Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機械圧縮比を変更可能な可変圧縮比機構と、吸気弁の閉弁時期を制御可能な可変バルブタイミング機構とを具備し、燃焼室内に供給される吸入空気量が吸気弁の閉弁時期を変えることによって制御される火花点火式内燃機関において、機関負荷が低くなるにつれて機械圧縮比が増大せしめられると共に、吸気弁の閉弁時期は、機関負荷が低くなるにつれて、燃焼室内に供給される吸入空気量を制御しうる限界閉弁時期まで圧縮下死点から離れる方向に移動せしめられ、吸気弁の閉弁時期が上記限界閉弁時期に達したときの機関負荷よりも機関負荷の低い領域では機関負荷が低くなるほど空燃比が大きくされる火花点火式内燃機関。
【請求項２】
機関低回転時には機関負荷にかかわらずに実圧縮比が機関中高負荷運転時の実圧縮比に対してほぼ±１０％の範囲内とされる請求項１に記載の火花点火式内燃機関。
【請求項３】
機関回転数が高くなるほど上記実圧縮比が高くされる請求項２に記載の火花点火式内燃機関。
【請求項４】
機関低負荷運転時には膨張比が２０以上にされる請求項１に記載の火花点火式内燃機関。
【請求項５】
吸気弁の閉弁時期が上記限界閉弁時期に達したときの機関負荷よりも機関負荷の低い領域では吸気弁の閉弁時期が上記限界閉弁時期に保持される請求項１に記載の火花点火式内燃機関。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記問題点を解決するために本発明によれば、機械圧縮比を変更可能な可変圧縮比機構と、吸気弁の閉弁時期を制御可能な可変バルブタイミング機構とを具備し、燃焼室内に供給される吸入空気量が吸気弁の閉弁時期を変えることによって制御される火花点火式内燃機関において、機関負荷が低くなるにつれて機械圧縮比が増大せしめられると共に、吸気弁の閉弁時期は、機関負荷が低くなるにつれて、燃焼室内に供給される吸入空気量を制御しうる限界閉弁時期まで圧縮下死点から離れる方向に移動せしめられ、吸気弁の閉弁時期が限界閉弁時期に達したときの機関負荷よりも機関負荷の低い領域では機関負荷が低くなるほど空燃比が大きくされる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
閲覧サービスは、一般的に、既存のコンフィギュレーション・アプリケーション内に提供されて、コンフィギュレーション・データの特定の部分の位置に関する、コンフィギュレーション・データベースを閲覧する。閲覧サービスは、共有オブジェクトに対して、加入を申し込み、内部区画のリファレンスを構成するために用いられる。ブラウザ、あるいは、探知アプリケーションは、各コンフィギュレーション・データベースに提供されて、例えば、ローカル地域１２のデータベース３０が、遠隔地域１４のデータベース５４、あるいは、他のデータベースを閲覧できるようになり、工程管理システム１０の分布したコンフィギュレーション・システム内で、コンフィギュレーション・データの特定の部分が発見される。特に、ユーザから要求があれば、閲覧情報が、遠隔サーバから照会されて、局所的に捕らえられる。閲覧のルートは、そのネットワークを探知することによって、検出されるか、あるいは、他の所望の、あるいは既知のブラウジング技術を用いて検出されてもよい。検出された、あるいは構成された閲覧のルートの情報は消えず、電源を入れてから切るまで残ったままとなる。これらの構成対象の基礎の存在によって、ユーザは、そのルートに関連する他の情報をブラウズダウンさせることが可能になり、工程管理システム１０の分布したコンフィギュレーション階層内において、この情報の位置、あるいはこの情報の経路が発見される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月23日(2009.10.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスバルブと、このガラスバルブの端部から突出するリード線とを有し、両端部にソケットが装着されたソケット付冷陰極蛍光ランプであって、前記ソケットはガラスバルブを保持する保持部と、前記ガラスバルブが前記保持部の少なくとも一部と接触した状態において、前記リード線と接触している接続部とを備え、前記保持部及び前記接続部がコイルにより形成されていることを特徴とするソケット付冷陰極蛍光ランプ。
【請求項２】
ガラスバルブと、このガラスバルブの端部から突出するリード線とを有し、両端部にソケットが装着されたソケット付冷陰極蛍光ランプであって、
前記ソケットは、コイルにより形成され、前記ガラスバルブに端部を覆うように取り付けられる部分と、その部分から延出して前記リード線に接続される部分とを有することを特徴とするソケット付冷陰極蛍光ランプ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のソケット付冷陰極蛍光ランプを備えることを特徴とするバックライトユニット。
【請求項４】
請求項３に記載のバックライトユニットを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係るソケット付冷陰極蛍光ランプは、ガラスバルブと、このガラスバルブの端部から突出するリード線とを有し、両端部にソケットが装着されたソケット付冷陰極蛍光ランプであって、前記ソケットは、前記ガラスバルブを保持する保持部と、前記ガラスバルブが前記保持部に保持された状態において、前記リード線と接触している接続部とを備え、前記保持部及び前記接続部がコイルにより形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るソケット付冷陰極蛍光ランプは、ガラスバルブと、このガラスバルブの端部から突出するリード線とを有し、両端部にソケットが装着されたソケット付冷陰極蛍光ランプであって、前記ソケットは、コイルにより形成され、前記ガラスバルブに端部を覆うように取り付けられる部分と、その部分から延出して前記リード線に接続される部分とを有することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
次に、前記ウエハ取り出し装置について図２〜図５を参照しつつ詳細に説明する。
図２〜図５は、図１に示すウエハ取り出し装置によってウエハを取り出す方法を模式的に示す図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、ウエハ取り出し装置によってウエハを取り出す方法について説明する。
まず、図２に示すように、搬送アーム３によってウエハ吸着機構４を収納容器２の上方に移動させ、搬送アーム３によってウエハ吸着機構４を収納容器２内に下降させる。尚、収納容器２には、半導体ウエハ１６，１７とスペーサである層間紙１８が交互に重ねて収納されており、層間紙１８は半導体ウエハ１６，１７より大きく形成されている。このため、層間紙１８の一部が積み重ねられた半導体ウエハ１６，１７の間から露出した状態となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月1日(2009.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板と、前記プリント基板に装着したチョークコイルとを備え、前記チョークコイルにはコイルを巻回したコアの略中央部分に貫通孔部を、前記プリント基板の前記貫通孔部と対向する部分には孔をそれぞれ設け、前記貫通孔部および孔に挿通させた締結部材で前記プリント基板にチョークコイルを固定するようにし、
かつ前記締結部材は、一端に前記貫通孔部の上部孔縁または前記プリント基板の孔の下側孔縁のいずれか一方に当接するフランジを、他端に前記貫通孔部の上部孔縁または前記プリント基板の孔の下側孔縁のいずれか他方に熱溶着される熱溶着部を一体的に有する電気機器の制御基板。
【請求項２】
プリント基板と、前記プリント基板に装着したチョークコイルとを備え、前記チョークコイルにはコイルを巻回したコアの略中央部分に貫通孔部を、前記プリント基板の前記貫通孔部と対向する部分には孔をそれぞれ設け、前記貫通孔部および孔に挿通させた締結部材で前記プリント基板に前記チョークコイルを固定するようにし、
かつ前記締結部材の外径は前記貫通孔部および孔と略同一としてそれら貫通孔部と孔に圧入し、前記プリント基板と前記チョークコイルを一体化した電気機器の制御基板。
【請求項３】
チョークコイルの貫通孔部はコイルを巻回したコアの中央孔で構成した請求項１または２記載の電気機器の制御基板。
【請求項４】
チョークコイルはコアとコアを覆うコアカバーとコアカバーに巻回したコイルとを備え、このコアカバーの中央に筒状部を設けて、これを貫通孔部に設定した請求項１または２記載の電気機器の制御基板。
【請求項５】
チョークコイルは、コアと、このコアを覆うコアカバーと、コアカバーに巻回したコイルとを備え、前記コアとコアカバーにスリットを形成した請求項１または２記載の電気機器の制御基板。
【請求項６】
チョークコイルはコアに巻回したコイルの端部をプリント基板に貫通させて半田付けした請求項１または２記載の電気機器の制御基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記従来の課題を解決するため、本発明の電気機器の制御基板は、プリント基板と、前記プリント基板に装着したチョークコイルとを備え、前記チョークコイルにはコイルを巻回したコアの略中央部分に貫通孔部を、前記プリント基板の前記貫通孔部と対向する部分には孔をそれぞれ設け、前記貫通孔部および孔に挿通させた締結部材で前記プリント基板にチョークコイルを固定するようにし、かつ前記締結部材は、一端に前記貫通孔部の上部孔縁または前記プリント基板の孔の下側孔縁のいずれか一方に当接するフランジを、他端に前記貫通孔部の上部孔縁または前記プリント基板の孔の下側孔縁のいずれか他方に熱溶着される熱溶着部を一体的に有するものとしたので、チョークコイルとプリント基板を容易に、しかも確実に固定することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第１の発明は、プリント基板と、前記プリント基板に装着したチョークコイルとを備え、前記チョークコイルにはコイルを巻回したコアの略中央部分に貫通孔部を、前記プリント基板の前記貫通孔部と対向する部分には孔をそれぞれ設け、前記貫通孔部および孔に挿通させた締結部材で前記プリント基板にチョークコイルを固定するようにし、かつ前記締結部材は、一端に貫通孔部の上部孔縁またはプリント基板の孔の下側孔縁のいずれか一方に当接するフランジを、他端に貫通孔部の上部孔縁またはプリント基板の孔の下側孔縁のいずれか他方に熱溶着される熱溶着部を一体的に有するものとした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第２の発明は、プリント基板と、前記プリント基板に装着したチョークコイルとを備え、前記チョークコイルにはコイルを巻回したコアの略中央部分に貫通孔部を、前記プリント基板の前記貫通孔部と対向する部分には孔をそれぞれ設け、前記貫通孔部および孔に挿通させた締結部材で前記プリント基板にチョークコイルを固定するようにし、かつ前記締結部材の外径は前記貫通孔部および孔と略同一としてそれら貫通孔部と孔に圧入し、摩擦によってプリント基板とチョークコイルを一体化した。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
したがって、これら第１または２の発明によれば、チョークコイルとプリント基板を容易に、しかも確実に固定することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第３の発明は、前記第１または２の発明において、チョークコイルの貫通孔部はコイルを巻回したコアの中央孔で構成した。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第４の発明は、前記第１または２の発明において、チョークコイルはコアとコアを覆うコアカバーとコアカバーに巻回したコイルとを備え、このコアカバーの中央に筒状部を設けて、これを貫通孔部に設定した。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第５の発明は、前記第１または２の発明において、チョークコイルは、コアと、このコアを覆うコアカバーと、コアカバーに巻回したコイルとを備え、前記コアとコアカバーにスリットを形成した。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第６の発明は、前記第１または２の発明において、チョークコイルはコアに巻回したコイルの端部をプリント基板に貫通させて半田付けした。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースと、少なくともコイルと磁石と該磁石がコイルに対して相対的に移動するよう前記コイルと磁石を連結するダンパーと、で構成された振動アクチュエーターを有する振動装置であって、
前記振動アクチュエーターは、
前記コイルに交流電流を流した際に前記ケースの内側面に対して直交する方向に前記磁石が往復動するよう、前記コイルが前記ケースの内側面に固定されており、
前記磁石が往復動する方向のうち、前記コイルが固定された前記ケースの内側面から離間する方向で、前記磁石から第１の距離だけ離れた位置に前記磁石の往復動を規制する第１の規制部と、
前記磁石が往復動する方向に直行する方向で、前記磁石から第２の距離だけ離れた位置に前記磁石の往復動する方向に直行する方向の移動を規制する第２の規制部と
を有することを特徴とする振動装置。
【請求項２】
前記第１の距離は、少なくとも前記コイルに交流電流を流した際に前記磁石が往復動する距離以上の距離であることを特徴とする請求項１記載の振動装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された振動装置と、使用者が操作する操作手段とを有することを特徴とするコントローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図１において、ネットワーク接続装置１０１Ａは、計算処理部２１０を含むControl Plane２００と、パケット中継部３９０を含むForwarding Plane３００とから構成される。Control Plane２００は、計算処理部２１０とルーティングテーブル管理情報ＤＢ２２０とからなる。計算処理部２１０は、さらにルーティングプロトコル計算処理部２１１と、Forwarding Plane指示部２１２とから構成される。また、Forwarding Plane３００は、Forwarding Plane指示部が送信した指示を受信するシナリオ情報更新部３１０と、シナリオ情報ＤＢ３２０と、複数のポート３１０を接続するパケット中継部３９０と、パケット中継部３９０からのパケットを監視する転送制御部３４０と、転送制御部３４０が検出した障害に基づいてルーティングテーブルを更新する障害内容反映部３３０と、障害内容反映部３３０の指示に基づいてRouting Table３８０を更新するRouting Table更新部３５０と、Routing Table３８０とから構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
イベント欄３２１０に、「Ｐ３１」と記載されたレコードは、図４の説明で用いたシナリオである。具体的には、Ｐ３１に障害があることを通知された障害内容反映部３３０は、Routing Table更新部３５０に対して、Routing TableのＮＥＸＴ ＨＯＰ欄に、Ｐ３１に対応する「Ｒ３１」があるとき、全て「Ｒ１１」に置き換える制御をする。
なお、シナリオ情報ＤＢにない障害が発生した場合は、Control Planeでの、ルーティングプロトコル計算処理部によるRouting Table更新を待つ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月29日(2009.5.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力された映像を電気信号に変換する撮像素子と、
音声を出力する音声出力手段とを備えた撮像装置であって、
前記音声出力手段は、前記撮像素子の共振周波数の音波を出力することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
入力された映像を電気信号に変換し、画像信号を出力する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像信号から画像を形成する画像形成素子と、
音声を出力する音声出力手段とを備えた撮像装置であって、
前記音声出力手段は、前記画像形成素子の共振周波数の音波を出力することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
入力された映像を電気信号に変換し、画像信号を出力する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像信号から画像を形成する画像形成素子を含む画像形成ユニットと、
音声を出力する音声出力手段とを備えた撮像装置であって、
前記音声出力手段は、前記画像形成ユニットの共振周波数の音波を出力することを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
入力された映像を電気信号に変換する撮像素子と、
音声を出力する音声出力手段と、
前記音声出力手段の出力する前記音声により、圧縮された空気を前記撮像素子に導く伝達手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
入力された映像を電気信号に変換し、画像信号を出力する撮像手段と、
前記撮像手段により得られた画像信号から画像を形成する画像形成素子と、
音声を出力する音声出力手段と、
前記音声出力手段の出力する前記音声により、圧縮された空気を前記画像形成素子に導く伝達手段とを備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
前記音声出力手段は、可聴領域外の周波数の音波を出力することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記音声出力手段は、前記撮像装置の警告音を出力する為のスピーカであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記音声出力手段の音声出力素子は、前記画像形成ユニットの上部に設置されていること特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ゴミを除去する機能を有する撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、係る実情に鑑みてなされたものであり、「ゴミが付着することが望ましくない部材」に付着したゴミを簡便に除去することが可能な撮像装置を提供することを目的とする。さらには、撮像装置の大型化やコストアップを避けながら、ゴミを簡便に除去することが可能な撮像装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の撮像装置は、入力された映像を電気信号に変換する撮像素子と、音声を出力する音声出力手段とを備えた撮像装置であって、前記音声出力手段は、前記撮像素子の共振周波数の音波を出力することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画と、当該動画に対応する音声を記録媒体に記録するステップと、
当該音声から、音声レベルがピークとなる部分を含む代表音声を抽出する代表音声抽出ステップと、
当該動画からサムネイル画像を生成し、生成されたサムネイル画像に当該代表音声を付加するサムネイル画像生成ステップと、
当該サムネイル画像生成ステップで生成された代表音声付きのサムネイル画像を当該記録媒体に記録するステップ
とを具備することを特徴とする記録方法。
【請求項２】
当該代表音声抽出ステップは、
当該音声の音声レベルのピークを検出するステップと、
当該音声レベルのピークを含む所定期間の音声を当該代表音声とするステップ
とを具備することを特徴とする請求項１に記載の記録方法。
【請求項３】
当該動画の長さが所定の閾値よりも短いか否かを判定する判定ステップをさらに具備し、
当該サムネイル画像生成ステップは、当該判定ステップでの判定結果に基づいて、当該動画の長さが当該所定の閾値よりも短い場合には、当該生成されたサムネイル画像に対する当該代表音声の付加を禁止する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の記録方法。
【請求項４】
動画と、当該動画に対応する音声を記録媒体に記録する記録装置であって、
当該音声から、音声レベルがピークとなる部分を含む代表音声を抽出する代表音声抽出手段（２４）と、
当該動画からサムネイル画像を生成し、生成されたサムネイル画像に当該代表音声を付加するサムネイル画像生成手段（２８）と、
当該サムネイル画像生成手段により生成された代表音声付きのサムネイル画像を当該記録媒体に記録する記録手段（２０）
とを具備することを特徴とする記録装置。
【請求項５】
当該代表音声抽出手段は、当該音声の音声レベルのピークを検出し、当該音声レベルのピークを含む所定期間の音声を当該代表音声とすることを特徴とする請求項４に記載の記録装置。
【請求項６】
当該動画の長さが所定の閾値よりも短いか否かを判定する判定手段をさらに具備し、
当該サムネイル画像生成手段は、当該判定手段による判定結果に基づいて、当該動画の長さが当該所定の閾値よりも短い場合には、当該生成されたサムネイル画像に対する当該代表音声の付加を禁止することを特徴とする請求項４又は５に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る記録方法は、動画と、当該動画に対応する音声を記録媒体に記録するステップと、当該音声から、音声レベルがピークとなる部分を含む代表音声を抽出する代表音声抽出ステップと、当該動画からサムネイル画像を生成し、生成されたサムネイル画像に当該代表音声を付加するサムネイル画像生成ステップと、当該サムネイル画像生成ステップで生成された代表音声付きのサムネイル画像を当該記録媒体に記録するステップとを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る記録装置は、動画と、当該動画に対応する音声を記録媒体に記録する記録装置であって、当該音声から、音声レベルがピークとなる部分を含む代表音声を抽出する代表音声抽出手段と、当該動画からサムネイル画像を生成し、生成されたサムネイル画像に当該代表音声を付加するサムネイル画像生成手段と、当該サムネイル画像生成手段により生成された代表音声付きのサムネイル画像を当該記録媒体に記録する記録手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、音声レベルがピークとなる部分を含む代表音声をサムネイル画像に付加するので、盛り上がった場面の様子を音声で確認できるようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ユーザの撮影開始の操作に応じて（Ｓ１１）、撮像ユニット１０による撮影画像と、マイク１４による音声が、上述の手順で、映像入力処理装置１２、映像圧縮装置１８、音声入力処理装置１６及び記録処理装置２０により、記録媒体２２に動画として記録される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
動画記録の間に取り込まれた音声の音声レベルピーク値ｎが閾値ｆ以下か、又は、撮影期間が閾値Ｔ未満の場合（Ｓ１５）、代表音声抽出装置２４は、音声無しを示すコマンドをサムネイル生成装置２８に印加する。サムネイル生成装置２８は、先にステップＳ１２で取り込んだ生成したサムネイル画像データを記録処理装置２０に印加し、記録処理装置２０は、音声無しのサムネイル画像データを記録媒体２２に記録する（Ｓ１７）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信信号に含まれる既知の同期信号に基づいて受信信号の同期検出処理を行って前記送信信号を受信する受信方法であって、
前記既知の同期信号として、１単位の同期信号が所定周期繰り返し送信されると共に、前記１単位ごとに設定される送信周波数のパターン及び前記１単位ごとに設定される信号極性のパターンが複数存在する場合の受信方法において、
それぞれ個別に受信信号を得る複数のブランチの受信系を備えて、
各ブランチにて、受信信号を前記１単位周期で複数段遅延させ、その複数段遅延された受信信号から少なくとも２つの遅延位置の受信信号を、異なる組み合わせで複数取り出し、その複数の組み合わせの受信信号の中から、受信する同期信号パターンに応じて選択された組み合わせの少なくとも２つの遅延位置の受信信号を選択し、
前記選択されたそれぞれの受信信号から相関検出を各ブランチで行い、
各ブランチでの相関検出信号を複素乗算した信号から移動平均を求めて、前記同期信号検出を行う
受信方法。
【請求項２】
送信信号に含まれる既知の同期信号に基づいて受信信号の同期検出処理を行って前記送信信号を受信する受信機であって、
前記既知の同期信号として、１単位の同期信号が所定周期繰り返し送信されると共に、前記１単位ごとに設定される送信周波数のパターン及び前記１単位ごとに設定される信号極性のパターンが複数存在する場合における受信機において、
それぞれ受信周波数を個別に設定可能な複数のブランチを有し、それぞれのブランチとして、
受信信号を前記１単位周期で複数段遅延させる遅延手段と、
前記遅延手段で複数段遅延された受信信号から少なくとも２つの遅延位置の受信信号を、異なる組み合わせで複数取り出し、その複数の組み合わせの受信信号の中から、受信する同期信号パターンに応じて選択された組み合わせの少なくとも２つの遅延位置の受信信号を選択する選択手段と、
前記選択手段で選択されたそれぞれの受信信号から相関検出を行う複数の相関検出手段と、
前記複数の相関検出手段で検出された相関検出信号を複素乗算する複素乗算手段とを備え、
さらに、各ブランチの前記複素乗算手段で複素乗算された信号から移動平均を求める移動平均検出手段と、
前記移動平均検出手段で検出された移動平均から同期信号検出を行う同期検出手段とを備えた
受信機。
【請求項３】
請求項２記載の受信機において、
各ブランチが、受信信号から受信エネルギ及び移動平均を算出する受信エネルギ及び移動平均算出手段を備えて、
前記それぞれのブランチの受信エネルギ及び移動平均算出手段で算出された値で、前記移動平均検出手段の検出値を除算して、その除算された信号を前記同期検出手段に送る除算手段を備えた
受信機。
【請求項４】
請求項３記載の受信機において、
各ブランチの受信手段毎に、異なる周波数帯で受信待ち受けを行い、
前記それぞれのブランチの受信エネルギ及び移動平均算出手段で算出された値で、前記移動平均検出手段の検出値を除算して、その除算された信号を前記同期検出手段に送る除算手段を備えた
受信機。
【請求項５】
請求項２記載の受信機において、
各ブランチの受信手段毎に、異なる周波数帯で受信待ち受けを行い、
前記各ブランチの受信周波数設定手段で受信した信号の内の、良好に受信したブランチの受信信号を選択して、前記同期検出手段に送るセレクタを備えた
受信機。
【請求項６】
請求項２記載の受信機において、
各ブランチの受信手段毎に、異なる周波数で受信待ち受けを行い、
各ブランチの受信信号を合成して、合成された信号を前記同期検出手段に送る合成手段を備えたことを特徴とする
受信機。
【請求項７】
請求項２記載の受信機において、
各ブランチの受信手段毎に、それぞれ別の周波数ホッピング状態の受信周波数設定で受信待ち受けを行う
受信機。
【請求項８】
請求項７記載の受信機において、
前記複素乗算した前記各ブランチの信号を、前記周波数ホッピングで送信周波数が変化する周期に対応した期間、シフトさせるシフト手段と、
前記シフト手段でシフトされたブランチの信号と、シフトされていないブランチの信号とを加算する加算手段と、
前記加算手段の出力から移動平均を求める移動平均算出手段とを備えて、
前記移動平均算出手段の出力から前記同期検出手段は同期信号検出を行う
受信機。
【請求項９】
請求項７記載の受信機において、
各ブランチで受信した送信周波数が異なる受信信号の同期信号検出結果を比較して、前記周波数ホッピングを行っているバンドグループを判別する判別手段を備えた
受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、ＧａＡｓと格子整合する組成を有するＡｌＧａＩｎＰにて各々構成されたｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有する発光層部を有するとともに、第一主表面側がｐ型となり、第二主表面側がｎ型となるように定められた貼り合せ対象層の、前記第一主表面を部分的に覆う形で光取出側電極が形成される一方、該貼り合せ対象層の第二主表面に前記活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型透明素子基板が貼り合された構造を有し、かつ、前記透明素子基板と前記貼り合せ対象層との一方に、他方との貼り合せ面を形成するとともに、ｎ型ドーパントとなるＳｉを濃化させた高濃度Ｓｉドーピング層が前記貼り合せ面側に形成されたＩｎＧａＰ中間層が形成されてなることを特徴とする発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記ＩｎＧａＰ中間層は、前記貼り合せ面側に位置する第一層と、前記これと反対側に位置する第二層とを有し、前記高濃度Ｓｉドーピング層は、前記第一層と前記第二層との境界位置にてＳｉ濃度が最大となり、該位置から各層厚さ方向にＳｉ濃度が単調に減少する形で、それら前記第一層と前記第二層とにまたがって形成されてなる請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の発光素子は、
ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、ＧａＡｓと格子整合する組成を有するＡｌＧａＩｎＰにて各々構成されたｎ型クラッド層、活性層及びｐ型クラッド層がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有する発光層部を有するとともに、第一主表面側がｐ型となり、第二主表面側がｎ型となるように定められた貼り合せ対象層の、第一主表面を部分的に覆う形で光取出側電極が形成される一方、該貼り合せ対象層の第二主表面に活性層よりもバンドギャップエネルギーが大きいＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなるｎ型透明素子基板が貼り合された構造を有し、かつ、透明素子基板と貼り合せ対象層との一方に、他方との貼り合せ面を形成するとともに、ｎ型ドーパントとなるＳｉを濃化させた高濃度Ｓｉドーピング層が貼り合せ面側に形成されたＩｎＧａＰ中間層が形成されてなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
具体的には、ＩｎＧａＰ中間層３は、例えば組成式をＩｎＡＧａ１−ＡＰで表わしたとき、ＩｎＰ混晶比Ａが０．０５以上０．１以下に調整され、貼り合せ面側に位置する第一層３ａと、これと反対側に位置する第二層３ｂ（例えば、第一層３ａよりも厚い）とを有する。高濃度Ｓｉドーピング層３ｄは、第一層３ａと第二層３ｂとの境界位置にてＳｉ濃度が最大となり、該位置から各層厚さ方向にＳｉ濃度が単調に減少する形で、それら第一層３ａと第二層３ｂとにまたがって形成されている。高濃度Ｓｉドーピング層３ｄはＳｉ濃度が２×１０１９／ｃｍ３以上６×１０１９／ｃｍ３以上（望ましくは、３×１０１９／ｃｍ３以上６×１０１９／ｃｍ３以下）となっている領域である。ＩｎＧａＰ中間層３の厚さは例えば２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
以下、図１の発光素子１００の製造方法について説明する。
まず、図２に示すように、成長用単結晶基板としてのｎ型ＧａＡｓ単結晶基板１（発光層部２４からの発光光束に対して不透明である（活性層５よりもバンドギャップエネルギーが小さい））を用意する。そして、工程１において、その基板１の第一主表面に、ｎ型ＧａＡｓバッファ層１ｂを例えば０．５μｍ、次いで、ＡｌＩｎＰからなるエッチストップ層２を０．５μｍ、そして、発光層部２４として、各々（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰよりなる、１μｍのｎ型クラッド層４（ｎ型ドーパントはＳｉ）、０．６μｍの活性層（ノンドープ）５、及び１μｍのｐ型クラッド層６（ｐ型ドーパントはＭｇ：有機金属分子からのＣもｐ型ドーパントとして寄与しうる）を、この順序にてエピタキシャル成長させる。次に、工程２では、発光層部２４の上にｐ型ＧａＰからなる接続層７ｐをＭＯＶＰＥ法によりヘテロエピタキシャル成長する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、図３の工程３に進み、ｐ型ＧａＰよりなる電流拡散層７を、ＨＶＰＥ法により接続層７ｐ上にホモエピタキシャル成長させる。ＨＶＰＥ法は、具体的には、容器内にてＩＩＩ族元素であるＧａを所定の温度に加熱保持しながら、そのＧａ上に塩化水素を導入することにより、下記（１）式の反応によりＧａＣｌを生成させ、キャリアガスであるＨ2ガスとともに基板上に供給する。
Ｇａ（液体）＋ＨＣｌ（気体）  →  ＧａＣｌ（気体）＋１／２Ｈ２（気体）‥‥（１）
成長温度は例えば６４０℃以上８６０℃以下に設定する。また、Ｖ族元素であるＰは、ＰＨ３をキャリアガスであるＨ２とともに基板上に供給する。さらに、ｐ型ドーパントであるＺｎは、ＤＭＺｎ（ジメチルＺｎ）の形で供給する。ＧａＣｌはＰＨ３との反応性に優れ、下記（２）式の反応により、効率よく電流拡散層７を成長させることができる：
ＧａＣｌ（気体）＋ＰＨ３（気体）
→ＧａＰ（固体）＋ＨＣｌ（気体）＋Ｈ2（気体）‥‥（２）
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
該第二層３ｂが予め定められた厚さ（例えば３０ｎｍ）に成長した段階で、反応容器に供給する原料ガスのＳｉ源ドーパントガスに対する相対流量を減少させる。本実施形態では、Ｓｉ源ドーパントガスのみ同一の流量にて供給を継続しつつ、ＭＯガスのみ供給を停止する。これにより、成長の止まったＩｎＧａＰ中間層３の表面に、Ｓｉ源ドーパントガスからのＳｉが濃化吸着した層が形成される（図７：期間Ｐ２）。期間Ｐ２の長さは、Ｓｉ源ドーパントガスの流量も勘案して、後述の高濃度Ｓｉドーピング層３ｄ中のＳｉ濃度が２×１０１９／ｃｍ３以上６×１０１９／ｃｍ３以下（望ましくは３×１０１９／ｃｍ３以上６×１０１９／ｃｍ３以下）となるように設定される。なお、期間Ｐ２においてＶ族元素源ガス（ＰＨ３）の供給は継続され、成長したＩｎＧａＰの分解抑制が図られている。また、図７において一点鎖線で示すように、期間Ｐ２におけるＳｉ源ドーパントガスの流量を、期間Ｐ１における流量よりも増加させることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明または半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極間に挾持された一つまたは複数の有機化合物層より構成される電界発光素子であって、
前記有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有し、
且つ前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩＩ−１）または（ＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2007324526.tif 000001
（前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）中、Ａｒは置換もしくは未置換のフェニル基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素又は置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環を表し、ｊは０または１を表し、Ｔは炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基または炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表し、Ｘは下記一般式（ＩＩ）で表される基を表す。）
【化２】
2007324526.tif 000002
（前記一般式（ＩＩ）中、Ａｒ1は、置換または未置換のフェニレン基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の２価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の２価の縮合芳香族炭化水素又は置換もしくは未置換の２価の芳香族複素環を表し、Ｘ１は置換もしくは未置換の炭素数１〜１０のアルキレン基、ポリメチレン基を表し、ｎは１〜１０の整数を表す。）
【化３】
2007324526.tif 000003
（前記一般式（ＩＩＩ−１）及び（ＩＩＩ−２）において、Ａ１は前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を表し、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、Ｚ１は２価のカルボン酸残基を表し、ｍは１〜５の整数を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。また、Ｒ、Ｂ及びＢ’はそれぞれ独立に、未置換および置換基の芳香環数１〜１０の１価の縮合多核芳香族炭化水素、炭素数１〜６の２価の直鎖状炭化水素基、炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基及びヒドロキシル基を表す。）
【請求項２】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、電子輸送層及び／または電子注入層とを含み、前記発光層、電子輸送層及び電子注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、正孔輸送層及び／又は正孔注入層とを含み、前記発光層、正孔輸送層及び正孔注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、正孔輸送層及び／又は正孔注入層と、電子輸送層及び／又は電子注入層とを含み、前記発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層が、電荷輸送機能を持つ発光層のみから構成され、前記電荷輸送機能を持つ発光層が、前記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１に記載の有機電界発光素子をマトリクス及び／またはセグメント状に配置したことを特徴とする画像表示媒体。
【請求項７】
請求項１に記載の有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機化合物層の構成成分を溶媒中に溶解させた塗布溶液をインクジェット法により塗布する塗布工程を少なくとも有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目的を達成するため電荷輸送ポリマーに関し鋭意検討した結果、特定の電荷輸送性ポリエステルが、有機電界発光素子として好適な電荷注入特性、電荷移動度、薄膜形成能、発光特性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
＜１＞  少なくとも一方が透明または半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極間に挾持された一つまたは複数の有機化合物層より構成される電界発光素子であって、前記有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有し、
且つ前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩＩ−１）または（ＩＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルである有機電界発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
＜６＞  ＜１＞に記載の有機電界発光素子をマトリクス及び／またはセグメント状に配置した画像表示媒体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
＜７＞  ＜１＞に記載の有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機化合物層の構成成分を溶媒中に溶解させた塗布溶液をインクジェット法により塗布する塗布工程を少なくとも有する有機電界発光素子の製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
一般式（Ｉ−１）及び（Ｉ−２）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し構造を有する電荷輸送性ポリエステルとしては、下記一般式（ＩＩＩ−１）及び（ＩＩＩ−２）で示されるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２個のＩＣチップを搭載したＩＣタグであって、
第１のアンテナ、および、当該第１のアンテナに接続された第１のＩＣチップを有する第１のインレットと、
前記第１のアンテナに対して所定の角度をもって配置され、自身の一端が当該第１のアンテナと絶縁体を介して静電結合している第２のアンテナ、および、当該第２のアンテナに接続された第２のＩＣチップを有する第２のインレットと、
を備えることを特徴とするＩＣタグ。
【請求項２】
前記所定の角度は、直角であることを特徴とする請求項１に記載のＩＣタグ。
【請求項３】
前記第２のアンテナは、自己と前記第２のＩＣチップとの間のインピーダンスマッチングを行うための整合回路を有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項４】
前記整合回路は、前記第２のアンテナ上において、前記第２のＩＣチップの端子間に形成されたスリットであることを特徴とする請求項３に記載のＩＣタグ。
【請求項５】
前記第２のアンテナの動作波長をλとしたとき、当該第２のアンテナの長さは０．２λ以下であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項６】
前記絶縁体は、樹脂、当該樹脂の発泡体、または紙のいずれかであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項７】
前記絶縁体は、前記第１のインレットと前記第２のインレットとを接着する粘着材または接着材であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項８】
前記絶縁体は、樹脂、樹脂の発泡体、または紙のいずれかと粘着材または接着材との積層構造となっていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項９】
前記絶縁体の厚さは０．０１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項１０】
前記第１のインレットはＩＣタグを構成する樹脂性の外装材料に収納され、前記第２のインレットは前記外装材料の表面または裏面に貼付されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【請求項１１】
前記外装材料は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、グリコール変性共重合ＰＥＴ樹脂（ＰＥＴ−Ｇ）、または、塩化ビニル（ＰＶＣ）のいずれかであることを特徴とする請求項１０に記載のＩＣタグ。
【請求項１２】
前記第１のアンテナの動作周波数は１３．５６ＭＨｚであり、前記第２のアンテナの動作周波数は２．４５ＧＨｚであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＩＣタグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＣタグ
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を共振させるための共振構造を含む導波路を有するレーザ素子であって、
前記導波路は、
電磁波を発生させるための利得媒質と、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第一のクラッドと、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、該利得媒質を介して前記第一のクラッドの反対側に設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第二のクラッドと、
前記利得媒質の少なくとも片方の側面に接して設けられ、前記第一及び第二のクラッドで挟まれ、前記電磁波に対する誘電率実部が正である側面構造と、
を備え、
前記側面構造は、前記導波路を伝播する電磁波におけるプラズモンモードの波数に関して、前記利得媒質よりも小さくなるように構成されることを特徴とするレーザ素子。
【請求項２】
前記側面構造は、前記利得媒質よりも小さい誘電率を有する材料により構成されることを特徴とする請求項１に記載のレーザ素子。
【請求項３】
前記側面構造は、前記利得媒質の面内方向に対して略垂直な方向における厚さに関して、該利得媒質よりも大きくなるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ素子。
【請求項４】
前記第一及び第二のクラッドは、金属、キャリアドープした半導体、又は、これら金属とキャリアドープした半導体によって構成されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項５】
前記側面構造は誘電体によって構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項６】
前記導波路は、前記電磁波の伝搬方向において少なくとも二つの端面を備えて前記共振構造を構成し、前記端面からの反射を利用して前記電磁波を定在波とすることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項７】
前記端面にインピーダンス変換構造を備え、前記定在波の一部を外部空間又は外部伝送路へ取り出すことを特徴とする請求項６に記載のレーザ素子。
【請求項８】
前記第一のクラッドと第二のクラッドの少なくとも一方に、前記幅方向の寸法が前記電磁波の伝搬方向に沿って周期的に変化する部分を持たせ、ブラッグ反射を利用して前記電磁波を定在波とすること特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項９】
前記第一のクラッドと第二のクラッドのいずれか一方に少なくとも一つの開口を備え、前記定在波の一部を外部空間又は外部伝送路へ取り出すことを特徴とする請求項８に記載のレーザ素子。
【請求項１０】
前記利得媒質は、フォトンアシストトンネルに基づいた共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項１１】
前記利得媒質は、前記電磁波の波長の十分の一以下の厚さを有することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項１２】
前記電磁波の周波数は30GHz以上30THz以下の周波数領域の一部を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のレーザ素子。
【請求項１３】
前記第一及び第二のクラッドはそれぞれ、前記利得媒質に接する電気的接点を含むことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のレーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明のレーザ素子は、電磁波を共振させるための共振構造を含む導波路を有するレーザ素子であって、
前記導波路は、
電磁波を発生させるための利得媒質と、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第一のクラッドと、
前記利得媒質に電気的に接して設けられ、該利得媒質を介して前記第一のクラッドの反対側に設けられ、前記電磁波に対する誘電率実部が負である第二のクラッドと、
前記利得媒質の少なくとも片方の側面に接して設けられ、前記第一及び第二のクラッドで挟まれ、前記電磁波に対する誘電率実部が正である側面構造と、
を備え、
前記側面構造は、前記導波路を伝播する電磁波におけるプラズモンモードの波数に関して、前記利得媒質よりも小さくなるように構成される。前記電磁波の周波数は、典型的には、30GHz以上30THz以下の周波数領域の一部を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルムに金属を蒸着してなる金属化フィルムを複数巻回してコンデンサ素子を作製する工程と、前記コンデンサ素子に電極取り出し用メタリコンを設ける工程と、前記電極取り出し用メタリコンに外部引き出し用接続線を設けてコンデンサケースに入れ、充填樹脂を充填硬化する工程とを有するコンデンサの製造方法において、前記各々の工程で前記コンデンサに加えられる温度が６０℃以下であることを特徴とするコンデンサの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コンデンサの製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は、このような従来の課題を解決し、空気溜り層の発生しない、コロナ放電特性に優れた乾式コンデンサの製造方法を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明のコンデンサの製造方法は、上記課題を解決するために、フィルムに金属を蒸着してなる金属化フィルムを複数巻回してコンデンサ素子を作製する工程と、前記コンデンサ素子に電極取り出し用メタリコンを設ける工程と、前記電極取り出し用メタリコンに外部引き出し用接続線を設けてコンデンサケースに入れ、充填樹脂を充填硬化する工程と、を有するコンデンサの製造方法において、前記各々の工程で前記コンデンサに加えられる温度を６０℃以下とするコンデンサの製造方法である。