Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体を処理するための炉であって、
鉛直方向に離された複数の半導体基板を収容するような大きさで形成される鉛直方向に延びるプロセスチューブにより少なくとも部分的に画定される反応室であって、上記プロセスチューブはガスの供給部を有し、上記プロセスチューブはさらに開口端を有し、上記開口端に近接するプロセスチューブの壁には排出ガスの通路がない前記反応室と、
上記開口端を閉鎖するために上記プロセスチューブを取り外し可能に密封するように構成されるプロセスチューブ閉鎖部と、を備え、
上記閉鎖部は、１つ以上のガス排出開口を有する第１のドアプレートを備え、上記ガス排出開口は、上記第１のドアプレートの側面中央に近接して配置されるとともに、上記反応室からガスを排出させるように構成され、
上記閉鎖部の表面は上記ドアプレートの上部表面下に１つ以上のガス排出チャネルを画定し、
上記１つ以上のガス排出チャネルは、上記ガス排出開口から、上記反応室からガスを除去するように構成されたガス排出装置へガスが通じるように構成されている炉。
【請求項２】
上記１つ以上のガス排出開口の上流にフロー制限装置をさらに備え、
上記フロー制限装置は、上記１つ以上のガス排出開口を通過する上記反応室へのガスの拡散を実質的に防止するように構成される、請求項１記載の炉。
【請求項３】
上記第１のドアプレートは、上記複数の基板を保持するための基板ホルダを支持するように構成される支持プレートである、請求項２記載の炉。
【請求項４】
上記第１のドアプレートの直上に配置される支持プレートをさらに備え、
上記支持プレート及び上記第１のドアプレートは、上記１つ以上のガス排出開口への通路を形成し、
上記フロー制限装置は、上記通路内に配置されかつ上記第１のドアプレートにおける突起を有する、請求項２記載の炉。
【請求項５】
上記支持プレートは、上記複数の基板を保持するウェーハ・ボートを支持するための保温筒を回転可能に支持するように構成される、請求項４記載の炉。
【請求項６】
上記プロセスチューブ閉鎖部は、上記第１のドアプレートの下方に主表面を有するとともに上記第１のドアプレートから離隔された第２のドアプレートをさらに備え、
上記第１のドアプレートは、上記１つ以上のガス排出開口にガスで通じるシール室の上側の壁の少なくとも一部を形成し、
上記第２のドアプレートは、上記シール室の下側の壁の少なくとも一部を形成する、請求項２記載の炉。
【請求項７】
上記シール室は、パージガス供給源に接続されるガス入口と、ガスを排出するためのガス出口とを有し、
上記１つ以上のガス排出開口は、上記反応室から上記ガス出口を介してガスを放出するために上記シール室へ通じる、請求項６記載の炉。
【請求項８】
上記１つ以上のガス排出開口は、上記１つ以上のガス排出開口から上記第１のドアプレート内を延びるとともに上記第１のドアプレートの外周に近接して終点を有する１つ以上のガスチャネルとガスで通じる、請求項６記載の炉。
【請求項９】
上記シール室のガス入口と上記１つ以上のガス排出開口との間に配置される別のフロー制限装置をさらに備える、請求項８記載の炉。
【請求項１０】
上記終点は、上記第１のドアプレートの表面に少なくとも１つの開口を備え、
上記プロセスチューブは、上記第１のドアプレートの表面上の少なくとも１つの開口に整列するように位置する開口を有する内部排出チャネルを有し、
上記内部排出チャネルは、上記ガス排出装置へ接続される、請求項８記載の炉。
【請求項１１】
上記１つ以上のガス排出開口は、上記第１のドアプレートの中央に近接する環状の溝であり、
上記第１のドアプレートの表面上の少なくとも１つの開口は、上記第１のドアプレートの外周に近接する第１のドアプレート内の他の環状の溝である、請求項１０記載の炉。
【請求項１２】
上記１つ以上のチャネルは、複数のガス排出チャネルを有し、
上記ガス排出チャネルは、上記第１のドアプレートの内部を半径方向の外側へ上記第１のドアプレートの中央に近接する環状の溝から上記第１のドアプレートの外周に近接する他の環状の溝まで延びる、請求項１１記載の炉。
【請求項１３】
上記プロセスチューブは、１つ以上の介在する金属製フランジ上で支持され、
上記金属製フランジは、上記シール室の側壁を形成し、
上記第２のドアプレートは、上記金属製フランジを密封するように構成される、請求項６記載の炉。
【請求項１４】
上記第１のドアプレートの中央に近接して配置される回転ベアリングをさらに備え、
上記回転ベアリングは、上記複数の基板を保持するための基板ホルダを回転させるように構成され、
上記１つ以上のガス排出開口は、上記回転ベアリングの外周に近接して配置される、請求項１記載の炉。
【請求項１５】
上記プロセスチューブは、上記プロセスチューブの頂上に近接するガス入口開口を備え、
上記ガス入口は、プロセスガス供給源に接続され、
上記開口端は、上記プロセスチューブの底部に近接する、請求項１記載の炉。
【請求項１６】
上記プロセスチューブ及び上記第１のドアプレートは、石英で形成される、請求項１記載の炉。
【請求項１７】
半導体処理炉の閉鎖部であって、
上記炉のプロセスチューブを密封するように構成される第１のドアプレートであって、１つ以上のガス排出チャネルを備え、上記閉鎖部の表面は上記ドアプレートの上部表面下に１つ以上のガス排出チャネルを画定し、上記１つ以上のガス排出チャネルは、ガス排出開口から反応室からガスを除去するように構成されたガス排出装置へガスが通じるように構成されている上記第１のドアプレートと、
１つ以上のスペーサにより上記第１のドアプレートから鉛直方向下方に離隔される第２のドアプレートと、を備え、
上記第１及び第２のドアプレートは、その間でシール室を画定し、
上記シール室は、上記第１及び第２のドアの外周に近接する入口と出口とを有し、上記１つ以上のガス排出チャネルから離して設置されている閉鎖部。
【請求項１８】
上記入口と出口は、互いに対して約１８０゜の角度で位置付けられる、請求項１７記載の閉鎖部。
【請求項１９】
上記第２のドアプレートの中央に穴をさらに備え、
上記穴は、上記穴を通って配置される回転ベアリングを収容するよう大きさとされて形成される、請求項１７記載の閉鎖部。
【請求項２０】
上記第１のドアプレートの中央に近接する穴をさらに備え、
上記第１のドアプレート内の穴の少なくとも一部は、ガスを排出するための少なくとも１つの開口を形成する、請求項１９記載の閉鎖部。
【請求項２１】
上記第１のドアプレートは、上記プロセスチューブを密封するように構成される環状突起を備え、
上記環状突起は、上記第１のドアプレートの外周に近接して配置される、請求項１７記載の閉鎖部。
【請求項２２】
上記第１のドアプレートは、上記第１のドアプレートの中央に近接する別の環状突起を備える、請求項２１記載の閉鎖部。
【請求項２３】
上記第１のドアプレートは、石英で形成される、請求項１７記載の閉鎖部。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を射出する複数のレーザ発振器と、
被照射体を線状ビームの短辺方向に移動可能な第１のステージと、
前記第１のステージの両側に配置された第１の支持体と、
前記第１の支持体から前記第１のステージ上に延びた第２の支持体と、
前記第２の支持体に支えられて前記第１のステージ上方に配置された、前記線状ビームの長辺方向にそれぞれ独立して移動可能な複数の第２のステージと、
複数の前記第２のステージそれぞれの上に設置された、前記レーザ光を前記被照射体の表面において前記線状ビームにそれぞれ成形する光学系と、
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
アライメントマーカー検出手段と、
被照射体を線状ビームの短辺方向に移動可能な第１のステージと、
前記第１のステージの両側に配置された第１の支持体と、
前記第１の支持体から前記第１のステージ上に延びた第２の支持体と、
前記第２の支持体に支えられて前記第１のステージ上方に配置された、前記線状ビームの長辺方向にそれぞれ独立して移動可能な複数の第２のステージと、
複数の前記第２のステージそれぞれの上に設置された、レーザ光を射出するレーザ発振器及び前記レーザ光を前記被照射体の表面において前記線状ビームにそれぞれ成形する光学系と、
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項２において、前記アライメントマーカー検出手段はＣＣＤカメラであり、前記ＣＣＤカメラは、複数の前記第２のステージにそれぞれ設置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項２において、前記アライメントマーカー検出手段は一台のＣＣＤカメラであり、前記ＣＣＤカメラは、前記第２のステージと平行に移動可能な第３のステージ上に設置され、前記第３のステージを移動させることで、被照射体上に形成されたアライメントマーカーの位置を検出することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、前記ＣＣＤカメラには２００ｎｍ〜５００ｎｍの波長帯の単色光源が用いられることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
複数の前記レーザ発振器はそれぞれ出力が異なることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
第１のステージ上に半導体膜が形成された基板を設置し、
前記第１のステージの両側に配置される第１の支持体から延びて配設される第２の支持体に支えられて前記第１のステージ上方に配置された複数の第２のステージ上にそれぞれ設置された光学系により、複数のレーザ発振器からそれぞれ射出されるビームを線状ビームにそれぞれ成形し、
画定された線状ビームの照射位置に前記線状ビームが照射されるように複数の前記第２のステージをそれぞれ独立して前記線状ビームの長辺に沿った方向へ移動し、
前記第１のステージを前記線状ビームの短辺に沿った方向へ移動させながら前記半導体膜表面の複数箇所に前記線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１のステージ上に半導体膜が形成された基板を設置し、
前記第１のステージの両側に配置される第１の支持体から延びて配設される第２の支持体に支えられて前記第１のステージ上方に配置された複数の第２のステージ上に設置された複数のレーザ発振器からそれぞれ射出されるビームを線状ビームにそれぞれ成形し、
画定された線状ビームの照射位置に前記線状ビームが照射されるように複数の前記第２のステージをそれぞれ独立して前記線状ビームの長辺に沿った方向へ移動し、
前記第１のステージを前記線状ビームの短辺に沿った方向へ移動させながら前記半導体膜表面の複数箇所に前記線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
第１のステージ上に半導体膜が形成された基板を設置し、
前記半導体膜に複数のアライメントマーカーを形成し、
前記第１のステージの両側に配置される第１の支持体から延びて配設される第２の支持体に支えられて前記第１のステージ上方に配置された複数の第２のステージ上に設置された複数のレーザ発振器からそれぞれ射出されるビームを線状ビームにそれぞれ成形し、
複数の前記線状ビームを前記半導体膜の表面にそれぞれ照射し、
前記アライメントマーカーの位置情報を基にして、画定された線状ビームの照射位置に前記線状ビームが照射されるように複数の前記第２のステージをそれぞれ独立して前記線状ビームの長辺に沿った方向へ移動し、
前記第１のステージを前記線状ビームの短辺に沿った方向へ移動させながら前記半導体膜表面の複数箇所に前記線状ビームを照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
複数の前記第２のステージにはそれぞれ１台のレーザ発振器が設置されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
複数の前記レーザ発振器の出力はそれぞれ異なることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたヒューズ素子に、電気パルスを複数回印加し、該ヒューズ素子を切断する工程を含み、
前記電気パルスを複数回印加する工程において、印加回数の増加と共に、電気パルスのパルス幅を長くするヒューズ素子の切断方法。
【請求項２】
半導体基板上に形成されたヒューズ素子に、電気パルスを複数回印加し、該ヒューズ素子を切断する工程を含み、
前記電気パルス電圧を複数回印加する工程において、印加回数の増加と共に、該ヒューズ素子に投入する１パルスあたりの電気エネルギを大きくするヒューズ素子の切断方法。
【請求項３】
前記電気パルスを複数回印加する工程が、
１つの電気パルスを印加した後、次の電気パルスを印加する前に、前記ヒューズ素子が切断されたか否かを検出し、該ヒューズ素子の切断が検出されたら、電気パルスの印加を停止する工程を含む請求項１〜２のいずれかに記載のヒューズ素子の切断方法。
【請求項４】
（ａ）半導体基板上に形成された評価用ヒューズ素子に、該評価用ヒューズ素子が切断されるまで電気パルスを複数回印加する工程と、
（ｂ）前記工程ａで前記評価用ヒューズ素子に与えられた電気エネルギの総量を求める工程と、
（ｃ）前記工程ｂで求められた電気エネルギの総量に基づいて、前記評価用ヒューズ素子と同一の切断特性を持ったヒューズ素子を切断するための電気エネルギの総量に相当する切断閾値を決定する工程と、
（ｄ）切断すべきヒューズ素子に印加する電気パルスの電圧及び電流の少なくとも一方、パルス幅、及びパルス数を、切断すべきヒューズ素子に投入される電気エネルギの総量が前記切断閾値以上になるように決定する工程と
を有するヒューズ素子切断手順の決定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ヒューズ素子の切断方法及びヒューズ素子切断手順の決定方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項２】
前記不純物層のインジウム濃度は、約１×１０１５〜１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項３】
前記受光素子は、Ｎ型フォトダイオード領域と、前記Ｎ型フォトダイオード領域と前記基板の表面領域に位置するＰ型ピニング層と、を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項４】
前記伝送ゲートは、前記基板の表面に位置するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に位置するゲート電極と、第１及び第２側壁スペーサと、を含むことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項５】
前記ピニング層の最上表面は、前記基板の最上表面より高いことを特徴とする請求項３または４に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項６】
前記ピニング層は、前記基板の最上表面に形成された第１部分と、前記第１部分の最上表面に位置する第２部分と、を含むことを特徴とする請求項３から５の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項７】
前記フローティング拡散領域の最上表面は、前記基板の最上表面より高いことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項８】
前記フローティング拡散領域は、前記基板の最上表面に形成された第１部分と、前記第１部分の最上表面に位置する第２部分と、を含むことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項９】
前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との一部は、前記基板の表面に形成されたリセス内に位置することを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１０】
前記基板内に形成された少なくとも一つのＰ型分離ウェルを含むことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１１】
前記Ｐ型分離ウェルの不純物は、弗化硼素（ＢＦ２）及び／または硼素（Ｂ）であることを特徴とする請求項１０に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１２】
前記基板内の所定深さに位置して、前記少なくとも一つのＰ型分離ウェルと接触する埋沒されたＰ型ドーピング領域をさらに含むことを特徴とする請求項１０または１１に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１３】
前記基板内に所定深さに位置して、埋沒されたギャザリング層をさらに含み、前記ギャザリング層は４族元素を含むことを特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１４】
受光素子と、
前記受光素子と電気的に連結されたリセットトランジスターと、
前記受光素子と前記リセットトランジスターとの間に電気的に連結され、インジウムドーピング層を含み、前記受光素子からフローティング拡散領域に電荷を伝送する伝送トランジスターと、
前記フローティング拡散領域と電気的に連結されたゲートとを含む駆動トランジスターと、を含むことを特徴とするＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１５】
前記リセットトランジスターと前記駆動トランジスターのそれぞれは、電源ソースと電気的に連結されたターミナルを含むことを特徴とする請求項１４に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【請求項１６】
前記駆動トランジスターは、選択トランジスターと電気的に連結されたことを特徴とする請求項１４または１５に記載のＣＭＯＳイメージセンサー。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、半導体装置およびその駆動方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、少なくとも前記第１の導電層の一部から気泡を発生させ、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、少なくとも前記有機化合物を含む層の一部から気泡を発生させ、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長することを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた有機化合物を含む層と、
前記有機化合物を含む層上に設けられた第２の導電層と、を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、少なくとも前記第２の導電層の一部から気泡を発生させ、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長することを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加することにより発生する熱によって、前記気泡を発生させることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間隔を部分的に変位させて、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長することを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることによって書き込みを行うことを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の記憶素子と、
前記第１の導電層で構成され、第１の方向に延びた複数のビット線と、
前記第２の導電層で構成され、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延びた複数のワード線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の導電層と、を有する記憶素子に電圧を印加し、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に気泡を発生させ、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることによって、前記記憶素子の書き込みを行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項９】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上の第２の導電層と、を有する記憶素子に電圧を印加し、前記記憶素子に熱を発生させ、前記熱によって前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に気泡を発生させ、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることによって、前記記憶素子の書き込みを行うことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記気泡の発生に基づく圧力によって、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間隔を部分的に変位させて、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることを助長することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射面においてビームスポットのエネルギー分布を均一化する光学素子であって、
前記光学素子は多角形状の入射口及び射出口を備え、
前記入射口及び前記射出口は複数の反射体から形成され、
前記複数の反射体のそれぞれは、隣接する他の反射体に対して相対的に移動可能であり、
前記反射体の移動前の前記入射口及び前記射出口の形状と、前記反射体の移動後の前記入射口及び前記射出口の形状は相似である
ことを特徴とする光学素子。
【請求項２】
照射面においてビームスポットのエネルギー分布を均一化する光学素子であって、
前記光学素子は三角形状の入射口及び射出口を備え、
前記入射口及び前記射出口は三つの反射体から形成され、
前記三つの反射体のそれぞれは、隣接する他の反射体に対して相対的に移動可能であり、
前記反射体の移動前の前記入射口及び前記射出口の形状と、前記反射体の移動後の前記入射口及び前記射出口の形状は相似である
ことを特徴とする光学素子。
【請求項３】
照射面においてビームスポットのエネルギー分布を均一化する光学素子であって、
前記光学素子は、五角形状の入射口及び射出口を備え、
前記入射口及び前記射出口は五つの反射体から形成され、
前記五つの反射体のそれぞれは、隣接する他の反射体に対して相対的に移動可能であり、
前記反射体の移動前の前記入射口及び前記射出口の形状と、前記反射体の移動後の前記入射口及び前記射出口の形状は相似である
ことを特徴とする光学素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記複数の反射体、前記三つの反射体、または前記五つの反射体のうち、一の反射体と、他の反射体と、が隣接する部分には鏡面加工が施されていることを特徴とする光学素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載の光学素子と、光源と、を有することを特徴とする光照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】高分子電解質型燃料電池の運転方法および特性回復方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の運転方法であって、
前記高分子電解質型燃料電池を、通常運転時の１．５倍以上の電流での運転モードで前記燃料電池内に存在する不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されるに足る所定時間運転することを特徴とする高分子電解質型燃料電池の運転方法。
【請求項２】  高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の運転方法であって、
前記高分子電解質型燃料電池を、単電池あたりの出力電圧が０．２Ｖ以下になる電流での運転モードで前記燃料電池内に存在する不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されるに足る所定時間運転することを特徴とする高分子電解質型燃料電池の運転方法。
【請求項３】前記運転モードにおいて、前記酸化剤ガスまたは前記燃料ガスの導入方向を変えることを特徴とする請求項１または２に記載の高分子電解質型燃料電池の運転方法。
【請求項４】前記運転モードにおいて、前記酸化剤ガスまたは前記燃料ガスを通常運転時より加圧して供給することを特徴とする請求項１または２に記載の高分子電解質型燃料電池の運転方法。
【請求項５】  高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の特性回復方法であって、
前記高分子電解質型燃料電池を、通常運転時の１．５倍以上の電流での運転モードで運転することにより、電池内の不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されることを特徴とする高分子電解質型燃料電池の特性回復方法。
【請求項６】  高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の特性回復方法であって、
前記高分子電解質型燃料電池を、単電池あたりの出力電圧が０．２Ｖ以下になる電流での運転モードで運転することにより、電池内の不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されることを特徴とする高分子電解質型燃料電池の特性回復方法。
【請求項７】前記運転モードにおいて、前記酸化剤ガスまたは前記燃料ガスの導入方向を変えることを特徴とする請求項５または６に記載の高分子電解質型燃料電池の特性回復方法。
【請求項８】前記運転モードにおいて、前記酸化剤ガスまたは前記燃料ガスを通常運転時より加圧して供給することを特徴とする請求項５または６に記載の高分子電解質型燃料電池の特性回復方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため本発明の高分子電解質型燃料電池の運転方法は、高分子電解
質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の運転方法であって、前記高分子電解質型燃料電池を、通常運転時の１．５倍以上の電流での運転モードで前記燃料電池内に存在する不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されるに足る所定時間運転すること、または、前記高分子電解質型燃料電池を、単電池あたりの出力電圧が０．２Ｖ以下になる電流での運転モードで前記燃料電池内に存在する不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されるに足る所定時間運転することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の高分子電解質型燃料電池の特性回復方法は、高分子電解質膜と、前記高分子電解質膜を挟んで配置した燃料極および空気極と、前記空気極に酸化剤ガスを供給排出し、燃料極に燃料ガスを供給排出するガス流路を有する一対のセパレータ板とで構成した単電池を積層した電池本体部と、前記電池本体部へ前記酸化剤ガスと燃料ガスとを供給排出する手段と、前記電池本体部で発生した電力の取出しを制御する手段と、電池特性回復手段とを具備する高分子電解質型燃料電池の特性回復方法であって、前記高分子電解質型燃料電池を、通常運転時の１．５倍以上の電流での運転モードで運転することにより、電池内の不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されること、または、前記高分子電解質型燃料電池を、単電池あたりの出力電圧が０．２Ｖ以下になる電流での運転モードで運転することにより、電池内の不純物イオンが電極反応の生成水に混じって外部に排出されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月14日(2008.11.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１２または１３記載のパターン加工テープを用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明はまた、１ 〜５０重量% の、請求項１〜１４のいずれか一つに記載のリン含有
熱安定化難燃剤凝集物、
１〜９９重量％のポリマーまたはポリマー混合物、
０〜 ６０重量％の添加物、
０〜６０重量％ のフィラー
を含有する、ポリマー成形体、ポリマーフィルム、ポリマーフィラメントおよびポリマー繊維製品にも関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
リン含有熱安定化難燃剤凝集物の残留湿分含有量は好ましくは０．０５〜２重量％、特に好ましくは０．１〜１重量％である。本発明の有利な範囲を逸脱する残留湿分含有量はポリマーとの相容性を害する。これは難燃性ポリマー成形材料および難燃性ポリマー成形体に弱い強度および弾性をもたらす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
式（Ｉ）および(II)中のＭは、カルシウム、アルミニウム、亜鉛またはチタンであるのが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
有利な相乗剤は亜鉛化合物、例えば酸化亜鉛（例えばRhein Chemie、Bruggemann KG社の活性酸化亜鉛、ジンサイト(zincite）またはカラミン(calamine)；通常の酸化亜鉛、Ｇ６亜鉛ホワイト、2011 酸化亜鉛、F-80 酸化亜鉛、Pharma 8 亜鉛ホワイト、Pharma A亜鉛ホワイト、Rotsiegel 亜鉛ホワイト、 Grillo-Werke AG社の亜鉛ホワイトWeissiegel)、水酸化亜鉛、酸化亜鉛水和物がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
アクリル酸またはメタクリル酸とビニルエーテル、例えばビニルメチルエーテル類、ビニルエステル、エチレン、プロピレンおよびスチレンとのコポリマーは、酸の割合が少なくとも５０重量％である時に有利な助剤である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
水ガラス：
二酸化珪素／ナトリウム酸化物−モル比が１：２〜４：１であるアルカリ金属珪酸塩溶液が有利である。この溶液の有効物質は５〜５０重量％であるのが有利である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
例７（実施例）：
６４重量％のホスフィン酸アルミニウム、３１重量％の相乗剤１および５重量％の相乗剤２よりなる３．９６２ｋｇの混合物，および１．５９４ｋｇの水に０．１６０ｋｇのＰＭＳを溶解した溶液から、混合、乾燥および分級を経て例１と同様に凝集物を製造する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゴム成分に少なくともスチレン系単量体がグラフト重合したスチレン系グラフト共重合体を少なくとも含むスチレン系樹脂組成物で構成され、かつ縦及び横方向において、それぞれ１．２〜５倍の延伸倍率で二軸延伸された厚みが０．０５〜０．５ｍｍのスチレン系樹脂シートであって、下記（１）〜（３）の要件を満たす二軸延伸スチレン系樹脂シート。
（１）スチレン系グラフト共重合体中のゴム成分について、膨潤度（ＳＩ）が７．５〜２０であり、グラフト率（ｇ）が１．８〜５であり、膨潤度（ＳＩ）とグラフト率（ｇ）との積（ＳＩ×ｇ）が２０〜８０であり、かつ平均粒子径が１〜５μｍであること
（２）スチレン系樹脂組成物中のゴム成分の含有量が０．７〜１２重量％であること
（３）延伸方向に沿ってシート面に対して垂直方向に切断したシート断面において、（ｉ）ゴム成分の長軸がシート面に対して実質的に平行であり、ゴム成分の断面の長軸Ｌと短軸Ｓとの比で表されるゴム扁平度Ｆ（Ｆ＝Ｌ／Ｓ）が５〜２１．２であり、（ｉｉ）ゴム成分が層状の形態で分散しており、シートの平面から厚み方向に透視したとき、前記層状ゴム成分が少なくとも部分的に重複し、かつ（ｉｉｉ）断面の厚み方向に引いた直線を横切るゴム成分の数が１〜１３／１０μｍであること
【請求項２】
薄肉軽量化した二軸延伸スチレンシート系樹脂シートの剛性、耐衝撃性及び耐油性を改善する方法であって、請求項１記載の二軸延伸スチレン系樹脂シートを使用して、シートの剛性、耐衝撃性及び耐油性を改善する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（１）スチレン系グラフト共重合体中のゴム成分について、膨潤度（ＳＩ）は、７．５〜２０程度であり、グラフト率（ｇ）が１．８〜５であり、膨潤度（ＳＩ）とグラフト率（ｇ）との積（ＳＩ×ｇ）が２０〜８０（特に２０〜６０）であり、かつ平均粒子径が１〜５μｍであること
（２）スチレン系樹脂組成物中のゴム成分の含有量が０．７〜１２重量％（好ましくは３重量％を超え１０重量％以下、さらに好ましくは３．３〜５重量％）であること
（３）延伸方向に沿ってシート面に対して垂直方向に切断したシート断面において、（ｉ）ゴム成分の長軸がシート面に対して実質的に平行であり、ゴム成分の断面の長軸Ｌと短軸Ｓとの比で表されるゴム扁平度Ｆ（Ｆ＝Ｌ／Ｓ）が５〜２１．２であり、（ｉｉ）ゴム成分が層状の形態で分散しており、シートの平面から厚み方向に透視したとき、前記層状ゴム成分が少なくとも部分的に重複し、かつ（ｉｉｉ）断面の厚み方向に引いた直線を横切るゴム成分の数が１〜１３／１０μｍであること。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも脚部の一部を被覆し、前記脚部の形状に応じて伸縮するボトムウエア部と、
前記ボトムウエア部に取り付けられるとともに膝蓋骨に対応する膝蓋エリアの内側及び外側に設けられ、前記脚部の上下方向に伸長し、収縮力を発生させる緊締ベルト部と、
前記緊締ベルト部で挟まれた膝蓋エリアを被覆し、膝関節の屈伸運動に応じて伸縮する膝蓋サポート部と、を有し、
前記ボトムウエア部、前記膝蓋サポート部、前記緊締ベルト部の順に前記脚部を締め付ける緊締力が大きくなるように形成されたことを特徴とする股付き衣類。
【請求項２】
前記膝蓋サポート部及び前記緊締ベルト部の伸長性は、
前記ボトムウエア部の伸長性よりも小さくなるように形成されたことを特徴とする請求項１記載の股付き衣類。
【請求項３】
前記緊締ベルト部は、
前記膝蓋エリアの上部と下部で交叉して前記膝蓋エリアを囲むように設けられている伸縮帯状体によって形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の股付き衣類。
【請求項４】
前記緊締ベルト部は、
前記膝蓋エリアの上部と下部に隙間を空けて設けられている伸縮帯状体によって形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の股付き衣類。
【請求項５】
前記ボトムウエア部を構成する生地が、前記緊締ベルト部と前記膝蓋サポート部の肌側を構成していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の股付き衣類。
【請求項６】
前記緊締ベルト部の緊締力が、８０００〜１３０００の範囲に含まれることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の股付き衣類。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は、少なくとも脚部の一部を被覆し、脚部の形状に応じて伸縮するボトムウエア部と、ボトムウエア部に取り付けられるとともに膝蓋骨に対応する膝蓋エリアの内側及び外側に設けられ、脚部の上下方向に伸長し、収縮力を発生させる緊締ベルト部と、緊締ベルト部で挟まれた膝蓋エリアを被覆し、膝関節の屈伸運動に応じて伸縮する膝蓋サポート部とを有し、ボトムウエア部、膝蓋サポート部、緊締ベルト部の順に脚部を締め付ける緊締力が大きくなるように形成され、膝蓋サポート部及び緊締ベルト部の伸長性は、ボトムウエア部の伸長性よりも小さくなるように形成されたことを特徴とする股付き衣類である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リニアモータ駆動装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
等間隔で配置された複数の界磁磁極と、該界磁磁極と空隙を介して配置された電機子巻線を有する電機子とを備え、該界磁磁極と該電機子の何れか一方を固定子に、他方を可動子としたリニアモータと、前記可動子の前記固定子に対する相対位置を検出する位置検出器と、前記可動子が相対運動する区間を定めるように前記固定子の両端に配置したストッパと、前記区間における前記ストッパの両内側に配置したリミットスイッチと、前記位置検出器からの検出位置信号に基づいて、前記リニアモータに電力を供給する制御装置と、を備え、前記制御装置が前記リニアモータに電流を印加して初期磁極検出するリニアモータ駆動装置において、
前記制御装置が、前記可動子が前記ストッパに接触しているか否かを判断し、前記可動子が前記ストッパに接触していると判断した場合、前記区間の端から中央へ前記可動子を自動的に移動させるように構成したことを特徴とするリニアモータ駆動装置。
【請求項２】
等間隔で配置された複数の界磁磁極と、該界磁磁極と空隙を介して配置された電機子巻線を有する電機子とを備え、該界磁磁極と該電機子の何れか一方を固定子に、他方を可動子としたリニアモータと、前記可動子の前記固定子に対する相対位置を検出する位置検出器と、前記可動子が相対運動する区間を定めるように前記固定子の両端に配置したストッパと、前記区間における前記ストッパの両内側に配置したリミットスイッチと、前記位置検出器からの検出位置信号に基づいて、前記リニアモータに電力を供給する制御装置と、を備え、前記制御装置が前記リニアモータに電流を印加して初期磁極検出するリニアモータ駆動装置において、
前記制御装置が、前記リミットスイッチが動作する位置に前記可動子があるか否かを判断し、前記リミットスイッチが動作する位置に前記可動子があると判断した場合、前記リミットスイッチが動作する位置から前記区間の中央へ前記可動子を自動的に移動させるように構成したことを特徴とするリニアモータ駆動装置。
【請求項３】
前記制御装置が、前記判断に応じて印加する電流位相の補正量を決定し、該電流位相を更新することを特徴とする請求項１または２に記載のリニアモータ駆動装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リニアモータの制御方法に関し、特にポールセンサ等の磁極位置検出器を具備しないリニアモータ駆動装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、手動もしくは他の機構を使用せず可動子がストローク端にある場合でも安全に、かつ正確に磁極検出を行える位置まで自動的にリニアモータの可動子を移動させることが可能なリニアモータ駆動装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、等間隔で配置された複数の界磁磁極と、該界磁磁極と空隙を介して配置された電機子巻線を有する電機子とを備え、該界磁磁極と該電機子の何れか一方を固定子に、他方を可動子としたリニアモータと、前記可動子の前記固定子に対する相対位置を検出する位置検出器と、前記可動子が相対運動する区間を定めるように前記固定子の両端に配置したストッパと、前記区間における前記ストッパの両内側に配置したリミットスイッチと、前記位置検出器からの検出位置信号に基づいて、前記リニアモータに電力を供給する制御装置と、を備え、前記制御装置が前記リニアモータに電流を印加して初期磁極検出するリニアモータ駆動装置において、前記制御装置が、前記可動子が前記ストッパに接触しているか否かを判断し、前記可動子が前記ストッパに接触していると判断した場合、前記区間の端から中央へ前記可動子を自動的に移動させるように構成したものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に記載の発明は、等間隔で配置された複数の界磁磁極と、該界磁磁極と空隙を介して配置された電機子巻線を有する電機子とを備え、該界磁磁極と該電機子の何れか一方を固定子に、他方を可動子としたリニアモータと、前記可動子の前記固定子に対する相対位置を検出する位置検出器と、前記可動子が相対運動する区間を定めるように前記固定子の両端に配置したストッパと、前記区間における前記ストッパの両内側に配置したリミットスイッチと、前記位置検出器からの検出位置信号に基づいて、前記リニアモータに電力を供給する制御装置と、を備え、前記制御装置が前記リニアモータに電流を印加して初期磁極検出するリニアモータ駆動装置において、前記制御装置が、前記リミットスイッチが動作する位置に前記可動子があるか否かを判断し、前記リミットスイッチが動作する位置に前記可動子があると判断した場合、前記リミットスイッチが動作する位置から前記区間の中央へ前記可動子を自動的に移動させるように構成したものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明における前記制御装置が、前記判断に応じて印加する電流位相の補正量を決定し、該電流位相を更新するものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月16日(2009.10.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
当該顕微鏡の観察操作時に光学部材の近傍を通過するように可動する部材に取り付けられて該部材の可動時に前記光学部材の表面に付着した塵埃に対して除去機能を発揮する塵埃除去部材を備えることを特徴とする顕微鏡。  
【請求項２】
当該顕微鏡の内部の微小粒の拡散経路中に配置されて、当該顕微鏡が有する開口部より内部に侵入し又は当該顕微鏡の内部で発生して表面に落下した微小粒を停滞させる捕捉部材を備えることを特徴とする顕微鏡。  
【請求項３】
気流発生源を有して当該顕微鏡の内部に気流を発生する機構と、
前記気流発生源と当該顕微鏡が有する開口部との間に流路を形成する部材と、  
を備えることを特徴とする顕微鏡。  
【請求項４】
当該顕微鏡に内蔵された光学部材若しくは該光学部材を保持する部材に取り付けられて当該顕微鏡の電源投入又はユーザによる任意の操作に基づき所定時間振動する超音波振動子を備えることを特徴とする顕微鏡。  
【請求項５】
当該顕微鏡の内部の微小粒の拡散経路中に捕捉部材を配置して、当該顕微鏡が有する開口部より内部に侵入し又は当該顕微鏡の内部で発生して前記捕捉部材の表面に落下した微小粒を停滞させることを特徴とする顕微鏡の塵埃処理方法。  
【請求項６】
前記塵埃除去部材は、可動する前記部材の可動時に前記光学部材の表面に接する軟質素材からなることを特徴とする請求項１に記載の顕微鏡。
【請求項７】
前記塵埃除去部材は、軟質素材からなるブラシであることを特徴とする請求項６に記載の顕微鏡。
【請求項８】
前記塵埃除去部材は、可動する前記部材の可動時に前記光学部材の近傍を通過して該光学部材の表面に付着した塵埃を静電気で吸着除去する除去機能を発揮する部材であることを特徴とする請求項１に記載の顕微鏡。
【請求項９】
前記塵埃除去部材は、着脱自在に取り付けられていることを特徴とする請求項１又は請求項６乃至８のいずれかに記載の顕微鏡。
【請求項１０】
当該顕微鏡の観察操作時に光学部材の近傍を通過するように可動する部材に塵埃除去部材を取り付けて、当該顕微鏡の観察操作に伴う前記部材の可動時に前記光学部材の表面に付着した塵埃に対して前記塵埃除去部材に除去機能を発揮させることを特徴とする顕微鏡の塵埃処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カセッテ内に放射線像を検出する２次元アレイ型の放射線検出センサを収容したカセッテ型放射線画像検出器であって、
前記放射線検出センサを支持するセンサ支持部材と、
前記センサ支持部材に設けられた第１の係合部材と、
放射線入射側とは反対側の前記カセッテ内面に前記第１の係合部材に対応して設けられた第２の係合部材と、
前記第１の係合部材と前記第２の係合部材との間に配置される緩衝部材と、
を有することを特徴とするカセッテ型放射線画像検出器。
【請求項２】
前記第１の係合部材は、前記センサ支持部材から前記カセッテ内面に向けて突出する第１の突出部であることを特徴とする請求項１に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
【請求項３】
前記第１の突出部は、前記センサ支持部材の平面方向に沿って延在していることを特徴とする請求項２に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
【請求項４】
前記カセッテは直方体形状であり、前記第１の突出部は、前記カセッテの放射線入射面と直交する一側面の方向に沿って延在していることを特徴とする請求項３に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
【請求項５】
前記第１の突出部は、前記一側面と直交する他の側面の方向に沿って延在していることを特徴とする請求項４に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
【請求項６】
前記第２の係合部材は、前記カセッテ内面から前記センサ支持部材に向けて突出する第２の突出部であることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題は、以下の発明を実現することにより達成される。
１．カセッテ内に放射線像を検出する２次元アレイ型の放射線検出センサを収容したカセッテ型放射線画像検出器であって、
前記放射線検出センサを支持するセンサ支持部材と、
前記センサ支持部材に設けられた第１の係合部材と、
放射線入射側とは反対側の前記カセッテ内面に前記第１の係合部材に対応して設けられた第２の係合部材と、
前記第１の係合部材と前記第２の係合部材との間に配置される緩衝部材と、
を有することを特徴とするカセッテ型放射線画像検出器。
２．前記第１の係合部材は、前記センサ支持部材から前記カセッテ内面に向けて突出する第１の突出部であることを特徴とする１項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
３．前記第１の突出部は、前記センサ支持部材の平面方向に沿って延在していることを特徴とする２項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
４．前記カセッテは直方体形状であり、前記第１の突出部は、前記カセッテの放射線入射面と直交する一側面の方向に沿って延在していることを特徴とする３項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
５．前記第１の突出部は、前記一側面と直交する他の側面の方向に沿って延在していることを特徴とする４項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。
６．前記第２の係合部材は、前記カセッテ内面から前記センサ支持部材に向けて突出する第２の突出部であることを特徴とする１〜５項の何れか一項に記載のカセッテ型放射線画像検出器。