【手続補正書】
【提出日】平成25年10月7日(2013.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子リソグラフィーシステム中で使用するための投影レンズ５において、
前記投影レンズは、
外壁を有し、ある電位に設定されることになる、前記投影レンズの投影レンズ筐体３６の形態にある第１の金属部品３６と、
レンズスタック３５と、
前記レンズスタック３５と電気的に接触している実質的に薄型の第２の金属部品３９とを具備し、
前記第２の金属部品３９は、前記投影レンズ５中に含まれ、前記第１の金属部品３６の電位よりも低い電位に設定されることになり、
前記第２の金属部品３９は、前記第１の金属部品３６に対してある距離をおいて位置付けられ、１つ以上の端部を含み、
前記第１の金属部品および前記第２の金属部品の間の前記距離は、電界が存在する放電領域を規定し、
前記投影レンズは、絶縁体４０をさらに具備し、
前記放電領域は前記第２の金属部品３９の平面に配置され、前記放電領域に面している前記１つ以上の端部が前記絶縁体４０によって封じ込められ、前記第２の金属部品３９が導電性被覆として含まれている投影レンズ。
【請求項２】
外端上に設けられた絶縁担体３７をさらに具備し、導電性被覆３８は、前記投影レンズ筐体と接触しており、
前記第２の金属部品３９は、前記絶縁担体３７の中心部上に円形導電性被覆として含まれ、
前記絶縁体４０は、前記第２の金属部品３９の外端上に位置付けられて前記第２の金属部品３９の外端を完全に覆うリングとして含まれている、請求項１に記載の投影レンズ。
【請求項３】
ターゲット上に画像を投影するための荷電粒子リソグラフィーシステムにおいて、
前記荷電粒子リソグラフィーシステムはエレクトロン光学カラム４を具備し、
前記エレクトロン光学カラムは、
投影レンズスタック３５を含む投影レンズ５と、
高電圧遮蔽体とを備え、
前記高電圧遮蔽体は、
前記投影レンズの投影レンズ筐体を形成し、第１の電位に設定される第１の金属部品３６と、
前記第１の金属部品３６に関して相対的に負の電荷をもたらす第２の電位に設定される実質的に薄型の第２の金属部品３９とを含み、前記第２の金属部品は前記投影レンズ筐体内に配置され、１つ以上の端部を含み、
前記第２の金属部品３９は、電界が存在する放電領域を規定する、前記第１の金属部品３６に対してある距離をおいて位置付けられ、
前記高電圧遮蔽体は電気絶縁体４０をさらに含み、前記放電領域は前記第２の金属部品３９の平面に配置され、前記放電領域に面している前記１つ以上の端部が前記絶縁体４０によって封じ込められており、前記第２の金属部品３９が導電性被覆として含まれている、荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項４】
前記投影レンズ５は、静電投影レンズ、または、電磁気投影レンズのいずれかのシステムを含む、請求項３に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項５】
前記第１の金属部品および前記第２の金属部品の間の相対的電位差は、１ｋＶから１０ｋＶの範囲におけるものである、請求項３または４に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項６】
前記放電領域中の電界強度は、１０ｋＶ／ｍｍから３０ｋＶ／ｍｍの範囲におけるものである、請求項３、４または５のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項７】
前記高電圧遮蔽体は、電気的絶縁破壊および／またはエレクトロンクリープを防止する、請求項３ないし６のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項８】
前記第１の金属部品は、大地電位に設定される、請求項３ないし７のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項９】
絶縁トップカバー３４をさらに具備し、
前記投影レンズ筐体と前記絶縁トップカバーが投影レンズ全体を囲んでいる、請求項３ないし８のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項１０】
外端上に設けられた円形絶縁担体３７をさらに具備し、導電性被覆３８は、前記投影レンズ筐体３６と接触しており、
前記第２の金属部品３９は、前記円形絶縁担体３７の中心部上に円形導電性被覆として含まれる、請求項３ないし９のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項１１】
前記第２の金属部品３９は、前記レンズスタック３５と電気的に接触している、請求項３ないし１０のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【請求項１２】
前記絶縁体４０は、前記第２の金属部分の外端上に位置付けられて前記第２の金属部品の外端を完全に覆うリングとして含まれている、請求項３ないし１１のいずれか１項に記載の荷電粒子リソグラフィーシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
上記の説明は、好ましい実施形態の動作を図示するために含まれており、本発明の範囲を制限することを意図していないことを理解すべきである。これらの概念およびすべての前述の記述の他に、本発明は、以下の特許請求の範囲に規定されるような、すべての特徴に関連し、また、当業者によって直接的に、また、暗黙的に導出されてもよいように、添付の図面におけるすべての項目に関連している。特許請求の範囲に参照番号が含まれているが、これらは、例示的な意味を示すためのものであり、したがって、前述の用語を制限するためのものでなく、このために、参照番号を括弧の中に入れている。
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］荷電粒子リソグラフィーシステム中で使用するための高電圧遮蔽配置において、
前記配置に含まれ、ある電位に設定されることになる第１の金属部品と、
実質的に薄型の第２の金属部品と
を具備し、
前記第２の金属部品は、前記配置中に含まれ、前記第１の金属部品に比して、相対的に負の電荷をもたらす第２の電位に設定されることになり、
前記第２の金属部品は、前記第１の金属部品に対して、ある距離をおいて位置付けられ、
前記第１の金属部品および前記第２の金属部品の間の前記距離は、電場が存在する放電領域を規定し、
前記第２の金属部品は、１つ以上の端部を含み、
前記配置は、絶縁体をさらに備え、
前記１つ以上の端部が、前記絶縁体によって封じ込められる放電領域に面しており、前記第２の金属部品が導電性被覆として含まれていることを特徴とする、遮蔽配置。
［２］ターゲット上に画像を投影するための投影手段中に含まれている、請求項１記載の遮蔽配置。
［３］荷電粒子リソグラフィーシステムの投影レンズ中に含まれている、請求項１または２のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［４］高電圧投影オプティクスを遮蔽するための投影レンズと、前記投影レンズの外壁との中に含まれている、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［５］前記第１の金属部品は、円形絶縁担体の外端上に導電性被覆として含まれ、前記投影レンズの外壁と接続しており、前記第２の金属部品は、前記円形絶縁担体の中心部上に円形導電性被覆として含まれ、前記絶縁体は、前記第２の金属被覆の端に位置付けられ、前記第２の金属被覆の端を完全に覆うリングとして含まれる、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［６］前記第１の金属部品および第２の金属部品の間の相対的電位差は、１ｋＶから１０ｋＶの範囲におけるものである、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［７］前記放電領域中の電場強度は、１０ｋＶ／ｍｍから３０ｋＶ／ｍｍの範囲におけるものである、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［８］前記遮蔽配置は、電気的絶縁破壊および／またはエレクトロンクリープを防止する、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［９］前記第１の金属部品は、大地電位に設定される、請求項１ないし８のいずれか１項に記載の遮蔽配置。
［１０］請求項１ないし９のいずれか１項にしたがった遮蔽配置を含む、荷電粒子リソグラフィーマシン。