【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光撮像素子であって、該素子は、
実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有する半導体基板と、
該実質的に平面的な表面の反対側の表面上で該半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置されるテクスチャ加工領域と、
該実質的に平面的な表面において形成される集積回路と、
該半導体基板に連結され、該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である電気伝導要素と
を備える、素子。
【請求項２】
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記半導体基板に連結される反射層をさらに備え、該反射層は、前記電磁放射を該半導体基板内に保持するように設置される、請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記テクスチャ加工領域は、電磁放射を前記半導体基板内へまたはそれから外へ向けるように動作可能な表面形態を有する、請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記半導体基板に対する前記テクスチャ加工領域の表面形態は、傾斜状、ピラミッド状、逆ピラミッド状、球状、放物線状、非対称状、対称状、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される要素である、請求項４に記載の素子。
【請求項６】
付加的テクスチャ加工領域をさらに備え、該付加的テクスチャ加工領域は、前記複数のドープ領域に隣接する前記半導体基板の表面上に設置される、請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記テクスチャ加工領域は、ミクロンサイズ、ナノサイズ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を含む、請求項１に記載の素子。
【請求項８】
表面特徴は、円錐、柱、ピラミッド、マイクロレンズ、量子ドット、逆特徴、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される要素を含む、請求項７に記載の素子。
【請求項９】
前記テクスチャ加工領域は、レージング、化学エッチング、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるプロセスによって形成される、請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
レンズをさらに備え、該レンズは、前記半導体基板に光学的に連結され、入射電磁放射を該半導体基板内へと集束させるように設置される、請求項１に記載の素子。
【請求項１１】
請求項１に記載の少なくとも２つの感光撮像素子を備える、感光撮像素子アレイ。
【請求項１２】
少なくとも１つのトレンチ分離をさらに備え、該少なくとも１つのトレンチ分離は、前記少なくとも２つの感光撮像素子の間に設置される、請求項１１に記載のアレイ。
【請求項１３】
感光撮像素子を作製する方法であって、該方法は、
半導体基板上にテクスチャ加工領域を形成することであって、該半導体基板は、該テクスチャ加工領域の反対側の実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有し、該テクスチャ加工領域は、電磁放射と相互作用する位置に形成される、ことと、
該実質的に平面的な表面上に集積回路を形成することと、
電気伝導要素を該半導体基板に連結することであって、それにより、該電気伝導要素が該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である、ことと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レージング、化学エッチング、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるプロセスによる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レーザ放射によって標的領域を照射することにより、ミクロンサイズ、ナノサイズ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を形成することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記標的領域を照射することは、前記レーザ放射をドーパントに曝露することにより、該照射が該ドーパントを前記テクスチャ加工領域の中に組み込むことを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記照射は、フェムト秒レーザ、ピコ秒レーザ、ナノ秒レーザ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される要素を含むパルスレーザを使用して行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記感光撮像素子の電気応答を同調させることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
同調させることは、所望の波長の電磁放射を選択的に拡散させるか、または選択的に吸収する寸法を有する表面特徴を形成することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
同調させることは、前記テクスチャ加工領域の定置、該テクスチャ加工領域の材料の種類、該テクスチャ加工領域の厚さ、該テクスチャ加工領域のドーパントの種類、該テクスチャ領域のドーピングプロファイル、前記半導体基板のドーピングプロファイル、該基板の厚さ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される要因によって達成される、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項２２】
前記半導体基板を約３００℃乃至約１１００℃の温度にアニーリングすることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項２３】
感光撮像素子であって、該素子は、
実質的に平面的な表面と、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域とを有する半導体基板と、
該実質的に平面的な表面の反対側の表面上で該半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置されるテクスチャ加工領域と、
該実質的に平面的な表面において形成される少なくとも４つのトランジスタであって、該トランジスタのうちの少なくとも１つが、該少なくとも１つの接合部に電気的に連結される、少なくとも４つのトランジスタと
を備える、素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本開示の別の側面では、感光撮像素子が提供される。そのような素子は、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域を有する、半導体基板と、半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置される、テクスチャ加工領域と、半導体基板に連結され、トランジスタのうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの接合部に電気的に連結される、少なくとも４つのトランジスタとを含むことができる。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
感光撮像素子であって、
少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域を有する半導体基板と、
該半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置されるテクスチャ加工領域と、
該半導体基板に連結され、該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である電気伝導要素と
を備える、素子。
（項目２）
前記テクスチャ加工領域は、赤外線電磁放射の検出から電気信号の発生を促進するように動作可能である、項目１に記載の素子。
（項目３）
電磁放射と相互作用することは、テクスチャ加工領域を欠いている半導体基板と比較して、該半導体基板の有効吸収長を増加させることをさらに含む、項目１に記載の素子。
（項目４）
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、項目１に記載の素子。
（項目５）
前記半導体基板に連結される反射層をさらに備え、該反射層は、前記電磁放射を該半導体基板内に保持するように設置される、項目１に記載の素子。
（項目６）
前記テクスチャ加工領域は、前記複数のドープ領域の反対側の前記半導体基板の表面上に設置される、項目１に記載の素子。
（項目７）
前記テクスチャ加工領域は、電磁放射を前記半導体基板内へまたはそれから外へ向けるように動作可能な表面形態を有する、項目６に記載の素子。
（項目８）
前記半導体基板に対する前記テクスチャ加工領域の表面形態は、傾斜状、ピラミッド状、逆ピラミッド状、球状、放物線状、非対称状、対称状、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される部材である、項目７に記載の素子。
（項目９）
前記テクスチャ加工領域は、前記複数のドープ領域に隣接する前記半導体基板の表面上に設置される、項目１に記載の素子。
（項目１０）
付加的テクスチャ加工領域をさらに備え、該付加的テクスチャ加工領域は、前記複数のドープ領域の反対側の前記半導体基板の表面上に設置される、項目９に記載の素子。
（項目１１）
前記テクスチャ加工領域は、前記複数のドープ領域のうちの少なくとも１つに直接連結される、項目１に記載の素子。
（項目１２）
前記テクスチャ加工領域は、ミクロンサイズ、ナノサイズ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を含む、項目１に記載の素子。
（項目１３）
表面特徴は、円錐、柱、ピラミッド、マイクロレンズ、量子ドット、逆特徴、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される部材を含む、項目１２に記載の素子。
（項目１４）
前記テクスチャ加工領域は、レージング、化学エッチング、ナノインプリンティング、材料蒸着、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるプロセスによって形成される、項目１に記載の素子。
（項目１５）
レンズをさらに備え、該レンズは、前記半導体基板に光学的に連結され、入射電磁放射を該半導体基板内へと集束させるように設置される、項目１に記載の素子。
（項目１６）
項目１に記載の少なくとも２つの感光撮像素子を備える、感光撮像素子アレイ。
（項目１７）
少なくとも１つのトレンチ分離をさらに備え、該少なくとも１つのトレンチ分離は、前記少なくとも２つの感光撮像素子の間に設置される、項目１６に記載のアレイ。
（項目１８）
感光撮像素子を作製する方法であって、
半導体基板上にテクスチャ加工領域を形成することであって、該半導体基板は、少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域を有し、該テクスチャ加工領域は、電磁放射と相互作用する位置に形成される、ことと、
電気伝導要素を該半導体基板に連結することであって、それにより、該電気伝導要素が該少なくとも１つの接合部から電気信号を伝導するように動作可能である、ことと
を含む、方法。
（項目１９）
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レージング、化学エッチング、ナノインプリンティング、材料蒸着、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるプロセスによる、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記テクスチャ加工領域を形成することは、レーザ放射によって標的領域を照射することにより、ミクロンサイズ、ナノサイズ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択されるサイズを有する表面特徴を形成することを含む、項目１８に記載の方法。
（項目２１）
前記標的領域を照射することは、前記レーザ放射をドーパントに曝露、該照射が該ドーパントを前記テクスチャ加工領域の中に組み込むことを含む、項目２０に記載の方法。
（項目２２）
前記照射は、フェムト秒レーザ、ピコ秒レーザ、ナノ秒レーザ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される部材を含むパルスレーザを使用して行われる、項目２０に記載の方法。
（項目２３）
前記感光撮像素子の電気応答を同調させることをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２４）
同調させることは、所望の波長の電磁放射を選択的に拡散させるか、または選択的に吸収する寸法を有する表面特徴を形成することを含む、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
同調させることは、前記テクスチャ加工領域の定置、該テクスチャ加工領域の材料の種類、該テクスチャ加工領域の厚さ、該テクスチャ加工領域のドーパントの種類、該テクスチャ領域のドーピングプロファイル、前記半導体基板のドーピングプロファイル、該基板の厚さ、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される要因によって達成される、項目２３に記載の方法。
（項目２６）
前記伝導要素は、トランジスタ、感知ノード、伝導ゲート、およびそれらの組み合わせから成る群から選択される、項目１８に記載の方法。
（項目２７）
前記半導体基板を約３００℃乃至約１１００℃の温度にアニーリングすることをさらに含む、項目１８に記載の方法。
（項目２８）
感光撮像素子であって、
少なくとも１つの接合部を形成する複数のドープ領域を有する半導体基板と、
該半導体基板に連結され、電磁放射と相互作用するように設置されるテクスチャ加工領域と、
該半導体基板に連結される少なくとも４つのトランジスタであって、該トランジスタのうちの少なくとも１つが少なくとも１つの接合部に電気的に連結される、少なくとも４つのトランジスタと
を備える、素子。