(57)【要約】【課題】大きなインダクタンス値のインダクタを搭載すると、高周波モジュールが小型化できない。【解決手段】基板２の一方面上には、チップインダクタ３ａを含む高周波回路が構成され、この高周波回路を覆うように金属製のシールドカバー４が基板２へ装着される。そしてチップインダクタ３ａのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有するチョークコイル７が、少なくともシールドカバー４の天面部４ａに形成され、チョークコイル７の両端に設けられた接続端子８ａと基板２とが接続されるものである。これにより、基板には大きなインダクタンス値が必要なチョークコイル７を実装するスペースが不要となる。【選択図】図１
2008135430.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第１のインダクタと、この第１のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第２のインダクタとを備え、前記第２のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第２のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続する高周波モジュール。
【請求項２】
第２のインダクタは天面部に導線を巻き回して形成し、前記シールドカバーと前記導線との間には絶縁膜が設けられた請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
導体は予め表面に絶縁膜が形成された絶縁皮膜付導線を用いた請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
シールドカバーはプレス加工によって成形されるとともに、前記シールドカバーの切断端部と前記導線との間に絶縁体が挿入された請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項５】
シールドカバーの表側における中央部は、導線不設部とした請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項６】
基板の側面には切欠きと、この切欠きの内周に形成された導体電極とを有し、前記導体電極で第２のインダクタの接続端子が接続される請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項７】
シールドカバーは、高周波回路全体を囲うとともに、その天面部に孔を有した第１のシールドカバー部と、導線が巻き回される第２のシールドカバー部とを有し、前記孔は前記第２のシールドカバーの天面で塞がれ、前記第２のシールドケースは少なくとも前記第１のシールドケースと前記基板とのいずれか一方に接続される請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項８】
第１と第２のシールドカバーには前記基板に固定するために前記第１と第２のシールドケース側面のそれぞれから延在して設けられた脚を設けると共に、前記基板の側面には複数の切欠きとこれらの切欠きの内周に形成された導体電極とを設け、前記第１と第２のシールドカバーの脚は共に同じ切欠きへ挿入され、前記導体電極と前記脚部とが接続された請求項７に記載の高周波モジュール。
【請求項９】
第２のインダクタは折り曲げ可能なフレキシブル基板上に形成され、前記フレキシブル基板はシールドケースへ貼設されるとともに、前記シールドカバーと共に折り曲げられた請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項１０】
フレキシブル基板はシールドカバーの内側に貼設されるとともに、前記シールドケース側面から延在して設けられた脚の内面に接続端子を形成し、前記脚は前記基板の側面に形成された切欠きへ挿入され、前記接続端子と前記切欠き内周に形成された導体電極とが接続された請求項９に記載の高周波モジュール。
【請求項１１】
接続端子の幅は、脚の幅より小さくすると共に、導体電極の幅と前記接続端子との幅はほぼ等しくした請求項１０に記載の高周波モジュール。
【請求項１２】
第２のインダクタとこの第２のインダクタが形成された層とは異なる層にグランド層とを有する多層基板と、この多層基板の外周に沿って立設されるとともに、前記グランド層と前記基板のグランドとの間を接続する金属製のアース端子と、第２のインダクタの両端と基板との間を接続する信号端子とを有し、前記グランド層と前記アース端子とによって、擬似的にシールドケースが構成された請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項１３】
多層基板には、第２のインダクタと接続する電子部品が装着された請求項１２に記載の高周波モジュール。
【請求項１４】
基板上には高周波回路に接続されたＤＣ−ＤＣコンバータが形成され、第２のインダクタは、前記ＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイルとした請求項１に記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大型のインダクタが搭載される高周波モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールにおいて、基板の一方の面上には、複数の電子部品が搭載され、回路が形成されている。この回路には高周波信号を処理する高周波回路を含んでいる。そして、基板には、回路全体を覆うために金属製のシールドカバーが装着される。
【０００３】
なお電子部品には大きなインダクタンス値のインダクタを含み、このインダクタも基板上に搭載されている。そしてこのような高周波モジュールにおいて、インダクタには例えば４．７マイクロヘンリーのように大きなインダクタンス値のインダクタが用いられている。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開２００１−３６３４１号公報
【特許文献２】特開２００３−３４７１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば４．７マイクロヘンリーのような大きなインダクタンス値のインダクタはサイズが大きく、高周波モジュールが大型化するという課題を有していた。
【０００６】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、小型の高周波モジュールを提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この目的を達成するために本発明の高周波モジュールは、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第１のインダクタと、この第１のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第２のインダクタとを備え、前記第２のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第２のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続するものである。これにより所期の目的を達成できる。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように本発明によれば、基板と、この基板の一方面上に構成された高周波回路と、この高周波回路を覆う金属製のシールドカバーと、前記高周波回路に設けられた第１のインダクタと、この第１のインダクタのインダクタンス値より大きなインダクタンス値を有する第２のインダクタとを備え、前記第２のインダクタは少なくとも前記シールドカバーの天面部に形成され、前記第２のインダクタの両端に設けられた接続端子を前記基板へ接続する高周波モジュールである。
【０００９】
これにより、大きなインダクタンス値が必要なインダクタはシールドカバー上に設けられるので、基板には第２のインダクタを実装するスペースが不要とできる。従って、高周波モジュールを小型化できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態について、図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図１（ｂ）は、同、側面図であり、図２は同、断面図である。
【００１１】
図１から図２において、高周波モジュール１は、デジタル地上波放送を受信するチューナ（高周波回路の一例として用いた）であり、主に携帯電話のような携帯機器に搭載される。
【００１２】
このチューナには、高周波回路ブロックと復調回路ブロックとを有し、それらの回路ブロックは互いに異なった電圧により動作する。一方携帯機器のバッテリー電圧は約３．６Ｖである。そして高周波モジュール１の電源端子には、このバッテリーの電圧が直接供給される。そこで高周波モジュール１には、バッテリーから供給された単一の電圧を、それぞれの回路ブロックへ適する電圧へ変換するための電源回路を設ける。この電源回路では、入力された３．６Ｖの電圧から２．８Ｖと１．２Ｖの電圧へと降下させて出力する。
【００１３】
ここでＲＦ回路ブロックは２．８Ｖで動作する。そこで、３．６Ｖの電圧から２．８Ｖの電圧への変換には、ＬＤＯレギュレータを用いる。一方、復調回路ブロックは、デジタルＩＣに対するプロセスの微細化が進み低電圧駆動化され、１．２Ｖの電圧で動作する。そこで、この変換には変換効率が良好であり、携帯機器の消費電力を小さくできるＤＣ−ＤＣコンバータを用いる。
【００１４】
次に高周波モジュール１の構成について説明する。基板２の上面には、複数の電子部品３が搭載されチューナと電源回路とが構成される。この電子部品３には、比較的小さなインダクタのチップインダクタ３ａであるとか、チップコンデンサあるいは半導体素子が含まれている。そして基板２には、少なくともチューナをシールドするために、これらのチューナとＤＣ−ＤＣコンバータとの回路を覆うように金属製のシールドカバー４が装着される。このシールドカバー４には電子部品３の上方に配置された天面部４ａと、この天面部４ａの向かい合う２つの端部のそれぞれから下方へ折り曲げて形成された縦側面部４ｂと、この縦側面部４ｂの先端から下方へ延在して設けられた脚部４ｃとを有している。さらに、シールドカバー４には、それぞれの縦側面部４ｂの両側端から折り曲げて形成された横側面部４ｄを有し、この横側面部４ｄの先端にも下方へ向かって延在された脚部４ｃが設けられる。なお、本実施の形態では、両縦側面部４ｂから横側面部４ｄを形成したが、これはいずれか一方から形成しても良い。
【００１５】
ここで基板２の側面には切欠き５ａが設けられる。そして、縦側面部４ｂと横側面部４ｄの脚部４ｃが切欠き５ａへ挿入され、この切欠き５ａの内周面に形成された導体電極と脚部４ｃとがはんだ６によって接続される。このように構成によって、電子部品３は縦側面部４ｂと横側面部４ｄとによって囲まれ、チューナのシールドがなされる。
【００１６】
次にＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイル７（インダクタの一例として用いた）について説明する。チューナを構成するチップインダクタ３ａのインダクタンス値は小さいが、一般にＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイル７には大きなインダクタンスが必要である。そこで本実施の形態におけるチョークコイル７は、耐熱性の絶縁被覆を有した導線８を天面部４ａに巻き回す。そして導線８の両端には、基板２と接続するための接続端子８ａが形成される。この接続端子８ａは絶縁被覆が剥離された領域であり、この接続端子８ａが基板２側面に設けられた切欠き５ｂへ挿入され、はんだ６によって接続される。このようにチョークコイル７は基板２の側面で接続されるので、接続の良否判定が容易である。また、孔に挿入する必要もないので、生産性も良好とできる。
【００１７】
このように、チョークコイル７は面積の広いシールドカバー４の天面部４ａへ巻いて形成されるので、大きなインダクタンス値を得ることができる。なお、本実施の形態におけるシールドカバー４には洋白を用いたが、これは他の材料を用いても良い。ただし、シールドカバーの材料としては、高周波信号の遮蔽と、大きなインダクタンスの形成が可能であることが必要である。そこで、洋白に代えて、例えばパーマアロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）や珪素鋼板（Ｆｅ−Ｓｉ合金）のような高透磁率の材料を用いれば、さらに大きなインダクタンス値のインダクタを形成できる。特に、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｍｎ−Ｃｒ−Ｓｉ−Ｂに代表されるような非鉄系のアモルファス合金を用いれば、インダクタを流れる信号によって発生する渦電流を抑制できるので、信号の損失が小さくできる。つまり、このインダクタをＤＣ−ＤＣコンバータのチョークコイル７として用いた場合、高効率のＤＣ−ＤＣコンバータを実現できるので、消費電力の小さな高周波モジュール１を実現できる。また、このインダクタをフィルタに用いれば、信号損失の小さいフィルタを得ることができる。
【００１８】
以上の構成によって、チョークコイル７はシールドカバー４に形成されるので、基板２上にチョークコイル７を配置する必要がない。従って、高周波モジュール１の面積を小さくできる。さらに、導線８を天面部４ａへ巻き回しているので、チョークコイル７の高さ方向の寸法も小さくできる。従って、厚みの薄い高周波モジュール１を実現できる。
【００１９】
なお本実施の形態において、シールドカバー４の表側における中心近傍は導線８の不設部９としている。つまり、天面部４ａへ導線８を巻き回すときに、この不設部９の領域では導線８がシールドカバー４の内側を通るようにするわけである。これによってシールドカバー４の中央部では、平坦な天面部４ａが露出することとなる。従って、この高周波モジュール１をマザー基板へ実装する場合、この不設部９を吸着して実装が可能となる。このように平坦な天面部４ａを吸着できるので、汎用の実装装置で容易に実装することができる。
【００２０】
また、シールドカバー４はプレス加工によって成形されるので、切断箇所にはバリが生じる。そこで、天面部４ａにおける切断部１０には、樹脂製の絶縁シートを貼り付けている。これにより、導線８と天面部４ａとの間には、絶縁シートが挟まれることとなるので、シールドカバー４加工時のバリによってシールドカバー４と導線８とが短絡し難くなる。
【００２１】
次に高周波モジュール１の製造方法について説明する。最初に基板２へ電子部品３を実装し、はんだなどによって接続する。一方シールドカバー４をプレス加工する。ただしこのときには、縦側面部４ｂの折り曲げは行われていない。このシールドカバー４をコイル巻き線の設備へ装着し、天面部４ａへ導線８を巻き回す。そして、導線８を中央近傍まで巻き回すと、シールドカバー４の内面を通して、シールドカバー４の表面に導線８の不設部９を形成させる。なお、導線８は、予め所定の間隔で絶縁被覆が剥がされ、所定の回数巻き回されると、導線８が切断される。そしてその後で、両縦側面部４ｂが折り曲げられて、チョークコイル７が形成されたシールドカバー４が完成する。このように縦側面部４ｂを後で折り曲げることによって、導線８を天面部４ａへ容易に巻き回し易くなる。
【００２２】
このようにして加工されたシールドカバー４は基板２へ装着される。このとき、脚部４ｃが基板２の切欠き５ａに挿入され、一方接続端子８ａが切欠き５ｂへ挿入される。
【００２３】
そしてその後で、脚部４ｃと切欠き５ａおよび、接続端子８ａと切欠き５ｂとがそれぞれはんだ６によって接続されて、高周波モジュール１が完成する。
【００２４】
なお、本実施の形態においてチョークコイル７をシールドカバー４に設けたが、これは他のコイルでも良い。例えば、基板２上にＡＭ放送波を受信するチューナ回路を構成したような場合、信号の周波数が低いので入力のフィルタ回路に用いるインダクタのインダクタンス値は大きくなる。従って、大きなコイルが必要となるので、このようなインダクタをシールドカバー４に形成しても良い。
【００２５】
さらに、本実施の形態ではシールドカバー４上に１個のインダクタを形成したが、これは複数個のインダクタを形成しても良い。ただし、この場合においても、不設部９には導線８を巻かないようにすることが必要である。
【００２６】
（実施の形態２）
以下、本実施の形態における高周波モジュール２１について図面を用いて説明する。図３（ａ）は、本実施の形態における高周波モジュールの上面図であり、図３（ｂ）は、同側面図であり、図４は、シールドカバーの側面図である。なお、これらの図３から図４において、図１や図２と同じものには、同じ番号を用い、その説明は簡略化している。
【００２７】
図３、図４における高周波モジュール２１では、シールドカバー２２とシールドカバー２３とを有し、導線８はシールドカバー２３の天面部２３ａに巻き回されている。この天面部２３ａの両端から縦側面部２３ｂが折り曲げられ、この縦側面部２３ｂの先端には脚部２３ｃが設けられている。
【００２８】
一方シールドカバー２２には、天面部２２ａと、この天面部２２ａの四方の端部から折り曲げられた側面部２２ｂと、この側面部２２ｂの先端から延在された脚部２２ｃを有している。ここで、基板２の側面には切欠き５ａが設けられ、脚部２２ｃが挿入される。また、基板２の側面には切欠き５ｃを有し、この切欠き５ｃには脚部２２ｃと脚部２３ｃとが挿入される。そして脚部２２ｃと脚部２３ｃとは共に、はんだ６で切欠き５ｃへ固定される。このように脚部２２ｃと脚部２３ｃとは同時に、はんだ６接続することができるので、生産性の良好な高周波モジュール２１を得ることができる。
【００２９】
ここで、シールドカバー２２の天面部２２ａには、シールドカバー２３の天面部２３ａに対応する孔２４が設けられる。なお本実施の形態において、シールドカバー２２の高さとシールドカバー２３の高さは同じである。以上のような構成により、導線８はシールドカバー２３の天面部２３ａに巻き回されるので、縦側面部２２ｂを折り曲げた状態でも容易に導線８の巻き回しが可能である。従って生産性が良好な高周波モジュールを得ることができる。また、孔２４は天面部２３ａによって塞がれるので、高周波回路をシールドできる。
【００３０】
なお、本実施の形態では、天面部２２ａと天面部２３ａの高さは同じとしたが、天面部２２ａの内周面の高さを導線８の上端の高さより高くしても良い。このようにすれば、天面部２３ａを孔２４より大きくでき、天面部２３ａと孔２４との間の隙間を小さくできる。従ってさらにシールド性が良好となる。
【００３１】
あるいは逆に天面部２２ａの表面と、導線８の上端の高さとを同じ高さとしても良い。このようにすれば、天面部２２ａの下には背の高い部品が配置できる。
【００３２】
なおこの場合においても、シールドカバー２３の中央部には、不設部９を設けておくことが必要である。
【００３３】
以上の構成によって、本実施の形態における高周波モジュール２１において、チョークコイル７はシールドカバー２３に形成されるので、基板２上にチョークコイル７を装着するスペースが不要となる。従って小型の高周波モジュール２１が実現できる。
【００３４】
（実施の形態３）
以下、本実施の形態について図面を用いて説明する。図５は、本実施の形態における高周波モジュール３１の断面図であり、図６は同、裏から見た要部拡大図である。なおこれらの図５、図６において、図１、図２と同じものには同じ番号を用いて、その説明は簡略化している。
【００３５】
本実施の形態における高周波モジュール３１において、チョークコイルはシールドカバー３２の内面に形成される。そのためにシールドカバー３２の内面に折り曲げ可能なコイル基板３３が貼り付けられ、シールドカバー３２と一緒に折り曲げられている。なおコイル基板３３は、フレキシブル基板の両面に絶縁フィルムが貼り合わされたものであり、このフレキシブル基板の両面には、コイル導体が形成され、このコイル導体同士をスルーホールで接続することでインダクタが形成されている。このようにすることによって、シールドカバー３２の内面全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。
【００３６】
ここで、シールドカバー３２には天面部３２ａと、この天面部３２ａの４つの端部から折り曲げて形成された側面部３２ｂと、この側面部３２ｂの先端から延在して設けられた脚部３２ｃ、脚部３２ｄとを有している。ここで脚部３２ｃはコイル基板３３上に形成されたインダクタを基板２上の回路へ接続するために用い、脚部３２ｄはシールドカバー３２を基板２のグランドと接続するために用いられる。
【００３７】
まず、脚部３２ｄにおいては、コイル基板３３が貼り合わされておらず、脚部３２ｄが露出している。そしてこの脚部３２ｄは基板の側面に設けられた切欠き５ａに挿入され、はんだ６で切欠き５ａの内周に設けられた導体電極と接続される。
【００３８】
一方、脚部３２ｃには、コイル基板３３に形成されたインダクタ接続端子３３ａを設ける。そのためにこの脚部３２ｃにおけるコイル基板３３には、最内層の絶縁フィルムを設けず、接続端子３３ａをフレキシブル基板の内側面に形成する。これにより脚部３２ｃにおいて、接続端子３３ａが露出する。そこで、この脚部３２ｃを切欠き５ｂへ挿入し、接続端子３３ａと切欠き５ｂの内周に設けられた導体電極とをはんだ６で接続する。
【００３９】
なお、接続端子３３ａの幅は、脚部３２ｃの幅より狭くする。また、切欠き５ｂの導体電極の幅は、接続端子３３ａの幅とほぼ等しくする。これにより、接続端子３３ａと脚部３２ｃとの間や、脚部３２ｃと導体電極との間ではんだ６が短絡し難くなる。
【００４０】
以上のような構成によって、基板２上にインダクタを配置するスペースが不要となるので、小型の高周波モジュール３１を実現できる。また、インダクタは薄いフィルム状のフレキシブル基板上に形成されるので、インダクタの厚みが薄くできる。従って、薄型の高周波モジュール３１を実現できる。
【００４１】
さらに、導線などを巻き回す必要がないので、生産性が良好である。さらにまた、接続端子３３ａが脚部３２ｃ上に形成されるので、シールドカバー３２の装着と同時に接続端子３３ａを切欠き５ｂへ挿入できるので、生産性の良好な高周波モジュール３１を実現できる。
【００４２】
それに加えて、インダクタと電子部品３との間は、絶縁フィルムによって絶縁されているので、電子部品３と天面部３２ａとの間の隙間を小さくできる。従ってさらに薄型の高周波モジュール３１を実現できる。
【００４３】
（実施の形態４）
以下、本実施の形態における高周波モジュール４１について、図面を用いて説明する。図７は、本実施の形態における高周波モジュールの断面図であり、図８（ａ）は同、高周波モジュールに用いるアース端子の上面図であり、図８（ｂ）は、同側面図である。ここで図７、図８において図１、図２と同じものには、同じ番号を用いてその説明は簡略化している。
【００４４】
図７、図８において、アース端子４３は、天面部４３ａと、この天面部４３ａの端部から４方向に折り曲げて形成された側面４３ｂと、この側面４３ｂの先端から延在して形成された脚部４３ｃとを有している。
【００４５】
一方多層基板４２は４層基板であり、基板２とほぼ同じ大きさとしている。この多層基板４２の最上層（図７において上方向）はグランド層であり、全面にグランドパターンが形成されている。中間の２つの層は、インダクタが形成される層である。そして最下層は、アース端子４３を接続する接続ランド４２ａが形成される層である。この接続ランド４２ａはアース端子４３の天面部４３ａに対応する位置に形成され、接続ランド４２ａと天面部４３ａとははんだによって接続される。ここで接続ランド４２ａは最上層のグランドパターンとスルーホールによって接続されている。これにより、多層基板４２のグランド層とアース端子４３の側面４３ｂと脚部４３ｃによって、擬似的にシールドカバーが構成される。そしてこの脚部４３ｃが基板２の切欠き５ａへ挿入され、脚部４３ｃと切欠き５ａとがはんだ６で接続される。
【００４６】
次に多層基板４２に構成されたインダクタと基板２との接続について説明する。多層基板４２の最下層には、多層基板４２のインダクタと接続された接続ランド４２ｂが設けられる。この接続ランド４２ｂは切欠き５ｂの上方に位置され、接続ランド４２ｂと切欠き５ｂとの間は信号端子４４によって接続される。この信号端子４４は、接続ランド４２ｂに対してはんだで接続される接続部４４ａと、この接続部４４ａから下方へ折り曲げて形成された脚部４４ｂとから形成される。そして、この脚部４４ｂが切欠き５ｂへ挿入されて、はんだ６で基板２へ接続される。このようにすることにより、接続ランド４２ｂと切欠き５ｂとが、接続され、多層基板４２のインダクタと基板２上の回路とが接続されることとなる。
【００４７】
なお、多層基板４２の下面側にはＤＣ−ＤＣコンバータを構成する電子部品４５が装着される。このように多層基板４２を擬似カバーとして用いるので、この多層基板４２にも電子部品４５の実装が可能となる。従って、さらに小型の高周波モジュール４１を実現できる。
【００４８】
そしてこのようにすることによって、多層基板４２の全体の面積を使ってインダクタを形成できるので、大きなインダクタンス値のインダクタを構成できる。本実施の形態において多層基板４２には、ガラス・エポキシ系の基材を用いたが、これは他の基材を用いても良い。特に内層のコア基材にフェライト粉を練り込んだ基材を用いれば透磁率が大きくでき、さらに大きなインダクタを形成することも可能となる。
【００４９】
次に、本実施の形態における高周波モジュール４１の製造方法について説明する。最初に基板２の上面に電子部品３が装着される。一方多層基板４２の最下層の所定位置にクリームはんだが塗布され、その後で電子部品４５とアース端子４３が装着される。ここで図８に示すように、アース端子４３と信号端子４４とは連結部４６で連結されている。従ってこのアース端子４３を多層基板４２上に装着すれば同時に信号端子４４も多層基板４２上に装着できるので、非常に生産性が良好である。
【００５０】
そしてその後で多層基板４２を加熱することにより、クリームはんだを溶融させて、多層基板４２に対しアース端子４３と信号端子４４とを接続する。そしてその後で、あらかじめ電子部品３が装着された基板２に対し、多層基板４２が接続された状態のアース端子４３を装着する。つまり、アース端子４３の脚部４３ｃと信号端子４４の脚部４４ｂとのそれぞれを切欠き５ｂ、切欠き５ａへ挿入する。これにより、脚部４３ｃの挿入と同時に脚部４４ｂを挿入できるので、挿入作業が容易であり、生産性が良好である。
【００５１】
そして、脚部４３ｃ、脚部４４ｂを切欠きへ挿入した後で、脚部４３ｃ、脚部４４ｂとそれぞれの切欠きとをはんだ付けする。
【００５２】
この状態ではアース端子４３と信号端子４４とが連結されている。そこで、このはんだ付けの後で、連結部４６を切り取り、アース端子４３と信号端子４４とを分離する。そのために連結部４６にはＶ溝を設けている。そしてこのＶ溝４６ａで連結部４６を折れば、連結部４６が切り離される。これによってアース端子４３と信号端子４４とが分離され、高周波モジュール４１が完成する。
【００５３】
なお、多層基板４２の最下層にもグランドパターンを形成しても良い。この場合、グランドが強化されるので、さらにしっかりと高周波回路をシールドすることができる。また、多層基板４２のインダクタはグランド間に挟まれるので、高周波回路の信号はインダクタに飛び込み難くできる。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明にかかる高周波モジュールは、モジュールの小型・薄型化ができるという効果を有し、ＤＣ−ＤＣコンバータのような大きなインダクタを必要とする回路が内蔵された高周波モジュール等に用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における高周波モジュールの上面図、（ｂ）同、側面図
【図２】同、断面図
【図３】（ａ）本発明の実施の形態２における高周波モジュールの上面図、（ｂ）同、側面図
【図４】同、シールドカバーの側面図
【図５】実施の形態３における高周波モジュールの断面図
【図６】同、裏から見た要部拡大図
【図７】実施の形態４における高周波モジュールの断面図
【図８】（ａ）同、アース端子の上面図、（ｂ）同、側面図
【符号の説明】
【００５６】
２  基板
３ａ  チップインダクタ
４  シールドカバー
４ａ  天面部
７  チョークコイル
８ａ  接続端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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