【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繰り返し単位として−［ＭＮ２］−（ここで、Ｍは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、及びこれらの混合物からなる群から選択される）を含み、
更に１以上の残基を含む、ポリマーであって、
前記残基はＭに結合するＲ（Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミド（amido）基、またはエーテル化合物）、あるいはＮに結合するＨである、
ポリマー。
【請求項２】
Ｍが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
１以上の残基がポリマーの２５重量％以下の量で存在する、請求項１に記載のポリマー。
【請求項４】
１以上の残基がポリマーの１０重量％以下の量で存在する、請求項１に記載のポリマー。
【請求項５】
ポリマーが水素貯蔵のために用いられる、請求項１に記載のポリマー。
【請求項６】
ポリマーがKubas相互作用によりＨ２をＭに結合させることによって水素を貯蔵する、請求項５に記載のポリマー。
【請求項７】
−［ＭＮ２］−、−［Ｍ２Ｎ３］−、及びこれらの混合物（ここで、Ｍは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、及びこれらの混合物からなる群から選択される）から選択される繰り返し単位を含むポリマー。
【請求項８】
繰り返し単位が−［Ｍ２Ｎ３］−である、請求項７に記載のポリマー。
【請求項９】
Ｍが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項８に記載のポリマー。
【請求項１０】
ポリマーが１以上の残基を更に含み、当該残基はＭに結合するＲ（Ｒはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミド（amido）基、またはエーテル化合物）、あるいはＮに結合するＨである、請求項８に記載のポリマー。
【請求項１１】
１以上の残基がポリマーの２５重量％以下の量で存在する、請求項１０に記載のポリマー。
【請求項１２】
１以上の残基がポリマーの１０重量％以下の量で存在する、請求項１０に記載のポリマー。
【請求項１３】
ポリマーが水素貯蔵のために用いられる、請求項７に記載のポリマー。
【請求項１４】
ポリマーがKubas相互作用によりＨ２をＭに結合させることによって水素を貯蔵する、請求項１３に記載のポリマー。
【請求項１５】
（ｉ）ＭをＲと反応させて、ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物を生成させ（ここで、Ｍは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、及びこれらの混合物からなる群から選択され、Ｒは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、アミド（amido）基、またはエーテル化合物である）；
（ｉｉ）ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物を不活性雰囲気中かつ溶媒の存在下でヒドラジンと反応させて、−［ＭＮ２］−、−［Ｍ２Ｎ３］−、及びこれらの混合物からなる群から選択される繰り返し単位を含むポリマーを生成させる；
ことを含むポリマーの製造方法。
【請求項１６】
Ｍが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記Ｒが、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアミド（amido）基からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
アルキル基が１〜８個の炭素原子を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記Ｒがアミド（amido）基である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記Ｒが、アリール基、エーテル化合物、及びアルケニル基からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記Ｒが、フェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基、テトラヒドロフラン、アルキル基、及びメシチル基からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
Ｒがビス（トリメチルシリル）メチル及びペンチレンからなる群より選択される基である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２３】
ＭＲ３が、トリスメシチルバナジウム、トリベンジルチタン、トリス［ビス（トリメチルシリル）メチル］チタン、及びトリスペンチレンチタンからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
ＭＲ４が、Ｖ（メシチル）３・テトラヒドロフラン、及びテトラベンジルチタンからなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
不活性雰囲気が酸素を含まない、請求項１５に記載の方法。
【請求項２６】
溶媒が、ベンゼン、ケロシン、トルエン、及びキシレンからなる群から選択される炭化水素溶媒である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２７】
ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物をヒドラジンと反応させる工程を０℃〜３００℃の温度において行う、請求項１５に記載の方法。
【請求項２８】
ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物をヒドラジンと反応させる工程を５０℃〜２００℃の温度において行う、請求項１５に記載の方法。
【請求項２９】
ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物をヒドラジンと反応させる工程を１００〜２００℃の温度において行う、請求項１５に記載の方法。
【請求項３０】
ＭＲ３、ＭＲ４、及びこれらの混合物からなる群から選択される化合物をヒドラジンと反応させる工程を１気圧〜１０気圧の圧力において行う、請求項１５に記載の方法。
【請求項３１】
（ｉ）Ｃｒを（ＣＨ３）３ＳｉＣＨ２と反応させてＣｒ４［（ＣＨ３）３ＳｉＣＨ２］８を生成させ；そして
（ｉｉ）Ｃｒ４［（ＣＨ３）３ＳｉＣＨ２］８をヒドラジンと反応させて、−［ＣｒＮ２］−、−［Ｃｒ２Ｎ３］−、及びこれらの混合物からなる群から選択される繰り返し単位を含むポリマーを生成させる；
ことを含むポリマーの製造方法。
【請求項３２】
（ｉ）−［ＭＮ２］−、−［Ｍ２Ｎ３］−、及びこれらの混合物（ここで、Ｍは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、及びこれらの混合物からなる群から選択される）からなる群から選択される繰り返し単位を含むポリマーをシステム中に与え；
（ｉｉ）システムに水素を加え；そして
（ｉｉｉ）水素をポリマーと結合させる；
ことを含む、水素をシステム中に貯蔵する方法。
【請求項３３】
Ｍが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
Kubas相互作用により水素をＭと結合させる、請求項３２に記載の方法。
【請求項３５】
システムが酸素を含まない、請求項３２に記載の方法。
【請求項３６】
システムに水素を加える工程によってシステム中の水素圧を５０〜２００気圧に上昇させる、請求項３２に記載の方法。
【請求項３７】
水素を加える工程の後に、システム中の水素圧を解放してポリマーから水素を放出させる工程を更に含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
貯蔵タンク、及び貯蔵タンクの内部のポリマーを含み、ポリマーが、−［ＭＮ２］−、−［Ｍ２Ｎ３］−、及びこれらの混合物（ここで、Ｍは、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、及びこれらの混合物からなる群から選択される）からなる群から選択される繰り返し単位を含む、水素を貯蔵するためのシステム。
【請求項３９】
Ｍが、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、及びこれらの混合物からなる群から選択される、請求項３８に記載のシステム。
【請求項４０】
貯蔵タンクが貯蔵タンクの壁内に１以上の開口を含み、かかる１以上の開口を通して流体を貯蔵タンク中に導入又は貯蔵タンクから排出することができ、
１以上の開口を通る流体の通過を制御する１以上のバルブを含む、
請求項３８に記載のシステム。
【請求項４１】
ポリマーが、システム中の水素を検出するセンサー中で用いられる、請求項１に記載のポリマー。
【請求項４２】
ポリマーが、システム中の水素を検出するセンサー中で用いられる、請求項７に記載のポリマー。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
[0041]Ｒは、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアミド（amido）基からなる群から選択される立体的に嵩高い基であってよい。これらの立体的に嵩高い基は置換又は非置換であってよい。置換基は、任意のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、又はアミド（amido）基中の水素を置換してよい。これらの立体的に嵩高い基は、直鎖又は分岐又は環式などであってよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
[0049]Ｍに関する配位数は、リガンドがＭに結合する点の数であり、ここでリガンドは単結合又は多重結合のいずれかによってＭに結合する。「立体的に嵩高い」基は、Ｍに結合し、立体的に嵩高い基の寸法のために他のリガンドがＭと結合するのを阻止する基である。かかる立体的に嵩高い基の例は、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアミド（amido）基である。他のリガンドがＭと結合することを阻止することにより、Ｍに関する低い配位数が保持される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６８】
[0096]出発物質であるＴｉをＲ基と反応させる。Ｒ基は、好ましくは、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、及びアミド（amido）基など（しかしながらこれらに限定されない）の立体的に嵩高い基である。Ｒ基はまた、好ましくは、アリール基、エーテル化合物、及びアルケニル基など（しかしながらこれらに限定されない）のＴｉに関する低い配位数を保護する基であってもよい。Ｒ基は置換又は非置換であってよい。Ｒ基は、直鎖又は分岐又は環式などであってよい。