【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の基本的な構造を備えた第１構成例としては、半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記第１導電部には個別に、その上に配置され電気的に接続される第１バンプと、を備えてなる圧力センサパッケージが挙げられる。第１構成例においては、前記外縁域における半導体基板の厚さをＤ１、前記ダイアフラム部の厚さをＤ２、前記空間の高さをＤ３、前記中央域において、前記Ｄ２と前記Ｄ３を除いた半導体の残部の厚さをＤ４、と定義したとき、（Ｄ２＋Ｄ３）≪Ｄ４、かつ、Ｄ１≒Ｄ４、であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の基本的な構造を備えた第２構成例としては、半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記外縁域を覆うように設けられる第１絶縁部と、該第１絶縁部の上に配置され、前記第１導電部と個別に、電気的に接続される第２導電部と、該第２導電部には個別に、その上に配置され前記第１導電部と重ならない位置において、電気的に接続される第２バンプと、を備えてなる圧力センサパッケージが挙げられる。第２構成例においては、前記外縁域における半導体基板の厚さをＴ１、前記ダイアフラム部の厚さをＴ２、前記空間の高さをＴ３、前記中央域において、前記Ｔ２と前記Ｔ３を除いた半導体の残部の厚さをＴ４、と定義したとき、（Ｔ２＋Ｔ３）≪Ｔ４、かつ、Ｔ１≒Ｔ４、であることが好ましい。
そして、上記第２構成例に、第１絶縁部が島状に分かれるという工夫を加えたものが、本発明の第１の態様である。すなわち、本発明の第１の態様は、半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記外縁域を覆い島状に分かれる第１絶縁部と、該第１絶縁部の上に配置され、該第１絶縁部に形成された開口を通し露呈した前記第１導電部と個別に、電気的に接続される第２導電部と、該第２導電部には個別に、その上に配置され前記第１導電部と重ならない位置において、電気的に接続される第２バンプと、を備えてなることを特徴とする圧力センサパッケージである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記第２バンプのみ露呈させて、前記第２導電部を含む前記外縁域を覆うように設けられる第２絶縁部を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記第２絶縁部が島状に分かれていることを特徴とする。
本発明の第４の態様は、第１乃至３のいずれか１つの態様において、前記第１絶縁部、前記第２絶縁部が、個々のバンプごとに島状に分かれていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第５の態様は、第１乃至４のいずれか１つの態様において、前記一面が矩形を成す半導体基板において、前記第２バンプどうしは互いに対称となる位置に配置されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第６の態様は、第１乃至５のいずれか１つの態様において、前記圧力センサ内に、増幅回路及び／又は補償回路を備えたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る電子部品は、第１乃至６のいずれか１つの態様の圧力センサパッケージを搭載することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の基本的な構造を備えた第１構成例では、圧力センサ自体が同一の半導体基板内においてダイアフラム部と、感圧素子と電気的に接続されると共に第１バンプを載置する第１導電部とを別な領域に配置し、ダイアフラム部を設けた中央域の各寸法Ｄ２〜Ｄ４と第１導電部を設けた外縁域の寸法Ｄ１が、前述した関係、すなわち（Ｄ２＋Ｄ３）≪Ｄ４、かつ、Ｄ１≒Ｄ４、を満たすように構成される形態が好ましい。つまり、第１の圧力センサパッケージは、ダイアフラム部と重なる位置の中央域には外縁域とほぼ同じ厚みをもち、同一部材からなる半導体基板を使用して構成される。このような構成は、圧力センサを第１バンプによって例えば外部基板と接続する際に、ダイアフラム部や感圧素子に加わる機械的あるいは熱的な影響を抑制する効果をもたらす。また、第１バンプを用いて外部基板と直接接続させる構成は、従来の圧力センサパッケージが必須としていた圧力センサを内包する筐体、及び、圧力センサと外部基板の間を電気的に繋ぐワイヤボンドやリード等の接続部材、を一切不要とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の基本的な構造を備えた第２構成例では、圧力センサ自体が同一の半導体基板内においてダイアフラム部と、感圧素子と電気的に接続されると共に第２バンプを載置する第２導電部と電気的に接続される第１導電部とを別な領域に配置し、ダイアフラム部を設けた中央域の各寸法Ｔ２〜Ｔ４と第１導電部及び第２導電部を設けた外縁域の寸法Ｔ１が、前述した関係、すなわち（Ｔ２＋Ｔ３）≪Ｔ４、かつ、Ｔ１≒Ｔ４、を満たすように構成される形態が好ましい。つまり、第２の圧力センサパッケージは、ダイアフラム部と重なる位置の中央域には外縁域とほぼ同じ厚みをもち、同一部材からなる半導体基板を使用して構成される。この構成では、第２導電部を備えたことにより、外縁域内において第１導電部とは重ならない任意の場所へ第２バンプを配置できるので、例えば外部基板の要求に応じた自由度の高い接続位置の設定が可能となる。また、このような第２導電部を備えた構成は、圧力センサを第２バンプによって例えば外部基板と接続する際に、ダイアフラム部や感圧素子に加わる機械的あるいは熱的な影響を抑制する効果も発揮する。さらに、第２バンプを用いて外部基板と直接接続させる構成は、従来の圧力センサパッケージが必須としていた圧力センサを内包する筐体、及び、圧力センサと外部基板の間を電気的に繋ぐワイヤボンドやリード等の接続部材、を一切不要とする。
そして、本発明の第１態様の圧力センサパッケージは、第１絶縁部が島状に分かれるという工夫を、上述した第２構成例に加えたものである。つまり、第１絶縁部が島状に分かれていることから、各々の第１絶縁部に形成された開口を通し露呈した第１導電部と個別に、電気的に接続される第２導電部は、互いに独立した構成となる。そして、該第２導電部には個別に、その上に配置され前記第１導電部と重ならない位置において、電気的に接続される第２バンプが配される。したがって、第２バンプを介して、外部基板と接続する際に、ダイアフラム部や感圧素子に加わる機械的あるいは熱的な影響を抑制する効果が、一段と向上したものとなる。また、第１絶縁部が島状に分かれる構成を採用した場合、島状部どうしの間（すなわち、第２バンプどうしの間）が、圧力媒体の流路として機能するので、狭小な環境下で密に設置された場合でも、正確かつ安定して圧力を検出することができる。
したがって、本発明によれば、外部基板の要求に応じた接続自由度を備えると共に、筐体などを必要とせず、小型化と低コスト化とを一緒に図ることが可能な圧力センサパッケージが得られる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【図１Ａ】本発明の基本的な構造を備えた第１構成例の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図１Ｂ】本発明の第１構成例の圧力センサパッケージの平面図である。
【図２】感圧素子（ゲージ抵抗）の電気的な配線図である。
【図３Ａ】本発明の基本的な構造を備えた第２構成例の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２構成例の圧力センサパッケージの平面図である。
【図４Ａ】本発明の基本的な構造を備えた第３構成例の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３構成例の圧力センサパッケージの平面図である。
【図５Ａ】電気回路を内蔵した基板の要部断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの基板の平面図である。
【図６】外部基板に実装された圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図７Ａ】第３構成例の圧力センサパッケージの製造における或る工程を示す要部断面側面図である。
【図７Ｂ】図７Ａの圧力センサパッケージの平面図である。
【図８Ａ】図７Ａに示す工程の次の工程の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図８Ｂ】図８Ａの圧力センサパッケージの平面図である。
【図９Ａ】図８Ａに示す工程の次の工程の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図９Ｂ】図９Ａの圧力センサパッケージの平面図である。
【図１０Ａ】図９Ａに示す工程の次の工程の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａの圧力センサパッケージの平面図である。
【図１１】従来の圧力センサの断面側面図である。
【図１２】従来の圧力センサパッケージの断面側面図である。
【図１３Ａ】本発明の第１実施形態の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図１３Ｂ】本発明の第１実施形態の圧力センサパッケージの平面図である。
【図１４Ａ】圧力センサパッケージの変形例の平面図である。
【図１４Ｂ】圧力センサパッケージの別の変形例の平面図である。
【図１５Ａ】第２バンプの配置の一例を示す平面図である。
【図１５Ｂ】第２バンプの配置の別の例を示す平面図である。
【図１５Ｃ】第２バンプの配置の更に別の例を示す平面図である。
【図１５Ｄ】第２バンプの配置の他の例を示す平面図である。
【図１６Ａ】外部基板に実装した本発明に係る圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに示す圧力センサパッケージの熱応力状態を示す平面図である。
【図１７Ａ】外部基板に実装した従来の圧力センサパッケージの要部断面側面図である。
【図１７Ｂ】図１７Ａに示す圧力センサパッケージの熱応力状態を示す平面図である。
【図１８Ａ】外部基板に実装した本発明に係る圧力センサパッケージの厚肉例の要部側面断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに示す圧力センサパッケージの厚肉例の熱応力状態を示す平面図である。
【図１９Ａ】外部基板に実装した本発明に係る圧力センサパッケージの中肉例の要部側面断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに示す圧力センサパッケージの中肉例の熱応力状態を示す平面図である。
【図２０Ａ】外部基板に実装した本発明に係る圧力センサパッケージの薄肉例の要部側面断面図である。
【図２０Ｂ】図２０Ａに示す圧力センサパッケージの薄肉例の熱応力状態を示す平面図である。
【図２１】基板の厚さ（チップ厚）と基板内部の熱応力の最大値との関係を示す図である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の圧力センサパッケージは、半導体基板の外縁部に配置された第１導電部上に第１バンプを設けてなる構造（第１構成例）、又は、半導体基板の外縁部に配置された第１導電部上に第２導電部を設け、第１導電部と重ならない位置にある第２導電部上に第２バンプを設けてなる構造（第２構成例）、を基本的な構造として備えている。もっとも、以下に記載する各実施形態は例示であって、例えば、ゲージ配置などは、これに限定されるものではない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
＜第１構成例＞
先ず、図１Ａ、図１Ｂ、及び図２を参照して、本発明の第１構成例の圧力センサパッケージ（第１形式の圧力センサパッケージ）について説明する。
図１Ａは、図１Ｂに示す第１構成例の圧力センサパッケージのＡ−Ａ線に沿った断面を示す。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、図示のように、第１バンプ１８を載置するための第１導電部１７を除く外縁域βは、パッシベーション膜、例えば、窒化膜、酸化膜のような薄い絶縁部１６によって覆われる形態が好ましい。絶縁部１６を設けることにより、感圧素子１５が絶縁部１６によって被覆した構成が得られる。
本第１構成例の圧力センサパッケージ１０においては、第１バンプ１８以外の外縁域βは全て絶縁部１６によって被覆されているので、第１バンプ１８を、例えば外部基板（不図示）と接続させる際に、外部基板に対して感圧素子１５の絶縁性を十分に確保できる。
また、絶縁部１６は、感圧素子１５の外気と接触を遮断するために、感圧素子１５の耐食性を向上させる。また、絶縁部１６があるために、感圧素子１５がダイアフラム部１４を介さずに直接、外部から受ける機械的な影響を大幅に低減する効果が得られる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
Ｄ１〜Ｄ４が上記２式を満たすということは、第１形式の圧力センサパッケージ１０を構成する圧力センサ１１は、半導体基板１２の一面からその厚さ方向に見たとき、その中央域αには、厚さＤ２が極めて薄いダイアフラム部１４と高さＤ３が極めて低い空間１３が存在し、その下方（図１Ａでは上方側）にはこれらに比べて十分な厚さＤ４を有する残部が存在する。半導体基板１２のこの厚さＤ４は、外縁域βにおける半導体基板１２全体の厚さＤ１とほぼ等しい値に設計されていることを意味する。換言すると、ダイアフラム部１４の厚さＤ２と、空間１３の高さＤ３とを足した寸法（Ｄ２＋Ｄ３）は極めて微小であって、例えば、５〜２０μｍである。空間高さＤ３は、例えば、１〜３μｍである。
ここでは、中央域と外縁域に区別して呼称するが、両域は一体をなす一枚の半導体基板から構成されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ところで、上述のように、従来のセンサチップでは、パッケージする際に、チップへの熱的な影響（ひずみ等）を考慮して、ワイヤボンドが不可欠であり、これが小型化を阻害していた。しかしながら、本実施形態（本発明）では、センサチップ自体にバンプを設け、これを介して他の要素と直接連結できるようにされている。
したがって、本第１構成例の圧力センサパッケージ１０にあっては、従来の圧力センサパッケージが必須構成としていた圧力センサを内包する筐体などが不要となる。また、例えば、外部基板と接続可能な第１バンプ１８も圧力センサ自体が備えているので、極めて小型の圧力センサパッケージが得られる。また、筐体などを構成する各部材が削減されると共に、筐体内に圧力センサをパッケージングする工程も不要となるので、大幅な低コスト化が図れる。さらには、複数の電気的な接続箇所が生じてしまうワイヤボンドやリード等を用いておらず、第１バンプ１８のみによって外部基板と接続する構成としたことにより、優れた接続信頼性も同時に得られる。なお、本構成例は例示であって、仕様等によりゲージ抵抗又はリード抵抗等の配置が変わっても良いことは言うまでもない。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜第２構成例＞
次に、図３Ａ及び３Ｂを参照して、本発明の第２構成例の圧力センサパッケージ（第２形式の圧力センサパッケージ）について説明する。
図３Ａは、図３Ｂに示す第２構成例の圧力センサパッケージのＢ−Ｂ線に沿った断面を示す。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
なお、図示のように、第２導電部２９と第２バンプ３０とを載置するための第１導電部２７を除く外縁域δは、パッシベーション膜、例えば、窒化膜、酸化膜のような薄い絶縁部２６によって覆われる形態が好ましい。絶縁部２６を設けることにより、感圧素子２５が絶縁部２６によって被覆した構成が得られる。
本第２構成例の圧力センサパッケージ２０においては、第１導電部２７を設ける予定の領域以外の外縁域δは全て絶縁部２６によって被覆されているので、第２導電部２９や第２バンプ３０を作製する前に圧力センサ２１が放置あるいは保管されるような際に、外部基板に対して感圧素子２５の絶縁性を十分に確保できる。
また、絶縁部２６は、感圧素子２５の外気と接触を遮断するため感圧素子２５の耐食性を向上させる。また、絶縁部２６があるために、感圧素子２５がダイアフラム部２４を介さずに直接、外部から受ける機械的な影響を大幅に低減する効果が得られる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
本第２構成例の圧力センサパッケージ２０において、圧力センサ２１は、その外縁域δを覆うように配置される第１絶縁部２８と、第１絶縁部２８の上に配置され、第１導電部２７と個別に、電気的に接続される第２導電部２９と、第２導電部には個別に、その上に配置され前記第１導電部と重ならない位置において、電気的に接続される第２バンプと、を備える。第１絶縁部は、応力の緩衝層としてエポキシなどの感光性樹脂などが用いられる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本第２構成例の感圧素子２５は、図１Ａ及び１Ｂの其れと同様に、ゲージ抵抗（Ｒ１〜Ｒ４）が配置される。各ゲージ抵抗は、不図示のリード配線を介して、ホイートストーンブリッジ（図２）を構成するように電気的に接続されている。図３Ａ及び３Ｂに示す圧力センサ２１の場合も、これらの感圧素子２５の配置は、圧縮と引張の両応力が感圧素子２５に加わりやすいダイアフラム部２４の周縁部が好ましい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図３Ａに示すように、圧力センサ２１は、外縁域δにおける半導体基板２２の厚さをＴ１、ダイアフラム部２４の厚さをＴ２、空間２３の高さをＴ３、中央域γにおいて、前記Ｔ２と前記Ｔ３を除いた半導体基板２２の残部の厚さをＴ４、と定義したとき、（Ｔ２＋Ｔ３）≪Ｔ４、かつ、Ｔ１≒Ｔ４、とすることが好ましい。
したがって、本第２構成例において、Ｔ１〜Ｔ４はそれぞれ、上記２式を満たすように適宜選択される。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
Ｔ１〜Ｔ４が上記２式を満たすということは、第２形式の圧力センサパッケージ２０を構成する圧力センサ２１は、半導体基板２２の一面からその厚さ方向に見たとき、その中央域γには、厚さＴ２が極めて薄いダイアフラム部２４と高さＴ３が極めて低い空間２３が存在し、その下方（図３Ａでは上方側）にはこれらに比べて十分な厚さＴ４を有する残部が存在する。半導体基板２２のこの厚さＴ４は外縁域δにおける半導体基板２２全体の厚さＴ１とほぼ等しい値に設計されていることを意味する。換言すると、ダイアフラム部２４の厚さＴ２と、空間２３の高さＴ３とを足した寸法（Ｔ２＋Ｔ３）は極めて微小であって、例えば、５〜２０μｍである。空間高さＴ３は、例えば、１〜３μｍである。
ここでは、中央域と外縁域に区別して呼称するが、両域は一体をなす一枚の半導体基板から構成されている。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
特に、この構成では、第２導電部２９を備えたことにより、外縁域δ内において第１導電部２７とは重ならない任意の場所へ第２バンプ３０を配置できるので、例えば外部基板の要求に応じた接続位置に第２バンプ３０を設けることが可能となる。ゆえに、第２形式の圧力センサパッケージ２０は、外部基板との接続位置について高い自由度を有する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ところで、上述のように、従来のセンサチップでは、パッケージする際に、チップへの熱的な影響（ひずみ等）を考慮して、ワイヤボンドが不可欠であり、これが小型化を阻害していた。しかしながら、本実施形態（本発明）では、センサチップ自体にバンプを設け、これを介して他の要素と直接連結できるようにされている。
したがって、本第２形式の圧力センサパッケージ２０にあっては、従来の圧力センサパッケージが必須構成としていた圧力センサを内包する筐体などが不要となり、また、例えば外部基板と接続可能な第２バンプ３０も圧力センサ自体が備えているので、極めて小型の圧力センサパッケージが得られる。また、筐体などを構成する各部材が削減されると共に、筐体内に圧力センサをパッケージングする工程も不要となるので、大幅な低コスト化が図れる。さらには、複数の電気的な接続箇所が生じてしまうワイヤボンドやリード等を用いておらず、第２バンプ３０のみによって外部基板と接続する構成としたことにより、優れた接続信頼性も同時に得られる。なお、本実施形態は例示であって、仕様等によりゲージ抵抗又はリード抵抗等の配置が変わっても良いことは言うまでもない。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
＜第３構成例＞
次に、図４Ａ及び４Ｂを参照して、本発明の第３構成例の圧力センサパッケージ（第２形式の圧力センサパッケージをベース）について説明する。図４Ａは、図４Ｂに示す第３構成例の圧力センサパッケージのＣ−Ｃ線に沿った断面を示す。
図４Ａ及び４Ｂに示す圧力センサパッケージ４０は、図３Ａ及び３Ｂに示した第２形式の圧力センサパッケージ２０をベースとし、第２バンプ３０のみ露出するように、外縁域δを覆う第２絶縁部３１を配置した例である。第２絶縁部は、第１絶縁部と同様のエポキシ樹脂などが用いられる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本第３構成例の第２形式の圧力センサパッケージ４０においては、第２バンプ３０以外の外縁域δは全て第２絶縁部３１によって被覆されているので、第２バンプ３０を例えば外部基板（不図示）と接続させる際に、外部基板に対して第２導電部２９の絶縁性を十分に確保できる。
また、第２絶縁部３１は、第２導電部２９の外気と接触を遮断するため第２導電部２９の耐食性を向上させる。また、第２絶縁部３１があるために、第２導電部２９が外部から受ける機械的な影響を大幅に低減する効果が得られる。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記第１、第２、及び第３構成例について記載したと同様の理由から、このような形態の圧力センサパッケージ６０にあっても、基板内部に回路６２を備えているので、従来は外付けとされていた構成が不要となるので、接続部材や接続に要する製造工程が削減できるので製造コストが削減されるとともに、基板外部からの物理的あるいは化学的な影響が回避されるので電気的な接続品質の向上も図れる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ここで、図６を参照して、本発明に係る圧力センサパッケージを外部基板に実装した一例を簡潔に説明する。
図６は、例えば、各種のプリント基板からなる外部基板７１に対して、圧力センサパッケージ７２はそれ自体が備えるバンプ７３によって接続されており、本発明に係る圧力センサパッケージがチップサイズで実装可能であることを表している。
なお、図６においては特に、上記の実装される状態を明確に示すため、その他の構成物は適宜割愛して描写した。また、図６のバンプ配置は、上述した第２形式の圧力センサパッケージに相当する例を示しているが、本例はこれに限定されるものではなく、たとえば第１の圧力センサパッケージにおいても同様にチップサイズで実装可能である。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
以下では、図７〜図１０を参照して、図４Ａ及び４Ｂに示す第３構成例の圧力センサパッケージ（第２形式）を製造する工程について説明する。
本発明の総ての構成例や実施形態においては、圧力センサに対して、チップサイズパッケージを実現するための加工をウェハレベルで行う。このような半導体基板の内部に空間（基準圧力室）２３を備えてなる構造の圧力センサは、例えば S.Armbruster 等により開示された方法（S.Armbruster et.al.,"A NOVEL MICROMACHINING PROCESS FOR THE FABRICATION OF MONOCRYSTALLINE SI-MEMBRANES USING POROUS SILICON", Digest of Technical Papers Transducers '03, 2003, pp.246.）により作製される。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
＜第１実施形態＞
先ず、図１３Ａ及び１３Ｂを参照して、本発明の第１実施形態の圧力センサパッケージ（第２形式の圧力センサパッケージ）について説明する。すなわち、第１実施形態の圧力センサパッケージは、半導体基板の外縁部に配置された第１導電部上に第２導電部を設け、第１導電部と重ならない位置にある第２導電部上に第２バンプを設けてなる構造（第２構成例）、を基本的な構造として備えている。なお、本実施形態の図においては、パッシベーションなどの絶縁層を省略してある。
図１３Ａは、図１３Ｂに示す第１実施形態の圧力センサパッケージのＪ−Ｊ線に沿った断面を示す。図４Ａ及び４Ｂに示した第３構成例の圧力センサパッケージ４０においては第１絶縁部が連続しているのに対して、図１３Ａ及び１３Ｂに示す本第１実施形態の圧力センサパッケージ５０は、複数の第２バンプ３０は個別に、周囲に配置される第１絶縁部２８及び第２絶縁部３１が個々に独立した島状部３５を成している。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一面において、その中央域の内部に該一面と略平行して広がる空間を備え、該空間の上部に位置する薄板化された領域をダイアフラム部とし、該ダイアフラム部に感圧素子を配置してなり、前記一面において、前記ダイアフラム部を除いた外縁域に配置され、前記感圧素子と電気的に接続された第１導電部を少なくとも備えた圧力センサと、前記外縁域を覆い島状に分かれる第１絶縁部と、該第１絶縁部の上に配置され、該第１絶縁部に形成された開口を通し露呈した前記第１導電部と個別に、電気的に接続される第２導電部と、該第２導電部には個別に、その上に配置され前記第１導電部と重ならない位置において、電気的に接続される第２バンプと、を備えてなることを特徴とする圧力センサパッケージ。
【請求項２】
前記第２バンプのみ露呈させて、前記第２導電部を含む前記外縁域を覆うように設けられる第２絶縁部を備えたことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサパッケージ。
【請求項３】
前記第２絶縁部が島状に分かれていることを特徴とする請求項１又は２に記載の圧力センサパッケージ。
【請求項４】
前記第１絶縁部、前記第２絶縁部が、個々のバンプごとに島状に分かれていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧力センサパッケージ。
【請求項５】
前記一面が矩形を成す半導体基板において、前記第２バンプどうしは互いに対称となる位置に配置されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧力センサパッケージ。
【請求項６】
前記圧力センサ内に、増幅回路及び／又は補償回路を備えたことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の圧力センサパッケージ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の圧力センサパッケージを搭載することを特徴とする電子部品。