(57)【要約】【課題】半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことを目的とする。【解決手段】測定時に、ウェハ１２上に形成された半導体集積回路毎に、ウェハ１２の高さおよびプローブ針先１６高さを測定し、これらから、プローブをコンタクトした際の針圧が所定の針圧になるように制御することにより、半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に複数形成された半導体集積回路をウェハ状態で検査を行う半導体集積回路の検査装置であって、
前記半導体集積回路にコンタクトするプローブを備えるプローブカードと、
前記プローブカードに接続されて測定対象となる前記半導体集積回路の電気的特性を測定する電気測定部と、
前記ウェハを加温しながら搭載するウェハチャックと、
測定対象となる前記半導体集積回路が前記プローブカード直下の測定位置にくるように前記ウェハチャックを移動させるウェハチャックＸＹ軸駆動部と、
測定対象となる前記半導体集積回路が前記プローブカードとコンタクトするように前記ウェハチャックを移動させるウェハチャックＺ軸駆動部と、
前記ウェハチャックの温度を制御する温度制御部と、
前記ウェハチャックＸＹ軸駆動部の動作を制御する位置制御部と、
前記ウェハの基準位置からの高さを測定するウェハ高さ測定部と、
前記プローブの基準位置からの高さを測定するプローブ高さ測定部と、
前記ウェハの高さと前記プローブの高さの差からコンタクトの高さを求める高さ認識部と、
前記半導体集積回路毎の前記コンタクトの高さの情報を前記各半導体集積回路の位置情報と対応させて格納する記憶部と、
前記記憶部に格納された情報から前記各半導体集積回路への前記プローブカードコンタクト時の針圧があらかじめ定められた所定の針圧になるように前記ウェハチャックの移動量を演算する演算処理部と、
前記演算処理部の処理結果より前記ウェハチャックＺ軸駆動部の動作を制御する高さ制御部と
を有し、測定温度印加時でも、最適な前記針圧でコンタクトすることを特徴とする半導体集積回路の検査装置。
【請求項２】
前記記憶部に格納される情報が、前記各半導体集積回路の位置情報と対応させた前記コンタクトの高さの情報を、測定する前記半導体集積回路の順に記録したテーブルであることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項３】
前記記憶部に格納される情報として、前記各半導体集積回路の位置情報を前記ウェハ中心からの距離を用い、前記コンタクトの高さの情報を前記ウェハ中心からの距離に比例する一次関数で表すことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【請求項４】
前記記憶部に格納される情報として、前記各半導体集積回路の位置情報を前記ウェハ中心からの距離を用い、前記コンタクトの高さの情報を前記ウェハチャックと前記プローブカードが前記ウェハの平面方向に重なる部分の面積に比例する一次関数で表すことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハに形成された複数の半導体集積回路を、ウェハ状態で検査を行う半導体集積回路の検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、ウェハに形成された半導体集積回路の電気的特性を測定するプローバ装置は、プローブの針数の増加や並列測定個数の増加による針立て面積の増大、システムＬＳＩのパットピッチの狭ピッチ化に伴い針径が細くなり、針先と半導体集積回路とのコンタクト圧の許容範囲が狭まる傾向があり、プローブ針先位置の高精度な制御が要求されてきている。
【０００３】
特許文献１には、高温測定時に半導体基板を搭載するステージの高さを時間間隔ごとに記録したデータをもち、時間間隔ごとに時間からデータを取得し、ステージの位置を自動的に調節し、プローブの針圧を一定に保持することを可能にしたプローバ装置が開示されている。
【０００４】
上記文献と同様な構成を有する従来のプローバ装置について図９，図１０を用いて説明する。図９は従来の半導体装置の検査装置におけるプローバ装置の構成を示す概略図，図１０は従来の半導体装置の検査装置におけるプローブ針の移動状況を説明する図である。
【０００５】
図９において、従来のプローバ装置５０は、被測定半導体集積回路が形成されたウェハ５１をその上面に載置するウェハチャック５２と、ウェハチャック５２をＸ軸およびＹ軸方向に移動するウェハチャックＸＹ軸駆動部５４と、ウェハチャック５２をＺ軸方向に移動するウェハチャックＺ軸駆動部５３と、チャックＸＹ軸駆動部５４およびチャックＺ軸駆動部５３を制御するチャック位置制御部６３とを備えている。チャック５２は、その内部にチャック５２を加熱するヒータと、チャック５２を冷却する冷却ユニットと、チャック５２の温度を測定する温度センサとを含む。従来のプローバ装置５０は、ウェハ５１の上面と対面して設けられ、ウェハ５１の上面に形成された半導体集積回路の電気的特性を測定するとき使用するプローブカード５５を含む。
【０００６】
プローブカード５５は、半導体集積回路と接触する針先を有するプローブ針５６が設けられている。
さらに、従来のプローバ装置５０は、プローブ針５６の針先の位置を検出する位置センサ５７と、位置センサ５７で検出された位置データに基づいて、プローブ針５６の針先の測定開始位置に対する位置を計測する位置計測部６２と、チャック５２を設定温度に制御する温度制御部６６と、チャック５２の設定温度と、位置計測部６２で計測された移動位置とを対応づけて記憶するデータ記憶部６１と、演算部６４とを含む。
【０００７】
従来のプローバ装置５０において、ウェハ５１に形成された半導体集積回路の電気的特性の測定を高温または低温状態で行う場合、ウェハ５１からの熱伝導や放射熱によりプローブカード５５の反りやプローブカード５５のプローブ針５６の膨張や収縮が発生する。たとえば、図１０に示すように、チャック５２の温度が高温時、プローブ針５６の針先からウェハ５１の上面までの距離は、測定開始時の距離Ｅから距離Ｆになる。
【０００８】
図９の従来のプローバ装置５０では、被測定半導体集積回路が形成されたウェハ５５を搭載したチャック５２の温度変化に応じて、チャック５２の位置を自動的に調節するように構成されている。従来のプローバ装置５０は、予めチャック５２の温度毎にプローブ針５６の針先の位置を測定し、データ記憶部６１に保存する。半導体集積回路の電気的特性を測定する際、チャック５２の温度を測定し、チャック５２の温度に応じてデータ記憶部６１からプローブ針５６の針先の位置を取得し、プローブ針５６の針先の位置からチャック５２の移動位置を算出する。算出された移動位置に基づいて、チャック位置制御部６３が、チャックＺ軸駆動部５３を制御し、チャック５２を移動位置に移動させる。
【特許文献１】特開２００５−３３３０４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来の半導体集積回路の検査装置では、ウェハチャック上で高温になったウェハ上に形成された半導体集積回路が移動するため、測定される半導体集積回路の位置により、熱源であるウェハチャックと前記ウェハチャックの上方にあるプローブカードの距離が変わることにより、前記プローブカードの温度が変化する。前記プローブカードの温度が変化すると、プローブカードの補強板を含むプローブを支える基板が熱膨張により反りを生じ、プローブカードの温度が高いほど、基板の反りが大きく、プローブの針先位置がウェハ側で移動しウェハへの針圧が大きくなる。ウェハへの針圧が大きくなると、半導体集積回路へのパッド下の素子にダメージをうけることになる。つまり、時間間隔でウェハステージの位置が変化するが、プローブカードにおいては、ウェハを含むチャックとの相対位置でプローブカードの変形度合いが大きく変わる。この傾向は高温時ほど、また、熱膨張による反りが発生するプローブカードと熱源となるウェハを含むチャックが大口径化するほど、ウェハにかかる針圧の差は顕著になる。
【００１０】
上記問題点を解決するために、半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体集積回路の検査装置は、ウェハ上に複数形成された半導体集積回路をウェハ状態で検査を行う半導体集積回路の検査装置であって、前記半導体集積回路にコンタクトするプローブを備えるプローブカードと、前記プローブカードに接続されて測定対象となる前記半導体集積回路の電気的特性を測定する電気測定部と、前記ウェハを加温しながら搭載するウェハチャックと、測定対象となる前記半導体集積回路が前記プローブカード直下の測定位置にくるように前記ウェハチャックを移動させるウェハチャックＸＹ軸駆動部と、測定対象となる前記半導体集積回路が前記プローブカードとコンタクトするように前記ウェハチャックを移動させるウェハチャックＺ軸駆動部と、前記ウェハチャックの温度を制御する温度制御部と、前記ウェハチャックＸＹ軸駆動部の動作を制御する位置制御部と、前記ウェハの基準位置からの高さを測定するウェハ高さ測定部と、前記プローブの基準位置からの高さを測定するプローブ高さ測定部と、前記ウェハの高さと前記プローブの高さの差からコンタクトの高さを求める高さ認識部と、前記半導体集積回路毎の前記コンタクトの高さの情報を前記各半導体集積回路の位置情報と対応させて格納する記憶部と、前記記憶部に格納された情報から前記各半導体集積回路への前記プローブカードコンタクト時の針圧があらかじめ定められた所定の針圧になるように前記ウェハチャックの移動量を演算する演算処理部と、前記演算処理部の処理結果より前記ウェハチャックＺ軸駆動部の動作を制御する高さ制御部とを有し、測定温度印加時でも、最適な前記針圧でコンタクトすることを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の半導体集積回路の検査装置は、請求項１記載の半導体集積回路の検査装置において、前記記憶部に格納される情報が、前記各半導体集積回路の位置情報と対応させた前記コンタクトの高さの情報を、測定する前記半導体集積回路の順に記録したテーブルであることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の半導体集積回路の検査装置は、請求項１記載の半導体集積回路の検査装置において、前記記憶部に格納される情報として、前記各半導体集積回路の位置情報を前記ウェハ中心からの距離を用い、前記コンタクトの高さの情報を前記ウェハ中心からの距離に比例する一次関数で表すことを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の半導体集積回路の検査装置は、請求項１記載の半導体集積回路の検査装置において、前記記憶部に格納される情報として、前記各半導体集積回路の位置情報を前記ウェハ中心からの距離を用い、前記コンタクトの高さの情報を前記ウェハチャックと前記プローブカードが前記ウェハの平面方向に重なる部分の面積に比例する一次関数で表すことを特徴とする。
【００１５】
以上により、半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように、測定時に、ウェハ上に形成された半導体集積回路毎に、ウェハの高さおよびプローブの針先高さを測定し、これらから、プローブをコンタクトした際の針圧が所定の針圧になるように制御することにより、半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図１〜図８を用いて説明する。
図１は本発明の半導体装置の検査装置におけるプローバ装置の構成を示す概略図である。
【００１８】
図１において、プローバ装置１０は、半導体集積回路が形成されたウェハ１２をその上面に搭載するウェハチャック１３と、ウェハチャック１３の温度を制御する温度制御部２６と、ウェハチャック１３をウェハの平面方向であるＸ軸およびＹ軸方向に移動するウェハチャックＸＹ軸駆動部１５と、ウェハチャック１３をウェハの平面方向に対して垂直方向であるＺ軸方向に移動するウェハチャックＺ軸駆動部１４と、ウェハチャックＸＹ軸駆動部１５を制御するウェハチャック位置制御部２４と、ウェハチャックＺ軸駆動部１４を制御するウェハチャック高さ制御部２３と、プローブカード１１に取り付けられたプローブ２０とプローブ２０のプローブ針先１６のあらかじめ定めた任意の基準位置からの高さをプローブ２０の下方から測定するプローブ高さ測定部１７と、ウェハ１２の前記基準位置からの高さをウェハ１２の上方から測定するウェハ高さ測定部１９と、ウェハ高さ測定部１９とプローブ高さ測定部１７からの差からコンタクトの高さを求める高さ認識部２２と、高さ認識部２２からの高さ情報とウェハチャック位置制御部２４からの位置情報とを取得し、高さ情報と位置情報を対にして記憶する記憶部２１と、位置制御部２４からの位置情報からあらかじめ記憶された記憶部２１の高さ情報を、ウェハチャック高さ制御部２３に指示をあたえる演算処理部２５とを備えている。
【００１９】
ウェハチャック１３は本体の内部にウェハチャック１３を加熱するヒータと、ウェハチャック１３を冷却する冷却ユニットとウェハチャック１３の温度を測定する温度センサとを含む。
【００２０】
ウェハチャックＺ軸駆動部１４及びウェハチャックＸＹ軸駆動部１５は内蔵する駆動モータなどによりウェハチャック１３を駆動する。ウェハチャック高さ制御部２３はウェハチャックＺ軸駆動部１４の駆動モータを制御することにより、ウェハチャック１３の高さを制御する。ウェハチャック位置制御部２４はウェハチャックＸＹ軸駆動部１５の駆動モータを制御することにより、ウェハチャック１３のＸＹの位置を制御する。
【００２１】
ウェハ１２の上面に形成された複数の半導体集積回路に対する電気的特性の測定は各半導体集積回路毎に行われる。そのため、ウェハチャック位置制御部２４はチャックＸＹ軸駆動部１５を制御して、各半導体集積回路と、プローブ針２０のプローブ針先１６とが適切な位置でコンタクトするようにＸＹ軸方向にチャック１３を移動させる。また、半導体集積回路の電気的特性を測定する際、ウェハチャック高さ制御部２３はチャックＺ軸駆動部１４を制御して、半導体集積回路とプローブ針２０のプローブ針先１６が最適なコンタクト圧で接触し、電気的に接続されるようにウェハチャック１３をＺ軸方向に移動させる。
【００２２】
プローバ装置１０は、ウェハ１２の上面に半導体集積回路の電気的特性を測定するときに使用するプローブカード１１を含む。プローブカード１１は、半導体集積回路と接触するプローブ針先１６を有するプローブ針２０が設けられた一面を有する。さらに、プローバ装置１０は、プローブカード１１を固定するフォルダ２８と、プローブカード１１を介して半導体集積回路の電気的特性を測定する電気測定部２７とを含む。
【００２３】
さらに、プローバ装置１０は、温度制御部２６と、記憶部２１と、演算処理部２６とを含む。
温度制御部２６は、温度センサを含み、温度センサでウェハチャック１３の温度を測定するとともに、ウェハチャック１３を所定の設定温度に制御する。温度制御部２６は、ウェハチャック１３の温度を上げる場合は、ウェハチャック１３をヒータで加熱するようヒータを制御し、ウェハチャック１３の温度を下げる場合は、ウェハチャック１３を冷却ユニットで冷却するように冷却ユニットを制御する。
【００２４】
記憶部２１は位置制御部２４からの位置情報と高さ制御部からの高さ情報を時間ごと、または位置ごとに記憶する。記憶部２１のテーブルに記憶されたデータ例を図３に示す。
演算処理部２５は、ウェハチャック位置制御部２４から通知された位置情報をもとに、図３のテーブルを参照し、プローブ針２０のプローブ針先１６の移動距離を取得し、取得した移動距離に基づいて、プローブ針２０のプローブ針先１６と半導体集積回路が最適なコンタクト圧で接触するように、ウェハチャック１３のＺ軸方向の移動位置を算出する。演算処理部２５で算出されたＺ軸移動位置は、ウェハチャック位置制御部２４に通知される。ウェハチャック位置制御部２４は、ウェハチャックＺ軸駆動部１４を制御してウェハチャック１３をＺ軸方向の移動位置に移動させる。
【００２５】
ウェハ上面を測定プローブ高さ測定部１７はプローブカード１１に付けられたプローブ２０のプローブ針先１６の下に移動し、カメラ等のフォーカスにてプローブ高さ１８を測定する。
【００２６】
図２に本発明の半導体集積回路の検査装置における高温測定動作のフローチャートを示す。
予め、ウェハ１２の高温測定動作を行い、プローブ針２０のプローブ針先１６の高さ情報を記憶部２１にテーブル３０に記憶させる。
【００２７】
次に、図２に示すように、プローブカード１１を半導体集積回路の検査装置であるプローバ装置１０に装着する（Ｓ１１）。プローブカード１１に付けられたプローブ２０のプローブ針先１６のプローブ高さ１８はプローブ高さ測定部１７にて測定する。通常プローブ２０のプローブ針先１６は複数ピンあり、プローブカード１１で予め決められた代表的な複数のピンを基準ピンとしてその基準ピンのプローブ針先１６のプローブ高さ１８を測定する。高さ認識部２２にてプローブ高さ測定部１７から得た複数ピンのプローブ高さ１８の平均等を算出し、プローブカード１１のプローブ高さ１８とし、記憶部２１へ格納する。加熱前のプローブの高さを記憶することで、加熱後のプローブ高さを短時間で測定することができる。（Ｓ１２）。次に、ウェハチャック１３の上に半導体集積回路を形成されたウェハ１２を搭載する（Ｓ１３）。次に、温度制御部２６によりウェハチャック１３を加熱する（Ｓ１４）。次に、温度制御部２６にて設定された温度か判断する（Ｓ１５）。設定された温度に達しない場合（Ｓ１５のＮｏの処理）、ウェハチャック温度を調整する（Ｓ１４）。設定された温度に達する（Ｓ１５のＹｅｓの処理）とウェハ高さ測定部１９でウェハ１２の基準位置からの高さを複数個所測定し、高さ認識部２２にてウェハ１２の高さを求める（Ｓ１６）。プローブカード１１は高温時、基板の反りが発生し、プローブ針先１６が下方向に移動する傾向にある。そこで、次に、ウェハチャック１３はウェハチャック位置制御部２４からウェハチャックＸＹ軸駆動部１５へ指示されてウェハの中央部にプローブカード１１がくるように移動され、プローブカード１１の基板の反りが安定する予め決められた時間まで待つ（Ｓ１７）。次に、プローバ装置１０はプローブカード１１のプローブ針先１６の針先高さ１８をＳ１２と同じく算出する（Ｓ１８）。次に、プローバ装置１０はウェハチャック１３が最初の測定チップの位置に移動するように、ウェハチャック位置制御部２４からウェハチャックＸＹ軸駆動部１５に指示してウェハチャック１３を移動させる。安定した電気的特性検査ができるにはウェハ１２とプローブの針先１６の接触からの一定の押し込み量が必要である。事前に設定された押し込み量になるように、Ｓ１８で測定されたプローブ針先高さ１８を記憶部２１から演算処理部２５に呼び出し演算され、ウェハチャック高さ制御部２３から、ウェハチャックＺ軸駆動部へ指示してウェハチャック１３を移動させ、ウェハ１２上に形成された測定対象の半導体集積回路に、プローブカードのプローブをコンタクトさせる（Ｓ１９）。このように、測定温度雰囲気中での、測定対象となるウェハ１２の高さと測定対象となるウェハ１２上に移動した状態で待機中のプローブカード１１におけるプローブ針先１６の高さとを測定し、その測定結果を反映させてウェハチャック１３を移動させることにより、プローブを所定の針圧で測定対象となる半導体集積回路にコンタクトさせることができる。続いて、電気測定部２７がウェハ１２上の半導体集積回路の電気的測定を行う（Ｓ２０）。次に、測定終了する場合はそのまま本処理を終了する（Ｓ２４のＹｅｓ）。測定終了しない場合はＳ２１へ移動（Ｓ２４のＮｏ）し、ウェハチャック高さ制御部２３からウェハチャックＺ軸駆動部１４へ指示を送り、ウェハチャック１３をコンタクト解除状態にＺ軸方向へ移動し、ウェハチャック位置制御部２４からウェハチャックＸＹ軸駆動部１５に指示して次の測定半導体集積回路へ移動する（Ｓ２１）。次に、移動先の位置情報をウェハチャック位置制御部２４から取得する（Ｓ２２）。次に、移動先位置情報の針先高さデータを記憶部２１にあらかじめ記録されたテーブル３０から入手する（Ｓ２３）。演算処理部２５にて押し込み量を演算し、求めた押し込み量をウェハチャック位置制御部２４からウェハチャック高さ制御部に指示を出してウェハチャック１３を移動させ、ウェハ１２上に形成された測定対象の半導体集積回路に、プローブカードのプローブをコンタクトさせる（Ｓ２４）。そして、再びＳ２０に戻る。半導体集積回路の高温時の電気的特性測定において、測定中熱源のウェハチャック１３が移動により、プローブカード１１の針先高さ１８が変化しても事前に記憶された測定位置ごとの針先高さ１８の情報を呼びだして、測定位置ごとにウェハチャック１３の移動量を補正することでウェハ１２とプローブの針先１６の接触からの一定の押し込み量が可能となり、安定した電気的特性測定が可能となる。
【００２８】
図３は本発明の半導体集積回路の検査装置における記憶部に格納されるテーブルを説明する図であり、記憶部２１に格納される半導体集積回路の測定順と位置、ウェハの高さを記憶するテーブルである。図３に示すように、各半導体集積回路の位置座標とウェハ高さを対にして格納している。
【００２９】
図４は本発明の半導体集積回路の検査装置におけるウェハ上に形成された半導体集積回路の測定順を例示する図である。図４に示す例では、ウェハ左上の半導体集積回路Ａを先頭に順に右方向へ移動し、端まで移動した後には１段下方に移動し左方向へ移動する。左端まで移動後、また一段下へ移動して右方向へ移動する。
【００３０】
図５は本発明の半導体集積回路の検査装置における各半導体集積回路の測定時の針先高さを示す図であり、高温検査時に図４の測定順で測定した際の測定順の針先高さを示す。図５において、測定開始時にプローブカード１１はウェハチャック１３の真上にくるようにして、プリヒートをおこなっており、図４のＡの位置は図２におけるＳ１８の処理の時であり、そのときの高さは図５に示すＡでの高さである。ウェハ１３の中央の位置では、プローブカード１１の針先は最大に下がっている状態であり、ウェハ１３の中央のチップである図５のＢの位置における針先高さと同じであることがわかる。図５のＣ位置の時はウェハ１３の外周にあたり、プローブカードがウェハ中央より、冷めた状態の為、針先位置が上がる。
【００３１】
図６は本発明の半導体集積回路の検査装置におけるウェハ上の位置と針先高さの関係を示す図であり、高温測定時、プローブカード１１のウェハ１２の中心からの距離と針先高さの位置の関係を示すグラフである。図６では、ウェハチャック１３の中心に近いほど、プローブカード１１の針先１６は下へ移動することを示している。
【００３２】
図７は本発明の半導体集積回路の検査装置におけるプローブカードのウェハ中心からの距離とプローブカード針先高さの関係を示すテーブル図であり、記憶部２１に記憶される予め測定した図６のデータのウェハ中心からの距離と高さのテーブルである。図２の移動先位置情報の針先高さデータを呼び出し、Ｓ２３で、移動先位置データからウェハ中心からの距離を算出し、中心からの距離から対応する記憶部２１に記憶さてれるウェハ中心からの距離と高さのテーブルから対応する針先高さのデータを取り出す。
【００３３】
また、プローブカード１１のウェハ中心１２からの距離と高さのテーブルだけではなく、図８の本発明の半導体集積回路の検査装置におけるプローブカードのウェハ中心からの距離とプローブカード針先高さの関係を示す式と説明する図である。記憶部２１は図８に示す数式の係数を記憶してもよい。針先高さ１８は熱源のウェハチャック１３からプローブカード１１が受ける熱量に応じて変化する。プローブカード１１がウェハチャック１３に近ければ、プローブカード１１が受ける熱量は大きく、ウェハチャック１３が室温時の針先高さ１８の位置より大きく変化し、プローブカード１１がウェハチャック１３に遠ければ、プローブカード１１が受ける熱量は小さく、針先高さ１８の変化が小さい。針先高さ１８はプローブカード１１のウェハ１２の中心からの距離に比例すると一次式３４に置き換えることができ、または、プローブカード１１とウェハチャック１３とが重なる面積３３に比例する一次式３５に置き換えることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、半導体集積回路の検査中においてプローブの針圧を一定に保つことができ、ウェハに形成された複数の半導体集積回路を、ウェハ状態で検査を行う半導体集積回路の検査装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の半導体装置の検査装置におけるプローバ装置の構成を示す概略図
【図２】本発明の半導体集積回路の検査装置における高温測定動作のフローチャート
【図３】本発明の半導体集積回路の検査装置における記憶部に格納されるテーブルを説明する図
【図４】本発明の半導体集積回路の検査装置におけるウェハ上に形成された半導体集積回路の測定順を例示する図
【図５】本発明の半導体集積回路の検査装置における各半導体集積回路の測定時の針先高さを示す図
【図６】本発明の半導体集積回路の検査装置におけるウェハ上の位置と針先高さの関係を示す図
【図７】本発明の半導体集積回路の検査装置におけるプローブカードのウェハ中心からの距離とプローブカード針先高さの関係を示すテーブル図
【図８】本発明の半導体集積回路の検査装置におけるプローブカードのウェハ中心からの距離とプローブカード針先高さの関係を示す式を説明する図
【図９】従来の半導体装置の検査装置におけるプローバ装置の構成を示す概略図
【図１０】従来の半導体装置の検査装置におけるプローブ針の移動状況を説明する図
【符号の説明】
【００３６】
１０    プローバ装置
１１    プローブカード
１２    ウェハ
１３    ウェハチャック
１４    ウェハチャックＺ軸駆動部
１５    ウェハチャックＸＹ軸駆動部
１６    プローブ針先
１７    プローブ高さ測定部
１８    針先高さ
１９    ウェハ高さ測定部
２０    プローブ
２１    記憶部
２２    高さ認識部
２３    ウェハチャック高さ制御部
２４    ウェハチャック位置制御部
２５    演算処理部
２６    温度制御部
２７    電気測定部
２８    フォルダ
３３    面積
３４    一次式
３５    一次式
５０    プローバ装置
５１    ウェハ
５２    チャック
５３    チャックＺ軸駆動部
５４    チャックＸＹ軸駆動部
５５    プローブカード
５６    プローブ針
５７    位置センサ
６１    データ記憶部
６２    位置計測部
６３    チャック位置制御部
６４    演算部
６６    温度制御部
【図１】
2008166648.tif 000003
【図２】
2008166648.tif 000004
【図３】
2008166648.tif 000005
【図４】
2008166648.tif 000006
【図５】
2008166648.tif 000007
【図６】
2008166648.tif 000008
【図７】
2008166648.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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