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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
２枚の導電体上の触媒層をそれぞれ内側にし、高分子電解質膜をそれらの間に挟んで加圧加熱することにより熱転写が行われる請求項１記載の膜・電極複合体の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る膜・電極複合体〔MEA〕は、電着法で導電体上に形成した炭素材料膜中に、触媒担持炭素材料およびイオン導電性樹脂を含む溶液を塗布、含浸させて触媒層を形成させる方法により触媒層を形成し、導電体上の触媒層を高分子電解質膜に熱転写することによって製造される。その際、2枚の導電体上の触媒層をそれぞれ内側にし、高分子電解質膜をそれらの間に挟んで加圧加熱することにより、熱転写が行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
炭素材料薄膜の形成は、炭素材料を塩基性高分子型分散剤を添加した炭化水素系溶媒中で、上記陽極に電圧を印加して陽極材上に付着(吸着)させることにより行われる。ここで、印加される電圧は、1〜1000V、好ましくは5〜500Vであり、印加電圧がこれより低い場合には、炭素材料の付着量が少なくなってしまい、一方これより大きい場合には、炭素材料の付着膜が不均一となり、かつ電力効率が悪化するため好ましくない。また、印加時間は必要とする製膜量により異なるが、例えば1〜3000秒、好ましくは30〜1000秒あるいは周期的に印加することも可能である。このとき、炭素材料の沈降を防ぐべく、分散溶液を攪拌しながら製膜することも行われる。また、製膜時にマスキングを行うことで、導電性が必要な部分にのみ炭素材料を付着させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このようにして形成される触媒層は、2枚の導電体上の触媒層をそれぞれ内側に、高分子電解質膜をそれらの間に挟んで、ホットプレス、ヒートロール等を用いて加圧加熱することにより、触媒層のみが高分子電解質膜の両側に熱転写される。その加圧加熱による熱転写は、約80〜160℃、好ましくは約100〜140℃で行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
2枚のSUS板状の触媒層(膜厚10μm)をそれぞれ内側にし、高分子電解質膜(デュポン社製品Nafion 117；膜厚183μm)をそれらの間に挟み、120℃でホットプレスすることにより、膜・電極複合体(MEA)を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、下記一般式（１）で表される圧電材料からなる圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備えた、インクジェット式記録ヘッド。
（Ｂｉ１−ｘＬａｘ）（Ｆｅ１−ｙ（Ｎｉ２／３Ｎｂ１／３）ｙ）Ｏ３    ・・・（１）
但し、０＜ｘ＜１であり、０＜ｙ＜１である。
【請求項２】
請求項１において、
０＜ｘ≦０．２０であり、０＜ｙ≦０．３０である、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項３】
下部電極と、
前記下部電極の上方に形成され、Ｂｉ、Ｌａ、Ｆｅ、ＮｉおよびＮｂを構成金属として含む圧電体層と、
前記圧電体層の上方に形成された上部電極と、を有する圧電素子を備え、
前記圧電体層のペロブスカイト型構造のＡサイトにおけるＬａの組成ｘが０＜ｘ≦０．２０であり、
前記圧電体層のペロブスカイト型構造のＢサイトにおけるＮｉおよびＮｂの組成ｙが０＜ｙ≦０．３０である、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記圧電体層の膜厚は２００ｎｍ〜１．５μｍである、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１００）に配向している、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記圧電材料は、擬立方晶の表示で（１１０）に配向している、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記圧電材料は、ロンボヘドラル構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記圧電材料は、モノクリニック構造を有する、インクジェット式記録ヘッド。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかに記載のインクジェット式記録ヘッドを備える、インクジェットプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】インクジェット式記録ヘッドおよびインクジェットプリンタ
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】白色発光の照明装置、照明装置、照明装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、
前記発光物質を含む層及び前記第２の電極に形成された開口部の側面を覆い、かつ前記第２の電極上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた第３の電極とを有し、
前記開口部の底面において前記第１の電極と前記第３の電極とが電気的に接続されており、
前記発光物質を含む層は、第１の発光物質を含む層と、第２の発光物質を含む層と、前記第１の発光物質を含む層及び前記第２の発光物質を含む層の間に設けられた電荷発生層とを少なくとも有することを特徴とする白色発光の照明装置。
【請求項２】
曲面に沿って設置された照明装置であって、
第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた発光物質を含む層と、
前記発光物質を含む層上に設けられた第２の電極と、
前記発光物質を含む層及び前記第２の電極に形成された開口部の側面を覆い、かつ前記第２の電極上に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜上に設けられた第３の電極とを有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記発光物質を含む層及び前記第２の電極に形成された開口部は、発光領域に複数設けられていることを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第２の電極に形成された開口部は、前記発光物質を含む層に形成された開口部よりも大きいことを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記発光物質を含む層から発光した光は、前記基板側から放射されることを特徴とする照明装置。
【請求項６】
透光性を有する基板上に透明導電膜からなる第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に発光物質を含む層を形成し、
前記発光物質を含む層上に第２の電極を形成し、
前記発光物質を含む層及び前記第２の電極に第１の開口部を形成して、前記第１の電極の一部を露出させ、
前記第２の電極及び前記第１の開口部を覆うように絶縁膜を形成し、
前記第１の開口部に形成された絶縁膜に第２の開口部を形成して、前記第１の電極の一部を露出させ、
前記第２の開口部において前記第１の電極と電気的に接続される第３の電極を形成することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１において、前記基板側からレーザ光を照射することにより、前記第１の開口部を形成することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１または２において、前記第２の開口部の径は、１０〜５００μｍであることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第１の開口部及び前記第２の開口部は、発光領域に複数設けられていることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記発光物質を含む層から発光した光は、前記基板側から放射されることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に第２の電極を形成し、
前記第２の電極上に発光物質を含む層を形成し、
前記発光物質を含む層上に透明導電膜からなる第１の電極を形成し、
前記基板、前記第２の電極、前記発光物質を含む層、及び前記第１の電極に開口部を形成し、
前記開口部の側壁、及び前記開口部の付近を覆うように絶縁膜を形成し、
前記開口部を介して前記第１の電極と電気的に接続される第３の電極を形成することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６において、スパッタ法または蒸着法により前記絶縁膜を形成することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６または７において、印刷法により前記第３の電極を形成することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至８のいずれか一において、前記開口部の径は、１０〜５００μｍであることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項６乃至９のいずれか一において、前記開口部を、発光領域に複数設けることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項６乃至１０のいずれか一において、前記発光物質を含む層から発光した光は、前記基板の逆側から放射されることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記基板は、可撓性を有することを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記第３の電極は、アルミニウム、銅、または銀からなることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記発光物質を含む層は、複数の発光物質を含む層が積層された構造であることを特徴とする照明装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１乃至１４のいずれか一に記載の照明装置を、液晶表示装置のバックライト、室内の照明、インテリア用の照明、またはトンネル内の照明として用いることを特徴とする照明装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この際、部分分離領域に比べ分離幅を狭く形成可能な完全分離領域を、共有ゲート電極の中心部及び両端近傍領域以外の領域に、少なくとも形成することにより、集積度の向上を図ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、共有ゲート電極の一端近傍領域のみ及び中心部近傍領域のみに一方部分分離領域及び中心部部分分離領域をそれぞれ形成することにより、一方半導体領域及び中心部半導体領域に付随する寄生接合容量を必要最小限に抑えることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この際、部分分離領域に比べ分離幅を狭く形成可能な完全分離領域を、共有ゲート電極の中心部及び両端近傍領域以外の領域に、少なくとも形成することにより、集積度の向上を図ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３７２】
１，４ａ，４ｂ，７，３１  ソース領域、２，５ａ，５ｂ，８，３２ａ，３２ｂ  ドレイン領域、３，６，３３ａ，３３ｂ  ゲート電極、９，９ａ〜９ｃ  ソースタイ領域、１０  完全分離領域、１１ａ，１１ｂ，１２ａ〜１２ｃ，１３ａ，１３ｂ，１４ａ，１４ｂ，１５ａ，１５ｂ  部分分離領域、２１ａ〜２５ａ，２１ｂ〜２５ｂ  タップ領域。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007287747.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７０】
2007287747.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７４】
2007287747.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７５】
2007287747.tif 000004
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７６】
2007287747.tif 000005
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８２】
2007287747.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録メディアに記録ヘッドにより、データ検出のための信号処理の一単位である複数のトラックを記録する記録部と、
前記磁気記録メディアの複数の前記トラックに跨って信号を再生することが可能な再生ヘッドにより、前記複数のトラックに対する信号を、前記複数のトラックに対して異なる位置関係で複数再生し、これら再生信号を前記一単位にまとめ、信号処理を行うことで、前記トラックごとの再生信号を生成する再生部と、
前記記録部によって前記磁気記録メディアに記録される複数のトラックの中の隣接するトラック間の記録信号の位相を合わせる位相合わせ手段と
を具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２】
前記位相合わせ手段は、
前記隣接する各トラックに同一の学習信号を記録し、前記再生部により再生された信号をもとに、隣接するトラックの一方のトラックに記録する信号の、他方のトラックに記録する信号に対する最適な遅延量を設定することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項３】
前記同一の学習信号は、単一周波数の繰り返し信号であることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項４】
前記位相合わせ手段は、前記再生された信号の振幅値をもとに最適な前記遅延量を設定することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項５】
前記位相合わせ手段は、精度を段階的に上げながら、複数の回に分けて前記最適な遅延量を絞り込むことを特徴とする請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項６】
前記位相合わせ手段は、最急降下法を用いて前記最適な遅延量を設定することを特徴とする請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項７】
前記再生部は、前記信号処理によって、前記複数のトラックに対する前記再生ヘッドの位置情報に相当するチャネル推定情報を求め、このチャネル推定情報と、前記複数のトラックに対して異なる位置関係で再生された信号とをもとに、前記トラックごとの再生信号を求めることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項８】
前記記録部は、前記複数のトラックに対する前記再生ヘッドの位置情報を前記再生部にて生成できるように、前記トラックごとにユニークな位置に、最小記録波長と同等あるいはそれ以上の記録波長の信号を分離パターンとして記録し、
前記再生部で、前記分離パターンの再生信号をもとに、前記信号処理によって前記チャネル推定情報を求めることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録再生装置。
【請求項９】
前記再生部は、トラッキングサーボ情報を用いて前記チャネル推定情報を求めることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１０】
前記記録部は、前記分離パターンの前の位置に、自動利得調整及び／又はビット同期検出のための学習信号パターンを記録することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１１】
前記記録部は、前記分離パターンの前の位置に、この分離パターンの位置の検出に用いられる同期信号パターンを記録することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１２】
前記記録部は、一つの前記記録ヘッドを移動して前記複数のトラックを記録し、
前記再生部は、一つの前記再生ヘッドを移動して、前記複数のトラックに対する複数の再生信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１３】
前記記録部は、複数の前記記録ヘッドにより前記複数のトラックを記録し、
前記再生部は、複数の前記再生ヘッドにより、前記複数のトラックに対する複数の再生信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１４】
前記記録部は、前記磁気記録メディアに、データ検出のための信号処理の一単位である複数のトラックをユニットとして、このユニットを複数記録する場合、前記各ユニットの間に、記録が禁止されたガードエリアを配置することを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１５】
前記複数のトラックのアジマス方向が同一であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１６】
前記複数の記録ヘッドの幅が、前記複数のトラックのうちの両端のトラックの幅が他のトラックの幅よりも大きくなるように設定され、前記再生ヘッドの幅が、前記両端のトラックの幅より小さく設定され、
前記記録部は、前記複数のトラックをユニットとして、このユニットを複数記録する場合、各ユニットを間をつめて記録することを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１７】
前記複数の記録ヘッドの幅が同一に設定され、
前記複数の再生ヘッドにおける両端の再生ヘッドの幅が他の再生ヘッドの幅よりも小さく設定され、
前記記録部は、前記複数のトラックをユニットとして、このユニットを複数記録する場合、各ユニットを間をつめて記録することを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録再生装置。
【請求項１８】
磁気記録メディアに記録ヘッドにより、データ検出のための信号処理の一単位である複数のトラックを記録する記録ステップと、
前記磁気記録メディアの複数の前記トラックに跨って信号を再生することが可能な再生ヘッドにより、前記複数のトラックに対する信号を、前記複数のトラックに対して異なる位置関係で複数再生し、これら再生信号を前記一単位にまとめ、信号処理を行うことで、前記トラックごとの再生信号を生成する再生ステップと、
前記記録ヘッドによって前記磁気記録メディアに記録される複数のトラックの中の隣接するトラック間の記録信号の位相を合わせる位相合わせステップと
を具備することを特徴とする磁気記録再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。すなわち、第１の発明は、プレイリストを検索するプレイリスト検索装置である。プレイリスト検索装置は、プレイリスト記憶部と、条件受付部と、プレイリスト検索部とを備える。プレイリスト記憶部は、プレイリストと、プレイリストに含まれる少なくとも複数の楽曲について当該楽曲の関連情報を再生順にみたときの推移を示すストーリ情報とを対応付けて記憶する。条件受付部は、検索条件となるストーリ情報を指定するための入力を受け付ける。プレイリスト検索部は、プレイリスト記憶部に記憶されているプレイリストのうちから、検索条件となるストーリ情報に類似するストーリ情報が対応付けられるプレイリストを検索して選出する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
関連情報抽出部１１１は、楽曲データから関連情報を抽出する。また、関連情報記憶部１２３は、抽出された関連情報を記憶する。ここで、関連情報とは、楽曲に関する情報であり、書誌情報、音楽特徴量、物理特徴量、および印象情報を含む概念である。書誌情報とは、例えば、アーティスト名、アルバムタイトル、作詞者、作曲者、編曲者、ジャンル、および演奏時間等の情報である。音楽特徴量は、テンポや調性など、楽曲の音楽的な特徴を示す数値である。物理特徴量は、楽曲信号のパワーや周波数変化度などの楽曲の信号波形に関する特徴を示す数値である。印象情報は、楽曲の印象、すなわち、楽曲に対して聴者が受ける印象を示す数値である。印象情報とは、例えば、「明るさ＝５」や、「激しさ＝１」というように、１以上の項目（「明るさ」や「激しさ」）毎に数値が設定された情報である。これら関連情報の抽出方法の詳細については後述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ステップＳ４０３において、制御部１１０は、Ｓ４０２における再生が終了した楽曲の再生時間が閾値（Ｔ１）を超えているか否かを判定する。例えば、楽曲の再生途中で、停止ボタンやスキップボタンの押下等により再生が中断された場合には、再生されていた楽曲は、ユーザのその時のイメージに合わなかった（聴きたくなかった）楽曲である可能性が高いと考えられる。また、ある一定以上の時間再生されていれば、ユーザのその時のイメージに合った所望の楽曲であったものの再生途中で飽きてしまったために、停止ボタンやスキップボタンの押下によって他の楽曲を検索しようとした可能性が高いと考えられる。したがって、ステップＳ４０３における閾値を用いた判定によって、再生曲が所望の楽曲であったか否かを判定することができる。なお、上記閾値Ｔ１は一定値でもよいが、楽曲の長さによって変わることが望ましい。例えば、閾値Ｔ１を再生曲の曲長の半分の値とし、楽曲の半分以上が再生されれば所望の楽曲であったと判定することができる。ステップＳ４０３の判定において、再生時間が閾値Ｔ１を超えていると判定される場合、ステップＳ４０４の処理が実行される。一方、再生時間が閾値Ｔ１を超えていないと判定される場合、ステップＳ４０４の処理がスキップされてステップＳ４０５の処理が実行される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ステップＳ４０５において、制御部１１０は、ステップＳ４０２における楽曲の再生終了から所定時間以内に、新たな楽曲の再生が指示されたか否かを判定する。例えば、次に再生すべき楽曲が所定時間以内にユーザによって指定された場合には、ステップＳ４０５の判定結果は肯定となる。この場合には、次の楽曲を検索する等の理由によりユーザは一時的に再生を中断していると判断できるからである。逆に、所定時間以内に指示が行われない場合には、ユーザは楽曲の聴取をしなくなったと判断することができるので、ステップＳ４０５の判定結果は否定となる。なお、次に再生すべき楽曲を指定する指示とは、例えば、ステップＳ４０２において停止ボタン等の押下により楽曲の再生が中断されている場合においては、次に再生すべき楽曲を再生する指示（再生を再開する指示）であり、ステップＳ４０２において楽曲が最後まで再生されている場合においては、次に再生すべき楽曲を選択する指示である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２に記載の半導体記憶装置において、
前記プリチャージ電源と前記第１の副ビット線との間に接続され、前記第１の副ビット線をプリチャージする第１の副ビット線プリチャージ回路と、
前記プリチャージ電源と前記第２の副ビット線との間に接続され、前記第２の副ビット線をプリチャージする第２の副ビット線プリチャージ回路と、
前記プリチャージ電源と前記第３の副ビット線との間に接続され、前記第３の副ビット線をプリチャージする第３の副ビット線プリチャージ回路と、
前記プリチャージ電源と前記第４の副ビット線との間に接続され、前記第４の副ビット線をプリチャージする第４の副ビット線プリチャージ回路とを更に備え、
前記第１の副ビット線プリチャージ回路は、
前記第３及び第４の階層スイッチが非導通状態となった後、かつ、前記読み出しが行われるメモリセルに接続された選択されたワード線がアクティブになる前に、プリチャージを終了するものであり、
前記第２の副ビット線プリチャージ回路は、
前記選択されたワード線がアクティブになった後、かつ前記センスアンプが増幅を開始する前に、プリチャージを終了するものである
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体記憶装置において、
前記第１の主ビット線と前記第２の主ビット線とは、ツイストされている
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
請求項１５に記載の半導体記憶装置において、
前記第１の主ビット線と前記第２の主ビット線とは、折り返し形のビット線対を構成し、
前記第１〜第４の副ビット線は、オープンビット線方式で配置されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項３の発明は、請求項２に記載の半導体記憶装置において、前記プリチャージ電源と前記第１の副ビット線との間に接続され、前記第１の副ビット線をプリチャージする第１の副ビット線プリチャージ回路と、前記プリチャージ電源と前記第２の副ビット線との間に接続され、前記第２の副ビット線をプリチャージする第２の副ビット線プリチャージ回路と、前記プリチャージ電源と前記第３の副ビット線との間に接続され、前記第３の副ビット線をプリチャージする第３の副ビット線プリチャージ回路と、前記プリチャージ電源と前記第４の副ビット線との間に接続され、前記第４の副ビット線をプリチャージする第４の副ビット線プリチャージ回路とを更に備え、前記第１の副ビット線プリチャージ回路は、前記第３及び第４の階層スイッチが非導通状態となった後、かつ、前記読み出しが行われるメモリセルに接続された選択されたワード線がアクティブになる前に、プリチャージを終了するものであり、前記第２の副ビット線プリチャージ回路は、前記選択されたワード線がアクティブになった後、かつ前記センスアンプが増幅を開始する前に、プリチャージを終了するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
請求項１６の発明では、請求項１５に記載の半導体記憶装置において、前記第１の主ビット線と前記第２の主ビット線とは、ツイストされている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
請求項１７の発明では、請求項１５に記載の半導体記憶装置において、前記第１の主ビット線と前記第２の主ビット線とは、折り返し形のビット線対を構成し、前記第１〜第４の副ビット線は、オープンビット線方式で配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリテストを行うメモリ用テスト部を含む半導体チップと、
前記半導体チップとは別の半導体チップに設けられた不揮発性半導体メモリとを有した半導体集積回路装置であって、
前記メモリ用テスト部は、
前記外部メモリをテストする外部メモリ用テスト回路部を備え、
前記外部メモリ用テスト回路部は、
前記不揮発性半導体メモリのテストにおいて、ブロックアドレスの監視、バッドブロックアドレスの格納、ならびにテスト制御を行うバッドブロックアドレス管理テーブルを備え、
前記バッドブロックアドレス管理テーブルは、
前記不揮発性半導体メモリのテストにおいて、前記不揮発性半導体メモリをフェイルとするバッドブロック総数の割合を可変にするバッドブロック総数可変判定部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記バッドブロック総数可変判定部は、
バッドブロック総数の任意の許容値が設定されるバッドブロック総数許容値設定レジスタと、
前記不揮発性半導体メモリのテストにおいてバッドブロックとなったブロック数をカウントするバッドブロック総数カウンタと、
前記バッドブロック総数許容値設定レジスタに設定されている許容値と前記バッドブロック総数カウンタのカウント値とを比較し、カウント値が許容値よりも大きくなるとテストフェイルの信号を出力する判定部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
メモリテストを行うメモリ用テスト部を含んだ半導体チップである半導体集積回路装置であって、
前記メモリ用テスト部は、
前記半導体チップとは別の半導体チップに設けられた不揮発性半導体メモリをテストすることが可能であって、前記不揮発性半導体メモリのテストにおいて、ブロックアドレスの監視、バッドブロックアドレスの格納、ならびにテスト制御を行うバッドブロックアドレス管理テーブルを備え、
前記バッドブロックアドレス管理テーブルは、
前記不揮発性半導体メモリのテストにおいて、前記不揮発性半導体メモリをフェイルとするバッドブロックの増加割合を可変にするバッドブロック増加数可変判定部を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置において、
前記バッドブロック増加数可変判定部は、
バッドブロック増加数の任意の許容値が設定されるバッドブロック増加数許容値設定レジスタと、
前記不揮発性半導体メモリのテストにおいてバッドブロックとなったブロック増加数をカウントするバッドブロック増加数カウンタと、
前記バッドブロック増加数許容値設定レジスタに設定されている許容値と前記バッドブロック増加数カウンタのカウント値とを比較し、カウント値が許容値よりも大きくなるとテストフェイルの信号を出力する判定部とを備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記アルミニウム酸化物膜を、２００℃以上３５０℃以下の温度で形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記強誘電体膜は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＳＢＴ及びＳＢＴＮのうちの少なくともいずれか１種であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
フラッシュメモリは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（ＩＧＦＥＴ：Insulated Gate Field Effect Transistor）のゲート絶縁膜中に埋め込まれたフローティングゲートを有し、当該フローティングゲートに記憶情報を表わす電荷を蓄積することによって、情報を記憶する。また、情報の書き込み、消去には、ゲート絶縁膜を通過するトンネル電流を流す必要があり、比較的高い電圧を必要とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
続いて、全面に、例えばスパッタリング法により、例えばＴｉ膜を堆積する。その後、温度４００℃乃至９００℃の熱処理を行うことによって、ゲート電極６４の多結晶シリコン膜とＴｉ膜がシリサイド反応し、ゲート電極６４の上面にシリサイド層６５が形成される。その後、フッ酸等を用いて、未反応のＴｉ膜を除去する。これにより、半導体基板６１上に、ゲート絶縁膜６３、ゲート電極６４、シリサイド層６５、サイドウォール６６、並びに低濃度拡散層９２及び高濃度拡散層９３からなるソース／ドレイン拡散層を備えたＭＯＳＦＥＴ１０１、１０２が形成される。なお、本実施形態においては、ｎチャンネル型のＭＯＳＦＥＴの形成を例にして説明を行ったが、ｐチャンネル型のＭＯＳＦＥＴを形成するようにしてもよい。続いて、全面に、プラズマＣＶＤ法により、厚さ２００ｎｍ程度のＳｉＯＮ膜６７を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次いで、図３（ｃ）に示すように、全面に、Ｉｒ膜７０ａ、強誘電体膜７１ａ及びＩｒＯ2膜７２ａを順次積層する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次いで、図８（ｂ）に示すように、全面に、Ｉｒ膜２０９ａ、強誘電体膜２１０ａ及びＩｒＯ2膜２１１ａを順次積層する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
このＡＬＤ法を用いたＡｌ2Ｏ3膜２１２の形成にあたっては、ＴＭＡ及びＨ2Ｏを用いたＡＬＤ法により行うことも可能であるが、Ａｌ2Ｏ3膜２１２をより緻密化した膜にするという観点から、本実施形態においては、ＴＭＡ及びオゾン（Ｏ3）を用いたＡＬＤ法により行うことにする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次いで、図１０（ａ）に示すように、Ａｌ2Ｏ3膜２１２及びＩｒ膜２０９ａのパターニングを行うことにより、Ｉｒ膜２０９ａからなる下部電極２０９を形成する。これにより、下部電極２０９、強誘電体膜２１０及び上部電極２１１を具備する強誘電体キャパシタ２３０が形成される。その後、後に形成するＡｌ2Ｏ3膜の剥がれ防止用の酸素アニールを行う。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
次いで、図１２（ｃ）に示すように、グルー膜２１８ａ、配線膜２１８ｂ及びグルー膜２１８ｃからなる金属配線層２１８を形成する。
具体的に、まず、全面に、例えばスパッタリング法により、厚さ６０ｎｍ程度のＴｉ膜、厚さ３０ｎｍ程度のＴｉＮ膜、厚さ４００ｎｍ程度のＡｌＣｕ合金膜、厚さ５ｎｍ程度のＴｉ膜、及び厚さ７０ｎｍ程度のＴｉＮ膜を順次積層する。続いて、フォトリソグラフィー技術を用いて、当該積層膜を所定形状にパターニングして、各Ｗプラグ２１５ｂ、２１７ｂ上に、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなるグルー膜２１８ａと、ＡｌＣｕ合金膜からなる配線膜２１８ｂと、Ｔｉ膜及びＴｉＮ膜からなるグルー膜２１８ｃとからなる金属配線層２１８が形成される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
（付記３）
前記アルミニウム酸化物膜を、２００℃以上３５０℃以下の温度で形成することを特徴とする付記１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
（付記１１）
前記強誘電体膜は、ＰＺＴ、ＰＬＺＴ、ＳＢＴ及びＳＢＴＮのうちの少なくともいずれか１種であることを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月4日(2008.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層上に設けられた透光性電極とを備え、
前記透光性電極が、Ｘ線回析によりＩｎ２Ｏ３からなるピークの検出されるＩＺＯ膜を含むものであることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ＩＺＯ膜の厚さが３５ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ＩＺＯ膜の厚さが１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ＩＺＯ膜上に保護層が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ＩＺＯ膜中のＺｎＯ濃度が５〜１５質量％の範囲であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の半導体発光素子が用いられていることを特徴とするランプ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子およびランプ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者は、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成した。
即ち、本発明は以下に関する。
（１）ｐ型半導体層を含む窒化ガリウム系化合物半導体層と、前記ｐ型半導体層上に設けられた透光性電極とを備え、前記透光性電極が、Ｘ線回析によりＩｎ２Ｏ３からなるピークの検出されるＩＺＯ膜を含むものであることを特徴とする半導体発光素子。
（２）前記ＩＺＯ膜の厚さが３５ｎｍ〜１０μｍであることを特徴とする（１）に記載の半導体発光素子。
（３）前記ＩＺＯ膜の厚さが１００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする（２）に記載の半導体発光素子。
（４）前記ＩＺＯ膜上に保護層が形成されていることを特徴とする（１）〜（３）のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
（５）前記ＩＺＯ膜中のＺｎＯ濃度が５〜１５質量％の範囲であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（６）（１）〜（５）のいずれか一項に記載の半導体発光素子が用いられていることを特徴とするランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプガラス管の内部放電空間に放電媒体が封入され、当該ランプガラス管の両端内部に電極が設置され、前記電極それぞれに一端が接続された給電用リード線の他端が当該ランプガラス管の端部それぞれから外部に導出されている冷陰極放電ランプであって、
前記ランプガラス管の両端外周面及び端面に半田ディッピングによる電流導体層が形成されていることを特徴とする冷陰極放電ランプ。
【請求項２】
前記給電用リード線の外部露出端部が屈曲しており、この外部露出端部に半田ディッピングによる電流導体層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の冷陰極放電ランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面部を有する本体部と；
前記平面部に配設される平面形光源と；
前記平面部の前記平面形光源の配設された面とは反対側に突出するように形成され、側面および上面に囲まれた内部空間とを有する収容部と；
前記収容部の内部空間に収容された前記平面形光源を点灯させる点灯回路と；
前記収容部の側面および上面の少なくとも一方として配設され、前記内部空間から熱を放出する金属製の放熱板と；
を具備したことを特徴とするランプ装置。
【請求項２】
前記点灯回路の少なくとも一つの部品と前記放熱板との間にシリコーン接着剤が充填されていることを特徴とする請求項１記載のランプ装置。
【請求項３】
前記収容部内の前記点灯回路と前記本体部との間に断熱部材が配置されていることを特徴とする請求項１または２記載のランプ装置。
【請求項４】
前記本体部の前記平面部が、金属部材によって構成されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１記載のランプ装置。
【請求項５】
平面部およびこの平面部と一体的に設けられて外周に露出する放熱部を有しており金属部材によって構成された本体部と；
前記平面部に配設される平面形光源と；
前記平面部の前記平面形光源の配設された面とは反対側に突出するように形成された収容部と；
前記収容部に収容された前記平面形光源を点灯させる点灯回路と；
を具備したことを特徴とするランプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項５記載の発明のランプ装置は、平面部およびこの平面部と一体的に設けられて外周に露出する放熱部を有しており金属部材によって構成された本体部と；前記平面部に配設される平面形光源と；前記平面部の前記平面形光源の配設された面とは反対側に突出するように形成された収容部と；前記収容部に収容された前記平面形光源を点灯させる点灯回路と；を具備したことを特徴とする。
放熱部として、例えば、銅やアルミニウムなどの金属板を用いることで、平面形光源からの熱の放出性を向上することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３の発明によれば、収容部内の点灯回路と本体部との間に断熱部材を配置したので、点灯回路と平面形光源との間が熱的に遮断され、平面形光源から発せられた熱が点灯回路の部品に伝わることを抑制できる。これにより、平面形光源の点灯で生じる熱の影響から点灯回路をより確実に保護することができる。
請求項４の発明によれば、平面形光源が固定される本体部の平面部が金属部材によって構成されているので、効率よく平面形光源からの熱を吸収することができる。
請求項５の発明によれば、本体部が放熱部を有することで、平面部の金属部材によって吸収された平面形光源からの熱を効率よく本体部外へ放出することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットの表面に所定のエネルギー線源からエネルギー線を照射し、被写体に対する照射面積とほぼ同一の大きさとなるように前記ターゲットからＸ線を発生させる工程と、
前記Ｘ線を分光器に入射させ、前記Ｘ線から波長及び波長幅を選択されるとともに、平行光となった平行Ｘ線を生成する工程と、
を具えることを特徴とする、Ｘ線発生方法。
【請求項２】
前記分光器は結晶板からなることを特徴とする、請求項１に記載のＸ線発生方法。
【請求項３】
前記結晶板は、水晶、グラファイト、ゲルマニウム及びシリコーンからなる群より選ばれる材料からなる結晶板であることを特徴とする、請求項２に記載のＸ線発生方法。
【請求項４】
前記結晶板を２以上組み合わせて用いることを特徴とする、請求項２又は３に記載のＸ線発生方法。
【請求項５】
前記分光器はＸ線用多層膜反射板であることを特徴とする、請求項１に記載のＸ線発生方法。
【請求項６】
エネルギー線照射によりＸ線を発生させるためのターゲットと、
前記Ｘ線が被写体に対する照射面積とほぼ同一の大きさとなるように前記エネルギー線を生成し、このエネルギー線を前記ターゲットに対して照射するためのエネルギー線源と、
前記Ｘ線を入射させ、前記Ｘ線から波長及び波長幅を選択するとともに、平行光となった平行Ｘ線を生成するための分光器と、
を具えることを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項７】
前記分光器は結晶板からなることを特徴とする、請求項６に記載のＸ線発生装置。
【請求項８】
前記結晶板は、水晶、グラファイト、ゲルマニウム及びシリコーンからなる群より選ばれる材料からなる結晶板であることを特徴とする、請求項７に記載のＸ線発生装置。
【請求項９】
前記結晶板を２以上組み合わせて用いることを特徴とする、請求項７又は８に記載のＸ線発生装置。
【請求項１０】
前記分光器はＸ線用多層膜反射板であることを特徴とする、請求項６に記載のＸ線発生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生されるデータを読み出し可能なデータ転送手段と、
前記再生されるデータの種別を検出するデータ種別検出手段と、
前記検出したデータの種別と同じ種別のダミーデータを作成するダミーデータ作成手段と、
接続された出力装置のミュート状態を受信可能な状態受信手段と、
前記出力装置のミュート解除を前記状態受信手段が受信するまでは前記ダミーデータを再生し、前記出力装置のミュート解除を前記状態受信手段が受信した後は前記データ転送手段で読み出したデータを再生する再生手段
を備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
入力されたストリームをデコードまたは変換を行う変換手段と、
前記変換手段の出力、またはミュート信号を出力する出力手段と、
入力されたストリームを解析し、前記変換手段の設定の変更が必要な時にミュート信号を出力し、前記変換手段の設定が完了した後に前記変換手段の出力信号を出力するように、前記出力手段に指示を行う出力制御手段と、
前記出力手段の出力状態を再生装置に出力する出力装置状態送信手段と、
を備える事を特徴とする出力装置。
【請求項３】
請求項２記載の出力装置状態送信手段と、請求項１記載の状態受信手段が接続さている事を特徴とする再生システム。
【請求項４】
前記再生手段が複数のデータを連続して再生する場合において、次に再生するデータ種別と前回再生したデータ種別が同じ場合にはダミーデータの再生を行わず、前記データ転送手段で読み出したデータを再生する事を特徴とする、請求項１記載の再生装置。
【請求項５】
取り扱うデータを音声に特化した、請求項１または請求項４記載の再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために第１の発明は、再生されるデータを読み出し可能なデータ転送手段と、前記再生されるデータの種別を検出するデータ種別検出手段と、前記検出したデータの種別と同じ種別のダミーデータを作成するダミーデータ作成手段と、接続された出力装置のミュート状態を受信可能な状態受信手段と、前記出力装置のミュート解除を前記状態受信手段が受信するまでは前記ダミーデータを再生し、前記出力装置のミュート解除を前記状態受信手段が受信した後は前記データ転送手段で読み出したデータを再生する再生手段を備えることを特徴とする再生装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、第２の発明は、入力されたストリームをデコードまたは変換を行う変換手段と、前記変換手段の出力、またはミュート信号を出力する出力手段と、入力されたストリームを解析し、前記変換手段の設定の変更が必要な時にミュート信号を出力し、前記変換手段の設定が完了した後に前記変換手段の出力信号を出力するように、前記出力手段に指示を行う出力制御手段と、前記出力手段の出力状態を再生装置に出力する出力装置状態送信手段と、を備える事を特徴とする出力装置を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、第３の発明は、第２の発明の出力装置状態送信手段と、第１の発明の状態受信手段が接続さている事を特徴とする再生システムを提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、第４の発明は、第１の発明の再生装置において、前記再生手段が複数のデータを連続して再生する場合において、次に再生するデータ種別と前回再生したデータ種別が同じ場合にはダミーデータの再生を行わず、前記データ転送手段で読み出したデータを再生する事を特徴とする再生装置を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、第５の発明は、第１の発明または第４の発明の再生装置において、取り扱うデータを音声に特化した再生装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量の変化に基づく入力操作と、電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作を検出するセンス部を備える位置検出装置において、
前記静電容量の変化に基づく入力操作と、前記磁界の変化に基づく入力操作とが検出された状態の際には、前記磁界の変化に基づく入力操作を優先して選択し出力すると共に、
前記静電容量の変化及び前記電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作が検出されない状態にて、前記静電容量の変化に基づく入力操作が検出された際には、前記静電容量の変化に基づく入力操作を選択して出力する制御部を備えた
位置検出装置。
【請求項２】
前記静電容量の変化に基づく入力操作は、手指による操作であり、
前記電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作は、少なくとも１つのコイルを備えた位置指示器による操作である
請求項１の位置検出装置。
【請求項３】
前記静電容量の変化を検出する静電容量式センサと、
前記電磁誘導による磁界の変化を検出する電磁式センサとを備えてなり、
前記静電容量式センサの入力操作を検出する側と反対側に、前記電磁式センサが配置された
請求項１の位置検出装置。
【請求項４】
前記静電容量式センサは、Ｘ方向に直交して配置される複数のＸ方向電極と、前記Ｘ方向と平行に配置される複数のＹ方向電極とからなり、
前記電磁式センサは、前記Ｘ方向に直交して配置される複数のＸ方向ループコイルと、前記Ｘ方向と平行に配置される複数のＹ方向ループコイルとからなり、
第一の面に前記複数のＸ方向電極と前記複数のＸ方向ループコイルが、所定の間隔で互いに平行に配置され、
前記第一の面と異なる第二の面に、前記複数のＹ方向電極と前記複数のＹ方向ループコイルが、所定の間隔で互いに平行に配置された
請求項１の位置検出装置。
【請求項５】
前記第一の面は、基板の一方の面で、前記第二の面は、前記基板の他の面である
請求項４の位置検出装置。
【請求項６】
前記第一の面は第一の基板の面であり、前記第二の面は、第二の基板の面であり、
前記第一の基板と前記第二の基板は、対向して配置された
請求項４の位置検出装置。
【請求項７】
前記電磁式センサは、前記静電容量式センサよりも大面積とした
請求項１の位置検出装置。
【請求項８】
表示面を有する表示部を備え、
前記静電容量式センサと前記電磁式センサの間に、前記第１のセンサと前記表示面が対向するように前記表示部が配置され、
前記入力操作に基づく位置を表示する表示制御部が備えられた
請求項３の位置検出装置。
【請求項９】
表示面を有する表示部と、
静電容量の変化を検出する静電容量式センサと、
電磁誘導による磁界の変化を検出する電磁式センサとを備えた情報処理装置であって、
前記静電容量式センサの検出面と反対側に前記表示面を対向するように前記表示部を配置し、
前記電磁式センサは、前記静電式センサと前記表示部の間、又は、前記表示部の前記表示面と反対側に配置し、
前記静電容量の変化に基づく入力操作と、前記磁界の変化に基づく入力操作とが検出された状態の際には、前記磁界の変化に基づく入力操作を優先して選択し出力すると共に、
前記静電容量の変化及び前記電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作が検出されない状態にて、前記静電容量の変化に基づく入力操作が検出された際には、前記静電容量の変化に基づく入力操作を選択して出力する制御部と、
前記制御部の出力に基づき、前記表示部での表示処理を実行させる表示制御部とを備えた
情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】位置検出装置及び情報処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば、パーソナルコンピュータ装置に適用して好適な情報処理装置及び位置検出装置に関し、特に、手指やペンなどで表示面を触れて操作するものに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、静電容量の変化に基づく入力操作と、電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作を検出するセンス部を備えて、静電容量の変化に基づく入力操作と、磁界の変化に基づく入力操作とが検出された状態の際には、磁界の変化に基づく入力操作を優先して選択し出力すると共に、静電容量の変化及び電磁誘導による磁界の変化に基づく入力操作が検出されない状態にて、静電容量の変化に基づく入力操作が検出された際には、静電容量の変化に基づく入力操作を選択して出力する制御部を備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によると、２つのセンス部の切替えと、それぞれのセンス部の検出に基づいた操作との受付けとが、良好に行える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この場合、電磁式センサは、静電容量式センサよりも大面積としたことで、操作面又は表示面を直接触れる入力操作と、操作面又は表示面に位置指示器を近接させる入力操作とが、良好に行える。特に、位置指示器については、ある程度表示面の縁から離れた位置であっても、良好に近接を検出できるようになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、例えば位置指示器で操作する際に、操作面又は表示面を手などで触れた状態となることがあっても、その触れられた手などが操作面又は表示面から一旦除かれない限りは、静電容量式センサでの検出による入力が再開せず、良好な操作性が確保される。