Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月27日(2012.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式：
Ａ／Ｘ.Ｔ
〔上記式中、Ａは、アミノ酸から得られる単位、ラクタムから得られる単位、および式（Ｃaジアミン）・（Ｃb二塩基酸）で表される単位から選ばれ、ここで、ａはジアミン中の炭素原子の数を表し、ｂは二塩基酸中の炭素原子の数を表し、ａおよびｂは、各々、４から３６の間にあり、好ましくは９から１８の間にあり、
Ｘ.Ｔは、Ｃx直鎖ジアミンとテレフタール酸との重縮合で得られる単位を表し、ここで、ｘはＣxジアミン中の炭素原子の数を表し、ｘは10から３６の間、好ましくは１０から１８の間にある〕
で表される少なくとも２種類の異なる単位から成るコポリアミドにおいて、
アミン鎖末端の含有量が20μeq/g以上で、
酸鎖末端の含有量が100μeq/g以下で、
非反応性鎖末端の含有量が20μeq/g以上である
ことを特徴とするコポリアミド。
【請求項２】
Ｘ.Ｔが、デカンジアミン（ｘ＝１０）、ウンデカンジアミン（ｘ＝１１）、ドデカンジアミン（ｘ＝１２）、トリデカンジアミン（ｘ＝１３）、テトラデカンジアミン（ｘ＝１４）、ヘキサデカンジアミン（ｘ＝１６）、オクタデカンジアミン（ｘ＝１８）、オクタデセンジアミン（ｘ＝１８）、エイコサンジアミン（ｘ＝２０）、ドコサンジアミン（ｘ＝２２）、および脂肪酸由来のジアミンから選ばれるＣx直鎖ジアミンとテレフタール酸との重縮合で得られる単位を表す請求項１に記載のコポリアミド。
【請求項３】
アミン鎖末端の含有量が25から100μeq/gの間、好ましくは30から58μeq/gの間にある請求項１または２に記載のコポリアミド。
【請求項４】
酸鎖末端の含有量が2から80μeq/gの間、好ましくは15から50μeq/gの間にある請求項１〜３のいずれか一項に記載のコポリアミド。
【請求項５】
非反応性分子鎖末端の含有量が30μeq/g以上、好ましくは35から200μeq/gの間にある請求項１〜４のいずれかに記載のコポリアミド。
【請求項６】
下記一般式で表される、少なくとも第３番目の単位を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のコポリアミド
Ａ／Ｘ.Ｔ／Ｚ
〔上記式中、ＡおよびＸ.Ｔは請求項１で定義のものを意味し、Ｚはアミノ酸から得られる単位、ラクタムから得られる単位または式（Ｃdジアミン）・（Ｃe二塩基酸）で表される単位から選ばれ（ここで、ｄはジアミン中の炭素原子の数を表し、ｅは二塩基酸中の炭素原子の数を表し、ｄおよびｅは各々４から３６の間、好ましくは９から１８の間にある〕
【請求項７】
単位Ｘが１，１０−デカンジアミンから得られる単位を表す請求項１から６のいずれかに記載のコポリアミド。
【請求項８】
単位Ａが１０−アミノウンデカン酸（11と略記）、１１−アミノウンデカン酸（11と略記）、１２−アミノデカン酸（12と略記）およびラウリルラクタム（L12と略記）から選ばれるモノマーから得られる単位を表す請求項１から７のいずれかに記載のコポリアミド。
【請求項９】
単位ＡのＣb二塩基酸が式（Ｃaジアミン）・（Ｃb二塩基酸）で表される場合、当該Ｃb二塩基酸が脂環式二塩基酸である請求項１から８のいずれかに記載のコポリアミド。
【請求項１０】
式１１／１０．Ｔ、１２／１０．Ｔ、１１／１０．Ｔ／１２、１１／１０．Ｔ／６、１２／１０．Ｔ／６、１１／１０．Ｔ／１０．Ｉ、１１／１０．Ｔ／１０．６、１２／１０．Ｔ／１０．Ｉおよび１２／１０．Ｔ／１０．６で表される請求項１から９のいずれかに記載のコポリアミド。
【請求項１１】
請求項１に記載されている単位ＡおよびＸを作るモノマーと、テレフタル酸と、必要に応じて用いる請求項５に記載の単位Ｚを作るモノマーと、必要に応じて用いる少なくとも１種の連鎖停止剤との重縮合工程を含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のコポリマーの製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１０のいずれかに記載の少なくとも1種類のコポリアミドを含む組成物。
【請求項１３】
不飽和エポキシドを含む化合物（Ａ）の反応、無水不飽和カルボン酸を含む化合物（Ｂ）の反応および必要に応じて用いる無水不飽和カルボン酸またはα，ω−アミノカルボン酸を含む化合物（Ｃ）の反応で得られるポリマーの中から選ばれる架橋したポリオレインを含む請求項１２に記載の組成物。
−。
【請求項１４】
充填剤、ガラス繊維、染料、安定剤、特にＵＶ安定剤、可塑剤、耐衝撃性改良剤、界面活性剤、顔料、蛍光増白剤、酸化防止剤、天然ワックス、ポリオレフィンおよびこれらの混合物の中から選ばれる少なくとも１種の添加物を含む請求項１２または１３に記載の組成物。
【請求項１５】
請求項１から１０のいずれかに記載のコポリアミドまたは請求項１２から１４のいずれかに記載の組成物の、粉末、顆粒、単層構造または多層構造の少なくとも１つの層形成での使用。
【請求項１６】
粉末、顆粒、単層構造または多層構造が繊維、フィルム、パイプ、フィラメント、成形品、照射による溶融または焼結による粉体凝集法で得られる三次元物品、中空製品または射出成形品の形をしている請求項１５に記載の使用。
【請求項１７】
塗料、コーティング剤、耐食性組成物、照射による溶融または焼結で粉体を凝集して物品を製造する技術、製紙、電気泳動ゲル、多層複合材料または包装、玩具、繊維、自動車、エレクトロニクス、化粧品、医薬品および香水の産業分野での添加物および／または充填剤としての請求項１５または１６に記載の使用。
【請求項１８】
流体輸送、自動車、ボンネット下側部材、工業分野および／またはエンジン部品で用いる金属部品の耐熱性を向上させる被覆材料での添加物としての請求項１７に記載の使用。
【請求項１９】
請求項１〜１０に記載のコポリアミドまたは請求項１２〜１４に記載の組成物の、電気製品、電子製品、自動車部品または気体、油、またはそれらの化合物を輸送したり移動させるための機器、製造での使用。
【請求項２０】
上記の気体、油、またはそれらの化合物の輸送、移動がオフショア分野用のものである請求項１９に記載の使用。
【請求項２１】
上記の自動車部品がパイプおよび／またはコネクタの形態であり、この自動車部品が空気を送り込むための装置、燃料や流体の移動や輸送に用いられる請求項１９に記載の使用。
【請求項２２】
上記の流体が水またはオイルである請求項２１に記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
ＤＰミクロ組織を有する熱延ストリップの製造に関して、熱延ストリップは、残留オーステナイトの量を調節するために、仕上げミルトレインを出た後に二相領域で冷却され、マルテンサイト変態の開始温度未満の温度に加速冷却される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
逆に言えば、ＤＰミクロ組織を有する冷延ストリップの製造に関して、冷延ストリップは、好適量の残留オーステナイトを調節するために二相領域で加熱され、マルテンサイト変態の開始温度未満の温度に加速冷却される。この熱処理は、好ましくは連続焼鈍設備にて行われる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二相のミクロ組織および５００〜１０００ＭＰａの引張強度を有する熱延ストリップの製造方法であって、
フェライト系マトリックス中に、炭素および窒素のうち少なくとも一の侵入溶解した元素を含み、
前記熱延ストリップに対し所望の強度を選択し、
前記侵入溶解した前記元素を、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴｉおよびＶのうち一以上を含む合金化元素と結合させ、炭化物、窒化物および炭窒化物のうち少なくとも一を形成させ、マルテンサイト、ベイナイト、および炭化物のうち少なくとも一を含み、侵入溶解した元素を含まないフェライト系マトリックス中で、残留オーステナイト率を低減して、硬質成分のミクロ組織を調節し、
フェライト含有量に対して、並びに熱処理および前記侵入溶解した前記元素を結合した後の溶融亜鉛めっき浴のうちの少なくとも一の温度における前記フェライト中の前記炭素および前記窒素の溶解度に対して、前記少なくとも一の合金化元素の含有量を、化学量論的に適合させ、
前記熱延ストリップが、所望の強度を達成するための残留オーステナイトの量を調節するために、圧延ミルの仕上げミルトレインを出た後に二相領域で、まず冷却され、マルテンサイト変態の開始温度未満の温度に加速冷却されることを特徴とする、方法。
【請求項２】
二相のミクロ組織および５００〜１０００ＭＰａの引張強度を有する冷延ストリップの製造方法であって、
フェライト系マトリックス中に、炭素および窒素のうち少なくとも一の侵入溶解した元素を含み、
前記侵入溶解した前記元素を、Ａｌ、Ｍｏ、Ｎｂ、ＴｉおよびＶのうち少なくとも一を含む合金化元素と結合させ、マルテンサイト、ベイナイト、および炭化物のうち少なくとも一を含み、侵入溶解した元素を含まないフェライト系マトリックス中で、残留オーステナイト率を低減して、硬質成分のミクロ組織を調節し、
フェライト含有量に対して、並びに熱処理および前記侵入溶解した前記元素を結合した後の溶融亜鉛めっき浴のうちの少なくとも一の温度における前記フェライト中の前記炭素および前記窒素の溶解度に対して、前記少なくとも一の合金化元素の含有量を、化学量論的に適合させ、
前記冷延ストリップを、残留オーステナイトを調節するために、二相領域で加熱し、
マルテンサイト変態の開始温度未満の温度に加速冷却することを特徴とする、方法。
【請求項３】
冷延ストリップ中の前記二相ミクロ組織を調節するための前記熱処理が、連続焼鈍設備にて行われることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記熱処理が、４００℃〜Ａ３の間で行われることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
特定の実施形態例において、オスプラグは、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）またはＫＹＮＡＲ（ＨＹＬＡＲまたはＳＹＧＥＦとも呼ばれる）等の高い非反応性を有する熱可塑性物質により作成し得る。他の実施形態例において、プラグは、エチレンクロロトリフルオロエチレン（ＥＣＴＥＦ）またはヘイラー(Ｈａｌａｒ）により作成し得る。オスプラグを作成するために使用する材料を、メスハウジングを作成するために使用する材料と一致させることが有益となり得ることは理解されよう（例えば、オスプラグおよびメスハウジングは、これにより同じ熱膨張係数を有する）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図３】
2011530193.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールド強化型誘導結合プラズマ処理システムであって、
誘電性の蓋を有するプロセスチャンバと、
前記誘電性の蓋の上方に配置されるプラズマ源アセンブリとを含み、前記プラズマ源アセンブリは、
前記プロセスチャンバ内でプラズマを形成して維持するために、前記プロセスチャンバ内にＲＦエネルギーを誘導結合するために構成される１以上のコイルと、
前記プロセスチャンバ内でプラズマを形成するために、前記プロセスチャンバ内にＲＦエネルギーを容量結合するために構成され、電気コネクタを介して前記１以上のコイルのうちの１つに電気的に結合される１以上の電極と、
前記１以上の誘導コイル及び前記１以上の電極に結合されるＲＦジェネレータとを含むシステム。
【請求項２】
前記１以上のコイルは、外側コイルと内側コイルを更に含む請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記１以上の電極は、等距離に離れて配置され、前記内側コイルと前記外側コイルの間に配置される２つの電極を更に含み、各電極は、前記外側コイルに電気的に結合される請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記１以上の電極は、等距離に離れて配置され、前記内側コイルと前記外側コイルの間に配置される４つの４分割されたリング状の電極を更に含み、各電極は、前記外側コイルに電気的に結合される請求項２記載のシステム。
【請求項５】
前記誘電性の蓋と前記１以上の電極の間で画定される垂直距離を独立して制御するための、前記１以上の電極に結合される１以上の位置制御機構を更に含む請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記誘電性の蓋に対する前記１以上の電極によって画定される電極面の角度が調整可能である請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記誘電性の蓋と前記プラズマ源アセンブリの前記１以上の電極との間に配置されるヒーター要素を更に含む請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記ヒーター要素に結合される交流電源を更に含む請求項７記載のシステム。
【請求項９】
前記ヒーター要素は、ノーブレークヒーター要素である請求項７記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロセスチャンバ内に配置されるサポート台を更に含み、バイアス電源が前記サポート台に結合される請求項１記載のシステム。
【請求項１１】
前記１以上の電極は、等距離に離れて配置される２つの電極を更に含む請求項１記載のシステム。
【請求項１２】
プラズマを形成する方法であって、
誘電性の蓋を有し、前記蓋の上方に配置される１以上のコイル及び１以上の電極を有するプロセスチャンバの内部容積にプロセスガスを供給するステップであって、前記１以上の電極は、前記１以上のコイルのうちの１つに電気的に結合されているステップと、
ＲＦ電源からの第１ＲＦ電力量を前記１以上のコイルを介して前記プロセスガスに誘導結合させ、前記ＲＦ電源からの第２ＲＦ電力量を前記１以上の電極を介して前記プロセスガスに容量結合させることによって、ＲＦ電源から前記１以上のコイル及び前記１以上の電極にＲＦ電力を供給するステップと、
前記１以上のコイル及び前記１以上の電極によって前記プロセスガスに夫々誘導結合及び容量結合される前記ＲＦ電源によって供給される前記ＲＦ電力を使用して前記プロセスガスからプラズマを形成するステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記１以上の電極と前記蓋の間の垂直距離を調節することによって、前記ＲＦ電源から前記プロセスガスに容量結合された前記第２ＲＦ電力量を制御するステップを更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記プロセスチャンバは、前記蓋の上に配置されるノーブレークヒーター要素を更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記プロセスチャンバの温度を制御するためにＡＣ電源から前記ヒーター要素に電力を供給するステップを更に含む請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記１以上の電極のうちの少なくとも１つと前記蓋の間の垂直距離を調節するステップを更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１７】
前記１以上の電極の夫々と前記蓋の間の垂直距離を調節するステップを更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項１８】
前記１以上の電極の夫々と前記蓋の間の垂直距離が夫々の電極に対して異なる請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記１以上の電極によって画定される電極面の前記誘電性の蓋に対する角度を調節するステップを更に含む請求項１２記載の方法。
【請求項２０】
プラズマの均一性又はイオン密度のうちの少なくとも１つを制御するために、前記１以上の電極の夫々と前記蓋の間の垂直距離を調節するステップ、又は前記１以上の電極によって画定される電極面の前記誘電性の蓋に対する角度を調節するステップを更に含む請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月29日(2013.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアおよびポリマーシースを有して成るワイヤまたはケーブルであって、該シースが、５〜１５０μｍの厚さを有し、かつポリエーテルエーテルケトン（PEEK）、または少なくとも３０重量％のPEEKおよび別のポリマーを含有するPEEKのポリマーブレンドもしくはポリマーアロイの巻き付けフィルムを含み、巻き付けPEEKフィルムが、ポリマーマトリックス内にマイカ粒子を含んで成る層と組み合わされている、ワイヤまたはケーブル。
【請求項２】
巻き付けPEEKフィルムは、１０〜１００μｍの厚さを有する、請求項１に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項３】
巻き付けPEEKフィルムは、少なくとも５０重量％のPEEKを含有するブレンドまたはアロイでできている、請求項１または請求項２に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項４】
巻き付けPEEKフィルムは、少なくとも８０重量％のPEEKを含有するブレンドまたはアロイでできている、請求項３に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項５】
巻き付けPEEKフィルムは、間に１つのマイカ層が存在する２つのPEEK層を有して成る、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項６】
PEEKフィルムが組み合わされている層は、耐火層である、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項７】
耐火層のマトリックスは、シリコーンゴム、シリカ系ポリマーマトリックスまたはシロキサンポリマーを含んで成る、請求項６に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項８】
耐火層は、巻き付けられたテープの形態である、請求項６または請求項７に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項９】
耐火材料の巻き付けテープは、支持層または裏打層を有する、請求項８に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１０】
耐火材料の巻き付け層は、ガラス繊維で裏打ちされたテープである、請求項９に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１１】
耐火層は、内側層としてコアの周囲に形成され、その耐火層の周囲にPEEKフィルムが巻き付けられている、請求項６〜請求項１０のいずれか一項に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１２】
PEEKフィルムおよび内部にマイカ粒子が分散しているポリマーテープでできた、コアの周囲にある、組み合わせられた内側層を有して成る、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１３】
組み合わせられた内側層は、ポリオレフィンフィルムを含む、請求項１２に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１４】
外側保護ポリマー層を更に有する、請求項１〜請求項１３のいずれか一項に記載のワイヤまたはケーブル。
【請求項１５】
前記外側層は、ポリテトラフルオロエチレン（PTFE）、ポリビニリデンフルオライド（PVｄF）、エチレンテトラフルオロエチレン（ETFE）、PEEK、ポリオレフィン、ポリアミド、シロキサンポリエーテルイミド、熱可塑性ポリエーテルイミド、ポリエステル、シリコーン、ポリウレタン、エポキシ樹脂もしくはアクリル樹脂、またはこれらいずれかのブレンドもしくはアロイから選択されるポリマーで形成されている、請求項１４に記載のワイヤまたはケーブル。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月24日(2013.1.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Gタンパク質共役受容体のエピトープに対する抗体であって、該抗体は該受容体の細胞外N末端領域に結合し、該抗体とGタンパク質共役受容体との結合により細胞内への受容体インターナリゼーションが誘導される、抗体。
【請求項２】
前記受容体が、クラスCのGPCRに属し、好ましくは代謝型グルタミン酸受容体である、請求項1記載の抗体。
【請求項３】
代謝型グルタミン酸受容体がmGluR7である、請求項2記載の抗体。
【請求項４】
前記抗体誘導型受容体インターナリゼーションが、マイトジェン活性化タンパク質キナーゼ(MAPK)シグナル経路を伴う、請求項1〜3のいずれか一項記載の抗体。
【請求項５】
モノクローナル抗体である、請求項1〜4のいずれか一項記載の抗体。
【請求項６】
IgGである、請求項1〜5のいずれか一項記載の抗体。
【請求項７】
ハイブリドーマ細胞株mGluR7-CHO-1/28から作製される、請求項1〜6のいずれか一項記載の抗体。
【請求項８】
前記抗体誘導型受容体インターナリゼーションが、前記受容体に関連するGタンパク質仲介型シグナル経路の活性化、好ましくは前記受容体に関連するGi共役型cAMPシグナル経路の活性化に依存しない、請求項1〜7のいずれか一項記載の抗体。
【請求項９】
薬剤としての、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体。
【請求項１０】
請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体、および前記抗体に共有結合した活性化合物を含む、コンジュゲート。
【請求項１１】
前記活性化合物が毒素またはsiRNA分子、好ましくはsiRNA分子である、請求項10記載のコンジュゲート。
【請求項１２】
請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体、または請求項10もしくは11記載のコンジュゲート、および薬学的に許容される担体を含む、薬学的組成物。
【請求項１３】
活性化合物を細胞内送達するための、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体、または請求項10もしくは11記載のコンジュゲートの使用。
【請求項１４】
前記活性化合物が、前記抗体に共有結合している毒素またはsiRNA分子である、請求項13記載の使用。
【請求項１５】
Gタンパク質共役受容体シグナル経路の変調を伴う疾患の治療用薬剤を製造するための、請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体の使用。
【請求項１６】
前記疾患が、神経障害または糖尿病である、請求項15記載の使用。
【請求項１７】
Gタンパク質共役受容体のリガンドのスクリーニング方法であって、以下の工程を含む方法：
Gタンパク質共役受容体を発現している細胞またはGタンパク質共役受容体を含む細胞調製物を、スクリーニングする化合物および請求項1〜8のいずれか一項記載の抗体と接触させる工程；ならびに
前記Gタンパク質共役受容体との抗体相互作用を測定する工程であって、ここで、抗体の結合またはインターナリゼーションのレベルが、リガンド/Gタンパク質共役受容体相互作用の指標となる、工程。
【請求項１８】
Gタンパク質共役受容体を安定して発現している細胞を使用する、請求項17記載の方法。
【請求項１９】
前記Gタンパク質共役受容体が代謝型グルタミン酸受容体、好ましくはmGluR7である、請求項17または18記載の方法。
【請求項２０】
本明細書、特に上記実施例に関連して実質的に記載されている、化合物、方法および使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
さらに好ましい態様では、抗体により誘導される受容体のインターナリゼーションは、受容体に関連するGタンパク質仲介型シグナル経路の活性化に依存せず、好ましくは受容体に関連するGi共役型cAMPシグナル経路の活性化に依存しない。さらに好ましい態様では、抗体により誘導される受容体のインターナリゼーションは、マイトジェン活性化タンパク質キナーゼ(MAPK)シグナル経路を伴う。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
第2の目的において、本発明は、Gタンパク質共役受容体シグナル経路の変調を伴う疾患の治療用薬剤を製造するための、本発明の抗体の使用に関する。疾患は、神経障害または糖尿病であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月26日(2012.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイブリッド電気車両のエネルギ蓄積システムの冷却システムであって、前記エネルギ蓄積システムは、少なくとも一つのエネルギ蓄積装置を含み、前記冷却システムは、
車台より上で、前記車両の外面に配置される少なくとも一つの吸入口と、
前記吸入口および前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置のうちの少なくとも一つに流体連通する冷却流体ダクトと、
前記冷却流体ダクト内に配置されて、個別のモータによって駆動されることで、前記吸入口に外気を引き込んで前記冷却流体ダクトに送り、前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置を越えて、又はその中を通って、前記車両の共通排気領域内に前記外気を送る送風機であって、前記共通排気領域はエンジン室を含み、前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置は、前記エンジン室との排気口カップリングを含み、前記エンジン室は、前記ハイブリッド電気車両の外部に、前記外気を通す少なくとも一つの既存の排気口を含む、送風機と、
前記少なくとも一つの排気口カップリングに前記冷却流体ダクトを連結して、前記冷却流体ダクトからのより低温の外気と、前記少なくとも一つの排気口カップリング内のより高温の外気とを混合して、前記エンジン室領域に進入する外気を下げる、少なくとも一つの補助ダクトと、
前記吸入口に外気を引き込んで前記冷却流体ダクトに送り、前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置を越えて、又はその中を通って、前記車両の共通排気領域内に前記外気を送るための、前記送風機とモータを制御可能に動作させるための少なくとも１つの電源と、
前記冷却流体ダクト内に配置され、前記送風機への外気の供給を選択的に遮断する、少なくとも一つのダンパ制御装置と、
を備える、エネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項２】
前記ハイブリッド電気車両は、ハイブリッドオフハイウェイ車、ハイブリッド船舶、又はハイブリッド機関車を含む、請求項１に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項３】
前記冷却流体ダクト内で、前記吸入口に隣接した濾過位置に配設される少なくとも一つの濾過材を更に含み、前記少なくとも一つの濾過材は、前記冷却流体ダクトに進入する前に、前記外気から少なくとも一つの混入物質を除去するように構成される、請求項１に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項４】
前記吸入口は、前記車台の下で前記ハイブリッド電気車両の外面に接する外気と比べて、より少量の混入物質しか含まない外気を、前記吸入口から引き込むように、前記ハイブリッド電気車両の天井部分の外面に配置される、請求項１に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項５】
前記吸入口は、前記車台の下で前記ハイブリッド電気車両の外面に接する外気と比べて、より少量の混入物質しか含まない外気を、前記吸入口から引き込むように、前記ハイブリッド電気車両の側面部分の外面に配置される、請求項１に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項６】
前記送風機は、連続速度送風機、前記電源の速度の倍数速度の送風機、連続変速送風機、直接駆動送風機、又は送風機のオンとオフを切り替えるスイッチを含む切り替え可能送風機である、請求項１に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【請求項７】
前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置に連結された少なくとも一つの温度計を監視する制御装置を更に含み、前記制御装置は、前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置の温度計から得られる監視温度と、前記少なくとも一つのエネルギ蓄積装置の個別の所定温度閾値との比較に基づいて、前記連続速度送風機、前記電源の速度の倍数速度の送風機、又は切り替え可能送風機のうちの一つを選択的に動作させる、請求項６に記載のエネルギ蓄積システムの冷却システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸（１８）の周りに回転または旋回可能な要素（１１）の１８０°以上の作動角度を、回転角度に依存して電気信号を発し、上記回転または旋回可能な要素（１１）に固着された環状の永久磁石（１４）を有するセンサー装置（１３）によって検出するための装置（１０）であって、
上記センサー装置（１３）は固定ホールセンサーユニット（１３）を有し、この固定ホールセンサーユニット（１３）は、上記環状の永久磁石（１４）の周りに角度間隔を持って配置された二つまたはそれ以上の個別のホールセンサー（２５）を有し、その特性曲線の直線の範囲に配置されたホールセンサー（２５）を上記回転または旋回可能な要素（１１）の現在の位置に応じてマイクロコントローラーにより選択可能であり、
上記ホールセンサー（２５）を収容するための部屋（２２）を備えているセンサーホルダー（１５）が設けられ、
上記ホールセンサー（２５）は上記センサーホルダー（１５）の上記部屋（２２）の定位置に設けられ、
圧着用リブ（２７、２７’）が上記部屋（２２）に設けられていることを特徴とする装置。
【請求項２】
上記センサーホルダー（１５）は、上記ホールセンサー（２５）を収容するための上記部屋（２２）に不均等な角度間隔で設けられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記圧着用リブ（２７、２７’）が上記部屋（２２）の二つの側面に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
上記マイクロコントローラーによりホールセンサー（２５）が順次選択され、このホールセンサー（２５）の特性曲線は直線または直線状の範囲にあり、その結果得られ、合成された合計または出力特性曲線が０°から３６０°の作動角度の範囲の間で直線であることを特徴とする請求項１から３の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項５】
二つのホールセンサー（２５、２５´）の直線の特性曲線の間の２１０°から２２０°の最大作動角度範囲が選択されることを特徴とする請求項４に記載の装置。
【請求項６】
単一の上記環状の永久磁石（１４）が直径方向に磁化していることを特徴とする請求項１から５の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項７】
上記永久磁石（１４）の周りの上記センサーユニット（１３）は、均等の角度離れて配置された複数のホールセンサー（２５）を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
上記センサーユニット（１３）は、互いに８０°の角度離れた二つのホールセンサー（２５、２５´）を有することを特徴とする請求項１から６の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項９】
上記回転または旋回可能な要素（１１）は、軸方向に分割された滑りスリーブ（４１、４２）で上記軸（１８）に取り付けられていることを特徴とする請求項１から８の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１０】
上記軸（１８）は鉄鋼からなり、上記滑りスリーブ（４１、４２）は青銅からなることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
単一の永久磁石（１４）が上記回転または旋回可能な要素（１１）に取り付けられていることを特徴とする請求項１から１０の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１２】
上記永久磁石（１４）は上記回転または旋回可能な要素（１１）に接着固定されていることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
上記回転または旋回可能な要素（１１）は一つの環状フランジを有し、この環状フランジの半径方向の内面は上記滑りスリーブ（４１、４２）と結合しており、かつ、この環状フランジの半径方向の外面に上記永久磁石（１４）が同軸に保持されていることを特徴とする請求項１０から１２の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１４】
上記回転または旋回可能な要素は入力歯車（１１）として形成されていることを特徴とする請求項１から１３の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１５】
上記センサーホルダー（１５）は上記軸（１８）に固着されていることを特徴とする請求項１から１４の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１６】
上記軸（１８）のフランジ（１９）は上記センサーホルダー（１５）に対して突出していることを特徴とする請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
上記センサーホルダー（１５）は縁なし帽状に形成され、上記センサーホルダー（１５）の上記部屋（２２）に含まれる側面（２１）は上記永久磁石（１４）と上記回転または旋回可能な要素または入力歯車（１１）の外周部との間の半径方向にあることを特徴とする請求項１から１６の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１８】
印刷された導体板またはシート（２９）が設けられ、それに対して上記ホールセンサー（２５）が電気的接続（２６）を維持していることを特徴とする請求項１から１７の少なくとも一つに記載の装置。
【請求項１９】
上記ホールセンサー（２５）の上記電気的接続または接続足（２６）は上記センサーホルダー（１５）を介してその上方に位置する上記導体板またはシート（２９）に導かれていることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
センサーホルダー１５の側部１７は、実施例では二つの、９０°よりも少し小さい、ここでは８０°の角度間隔で互いに配置され、その軸方向の表面２１に終端する空隙２２を有する。この空隙２２は環状スイッチ平面２３上の軸方向において直径が小さい貫通穴２４に繋がっている。この空隙２２あるいは部屋にはそれぞれ、ホールセンサーユニット１３の個々のホールセンサー２５あるいは２５´が組み込まれ、その接続足２６は貫通穴２４を貫通し、底１６から突出している。それぞれのホールセンサー２５、２５´は空隙あるいは部屋２２に正確に位置決めされて取り付けられている。そして、実施例では断面がほぼ台形状の空隙あるいは部屋２２は、互いに垂直な二つの側面に圧着用リブ２７、２７´が設けられており、それらの側面の間にホールセンサー２５、２５´が保持されている。それによって、ホールセンサー２５、２５´は部屋２２の同じ角に常に押圧される。実施例では、部屋２２の一つの短い側面に一つの圧着用リブ２７を有するとともに、それに対して直角に延びている長い側面に間隔を開けて配置された二つの圧着用リブ２７´を有する。部屋２２の圧着用リブ２７、２７´の数は他の方法によって決めることができることは当然である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
１０…装置、１１…入力要素、１２…軸、１３…ホールセンサーユニット、１４…永久磁石、１５…センサーホルダー、１６…底、１７…側部、１８…軸、１９…フランジ、２１…表面、２２…空隙、２３…環状スイッチ平面、２４…貫通穴、２５、２５´…ホールセンサー、２６…接続足、２７…圧着用リブ、２９…導体板またシート、３６…底、３７…取っ手、３８…内側ケース、３９、４０…ケース部分、４１、４２…滑りスリーブ、４３、４４、４５…環状フランジ
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化水素の転化のための触媒であって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を有するゼオライト、および
ｂ）  前記ゼオライト上に堆積した第１０族から選択された少なくとも１種類の金属、
を有してなり、
前記ゼオライト上に堆積した金属が白金であり、
前記ゼオライトが非酸性である、
ことを特徴とする触媒。
【請求項２】
前記ゼオライトが、アルカリ金属またはアルカリ土類金属により塩基交換されて、該ゼオライトが非酸性となっていることを特徴とする請求項１記載の触媒。
【請求項３】
前記ゼオライトがＭＦＩであることを特徴とする請求項１または２記載の触媒。
【請求項４】
請求項１から３いずれか１項記載のゼオライトを合成するプロセスであって、
ａ）  ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を含有するゼオライトを調製する工程、
ｂ）  前記ゼオライト上に、第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる工程、および
ｃ）  前記ゼオライトの調製中、もしくは前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させる前または前記ゼオライトに第１０族から選択される少なくとも１種類の金属を堆積させた後に、前記ゼオライトをか焼する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項５】
炭化水素の転化プロセスであって、
ａ）  分子当たり２から１２の炭素原子を有する、アルカン、オレフィンまたはそれらの混合物を含有する炭化水素流を、少なくとも１種類のゼオライト系の請求項１から３いずれか１項記載の触媒と接触させる工程であって、前記ゼオライトが、該ゼオライトの骨格中に組み込まれたゲルマニウムおよびスズとホウ素からなる群より選択される少なくとも１種類の元素を含有し、第１０族から選択された少なくとも１種類の金属が、前記ゼオライト上に堆積されているものである工程、および
ｂ）  生成物を回収する工程、
を有してなるプロセス。
【請求項６】
前記アルカンまたは前記オレフィンが、直鎖、分岐鎖、または環式またはそれらの混合であることを特徴とする請求項５記載のプロセス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７９】
２．３０４ｇの水酸化ナトリウムを１８４ｇの脱イオン水中に溶解させた。この溶液に、０．９６ｇのホウ酸を、次いで、２８．９６ｇの臭化テトラプロピルアンモニウムを、撹拌しながら溶解させた。１．２５２７ｇの二酸化ゲルマニウムを、撹拌しながら、徐々に溶解させた。３５．２ｇの「Ｌｕｄｏｘ  ＨＳ−３０」を溶液に入れた後、ゲルが形成された。ゲルを約１５分間に亘り撹拌した（ｐＨ＝１２．７６）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
実施例４
１％のＰｔ／ＣｓＢＺＳＭ−５の合成
２．７ｇのＢＺＳＭ−５を１５０ｍｌのＣｓＮＯ3（０．５Ｍ）水溶液で洗浄し、濾過した。次いで、濾液を０．５ＭのＣｓＮＯ3でさらに３回洗浄し、最後の濾過の際に脱イオン水で濯いだ。次いで、ゼオライト粉末を空気中において２８０℃で３時間に亘りか焼した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
実施例５
Ｂ−Ａｌ−ＺＳＭ−５の合成
使用した化学薬品：
ホウ酸Ｈ3ＢＯ3；９９．９９％；Aldrich；
水酸化ナトリウムＮａＯＨ；＞９８％；Aldrich；
アルミン酸ナトリウムＮａＡｌＯ2（２３．６質量％のＡｌ2Ｏ3；１９．４質量％のＮａ2Ｏ；５７．０質量％のＨ2Ｏ）；Southern Ionics；
臭化テトラプロピルアンモニウム（ＣＨ3（ＣＨ2）2）4ＮＢｒ；９８％；Alfa-Aesar；
「Ｌｕｄｏｘ  ＨＳ−３０」ＳｉＯ2、コロイドシリカ、水中３０質量％の懸濁液；Sigma-Aldrich；
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１００
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１００】
比較例６
Ｇｅ−Ｂ−ＺＳＭ−５の合成
使用した化学薬品：
ホウ酸Ｈ3ＢＯ3；９９．９９％；Aldrich；
水酸化ナトリウムＮａＯＨ；＞９８％；Aldrich；
臭化テトラプロピルアンモニウム（ＣＨ3（ＣＨ2）2）4ＮＢｒ；９８％；Alfa-Aesar；
二酸化ゲルマニウムＧｅＯ2；米国ＧＴＡＨ６８００２のGermanium Corporation；
「Ｌｕｄｏｘ  ＨＳ−３０」ＳｉＯ2、コロイドシリカ、水中３０質量％の懸濁液；Sigma-Aldrich；
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０５】
触媒テスト
全ての触媒は、同じ手法にしたがってテストした。不活性石英片と混合された触媒粒子を、外径１／４インチ（約０．６４ｃｍ）の栓流式反応装置中に充填した。ｎ−ヘキサンを、約１５０℃の温度で流動水素の流れ中に気化させた。このガス混合物を８．６ｈ-1のＬＨＳＶで反応装置に通し、反応装置は、外部の加熱ジャケットにより５１５℃の温度に維持した。反応生成物をガスクロマトグラフィーにより分析した。メタンからジメチルナフタレンまでのサイズに及ぶ生成物が観察された。イソヘキサン（例えば、２−メチルペンタン）およびオレフィン（例えば、１−ヘキセン）を含む様々なＣ６異性化生成物が観察された。転化率および選択率を計算する目的で、これらのＣ６生成物は、未反応であると考えた。報告された選択率は、生成されたベンゼン、トルエン、キシレンおよびエチルベンゼンの合計を、回収された全ベンゼン、Ｃ１〜Ｃ５、およびＣ７＋材料の総量で割ったものとして計算した。これらの選択率は、Ｃ６モル基準で表されている。
【表１】
2010527770.tif 000001
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月21日(2013.5.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス部材（３）を結合するための、２つの端部（２Ａ，２Ｂ）を備える管状複合部材（１）において、少なくとも部分的にねじ山が設けられた内面（４）と、少なくとも部分的にねじ山が設けられた外面（６）とを有し、且つ無機繊維によって強化された無機マトリックスを含む複合材から形成されており、前記無機マトリックスは、酸化物セラミックス、非酸化物セラミックス、炭素、黒鉛、又はこれらの混合物から成るグループから選択されていることを特徴とする、管状複合部材（１）。
【請求項２】
前記管状複合部材の内面（４）及び外面（６）が、軸方向で、内面及び外面の回転軸線に向かってテーパさせられており、これにより、反転した双円錐状の管を形成していることを特徴とする、請求項１記載の管状複合部材（１）。
【請求項３】
内面（４）が、軸方向で、内面の回転軸線に向かってテーパさせられており、これにより、前記内面（４）の反転した双円錐形状を形成していることを特徴とする、請求項１記載の管状複合部材（１）。
【請求項４】
外面（６）が、軸方向で、回転軸線から離れる方向に厚くなっており、これにより、前記外面（６）の二重円錐台形を形成していることを特徴とする、請求項１記載の管状複合部材。
【請求項５】
外面（６）が、前記外面（６）の反転した双円錐形状を形成するように、軸方向で、外面の回転軸線から離れる方向に厚くなっており、内面（４）が、該内面（４）の二重円錐台形を形成するように、軸方向で、内面の回転軸線に向かってテーパさせられていることを特徴とする、請求項１記載の管状複合部材。
【請求項６】
両端部（２Ａ，２Ｂ）のうちの一方が、該端部（２Ａ，２Ｂ）の反転した円錐形状を形成するように、端部の回転軸線から離れる方向にテーパさせられていることを特徴とする、請求項１記載の管状複合部材（１）。
【請求項７】
前記無機繊維は、酸化物セラミックス、非酸化物セラミックス、炭素、黒鉛、又はこれらの混合物から成るグループから選択されていることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項８】
前記無機繊維が、前記複合材の少なくとも３０体積％を含んでいることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項９】
前記無機繊維が、少なくとも１０ｃｍの長さを有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１０】
前記管状部材を形成する複合材の、少なくとも１０重量％の無機繊維、好適には少なくとも２０重量％の無機繊維が、円筒体軸方向に対して±１０〜２０゜の角度を成す方向に配置されており、前記管状部材を形成する複合材の、少なくとも１０重量％の無機繊維、好適には少なくとも２０重量％の無機繊維が、円筒体軸方向に対して±７０〜９０゜の角度を成す方向に配置されていることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１１】
前記無機繊維が、フィラメント、束、糸、織物、メリヤス又は編み物、非けん縮織物、不織布、又はこれらの混合物として構成されていることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１２】
少なくとも部分的にねじ山が設けられた内面（４）のねじ山が、±０．２ｍｍの公差を有することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載の管状複合部材。
【請求項１３】
前記管状複合部材（１）に付加的に、黒鉛、二硫化モリブデン、ＰＴＦＥ、窒化ホウ素、耐火金属、鉱油、又はこれらの混合物のグループから選択された潤滑添加剤が提供されていることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１４】
前記管状複合部材（１）に付加的に、短い無機繊維、無機ナノファイバ、又はこれらの混合物のグループから選択された強度改善添加剤が提供されていることを特徴とする、請求項１から１３までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１５】
前記管状複合部材（１）に付加的に、リン酸アンモニウム、オルトリン酸亜鉛、リン酸、ホウ酸、酸化第二銅、酸化物セラミックス、耐火金属、又はこれらの混合物のグループから選択された酸化減速添加剤が提供されていることを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１６】
前記管状複合部材（１）に付加的に、膨張黒鉛箔から形成されたスリーブが提供されていることを特徴とする、請求項１から１５までのいずれか１項記載の管状複合部材（１）。
【請求項１７】
請求項１から６までのいずれか１項記載の少なくとも１つの管状複合部材（１）によって結合された少なくとも２つのセラミックス部材（３）を含むセラミックス部材（３）アセンブリにおいて、前記管状複合部材（１）の端部（２Ａ，２Ｂ）が、２つの隣接するセラミックス部材（３）のそれぞれの対応する環状溝（９）に螺入されていることを特徴とする、セラミックス部材（３）アセンブリ。
【請求項１８】
隣接するセラミックス部材（３）の環状溝（９）がそれぞれ異なる深さを有することを特徴とする、請求項１７記載のセラミックス部材（３）アセンブリ。
【請求項１９】
少なくとも部分的にねじ山が設けられた内面と、少なくとも部分的にねじ山が設けられた外面とを有する、セラミックス部材を結合するための管状複合部材（１）を製造する方法において、
（ａ）無機繊維を、プレセラミックスプレカーサー、高炭素発生炭素質材料、又はこれらの混合物から成るグループから選択されているマトリックス材料を用いて含浸し、
（ｂ）±０．２ｍｍの公差を有する少なくとも部分的にねじ山が設けられた溝を有するマンドレルを提供し、
（ｃ）前記含浸された繊維を、張力を加えながら、２つ以上の方向で前記マンドレルに巻き付け、管状部材を形成し、
（ｄ）ねじ山付き外面が提供される管状部材の少なくとも一部を包囲するための複数のダイス部材を有する概して円筒状のダイスを提供し、
（ｅ）圧縮ステップにおいて、加熱されたダイス部材を管状部材に対して閉鎖し、ねじ山付き外面を形成し、
（ｆ）ダイス部材を解放し、
（ｇ）該管状部材をマンドレルにおいて５００℃までの高温で硬化させ、
（ｈ）前記管状部材を、好適には不活性雰囲気中で３２００℃までの高温において熱処理することを特徴とする、管状複合部材（１）を製造する方法。
【請求項２０】
管状部材が、硬化の後にマンドレルから取り外されることを特徴とする、請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
熱分解された管状部材が、含浸の後に熱分解することによって又は化学的蒸気浸透によってさらなる高密度化を受けることを特徴とする、請求項１９又は２０記載の方法。
【請求項２２】
無機繊維が、酸化物セラミックス、非酸化物セラミックス、炭素、黒鉛、又はこれらの混合物から成るグループから選択されていることを特徴とする、請求項１９から２１までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて基地局と移動局との間のダウンリンク通信を最適化する方法であって、
前記システムの登録されたユーザに関連する前記移動局についてユーザ識別子とジオメトリ値とを取得するステップと、
前記各ジオメトリ値に応答して前記各ユーザとＭＣＳパワー値とを関連付けるステップと、
パワープールを初期化するステップと、
リファレンスＭＣＳパワー値より大きなＭＣＳパワー値を有するユーザを高パワーユーザとして特定するステップと、
前記高パワーユーザのそれぞれについて、該高パワーユーザに関連するジオメトリ値と前記リファレンスＭＣＳパワー値に関連するリファレンスジオメトリ値との間の差であるパワー差を計算するステップと、
前記パワー差を合計することによって、前記高パワーユーザのそれぞれに関するパワー差を前記パワープールに蓄積するステップと、
前記リファレンスＭＣＳパワー値以下のＭＣＳパワー値を有するユーザを低パワーユーザとして特定するステップと、
前記パワープールが枯渇するまで、対応する量だけ前記パワープールを使用しながら、増加されたジオメトリ値と前記低パワーユーザの少なくとも一部とを関連付けるステップと、
前記増加されたジオメトリ値に基づき、前記低パワーユーザの少なくとも一部について新たなＭＣＳを決定するステップと、
前記新たなＭＣＳに関連するパワーレベルにより対応する前記新たなＭＣＳにより特定されるＭＣＳを利用して、前記低パワーユーザに制御情報を送信するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記ジオメトリ値はＳＮＲ値を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ＳＮＲは、移動局から受信される信号対ノイズ値により表される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記ＭＣＳパワー値を関連付けるステップは、前記ジオメトリ値があるレンジに従ってＭＣＳパワー値を割り当てることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
ジオメトリ値の昇順又は降順によりユーザ識別子をソートするステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記増加されたジオメトリ値と前記低パワーユーザの少なくとも一部とを関連付けるステップは、ジオメトリ値の昇順により前記リファレンスジオメトリ値と前記低パワーユーザとを関連付けることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記リファレンスＭＣＳパワー値は、ダウンリンク制御に必要とされる最も高いＭＣＳパワー値である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記低パワーユーザに制御情報を送信するステップは、前記基地局の制御システムに、前記新たなＭＣＳに関連するパワーレベルにより前記新たなＭＣＳに従って前記登録されたユーザに送信するための制御パッチを有するフレームを生成させることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記リファレンスＭＣＳパワー値に対応するリファレンスＭＣＳを前記高パワーユーザに割当て、前記リファレンスＭＣＳを利用して前記高パワーユーザとの通信を実行させるステップをさらに有する、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９何れか一項記載の方法をプロセッサ回路に実行させるためのコードにより符号化されたコンピュータ可読媒体。
【請求項１１】
無線通信システムにおいて基地局と移動局との間のダウンリンク通信を最適化する装置であって、
前記システムの登録されたユーザに関連する前記移動局についてユーザ識別子とジオメトリ値とを受信する入力と、
前記入力と通信するプロセッサ回路であって、前記プロセッサ回路は、前記各ジオメトリ値に応答して前記各ユーザとＭＣＳパワー値とを関連付け、
パワープールを初期化し、
リファレンスＭＣＳパワー値より大きなＭＣＳパワー値を有するユーザを高パワーユーザとして特定し、
前記高パワーユーザのそれぞれについて、該高パワーユーザに関連するジオメトリ値と前記リファレンスＭＣＳパワー値に関連するリファレンスジオメトリ値との間の差であるパワー差を計算し、
前記パワー差を合計することによって、前記高パワーユーザのそれぞれに関するパワー差を前記パワープールに蓄積し、
前記リファレンスＭＣＳパワー値以下のＭＣＳパワー値を有するユーザを低パワーユーザとして特定し、
前記パワープールが枯渇するまで、対応する量だけ前記パワープールを使用しながら、増加されたジオメトリ値と前記低パワーユーザの少なくとも一部とを関連付け、
前記増加されたジオメトリ値に基づき、前記低パワーユーザの少なくとも一部について新たなＭＣＳを決定する、よう動作構成される前記プロセッサ回路と、
前記プロセッサ回路と通信し、前記新たなＭＣＳに関連するパワーレベルにより対応する前記新たなＭＣＳにより特定されるＭＣＳを利用して、前記低パワーユーザに制御情報を送信するための信号を提供する出力と、
を有する装置。
【請求項１２】
前記ジオメトリ値はＳＮＲ値を含む、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
前記ＳＮＲは、移動局から受信される信号対ノイズ値により表される、請求項１２記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサ回路は、前記ジオメトリ値があるレンジに従ってＭＣＳパワー値をユーザと関連付けるよう動作構成される、請求項１１記載の装置。
【請求項１５】
前記プロセッサ回路は、ジオメトリ値の昇順又は降順によりユーザ識別子をソートするよう動作構成される、請求項１１記載の装置。
【請求項１６】
前記増加されたジオメトリ値と前記低パワーユーザの少なくとも一部との関連付けは、ジオメトリ値の昇順により前記リファレンスジオメトリ値と前記低パワーユーザとを関連付けることを含む、請求項１１記載の装置。
【請求項１７】
前記リファレンスＭＣＳパワー値は、ダウンリンク制御に必要とされる最も高いＭＣＳパワー値である、請求項１１記載の装置。
【請求項１８】
前記プロセッサ回路は、前記新たなＭＣＳに関連するパワーレベルにより前記新たなＭＣＳに従って前記登録されたユーザに送信するための制御パッチを有するフレームを表す信号を生成するよう動作構成される、請求項１１記載の装置。
【請求項１９】
前記プロセッサ回路は、前記リファレンスＭＣＳパワー値に対応するリファレンスＭＣＳを前記高パワーユーザに割当て、前記リファレンスＭＣＳ及び関連するパワーレベルを利用して前記高パワーユーザに制御パッチを送信するよう動作構成される、請求項１８記載の装置。
【請求項２０】
請求項１１乃至１９何れか一項記載の装置を有する無線通信システムの基地局。