステップと、
前記測位装置が、前記測位に使用する初期位置に対する前記ＳＰＳ衛星の移動状態を算出する移動状態算出ステップと、
前記測位装置が、前記移動状態に基づいて、ドップラー偏移を予想して、前記衛星信号の予想受信周波数を算出する予想受信周波数算出ステップと、
前記測位装置が、前記予想受信周波数と実際の受信周波数である実測受信周波数との周波数差分を算出する周波数差分算出ステップと、
前記測位装置が、前記相対位置及び前記周波数差分に基づいて、前記初期位置の誤差を算出する初期位置誤差算出ステップと、
前記測位装置が、前記初期位置の誤差に基づいて、前記衛星信号のコードフェーズを使用して擬似距離を算出する測位方法、または、前記衛星信号の遅延時間を使用して擬似距離を算出する測位方法のいずれかを選択する測位方法選択ステップと、
を実行させることを特徴とする測位装置の制御プログラム。
【請求項７】
複数のＳＰＳ（Ｓａｔｅｌｌｉｔｅ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）衛星からの衛星信号を使用して測位を行う測位装置であって、
前記衛星信号を使用して算出した前記ＳＰＳ衛星の衛星軌道上の位置を使用して、前記測位に使用する前記測位装置の初期位置に対する前記ＳＰＳ衛星の相対位置を算出する相対位置算出手段と、  
前記測位に使用する初期位置に対する前記ＳＰＳ衛星の移動状態を算出する移動状態算出手段と、
前記移動状態に基づいて、ドップラー偏移を予想して、前記衛星信号の予想受信周波数を算出する予想受信周波数算出手段と、
前記予想受信周波数と実際の受信周波数である実測受信周波数との周波数差分を算出する周波数差分算出手段と、
前記相対位置及び前記周波数差分に基づいて、前記初期位置の誤差を算出する初期位置誤差算出手段と、
前記初期位置の誤差に基づいて、前記衛星信号のコードフェーズを使用して擬似距離を算出する第１測位方法、又は、前記衛星信号の遅延時間を使用して擬似距離を算出する第２測位方法のいずれかを選択する測位方法選択手段と、
を有することを特徴とする測位装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月29日(2009.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外力作用領域部と非変形領域部を有する複数の作用部と、この作用部を支持する支持部と、前記作用部と前記支持部を連結する複数の連結部とを備えるベース部材と、
前記連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子とを備え、
前記作用部と前記支持部と前記連結部は孔により機能的に分離され、
前記連結部は弾性部と前記作用部につながる連結腕部とを有し、この連結腕部の両側に前記孔を挟んで前記作用部の前記外力作用領域部が配置されていることを特徴とする力覚センサ用チップ。
【請求項２】
複数の前記作用部のそれぞれは、前記ベース部材の中心から等距離の位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項３】
前記ベース部材は半導体基板であり、この半導体基板に所定の孔を形成することにより、複数の前記作用部と、前記支持部と、複数の前記連結部を形成することを特徴とする請求項１又は２記載の力覚センサ用チップ。
【請求項４】
前記孔は第１の孔と第２の孔を含み、
前記ベース部材は４つの直線状の前記第１の孔で形成される正方形の形状を有する中央領域と、この中央領域の各辺に対応して前記作用部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項５】
前記孔は第１の孔と第２の孔を含み、
前記作用部はその周辺が前記第２の孔で囲われていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項６】
前記弾性部は前記第１の孔の外側領域に配置され、この弾性部の長手方向における両端部は前記支持部と接続されていることを特徴とする請求項４記載の力覚センサ用チップ。
【請求項７】
前記連結腕部は長手方向における一方の端部が前記作用部の中間部に相当する部分に接続され、他方の端部が前記弾性部の中間部に接続されていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項８】
前記連結腕部は長手方向における一方の端部が前記作用部の中間部に相当する部分に接続され、前記歪み抵抗素子は前記連結腕部と前記作用部との境界近傍の領域に形成されていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項９】
前記弾性部は長手方向における両端部が前記支持部と接続され、前記歪み抵抗素子は前記連結部材と前記作用部との接続箇所に形成されていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項１０】
前記作用部の前記非変形領域部に温度補償用抵抗素子が配置されていることを特徴とする請求項１記載の力覚センサ用チップ。
【請求項１１】
請求項１記載の力覚センサチップへ外力を印加する外力伝達機構であって、
前記外力伝達機構は、
プレート部とこのプレート部の上に形成された外力作用部とからなる外力印加部と、
前記プレート部の下の対応する箇所に結合され、１つの上端部と２つの下端部を有する脚部と、
を備えることを特徴とする外力伝達機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】力覚センサ用チップ及び外力伝達機構
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は力覚センサ用チップ及び外力伝達機構に関し、特に、半導体製造プロセス技術を利用して基板上に形成される複数の歪み抵抗素子を有し、ロボット等の力覚センサとして利用される６軸力センサ等に好適な力覚センサ用チップ、及びこの力覚センサ用チップに対して外力を印加する外力伝達機構に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の目的は、上記の課題に鑑み、印加される外力が分散されるようにし、チップ基板での曲げや捻り対する発生応力を分散し、センサチップとしての設計の自由度を向上することができる力覚センサ用チップ及び外力伝達機構を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る力覚センサ用チップは、上記目的を達成するために、外力作用領域部と非変形領域部を有する複数の作用部と、この作用部を支持する支持部と、作用部と支持部を連結する複数の連結部とを備えるベース部材と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子とを備え、さらに、作用部と支持部と連結部は孔により機能的に分離され、連結部は弾性部と作用部につながる連結腕部とを有し、この連結腕部の両側に孔を挟んで作用部の外力作用領域部が配置されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
孔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎのいずれも相対的に狭い幅を有するスリット状の形状を有している。図１に示した半導体基板２の上で、内側に位置する４つの孔（第１の孔Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ）はほぼ直線状スリットの形状を有し、外側に位置する４つの孔（第２の孔Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ）は４つの作用部４の各々を形成するスリット形状を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
工程（１）〜（４）の少なくとも１つを包含する式［Ｉ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−Ｄ−３Ｐａｌ−ＯＨ  ［Ｉ］
で表されるトリペプチドまたはその塩の製造方法：
（１）式［ＩＩ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−ＯＨ  ［ＩＩ］
で表される化合物、その塩、またはその反応性誘導体と、式［ＩＩＩ］：
Ｈ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−ＯＲ１  ［ＩＩＩ］
（式中、Ｒ１は、メチル、エチルまたはベンジルを示す。）
で表される化合物またはその塩とを縮合させることによって、式［ＩＶ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−ＯＲ１  ［ＩＶ］
（式中、Ｒ１は上記定義の通りである。）
で表される化合物を調製する工程；
（２）上記式［ＩＶ］で表される化合物を加水分解反応に付し、式［Ｖ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−ＯＨ  ［Ｖ］
で表される化合物またはその塩を調製する工程；
（３）上記式［Ｖ］で表される化合物、その塩、またはその反応性誘導体と、式［ＶＩ］：
Ｈ−Ｄ−３Ｐａｌ−ＯＲ２  ［ＶＩ］
（式中、Ｒ２は、メチル、エチルまたはベンジルを示す。）
で表される化合物またはその塩とを縮合させることによって、式［ＶＩＩ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−Ｄ−３Ｐａｌ−ＯＲ２  ［ＶＩＩ］（式中、Ｒ２は上記定義の通りである。）
で表される化合物またはその塩を調製する工程；および
（４）上記式［ＶＩＩ］で表される化合物またはその塩を加水分解反応に付し、上記式［Ｉ］で表されるトリペプチドまたはその塩を得る工程。
【請求項２】
式［ＩＩ］で表される化合物の反応性誘導体が、式［ＩＩａ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−ＯＲａ  ［ＩＩａ］
（式中、Ｒａは、
【化１】
2005255556.tif 000001
からなる群から選択される基を示す。）
で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
Ｒ１がメチルである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
式［ＩＩＩ］で表される化合物の塩が、Ｈ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−ＯＭｅ  ＨＣｌである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
Ｒ２がメチルである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
式［ＶＩ］で表される化合物の塩が、Ｈ−Ｄ−３Ｐａｌ−ＯＭｅ  ２ＨＣｌである、請求項１に記載の製造方法。
【請求項７】
式［Ｖ］で表される化合物の反応性誘導体が、式［Ｖａ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−ＯＲａ  ［Ｖａ］
（式中、Ｒａは、
【化２】
2005255556.tif 000002
からなる群から選択される基を示す。）
で表される化合物である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
工程（２）の加水分解反応において塩基を用いる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
塩基が水酸化ナトリウムである、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
工程（２）の加水分解反応において、溶媒として、テトラヒドロフランを用いる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
工程（４）の加水分解反応において塩基を用いる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
塩基が水酸化ナトリウムである、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
工程（４）の加水分解反応において、溶媒として、テトラヒドロフランと水との混合溶媒を用いる、請求項１に記載の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかに記載の製造方法によって、式［Ｉ］：
Ａｃ−Ｄ−２Ｎａｌ−Ｄ−４ＣｌＰｈｅ−Ｄ−３Ｐａｌ−ＯＨ  ［Ｉ］
で表されるトリペプチドまたはその塩を製造する工程、および前記トリペプチドまたはその塩をＬＨＲＨアンタゴニストに変換する工程を含む、ＬＨＲＨアンタゴニストの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、従来の車両においては、図７に示すように、バンパー５０をリヤタイヤー５１の後方に装備すると共に、リヤシート５２の背後に一定の空間Ｓ（図中斜線で示す領域）を確保して、該空間Ｓにて後方衝突時の大きいエネルギーを吸収して後部座席の乗員を保護していた。
【特許文献１】特開平７−８１５０６号公報（段落〔０００２〕、図１２）
【特許文献２】特開２００３−２６７１６８号公報（段落〔０００８〕、図１）
【特許文献３】特開２００２−６８０１７号公報（段落〔０００２〕、図６、符号５）
【特許文献４】特開平１０−５９０２７号公報（段落〔０００２〕、図３）
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の独立した温度センサ（１，２，３）を含む誘電体層（２１６）と、前記誘電体層（２１６）の少なくとも一方の表面に対面して前記複数の独立した温度センサの各々からの電気的接続を達成するための堆積電気結線パターン（１６，２６，４１，１２６）とを含む温度センサアレイ（１００）と、
前記堆積電気結線パターンに接続されて前記温度センサからのセンサ信号を得るための走査装置（２１０）と、
前記センサ信号を処理して温度分布を推定するためのコンピュータ（２１２）とを含むことを特徴とする診断用具。
【請求項２】  前記誘電体層（２１６）及び前記堆積電気結線パターンが表面順応性を有する請求項１記載の診断用具。
【請求項３】  測定すべき表面（２１４）に接触するように前記温度センサアレイ（１００）を位置決めするための定着装置（２１８）を更に含む請求項１または２記載の診断用具。
【請求項４】  複数の独立した温度センサ（１，２，３）を含む誘電体層（１０、２４）と、
前記誘電体層の少なくとも一方の表面に対面して前記複数の独立した温度センサの各々からの電気的接続を達成するための堆積電気結線パターン（１６，２６，４１，１２６）とを含むことを特徴とする温度センサアレイ（１０１，１０２，１０３）。
【請求項５】  前記誘電体層及び前記堆積電気結線パターンが表面順応性を有する請求項４記載の温度センサアレイ。
【請求項６】  前記誘電体層の一方の表面上に形成されかつ前記堆積電気結線パターンとは異なる熱起電力を有する第１のパターン化導電層（１２）を更に含む場合において、
前記誘電体層を貫通してスルーホール（１４）が設けられ、前記堆積電気結線パターンが第２のパターン化導電層（１６）から成り、かつ前記独立した温度センサの少なくとも一部が前記スルーホールを通して前記第１及び第２のパターン化導電層の間に形成された接点によって構成される熱電対（１）から成る請求項４または５記載の温度センサアレイ。
【請求項７】  前記第１のパターン化導電層（１２）が前記接点において前記第１のパターン化導電層の他の部分よりも大きい厚さを持った部分（９）を有する請求項６記載の温度センサアレイ。
【請求項８】  前記誘電体層が第１の誘電体層から成る場合において、
前記第１の誘電体層及び前記堆積電気結線パターンの上方に位置しかつ前記堆積電気結線パターンの特定部分にまで延びる第２の誘電体層スルーホール（２１）を有する第２の誘電体層（２７）と、
前記第２の誘電体層上に広がると共に前記第２の誘電体層スルーホール中に延びて前記堆積電気結線パターンに接続された追加の堆積電気結線パターンう２３）とを更に含む請求項５乃至７のいずれかに記載の温度センサアレイ。
【請求項９】  前記堆積電気結線パターンが、前記誘電体層の一方の表面上に配置されかつ前記温度センサの全てを接続する共通の電気結線を含む第１のパターン化導電層（３１２）と、
前記誘電体層の他方の表面上に配置されかつ前記温度センサのそれぞれを接続する複数の独立した結線（４１６）を含む第２のパターン化導電層（３１６）とを含む請求項５乃至８のいずれかに記載の温度センサアレイ。
【請求項１０】  少なくとも１つのマルチプレクサ（２３６）を更に含んでいて、前記複数の独立した結線の各々が前記少なくとも１つのマルチプレクサに接続されている請求項９記載の温度センサアレイ。
【請求項１１】  複数の独立した温度センサ（１，２，３）を含む誘電体層（１０，２４）を用意する工程と、
前記複数の独立した温度センサの各々からの電気的接続を達成するための電気結線パターン（１６，２６，４１，１２６）を前記誘電体層の少なくとも一方の表面上に堆積させる工程とを含むことを特徴とする温度センサアレイ（１０１，１０２，１０３）の製造方法。
【請求項１２】  前記堆積電気結線パターンと異なる熱起電力を有する第１のパターン化導電層（１２）を前記誘電体層の他方の表面上に堆積させる工程と、
前記誘電体層（１０）のうちで前記第１のパターン化導電層に対面する部分（１７）を含まない特定の領域（１３）において前記誘電体層（１１０）を薄くする工程とを含む場合において、
前記誘電体層を貫通してスルーホール（１４）が形成され、前記堆積電気結線パターンが第２のパターン化導電層（１６）から成り、かつ前記独立した温度センサの少なくとも一部が前記スルーホールを通して前記第１及び第２のパターン化導電層の間に形成された接点（１７）によって構成される熱電対（１）から成る請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービン翼形部（３８、４２）以外のタービン構成部品（３０）にして金属基体（６０）と前記金属基体（６０）を覆う単一層のセラミック耐食皮膜（６４）とを有するタービン構成部品（３０）を備える物品であって、
前記セラミック耐食皮膜（６４）が０．２〜２５ミクロンの厚さを有し、かつジルコニア、ハフニア及びそれらの混合物からなる群から選択されるセラミック金属酸化物６０〜９８モル％と、イットリア、カルシア、スカンジア、マグネシア、インジア、ガドリニア、ネオジミア、サマリア、ジスプロシア、エルビア、イッテルビア、ユウロピア、プラセオジミア、ランタナ、タンタラ及びそれらの混合物からなる群から選択される安定化金属酸化物２〜４０モル％とからなる、物品。
【請求項２】
前記タービン構成部品（３０）が、圧縮機又はタービンディスク（３２）或いは圧縮機又はタービンシール要素（４４、４６、４８）である、請求項１記載の物品（３０）。
【請求項３】
前記セラミック金属酸化物が８５〜１００モル％のジルコニアと０〜１５モル％のハフニアとを含む、請求項１又は請求項２記載の物品（３０）。
【請求項４】
前記耐食皮膜（６４）が９４〜９７モル％のセラミック金属酸化物と３〜６モル％のイットリアとを含む、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の物品（３０）。
【請求項５】
前記セラミック耐食皮膜（６４）が前記構成部品（３０）の選択部分上に形成される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の物品（３０）。
【請求項６】
（ａ）金属基体（６０）を含むタービン構成部品（３０）であって、タービン翼形部（３８、４２）以外のものであるタービン構成部品（３０）を準備するステップと、
（ｂ）セラミック金属酸化物前駆体を含むゲル形成溶液を準備するステップと、
（ｃ）前記ゲル形成溶液を第１の予め選択した時間にわたって第１の予め選択した温度に加熱してゲルを形成するステップと、
（ｄ）前記ゲルを前記金属基体（６０）上に被着させるステップと、
（ｅ）前記被着したゲルを前記第１の予め選択した温度よりも高い第２の予め選択した温度で焼成して、ジルコニア、ハフニア及びそれらの混合物からなる群から選択されるセラミック金属酸化物６０〜９８モル％と、イットリア、カルシア、スカンジア、マグネシア、インジア、ガドリニア、ネオジミア、サマリア、ジスプロシア、エルビア、イッテルビア、ユウロピア、プラセオジミア、ランタナ、タンタラ及びそれらの混合物からなる群から選択される安定化金属酸化物２〜４０モル％とからなる厚さ０．２〜２５ミクロンのセラミック耐食皮膜（６４）を形成するステップと、
を具備するタービン構成部品の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（ｄ）が、前記ゲルの複数の層を前記金属基体（６０）上に施工することによって行われる、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タービン（１００）内で周囲ホットストリーク状態の影響を配分する方法において、
回転装置（４４）へ制御信号（４６）を通信する工程（６０）と、
前記制御信号（４６）に応答して前記回転装置（４４）によって固定子ノズル（３８）を含む固定子リング（４０）を運動させ、もってタービン動作中に固定子リング（４０）の複数の固定子ノズル（３８）に周囲ホットストリークを配分する工程（６２）とを含む方法。
【請求項２】
前記固定子リング（４０）を運動させる工程が、
前記回転装置（４４）を介して前記固定子リング（４０）へ回転力を伝達する工程と前記回転装置（４４）を介して前記固定子リング（４０）に対する回転力を阻止する工程のうちの一方を含み、前記回転力が作動流体により前記固定子リング（４０）へ伝達される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記固定子リング（４０）を運動させる工程が、前記タービン（１００）の長手方向軸に関して前記固定子リング（４０）を回転する工程を含む、請求項１又は請求項２記載の方法。
【請求項４】
制御装置（４８）側で前記制御信号（４６）を発生する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記制御装置（４８）側で前記制御信号（４６）を発生する工程が、連続制御信号（４６）を発生する工程と不連続制御信号（４６）を発生する工程のうちの少なくとも一方を含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
固定子ノズル（３８）を含む固定子段（１２，１６，２０）を備えるタービン（１００）であって、固定子段（１２，１６，２０）が制御信号（４６）に応答して回転自在であり、もってタービン動作中に複数の固定子ノズル（３８）に周囲ホットストリークを配分することを特徴とするタービン（１００）。
【請求項７】
前記固定子段（１２、１６、２０）に近接して配置され、作動流体の流れに応答して回転自在の回転子段（１４、１８、２２）を更に具備し、前記固定子段（１２、１６、２０）は、前記回転子段（１４、１８、２２）の回転速度に関して選択された差動速度で回転自在である、請求項６記載のタービン（１００）。
【請求項８】
前記固定子段（１２、１６、２０）が連続回転するように構成される、請求項６又は請求項７記載のタービン（１００）。
【請求項９】
前記固定子段（１２、１６、２０）は、毎分１回転より遅い速度で連続回転する、請求項８記載のタービン（１００）。
【請求項１０】
前記固定子段（１２、１６、２０）は、不連続に間隔をおいて回転自在である、請求項６又は請求項７記載のタービン（１００）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
加硫ゴムからなる防水シートの接合部を機械的固定工法で下地に設置する場合の防水シートの固定方法において、表面に熱可塑性樹脂からなる融着層を有するプレートを下地に固定し、プレートの上に配置した防水シートを前記融着層にて融着固定してなることを特徴とする防水シートの固定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記のような課題を解決するために本発明の請求項１では、加硫ゴムからなる防水シートの接合部を機械的固定工法で下地に設置する場合の防水シートの固定方法において、表面に熱可塑性樹脂からなる融着層を有するプレートを下地に固定し、プレートの上に配置した防水シートを前記融着層にて融着固定してなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
希酸と吸着質を含む組成物を有する、クエン酸およびクエン酸とアルキルベンゼンスルホン酸を含むエッチャント溶液内に加工物を配置するステップと、
前記エッチャント溶液内に電界を生成するステップと、
前記加工物のNiP表面上に異方性エッチング・パターンを施すステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記エッチャント溶液の希酸は、約２から４のｐＨ値で、２より大きいｐＫ値であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記配置するステップは前記加工物を前記エッチャント溶液の電解槽に浸漬するステップを更に含み、前記電解槽は前記加工物に隣接して配置された電極を有し、前記電極と加工物が電源装置に結合されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電界を生成するステップは、前記電極と加工物に約０．０５アンペアから２．０アンペアの電流を印加するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記電界を生成するステップは、前記電極と加工物に約０．０５アンペアから２．０アンペアの電流を印加するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記電流を印加するステップは、約５ｎｍ／秒から約２０ｎｍ／秒のエッチング速度を生成させるステップを更に含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記浸漬するステップは、前記加工物と前記電極との間に約１ｍｍから約１０ｍｍの間隔を形成するステップを更に含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記電流を印加するステップは、前記加工物の表面上のエッチング幅に対するエッチング深さにおいて、１より大きいアスペクト比の値を生じさせることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記加工物がディスク基板を有するステップであって、前記ステップは、前記エッチャント溶液内に前記加工物を配置する前に、
前記ディスク基板の上にＮｉＰ層をメッキするステップと、
前記ＮｉＰ層の上にエンボス可能層を堆積させるステップと、
前記ＮｉＰ層に形成されるべきエッチング・パターンのテンプレートを有するスタンパを用いて前記エンボス可能層をインプリントするステップと、
をさらに有することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチング・パターンは、ＤＴＲパターンを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記エッチャント溶液は、非イオン性界面活性剤をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記非イオン性界面活性剤は、アルキルエトキシレートまたはアルキルエトキシレートのブレンドをさらに含むことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記アルキルエトキシレートはＣ７−Ｃ１０のアルキル鎖および約５５０の分子量を有することを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
希酸と吸着質を含む組成物を有するエッチャント溶液内に、ＮｉＰ層をその基板上にメッキしたディスク基板を有する加工物を配置するステップと、
前記エッチャント溶液内に電界を生成するステップと、
前記加工物の表面上に異方性エッチング・パターンを施すステップと、
から構成されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記希酸は、クエン酸とシュウ酸からなるグループから選ばれることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記エッチャント溶液の希酸は、約２乃至４のｐＨ値で、２より大きいｐＫ値であることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記配置するステップは、前記加工物を前記エッチャント溶液の電解槽に浸漬するステップをさらに含み、前記電解槽が前記加工物に隣接して配置された電極を有し、前記電極と加工物は電源装置に結合されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記電界を生成するステップは、前記電極と加工物に約０．０５アンペア〜２．０アンペアの電流を印加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記電界を生成するステップは、前記電極と加工物に約０．０５アンペア〜２．０アンペアの電流を印加するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記電流を印加するステップは、約５ｎｍ／秒〜約２０ｎｍ／秒のエッチング速度を生成させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記浸漬するステップは、前記加工物と前記電極との間に約１ｍｍ〜約１０ｍｍの間隔を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
前記電流を印加するステップは、前記加工物の表面上のエッチング幅に対するエッチング深さにおいて、１より大きいアスペクト比の値を生じさせることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２３】
前記メッキする工程では、前記ＮｉＰ層の上にエンボス可能層を堆積させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
前記堆積させる工程は、前記ＮｉＰ層に形成されるべきエッチング・パターンのテンプレートを有するスタンパを用いて前記エンボス可能層をインプリントする工程をさらに含むことを特徴とする請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記エッチング・パターンは、ＤＴＲパターンを含むことを特徴とする請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記スタンピングする工程は、前記陥凹領域内のＮｉＰ層を露出させるために前記エンボス可能層を灰化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記電界を生成するステップは、前記ＤＴＲパターンに対応する複数の陥凹領域を前記ＮｉＰ層の表面上に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項２８】
前記エッチャント溶液は、非イオン性界面活性剤をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２９】
前記非イオン性界面活性剤は、アルキルエトキシレートまたはアルキルエトキシレートのブレンドをさらに含むことを特徴とする請求項２８記載の方法。
【請求項３０】
前記アルキルエトキシレートはＣ７−Ｃ１０のアルキル鎖および約５５０の分子量を有することを特徴とする請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
希酸と、２−ベンゾイミダゾール・プロピオン酸を含む吸着質から成る組成物を有するエッチャント溶液内に加工物を配置するステップと、
前記エッチャント溶液内に電界を生成するステップと、
異方性エッチング・パターンを、ディスク基板を有する前記加工物の表面上に形成させるステップと、
から構成される方法であって、前記エッチャント溶液内に加工物を配置するステップを前に、
前記ディスク基板の上にＮｉＰ層をメッキするステップと、
前記ＮｉＰ層の上にエンボス可能層を堆積させるステップと、
前記ＮｉＰ層に形成されるべきエッチング・パターンのテンプレートを有するスタンパを用いて前記エンボス可能層をインプリントするステップと、
をさらに有することを特徴とする方法。
【請求項３２】
前記エッチング・パターンは、ＤＴＲパターンを含むことを特徴とする請求項３１に記載の方法。