(57)【要約】【課題】  洗浄時において微細化したパーティクルの再付着防止性や指紋などの有機物の洗浄性に優れ、効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。【解決手段】  炭素数６〜２４の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ１）および炭素数８〜３６の脂肪族第２級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ２）からなる群から選ばれる１種以上のアルキレンオキサイド付加物（Ａ）、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、（Ａ）が１０〜１６のＨＬＢ値を有し、（Ｂ）がスルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有する高分子型アニオン性界面活性剤であることを特徴とするエレクトロニクス材料用洗浄剤である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数６〜２４の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ１）および炭素数８〜３６の脂肪族第２級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ２）からなる群から選ばれる１種以上のアルキレンオキサイド付加物（Ａ）、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、（Ａ）が１０〜１６のＨＬＢ値を有し、（Ｂ）がスルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有する高分子型アニオン性界面活性剤であることを特徴とするエレクトロニクス材料用洗浄剤。
【請求項２】
（Ｂ）の重量平均分子量が１，０００〜１，０００，０００である請求項１記載の洗浄剤。
【請求項３】
（Ａ）の含有量が、洗浄剤の重量に基いて０．１〜２０重量％である請求項１または２記載の洗浄剤。
【請求項４】
（Ａ）に対する（Ｂ）の重量比が０．０５〜３である請求項１〜３のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項５】
さらにアルカリ成分（Ｄ）を含み、ｐＨが９〜１４である請求項１〜４のいずれか記載の洗浄剤。
【請求項６】
（Ｄ）が、一般式（１）で示される有機アルカリである請求項５記載の洗浄剤。
【化１】
2008135576.tif 000004
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ5Ｏ）p−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数を表す。〕
【請求項７】
アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の合計含有量が洗浄剤の重量に基づいて０．０１重量％以下ある請求項６記載の洗浄剤。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか記載の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法。
【請求項９】
エレクトロニクス材料が液晶パネル用基板、半導体用基板、ＨＤＤ用基板または光学レンズである請求項８記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロニクス材料用洗浄剤に関するものである。さらに詳しくは、エレクトロニクス材料を汚染することなく、また微小なパーティクルの除去性に優れたエレクトロニクス材料用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、ＨＤＤ用基板、プリント配線基板および光学レンズなどのエレクトロニクス材料の洗浄技術において、近年、超ＬＳＩなどに代表される微細加工技術の進歩につれて、エレクトロニクス材料、特に基板上に残存する微量のパーティクルや有機物がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、洗浄時の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、最近ではより微粒子化する傾向にあり、微粒子化したパーティクルは、さらに界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
このため従来から、これらのパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法（特許文献１、２）が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１３８１４２号公報
【特許文献２】特開平６−４１７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１で提案されている界面活性剤は、非イオン界面活性剤であるため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が不十分である。また、上記特許文献２で提案されている界面活性剤は、アニオン性界面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの微細化したパーティクルの除去性が不十分である。
【０００５】
従って、本発明の目的とするところは、洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にするエレクトロニクス材料用洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決するエレクトロニクス材料用洗浄剤を得るべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
【０００７】
すなわち本発明は、炭素数６〜２４の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ１）および炭素数８〜３６の脂肪族第２級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ２）からなる群から選ばれる１種以上のアルキレンオキサイド付加物（Ａ）、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）並びに水（Ｃ）を含有してなるエレクトロニクス材料用洗浄剤であって、（Ａ）が１０〜１６のＨＬＢ値を有し、（Ｂ）がスルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有する高分子型アニオン性界面活性剤であることを特徴とするエレクトロニクス材料用洗浄剤；および、該洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄および枚葉式洗浄からなる群より選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法；である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明のエレクトロニクス材料用洗浄剤は、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子のエレクトロニクス材料への再付着を効果的に防ぐだけでなく、特に微細化したパーティクルの除去性に優れ、有機物に対しても洗浄性に優れ、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。
さらに、本発明のエレクトロニクス材料用洗浄剤をアルカリ性にした場合でも、洗浄剤中の成分が析出することなく水中に安定に溶解するため、析出した成分が基板を汚染する心配がないという効果も有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明における炭素数６〜２４の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ１）［以下において、単に（Ａ１）と表記する場合がある］における脂肪族第１級アミンは、直鎖、分岐鎖または環状でもよく、飽和または不飽和結合をもっていてもよい炭素数６〜２４の脂肪族第１級アミンである。脂肪族第１級アミンの炭素数は、好ましくは８〜２０、さらに好ましくは８〜１２である。
脂肪族第１級アミンの具体例としては、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ウンデシルアミン、ドデシルアミン、トリデシルアミン、テトラデシルアミン、ペンタデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ヘプタデシルアミン、オクタデシルアミン、ノナデシルアミン、イコシルアミン、ヘンイコシルアミン、ドコシルアミン、トリコシルアミン、テトラコシルアミン、オクタデセニルアミンおよびオクタデカジエニルアミンや、これらの混合物である牛脂アミン、硬化牛脂アミン、ヤシ油アミン、パーム油アミンおよび大豆油アミン等動植物油由来の脂肪族第１アミンを挙げることができる。
脂肪族第１級アミンは１種または２種以上の混合物を用いてもよい。また、これらの脂肪族第１級アミンは蒸留して精製してあることが望ましい。
【００１０】
炭素数８〜３６の脂肪族第２級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ２）［以下に
おいて、単に（Ａ２）と表記する場合がある］における脂肪族第２級アミンは、直鎖、分岐鎖または環状でもよく、飽和または不飽和結合をもっていてもよい炭素数８〜３６の脂肪族第２級アミンである。脂肪族第２級アミンの炭素数は、好ましくは１０〜３２、さらに好ましくは１２〜２４、特に１４〜１８である。
脂肪族第２級アミンの具体例としては、ジブチルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジデシルアミン、ジウンデシルアミン、ジドデシルアミン、ジトリデシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジペンタデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、ジヘプタデシルアミンおよびジオクタデシルアミンを挙げることができる。
脂肪族第２級アミンは１種または２種以上の混合物を用いてもよい。また、これらの脂肪族第２級アミンは蒸留して精製してあることが望ましい。
【００１１】
本発明における（Ａ１）および（Ａ２）におけるアルキレンオキシドとしては、炭素数２〜１２のアルキレンオキシド、例えば、エチレンオキシド（以下ＥＯと略称する）、１，２−プロピレンオキシド（以下ＰＯと略称する）、１，２−ブチレンオキシド、イソブチレンオキシド、シクロヘキシレンオキシド、シクロヘキシルエチレンオキシド、スチレンオキシド、１，２−ヘキシレンオキシド、１，２−ドデセンオキシド、１，２−ラウリレンオキシドおよびこれらのハロ置換体（エピクロルヒドリン等）、ジオキサン、オキセタン、ジメチルオキセタン、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略称する）並びに３―メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。これらのアルキレンオキサイドは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのうち洗浄力の観点から好ましいのは、ＥＯ、ＰＯ、１，２−ブチレンオキシドおよびＴＨＦであり、より好ましいのはＥＯおよびＰＯ、並びにこれらの併用である。
【００１２】
（Ａ１）または（Ａ２）におけるアルキレンオキサイドの平均付加モル数はアミン分子１モル当たり好ましくは３〜１００モルであり、さらに好ましくは３〜７０モル、特に好ましくは３〜４０モル、とりわけ３〜１２モルである。付加モル数が３〜１００モルであれば、さらに洗浄性が良好に発揮できる。
【００１３】
本発明における（Ａ１）および（Ａ２）からなる群から選ばれる種以上のアルキレンオキサイド付加物（Ａ）［以下において、単に（Ａ）と表記する場合がある］は、（Ａ１）のみ、（Ａ２）のみ、または（Ａ１）と（Ａ２）の併用の場合がある。
併用の場合のそれぞれの重量割合は特に限定されないが、好ましくは１／９〜９／１である。
また、併用の場合の（Ａ１）と（Ａ２）の平均のアルキレンオキサイドの付加モル数は、それぞれの上記の好ましい付加モル数の範囲と同様である。
【００１４】
（Ａ１）および（Ａ２）の製造方法としては、公知の方法が利用できる。具体的には、攪拌可能な耐圧容器に上記脂肪族第１級アミンまたは脂肪族第２級アミンを仕込み、不活性ガス（窒素、アルゴンなど）で十分に置換後、減圧下で脱水を行い、反応温度約８０〜１６０℃で上記アルキレンオキサイドを投入し反応させる方法が利用できる。また、反応時は必要により公知の触媒を使用してもよい。触媒は反応の最初から加えても、途中から加えてもよい。
触媒としては、金属原子を含有しない触媒（テトラメチルアンモニウムヒドロキサイドなどの第４級アンモニウム水酸化物、並びにテトラメチルエチレンジアミンや１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）などの第３級アミンなど）および金属原子含有触媒（水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムなどのアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物並びにアルカリ土類金属酸化物など）が挙げられる。
なお、本発明において、（Ａ１）と（Ａ２）を併用する場合は、（Ａ１）と（Ａ２）をそれぞれ別に製造してもよく、脂肪族第１級アミンと脂肪族第２級アミンの混合物を原料として用いて上記のアルキレンオキサイド付加反応を行ってもよい。
【００１５】
本発明に用いる（Ａ）のＨＬＢ値は、有機物に対する洗浄力の観点から、１０〜１６であり、好ましくは１１〜１５、より好ましくは１１〜１４、特に好ましくは１１〜１３．８である。なお、本発明において、ＨＬＢ値は、小田法により、式（２）を用いて算出される値である。（藤本武彦著、新・界面活性剤入門（三洋化成工業株式会社）、ｐ１９７）
【００１６】
ＨＬＢ＝１０×（無機性／有機性）                （２）
なお、式中の有機性、無機性とは、分子を構成する原子及び官能基ごとに定められた数値の合計値であり、上記文献中に記載された値を用いることができる。
具体的には、ラウリルアミンにエチレンオキサイド７モル付加物の場合は、上記文献のｐ．１９８記載の第３・３・１１表に記載の値を用いると、ＣＨ3（有機性２０）×１個、ＣＨ2（有機性２０）×１１個、ＮＨ2（無機性７０）×１個、オキシエチレン基（有機性４０，無機性７５）×７個となり、各有機性、無機性の値の総和から上記式（２）より計算し、ＨＬＢ値１１．４が得られる。
【００１７】
（Ａ）の曇点は、洗浄力の観点から、２重量％濃度において、１０℃以上が好ましく、より好ましくは２５〜９０℃、特に好ましくは４０〜９０℃である。
曇点がこの範囲にあると、洗浄時に（Ａ）が析出し基板表面に付着することがなく好ましい。
【００１８】
本発明における高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）［以下において、単に（Ｂ）と表記する場合がある］は、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基およびカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有する高分子型アニオン性界面活性剤である。
（Ｂ）の具体例としては、以下のものが挙げられる。
（Ｂ１）スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびアニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物など；
（Ｂ２）硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物およびセルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースの硫酸エステル化物など；
（Ｂ３）リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物およびセルロース、メチルセルロースまたはエチルセルロースのリン酸エステル化物など；
（Ｂ４）ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物およびアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物など；
（Ｂ５）カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物および安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物など；が挙げられる。
【００１９】
（Ｂ）が塩を形成する場合の対イオンとしては特に限定無いが、通常、アルカリ金属塩（ナトリウム塩およびカリウム塩）、アンモニウム塩、１級アミン塩（例えば、メチルアミン、エチルアミン、ブチルアミンなどのアルキルアミン、モノエタノールアミン、グアニジンなど）、２級アミン塩（例えば、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミンなどのジアルキルアミン、ジエタノールアミンなど）、３級アミン塩｛例えば、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、トリエタノールアミン、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］ウンデセン−７（ＤＢＵ）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン−５（ＤＢＮ）または１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）など｝および第４級アンモニウム塩（テトラアルキルアンモニウム塩など）である。
【００２０】
（Ｂ）の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記。）は、微細化したパーティクルの再付着防止性および低泡性の観点等から、１，０００〜１，０００，０００が好ましく、さらに好ましくは２，０００〜１００，０００、特に好ましくは３，０００〜５０，０００、最も好ましくは５，０００〜４０，０００である。
本発明におけるＭｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記。）によって、ポリエチレンオキシドを基準物質として４０℃で測定される。たとえば、装置本体：Ｗａｔｅｒｓ５１０（日本ウォーターズ・リミテッド製）、カラム：東ソー（株）製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ５０００ ＰＷＸＬ、Ｇ３０００ ＰＷ ＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５重量％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理装置：ＳＣ−８０１０（東ソー株式会社製）。
【００２１】
本発明の洗浄剤に用いる水（Ｃ）としては、水道水、工業用水、地下水、蒸留水、イオン交換水および超純水などが挙げられる。これらのうち、イオン交換水及び超純水が好ましい。
【００２２】
（Ａ）の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、好ましくは０．１〜２０重量％（以下において、特に限定しない限り％は重量％を表す）、さらに好ましくは０．５〜１５％、特に好ましくは２〜１０％である。０．１％以上であれば、洗浄剤の表面張力が低くなり細部へも浸透しやすくなるため、所望の洗浄効果を発揮し易い。２０％以下であれば使用時の泡立ちが抑えられ好ましい。
【００２３】
（Ａ）に対する（Ｂ）の重量比は、好ましくは０．０５〜３、さらに好ましくは０．０７〜２、特に好ましくは０．１〜１である。（Ａ）に対する（Ｂ）の重量比が０．０５〜３であれば微粒子化したパーティクルの除去性が発揮しやすい。
【００２４】
水（Ｃ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常９９％以下、好ましくは５０〜９８％、さらに好ましくは８５〜９７％である。
【００２５】
本発明における（Ａ）〜（Ｃ）の合計重量に基づく、（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）のそれぞれの含有量は、好ましくは、（Ａ）が０．１〜２０％、（Ｂ）が０．１〜２０％および（Ｃ）が６０〜９９％であり、さらに好ましくは、（Ａ）が０．５〜１５％、（Ｂ）が０．５〜１５％および（Ｃ）が７０〜９８％であり、特に好ましくは、（Ａ）が２〜１０％、（Ｂ）が１〜２％および（Ｃ）が８５〜９７％である。
【００２６】
本発明の洗浄剤は、上記の（Ａ）〜（Ｃ）以外に、本発明の洗浄剤の効果を損なわない範囲において、さらに以下のアルカリ成分（Ｄ）、界面活性剤（Ｅ）、分散剤（Ｆ）、３価以上の多価アルコール（Ｇ）、水溶性有機溶剤（Ｈ）およびその他の添加剤（Ｉ）からなる群から選ばれる１種以上の任意成分を含有もしてもよい。
【００２７】
アルカリ成分（Ｄ）［以下において、単に（Ｄ）と表記する場合がある］は、パーティクルまたは油汚れに対する洗浄性の観点等から含有してもよい。
（Ｄ）としては、一般式（１）で表される第４級アンモニウム塩（Ｄ１）、アンモニア（Ｄ２）、アルカノールアミン（Ｄ３）、金属水酸化物（Ｄ４）、炭酸塩（Ｄ５）、リン酸塩（Ｄ６）、ケイ酸塩（Ｄ７）および（Ｄ１）〜（Ｄ７）の混合物がが挙げられる。
【００２８】
【化２】
2008135576.tif 000002
【００２９】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、それぞれ炭素数１〜２４の炭化水素基または−（Ｒ5Ｏ）p−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｐは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４の炭化水素基としては、炭素数１〜２４の直鎖もしくは分岐のアルキル基、炭素数２〜２４の直鎖もしくは分岐のアルケニル基、炭素数６〜２４のアリール基および炭素数７〜２４のアリールアルキル基などが挙げられる。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシルおよびテトラコシル基などが挙げられる。
炭素数２〜２４のアルケニル基としては、プロペニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、テトラデセニル、ペンタデセニル、ヘキサデセニル、ヘプタデセニル、オクタデセニル、ノナデセニル、２−エチルデセニル、エイコセニル、ヘキコセニル、ドコセニル、トリコセニルおよびテトラコセニル基などが挙げられる。
炭素数６〜２４のアリール基としては、フェニル、トリル、キシリル、ナフチル及びメチルナフチルなどが挙げられる。
炭素数７〜２４のアリールアルキル基としては、ベンジル、２−フェニルエチル、３−フェニルプロピル、４−フェニルブチル、５−フェニルペンチル、６−フェニルヘキシル、７−フェニルヘプチル、８−フェニルオクチル、１０−フェニルデシル、１２−フェニルドデシル、ナフチルメチル及びナフチルエチルなどが挙げられる。
炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレンなどが含まれる。ｐは１〜３が好ましい。
【００３０】
（Ｄ１）の具体例としては、以下の（Ｄ１１）〜（Ｄ１５）のカチオンとハイドロキサイドアニオンとからなる塩が例示できる。
（Ｄ１１）アルキル基の炭素数１〜６のテトラアルキルアンモニウムカチオン
テトラメチルアンモニウム、テトラエチルアンモニウム、テトラプロピルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、テトラヘキシルアンモニウム、トリメチルエチルアンモニウムおよびテトラエチルアンモニウムなど。
【００３１】
（Ｄ１２）炭素数１〜６のアルキル基３個と炭素数７〜２４の炭化水素基１個とからなるアンモニウムカチオン
トリメチルへプチルアンモニウム、トリメチルオクチルアンモニウム、トリメチルデシルアンモニウム、トリメチルドデシルアンモニウム、トリメチルステアリルアンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウム、トリエチルへキシルアンモニウム、トリエチルオクチルアンモニウム、トリエチルステアリルアンモニウム、トリエチルベンジルアンモニウム、トリブチルアンモニウム、トリブチルオクチルアンモニウムおよびトリへキシルステアリルアンモニウムなど。
【００３２】
（Ｄ１３）炭素数１〜６のアルキル基２個と炭素数７〜２４の炭化水素基２個とからなるアンモニウムカチオン
ジメチルジオクチルアンモニウム、ジエチルジオクチルアンモニウムおよびジメチルジベンジルアンモニウムなど。
【００３３】
（Ｄ１４）炭素数１〜６のアルキル基１個と炭素数７〜２４の炭化水素基３個とからなるアンモニウムカチオン
メチルトリオクチルアンモニウム、エチルトリオクチルアンモニウムおよびメチルオクチルジベンジルアンモニウムなど。
【００３４】
（Ｄ１５）オキシアルキレン基を有するアンモニウムカチオン
（ｉ）オキシアルキレン基を１個有するカチオン［ヒドロキシエチルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリメチルアミンカチオン、ヒドロキシプロピルトリエチルアミンカチオン、ヒドロキシエチルジメチルエチルアミンカチオンおよびヒドロキシエチルジメチルオクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉ）オキシアルキレン基を２個有するカチオン［ジヒドロキシエチルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジメチルアミンカチオン、ジヒドロキシプロピルジエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルエチルアミンカチオン、ジヒドロキシエチルメチルオクチルアミンカチオンおよびビス（２−ヒドロキシエトキシエチル）オクチルアミンカチオンなど］；
（ｉｉｉ）オキシアルキレン基を３個有するカチオン［トリヒドロキシエチルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルエチルアミンカチオン、トリヒドロキシエチルブチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルメチルアミンカチオン、トリヒドロキシプロピルエチルアミンカチオンおよびトリヒドロキシエチルオクチルアミンカチオンなど］。
【００３５】
アルカノールアミン（Ｄ３）としては、ヒドロキシルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミンなどが挙げられる。（Ｄ３）の内の好ましいのはモノエタノールアミン、ジエタノールアミンおよびトリエタノールアミンである。
【００３６】
金属水酸化物（Ｄ４）としては、アルカリ金属水酸化物（例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなど）、アルカリ土類金属水酸化物（水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム、水酸化バリウムなど）などが挙げられる。（Ｄ４）のうち好ましいのは水酸化ナトリウムおよび水酸化カリウムである。
炭酸塩（Ｄ５）としては、アルカリ金属塩（例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなど）などが挙げられる。
リン酸塩（Ｄ６）としては、アルカリ金属塩（例えば、ピロリン酸ナトリウム、ピロリン酸カリウム、トリポリリン酸ナトリウム、トリポリリン酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（例えば、ピロリン酸カルシウム、ピロリン酸マグネシウム、ピロリン酸バリウム、トリポリリン酸カルシウム、トリポリリン酸マグネシウム、トリポリリン酸バリウムなど）などが挙げられる。
ケイ酸塩（Ｄ７）としては、アルカリ金属塩（例えば、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウムなど）、アルカリ土類金属塩（例えば、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、ケイ酸バリウムなど）などが挙げられる。
【００３７】
（Ｄ）のうち、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｄ１）、アルカノールアミン（Ｄ３）および金属水酸化物（Ｄ４）が好ましく、洗浄性とリンス性の観点等から、さらに好ましくは（Ｄ１）であり、特に好ましくは（Ｄ１１）〜（Ｄ１４）、とりわけ（Ｄ１１）および（Ｄ１２）であり、最も好ましくはテトラメチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩、テトラエチルアンモニウムカチオンのハイドロオキサイドアニオン塩およびこれらの併用である。
【００３８】
アルカリ成分（Ｄ）を使用する場合、洗浄性の観点等から、（Ｄ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．１〜１０％、さらに好ましくは０．３〜８％、特に好ましくは０．５〜５％である。
【００３９】
本発明の洗浄剤にアルカリ成分（Ｄ）を使用する場合の洗浄剤のｐＨは、好ましくは９〜１４であり、より好ましくは１０〜１３．５、特に好ましくは１１〜１３である。
ｐＨが９〜１４であれば、さらにパーティクル除去の効果を発揮しやすい。
【００４０】
本発明の洗浄剤がアルカリ成分（Ｄ）を含有する場合は、（Ｄ）が（Ｄ１）〜（Ｄ３）のうちの１種以上、特に（Ｄ１）であると、（Ｄ）に由来するアルカリ金属原子やアルカリ土類金属原子がほとんど含まれないので好ましい。
（Ｄ）が（Ｄ１）である場合に、本発明の洗浄剤中のアルカリ金属原子（リチウム、ナトリウムおよびカリウム）およびアルカリ土類金属原子（マグネシウム、カルシウム、ストロンチウムおよびバリウム）の合計含有量（重量％）は、洗浄剤の重量に基づいて、０．０１％以下が好ましく、０．０００１％以下、特に好ましくは０．００００１％以下である。
アルカリ金属原子およびアルカリ土類金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ法、ＩＣＰ質量分析法が利用できるが、分析精度の観点から、好ましくはＩＣＰ質量分析法である。
【００４１】
任意成分のうちの界面活性剤（Ｅ）としては（Ａ）以外のノニオン性界面活性剤、（Ｂ）以外のアニオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤および両性界面活性剤からなる群から選ばれる１種以上の界面活性剤が挙げられる。
【００４２】
（Ａ）以外のノニオン性界面活性剤としては、アルキレンオキシド付加型非イオン界面活性剤［高級アルコール（炭素数８〜１８）、アルキルフェノール（炭素数１０〜２４）、高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）にアルキレンオキシド［炭素数２〜４、例えばＥＯ、ＰＯ、１，２−ブチレンオキシド、ＴＨＦなど、以下同じ］を付加させたもの（Ｍｎ１５８〜２００，０００）；ポリオキシアルキレングリコール（Ｍｎ１５０〜６，０００）に高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）などを反応させたもの；ジオールまたは３〜８価の多価アルコールなどの水酸基含有化合物に高級脂肪酸（炭素数１２〜２４）を反応させて得られたエステル化物にアルキレンオキシドを付加させたもの（Ｍｎ２５０〜３０，０００）、高級脂肪酸（炭素数８〜２４）アミドにアルキレンオキシドを付加させたもの（Ｍｎ２００〜３０，０００）、多価アルコール（前記のもの）アルキル（炭素数８〜６０）エーテルにアルキレンオキシドを付加させたもの（Ｍｎ１２０〜３０，０００）など］、および多価アルコール（炭素数３〜２０）型非イオン界面活性剤［多価アルコール脂肪酸（炭素数８〜６０）エステル、多価アルコールアルキル（炭素数８〜６０）エーテル、脂肪酸（炭素数８〜６０）アルカノールアミドなど］などが挙げられる。
【００４３】
（Ｂ）以外のアニオン性界面活性剤としては、カルボン酸（炭素数８〜２２の飽和または不飽和脂肪酸）塩、カルボキシメチル化物の塩［炭素数８〜１６の脂肪族アルコールおよび／またはそのＥＯ（１〜１０モル）付加物などのカルボキシメチル化物の塩など］、硫酸エステル塩［高級アルコール硫酸エステル塩（炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル塩など）など］、高級アルキルエーテル硫酸エステル塩［炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのＥＯ（１〜１０モル）付加物の硫酸エステル塩］、硫酸化油（天然の不飽和油脂または不飽和のロウをそのまま硫酸化して中和した塩）、硫酸化脂肪酸エステル（不飽和脂肪酸の低級アルコールエステルを硫酸化して中和した塩）、硫酸化オレフィン（炭素数１２〜１８のオレフィンを硫酸化して中和した塩）、スルホン酸塩［アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、スルホコハク酸ジエステル型、α−オレフィン（炭素数１２〜１８）スルホン酸塩、イゲポンＴ型など］およびリン酸エステル塩［高級アルコール（炭素数８〜６０）リン酸エステル塩、高級アルコール（炭素数８〜６０）ＥＯ付加物リン酸エステル塩、アルキル（炭素数４〜６０）フェノールＥＯ付加物リン酸エステル塩など］が挙げられる。
上記の塩としては、アルカリ金属（ナトリウム、カリウムなど）塩、アルカリ土類金属（カルシウム、マグネシウムなど）塩、アンモニウム塩、アルキルアミン（炭素数１〜２０）塩およびアルカノールアミン（炭素数２〜１２、例えばモノー、ジ−およびトリエタノールアミン）塩などが挙げられる。
【００４４】
カチオン性界面活性剤としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩など｝、アミン系界面活性剤｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミンおよび炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸塩または有機酸塩など｝などが挙げられる。
【００４５】
両性界面活性剤としては、ベタイン型両性界面活性剤[例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン、スルフォベタイン型両性界面活性剤など｝、アミノ酸型両性界面活性剤｛例えば、アラニン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型、アルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型など］両性界面活性剤、グリシン型［アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型など］両性界面活性剤など｝、アミノスルホン酸塩型両性界面活性剤｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤など｝などが挙げられる。
【００４６】
これらの界面活性剤（Ｅ）を使用する場合、（Ｅ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは５％以下である。
【００４７】
任意成分のうちの分散剤（Ｆ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、多糖類およびその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩、カチオン化デンプンなど）；ポバール；縮合リン酸（メタリン酸、ピロリン酸など）やリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸、トリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸など｝などが挙げられ、上記の（Ｂ）も分散作用があるが、本発明においては分散剤（Ｆ）には含めない。
分散剤（Ｆ）を使用する場合、分散剤（Ｆ）の含有量は、本発明の洗浄剤の重量に基づいて、通常１０％以下、好ましくは５％以下である。
【００４８】
任意成分の内の、アルカリ成分（Ｄ）、界面活性剤（Ｅ）および分散剤（Ｆ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常８０％以下、好ましくは１〜７０％である。
【００４９】
任意成分のうちの３価以上の多価アルコール（Ｇ）［以下において、単に（Ｇ）と表記する場合がある］は、特に金属（アルミ配線など）が施された電子部品を洗浄する際に金属腐食を防止するという観点等から添加してもよい。
（Ｇ）としては、
（Ｇ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトールなど）；
（Ｇ２）（Ｇ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン、ペンタグリセリン、など）；
（Ｇ３）糖類、例えば単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース、リブロースなど）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース、タガトースなど）、ヘプトース（セドヘプツロースなど）など｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース、ラクトースなど）、および三糖類（ラフィノース、マルトトリオースなど）など；
（Ｉ４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール、ズルシトールなど）；
（Ｇ５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡなど）；
並びにこれらのアルキレンオキシド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）などが挙げられる。
また（Ｇ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【００５０】
（Ｇ）の内、金属腐食を防止する効果の高い点から、（Ｇ１）、（Ｇ２）、（Ｇ３）及び（Ｇ４）が好ましく、さらに好ましくはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【００５１】
（Ｇ）を使用する場合、（Ｇ）の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常２０％以下、好ましくは１〜２０％、さらに好ましくは２〜１０、特に好ましくは３〜７である。
【００５２】
（Ｇ）は、本発明の洗浄剤がアルカリ成分（Ｄ）を含有する場合に、金属配線（アルミなど）を有する基板に対し特に優れた金属腐食防止効果を発揮することができる。
この場合、（Ｄ）と水（Ｃ）の合計重量に対する（Ｄ）の含有量は、洗浄性の観点等から、０．１〜５０％が好ましく、さらに好ましくは０．５〜４０％、特に好ましくは１〜３５％である。また、（Ｄ）と（Ｇ）の合計重量に対する（Ｇ）の含有量は、金属腐食を防止する観点等から、１０〜９０％が好ましく、さらに好ましくは２０〜８０％、特に好ましくは３０〜７５％である。
【００５３】
任意成分のうちの水溶性有機溶剤（Ｈ）［以下において、単に（Ｈ）と表記する場合がある］としては、２０℃における水に対する溶解度（ｇ／１００ｇＨ2Ｏ）が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。。
例えば、スルホキシド｛ジメチルスルホキシド、スルホラン、ブチルスルホン、３−メチルスルホラン、２，４−ジメチルスルホランなど｝；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホンなど｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミドなど｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドンなど｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトンなど｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル、イソプロパノ−ルなど｝；グリコールおよびグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、１，３−ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテルなど｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン、３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノンなど）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル、メタクリルニトリル、ベンゾニトリルなど）；カーボネート（エチレンカーボネート、プロピオンカーボネートなど）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、ジアセトンアルコールなど）；環状エーテル（テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランなど）などが挙げられる。
また（Ｈ）は単独で使用しても、２種以上併用して使用してもよい。
【００５４】
（Ｈ）の内で、洗浄性の観点等から、グリコールおよびグリコールエーテルが好ましく、さらに好ましくはエチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコール及びプロピレングリコールである。
【００５５】
（Ｈ）を使用する場合、洗浄剤中に含まれる（Ｈ）と水（Ｃ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて、通常９０％以下、好ましくは１０〜９０％、さらに好ましくは３０〜８０％である。
また、水（Ｃ）に対する（Ｈ）の重量比｛（Ｈ）／（Ｃ）｝は、パーティクルや油汚れに対する洗浄性の観点等から１未満が好ましく、さらに好ましくは０．５以下、特に好ましくは０．２以下である。
【００５６】
任意成分のうちのその他の添加剤（Ｉ）としては、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、還元剤およびハイドロトロープ剤などが挙げられる。
【００５７】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノールなど｝；アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン、モノノニルジフェニルアミンなどのモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン、４，４’−ジペンチルジフェニルアミンなどのジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン、テトラヘキシルジフェニルアミンなどのポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン、フェニル−α−ナフチルアミンなどのナフチルアミンなど｝；硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）、ビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィドなど｝；リン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト、トリフェニルホスファイトなど｝；などが挙げられる。
【００５８】
キレート剤としては、アミノポリカルボン酸（塩）｛エチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（塩）（ＴＴＨＡ）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（塩）（ＨＥＤＴＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、ニトリロ酸酢酸（塩）（ＮＴＡ）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（塩）（ＨＩＤＡ）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）など｝；ヒドロキシカルボン酸（塩）｛ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）、グルコン酸（塩）など｝；シクロカルボン酸（塩）｛ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）、シクロペンタンテトラカルボン酸（塩）など｝；エーテルカルボン酸（塩）（カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート、酒石酸ジサクシネートなど）；その他カルボン酸（塩）（マレイン酸誘導体、シュウ酸（塩）など）；ホスホン酸（塩）｛メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）およびテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）など｝；などが挙げられる。
なお、これらの塩としては、上述の高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）で例示した塩と同様のものが挙げられる。またこれらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００５９】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾールなどの含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物、ドデセニルコハク酸アミドなどのアルキルまたはアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート、ペンタエリスリトールモノオレエートなどの多価アルコール部分エステル等を挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
ｐＨ調整剤としては、塩酸、硫酸、硝酸などの鉱酸ならびにモノエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルカノールアミン、アンモニアなどの水溶性アミンが挙げられ、金属イオンなどの不純物を実質的に含まないものであればどのようなものでも使用でき、これらの１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６１】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸または無機酸および／またはそれらの塩を用いることができる。有機酸としては、酢酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸、酒石酸、フマル酸、レブリン酸、吉草酸、マレイン酸、マンデル酸などを挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸、ホウ酸などを挙げることができる。また、これらの酸の塩としては、上述の高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ）で例示した塩と同様のものが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６２】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン、ポリエーテルシリコーンなどを構成成分とする消泡剤など｝などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００６３】
還元剤としては、亜硫酸塩（例えば、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸アンモニウムなど）、チオ硫酸塩（例えば、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウムなど）、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒドなど）、リン系還元剤 （例えば、トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィンなど）、その他の有機系還元剤（例えば、ギ酸、シュウ酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、ピルビン酸、クエン酸、１，４−ナフトキノン−２−スルホン酸、アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、、没食子酸、ヒドロキシルアミン、ジエチルヒドロキシルアミンなど）およびそれらの誘導体などがあげられる。
これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００６４】
ハイドロトロープ剤としては、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）、クメンスルホン酸（塩）などが挙げられる。これらは１種または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
【００６５】
その他の添加剤（Ｉ）を使用する場合、それぞれの添加剤の添加量は、酸化防止剤、キレート剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、還元剤およびハイドロトロープ剤が、洗浄剤の重量に基づいて通常１０％以下、好ましくは０．００１〜１０％である。また消泡剤の添加量は通常１％以下、好ましくは０．０００１〜１％である。
また、その他の添加剤（Ｉ）の合計の含有量は、洗浄剤の重量に基づいて通常３０％以下、好ましくは０．００１〜３０％である。
【００６６】
本発明の洗浄剤の曇点は、洗浄力の観点から、２０℃以上が好ましく、より好ましくは４０〜９５℃、特に好ましくは４５〜９０℃である。曇点がこの範囲にあると、長期保管時においても洗浄剤中の成分が分離することがなく安定であり好ましい。
【００６７】
本発明の洗浄剤の表面張力（２５℃）（ｄｙｎ／ｃｍ）は、１０〜６５が好ましく、さらに好ましくは１５〜４０、特に好ましくは２０〜４０である。
表面張力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ  ３０４に従って測定できる。
【００６８】
本発明の洗浄剤の製品形状は、液状および固状などの任意の形状が適用できる。これらの形状の内、使用時のハンドリングの観点等から液状が好ましく、特に好ましくは溶液状である。
【００６９】
本発明の洗浄剤の製造は、上記の（Ａ）〜（Ｃ）の必須成分および任意成分を常温〜８０℃で混合することで行うことができる。
混合に際しての投入の順序は特に限定されないが、通常は、低粘度の液状の成分で比較的含有量の多い成分（例えば水など）を最初に仕込んでおいて、その中に、その他の液体成分や固体成分を、必要により加熱しながら添加するという方法で行われる。混合装置としては、特に限定されないが、櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置などが使用できる。
【００７０】
本発明の洗浄剤を用いてエレクトロニクス材料を洗浄する際には、必要によりさらに洗浄剤を水で希釈して使用してもよい。その際に使用する水としては、上記例示した水と同様のものが利用できるが、好ましくはイオン交換水、超純水である。
希釈して使用する場合の希釈倍率をしては、好ましくは２〜５００倍、より好ましくは１０〜３００倍、特に好ましくは２０〜１００倍である。
【００７１】
本発明の洗浄剤を原液または水で希釈して使用する際のｐＨは、使用する添加剤の種類や量によっても異なるが、１〜１２が好ましく、さらに好ましくは４〜１１、特に好ましくは８〜１０である。
【００７２】
また、本発明の洗浄剤は、各種のエレクトロニクス材料の製造工程に使用することができる。エレクトロニクス材料としては、例えば半導体用基板（半導体素子、シリコンウェハなど）、フラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板など）、ＨＤＤ用基板（サブストレート基板、磁気ディスク、磁気ヘッドなど）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ、フォトマスクなどが挙げられ、これらの製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。
また、本発明の洗浄剤の洗浄対象物（汚れ）は、油分、人体からの汚れ（指紋など）、樹脂、可塑剤（ジオクチルフタレートなど）、有機パーティクルなどの有機物、無機パーティクル（ガラス粉、砥粒、セラミック粉、金属粉など）などの無機物が挙げられる。
【００７３】
本発明のエレクトロニクス材料の製造方法は、上記の洗浄剤を用いて、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動および枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方法によって洗浄する工程を含むエレクトロニクス材料の製造方法である。特に、超音波洗浄法を含む洗浄方法において洗浄効果を良好に発揮することができる。
そして、上記エレクトロニクス材料が、液晶パネル用基板、半導体用基板、ＨＤＤ用基板または光学レンズである場合に特に本発明の製造方法が適している。
【００７４】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、より好ましくは１５〜６０、特に好ましくは２０〜５０である。
【００７５】
以下、実施例および製造例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。特に限定がない限り以下において部は重量部を示す。ポリマーのＧＰＣによる分子量の測定条件は前述の方法により測定した。なお、実施例および比較例用いる超純水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。
【００７６】
［製造例１］
ラウリルアミン（「ファーミン２０Ｄ」：花王株式会社製）２９６部(１．６モル)を１Ｌオートクレーブに仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキシド１４０．８部（３．２モル、アミン１モルに対して２．０モル)をオートクレーブ内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行った。
得られたラウリルアミンのエチレンオキサイド２．０モル付加物（Ｘ−１）にテトラメチルエチレンジアミン０．８部（該（Ｘ−１）に対して純分０．１８３％）を空気が混入しないように添加し、９５℃にて１時間減圧脱水した。温度を７０℃に下げてからエチレンオキシド３５２部（８．０モル、アミン１モルに対して５．０モル）をオートクレーブ内圧が０．２ＭＰａ以上にならないようにして、温度を７０〜９０℃に温度コントロールし、３時間かけて滴下した。滴下終了後、７０℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、ラウリルアミンのエチレンオキサイド７モル付加物（Ａ−１）を得た。（Ａ−１）のＨＬＢ値は１１．４であり、曇点は６５℃であった。
【００７７】
［製造例２］
ジオクチルアミン（和光純薬工業株式会社製）２４１部(１．０モル)を１Ｌオートクレーブに仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキシド８８部（２．０モル)をオートクレーブ内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行った。
得られたラウリルアミンのエチレンオキサイド２．０モル付加物（Ｘ−２）にテトラメチルエチレンジアミン０．６部（該（Ｘ−２）に対して純分０．１８３％）を空気が混入しないように添加し、９５℃にて１時間減圧脱水した。温度を７０℃に下げてからエチレンオキシド４４０部（１０．０モル）をオートクレーブ内圧が０．２ＭＰａ以上にならないようにして、温度を７０〜９０℃に温度コントロールし、３時間かけて滴下した。滴下終了後、７０℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、ジオクチルアミンのエチレンオキサイド１２モル付加物（Ａ−２）を得た。（Ａ−２）のＨＬＢ値は１２．１であり、曇点は７８℃であった。
【００７８】
［製造例３］
オクチルアミン（「ファーミン０８Ｄ」：花王株式会社製）２５８部(２．０モル)を１Ｌオートクレーブに仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキシド１７６部（４．０モル、アミン１モルに対して２．０モル)をオートクレーブ内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行った。
得られたオクチルアミンのエチレンオキサイド２．０モル付加物（Ｘ−３）に水酸化テトラメチルアンモニウムヒドロキシド２５％水溶液３．２部（該（Ｘ−３）に対して純分０．１８４％）を空気が混入しないように添加し、９５℃にて１時間減圧脱水した。温度を７０℃に下げてからエチレンオキシド３５２部（８．０モル、アミン１モルに対して４．０モル）をオートクレーブ内圧が０．２ＭＰａ以上にならないようにして、温度を７０〜９０℃に温度コントロールし、２時間かけて滴下した。滴下終了後、７０℃でオートクレーブの内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、オクチルアミンのエチレンオキサイド６モル付加物（Ａ−３）を得た。（Ａ−３）のＨＬＢ値は１３．０であり、曇点は９０℃であった。
【００７９】
［製造例４］
温調、攪拌が可能なオートクレーブにイソプロピルアルコール４２０部、超純水１２０部を仕込み、窒素置換後密閉し、１００℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸３０５部、過硫酸アンモニウム６％水溶液５０部を３．５時間かけてそれぞれ滴下した（同時に適下開始）。滴下終了後、１００℃で１時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液を４０％水酸化ナトリウム水溶液（約３００部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりポリアクリル酸ナトリウム塩（Ｂ−１）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−１）のＭｗは１０，０００であった。
【００８０】
［製造例５］
温調、還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７部をエチレンジクロライド２０部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて反応容器内に滴下し、滴下終了後さらに１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後さらに３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を４５％水酸化カリウム（約１４０部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することによりポリスチレンスルホン酸カリウム塩（Ｂ−２）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【００８１】
［製造例６］
攪拌付き反応容器にナフタレンスルホン酸２１部、超純水を１０部仕込み、３７％ホルムアルデヒド８部を８０℃で３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながら水酸化ナトリウムの４０％水溶液を徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（４０％水酸化ナトリウム水溶液約１０部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、ナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のナトリウム塩（Ｂ−３）の４０％水溶液を得た。なお、（Ｂ−３）のＭｗは、５，０００であった。
【００８２】
［比較製造例１］
撹拌、温調可能なオートクレーブにラウリルアルコールを１８６部（１．０モル）、水酸化カリウム０．５部を仕込み、１００℃、３０ｍｍＨｇ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド３０８部（７．０モル）を、反応温度１６０℃を保ちながら、３時間かけて滴下した後、１６０℃で２時間熟成し、液状の粗製ポリエーテルを得た。この粗製ポリエーテルを約８０℃まで冷却し、超純水６部、陽イオン交換樹脂｛オルガノ株式会社製、アンバーライトＩＲ１２０Ｂ（Ｈ）｝１００部を加えて室温（約２０℃）で３０分間撹拌した後、減圧濾過、および脱水を行い、比較のノニオン性界面活性剤（ラウリルアルコールのエチレンオキサイド７モル付加物、ＨＬＢ値１２．０、曇点６０℃）（Ｓ−１）を得た。
【００８３】
［実施例１〜７］、［比較例１〜４］
表１に記載の各成分（記載の配合量）を、１Ｌのビーカー中で室温（約２０℃）で均一撹拌・混合して実施例１〜７および比較例１〜４の洗浄剤を作製した。得られた各洗浄剤のｐHを表１に示す。
なお、表１中のアルカリ成分（Ｄ）の略号は下記の通りである。
Ｄ−１：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド
Ｄ−２：水酸化カリウム
得られた洗浄剤を予め５０倍量の超純水で希釈したものを試験液に用い、以下の方法により微粒子付着数、指紋除去性を測定した。また各洗浄剤の曇点についても以下の方法により測定した。
結果を表１に示す。
【００８４】
＜微粒子付着数＞
コロイダルシリカ（４０％、平均粒径５０ｎｍ）の水分散液（ＫＥＭＩＲＡ社製、ＶＩ−８０）１，０００部を超純水で１０倍に希釈した分散液を作成した。
上記調整した分散液に、２５℃で、８インチブランケットＴＥＯＳウエハ（アドバンテック社製、膜厚１５，０００Å）をウエハ全面が浸かる様にして、２５℃で１０分間浸漬した後、ウエハを取り出し、流水で３０秒間洗浄して、自然乾燥させることで、表面が汚染されたウエハを作成した。上記汚染されたウエハを作成した後、表面が乾燥しない様に、直ぐさま、試験液１３，０００部を投入した超音波洗浄機（シャープ社製、ＵＴ−３０５ＨＳ、３８ｋＨｚ、出力３００Ｗ）中で、４０℃、１０分間洗浄した。
洗浄後、自然乾燥した後、レーザー表面検査装置（トプコン株式会社製、ＷＭ−２５００）を使ってシリコンウェハ表面に付着した０．１４μｍ以上のパーティクル数を測定した。
なお、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１（ＦＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
【００８５】
＜指紋除去性＞
２ｃｍ×５ｃｍの大きさにカットしたガラス基板に指紋を付着させ、大気中（約２５℃）で３時間放置し、汚染基板を作成した。１００ｍｌのガラス製ビーカーに各試験液を１００ｍｌ採り、４０℃に温調した後、上記汚染基板を入れ、超音波洗浄機（シャープ社製、ＵＴ−３０５ＨＳ、３８ｋＨｚ、出力３００Ｗ）を用いて、４０℃、１分間洗浄した。洗浄後、ピンセットを用いて基板を取り出し、流水中で３０秒間リンスして試験液を流した後、室温下（２５℃）、窒素でブローすることで基板を乾燥した。
乾燥した基板に呼気を吹きかけ、表面の汚れの残存状態を、以下の評点に従い目視で観察した。
○：表面に汚れの残存が観察されない。
△：僅かに汚れの後が観察される。
×：はっきりと汚れが残存している。
【００８６】
＜曇点＞
外径１８ｍｍ、長さ１６５ｍｍのガラス製試験管に各試験液５ｍｌを採り、試験管を温調可能なウォーターバス（２５℃）中に浸漬した。０．１℃単位まで測定できる温度計で試験液の温度を確認しながら、ウォーターバスの温度を５℃／分の速度で昇温し試験液が白濁するまで加熱した。この白濁した試験液を大気中で攪拌しながら除々に冷却し、試験液が透明になる温度を測定した。同様の操作を３回繰り返し測定し、平均値を曇点とした。なお、試験液が室温（２５℃）で既に白濁している場合は、予め試験液を透明になるまで氷浴中で冷却した後、試験管に５ｍｌ採取し、上記と同様にして測定した。なお、比較例２は曇点を示さなかった。
【００８７】
【表１】
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【００８８】
表１の結果から、本発明の洗浄剤を用いた洗浄剤はウエハ当たりの付着粒子数を減少させることができた。また、指紋に対しても効果があることがわかった。さらに、本発明の洗浄剤は強アルカリ性下においても、洗浄剤中の成分が析出することなく非常に安定であり、比較的高温下（４０〜６０℃）で洗浄した場合においても、洗浄剤中の成分は析出せず、基板表面を汚染することがないこともわかった。
【産業上の利用可能性】
【００８９】
本発明の洗浄剤は、被洗浄物から剥がれた汚れの再付着防止効果や有機物汚れに対する浸透性に優れているため、半導体用基板（半導体素子、シリコンウェハなど）、フラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板、有機ＥＬ用基板など）、ＨＤＤ用基板（サブストレート基板、磁気ディスク、磁気ヘッドなど）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ、フォトマスクなどのエレクトロニクス材料を製造する工程の洗浄剤として有効に使用することができる。