【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）イソボニルカルボキシレート系化合物５〜６０重量％と、
不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物１０〜４０重量％と、
エポキシ基含有不飽和化合物２０〜４０重量％と、
オレフィン系不飽和化合物２０〜４０重量％と、
を共重合させて得られたアクリル系共重合体１００重量部、及び
（Ｂ）１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量％
を含むことを特徴とする感光性樹脂組成物。
【請求項２】
前記イソボニルカルボキシレート系化合物は、下記の化学式１に示される化合物を含み、
【化１】
2006336016.tif 000001
前記化学式１において、ＸはＣ１−Ｃ１０のアルケニル基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素またはＣ１−Ｃ１０のアルキル基であることを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項３】
前記イソボニルカルボキシレート系化合物は、イソボニルアクリレート及びイソボニルメタクリレートからなる群より選択された少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項４】
前記不飽和カルボン酸は、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、及びイタコン酸からなる群より選択された少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項５】
前記エポキシ基含有不飽和化合物は、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、α−エチルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−プロピルアクリル酸グリシジル、α−ｎ−ブチルアクリル酸グリシジル、アクリル酸−β−メチルグリシジル、メタクリル酸−β−メチルグリシジル、アクリル酸−β−エチルグリシジル、メタクリル酸−β−エチルグリシジル、アクリル酸−３，４−エポキシブチル、メタクリル酸−３，４−エポキシブチル、アクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、メタクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、α−エチルアクリル酸−６，７−エポキシヘプチル、ｏ−ビニルベンジルグリシジルエーテル、及びｍ−ビニルベンジルグリシジルエーテル及びｐ−ビニルベンジルグリシジルエーテルからなる群より選択された少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項６】
前記オレフィン系不飽和化合物は、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、ｓｅｃ−ブチルメタクリレート、ｔ−ブチルメタクリレート、メチルアクリレート、イソプロピルアクリレート、シクロヘキシルメタクリレート、２−メチルシクロヘキシルメタクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチルメタクリレート、イソボニルメタクリレート、シクロへキシルアクリレート、２−メチルシクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンテニルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロプンテニルメタクリレート、ジシクロペンタニルメタクリレート、ジシクロペンタニルオキシエチルアクリレート、イソボニルアクリレート、フェニルメタクリレート、フェニルアクリレート、ベンジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ビニルトルエン、ｐ−メチルスチレン、１，３−ブタジエン、イソプレン、及び２，３−ジメチル−１，３−ブタジエンからなる群より選択された少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項７】
前記１，２−キノンジアジド化合物は、１，２−キノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，２−キノンジアジド−５−スルホン酸エステル、及び１，２−キノンジアジド−６−スルホン酸エステルからなる群より選択された少なくとも一つの化合物を含むことを特徴とする請求項１記載の感光性樹脂組成物。
【請求項８】
ベース基板上にゲート電極を含むゲート金属パターンを形成する段階と、
前記ゲート金属パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート電極と対応するゲート絶縁膜上にチャンネル層を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を含むソース金属パターンを形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜、チャンネル層、ソース金属パターンをカバーし、ドレイン電極の一部を露出するコンタクトホールを含むオーバーコーティング層を形成する段階と、
前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極層を形成する段階と、
前記画素電極層上に（Ａ）イソボニルカルボキシレート系化合物５〜６０重量％と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物１０〜４０重量％と、エポキシ基含有不飽和化合物２０〜４０重量％と、オレフィン系不飽和化合物２０〜４０重量％と、を共重合させて得られたアクリル系共重合体１００重量部、及び（Ｂ）１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量部を含む感光性樹脂組成物を塗布する段階と、
前記感光性樹脂組成物を露光し現像して、テーパー構造で構成された傾斜膜を形成する段階と、を含み、前記イソボニルカルボキシレート系化合物は、下記の化学式１に示される化合物を含み、
【化１】
2006336016.tif 000002
前記化学式１において、ＸはＣ１−Ｃ１０のアルケニル基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素またはＣ１−Ｃ１０のアルキル基である薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
前記感光性樹脂組成物の露光は、所定の間隔に離隔された複数の光遮断パターンを含むマスクを用いて行われることを特徴とする請求項８記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項１０】
ベース基板上に光遮断層を形成する段階と、
前記ベース基板上に前記光遮断層の一部をカバーするカラーフィルタ層を形成する段階と、
前記光遮断層及び前記カラーフィルタ層をカバーする絶縁層を形成する段階と、
前記絶縁層上にドメイン分割手段である境界部を有する共通電極層を形成する段階と、
前記共通電極層上に（Ａ）イソボニルカルボキシレート系化合物５〜６０重量％と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物１０〜４０重量％と、エポキシ基含有不飽和化合物２０〜４０重量％、及びオレフィン系不飽和化合物２０〜４０重量％と、を共重合させて得られたアクリル系共重合体１００重量部、及び（Ｂ）１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量部を含む感光性樹脂組成物を塗布する段階と、
前記感光性樹脂組成物を露光し現像してテーター構造で構成された傾斜膜を形成する段階と、を含み、前記イソボニルカルボキシレート系化合物は、下記の化学式１に示される化合物を含み、
【化１】
2006336016.tif 000003
前記化学式１において、ＸはＣ１−Ｃ１０のアルケニル基であり、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４は、水素またはＣ１−Ｃ１０のアルキル基である通電極基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、ベース基板上にゲート電極を含むゲート金属パターンを形成する段階と、前記ゲート金属パターン上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート電極と対応するゲート絶縁膜上にチャンネル層を形成する段階と、ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレイン電極を含むソース金属パターンを形成する段階と、前記ゲート絶縁膜、チャンネル層、ソース金属パターンをカバーし、ドレイン電極の一部を露出するコンタクトホールを含むオーバーコーティング層を形成する段階と、前記コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結され、画素電極層を形成する段階と、前記画素電極層上に（Ａ）イソボニルカルボキシレート系化合物５〜６０重量％と、不飽和カルボン酸、不飽和カルボン酸無水物またはこれらの混合物１０〜４０重量％と、エポキシ基含有不飽和化合物２０〜４０重量％と、オレフィン系不飽和化合物２０〜４０重量％と、を共重合させて得られたアクリル系共重合体１００重量部、及び（Ｂ）１，２−キノンジアジド化合物５〜１００重量部を含む感光性樹脂組成物を塗布する段階と、前記感光性樹脂組成物を露光し現像して、テーパー構造で構成された傾斜膜を形成する段階と、を含むことを特徴とする。