Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板の第１の部分の上に位置し、埋め込み層によって前記第１の基板から分離される第２の基板と、
少なくとも部分的に前記第２の基板内にある第１のトランジスタと、
前記第１の基板の第２の部分の上に位置し、前記第２の基板から隔離されるエピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の上に位置するキャップと、
少なくとも部分的に前記キャップ内及び前記エピタキシャル層の上にある第２のトランジスタと、
を含み、
前記第２の基板および前記エピタキシャル層が、異なる電子および正孔移動度を有するバルク特性を有し、
前記第１および第２のトランジスタの少なくとも１つが、少なくとも約５Ｖの１つまたは複数の信号を受け取るように構成される、
半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１のトランジスタがｐチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタを含み、
前記第２のトランジスタがｎチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタを含む、
半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第１の基板が第１の結晶面方位を有し、
前記第２の基板が第２の結晶面方位を有する、
半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、前記エピタキシャル層が前記第１の結晶面方位を有する、半導体装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置であって、前記第１の基板及び前記キャップが共通の半導体材料を含む、半導体装置。
【請求項６】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記第１の基板が１００面の結晶面方位を有するｐ型シリコンを含み、
前記第２の基板が１１０面の結晶面方位を有するｎ型シリコンを含み、
前記キャップがｐ型シリコンを含む、
半導体装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置であって、前記エピタキシャル層がシリコンゲルマニウムを含む、半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置であって、前記シリコンゲルマニウムが約１５％のゲルマニウム濃度を有する、半導体装置。
【請求項９】
装置であって、
第１の基板と、
前記第１の基板の第１の部分の上に位置し、埋め込み層によって前記第１の基板から分離される第２の基板と、
前記第１の基板の第２の部分の上に位置し、前記第２の基板から隔離されるエピタキシャル層であって、前記第２の基板が、前記エピタキシャル層よりも高い正孔移動度を有し、前記エピタキシャル層が、前記第２の基板よりも高い電子移動度を有し、前記正孔及び電子移動度がバルク特性である、前記エピタキシャル層と、
前記エピタキシャル層の上に位置するキャップと、
を含む基板構造、及び、
第１及び第２のトランジスタであって、前記第１のトランジスタが少なくとも部分的に前記第２の基板内にあり、前記第２のトランジスタが少なくとも部分的に前記キャップ内及び前記エピタキシャル層の上にあり、前記第１及び第２のトランジスタの少なくとも１つが、少なくとも約５Ｖの１つまたは複数の信号を受け取るように構成される、前記第１及び第２のトランジスタ、
を含む、装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１のトランジスタがｐチャネル金属酸化物半導体（ＰＭＯＳ）トランジスタを含み、
前記第２のトランジスタがｎチャネル金属酸化物半導体（ＮＭＯＳ）トランジスタを含む、
装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の装置であって、
前記第１の基板が第１の結晶面方位を有し、
前記第２の基板が第２の結晶面方位を有する、
装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、前記エピタキシャル層が前記第１の結晶面方位を有する、装置。
【請求項１３】
請求項１１に記載の装置であって、
前記第１の基板が１００面の結晶面方位を有するｐ型シリコンを含み、
前記第２の基板が１１０面の結晶面方位を有するｎ型シリコンを含み、
前記キャップがｐ型シリコンを含む、
装置。
【請求項１４】
請求項９に記載の装置であって、前記エピタキシャル層がシリコンゲルマニウムを含む、装置。
【請求項１５】
方法であって、
第１の基板と、
前記第１の基板の第１の部分の上に位置し、埋め込み層によって前記第１の基板から分離される第２の基板と、
前記第１の基板の第２の部分の上に位置し、前記第２の基板から隔離されるエピタキシャル層であって、前記第２の基板が、前記エピタキシャル層よりも高い正孔移動度を有し、前記エピタキシャル層が、前記第２の基板よりも高い電子移動度を有し、前記正孔及び電子移動度がバルク特性である、前記エピタキシャル層と、
を含む基板構造を得ること、及び、
第１及び第２のトランジスタを形成すること、
を含み、
前記第１のトランジスタが少なくとも部分的に前記第２の基板内に形成され、前記第２のトランジスタが少なくとも部分的に前記エピタキシャル層内またはその上に形成され、前記第１及び第２のトランジスタの少なくとも１つが、少なくとも約５Ｖの１つまたは複数の信号を受け取るように構成される、
方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記基板構造を得ることが、
第２の基板材料の一部を除去すること、
前記第２の基板の側部にスペーサを形成すること、及び
前記第２の基板材料が除去された領域に前記エピタキシャル層を形成すること、
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記基板構造を得ることがさらに、
前記第２の基板と前記エピタキシャル層とを隔離するためトレンチを形成すること、
を含む方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記第１の基板が第１の結晶面方位を有し、
前記第２の基板が第２の結晶面方位を有する、
方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記エピタキシャル層が前記第１の結晶面方位を有する、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記第１の基板が１００面の結晶面方位を有するｐ型シリコンを含み、
前記第２の基板が１１０面の結晶面方位を有するｎ型シリコンを含み、
前記エピタキシャル層がシリコンゲルマニウムを含み、さらに、
前記エピタキシャル層の上に位置するキャップがｐ型シリコンを含み、前記第２のトランジスタが少なくとも部分的に前記キャップ内に形成される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部ハウジング（５０）及び下部ハウジング（１００）を備え、
前記上部ハウジング（５０）は、ベースを少なくとも１つのリブ（５１）と共に有し、当該少なくとも１つのリブは、前記ベースから垂直方向において実質的に円形方向にのび、
前記下部ハウジング（１００）は、ベースを少なくとも１つのリブ（１１０又は１１１）と共に有し、当該少なくとも１つのリブは、前記下部ハウジングの前記ベースから垂直方向にのび、前記下部ハウジング上の前記少なくとも１つのリブは、前記上部ハウジングのベースから垂直方向にのびる前記少なくとも１つのリブから同心状に異なる半径で配置され、
前記下部ハウジング（１００）は、保持機構のためのラッチ表面タブ（８１）を備えたアンダーカット凹型ポケット（８０）をさらに有し、
前記ラッチ表面タブ（８１）は、前記下部ハウジング（１００）の成形と共に成形プロセスにおいて成形される
ウェーハコンテナ。
【請求項２】
前記アンダーカット凹型ポケット（８０）は、保持機構上の前記下部ハウジングをセルフセンタリングするための少なくとも２つの実質的に垂直な側壁（８３）をさらに有している請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項３】
前記ラッチ表面タブ（８１）が配置される高さは、前記下部ハウジングの平面状下部表面（１０３）以下である請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項４】
前記ラッチ表面タブ（８１）は、角度付きまたは曲線状入口表面をさらに有する請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項５】
前記下部ハウジング上の前記少なくとも１つのリブ（１１０又は１１１）は３６０°未満の弧角を有している請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項６】
前記下部ハウジングは、前記下部ハウジングの前記ベースから実質的に垂直にのびた少なくとも１つのラッチ（７０）を有し、前記下部ハウジングの前記ベースと前記ラッチの上面との距離は、前記下部ハウジングの前記ベースと前記下部ハウジング上の前記少なくとも１つのリブの頂部との距離より短く、
前記上部ハウジングは、少なくとも１つのラッチウェル（１４０）を有し、前記ラッチウェルは底面と前記ウェルを囲むリムとを備え、前記底面は前記上面ハウジングの前記ベースの表面より下に位置し、前記上部ハウジングが前記下部ハウジングと結合されるときには前記ラッチの前記上面は前記ウェルを囲む前記リムより低く、前記ラッチウェルは前記下部ハウジングの前記少なくとも１つのラッチを受け取るように構成されたノッチ（７５）を備えている
請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項７】
前記上部ハウジングは、前記上部ハウジングの各角部領域内に位置する少なくとも４つのラッチウェル（１４０）を含んでいる請求項６に記載のウェーハコンテナ。
【請求項８】
前記下部ハウジングは、前記上部ハウジング上に位置した対応するノッチ（７５）に係合する少なくとも１つのラッチ（７０）を有し、
ノッチラッチ表面は、曲線状入口傾斜部及び凹部（７８）を有し、曲線状入口傾斜部及び凹部（７８）は、前記上部ハウジング及び前記下部ハウジングに通常の力が加えられたときに、前記入口傾斜部の上方にラッチを上昇させ、前記凹部中へと前記ラッチを下降させて、前記凹部中に前記ラッチを保持する
請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【請求項９】
前記ラッチウェルは前記ラッチへのアクセスを制限する請求項６に記載のウェーハコンテナ。
【請求項１０】
前記ラッチウェルは、人間の指又は自動機械のためのクリアランスを提供することにより前記少なくとも１つのラッチを前記ノッチから取り外す請求項６に記載のウェーハコンテナ。
【請求項１１】
前記下部ハウジングは、ベースと共に、前記下部ハウジングの前記ベースから垂直にのびた複数の内側及び外側弧状セクターリブを有している、請求項１に記載のウェーハコンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リングトポロジに接続された複数の集積回路ダイを備える積層された集積回路装置において、
それぞれのダイは、
前記ダイに対する信号に外部アクセスを供給するための、前記ダイを通って延在する複数のビアであって、前記複数のダイは、それぞれのダイの前記ビアが、隣接するダイの前記ビアに接続されて、隣接するダイの間で直列接続を形成するように、積み重なって配置されている、ビアと、
前記関連するビアと結合されるルータであって、前記関連するビアに、前記ダイの固有回路が、前記関連するビアのうちの選択されたものによって接続されて、隣接するダイとシグナリングするシグナリング接続構成をとらせるように、および
前記関連するビアに、前記ダイの前記固有回路が接続されずに、前記隣接するダイとシグナリングするシグナリング切断構成をとらせるように構成されているルータとを含む、
積層された集積回路装置。
【請求項２】
それぞれのダイは、前記関連するビアの前記とらせるシグナリング構成を示す制御信号をそれに対して供給するための前記ルータと結合されているコントローラをさらに含む、請求項1に記載の積層された集積回路装置。
【請求項３】
前記コントローラは、前記とらせるシグナリング構成を示す情報を受け取り、前記情報に応答して前記制御信号を供給するように構成されている、請求項2に記載の積層された集積回路装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記複数のビアの第1の群と結合されて、前記情報を前記第1の群のビアを通る前記隣接ダイのビアの第2の群から受け取る、請求項3に記載の積層された集積回路装置。
【請求項５】
前記ルータは、前記情報を前記第1の群のビアから前記コントローラにルーティングするように構成されている、請求項4に記載の積層された集積回路装置。
【請求項６】
前記コントローラは、前記情報を、前記とらせるシグナリング構成を選択する外部コントローラから受け取るようになされている、請求項3に記載の積層された集積回路装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記制御信号を保存するためのレジスタを含む、請求項2に記載の積層された集積回路装置。
【請求項８】
前記複数のビアの第1の群は、前記コントローラと結合されて、前記隣接する集積回路ダイを通って延在し、前記隣接するダイに対する信号に外部アクセスを供給する第2の複数のビアによってとることが可能な複数の信号搬送構成のうちの選択された1つを示す情報を、前記コントローラから前記隣接する集積回路ダイの第2のコントローラに転送する、請求項2に記載の積層された集積回路装置。
【請求項９】
前記ルータと結合されている固有回路を含み、前記シグナリング構成のそれぞれのものにおいては、前記ルータは、それぞれの信号を前記固有回路のそれぞれの部分から前記ビアのうちの同じものにルーティングする、請求項1に記載の積層された集積回路装置。
【請求項１０】
前記ダイのうちの1つと結合されているパッケージ用基板を含む、請求項1に記載の積層された集積回路装置。
【請求項１１】
請求項1に記載の積層された集積回路装置と、
前記積層された集積回路装置の外部に設けられ、前記積層された集積回路装置と結合されて、前記積層された集積回路装置と通信する電子回路と
を備える、システム。
【請求項１２】
前記積層された集積回路装置は、データ処理機能およびデータ保存機能のうちの1つを実装し、前記電子回路は、データ処理機能およびデータ保存機能のうちの前記1つと協働することが可能である、請求項11に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転軸（Ｒ）を有するフライス（２０、１２０、２２０）であって、
２つの側面（２４、２６）、およびそれら側面の間に外周面（２８）を有し、前記回転軸（Ｒ）が前記２つの側面（２４、２６）に直交する略円板状のカッター本体（２２）と、
前記カッター本体（２２）の前記外周面（２８）の周囲に配置され、円周方向に間隔があけられた複数の刃部（３６）と、
前記カッター本体（２２）にある、開口内側面（９０）を有する中心開口（８８）と、
前記カッター本体（２２）にある、少なくとも２つの径方向に配向されたスロット（９２）であって、前記中心開口（８８）に向かって開口するスロット内側面（９４）を各々が有するスロット（９２）と、
前記カッター本体（２２）の両側（２４、２６）に配置された２つのアダプタ部材（２４０、２４２）であって、前記カッター本体（２２）のそれぞれの側面（２４、２６）に当接している内側壁（４４、２４４、２５２）、ならびに中心穴（２６０）および駆動キー溝部（２６４、２６６）を各々が有する２つのアダプタ部材（２４０、２４２）とを備え、
１つのアダプタ部材（２４２）には、前記内側壁（２５２）に少なくとも２つの突起（２６８）が形成され、
１つのアダプタ部材（２４０）は、軸方向に延出する円形に形成された隆起部（８０、１８０、２８０）であって、このアダプタ部材の前記内側壁（２４４）に配置され、このアダプタ部材の前記中心穴（２６０）と同心となった隆起部（８０、１８０、２８０）を有し、前記隆起部（８０、１８０、２８０）は、前記開口内側面（９０）と並列な外面（８２、２８２）を有し、
各突起（２６８）は、前記スロット内側面（９４）と並列な周囲面（７４、２７４）を有するフライスにおいて、
前記隆起部（２８０）は第１のアダプタ部材（２４０）に形成されており、前記突起（２６８）は第２のアダプタ部材（２４２）に形成されていることを特徴とするフライス。
【請求項２】
前記スロット（９２）は略長方形とされていることを特徴とする請求項１に記載のフライス。
【請求項３】
前記突起（２６８）は略長方形とされていることを特徴とする請求項１に記載のフライス。
【請求項４】
前記突起（２６８）を有する前記アダプタ部材（２４２）は、一体化して形成されて一体構造を有することを特徴とする請求項１に記載のフライス。
【請求項５】
前記突起（２６８）は、それらの設けられた前記アダプタ部材（２４２）の径方向における最外部を形成していることを特徴とする請求項１に記載のフライス。
【請求項６】
前記円板状カッター本体（２２）は３つのスロット（９２）を有し、各スロットはスロット内側面（９４）を有しており、
突起を有する前記アダプタ部材（２４２）は、３つの突起（２６８）を備えており、各突起は、対応するスロット内側面（９４）と並列な周囲面（７４、２７４）を有することを特徴とする請求項１に記載のフライス。
【請求項７】
フライス（２０、１２０、２２０）の組立方法であって、
（ｉ）略円板状のカッター本体（２２）を提供するステップであって、前記カッター本体（２２）は、第１の側面および第２の側面（２４、２６）、ならびに中心開口（８８）および少なくとも２つの径方向に配向されたスロット（９２）を有し、各スロットは中心開口（８８）に向かって開口するスロット内側面（９４）を有するステップと、
（ｉｉ）第１のアダプタ部材および第２のアダプタ部材（２４０、２４２）を提供するステップであって、各アダプタ部材は、中心穴（２６０）、内側壁（４４、２４４、２５２）、および駆動キー溝部（２６４、２６６）を有し、前記第２のアダプタ部材（２４２）は少なくとも２つの突起（２６８）を有し、各突起は前記アダプタの内側壁（２５２）に形成された外周面（７４、２７４）を有し、前記第１のアダプタ部材（２４０）は、それの前記中心穴（２６０）と同心となった、軸方向に延出する円形に形成された隆起部（８０、１８０、２８０）を有し、前記隆起部（８０、１８０、２８０）は外面（８２、２８２）および内面（８４、２８４）を有するステップと、
（ｉｉｉ）前記突起（２６８）を前記スロット（９２）内に配置しつつ、前記第２のアダプタ部材（２４２）を前記カッター本体（２２）の前記第２の側面（２６）に隣接して配置するステップと、
（ｉｖ）前記第１のアダプタ部材の前記内側壁（４４、２４４）が前記第１の側面（２４）に当接し、前記第１のアダプタ部材の前記駆動キー溝部（２６４）が前記第２のアダプタ部材（２４２）の前記駆動キー溝部（２６６）に隣接するように、前記第１のアダプタ部材（２４０）を前記カッター本体（２２）の前記第１の側面（２４）に隣接して配置するステップと
を含む組立方法において、
前記隆起部（８０、１８０、２８０）は、前記カッター本体（２２）の前記開口（８８）内に配置されることを特徴とする組立方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントで、縮小容積を調節するためにインプラントの高さが調節可能である心室容積縮小インプラントであって、
心室を仕切るために心室を横切って渡される仕切膜と、
高さ調節可能な脚領域を備える支持フレームであって、複数の支持支柱を備え、脚領域の高さを調節することは、心室内の仕切膜の高さを調節する、支持フレームと、
を備え、
上記インプラントは、しぼんだ形態で挿入され、心室内で配置形態へ拡張されるよう構成される、
心室容積縮小インプラント。
【請求項２】
高さ調節可能な脚領域は、高さを調節するように構成された移動可能なカラーを備える、請求項１に記載のインプラント。
【請求項３】
高さ調節可能な脚領域は、規定の高さに脚を固定するロックを備える、請求項１に記載のインプラント。
【請求項４】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントで、心室による血液のポンピングを援助するように構成された心室容積縮小インプラントであって、
心室を仕切るために心室を横切って渡される仕切膜と、
上記膜を支持し、心室の壁へ上記膜を固定する複数の支持支柱を備えた支持フレームと、
ポンピングを援助するため上記膜へ力を作用し、上記膜に接触するバイアス要素と、
を備え、
上記インプラントは、しぼんだ形態で挿入され、心室内で配置形態へ拡張されるよう構成される、
心室容積縮小インプラント。
【請求項５】
上記バイアス要素は、上記膜と上記支持フレームとの間で固定されるバルーンを備える、請求項４に記載のインプラント。
【請求項６】
上記バイアス要素は、上記膜の下に延在し、膜の下側に連結された一若しくは複数のブリッジ支柱を備える、請求項４に記載のインプラント。
【請求項７】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントで、カニューレを通過可能なしぼんだ送り込み形態、及び、心室の一部に渡る拡張され配置された形態を有する心室容積縮小インプラントであって、
中心ハブに連結され、かつ中心ハブから外側へ延在する、比較的硬く平らにされた複数のバネ板であって、拡張された形態では、心室を横切る仕切りバリアを形成する、バネ板と、
心室の壁に仕切りバリアを固定するため、仕切りバリアの遠位端における複数のアンカーと、
を備えた心室容積縮小インプラント。
【請求項８】
板バネは、中心ハブに連結され、かつ、仕切りバリアを形成するため、しぼんだ挿入形態から、重なり合う拡張した形態へ扇型に広がるように構成される、請求項７に記載のインプラント。
【請求項９】
板バネは、各板の放射状の長さに沿って互いにヒンジ結合されている、請求項７に記載のインプラント。
【請求項１０】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントであって、
心室を仕切るために心室に渡される仕切膜と、
中心ハブに連結された仕切膜を支持する複数の支持支柱を備える支持フレームと、
支持フレームから延在し、心室を横切って仕切部材をしっかりと固定する、複数の固着支柱と、
を備え、
上記インプラントは、しぼんだ形態で挿入され、心室内で配置形態へ拡張されるよう構成される、
心室容積縮小インプラント。
【請求項１１】
ハブに接続されていない支持支柱の端は、滑節によって固着支柱の端に連結される、請求項１０に記載のインプラント。
【請求項１２】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントであって、
心室を仕切るために心室を横切って渡される仕切膜と、
中心ハブから延在する複数の支持支柱を備え、この支持支柱が心室の壁にインプラントを固定するように構成される、支持フレームと、
中心ハブから延在する少なくとも一つの螺旋状の支柱であり、この螺旋状の支柱は、仕切膜の下側を支持し、かつインプラントの長手軸のまわりに円すい形に巻くように構成される、螺旋状の支柱と、
を備え、
上記インプラントは、しぼんだ形態で挿入され、心室内で配置形態へ拡張されるよう構成される、
心室容積縮小インプラント。
【請求項１３】
支持体フレームを形成する中心ハブから延在する複数の支持支柱は、螺旋状の支柱である、請求項１２に記載のインプラント。
【請求項１４】
支持体フレームの各支柱は、心室壁内にインプラントを固定するように構成されたアンカーで終端する、請求項１２に記載のインプラント。
【請求項１５】
自己タッピングインプラントとして構成された、請求項１２に記載のインプラント。
【請求項１６】
心室の活動容積を縮小するため患者の心室内へ挿入する心室容積縮小インプラントであって、
心室を仕切るために心室を横切って渡される仕切膜と、
中心ハブから延在する複数の支持支柱を備え、この支持支柱が心室の壁にインプラントを固定するように構成される、支持フレームと、
中心ハブから延在する少なくとも一つの交差する支柱であり、この交差支柱は、仕切膜の下側を支持し、かつインプラントの中心軸を横切り延在するように構成される、交差支柱と、
を備え、
上記インプラントは、しぼんだ形態で挿入され、心室内で配置形態へ拡張されるよう構成される、
心室容積縮小インプラント。
【請求項１７】
支持フレームにおける隣接した支柱は、一若しくは複数のブリッジ支柱によって接続される、請求項１、４、１０、１２、１６のいずれかに記載のインプラント。
【請求項１８】
ブリッジ支柱は、膜の周囲の近くの支柱の領域で支持フレームにおいて隣接した支柱を接続する配置補助を備える、請求項１７に記載のインプラント。
【請求項１９】
少なくとも一つの支柱は、放射線不透過性のマーカーを有する位置決め支柱を備える、請求項１、４、１０、１２、１６のいずれかに記載のインプラント。
【請求項２０】
支持フレームは、非対称の支持フレームであり、位置決め支柱は、移植されたときにインプラントの配向を示す、請求項１９に記載のインプラント。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
管状反応器の管に挿入するための触媒キャリアであって、
管を画定する有孔内壁、有孔外壁、環状容器を閉鎖する上面、および環状容器を閉鎖する底面を有する、使用時に触媒を保持するための環状容器；
環状容器の内壁によって形成された前記管の底部を閉鎖する面；
前記容器の底面の位置、または底面に近い位置から、シールの位置よりも下方の位置へ、環状容器の有孔外壁から上方に延在する覆い；および
上面、または上面の近くに配置され、前記覆いの外面を超える長さで前記容器から延在するシール、
を含む、触媒キャリア。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月17日(2013.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心軸（Ｍ）を中心として回転対称に構成されて中空空間（３）を取り囲むハウジング（２）と、ハウジング内面（１１）に対して接線方向に向く流体流の流入のために設計された、流体流のための少なくとも１つの供給配管（６）と、流体流の分離された気体成分のための少なくとも１つの排出配管（２４）とを有する、多相流体流を相分離するためのサイクロン分離器（１）において、前記中空空間（３）は前記中心軸（Ｍ）を起点として半径方向で見て円形の断面をもつ流出空間（１６）と、次に掲げる順番でこれに後続するそれぞれ円形の断面をもつ加熱空間（１４）と、中間空間（１５）と、乾燥空間（１３）と、流入空間（１２）とを有しており、前記流入空間（１２）は外方に向かって前記ハウジング（２）により区切られており、前記加熱空間（１４）は気体成分の加熱のために設計された加熱部材を含んでおり、前記乾燥空間（１３）には少なくとも１つの微細分離器（２８）とこれに付属する少なくとも１つの凝縮物捕集槽（３２）とが配置されており、少なくとも１つの前記凝縮物捕集槽（３２）は前記中間空間（１５）に配置された少なくとも１つの凝縮物排出管（３４）と接続されており、該凝縮物排出管によって、動作状態で少なくとも１つの前記微細分離器（２８）に形成される凝縮物が前記中空空間（３）から排出されるサイクロン分離器。
【請求項２】
前記中心軸（Ｍ）に対して垂直に位置する少なくとも１つの平面（Ｅ）に、１つの凝縮物捕集槽リングを少なくとも近似的に共同で形成する、前記乾燥空間（１３）に配置された複数の凝縮物捕集槽（３２）が設けられており、各々の前記凝縮物捕集槽（３２）はそれぞれ前記中間空間（１５）に配置された付属の前記凝縮物排出管（３４）と接続されている、請求項１に記載のサイクロン分離器。
【請求項３】
第１の凝縮物捕集槽リングを備える第１の平面（Ｅ）と、第２の凝縮物捕集槽リングを備える少なくとも１つの第２の平面（Ｅ）とが設けられており、前記第１の凝縮物捕集槽リングには第１の群の凝縮物排出管（３４）が付属しており、前記第２の凝縮物捕集槽リングには第２の群の凝縮物排出管（３４）が付属している、請求項２に記載のサイクロン分離器。
【請求項４】
前記第１の群の凝縮物排出管（３４）と前記第２の群の凝縮物排出管（３４）が両方とも延びている前記中間空間（１５）の縦方向区域において、これらの凝縮物排出管は前記サイクロン分離器（１）の円周方向で見て交互に配置されている、請求項３に記載のサイクロン分離器。
【請求項５】
それぞれの前記凝縮物排出管（３４）は前記中心軸（Ｍ）と平行に向いている、請求項１から４のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項６】
前記中心軸（Ｍ）に対して垂直方向に位置する切断平面を通るすべての凝縮物排出管（３４）の通過点は実質的に１つの円上に位置している、請求項１から５のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項７】
それぞれの前記凝縮物捕集槽（３２）は引込配管（４１）によってそれぞれの前記凝縮物排出管（３４）と接続されている、請求項１から６のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項８】
２つの排出配管（２４）を有しており、両方の前記排出配管（２４）は前記中心軸（Ｍ）の方向で見て反対向きの前記ハウジング（２）の端部で前記流出空間（１６）と流動側で接続されている、請求項１から７のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項９】
前記ハウジング（２）は中空円筒状に構成されている、請求項１から８のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項１０】
前記中心軸（Ｍ）の垂直方向の向きを有している、請求項１から９のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項１１】
１つまたは各々の前記供給配管（６）は前記中空空間（３）に流入する流体流の速度ベクトルが前記ハウジング（２）の前記中心軸（Ｍ）の方向の成分を有するように設計されている、請求項１から１０のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項１２】
前記ハウジング（２）の円周にわたって均等に配分されて配置された４つの供給配管（６）を有している、請求項１から１１のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項１３】
前記加熱部材は管状に構成されており、流体の加熱媒体により貫流されるように設計されている、請求項１から１２のいずれか１項に記載のサイクロン分離器。
【請求項１４】
高圧タービン（７０）と、低圧タービン（７４）と、請求項１から１３のいずれか１項に記載のサイクロン分離器（１）とを備える蒸気タービン設備（６２）において、少なくとも１つの前記供給配管（６）が前記高圧タービン（７０）の蒸気出口と接続されており、少なくとも１つの前記排出配管（２４）が前記低圧タービン（７４）の蒸気入口と接続されている蒸気タービン設備。
【請求項１５】
高圧タービン（７０）と低圧タービン（７４）とを備える蒸気タービン設備（６２）を作動させる方法において、前記高圧タービン（７０）の蒸気出口から流れ出る蒸気が、中心軸（Ｍ）を中心として回転対称のハウジング（２）で取り囲まれた中空空間（３）へと案内され、それによって蒸気が回転し、その気体成分が液体成分から分離されて前記ハウジング（２）の内部領域に集められ、気体の成分は内部領域へ移行するときに微細分離器（２８）を通るように案内され、その液体成分がさらに低減され、次いで環状に配分された凝縮物排出管（３４）の構造を通るように案内され、引き続いて加熱部材によって加熱され、次いで前記低圧タービン（７４）の蒸気入口に供給される方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月24日(2013.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物理媒体上の画像領域に画像を形成する方法であって、
基板表面上に印刷画素パターンを印刷するステップであって、印刷画素パターンは複数の印刷画素を含み、各印刷画素は異なる色の複数のサブピクセルで構成されているステップと、
第一感光子層で印刷画素パターンを被覆するステップであって、第一感光子層は透明状態にあり、選択箇所において、透明から実質的に不透明へと変化可能であるステップと、
物理媒体全体にわたって選択された第一パターンで第一感光子層の状態を変化させ、それによってサブピクセルの選択されたサブセットおよびその他のサブピクセルに対応する感光子層の部分を選択的に塞ぎ、それによって塞がれていないサブピクセルおよびその他のサブピクセルに対応する不透明な感光子層部分で構成された画像を形成するステップと、を含む方法。
【請求項２】
視覚的に不透明であり、第二選択波長および強度の光子に露光されると視覚的に透明に変化する第二感光子層で、印刷画素パターンを被覆するステップと、
第一感光子層の第一選択部分を変化させる前に、第二感光子層の第二選択部分を、該第二選択部分を露光することにより、表面上、または表面上に位置する印刷画素パターンと第二感光子層との間のいずれかの感光子層上のサブピクセルを露出するように変化させるステップと、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第二感光子層は乳白色から視覚的に透明に変化し、第一感光子層は視覚的に透明から不透明黒色に変化し、第一感光子層は、第二感光子層と基板表面上に位置する印刷画素パターンとの間に配置される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第二波長および強度の光子に対して露出されるべき着色サブピクセルの上に位置する第二感光子層の領域を露光することによって着色サブピクセルを露出するステップと、
特定箇所に対応する第二感光子層の領域を第二波長および強度の光子に露光させることによって特定箇所に対応する第一感光子層の領域を露出すること、ならびに特定箇所に対応する第一感光子層の領域を第一波長および強度の光子に露光させることによって特定箇所に対応する第一感光子層の領域を暗くすることで、特定箇所に黒色サブピクセルを形成するステップと、を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
第二感光子層は白色可漂白インクである、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
変化させるステップは、個々のサブピクセルのサブサブピクセルを露出させ、それによって画素パターン中の異なるサブピクセルに多様な色強度を提供するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
各サブピクセルは複数のサブサブピクセルを含み、感光子層の状態を変化させるステップは、
いずれかのサブピクセルのサブサブピクセルのサブセットを塞ぐステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
光子への選択的露光によって個人化可能な媒体であって、
複数の印刷画素を含む印刷画素パターンを有する印刷画素パターン層であって、各印刷画素は異なる色の複数のサブピクセルで構成されている、印刷画素パターン層と、
第一波長および強度の光子に露光されると透明から実質的に不透明へと変化する感光子材料で構成された、第一感光子層と、を含む媒体。
【請求項９】
画素パターンを被覆し、第二波長および強度の光子に露光されると透明に変化する感光子材料で構成された、不透明層をさらに含む、請求項８に記載の光子への選択的露光によって個人化可能な媒体。
【請求項１０】
第一感光子層は、レーザー刻印可能な炭素ドープポリカーボネート層である、請求項８に記載の光子への選択的露光によって個人化可能な媒体。
【請求項１１】
不透明層は可漂白インクである、請求項９に記載の光子への選択的露光によって個人化可能な媒体。
【請求項１２】
不透明層は、特定の波長および強度の光子への露光によって選択的に除去可能である、請求項９に記載の光子への選択的露光によって個人化可能な媒体。
【請求項１３】
少なくとも１つの感光子層および印刷画素パターン層を被覆する少なくとも１つの積層をさらに含む、請求項８に記載の光子への選択的露光によって個人化可能な媒体。
【請求項１４】
印刷画素パターンが印刷された表面を備える基板を有し、印刷画素パターンを被覆する第一感光子層を有する媒体上の画像領域に画像を形成する装置にして、第一感光子層は透明であり、第一感光子層は選択箇所において、透明から実質的に不透明へと変化可能である装置であって、
第一波長の光子を生成する第一光子源と、
少なくとも１つの制御可能光子分配器と、
第一光子源および光子分配器に接続され、第一光子源を選択的に活性化するように、および制御可能光子分配器を制御して表面全体にわたって選択されたパターンで第一感光子層を第一波長の光子に露光させ、それによって画素パターンのサブピクセルの選択されたサブセットおよび感光子層の部分を選択的に塞ぎそれによって塞がれていないサブピクセルおよび塞がれた感光子層部分で構成された画像を形成するようにプログラムされた、コントローラと、を含む装置。
【請求項１５】
制御可能光子分配器は、光子源によって放出された光子を媒体に対して選択的に反射させるようになっているマイクロミラーのアレイである、請求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】
制御可能光子分配器は、選択されたサブピクセルまたはサブピクセルの部分に対応する媒体の領域を選択的に露光するようになっている位置制御可能レーザーである、請求項１４に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を登録するための方法であって、
前記方法は、
画像の座標系を定義する撮像システム内の患者の身体の一部の少なくとも１つの画像を得る工程と、
画像中で視認できるように、患者の一部上の位置に、または、患者の一部に隣接する位置に、画像で視認できる位置決めマーカーを置く工程と、
患者の一部に隣接する１以上の要素に関連する位置情報を提供するために、位置座標系を定義する画像誘導システム内の前記１以上の要素の一連の位置画像を得る工程と、
位置画像中で視認できるように、患者の一部上のまたは患者の一部に隣接するそれぞれの位置に、位置画像中で視認できる少なくとも１つの誘導システム位置決めマーカーを置く工程を備え、
画像で視認できる位置決めマーカーは、画像誘導システム中の前記少なくとも１つの誘導システム位置決めマーカーに対して予め決められた既存の位置に配され、
前記方法は、さらに、
画像で視認できる位置決めマーカーと、前記少なくとも１つの誘導システム位置決めマーカーの相対的な位置に関連するデータを用いることによって、画像座標系と位置画像座標系との間の自動登録を提供する工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
画像で視認できる位置決めマーカーと、前記少なくとも１つの誘導システム位置決めマーカーは、互いから独立した別のマーカーであり、共通の登録要素上に置かれることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
共通の登録要素は、撮像と位置撮像の間に適所に留まることができるように、患者の一部の真下に配されることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
登録要素マーカーは、患者の一方の側で上向きになるように共通の登録要素に配されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
共通の登録要素は、画像で視認できる材料を含む穿孔のパターンで、画像では視認できないプラスチック材料から作られることを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
共通の登録要素は頭部固定装置に取り付けられることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
共通の登録要素は、患者を頭部固定装置にピンで固定した後に適所に移動することができるように並べられることを特徴とする請求項２乃至６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
画像で視認できる位置決めマーカーは、不規則な配列で並べられることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
不規則な配列は、共通の取り付け具の一部だけがＭＲ画像で視認できる場合に、共通の登録要素に対する配列の位置付けを可能にするように並べられ、
不規則な配列は、複数の共通の登録要素の異なる要素によって異なり、測定は配列を分析することによって異なる取り付け具に関してなされることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
視認できる位置決めマーカーを有する別の固定された基準部が設けられ、その位置は画像誘導システムで測定可能であり、
マーカーに対する基準部の位置が画像誘導システムによって測定された後に、別の固定された基準部は、マーカーではなく画像誘導システムに使用され、および、
別の固定された基準部は、患者が手術のためにドレープされる際、晒されたままであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
ＭＲ撮像は新しいＭＲ画像を得るために手術中に実行され、誘導画像を含む新しいＭＲ画像の登録は、得られる各々のＭＲ画像セットに関して、自動的に、つまり、手動的な介入を含むことなく行われることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
画像システムはＲＦコイルを含むＭＲシステムであり、
ＲＦコイルは屈曲するように配され、
共通の登録要素は屈曲コイルに取り付けられる複数の平面パネルを含んでいることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
画像で視認できる位置決めマーカーは、患者の一部の解剖学的画像を生成するために使用される１つ以上の解剖学的スキャンから、どのスキャンが離されているかだけを探すために用いられる少なくとも１つの別のマーカー検出スキャンを行うことによって、患者の一部の画像中に配されることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
画像はＭＲ撮像によって得られ、
別のマーカー検出スキャンは、別のＭＲコイルをスキャンのために使用することによって実行されることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
該システムは、撮像システムにおいて、および、追跡システムによって各々検知可能な、患者に取り付けられるように配された多くの取り付け可能な基準マーカーを使用し、
患者の一部は撮像中に固定されないままであるが、取り付け可能な基準マーカーは、スキャンの時間と、患者がピンで固定される時間との間に適所で維持されることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転ボディ（６０）に取り付けられる顎開閉手段（７０）と、該顎開閉手段（７０）を動かすように運動伝達する第１手段（１００）と、前記回転ボディ（６０）を動かすように運動伝達する第２手段（２００）とを備える最小侵襲腹腔鏡手術用プライヤー（１０）であって、前記第１および第２伝達手段（１００，２００）がそれぞれ、各テンドンが幾つかのケーブル（５００）により形成される構成の少なくとも１本のテンドン（３００，３５０，４００）を備えており、前記ケーブル（５００）は、前記第１運動伝達手段（１００）に接続される少なくとも１本のテンドン（３００，３５０）の断面が、メインボディ（２０）の内部を通るテンドンの通路に沿って、可変形状（Ａ，Ｂ，Ｃ）を有するように配置されており、
前記プライヤー（１０）が更に、テンドン（３００，３５０）のケーブル（５００）の方向を変更するモジュール群（６００）を備え、各モジュール（６００）は、対応するテンドンのケーブル（５００）を誘導して前記テンドンの方向に回転を生じさせるように形成された延伸通路（６５０）を有し、
各テンドン（３００，３５０）の前記断面形状が、各ケーブル（５００）の長手軸が断面で見たときに放射状配置（Ａ）に配置される第１配置（Ａ）と、各テンドン（３００，３５０）の各ケーブル（５００）の長手軸が断面で見たときに第１方向に分布するように配置される第２配置（Ｂ）と、各テンドン（３００，３５０）の各ケーブル（５００）の長手軸が断面で見たときに前記第１方向とは異なる第２方向に揃うように配置される第３配置（Ｃ）とを有している、最小侵襲腹腔鏡手術用プライヤー（１０）。
【請求項２】
第２および第３配置（Ｂ、Ｃ）の前記第１および第２方向が、それぞれ互いに対して略９０度の角度をなしている、請求項１に記載のプライヤー（１０）。
【請求項３】
前記テンドン（３００，３５０，４００）のうちの少なくとも１本のテンドンが、少なくとも３本のケーブル（５００）により形成されている、請求項２に記載のプライヤー（１０）。
【請求項４】
前記顎開閉手段（７０）が、第１軸（Ｘ）の周りを回転することができる、請求項３に記載のプライヤー（１０）。
【請求項５】
前記回転ボディ（６０）が、第２軸（Ｙ）の周りを回転することができる、請求項４に記載のプライヤー（１０）。
【請求項６】
前記第１軸（Ｘ）および前記第２軸（Ｙ）が、互いに対して略９０度の角度をなしている、請求項５に記載のプライヤー（１０）。
【請求項７】
前記回転ボディ（６０）が、前記顎開閉手段（７０）にそれぞれ接続される回転ドラム（８１，８２）を含んでいる、請求項６に記載のプライヤー（１０）。
【請求項８】
前記回転ドラム（８１，８２）のそれぞれが、前記第１伝達手段（１００）の各１つのテンドン（３００，３５０）によって個別に操作される、請求項７に記載のプライヤー（１０）。
【請求項９】
更に、テンドン（３００，３５０，４５０）を被覆する少なくとも１つのシースを備える、請求項８に記載のプライヤー（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月13日(2013.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マグネシウム強化飲料水を製造する方法であって、
ｉ）マグネシウム化合物層を用意する工程と、
ｉｉ）水流を前記層を通してポンプ移送する工程と、
ｉｉｉ）二酸化炭素（ＣＯ２）を前記水流に注入する工程と、
ｉｖ）前記水流における電気伝導率を測定する工程と
を含み、
これにより少なくとも０．０６ｇ／ｌの濃度の重炭酸マグネシウム水溶液を得る、方法。
【請求項２】
前記マグネシウム化合物が溶融ＭｇＯであり、前記ＭｇＯ層が、流通式反応器内に閉じ込められており、前記水流が、前記層を通して流れる時に、前記ＣＯ２を溶解し、更に前記マグネシウム化合物も溶解して、前記重炭酸マグネシウム溶液を生じる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記重炭酸マグネシウム溶液が前記層を通して循環され、前記水流は、前記層及び更に所望の循環流速を確保するポンプを備える閉回路を規定する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記回路が、新鮮な水を前記水流に供給する注入口と、前記溶液を前記水流から取り出して回収し、マグネシウム強化飲料水を得る排出口とを備え、前記注入口及び前記排出口は、前記所望の循環流速よりも遅い所望の供給流速を確保する１つ又は２つのポンプを更に備える開回路を規定する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＣＯ２が、前記水流中にガスの微分散を確保する注入手段を通してシリンダーから注入され、前記注入手段は、水、ＣＯ２及び前記マグネシウム化合物が、反応して重炭酸マグネシウムを生成するのに必要な化学量論量以上の所望のガス流速を確保する通気孔を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記循環流速が、前記供給流速より１０倍速い、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記開回路が、別の成分を前記マグネシウム強化飲料水に取り入れる注入口を更に備える、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記成分が、塩、ミネラル、健康促進物質、及び味又は風味付与物質から成る群より選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
使用する全ての原材料は、人間が消費する飲用水との接触が容認でき、更に本質的にナトリウムを含まない、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１０ｐｐｍ濃度のマグネシウムを含むマグネシウム強化飲料水を製造する請求項１に記載の方法であって、
ｉ）酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の層を用意する工程と、
ｉｉ）水流を前記ＭｇＯ層を通してポンプ移送する工程と、
ｉｉｉ）二酸化炭素（ＣＯ２）を前記水流に注入する工程と
を含み、
これにより少なくとも０．０６ｇ／ｌの濃度の重炭酸マグネシウム水溶液を得る方法。
【請求項１１】
前記マグネシウム強化水が、制御されたマグネシウム濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
マグネシウム強化飲料水を製造するための装置であって、
ｉ）水流が通過して流れるマグネシウム化合物層及び所望の循環流速を確保するポンプを備える本質的に閉じた水流回路と、
ｉｉ）二酸化炭素（ＣＯ２）を前記水流に取り入れるための注入手段と、
ｉｉｉ）新鮮な水を前記水流に供給するための注入口及びマグネシウム強化水を前記水流から取り出すための排出口を備え、更に前記所望の循環流速より遅い所望の供給流速を確保するポンプ移送手段を備える開放流れ回路と、
ｉｖ）前記マグネシウム化合物の未使用部分を前記層に供給するための手段と、
ｖ）前記水流における電気伝導率を、連続して測定するための伝導率測定器と、
ｖｉ）前記伝導率測定器から伝導率データを受け取り、前記供給流速及び前記循環流速を管理して、前記水流中に所望の溶解マグネシウム量を確保する調整ユニットと
を備える装置。
【請求項１３】
マグネシウム強化健康促進飲料水を製造するための請求項１２に記載の装置であって、前記層が酸化マグネシウムを含む装置。
【請求項１４】
マグネシウム強化健康促進飲料水を製造するための請求項１２に記載の装置であって、前記層が溶融酸化マグネシウムを含む装置。
【請求項１５】
少なくとも１０ｍｇ／ｌのマグネシウムを含む、請求項１に記載の方法により製造される健康促進飲料水。
【請求項１６】
少なくとも２００ｍｇ／ｌのマグネシウムを含む、請求項１５に記載の健康促進飲料水。
【請求項１７】
マグネシウムが強化されており、本質的にナトリウムを含まず、他の追加的な健康促進塩類を更に含む、請求項１５又は１６に記載の飲料水。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度非水相液である塩素化炭化水素を修復する方法であって、
ａ)ゼロ価鉄ナノ粒子をカーボン微小球と結合するステップと、
ｂ)カーボンに支持されたゼロ価鉄ナノ粒子を、塩素化炭化水素を含む物質に接触させるステップと、
を含んでいる方法。
【請求項２】
高密度非水相液である塩素化炭化水素を修復する汚染除去組成物であって、
ａ)カーボン微小球と、
ｂ)該カーボン微小球に付着したゼロ価鉄ナノ粒子と、
を含んでいる組成物。
【請求項３】
カーボンが内包された高分子電解質をさらに含み、
ゼロ価鉄のナノ粒子が高分子電解質に付着されている、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
高分子電解質は、カルボキシメチルセルロース、澱粉、デキストラン、ポリラクテート、ポリアスコルベート、修飾キトサン、ゼラチン、キサンタンガム、ポリ(アクリル酸)、及びポリ(スチレンスルホネート)からなる群から選択される、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
高密度非水相液である塩素化炭化水素を修復する方法であって、
ａ)ナノスケールゼロ価鉄／カーボン粒子を準備するステップと、
ｂ)ナノスケールゼロ価鉄／カーボン粒子を塩素化炭化水素と複合化するステップと、
を含んでいる方法。
【請求項６】
ナノスケールゼロ価鉄／カーボン粒子は、塩素化炭化水素を吸着し、分解する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ステップｂは、前記粒子を地下水の中に注入することにより行われ、粒子を、地下水流によって土壌及び多孔質媒体中を通過させ、塩素化炭化水素の汚染サイトに到達させることにより、該汚染サイトで塩素化炭化水素相に仕切りを設け、塩素化炭化水素を隔離して分解する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
高密度非水相液である塩素化炭化水素を環境修復するために、カーボンに支持されたゼロ価鉄粒子を、エアロゾルリアクタ又は噴霧乾燥器を用いて調製する方法であって、
ａ)カーボン源を含むフィードストリームを準備するステップと、
ｂ)鉄前駆体を前記フィードストリームに加えるステップと、
ｃ)フィードストリームをノズルの中を通してエアロゾル化又はスプレーするステップと、
を含んでいる方法。
【請求項９】
ｄ)フィードストリームを加熱ゾーンの中を通して脱水させて粒子を生成するステップと、
ｅ)粒子をフィルタ上に集めるステップと、
ｆ)粒子を水溶液中に分散させるステップと、
ｇ)還元剤を前記水溶液に加えるステップと、
ｈ)高分子電解質を前記水溶液に加えるステップと、
を更に含み、
フィードストリームは、単糖類又は多糖類、及び希酸を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
還元剤は、水素化ホウ素ナトリウム、ヒドラジン、及びポリフェノールからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
単糖類又は多糖類は、蔗糖、ブドウ糖、セルロース、及びシクロデキストリンからなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
高分子電解質は、カルボキシメチルセルロース、澱粉、デキストラン、ポリラクテート、ポリアスコルベート、修飾キトサン、ゼラチン、キサンタンガム、ポリ(アクリル酸)、及びポリ(スチレンスルホネート)からなる群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
希酸は、硫酸又は硝酸である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
塩素化炭化水素は、トリクロロエチレン、テトラクロロエテン、１,１-ジクロロエテン、シス-１,２-ジクロロエテン、トランス-１,２-ジクロロエテン、及び塩化ビニルからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の方法によって生成される、カーボンに支持されたゼロ価鉄粒子。
【請求項１６】
触媒を更に含んでいる、請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
触媒は遷移金属である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
触媒は、パラジウム、白金、金、及びニッケルからなる群から選択される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
親水性又は両親媒性の有機種は、界面活性剤、植物油、澱粉、及び高分子電解質からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
親水性又は両親媒性の有機種は、カルボキシメチルセルロース(ＣＭＣ)及びポリ(アクリル酸)(ＰＡＡ)からなる群から選択される高分子電解質、又はトリブロックコポリマーである、請求項５に記載の方法。
【請求項２１】
ナノスケールゼロ価鉄／カーボン粒子は、親水性又は両親媒性の有機種で安定化されている請求項５に記載の方法。