Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上のエピトープ結合ドメインに連結した受容体−Ｆｃ融合体を含む抗原結合タンパク質。
【請求項２】
少なくとも１つのエピトープ結合ドメインが免疫グロブリン単一可変ドメインである、請求項１に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項３】
前記免疫グロブリン単一可変ドメインがヒトｄＡｂである、請求項２に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項４】
前記結合タンパク質が２以上の抗原に対する特異性を有する、請求項１〜３のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【請求項５】
前記受容体−Ｆｃ融合体がＣＴＬＡ−４−Ｉｇ、ＴＮＦＲ２−Ｉｇ、またはＴＡＣＩ−Ｉｇを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【請求項６】
少なくとも１つのエピトープ結合ドメインがＨＥＲ２またはＴＮＦαまたはＶＥＧＦまたはＶＥＧＦＲ２またはヒト血清アルブミンに結合可能な、請求項１〜５のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【請求項７】
少なくとも１つの前記エピトープ結合ドメインが１〜１５０のアミノ酸を含むリンカーを介して前記受容体−Ｆｃ融合体に直接連結される、請求項１〜６のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【請求項８】
少なくとも１つの前記エピトープ結合ドメインが配列番号１５〜１９、配列番号３１〜３２に記載のいずれか１つ、又はそれらの任意の複合もしくは組み合わせより選択されたリンカーを介して前記受容体−Ｆｃ融合体に直接連結される、請求項７に記載の抗原結合タンパク質。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質をコードするポリヌクレオチド配列。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質をコードする１つ以上のポリヌクレオチド配列を含む、形質転換又はトランスフェクトされた組換え宿主細胞。
【請求項１１】
請求項１０に記載の宿主細胞を培養する工程及び前記抗原結合タンパク質を単離する工程を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質の生産方法。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質及び製薬上許容可能な担体を含む医薬組成物。
【請求項１３】
医薬において使用するための請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【請求項１４】
免疫疾患、例えば自己免疫疾患、または癌、または炎症性疾患、例えば全身性エリテマトーデス、多発性硬化症、クローン病、乾癬、または関節炎疾患、例えば関節リウマチの治療のための、請求項１〜８のいずれかに記載の抗原結合タンパク質。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
hPS細胞由来の胚体内胚葉細胞の特定の内胚葉細胞への分化を制御する特定濃度でのFGF2のインビトロでの使用。
【請求項２】
前記hPS細胞がhBS細胞である、請求項1に記載の使用。
【請求項３】
培地中のFGF2の濃度が0ng/mlより多くかつ500ng/ml以下である、請求項1または2に記載の使用。
【請求項４】
FGF2の濃度が0.1〜16ng/mlの範囲であり、特定の内胚葉細胞が肝臓内胚葉細胞である、請求項1から3のいずれかに記載の使用。
【請求項５】
FGF2の濃度が4ng/ml〜6ng/mlの範囲であり、特定の内胚葉細胞が肝臓内胚葉細胞である、請求項1から4のいずれかに記載の使用。
【請求項６】
前記肝臓内胚葉細胞がAFPおよび以下のマーカー：FOXA2、アルブミン(ALB)、HNF4A、HNF6(ONECUT)、Prox1、CK17、CK19、Hex、FABp1、AAT、Cyp7A1、Cyp3A4、Cyp2B6、Cyp3A7のうちの1つまたは複数を発現する、請求項4または5に記載の使用。
【請求項７】
前記肝臓内胚葉細胞が以下のマーカー:ALB、HNF6およびHNF4Aを発現する、請求項4から6のいずれかに記載の使用。
【請求項８】
前記肝臓内胚葉細胞が以下のマーカー:AFP、HNF4A、Prox1のうちの2つ以上を発現する、請求項4から7のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
FGF2の濃度が16〜150ng/mlの範囲であり、特定の内胚葉細胞が膵臓内胚葉細胞である、請求項1から3のいずれかに記載の使用。
【請求項１０】
前記膵臓内胚葉細胞がPDX1ならびに以下のマーカー：NGN3、CPA1、SOX9、HNF6、HNF1b、E-カドヘリン、MNX1、PTF1AおよびNKX6-1のうちの1つまたは複数を発現する、請求項9に記載の使用。
【請求項１１】
前記膵臓内胚葉細胞がPDX1およびNKX6-1を発現する、請求項9または10に記載の使用。
【請求項１２】
前記膵臓内胚葉細胞が以下のマーカー:SOX9、ONECUT1、FOXA2を発現する、請求項9から11のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１３】
前記膵臓内胚葉細胞が、インスリン、グルカゴン、ソマトスタチン、膵臓ポリペプチドおよびグレリンからなる群から選択される少なくとも1つの膵臓ホルモンを発現する、請求項9から12のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１４】
FGF2の濃度が150〜500ng/mlの範囲であり、特定の内胚葉細胞が腸および/または肺内胚葉細胞である、請求項1から3のいずれかに記載の使用。
【請求項１５】
前記特定の内胚葉細胞が、CDX2ならびに以下のマーカー：CDX1、FOXA2、PITX2、FABp2、TCF4、ビリンおよびMNX1のうちの1つまたは複数を発現する腸細胞である、請求項14に記載の使用。
【請求項１６】
前記特定の内胚葉細胞がCDX1、CDX2およびMNX1を発現する腸内胚葉細胞である、請求項14または15に記載の使用。
【請求項１７】
前記特定の内胚葉細胞が、以下のマーカー：NKX2-1、SHH、PTCH1およびSPRY2のうちの1つまたは複数を発現する肺内胚葉細胞である、請求項14に記載の使用。
【請求項１８】
前記分化が、それぞれ請求項4、9および14に記載の所望の内胚葉運命への分化に適している濃度でFGF2を含有する培地において胚体内胚葉細胞をインキュベートすることを含む、請求項1から17のいずれかに記載の使用。
【請求項１９】
肝臓内胚葉細胞を調製するための方法であって、0.1〜16ng/ml FGF2を含有する培地において、2〜20日間胚体内胚葉細胞をインキュベートする段階を含むインビトロでの方法。
【請求項２０】
請求項19に記載の方法により入手可能である肝臓内胚葉細胞。
【請求項２１】
請求項6から8のいずれか一項に記載の特徴を有する、請求項20に記載の肝臓内胚葉細胞。
【請求項２２】
膵臓内胚葉細胞を調製するための方法であって、16〜150ng/ml FGF2を含有する培地において、2〜20日間胚体内胚葉細胞をインキュベートする段階を含むインビトロでの方法。
【請求項２３】
請求項22に記載の方法により入手可能な膵臓内胚葉細胞。
【請求項２４】
請求項10から13のいずれか一項に記載の特徴を有する、請求項23に記載の膵臓内胚葉細胞。
【請求項２５】
腸および/または肺内胚葉細胞を調製するための方法であって、150〜500ng/ml FGF2を含有する培地において、2〜20日間胚体内胚葉細胞をインキュベートする段階を含むインビトロでの方法。
【請求項２６】
請求項25に記載の方法により入手可能な腸および/または肺内胚葉細胞。
【請求項２７】
請求項14から17のいずれか一項に記載の特徴を有する、請求項26に記載の腸および/または肺内胚葉細胞。
【請求項２８】
FGFRを誘導する段階を含む、肝臓、膵臓または腸内胚葉細胞を調製するためのインビトロでの方法。
【請求項２９】
FGFRがFGFR1、FGFR2、FGFR3および/またはFGFR4である、請求項28に記載の方法。
【請求項３０】
前記FGFRがFGFを胚体内胚葉細胞の培養物に添加することにより誘導される、請求項28または29に記載の方法。
【請求項３１】
MAPKシグナル伝達経路がFGFR誘導により活性化される、請求項28から30のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３２】
i)請求項6から8のいずれか一項に記載の特徴を有する肝臓内胚葉細胞、ii)請求項10から13のいずれか一項に記載の特徴を有する膵臓内胚葉細胞、またはiii)請求項15から17のいずれか一項に記載の特徴を有する腸および/もしくは肺細胞を調製するための、請求項28から31のいずれか一項に記載のインビトロでの方法。
【請求項３３】
前記膵臓内胚葉細胞が、増殖についてのマーカーを発現する前駆体細胞を含む、請求項22から24のいずれかに記載のインビトロでの方法。
【請求項３４】
増殖についてのマーカーがMKI67、PH3またはBrduである、請求項33に記載の方法。
【請求項３５】
前記膵臓内胚葉細胞が、増殖についてのマーカーを発現する前駆体細胞を含む、請求項9から13のいずれかに記載の使用。
【請求項３６】
増殖についてのマーカーがMKI67、PH3またはBrduである、請求項35に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下からなる群より選択されるアミノ酸配列を含む、細胞傷害性Ｔリンパ球（ＣＴＬ）誘導能を有する１５アミノ酸未満の単離されたペプチド：
（ａ）  ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４、２、３、７、および１２からなる群より選択されるアミノ酸配列；ならびに
（ｂ）  １個、２個、または数個のアミノ酸が置換、挿入、欠失、および／または付加されている、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４、２、３、７、および１２からなる群より選択されるアミノ酸配列。
【請求項２】
以下の特徴の一方または両方を有する、請求項１記載の単離されたペプチド：
（ａ）  ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４、２、３、７、および１２からなる群より選択されるアミノ酸配列のＮ末端から２番目のアミノ酸が、フェニルアラニン、チロシン、メチオニン、およびトリプトファンからなる群より選択されるアミノ酸であるように改変されている；ならびに
（ｂ）  ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４、２、３、７、および１２からなる群より選択されるアミノ酸配列のＣ末端のアミノ酸が、フェニルアラニン、ロイシン、イソロイシン、トリプトファン、およびメチオニンからなる群より選択されるアミノ酸であるように改変されている。
【請求項３】
以下の特徴の一方または両方を有する、請求項１記載の単離されたペプチド：
（ａ）  ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４のＮ末端から２番目のアミノ酸が、ロイシンおよびメチオニンからなる群より選択されるアミノ酸であるように改変されている；ならびに
（ｂ）  ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：４のＣ末端のアミノ酸が、バリンおよびロイシンからなる群より選択されるアミノ酸であるように改変されている。
【請求項４】
ノナペプチドまたはデカペプチドである、請求項１〜３のいずれか一項記載の単離されたペプチド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをコードする、単離されたポリヌクレオチド。
【請求項６】
ＣＴＬを誘導するための組成物であって、以下の（ａ）〜（ｄ）からなる群より選択される有効成分を含む組成物：
（ａ）  請求項１〜４のいずれか一項記載の１種もしくは複数種のペプチド；
（ｂ）  請求項５記載の１種もしくは複数種のポリヌクレオチド；
（ｃ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するＡＰＣ；および
（ｄ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するエキソソーム。
【請求項７】
がんの治療および／もしくは予防のための、ならびに／または術後のその再発の予防のための薬学的組成物であって、以下の（ａ）〜（ｅ）からなる群より選択される有効成分を含む薬学的組成物：
（ａ）  請求項１〜４のいずれか一項記載の１種もしくは複数種のペプチド；
（ｂ）  請求項５記載の１種もしくは複数種のポリヌクレオチド；
（ｃ）請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するＡＰＣ；
（ｄ）請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するエキソソーム；および
（ｅ）請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドを標的とするＣＴＬ。
【請求項８】
ＨＬＡ抗原がＨＬＡ−Ａ２４またはＨＬＡ−Ａ２である対象への投与のために製剤化される、請求項７記載の薬学的組成物。
【請求項９】
がんを治療するために製剤化される、請求項７または８記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
ＣＴＬ誘導能を有する抗原提示細胞（ＡＰＣ）を誘導するためのインビトロの方法であって、以下からなる群より選択される段階を含む方法：
（ａ）  ＡＰＣを、請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドとインビトロまたはエクスビボで接触させる段階、および
（ｂ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをコードするポリヌクレオチドを、ＡＰＣに導入する段階。
【請求項１１】
ＣＴＬを誘導するためのインビトロの方法であって、以下からなる群より選択される段階を含む方法：
（ａ）  ＣＤ８陽性Ｔ細胞を、ＨＬＡ抗原と請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドとの複合体をその表面上に提示するＡＰＣと共培養する段階；
（ｂ）  ＣＤ８陽性Ｔ細胞を、ＨＬＡ抗原と請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドとの複合体をその表面上に提示するエキソソームと共培養する段階；および
（ｃ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドに結合することができるＴ細胞受容体（ＴＣＲ）サブユニットポリペプチドをコードするポリヌクレオチドを含む遺伝子を、Ｔ細胞に導入する段階。
【請求項１２】
ＨＬＡ抗原と請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドとの複合体をその表面上に提示する、単離されたＡＰＣ。
【請求項１３】
請求項１０記載の方法によって誘導される、請求項１２記載のＡＰＣ。
【請求項１４】
請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドを標的とする、単離されたＣＴＬ。
【請求項１５】
請求項１１記載の方法によって誘導される、請求項１４記載のＣＴＬ。
【請求項１６】
対象においてがんに対する免疫応答を誘導するための組成物であって、以下の（ａ）〜（ｅ）からなる群より選択される有効成分を含む組成物；
（ａ）  請求項１〜４のいずれか一項記載の１種もしくは複数種のペプチド；
（ｂ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをコードする１種もしくは複数種のポリヌクレオチド；
（ｃ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するＡＰＣ；
（ｄ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをその表面上に提示するエキソソーム；および
（ｅ）  請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドを標的とするＣＴＬ。
【請求項１７】
請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドに対する抗体またはその断片。
【請求項１８】
請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチドをコードするヌクレオチド配列を含む発現ベクター。
【請求項１９】
請求項１８記載の発現ベクターを用いて形質転換またはトランスフェクトされた宿主細胞。
【請求項２０】
請求項１〜４のいずれか一項記載のペプチド、請求項７記載のポリヌクレオチド、または請求項１７記載の抗体を含む、診断キット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体およびガスの少なくとも一方を収容できる内部領域を画成する圧力容器；
前記内部領域に結合されてそれと流体連通するアクチュエータであって、前記内部領域に前記液体を投入して前記ガスを圧縮し、かつ前記内部領域から前記圧縮ガスを排出させる第１の動作モードと、前記内部領域で圧縮ガスが受け取られ、前記内部領域から前記アクチュエータまで前記液体を変位させる第２の動作モードとを有するアクチュエータ；および
前記圧力容器内に配置され、および、前記アクチュエータが前記第１のモードで動作しているときには前記ガスから前記液体に熱エネルギーを伝達し、前記アクチュエータが前記第２のモードで動作しているときには前記液体から前記ガスに熱エネルギーを伝達するように構成された熱伝達装置
を含むシステム。
【請求項２】
前記アクチュエータが、前記第２のモードで動作しているときには発電機を駆動して電力を生成するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記圧力容器に結合された貯蔵構造であって、前記第１のモードで動作しているときには、前記内部領域から排出された前記圧縮ガスを受け取って収容するように構成された貯蔵構造
をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記圧力容器が第１の圧力容器であり、前記内部領域が第１の内部領域であり、前記システムが：
液体およびガスの少なくとも一方を収容できる第２の内部領域を画成する第２の圧力容器
をさらに含み、
前記アクチュエータが前記第２の内部領域に結合されてそれと流体連通しており、前記アクチュエータ、前記第１の内部領域、および前記第２の内部領域が前記液体の容積を集合的に収容し、前記アクチュエータが、前記第１のモードで動作しているときには、前記液体の容積を前記第２の内部領域から前記第１の内部領域へ移動させて前記ガスを圧縮し、かつ前記第１の内部領域から前記圧縮ガスを排出させ、同時に前記第２の内部領域にガスを引き入れるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第１の動作モードが第１の圧縮モードであり、前記アクチュエータが、第２の圧縮モードで動作しているときには、前記液体の容積を前記第１の内部領域から前記第２の内部領域へ移動させて前記ガスを圧縮し、かつ前記第２の内部領域から前記圧縮ガスを排出させ、同時に前記第１の内部領域にガスを引き入れるようにさらに構成されている、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記熱伝達装置が、前記圧力容器内部に位置決めされた複数のディバイダを含んで前記内部領域を複数の小領域に分割している、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記複数のディバイダの少なくとも１つに配置されたタービュレーター、及び／又は、前記複数のディバイダの少なくとも１つに配置された熱伝達フィンをさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記熱伝達装置が第１の熱伝達装置であり、かつ、前記内部領域に収容された前記液体または前記ガスの少なくとも一方と前記圧力容器の外部環境との間で熱エネルギーを伝達するように構成された第２の熱伝達装置をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
液体またはガスの少なくとも一方を収容できる第２の圧力容器をさらに含み、
前記アクチュエータは、前記第１の圧力容器および前記第２の圧力容器に結合されてそれらと流体連通し、前記アクチュエータ、前記第１の圧力容器、および前記第２の圧力容器が前記液体の容積を集合的に収容し、前記アクチュエータが、第１の圧縮モードで動作しているときには、前記第２の圧力容器から前記第１の圧力容器へ前記液体の容積を移動させて前記ガスを圧縮し、かつ前記第１の圧力容器から前記圧縮ガスを排出させ、同時に前記第２の圧力容器にガスを引き入れるように構成され、前記アクチュエータが、第２の圧縮モードで動作しているときには、前記第１の圧力容器から前記第２の圧力容器へ前記液体の容積を移動させて前記ガスを圧縮し、かつ前記第２の圧力容器から前記圧縮ガスを排出させ、同時に前記第１の圧力容器にガスを引き入れるように構成されている、請求項１−８のいずれか１項に記載のシステム。
【請求項１０】
前記第１の圧力容器に結合されてそれと流体連通する、液体またはガスの少なくとも一方を収容できる第３の圧力容器であって、前記第１の圧力容器から排出された前記圧縮ガスを受け取るように構成されている第３の圧力容器
をさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記第１の圧力容器および前記第２の圧力容器に結合されてそれらと流体連通する貯蔵構造であって、前記第１の圧力容器および前記第２の圧力容器から排出された前記圧縮ガスを受け取るように構成されている貯蔵構造
をさらに含む、請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
圧縮ガスによるエネルギー貯蔵及び回収システムの熱効率を制御する方法であって、
前記システムが、ガス圧縮／膨張装置、アクチュエータ、及び圧力容器を含み、
前記圧力容器は、液体およびガスを収容できる内部領域を有し、
前記液体と前記気体との間で熱を伝達する熱伝達装置が前記圧力容器内に配置され、
前記アクチュエータは、前記内部領域に前記液体を投入する第１の動作モードと、前記内部領域に圧縮ガスを受け入れて膨張させる第２の動作モードとを有し、
前記内部領域内のガスを第１の圧力から該第１の圧力よりも高い第２の圧力に圧縮するために前記液体を前記内部領域内に移動させるステップと、
前記ガスの圧縮により生成された熱エネルギーを前記ガスから前記熱伝達装置に伝達するステップと、
熱エネルギーが前記ガスから伝達される前記熱伝達装置の一部に前記液体の少なくとも一部を接触させるステップと、
前記熱エネルギーを前記熱伝達装置から前記液体に伝達するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記内部領域に圧縮ガスを受け入れるステップと、
前記内部領域内に受け入れた圧縮ガスを第３の圧力から該第３の圧力よりも低い第４の圧力に膨張させるステップと、
熱エネルギーを前記液体から前記熱伝達装置に伝達するステップと、
前記熱伝達装置に蓄えられた熱エネルギーを前記熱伝達装置から膨張ガスに伝達するステップと、
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アクチュエータが発電機を駆動して、前記内部領域に入る前記膨張ガスによって変位された前記液体から電力を生成する、
請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ及び画像センサを有する画像を記録するためのカメラであって、光軸に沿った前記レンズと前記画像センサとの間の距離と、焦点距離との比が、撮像の露出時間の間に変化するカメラにおいて、カメラは
Ｖｓｗｅｅｐ＊Ａ／ｂ２＞０．２５ｓｅｃ−１
を満たすように前記比を変化させることを特徴とし、ここで、Ｖｓｗｅｅｐは光軸に沿った前記センサの動き及び／若しくはレンズの動き並びに／又は秒あたりの焦点距離の変化であり、Ａは前記レンズの絞り値であり、ｂはレンズとセンサとの間の距離である、カメラ。
【請求項２】
Ｖｓｗｅｅｐ＊Ａ／ｂ２が０．５ｓｅｃ−１より大きい、請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
Ｖｓｗｅｅｐ＊Ａ／ｂ２が１５ｓｅｃ−１より小さい、請求項１に記載のカメラ。
【請求項４】
露出時間が０．００５秒と０．０５秒との間である、請求項１乃至３の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項５】
Ｖｓｗｅｅｐが線形である、請求項１乃至４の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項６】
焦点深度の全ての可能な範囲を超えた位置に前記センサが到達するように前記比が変化する、請求項１乃至５の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項７】
前記光軸に沿った対向する前記センサと焦点面との変位が、少なくとも露出時間の上半分の範囲の時間において、露出時間に依存する、請求項１乃至６の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項８】
前記レンズの少なくとも一つの特性が変化する、請求項１乃至７の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項９】
被写体との距離を測定する手段を有し、Ｖｓｗｅｅｐが測定された距離に依存する、請求項１乃至８の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項１０】
カメラがビデオカメラであって、露出の間の動きが一方向のみである、請求項１乃至９の何れか一項に記載のカメラ。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか一項に記載のカメラを有する、画像を記録するためのシステムであって、デコンボリューションのための点広がり逆関数を使用して、前記カメラにより記録された画像のデコンボリューションのためのデコンボリュータを更に有する、システム。
【請求項１２】
前記デコンボリュータが、前記レンズまでの被写体の距離、被写体の速度、被写体の速度の方向、掃引レート、Ａ、ｂ、掃引距離、露出時間から成るパラメータのグループの一つ以上を入力するための入力部を持つ、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
入力のための前記パラメータのグループの少なくとも一つは、前記レンズまでの被写体の距離である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
レンズ及び画像センサを有するカメラを使用して画像を記録するための方法であって、前記レンズと前記画像センサとの間の距離と、焦点距離との比が、画像の露出時間の間に光軸に沿って変化され、画像の記録の間、
Ｖｓｗｅｅｐ＊Ａ／ｂ２＞０．２５ｓｅｃ−１
を満たすことを特徴とし、ここで、Ｖｓｗｅｅｐは光軸に沿った前記センサの動き及び／若しくはレンズの動き並びに／又は秒あたりの焦点距離の変化であり、Ａは絞り値であり、ｂは前記レンズと前記センサとの間の距離である、方法。
【請求項１５】
前記レンズまでの被写体の距離、被写体の速度、被写体の速度の方向から成るパラメータのグループの少なくとも一つ以上が測定され、Ｖｓｗｅｅｐが測定されたパラメータに依存して設定される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１４又は１５の方法を使用して記録された画像をデコンボリューションするための方法であって、デコンボリューションが点広がり逆関数を使用して実施される、方法。
【請求項１７】
前記点広がり逆関数が、入力データに依存して確立され、前記入力データは、レンズまでの被写体の距離、被写体の速度、被写体の速度の方向、掃引レート、Ａ、ｂ、掃引距離、露出時間から成るパラメータのグループの一つ以上である、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月2日(2013.5.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート、ソースおよびドレインを有する接合形電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）を駆動するための２段ゲートドライバ回路であって、
前記２段ゲートドライバ回路は、
前記接合形電界効果トランジスタのスイッチングと同期する入力制御パルス信号を受け取るための入力部、
前記接合形電界効果トランジスタの少なくとも導電状態の間に、前記接合形電界効果トランジスタに前方のゲート電流を、入力制御パルス信号に応じて与える第１ターンオン回路、
前記接合形電界効果トランジスタのターンオンステージの少なくとも一部の間にゲートに荷電する電流を、入力制御パルス信号に応じて与える第２ターンオン回路であって、前記電流は前方のゲート電流よりも比較的高い、第２ターンオン回路、および、
プルダウン回路、を有し、
第１ターンオン回路、第２ターンオン回路およびプルダウン回路は、入力部とＪＦＥＴのゲートとの間で並列に電気的に接続され、
接合形電界効果トランジスタのターンオンステージの少なくとも一部の間にゲートに荷電する電流は、前方のゲート電流が第1のターンオン回路によって与えられる間に終わるパルスである、ことを特徴とする２段ゲートドライバ回路。
【請求項２】
前記第１ターンオン回路が、
ゲート、第１の抵抗器を介してＪＦＥＴに電気的に接続されたソース、および、第１の正の電圧を供給するための第１電流源に電気的に接続されたドレインを有する第１のスイッチと、
入力部と第１のスイッチのゲートとの間で電気的に接続されたパルス発生器、を含むことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項３】
前記パルス発生器は、前記入力制御パルス信号と同期する対応する制御パルス信号を発生させることによって、前記入力制御パルス信号の供給に反応する、ことを特徴とする請求項２に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項４】
発生した制御パルス信号は、前記入力制御パルス信号のパルスオン持続時間の１５％に等しい、または、それ未満である第１のパルス持続時間を有する、ことを特徴とする請求項３に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項５】
発生した制御パルス信号のパルス持続時間は手動で調整可能である、ことを特徴とする請求項４に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項６】
発生した制御パルス信号は、ＪＦＥＴからのフィードバック信号に従って自動的に調整可能な、発生した制御パルス信号の第１のパルス持続時間を有する、ことを特徴とする請求項４に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項７】
前記第２ターンオン回路は、
入力部に電気的に接続されたゲートを有する第２のスイッチ、
第２の抵抗器Ｒ１を介してＪＦＥＴに電気的に接続されたソース、および、
第２の正の電圧を供給するための第２電流源に電気的に接続されたドレインを有する、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項８】
前記プルダウン回路が、
ゲートを有する第３のスイッチ、
負の電圧を供給するための第３電流源に電気的に接続されたソース、および、
第３の抵抗器を介してＪＦＥＴのゲートに電気的に接続されたドレイン、および、
入力部と第３のスイッチのゲートとの間で電気的に接続されたインバータ、
を含む、ことを特徴とする請求項７に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項９】
前記第１ターンオン回路は、第１電流源とＪＦＥＴのゲートとの間で第１の抵抗器を介して電気的に接続され、第１電流源は、第１の正の電圧を供給するために適している、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１０】
前記第１ターンオン回路は、前記入力制御パルス信号に応じて、前記制御パルス信号のパルス持続時間の１５％と等しい、または、それ未満である第１の持続時間の間、オンにされ、
前記第１ターンオン回路は、前記入力制御パルス信号に応じて、パルスオフ持続時間の間、オフにされる、ことを特徴とする請求項９に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１１】
前記第２ターンオン回路は、第２電流源とＪＦＥＴのゲートとの間で第２の抵抗器を介して電気的に接続され、ここで、第１の抵抗器の抵抗は、第２の抵抗器の抵抗よりも大きく、および、前記第２電流源は第２の正の電圧を供給するために適している、ことを特徴とする請求項１０に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１２】
前記第１電流源および前記第２電流源は、単一の電流源に、または、２つの異なる電流源に対応する、ことを特徴とする請求項１１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１３】
前記プルダウン回路は、第３電流源とＪＦＥＴのゲートとの間で、第３の抵抗器を介して電気的に接続され、前記第３電流源は、負の電圧を供給するために適している、ことを特徴とする請求項１１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１４】
前記ＪＦＥＴが、ワイドバンドギャップＪＦＥＴまたはＳｉＣ  ＪＦＥＴである、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１５】
前記前方のゲート電流と、ゲートに荷電する電流は、本質的に同時に始まる、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１６】
前方のゲート電流の開始は、ゲートに荷電する電流の開始に近づくように、遅らせる、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１７】
前記第１ターンオン回路と前記第２ターンオン回路は単一のＩＣである、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１８】
前記接合形電界効果トランジスタのターンオンステージの少なくとも一部の間にゲートに荷電する電流は、ゲート電圧のオーバーシュートを引き起こす、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項１９】
前記接合形電界効果トランジスタのターンオンステージの少なくとも一部の間にゲートに荷電する電流は、接合形電界効果トランジスタの少なくともターンオンステージまでは続くパルスである、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項２０】
前記パルスは１００ｎｓ未満だけターンオン時間を超える、ことを特徴とする請求項１９に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項２１】
前記第１ターンオン回路は、前記接合形電界効果トランジスタのゲートによって必要とされる電圧にまで電圧を下げる間に前方のゲート電流をセットするのに適した大きさの限流抵抗器を備える、ことを特徴とする請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【請求項２２】
前記プルダウン回路は、前記接合形電界効果トランジスタを引き下げる際に入力制御パルス信号の補数を用いる、請求項１に記載の２段ゲートドライバ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６２】
請求項５７に記載の冷却される電子システムであって、
前記第四の通路から前記第五の冷却液を受けるための第五の通路と、第六の冷却液を受けてヒートシンクに連結させる第六の通路を有する第四の熱伝達装置をさらに備え、
前記第四の熱伝達装置は、前記第五の通路と前記第六の通路の間で熱を伝えるように構成されている、
電子システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電チャックにおいて、
基板を前記静電チャックに静電的にクランプする目的で電荷を形成するために電極内の電圧によって活性化される表面層を備えており、前記表面層は、複数のポリマー突起と、前記複数のポリマー突起が接着する電荷制御層と、を含んでおり、前記複数のポリマー突起は、前記基板の静電クランプの間、前記基板を前記複数のポリマー突起上で支持するために前記複数のポリマー突起を取り囲む前記電荷制御層の一部より上方の高さまで伸張している、静電チャック。
【請求項２】
前記複数のポリマー突起が作られるポリマーは、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリイミドを備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記電荷制御層は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）でできている、請求項２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記電荷制御層は、第２のポリマーでできている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記電荷制御層は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、またはポリイミドでできている、請求項４に記載の静電チャック。
【請求項６】
前記電荷制御層の下にある接着剤層を更に備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記接着剤層は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を備えている、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項８】
接着被覆層を更に備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項９】
前記接着被覆層は、ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論的ケイ素を含有する窒化物、非化学量論的ケイ素を含有する酸化物、非化学量論的ケイ素を含有する炭化物、炭素及び炭素の窒化化合物の少なくとも１つを備えている、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記接着被覆層は、ＳｉＯｘＮｙ、窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭化ケイ素及びダイヤモンド様炭素の少なくとも１つを備えている、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記接着被覆層は、前記静電チャックの縁の少なくとも一部の周囲を取り囲む金属還元層を備えるように伸張している、請求項８に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記静電チャックの誘電体層を前記静電チャックの絶縁層に接合するセラミック対セラミックの接合層を更に備えており、前記セラミック対セラミック接合層は、第３のポリマーを備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記第３のポリマーは、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及び変性ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の少なくとも１つを備え、または前記第３のポリマーは、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）、フッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）及びポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを備えている、請求項１２に記載の静電チャック。
【請求項１４】
前記変性ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）は、ペルフルオロアルコキシ（ＰＦＡ）及びフッ素化エチレンプロピレン（ＦＥＰ）の少なくとも１つを備えている、請求項１３に記載の静電チャック。
【請求項１５】
前記電荷制御層は、平方当たり約１０８オームから平方当たり約１０１１オームの間の表面抵抗率を備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１６】
ポリマーを備えるガスシールリングを更に備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１７】
前記ガスシールリングは、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミド又はポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）の少なくとも１つを備えている、請求項１６に記載の静電チャック。
【請求項１８】
前記複数のポリマー突起ができている前記ポリマーは、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）を備えており、前記電荷制御層は、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）でできており、前記静電チャックは、ケイ素を含有する窒化物、ケイ素を含有する酸化物、ケイ素を含有する炭化物、非化学量論的ケイ素を含有する窒化物、非化学量論的ケイ素を含有する酸化物、非化学量論的ケイ素を含有する炭化物、炭素及び炭素の窒化化合物の少なくとも１つを備える、接着被覆層を備えている、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項１９】
前記静電チャックの誘電体層を前記静電チャックの絶縁層に接合するセラミック対セラミックの接合層を更に備えており、前記セラミック対セラミックの接合層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及び変性ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）の少なくとも１つを備えている、請求項１８に記載の静電チャック。
【請求項２０】
前記電荷制御層は、平方当たり約１０８オームから平方当たり約１０１１オームの間の表面抵抗率を備えている、請求項１８に記載の静電チャック。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードと；
光活性層と；
電子輸送層と；
１０〜５０Åの範囲内の厚さを有する電子トンネル層と；
カソードと
を含む有機電子デバイス。
【請求項２】
アノードと；
正孔注入層と；
正孔輸送層と；
発光層と；
電子輸送層と；
１０〜５０Åの範囲内の厚さを有する電子トンネル層と；
カソードと
から実質的になる、有機電子デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
別々の実施形態の状況において、明確にするために本明細書に記載されている特定の複数の特徴は、１つの実施形態の中で組み合わせても提供できることを理解されたい。逆に、簡潔にするため１つの実施形態の状況において説明した種々の特徴も、別々に提供したり、あらゆる副次的な組み合わせで提供したりすることができる。さらに、ある範囲内にあると記載される値への言及は、その範囲内のありとあらゆる値を含んでいる。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
［１］  アノードと；
光活性層と；
電子輸送層と；
１０〜５０Åの範囲内の厚さを有する電子トンネル層と；
カソードと
を含む有機電子デバイス。
［２］  前記電子トンネル層が１４〜３５Åの範囲内の厚さを有する、［１］に記載のデバイス。
［３］  前記電子トンネル層が２０〜３０Åの範囲内の厚さを有する、［１］に記載のデバイス。
［４］  前記電子トンネル層が、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、Ｌｉ含有有機金属化合物、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｓ2ＣＯ3、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、［１］に記載のデバイス。
［５］  前記電子トンネル層が、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｓ2ＣＯ3、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料から実質的になる、［１］に記載のデバイス。
［６］  前記電子トンネル層がＬｉＦおよびＣｓＦからなる群から選択される材料から実質的になる、［１］に記載のデバイス。
［７］  前記アノードと前記光活性層との間に正孔注入層をさらに含む、［１］に記載のデバイス。
［８］  前記アノードと前記光活性層との間に正孔輸送層をさらに含む、［１］に記載のデバイス。
［９］  アノードと；
正孔注入層と；
正孔輸送層と；
発光層と；
電子輸送層と；
１０〜５０Åの範囲内の厚さを有する電子トンネル層と；
カソードと
を含む、［１］に記載のデバイス。
［１０］  前記電子トンネル層が１４〜３５Åの範囲内の厚さを有する、［９］に記載のデバイス。
［１１］  前記電子トンネル層が２０〜３０Åの範囲内の厚さを有する、［９］に記載のデバイス。
［１２］  前記電子トンネル層が、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、Ｌｉ含有有機金属化合物、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｓ2ＣＯ3、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、［９］に記載のデバイス。
［１３］  前記電子トンネル層が、ＬｉＦ、Ｌｉ2Ｏ、Ｃｓ含有有機金属化合物、ＣｓＦ、Ｃｓ2Ｏ、Ｃｓ2ＣＯ3、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料を含む、［９］に記載のデバイス。
［１４］  前記電子トンネル層がＬｉＦおよびＣｓＦからなる群から選択される材料を含む、［９］に記載のデバイス。
［１５］  アノードと；
正孔注入層と；
正孔輸送層と；
発光層と；
電子輸送層と；
１０〜５０Åの範囲内の厚さを有する電子トンネル層と；
カソードと
から実質的になる、有機電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の化学機械研磨のために中心線の周りで回転可能なキャリアヘッドアセンブリであって、
前記基板を支持するように構成されたベースアセンブリと、
前記ベースアセンブリ上に取り付けられる柔軟なメンブレンであって、基板用の取り付け面となる下側表面を具備するほぼ円形の中央部分を有する柔軟なメンブレンと、
前記ベースアセンブリと前記柔軟なメンブレンとの間に形成された独立に加圧可能な複数のチャンバであって、
環状の外側チャンバ、及び
非円形の内側チャンバ
を含む独立に加圧可能な複数のチャンバと
を備えたキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項２】
前記柔軟なメンブレンが、前記独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリに固定された１つ又は複数の柔軟なフラップをさらに含む、請求項１に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項３】
前記柔軟なメンブレンが、前記独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリに固定された長円形の形状をしたフラップをさらに含む、請求項１に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項４】
前記柔軟なメンブレンが、前記独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリに固定された三角形の形状をしたフラップをさらに含む、請求項１に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項５】
前記柔軟なメンブレンが、前記独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリに固定された星形の形状をしたフラップをさらに含み、前記非円形の内側チャンバが、前記環状の外側チャンバに対して同心に配置される、請求項１に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項６】
前記非円形の内側チャンバが前記中心線に対して中心を外して配置される、請求項１に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項７】
前記非円形の内側チャンバが、前記独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリに固定された、星形の形状をしたフラップ、三角形の形状をしたフラップ、及び長円形の形状をしたフラップからなる群から選択されるフラップによって画定される、請求項６に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項８】
前記非円形の内側チャンバが前記環状の外側チャンバに対して同心に配置される、請求項３に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項９】
前記非円形の内側チャンバが前記環状の外側チャンバに対して同心に配置される、請求項４に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項１０】
前記１つ又は複数の柔軟なフラップが環状のクランプリングによって前記ベースアセンブリに固定される、請求項２に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項１１】
前記柔軟なメンブレンの環状の外縁部分が前記環状のクランプリングによって前記ベースアセンブリに固定され、前記環状の外縁部分が保持リングと前記ベースアセンブリとの間にクランプされる、請求項１０に記載のキャリアヘッドアセンブリ。
【請求項１２】
化学機械研磨キャリアヘッドアセンブリのベースアセンブリと連結するための柔軟なメンブレンであって、
内側表面と、基板用の取り付け面となる外側表面とを有する中央部分、
ベースアセンブリと連結するために、前記取り付け面から遠くへ延びる環状の外縁部分、及び
前記中央部分の前記内側表面から延びる１つ又は複数の非円形の内側フラップであって、前記１つ又は複数の非円形の内側フラップが、独立に加圧可能な複数のチャンバを形成するために前記ベースアセンブリとの連結のために構成されている、１つ又は複数の非円形の内側フラップ
を備えた柔軟なメンブレン。
【請求項１３】
前記１つ又は複数の内側フラップが、星形の形状をしたフラップ、三角形の形状をしたフラップ、及び長円形の形状をしたフラップからなる群から選択される、請求項１２に記載の柔軟なメンブレン。
【請求項１４】
前記１つ又は複数の非円形の内側フラップが、前記環状の外縁部分に対して同心でない、請求項１２に記載の柔軟なメンブレン。
【請求項１５】
前記１つ又は複数の内側フラップが、星形の形状をしたフラップ、三角形の形状をしたフラップ、及び長円形の形状をしたフラップからなる群から選択される、請求項１４に記載の柔軟なメンブレン。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）時を刻むクロックと、
（ｂ）時間更新を受け取り記憶する不揮発性メモリであって、前記クロックのデフォルト時間が前記メモリに最後に記録した時刻として動的に更新される、不揮発性メモリと、
（ｃ）プロセッサが、複数のカメラ動作のどれかが発生すると、時間更新を前記不揮発性メモリに記録するよう指示し、パワーロス後、前記クロックが前記デフォルト時間にリセットされ、前記カメラ動作は最後のパワーダウンの時間であり、
（ｄ）前記デフォルト時間は、最後のパワーダウンの時間に更新され、前記クロックは前記更新されたデフォルト時間に基づきカウントを開始し、
（ｅ）前記パワーロスの前後に、時間順に記憶された画像を有するメモリとを有する、
デジタルカメラ。
【請求項２】
前記クロックが一時的に時を刻むのをやめてからクロック供給動作を回復したとき、前記クロックを前記デフォルト時間にリセットする、請求項１に記載のデジタルカメラ。
【請求項３】
前記クロックはリセットされると連続して時を刻み、前記連続して時を刻むクロックの時間を記録し、キャプチャした画像と関連づける、請求項２に記載のデジタルカメラ。
【請求項４】
（ａ）時を刻むクロックと、
（ｂ）時間更新を受け取り記憶する不揮発性メモリであって、前記クロックのデフォルト時間が前記メモリに最後に記録した時刻として動的に更新される、不揮発性メモリと、
（ｃ）プロセッサが、複数のカメラ動作のどれかが発生すると、時間更新を前記不揮発性メモリに記録するよう指示し、パワーロス後、前記クロックが前記デフォルト時間にリセットされ、前記カメラ動作は最後の撮影の時間であり、
（ｄ）前記デフォルト時間は、最後の撮影の時間に更新され、前記クロックは前記更新されたデフォルト時間に基づきカウントを開始し、
（ｅ）前記パワーロスの前後に、時間順に記憶された画像を有するメモリとを有する、
デジタルカメラ。
【請求項５】
（ａ）時を刻むクロックと、
（ｂ）時間更新を受け取り記憶する不揮発性メモリであって、前記クロックのデフォルト時間が前記メモリに最後に記録した時刻として動的に更新される、不揮発性メモリと、
（ｃ）プロセッサが、複数のカメラ動作のどれかが発生すると、時間更新を前記不揮発性メモリに記録するよう指示し、パワーロス後、前記クロックが前記デフォルト時間にリセットされ、前記カメラ動作は最後の画像編集の時間であり、
（ｄ）前記デフォルト時間は、最後の画像編集の時間に更新され、前記クロックは前記更新されたデフォルト時間に基づきカウントを開始し、
（ｅ）前記パワーロスの前後に、時間順に記憶された画像を有するメモリとを有する、
デジタルカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）散乱特性と本質的に非変換特性とを有する第１の層、及び
ｂ）一次光源と前記第１の層との間の光路内にあり、変換特性を有する第２の層、
を有する少なくとも１つの散乱及び変換板を有する、照明システムであって、
前記第１の層の厚さＡ及び前記第２の層の厚さＢは、
Ａ≧３＊Ｂ
を満たし、
前記第１の層は、本質的にセラミック材料から作られ、前記セラミック材料は、理論的密度の９０％以上、且つ、１００％以下の密度を有し、
前記第２の層の厚さＢは、５μｍ以上、かつ、８０μｍ以下であり、
前記第１の層の厚さＡは、５０μｍ以上、かつ、１０００μｍ以下である、照明システム。
【請求項２】
前記第２の層は、本質的にセラミック材料から作られる、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記第１の層Ａの散乱係数は、０ｃｍ―１よりも大きく、かつ、１０００ｃｍ―１以下である、請求項１又は２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記第１の層及び前記第２の層の屈折率間の屈折率の差Δｎは、０．０３以上、かつ、１以下である、請求項１乃至３の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項５】
前記板は、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられると共に本質的に接着材から作られる第３の層を有している、請求項１乃至４の何れか一項に記載の照明システム。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の照明システムを有するシステムであって、
−  オフィス照明システム、
−  家庭用途システム
−  店舗照明システム、
−  家庭照明システム、
−  アクセント照明システム、
−  スポット照明システム、
−  劇場照明システム、
−  ファイバーオプティックス用途システム、
−  投影システム、
−  自己発光表示器システム、
−  ピクセル化された表示器システム、
−  分割された表示器システム、
−  警告標識システム、
−  医学的な照明用途システム、
−  指標標識システム、
−  装飾的な照明システム、
−  携帯型システム、
−  自動車用途、及び
−  温室照明システム
の少なくとも１つにおいて使用されるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変換器であって、
コア柱（１．２、１．３）の周りに同心円状に組み立てられた少なくとも一つの高電圧巻線（３）及び少なくとも一つの低電圧巻線（２）と、
二つの前記コア柱（１．２、１．３）の間のスペースとして定められるコア窓（２０）とを備え、
前記低電圧巻線（２）及び前記高電圧巻線（３）は、固体物質から電気的に絶縁され、
前記変換器は、少なくとも前記変換器のコア窓（２０）に組み立てられた少なくとも一つの、固形の電気絶縁シート（４）を備え、前記電気絶縁シート（４）の前記組み立てを前記変換器の長手方向（３００）に定めることを特徴とする、水中用乾式分配変換器。
【請求項２】
前記電気絶縁シート（４）の前記組み立ては、前記変換器の前記長手の軸（３００）に対して向かい合う方向に等しく分けられた、変換器の第１のサイド（１００）及び変換器の第２のサイド（２００）を定め、
前記電気絶縁シート（４）は、前記変換器が浸水したときに、前記コア窓（２０）を介して、前記変換器の第１のサイド（１００）を前記変換器の第２のサイド（２００）から電気的に絶縁するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の変換器。
【請求項３】
前記変換器は、前記低電圧巻線（２）と前記高電圧巻線（３）の間、前記低電圧巻線（２）及び前記高電圧巻線（３）と前記コア柱（１．２、１．３）の間、並びに前記低電圧巻線（２）及び前記高電圧巻線（３）の内部に存在するスペースとして定められる冷却チャネル（２５）を備えることを特徴とする請求項１に記載の変換器。
【請求項４】
前記電気絶縁シート（４）は、樹脂及びガラスファイバーで作られた絶縁物質により構成されることを特徴とする請求項３に記載の変換器。
【請求項５】
前記電気絶縁シート（４）は、シリコーン材料を用いる前記低電圧巻線（２）及び前記高電圧巻線（３）に対して遮断されることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の変換器。
【請求項６】
前記電気絶縁シート（４）は、厚さ4mmのシートにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の変換器。
【請求項７】
前記変換器は、単相変換器又は三相変換器であることを特徴とする請求項１に記載の変換器。
【請求項８】
変換器であって、
コア柱（１．２、１．３）の周りに同心円状に組み立てられた少なくとも一つの高電圧巻線（３）及び少なくとも一つの低電圧巻線（２）を備え、
前記変換器は、前記変換器が浸水したときに、変換器の第１のサイド（１００）から変換器の第２のサイド（２００）への液体の通過及び導電性のらせんの形成を遮るように構成された少なくとも一つの電気絶縁シート（４）を備え、前記変換器の第１のサイド（１００）及び前記変換器の第２のサイド（２００）は、前記変換器の長手の軸（３００）に対して向かい合う方向に等しく分けられることを特徴とする、水中用乾式分配変換器。
【請求項９】
前記液体は、水であることを特徴とする請求項８に記載の変換器。