【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスを形成する方法であって、
第１の電極層の上に材料物質を堆積することと、
前記材料物質の一部を選択的に変更し、前記材料物質の犠牲部分及び前記材料物質の残る部分を定義することと、
前記材料物質の上に第２の電極層を形成することと、
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去し、前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのサポート構造及びキャビティを形成することであって、前記サポート構造は、前記材料物質の残る部分を含み、前記第２の電極層は、前記サポート構造によって支持される可動層を含んでいることと
を備え、
前記材料物質は、放射線感受性ポリマーであり、
前記材料物質の一部を選択的に変更することは、前記放射線感受性ポリマーの一部を照射し、前記放射線感受性ポリマーの照射部分と、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分とを形成することを備えた方法。
【請求項２】
前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスは、干渉変調器を備えた請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の電極層及び第２の電極層のうちの少なくとも一方がミラーを備えている請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することは、前記放射線感受性ポリマーの照射部分を除去することを備えた請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することは、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分を除去することを備えた請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の電極層を形成することは、前記放射線感受性ポリマーの一部を照射し、前記放射線感受性ポリマーの照射部分と、前記放射線感受性ポリマーの非照射部分とを形成することの後に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の電極層は、前記サポート構造によって直接支持される請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記サポート構造は支柱を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１の方法によって形成された微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１０】
材料物質の犠牲部分であって、キャビティを形成するために除去可能になっており、前記材料物質の残る部分と組成的に異なっている犠牲部分と、
前記材料物質の残る部分であって、前記犠牲部分の除去時に干渉変調器の支柱構造を形成する、残る部分と
を備えた微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスであって、
前記材料物質は放射線感受性ポリマーを含み、前記放射線感受性ポリマーの犠牲部分は、前記放射線感受性ポリマーの残る部分とは異なる架橋を有しているリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１１】
前記材料物質はフォトレジストである請求項１０に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１２】
前記フォトレジストの犠牲部分は、前記フォトレジストの残る部分よりも大きな溶解度を有する請求項１１に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１３】
第１のミラー層及び第２のミラー層を更に備え、前記材料物質の少なくとも一部が、前記第１のミラー層と第２のミラー層との間に位置している請求項１０に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１４】
前記第２のミラー層に取り付けられたメカニカル層を更に備えた請求項１３に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１５】
前記材料物質の一部が、前記第２のミラー層と前記メカニカル層との間に位置している請求項１４に記載のリリースされていない微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項１６】
干渉変調器を形成する方法であって、前記干渉変調器は、少なくとも第１のミラーと、キャビティによって前記第１のミラーから隔離された第２のミラーと、前記キャビティの側部に配置され、かつ前記第１のミラーから離間された第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを備え、前記方法は、
前記第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、前記支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を形成することと、
少なくとも前記第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することと、
前記第１の領域及び前記第２の領域の上に材料物質を堆積することと、
前記第１の領域の上の材料物質及び前記第２の領域の上の材料物質のうちの少なくとも一方を照射によって選択的に変更することと、
少なくとも前記第１の領域上の材料物質の上に第２のミラー層を堆積することと、を備え、
前記第１の領域上の材料物質が除去されることによって、前記キャビティ及び支柱構造を形成するようになっており、前記支柱構造は、前記第２の領域上の材料物質を含み、前記材料物質は、放射線感受性ポリマーである方法。
【請求項１７】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の領域上の材料物質へのエッチング液の流れを促進するように構成されたビアを形成することを更に備えた請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
照射によって選択的に変更することは、前記第１の領域上の材料物質を照射することを更に備えた請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
照射によって選択的に変更することは、前記第２の領域上の材料物質を照射することを更に備えた請求項１６に記載の方法。
【請求項２２】
前記第１の領域上の材料物質の少なくとも一部を除去し、前記キャビティを形成することを更に備えた請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
干渉変調器の少なくとも一部を支持する手段を備え、前記支持する手段は、放射線感受性ポリマーを含む材料物質を照射することによって前記材料物質の残る部分を形成することと、前記材料物質の犠牲部分を選択的に除去することとによって形成される微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２４】
前記材料物質は、前記材料物質の犠牲部分と前記材料物質の残る部分とが、選択的に変更可能である請求項２３に記載の微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイス。
【請求項２５】
前記支持する手段は支柱構造を含む請求項２３に記載のＭＥＭＳデバイス。
【請求項２６】
請求項１６に記載の方法によって形成された干渉変調器。
【請求項２７】
請求項２６に記載の干渉変調器を備えたディスプレイデバイス。
【請求項２８】
ディスプレイと、
前記ディスプレイと電気的に通信するプロセッサであって、画像データを処理するように構成されているプロセッサと、
前記プロセッサと電気的に通信するメモリデバイスと
を更に備えた請求項２７に記載のディスプレイデバイス。
【請求項２９】
少なくとも１つの信号を前記ディスプレイへ送るように構成されたドライバ回路を更に備えた請求項２８に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３０】
前記画像データの少なくとも一部を前記ドライバ回路へ送るように構成されたコントローラを更に備えた請求項２９に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３１】
前記画像データを前記プロセッサへ送るように構成された画像ソースモジュールを更に備えた請求項２８に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３２】
前記画像ソースモジュールは、受信機、トランシーバ、及び送信機のうちの少なくとも１つを備えた請求項３１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３３】
入力データを受取って、前記入力データを前記プロセッサへ伝送するように構成された入力デバイスを更に備えた請求項２８に記載のディスプレイデバイス。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
別の局面は、干渉変調器を形成する方法を提供する。この干渉変調器は、少なくとも、第１のミラーと、キャビティによって第１のミラーから隔離された第２のミラーと、キャビティの側部に位置し、かつ第１のミラーから離間した前記第２のミラーを支持するように構成された支柱構造とを含む。この干渉変調器を形成する方法は、第１のミラーの下にあるように構成された第１の領域と、支柱構造の下にあるように構成された第２の領域とを有する基板を設けることと、少なくとも第１の領域の上に第１のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上に、かつ第２の領域の上に材料物質を堆積することと、少なくとも第１の領域上の材料物質上に第２のミラー層を堆積することとを含む。この方法は更に、第１の領域の上の材料物質へのエッチング液の流れを促進するように構成された複数の開口を形成することを含む。第１の領域上の材料物質は、エッチング液により除去可能であり、それによってキャビティ及び支柱構造が形成される。この場合、支柱構造は、第２の領域上の材料物質を含み、犠牲部分及び残る部分は、実質的に均一な特性を有する材料物質で形成されている。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
一実施例は、感光ポリマーを基板上に堆積することと、この感光ポリマーに光を選択的に照射して、犠牲層及び支柱構造を形成することとを備える、干渉変調器を形成する方法を提供する。例えば、感光ポリマーは、選択的に照射された領域に支柱構造を、及び照射されない領域に犠牲層を形成するための照射により、選択的に架橋してもよい。照射されない犠牲部分は、溶解による除去、例えば、照射部分を除去しない市販のレジスト除去液を用いて洗浄することによる除去が容易に可能である。別の実施例として、感光ポリマーは、選択的に照射された領域に犠牲層を、及び非照射領域に支柱構造を形成するための照射により、選択的に削り取ることができる。別の実施例においては、上記方法は、（例えば、犠牲層を選択的に溶解して、支柱構造を残す溶剤を用いて）犠牲層を選択的にエッチングすることにより続けられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図示する実施例において、材料物質６２０は、感光ポリマーである。図１０において、材料物質６２０は、（例えば、図示しない適当なマスキングされて）選択的に照射され、この前記選択的に照射された領域内の照射部分６２５と、照射されない領域内に残る非照射部分６２１とを形成する。この実施例において、材料物質６２０は、照射時に架橋が形成される感光ポリマー（例えば、ネガ型フォトレジスト）である。このような感光ポリマーは、当業者にはよく知られている。架橋は、前記ポリマーを硬化させて照射部分６２５を形成し、その結果残る非照射部分６２１を、以下に説明するように、前記プロセスの後の段階で、選択的に除去することができる。他の構成においては、このレジストは、光にさらすことによって活性化する光酸発生剤（ｐｈｏｔｏ  ａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒｓ；ＰＡＧ）を含んでもよく、結果として生じる酸性領域又は非酸性領域を、他の領域に対して選択的に除去可能にすることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
リリースされていない干渉変調基板１１００の非照射部分６２１は、その後除去されて、図１１に示すようなリリースされていない干渉変調キャビティ７１０が形成される。照射部分６２５のポリマーは、架橋によってすでに硬化されており、それに伴って、非照射部分６２１とは異なる溶解度を有している。架橋は、様々な形態のエネルギー、例えば、ＵＶ、イオン化照射、熱等を用いて実行することができる。従って、例えば、適当なエッチング化学作用を用いることにより、非照射部分６２１を選択的に除去してキャビティ７１０を形成し、照射部分６２５に残るポリマーを残して、支柱構造７１５を形成することができる。図示する実施例において、非照射部分６２１の選択的除去は、非照射部分６２１の架橋されていないポリマーを選択的に溶解する溶剤を用いて洗浄することにより実現される。代替の実施例においては、除去は、非照射部分６２１を選択的にエッチングするプラズマ又は化学蒸着にさらすことによって実現することができる。