Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
短いパルスを発生するための装置（１）であって、該装置は、
偏光方向を有する偏光用パルスレーザー（１０、２、３）と、
複屈折軸を有する複屈折の光ファイバー（６）であって、前記偏光方向が、前記複屈折軸とはコリニア（co-linear）な関係にない、光ファイバーと、
前記光ファイバーの出力に配置される出力用偏光子（９）であって、前記光ファイバーの出力において偏光を選択することができる、出力用偏光子と、
を含み、前記偏光用パルスレーザーが、縦方向の擬似シングルモードのレーザーであり、前記複屈折の光ファイバーが、非ソリトンモード（a non-solitonic mode）における正常分散レジーム（a normal dispersion regime）において前記偏光方向の回転を発生するように配置されることを特徴とする、パルス発生装置。
【請求項２】
前記パルスレーザーは、Ｑ−スイッチング・レーザーである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記パルスレーザーは、８００ナノメートルと１.２マイクロメートルとの間で動作するように配置される、請求項１又は請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記パルスレーザー（１０、２、３）は、非偏光のスイッチ・レーザー（２）および入力用偏光子（３）を含む、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記パルスレーザーと前記光ファイバーとの間に置かれる半波長板（４）をさらに含み、該半波長板は、該半波長板の出力における前記レーザー波の偏光方向が、前記光ファイバーの複屈折軸とはコリニアにならないように配置される、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記光ファイバーの入力に置かれるルフェーブル・ループ（Lefevre loops）を含み、該ルフェーブル・ループは、該ルフェーブル・ループの出力における前記レーザー波の偏光方向が、前記光ファイバーの複屈折軸とはコリニアにならないように配置される、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記偏光用パルスレーザーは、前記光ファイバーとの関係において、前記偏光方向が前記複屈折軸とはコリニアにならないように配置される、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記偏光用パルスレーザーは、ある放射波長でレーザーパルスを放射することができ、前記光ファイバーは、前記放射波長のモードに対して横方向（transversal）のモードを有するシングルモードのファイバーである、請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記光ファイバーは、前記光ファイバーの零分散波長が、前記放射波長よりも大きい、請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
短いパルスを発生するための方法であって、該方法は、
請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の装置（１）を供給するステップと、
偏光用パルスレーザー（１０、２、３）が、長いパルスを発生するステップと、
前記短いパルスを発生するために、前記長いパルスを、複屈折の光ファイバー（６）内で分割するステップと、
前記短いパルスを、出力用偏光子（９）の出力において再生するステップと、
を含むパルス発生方法。
【請求項１１】
前記短いパルスのパルス継続時間が、前記長いパルスのパルス継続時間よりも１０から１６倍も短い、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記光ファイバーは、長いパルスから短いパルスを発生するために、正常分散レジームにおいて前記偏光方向の回転を発生させる、請求項１０又は請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
代替として、上記装置は、光ファイバーの入力に置かれるルフェーブル・ループ（Lefevre loops）と呼ばれるループを含むことができ、該ルフェーブル・ループは、該ループの出力での上記レーザー波の偏光方向が、上記光ファイバーの複屈折軸とコリニアにならないように配置することができる。これらルフェーブル・ループは、上記光ファイバーの複屈折軸に対して偏光される、パルスレーザーの偏光ベクトルの方向を制御することができる。これらルフェーブル・ループは、ファイバーを介して伝搬する放射光の偏光ベクトルを方向付けるパワーを有するものとして、当業者には知られている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
光ファイバー６は、偏光ベクターの回転効果が、非ソリトンモードにおける正常分散レジームにおいて（in a normal dispersion regime in a non-solitonic mode）生じるようになる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
一実施の形態において、フィルタは次のようにして実現される。セッションテーブルの検索が所望される或るイベントが特定される。該イベント内に記憶されたデータに基づいて、クエリーキーが決定される。前記検索が実行される前に、前記クエリーキーは前記テーブルのフィルタに対して照合されることによってテストされる。該クエリーキーが前記テストで合格した場合、所望のデータが前記テーブルに記憶されているかもしれず、検索が実行される。一方、該クエリーキーが前記テストで失格となった場合(例えば、IPアドレスキーが前記フィルタのIPアドレス範囲内ではない場合)、所望のデータは前記テーブル内に記憶されておらず、前記検索は実行されない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月4日(2013.3.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】皮内注射用ヒアルロン酸ゲル移植片
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
２．２．移植片の調製
この精製したゲルに、リン酸緩衝液で予め水和した１．２ＭＤａのＨＡを加えた。濃度が２０ｍｇ／ｇのＨＡゲル１．２ＭＤａ６０ｇを、得られた架橋ゲル２２６ｇに加える。２種類のゲルを、標準的ブレードミキサーで１−２時間ホモジナイズする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重量で０．５％〜５％のヒアルロン酸を含んでなる、単相ヒドロゲルの形態で皮下または皮内注射可能な移植片であって、
ヒアルロン酸の５０重量％〜９５重量％が架橋ゲルの形態であり、
ヒアルロン酸の５重量％〜５０重量％が遊離形態またはその生理学的に許容可能な１種の塩の形態であり、分子質量が５００〜２８００ｋＤａであり、
生理学的に許容可能なキャリヤー流体において、架橋ヒアルロン酸ゲルの重量と遊離ヒアルロン酸の重量の比が１：１〜１：０．０５であることを特徴とする、移植片。
【請求項２】
架橋ヒアルロン酸から構成されるゲルの粘度が、２００〜２０００Ｐａ・ｓである、請求項１に記載の注射可能な移植片。
【請求項３】
架橋ゲルを構成するヒアルロン酸の分子質量が、１０００〜６０００ｋＤａである、請求項１または２に記載の注射可能な移植片。
【請求項４】
分子質量が２〜８０ｋＤａであるコンドロイチン硫酸を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項５】
遊離ヒアルロン酸またはその生理学的に許容可能な１種の塩が、架橋ヒアルロン酸ゲルの内部に均質に分布している、請求項１〜４のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項６】
キャリヤー流体が非発熱性の滅菌等張緩衝液である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項７】
皮膚化粧品で用いられる少なくとも１種類の他の活性物質を更に含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項８】
皮膚化粧用の活性物質が、ビタミン、酸化防止剤、無機塩、防腐剤およびコンドロイチン硫酸から選択される、請求項７に記載の注射可能な移植片。
【請求項９】
酸化防止剤がマンニトールである、請求項８に記載の注射可能な移植片。
【請求項１０】
皮膚をフリーラジカルから保護しおよび／または皮膚のヒアルロン酸の解重合を制限するための、分子質量が５００〜２８００ｋＤａの遊離形態のヒアルロン酸またはその生理学的に許容可能な１種の塩の形態のヒアルロン酸と、マンニトールのような酸化防止剤とを含んでなる、注射可能な移植片。
【請求項１１】
皺、小皺、皮膚陥凹および／または瘢痕を塞ぐための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項１２】
皮膚の酸化防止活性を刺激しおよび／または皮膚老化を防止するための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項１３】
コラーゲンＩＩＩ／コラーゲンＩ比をより若い組織で測定した値に維持しおよび／または回復するための、請求項１〜９のいずれか一項に記載の移植片。
【請求項１４】
薬剤としての、請求項１〜９のいずれか一項に記載の注射可能な移植片。
【請求項１５】
注射器形態で提示されかつ請求項１〜９のいずれか一項に記載の注射可能な移植片を含む、キット。
【請求項１６】
皺を塞ぎ、皮膚の細胞活性を高めおよび／または皮膚の堅さおよび弾力性の機械的特性を維持しおよび／または表皮および真皮の代謝を刺激しおよび／または真皮の酸化防止活性を刺激しおよび／または皮膚老化を防止するための、架橋ヒアルロン酸のゲル中に分布した分子質量が５００〜２８００ｋＤａの遊離形態のヒアルロン酸またはその生理学的に許容可能な１種の塩の形態のヒアルロン酸を含んでなる、皮下移植片。
【請求項１７】
１）ヒアルロン酸を塩基性流体に添加し、
−  膨潤し、低速攪拌下で均質化し、熱架橋し、
−  ｐＨ約７の緩衝液中で等張化剤（iso-osmolarizing agent）を添加することによって架橋ゲルを中和および膨潤し、
−  架橋剤を除去する
工程によって架橋ゲルを調製し、
２）ｐＨ約７の等張性（iso-osmolar）緩衝液にヒアルロン酸を添加し、
−  膨潤させる
ことによって遊離ヒアルロン酸ゲルを調製し、
３）工程１）で得た架橋ゲルと、工程２）で得た遊離ヒアルロン酸ゲルとを混合し、
４）任意に脱気し、および場合によってはボトルまたは注射器へ包装し、次いで滅菌する
の工程を含んでなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の注射可能な移植片の調製方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
リンク・トレース・プロトコル・ディスカバリーの一部として、リンク状態プロトコル制御イーサネット・ネットワーク内の各ノードはデフォルトＭＤレベル８０２．１ａｇロジックを自動的にインスタンス化するが、ＭＡＣアドレスに変換されるＳｙｓ−ＩＤ名を用いてそのようにしてもよい。本発明によれば、図１１に示されるように、インフラストラクチャー・レベルで、各ノードはＳｙｓ−ＩＤをハッシュしてＭＥＰ及びまたはＭＩＰを導出し（６００）、ＴＬＶにこの情報を保持させる（６０２）。ＴＬＶはリンク状態ＰＤＵ（ＬＳＰ）でネットワークに伝送される（６０４）。図１２において、ノードは、そのようなＬＳＰを受取ると、ＴＬＶ内の受取られたＭＥＰ情報を、そこからＬＳＡを受取ったエンドポイントに関連付ける。受取りノードはエントリーをそのＦＩＢに付加してＭＥＰをそこからＬＳＡが受取られたノードのノードＭＡＣに関連付け、ＭＥＰおよびＳｙｓ−ＩＤの結合を生成する。こうして各ノードはネットワーク内の他の全てのノードについてＭＩＰ及びＭＥＰポイントが何かを知る。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内方冷却チャネルと外方冷却チャネルが内部に形成された静電チャックベース本体を含み、前記外方冷却チャネルが、前記内方冷却チャネルを実質的に取り囲んでおり、１本以上の第１の溝が、前記内方冷却チャネルに連結され、前記内方冷却チャネルから延びており、１本以上の第２の溝が、前記外方冷却チャネルに連結され、前記外方冷却チャネルから延びている静電チャックベース。
【請求項２】
前記内方冷却チャネルが第１のパターンに配列され、前記外方冷却チャネルが前記第１のパターンとは異なる第２のパターンに配列される請求項１記載のベース。
【請求項３】
前記内方冷却チャネルが前記ベースを蛇行し複数回に亘って折り返され、前記内方冷却チャネルが約５回以上に亘って折り返される請求項１記載のベース。
【請求項４】
前記１本以上の第１の溝の幅が前記１本以上の第２の溝の幅に実質的に等しく、前記１本以上の第１の溝の高さが前記１本以上の第２の溝の高さに実質的に等しい請求項１に記載のベース。
【請求項５】
パック本体と、
前記パック本体全体に少なくとも２つの異なるパターンで配列された複数のメサとを含み、前記少なくとも２つの異なるパターンは、パックの面全体に実質的な直線配列で少なくとも１つの第１の内方パターンと、前記第１の内方パターンを取り囲む１列以上を有する少なくとも１つの第２の外方パターンを含む静電チャックアセンブリのためのパック。
【請求項６】
前記第１の内方パターンは第１区域内に位置し、前記第２の外方パターンは第２区域内に位置し、前記第１の内方区域及び前記第２の外方区域がそれぞれ熱交換ガス流入口を含む請求項５記載のパック。
【請求項７】
パック本体と、
前記パック本体全体に少なくとも２つの異なるパターンで配列された複数のメサであって、前記少なくとも２つの異なるパターンは、パックの面全体に実質的な直線配列で少なくとも１つの第１の内方パターンと、前記第１の内方パターンを取り囲む１列以上を有する少なくとも１つの第２の外方パターンを含む複数のメサとを含むパックと、
前記パックに隣接して配置され、内部に内方冷却チャネルと外方冷却チャネルが形成された静電チャックベース本体であって、前記外方冷却チャネルは前記内方冷却チャネルを実質的に取り囲み、１本以上の第１の溝が、前記内方冷却チャネルに連結され、前記内方冷却チャネルから延びており、１本以上の第２の溝が、前記外方冷却チャネルに連結され、前記外方冷却チャネルから延びている静電チャックベース本体とを含む静電チャックアセンブリ。
【請求項８】
前記内方冷却チャネルが第１のパターンに配列され、前記外方冷却チャネルが前記第１のパターンとは異なる第２のパターンに配列される請求項７記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記内方冷却チャネルがベースを蛇行し複数回に亘って折り返され、前記内方冷却チャネルが約５回以上に亘って折り返される請求項７記載のアセンブリ。
【請求項１０】
前記１本以上の第１の溝の幅が前記１本以上の第２の溝の幅に実質的に等しく、前記１本以上の第１の溝の高さが前記１本以上の第２の溝の高さに実質的に等しい請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項１１】
静電チャックアセンブリを磨き直すための方法であって、
前記静電チャックアセンブリはパック本体のパック表面全体に少なくとも２つの異なるパターンで配列された複数のメサを有し、また１本以上の冷却チャネルが内部に形成され且つ前記１本以上の冷却チャネルの少なくとも１つに複数の溝が形成された、前記パック本体に連結された静電チャックベース本体を有し、
前記静電チャックアセンブリの前記パック表面を実質的に平坦なパック表面へと機械加工し、
前記パック表面にパターン形成加工を再度施すことにより、前記少なくとも２つの異なるパターンと実質的に同じパターンに配列された複数のメサを形成することを含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの正極と、炭素材料を有する少なくとも一つの負極と、を有するエネルギー貯蔵装置であって、
前記少なくとも一つの正極は、集電体とタブ部とを有し、
前記集電体は、鉛と格子体とを含み、前記格子体は、前記集電体の標準面に対する凸部および凹部の交互配置された列の間に配置されている平らで平行な複数の電流チャンネルを有する格子体であり、
前記タブは、前記集電体の端から伸びており、
前記凸部および凹部の交互配置された列は、前記タブに対して水平に配置され、さらに二酸化鉛ペーストを有する領域の反対側にボウル状領域を有しており、
前記凸部および凹部の端部により形成されるスロットは、電流の流れの方向に配置されることにより前記集電体の底部から前記タブ部分に伸びる実質的に中断されることのないリボン状導電体を提供するエネルギー貯蔵装置。
【請求項２】
請求項１に記載のエネルギー貯蔵装置であって、少なくとも一つのセルを有し、前記少なくとも一つのセルは、複数の正極と複数の負極を有し、
前記負極は、集電体と、前記集電体の少なくとも一つの表面に電気的接続により接触する多孔性炭素材料と、前記負極の上方端部の上に伸びるタブ要素と、を有するエネルギー貯蔵装置。
【請求項３】
鉛もしくは鉛合金を有する格子体を有する集電体を有する正極と、前記集電体の端から伸びるタブ部分と、を有する電極であって、
前記格子体は、前記集電体の標準面に対し凸部と凹部を有する交互配置された列の間に配置される平らで平行な複数の電流チャンネルと、を有し
凸部と凹部を持つ前記列は、タブ部分に対して水平に配置され、さらに二酸化鉛ペーストを有する領域の反対側にボウル状領域を有し、
前記凸部および凹部の端部により形成されるスロットは、電流の流れの方向に配置されることにより前記集電体の底部から前記タブ部分に伸びる実質的に中断されることのないリボン状導電体を提供する電極。
【請求項４】
前記凸部および凹部が角度を持つスロットである請求項３に記載の電極。
【請求項５】
前記凸部および凹部が正方のスロットである請求項３に記載の電極。
【請求項６】
前記凸部および凹部が丸形のスロットである請求項３に記載の電極。
【請求項７】
少なくとも一つのセルが、請求項３〜６のいずれかに記載の少なくとも一つの電極を有するハイブリッドエネルギー貯蔵装置。
【請求項８】
複数のセルを有する請求項７に記載のハイブリッドエネルギー貯蔵装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本願発明の一態様では、格子体を有する集電体を有する電極が提供され、前記格子体は、凸部と凹部とを持つ交互配置された列の間に配置される平らで平行な列と、前記集電体の端から伸びるタブ部分と、を有する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月6日(2013.3.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の波長の光を出射するＬＥＤ光源であって、
少なくとも１つのＬＥＤ、
前記少なくとも１つのＬＥＤと前記光源の発光面との間のパネル、及び
前記少なくとも１つのＬＥＤの光をミー散乱で拡散する粒子を含有する前記パネル内の充填材料を含み、
前記粒子の有効径は前記光の波長よりも大きく、前記充填材料が流体である、ＬＥＤ光源。
【請求項２】
前記充填材料が熱伝導性である、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項３】
前記充填材料が前記パネル全体に均一分布している、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項４】
前記粒子が前記パネル全体に均一分布している、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項５】
前記充填材料が前記パネル全体に均一でなく分布している、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項６】
前記粒子が前記パネル全体に均一でなく分布している、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項７】
前記少なくとも１つのＬＥＤが燐光体を有しない青色又は紫外のＬＥＤであり、前記パネルが少なくとも１つの燐光体を含有する、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項８】
前記パネルが密封されている、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項９】
前記パネルがＬＥＤに形状一致するよう型で作られている、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項１０】
前記充填材料が前記パネルを完全には充填しない、請求項１記載のＬＥＤ光源。
【請求項１１】
ＬＥＤ光源であって、
所定の波長の光を出射する少なくとも１つのＬＥＤ、
前記少なくとも１つのＬＥＤと前記光源の発光面との間のパネル、及び
前記少なくとも１つのＬＥＤの光を散乱する前記パネル内の充填材料を含み、
前記充填材料が光を散乱する粒子に加え第２の密度が異なる成分を含有し、前記充填材料が炭化水素ベースの油から成り、前記第２の密度が異なる成分が水及び少量の界面活性剤から成り、前記粒子の有効径は前記光の波長よりも大きく、前記充填材料が流体である、ＬＥＤ光源。
【請求項１２】
前記充填材料が光に対してそれぞれ透明な成分から成る、請求項１１記載のＬＥＤ光源。
【請求項１３】
所定の波長の光を出射するＬＥＤ光源であって、
少なくとも１つのＬＥＤ、及び
前記少なくとも１つのＬＥＤの光を散乱する材料を含み、
前記材料が光を散乱する粒子に加え第２の密度が異なる成分を含有し、
前記粒子の有効径は前記光の波長よりも大きく、
前記材料が炭化水素ベースの油から成り、前記第２の密度が異なる成分が水及び少量の界面活性剤から成り、
前記粒子の有効径は前記光の波長よりも大きく、前記充填材料が流体である、ＬＥＤ光源。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図２は、更なる実施形態に関し、ＬＥＤから放射され、複数の超波長粒子７０でミー散乱され、各波長８０に対し等しく散乱される光の断面図を示す。典型的には、入射光６０は複数の波長成分を含み、ＬＥＤに用いられた発光材料に基づく波長６２を含んでいる。例えば、典型的なＬＥＤ放射スペクトルでは、ＬＥＤから放射された青色に対応する波長６２は、約４１０〜４５０ｎｍである。図２に示されているように、入射光６０は有効径９０を有する分散した一組又は複数の粒子７０に衝突するが、有効径９０はＬＥＤ放射光の主波長６２より大きくなっている。分散粒子７０の有効径９０は、好ましくは、発光源における主波長６２の１ないし数倍の大きさである。例えば、青色光を生じるＬＥＤでは、分散粒子７０の組は、約１．１μｍの平均径を有するアルミナ三水和物とすることができる。当然のことながら、ＬＥＤ発光源の主波長６２より大きくてミー散乱を起こす有効径９０を持つ任意の適当な粒子を用いることができる。当然のことながら、粒子が球状である必要はなく、ほぼ球状である必要さえもなく、円板状又は棒形状の粒子のような他の形状を用いることができる。これは入射光６０のミー散乱条件を形成し、各入射波長６２は散乱されて出射波長８０となる。透過光又は出射波長８０は、このように入射光６０に対して複数の方向に分散されるが、光強度に大きく影響することはない。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図１から図３に示したプラズマ容器１４は、引き上げられた結晶からなる中空内装と中実外装とを有する。しかしながら、他の材料を用いて本発明の幾つかの実施形態による外装を形成することもできる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
吸収領域と通過領域と間の屈折率差が増加するにつれて、臨界角θｃは減少し、境界面に作用する光のより多くが境界面から反射される。このＬＣＦはより高い輝度（つまりゲイン）を有するが、意図した視野カットオフ角よりも大きい角度でＬＣＦの出射面を通る望ましくない光の透過がもたらされる可能性がある。場合によっては、これらの不必要な反射を制御するために、相対屈折率差を制限することが望ましいことがある。１つの態様では、本発明は、０．００５〜０．１などの小さい屈折率差、及び３°以下、又は０．１°より大きく３°未満など小さい境界壁角を有する材料を含むＬＣＦを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月8日(2012.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記方法は、処理されたナビゲーション可能部分のそれぞれについて、所定の時間間隔のそれぞれについての平均速度を含む測定された速度プロファイルを生成するために、十分なデータが存在するナビゲーション可能部分の少なくともいくつか、一般的にはそれぞれ、について前記所定の時間間隔のそれぞれの中の前記速度を平均することを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
メモリを含む処理回路を備えるナビゲーション装置であって、
前記ナビゲーション装置の前記処理回路は、前記装置のユーザを誘導するための経路指示のセットを生成するために、前記メモリに保持された地図データを処理するように構成されており、
前記メモリは、生成された速度プロファイルの少なくとも１つのセットと、ナビゲーション可能部分のセットとを含む前記地図データを保持するように構成され、
前記生成された速度プロファイルのセットからの少なくとも１つの生成された速度プロファイルへの参照が、前記ナビゲーション可能部分には関連づけられている
こと特徴とする装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１９】
それぞれのナビゲーション可能部分に関連づけられた正規化の基準を保持するように構成され、
前記処理回路は、前記ナビゲーション可能部分とともに用いられる前記生成された速度プロファイルをスケーリングするために、前記正規化の基準を用いるように構成されていることを特徴とする、請求項１８に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁的に操作される、内燃機関の燃料噴射装置に対する燃料噴射弁であって、
弁長手軸（１０）と、
磁気コイル（１）と、内極（２）と、外部の磁気回路構成部分（５）と、運動可能なアンカー（１７）とを弁閉鎖体（１９）を動かすために備えている電磁回路の形態の励起されるアクチュエータとを有しており、当該弁閉鎖体（１９）は、弁座体（１５）に設けられている弁座面（１６）と協働する形式のものにおいて、
ガイド体（６２）が、前記アンカー（１７）の内部の長手方向穿孔（２３）内および前記内極（２）の内部の流れ穿孔（２８）内に設けられており、
前記ガイド体（６２）はアンカー（１７）内または内極（２）に固定ベアリングを用いて固定されており、各別の構成部分において固定せずにガイドされ、
前記ガイド体（６２）はスリーブ状に構成されており、
前記内極（２）内に固定されたガイド体（６２）の使用可能な相対的な運動長は、前記アンカー（１７）の長手方向穿孔（２３）において、内極（２）とアンカー（１７）との間の最大動作隙間（６３）と等しいまたはそれよりも長く、または、前記アンカー（１７）内に固定されたガイド体（６２）の使用可能な自由運動長は、前記内極（２）の流れ穿孔（２８）において、内極（２）とアンカー（１７）との間の最大動作隙間（６３）に等しいまたはそれよりも長く、
前記ガイド体（６２）は、前記固定ベアリングの側で、押し込みによって固定されており、
前記ガイド体（６２）は環状に構成されており、
前記アンカー（１７）の軸運動の間の耐回転位置を保証する回転止めが多角形の形で設けられており、当該回転止めは、前記ガイド体（６２）に取り付けられ、かつ、前記アンカー（１７）の内部の長手方向穿孔（２３）および内極（２）の内部の流れ穿孔（２８）の少なくとも一方に取り付けられている、
ことを特徴とする、電磁的に操作される燃料噴射弁。
【請求項２】
前記ガイド体（６２）は、オーステナイト組織を備えた材料から製造される、請求項１記載の電磁的に操作される燃料噴射弁。
【請求項３】
前記アンカー（１７）の外周にはガイド群が設けられていない、請求項１または２記載の電磁的に操作される燃料噴射弁。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
しかし、アンカー１７内または中心部分２内に回転固定部を設けることもできる。この回転固定部は、その軸運動の間、アンカー１７の耐回転位置を保証する。図５は、アンカー１７の第２の実施形態を備えた、図３における線Ｖ−Ｖに沿った断面を示している。これは例として示された回転固定部を含んでいる。ガイド体６２のガイド部分はここでは例えば六角形として構成されている。これはアンカー１７の相応に成形された長手方向穿孔２３内に入れられている。アンカー１７が固定ベアリング面を構成する場合には、回転固定部は中心部分２内に比較可能なように設けられる。回転固定部が択一的に、他の方法の平坦化、多角形、凹部または、相応の方法で、アンカー１７または中心部分２内に、およびガイド体６２に取り付けられている構造体を介して実現されてもよい。回転固定部は一般的に有利には、弁の機能値を持続させるためのものであり、これは例えば流量および放射角度および閉鎖特性である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
集光光学系と視野レンズ光学系とをそれぞれ利用できる両方の光学ブランチにおける別々の結像により、短軸上のビームプロファイルを、エッジ急峻性と線半値幅とについて別々に変えるため又は所期の通りに最適化するための前提が満たされることが分かった。これは、さらなる実施形態に示されるように、上記第１及び第２の光学的結像ブランチに属する個々の集光及び／又は視野レンズ光学系の軸方向移動によって達成することができる。さらに、上記第１及び第２の結像ブランチに沿って含まれる光学系の回転が、少なくとも線半値幅に対して影響を及ぼす。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
本発明のカソード電極の触媒層で流路に対向する部分より撥水性が高い、流路に対向しない部分は、撥水性を向上させるため、従来の触媒層に当分野で使用する疎水性高分子系撥水性向上剤をさらに含んでなり得る。例えば、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒；ポリマーイオノマー；及びポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン及びフッ素化エチレンプロピレンコポリマーからなる群より選択される疎水性高分子系撥水性向上剤を含み得る。ここで、前記疎水性高分子系撥水性向上剤の含量は、当業者が必要に応じて金属触媒：疎水性高分子系撥水性向上剤を質量比で１：０．０２〜０．４０にすることができるが、これに限定されることはない。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
前記第１触媒層形成用インクとしては、当分野で通常使用するインクを使用することができ、例えば、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒、ポリマーイオノマー、及び溶媒を含み得る。前記第２触媒層形成用インクは、従来触媒層形成用インクの撥水性を向上させるために当分野で使用する疎水性高分子系撥水性向上剤をさらに含み得る。
例えば、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒；ポリマーイオノマー；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、及びフッ素化エチレンプロピレンコポリマーからなる群より選択される疎水性高分子系撥水性向上剤；及び溶媒を含み得る。ここで、前記疎水性高分子系撥水性向上剤の含量は、当業者が必要に応じて金属触媒：疎水性高分子系撥水性向上剤を質量比で１：０．０２〜０．４０にすることができるが、これに限定されることはない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明の第２触媒層形成用インクは、疎水性高分子系撥水性向上剤が添加されたことを除き、前記第１触媒層形成用インクと同じ方法で製造することができる。例えば、前記第２触媒層形成用インクは、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒；ポリマーイオノマー；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、及びフッ素化エチレンプロピレンコポリマーからなる群より選択される疎水性高分子系撥水性向上剤；及び溶媒を含み得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記触媒層で前記流路に対向する部分より撥水性が高くて流路に対向しない部分が、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒；ポリマーイオノマー；及びポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、及びフッ素化エチレンプロピレンコポリマーからなる群より選択される疎水性高分子系撥水性向上剤を含んでなることを特徴とする、請求項１に記載の燃料電池用カソード電極。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１１】
前記第２触媒層形成用インクが、金属触媒または炭素系支持体に担持された金属触媒；ポリマーイオノマー；ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、及びフッ素化エチレンプロピレンコポリマーからなる群より選択される疎水性高分子系撥水性向上剤；及び溶媒を含むことを特徴とする、請求項９に記載の燃料電池用カソード電極の製造方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＤＦ−１突然変異体タンパク質であって、該ＳＤＦ−１タンパク質が、構造維持法で、アミノ酸位置２９および３９にある少なくとも２つの非塩基性アミノ酸の、少なくとも２つの塩基性及び／又は電子供与性アミノ酸での置換によって改質され、かつ、野生型ＳＤＦ−１タンパク質のＮ末端領域の最初の１〜１０のアミノ酸の少なくとも１つのアミノ酸が、少なくとも１つのアミノ酸の付加、欠失及び／又は置換によって改質されることを特徴とする、野生型ＳＤＦ−１タンパク質と比較して増加させたＧＡＧ結合アフィニティー及び低減させたＣＸＣＲ４活性を有するＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項２】
構造維持法での改質が、遠紫外線ＣＤ分光法によって測定される、３０％未満の野生型のＳＤＦ−１構造からの改質された構造のずれであることを特徴とする、請求項１に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項３】
前記の塩基性アミノ酸が、Ａｒｇ、Ｌｙｓ、Ｈｉｓからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項４】
前記の電子供与性アミノ酸が、Ａｓｎ又はＧｌｎからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項５】
前記のＳＤＦ−１タンパク質のＮ末端領域が、８つのアミノ酸の切断によって改質されることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項６】
前記のＳＤＦ−１タンパク質のＮ末端領域が、最初の２つのアミノ酸の置換及び／又は欠失によって改質されることを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項７】
前記の最初の２つのＮ末端のアミノ酸が、リジン、アルギニン、プロリン、又はグリシンからなる群から選択されるアミノ酸によって置換されることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項８】
Ｎ末端Ｍｅｔを含有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項９】
前記の改質されたＳＤＦ−１分子のアミノ酸配列が、一般式
（Ｍ）n（Ｘ１）m（Ｘ２）pＶＳＬＳＹＲＣＰＣＲＦＦＥＳＨＶＡＲＡＮＶＫＨＬＫＩ（Ｘ３）ＮＴＰＮＣＡＬＱＩ（Ｘ４）ＡＲＬＫＮＮＮＲＱＶＣＩＤＰＫＬＫＷＩＱＥＹＬＥＫＡＬＮＫ（ＧＲＲＥＥＫＶＧＫＫＥＫＩＧＫＫＫＲＱＫＫ ＲＫＡＡＱＫＲＫＮ）o
［式中、Ｘ１は、Ｋ又はＲ残基であり、
Ｘ２は、Ｐ又はＧ残基であり、
Ｘ３は、Ｒ、ＫまたはＨからなる群から選択され、
Ｘ４は、Ｒ、Ｋ、Ｈ、Ｎ又はＱ残基からなる群から選択され、かつ
ｎ及び／又はｍ及び／又はｐ及び／又はｏは、０又は１であってよく、かつ
少なくとも２つの位置Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３又はＸ４が改質される］によって記載されることを特徴とする、ＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項１０】
配列番号６のアミノ酸配列からなることを特徴とする、ＳＤＦ−１突然変異体タンパク質。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質に関してコードすることを特徴とする、単離されたＤＮＡ分子。
【請求項１２】
請求項１１に記載の単離されたＤＮＡ分子を含有することを特徴とするベクター。
【請求項１３】
請求項１２に記載のベクターで形質移入させることを特徴とする、組換え細胞。
【請求項１４】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質、又は請求項１１に記載のＤＮＡ分子、又は請求項１２に記載のベクター及び製剤学的に認容性のキャリヤーを含有することを特徴とする、医薬品組成物。
【請求項１５】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載のＳＤＦ−１突然変異体タンパク質、又は請求項１１に記載のＤＮＡ分子、又は請求項１２に記載のベクターの、癌の治療のための薬剤を製造するための方法における使用。
【請求項１６】
腫瘍の成長及び広がりの過程を、少なくとも部分的に阻害することを特徴とする、請求項１５に記載の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
３０％未満、有利には２０％未満の野生型構造からの遠紫外線ＣＤ分光法によって測定された改質された構造のずれは、本発明による構造維持改質として定義される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明によって、ＳＤＦ−１突然変異体タンパク質は、構造維持法における改質を含むことができ、その際、野生型ＳＤＦ−１構造からの遠紫外線ＣＤ分光法による測定として改質された構造のずれは、３０％未満、有利には２０％未満、有利には１０％未満である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月19日(2013.9.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
コマンドボタン０，Ｌ，Ｍ，Ｈは、例えばコンピュータ画面上のボタンであり、オペレータは、これらのボタンを使用して、作業機械Ｐのモード、すなわち、作業機械Ｐの回転速度を選択することができる。例えば、図１では、４種類の回転速度が図示されているが、選択できる回転速度の数が異なっていてもよい。しかし、回転速度は電気式機械Ｍ１，Ｍ２の極数と、電力源周波数によって決まるため、回転速度が任意の回転速度を取ることができるとは限らない。例えば、制御ボードＵ１，Ｕ２のサイリスタＴ１，Ｔ２、Ｔ３の代わりに、周波数変換器ＦＣまたは非電気式のモーターＨＭを使用する場合には、運転モーターＭ２のうち最小のものを介して、低速の回転速度の範囲において、通常回転速度を任意の回転速度で補うことができる。また、電力源周波数を５０Ｈｚと６０Ｈｚで変更することができる。これにより、回転速度を０，Ｌ，Ｍ，Ｈ間でより変動的に（floating）切り替えることができ、システムの柔軟性が向上する。このような変動周波数は、例えば船舶などの閉鎖型のプラントで可能である。周波数変換器ＦＣを使用する場合については、図３を参照して下記で更に詳細に説明する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一の集積回路上の複数の磁界検知素子を使用して回転および角度位置を検知する非接触検知装置であって、
前記磁界検知素子のいくつかに対する相対的な磁気ターゲットの粗い方向を判定する手段と、
前記判定された粗い方向に依存して１個の磁界検知素子または複数の磁界検知素子の１つの組み合わせを選択する手段と、
前記磁気ターゲットの残りのミスアライメントを前記組み合わせの選択後に計算する手段とを備え、
前記複数の磁界検知素子が極座標に位置決めされ、少なくとも３個の磁界検知素子が少なくとも一方の半分の領域の中で等間隔の角度、かつ、磁石の回転中心であると考えられる中心から一定の半径にあり、
前記複数の磁界検知素子が、放射２π／Ｐに接近または類似した角距離で半径Ｒの全円周上に位置決めされているＰ個の磁界検知素子であり、
前記磁界検知素子の残りのミスアライメントを取得するために選択された磁界検知素子の出力信号の処理手段と、センサ信号コンパレータおよび半円の内部の磁石方向に対し最小信号をもつ磁界検知素子の物理的位置の符号化値を表す値をもつアドレス出力を有する最小信号振幅をもつセンサ出力のセレクタと、全円周機能を可能にするための磁気ターゲットのＮＳ方向のコンパレータとを有し、
前記処理手段が、非線形増幅のための増幅器またはＡ／Ｄ変換器であることを特徴とする非接触検知装置。
【請求項２】
前記磁界検知素子が、ホール効果素子であることを特徴とする請求項１記載の非接触検知装置。
【請求項３】
前記複数のホール効果素子が、２次元アレイの行および列に位置決めされていることを特徴とする請求項２記載の非接触検知装置。
【請求項４】
前記磁界検知素子が対称配置されたことによる円の中心を通る直交した軸の対として定義されるｎ＝２＊Ｐ個の粗い位置のうちの１つを計算する手段と、
前記磁界検知素子の４象限において、
Ｑ１ｎ＝ΣＳｉ  但し、α０ラジアンとπ／２＋α０ラジアンの範囲内でｉ＝ｉｎｔ（ｎ／２＋１）から［Ｐ／４＋ｉｎｔ（ｎ／２−１）］であり、
Ｑ２ｎ＝ΣＳｉ  但し、π／２＋α０ラジアンとπ＋α０ラジアンの範囲内でｉ＝［Ｐ／４＋ｉｎｔ（ｎ／２＋１）］からＰ／２＋ｉｎｔ（ｎ／２−１）であり、
Ｑ３ｎ＝ΣＳｉ  但し、π＋α０ラジアンと３π／４＋α０ラジアンの範囲内でｉ＝［Ｐ／２＋ｉｎｔ（ｎ／２＋１）］から［３Ｐ／４＋ｉｎｔ（ｎ／２−１）］であり、
Ｑ４ｎ＝ΣＳｉ  但し、３π／４＋α０ラジアンと２π＋α０ラジアンの範囲内でｉ＝［３Ｐ／４＋ｉｎｔ（ｎ／２＋１）］からＰ＋ｉｎｔ（ｎ／２−１）であり、
ｉ＞２Ｐ  ならば、  ｉ＝ｉ−２Ｐによって定義され、ｉが指定された対称軸を通る定義済みの零角度に関して前記磁界検知素子を反時計回りにカウントし、（Ｑ３ｎ＋Ｑ４ｎ）−（Ｑ１ｎ＋Ｑ２ｎ）がミスアライメント角度α０の余弦に近い値を表し、（Ｑ１ｎ＋Ｑ４ｎ）−（Ｑ２ｎ＋Ｑ３ｎ）≒ｓｉｎαｎである、出力信号Ｓｉを加算する手段と、
ｓが開始方向を示し、αｘが、［（Ｑ１ｓ＋Ｑ４ｓ）−（Ｑ２ｓ＋Ｑ３ｓ）］／［（Ｑ３ｓ＋Ｑ４ｓ）−（Ｑ１ｓ＋Ｑ２ｓ）］の逆正接関数を実行する手段によって計算される未知初期角度を表すとき、近接位置ｃの計算が式ｎ＝ｉｎｔ［（Ｐ／π）＊αｘ（ラジアン）］によって行われる手段と、
αｃがトラッキングの残りのミスアライメントを表し、ｆが１次近似に対する計算誤差を表すとき、分解能Ｉｄ（ｎ）＝ｌｏｇ２（ｎ）＝ｌｏｇ１０（ｎ）／ｌｏｇ１０（２）をもつデジタル出力の粗い分解能の部分Ｃ＝ｎ＊π／Ｐ、および、ｓｉｎαｃ＝αｃ＋ｆによって定義される細かい分解の部分を有する結果として得られる検知された角度を与える手段と、
細かい分解能の部分のＡ／Ｄ変換とをさらに有していることを特徴とする請求項３記載の非接触検知装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流量測定システムを収容するように構成された非円形のパイプの所定の部分の１つ以上の取り付け寸法を測定する装置において、
前記パイプの前記所定の部分の外周面に沿って測定基準点から周囲方向に測定される複数の位置に取り外し自在に結合されるように構成され且つ前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置の各々で曲率半径を測定するように構成された第１の装置と、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面に沿った前記複数の位置に取り外し自在に結合されるように構成され且つ前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿って壁厚を測定するように構成された第２の装置と、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿った曲率半径及び壁厚を含む測定データを受信するように構成されたプロセッサと、
を具備し、
前記プロセッサは、前記測定データに基づいて前記パイプの前記所定の部分の横断面面積を判定するように構成される装置。
【請求項２】
前記第１の装置は、互いに離間して配置され且つ前記パイプの前記所定の部分の前記外周面と接触するように構成された複数の脚部分を具備する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の装置は、前記複数の脚部分の間に設けられ且つ前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿った曲率半径を指示するように構成されたダイヤルゲージを具備する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ダイヤルゲージは線形可変差動変成器又はデジタルダイヤルゲージを具備する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第２の装置は超音波厚さ測定システムを具備する、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記第２の装置は渦電流厚さ測定システムを具備する、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第２の装置はＸ線厚さ測定システムを具備する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記１つ以上の取り付け寸法は前記パイプの前記所定の部分の横断面面積、壁厚又は直径を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記装置は、長円形の横断面を有するパイプの所定の部分の１つ以上の取り付け寸法を測定するように構成される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
非円形のパイプの所定の部分の外周面に沿って測定基準点から周囲方向に測定される複数の位置に第１の装置を順次結合することと、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置の各々で前記第１の装置によって曲率半径を測定することと、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面に沿った前記複数の位置に第２の装置を取り外し自在に結合することと、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置の各々で前記第２の装置によって壁厚を測定することと、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置の各々における曲率半径及び壁厚を含む測定データに基づいて前記パイプの前記所定の部分の横断面面積を判定することと、
を含む方法。
【請求項１１】
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面に前記第１の装置の複数の脚部分を接触させることを含む、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿った曲率半径を前記第１の装置のダイヤルゲージを使用して測定することを含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿った曲率半径を線形可変差動変成器又はデジタルダイヤルゲージを使用して測定することを含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
流量測定システムを収容するように構成された非円形のパイプの所定の部分の１つ以上の取り付け寸法を測定する装置において、
前記パイプの前記所定の部分の外周面に沿って測定基準点から周囲方向に測定される複数の位置に取り外し自在に結合されるように構成され且つ前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置の各々で曲率半径及び壁厚を測定するように構成された装置と、
前記パイプの前記所定の部分の前記外周面の前記複数の位置に沿った曲率半径及び壁厚を含む測定データを受信するように構成されたプロセッサとを、
具備し、
前記プロセッサは、前記測定データに基づいて前記パイプの前記所定の部分の横断面面積を判定するように構成される装置。
【請求項１５】
前記複数の位置にマーキングするように構成された測定装置を更に具備する、請求項１４に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月31日(2013.10.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１３】
オーバービューカメラ（１０４）とズームカメラ（１０６）以外に、光距離測定装置（２００，３００）も支持台（１）上に設けられており、かつ支持台（１）と一緒に移動すること、そして  
光距離測定装置（２００，３００）の干渉計機構（３００）のためのレーザー（３０１）が、光導波路（５０３）を介して支持台（１）と一緒に移動することを特徴とする請求項１〜１２のいずれか一つに記載の座標測定装置。