Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジメチルシランの熱分解を含み、当該熱分解は１．０ｐｓｉａ（絶対圧６．９ｋＰａ）と１００ｐｓｉａ（絶対圧６９０ｋＰａ）の間の圧力で行われる、熱化学気相成長コーティング（１０１）。
【請求項２】
前記ジメチルシランの熱分解が層（１０２）におけるものであり、当該層（１０２）は第１部分（１０４）と第２部分（１０６）を含み、当該第１部分と第２部分は当該層（１０２）内の分子により画定されている、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項３】
前記第１部分（１０４）がケイ素を含み、前記第２部分（１０６）が炭素を含む、請求項２記載のコーティング（１０１）。
【請求項４】
前記層（１０２）がＳｉ−Ｃ結合の１以上の非晶質の配列と多結晶微細構造を含む、請求項２記載のコーティング（１０１）。
【請求項５】
前記熱分解が酸化した層（８０２）におけるものであり、当該酸化した層（８０２）が当該コーティング（１０１）の層（１０２）へ酸化用反応物を適用することにより形成されている、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項６】
前記酸化した層（８０２）が非晶質カルボキシシランを含む、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項７】
前記熱分解が官能化した層（１１０）におけるものであり、当該官能化した層（１１０）が水素化ケイ素を不飽和炭化水素と熱的に反応させることにより形成されている、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項８】
前記官能化した層（１１０）が前記不飽和炭化水素に結合したＲ基を含み、当該Ｒ基が炭化水素、置換された炭化水素、カルボニル、カルボキシル、エステル、アミン、アミド、スルホン酸、有機金属錯体、及びエポキシドからなる群より選択される、請求項６記載のコーティング（１０１）。
【請求項９】
前記官能化した層（１１０）が官能化した非晶質カルボシランを含む、請求項６記載のコーティング（１０１）。
【請求項１０】
前記官能化した層（１１０）が殺菌性の官能基を含む、請求項６記載のコーティング（１０１）。
【請求項１１】
前記熱分解が官能化しその後酸化した層（８０４）におけるものであり、当該官能化しその後酸化した層（８０４）が当該コーティング（１０１）の官能化した層（１１０）へ酸化用反応物を適用することにより形成されている、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項１２】
前記官能化しその後酸化した層（８０４）が官能化した非晶質カルボキシシランを含む、請求項１０記載のコーティング（１０１）。
【請求項１３】
当該コーティング（１０２）が化学気相成長方法（２００）で形成され、当該方法（２００）が、
化学気相成長室内に基材（１００）を用意すること（２０２）、及び
当該化学気相成長室内で前記ジメチルシランを熱分解すること（２０４）、
を含む、請求項１記載のコーティング（１０１）。
【請求項１４】
化学気相成長室内に基材（１００）を用意すること（２０２）、
当該化学気相成長室内でジメチルシランを熱分解（２０４）してコーティング（１０２）を形成すること、
を含み、当該熱分解を１．０ｐｓｉａ（絶対圧６．９ｋＰａ）と１００ｐｓｉａ（絶対圧６９０ｋＰａ）の間の圧力で行う、熱化学気相成長方法（２００）。
【請求項１５】
前記化学気相成長室へ導入される前記ジメチルシランが気体のジメチルシランを含む、請求項１４記載の方法（２００）。
【請求項１６】
結合剤を導入することにより前記コーティング（１０２）の少なくとも一部分を官能化（２０６）して官能化した層（１１０）を形成することを更に含む、請求項１４記載の方法（２００）。
【請求項１７】
前記官能化（２０６）を、前記ジメチルシランの熱分解（２０４）によりもたらされた当初のカルボシランの被着から残存している水素化ケイ素部分と表面を反応させることにより行う、請求項１６記載の方法（２００）。
【請求項１８】
前記官能化した層（１１０）の少なくとも一部分を酸化用反応物を適用することにより酸化すること（２０５）を更に含む、請求項１６記載の方法（２００）。
【請求項１９】
前記コーティング（１０２）の少なくとも一部分を酸化用反応物を適用することにより酸化すること（２０５）を更に含む、請求項１４記載の方法（２００）。
【請求項２０】
表面（１０５）、
化学気相成長室内でのジメチルシランの１．０ｐｓｉａ（絶対圧６．９ｋＰａ）と１００ｐｓｉａ（絶対圧６９０ｋＰａ）の間の圧力での熱分解により前記表面（１０５）に形成した層（１０２）、
を含み、
前記層（１０２）は当該層（１０２）に被着した分子により画定される第１部分（１０４）と第２部分（１０６）を含み、
前記第１部分（１０４）と第２部分（１０６）を画定している前記分子がＨ、Ｃ及びＳｉを含有している分子フラグメントを含む、化学気相成長物品（１０３）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質支持型ウェブの製造方法であって、
不連続多成分ポリマー繊維を形成チャンバ内に導入する工程と、
前記多成分繊維を、前記形成チャンバ内で混合する工程と、
前記多成分繊維をフィラメント状の支持ウェブの少なくとも幾つかの内部空隙スペースに充填して、前記支持ウェブの少なくとも幾つかの前記内部空隙スペース内に充填された繊維状マットを形成する工程と、
前記繊維状マットが、前記支持ウェブの少なくとも幾つかの前記内部空隙スペース内に埋め込まれた多孔質ウェブへ自己接着されるように、前記多成分繊維を互いに溶融接着するために、前記多成分繊維を昇温にさらす工程と、を含む製造方法。
【請求項２】
多孔質支持型物品であって、
内部に内部空隙スペースを備えるフィラメント状の支持ウェブと、
前記フィラメント状の支持ウェブの少なくとも幾つかの前記内部空隙スペース内の埋込み型多孔質ウェブであって、前記ウェブの繊維が、自己接着型ウェブを備えるように、繊維接触部の少なくとも幾つかのポイントにて、その少なくとも幾つかが互いに溶融接着された実質的に不連続多成分ポリマー繊維からなる埋込み型多孔質ウェブと、
を含む多孔質支持型物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
難燃剤シロップの調製方法であって、（ａ）ナトリウムポリホスフェートを前回の工程の非粘性相に溶解する工程、（ｂ）前記ナトリウムポリホスフェート溶液をイオン交換樹脂によって精製し、変性ポリリン酸を得る工程、（ｃ）エチレンアミンまたはエチレンアミンの混合物を、前記変性ポリリン酸と反応させ、２相混合物を形成する工程、（ｄ）希釈非粘性相から難燃剤シロップを分離、収集する工程であって、次の反復のために前記非粘性相を保存する工程、（ｅ）窒素中、毎分２０℃で動作するＴＧＡによる測定で、３００℃での重量損失が１％未満であるエチレンアミンポリホスフェートを形成するために前記難燃剤シロップを脱水する工程を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記エチレンアミンまたは前記エチレンアミンの混合物は、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンエキサミン、アミノエチルピペラジン、およびそれらの混合物からなる群から選択される方法。
【請求項３】
工程ｅ）の後に、窒素中、毎分２０℃で動作するＴＧＡによる測定で、３４５℃での重量損失が１％未満であるエチレンアミンポリホスフェートを形成するために難燃剤シロップをさらに脱水することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
工程ｄ）及びｅ）の後に、３ｇが２０ｍＬの水に溶解された場合に、非粘性相との間にきれいな界面を有する、少なくとも１．５ｍＬのシロップを形成する特性を示すエチレンアミンポリホスフェートを形成するために難燃剤シロップを脱水することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項４に記載のエチレンアミンポリホスフェートをポリマーとブレンドすることを含む、難燃剤含有組成物の製造方法。
【請求項６】
窒素中、毎分２０℃で動作するＴＧＡによって測定された場合に、３４５℃での重量損失が１％未満であるエチレンアミンポリホスフェート。
【請求項７】
３ｇが２０ｍＬの水に溶解された場合に、非粘性相との間にきれいな界面を有する少なくとも１．５ｍＬのシロップを形成する特性を示すエチレンアミンポリホスフェート。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のエチレンアミンポリホスフェートであって、
前記エチレンアミンまたは前記エチレンアミンの混合物は、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ピペラジン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンエキサミン、アミノエチルピペラジン、およびそれらの混合物からなる群から選択されるエチレンアミンポリホスフェート。
【請求項９】
請求項７に記載のエチレンアミンポリホスフェートをポリマーとブレンドして形成した難燃剤含有組成物。
【請求項１０】
請求項６に記載のエチレンアミンポリホスフェートをポリマーとブレンドして形成した難燃剤含有組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を堆積させる方法であって、
第１の前駆体ゾーンに第１の前駆体ガスを導入し、
前記第１の前駆体ゾーンから離間した第２の前駆体ゾーンに、前記第１の前駆体ガスとは異なる第２の前駆体ガスを導入し、
前記基板と各前記前駆体ゾーンとを相対移動させて、該基板を、前記第１の前駆体ゾーン、不活性ガスが供給された隔離ゾーン、前記第２の前駆体ゾーンの順に露出させ、
前記第１の前駆体ゾーンにおいて前記第１の前駆体ガスに前記基板の表面を露出させて、前記表面上に前記第１の前駆体ガスの化学吸着した部分と、第１の前駆体ガスの前記表面上に化学吸着されていない過剰の部分とを残し、
前記隔離ゾーンに入った後、前記表面のそれぞれの部分を、前記隔離ゾーンの境界領域に配置された過剰の前駆体を除去する機構により該境界領域内で完全に印加されるエネルギーと前記境界領域とは分離した前記隔離ゾーンの内側領域内の不活性ガスとに瞬間的に露出させて、化学吸着されていない過剰の前駆体の除去を瞬間的に活性化させ、
前記第２の前駆体ゾーンにおいて前記第２の前駆体ガスに前記化学吸着した部分を露出させて、前記化学吸着した部分に前記第２の前駆体ガスを反応させることにより、
前記基板の表面に前記薄膜を形成することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記相対的な運動が、前記第１と第２の前駆体ゾーンの間を、交互に連続して複数回、基板を移動させることにより行われ、前記第１の前駆体ガス、前記不活性ガス、前記第２の前駆体ガス、前記不活性ガスの順で露出を繰り返す請求項１記載の方法。
【請求項３】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記基板のそれぞれの部分を、該基板が熱または電磁放射によって分解されない程度に十分に短い時間、熱または電磁放射に露出させることにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項４】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記表面をプラズマに露出させることにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項５】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記表面を加熱することにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項６】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記表面を赤外線に露出させることにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項７】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記表面をマイクロ波放射線に露出させることにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項８】
化学吸着されていない過剰の前駆体ガスの除去の瞬間的な活性化が、前記表面を、前記第１の前駆体とともに共沸混合物を形成する材料に露出させることにより行われる請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記基板はフレキシブルなウェブであり、
相対移動の付与は、前記フレキシブルな基板を、前記第１と第２の前駆体ゾーンの間で交互に連続して前後に運搬することにより行われ、前記基板は前記第１と第２の前駆体ゾーンと前記隔離ゾーンとを複数回通って移動する請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が、摂氏５０度を超える内部温度で分解するポリマーフィルムである請求項１〜９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板が、摂氏１５０度を超える内部温度で分解する材料を含む請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
化学吸着されていない過剰の前駆体の除去が、前記基板のそれぞれの部分を、該基板を分解させずに、局所的に温度を摂氏１５０度超にまで上昇させるように操作可能な、定常的な熱源または電磁放射器に、短時間露出させることにより行われる請求項１〜１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
基板上に薄膜を堆積させるシステムであって、
システムの使用時に、第１の前駆体ガスが導入される第１の前駆体ゾーンと、
システムの使用時に、前記第１の前駆体ガスとは異なる第２の前駆体ガスが導入される第２の前駆体ゾーンと、
前記第１の前駆体ゾーンと前記第２の前駆体ゾーンとの間に配置され、システムの使用時に、不活性ガスが導入される隔離ゾーンと、
前記基板とそれぞれの前記前駆体ゾーンとを相対移動させ、前記基板の表面を、前記第１の前駆体ガス、前記不活性ガス、前記第２の前駆体ガスの順に露出させる運搬機構と、
前記第１と第２の前駆体ゾーンの間に配置され、前記基板の表面から化学吸着されていない過剰の第１の前駆体を除去するとともに、不活性ガスと協働して、化学吸着されていない過剰の第１の前駆体が前記第２の前駆体ゾーンに侵入するのを防止する過剰の前駆体を除去する機構と、を有するシステム。
【請求項１４】
前記運搬機構が、交互に連続して、前記表面を、前記第１と第２の前駆体ゾーンの間で繰り返し移動させる請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記過剰の前駆体を除去する機構は、前記第２の前駆体ゾーンから離間されるとともに、前記基板の表面が前記第２の前駆体ゾーンに向けて運搬される際に前記基板の表面が前記第１の前駆体ゾーンから出る位置に隣接する前記隔離ゾーン内に配置される請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、定常的に作動し、
前記運搬機構により与えられる相対的な運動が、前記表面を、前記過剰の前駆体を除去する機構に瞬間的に露出させる請求項１３記載のシステム。
【請求項１７】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、プラズマ発生器を備える請求項１３記載のシステム。
【請求項１８】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、ヒーターを備える請求項１３記載のシステム。
【請求項１９】
前記ヒーターが、前記第１の前駆体により吸収される波長の放射線を発生する赤外線発生源を備える請求項１８記載のシステム。
【請求項２０】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、マイクロ波発生源を備える請求項１３記載のシステム。
【請求項２１】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、前記第１の前駆体とともに共沸混合物を形成する材料の供給源を備える請求項１３記載のシステム。
【請求項２２】
前記過剰の前駆体を除去する機構が、さらにヒーターを備える請求項２１記載のシステム。
【請求項２３】
前記基板はフレキシブルなポリマーウェブからなり、
前記運搬機構は、
コイルから前記基板を巻き出す送出スプールと、
前記第１と第２の前駆体ゾーンに沿って離間され、前記フレキシブルな基板を、前記隔離ゾーンの一連の制限流路を通して、前記第１と第２の前駆体ゾーンの間で前後に案内して、前記基板を、前記第１と第２の前駆体ゾーンおよび前記隔離ゾーンを通して複数回移動させる一連の回転ガイドと、
前記基板を巻き取る巻取りスプールと、を有し、
前記過剰の前駆体を除去する機構は、前記第２の前駆体ゾーンから離間されるとともに、前記第２の前駆体ゾーンに向けて運搬される際に前記第１の前駆体ゾーンから出るときに前記基板が通過する通路に隣接する前記隔離ゾーンに配置される請求項１３記載のシステム。
【請求項２４】
前記第２の前駆体ゾーンに接続されるポンプをさらに有する請求項１３記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合金物品を作製するプロセスであって、
１４５０°Ｆ〜１６５０°Ｆの範囲の温度にて少なくとも１５分間の最少炉内時間で合金物品を加熱することによって合金物品をオーステナイト化することと、
別の合金物品から間隔を空けて、静止空気中にてオーステナイト温度から合金物品を冷却することであって、ここで合金中の相転移が３００°Ｆ〜５７５°Ｆの温度範囲で生ずることと、
２５０°Ｆ〜５００°Ｆの温度にて、４５０分間〜６５０分間の温度での時間で合金物品を焼き戻し、それによって焼き戻し合金物品を提供することを含み、
前記合金が、合金全重量の重量パーセントで、０．４０〜０．５３の炭素、０．１５〜１．００のマンガン、０．１５〜０．４５の珪素、０．９５〜１．７０のクロム、３．３０〜４．３０のニッケル、０．３５〜０．６５のモリブデン、０．０００２〜０．００５０のホウ素、０．００１〜０．０１５のセリウム、０．００１〜０．０１５のランタン、０．００２以下のイオウ、０．０１５以下のリン、０．０１１以下の窒素、鉄及び付随する不純物を含む、プロセス。
【請求項２】
３２５°Ｆ〜３５０°Ｆの温度にて、４８０分間〜６００分間の温度での時間で合金物品を焼き戻し、それによって焼き戻し合金物品を提供することを含む請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記焼き戻し合金物品が５７０ＢＨＮより大きく、６７５ＢＨＮより小さい硬度を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項４】
前記焼き戻し合金物品が６００ＢＨＮより大きく、６７５ＢＨＮより小さい硬度を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項５】
前記焼き戻し合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス１）のもとでの最小Ｖ５０弾道限界値より大きいＶ５０弾道限界値を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項６】
焼き戻し合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス１）のもとでの最小Ｖ５０弾道限界値を少なくとも５０フィート／秒超過するＶ５０弾道限界値を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項７】
前記焼き戻し合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス２）のもとで必要とされるＶ５０弾道限界値よりも１５０フィート／秒小さいＶ５０弾道限界値と少なくとも同じくらいのＶ５０弾道限界値を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項８】
前記焼き戻し合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス２）のもとで必要とされるＶ５０弾道限界値よりも１００フィート／秒小さいＶ５０弾道限界値と少なくとも同じくらいのＶ５０弾道限界値を示す請求項１に記載のプロセス。
【請求項９】
前記焼き戻し合金物品が、．３０口径Ｍ２、ＡＰ発射体攻撃を受けた場合、目に見える亀裂を示さない請求項１に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記焼き戻し合金物品が、ラスマルテンサイト相及び下部ベイナイト相の少なくとも一方を含む微細構造を有する請求項１に記載のプロセス。
【請求項１１】
前記焼き戻し合金物品が、０．１８８〜０．３００インチの範囲の厚さを有する板を含む請求項１に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記焼き戻し合金物品が、装甲板又は装甲シートを構成する請求項１に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記合金が、０．４９〜０．５１の炭素、０．２〜０．８のマンガン、０．２〜０．４０の珪素、１．００〜１．５０のクロム、３．７５〜４．２５のニッケル、０．４０〜０．６０のモリブデン、０．００１０〜０．００３０のホウ素、０．００３〜０．０１０のセリウム及び０．００２〜０．０１０のランタンを含む請求項１に記載のプロセス。
【請求項１４】
合金全重量の重量パーセントで、０．４０〜０．５３の炭素、０．１５〜１．００のマンガン、０．１５〜０．４５の珪素、０．９５〜１．７０のクロム、３．３０〜４．３０のニッケル、０．３５〜０．６５のモリブデン、０．０００２〜０．００５０のホウ素、０．００１〜０．０１５のセリウム、０．００１〜０．０１５のランタン、０．００２以下のイオウ、０．０１５以下のリン、０．０１１以下の窒素、鉄及び付随する不純物を含む合金物品であって、
前記合金物品が、ラスマルテンサイト相及び下部ベイナイト相の少なくとも一方を含む微細構造を有し、
前記合金物品が、５７０ＢＨＮを超える硬度を示す合金物品。
【請求項１５】
前記合金物品が５７０ＢＨＮより大きく、６７５ＢＨＮより小さい硬度を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項１６】
前記合金物品が６００ＢＨＮより大きく、６７５ＢＨＮより小さい硬度を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項１７】
前記合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス１）のもとでの最少Ｖ５０弾道限界値より大きいＶ５０弾道限界値を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項１８】
前記合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス１）のもとでの最小Ｖ５０弾道限界値を少なくとも５０フィート／秒超過するＶ５０弾道限界値を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項１９】
前記合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス２）のもとで必要とされるＶ５０弾道限界値よりも１５０フィート／秒小さいＶ５０弾道限界値と少なくとも同じくらいのＶ５０弾道限界値を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項２０】
前記合金物品が、規格ＭＩＬ−ＤＴＬ−３２３３２（クラス２）のもとで必要とされるＶ５０弾道限界値よりも１００フィート／秒小さいＶ５０弾道限界値と少なくとも同じくらいのＶ５０弾道限界値を示す請求項１４に記載の合金物品。
【請求項２１】
前記合金物品が、ａ．３０口径Ｍ２、ＡＰ発射体攻撃を受けた場合、目に見える亀裂を示さない請求項１４に記載の合金物品。
【請求項２２】
前記合金物品が、０．１８８〜０．３００インチの範囲の厚さを有する板を含む請求項１４に記載の合金物品。
【請求項２３】
前記焼き戻し合金物品が、装甲板又は装甲シートを構成する請求項１４に記載の合金物品。
【請求項２４】
合金物品を作製するプロセスであって、
少なくとも１４５０°Ｆの温度で作動する炉内で合金物品を加熱することによって合金物品をオーステナイト化することと、
静止空気中にてオーステナイト温度から合金物品を冷却することと、
２５０°Ｆ〜５００°Ｆの温度にて、４５０分間〜６５０分間の温度での時間で合金物品を焼き戻し、それによって焼き戻し合金物品を提供することを含み、
前記合金が、合金全重量の重量パーセントで、０．４０〜０．５３の炭素、０．１５〜１．００のマンガン、０．１５〜０．４５の珪素、０．９５〜１．７０のクロム、３．３０〜４．３０のニッケル、及び鉄を含み、
冷却と焼き戻しとの間に液体焼入れを含まない、プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）約２０重量パーセント〜約５５重量パーセントの高温ポリマーと；（ｂ）約３５重量パーセント〜約５５重量パーセントの高温充填剤と；（ｃ）約０．１重量パーセント〜約１０重量パーセントの炭素フィラメントの混合物とを含む組成物であって、前記炭素フィラメントの混合物が、多層の軸方向炭素フィラメントを含み；
前記組成物の重量パーセントの合計が１００に等しい組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物から作製される物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
【表１】
2013508533.tif 000001
なお、本発明は、特許請求の範囲を含め、以下の発明を包含する。
１．（ａ）約２０重量パーセント〜約５５重量パーセントの高温ポリマーと；（ｂ）約３５重量パーセント〜約５５重量パーセントの高温充填剤と；（ｃ）約０．１重量パーセント〜約１０重量パーセントの炭素フィラメントの混合物とを含む組成物であって、前記炭素フィラメントの混合物が、多層の軸方向炭素フィラメントを含み；
前記組成物の重量パーセントの合計が１００に等しい組成物。
２．前記高温充填剤が、高温充填剤の重量を基準にして５０〜１００重量パーセントの黒鉛を含む、１に記載の組成物。
３．前記炭素フィラメントの混合物が、７８５ｎｍの励起で、０．９未満のラマンＤバンド対Ｇバンドの高さ比を有する、１に記載の組成物。
４．前記比率が０．４５未満である、３に記載の組成物。
５．前記炭素フィラメントの混合物が、前記炭素フィラメントの混合物の重量、または前記組成物の重量を基準にして１００ｐｐｍ未満の鉄を含有する、１に記載の組成物。
６．前記組成物の重量を基準にして３０ｐｐｍ未満の鉄を含有する、１に記載の組成物。
７．前記高温ポリマーが、ポリイミドポリマー、ポリベンズイミダゾール、ポリベンゾオキサゾール、ビスマレイミド、ポリアミドイミド、ポリ（エーテルエーテルケトン）、ポリ（エーテルケトン）、ポリ（エーテルケトンケトン）、ポリ（ビスマレイミド）、フェノール、フルオロポリマー、およびエポキシ（特にエポキシ−フェノール）ポリマーからなる群から選択される少なくとも１つ以上を含む、１に記載の組成物。
８．前記高温ポリマーが、ポリイミドを含み、前記ポリイミドが、
ａ）芳香族テトラカルボン酸二無水物成分ならびに
ｂ）以下を含むジアミン成分：
（ｉ）６０モルパーセント超〜約８５モルパーセントのｐ−フェニレンジアミン；および
（ｉｉ）１５モルパーセント〜４０モルパーセント未満のｍ−フェニレンジアミン
を有し；
ａ）およびｂ）が、約１：１の比率で存在する、７に記載の組成物。
９．前記芳香族テトラカルボン酸二無水物成分が、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物である、８に記載の組成物。
１０．２ミクロン超かつ２０ミクロン未満の長さを有する炭素フィラメントを含む、３に記載の組成物。
１１．７０ナノメートル超かつ４００ナノメートル未満の幅を有する炭素フィラメントを含む、３に記載の組成物。
１２．中空穴を有する炭素フィラメントを含む組成物であって、前記穴が、前記穴を有する前記炭素フィラメントの直径の０．４倍未満の直径を有する、１に記載の組成物。
１３．１に記載の組成物から作製される物品。
１４．５０００×１０-7ｃｍ3未満の、７００Ｋで３時間にわたる３００サイクル／分における改訂ＡＳＴＭ  Ｇ１３３−０５（２００５）Ｗｅａｒ  Ｒａｔｅ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｂを有する、１３に記載の物品。
１５．４０００×１０-7ｃｍ3未満の、７００Ｋで３時間にわたる３００サイクル／分における改訂ＡＳＴＭ  Ｇ１３３−０５（２００５）Ｗｅａｒ  Ｒａｔｅ  Ｍｅｔｈｏｄ  Ｂを有する、１３に記載の物品。
１６．ブッシングである、１３に記載の物品。
１７．低磨耗用途に使用するのに適している、１３に記載の物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
堆積される金属のための金属イオン源、還元剤、錯化剤、促進剤、並びに安定剤を含む基板上に金属層を無電解で堆積するための電解質であって、当該電解質は安定剤としてβ−アミノ酸を含むことを特徴とする。
【請求項２】
前記β−アミノ酸が４〜８のｐＫａ値を有することを特徴とする請求項１による電解質。
【請求項３】
前記β−アミノ酸が、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブタン酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、および２−アミノエタンスルホン酸からなる群から選ばれた酸である、請求項１または２による電解質。
【請求項４】
還元剤として次亜リン酸ソーダ、ホルムアルデヒド、ジメチルアミノボラン、アミノボラン、およびその他の有機ボランからなる群から選ばれた化合物が含まれる、請求項１〜３の何れかによる電解質。
【請求項５】
金属イオン源としての前記電解質が、金属塩化物、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属窒化物、金属プロピオン酸塩、金属ホルミエート、金属シュウ酸塩、金属クエン酸塩、および金属アスコルビン酸塩からなる群から選ばれた金属化合物を含む、請求項１〜４の何れかによる電解質。
【請求項６】
前記電解質が、錯化剤として、２−ヒドロキシプロピオン酸、プロパン二酸（マロン酸）、ＥＤＴＡ、およびアミノ酢酸からなる群から選ばれた化合物を含む、請求項１〜５の何れかによる電解質。
【請求項７】
前記電解質が、促進剤としてサッカリン、ヒダントイン、ローダニン、カルバミド、およびカルバミド誘導体からなる群から選ばれた化合物を含む、請求項１〜６の何れかによる電解質。
【請求項８】
前記電解質が、無機安定剤、特に鉛、ビスマス、アンチモン、亜鉛、および／またはスズを含まない、請求項１〜７の何れかによる電解質。
【請求項９】
堆積される金属がニッケル、銅、コバルト、ホウ素、金、またはこれらの金属の１つを少なくとも含む合金からなる群から選ばれた金属である請求項１〜８の何れかによる電解質。
【請求項１０】
前記電解質がシアニド、セレン化合物、−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まない、請求項１〜９の何れかによる電解質。
【請求項１１】
めっきされる基板が、安定剤としてβ−アミノ酸および／またはβ−アミノ酸誘導体、堆積される金属イオン源、還元剤、錯化剤、促進剤、安定剤としてのβ―アミノ酸および／またはβ−アミノ酸誘導体を含む電解質と接触するようにされる、基板上の金属層の無電解堆積の方法。
【請求項１２】
β−アミノ酸および／またはβ−アミノ酸誘導体が４〜８の範囲のｐＫａを有する請求項１１の方法。
【請求項１３】
電解質がβ−アミノ酸を含み、前記β−アミノ酸が、３−アミノプロピオン酸、３−アミノブチル酸、３−アミノ−４−メチル吉草酸、および２−アミノエタンスルホン酸からなる群から選ばれた化合物である、請求項１１または１２による方法。
【請求項１４】
前記還元剤が、次亜リン酸ソーダ、ホルムアルデヒド、ジメチルアミノボラン、アミノボラン、およびその他の有機ボランからなる群から選ばれた化合物である、請求項１１〜１３の何れかによる方法。
【請求項１５】
金属イオン源としての前記電解質が、金属塩化物、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属窒化物、金属プロピオン酸塩、金属ホルミエート、金属シュウ酸塩、金属クエン酸塩、および金属アスコルビン酸塩からなる群から選ばれる金属化合物を含む、請求項１１〜１４の何れかによる方法。
【請求項１６】
前記電解質が、錯化剤として、２−ヒドロキシプロピオン酸、プロパン二酸（マロン酸）、ＥＤＴＡ、およびアミノ酢酸からなる群から選ばれる化合物を含む、請求項１１〜１５の何れかによる方法。
【請求項１７】
前記電解質が、促進剤としてサッカリン、ヒダントイン、ローダニン、カルバミド、およびカルバミド誘導体からなる群から選ばれる化合物を含む、請求項１１〜１６の何れかによる方法。
【請求項１８】
前記電解質が、無機安定剤、特に鉛、ビスマス、アンチモン、亜鉛、および／またはスズを含まない、請求項１１〜１７の何れかによる方法。
【請求項１９】
堆積される金属がニッケル、銅、コバルト、ホウ素、金、またはこれらの金属の１つを少なくとも含む合金からなる群から選ばれる金属である、請求項１１〜１８の何れかによる方法。
【請求項２０】
前記電解質がシアニド、セレン化合物、−２〜＋５の酸化状態における硫黄を含む硫黄化合物を含まない、請求項１１〜１９の何れかによる方法。
【請求項２１】
前記電解質がさらに少なくとも１つのカルボン酸および／または少なくとも１つのカルボン酸塩を含む、請求項１１〜２０の何れかによる方法。
【請求項２２】
前記電解質が以下からなる請求項１１による方法：
１３．０３ｇ／Ｌ  硫酸ニッケル；
１．９２５ｇ／Ｌ  沃化カリウム；
１７．２７ｇ／Ｌ  乳酸；
５．９４ｇ／Ｌ  リンゴ酸；
４０．２ｇ／Ｌ  次亜リン酸；
９．８１ｇ／Ｌ  苛性ソーダ；
０．３５ｇ／Ｌ  β―アラニン；
ここで、ｐＨは、ｐＨ４〜７の範囲である。
【請求項２３】
β−アミノ酸の総当量濃度の前記還元剤のモル濃度に対する比が約０．０７当量／モル以下である請求項１１〜２１の何れかによる方法。
【請求項２４】
前記電解質が以下を含む請求項１１による方法：
堆積される金属がニッケル、銅、コバルト、ホウ素、金、またはこれらの金属の１つを少なくとも含む合金からなる群から選ばれた金属である堆積金属用金属イオン源；
還元剤が次亜リン酸ソーダ、ホルムアルデヒド、ジメチルアミノボラン、アミノボラン、およびその他の有機ボランからなる群から選ばれた化合物である還元剤；
錯化剤が、２−ヒドロキシプロピオン酸、プロパン二酸（マロン酸）、ＥＤＴＡ、およびアミノ酢酸からなる群から選ばれた化合物である錯化剤；
促進剤がサッカリン、ヒダントイン、ローダニン、カルバミド、およびカルバミド誘導体からなる群から選ばれる化合物である、錯化剤；
ｐＫａ値４〜８を有する前記β−アミノ酸および／またはアミノ酸誘導体；
ここで、前記電解質が、無機安定剤、特に鉛、ビスマス、アンチモン、亜鉛、および／またはスズを含まない。
【請求項２５】
基板上の金属層の無電解堆積のために有用な処方であって、前記処方は堆積される金属のカチオンソース、還元剤、錯化剤、およびβ−アミノ酸、β−アミノ酸の誘導体、およびそれらの組合せからなる群から選ばれた安定剤を含み、β−アミノ酸の総当量濃度の前記還元剤のモル濃度に対する比が約０．０７当量／モル以下で；
ここで、堆積される金属がニッケル、銅、コバルト、ホウ素、金、またはこれらの金属の１つを少なくとも含む合金からなる群から選ばれる金属である。
【請求項２６】
総当量β−アミノ酸濃度の処方中の総当量カルボキシル濃度と前記総当量β−アミノ酸濃度の間の差に対する比が約０．０２８以下である、請求項２４による処方。
【請求項２７】
基板表面上の金属層の無電解質堆積のための電解質における安定剤としての、β−アミノ酸の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
好ましくは、発明に係る電解質は、好ましくはサッカリン、ヒダントイン、ローダニンまたはカルバミド、およびその誘導体からなる群から選ばれる促進剤を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図８に示されるように、コンクリート構造物９は、止まり穴として具現される空洞１５を備えており、管１６は、空洞１５と位置合わせされた貫通穴として具現される。この目的で、コンクリート構造物９および被覆スラブ１７が対応して形成され、図示されていないが一般にそれ自体公知である、構造物９の上に被覆スラブ１７を正確に位置合わせするための手段が用いられる。中に嵌め込まれる構造物９および被覆スラブ１７上の凹凸のパターンを用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転ホイールを有する車両の移動に影響を及ぼすためのスネア装置であって、該スネア装置は、車両の回転ホイールのまわりに巻き付けられるようになるときに伸長されるように形成された個々のメッシュを有するネットを含み、前記スネア装置は、
前記回転ホイールの間の幅と少なくとも同じ幅と、
前記回転ホイールの周と少なくとも同じ長さと、
脆弱なシームによって前記ネットに結合された少なくとも１つのストリップセグメントを含む前記ネットの前部分に沿って配置された前縁ストリップと、
前記ネットの後部分に固定的に取り付けられた後縁ストリップと、
前記前縁ストリップを、前記ホイールに連結されるように形成された引っ掛かり部材に連結する少なくとも１つの繋ぎ紐と、を有する、ことを特徴とするスネア装置。
【請求項２】
前記前縁ストリップと前記後縁ストリップとの間で前記個々のメッシュの少なくとも幾つかに取り付けられた前記前縁ストリップおよび前記後縁ストリップに取り付けられた少なくとも１つの長さ方向ストリップをさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項３】
前記ネットは、(1)少なくとも２つのファイバ材料、(2)少なくとも２つの糸材料、(3)少なくとも２つのストランド材料、(4)少なくとも２つのコード材料、のうちの少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項４】
前記ネットは、以下の方法：ゼットツイスト、エスツイスト、および編製、のうちの１つによって作られる、ことを特徴とする請求項３に記載のスネア装置。
【請求項５】
各々が少なくとも１つの引っ掛かり部材をスネアに結合する少なくとも複数の繋ぎ紐をさらに含む、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項６】
前記引っ掛かり部材は、ホイールのタイヤに引っ掛かるように形成されている、ことを特徴とする請求項５に記載のスネア装置。
【請求項７】
前記引っ掛かり部材は、スパイクである、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項８】
前記前部分は、前記ネットの前縁にあり、前記ネットの前縁は、収納構成から引き出される前記ネットの第１縁である、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項９】
前記前部分は、前記ネットの前半部内にあり、前記ネットの前半部は、収納構成から引き出される前記ネットの第１半部である、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項１０】
前記後部分は、前記ネットの後半部内にあり、前記ネットの後半部は、収納構成から引き出される前記ネットの第２半部である、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項１１】
前記後部分は、前記ネットの後縁にあり、前記ネットの後縁は、収納構成から引き出される前記ネットの第２縁である、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項１２】
回転ホイールを有する車両の移動に影響を及ぼすためのスネアであって、該スネアは、車両の回転ホイールのまわりに巻き付けられるようになるときに伸長されるように形成された個々のメッシュを有するネットを含み、前記スネアは、
前記回転ホイールの間の幅と略同じ幅と、
前記回転ホイールの周と少なくとも同じ長さと、
前記スネアの前縁ストリップを、複数の個々の引っ掛かり部材に連結する複数の繋ぎ紐と、を有する、ことを特徴とするスネア。
【請求項１３】
前記引っ掛かり部材は、スパイクである、ことを特徴とする請求項１２に記載のスネア。
【請求項１４】
前記スネアは、ネットからなる、ことを特徴とする請求項１２に記載のスネア。
【請求項１５】
前記ネットは、(1)少なくとも２つのファイバ材料、(2)少なくとも２つの糸材料、(3)少なくとも２つのストランド材料、および(4)少なくとも２つのコード材料、のうちの少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１２に記載のスネア。
【請求項１６】
前記ネットは、以下の方法：ゼットツイスト、エスツイスト、および編製、のうちの１つによって作られる、ことを特徴とする請求項１５に記載のスネア。
【請求項１７】
回転ホイールの間に幅を有する車両の移動に影響を及ぼすためのスネアであって、該スネアは、ハウジングと、該ハウジング内に初めに収納されたメッシュと、を含む、前記スネアは、
車両に絡み付くなるときにハウジング内の収納構成から伸長構成に幅方向に伸長する第１部分と、
車両の回転を止めるためにスネアをホイール上に締め付ける第２部分と、
前縁ストリップを、ホイールに結合されるように形成された引っ掛かり部材に結合する少なくとも１つの繋ぎ紐と、を有し、
前記第２部分は、前記第１部分に取り付けられており、
前記第２部分は、幅方向ストリップであり、
前記幅方向ストリップは、前記第１部分の後縁に少なくとも部分的に取り付けられており、前記後縁は、前記メッシュの前縁から前記メッシュの反対側に位置決めされており、前記前縁は、収納構成から抽出される前記メッシュの第１縁であり、
長さ方向ストリップが、前記前縁ストリップおよび前記幅方向ストリップに固定的に縫い付けられており、前記幅方向ストリップは、前記前縁ストリップと前記後縁ストリップとの間のメッシュからなる個々のメッシュの少なくとも幾つかに締結されており、
前記第１部分は、前記メッシュの前縁に沿った前縁ストリップであり、前記前縁ストリップは、前記メッシュの前記前縁の少なくとも一部にリップステッチで連結された少なくとも１つのストリップセグメントを含み、前記後縁ストリップは、前記メッシュの前記後縁のほぼ少なくとも一部に固定的に縫い付けられた単一のストリップを含む、ことを特徴とするスネア。
【請求項１８】
収納構成の前記メッシュは、回転ホイールの間の幅と略同じ幅と、回転ホイールの１つの周と少なくとも同じ長さと、を含む、ことを特徴とする請求項１７に記載のスネア。
【請求項１９】
前記メッシュは、(1)少なくとも２つのファイバ材料、(2)少なくとも２つの糸材料、(3)少なくとも２つのストランド材料、および(4)少なくとも２つのコード材料、のうちの少なくとも１つからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のスネア装置。
【請求項２０】
前記材料は、ポリエステル、ポリエチレン、及びアラミドのうちの少なくとも２つを含む、ことを特徴とする請求項１９に記載のスネア。
【請求項２１】
前記メッシュは、以下の方法：ゼットツイスト、エスツイスト、および編製、のうちの１つによって作られる、ことを特徴とする請求項１９に記載のスネア装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリー装置（４０、４２）と負荷を含むシステム内のエネルギーの流れを制御する方法であって、
前記バッテリー装置は、フライホイールを含む機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）とを備え、
瞬間的な運転条件にしたがって、前記負荷から前記バッテリー装置にエネルギーを流入させるべきか、または前記バッテリー装置から前記負荷へとエネルギーを流出させるべきかを検討し、
その後、前記瞬間的な運転条件にしたがって、前記機械式バッテリー（４０）と前記化学バッテリー（４２）の最適な組み合わせを再充電するか最適な組み合わせからエネルギーを引き出すことをさらに含む方法。
【請求項２】
システム運転期間の最後に、前記機械式バッテリーからエネルギーを引き出して貯蔵のために前記化学バッテリーに流すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
機械式バッテリーと化学バッテリーの運転の最適な組み合わせの選択が、
前記機械式バッテリー（４０）内のフライホイールの瞬間的な蓄勢状態および／または前記化学バッテリー（４０）の瞬間的な充電状態を検討すること、
前記負荷の瞬間的な所要動力を検討すること、
前記システム内での瞬間的なエネルギーサイクル速度を検討すること、
のうちの少なくとも一つを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記システムの運転中に、前記機械式バッテリーおよび／または前記化学バッテリーにおける最小充電レベルを維持するステップをさらに含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
フライホイールを含む機械式バッテリー（４０）を備え、化学バッテリー（４２）をさらに備えるバッテリー装置であって、
前記機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）が使用時に共通の負荷にエネルギーを供給するように構成されることを特徴とするバッテリー装置。
【請求項６】
前記機械式バッテリー（４０）が前記化学バッテリー（４２）と並列に配置されることを特徴とする請求項５に記載のバッテリー装置。
【請求項７】
前記機械式バッテリー（４０）が前記化学バッテリー（４２）および車両変速機と直列に配置されることを特徴とする請求項５に記載のバッテリー装置。
【請求項８】
前記バッテリー装置におけるエネルギーの流れを制御するコントローラ（４４）をさらに備えることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載のバッテリー装置。
【請求項９】
前記機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）が、前記共通の負荷を備えるシステムの運転から回収されたエネルギーを用いて再充電可能であることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載のバッテリー装置。
【請求項１０】
前記機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）が互いを再充電可能であることを特徴とする請求項５ないし９のいずれかに記載のバッテリー装置。
【請求項１１】
前記機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）がエネルギーを供給する前記共通の負荷が電気機械（４６）であることを特徴とする請求項５ないし１０のいずれかに記載のバッテリー装置。
【請求項１２】
前記電気機械が、航続距離延長型電気自動車（ＲＥＥＶ）を含む電気自動車（ＥＶ）、および並列ハイブリッド電気自動車またはプラグインハイブリッド電気自動車を含むハイブリッド電気自動車（ＨＥＶ）のいずれかに含まれることを特徴とする請求項１１に記載のバッテリー装置。
【請求項１３】
請求項５ないし１２のいずれかに記載のバッテリー装置を含む車両、エンジンまたは機械。
【請求項１４】
負荷を有するシステムにエネルギーを供給する方法であって、
フライホイールを含む機械式バッテリー（４０）と化学バッテリー（４２）とを備えるバッテリー装置を使用して、前記システムにエネルギーを供給することを含み、
供給される化学バッテリーのエネルギーと機械式バッテリーのエネルギーの組み合わせが瞬間的な運転条件にしたがって選択されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記システムの運転から回収したエネルギーを使用して、前記機械式バッテリー（４０）および前記化学バッテリー（４２）の少なくとも一方を再充電するステップをさらに含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記機械式バッテリー（４０）を用いて前記化学バッテリー（４２）を再充電するステップ、またはその逆のステップをさらに含む請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記瞬間的な運転条件が、システムの負荷の大きさ、相対的または絶対的なバッテリー充電、相対的または絶対的なバッテリーの容量、必要なエネルギー供給速度、必要なエネルギー供給量、および必要なエネルギータイプのいずれかを含むことを特徴とする請求項１４ないし１６のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウイルス疾患を治療するための組み合わせ医薬の製造における、抗ウイルス剤及びＥＰ４受容体アゴニストの使用であって、少なくとも一つのＥＰ４受容体アゴニスト及び抗ウイルス剤が準最適量で提供される、使用。
【請求項２】
前記ＥＰ４受容体アゴニストが、所定の患者についての最適用量の範囲の中央値の１０％〜１００％で提供される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記抗ウイルス剤が、所定の患者についての最適用量の１０％〜８０％で提供される、請求項１に記載の使用。
【請求項４】
前記抗ウイルス剤が、所定の患者についての最適用量の１５％〜５０％で提供される、請求項１に記載の使用。
【請求項５】
前記ウイルス疾患が、インフルエンザウイルスにより引き起こされる疾患である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
前記ウイルス疾患が、コロナウイルスにより引き起こされる疾患である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項７】
前記抗ウイルス剤が、ウイルスタンパク質Ｍ２イオンチャネル阻害剤、ノイラミニダーゼ阻害剤、ＲＮＡ複製及び転写阻害剤、並びにポリメラーゼ阻害剤から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項８】
前記抗ウイルス剤が、オセルタミビル、ザナミビル、ペラミビル、又は｛（４Ｓ，５Ｒ，６Ｒ）−５−アセトアミド−４−グアニジノ−６−［（１Ｒ，２Ｒ）−２−ヒドロキシ−１−メトキシ−３−（オクタノイルオキシ）プロピル］−５，６−ジヒドロ−４Ｈ−ピラン−２−カルボン酸である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
前記抗ウイルス剤が、オセルタミビルである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
前記抗ウイルス剤が、アマンタジン又はリマンタジンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
前記抗ウイルス剤が、リバビリンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１２】
前記抗ウイルス剤が、６−フルオロ−３−ヒドロキシ−２−ピラジンカルボキサミドである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
前記ＥＰ４受容体アゴニストが、ベラプロストナトリウム、（＋）−［１Ｒ，２Ｒ，３ａＳ，８ｂＳ］−２，３，３ａ，８ｂ−テトラヒドロ−２−ヒドロキシル−１−［（Ｅ）−（３Ｓ）−３−ヒドロキシル−４−メチル−１−オクテン−６−イニル）−１Ｈ−シクロペンタ［ｂ］ベンゾフラン−５−ブタン酸ナトリウム塩、（＋）−［１Ｒ，２Ｒ，３ａＳ，８ｂＳ］−２，３，３ａ，８ｂ−テトラヒドロ−２−ヒドロキシル−１−［（Ｅ）−（３Ｓ，４Ｒ）−３−ヒドロキシル−４−メチル−１−オクテン−６−イニル）−１Ｈ−シクロペンタ［ｂ］ベンゾフラン−５−ブタン酸ナトリウム塩、（＋）−［１Ｒ，２Ｒ，３ａＳ，８ｂＳ］−２，３，３ａ，８ｂ−テトラヒドロ−２−ヒドロキシル−１−［（Ｅ）−（３Ｓ，４Ｓ）−３−ヒドロキシル−４−メチル−１−オクテン−６−イニル）−１Ｈ−シクロペンタ［ｂ］ベンゾフラン−５−ブタン酸ナトリウム塩、又は（＋）−［１Ｒ，２Ｒ，３ａＳ，８ｂＳ］−２，３，３ａ，８ｂ−テトラヒドロ−２−ヒドロキシル−１−［（Ｅ）−（３Ｓ）−３−ヒドロキシル−４−メチル−１−オクテン−６−イニル）−１Ｈ−シクロペンタ［ｂ］ベンゾフラン−５−ブタン酸ナトリウム塩からなる群から選択される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１４】
前記ＥＰ４受容体アゴニストが、ニレプロスト、（Ｅ）−５−シアノ−５−［（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−７−ヒドロキシ−６−［（Ｅ）−（３Ｓ，４ＲＳ）−３−ヒドロキシ−４−メチル−１−オクテニル］−２−オキサ−ビシクロ［３．３．０］オクタン−３−イリデン］ペンタン酸、及び異性体（Ｅ）−５−シアノ−５−［（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−７−ヒドロキシ−６−［（Ｅ）−（３Ｓ，４Ｓ）−３−ヒドロキシ−４−メチル−１−オクテニル］−２−オキサ−ビシクロ［３．３．０］オクタン−３−イリデン］ペンタン酸、又は（Ｅ）−５−シアノ−５−［（１Ｓ，５Ｒ，６Ｒ，７Ｒ）−７−ヒドロキシ−６−［（Ｅ）−（３Ｓ，４Ｒ）−３−ヒドロキシ−４−メチル−１−オクテニル］−２−オキサ−ビシクロ［３．３．０］オクタン−３−イリデン］ペンタン酸、及び（Ｅ）−［（３ａＲ，４Ｒ，５Ｒ，６ａＳ）−ヘキサヒドロ−５−ヒドロキシ−４−［（１Ｅ，３Ｓ）−３−ヒドロキシ−４−メチル−１−オクテニル］−２Ｈ−シクロペンタ［ｂ］フラン−２−イリデン］−１Ｈ−テトラゾール−５−２Ｅ−ペンタンニトリルからなる群から選択される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１５】
前記ＥＰ４受容体アゴニストが、
【化１】
2013508282.tif 000001
からなる群から選択される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１６】
前記組み合わせ医薬が、抗炎症剤と組み合わせて、又は補助的に使用するために製剤化される、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１７】
前記抗炎症剤が、ＮＳＡＩＤ又はステロイドである、請求項１６に記載の使用。
【請求項１８】
前記組み合わせ医薬が、ピオグリタゾン、又はロシグリタゾンをさらに含む、請求項１又は２に記載の使用。
【請求項１９】
ウイルス疾患の治療において使用のための抗ウイルス剤及びＥＰ４受容体アゴニストを含む組み合わせ医薬であって、少なくとも一つのＥＰ４受容体アゴニスト及び抗ウイルス剤が準最適量で提供される、組み合わせ医薬。
【請求項２０】
前記ＥＰ４受容体アゴニストが、ベラプロストナトリウムである、請求項１９に記載の組み合わせ医薬。
【請求項２１】
一つ又は複数の医薬的に許容される賦形剤を含む、単回用量形態でＥＰ４受容体アゴニスト及び抗ウイルス剤を含む医薬組成物であって、少なくとも一つのＥＰ４受容体アゴニスト及び抗ウイルス剤が準最適量で提供される、医薬組成物。
【請求項２２】
請求項２１に記載の医薬組成物を含むキット。
【請求項２３】
抗ウイルス剤を含む第一の医薬製剤、及びＥＰ４受容体アゴニストを含む第二の医薬製剤を含むキットあって、少なくとも一つのＥＰ４受容体アゴニスト及び抗ウイルス剤が準最適量で提供される、キット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量の無機ニトライト又はその製薬上許容される塩、溶媒和物若しくはプロドラッグ及び製薬上許容される賦形剤を含む医薬組成物であって、該医薬組成物をヒトに投与することにより、最大で14時間にわたって、亜硝酸イオンの血漿濃度が0.05μM〜10μMに維持される、前記組成物。
【請求項２】
前記血漿濃度が0.05μM〜1μMに維持される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
血漿濃度が維持される期間が血漿濃度がピークにある時間の後に起こる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記亜硝酸イオンの30〜50%が最初の1時間に放出され、前記亜硝酸イオンの残部はその後の2〜14時間で放出される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記無機ニトライトがヒトの体重1kg当たり0.05mg〜10mgの用量で投与される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記医薬組成物が経口投与用に製剤化される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
有効量の無機ニトライト又はその製薬上許容される塩、溶媒和物若しくはプロドラッグ及び該無機ニトライトを遅延放出させるための製薬上許容される賦形剤を含み、それによって、ヒト対象に経口投与されたときに、該無機ニトライトは当該ヒト対象の胃内では実質的に放出されない、経口投与用に製剤化された医薬組成物。
【請求項８】
経口投与に適した医薬組成物であって、
(a)  有効量の無機ニトライト又はその製薬上許容される塩、溶媒和物若しくはプロドラッグ；及び、
(b)  腸溶コーティング層；
を含んでおり、
ここで、前記医薬組成物は、ヒト対象に投与されたときに、該無機ニトライトが当該ヒト対象の胃内では実質的に放出されないように、製剤化されており、
前記医薬組成物をヒトに投与することにより、亜硝酸イオンの血漿濃度が、最大で14時間にわたり、0.05μM〜10μMに維持される、前記医薬組成物。
【請求項９】
前記血漿濃度が0.05μM〜1μMに維持される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
血漿濃度が維持される期間が血漿濃度がピークにある時間の後に起こる、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記亜硝酸イオンの30〜50%が最初の1時間に放出され、前記亜硝酸イオンの残部がその後の2〜14時間で放出される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記無機ニトライトがヒトの体重1kg当たり0.05mg〜10mgの用量で投与される、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
ヒトにおける慢性組織虚血を治療又は予防するための、請求項１、７または８に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
ヒトの体内において見いだされる循環ニトライトの不足を補うための、請求項１、７または８記載の医薬組成物。