(57)【要約】【課題】製造工程における切断領域への異物の付着やウエハ反りを抑制すること。【解決手段】本発明は、弾性波素子が形成された基板（１０）上に、弾性波素子の弾性波が振動する機能領域（４０）が第１非被覆部（５０）および個片化するための切断領域（４２）が第２非被覆部（５２）となるように第１封止部（２２）を形成する工程と、第１非被覆部（５０）および第２非被覆部（５２）に蓋をするように、第１封止部（２２）上に第２封止部（２４）を形成する工程と、第２非被覆部（５２）を分割するように基板（１０）および第２封止部（２４）を切断する工程と、を有する弾性波デバイスおよびその製造方法である。【選択図】図６
2008135998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性波素子が形成された基板上に、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部および個片化するための切断領域が第２非被覆部となるように第１封止部を形成する工程と、
前記第１非被覆部および前記第２非被覆部に蓋をするように、前記第１封止部上に第２封止部を形成する工程と、
前記第２非被覆部を分割するように前記基板および前記第２封止部を切断する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記第１封止部を形成する工程は、貫通電極が形成されるべき領域が第３非被覆部となるように前記第１封止部を形成する工程であり、
前記第２封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第２封止部を形成する工程であり、
前記第３非被覆部に貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項１記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項３】
弾性波素子が形成された基板上に、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように第１封止部を形成する工程と、
前記第１非被覆部に蓋をするように、かつ個片化するための切断領域の前記第１封止部上が第２非被覆部となるように、前記第１封止部上に第２封止部を形成する工程と、
前記第２非被覆部に蓋をするように、前記第２封止部上に第３封止部を形成する工程と、
前記第２非被覆部を分割するように前記基板、前記第１封止部および前記第３封止部を切断する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１封止部を形成する工程は、貫通電極が形成されるべき領域が第３非被覆部となるように前記第１封止部を形成する工程であり、
前記第２封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第２封止部を形成する工程であり、
前記第３封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第３封止部を形成する工程であり、
前記第３非被覆部に貫通電極を形成する工程を有することを特徴とする請求項３記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１封止部を形成する工程は、
光感光性樹脂を形成する工程と、露光することで前記第１非被覆部を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記光感光性樹脂を形成する工程は、エポキシ製ネガレジストを塗布する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第２封止部を形成する工程は、フィルム状の光感光性樹脂シートを前記第１封止部上に形成する工程を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記貫通電極を形成する工程は、前記第３非被覆部に電気メッキ法により前記貫通電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項２または４記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記貫通電極上に半田ボールを形成する工程を有することを特徴とする請求項２または４記載の弾性波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
弾性波素子が形成された基板と、
前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように前記基板上に設けられた第１封止部と、
前記第１非被覆部が中空となるように前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、を具備し、
前記第１封止部の側面は、前記基板および前記第２封止部の側面より内側にあることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項１１】
前記第１封止部および前記第２封止部を貫通し前記弾性波素子に接続する貫通電極を具備することを特徴とする請求項１０記載の弾性波デバイス。
【請求項１２】
弾性波素子が形成された基板と、
前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように前記基板上に設けられた第１封止部と、
前記第１非被覆部が中空となるように前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、
前記第２封止部上に設けられた第３封止部と、を具備し、
前記第２封止部の側面は、前記基板、前記第１封止部および前記第３封止部の側面より内側にあることを特徴とする弾性波デバイス。
【請求項１３】
前記第１封止部、前記第２封止部および前記第３封止部を貫通し前記弾性波素子に接続する貫通電極を具備することを特徴とする請求項１２記載の弾性波デバイス。
【請求項１４】
前記第１封止部および前記第２封止部は樹脂からなることを特徴とする請求項１０から１３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
【請求項１５】
前記貫通電極は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎＡｇおよびＳｎＡｇＣｕの少なくとも１種類以上の導体を有することを特徴とする請求項１１または１３記載の弾性波デバイス。
【請求項１６】
前記貫通電極上に半田ボールを具備することを特徴とする請求項１１または１３記載の弾性波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は弾性波デバイスおよびその製造方法に関し、特に弾性波素子の機能領域上が中空である封止部を有する弾性波デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは電磁波を利用する電気電子機器の信号フィルタとして多方面に用いられている。例えば、携帯電話端末等の無線通信機器の送受信フィルタやテレビ、ビデオテープレコーダ等の映像用周波数フィルタとして用いられる。弾性波デバイスは、チップである弾性波素子が樹脂等の封止部に封止されている。弾性波素子のひとつである弾性表面波素子は、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の圧電基板上に、櫛型電極等の弾性表面波を励振する電極が形成されている。弾性表面波は圧電基板の表面を伝搬するため、弾性波が振動する機能領域である圧電基板表面および電極上は空洞とする必要がある。このように、圧電基板表面および電極上には厚い保護膜を設けられないため、信頼性確保のためには弾性波素子を気密封止することが求められる。
【０００３】
特許文献１から特許文献３のように、弾性波デバイスの低コスト化のため、弾性波素子が形成された基板上に封止部を形成しウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）を形成する方法が用いられている。
【０００４】
まず、切断領域に第１封止部２２および第２封止部２４が形成されない従来例１に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図１（ａ）から図２（ｉ）は従来例１に係る弾性波デバイスの製造工程を示した図である。図１(ａ）を参照に、基板１０上に櫛型電極１２、櫛型電極１２に接続する配線１４および切断領域４２（ウエハを個片化するための領域）の金属パターン１８とを形成する。基板１０、櫛型電極１２および配線１４上に保護膜２０を形成する。保護膜２０の所定領域を除去し、貫通領域４４（貫通電極を形成すべき領域）の配線１４上にバリア層１６を形成する。図１（ｂ）を参照に、機能領域４０（弾性波が振動する領域）、切断領域４２および貫通領域４４がそれぞれ第１非被覆部５０、第２非被覆部５２および第３非被覆部５４（封止樹脂が被覆されていない部分）となるように第１封止部２２を形成する。
【０００５】
図１（ｃ）を参照に、第１封止部２２上に例えば光感光性樹脂フィルムを貼り付け、第２封止部２４を形成する。図１（ｄ）を参照に、マスク３２を介し第２封止部２４に紫外線（ＵＶ光）を照射する。図１（ｅ）を参照に、現像することにより、ＵＶ光が照射された領域の第２封止部２４は残存し、第２非被覆部５２、第３非被覆部５４および中空である空洞６０が形成される。
【０００６】
図２（ｆ）を参照に、第３非被覆部５４に貫通電極２８を形成する。図２（ｇ）を参照に、貫通電極２８上に半田ボール３０を形成する。図２（ｈ）を参照に、ブレード３６を用い、切断領域４２で基板１０を切断する。図２（ｉ）を参照に、これにより、従来例１に係る弾性波デバイスが完成する。
【０００７】
次に、切断領域４２に第１封止部２２および第２封止部２４が形成されている従来例２に係る弾性波デバイスの製造方法について説明する。図３（ａ）から図４（ｈ）は従来例２に係る弾性波デバイスの製造工程を示した図である。図３(ａ）を参照に、機能領域４０、貫通領域４４がそれぞれ第１非被覆部５０および第３非被覆部５４となるように第１封止部２２を形成する。従来例１の図１（ｂ）と異なり切断領域４２には第１封止部２２が残存している。
【０００８】
図３（ｂ）を参照に、第１封止部２２上に光感光性樹脂フィルムを貼り付け、第２封止部２４を形成する。図３（ｃ）を参照に、マスク３２を介し第２封止部２４に紫外線（ＵＶ光）を照射する。図３（ｄ）を参照に、現像することにより、ＵＶ光が照射された領域の第２封止部２４は残存し、第３非被覆部５４、空洞６０が形成される。従来例１の図１（ｅ）と異なり切断領域４２には第２封止部２４が残存している。
【０００９】
図４（ｅ）を参照に、第３非被覆部５４に貫通電極２８を形成する。図４（ｆ）を参照に、貫通電極２８上に半田ボール３０を形成する。図４（ｇ）を参照に、ブレード３６を用い、切断領域４２で基板１０、第１封止部２２および第２封止部２４を切断する。図４（ｈ）を参照に、これにより、従来例２に係る弾性波デバイスが完成する。
【００１０】
従来例１および従来例２によれば、第１封止部２２が機能領域４０上に中空を有し、第２封止部２４で蓋をしているため、弾性波素子を気密封止することができる。また、半田ボール３０は貫通電極２８を介し弾性波素子に接続していることにより、半田ボール３０を用いフリップチップ実装することにより、弾性波素子の電気信号を外部に入出力することができる。
【特許文献１】特開平９−２３２９００号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１５８２号公報
【特許文献３】特開２００３−３７４７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
従来例１においては、図２（ｈ）のように、ウエハを個片化しチップとする場合、切断領域４２の第１封止部２２および第２封止部２４が除去されているため、切断するための負荷は小さい。しかしながら、切断領域４２に封止部が設けられていないと、図１（ｅ）において基板１０を封止してから図２（ｈ）において基板を切断する工程の間の工程で切断領域４２に異物が付着してしまうことがある。例えば、図２（ｆ）において貫通電極２８に用いる金属や図２（ｇ）において半田ボール３０に用いる半田が切断領域４２の第２非被覆部５２に落ち込んでしまう。これを解決するために、切断領域４２と貫通電極２８との間隔を広げるとチップサイズが大きくなってしまう。
【００１２】
一方、従来例２においては、図３（ａ）から図４（ｅ）のように切断領域４２に第１封止部２２および第２封止部２４を残存させた場合、図４（ｅ）および図４（ｆ）のように、例えば貫通電極２８や半田ボール３０を形成する際、金属や半田が切断領域４２に落ち込むことはない。しかしながら、第１封止部２２や第２封止部２４を硬化させる加熱工程や半田のリフロー工程において、第１封止部２２および第２封止部２４の収縮圧力によりウエハが反ってしまう。
【００１３】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、製造工程途中における切断領域への異物の付着やウエハ反りを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、弾性波素子が形成された基板上に、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部および個片化するための切断領域が第２非被覆部となるように第１封止部を形成する工程と、前記第１非被覆部および前記第２非被覆部に蓋をするように、前記第１封止部上に第２封止部を形成する工程と、前記第２非被覆部を分割するように前記基板および前記第２封止部を切断する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、製造工程中、切断領域が第２封止部により蓋をされているため、製造工程における切断領域への異物の付着を抑制することができる。また、切断領域の第２非被覆部が応力を緩和するためウエハ反りを抑制することができる。
【００１５】
上記構成において、前記第１封止部を形成する工程は、貫通電極が形成されるべき領域が第３非被覆部となるように前記第１封止部を形成する工程であり、前記第２封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第２封止部を形成する工程であり、前記第３非被覆部に貫通電極を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極を形成する際の切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【００１６】
上記構成において、弾性波素子が形成された基板上に、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように第１封止部を形成する工程と、前記第１非被覆部に蓋をするように、かつ個片化するための切断領域の前記第１封止部上が第２非被覆部となるように、前記第１封止部上に第２封止部を形成する工程と、前記第２非被覆部に蓋をするように、前記第２封止部上に第３封止部を形成する工程と、前記第２非被覆部を分割するように前記基板、前記第１封止部および前記第３封止部を切断する工程と、を有することを特徴とする弾性波デバイスの製造方法である。本発明によれば、製造工程中、切断領域が第３封止部により蓋をされているため、製造工程における切断領域への異物の付着を抑制することができる。また、切断領域の第２非被覆部が応力を緩和するためウエハ反りを抑制することができる。
【００１７】
上記構成において、前記第１封止部を形成する工程は、貫通電極が形成されるべき領域が第３非被覆部となるように前記第１封止部を形成する工程であり、前記第２封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第２封止部を形成する工程であり、前記第３封止部を形成する工程は、前記貫通電極が形成されるべき領域が前記第３非被覆部となるように前記第３封止部を形成する工程であり、前記第３非被覆部に貫通電極を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極を形成する際の切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【００１８】
上記構成において、前記第１封止部を形成する工程は、光感光性樹脂を形成する工程と、露光することで前記第１非被覆部を形成する工程と、を含む構成とすることができる。この構成によれば、第１封止部に簡単に第１非被覆部を形成することができる。
【００１９】
上記構成において、前記光感光性樹脂を形成する工程は、エポキシ製ネガレジストを塗布する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、第１封止部として簡単に光感光性樹脂を形成することができる。
【００２０】
上記構成において、前記第２封止部を形成する工程は、フィルム状の光感光性樹脂シートを前記第１封止部上に形成する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、非被覆部内に樹脂が付着することなく第２封止部で第１非被覆部を蓋をし、中空構造の空洞を形成することができる。
【００２１】
上記構成において、前記貫通電極を形成する工程は、前記第３非被覆部に電気メッキ法により前記貫通電極を形成する工程を含む構成とすることができる。
【００２２】
上記構成において、前記貫通電極上に半田ボールを形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極上に半田ボールを形成する際、切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【００２３】
本発明は、弾性波素子が形成された基板と、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように前記基板上に設けられた第１封止部と、前記第１非被覆部が中空となるように前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、を具備し、前記第１封止部の側面は、前記基板および前記第２封止部の側面より内側にあることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、弾性波デバイスの製造工程において、切断領域が第２封止部により蓋をされているため、製造工程における切断領域への異物の付着を抑制することができる。また、切断領域の非被覆部が応力を緩和するためウエハ反りを抑制することができる。
【００２４】
上記構成において、前記第１封止部および前記第２封止部を貫通し前記弾性波素子に接続する貫通電極を具備する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極を形成する際の切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【００２５】
本発明は、弾性波素子が形成された基板と、前記弾性波素子の弾性波が振動する機能領域が第１非被覆部となるように前記基板上に設けられた第１封止部と、前記第１非被覆部が中空となるように前記第１封止部上に設けられた第２封止部と、前記第２封止部上に設けられた第３封止部と、を具備し、前記第２封止部の側面は、前記基板、前記第１封止部および前記第３封止部の側面より内側にあることを特徴とする弾性波デバイスである。本発明によれば、弾性波デバイスの製造工程において、切断領域が第３封止部により蓋をされているため、製造工程における切断領域への異物の付着を抑制することができる。また、切断領域の非被覆部が応力を緩和するためウエハ反りを抑制することができる。
【００２６】
上記構成において、前記第１封止部、前記第２封止部および前記第３封止部を貫通し前記弾性波素子に接続する貫通電極を具備する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極を形成する際の切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【００２７】
上記構成において前記第１封止部および前記第２封止部は樹脂からなる構成とすることができる。また、上記構成において、前記貫通電極は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、ＳｎＡｇおよびＳｎＡｇＣｕの少なくとも１種類以上の導体を有する構成とすることができる。
【００２８】
上記構成において、前記貫通電極上に半田ボールを具備する構成とすることができる。この構成によれば、貫通電極上に半田ボールを形成する際、切断領域への異物の付着を抑制することができる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明によれば、製造工程において切断領域が蓋をされているため、切断領域への異物の付着やウエハ反りを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下、図面を参照に本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００３１】
図５（ａ）から図６（ｈ）は実施例１に係る弾性波デバイスの製造工程の断面図を示す図である。図５(ａ）を参照に、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）からなる圧電基板１０上に櫛型電極１２と櫛型電極１２に接続する配線１４と切断領域４２の金属パターン１８をＡｌ（アルミニウム）−Ｃｕ（銅）を用い形成する。櫛型電極１２は圧電基板１０の弾性表面波を励振する電極であり弾性波素子を構成する。基板１０、櫛型電極１２および配線１４上にＳｉＯ２（酸化シリコン）膜からなる保護膜２０を形成する。保護膜２０の所定領域を除去し、貫通電極を形成すべき貫通領域４４の配線１４上にＴｉ（チタン）／Ａｕ（金）からなるバリア層１６を形成する。基板１０上にエポキシ製永久ネガレジストを３０μｍスピン塗布する。露光および現像を行うことにより、機能領域４０、切断領域４２、貫通領域４４の第１封止部２２を除去する。これにより、樹脂が被覆していない第１非被覆部５０、第２非被覆部５２および第３非被覆部５４が形成される。このように、機能領域４０が第１非被覆部５０に、切断領域４２が第２非被覆部５２に、貫通領域４４が第３非被覆部５４が形成されるように第１封止部２２を形成する。
【００３２】
図５（ｂ）を参照に、第２封止部２４として３０μｍの膜厚を有するエポキシ製永久ネガフィルムレジストを第１封止部２２上にテンティング法を用い貼り付ける。図５（ｃ）を参照に、マスク３２を用いＵＶ光３４を第２封止部２４に照射する。図５（ｄ）を参照に、現像することにより、貫通領域４４に第１封止部２２と第２封止部２４との第３非被覆部５４が形成され、機能領域４０および切断領域４２上には第２封止部２４で蓋をされた空洞６０および６２が形成される。第２封止部２４を熱硬化させるためのポストベークを２５０℃で１時間行う。ポストベークでの４インチのウエハの反りは約２００μｍであった。
【００３３】
図６（ｅ）を参照に、第３非被覆部５４内に電気メッキ法を用い膜厚が約５０μｍのＮｉ（ニッケル）を形成する。Ｎｉ表面にＡｕ（金）のフラッシュメッキを施しＮｉからなる貫通電極２８が完成する。図６（ｆ）を参照に、貫通電極２８上にＳｎＡｇＣｕ（錫銀銅）半田ペーストをマスク印刷およびリフローし半田ボール３０を形成する。半田ボール３０形成時のリフロー後のウエハの反りは約２００μｍであり、リフロー前とほとんど変わらなかった。
【００３４】
図６（ｇ）を参照に、切断領域４２で第２封止部２４および基板１０をダイシング法を用いブレード３６で切断する。このとき第１封止部２２および第２封止部２４の剥離は観察されなかった。以上により図６（ｈ）のような弾性波デバイスが完成する。図６（ｈ）を参照に、このようにして作成された弾性波デバイスは、第１封止部２２の側面Ｔ１が基板１０および第２封止部２４の側面Ｔ２より内側にある。実施例１では、切断領域４２の幅を約１００μｍとし、側面Ｔ１とＴ２との距離Ｗ１を５μｍから１０μｍ程度とした。
【００３５】
実施例１に係る製造工程は、図５（ａ）のように、弾性波素子が形成された基板１０上に、機能領域４０が第１非被覆部５０に、切断領域４２が第２非被覆部５２になるように第１封止部を形成する。図５（ｄ）のように、第１非被覆部５０および第２非被覆部５２に蓋をし中空（空洞６０）になるように第１封止部２２上に第２封止部２４を形成する。図６（ｇ）のように、第２非被覆部５２を分割するように基板１０および第２封止部２４を切断する。以上のような工程により、図６（ｅ）および図６（ｆ）のように、貫通電極２８や半田ボール３０を形成する際には切断領域４２は第２封止部２４により蓋をされている。このため、従来例１のように、切断領域４２に異物等が付着することを抑制することができる。また、図５（ｄ）のポストベークや図６（ｆ）の半田リフローの際に生じる第１封止部２２および第２封止部２４の圧縮応力は、切断領域４２の空洞６２により緩和されるためウエハの反りを小さくすることができる。
【００３６】
また、図５（ａ）から図５（ｇ）のように、第１封止部２２を形成する工程および第２封止部２４を形成する工程において、貫通領域４４が第３非被覆部５２となるように第１封止部２２および第２封止部２４を形成する。そして、図６（ｅ）のように、第３非被覆部５２に弾性波素子に電気的に接続する貫通電極２８を形成する。これにより、第１封止部２２と第２封止部２４とを貫通し弾性波素子に配線１４を介し電気的に接続する貫通電極２８を形成することができる。よって、第２封止部２４の上面から電気信号を取り出すことができる。また、貫通電極２８を形成する際の切断領域４２への異物の付着を抑制することができる。
【実施例２】
【００３７】
図７（ａ）から図９（ｊ）は実施例２に係る弾性波デバイスの製造工程の断面図を示す図である。図７(ａ）を参照に、基板１０上に膜厚が約３０μｍの第１封止部２２を形成する。実施例１の図５（ａ）に対し切断領域４２には第２非被覆部を設けず、第１封止部２２を残存させる。その他の工程は実施例１の図５（ａ）と同じであり説明を省略する。
【００３８】
図７（ｂ）を参照に、第１封止部２２上に膜厚が約３０μｍの第２封止部２４を形成する。図７（ｃ）を参照に、マスク３２を介し第２封止部２４に紫外線（ＵＶ光）を照射する。図７（ｄ）を参照に、第２封止部２４に第２非被覆部５２および第３非被覆部５４が形成される。実施例１の図５（ｄ）に対し、切断領域４２に第２非被覆部５２が形成される。その他の工程は実施例１の図５（ｄ）と同じである。
【００３９】
図８（ｅ）を参照に、第３封止部２６として３０μｍの膜厚を有するエポキシ製永久ネガフィルムレジストを第２封止部２４上にテンティング法を用い貼り付ける。図８（ｆ）を参照に、露光および現像を行うことにより、貫通領域４４に第１封止部２２、第２封止部２４および第３封止部２６の第３非被覆部５４を形成する。切断領域４２上は第３封止部２６で蓋をし、空洞６２を形成する。
【００４０】
図８（ｇ）を参照に、実施例１の図６（ｅ）と同じように第３非被覆部５４内に貫通電極２８を形成する。図８（ｈ）を参照に、実施例１の図６（ｆ）と同じように貫通電極２８上に半田ボールを形成する。
【００４１】
図９（ｉ）を参照に、実施例１の図６（ｇ）と同じように、切断領域４２で第３封止部２６、第１封止部２２および基板１０をダイシング法を用いブレード３６で切断する。このとき第１封止部２２および第２封止部２４の剥離は観察されなかった。図９（ｊ）を参照に、このようにして作成された弾性波デバイスは、第２封止部２４の側面Ｔ１が基板１０、第１封止部２２および第２封止部２４の側面Ｔ２より内側にある。
【００４２】
実施例２の製造工程は、図７（ａ）のように、基板１０上に、機能領域４０が第１非被覆部５２となるように第１封止部２２を形成する。図７（ｄ）のように、第１非被覆部５０に蓋をし第１非被覆部５０が中空になるように、かつ切断領域４２の第１封止部２２上が第２非被覆部５２となるように、第１封止部２２上に第２封止部２４を形成する。図８（ｆ）のように、第２非被覆部５２に蓋をするように第２封止部２４上に第３封止部２６を形成する。図９（ｉ）のように、第２非被覆部５２を分割するように基板１０、第１封止部２２および第３封止部２６を切断する。以上のような工程により、図９（ｇ）および図９（ｈ）のように、貫通電極２８や半田ボール３０を形成する際には切断領域４２は第３封止部２６により蓋をされている。このため、実施例１と同様に、切断領域４２に異物等が付着することを抑制することができる。また、図７（ｄ）および図８（ｆ）のポストベークや図８（ｈ）の半田リフローの際に生じる第１封止部２２、第２封止部２４および第３封止部２６の圧縮応力は、切断領域４２の空洞６２により緩和されるためウエハの反りを小さくすることができる。
【００４３】
また、図８（ｆ）のように、実施例１の第１封止部２２および第２封止部２４を形成する工程に加え、実施例２では、第３封止部２６を形成する工程において、貫通電極が形成されるべき貫通領域４４が第３非被覆部５２となるように第３封止部２６を形成する。そして、図８（ｇ）のように、第３非被覆部５２に弾性波素子に電気的に接続する貫通電極２８を形成する。これにより、第１封止部２２から第３封止部２６を貫通し弾性波素子に配線１４を介し電気的に接続する貫通電極２８を形成することができる。よって、第３封止部２４の上面から電気信号を取り出すことができる。また、貫通電極２８を形成する際の切断領域４２への異物の付着を抑制することができる。
【００４４】
実施例１および実施例２においては、第１封止部２２を形成する際に、図５（ｂ）および図７（ｂ）のように、光感光性樹脂を形成する。図５（ｃ）および図７（ｃ）のように露光することで第１非被覆部５０を形成する。このような工程により、第１封止部２２に簡単に第１非被覆部５０を形成することができる。
【００４５】
また、光感光性樹脂の形成は、図５（ｂ）および図７（ｂ）のように、エポキシ製ネガレジストを塗布することにより形成することができる。これにより、第１封止部２２として簡単に光感光性樹脂を形成することができる。
【００４６】
さらに、第２封止部を形成する際に、図５（ｂ）および図７（ｂ）のように、フィルム状の光感光性樹脂シートを第１封止部２２上に形成することができる。これにより、第１非被覆部５０内に樹脂が付着することなく第２封止部２４で第１非被覆部５０を蓋をし、中空構造の空洞６０を形成することができる。
【００４７】
さらに、図６（ｅ）および図８（ｇ）において、貫通電極２８を形成する工程として、第３非被覆部５４に電気メッキ法によりＮｉを形成する工程について説明した。貫通電極２８は例えばＡｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、ＳｎＡｇ（錫銀）またはＳｎＡｇＣｕ（錫銀銅）の少なくとも１種類以上の導体を有することができる。また、電気メッキ法以外の方法で、例えば印刷法等により貫通電極２８を形成することもできる。
【００４８】
さらに、実施例１および実施例２によれば、図６（ｆ）および図８（ｈ）のように、貫通電極２８上に半田ボール３０を形成する際、切断領域４２への異物の付着を抑制することができる。半田ボール３０としては例えばＳｎＡｇ半田やＳｎＡｇＣｕ（錫銀銅）半田を用いることができる。
【００４９】
実施例１および実施例２においては、ＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）基板１０を用いた弾性表面波素子を例に説明したが、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）基板１０等の圧電基板を用いた弾性表面波素子であってもよい。また、弾性波素子は弾性表面波素子に限られない。例えば、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  ｂｕｌｋ  ａｃｏｕｓｔｉｃ  ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）は、弾性波が振動する機能領域上を空洞とすることが求められる。よって、弾性波素子はＦＢＡＲであってもよい。
【００５０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】図１（ａ）から図１（ｅ）は従来例１に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ｆ）から図２（ｉ）は従来例１に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｄ）は従来例２に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ｅ）から図４（ｈ）は従来例２に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｄ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図６】図６（ｅ）から図６（ｈ）は実施例１に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）から図７（ｄ）は実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その１）である。
【図８】図８（ｅ）から図８（ｈ）は実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その２）である。
【図９】図９（ｉ）および図９（ｊ）は実施例２に係る弾性表面波デバイスの製造工程を示す断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００５２】
１０            基板
１２            櫛型電極
１４            配線
１６            バリア層
１８            金属パターン
２０            保護膜
２２            第１封止部
２４            第２封止部
２６            第３封止部
２８            貫通電極
３０            半田ボール
３２            マスク
３４            ＵＶ光
３６            ブレード
４０            機能領域
４２            切断領域
４４            貫通領域
５０            第１非被覆部
５２            第２非被覆部
５４            第３非被覆部
６０            空洞
６２            空洞
６４            空洞
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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