Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月1日(2013.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象に抗IL-1β抗体またはその断片の1回または複数回用量が投与されるように用いられることを特徴とする、抗IL-1β抗体またはその断片を含むβ細胞機能改善剤。
【請求項２】
β細胞機能の改善が、β細胞生存度の保全、β細胞代謝回転の低減、β細胞増殖の増大またはインスリン分泌の増強である、請求項1記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項３】
インスリン分泌が、グルコース依存性インスリン分泌である、請求項2記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項４】
抗体またはその断片が、1 mg/kgまたはそれ以下の用量で投与される、請求項1〜3のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項５】
抗体またはその断片が、用量/対象体重比とは無関係に、固定された用量として投与される、請求項1〜4のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項６】
抗体またはその断片が、約250 mgまたはそれ以下の用量で投与される、請求項5記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項７】
抗体またはその断片の初回用量の投与の後に、抗体またはその断片の1回または複数回のその後の用量の投与が行われ、該初回用量および1回または複数回のその後の用量が、2週ごとに1度から12ヶ月ごとに1度の間隔で投与される、請求項1〜6のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項８】
抗体またはその断片が、ヒトIL-1βに約1 nMまたはそれ以下の解離定数で結合する、請求項1〜7のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項９】
対象が、2型糖尿病、1型糖尿病、インスリン抵抗性、インスリン産生低下、高血糖、代謝症候群および肥満からなる群より選択される疾患または病態と診断されている、請求項1〜8のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１０】
対象が、低インスリン血症、糖尿病の二次的原因、薬物誘発性糖尿病および妊娠誘発性糖尿病からなる群より選択される疾患または病態と診断されている、請求項1〜8のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１１】
抗IL-1β抗体またはその断片が、中和抗体である、請求項1〜10のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１２】
抗体またはその断片が、SEQ ID NO:1の軽鎖可変領域およびSEQ ID NO:2の重鎖可変領域を有する抗体の結合と競合する、請求項1〜10のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１３】
抗体またはその断片が、ヒト遺伝子操作されたもの、ヒト化されたものまたはヒトのものである、請求項1〜12のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１４】
抗IL-1β抗体またはその断片が、皮下経路、静脈内経路または筋肉内経路によって投与される、請求項1〜13のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１５】
対象における血糖管理の改善をさらにもたらす、請求項1〜14のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１６】
血糖管理の改善が、ヘモグロビンA1cの改善、空腹時血中グルコースレベルの低減または経口グルコース負荷試験(OGTT)の改善によって測定される、請求項15記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項１７】
以下の変化の少なくとも1つを達成するのに十分である、請求項1〜16のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤: 
空腹時血糖レベルの低減、インスリン抵抗性の減少、低インスリン血症の低減、耐糖能の改善、全身性炎症の低減、C反応性ペプチド(CRP)の低減、超高感度C反応性タンパク質(usCRP)の低減、IL-6レベルの低減、高血糖の低減、糖尿病薬物療法の必要性の低減、BMIの低減、体重増加の速度の低減、体重の安定化、体重の低減、急性期反応物質の低減、脂質プロファイルの改善を伴う血清中脂質の減少、心血管リスク指標の減少。
【請求項１８】
脂質プロファイルの改善を伴う血清中脂質の減少が以下の変化の少なくとも1つを含む、請求項17記載のβ細胞機能改善剤:
コレステロールの減少、低密度リポタンパク質コレステロール(LDL)の減少、超低密度リポタンパク質コレステロール(VLDL)の減少、トリグリセリドの減少、遊離脂肪酸の減少、アポリポタンパク質B (アポB)の減少。
【請求項１９】
脂質プロファイルの改善を伴う血清中脂質の減少が以下の変化の少なくとも1つをさらに含む、請求項18記載のβ細胞機能改善剤:
高密度リポタンパク質コレステロール(HDL)の増加、処置前レベルと比べて高密度リポタンパク質コレステロール(HDL)のレベルを維持すること、アポリポタンパク質A (アポA)の増加。
【請求項２０】
C反応性ペプチド(CRP)の低減と、脂質プロファイルの改善を伴う血清中脂質の減少のいずれをも達成するのに十分である、請求項17〜19のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項２１】
低血糖を誘導しない、請求項17〜20のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項２２】
さらにIL-1β抗体または断片以外の少なくとも１つの活性薬剤と組み合わせてなる、請求項1〜21のいずれか一項記載の方法。
【請求項２３】
IL-1β抗体または断片以外の少なくとも１つの活性薬剤によるさらなる処置の必要性をなくすまたは先延ばしする、請求項1〜21のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項２４】
IL-1β抗体または断片以外の少なくとも１つの活性薬剤によるさらなる処置の量、頻度または継続期間を減らす、請求項1〜21のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【請求項２５】
IL-1β抗体または断片以外の活性薬剤が、スルホニル尿素、メグリチニド、ビグアニド、αグルコシダーゼ阻害剤、チアゾリジンジオン、DPP-IV阻害剤、グルカゴン様ペプチド(GLP)-1類似体、およびインスリンからなる群より選択される、請求項22〜24のいずれか一項記載のβ細胞機能改善剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物をマイクロ放電加工により加工する装置であって、この装置は、加工段階を有し、この加工段階では、エッチング電極（２０）の先端（２２）を、前記被加工物の一方の加工対象面を浸す誘電体流体浴に浸漬して、この被加工物の加工を、放電加工により行うのに際し、この先端（２２）を十分に細いものとして、１０μｍ未満の交叉幅を有する溝を、前記面にエッチング形成しうるようにした装置において、
前記装置は、前記装置の構成の変更を可能にすることにより、前記構成を加工段階から尖鋭化段階に、交互に、かつ可逆的に移行させる機構（４４，４５，４６）と、
前記エッチング電極（２０）の先端の形状を測定するステップ（１０４，１４２）と、
制御ユニット（７０）とを備え、
前記尖鋭化段階では、同じエッチング電極の前記先端、及び別の電極（６４）を電解浴（６２）に浸漬して、前記先端の尖鋭化を電解加工により行なわせ、
制御ユニット（７０）は、測定された前記形状を、所定のテンプレートと比較すること、前記加工段階への前記移行を、前記形状が前記所定のテンプレートに収まる場合に許可し、前記形状が、前記所定のテンプレートに収まらない場合に、前記加工段階への前記移行を禁止することが可能であることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記装置は、前記誘電体流体浴を収容する第１容器（１８）と、前記電解浴を収容する第２容器（６０）とを有し、前記機構（４４，４５，４６，４８）は、前記エッチング電極を、前記第１容器と前記第２容器との間で搬送して、前記加工段階から前記尖鋭化段階に、そして逆に、前記尖鋭化段階から前記加工段階に移行させることができるようになっている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置は、前記誘電体流体浴を収容する第１容器と、前記電解流体浴を収容する第２容器とを有し、前記機構は、前記第１及び第２容器を前記エッチング電極に対してシフトさせて、前記加工段階から前記尖鋭化段階に、そして逆に、前記尖鋭化段階から前記加工段階に移行させることができるようになっている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記装置は、前記誘電体流体浴（１７２）及び前記電解浴（１７４）を同時に収容する同じ容器（１７１）を有し、これらの浴は、異なる質量密度を有し、かつ非混和性であって、これらの浴を上下に重ねることができるようになっている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記装置は、アクチュエータ（４４）を備え、前記アクチュエータは、前記加工段階では、前記エッチング電極（２０）を、前記被加工物の前記加工対象面に直交する方向にシフトさせて、この電極の先端と、この加工対象面とのギャップの幅を調整することができ、かつ同じアクチュエータ（４４）は、前記尖鋭化段階では、前記エッチング電極を、前記電解浴の表面に直交する方向にシフトさせることができるようになっている、上記請求項１〜４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記装置は、
−前記加工段階において、前記エッチング電極（２０）を、前記被加工物の加工対象面と直交する方向にシフトさせて、この電極の先端（２２）と、この加工対象面とのギャップの幅を調整することができる制御可能なアクチュエータ（４４）と、
−この先端の形状センサ（５４）と、
−制御ユニット（７０）とを備え、前記制御ユニットは、
・前記先端の摩耗量を前記形状センサの測定値に基づいて求め、そして
・前記アクチュエータに指示して、前記ギャップの幅を、求めた前記摩耗量の関数として調整することができるようになっている、上記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
前記エッチング電極（２０）の先端の形状を測定する前記形状センサ（５４）は、カメラである、上記請求項のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
被加工物を、マイクロ放電加工により、構成可能なマイクロ放電加工装置を利用して加工する方法であって、この方法は、装置の構成を変更して、加工段階と尖鋭化段階との間を交互に、かつ可逆的に移行させる機構を作動させるステップ（９０，１１２）を有し、
−前記加工段階では、エッチング電極の先端を、加工対象面を浸す誘電体流体浴に浸漬して、この被加工物の加工を放電加工により行ない、この先端は十分に細くて、１０μｍ未満の交叉幅を有する溝を、前記面にエッチング形成することができるようになっており、かつ
−前記尖鋭化段階では、同じエッチング電極の前記先端、及び別の電極を、電解浴に浸漬して、前記エッチング電極の前記先端の尖鋭化を電解加工により行い、
前記加工段階に移行する前に、前記方法は、
−前記先端の形状を測定するステップ（１０４，１４２）と、
−測定された前記形状を、所定のテンプレートと比較するステップ（１１０）と、
−前記加工段階への前記移行を、前記形状が前記所定のテンプレートに収まる場合に許可し、前記形状が、前記所定のテンプレートに収まらない場合に、前記加工段階への前記移行を禁止するステップ（１１０）とを含むことを特徴とする方法。
【請求項９】
前記方法は、
−前記先端の形状を測定するステップ（１０４，１０２）と、
−前記先端の摩耗量をこれらの測定から求めるステップと、
−前記加工段階から前記尖鋭化段階への自動的な移行を、求めた前記摩耗量が所定の閾値を上回ると直ぐに開始するステップ（１５０）とを有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、
−前記先端の形状を測定するステップ（１０４，１０２）と、
−前記先端の摩耗量を、前記先端の形状の測定値から求めるステップ（１４０）と、
−前記先端と前記加工対象面とのギャップの幅を、求めた前記摩耗量の関数として調整するステップ（１５２）とを含む、請求項８または９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月18日(2013.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料を着色する方法であって、当該方法が：
硫黄含有求核剤を含む組成物と、直接染料類、均染性酸性染料類、及び酸性ミリング染料類から成る染料類の群から選択される染料化合物とを、前記材料に塗布するステップを含み、
前記着色組成物が、０．１ないし４．０重量パーセントの１以上のチオール、少なくとも２重量パーセントの尿素、及び少なくとも６０重量パーセントの水を含み、
前記着色組成物が、９．０と１０．５の間のｐＨを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
着色組成物であって、
０．１ないし１５重量パーセントの１以上の硫黄含有チオールと、直接染料類、均染性酸性染料類、及び酸性ミリング染料類から成る染料類の群から選択される染料化合物を含む着色組成物。
【請求項３】
請求項２に記載の着色組成物において、前記硫黄含有求核剤がチオグリコール酸、亜硫酸ナトリウム、またはその混合物を含むことを特徴とする着色組成物。
【請求項４】
請求項２に記載の着色組成物が、０．１ないし１５重量パーセントの１以上の亜硫酸塩含有種を含むことを特徴とする着色組成物。
【請求項５】
請求項２に記載の着色組成物が、尿素をさらに含むことを特徴とする着色組成物。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記材料がヒトの毛髪であることを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項２に記載の着色組成物において、前記着色組成物が、０．１と４．０重量パーセントの間の１以上のチオール、少なくとも２重量パーセントの尿素、及び少なくとも６０重量パーセントの水を含み、
前記着色組成物が、９．０と１０．５の間のｐＨを有することを特徴とする着色組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月5日(2013.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のジメボリン又はその薬学的に許容される塩を有効成分として含む、てんかん及びてんかん症候群からなる群より選択される疾患の治療薬。
【請求項２】
１つ以上のＮＭＤＡレセプターアンタゴニスト若しくはその薬学的に許容される塩、１つ以上の他の抗てんかん薬若しくはその薬学的に許容される塩、１つ以上のスタチン若しくはその薬学的に許容される塩、１つ以上のＡＭＰＡアンタゴニスト若しくはその薬学的に許容される塩、又はこれらの組み合わせが共投与される、請求項１記載の治療薬。
【請求項３】
前記１つ以上のＮＭＤＡレセプターアンタゴニストが、リルゾール、メマンチン及びデキストロメトルファン、並びにそれらの薬学的に許容される塩からなる群より選択される、請求項２記載の治療薬。
【請求項４】
前記１つ以上の他の抗てんかん薬の少なくとも１つがナトリウムチャンネルブロッカーである、請求項２記載の治療薬。
【請求項５】
前記疾患が全般性てんかんである、請求項１〜４のいずれか１項記載の治療薬。
【請求項６】
前記全般性てんかんが、強直間代性てんかん、間代性てんかん、定型欠神てんかん、強直性てんかん、ミオクローヌス性てんかん、無緊張性てんかん、又は反射性てんかんである、請求項５記載の治療薬。
【請求項７】
前記疾患が焦点てんかんである、請求項１〜４のいずれか１項記載の治療薬。
【請求項８】
前記焦点てんかんが焦点感覚性てんかん又は焦点運動性てんかんである、請求項７記載の治療薬。
【請求項９】
有効成分として、１つ以上のジメボリン又はその薬学的に許容される塩と、１つ以上のＮＭＤＡレセプターアンタゴニスト又はその薬学的に許容される塩と、を含む単位剤形をした、てんかん又はてんかん症候群の治療薬。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ点のトラックの形式で記録情報を含むデータ保存媒体であって、各データ点の色が、少なくとも異なる３色から選択され、該記録情報が、発色性組成物を含む基材上に配置され、該発色性組成物が、光源による照射を受けると、少なくとも異なる３色に変化しやすい発色剤を含み、該発色剤が、ロイコ染料またはジアセチレンまたはカルバゾールであるデータ保存媒体。
【請求項２】
前記データ点が、複数色および／または色の明暗を含む、請求項１に記載のデータ保存媒体。
【請求項３】
前記発色性組成物が、ＮＩＲ吸収成分をさらに含む、請求項１または２に記載のデータ保存媒体。
【請求項４】
前記ＮＩＲ吸収成分が、銅（ＩＩ）塩、還元金属または混合金属酸化物、導電性ポリマーまたはＮＩＲ染料／色素である、請求項３に記載のデータ保存媒体。
【請求項５】
前記発色剤が、ジアセチレンである、請求項１〜４のいずれかに記載のデータ保存媒体。
【請求項６】
前記ジアセチレンが、１０，１２−ペンタコサジイン酸または１０，１２−ドコサジイン酸（docosadiynoic acid）またはカルボン酸基がアミドに官能化されたこれらの誘導体である、請求項５に記載のデータ保存媒体。
【請求項７】
前記誘導体が、プロパルギルアミド誘導体である、請求項６に記載のデータ保存媒体。
【請求項８】
前記発色性組成物が、結合剤を含む基材表面上にコートされ、または該基材を形成する材料中に組み込まれ、または該基材を含むラミネート構築体の一部である、請求項１〜７のいずれかに記載のデータ保存媒体。
【請求項９】
ＣＤまたはＤＶＤである、請求項１〜８のいずれかに記載のデータ保存媒体。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のデータ保存媒体を形成する方法であって、発色性基材上に、記録情報に対応する光源を指し向けるステップを含み、各点の色が、少なくとも異なる３色から選択されているデータ点のトラックが生成されるように、該レーザー光に対する該基材の位置が変わる方法。
【請求項１１】
前記光源が、１２０nm〜２０μm領域の波長を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記光源が可変ビームプロファイルを有し、かつ複数色および／または色の明暗を含むそれぞれのデータ点を生成する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれかに記載のデータ保存媒体を読み取る方法であって、該媒体上にスキャニングレーザーを照射するステップ、および色検出器アレイを使用して反射された照射を検出するステップを含む方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の第１態様は、データ点のトラックの形式で記録情報を含むデータ保存媒体であって、各データ点の色が、少なくとも異なる３色から選択され、該記録情報が、発色性組成物を含む基材上に配置され、該発色性組成物が、レーザー照射を受けると、少なくとも異なる３色に変化しやすい発色剤を含み、該発色剤が、ロイコ染料またはジアセチレンまたはカルバゾールであるデータ保存媒体である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
Ｒ−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−Ｒ’
［式中、Ｒおよび／またはＲ’はＣＯＸ基を含み、その際、Ｘは、−ＮＨＹ、−ＯＹ、−ＳＹであり、その場合、ＹはＨか、または少なくとも１個の炭素原子を含む任意の基である］
さらに特に好ましいものは、カルボン酸基がアミド、エステルまたはチオエステルに官能化された誘導体である。これらは、ジアセチレンカルボン酸と、塩化オキサリルなどの塩素化剤とを反応させ、次いで、そのジアセチレン酸塩化物を、アミン、アルコールまたはチオールなどの求核性化合物と反応させることによって容易に製造することができる。特に好ましいジアセチレンカルボン酸化合物は、１０，１２−ドコサジイン二酸、およびアミド、エステル、チオエステルなど、その誘導体である。より特に好ましい１０，１２−ドコサジイン二酸誘導体はアミドである。さらに特に好ましい１０，１２−ドコサジイン二酸アミド誘導体は、少なくとも１個の、好ましくは両方のカルボン酸基が、以下に示すようなプロパルギルアミドに転換されているプロパルギルアミドである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メラニン細胞からケラチン形成細胞へのメラニンの移動を調節する物質の能力を評価する方法であって、
ａ）試験物質を提供し、
ｂ）Ｍｙｏ−Ｘを発現する細胞を提供し、
ｃ）ミオシン−Ｘ（Ｍｙｏ−Ｘ）の発現または活性化を調節する試験物質の能力を測定する
段階を含んでなる、方法。
【請求項２】
Ｍｙｏ−Ｘを発現する細胞がメラニン細胞またはケラチン形成細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
試験物質で処理した細胞でのＭｙｏ−Ｘの発現または活性化を対照細胞でのＭｙｏ−Ｘの発現または活性化と比較することを含んでなる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
Ｍｙｏ−Ｘの発現または活性を調節する試験物質の能力を測定する段階が、
細胞中または細胞上のＭｙｏ−Ｘタンパク質の量を測定し、
Ｍｙｏ−Ｘタンパク質の合成における前駆体の量を測定し、または
細胞中のメラノソーム移動レベルを測定する
ことを包含する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法の段階ａ）〜ｃ）によりメラニンの移動を調節する前記物質の能力を評価し、
Ｍｙｏ−Ｘの発現または活性化を増加させることができる物質を選択する
ことを含んでなる、皮膚または毛髪の色素沈着を高めることができる活性物質を選択する方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法の段階ａ）〜ｃ）によりメラニンの移動を調節する前記物質の能力を評価し、
Ｍｙｏ−Ｘの発現または活性化を減少させることができる物質を選択する
ことを含んでなる、皮膚または毛髪の色素沈着を減少させることができる物質を選択する方法。
【請求項７】
評価される物質が植物抽出物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース領域と；
ドレイン領域と；
第１の電極領域及び第２の電極領域を含むトレンチゲートであって、前記第１の電極領域及び前記第２の電極領域は、誘電層及びゲート酸化物層によって相互に分離され、前記ゲート酸化物層と前記誘電層との間の境界は曲線状であるトレンチゲートと
を具備した半導体素子。
【請求項２】
前記第１の電極領域及び前記第２の電極領域はポリシリコンを含む請求項１の半導体素子。
【請求項３】
前記誘電層は第１の誘電層及び第２の誘電層を含み、前記第２の誘電層は前記第１の誘電層を前記ゲート酸化物層から分離させる請求項１の半導体素子。
【請求項４】
前記境界は、前記誘電層に対して凹状であり、前記ゲート酸化物層に対して凸状である請求項１の半導体素子。
【請求項５】
前記誘電層は準大気圧未ドープシリコンガラス（ＳＡＵＳＧ）を含む請求項１の半導体素子。
【請求項６】
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）素子を含む請求項１の半導体素子。
【請求項７】
前記ゲート酸化物層は前記第２の電極領域も前記ソース領域から分離させる請求項１の半導体素子。
【請求項８】
半導体素子であって、
ソース領域と；
ドレイン領域と；
前記半導体素子内のトレンチ状のキャビティ内に形成されたゲートであって、前記ゲートは、
第１の電極領域と；
第２の電極領域と；
前記第１の電極領域と前記第２の電極領域との間の前記キャビティの全幅を横断する表面を有する誘電領域であって、前記表面は凹状である誘電領域と
を含むゲートと
を具備した半導体素子。
【請求項９】
前記第１の電極領域及び前記第２の電極領域はポリシリコンを含む請求項８の半導体素子。
【請求項１０】
前記誘電領域を前記第２の電極領域から分離させるゲート酸化物層をさらに含む請求項８の半導体素子。
【請求項１１】
前記誘電領域は第１の誘電層及び第２の誘電層を含み、前記第２の誘電層は、前記第１の誘電層を前記ゲート酸化物層から分離させる請求項１０の半導体素子。
【請求項１２】
前記誘電領域は準大気圧未ドープシリコンガラス（ＳＡＵＳＧ）を含む請求項８の半導体素子。
【請求項１３】
パワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）素子を含む請求項８の半導体素子。
【請求項１４】
前記ゲート酸化物層は前記第２の電極領域も前記ソース領域から分離させる請求項８の半導体素子。
【請求項１５】
半導体素子内にスプリットゲートを作製する方法であって、
前記半導体素子内のトレンチ状のキャビティの側壁に沿って第１の誘電領域を形成することと；
前記キャビティ内に第１のゲート電極領域を形成することと；
前記キャビティ中に第２の誘電領域を形成することと；
前記第２の誘電領域をエッチバックして、前記キャビティの全幅を横断して延びる凹状表面を形成することと；
前記キャビティ内に第２のゲート電極領域を形成することと
を含んだ方法。
【請求項１６】
前記第２の誘電領域を形成する前に前記第１の誘電領域をエッチバックすることをさらに含む請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記第２のゲート電極領域を形成する前に、前記凹状表面上に且つ前記側壁に沿ってゲート酸化物層を生成することをさらに含む請求項１５の方法。
【請求項１８】
前記第１の誘電領域を形成する前に、前記側壁に沿って熱酸化物層を生成することをさらに含む請求項１５の方法。
【請求項１９】
ソース及びドレイン領域を形成する工程をさらに含む請求項１５の方法。
【請求項２０】
前記半導体素子はパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）素子を含む請求項１５の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）のための本体領域内に複数のトレンチを形成する工程と、
前記本体領域内にソース領域を角注入する工程と、
前記複数のトレンチ内に誘電材料を成長させる工程と、
前記複数のトレンチ内にゲートポリシリコンを堆積させる工程と、
前記ゲートポリシリコンを化学機械研磨する工程と、
前記複数のトレンチ内の前記ゲートポリシリコンをエッチバックする工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
前記エッチバックされたゲートポリシリコン上に誘電材料を堆積させる工程と、
前記誘電材料に対して化学機械研磨を行う工程と、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電材料および前記ソース領域上でソース接点を自己整合させる工程、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ソース接点は、前記ソース領域の少なくとも１つと接触する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
基板上にエピタキシャル領域を形成する工程、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記エピタキシャル領域はＰ−であり、前記基板はＰ＋＋である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記エピタキシャル領域はＮ−であり、前記基板はＮ＋＋である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記複数のトレンチの密度は、２０平方ミリメートルあたり少なくとも１ギガセルである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のトレンチそれぞれのセルピッチは０．８マイクロメーター以下であり、深さは約１マイクロメーターである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ゲートポリシリコンを堆積させる工程は、前記誘電材料を成長させる工程の後に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ゲートポリシリコンをエッチバックする工程は、前記ゲートポリシリコンを化学機械研磨する工程の後に行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ゲートポリシリコンをエッチバックする工程は、前記ゲートポリシリコンを化学機械研磨する工程の後に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記エピタキシャル領域内に終端部トレンチを形成する工程と、
前記終端部トレンチ内に誘電材料を堆積させる工程と、
前記終端部トレンチ内にポリシリコンを堆積させる工程と、
前記ポリシリコンを化学機械研磨する工程と、
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記終端部トレンチ内の前記ポリシリコンをエッチバックする工程、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記終端部トレンチは、前記垂直ＭＯＳＦＥＴのゲート接点よりも幅広である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチと、ゲート電極と、ソース電極とを有するスプリットゲート構造と、
前記ソース電極に接続されかつ前記トレンチ内に配置された第１のポリ層と、
前記ゲート電極に接続された第２のポリ層とを含み、
前記第１のポリ層および前記第２のポリ層は独立しており、前記トレンチ内の酸化物の上部は活性領域の表面と同一平面上にある、スプリットゲート電界効果トランジスタ装置。
【請求項２】
前記第２のポリ層に接続するゲートコンタクトと、
前記第１のポリ層に接続するソースコンタクトと、
をさらに含む、請求項１の装置。
【請求項３】
活性領域本体と、
ソースコンタクトとをさらに含み、
前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは同一の表面に配置される、
請求項２の装置。
【請求項４】
前記同一の平面は、ＣＭＰ互換性プロセスを介して確立される、請求項３の装置。
【請求項５】
レイアウト方法を用いて、ＣＭＰ互換性プロセスにより、前記トレンチ内で、前記第１のポリ層を前記ソース電極に接続し、前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続することを可能とする、請求項３又は４の装置。
【請求項６】
トレンチと、ゲート電極と、ソース電極とを有するスプリットゲート構造と、
前記ソース電極に接続されかつ前記トレンチ内に配置された第１のポリ層と、
前記ゲート電極に接続されかつ前記トレンチ内に配置された第２のポリ層であって、前記第１のポリ層および前記第２のポリ層は独立しており、前記トレンチ内の酸化物の上部は活性領域の表面と同一平面上にある、第２のポリ層と、
前記スプリットゲート構造上に配置された金属層と、
を含む、ＣＭＰ互換性スプリットゲート電界効果トランジスタ装置。
【請求項７】
前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続するゲートコンタクトと、
前記第１のポリ層を前記ソース電極に接続するソースコンタクトと、
をさらに含む、請求項６の装置。
【請求項８】
活性領域本体と、
ソースコンタクトとをさらに含み、
前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは同一の表面に配置される、請求項７の装置。
【請求項９】
前記同一の平面は、ＣＭＰ互換性プロセスを介して確立される、請求項８の装置。
【請求項１０】
レイアウト方法を用いて、ＣＭＰ互換性プロセスにより、前記トレンチ内で、前記第１のポリ層を前記ソース電極に接続し、前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続することを可能とする、請求項９の装置。
【請求項１１】
トレンチと、ゲート電極と、ソース電極とを有するスプリットゲート構造と、
前記トレンチ内に配置されかつ前記ソース電極に接続された第１のポリ層と、
前記トレンチ内に配置されかつ前記ゲート電極に接続された第２のポリ層とを含み、
前記第１のポリ層および前記第２のポリ層は独立しており、
前記第１のポリ層および前記第２のポリ層は、いずれも実質的にその全体が前記トレンチ内に配置され、
前記トレンチ内の酸化物の上部は活性領域の表面と同一平面上にある、
平面スプリットゲート電界効果トランジスタ装置。
【請求項１２】
前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続するゲートコンタクトと、
前記第１のポリ層を前記ソース電極に接続するソースコンタクトと、
をさらに含む、請求項１１の装置。
【請求項１３】
活性領域本体と、
ソースコンタクトとをさらに含み、
前記活性領域本体および前記ソースコンタクトは同一の平面に配置される、請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記同一の平面は、ＣＭＰ互換性プロセスを介して確立される、請求項１３の装置。
【請求項１５】
レイアウト方法を用いて、ＣＭＰ互換性プロセスにより、前記トレンチ内で、前記第１のポリ層を前記ソース電極に接続し、前記第２のポリ層を前記ゲート電極に接続することを可能とする、請求項１４の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月22日(2013.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下流方向を定めるイオン化していないガス流をイオン化したガス流に変えるためのガスイオン化装置であって、
前記イオン化していないガス流を受け取り、前記イオン化したガス流を標的に送出するための手段と、
周期Ｔをもち正と負の部分があるイオン化信号を与えたことに反応して、前記イオン化していないガス流の中に電荷キャリアを生成するための手段であって、前記イオン化していないガス流を前記イオン化したガス流に変える電子雲、陽イオンおよび陰イオンを前記電荷キャリアが含み、前記イオン化信号の前記負の部分の時間Ｔｎｃの間に前記電子雲が生成される手段と、
前記イオン化したガス流の中の前記電荷キャリアをモニタリングするための、誘電体材料により前記イオン化したガス流から絶縁されたイオン化しない参照電極であって、電荷キャリアを生成するための前記手段より距離Ｌだけ下流に前記参照電極の少なくとも一部が位置し、前記時間Ｔｎｃが前記時間Ｔｎｃの間に生成された前記電子雲が前記距離Ｌだけ下流に移動するのにかかる時間Ｔｅ以下である手段と、
前記参照電極に反応して、前記イオン化信号を制御するための手段と、
を備えるガスイオン化装置。
【請求項２】
下流方向を定めるイオン化していないガス流を受け取り、イオン化したガス流を電荷中和の標的に送出するためのガスイオン化装置であって、
前記イオン化していないガス流を受け取り、前記イオン化したガス流を前記標的に送出するための少なくとも１つの貫通チャネルと、
前記貫通チャネルの中に配置され一端にオリフィスが配置された非導電性のシェルと、
周期Ｔをもち正と負の部分があるイオン化信号を与えたことに反応して、前記非導電性のシェルの中に電荷キャリアを生成するための少なくとも１つのイオン化電極であって、前記オリフィスを通り前記イオン化していないガス流に入って前記イオン化したガス流を形成する電子雲、陽イオンおよび陰イオンを前記電荷キャリアが含むイオン化電極と、
前記イオン化信号を前記イオン化電極に与えるための電源であって、前記イオン化信号の前記負の部分の時間Ｔｎｃの間に前記イオン化電極により前記電子雲が生成される電源と、
前記イオン化電極の下流に配置され前記イオン化したガス流から電気的に絶縁された、前記イオン化したガス流の中の前記電荷キャリアに反応するモニタ信号を生成する少なくとも１つのイオン化しない参照電極であって、前記イオン化電極により生成された前記電子雲が前記イオン化電極と前記参照電極の間で振動し、それによって前記電子が陰イオンに変わる参照電極と、
前記電源および前記参照電極に伝達可能なように連結されて、前記モニタ信号に少なくとも部分的に反応する前記イオン化電極に与えられた前記イオン化信号を制御する制御システムと、
を備えるガスイオン化装置。
【請求項３】
下流方向に流れる自動均衡のイオン化したガス流を生成する方法であって、
前記下流方向に流れ、圧力と流量をもつイオン化していないガス流を確立するステップと、
電子雲、陽イオンおよび陰イオンを含む電荷キャリアを前記イオン化していないガス流から保護された非導電性のシェルの中に生成するステップと、
前記電荷キャリアを前記イオン化していないガス流に導入して、それにより圧力と流量をもち前記下流方向に流れるイオン化したガス流を形成するステップと、
前記電子雲の電子をイオンのドリフト領域内で陰イオンに変えるステップであって、それにより、陽イオンと陰イオンの濃度が実質的に電気的に釣り合ったイオン化したガス流を発生させるステップと、
前記釣り合ったイオン化したガス流をモニタリングするステップと、
前記モニタリングするステップに少なくとも部分的に反応して、電荷キャリアの生成を制御するステップと、
を含む方法。
【請求項４】
ガス流が内部を流れる貫通チャネル、前記ガス流の中に少なくとも一部が配置された少なくとも１つのイオン化電極、および前記イオン化電極より距離Ｌだけ下流にある少なくとも１つの参照電極を有するタイプのコロナ放電イオン化装置の中で自由電子の雲を陰イオンに変える方法であって、
周期Ｔをもち正と負の部分があるイオン化信号を前記イオン化電極に加えるステップであって、それにより、前記イオン化信号の前記負の部分の時間Ｔｎｃの間に前記イオン化していないガス流の中に前記電子雲を生成し、前記電子雲が前記参照電極に向けて下流に移動し、前記時間Ｔｎｃが前記イオン化電極から前記参照電極に前記電子雲が距離Ｌだけ移動するのにかかる時間Ｔｅ以下であるステップを含む方法。
【請求項５】
イオン化していないガス流が内部を流れる貫通チャネル、およびイオン化信号を加えたことに反応して前記イオン化していないガス流の中に電荷キャリアを生成することによりイオン化したガス流を形成する電極を有するタイプのイオン化装置内のコロナ放電を制御する方法であって、
学習モードであって、
少なくとも前記電極が負の電荷キャリアを生成するまで、イオン化しないレベルから増加する振幅を有する信号を前記電極に加えることにより、前記イオン化装置の負コロナ開始電圧を検出するステップと、
前記検出するステップを複数回繰り返して、負コロナ開始電圧の範囲を検出するステップと、
負コロナ開始電圧の前記範囲に基づいて、代表的な開始電圧を計算するステップと
を含むモードと、
動作モードであって、
前記代表的な開始電圧に比例する振幅を有するイオン化信号を前記イオン化電極に加えるステップ
を含むモードと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月10日(2013.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極層である第１の層と、活性層である第２の層と、上部電極層である第３の層と、をその上に有し、これらのすべての層が連続している薄膜デバイスを、電気的に直列に相互接続される個別のセルに分割するための方法であって、セルの分割および隣接するセル間の電気接続が、すべて、前記デバイス全体にわたる処理ヘッドのワンパスで実施され、前記処理ヘッドが、
ａ）  前記第１の層、第２の層および第３の層を貫通する第１の刻み目を構築するステップと、
ｂ）  前記第２の層および第３の層を貫通する第２の刻み目を構築するステップであって、前記第２の刻み目が前記第１の刻み目と隣接するステップと、
ｃ）  前記第３の層を貫通する第３の刻み目を構築するステップであって、前記第３の刻み目が前記第２の刻み目と隣接し、かつ、前記第２の刻み目の前記第１の刻み目とは反対側であるステップと、
ｄ）  非導電材料を前記第１の刻み目に堆積させるために第１のインクジェットプリントヘッドを使用するステップと、
ｅ）  導電材料を加えて前記第１の刻み目中の前記非導電材料を橋絡させるために、かつ、前記第２の刻み目全体または一部を充填して、前記第１の層と前記第３の層との間に電気接続を形成するために、第２のインクジェットプリントヘッドを使用するステップと、
をワンパスで実行し、
ステップ（ａ）がステップ（ｄ）に先行し、ステップ（ｄ）がステップ（ｅ）に先行し、かつ、ステップ（ｂ）がステップ（ｅ）に先行し、あるいは前記デバイス全体にわたる前記処理ヘッドの任意の順序のワンパスで前記ステップを実施することが可能である方法。
【請求項２】
前記ステップがワンパスで実施される順序が、前記第１および第２のインクジェットプリントヘッドの前記処理ヘッド上の相対位置、および前記第１の刻み目、第２の刻み目および第３の刻み目を形成するための前記処理ヘッド上のコンポーネントによって決まる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の刻み目、第２の刻み目および第３の刻み目のうちの１つまたは２つ以上が、１つまたは２つ以上のレーザビームを使用して形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記処理ヘッドが、前記薄膜デバイス全体にわたる一方または両方の方向のワンパスで前記すべてのステップを実施することができる、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
対応する個々の刻み目への堆積の後、前記非導電材料および／または前記導電材料を硬化させるために１つまたは複数の硬化ステップが実施される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記非導電材料および／または前記導電材料の堆積の後、前記硬化ステップのうちの１つまたは複数が前記ワンパスの間に実施される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
下部電極層である第１の層と、活性層である第２の層と、上部電極層である第３の層と、をその上に有し、これらのすべての層が連続している薄膜デバイスを、電気的に直列に相互接続される個別のセルに分割するための装置であって、処理ヘッドを備え、前記処理ヘッドの上に、
ａ）  前記第１、第２および第３の層を貫通する第１の刻み目、前記第１の刻み目と隣接する、前記第２および第３の層を貫通する第２の刻み目、および前記第２の刻み目と隣接し、かつ、前記第２の刻み目の前記第１の刻み目とは反対側である、前記第３の層を貫通する第３の刻み目を形成するように構成された１つまたは複数のカッタユニットと、
ｂ）  前記第１の刻み目に非導電材料を堆積するように構成された第１のインクジェットプリントヘッドと、
ｃ）  導電材料を加えて前記第１の刻み目中の前記非導電材料を橋絡するように構成され、かつ、前記第２の刻み目全体または一部を充填して、前記第１の層と前記第３の層の間に電気接続を形成するように構成された第２のインクジェットプリントヘッドと、
が設けられ、さらに、
ｄ）  前記処理ヘッドを前記デバイスに対して移動するように構成された駆動手段と、
ｅ）  個別のセルへの前記デバイスの分割および隣接するセル間の電気接続の形成を、すべて、前記デバイス全体にわたる前記処理ヘッドのワンパスで実施することができるよう、前記デバイスに対する前記処理ヘッドの運動を制御し、かつ、前記１つまたは複数のカッタユニットおよび前記第１および第２のインクジェットプリントヘッドを駆動するように構成された制御手段と、
を備える装置。
【請求項８】
前記１つまたは複数のカッタユニットが、前記第１の刻み目、第２の刻み目および第３の刻み目を形成するための単一のパルスレーザを備える、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記１つまたは複数のカッタユニットが、前記第１の刻み目、第２の刻み目および／または第３の刻み目を形成するための複数のタイプのパルスレーザを備える、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
第１、第２および第３のレーザビームを前記デバイスに送出するための集束レンズを備え、前記第１、第２および第３のレーザビームによって前記レンズの焦点に形成される焦点スポットが、前記第１、第２および第３の刻み目を形成するために必要な空間分離を前記デバイスの表面に有するよう、前記ビーム間に角偏位が存在する、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１１】
パルスレーザからのレーザビームを分割して、前記第１、第２および第３の刻み目を形成するための第１、第２および第３のレーザビームを形成するための回折光学素子を備える、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１２】
パルスレーザからのレーザビームを分割して、前記第１、第２および第３の刻み目を形成するための第１、第２および第３のレーザビームを形成するためのプリズム光学素子を備える、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１３】
第１のパルスレーザからのレーザビームを分割して、前記第１、第２および第３のレーザビームのうちの任意の２つを形成するための回折光学素子と、残りのレーザビームを提供するための第２のパルスレーザと、を備え、前記第１、第２および第３の刻み目を形成するために前記第１および第２のパルスレーザからのビームを結合して前記デバイスの表面に３つの空間分離レーザスポットを形成するように配置された、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１４】
第１のパルスレーザからのレーザビームを分割して、前記第１、第２および第３のレーザビームのうちの任意の２つを形成するための複プリズムタイプのプリズム光学素子と、残りのレーザビームを提供するための第２のパルスレーザと、を備え、前記第１、第２および第３の刻み目を形成するために前記第１および第２のパルスレーザからのビームを結合して前記デバイスの表面に３つの空間分離レーザスポットを形成するように配置された、請求項８または９に記載の装置。
【請求項１５】
前記制御システムが、前記デバイスおよび処理ヘッドが、互いに対して、前記デバイス全体にわたって連続する経路で、前記第１および第２の刻み目の長さに対して平行の第１の方向に移動し、前記経路の末端で、前記第１の方向に対して直角の方向に、前記デバイス中に形成されるセルの幅に等しい所定の距離だけステップするように構成される、請求項７から１４のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合（６）を形成するｐドープ半導体領域（４）およびｎドープ半導体領域（５）を含むトンネルダイオードであって、
前記ｐｎ接合（６）の少なくとも一部がナノワイヤ（１）中に形成されており、前記ｐｎ接合（６）のそれぞれの側の半導体材料はヘテロ接合を形成する異なる半導体材料である、トンネルダイオード。
【請求項２】
前記ｐドープ半導体領域（４）が縮退ドープｐ++部分（４’）を含み、前記ｎドープ半導体領域（５）が縮退ドープｎ++部分（５’）を含み、前記縮退ドープ部分（４’、５’）の一方が、前記縮退ドープ部分（４’、５’）のもう一方の上にエピタキシャル成長される、請求項１に記載のトンネルダイオード。
【請求項３】
前記半導体材料は化合物半導体材料であり、好ましくはＩＩＩ−Ｖ半導体材料である、請求項１または２に記載のトンネルダイオード。
【請求項４】
前記ナノワイヤ（１）が、好ましくはシリコン基板である半導体基板（３）から突き出る、請求項１〜３の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項５】
前記縮退ドープ部分（４’、５’）がコアシェル構造で成長される、請求項２〜４の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項６】
前記縮退ドープ部分（４’、５’）が軸構造で成長される、請求項２〜４の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項７】
前記ｐドープ半導体領域（４）および前記ｎドープ半導体領域（５）が、Ｇａ、Ｐ、Ｉｎ、Ａｓの群から選択された半導体材料で形成される化合物半導体材料を含み、それによってタイプＩ（ストラドリングギャップ）ヘテロ接合トンネルダイオード、またはタイプＩＩ（スタガギャップ）ヘテロ接合トンネルダイオードが形成される、請求項１〜６の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項８】
前記ｐドープ半導体領域（４）および前記ｎドープ半導体領域（５）が、Ｇａ、Ｐ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｓｂの群から選択された半導体材料で形成される化合物半導体材料を含み、前記領域の少なくとも１つがＳｂをベースとする化合物半導体を含み、それによってタイプＩ（ストラドリングギャップ）ヘテロ接合トンネルダイオード、またはタイプＩＩ（スタガギャップ）ヘテロ接合トンネルダイオード、またはタイプＩＩＩ（ブロークンギャップ）ヘテロ接合トンネルダイオードが形成される、請求項１〜７の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項９】
少なくとも１つの化合物半導体材料がＡｌを含む、請求項７または８に記載のトンネルダイオード。
【請求項１０】
前記ｐドープ半導体領域（４）が前記ｐｎ接合（６）の一方の側にＧａＳｂを含み、前記ｎドープ半導体領域（５）が前記ｐｎ接合（６）のもう一方の側にＩｎＡｓを含む、請求項８に記載のトンネルダイオード。
【請求項１１】
前記ｐドープ半導体領域（４）が前記ｐｎ接合（６）の一方の側にＩｎＳｂを含み、前記ｎドープ半導体領域（５）が前記ｐｎ接合（６）のもう一方の側にＩｎＡｓを含む、請求項８に記載のトンネルダイオード。
【請求項１２】
前記ヘテロ接合が、前記ヘテロ接合の部分（４’、５’）の一方とエピタキシャル接触している機能部分によって歪み補償される、請求項１〜１１の何れか１項に記載のトンネルダイオード。
【請求項１３】
光吸収部分を構成する少なくとも１つのナノワイヤを含む多接合太陽電池であって、前記ナノワイヤが、第１の材料の第１の半導体部分および第２の材料の第２の半導体部分を少なくとも含み、前記第１よび第２の半導体部分は前記請求項のいずれかに記載のトンネルダイオードによって分離されており、前記第１および前記第２の半導体部分がそれぞれ、太陽スペクトルの所定の第１および第２の波長領域で光を吸収するように適合される、多接合太陽電池。
【請求項１４】
化合物半導体材料のトンネルダイオードを製造する方法であって、
半導体基板（３）を用意するステップと、
前記半導体基板（３）上にナノワイヤ（１）を成長させるステップとを含み、ｐドープ半導体領域（４）およびｎドープ半導体領域（５）を少なくとも部分的に前記ナノワイヤ（１）の中に含むｐｎ接合（６）が形成されており、
前記ｐｎ接合（６）のそれぞれの側の半導体材料はヘテロ接合を形成する異なる半導体材料である、方法。
【請求項１５】
成長させる前記ステップが、少なくとも前記ｐドープ領域（４）のｐ++部分（４’）およびｎドープ領域（５）のｎ++部分（５’）を縮退ドーピングするステップを含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部容積を有するタンクと、
前記内部容積の外部に配置されたそれぞれの支持体部材に各端部で連結された１対の円柱状ローラであって、前記円柱状ローラの各々が、前記内部容積内に少なくとも部分的に配置され、それぞれの軸の周りを回転可能である、１対の円柱状ローラと、
前記円柱状ローラが互いに近接している第１の位置と前記円柱状ローラが互いに間隔を空けて離れている第２の位置との間で前記それぞれの円柱状ローラを移動させるために、前記円柱状ローラの各々に連結されたアクチュエータアセンブリと、
前記円柱状ローラの各々のためのコンディショニング装置であって、各コンディショニング装置が前記内部容積内に配置されたコンディショナを含み、前記ローラが前記第２の位置にあるときに、前記コンディショナが前記円柱状ローラの各々の外側表面と接触する、コンディショニング装置と
を備えた、ブラシボックス。
【請求項２】
前記コンディショナが、１つまたは複数の支持体部材によって前記タンクの側壁に連結される、請求項１に記載のブラシボックス。
【請求項３】
前記コンディショナが、前記１つまたは複数の支持体部材によって前記タンクの前記側壁に回転できるように連結される、請求項２に記載のブラシボックス。
【請求項４】
前記１つまたは複数の支持体部材が、アクチュエータに連結される、請求項３に記載のブラシボックス。
【請求項５】
前記円柱状ローラが、第１の軸および第２の軸の周りを回転可能であり、前記第１の軸が、前記第２の軸とは異なり、前記第２の軸に平行である、請求項４に記載のブラシボックス。
【請求項６】
前記アクチュエータが、前記第１の軸または前記第２の軸に実質的に平行である第３の軸の周りに前記コンディショナを回転させる、請求項５に記載のブラシボックス。
【請求項７】
前記アクチュエータが、前記第１の軸または前記第２の軸に実質的に垂直である第４の軸の周りに前記コンディショナを回転させる、請求項５に記載のブラシボックス。
【請求項８】
前記コンディショナが円柱状チューブである、請求項１に記載のブラシボックス。
【請求項９】
前記コンディショナが棒である、請求項１に記載のブラシボックス。
【請求項１０】
前記コンディショナがディスクである、請求項１に記載のブラシボックス。
【請求項１１】
前記コンディショニング装置が、前記コンディショナの周りに配置されたハウジングをさらに備える、請求項１に記載のブラシボックス。
【請求項１２】
前記ハウジングが真空ポンプに連結される、請求項１１に記載のブラシボックス。
【請求項１３】
前記ハウジングが、前記第２の位置にある前記円柱状ローラの前記外側表面と接触するように適合した少なくとも１つのワイパを含む、請求項１１に記載のブラシボックス。
【請求項１４】
内部容積を有するタンクと、
前記内部容積の外部に移動できるように配置されたそれぞれの支持部材に各端部で連結された１対の円柱状ローラであって、前記円柱状ローラの各々が、前記内部容積内に少なくとも部分的に配置され、それぞれの第１の軸の周りを回転可能である、１対の円柱状ローラと、
前記ローラが互いに近接している第１の位置と前記ローラが互いに間隔を空けて離れている第２の位置との間で前記それぞれのローラを移動させるために、前記円柱状ローラの各々に連結されたアクチュエータアセンブリと、
前記ローラの各々のためのコンディショニング装置であって、各コンディショニング装置が前記内部容積内に配置されたコンディショナを含み、前記ローラが前記第２の位置にあるときに、各コンディショナが前記円柱状ローラの各々の外側表面と接触し、各コンディショナが前記第１の軸とは異なる第２の軸の周りを回転可能である、コンディショニング装置と
を備えた、ブラシボックス。
【請求項１５】
各コンディショナが、１つまたは複数の支持体部材によって前記タンクの側壁に回転できるように連結される、請求項１４に記載のブラシボックス。
【請求項１６】
前記１つまたは複数の支持体部材が、アクチュエータに連結される、請求項１５に記載のブラシボックス。
【請求項１７】
前記アクチュエータが、前記第２の軸の周りに前記コンディショナを回転させ、前記第２の軸が前記第１の軸に実質的に平行である、請求項１６に記載のブラシボックス。
【請求項１８】
前記アクチュエータが、前記第２の軸の周りに前記コンディショナを回転させ、前記第２の軸が前記第１の軸に実質的に垂直である、請求項１６に記載のブラシボックス。