(57)【要約】【課題】被加工物の被加工面を均一に加工することができるプラズマ加工装置を提供すること。【解決手段】電極部３３の基板ステージ２４側の対向面３４における、回転軸２３の径方向の最外方に位置する部分よりも径方向の内方の領域において、対向面３４の形状を、対向面３４の周方向の長さが、径方向の外方にいくにしたがって大きくする。【選択図】図３Ｂ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を所定の位置に保持する被加工物保持部と、
回転軸と、上記被加工物が上記所定の位置に保持されている状態において、上記被加工物に上記回転軸の軸方向に対向すると共に、上記軸方向に略垂直に広がる対向面を有し、かつ、上記回転軸の一端に連なる電極部とを有する回転電極と
を備え、
上記対向面における上記回転軸の径方向の最外方に位置する部分よりも上記径方向の内方の領域において、上記対向面の上記回転軸の周方向の長さは、上記径方向の外方にいくにしたがって大きくなっていることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプラズマ加工装置において、
上記対向面は、上記径方向の外方にいくにしたがって上記周方向の幅が大きくなっている複数の領域からなっていることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプラズマ加工装置において、
上記電極部が上記被加工保持器に対して一方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面は、その端面に接触する気体が上記対向面と上記所定の位置に保持されている上記被加工物との間に移動することを促進する形状であることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載のプラズマ加工装置において、
上記電極部が上記被加工物保持部に対して一方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面は、その端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進する形状であることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載のプラズマ加工装置において、
上記電極部が上記被加工物保持部に対して第１方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面は、その端面に接触する気体が上記対向面と上記所定の位置に保持されている上記被加工物との間に移動することを促進する形状である一方、上記電極部が上記被加工物保持部に対して上記第１方向とは反対側の第２方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面は、上記端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進する形状であることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項６】
請求項１に記載のプラズマ加工装置において、
上記電極部は、板状の基部と、この基部から突出する複数の突起とを有し、
上記対向面は、上記各突起の上記基部とは反対側の面を合わせたものであることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項７】
請求項１に記載のプラズマ加工装置において、
複数の空孔が、上記対向面に開口し、
上記空孔の単位面積あたりの密度は、上記径方向の外方にいくにしたがって小さくなっていることを特徴とするプラズマ加工装置。
【請求項８】
請求項１から７までのいずれか１項に記載のプラズマ加工装置において、
上記被加工物保持部は、上記被加工物を保持する加工物保持位置を上記周方向に所定間隔をおいて複数有し、
上記加工物保持位置に保持された上記被加工物を回動させる回動装置を備えることを特徴とするプラズマ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを用いて被加工材料を加工するプラズマ加工装置に関し、特に、シリコンやIII族窒化物半導体などの半導体材料や、ガラスなどの絶縁体材料を加工するのに使用されれば好ましいプラズマ加工装置に関する。また、シリコン基板やIII族窒化物基板等の半導体基板や、ガラス基板等の絶縁体基板等の基板を加工するのに使用されれば好ましいプラズマ加工装置に関し、シリコン系半導体デバイスの製造や、III族窒化物半導体を用いた発光ダイオードやレーザダイオード等の素子製造に使用されれば好適なプラズマ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体素子構造の微細化に伴い、様々な半導体基板に要求される加工精度はナノオーダーレベルに達していると同時に、その加工は表面へ損傷を与えない、無歪加工であることが要求されている。塑性変形、延性・脆性破壊といった物理現象をともなう機械加工では、被加工物に積極的に歪みを導入して加工を進展させるため、必然的に被加工物表面に損傷を与えてしまう。被加工物表面に損傷を与えることなく無歪で加工でき、かつ、優れた加工精度を有する加工方法として、プラズマＣＶＭというラジカル反応を利用した方法が知られている。
【０００３】
プラズマＣＶＭは、プラズマによって高密度に生成された中性ラジカルを被加工物表面に作用させ、被加工物表面の構成原子や分子と、中性ラジカルとの化学的な反応により化合物を生成し、それを気化させて被加工物を加工する無歪加工方法である。
【０００４】
特許文献１には、プラズマＣＶＭの基本原理が記載されており、特許文献２にはプラズマＣＶＭを行うことができる詳しい装置構成が記載されている。また、特許文献３には、高速でかつ高効率な加工を実現する方法が記載されており、特許文献４には、軸対称な最小加工痕を形成し、高速・高精度な加工を実現する方法が記載されている。
【０００５】
大気圧近傍の圧力下でプラズマを生成し加工を行う場合、プラズマを維持するためには、電極と被加工物との距離を狭く維持する必要がある。よって、低圧プラズマプロセスで一般的に用いられる平行平板型の電極を、大気圧プラズマプロセスに適用した場合、新鮮なガスが、電極中央部に供給されにくくなり、加工速度が、不均一になる。
【０００６】
この課題を解決するのに、特許文献３および特許文献４では、電極を回転させることによって、新鮮なガスを狭ギャップ部へ供給する手法が採用されている。
【０００７】
しかしながら、この場合、プラズマが、点状もしくはライン状の局所的なものになり、大面積もしくは複数枚の被加工物を処理する場合には、電極もしくは被加工物を被加工物全面に渡り走査する必要があり、効率が悪くなる。また、真空装置内で処理を行う場合には、基板走査のために装置本体が大型化することを避けがたいという問題がある。
【特許文献１】特許第２５２１１２７号公報
【特許文献２】特許第２８１６３６５号公報
【特許文献３】特許第３０６９２７１号公報
【特許文献４】特開２００６−２２３９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明者は、大面積基板もしくは複数の被加工物を加工するため、以下に示す電極構造及び加工装置を試作し、その効果を検証した。
【０００９】
図１Ａは、本発明者によって試作された加工装置（本出願時に公知になっていなく、したがって、従来技術ではない）の模式的な側面透視図であり、図１Ｂは、図１Ａに示す加工装置の電極周辺部の概略図である。
【００１０】
図１Ａに示すように、この加工装置は、反応容器１、回転電極２、基板ステージ４、ヒータ５、および、高周波電源７を備え、反応容器１には、ガス導入ライン８と、ガス排気ライン９が接続されている。回転電極２および基板ステージ４は、反応容器１内に配置され、ヒータ５は、基板ステージ４に内蔵されている。回転電極２の表面の一部は、基板ステージの被加工物６の載置面と略平行に配置されており、回転電極２の上記表面の一部は、基板ステージの載置面に対向している。基板ステージ４の載置面には、被加工物６が載置され、非加工物６と回転電極２の上記表面の一部との間に、プラズマ１０を発生するようになっている。
【００１１】
図１Ｂに示すように、回転電極２は、電極部１１と、回転軸３とを有している。電極部１１は、棒状の電極形状を有し、このことに起因して、非加工物６と回転電極２の一方の面との間に発生するプラズマ１０は、被加工物６に対して略平行なライン状の形状を有している。回転軸３は、電極部１１の基板ステージ４側とは反対側の面の中央部から基板ステージ４の載置面の法線方向に延在している。回転電極２は、回転軸３を中心として回転可能になっている。
【００１２】
本発明者は、上で説明した装置を用いて、被加工物６に対して略平行なライン状のプラズマを回転させながら被加工物６に接触させることにより、平行平板において間隔が狭い狭ギャップ部（プラズマ処理部）にガスが供給されにくいという問題を解決し、かつ、被加工物６を均一に処理できるのではないかと考えた。しかしながら、その効果を検証したところ、次に示す課題が顕在になることがわかった。
【００１３】
図２は、図１Ａに示すプラズマ加工装置によりシリコン基板の加工を行った際に得られた加工痕の断面プロファイルの一例を示す図である。
【００１４】
図２に示すように、この例では、全体が均一に加工されておらず、回転軸３の直下から離れるに従って、加工量が減少している。すなわち、基板を均一に加工することができなくなっている。
【００１５】
そこで、本発明の目的は、被加工物を均一に加工できるプラズマ加工装置を提供することにあり、特に、大面積基板および複数の基板を均一かつ効率的に加工可能なプラズマ加工装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するため、この発明のプラズマ加工装置は、
被加工物を所定の位置に保持する被加工物保持部と、
回転軸と、上記被加工物が上記所定の位置に保持されている状態において、上記被加工物に上記回転軸の軸方向に対向すると共に、上記軸方向に略垂直に広がる対向面を有し、かつ、上記回転軸の一端に連なる電極部とを有する回転電極と
を備え、
上記対向面における上記回転軸の径方向の最外方に位置する部分よりも上記径方向の内方の領域において、上記対向面の上記回転軸の周方向の長さは、上記径方向の外方にいくにしたがって大きくなっていることを特徴としている。
【００１７】
本発明者は、生成されるプラズマの形状が、電極部の上記対向面の形状に対応する形状になることを見出した。
【００１８】
また、本発明者は、シリコン基板の各地点におけるプラズマ接触時間が異なっており、電極の端部へ向かうに従いプラズマ接触時間が減少することが原因であることを見出し、回転軸３の直下において加工量が多いのは、プラズマの幅に応じて、常にプラズマが接触し続ける領域が発生するため、周辺部と比較して加工速度が大きくなってしまうことであることを見出した。
【００１９】
また、本発明者は、図１Ｂに示す電極構造では、プラズマの周方向（正確には回転軸の周方向）の幅が、径方向（正確には回転軸の径方向）の位置によらず一定であるため、電極回転軸直下（径方向の内方）にいくにしたがって、被加工材においてプラズマ接触時間が増加して、加工速度が不均一になっていることを見出した。
【００２０】
本発明によれば、上記対向面における上記回転軸の径方向の最外方に位置する部分よりも上記径方向の内方の領域において、上記対向面の上記回転軸の周方向の長さが、上記径方向の外方にいくにしたがって大きくなっているから、プラズマ処理部全域において被加工物の均一な処理を行うことができて、回転軸の上記一端からの距離によらず、すなわち、回転軸の径方向の存在位置によらず、被加工物を均一かつ効率的に加工できる。
【００２１】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記対向面は、上記径方向の外方にいくにしたがって上記周方向の幅が大きくなっている複数の領域からなっている。
【００２２】
上記実施形態によれば、簡単な構成により、被加工物を均一かつ効率的に加工できる。
【００２３】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極部が上記被加工保持器に対して一方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が上記対向面と上記所定の位置に保持されている上記被加工物との間に移動することを促進する形状である。
【００２４】
上記実施形態によれば、簡単な構成で被加工物を均一かつ効率的に加工できることに加えて、上記端面に接触する気体が上記対向面と上記被加工物との間に移動することを促進できて、反応ガスを効率的に反応領域に導入することができる。したがって、加工効率を更に向上させることができる。
【００２５】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極部が上記被加工物保持部に対して一方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進する形状である。
【００２６】
上記実施形態によれば、簡単な構成で被加工物を均一かつ効率的に加工できることに加えて、上記端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進できて、この気体の移動に伴って被加工物表面に残存する残留物質を反応領域外に移動させることができる。したがって、残留付着物を低減させることができて、プラズマ加工を精度高く行うことができる。
【００２７】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極部が上記被加工物保持部に対して第１方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が上記対向面と上記所定の位置に保持されている上記被加工物との間に移動することを促進する形状である一方、上記電極部が上記被加工物保持部に対して上記第１方向とは反対側の第２方向に回転している場合において、上記電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進する形状である。
【００２８】
上記実施形態によれば、簡単な構成で被加工物を均一かつ効率的に加工できることに加えて、上記端面に接触する気体を上記対向面と上記被加工物との間に移動させるか、または、上記端面に接触する気体を上記電極部の上記回転軸側に移動させることができる。したがって、プラズマの処理内容に基づいて、適宜最適な気流の流れを生成できるから、プラズマの加工速度を大きくすることができるという作用効果と、被加工物表面に残存する残留物質を反応領域外へ効率的に排出することができて、残留付着物を低減させることができるという作用効果の両方を、実現できる。したがって、プラズマ加工を迅速かつ精度高く行うことができる。
【００２９】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極部が、板状の基部と、この基部から突出する複数の突起とを有し、上記対向面が、上記各突起の上記基部とは反対側の面を合わせたものである。
【００３０】
上記実施形態によれば、各径方向の位置において、上記対向面の上記周方向の長さを精密に調整できて、被加工物を均一に加工することの精度を格段に向上させることができる。
【００３１】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、複数の空孔が、上記対向面に開口し、上記空孔の単位面積あたりの密度が、上記径方向の外方にいくにしたがって小さくなっている。
【００３２】
上記実施形態によれば、各径方向の位置において、上記対向面の上記周方向の長さを精密に調整できて、被加工物を均一に加工することの精度を格段に向上させることができる。
【００３３】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記被加工物保持部は、上記被加工物を保持する加工物保持位置を上記周方向に所定間隔をおいて複数有し、上記加工物保持位置に保持された上記被加工物を回動させる回動装置を備える。
【００３４】
上記実施形態によれば、加工時において、上記回動装置によって上記被加工物を回動させることができるから、被加工物の効率的に加工でき、さらに、被加工物を均一に加工することの精度を向上させることができる。
【００３５】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、被加工物と電極との間に、上記被加工物に対し略平行なライン状のプラズマを生成し、上記被加工物の表面と接触させることにより加工するプラズマ加工装置であって、上記電極が上記被加工物に垂直な回転軸を中心に回転し、かつ、電極回転の際にプラズマ接触部全域においてプラズマ接触時間が等しくなるような電極形状を有している。
【００３６】
上記実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極と被加工物との狭い間隔にガスを効率的に供給することが可能であり、かつ、電極回転軸を中心とする周方向へのプラズマ接触時間の不均一性を解消できる。したがって、簡単な構成により、大面積及び複数の被加工物を均一かつ効率的に加工できる。
【００３７】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記回転軸直下から電極端部に向かって電極幅が大きくなっている。
【００３８】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極が上記被加工物と対向する面に多数の針状突起を有し、かつ、上記針状突起の密度が上記回転軸から電極端部に向かって増加している。
【００３９】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記電極が上記被加工物に垂直な多数の空孔を有し、かつ、上記空孔の密度が上記回転軸から電極端部に向かって減少している。
【００４０】
また、一実施形態のプラズマ加工装置は、上記回転軸を中心に、複数の被加工物を放射状に設置可能な基板ホルダーを有し、かつ、各々の被加工物が回転するようになっている。
【発明の効果】
【００４１】
本発明のプラズマ加工装置によれば、回転軸の径方向の存在位置によらず被加工物を均一かつ効率的に加工できる。
【００４２】
また、一実施形態のプラズマ加工装置によれば、大気圧または大気圧近傍の圧力下で生成する大気圧プラズマを利用するから、被加工物の加工に寄与する中性ラジカルの絶対数を多くできて、中性ラジカルと被加工物構成原子との化学反応を増加させることができる。したがって、被加工物の加工速度を向上させることができる。
【００４３】
また、大気圧プラズマ中には多数の原子や分子などが存在するから、大気圧プラズマ中のイオンが、被加工物の表面に到達する前に何らかの原子や分子と衝突して、大気圧プラズマ中のイオンが直接被加工物の表面に到達することがない。したがって、加工の際に被加工物の表面がダメージを受けることがなくて、被加工物の表面を、結晶学的に乱れのない表面とすることができる。
【００４４】
さらに、低圧雰囲気を形成するために必要とされるような強度を有する反応容器や強力な排気システムなどを不必要とすることができて、装置コストを低下させることができ、最終製品のコストダウンを実現することができる。
【００４５】
さらには、上述の効果を実現した上で、大型基板および複数枚の基板を均一かつ効率的に加工することができる。
【００４６】
また、一実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が対向面と被加工物との間に移動することを促進する形状を有しているから、被加工物の加工に寄与する中性ラジカルを被加工物表面に強制的に供給することができて、被加工物の加工速度を向上させることができる。
【００４７】
また、一実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が電極部の回転軸側に移動することを促進する形状を有しているから、被加工物表面に残存する残留物質を効率的に反応領域外に排出することができて、被加工物表面の残留付着物の量を低減させることができ、プラズマ加工を精度高く行うことができる。
【００４８】
また、一実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極部が被加工物に対して第１方向に回転している際、電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が対向面と被加工物との間に移動することを促進する形状を有している一方、電極部が被加工物に対して第１方向とは反対側の第２方向に回転している際、電極部の回転の前側の端面が、その端面に接触する気体が上記電極部の上記回転軸側に移動することを促進する形状を有しているから、プラズマ処理内容に最適な気流の流れを適宜作り出すことができて、加工速度を向上させることができると共に、被加工物表面に残存する残留物質をプラズマ外へ効率良く排出することができて、残留付着物を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４９】
以下、本発明を図示の形態により詳細に説明する。
【００５０】
（第１実施形態）
図３Ａは、本発明の第１実施形態のプラズマ加工装置の模式的な側面透視図である。
【００５１】
この加工装置は、反応容器２１、回転電極２２、被加工物保持部の一例としての基板ステージ（基板ホルダー）２４、ヒータ２５および高周波電源２７を備え、反応容器２１には、ガス導入ライン２８と、ガス排気ライン２９が接続されている。
【００５２】
上記反応容器２１は、被加工物２６をプラズマ加工処理する反応場となる内部空間を画定している。回転電極２２および基板ステージ２４は、上記内部空間内に配置され、基板ステージ２４は、反応容器２１の底面に略平行に配置されている。基板ステージ２４は、被加工物２６を載置する載置面３１を有している。
【００５３】
上記回転電極２２は、回転軸２３および電極部３３を有している。回転軸２３は、電極部３３の基板ステージ２４側とは反対側の面から載置面３１の法線方向に延在している。回転軸２３は、上記内部空間内の基板ステージ２４の上方に基板ステージ２４の載置面に対して垂直になるように設けられている。
【００５４】
上記電極部３３は、回転軸２３の基板ステージ２４側の一端に連なっている。上記電極部３３は、被加工物２６に回転軸２３の軸方向に対向すると共に、上記軸方向に略垂直に広がる対向面３４を有している。上記対向面３４は、基板ステージ（基板ホルダー）２４の被加工材２６の載置面に略平行になっている。回転軸２３は、図３Ａに矢印ａで示す方向に回動できるようになっており、回転電極２２は、回転軸２３を中心に回転可能な機構となっている。
【００５５】
上記載置面３１と、電極部３３の対向面３４とは、略平行になっていて隙間を介して対向している。上記載置面３１に載置された非加工物２６と、電極部３３の対向面３４との間に、プラズマ３０を発生するようになっている。
【００５６】
上記高周波電源２７は、反応容器２１の外部に設けられている。高周波電源２７は、回転軸２３の回転を阻害することなく回転軸２３に接続されている。基板ステージ２４は、反応容器２１の外部にのびて接地されたアース部（図示せず）を有している。ヒータ２５は、基板ステージ２４の内部に内蔵されている。ヒータ２５は、基板ステージ２４上に載置される被加工物２６を加熱する役割を担っている。
【００５７】
回転電極２２は、上下方向に移動可能になっている。回転電極２２を上下方向に移動させることにより、電極部３３と、電極部３３の下方に位置する基板ステージ２４との距離を適宜変更するようになっている。基板ステージ２４には、基板ステージ２４上に載置される被加工物２６を吸着固定するための真空チャック（図示せず）が設けられており、プラズマ加工処理中の被加工物２６が載置位置からずれないように固定されるようになっている。
【００５８】
上記ガス導入ライン２８は、反応容器２１の第１の側部に設けられている。ガス導入ライン２８は、ガスを供給するガスボンベなど（図示せず）に接続されている。上記ガス導入ライン２８を通じてガスが反応容器２１の内部空間に導入されるようになっている。
【００５９】
上記ガス排気ライン２９は、上記第１の側部に対向する反応容器２１の第２の側部に設けられている。ガス排気ライン２９は、反応器２１の外部にガスを吸引するためのポンプ（図示せず）に接続されている。ガス排気ライン２９を通じて反応容器２１の内部空間内のガスが排出されるようになっている。
【００６０】
図３Ｂは、図３Ａに示す装置の一部を示す模式的な斜視図であり、回転電極２２の周辺部を示す斜視図である。
【００６１】
回転軸２３は、基板ステージ２４の載置面３１に略垂直に延在している。被加工物２６は、回転軸２３の周方向に所定間隔毎に放射状に複数配置されている。電極部３３は、棒状の形状を有している。回転軸２３の基板ステージ２４側の一端は、電極部３３の基板ステージ２４側とは反対側の面の中央部につながっている。電極部３３の上記対向面３４は、電極部３３の端部から回転軸２３の直下に向かって電極幅が狭くなっている。
【００６２】
詳しくは、上記対向面３４は、二つの領域である第１領域３７と第２領域３８とからなり、第１領域３７および第２領域３８の夫々は、回転軸２３の径方向の外方にいくにしたがって周方向の幅が大きくなっている。
【００６３】
このようにして、電極部３３の基板ステージ側の面の形状に対応する形状、すなわち、基板ステージ２４の載置面３１に平行な断面において、一端部から中央に向かって幅が狭くなっていると共に、他端部から中央に向かって幅が狭くなっている形状のプラズマを発生するようになっている。
【００６４】
図３Ｃは、回転電極２２を被加工物２６側から見た模式平面図である。
【００６５】
図３Ｃに示すように、上記第１領域３７は、電極部３３の回転軸２３に遠い側の一端から回転軸２３の直下に向かって幅が一次関数的に小さくなる扇状の形状を有し、第２領域３８は、電極部３３の回転軸２３に遠い側の一端から回転軸２３の直下に向かって幅が一次関数的に小さくなる扇状の形状を有している。
【００６６】
第１領域３７の中心線（第１領域３７を周方向に二等分する線）と、第２領域３８の中心線（第２領域３８を周方向に二等分する線）とは、略同一直線上に位置している。第１領域３７の中心角と、第２領域３８の中心角とは、同一角度（αで示す）になっている。
【００６７】
上記構成の装置を用いて、例えば、被加工物２６の被加工面を、次のようにプラズマで加工処理する。
【００６８】
先ず、反応容器２１の内部のガスをガス排気ライン２９によって図３Ａに矢印ｃで示す方向に移動させて、内部のガスを十分に排気した後、ガス導入ライン２８から反応ガスを反応容器１の内部に図３Ａに矢印ｂで示す方向に導入する。反応ガス導入後の反応容器２１の内部の圧力は、大気圧または大気圧近傍の圧力に設定する。
【００６９】
次に、回転電極２２の回転速度、回転電極２２と基板ステージ２４上に載置された被加工物２６との間の距離、および、被加工物２６を加熱するヒータ２５の温度等の加工条件を設定する。
【００７０】
次に、高周波電源２７から高周波電力を回転軸２３を介して電極部３３に印加する。高周波電力を電極部３３に印加することによって、電極部３３と基板ステージ２との間に電場を生成する。この電場によって電極部３３と被加工物２６の表面との間に供給された反応ガスを分解および励起して、電極部３３と被加工物２６の表面との間にプラズマ３０を生成し、生成したプラズマ３０を被加工物２６の表面に接触させる。
【００７１】
このことにより、プラズマ３０によって生成した活性種が、被加工物３６の表面に作用して化合物を生成し、化合物が気相中に気化・拡散することによって、被加工物２６の加工を進展させる。
【００７２】
上記第１実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極部３３と基板ステージ２４との間の距離を自在に調整でき、かつ、電極部３３の対向面３４が、中央部から一端部および中央部から他端部に向けて幅が広がる形状をしているから、電極部３３と被加工物２６との狭い間隔にガスを効率的に供給することができ、かつ、回転軸２３の径方向の位置に依存した被加工物２６のプラズマ接触時間の不均一性を解消できる。したがって、簡単な構成で、複数の表面積が大きい被加工物を均一かつ効率的に加工できる。
【００７３】
また、上記第１実施形態のプラズマ加工装置によれば、大気圧または大気圧近傍の圧力下で生成する大気圧プラズマを利用しているから、被加工物２６の加工に寄与する中性ラジカルの絶対数を多くできて、中性ラジカルと、被加工物２６を構成している原子との化学反応を促進することができる。したがって、被加工物２６の加工速度を速くすることができる。
【００７４】
また、大気圧プラズマ中には、多数の原子や分子などが存在するから、大気圧プラズマ中のイオンは、被加工物２６の表面に到達する前に何らかの原子や分子と衝突し、大気圧プラズマ中のイオンは、直接被加工物２６の表面に到達することがない。したがって、加工の際に被加工物２６の表面がダメージを受けることがないから、被加工物２６の表面の結晶性を優れたものにすることができる。
【００７５】
更には、大気圧または大気圧近傍の圧力下で生成する大気圧プラズマを利用しているから、低圧雰囲気を形成するために必要とされるような強度を有する反応容器や強力な排気システム等が必要とされることがない。したがって、装置の製造コストを低下させることができて、最終製品の製造コストを低減することができる。
【００７６】
尚、上記第１実施形態のプラズマ加工装置では、電極部３３の対向面３４は、電極部３３の一端から回転軸２３の直下に向かって幅が一次関数的に小さくなる扇状の形状を有する第１領域３７と、電極部３３の他端から回転軸２３の直下に向かって幅が一次関数的に小さくなる扇状の形状を有する第２領域３８とからなり、第１領域３７の中心線と、第２領域３８の中心線とは、略同一直線上に位置し、第１領域３７の中心角と、第２領域３８の中心角とは、同一角度になっていた。しかしながら、この発明では、扇状の第１領域の中心角と、扇状の第２領域の中心角の大きさは、第１領域の中心角と第２領域の中心角との値が同じであれば、仕様に基づいて自在に設定されれば良く、例えば、第１実施形態の変形例のプラズマ加工装置における図３Ｃに対応する図である図４に示すように、図３Ｃに示す中心角αと比較して、より大きな中心角α’を採用しても良い。
【００７７】
値が同じである、扇状の第１領域の中心角と、扇状の第２領域の中心角の大きさは、任意に選択でき、鋭角、直角、または、鈍角のいずれであっても良い。扇状の領域の中心角は、各仕様において、プラズマ加工装置を運転して回転電極を回転させた際に、被加工物のプラズマ接触時間を略等しくできる角度に随時設定されれば良い。
【００７８】
また、上記第１実施形態では、上記対向面３４における回転軸２３の径方向の最外方に位置する部分よりも径方向の内方の領域において、対向面３４の周方向の長さが、径方向の外方にいくにしたがって一次関数的に大きくなっていたが（径方向の位置に比例して大きくなっていたが）、本発明では、電極部の対向面における回転軸の径方向の最外方に位置する部分よりも径方向の内方の領域において、上記対向面の上記回転軸の周方向の長さは、上記径方向の外方にいくにしたがって高次関数的に（例えば、径方向の位置（座標）の２乗に比例して）大きくなっていても良い。
【００７９】
（第２実施形態）
図５Ａは、本発明の第２実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第２実施形態のプラズマ加工装置の回転電極５２の周辺部を示す斜視図である。また、図５Ｂは、第２実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｃに対応する図であり、回転電極５２を被加工物２６側から見た模式平面図である。
【００８０】
第２実施形態のプラズマ加工装置は、電極部５３の基板ステージ２４側の対向面６４が、４つの扇状の領域からなっている点のみが、電極部３３の基板ステージ２４側の対向面３４が、２つの扇状の領域３７,３８からなっている第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる。
【００８１】
第２実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略することにする。また、第２実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置と共通の作用効果および変形例については説明を省略することにし、第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる構成および作用効果についてのみ説明を行うことにする。
【００８２】
図５Ａに示すように、第２実施形態のプラズマ装置の回転電極５２は、電極部５３および回転軸６３からなり、回転軸６３の一端は、電極部５３の基板ステージ２４側とは反対側の面の中央部につながっている。回転軸６３は、基板ステージ２４の載置面６６に略垂直に延在している。
【００８３】
電極部５３は、十字状の形状を有しており、４つの端部を有している。電極部３３の基板ステージ２４側の対向面６４は、電極部５３の第１端部から回転軸６３の直下に向かって電極幅が狭くなっていると共に、電極部５３の第２端部から回転軸６３の直下に向かって電極幅が狭くなっている。また、上記対向面６４は、電極部５３の第３端部から回転軸６３の直下に向かって電極幅が狭くなっていると共に、電極部５３の第４端部から回転軸６３の直下に向かって電極幅が狭くなっている。
【００８４】
図５Ｂに示すように、電極部５３の基板ステージ２４側の対向面６４は、電極部５３の第１端から回転軸６３の直下に向かって幅が小さくなる扇状の第１領域７０と、電極部５３の第２端から回転軸６３の直下に向かって幅が小さくなる扇状の第２領域７１と、電極部５３の第３端から回転軸６３の直下に向かって幅が小さくなる扇状の第３領域７２と、電極部５３の第４端から回転軸６３の直下に向かって幅が小さくなる扇状の第４領域７３とからなる。
【００８５】
第１領域７０の中心線（二等分線）と、第３領域７２の中心線（二等分線）とは、略同一直線（第１直線ということにする）上に位置しており、第２領域７１の中心線（二等分線）と、第４領域７３の中心線（二等分線）とは、略同一直線（第２直線ということにする）上に位置している。第１乃至第４領域７０,７１,７２,７３の中心角の角度は、全て同一になっている。上記第１直線と上記第２直線とは、直交している。
【００８６】
上記第２実施形態のプラズマ加工装置によれば、第１実施形態と比較して、電極部５３の扇状の領域７０,７１,７２,７３の数が多くなっているから、対向面６４の面積を大きくできて、電場の生成領域を大きくできる。
【００８７】
この発明では、扇状の領域の数は、いくつであっても良く、扇状の領域の中心角の角度の制限も存在しない。しかしながら、扇状の領域の数が多くなった場合や、扇状の領域の中心角の大きさが大きくなった場合においては、回転電極の回転軸の直下付近の領域への新鮮な反応ガスの供給が妨げられる可能性が高くなる。このため、扇状の領域の数は少なく、また、各扇状の領域の中心角は、小さく設定されていることが好ましい。
【００８８】
（第３実施形態）
図６は、本発明の第３実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第３実施形態のプラズマ加工装置の回転電極２２の周辺部を示す斜視図である。
【００８９】
第３実施形態のプラズマ加工装置は、被加工物を回転させる回転装置を有している点のみが、第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる。
【００９０】
第３実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略することにする。また、第３実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置と共通の作用効果および変形例については説明を省略することにし、第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる構成および作用効果についてのみ説明を行うことにする。
【００９１】
回転装置は、真空チャック（図示せず）と、真空チャックを回動させる回動機構（図示せず）とからなる。真空チャックは、基板ステージ２４の載置面３１に、周方向に所定間隔毎に存在する加工物保持位置上に位置する被加工物を保持するようになっている。また、回動機構は、被加工物を保持した真空チャックを回動させることにより、真空チャックに保持された被加工物を図６に矢印ｄで示す方向に回動させるようになっている。
【００９２】
上記第３実施形態のプラズマ加工装置によれば、被加工物２６を回転させることができるから、被加工物２６をよりいっそう均一に加工することができる。
【００９３】
（第４実施形態）
図７Ａは、本発明の第４実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第４実施形態のプラズマ加工装置の回転電極８２の周辺部を示す斜視図である。
【００９４】
第４実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略することにする。また、第４実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置と共通の作用効果および変形例については説明を省略することにし、第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる構成および作用効果についてのみ説明を行うことにする。
【００９５】
第４実施形態では、回転電極８２は、電極部８３および回転軸８４を有している。回転軸８４は、基板ステージ２４の被加工物２６の載置面３１の法線方向に延びている。電極部８３は、板状の基部８５を有すると共に、突起としての針状突起部８６を複数有する。被加工物２６は、回転軸８４を中心とし、放射状に複数配置されている。上記基部８５は、角柱状の形状を有している一方、各針状突起部８６は、基部８５の基板ステージ２４側の面から基板ステージ２４の方に突出している。基板ステージ２４の載置面３１と、基部８５の基板ステージ２４側の面とは略平行になっている。各針状突起部８６は、基部８５の基板ステージ２４側の面の法線方向に延在している。
【００９６】
被加工物２６が所定の位置に保持されている状態において、被加工物２６に回転軸８４の軸方向に対向すると共に、軸方向に略垂直に広がる対向面は、各針状突起部８６の基部８５とは反対側の面を合わせたもので構成されている。
【００９７】
図７Ｂは、電極部８３を基板ステージ２４側から見た模式平面図である。
【００９８】
基部８５の基板ステージ２４側の面は、略長方形の形状をしている。針状突起部８６の単位面積あたりの密度は、基部８５の基板ステージ２４側の面の長手方向の長さを垂直に二等分する面から距離が離れるにしたがって高くなっている。正確には、針状突起部８６の密度は、上記二等分する面からの距離に比例して大きくなっている。
【００９９】
上記第４実施形態のプラズマ加工装置によれば、針状突起部８６の上記密度が、上記二等分する面から距離が離れるにしたがって高くなっているから、プラズマ加工装置を運転して、回転電極８２を回転させた際に、被加工物２６のプラズマ接触時間を径方向の位置によらず略等しくすることができて、被加工物２６の被加工面を均一に加工できる。
【０１００】
尚、上記第４実施形態のプラズマ加工装置では、基部８５の基板ステージ２４側の面の幅が同一であったが、この発明では、電極部が、基部と突起とを有する構造である場合においても、第１実施形態と同じように、基部の基板ステージ側の面の長手方向の長さを垂直に二等分する線からの距離に比例して、基部の幅を大きくしても良く、この場合、被加工物の被加工面を更に均一に加工できて、好ましい。
【０１０１】
（第５実施形態）
図８Ａは、本発明の第５実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第５実施形態のプラズマ加工装置の回転電極９２の周辺部を示す斜視図である。
【０１０２】
第５実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置の構成部と同一構成部には同一参照番号を付して説明を省略することにする。また、第５実施形態のプラズマ加工装置では、第１実施形態のプラズマ加工装置と共通の作用効果および変形例については説明を省略することにし、第１実施形態のプラズマ加工装置と異なる構成および作用効果についてのみ説明を行うことにする。
【０１０３】
第５実施形態では、回転電極は、電極部および回転軸を有している。回転軸３は、基板ステージの被加工物の載置面の法線方向に延びている。
【０１０４】
第５実施形態では、回転電極９２の電極部９３は、角柱状の形状を有している。電極部９３には、複数の空孔９７が形成されている。基板ステージ２４の被加工物２６の載置面３１と、電極部９３の基板ステージ２４側の対向面とは略平行になっている。各空孔９７の延在方向は、電極部９３の基板ステージ２４側の面の法線方向と略等しくなっている。
【０１０５】
図８Ｂは、電極部９３を基板ステージ２４側からみた模式平面図である。
【０１０６】
図８Ａおよび図８Ｂに示すように、回転軸１０３に対して上記法線方向に重なっている空孔９７が、底を有するのに対し、回転軸１０３に対して上記法線方向に重なっていない空孔は、底を有さず、電極部９３を貫通する貫通孔となっている。全ての空孔９７は、電極部９３の基板ステージ２４側の対向面に開口している。回転電極９２が回転する際、回転軸１０３の径方向の位置によらず、被加工物２６のプラズマ接触時間が等しくなるように、空孔９７の単位面積あたりの密度は、回転軸１０３から離れるに従って減少している。詳しくは、空孔９７の上記密度は、回転軸１０３からの距離に比例して減少するように設定されている。
【０１０７】
（第６実施形態）
図９Ａは、本発明の第６実施形態のプラズマ加工装置における図５Ａに対応する図であり、本発明の第６実施形態のプラズマ加工装置の回転電極２５２の周辺部を示す斜視図である。
【０１０８】
第６実施形態のプラズマ加工装置では、第２実施形態のプラズマ加工装置と共通の構成、作用効果および変形例については説明を省略することにし、第２実施形態のプラズマ加工装置と異なる構成、作用効果および変形例についてのみ説明を行うことにする。
【０１０９】
図９Ａに示すように、第６実施形態のプラズマ加工装置は、第２実施形態と同様に、電極部２５３の基板ステージ２２４側の対向面２６４が、４つの扇状の領域から構成されている。また、第６実施形態のプラズマ加工装置では、回転軸２６３を回転させるモータ（図示しない）は、反転可能なモータになっており、回転軸２６３は、そのモータによって双方向に回転可能になっている。
【０１１０】
図９Ｂは、図９Ａにおいて、電極部２５３を、回転軸２６３の中心軸を中心軸とする仮想円筒面Ｚで切断したときの断面を示す周方向の断面図であり、電極部２５３が矢印Ｘで示す方向に回転した際の気流の流れの向きを示す模式断面図である。
【０１１１】
図９Ｂにおいて、矢印Ｘは、電極部２５３が、基板ステージ２２４に対して回転するときの回転方向である。矢印Ｘが示す方向は、第１方向になっている。また、参照番号２８０は、電極部２５３の回転軸２６３側の表面２９０におけるＸ方向の回転の前側の縁２７５（図９Ａ、図９Ｂ参照）を通過して基板ステージ２２４の載置面２６６の法線方向に広がる平面を示している。
【０１１２】
図９Ｂに示すように、周方向の断面図において、電極部２５３は、平行四辺形の断面形状を有し、上記平行四辺形の二つの辺は、基板ステージ２２４の載置面２６６と略平行になっている。図９Ｂの断面図において、電極部２５３の回転の前側の端面２７０と、上記平面２８０との距離（正確には、基板ステージ２２４の載置面２６６に平行な方向の距離）は、基板ステージ２２４の載置面２６６の法線方向に回転軸２６３側から基板ステージ２２４側に行くにしたがって、一次関数的に大きくなっている。
【０１１３】
図９Ｂにおいて、電極部２５３が矢印Ｘで示す方向に回転すると、電極部２５３の回転の前側の端面２７０と、上記平面２８０との距離が、平面ステージ２２４の法線方向に回転軸２６３側から基板ステージ２２４側に行くにしたがって一次関数的に大きくなっているから、上記端面２７０に衝突した気体は、上記端面２７０の垂直抗力の分力によって基板ステージ２２４側の力を受ける。したがって、図９Ｂに矢印Ｐで示すように、上記端面２７０に衝突した気体は、上記端面２７０にガイドされて端面２７０に沿って回転軸２６３側から基板ステージ２２４側に、対向面１６４と基板ステージ２２４との間まで円滑に移動することになる。
【０１１４】
したがって、反応領域にガスを強制的に供給することができるから、加工効率を向上させることができる。また、対向面１６４と基板ステージ２２４との間に流入する気体の大きな流れを生成することができるから、プラズマ加工装置内部において、ガスの攪拌を促進することができて、ガスの混合均一性を高めることができる。
【０１１５】
図９Ｃは、図９Ａにおいて、電極部２５３を、回転軸２６３の中心軸を中心軸とする仮想円筒面Ｚで切断したときの断面を示す周方向の断面図であり、電極部２５３が矢印Ｙで示す方向に回転した際の気流の流れの向きを示す模式断面図である。
【０１１６】
図９Ｃにおいて、矢印Ｙは、電極部２５３が、基板ステージ２２４に対して回転するときの回転方向である。矢印Ｙが示す方向は、第２方向になっている。矢印Ｙが示す方向は、矢印Ｘが示す方向とは、逆方向である。
【０１１７】
図９Ｃにおいて、参照番号３８０は、対向面２６４におけるＹ方向の回転の前側の縁３７５（図９Ａ、図９Ｃ参照）を通過して基板ステージ２２４の載置面２６６の法線方向に広がる平面を示している。
【０１１８】
図９Ｃの断面図において、電極部２５３の回転の前側の端面３７０と、上記平面３８０との距離（正確には、基板ステージ２２４の載置面２６６に平行な方向の距離）は、基板ステージ２２４の載置面２６６の法線方向に基板ステージ２２４側から回転軸２６３側に行くにしたがって、一次関数的に大きくなっている。
【０１１９】
図９Ｃにおいて、電極部２５３が矢印Ｙで示す方向に回転すると、電極部２５３の回転の前側の端面３７０と、上記平面３８０との距離が、平面ステージ２２４の法線方向に基板ステージ２２４側から回転軸２６３側に行くにしたがって一次関数的に大きくなっているから、上記端面２７０に衝突した気体は、上記端面２７０の垂直抗力の分力によって回転軸２６３側の力を受ける。したがって、図９Ｃに矢印Ｑで示すように、上記端面３７０に衝突した気体は、上記端面３７０にガイドされて端面３７０に沿って基板ステージ２２４側から回転軸２６３側に、電極部２５３の回転軸側の表面２９０に対して基板ステージ２２４側とは反対側の領域まで円滑に移動することになる。
【０１２０】
したがって、反応領域であるプラズマ部２３０からガスを強制的に排出することができて、被加工物２２６の表面に反応生成物が残留することを抑制できる。また、装置内部におけるガスの攪拌を促進することができて、ガスの混合均一性を高めることができる。
【０１２１】
上記第６実施形態のプラズマ加工装置によれば、電極部２５３の回転方向をＸ方向に設定することによって、回転軸２６３側から基板ステージ２２４側への気流を生成できる一方、電極部２５３の回転方向をＹ方向に設定することによって、基板ステージ２２４側から回転軸２６３側への気流を生成できる。
【０１２２】
第６実施形態のプラズマ加工装置は、例えば、前処理として被加工物２２６の表面をプラズマ酸化処理する一方、後処理として酸化膜をプラズマエッチング処理するプロセス等で、能力を発揮する。
【０１２３】
すなわち、前処理においては、多くの酸化種を被加工物２２６の被加工表面に供給することが望ましいことから、図９Ａに示す矢印Ｘの方向に電極部２５３を回転させて、回転軸２６３側から基板ステージ２２４側へのガスの流れを生成し、多くの酸化種を被加工物２２６の被加工物表面に供給するようにする。このようにして、加工速度を増大させる。
【０１２４】
一方、後処理においては、エッチング反応による反応生成物が被加工物表面に残存することを抑制するために、図９Ｂに示す矢印Ｙの方向に電極部２５３を回転させて、基板ステージ２２４側から回転軸２６３側へのガスの流れを生成する。このようにして、反応生成物を上記被加工表面およびプラズマ部２３０から強制的に排出して、被加工物２２６の被加工表面に付着する残留物の量を低減すると共に、反応領域であるプラズマ部２３０が残留物によって汚れることを防止する。
【０１２５】
上記第６実施形態のプラズマ加工装置によれば、回転軸２６３を回転させるモータが反転可能なモータであるから、上記前処理および後処理を、回転電極２５２を交換することなしに使用ガスを随時供給するだけで連続して行うことができる。
【０１２６】
尚、上記第６実施形態のプレズマ加工装置では、電極部２５３の周方向の断面が、平行四辺形の形状を有していた。しかしながら、この発明では、電極部は、その電極部の周方向の両側の端面が凸面であっても良く、電極部の周方向の断面形状が、図１０に示すように、平行四辺形において、その平行四辺形の前後方向の直線のみが、周方向の外方に凸の曲線に取り換えられた形状であっても良い。電極部の周方向の断面は、電極部の回転方向を変えることによって、回転軸側から基板ステージ側へのガスの流れと、基板ステージ側から回転軸側へのガスの流れのいずれも生成できるような形状であれば如何なる形状であっても良い。
【０１２７】
尚、本発明が、上記第１乃至第６実施形態に限定されないことは言うまでもなく、本発明には、特許請求の範囲内、および、特許請求の範囲と均等の範囲内のプラズマ加工装置が含まれることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１Ａ】試作された加工装置の模式的な側面透視図である。
【図１Ｂ】図１Ａに示す加工装置の電極周辺部の概略図である。
【図２】図１Ａに示すプラズマ加工装置によりシリコン基板の加工を行った際に得られた加工痕の断面プロファイルの一例を示す図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施形態のプラズマ加工装置の模式的な側面透視図である。
【図３Ｂ】図３Ａに示す装置の一部を示す模式的な斜視図であり、回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図３Ｃ】図３Ｂに示す回転電極を被加工物側から見た模式平面図である。
【図４】第１実施形態の変形例のプラズマ加工装置の図３Ｃに対応する図である。
【図５Ａ】本発明の第２実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第２実施形態のプラズマ加工装置の回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図５Ｂ】第２実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｃに対応する図であり、回転電極を被加工物側から見た模式平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第３実施形態のプラズマ加工装置の回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図７Ａ】本発明の第４実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第４実施形態のプラズマ加工装置の回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図７Ｂ】第４実施形態のプラズマ加工装置の電極部を基板ステージ側から見た模式平面図である。
【図８Ａ】本発明の第５実施形態のプラズマ加工装置における図３Ｂに対応する図であり、本発明の第５実施形態のプラズマ加工装置の回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図８Ｂ】第５実施形態のプラズマ加工装置の電極部を基板ステージ側からみた模式平面図である。
【図９Ａ】本発明の第６実施形態のプラズマ加工装置における図５Ａに対応する図であり、本発明の第６実施形態のプラズマ加工装置の回転電極の周辺部を示す斜視図である。
【図９Ｂ】図９Ａにおいて、電極部を、回転軸の中心軸を、中心軸とする仮想円筒面で切断したときの断面を示す周方向の断面図であり、電極部が矢印Ｘで示す方向に回転した際の気流の流れの向きを示す模式断面図である。
【図９Ｃ】図９Ａにおいて、電極部を、回転軸の中心軸を、中心軸とする仮想円筒面で切断したときの断面を示す周方向の断面図であり、電極部が上記矢印Ｘとは逆向きの矢印Ｙで示す方向に回転した際の気流の流れの向きを示す模式断面図である。
【図１０】変形例のプラズマ加工装置の電極部の周方向の模式断面図である。
【符号の説明】
【０１２９】
２１  反応容器
２２,２５２  回転電極
２３,２６３  回転軸
２４,２２４  基板ステージ
２５  ヒータ
２６,２２６  被加工物
２７  高周波電源
２８  ガス導入ライン
２９  ガス排気ライン
３０  プラズマ
３１  載置面
３４,２６４  対向面
３７  第１領域
３８  第２領域
８６  針状突起
９７  空孔
２３０  プラズマ部
２５３  電極部
２６６  載置面
Ｘ  回転方向
Ｙ  回転方向
Ｐ  回転方向Ｘによって発生するガスの流れ
Ｑ  回転方向Ｙによって発生するガスの流れ
【図１Ａ】
2008182176.tif 000003
【図１Ｂ】
2008182176.tif 000004
【図２】
2008182176.tif 000005
【図３Ａ】
2008182176.tif 000006
【図３Ｂ】
2008182176.tif 000007
【図３Ｃ】
2008182176.tif 000008
【図４】
2008182176.tif 000009
【図５Ａ】
2008182176.tif 000010
【図５Ｂ】
2008182176.tif 000011
【図６】
2008182176.tif 000012
【図７Ａ】
2008182176.tif 000013
【図７Ｂ】
2008182176.tif 000014
【図８Ａ】
2008182176.tif 000015
【図８Ｂ】
2008182176.tif 000016
【図９Ａ】
2008182176.tif 000017
【図９Ｂ】
2008182176.tif 000018
【図９Ｃ】
2008182176.tif 000019
【図１０】
2008182176.tif 000020