【手続補正書】
【提出日】平成25年4月25日(2013.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子であって、
ｍ面の無極性結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材で、前記ｍ面の無極性結晶性表面領域は、（０００−１）に向かって、−２度乃至２度の配向および（１１−２０）に向かって０．５度未満の配向を有するガリウムおよび窒素含有基板部材と、
前記ｍ面の無極性結晶表面領域の一部を被覆して形成されるレーザ縞領域であって、前記レーザ縞領域は、前記ｃ方向に対して実質的に平行なキャビティ配向を有し、
第１の端部および第２の端部を有する、レーザ縞領域と、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面と、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面と、を含む光学素子。
【請求項２】
前記第１の劈開ｃ面は、前記第２の劈開ｃ面に対して実質的に平行である、請求項１に記載の光学素子。
【請求項３】
前記第１の劈開ｃ面は、レーザスクライブ領域によって特徴付けられる第１の鏡表面を含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項４】
前記第１の鏡表面は、前記ガリウムおよび窒素含有基板部材の前側または後側のいずれかからのスクライブプロセスおよびブレイクプロセスによって得られる、請求項３に記載の光学素子。
【請求項５】
前記第１の鏡表面は、反射特性を変更するためのコーティングを含む、請求項４に記載の光学素子。
【請求項６】
前記コーティングは、二酸化ケイ素、ハフニア、チタニア、五酸化タンタルおよびアルミナから選択される、請求項５に記載の光学素子。
【請求項７】
前記第１の劈開ｃ面は、反射防止コーティングを含む、請求項４に記載の光学素子。
【請求項８】
前記第２の劈開ｃ面は、第２の鏡表面を含み、レーザスクライブ領域によって特徴付けられる、請求項１に記載の光学素子。
【請求項９】
前記第２の鏡表面は、スクライブプロセスおよびブレイクプロセスによって得られる、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１０】
前記第２の鏡表面は、反射特性を変更するためのコーティングを含む、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１１】
前記コーティングは、二酸化ケイ素、ハフニア、チタニア、五酸化タンタルおよびアルミナから選択される、請求項１０に記載の光学素子。
【請求項１２】
前記第２の劈開ｃ面は、反射防止コーティングを含む、請求項８に記載の光学素子。
【請求項１３】
前記レーザ縞領域の長さは、１００ミクロン乃至２０００ミクロンの範囲である、請求項１に記載の光学素子。
【請求項１４】
前記レーザ縞領域の幅は、１ミクロン乃至１５ミクロンの範囲である、請求項１に記載の光学素子。
【請求項１５】
前記ｃ方向に対して垂直に偏光される自発出射光をさらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項１６】
３８５乃至４２０ナノメートルの波長によって特徴付けられる自発出射光をさらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項１７】
４２０乃至４６０ナノメートルの波長によって特徴付けられる自発出射光をさらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項１８】
４６０乃至５００ナノメートルの波長によって特徴付けられる自発出射光をさらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項１９】
５００乃至５５０ナノメートルの波長によって特徴付けられる自発出射光をさらに含む、請求項１に記載の光学素子。
【請求項２０】
前記レーザ縞は、ドライエッチングおよびウェットエッチングから選択されたエッチングプロセスによって得られることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項２１】
前記ガリウムおよび窒素含有基板部材の後側を被覆するｎ型金属領域と、前記レーザ縞の上部を被覆するｐ型金属領域とを、さらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項２２】
前記レーザ縞は被覆型の誘電層を含み、前記被覆型の誘電層は、前記レーザ縞の上部を露出させることを特徴とする請求項１に記載の光学素子。
【請求項２３】
前記表面領域を被覆するｎ型窒化ガリウム領域と、前記ｎ型窒化ガリウム領域を被覆する活性領域と、前記活性領域を被覆する前記レーザ縞領域とを、さらに含む請求項１に記載の光学素子。
【請求項２４】
前記活性領域は、１個乃至２０個の量子井戸領域を含み、前記１個乃至２０個の量子井戸領域は、１０オングストローム乃至４０オングストロームの厚さであることを特徴とする請求項２３に記載の光学素子。

【請求項２５】
前記活性領域は、１個乃至２０個の量子井戸領域を含み、前記１個乃至２０個の量子井戸領域は、４０オングストローム乃至８０オングストロームの厚さであることを特徴とする請求項２３に記載の光学素子。
【請求項２６】
電子ブロッキング領域を含み、前記電子ブロッキング領域は、前記活性領域を被覆する請求項２３に記載の光学素子。
【請求項２７】
別個の閉じ込めヘテロ−構造を含み、前記別個の閉じ込めヘテロ-構造は、前記ｎ型窒化ガリウム領域を被覆する請求項２３に記載の光学素子。
【請求項２８】
光学素子の形成方法であって、
ｍ面の無極性結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材を提供する工程で、前記領域は、（０００−１）に向かって−２度乃至２度および（１１−２０）に向かって０．５度未満のオフカット配向により特徴付けられる基板部材を提供する工程と、
前記ｍ面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆するレーザ縞領域を形成する工程であって、前記レーザ縞領域は、前記ｃ方向に対して実質的に平行なキャビティ配向を有し、第１の端部および第２の端部を有するレーザ縞領域を形成する工程と、
一対の劈開面を形成する工程であって、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面と、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面を含む一対の劈開面を形成する工程と、を含む光学素子の形成方法。
【請求項２９】
前記一対の劈開面を形成する工程は、前記第１の劈開ｃ面を形成する工程と、前記第２の劈開ｃ面を形成する工程とを別個に含む、請求項２８に記載の光学素子の形成方法。
【請求項３０】
前記第１の劈開ｃ面および前記第２のｃ面をコーティングする工程をさらに含む、請求項２８に記載の光学素子の形成方法。
【請求項３１】
前記一対の劈開ｃ面を形成した後、単一化プロセスが行われることを特徴とする請求項２８に記載の光学素子の形成方法。
【請求項３２】
光学素子であって、
実質的にｍ面の無極性結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材で、
前記実質的にｍ面の無極性結晶性表面領域は、（０００−１）に向かって−２度乃至２度のオフカット配向および（１１−２０）に向かって０．５度未満のオフカット配向であり、
前記オフカット配向は、（０００−１）に向かってゼロ度および（１１−２０）に向  かってゼロ度を含まず、
前記ｍ面の無極性結晶性表面領域は、第１の結晶品質を有するオフカット配向と、第２の結晶品質を有する非オフカット配向を特徴とし、
前記第１の結晶品質は、前記第２の結晶品質よりも高い、ガリウムおよび窒素含有基板部材と、
前記実質的にｍ面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域であって、前記レーザ縞領域は、前記ｃ方向に対して実質的に平行なキャビティ配向であり、第１の端部および第２の端部を有する、レーザ縞領域と、
前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面と、前記レーザ縞領  域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面と、を含む光学素子。
【請求項３３】
光学素子あって、
ｍ面の結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材であって、前記ｍ面の結晶性表面領域は、ｃ面に向かって−１７度乃至１７度のオフカット配向を有するガリウムおよび窒素含有基板部材と、
前記ｍ面の結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域であって、第１の端部および第２の端部を有するレーザ縞領域と、
前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面と、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面と、を含む光学素子。
【請求項３４】
前記オフカットによって構成される前記ｍ面の結晶表面領域は、｛２０−２１｝面であることを特徴とする請求項３３に記載の光学素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、光学素子および関連方法に関する。より詳細には、本発明は、無極性ガリウム含有基板（例えば、ＧａＮ、ＭＮ、ＩｎＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、およびＡｌＩｎＧａＮ）などを用いて電磁放射を出射する方法および素子を提供する。ひとえに例示目的のために、本発明は、光学素子、レーザ、発光ダイオード、太陽電池、光電気化学水分解および水素発生、光検出器、集積回路およびトランジスタなどに適用可能である。なお、本出願は、米国シリアル番号第６１／１６８，９２６号（弁理士ドケット番号第０２７６００−０００２００ＵＳ）（出願日：２００９年４月１３日）および米国シリアル番号第６１／２４３，５０２号（弁理士ドケット番号第０２７６００−００１３００ＵＳ）（出願日：２００９年９月１７日）に対する優先権を主張する。同文献はそれぞれ、同一譲受人に譲渡され、同文献それぞれを参考のため援用する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特定の実施形態において、光学素子が提供される。前記光学素子は、窒化ガリウム基板  部材を含む。前記窒化ガリウム基板部材は、ｍ面の無極性結晶性表面領域を有する。
前記領域は、（０００−１）に向かって約−２度〜約２度の配向および（１１−２０）に  向かって約０．５度未満の配向により、特徴付けられる。前記結晶性表面は、ミスカット  として特徴付けられ得、ゼロ度のカット方向を含まない。また、前記素子は、レーザ縞領域を有する。前記レーザ縞領域は、前記ｍ面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆した様態で形成される。好適な実施形態において、前記レーザ縞領域は、キャビティ配向により、特徴付けられる。前記キャビティ配向は、前記ｃ方向に対して実質的に平行であり、前記レーザ縞領域は、第１の端部および第２の端部を有する。前記素子は、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面を含む。前記第１の劈開ｃ面は好適には、レーザスクライブ領域を含む。また、前記素子は、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面を有する。特定の実施形態において、前記第２の劈開ｃ面は、レーザスクライブ領域を含む点によっても特徴付けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
いくつかの実施形態において、前記光学素子は、窒化ガリウム基板部材を含む。前記窒  化ガリウム基板部材は、ｍ面の無極性結晶性表面領域を有する。前記領域は、ｃ面に向かって約−１７度〜約１７度の配向により、特徴付けられる。前記結晶性表面は、ミスカットとして特徴付けられ得、ゼロ度のカット方向を含まない。また、前記素子は、前記ｍ面の無極性結晶性配向表面領域または前記半極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域を有する。好適な実施形態において、前記レーザ縞領域は、第１の端部および第２の端部を有する。前記素子は、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開面を含む。特定の実施形態において、前記第１の劈開面は、レーザスクライブ領域によって特徴付けられる。前記素子は、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開面も有する。特定の実施形態において、前記第２の劈開面は、レーザスクライブ領域によって特徴付けられる。

【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
別の特定の実施形態において、本発明は、光学素子の形成方法を提供する。前記方法は、ｍ面の無極性結晶性表面領域を有する窒化ガリウム基板部材を提供する工程であって、前記領域は、（０００−１）に向かって約−２度〜約２度および（１１−２０）に向かって約０．５度未満の配向により、特徴付けられる、工程を含む。特定の実施形態において、前記結晶性表面は、ミスカットとして特徴付けられ得、ゼロ度のカット方向を含まない。前記素子は、前記ｍ面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域も有する。前記方法は、前記ｍ面の無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域を形成する工程を含む。特定の実施形態において、前記レーザ縞領域は、前記ｃ方向に対して実質的に平行なキャビティ配向により、特徴付けられる。特定の実施形態において、前記レーザ縞領域は、第１の端部および第２の端部を有する。前記方法は好適には、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面および前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面を含む一対の劈開面を形成する。

【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
他の実施形態において、本発明は、他のガリウムおよび窒素含有基板配向上に構成され  た素子および方法を含む。特定の実施形態において、前記ガリウムおよび窒素含有基板は、｛２０−２１｝結晶配向を含む複数の面上に構成される。特定の実施形態において、｛２０−２１｝は、前記ｍ面から１４．９度の角度で前記ｃ面（０００１）へと向かう。一例として、前記ミスカットまたはオフカット角度は、前記ｍ面からｃ面に向かって＋／−１７度であるか、あるいは、おおよそ前記｛２０−２１｝結晶配向面にある。別の例として、本素子は、前記ｃ方向の投射に配向されたレーザ縞を含み、前記ｃ方向は、  前記ａ方向に対して垂直であるか（または前記ｍ面上では前記ｃ方向に構成される）。１つ以上の実施形態において、前記劈開面は、前記ガリウムおよび窒素含有面（例えば、ＧａＮ面）であり、前記面は、前記ｃ方向の投射に対して直交方向から＋／−５度であり（あるいは、前記ｍ面のレーザについては、前記ｃ面である）。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。

【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
好適な実施形態において、前記素子は、前記レーザ縞領域の前記第１の端部上に設けら  れた第１の劈開ｃ面および前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開  ｃ面を有する。１つ以上の実施形態において、前記第１の劈開ｃ面は、前記第２の劈開ｃ面に対して実質的に平行である。前記劈開表面それぞれの上に、鏡表面が形成される。前記第１の劈開ｃ面は、第１の鏡表面を含む。好適な実施形態において、前記第１の鏡表面  スクライブプロセスおよびブレイクプロセスにより、提供される。前記スクライブプロセスでは、任意の適切な技術（例えば、ダイヤモンドスクライブまたはレーザスクライブまたは  組み合わせが利用可能である。特定の実施形態において、前記第１の鏡表面は、反射コーティングを含む。前記反射コーティングは、二酸化ケイ素、ハフニア、およびチタニアタンタル五酸化ジルコニア、その組み合わせなどから選択される。実施形態に応じて、前記第１の鏡表面は、反射防止コーティングも含み得る。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、好適な実施形態において、前記第２の劈開ｃ面は、第２の鏡表面を含む。前記第２の鏡表面は、特定の実施形態によるスクライブプロセスおよびブレイクプロセスにより、提供される。好適には、前記スクライブは、ダイヤモンドスクライブまたはレーザスクライブなどである。特定の実施形態において、前記第２の鏡表面は、反射コーティング（例えば、二酸化ケイ素、ハフニア、チタニアタンタル五酸化ジルコニア、組み合わせなど）を含む。特定の実施形態において、前記第２の鏡表面は、反射防止コーティングを含む。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。

【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
特定の実施形態において、前記素子はまた、被覆型のｎ型窒化ガリウム層２０５と、活  性領域２０７と、レーザ縞領域２０９として構築された被覆型のｐ型窒化ガリウム層とを  有する。特定の実施形態において、これらの領域はそれぞれ、少なくとも金属有機化学蒸  着（ＭＯＣＶＤ）のエピタキシャル蒸着技術、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、またはＧ  ａＮ成長に適した他のエピタキシャル成長技術を用いて、形成される。特定の実施形態に  おいて、前記エピタキシャル層は、高品質のエピタキシャル層被覆型のｎ型窒化ガリウム層である。いくつかの実施形態において、前記高品質の層は、例えばＳｉまたはＯによってドープされて、ｎ型材料を形成し、その際のドーパント濃度は、約１０１６ｃｍ−３から１０２０ｃｍ−３である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
１つ以上の実施形態によるレーザ素子の処理方法の概要を以下に示す。図５も参照され  たい。１として、開始。２として、処理後の基板（レーザ素子を含む）にリッジを設ける。３として、基板の薄肉化を後側から行う。４として、後側ｎ接点を形成する。５として、バー構造に構成されたレーザ素子を分離するよう、パターンをスクライブする。６とし  て、スクライブパターンをブレイクして、複数のバー構造を形成する。７として、バー構造を積み重ねる。８として、バー構造をコートする。９として、バー構造を単一化して、レーザ素子を有する個々のダイにする。１０として、他の工程を所望に行う。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
特定の実施形態において、前記キャリアウェーハを、ラッピングジグ上に取り付ける。  このようなラッピングジグの一例は、ＬｏｇｉｔｅｃｈＬｔｄ．（英国）または他のベンダーにより、製造される。前記ラッピングジグの利用により、特定の実施形態によるラッピングプロセス時における前記基板の平面性の維持が支援される。一例として、前記基板  の出発厚さは〜３２５ｕｍ＋／−２０ｕｍであるが、他のものであってもよい。特定の実施形態において、前記方法は、前記基板のラッピングまたは薄肉化を７０〜８０ｕｍ厚さになるまで行うが、これよりも厚さを薄くするかまたは若干厚めにしてもよい。好適な実施形態において、前記ラッピングジグは、ラッピングプレートと共に構成される。前記ラッピングプレートは、適切な材料（例えば、平面度が５ｕｍ未満になるように構成された鋳鉄があるが、他のものであってもよい）によって構成されることが多い。好適には、前記方法は、１部の炭化ケイ素（ＳｉＣ）および１０部の水であるラッピングスラリーを用いるが、他の変更も可能である。特定の実施形態において、前記ＳｉＣ粒の寸法は約５ｕｍである。１つ以上の実施形態において、前記ラッピングプレート速度は、約１０回転／分が適している。さらに、前記方法は、１つ以上の実施形態による所望のラッピング速  度（例えば、２〜３ｕｍ／分以上またはこれより若干低め）を達成するようにラッピングジグの圧力ダウンを調整することが可能である。

【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
他の実施形態において、本発明は、ｍ面のＧａＮ基板材料に対する高品質のｎ型接点を達成する方法を提供する。特定の実施形態において、前記方法は、適切なオーム接点を達成するには粗い接点を提供する。特定の実施形態において、前記粗さに起因して他の結晶面が露出され、その結果良好な接点が得られる。好適な実施形態において、本方法は、ラップ表面を含む。前記ラップ表面のテクスチャは粗いため、２つよりも多くのまたは複数の異なる結晶面が露出される。他の実施形態において、ラッピングの後に、エッチング（例えば、ドライエッチングおよび／またはウェットエッチング）が行われ得る。特定  の実施形態において、エッチングにより、前記表面下損傷が除去される。しかし、前記表面が研磨のように平坦化される可能性は低い。もちろん、他の改変、変更および代替が可  能である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
一例として、前記後側接点は、約３００ÅＡｌ／３０００ÅＡｕまたは他の適切な材料  を含む。特定の実施形態において、前記接点は、電子ビーム蒸着または他の適切な技術に  よって蒸着された金属積層である。好適な実施形態において、前記金属積層蒸着前に、前  記方法において、ウェットエッチ（例えば、フッ化水素酸ウェットエッチ）の利用により、前記表面上の酸化物を全て除去する。特定の実施形態において、形成後の金属積層に  対し、好適にはアニーリングまたは高温処理を施す。もちろん、他の改変、変更および代  替が可能である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図８は、１つ以上の実施形態による、スクライブおよびブレイク動作を示す簡単な図である。本図は単に一例であり、本明細書中の特許請求の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変および代替を認識する。前記ｎ接点の形成後、特定の実施形態に従って、前記基板を前記サファイアキャリアウェーハから取り外し、アセトンおよびイソプロピルアルコール中において洗浄する。その後、前記基板をビニールテープ上に取り付けて、実施形態に応じてスクライブおよびブレイクプロセスを行う。好適な実施形態において、前記テープは、前記レーザバー上に残留物を全く残さず、このような残留物を実質的に全く含まず、本質的に高分子であるかまたは微粒子であることが多い。

【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
ここで図１０を参照して、前記方法は、複数のバー構造を形成するためのブレイクプロセスを含む。本図は単に一例であり、本明細書中の特許請求の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変および代替を認識する。前記ＧａＮ基板をスクライブした後、前記方法は、ブレイク装置を用いて前記基板をバー状に劈開する。特定の実施形態において、前記ブレイク装置は、金属支持部を有する。前記金属支持部は、９００ｕｍ間隔の空間を有する。前記スクライブ線が中央に来るよう、前記基板を前記支持部上に配置する。次に、適切な形状のセラミックブレードが前記スクライブ線上の直接圧力を付加することで、前記基板は、前記スクライブ線に沿って劈開する。

【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１２は、特定の実施形態による、バーを単一化して複数のダイを得る方法を示す。本  図は単に一例であり、本明細書中の特許請求の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変および代替を認識する。前記バーの面をコーティングした後、前記方法において、前記レーザ素子をバー形態において試験し、その後単一化を行う。特  定の実施形態において、前記方法は、スクライブおよびブレイクプロセス（面劈開に類似するもの）を行うことにより、バーの単一化を行う。好適には、前記方法は、特定の実施形態に従って、浅い連続線スクライブをレーザバーの上側上に形成する。前記ダイの幅は、約２００ｕｍであり、これにより、前記支持部空間を３００ｕｍ位まで低減することが可能となる。前記バーを劈開して個々のダイとした後、前記テープを膨張させて、前記ダイそれぞれを前記テープからピックオフする。次に、前記方法は、１つ以上の実施形態に従って、前記ダイそれぞれに対してパッキング動作を行う。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
前記素子は、前記無極性結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザ縞領域を有する。前記レーザ縞領域は、前記ｃ方向に対して実質的に平行なキャビティ配向によ  って特徴付けられ、第１の端部および第２の端部を有する。前記素子は、前記レーザ縞領  域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開ｃ面と、前記レーザ縞領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開ｃ面とを有する。前記第１の劈開ｃ面は、前記第２の劈開ｃ面に対して実質的に平行である。前記劈開表面それぞれの上に、鏡表面が形成される。前  記第１の劈開ｃ面は、第１の鏡表面を含む。前記第１の鏡表面は、スクライブプロセスおよびブレイクプロセス（例えば、本明細書中に記載のもの）により、得られる。前記第１の鏡表面は、反射コーティングを含む。前記反射コーティングは、アルミナおよびハフニアである。前記第２の劈開ｃ面は、第２の鏡表面を含む。前記第２の鏡表面は、スクライブプロセスおよびブレイクプロセス（例えば、本明細書中に記載のもの）により、得られる。前記第２の鏡表面は、反射コーティング（例えば、二酸化ケイ素およびハフニア）を含む。特定の実施形態において、前記レーザ縞は、長さおよび幅を有する。前記長さは４００〜１０００μｍであり、前記幅は１．４〜４μｍである。前記幅の寸法は実質的に一定である。

【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
他の実施形態において、本発明は、他のガリウムおよび窒素含有基板配向上に構成され  た素子および方法を含む。特定の実施形態において、前記ガリウムおよび窒素含有基板は、｛２０−２１｝結晶配向を含む複数の面上に構成される。特定の実施形態において、｛２０−２１｝は、前記ｍ面から前記ｃ面（０００１）に向かって１４．９度である。  一例として、前記ミスカットまたはオフカット角度は、前記ｍ面から面に向かって＋／−１７度であるか、または、およそ｛２０−２１｝結晶配向面にある。別の例として、  本素子は、前記ｃ方向の投射に配向されるレーザ縞を含む。前記ｃ方向は、ａ方向に対して垂直であるか（あるいは、前記ｍ面上の場合は、前記ｃ方向に構成される）。１つ  以上の実施形態において、前記劈開面は、ガリウムおよび窒素含有面（例えば．、ＧａＮ面）であり、前記ｃ方向の投射に対して直交方向から＋／−５度であるか（あるいは、前記ｍ面のレーザについては、前記ｃ面である）。もちろん、他の改変、変更および代  替が可能である。