【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＬＥＤ、その製造方法及びその実装方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と第２導電型の第２半導体層とを含む半導体積層膜と、
前記半導体積層膜の一方の面上に形成された第１の電極と、
前記半導体積層膜の前記一方の面と対向する対向面上に形成された第２の電極と、
前記半導体積層膜上に、前記第１の電極又は前記第２の電極と接するように形成された金属膜と、
前記半導体積層膜と前記金属膜との間で、且つ前記半導体積層膜と前記金属膜とが重なる領域の端部に形成された電流狭窄膜とを備えていることを特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
前記第１の電極又は前記第２の電極のうち、前記金属膜と接する方の電極が、前記電流狭窄膜の間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項３】
前記半導体積層膜からの発光が、前記電極の表面にほぼ垂直な方向に取り出されることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項４】
前記電流狭窄膜は誘電体からなることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項５】
前記半導体積層膜において、前記電流狭窄膜により前記半導体積層膜に流れる電流が阻害される領域の総面積よりも、前記電流が流れる領域の総面積の方が大きいことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項６】
前記半導体積層膜は、Ｖ族元素に窒素を含むIII-Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項７】
前記金属膜の膜厚は１０μｍ以上であることを特徴とする請求項１又は６に記載のＬＥＤ。
【請求項８】
前記金属膜は、金、銅又は銀からなることを特徴とする請求項１又は６に記載のＬＥＤ。
【請求項９】
前記金属膜はめっきにより形成されていることを特徴とする請求項１又は６に記載のＬＥＤ。
【請求項１０】
前記金属膜は、前記半導体積層膜の反対側部分に融点が３００℃以下である金属層を含むことを特徴とする請求項１又は６に記載のＬＥＤ。
【請求項１１】
前記金属層は錫を含むことを特徴とする請求項１０に記載のＬＥＤ。
【請求項１２】
前記第１の電極及び第２の電極のうち、前記金属膜と接するように形成された電極は、前記半導体積層膜から発光される光に対して９０％以上の反射率を有していることを特徴とする請求項１又は６に記載のＬＥＤ。
【請求項１３】
前記第１の電極及び第２の電極のうち、前記金属膜と接するように形成された電極は、金、白金、銅、銀及びロジウムのうちの少なくとも１つからなる単層膜、又はこれらのうちの２つ以上を含む積層膜からなることを特徴とする請求項１、６又は１２のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項１４】
前記半導体積層膜と前記金属膜との間に形成され、誘電体又は半導体からなるミラー構造体をさらに備え、
前記ミラー構造体は、前記半導体積層膜から発光される光に対して９０％以上の反射率を有していることを特徴とする請求項１、６又は１２のいずれか１項に記載のＬＥＤ。
【請求項１５】
前記ミラー構造体は、酸化シリコン、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化タンタル及び酸化ハフニウムのうちのいずれか、又は窒化アルミニウムガリウムインジウム（ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙ Ｎ）（但し、０≦ｘ、ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である。）を含み、前記半導体積層膜からの発光波長に対する屈折率が周期的に変化するように形成されていることを特徴とする請求項１４に記載のＬＥＤ。
【請求項１６】
前記第１の電極及び第２の電極のうち、前記半導体積層膜に対して前記金属膜の反対側に設けられた電極は、透光性を有していることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１７】
前記第１の電極及び第２の電極のうち、前記半導体積層膜に対して前記金属膜の反対側に設けられた電極は、インジウム錫酸化物からなるか、又は膜厚が２０ｎｍ以下のニッケルを含む金属からなることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ。
【請求項１８】
単結晶からなる基板上に、第１導電型の第１半導体層と第２導電型の第２半導体層とを含む半導体積層膜を形成する工程（ａ）と、
前記半導体積層膜上に、電流狭窄膜と第１の電極とを選択的に形成する工程（ｂ）と、
前記第１の電極上に金属膜を形成する工程（ｃ）と、
前記基板を前記半導体積層膜から分離する工程（ｄ）と、
前記半導体積層膜の、前記第１の電極を形成した面と反対側の対向面上に第２の電極を形成する工程（ｅ）と、
前記半導体積層膜を各チップに対応する部分に分割する工程（ｆ）とを備え、
前記工程（ｆ）において、前記電流狭窄膜が、前記半導体積層膜と前記金属膜とが重なる領域の端部に位置するように分割することを特徴とするＬＥＤの製造方法。
【請求項１９】
前記半導体積層膜は、Ｖ族元素に窒素を含むIII-Ｖ族化合物半導体からなることを特徴とする請求項１８に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２０】
前記工程（ｄ）において、
前記基板における前記半導体積層膜の反対側の面から、前記基板を透過し且つ前記半導体積層膜の一部に吸収される波長を有する照射光を照射して、前記半導体積層膜の内部に前記半導体積層膜の一部が分解してなる分解層を形成することにより、前記基板を前記半導体積層膜から分離することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２１】
前記工程（ｄ）において、
前記基板を研磨により除去することにより、前記基板を前記半導体積層膜から分離することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２２】
前記工程（ａ）は、
前記半導体積層膜の一部を形成した後、前記基板における前記半導体積層膜の反対側の面から、前記基板を透過し且つ前記半導体積層膜に吸収される波長を有する照射光を照射することにより、前記半導体積層膜の一部の内部に前記半導体積層膜が分解してなる分解層を形成する工程と、
前記分解層を形成した後、前記半導体積層膜の一部の上に、前記半導体積層膜の残部を形成する工程とを含むことを特徴とする請求項１８又は１９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２３】
前記照射光は、パルス状に発振するレーザ光であることを特徴とする請求項２０又は２２に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２４】
前記照射光は、水銀ランプの輝線であることを特徴とする請求項２０又は２２に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２５】
前記照射光は、前記基板の面内をスキャンするように照射することを特徴とする請求項２０又は２２に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２６】
前記照射光は、前記基板を加熱しながら照射することを特徴とする請求項２０又は２２に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２７】
前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、
前記半導体積層膜の上に誘電体又は半導体からなる積層膜を形成した後、形成した積層膜をパターニングする工程（ｇ）をさらに備え、
前記工程（ｂ）において、前記第１の電極をパターニングされた前記積層膜の上に形成し、
前記工程（ｃ）において、前記金属膜は、パターニングされた前記積層膜の上に形成した電極の上に形成することを特徴とする請求項１８又は１９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２８】
前記工程（ａ）と前記工程（ｄ）との間に、
前記半導体積層膜を構成する材料と異なる材料からなり、前記半導体積層膜を保持する膜状の第１の保持部材を前記半導体積層膜に貼り合わせる工程（ｈ）と、
前記工程（ｄ）よりも後に、前記第１の保持部材を前記半導体積層膜から剥離する工程（ｉ）とをさらに備えていることを特徴とする請求項１８又は１９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項２９】
前記工程（ｉ）の前に、前記第１の保持部材とは特性が異なる膜状の第２の保持部材を、前記半導体積層膜における前記第１の保持部材の反対側の面上に貼り合わせる工程（ｊ）と、
前記工程（ｉ）よりも後に、前記第２の保持部材を前記半導体積層膜から剥離する工程（ｋ）とをさらに備えていることを特徴とする請求項２８に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項３０】
前記第１の保持部材又は前記第２の保持部材は、高分子材料フィルム、半導体からなる単結晶基板又は金属板であることを特徴とする請求項２８又は２９に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項３１】
前記高分子材料フィルムは、その貼り合わせ面に加熱により剥離可能な接着材層が設けられていることを特徴とする請求項３０に記載のＬＥＤの製造方法。
【請求項３２】
単結晶からなる基板上に、互いに異なる導電型を持つ少なくとも２つの半導体層を含む半導体積層膜を形成する工程（ａ）と、
前記半導体積層膜を構成する材料と異なる材料からなり、前記半導体積層膜を保持する膜状の保持部材を前記半導体積層膜に貼り合わせる工程（ｂ）と、
前記半導体積層膜を前記保持部材と共にダイシングを行なって、それぞれ個辺化された前記保持部材に保持された状態の複数のチップを作製する工程（ｃ）と、
前記保持部材に保持された前記各チップに対してダイスボンディングを行なった後、前記保持部材を前記各チップから剥離する工程（ｄ）とを備えていることを特徴とするＬＥＤの実装方法。
【請求項３３】
前記保持部材は、高分子材料フィルムであることを特徴とする請求項３２に記載のＬＥＤの実装方法。
【請求項３４】
前記高分子材料フィルムは、その貼り合わせ面に加熱により剥離可能な接着材層が設けられていることを特徴とする請求項３３に記載のＬＥＤの実装方法。