【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
本明細書において、特に明確に記載されていない限りまたは使用法の文脈によって矛盾する示唆がない限り、本明細書に記載される量、サイズ、範囲、配合、パラメータ、ならびに他の量および特性は、特に「約」という用語によって修飾される場合、正確であってもよいが正確である必要はなく、また、本発明の文脈の範囲内で、規定値に対する機能的なおよび／または動作可能な等価を有する規定外の値を規定値に含めるだけでなく、許容差、換算係数、丸め誤差、測定誤差などを反映して、概略値であっても、および／または（必要に応じて）規定より大きくてもまたは小さくてもよい。
本明細書において、特に明確に記載されていない限りまたは使用法の文脈によって矛盾する示唆がない限り、本発明の主題の実施形態が、特定の特徴または要素を含む（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）、包含する（ｉｎｃｌｕｄｉｎｇ）、含有する（ｃｏｎｔａｉｎｉｎｇ）、有する（ｈａｖｉｎｇ）、で構成される（ｃｏｍｐｏｓｅｄ  ｏｆ）またはによって構成される（ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｅｄ  ｂｙ）またはで構成される（ｃｏｎｓｔｉｔｕｔｅｄ  ｏｆ）と記載または説明される場合、明確に記載または説明されたものに加えて、１つまたは複数の特徴または要素が実施形態に存在し得る。しかしながら、本発明の主題の代替的な実施形態は、特定の特徴または要素から本質的になる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｅｓｓｅｎｔｉａｌｌｙ  ｏｆ）と記載または説明されていることがあり、その実施形態において、実施形態の動作の原理または際立った特性を実質的に変え得る特徴または要素は存在しない。本発明の主題の他の代替的な実施形態は、特定の特徴または要素からなる（ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ）と記載または説明されることがあり、その実施形態、またはその実質的でない変形例において、具体的に記載または説明された特徴または要素のみが存在する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．銅、亜鉛、スズ、カルコゲン、およびキャッピング剤を含む四元ナノ粒子であって、前記カルコゲンが、硫黄、セレンおよびそれらの混合物からなる群から選択されるナノ粒
子。
２．約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの最長寸法、および／またはケステライト構造を有する、上記１に記載のナノ粒子。
３．銅対亜鉛対スズ対カルコゲンのモル比が約２：１：１：４であり、または銅対亜鉛およびスズのモル比が１未満であり、または亜鉛対スズのモル比が１より大きい、上記１に記載のナノ粒子。
４．前記キャッピング剤が、（ａ）窒素系、酸素系、硫黄系、またはリン系の官能基を含む有機分子、（ｂ）ルイス塩基、または（ｃ）電子対供与基、または電子対供与基に転化可能であり、大気圧における沸点が約１５０℃未満の基を含む、上記１に記載のナノ粒子。
５．複数のナノ粒子を含む組成物であって、平均最長粒子寸法が、約１０ｎｍ以下の標準偏差で約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にあるような粒径分布を有する、上記１に記載の組成物。
６．銅−亜鉛−スズ−カルコゲナイド四元ナノ粒子を作製するための方法であって、（ａ）（ｉ）銅、亜鉛およびスズの金属塩および／または錯体と、（ｉｉ）１つまたはそれ以上のカルコゲン前駆体と、（ｉｉｉ）第１のキャッピング剤との反応混合物を溶媒中で形成する工程と、（ｂ）前記反応混合物を加熱してナノ粒子を形成する工程とを含む方法。７．個々の銅、亜鉛およびスズの金属塩および／または錯体を、溶媒と前記第１のキャッピング剤との混合物に順に別々に添加して反応混合物を形成した後、カルコゲン前駆体を前記反応混合物に添加する、上記６に記載の方法。
８．（ａ）前記第１のキャッピング剤より高い揮発性を有する第２のキャッピング剤と前記反応混合物を接触させて、前記ナノ粒子中の前記第１のキャッピング剤を前記第２のキャッピング剤に換える工程、または（ｂ）前記反応混合物から前記ナノ粒子を回収した後、前記第１のキャッピング剤より高い揮発性を有する第２のキャッピング剤と前記ナノ粒子を接触させて、前記ナノ粒子中の前記第１のキャッピング剤を前記第２のキャッピング剤に交換する工程を含む、上記６に記載の方法。
９．前記第２のキャッピング剤が、大気圧における約２００℃未満の沸点を有する、上記８に記載の方法。
１０．有機溶媒と、上記１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物とを含むインク。
１１．分解可能なバインダー、分解可能な界面活性剤、開裂可能な界面活性剤、約２５０℃未満の沸点を有する界面活性剤、およびそれらの混合物からなる群から選択される１つまたはそれ以上のバインダーまたは界面活性剤をさらに含む、上記１０に記載のインク。１２．膜として作製される上記１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物。
１３．上記１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物の層を基板上に堆積する工程と、前記堆積された組成物の層を乾燥させて層から溶媒を除去する工程とを含む、膜を形成する方法。
１４．前記膜をアニールするための雰囲気中で前記膜を加熱する工程をさらに含む方法であって、前記雰囲気が、不活性であるか、またはセレン蒸気、硫黄蒸気、水素、硫化水素、セレン化水素、およびそれらの混合物からなる群から選択される反応成分を含む、上記１３に記載の方法。
１５．前記膜が第１のキャッピング剤を含む方法であって、前記第１のキャッピング剤より高い揮発性を有する第２のキャッピング剤と前記膜を接触させて、前記膜の前記ナノ粒子中の前記第１のキャッピング剤を前記第２のキャッピング剤に交換する工程をさらに含む、上記１３に記載の方法。
１６．前記第２のキャッピング剤が、大気圧における約２００℃未満の沸点を有する、上記１５に記載の方法。
１７．上記１に記載の複数のナノ粒子を含む膜を含む電子デバイス。
１８．前記膜が多層を含み、第１の層が、上記１に記載の複数のナノ粒子を含み、第２の層が、二元半導体、カルコゲン供給源、ナトリウム含有材料、またはそれらの混合物を含む、上記１７に記載のデバイス。
１９．カルコゲン供給源が、カルコゲン粒子、二元カルコゲナイド粒子、およびそれらの混合物からなる群から選択され、および／またはナトリウム含有材料が、脱プロトン化アルコールのナトリウム塩、脱プロトン化酸のナトリウム塩、水酸化ナトリウム、酢酸ナトリウム、硫化ナトリウム、およびそれらの混合物からなる群から選択される、上記１８に記載のデバイス。
２０．前記第１の層が前記第２の層に隣接している、上記１８に記載のデバイス。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅、亜鉛、スズ、カルコゲン、およびキャッピング剤を含む四元ナノ粒子であって、前記カルコゲンが、硫黄、セレンおよびそれらの混合物からなる群から選択されるナノ粒子。
【請求項２】
複数のナノ粒子を含む組成物であって、平均最長粒子寸法が、約１０ｎｍ以下の標準偏差で約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にあるような粒径分布を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
銅−亜鉛−スズ−カルコゲナイド四元ナノ粒子を作製するための方法であって、（ａ）（ｉ）銅、亜鉛およびスズの金属塩および／または錯体と、（ii）１つまたはそれ以上のカルコゲン前駆体と、（iii）第１のキャッピング剤との反応混合物を溶媒中で形成する工程と、（ｂ）前記反応混合物を加熱してナノ粒子を形成する工程とを含む方法。
【請求項４】
有機溶媒と、請求項１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物とを含むインク。
【請求項５】
膜として作製される請求項１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の複数のナノ粒子を含む組成物の層を基板上に堆積する工程と、前記堆積された組成物の層を乾燥させて層から溶媒を除去する工程とを含む、膜を形成する方法。
【請求項７】
請求項１に記載の複数のナノ粒子を含む膜を含む電子デバイス。