(57)【要約】【課題】封止基板の一主面に設けられた凹部内に乾燥部材を配置した場合に、有機ＥＬ素子の劣化を防止する効果をより大きくするのに有利な技術を提供する。【解決手段】本発明の有機ＥＬ表示装置は、支持基板ＳＵＢと、支持基板ＳＵＢの一方の主面に支持された有機ＥＬ素子と、有機ＥＬ素子と向き合い、溝ＴＣを介して互いに通じた複数の凹部ＲＣが有機ＥＬ素子と向き合った主面に設けられ、支持基板ＳＵＢと共に中空体を形成した封止基板ＣＳと、各々が乾燥剤を含有すると共に凹部ＲＣ内にそれぞれ配置された複数の乾燥部材ＤＳとを具備したことを特徴とする。【選択図】      図３
2008210648.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基板と、
前記支持基板の一方の主面に支持された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と向き合い、溝を介して互いに通じた複数の凹部が前記有機ＥＬ素子と向き合った主面に設けられ、前記支持基板と共に中空体を形成した封止基板と、
各々が乾燥剤を含有すると共に前記複数の凹部内にそれぞれ配置された複数の乾燥部材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記複数の乾燥部材上にそれぞれ配置された複数の多孔質緩衝材をさらに具備したことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
支持基板と、
前記支持基板の一方の主面に支持された有機ＥＬ素子と、
前記有機ＥＬ素子と向き合い、複数の凹部が前記有機ＥＬ素子と向き合った主面に設けられ、前記支持基板と共に中空体を形成した封止基板と、
各々が乾燥剤を含有すると共に前記複数の凹部内にそれぞれ配置された複数の乾燥部材と、
前記封止基板の前記主面に前記複数の凹部間の位置で支持された多孔質緩衝材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、水分を含んだ雰囲気に晒されると、速やかに劣化する。したがって、有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子が水分を含んだ雰囲気に晒されるのを防止すべく、有機ＥＬ素子を封止している。
【０００３】
有機ＥＬ素子の封止には、封止基板が広く利用されている。この封止技術では、有機ＥＬ素子を支持している支持基板と封止基板とで気密な中空体を形成し、この中空体内の空間を例えば乾燥ガスで満たす。中空体内の有機ＥＬ素子は、外気と接触することがないため、水分を含んだ雰囲気に晒されることに起因した劣化を生じ難い。
【０００４】
しかしながら、乾燥ガスは、僅かな水分を含んでいる可能性がある。加えて、外部の水分が中空体の内部へと侵入するのは避けられない。そのため、封止基板を利用した封止技術では、通常、中空体内の水分を乾燥剤で取り除いている。
【０００５】
ところで、有機ＥＬ表示装置には、軽量であることが要求される。そこで、十分な機械的強度と軽量とを実現すべく、封止基板の内面に複数の凹部を設けることがある。
【０００６】
これら凹部の中には、乾燥剤を含有した乾燥部材を配置することができる。凹部内に乾燥部材を配置すれば、乾燥剤の使用に起因して表示パネルの厚さが増すことがない。しかも、多量の乾燥剤を使用できるため、有機ＥＬ素子の劣化を長期に亘って防止することができると考えられる。しかしながら、本発明者らは、本発明を為すに際し、凹部内に乾燥部材を配置した場合、有機ＥＬ素子の劣化を防止する効果が期待されるほど大きくはないことを見出している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、封止基板の一主面に設けられた凹部内に乾燥部材を配置した場合に、有機ＥＬ素子の劣化を防止する効果をより大きくするのに有利な技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１側面によると、支持基板と、前記支持基板の一方の主面に支持された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子と向き合い、溝を介して互いに通じた複数の凹部が前記有機ＥＬ素子と向き合った主面に設けられ、前記支持基板と共に中空体を形成した封止基板と、各々が乾燥剤を含有すると共に前記複数の凹部内にそれぞれ配置された複数の乾燥部材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の第２側面によると、支持基板と、前記支持基板の一方の主面に支持された有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子と向き合い、複数の凹部が前記有機ＥＬ素子と向き合った主面に設けられ、前記支持基板と共に中空体を形成した封止基板と、各々が乾燥剤を含有すると共に前記複数の凹部内にそれぞれ配置された複数の乾燥部材と、前記封止基板の前記主面に前記複数の凹部間の位置で支持された多孔質緩衝材とを具備したことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、封止基板の一主面に設けられた凹部内に乾燥部材を配置した場合に、有機ＥＬ素子の劣化を防止する効果をより大きくするのに有利な技術が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同様又は類似する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置が含む表示パネルを概略的に示す平面図である。図３は、図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。図４は、図２及び図３の表示パネルが含むアレイ基板を概略的に示す断面図である。図５は、図２及び図３の表示パネルが含む封止基板を概略的に示す斜視図である。
【００１３】
図１に示す表示装置は、アクティブマトリクス型駆動方式を採用した下面発光型の有機ＥＬ表示装置である。この有機ＥＬ表示装置は、表示パネルＤＰと、映像信号線ドライバＸＤＲと、走査信号線ドライバＹＤＲとを含んでいる。
【００１４】
表示パネルＤＰは、図１乃至図３に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを含んでいる。図３に示すように、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとは、向き合っており、中空体を形成している。具体的には、封止基板ＣＳの中央部は、アレイ基板ＡＳから離間している。封止基板ＣＳの周縁部は、図示しない枠形のシール層を介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。シール層の材料としては、例えば、フリットガラス及び接着剤を使用することができる。
【００１５】
アレイ基板ＡＳは、図１、図３及び図４に示すように、絶縁基板ＳＵＢを含んでいる。絶縁基板ＳＵＢは、例えば、ガラス基板などの光透過性基板である。
【００１６】
基板ＳＵＢ上には、図４に示すように、アンダーコート層ＵＣとして、例えば、ＳｉＮx層とＳｉＯx層とが順次積層されている。
【００１７】
アンダーコート層ＵＣ上では、複数の半導体層ＳＣ，例えばポリシリコン層，が配列している。各半導体層ＳＣには、ソース及びドレインが形成されている。
【００１８】
アンダーコート層ＵＣ及び半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜ＧＩで被覆されている。ゲート絶縁膜ＧＩは、例えばＴＥＯＳ（tetraethyl orthosilicate）を用いて形成され得る。
【００１９】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、ゲートＧが配列している。ゲートＧは、例えばＭｏＷからなる。
【００２０】
半導体層ＳＣとゲート絶縁膜ＧＩとゲートＧとは、トップゲート型の薄膜トランジスタを形成している。本態様では、これら薄膜トランジスタは、ｐチャネル薄膜トランジスタであり、図１の画素ＰＸが含む駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃとして利用している。
【００２１】
ゲート絶縁膜ＧＩ上では、図１に示すキャパシタＣの下部電極と走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２とがさらに配列している。これらは、ゲートＧと同一の工程で形成可能である。
【００２２】
走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、図１に示すように、各々が画素ＰＸの行に沿って、すなわちＸ方向に延びており、画素ＰＸの列方向に沿ったＹ方向に配列している。これら走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２は、走査信号線ドライバＹＤＲに接続されている。なお、Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向である。
【００２３】
ゲート絶縁膜ＧＩ、ゲートＧ、走査信号線ＳＬ１及びＳＬ２、並びにキャパシタＣの下部電極は、図４に示す層間絶縁膜ＩＩで被覆されている。層間絶縁膜ＩＩは、例えば、プラズマＣＶＤ法などにより成膜されたＳｉＯx膜である。この層間絶縁膜ＩＩの一部は、キャパシタＣの誘電体層として利用する。
【００２４】
層間絶縁膜ＩＩ上では、図に示すキャパシタＣの上部電極、図４に示すソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥ、並びに、図１に示す映像信号線ＤＬ及び電源線ＰＳＬが配列している。これらは、同一工程で形成可能であり、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの三層構造を有している。
【００２５】
ソース電極ＳＥ及びドレイン電極ＤＥは、図４に示すように、層間絶縁膜ＩＩに設けられたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタのソース及びドレインに電気的に接続されている。
【００２６】
映像信号線ＤＬは、図１に示すように、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。これら映像信号線ＤＬは、映像信号線ドライバＸＤＲに接続されている。  
電源線ＰＳＬは、本態様では、各々がＹ方向に延びており、Ｘ方向に配列している。
【００２７】
ソース電極ＳＥ、ドレイン電極ＤＥ、映像信号線ＤＬ、電源線ＰＳＬ、及びキャパシタＣの上部電極は、図４に示すパッシベーション膜ＰＳで被覆されている。パッシベーション膜ＰＳは、例えばＳｉＮxからなる。
【００２８】
パッシベーション膜ＰＳ上では、画素電極である第１電極ＰＥが配列している。本態様では、各第１電極ＰＥは、光透過性の前面電極である。各第１電極は、パッシベーション膜ＰＳに設けた貫通孔を介してドレイン電極ＤＥに接続されており、このドレイン電極ＤＥはスイッチＳＷａのドレインに接続されている。
【００２９】
第１電極ＰＥは、本態様では陽極である。第１電極ＰＥの材料としては、例えば、ＩＴＯ（indium tin oxide）などの透明導電性酸化物を使用することができる。
【００３０】
パッシベーション膜ＰＳ上には、さらに、図２に示す隔壁絶縁層ＰＩが形成されている。隔壁絶縁層ＰＩには、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられているか、或いは、第１電極ＰＥが形成する列又は行に対応した位置にスリットが設けられている。ここでは、一例として、隔壁絶縁層ＰＩには、第１電極ＰＥに対応した位置に貫通孔が設けられていることとする。
【００３１】
隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、有機絶縁層である。隔壁絶縁層ＰＩは、例えば、フォトリソグラフィ技術を用いて形成することができる。
【００３２】
第１電極ＰＥ上には、各々が発光層を含んだ活性層ＡＣＴが配置されている。発光層は、例えば、発光色が赤色、緑色、又は青色のルミネセンス性有機化合物を含んだ薄膜である。活性層ＡＣＴは、発光層に加え、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層などもさらに含むことができる。
【００３３】
隔壁絶縁層ＰＩ及び活性層ＡＣＴは、対向電極である第２電極ＣＥで被覆されている。第２電極ＣＥは、全画素ＰＸで共用する共通電極である。本態様では、第２電極ＣＥは、背面電極である光反射性の陰極である。第２電極ＣＥは、例えば、パッシベーション膜ＰＳと隔壁絶縁層ＰＩとに設けられたコンタクトホールを介して、映像信号線ＤＬが形成されたのと同一の層上に形成された電極配線（図示せず）に電気的に接続されている。各々の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、第１電極ＰＥ、活性層ＡＣＴ及び第２電極ＣＥで構成されている。
【００３４】
各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと画素回路とを含んでいる。本態様では、画素回路は、図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと、出力制御スイッチＳＷａと、選択用スイッチＳＷｂと、ダイオード接続スイッチＳＷｃと、キャパシタＣとを含んでいる。上記の通り、本態様では、駆動トランジスタＤＲ及びスイッチＳＷａ乃至ＳＷｃはｐチャネル薄膜トランジスタである。スイッチＳＷａ乃至ＳＷｃは、スイッチ群を構成している。また、画素ＰＸは、図３の画素群ＰＸＧを構成している。
【００３５】
図１に示すように、駆動トランジスタＤＲと出力制御スイッチＳＷａと有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとは、第１電源端子ＮＤ１と第２電源端子ＮＤ２との間で、この順に直列に接続されている。本態様では、第１電源端子ＮＤ１は高電位電源端子であり、第２電源端子ＮＤ２は低電位電源端子である。
【００３６】
出力制御スイッチＳＷａのゲートは、走査信号線ＳＬ１に接続されている。選択用スイッチＳＷｂは映像信号線ＤＬと駆動トランジスタＤＲのドレインとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ２に接続されている。ダイオード接続スイッチＳＷｃは駆動トランジスタＤＲのドレインとゲートとの間に接続されており、そのゲートは走査信号線ＳＬ３に接続されている。選択用スイッチＳＷｂとダイオード接続スイッチＳＷｃとは、駆動トランジスタＤＲのドレイン及びゲートと映像信号線ＤＬとが互いに接続された第１状態と、それらが互いから切断された第２状態との間で切り替え可能なスイッチ群を構成している。
【００３７】
キャパシタＣは、定電位端子ＮＤ１’と駆動トランジスタＤＲのゲートとの間に接続されている。定電位端子ＮＤ１’は、例えば、第１電源端子ＮＤ１に接続する。
【００３８】
封止基板ＣＳは、例えばガラス基板である。封止基板ＣＳは、図２、図３及び図５に示すように、平板部ＦＰと縁部ＲＭと補強リブ部ＲＲとを含んでいる。  
平板部ＦＰは、アレイ基板ＡＳと向き合っている。
【００３９】
縁部ＲＭは、枠形状を有しており、平板部ＦＰのアレイ基板ＡＳと向き合った主面に支持されている。典型的には、縁部ＲＭは、平板部ＦＰの上記主面の周縁部又はその近傍に位置させる。縁部ＲＭは、上述したシール層を介して、アレイ基板ＡＳの一方の主面に貼り付けられている。縁部ＲＭは、平板部ＦＰ及び補強リブ部ＲＲをアレイ基板ＡＳから離間させている。例えば、十分に厚いシール層を介して平板部ＦＰとアレイ基板ＡＳとを貼り付ける場合には、縁部ＲＭは省略してもよい。
【００４０】
補強リブ部ＲＲは、格子状又は網状であり、平板部ＦＰのアレイ基板ＡＳと向き合った主面に支持されている。補強リブＲＲは、アレイ基板ＡＳから離間している。
【００４１】
補強リブ部ＲＲは、封止基板ＣＳのアレイ基板ＡＳとの対向面に複数の凹部ＲＣを形成している。平板部ＦＰの主面は、これら凹部ＲＣの底面を構成している。また、補強リブＲＲ及び縁部ＲＭは、これら凹部ＲＣの側壁を構成している。
【００４２】
補強リブＲＲには、複数の溝ＴＣが設けられている。隣り合う凹部ＲＣは、１つ以上の溝ＴＣを介して互いに通じている。溝ＴＣの深さは、補強リブＲＲの高さと等しくてもよい。或いは、溝ＴＣは、補強リブＲＲの高さと比較して、より浅くてもよい。溝ＴＣが深い場合、溝ＴＣが浅い場合と比較して、凹部ＲＣ間でのガスの移動が生じ易い。溝ＴＣが浅い場合、溝ＴＣが深い場合と比較して、高い機械的強度を実現するのが容易である。
【００４３】
これら凹部ＲＣ内には、それぞれ、乾燥部材ＤＳが配置されている。本態様では、乾燥部材ＤＳは、乾燥剤を含有したシートであり、接着剤を介して封止基板ＣＳに貼り付けられている。乾燥部材ＤＳは、シートでなくてもよい。例えば、凹部ＲＣ内に粒状の乾燥剤からなる層を形成し、これら層を凹部ＲＣ内に固定化してもよい。
【００４４】
乾燥剤としては、物理吸着乾燥剤及び化学吸着乾燥剤を単独で又は組み合わせて使用することができる。物理吸着乾燥剤としては、例えば、シリカゲル、ゼオライト、及びそれらの混合物を使用することができる。化学吸着乾燥剤としては、例えば、酸化バリウム、五酸化燐、塩化カルシウム、及びそれらの混合物を使用することができる。
【００４５】
アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとシール層とは、気密な中空体を形成している。この中空体の内部空間は、窒素ガスや希ガスなどの不活性ガスで満たされており、外部空間と比較して低圧である。
【００４６】
映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、アレイ基板ＡＳの封止基板ＣＳ側の主面であって封止基板ＣＳから露出した部分に配置されている。すなわち、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ（chip on glass）実装している。映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲは、ＣＯＧ実装する代わりに、ＴＣＰ（tape carrier package）実装してもよい。
【００４７】
この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により製造する。  
まず、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとを準備する。次に、大気圧よりも低圧の不活性ガス雰囲気中で、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとをシール層を介して貼り合わせ、表示パネルＤＰを得る。さらに、表示パネルＤＰに、映像信号線ドライバＸＤＲ及び走査信号線ドライバＹＤＲを実装して、有機ＥＬ表示装置を得る。
【００４８】
この有機ＥＬ表示装置は、例えば、以下の方法により駆動する。  
この有機ＥＬ表示装置で画像を表示する場合、例えば、画素ＰＸを行毎に選択する。選択している画素ＰＸには書込動作を行い、非選択の画素ＰＸでは表示動作を行う。
【００４９】
具体的には、或る画素ＰＸへの書込動作は、走査信号線ドライバＹＤＲから、この画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２に、スイッチＳＷｂ及びＳＷｃを閉じる走査信号（ＯＮ）を電圧信号として出力することにより開始する。なお、この画素ＰＸが含むスイッチＳＷａは開いておく。
【００５０】
この状態で、映像信号線ドライバＸＤＲから、先の画素ＰＸが接続された映像信号線ＤＬに映像信号を電流信号として出力し、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧を、先の映像信号に対応した大きさに設定する。その後、走査信号線ドライバＹＤＲから、この画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ２にスイッチＳＷｂ及びＳＷｃを開く走査信号（ＯＦＦ）を電圧信号として出力する。これにより、書込動作を終了する。
【００５１】
先の画素ＰＸでの表示動作は、この画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチＳＷａを閉じる走査信号（ＯＮ）を電圧信号として出力することにより開始する。スイッチＳＷａを閉じている間、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤには、駆動トランジスタＤＲのゲート−ソース間電圧に対応した大きさの駆動電流が流れる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、駆動電流の大きさに対応した輝度で発光する。表示動作は、先の画素ＰＸが接続された走査信号線ＳＬ１に、スイッチＳＷａを開く走査信号（ＯＦＦ）を電圧信号として出力することにより終了する。
【００５２】
さて、この有機ＥＬ表示装置では、上記の通り、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣが設けられている。そのため、この有機ＥＬ表示装置は、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣが設けられていない有機ＥＬ表示装置と比較して、凹部ＲＣ間でのガスの移動が生じ易い。
【００５３】
凹部ＲＣ間でのガスの移動が生じ難い有機ＥＬ表示装置では、例えば、中空体の内部空間に外部空間から水分が浸入した場合に、先の内部空間のうち、シール層近傍の領域において、水分濃度が局所的に上昇する。そのため、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣが設けられていない有機ＥＬ表示装置では、シール層近傍の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが劣化し易い。
【００５４】
これに対し、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣを設けた有機ＥＬ表示装置では、中空体の内部空間に外部空間から水分が浸入した場合に、水分は先の内部空間全体に速やかに拡散する。そのため、この有機ＥＬ表示装置は、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣが設けられていない有機ＥＬ表示装置と比較して、水分を含んだ雰囲気に晒されることに起因した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を生じ難い。
【００５５】
また、補強リブ部ＲＲに溝ＴＣを設けていない場合、貼り合せの際に、補強リブ部ＲＲがアレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間の領域からの排気を妨げる可能性がある。アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間の領域からガスが十分に抜けないと、中空体の外部空間と内部空間との圧力差が不十分となり、その結果、シール強度が不十分となることがある。
【００５６】
補強リブ部ＲＲに溝ＴＣを設けると、アレイ基板ＡＳと封止基板ＣＳとの間の領域からの排気が容易になる。それゆえ、中空体の外部空間と内部空間との圧力差が不十分となるのを防止でき、したがって、シール強度が不十分となるのを防止することができる。
【００５７】
次に、本発明の第２態様について説明する。  
図６は、本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰでは、乾燥部材ＤＳ上に、多孔質緩衝材ＰＣが配置されている。第２態様に係る有機ＥＬ表示装置は、乾燥部材ＤＳ上に多孔質緩衝材ＰＣが配置されていること以外は、第１態様に係る有機ＥＬ表示装置と同様の構造を有している。
【００５８】
多孔質緩衝材ＰＣは、例えば、軟質な連続気泡発泡体などのように通気性を有している軟質材料である。多孔質緩衝材ＰＣとしては、例えば、メタアクリル酸エステル、スチレン、ナイロン１２などのナイロンを使用することができる。
【００５９】
多孔質緩衝材ＰＣは、封止基板ＣＳに支持されている。多孔質緩衝材ＰＣは、例えば、凹部ＲＣに嵌め込むこと及び／又は封止基板ＣＳに接着することにより、封止基板ＣＳに支持され得る。多孔質緩衝材ＰＣは、封止基板ＣＳに接着する代わりに、乾燥部材ＤＳに接着してもよい。
【００６０】
多孔質緩衝材ＰＣは、上記の通り、通気性を有している。そのため、多孔質緩衝材ＰＣを配置することに起因して、第１態様で説明した効果が著しく損なわれることはない。すなわち、本態様でも、第１態様で説明したのとほぼ同様の効果を得ることができる。
【００６１】
また、多孔質緩衝材ＰＣは、凹部ＲＣから突き出ている。すなわち、多孔質緩衝材ＰＣからアレイ基板ＡＳまでの距離は、補強リブ部ＲＲからアレイ基板ＡＳまでの距離と比較してより短い。したがって、封止基板ＣＳ及び／又はアレイ基板ＡＳが撓んだ場合、例えば、補強リブ部ＲＲがアレイ基板ＡＳに接触するのに先立って多孔質緩衝材ＰＣがアレイ基板ＡＳに接触する。或いは、封止基板ＣＳ及び／又はアレイ基板ＡＳが撓んだ場合、多孔質緩衝材ＰＣはアレイ基板ＡＳに接触するものの、補強リブ部ＲＲはアレイ基板ＡＳとは接触しない。
【００６２】
多孔質緩衝材ＰＣを省略した場合、封止基板ＣＳ及び／又はアレイ基板ＡＳが撓むと、補強リブ部ＲＲがアレイ基板ＡＳに接触することに起因して、アレイ基板ＡＳが強い衝撃を受けることがある。この場合、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの電極ＣＥが損傷を被る可能性がある。
【００６３】
多孔質緩衝材ＰＣは、この衝撃を和らげる。それゆえ、この有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの損傷を生じ難い。
【００６４】
次に、本発明の第３態様について説明する。  
図７は、本発明の第３態様に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図である。この表示パネルＤＰでは、溝ＴＣが省略されると共に、補強リブ部ＲＲに多孔質緩衝材ＰＣが取り付けられている。第３態様に係る有機ＥＬ表示装置は、溝ＴＣが省略され且つ補強リブ部ＲＲに多孔質緩衝材ＰＣが取り付けられていること以外は、第１態様に係る有機ＥＬ表示装置と同様の構造を有している。
【００６５】
多孔質緩衝材ＰＣは、例えば、軟質な連続気泡発泡体などのように通気性を有している軟質材料である。多孔質緩衝材ＰＣとしては、例えば、第２態様で例示した材料を使用することができる。
【００６６】
多孔質緩衝材ＰＣは、補強リブ部ＲＲのアレイ基板ＡＳとの対向面に取り付けられている。多孔質緩衝材ＰＣは、例えば、封止基板ＣＳに接着することにより、封止基板ＣＳに支持され得る。
【００６７】
ところで、通常、乾燥部材ＤＳは、厚さの均一性が低い。また、例え、乾燥部材ＤＳが均一な厚さを有していたとしても、シート状の乾燥部材ＤＳを封止基板ＣＳに貼り付けた際に、乾燥部材ＤＳの表面に凹凸を生じることがある。そのため、乾燥部材ＤＳとアレイ基板ＡＳとの間の距離は、不均一になり易い。それゆえ、乾燥部材ＤＳは、封止基板ＣＳ及び／又はアレイ基板ＡＳが撓んだときに、アレイ基板ＡＳとの接触を生じ易い。乾燥部材ＤＳがアレイ基板ＡＳと接触すると、例えば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが物理的及び／又は化学的損傷を被る可能性がある。
【００６８】
図３の表示パネルＤＰでは、乾燥部材ＤＳを配置する凹部ＲＣを深くすれば、乾燥部材ＤＳとアレイ基板ＡＳとの接触は生じ難くなる。また、凹部ＲＣを深くすると、凹部ＲＣ間でのガスの移動が生じ難くなるが、図３の表示パネルＤＰでは補強リブ部ＲＲに溝ＴＣを設けているため、凹部ＲＣ間でのガスの移動は生じ易い。
【００６９】
これに対し、図７の表示パネルＤＰは、補強リブ部ＲＲのアレイ基板ＡＳとの対向面に多孔質緩衝材ＰＣが取り付けられているため、図７の表示パネルＤＰから多孔質緩衝材ＰＣを省略した場合と比較して、乾燥部材ＤＳとアレイ基板ＡＳとの接触を生じ難い。また、多孔質緩衝材ＰＣは通気性を有しているため、多孔質緩衝材ＰＣを取り付けることに起因して、凹部ＲＣ間でのガスの移動が著しく生じ難くなることはない。したがって、本態様でも、第１態様で説明したのとほぼ同様の効果を得ることができる。
【００７０】
また、多孔質緩衝材ＰＣは、補強リブ部ＲＲのアレイ基板ＡＳとの対向面を被覆している。したがって、封止基板ＣＳ及び／又はアレイ基板ＡＳが撓んだ場合、多孔質緩衝材ＰＣはアレイ基板ＡＳに接触するものの、補強リブ部ＲＲはアレイ基板ＡＳとは接触しない。それゆえ、この有機ＥＬ表示装置は、第２態様に係る有機ＥＬ表示装置と同様、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの損傷を生じ難い。
【００７１】
この有機ＥＬ表示装置では、補強リブ部ＲＲに、第１態様で説明した溝ＴＣを設けてもよい。補強リブ部ＲＲに溝ＴＣを設けると、凹部ＲＣ間でのガスの移動がより生じ易くなる。
【００７２】
以上、画素ＰＸに映像信号として電流信号を書き込む構成を採用した有機ＥＬ表示装置について説明したが、有機ＥＬ表示装置には他の構成を採用してもよい。例えば、有機ＥＬ表示装置には、画素ＰＸに映像信号として電圧信号を書き込む構成を採用してもよい。また、上述した有機ＥＬ表示装置はアクティブマトリクス駆動方式を採用しているが、有機ＥＬ表示装置には、パッシブマトリクス駆動方式やセグメント駆動方式などの他の駆動方式を採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の第１態様に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図。
【図２】図１に示す有機ＥＬ表示装置が含む表示パネルを概略的に示す平面図。
【図３】図２に示す表示パネルのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図。
【図４】図２及び図３の表示パネルが含むアレイ基板を概略的に示す断面図。
【図５】図２及び図３の表示パネルが含む封止基板を概略的に示す斜視図。
【図６】本発明の第２態様に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図。
【図７】本発明の第３態様に係る有機ＥＬ表示装置の表示パネルを概略的に示す断面図。
【符号の説明】
【００７４】
ＡＣＴ…活性層、ＡＳ…アレイ基板、Ｃ…キャパシタ、ＣＥ…対向電極、ＣＳ…封止基板、ＤＥ…ドレイン電極、ＤＬ…映像信号線、ＤＰ…表示パネル、ＤＲ…駆動トランジスタ、ＤＳ…乾燥部材、ＦＰ…平板部、Ｇ…ゲート、ＧＩ…ゲート絶縁膜、ＩＩ…層間絶縁膜、ＮＤ１…電源端子、ＮＤ１’…定電位端子、ＮＤ２…電源端子、ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子、ＰＣ…多孔質緩衝材、ＰＥ…画素電極、ＰＩ…隔壁絶縁層、ＰＳ…パッシベーション膜、ＰＳＬ…電源線、ＰＸ…画素、ＰＸＧ…画素群、ＲＣ…凹部、ＲＭ…縁部、ＲＲ…補強リブ部、ＳＣ…半導体層、ＳＥ…ソース電極、ＳＬ１…走査信号線、ＳＬ２…走査信号線、ＳＵＢ…絶縁基板、ＳＷａ…出力制御スイッチ、ＳＷｂ…選択用スイッチ、ＳＷｃ…ダイオード接続スイッチ、ＴＣ…溝、ＵＣ…アンダーコート層、ＸＤＲ…映像信号線ドライバ、ＹＤＲ…走査信号線ドライバ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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