【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスが形成される素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板であって、
前記素子形成層と前記薄膜化用除去層との間にゲッタリング層を設けた、
ことを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記薄膜化用除去層は、前記素子形成層にデバイスが形成された後に除去されることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項３】
前記ゲッタリング層は、前記薄膜化用除去層をエッチングにより除去する際のエッチングストッパーとして機能するように構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項４】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板と、
前記素子形成層と前記薄膜化用除去層との間に設けられたゲッタリング層と、
前記素子形成層の他方の面に形成されたデバイスと、
前記素子形成層の他方の面に積層して設けられ前記デバイスの配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記薄膜化用除去層は、前記デバイス及び前記配線層が設けられた後に除去されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線層の表面に基板支持層が設けられていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲッタリング層は、前記薄膜化用除去層をエッチングにより除去する際のエッチングストッパーとして機能するように構成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項８】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記素子形成層と前記薄膜化用除去層との間にゲッタリング層を形成する工程と、
前記素子形成層にデバイスを形成する工程と、
前記素子形成層の他方の面に前記デバイスの配線を行う配線層を形成する工程と、
前記薄膜化用除去層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記配線層の表面に基板支持層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記ゲッタリング層は、前記薄膜化用除去層をエッチングにより除去する際のエッチングストッパーとして機能するように構成されていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板と、
前記素子形成層と前記薄膜化用除去層との間に設けられたゲッタリング層と、
前記ゲッタリング層と接する前記素子形成層の面に前記ゲッタリング層を覆うように設けられた正孔蓄積層と、
前記素子形成層の他方の面に形成された光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子と、
前記素子形成層の他方の面に積層して設けられ前記能動素子の配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１２】
前記薄膜化用除去層は、前記能動素子及び前記配線層が設けられた後に除去され、前記薄膜化用除去層が除去された後の前記ゲッタリング層の表面に前記光電変換素子への入射光を集光するマイクロレンズが少なくとも設けられていることを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
前記配線層の表面に基板支持層が設けられていることを特徴とする請求項１１記載の固体撮像装置。
【請求項１４】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板を用いた固体撮像装置の製造方法であって、
前記素子形成層と前記薄膜化用除去層との間にゲッタリング層を形成する工程と、
前記ゲッタリング層と接する前記素子形成層の面に前記ゲッタリング層を覆うように正孔蓄積層を設ける工程と、
前記素子形成層に光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を形成する工程と、
前記能動素子が形成された前記素子形成層の他方の面に前記能動素子の配線を行う配線層を形成する工程と、
前記薄膜化用除去層を除去する工程と、
前記薄膜化用除去層が除去された後の前記ゲッタリング層の表面に前記光電変換素子への入射光を集光するマイクロレンズを形成する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板と、
前記素子形成層の他方の面に設けられたデバイス及びゲッタリング部と、
前記デバイス及びゲッタリング部が設けられた前記素子形成層の他方の面に設けられ前記デバイスの配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記素子形成層の他方の面にデバイスを形成する工程と、
前記素子形成層の他方の面の一部にゲッタリング部を形成する工程と、
前記素子形成層の他方の面に前記デバイスの配線を行う配線層を形成する工程と、
前記薄膜化用除去層を除去する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に設けられた集光用のマイクロレンズとを少なくとも有する半導体基板と、
前記素子形成層の他方の面に形成された光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子と、
前記素子形成層の他方の面に設けられたゲッタリング部と、
前記素子形成層の他方の面に積層して設けられ前記能動素子の配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１８】
素子形成層と、前記素子形成層の一方の面に積層され前記素子形成層の補強を兼ねる薄膜化用除去層とを有する半導体基板を用いた固体撮像装置の製造方法であって、
前記素子形成層の他方の面に光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を形成する工程と、
前記素子形成層の他方の面の前記光電変換素子及び前記能動素子が形成されない箇所にゲッタリング部を形成する工程と、
前記素子形成層の他方の面に前記能動素子の配線を行う配線層を形成する工程と、
前記薄膜化用除去層を除去する工程と、
前記薄膜化用除去層が除去された後の前記素子形成層の一方の面に前記光電変換素子への入射光を集光するマイクロレンズを形成する工程と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１９】
単位画素が、光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体からの入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
素子形成層を有する半導体基板と、
前記素子形成層の一方の面に形成されたゲッタリング層と、
前記ゲッタリング層と接する前記素子形成層の面に前記ゲッタリング層を覆うように形成された正孔蓄積層と、
前記素子形成層の他方の面に形成された光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子と、
前記能動素子が形成された前記素子形成層の他方の面に積層して設けられ前記能動素子の配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【請求項２０】
単位画素が、光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子を有する固体撮像装置と、
前記固体撮像装置に被写体からの入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置からの出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
素子形成層を有する半導体基板と、
前記素子形成層の一方の面に形成されたゲッタリング層と、
前記素子形成層の他方の面に形成された光電変換素子及び該光電変換素子で光電変換された信号電荷を電気信号に変換して出力する能動素子と、
前記素子形成層の他方の面の前記光電変換素子及び能動素子が形成されない箇所に設けられたゲッタリング部と、
前記素子形成層の他方の面に積層して設けられ前記能動素子の配線を行う配線層と、
を備えることを特徴とする撮像装置。