【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
基板上にシリコンドットを少なくとも１回、絶縁膜を少なくとも１回形成するシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法であり、
シリコンドットについては請求項１から９のいずれかに記載のシリコンドット形成方法により形成し、
絶縁膜については、第２プラズマ生成室内に設置された低インダクタンス化された第２アンテナに高周波電力を印加して該室内に供給される絶縁膜形成用ガスから誘導結合プラズマを生成させ、該誘導結合プラズマのもとで該室内に配置される基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成方法を採用し、該絶縁膜形成方法による絶縁膜形成にあたっては、前記第２プラズマ生成室に生成させるプラズマが不安定状態にある間は該基板を該不安定プラズマに曝さない状態におき、該プラズマが安定化すると該基板を該安定化プラズマに臨ませて該基板上に絶縁膜形成を開始させ、
シリコンドット形成後に絶縁膜を形成するときは、前記基板を該基板のある室から前記第２プラズマ生成室へ、該両室を外部から気密に連通させる基板搬送通路を通して移動させ、絶縁膜形成後にシリコンドットを形成するときは、前記基板を前記第２プラズマ生成室から前記第１プラズマ生成室へ、該両室を外部から気密に連通させる基板搬送通路を通して移動させることを特徴とするシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
第１プラズマ生成室、
該第１プラズマ生成室内へシリコンドット形成用のガスを供給する第１ガス供給装置、  該第１プラズマ生成室内に設置された、低インダクタンス化された第１アンテナ、
該第１アンテナに高周波電力を印加して前記第１ガス供給装置から前記第１プラズマ生成室へ供給されるガスから誘導結合プラズマを生成させるための第１高周波電力印加装置、
シリコンドット形成にあたり前記第１プラズマ生成室内に配置されるシリコンドット形成対象基板を該第１プラズマ生成室内のプラズマが不安定状態にある間は該不安定プラズマに曝さない状態におき、該プラズマが安定化すると該安定化プラズマに臨ませる第１のプラズマ状態対応装置、
前記第１プラズマ生成室内に生成される前記プラズマの状態を把握する第１プラズマ状態把握装置及び
前記第１プラズマ状態把握装置により把握される前記第１プラズマ生成室内のプラズマ状態が不安定状態にあるときは前記基板を該不安定プラズマに曝さない状態におき、該プラズマが安定化すると該基板を該安定化プラズマに臨ませるように前記第１プラズマ状態対応装置を制御する第１制御部を含んでいることを特徴とするシリコンドット形成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
しかしながら、シリコンドットや絶縁膜を比較低温下でも形成できるようにプラズマＣＶＤ法を採用し、また、投入電力の利用効率を向上させる等のためにプラズマ生成室内に配置したアンテナを用いる誘導結合プラズマＣＶＤ方法を採用し、さらに該内部アンテナからの異常放電及び被処理基板やその上に形成されるシリコンドット或いは絶縁膜のプラズマによるダメージを抑制しつつ高密度プラズマを生成させて所望のシリコンドットや絶縁膜を形成するためにするために低インダクタンス化されたアンテナを採用したとしても、未だ問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明者の研究によると、プラズマは点灯すると直ちに安定した状態になるのではなく、点灯後不安定な状態があり、異常放電が発生することもあり、プラズマ点灯後安定化までに時間を要し、しかも、その安定化するまでに要する時間は、同じプラズマＣＶＤ装置を用い、ガス導入量、投入電力等のプラズマ生成条件を同じにしても、プラズマを点灯させるごとに変動する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そこで本発明は、比較的低温下で、高温下では発生することがあるシリコンドットの欠陥発生やシリコンドット同士の集合を抑制して、また、プラズマによるシリコンドットのダメージを抑制して、さらに、シリコンドット粒径の制御性よく、基板間での再現性よくシリコンドットを形成できるシリコンドット形成方法及び装置を提供することを第１の課題とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（２）シリコンドット形成装置
第１プラズマ生成室、
該第１プラズマ生成室内へシリコンドット形成用のガスを供給する第１ガス供給装置、  該第１プラズマ生成室内に設置された、低インダクタンス化された第１アンテナ、
該第１アンテナに高周波電力を印加して前記第１ガス供給装置から前記第１プラズマ生成室へ供給されるガスから誘導結合プラズマを生成させるための第１高周波電力印加装置、
シリコンドット形成にあたり前記第１プラズマ生成室内に配置されるシリコンドット形成対象基板を該第１プラズマ生成室内のプラズマが不安定状態にある間は該不安定プラズマに曝さない状態におき、該プラズマが安定化すると該安定化プラズマに臨ませる第１のプラズマ状態対応装置、
前記第１プラズマ生成室内に生成される前記プラズマの状態を把握する第１プラズマ状態把握装置及び
前記第１プラズマ状態把握装置により把握される前記第１プラズマ生成室内のプラズマ状態が不安定状態にあるときは前記基板を該不安定プラズマに曝さない状態におき、該プラズマが安定化すると該基板を該安定化プラズマに臨ませるように前記第１プラズマ状態対応装置を制御する第１制御部を含んでいるシリコンドット形成装置。                
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
絶縁膜形成装置におけるシャッタ装置２０についてもシャッタ制御部４２が設けられており、プラズマ生成室２１において形成されるプラズマが不安定な状態にあるとの情報が前記プラズマ状態把握装置２８から制御部４２に送信されている間は、該制御部４２はモータ駆動回路５２に指示して、シャッタ羽根ｓ１、ｓ２を閉じさせた状態とし、該プラズマが安定化した状態になったとの情報が前記プラズマ状態把握装置２８から制御部４２に送信されると、該制御部４２はモータ駆動回路５２に指示して、シャッタ羽根ｓ１、ｓ２を開かせる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
また、参考のため、被処理基板としてＮ形半導体シリコン基板を採用し、モノシランガス（０．２ｃｃｍ）及び酸素ガス（３０ｃｃｍ）を用い、膜形成圧を０．８Ｐａ（６ｍＴｏｒｒ）に維持し、アンテナ１２への投入電力を１３．５６ＭＨｚ、５００Ｗとし、基板温度を２２０℃に維持して、
(1) 図１の絶縁膜形成装置２において前記のようにシャッタ装置２０を用いて、
(2) 図９の絶縁膜形成装置２’において前記のように基板退避装置３１’を用いて、
(3) 図１の絶縁膜形成装置２においてシャッタ装置２０を用いず、プラズマ点灯時から基板をプラズマに曝す状態で、
それぞれ３回ずつ酸化シリコン膜を形成し、それら酸化シリコン膜について成膜速度のバラツキをエプソメトリ法で膜厚測定して調べた結果を次表に示す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
Ａ、Ａ’  シリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成装置
１、１’  シリコンドット形成装置
１１      第１プラズマ生成室
１１１    天井壁
１２      第１アンテナ
１３      ブスバー
１４      マッチングボックス
１５      高周波電源
１６、１９  基板ホルダ
１６１、１９１  ヒータ
１００    基板ホルダ支持台
１７      排気装置
１８      プラズマ状態把握装置
Ｇ１      シラン系ガス供給装置
Ｇ２      水素ガス供給装置
１０      シャッタ装置
ｓ１、ｓ２、ｓ１’、ｓ２’  シャッタ羽根
ｇ１〜ｇ４  ギア
Ｍ        モータ
Ｓ        基板
２、２’  絶縁膜形成装置
２１      第２プラズマ生成室
２１１    天井壁
２２      第１アンテナ
２３      ブスバー
２４      マッチングボックス
２５      高周波電源
２６      基板ホルダ
２６１    ヒータ
２００    基板ホルダ支持台
２８      プラズマ状態把握装置
Ｇ３      シラン系ガス供給装置
Ｇ４      酸素ガス供給装置
２０      シャッタ装置
３、３’        基板搬送通路
Ｖ１、Ｖ２  ゲート弁
３１      基板搬送ロボット
４１、４２  シャッタ装置制御部
５１、５２  モータ駆動回路
３１’    基板退避装置
４’      基板退避装置制御部
５’      基板退避装置駆動回路