【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三価のドーパントがドープされてドープされた銀材料を与える銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の０．２５重量％〜１０重量％の濃度で存在する、カソード。
【請求項２】
０．５重量％〜５重量％の三価のドーパントをさらに含む、請求項１に記載のカソード。
【請求項３】
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、請求項１または２のいずれかに記載のカソード。
【請求項４】
前記粉末が、２０μｍ以下の平均粒径を有する、請求項３に記載のカソード。
【請求項５】
前記粉末が、５μｍ以下の平均粒径を有する、請求項３または４のいずれかに記載のカソード。
【請求項６】
前記銀材料が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１から５のいずれかに記載のカソード。
【請求項７】
バインダをさらに含む、請求項１から６のいずれかに記載のカソード。
【請求項８】
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、請求項７に記載のカソード。
【請求項９】
前記ドーパントが、少なくとも１種の第１３族元素を含む、請求項１から８のいずれかに記載のカソード。
【請求項１０】
前記ドーパントが、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１から９のいずれかに記載のカソード。
【請求項１１】
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項１から８のいずれかに記載のカソード。
【請求項１２】
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、請求項１１に記載のカソード。
【請求項１３】
電気化学セルでの使用のためのカソードを製造する方法であって、
銀粉末の重量の０．２５重量％〜１０重量％の三価のドーパントがドープされた銀粉末を準備して、ドープされた銀粉末を与える工程と；
前記ドープされた銀粉末からカソードを形成する工程と
を含む方法。
【請求項１４】
前記ドープされた銀粉末が、１５μｍ以下の平均粒径を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、インジウム、アルミニウム、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１３、１４、１５、または１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも８０サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも６０％の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
【請求項１９】
前記銀材料が、２０μｍ以下の平均粒径を有する粉末を含む、請求項１８に記載のセル。
【請求項２０】
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、請求項１８または１９のいずれかに記載のセル。
【請求項２１】
前記ランタニド元素がＹｂである、請求項２０に記載のセル。
【請求項２２】
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１８、１９、２０または２１のいずれかに記載のセル。
【請求項２３】
銀粉末の重量の０．２５重量％〜１０重量％の三価のドーパントを含む銀粉末を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと；
水性ＫＯＨを含む電解質と
を含む電気化学セル。
【請求項２４】
前記銀粉末が、５μｍ以下の平均粒径を有する、請求項２３に記載のセル。
【請求項２５】
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、請求項２３または２４のいずれかに記載のセル。
【請求項２６】
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素を含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の０．２５重量％〜１０重量％の濃度で存在する、カソード。
【請求項２７】
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、請求項２６に記載のカソード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の別の態様は、ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、ドーパントが、ランタニド元素、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、ドーパントが、ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソードを提供する。いくらかの実施形態において、ランタニド元素は、Ｙｂを含む。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
三価のドーパントがドープされてドープされた銀材料を与える銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソード。
（項目２）
約０．５重量％〜約５重量％の三価のドーパントをさらに含む、項目１に記載のカソード。
（項目３）
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目１または２のいずれかに記載のカソード。
（項目４）
前記粉末が、約２０μｍ以下の平均粒径を有する、項目３に記載のカソード。
（項目５）
前記粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目３または４のいずれかに記載のカソード。
（項目６）
前記銀材料が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目１から５のいずれかに記載のカソード。
（項目７）
バインダをさらに含む、項目１から６のいずれかに記載のカソード。
（項目８）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目７に記載のカソード。
（項目９）
前記ドーパントが、少なくとも１種の第１３族元素を含む、項目１から８のいずれかに記載のカソード。
（項目１０）
前記ドーパントが、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目１から９のいずれかに記載のカソード。
（項目１１）
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目１から８のいずれかに記載のカソード。
（項目１２）
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、項目１１に記載のカソード。
（項目１３）
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソード。
（項目１４）
約０．５重量％〜約５重量％のドーパントをさらに含む、項目１３に記載のカソード。
（項目１５）
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目１３または１４のいずれかに記載のカソード。
（項目１６）
前記粉末が、約２０μｍ以下の平均粒径を有する、項目１５に記載のカソード。
（項目１７）
前記粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目１５または１６のいずれかに記載のカソード。
（項目１８）
前記銀材料が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目１３から１７のいずれかに記載のカソード。
（項目１９）
バインダをさらに含む、項目１３から１８のいずれかに記載のカソード。
（項目２０）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目１９に記載のカソード。
（項目２１）
前記ドーパントが、ガリウムを含む、項目１３から２０のいずれかに記載のカソード。
（項目２２）
前記ドーパントが、ホウ素を含む、項目１３から２０のいずれかに記載のカソード。
（項目２３）
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソード。
（項目２４）
約１重量％〜約８重量％のドーパントをさらに含む、項目２３に記載のカソード。
（項目２５）
前記ドープされた銀材料が、粉末を含む、項目２３または２４のいずれかに記載のカソード。
（項目２６）
前記粉末が、約２０μｍ以下の平均粒径を有する、項目２５に記載のカソード。
（項目２７）
前記粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目２５または２６のいずれかに記載のカソード。
（項目２８）
前記ドープされた銀材料が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目２３から２７のいずれかに記載のカソード。
（項目２９）
バインダをさらに含む、項目２３から２８のいずれかに記載のカソード。
（項目３０）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目２９に記載のカソード。
（項目３１）
前記ドーパントが、インジウムを含む、項目２３から３０のいずれかに記載のカソード。
（項目３２）
前記ドーパントが、アルミニウムを含む、項目２３から３０のいずれかに記載のカソード。
（項目３３）
電気化学セルでの使用のためのカソードを製造する方法であって、
銀粉末の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の三価のドーパントがドープされた銀粉末を準備して、ドープされた銀粉末を与える工程と；
前記ドープされた銀粉末からカソードを形成する工程と
を含む方法。
（項目３４）
前記ドープされた銀粉末は、約０．５重量％〜約５重量％のドーパントがドープされている、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記ドープされた銀粉末が、約１５μｍ以下の平均粒径を有する、項目３３または３４のいずれかに記載の方法。
（項目３６）
前記ドープされた銀粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目３３から３５のいずれかに記載の方法。
（項目３７）
前記ドープされた銀粉末が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目３３から３６のいずれかに記載の方法。
（項目３８）
前記ドープされた銀粉末が、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、またはこれらの任意の組合せを含む、項目３３から３７のいずれかに記載の方法。
（項目３９）
バインダを準備する工程をさらに含む、項目３３から３８のいずれかに記載の方法。
（項目４０）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目４０に記載の方法。
（項目４１）
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目３３から４１のいずれかに記載の方法。
（項目４２）
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、項目４２に記載の方法。
（項目４３）
前記ドーパントが、少なくとも１種の第１３族元素を含む、項目３３から４１のいずれかに記載の方法。
（項目４４）
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、インジウム、アルミニウム、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目３３から４１または４４のいずれかに記載の方法。
（項目４５）
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目３３から４１、４４または４５のいずれかに記載の方法。
（項目４６）
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目３３から４１または４４から４６のいずれかに記載の方法。
（項目４７）
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約８０サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約６０％の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
（項目４８）
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約１００サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約７０％の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
（項目４９）
ドーパントを含む銀材料を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと
を含む電気化学セルであって、
前記ドーパントが、三価のドーパントを含み、前記ドーパントが、少なくとも約１２０サイクルにわたって前記セルの定格容量の少なくとも約８０％の実容量を前記セルに付与するのに十分な濃度で存在する、電気化学セル。
（項目５０）
前記銀材料が、その重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の三価のドーパントを含む、項目４７から４９のいずれかに記載のセル。
（項目５１）
前記銀材料が、粉末を含む、項目４７から５０のいずれかに記載のセル。
（項目５２）
前記粉末が、約２０μｍ以下の平均粒径を有する、項目５１に記載のセル。
（項目５３）
前記粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目５２に記載のセル。
（項目５４）
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目４７から５３のいずれかに記載のセル。
（項目５５）
前記カソードが、バインダをさらに含む、項目４７から５４のいずれかに記載のセル。
（項目５６）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目５５に記載のセル。
（項目５７）
前記アノードが、バインダをさらに含む、項目４７から５４のいずれかに記載のセル。
（項目５８）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目５７に記載のセル。
（項目５９）
ＮａＯＨ、ＫＯＨ、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目４７から５８のいずれかに記載のセル。
（項目６０）
前記銀粉末が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目４７から５９のいずれかに記載のセル。
（項目６１）
前記銀粉末が、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、またはこれらの任意の組合せを含む、項目４７から６０のいずれかに記載のセル。
（項目６２）
前記銀材料が、ＡｇＯを含む、項目４７から６１のいずれかに記載のセル。
（項目６３）
前記銀材料が、Ａｇ２Ｏを含む、項目４７から６１のいずれかに記載のセル。
（項目６４）
前記ドーパントが、ランタニド元素を含む、項目４７から６３のいずれかに記載のセル。
（項目６５）
前記ランタニド元素がＹｂである、項目６４に記載のセル。
（項目６６）
前記ドーパントが、少なくとも１種の第１３族元素を含む、項目４７から６３のいずれかに記載のセル。
（項目６７）
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目６６に記載のセル。
（項目６８）
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目６７に記載のセル。
（項目６９）
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目６７に記載のセル。
（項目７０）
銀粉末の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の三価のドーパントを含む銀粉末を含むカソードと；
亜鉛を含むアノードと；
水性ＫＯＨを含む電解質と
を含む電気化学セル。
（項目７１）
前記銀粉末が、約２０μｍ以下の平均粒径を有する、項目７０に記載のセル。
（項目７２）
前記銀粉末が、約５μｍ以下の平均粒径を有する、項目７１に記載のセル。
（項目７３）
前記カソード、前記アノード、または両方が、バインダを含む、項目７０から７２のいずれかに記載のセル。
（項目７４）
前記カソードが、バインダを含む、項目７０から７３のいずれかに記載のセル。
（項目７５）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目７４に記載のセル。
（項目７６）
前記アノードが、バインダを含む、項目７０から７３のいずれかに記載のセル。
（項目７７）
前記バインダが、ＰＴＦＥまたはＰＶＤＦを含む、項目７６に記載のセル。
（項目７８）
ＮａＯＨ、ＫＯＨ、またはこれらの組合せを含む電解質をさらに含む、項目７０から７７のいずれかに記載のセル。
（項目７９）
前記銀粉末が、Ａｇ、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、ＡｇＯＨ、ＡｇＯＯＨ、ＡｇＯＮａ、ＡｇＣｕＯ２、ＡｇＦｅＯ２、ＡｇＭｎＯ２、Ａｇ（ＯＨ）２、またはこれらの任意の組合せを含む、項目７０から７８のいずれかに記載のセル。
（項目８０）
前記銀粉末が、ＡｇＯ、Ａｇ２Ｏ、Ａｇ２Ｏ３、またはこれらの任意の組合せを含む、項目７０から７９のいずれかに記載のセル。
（項目８１）
前記銀材料が、ＡｇＯを含む、項目７０から８０のいずれかに記載のセル。
（項目８２）
前記銀材料が、Ａｇ２Ｏを含む、項目７０から８０のいずれかに記載のセル。
（項目８３）
前記ドーパントが、少なくとも１種の第１３族元素を含む、項目７０から８２のいずれかに記載のセル。
（項目８４）
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、ガリウム、ホウ素、タリウム、またはこれらの任意の組合せを含む、項目７０から８３のいずれかに記載のセル。
（項目８５）
前記ドーパントが、インジウム、アルミニウム、またはこれらの組合せを含む、項目７０から８４のいずれかに記載のセル。
（項目８６）
前記ドーパントが、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含む、項目７０から８４のいずれかに記載のセル。
（項目８７）
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素、アルミニウム、インジウム、ガリウム、ホウ素、またはこれらの組合せを含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソード。
（項目８８）
前記ランタニド元素が、Ｙｂである、項目８７に記載のカソード。
（項目８９）
ドーパントを含むドープされた銀材料を含む、電気化学セルでの使用のためのカソードであって、前記ドーパントが、ランタニド元素を含み、前記ドーパントが、前記ドープされた銀材料の重量の約０．２５重量％〜約１０重量％の濃度で存在する、カソード。
（項目９０）
前記ランタニド元素が、Ｙｂを含む、項目８９に記載のカソード。