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【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持構造体（２３；１２３）の表面上に基板（２２；１２２）をクランプする方法であり、
前記基板支持構造体の前記表面（２６）に液体を塗布することを備えており、前記表面には、複数の接触要素（２７）が設けられており、前記液体は、前記接触要素を覆う層（９４；１２５）を形成し、
前記基板を用意し前記液体層上に前記基板を配置することを備えており、
前記基板が、前記複数の接触要素にもたれ、前記基板と前記基板支持構造体の前記表面との間の前記液体の毛細管層によって及ぼされる毛細管クランプ力によってクランプされるように、前記基板の下から前記液体の一部を除去することを備えており、前記毛細管層は、前記毛細管層と前記基板の間に第１の接触角と、前記毛細管層と前記基板支持構造体の間に第２の接触角をもつ外側液体表面を有している、方法。
【請求項２】
前記液体の一部を除去することは、前記基板の下の圧力を下げることを備えている、請求項１の方法。
【請求項３】
前記液体の一部を除去することは、前記表面の周囲に沿って気体フローを供給することを備えている、請求項１または請求項２の方法。
【請求項４】
前記気体は、蒸気飽和の５０％未満、好ましくは１０％未満の蒸気内容物を有している気体であり、前記蒸気は、前記毛細管層の前記液体と同じ物質をある、請求項３の方法。
【請求項５】
前記液体を塗布する前記工程の前に前記基板支持構造体を真空チャンバー内に配置することと、前記真空チャンバー内の気体圧力を下げることをさらに備えている、請求項１〜４のいずれか一つの方法。
【請求項６】
溶け込んだ気体および／または吸い込まれた泡が液体層から拡散するのを可能にする所定の期間だけ休止することをさらに備えている、請求項５の方法。
【請求項７】
前記基板は前記液体層上に、前記液体層の上表面に対して初期角をもって配置され、前記初期角は、好ましくは５度よりも大きい、請求項１〜６のいずれか一つの方法。
【請求項８】
基板（２２；１２２）をクランプするためのクランプ準備ユニット（１１２）であり、
複数の接触要素（２７）が設けられた表面を有している基板支持構造体（２３；１２３）と、
前記接触要素が液体層（９４；１２５）によって覆われるように、前記基板支持構造体の表面上に液体を塗布するための液体供給ユニット（１２４）と、
前記液体層上に前記基板を配置するための基板移動ユニット（１２７）と、
前記基板が、前記複数の接触要素にもたれ、前記基板と前記基板支持構造体の前記表面との間の前記液体の毛細管層によって及ぼされる毛細管クランプ力によってクランプされるように、前記基板の下から前記液体の一部を除去するための液体除去システム（３３，３５；１２６ａ，１２６ｂ）を備えており、前記除去システムは気体分配システム（３３，３５；１２６ａ，１２６ｂ）を備えており、
前記基板支持構造体は前記表面の周囲を囲んでいるシール構造体（２９）をさらに備えており、前記気体分配システムによって供給される前記気体は前記表面と前記シール構造体の間に流れることができる、クランプ準備ユニット。
【請求項９】
前記液体除去システム（３３，３５；１２６ａ，１２６ｂ）は、前記表面の周囲に前記液体の一部を除去するように適合されている、請求項８のクランプ準備ユニット。
【請求項１０】
前記シール構造体は、前記基板支持構造体の前記複数の接触要素の高さに相当する高さを有している、請求項８または請求項９のクランプ準備ユニット。
【請求項１１】
基板支持構造体（２３；１２３）から基板（２２；１２２）をアンクランプする方法であり、前記基板は、前記基板と前記基板支持構造体の間の液体の毛細管層（１；２１）によって及ぼされる毛細管クランプ力によってクランプされており、
前記毛細管層の外側周囲表面において前記毛細管層に追加液体を供給することと、
前記基板を前記液体から持ち上げることを備えている、方法。
【請求項１２】
アンクランプユニット（１１２）であり、
基板支持構造体であって、その表面上に毛細管層（１；２１）によってクランプされた基板（２２；１２２）を有している基板支持構造体（２３；１２３）と、
前記毛細管層の外側周囲表面において前記基板の下の前記毛細管層に追加液体を供給するための液体除去システム（３３，３５；１２６ａ，１２６ｂ）と、
前記基板を前記液体層から取り外すための基板移動ユニット（１２７）を備えている、アンクランプユニット。
【請求項１３】
リソグラフィ装置を備えているリソグラフィシステムであり、
放射のパターンビームを供給する放射系と、
基板の標的部分に前記放射のパターンビームを投影する光学系と、
基板支持構造体の表面上に前記基板をクランプするための請求項８〜１０のいずれか一つに記載のクランプ準備ユニットを備えている、リソグラフィシステム。
【請求項１４】
請求項１２のアンクランプユニットを備えている、請求項１３のリソグラフィシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間を取り囲む複数の壁パネル（５１０）を備えている真空チャンバー（４００）であり、
前記壁パネルは、複数の接続部材（５０４，５２４，５２８）を使用して組み立てられてチャンバーを形成し、前記接続部材は前記壁パネルを所定の配置で設置し、
前記真空チャンバーは、前記壁パネルの端に設けられた一つ以上のシール部材（５０９と５２２）をさらに備えており、
前記壁パネルは、前記内部空間に真空を形成する結果として真空密接シールが形成されるように配置され、
前記一つ以上のシール部材は、六つの壁パネルの複数の端にあるすきまを封止するように適合された十二の延長部を備えているシール材料の単一の可撓部品で構成される、真空チャンバー。
【請求項２】
前記接続部材は、前記壁パネルを取り外し可能に接続するように、また分解を可能にするように適合されている、請求項１の真空チャンバー。
【請求項３】
前記接続部材は、前記壁パネルの小さい所定の範囲の移動を提供しながら前記壁パネルを設置するように適合されている、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項４】
前記壁パネルの隣接するものは、前記接続部材（５０４，５２４，５２８）を使用して、互いに取り外し可能に付けられている、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項５】
フレーム（５００）をさらに備えており、前記一つ以上のシール部材（５０９，５２２）は、前記壁パネルと前記フレームの間に前記真空密接シールを形成するために、前記壁パネルと前記フレームの間に設けられる、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項６】
前記接続部材はピンまたはボルトで構成される、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項７】
前記接続部材（５２４）はラッチを備えている、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項８】
前記シール部材の一つ以上は、隣接する壁パネル（５１０）の間に配置されたＯリングまたはＣリング（５２２）で構成される、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項９】
前記シール材料の単一の可撓部品（５２２）は、三次元立方体形態に形成されたＯリングまたはＣリングで構成される、請求項１の真空チャンバー。
【請求項１０】
前記壁パネルの一つ以上は、前記一つ以上のシール部材（５２２）を部分的に収容するための溝（５７０）を有している、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項１１】
前記チャンバー（４００）の前記壁パネルはアルミニウムで構成される、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項１２】
前記チャンバー（４００）の前記壁パネルの少なくとも一つの面はミューメタルで実質的に覆われている、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項１３】
前記チャンバー（４００）の前記壁パネルは、ミューメタルの一つ以上の層（６０３，６０５）を有する複合構造体を備えている、先行請求項のいずれか一つの真空チャンバー。
【請求項１４】
真空チャンバー（４００）の中への組み立てのためのコンポーネントのキットセットであり、複数の壁パネル（５１０）と、内部空間を取り囲む所定の配置で壁パネルを設置するために前記壁パネルに取り外し可能に付いているように適合された複数の接続部材（５０４，５２４，５２８）と、前記壁パネルの端に真空密接シールを形成するように適合された一つ以上のシール部材（５０９，５２２）を備えており、前記一つ以上のシール部材は、六つの壁パネルの複数の端にあるすきまを封止するように適合された十二の延長部を備えているシール材料の単一の可撓部品で構成される、キットセット。
【請求項１５】
前記接続部材は、前記キットセットが組み立てられるときに、前記壁パネルの小さい所定の範囲の移動を提供しながら前記壁パネルを設置するように適合されている、請求項１４のキットセット。
【請求項１６】
前記接続部材は、前記キットセットが組み立てられるときに、前記壁パネルの端に真空密接シールを提供する位置に向けて前記壁パネルを案内するように適合されている、請求項１４または１５のキットセット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1のメモリチップ、および
第2のメモリチップ
を含むスタック
を備えるシステムであって、前記第2のメモリチップが、チップサイズ低減を容易にするように少なくともいくつかの非コア回路が欠如しており、さらに
前記第1のメモリチップと前記第2のメモリチップとの間に延びる複数の電気経路を備え、前記電気経路により、前記第1のメモリチップが前記第2のメモリチップに、デバイス動作のために必要な信号および電圧を供給することが容易になる、システム。
【請求項２】
前記第1および第2のメモリチップが不揮発性メモリチップである、請求項1に記載のシステム。
【請求項３】
少なくとも1つの追加のメモリチップをさらに備え、前記第1のメモリチップがマスタデバイスであり、前記第2のメモリチップおよび追加のメモリチップがスレーブデバイスである、請求項1または2に記載のシステム。
【請求項４】
前記電気経路がシリコン貫通ビアを備える、請求項1または2に記載のシステム。
【請求項５】
パッケージプリント回路基板をさらに備え、前記スタックが前記パッケージプリント回路基板にフリップチップおよびバンプによって接続される、請求項4に記載のシステム。
【請求項６】
前記第1の不揮発性メモリチップだけが高電圧発生器を含む、請求項2に記載のシステム。
【請求項７】
前記電圧が、プログラム動作および消去動作用の高電圧を含む、請求項2に記載のシステム。
【請求項８】
前記第2のメモリチップが、試験時に前記第1のメモリチップによって駆動されるように構成されているスレーブデバイス試験論理回路を含む、請求項1または2に記載のシステム。
【請求項９】
前記第1の不揮発性メモリチップがマスタデバイスであり、前記第2の不揮発性メモリチップがスレーブデバイスである、請求項2に記載のシステム。
【請求項１０】
前記電気経路がシリコン貫通ビアを備える、請求項9に記載のシステム。
【請求項１１】
パッケージプリント回路基板をさらに備え、前記スタックが前記パッケージプリント回路基板にフリップチップおよびバンプによって接続される、請求項10に記載のシステム。
【請求項１２】
前記マスタメモリデバイスが前記スレーブメモリデバイスよりかなり大きく寸法設定され、前記マスタメモリデバイスが前記パッケージプリント回路基板にほぼ隣接して配置される、請求項11に記載のシステム。
【請求項１３】
互いに互換性がある第1および第2の不揮発性メモリチップを製造する段階を含む方法であって、前記第1および第2の不揮発性メモリチップがほぼ同様のコアチップ領域を有するが、前記第1の不揮発性メモリチップだけが、前記第1および第2の不揮発性メモリチップ両方に共通の利点に機能性を与える回路が中にあるいくつかの追加チップ領域を有し、前記追加チップ領域の前記回路が、前記第1および第2の不揮発性メモリチップ両方と関連して、デバイス動作に必要な信号および電圧を発生するように構成されている、方法。
【請求項１４】
互いに互換性がある第1および第2の不揮発性メモリチップを備える装置であって、前記第1および第2の不揮発性メモリチップがほぼ同様のコアチップ領域を有するが、前記第1の不揮発性メモリチップだけが、前記第1および第2の不揮発性メモリチップ両方に共通の利点に機能性を与える回路が中にあるいくつかの追加チップ領域を有し、前記追加チップ領域の前記回路が、前記第1および第2の不揮発性メモリチップ両方と関連して、デバイス動作に必要な信号および電圧を発生するように構成されている、装置。
【請求項１５】
不揮発性メモリチップのチップ領域全体の80パーセント超を占有するコアチップ領域と、
別の不揮発性メモリチップから信号および電圧を受け取るように構成された回路が中にある追加のチップ領域とを備える不揮発性メモリチップであって、
前記電圧が、消去動作のために十分に高い電圧を含み、
前記コアチップ領域が、前記追加チップ領域と比較してより微細化されたプロセス技術を有する、不揮発性メモリチップ。
【請求項１６】
不揮発性メモリチップのチップ領域全体の80パーセント超を占有するコアチップ領域と、
前記コアチップ領域の中に配置されているページバッファと、
別の不揮発性メモリチップから信号および電圧を受け取るように構成された回路が中にある追加のチップ領域とを備えるフラッシュメモリチップであって、
前記コアチップ領域が、前記追加チップ領域と比較してより微細化されたプロセス技術を有する、フラッシュメモリチップ。
【請求項１７】
少なくとも2つの半導体チップを積み重ねる段階であって、前記半導体チップの一方がマスタメモリデバイスであり、前記半導体チップの他方がスレーブメモリデバイスであり、前記マスタメモリデバイスが前記スレーブメモリデバイスよりかなり大きく寸法設定される、段階と、
前記積み重ねた半導体チップを一緒にシリコン貫通ビアによって結線する段階と、
前記積み重ねた半導体チップをパッケージプリント回路基板にフリップチップおよびバンプによって接続する段階とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月16日(2013.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦点距離ｆ１の中心ゾーン及び焦点距離ｆ２の周辺ゾーンを有する双焦点レンズであって、ｆ２はｆ１よりも大きく、該中心ゾーンは広視野画像を生成するようになっており、該周辺ゾーンは狭視野画像を生成するようになっており、該レンズは支持体に装着される、双焦点レンズと、
前記支持体に移動可能に装着され、２つの視野の画像を検出し取得する検出器であって、前記レンズと共通の光軸に沿って整列され、前記焦点距離ｆ１に対応する第１の位置と前記焦点距離ｆ２に対応する第２の位置との間で軸方向に移動可能である、検出器と、
前記レンズによって生成される広視野画像及び狭視野画像を撮影するコントローラーと
を備える、二視野光学撮像システム。
【請求項２】
前記レンズは一体成形レンズである請求項１に記載の撮像システム。
【請求項３】
前記レンズは結合された２つのレンズ部からなる請求項１に記載の撮像システム。
【請求項４】
前記レンズは２つの曲率半径を有する外面を有する請求項１に記載の撮像システム。
【請求項５】
前記レンズは非球面の外面を有する請求項１に記載の撮像システム。
【請求項６】
前記レンズは光学収差を補正するように作られた内面を有する請求項１に記載の撮像システム。
【請求項７】
前記レンズは外面及び内面を有し、該内面若しくは該外面又はその両方は反射防止コーティングを備える請求項１に記載の撮像システム。
【請求項８】
前記レンズは観測しているシーンの光の波長範囲に対して透明な材料から作製される、請求項１に記載の撮像システム。
【請求項９】
前記検出器は光子検出器又は熱検出器である請求項１に記載の撮像システム。
【請求項１０】
前記レンズと前記検出器との間に配置される写野補正系をさらに備える請求項１に記載の撮像システム。
【請求項１１】
寄生光を遮断するスクリーンをさらに備える請求項１に記載の撮像システム。
【請求項１２】
シーンの２つの画像を取得する方法であって、第１の画像が広視野を有し、第２の画像が狭視野を有し、該方法は、
（ａ）第１の焦点面において広視野画像を生成する焦点距離ｆ１の中心ゾーン及び第２の焦点面において狭視野画像を生成する焦点距離ｆ２の周辺ゾーンを有する二視野レンズを設けるステップと、
（ｂ）前記二視野レンズと共通の光軸により整列している可動検出器を設けるステップであって、該検出器は、前記焦点距離ｆ１と前記焦点距離ｆ２との間で移動可能である、検出器を設けるステップと、
（ｃ）前記焦点距離ｆ１及び前記焦点距離ｆ２において得られる前記２つの画像を検出し取得するコントローラーと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータにおいてソーラーコレクタ設置設計を生成する方法であって、
ユーザー規定のプロジェクト状態情報を含む設置現場の表示を提供する段階と、
前記ソーラーコレクタ設置設計についてのメタデータを決定するべく、前記ユーザー規定のプロジェクト状態情報に規則を適用する段階と、
前記ユーザー規定のプロジェクト状態情報による、ソフトウェア符号化された規則の違反に起因する例外的条件をそれぞれ符号化する複数の設計例外のセットを生成するべく、前記メタデータを使用する段階と、
前記複数の設計例外のセットの表示を、前記ユーザーに提供する段階と、
前記複数の設計例外のそれぞれについて、前記ユーザーに、前記設計例外を無視するか又は前記設計例外に従うかの選択肢を表示する段階と
を備える方法。
【請求項２】
前記例外的条件のうちの少なくとも一つが、前記ユーザーによる不作為、規制の違反、ソーラーコレクタ製造業者の仕様に対する違反、顧客の要求に対する違反、物理空間制限に対する違反、設計原理に対する違反、及び会社の設計規則に対する違反からなる群から選択される１つと関連付けられている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数の設計例外のそれぞれに関して、前記ユーザーが行った対処の記録を維持する段階を更に備える請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ユーザーが利用可能な前記選択肢として、前記ユーザーが前記例外的条件は許容されることを示すことが可能となるよう、第１設計例外を明示的に無効にすることを更に含む請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
第１例外的条件を修正するのに十分なコンプライアンス情報を、前記ユーザーから受信する段階と、
少なくとも１つの幾何的オブジェクト又は前記プロジェクト状態情報を修正するべく、前記コンプライアンス情報を使用する段階と
前記ユーザーからの前記コンプライアンス情報を受信した後に、前記第１例外的条件に対応する第１設計例外を、リストから消去する段階を更に備える請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザーからの前記コンプライアンス情報は、プロジェクト特性、顧客特性、設計設定、作業エリア境界及びアパーチャ境界からなる群から選択される少なくとも１つの項目を含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記プロジェクト状態情報は、前記設置現場の複数の構造としての複数の幾何的オブジェクトの分類を含み、
前記メタデータを決定するべく前記規則を適用する段階は、
前記設置現場の前記複数の構造の特性に対応した複数のソーラーコレクタのレイアウトを生成する段階を更に有する請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記メタデータを決定するべく前記規則を適用する段階は、
シミュレーションデータ及びプロジェクト概要データからなる群のうちの少なくとも１つから、メタデータを生成する段階を更に有する請求項１から７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記プロジェクト状態情報は、ソーラーコレクタ設置設計の様々なバージョンを反映するプロジェクトバージョン情報を含む請求項１から８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記プロジェクト状態情報は、ソーラーコレクタ設置設計を生成する時に適用される設計設定を含む請求項１から９の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗性タッチスクリーン・システムであって、
第１導電性コーティングを有して成るカバーシート、
第２導電性コーティングを有して成る基板、および
コントローラーを有して成り、
前記基板および前記カバーシートが、前記第１導電性コーティングが前記第２導電性コーティングと面するように互いに隣接して設置され、
前記基板および前記カバーシートが、タッチがない状態では互いに電気的に接続されず、
前記コントローラーが、(ａ)前記基板および前記カバーシートが少なくとも２つのタッチ位置で互いに電気的に接続される際、多数のタッチ状態を同定し、（ｂ）複数の見掛けのタッチ座標を経時的に検知し、（ｃ１）前記見掛けのタッチ座標の少なくとも１つに関連する２つの予想されるＸ座標および２つの予想されるＹ座標を同定し、（ｃ２）前記見掛けのタッチ座標がライン・セグメントに沿って何時変わるか決定し、および(ｄ)前記見掛けのタッチ座標が線分に沿って変わる際のライン・セグメントに基づき、並びに前記２つの予想されるＸ座標および２つの予想されるＹ座標に基づき２つのタッチの座標位置を同定するために構成されている、抵抗性タッチスクリーン・システム。
【請求項２】
基板上に形成された電極の第１セットであって、第１方向に電圧勾配を形成するために設置された電極の第１セット、および
カバーシート上に形成された電極の第２セットであって、第１方向と方向が異なる第２方向に電圧勾配を形成するために設置された電極の第２セットを更に有して成る、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項３】
見掛けのタッチ座標間の違いを決定し、および見掛けのタッチ座標間の違いの一部が閾値よりも大きい際、見掛けのタッチ座標を処分するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項４】
多数のタッチ状態に関連するＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値を検知し、ＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値に基づいて２つの予想されるＸ座標および２つの予想されるＹ座標並びに見掛けのタッチ座標を同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項５】
ライン・セグメントの傾きを決定し、該ライン・セグメントの傾きが経時的に変わる際、時計回りおよび反時計回りの回転動作の一方を同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項６】
多数のタッチ状態に関連するＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値を経時的に検知するために、又、ＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値の一方が低減し、その一方でＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値の他方が増加する際、時計回りおよび反時計回りの回転動作の一方を同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項７】
多数のタッチ状態に関連するＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値を検知するために、コントローラーが更に構成され、又、
見掛けのタッチ座標が中央座標位置に対して経時的に変わり、ＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値が共に経時的に増加し又は低減する際、２つのタッチが共に近づいて動くことと、更に離れて動くことの一方であることを同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項８】
多数のタッチ状態に関連するＸおよびＹのバイアス電流並びに多数のタッチ状態に関連するＸおよびＹの電圧を経時的に検知するために、コントローラーが更に構成され、ＸおよびＹのバイアス電流並びにＸおよびＹの電圧の高域フィルター化処理をするために、コントローラーが更に構成され、および高域フィルター化処理されたＸおよびＹのバイアス電流並びに高域フィルター化処理されたＸおよびＹの電圧に基づいて２つのタッチの座標位置を同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項９】
見掛けのタッチ座標の相対的な挙動に基づいて動作する複数のフレームを有して成る可動型座標系を決定するために、コントローラーが更に構成され、又、
可動型座標系に基づいて２つのタッチの座標位置を同定するために、コントローラーが更に構成されている、請求項１に記載のタッチスクリーン・システム。
【請求項１０】
抵抗性タッチスクリーン・システムの２つのタッチの座標位置を同定する方法であって、
ＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値の少なくとも一方の低減に基づいてタッチスクリーンにおける多数のタッチ状態を同定すること、
少なくともＮ個の連続的な見掛けのタッチ座標を同定すること、
少なくともＮ個の連続的な見掛けのタッチ座標がライン・セグメントに沿って何時変わるか決定すること、および
ライン・セグメントに沿って位置する２つのタッチの座標位置であって、ＸおよびＹのバイアス負荷抵抗値、並びに見掛けのタッチ座標がライン・セグメントに沿って変わる際のライン・セグメントに基づき前記座標位置を同定すること
を含んで成る、抵抗性タッチスクリーン・システムの２つのタッチの座標位置を同定する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
見掛けのタッチ座標が一般的にライン・セグメント６１６を規定するならば、５１６でコントローラー１３８は真の、すなわち実際のタッチを同定する。図６の例では、真のタッチは２つの座標位置６０８および６１０に対応する。次いで、コントローラー１３８はボタンを作動し、又は同定された真のタッチ座標位置に関連する様々な働きを遂行してよい。ある態様では、コントローラー１３８は、別のコントローラー、プロセッサー、操作システム、システム・インターフェースなど(全ては示していない)に対して２つのタッチの各々のＸおよびＹ座標の情報を送信し、伝え、報告し、又は供してもよく、次いでさらにＸおよびＹ座標に基づき操作し始めてもよい。別の態様では、ディスプレイ・コントローラー(図示されていない)はコントローラー１３８から２つのタッチの位置を同定した情報を受容してもよい。例えば、タッチスクリーン６００の後方に位置し、又はタッチスクリーン６００から離れたディスプレイにドット６３０および６３２又は他の印を表示して真のタッチ座標位置を、ディスプレイ・コントローラーは示してもよい。コントローラー１３８は、多数のタッチ状態が生じているかどうか決定し続け、および/又はライン・セグメント６１６に沿って見掛けのタッチ座標が変わり続けることを確認してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーラーコレクタ設置を設計するためのコンピュータベースのユーザーインターフェースであって、
コンピュータストレージに記憶されており、設置現場の物理的構造に対応する構造特性、及び、前記設置現場の少なくとも１つの面構造に配置されるソーラーコレクタを含むソーラーコレクタ設置レイアウトを有する設置現場の表示と、
プロジェクト状態情報の異なる複数のバージョンの表示と、
ユーザーが、前記ソーラーコレクタ設置レイアウトの少なくとも一部として表示するための、前記異なる複数のバージョンのうちの１つのプロジェクト状態情報の少なくとも一部を選択することを可能とする制御とを備え、
前記プロジェクト状態情報の前記異なる複数のバージョンはそれぞれ、ユーザーが規定する設計設定、構造特性及びプロジェクト特性の固有のセットを含み、
前記異なる複数のバージョンはそれぞれ、代替ソーラーコレクタ設置レイアウトに対応しており、
前記異なる複数のバージョンのそれぞれに対応する前記代替ソーラーコレクタ設置レイアウトは、ユーザーが規定する設計設定、構造特性、及びプロジェクト特性の前記固有のセット間の差異から生じた結果であり、
前記異なる複数のバージョンのそれぞれは、前記プロジェクト状態情報の少なくとも一部を共有している、ユーザーインターフェース。
【請求項２】
共有されている前記プロジェクト状態情報は、構造種類のインスタンスとして、複数の幾何的オブジェクトの少なくとも一部の分類を含む請求項１に記載のユーザーインターフェース。
【請求項３】
前記複数のバージョンの各々の前記ユーザーが規定する設計設定は、ソーラーコレクタを配置すること許可されている前記設置現場の作業エリアに対する作業エリア状態情報を含む請求項１または２に記載のユーザーインターフェース。
【請求項４】
前記複数のバージョンの各々の前記ユーザーが規定する設計設定は、設計設定のセットを適用するアパーチャに対するアパーチャ状態情報を含む請求項１から３の何れか１項に記載のユーザーインターフェース。
【請求項５】
前記異なる複数のバージョンそれぞれのプロジェクト状態情報は、ソーラーコレクタが配置される前記設置現場の作業エリアに対する作業エリア状態情報を含み、
第１バージョンの前記作業エリア状態情報は、少なくとも１つの別のバージョンの前記作業エリア状態情報とは異なっている請求項１から４の何れか１項に記載のユーザーインターフェース。
【請求項６】
前記異なる複数のバージョンそれぞれのプロジェクト状態情報は、設計設定のセットが適用されるアパーチャに対するアパーチャ状態情報を含み、
第１バージョンの前記アパーチャ状態情報は、第２バージョンの前記アパーチャ状態情報とは異なっている請求項１から５の何れか１項に記載のユーザーインターフェース。
【請求項７】
少なくとも２つのバージョンがそれぞれ、設計出力情報を含み、
第１バージョンの前記設計出力情報は、少なくとも１つの別のバージョンの前記設計出力情報とは異なっている請求項１から６の何れか１項に記載のユーザーインターフェース。
【請求項８】
前記設計出力情報は、バージョン概要情報を含み、
第１バージョンの前記バージョン概要情報は、少なくとも１つの別のバージョンの前記バージョン概要情報とは異なっている請求項７に記載のユーザーインターフェース。
【請求項９】
前記設計出力情報は、シミュレーションデータを含み、
第１バージョンの前記シミュレーションデータは、少なくとも１つの別のバージョンの前記シミュレーションデータとは異なっている請求項７または８に記載のユーザーインターフェース。
【請求項１０】
前記設計出力情報は、例外情報を含み、
第１バージョンの前記例外情報は、少なくとも１つの別のバージョンの前記例外情報とは異なっている請求項７から９の何れか１項に記載のユーザーインターフェース。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータを使用して、少なくとも１つの幾何的オブジェクトを含む物理的設置現場の表示に、ソーラーコレクタ設置レイアウトを設計する方法であって、方法は、
コンピュータストレージにおける前記物理的設置現場の前記表示のロケーションに対応するソーラーコレクタ設置可能領域を表す、少なくとも１つの作業エリアを、コンピュータストレージに規定する段階と、
ソーラーコレクタの配置に関する特定の設計設定を適用するための境界を表すレイアウトアパーチャを少なくとも１つ、コンピュータストレージに規定する段階と、
前記作業エリアの前記ソーラーコレクタ設置可能領域内及び前記レイアウトアパーチャ内に、ソーラーコレクタのレイアウトを、コンピュータを使用して自動的に生成する段階と
を備え、
前記ソーラーコレクタのレイアウトは、ソーラーコレクタの配置に関する前記アパーチャの設計設定に従って生成される、方法。
【請求項２】
前記コンピュータを使用して、前記ソーラーコレクタのレイアウトを自動的に生成する段階は、
前記作業エリア及び前記アパーチャの両方に含まれる重複設置領域にのみ、前記ソーラーコレクタのレイアウトを生成することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ユーザーが、複数のソーラーコレクタ設置可能領域を表す複数の作業エリアを規定可能とする段階と、
ユーザーが、ソーラーコレクタの配置に対して個別の設計設定を適用するための複数の境界を表す、複数のレイアウトアパーチャを規定可能とする段階とを更に備える請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記コンピュータを使用して、ソーラーコレクタのレイアウトを自動的に生成する段階は、
前記作業エリア及び前記アパーチャの両方における全ての重複設置領域に、ソーラーコレクタ配置ロケーションのアレイを生成すること、と
障害オブジェクトの領域から、ソーラーコレクタ配置ロケーションを取り除くことを含む請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの幾何的オブジェクトを、前記設置現場の構造の１種類として分類する段階を更に備え、
前記コンピュータを使用して、ソーラーコレクタの前記レイアウトを自動的に生成する段階は、
ソーラーコレクタの配置に関する前記アパーチャの設計設定、及び、ソーラーコレクタの配置に関する前記分類されたオブジェクトの特性に従って、前記レイアウトを生成することを含む請求項１から4の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
コンピュータを使用して、設置現場における物理的構造に対応する幾何的オブジェクトを含む前記設置現場の表示に、ソーラーコレクタ設置レイアウトを設計する方法であって、
第１境界及び第１レイアウトアパーチャ内のソーラーコレクタのレイアウトに対する設計設定の第１セットと関連付けられる前記第１レイアウトアパーチャを規定する段階と、
第２境界及び第２レイアウトアパーチャ内のソーラーコレクタのレイアウトに対する設計設定の第２セットと関連付けられる前記第２レイアウトアパーチャを規定する段階と、
前記第１レイアウトのアパーチャ境界内に少なくとも部分的に配置されている幾何的オブジェクトに適用される前記設計設定の第１セットに対応して、前記設置現場に対する第１部分設置レイアウトを自動的に生成する段階と、
前記第２レイアウトのアパーチャ境界内に少なくとも部分的に配置されている幾何的オブジェクトに適用される前記設計設定の第２セットに対応して、前記設置現場に対する第２部分設置レイアウトを自動的に生成する段階と、
アパーチャ競合解消規則のセットに少なくとも部分的に基づいて、前記第１部分設置レイアウト及び前記第２部分設置レイアウトのうちの少なくとも１つを自動的に調整する段階と、
前記第１部分設置レイアウト及び前記第２部分設置レイアウトを、出力デバイスにレンダリングする段階と
を備える方法。
【請求項７】
前記第１部分設置レイアウトを自動的に生成する段階、前記第２部分設置レイアウトを自動的に生成する段階、及び前記第１部分設置レイアウト及び前記第２部分設置レイアウトのうちの少なくとも１つを自動的に調整する段階はそれぞれ、設置現場におけるソーラーコレクタの前記配置に関する１以上のレイアウト規則に従って実行される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
コンピュータを使用して、幾何的オブジェクトを含む設置現場の表示に、ソーラーコレクタ設置レイアウトを設計する方法であって、
前記幾何的オブジェクトの少なくとも１つを、予め存在する構造分類のセットから選択される特定の構造として分類する段階と、
境界、及び、アパーチャ内に配置されるソーラーコレクタに対する設計設定のセットとそれぞれ関連付けられる複数のレイアウトアパーチャのセットを規定する段階と、
前記複数のレイアウトアパーチャのうちの第１のアパーチャの境界内に、ソーラーコレクタを自動的に配置する段階と、
残りのレイアウトアパーチャの境界内に、更なるソーラーコレクタを順次、自動的に配置する段階と
を備え、
前記ソーラーコレクタのレイアウトは、第１レイアウトアパーチャと関連付けられ前記構造に適用される前記設計設定のセットに対応しており、前記レイアウトは、前記構造と関連付けられる特性に従って形成されており、
前記更なるソーラーコレクタのレイアウトのそれぞれは、特定のレイアウトアパーチャと関連付けられ前記構造に適用される前記設計設定のセットに対応しており、前記更なるソーラーコレクタのレイアウトは、前記構造と関連付けられる特性に従って形成されており、前記更なるソーラーコレクタそれぞれの配置は、すでに配置されたソーラーコレクタの配置と一致している、方法。
【請求項９】
前記設計設定の第１セットのうちの少なくとも１つは、ソーラーコレクタの種類、ソーラーコレクタの方位、アパーチャの高さ、アパーチャの幅、アパーチャの形状、及びアパーチャの最初のレイアウト点からなる群から選択される請求項１から８の何れか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ソーラーコレクタを自動的に配置する段階は、複数の前記アパーチャのそれぞれに割り当てられる相対的な優先順位情報に従って実行される請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月28日(2013.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
閉鎖底端部、側壁及び開放端を有する円筒形容器と、
前記容器内に配置された電極アセンブリ及び電解質と、
前記開放端内に配置され、通気アセンブリ、カバー及びＰＴＣデバイスを有する端部アセンブリと、
前記容器と前記端部アセンブリとの間に同心円状に配置され、半径方向突起部を有する環状ガスケットであって、前記半径方向突起部は：i）前記ガスケットの内周の少なくとも一部分に沿って形成され、ii）半径方向面に沿って半径方向内側に延び、またiii）前記半径方向面と交差する前記ガスケットの中央部分に沿った最内直径を定める、前記環状ガスケットと、
を含み、
前記最内直径は、前記容器の前記開放端の端子縁部が前記ガスケットの上に半径方向内側に圧着されて形成される外径よりも小さく、
前記カバーの一部分及び前記通気アセンブリの一部分は、前記半径方向突起部の両側で前記ガスケットと圧縮シールを形成し、
前記半径方向突起部は、前記ＰＴＣデバイスの軸方向高さと少なくとも等しい軸方向高さを有し、かつ、
前記半径方向突起部が前記ＰＴＣデバイスの周りに適合するように、前記ＰＴＣは、前記半径方向面において前記半径方向突起部の近くに位置合わせされ、前記最内直径よりも小さいかこれに等しい直径を有することを特徴とする電気化学セル。
【請求項２】
前記ガスケットは、前記端子縁部が圧着された後、Ｅ形状又はＦ形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項３】
前記突起部の前記軸方向高さは前記ＰＴＣデバイスの前記軸方向高さより高いことを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項４】
前記半径方向突起部は前記ガスケットの内径の全てに沿って連続的に延びることを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項５】
前記通気アセンブリはロールバック・カバーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項６】
前記ガスケットと前記ロールバック・カバーとの間の前記シールは、半径方向及び軸方向の圧縮力を加えることを特徴とする、請求項５に記載の電気化学セル。
【請求項７】
前記半径方向突起部は環状溝を含むことを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項８】
前記環状溝は前記カバーの一部分又は前記通気アセンブリの一部分を収容することを特徴とする、請求項７に記載の電気化学セル。
【請求項９】
前記通気アセンブリは、接触部材及びホイル通気口を受けるリテーナを含むことを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１０】
前記リテーナは、前記接触部材と前記ＰＴＣデバイスとの間の電気的接触を維持することを特徴とする、請求項９に記載の電気化学セル。
【請求項１１】
前記容器は前記開放端の近くに環状ビードを含むことを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１２】
前記ガスケットは、前記端子縁部が圧着された後、Ｅ形状又はＦ形状を有することを特徴とする、請求項１１に記載の電気化学セル。
【請求項１３】
前記環状ビード及び圧着された端子縁部は主軸方向圧縮をもたらし、前記ＰＴＣデバイスは前記主軸方向圧縮にさらされないことを特徴とする、請求項１１に記載の電気化学セル。
【請求項１４】
前記ガスケットは前記通気アセンブリの周りにインサート成形されることを特徴とする、請求項１に記載の電気化学セル。
【請求項１５】
閉鎖底端部、ビード付き側壁及び開放端を有する円筒形容器と、
前記容器内に配置された電極アセンブリ及び電解質と、
前記開放端内に配置され、通気アセンブリ、カバー及びＰＴＣデバイスを有する端部アセンブリと、
前記容器と前記端部アセンブリとの間に配置され、突起部の真上及び真下の前記ガスケットの部分に比べて小さい内径を定める一体形成される内側半径方向突起部を有する環状ガスケットと、
を含み、
前記容器の前記開放端は前記ガスケット及び前記カバーの上に圧着されて、主軸方向圧縮力を生成し、
前記半径方向突起部の最内端子縁部は前記ＰＴＣデバイスの最外端子縁部に当接して、該ＰＴＣデバイスが、前記容器の端子縁部を前記端部アセンブリの部分の上に圧着することにより発生する前記主軸方向圧縮力にさらされるのを防止することを特徴とする電気化学セル。
【請求項１６】
前記端部アセンブリは、前記通気アセンブリの一部分及び前記接触部材の一部分を受けるリテーナをさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の電気化学セル。
【請求項１７】
前記接触部材はばねであることを特徴とする、請求項１５に記載の電気化学セル。
【請求項１８】
前記半径方向突起部は前記ガスケットの内径の全てに沿って連続的に延びることを特徴とする、請求項１５に記載の電気化学セル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月21日(2013.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トンネル接合データセルの自己参照読出の方法であって、
磁気トンネル接合データセルに読出電圧および読出電流のうちの一方を印加して前記読出電圧および読出電流のうちの他方を形成するステップを備え、前記磁気トンネル接合データセルは第１の抵抗状態を有し、前記読出電圧および読出電流のうちの前記一方は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗を切換えるのに十分であり、
前記前記読出電圧および読出電流のうちの他方を検出するステップと、
前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているならば、前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が、前記読出電圧が前記磁気トンネル接合データセルを切換えるのに十分であった抵抗状態であると判定するステップとを備える、方法。
【請求項２】
前記印加するステップは、０．１から５０ナノ秒までの範囲内の期間を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加するステップは、０．１から２５ナノ秒までの範囲内の期間を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記読出電圧および読出電流のうちの前記一方は、前記磁気トンネル接合データセルを高抵抗状態から低抵抗状態へと切換えるのに十分であり、前記第１の抵抗状態は前記低抵抗状態である、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記読出電圧および読出電流のうちの前記一方は、前記磁気トンネル接合データセルを低抵抗状態から高抵抗状態へと切換えるのに十分であり、前記第１の抵抗状態は、前記高抵抗状態である、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が高抵抗状態であると判定するステップをさらに備え、前記判定するステップは、
前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が前記読出電流である場合には、前記印加するステップの間に前記読出電流が増加するかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電流が増加するならば、前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が高抵抗状態であると判定し、
前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が前記読出電圧である場合には、前記印加するステップの間に前記読出電圧が減少するかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電圧が減少するならば、前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が高抵抗状態であると判定する、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記磁気トンネル接合データセルに前記高抵抗状態を書き戻しするステップをさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が前記読出電圧である場合には、前記読出電圧が１００ｍＶよりも多く減少する、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が低抵抗状態であると判定するステップをさらに備え、前記判定するステップは、
前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が前記読出電流である場合には、前記印加するステップの間に前記読出電流が減少するかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電流が減少するならば、前記第１の抵抗状態が低抵抗状態であると判定し、
前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が前記読出電圧である場合には、前記印加するステップの間に前記読出電圧が増加するかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電圧が増加するならば、前記第１の抵抗状態が低抵抗状態であると判定する、請求項１から８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記磁気トンネル接合データセルに前記低抵抗状態を書き戻しするステップをさらに備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
磁気メモリ装置であって、
スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器、またはスイッチング電圧が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電流の変化を検出する電流微分器とを備える、磁気メモリ装置。
【請求項１２】
前記電圧微分器または電流微分器は、前記読出電流または読出電圧の変化を、１０ナノ秒未満の時間間隔内で検出する、請求項１１に記載の磁気メモリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【図１】低抵抗状態における例示的なスピン転移トルクＭＴＪメモリユニットの断面概略図である。
【図２】高抵抗状態における別のスピン転移トルクＭＴＪメモリユニットの断面概略図である。
【図３】スピン転移トルクＭＴＪメモリユニットの概略的な回路図である。
【図４】例示的なスピン転移トルクＭＴＪメモリ読出検出装置の概略的な回路図である。
【図５】図４に示された読出検出装置の例示的な、詳細な信号タイミンググラフである。
【図６】抵抗状態が高抵抗状態から低抵抗状態へと切り替わる場合のスピン転移トルクＭＴＪメモリユニットの静的Ｒ−Ｖ（抵抗−電圧）曲線のグラフである。
【図７】スピン転移トルクＭＴＪメモリユニットが高抵抗状態にあるときに、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチング電圧における読出電流検出のための、例示的な、詳細な信号タイミンググラフである。
【図８】スピン転移トルクＭＴＪメモリユニットが低抵抗状態にあるときに、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチング電圧における読出電流検出のための、例示的な、詳細な信号タイミンググラフである。
【図９】抵抗状態が高抵抗状態から低抵抗状態へと切り替わる場合のスピン転移トルクＭＴＪメモリユニットの静的Ｒ−Ｉ（抵抗−電流）曲線のグラフである。
【図１０】スピン転移トルクＭＴＪメモリユニットが高抵抗状態にあるときに、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチング電圧における読出電流検出のための例示的な、詳細な信号タイミンググラフである。
【図１１】スピン転移トルクＭＴＪメモリユニットが低抵抗状態にあるときに、高抵抗状態から低抵抗状態へのスイッチング電圧での読出電流検出のための例示的な、詳細な信号タイミンググラフである。
【図１２Ａ】ＭＴＪを高抵抗状態から低抵抗状態へと切換えるのに十分な電圧が印加されたときの読出電流を検知する、例示的な自己参照読出方法のフロー図である。
【図１２Ｂ】ＭＴＪを低抵抗状態から高抵抗状態へと切換えるのに十分な電圧が印加されたときの読出電流を検知する、例示的な自己参照読出方法のフロー図である。
【図１３】読出電圧を検知する、例示的な自己参照読出方法のフロー図である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に平行な２つの外面を有する平型の外装と、セルを電源あるいはエネルギー消費物あるいは、別のガルバニセルに接続するための、前記外装から前記外面に平行に突出する平型の少なくとも２つの導体とを有するガルバニセルであって、接触要素を使って接続が行われるガルバニセルにおいて、
前記導体は、それぞれの導体の別のすべての表面よりもそれぞれ大きな、それぞれ２つの実質的に平行な表面を備え、かつ
前記導体の少なくとも１つが、該導体の実質的に平行な両表面の少なくとも１つに、少なくとも所々に表面構造を備えており、該表面構造は、前記導体を接触要素と力接続的に接合させる際に、導体と接触要素とが互いにかけ合う圧力を少なくとも一時的に上昇させることを特徴とするガルバニセル。
【請求項２】
前記導体の表面構造は、前記導体の表面のローレットによって作られたことを特徴とする請求項１に記載のガルバニセル。
【請求項３】
前記導体の表面構造は、前記導体の表面の刻印によって作られたことを特徴とする請求項１に記載のガルバニセル。
【請求項４】
前記導体の表面構造は、前記導体の表面のフライス加工によって作られたことを特徴とする請求項１に記載のガルバニセル。
【請求項５】
前記導体は、少なくとも所々、可塑的に変形可能な材料から成ることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載のガルバニセル。
【請求項６】
前記導体は、少なくとも所々、可塑的に変形可能な材料から成り、該材料は、その変形に対して、弾性のある復元力を少なくとも段階的に現すことを特徴とする請求項５に記載のガルバニセル。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項に記載のガルバニセルの導体を接触させるための接触要素において、導体を前記接触要素と力接続的に接合させる際に、導体と接触要素とが互いにかけ合う圧力を少なくとも一時的に上昇させる表面構造を、少なくとも所々に備える表面を特徴とする接触要素。
【請求項８】
前記接触要素の表面構造は、前記接触要素の表面のローレットによって作られたことを特徴とする請求項７に記載の接触要素。
【請求項９】
前記接触要素の表面構造は、前記接触要素の表面の刻印によって作られたことを特徴とする請求項７に記載の接触要素。
【請求項１０】
前記接触要素の表面構造は、前記接触要素の表面のフライス加工によって作られたことを特徴とする請求項６に記載の接触要素。
【請求項１１】
前記接触要素は、その表面の少なくとも所々、可塑的に変形可能な材料から成ることを特徴とする請求項６に記載の接触要素。
【請求項１２】
前記接触要素は、その表面の少なくとも所々、可塑的に変形可能な材料から成り、該材料は、その変形に対して、弾性のある復元力を少なくとも段階的に現すことを特徴とする請求項１１に記載の接触要素。