(57)【要約】【課題】グラインディング工程で発生する加工変質層を効果的に除去し、後続のポリシング工程において最小限の研磨量で高平坦度を確保して、工程進行過程で発生し得る金属汚染の問題を解決すること。【解決手段】シリコン単結晶棒をスライシングしてウェハーを製造するステップ（Ｓ２１）、前記スライシングされたウェハーのエッジを面取りするステップ（Ｓ２２）、前記面取りされたウェハーをラッピングするステップ（Ｓ２３）、前記ラッピングされたウェハーをエッチングするステップ（Ｓ２４）、前記エッチングされたウェハーをグラインディングするステップ（Ｓ２５）、前記グラインディングされたウェハーに発生した加工変質層を除去するためにアルカリ水溶液を用いてスライトエッチングするステップ（Ｓ２６）、前記スライトエッチングされたウェハーの両面または片面をポリシングするステップ（Ｓ２７）、及び前記ポリシングされたウェハーを洗浄するステップ（Ｓ２８）を含むシリコンウェハーの製造方法。【選択図】図２
2008166805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶棒をスライシングしてウェハーを製造するステップ（Ｓ２１）と、
前記スライシングされたウェハーのエッジを面取りするステップ（Ｓ２２）と、
前記面取りされたウェハーをラッピングするステップ（Ｓ２３）と、
前記ラッピングされたウェハーをエッチングするステップ（Ｓ２４）と、
前記エッチングされたウェハーをグラインディングするステップ（Ｓ２５）と、
前記グラインディングされたウェハーに発生した加工変質層を除去するためにアルカリ水溶液を用いてスライトエッチングするステップ（Ｓ２６）と、
前記スライトエッチングされたウェハーの両面または片面をポリシングするステップ（Ｓ２７）と、
前記ポリシングされたウェハーを洗浄するステップ（Ｓ２８）と、を含むことを特徴とする高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項２】
前記Ｓ２５ステップのグラインディングは、前記エッチングされたウェハーに対して、セラミックスボンドと微細ダイヤモンド粒子が混合されて製造されたポリホイールを用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項３】
前記ポリホイールを用いたグラインディングにおいて、前記ポリホイールの製造に用いられるダイヤモンド粒子の粒径は、０．２〜１．０μｍであることを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項４】
前記ポリホイールを用いたグラインディングにおいて、前記ポリホイールの回転速度は９００〜１，５００ｒｐｍであり、前記ポリホイールの移動速度は０．１〜０．３μｍ／ｓであり、グラインディングされるウェハーの回転速度は１５０〜２５０ｒｐｍであることを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項５】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングに使われるアルカリ水溶液は、ＮａＯＨまたはＫＯＨのうち選択されたいずれか１つであることを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項６】
前記スライトエッチング時にアルカリ水溶液として選択されて使われるＮａＯＨは、その濃度が４８〜５５％であることを特徴とする請求項５に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項７】
前記スライトエッチング時に選択されて使われるＮａＯＨは、Ｎｉ含量が０．２ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ ｐｅｒ ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であり、Ｃｕ含量が１ｐｐｂ以下であり、Ｆｅ含量が２０ｐｐｂ以下であり、Ａｌ含量が２０ｐｐｂ以下であり、塩化物が３００ｐｐｍ以下の純度であることを特徴とする請求項５に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項８】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、５５〜７５℃の温度で行うことを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項９】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、厚さ３〜４μｍのウェハー上部層を除去するように行うことを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項１０】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、エッチング液内に浸漬されたウェハーを揺り動かしながら行うことを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項１１】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、高循環流量方式で行うことを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【請求項１２】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、拡散板を用いて行うことを特徴とする請求項２に記載の高平坦度シリコンウェハーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高平坦度シリコンウェハーの製造方法に関し、より詳しくは、スライシング、面取り、ラッピング、エッチング工程の後に行われるグラインディング工程で発生する加工変質層を効果的に除去するために、ポリシング工程などの後続工程に先立ってアルカリ水溶液を用いたスライトエッチング工程を追加的に行う高平坦度シリコンウェハーの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のシリコンウェハーは、シリコン単結晶から多段階の加工段階を経て製造される。これについて図面を参照して簡略に説明する。
【０００３】
図１は、従来のシリコンウェハーを製造する方法を説明するための工程フロー図である。
図面を参照すれば、シリコン単結晶インゴットをスライシング（ｓｌｉｃｉｎｇ）する工程（Ｓ１１）、スライシングして得られたシリコンウェハーのエッジを面取り（ｅｄｇｅ  ｃｈａｍｆｅｒｉｎｇ）する工程（Ｓ１２）、ラッピング（ｌａｐｐｉｎｇ）工程（Ｓ１３）、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）工程（Ｓ１４）、ウェハーの片面または両面をポリシング（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）する工程（Ｓ１５）、及び洗浄工程（Ｓ１６）を順次行ってシリコンウェハーが製造されていることが分かる。
【０００４】
これらの工程は、目的に応じてその一部の工程が部分的に変更されたり、複数回繰り返されたり、または熱処理、研削など他の工程が追加、置き換えられて各種工程を行うことができる。特に、前記エッチング工程（Ｓ１４）は、スライシング（Ｓ１１）、面取り（Ｓ１２）、ラッピング（Ｓ１３）などの機械的な加工により発生した表面加工変質層（ｓｕｒｆａｃｅ  ｄｅｇｒａｄｅｄ ｌａｙｅｒ）の除去を目的として行われている。このようなエッチング工程（Ｓ１４）では、ウェットエッチングが行われることが一般的であり、従来は単位工程の処理容量などの側面からより有利であるアシッドエッチング（ａｃｉｄ  ｅｔｃｈｉｎｇ）が主に用いられてきたが、近年ゲートデザインルールの精密化に伴って平坦度（ｆｌａｔｎｅｓｓ）や皺変形（ｗａｖｉｎｇ）などの改善が求められ、主にアルカリエッチング（ａｌｋａｌｉ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を用いることが趨勢である。このようなアルカリエッチングの後にも、ウェハー表面には数〜数十μｍのピット損傷が存在する。しかも、アシッドエッチングと違ってアルカリエッチングを行う場合には、フッ酸を用いた金属洗浄が困難であり、アルカリエッチング液の内部に含まれている金属不純物によってウェハーが再汚染される問題が指摘された。そこで、ウェハー製造工程から発生する不純物によるウェハーの汚染を改善するための研究がなされている。
【０００５】
従来は前述したように、エッチング工程（Ｓ１４）の後にはポリシング工程（Ｓ１５）及び洗浄工程（Ｓ１６）を行うことが一般的であったが、シリコンウェハーに形成される電気素子の微細化に伴う微細線幅の具現が求められると共に、ポリシング工程（Ｓ１５）直前のウェハーに高平坦度が確保されることが必要となった。そこで、エッチング工程（Ｓ１４）とポリシング工程（Ｓ１５）との間にグラインディング（ｇｒｉｎｄｉｎｇ）工程を追加してシリコンウェハーの片面または両面をグラインディングすることで、その平坦度を改善する技術が提案されている。グライディング工程の後にポリシング工程が行われる。このように、グラインディング工程をポリシング工程に先立って行うようになれば、ポリシング工程（Ｓ１５）において最小限の研磨量で高平坦度を有するシリコンウェハーをより容易に製造することができる。ところが、前記グラインディング工程を行うと、新たな加工変質層がシリコンウェハーの表面に発生するようになり、これに対する処理が十分でなければ、以後形成される素子の電気的特性を悪化させる原因になる恐れがある。
【０００６】
本発明は、高平坦度シリコンウェハーの提供において、従来行われた加工工程のエッチング工程とポリシング工程との間にグラインディング工程を追加するが、グラインディング工程で発生した加工変質層を効果的に除去して工程中の金属汚染の問題を解決できる方法を探るための関連業界の研究がなされている技術的背景から案出されたものである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、前述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、シリコンウェハーに形成される半導体素子の小型化及び微細線幅の具現のための高平坦度シリコンウェハーを提供するために、従来のエッチング工程とポリシング工程との間に追加されるグラインディング工程で発生する加工変質層を効果的に除去し、後続のポリシング工程において最少限の研磨量で高平坦度を確保して、工程進行過程で発生しうる金属汚染の問題を解決することができる高平坦度シリコンウェハーの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の目的を達成するために提供される高平坦度シリコンウェハーの製造方法は、シリコン単結晶棒をスライシングしてウェハーを製造するステップ（Ｓ２１）、前記スライシングされたウェハーのエッジを面取りするステップ（Ｓ２２）、前記面取りされたウェハーをラッピングするステップ（Ｓ２３）、前記ラッピングされたウェハーをエッチングするステップ（Ｓ２４）、前記エッチングされたウェハーをグラインディングするステップ（Ｓ２５）、前記グラインディングされたウェハーに発生した加工変質層を除去するためにアルカリ水溶液を用いてスライトエッチングするステップ（Ｓ２６）、前記スライトエッチングされたウェハーの両面または片面をポリシングするステップ（Ｓ２７）、及び前記ポリシングされたウェハーを洗浄するステップ（Ｓ２８）を含むことを特徴とする。
【０００９】
前記Ｓ２５ステップのグラインディングは、エッチングされたウェハーに対してセラミックスボンドと微細ダイヤモンド粒子が混合されて製造されたポリホイールを用いて行うことが望ましい。前記ポリホイールを用いたグラインディングにおいて、前記ポリホイールの製造に用いられたダイヤモンド粒子の粒径は、０．２〜１．０μｍであることが望ましい。また、前記ポリホイールの回転速度は９００〜１，５００ｒｐｍであり、前記ポリホイールの移動速度は０．１〜０．３μｍ／ｓであり、グラインディングされるウェハーの回転速度は１５０〜２５０ｒｐｍであることが望ましい。
【００１０】
前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングに用いられるアルカリ水溶液は、ＮａＯＨまたはＫＯＨのうち選択されたいずれか１つが用いられることが望ましい。このとき、前記スライトエッチング時のアルカリ水溶液として選択されて使われるＮａＯＨは、その濃度が４８〜５５％であることが望ましい。
【００１１】
また、前記ＮａＯＨは、Ｎｉ含量が０．２ｐｐｂ（ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  ｂｉｌｌｉｏｎ）以下であり、Ｃｕ含量が１ｐｐｂ以下であり、Ｆｅ含量が２０ｐｐｂ以下であり、Ａｌ含量が２０ｐｐｂ以下であり、塩化物が３００ｐｐｍ以下の純度であることが望ましい。前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、５５〜７５℃の温度で行うことが望ましく、また、厚さ３〜４μｍのウェハー上部層を除去するように行うことが望ましい。前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、エッチング液内に浸漬されたウェハーを揺り動かしながら行うか、高循環流量で行うか、拡散板（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｐｌａｔｅ）を用いて行うことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シリコンウェハーに形成される半導体素子の小型化及び微細線幅の具現のための高平坦度シリコンウェハーを提供するために、従来のエッチング工程とポリシング工程との間に追加されるグラインディング工程で発生する加工変質層を効果的に除去し、後続のポリシング工程において最少限の研磨量で高平坦度を確保して、工程進行過程で発生し得る金属汚染の問題を解決することができるという長所がある。また、これに用いられる高純度スライトエッチング液を簡易且つ経済的に用意することができるという長所もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を具体的に説明するために実施例を挙げて説明し、発明に対する理解を助けるために添付図面を参照して詳細に説明する。しかし、本発明に係る実施例は様々な他の形態に変形可能であり、本発明の範囲が後述する実施例に限定されて解釈されてはならない。本発明の実施例は、当業界で平均的な知識を持った者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１４】
図２は、本発明による高平坦度シリコンウェハーを提供する方法を説明するための工程フロー図である。
【００１５】
本発明による高平坦度シリコンウェハーの製造方法は、シリコン単結晶棒をスライシングしてウェハーを製造するステップ（Ｓ２１）、前記スライシングされたウェハーのエッジを面取りするステップ（Ｓ２２）、前記面取りされたウェハーをラッピングするステップ（Ｓ２３）、前記ラッピングされたウェハーをエッチングするステップ（Ｓ２４）、前記エッチングされたウェハーの片面または両面をグラインディングするステップ（Ｓ２５）、前記グラインディングされたウェハーに発生した加工変質層を除去するためにアルカリ水溶液を用いてスライトエッチングするステップ（Ｓ２６）、前記スライトエッチングされたウェハーの両面または片面をポリシングするステップ（Ｓ２７）、及び前記ポリシングされたウェハーを洗浄するステップ（Ｓ２８）を含めて行われる。
【００１６】
前記Ｓ２１ステップ〜Ｓ２４ステップ、Ｓ２７ステップ及びＳ２８ステップは、従来のシリコンウェハーを製造する方法と同様であり、公知の方法によって行うことができるので、これについての詳しい説明は省略する。本発明で最も特徴的な部分は、高平坦度を具現するために、ポリシング工程（Ｓ２７）に先立ってウェハーの片面または両面に対してグラインディング工程（Ｓ２５）を行うことであり、さらに前記グラインディング工程（Ｓ２５）で発生したウェハー表面の加工変質層を効果的に除去するためにスライトエッチング工程（Ｓ２６）を行うことである。
【００１７】
前記Ｓ２５ステップのグラインディングは、エッチングされたウェハーに対してセラミックスボンドと微細ダイヤモンド粒子が混合されて製造されたポリホイールを用いて行うことができる。このとき、前記ポリホイールを用いたグラインディングにおいて、前記ポリホイール製造に用いられたダイヤモンド粒子の粒径は、０．２〜１．０μｍであることが望ましい。また、前記グラインディング時、前記ポリホイールの回転速度は９００〜１，５００ｒｐｍであり、前記ポリホイールの移動速度は０．１〜０．３μｍ／ｓであり、グラインディングされるウェハーの回転速度は１５０〜２５０ｒｐｍであることが望ましい。
【００１８】
図３は、従来のグラインディングホイール（ａ）及び本発明で用いたグラインディングホイール（ｂ）の表面を３次元的に撮影した写真であり、図４は従来のグラインディングホイール（ａ）及び本発明で用いたグラインディングホイール（ｂ）の表面を２次元的に撮影した写真である。
【００１９】
示された２つの写真を相互比べると、従来のグラインディングホイール（ａ）で現われているホイール膜が、本発明で用意したグラインディングホイール（ｂ）では現われていないことが分かる。すなわち、本発明で用意したグラインディングホイール（ｂ）の表面粗度が良好であることが分かる。
【００２０】
前述したようなグラインディング工程（Ｓ２５）が行われた後、スライトエチング工程（Ｓ２６）が行われる。前記スライトエッチングに用いられるアルカリ水溶液は、ＮａＯＨまたはＫＯＨのうち選択されたいずれか１つを用いることができる。このとき、前記スライトエッチング時のアルカリ水溶液として選択されて使われるＮａＯＨは、その濃度が４８〜５５％であることが望ましい。前記ＮａＯＨの濃度が４８％に達していないと、表面粗度が高くなり好ましくない。一方、前記ＮａＯＨの濃度が５５％を超えると、コストが上昇して高濃度による比例的な上昇効果が低減し、凝固点が高くなって製品の運搬、移動及び使用上の問題が生じ、さらにエッチングレートも非常に低く加工歩留まりが低下して好ましくない。エッチング液の濃度が高いほど組織サイズ（ｔｅｘｔｕｒｅ  ｓｉｚｅ）が小さくなり、除去率（ｒｅｍｏｖａｌ）及び表面反射度（ｇｌｏｓｓ）が減少する傾向があるが、一定濃度を超える場合には、前述したような問題が生じ得るため望ましくない。また、前記ＮａＯＨは、Ｎｉ含量が０．２ｐｐｂ以下であり、Ｃｕ含量が１ｐｐｂ以下であり、Ｆｅ含量が２０ｐｐｂ以下であり、Ａｌ含量が２０ｐｐｂ以下であり、塩化物が３００ｐｐｍ以下の純度であることが望ましい。前述したような純度を維持しなければ、ウェハーのバルク及び表面汚染によるゲートデザインルール及び電気的特性の変化への影響を最小化することができない。前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、５５〜７５℃の温度で行うことが望ましく、また、厚さ３〜４μｍのウェハー上部層を除去するように行うことが望ましい。前記Ｓ２６ステップのスライトエッチングは、エッチング液内に浸漬されたウェハーを揺り動かしながら行うか、高循環流量で行うか、拡散板を用いて行うことができる。
【００２１】
前記スライトエッチング工程におけるエッチング液の濃度に関して、エッチング液として使われたＮａＯＨの濃度が４５％以下の場合と５０％以上の場合とに区分したとき、濃度と除去率及び表面反射度との相関関係は、図５及び図６を通じて確認することができる。
【００２２】
図５は、本発明によるスライトエッチングで使われたエッチング液であるＮａＯＨの濃度変化によるスライトエッチング以後のシリコンウェハー表面の写真である。写真を参照すれば、ＮａＯＨ濃度が４５％以下である３つの写真資料（左側から３番目の写真まで）に現われているように、ウェハー表面の粗度及び組織サイズ（ｔｅｘｔｕｒｅ  ｓｉｚｅ）が十分に確保されていないため、ウェハー表面のピット不良（ｐｉｔ  ｒｅｊｅｃｔ）の原因になる可能性が高い。一方、ＮａＯＨ濃度が５０％以上である２つの写真資料（右側から２番目写真まで）の場合には、相対的に小さい組織サイズ及び良好な粗度を示していることを確認することができる。
【００２３】
図６は、本発明によるスライトエッチングにおいて、エッチング液として選択されたＮａＯＨの濃度、除去率、及び表面反射度の変化を示したグラフである。図６を参照すれば、ＮａＯＨの濃度増加に伴って除去率（ｒｅｍｏｖａｌ）及び表面反射度（ｇｌｏｓｓ）が減ることを確認することができる。すなわち、濃度が増加するほど、求められる除去率である２０μｍのエッチングに長時間を必要とし表面反射度も低くなって、製品の品質を低下させることが分かる。
【００２４】
前記スライトエッチング工程は、５５〜７５℃の温度で行うことが望ましい。このとき、前記エッチング温度に対する数値範囲に関し、上記の下限に達していないと、エッチング反応がスムーズでなく長時間を必要として望ましくない。一方、上記の上限を超えると、高い温度と反応熱による装備破損及び汚染問題、そして温度上昇による金属汚染のソースもさらに増加するので望ましくない。
【００２５】
図７は、本発明の温度による表面粗度及び組職の状態を撮影した写真である。図７から確認することができるように、同一エッチング除去率１０μｍの条件で温度が低いほど表面粗度が低く、その組職の形態もより微細であることが分かる。
【００２６】
前記スライトエッチング工程は、厚さ３〜４μｍのウェハー上部層を除去するように行うことが望ましい。前記スライトエッチングによって除去されるウェハーの厚さに対する数値範囲に関し、上記の下限に達していないと、前工程であるグラインディング工程のホイール破片（ｗｈｅｅｌ ｄｅｂｒｉｓ）の除去が完璧ではなく不良の原因になる恐れがあって望ましくない。一方、上記の上限を超えると、エッチングによる平坦度の減殺によって平坦度に悪影響を及ぼすため望ましくない。
【００２７】
前記スライトエッチング工程で用いるＮａＯＨ水溶液は、Ｎｉ含量が０．２ｐｐｂ以下であり、Ｃｕ含量が１ｐｐｂ以下であり、Ｆｅ含量が２０ｐｐｂ以下であり、Ａｌ含量が２０ｐｐｂ以下であり、塩化物の含量が３００ｐｐｍ以下の純度である物質を用いることが望ましい。
【００２８】
通常のアルカリエッチングは異方性エッチングであると知られており、高温工程で行われるため、ＫＯＨまたはＮａＯＨ中に含まれていた各種の重金属によってウェハーの金属汚染の問題が存在している。このような金属再汚染の問題を解決するためには、従来に使われているエッチング液に比べて著しく高い純度のエッチング液を使わなければならない。このような高純度のＮａＯＨは、電気分解法や電気化学的方法によって製造できると知られている。その中、電気分解法は不純物含量を１ｐｐｂ以下に調節するのに有用な方法ではあるが、高いコストがかかる点から、繊維質の活性カーボンフィルタを使って製造する方法が提案されている。
【００２９】
このような高純度のスライトエッチング液を製造するための装置について図面を参照して詳しく説明する。
【００３０】
図８は、本発明によるスライトエッチング液を製造する装置の断面図である。図面を参照すれば、スライトエッチング液を製造する装置は、精製前のエッチング液が下部から流入され（矢印６６）、精製後のエッチング液が上部から流出される（矢印６８）中空の精製管６０、前記精製管下部の内周面に密着して精製管の中空部にパッキングされた繊維質の下部活性カーボンフィルタ６２、及び前記精製管上部の内周面に密着して精製管の中空部にパッキングされた繊維質の上部活性カーボンフィルタ６４からなるが、前記下部活性カーボンフィルタ６２と上部活性カーボンフィルタ６４とは相互離隔されて配置されている。下部に流入される（矢印６６）精製前のアルカリエッチング液、すなわちＮａＯＨは、精製管の内部に配置された繊維質の下部活性カーボンフィルタ６２及び上部活性カーボンフィルタ６４を通ることで、その内部に含まれていた多種の重金属成分がフィルタリングによって除去され、金属不純物が相当量除去されて高純度のエッチング液に精製される。従来の電気分解法や電気化学的方法による場合に比べ、特別に複雑な装備を必要とすることなく、方法の実行においても高費用の問題が発生せず、簡単に目的とする程度の純度を有するＮａＯＨエッチング液を用意することができる長所がある。
【００３１】
一方、前記スライトエッチングは、エッチング液内に浸漬されたウェハーを上下にアップ／ダウンさせることで、ウェハーとウェハー間に発生した反応圧力場によるエッチング液の老朽問題、及び温度勾配による平坦度悪化を解決できる点で効果的である。一般に、ウェハーの揺り動かしの範囲は１００〜３００ｍｍが望ましいが、工程上、他の制約要因がなければ、揺り動かしの程度は大きいほど前述した問題をより効果的に解決することができる。前述したような揺り動かし方式でなく高循環流量方式を適用すると、ウェハーと化合物間の発熱反応による圧力場の影響を最小化することができるので、高循環流量方式を用いてウェハーの高平坦化を達成することができる。このとき、循環量は５０〜７０ＬＰＭであることが望ましい。さらに、スライトエッチング時に理想的な流体流れの形成のために拡散板を用いると、より均一なエッチングを行うことができる。このとき、拡散板の厚さは１０〜３０ｍｍであり、拡散板孔の大きさは３〜７ｍｍであることが望ましい。
【００３２】
図９は、本発明によるスライトエッチング時に用いられる拡散板の写真である。図９の左側はウェハーが搭載されていない状態の写真であり、右側はシリコンウェハーが搭載された状態の写真である。
【００３３】
図９に示した拡散板は、ウェットエッチングで流体の温度勾配を最小化して理想的な流体挙動によって層流を形成させるために使われる装置である。
【００３４】
図１０は、本発明による拡散板を用いてスライトエッチングを行ったとき、ウェハー表面の損傷（ｐｉｔ）程度を撮影した写真である。
【００３５】
示されたように、横×縦が１０μｍ×１０μｍのウェハーの表面において、ラインプロファイルで示したように、スキャンサイズが幅３６１６ｎｍ、深さ４８．７５ｎｍであるピットがウェハー表面に現われており、これは従来の方式による場合に比べてウェハー損傷程度が５０％改善された結果である。ウェハーの損傷が小さいほど、ウェハーの平坦度は優れ、後続の研磨工程の研磨量を減少させることができるため、本発明の有効な効果を確認することができる。
【００３６】
以上、本発明の好適な実施例が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に当業者に本発明を詳しく説明するための目的で使われたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載した本発明の範囲を制限するために使われたものではない。
【００３７】
本明細書に添付される次の図面は、本発明の望ましい実施例を例示するものであり、発明の詳細な説明とともに本発明の技術的な思想をさらに理解させる役割をするため、本発明は図面に記載された事項だけに限定されて解釈されてはならない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のシリコンウェハーを製造する方法を説明するための工程フロー図である。
【図２】本発明による高平坦度シリコンウェハーを製造する方法を説明するための工程フロー図である。
【図３】従来のグラインディングホイール（ａ）及び本発明で用いたグラインディングホイール（ｂ）の表面を３次元的に撮影した写真である。
【図４】従来のグラインディングホイール（ａ）及び本発明で用いたグラインディングホイール（ｂ）の表面を２次元的に撮影した写真である。
【図５】本発明によるスライトエッチングで使われたエッチング液であるＮａＯＨの濃度変化によるスライトエッチング以後のシリコンウェハーの表面写真である。
【図６】本発明によるスライトエッチング時、エッチング液として選択されたＮａＯＨの濃度による除去率及び表面反射度の変化を示したグラフである。
【図７】本発明によるスライトエッチング時、エッチング液として選択されたＮａＯＨの温度による表面粗度及び組職の状態を撮影した写真である。
【図８】本発明によるスライトエッチング液を製造する装置の断面図である。
【図９】本発明によるスライトエッチング時に用いられる拡散板の写真である。
【図１０】本発明による拡散板を用いてスライトエッチングを行ったとき、ウェハー表面の損傷（ｐｉｔ）程度を撮影した写真である。
【図１】
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【図２】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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