【手続補正書】
【提出日】平成25年7月11日(2013.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面コンタクト型太陽電池の製造方法であって、
単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階と、
前記多結晶材料層の上方に誘電材料積層体を形成する段階と、
レーザアブレーションによって、前記誘電材料積層体内に複数のコンタクト開口を形成して、コンタクト開口それぞれの内部に前記多結晶材料層の一部を露呈させる段階と、
前記複数のコンタクト開口内に導電性のコンタクトを形成する段階と
を備える製造方法。
【請求項２】
前記複数のコンタクト開口を形成する段階は、パターニングされたマスクを利用せずに行われる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記複数のコンタクト開口を形成する段階は、
波長が約１０６４ナノメートル以下であるレーザを利用してアブレーションを行う段階を含む請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
裏面コンタクト型太陽電池の製造方法であって、
単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階と、
前記多結晶材料層の上方に誘電材料積層体を形成する段階と、
前記多結晶材料層内に、リキャストされたポリシグネチャーを形成する段階と、
前記誘電材料積層体内に複数の導電性のコンタクトを形成して、前記多結晶材料層の一部に直接連結して、前記複数の導電性のコンタクトのうち１つを、前記リキャストされたポリシグネチャーと位置合わせする段階と
を備える製造方法。
【請求項５】
前記単結晶基板の上方に前記多結晶材料層を形成する段階は、
単結晶シリコン基板の上方に多結晶シリコン層を形成する段階を含む請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記単結晶シリコン基板の上方に前記多結晶シリコン層を形成する段階は、
前記単結晶シリコン基板の上に直接形成された誘電膜の上に直接、前記多結晶シリコン層を形成する段階と、前記多結晶シリコン層の中に、Ｎ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域両方を形成する段階とを含む請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記単結晶シリコン基板の上方に前記多結晶シリコン層を形成する段階は、
前記単結晶基板内のＮ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域の上方にアモルファスシリコン層を形成する段階を含む請求項５または６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
前記多結晶材料層の上に直接、二酸化シリコン層を形成する段階と、前記二酸化シリコン層の上に直接、シリコン窒化物層を形成する段階とを含む請求項４から７の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記二酸化シリコン層を形成する段階は、
前記層の厚みを約１から５０ナノメートルの範囲に形成する段階を含む請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
シリコン窒化物層のみを形成する段階を含む請求項４から９の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記複数の導電性のコンタクトはそれぞれ丸い形状である請求項４から１０の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記リキャストされたポリシグネチャーを形成する段階は、
波長が約１０６４ナノメートル以下であるレーザを利用してアブレーションを行う段階を含む請求項４から１１の何れか１項に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
レーザを利用した太陽電池のコンタクトの製造方法を開示してきた。本発明の一実施形態では、裏面コンタクト型太陽電池の製造方法は、単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階を含む。この多結晶材料層の上に誘電材料積層体を形成する。レーザアブレーションによって、誘電材料積層体内に複数のコンタクト開口を形成し、各コンタクト開口内に多結晶材料層の一部を露呈させる。複数のコンタクト開口内に導電性のコンタクトを形成する。一実施形態では、複数のコンタクト開口の形成は、パターニングされたマスクを利用せずに行われる。一実施形態では、複数のコンタクト開口の形成には、波長が約１０６４ナノメートル以下であるレーザを利用してアブレーションを行うことが含まれる。一実施形態においては、単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階は、単結晶のシリコン基板の上方に多結晶シリコン層を形成する段階を含む。
［項目１］
裏面コンタクト型太陽電池の製造方法であって、
単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階と、
前記多結晶材料層の上方に誘電材料積層体を形成する段階と、
レーザアブレーションによって、前記誘電材料積層体内に複数のコンタクト開口を形成して、コンタクト開口それぞれの内部に前記多結晶材料層の一部を露呈させる段階と、
前記複数のコンタクト開口内に導電性のコンタクトを形成する段階とを備える製造方法。
［項目２］
前記単結晶基板の上方に前記多結晶材料層を形成する段階は、
単結晶シリコン基板の上方に多結晶シリコン層を形成する段階を含む項目１に記載の製造方法。
［項目３］
前記単結晶シリコン基板の上方に前記多結晶シリコン層を形成する段階は、
前記単結晶シリコン基板の上に直接形成された誘電膜の上に直接、前記多結晶シリコン層を形成する段階と、前記多結晶シリコン層の中に、Ｎ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域両方を形成する段階とを含む項目２に記載の製造方法。
［項目４］
前記単結晶基板の上方に前記多結晶材料層を形成する段階は、
前記単結晶基板内のＮ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域の上方に前記多結晶材料層を形成する段階を含む項目１に記載の製造方法。
［項目５］
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
前記多結晶材料層の上に直接、二酸化シリコン層を形成する段階と、前記二酸化シリコン層の上に直接、シリコン窒化物層を形成する段階とを含む項目１に記載の製造方法。
［項目６］
前記二酸化シリコン層を形成する段階は、
前記層の厚みを約１から５０ナノメートルの範囲に形成する段階を含む項目５に記載の製造方法。
［項目７］
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
シリコン窒化物層のみを形成する段階を含む項目１に記載の製造方法。
［項目８］
前記複数のコンタクト開口を形成する段階は、パターニングされたマスクを利用せずに行われる項目１に記載の製造方法。
［項目９］
前記複数のコンタクト開口を形成する段階は、
波長が約１０６４ナノメートル以下であるレーザを利用してアブレーションを行う段階を含む項目１に記載の製造方法。
［項目１０］
前記多結晶材料層はアモルファスシリコンを含む項目１に記載の製造方法。
［項目１１］
単結晶基板の上方に設けられた多結晶材料層と、
前記多結晶材料層の上方に設けられた誘電材料積層体と、
前記誘電材料積層体内に設けられ、前記多結晶材料層の一部に直接連結されている複数の導電性のコンタクトと、
前記多結晶材料層内に設けられ、前記複数の導電性のコンタクトのうちのいずれかと位置合わせされた、リキャストされたポリシグネチャーとを備える裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１２］
前記多結晶材料層は、多結晶シリコン層であり、前記単結晶基板は、単結晶シリコン基板である項目１１に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１３］
前記多結晶シリコン層は、誘電膜の上に直接設けられており、前記誘電膜は前記単結晶シリコン基板の上に直接設けられており、前記多結晶シリコン層は、Ｎ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域を両方含む項目１２に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１４］
前記単結晶シリコン基板は、Ｎ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域を含む項目１２に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１５］
前記誘電材料積層体は、前記多結晶材料層の上に直接設けられた二酸化シリコン層と、前記二酸化シリコン層の上に直接設けられたシリコン窒化物層とを含む項目１１に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１６］
前記二酸化シリコン層の厚みは約１から５０ナノメートルの範囲である項目１５に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１７］
前記誘電材料積層体はシリコン窒化物層のみを含む項目１１に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１８］
前記複数の導電性のコンタクトはそれぞれ丸い形状である項目１１に記載の裏面コンタクト型太陽電池。
［項目１９］
裏面コンタクト型太陽電池の製造方法であって、
単結晶基板の上方に多結晶材料層を形成する段階と、
前記多結晶材料層の上方に誘電材料積層体を形成する段階と、
前記多結晶材料層内に、リキャストされたポリシグネチャーを形成する段階と、
前記誘電材料積層体内に複数の導電性のコンタクトを形成して、前記多結晶材料層の一部に直接連結して、前記複数の導電性のコンタクトのうち１つを、前記リキャストされたポリシグネチャーと位置合わせする段階とを備える製造方法。
［項目２０］
前記単結晶基板の上方に前記多結晶材料層を形成する段階は、
単結晶シリコン基板の上方に多結晶シリコン層を形成する段階を含む項目１９に記載の製造方法。
［項目２１］
前記単結晶シリコン基板の上方に前記多結晶シリコン層を形成する段階は、
前記単結晶シリコン基板の上に直接形成された誘電膜の上に直接、前記多結晶シリコン層を形成する段階と、前記多結晶シリコン層の中に、Ｎ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域両方を形成する段階とを含む項目２０に記載の製造方法。
［項目２２］
前記単結晶シリコン基板の上方に前記多結晶シリコン層を形成する段階は、
前記単結晶基板内のＮ型ドーピング領域およびＰ型ドーピング領域の上方にアモルファスシリコン層を形成する段階を含む項目２０に記載の製造方法。
［項目２３］
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
前記多結晶材料層の上に直接、二酸化シリコン層を形成する段階と、前記二酸化シリコン層の上に直接、シリコン窒化物層を形成する段階とを含む項目１９に記載の製造方法。
［項目２４］
前記二酸化シリコン層を形成する段階は、
前記層の厚みを約１から５０ナノメートルの範囲に形成する段階を含む項目２３に記載の製造方法。
［項目２５］
前記多結晶材料層の上方に前記誘電材料積層体を形成する段階は、
シリコン窒化物層のみを形成する段階を含む項目１９に記載の製造方法。
［項目２６］
前記複数の導電性のコンタクトはそれぞれ丸い形状である項目１９に記載の製造方法。
［項目２７］
前記リキャストされたポリシグネチャーを形成する段階は、
波長が約１０６４ナノメートル以下であるレーザを利用してアブレーションを行う段階を含む項目１９に記載の製造方法。