【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、
第１端子が前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第２のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、
前記第１のトランジスタの第１端子と前記第１のトランジスタの第２端子との間を、短絡状態にする手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、
第１端子が前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第２のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、
前記第３の配線に電気的に接続された電流源と、
前記第１のトランジスタの第１端子と前記第１のトランジスタの第２端子との間を、短絡状態にする手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、
第１端子が前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第２のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続され且つ前記第３のスイッチを介して前記第４の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、
前記第３の配線に電気的に接続された第１の電流源と、
前記第４の配線に電気的に接続された第２の電流源と、
前記第１のトランジスタの第１端子と前記第１のトランジスタの第２端子との間を、短絡状態にする手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ及び前記第３のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記短絡状態にする手段は前記第１のトランジスタの第１端子及び第２端子に電気的に接続されたスイッチであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、
第１端子が前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第２のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、
前記第２のトランジスタの第１端子と前記第２のトランジスタの第２端子との間を、短絡状態にする手段と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７又は請求項８において、
前記短絡状態にする手段は前記第２のトランジスタの第１端子及び第２端子に電気的に接続されたスイッチであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、
第１端子が前記第１のスイッチを介して前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第２のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され且つ前記第３のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第２のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第４のスイッチを介して前記第４の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、
第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、
第１端子が前記第１の配線と電気的に接続され、ゲート端子が前記第１のスイッチを介して前記第２の配線と電気的に接続された第１のトランジスタと、
第１端子が前記第１のトランジスタの第２端子と電気的に接続され、ゲート端子が前記第２のスイッチを介して前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され且つ前記第３のスイッチを介して前記第３の配線と電気的に接続され、第２端子が負荷と電気的に接続され且つ前記第４のスイッチを介して前記第４の配線と電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の端子が前記第２のトランジスタのゲート端子と電気的に接続され、他方の端子が前記第２のトランジスタの第２端子と電気的に接続された容量素子と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、前記第３のスイッチ及び前記第４のスイッチはトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記容量素子に蓄積した電荷を放電する手段を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記第１の配線の電位は、前記第２の配線の電位より高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタは同じ導電型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記負荷は整流特性を有する表示素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、
前記負荷はＥＬ素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の表示装置を具備することを特徴とする電子機器。