【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面及び背面を有するハンドル基板であって、逆バイアス保護を行なうｐｎ接合を有し、且つバイパスダイオードとして機能するハンドル基板と、
複数の太陽電池層を有する多接合逆積み格子不整合型太陽電池であって、第１表面及び第２表面を有し、ハンドル基板の前面に取り付けられている多接合逆積み格子不整合型太陽電池と、
一部がハンドル基板の前面及び多接合逆積み格子不整合型太陽電池の第１表面に隣接して配置されている電気接続素子と、
基板の背面に接続される第１コンタクトと、
多接合逆積み格子不整合型太陽電池の第２表面の一部に接続される少なくとも一つの第２コンタクトとを備え、
ハンドル基板とバイパスダイオードとは１つのアセンブリに合体され、合体されたハンドル基板とバイパスダイオードの前面全体が多接合逆積み格子不整合型太陽電池の第１の表面全体と接触しており、
合体されたハンドル基板とバイパスダイオードが改善されたバイパス保護を、該多接合逆積み格子不整合型太陽電池に提供する、太陽電池アセンブリ。
【請求項２】
ハンドル基板が、シリコン、シリコンオンサファイア、アモルファスシリコン、アルミニウム、及びゲルマニウムから成るグループから選択される材料により構成されるハンドル基板である、請求項１に記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項３】
ハンドル基板がシリコンから構成される請求項２記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項４】
ｐｎ接合が、単純な拡散ｐｎ接合である、請求項１に記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項５】
多接合逆積み格子不整合型太陽電池が電気性能の劣化、破損、接着均一性低下  及び未知の熱サイクル耐性を最小限に抑えたまたは無くした、請求項１記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項６】
電気接続素子が導電金属を含んでいる、請求項１に記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項７】
第１コンタクトが、第１極性を有する金属コンタクトであり、少なくとも一つの第２コンタクトが、第２極性を有する金属コンタクトである、請求項１に記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項８】
太陽電池アセンブリを第２の太陽電池アセンブリに取り付けるために太陽電池アセンブリが相互接続素子に取り付けられており、
太陽電池アセンブリの前記少なくとも１つの第２コンタクトが該相互接続素子の上側部分に取り付けられており、
太陽電池アセンブリの第１のコンタクトが該相互接続素子の下側部分に取り付けられており、該相互接続素子の中央部分が第２の太陽電池アセンブリの電気接続素子に取り付けられている、請求項１記載の太陽電池アセンブリ。
【請求項９】
改善されたバイパス保護をもって、多接合逆積み格子型太陽電池に割れが生じる場合でも該多接合逆積み格子型太陽電池が依然として逆バイアス劣化に対して保護される、請求項１記載の太陽電池セルアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本開示の多くの変形、及び他の実施形態は、本開示に関連し、且つこれまでの記述及び関連する図面に提供される示唆の恩恵を享受するこの技術分野の当業者であれば想到することができると思われる。本明細書において記載される実施形態は、例示であり、且つ限定するためのものではない。特定の用語を本明細書において用いているが、これらの用語は、一般的且つ記述的な意味でのみ使用され、限定するために使用されるのではない。
また、本願は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
前面及び背面を有する基板であって、逆バイアス保護を行なうｐｎ接合を有し、且つバイパスダイオードとして機能する基板と、
複数の太陽電池層を有する多接合太陽電池であって、第１表面及び第２表面を有し、基板の前面に取り付けられている多接合太陽電池と、
一部が基板の前面及び多接合太陽電池の第１表面に隣接して配置されている電気接続素子と、
基板の背面に接続される第１コンタクトと、
多接合太陽電池の第２表面の一部に接続される少なくとも一つの第２コンタクトと
を備える太陽電池アセンブリ。
（態様２）
基板が、シリコン、シリコンオンサファイア、アモルファスシリコン、アルミニウム、及びゲルマニウムから成るグループから選択される材料により構成されるハンドル基板である、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様３）
ｐｎ接合が、単純な拡散ｐｎ接合である、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様４）
多接合太陽電池が逆積み格子不整合型太陽電池である、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様５）
電気接続素子が導電金属を含んでいる、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様６）
第１コンタクトが、第１極性を有する金属コンタクトであり、少なくとも一つの第２コンタクトが、第２極性を有する金属コンタクトである、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様７）
更に、太陽電池アセンブリを第２太陽電池アセンブリに取り付ける相互接続素子を備えており、この相互接続素子が、少なくとも一つの第２コンタクトに取り付けられる上側部分と、第１コンタクトに取り付けられる下側部分と、第２太陽電池アセンブリの電気接続素子に取り付けられる中央部分とを有している、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様８）
衛星、宇宙船、太陽エネルギー駆動航空機、高高度無人航空機、航空機、携帯電源装置、及び飛行船において使用される、態様１に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様９）
前面及び背面を有するシリコンハンドル基板であって、逆バイアス保護を行なうｐｎ接合を有し、且つバイパスダイオードとして機能するシリコンハンドル基板と、
複数の太陽電池層を有する逆積み格子不整合型太陽電池であって、第１表面及び第２表面を有し、第１表面が基板の前面に取り付けられる、逆積み格子不整合型太陽電池と、
一部が基板の前面、及び逆積み格子不整合型太陽電池の第１表面に隣接して配置される電気接続素子であって、導電金属を含む電気接続素子と、
第１極性を有し、且つ基板の背面に接続される第１金属コンタクトと、
第２極性を有し、且つ逆積み格子不整合型太陽電池の第２表面の一部に接続される少なくとも一つの第２金属コンタクトと
を備える逆積み格子不整合型太陽電池アセンブリ。
（態様１０）
更に、太陽電池アセンブリを第２太陽電池アセンブリに取り付ける相互接続素子を備えており、この相互接続素子が、少なくとも一つの第２金属コンタクトに取り付けられる上側部分と、第１金属コンタクトに取り付けられる下側部分と、第２太陽電池アセンブリの電気接続素子に取り付けられる中央部分とを有している、態様９に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様１１）
衛星、宇宙船、太陽エネルギー駆動航空機、高高度無人航空機、航空機、携帯電源装置、及び飛行船において使用される、態様９に記載の太陽電池アセンブリ。
（態様１２）
太陽電池アセンブリの性能を向上させる方法であって、
第１基板の上に、複数の太陽電池層を有する多接合太陽電池であって、第１表面及び第２表面を有する多接合太陽電池を形成することと、
前面及び背面を有する第２基板であって、逆バイアス保護を行なうｐｎ接合を有し、バイパスダイオードとして機能する第２基板を設けることと、
電気接続素子を第２基板の前面に接続することと、
多接合太陽電池の第１表面を第２基板の前面に取り付けることにより、電気接続素子が第２基板の前面及び多接合太陽電池の第１表面に隣接して配置されることと、
第１基板を多接合太陽電池から取り外すことと、
第１コンタクトを第２基板の背面に接続することと、
少なくとも一つの第２コンタクトを、多接合太陽電池の第２表面の一部に接続することと
を含む方法。
（態様１３）
第１基板が、ゲルマニウム、砒化ガリウム、及びシリコンから成るグループから選択される材料により構成される成長用基板である、態様１２に記載の方法。
（態様１４）
第２基板が、シリコン、シリコンオンサファイア、アモルファスシリコン、アルミニウム、及びゲルマニウムから成るグループから選択される材料により構成されるハンドル基板である、態様１２に記載の方法。
（態様１５）
多接合太陽電池が逆積み格子不整合型太陽電池である、態様１２に記載の方法。