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【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状の光軌道を有する共振器を備え前記光軌道を互いに逆方向に伝搬する第１および第２のレーザ光を発生させる半導体レーザ素子と、
前記第１および第２のレーザ光のそれぞれを前記光軌道から引き出すための引き出し手段と、
引き出された前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光との周波数差を検出するための検出手段とを備え、
前記共振器の前記光軌道の部分には、活性層を含み光増幅を生じる第１の領域と、光増幅を生じない第２の領域（光検出器を除く）とが存在し、
前記共振器は、前記第１および第２のレーザ光が伝播する光ガイド層を含み、
前記第１の領域において、前記活性層が前記光ガイド層に積層されている、半導体レーザジャイロ。
【請求項２】
前記光ガイド層と前記第１の領域の活性層とは、下方のクラッド層と上方のクラッド層とに挟まれており、
前記上方のクラッド層がリッジ状であり、前記下方のクラッド層が平面状に広がっている請求項１に記載の半導体レーザジャイロ。
【請求項３】
前記第２の領域において、前記光ガイド層が、前記光ガイド層よりも屈折率が小さい層に埋め込まれている請求項１に記載の半導体レーザジャイロ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明のレーザジャイロは、環状の光軌道を有する共振器を備え前記光軌道を互いに逆方向に伝搬する第１および第２のレーザ光を発生させる半導体レーザ素子と、前記第１および第２のレーザ光のそれぞれを前記光軌道から引き出すための引き出し手段と、引き出された前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光との周波数差を検出するための検出手段とを備え、前記共振器の前記光軌道の部分には、活性層を含み光増幅を生じる第１の領域と、光増幅を生じない第２の領域（光検出器を除く）とが存在し、前記共振器は、前記第１および第２のレーザ光が伝播する光ガイド層を含み、前記第１の領域において、前記活性層が前記光ガイド層に積層されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏面と側面とからなる板状体形状でありハーフロック溝を有するメモリーカードを挿入されて保持し、メモリーカードが備えるコンタクトと接続することで電気的な接続が可能であり、挿入されるメモリーカードを仮保持可能なハーフロック機構を、メモリーカードを挿脱する方向と平行な側面に具備するメモリーカード用コネクタにおいて、
前記ハーフロック機構は、該ハーフロック機構が設けられた側面に略コ字状のスリットを入れて形成したハーフロックばねと、該ハーフロックばねによってコネクタの内方へ付勢される係止突起を有し、
一端がコネクタ側面のカード挿入口側端部からＵ字状に湾曲させて基端部を形成し、他端が自由端となるよう延説して設けられる板ばねであって、メモリーカードイジェクト時には横方向への押圧を与えて前記ハーフロック溝に前記係止突起を挿入させてメモリーカードを停止させるカード押さえばねを、ハーフロック機構が設けられた側面と対向するコネクタ側面に設けることを特徴とするメモリーカード用コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単電池モジュールを積層させ、この両端に配置された一対の端板を締結することで構成される燃料電池において、前記一対の端板のモジュール側の表面に前記端板よりも熱伝導率の小さな材質からなる複数の突起が設けられていることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記突起を、前記端板に一体あるいは別体にて設置したことを特徴とする請求項１記載の燃料電池。
【請求項３】
前記突起を、前記端板の周囲部分に設けたことを特徴とする請求項１または２記載の燃料電池。
【請求項４】
前記突起は均等な間隔にて配置されることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、単電池モジュールを積層させ、この両端に配置された一対の端板を締結することで構成される燃料電池において、前記一対の端板のモジュール側の表面に前記端板よりも熱伝導率の小さな材質からなる複数の突起が設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３いずれか１項記載の燃料電池において、突起は均等な間隔にて配置されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明によれば、端板における燃料電池スタック側に、端板よりも熱伝導率の小さな材質からなる複数の突起を設けたことにより、各単電池モジュールにおいて発電時に発生する熱が端板を通じて外部へ放熱する量が減り、また外部の温度環境変化に左右されにくい優れた燃料電池を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能なチャンバ（３）と、
基板（２）が収容される基板収容孔（１９，１９Ａ〜１９Ｉ）が設けられ、この基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を備える、前記チャンバに搬入搬出可能なトレイ（１５）と、
前記チャンバ内に設けられ、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出し、かつその上端面である基板載置面（３１）に前記基板の下面が載置される基板載置部（２９，２９Ａ〜２９Ｄ）とを備える、誘電体部材（２３）と、
前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置面に静電吸着するための静電吸着用電極（４０，４０Ａ，４０Ｂ）と、
前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構（４３，４３Ａ〜４３Ｆ）と、
前記基板と前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構（４５，４５Ａ〜４５Ｄ）と
を備え、
前記基板載置面と前記基板載置部の外周面の接続部の外径が、前記基板載置面側から前記トレイ支持部側に向けて増大し、
前記基板の搬送時には、前記基板収容孔に収容された前記基板の下面の外周縁部分が前記基板支持部に支持され、
前記基板の処理時には、前記基板載置面が前記トレイの厚み方向に進入するように構成された前記基板収容孔に前記基板載置部が前記トレイの下面（１５ｃ）側から挿入され、前記基板支持部の先端部が前記基板載置面と前記基板載置部の前記外周面の前記接続部で案内され、前記トレイの下面（１５ｃ）が前記誘電体部材の前記トレイ支持部に載置される、ことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記トレイを前記トレイ支持に載置した状態での前記基板載置部の前記外周面と前記基板支持部の前記先端部との隙間が０．５ｍｍ程度であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記トレイは、前記基板収容孔の孔壁と前記トレイの下面との接続部にて、前記トレイの前記基板収容孔の貫通方向から見た前記基板収容孔の内径が、前記トレイの下面側から前記トレイの上面側に向けて減少していることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
基板（２）が収容される基板収容孔（１９，１９Ａ〜１９Ｉ）が設けられ、基板収容孔の孔壁（１５ｄ）から突出する基板支持部（２１）を有する、前記基板を搬送可能なトレイ（１５）を準備し、
減圧可能なチャンバ（３）内に配置され、トレイ支持部（２８）と、このトレイ支持部から上向きに突出する基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）とを備え、前記基板載置部の上端面である基板載置面と前記基板載置部の外周面との接続部の外径は前記基板支持面側からトレイ支持部側に向けて増大し、かつ静電吸着用電極（４０Ａ，４０Ｂ）が前記基板載置部の少なくとも一部が内蔵されている誘電体部材（２３）を準備し、
前記トレイの基板収容孔に基板（２）を収容し、前記基板支持部で前記基板の下面（２ａ）の外周縁部分を支持した状態で、前記チャンバ内に前記トレイを搬入し、
前記誘電体部材の上方に前記トレイを配置し、
前記トレイを前記誘電体部材に向けて降下させ、前記基板載置部（２９Ａ〜２９Ｄ）を前記トレイの下面側から前記基板収容孔に進入させ、前記基板載置面と前記外周面との前記接続部で前記基板支持部の先端部を案内し、
前記トレイの下面を前記誘電体部材のトレイ支持部（２８）に載置し、前記基板収容孔に進入した前記基板載置部の前記基板載置面で前記基板の下面（２ａ）を持ち上げ、前記トレイの前記基板支持部の上面（２１ａ）に対して隙間をあけて上方に配置されるように、前記基板載置面に前記基板を載置し、
前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された静電吸着用電極（４０）に直流電圧を印加して、前記基板載置面に前記基板を静電吸着させ、
個々の前記基板の下面と個々の前記基板載置部の前記環状突出部で囲まれた空間に伝熱ガスを供給し、
前記チャンバ内にプラズマを発生させる、プラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第１の発明は、減圧可能なチャンバと、基板が収容される基板収容孔が設けられ、この基板収容孔の孔壁から突出する基板支持部を備える、前記チャンバに搬入搬出可能なトレイと、前記チャンバ内に設けられ、トレイ支持部と、このトレイ支持部から上向きに突出し、かつその上端面である基板載置面に前記基板の下面が載置される基板載置部とを備える、誘電体部材と、前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された、前記基板を前記基板載置面に静電吸着するための静電吸着用電極と、前記静電吸着用電極に直流電圧を印加する直流電圧印加機構と、前記基板と前記基板載置面との間に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給機構とを備え、前記基板載置面と前記基板載置部の外周面の接続部の外径が、前記基板載置面側から前記トレイ支持部側に向けて増大し、前記基板の搬送時には、前記基板収容孔に収容された前記基板の下面の外周縁部分が前記基板支持部に支持され、
前記基板の処理時には、前記基板載置面が前記トレイの厚み方向に進入するように構成された前記基板収容孔に前記基板載置部が前記トレイの下面側から挿入され、前記基板支持部の先端部が前記基板載置面と前記基板載置部の前記外周面の前記接続部で案内され、前記トレイの下面が前記誘電体部材の前記トレイ支持部に載置される、ことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。前記トレイを前記トレイ支持に載置した状態での前記基板載置部の前記外周面と前記基板支持部の前記先端部との隙間は０．５ｍｍ程度である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第２の発明は、基板が収容される基板収容孔が設けられ、基板収容孔の孔壁から突出する基板支持部を有する、前記基板を搬送可能なトレイを準備し、減圧可能なチャンバ内に配置され、トレイ支持部と、このトレイ支持部から上向きに突出する基板載置部とを備え、前記基板載置部の上端面である基板載置面と前記基板載置部の外周面との接続部の外径は前記基板支持面側からトレイ支持部側に向けて増大し、かつ静電吸着用電極が前記基板載置部の少なくとも一部が内蔵されている誘電体部材を準備し、前記トレイの基板収容孔に基板を収容し、前記基板支持部で前記基板の下面の外周縁部分を支持した状態で、前記チャンバ内に前記トレイを搬入し、前記誘電体部材の上方に前記トレイを配置し、前記トレイを前記誘電体部材に向けて降下させ、前記基板載置部を前記トレイの下面側から前記基板収容孔に進入させ、前記基板載置面と前記外周面との前記接続部で前記基板支持部の先端部を案内し、前記トレイの下面を前記誘電体部材のトレイ支持部に載置し、前記基板収容孔に進入した前記基板載置部の前記基板載置面で前記基板の下面を持ち上げ、前記トレイの前記基板支持部の上面に対して隙間をあけて上方に配置されるように、前記基板載置面に前記基板を載置し、前記基板載置部に少なくとも一部が内蔵された静電吸着用電極に直流電圧を印加して、前記基板載置面に前記基板を静電吸着させ、個々の前記基板の下面と個々の前記基板載置部の前記環状突出部で囲まれた空間に伝熱ガスを供給し、前記チャンバ内にプラズマを発生させる、プラズマ処理方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月30日(2009.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体チップが搭載されたチップ搭載部、前記チップ搭載部に一端部が接続された複数の吊りリード、および前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程であって、前記複数の吊りリードの他端部の厚みが前記複数のリードの厚みよりも薄いリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）上型と下型とを有する樹脂成形金型のキャビテイ内に前記半導体チップが位置し、前記上型と前記下型とで前記複数のリードの表裏面を挟むように、前記リードフレームを前記樹脂成形金型に配置する工程と、
（ｃ）前記樹脂成形金型の前記キャビテイ内に樹脂を注入することによって、前記半導体チップを樹脂封止する封止体を形成する工程であって、前記複数の吊りリードの各々の前記他端部の裏面を前記封止体が覆い、かつ、前記複数のリードの各々の裏面が前記封止体から露出するように前記封止体を形成する工程と、
（ｄ）前記複数の吊りリードの各々の前記他端部の裏面に形成された前記封止体の一部を切断金型によって支持した状態で、前記複数の吊りリードを切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｄ）工程において、前記切断金型の前記封止体の一部を支持する部分の面積は、前記吊りリードの切断しろよりも広いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｃ）工程の後に、前記封止体の裏面側から切断パンチを進入させて前記複数のリ
ードを切断する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｄ）工程は、前記封止体の表面側から切断パンチを進入させて前記複数の吊りリードを切断することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）工程は、前記チップ搭載部の一部が前記封止体の裏面から露出するように前記封止体を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｃ）工程は、前記チップ搭載部が前記封止体内に配置されるように前記封止体を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ａ）工程は、前記複数の吊りリードの裏面がハーフエッチング加工された前記リードフレームを用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記（ｃ）工程と（ｄ）工程との間に、前記封止体の表面に前記表面側からマーキングを行う工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記マーキングを行う工程は、マーキング前に前記封止体の表裏を反転させることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）工程において、前記リードフレームは、前記下型との間に封止用シートを挟んだ状態で、前記樹脂成形金型に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｂ）工程は、前記複数のリードが前記封止用シートに密着するように行うことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち、本発明は、（ａ）半導体チップが搭載されたチップ搭載部、前記チップ搭載部に一端部が接続された複数の吊りリード、および前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードを有するリードフレームを準備する工程であって、前記複数の吊りリードの他端部の厚みが前記複数のリードの厚みよりも薄いリードフレームを準備する工程と、（ｂ）上型と下型とを有する樹脂成形金型のキャビテイ内に前記半導体チップが位置し、前記上型と前記下型とで前記複数のリードの表裏面を挟むように、前記リードフレームを前記樹脂成形金型に配置する工程と、（ｃ）前記樹脂成形金型の前記キャビテイ内に樹脂を注入することによって、前記半導体チップを樹脂封止する封止体を形成する工程であって、前記複数の吊りリードの各々の前記他端部の裏面を前記封止体が覆い、かつ、前記複数のリードの各々の裏面が前記封止体から露出するように前記封止体を形成する工程と、（ｄ）前記複数の吊りリードの各々の前記他端部の裏面に形成された前記封止体の一部を切断金型によって支持した状態で、前記複数の吊りリードを切断する工程と、を有するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているデータ線と、
前記データ線に接続されているソース電極と、
前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極と、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に形成されており、開口部及び接触孔を有する隔壁と、
前記開口部に位置し、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と少なくとも一部重なる有機半導体と、
前記有機半導体上に形成されているゲート絶縁部材と、
前記ゲート絶縁部材上に形成された遮断部材と、
前記データ線と交差し、前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線と、
前記接触孔を介して前記ドレーン電極に接続されている画素電極と、
を含む、有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記遮断部材及び前記画素電極は同一物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記遮断部材及び前記画素電極はＩＺＯ又はＩＴＯを含む、請求項２に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記遮断部材と前記画素電極は異なる層に形成されている、請求項２又は３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＺＯ又はＩＴＯを含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆う、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重なる部分を含む、請求項７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記ドレーン電極と前記維持電極との間に層間絶縁膜が形成されている、請求項８に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記隔壁の表面は疎水性であり、前記開口部及び前記接触孔を介して露出された部分は前記隔壁表面に対して相対的に親水性を有する、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項２】
第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
大気中又は酸素雰囲気下において、第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項３】
第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけ、
前記第２のレーザー光のエネルギー密度は、前記第１のレーザー光のエネルギー密度よりも高いことを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項４】
第１のレーザー光と第２のレーザー光とを発振するレーザー発振装置と、
スリットと開口部とを有するガス吹き付け部と、を有するレーザー照射装置であって、
非晶質構造を有する第１の半導体膜に前記第１のレーザー光を照射して、表面に凹凸を有し結晶化された第２の半導体膜を形成し、
前記結晶化された第２の半導体膜に前記スリットを通過させた前記第２のレーザー光を照射して、前記第２の半導体膜を平坦化し、
前記第２のレーザー光の照射とともに、前記結晶化された第２の半導体膜の前記第２のレーザー光が照射される領域の周辺に、前記開口部から不活性ガスを吹きつけることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記ガス吹き付け部は、前記開口部を複数有し、
前記複数の開口部は、前記スリットを囲むように設けられていることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記不活性ガスは、窒素であることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー発振装置は、固体レーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー発振装置は、ＹＡＧレーザー又はエキシマレーザーであることを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザー光として、ＹＡＧレーザーの第２高調波又は第３高調波のレーザー光を用いることを特徴とするレーザー照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層を有する電界効果型トランジスタであって、
前記アモルファス酸化物膜が１０１６／ｃｍ３以上１０２０／ｃｍ３以下の水素原子又は重水素原子を含有し、
前記水素原子又は重水素原子を含有したアモルファス酸化物膜の材料の水素原子以外の組成が、[（Ｓｎ１−ｘＭ４ｘ）Ｏ２]ａ・[（Ｉｎ１−ｙＭ３ｙ）２Ｏ３]ｂ・[（Ｚｎ１−ｚＭ２ｚＯ）]ｃ
［０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、
０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、０≦ｃ＜１、かつ
ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 
Ｍ４はＳｎより原子番号の小さい４族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、
Ｍ３はＩｎより原子番号の小さい３族元素（Ｂ，Ａｌ、Ｇａ、Ｙ）又はＬｕ、
Ｍ２はＺｎより原子番号の小さい２族元素（Ｍｇ，Ｃａ）］
で示されることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
【請求項２】
前記アモルファス酸化物膜に含有される水素原子又は重水素原子の濃度が１０１７／ｃｍ３以上１０１９／ｃｍ３以下であることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項３】
前記Ｍ３が、Ｇａである請求項１に記載の電界効果型トランジスタ。
【請求項４】
電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるＩｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、
基板を成膜装置内に配置する工程と、
水素原子を含むガス（ただし、水蒸気を除く）と酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とするアモルファス酸化物膜の製造方法。
【請求項５】
電界効果型トランジスタの製造方法であって、
ゲート電極を形成する工程と、
ゲート絶縁層を形成する工程と、
ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
水素原子を含むガス（ただし、水蒸気を除く）と酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法によりアモルファス酸化物からなるチャネル層を形成する工程と、を含むことを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記アモルファス酸化物からなるチャネル層に含有する水素量を増加させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記課題を解決するために、本発明は、Ｉｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜のチャネル層を有する電界効果型トランジスタであって、前記アモルファス酸化物膜が１０１６／ｃｍ３以上１０２０／ｃｍ３以下の水素原子又は重水素原子を含有し、
前記水素原子又は重水素原子を含有したアモルファス酸化物膜の材料の水素原子以外の組成が、[（Ｓｎ１−ｘＭ４ｘ）Ｏ２]ａ・[（Ｉｎ１−ｙＭ３ｙ）２Ｏ３]ｂ・[（Ｚｎ１−ｚＭ２ｚＯ）]ｃ
［０≦ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、
０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、０≦ｃ＜１、かつ
ａ＋ｂ＋ｃ＝１、 
Ｍ４はＳｎより原子番号の小さい４族元素（Ｓｉ，Ｇｅ，Ｚｒ）、
Ｍ３はＩｎより原子番号の小さい３族元素（Ｂ，Ａｌ、Ｇａ、Ｙ）又はＬｕ、
Ｍ２はＺｎより原子番号の小さい２族元素（Ｍｇ，Ｃａ）］
で示されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本発明は、電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるＩｎ又はＺｎを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、基板を成膜装置内に配置する工程と、水素原子を含むガス（ただし、水蒸気を除く）と酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、本発明は、電界効果型トランジスタの製造方法であって、ゲート電極を形成する工程と、ゲート絶縁層を形成する工程と、ソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、水素原子を含むガス（ただし、水蒸気を除く）と酸素ガスとを前記成膜装置内に各々０．００１Ｐａ以上０．０１Ｐａ以下、０．００８Ｐａ以上０．１Ｐａ以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法によりアモルファス酸化物からなるチャネル層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月25日(2008.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電性材料のコンタクト電極と前記コンタクト電極より小なるサイズのパッド電極とを有し、フリップ実装される固体素子と、
前記固体素子が実装される表面の回路パターンと、裏面に形成される外部配線パターンと、前記回路パターンと前記外部配線パターンとを内部にて電気的に接続するビアパターンと、を含む素子搭載基板と、
前記固体素子を封止する無機封止材料からなる無機封止部と、
前記固体素子の前記コンタクト電極の前記素子搭載基板側に形成され、前記無機封止材料より小さい屈折率の小屈折率膜と、
前記固体素子の前記小屈折率膜と前記素子搭載基板との間に形成された気体層と、を有することを特徴とする固体素子デバイス。
【請求項２】
前記コンタクト電極は、前記無機封止部と非接触であることを特徴とする請求項１に記載の固体素子デバイス。
【請求項３】
前記固体素子の実装面と、前記素子搭載基板の素子実装面との距離が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の固体素子デバイス。
【請求項４】
前記素子搭載基板は、前記回路パターンに前記素子搭載基板と前記固体素子の間への前記無機封止材料の進入を抑制するための突出部が形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項５】
前記コンタクト電極は、前記固体素子の成長基板と同等の熱膨張率を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項６】
前記透明導電性材料は、酸化物であることを特徴とする請求項５に記載の固体素子デバイス。
【請求項７】
前記透明導電性材料は、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)である請求項６に記載の固体素子デバイス。
【請求項８】
前記小屈折率膜は、誘電体層を含むことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項９】
前記誘電体層は、前記固体素子が発する光を散乱反射する材料を含むことを特徴とする請求項８に記載の固体素子デバイス。
【請求項１０】
前記誘電体層は、ＳｉＯ２層を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の固体素子デバイス。
【請求項１１】
前記固体素子は、線状に形成された第１および第２の電極を略矩形状の発光領域を介して対向配置した請求項１から１０のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項１２】
前記固体素子は、略矩形状に設けられる発光領域の中央に設けられる第１の電極と、前記発光領域の周辺に設けられる第２の電極とを有する請求項１から１１のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【請求項１３】
前記無機封止部は、蛍光体を含む請求項１から１２のいずれか１項に記載の固体素子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記の目的を達成するため、
透明導電性材料のコンタクト電極と前記コンタクト電極より小なるサイズのパッド電極とを有し、フリップ実装される固体素子と、
前記固体素子が実装される表面の回路パターンと、裏面に形成される外部配線パターンと、前記回路パターンと前記外部配線パターンとを内部にて電気的に接続するビアパターンと、を含む素子搭載基板と、
前記固体素子を封止する無機封止材料からなる無機封止部と、
前記固体素子の前記コンタクト電極の前記素子搭載基板側に形成され、前記無機封止材料より小さい屈折率の小屈折率膜と、
前記固体素子の前記小屈折率膜と前記素子搭載基板との間に形成された気体層と、を有することを特徴とする固体素子デバイスが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記小屈折率膜は、誘電体層を含むことが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記小屈折率膜は、ＳｉＯ２を含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記素子搭載基板は、前記回路パターンに前記素子搭載基板と前記固体素子の間への前記無機封止材料の進入を抑制するための突出部が形成されることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記コンタクト電極は、前記固体素子の成長基板と同等の熱膨張率を有することが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記透明導電性材料は、酸化物であることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記固体素子デバイスにおいて、
前記固体素子の実装面と、前記素子搭載基板の素子実装面との距離が１５μｍ以下であることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、上記固体素子デバイスにおいて、透明導電性材料は、例えば、ＩＴＯ(Indium Tin Oxide)を用いることができる。固体素子は、線状に形成された第１および第２の電極を略矩形状の発光領域を介して対向配置したもの、あるいは略矩形状に設けられる発光領域の中央に設けられる第１の電極と、発光領域の周辺に設けられる第２の電極とを有するものであっても良い。また、無機封止部は、ＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)等の蛍光体を含んでいても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、紫外光の少なくとも一部の波長域に対し、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。
【請求項２】
前記第１の材料の前記第２の材料に対するエッチング速度比が、１０以上であることを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項３】
前記第２の材料は、３６５ｎｍの波長に対して３０％以上の透過率を有することを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項４】
前記表面層は前記モールドの凸部の一部を構成することを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項５】
前記表面層は前記モールドの凸部の全部を構成することを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項６】
前記第１の材料が酸化シリコンであり、前記第２の材料が窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ＩＴＯのいずれかの材料であることを特徴とする請求項１記載のモールド。
【請求項７】
モールドを通じた紫外光の照射により光硬化樹脂を硬化させてインプリントするインプリント装置であって、前記モールドとして、請求項１記載のモールドを備えていることを特徴とするインプリント装置。
【請求項８】
デバイスの製造方法であって、
請求項１記載のモールドを用意する工程、
前記モールドを光硬化樹脂に接触させる工程、
前記モールドを通じて紫外光を照射する工程、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【請求項９】
樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、光学的計測が可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。
【請求項１０】
光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とするモールド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記課題を解決するため、つぎように構成したモールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法を提供するものである。
本発明のモールドは、光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、紫外光の少なくとも一部の波長域に対し、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第１の材料の前記第２の材料に対するエッチング速度比が、１０以上であることを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第２の材料は、３６５ｎｍの波長に対して３０％以上の透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記表面層は前記モールドの凸部の一部を構成することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記表面層は前記モールドの凸部の全部を構成することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、前記第１の材料が酸化シリコンであり、前記第２の材料が窒化シリコン、酸化チタン、酸化アルミニウム、フッ化カルシウム、ＩＴＯのいずれかの材料であることを特徴とする。
また、本発明のインプリント装置は、モールドを通じた紫外光の照射により光硬化樹脂を硬化させてインプリントするインプリント装置であって、前記モールドとして、上記したモールドを備えていることを特徴とする。
また、本発明のデバイスの製造方法は、
上記したモールドを用意する工程、
前記モールドを光硬化樹脂に接触させる工程、
前記モールドを通じて紫外光を照射する工程、
を含むことを特徴とする。
また、本発明のモールドは、樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、光学的計測が可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
また、本発明のモールドは、光硬化樹脂にパターンをインプリントするモールドであって、
前記モールドは、第１の材料からなるモールド基板に構成される該モールドの凹部と、該モールドの凸部を構成する表面層とを有し、
前記表面層は、第２の材料からなり、かつ、前記光硬化樹脂にパターンを形成するための層であって、
前記第１および第２の材料は、該第２の材料に比べて該第１の材料が選択的にエッチングされ得る材料の組み合わせからなり、
前記第１および第２の材料は、前記光硬化樹脂を硬化させることが可能な光学的透過率を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されて、少なくとも４０ａｔ％の炭素を含む炭素系の層をエッチングする方法において、上記炭素系の層を、水素、窒素及び一酸化炭素を含むエッチングガスのプラズマに露出させるステップを備えた方法。
【請求項２】
上記炭素系の層は、少なくとも６０ａｔ％の炭素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記炭素系の層は、１０から４０ａｔ％の水素を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
上記エッチングガスの活性成分は、本質的に、水素、窒素及び一酸化炭素より成る、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記炭素系の層の上に形成されたフォトレジスト層を光学的にパターン化するステップと、
エッチングされた炭素系の層をハードマスクとして使用して上記炭素系の層の下に横たわる誘電体層をエッチングするステップと、
を更に備えた、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
上記基板をプラズマエッチングチャンバーに入れるステップを更に備え、該プラズマエッチングチャンバーは、基板を支持するペデスタル電極であって、ＨＦ周波数で動作するＲＦ電源によりマッチング回路を経てバイアスされるペデスタル電極と、該ペデスタルに対向し、エッチングガスが貫通供給されるシャワーヘッド電極であって、上記ＨＦ周波数より高いＶＨＦ周波数で動作し且つシャワーヘッド電極に容量性結合されたスタブ回路に適用される第２のＲＦ電源によりバイアスされるようなシャワーヘッド電極とを有する、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
上記シャワーヘッドの後方において上記チャンバーの中心軸から異なる半径及び前記中心軸に沿って異なる軸上の位置に配置された２つの同軸コイルを経て同じ極性の電流を通過させるステップを更に備えた、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
上記基板をプラズマエッチングチャンバーに入れ、該チャンバーの圧力をエッチング中に２０ミリトールより高く維持するステップを更に備えた、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
誘電体層と、該誘電体層の上に横たわり、少なくとも４０ａｔ％の炭素及び１０から６０ａｔ％の水素を含む炭素系の層とを備えた誘電体層構造体をエッチングする方法において、
上記炭素系の層の上に横たわるフォトレジスト層をパターン化するステップと、
上記フォトレジスト層のパターン化に基づき水素ガス、窒素ガス及び一酸化炭素ガスを含むエッチングガスで上記炭素系の層をプラズマエッチングする第１ステップと、
フルオロカーボンを含むエッチングガスで上記プラズマエッチングされた炭素系の層を通して上記誘電体層をプラズマエッチングする第２ステップと、
を備えた方法。
【請求項１０】
上記炭素系の層は、少なくとも６０ａｔ％の炭素と、１０から４０ａｔ％の水素とを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
上記炭素系の層は、厚みが少なくとも４００ｎｍである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記第１及び第２ステップは、誘電体層構造体が形成される基板を支持するＲＦバイアスされるペデスタル電極と、エッチングガスが貫通して流れると共に、ＶＨＦ電源により容量性バイアスされるシャワーヘッド電極とを有するプラズマエッチングリアクタにおいて実行される、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
上記誘電体層構造体は、上記炭素系の層の上に横たわる反射防止層であって、その上にフォトレジスト層がパターン化される反射防止層も含み、更に、該反射防止層をプラズマエッチングする第３ステップを備え、
上記第１、第２及び第３ステップは、誘電体層構造体が形成される基板を支持するＲＦバイアスされるペデスタル電極と、エッチングガスが貫通して流れると共に、ＶＨＦ電源により容量性バイアスされるシャワーヘッド電極とを有するプラズマエッチングリアクタにおいて実行される、請求項９から１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相手コネクタを受入れるための周壁の略四角筒状の内壁面で形成された受入凹部が設けられ、コネクタ嵌合方向に延びるように上記周壁の一対の対向壁に形成された複数の端子溝にそれぞれ端子が保持されている電気コネクタにおいて、端子は、弾性接触部と該弾性接触部に連続する横Ｓ字状の湾曲部を有し、上記弾性接触部は、上記嵌合方向で受入凹部の開口側に位置し、受入凹部の底部に向けて巻かれるように湾曲されて上記端子溝から受入凹部側に突出し、上記湾曲部は、嵌合方向に対し直角な方向でのコネクタ外方側の湾曲部分が上記嵌合方向で上記受入凹部の開口側に位置し、コネクタ内方側の湾曲部分が上記端子溝内で上記受入凹部の底部側に位置し、該コネクタ外方側の湾曲部分が周壁に対して上記嵌合方向で上記受入凹部の開口側から取り付けられており、上記弾性接触部は、相手コネクタの端子との接触時に、上記嵌合方向に対しほぼ直角方向に上記端子溝内に向け弾性変位するようになっていることを特徴とする電気コネクタ。
【請求項２】
請求項１の電気コネクタに嵌合されるコネクタであって、端子は接触部近傍で接触部よりも嵌合方向前方位置にクリック突部を有していることを特徴とする電気コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る電気コネクタは、相手コネクタを受入れるための周壁の略四角筒状の内壁面で形成された受入凹部が設けられ、コネクタ嵌合方向に延びるように上記周壁の一対の対向壁に形成された複数の端子溝にそれぞれ端子が保持されている電気コネクタにおいて、端子は、弾性接触部と該弾性接触部に連続する横Ｓ字状の湾曲部を有し、上記弾性接触部は、上記嵌合方向で受入凹部の開口側に位置し、受入凹部の底部に向けて巻かれるように湾曲されて上記端子溝から受入凹部側に突出し、上記湾曲部は、嵌合方向に対し直角な方向でのコネクタ外方側の湾曲部分が上記嵌合方向で上記受入凹部の開口側に位置し、コネクタ内方側の湾曲部分が上記端子溝内で上記受入凹部の底部側に位置し、該コネクタ外方側の湾曲部分が周壁に対して上記嵌合方向で上記受入凹部の開口側から取り付けられており、上記弾性接触部は、相手コネクタの端子との接触時に、上記嵌合方向に対しほぼ直角方向に上記端子溝内に向け弾性変位するようになっていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記当接位置よりも上側となる弾性接触部の上側（受入凹部開口側）部分には嵌合方向の力による引張力が作用する。そして、湾曲部のうち、端子溝内で弾性接触部から下方（嵌合方向）に延びる部分と上記弾性接触部における当接位置とは、嵌合方向に直角な方向で比較的大きい間隔をもっているので、弾性接触部が上記当接位置で嵌合方向の力を受けても、その力は上記下方に延びる部分に対して、圧縮力を生じせしめる軸力ではなく曲げモーメントとして作用する。したがって、相手コネクタから受けた力によって端子が圧縮されて座屈することがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、以上のように、弾性接触部が受入凹部の底部に向けて巻かれるように湾曲されて形成されており、相手コネクタと嵌合する際に、該相手コネクタとの当接により弾性接触部に加えられた力が端子のいずれの部分にも圧縮力として作用することがないので、相手コネクタとの当接による端子の座屈を回避できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート線とデータ線とで区切られ、発光素子とそれに連結されている駆動トランジスタとを各々含む、第１画素、第２画素、及び第３画素を有する有機発光表示装置であり、
前記第１画素は前記第２画素と前記第３画素とのいずれよりも発光素子の発光効率が低く、
前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素の各発光素子の面積が実質的に同一であり、
前記第１画素は前記第２画素または前記第３画素より、駆動トランジスタの占める面積の割合が高い有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１画素の駆動トランジスタのチャネルの配置が、前記第２画素と前記第３画素とのいずれの駆動トランジスタのチャネルの配置とも異なる請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１画素では駆動トランジスタのチャネルがゲート線と発光素子との間に位置し、
前記第２画素と前記第３画素とでは駆動トランジスタのチャネルがデータ線と発光素子との間に位置する請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１画素の駆動トランジスタのチャネルが蛇行している請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１画素は前記第２画素と前記第３画素とのいずれよりも、駆動トランジスタのチャネル幅が広い請求項１から４のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素は幅が同一である請求項１から４のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記第１画素では発光素子が青色光を放出する請求項１から６のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素の各駆動トランジスタを構成する半導体が非晶質シリコンを含む請求項１から７のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記第１画素、前記第２画素及び前記第３画素の各々が、ゲート線とデータ線とに連結されているスイッチングトランジスタをさらに含む請求項１から８のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１画素、前記第２画素、及び前記第３画素の各々に含まれている発光素子が、
駆動トランジスタに連結されている画素電極、
前記画素電極に対向する共通電極、及び、
前記画素電極と前記共通電極との間に介在し、各画素の発光領域を定める有機発光部材を含む請求項１から９のいずれか１つに記載の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の動画像を記録媒体に記録する記録手段と、
該動画像を解析する映像解析手段と、
該映像解析手段の解析結果に基づき、特定のシーンを抽出する映像抽出手段と、
該映像抽出手段で抽出されたシーンを編集する映像編集手段と、
該映像編集手段で編集された編集映像を表示する表示部と、
を備え、
該映像抽出手段は、被写体を所定の大きさ以上で捉えているシーンを抽出すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の映像処理装置であって、
該映像抽出手段は、動きベクトルを用いて被写体を所定の大きさ以上で捉えているシーンを抽出すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の映像処理装置であって、
該映像抽出手段は、抽出するシーンの前後に一定のマージンを付ける手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項４】
請求項１に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段は、該映像抽出手段で抽出した１つ以上のシーンに対し、それぞれ異なる編集映像としてアクセスできるように編集する手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段は、該映像抽出手段で抽出した２つ以上のシーンに対し、複数のシーンをつなぎ合わせ、１つの編集映像としてアクセスできるように編集する手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項６】
請求項４または５に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段は、該映像抽出手段で抽出されたシーンに対し、ズームアップの度合いによる重み付けを行い、重みの大きいものを優先的にアクセスできるように編集する手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項７】
請求項４または５に記載の映像処理装置であって、
該表示部は、該映像編集手段で編集された編集映像の重要度により、メニューの表示方法を変える手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項８】
請求項４または５に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段は、該映像抽出手段により抽出されたシーンに対し、シーン内容による振り分けを行い、振り分けられたグループごとにアクセスできるように編集する手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項９】
請求項４または５に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段は、該映像抽出手段により抽出されたシーンに対し、シーン記録時刻による振り分けを行い、振り分けられたグループごとにアクセスできるように編集する手段を有すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項１０】
請求項４または５に記載の映像処理装置であって、
該映像編集手段により編集された編集映像を、該記録媒体もしくは外部記録媒体に記録すること、
を特徴とする映像処理装置。
【請求項１１】
被写体を撮像し、撮像映像を出力する撮像部と、
該撮像映像を、フレーム相関を利用して求めた動きベクトルを用いる圧縮符号化方式で圧縮符号化する圧縮符号化部と、
該圧縮符号化部で圧縮符号化された撮像映像を記録媒体に記録再生する記録再生部と、
ＣＰＵと、
該記録媒体に記録された撮像映像を再生するように該記録再生部を制御し、該撮像映像の動きベクトルを解析し、互いの差異が所定範囲以内の動きベクトルを画面内に所定数以上有する部分を抽出し、該抽出した部分を編集映像として該記録媒体に記録するように該記録再生部を制御するように、該ＣＰＵを動作させるプログラムを格納したメモリと、
を備えることを特徴とする撮像装置。