(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に供給された現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を基板から除去することができる基板現像方法と現像装置と基板処理装置を提供する。【解決手段】現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給し（ステップＳ１、Ｓ２）、続いて、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させる（ステップＳ３）。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴い、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。続いて、移動後洗浄処理を行うことで、回転処理で移動した現像液を洗い流すことができる（ステップＳ４）。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト膜が被着された基板を現像する基板現像方法において、
レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させる現像液移動過程と、
基板に洗浄液を供給して前記現像液移動過程で移動した現像液を洗浄する移動後洗浄過程と、
を備えていることを特徴とする基板現像方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程および前記移動後洗浄過程を繰り返し行うことを特徴とする基板現像方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板現像方法において、
現像液が供給された基板に洗浄液を供給する現像液洗浄過程を備え、
前記現像液移動過程は前記現像液洗浄過程の後であることを特徴とする基板現像方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程は基板を乾燥させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることを特徴とする基板現像方法。
【請求項７】
請求項３に記載の基板現像方法において、
前記現像液洗浄過程の後であって前記現像液移動過程の前に、基板を回転させて基板から洗浄液を振り切る洗浄液除去過程を備え、
前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることを特徴とする基板現像方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では基板の周囲の空間を減圧することを特徴とする基板現像方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上に気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では基板に気体を供給して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間に気体を供給して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体を供給する際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項１３】
請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体を供給する際に基板を回転させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項１４】
請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、気体の供給とともに基板に供給された気体を排出することを特徴とする基板現像方法。
【請求項１５】
請求項６または請求項７に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させた状態で基板を回転させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板現像方法において、
前記現像液移動過程では前記遮蔽板を回転させることを特徴とする基板現像方法。
【請求項１７】
レジスト膜が被着された基板を現像する現像装置において、
基板を回転可能に保持する回転保持手段と、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板を回転させる回転処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記回転処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の現像装置において、
前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記回転処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことを特徴とする現像装置。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、
少なくとも前記回転処理の際は前記遮蔽板が基板に近接していることを特徴とする現像装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、
前記制御手段は、前記回転処理の際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする現像装置。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板と基板との間に気体を供給する気体供給手段を備え、
前記制御手段は、前記回転処理の際に前記気体供給手段から気体を供給させることを特徴とする現像装置。
【請求項２２】
レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、
基板を現像する現像ユニットと、
減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、
基板を洗浄する洗浄ユニットと、
現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄ユニットにて基板を洗浄して前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２３】
基板を現像する現像装置において、
基板に現像液を供給する現像液供給手段と、
基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
基板の表面上に気流を発生させる気流発生手段と、
を備え、
現像液に続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板の表面上に気流を発生させる気流形成処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記気流形成処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、
を備えていることを特徴とする現像装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の現像装置において、
前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記気流形成処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことを特徴とする現像装置。
【請求項２５】
請求項２３または請求項２４に記載の現像装置において、
前記気流発生手段は基板に気体を供給する気体供給手段を備えることを特徴とする現像装置。
【請求項２６】
請求項２３から請求項２５のいずれかに記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板を回転可能に保持する回転保持手段を備え、
前記制御手段は前記気流形成処理を行う際に基板を回転させることを特徴とする現像装置。
【請求項２７】
請求項２３から請求項２６のいずれかに記載の現像装置において、
前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、
少なくとも前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板が基板に近接していることを特徴とする現像装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の現像装置において、
前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、
前記制御手段は、前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板を回転させることを特徴とする現像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）を現像する基板現像方法と現像装置と基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現像装置は、基板を回転可能に保持するスピンチャックと基板に現像液を供給するノズル等を備えているものがある。この装置では、スピンチャックに保持された基板に現像液を供給して、基板の表面に形成されたレジスト膜のうちパターン部以外を溶解する。引き続いて基板を洗浄・乾燥して、溶解したレジスト膜を除去する（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３１５６４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、供給した現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液については、基板上に洗浄液を供給しただけでは十分に洗い流すことができない。また、基板を乾燥しても現像液の特性上、現像液を完全に蒸発させることは困難である。この結果、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液は現像欠陥となるという不都合がある。また、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液が再びレジスト膜の表面上に浮き出た場合、レジスト膜に形成したラインを識別できなくなり、ライン欠陥等を画像処理によって検出する検査を適切に行うことができないという不都合がある。
【０００５】
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板に供給された現像液のうちレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を基板から除去することができる基板現像方法と現像装置と基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を現像する基板現像方法において、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させる現像液移動過程と、基板に洗浄液を供給して前記現像液移動過程で移動した現像液を洗浄する移動後洗浄過程と、を備えていることを特徴とするものである。
【０００７】
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、現像液移動過程を備えているので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、移動後洗浄過程を備えているので、現像液移動過程で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【０００８】
本発明において、前記現像液移動過程および前記移動後洗浄過程を繰り返し行うことが好ましい（請求項２）。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
【０００９】
また、本発明において、現像液が供給された基板に洗浄液を供給する現像液洗浄過程を備え、前記現像液移動過程は前記現像液洗浄過程の後であることが好ましい（請求項３）。現像液洗浄過程で基板上の現像液を微量にしたあとに現像液移動過程に移るので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を効果的にレジスト膜の表面上に移動させることができる。
【００１０】
また、本発明において、前記現像液移動過程は基板を乾燥させることが好ましい（請求項４）。基板上の洗浄液が蒸発するのに伴って、レジスト膜の内部からレジスト膜の表面に引く力が現像液に作用する。これにより、レジスト膜にしみ込んだ現像液を好適に移動させることができる。
【００１１】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板を回転させて洗浄液を基板から振り切りつつ乾燥させることが好ましい（請求項５）。基板上の洗浄液を効率よく蒸発させることができる。
【００１２】
また、本発明において、前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることが好ましい（請求項６）。レジスト膜の表面を負圧することで、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させることができる。このため、現像液の移動を促進させることができる。
【００１３】
また、本発明において、前記現像液洗浄過程の後であって前記現像液移動過程の前に、基板を回転させて基板から洗浄液を振り切る洗浄液除去過程を備え、前記現像液移動過程では少なくともレジスト膜の表面を負圧にすることが好ましい（請求項７）。洗浄液除去過程で基板上の洗浄液を微量にしたあとで現像液移動過程に移るので、洗浄液を効果的に蒸発させることができる。
【００１４】
また、本発明において、前記現像液移動過程では基板の周囲の空間を減圧することが好ましい（請求項８）。レジスト膜の表面を好適に負圧にすることができる。
【００１５】
また、本発明において、前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上に気流を形成することが好ましい（請求項９）。レジスト膜の表面を好適に負圧にすることができる。
【００１６】
また、本発明において、前記現像液移動過程では基板に気体を供給して前記気流を形成することが好ましい（請求項１０）。レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。ができる。
【００１７】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間に気体を供給して前記気流を形成することが好ましい（請求項１１）。レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
【００１８】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体を供給する際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい（請求項１２）。気流の速さを大きくすることができるので、レジスト膜の表面の圧力をより低くすることができる。このため、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をより大きな力で引くことができる。
【００１９】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体を供給する際に基板を回転させることが好ましい（請求項１３）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００２０】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、気体の供給とともに基板に供給された気体を排出することが好ましい（請求項１４）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００２１】
また、本発明において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させた状態で基板を回転させることが好ましい（請求項１５）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００２２】
また、本発明において、前記現像液移動過程では前記遮蔽板を回転させることが好ましい（請求項１６）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００２３】
また、請求項１７に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を現像する現像装置において、基板を回転可能に保持する回転保持手段と、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板を回転させる回転処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記回転処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００２４】
［作用・効果］請求項１７に記載の発明によれば、回転処理によって基板上の洗浄液を捨てつつ、基板上の洗浄液の蒸発させることができる。この蒸発に伴って、レジスト膜の内部からレジスト膜の表面上に現像液を移動させることができる。また、回転処理で移動した現像液は移動後洗浄処理によって洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【００２５】
本発明において、前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記回転処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことが好ましい（請求項１８）。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
【００２６】
また、本発明において、前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、少なくとも前記回転処理の際は前記遮蔽板が基板に近接していることが好ましい（請求項１９）。遮蔽板を備えているので、レジスト膜の表面の沿った気流をレジスト膜の表面全体に流すことができ、レジスト膜の表面を局所的に負圧にすることができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させることができ、現像液の移動を促進させることができる。
【００２７】
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、前記制御手段は、前記回転処理の際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい（請求項２０）。気流の速さをより大きくすることができ、レジスト膜の表面の圧力をより低くすることができる。
【００２８】
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板と基板との間に気体を供給する気体供給手段を備え、前記制御手段は、前記回転処理の際に前記気体供給手段から気体を供給させることが好ましい（請求項２１）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００２９】
また、請求項２２に記載の発明は、レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、基板を洗浄する洗浄ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄ユニットにて基板を洗浄して前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００３０】
［作用・効果］請求項２２に記載の発明によれば、基板に減圧処理を行う減圧ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧することができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させて、現像液のレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、洗浄ユニットを備えているので、減圧処理で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【００３１】
また、請求項２３に記載の発明は、基板を現像する現像装置において、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板の表面上に気流を発生させる気流発生手段と、を備え、現像液に続いて洗浄液を基板に供給させた後、基板の表面上に気流を発生させる気流形成処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記気流形成処理で移動した現像液を洗い流す移動後洗浄処理を行う制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
【００３２】
［作用・効果］請求項２３に記載の発明によれば、気流発生手段を備えているため、レジスト膜の表面を局所的に負圧することができる。このため、レジスト膜の内部から表面の方へ引く力を現像液に作用させて、現像液のレジスト膜の表面に移動させることができる。また、洗浄ユニットを備えているので、減圧処理で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【００３３】
本発明において、前記制御手段は前記移動後洗浄処理をした後に、前記気流形成処理と前記移動後洗浄処理を交互に繰り返すことが好ましい（請求項２４）。レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液を十分に基板から除去することができる。
【００３４】
また、本発明において、前記気流発生手段は基板に気体を供給する気体供給手段を備えることが好ましい（請求項２５）。レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００３５】
また、本発明において、前記装置はさらに、基板を回転可能に保持する回転保持手段を備え、前記制御手段は前記気流形成処理を行う際に基板を回転させることが好ましい（請求項２６）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００３６】
また、本発明において、前記装置はさらに、基板の上方を遮蔽する遮蔽板を備え、少なくとも前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板が基板に近接していることが好ましい（請求項２７）。レジスト膜の表面に沿った気流をレジスト膜の表面全体に流すことができる。
【００３７】
また、本発明において、前記装置はさらに、前記遮蔽板を回転する遮蔽板回転手段を備え、前記制御手段は、前記気流形成処理を行う際に前記遮蔽板を回転させることが好ましい（請求項２８）。気流の速さをより大きくすることができる。
【００３８】
なお、本明細書は、次のような基板現像方法および現像装置に係る発明も開示している。
【００３９】
（１）請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の略中央に向けて気体を供給することを特徴とする基板現像方法。
【００４０】
前記（１）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
【００４１】
（２）請求項１０から請求項１４のいずれかに記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の側方からレジスト膜の表面に沿う方向に気体を供給することを特徴とする基板現像方法。
【００４２】
前記（２）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面全体にわたって気流を流すことができる。
【００４３】
（３）請求項１６に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする基板現像方法。
【００４４】
前記（３）に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
【００４５】
（４）請求項９に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程ではレジスト膜の表面上の雰囲気を排出して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【００４６】
前記（４）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００４７】
（５）請求項９に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、基板の上方に遮蔽板を近接させるとともに、基板と前記遮蔽板との間から気体を排出して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【００４８】
前記（５）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００４９】
（６）請求項９に記載の基板現像方法において、前記現像液移動過程では、レジスト膜の表面上の雰囲気を攪拌して前記気流を形成することを特徴とする基板現像方法。
【００５０】
前記（６）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００５１】
（７）請求項２０に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記回転処理の際に基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする現像装置。
【００５２】
前記（７）に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
【００５３】
（８）請求項２０に記載の現像装置において、前記回転保持手段は前記遮蔽板回転手段を兼ねていることを特徴とする現像装置。
【００５４】
前記（８）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
【００５５】
（９）レジスト膜が被着された基板を処理する基板処理装置において、基板に現像液と洗浄液をそれぞれ供給して基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室を有する減圧ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記現像ユニットにて基板に洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００５６】
前記（９）に記載の発明によれば、基板に減圧処理を行う減圧ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧にして現像液をレジスト膜の表面に移動させることができる。また、減圧処理で移動した現像液を現像ユニットにて洗い流すので、レジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から好適に除去することができる。
【００５７】
（１０）基板を処理する基板処理装置において、基板に現像液を供給して基板を現像する現像ユニットと、減圧可能な処理室と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを有する減圧洗浄ユニットと、現像された基板に対し前記処理室で減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、前記洗浄液供給手段から基板に洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする基板処理装置。
【００５８】
前記（１０）に記載の発明によれば、基板に減圧処理と洗浄を行う減圧洗浄ユニットを備えているため、レジスト膜の表面を負圧にして、現像液をレジスト膜の表面に移動させ、移動した現像液を洗い流すことができる。よって、レジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から好適に除去することができる。
【００５９】
（１１）基板を現像する現像装置において、基板に現像液を供給する現像液供給手段と、基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、基板の周囲の空間を密閉可能なチャンバと、前記チャンバ内の気体を排出するための排出孔と、現像液に引き続いて洗浄液を基板に供給させた後、前記チャンバで基板の周囲を密閉するとともに前記チャンバ内の気体を前記排出孔から排出する減圧処理を行ってレジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させ、かつ、基板に再び洗浄液を供給させて前記減圧処理で移動した現像液を洗い流す制御手段と、を備えていることを特徴とする現像装置。
【００６０】
前記（１１）に記載の発明によれば、単一の現像装置によって、基板に減圧処理行って現像液をレジスト膜の表面に移動させ、移動した現像液を洗い流すことができる。
【００６１】
（１２）請求項２３または請求項２４に記載の現像装置において、前記気流発生手段は基板に供給された気体を排出する気体排出手段を備えることを特徴とする現像装置。
【００６２】
前記（１２）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００６３】
（１３）請求項２３または請求項２４に記載の現像装置において、前記気流発生手段はレジスト膜の表面上の雰囲気を攪拌する攪拌手段を備えることを特徴とする現像装置。
【００６４】
前記（１３）に記載の発明によれば、レジスト膜の表面上に気流を好適に形成することができる。
【００６５】
（１４）請求項２８に記載の現像装置において、前記制御手段は、前記気流形成処理の際に基板と前記遮蔽板とを一体に回転させることを特徴とする現像装置。
【００６６】
前記（１４）に記載の発明によれば、気流の速さを大きくすることができる。
【００６７】
（１５）請求項２８に記載の現像装置において、前記回転保持手段は前記遮蔽板回転手段を兼ねていることを特徴とする現像装置。
【００６８】
前記（１５）に記載の発明によれば、装置構成を簡略化できる。
【発明の効果】
【００６９】
この発明に係る基板現像方法によれば、現像液移動過程を備えているので、レジスト膜の内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜の表面上に移動させることができる。また、移動後洗浄過程を備えているので、現像液移動過程で移動した現像液を洗い流すことができる。このようにレジスト膜にしみ込んだ現像液を基板から除去することができるので、現像後の基板上に現像液が残る現像液残りを抑制することができる。したがって、現像欠陥の発生を防止することができる。
【実施例１】
【００７０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【００７１】
本実施例の現像装置は、基板Ｗの下面を吸着して、基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャック１を備えている。なお、基板Ｗの上面にはレジスト膜Ｃが被着している。スピンチャック１にはモータ３の出力軸３ａが連結されており、モータ３は基板Ｗを鉛直軸Ａ周りに回転させる。スピンチャック１の周囲には、飛散防止カップ５が配備されている。飛散防止カップ５は、基板Ｗの外周から周囲に飛散する現像液等を下方へ案内するとともに回収する機能を備える。スピンチャック１及びモータ３は、この発明における回転保持手段に相当する。なお、回転保持手段は、上記の例に限らず、基板Ｗの端縁を保持する複数のピンが設けられた回転板で構成してもよい。
【００７２】
本装置は、現像液を供給する現像液ノズル１１と、洗浄液を供給する洗浄液ノズル２１とを備えている。各ノズル１１、２１は、それぞれ図示省略のアームに支持されて、基板Ｗの略中心上方に当たる処理位置（図１において２点鎖線で示す位置）と、基板Ｗ上方から外れた待機位置（図１において実線で示す各位置）とにわたってそれぞれ移動可能に設けられている。
【００７３】
現像液ノズル１１には現像液配管１３の一端が連通接続されており、その他端は現像液供給源１５に連通接続されている。現像液配管１３には現像液の流路を開閉する開閉弁１７が設けられている。現像液ノズル１１は、この発明における現像液供給手段に相当する。
【００７４】
同様に、洗浄液ノズル２１には洗浄液配管２３の一端が連通接続されており、その他端は洗浄液供給源２５に連通接続されている。洗浄液配管２３には洗浄液の流路を開閉する開閉弁２７が設けられている。洗浄液ノズル２１は、この発明における洗浄液供給手段に相当する。
【００７５】
さらに、本装置は、上述した各構成を操作する制御部３１を備えている。具体的には、モータ３を駆動させて基板Ｗの回転数を制御し、図示省略のアームを駆動させて各ノズル１１、２１の位置を制御し、開閉弁１７、２７を開放・閉止させて現像液と洗浄液の各供給量を制御する。この制御部３１は処理レシピ（処理プログラム）等を予め記憶しており、外部から入力される基板Ｗの処理情報に応じて処理レシピを選択して各構成を統括的に制御する。制御部３１は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。
【００７６】
次に、実施例１に係る現像装置の動作について説明する。図２は、現像装置の動作を示すフローチャートである。ここで、レジスト膜Ｃが被着された基板Ｗが既にスピンチャック１に吸着保持されているものとする。
【００７７】
＜ステップＳ１＞  現像液の供給
制御部３１はモータ３を駆動してスピンチャック１に保持される基板Ｗを回転させつつ、現像液ノズル１１を基板Ｗの略中心上方の処理位置まで移動させて、開閉弁１７を開放する。現像液ノズル１１は、現像液供給源１５から供給された現像液を基板Ｗに供給する。基板Ｗに供給された現像液は遠心力を受けて基板Ｗの全面に広がり、その一部はレジスト膜Ｃの内部にしみ込む。所定の期間が経過すると開閉弁１７を閉止して、現像液ノズル１１を待機位置に戻す。
【００７８】
＜ステップＳ２＞  現像液供給後の洗浄液供給（現像液洗浄過程）
制御部３１は洗浄液ノズル２１を処理位置まで移動させて、開閉弁２７を開放する。洗浄液ノズル２１は、洗浄液供給源２５から供給された洗浄液を基板Ｗに供給する。これにより、主にレジスト膜Ｃ上の現像液が洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁２７を閉止する。
【００７９】
＜ステップＳ３＞  回転処理（現像液移動過程）
制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Ｗから振り切りつつ基板Ｗを乾燥する。ここで、基板Ｗ上の洗浄液が蒸発するとき、レジスト膜Ｃの内部からレジスト膜Ｃの表面に向う力が現像液に働く。このため、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Ｃの表面上に浮き出てくる。
【００８０】
＜ステップＳ４＞  移動後洗浄処理（移動後洗浄過程）
制御部３１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに、再び開閉弁２７を開放する。回転処理（ステップＳ３）によって移動した現像液が、洗浄液ノズル２１から供給される洗浄液によって洗い流され、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てられる。所定の期間が経過すると開閉弁２７を閉止する。
【００８１】
＜ステップＳ５＞  所定回数を繰り返したか？
制御部３１は予め設定されている回数に到達したか否かを判断する。そして、到達していない場合はステップＳ３に戻り、到達した場合はステップＳ６に進む。
【００８２】
＜ステップＳ６＞  基板の乾燥
制御部３１は基板Ｗを再び高速に回転させて、洗浄液を基板Ｗから振り切りつつ基板Ｗを乾燥する。
【００８３】
このように、実施例１に係る現像装置によれば、回転処理（ステップＳ３）で一旦乾燥させた基板Ｗに対して、再び洗浄液を供給する移動後洗浄処理を行う（ステップＳ４）。このため、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Ｃの表面上に移動させ、かつ、移動した現像液を洗い流すことができる。この結果、レジスト膜Ｃにしみ込んだ現像液についても基板Ｗから除去できる。よって、基板Ｗ上に現像液が残る現像液残りを抑制できる。したがって、その後にレジスト膜Ｃ上に現像液がしみ出すおそれがなく、現像欠陥の発生を防止することができる。
【００８４】
また、ステップＳ５を備えて、回転処理（ステップＳ３）と移動後洗浄処理（ステップＳ４）を所定回数繰り返すので、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液を十分に除去できる。
【実施例２】
【００８５】
以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。図３は、実施例２に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００８６】
本装置は、実施例１で説明した構成に加えて、遮蔽板４１と遮蔽板支持機構４３とを備えている。遮蔽板４１は平面視で基板Ｗと略同じ大きさを有する板状物であり、その下面は平坦である。遮蔽板４１には遮蔽板支持機構４３の回転軸４３ａが連結されている。遮蔽板支持機構４３は遮蔽板４１を基板Ｗと対向する位置に支持するとともに、遮蔽板４１を鉛直軸Ａ周りに回転させる。さらに、遮蔽板支持機構４３は昇降可能に構成されており、遮蔽板４１を基板Ｗに近接した処理位置（図３において実線で示す位置）とこの処理位置に比べて基板Ｗから遠ざかった待機位置（図３において２点鎖線で示す位置）とにわたって移動させる。そして、遮蔽板４１が待機位置に移動することで、各ノズル１１、２１を処理位置に移動させることが許容される。遮蔽板支持機構４３は、この発明における遮蔽板回転手段に相当する。
【００８７】
制御部３１は、さらに遮蔽板支持機構４３を駆動して遮蔽板４１の位置とその回転数を制御する。
【００８８】
次に、実施例２に係る現像装置の動作について図２を参照して説明する。ここで、スピンチャック１には、レジスト膜Ｃが被着された基板Ｗが既に吸着保持されているものとし、遮蔽板４１は待機位置にあるものとする。なお、実施例１と同様の処理については簡略に説明する。
【００８９】
＜ステップＳ１〜ステップＳ２＞
制御部３１は基板Ｗを回転させた状態で基板Ｗに現像液を供給させ、引き続いて基板Ｗに洗浄液を供給する。
【００９０】
＜ステップＳ３＞  回転処理（現像液移動過程）
制御部３１は遮蔽板支持機構４３を駆動して遮蔽板４１を処理位置まで下降させる。そして、基板Ｗをより高速に回転させるとともに、遮蔽板４１も基板Ｗと同じ方向に同じ回転数でさせる。基板Ｗの回転により、洗浄液を基板Ｗから振り切るとともに、基板Ｗ上の洗浄液が蒸発する。洗浄液の蒸発によって、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Ｃの表面上に浮き出てくる。
【００９１】
また、基板Ｗが回転する際、レジスト膜Ｃの表面上の雰囲気がレジスト膜Ｃに対して相対的に変位することでレジスト膜Ｃの表面上に気流が発生する。発生した気流とその上方の雰囲気とは遮蔽板４１によって遮蔽されている。このため、気流がレジスト膜Ｃの表面に沿って流れ続け、レジスト膜Ｃの表面全体にわたって気流が形成される。また、遮蔽板４１自体も回転しているため、より大きな流速の気流を発生させることができ、かつ、発生した気流の流速を増大させることができる。
【００９２】
この気流によって、レジスト膜Ｃの表面は局所的に負圧になり、この負圧に応じた力がレジスト膜Ｃの内部の現像液をレジスト膜Ｃの表面に引く方向に作用する。したがって、レジスト膜Ｃの表面への現像液の移動がより促進される。
【００９３】
所定の期間が経過すると、制御部３１は遮蔽板４１の回転を停止させるとともに遮蔽板４１を待機位置に上昇させる。
【００９４】
＜ステップＳ４〜Ｓ６＞  
制御部３１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに基板Ｗに洗浄液を供給する。これにより、回転処理（ステップＳ３）によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てる（ステップＳ４）。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す（ステップＳ５）。所定回数に達すると、制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させて乾燥する（ステップＳ６）。
【００９５】
このような実施例２によっても実施例１と同様に、洗浄液の蒸発によってレジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Ｃの表面上に移動させることができ、これにより基板Ｗから好適に除去することができる。
【００９６】
また、実施例２に係る現像装置によれば、遮蔽板４１を備えているので、レジスト膜Ｃの表面上に発生した気流をレジスト膜Ｃの全体に流すことができる。このため、レジスト膜Ｃの表面を局所的に負圧にし、この負圧によって現像液の移動を促進させることができる。
【００９７】
さらに、遮蔽板４１を回転させる遮蔽板支持機構４３を備えているので、気流の流速を好適に増大させることができ、レジスト膜Ｃの表面の圧力をより低下させることができる。これにより、現像液により大きな力を作用させることができる。
【実施例３】
【００９８】
以下、図面を参照してこの発明の実施例３を説明する。図４は実施例３に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１等と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【００９９】
本装置は、遮蔽板４２と遮蔽板昇降機構４４とを備えている。遮蔽板４２は平面視で基板Ｗと略同じ大きさを有し、中央に吹き出し口４２ａが貫通形成された板状物である。遮蔽板昇降機構４４は昇降可能に構成されており、遮蔽板４２を基板Ｗに対向させた姿勢で支持して、基板Ｗに近接した処理位置（図４において実線で示す位置）と、この処理位置に比べて基板Ｗから遠ざかった待機位置（図４において２点鎖線で示す位置）とにわたって移動させる。
【０１００】
遮蔽板４２に形成された吹き出し口４２ａには、気体配管４５の一端が連通接続されている。気体配管４５の他端には気体供給源４７が連通接続されている。気体配管４５には気体の流路を開閉する開閉弁４９が設けられている。なお、気体としては、不活性ガス、乾燥気体など適宜に選択される。吹き出し口４２ａは、この発明における気体供給手段に相当する。
【０１０１】
制御部３１はさらに、遮蔽板昇降機構４４を駆動して遮蔽板４２の位置を制御し、開閉弁４９を開放・閉止させて気体の供給量を制御する。
【０１０２】
次に、実施例３に係る現像装置の動作について図２を参照して説明する。ここで、スピンチャック１には基板Ｗが既に吸着保持されているものとし、遮蔽板４２は待機位置にあるものとする。なお、実施例１と同様の処理については簡略に説明する。
【０１０３】
＜ステップＳ１〜ステップＳ２＞
制御部３１は基板Ｗを回転させつつ基板Ｗに現像液を供給させ、引き続いて基板Ｗに洗浄液を供給する。
【０１０４】
＜ステップＳ３＞  回転処理（現像液移動過程）
制御部３１は遮蔽板昇降機構４４を駆動して遮蔽板４２を処理位置まで下降させる。そして、基板Ｗをより高速に回転させるとともに、開閉弁４９を開放して吹き出し口４２ａから基板Ｗの略中央に向けて気体を供給させる。基板Ｗの回転により基板Ｗ上の洗浄液が蒸発し、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液がレジスト膜Ｃの表面上に浮き出てくる。
【０１０５】
また、吹き出し口４２ａから供給された気体によってレジスト膜Ｃの表面上の気流が形成される。この気流は遮蔽板４２によってレジスト膜Ｃの表面に沿って流れ続けて、レジスト膜Ｃの表面全体を局所的に負圧にする。この結果、負圧に応じた力がレジスト膜Ｃの内部の現像液をレジスト膜Ｃの表面に引く方向に作用し、現像液の移動を促進させる。
【０１０６】
所定の期間が経過すると、制御部３１は遮蔽板４２の回転を停止させるとともに遮蔽板４２を待機位置に上昇させる。
【０１０７】
＜ステップＳ４〜Ｓ６＞  
制御部３１は基板Ｗの回転数を低下させるとともに基板Ｗに洗浄液を供給する。これにより、回転処理（ステップＳ３）によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てる（ステップＳ４）。これら回転処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す（ステップＳ５）。所定回数に達すると、制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させて乾燥する（ステップＳ６）。
【０１０８】
このような実施例３によっても実施例１および実施例２と同様に、洗浄液の蒸発によってレジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液をレジスト膜Ｃの表面上に移動させて基板Ｗから除去することができる。また、遮蔽板４２を備えているので、気流をレジスト膜Ｃの全体に形成することができる。このため、レジスト膜Ｃの表面を局所的に負圧にして現像液の移動を促進させることができる。
【０１０９】
また、実施例３に係る現像装置によれば、基板Ｗと遮蔽板４２との間に気体を供給するための吹き出し口４２ａを備えているので、流速の大きい気流をレジスト膜Ｃの表面上に形成することができる。これにより、レジスト膜Ｃの表面の圧力をより低くすることができ、現像液の表面への移動を促進させることができる。
【実施例４】
【０１１０】
以下、図面を参照してこの発明の実施例４を説明する。図５は実施例４に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１等と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
【０１１１】
本装置は、スピンチャック１の側方に設けられている気体供給部５１と、基板Ｗを挟んで気体供給部５１と対向する位置に設けられる気体排出部５５とを備えている。気体供給部５１は基板Ｗの一側方からレジスト膜Ｃの表面に沿う方向に気体を供給する。この気体供給部５１は基板Ｗの直径と同等以上と幅を有し、基板Ｗの表面全体に気体を供給可能に構成されている。気体排出部５５は基板Ｗに供給された気体を吸引して排出する。
【０１１２】
気体供給部５１には気体配管４５、気体供給源４７及び開閉弁４９が接続されている。気体排出部５５には排気ファン５７が連通接続されている。気体供給部５１はこの発明における気体供給手段に相当する。また、気体排出部５５はこの発明における気体排出手段に相当する。
【０１１３】
制御部３１はさらに排気ファン５７を駆動して気体の排出量を制御する。
【０１１４】
次に、実施例４に係る現像装置の動作について図６を参照して説明する。図６は現像装置の動作を示すフローチャートである。ここで、基板Ｗは既にスピンチャック１に吸着保持されているものとする。なお、実施例１と同様の処理については簡略に説明する。
【０１１５】
＜ステップＳ１〜ステップＳ２＞
制御部３１は基板Ｗを回転させつつ基板Ｗに現像液を供給させ、引き続いて基板Ｗに洗浄液を供給する。
【０１１６】
＜ステップＳ７＞  洗浄液の除去（洗浄液除去過程）
続いて制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させる。これにより、洗浄液を基板Ｗから振り切って基板Ｗから除去する。なお、この処理において洗浄液を蒸発させてもよいし、蒸発させなくてもよい。
【０１１７】
＜ステップＳ８＞  気流形成処理（現像液移動過程）
制御部３１は基板Ｗの回転を停止させる。また、開閉弁４９を開放して気体供給部５１から気体を供給させるとともに、排気ファン５７を駆動して気体排出部５５から気体を排出させる。気体供給部５１から供給された気体は、レジスト膜Ｃの表面上には全体にわたって一方向に流れ、レジスト膜Ｃの表面を通過した後に気体排出部５５から排出される（図５において気流の流れを点線で模式的に示す）。この気流によって洗浄液を基板Ｗから捨てるとともに、レジスト膜Ｃの表面全体を局所的に負圧にして現像液をレジスト膜Ｃの表面にしみ出させる。
【０１１８】
所定の期間が経過すると、制御部３１は開閉弁４９を閉止するとともに排気ファン５７を停止させる。
【０１１９】
＜ステップＳ４〜Ｓ６＞  
制御部３１は基板Ｗを再び回転させるとともに、基板Ｗに洗浄液を供給する。これにより、気流形成処理（ステップＳ８）によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てる（ステップＳ４）。これら気流形成処理と移動後洗浄処理を所定回数に達するまで交互に繰り返す（ステップＳ５）。所定回数に達すると、制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させて乾燥する（ステップＳ６）。
【０１２０】
このような実施例４によれば、気流形成処理（ステップＳ１３）でレジスト膜Ｃの表面上を局所的に負圧にして、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。また、移動した現像液を移動後洗浄処理（ステップＳ４）で洗い流すことができる。
【０１２１】
また、レジスト膜Ｃの表面全体に気流を形成する気体供給部５１を備えているので、レジスト膜Ｃの表面全体を好適に負圧にすることができる。このため基板Ｗを回転させることを要しない。
【０１２２】
さらに、気体排出部５５を備えているので、レジスト膜Ｃの表面に沿った流速の大きな気流を好適に形成でき、現像液の移動をより促進させることができる。
【実施例５】
【０１２３】
以下、図面を参照してこの発明の実施例５を説明する。図７は、実施例５に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【０１２４】
本実施例に係る基板処理装置は、複数枚の基板Ｗを多段に収納するカセット６６からの基板Ｗの取り出しや、カセット６６への基板Ｗの収納を行うインデクサブロック６１と、基板Ｗに対して反射防止膜を形成する反射防止膜用処理ブロック６２と、基板Ｗにレジスト膜Ｃを形成する塗布処理ブロック６３と、基板Ｗを現像する現像処理ブロック６４と、別体の外部装置である露光装置（図示省略）と基板Ｗの受け渡しをするインターフェイスブロック６５とを備えている。各ブロック１〜５間には雰囲気遮断用の隔壁６７ａ〜６７ｄが設けられており、隔壁６７ａ〜６７ｃに形成された開口部には基板Ｗを載置する基板載置部６８ａ〜６８ｃが設けられている。また、各ブロック１〜４には、基板Ｗを搬送する主搬送機構６９ａ〜６９ｄが設けられている。なお、インターフェイスブロック６５にも図示省略の主搬送機構が配備されている。
【０１２５】
現像処理ブロック６４について説明する。現像処理ブロック６４は、主搬送機構６９ｄの他に、基板Ｗに現像液を供給する現像ユニット７１と、基板Ｗに減圧処理を行う減圧ユニット７３と、基板Ｗを洗浄する洗浄ユニット７５とを備えている。これら現像ユニット７１と減圧ユニット７３と洗浄ユニット７５とはそれぞれ複数個であり、上下多段に積層配置されている。そして、主搬送機構６９ｄは各ユニット７１、７３、７５、基板載置部６８ｃおよびインターフェイスブロック６５等に対して基板Ｗの受け渡しをする。
【０１２６】
現像ユニット７１は、実施例１に係る現像装置で説明した各構成を備えているので、便宜上、図１を参照し、実施例１と同符号を用いて簡単に説明する。現像ユニット７１は、スピンチャック１と現像液ノズル１１と洗浄液ノズル２１とを備えて、基板Ｗを回転可能に保持するとともに基板Ｗに現像液と洗浄液をそれぞれ供給可能に構成されている。
【０１２７】
減圧ユニット７３と洗浄ユニット７５は図８を参照して説明する。図８は、現像処理ブロックの断面図である。減圧ユニット７３は内部に処理室Ｂが形成されたチャンバ８１と、処理室Ｂに設けられ、基板Ｗを支持する支持ピン８３と、チャンバ８１に貫通形成された排出孔８５とを備えている。チャンバ８１は処理室Ｂを密閉可能である。排出孔８５には排出配管８７の一端が連通接続されており、排出配管８７の他端は真空吸引源８８に連通接続されている。排出配管８７には圧力調整弁８９が設けられている。
【０１２８】
洗浄ユニット７５は基板Ｗを保持するスピンチャック９１と、スピンチャック９１を回転可能に支持するモータ９３を備えている。また、スピンチャック９１に保持された基板Ｗに洗浄液を供給する洗浄液ノズル９５と、スピンチャック９１の周囲に設けられ、飛散した洗浄液を下方に案内する飛散防止カップ９７とを備えている。
【０１２９】
制御部３１は、減圧ユニット７３と洗浄ユニット７５の各構成を制御するほか、現像ユニット７１と主搬送機構６９ｄについても制御対象に含め、現像処理ブロック６４を統括的に制御する。
【０１３０】
次に、実施例５に係る基板処理装置において現像処理ブロックの動作について図９を参照して説明する。図９は現像処理ブロックにおける動作を示すフローチャートである。ここで、レジスト膜Ｃが被着された基板Ｗは既に現像ユニット７１に搬入され、スピンチャック１に吸着保持されているものとする。なお、実施例１等と同様の処理については簡略に説明する。
【０１３１】
＜ステップＳ１〜ステップＳ２＞
制御部３１は現像ユニット７１の各構成を制御して、スピンチャック１に吸着保持された基板Ｗを回転させた状態で現像液を供給させ（ステップＳ１）、引き続いて基板Ｗに洗浄液を供給する（ステップＳ２）。
【０１３２】
＜ステップＳ８＞  基板の乾燥
続いて、基板Ｗを高速に回転させて基板Ｗを乾燥する。これにより、基板Ｗを適切に搬送可能な状態にする。
【０１３３】
＜ステップＳ９＞  減圧処理（現像液移動過程）
制御部３１は主搬送機構６９ｄを駆動して現像ユニット７１から減圧ユニット７３に基板Ｗを搬送する。この基板Ｗを支持ピン８３に当接させて所定位置に載置する。処理室Ｂを密閉すると、真空吸引源８８を駆動させるとともに圧力調整弁８９を調節して、処理室Ｂから気体を排出して処理室Ｂを所定の圧力まで減圧する。
【０１３４】
基板Ｗの周囲の空間である処理室Ｂが減圧されていることにより、レジスト膜Ｃの表面上も負圧になる。この圧力に応じた力がレジスト膜Ｃの内部の現像液に対して作用し、レジスト膜Ｃの表面へ現像液が移動する。
【０１３５】
この状態を所定の期間保持することで基板Ｗに減圧処理を行う。所定の期間が経過すると、制御部３１は真空吸引源８８を停止させるとともに圧力調整弁８９を閉止して、処理室Ｂを大気圧にする。
【０１３６】
＜ステップＳ４、ステップＳ６＞  
制御部３１は再び基板搬送機構６９ｄを駆動して減圧ユニット７３から洗浄ユニット７５に基板Ｗを搬送する。基板Ｗをスピンチャック９１で吸着保持すると、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗに洗浄液を供給する。これにより、減圧処理によって移動した現像液を洗い流し、洗浄液とともに基板Ｗ外へ捨てる（ステップＳ４）。続いて、制御部３１は基板Ｗをより高速に回転させて乾燥する（ステップＳ６）。
【０１３７】
このような実施例５によれば、減圧処理（ステップＳ９）でレジスト膜Ｃの表面上を負圧にすることができるので、レジスト膜Ｃの内部にしみ込んだ現像液を表面上に移動させることができる。よって、移動した現像液を移動後洗浄処理（ステップＳ４）で好適に洗い流すことができる。
【０１３８】
また、専ら基板Ｗに減圧処理を行うための減圧ユニット７３を備えているので、処理室Ｂを小容量にすることができ、処理室Ｂを効率よく減圧することができる。
【０１３９】
また、移動させた現像液を洗い流すための専用の洗浄ユニット７５を備えているので、現像処理ブロック６４全体において基板Ｗを効率よく処理することができ、スループットの向上を図ることができる。
【０１４０】
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【０１４１】
（１）上述した実施例１〜実施例４では、所定回数に到達するまで処理を繰り返す（ステップＳ５）構成であったが、これに限られない。たとえば、基板Ｗまたはレジスト膜Ｃの洗浄度合いを検出し、この結果に基づいて繰り返すか否かを判断するように変更してもよい。あるいは、ステップＳ５を省略して回転処理（ステップＳ３）または気流形成処理（ステップＳ８）と移動後洗浄処理（ステップＳ４）をそれぞれ１回ずつ行うように変更してもよい。
【０１４２】
（２）実施例１では回転処理によって基板Ｗを乾燥させていたが、これに限られない。基板Ｗ上の洗浄液を蒸発させることができれば、他の方法によって変更してもよい。この場合、基板Ｗを静止させた状態で基板Ｗを乾燥させてもよい。
【０１４３】
（３）実施例２では、遮蔽板４１を基板Ｗと同じ方向に同じ回転数で回転させていたが、これに限られない。たとえば、遮蔽板４１の回転方向を逆にしてもよい。また、遮蔽板４１の回転数を適宜に変更してもよいし、静止させてもよい。また、実施例３では、遮蔽板４２は非回転であったが、適宜に回転するように変更してもよい。
【０１４４】
（４）実施例２では、遮蔽板支持機構４３が遮蔽板４１を回転させる構成であったが、これに限られない。例えば、遮蔽板４１をモータ３と連結して、モータ３が遮蔽板４１を回転させるように変更してもよい。この場合、モータ３はこの発明における遮蔽板回転手段にも相当する。
【０１４５】
（５）実施例２、３では、遮蔽板４１、４２は処理位置と待機位置とを昇降自在に構成されていたが、これに限られない。たとえば、基板Ｗに対して現像液等の供給を許容するための開口や切り欠きを遮蔽板に形成することで、回転処理（ステップＳ３）以外の処理の際にも遮蔽板を基板Ｗに近接させるように動作させてもよい。
【０１４６】
（６）実施例３では、略中央に吹き出し口４２ａを形成された遮蔽板４２を備えていたが、これに限られない。例えば、吹き出し口４２ａを基板Ｗの周縁側に対向する位置に形成してもよいし、吹き出し口４２ａを複数個設けてもよい。また、遮蔽板４２と基板Ｗとの間に側方から気体を供給してもよい。さらに、遮蔽板４２と基板Ｗとの間の空間から気体を排出する排気口を設けてもよい。この場合、排気口はこの発明における気体排出手段に相当する。
【０１４７】
（７）実施例４では、基板Ｗの一側方からレジスト膜Ｃの表面に沿う方向に気体を供給する気体供給部５１を備えていたが、これに限られない。たとえば、基板Ｗの上方から気体を供給するように変更してもよい。また、実施例４では気体供給部５１は基板Ｗの直径と同等以上と幅を有していたが、気体供給部５１の形状もこれに限られない。例えば、基板Ｗの略中央に向けて気体を供給する気体噴射ノズルに変更してもよい。さらに、気体供給部５１の変更に応じて適宜に気体排出部５５を変更してもよい。
【０１４８】
（８）実施例４では、気体供給部５１と気体排出部５５を備えていたが、いずれかを省略するように変更してもよい。装置構成を簡略化できる。
【０１４９】
（９）また、実施例４では基板Ｗを静止させた状態でレジスト膜Ｃ上に気流を形成していたが、基板Ｗを回転させるように変更してもよい。これによれば、気流の流速を大きくすることができる。
【０１５０】
（１０）また、実施例４において、さらに実施例２、３で説明した遮蔽板４１、４２に相当する構成を備えるように変更してもよい。これによっても、気流の流速を大きくすることができる。
【０１５１】
（１１）また、実施例４では気体供給部５１と気体排出部５５とによってレジスト膜Ｃ上に気流を発生させていたが、これに限られない。例えば、基板Ｗの周囲の雰囲気を攪拌するための構成を備えてもよい。図１０を参照する。図１０は変形実施例に係る現像装置の概略構成図である。なお、実施例１等と同じ構成については同符号を付すことで説明を省略する。図示するように、基板Ｗの上方に設けられる攪拌ファン１０１とこの攪拌ファン１０１を回転させるファン用モータ１０３とを備えている。そして、気流形成処理（ステップＳ８）において、制御部３１がファン用モータ１０３を駆動して攪拌ファン１０１で基板Ｗに送風するように変更してもよい（図１０において送風される気体を点線で模式的に示す）。これによっても、レジスト膜Ｃの上面に気流を好適に形成することができる。なお、攪拌ファン１０１はこの発明における攪拌手段に相当する。
【０１５２】
（１２）実施例５では、洗浄ユニット７５を備えていたが、これを省略してもよい。すなわち、減圧ユニット７３にて減圧処理を行った基板Ｗを、再び現像ユニット７１にて洗浄するように変更してもよい。これによっても、好適に移動後洗浄処理（ステップＳ４）を行うことができる。
【０１５３】
（１３）実施例５では、現像ユニット７１と減圧ユニット７３と洗浄ユニット７５をそれぞれ別体で備えていたが、これら各機能を１つのユニット（現像装置）で実現するように変更してもよい。図１１を参照する。図１１は変形実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。なお、実施例１等と同じ構成については同符号を付すことで説明を省略する。図示するように、スピンチャック１と現像液ノズル１１と洗浄液ノズル２１と、スピンチャック１に吸着保持された基板Ｗの周囲の空間を密閉可能なチャンバ１１１と、チャンバ１１１内の気体を排出するための排出孔１１３とを備えている。この排出孔１１３には真空吸引源８８が連通接続されている。このような現像装置では、実施例５で説明した一連の処理を単一のユニット内で行うことができる。また、基板Ｗを搬送する必要がないので、実施例５で説明したステップＳ９の処理（基板の乾燥）を、基板Ｗ上の洗浄液の振り切りのみに止めるように変更してもよいし、この処理を省略して現像液供給後の洗浄液処理（ステップＳ２）に続いて減圧処理（ステップＳ９）を行ってもよい。
【０１５４】
あるいは、減圧ユニット７３と洗浄ユニット７５の機能を１つのユニット（減圧洗浄ユニット）で実現するように変更してもよい。すなわち、図１１で示す変形実施例に係る現像装置において現像ノズルを省略した構成に相当する減圧洗浄ユニットを備えて、減圧処理（ステップＳ９）および移動後洗浄処理（ステップＳ４）を単一の減圧洗浄ユニットにて行うように変更してもよい。
【０１５５】
（１４）上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】実施例１に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】現像装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】実施例２に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図４】実施例３に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図５】実施例４に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】現像装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】実施例５に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図８】現像処理ブロックの断面図である。
【図９】現像処理ブロックにおける動作を示すフローチャートである。
【図１０】変形実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１１】変形実施例に係る現像装置の概略構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
【０１５７】
１  …  スピンチャック
３  …  モータ
１１  …  現像液ノズル
２１  …  洗浄液ノズル
３１  …  制御部
４１、４２  …  遮蔽板
４２ａ  …  吹き出し口
４３  …  遮蔽板支持機構
５１  …  気体供給部
５５  …  気体排出部
７１  …  現像ユニット
７３  …  減圧ユニット
７５  …  洗浄ユニット
Ｂ  …  処理室
８１、１１１  …  チャンバ
８５、１１３  …  排出孔
１０１  …  攪拌ファン
Ｗ  …  基板
Ｃ  …  レジスト膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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