【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、該方法は、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を酸化ジルコニウムを含む該ナノポジタに曝露すること
を含む、方法。
【請求項２】
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、該方法は、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含む該ナノポジタに曝露することを含み、
該ナノポジタは、該ナノポジタと異なる材料を含む成長基板の一部と接触し、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、方法。
【請求項３】
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、該方法は、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含む該ナノポジタに曝露することを含み、
該炭素ナノチューブの形成は、該ナノポジタと接触する成長基板の不在下において生じ、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、ナノ構造の形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該ナノ構造の形成の間に、炭化物を形成する、方法。
【請求項４】
炭素系ナノ構造を成長させる方法であって、該方法は、
炭素系ナノ構造の形成を生じさせる条件下において、固体炭素系ナノ構造前駆体をナノポジタに曝露することを含み、該ナノポジタは、非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含む、方法。
【請求項５】
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、該方法は、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含む該ナノポジタに曝露することを含み、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、ナノ構造の形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該ナノ構造の形成の間に、炭化物を形成する、方法。
【請求項６】
炭素系ナノ構造を成長させる方法であって、該方法は、
炭素系ナノ構造の形成を生じさせる条件下において、炭素系ナノ構造前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露することを含み、
該ナノポジタは、成長基板と接触し、
該ナノポジタのうちの約５０原子％未満は、該成長基板の中に拡散するか、または該成長基板と化学反応し、該成長基板は、該炭素ナノ構造の形成の間、該ナノポジタのうちの約５０原子％未満の中に拡散する、方法。
【請求項７】
前記炭素ナノチューブ前駆体は、固体を含む、請求項１〜３および５〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記固体は、石炭、コークス、非晶質炭素、未熱分解有機ポリマー、部分的に熱分解された有機ポリマー、ダイヤモンド、黒鉛のうちの少なくとも１つを含む、請求項４および７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ナノポジタは、成長基板と接触する、請求項１および４〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記成長基板は、非晶質炭素、炭素エアロゲル、炭素繊維、黒鉛、ガラス状炭素、炭素−炭素合成物、グラフェン、凝集ダイヤモンドナノロッド、ナノダイヤモンド、またはダイヤモンドのうちの少なくとも１つを含む、請求項２および９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％カルシウムを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約２％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約２％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化ジルコニウムを形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記曝露するステップは、炭素ナノチューブ前駆体材料が前記ナノポジタに接触するように、該ナノポジタを該前駆体材料に曝露することを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
前記前駆体材料は、炭化水素およびアルコールのうちの少なくとも１つを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記一組の条件は、実質的に約１気圧以下の圧力を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
前記一組の条件は、約３００−１１００℃の温度を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記一組の条件は、約５００−９００℃の温度を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記ナノポジタは、金属酸化物を含む、請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ナノポジタは、半金属酸化物を含む、請求項２〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
前記ナノポジタは、酸化ケイ素および酸化ゲルマニウムのうちの少なくとも１つを含む、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記炭素ナノチューブの形成の間、前記ナノポジタは、前記基板の中に有意に拡散しないか、または該基板と有意に化学反応せず、該基板は、該ナノポジタの中に有意に拡散しない、請求項２および６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
前記ナノポジタは、前記炭素ナノチューブの形成の間、流体中に懸濁される、請求項１および３〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３２】
前記炭素系ナノ構造は、炭素ナノチューブ、炭素ナノ繊維、炭素ナノワイヤ、黒鉛ナノシェル、炭素ナノオニオン、炭素フラーレン、およびグラフェンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
前記炭素系ナノ構造は、炭素ナノチューブを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
前記成長基板は、炭素を含む、請求項２、６および９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
いくつかの事例では、方法は、炭素系ナノ構造の形成を生じさせる条件下において、炭素系ナノ構造前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露するステップを含むことができ、ナノポジタは、成長基板と接触する。一部の場合には、ナノポジタの約５０原子％未満は、成長基板中に拡散する、またはそれと化学反応し、成長基板は、炭素ナノ構造の形成の間、ナノポジタの約５０原子％未満中に拡散する。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を酸化ジルコニウムを含むナノポジタに曝露すること
を含む、方法。
（項目２）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約２％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約０．１％は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、実質的にゼロ酸化状態に還元されない、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約２％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化ジルコニウムを形成する、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化ジルコニウムを形成する、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子のうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化ジルコニウムを形成する、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、実質的に炭化ジルコニウムを形成しない、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目１に記載の方法。
（項目１１）
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記ナノポジタは、成長基板と接触する、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記成長基板は、非晶質炭素、炭素エアロゲル、炭素繊維、黒鉛、ガラス状炭素、炭素−炭素合成物、グラフェン、凝集ダイヤモンドナノロッド、ナノダイヤモンド、またはダイヤモンドのうちの少なくとも１つを含む、項目１３に記載の方法。
（項目１５）
前記曝露するステップは、炭素ナノチューブ前駆体材料が前記ナノポジタに接触するように、該ナノポジタを該前駆体材料に曝露することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記前駆体材料は、炭化水素およびアルコールのうちの少なくとも１つを含む、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記一組の条件は、実質的に約１気圧以下の圧力を含む、項目１に記載の方法。
（項目１８）
前記一組の条件は、約３００−１１００℃の温度を含む、項目１に記載の方法。
（項目１９）
前記一組の条件は、約５００−９００℃の温度を含む、項目１に記載の方法。
（項目２０）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目１に記載の方法。
（項目２１）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％カルシウムを含む、項目２０に記載の方法。
（項目２３）
前記炭素ナノチューブ前駆体は、固体を含む、項目１に記載の方法。
（項目２４）
前記固体は、石炭、コークス、非晶質炭素、未熱分解有機ポリマー、部分的に熱分解された有機ポリマー、ダイヤモンド、黒鉛のうちの少なくとも１つを含む、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露することを含み、
該ナノポジタは、該ナノポジタと異なる材料を含む成長基板の一部と接触し、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、方法。
（項目２６）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目２５に記載の方法。
（項目２８）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つは、前記炭素ナノチューブの形成の間に、実質的にゼロ酸化状態に還元されない、項目２５に記載の方法。
（項目２９）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目２５に記載の方法。
（項目３０）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目２５に記載の方法。
（項目３１）
酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、実質的に炭化ジルコニウムを形成しない、項目２５に記載の方法。
（項目３２）
前記ナノポジタの中の前記金属原子および半金属原子のうちの少なくとも１つの全部は、実質的に非ゼロ酸化状態の、項目２５に記載の方法。
（項目３３）
前記ナノポジタは、金属酸化物を含む、項目２５に記載の方法。
（項目３４）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、項目３３に記載の方法。
（項目３５）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、項目３３に記載の方法。
（項目３６）
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目３５に記載の方法。
（項目３７）
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目３５に記載の方法。
（項目３８）
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、項目３５に記載の方法。
（項目３９）
前記ナノポジタは、半金属酸化物を含む、項目２５に記載の方法。
（項目４０）
前記ナノポジタは、酸化ケイ素および酸化ゲルマニウムのうちの少なくとも１つを含む、項目３９に記載の方法。
（項目４１）
前記炭素ナノチューブの形成の間、前記ナノポジタは、前記基板の中に有意に拡散しないか、または該基板と有意に化学反応せず、該基板は、該ナノポジタの中に有意に拡散しない、項目２５に記載の方法。
（項目４２）
前記基板の抵抗は、前記ナノポジタの不在下における本質的に同等の条件に曝露される基板の抵抗に対して約１００％を超えて変化しない、項目２５に記載の方法。
（項目４３）
前記基板の引張強度は、前記ナノポジタの不在下における本質的に同等の条件に曝露される基板の引張強度よりも約２０％未満だけ低い、項目２５に記載の方法。
（項目４４）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目２５に記載の方法。
（項目４５）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目４４に記載の方法。
（項目４６）
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％のＣａを含む、項目４４に記載の方法。
（項目４７）
前記炭素ナノチューブ前駆体は、固体を含む、項目２５に記載の方法。
（項目４８）
前記固体は、石炭、コークス、非晶質炭素、未熱分解有機ポリマー、部分的に熱分解された有機ポリマー、ダイヤモンド、グラフェン、および黒鉛のうちの少なくとも１つを含む、項目４７に記載の方法。
（項目４９）
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露することを含み、
該炭素ナノチューブの形成は、該ナノポジタと接触する成長基板の不在下において生じ、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、ナノ構造の形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該ナノ構造の形成の間に、炭化物を形成する、方法。
（項目５０）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目４９に記載の方法。
（項目５１）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目４９に記載の方法。
（項目５２）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つは、前記炭素ナノチューブの形成の間、実質的にゼロ酸化状態に還元されない、項目４９に記載の方法。
（項目５３）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目４９に記載の方法。
（項目５４）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目４９に記載の方法。
（項目５５）
酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子は、前記炭素ナノチューブの形成の間、実質的に炭化ジルコニウムを形成しない、項目４９に記載の方法。
（項目５６）
前記ナノポジタは、前記炭素ナノチューブの形成の間、流体中に懸濁される、項目４９に記載の方法。
（項目５７）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目４９に記載の方法。
（項目５８）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目５７に記載の方法。
（項目５９）
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％のカルシウムを含む、項目５７に記載の方法。
（項目６０）
前記炭素ナノチューブ前駆体は、固体を含む、項目４９に記載の方法。
（項目６１）
前記固体は、石炭、コークス、非晶質炭素、未熱分解有機ポリマー、部分的に熱分解された有機ポリマー、ダイヤモンド、黒鉛のうちの少なくとも１つを含む、項目６０に記載の方法。
（項目６２）
前記ナノポジタは、金属酸化物を含む、項目４９に記載の方法。
（項目６３）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、項目６２に記載の方法。
（項目６４）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、項目６２に記載の方法。
（項目６５）
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目６４に記載の方法。
（項目６６）
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目６４に記載の方法。
（項目６７）
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、項目６４に記載の方法。
（項目６８）
前記ナノポジタは、半金属酸化物を含む、項目４９に記載の方法。
（項目６９）
前記ナノポジタは、酸化ケイ素および酸化ゲルマニウムのうちの少なくとも１つを含む、項目６８に記載の方法。
（項目７０）
炭素系ナノ構造を成長させる方法であって、
炭素系ナノ構造の形成を生じさせる条件下において、固体炭素系ナノ構造前駆体をナノポジタに曝露することを含み、該ナノポジタは、非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含む、方法。
（項目７１）
前記固体炭素系ナノ構造前駆体は、石炭、コークス、非晶質炭素、未熱分解有機ポリマー、部分的に熱分解された有機ポリマー、ダイヤモンド、黒鉛のうちの少なくとも１つを含む、項目７０に記載の方法。
（項目７２）
前記ナノポジタは、金属酸化物を含む、項目７０に記載の方法。
（項目７３）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、項目７２に記載の方法。
（項目７４）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、項目７２に記載の方法。
（項目７５）
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目７４に記載の方法。
（項目７６）
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目７４に記載の方法。
（項目７７）
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、項目７４に記載の方法。
（項目７８）
前記ナノポジタは、半金属酸化物を含む、項目７０に記載の方法。
（項目７９）
前記ナノポジタは、酸化ケイ素および酸化ゲルマニウムのうちの少なくとも１つを含む、項目７８に記載の方法。
（項目８０）
前記ナノポジタは、成長基板と接触している、項目７０に記載の方法。
（項目８１）
前記ナノポジタは、前記成長基板の中に有意に拡散しないか、または該成長基板と有意に化学反応せず、該成長基板は、前記炭素ナノ構造の形成の間、該ナノポジタの中に有意に拡散しない、項目８０に記載の方法。
（項目８２）
前記基板の抵抗は、前記ナノポジタの不在下において、本質的に同等の条件に曝露される基板の抵抗に対して約１００％を超えて変化しない、項目７０に記載の方法。
（項目８３）
前記基板の引張強度は、前記ナノポジタの不在下において、本質的に同等の条件に曝露される基板の引張強度より約２０％未満だけ低い、項目７０に記載の方法。
（項目８４）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目７０に記載の方法。
（項目８５）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目８４に記載の方法。
（項目８６）
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％のＣａを含む、項目８４に記載の方法。
（項目８７）
前記炭素系ナノ構造は、炭素ナノチューブ、炭素ナノ繊維、炭素ナノワイヤ、黒鉛ナノシェル、炭素ナノオニオン、炭素フラーレン、およびグラフェンのうちの少なくとも１つを含む、項目７０に記載の方法。
（項目８８）
前記炭素系ナノ構造は、炭素ナノチューブを含む、項目８７に記載の方法。
（項目８９）
炭素ナノチューブを成長させる方法であって、
ナノポジタ上に炭素ナノチューブの形成を生じさせる条件下において、炭素ナノチューブ前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露することを含み、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、ナノ構造の形成の間に、ゼロ酸化状態に還元され、
該非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、該ナノ構造の形成の間に、炭化物を形成する、方法。
（項目９０）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目８９に記載の方法。
（項目９１）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目８９に記載の方法。
（項目９２）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つは、前記炭素ナノチューブの形成の間、実質的にゼロ酸化状態に還元されない、項目８９に記載の方法。
（項目９３）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目８９に記載の方法。
（項目９４）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約０．１％未満は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、炭化物を形成する、項目８９に記載の方法。
（項目９５）
酸化ジルコニウムの中のジルコニウム原子は、前記炭素ナノチューブの形成の間に、実質的に炭化ジルコニウムを形成しない、項目８９に記載の方法。
（項目９６）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目８９に記載の方法。
（項目９７）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目９６に記載の方法。
（項目９８）
前記ナノポジタは、約０．１原子％乃至約５原子％のカルシウムを含む、項目９６に記載の方法。
（項目９９）
前記ナノポジタは、金属酸化物を含む、項目８９に記載の方法。
（項目１００）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、項目９９に記載の方法。
（項目１０１）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、項目９９に記載の方法。
（項目１０２）
前記酸化ジルコニウムは、約１．０乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目１０１に記載の方法。
（項目１０３）
前記酸化ジルコニウムは、約１．６乃至約２．０の範囲の酸素対ジルコニウム比を有する、項目１０１に記載の方法。
（項目１０４）
前記酸化ジルコニウムは、ＺｒＯ２を含む、項目１０１に記載の方法。
（項目１０５）
前記ナノポジタは、半金属酸化物を含む、項目８９に記載の方法。
（項目１０６）
前記ナノポジタは、酸化ケイ素および酸化ゲルマニウムのうちの少なくとも１つを含む、項目１０５に記載の方法。
（項目１０７）
炭素系ナノ構造を成長させる方法であって、
炭素系ナノ構造の形成を生じさせる条件下において、炭素系ナノ構造前駆体を非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つを含むナノポジタに曝露することを含み、
該ナノポジタは、成長基板と接触しており、
該ナノポジタのうちの約５０原子％未満は、該成長基板の中に拡散するか、または該成長基板と化学反応し、該成長基板は、該炭素ナノ構造の形成の間、該ナノポジタのうちの約５０原子％未満の中に拡散する、方法。
（項目１０８）
前記成長基板は、炭素を含む、項目１０７に記載の方法。
（項目１０９）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、前記ナノ構造の形成の間に、ゼロ酸化状態に還元される、項目１０７に記載の方法。
（項目１１０）
前記非ゼロ酸化状態の金属原子および非ゼロ酸化状態の半金属原子のうちの少なくとも１つのうちの約２％未満は、前記ナノ構造の形成の間に、炭化物を形成する、項目１０７に記載の方法。
（項目１１１）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化モリブデン、金属硫化物、金属セレン化物、金属テルル化物、金属炭化物、金属窒化物、および金属リン化物のうちの少なくとも１つを含む、項目１０７に記載の方法。
（項目１１２）
前記ナノポジタは、酸化ジルコニウムを含む、項目１０７に記載の方法。
（項目１１３）
前記ナノポジタは、ドーパントを含む、項目１０７に記載の方法。
（項目１１４）
前記ドーパントは、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、およびＭｏのうちの少なくとも１つを含む、項目１０７に記載の方法。
（項目１１５）
前記ナノポジタのうちの約２５原子％未満は、前記成長基板の中に拡散するか、または該成長基板と化学反応し、該成長基板は、前記炭素ナノ構造の形成の間に、該ナノポジタのうちの約２５原子％未満の中に拡散する、項目１０７に記載の方法。
（項目１１６）
前記ナノポジタのうちの約１０原子％未満は、前記成長基板の中に拡散するか、または該成長基板と化学反応し、該成長基板は、前記炭素ナノ構造の形成の間に、該ナノポジタのうちの約１０原子％未満の中に拡散する、項目１０７に記載の方法。