Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月5日(2009.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
ＩＰ電話端末２のＩＰ外線ポート２１２とＩＰ内線ポート２３２、あるいは、主装置の接続ポート等は、周知のＲＪ４５コネクタとＨＵＢ等により構成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、本発明では、主装置１の機能が停止したことを、ＩＰ電話端末２のＩＰ内線インタフェース監視部２３１において、主装置１のＩＰ内線制御部１３からの制御信号Ｍ１３５が到来するか否かを監視し、該制御信号Ｍ１３５が到来しなかった場合に、主装置１の内線機能が異常である(停止した)と判断し、装置制御部２４に通知する。装置制御部２４は、ＩＰ外線インタフェース監視部２１１を回線接続情報メモリ２２のＩＰ外線用情報(図２のＣ１〜Ｃ３)として動作させ、主装置１のＩＰ外線制御部１１に対して稼働状態の確認信号Ｍ２１５を出力する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の実施例２のＩＰ共通ポート２２２は、実施例１のＩＰ電話端末２のＩＰ外線ポート２１２とＩＰ内線ポート２３２と同様に、周知のＲＪ４５コネクタとＨＵＢ等を用い、ＩＰ外線ポートとＩＰ内線ポートの切換機構を付加することにより構成することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図８は、本発明の実施例６によるＩＰ電話端末のブロック構成を示している。
本発明の実施例６では、主装置のＩＰ外線インタフェース部の稼働状態を確認する方法として、ＩＰ内線動作部２３から、主装置のＩＰ外線制御部１１の電話番号宛に、実際に発信し(電話をかけ)その反応の有無を確認することを特徴とする。ＩＰ内線動作部２３から発信した場合は折返しのイメージとなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2008135806.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2008135806.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008135806.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2008135806.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2008135806.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2008135806.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
略１ＧＨｚのローバンドＲＦ入力信号Ｐｉｎ＿ＬＢは、例えば、ＲＦ周波数が８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚのＧＳＭ８５０のＲＦ送信信号、８８０ＭＨｚ〜９１５ＭＨｚのＧＳＭ９００のＲＦ送信信号である。他に、ＲＦ周波数が８２４ＭＨｚ〜８４９ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド５のＲＦ送信信号、８３０ＭＨｚ〜８４０ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド６のＲＦ送信信号も可能である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
略２ＧＨｚのハイバンドＲＦ入力信号Ｐｉｎ＿ＨＢは、例えば、ＲＦ周波数が１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚのＤＣＳ１８００のＲＦ送信信号、１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚのＰＣＳ１９００のＲＦ送信信号である。他に、ＲＦ周波数が１９２０ＭＨｚ〜１９８０ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド１のＲＦ送信信号、１８５０ＭＨｚ〜１９１０ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド２のＲＦ送信信号も可能である。更に他に、ＲＦ周波数が１７１０ＭＨｚ〜１７８５ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド３のＲＦ送信信号、１７１０ＭＨｚ〜１７５５ＭＨｚのＷ−ＣＤＭＡのバンド４のＲＦ送信信号も可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
また、ＲＦ電力増幅器のパワーデバイスとしては、シリコンによるＬＤ（Lateral Diffused）構造のパワーＭＯＳＦＥＴを採用する以外にも、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＳｉＧｅ等のＨＢＴ（Hetero-junction Bipolar Transistor）を採用することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
位置パケット生成器１０６は、コントローラ１０５からの情報から新規にパケットを生成する。スイッチ１０７は、パケットメモリ１０２の出力と位置パケット生成器１０６の出力とを、コントローラ１０５の制御によって切り替える。記録媒体１０８は、ハードディスク、ＤＶＤ−ＲＡＭ等によって実現される。位置情報検出器１０９は、記録媒体１０８に記録したＴＳを読み出したときに、位置パケット生成器１０６で生成したパケットから位置情報を読み出し、位置情報をコントローラ１０５に送信する。ＡＶデコーダ１１０は、ＴＳから映像信号及び音声信号を復号し、復号した映像信号及び音声信号を映像出力端子１１１及び音声出力端子１１２からそれぞれ出力する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施の形態では、Ｉピクチャに関連し、先頭となるＩピクチャからその直前となるＩピクチャまでのパケット数、先頭となるＩピクチャからその直後となるＩピクチャまでのパケット数及び現在検出中のＩピクチャのパケット数を、パケットカウンタ１０４からのカウント数により三つのデータを作成する。図２において、Ｋ’は、Ｉピクチャ（ＧＯＰ）先頭から直前のＩピクチャ（ＧＯＰ）先頭までのパケット数を表し、Ｊは、現在検出中のＩピクチャのパケット数を表し、Ｋは、Ｉピクチャ（ＧＯＰ）先頭から次のＩピクチャ（ＧＯＰ）先頭までのパケット数を表し、これらはそれぞれ、最大でも４バイト（３２ビット）必要とし、全体で１８８ビット以下であるので、１パケットで作成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
Ｊ，Ｋ及びＫ’のカウント数が位置パケット生成器１０６に送出された後、パケットメモリ１０２から先頭Ｉピクチャパケットを読み出し、次に、スイッチ１０７において、位置パケット生成器１０６で生成したパケットＸに１パケット分のみ切り替え、次に、パケットメモリ１０２から、記憶された順にパケットを読み出す。先頭Ｉピクチャパケットに後続するパケットがヌルパケットの場合は、パケットメモリ１０２から読み出すときに破棄する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
一例としてＫ’＝１０００及びＪ＝２００とした場合、記憶媒体１０８の制御部（図示せず）は、Ｋ’＝１０００パケット分読出し位置を戻す。その後、２００パケット分のＩピクチャデータの読出しを行い、Ｉピクチャデータを取得する。その後、再び巻き戻し再生スイッチが押された場合、これらの動作を繰り返す。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
〔実施例１〕
図２（ａ）に示したように、製造過程にある配線基板２０の両側の絶縁層２１（上下の配線層の接続用の孔２２が形成してある）の全面に、無電解めっきにより銅（Ｃｕ）のシード層（図示せず）を薄く形成後、配線層形成用にパターン化したレジスト膜２３ａ、２３ｂを形成する。レジスト膜２３ａ、２３ｂは、各面のシード層上に所定厚のドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を貼り付け、フォトリソグラフィーの手法でパターン化して形成することができる。上面のレジスト膜２３ａが下面のレジスト膜２３ｂより薄くなるように、上面用と下面用のＤＦＲは厚さが異なる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月10日(2009.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を射出する発光素子と、
該発光素子を支持する支持部材と、
該支持部材に固定され前記発光素子と電気的に接続された基板と、
前記発光素子と前記基板とを電気的に接続し、電流を供給する配線と、
少なくとも一部が光を透過可能であるとともに、前記基板に固定された前記発光素子を覆うカバー部材と、
前記基板と前記カバー部材とを固定する固定部材とを備え、
前記固定部材による前記基板と前記カバー部材との固定力が、前記支持部材と前記基板との固定力に比べて大きいことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記固定部材が、前記カバー部材の前記基板と接触する面あるいは内側面に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記固定部材が接着剤であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光源装置。
【請求項４】
前記配線がボンディングワイヤであり、前記発光素子と前記基板とは前記ボンディングワイヤのみで接続されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の光源装置。
【請求項５】
前記カバー部材の前記基板と接触する面に凹部が形成され、該凹部に前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項６】
前記カバー部材の基板と接触する面の内側面側に開口する凹部が形成され、該凹部に前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項７】
前記カバー部材の一部に前記基板が挿入可能な基板挿入孔が形成され、該基板挿入孔に前記基板が挿入されているとともに前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項８】
前記カバー部材には外側面から内側面に貫通した貫通孔が形成され、該貫通孔に前記接着剤が充填されていることを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光源装置と、
該光源装置から射出された光を画像信号に応じて変調する光変調装置と、
該光変調装置により形成された画像を投射する投射装置とを備えることを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の光源装置と、
該光源装置から射出された光により被写体を撮像する撮像手段とを備えることを特徴とするモニタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明の光源装置は、レーザ光を射出する発光素子と、該発光素子を支持する支持部材と、該支持部材に固定され前記発光素子と電気的に接続された基板と、前記発光素子と前記基板とを電気的に接続し、電流を供給する配線と、少なくとも一部が光を透過可能であるとともに、前記基板に固定された前記発光素子を覆うカバー部材と、前記基板と前記カバー部材とを固定する固定部材とを備え、前記固定部材による前記基板と前記カバー部材との固定力が、前記支持部材と前記基板との固定力に比べて大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月29日(2009.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を載置するための素子載置領域に形成された電極層と、
前記電極層の周辺部に形成された周辺部反射層と、
を備えた発光装置用の支持体であって、
前記電極層が、表面側から、電極反射層と、接合層と、をこの順に有し、
前記電極反射層と前記周辺部反射層とはＡｇ合金膜から形成され、
前記接合層は、前記発光素子での発光を透過可能な薄さのＡｕ膜又はＡｕ合金膜から形成されていることを特徴とする発光装置用の支持体。
【請求項２】
前記Ａｇ合金膜が、合金元素として、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｐｄ及びＰｔから成る群から選択された少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置用の支持体。
【請求項３】
前記接合層の膜厚が０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置用の支持体。
【請求項４】
前記素子載置領域に、前記電極層とは別体に、発光素子を載置するために形成されたＡｇ合金膜から成る素子載置部が形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項５】
前記素子載置部の表面粗さは、１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の発光装置用の支持体。
【請求項６】
前記電極層は、その上に前記発光素子を固定可能であり、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）にて１５０μｍ２の範囲を測定したときの表面粗さ（Ｒａ）が１５０ｎｍ以上３５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項７】
前記電極反射層及び／又は前記周辺部反射層の表面側に、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＩｒから成る群から選択された少なくとも１種から成る保護層が、前記発光素子からの光を透過可能な薄さで形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項８】
前記保護層の膜厚が０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置用の支持体。
【請求項９】
前記電極反射層及び前記周辺部反射層の膜厚が、２μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項１０】
前記電極反射層及び前記周辺部反射層の支持体側に、さらに、Ｎｉ、Ａｕ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｏｓ及びＩｒから成る群から選択された１種から成る密着層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項１１】
前記支持体が、絶縁性部材又は絶縁性の積層基板から形成されており、
前記電極層及び前記周辺部反射層が、メタライズ層を介して前記支持体に固着されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体。
【請求項１２】
前記支持体が、セラミック又はガラスエポキシ樹脂から形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置用の支持体。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の発光装置用の支持体と、
前記支持体の前記素子載置領域に固定され、前記電極層と導通された発光素子と、を備えた発光装置。
【請求項１４】
前記発光素子と、前記電極層の接合層とが導電ワイヤによって導通されており、
前記導電ワイヤが、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｕから成ることを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記周辺部反射層の下端が、少なくとも前記発光素子の活性層よりも底部側にあることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記発光素子が蛍光体を含む封止樹脂で覆われており、前記周辺部反射層の少なくとも一部が前記封止樹脂から露出しており、前記封止樹脂から露出した前記周辺部反射層の表面粗さ（Ｒａ）が、前記電極層の表面粗さ（Ｒａ）よりも小さいことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか１項に記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３（ａ）を参照に、弾性表面波素子１２、配線１４およびパッド電極２８が設けられた圧電性基板１０上に厚さ３０μｍの感光性エポキシ樹脂からなる第１の封止部２４ａをスピンコートする。図３（ｂ）を参照に、マスクを用いて第１の封止部２４ａに紫外線（ＵＶ光）を照射し露光を行なう。図３（ｃ）を参照に、第１の封止部２４ａを現像することで紫外線（ＵＶ光）が照射されていない領域の第１の封止部２４ａを除去する。これにより、弾性表面波素子１２の機能部分上およびパッド電極２８上の第１の封止部２４ａが除去される。したがって、第１の封止部２４ａは弾性表面波素子１２の機能部分を囲うように形成される。その後、２５０℃でベークを行い第１の封止部２４ａを硬化させる。図３（ｄ）を参照に、第１の封止部２４ａ上にさらに厚さ３０μｍの感光性エポキシ樹脂からなる第２の封止部２４ｂをラミネートする。これにより、弾性表面波素子１２の機能部分上に蓋がされ、弾性表面波素子１２の機能部分上に空洞部２０が形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図４（ａ）を参照に、マスクを用いて第２の封止部２４ｂに紫外線（ＵＶ光）を照射し露光を行なう。図４（ｂ）を参照に、第２の封止部２４ｂを現像することで紫外線（ＵＶ光）が照射されていない領域の第２の封止部２４ｂを除去し、その後、２５０℃で第２の封止部２４ｂをベークして硬化させる。これにより、第１の封止部２４ａと第２の封止部２４ｂとからなる封止部２４が形成される。図４（ｃ）を参照に、パッド電極２８上の穴部２６に、電気メッキ法によりＣｕを形成し、Ａｕフラッシュメッキを施して貫通電極３２を形成する。その後、貫通電極３２上にＳｎＡｇハンダボールの搭載もしくはＳｎＡｇハンダペーストをマスク印刷、リフローすることでハンダボール１６を形成する。これにより、比較例1に係る弾性表面波デバイスが完成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
比較例1に係る弾性表面波デバイスの製造工程で、図３（ｃ）で説明したように、第１の封止部２４ａを硬化させるために２５０℃でベークを行なっている。これにより、第１の封止部２４ａに縮む力が働く。圧電性基板１０および配線１４と第１の封止部２４ａとは密着性が悪いため、この第１の封止部２４ａにかかる応力により、配線１４と第１の封止部２４ａとの界面で第１の封止部２４ａの膜剥がれが発生している。そこで、上記課題を解決するための実施例を以下に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図８（ａ）を参照に、第１の封止部２４ａを現像することで紫外線（ＵＶ光）が照射されていない領域の第１の封止部２４ａを除去する。これにより、弾性表面波素子１２の機能部分上およびパッド電極２８上の第１の封止部２４ａが除去される。したがって、第１の封止部２４ａは弾性表面波素子１２の機能部分を囲うように形成される。その後、２５０℃でベークを行い第１の封止部２４ａを硬化させる。図８（ｂ）を参照に、第１の封止部２４ａ上にさらに、感光性エポキシ樹脂からなる第２の封止部２４ｂをラミネートする。これにより、弾性表面波素子１２の機能部分上に蓋がされ、弾性表面波素子１２の機能部分上に空洞部２０が形成される。図８（ｃ）を参照に、マスクを用いて第２の封止部２４ｂに紫外線（ＵＶ光）を照射し露光を行なう。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図９（ａ）を参照に、第２の封止部２４ｂを現像することで紫外線（ＵＶ光）が照射されていない領域の第２の封止部２４ｂを除去し、その後、２５０℃で第２の封止部２４ｂをベークする。これにより、第１の封止部２４ａと第２の封止部２４ｂとからなる封止部２４が形成される。図９（ｂ）を参照に、フォトレジストでパターニングを行い、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により絶縁膜層３０をエッチングする。図９（ｃ）を参照に、パッド電極２８上の穴部２６に、電気メッキ法によりＣｕを形成し、Ａｕフラッシュメッキを施して貫通電極３２を形成する。その後、貫通電極３２上にＳｎＡｇハンダボールの搭載もしくはＳｎＡｇハンダペーストをマスク印刷、リフローすることでハンダボール１６を形成する。これにより、実施例１に係る弾性表面波デバイスが完成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
さらに、実施例１において、第１の封止部２４ａおよび第２の封止部２４ｂを硬化させるために、２５０℃でベークを行なう場合を例に示したが、これに限らず、第１の封止部２４ａおよび第２の封止部２４ｂが硬化すれば、２００〜２５０℃等その他の温度でも良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを個片化するための切断領域に連続して形成された第１導電パターンと、メッキ電極を形成すべき電極領域に設けられ弾性波素子と接続された第２導電パターンと、前記第１導電パターンと前記第２導電パターンとを接続する第３導電パターンと、を含む導電パターンを、前記弾性波素子が形成された圧電基板からなるウエハ上に形成する工程と、
前記第２導電パターン上に開口部を有するように前記ウエハ上に絶縁層を形成する工程と、
前記第１導電パターンおよび前記第３導電パターンを介し電流を供給し前記第２導電パターン上に前記メッキ電極を形成する工程と、
前記切断領域において、前記ウエハを切断し個片化する工程と、を具備することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層は前記弾性波素子を封止する封止部であることを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁層を形成する工程は、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域上に中空が形成されるように前記封止部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記導電パターンを形成する工程は、前記弾性波素子の櫛型電極と同時に前記導電パターンを形成する工程であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第２導電パターン上にバリア層を形成する工程を具備し、
前記メッキ電極を形成する工程は、前記バリア層上に前記メッキ電極を形成することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
弾性波素子が形成された圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ弾性波素子を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層を貫通し、前記弾性波素子と接続する貫通電極と、
前記基板上に設けられ、前記貫通電極と接続し、前記基板端部まで延在した導電パターンと、を具備することを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項７】
前記絶縁層は前記弾性波素子を封止する封止部であることを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項８】
前記封止部は弾性波素子の弾性波が振動する機能領域上に中空を有することを特徴とする請求項７記載の弾性波デバイス。
【請求項９】
前記絶縁層は酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項６記載の弾性波デバイス。
【請求項１０】
前記封止部は樹脂からなることを特徴とする請求項７または８記載の弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記貫通電極は、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＳｎＡｇまたはＳｎＡｇＣｕからなることを特徴とする請求項６から１０のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図６はウエハ１１の平面図である。図６を参照に、第１導電パターン１８はウエハ１１に格子状に設けられている。ウエハ１１の周辺パターン１９に全ての第１導電パターン１８が接続される。図５および図６より、周辺パターン１９は第１導電パターン１８、第３導電パターン１４ｂを介し第２導電パターン１４ａに接続される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３（ｃ）を参照に、第２封止部２４として３０μｍの膜厚を有するエポキシ製永久ネガフィルムレジストを第１封止部２２上にテンティング法を用い貼り付ける。マスク３２を用いＵＶ光３４を第２封止部２４に照射する。図３（ｄ）を参照に、現像することにより、電極領域４４に第１封止部２２と第２封止部２４との非被覆部５４が形成され、機能領域４０上には第２封止部２４で蓋をされた空洞６０が形成される。第２封止部２４を熱硬化させるためのポストベークを２５０℃で１時間行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４（ｅ）を参照に、非被覆部５４内に電解メッキ法を用い膜厚が約５０μｍのＮｉ（ニッケル）を形成する。電解メッキは、メッキ液中にウエハを配置し、図６の周辺パターン１９に電圧を印加し電流を流す。電流は周辺パターン１９、第１導電パターン１８、第３導電パターン１４ｂを介し第２導電パターン１４ａに供給される。Ｎｉ表面にＡｕ（金）のフラッシュメッキを施しＮｉからなるメッキ電極２８（貫通電極）が完成する。ウエハ面内のメッキ電極２８の高さの最大値−最小値は約１０μｍであった。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例１に係る製造工程は、図５（ａ）のように、弾性波素子が形成された基板１０上に、機能領域４０が第１非被覆部５０に、切断領域４２が第２非被覆部５２になるように第１封止部を形成する。図５（ｄ）のように、第１非被覆部５０および第２非被覆部５２に蓋をし中空（空洞６０）になるように第１封止部２２上に第２封止部２４を形成する。図６（ｇ）のように、第２非被覆部５２を分割するように基板１０および第２封止部２４を切断する。以上のような工程により、図６（ｅ）および図６（ｆ）のように、貫通電極２８や半田ボール３０を形成する際には切断領域４２は第２封止部２４により蓋をされている。このため、従来例１のように、切断領域４２に異物等が付着することを抑制することができる。また、図５（ｄ）のポストベークや図６（ｆ）の半田リフローの際に生じる第１封止部２２および第２封止部２４の収縮応力は、切断領域４２の空洞６２により緩和されるためウエハの反りを小さくすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、図５（ａ）から図５（ｇ）のように、第１封止部２２を形成する工程および第２封止部２４を形成する工程において、貫通領域４４が第３非被覆部５４となるように第１封止部２２および第２封止部２４を形成する。そして、図６（ｅ）のように、第３非被覆部５４に弾性波素子に電気的に接続する貫通電極２８を形成する。これにより、第１封止部２２と第２封止部２４とを貫通し弾性波素子に配線１４を介し電気的に接続する貫通電極２８を形成することができる。よって、第２封止部２４の上面から電気信号を取り出すことができる。また、貫通電極２８を形成する際の切断領域４２への異物の付着を抑制することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
実施例２の製造工程は、図７（ａ）のように、基板１０上に、機能領域４０が第１非被覆部５０となるように第１封止部２２を形成する。図７（ｄ）のように、第１非被覆部５０に蓋をし第１非被覆部５０が中空になるように、かつ切断領域４２の第１封止部２２上が第２非被覆部５２となるように、第１封止部２２上に第２封止部２４を形成する。図８（ｆ）のように、第２非被覆部５２に蓋をするように第２封止部２４上に第３封止部２６を形成する。図９（ｉ）のように、第２非被覆部５２を分割するように基板１０、第１封止部２２および第３封止部２６を切断する。以上のような工程により、図９（ｇ）および図９（ｈ）のように、貫通電極２８や半田ボール３０を形成する際には切断領域４２は第３封止部２６により蓋をされている。このため、実施例１と同様に、切断領域４２に異物等が付着することを抑制することができる。また、図７（ｄ）および図８（ｆ）のポストベークや図８（ｈ）の半田リフローの際に生じる第１封止部２２、第２封止部２４および第３封止部２６の収縮応力は、切断領域４２の空洞６２により緩和されるためウエハの反りを小さくすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、図８（ｆ）のように、実施例１の第１封止部２２および第２封止部２４を形成する工程に加え、実施例２では、第３封止部２６を形成する工程において、貫通電極が形成されるべき貫通領域４４が第３非被覆部５４となるように第３封止部２６を形成する。そして、図８（ｇ）のように、第３非被覆部５４に弾性波素子に電気的に接続する貫通電極２８を形成する。これにより、第１封止部２２から第３封止部２６を貫通し弾性波素子に配線１４を介し電気的に接続する貫通電極２８を形成することができる。よって、第３封止部２６の上面から電気信号を取り出すことができる。また、貫通電極２８を形成する際の切断領域４２への異物の付着を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を主光線と副光線に分割し、前記主光線と副光線を多層光情報記憶媒体の一つの記録層に集光する集光光学系と、
前記多層光情報記憶媒体の前記記録層から反射された反射光を検出する検出光学系とを有し、
前記検出光学系は、前記記録層からの反射光を絞り込む光学系と、前記光学系によって絞り込まれた前記主光線のスポット位置及び前記副光線のスポット位置にそれぞれ独立して反射領域が設けられた反射板と、非点収差入り集光素子と、前記主光線を検出する検出素子及び前記副光線を検出する検出素子を備える光検出器とを含み、前記反射板によって反射された反射光を前記非点収差入り集光素子によって前記光検出器上に集光して検出することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
多層光情報記憶媒体を保持して回転駆動する媒体駆動部と、
前記媒体駆動部に保持された多層光情報記憶媒体にレーザ光を照射し、記録情報を検出する信号処理光学系を有する光ピックアップ装置と、
前記光ピックアップ装置の信号処理光学系によって検出された信号から焦点位置制御信号、トラッキング位置制御回路、データ信号を取り出す信号処理回路とを有し、
前記信号処理光学系は、レーザ光源と、前記レーザ光源からのレーザ光を主光線と副光線に分割し、前記主光線と副光線を前記多層光情報記憶媒体の一つの記録層に集光する集光光学系と、前記記録層から反射された反射光を検出する検出光学系とを有し、前記検出光学系は、前記記録層からの反射光を絞り込む光学系と、前記光学系によって絞り込まれた前記主光線のスポット位置及び前記副光線のスポット位置にそれぞれ独立して反射領域が設けられた反射板と、非点収差入り集光素子と、前記主光線を検出する検出素子及び前記副光線を検出する検出素子を備える光検出器とを含み、前記反射板によって反射された反射光を前記非点収差入り集光素子によって前記光検出器上に集光して検出することを特徴とする光ディスクドライブ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  アントラキノン構造を有する有機顔料の粉体であって、前記有機顔料は気相法により微粒子化され、前記微粒子化された後の前記有機顔料の１次粒子の数平均粒子径が１０〜５０ｎｍであることを特徴とする有機顔料粉体。
【請求項２】  前記有機顔料が、プラズマ処理により導入されてなる親水性基を有している請求項１に記載の有機顔料粉体。
【請求項３】  前記親水性基がカルボキシル基である請求項２に記載の有機顔料粉体。
【請求項４】  前記プラズマ処理が前記気相法の微粒子化に引き続いて行われる請求項２又は３に記載の有機顔料粉体。
【請求項５】  前記有機顔料の平均粒径が２０〜７０ｎｍ、粒径分布が１０〜３００ｎｍの範囲にある請求項１〜３のいずれかに記載の有機顔料粉体。
【請求項６】  前記有機顔料が、Ｃ．Ｉ．ピグメントイエロー２３、１０８、１４７、１９９の中から選択される請求項１〜５のいずれかに記載の有機顔料粉体。
【請求項７】  前記有機顔料中の多価金属及び珪素の含有量が２０ｐｐｍ以下である請求項１〜６のいずれかに記載の有機顔料粉体。
【請求項８】  請求項１〜７のいずれかに記載の微粒子有機顔料を含んでいることを特徴とする水性インク。
【請求項９】  該水性インクが、インクジェット用である請求項８に記載の水性インク。
【請求項１０】  請求項８に記載の水性インクを収容していることを特徴とするインクカートリッジ。
【請求項１１】  請求項８に記載のインクを収容しているインク収容部と、該インク収容部に収容されている該インクを吐出するためのインクジェット記録ヘッドとを具備していることを特徴とする記録ユニット。
【請求項１２】  請求項８に記載のインクを収容しているインク収容部と、該インク収容部に収容されている該インクを吐出するためのインクジェット記録ヘッドとを具備していることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成することのできる有機顔料粉体は、アントラキノンを主たる構成要素として含む有機顔料の粉体であって、前記有機顔料は気相法により微粒子化され、前記微粒子化された後の前記有機顔料の１次粒子の数平均粒子径が１０〜５０ｎｍであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱分解開始温度が２００℃以上である含窒素芳香族重合体およびその原料モノマーを含有し、該原料モノマーの割合が、該重合体およびその原料モノマーの総重量中０．０５重量％以上５重量％以下であることを特徴とする多孔質フィルム。
【請求項２】
含窒素芳香族重合体が芳香族ポリイミドである請求項１記載の多孔質フィルム。
【請求項３】
含窒素芳香族重合体が芳香族ポリアミドイミドである請求項１記載の多孔質フィルム。
【請求項４】
さらに有機粉末および／または無機粉末を含有する請求項１〜３のいずれかに記載の多孔質フィルム。
【請求項５】
さらにアルミナを含有する請求項１〜３のいずれかに記載の多孔質フィルム。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質フィルムと熱可塑性樹脂を含有する多孔質フィルムとが接して積層されてなる積層多孔質フィルム。
【請求項７】
熱可塑性樹脂がポリエチレンである請求項６記載の積層多孔質フィルム。
【請求項８】
無孔化温度が１８０℃未満である請求項６または７記載の積層多孔質フィルム。
【請求項９】
請求項１〜５のいずれかに記載の多孔質フィルムからなることを特徴とするセパレーター。
【請求項１０】
請求項６〜８のいずれかに記載の積層多孔質フィルムからなることを特徴とするセパレーター。
【請求項１１】
空孔率が２０体積％以上９０体積％以下である請求項９または１０記載のセパレーター。
【請求項１２】
ガーレー法による透気度が２０秒／１００ｃｃ以上２０００秒／１００ｃｃである請求項９〜１１のいずれかに記載のセパレーター。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれかに記載のセパレーターを有することを特徴とする電池。
【請求項１４】
請求項９〜１２のいずれかに記載のセパレーターを有することを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１５】
請求項９〜１２のいずれかに記載のセパレーターを有することを特徴とするキャパシター。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気雰囲気下、ジグリムを溶媒としてメタクリル酸エステルおよびアクリル酸エステルの少なくとも一方を熱重合させて成ることを特徴とする重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
別の冷却方法は、反転領域内における主要な隣接壁（翼形部の正圧面及び負圧面の内側）上にタービュレータを配置して、全ての表面における熱伝達増強を行うことを含む。これらのタービュレータは、先端キャップ表面自体の上には配置されない。その他の設計は、反転通路内に反転羽根を使用して冷却流をさらに先端キャップ表面に向けるか、或いはコーナ部における低速度の流れを回避する。これらの反転羽根は、正圧側及び負圧側の内表面間の結合要素として配置され、この場合もまた先端キャップ表面上には配置されない。
【特許文献１】米国特許第５７７２３９７号明細書
【特許文献２】米国特許第６２９０４６２号明細書
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．前記出力画像における画素位置（ｉ，ｊ）について、前記入力画像における対応した区域xyを決定する過程と、
ｂ．入力画像の区域xyの画素値を取り出す過程と、
ｃ．サイズ縮小アルゴリズムを使用し前記画素位置（ｉ，ｊ）に対する出力画素値Ｄijを計算する過程と、
ｄ．出力画像にＤijを挿入する過程と、
ｅ．前記出力画像内の各画素位置（ｉ，ｊ）について段階ａからｄまでを繰り返す過程と、
を有する、入力画像のサイズを縮小させることにより出力画像を作る方法において、
前記値Ｄｉ，ｊは、区域xyの画素データの総量を１個の低域通過濾波された区域の値に処理することにより得られた低解像度の背景表現Ａに、重要度係数ＳＦで、前記低解像度の背景表現Ａから最も偏差の大きい前記入力画像区域内の画素値を表すＭＥＤを拡大することにより得られた値を加えることにより得られることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体管理システムによる取り外し可能媒体システムの管理を増強する動作を行うためのプログラムであって、
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する工程と、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する工程と、
前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで少なくとも１つのエラー回復技術を開始する工程と、
前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで前記媒体管理システムを再設定する工程と、
をコンピュータに実行させるプログラム。
【請求項２】
前記取り外し可能媒体システムが、少なくとも１つのテープ駆動装置と少なくとも１つのテープカートリッジとを含むテープシステムである、請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する前記工程が、前記取り外し可能媒体システムの取り外し可能媒体駆動装置の動作情報を収集することを含み、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する前記工程が、前記取り外し可能媒体駆動装置の収集された動作情報に基づいて前記少なくとも１つのエラー回復技術を条件付きで模倣することを含む、請求項１に記載のプログラム。
【請求項４】
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する前記工程が、前記取り外し可能媒体システムの第１取り外し可能媒体の動作情報を収集することを含み、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する前記工程が、前記第１取り外し可能媒体に記憶されているデータの少なくとも一部分を、前記第１取り外し可能媒体の収集された動作情報に基づいて前記取り外し可能媒体システムの第２取り外し可能媒体へ条件付きでコピーすることを含む、請求項１に記載のプログラム。
【請求項５】
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する前記工程が、前記取り外し可能媒体システムの取り外し可能媒体駆動装置の動作情報を収集することを含み、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する前記工程が、
前記取り外し可能媒体駆動装置の収集された動作情報に基づいて前記取り外し可能媒体駆動装置を条件付きで洗浄する工程と、
前記取り外し可能媒体駆動装置の収集された動作情報に基づいて前記取り外し可能媒体駆動装置の優先度を前記媒体管理システム内で調節する工程との少なくとも１つを含む、請求項１に記載のプログラム。
【請求項６】
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する前記工程が、前記取り外し可能媒体システムの取り外し可能媒体駆動装置の動作情報を収集することを含み、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する工程が、
前記取り外し可能媒体駆動装置の収集された動作情報に基づいて前記取り外し可能媒体駆動装置を前記媒体管理システム内で条件付きで使用不能にする工程と、
前記取り外し可能媒体駆動装置の収集された動作情報に基づいて前記取り外し可能媒体駆動装置の優先度を前記媒体管理システム内で調節する工程との少なくとも１つを含む、請求項１に記載のプログラム。
【請求項７】
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する前記工程が、前記取り外し可能媒体システムの取り外し可能媒体駆動装置の動作情報を収集することを含み、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する前記工程が、少なくとも１つのクライアントアプリケーションから前記取り外し可能媒体駆動装置への少なくとも１つのアクセス経路の視認状態を前記媒体管理システムに条件付きで通知することを含む、請求項１に記載のプログラム。
【請求項８】
媒体管理システムによる取り外し可能媒体システムの管理を増強するためのシステムであって、
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定し、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強するために実行され、
少なくとも１つのエラー回復技術が、前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで開始され、
前記媒体管理システムが、前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで再設定される、システム。
【請求項９】
媒体管理システムによる取り外し可能媒体システムの管理を増強する方法であって、
前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定する工程と、
前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強する工程と、
前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで少なくとも１つのエラー回復技術を開始する工程と、
前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて条件付きで前記媒体管理システムを再設定する工程と、を備える方法。
【請求項１０】
取り外し可能媒体システムを管理するように動作する媒体管理システムと、前記取り外し可能媒体システムの動作状態を決定するように動作し、前記媒体管理システムにより管理されながら前記取り外し可能媒体システムの可用性及び性能を増強するように動作する媒体管理エージェントと、を有するシステムであって、
少なくとも１つのエラー回復技術が、前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて前記媒体管理エージェントにより条件付きで開始され、
前記媒体管理システムが、前記取り外し可能媒体システムの決定された動作状態に基づいて前記媒体管理エージェントにより条件付きで再設定される、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】媒体管理システムによる取り外し可能媒体システムの管理を増強する動作を行うためのプログラム、システム、及び方法
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池プレートのまわりに材料被包体を作成する被包器であって、アンビルと、該アンビルに作用するナイフおよびほぼ径方向に対置された折り目形成ブレードを有する回転可能な切断／折り目形成ローラとを有することで、当該被包器を通して送給される材料を切断／折り目形成するという被包器において、
該被包器は、
回転サイクルの間において前記ローラの回転速度を変更することで前記折り目を位置決めし、当該被包器を通過するプレートのまわりに対称的被包体を形成する制御器、
を更に有することを特徴とする、被包器。
【請求項２】
前記切断／折り目形成ローラはサーボモータにより駆動される、請求項１に記載の被包器。
【請求項３】
前記制御器は、前記回転速度を調節することで“頂部側長寸”状態を補償するための入力部を有する、請求項１または請求項２に記載の被包器。
【請求項４】
前記制御器は、前記回転速度を調節することで“頂部側短寸”状態を補償するための入力部を有する、請求項１から請求項３のいずれか一つの請求項に記載の被包器。
【請求項５】
“頂部側長寸”または“頂部側短寸”状態の存在を決定すると共に夫々の制御信号を前記制御器に対して送給する認識ユニットを有する、請求項１から請求項４のいずれか一つの請求項に記載の被包器。
【請求項６】
前記制御器は特定のプレート／材料の組み合わせに対する速度プロフィルを保持するメモリを有する、請求項１から請求項５のいずれか一つの請求項に記載の被包器。
【請求項７】
電池プレートのまわりに材料被包体を作成する被包器であって、当該被包器の被包ステーションへと材料を送給する一対の送給ローラであって該送給ローラの一方はモータにより駆動されるという一対の送給ローラを有する被包器において、
前記モータはサーボモータであり、且つ、
当該被包器は、前記被包ステーションにより被包体へと形成される前記材料の長さを調節するために前記送給ローラの回転速度を制御する制御器を更に有することを特徴とする、被包器。
【請求項８】
前記制御器は、任意の材料／プレート組み合わせに対して適切な回転速度を保持するためのメモリを有する、請求項７に記載の被包器。
【請求項９】
電池プレートのまわりに材料被包体を作成する被包器であって、アンビルと、該アンビルに対して作用する切断／折り目形成ローラとを有する被包器において、
前記アンビルは変位可能に取付けられることで該アンビルと前記切断／折り目形成ローラとの間の間隙の調節を許容することにより、前記間隙を通して送給される材料に形成される折り目の深度を変化させることを特徴とする、被包器。
【請求項１０】
前記アンビルは、前記間隙からオフセットされた位置における軸心のまわりに枢動可能に取付けられる、請求項９に記載の被包器。
【請求項１１】
前記軸心に関して前記間隙とは逆の側に配置された回動可能偏心部材であって前記軸心のまわりにおける回転により前記アンビルを変位させる回動可能偏心部材を更に有する、請求項１０に記載の被包器。
【請求項１２】
前記アンビルを前記偏心部材に対して付勢するスプリング手段を更に有する、請求項１１に記載の被包器。
【請求項１３】
前記偏心部材はサーボモータにより回動される、請求項１１または請求項１２に記載の被包器。
【請求項１４】
前記アンビルの位置を、故に前記間隙の幅を調節することで所望の折り目深度を達成する制御器を更に有する、請求項９から請求項１３のいずれか一つの請求項に記載の被包器。
【請求項１５】
前記制御器は、特定の材料または材料／プレート組み合わせに対して適切である前記アンビルの位置を保持するメモリを有する、請求項１４に記載の被包器。
【請求項１６】
電池プレートのまわりに材料被包体を作成する被包器であって、一対の送給ローラと、切断／折り目形成ステーションと、被包体形成ステーションとを有する被包器において、
当該被包器は、切断に先立ち材料を張設する張設ローラであって、前記切断／折り目形成ステーションの下流であるが前記被包体形成ステーションの上流に配置された張設ローラを更に有することを特徴とする、被包器。
【請求項１７】
前記張設ローラはサーボモータにより又は送給ローラを介して駆動される、請求項１６に記載の被包器。
【請求項１８】
前記サーボモータは、特定材料に対する適切な張設設定内容を保持するメモリを有する制御器により制御される、請求項１６に記載の被包器。
【請求項１９】
（ａ）請求項１から請求項６のいずれか一項；
（ｂ）請求項７または請求項８のいずれか一項；
（ｃ）請求項９から請求項１６のいずれか一項；
（ｄ）請求項１７から請求項１８のいずれか一項；
の内のひとつ以上の組み合わせの特徴を有する、材料被包体を作成する被包器。
【請求項２０】
電池プレート群を形成する装置であって、
離間された順次的なプレートを供給する第1プレート供給器と、
該第1プレート供給器からの前記プレートを材料で被包する被包器と、
未被包プレートを供給することにより、被包済みプレートと未被包プレートとの積層体を形成する第2プレート供給器と、
前記積層体を吐出口へと搬送するコンベヤと、
前記吐出口から複数の積層体を受容してプレート群を形成するポケット付きコンベヤとを有する装置において、
前記各要素の内の少なくとも複数個は、異なるプレート／被包材料組み合わせを許容する夫々のサーボモータと、該サーボモータを調節する制御器とにより制御される少なくともひとつの調節可能な特性を有することを特徴とする、装置。
【請求項２１】
前記制御器は、当該装置において使用されたプレート／被包体組み合わせの各々に対する制御設定内容を保持することで当該装置の自動再設定を許容するメモリを有する、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記被包器は請求項１から請求項１４のいずれか一つの請求項に記載の被包器である、請求項２０または請求項２１に記載の装置。