【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面、前記上面に形成された複数の第1ボンディングリード、前記上面に形成された複数の第２ボンディングリード、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板と、
平面形状が矩形状から成る第1主面、前記第1主面に形成された複数の第1電極パッド、および前記第1主面とは反対側の第1裏面を有し、前記第1裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面上に搭載された第1半導体チップと、
平面形状が矩形状から成る表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記第1半導体チップの前記第1主面と対向するように、前記第1半導体チップの前記第1主面上に搭載されたスペーサと、
平面形状が矩形状から成る第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２電極パッド、および前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２裏面が前記スペーサの前記表面と対向するように、前記スペーサの前記表面上に搭載された第２半導体チップと、
前記複数の第1ボンディングリードと前記複数の第1電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第1ボンディングワイヤと、
前記複数の第２ボンディングリードと前記複数の第２電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２ボンディングワイヤと、を含み、
前記配線基板の平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺とは交差する一対の第２辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第１ボンディングリードは、前記第１辺に沿って形成され、
前記複数の第２ボンディングリードは、前記第２辺に沿って形成され、
前記第1半導体チップの平面形状は、一対の第３辺と、前記第３辺とは交差する一対の第４辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第1電極パッドは、前記第３辺に沿って形成され、
前記第１半導体チップは、前記第３辺が前記配線基板の前記第１辺と並ぶように、前記配線基板の前記上面上に搭載され、
前記スペーサの平面形状は、一対の第５辺と、前記第５辺とは交差する一対の第６辺とを有する矩形状から成り、
前記スペーサは、前記第５辺が前記配線基板の前記第1辺と並び、かつ前記複数の第1電極パッドが露出するように前記第５辺が前記第1半導体チップの前記第３辺よりも内側に位置し、かつ前記第６辺が前記第1半導体チップの前記第４辺よりも外側に位置するように、前記第1半導体チップの前記第１主面上に搭載され、
前記第２半導体チップの平面形状は、一対の第７辺と、前記第７辺とは交差する一対の第８辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第２電極パッドは、前記第８辺に沿って形成され、
前記第２半導体チップは、前記第７辺が前記配線基板の前記第１辺と並び、かつ前記第７辺が前記第1半導体チップの前記第３辺よりも内側に位置し、かつ前記第８辺が前記スペーサの前記第６辺よりも外側に位置するように、前記スペーサの前記表面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の第1電極パッドは、前記第１半導体チップの前記第４辺には形成されていなことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記スペーサの前記第６辺からの前記第２半導体チップの前記第８辺の張り出し長さ（Ｂ）を、前記第２半導体チップの厚さ（Ａ）で割った値は、１０以下であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の第２電極パッドは、前記第２半導体チップの前記第２主面において、前記第7辺および前記第８辺のそれぞれに沿って形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１半導体チップ、前記スペーサおよび前記第２半導体チップは、封止樹脂で封止されており、
前記配線基板の前記下面には、複数のボール電極が形成されていることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
上面、前記上面に形成された複数の第1ボンディングリード、前記上面に形成された複数の第２ボンディングリード、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板と、
平面形状が矩形状から成る第1主面、前記第1主面に形成された複数の第1電極パッド、および前記第1主面とは反対側の第1裏面を有し、前記第1裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面上に搭載された第1半導体チップと、
平面形状が矩形状から成る表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記第1半導体チップの前記第1主面と対向するように、前記第1半導体チップの前記第1主面上に搭載されたスペーサと、
平面形状が矩形状から成る第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２電極パッド、および前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２裏面が前記スペーサの前記表面と対向するように、前記スペーサの前記表面上に搭載された第２半導体チップと、
前記複数の第1ボンディングリードと前記複数の第1電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第1ボンディングワイヤと、
前記複数の第２ボンディングリードと前記複数の第２電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２ボンディングワイヤと、を含み、
前記配線基板の平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺とは交差する一対の第２辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第１ボンディングリードは、前記第１辺に沿って形成され、
前記複数の第２ボンディングリードは、前記第２辺に沿って形成され、
前記第1半導体チップの平面形状は、一対の第３辺と、前記第３辺とは交差する一対の第４辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第1電極パッドは、前記第３辺に沿って形成され、
前記第１半導体チップは、前記第３辺が前記配線基板の前記第１辺と並ぶように、前記配線基板の前記上面上に搭載され、
前記スペーサの平面形状は、一対の第５辺と、前記第５辺とは交差する一対の第６辺とを有する矩形状から成り、
前記スペーサは、前記第５辺が前記配線基板の前記第1辺と並び、かつ前記複数の第1電極パッドが露出するように前記第５辺が前記第1半導体チップの前記第３辺よりも内側に位置し、かつ前記第６辺が前記第1半導体チップの前記第４辺よりも外側に位置するように、前記第1半導体チップの前記第１主面上に搭載され、
前記第２半導体チップの平面形状は、一対の第７辺と、前記第７辺とは交差する一対の第８辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第２電極パッドは、前記第８辺に沿って形成され、
前記第２半導体チップは、前記第７辺が前記配線基板の前記第１辺と並び、かつ前記第７辺が前記スペーサの前記第５辺よりも外側に位置し、かつ前記第８辺が前記スペーサの前記第６辺よりも外側に位置するように、前記スペーサの前記表面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記複数の第1電極パッドは、前記第１半導体チップの前記第４辺には形成されていなことを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記スペーサの前記第６辺からの前記第２半導体チップの前記第８辺の張り出し長さ（Ｂ）を、前記第２半導体チップの厚さ（Ａ）で割った値は、１０以下であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の第２電極パッドは、前記第２半導体チップの前記第２主面において、前記第7辺および前記第８辺のそれぞれに沿って形成されていることを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１半導体チップ、前記スペーサおよび前記第２半導体チップは、封止樹脂で封止されており、
前記配線基板の前記下面には、複数のボール電極が形成されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
上面、前記上面に形成された複数の第1ボンディングリード、前記上面に形成された複数の第２ボンディングリード、および前記上面とは反対側の下面を有する配線基板と、
平面形状が矩形状から成る第1主面、前記第1主面に形成された複数の第1電極パッド、および前記第1主面とは反対側の第1裏面を有し、前記第1裏面が前記配線基板の前記上面と対向するように、前記配線基板の前記上面上に搭載された第1半導体チップと、
平面形状が矩形状から成る表面、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記裏面が前記第1半導体チップの前記第1主面と対向するように、前記第1半導体チップの前記第1主面上に搭載されたスペーサと、
平面形状が矩形状から成る第２主面、前記第２主面に形成された複数の第２電極パッド、および前記第２主面とは反対側の第２裏面を有し、前記第２裏面が前記スペーサの前記表面と対向するように、前記スペーサの前記表面上に搭載された第２半導体チップと、
前記複数の第1ボンディングリードと前記複数の第1電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第1ボンディングワイヤと、
前記複数の第２ボンディングリードと前記複数の第２電極パッドとをそれぞれ電気的に接続する複数の第２ボンディングワイヤと、を含み、
前記配線基板の平面形状は、一対の第１辺と、前記第１辺とは交差する一対の第２辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第１ボンディングリードは、前記第１辺に沿って形成され、
前記複数の第２ボンディングリードは、前記第２辺に沿って形成され、
前記第1半導体チップの平面形状は、一対の第３辺と、前記第３辺とは交差する一対の第４辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第1電極パッドは、前記第３辺に沿って形成され、
前記第１半導体チップは、前記第３辺が前記配線基板の前記第１辺と並ぶように、前記配線基板の前記上面上に搭載され、
前記スペーサの平面形状は、一対の第５辺と、前記第５辺とは交差する一対の第６辺とを有する矩形状から成り、
前記スペーサは、前記第５辺が前記配線基板の前記第1辺と並び、かつ前記複数の第1電極パッドが露出するように前記第５辺が前記第1半導体チップの前記第３辺よりも内側に位置し、かつ前記第６辺が前記第1半導体チップの前記第４辺よりも外側に位置するように、前記第1半導体チップの前記第１主面上に搭載され、
前記第２半導体チップの平面形状は、一対の第７辺と、前記第７辺とは交差する一対の第８辺とを有する矩形状から成り、
前記複数の第２電極パッドは、前記第８辺に沿って形成され、
前記第２半導体チップは、前記第７辺が前記配線基板の前記第１辺と並び、かつ前記第７辺が前記第1半導体チップの前記第３辺よりも内側に位置し、かつ前記第７辺が前記スペーサの前記第５辺よりも外側に位置し、かつ前記第８辺が前記スペーサの前記第６辺よりも外側に位置するように、前記スペーサの前記表面上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記複数の第1電極パッドは、前記第１半導体チップの前記第４辺には形成されていなことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記スペーサの前記第６辺からの前記第２半導体チップの前記第８辺の張り出し長さ（Ｂ）を、前記第２半導体チップの厚さ（Ａ）で割った値は、１０以下であることを特徴とする請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記複数の第２電極パッドは、前記第２半導体チップの前記第２主面において、前記第7辺および前記第８辺のそれぞれに沿って形成されていることを特徴とする請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１半導体チップ、前記スペーサおよび前記第２半導体チップは、封止樹脂で封止されており、
前記配線基板の前記下面には、複数のボール電極が形成されていることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ＭＤＬ  半導体装置
１  ＳＤＲＡＭチップ（第１半導体チップ）
２  フラッシュメモリチップ（第２半導体チップ）
３  スペーサ
４  マイコンチップ（第３半導体チップ）
５  モジュール基板（配線基板）
６  封止樹脂
１００  第５辺
１０２  第６辺
１２０  第７辺
１２１  第８辺
１０１、１０３  第３電極パッド
１１０、１１１  ボンディングワイヤ
２００  第３辺
２０２  第４辺
２２０  第１辺
２２１  第２辺
２０１、２０３  第２電極パッド
２１０、２１１  ボンディングワイヤ
４０１、４０３、４０５、４０７  第1電極パッド
４１０、４１１、４１２、４１３  ボンディングワイヤ
５０１、５０４、５０６、５０９  第1ボンディングリード
５０２Ａ、５０７Ａ  第２ボンディングリード
５０２Ｂ、５０７Ｂ  第３ボンディングリード