【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極を有する表示セルと、受光素子を有する受光セルと、を含む画素部を少なくとも一つ有し、
上記表示セル側の画素電極と上記受光素子との間に固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光素子とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
表示装置。
【請求項２】
上記受光セルは、上記受光素子で受光して生成された受光信号が伝搬される受光信号配線が接続され、
上記表示セル側の画素電極と上記受光信号配線との間に固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光信号配線とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
上記遮蔽用の導電体は既存の導電膜層を用いて形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
上記遮蔽用の導電体は既存の導電膜層を用いて形成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
上記遮蔽用の導電体は受光素子の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
上記遮蔽用の導電体は受光素子および受光信号配線の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項７】
上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項９】
上記受光素子は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１０】
上記受光素子は、絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項１１】
上記受光素子は、絶縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項１２】
上記受光素子は、絶縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項２記載の表示装置。
【請求項１３】
画素電極を有する表示セルと、受光素子を有する受光セルと、を含む複数の画素部がマトリクス状に配列され、
上記表示セルは、上記画素電極と信号線とをゲート電極に受けた走査パルスに応答して作動的に接続する薄膜トランジスタを有し、
上記受光セルは、上記受光素子で受光して生成された受光信号が伝搬される受光信号配線が接続され、
上記表示セル側の画素電極と上記受光素子との間、および、上記表示セル側の画素電極と上記受光信号配線との間の少なくとも一方に、固定電位に保持され、上記画素電極と上記受光素子、および／または上記画素電極と上記受光信号配線とを電気的に遮蔽するための導電体を有する
表示装置。
【請求項１４】
上記遮蔽用の導電体は受光素子および／または受光信号配線の形成位置に対して、基板の主面に垂直な方向おいて上部および下部のうちの少なくともいずれかに形成されている
請求項１３記載の表示装置。
【請求項１５】
上記導電体は、上記受光素子の活性層を除いた一部電極にのみ電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１３記載の表示装置。
【請求項１６】
上記受光素子は、縁基板上に形成された薄膜トランジスタにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としての薄膜トランジスタの一部電極を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１３記載の表示装置。
【請求項１７】
上記受光素子は、縁基板上に形成されたダイオードにより形成され、
上記導電体は、上記受光素子としてのダイオードの活性層となる領域を除く領域を電気的に遮蔽するように形成されている
請求項１３記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本実施形態の受光セル２２は、受光素子２２１、リセット用ＴＦＴ２２２、受光信号蓄積容量（Ｃ０）２２３、増幅器２２４、およびノードＮＤ２２１を有している。
受光素子２２１は、ＴＦＴ、ダイオード等により構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
受光素子２２１は電源電位ＶＤＤとノードＮＤ２２１との間に接続されている。ＴＦＴ２２２は、たとえばｎチャネルトランジスタにより形成され、そのソースが基準電位ＶＳＳ（たとえばグランドＧＮＤ）に接続され、ドレインがノードＮＤ２２１に接続されている。そして、リセット用ＴＦＴ２２２のゲート電極が対応する行に配線された受光素子制御線９に接続されている。
また、受光信号蓄積容量２２３がノードＮＤ２２１と基準電位ＶＳＳとの間に接続されている。
増幅器２２４の入力がノードＮＤ２２１（容量２２３との接続点）に接続され、出力が受光信号配線１０に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
受光素子制御線９と受信信号配線１０は受光制御回路５に接続されている。
受光制御回路５は、所定のタイミングでリセットパルスを受光素子制御線９−１〜９−ｍに印加する。
これにより、各受光セル２２のリセット用ＴＦＴ２２２が一定期間オンし、ノードＮＤ２２１がリセットされる。換言すれば、表示セル２２は、たとえばノードＮＤ２２１に接続された受光信号蓄積容量の電荷が放電されて、ノードＮＤ２２１の電位が基準電位にセットされ、受光セル２２が初期の状態となる。
この状態で受光素子２２１が所定の光量を受光すると、受光素子２２１が導通し、ノードＮＤ２２１の電位が上昇し、受光信号蓄積容量２２３に電荷が蓄積される。これが電気信号として増幅器２２４で増幅され、受光信号として受光信号配線１０に出力される。
受光信号配線１０を伝搬された受光信号は受光制御回路５に入力され、受光制御回路５は、入力した受光信号に応答した所定の機能部の制御を行う。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
表示セル２１においては、一方のｎ＋拡散層２３７には、層間絶縁膜２３９，２４０に形成されたコンタクトホール２４１ａを介してソース電極２４２が接続され、他方のｎ＋拡散層２３８には、層間絶縁膜２３９，２４０に形成されたコンタクトホール２４１ｂを介してドレイン電極２４３が接続される。
ソース電極２４２およびドレイン電極２４３は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）をパターニングしたものである。ソース電極２４２に信号線７が接続され、ドレイン電極２４３は接続電極を介して表示側透明電極（画素電極）と接続される。
受光セル２２においては、層間絶縁膜２４０上に固定電位に接続される遮蔽導電膜２４４が形成されている。
遮蔽導電膜２４４は、たとえばＡｌ、ＴｉＡｌ、Ｍｏ、多結晶シリコン、透明電極（ＩＴＯ）により形成することが可能であるが、図４の構成の場合、たとえば透明電極で形成されることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図４〜図６に示すように、受光素子２２１と表示側の画素電極２４６間に導電膜２４４を設け、導電膜２４４を固定電位にすることによって、画素電極の電圧変動が生じた場合であっても、その電圧変動の影響を固定電位になっている導電膜層が吸収し、表示側信号の撮像画像への混入を防ぐことが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
受光信号配線１０は、図１３に示すように、ゲート絶縁膜２３２上に形成された、この受光信号配線１０を覆うように層間絶縁膜２３９が形成されている。そして、層間絶縁膜２４０上の受光信号配線１０と対応する領域（遮蔽可能な領域）に遮蔽導電膜２４４Ａが選択的に形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
表示装置の駆動方法によっては受光素子２２１、および受光信号配線１０の下部に設置された画素保持容量配線８などの電圧が変動することがある。
そのため、前記の影響を抑制するためには、受光素子、および受光信号配線の下部に遮蔽用の導電膜を形成する必要がある。
さらに、受光素子、および受光信号配線の上部と下部の両側に導電膜を設置することにより表示側信号の撮像側信号への混入の抑制効果が高まる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
受光セル２２Ｂにおいて、透明絶縁基板（たとえばガラス基板）２３１上にゲート絶縁膜２３２で覆われた画素保持容量配線８が形成されている。画素保持容量配線８は、たとえば表示セル２１のゲート電極２３３と同じ工程にて形成される。画素保持容量配線８は、ゲート電極２３３と同様に、たとえばモリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）などの金属または合金をスパッタリングなどの方法で成膜して形成される。
ゲート絶縁膜２３２上の画素保持容量配線８との対応領域（遮蔽可能な領域）に第１の遮蔽導電膜２４４−１が形成されて、ゲート絶縁膜２３２および第１の遮蔽導電膜２４４−１を覆うように絶縁膜２４９が形成されている。
絶縁膜２４９の画素保持容量配線８の形成領域に対応して絶縁膜２３９Ｂが形成され、絶縁膜２３９Ｂおよび絶縁膜２４９を覆うように層間絶縁膜２４０が形成されている。
そして、層間絶縁膜２４０上の第１の遮蔽導電膜２４４−１の形成領域と対応するように受光信号配線１０が形成されている。この受光信号配線１０は、たとえば表示セル２１側の電極２４２，２４３と同じ工程で同じ材料を用いて形成される。
受光信号配線１０および層間絶縁膜２４０を覆うように平坦化膜２４５が形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
この場合、透明基板２３１上にゲート絶縁膜２３２、絶縁膜２４９が積層された後、絶縁膜２４９上に、ｐ型多結晶シリコン層２５１およびｎ型多結晶シリコン層２５２が並列に、かつ、ｐｎ接合をなすように形成されている。
ｐ型多結晶シリコン層２５１およびｎ型多結晶シリコン層２５２上に絶縁膜２３９、層間絶縁膜２４０が積層されている。
層間絶縁膜２４０上のｐ型多結晶シリコン層２５１に対応する領域（遮蔽可能な領域）に遮蔽導電膜２４４Ｅが形成されている。
また、絶縁膜２３９および層間絶縁膜２４０にダイオード２２１Ｄのアノード電極を形成するｎ型多結晶シリコン層２５２に達するコンタクトホール２４１ｃが形成されｎ型多結晶シリコン装置２５２に電極２５３が接続されている。
そして、遮蔽導電膜２４４Ｅ、層間絶縁膜２４０、および電極２５３を覆うように平坦化膜２４５が形成され、平坦化膜２４５上に透明電極２４６が形成されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
表示セル２１においては、一方のｎ＋拡散層２３７には、層間絶縁膜２３９，２４０に形成されたコンタクトホール２４１ａを介してソース電極２４２が接続され、他方のｎ＋拡散層２３８には、層間絶縁膜２３９，２４０に形成されたコンタクトホール２４１ｂを介してドレイン電極２４３が接続される。
ソース電極２４２およびドレイン電極２４３は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）をパターニングしたものである。ソース電極２４２に信号線７が接続され、ドレイン電極２４３は接続電極を介して表示側透明電極（画素電極）と接続される。
受光セル２２Ｆにおいては、層間絶縁膜２４０上に固定電位に接続される遮蔽導電膜２４４Ｆが選択的に形成されている。図２３の遮蔽導電膜２４４Ｆによる遮蔽領域はドレイン近傍領域を含めない構造となっている。
遮蔽導電膜２４４Ｆは、たとえばＡｌ、ＴｉＡｌ、Ｍｏ、多結晶シリコン、透明電極（ＩＴＯ）により形成することが可能である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
表示セル２１と受光セル２２Ｆにおいて、層間絶縁膜２４０、ソース電極２４２、ドレイン電極２４３、遮蔽導電膜２４４Ｆ上に平坦化膜２４５が形成され、この平坦化膜２４５上に表示側透明電極（ＩＴＯ）２４６が形成されている。
そして、対向側画素電極（透明電極：ＩＴＯ）２４７と表示側透明電極２４６との間に液晶が封入されて液晶層２４８が形成されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2008090141.tif 000001
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2008090141.tif 000002
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2008090141.tif 000003