Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月9日(2009.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カダベリンの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リジン脱炭酸酵素活性および／またはリジン・カダベリンアンチポーター酵素活性を増強した宿主を培養することを特徴とするカダベリンの製造方法。
【請求項２】
前記宿主がリジン脱炭酸酵素および／またはリジン・カダベリンアンチポーターをコードする遺伝子が組み込まれた微生物である請求項１記載のカダベリンの製造方法。
【請求項３】
前記宿主が大腸菌である請求項１または２記載のカダベリンの製造方法。
【請求項４】
リジン脱炭酸酵素をコードする遺伝子が、１または２種類以上である請求項２または３記載のカダベリンの製造方法。
【請求項５】
リジン脱炭酸酵素をコードする遺伝子が、微生物由来である請求項２〜４のいずれかに記載のカダベリンの製造方法。
【請求項６】 
リジン脱炭酸酵素をコードする遺伝子が大腸菌由来である請求項２〜５のいずれかに記載のカダベリンの製造方法。
【請求項７】
リジン・カダベリンアンチポーターをコードする遺伝子が、微生物由来である請求項２〜６のいずれかに記載のカダベリンの製造方法。
【請求項８】 
リジン・カダベリンアンチポーターをコードする遺伝子が大腸菌由来である請求項２〜７のいずれかに記載のカダベリンの製造方法。
【請求項９】
リジン脱炭酸酵素遺伝子およびリジン・カダベリンアンチポーター遺伝子を同一のプロモーターの制御下に発現させることを特徴とする請求項２〜８のいずれかに記載のカダベリンの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明者らは更に生産性の高いカダベリンの製造方法について鋭意研究を行った結果、微生物に微生物由来のリジン脱炭酸酵素遺伝子および／またはリジン・カダベリンアンチポーター遺伝子を組み込み、培養することにより、培養液中のカダベリンの蓄積濃度、生成収率が著しく向上することを見出し、本発明に到達した。すなわち、本発明はリジン脱炭酸酵素および／またはリジン・カダベリンアンチポーターの活性を増強した微生物を培養して、培養液中にカダベリンを蓄積せしめ、前記培養液よりカダベリンを回収することを特徴とするカダベリンの製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち本発明は、「宿主のリジン脱炭酸酵素および／またはリジン・カダベリンアンチポーターの酵素活性を増強した宿主を培養することを特徴とするカダベリンの製造方法。」に関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
微生物のリジン脱炭酸酵素をコードする遺伝子としては、細菌由来のものが好ましく、大腸菌、バシラス・ハロドゥランス（Bacillus halodurans）、バシラス・サブチリス（Bacillus subtilis）、セレノモナス・ルミナンチウム（Selenomonas ruminantium）、ビブリオ・コレラ（Vibrio cholerae）、ビブリオ・パラヘモリティカス（Vibrio parahaemolyticus）、ストレプトマイセス・コエリカーラ（Streptomyces coelicolor）、ストレプトマイセス・ピロサス（Streptomyces pilosus）、エイケネラ・コロデンス（Eikenella corrodens）、イユバクテリウム・アシダミノフィルム（Eubacterium acidaminophilum）、サルモネラ・ティフィムリウム（Salmonella typhimurium）、ハフニア・アルベイ(Hafniaalvei)、ナイセリア・メニンギチデス（Neisseria meningitidis）、テルモプラズマ・アシドフィルム（Thermoplasma acidophilum）またはピロコッカス・アビシ（Pyrococcus abyssi）などの由来の遺伝子が知られており、これらが好ましく用いられる。さらに好ましくは大腸菌由来の遺伝子（cadA、ldc）が用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明における培養方法について説明する。培地は炭素源、窒素源、無機イオンおよび必要に応じてその他の有機微量成分を含有する通常の培地が使用可能であり、カダベリンが産生される限り特に制限はない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  球が流入可能な入球口を有する入賞室内に特定領域と非特定領域とが設けられ、前記特定領域に球が流入したときに遊技者に有利な遊技状態となるように制御された遊技機であって、
前記入球口近傍には、その入球口を開閉可能な開閉体が設けられ、
前記入賞室内には、前記入球口から流入した球を回転動作によって第１、第２放出口に振り分ける第１振分回転体と、
前記第１放出口に振り分けられた球を回転動作によって前記特定領域と前記非特定領域とに振り分ける第２振分回転体とがそれぞれ配設され、
前記第１振分回転体と前記第２振分回転体との間には、前記第１放出口に振り分けられた球を前記第２振分回転体に誘導する連絡通路が設けられ、
前記第１振分回転体は、前記入球口から流入した球のうち、規定数の球を前記第１放出口に振り分ける構成であることを特徴とする遊技機。
【請求項２】  請求項１に記載の遊技機であって、
連絡通路は、その連絡通路内の球を遊技者が視認可能な通路構成部材によって形成されている遊技機。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の遊技機であって、
第２振分回転体の周囲には、連絡通路の放出口から放出された球を転動させてその球を第２振分回転体に進入させる球転動部が設けられている遊技機。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか一項に記載の遊技機であって、
第１振分回転体と第２振分回転体のうち、少なくとの一方の振分回転体は、遊技状況の変化に対応して回転速度が変化するように設定されている遊技機。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれか一項に記載の遊技機であって、
第１振分回転体及び第２振分回転体は上下方向に所定高さ寸法を隔てかつ略鉛直方向の軸線回りにそれぞれ回転可能に設けられている遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するために、第１電源線（ＶＤＤ）と、第２電源線（ＶＳＤ）と、第１スタンダードセルを有する第１セル配置領域（２）と、スイッチトランジスタ（５）とデカップリング容量（６）を有するスイッチ領域（４）とを具備する半導体集積回路を構成する。
ここにおいて、前記第１スタンダードセルは、第１導電型半導体で構成された第１ウェル（１２）上に構成され、前記スイッチトランジスタ（５）は、第１導電型半導体で構成された第２ウェル（１１）上に形成され、前記デカップリング容量（６）は、前記第１ウェル（１２）と前記第２ウェル（１１）とを分離する第２導電型半導体で構成された分離領域に形成されていることが好ましい。そして、前記スイッチトランジスタ（５）は、制御信号に応じて、前記第１電源線（ＶＤＤ）と前記第２電源線（ＶＳＤ）とを接続する。このとき、前記第１スタンダードセルは前記第２電源線（ＶＳＤ）から電力供給されて動作する。この半導体集積回路における前記デカップリング容量（６）は、前記第１電源線（ＶＤＤ）に接続されていることを特徴とする。
換言すると、第１電源線（ＶＤＤ）と、第２電源線（ＶＳＤ）と、スイッチトランジスタ（５）を有するスイッチ領域（４）と、前記第２電源線（ＶＳＤ）から供給される電圧に基づいて動作する第１スタンダードセルを有する第１セル配置領域（２）とを具備する半導体集積回路（１）を構成する。そして、前記スイッチトランジスタ（５）は、制御信号に応答して前記第１電源線（ＶＤＤ）と前記第２電源線（ＶＳＤ）とを接続する。前記第１セル配置領域（２）は、第１導電型半導体で構成され、ウェル電位を受ける第１ウェル（１２）を備える。前記スイッチ領域（４）は、前記第１導電型半導体で構成され、前記スイッチトランジスタ（５）を有する第２ウェル（１１）と、第２導電型半導体で構成され、前記第１ウェル（１２）と前記第２ウェル（１２）とを分離する分離領域とを備える。ここにおいて、前記分離領域は、前記第１電源線（ＶＤＤ）に接続されるデカップリング容量（６）を含む。
デカップリング容量６は、スイッチトランジスタ５の近傍に配置されている。電流変化を起こすスイッチの傍に配置されたデカップリング容量６は、スイッチが入ったと同時的に、蓄えている電荷を第２電源線（ＶＳＤ）に供給し、電源ノイズの発生を抑制する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月15日(2009.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
［表示装置の全体構成］
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１０００の外観を示す概略斜視図である。ここで、図１（Ａ）は、正面右上から表示装置１０００を見た状態を示す概略斜視図である。また、図１（Ｂ）は、表示装置１０００の背面、右上から表示装置１０００を見た状態を示す概略斜視図である。また、図２は、正面左側から表示装置１０００を見た状態を示す概略斜視図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
従来の表示パネルにおいて、表示パネルを支持する部材は、一点支持の場合は表示パネルの横方向の中央部分を下側から支持している。また、２点支持の場合は、表示パネルの横方向の両端近傍を下側から支持している。本実施形態では、アーム部２００を表示部３００の横方向の中央部分からずらして配置し、表示部３００を片持ちで支持するため、アーム部２００がユーザの視野から外れ、ユーザに対して表示画面３００ａのみを独立して認識させることができる。これにより、ユーザに対しては、あたかも本体スタンド部１００上に表示部３００がアーム部２００を介さずに浮いているような印象を与えることができる。従って、表示部３００を片持ちで支持することにより、ユーザに対して表示画面３００ａのみを独立して注視させることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［本体スタンド部の構成］
図３は、本体スタンド部１００の内部構成を示す分解斜視図である。本体スタンド部１００には、衛星放送（ＢＳ，ＣＳ）、地上デジタル波などのチューナー、ＬＡＮ、ＨＤＭＩ、ＵＳＢなどの各種端子が組み込まれており、裏面側には、地上デジタル波を受信するためのロッドアンテナ１０４（図１（Ｂ）参照）が設けられている。また、本体スタンド部１００には、スピーカーボックス、操作ボタンなどが組み込まれている。図３に示すように、本体スタンド部１００の内部には、下側から順に、ボトムカバー５５０、メイン基板（Ｏ基板）５６０、冷却ユニット５７０、トップカバーブロック５９２が配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４は、メイン基板５６０の上面を示す斜視図である。メイン基板５６０の上面には、多数の電子部品５６２が配置されている。図４中に示す６つの領域５６４ａ，５６４ｂ，５６４ｃ，５６４ｄ，５６４ｅ，５６４ｆは、これらの電子部品５６２からの発熱量が特に大きい領域を示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
２つのアーム５８６の先端には、冷却ファン５７４を取り付けるための取付孔５８６ａが設けられている。取付孔５８６ａには、冷却ファン５７４をアーム５８６の先端に取り付けるためのネジ、カシメピン等が挿入される。これにより、冷却ファン５７４を２つのアーム５８６の先端に固定することができ、冷却ファン５７４は、２つの取付孔５８６ａの位置でのみ、冷却ファン取付部５８０に対して固定される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図６は、放熱板５７２の冷却ファン取付部５８０から冷却ファン５７４を取り外した状態を示す模式図である。また、図７は、冷却ファン取付部５８０を詳細に示す斜視図である。図６に示すように、冷却ファン５７４の対向する２つの角には、取付孔５７４ｂが設けられている。取付孔５７４ｂの位置は、冷却ファン取付部５８０のアーム５８６の取付孔５８６ａの位置に対応している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、図６に示すように、冷却ファン取付部５８０の下面と冷却ファン５７４の間にはリング状のクッション材５９０が挿入される。クッション材５９０は、例えば多孔質のスポンジから構成され、ゴム、ウレタンなどを素材とする防振材である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2009135165.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2009135165.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2009135165.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明に係る無線通信方法は、
複数の情報信号から出力信号を生成し、この出力信号を複数の送信アンテナから通信相手側システムに対して送信する無線通信システムにおける無線通信方法であり、
上記通信相手側システムが送信する制御情報を受信する受信ステップと、
上記受信した制御情報に基づき、一の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第１のウエイトおよび他の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第２のウエイトを決定するウエイト決定ステップと、
上記第１のウエイトを上記一の情報信号に乗じて第１の演算結果を生成し、上記第２のウエイトを上記他の情報信号に乗じて第２の演算結果を生成する演算ステップと、
上記第１の演算結果と上記第２の演算結果とから、上記複数のアンテナそれぞれに対応する複数の出力信号を生成し、上記通信相手側システムに送信する送信ステップ
を備え、
上記制御情報は、上記送信アンテナの数よりも多くのウエイトの候補の中からウエイトの組合せを特定した情報を含むものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、この発明に係る無線通信システムは、
複数の情報信号から出力信号を生成し、この出力信号を複数のアンテナから通信相手側システムに対して送信する無線通信システムであり、
上記通信相手側システムが送信する制御情報を受信する受信手段と、
上記受信した制御情報に基づき、一の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第１のウエイトおよび他の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第２のウエイトを決定するウエイト決定手段と、
上記第１のウエイトを上記一の情報信号に乗じて第１の演算結果を生成し、上記第２のウエイトを上記他の情報信号に乗じて第２の演算結果を生成する演算手段と、
上記第１の演算結果と上記第２の演算結果とから、上記複数のアンテナそれぞれに対応する複数の出力信号を生成し、上記通信相手側システムに送信する送信手段
を備え、
上記制御情報は、送信アンテナ数よりも多くのウエイトの候補の中からウエイトの組合せを特定した情報を含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この発明による無線通信方法および無線通信システムでは、送信アンテナの数よりも多くのウエイトの候補の中からウエイトの組合わせを特定した情報を含む制御情報を通信相手側システムより受信し、受信したこの制御情報に基づき、一の情報信号に関して複数のアンテナに対応する第１のウエイト、および、他の情報信号に関して複数のアンテナに対応する第２のウエイトを決定し、第１のウエイトを一の情報信号に乗じて第１の演算結果を生成し、第２のウエイトを他の情報信号に乗じて第２の演算結果を生成し、第１の演算結果と第２の演算結果とから、複数のアンテナそれぞれに対応する複数の出力信号を生成し、通信相手側システムに送信するので、通信相手側システムでは信号の分離を円滑に行うことができる信号を受信でき、伝送効率を向上することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の情報信号から出力信号を生成し、この出力信号を複数の送信アンテナから通信相手側システムに対して送信する無線通信システムにおける無線通信方法であり、
上記通信相手側システムが送信する制御情報を受信する受信ステップと、
上記受信した制御情報に基づき、一の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第１のウエイトおよび他の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第２のウエイトを決定するウエイト決定ステップと、
上記第１のウエイトを上記一の情報信号に乗じて第１の演算結果を生成し、上記第２のウエイトを上記他の情報信号に乗じて第２の演算結果を生成する演算ステップと、
上記第１の演算結果と上記第２の演算結果とから、上記複数のアンテナそれぞれに対応する複数の出力信号を生成し、上記通信相手側システムに送信する送信ステップ
を備え、
上記制御情報は、上記送信アンテナの数よりも多くのウエイトの候補の中からウエイトの組合せを特定した情報を含む
ことを特徴とする無線通信方法。
【請求項２】
複数の情報信号から出力信号を生成し、この出力信号を複数のアンテナから通信相手側システムに対して送信する無線通信システムであり、
上記通信相手側システムが送信する制御情報を受信する受信手段と、
上記受信した制御情報に基づき、一の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第１のウエイトおよび他の情報信号に関して上記複数のアンテナに対応する第２のウエイトを決定するウエイト決定手段と、
上記第１のウエイトを上記一の情報信号に乗じて第１の演算結果を生成し、上記第２のウエイトを上記他の情報信号に乗じて第２の演算結果を生成する演算手段と、
上記第１の演算結果と上記第２の演算結果とから、上記複数のアンテナそれぞれに対応する複数の出力信号を生成し、上記通信相手側システムに送信する送信手段
を備え、
上記制御情報は、送信アンテナ数よりも多くのウエイトの候補の中からウエイトの組合せを特定した情報を含む
ことを特徴とする無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
定盤と、
前記定盤の表面上を移動可能なステージと、
前記表面に対して鉛直な方向へ移動する質量体を有し、前記質量体の移動によって前記定盤に慣性力を付与する第１付与手段とを備え、
前記ステージの移動により前記定盤に発生する、前記表面に平行な軸まわりの回転方向の力を軽減するように、前記ステージの移動に応じて前記第１付与手段における前記質量体の鉛直方向への移動を制御する制御手段とを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記ステージと前記定盤の間に形成された、前記ステージを駆動するための平面モータを更に備えることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記第１付与手段は、鉛直な方向へ移動する質量体を複数有することを特徴とする請求項１または２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記ステージの移動によって発生される、前記表面に平行で互いに直交する２つの軸の各々の軸まわりの回転方向の反力を相殺するように前記第１付与手段における前記質量体を駆動することを特徴とする請求項１または２記載のステージ装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記ステージの駆動指令値を利用して前記質量体の駆動指令値を生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記ステージの前記表面に対して平行な方向への推力と、前記ステージの重心と前記定盤の重心の距離に基づいて、前記質量体の前記鉛直方向への推力を決定することを特徴とする請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記ステージの現在の位置、速度、加速度のいずれか一つまたは複数を利用して前記質量体の駆動指令値を生成することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記質量体に対して重力と反対方向の力を与える自重補償機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項９】
前記複数の質量体の前記鉛直方向への推力の総和が０となることを特徴とする請求項３に記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記表面に対して平行な方向へ移動する質量体を有し、この質量体の移動によって前記定盤に慣性力を付与する第２付与手段を更に備え、
前記制御手段は、更に、前記ステージの移動により前記定盤に発生する、前記表面に鉛直な軸に関する回転方向の力を軽減するように、前記ステージの移動に応じて前記第２付与手段における質量体の移動を制御することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項１１】
前記制御手段は、更に、前記ステージの移動によって発生する前記表面に沿った並進力を相殺するように、前記第２付与手段の質量体の移動を制御することを特徴とする請求項１０に記載のステージ装置。
【請求項１２】
前記定盤は前記表面に沿った方向へ移動可能に設けられており、前記定盤の移動により前記ステージの移動によって発生する前記表面に沿った並進力を相殺することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項１３】
前記定盤内で回転可能な質量体を有し、この質量体の回転により、前記表面に鉛直な軸まわりの回転方向の力を前記定盤に付与する第３付与手段を更に備え、
前記制御手段は、更に、前記ステージの移動により前記定盤に発生する、前記表面に鉛直な軸に関する回転方向の力を軽減するように、前記ステージの移動に応じて前記第３付与手段における質量体の回転を制御することを特徴とする請求項１または１２に記載のステージ装置。
【請求項１４】
複数のステージが前記定盤上に設けられ、
前記制御手段は、前記複数のステージの移動により前記定盤に発生する、前記表面に平行な軸まわりの回転方向の合成力を軽減するように、前記ステージの移動に応じて前記第１付与手段における前記質量体の鉛直方向への移動を制御することを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項１５】
定盤と、
前記定盤の表面上を移動可能なステージと、
前記表面に対して鉛直な方向へ移動可能な質量体を有し、前記質量体の移動によって前記定盤に慣性力を付与する第１付与手段とを備えたステージ装置の制御方法であって、
前記ステージの移動により前記定盤に発生する、前記表面に平行な軸まわりの回転方向の力を軽減するように、前記ステージの移動に応じて前記第１付与手段における前記質量体の鉛直方向への移動を制御する制御工程を備えることを特徴とするステージ装置の制御方法。
【請求項１６】
露光光を発光する光源と、
ウエハを搭載して移動するウエハステージと、
レチクルを搭載するレチクルステージと、
前記露光光により、前記レチクルステージに搭載されたレチクルパターンを前記ウエハステージ上のウエハに結像する光学系とを備え、
前記ウエハステージが請求項１乃至１４のいずれか１項に記載されたステージ装置を備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の露光装置を用いて基板にパターンを露光する工程と、
露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１８】
デバイス製造方法であって、
請求項１６に記載の露光装置を用いて基板に潜像パターンが形成された基板を用意する工程と、
前記潜像パターンを現像する工程とを含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスロットが開口された複数の導波管と，前記複数の導波管を伝播し，前記複数のスロットに通したマイクロ波を透過させる誘電体と，前記誘電体を透過したマイクロ波によりガスをプラズマ化させて，被処理体をプラズマ処理する処理室と，を備えるプラズマ処理装置であって，
前記誘電体は、複数枚の誘電体パーツから構成され、
各誘電体パーツは、梁に支持された状態で，前記複数の導波管のうちの１つまたは２つ以上の導波管を伝播して各導波管の１つまたは２つ以上のスロットに通したマイクロ波を透過させるように配置され、
前記梁は，前記被処理体側の端部周辺のプラズマ中の電子密度Ｎｅがカットオフのプラズマ電子密度Ｎｃ以上になるように前記被処理体側に突出して設けられることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記梁の突出位置の上限値ｈｃは，前記誘電体パーツ近傍のプラズマ電子密度をＮ０とし，隣り合う梁間の間隔の最小値をａとすると，
ｈｃ＝２１／２×ａ×（ｌｎＮ０―ｌｎＮｃ）／２π
の式から求められることを特徴とする請求項１に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記梁の上限値ｈｃは，
０．０３８ｍであることを特徴とする請求項２に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記各誘電体パーツは，
その各誘電体パーツの周縁にて前記梁に支持されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記各誘電体パーツには，
被処理体と対向する面にて凹部または凸部の少なくともいずれかが形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記梁は，導電性材料から形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記梁は，非磁性体であることを特徴とする請求項６に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記プラズマ処理装置であって，さらに，
第１のガス噴射孔から第１のガスを供給する第１のガス供給部と，
前記第１のガス噴射孔より被処理体側に設置された第２のガス噴射孔から第２のガスを供給する第２のガス供給部と，を備え，
前記梁は，
前記第２のガス噴射孔より誘電体側に位置するように設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載されたプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第１のガスまたは前記第２のガスの少なくともいずれかは，複数のガスを混合した混合ガスであって，
前記第１のガスは，前記第２のガスよりも結合エネルギーの最小値が大きいガスであることを特徴とする請求項８に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１のガスと前記第２のガスとの関係は，前記混合ガスが過剰反応する場合を除き，成り立つことを特徴とする請求項９に記載されたプラズマ処理装置。
【請求項１１】
梁の被処理体側の端部周辺のプラズマ中の電子密度Ｎｅが，カットオフのプラズマ電子密度Ｎｃ以上になるように，被処理体側に突出して設けられた前記梁に支持された複数枚の誘電体パーツの各誘電体パーツに，複数の導波管のうちの１つまたは２つ以上の導波管を伝播して各導波管の１つまたは２つ以上のスロットに通したマイクロ波を透過させ，
前記透過させたマイクロ波によりガスをプラズマ化して，被処理体をプラズマ処理することを特徴とするプラズマ処理装置を使用したプラズマ処理方法。
【請求項１２】
前記梁の突出位置の上限値ｈｃは，前記誘電体パーツ近傍のプラズマ電子密度をＮ０とし，隣り合う梁間の間隔の最小値をａとすると，
ｈｃ＝２１／２×ａ×（ｌｎＮ０―ｌｎＮｃ）／２π
の式から求められることを特徴とする請求項１１に記載されたプラズマ処理方法。
【請求項１３】
前記梁の上限値ｈｃは，
０．０３８ｍであることを特徴とする請求項１２に記載されたプラズマ処理方法。
【請求項１４】
前記プラズマ処理方法であって，さらに，
第１のガスを第１のガス噴射孔から供給し，
前記供給された第１のガスがプラズマ着火した後，前記第１のガス噴射孔の位置および前記梁が突出した位置より下方に設置された第２のガス噴射孔から，第２のガスを供給することを特徴とする請求項１１〜１３のいずれかに記載されたプラズマ処理方法。
【請求項１５】
前記第１のガスまたは前記第２のガスの少なくともいずれかは，複数のガスを混合した混合ガスであって，
前記第１のガスは，前記第２のガスよりも結合エネルギーの最小値が大きいガスであることを特徴とする請求項１４に記載されたプラズマ処理方法。
【請求項１６】
前記第１のガスと前記第２のガスとの関係は，前記混合ガスが過剰反応する場合を除き，成り立つことを特徴とする請求項１５に記載されたプラズマ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
元素がイオン注入されたＳｉ基板と、
該Ｓｉ基板上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層と、
該半導体層上に設けられた電極と、を具備し、
前記元素は、Ｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＡｒおよびＢｅの少なくとも１つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体層は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＡｌＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮおよびＩｎＮの少なくとも１つからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置は横型ＦＥＴまたはレーザであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
Ｓｉ基板に元素をイオン注入する工程と、
前記Ｓｉ基板上にＭＯＣＶＤ法を用いＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層を成長する工程と、
該半導体層上に電極を形成する工程と、を有し、
前記元素は、Ｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＡｒおよびＢｅの少なくとも１つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半導体層を成長する工程の前に、前記Ｓｉ基板を熱処理する工程を有することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理を行う工程と前記半導体層を成長する工程とは、ＭＯＣＶＤ装置内で連続して行われることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に、Ｓｉ基板上に半導体層を設けた半導体装置およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、元素がイオン注入されたＳｉ基板と、該Ｓｉ基板上に設けられたＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層と、該半導体層上に設けられた電極と、を具備し、前記元素は、Ｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＡｒおよびＢｅの少なくとも１つであることを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、Ｓｉ基板の半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、Ｓｉ基板に元素をイオン注入する工程と、前記Ｓｉ基板上にＭＯＣＶＤ法を用いＧａＮ、ＡｌＮおよびＩｎＮの少なくとも１つを含む半導体層を成長する工程と、該半導体層上に電極を形成する工程と、を有し、前記元素は、Ｏ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｉ、ＡｒおよびＢｅの少なくとも１つである半導体装置の製造方法である。本発明によれば、Ｓｉ基板の半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明によれば、基板のＧａＮ系半導体層との界面付近に形成されたＰ型拡散領域を介し流れる電流を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化成済みの陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回し、当該セパレータに導電性高分子を保持させた固体電解コンデンサにおいて、
前記セパレータは、セルロース繊維と、２０〜４０ｗｔ％の合成繊維と、１０〜３０ｗｔ％のバインダとを含む不織布であり、
前記バインダは、化成能力を有する含酸素化合物からなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記合成繊維は、アクリル繊維、ナイロン繊維、またはポリエステル繊維であり、
前記バインダは、ポリビニルアルコールまたはポリエチレングリコールであることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
前記導電性高分子は、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、またはポリチオフェン若しくはその誘導体であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体電解コンデンサ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、導電性高分子を電解質に用いた固体電解コンデンサに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、良好な耐電圧特性を有するとともに、ＥＳＲが低く、かつ、漏れ電流も低い固体電解コンデンサを提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る固体電解コンデンサでは、セパレータに用いたバインダが化成能力を有する含酸素化合物からなるため、陽極箔に誘電体として形成されている酸化皮膜を修復できるので、漏れ電流が低い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係る固体電解コンデンサでは、セパレータに用いたバインダが化成能力を有する含酸素化合物からなるため、陽極箔に誘電体として形成されている酸化皮膜を修復できるので、漏れ電流が低い。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本形態において、セパレータ２は、セルロース繊維と、２０〜４０ｗｔ％の合成繊維と、１０〜３０ｗｔ％のバインダとを備えた不織布である。本形態では、合成繊維としては、アクリル繊維、ナイロン繊維、またはポリエステル繊維が用いられている。
また、バインダは、溶融、固化することにより、セルロース繊維と合成繊維とを繋いでいる。本形態では、バインダとして、化成能力を備えた含酸素化合物、例えば、ポリビニルアルコールまたはポリエチレングリコールが用いられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、２液法では、モノマー溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、ドーパントと酸化剤との混合液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させる。
また、モノマーとドーパントとを混合した溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、モノマーと酸化剤との混合溶液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてもよい。
さらに、モノマー液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、ドーパントと酸化剤とを混合した液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてよい。
さらに、ドーパントと酸化剤を混合した溶液をコンデンサ素子に含浸し、続いて、モノマー溶液をコンデンサ素子に含浸し、化学重合させてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセル群とセンスアンプ回路とから構成されるメモリセルアレイを複数備えた半導体記憶装置であって、
外部入力される前記メモリセル群の自動データリフレッシュ動作を選択するコマンドに応じて、前記メモリセルアレイを２つ以上同時に選択する手段と、
前記選択された２つ以上のメモリセルアレイの各々において、内部で自動的に発生されるアドレス信号に応じたワード線に繋がる前記メモリセル群のデータをリフレッシュする手段と、
前記自動データリフレッシュ動作時に第１の制御信号が外部入力されると、ワード線を選択するアドレス信号を、内部で自動的に発生されるアドレス信号から外部入力されるアドレス信号に切り替える手段とを備える、半導体記憶装置。
【請求項２】
メモリセル群とセンスアンプ回路とから構成されるメモリセルアレイを複数備えた半導体記憶装置であって、
外部入力される前記メモリセル群の自動データリフレッシュ動作を選択するコマンドに応じて、前記メモリセルアレイを２つ以上同時に選択する手段と、
前記選択された２つ以上のメモリセルアレイの各々において、内部で自動的に発生されるアドレス信号に応じたワード線に繋がる前記メモリセル群のデータをリフレッシュする手段と、
リード動作時に第１の制御信号が外部入力されると、前記自動データリフレッシュ動作時と同数の前記メモリセルアレイを同時に選択し、前記センスアンプ回路とデータ線とを切り離す手段を備える、半導体記憶装置。
【請求項３】
メモリセル群とセンスアンプ回路とから構成されるメモリセルアレイを複数備えた半導体記憶装置であって、
外部入力される前記メモリセル群の自動データリフレッシュ動作を選択するコマンドに応じて、前記メモリセルアレイを２つ以上同時に選択する手段と、
前記選択された２つ以上のメモリセルアレイの各々において、内部で自動的に発生されるアドレス信号に応じたワード線に繋がる前記メモリセル群のデータをリフレッシュする手段と、
外部入力されるアドレス信号に応じたワード線に繋がる前記メモリセルアレイを選択し、選択した前記メモリセルアレイをリフレッシュする手段と、
前記外部入力されるアドレス信号によるリフレッシュ動作時に第１の制御信号が外部入力されると、前記自動データリフレッシュ動作時と同数の前記メモリセルアレイを選択する手段とを備える、半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、メモリセル群とセンスアンプ回路とから構成されるメモリセルアレイを複数備えた半導体記憶装置に向けられている。そして、上記目的を達成させるために、本発明の半導体記憶装置は、外部入力されるメモリセル群の自動データリフレッシュ動作を選択するコマンドに応じて、メモリセルアレイを２つ以上同時に選択する手段と、選択された２つ以上のメモリセルアレイの各々において、内部で自動的に発生されるアドレス信号に応じたワード線に繋がるメモリセル群のデータをリフレッシュする手段と、自動データリフレッシュ動作時に第１の制御信号（テストモード信号等）が外部入力されると、ワード線を選択するアドレス信号を、内部で自動的に発生されるアドレス信号から外部入力されるアドレス信号に切り替える手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
これにより、自動メモリセルリフレッシュ動作において、２倍のメモリセルアレイを同時活性化させた状態でメモリセルへのディスターブ動作を行い、その後ディスターブ動作を行ったメモリセルに対して、通常のリード動作でデータ読み出しを行うことで、不良セルを検出することができる。なお、この一連の動作シーケンスにおいて、テストモード（テストモード信号：Ｈｉｇｈレベル）から通常モード（テストモード信号：Ｌｏｗレベル）へ変更する必要はない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
例えば、リフレッシュ検査時間を１０ｍｓと、全メモリセルのライト時間をＷｔと、全メモリセルのリード時間をＲｔと、メモリセルアレイ数をｎ個とすると、テストモードを持たない場合の従来の検査時間Ｔは、下記の式（１）で表される。
Ｔ  ＝  Ｗｔ＋１０×ｎ＋Ｒｔ    …（１）
これに対し、テストモードを持つ本第１の実施形態では、同時に２倍のメモリセルアレイを活性化させるため、検査時間Ｔ１は、下記の式（２）で表される。
Ｔ１  ＝  Ｗｔ＋１０×ｎ／２＋Ｒｔ    …（２）
よって、全メモリセルのライト時間Ｗｔ及び全メモリセルのリード時間Ｒｔが無視できるほど小さい場合には、本発明のディスターブリフレッシュ検査が従来の検査時間の約１／２となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
まず、通常モード状態（テストモード信号：Ｌｏｗレベル）にて、全メモリセルに対してデータを書き込む。そして、テストモード状態（テストモード信号：Ｈｉｇｈレベル）に変更して外部コマンド入力によりリード動作選択を行い、２倍のメモリセルアレイを同時活性化させた状態においてメモリセルへのディスターブ動作を行う。その後、外部コマンドによる自動メモリセルリフレッシュ動作によって、全メモリセルのデータリフレッシュ動作を行う。これは、活性化されていないメモリセルに対しても、データリフレッシュを行うことを意味している。この動作を全てのメモリセルアレイに対して実施する。そして、テストモードから通常モードへ変更し（テストモード信号：Ｌｏｗレベル）、全メモリセルデータを読み出して不良セルがないかチェックする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
通常モード動作時のとき、テストモード信号３６をＬｏｗレベルに設定しておく。この通常モード状態において、自動メモリセルリフレッシュ動作の時は、同時に２倍のメモリセルアレイが活性状態になるが、リード動作、ライト動作及びＲＡＳリフレッシュ動作においては、１つのメモリセルアレイのみが活性化される。ここで、ＲＡＳリフレッシュ動作に関して説明しておく。通常、ＲＡＳリフレッシュ動作は、ロウ系の動作はリード動作とほぼ同じであり、カラム系の動作を行わないことが主な相違点である。つまり、ＲＡＳリフレッシュ動作は、通常は１つのメモリセルアレイしか活性化させない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ただし、本第３の実施形態においてテストモード状態を設定してしまうと、リード動作時及びライト動作時においても複数メモリセルアレイが活性化されてしまうため、リード動作時においてはデータ衝突、ライト動作時には誤書き込みが発生する。そのため、メモリセルへのディスターブ動作、通常のリード動作及びライト動作時に応じて、テストモードを変更しながら検査を行う必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、記録データ信号光パターンと暗号用信号光パターンの用語を用いる。記録データ信号光パターンは記録データに対応して空間光変調器２２の信号光空間光変調部４６に表示される信号光パターンであり、暗号用信号光パターンは暗号化のための空間光変調器２２の信号光空間光変調部４６に表示される信号光パターンである。また、さらに、記録データ参照光パターンと暗号用参照光パターンの用語を用いる。記録データ参照光パターンは記録データ信号光パターンとともに空間光変調器２２の参照光空間光変調部４７に表示される参照光パターンであり、暗号用参照光パターンは暗号用信号光パターンとともに空間光変調器２２の参照光空間光変調部４７に表示される参照光パターンである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
なお、図９には図示をしていないが、空間光変調器２２に表示される、図９（Ｂ）ないし図９（Ｅ）に対応する各々の暗号用信号光パターンは、図９（Ａ）の白部に対応する位置にある斜線部を除いた、斜線部と白部とが白部となり、その他の部分が黒部となるパターンによって構成されるものである。例えば、図９（Ｂ）の白部は、図９（Ａ）に示す記録データ信号光パターンと暗号用信号光パターン（図示しない）との空間光変調器２２に表示される各々の像の同じ位置に白部のピクセルがあることを示し、斜線部は、記録データ信号光パターンまたは暗号用信号光パターンのいずれか一方の空間光変調器２２に表示される像の位置に白部のピクセルがあることを示すものである。すなわち、図９（Ｂ）に対応する暗号用信号光パターンの白部は、図面の、左側から２列目の上から１行目、左側から３列目の上から２行目、左側から４列目の上から１行目であることとなる。また、図９（Ｃ）に対応する暗号用信号光パターンの白部は、図面の、左側から２列目の上から１行目、左側から３列目の上から２行目、左側から４列目の上から３行目であることとなる。また、図９（Ｄ）に対応する暗号用信号光パターンの白部は、図面の、左側から１列目の上から２行目、左側から２列目の上から１行目、左側から４列目の上から３行目であることとなる。さらに、図９（Ｅ）に対応する暗号用信号光パターンの白部は、図面の、左側から１列目の上から２行目、左側から２列目の上から４行目、左側から４列目の上から３行目であることとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
（記録における収縮の対策について）
記録層５０ａはホログラム形成後に僅かではあるが収縮する。この記録層５０ａの収縮に対応するために、記録データ信号光パターンと暗号用信号光パターンとを記録する際に光ビームの波長を異ならせて、記録された、記録データ信号光パターンおよび暗号用信号光パターンに基づくホログラムが収縮の影響を受けないように記録しても良い。この場合、記録データ信号光パターンと暗号用信号光パターンとのいずれを、先のホログラムの形成に用いるものであっても良い、すなわち、記録データホログラムを形成後に暗号用ホログラムを形成しても、暗号用ホログラムを形成後に記録データホログラムを形成してもよいが、光ビームの波長は、先に書くか、後に書くかに対応させて変化させるものとする。ここで、光ビームの波長を変化させる場合には、いわゆる、リトロウ型可変波長レーザ光源またはリットマン型可変波長レーザ光源を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１のレーザから出射され、第１の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ１のレーザ光と、第２のレーザから出射され、第２の光記録媒体の情報記録面上に集光する、前記波長λ１よりも長い波長λ２のレーザ光とが入射される対物レンズであって、
前記対物レンズは、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ、前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させる共用領域と、前記共用領域の周辺に位置し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させる専用領域とを有し、
前記対物レンズは、光軸を中心とした同心円状の複数の区間に分割され、それぞれの区間が異なる非球面形状を有する輪帯状の区間であり、前記共用領域における前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間は、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、前記専用領域における前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間は、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、
前記専用領域内の前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間の位相シフト量が、前記共用領域内の非球面形状を有する前記輪帯状の区間のうち前記光軸との交点を有する区間に対して、波長の５倍以上１０倍以下であることを特徴とする対物レンズ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
第１の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ１のレーザ光を出射する第１のレーザと、
前記波長λ１よりも長く、第２の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ２のレーザ光を出射する第２のレーザと、
前記波長λ１の光束が前記第１の光記録媒体に集光する際に生じる収差と、前記波長λ２の光速が前記第２の光記録媒体に集光する際に生じる収差とを補償するために、光軸を中心とする同心円状の輪帯構造を有し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ、前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させる共用領域と、前記共用領域の周辺に位置し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させる専用領域とを有している対物レンズとを有する光ディスク装置であって、
前記対物レンズは、前記専用領域内に位置する輪帯構造の位相シフト量が、前記共用領域内に位置する輪帯構造のうち前記光軸との交点を有する輪帯構造に対して、波長の５倍以上１０倍以下であることを特徴とする光ディスク装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の態様に係る対物レンズは、第１のレーザから出射され、第１の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ１のレーザ光と、第２のレーザから出射され、第２の光記録媒体の情報記録面上に集光する、前記波長λ１よりも長い波長λ２のレーザ光とが入射される対物レンズであって、前記対物レンズは、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ、前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させる共用領域と、前記共用領域の周辺に位置し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させる専用領域とを有し、前記対物レンズは、光軸を中心とした同心円状の複数の区間に分割され、それぞれの区間が異なる非球面形状を有する輪帯状の区間であり、前記共用領域における前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間は、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ前記前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、前記専用領域における前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間は、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、前記専用領域内の前記非球面形状を有する前記輪帯状の区間の位相シフト量が、前記共用領域内の非球面形状を有する前記輪帯状の区間のうち前記光軸との交点を有する区間に対して、波長の５倍以上１０倍以下であることを特徴とするものである。この対物レンズを用いることによって、斜入射による光スポットの特性の悪化を低減することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第６の態様に係る光ディスク装置は、第１の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ１のレーザ光を出射する第１のレーザと、前記波長λ１よりも長く、第２の光記録媒体の情報記録面上に集光する波長λ２のレーザ光を出射する第２のレーザと、前記波長λ１の光束が前記第１の光記録媒体に集光する際に生じる収差と、前記波長λ２の光速が前記第２の光記録媒体に集光する際に生じる収差とを補償するために、光軸を中心とする同心円状の輪帯構造を有し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させ、かつ、前記波長λ２のレーザ光を前記第２の光記録媒体の情報記録面上に集光させる共用領域と、前記共用領域の周辺に位置し、前記波長λ１のレーザ光を前記第１の光記録媒体の情報記録面上に集光させる専用領域とを有している対物レンズとを有する光ディスク装置であって、前記対物レンズは、前記専用領域内に位置する輪帯構造の位相シフト量が、前記共用領域内に位置する輪帯構造のうち前記光軸との交点を有する輪帯構造に対して、波長の５倍以上１０倍以下であることを特徴とするものである。この光ディスク装置においては、斜入射による光スポットの特性の悪化を低減することが可能であるため、光モジュールを用いた互換型光ディスク装置を提供できる。