【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネトロンをプラズマスパッタチャンバ内のターゲットの裏面において走査する方法であって：
電力をターゲットに印加してプラズマを前記チャンバ内で励起し、そして前記ターゲットからのスパッタリングを行なうステップと；
前記マグネトロンを前記チャンバの中心軸の回りに、前記中心軸に対して半径方向成分及び方位角成分を有する選択経路に沿って走査するステップと；
印加されている電力と走査されている経路を制御するために前記走査ステップ中に使用される操作パラメータに基づいて前記スパッタリングにより生じるエロージョン分布を、前記ターゲットの中心からの少なくとも半径距離の関数として計算するステップであって、前記エロージョン分布が少なくとも前記半径距離の異なる距離において複数の計算されたエロージョン量を含み、そして前記走査パラメータはコンピュータ支援コントローラから前記プラズマスパッタチャンバに適用される、前記計算ステップと；
前記マグネトロンを前記中心軸から固定の半径方向位置で、所定のエネルギー期間に亘って回転させ、そして基準エロージョン速度分布を測定する校正ステップであって、前記計算ステップでは、前記固定の半径方向位置を除く他の複数の半径方向位置に対応するエロージョン速度分布を、前記固定の半径方向位置と前記他の複数の半径方向位置との幾何学的関係に従って計算する、前記校正ステップと；
前記計算エロージョン分布が前記ターゲットの所定のエロージョン限界を示すときに前記ターゲットが使用されることがないように、前記ターゲットを取り外すステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記操作パラメータは、前記ターゲットに印加される前記電力、及び前記選択経路を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記操作パラメータは、前記選択経路の半径方向位置を含むが、方位角位置は含まない、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
更に、前記中心軸に沿った前記マグネトロンの垂直方向位置を、前記計算エロージョン分布に基づいて調整するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記計算ステップでは、前記中心軸からの前記マグネトロンの各半径方向位置に関連する蓄積エネルギーの複数の値を前記走査ステップ中に更新する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記更新ステップでは、前記各値を、前記マグネトロンが前記各値が対応するそれぞれの半径方向位置に配置されていたときのターゲット電力と時間との積の値だけインクリメントする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
マグネトロンをプラズマスパッタチャンバ内のターゲットの裏面において走査する方法であって：
電力を前記ターゲットに印加してプラズマを前記チャンバ内で励起し、そして前記ターゲットの材料をスパッタリングして前記チャンバ内の基板に堆積させるステップと；
前記マグネトロンを前記チャンバの中心軸の回りに、前記中心軸に対する半径方向成分及び方位角成分を有する選択経路に沿って走査するステップと；
前記スパッタリングにより生じるエロージョン分布を、前記ターゲットの中心からの少なくとも半径距離の関数として前記走査ステップ中に使用される操作パラメータに基づいて計算するステップであって、前記エロージョン分布は少なくとも前記半径距離の異なる距離において複数の計算されたエロージョン量を含み、そして前記走査パラメータはコンピュータ支援コントローラから前記プラズマスパッタチャンバに適用される、前記計算ステップと；
前記マグネトロンを前記中心軸に平行に垂直方向に、前記計算分布に基づいて移動させるステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記マグネトロンを、ある基板に対応する走査ステップと、前記基板とは異なる基板に対応する走査ステップとの間にのみ垂直方向に移動させる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記マグネトロンを、前記走査ステップ中に垂直方向に移動させる、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
更に、前記計算エロージョン分布が前記ターゲットのエロージョン限界を超えたことを示す場合に、前記ターゲットが使用されることがないように、前記ターゲットを取り外すステップを含む、請求項８乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
マグネトロンをプラズマスパッタチャンバ内のターゲットの裏面において走査する方法であって：
電力を前記ターゲットに印加してプラズマを前記チャンバ内で励起し、そして前記ターゲットの材料をスパッタリングして前記チャンバ内の基板に堆積させるステップと；
前記マグネトロンを前記チャンバの中心軸の回りに、前記中心軸に対して半径方向成分及び方位角成分を有する選択経路に沿って走査するステップと；
前記スパッタリングにより生じるエロージョン分布を、前記ターゲットの半径に沿った少なくとも半径距離の関数として前記走査ステップ中に使用される操作パラメータに基づいて計算するステップであって、前記計算ステップは蓄積エネルギーの複数の値を更新することを含み、前記値は、前記走査ステップ中に前記中心軸からの前記マグネトロンの各半径方向位置に関連し、前記エロージョン分布は少なくとも前記半径距離の異なる距離において複数の計算されたエロージョン量を含み、そして前記操作パラメータはコンピュータ支援コントローラから前記プラズマスパッタチャンバに適用される、前記計算ステップと；
前記マグネトロンを前記中心軸から固定の半径方向位置で、所定のエネルギー期間に亘って回転させ、そして基準エロージョン速度分布を測定する校正ステップであって、前記計算ステップでは、前記固定の半径方向位置を除く他の複数の半径方向位置に対応するエロージョン速度分布を、前記固定の半径方向位置と前記他の複数の半径方向位置との幾何学的関係に従って計算する、前記校正ステップと；
前記マグネトロンを前記中心軸に平行に垂直方向に、前記計算分布に基づいて移動させるステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
前記更新ステップでは、前記各値を、前記マグネトロンが前記各値が対応するそれぞれの半径方向位置に配置されていたときのターゲット電力と時間との積の値だけインクリメントする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
マグネトロンをプラズマスパッタチャンバ内のターゲットの裏面において走査する方法であって：
電力をターゲットに印加してプラズマを前記チャンバ内で励起し、そして前記ターゲットからのスパッタリングを行なうステップと；
前記走査ステップ中に使用される操作パラメータに基づいて前記スパッタリングにより生じるエロージョン分布を、前記ターゲットの中心からの少なくとも半径距離の関数として計算するステップであって、前記エロージョン分布が少なくとも前記半径距離の異なる距離において複数の計算されたエロージョン量を含み、そして前記走査パラメータはコンピュータ支援コントローラから前記プラズマスパッタチャンバに適用される、前記計算ステップと；
前記マグネトロンを前記中心軸から固定の半径方向位置で、所定のエネルギー期間に亘って回転させ、そして基準エロージョン速度分布を測定する校正ステップであって、前記計算ステップでは、前記固定の半径方向位置を除く他の複数の半径方向位置に対応するエロージョン速度分布を、前記固定の半径方向位置と前記他の複数の半径方向位置との幾何学的関係に従って計算する、前記校正ステップと；
前記印加ステップと同時に、
前記マグネトロンを前記チャンバの中心軸に平行に垂直方向に移動させるステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
更に、エロージョン分布を前記操作パラメータに基づいて計算するステップを含み、前記操作パラメータは、前記印加ステップの異なる期間中に前記ターゲットに印加される電力を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記マグネトロンを、前記エロージョン分布から導出される補正プロファイルに従って移動させる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
更に：
前記ターゲットに印加される前記電力により生じる電圧をモニタリングするステップと；
モニタリングされる前記電圧に応答して、前記マグネトロンを垂直方向に移動させて、前記電圧を所望電圧に戻すステップと、
を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
マグネトロンをプラズマスパッタチャンバ内のターゲットの裏面において走査する方法であって：
電力をターゲットに印加してプラズマを前記チャンバ内で励起し、そして前記ターゲットからのスパッタリングを行なうステップと；
前記マグネトロンを前記チャンバの中心軸の回りに、前記中心軸に対して半径方向成分及び方位角成分を有する選択経路に沿って走査するステップと；
前記ターゲットの中心からの少なくとも半径距離で前記スパッタリングされたターゲットの少なくとも半径に沿った前記スパッタリングされたターゲットのエロージョン分布を決定するために、前記印加および走査ステップの制御中に前記プラズマスパッタチャンバの要素に外部から加えられた操作パラメータから計算するステップであって、前記エロージョン分布は少なくとも前記半径距離の異なる距離において複数の計算されたエロージョン量を含み、そして前記操作パラメータはコンピュータ支援コントローラから前記プラズマスパッタチャンバに適用される、前記計算ステップと、
を含む、方法。
【請求項１８】
更に、前記印加ステップと同時に、前記マグネトロンを前記中心軸に平行に垂直方向に移動させるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記調整ステップでは、前記印加ステップ中に前記計算されたエロージョン分布にしたがって前記マグネトロンを垂直方向に移動させる、請求項４に記載の方法。
【請求項２０】
前記調整ステップでは、複数の基板のうちの１つに対応する走査ステップと、前記１つとは異なる基板に対応する走査ステップとの間に前記マグネトロンを垂直方向に移動させる、請求項４に記載の方法。
【請求項２１】
前記操作パラメータは、前記スキャンの期間中に前記ターゲットに印加された電力を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２２】
更に：
前記ターゲットに印加された電力により生じる電圧を測定するステップと；
前記測定された電圧に応じて、前記マグネトロンを垂直方向に移動させて前記電圧を所望のレベルに戻すステップと、
を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項２３】
更に、前記エロージョン量の最大量を決定するステップを含み、前記取り外しステップは前記決定ステップに応答して動作する、請求項１に記載の方法。