【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層成長法により層を堆積させる方法であって、
（ａ）半導体基板を反応器内に供給するステップと、
（ｂ）第１の前駆体ガスをパルス状で上記反応器内に供給するステップと、
（ｃ）第２の前駆体ガスをパルス状で上記反応器内に供給するステップと、
（ｄ）不活性雰囲気を上記反応器内に供給するステップと、
（ｅ）ステップ（ｂ）からステップ（ｄ）までを少なくとも１回繰り返すステップとを含んでいて、
ステップ（ｄ）の実施時に、上記半導体基板を、少なくとも１回、紫外線に曝露することを特徴とする方法。
【請求項２】
ステップ（ａ）とステップ（ｂ）との間、及び、ステップ（ｂ）とステップ（ｃ）との間のうちの少なくとも一方に、不活性雰囲気を上記反応器内に供給するステップをさらに含んでいることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記紫外線への曝露を、不活性雰囲気を上記反応器に供給する上記複数のステップのうちのいずれか１つのステップの実施時に実施することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記紫外線への曝露を、不活性雰囲気を上記反応器に供給する上記複数のステップのうちのいくつか（２つ又はこれより多い）のステップの実施時に実施することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
上記紫外線への曝露を、不活性雰囲気を上記反応器に供給する各ステップの実施時に実施することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
上記第１の前駆体ガスを、金属ハロゲン化物、金属酸ハロゲン化物及び有機金属で構成される群から選択することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
上記第２の前駆体ガスが、第１の前駆体と組み合わされて酸化物又は酸窒化物を形成するのに適した任意の前駆体で構成される群から選択されたガスを含み、又は上記ガスで構成されていることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
上記ガスを、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、Ｏ２及びＯ３で構成される群から選択することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
上記紫外線放射の波長を、上記半導体基板を紫外線放射に曝露することなく、同一の方法と比較して水酸基の形成を増加させるとともに、上記第１の前駆体の解離を増加させるのに十分なエネルギを与えるように選択することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１０】
上記紫外線放射の波長を、２０５ｎｍ未満、１９５ｎｍ未満、１８５ｎｍ未満又は１７５ｎｍ未満とすることを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記不活性雰囲気ガスを、希ガス又は窒素などの不活性ガスをパージすることにより供給することを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
水、過酸化水素、水素、又は、第１及び第２の前駆体と組み合わされて水酸基を形成するのに適したその他の種が、上記不活性雰囲気に微量存在することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
上記半導体基板を、紫外線放射への曝露時に、熱に曝露し、その温度を概ね室温と約３５０℃との間で変化させることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
上記ステップ（ｂ）から上記ステップ（ｄ）までを、約１００℃と約２５０℃との間の温度、又は、約１５０℃と約２２０℃との間の温度で実施することを特徴とする、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
上記紫外線放射への曝露を、堆積サイクルを、１回、２回、５回又は１０回実施した後に停止させることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１６】
上記半導体基板を、紫外線放射に、１回、２回、５回又は１０回曝露することを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１７】
上記半導体基板が、Ｓｉ、絶縁体上のシリコン、Ｇｅ、絶縁体上のゲルマニウム、又は、これらの組み合わせで構成されていることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１８】
上記第１の前駆体がＨｆＣｌ４であり、前記第２の前駆体がＨ２Ｏであることを特徴とする、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１９】
上記不活性ガスが窒素であることを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２０】
請求項１〜１７のいずれか１つに記載の方法によって得られる半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ＡＬＤにより層（layer）を堆積させる（deposit）ための方法は、（ａ）半導体基板を反応器内に供給するステップと、（ｂ）第１の前駆体ガス（precursor gas）をパルス（pulse）状で反応器内に供給するステップと、（ｃ）第２の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｄ）不活性雰囲気（inert atmosphere）を反応器内に供給するステップと、（ｅ）ステップ（ｂ）からステップ（ｄ）までを少なくとも１回繰り返すステップとを含んでいる。この方法においては、ステップ（ｄ）の実施時に、半導体基板を、少なくとも１回、ＵＶ放射に曝露（露光）する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明は、ＡＬＤ法により層を堆積させる方法であって、（ａ）半導体基板を反応器内に供給するステップと、（ｂ）第１の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｃ）第２の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｄ）不活性雰囲気を反応器内に供給するステップと、（ｅ）ステップ（ａ）からステップ（ｄ）までを繰り返すステップとを含んでいて、ステップ（ｄ）の実施時に、半導体基板をＵＶ放射に曝露するようにした方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
より特定すれば、本発明は、ＡＬＤ法により層を堆積させる方法であって、（ａ）半導体基板を反応器内に供給するステップと、（ｂ）第１の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｃ）第２の前駆体ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｄ）不活性雰囲気を反応器内に供給するステップと、（ｅ）ステップ（ｂ）からステップ（ｄ）までを少なくとも１回繰り返すステップとを含んでいて、ステップ（ｄ）の実施時に、半導体基板を少なくとも１回ＵＶ放射に曝露（露光）するようにした方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
好ましい実施態様によれば、本発明は、ＨｆＯ２を堆積させる方法であって、（ａ’）半導体基板、好ましくはＳｉ基板を反応器内に供給するステップと、（ｂ’）ＨｆＣｌ４ガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｃ’）Ｈ２Ｏガスをパルス状で反応器内に供給するステップと、（ｄ’）窒素ガスで反応器をパージするステップと、（ｅ’）ステップ（ｂ’）からステップ（ｄ’）までを少なくとも１回繰り返すステップとを含んでいて、ステップ（ｄ’）の実施時に、半導体基板を少なくとも１回ＵＶ放射に曝露するようにした方法を提供する。