(57)【要約】【課題】簡便にヒステリシス特性を回復させることのできる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュールを提供する。【解決手段】強誘電体メモリモジュール１００を含む強誘電体メモリ装置のリサイクル方法であって、強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュールを取り外す工程と、前記強誘電体メモリモジュールを加熱する加熱工程と、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体メモリモジュールを含む強誘電体メモリ装置のリサイクル方法であって、
強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュールを取り外す工程と、
前記強誘電体メモリモジュールを加熱する加熱工程と、
を含む、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記加熱工程では、前記強誘電体メモリモジュールに含まれる強誘電体のキュリー温度以上に加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記強誘電体メモリモジュールに含まれる強誘電体が一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物を含み、かつ前記ＡがＰｂを含む場合に、
前記加熱工程では、５５０℃以上に加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記加熱工程では、前記パッケージを透過する光を、前記強誘電体メモリ部に前記パッケージを介して照射することにより加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記パッケージ材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上である、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記パッケージ材料の融点は５５０℃以上である、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項７】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記パッケージは、セラミックパッケージである、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体膜を有し、
前記加熱工程では、前記強誘電体膜の形成領域に光を照射することにより加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかにおいて、
前記加熱工程では、水素を含まない雰囲気下で加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記加熱工程では、酸素を含まない雰囲気下で加熱する、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
前記強誘電体メモリモジュールを構成する材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上である、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法。
【請求項１２】
強誘電体メモリ装置から取り外し可能な強誘電体メモリモジュールであって、
強誘電体膜を有する強誘電体メモリ部と、
当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージと
を含み、
前記パッケージは、前記強誘電体メモリ部を加熱するための光を透過する材質からなる開口窓を有する、強誘電体メモリモジュール。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記パッケージの材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上である、強誘電体メモリモジュール。
【請求項１４】
請求項１２において、
前記パッケージの材料の融点は５５０℃以上である、強誘電体メモリモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体メモリ部を含む強誘電体メモリ装置は、低消費電力で高速書き込みおよび高速読み出しが可能であり、かつ不揮発性であることから、次世代の不揮発性メモリとして期待されている。
【０００３】
しかしながら、強誘電体メモリ装置においては、長期間使用されることにより、強誘電体キャパシタの信頼性が低下するという問題があった。特に、強誘電体キャパシタは、長期間使用されることにより、疲労して分極量が低下してしまうという問題があった。
【０００４】
このような問題を解決するために、たとえば特許文献１では、導電体と強誘電体層との間に中間層を設けることが開示されている。
【特許文献１】特開平５−９０６００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、簡便に信頼性を向上させることのできる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法および強誘電体メモリモジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法は、
強誘電体メモリモジュールを含む強誘電体メモリ装置のリサイクル方法であって、
強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュールを取り外す工程と、
前記強誘電体メモリモジュールを加熱する加熱工程と、
を含む。
【０００７】
このようにして、強誘電体メモリモジュールを取りはずして加熱することにより、簡便に強誘電体膜の疲労を回復し、メモリとして再利用可能にすることができる。
【０００８】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記加熱工程では、前記強誘電体メモリモジュールに含まれる強誘電体のキュリー温度以上に加熱することができる。
【０００９】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールに含まれる強誘電体が一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物を含み、かつ前記ＡがＰｂを含む場合に、
前記加熱工程では、５５０℃以上に加熱することができる。
【００１０】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記加熱工程では、前記パッケージを透過する光を、前記強誘電体メモリ部に前記パッケージを介して照射することにより加熱することができる。
【００１１】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記パッケージ材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上であり、さらに好ましくは５５０℃以上であることができる。
【００１２】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体メモリ部および当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージを含み、
前記パッケージは、セラミックパッケージであることができる
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールは、強誘電体膜を有し、
前記加熱工程では、前記強誘電体膜の形成領域に光を照射することにより加熱することができる。
【００１３】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記加熱工程では、水素を含まない雰囲気下で加熱することができる。
【００１４】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記加熱工程では、酸素を含まない雰囲気下で加熱することができる。
【００１５】
本発明にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法において、
前記強誘電体メモリモジュールを構成する材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上であり、さらに好ましくは５５０℃以上であることができる。
【００１６】
本発明にかかる強誘電体メモリモジュールは、
強誘電体メモリ装置から取り外し可能な強誘電体メモリモジュールであって、
強誘電体膜を有する強誘電体メモリ部と、
当該強誘電体メモリ部を収容するパッケージと
を含み、
前記パッケージは、前記強誘電体メモリ部を加熱するための光を透過する材質からなる開口窓を有する。
【００１７】
本発明にかかる強誘電体メモリモジュールにおいて、
前記パッケージの材料の融点は、前記強誘電体メモリ部に含まれる強誘電体のキュリー温度以上であり、さらに好ましくは５５０℃以上であることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１９】
１．強誘電体メモリ装置および強誘電体メモリモジュール
まず、本実施の形態に適用される強誘電体メモリ装置の一例について説明する。強誘電体メモリ装置は、キャパシタ構造を有する強誘電体メモリモジュール１００を備える。強誘電体メモリモジュール１００は、強誘電体膜を有するものであれば、その構造は特に限定されないが、たとえばキャパシタ（強誘電体キャパシタ）を含むメモリセルにより構成されていることができる。メモリセルとしては、１つのトランジスタと１つのキャパシタを使用する１Ｔ１Ｃ構造のものや２つのトランジスタと２つのキャパシタを使用する２Ｔ２Ｃ構造のものが挙げられる。また、強誘電体メモリモジュール１００は、キャパシタ構造を有さなくてもよく、たとえばプローブメモリ型を有していてもよい。
【００２０】
強誘電体メモリモジュール１００を構成する強誘電体膜の材質としては、公知の強誘電体材料が用いられるが、たとえば一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物からなることができ、Ａは、Ｐｂを含み、Ｂは、ＺｒおよびＴｉのうちの少なくとも一方を含むことができる。前記Ｂは、例えば、さらに、ニオブ（Ｎｂ）を含むことができる。具体的には、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ(Ｚｒ，Ｔｉ)Ｏ３：ＰＺＴ）、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）、ニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３）（以下「ＰＺＴＮ」ともいう）などを用いることができる。なお、ＰＺＴＮは、ＰＺＴにＮｂを添加した強誘電体である。
【００２１】
また、前記一般式ＡＢＯ３におけるＡは、例えば、Ｐｂに加えて、Ｂｉ、Ｌａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａを含むことができる。これらの元素は、Ａサイトに例えば２０％以下の割合で含まれることができる。また、前記一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物には、Ｓｉを添加することができる。なお強誘電体膜は、良好な分極特性を引き出すために、（１１１）面に優先配向していることができる。
【００２２】
また、強誘電体膜としては、例えば、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）などを用いることもできる。ＳＢＴには、ＳｉおよびＮｂのうちの少なくとも一方を添加することができる。
【００２３】
強誘電体メモリモジュール１００を構成するための電極材料としては、少なくとも上述した強誘電体材料のキュリー温度より高くさらに好ましくは５５０℃以上の融点を有する材料を用いることが好ましく、後述する熱処理温度より高い融点を有する材料を用いることが好ましい。たとえば電極材料としては、高融点金属、白金などの貴金属を適用することができる。また、後述する過熱工程で用いられる光を透過できるような透明電極材料を適用してもよい。配線材料としても同様に融点の高い材料を適用することが好ましく、たとえば銅からなることができる。
【００２４】
図１は、本実施の形態にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。強誘電体メモリモジュール１００は、パッケージ２０と、パッケージ２０に収容されている強誘電体メモリ部１０とを有する。
【００２５】
パッケージ２０の材質は、融点の高い材質であり、上述した強誘電体材料のキュリー温度以上、さらに好ましくは５５０℃以上の融点を有する材質であることが好ましい。具体的にパッケージ２０は、たとえば石英やアルミナ等からなるセラミックパッケージであることができ、その一部に開口窓２２を有することができる。開口窓２２は、光を透過することのできる材質からなる。また、強誘電体メモリモジュール１００は、複数の強誘電体メモリ部１０を有していてもよい。このような場合には、複数の強誘電体メモリ部１０は、同一のパッケージ２０に収容される。またパッケージ２０は、複数の開口窓２２を備えることができる。これにより、複数の強誘電体メモリ部１０毎に光を照射して、熱を加えることができる。
強誘電体メモリ部１０は、上述したように、強誘電体キャパシタを含むメモリセルにより構成されていることができる。また強誘電体メモリ部１０は、配線２４を介して外部の装置と電気的に接続することができる。
【００２６】
次に、本実施の形態にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法に適用可能な強誘電体キャパシタの一例について説明する。強誘電体キャパシタは、基体上に形成され、基体側から順に形成されたＴｉＡｌＮ膜、第１電極、強誘電体膜、および第２電極を含む。第１電極は、基体側から順に形成された、第１のイリジウム膜と、第１の酸化イリジウム膜と、第１の白金膜とを有する。第２電極は、強誘電体膜側から順に形成された、第２の白金膜、第２の酸化イリジウム膜、および第２のイリジウム膜を有する。
【００２７】
基体は、基板を含む。基板は、たとえばシリコン、ゲルマニウム等の元素半導体、ＧａＡｓ、ＺｎＳｅ等の化合物半導体等の半導体基板、Ｐｔ等の金属基板、サファイア基板、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３、ガラス等の絶縁性基板が挙げられる。また基体１０は、基板上に単数または複数のトランジスタが含んでもよい。トランジスタは、ソース領域又はドレイン領域となる不純物領域と、ゲート絶縁層と、ゲート電極と、を含む。各トランジスタの間には素子分離領域が形成されていてもよく、これによりトランジスタ間の電気的絶縁が図られている。
【００２８】
ＴｉＡｌＮ膜は、基体上に形成されている。ＴｉＡｌＮ膜は、チタンとアルミニウムの窒化物（ＴｉＡｌＮ）からなり、酸素バリア機能を有する。第１のイリジウム膜は、ＴｉＡｌＮ膜上に形成されており、第１の酸化イリジウム膜は、第１のイリジウム膜上に形成されている。
【００２９】
第１の白金膜は、第１の酸化イリジウム膜上に形成されている。第１の白金膜は、（１１１）面に優先配向している。これにより、その上に形成される強誘電体膜が（１１１）面に優先配向しやすくなる。
【００３０】
なお、第１電極は、上述した膜の全てを有してもよいし、第１の白金膜のみであってもよいし、第１の白金膜と、第１のイリジウム膜または第１の酸化イリジウム膜とによって構成されていてもよい。
【００３１】
第２電極を構成する第２の白金膜、第２の酸化イリジウム膜、および第２のイリジウム膜は、それぞれ上述した第１の白金膜、第１の酸化イリジウム膜、第１のイリジウム膜と同様の材質であるので説明を省略する。
【００３２】
なお、第２電極４０は、上述した膜の全てを有してもよいし、第２の白金膜４２のみであってもよいし、第２の白金膜４２と、第２のイリジウム膜４６または第２の酸化イリジウム膜４４とによって構成されていてもよい。
【００３３】
本実施の形態にかかる強誘電体キャパシタの構成は以上のとおりである。
【００３４】
２．強誘電体メモリ装置のリサイクル方法
次に、強誘電体メモリ装置のリサイクル方法について具体的に説明する。
【００３５】
まず、強誘電体メモリ装置から強誘電体メモリモジュール１００を取り外す。ここで強誘電体メモリ装置とは、販売された後に一定期間使用され、その後回収されたものである。
次いで、強誘電体メモリモジュール１００を加熱する。加熱工程では、強誘電体メモリ部１０のみを加熱してもよいし、強誘電体メモリモジュール１００そのものを加熱してもよい。加熱方法としては、公知の方法を用いることができ、ランプ加熱、ファーネス加熱等を適用することができる。本実施の形態では、強誘電体メモリモジュール１００にレーザ光を照射することにより、加熱処理を行っている。レーザ光は、パッケージ２０の開口窓２２を介して、強誘電体メモリ部１０の強誘電体膜部分に照射されることが好ましい。このように光を強誘電体膜部分に照射することにより、熱により他の部分に与える影響を最小限に抑えることができる。
【００３６】
加熱温度は、強誘電体メモリ部１０が有する強誘電体材料のキュリー温度以上であることが好ましい。キュリー温度以上に強誘電体メモリ部１０を加熱することにより、強誘電体膜の疲労を確実に回復させることができる。また強誘電体膜の材質が、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物からなり、かつＡがＰｂを含む場合には、加熱温度は、５５０℃以上であることがより好ましい。かかる温度で加熱することにより、より確実に強誘電体メモリ部１０のヒステリシス特性を向上させ、初期状態に回復することができるからである。
【００３７】
また加熱工程は、水素を含まない雰囲気下で行われることが好ましい。特に、強誘電体膜の材質が、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト酸化物からなる場合には、水素を含まない雰囲気下で加熱することが好ましい。こうすることにより、強誘電体膜におけるＰｂ等のＡサイト原子の欠損を抑制することができる。また加熱工程は、酸素を含まない雰囲気下で行われることが好ましい。こうすることにより、強誘電体メモリ部１０が有するトランジスタの閾値電圧がシフトしてしまうのを防止することができる。したがって、加熱工程は、アルゴンまたは窒素雰囲気中で行われることが好ましい。
【００３８】
次いで、強誘電体メモリモジュール１００を強誘電体メモリ装置に組み込む。ここで強誘電体メモリモジュール１００が組み込まれる強誘電体メモリ装置は、最初に強誘電体メモリモジュール１００を取り外した装置であってもよいし、別途の装置であってもよい。
【００３９】
本実施の形態にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法の各工程は以上のとおりである。
【００４０】
本実施の形態にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法によれば、使用されて疲労した強誘電体メモリ部のヒステリシス特性を簡便に向上させることができる。これにより、強誘電体メモリ部を再利用することができ、環境を保護することができる。
【００４１】
３．実験例
次に本実施の形態にかかる強誘電体メモリ装置のリサイクル方法の効果を検証するために以下のような実験を行った。
【００４２】
３．１．強誘電体キャパシタの製造
強誘電体キャパシタを形成した。強誘電体キャパシタの製造方法は以下のとおりである。まず、シリコン基板の表面を熱酸化し、膜厚４００ｎｍのシリコン酸化膜を形成した。次いでシリコン酸化膜上にＤＣスパッタ法によりチタン膜を形成し、熱酸化により膜厚４０ｎｍのチタン酸化膜層を形成した。チタン酸化膜上にイオンスパッタ法および蒸着法により膜厚２００ｎｍの第１の白金膜を形成した。  次に、７００℃５分間のランプ加熱により結晶化させて膜厚１７０ｎｍのＰＺＴＮ膜を形成した。次いでＰＺＴＮ膜上にＤＣスパッタ法により膜厚２００ｎｍの第２の白金膜を形成した。次に、フォトリソグラフィおよびドライエッチングによりＰＺＴＮ膜および第２の白金膜をパターニングして強誘電体キャパシタを作製した。強誘電体キャパシタサンプルのサイズは、１．５ｃｍ×１．５ｃｍとした。
【００４３】
３．２．強誘電体キャパシタの疲労処理
作製した強誘電体キャパシタに対して、６Ｖ、１００ｋＨｚの双極の方形波を１０８回印加して強誘電体キャパシタを疲労させた。
【００４４】
３．３．強誘電体キャパシタの加熱処理
その後、複数の強誘電体キャパシタそれぞれに対して、３００℃〜７００℃の各温度で５分間加熱処理をいった。４５０℃以下においてはホットプレートを用いて加熱処理を行い、５００℃以上においてはランプ加熱により加熱処理を行った。
【００４５】
３．４．実験結果
図２は、加熱処理を行った後の強誘電体キャパシタの疲労特性を示す図である。加熱処理を行わなかった強誘電体キャパシタ（比較例）と、加熱温度を４００℃、５５０℃、７００℃として加熱処理を行った強誘電体キャパシタと、疲労処理を施す前の強誘電体キャパシタについて、６Ｖ、１００ｋＨｚの双極の方形波を印加したときの残留分極値（２Ｐｒ）を測定した。図２において、横軸はサイクル数を示し、縦軸は残留分極値２Ｐｒ（ｕＣ／ｃｍ２）を示す。
【００４６】
図２によれば、加熱処理を行った強誘電体キャパシタは、加熱処理を行わなかった強誘電体キャパシタに比べて疲労特性が改善していることが確認された。特に加熱温度を５５０℃以上とした強誘電体キャパシタの疲労特性は、疲労処理を施す前の強誘電体キャパシタの疲労特性と近似しており、加熱処理によってほぼ初期状態にまでキャパシタが回復していることが確認された。
【００４７】
図３は、各温度で加熱処理を行った後の強誘電体キャパシタの残留分極値を示す図である。図３において、横軸は加熱温度（℃）を示し、縦軸は残留分極値２Ｐｒ（ｕＣ／ｃｍ２を示し、残留分極値２８ｕＣ／ｃｍ２付近の破線は、疲労処理を行い、かつ加熱処理を行っていない強誘電体キャパシタの残留分極値を示し、残留分極値５２ｕＣ／ｃｍ２付近の破線は、疲労処理を行っていない初期状態の強誘電体キャパシタの残留分極値を示す。
【００４８】
図３によれば、３００℃以上に加熱処理を行うことにより、強誘電体キャパシタの疲労特性が改善し、特に５５０℃以上に加熱処理を行うことにより、ほぼ初期状態にまでキャパシタが回復していることが確認された。
【００４９】
以上の結果から、加熱処理を施すことにより、強誘電体膜を有する強誘電体キャパシタの疲労特性がほぼ初期状態にまで改善され、このような強誘電体キャパシタを備える強誘電体メモリ装置のリサイクルが可能であることが確認された。
【００５０】
４．変形例
４．１．第１の変形例
図４は、第１の変形例にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。上述した本実施の形態にかかる強誘電体メモリモジュール１００では、強誘電体メモリ部１０がセラミックパッケージ２０に収容されている状態であったが、これにかえて第１の変形例にかかる強誘電体メモリモジュール１５０は、図４に示すようにチップ状に形成されている。即ち、強誘電体メモリモジュール１５０は、基板２５上に形成された強誘電体メモリ部１５および外部端子２７を含む。強誘電体メモリ部１５は、回路部を含んでもよく、具体的な構成としては、上述した強誘電体メモリ部１０と同様であるので説明を省略する。外部端子２７は、銅等の融点の高い金属からなることが好ましい。
【００５１】
加熱処理では、強誘電体メモリモジュール１５０ごと加熱してもよいし、強誘電体メモリ部１５にのみレーザ光を照射することにより加熱してもよい。
【００５２】
４．２．第２の変形例
図５は、第２の変形例にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。第２の変形例にかかる強誘電体メモリモジュール２００においては、パッケージ１２０が開口窓を有していない点で、上述した本実施の形態にかかるパッケージ２０と異なる。またパッケージ１２０は、上蓋１２２が取り外し可能であるように形成されていてもよい。これにより、加熱処理時に上蓋を取り外すことができ、加熱処理を効率よく行うことができる。
【００５３】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本実施の形態にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。
【図２】加熱処理を行った後の強誘電体キャパシタの疲労特性を示す図である。
【図３】各温度で加熱処理を行った後の強誘電体キャパシタの残留分極値を示す図である。
【図４】第１の変形例にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。
【図５】第２の変形例にかかる強誘電体メモリモジュールの一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１０  強誘電体メモリ部、１５  強誘電体メモリ部、２０  パッケージ、２２  開口窓、２４  配線、１５  基板、２７  外部端子、１００  強誘電体メモリモジュール、１２０  パッケージ、１２２  上蓋、１５０  強誘電体メモリモジュール、２００  強誘電体メモリモジュール
【図１】
2008166654.tif 000003
【図２】
2008166654.tif 000004
【図３】
2008166654.tif 000005
【図４】
2008166654.tif 000006
【図５】
2008166654.tif 000007