(57)【要約】【課題】高歩留まり且つ低コストで光出力の増大が図れる発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードを提供する。【解決手段】半導体基板１の一方の主面側に、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の発光層部を含むエピタキシャル層と、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層８とを形成する工程と、発光層部の発光波長に対して透明である透明基板１１の一方の主面側に、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層１３を形成する工程と、半導体基板１の接合層８と透明基板１１の接合層１３とを重ね合わせた状態で熱処理により接合する工程と、接合された接合基板１０から半導体基板１を除去する工程と、半導体基板１が除去された接合基板１０の半導体基板除去側に、ｎ側電極２１とｐ側電極２２を形成する工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の主面側に、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の発光層部を含むエピタキシャル層と、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層とを形成する工程と、
前記発光層部の発光波長に対して透明である透明基板の一方の主面側に、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層を形成する工程と、
前記半導体基板の接合層と前記透明基板の接合層とを重ね合わせた状態で熱処理により接合する工程と、
前記接合された接合基板から前記半導体基板を除去する工程と、
前記半導体基板が除去された前記接合基板の前記半導体基板除去側に、ｎ側電極とｐ側電極を形成する工程と、
を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
前記接合する工程が、前記半導体基板の接合層および前記透明基板の接合層の軟化点付近の温度で実施されることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
前記接合する工程が、６００℃以上の雰囲気で実施されことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
前記接合する工程が、重ね合わされた前記半導体基板の接合層と前記透明基板の接合層との間に、圧力を加えた状態で実施されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記接合する工程が、ホスフィンまたはアルシンを含む雰囲気中で実施されることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法で製造された発光ダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードに関し、更に詳しくは、発光層部が形成された不透明な半導体基板を透明基板に置換して作製する発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光ダイオード（Light Emitting Diode；ＬＥＤ）の応用分野の拡大に伴い、光出力の増大に対する要求が高まっている。
このような要求に対して、例えば、発光層部を成長する光吸収基板を、発光波長に対して透明な透明基板に置き換えるという方法が提案されている（非特許文献１参照）。この方法では、以下の手順によって透明基板への置換が実施されている。
まず、ｎ型ＧａＡｓ基板上にＩｎＧａＡｌＰ系化合物半導体からなる発光層部を有機金属気相成長（Metal Organic Vapor Phase Epitaxy；ＭＯＶＰＥ）法等の手段で形成する
。次いで、その上に非常に厚い（約５０μｍ）ｐ型ＧａＰ層をハイドライド気相成長（Hydride Vapor Phase Epitaxy；ＨＶＰＥ）法で成長する。更に、機械研磨とエッチングで
ｎ型ＧａＡｓ基板を除去した後、露出した発光層部にｎ型ＧａＰ基板を接合する。このようにして形成された発光ダイオードは、従来の光を吸収するＧａＡｓ基板上に形成された発光ダイオードに比べ、約２倍の光出力を得ることができる。
【０００３】
また、特許文献１に開示されている発光ダイオードの製造方法では、透明基板と発光層部とを合成樹脂の透明粘着性材料で接合する。透明粘着性材料は接合面の凹凸の影響を受けることなく接合できる。また、透明基板の種類を幅広く選択でき、例えば安価なガラス基板を選択すれば低コストもまた実現可能である。
【０００４】
【非特許文献１】F．A．Kish et.al.,“Very high efficiency semiconductor wafer-bonded transparent substrate light emitting diodes”，Appl.Phys.Lett.，vol.64，No.21，pp.2839-2841，May 1994
【特許文献１】特許第３５２０２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述した非特許文献１の方法は、あまりにも工程が複雑で時間がかかり、高歩留まりで且つ低コストな製造を実現するという、工業的な見地からは大きな問題を有する。
【０００６】
また、上記特許文献１の方法は、非特許文献１に比較して工程の簡素化が図れて有利であるが、この方法では、透明粘着材料の例としてあげられているＢＣＢ（B―Staged benzocyclobutene）樹脂に由来する問題がある。
第一に、ＢＣＢの塗布には多量の有機溶剤を要する。特許文献１の実施例にも記載されているように、ＢＣＢ樹脂を用いた接着では、加熱により有機溶剤をＢＣＢ層から除去する工程があり、この工程において有機溶剤は揮発するため、ＢＣＢ層中、すなわち接合界面に気泡を生じ易く、歩留まりが低下してしまう。
第二に、環境面を考慮すると有機溶剤の使用は好ましくない。
第三に、ＢＣＢ樹脂は耐湿性に劣るという欠点を有する。このことは、例えば屋外で長時間使用したときに、接合界面の剥離といった問題を引き起こす。特に、光出力を増大させた発光ダイオードは信号機や自動車等の屋外での使用が期待されているため、対環境性能は極めて重要で、耐湿性に劣るということは大きな問題となる。
特許文献１の方法は、透明粘着材料を必ずしもＢＣＢ樹脂に限定しているものではないが、貼り合わせに樹脂系粘着材料を使用しようとする限りにおいて、少なくとも第一および第二の有機溶剤の問題点を回避することは現在のところ、事実上困難であると言える。
【０００７】
本発明は、上記課題を解決し、高歩留まり且つ低コストで光出力の増大が図れる発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、半導体基板の一方の主面側に、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の発光層部を含むエピタキシャル層と、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層とを形成する工程と、前記発光層部の発光波長に対して透明である透明基板の一方の主面側に、少なくとも五酸化二リン、三酸化二ホウ素または二酸化ゲルマニウムのいずれかが添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層を形成する工程と、前記半導体基板の接合層と前記透明基板の接合層とを重ね合わせた状態で熱処理により接合する工程と、前記接合された接合基板から前記半導体基板を除去する工程と、前記半導体基板が除去された前記接合基板の前記半導体基板除去側に、ｎ側電極とｐ側電極を形成する工程と、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法である。
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様の発光ダイオードの製造方法において、前記接合する工程が、前記半導体基板の接合層および前記透明基板の接合層の軟化点付近の温度で実施されることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１の態様の発光ダイオードの製造方法において、前記接合する工程が、６００℃以上の雰囲気で実施されことを特徴とする。
【００１１】
本発明の第４の態様は、第１〜第３の態様のいずれかの発光ダイオードの製造方法おいて、前記接合する工程が、重ね合わされた前記半導体基板の接合層と前記透明基板の接合層との間に、圧力を加えた状態で実施されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜第４の態様のいずれかの発光ダイオードの製造方法において、前記接合する工程が、ホスフィンまたはアルシンを含む雰囲気中で実施されることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第６の態様は、第１〜第５の態様のいずれかの態様の発光ダイオードの製造方法で製造された発光ダイオードである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光層部を含むエピタキシャル層に比較的低温で安定した接合が可能な接合層を介して透明基板を接合する構成としたので、発光出力の増大が図れ、しかも高歩留まり且つ低コストの発光ダイオードが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係る発光ダイオードの製造方法及び発光ダイオードの実施形態を説明する。
本実施形態の発光ダイオードの製造方法は、
半導体基板の一方の主面側に、ＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の発光層部を含むエピタキシャル層と、少なくとも五酸化二リン（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）または二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）のいずれかが添加された二酸化ケイ素（ＳｉＯ
２）を主成分とする接合層とを形成する工程と、前記発光層部の発光波長に対して透明である透明基板の一方の主面側に、少なくとも五酸化二リン（Ｐ２Ｏ５）、三酸化二ホウ素（Ｂ２Ｏ３）または二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ２）のいずれかが添加された二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする接合層を形成する工程と、前記半導体基板の接合層と前記透明基板の接合層とを重ね合わせた状態で熱処理により接合する工程と、前記接合された接合基板から前記半導体基板を除去する工程と、前記半導体基板が除去された前記接合基板の前記半導体基板除去側に、ｎ側電極とｐ側電極を形成する工程と、を含む。
【００１６】
ＧａＡｓ基板等の半導体基板上へのＩｎＧａＡｌＰ系またはＩｎＧａＰ系の材料からなる発光層部を含むエピタキシャル層の形成は、ＭＯＶＰＥ法によるのが最も一般的である。しかしながら、ＭＯＶＰＥ法に限らず、例えば、液相エピタキシャル成長法、分子線エピタキシャル成長法等の方法を用いてもよい。
発光層部は、第１導電型の第１のクラッド層、活性層および第２導電型の第２のクラッド層からなるダブルへテロ構造が好ましいが、シングルへテロ構造のものでもよい。また、活性層は、単一層でも、量子井戸構造でもよい。
発光層部以外のエピタキシャル層としては、半導体基板と発光層部との間に、バッファ層やＧａＡｓやＡｌＧａＡｓなどのＡｓ系材料からなるエッチストップ層を設けたり、発光層部上に光を透過する薄い導電金属層を形成するためのコンタクト層を設けたりするなど、素子の作製プロセス等に応じて適宜に設計・選択し得る。
更に、発光層部を含むエピタキシャル層側に、五酸化二リン、三酸化二ホウ素、二酸化ゲルマニウム等が添加された二酸化ケイ素を主成分とする接合層を形成するには、例えば、ＣＶＤ法を用いて行う。ＣＶＤ法の他にも、火炎堆積法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法などを用いてもよい。  
【００１７】
透明基板の材料としては、ホウケイ酸ガラス、サファイア、ソーダガラス、鉛ガラス等が挙げられるが、透明基板は、透明で発光層部を支持できるものであればよく、単結晶でなく多結晶の化合物半導体や非晶質の材料など、発光層部の発光波長に応じて透明である他の材料を適宜選択し得る。従って、透明基板として、ガラスなどの安価な材料を用いることができ、素子の低コスト化が図れる。
透明基板に接合層を形成する方法は、上記と同様に、ＣＶＤ法などが用いられる。
【００１８】
半導体基板の接合層と透明基板の接合層とを重ね合わせた状態で熱処理により接合する工程では、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）に五酸化二リン、三酸化二ホウ素、二酸化ゲルマニウム等を添加することにより、接合層の軟化点を二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）の軟化点よりも大幅に低下できるため、比較的低温かつ低圧力の条件で良好な接合が実現できる。この結果、発光層部の結晶に熱的、機械的なダメージを与えることがないので、より光出力が高く、かつ安定性、信頼性に優れた発光ダイオードを、工業性に優れた製造方法で提供することができる。
接合層に添加される五酸化二リン、三酸化二ホウ素、二酸化ゲルマニウム等の添加量は、添加量が多くなるほど接合層の軟化点は下がるが、吸湿性その他を考慮すると、二酸化ケイ素の耐湿性などの優れた性質を保持するために、二酸化ケイ素に対する二酸化ゲルマニウム等の添加量は組成比（モル比）で５０％未満とするのが好ましい。この二酸化ゲルマニウム等の添加量を重量比で表すと、二酸化ゲルマニウムでは７２％未満、五酸化二リンでは７７％未満、三酸化二ホウ素では５５％未満となる。
【００１９】
前記接合する工程は、発光層部の結晶に熱的なダメージを与えることがないように、半導体基板の接合層および透明基板の接合層の軟化点付近の温度で実施されるのが好ましい。
また、前記接合する工程は、６００℃以上の雰囲気で実施されのが好ましい。基板の接合を適切な圧力および温度の下で実施することは、強固な接合を得るうえで非常に重要で
あるが、本実施形態では、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする基板を使用しているにも拘わらず、五酸化二リン、三酸化二ホウ素、二酸化ゲルマニウム等を添加することにより、６００℃程度という比較的低温から良好な接合が得られる点で画期的である。また、前記接合工程の接合温度は、ＩｎＧａＡｌＰ層などの発光層部の結晶に熱的なダメージを与えることがないように、７００℃以下とするのが好ましい。
更に、基板を強固に接合するために、前記接合する工程が、重ね合わされた半導体基板の接合層と透明基板の接合層との間に、圧力を加えた状態で実施されるのが好ましい。
また、前記接合する工程が、ホスフィン（ＰＨ３）またはアルシン（ＡｓＨ３）を含む雰囲気中で実施されることが好ましい。ホスフィンまたはアルシンを含む雰囲気中で実施することにより、発光層部からのＶ族原料の蒸発を防止できる。
【００２０】
前記接合された接合基板から前記半導体基板の除去には、化学機械研磨あるいはエッチング等によりなされる。
【００２１】
半導体基板が除去された接合基板の半導体基板除去側に、ｎ側電極とｐ側電極を形成する工程においては、発光層部が、第１導電型の第１のクラッド層、活性層および第２導電型の第２のクラッド層からなるダブルへテロ構造の場合には、例えば、半導体基板の除去によって露出した第１導電型の第１のクラッド層に第１のオーミック性接触電極を形成する。また、第１のクラッド層と活性層の一部はさらにエッチング等で除去して、第２導電型の第２のクラッド層を露出させ、この露出した第２のクラッド層に第２のオーミック性接触電極を形成する。すなわち、第１導電型と第２導電型のオーミック性接触電極は、接合基板の同一主面側に配置される。
【００２２】
上記基板を所定の寸法に切断した発光ダイオードチップは、バンプと呼ばれる突起状の端子によって実装基板上に接続される。このような実装方法は一般にフリップチップ実装と呼ばれており、発光層部で発生した熱を放熱器を兼ねる実装基板へ伝えやすいという特長がある。これは、従来のワイヤボンディングによる実装に比べると、特に大電流通電時の発熱の問題を解決しやすい。フリップチップ実装を採用することにより、より光出力が高く、かつ安定性、信頼性に優れた発光ダイオードを提供できる。
【実施例】
【００２３】
次に、本発明の発光ダイオードの製造方法の一実施例を説明する。図１は本実施例の製造方法の各製造工程（ａ）〜（ｆ）を模式的に示す工程図である。
【００２４】
直径７６.２ｍｍ、厚さ３００μｍのＳｉドープのＧａＡｓ基板１上に、Ｓｅドープの
ｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層２、アンドープ（Ａｌ０.１５
Ｇａ０.８５）０.５Ｉｎ０.５Ｐ活性層３、Ｚｎドープのｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層４、Ｚｎドープのｐ型ＧａＰコンククト層５をＭＯＶＰＥ法で
順次成長し、エピタキシャル基板Ａを作製した（図１（ａ））。さらに、エピタキシャル基板Ａに用いたＧａＡｓ基板１と同一ロットのＧａＡｓ基板にエピタキシャル基板Ａと全く同様のエピタキシャル成長を行って、エピタキシャル基板Ｂを作製した。
エピタキシャル基板Ａとエピタキシャル基板Ｂがほぼ同等の特性を持つことを確認するため、それぞれにアルゴンレーザ（波長５１４.５ｎｍ）を照射し、フォトルミネッセン
ススペクトルの測定を行った。エピタキシャル基板Ａおよびエピタキシャル基板Ｂのスペクトルを図２に示す。両者のスペクトルは同等の形状を示していることから、両者は同一の特性を持つエピタキシャル基板であることが確認できた。
【００２５】
エピタキシャル基板Ａのエピタキシャル成長を行った側（ｐ型ＧａＰコンタクト層５側）に、厚さ１０ｎｍのアルミニウム層６を蒸着装置により形成し、さらにその上に厚さ１００ｎｍのＳｉＯ２膜７、厚さ１０ｎｍのＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜８をプラズマＣＶＤ装
置で順次形成した（図１（ｂ１））。ＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜８におけるＧｅＯ２とＳｉＯ２の比率は重量比で３.５：９６.５である。
【００２６】
次に、ナトリウムをＮａ２Ｏの形で３.６重量％含むホウケイ酸ガラスからなる、直径
７６.２ｍｍ、厚さ１００μｍのガラス基板１１を準備した。このガラス基板１１の一方
の表面には、厚さ１００ｎｍのＳｉＯ２膜１２、厚さ１０ｎｍのＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜１３をプラズマＣＶＤ装置で順次形成した（図１（ｂ２））。エピタキシャル基板Ａの場合と同様、ＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜１３におけるＧｅＯ２とＳｉＯ２の比率は重量比で３.５：９６.５である。
なお、エピタキシャル基板ＡのＳｉＯ２膜７とＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜８の膜厚、およびガラス基板１１のＳｉＯ２膜１２とＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜１３の膜厚については、本実施例に限定されるものではなく、素子の設計に応じて適宜変更して適用される。更に、ＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜８，１３のＧｅＯ２の含有率も、必要に応じて適宜変更してよい。また、ガラス基板１１表面にＳｉＯ２膜１２およびＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜１３を形成する工程（ステップ（ｂ２））は、上記ステップ（ｂ１）の後ではなく、ステップ（ａ）、（ｂ１）以前あるいは並行して行ってもよい。
【００２７】
次いで、エピタキシャル基板Ａに形成されたＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜８と、ガラス基板１１に形成したＧｅＯ２添加ＳｉＯ２膜１３とを接触するように重ね合わせ、上下から２.４５Ｎ／ｃｍ２（０.２５ｋｇｆ／ｃｍ２）の圧力を加えながら６００℃で３０分間保持して接合し、接合基板１０を得た（図１（ｃ））。この接合工程は、水素（Ｈ２）とホスフィン（ＰＨ３）の混合雰囲気下の加熱炉で実施した。Ｈ２とＰＨ３の比率は体積比で９５：５である。
接合基板１０の接合界面を超音波顕微鏡にて観察したところ、特に未接合部は認められず、接合方法が極めて優れていることが確かめられた。
【００２８】
次に、接合基板１０のＧａＡｓ基板１を厚さ５０μｍまで研磨し、さらにアンモニア水と過酸化水素水の混合液でエッチングして完全に除去した。更に、露出した状態のｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層２と、アンドープ（Ａｌ０.１５Ｇａ
０.８５）０.５Ｉｎ０.５Ｐ活性層３と、ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐ
クラッド層４とは、発光部となる一部を除いて反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching；ＲＩＥ）により除去して、ｐ型ＧａＰコンタクト層５の一部を露出させた（図１（ｄ））。
【００２９】
次に、残ったｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層２上の一部にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層２１を形成し、露出したｐ型ＧａＰコンタクト層５上の一部にはＡｕＣｒ／Ａｕ合金層２２を形成した（図１（ｅ））。ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層２１はｎ側電極、ＡｕＣｒ／Ａｕ合金層２２はｐ側電極となる。
【００３０】
これら電極が形成された接合基板１０を３００μｍ角のチップヘと加工した後、金バンプ２３、２４を介して金属ステム２５に接合し、本実施例のフリップチップ実装の発光ダイオードを得た（図１（ｆ））。なお、２６は金属ステム２５を電気的に分離する絶縁層である。
【００３１】
一方、本実施例の発光ダイオード（図１（ｆ））と比較するために、図３に示すように、上記エピタキシャル基板ＢのＧａＡｓ基板１の裏面にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層３１、ｐ型ＧａＰコンタクト層５上の一部にはＡｕＣｒ／Ａｕ合金層３２を形成した後、３００μｍ角のチップに加工し、このチップを金シリコンはんだ３３と金ワイヤ３４を介して、絶縁層３６で分離された金属ステム３５へと搭載し、比較例のワイヤボンディング方式の発光ダイオードを作製した。図３に示す比較例の発光ダイオードは、一般的に製造さ
れているタイプの発光ダイオードである。
【００３２】
本実施例の発光ダイオード（図１（ｆ））と比較例の発光ダイオード（図３）に、それぞれ２０ｍＡの電流を通電して発光出力を調べた結果、本実施例の発光ダイオードの発光出力は２.９ｍＷ、比較例の発光ダイオードの発光出力は１.２ｍＷであった。このときの印加電圧は本実施例、比較例の発光ダイオードともに２.２Ｖであった。
本実施例の発光ダイオードのほうが、従来方法で製造した比較例の発光ダイオードよりも電流−光変換効率が優れ、より大きな光出力の発光ダイオードを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例に係る発光ダイオードの製造方法の各製造工程（ａ）〜（ｆ）を模式的に示す断面図である。
【図２】ＧａＡｓ基板上に発光層部を形成した実施例のエピタキシャル基板のフォトルミネッセンススペクトルを示すグラフである。
【図３】比較例の発光ダイオードを模式的に示した断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  ＧａＡｓ基板（半導体基板）
２  ｎ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層
３  アンドープ（Ａｌ０.１５Ｇａ０.８５）０.５Ｉｎ０.５Ｐ活性層
４  ｐ型（Ａｌ０.７Ｇａ０.３）０.５Ｉｎ０.５Ｐクラッド層
５  ｐ型ＧａＰコンタクト層
６  アルミニウム膜
７  ＳｉＯ２膜
８  ＧｅＯ２含有ＳｉＯ２膜（接合層）
１０  接合基板
１１  ガラス基板（透明基板）
１２  ＳｉＯ２膜
１３  ＧｅＯ２含有ＳｉＯ２膜（接合層）
２１  ＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ合金層（ｎ側電極）
２２  ＡｕＣｒ／Ａｕ合金層（ｐ側電極）
２３、２４  金バンプ
２５  金属ステム
２６  絶縁層
Ａ  エピタキシャル基板
【図１】
2008210886.tif 000003
【図２】
2008210886.tif 000004
【図３】
2008210886.tif 000005