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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤を備えた遊技機であって、
前記遊技盤を構成する遊技板の一面には凸部が突設され、前記遊技板の他面には前記凸部が嵌合可能な凹部が形成され、
略同一形状をなす複数の遊技板が積層状に積み重ねられたときには、隣接する遊技板のうち、一方の遊技板の一面の凸部が他方の遊技板の他面の凹部に嵌込まれて積層状に積み重ねられる構成にしてあることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
前記遊技板の一面に複数の凸部が突設され、該遊技板の他面には該複数の凸部にそれぞれ対応する位置において、これら凸部が嵌合可能な凹部がそれぞれ形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
一方の遊技板の一面には、他方の遊技板の他面に突出状に組み付けられた部品が挿入される部品収納凹部が形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の遊技機であって、
前記遊技板の一面には、装備品を位置決めして取り付けるための複数の位置決めピンが突設され、これらの位置決めピンが凸部を兼用する構成にしてあることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体が内部に配置される処理容器と、
この処理容器内に活性化された第１のガスを供給する第１ガス供給口と、
この第１のガスによって活性化される第２のガスを供給する第２ガス供給口とを備え、前記第１のガスによって前記第２のガスを活性化させ、活性化された前記第２のガスを用いて前記被処理体を処理する処理装置において、
前記第１ガス供給口と、前記第２ガス供給口とを、前記処理容器の壁部のうち、前記被処理体に対向する対向壁に設けたことを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記第１ガス供給口は、そのガス噴出方向が前記被処理体の中央部に向かうように配設され、前記第２ガス供給口は、前記第１ガス供給口の周囲に周方向に複数個離間して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記第２ガス供給口は、そのガス噴出方向が前記第１ガス供給口のガス噴出方向に沿うように配設されていることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記第１ガス供給口の前記処理容器内の空間に近接する内周面は、前記処理容器内の空間に近づくにしたがい拡径するようにテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記第２ガス供給口は、前記第１ガス供給口の前記処理容器内の空間に近接する部分の内周面に開口していることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項６】
前記第２ガス供給口は、前記第１ガス供給口の開口縁から６５ｍｍ以内に配置されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の処理装置。
【請求項７】
前記第１ガス供給口が設けられた前記対向壁は、対向壁本体とこの対向壁本体の内側に重ねて設けられたノズル板とを有し、前記ノズル板と前記対向壁本体とが重ね合わされる重ね合わせ面には、前記第１ガス供給口を環状に取り囲むようなガス溜まりが形成され、前記対向壁本体には、前記対向壁本体の外側から前記ガス溜まりに連通し、前記第２のガスを前記ガス溜まりに供給する連通孔が形成され、前記ノズル板には、前記ガス溜まりから前記処理容器の内部空間に開口する前記第２ガス供給口が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項８】
前記ガス溜まりは、前記ノズル板の前記重ね合わせ面に形成された環状凹部と前記対向壁本体との間に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の処理装置。
【請求項９】
前記ノズル板は、前記対向壁本体に着脱可能に固定されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の処理装置。
【請求項１０】
前記第２ガス供給口は、そのガス噴出方向が前記第１ガス供給口の噴出方向に沿うように形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１１】
前記第２ガス供給口は、前記ガス溜まりから前記第１ガス供給口の前記処理容器内の空間に近接する内周面に開口するように形成されていることを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１２】
前記第１のガスは、Ｎ２ガスとＨ２ガスであり、前記第２のガスは、ＮＦ３ガスであることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１３】
前記第２のガスを被処理体表面の酸化膜と反応させて生成膜を形成することを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の処理装置。
【請求項１４】
被処理体の表面に形成された酸化膜を除去するための処理システムであって、
請求項１３に記載の処理装置を有する第１の処理室と、
前記被処理体を加熱する加熱手段を有し、この加熱手段で前記第１の処理室で形成された生成膜を所定の温度に加熱して気化させ、前記生成膜を除去する第２の処理室と、
これら第１の処理室と第２の処理室との間で前記被処理体を搬送する搬送手段と、
を備えたことを特徴とする処理システム。
【請求項１５】
被処理体が内部に配置される処理容器と、
この処理容器内に活性化された第１のガスを供給する第１ガス供給口と、
この第１のガスによって活性化される第２のガスを供給する第２ガス供給口とを備え、
前記第１のガスによって前記第２のガスを活性化させ、活性化された前記第２のガスを用いて前記被処理体を処理する処理装置において、
前記第１ガス供給口は前記処理容器の壁部に前記処理容器内に向かって設けられ、
前記第２ガス供給口は前記第１ガス供給口が設けられている前記処理容器の壁部に前記第１ガス供給口の内周面に向かって設けられていることを特徴とする処理装置。
【請求項１６】
前記第２のガスはＮＦ３ガスであることを特徴とする請求項１５に記載の処理装置。
【請求項１７】
処理容器の内部に被処理体を配置する工程と、
第１ガス供給口により前記処理容器内に活性化された第１のガスを供給する工程と、
第２ガス供給口により前記第１のガスによって活性化される第２のガスを供給する工程とを備え、
前記第１のガスによって前記第２のガスを活性化させ、活性化された前記第２のガスを用いて前記被処理体を処理する処理方法において、
前記処理容器の壁部に設けられた前記第１ガス供給口により前記第１のガスを前記処理容器内に向かって供給し、
前記第１ガス供給口が設けられた前記処理容器の前記壁部に設けられた前記第２ガス供給口により前記第２のガスを前記第１ガス供給口の内周面に向かって供給することを特徴とする処理方法。
【請求項１８】
前記第２のガスはＮＦ３ガスであることを特徴とする請求項１７に記載の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月22日(2009.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
沸騰水型原子炉（ＢＷＲ）の蒸気乾燥器に見込まれる音響負荷を予測するためのシステムであって、
ＢＷＲの縮尺模型、
前記ＢＷＲの縮尺模型に空気流れを発生させるように構成された試験治具と、
システム挙動をモニタするように構成された前記ＢＷＲの縮尺模型に取り付けられた少なくとも１つの測定デバイスと、
を備え、
前記ＢＷＲの縮尺模型は、原子炉圧力容器と、蒸気乾燥器と、少なくとも１つの主蒸気ライン、の縮尺模型であり、
前記ＢＷＲの縮尺模型は、前記原子炉圧力容器と蒸気乾燥器と主蒸気ライン管（１９０）の縮尺模型ための、管長さ調整部（２００）またはリリーフ弁入口長さ調整部（３００）を含む調整可能構成要素を備えることを特徴とする音響負荷予測システム。
【請求項２】
前記調整可能な構成要素が、第１の管区画（２１０）を第２の管区画（２２０）へ挿入し或いはこの第２の管区画（２２０）から抜き出して、前記管長さ調整部（２００）の有効長を変更することを特徴とする請求項１記載の音響負荷予測システム。
【請求項３】
前記試験治具が空気流を発生させるように構成された少なくとも１つの送風機（１３０）を備えることを特徴とする請求項１または２記載の音響負荷予測システム。
【請求項４】
前記試験治具が、そこから前記縮尺模型に空気を搬送するように構成された入口管、および前記試験治具を前記縮尺模型に連結し、前記試験治具によって前記システムに入るノイズを低減するように構成されたマフラ（１６０）をさらに備え、前記入口管が空気を前記マフラに移送するようにも構成されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の音響負荷予測システム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの測定デバイス（５０）が、システム内の圧力変動を測定するように構成されたことを特徴とする請求項１記載の音響負荷予測システム。
【請求項６】
前記少なくとも１つの測定デバイス（５０）が、さらに、全システム空気流れ、前記縮尺模型内の絶対空気静圧、および前記システム内の空気温度のうちの少なくとも１つをモニタすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つの主蒸気ラインが前記少なくとも１つの調整可能構成要素に結合され、この調整可能構成要素は、更に、調整可能な主蒸気隔離弁（８００）、調整可能なタービン塞止弁（４００）、および調整可能なタービン制御弁（４００）から選択された少なくとも１つの調整可能な構成要素と連結するようになされたことを特徴とする請求項１記載の音響負荷予測システム。
【請求項８】
沸騰水型原子炉（ＢＷＲ）の蒸気乾燥器に見込まれる音響負荷を予測するための方法であって、
圧力容器と蒸気乾燥器と少なくとも１つの主蒸気ラインとを含む、評価対象のＢＷＲの縮尺模型であって、少なくとも前記圧力容器と蒸気乾燥器と少なくとも１つの主蒸気ラインのいずれか１つのための管長調整部を含む縮尺模型を提供するステップと、
前記縮尺模型を通る空気流れを発生させるステップと、
評価されている前記ＢＷＲでのプラント動作に音響負荷がどのように影響を与えるか予測するために、前記縮尺模型のシステム挙動をモニタするモニタステップとを含み、
前記モニタステップは、前記縮尺模型に含まれる管長調整部を調整するステップを含むことを特徴とする音響負荷予測方法。
【請求項９】
モニタするステップが、前記システム内の圧力変動、全システム空気流れ、前記縮尺模型内の絶対空気静圧、および前記システム内の空気温度のうちの少なくとも１つをモニタするステップを含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
いくつかのＣＦＤ分析が蒸気乾燥器に見込まれる負荷を理解しようとして行われてきた。しかし、この手法を評価するための経験的なデータの不足、蒸気システムを概算するのに必要になる模型の物理的な寸法、蒸気乾燥器の不安定な圧力変動の正確な予測を行うのに必要になる計算資源によってこの手法が実用的になることを妨害する。この技術は、ＢＷＲ蒸気システムによって示される産業の複雑な問題に対して使用するにはまだ十分に円熟していない。
【非特許文献１】Busan, “Flatter model technology”, WL-TR-97-3074, Flight dynamic directorate, Wright Laboratory, 1998
【非特許文献２】Takahashi et al., "Evaluation of flow-Induced Vibration for fixed type Guide Rods of Shroud Head and Steam Dryer in ABWR", Proc. Of CONE 10 10th Internat. Conf. on Nuclear Engineering, Arlington, VA, April 14018, 2002.
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ＢＷＲ蒸気乾燥器に見込まれる音響的負荷を予測する方法は、評価されるＢＷＲの縮尺模型１２０を提供するステップと、ＢＷＲの縮尺模型１２０を通る空気流を発生させるステップを含むことができる。評価されるＢＷＲにおいて音響負荷がプラントの動作にどのように影響するか予測するために、ＢＷＲの縮尺模型１２０のシステム挙動をモニタすることができる。モニタするステップはさらに、ＢＷＲの縮尺模型試験システム１００の１つまたは複数の圧力変動、ＢＷＲの縮尺模型試験システム１００の全空気流れ、ＢＷＲの縮尺模型試験システム１００の絶対空気静圧（ａｂｓｏｌｕｔｅ ｓｔａｔｉｃ ａｉｒ ｐｒｅｓｓｕｒｅ）、およびＢＷＲの縮尺模型試験システム１００の空気温度をモニタするステップ、および／または（たとえば管長さ調整器または調整部（以下「調整器」）２００、リリーフ弁入口長さ調整器３００など）１つもしくは複数の調整可能な構成要素を調整するステップ、測定値を記録するステップ、および／または１つもしくは複数の調整可能な構成要素をさらに調整するステップ、および追加の測定値を記録するステップとを含み、それによってＢＷＲの縮尺模型試験システム１００に関するパラメトリックデータ（ｐａｒａｍｅｔｒｉｃ ｄａｔａ）を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン源（１０）であって、
サンプルを収容するためのサンプルプレート（１５）と、
前記サンプルをイオン化するためのレーザ放射を生成するレーザ（３０）と、
前記サンプルプレート（１５）上の目標エリアに向かって第１の光路に沿って前記レーザ放射を誘導するように配置された第１の光学素子（３２）と、
前記目標エリア上に前記レーザ放射を集束させるために前記第１の光路に沿って配置された第２の光学素子（３８）と、
を備え、
前記第１の光学素子（３２）及び前記第２の光学素子（３８）は、前記目標エリアから反射された光が該第１の光学素子（３２）及び該第２の光学素子（３８）を通って前記第１の光路に沿って進行するように配置され、該第１の光学素子（３２）は第１の方向に沿って前記レーザ放射を反射し、且つ前記目標エリアから反射されて前記第１の光路を第２の方向に横断してきた光を透過する、イオン源。
【請求項２】
前記プレートの表面を視認するための撮像デバイス（４０）をさらに備え、該撮像デバイスは、前記目標エリアから反射されて前記第１の光学素子（３２）と前記第２の光学素子（３８）との間の前記第１の光路を前記第２の方向に横断してきた光を受光するように配置される、請求項１に記載のイオン源。
【請求項３】
前記第１の方向及び前記第２の方向は互いに垂直である、請求項１または２に記載のイオン源。
【請求項４】
前記第１の光学素子（３２）と前記第２の光学素子（３８）との間の前記第１の光路内に配置された第３の光学素子（３６）をさらに備え、該第３の光学素子（３６）は、前記第１の光学素子（３２）と前記第２の光学素子（３８）との間で前記レーザ放射を誘導し、且つ前記第２の光学素子（３８）から到来する反射光を前記第１の光学素子（３２）に誘導するように配置される、請求項２に記載のイオン源。
【請求項５】
前記レーザは紫外線（ＵＶ）放射を含み、前記第３の光学素子（３６）は紫外線（ＵＶ）ミラーを含む、請求項４に記載のイオン源。
【請求項６】
マトリックス支援レーザ脱離イオン化のための方法であって、
サンプルプレート（１５）上の目標エリアに、該目標エリア内のサンプルをイオン化するためのレーザ放射を含む紫外線（ＵＶ）放射を、第１の光路に沿って誘導するステップと、
前記目標エリアから反射され、前記第１の光路を横断する光放射を収集するステップと、
を含む、方法。
【請求項７】
前記サンプルプレート（１５）の表面上の目標エリアを照明するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の光路の第１の端部において、前記反射された光放射を前記紫外線放射から分割するステップをさらに含み、
前記反射された光放射及び前記紫外線放射は、前記第１の光路に沿って逆方向に進行する、請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の光路を横断する前記紫外線放射を前記サンプルプレート（１５）の前記目標エリア上に集束するステップをさらに含む、請求項６、７、または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の光路内に配置された紫外線（ＵＶ）レンズを用いて、前記集束するステップを実行するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月13日(2009.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体分子と標的物質を含む試料から該標的物質を捕捉するための捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体であって、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記結合用官能基が結合した標的物質補足用のポリマーと、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合した抑制用ポリマーと、
を有し、
前記標的物質捕捉用のポリマーと前記抑制用ポリマーの両方の側鎖にも、前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合している
ことを特徴とする捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体。
【請求項２】
前記抑制用官能基は、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、スルホニル基、ホスホニル基、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、イソプロピルアミノ基、アミド基、メチルアミド基、エチルアミド基、イソプロピルアミド基、ピロリドン基、エチレングリコール基およびその重合体、コリン基、ホスファチジルコリン基のいずれかである請求項１に記載の構造体。
【請求項３】
前記結合用官能基は、カルボキシル基、アルデヒド基、スクシイミド基、マレイミド基、グリシジル基、アミノ基のいずれかである請求項１に記載の構造体。
【請求項４】
前記ポリマーは、ビニル系の高分子化合物からなる請求項１に記載の構造体。
【請求項５】
前記ビニル系の高分子化合物は、側鎖に、ヒドロキシル基、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、２−ヒドロキシエチル基、２−ヒドロキシプロピル基、２−ヒドロキシイソプロピル基、２−ヒドロキシブチル基、スルホニル基、ホスホニル基、アミノ基、メチルアミノ基、エチルアミノ基、イソプロピルアミノ基、アミド基、メチルアミド基、エチルアミド基、イソプロピルアミド基、ピロリドン基、エチレングリコール基およびその重合体、コリン基、ホスファチジルコリン基のいずれかを有するモノマーの重合体である請求項４に記載の構造体。
【請求項６】
前記基体上の前記ポリマーの密度は、０．１分子／nm2以上１．０分子／nm2以下の範囲にある請求項１乃至５のいずれかに記載の構造体。
【請求項７】
前記ポリマーの平均分子量は、５００以上１０００００以下の範囲にある請求項１乃至６のいずれかに記載の構造体。
【請求項８】
前記結合用官能基に前記捕捉分子が結合した請求項１乃至７のいずれかに記載の構造体。
【請求項９】
生体分子と標的物質を含む試料から該標的物質を捕捉するための捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体の製造方法であって、
基体表面を基点とし、前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基を側鎖に有する不飽和モノマーを重合させて、一端が該基体表面に結合した主鎖を有するポリマーを成長させる工程と、
前記重合で得られたポリマーの主鎖の成長端に、前記結合用官能基と硫黄原子を含有する連鎖移動剤と、前記抑制用官能基と硫黄原子を含有する連鎖移動剤を含有する連鎖移動剤と、を反応させて、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記結合用官能基が結合した標的物質補足用のポリマーと、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合した抑制用ポリマーと、
を得る工程と、
を有することを特徴とする捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体の製造方法。
【請求項１０】
光源と、光を検出する検知装置と、検体と検体中の標的物質を捕捉するための捕捉分子とを接触させるための反応領域と、を備え、光学的手法により検体中の標的物質を検出する検出装置であって、前記反応領域内に請求項８に記載の構造体を配したことを特徴とする検体中の標的物質を検出する検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明により提供される生体分子と標的物質を含む試料から該標的物質を捕捉するための捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体は、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記結合用官能基が結合した標的物質補足用のポリマーと、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合した抑制用ポリマーと、
を有し、
前記標的物質捕捉用のポリマーと前記抑制用ポリマーの両方の側鎖にも、前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合している
ことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明により提供される生体分子と標的物質を含む試料から該標的物質を捕捉するための捕捉分子を結合させるための結合用官能基を基体上に備えた構造体の製造方法は、
基体表面を基点とし、前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基を側鎖に有する不飽和モノマーを重合させて、一端が該基体表面に結合した主鎖を有するポリマーを成長させる工程と、
前記重合で得られたポリマーの主鎖の成長端に、前記結合用官能基と硫黄原子を含有する連鎖移動剤と、前記抑制用官能基と硫黄原子を含有する連鎖移動剤を含有する連鎖移動剤と、を反応させて、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記結合用官能基が結合した標的物質補足用のポリマーと、
主鎖の一端に前記基体が結合し、他端に硫黄原子を介して前記生体分子の前記構造体への吸着を抑制する抑制用官能基が結合した抑制用ポリマーと、
を得る工程と、
を有することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スケール（１１〜１５）と担持体（５１〜５５）の間で接合結合部を製造することにより、担持体（５１〜５５）にスケール（１１〜１５）を固定するための方法において、
接合結合が二次元パターンで配分された状態で設けられており、互いに間隔をおいて設けられた多数のスケール（１１〜１５）の表面領域（６１〜６５）で行われており、これらの表面領域が各々管路（２００）により互いに分離していることを特徴とする方法。
【請求項２】
接合結合が直接接合、低温接合あるいは陽極接合により行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
表面領域（６１〜６５）が隆起部（３１〜３５）により形成され、これらの隆起部がスケール（１１〜１５）の厚さよりもごくわずかしかない相互間隔を備えていることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
接合結合に加えて別の結合が実施されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
【請求項５】
スケールを備えた担持体であって、この場合スケール（１１〜１５）が担持体（５１〜５５）において接合により固定されている担持体において、
接合が二次元パターンで配分された状態で設けられており、互いに間隔をおいて設けられた多数のスケール（１１〜１５）の表面領域（６１〜６５）で行われており、これらの表面領域が各々管路（２００）により互いに分離していることを特徴とする担持体。
【請求項６】
スケール（１１〜１５）および／または担持体（５１〜５５）に隆起部（３１〜３５）が形成されており、この隆起部が互いに間隔をおいて設けられた表面領域（６１〜６５）を形成していることを特徴とする請求項５記載の担持体。
【請求項７】
表面領域（６１〜６５）が隆起部（３１〜３５）により形成され、これらの隆起部がスケール（１１〜１５）の厚さよりもごくわずかしかない相互間隔を備えていることを特徴とする請求項５記載の担持体。
【請求項８】
接合結合に加えて別の結合部が設けられていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載の担持体。
【請求項９】
担持体（５，５０）に固定するための固定面を備えたスケールにおいて、
固定面が二次元パターンで配分された状態で設けられており、互いに間隔をおいて設けられた隆起部（３，３０）により形成されており、この場合隆起部（３，３０）が各々、担持体（５，５０）の対向面（４，４０）と接合結合を作るための接合可能な表面（６，６０）を備えていることを特徴とするスケール。
【請求項１０】
表面領域（６１〜６５）が隆起部（３１〜３５）により形成され、これらの隆起部がスケール（１１〜１５）の厚さよりもごくわずかしかない相互間隔を備えていることを特徴とする請求項９記載のスケール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジェット気流から電力を創出するためのシステムであって、
地面からジェット気流が存在する高度まで延伸する長さを有する一体型パイプラインと前記高度で前記パイプライン上に配されたセイル・ラインを備え、
前記セイル・ラインは電力創出のための少なくとも１つの発電機を作動させるために機能することを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記一体型パイプラインが自重を支持することを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記一体型パイプラインが互いの上方に次々と配された複数のモジュールで形成されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。  
【請求項４】
前記独立したモジュールが少なくとも自重を支持するよう形成されることを特徴とする請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記独立したモジュールが自重の支持を可能にする浮力を有することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記モジュールが中空のほぼ円筒形状を有し、前記円筒形状がわずかに切頭したコーン形状であるとともに小型の下方直径部及び大型の上方直径部を有することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記モジュールが側壁に厚みをさらに有し、該厚みは前記下方直径部から前記上方直径部につれて減少しながら変化することを特徴とする請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記ジェット気流の速度の半分以下及びほぼ３分の１の間で変化するよう制御された速度で前記セイル・ラインが前記ジェット気流によって配されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記セイル・ラインが前記少なくとも1つの発電機に機械的に接続されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも1つの発電機が地面に配されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記少なくとも1つの発電機が前記一体型パイプライン内に配されることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記長さがほぼ１７キロメートルであることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）無機ナノ粒子のスラリを形成するステップと、
（ｂ）無機ナノ粒子のスラリを、非晶質アルミナ安定化剤に接触させるステップと、
（ｃ）前記スラリを、アルミナ供給源と接触させて、アルミナ処理した無機ナノ粒子を形成するステップと、
（ｄ）ナノ粒子が約５０から約３００ｎｍに及ぶ中央粒径を有する、アルミナ処理した無機ナノ粒子を回収するステップと、
（ｅ）ステップ（ｄ）で回収されたナノ粒子をミリング処理にかけて、同様の条件下でミリング処理されたシリカ処理を含む無機ナノ粒子よりも、約１５％小さい粒径を有するナノ粒子を形成するステップと
を含むことを特徴とする、アルミナ処理した無機ナノ粒子を作製するための方法。
【請求項２】
前記無機ナノ粒子は、二酸化チタンを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記非晶質アルミナ安定化剤を、クエン酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、およびフッ化物イオンの群から選択することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ステップ（ｂ）の前に、無機ナノ粒子の前記スラリをアルミン酸ナトリウムに接触させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記アルミナ供給源は、アルミン酸ナトリウムであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ミリング処理を、超微粉砕機、ボールミル、または媒体ミルを使用して実現することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ステップ（ｅ）で形成されたナノ粒子は、同様の条件下でミリング処理された、シリカ処理した無機ナノ粒子よりも、約１０％小さい粒径を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記処理した無機ナノ粒子を、オクチルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリヒドロキシステアリン酸、およびポリヒドロキシシロキシドの少なくとも１つに接触させるステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記処理した無機ナノ粒子を、シラン処理することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
本発明の開示の、例示的および好ましい実施形態の記述は、この開示の範囲を限定しようとするものではない。添付特許請求項の範囲の真の精神および範囲から逸脱することなく、様々な変更例、代替構成、および均等物を用いることができる。
なお、本発明の好ましい態様としては、以下のものを挙げることができる。
１．  （ａ）無機ナノ粒子のスラリを形成するステップと、
（ｂ）無機ナノ粒子のスラリを、非晶質アルミナ安定化剤に接触させるステップと、
（ｃ）前記スラリを、アルミナ供給源と接触させて、アルミナ処理した無機ナノ粒子を形成するステップと、
（ｄ）ナノ粒子が約５０から約３００ｎｍに及ぶ中央粒径を有する、アルミナ処理した無機ナノ粒子を回収するステップと、
（ｅ）ステップ（ｄ）で回収されたナノ粒子をミリング処理にかけて、同様の条件下でミリング処理されたシリカ処理を含む無機ナノ粒子よりも、約１５％小さい粒径を有するナノ粒子を形成するステップと
を含むことを特徴とする、アルミナ処理した無機ナノ粒子を作製するための方法。
２．  前記無機ナノ粒子を、金属酸化物、混合金属酸化物、金属水酸化物、金属硫化物、金属炭酸塩、金属硫酸塩、シリカ、およびこれらの混合物から選択することを特徴とする前記１．に記載の方法。
３．  金属を、Ｃａ、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｃｅ、およびＡｌから選択することを特徴とする前記２．に記載の方法。
４．  前記無機ナノ粒子は、二酸化チタンを含むことを特徴とする前記２．に記載の方法。
５．  前記非晶質アルミナ安定化剤は、陰イオンであることを特徴とする前記１．に記載の方法。
６．  前記陰イオンを、クエン酸イオン、リン酸イオン、硫酸イオン、およびフッ化物イオンの群から選択することを特徴とする前記５．に記載の方法。
７．  ステップ（ｂ）の前に、無機ナノ粒子の前記スラリをアルミン酸ナトリウムに接触させるステップをさらに含むことを特徴とする前記１．に記載の方法。
８．  前記アルミナ供給源は、アルミン酸ナトリウムであることを特徴とする前記１．に記載の方法。
９．  前記ミリング処理を、超微粉砕機、ボールミル、または媒体ミルを使用して実現することを特徴とする前記１．に記載の方法。
１０．  ステップ（ｅ）で形成されたナノ粒子は、同様の条件下でミリング処理された、シリカ処理した無機ナノ粒子よりも、約１０％小さい粒径を有することを特徴とする前記１．に記載の方法。
１１．  前記処理した無機ナノ粒子を、有機組成物に接触させるステップをさらに含むことを特徴とする前記１．に記載の方法。
１２．  前記処理した無機ナノ粒子を、シラン処理することを特徴とする前記１．に記載の方法。
１３．  前記有機組成物は、オクチルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリエトキシシラン、ポリヒドロキシステアリン酸、およびポリヒドロキシシロキシドの少なくとも１つを含むことを特徴とする前記１１．に記載の方法。
１４．  前記陰イオン供給源は、クエン酸を含むことを特徴とする前記５．に記載の方法。
１５．  前記陰イオン供給源は、リン酸を含むことを特徴とする前記５．に記載の方法。
１６．  前記陰イオン供給源は、硫酸ナトリウムを含むことを特徴とする前記５．に記載の方法。
１７．  前記陰イオン供給源は、フッ化カリウムを含むことを特徴とする前記５．に記載の方法。
１８．  有機または水性媒体中に分散された、前記１．に記載の方法によって作製された無機ナノ粒子を含むことを特徴とする、紫外線をスクリーニングするための組成物。
１９．  前記無機ナノ粒子は、二酸化チタンを含むことを特徴とする前記１８．に記載の組成物。
２０．  熱可塑性材料中に分散された、前記１．に記載の方法によって作製された無機ナノ粒子を含むことを特徴とする熱可塑性組成物。
２１．  前記無機ナノ粒子は、二酸化チタンを含むことを特徴とする前記２０．に記載の熱可塑性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン単独重合体、またはエチレンとα−オレフィンの共重合体から選ばれ、その密度が０．９０以上であるポリオレフィンを塩素化して得られる塩素化ポリオレフィンであって、且つ、塩素含有量が２５〜４５質量％、２１．６ｋｇ荷重、１８０℃で測定したメルトフローレートが０．１〜３００ｇ／１０分、ＤＳＣ法による結晶融解熱量が２０〜６０Ｊ／ｇである塩素化ポリオレフィン１００質量部と；エポキシ化不飽和油脂類、エポキシ化不飽和脂肪酸エステル類、エピクロルヒドリン誘導体、エポキシシクロヘキサン誘導体から選ばれるエポキシ誘導体１〜１５質量部と；ハイドロタルサイト石群から選ばれる安定剤０．０５〜３質量部とを含有することを特徴とする塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項２】
更に脂肪酸誘導体から選ばれる滑剤を０．０５〜３質量部含有することを特徴とする請求項１記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項３】
反撥弾性が６０以下であり、かつ、ＪＩＳＡの硬度が５０〜９０であることを特徴とする請求項１または２記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項４】
内部ヘーズが３％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項５】
エポキシ誘導体がエポキシ化大豆油であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項６】
ハイドロタルサイト石群から選ばれる安定剤がハイドロタルサイトであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか記載の塩素化ポリオレフィン組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物またはその架橋物を含み、且つ、医療用具、介護用品または医薬用包材を構成すべきチューブ、シート、フィルムまたは型物成形部品の形態を有する物品。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物またはその架橋物を含み、且つ、食品用の容器または包装材料を構成するシート、フィルムまたは産業用のホース、シートまたは食品容器用、産業用の型物成形部品の形態を有する物品。
【請求項９】
γ線照射によって滅菌された請求項７または８記載の物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（安定剤）
本発明に用いられるハイドロタルサイト石群から選ばれる安定剤とは、一般式が
ＭｇaＭｅb（ＯＨ）cＣＯ３・ｎＨ２Ｏ（ただし、ＭｅはＡｌ、ＣｒまたはＦｅを、ａは１〜１０の正数を、ｂは１〜５の正数を、ｃは１０〜２０の正数を、またｎは０〜８の数をそれぞれ表わす。）で示される化合物である。上式においてｎが０というのは、該化合物を２５０〜３５０℃の温度で焼成して結晶水を除去したものに相当する。該化合物の平均粒径は一般には０．１〜１５０μｍであり、なかでも０．５〜１００μｍのものが好ましい。ハイドロタルサイト石 群の例としてはＭｇ４．５Ａｌ２（ＣＯ３）（ＯＨ）１３・３．５Ｈ２０、Ｍｇ６Ａｌ２（ＣＯ３）（ＯＨ）１６・４Ｈ２０等が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ハイドロタルサイトは天然にも存在する鉱物であるが、合成物が用いられるのが一般的である。本発明においても式１の構造を有する合成ハイドロタルサイトが好適である。
ＭｇaＡｌb（ＯＨ）cＣＯ３・ｎＨ２Ｏ  （式１）
式１中ａは１〜１０の正数を、ｂは１〜５の正数を、ｃは１０〜２０の正数を、またｎは０〜８の数をそれぞれ表わす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
〔比較例１〕
塩素含有量を２０質量％とする以外は、実施例１と同じ原料ポリオレフィン、条件で塩素化した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
【表１】
2006342343.tif 000001
＊ＨＬＭＦＲ；荷重２１．６ｋｇのメルトフローレート
＊ＥＳＢＯ；エポキシ化大豆油
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁で囲繞される開口容器を形成し側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと額縁状周辺部に共晶合金めっき層を設けた金属リッドとを具備し、前記ベースのメタライズ層に前記リッドの共晶合金めっき層を溶融したろう接材により前記ベースと前記リッドを気密封着する電子部品用パッケージにおいて、前記リッドおよび前記ベースの少なくとも一方の周辺に沿って設けた突起部分、または前記ベースの側壁端面側と前記リッドのめっき側との間に配置したスペーサにより、前記ベースと前記リッドの間に微小隙間を形成し、この微小隙間部分に加熱溶融状態の前記ろう接材を流入充填して前記ベースとリッドを固着したことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【請求項２】
前記共晶合金めっき層はＡｕ−Ｓｎ合金からなり、前記ろう接材はＡｕ−Ｓｎ合金の加熱溶融固着体であり、前記微小隙間部分に前記Ａｕ−Ｓｎ合金を液相温度以上に加熱して所定量が流入充填されることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージ。
【請求項３】
側壁で囲繞される開口容器を形成し側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと、金属板の額縁状周辺部にＡｕ−Ｓｎ合金めっき層を設けた前記開口容器を閉止する金属リッドとを具備するパッケージであって、前記セラミックベースと前記金属リッド間に隙間形成手段により所定の微小空間を形成し、前記Ａｕ−Ｓｎ合金めっき層の加熱溶融体を流入充填してろう接材とし前記セラミックベースと前記金属リッドとを気密封着すると共に前記ろう接材の厚みを規制して固着したことを特徴とする電子部品用パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明によれば、側壁で囲繞される開口容器を形成し側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと額縁状周辺部に共晶合金めっき層を設けた金属リッドとを具備し、前記メタライズ層と前記共晶合金めっき層を加熱溶融して固着したろう接材で前記セラミックベースと前記金属リッドを気密封着する電子部品用パッケージにおいて、隙間形成手段が前記側壁端面および前記額縁状周辺部の間に設けられ、この隙間形成手段の形成する微小隙間に前記ろう接材を配置したことを特徴とする電子部品用パッケージが提供される。
換言すると、側壁で囲繞される開口容器を形成し側壁端面にメタライズ層を有するセラミックベースと額縁状周辺部に共晶合金めっき層を設けた金属リッドとを具備し、前記ベースのメタライズ層に前記リッドの共晶合金めっき層を溶融したろう接材により前記ベースと前記リッドを気密封着する電子部品用パッケージにおいて、前記リッドおよび前記ベースの少なくとも一方の周辺に沿って設けた突起部分、または前記ベースの側壁端面側と前記リッドのめっき側との間に配置したスペーサにより、前記ベースと前記リッドの間に微小隙間を形成し、この微小隙間部分に加熱溶融状態の前記ろう接材を流入充填して前記ベースとリッドを固着したことを特徴とする電子部品用パッケージである。ここで、前記共晶合金めっき層はＡｕ−Ｓｎ合金からなり、前記ろう接材はＡｕ−Ｓｎ合金の加熱溶融固着体であり、前記微小隙間部分に前記Ａｕ−Ｓｎ合金を液相温度以上に加熱して所定量が流入充填される。さらに、Ａｕ−Ｓｎ合金めっき層の溶融固着体であるろう接材は、隙間形成手段が形成した微小空間に合金液相温度で溶融して所定量が流入充填され、セラミックベースと金属リッドとを気密封着する。金属リッドとセラミックベースの接合端面との間に微小空間または所定幅のスペースギャップを形成する隙間形成手段は、微小隙間に溶融して浸入させるろう接材を量的に規制して気密封着する電子部品用パッケージを提供する。隙間形成手段は金属リッドまたはセラミックベースの少なくとも一方の周辺に沿って形成した突起・凸部、あるいは、セラミックベースの側壁端面部と金属リッドの周辺部分との間に配置したスペーサであり、ろう接材となる共晶合金めっき層はＡｕ−Ｓｎ合金めっき層の溶融固着体であり、隙間形成手段が形成する微小空間に所定量のＡｕ−Ｓｎ合金めっき層が溶融状態になった時に毛管現象で充填される。この場合、共晶合金の組成変動に拘わらず合金液相温度で溶融封着し、セラミックベースと金属リッドとの接合強度と寸法精度を満足する電子部品用パッケージを開示する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配置された円形状のゲート電極開口部を有するゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して配置された半導体層と、
前記半導体層上に配置されたソース及びドレイン電極を含み、
前記ソース及びドレイン電極のいずれか一方が中央に配置され、他方がそれを囲むように同心円状に配置され、
前記同心円状に配置されたソース及びドレイン電極間にチャネル領域を有し、
前記ゲート電極開口部の外径は前記中央に配置されたソース又はドレイン電極の外径より小さく、かつ前記ゲート電極開口部の外径が前記ソース又はドレイン電極の外径内に納まるように配置されている
ことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体層は、前記ゲート電極開口部に対応する半導体層開口部を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート電極開口部は前記ソース又はドレイン電極に対して同軸上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記薄膜トランジスタの実効Cgs面積S'が、約１５０πμm２以下であり、
チャネル幅Ｗ対チャネル長Ｌ比（W/L）が、約４．５以上であり、
実効Cgs面積S'への充電能力指標Fが、約５０以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記実効Cgs面積S'はπ×（（D＋L）/２）×（（D＋L）/２）−π×（ｄ/２）×（ｄ/２）なる式より、前記チャネル幅W対チャネル長L比（W/L）はπ×（D/L+1）なる式より、及び前記実効Cgs面積S'への充電能力指標FはS÷（W/L）なる式より算出される
ことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
表示セルがマトリクス状に配置された表示装置であって、前記表示セルが請求項１に記載の薄膜トランジスタを
含むことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
基板上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極に円形状のゲート電極開口部を形成する工程、
前記開口部が形成されたゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して半導体層を形成する工程、
前記半導体層上にフォトレジストを形成する工程、
前記ゲート電極をマスクとして、前記基板底部から背面露光を行い、円形状の遮光膜を有するフォトマスクを介して、前記フォトレジスト上部より正面露光を行うことにより前記フォトレジストを感光させる工程、
前記背面及び正面露光により感光されたフォトレジストを現像除去した後、残存するリング形状のフォトレジストをマスクとして半導体層をエッチングして、リング形状の半導体層形成する工程、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記フォトマスクの遮光膜は、前記ゲート電極に形成された前記ゲート電極開口部に対して同軸上に配置される
ことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板上にゲート電極を形成する工程、
前記ゲート電極に円形状のゲート電極開口部を形成する工程、
前記開口部が形成されたゲート電極上に、ゲート絶縁膜を介して半導体層を形成する工程、
前記半導体層上にフォトレジストを形成する工程、
中央部に円形開口を有する遮光膜が形成されたフォトマスクを介して、前記フォトレジスト上部より正面露光を行い前記フォトレジストを感光させる工程、
前記正面露光により感光されたフォトレジストを現像除去した後、残存するリング形状のフォトレジストをマスクとして半導体層をエッチングして、リング形状の半導体層を形成する工程、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記実効Cgs面積S'はπ×（（D＋L）/２）×（（D＋L）/２）−π×（ｄ/２）×（ｄ/２）なる式より、前記チャネル幅W対チャネル長L比（W/L）はπ×（D/L+1）なる式より、及び前記実効Cgs面積S'への充電能力指標FはS÷（W/L）なる式より算出される
ことを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップと電気的に接続された複数の第１外部接続用端子とをそれぞれ有する複数の半導体装置と、
主面と、前記主面に形成された複数の電極パッドと、前記主面とは反対側に位置する裏面と、前記裏面に形成された複数の第２外部接続用端子とを有し、前記複数の半導体装置のそれぞれの前記複数の第１外部接続用端子が前記複数の電極パッドとそれぞれ電気的に接続するように、前記主面に前記複数の半導体装置が実装された配線基板と、
前記複数の半導体装置を封止するように、前記配線基板の前記主面に形成されたカバー部材と、
を含むことを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置において、
前記複数の第１外部接続用端子は、前記樹脂封止体の側面から突出していることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電子装置において、
前記カバー部材に識別ラベルが貼り付けられていることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電子装置において、
前記第２外部接続用端子は、導電膜から成る複数の電極パッドであることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電子装置において、
前記カバー部材は、前記複数の半導体装置を封止する第２樹脂封止体であることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
請求項１に記載の電子装置において、
前記複数の半導体装置は、前記配線基板の主面に平面的に配置された複数の第１半導体装置と、前記複数の第１半導体装置に対応して前記複数の第１半導体装置上に配置された複数の第２半導体装置とを含むことを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項１に記載の電子装置において、
前記半導体チップは、ＮＯＲ型、ＡＮＤ型、ＮＡＮＤ型、ＡＳＩＣ、又は電子情報の電気的な書き換えが可能なＥＥＰＲＯＭの何れかであることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項５に記載の電子装置において、
前記第２樹脂封止体は、前記半導体装置の実装後の高さよりも厚い第１部分と、前記第１部分に連なり、前記第１部分よりも厚さが厚い第２部分とを有することを特徴とする電子装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電子装置において、
前記第２部分は、前記第１部分よりも面積が小さいことを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の電子装置において、
前記第２樹脂封止体は、平面が方形状で形成され、
前記第２部分は、前記第２樹脂封止体の一辺に沿って形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子装置において、
前記配線基板の主面には、受動部品が実装されており、
前記複数の半導体装置は、前記受動部品と前記配線基板の周辺との間に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の電子装置において、
前記受動部品は、前記配線基板の主面の中央部に配置されていることを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
請求項４に記載の電子装置において、
前記配線基板の前記裏面の平面は、方形状から成り、
前記複数の電極パッドは、前記配線基板の前記裏面の各辺に沿って配置され、
前記複数の電極パッドのうち、前記配線基板の角部を挟んで隣り合う２つの電極パッドは、基準電位に電位固定される電極パッドであることを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光を観察する手段と、
前記レーザ光を観察する手段を第１の位置と第２の位置との間で移動する手段と、を有し、
前記第１の位置は、前記レーザ光が入射する位置であり、
前記第２の位置は、前記レーザ光が入射しない位置であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部と、前記光学系によって整形されたレーザ光に対して透光性を有する窓とを有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光を観察する手段と、
前記レーザ光を観察する手段を第１の位置と第２の位置との間で移動する手段と、を有し、
前記第１の位置は、前記レーザ光が入射する位置であり、
前記第２の位置は、前記レーザ光が入射しない位置であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、
前記レーザ光の形状又は焦点を観察する手段を第１の位置と第２の位置との間で移動する手段と、を有し、
前記第１の位置は、前記レーザ光が入射する位置であり、
前記第２の位置は、前記レーザ光が入射しない位置であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、
前記レーザ光のエネルギーを観察する手段を第１の位置と第２の位置との間で移動する手段と、を有し、
前記第１の位置は、前記レーザ光が入射する位置であり、
前記第２の位置は、前記レーザ光が入射しない位置であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から発振されたレーザ光を整形する光学系と、
気体を噴射するための開口部を有する板と、
前記板の下部に配置されたステージと、
前記板と前記ステージ間の距離を一定に固定させるための手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光の形状又は焦点を観察する手段と、
前記光学系と前記板との間に設けられ、前記光学系を通過したレーザ光のエネルギーを観察する手段と、
前記レーザ光の形状又は焦点を観察する手段と前記レーザ光のエネルギーを観察する手段とを第１の位置と第２の位置との間で移動する手段と、を有し、
前記第１の位置は、前記レーザ光が入射する位置であり、
前記第２の位置は、前記レーザ光が入射しない位置であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項３又は請求項５に記載の前記レーザ光の形状又は焦点を観察する手段は、ＮＤフィルターと、ＣＣＤカメラを有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項４又は請求項５に記載の前記レーザ光のエネルギーを観察する手段は、パワーメータを有していることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記気体は不活性気体であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の前記板は透光性を有する材料を有することを特徴とするレーザ照射装置。