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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極反応物質を吸蔵および放出することが可能な正極および負極と共に電解質を備え、
前記負極は、構成元素として、スズ（Ｓｎ）と、鉄（Ｆｅ）と、炭素（Ｃ）とを少なくとも含む負極活物質を含有し、
前記負極活物質における炭素の含有量は１１．９質量％以上２９．７質量％以下であり、かつスズと鉄との合計に対する鉄の割合が２６．４質量％以上４８．５質量％以下であると共に、
前記負極活物質は、前記電極反応物質と反応可能であり、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅が０．５°以上である反応相を有する
二次電池。
【請求項２】
前記負極活物質では、Ｘ線光電子分析法により２８４．５ｅＶよりも低い領域に炭素の１ｓピークが得られる請求項１記載の二次電池。
【請求項３】
前記負極活物質は、更に、構成元素として、銀（Ａｇ）を含む請求項１記載の二次電池。
【請求項４】
前記負極活物質における銀の含有量は、０．１質量％以上９．９質量％以下である請求項３記載の二次電池。
【請求項５】
前記負極活物質は、更に、構成元素として、アルミニウム（Ａｌ），チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），クロム（Ｃｒ）, ニオブ（Ｎｂ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群のうちの少なくとも１種よりなる第１成分と、コバルト（Ｃｏ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ），ガリウム（Ｇａ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種よりなる第２成分とを含む請求項１記載の二次電池。
【請求項６】
前記負極活物質における前記第１成分の含有量は、０．１質量％以上９．９質量％以下である請求項５記載の二次電池。
【請求項７】
前記負極活物質における前記第２成分の含有量は、０．５質量％以上１４．９質量％以下である請求項５記載の二次電池。
【請求項８】
前記負極活物質は、更に、構成元素として、ケイ素（Ｓｉ）を含む請求項１記載の二次電池。
【請求項９】
前記負極活物質におけるケイ素の含有量は、０．５質量％以上７．９質量％以下である請求項８記載の二次電池。
【請求項１０】
前記電解質は、ハロゲン原子を有する環式炭酸エステル誘導体を含有する溶媒を含む請求項１記載の二次電池。
【請求項１１】
溶媒における前記環式炭酸エステル誘導体の含有量は、０．１質量％以上８０質量％以下である請求項１０記載の二次電池。
【請求項１２】
前記溶媒は、更に環式硫黄化合物を含有する請求項１０記載の二次電池。
【請求項１３】
前記溶媒における前記環式硫黄化合物の含有量は、０．１質量％以上１０質量％以下である請求項１２記載の二次電池。
【請求項１４】
前記環式硫黄化合物は、化１に示した化合物を含む請求項１２記載の二次電池。
【化１】
2007128842.tif 000001
（Ｒは、−（ＣＨ2 ）n −で表される基、またはそれら少なくとも一部の水素を置換基で置換した基を表す。ｎは２，３または４である。）
【請求項１５】
前記環式硫黄化合物は、化２に示した１，３，２−ジオキサチオラン−２−オキシドおよびその誘導体からなる群のうちの少なくとも１種を含む請求項１２記載の二次電池。
【化２】
2007128842.tif 000002
【請求項１６】
構成元素として、スズ（Ｓｎ）と、鉄（Ｆｅ）と、炭素（Ｃ）とを少なくとも含み、
炭素の含有量が１１．９質量％以上２９．７質量％以下であり、かつスズと鉄との合計に対する鉄の割合が２６．４質量％以上４８．５質量％以下であると共に、
電極反応物質と反応可能であり、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅が０．５°以上である反応相を有する
負極活物質。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】負極活物質および二次電池
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、構成元素としてスズ（Ｓｎ）と鉄（Ｆｅ）と炭素（Ｃ）とを含む負極活物質およびそれを用いた二次電池に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高容量で、優れたサイクル特性を得ることができる負極活物質およびそれを用いた二次電池を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の負極活物質は、構成元素として、スズと、鉄と、炭素とを少なくとも含み、炭素の含有量が１１．９質量％以上２９．７質量％以下であり、かつスズと鉄との合計に対する鉄の割合が２６．４質量％以上４８．５質量％以下であると共に、電極反応物質と反応可能であり、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅が０．５°以上である反応相を有するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の二次電池は、電極反応物質を吸蔵および放出することが可能な正極および負極と共に電解質を備え、負極は、構成元素として、スズと、鉄と、炭素とを少なくとも含む負極活物質を含有し、負極活物質における炭素の含有量は１１．９質量％以上２９．７質量％以下であり、かつスズと鉄との合計に対する鉄の割合が２６．４質量％以上４８．５質量％以下であると共に、負極活物質は、電極反応物質と反応可能であり、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅が０．５°以上である反応相を有するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の負極活物質によれば、構成元素として、スズを含むようにしたので、高容量を得ることができる。また、構成元素として鉄を含み、スズと鉄との合計に対する鉄の割合を２６．４質量％以上４８．５質量％以下とするようにしたので、高容量を保ちつつ、サイクル特性を向上させることができる。更に、構成元素として炭素を含み、その含有量を１１．９質量％以上２９．７質量％以下とするようにしたので、サイクル特性をより向上させることができる。加えて、電極反応物質と反応可能であると共に、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅が０．５°以上である反応相を有するようにしたので、サイクル特性をさらに向上させることができる。よって、この負極活物質を用いた本発明の電池によれば、高容量を得ることができると共に、優れたサイクル特性を得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
また、実施の形態および実施例では、電極反応物質としてリチウムを用いる場合について説明したが、負極活物質と反応可能であればナトリウム（Ｎａ）あるいはカリウム（Ｋ）などの長周期型周期表における他の１族の元素、またはマグネシウム（Ｍｇ）あるいはカルシウム（Ｃａ）などの長周期型周期表における２族の元素、またはアルミニウムなどの他の軽金属、またはリチウムあるいはこれらの合金を用いる場合についても、本発明を適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
設置用の外枠と、当該外枠に開閉可能に取り付けられ、遊技盤など各種部材が取り付けられる内枠と、当該内枠の前面側を覆うとともに、開閉可能に取り付けられた前面枠とを備えた遊技機において、
前記内枠の裏面側に着脱可能に取り付けられた着脱対象物と、
前記着脱対象物の取り外しを規制する規制部材と、
前記着脱対象物の取り外しを規制する規制位置と、着脱対象物の取り外しを許可する許可位置とにわたって前記規制部材を移動させる規制部材移動手段と、
外部に独立して設けられる情報送信手段から電磁波の形態で送信される情報を受信する情報受信手段と、
前記情報送信手段により送信された情報が予め決められた情報と一致しているか否かを判定する情報判定手段と、
前記情報判定手段による判定の結果、受信情報が所定情報と一致していた場合、前記規制部材移動手段の作動制御を行う規制部材移動制御手段と、
を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機において、
前記着脱対象物は、遊技者にとって有利な特別遊技状態の発生の有無についての抽選をする抽選手段を含む主制御手段を封印した第１封印手段であり、
前記第１封印手段は、取り付けられる側の被着脱対象物から一方向に着脱が許可されており、当該許可された側に前記規制部材が嵌合する嵌合部を備え、
前記規制部材は、前記嵌合部に嵌合して前記第１封印手段の着脱を規制する規制位置と、嵌合部への嵌合を解除して第１封印手段の着脱を許可する許可位置とにわたって移動するように配備されており、
前記第１封印手段が着脱可能に取り付けられる被着脱対象物は、前記主制御手段の制御を補助する副制御手段を封印した第２封印手段であり、
前記規制部材移動手段、情報受信手段、情報判定手段、および規制部材移動制御手段は前記副制御手段から電力供給されている状態で作動するように構成されている
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月5日(2008.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マクロブロック内の下側ブロックグループの動きベクタを貯蔵するための第１のバンク及び第２のバンクから構成される上側メモリと；
マクロブロック内の左側ブロックグループの動きベクタを貯蔵するための左側メモリ；そして
動作モードそして現在ブロックのスーパーマクロブロック内の位置によって前記上側メモリの第１及び第２のバンク及び前記左側メモリに貯蔵された動きベクタを参照して前記現在ブロックの動きベクタを予測する予測器と；
を含むことを特徴とする動きベクタ演算装置。
【請求項２】
前記現在ブロックの前記予測された動きベクタと動きベクタ差を足して動きベクタを出力する加算器をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項３】
前記予測器は、
前記現在スーパーマクロブロック内のブロックについての前記加算器から出力される動きベクタを貯蔵するためのレジスターを含むことを特徴とする請求項２に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項４】
前記動きベクタ演算装置が、ＭＢＡＦＦモードで動作する時、前記スーパーマクロブロックは、縦方向で隣接したマクロブロックである第１及び第２のマクロブロックを含むことを特徴とする請求項3に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項５】
前記予測器は、
前記現在ブロックが前記第１のマクロブロックに属するとき、前記加算器から出力される動きベクタが前記上側メモリの前記第１のバンクに貯蔵されるように制御し、前記現在ブロックが前記第２のマクロブロックに属するとき、前記加算器から出力される動きベクタが前記上側メモリの前記第２のバンクに貯蔵されるように制御することを特徴とする請求項４に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項６】
前記上側メモリの前記第１及び第２のバンクそれぞれのサイズは、
（（ｗ×ａ＋１）×ｓ）であり、
ｗは、一つのフレームの横方向のマクロブロックの数と、
ａは、一つのマクロブロック内の横方向のブロックの数、そして
ｓは、動きベクタサイズであることを特徴とする請求項５に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項７】
前記上側メモリの前記第１のバンクは、
前記スーパーマクロブロックの左上側スーパーマクロブロックの第１のマクロブロックの下側ブロックグループの最後ブロックから左側スーパーマクロブロックの第１のマクロブロックの下側ブロックグループまでの動きベクタを貯蔵し、前記上側メモリの前記第２のバンクは、前記スーパーマクロブロックの左上側スーパーマクロブロックの第２のマクロブロックの下側ブロックグループの最後ブロックから左側スーパーマクロブロックの第２のマクロブロックの下側ブロックグループまでの動きベクタを貯蔵することを特徴とする請求項６に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項８】
前記左上側スーパーマクロブロックは、前記スーパーマクロブロックと左側対角線方向に隣接したスーパーマクロブロックであり、前記左側スーパーマクロブロックは、前記スーパーマクロブロックと左側方向に隣接したスーパーマクロブロックであることを特徴とする請求項７に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項９】
前記予測器は、
開始アドレス、バンクアドレス及びオフセットアドレスを含むアドレスを発生して前記上側メモリをアクセスするが、前記開始アドレスは、スーパーマクロブロック毎に増加され、
前記開始アドレスは、前記マクロブロックの前記下側ブロックグループに含まれたブロックの数ほどずつ増加され、前記開始アドレスが前記バンクサイズより大きいとき前記開始アドレスは、（開始アドレス−バンクサイズ）に再設定され、前記バンクアドレスは、前記上側メモリの前記第１及び第２のバンクを選択するためのアドレスで、前記オフセットアドレスは、前記マクロブロック内のブロックのサイズによって設定されることを特徴とする請求項８に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項１０】
前記予測器は、
前記加算器から出力される動きベクタが前記上側メモリの前記アドレスが指定する位置に貯蔵されるように制御することを特徴とする請求項９に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項１１】
前記左側メモリは、
前記スーパーマクロブロックの前記左側スーパーマクロブロックの右側ブロックグループの動きベクタを貯蔵することを特徴とする請求項１０に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項１２】
前記動きベクタ演算装置がノーマルモードで動作するとき前記スーパーマクロブロックは、第１のマクロブロックを含むことを特徴とする請求項３に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項１３】
前記予測器は、
前記上側メモリの前記第１のバンク及び前記左側メモリに貯蔵された動きベクタそして前記スーパーマクロブロックの既に求められた動きベクタを参照して前記スーパーマクロブロック内の現在ブロックの動きベクタを予測することを特徴とする請求項１２に記載の動きベクタ演算装置。
【請求項１４】
前記予測器は、
前記加算器から出力される動きベクタが前記上側メモリの前記第１のバンクに貯蔵されるように制御することを特徴とする請求項１３に記載の動きベクタ演算装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信システムを制御するための方法であって、
前記通信システムとの第１の通信セッションを確立するステップと、
コール失敗イベントの少なくとも１つのタイプを明らかにする前記通信システムからの信号を受信するステップと、
前記通信システムからの前記信号の中で明らかにされるタイプのコール失敗イベントを経験する前記第１の通信セッションに応答して、前記第１の通信セッションに関連する事前選択されたパラメータについての情報を収集するステップと、
前記通信システムとの第２の通信セッションを確立するステップと、
前記第２の通信セッションを介して、前記収集された情報の少なくとも一部分を前記通信システムに送信するステップとを含む方法。
【請求項２】
コール失敗イベントの少なくとも１つのタイプを明らかにする前記通信システムからの信号を受信するステップをさらに含む請求項１記載の方法であって、
コール失敗イベントを経験する前記第１の通信セッションに応答して、前記第１の通信セッションに関連する事前選択されたパラメータについての情報を収集するステップが、前記通信システムからの前記信号の中で明らかにされるタイプのコール失敗イベントを経験する前記第１の通信セッションに応答して、前記第１の通信セッションに関連する事前選択されたパラメータについての情報を収集するステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
コール失敗イベントの少なくとも１つのタイプを明らかにする前記通信システムからの前記信号を受信するステップが、コール失敗イベントの少なくとも１つのタイプを明らかにする前記通信システムからの前記信号を、オーバーヘッド・チャネルを介して受信するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項４】
切断される前記第１の通信セッションに応答して前記第１の通信セッションに関連する事前選択パラメータについての情報を収集するステップが、前記収集された情報をローカルに保存するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記収集された情報をローカルに保存する前記ステップが、移動デバイスに前記収集された情報を保存するステップをさらに含む請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第２の通信セッションを介して、前記収集された情報の少なくとも一部分を前記通信システムへ送信するステップが、前記第２の通信セッションにおけるデータ・バーストを介して、前記収集された情報の少なくとも一部分を前記通信システムへ送信するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記第２の通信セッションを介して、前記収集された情報の少なくとも一部分を前記通信システムへ送信するステップが、前記第２の通信セッションにおけるショート・メッセージ・サービスを介して、前記収集された情報の少なくとも一部分を前記通信システムへ送信するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
切断される前記第１の通信セッションに応答して、前記第１の通信セッションに関連する事前選択されたパラメータについての情報を収集するステップが、前記第１の通信セッションを介して、前記通信システムに接続されていた移動デバイスの地理的情報を収集するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【請求項９】
切断される前記第１の通信セッションに応答して、前記第１の通信セッションに関連する事前選択されたパラメータについての情報を収集するステップが、前記第１の通信セッションが切断したことの理由に関する情報を収集するステップをさらに含む請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電性酸化膜及び銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む導電層を具備する多重膜を形成し
前記多重膜を下記化学式１で表示される物質、酢酸アンモニウム及び超純水を含むエッチング液を用いてエッチングすることを含むことを特徴とする配線形成方法。
（化１）
Ｍ（ＯＨ）ＸＬＹ
（ただし、前記式でＭはＺｎ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｂａ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｉまたはＢであり、Ｘは２または３であり、ＬはＨ２Ｏ、ＮＨ３、ＣＮ、ＣＯＲ、ＮＨ２Ｒ  であり、Ｙは０、１、２または３であり、Ｒはアルキル基である。）
【請求項２】
前記多重膜を形成することは前記基板上に前記導電性酸化膜、前記銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む導電層及び前記導電性酸化膜を順次的に積層することを含むことを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項３】
前記化学式１で表示される物質の含有量は０．１〜５重量％であり、且つ前記酢酸アンモニウムの含有量は０．００１〜０．１重量％であることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項４】
更に、燐酸を６０〜７０重量％で含み、硝酸を０．５〜５重量％で含み、且つ酢酸を２〜し１０重量％で含むことを特徴とする請求項１または３に記載の配線形成方法。
【請求項５】
前記基板は絶縁体または半導体で構成されることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項６】
前記エッチングは３０〜５０℃で行われることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項７】
前記エッチングは噴射方式で行われることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項８】
前記エッチングは３０〜１００秒間行われることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項９】
前記エッチングは前記多重膜を構成する膜を一括的にエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【請求項１０】
前記導電性酸化膜はＩＴＯまたはＩＺＯで構成されることを特徴とする請求項１に記載の配線形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月8日(2009.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の所定領域に配置されて活性領域を限定するトレンチ分離領域と、
前記活性領域内でチャンネル領域をはさんで互いに離隔されているソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域と前記ドレイン領域との間の前記チャンネル領域上を横切って形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極と前記チャンネル領域との間に形成されたゲート絶縁膜と、
前記トレンチ分離領域と前記活性領域との境界付近で前記ゲート電極下部に位置し、前記ゲート絶縁膜に比べて厚く形成されたエッジ絶縁膜と、を備えるトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記エッジ絶縁膜は、複数層に形成されたことを特徴とする請求項１に記載トレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記エッジ絶縁膜の最上層及び前記ゲート絶縁膜は、同じ物質から形成されたことを特徴とする請求項２に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記エッジ絶縁膜は、下部酸化膜、中間絶縁膜、上部酸化膜を備えることを特徴とする請求項２に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記中間絶縁膜は、窒化膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜からなる群から選択された一つ以上の膜から形成されたことを特徴とする請求項４に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記エッジ絶縁膜は、前記トレンチ分離領域と前記活性領域との境界で前記ゲート電極の幅より大きく形成されたことを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項７】
前記トレンチ分離領域は、窒化物ライナが含まれたことを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜の厚さは、１５０乃至２０００Åであり、前記エッジ絶縁膜の厚さは、２００乃至１００００Åであることを特徴とする請求項１に記載のトレンチ分離領域を有するＭＯＳ電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも一つの下部電極膜を含む下部電極層を形成する段階と、
前記下部電極層上に強誘電体層を形成する段階と、
前記強誘電体層上に上部電極層を形成する段階と、
前記上部電極層上に第１ハードマスク及び第２ハードマスクを具備するハードマスク構造物を形成する段階と、
前記ハードマスク構造物をエッチングマスクとして利用して、前記上部電極層、前記強誘電体層、及び前記下部電極層を部分的にエッチングして前記基板上に下部電極、強誘電体層パターン、及び上部電極を形成する段階と、を含む強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスク構造物を形成する段階は、
前記強誘電体層上に第１ハードマスク層を形成する段階と、
前記第１ハードマスク層上に第２ハードマスク層を形成する段階と、
前記第２ハードマスク層及び前記第１ハードマスク層をエッチングして前記上部電極層上に前記第１ハードマスク及び前記第２ハードマスクを形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項３】
前記第１ハードマスク層は、前記上部電極層に対してエッチング選択比を有する物質を使用して形成されることを特徴とする請求項１又は２記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項４】
前記第２ハードマスク層は、前記第１ハードマスク層、前記上部電極層、及び前記強誘電体層に対してエッチング選択比を有する物質を使用して形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項５】
前記上部電極層、前記強誘電体層、及び前記下部電極層を部分的にエッチングする段階は、
前記第２ハードマスクをエッチングマスクとして利用して前記第１ハードマスク層及び前記上部電極層を部分的にエッチングする段階と、
前記第１ハードマスクをエッチングマスクとして利用して、前記強誘電体層及び前記下部電極層を部分的にエッチングする段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項６】
前記第１ハードマスク層は、ストロンチウムルテニウム酸化物（ＳＲＯ）、ストロンチウムチタニウム酸化物（ＳＴＯ）、カルシウムルテニウム酸化物（ＣＲＯ）、シリコン窒化物、及びシリコン酸窒化物からなる群から選択されたいずれか一つを使用して形成されることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項７】
前記第２ハードマスク層は、シリコン窒化物、シリコン酸化物、ドーピングされないポリシリコン、及びシリコン酸窒化物からなる群から選択されたいずれか一つを使用して形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項８】
前記第１ハードマスクと前記第２ハードマスクの厚さの比は、１：１〜１：１０であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項９】
前記上部電極を形成した後、前記強誘電体層パターンを形成する前に、前記第２ハードマスクを除去する段階を更に含むことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１０】
前記上部電極層は、イリジウム、白金、ルテニウム、白金−マンガン合金、イリジウム−ルテニウム合金、イリジウム酸化物、ストロンチウムルテニウム酸化物（ＳＲＯ）、ストロンチウムチタニウム酸化物（ＳＴＯ）、ランタンニッケル酸化物（ＬＮＯ）、及びカルシウムルテニウム酸化物（ＣＲＯ）からなる群から選択されたいずれか一つを使用して形成されることを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１１】
前記上部電極層を形成する段階は、
前記強誘電体層上に第１上部電極膜を形成する段階と、
前記第１上部電極膜上に第２上部電極膜を形成する段階と、を更に含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一項記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【請求項１２】
前記第１上部電極膜は、ストロンチウムルテニウム酸化物（ＳＲＯ）、ストロンチウムチタニウム酸化物（ＳＴＯ）、ランタンニッケル酸化物（ＬＮＯ）、及びカルシウムルテニウム酸化物（ＣＲＯ）からなる群から選択されたいずれか一つを使用して形成され、前記第２上部電極膜は、イリジウム、白金、ルテニウム、パラジウム、及び金からなる群から選択されたいずれか一つを使用して形成されることを特徴とする請求項１１記載の強誘電体キャパシタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に一方向に延びて形成されたゲート配線と前記ゲート配線に整列して前記半導体基板内に形成されたソース/ドレーン領域を含むトランジスタと、
前記ゲート配線上に前記ゲート配線と同一方向に延びて形成され、前記半導体基板に拡散されるイオンを遮断する拡散防止メタルパターンとを含む半導体集積回路素子。
【請求項２】
前記拡散防止メタルパターンは、第１配線と同一層に形成される請求項１に記載の半導体集積回路素子。
【請求項３】
前記拡散防止メタルパターンは、電気的にフローティング状態となる請求項２に記載の半導体集積回路素子。
【請求項４】
前記拡散防止メタルパターンには、所定電圧が印加される請求項２に記載の半導体集積回路素子。
【請求項５】
前記第１配線は前記トランジスタのソース領域にソース電圧を印加するソース電圧配線を含み、前記拡散防止メタルパターンは前記ソース電圧配線が延びて形成される請求項４に記載の半導体集積回路素子。
【請求項６】
前記第１配線は前記トランジスタのドレーン領域にドレーン電圧を印加するドレーン電圧配線を含み、前記拡散防止メタルパターンは前記ドレーン電圧配線が延びて形成される請求項４に記載の半導体集積回路素子。
【請求項７】
前記第１配線は前記トランジスタのゲート配線にゲート電圧を印加するゲート電圧配線を含み、前記拡散防止メタルパターンは前記ゲート電圧配線が延びて形成される請求項４に記載の半導体集積回路素子。
【請求項８】
前記第１配線、拡散防止メタルパターンの全面上に前記半導体基板に拡散されるイオンを遮断する窒化膜をさらに含む請求項１に記載の半導体集積回路素子。
【請求項９】
前記第１配線、拡散防止メタルパターンの全面と前記窒化膜との間に酸化膜をさらに含む請求項８に記載の半導体集積回路素子。
【請求項１０】
前記トランジスタは、高電圧駆動トランジスタである請求項１に記載の半導体集積回路素子。
【請求項１１】
前記ソース/ドレーン領域は、前記ゲート配線に整列して形成され、前記半導体基板と異なる導電型の低濃度不純物領域と前記ゲート配線から所定距離離隔して前記低濃度不純物領域の深さより浅い深さで形成され、前記半導体基板と異なる導電型の高濃度不純物領域からなる請求項１０に記載の半導体集積回路素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路素子
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の不純物を含む半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１の導電膜パターンと、
前記第１の導電膜パターン上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第２の導電膜パターンと、
前記第２の導電膜パターン及び前記層間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第１の紫外線遮断膜と、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記第１の紫外線遮断膜下部に形成された第１の酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記第１の紫外線遮断膜は、シリコン酸化物よりバンドギャップが小さい物質から構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記第１の紫外線遮断膜は、窒化膜を含むことを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記第１の紫外線遮断膜は、ＳｉＮ膜又はＳｉＯＮ膜であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記第１の導電膜パターンは、高電圧駆動トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
前記高電圧駆動トランジスタは、第２の不純物を含む低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とを含むことソース／ドレーン領域を含み、前記低濃度不純物領域は、前記ゲート電極に整列されて前記半導体基板内に形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有し、前記高濃度不純物領域は、前記ゲート電極から所定距離離隔され、前記低濃度不純物領域の深さより低い深さに形成され、前記半導体基板と異なる導電型を有することを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】
前記第１の不純物の不純物濃度は、１×１０１５〜１×１０１７原子／ｃｍ３であることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】
前記第２の不純物の不純物濃度は、１×１０１４〜１×１０１６原子／ｃｍ３であることを特徴とする請求項７に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
前記第１の紫外線遮断膜上にプラズマ蒸着工程によって形成された金属間絶縁膜をさらに含むことを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
前記金属間絶縁膜は、順次に形成された第１及び第２の絶縁膜を含み、前記第１の絶縁膜は前記第２の絶縁膜よりギャップフィル特性に優れたことを特徴とする請求項１０に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
前記金属間絶縁膜上に形成された第３の導電膜パターンと、前記第３の導電膜パターン及び前記金属間絶縁膜全面に形成され、前記半導体基板に輻射される紫外線を遮断する第２の紫外線遮断膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１３】
前記第２の紫外線遮断膜下部に形成された第２の酸化膜をさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１４】
前記第２の紫外線遮断膜は、シリコン酸化物よりバンドギャップが小さい物質から構成されることを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ又は複数のデジタル音声要素データＳj（j＝1〜m、m≧1）と、該Ｓjから重複を許してｋ個（ｋ≧1）選択して順に並べる配列情報とからなる配列情報付きデジタル音声データと、
インターネット上に存在する１つ又は複数のデータファイルi（i＝1〜n、n≧1）とその存在場所を指定するＵＲＬi（i＝1〜n、n≧1）と、該ＵＲＬiから重複を許してｋ個（ｋ≧1）選択して順に並べる配列情報とからなる配列情報付きＵＲＬデータと、
を含むことを特徴とする付帯情報付き音声データファイル。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月26日(2009.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベース（１）内の少なくとも１つのデータユニットに１つまたは複数の重みパラメータを割り当てる方法であって、
前記重みパラメータはキーワードを参照し、メタデータとして前記データユニットに関連付けられており、前記重みパラメータおよび前記キーワードを検索結果における前記データユニットのランク付け（２）に使用する、データベース（１）内の少なくとも１つのデータユニットの１つまたは複数の重みパラメータを割り当てる方法において、
−外部のデータベース（６）の少なくとも一部を自動的に分析するステップと、
−検索要求を受信する前に、前記分析の結果に従い前記少なくとも１つのデータユニットの前記重みパラメータを動的に適合させるステップとを有することを特徴とする、データベース内の少なくとも１つのデータユニットに１つまたは複数の重みを割り当てる方法。
【請求項２】
前記外部のデータベース（６）はインターネットまたはイントラネットを介して供給される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記外部のデータベース（６）はブロードキャストチャネルを介して供給される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ランク付け（２）を所定のユーザプロフィール（４）を付加的に考慮することにより実施する、請求項１から３までのいずれ１項記載の方法。
【請求項５】
前記重みパラメータを永続的に更新する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
データユニットに割り当てられた前記メタデータは、前記データユニットと関連付けられたキーワードの重みの合計を包含する、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
データユニットはドキュメントであり、該ドキュメントは複数のキーワードを包含し、固有の重みを前記キーワードの各々に割り当て、前記ドキュメントの前記キーワードの重みの合計を前記データベース内の複数のドキュメントにおける前記ドキュメントをランク付けするためにメタデータとして前記ドキュメントに割り当てる、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記メタデータを前記データベース（１）内のデータユニットと共に記憶する、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
データベース（１）内の少なくとも１つのデータユニットに１つまたは複数の重みパラメータを割り当てる装置であって、
前記重みパラメータはキーワードを参照し、メタデータとして前記データユニットに関連付けられており、前記重みパラメータおよび前記キーワードは検索結果における前記データユニットのランク付け（２）に使用される、データベース（１）内の少なくとも１つのデータユニットの１つまたは複数の重みパラメータを割り当てる装置において、
−外部のデータベース（６）の少なくとも一部を自動的に分析する手段を有し、
−前記分析の結果に従い前記少なくとも１つのデータユニットの前記重みパラメータを動的に適合させる手段を有し、前記重みパラメータを動的に適合させる手段は検索要求の受信から独立していることを特徴とする、データベース内の少なくとも１つのデータユニットに１つまたは複数の重みを割り当てる装置。
【請求項１０】
前記メタデータが前記データベース（１）内のデータユニットと共に記憶される、請求項９項記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口が形成された底板を含む収納容器と、
前記開口に挿入されそれぞれランプと結合され、ホルダー本体と、前記ホルダー本体に固定され前記底板の背面に露出された接続端子及び前記底板の上部に露出され前記ランプの電極部を固定する電源印加端子を含む電源印加部材とを含むランプホルダーと、
前記背面に配置され、前記接続端子に接触される接続部が形成された電源供給基板と、
を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記電源供給基板は、
絶縁基板と、
一部が前記絶縁基板の表面に露出され前記接続部を形成する導電配線と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記絶縁基板には前記ランプホルダーがそれぞれ挿入される固定ホールが形成され、
前記接続端子は前記絶縁基板の背面に形成された前記接続部に接触することを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記絶縁基板には前記ランプホールがそれぞれ結合される固定部が形成され、
前記接続端子は前記固定部に形成された前記接続部に接触することを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記ランプホルダーがそれぞれ挿入される固定ホールが形成され、前記底板と絶縁基板との間に配置される連結プレートをさらに含み、
前記接続部は前記絶縁基板の上面に形成され、前記連結プレートの背面に露出された前記接続端子と接触することを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記ホルダー本体には前記開口に挿入される方向と反対の方向に前記ホルダー本体の離脱を防止する固定フックが形成されることを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記ランプホルダーをカバーするサイドモールドと、
前記サイドモールド上に配置され前記ランプから出射した光の光学特性を向上させる光学ユニットと、
をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
電源電圧を提供する電源供給基板と、
ランプチューブと、前記ランプチューブの端部の内部に配置された電極を含み、前記電極が延長されリード線を形成する複数個のランプと、
前記電源供給基板と前記ランプとを電気的に並列接続する電源電圧提供ワイヤーと、
前記電源電圧提供ワイヤーに沿って配列されランプチューブの端部が配置されるランプ支持溝が形成されたホルダー本体及び前記電源提供ワイヤーが圧接接続され前記電極のリード線が挿入される電源印加部材を含むランプホルダーと、
を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項９】
開口が形成された底板を含む収納容器と、
前記底板に配置され、電極部を具備する複数個のランプと、
前記開口に挿入されるホルダー本体と、前記ホルダー本体に固定され前記底板の背面に露出された接続端子及び前記底板の上部に露出され前記ランプの電極と接続された電源印加端子を含む電源印加部材とを含むランプホルダーと、
前記ランプホルダーがそれぞれ結合される固定部及び前記接続端子に接触される接続部が形成された電源供給ユニットと、
前記ランプの上部に配置され前記ランプから出射された光に基づいて画像を表示する表示パネルと、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記電源供給ユニットは、
前記固定部が形成された絶縁基板と、
一部が前記絶縁基板の表面に露出され前記接続部を形成する導電配線と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記電源供給ユニットは、
前記接続部が形成された電源供給基板と、
前記電源供給基板と底板との間に配置され、前記固定部が形成された連結プレートと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光の提供を受ける入光部と、
前記入光部より小さいサイズを有し、前記入光部と向い合う対向部と、
前記入光部の上端に位置する辺と前記対向部の上端に位置する辺とを結ぶ面で構成され前記入光部と直交する面である出射部と、
前記入光部の下端に位置する辺と前記対向部の下端に位置する辺とを結ぶ面において、複数のプリズムパターンを有するとともに、前記出射部と平行に形成される反射部とを含むことを特徴とする導光板。
【請求項２】
前記対向部の幅は、前記入光部の幅より狭い請求項１記載の導光板。
【請求項３】
前記プリズムパターンは、ストライプ形状を有する請求項１又は２記載の導光板。
【請求項４】
それぞれの前記プリズムパターンは、
前記反射部から延長され、前記出射部の方向に傾いて形成された第１傾斜面と、
前記第１傾斜面から延長され、前記反射部の方向に傾いて形成された第２傾斜面と、
前記第２傾斜面から延長され、前記反射部と連結される第３傾斜面とを含む請求項１から３のいずれか１つに記載の導光板。
【請求項５】
前記第３傾斜面は、前記第１傾斜面と平行である請求項４記載の導光板。
【請求項６】
前記第１傾斜面と前記第２傾斜面は、前記出射部の法線に対して実質的に対称である請求項５記載の導光板。
【請求項７】
前記第１傾斜面と前記第２傾斜面は、前記出射部の法線に対して実質的に非対称構造を有する請求項４から６のいずれか１つに記載の導光板。
【請求項８】
前記第１傾斜面の下辺は、前記第２傾斜面の下辺より大きい請求項７記載の導光板。
【請求項９】
前記第１傾斜面の下辺と前記第２傾斜面の下辺との比は、実質的に４：３である請求項８記載の導光板。
【請求項１０】
前記第１傾斜面の下辺と前記第２傾斜面の下辺との比は、実質的に４：１である請求項８記載の導光板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークピースの勾配誘導加熱もしくは勾配誘導融解のための装置であって、
ワークピースの周囲に順次配置される複数の誘導コイルと、
各誘導コイルのための別々の電源供給部であって、各電源供給部が関連する誘導コイルに接続される調整可能なパルス幅変調交流出力部を有するインバータを備えた電源供給部と、
電源供給部のパルス幅変調交流出力部を同期制御するために電源供給部間に接続される制御ラインとを備えた装置。
【請求項２】
前記インバータの少なくとも一つは、該インバータの入力部の両端に接続される同調コンデンサを有する請求項１の装置。
【請求項３】
前記複数の誘導コイルは、密に巻かれたソレノイド誘導コイルであり、かつ隣り合うコイル間の短絡を防ぐため、絶縁離隔を持って互いに隣接配置される請求項１の装置。
【請求項４】
前記ワークピースは、るつぼ内に配置される導電性材料からなる請求項１の装置。
【請求項５】
前記ワークピースはサセプタからなる請求項１の装置。
【請求項６】
ワークピースの勾配誘導加熱もしくは勾配誘導融解のための装置であって、
ワークピースの周囲に順次配置される二つ以上の誘導コイルと、
各誘導コイルのためのインバータであって、各インバータが、少なくとも四つの固定スイッチング素子を備え、かつ関連する誘導コイルに接続されるパルス幅変調交流出力部を有するインバータと、
インバータの前記スイッチング素子を制御する、各インバータに関連するコントローラと、
インバータの前記出力部を同期制御するためにインバータ間に接続される制御ラインとを備えた装置。
【請求項７】
誘導によるワークピースの勾配加熱もしくは勾配融解の方法であって、
複数の誘導コイルそれぞれに磁場を誘導するため、複数のインバータの出力部から該複数の誘導コイルへとパルス幅変調交流電力を供給する工程であって、複数の誘導コイルそれぞれが複数のインバータの一つの出力部に排他的に接続される当該工程と、
各誘導コイルにおいて発生した前記磁場の領域にワークピースを導入する工程と、
各インバータのパルス幅変調交流出力を変える工程とを含む方法。
【請求項８】
前記複数のインバータの少なくとも一つの入力部の両端に同調コンデンサを挿入する工程を更に含む請求項７の方法。
【請求項９】
前記複数のインバータの出力部からのパルス幅変調交流電力を同期させる工程を更に含む請求項７の方法。
【請求項１０】
前記複数のインバータの出力部からのパルス幅変調交流電力を同期させるため、該複数のインバータ間に制御信号を直列に送る工程を更に含む請求項９の方法。
【請求項１１】
前記制御信号は、複数のインバータの一つにおいて発生するマスタ制御信号であって、残りのインバータへの直列伝達のためのマスタ制御信号からなる請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記複数のインバータの一つが、前記マスタ制御信号が発生する複数のインバータの一つに直列に異常制御信号を発生させる工程を更に含む請求項１１の方法。
【請求項１３】
ワークピースの勾配誘導加熱もしくは勾配誘導融解のための装置であって、
ワークピースの周囲に順次配置される二つ以上の誘導コイルと、
各誘導コイルのためのインバータであって、各インバータが、少なくとも四つの固定スイッチング素子を備え、かつ関連する誘導コイルに接続されるパルス幅変調交流出力部を有し、かつ該インバータの入力部の両端に接続される同調コンデンサを有するインバータと、
インバータの前記スイッチング素子を制御する、各インバータに関連するコントローラと、
インバータの前記出力部を同期制御するためにインバータ間に接続される制御ラインとを備えた装置。
【請求項１４】
前記コントローラは、前記インバータに関連する二つ以上の誘導コイルのうちの一つに電力が供給されていない場合に該インバータに関連する二つ以上の誘導コイルのうちの該一つを短絡させるように前記インバータスイッチング素子を制御する請求項６又は１３の装置。
【請求項１５】
前記インバータの少なくとも一つは、該インバータの入力部の両端に接続される同調コンデンサを有する請求項６又は１３の装置。
【請求項１６】
前記複数の誘導コイルは、密に巻かれたソレノイド誘導コイルであり、かつ隣り合うコイル間の短絡を防ぐため、絶縁離隔を持って互いに隣接配置される請求項６又は１３の装置。
【請求項１７】
前記ワークピースは、るつぼ内に配置される導電性材料からなる請求項６又は１３の装置。
【請求項１８】
前記ワークピースはサセプタからなる請求項６又は１３の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料ガスと酸化ガスとを化学反応させて電力を出力する電力出力手段と、前記電力出力手段に対してパージするパージ手段と、前記パージ手段に対してパージの指示を行うパージ制御手段とを有する燃料電池を少なくとも一つの電源とする電子機器であって、
前記電子機器の消費電力、動作状態もしくは被操作状態を監視する監視手段と、
前記監視手段の監視結果に応じて、前記パージ制御手段に対してパージの指示を許可するか否かを判断し、判断結果を前記パージ制御手段へ出力するパージ許可手段と
を有することを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記電力出力手段の出力電圧を測定する測定手段を更に備え、
前記パージ許可手段は、前記測定手段の測定結果を考慮して前記パージ制御手段に対してパージの指示を許可するか否かを判断することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記監視手段は、少なくとも前記電子機器における消費電力が所定値以下か否かを監視することを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記監視手段は、少なくとも前記電子機器に対する電力供給をオンするタイミングを監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記燃料電池のうち、少なくとも前記燃料ガスを貯蔵する燃料貯蔵部は前記電子機器に対して着脱可能であり、
前記監視手段は、少なくとも前記燃料貯蔵部が前記電子機器に装着されるタイミングを監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項６】
前記監視手段は、少なくとも所定時間に渡って利用者の操作がない場合に実行されるオートパワーオフのタイミングを監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項７】
前記監視手段は、少なくともオートパワーオフの状態から復帰するタイミングを監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項８】
利用者がパージの指示を行うための指示手段を更に備え、
前記監視手段は、少なくとも前記指示手段によりパージの指示がなされることを監視することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項９】
前記監視手段の出力に応じて、前記指示手段による指示を利用者に促す警告を表示する表示手段を更に有することを特徴とする請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
少なくとも前記パージ手段がパージを実行している期間は、前記燃料電池以外の電源に電力供給を行わせるように電源を切替える電源切替え手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の電子機器。
【請求項１１】
燃料ガスと酸化ガスとを化学反応させて電力を出力する電力出力手段と、前記電力出力手段に対してパージするパージ手段と、前記パージ手段に対してパージの指示を行うパージ制御手段とを有する燃料電池を少なくとも一つの電源とする電子機器の制御方法であって、
前記電子機器の消費電力、動作状態もしくは被操作状態を監視する監視ステップと、
前記監視ステップの監視結果に応じて、前記パージ制御手段に対してパージの指示を許可するか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップでの判断結果を前記パージ制御手段へ出力する出力ステップと
を有することを特徴とする電子機器の制御方法。
【請求項１２】
燃料ガスと酸化ガスとを化学反応させて電力を出力する電力出力手段と、前記電力出力手段に対してパージするパージ手段と、前記パージ手段に対してパージの指示を行うパージ制御手段とを有する燃料電池を少なくとも一つの電源とする電子機器の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
前記電子機器の消費電力、動作状態もしくは被操作状態を監視する監視ステップと、
前記監視ステップの監視結果に応じて、前記パージ制御手段に対してパージの指示を許可するか否かを判断する判断ステップと、
前記判断ステップでの判断結果を前記パージ制御手段へ出力する出力ステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項１３】
燃料ガスと酸化ガスとを化学反応させて電力を出力する電力出力手段と、
前記電力出力手段に対してパージするパージ手段と、
駆動する電子機器からの許可信号に応じて前記パージ手段に対してパージの指示を行うパージ制御手段と
を有することを特徴とする燃料電池。
【請求項１４】
前記パージ制御手段は、前記電子機器に対してパージ実行の許可を求めることを特徴とする請求項１３に記載の燃料電池。
【請求項１５】
前記パージ制御手段は、前記電力出力手段の出力電圧が所定値を下回ったときに、前記前記電子機器に対してパージ実行の許可を求めることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
この発明は、上述した課題を解決すべくなされたもので、本発明による電気機器においては、燃料ガスと酸化ガスとを化学反応させて電力を出力する電力出力手段と、前記電力出力手段に対してパージするパージ手段と、前記パージ手段に対してパージの指示を行うパージ制御手段とを有する燃料電池を少なくとも一つの電源とする電子機器であって、前記電子機器の消費電力、動作状態もしくは被操作状態を監視する監視手段と、前記監視手段の監視結果に応じて、前記パージ制御手段に対してパージの指示を許可するか否かを判断し、判断結果を前記パージ制御手段へ出力するパージ許可手段とを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】導電膜の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物をターゲットとして用いて、
アルゴンガス、酸素および水蒸気からなるガスを用い、前記ガスに対する前記水蒸気の流量比を０．４９％以下にして、スパッタリング法により作製すること特徴とする導電膜の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記水蒸気の流量は、０．２５ｓｃｃｍ以下であることを特徴とする導電膜の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物には、酸化珪素が添加されていることを特徴とする導電膜の作製方法。