(57)【要約】【課題】低電圧駆動をすることができ、電力効率を向上させることができる有機ＥＬ素子を提供する。【解決手段】一対の電極間に少なくとも発光層３を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子であって、発光層３が、２種類以上の発光性金属錯体と、発光性金属錯体以外の材料からなる１種類以上のホスト材料とからなり、かつ発光層３において発光性金属錯体のうち主発光を行う錯体からなる主ドーパントの濃度が一様でない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子において、
前記発光層が、２種類以上の発光性金属錯体と、該発光性金属錯体以外の材料からなる１種類以上のホスト材料とからなり、かつ前記発光層において前記発光性金属錯体のうち主発光を行う錯体からなる主ドーパントの濃度が一様でないことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記発光層の一部領域において前記発光性金属錯体のうち主ドーパントが非含有であるもしくは低濃度分散していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記発光層は、主ドーパントの濃度がＸｗｔ％（ここで、Ｘ＞０）である第１の領域と、前記主ドーパントの濃度がＹｗｔ％である第２の領域（ここで、Ｙ≠Ｘ，Ｙ≧０）とを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記主ドーパントの最大ピーク波長が、素子から取り出される最大ピーク波長のうち最も長波長であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記主ドーパントの発光層内における濃度が４ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記主ドーパントと前記発光性金属錯体のうち主発光を行う錯体以外の錯体からなる副ドーパントが燐光発光性金属錯体であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記発光性金属錯体のうち１種類がハロゲン原子を含むイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記発光性金属錯体のうち１種類がフッ素原子を含むイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記主ドーパントが以下に示すいずれかのイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【化１】
2008135547.tif 000014
【請求項１０】
前記副ドーパントから前記ホスト材料への励起三重項準位を介したエネルギー移動過程があることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記副ドーパントの発光層内における濃度が１２ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記副ドーパントが以下に示すイリジウム錯体であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【化２】
2008135547.tif 000015
【請求項１３】
前記発光層は、前記主ドーパントと前記副ドーパントと前記ホスト材料からなる第１の領域と、前記副ドーパントと前記ホスト材料からなる第２の領域からなる請求項１乃至１２のいずれかに記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に有機ＥＬ素子に用いられている発光は、発光中心の分子の一重項励起子から基底状態になるときの蛍光が取り出されている。一方、一重項励起子を経由した蛍光発光を利用するのでなく、三重項励起子を経由した燐光発光を利用する素子の検討がなされている（非特許文献１、非特許文献２）。
【０００３】
非特許文献１および２では、４層構成の有機化合物層が主に用いられており、陽極側からホール輸送層、発光層、励起子拡散防止層および電子輸送層からなっている。
【０００４】
有機化合物層に用いられている材料は、キャリア輸送材料と燐光発光性材料である。特に高効率が得られたのは、ホール輸送層にα−ＮＰＤ、電子輸送層にＡｌｑ3、励起子拡散防止層にＢＣＰ、発光層にＣＢＰをホスト材料として、６％程度の濃度で、燐光発光性材料であるＰｔＯＥＰまたはＩｒ（ｐｐｙ）3を混入して構成したものである。
【０００５】
燐光性発光材料が特に注目されている理由は、原理的に高発光効率が期待できるからである。すなわち、キャリア再結合により生成される励起子は１重項励起子と３重項励起子からなり、その確率は１：３である。１重項を利用した有機ＥＬ素子は、１重項励起子から基底状態に遷移する際の蛍光を発光として取り出していたが、原理的にその発光収率は生成された励起子数に対して、２５％でありこれが原理的上限であった。しかし、３重項から発生する励起子からの燐光を用いれば、原理的に少なくとも３倍の収率が期待される。さらに、エネルギー的に高い１重項からの３重項への項間交差による転移を考え合わせれば、原理的には４倍の１００％の発光収率が期待できる。
【０００６】
また、燐光発光性化合物をドーパントに用いたホスト材料の開発も活発に行われている（特許文献１参照）。さらには、燐光発光性化合物の開発も活発に行われている。その中でも、ハロゲン原子であるフッ素を含むイリジウム錯体（特許文献２参照）に関する開発も行われている。この場合、フッ素原子を導入することで、ドーパント濃度を２０％以上にする素子が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−５５２７５号公報
【特許文献２】国際公開第０２／０２７１４号パンフレット
【非特許文献１】Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  ｅｎｅｒｇｙ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ（Ｄ．Ｆ．Ｏ’Ｂｒｉｅｎら、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ  ７４，Ｎｏ３  ｐ４２２（１９９９））
【非特許文献２】Ｖｅｒｙ  ｈｉｇｈ−ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ  ｇｒｅｅｎ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ  ｂａｓｄ  ｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｓｐｈｏｒｅｓｃｅｎｃｅ（Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏら、Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  Ｖｏｌ  ７５，Ｎｏ１  ｐ４（１９９９））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、有機ＥＬ素子において、発光層からの発光を高効率で取り出すために光学干渉を最大限に利用しうる膜厚設計や、有機ＥＬ素子の電流漏洩を回避しうる各層の厚膜設計が望まれている。一方で、フラットパネルに用いられるＲＧＢ素子は、正孔輸送層や電子輸送層等の材料と膜厚を共通化することにより、製造コストを低下させ、プロセスを簡便にすることが期待されている。これらの必要性から、デバイス設計上、発光層の膜厚がＲＧＢの各々の素子で制限をうけており、設計膜厚が厚膜の場合に、高電圧化の課題が生じている。また、生産装置の中には、機能層毎に蒸着チャンバーを装備する装置がある為、材料数の増加は蒸着源数を増加させ、プロセスを複雑化させるという課題が生じている。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みて創案されたものであり、低電圧駆動をすることができ、電力効率を向上させることができる有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成すべく、本発明に係る有機ＥＬ素子は、一対の電極間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有する有機ＥＬ素子において、
前記発光層が、２種類以上の発光性金属錯体と、該発光性金属錯体以外の材料からなる１種類以上のホスト材料とからなり、かつ前記発光層において前記発光性金属錯体のうち主発光を行う錯体からなる主ドーパントの濃度が一様でないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発光層において発光性金属錯体のうち主発光を行う錯体からなる主ドーパントの濃度が一様でないので、主ドーパントの濃度が希薄な部分の存在により、有機ＥＬ素子の低電圧駆動することができ、電力効率を向上させることができる。また、本発明は、ＲＧＢ素子における各機能層の材料及び膜厚を共通化することに効果を発揮し、製造を低コストに抑え、プロセスを簡便にすることが可能となる。また、生産装置の観点からは、蒸着チャンバーの電源数を増加させることなく、低電圧駆動をする素子を作製することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。
【００１３】
本発明の有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を含む有機化合物層を有する発光素子である。本発明に係る有機ＥＬ素子の発光層以外の層構成としては特に限定されないが、例えば図１に示すような構成例が挙げられる。図１において、１は金属電極、２は電子輸送層、３は発光層、４はホール輸送層、５は透明電極、６は透明基板である。有機ＥＬ素子の作製方法としては、真空蒸着法に限らず、塗布法に代表される湿式法であってもよい。ここで、本発明において「発光層」とは、発光に関与する層を意味する。
【００１４】
上記発光層３は、２種類以上の発光性金属錯体と１種類以上のホスト材料とからなっている。この発光層３において発光性金属錯体のうち主ドーパントの濃度が一様ではなく、発光層３の一部領域において発光性金属錯体のうち主ドーパントが非含有である、もしくは低濃度分散している。すなわち、発光層３の膜厚を一定とした場合に、主ドーパントの相対的に発光の少ない領域において、主ドーパントを非含有とする、もしくは低濃度化することにより低電圧化している。
【００１５】
具体的には、発光層３において、主ドーパントの濃度がＸｗｔ％（ここで、Ｘ＞０）である第１の領域と、前記主ドーパントの濃度がＹｗｔ％である第２の領域（ここで、Ｙ≠Ｘ，Ｙ≧０）とを含む層構成が挙げられる。
ここで、発光領域が正孔輸送層側である場合、電子輸送層側の主ドーパントを非含有、もしくは低濃度化する。正孔輸送層側の主ドーパントを非含有、もしくは低濃度化する素子構成において、ホスト材料の顕著な発光を観測し、効率低下と色度ずれを引き起こす可能性があるためである。
【００１６】
ここで、本発明において「主ドーパント」とは、発光層３内に含有されている発光性金属錯体のうち主たる発光を示す発光性金属錯体を意味する。ここで、本発明において「主たる発光」とは、素子から取り出される最大ピーク波長のうち最大強度を示す発光を意味する。また、「ホスト材料」は、発光層３内に含有されている材料のうち、発光性金属錯体以外を意味する。
【００１７】
ここで、発光層３内の錯体種に関しては、エネルギー移動及びキャリア移動を担う錯体を含むが、有機ＥＬ素子製造時の低コスト化を実現するために発光層３内に含有する発光性金属錯体種はより少ないことが望ましい。さらに、主ドーパントの一部領域において耐久時間の増加を見込み、副ドーパントを含有することがより好ましい。
【００１８】
発光層に含まれる発光性金属錯体は特に限定されないが、キヤリアトラップ性の高い発光性金属錯体を用いた場合においては、特に電極間の層厚を薄膜にすることなく低電圧化できることに効果がある。そのため、発光性金属錯体としては、上記輸送性能を示す極性の強い原子、原子団、例えばフッ素等のハロゲン原子を含有するイリジウム錯体においてその効果が大きい。
【００１９】
発光性金属錯体として、好ましくは以下に示すイリジウム錯体などが挙げられ、少なくとも１種類がハロゲン原子を含むイリジウム錯体であることが好ましい。
【００２０】
【化１】
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【００２１】
【化２】
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【００２２】
一般に、発光効率低下の原因となる濃度消光を抑制するためには発光分子濃度を薄くする方法があるが、その場合には電流も流れなくなるのでエネルギー効率が低下する。上記したイリジウム錯体は構造が球体であり、白金−オクタチエニルポルフィリン錯体などの構造が平らなものに比べて会合性が低く、濃度消光の抑制に有効である。さらには、発光波長の調節を行うために、配位子骨格の選択や配位子に電子吸引性置換基あるいは電子供与性置換基等を付与することが一般的に行われている。ここで、発光波長コントロールの容易性、濃度消光の抑制および蒸着の容易性から、置換基としてハロゲン原子（特にフッ素原子）を導入する場合がある。
【００２３】
しかし、イリジウム錯体において、その配位子中にハロゲン原子を置換基として導入したものは伝導性が落ちることが多く（例えば、キャリアの分子間ホッピング障害の原因になる等）、駆動電圧および発光開始電圧の低電圧化が困難であるという問題があった。
【００２４】
本発明では、高量子効率を保有する上記のようなイリジウム錯体の低電流伝導性をデバイス構成上から回避したことにより、デバイス性能が向上している。
【００２５】
本発明では、ハロゲン原子のうちフッ素原子を含有するイリジウム錯体であることが好ましい。
【００２６】
主ドーパントとしては、上記したイリジウム錯体のうちでも、以下に示すいずれかのイリジウム錯体であることが好ましい。
【００２７】
【化３】
2008135547.tif 000005
【００２８】
主ドーパントの発光層内における濃度は、電流効率が最大になる濃度として、低濃度、例えば４ｗｔ％以下とすることが望ましい。
【００２９】
また、主ドーパントの最大ピーク波長が、素子から取り出される最大ピーク波長のうち最も長波長であることが好ましい。ここで、「最大ピーク波長」とは、（０，０）振動バンドのピーク波長を意味する。
【００３０】
副ドーパントとしては、素子内のキヤリアバランスが最適に保たれるように導電性の高い発光性金属錯体であることが好ましく、以下に示すイリジウム錯体がより好ましい。主ドーパントが低濃度、特に非含有の領域においても、導電性の高い副ドーパントを含有することで、低電圧化が期待できる。
【００３１】
【化４】
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【００３２】
ここで、「副ドーパント」とは、発光層３内に含有されている発光性金属錯体のうち、主たる発光を示す発光性金属錯体を除く発光性金属錯体を意味する。
【００３３】
副ドーパントの発光層内における濃度は、１２ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下のであることが望ましい。
【００３４】
ホスト材料としては、後述する実施例１で用いた副ドーパント（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）とホスト材料（化合物２）との組合せの様に、励起三重項準位を介した副ドーパントからホストへの良好なエネルギー移動過程が存在する組合せとなるような化合物が好ましい。尚、実施例におけるＩｒ（ｐｐｙ）3と化合物２のＴ１準位は各々２．４４ｅＶ，２．１７ｅＶであり、良好なエネルギー移動過程の存在を観測している。良好なエネルギー移動過程が起こるように、副ドーパントは高量子収率である燐光発光性錯体であることが望ましい。
【００３５】
図２は、Ｉｒ（ｐｐｙ）３を１２ｗｔ％含有した８０ｎｍの蒸着膜におけるＰＬ（フォトルミネッセンス）スペクトルを示したものである。図２において、例１はホストとしてＣＢＰ、例２はホストとして化合物２を用いた場合を示す。図２に示す様に、例２では例１に比べ、Ｉｒ（ｐｐｙ）3の発光は１０-2倍へ減少している。この観測結果は、化合物２を用いることによりホストからゲストへのエネルギー移動過程が抑制されていることを示唆する。
【００３６】
すなわち、本発明における副ドーパントは実質的に非発光であり、電荷輸送担体やホスト材料である化合物へのエネルギー移動元として機能していることが好ましい。この機能があることで、主ドーパントが低濃度、特に非含有の領域において、その領域で再結合した励起子に関してもエネルギー移動過程を経由し発光に関与することができ、高効率を期待できる。
【００３７】
更に、三重項準位に関して、副ドーパント、ホスト、主ドーパントの序列で低下していることが好ましい。更に、ホスト材料の燐光寿命が長いもの、すなわち蛍光発光材料が好ましい。これは、長燐光寿命をもつホスト材料であることで、良好なホスト経由のエネルギー移動過程を期待できるためである。
【００３８】
以下に本発明に用いるホスト材料の具体例を示しているが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
【化５】
2008135547.tif 000007
【００４０】
【化６】
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【００４１】
【化７】
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【００４２】
本発明に係る有機ＥＬ素子は高効率であり、省エネルギーや高輝度が必要な製品に応用が可能である。応用例としては、表示装置、照明装置やプリンターの光源、液晶表示装置のバックライトなどが考えられる。
【００４３】
表示装置としては、省エネルギーや高視認性・軽量なフラットパネルディスプレイが可能となる。
【００４４】
また、プリンターの光源としては、現在広く用いられているレーザビームプリンタのレーザー光源部を該有機ＥＬ素子に置き換えることが可能となる。独立にアドレスできる複数の素子をアレイ上に配置し、感光ドラムに所望の露光を行うことにより、画像形成することができる。本発明の有機ＥＬ素子を用いることにより、装置体積を大幅に減少することができる。
【００４５】
照明装置やバックライトに関しては、本発明による省エネルギー効果が期待できる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００４７】
以下の実施例における素子作製工程の共通部分について説明する。
【００４８】
素子構成として、図１に示す有機ＥＬ素子を用いた。
【００４９】
透明基板６としてガラス基板を用い、このガラス基板上に透明電極５として１００ｎｍのＩＴＯ（インジウム錫酸化物）をパターニングして、対抗する電極面積が３ｍｍ2になるようにした。このＩＴＯ基板上に、以下の有機化合物層および電極層を１０-5Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱により真空蒸着し、連続成膜した。
【００５０】
ホール輸送層４（４０ｎｍ）：ＦＬ０３
発光層３：各実施例に示す
電子輸送層２（４５ｎｍ）：Ｂｐｈｅｎ
金属電極層１−１（１ｎｍ）：ＫＦ
金属電極層１−２（１００ｎｍ）：Ａｌ
以下に、ＦＬ０３、Ｂｐｈｅｎの化学式を示す。
【００５１】
【化８】
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【００５２】
＜実施例１、比較例１＞
実施例１において、発光層３（５０ｎｍ）は、ホール輸送層４側の第１の領域（ホスト材料＋主ドーパント＋副ドーパントの層（２５ｎｍ））と、電子輸送層２側の第２の領域（ホスト材料のみの層（２５ｎｍ））とからなっている。
【００５３】
比較例１において、発光層３（５０ｎｍ）は、ホスト材料＋主ドーパント＋副ドーパントの層からなっている。
【００５４】
発光層３のホスト材料として、芳香性側方置換基をもたない単一分子量の線状芳香族化合物である前記化合物２を使用した。また、主ドーパントとして、分子構造中にハロゲン系フッ素原子を含むＩｒ（４Ｆ５ｍｐｉｑ）３を使用した。また、副ドーパントとして、高量子収率を保有する緑色Ｉｒ（ｐｐｙ）３を使用した。
【００５５】
さらに、ドーパント濃度は、主ドーパントを４ｗｔ％、副ドーパントを１６ｗｔ％とした。
【００５６】
これらの素子におけるデバイス特性を表１に列挙する。測定したデバイス特性は、以下の通りである。
発光開始電圧（０．１ｍＡ／ｃｍ2の導電時電圧）、４Ｖ駆動時の電流、電流効率及び電力効率（輝度６００ｃｄ／ｍ2発光時）、電圧（輝度５００ｃｄ／ｍ2、１５００ｃｄ／ｍ2発光時）、ＣＩＥ色度（輝度６００ｃｄ／ｍ2発光時）
【００５７】
実施例１は、発光層３のうち電子輸送層２側に位置する第２の領域をホスト材料のみで構成することによって、同一ＣＩＥ色度を保持しつつ発光開始電圧の低下、４Ｖ駆動時の電流が上昇し、更に電流効率及び電力効率が向上していることを確認した。
【００５８】
なお、発光スペクトルより、Ｉｒ（ｐｐｙ）３によるλｍａｘ＝５２０ｎｍの発光は観測されていない。
【００５９】
また、第１と第２の領域を入れ替えた構成においては、ホスト材料の発光が顕著に観測され、第１の領域からの発光を観測する。このため、主ドーパントの低濃度領域は、電子輸送層側の第２の領域とすることで、主ドーパントの発光を高効率に取り出すことができる。
【００６０】
＜実施例２＞
第２の領域を、ホスト材料＋副ドーパント（２５ｎｍ）の層とした以外は、実施例１と同様である。第２の領域における、副ドーパント濃度は１６ｗｔ％とした。
【００６１】
これらの素子におけるデバイス特性を表１に列挙する。
【００６２】
実施例２は、第２の領域においてホスト材料と副ドーパントを含有することによって、同一ＣＩＥ色度を保持しつつ発光開始電圧の低下し、４Ｖ駆動時の電流が上昇し、電流効率及び電力効率が向上していることを確認した。
【００６３】
なお、発光スペクトルより、Ｉｒ（ｐｐｙ）３によるλｍａｘ＝５２０ｎｍの強度１０-3（Ｉｒ（４Ｆ５ｍｐｉｑ）３比）で緑色発光していることを観測した。第２の領域において添加されている副ドーパントＩｒ（ｐｐｙ）３の発光は観測されていない。
【００６４】
【表１】
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【００６５】
電子輸送層２側に位置する第２の領域において、（１）比較例１は、ホスト材料と主ドーパント及び副ドーパントが含有されているデバイスである。また、（２）実施例１は、ホスト材料のみを含有するデバイスである。さらに、（３）実施例２は、ホスト材料と副ドーパントのみを含有するデバイスである。これらの特性比較を以下に行う。
【００６６】
デバイス構成を（１）→（２）→（３）へ移行することで、発光開始電圧は３．５２Ｖ→３．３８Ｖ→３．１７Ｖへ変化し、４Ｖ印加時の電流値は０．５２ｍＡ／ｃｍ2→２．５２ｍＡ／ｃｍ2→６．２ｍＡ／ｃｍ2へ変化して、伝導性の向上を果たした。これに付随して、電力効率は１０．７ｌｍ／Ｗ→１３．２ｌｍ／Ｗ→１４．３ｌｍ／Ｗへ上昇し、１５００ｃｄ／ｍ2での電圧は５．７Ｖ→４．５Ｖ→４．１Ｖへ低減し、高電力効率が観測された。
【００６７】
総じて実施例１および実施例２では、主ドーパントＩｒ（４Ｆ５ｍｐｉｑ）３を第２の領域において非含有にすることにより、低電圧駆動することを確認した。さらに実施例２では、高導電性を保有している副ドーパントＩｒ（ｐｐｙ）３を含有することにより、低電圧駆動することが可能であることを確認した。ただし、比較例１の発光層厚を半値２５ｎｍにしたデバイス程は低電圧化しておらず、発光層３の層厚固定の系において低電圧化に有効な手法であることを確認した。
【００６８】
＜実施例３、比較例２＞
主ドーパントとして、Ｉｒ（４ｍｏｐｉｑ）３を使用した以外は、それぞれ実施例２、比較例１と同様である。
【００６９】
これらの素子におけるデバイス特性を表２に列挙する。
【００７０】
主ドーパントがＩｒ（４Ｆ５ｍｐｉｑ）３である実施例２と同様、同一ＣＩＥ色度を保持しつつ、第２の発光層に主ドーパントを非含有することによって、発光開始電圧の低下、４Ｖ駆動時の電流の上昇、電流効率及び電力効率の向上を確認した。ハロゲン原子を含むイリジウム錯体と比較し、ハロゲン原子を含まないイリジウム錯体Ｉｒ（４ｍｏｐｉｑ）３においてもその効果は低減しているが低電圧化していることを確認した。
【００７１】
この素子の発光スペクトルから、主発光がλｍａｘ＝６１５ｎｍのＩｒ（４ｍｏｐｉｑ）３、副発光がλｍａｘ＝５１０ｎｍのＩｒ（ｐｐｙ）３発光であることを確認した。
【００７２】
【表２】
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【００７３】
＜実施例４乃至８＞
第２の領域におけるドーパント濃度を、主ドーパント４ｗｔ％、副ドーパント８ｗｔ％（実施例４）、１６ｗｔ％（実施例５）、２４ｗｔ％（実施例６５）、３２ｗｔ％（実施例７）、６４ｗｔ％（実施例８）、とした以外は、実施例２と同様である。
【００７４】
これらの素子におけるデバイス特性を表３に列挙する。
【００７５】
４Ｖ駆動時の電流値及び電流効率はＩｒ（ｐｐｙ）３が１６ｗｔ％（実施例５）で最適となり、電圧効率の低下、電力効率の上昇を確認した。
【００７６】
なお、この素子の発光スペクトルから、主発光がλｍａｘ＝６１０−２０ｎｍのＩｒ（４Ｆ５ｍｐｉｑ）３、副発光がλｍａｘ＝５１０ｎｍのＩｒ（ｐｐｙ）３発光であることを確認した。特に実施例８では、副ドーパントＩｒ（ｐｐｙ）３を高濃度で含有しており該発光材料の発光が発光強度１０-2程度と増加していることを観測した。結果として、低電圧駆動及び高電流効率に対し効果があることが分かった。
【００７７】
【表３】
2008135547.tif 000013
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明に係る有機ＥＬ素子の一構成例を示す模式図である。
【図２】発光強度を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７９】
１  金属電極
２  電子輸送層
３  発光層
４  ホール輸送層
５  透明電極
６  透明基板
【図１】
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【図２】
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