(57)【要約】【課題】新規なジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子の提供。【解決手段】  下記一般式（１）2008127326.tif 000118で示されるジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2008127326.tif 000116
（式中、Ｑは
【化２】
2008127326.tif 000117
よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシキ基および炭素数１〜６の直鎖または分岐のモノ−またはジ−アルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で示されるジ（ピリジルフェニル）誘導体。
【請求項２】
請求項１記載のジ（ピリジルフェニル）誘導体よりなる電子輸送材料。
【請求項３】
請求項１記載のジ（ピリジルフェニル）誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規なジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、電極から注入されたホールと電極の再結合によって生成した励起エネルギーが発光過程を経て基底状態に緩和されることにより自発光する。しかしながら、ホールと電子の再結合によって生成する励起状態には一重項励起状態と三重項励起状態の２種類がそれぞれ１対３の割合で存在する。これまでの多くは一重項励起状態からの発光を利用した蛍光材料が発光材料に利用されていたため、内部量子効率が最大で２５％であるので、この時取り出し効率を２０％とすると、最大外部量子効率は５％が理論限界であった。
【０００３】
近年、イリジウムやプラチナなどの重原子効果を利用した錯体化合物を用い三重項励起状態からの発光、すなわちリン光発光を用いることにより発光効率の向上が報告されるようになった（例えば、非特許文献１）。一重項励起状態に加え、三重項励起状態からの発光を利用することで最大内部量子効率は理論上１００％に到達することが可能で、リン光材料は発光材料として注目を浴びている（非特許文献３）。
【０００４】
例えば緑色材料として、下記式
【化３】
2008127326.tif 000002
に示すトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］が広く利用されている。
【０００５】
また安達らによる非特許文献２などにより青色発光材料である下記式
【化４】
2008127326.tif 000003
で示すビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′］イリジウム（III）ピコリネート（ＦＩｒｐｉｃ）が注目を浴びるようになり、それ以降ＦＩｒｐｉｃを用いた有機ＥＬ素子の高効率化検討および新規な青色リン光錯体探索研究が盛んに行われるようになった。
【０００６】
その結果最近ではＳ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔらによる非特許文献１では下記式
【化５】
2008127326.tif 000004
で示すトリス｛１−〔４−（トリフルオロメチル）フェニル〕−１Ｈ−ピラゾラート，Ｎ，Ｃ２′｝イリジウム（III）（Ｉｒｔｆｍｐｐｚ３）やＭ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎらによる非特許文献４では下記式
【化６】
2008127326.tif 000005
で示すビス［２−（４′，６′−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２′］テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（Ｆｉｒ６）が開発された。
【０００７】
これら発光材料を効率よく発光させるにはホールと電子の注入バランスを整えて、発光層の中で十分にこれらのキャリアーの結合が行えるようにホール輸送剤や電子輸送剤などを選択しなければならない。
特に青色リン光材料についてはエネルギーギャップが大きいためにワイドギャップ化されたホール輸送剤や電子輸送剤が必要になってくる。現在これらリン光材料については、電子輸送材料に従来から使用されているＡｌｑ３〔トリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム〕やＢＡｌｑ２〔ビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）（４−フェニルフェノキシ）アルミニウム〕等が使用されているが、リン光材料に使用するには十分なエネルギーギャップを持ち合わせていないため新規なワイドギャップな電子輸送材料の開発が必要である。
【非特許文献１】Ｍ．Ａ．Ｂａｌｄｏ，  Ｓ．Ｌａｍａｎｓｋｙ，  Ｐ．Ｅ．Ｂｕｒｒｏｗｓ，  Ｍ．Ｅ．Ｔｈｏｍｐｓｏｎ，  Ｓ．Ｒ．Ｆｏｒｒｅｓｔ  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ  １９９９  ７５（１）  ４−７
【非特許文献２】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，  ２０８２（２００１）
【非特許文献３】Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．９０  ５０４８（２００１）
【非特許文献４】Ｐｏｌｙｈｅｄｒｏｎ  ２３  （２００４）  ４１９−４２８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、新規なジ（ピリジルフェニル）誘導体、それよりなる電子輸送材料およびそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１は、下記一般式（１）
【化７】
2008127326.tif 000006
（式中、Ｑは
【化８】
2008127326.tif 000007
よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシキ基および炭素数１〜６の直鎖または分岐のモノ−またはジ−アルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基である）
で示されるジ（ピリジルフェニル）誘導体に関する。
本発明の第２は、請求項１記載のジ（ピリジルフェニル）誘導体よりなる電子輸送材料に関する。
本発明の第３は、請求項１記載のジ（ピリジルフェニル）誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【００１０】
本発明におけるＲ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３における炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、ヘプチル、イソヘプチル、ｎ−ヘキシル等を挙げることができる。
【００１１】
本発明におけるＲ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３における炭素数１〜６の直鎖又は分岐のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ヘプトキシ、イソヘプトキシ、ｎ−ヘキシルオキシなどを挙げることができる。
【００１２】
本発明におけるＲ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３における炭素数１〜６の直鎖または分岐のモノ−またはジ−アルキル−アミノ基は、−ＮＨ２の水素の１部または全部が前記アルキル基で置換されたタイプのものである。
【００１３】
本発明の化合物は、下記の反応により製造することができる。
【化９】
2008127326.tif 000008
なお、前記式中、Ｑは
【化１０】
2008127326.tif 000009
よりなる群から選ばれた基であり、Ｒ１〜Ｒ６およびＲ１０〜Ｒ１３は水素、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルキル基、炭素数１〜６の直鎖または分岐のアルコキシキ基および炭素数１〜６の直鎖または分岐のモノ−またはジ−アルキルアミノ基よりなる群からそれぞれ独立して選ばれた基であり、Ｘはハロゲンである。
【００１４】
本発明化合物の具体例を以下に例示する。
【００１５】
【化１１】
2008127326.tif 000010
【００１６】
【化１２】
2008127326.tif 000011
【００１７】
【化１３】
2008127326.tif 000012
【００１８】
【化１４】
2008127326.tif 000013
【００１９】
【化１５】
2008127326.tif 000014
【００２０】
【化１６】
2008127326.tif 000015
【００２１】
【化１７】
2008127326.tif 000016
【００２２】
【化１８】
2008127326.tif 000017
【００２３】
【化１９】
2008127326.tif 000018
【００２４】
【化２０】
2008127326.tif 000019
【００２５】
【化２１】
2008127326.tif 000020
【００２６】
【化２２】
2008127326.tif 000021
【００２７】
【化２３】
2008127326.tif 000022
【００２８】
【化２４】
2008127326.tif 000023
【００２９】
【化２５】
2008127326.tif 000024
【００３０】
【化２６】
2008127326.tif 000025
【００３１】
【化２７】
2008127326.tif 000026
【００３２】
【化２８】
2008127326.tif 000027
【００３３】
【化２９】
2008127326.tif 000028
【００３４】
【化３０】
2008127326.tif 000029
【００３５】
【化３１】
2008127326.tif 000030
【００３６】
【化３２】
2008127326.tif 000031
【００３７】
【化３３】
2008127326.tif 000032
【００３８】
【化３４】
2008127326.tif 000033
【００３９】
【化３５】
2008127326.tif 000034
【００４０】
【化３６】
2008127326.tif 000035
【００４１】
【化３７】
2008127326.tif 000036
【００４２】
【化３８】
2008127326.tif 000037
【００４３】
【化３９】
2008127326.tif 000038
【００４４】
【化４０】
2008127326.tif 000039
【００４５】
【化４１】
2008127326.tif 000040
【００４６】
【化４２】
2008127326.tif 000041
【００４７】
【化４３】
2008127326.tif 000042
【００４８】
【化４４】
2008127326.tif 000043
【００４９】
【化４５】
2008127326.tif 000044
【００５０】
【化４６】
2008127326.tif 000045
【００５１】
【化４７】
2008127326.tif 000046
【００５２】
【化４８】
2008127326.tif 000047
【００５３】
【化４９】
2008127326.tif 000048
【００５４】
【化５０】
2008127326.tif 000049
【００５５】
【化５１】
2008127326.tif 000050
【００５６】
【化５２】
2008127326.tif 000051
【００５７】
【化５３】
2008127326.tif 000052
【００５８】
【化５４】
2008127326.tif 000053
【００５９】
【化５５】
2008127326.tif 000054
【００６０】
【化５６】
2008127326.tif 000055
【００６１】
【化５７】
2008127326.tif 000056
【００６２】
【化５８】
2008127326.tif 000057
【００６３】
【化５９】
2008127326.tif 000058
【００６４】
【化６０】
2008127326.tif 000059
【００６５】
【化６１】
2008127326.tif 000060
【００６６】
【化６２】
2008127326.tif 000061
【００６７】
【化６３】
2008127326.tif 000062
【００６８】
【化６４】
2008127326.tif 000063
【００６９】
【化６５】
2008127326.tif 000064
【００７０】
【化６６】
2008127326.tif 000065
【００７１】
【化６７】
2008127326.tif 000066
【００７２】
本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体は高い電子輸送性能を有する。従って、電子注入材料及び電子輸送材料として使用することができる。
【００７３】
本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体を有機エレクトロルミネッセンス素子に使用する場合、適当な発光材料（ドーパント）と組み合わせて使用することもできる。
【００７４】
本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体を電子輸送層に用いる場合、本発明の化合物は電子注入材料や電子輸送材料として使用できる。また他の電子輸送材料と組み合わせて使用することもできる。
【００７５】
次に本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子について説明する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、陽極と陰極間に一層もしくは多層の有機化合物を積層した素子であり、該有機化合物層の少なくとも一層が本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体を含有する。有機エレクトロルミネッセンス素子が一層の場合、陽極と陰極間に発光層を設けている。発光層は、発光材料を含有しそれに加えて陽極から注入した正孔もしくは陰極から注入した電子を発光材料まで輸送するのが目的で、正孔注入材料もしくは電子注入材料を含有していても良い。多層型の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成例としては、例えばＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／陰極、ＩＴＯ／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極、ＩＴＯ／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／ホールブロック層／電子輸送層／電子注入層／陰極等の多層構成で積層されたものがあげられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。
【００７６】
正孔輸送層、電子輸送層、および発光層のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であっても良い。また正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層（正孔注入層及び電子注入層）と輸送機能を受け持つ層（正孔輸送層および電子輸送層）を別々に設けることもできる。
【００７７】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、上記構成例に限らず、種々の構成とすることができる。必要に応じて、正孔輸送層成分と発光層成分、あるいは電子輸送層成分と発光層成分を混合した層を設けても良い。
【００７８】
以下本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の構成要素に関して、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極からなる素子構成を例として取り上げて詳細に説明する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板に支持されていることが好ましい。
【００７９】
基板の素材については特に制限はなく、従来の有機エレクトロルミネッセンス素子に慣用されているものであれば良く、例えばガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
【００８０】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の陽極としては、仕事関数の大きな金属単体（４ｅＶ以上）、仕事関数の大きな金属同士の合金（４ｅＶ以上）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、金、銀、銅等の金属、ＩＴＯ（インジウム−スズオキサイド）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性透明材料、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性高分子材料が挙げられる。陽極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリング、塗布などの方法により基板上に形成することができる。陽極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陽極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。
【００８１】
陰極としては、仕事関数の小さな金属単体（４ｅＶ以下）、仕事関数の小さな金属同士の合金（４ｅＶ以下）または導電性物質およびこれらの混合物を電極材料とすることが好ましい。このような電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極はこれらの電極材料を、例えば蒸着、スパッタリングなどの方法により、薄膜を形成させることにより作製することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω／ｃｍ２以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に５〜１，０００ｎｍ程度、好ましくは１０〜５００ｎｍである。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光を効率良く取り出すために、陽極または陰極の少なくとも一方の電極は、透明もしくは半透明であることが好ましい。
【００８２】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層は、正孔伝達化合物からなるもので、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有している。電界が与えた２つの電極間に正孔伝達化合物が配置されて陽極から正孔が注入された場合、少なくとも１０−６ｃｍ２／Ｖ・秒以上の正孔移動度を有する正孔伝達物質が好ましい。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層に使用する正孔伝達物質は、前記の好ましい性質を有するものであれば特に制限はない。従来から光導電材料において正孔の電荷注入輸送材料として慣用されているものや有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００８３】
前記の正孔伝達物質としては、例えば銅フタロシアニンなどのフタロシアニン誘導体、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−１，４−フェニレンジアミン、Ｎ，Ｎ′−ジ（ｍ−トリル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４′−ジアミノビフェニル（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−４，４′−ジアミノビフェニル（α−ＮＰＤ）、等のトリアリールアミン誘導体、ポリフェニレンジアミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、および水溶性のＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリエチレンジオキサチオフェン−ポリスチレンスルホン酸）が挙げられる。正孔輸送層は、これらの他の正孔伝達化合物一種または二種以上からなる一層で構成されたもので良く、前記の正孔伝達物質とは別の化合物からなる正孔輸送層を積層したものでもよい。
正孔注入材料としては、下記化学式に示すＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ（ポリマー混合物）やＤＮＴＰＤを挙げることができる。
【化６８】
2008127326.tif 000067
正孔輸送材料としては、下記化学式に示すＴＰＤ、ＤＴＡＳＩ、ｍ−ＤＴＡＴＰＢなどを挙げることができる。
【化６９】
2008127326.tif 000068
【００８４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層の発光物質については特に制限されることはなく、従来の公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
【００８５】
発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体（例えばクマリン１、クマリン５４０、クマリン５４５など）、ピラン誘導体（例えばＤＣＭ−１、ＤＣＭ−２、ＤＣＪＴＢなど）、有機金属錯体｛トリス（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム（Ａｌｍｑ３）等の蛍光材料やビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネート−Ｎ，Ｃ２′］イリジウム（III）ピコリネート（ＦＩｒｐｉｃ）、トリス｛１−〔４−（トリフルオロメチル）フェニル〕−１Ｈ−ピラゾラート，Ｎ，Ｃ２′｝イリジウム（III）（Ｉｒｔｆｍｐｐｚ３）、ビス［２−（４′，６′−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２′］テトラキス（１−ピラゾリル）ボレート（Ｆｉｒ６）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（III）［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］などのリン光材料｝などを挙げることができる。
【００８６】
発光層は、ホスト材料とゲスト材料（ドーパント）から形成することもできる［Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６５  ３６１０（１９８９）］。特にリン光材料を発光層に使用する場合、ホスト材料の使用が必要でありこの時使用されるホスト材料としては４，４′−ジ（Ｎ−カルバゾリル）−１，１′−ビフェニル（ＣＢＰ）、１，４−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン、２，２′−ジ〔４″−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル〕−１，１′−ビフェニル（４ＣｚＰＢＰ）等があげられる。
【００８７】
ゲスト材料は、ホスト材料に対して、好ましくは０．０１〜４０重量％であり、より好ましくは０．１〜２０重量％である。ゲスト材料としては、従来公知のＦＩｒｐｉｃ（化４）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（化３）、Ｆｉｒ６（化６）などを挙げることができる。
【００８８】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の電子輸送層の材料としては、本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体が好ましい。このものは単独で使用できるが他の電子輸送材料と併用しても構わない。
【００８９】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、電子注入性をさらに向上させる目的で、陰極と有機層の間に絶縁体で構成される電子注入層をさらに設けても良い。ここで使用される導電体としては、アルカリ金属ハロゲン化物、アルカリ土類金属ハロゲン化物から選択される少なくとも一つの金属化合物を使用することが好ましい。アルカリ金属ハロゲン化物としては、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム、塩化リチウム等が挙げられる。アルカリ土類金属ハロゲン化物としては、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム等が挙げられる。
【００９０】
正孔輸送層、発光層の形成方法については特に限定されるものではない。例えば乾式成膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法など）、湿式成膜法〔溶液塗布法（例えば、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法など）〕を使用することができる。本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体の電子輸送層の形成方法については、乾式成膜法（例えば真空蒸着法、イオン化蒸着法）が好ましい。また素子の作製については上記の成膜方法を併用しても構わない。
【００９１】
真空蒸着法により正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層を形成する場合、真空蒸着条件は、特に限定されるものではない。通常１０−４Ｐａ程度以下の真空下で５０〜５００℃程度のボート温度（蒸着源温度）、−５０〜３００℃程度の基板温度で、０．０１〜５０ｎｍ／ｓｅｃ．程度蒸着することが好ましい。正孔輸送層、発光層、電子輸送層の各層を複数の化合物を使用して形成する場合、化合物を入れた各ボートをそれぞれ温度制御しながら共蒸着することが好ましい。
【００９２】
正孔輸送層、発光層を溶媒塗布法で形成する場合、各層を構成する成分を溶媒に溶解または分散させて塗布液とする。溶媒としては、炭化水素系溶媒（例えば、ヘプタン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン等）、ケトン系溶媒（例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等）、ハロゲン系溶媒（例えばジクロロメタン、クロロホルム、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等）、エステル系溶媒（例えば酢酸エチル、酢酸ブチル等）、アルコール系溶媒（例えばメタノール、エタノール、ブタノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等）、エーテル系溶媒（例えばジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、１，２−ジメトキシエタン等）、非プロトン性溶媒（例えばＮ，Ｎ′−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド等）、水等が挙げられる。溶媒は単独で使用しても良く、複数の溶媒を併用しても良い。
【００９３】
正孔輸送層、発光層、電子輸送層等の各層の膜厚は、特に限定されるものではないが、通常５〜５，０００ｎｍになるようにする。
【００９４】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、酸素や水分等との接触を遮断する目的で保護層（封止層）を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としては、パラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等が挙げられる。
【００９５】
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、通常直流駆動の素子として使用できる。直流電圧を印加する場合、陽極をプラス、陰極をマイナスの極性として電圧を通常１．５〜２０Ｖ程度印加すると発光が観測される。また、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は交流駆動の素子としても使用できる。交流電圧を印加する場合には、陽極がプラス、陰極がマイナスの状態になった時に発光する。本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示素子、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
【００９６】
図６６〜７９に、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の好ましい例を示す。
【００９７】
図６６は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。図６６は、基板１上に陽極２、発光層３および陰極４を順次設けた構成のものである。ここで使用する発光素子は、それ自体が正孔輸送性、電子輸送性及び発光性の機能を単一で有している場合や、それぞれの機能を有する化合物を混合して使用する場合に有用である。
【００９８】
図６７は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図６７は、基板１上に、陽極２、正孔輸送層５、発光層３及び陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は電子輸送性の機能を有している場合に有用である。
【００９９】
図６８は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図６８は、基板１上に、陽極２、発光層３、電子輸送層６及び陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、発光層は正孔輸送性の機能を有している場合に有用である。
【０１００】
図６９は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図６９は、基板１上に、陽極２、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６及び陰極４を順次設けた構成のものである。これは、キャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すために、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。
【０１０１】
図７０は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図７０は、基板１上に、陽極２、正孔注入層７、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６及び陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、正孔注入層７を設けることにより、陽極２と正孔輸送層５の密着性を高めたり、陽極から正孔の注入を良くし、発光素子の低電圧駆動に効果がある。
【０１０２】
図７１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図７１は、基板１上に、陽極２、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８及び陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陰極４から電子の注入を良くし、発光素子の低電圧駆動に効果がある。
【０１０３】
図７２は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子における他の例を示す断面図である。図７２は、基板１上に、陽極２、正孔注入層７、正孔輸送層５、発光層３、電子輸送層６、電子注入層８及び陰極４を順次設けた構成のものである。この場合、陽極２から正孔の注入を良くし、陰極４からは電子の注入を良くし、最も低電圧駆動に効果がある構成である。
【０１０４】
図７３〜７９は、素子の中に正孔ブロック層を挿入したものの断面図である。正孔ブロック層は、陽極から注入された正孔、あるいは発光層３で再結合により生成した励起子が、陰極４に抜けることを防止する効果があり、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率の向上に効果がある。正孔ブロック層９については、発光層３と陰極４の間もしくは発光層３と電子輸送層６の間あるいは発光層３と電子注入層８の間に挿入することができる。より好ましいものは発光層３と電子輸送層６の間である。
【０１０５】
図７３〜７９で、正孔輸送層５、正孔注入層７、電子輸送層６、電子注入層８、発光層３、正孔ブロック層９のそれぞれの層は、一層構造であっても、多層構造であってもよい。
【０１０６】
図６６〜７９は、あくまで基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子の構成は、これに限定されるものではない。
【０１０７】
前記電子注入層に用いる電子注入材料としては、本出願人の特願２００６−２９２０３２号にかかる化合物、例えば下記化合物群を例示することができる。
【化７０】
2008127326.tif 000069
【発明の効果】
【０１０８】
本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体は、Ａｌｑ３などの従来の電子輸送剤に較べ電子輸送能が非常に大きい。また移動度も大きく素子中でのホールとのキャリアーバランスにも優れている。ハンドギャップは広く青色リン光材料にも適しているので、本発明のジ（ピリジルフェニル）誘導体は、工業的に極めて重要なものである。
【実施例】
【０１０９】
以下に実施例を挙げて本発明を説明するが、本発明はこれにより何ら限定されるものではない。
【０１１０】
実施例１
（１）３，５−ジ（ピリジン−３−イル）−１−ブロモベンゼン（略号ＢＰｙＢＢｒ）の合成
【化７１】
2008127326.tif 000070
３−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（３ＰｙＤＯＢ）１５．００ｇ（７３．１ｍｍｏｌ）、トリブロモベンゼン１１．３０ｇ（３５．９ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２モル／リットル濃度の水溶液のこと、以下同様の表現方法である）３０ｍｌ、トルエン１５０ｍｌ、エタノール１００ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム〔Ｐｄ（ＰＰｈ３）４〕０．７８ｇ（０．６７ｍｍｏｌ）を加え、１９時間還流した。反応混合物を室温に戻し、クロロホルムで希釈した後、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル＝１／２のものを使用し、ついでクロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝１０／２０／１のものを使用）にて精製することにより白色固体を得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量５．５０ｇ、収率４９％）。
（２）３，３″，５，５″−テトラ（ピリジン−３−イル）−１：１′，３′：１″−ターフェニル（略号ＢｍＰｙＢＢ）の合成
【化７２】
2008127326.tif 000071
ＢＰｙＢＢｒ２．４８ｇ（８．０ｍｍｏｌ）、１，３−ジ（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ベンゼン（ｍＢＤＯＢＢ）１．１６ｇ（３．５ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液６ｍｌ、トルエン５０ｍｌ、エタノール２５ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．４０ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）を加え、２６時間還流した。反応混合物を室温に戻し、トルエンで希釈した後、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝１０／２０／１のものを使用し、ついでクロロホルム／メタノール＝１００／７のものを使用）にて精製することによりＢｍＰｙＢＢの白色固体を得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．５９ｇ、収率８４％）。
このもののＵＶ吸収スペクトルは図１に示す。
【０１１１】
実施例２
（１）３，５−ジ（ピリジン−４−イル）−１−ブロモベンゼン（略号ＢｐＰｙＢｒＢ、ｍＤＰｙＰＢまたはＢｍＰｙＰＢ）の合成
【化７３】
2008127326.tif 000072
４−（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）ピリジン（ｐＰｙＤＯＢ）３０．８ｇ（１５０ｍｍｏｌ）、１，３，５−トリブロモベンゼン（ＴＢＢ）２５．０ｇ（７９ｍｍｏｌ）、水酸化バリウム３９．０ｇ（１２０ｍｍｏｌ）に水１００ｍｌ、トルエン３００ｍｌ、ブタノール１００ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４５．０ｇ（４．３２ｍｍｏｌ）を加え、２２時間還流した。反応混合物を室温に戻し、クロロホルムで希釈した後、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝１０／２０／１）にて精製することにより白色固体を得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量３．４ｇ、収率１４％）。
（２）３，３″，５，５″−テトラ（ピリジン−４−イル）−１：１′，３′：１″−ターフェニル（略号ｍ−ＢｐＰｙＰＢ、ＢｐＰｙＰＢまたはＢｍＰｙＰＢ）の合成
【化７４】
2008127326.tif 000073
ＢｐＰｙＢｒＢ１．８７ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、ｍＢＤＯＢＢ０．９９ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液６ｍｌ、トルエン５０ｍｌ、エタノール２５ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．３５ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）を加え、１７時間還流した。反応混合物を室温に戻し、沈澱物を濾別、クロロホルム、ヘキサン、酢酸エチルで洗浄し、ｍ−ＢｐＰｙＰＢの灰色固体を得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．０３ｇ、収率６４％）。
このもののＵＶ吸収スペクトルは図１に示す。
実施例１のＢｍＰｙＢＢ、実施例２のｍ−ＢｐＰｙＰＢ、実施例５のｐ−ＢＰｙＰＰｙＢのＴＧＡ、ＤＳＣを測定し、熱特性を評価した。また、紫外線可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル（ＡＣ−３）を測定し、電気化学特性を評価した。紫外線可視吸収スペクトルは図１に、その他の電気化学的特性を下表に示す。
【表１】
2008127326.tif 000074
Ｔｄ：分解温度、Ｔｇ：二次転移温度、Ｔｍ：融点、Ｉｐ：イオン化ポテンシャル、Ｅｇ：エネルギーギャップ、Ｅａ：エレクトロアフィニティ（電子親和力）、ｎ．ｄ．：検出されず。
Ｔｇ（二次転移温度）については、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｉｒｅｎｔｉａｌ  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｅｒ  示差熱量計）中にサンプルを加え、溶融させたものを急冷し、２〜３回繰り返すとガラス転移を表すカーブがチャート上に現れるので、そのカーブを接線で結び、その交点の温度をＴｇとして採用する。
Ｔｍ（融点）は、同じくＤＳＣにサンプルを加え、昇温していくと吸熱カーブが現れるのでその極大のところとの温度を読んで、その温度をＴｍとする。
Ｔｄ（分解温度）は、ＤＴＡ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  ｔｈｅｒｍａｌ  ａｎａｌｙｚｅｒ  示差熱分析装置）にサンプルを加え、加熱していくとサンプルが熱によって分解し、重量が減少しだす。その減少が開始しだしたところの温度を読んで、その温度をＴｄとする。
エネルギーギャップ（Ｅｇ）については、蒸着機で作成した薄膜を紫外−可視吸光度計で薄膜の吸収曲線を測定する。その薄膜の短波長側の立ち上がりの所に接線を引き、求まった交点の波長Ｗ（ｎｍ）を次の式に代入し目的の値を求める。それによって得た値がＥｇになる。
Ｅｇ＝１２４０÷Ｗ
例えば接線を引いて求めた値Ｗ（ｎｍ）が４７０ｎｍだったとしたらこの時のＥｇの値は
Ｅｇ＝１２４０÷４７０＝２．６３（ｅＶ）
と言うことになる。
Ｉｐ（イオン化ポテンシャル）は、イオン化ポテンシャル測定装置（例えば理研計器ＡＣ−１）を使用して測定し、測定するサンプルがイオン化を開始しだしたところの電圧（ｅＶ）の値を読む。
Ｅａ（電子親和力）は、ＩｐからＥｇを引いた値である。
本明細書における波長に対する強度（ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ  ａ．ｕ．）の測定は、浜松ホトニクス社製ストリークカメラを用いて、クライオスタット中で４．２Ｋにおいて測定した。
【０１１２】
実施例３
（１）３，５−ジ（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）トルエン（略号ｍＢＤＯＢＴ）の合成
【化７５】
2008127326.tif 000075
ビスピナコラートジボロン（Ｂ２ｐｉｎ２）２０．０ｇ（７８．８ｍｍｏｌ）、３，５−ジブロモトルエン９．０ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム２１．０ｇ（２１３ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＦ２００ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。下記式
【化７６】
2008127326.tif 000076
で示されるＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）１．４６ｇ（１．７９ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２６時間攪拌した。反応混合物を室温に戻した後、水７００ｍｌに展開した。有機層を酢酸エチル１００ｍｌで４回抽出し、さらに無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝１／３のものを使用し、ついでクロロホルム／ヘキサン＝１／１のものを使用）にて精製することにより無色固体のｍＢＤＯＢＴを得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量９．４０ｇ、収率７６％）。
Ｒｅｆ．Ｔ．Ｉｓｈｉｍａｙａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｎ．Ｍｉｙａｕｒａ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９５，６０，７５０８．
（２）３′−メチル−３，３″，５，５″−テトラ（ピリジン−４−イル）−１：１′，３′：１″−ターフェニル（略号ＢｐＰｙＰＭＢ）の合成
【化７７】
2008127326.tif 000077
ＢｐＰｙＢｒＢ１．４７ｇ（４．７ｍｍｏｌ）、ｍＢＤＯＢＴ０．７９ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液６ｍｌ、トルエン５０ｍｌ、エタノール２５ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．２７ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を加え、１７時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝２０／１０／１のものを使用し、ついでクロロホルム／メタノール＝１００／７のものを使用）にて精製することにより白色固体のＢｐＰｙＰＭＢを得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．０１ｇ、収率７９％）。
【０１１３】
実施例４
３′−メチル−３，３″，５，５″−テトラ（ピリジン−３−イル）−１：１′，３′：１″−ターフェニル（略号ＢｍＰｙＰＭＢ）の合成
【化７８】
2008127326.tif 000078
ＢｍＰｙＢｒＢ〔すなわちＢＰｙＢＢｒのこと、実施例１の（１）参照〕１．４７ｇ（４．７ｍｍｏｌ）、ｍＢＤＯＢＴ０．７９ｇ（２．３ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液６ｍｌ、トルエン５０ｍｌ、エタノール２５ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．２７ｇ（０．２３ｍｍｏｌ）を加え、１７時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝２０／１０／１のものを使用し、ついでクロロホルム／メタノール＝１００／７のものを使用）にて精製することにより白色固体のＢｍＰｙＰＭＢを得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量０．８５ｇ、収率７１％）。
実施例３で得られたＢｐＰｙＰＭＢおよび実施例４で得られたＢｍＰｙＰＭＢの紫外線可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル（ＡＣ−３）を測定し、電気化学特性を評価した。両者の紫外線可視吸収スペクトルは図２に、その他の電気化学的特性を下表に示す。
【表２】
2008127326.tif 000079
【０１１４】
実施例５
（１）４−〔３，５−ジ（４，４，５,５−テトラメチル−１,３,２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕ピリジン（略号ｐＰｙＢＢＢ）の合成
【化７９】
2008127326.tif 000080
ビスピナコラートジボロン（Ｂ２ｐｉｎ２）８．３８ｇ（３３．０ｍｍｏｌ）、４−（３,５−ジブロモフェニル）ピリジン（ｐＰｙＢＢｒＢ）１．７ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム８．８２ｇ（９０ｍｍｏｌ）、脱水ＤＭＦ１００ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）０．７４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）を加え、８０℃で２２時間攪拌した。反応混合物を室温に戻した後、水７００ｍｌに展開した。有機層を酢酸エチル１００ｍｌで４回抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル＝３／２のものを使用）にて精製することにより緑白色固体を得た。得られた固体を少量のペンタンで洗浄することにより、ｐＰｙＢＢＢの白色固体を得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量２．１４ｇ、収率３５％）。
Ｒｅｆ．Ｔ．Ｉｓｈｉｍａｙａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｎ．Ｍｉｙａｕｒａ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９５，６０，７５０８．
（２）３′−（ピリジン−４−イル）−３，３″，５，５″−テトラ（ピリジン−３−イル）−１：１′，３′：１″−ターフェニル（略号ｐ−ＢＰｙＰＰｙＢ）の合成
【化８０】
2008127326.tif 000081
ｐＰｙＢＢＢ１．４２ｇ（３．５ｍｍｏｌ）、ｐＰｙＢＢｒＢ２．４４ｇ（７．８４ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液６ｍｌ、トルエン５０ｍｌ、エタノール２５ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．４１ｇ（０．３５ｍｍｏｌ）を加え、２２時間還流した。反応混合物を室温に戻し、沈澱物を濾別、メタノール、ヘキサンで洗浄した。得られた灰色の固体をトルエン１００ｍｌに懸濁させ、激しく撹拌後、沈澱物を濾別した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１００／３のものを使用し、ついでクロロホルム／メタノール＝１００／４、１００／８のものを順次使用）にて分離精製することにより白色固体のｐ−ＢＰｙＰＰｙＢを得た。この目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．２３ｇ、収率５７％）。
このもののＵＶ吸収スペクトルは図１に示す。
【０１１５】
実施例６
（１）ＢＰｙＢＢｒ〔実施例１（１）〕と３−（３，５−ジブロモフェニル）ピリジン（略号ＤＢｒＰｙＢ）の合成
【化８１】
2008127326.tif 000082
四つ口フラスコに１，３，５−トリブロモベンゼン（１８．９ｇ，６０ｍｍｏｌ）、３−（４，４，５，５−テトラメチル−［１，３，２］ジオキサボロラニル）−ピリジン（１２．３ｇ，６０ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（６９３ｍｇ、０．６７ｍｍｏｌ）、トルエン／エタノ−ル（３／１、２７０ｍｌ）と２Ｍ  Ｎａ２ＣＯ３（７０ｍｌ）を入れて、窒素気流下９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル＝１／２を使用し、ついでクロロホルム／酢酸エチル／メタノール＝１０／２０／１のものを使用）を行った。３−（３，５−ジブロモフェニル）ピリジン（ＤＢｒＰｙＢ）〕：収量：９．３３ｇ、収率：４９．７ｍｏｌ％；３，５−ビスピリド−３−イル−ブロモベンゼン（ＢＰｙＢＢｒ）：収量：２．９３ｇ、収率：１５．７ｍｏｌ％。
（２）３−〔３，５−ジ（４，４，５,５−テトラメチル−１,３,２−ジオキサボロラン−２−イル）フェニル〕ピリジン（略号ＢＤＯＢＰｙＢ）の合成
【化８２】
2008127326.tif 000083
四つ口フラスコにＤＢｒＰｙＢ（７．１１ｇ、２２．７ｍｍｏｌ）、ｂｉｓ（ｐｉｎａｃｏｌａｔｏ）ｄｉｂｏｒｏｎ（１２．７ｇ、４９．９ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（１３．４ｇ、１３６ｍｍｏｌ）、ＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）（９２７ｍｇ、１．１４ｍｍｏｌ）、と無水ＤＭＦ（２００ｍｌ）を入れて、窒素気流下８５℃で２４時間反応させた。その後、反応溶液に水を注ぎ、酢酸エチルで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒：クロロホルム／酢酸エチル＝４／１）を行い、白色粉末のＢＤＯＢＰｙＢを得た。収率：５２．５ｍｏｌ％。
（３）ｍＢＰｙＰＰｙＢの合成
【化８３】
2008127326.tif 000084
四つ口フラスコにＢＰｙＢＢｒ（１．９６ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、ＢＤＯＢＰｙＢ（１．２２ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ  Ｋ２ＣＯ３（３０ｍｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（１３９ｍｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、とトルエン／エタノール（４／１、１００ｍｌ）を入れて、窒素気流下９０℃で２４時間反応させた。その後、反応溶液に水を注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝２０：１）を行い、白色固体のｍＢＰｙＰＰｙＢを得た。収率：４５．７ｍｏｌ％。
【０１１６】
実施例７
（１）２，６−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）ピリジン（略号ＢＣＰＰＹ）の合成
【化８４】
2008127326.tif 000085
５００ｍｌ四つ口フラスコに３，５−ジクロロフェニルボロン酸（１２．４ｇ  ６５ｍｍｏｌ）、２，６−ジブロモピリジン（７ｇ  ２９．６ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１８．８ｇ  １７７．３ｍｍｏｌ）の１００ｍｌ水溶液、トルエン２００ｍｌ、エタノール１００ｍｌを投入し、撹拌しながら４０分間窒素フローした。この溶液を７２℃に加熱し、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム（１．８ｇ  ０．５９ｍｍｏｌ）を投入して、２４時間反応させた。その後反応液を３０℃まで冷却し、クロロホルムで抽出したのち３回分液洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過して濃縮し、淡黄色固体を得た。これをシリカゲルカラムにより精製（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝３／２のものを使用）し、さらに得られた固体をクロロホルムで再結晶してＢＣＰＰＹの白色結晶１０．３ｇを得た（収率９４％  理論収量１０．９ｇ）。
（２）２，６−ビス−〔３，５−ジ−（ピリジン−３−イル）フェニル〕ピリジン（略号２６Ｄ３ＰＹＰＰＹ）の合成
【化８５】
2008127326.tif 000086
５００ｍｌ四つ口フラスコに２,６−ビス−（３,５−ジクロロフェニル）ピリジン（ＢＣＰＰＹ）（２．５ｇ  ６．８ｍｍｏｌ）、３−ビピリジンＤＯＢ（６．１ｇ  ２９．８ｍｍｏｌ）、ジオキサン２５０ｍｌ、リン酸カリウム（１７．３ｇ  ８１．３ｍｍｏｌ）の１００ｍｌ水溶液を投入し、撹拌しながら４０分窒素フローした。この溶液を８５℃に加熱し、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（２４８ｍｇ  ０．２７ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（１８２ｍｇ０．６５ｍｍｏｌ）を投入し、１２時間反応させた。反応終了後液を３０℃まで冷却し、析出物をろ過した。この固体を水で分散洗浄し、次にアセトン分散洗浄し、灰色の組成物を得た。これを加熱したクロロホルム／メタノール（５０／１）に溶解させ、シリカゲルカラムで精製（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５０／１→３０／１→２０／１）した。得られた固体をアセトンで分散洗浄して２６Ｄ３ＰＹＰＰＹの白色結晶３．４ｇを得た（収率９４．０％  理論収量３．７ｇ）。
【０１１７】
実施例８
３，５−ビス−〔３，５−ジ−（ピリジン−３−イル）フェニル〕ピリジン（略号３５ＤＰｙＰＢ）の合成
【化８６】
2008127326.tif 000087
四つ口フラスコにＢＤＯＢＰｙ（０．９９３ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、ＢＰｙＢＢｒ（１．９６ｇ、６．３ｍｍｏｌ）、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．１３９ｇ、０．１２ｍｍｏｌ）、トルエン／エタノール（３／１、１２０ｍｌ）と２Ｍ  Ｋ２ＣＯ３（３０ｍｌ）を入れて、窒素気流下９０℃で２４時間反応させた。反応終了後、反応溶液を水に注ぎ、クロロホルムで抽出し、飽和食塩水で洗浄した。無水硫酸マグネシウムで脱水し、溶媒をエバポレーターで除去した。
精製はカラムクロマトグラフィー法（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝３０／１）を行い、白い粉末を得た。収率：２２．１ｍｏｌ％。
構造確認は１Ｈ−ＮＭＲで行った。
実施例１、５、６、７、８で得られた化合物の電気化学特性を下記表に示す。
【表３】
2008127326.tif 000088
【０１１８】
実施例９
（１）２−メチル−４，６−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）ピリミジン（略号ＢＣＰＭＰＭ）の合成
【化８７】
2008127326.tif 000089
５００ｍｌ四つ口フラスコに３，５−ジクロロフェニルボロン酸（８．１ｇ  ４２．３ｍｍｏｌ）、４，６−ジクロロ−２−メチルピリミジン（３．１ｇ  １９．２ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（１２．２ｇ  １１５．２ｍｍｏｌ）の７００ｍｌ水溶液、アセトニトリル３００ｍｌを投入し、撹拌しながら４０分間窒素フローした。この溶液を６０℃に加熱し、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド（６６８ｍｇ  ０．９５ｍｍｏｌ）を投入して、１２時間反応させた。その後反応液を３０℃まで冷却し、クロロホルムで抽出したのち、クロロホルム層を水で３回洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過して濃縮し、淡黄色固体を得た。これをシリカゲルカラムにより精製（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン＝２／１のものを使用）し、ＢＣＰＭＰＭの白色結晶６．０ｇを得た（収率８１．４％  理論収量７．４ｇ）。
（２）２−メチル−４,６−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル〕ピリミジン（略号Ｄ３ＰｙＰＭＰＭ）の合成
【化８８】
2008127326.tif 000090
５００ｍｌ四つ口フラスコにＢＣＰＭＰＭ（２．０ｇ  ５．２ｍｍｏｌ）、３−ピリジン  ＤＯＢ（４．７ｇ  ２２．９ｍｍｏｌ）、ジオキサン２５０ｍｌ、リン酸カリウム（１３．３ｇ  ６２．５ｍｍｏｌ）の７０ｍｌ水溶液を投入し、撹拌しながら４０分間窒素フローした。この溶液を８５℃に加熱し、Ｐｄ２（ｄｂａ）３（１９１ｍｇ  ０．２１ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（１４０ｍｇ  ０．５０ｍｍｏｌ）を投入し、１２時間反応させた。反応終了後液を３０℃まで冷却し、析出物をろ過した。この固体を水で分散洗浄し、次にアセトン分散洗浄し、灰色の組成物を得た。これを加熱したクロロホルム／メタノール（５０／１）に溶解させ、シリカゲルカラムで精製（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝５０／１→４０／１→３０／１の比率で順次使用）した。得られた固体をアセトンで分散洗浄してＤ３ＰＹＰＭＰＭの白色結晶２．２ｇを得た（収率７６．７％  理論収量２．９ｇ）。
【０１１９】
実施例１０
２−メチル−４,６−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−４−イル）フェニル〕ピリミジン（略号Ｄ４ＰｙＰＭＰＭ）の合成
【化８９】
2008127326.tif 000091
原料を３−ピリジンＤＯＢから４−ピリジンＤＯＢに変更した以外は仕込み量、反応条件、精製条件は全て実施例９のＤ３ＰＹＰＭＰＭの場合と同様に行いＤ４ＰＹＰＭＰＭの白色結晶１．９２ｇ（収率：６６．７％  理論収量２．９ｇ）を得た。
【０１２０】
実施例１１
（１）３，４−ビス（３，５−ジクロロフェニル）チオフェン〔３，４−Ｂｉｓ−（３，５−ｄｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｔｈｉｏｐｈｅｎ〕（略号３，４ＢＤＣＰＴ）の合成
【化９０】
2008127326.tif 000092
３，４−ジブロモチオフェン３．６３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、３，５−ジクロロフェニルボロン酸６．８７ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液３０．０ｍｌ、トルエン１００ｍｌ、エタノール５０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４１．０４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）を加え１４時間還流した。有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、白色固体を得た。得られた白色固体をトルエンで再結晶し、目的物である３，４−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−チオフェン（３，４ＢＤＣＰＴ）を得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量２．５８ｇ、収率４６％）。
（２）３，４−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル〕チオフェン（略号３，４ＢｍＰｙＰＴ）の合成
【化９１】
2008127326.tif 000093
３，４−ビス（３，５−ジクロロフェニル）チオフェン（３，４ＢＤＣＰＴ１．１２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、３ＰｙＤＯＢ３．０８ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍリン酸カリウム水溶液１５ｍｌ、ジオキサン４０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．１１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、トリシクロヘキシルホスフィン（ＰＣｙ３）０．０８ｇ（０．２９ｍｍｏｌ）を加え、４３時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１００／３→１００／５→１００／７→１００／１０の比率で順次使用）にて精製することにより黄白色固体の３，４ＢｍＰｙＰＴを得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量０．６７ｇ、収率４１％）。
【０１２１】
実施例１２
（１）２，５−ビス（３，５−ジクロロフェニル）チオフェン〔２，５−Ｂｉｓ（３，５−ｄｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ〕（略号ＢＤＣＰＴ）の合成
【化９２】
2008127326.tif 000094
２，５−ジブロモチオフェン３．６３ｇ（１５．０ｍｍｏｌ）、３，５−ジクロロフェニルボロン酸６．８７ｇ（３６．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液３０．０ｍｌ、トルエン１００ｍｌ、エタノール５０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４１．０４ｇ（０．９ｍｍｏｌ）を加え６時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン）にて精製することにより黄白色固体の２，５−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）−チオフェン（ＢＤＣＰＴ）を得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量４．３３ｇ、収率７７％）。
（２）２，５−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル〕チオフェン（略号２，５ＢｍＰｙＰＴ）の合成
【化９３】
2008127326.tif 000095
ＢＤＣＰＴ１．５０ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、３ＰｙＤＯＢ４．１０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍリン酸カリウム水溶液２０ｍｌ、ジオキサン５０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．１５ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、ＰＣｙ３０．１１ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を加え、８時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１００／３→１００／５→１００／７→１００／１０の比率で順次使用）にて精製することにより黄白色固体（２，５ＢｍＰｙＰＴ）を得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．３０ｇ、収率６０％）。
Ｒｅｆ．Ｔ．Ｉｓｈｉｍａｙａ，Ｍ．Ｍｕｒａｔａ，Ｎ．Ｍｉｙａｕｒａ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９９５，６０，７５０８．
【０１２２】
実施例１２で得られた２，５ＢｍＰｙＰＴと実施例１４で得られた２，５ＢｐＰｙＰＴの紫外線可視吸収スペクトル、発光スペクトルおよびイオン化ポテンシャル（ＡＣ−３）を測定し、電気化学特性を評価した。２，５ＢｍＰｙＰＴと２，５ＢｐＰｙＰＴの紫外線可視吸収スペクトルは図３に、その他の電気化学的特性を下表に示す。
【表４】
2008127326.tif 000096
【０１２３】
実施例１３
（１）２，４−ビス（３，５−ジクロロフェニル）チオフェン〔２，４−Ｂｉｓ（３，５−ｄｉｃｈｌｏｒｏ−ｐｈｅｎｙｌ）−ｔｈｉｏｐｈｅｎ〕（略号２，４ＢＤＣＰＴ）の合成
【化９４】
2008127326.tif 000097
２，４−ジブロモチオフェン２．０ｇ（８．３ｍｍｏｌ）、３，５−ジクロロフェニルボロン酸３．８ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液２０．０ｍｌ、トルエン１００ｍｌ、エタノール５０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ（ＰＰｈ３）４０．５７ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え１４時間還流した。有機層をトルエンで抽出、飽和食塩水で洗浄、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、白色固体〔２，４−ビス−（３，５−ジクロロフェニル）チオフェン〕を得た。得られた白色固体をトルエンで再結晶し、目的物を得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．４２ｇ、収率４６％）。
（２）２，４−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル〕チオフェン（略号ＢｍＰｙＰＴ、２，４ＢｍＰｙＰＴ）の合成
【化９５】
2008127326.tif 000098
２，４ＢＤＣＰＴ１．１２ｇ（３．０ｍｍｏｌ）、３ＰｙＢＡ１．９２ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍリン酸カリウム水溶液１５ｍｌ、ジオキサン４０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．１１ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、ＰＣｙ３０．０８ｇ（０．２９ｍｍｏｌ）を加え４６時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１００／３→１００／５→１００／７→１００／１０の比率で順次使用）にて精製することにより黄白色固体の２，４ＢｍＰｙＰＴを得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量１．０７ｇ、収率６５％）。
【０１２４】
実施例１４
２，５−ビス〔３，５−ジ（ピリジン−４−イル）フェニル〕チオフェン（略号ＢｐＰｙＰＴ、２，５−ＢｐＰｙＰＴ）の合成
【化９６】
2008127326.tif 000099
ＢＤＣＰＴ１．５０ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、４ＰｙＤＯＢ４．１０ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）、１．３５Ｍリン酸カリウム水溶液２０ｍｌ、ジオキサン５０ｍｌを加え、１時間窒素バブリングをした。Ｐｄ２（ｄｂａ）３０．１５ｇ（０．１６ｍｍｏｌ）、ＰＣｙ３０．１１ｇ（０．３８ｍｍｏｌ）を加え３７時間還流した。反応混合物を室温に戻した後、有機層をクロロホルムで抽出、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾別、濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／メタノール＝１００／３→１００／５→１００／７→１００／１０の比率で順次使用）にて精製することにより黄白色固体のＢｐＰｙＰＴ（２，５−ＢｐＰｙＰＴ）を得た。目的物の確認は、１Ｈ−ＮＭＲ，ＭＳにより行った（収量０．７５ｇ、収率３４％）。
【０１２５】
実施例１５、比較例１
〈実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢを電子輸送層に用いた青色リン光素子の評価〉
下記の構成の有機ＥＬ素子を作った。実施例１５の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムは図４に示す。
〔比較例１〕
ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（３０ｎｍ）／ＴＡＺ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
〔実施例１５〕
デバイス１：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（３０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス２：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２００Å）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１５ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（３０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス３：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（３０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（４０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス４：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス５：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１５ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（１０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
【化９７】
2008127326.tif 000100
ＴＰＤＰＥＳは、ポリ〔オキシ−１，４−フェニレンスルホニル−１，４−フェニレンオキシ−１，４−フェニレン（フェニルイミノ）（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジイル（フェニルイミノ）−１，４−フェニレン〕{ｐｏｌｙ〔ｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｓｕｌｆｏｎｙｌ−１,４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｏｘｙ−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ)（ｐｈｅｎｙｌｉｍｉｎｏ）（１，１′−ｂｉｐｈｅｎｙｌ）−４，４′−ｄｉｙｌ（ｐｈｅｎｙｌｉｍｉｎｏ）−１，４−ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ〕}（９ＣＩ）（ＣＡ  ＩＮＤＥＸ  ＮＡＭＥ）の略称である。
ＴＢＰＡＨはトリス（４−ブロモフェニル）アミニウム  ヘキサクロロアンチモネート〔Ｔｒｉｓ（４−ｂｒｏｍｏｐｈｅｎｙｌ）ａｍｉｎｉｕｍ  ｈｅｘａｃｈｌｏｒｏａｎｔｉｍｏｎａｔｅ〕である。
【化９８】
2008127326.tif 000101
ＦＩｒｐｉｃ｛ビス［２−（４，６−ジフルオロフェニル）ピリジネートＮ，Ｃ２′］イリジウム（III）ピコリネート｝
【化９９】
2008127326.tif 000102
【表５】
2008127326.tif 000103
以上の素子データでは、煩雑さを避けるためドープ濃度をＦＩｒｐｉｃ（１１ｗｔ％）、トータル膜厚を８０ｎｍ（ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ＝正孔輸送層／発光層／電子輸送層）と固定し、膜厚を変化させた素子の比較を示す。尚、レファレンスとしてＴＡＺを電子輸送層に用いた素子を用いた。
実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢは、公知のＴＡＺと比較して高い電子輸送性を示した。膜厚、ドープ濃度を変化させた素子を作製したところ、最大視感効率４１．５ｌｍ／Ｗ＠１００ｃｄ／ｍ２（４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ、ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ＝２０ｎｍ／１０ｎｍ／５０ｎｍ）を示した。
各素子の
電流密度  −電圧特性は図５に、
輝度      −電圧特性は図６に、
視感効率  −電圧特性は図７に、
電流効率  −電圧特性は図８に、
輝度      −電流密度特性は図９に、
視感効率  −輝度特性は図１０に、
ＥＬスペクトルは      図１１に、
ＥＬスペクトル拡大図は図１２に、
それぞれ示す。
【０１２６】
実施例１６、比較例２
実施例１で得られたＢｍＰｙＰＢを電子輸送層に用いた緑色リン光素子の評価
ＢｍＰｙＰＢについてＩｒ（ｐｐｙ）３をドーパントとした緑色リン光素子を作成・評価を行った。その結果、ＢＣＰ／Ａｌｑ３をホールブロック層・電子輸送層として用いた素子と比較して高い電子輸送性を示した。そこで、膜厚を変化させた素子を作製したところ、最大視感効率９４．９ｌｍ／Ｗ＠１００ｃｄ／ｍ２〔ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ＝２０ｎｍ／１０ｎｍ／５０ｎｍ〕の素子特性を示した。なお、実施例１６の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムは図１３に示す。
下記に素子の構成を示す。
〔比較例２〕
デバイス７：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
〔実施例１６〕
デバイス８：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス９：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１０：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（１０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
【化１００】
2008127326.tif 000104
【表６】
2008127326.tif 000105
各素子の
電流密度  −電圧特性は図１４に、
輝度      −電圧特性は図１５に、
視感効率  −電圧特性は図１６に、
電流効率  −電圧特性は図１７に、
輝度      −電流密度特性は図１８に、
視感効率  −輝度特性は図１９に、
ＥＬスペクトルは      図２０に、
ＥＬスペクトル拡大図は図２１に、
それぞれ示す。
【０１２７】
実施例１７、実施例１８、比較例３
実施例６で得られたｍＢＰｙＰＰｙＢと実施例８で得られた３５ＤＰｙＰＢを用いて下記有機ＥＬ素子をつくり、ｍＢＰｙＰＰｙＢと３５ＤＰｙＰＢの電子輸送性を評価した。
有機ＥＬ素子の構成
比較例３：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（７０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例１７：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ｍＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例１８：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／３５ＤＰｙＰＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
【化１０１】
2008127326.tif 000106
【表７】
2008127326.tif 000107
【表８】
2008127326.tif 000108
【表９】
2008127326.tif 000109
各素子の
電流密度  −電圧特性は図２２に、
輝度      −電圧特性は図２３に、
視感効率  −電圧特性は図２４に、
電流効率  −電圧特性は図２５に、
視感効率  −輝度特性は図２６に、
ＥＬスペクトルは      図２７に、
それぞれ示す。
α−ＮＰＤ／Ａｌｑ３素子と較べ、ｍＢＰｙＰＰｙＢおよび３５ＤＰｙＰＢを用いた実施例１７および１８の素子の電流注入（＜３Ｖ）は、若干低い。それはｍＢＰｙＰＰｙＢおよび３５ＤＰｙＰＢのＬＵＭＯレベルが高いため、電子注入障壁も高いではないかと考えられる。しかし、高電圧領域にα−ＮＰＤ／Ａｌｑ３素子と同等またはその以上の電流密度を有する。これからみてｍＢＰｙＰＰｙＢおよび３５ＤＰｙＰＢは高い電子移動度を有するものと思われる。
【０１２８】
実施例１９、実施例２０、比較例４
比較例４：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／ＢＣＰ／Ａｌｑ３（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例１９：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／実施例１で得られたＢｍＰｙＰＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２０：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／実施例９で得られたＤ３ＰＹＰＭＰＭ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例１で得られたＢｍＰｙＰＢ、実施例９で得られたＤ３ＰＹＰＭＰＭを電子輸送層に用いて、緑リン光素子を作った（実施例１９、実施例２０）。
なお、比較のため電子輸送層にＢＣＰ／Ａｌｑ３を用いたものを比較例４とした。
これにより得られた素子の物性を下記表に示す。
【表１０】
2008127326.tif 000110
これらの有機ＥＬ素子の
電圧−電流特性    は図２８に、
電圧−輝度特性    は図２９に、
視感効率−輝度特性は図３０に、
輝度−電流効率特性は図３１に、
それぞれ示す。
また、Ｄ３ＰＹＰＭＰＭを用いた２０ｍＡ／ｃｍ２時のＥＬスペクトルを図３２に示す。
図３２のＥＬスペクトルよりＤ３ＰＹＰＭＰＭを用いた素子からはＩｒ（ｐｐｙ）３のみの発光が得られている。Ｄ３ＰＹＰＭＰＭのＩｐは６．７５ｅＶと大きいため良好なホールブロック性を示していると考えられる。図２８の電圧−電流特性よりＤ３ＰＹＰＭＰＭを用いた素子は２．５Ｖから電流注入し始めており、ＢＣＰ／Ａｌｑ３やＢｍＰｙＰＢを用いた素子よりも電子注入障壁が低いと考えられる。また５Ｖまでの低電圧領域の電流密度も他の２つの素子を上回っており、良好な電子輸送性を示している。この素子の１００ｃｄ／ｍ２時の視感効率は８７．０１ｍ／Ｗ、外部量子効率は２１．７％と、発光層が３０ｎｍの素子としては、これまでにない高効率な結果が得られている。
【０１２９】
実施例２１、比較例５
実施例５で得られたｐＢＰｙＰＰｙＢを電子輸送層に用いた青色リン光素子を作成し、この素子（実施例２１）の評価を行った。
なお、比較のためｐＢＰｙＰＰｙＢの代わりにＴＡＺ（比較例１参照）を用いた素子を比較例５とした。
比較例５：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（３０ｎｍ）／ＴＡＺ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２１：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／３ＤＴＡＰＢＰ（２０ｎｍ）／４ＣｚＰＢＰ：１１ｗｔ％ＦＩｒｐｉｃ（３０ｎｍ）／ｐＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
この素子の特性を下記表に示す。
【表１１】
2008127326.tif 000111
素子のエネルギーダイアグラムは図３３に、
電流密度  −電圧特性    は図３４に、
輝度      −電圧特性    は図３５に、
視感効率  −電圧特性    は図３６に、
電流効率  −電圧特性    は図３７に、
輝度      −電流密度特性は図３８に、
視感効率  −輝度特性    は図３９に、
ＥＬスペクトル          は図４０に、
ＥＬスペクトル拡大図    は図４１に、
それぞれ示す。
【０１３０】
実施例２２（ｐＢＰｙＰＰｙＢを電子輸送層に用いた青色リン光素子）、比較例６
実施例５で得られたｐＢＰｙＰＰｙＢについてＩｒ（ｐｐｙ）３をドーパントとした緑色リン光素子（実施例２２、デバイス１２〜１４）を作成・評価を行ったところ、ＢＣＰ／Ａｌｑ３（比較例６、デバイス１１）と比較して高い素子特性を示した。次いで、発光層を１０ｎｍとして高効率化を目指した素子を作製したところ、最大視感効率８０．６ｌｍ／Ｗ＠１００ｃｄ／ｍ２〔ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３、ＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴＬ＝３０ｎｍ／１０ｎｍ／３０ｎｍ〕の素子特性を示した。
素子の構成
デバイス１１：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／ＢＣＰ（１０ｎｍ）／Ａｌｑ３（２０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１２：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（３０ｎｍ）／ｐＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１３：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（１０ｎｍ）／ｐＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
デバイス１４：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ：１０ｗｔ％ＴＢＰＡＨ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：８ｗｔ％Ｉｒ（ｐｐｙ）３（１０ｎｍ）／ｐＢＰｙＰＰｙＢ（５０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
【表１２】
2008127326.tif 000112
素子のエネルギーダイアグラムは図４２に、
電流密度  −電圧特性    は図４３に、
輝度      −電圧特性    は図４４に、
視感効率  −電圧特性    は図４５に、
電流効率  −電圧特性    は図４６に、
輝度      −電流密度特性は図４７に、
視感効率  −輝度特性    は図４８に、
ＥＬスペクトル          は図４９に、
ＥＬスペクトル拡大図    は図５０に、
それぞれ示す。
【０１３１】
実施例２３、２４、２５、比較例７
実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢと実施例１２で得られた２，５ＢｍＰｙＰＴと実施例１４で得られた２，５ＢｐＰｙＰＴをそれぞれ電子輸送材料として用いた素子を用い、その特性を評価した。
素子の構成
比較例７：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（７０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２３：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ＢｍＰｙＢＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２４：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ＢｍＰｙＰＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２５：ＩＴＯ／α−ＮＰＤ（５０ｎｍ）／Ａｌｑ３（４０ｎｍ）／ＢｐＰｙＰＴ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
電流密度はＢｍＰｙＢＢ＞ＢｍＰｙＰＴ＞ＢｐＰｙＰＴ＞Ａｌｑ３の順となることが示された。特に、メタ置換のＢｍＰｙＰＴは電子注入特性が高いことがわかった。
各有機ＥＬ素子の
電流密度  −電圧特性は図５１に、
電流密度  −電圧特性（線形：低電圧領域）は図５２に、
輝度      −電圧特性は図５３に、
視感効率  −電圧特性は図５４に、
電流効率  −電圧特性は図５５に、
ＥＬスペクトル      は図５６に、
それぞれ示す。
【０１３２】
実施例２６〜２９
実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ（実施例２７に相当）
実施例５で得られたｐＢＰｙＰＰｙＢ（実施例２９に相当）
実施例６で得られたｍＢＰｙＰＰｙＢ（実施例２８に相当）
実施例８で得られた３５ＤＰｙＰＢ（実施例２６に相当）
をそれぞれ電子輸送材料として用いて、緑色リン光素子を得た。
素子の構成
実施例２６：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（３０ｎｍ）／ＤＰｙＰＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２７：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（３０ｎｍ）／ＢｍＰｙＢＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２８：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（３０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（３０ｎｍ）／ｍＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
実施例２９：ＩＴＯ／ＴＰＤＰＥＳ（２０ｎｍ）／ＴＡＰＣ（２０ｎｍ）／ＣＢＰ：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（８ｗｔ％）（３０ｎｍ）／ｐＢＰｙＰＰｙＢ（３０ｎｍ）／ＬｉＦ（０．５ｎｍ）／Ａｌ（１００ｎｍ）
これらの素子の物性を下記表に示す。
【表１３】
2008127326.tif 000113
【表１４】
2008127326.tif 000114
【表１５】
2008127326.tif 000115
これらの素子の
電流密度  −電圧特性    は図５７に、
輝度      −電圧特性    は図５８に、
輝度      −電流密度特性は図５９に、
外部量子効率−輝度特性  は図６０に、
視感効率  −輝度特性    は図６１に、
電流効率  −電圧特性    は図６２に、
視感効率  −電圧特性    は図６３に、
電流効率  −電流密度特  は図６４に、
ＥＬスペクトル          は図６５に、
それぞれ示す。
実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢを用いた緑色リン光素子と比べ、実施例８で得られたＤＰｙＰＢを用いた素子の電流密度は遥かに高いことが確認された。同じ素子構造でこれまで一番高い電流密度ではないかと思われる。しかし、電子が過剰に注入し、逆にキャリアバランスが崩れることがわかった。それでも、ＤＰｙＰＢは電子輸送材料として優れているのではないかと思われる。適当に素子周辺材料を選べば、より高い効率が期待できると思われる。また実施例６で得られたｍＢＰｙＰＰｙＢを用いた素子は実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢまたは実施例５で得られたｐＢＰｙＰＰｙＢを用いた素子より電子注入は若干低いが、高電圧領域での電流密度はいずれの素子よりも高い。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】実施例１で得られたＢｍＰｙＢＢ、実施例２で得られたｍ−ＢｐＰｙＰＢ、実施例５で得られたｐ−ＢＰｙＰＰｙＢ、のＵＶ吸収スペクトル（紫外線可視吸収スペクトル）を示す。
【図２】実施例３で得られたＢｐＰｙＰＭＢ、実施例４で得られたＢｍＰｙＰＭＢ、のＵＶ吸収スペクトルおよびＰＬスペクトルを示す。
【図３】実施例１２で得られた２，５ＢｍＰｙＰＴ、実施例１４で得られたＢｐＰｙＰＴ、のＵＶ吸収スペクトルおよびＰＬスペクトルを示す。
【図４】実施例１５の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムを示す。
【図５】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図６】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図７】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図８】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図９】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電流密度特性を示す。
【図１０】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図１１】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図１２】比較例１および実施例１５のデバイス２〜４の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトル拡大図を示す。
【図１３】実施例１６の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムを示す。
【図１４】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図１５】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図１６】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図１７】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図１８】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電流密度特性を示す。
【図１９】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図２０】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図２１】比較例２および実施例１６のデバイス８〜１０の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトル拡大図を示す。
【図２２】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図２３】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図２４】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図２５】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図２６】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図２７】実施例１７、１８、比較例３の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図２８】実施例１９、２０、比較例４の有機ＥＬ素子のもつ電圧−電流特性を示す。
【図２９】実施例１９、２０、比較例４の有機ＥＬ素子のもつ電圧−輝度特性を示す。
【図３０】実施例１９、２０、比較例４の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図３１】実施例１９、２０、比較例４の有機ＥＬ素子のもつ輝度-電流効率特性を示す。
【図３２】実施例２０の有機ＥＬ素子のもつ２０ｍＡ／ｃｍ２時のＥＬスペクトルを示す。
【図３３】実施例２１の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムを示す。
【図３４】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図３５】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図３６】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図３７】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図３８】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電流密度特性を示す。
【図３９】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図４０】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図４１】実施例２１と比較例５の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトル拡大図を示す。
【図４２】実施例２２の有機ＥＬ素子のエネルギーダイアグラムを示す。
【図４３】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図４４】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図４５】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図４６】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図４７】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電流密度特性を示す。
【図４８】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図４９】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図５０】実施例２２のデバイス１２〜１４と比較例６の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトル拡大図を示す。
【図５１】実施例２３〜２５および比較例７の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図５２】実施例２３〜２５および比較例７の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性（線形：低電圧領域）を示す。
【図５３】実施例２３〜２５および比較例７の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図５４】実施例２３〜２５および比較例７６の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図５５】実施例２３〜２５および比較例７の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図５６】実施例２３〜２５および比較例７の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図５７】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ電流密度−電圧特性を示す。
【図５８】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電圧特性を示す。
【図５９】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ輝度−電流密度特性を示す。
【図６０】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ外部量子効率−輝度特性を示す。
【図６１】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−輝度特性を示す。
【図６２】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電圧特性を示す。
【図６３】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ視感効率−電圧特性を示す。
【図６４】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつ電流効率−電流密度特性を示す。
【図６５】実施例２６〜２９の有機ＥＬ素子のもつＥＬスペクトルを示す。
【図６６】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図６７】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図６８】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図６９】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７０】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７１】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７２】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７３】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７４】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７５】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７６】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７７】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７８】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【図７９】本発明における有機エレクトロルミネッセンス素子の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１３４】
１  基板
２  陽極（ＩＴＯ）
３  発光層
４  陰極
５  正孔輸送層（ホール輸送層）
６  電子輸送層
７  正孔注入層（ホール注入層）
８  電子注入層
９  正孔ブロック層（ホールブロック層）
【図１】
2008127326.tif 000119
【図２】
2008127326.tif 000120
【図３】
2008127326.tif 000121
【図４】
2008127326.tif 000122
【図５】
2008127326.tif 000123
【図６】
2008127326.tif 000124
【図７】
2008127326.tif 000125
【図８】
2008127326.tif 000126
【図９】
2008127326.tif 000127
【図１０】
2008127326.tif 000128
【図１１】
2008127326.tif 000129
【図１２】
2008127326.tif 000130
【図１３】
2008127326.tif 000131
【図１４】
2008127326.tif 000132
【図１５】
2008127326.tif 000133
【図１６】
2008127326.tif 000134
【図１７】
2008127326.tif 000135
【図１８】
2008127326.tif 000136
【図１９】
2008127326.tif 000137
【図２０】
2008127326.tif 000138
【図２１】
2008127326.tif 000139
【図２２】
2008127326.tif 000140
【図２３】
2008127326.tif 000141
【図２４】
2008127326.tif 000142
【図２５】
2008127326.tif 000143
【図２６】
2008127326.tif 000144
【図２７】
2008127326.tif 000145
【図２８】
2008127326.tif 000146
【図２９】
2008127326.tif 000147
【図３０】
2008127326.tif 000148
【図３１】
2008127326.tif 000149
【図３２】
2008127326.tif 000150
【図３３】
2008127326.tif 000151
【図３４】
2008127326.tif 000152
【図３５】
2008127326.tif 000153
【図３６】
2008127326.tif 000154
【図３７】
2008127326.tif 000155
【図３８】
2008127326.tif 000156
【図３９】
2008127326.tif 000157
【図４０】
2008127326.tif 000158
【図４１】
2008127326.tif 000159
【図４２】
2008127326.tif 000160
【図４３】
2008127326.tif 000161
【図４４】
2008127326.tif 000162
【図４５】
2008127326.tif 000163
【図４６】
2008127326.tif 000164
【図４７】
2008127326.tif 000165
【図４８】
2008127326.tif 000166
【図４９】
2008127326.tif 000167
【図５０】
2008127326.tif 000168
【図５１】
2008127326.tif 000169
【図５２】
2008127326.tif 000170
【図５３】
2008127326.tif 000171
【図５４】
2008127326.tif 000172
【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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