(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置の共通電極の高抵抗を補償する補助配線と共通電極とのコンタクトをマスク蒸着によらずに容易かつ確実にとる。【解決手段】支持基板１の主面に画素電極２とバンク３を有する。バンク３上に補助配線６が配置される。補助配線６は下層８、中層８、上層１０の３層で構成され、上層１０が中層９よりも迫り出して中層９を上方から隠す庇を形成する。画素電極２の上層に蒸着される有機膜４は、上層１０の庇によるシャドウイング効果で中層９には付かない。その上に透明な共通電極５をスパッタ法で形成する際、共通電極５は有機膜４の内側に回り込んで補助配線６の下層８に付き、確実なコンタクトがとられる。【選択図】図２
2008135325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機発光素子からなる画素部を形成した支持基板と、前記画素部を外部雰囲気から保護する透光性の封止板とを具備し、
前記画素部は、画素ごとに設けた反射性の第１電極と、第１電極の上に配置した有機発光層と、複数の画素に対して共通に設けた透明導電膜からなる第２電極と、隣接する第１電極の間の絶縁層の上に設けられて前記第２電極に接続した補助配線とを有し、
前記補助配線は、金属膜からなる下層膜と、前記下層膜の上層で、かつ当該下層膜の端縁から前記第１電極方向に迫り出た庇を形成する幅広層とを有し、
前記第２電極の端部が、前記幅広層による前記庇に隠された部分で前記下層膜の上から電気的に接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記補助配線は、前記金属膜からなる下層膜の上に積層された中層膜、および前記中層膜の上に積層された上層膜との３層からなり、
前記上層膜は前記下層膜と同じ材料の金属膜で、前記中層膜は前記下層膜および前記上層膜とは異なる材料の金属膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記下層膜および前記上層膜はチタン膜であり、前記中層膜はアルミニウム膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
有機発光素子からなる画素部を形成した支持基板と、前記画素部を外部雰囲気から保護する透光性の封止板とを具備し、
前記画素部は、画素ごとに設けた反射性の第１電極と、第１電極の上に配置した有機発光層と、複数の画素に対して共通に設けた透明導電膜からなる第２電極と、隣接する第１電極の間の絶縁層の上に設けられて前記第２電極に接続した補助配線とを有し、
前記補助配線は、金属膜からなる下層膜と、前記下層膜の上層で、かつ当該下層膜の端縁から前記第１電極方向に迫り出た庇を形成した幅広層とを有し、
前記絶縁層の下層、かつ前記隣接する第１電極の間に前記絶縁層に沿って設けられた低抵抗金属層を有し、
前記絶縁層にコンタクトホールを有し、
前記第２電極の端部が、前記コンタクトホールにおいて前記幅広層による庇に隠された部分で前記下層膜の上から電気的に接続すると共に、前記下層膜は前記低抵抗金属層に接続していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記補助配線は、前記金属膜からなる下層膜の上に積層された中層膜、および前記中層膜の上に積層された上層膜との３層からなり、
前記上層膜は前記下層膜と同じ材料の金属膜で、前記中層膜は前記下層膜および前記上層膜とは異なる材料の金属膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記下層膜および前記上層膜はチタン膜であり、前記中層膜はアルミニウム膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
請求項４において、
前記低抵抗金属層は前記第１電極と同じ材料からなることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項４において、
前記補助配線は、前記金属膜からなる下層膜の上に積層された中層膜との２層からなり、
前記中層膜は前記下層膜とは異なる材料の金属膜であることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項９】
有機発光素子からなる画素部を形成した支持基板と、前記画素部を外部雰囲気から保護する透光性の封止板とを具備した有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記支持基板の主面に、薄膜トランジスタ、画素ごとに設けた反射性の第１電極、隣接する第１電極の端縁を覆って設けた絶縁層を形成し、
前記絶縁層に沿い、かつその上に補助配線となる３層メタル材料を重ねてスパッタ成膜し、パターニングして断面が矩形の下層膜、中層膜および上層膜からなる３層膜を成膜し、
前記３層膜の側面に露出した３層膜の前記中層膜のみを選択的にエッチングして、当該中層膜の端縁を前記下層膜および前記上層膜の端縁から後退させ、
前記支持基板の主面の上方から、有機発光層を蒸着し、続いて複数の画素に共通の共通電極をスパッタすることにより、
前記真空蒸着とスパッタの付き回り性の違いで、前記共通電極が前記補助配線の下層膜に接続させることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記３層メタル材料は、前記下層膜と上層膜がチタン、前記中層膜がアルミニウムであり、
前記中層膜の選択的エッチングは、アルミニウムのみを溶解するウエットエッチングであることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置に係り、特に有機発光素子の支持基板の上方に表示光を取り出す方式における精細度の向上と輝度向上を両立させた有機ＥＬ表示装置とその製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電流制御型の発光素子を用いた表示装置（以下、ディスプレイとも称する）として、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）や注入型発光ダイオードを用いた構造が知られている。その中でも、有機材料を発光層とした電流制御型ＥＬ（電荷注入型ＥＬ、以下有機発光素子または有機ＥＬとも称する）表示装置は、高輝度で大面積、製造コストが安価、且つフルカラー表示を実現可能なディスプレイデバイスとして注目されつつある。
【０００３】
有機発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置は、ガラスなどの絶縁性の支持基板（ここではガラス基板）が用いられ、画素を選択するスイッチング素子として一般的に用いられる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成される基板であることから、以下では、支持基板をＴＦＴ基板とも称する。このＴＦＴ基板の内面にはマトリクス配置した複数の第１電極（通常、画素電極）を備え、この画素電極上に有機材料の複数薄膜からなる有機発光層を積層し、さらに全画素を覆う共通電極を積層し、有機発光層を画素電極と共通電極とで挟持して構成される。ここでは、ＴＦＴ基板の上方（有機発光素子形成面：主面側）に表示光を取り出す方式をトップエミッション型と称する。なお、ＴＦＴ基板の下方に表示光を取り出す方式をボトムエミッション型と称する
【０００４】
図１１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の全体構造例を模式的に説明する断面図である。なお、図１１では説明を簡単にするために、薄膜トランジスタや発光輝度を制御する制御素子等は図示を省略している。
【０００５】
図１１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、主面に複数の有機発光素子からなる画素回路である画素部１４を形成した支持基板１と、画素部１４を外部雰囲気から保護する透光性の封止板（封止缶とも称する）１５とを対向させ、両基板の周縁部にシール材１７を塗布して硬化させ、貼り合わせることによってその内部を外部雰囲気から隔離して封止し、画素部１４に湿気が浸入するのを防止している。封止板１５は透光性ガラス基板などが用いられる。封止板１６の内面には、主として画素部１４の有機発光素子が湿度による発光特性の劣化を抑制するための透明吸湿剤１６が塗布又は貼付されるのが一般的である。
【０００６】
このように構成される有機ＥＬ表示装置は、画素部１４を構成する第１電極（画素電極）と第２電極（共通電極）との間に有機ＥＬ発光層（単に有機発光層、有機層とも称する）を挟持して構成され、第１電極と第２電極の間に所定の電圧を印加することにより流れる電流の大きさで有機ＥＬ発光層が発光する。その発光Ｌは透光性の封止板１５側から出射する。この種のトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を開示したものとして特許文献１を挙げることができる。また、後述する本発明の課題に関係する共通電極の抵抗を補償する補助配線に関しては、特許文献１と共に、特許文献２を挙げることができる。
【特許文献１】特開２００２−３１８５５６号公報
【特許文献２】特開平１０−１２３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このように構成されるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型と比較して、薄膜トランジスタを含む画素回路の上にも発光層を設置できるため、高開口率化ができるというメリットがある。しかし、その反面、共通電極が透明導電膜であることが必要となり、ＩＴＯやＩＺＯ等の非金属導電薄膜が用いられる。これらＩＴＯやＩＺＯ等の導電薄膜の電気抵抗は金属薄膜に比べて高いので、この低抵抗を補うための補助配線を設けることが望ましいとされている。
【０００８】
補助配線の形成位置は、有機ＥＬ素子の有機層の上、もしくは共通電極の上にマスク蒸着で形成する場合、画素電極形成側基板であるＴＦＴ基板の画素電極に並べて形成する場合、あるいはＴＦＴ基板のパッシベーション膜の下に形成しておき、コンタクトホールをパッシベーション膜に開けて接続する場合がある。
【０００９】
補助配線をマスク蒸着で形成する場合は、細い配線の形成は２０μｍ程度の線幅が限界である。テレビ用などの大型のディスプレイではこれでもよいが、モバイル端末などの小型の高精細ディスプレイでは、この程度の幅では広すぎるし、またマスクの位置あわせ精度も考慮すると、さらに広い幅を補助配線に割り当てる必要がある。
【００１０】
補助配線をＴＦＴ基板の主面上で画素電極に並べて形成する場合も、位置合わせ精度はホトグラフィー工程（以下、ホト工程）の程度となり、数μｍの線幅が可能なため、開口率に影響を与えない範囲で形成できる。しかし、共通電極との電気的コンタクトを取るためには有機層を補助配線上につけないようにする必要がある。また、カラーの有機ＥＬ表示装置を構成する場合には、各色共通層であってもマスク蒸着をする必要があり、またモノクロ表示の場合でもマスク蒸着を必要とするので、高精度のマスク位置合わせが必要である。
【００１１】
補助配線の形成に関して、前記の特許文献１、２には、補助配線を画素電極と同層に形成し、かつ画素電極とは電気的に絶縁して共通電極に電気的に接続した構成が開示されている。しかし、これらの文献記載の技術では発光層である有機層を補助配線を避けて蒸着する必要があり、複数色の共通な層も含めて有機層全てをマスク蒸着することになり、蒸着回数が増え、生産性が著しく低下する。
【００１２】
本発明は、上記従来技術における課題を解決することにあり、その目的は、ホト工程の精度で基板側に設けた補助配線にマスク蒸着によらずに共通電極とのコンタクトが容易かつ確実にとれるようにした有機ＥＬ表示装置とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するための本発明の代表的構成を記述すれば、次のとおりである。すなわち、
（１）本発明による有機ＥＬ表示装置は、有機発光素子からなる画素部を形成した支持基板と、前記画素部を外部雰囲気から保護する透光性の封止板とを具備し、前記画素部は、画素ごとに設けた反射性の第１電極と、第１電極の上に配置した有機発光層と、複数の画素に対して共通に設けた透明導電膜からなる第２電極と、隣接する第１電極の間の絶縁層の上に設けられて前記第２電極に接続した補助配線とを有し、
前記補助配線は、金属膜からなる下層膜と、前記下層膜の上層で、かつ当該下層膜の端縁から前記第１電極方向に迫り出た庇を形成した幅広層とを有し、前記第２電極の端部が、前記幅広層による庇に隠された部分で前記下層膜の上から電気的に接続していることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の有機ＥＬ表示装置の前記補助配線は、前記金属膜からなる下層膜の上に積層された中層膜、および前記中層膜の上に積層された上層膜との３層からなり、前記上層膜は前記下層膜と同じ材料の金属膜で、前記中層膜は前記下層膜および前記上層膜とは異なる材料の金属膜であることを特徴とする。
【００１５】
（２）本発明による有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記支持基板の主面に、薄膜トランジスタ、画素ごとに設けた反射性の第１電極、隣接する第１電極の端縁を覆って設けた絶縁層を形成し、
前記絶縁層に沿い、かつその上に補助配線となる３層メタル材料を重ねてスパッタ成膜し、パターニングして断面が矩形の下層膜、中層膜および上層膜からなる３層膜を成膜し、
前記３層膜の側面に露出した３層膜の前記中層膜のみを選択的にエッチングして、当該中層膜の端縁を前記下層膜および前記上層膜の端縁から後退させ、
前記支持基板の主面の上方から、有機発光層を蒸着し、続いて複数の画素に共通の共通電極をスパッタすることにより、
前記真空蒸着とスパッタの付き回り性の違いで、前記共通電極が前記補助配線の下層膜に接続させることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記３層メタル材料は、前記下層膜と上層膜がチタン、前記中層膜がアルミニウム、前記中層膜の選択的エッチングが、アルミニウムのみを溶解するウエットエッチングであることを特徴とする。
【００１７】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１８】
基板上にホト工程により形成した微細な線幅の補助配線に発光層を構成する有機層をマスクなしに全面蒸着しても、当該補助配線と共通電極とのコンタクトがなされるので、工程が簡略化される。有機層は真空蒸着でカバレッジが良好でないため、補助配線をシャドウイングするような構造物があると、カバーされない部分が残る。透明電極である共通電極をスパッタ法で形成すると、付き回り性が真空蒸着よりも遥かに高いので、真空蒸着でカバーしていない部分にも共通電極は付着し、補助配線と共通電極とのコンタクトが取られる。
【００１９】
また、高精度の補助配線をＴＦＴ基板に形成することで買い効率を犠牲にすることなく、また異なる発光色の有機層の塗り分けでマスク蒸着が必要な部分を除いては細かいパターンのマスク蒸着は不要となるため、共通電極は一括で蒸着でき、生産性も確保される。さらに、高精度の補助配線が使えるため、中型サイズ、大型サイズのディスプレイでもトップエミッション有機ＥＬ表示装置の高開口率、あるいはＴＦＴ工程の簡略化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する要部平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。図１の平面図はカラー１画素を構成する副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）部分を示す。図１において、各副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）は画素電極２で示してあるが、この画素電極２の上には図２に示したように、有機発光層４、共通電極５が積層される。各副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の間には絶縁層で形成されたバンク３が形成されており、このバンク３の上に補助配線６が形成されている。なお、ここでは、説明を簡単にするため、副画素と画素の区別をつける必要な場合を除いて、副画素も単に画素として表記する。
【００２２】
図２に示したように、支持基板１の主面に各副画素を構成する画素電極２がバンク３で絶縁されて形成されている。バンク３は絶縁層であり、隣接する副画素の有機発光層を構成する有機膜４を区画する機能も有する。図１には、バンク３が画素を取り囲むように形成されている。補助配線６は画素電極２を取り囲むように同色画素の配列方向（図１の上下方向）とカラー１画素素子を構成する副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の配列方向（図３の左右方向）から取り囲んで形成されている。しかし、上下方向のみ、あるいは左右方向のみにストライプ状に形成することもできる。バンク３は画素電極２の端縁の一部を覆って形成されており、このバンク３の上に補助配線６が形成されている。補助配線６は下層８、中層９、上層１０の３層からなる。３層は全て低抵抗の金属膜とする。
【００２３】
３層の補助配線６は、その中層９が下層８と上層１０の端縁から後退して形成されている。図２に示されたように、補助配線６は中央が凹む形状となっている。言い換えれば、上層１０が中層９よりも迫り出して上層１０が中層９の庇となっており、有機膜４を蒸着する際に、この上層１０の庇によるシャドウイング効果で中層９に有機膜４が付かない。透明な共通電極５は、スパッタ法で形成する。これにより、共通電極５は有機膜４の内側に回り込んで下層８に付き、共通電極５と補助配線６とのコンタクト（電気的接続）がとられる。なお、補助配線６を構成する３層は、上記のように全て低抵抗の金属とすることが望ましいが、下層のみを低抵抗金属とし、中層と上層は絶縁体、半導体であってもよい。しかし、補助配線の電気的抵抗を下げる目的を考えれば３層ともに金属膜とするのが望ましい。
【００２４】
なお、３層の補助配線６は、例えば次のようにして形成される。先ず、チタン（Ｔｉ）/アルミニウム（Ａｌ）/チタン（Ｔｉ）の３層メタルを重ねてスパッタ成膜する。これをホト工程でパターニングし、エッチングして断面が矩形の３層（Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉ）膜を得る。その後、弱アルカリやアルミニウムのエッチング液を用いて中層９のＡｌ層のみを選択的にエッチングすることで、中層０のＡｌ層が凹んだ補助配線６が得られる。この断面形状により、上記のように共通電極５と補助配線６とのコンタクトがとられる。
【００２５】
実施例１の構成により、簡略化した工程で補助配線の形成ができ、低抵抗の共通電極を有して、高精細、高開口率の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【実施例２】
【００２６】
図３は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する要部平面図である。また、図４は、図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。実施例１と同様に、図３の平面図はカラー１画素を構成する副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）部分を示す。実施例１の図面における符号と同じ符号は同じ機能部分を示す。実施例２では、支持基板（ＴＦＴ基板）１のバンク３の中に補助配線６を埋めてあり、スルーホール７を通して表面の共通電極５とのコンタクトを取っている。補助配線６はカラー１画素を構成する副画素Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の配列方向（図３の左右方向）でバンク３の中に配置されている。補助配線６と表面の共通電極５は、スルーホール７を通してコンタクトされている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１の主面には、画素電極２が形成されており、この画素電極と同層に画素電極と同じ材料の導電層２’が残されている。スルーホール７は導電層２’に達して形成されている。このスルーホール７に３層の補助配線６が形成されている。層の補助配線６は実施例１と同様に、上層金属１０が中層金属９よりもせり出しており、有機膜４を蒸着する際に、この上層金属１０のシャドウイング効果で中層金属９に有機膜４が付かない。透明な共通電極５は、スパッタ法で形成する。これにより、共通電極５は有機膜４の内側に回り込んで下層金属８に付き、共通電極５と補助配線６とのコンタクトがとられる。
【００２８】
なお、補助配線６を構成する３層は、上記した実施例１と同様に全て低抵抗の金属とすることが望ましいが、少なくとも下層のみは低抵抗金属とし、中層と上層は絶縁体、半導体であってもよい。しかし、補助配線の電気的抵抗を下げる目的を考えれば３層ともに金属膜とするのが望ましい。なお、３層の補助配線６の下層にある導電層２’は補助配線６の抵抗をさらに下げる効果がある。
【００２９】
実施例２の構成によっても、簡略化した工程で補助配線の形成ができ、低抵抗の共通電極を有して、高精細、高開口率の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【実施例３】
【００３０】
図５は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する要部平面図である。また、図６は、図５のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。実施例３では、支持基板１の主面に形成されるデータ配線２３、電源線２４と同層かつ同じ低抵抗金属膜１１を設け、その上に端縁が上層のバンク３の端縁よりも後退した金属膜１２が積層されている。データ配線２３、電源線２４は画素領域内に形成されており、図５ではそれらを点線で示してある。画素電極２の上に有機膜を真空蒸着し、さらにその上に透明な共通電極５をスパッタする。このとき、真空蒸着とスパッタの付き回り性の違いで、当該共通電極５が金属膜１２の後退部分に回り込んで低抵抗金属膜１１に接続してコンタクトが取られる。金属膜１２の後退加工は、前記実施例と同様に、エッチング性の違いを利用する。
【００３１】
実施例３の構成によっても、簡略化した工程で補助配線の形成ができ、低抵抗の共通電極を有して、高精細、高開口率の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【実施例４】
【００３２】
図７は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する要部平面図である。また、図８は、図７における補助配線の拡大平面図である。そして、図９は、図８のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。実施例４は、補助配線６を同色の画素で２の配列方向（上下方向）に沿って設けている。補助配線６は、基板１の主面に画素電極２と同層に形成した３層の配線層（例えば、Ｔｉ/Ａｌ/Ｔｉ）で構成される。この場合、３層の下層８と上層１０はＴｉで、中層はＡｌとなる。
【００３３】
基板１の主面に３層の配線層を形成後、ドライエッチングで画素電極形成部分と補助配線形成部分とを分離する。この上にＣＶＤで窒化シリコン（ＳｉＮ）を成膜して保護膜（パッシベーション膜）を成膜する。この保護膜は画素電極の周囲ではバンク３となる。すなわち、この保護膜は３層の配線層の画素電極形成部分で除去される。このとき、補助配線形成部分の縁に沿って複数のコンタクトホール７を形成する。コンタクトホール７では、３層の配線層の側面が露出される。この状態でエッチング液に浸すことで、中層９であるＡｌ膜がエッチング加工されて下層８と上層１０の端縁から後退し、側面の中層９が凹んだ形状となる。この状態を図８に示す。その後、画素電極形成部分の上層を反応性イオンエッチングで除去し、中層９を露出させる。中層９はＡｌ膜で、高反射性である。
【００３４】
このようにして、コンタクトホール７の両側（画素電極２側）に図９に示した断面構造のシャドウイング構造が形成される。この上から有機発光層を構成する有機膜４を蒸着し、これに連続して共通電極５となるＩＴＯなどの透明導電膜をスパッタする。その結果、付き回り性の違いから、有機膜４が付着していない補助配線６の下層８の上にＩＴＯ等が回り込んで付着し、共通電極５と補助配線６がコンタクトする。
【００３５】
実施例４の構成によっても、簡略化した工程で補助配線の形成ができ、低抵抗の共通電極を有して、高精細、高開口率の有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００３６】
図１０は、有機ＥＬ表示装置の駆動回路を含めた等価回路である。有機ＥＬ表示装置は、ＴＦＴや有機ＥＬ素子を形成した支持基板１と封止板１５で構成される。この例では、画素ＰＸはＴＦＴ１、ＴＦＴ２、保持容量Ｃｓ、有機ＥＬ素子で構成される。この画素ＰＸをマトリクス状に複数個配列して画素部（表示領域）１４を形成する。データ線２３はデータ線駆動回路２１により駆動される。また、走査線２２は走査線駆動回路２０で駆動される。有機ＥＬ素子への電流供給線である電源線２４は電流供給バスライン２５を介して図示しない電流供給回路に接続している。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１を説明する要部平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【図３】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２を説明する要部平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ’線に沿った断面図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例３を説明する要部平面図である。
【図６】図５のＣ−Ｃ’線に沿った断面図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例４を説明する要部平面図である。
【図８】図７における補助配線の拡大平面図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ’線に沿った断面図である。
【図１０】有機ＥＬ表示装置の駆動回路を含めた等価回路である。
【図１１】トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の全体構造例を模式的に説明する断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１・・・支持基板、２・・・画素電極、３・・・バンク、４・・・有機発光層を構成する有機膜、５・・・共通電極、６・・・補助配線、７・・・コンタクトホール、８・・・下層、９・・・中層、１０・・・上層、１４・・・画素部、１５・・・封止板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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