(57)【要約】【課題】ＰＤＰの放電特性を改善する。【解決手段】前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間に、行電極対（Ｘ，Ｙ）と列電極Ｄが設けられ、放電セルＣに面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有するとともにアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが配置されて、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２の保護層３や蛍光体層１７の一部を形成している。【選択図】図２
2008166039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板とこの基板の間に配置された放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層と蛍光体層とを備え、放電空間にマトリクス状に配置された複数の単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、
前記一対の基板の間の各単位発光領域に面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有するとともに所要の濃度のアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されていることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子に固溶されたアルミニウムの濃度が、１０〜１００００ｐｐｍである請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍで直方体構造を有する酸化マグネシウム単結晶体を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有する請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、液相法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体を含んでいる請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、単位発光領域内に露出されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、誘電体層上に配置されてこの誘電体層を被覆する保護層を形成している請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
前記誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜酸化マグネシウム層が形成され、この薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されて薄膜酸化マグネシウム層とともに誘電体層の保護層を形成している請求項６に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、単位発光領域毎に、薄膜酸化マグネシウム層上の放電電極の放電を発生させる部分に対向する部分にパターン化して部分的に配置されている請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記酸化マグネシウム結晶体粒子が、蛍光体層に含有されているとともに単位発光領域内に露出されている請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、プラズマディスプレイパネルの構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰという）には、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間の放電空間に形成される各放電セルに面する部分に、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンスを行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む酸化マグネシウム層が設けられているＰＤＰ（特許文献１参照）や、前面ガラス基板の背面に形成されて放電電極を被覆する誘電体層が、蒸着またはスパッタリングによって形成される薄膜酸化マグネシウム層と、電子線によって励起されることにより波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンスを行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体を含む結晶酸化マグネシウム層とが積層されることによって構成される保護層によって被覆されたＰＤＰ（特許文献２参照）がある。
【０００３】
これら従来のＰＤＰは、放電セルに面する部分に配置される電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンスを行う特性を有する酸化マグネシウム結晶体によって、放電確率や放電遅れなどの放電特性が改善されて、良好な放電特性を得ることが出来るという技術的特徴を有している。
【０００４】
ここで、ディスプレイについては、近年、フルＨＤ等のような高精細な画面形成を可能にしたものが現れて来ており、このため、ＰＤＰにおいても、フルＨＤ等のような高精細な画面の形成を実現するために、放電遅れを改善することによって放電特性をさらに向上させることが要求されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５９７７９号公報
【特許文献２】特開２００６−５９７８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明は、上記のようなＰＤＰの高性能化に対する要求に応えることをその解決課題の一つとしている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明（請求項１に記載の発明）によるプラズマディスプレイパネルは、上記課題を解決するために、放電空間を介して対向配置された一対の基板とこの基板の間に配置された放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層と蛍光体層とを備え、放電空間にマトリクス状に配置された複数の単位発光領域が形成されているプラズマディスプレイパネルにおいて、前記一対の基板の間の各単位発光領域に面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有するとともに所要の濃度のアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されていることを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
この発明によるＰＤＰは、前面ガラス基板と背面ガラス基板の間に、行方向に延びる行電極対と、列方向に延びて行電極対との交差部分の放電空間に放電セル（単位発光領域）を形成する列電極が設けられ、この放電セルに面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有するとともにアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されて、行電極対を被覆する誘電体層の保護層や蛍光体層の一部を形成しているＰＤＰをその最良の実施形態としている。
【０００９】
この実施形態におけるＰＤＰは、放電セルに面する部分に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子が、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンスを行う特性を有していることにより、ＰＤＰの放電駆動時における放電遅れを改善することが出来るとともに、この酸化マグネシウム結晶体粒子に所要の濃度のアルミニウムが固溶されていることによって放電遅れの改善効果がさらに向上され、これによって、フルＨＤ等のような高精細な画面を形成するためのＰＤＰの高性能化が実現されるようになる。
【００１０】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、液相法によって生成された酸化マグネシウム結晶体粒子に固溶されるアルミニウムの濃度は１０〜１００００ｐｐｍが好ましく、このアルミニウム濃度においてカソード・ルミネッセンス強度が増加することにより、放電遅れをさらに改善することが出来る。
【００１１】
さらに、上記実施形態のＰＤＰにおいて、酸化マグネシウム結晶体粒子は、平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍで直方体構造を有する酸化マグネシウム単結晶体を含んでいることが好ましく、さらに、波長域２３０〜２５０ｎｍ内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有することが好ましく、これによって、所要の放電遅れがさらに改善されるようになる。
【００１２】
上記実施形態のＰＤＰにおいて、酸化マグネシウム結晶体粒子は単位発光領域内に露出されており、その形態としては、酸化マグネシウム結晶体粒子が誘電体層上に配置されてこの誘電体層を被覆する保護層を形成している形態や、誘電体層上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜酸化マグネシウム層上に酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されて薄膜酸化マグネシウム層とともに誘電体層の保護層を形成している形態や、単位発光領域毎に薄膜酸化マグネシウム層上の放電電極の放電を発生させる部分に対向する部分にパターン化して部分的に配置されている形態や、蛍光体層に含有されているとともに単位発光領域内に露出されている形態等がある。
【実施例１】
【００１３】
図１および２はこの発明の実施形態における第１実施例を示しており、図１はこの第１実施例における面放電方式交流型ＰＤＰのセル構造を模式的に示す正面図であり、図２は図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【００１４】
この図１および２において、ＰＤＰは、表示面である前面ガラス基板１の背面に、複数の行電極対（Ｘ，Ｙ）が、前面ガラス基板１の行方向（図１の左右方向）に延びるとともに列方向（図１の上下方向）に並設されている。
【００１５】
行電極Ｘは、それぞれ、前面ガラス基板１の行方向に延びる金属膜からなるバス電極Ｘａと、このバス電極Ｘａの等間隔位置に接続されてバス電極Ｘａから列方向に突出するＩＴＯ等の透明導電膜によってＴ字形状に成形された透明電極Ｘｂとによって構成されている。
【００１６】
行電極Ｙも同様に、それぞれ、前面ガラス基板１の行方向に延びる金属膜からなるバス電極Ｙａと、このバス電極Ｙａの等間隔位置に接続されてバス電極Ｙａから列方向に突出するＩＴＯ等の透明導電膜によってＴ字形状に成形された透明電極Ｙｂとによって構成されている。
【００１７】
そして、この行電極ＸとＹは、前面ガラス基板１の列方向（図１の上下方向および図２の左右方向）に交互に配置されており、バス電極ＸａとＹａに沿って等間隔に並列されたそれぞれの透明電極ＸｂとＹｂが、互いに対になる相手の行電極側に延びて、それぞれの幅広の先端部が所要の幅の放電ギャップｇを介して互いに対向されている。
【００１８】
また、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａは、それぞれ、前面ガラス基板１側に位置される黒色の導電層と前面ガラス基板１と反対側に位置される白色の導電層の二層構造になっている。
【００１９】
前面ガラス基板１の背面側には、さらに、行電極対（Ｘ，Ｙ）を被覆する誘電体層２が形成されている。
そして、誘電体層２の背面上に、この誘電体層２の背面を被覆する保護層３が形成されている。
この保護層３の構成については、後で詳述する。
【００２０】
前面ガラス基板１と放電空間を介して平行に配置された背面ガラス基板４の前面ガラス基板１と対向する側の面上には、複数の列電極Ｄが、各行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに対になった透明電極ＸｂおよびＹｂにそれぞれ対向する位置においてバス電極Ｘａ，Ｙａと直交する方向（列方向）に延びるように、互いに所定の間隔を開けて平行に配列されている。
【００２１】
この背面ガラス基板４の前面ガラス基板１に対向する側の面上には、さらに、列電極Ｄを被覆する列電極保護層（誘電体層）５が形成され、この列電極保護層５上に、下記のような形状を有する隔壁６が形成されている。
【００２２】
すなわち、この隔壁６は、前面ガラス基板１側から見て、隣接する行電極対（Ｘ，Ｙ）の互いに背中合わせに位置するバス電極ＸａとＹａの間の領域に対向する位置においてそれぞれ行方向に延びる横壁６Ａと、行電極Ｘ，Ｙのバス電極Ｘａ，Ｙａに沿って等間隔に配置された各透明電極Ｘｂ，Ｙｂの間の位置においてそれぞれ列方向に延びる縦壁６Ｂとによって、略格子形状に成形されている。
【００２３】
そして、この隔壁６によって、前面ガラス基板１と背面ガラス基板４の間の放電空間が、それぞれ、互いに対向されて対になっている透明電極Ｘｂ，Ｙｂに対向する領域ごとに区画されて放電セルＣが形成されている。
【００２４】
各放電セルＣ内の放電空間に面する隔壁６の横壁６Ａと縦壁６Ｂの各側面と列電極保護層５の表面には、これらの五つの面をほぼ全て覆うように蛍光体層７が形成されており、この蛍光体層７の色は、各放電セルＣ毎に赤，緑，青の色が行方向に順に並ぶように配列されている。
放電セルＣ内には、キセノンを含む放電ガスが封入されている。
【００２５】
上述した保護層３は、図３に示されるように、誘電体層２の背面上に蒸着法またはスパッタリングによって形成された薄膜の酸化マグネシウム層（以下、薄膜酸化マグネシウム層という）３Ａと、この薄膜酸化マグネシウム層３Ａの背面上に、アルミニウム（Ａｌ）原子が単結晶中に固溶された下記の様な特性を有する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが散布されることによって形成された結晶酸化マグネシウム層３Ｂの二層構造に構成されている。
【００２６】
図４は、この立方体または直方体の単結晶構造を有する酸化マグネシウム単結晶体のＳＥＭ写真像を示しており、この酸化マグネシウム単結晶体は、電子線の照射によって波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有する紫外線を放射するカソード・ルミネッセンス（ＣＬ）、および、例えば１４７ｎｍの波長の紫外線の照射によって波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）にピークを有する紫外線を放射するフォトルミネッセンス発光（ＰＬ）を行う特性を有している。
【００２７】
この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐは、塩化マグネシウムを原材料とする液相法によって生成され、その生成過程において塩化アルミニウムが添加されて酸化マグネシウムと反応させることによって、酸化マグネシウムの単結晶中にアルミニウム原子が固溶されている。
【００２８】
そして、この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが、溶媒に分散されて薄膜酸化マグネシウム層３Ａ上に散布されることによって、結晶酸化マグネシウム層３Ｂが形成される。
【００２９】
この結晶酸化マグネシウム層３Ｂを形成する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐは、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍのものが使用されるのが好ましい。
【００３０】
そして、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐ中のアルミニウムの濃度は、後述するように１０〜１００００ｐｐｍとするのが好ましい。
【００３１】
上記ＰＤＰは、画像の形成駆動時に、先ず、放電セルＣ内において行電極ＸとＹ間においてリセット放電が発生された後、行電極Ｙと列電極Ｄ間において選択的にアドレス放電が発生される。
【００３２】
このアドレス放電によって、保護層３の表面に壁電荷が形成された放電セルＣ（発光セル）と壁電荷が形成されていない放電セルＣ（非発光セル）とが、形成する画像に対応してパネル面に分布される。
【００３３】
そして、このアドレス放電の後、各発光セル内において行電極対（Ｘ，Ｙ）の対になっている透明電極ＸｂとＹｂの間でサステイン放電が発生されることにより、各発光セルの赤，緑，青の蛍光体層７が発光して、パネル面にマトリクス表示による画像が形成される。
【００３４】
上記ＰＤＰは、保護層３の放電セルＣに面する側が酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを含む結晶酸化マグネシウム層３Ｂによって構成されていることによって、下記に示すように、放電駆動時の放電遅れを大幅に改善することが出来る。
【００３５】
すなわち、図５は、保護層３の結晶酸化マグネシウム層３Ｂを形成する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐに１１００ｐｐｍのアルミニウムが固溶されているＰＤＰ（グラフａ）および酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐに１４ｐｐｍのアルミニウムが固溶されているＰＤＰ（グラフｂ）と、保護層が蒸着法によって形成された薄膜酸化マグネシウム層のみによって構成されているＰＤＰ（グラフｃ）の放電遅れを比較したグラフであり、縦軸が放電遅れ時間を、横軸が放電の休止時間を示している。
【００３６】
この図５から分かるように、休止時間が何れの場合でも、保護層３が、アルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐによって形成された結晶酸化マグネシウム層３Ｂを備えているＰＤＰの方が、保護層が薄膜酸化マグネシウム層のみによって構成されているＰＤＰよりも放電遅れが大幅に小さくなっている。
【００３７】
このように、保護層３の放電セルＣに面する部分に結晶酸化マグネシウム層３Ｂを有するＰＤＰの放電遅れが、保護層が薄膜酸化マグネシウム層のみによって構成されたＰＤＰと比べて小さくなるのは、液相法によって生成される純度の高い酸化マグネシウム単結晶体内にアルミニウムが固溶されていることによって、酸化マグネシウムのバンドギャップ中に２００〜３００ｎｍのＣＬ（またはＰＬ）中心が形成され、これによって、酸化マグネシウム単結晶体がそのＣＬ（またはＰＬ）のピーク波長に対応したエネルギ準位を有することになり、このエネルギ準位によって電子が長時間（数ｍｓｅｃ以上）トラップされ、この電子が電界によって取り出されることで放電開始に必要な初期電子が得られることによるものと推測される。
【００３８】
従って、ＰＤＰの放電遅れは、酸化マグネシウム単結晶体が有するエネルギ準位が大きいほど改善されることになり、ＣＬ（またはＰＬ）のピーク波長が大きいほど改善されることになる。
【００３９】
図６は、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐ中のアルミニウムの濃度とＣＬ強度の関係を示すグラフであり、縦軸がＣＬ強度を、横軸がＣＬの波長を示している。
この図６のグラフから、アルミニウム濃度が１０〜１００００ｐｐｍのときにＣＬ強度が急激に増加していることが分かる。
【００４０】
図７は、１１００ｐｐｍのアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐ（グラフｄ）と１４ｐｐｍのアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐ（グラフｅ）と気相法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体粒子（グラフｆ）のピーク波長域におけるＣＬ強度を比較したグラフであり、縦軸がＣＬ強度を、横軸がＣＬの波長を示している。
【００４１】
この図７から分かるように、２３０〜２５０ｎｍ（特に２３５ｎｍ付近）のピーク波長域において、液相法によって生成されてアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐの方が気相法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体粒子よりもＣＬ強度が大きく（従って、放電遅れの改善効果が大きく）、また、液相法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐ同士では１１００ｐｐｍのアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐの方がピーク波長域におけるＣＬ強度が大きい（従って、放電遅れの改善効果が大きい）ことが分かる。
【００４２】
以上のように、上記ＰＤＰは、保護層３の放電セルＣに面する側に、液相法によって生成されるとともに酸化マグネシウムの単結晶中にアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを含む結晶酸化マグネシウム層３Ｂが形成され、この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが２００〜３００ｎｍ（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）の波長域においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有し、さらに、この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐのピーク波長域におけるＣＬ強度（またはＰＬ強度）が気相法によって生成された酸化マグネシウム結晶体粒子のピーク波長域におけるＣＬ強度（またはＰＬ強度）よりも大きいことによって、気相法によって生成された酸化マグネシウム結晶体粒子によって構成される結晶酸化マグネシウム層を有する従来のＰＤＰよりもさらにＰＤＰにおける放電遅れを改善することが出来、これによって、フルＨＤ等のような高精細な画面を形成するためのＰＤＰの高性能化を図ることが出来るようになる。
【実施例２】
【００４３】
図８は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第２実施例を、第１実施例の図３と同様の位置において断面して示す図である。
この図８において、前述した第１実施例のＰＤＰと同様の構成部分については、図３と同一の符号が付されている。
【００４４】
前述した第１実施例のＰＤＰの保護層が、結晶酸化マグネシウム層が薄膜酸化マグネシウム層上に積層して形成された二層構造となっていたのに対し、この第２実施例のＰＤＰは、誘電体層２の背面を被覆する保護層１３が、液相法によって生成されてアルミニウム原子が単結晶中に固溶されて波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが誘電体層２の背面上に散布されることによって形成された結晶酸化マグネシウム層のみによって構成されている。
【００４５】
この保護層１３を形成する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐは、第１実施例の場合と同様に、ＢＥＴ法によって測定した平均粒径が１０ｎｍ〜１０μｍで、アルミニウムの濃度が１０〜１００００ｐｐｍのものを使用するのが好ましい。
【００４６】
この実施例におけるＰＤＰも、第１実施例の場合と同様に、保護層１３が、液相法によって生成されるとともに酸化マグネシウムの単結晶中にアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを含む結晶酸化マグネシウム層によって構成され、この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが２００〜３００ｎｍ（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）の波長域においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有し、さらに、この酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐのピーク波長域におけるＣＬ強度（またはＰＬ強度）が気相法によって生成された酸化マグネシウム結晶体粒子のピーク波長域におけるＣＬ強度（またはＰＬ強度）よりも大きいことによって、気相法によって生成された酸化マグネシウム結晶体粒子によって構成される結晶酸化マグネシウム層を有する従来のＰＤＰよりもさらにＰＤＰにおける放電遅れを改善することが出来、これによって、フルＨＤ等のような高精細な画面を形成するためのＰＤＰの高性能化を図ることが出来るようになる。
【実施例３】
【００４７】
図９は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第３実施例を、第１実施例の図３と同様の位置において断面して示す図である。
この図９において、前述した第１実施例のＰＤＰと同様の構成部分については、図３と同一の符号が付されている。
【００４８】
この第３実施例におけるＰＤＰは、保護層２３が液相法によって生成されアルミニウムが単結晶中に固溶されて波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐによって形成された結晶酸化マグネシウム層のみによって構成されている点については前述した第２実施例のＰＤＰと同様であるが、第２実施例の結晶酸化マグネシウム層が誘電体層の背面上に酸化マグネシウム単結晶体粒子が散布されることによって形成されるのに対し、保護層２３を構成する結晶酸化マグネシウム層は、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを含むペーストｓが誘電体層２の背面上に塗布された後、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが放電空間側に露出した状態で焼成されることによって形成されている。
【００４９】
その他、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐの構成等は第１実施例の場合と同様であり、この実施例のＰＤＰも、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが放電空間内に露出した状態で配置されていることによって、第１実施例のＰＤＰと同様の技術的作用効果を発揮することが出来る。
【実施例４】
【００５０】
図１０は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第４実施例を示す正面図である。
この図１０において、前述した第１実施例のＰＤＰと同様の構成部分については、図１と同一の符号が付されている。
【００５１】
前述した第１実施例においては、保護層を構成し酸化マグネシウム単結晶体粒子によって構成される結晶酸化マグネシウム層が薄膜酸化マグネシウム層の背面の全面に亘って形成されていたのに対し、この第４実施例におけるＰＤＰは、液相法によって生成されアルミニウムが単結晶中に固溶されて波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐによって形成される結晶酸化マグネシウム層３３Ｂが、保護層を構成する薄膜酸化マグネシウム層の背面側において、行電極Ｘ，Ｙの互いに対向する透明電極Ｘｂ，Ｙｂの先端部分とその間の放電ギャップｇを含む所要の領域（図示の方形の領域）に対向する部分に、各放電セルＣ毎にパターン化されて形成されている。
【００５２】
その他、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐの構成等は第１実施例の場合と同様であり、この実施例のＰＤＰも、結晶酸化マグネシウム層３３Ｂを形成する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが放電空間内に露出した状態で配置されていることによって、第１実施例のＰＤＰと同様の技術的作用効果を得ることが出来る。
【実施例５】
【００５３】
図１１は、この発明によるＰＤＰの実施形態の第５実施例を示す断面図であり、この図１１においてはＰＤＰの背面ガラス基板側の構成のみが示されてる。
【００５４】
この図１１において、前述した第１実施例のＰＤＰと同様の構成部分については、図２と同一の符号が付されている。
【００５５】
前述した第１ないし第４実施例においては、それぞれ保護層が結晶酸化マグネシウム層を有している例が示されているが、この第４実施例におけるＰＤＰは、液相法によって生成されアルミニウムが単結晶中に固溶されて波長域２００〜３００ｎｍ内（特に、２３０〜２５０ｎｍ内，２３５ｎｍ付近）においてピークを有するＣＬ（またはＰＬ）を行う特性を有する酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが、背面ガラス基板４側に形成された蛍光体層１７内に少なくとも一部が放電空間内に露出した状態で混合されている。
【００５６】
その他、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐの構成等は第１実施例の場合と同様であり、この実施例のＰＤＰも、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐが放電空間内に露出した状態で配置されていることによって、第１実施例のＰＤＰと同様の技術的作用効果を得ることが出来る。
【００５７】
なお、上記実施例において、酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを蛍光体層１７内にのみ混合するようにしても所要の放電遅れ改善効果を得ることが出来るが、第１ないし第４実施例のように保護層にも酸化マグネシウム単結晶体粒子ｐを含んだ結晶酸化マグネシウム層を形成するようにしても良く、これによって更に放電遅れ改善効果を発揮することが出来るようになる。
【００５８】
上記各実施例におけるＰＤＰは、放電空間を介して対向配置された一対の基板とこの基板の間に配置された放電電極とこの放電電極を被覆する誘電体層と蛍光体層とを備え、放電空間にマトリクス状に配置された複数の単位発光領域が形成され、一対の基板の間の各単位発光領域に面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するカソードルミネッセンスを行う特性を有するとともに所要の濃度のアルミニウムが固溶された酸化マグネシウム結晶体粒子が配置されている実施形態のＰＤＰを、その上位概念の実施形態としている。
【００５９】
この上位概念を構成する実施形態のＰＤＰによれば、単位発光領域に面する部分に配置された酸化マグネシウム結晶体粒子が、電子線によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍ内にピークを有するカソード・ルミネッセンスを行う特性を有していることにより、ＰＤＰの放電駆動時における放電遅れを改善することが出来るとともに、この酸化マグネシウム結晶体粒子に所要の濃度のアルミニウムが固溶されていることによってさらに放電遅れを改善することが出来、これによって、フルＨＤ等のような高精細な画面を形成するためのＰＤＰの高性能化を実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の実施形態の第１実施例を示す正面図である。
【図２】図１のＶ−Ｖ線における断面図である。
【図３】同実施例における保護層の構成の説明図である。
【図４】同実施例における酸化マグネシウム単結晶体粒子のＳＥＭ写真像を示す図である。
【図５】放電遅れ特性の比較を示すグラフである。
【図６】酸化マグネシウム結晶体粒子のＡｌ濃度によるＣＬ強度の比較を示すグラフである。
【図７】液相法と気相法によって生成された酸化マグネシウム単結晶体のピークＣＬ強度の比較を示すグラフである。
【図８】この発明の実施形態の第２実施例を示す断面図である。
【図９】この発明の実施形態の第３実施例を示す断面図である。
【図１０】この発明の実施形態の第４実施例を示す正面図である。
【図１１】この発明の実施形態の第５実施例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１              …前面ガラス基板（基板）
２              …誘電体層
３              …保護層
３Ａ            …薄膜酸化マグネシウム層
３Ｂ，３３Ｂ    …結晶酸化マグネシウム層
４              …背面ガラス基板（基板）
１３，２３      …保護層（結晶酸化マグネシウム層）
７，１７        …蛍光体層
Ｃ              …放電セル（単位発光領域）
Ｘ，Ｙ          …行電極（放電電極）
ｐ              …酸化マグネシウム単結晶体粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図４】
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