【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持表面を有する、前歪みを加えた弾性基板と、
少なくとも１個の凸部領域と少なくとも１個の凹部領域とを含む曲面状内表面を有し、湾曲した形態で設けられた単結晶半導体構造であって、前記曲面状内表面の少なくとも一部が前記前歪み弾性基板の前記支持表面に結合されており、
歪みを受けた湾曲構造を有する半導体構造と、
を備える、伸縮性半導体素子。
【請求項２】
前記湾曲半導体構造が約１％〜約３０％の範囲にわたって選択された歪みを受けている、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項３】
前記曲面状内表面が、周期波または非周期波を含む外形プロファイルを有する、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項４】
前記湾曲半導体構造が、約１ミクロンおよび１００ミクロンの範囲から選択された周期性と、約５０ナノメータおよび約５ミクロンの範囲から選択された振幅とを有する正弦波形態を有する、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項５】
前記湾曲半導体構造が、前記構造の長さに沿って延びる複数の座屈を含む形態を有する、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項６】
前記湾曲半導体構造が一次元または二次元で空間的に変動する形態を有し、前記内表面が一次元または二次元で空間的に変動する外形プロファイルを有する、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項７】
前記半導体構造が、約５０ナノメータから約５０ミクロンまでの範囲にわたって選択された厚さを有する、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項８】
前記曲面状内表面が、前記曲面状内表面に沿ったほぼ全ての点で前記支持表面に連続的に結合されているか、又は、前記曲面状内表面が、前記曲面状内表面に沿った選択された点で前記支持表面に不連続的に結合されている、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項９】
前記半導体構造が印刷可能半導体素子を備える、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項１０】
曲面状内表面を有する前記半導体構造と接触する封入層をさらに備える、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項１１】
前記半導体構造が、前記半導体構造と前記前歪み弾性基板の間に配置された接着層、コーティング、または薄膜によって前記前歪み弾性基板に結合されている、請求項１に記載の伸縮性半導体素子。
【請求項１２】
伸縮性半導体素子を製造する方法であって、
内表面を有する移送可能な単結晶半導体構造を設けるステップと、
外表面を有し、膨張状態で前歪みを加えた弾性基板を設けるステップと、
前記移送可能単結晶半導体構造を、膨張状態の前記前歪み弾性基板の前記外表面に印刷し、それによって前記移送可能単結晶半導体構造の前記内表面を、膨張状態の前記前歪み弾性基板の前記外表面に結合するステップと、
前記前歪み弾性基板を少なくとも部分的に弛緩状態へと弛緩させ、前歪み弾性基板の弛緩により前記半導体構造が湾曲し、それによって前記伸縮性半導体素子を生成するステップと、
を備える、方法。
【請求項１３】
前記移送可能半導体構造が印刷可能半導体素子である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記前歪み弾性基板が第１の軸に沿って膨張されるか、または前記第１の軸に直交して配置された第２の軸に沿って膨張される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記弾性基板が約１％〜約３０％の歪みを導入することによって前歪みを受ける、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
膨張状態の前記前歪み弾性基板が、前記弾性基板を湾曲、圧延、屈曲、温度を上げること、または膨張することにより形成される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記移送可能半導体構造の前記内表面と前記前歪み弾性基板の前記外表面とを結合するステップが、前記半導体構造と前記弾性基板の間の接着薄膜によって与えられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記伸縮性半導体素子を封入層で封入するステップをさらに備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
支持表面を有する、前歪みを加えた弾性基板と、
複数の集積デバイスコンポーネントを備える電子回路であって、前記電子回路が、少なくとも１個の凸部領域と少なくとも１個の凹部領域とを含む曲面状内表面を有し、湾曲した形態で設けられており、前記曲面状内表面の少なくとも一部が前記前歪み弾性基板の前記支持表面に結合されており、前記複数の集積デバイスコンポーネントが、歪みを受けた湾曲構造を備え、前記複数の集積デバイスコンポーネントが、前記湾曲構造内に設けられた単結晶半導体構造を含む、電子回路と、
を備える、伸縮性電子回路。
【請求項２０】
前記電子回路が印刷可能電子回路である、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２１】
前記集積デバイスコンポーネントが、半導体素子、誘電体素子、電極、導電体素子、およびドープされた半導体素子から成る群から選択される、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２２】
前記湾曲構造が約１％〜約３０％の範囲にわたって選択された歪みを受けている、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２３】
前記曲面状内表面が、周期波または非周期波によって特徴付けられる外形プロファイルを有する、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２４】
前記湾曲構造が、約１ミクロンおよび１００ミクロンの範囲から選択された周期性と、約５０ナノメータおよび約５ミクロンの範囲から選択された振幅とを有する正弦波形態を有する、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２５】
前記湾曲構造が一次元または二次元で空間的に変動する形態を有し、前記内表面が一次元または二次元で空間的に変動する外形プロファイルを有する、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２６】
前記電子回路が、約５０ナノメータから約５０ミクロンまでの範囲にわたって選択された厚さを有する、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２７】
前記電子回路が、前記電子回路と前記前歪み弾性基板の間に配置された接着層、コーティング、または薄膜によって前記前歪み弾性基板に結合されている、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２８】
曲面状内表面を有する前記電子回路と接触する封入層をさらに備える、請求項１９に記載の伸縮性電子回路。
【請求項２９】
伸縮性電子回路を製造する方法であって、
内表面を有する移送可能な電子回路を設けるステップであって、前記移送可能電子回路が、単結晶半導体構造を含む複数の集積デバイスコンポーネントを備える、ステップと、
外表面を有し、膨張状態で前歪みを加えた弾性基板を設けるステップと、
前記移送可能電子回路を、膨張状態の前記前歪み弾性基板の前記外表面に印刷し、それによって前記移送可能電子回路の前記内表面を、膨張状態の前記前歪み弾性基板の前記外表面に結合するステップと、
前記前歪み弾性基板を少なくとも部分的に弛緩状態へと弛緩させ、前歪み弾性基板の弛緩により前記移送可能電子回路が湾曲し、それによって前記伸縮性電子回路を生成するステップと、
を備える、方法。
【請求項３０】
前記移送可能電子回路が印刷可能電子回路である、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記前歪み弾性基板が第１の軸に沿って膨張されるか、または第１の軸および第２の軸に沿って膨張される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３２】
前記弾性基板が約１％〜約３０％の歪みを導入することによって前歪みを受ける、請求項２９に記載の方法。
【請求項３３】
膨張状態の前記前歪み弾性基板が、前記弾性基板を湾曲、圧延、屈曲、膨張、または温度を上げることにより形成される、請求項２９に記載の方法。
【請求項３４】
前記伸縮性電子回路を封入層で封入するステップをさらに備える、請求項２９に記載の方法。