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【手続補正書】
【提出日】平成21年11月9日(2009.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合トナーの製造方法であって、
再利用する重合トナーを溶解又は膨潤させて得られる溶解液又は膨潤液を、回転部材（Ｘ）、該回転部材と剪断力が発生するように設けられた、該回転部材と対向する部材（Ｙ）を有する分散装置によって下記の速度勾配条件で分散する分散処理することにより得られた処理液を、重合性単量体に溶解して重合性単量体組成物を調製し、該重合性単量体組成物中の単量体組成物を重合してトナーを得ることを特徴とする重合トナーの製造方法。
速度勾配条件：  速度勾配（ｓ−１）＝Ａ／Ｂ≧２．５０×１０３（ｓ−１）
（ここでＡは回転部材の最外周部の周速（ｍ／ｓ）、Ｂは回転部材と該回転部材と対向する部材との間の距離（ｍ）を表わす。）
【請求項２】
前記分散装置が、回転部材（Ｘ）である攪拌部材と、該攪拌部材を取り囲むように設置され、かつ該攪拌部材の回転軸と同心の円形断面を有する、該回転部材と対向する部材（Ｙ）である処理容器を有し、前記攪拌部材の回転により生じる遠心力によって溶解液又は膨潤液を前記処理容器の内壁へと圧着させて旋回する薄膜状とすることにより分散を行なう装置であることを特徴とする請求項１に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項３】
前記分散装置が、回転部材（Ｘ）であるリング状のディスクと、該回転部材と対向する部材（Ｙ）である固定されたリング状のディスクとを有し、前記二つのディスクの間に前記溶解液又は膨潤液を通過させることにより分散を行なう装置であることを特徴とする請求項１に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項４】
前記分散処理工程後の処理液に含まれるテトラヒドロフラン不溶分量が４０質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項５】
前記重合トナーが、該重合性単量体組成物を水系媒体中に分散させて得られるトナーであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の重合トナーの製造方法。
【請求項６】
前記分散装置による分散処理工程時の溶解液又は膨潤液及び処理液の温度が常に１２０℃以下となるようにしながら行なうことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の重合トナーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、以下の方法によれば、粒度の乱れや着色剤表面処理剤の剥がれなどの弊害が起こらずに、重合トナー、特に所望の粒径範囲外のトナーを原料として再利用できることを見出した。
（１）重合トナーの製造方法であって、再利用する重合トナーを溶解又は膨潤させて得られる溶解液又は膨潤液を、回転部材（Ｘ）、該回転部材と剪断力が発生するように設けられた、該回転部材と対向する部材（Ｙ）を有する分散装置によって下記の速度勾配条件で分散する分散処理することにより得られた処理液を、重合性単量体に溶解して重合性単量体組成物を調製し、該重合性単量体組成物中の単量体組成物を重合してトナーを得ることを特徴とする重合トナーの製造方法。
速度勾配条件：  速度勾配（ｓ−１）＝Ａ／Ｂ≧２．５０×１０３（ｓ−１）
（ここでＡは回転部材の最外周部の周速（ｍ／ｓ）、Ｂは回転部材と該回転部材と対向する部材との間の距離（ｍ）を表わす。）
（２）前記分散装置が、回転部材（Ｘ）である攪拌部材と、該攪拌部材を取り囲むように設置され、かつ該攪拌部材の回転軸と同心の円形断面を有する、該回転部材と対向する部材（Ｙ）である処理容器を有し、前記攪拌部材の回転により生じる遠心力によって溶解液又は膨潤液を前記処理容器の内壁へと圧着させて旋回する薄膜状とすることにより分散を行なう装置であることを特徴とする（１）に記載の重合トナーの製造方法。
（３）前記分散装置が、回転部材（Ｘ）であるリング状のディスクと、該回転部材と対向する部材（Ｙ）である固定されたリング状のディスクとを有し、前記二つのディスクの間に前記溶解液又は膨潤液を通過させることにより分散を行なう装置であることを特徴とする（１）に記載の重合トナーの製造方法。
（４）前記分散処理工程後の処理液に含まれるテトラヒドロフラン不溶分量が４０質量％以下であることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか一つに記載の重合トナーの製造方法。
（５）前記重合トナーが、該重合性単量体組成物を水系媒体中に分散させて得られるトナーであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか一つに記載の重合トナーの製造方法。
（６）前記分散装置による分散処理工程時の溶解液又は膨潤液及び処理液の温度が常に１２０℃以下となるようにしながら行なうことを特徴とする（１）〜（５）のいずれか一つに記載の重合トナーの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（重合性単量体組成物分散液の調製）
クレアミックスを備えた攪拌槽中に重合性単量体組成物と水系媒体を質量比で１：２となるように投入し、１５０００回転／分の回転数で攪拌を行い、攪拌開始１分後に重合開始剤溶液を重合性単量体組成物に対して質量比で０．１１５となるように投入し、さらに９分間攪拌を継続することにより重合性単量体組成物分散液を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
重量測定器の受容部材に液状体を吐出する工程と、
吐出された前記液状体の重量を測定する工程と、を有し、
前記重量を測定する工程は、前記受容部材を覆って行われることを特徴とする重量測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月4日(2009.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光線を回転照射する回動部と、該回動部を回転自在に支持する本体部と、前記回動部と前記本体部間をシールするシール手段とを具備し、該シール手段は前記回動部の回転中心と同心に前記本体部に形成された環突条と、該環突条が挿入され該環突条との間に間隙を形成する様前記回動部に設けられた環凹溝とを少なくとも同心２重に有すると共に前記間隙によって半径方向に屈曲形成された経路と、該経路途中の少なくとも１箇所に形成され、前記間隙より容積の大きい空隙部とを有することを特徴とするレーザ測量機。
【請求項２】
前記環突条は、少なくとも外側に形成された第１環突条と、内側に形成された第２環突条であり、該第２環突条は前記第１環突条より高く、前記第２環突条と該第２環突条が挿入される前記環凹溝の前記第１環突条側に前記空隙部が形成された請求項１のレーザ測量機。
【請求項３】
前記第２環突条の上端部外側に突出する庇部が形成され、該庇部の下方に前記空隙部が形成され、前記庇部の下面は前記第１環突条より高くなっている請求項２のレーザ測量機。
【請求項４】
少なくとも一方の前記環突条の少なくとも内周面は、上端側に向って外側に傾斜している請求項１のレーザ測量機。
【請求項５】
前記回動部は前記本体部の一部である平板を挾んで設けられ、前記第１環突条と、前記第２環突条は前記平板の上面に形成され、該平板の下面には第３環突条が形成され、前記回動部の前記下面対峙部には前記第３環突条が非接触で挿入される環凹溝が形成された請求項２のレーザ測量機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検体から採取された検体試料の検体量の増量又は減量に応じて前記検体試料に対する複数の分析項目毎の試薬に応じた検量線定数の試薬ブランクを補正する補正手段と、
前記補正手段により補正された前記試薬ブランクの補正値と、前記検量線定数と、前記検体試料と前記分析項目に応じた前記試薬とから生成された反応液の吸光度データとに基づいて前記分析項目の濃度を算出する濃度算出手段と、
を具備したことを特徴とする自動分析装置。
【請求項２】
前記検体試料の検体量は、前記複数の分析項目毎に標準検体量又は再検査に必要な再検検体量に設定され、
前記補正手段は、前記標準検体量又は前記再検査に必要な前記再検検体量のいずれか一方の増量又は減量に応じて前記検量線定数の前記試薬ブランクを補正する、
ことを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項３】
前記補正手段は、前記試薬ブランクの反応液量と前記増量又は前記減量した前記検体試料の反応液量との比を求め、この比と前記試薬ブランクの前記吸光度データとを乗算して前記試薬ブランク補正値を算出することを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項４】
前記補正手段は、前記検体試料に対する標準検査又は再検査であっても前記検体試料の前記検体量に応じて前記検量線定数の試薬ブランクを補正することを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項５】
前記補正手段は、前記各分析項目毎でかつ標準検査又は再検査毎に前記試薬ブランク補正値を算出することを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項６】
前記濃度算出手段は、前記反応液の前記吸光度データと前記試薬ブランク補正値との差分を求め、この差分と前記検量線定数とを乗算して前記濃度を算出することを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項７】
前記濃度算出手段は、前記各分析項目毎でかつ標準検査又は再検査毎に前記濃度を算出することを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項８】
前記濃度算出手段により算出された前記濃度を報知する報知手段を備えたことを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項９】
前記検体試料毎に前記標準検査又は前記再検査のいずれであるかの選択と、前記複数の分析項目の中から必要とする前記分析項目の選択とを少なくとも行う操作部を備えたことを特徴とする請求項１記載の自動分析装置。
【請求項１０】
被検体から採取された検体試料の検体量の増量又は減量に応じて前記検体試料に対する複数の分析項目毎の試薬に応じた検量線定数の試薬ブランクを補正し、
前記補正された前記試薬ブランクの補正値と、前記検量線定数と、前記検体試料と前記分析項目に応じた前記試薬とから生成された反応液の吸光度データとに基づいて前記分析項目の濃度を算出する、
ことを特徴とする自動分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項１に記載の自動分析装置は、被検体から採取された検体試料の検体量の増量又は減量に応じて検体試料に対する複数の分析項目毎の試薬に応じた検量線定数の試薬ブランクを補正する補正手段と、補正手段により補正された試薬ブランクの補正値と、検量線定数と、検体試料と分析項目に応じた試薬とから生成された反応液の吸光度データとに基づいて分析項目の濃度を算出する濃度算出手段とを具備する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項１０に記載の自動分析方法は、被検体から採取された検体試料の検体量の増量又は減量に応じて検体試料に対する複数の分析項目毎の試薬に応じた検量線定数の試薬ブランクを補正し、補正された試薬ブランクの補正値と、検量線定数と、検体試料と分析項目に応じた試薬とから生成された反応液の吸光度データとに基づいて分析項目の濃度を算出する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月4日(2009.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記回転部（４０）は支持部材（４１）と回転部材（４２）で構成されて、支持部材（４１）は一側即ち、上側に結像部（５０）が位置される所に測定対象物（２１）で反射される反射イメージが通過できるように第１貫通溝（４１ａ）が形成されて、投影部（３０）が設置される回転部材（４２）の他側には第２貫通溝（４２ａ）が形成されて投影部（３０）で発生される格子パターンが測定対象物（２１）に照射されることができるようにする。
【特許文献１】特開平７−１９８２５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指標の配置情報を推定する情報処理方法であって、
画像取得手段が、指標が含まれるシーンが撮影された画像を取得する画像取得工程と、
指標検出手段が、前記画像から指標を検出する指標検出工程と、
第１の指標配置情報推定手段が、前記指標検出工程で検出した指標のシーン中における配置情報を推定する第１の指標配置情報推定工程と、
指標情報修正手段が、前記第１の指標配置情報推定工程で推定した配置情報のうち少なくとも１つを既知の値に修正する指標情報修正工程と、
第２の指標配置情報推定手段が、前記指標情報修正工程で修正した配置情報を定数として、前記指標情報修正工程で値を修正していない配置情報を推定する第２の指標配置情報推定工程と
を備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
前記指標の配置情報は、当該指標のシーン中における位置、若しくは姿勢、若しくはサイズであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理方法。
【請求項３】
前記指標は、シーン中に複数あることを特徴とする請求項１又は２に記載の情報処理方法。
【請求項４】
前記既知の値とは、あらかじめ定められた離散値の中から選択された値であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項５】
前記指標情報修正工程では、前記指標のサイズを、前記指標を印刷するための既定サイズに修正することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項６】
前記指標情報修正工程では、前記指標のサイズを、前記指標を印刷した際に記憶したサイズに修正することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項７】
前記指標情報修正工程では、前記指標の位置を、シーン中に配置されたグリッド上の位置に修正することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項８】
前記指標情報修正工程では、前記指標の姿勢を、シーン中の床や壁や天井に対して垂直あるいは水平な姿勢に修正することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の情報処理方法。
【請求項９】
指標の配置情報を推定する情報処理装置であって、
指標が含まれるシーンが撮影された画像を取得する画像取得手段と、
前記画像から指標を検出する指標検出手段と、
前記指標検出手段が検出した指標のシーン中における配置情報を推定する第１の指標配置情報推定手段と、
前記第１の指標配置情報推定手段が推定した配置情報のうち少なくとも１つを既知の値に修正する指標情報修正手段と、
前記指標情報修正手段が修正した配置情報を定数として、前記指標情報修正手段が値を修正していない配置情報を推定する第２の指標配置情報推定手段と
を備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１０】
前記指標の配置情報は、当該指標のシーン中における位置、若しくは姿勢、若しくはサイズであることを特徴とする請求項９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項９又は１０に記載の情報処理装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
即ち、指標の配置情報を推定する情報処理方法であって、
画像取得手段が、指標が含まれるシーンが撮影された画像を取得する画像取得工程と、
指標検出手段が、前記画像から指標を検出する指標検出工程と、
第１の指標配置情報推定手段が、前記指標検出工程で検出した指標のシーン中における配置情報を推定する第１の指標配置情報推定工程と、
指標情報修正手段が、前記第１の指標配置情報推定工程で推定した配置情報のうち少なくとも１つを既知の値に修正する指標情報修正工程と、
第２の指標配置情報推定手段が、前記指標情報修正工程で修正した配置情報を定数として、前記指標情報修正工程で値を修正していない配置情報を推定する第２の指標配置情報推定工程と
を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
そこで、この実施の形態１では、測定パルスの波高分布スペクトルＳｍのピーク位置のパルス波高値Ｖｍに対する指標パルスの波高分布スペクトルＳｉのピーク位置のパルス波高値Ｖｉの比が“３”〜“８”の範囲になるように、光学フィルタ５５を透過する指標光の光量を調整している。すなわち、図３において、３Ｖｍ〜８Ｖｍの範囲、すなわち図中符号ΔＶ２で示す範囲に指標パルスの波高分布スペクトルＳｉのパルス波高値Ｖｉが位置するように指標光の光量を光学フィルタ５５で調整する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
具体例として、本例のように、測定用シンチレータ１がプラスチックシンチレータ、指標用シンチレータ５２がＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータの場合、β線の単位エネルギを光量に変換する効率の前者に対する後者の比は約２．２である。また、プラスチックシンチレータからの測定光の光電子増倍管２への収集率と、ＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータからの指標光の光電子増倍管２への収集率との比が０．７の場合、プラスチックシンチレータの厚みを飛程４００ｋｅＶ相当として、これを前置増幅器４の出力で０．４Ｖとなるようにすると、指標線源５１であるＡｍ−２４１から放射されるα線のエネルギ約５．５ＭｅＶは、前置増幅器４５の出力で次式に示すように３．５Ｖとなる。
５．５ＭｅＶ×０．４Ｖ／０．４ＭｅＶ×２．２×０．２÷０．７＝３．５Ｖ
なお、上式の０．２は後述のＣａＦ２（Ｅｕ）のα／βレシオである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
特に、ここでは、図３に示したように、測定パルスの波高分布スペクトルＳｍのピーク位置の波高値Ｖｍに対する指標パルスの波高分布スペクトルＳｉのピーク位置の波高値Ｖｉの比が３〜８倍の範囲となるように、光学フィルタ５５を透過する光量を調整しているので、指標パルスの波高分布スペクトルＳｉのテール（尾）が測定パルスの波高分布スペクトルＳｍの測定範囲ΔＶ１内と重複してバックグラウンドを押し上げるのを抑制することができ、その結果、両者Ｓｍ，Ｓｉは好適なパルス波高配置になるため、電源電圧の変動や温度変化に伴う影響を低減することができ、測定対象となる放射線を高精度で測定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
実施の形態３．
この実施の形態３における放射線検出器の特徴は、ライトパルサ５の指標用シンチレータ５２として、実施の形態１で使用したＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータに代えてＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータを使用したことである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
シンチレータが放射線の単位エネルギを光量に変換する効率は、一般にβ線よりα線の方が低く、両者の比はα／βレシオと言われている。この実施の形態３において、指標用シンチレータ５２として今回使用するＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータは、そのα／βレシオが従来から使用されているＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータと同等で、α線用シンチレータとして優れている。また、潮解性がなく、物理的にも安定で加工性が良く、ライトパルサ５用シンチレータとして好適である。
その他の構成は、実施の形態１と同様であるからここでは詳しい説明は省略する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図５はシンチレータに放射線が入射して生成される光量の温度特性を概念的に示すもので、符号ｈはＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータの温度特性を、符号ｉはＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータの温度特性を、符号ｊはプラスチックシンチレータの温度特性を示す。使用温度範囲の０〜５０℃において、プラスチックシンチレータ（符号ｊ）とＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータ（符号ｉ）の温度特性は約−０．１％／℃で良く一致しており温度特性の差は小さい。これに対して、ＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータ（符号ｈ）の温度特性は約−０．３％／℃と大きい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
このように、測定用シンチレータ１としてプラスチックシンチレータを使用する際には、ライトパルサ５を構成する指標用シンチレータ５２としてＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータを適用することにより、両方のシンチレータ１，５２の温度特性の差はほとんどなくなり、ライトパルサ５によるゲイン安定化制御においてシンチレータの温度特性が影響することがなくなる。しかも、上記のように、ＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータは、そのα／βレシオが従来から使用されているＣａＦ２（Ｅｕ）シンチレータと同等で、α線用シンチレータとして優れている。このため、測定対象の放射線を高精度で連続して測定できる放射線検出器を提供することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、ライトパルサ５の指標用シンチレータ５２として測定用シンチレータ１と同じプラスチックシンチレータを適用すると、両シンチレータ１，５２の温度特性は一致するものの、ＣａＦ２（Ｅｕ）やＹＡｌＯ３（Ｃｅ）シンチレータのα／βレシオは約０．２であるのに対して、プラスチックシンチレータのα／βレシオは０．０２で、α線に対する発光効率が低い。したがって、プラスチックシンチレータは指標用シンチレータ５２としては適用し難い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月4日(2009.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に電気光学物質により構成される電気光学層が挟持され、複数の画素領域と、該複数の画素領域の各領域に対応して、画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、を備えてなる電気光学装置であって、
入射光を前記画素領域内に反射させるプリズム部を有し、
前記プリズム部は、前記一対の基板の、光入射側基板における光入射側の面とは反対側の面に設けられた、断面が三角形状の溝を有するとともに、平面視した状態で、前記複数の画素領域間に重なるように形成されており、
前記溝内に、少なくとも前記スイッチング素子の半導体層が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記プリズム部は、前記溝の内壁面に形成された光反射性の金属膜を有し、アスペクト比が１５以上かつ２５０以下であることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記半導体層に接続された配線層を備え、該配線層は平面視した状態で前記半導体層の少なくとも一部を覆うことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
一対の基板間に電気光学物質により構成される電気光学層が挟持され、複数の画素領域と、該複数の画素領域の各領域に対応して、画素電極と、該画素電極の通電制御を行うスイッチング素子と、を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、
前記一対の基板のうち、光入射側基板の一方の面側に断面が三角形状の溝を形成する工程と、
前記溝の内壁面に反射膜を設けるとともに、他方の面側から入射した光を前記画素領域に反射させるプリズム部を形成する工程と、
前記プリズム部を構成する前記溝内に、少なくとも前記スイッチング素子の半導体層を設ける工程と、
前記電気光学層が挟持された状態に、前記光入射側基板と前記一対の基板の対向基板とを貼り合わせる工程と、
を備えることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記複数の画素領域を互いに区画するように前記溝を形成することを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質により構成される電気光学層が挟持され、複数の画素領域と、該複数の画素領域の各領域に対応して、画素電極と、該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子と、を備えてなる電気光学装置であって、入射光を前記画素領域内に反射させるプリズム部を有し、前記プリズム部は、前記一対の基板の、光入射側基板における光入射側の面とは反対側の面に設けられた、断面が三角形状の溝を有するとともに、平面視した状態で、前記複数の画素領域間に重なるように形成されており、前記溝内に、少なくとも前記スイッチング素子の半導体層が設けられていることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記プリズム部は、前記溝の内壁面に形成された光反射性の金属膜を有し、アスペクト比が１５以上かつ２５０以下であることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記半導体層に接続された配線層を備え、該配線層は平面視した状態で前記半導体層の少なくとも一部を覆うことを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、前記光吸収体は、前記基板の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、一対の基板間に電気光学物質により構成される電気光学層が挟持され、複数の画素領域と、該複数の画素領域の各領域に対応して、画素電極と、該画素電極の通電制御を行うスイッチング素子と、を備えてなる電気光学装置の製造方法であって、前記一対の基板のうち、光入射側基板の一方の面側に断面が三角形状の溝を形成する工程と、前記溝の内壁面に反射膜を設けるとともに、他方の面側から入射した光を前記画素領域に反射させるプリズム部を形成する工程と、前記プリズム部を構成する前記溝内に、少なくとも前記スイッチング素子の半導体層を設ける工程と、前記電気光学層が挟持された状態に、前記光入射側基板と前記一対の基板の対向基板とを貼り合わせる工程と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置の製造方法は、前記複数の画素領域を互いに区画するように前記溝を形成することを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする。
また、本発明の一実施形態に係る電気光学装置は、一対の基板間に電気光学物質により構成される電気光学層が挟持され、複数の画素領域を備えてなる電気光学装置であって、前記一対の基板の、光入射側基板における光入射面の反対側に溝状に設けられ、入射光を前記画素領域内に反射させるプリズム部を有し、前記プリズム部を構成する前記溝内に、少なくともスイッチング素子の半導体層が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸芯体と該軸芯体の周囲に設けられた樹脂層を有する現像ローラにおいて、該樹脂層が構成元素に金属元素を含む無機強誘電体の微粒子を含有し、
該無機強誘電体の微粒子は、該無機強誘電体の微粒子の示差走査熱量測定計で測定された吸熱ピークの開始温度と終了温度を各々TciとTcfと定義したときに、TcfとTciの差が２０℃以上１００℃以下であることを特徴とする現像ローラ。
【請求項２】
前記無機強誘電体が、ビスマス層状構造強誘電体からなる基体物質の結晶格子におけるビスマスの一部が、Nd、Sm、Pr、La、Y、CaおよびBaの中から選ばれる何れかの金属元素により置換されたものである請求項１に記載の現像ローラ。
【請求項３】
前記ビスマス層状構造強誘電体が、SrBi2Nb2O9、SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12、BaBi4Ti5O18およびSrBi4Ti5O18から選ばれる何れかである請求項２に記載の現像ローラ。
【請求項４】
前記無機強誘電体が、SrTiO3の結晶格子におけるSrの一部が、CaおよびBaから選ばれる何れかの金属元素により置換されたものである請求項１に記載の現像ローラ。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の現像ローラを有し、電子写真装置に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項６】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の現像ローラを有していることを特徴とする電子写真装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【表１】
2008122617.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【表２】
2008122617.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月6日(2009.11.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から出力されたレーザ光を偏向走査する回転多面鏡と、
前記回転多面鏡から偏向走査された走査光を結像するための結像レンズと、
前記光源から出力されるレーザ光を検出する光量検出センサと、
前記光量検出センサの出力に基いて前記光源の出力を制御する制御手段と、を有する走査光学装置において、
前記結像レンズの前記レーザ光が入射する入射面の法線が副走査方向に対して傾くように前記結像レンズが配置され、前記光量検出センサは、前記入射面で反射されるレーザ光を検出することを特徴とする走査光学装置。
【請求項２】
光源から出力されたレーザ光を偏向走査する回転多面鏡と、
前記回転多面鏡により偏向走査した光を透過させる透過口が設けられ、前記回転多面鏡の周囲を囲うカバー部と、
前記透過口を塞ぐ透過ガラスと、
前記光源から出力されるレーザ光を検出する光量検出センサと、
前記光量検出センサの出力に基いて前記光源の出力を制御する走査光学装置において、
前記透過ガラスの前記レーザ光が入射する入射面の法線が、副走査方向に対して傾くように前記透過ガラスが配置され、前記光量検出センサは、前記入射面で反射されるレーザ光を検出することを特徴とする走査光学装置。
【請求項３】
前記レンズあるいは前記透過ガラスで反射された反射光に正対しない角度に前記光量検出センサを傾けて設け、その光量検出センサの周囲に反射光が後方に達しないように遮断する遮光手段を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の走査光学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するための本発明に係る代表的な構成は、光源から出力されたレーザ光を偏向走査する回転多面鏡と、前記回転多面鏡から偏向走査された走査光を結像するための結像レンズと、前記光源から出力されるレーザ光を検出する光量検出センサと、前記光量検出センサの出力に基いて前記光源の出力を制御する制御手段と、を有する走査光学装置において、前記結像レンズの前記レーザ光が入射する入射面の法線が副走査方向に対して傾くように前記結像レンズが配置され、前記光量検出センサは、前記入射面で反射されるレーザ光を検出することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
また、オートフォーカス機能を有するカメラに対応するためには、射出瞳位置の変動をなるべく小さく抑える必要がある。各実施例の３群構成または４群構成のズームレンズにおいて、開口絞りＳＰは第３レンズ群Ｌ３の物体側又はレンズ系中（第３レンズ群中）に位置する。このため、相対的に第１レンズ群Ｌ１に比べて第３レンズ群Ｌ３の移動量が大きくなると、瞳位置の変化が大きくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
【数１】
2008122775.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【数２】
2008122775.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
【数３】
2008122775.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【数４】
2008122775.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行駆動される環状のろ布の下方に、真空ポンプに接続された真空トレイが配置されており、水系分散媒体中で製造されたトナー粒子が分散した当該水系分散媒体を前記ろ布上に供給することで、前記水系分散媒体を真空ポンプにより真空トレイに集め、前記トナー粒子をケーキとして前記ろ布上にろ別するろ布走行式ベルトフィルターを備えたトナー粒子の製造装置において、
気体を吐出するための気体吐出部を有し、前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に押付けられることで気体漏れをシールした状態で、前記気体吐出部から前記ろ布又はケーキ若しくはこれらの両方への押付け側へ前記気体を吐出して前記ケーキの通気脱水を行う、弾性を有し回転可能なシール通気ロールを有することを特徴とするトナー粒子の製造装置。
【請求項２】
前記気体吐出部は、前記シール通気ロールの周方向に複数系統設けられており、通気脱水を行う際は、前記シール通気ロールの、前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方への押付け側に対して設置されている系統の前記気体吐出部のみを選択して、前記気体を吐出させることを特徴とする請求項１に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項３】
前記シール通気ロールは、複数のロール凹部を有しており、ロール凹部に気体吐出部を具備していることを特徴とする請求項１または２に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項４】
前記ロール凹部内の空間に前記気体吐出部から気体を吐出し、前記ケーキに通気脱水を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項５】
前記気体吐出部は穿孔を有し、該穿孔より気体を吐出することを特徴とする請求項３又は４に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項６】
前記シール通気ロールは、前記ろ布走行式ベルトフィルターのろ布の走行運動と同調して、ろ布と同じ速度で回転運動を行う事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項７】
前記ろ布走行式ベルトフィルターのろ布の走行運動が間欠運動であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のトナー粒子の製造方法。
【請求項８】
前記シール通気ロールは、前記ろ布の間欠運動と連動して、前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に圧接する圧力を調整することが可能であり、前記通気脱水時に前記シール通気ロールが前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に圧接する圧力Ｐ１は、
１００（ｋＰａ）≦Ｐ１≦９００（ｋＰａ）
であることを特徴とする請求項７に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項９】
前記シール通気ロールは、前記ろ布の間欠運動と連動して、前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に圧接する圧力を調整することが可能であり、ろ布走行時に前記シール通気ロールが前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に圧接する圧力Ｐ２は、
０（ｋＰａ）≦Ｐ２≦２００（ｋＰａ）
であることを特徴とする請求項７または８に記載のトナー粒子の製造装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載のトナー粒子の製造装置を用いることを特徴とするトナー粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記気体は圧縮気体であり、該圧縮気体の圧力Ｐ３は、
１０（ｋＰａ）≦Ｐ３≦７００（ｋＰａ）
であることを特徴とする請求項１０に記載のトナー粒子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
すなわち、本発明は、走行駆動される環状のろ布の下方に、真空ポンプに接続された真空トレイが配置されており、水系分散媒体中で製造されたトナー粒子が分散した当該水系分散媒体を前記ろ布上に供給することで、前記水系分散媒体を真空ポンプにより真空トレイに集め、前記トナー粒子をケーキとして前記ろ布上にろ別するろ布走行式ベルトフィルターを備えたトナー粒子の製造装置において、
気体を吐出するための気体吐出部を有し、前記ろ布または前記ケーキ若しくはこれらの両方に押付けられることで気体漏れをシールした状態で、前記気体吐出部から前記ろ布又はケーキ若しくはこれらの両方への押付け側へ前記気体を吐出して前記ケーキの通気脱水を行う、弾性を有し回転可能なシール通気ロールを有することを特徴とするトナー粒子の製造装置を提供するものである。
また、本発明は、上記トナー粒子の製造装置を用いることを特徴とするトナー粒子の製造方法を提供するものでもある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
ベルト６の表面に対するトナー画像の一次転写後のドラム表面はクリーニング装置１０により転写残トナー（残留現像剤）が除去されて清掃され、繰り返して画像形成に供される。このクリーニング装置１０については次の（２）項で詳述する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
クリーニング装置１０は、クリーニングブレードとしてのゴム製のクリーニングブレード３４と、クリーニング補助部材としての外径φ１８の導電ブラシローラ（導電性ブラシローラ）３５を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
導電ブラシローラ３５には、このブラシローラに付着したトナーを除去するトナー除去部材（現像剤除去手段：ブラシリフレッシュ部材）としてスクレーパ３７を接触させて配設してある。スクレーパ３７は弾性体シートであり、その基部側をスクレーパ取り付けベース部材３７ａに取り付けてあり、先端部を導電ブラシローラ８の半径方向に設定された距離約２ｍｍの侵入量Ｇをもって侵入させてある。スクレーパ取り付けベース部材３７ａはドラムケース容器３１に対して位置決め固定されている。導電ブラシローラ３５の回転過程でこのスクレーパ３７によりブラシ繊維がしごかれるでブラシ繊維の中に入り込んだ回収トナーをブラシの外に積極的に移動させることができる。ブラシの外にはじき出された回収トナーが再び導電ブラシローラ３５のブラシ繊維に入り込まないように、カバーシート取り付けベース部材３８ａに取り付けたカバーシー３８で導電ブラシローラ８をカバーさせている。カバーシート取り付けベース部材３８ａはドラムケース容器３１に対して位置決め固定されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
画像形成中に、上記閉鎖空間Ｅに過剰にトナーが入り込んだ場合は、余剰トナーはシート材３６に圧を加えることで、シート材３６はクリーニングブレード３４から退避する方向に離間する。そして、クリーニングブレード３４とシート材３６との間の隙間から余剰トナーが移動する。そして、ベース板３６ａに設けられた余剰トナー排出用の穴３６ｂから、図３に示す矢印Ｆ方向に排出される。これにより、クリーニングブレード先端に潤滑剤としてのトナーを安定して蓄積することができる。即ち、ドラム１とシート材３６との間に蓄積したトナーの圧によりシート材３６はクリーニングブレード３４から離間可能であり、離間により生ずるクリーニングブレード３４とシート材３６の間の隙間からトナーは落下する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
画像形成装置は像担持体１に形成したトナー画像を記録材Ｓに直接転写する方式のものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌細胞又は癌組織中の活性化Ａｋｔを検出する工程と、前記検出の結果からアンスラサイクリン系抗癌剤の感受性を判定する工程と、を有する抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項２】
前記判定工程において、検出された活性化Ａｋｔが高発現である場合、アンスラサイクリン系抗癌剤の感受性が高いと判定する、請求項１に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項３】
前記癌細胞又は癌組織が、肺癌、胃癌、大腸癌、卵巣癌、脳腫瘍、乳癌、前立腺癌、皮膚癌又は白血病細胞の癌細胞又は癌組織である、請求項１又は２に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項４】
前記癌細胞又は癌組織が、乳癌の癌細胞又は癌組織である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項５】
アンスラサイクリン系抗癌剤がダウノルビシン、ドキソルビシン、ピラルビシン、アクラルビシン、エピルビシン、オキザウノマイシン又はイダルビシンである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項６】
アンスラサイクリン系抗癌剤がドキソルビシン又はエピルビシンである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項７】
癌細胞又は癌組織中のヒト上皮成長因子受容体２型の発現を検出する工程をさらに有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項８】
癌細胞又は癌組織中のＰＴＥＮの発現を検出する工程をさらに有する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項９】
癌細胞又は癌組織中の活性化Ａｋｔの発現の検出結果を入力する工程と、前記入力された検出結果と閾値とを比較する工程と、前記比較の結果に基づいてアンスラサイクリン系抗癌剤の感受性の判定を行う工程と、前記判定の結果を出力する工程と、を有する抗癌剤の感受性判定システム。
【請求項１０】
前記癌細胞又は癌組織が、肺癌、胃癌、大腸癌、卵巣癌、脳腫瘍、乳癌、前立腺癌、皮膚癌又は白血病細胞の癌細胞又は癌組織である、請求項９に記載の抗癌剤の感受性判定システム。
【請求項１１】
前記癌細胞又は癌組織が、乳癌の癌細胞又は癌組織である、請求項９又は１０に記載の抗癌剤の感受性判定システム。
【請求項１２】
癌細胞又は癌組織中のヒト上皮成長因子受容体２型の発現の検出結果を入力する工程をさらに有する、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【請求項１３】
癌細胞又は癌組織中のＰＴＥＮの発現の検出結果を入力する工程をさらに有する、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の抗癌剤の感受性判定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
例えば、ＧＢ２３０６００６Ａ公報に示されるように、片手で容易に操作可能な薄層の厚さの非破壊測定装置が公知である。このような手持ち型機器は、作業場と現場の両方で、固定して使用することも移動しながら使用することも可能である。測定を行うために、このような装置を試験すべき層に当てる。測定値が検出されると、測定値をディスプレイ上で読み取ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、ＵＳＰ５，４６７，９１４公報には、ほぼ矩形のハウジングを有する装置が開示されている。この装置では、層厚さの測定を行うための測定プローブがハウジングの１つの細長面に設けられ、測定プローブの反対側にディスプレイ装置があり、ディスプレイ装置がプローブと反対側の細長面と前面との間に４５゜の角度で表示される。さらに、この装置は、ハウジングから取り外し可能であって、ハウジングから離して測定すべき物体上に配置することのできる測定プローブを有する。判定された測定値はケーブルを介して伝送される。手持ち型機器は、たとえば、テーブル上に測定機器と並んで配置される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さらに、本出願人が製造販売する非破壊測定装置（モデルＰＥＲＭＡＳＣＯＰＥ  ＭＰＯＤ）は、ほぼ矩形のハウジングを有し、このハウジングの下部細長面にプローブが設けられて層厚さの測定を行う、手持ち型機器が公知である。作用方向に対して基本的に直角に見られるディスプレイ装置が、ハウジングの前面に設けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
従って、図２の実線で示すようにこの発明の電力分配回路のインピーダンス軌跡はｆ０でスミスチャートの中心を通り、ｆ１では抵抗一定の線上を反時計方向に、また、ｆ２では抵抗一定の線上を時計方向に回転する。
この結果、帯域のｆ１〜ｆ２に渡ってインピーダンスがスミスチャートの中心近傍に集まるようになる。即ち、広帯域にわたってインピーダンス整合が取れたことになる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これに加えて、前記制御手段は、前記各抽出手段のうちいずれかを選択して、その抽出信号を前記測定手段に供給するように構成することもできる。このように構成すると、いずれの系統の特性調整手段を調整する際にも、各抽出手段と測定手段との接続も維持したままにすることができ、異なる系統の特性調整手段を調整するごとに抽出手段と測定手段との接続しなおし作業が不要になり、更に調整作業を効率的に行える。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を光電変換する有効画素領域と、光を遮光した画素領域である遮光画素領域とを有する撮像素子と、
前記有効画素領域で被写体像を光電変換して生成された被写体画像信号から、前記有効画素領域を遮光した状態で電荷を蓄積して生成されたダーク画像信号を減算することにより、前記撮像素子の暗電流成分を除去するノイズ低減処理を行なうノイズ低減手段と、
前記遮光画素領域内の２つの領域の一方の出力信号と他方の出力信号の差分を算出し、算出された差分に基づいて、前記ノイズ低減手段に前記ノイズ低減処理を行なわせるか否かを制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記２つの領域は、同じ画素数の領域であることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記２つの領域の信号分布の標準偏差をそれぞれ算出し、該算出された標準偏差と、前記２つの領域の差分の信号分布の標準偏差との大小関係を比較することにより、前記ノイズ低減手段に前記ノイズ低減処理を行なわせるか否かを制御することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
被写体像を光電変換する有効画素領域と、光を遮光した画素領域である遮光画素領域とを有する撮像素子を備える撮像装置を制御する制御方法であって、
前記有効画素領域で被写体像を光電変換して生成された被写体画像信号から、前記有効画素領域を遮光した状態で電荷を蓄積して生成されたダーク画像信号を減算することにより、前記撮像素子の暗電流成分を除去するノイズ低減処理を行なうノイズ低減工程と、
前記遮光画素領域内の２つの領域の一方の出力信号と他方の出力信号の差分を算出し、算出された差分に基づいて、前記ノイズ低減工程を実行するか否かを制御する制御工程と、
を具備することを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項５】
前記２つの領域は、同じ画素数の領域であることを特徴とする請求項４に記載の撮像装置の制御方法。
【請求項６】
前記制御工程では、前記２つの領域の信号分布の標準偏差をそれぞれ算出し、該算出された標準偏差と、前記２つの領域の差分の信号分布の標準偏差との大小関係を比較することにより、前記ノイズ低減工程を実行するか否かを制御することを特徴とする請求項４または５に記載の撮像装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる撮像装置は、被写体像を光電変換する有効画素領域と、光を遮光した画素領域である遮光画素領域とを有する撮像素子と、前記有効画素領域で被写体像を光電変換して生成された被写体画像信号から、前記有効画素領域を遮光した状態で電荷を蓄積して生成されたダーク画像信号を減算することにより、前記撮像素子の暗電流成分を除去するノイズ低減処理を行なうノイズ低減手段と、前記遮光画素領域内の２つの領域の一方の出力信号と他方の出力信号の差分を算出し、算出された差分に基づいて、前記ノイズ低減手段に前記ノイズ低減処理を行なわせるか否かを制御する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明に係わる撮像装置の制御方法は、被写体像を光電変換する有効画素領域と、光を遮光した画素領域である遮光画素領域とを有する撮像素子を備える撮像装置を制御する制御方法であって、前記有効画素領域で被写体像を光電変換して生成された被写体画像信号から、前記有効画素領域を遮光した状態で電荷を蓄積して生成されたダーク画像信号を減算することにより、前記撮像素子の暗電流成分を除去するノイズ低減処理を行なうノイズ低減工程と、前記遮光画素領域内の２つの領域の一方の出力信号と他方の出力信号の差分を算出し、算出された差分に基づいて、前記ノイズ低減工程を実行するか否かを制御する制御工程と、を具備することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月18日(2008.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材と、その金属部材が配置された絶縁性部材と、を備えており、半導体素子が搭載される主面と、その主面に向かい合う背面と、その背面と前記主面とを接続する複数の側面により設けられた角部と、を有する半導体素子搭載用の支持体であって、
前記支持体は、互いに隣り合う角部の間に、前記側面から前記背面にかけて前記絶縁性部材の一部が切り欠かれて設けられた切欠部を有し、その切欠部の壁面の少なくとも一部に前記支持体の背面から前記金属部材が延在して配置されており、
前記金属部材は、前記半導体素子が配置される第一の部位と、その第一の部位に電気的に接続し前記支持体の背面に延在された第二の部位と、前記第一の部位および前記第二の部位から絶縁され、前記支持体の主面から背面に延在された第三の部位とを有しており、
前記支持体の背面において、前記第二の部位の面積は、前記第三の部位の面積より大きく、
前記第二の部位が延在された切欠部の容量は、前記第三の部位が延在された切欠部の容量よりも小さいことを特徴とする半導体素子搭載用の支持体。
【請求項２】
前記切欠部は、前記背面または側面について、その外形における対角線の交点および前記角部と前記対角線との交点のうち、少なくとも三点で囲まれた領域内にて開口されている請求項１に記載の半導体素子搭載用の支持体。
【請求項３】
前記切欠部の概観形状は、直方体である請求項１または２に記載の半導体素子搭載用の支持体。
【請求項４】
前記支持体の背面の方向から見て、前記切欠部の底面は、前記絶縁性部材の露出面である請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用の支持体。
【請求項５】
前記支持体の角部は、前記絶縁性部材が内壁面に露出された凹部を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用の支持体。
【請求項６】
前記絶縁性部材は、セラミックスを材料としており、前記金属部材の最表面は、銀または金である請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用の支持体。
【請求項７】
前記切欠部の開口面積は、前記側面または前記背面の面積の１／９以下である請求項１から６のいずれか一項に記載の半導体素子搭載用の支持体。