【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているデータ線と、
前記データ線上に形成され、前記データ線を露出させる接触孔を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜上に位置して前記接触孔を通して前記データ線と接続されている第１電極と、
前記絶縁膜上に形成されている第２電極と、
前記第１電極の一部及び前記第２電極の一部を同時に露出させる第１開口部を有する絶縁物質層と、
前記第１開口部内に位置する半導体と、
前記半導体上に形成されているゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体上に形成されているゲート電極と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記半導体の側面は前記絶縁物質層で囲まれていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記ゲート絶縁体は、前記絶縁物質層で囲まれていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記絶縁物質層は、有機絶縁物質で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記絶縁物質層は、前記第２電極の他の一部を露出する第２開口部を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記半導体は、ポリチェニレンビニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）、オリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリ-３-ヘキシルチオフェン（ｐｏｌｙ−３-ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）または可溶性ペンタセン（ｓｏｌｕｂｌｅ  ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記ゲート絶縁体は、フッ素系炭化水素化合物、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ）またはポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記絶縁膜は、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜及び/又は有機膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記半導体の下部に位置した遮光部材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記遮光部材は、導電性であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１１】
前記ゲート電極上に位置した保護膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１２】
前記基板上に形成されている維持電極線連結部と、
前記維持電極線連結部と接続されて、前記ゲート線と同一層に形成されている維持電極線と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１３】
前記半導体は、有機半導体を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１４】
前記ゲート絶縁体の上面の高さは、前記絶縁物質層の上面の高さと同一であるか、または低いことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１５】
データ線を形成する段階と、
前記データ線上に第１絶縁膜を形成する段階と、
前記第１絶縁膜に前記データ線の一部を露出させる接触孔を形成する段階と、
前記接触孔を通して前記データ線と接続するソース電極を形成する段階と、
ドレーン電極を含む画素電極を形成する段階と、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極を露出させる第１開口部を有する第２絶縁膜を形成する段階と、
前記第１開口部に半導体を形成する段階と、
前記第１開口部内の前記半導体上にゲート絶縁体を形成する段階と、
前記ゲート絶縁体上にゲート電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体を形成する段階は、インクジェット法で遂行することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１７】
前記半導体を形成する段階は、
半導体溶液を印刷する段階と、
前記半導体溶液から溶媒を除去する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１８】
前記ゲート絶縁体を形成する段階は、インクジェット法で遂行することを特徴とする請求項１６に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２絶縁膜は、前記画素電極の一部を露出させる第２開口部を有することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２０】
前記ソース電極及び画素電極を形成する段階は、
透明導電膜を常温で形成する段階と、
前記透明導電膜を写真エッチングでパターニングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２１】
前記透明導電膜を写真エッチングする段階は、塩基性成分を含むエッチング液でエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項２０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２２】
前記第１絶縁膜を形成する段階は、
窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜を形成する段階と、
前記窒化ケイ素膜上に有機膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２３】
前記ゲート電極上に保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２４】
前記半導体は、有機半導体を含むことを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２５】
基板と、
前記基板上に形成されている導電体と、
前記基板及び前記導電体上に形成されて前記導電体の一部を露出させる開口部を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の開口部により露出された前記導電体部分と接続されている第１電極と、
前記第１絶縁膜上に形成されている第２電極と、
前記第１電極及び前記第２電極と接触する半導体と、
前記半導体上に形成されている絶縁体と、
前記半導体上の前記絶縁体上に形成されている第３電極と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２６】
前記第１電極はソース電極であり、前記第２電極はドレーン電極であり、前記半導体上の絶縁体はゲート絶縁体であり、前記第３電極はゲート電極であることを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２７】
前記半導体を囲む第２絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２８】
前記第２絶縁膜は、前記半導体上の前記絶縁体を囲むことを特徴とする請求項２７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項２９】
前記絶縁物質は、有機絶縁物質で構成されていることを特徴とする請求項２７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３０】
前記第１電極及び前記第２電極は、互いに離れていて実質的に同一距離を維持する境界線を有することを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３１】
前記境界線は、曲線であることを特徴とする請求項３０に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３２】
前記境界線は、蛇行形状であることを特徴とする請求項３１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３３】
前記半導体は、有機半導体を含むことを特徴とする請求項２５に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３４】
複数のトランジスタを含む薄膜トランジスタ表示板であって、
前記各トランジスタは、請求項２５に記載の薄膜トランジスタであり、
前記各薄膜トランジスタの導電体は、データ線であることを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３５】
前記半導体は、有機半導体を含むことを特徴とする請求項３４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法