【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
検査ターゲットを提供することと、
少なくとも１つの欠陥検査強化を検査ターゲットに加えることと、
を含む、ウェーハ欠陥検査の方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの検査強化を含む前記検査ターゲットを照射して、前記検査ターゲットの１つまたは複数の特徴と関連する１つまたは複数の検査信号を生成することと、
前記検査信号を検出することと、
前記検査信号から１つまたは複数の検査パラメータを生成することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えること
を含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることは、
窒化チタン、アルミニウム、銀、金、窒化タンタル、およびクロムのうちの少なくもと１つを含む局所的検査強化層を加えること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることは、
照射時に共鳴表面プズモンを発揮する成分を含む局所的検査強化層を加えること
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
前記検査強化下層が薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記検査強化下層が薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
前記検査強化下層が、欠陥構造の位置において最大強度を有する薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記検査強化下層の屈折率、前記検査強化下層の減衰係数、および前記検査強化下層の厚みのうちの少なくとも１つを設定することにより、検査デバイスの動作範囲に対応するよう、前記検査ターゲットの結果として生成された検査信号を変化させること
をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
窒化ケイ素および二酸化シリコンのうちの少なくとも１つを含む１つまたは複数の検査強化下層を、前記検査ターゲットの検査層の少なくとも１部分の下方で、前記検査ターゲットの少なくとも１部分に加えること
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
露出波長において吸収し検査波長において転送する第１検査強化下層と、検査波長において前記検査ターゲットの少なくとも１部分に反射する第２検査強化下層とを備える２つ以上の検査強化下層を、前記検査ターゲットの検査層の下方に配置すること
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写すること
を含む、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写することは、
少なくとも１つの検査強化層を、前記第２検査ターゲットの少なくとも１部分に加えることと、
前記検査ターゲットの前記パターン付けられた検査層に対応するパターン付けられたフォトレジスト層を、前記第２検査ターゲットに加えることと、
前記第２検査ターゲットの前記パターン付けられたフォトレジスト層を露光することと、
前記第２検査ターゲットの前記パターン付けられたフォトレジスト層を、前記第２検査ターゲットの前記少なくとも１つの検査強化層にエッチングすることと
を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの検査強化層を、前記第２検査ターゲットの少なくとも１部分に加えることは、
窒化ケイ素およびポリシリコンのうちの少なくとも１つを含む少なくとも１つの検査強化層を加えること
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記検査信号を最適化するよう、前記検査強化層の１つまたは複数の厚みを設定すること
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させること
を含む、請求項１から１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることは、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数のフォトレジスト検査層に組み込み、それにより前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させること
を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記１つまたは複数の物質を１つまたは複数のフォトレジスト検査層に組み込み、それにより前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることは、
１つまたは複数の染料を前記１つまたは複数のフォトレジスト検査層に加え、それにより、前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変更すること
を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることと、
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置することと、
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写することと、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることと
のうちの少なくとも２つを含む、請求項１から１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
少なくとも１つの検査層と、
少なくとも１つの検査強化層と
を備える検査ターゲット。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの検査層は、
少なくとも１つのフォトレジスト層
を備える、請求項２０に記載の検査ターゲット。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの検査強化層は、
前記検査層の上方に配置された少なくとも１つの局所的検査強化層
を備える、請求項２１に記載の検査ターゲット。
【請求項２３】
前記少なくとも１つの検査強化層は、
前記検査層の下方に配置された少なくとも１つのパターン付けられた検査強化下層
を備える、請求項２２に記載の検査ターゲット。
【請求項２４】
前記少なくとも１つのパターン付けられた検査強化層は、
前記検査層の下方に配置され、且つ第２検査ターゲットのパターン付けられた層に対応する、少なくとも１つのパターン付けられた検査強化下層
を備える、請求項２３に記載の検査ターゲット。
【請求項２５】
前記少なくとも１つの検査層は、
１つまたは複数の物質を有さない検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つに対して、検査波長において屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させる、前記１つまたは複数の物質
を備える、請求項２１に記載の検査ターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
明視野顕微鏡（例えば、米国カリフォルニア州ミルピタスのＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製の２８３０シリーズ明視野パターン付きウェーハ欠陥検査装置）がウェーハの表面を撮像するために用いられてもよい。係る装置は、（１）検査ターゲットの表面および伝播回折モードから顕微鏡開口部に戻った正反射をキャプチャすることにより、正反射が顕微鏡に戻らない損失が信号検査により測定される、明視野モードと、（２）ウェーハ表面が撮像され、欠陥から発する分散光およびランダムノイズ事象から発する散乱信号がキャプチャされる未分解暗射（ＤＦ）モードと、（３）ウェーハ表面の画像が欠陥から発する分散光および構造から発する複数次数の回折の両方を含み得る分解ＤＦモードと、を含むいくつかのモードで動作してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そのようなモードを用いて多くの層を検査することは困難であり得ることは事実であり得る。なぜなら、その物質が小さい信号を生成するからである（例えば、フォトレジストが光をあまり分散させないリソグラフィ層）。加えて、欠陥は、リソグラフィツールがより小さいパターンを形成することを可能にする能力を発達させるに応じて、より小さくなる。その結果、係る層の検査は、一般により小さい欠陥が、より大きい欠陥よりもより小さい信号を生成するため、より困難なものとなってしまう。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ＥＵＶリソグラフィにおける近年の改良は、ＥＵＶリソグラフィが次世代リソグラフィのための有効な選択肢となり得ることを示す。基板における隆起および／または孔に起因する、またはＥＵＶ波長において反射する基板を作製するために必要な多層コーティングを行う間に堆積する分子に起因する位相欠陥の検出は、欠陥のないマスクを開発するにあたり重要である。欠陥のないマスクは、マスクの欠陥がフォトレジストに伝播することにより欠陥を有する半導体デバイスが作製されないために、必要とされる。しかし、ＥＵＶ処理用のマスクおよびマスク基板は、ＵＶおよび可視波長に対して不透明である。係る場合においては、化学線による（ＥＵＶ波長）検査が、これらの欠陥に反応するために、必要となり得る。しかし、露光および現像されたフォトレジストウェーハが、マスクに起因するすべての欠陥を検出するよう、十分な感度をもって検出され得るならば、それは、ＥＵＶマスク自体の適正および更新のための要件を満足するのに役立ち得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
特定の従属関係が請求項において認められるが、本出願における請求項の特徴のすべての可能な組み合わせが想定されるべきである。したがって、請求項は、すべての可能な多重従属を含むと解釈されるべきである。本開示およびそれに伴う利点が上述の説明により理解されるであろうと思われる。また、様々な変更が、本開示の主題から逸脱することなく、また、その物質的利点のすべてを犠牲にすることなく、形態、構成、および部品の配列において可能であることに注意すべきである。記載した形態は単に説明的なものであり、係る変化を網羅し含むことが、以下の請求項の意図である。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１
検査ターゲットを提供することと、
少なくとも１つの欠陥検査強化を検査ターゲットに加えることと、
を含む、ウェーハ欠陥検査の方法。
適用例２
前記少なくとも１つの検査強化を含む前記検査ターゲットを照射して、前記検査ターゲットの１つまたは複数の特徴と関連する１つまたは複数の検査信号を生成することと、
前記検査信号を検出することと、
前記検査信号から１つまたは複数の検査パラメータを生成することと、
をさらに含む、適用例１の方法。
適用例３
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えること
を含む、適用例１の方法。
適用例４
前記局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることは、
窒化チタン、アルミニウム、銀、金、窒化タンタル、およびクロムのうちの少なくもと１つを含む局所的検査強化層を加えること
を含む、適用例３の方法。
適用例５
前記局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることは、
照射時に共鳴表面プズモンを発揮する成分を含む局所的検査強化層を加えること
を含む、適用例３の方法。
適用例６
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、適用例１の方法。
適用例７
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
前記検査強化下層が薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、適用例６の方法。
適用例８
前記検査強化下層が薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
前記検査強化下層が、欠陥構造の位置において最大強度を有する薄膜干渉効果を形成する、前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置すること
を含む、適用例７の方法。
適用例９
前記検査強化下層の屈折率、前記検査強化下層の減衰係数、および前記検査強化下層の厚みのうちの少なくとも１つを設定することにより、検査デバイスの動作範囲に対応するよう、前記検査ターゲットの結果として生成された検査信号を変化させること
をさらに含む、適用例７の方法。
適用例１０
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
窒化ケイ素および二酸化シリコンのうちの少なくとも１つを含む１つまたは複数の検査強化下層を、前記検査ターゲットの検査層の少なくとも１部分の下方で、前記検査ターゲットの少なくとも１部分に加えること
を含む、適用例６の方法。
適用例１１
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に前記１つまたは複数の検査強化下層を配置することは、
露出波長において吸収し検査波長において転送する第１検査強化下層と、検査波長において前記検査ターゲットの少なくとも１部分に反射する第２検査強化下層とを備える２つ以上の検査強化下層を、前記検査ターゲットの検査層の下方に配置すること
を含む、適用例６の方法。
適用例１２
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写すること
を含む、適用例１の方法。
適用例１３
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写することは、
少なくとも１つの検査強化層を、前記第２検査ターゲットの少なくとも１部分に加えることと、
前記検査ターゲットの前記パターン付けられた検査層に対応するパターン付けられたフォトレジスト層を、前記少なくとも１つの局所的コーティングの上方で、前記第２検査ターゲットに加えることと、
前記第２検査ターゲットの前記パターン付けられたフォトレジスト層を露光することと、
前記第２検査ターゲットフォトレジストの前記パターン付けられたフォトレジスト層を、前記第２検査ターゲットの前記少なくとも１つの検査強化層にエッチングすることと
を含む、適用例１２の方法。
適用例１４
前記少なくとも１つの検査強化層を、前記第２検査ターゲットの少なくとも１部分に加えることは、
窒化ケイ素およびポリシリコンのうちの少なくとも１つを含む少なくとも１つの検査強化層を加えること
を含む、適用例１３の方法。
適用例１５
前記検査信号を最適化するよう、前記検査強化層の１つまたは複数の厚みを設定すること
をさらに含む、適用例１３の方法。
適用例１６
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させること
を含む、適用例１の方法。
適用例１７
前記１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることは、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数のフォトレジスト検査層に組み込み、それにより前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させること
を含む、適用例１６の方法。
適用例１８
前記１つまたは複数の物質を１つまたは複数のフォトレジスト検査層に組み込み、それにより前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることは、
１つまたは複数の染料を前記１つまたは複数のフォトレジスト検査層に加え、それにより、前記１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数のフォトレジスト検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変更すること
を含む、適用例１７の方法。
適用例１９
前記少なくとも１つの欠陥検査強化を前記検査ターゲットに加えることは、
局所的検査強化層を前記検査ターゲットの少なくとも１つの部分に加えることと、
前記検査ターゲットの１つまたは複数の層の少なくとも１部分の下方に、１つまたは複数の検査強化下層を配置することと、
前記検査ターゲットに関連するパターン付けられた検査層を第２検査ターゲットに転写することと、
１つまたは複数の物質を１つまたは複数の検査層に組み込み、それにより１つまたは複数の検査波長において、前記１つまたは複数の検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させることと
のうちの少なくとも２つを含む、適用例１の方法。
適用例２０
少なくとも１つの検査層と、
少なくとも１つの検査強化層と
を備える検査ターゲット。
適用例２１
前記少なくとも１つの検査層は、
少なくとも１つのフォトレジスト層
を備える、適用例２１の検査ターゲット。
適用例２２
前記少なくとも１つの検査強化層は、
前記検査層の上方に配置された少なくとも１つの局所的検査強化層
を備える、適用例２１の検査ターゲット。
適用例２３
前記少なくとも１つの検査強化層は、
前記検査層の下方に配置された少なくとも１つのパターン付けられた検査強化下層
を備える、適用例２２の検査ターゲット。
適用例２４
前記少なくとも１つのパターン付けられた検査強化層は、
前記検査層の下方に配置され、且つ第２検査ターゲットのパターン付けられた層に対応する、少なくとも１つのパターン付けられた検査強化下層
を備える、適用例２３の検査ターゲット。
適用例２５
前記少なくとも１つの検査層は、
１つまたは複数の物質を有さない検査層の屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つに対して、検査波長において屈折率および減衰係数のうちの少なくとも１つを変化させる、前記１つまたは複数の物質
を備える、適用例２１の検査ターゲット。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ａ】
2012533737.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｂ】
2012533737.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｃ】
2012533737.tif 000003