【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード、カプセル用材、およびヘッダと、
２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも７５ルーメンの出力と
を備えている発光ソリッドステートランプであって、
該ダイオードは、該ダイオードを横切る電流の適用下で所望の周波数の光子を生成するためのＩＩＩ族の窒化物の活性部分を備え、さらに、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、該ｐ型の層に対するオーミックコンタクトとを備え、該オーミックコンタクトは、約１〜１０Åの平均厚さを有し、
該ヘッダは、反射カップを備え、該反射カップは、該ダイオードを支持し、該ダイオードおよび該活性部分に電気的接触を提供し、
該カプセル用材は、蛍光体を含み、該カプセル用材は、複数の部分を備え、該蛍光体は、該蛍光体が該ダイオードによって発せられる周波数によって励起されるときに、応答周波数を生成するために該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つに存在し、該カプセル用材の第１の部分は、該反射カップを部分的に満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該反射カップの残りを完全に満たす、発光ソリッドステートランプ。
【請求項２】
２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも８０ルーメンの出力を有する、請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項３】
２０ミリアンペアの駆動電流において、１ワット当たり少なくとも８５ルーメンの出力を有する、請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項４】
前記ダイオードは、
単一のポリタイプを備える導電性シリコンカーバイド基板と、
該基板上の少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、
該基板上の少なくとも１つのｎ型のＩＩＩ族の窒化物層と
を備え、該ｐ型の窒化物層に対するオーミックコンタクトと、該ｎ型の窒化物層に対するオーミックコンタクトとが、互いに反対側の端に配置される垂直ダイオードとして構成されている請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項５】
前記ＩＩＩ族の窒化物層のうちの１つに対するオーミックコンタクトを備え、該オーミックコンタクトは、前記ヘッダに物理的および電気的に接触している、請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項６】
前記カプセル用材は、エポキシ樹脂を備えている、請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項７】
前記蛍光体は、電磁スペクトルの紫外線、紫および青の部分から成る群から発せられる周波数によって励起されるときに、可視スペクトルの黄色部分において応答周波数を発する、請求項１に記載のソリッドステートランプ。
【請求項８】
前記蛍光体は、セリウムイットリウムアルミニウムガーネットを備えている、請求項７に記載のソリッドステートランプ。
【請求項９】
発光ダイオードベースのランプであって、
電磁スペクトルの紫外線、青および紫の部分から選択されたスペクトルの部分で発光する発光ダイオードと、
該ダイオードを支持しているくぼんだヘッダであって、該くぼみは、該くぼみ内の該ダイオードからの光の抽出を最大化する形状を有する、くぼんだヘッダと、
該くぼみ内の該ダイオードを覆っているカプセル化樹脂の第１の部分であって、該ダイオードを覆うために必要な範囲だけ該くぼみを満たしている、第１の部分と、
該カプセル化樹脂と蛍光体との混合物で形成された第２の部分であって、該くぼみの残りの部分を満たし、それにより該蛍光体を含有する部分を該ダイオードから充分に分離することにより、充分に分離しなければ抽出され得る該蛍光体からの蛍光光のダイオードによる吸収を最小化する、第２の部分と、
該ランプからの該光の抽出を増加させ、かつ、最大化するための該満たされたくぼみ上のレンズであって、該カプセル化樹脂で形成されているレンズと、
ｐ型のＩＩＩ族の窒化物層に対するオーミックコンタクトであって、約１〜１０Åの平均厚さを有するオーミックコンタクトと
を備えている、発光ダイオードベースのランプ。
【請求項１０】
前記ダイオードは、任意のオーミックコンタクトを含むそれらの間の全体の大きさがわずか２５０μｍである、請求項１または請求項９に記載のランプ。
【請求項１１】
前記ダイオードは、任意のオーミックコンタクトを含むそれらの間の全体の大きさがわずか１００μｍである、請求項１または請求項９に記載のランプ。
【請求項１２】
前記発光ダイオードは、少なくとも導電性シリコンカーバイド基板と、ＩＩＩ族の窒化物の活性部分とを備えている、請求項９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項１３】
前記ダイオードは、単一のクリスタルシリコンカーバイド基板と、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層と、少なくとも１つのｎ型のＩＩＩ族の窒化物層とを備え、該ｐ型の窒化物層に対するオーミックコンタクトと、該ｎ型の窒化物層に対するオーミックコンタクトとが、互いに反対側の端に配置される垂直ダイオードとして構成されている請求項１２に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項１４】
前記ダイオードは、前記ヘッダ上にフリップチップ配向で配置されている、請求項１２に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項１５】
前記ダイオードは、電磁スペクトルの紫外線、紫および青の部分から選択されるスペクトルの部分で発光する、請求項１または請求項９に記載のランプ。
【請求項１６】
前記ヘッダは、反射性の金属でメッキされている、請求項９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項１７】
前記ヘッダは銀でメッキされている、請求項１または請求項１６に記載のランプ。
【請求項１８】
前記カプセル化樹脂の第１の部分、前記カプセル化樹脂の第２の部分、および前記レンズは、全て、エポキシ樹脂で形成されている、請求項９に記載のランプ。
【請求項１９】
前記蛍光体は、前記ダイオードによって発せられた光に応答して、可視スペクトルの黄色部分で光を発する、請求項９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項２０】
前記蛍光体は、セリウムイットリウムアルミニウムガーネットを備えている、請求項１９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項２１】
スラグ型のパッケージを備えている、請求項９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項２２】
カップ型のパッケージを備えている、請求項９に記載のダイオードベースのランプ。
【請求項２３】
パッケージされた発光ダイオードランプであって、
導電性ヘッダと、
該ヘッダ上の発光ダイオードであって、該ダイオードは、シリコンカーバイド基板と、少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの活性層と、該基板および該活性層に対するオーミックコンタクトとを備え、該オーミックコンタクトは、約１〜１０Åの平均厚さを有し、該基板および該活性層に対するオーミックコンタクトは、互いに反対側の端に配置され、該活性層に対する該オーミックコンタクトは、該ヘッダと電気的に接触している、発光ダイオードと、
複数の部分を備えているカプセル用材であって、該ダイオードと、該ヘッダの少なくとも一部分とを覆っているカプセル用材と、
該ダイオードからの発光に応答して可視光を発する、該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つの部分内の蛍光体と
を備え、
該カプセル用材の第１の部分は、該ヘッダを満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該ヘッダの残りを完全に満たし、
該パッケージされたダイオードは、３５０ｍＡの動作電流において、１ワット当たり少なくとも５７ルーメンの白色光を示す、パッケージされた発光ダイオードランプ。
【請求項２４】
パッケージされた発光ダイオードランプであって、
導電性ヘッダと、
該ヘッダ上の発光ダイオードであって、該ダイオードは、シリコンカーバイド基板と、少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの活性層と、該基板および該活性層に対するオーミックコンタクトとを備え、該オーミックコンタクトは、約１〜１０Åの平均厚さを有し、該基板および該活性層に対するオーミックコンタクトは、互いに反対側の端に配置され、該活性層に対する該オーミックコンタクトは、該ヘッダと電気的に接触している、発光ダイオードと、
複数の部分を備えているカプセル用材であって、該ダイオードと、該ヘッダの少なくとも一部分とを覆っているカプセル用材と、
該ダイオードからの発光に応答して可視光を発する、該カプセル用材の該複数の部分のうちの少なくとも１つの部分内の蛍光体と
を備え、
該カプセル用材の第１の部分は、該ヘッダを満たし、該ダイオードを覆い、該カプセル用材の第２の部分は、該第１の部分の上部において該蛍光体を備え、該ヘッダの残りを完全に満たし、
該パッケージされたダイオードは、１アンペアの動作電流において、１ワット当たり少なくとも１４２ルーメンの白色光を示す、パッケージされた発光ダイオードランプ。
【請求項２５】
高効率の発光半導体ベースのランプを形成する方法であって、該方法は、
電気的接触と反射性の背景および構造とを提供するために、ヘッダの基部の中にカップ形状のくぼみを形成することと、
該カップ形状のくぼみ内に該ヘッダと電気的に接触して高周波発光ダイオードであって約１〜１０Åの平均厚さを有する少なくとも一つのオーミックコンタクトを備えるダイオードを配置することと、
該カップ形状のくぼみを満たすことなく、該ダイオードを覆うために必要な範囲だけ、カプセル化材料で該カップ形状のくぼみを部分的に満たすことと、
該部分的に満たされたカプセル化材料を硬化させることと、
該カプセル化材料と該ダイオードによって生成された周波数に対して応答する蛍光体との混合物で、該カップ形状のくぼみの残りを満たし、それにより該ダイオードとの直接的な接触から該蛍光体を分離し、それにより蛍光光の該ダイオードによる吸収を最小化することと、
該カップ形状のくぼみ内の残りのカプセル化材料を硬化させることと、
該カップ形状のくぼみ内の該硬化された材料の上部にカプセル化材料の固体レンズを形成し、該ダイオードからの光の抽出を強化することと、
レンズ材料を硬化させることにより、完成したランプを形成することと
を包含する、方法。
【請求項２６】
前記高周波発光ダイオードは、導電性シリコンカーバイド基板と、ＩＩＩ族窒化物の少なくとも１つの活性部分と、該基板および該活性部分に対する前記オーミックコンタクトと、を少なくとも備え、該基板および該活性部分に対するオーミックコンタクトが、互いに反対側の端に配置された垂直ダイオードとして構成され、
前記くぼんだカップ内に該高周波発光ダイオードを配置することを包含する請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
水性エッチングを用いて、前記ＩＩＩ族窒化物の少なくとも１つの活性部分とは反対側にある前記シリコンカーバイド基板の表面をエッチングすることにより、該基板の損傷した部分を取り除き、これにより、その結果としてのダイオードおよびランプからの光の抽出を増加させることを包含する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
カプセル化材料で前記くぼんだカップを満たすステップは、エポキシ樹脂で該カップを満たすことを包含する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２９】
カプセル化材料で前記くぼんだカップを満たすステップは、１．０よりも大きい屈折率を有する材料で該カップを満たすことを包含する、請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】
前記カプセル化材料と前記蛍光体との混合物で前記くぼんだカップの残りを満たすステップは、混合物で該カップを満たすことを包含し、該混合物は、スペクトルの紫外線、紫および青の部分から成る群から選択される周波数を有する光に応答して、可視スペクトルの黄色部分で発光する蛍光体を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項３１】
前記カプセル化材料とセリウムイットリウムアルミニウムガーネット（Ｃｅ：ＹＡＧ）蛍光体の混合物で、前記くぼんだカップの残りを満たすことを包含する、請求項３０に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
別の局面において、本発明は、パッケージされた発光ダイオードランプであり、該パッケージされたダイオードは、３５０ミリアンペアの動作電流において、１ワット当たり少なくとも５７ルーメンの白色光を示す。ランプは、導電性ヘッダと、ヘッダ上の発光ダイオードとを含む。ダイオードは、シリコンカーバイド基板と、少なくとも１つの窒化インジウムガリウムの活性層と、基板および活性層に対して垂直な方向にあり、ヘッダと電気的に接触している活性層に抵抗性接触しているオーミックコンタクトとを含む。カプセル用材は、ダイオードとヘッダの少なくとも一部分を覆っている。カプセル用材内の蛍光体は、ダイオードからの発光に応答して可視光を発する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
用語「外部量子効率」は、電流の流れに対する発光強度の割合（例えば、出て行く光子／入ってくる電子）を記述するために使用される。光子は半導体材料自体内では吸収によって失われ、光が半導体から空気へと通過するときには、屈折率の差により反射光の喪失を通じて失われ、そしてスネルの法則によって定義される臨界角よりも大きい角度での光の内部屈折によって失われ得る。従って、割合としての外部量子効率（ＥＱＥ）は、次式に従って、放射束（ワット）、波長（ナノメートル）、駆動電流（アンペア）、および波長とエネルギー（λ＝１．２４／ｅＶ）との間の転換係数から計算され得る：
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
好適な実施形態において、ダイオード２１は、限定するわけではないが、本発明の譲受人であるＣｒｅｅ  Ｉｎｃ．  ｏｆ  Ｄｕｒｈａｍ  Ｎｏｒｔｈ  Ｃａｒｏｌｉｎａから入手可能であるＸＴ２９０およびＸＢ９００シリーズの発光ダイオードの範疇に入る。これらのダイオードは、図１において３３で図示されている導電性シリコンカーバイド基板を含み、該導電性シリコンカーバイド基板は、少なくとも１つのｐ型のＩＩＩ族の窒化物層３４および少なくとも１つのｎ型のＩＩＩ族の窒化物層３５、好適にはＩｎＧａＮと結合されている。１つのオーミックコンタクト３６がシリコンカーバイド基板３３に作られ、別のオーミックコンタクト３７が適切なＩＩＩ族の窒化物層に作られる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
好適な実施形態において、かつ、例示的なＸＴ２９０およびＸＢ９００シリーズのチップと同じように、チップ２１は、「フリップチップ」な方向にあり、該「フリップチップ」な方向において、基板３３は上方向に（レンズ３２に向かって）面し、活性層３４および３５は、カップ２２に隣接している。いくつかの援用される参考において述べられるように、この設計は光の抽出を増加させることを助け得る。好適な例において、シリコンカーバイドの特性により、シリコンカーバイド基板は通常はｎ型であり、隣接するＩＩＩ族の窒化物層３５も同様である。次に、別のＩＩＩ族の窒化物層３４はｐ型であり、電流を注入しキャリアを再結合するためにｐ−ｎ接合を形成する。基板がｎ型であるとき（一般的ではあるが、排他的ではない）に、ｐ型層３４は、オーミックコンタクト３７に接触し、次にカップ２２に接触する。リードワイヤ４０および４１は、他のデバイスまたは回路との外部接続のための手段を示すように、概略的に図面に含まれている。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
発光ダイオードの詳細な構造に詳しい当業者によって理解されることは、「上に」は、互いに直接的に接触している構造的な要素（一般的には、半導体または金属の層）を記述し得るが、デバイスの全体的な機能を強化することに役立つ中間の層または構造を含むような構造も同様であるということである。従って、本明細書においてシリコンカーバイド基板の「上に」あると記述されているとしても、ＩＩＩ族の窒化物層は、多くの場合に、基板と活性層との間の電子的構造および結晶構造の両方の転移を強化する緩衝層を伴う。同様に、これらのダイオードのｐ型層は、一般的には、２つの部分で形成され、１つの部分は半導体と金属との間のオーミックコンタクトを強化するために比較的適しており、該金属は接点を形成する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
さらに好適な実施形態において、ダイオード２１は、オーミックコンタクト３６および３７を含む、それらの間の全体の大きさがわずか約２５０ミクロン（μ）である。さらに好適な実施形態において、これらの大きさは、わずか約１００ミクロンである。これらの薄いチップは、照明目的のため、および小さいディスプレー、例えば携帯電話、デジタルカメラおよび携帯端末における使用のための光抽出幾何配置において一定の利点を提供する。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
チップ２１のサイズを減少させ、光の抽出を増加させるさらなる方法として、本発明は薄いオーミックコンタクトを組み込み、該薄いオーミックコンタクトは、好適には、平均の厚さが約１〜２５０オングストローム（Å）の間であり、最も好適には、約１〜１０Åの間である。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
用語「垂直」は、本明細書において、発光ダイオードに関しては従来的な意味で使用され、デバイスへのオーミックコンタクトがデバイスの反対側の端に配置され得るということを意味する。導電性のシリコンカーバイド基板の有用性は、発光ダイオードの実用に概ねより適した垂直な配置を可能にし、さらに、垂直な配置は、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）のような非導電性の基板上で形成される同様なダイオードにも必要とされている。非導電性の基板を使用するときに、ダイオードのｐ型およびｎ型の部分へのそれぞれのオーミックコンタクトは、一部のタイプの互いに横に並んだ配置にされるべきであり、その結果として、ダイオードのフットプリントは増加する。そして、他の不利な点に加えて、フットプリントを増加させることは、単位面積あたりのダイオードの出力を減少させる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
（実験）
ＸＴ２９０チップは、銀メッキされたＴ０３９ヘッダ上に設置された。カップ形状のくぼみは機械加工されてヘッダの基部となり、チップはくぼみの基部の中央に配置された。ワイヤが絶縁されたリードに結合されたあとに、カップは澄んだカプセル化材料で部分的に満たされており、該澄んだカプセル化材料は、チップを覆うが、カップを満たしてはいない。ＯＳ１６００（Ｈｅｎｋｅｌ  ＬｏｃＴｉｔｅ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｒｏｃｋｙ  Ｈｉｌｌ  Ｃｏｎｎｅｃｔｉｃｕｔ）の澄んだエポキシが、カプセル化のために使用され、そのエポキシの屈折率は、約１．５であった。第１の硬化の後で、カップの残りの部分は、Ｃｅ：ＹＡＧ蛍光体（ＰｈｏｓｐｈｏｒＴｅｃｈ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  Ｌｉｔｈｉａ  Ｓｐｒｉｎｇｓ、ＧＡ  ３０１２２）とＯＳ１６００エポキシとの混合物で満たされており、第２の硬化へと続く。Ｃｅ：ＹＡＧ蛍光体の濃度は、黒体曲線に近い色点を生じるように選ばれた。次に、ヘッダは、チップを下に向けて、より多くＯＳ１６００エポキシで満たされた半球形のモールドの中に配置され、次に、第３かつ最後の硬化へと続く。完成したランプは、１０インチの球形である点で特徴付けられ（Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ）、該完成したランプは、ＮＩＳＴ由来の光源に対応させている。２０ｍＡの駆動電流において、ランプの光束は５ルーメンを上回り、１ワット当たり７５ルーメン以上の効率を有する。