【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理中に少なくとも一の基板を保持するシールド組立体であって、該少なくとも一の基板は、第１の側と、該第１の側から突出した複数の特徴部分と、該第１の側と反対側の第２の側と、該第２の側上の異質な材料とを有し、前記シールド組立体は、
各々が複数のへこみを有する複数の第１の部材であって、該複数のへこみは、該少なくとも一の基板の第１の側から突出する該特徴部分を受容するように配置および寸法が定められていて、該プラズマへの暴露を削減するような複数のへこみを有する前記複数の第１の部材と、
複数の窓部を有する第２の部材であって、該複数の窓部の各々は、該プラズマが該異質な材料と接触し該少なくとも一の基板の第１の側から該異質な材料を除去するように、該第１の部材の少なくとも一つに該へこみが合っている複数の窓部を有する第２の部材とを備えることを特徴とするシールド組立体。
【請求項２】
請求項１に記載のシールド組立体であって、
該シールド組立体はさらに、該第１の部材に対して前記第２の部材を整列させる第３の部材を備えることを特徴とするシールド組立体。
【請求項３】
請求項２に記載のシールド組立体であって、
前記第３の部材は窪み部を備え、前記第２の部材は前記窪み部内に配置されることを特徴とするシールド組立体。
【請求項４】
請求項１に記載のシールド組立体であって、
該第１の部材と該第２の部材とは導電材料から形成され、該第１の部材と該第２の部材とは、電気的な導通に適した接触関係を有していることを特徴とするシールド組立体。
【請求項５】
請求項１に記載のシールド組立体であって、
前記へこみの各々は、特徴部分のそれぞれのまわりに該少なくとも一の基板の該第１の側と接触する周部を有し、前記へこみと第１の側との間の接触は、該プラズマから特徴部分をシールドする効果を有することを特徴とするシールド組立体。
【請求項６】
請求項１に記載のシールド組立体であって、
前記窓部は、第１及び第２の側縁部を備え、前記第１及び第２の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は、第２の側が部分的に露出するように配置されていることを特徴とするシールド組立体。
【請求項７】
請求項１に記載のシールド組立体であって、
前記第２の部材は、前記第１の部材と第２の部材との間に基板が配置されるように、前記第１の部材に対して位置決めされていることを特徴とするシールド組立体。
【請求項８】
プラズマで少なくとも一の基板を処理する処理システムであって、該少なくとも一の基板は、第１の側と、該第１の側から突出した複数の特徴部分と、該第１の側と反対側の第２の側と、該第２の側上の異質な材料とを有し、
前記処理システムは、
部分真空に排気可能なように、処理空間を取り囲む真空チャンバと、
前記処理空間に配置された電極と、
前記処理空間内に処理ガスを導入すべく、前記真空チャンバに形成されたガスポートと、
前記電極に電気的に結合された電極であって、処理ガスをプラズマに変換させるように機能する電源と、
前記処理空間内における処理位置に該少なくとも一の基板を保持するシールド組立体であって、該シールド組立体は、各々が複数のへこみを有する複数の第１の部材であって、該複数のへこみは、該少なくとも一の基板の第１の側から突出する該特徴部分を受容するように配置および寸法が定められていて、該プラズマへの暴露を削減するような複数のへこみを有する前記複数の第１の部材と、複数の窓部を有する第２の部材であって、該複数の窓部の各々は、該プラズマが該異質な材料と接触し該少なくとも一の基板の第１の側から該異質な材料を除去するように、該第１の部材の少なくとも一つに該へこみが合っている複数の窓部を有する第２の部材とを有するシールド組立て体と、
を備えていることを特徴とする処理システム。
【請求項９】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体は、前記電極上に配置されていることを特徴とする処理システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の処理システムであって、
該へこみが前記電極からそれた方向を向くように、前記第１の部材が配置されていることを特徴とする処理システム。
【請求項１１】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体は、前記電極に電気的に結合されていることを特徴とする処理システム。
【請求項１２】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記シールド組立体がさらに、
前記第１の部材に対して前記第２の部材を整列させる第３の部材、
を備えていることを特徴とする処理システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の処理システムであって、
前記第３の部材は窪み部を備え、前記第２の部材は、前記窪み部の内側に位置決めされることを特徴とする処理システム。
【請求項１４】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記第１の部材と前記第２の部材とは、導電材料から作られていて、前記第１の部材と前記第２の部材とは、電気の導通に適した接触関係になっていることを特徴とする処理システム。
【請求項１５】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記へこみの各々は、特徴部分のそれぞれのまわりに該少なくとも一の基板の表面と接触する周部を有し、前記へこみの各々と該表面との間の接触は、該プラズマから特徴部分をシールドする効果を有することを特徴とする処理システム。
【請求項１６】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記窓部は、第１および第２の側縁部を備え、前記第１および第２の側縁部の間には複数の十字部材が延在し、前記十字部材は該異質な材料が露出するように該少なくとも一の基板に対して配置されていることを特徴とする処理システム。
【請求項１７】
請求項８に記載の処理システムであって、
前記第２の部材は、前記第１の部材と第２の部材との間に基板が配置されるように、前記第１の部材に対して位置決めされていることを特徴とする処理システム。
【請求項１８】
真空チャンバの内部に形成された処理空間中にて基板にプラズマ処理を行う方法であって、基板は、第１の側と、該第１の側から突出した複数の特徴部分と、該第１の側と反対側の第２の側と、該第２の側上の異質な材料とを有し、該方法は、
真空チャンバの処理空間に基板を配置する工程と、
処理空間にプラズマを発生させる工程と、
該基板の第１の側から突出する該複数の特徴部分を受容し、該プラズマへの暴露を削減するようなへこみを備えてなるシールド組立体で該基板における第１の側を被覆する工程と、
第２の側から該異質な材料を除去する効果を生じる該プラズマからの反応種に第２の側を露出する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記第２の側を露出する工程は、
複数の窓を有する該シールド組立体で該基板の該第２の側を覆う工程と、
該プラズマからの反応種が該基板の該第２の側から異質な材料と接触して除去するように該窓の各々を該複数のへこみの位置と合わせる工程と、
を備えることを特徴とする方法。  
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
基板を処理空間に配置する工程がさらに、
処理空間内にプラズマを発生させるために用いられる通電された電極の上に、シールド組立体と基板とを配置する工程と、
第２の側が被駆動電極に対して反対側を向くように、基板を配置する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。