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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の対向ミラー電極ならびに前記ミラー電極間の中央レンズを含む電極構造であって、イオンを固有振動周波数において軌跡に閉じ込める静電電位を生成し、前記閉じ込め電位は非調和である、電極構造体と、
前記イオンの固有振動周波数の約２倍の周波数で、閉じ込められたイオンを励起させる励起周波数ｆを有するＡＣ励起源であって、前記ＡＣ励起源は前記中央レンズに接続される、ＡＣ励起源と
を備える、イオントラップ。
【請求項２】
前記イオンの前記固有振動周波数の２倍よりも高い励起周波数から一方向に、前記ＡＣ励起周波数を掃引する走査制御装置をさらに含む、請求項１に記載のイオントラップ。
【請求項３】
前記走査制御装置は、前記イオンの前記固有振動周波数の２倍よりも低い励起周波数から一方向に、ある掃引速度で前記ＡＣ励起周波数ｆを掃引する、請求項２に記載のイオントラップ。
【請求項４】
前記走査制御装置は、非線形掃引速度で前記ＡＣ励起周波数ｆを掃引し、前記非線形掃引速度は、ｄ（１／ｆｎ）／ｄｔが定数にほぼ等しくなるように設定されており、ｎはゼロよりも大きいか、もしくは、ｎは１にほぼ等しい、請求項２に記載のイオントラップ。
【請求項５】
前記電極構造体の前記第１の対向ミラー電極は、
ａ）少なくとも１つのアパーチャを有し、前記対向ミラー電極構造体の軸に対して軸外に配置された第１のプレート形電極と、
ｂ）前記中央レンズに向かって開くカップ形状であり、中央に配置されたアパーチャを有する第２の電極と
を含み、
前記電極構造体の前記第２の対向ミラー電極は、
ｉ）軸方向に配置されたアパーチャを有する第１のプレート形電極と、
ｉｉ）前記中央レンズに向かって開くカップ形状であり、中央に配置されたアパーチャを有する第２の電極と
を含み、
前記中央レンズはプレート形状であり、軸方向に配置されたアパーチャを含む、請求項１に記載のイオントラップ。
【請求項６】
当該イオントラップは質量分析計として構成され、イオン源をさらに含み、前記イオン源は、ガス種の電子衝突イオン化によりイオンを生成する少なくとも１つの電子放射源を含む、請求項１に記載のイオントラップ。
【請求項７】
前記少なくとも１つの電子放射源は、ホットフィラメントまたは低温電子放射源である、請求項６に記載のイオントラップ。
【請求項８】
前記イオン検出器は、電荷感度トランスインピーダンス増幅器である、請求項６に記載のイオントラップ。
【請求項９】
前記イオン検出器は、前記ＡＣ励起源の周波数が変動する際に、前記ＡＣ励起源から吸収されるＲＦ電力量を測定することにより、イオンを検出するか、
前記ＡＣ励起周波数が変動する際に、前記電極構造体の電気インピーダンスの変化を測定することにより、イオンを検出するか、
前記ＡＣ励起周波数が変動する際に、影像電荷により誘導される電流を測定することにより、イオンを検出するか、
前記静電電位の大きさが変動する際に、前記ＡＣ励起源から吸収されるＲＦ電力量を測定することにより、イオンを検出するか、
前記静電電位の大きさが変動する際に、前記電極構造体の電気インピーダンスの変化を測定することにより、イオンを検出するか、または、
前記静電電位の大きさが変動する際に、前記影像電荷により誘導される電流を測定することにより、イオンを検出する、請求項６に記載のイオントラップ。
【請求項１０】
イオンをイオントラップに捕捉する方法であって、
第１および第２の対向ミラー電極と、ミラー電極間の中央レンズを含む電極構造体内で、イオンが固有振動周波数において軌跡に閉じ込められる非調和静電電位を生成するステップと、
励起周波数ｆを有するＡＣ励起源を使用して、前記イオンの固有振動周波数の約２倍の周波数で閉じ込められたイオンを励起させるステップであって、前記ＡＣ励起源は前記中央レンズに接続されるステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
前記ＡＣ励起源の前記励起周波数を走査するステップを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記励起周波数を走査することは、前記イオンの固有振動周波数の約２倍よりも高い励起周波数から、ある掃引速度で実行されて、前記周波数差がゼロに近づくにつれて、質量選択的に自動共振を達成する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記励起周波数を走査することは、前記イオンの固有振動周波数の約２倍よりも低い励起周波数から、ある掃引速度で実行される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記掃引速度は非線形掃引速度である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記掃引速度は、ｄ（１／ｆｎ）／ｄｔがほぼ定数に等しくなるように設定され、ｎはゼロよりも大きいか、もしくは、ｎは１にほぼ等しい、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１の対向ミラー電極構造体は、少なくとも１つのアパーチャを有し、前記対向ミラー電極構造体の軸に対して軸外に配置された第１のプレート形電極と、前記中央レンズに向かって開くカップ形状であり、中央に配置されたアパーチャを有する第２の電極とを含み、前記第２の対向ミラー電極構造体は、軸方向に配置されたアパーチャを有する第１のプレート形電極と、前記中央レンズに向かって開くカップ形状であり、中央に配置されたアパーチャを有する第２の電極とを含み、前記中央レンズはプレート形状であり、軸方向に配置されたアパーチャを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
イオン源およびイオン検出器を使用することをさらに含み、
前記イオン源は、ガス種の電子衝突イオン化によりイオンを生成する少なくとも１つの電子放射源を含み、前記イオン検出器は、質量分析計として構成されている、請求項１０に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの電子放射源は、ホットフィラメントまたは低温電子放射源である、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記イオン検出器は、電荷感度トランスインピーダンス増幅器である、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記イオン検出器は、前記ＡＣ励起源の周波数が変動する際に、前記ＡＣ励起源から吸収されるＲＦ電力量を測定することにより、イオンを検出するか、
前記ＡＣ励起周波数が変動する際に、前記電極構造体の電気インピーダンスの変化を測定することにより、イオンを検出するか、
前記ＡＣ励起周波数が変動する際に、影像電荷により誘導される電流を測定することにより、イオンを検出するか、
前記イオン検出器は、前記静電電位の大きさが変動する際に、前記ＡＣ励起源から吸収されるＲＦ電力量を測定することにより、イオンを検出するか、
前記静電電位の大きさが変動する際に、前記電極構造体の電気インピーダンスの変化を測定することにより、イオンを検出するか、または、
前記静電電位の大きさが変動する際に、影像電荷により誘導される電流を測定することにより、イオンを検出する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電体の複数の撚り対を備えるケーブルコアであって、前記撚り対が、対レイ長さで撚られ、かつある周波数範囲内の通信信号を伝送し、前記周波数の各々が、対応する波長を有する、ケーブルコアと、
内側絶縁層を取り囲むマトリクステープであって、前記マトリクステープが、ギャップによって分離された導電性セグメントの第１のバリヤ層を備え、前記導電性セグメントの縦方向長さが、前記撚り対レイ長さの最長部よりも大きいが、導電体の前記撚り対を介して送信される最高周波数信号の前記波長の４分の１よりも小さい、マトリクステープと、
を備える、通信ケーブル。
【請求項２】
導電体の前記撚り対を分離するクロスウェブをさらに備える、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項３】
外側絶縁ジャケットをさらに備える、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項４】
前記マトリクステープが、前記内側絶縁層のまわりにらせん状に巻き付けられる、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項５】
前記マトリクステープが、ギャップによって分離された導電性セグメントの第２のバリヤ層をさらに備え、前記導電性セグメントが、前記第２のバリヤ層の前記導電性セグメントが前記第１のバリヤ層の前記ギャップと概して整列するようなパターンで設けられる、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項６】
前記導電性セグメントが、前記撚り対のうちの１つを半径方向で覆うのに十分に広い横方向幅を有する、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項７】
前記ケーブルコアと前記マトリクステープとを分離する内側絶縁層をさらに備える、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項８】
前記ケーブルコアと前記マトリクステープとの間にエンボスフィルムをさらに備える、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項９】
前記エンボスフィルムが、エンボス加工された発泡フィルムを備える、請求項８に記載の通信ケーブル。
【請求項１０】
前記ケーブルコアと前記マトリクステープとの間に穿孔テープをさらに備える、請求項１に記載の通信ケーブル。
【請求項１１】
導電体の複数の撚り対を備えるケーブルコアであって、前記撚り対が、対レイ長さで撚られ、かつある周波数範囲内の通信信号を伝送し、前記周波数の各々が、対応する波長を有する、ケーブルコアと、
前記ケーブルコアのまわりのエンボスフィルムと、
内側絶縁層を取り囲むマトリクステープであって、前記マトリクステープが、第１のバリヤ層および第２のバリヤ層を備え、前記バリヤ層の各々が、ギャップによって分離された導電性セグメントを備え、前記導電性セグメントの縦方向長さが、前記撚り対レイ長さの最長部よりも大きいが、導電体の前記撚り対を介して送信される最高周波数信号の前記波長の４分の１よりも小さい、マトリクステープと、
を備える、通信ケーブル。
【請求項１２】
導電体の前記撚り対を分離するクロスウェブをさらに備える、請求項１１に記載の通信ケーブル。
【請求項１３】
前記マトリクステープが、前記内側絶縁層のまわりにらせん状に巻き付けられる、請求項１１に記載の通信ケーブル。
【請求項１４】
前記導電性セグメントは、前記第２のバリヤ層の前記導電性セグメントが、前記第１のバリヤ層の前記ギャップと概して整列するようなパターンで設けられる、請求項１１に記載の通信ケーブル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力デバイス表面の一部の領域にのみ皮膜を付与するための方法であって、
ａ．表面を提供する工程と、
ｂ．皮膜が求められていない前記表面の一部の場所に多孔質材料を付与する工程と、
ｃ．前記多孔質材料を付与した場所と皮膜が求められている別の場所の両方を含む該表面上に皮膜を付与する工程であって、その皮膜の膜厚が前記多孔質材料の孔の大きさ以下である、工程と、
ｄ．前記表面から前記多孔質材料を除去すると共に、その除去される多孔質材料上に堆積されていた皮膜をも除去する工程と、を含み、
多孔質材料を付与した光起電力デバイス表面の領域が実質的に前記皮膜を含まず、且つその他の領域が前記皮膜を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記除去工程が化学的工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記除去工程がエッチングを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記除去工程が機械的工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記除去工程が機械的工程をも含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記除去工程が振動を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記皮膜を付与する工程（ｃ）が、前記多孔質材料を付与した場所全体に孔を有する皮膜を付与することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、外部コーティング環境から、前記多孔質材料を付与した場所にある表面の任意部分まで実質的に視線が存在しない程度に十分な多孔質材料層を付与することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記多孔質材料を除去する工程が、前記多孔質材料を付与した場所の皮膜を破裂させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記多孔質材料が、実質的にプレートレット様（小板状）の粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記多孔質材料が、実質的に球形の粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記多孔質材料が、実質的に等軸な粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記多孔質材料が、孔の網状組織と相互貫入した実質的に相互連結型の固体網状組織を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、粒子を含有するスラリーを提供し、次いで該スラリーの液体分を該スラリーから分離させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、乾燥粒子を提供することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記表面が、実質的に平坦な表面を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記表面が窪みを有し、前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が前記窪み内に前記多孔質材料を付与することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、材料のフィールド内に不安定粒子を付与することを含み、更に、該不安定粒子を除去してフィールド材料に孔隙を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記不安定なフィールドがポリマーを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記多孔質材料がセラミック粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２１】
前記多孔質材料が、シリカ、アルミナ、窒化ケイ素および炭化ケイ素からなる群から選択される粒子を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記多孔質材料が金属粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記多孔質材料が、鉄、ニッケル、銀、銅、コバルト、モリブデンおよびタングステン、並びにこれら金属の合金からなる群から選択される粒子を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記皮膜が、大気圧化学蒸着、低圧化学蒸着、プラズマ化学蒸着、原子層堆積、スパッタリング、昇華および蒸発により堆積される皮膜からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記皮膜が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素およびこれら３つのものの合金；リン含有酸化ケイ素、ホウ素含有酸化ケイ素、並びに、酸化アルミニウムからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２６】
前記皮膜が、酸化亜鉛、酸化スズおよび酸化インジウムスズからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２７】
前記皮膜が、誘電体、金属および半導体からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２８】
前記皮膜が、銀、アルミニウム、ニッケル、チタニウム、タングステン、チタニウム・タングステン合金、モリブデン、クロム、スズ、スズおよび銀および銅の合金；
並びに、銅、インジウム、ガリウム、セレニウム、およびこれら４つのものの合金又は混合物からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
該皮膜が、シリコン、ドープシリコン、ガリウムヒ素；
アモルファスシリコン、無定形ゲルマニウム、無定形炭素、これら３つのドープ物、並びに、これら３つの合金およびドープ合金；
二セレン化銅インジウム、銅インジウム、二セレン化銅インジウムガリウム、硫化カドミウム、硫化亜鉛およびテルル化カドミウム、
からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３０】
前記多孔質材料が、前記表面と実質的に平行な横寸法において、膜厚よりも大きい孔隙を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３１】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、スクリーン印刷、パッド印刷、インクジェット印刷、ステンシル印刷、フレキソ印刷、グラビア印刷および噴霧からなる群から選択される方法を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３２】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、可撓性チューブを通じて前記多孔質材料を含有する液体を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
前記多孔質材料を付与する工程（ｂ）が、移送要素をスラリーに接触させ、前記スラリーが前記移送要素に一時的に付着し、次いで、前記スラリーを前記表面に接触させることを含み、これにより、前記スラリーが前記移送要素から前記表面に移動する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月18日(2013.6.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造方法であって、
第１のダイを薄くするステップと、
前記第１のダイを薄くした後に、前記第１のダイを基板パネルに取り付けるステップと、
前記第１のダイを前記基板パネルに取り付けた後に、前記第１のダイおよび前記基板パネルにモールド化合物を適用するステップと、
前記モールド化合物を適用した後に、前記第１のダイおよび前記モールド化合物を薄くするステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記第１のダイを薄くするステップが、少なくとも１つのシリコン貫通ビアを露出させる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
薄くするステップの後に、
分離層を前記第１のダイに堆積させるステップと、
パッケージング接続部を前記第１のダイに堆積させるステップと
をさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パッケージング接続部を、前記第１のダイの前記少なくとも１つのシリコン貫通ビアに結合するステップをさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第２のダイを前記パッケージング接続部に取り付けるステップをさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のダイに第２のモールド化合物を適用するステップをさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のダイを前記基板パネルに取り付ける前に、ウエハを前記第１のダイにダイシングするステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のダイを、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定位置データユニット、およびコンピュータからなる群から選択されるデバイスの中に組み込むステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記モールド化合物を適用するステップが、エポキシベースのモールドを適用するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記モールド化合物を適用するステップが、モールドチェースをモールド化合物で満たすステップと、前記モールドチェースを前記第１のダイに適用するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
半導体製造方法であって、
ウエハを裏面研削するステップと、
前記ウエハを第１の層ダイにダイシングするステップと、
前記第１の層ダイを基板パネルに取り付けるステップと、
前記第１の層ダイおよび前記基板パネルに第１のモールド化合物を適用するステップと、
前記第１の層ダイおよび前記第１のモールド化合物を裏面研削するステップと、
第２の層ダイを前記第１の層ダイに取り付けるステップと、
前記第１の層ダイおよび前記第２の層ダイに第２のモールド化合物を適用するステップと
を含む方法。
【請求項１２】
基板と、
シリコン貫通ビアと、第１の表面と、第１の表面の反対側の第２の表面とを有し、第１の表面が前記基板によって支持される、第１のダイと、
前記基板と前記第１のダイとの間の通信を容易にするためにシリコン貫通ビアに結合された、前記基板と前記第１のダイとの間のパッケージング接続部と、
前記第１のダイを部分的に取り囲み、前記第１のモールド化合物の側壁が前記基板の側壁と同一平面上にある、前記基板と前記第１のダイとの間の第１のモールド化合物と
第１のモールド化合物によって部分的に支持され、実質的に前記基板の長さに延在する分離層と、
を含む半導体デバイス。
【請求項１３】
前記第１のダイに結合された第２のダイをさらに含む請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記第２のダイを部分的に取り囲み、第２のモールド化合物の側壁が前記第１のモールド化合物の側壁および前記分離層の側壁と同一平面上にあり、第２のモールド化合物の表面が前記分離層の第２の表面と隣接する、第２のモールド化合物をさらに含む請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記第１のモールド化合物と同一平面上のバックエンドオブライン層をさらに含む請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
シリコン貫通ビアおよび基板によって支持される第１の表面を有するダイと、
前記基板と前記ダイとの間の通信を容易にするためにシリコン貫通ビアに結合された、前記基板と前記ダイとの間のパッケージング接続部と、
前記基板と前記ダイとの間にあり、前記ダイを部分的に取り囲み、封入手段の側壁が前記基板の側壁と同一平面上にある、ダイを封入するための手段と、
封入手段によって部分的に支持され、実質的に前記基板の長さに延在する、ダイを電気的に分離する手段と、
を含む半導体デバイス。
【請求項１７】
前記半導体デバイスが、通信デバイス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、および固定位置データユニットの少なくとも１つに組み込まれる請求項１６に記載の半導体デバイス。
【請求項１８】
前記半導体デバイスが、通信デバイス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、および固定位置データユニットの少なくとも１つに組み込まれる請求項１２に記載の半導体デバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
図９Ｆで、第１の層ダイ９２１、９２２、およびモールド化合物９３１を、シリコン貫通ビア９１２を露出させるように、裏面研削またはリセスエッチングによって薄くする。一実施形態において、厚さは、５０μｍ未満である。図９Ｇで、分離層９４１を、第１の層ダイ９２１、９２２に堆積させる。図９Ｈで、分離層９４１を、リソグラフィおよびエッチングを使用してパターニングし、金属接続部９４６をエッチングされた領域に堆積させる。任意のバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）処理を実施する前にモールド化合物９３１を適用した結果として、分離層９４１および他のバックエンドオブライン（ＢＥＯＬ）層（図示せず）は、基板９２６と同一平面上にある。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性印刷材料と放射線源を有するインクジェットプリンターとを用いた複数のパスで、基板の印刷における表面仕上げを制御して、第一の領域における第一の表面仕上げと第二の領域における第二の表面仕上げとを有し、一方の表面仕上げが他方の表面仕上げよりも強い光沢を有する印刷画像を生産する方法であって、該方法は、以下の工程：
基板上にインクを堆積させ、堆積したインクに向かって放射線源から放射線を放出させて、第一範囲の放射線量を適用することを含む、パスの第一セットを行うこと、
続いて、基板上にインクを堆積させ、堆積したインクに向かって放射線源から放射線を放出させて、第一範囲とは異なる第二範囲の放射線量を適用することを含む、パスの第二セットを行うこと、
を含み、ここでパスの第一セットが、基板の第一の領域上でインクの印刷を実行し、パスの第二セットが、第一の領域とは異なる基板の第二の領域上でインクの印刷を実行し、ここで第一範囲の線量および第二範囲の線量が、パスの第一セットで印刷されたインクの硬化効果をパスの第二セットで印刷されたインクの硬化効果とは異なるようにするものであり、ここで第一の線量および第二の線量が、パスの第一セットで印刷されたインクの表面仕上げをパスの第二セットで印刷されたインクとは異なるようにするものである、上記方法。
【請求項２】
パスの第一セットおよびパスの第二セットのうち一方の放出された放射線の線量が、他方のパスのセットの放出された放射線の線量の約２０％未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
パスの第一セットおよびパスの第二セットの一方がインクの部分硬化を実行し、他方が実質的に完全なインクの硬化を実行する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
パスの第一セットおよびパスの第二セットのうち一方の放出された放射線の線量が、他方のパスのセットの放出された放射線の線量の約１０％未満、好ましくは約５％である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
パスの第一セットと第二セットとの間にパスの中間セットをさらに含み、ここで該パスの中間セットは、１またはそれより多くのインク堆積パス、および／または、１またはそれより多くの放射線源から放射線を放出させることを含むパスを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法、。
【請求項６】
パスの第一セットが、部分的なインクの硬化を実行するために、比較的低い線量の放射線を放出させることを含み、パスの第二セットが、実質的に完全なインクの硬化を実行するために、比較的高い線量の放射線を放出させることを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
中間パスをさらに含み、ここで該中間パスは、部分的に硬化したインクを含む領域上および部分的に硬化したインクを含まない領域上へのインクの堆積、および、部分的に硬化したインクを含む領域上および部分的に硬化したインクを含まない領域上に放射線を放出させて実質的に完全なインクの硬化を実行することを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
パスの第二セットのインクが、パスの第一セットで堆積したインク上に印刷される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
第一のおよび／または第二のパスのセットのインクが、実質的に透明または半透明インクまたはワニスを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記プリンターが、実質的に印刷される基板の全幅に伸長するプリントヘッドを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
硬化性印刷材料と放射線源を有するインクジェットプリンターとを用いた複数のパスで、基板の印刷における表面仕上げを制御する方法であって、該方法は、以下の工程：
基板上にインクを堆積させ、堆積したインクに向かって放射線源から放射線を放出させて、第一の表面仕上げを有する印刷された表面を生産することを含む、パスの第一セットを行うこと、
続いて、基板上にインクを堆積させ、堆積したインクに向かって放射線源から放射線を放出させて、第一とは異なる第二の表面仕上げを有する印刷された表面を生産することを含む、パスの第二セットを行うこと、
を含む、上記方法。
【請求項１２】
一方の表面仕上げが、他方の表面仕上げよりも光沢が強いものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
印刷画像が、比較的多量のインクが堆積される重い印刷領域と、さらに比較的少量のインクが堆積される軽い印刷領域とを含み、前記方法は：
基板上にインクを堆積させて画像を形成することを含み、ここで堆積したインクは、画像を印刷するのに必要な量のインクと、さらに追加量のインクとを含み、ここで追加量のインクは印刷画像の軽い領域に堆積される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
硬化性印刷材料と放射線源を含むインクジェットプリンターとを用いて複数のパスで基板に画像を印刷する方法であって、ここで印刷画像は、比較的多量のインクが堆積される重い印刷領域と、さらに比較的少量のインクが堆積される軽い印刷領域とを含み、該方法は：
基板上にインクを堆積させて画像を形成することを含み、ここで堆積したインクは、画像を印刷するのに必要な量のインクと、さらに追加量のインクとを含み、ここで追加量のインクは印刷画像の軽い領域に堆積される、上記方法。
【請求項１５】
前記追加のインクが、基板に類似した色を有するか、または、半透明もしくは透明である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記追加のインクが、画像のインクと同じパスで印刷される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法を行うための装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の方法によって印刷されたプリント基板。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノマーの精製法であって、その際、出発組成物中に含有されるモノマーの少なくとも一部を蒸発し、かつ引き続き凝縮する方法において、該出発組成物の少なくとも一部を短行路型蒸発器中で蒸発し、その際、蒸気
2012526063.tif 000001
の質量流量密度が、関係式（Ｉ）
【数１】
2012526063.tif 000002
［式中
2012526063.tif 000003
は、短行路型蒸発器中での蒸気の平均モル質量（ｋｇ／ｋｍｏｌ）
Ｔは、蒸気の温度（Ｋ）、
ｐiは、短行路型蒸発器中での圧力（ｍｂａｒ）
2012526063.tif 000004
は、蒸気の質量流量密度（ｋｇ／（ｍ2・ｈ））
である］に従って選択されることを特徴とする、モノマーの精製法。
【請求項２】
前記出発組成物が、少なくとも９５質量％のモノマーを包含することを特徴とする、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記蒸発を、１５℃〜１５０℃の範囲の温度にて実施することを特徴とする、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記出発組成物が、高沸点モノマーを包含することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記高沸点モノマーが、メタクリル酸無水物又はメタクリレートであることを特徴とする、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記メタクリレートが、ヘキシルメタクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレート、１，４−ブタンジオールジメタクリレート、グリコールジメタクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−エトキシエチルメタクリレート、デシルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、オクタデシル／ステアリルメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオールジメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、３−ヒドロキシプロピルメタクリレート、１，３−ブタンジオールジメタクリレート、ベンジルメタクリレート、アリルメタクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルメタクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、Ｎ−３−ジメチルアミノプロピルメタクリルアミド、２−ジメチルアミノエチルメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、イソボルニルメタクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレート、イソデシルメタクリレート、ドデシルメタクリレート、２−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］エチルメタクリレート、２，３−ジヒドロキシプロピルメタクリレート、（２−オキソ−１，３−ジオキソラン−４−イル）メチルメタクリレート、２−カルバモイルオキシエチルメタクリレート又は１，６−ヘキサンジオールジメタクリレートから選択されていることを特徴とする、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記モノマーが、アクリル酸無水物又はアクリレートであることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記アクリレートが、ヘキシルアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、グリコールジアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−エトキシエチルアクリレート、デシルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、オクタデシル／ステアリルアクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−１，３−プロパンジオールジアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピルアクリレート、１，３−ブタンジオールジアクリレート、ベンジルアクリレート、アリルアクリレート、２−（２−ブトキシエトキシ）エチルアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、Ｎ−３−ジメチルアミノプロピルアクリルアミド、２−ジメチルアミノエチルアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、イソボルニルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、イソデシルアクリレート、ドデシルアクリレート、２−［２−（２−エトキシエトキシ）エトキシ］エチルアクリレート、ペンタエリトリトールテトラアクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート又は１，６−ヘキサンジオールジアクリレートから選択されていることを特徴とする、請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記モノマーの滞留時間が、１秒〜５分の範囲にあることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記出発組成物が、少なくとも１種の重合禁止剤を包含することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記出発組成物が、１〜２００ｐｐｍの重合禁止剤を包含することを特徴とする、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記出発組成物中に含有されるモノマーを蒸発し、かつ凝縮する前に、前記出発組成物から、低い沸点を有する成分を除去することを特徴とする、請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
低い沸点を有する前記成分を、短行路型蒸発器中での蒸発によって出発組成物から除去することを特徴とする、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
低い沸点を有する前記成分を取り除くための蒸発を、４０℃〜１５０℃の範囲の温度にて実施することを特徴とする、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
短行路型蒸発器中での前記モノマーの蒸発後に得られた残留物を、短行路型蒸発器中での蒸発及び凝縮に供することを特徴とする、請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
前記残留物の蒸発を、１５℃〜１５０℃の範囲の温度にて実施することを特徴とする、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
精製された生成物が、少なくとも９９質量％のモノマーを包含することを特徴とする、請求項１から１６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１８】
請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置において、該装置が、少なくとも３つの短行路型蒸発器を包含し、その際、該短行路型蒸発器は、第１の短行路型蒸発器の残留物が、第２の短行路型蒸発器中に導かれ、かつ第２の短行路型蒸発器の残留物が、第３の短行路型蒸発器中に導かれるように互いに連結されていることを特徴とする、請求項１から１７までのいずれか１項記載の方法を実施するための装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血栓症の治療および予防で使用する薬物の調製のための、酸の形態または薬学的に許容される塩のいずれか１つの形態である式（Ｉ）のオリゴ糖：
【化１】
2012526099.tif 000001
（式中、Ａｃはアセチル基を表し、波線はピラノース環の平面の下または上のいずれかに位置する結合を示す。）
の使用。
【請求項２】
オリゴ糖がナトリウム塩の形態である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
静脈血栓症および急性血栓イベントの治療および予防で使用する薬物の調製のための、請求項１または請求項２に記載の使用。
【請求項４】
式（Ｉ）のオリゴ糖が抗血栓オリゴ糖から選択される少なくとも別の有効成分と組み合わせて使用される、請求項１から３のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
請求項１または請求項２で定義される式（Ｉ）のオリゴ糖、または薬学的に許容される塩とのこれらの付加塩の有効量の患者への投与を含む、血栓症の治療および予防のための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
このようにして、とりわけ、８時間までの粉砕時間がこのための特定の最適条件を示すことは、粉砕時間を１６時間までに更に２倍にすることが、過電圧を更に大きく低下させず、価値があるように思えないので、確立された。
本発明の好ましい態様は、以下を包含する。
［１］カーボンナノチューブから出発する、ピリジン窒素基、ピロール窒素基および／または第４級窒素基を少なくとも表面上に含む黒鉛炭素材料の製造方法であって、カーボンナノチューブを、窒素雰囲気下で粉砕することを特徴とする、方法。
［２］窒素雰囲気は、少なくとも９０体積％、好ましくは少なくとも９９体積％の窒素の割合を有することを特徴とする、［１］に記載の方法。
［３］粉砕は、粉砕性媒体ミル中で行うことを特徴とする、［１］または［２］に記載の方法。
［４］粉砕は、遊星ミル中で行うことを特徴とする、［３］に記載の方法。
［５］粉砕は、１分〜１６時間、好ましくは４〜８時間行うことを特徴とする、［１］〜［３］のいずれかに記載の方法。
［６］５ｋＪ／ｇカーボンナノチューブ〜４０００ｋＪ／ｇカーボンナノチューブ、好ましくは５００ｋＪ／ｇカーボンナノチューブ〜２５００ｋＪ／ｇカーボンナノチューブの範囲のエネルギーの量を、粉砕中に導入することを特徴とする、［１］〜［５］のいずれかに記載の方法。
［７］［１］〜［６］のいずれかに記載の方法により製造され、およびピリジン窒素基、ピロール窒素基および／または第４級窒素基を少なくとも表面上に有する黒鉛炭素材料の、化学反応における触媒としての使用。
［８］化学反応は、電気化学反応であることを特徴とする、［７］に記載の使用。
［９］電気化学反応は、酸素の還元を含むことを特徴とする、［８］に記載の使用。
［１０］燃料電池および電解セルにおける電極材料としての［８］に記載の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブから出発する、ピリジン窒素基、ピロール窒素基および／または第４級窒素基を少なくとも表面上に含む黒鉛炭素材料の製造方法であって、カーボンナノチューブを、窒素雰囲気下で粉砕することを特徴とする、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法により製造され、およびピリジン窒素基、ピロール窒素基および／または第４級窒素基を少なくとも表面上に有する黒鉛炭素材料の、化学反応における触媒としての使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月1日(2013.10.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイパブレード（１２）にワイパアームを接続するための接続装置（１０）であって、前記ワイパブレードが、前記接続装置（１０）の接続エレメント（２２）に不動に結合されているのに対して、アダプタ（６０）は、前記接続エレメント（２２）に枢着式に結合され且つワイパアームに解離可能に固定されている形式のものにおいて、
接続エレメント（２２）とアダプタ（６０）とがプラスチックから製作されており、アダプタ（６０）が、長手方向中心平面内に延在する長手方向ウェブ（７４）を有しており、該長手方向ウェブが、その中心領域に、長手方向に対して直交して延びる支承ピン（７６）を支持しており、前記長手方向ウェブ（７４）及び支承ピン（７６）が、接続エレメント（２２）に向かって所定の距離だけアダプタ（６０）の側壁（６２）を越えて突出しており、接続エレメント（２２）が接続部材（２６）を有しており、長手方向ウェブ（７４）の、接続部材（２６）に向かって突出している部分が、２つの接触面（８０）間で案内されており、これらの接触面が、長手方向に延在しており且つ互いにずらされており、これにより、取付け位置において長手方向ウェブ（７４）の一方の長辺が、それぞれ一方の接触面（８０）に接触して、長手方向ウェブ（７４）が取付けのために垂直方向軸線を中心として所定の角度αだけ前記接触面（８０）間で回動可能であり、前記支承ピン（７６）が、その両端部で以て、取付け位置において接続部材（２６）の側壁（４２）に設けられた支承穴（５０）に突入して係止するように、支承ピン（７６）の長さが設定されていることを特徴とする、ワイパブレード（１２）にワイパアームを接続するための接続装置。
【請求項２】
前記角度αが約４５°である、請求項１記載の接続装置。
【請求項３】
前記長手方向ウェブ（７４）の端面が、接続部材（２６）の案内面（７８）によって半径方向で案内されている、請求項１記載の接続装置。
【請求項４】
前記接続部材（２６）の側壁（４２）が、支承穴（５０）の領域において、カバー壁（４４）に比べて高くなっている、請求項１又は２記載の接続装置。
【請求項５】
前記側壁（４２）の内側において、旋回方向で見て支承穴（５０）の手前に案内路（５８）が設けられている、請求項１から４までのいずれか１項記載の接続装置。
【請求項６】
前記接続部材（２６）が、その端部にスポイラ（２０）用の接続成形部（４６）を有しており、アダプタ（６０）が、ワイパブレード（１２）に対してほぼ平行な位置から出発して時計方向（８６）及び反時計方向（８４）で旋回され得るように、前記接続成形部相互の間隔が設定されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の接続装置。
【請求項７】
前記接続エレメント（２２）がベースエレメント（２４）を有しており、該ベースエレメント（２４）が、長手方向で２つの側方部分（２８）に分割されており且つ互いに面した長手方向溝（３０）で以て支持エレメント（１８）を取り囲んでおり、２つの側方部分が、互いに面した側において、係止結合部材（３４，３６）によって互いに結合されている、請求項１から６までのいずれか１項記載の接続装置。
【請求項８】
前記側方部分（２８）が、前記係止結合部材（３４，３６）に加えて付加的に、接続部材（２６）によって、該接続部材（２６）の側壁（４２）が、その内側に設けられた係止突起で以て側方部分（２８）の外側に設けられた窪み（４０）に突入して係止することにより、側方で保持される、請求項６記載の接続装置。
【請求項９】
前記アダプタ（６０）が、種々様々なワイパアームを接続するためのロック装置（７２）を有している、請求項１から８までのいずれか１項記載の接続装置。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項記載の接続装置（１０）を備えたワイパブレード（１２）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
更に有利には、接続エレメントの側壁が、支承穴の領域において、カバー壁に比べて高くなっている。これにより、アダプタの旋回軸線はカバー壁からより大きな間隔を取ることができるので、アダプタの所与の長さにおける、より大きな旋回角度が可能である。アダプタのより大きな旋回角度を以て、車両ウインドウガラスの極めて様々な曲率を有する複数の車両において、同じワイパブレードを使用することができる。同様の観点で、接続部材がその端部にスポイラ用の接続成形部を有している場合に、隣接するスポイラ成形部又は接続成形部によって邪魔されること無しに、アダプタがワイパブレードに対してほぼ平行な位置から出発して時計方向及び反時計方向に旋回され得るように、前記接続成形部相互の間隔が設定されている、という手段が講じられる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ココヤシ（Cocos nucifera L）の抽出物と、ハマアズキ（Vigna marina (Burm.) Merr.）抽出物及びモモタマナ（Terminalia catappa L.）抽出物から選択される少なくとも１種の抽出物との組合せを含む、生物学活性抽出物。
【請求項２】
前記抽出物が、葉、蔓、豆、殻または堅果のうちの１つまたは複数に由来する、請求項１に記載の抽出物。
【請求項３】
前記ココヤシ抽出物が、殻または堅果に由来する、請求項１または２に記載の抽出物。
【請求項４】
前記ココヤシ抽出物がココヤシ油である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項５】
前記抽出物が、植物性油、炭化水素および／もしくはアルコールを用いて調製され、かつ／または植物性油、炭化水素および／またはアルコールを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の抽出物。
【請求項６】
前記植物性油が種子または果実に由来する、請求項５に記載の抽出物。
【請求項７】
前記植物性油がココヤシ油である、請求項６に記載の抽出物。
【請求項８】
前記ココヤシ油が、バージンココヤシ油、精製ココヤシ油、硬化ココヤシ油または分画ココヤシ油である、請求項４または請求項７に記載の抽出物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の抽出物、ならびに薬学的に許容される担体、希釈剤および／または賦形剤、を含む組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、対象の皮膚または表皮付属器官に局所的に適用される、請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
前記表皮付属器官が、毛、毛包、爪、または角質である、請求項１０に記載の組成物。
【請求項１２】
創傷の治療ならびに／または創傷治癒の治療的および／もしくは美容的促進のための、請求項９または請求項１０に記載の組成物、ここで前記創傷は外科的または非外科的創傷である請求項９または請求項１０に記載の組成物。
【請求項１３】
前記非外科的創傷が、火傷、擦り傷、切り傷または擦過傷である、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
皮膚障害の治療的および／または美容的治療のための、請求項９または請求項１０に記載の組成物。
【請求項１５】
創傷の治療ならびに／または創傷治癒の治療的および／もしくは美容的促進のための医薬品または薬学的組成物の製造における、請求項１〜８のいずれか一項に記載の生物活性抽出物の使用、ここで前記創傷は外科的または非外科的創傷である請求項１〜８のいずれか一項に記載の生物活性抽出物の使用。
【請求項１６】
前記非外科的創傷が、火傷、擦り傷、切り傷または擦過傷である、請求項１５に記載の抽出物の使用。
【請求項１７】
皮膚障害の治療的および／または美容的治療のための医薬品または薬学的組成物の製造における、請求項１〜８のいずれか一項に記載の生物活性抽出物の使用。
【請求項１８】
前記皮膚障害が、加齢に関連した皮膚萎縮またはステロイドに関連した皮膚萎縮である、請求項１７に記載の抽出物の使用。
【請求項１９】
前記加齢に関連した皮膚萎縮がエストロゲン欠乏と関連している、請求項１８に記載の抽出物の使用。
【請求項２０】
生物活性抽出物が皮膚の厚さおよび／または機械的強度を増大させる、請求項１７に記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月20日(2013.7.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気ガス熱利用サイクル（２）の作動流体の作動温度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）制御を伴う、車両内の排気ガス熱利用サイクル（２）の作動方法であって、
前記作動温度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）は、前記排気ガス熱利用サイクル（２）の熱交換器（５）を通って流れる作動流体の質量流量を調整することによって、前記作動流体の最大許容作動温度を超過しないように制御されること、および
前記作動流体の最大許容作動温度が、前記作動流体の化学分解温度よりも低いことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記作動流体の前記作動温度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）が、さらに、
−排熱流の冷却、詳細には前記熱交換器（５）への流入前に内燃機関（３）の排気ガスを冷却する、
−前記熱交換器（５）を通って流れる排熱流の質量流量を制限する、
−前記熱交換器（５）への流入前に排熱流に冷たい流体を加える、
の措置の少なくとも１つによって制御されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記作動温度（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）を制御する際に、
−前記熱交換器（５）前の前記排熱流の温度、
−前記熱交換器（５）後の前記排熱流の温度、
−前記熱交換器（５）前の前記作動流体の温度（Ｔ２）、
−前記熱交換器（５）後の前記作動流体の温度（Ｔ３）、
−前記排気ガス熱利用サイクル（２）のタービン前の前記作動流体の圧力（ｐ２）、
−前記排気ガス熱利用サイクル（２）の前記タービン後の前記作動流体の圧力（ｐ１）、
−前記作動流体の流速、
−前記排熱流の流速、
のパラメータの少なくとも１つが考慮されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記作動流体の最大許容作動温度が、前記化学分解温度よりも温度制御性能の許容誤差範囲の分を下回っていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、カルノー・サイクル、クラウジウス・ランキン・サイクル、スターリング・サイクル又はジュール・サイクルなどとして形成されているサイクルを有していることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
排気ガス熱利用サイクル（２）が、請求項１〜５のいずれか一項の方法に従って作動可能であるように形成されている前記排気ガス熱利用サイクル（２）を備える、車両の排気ガス熱利用装置。
【請求項７】
排気ガス熱利用サイクル（２）を備える車両の、請求項６による排気ガス熱利用装置（１）において作動流体として使用され、気化及び凝縮することができ、有機化合物の混合物を含むか、又は有機化合物の混合物からなる液体であって、
−メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、
−ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテルなどのエーテル、
−アルカン、
の化合物の少なくとも１つを有していることを特徴とする液体。
【請求項８】
前記作動流体の最も低い前記化学分解温度が、前記排熱流の最大温度よりも前記温度制御性能の許容誤差範囲の分を上回っていることを特徴とする請求項７に記載の液体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
本発明は、自動車の排気ガス熱利用サイクルの作動時に、排気ガス熱利用サイクルの熱交換器を通って流れる作動流体の質量流量を調整することによって、排気ガス熱利用サイクルの作動流体の作動温度を制御するという基本的な考え方に基づいている。この場合、作動温度を制御することにより、作動流体が最大許容作動温度を超過するのを防止しなければならない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
作動流体、特に有機作動流体、が備えられ、排気ガス熱利用サイクルの熱交換器を通って流れる作動流体の質量流量を調整することによって作動温度を制御するように駆動される排気ガス熱利用サイクルは、自動車の排気ガス熱利用装置に使用することが可能である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
ここに提案されている実施形態では、排気ガス熱利用サイクル２が、１つの方法によって駆動可能であり、その方法では、作動流体の作動温度が、熱交換器５を流れる作動流体の質量流量を調整することによって、作動流体の最大許容作動温度を超過しないように制御される。例えばメタノール、ジエチルエーテル、ジメチルエーテルなど、又は有機化合物の混合物のような有機作動流体の場合、作動流体の作動温度Ｔ１、Ｔ２を制御することは、排気ガス熱利用サイクル２が正常に機能するために極めて重要である。というのも、例えば温度が７００℃にも達することのある高温の排気ガスによって、例えば３５０℃の作動流体の分解温度をすぐに超えてしまうからである。この場合、全負荷では、熱交換器５を通過する高温の排気ガスが、同様に熱交換器５を反対方向に通過する有機作動流体を少なくとも部分的に分解してしまうと考えられる。このことは防止する必要があるため、作動流体の最大許容作動温度は、例えば、作動流体の化学分解温度よりも少なくとも２０℃低い温度にすることが適切である。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
その他に、作動流体の作動温度は、熱交換器５への流入前に作動流体を冷却することによって制御することもできる。同様に、作動温度は、熱交換器を流れる排熱流の質量流量を制限することによって、及び熱交換器５への流入前に排熱流に冷たい流体を加えることによって制御することができる。このような措置は、循環ライン１０において最大の作動流体質量流量に達し、それ以上質量流量を増加させることができない場合に有利である。この場合、それでもなお、タービン６方向での熱交換器５後において温度上昇が生じ、作動流体の最大許容作動温度を超える危険がある場合、上述の措置によって、熱交換器５内で排熱流から作動流体に供給される排熱１１を制限することが可能であるため、作動流体の作動温度を制御することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
作動流体の質量流量を変更することにより、作動流体の温度Ｔ３が変化する。質量流量の増加は、単位質量当たりの熱入力を減少させ、作動媒体温度Ｔ３を低下させる。質量流量の低下は、単位質量当たりの熱入力と作動媒体温度Ｔ３とを上昇させることができる。この方法により、作動温度Ｔ３の制御は、作動流体の質量流量の調整によって実現可能である。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
この場合、こうした作動流体の分解温度は、作動流体質量流量を調整して作動温度を制御することにより、排気ガス熱利用装置の作動中は常に、作動温度が作動流体の分解温度を下回っているように考慮されることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
Ｎ−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まない液体組成物を製造するための方法であって、以下の工程、
（Ｉ）それぞれの試験液の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す、少なくとも１種の極性有機溶媒（Ａ）を選択する工程、
（ＩＩ）得られる混合物の全質量に対して、
（Ａ）４０〜９９．５質量％の少なくとも１種の、選択された極性有機溶媒、
（Ｂ）０．０５〜＜０．５質量％の、少なくとも１種の水酸化第4級アンモニウム、及び
（Ｃ）＜５質量％の水、
を、Ｎ−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン及びヒドロキシルアミン誘導体の不存在下に混合する工程、
（ＩＩＩ）回転式粘度計で測定して、５０℃で、工程（ＩＩ）で得られた混合物の動的せん断粘度を１〜１０ｍＰａｓに調整する工程、
を含むことを特徴とする液体組成物を製造するための方法。