【手続補正書】
【提出日】平成21年6月1日(2009.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に形成されているストレージ電極、
前記ストレージ電極上に形成された第１誘電膜、
前記第１誘電膜の上に配置されるドレイン電極、
前記第１誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第１コンタクトホールを有する第２誘電膜、
前記第２誘電膜上に形成され、前記第１コンタクトホールに対応する第２コンタクトホール、及び前記第２誘電膜のうちストレージ電極の上部に位置する部分を露出させる第３コンタクトホールを有する絶縁層、並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記第３コンタクトホールに位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第１誘電膜、前記第２誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置。
【請求項２】
前記第１コンタクトホールの内壁が階段状である請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記内壁の段差が前記絶縁膜の最大厚の半分と等しい請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１コンタクトホールの位置は、前記第２コンタクトホールの位置と同じである請求項１から３のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁パターンが有機物及び感光物質を含む請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３コンタクトホールの幅は前記ストレージ電極の幅より狭い請求項１から５のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項７】
基板と第１誘電膜との間に形成されているストレージ電極、
前記第１誘電膜上に配置されるドレイン電極、
前記第１誘電膜上に形成され、前記ドレイン電極の一部を露出させている第１コンタクトホールを有し、前記ストレージ電極の上方に位置する表面積増加部を含む第２誘電膜、
前記第２誘電膜上に形成され、前記第１コンタクトホールに対応する第２コンタクトホール、及び前記表面積増加部の一部を露出させる第３コンタクトホールを有する絶縁層、並びに、
前記ドレイン電極と電気的に連結され、前記ストレージ電極の上部の前記表面積増加部の上部に位置して前記ストレージ電極と向かい合っているストレージ電極部を含む画素電極を含み、
前記ストレージ電極、前記第１誘電膜、前記第２誘電膜及び前記画素電極の前記ストレージ電極部は、互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置。
【請求項８】
前記表面積増加部が、前記誘電パターンの表面の窪みを含む請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記表面積増加部は波形状である請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表面積増加部が、前記誘電パターンの表面で交互に連なる複数のグルーブと複数の突起とを含む凸凹である請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記画素電極が透明電極である請求項７から１０のいずれか１つに記載の表示装置。
【請求項１２】
基板上にストレージ電極を形成する段階、
前記基板と前記ストレージ電極とを第１誘電膜で覆う段階、
前記第１誘電膜の上にドレイン電極を形成する段階、
前記ドレイン電極と前記第１誘電膜とを第２誘電膜と絶縁層とで順番に覆う段階、
前記絶縁層をパターニングし、前記ドレイン電極を覆っている領域では前記第２誘電膜を露出させる第２コンタクトホールを形成し、前記ストレージ電極の上方に前記絶縁層の一部を残留させる段階、
前記第２誘電膜の露出部分を除去して前記第２誘電膜の第１コンタクトホールを形成し、そこから前記ドレイン電極を露出させる段階、
前記ストレージ電極の上方から前記絶縁層の残留部分を除去して第３コンタクトホールを形成し、そこから前記第２誘電膜を露出させる段階、及び、
前記絶縁層の上に画素電極を形成し、前記第１コンタクトホールの内側で前記画素電極を前記ドレイン電極と電気的に連結し、前記第３コンタクトホールの内側に前記ストレージ電極と向かい合う前記画素電極のストレージ電極部を形成する段階を含み、
前記ストレージ電極、前記第１誘電膜、前記第２誘電膜、及び前記画素電極の前記ストレージ電極部が互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記ストレージ電極を形成する段階が、前記ストレージ電極の両側にゲートラインを形成する段階を含む請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記絶縁層をパターニングする段階では、前記ドレイン電極を覆っている部分が第１光量で露光され、前記ストレージ電極の上方を覆っている部分が、前記第１光量より小さい第２光量で露光される請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁層をパターニングする段階では、前記ストレージ電極の上方を覆っている前記絶縁層の残留膜の厚みが前記第２誘電膜の厚みと実質的に等しい請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ストレージ電極の上方に位置する前記絶縁層の残留部分がアッシングによって除去される請求項１２から１５のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１コンタクトホールでは前記絶縁層の内壁が階段状である請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
基板上にストレージ電極を形成する段階、
前記基板と前記ストレージ電極とを第１誘電膜で覆う段階、
前記第１誘電膜の上にドレイン電極を形成する段階、
前記ドレイン電極と前記第１誘電膜とを第２誘電膜と絶縁層とで順番に覆う段階、
前記絶縁層をパターニングし、前記ドレイン電極を覆っている領域では前記第２誘電膜を露出させる第２コンタクトホールを形成し、表面に凹凸パターンを含む前記絶縁層の一部を前記ストレージ電極の上方に残留させる段階、
前記ドレイン電極の上方から前記第２誘電膜の露出部分を除去して前記第２誘電膜の第１コンタクトホールを形成し、そこから前記ドレイン電極を露出させる段階、
前記ストレージ電極の上方から前記絶縁層の残留部分を除去して第３コンタクトホールを形成し、そこから前記第２誘電膜を露出させると共に、その露出した表面に、前記凹凸パターンと同様な形状の表面積増加部を形成する段階、及び、
前記絶縁層の上に画素電極を形成し、前記第１コンタクトホールの内側では前記画素電極を前記ドレイン電極に電気的に連結し、前記第３コンタクトホールの内側では前記ストレージ電極と互いに向かい合う前記画素電極のストレージ電極部が前記表面積増加部を覆う段階を含み、
前記ストレージ電極、前記第１誘電膜、前記第２誘電膜、及び前記画素電極の前記ストレージ電極部が互いに重なってストレージキャパシタを構成する表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ストレージ電極を形成する段階が、前記ストレージ電極の両側にゲートラインを形成する段階を含む請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁層をパターニングする段階では、マスクに形成された複数のスリットを通して前記絶縁層を露光し、その露光部分に前記凹凸パターンを形成する請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第３コンタクトホールを形成する段階では、前記凹凸パターンの凸部をマスクとして利用するエッチングで、前記凹凸パターンの凹部から前記絶縁層の残留部分を除去して前記第２誘電膜を露出させると共に、その露出した表面に前記表面積増加部を形成する、請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第３コンタクトホールを形成する段階が、前記凹凸パターンの凸部に残留する前記絶縁層をアッシングによって除去する段階を更に含む請求項１８から２１のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第３コンタクトホールを形成する段階が、
前記凹凸パターンの凸部をマスクとして利用するエッチングで、前記凹凸パターンの凹部から前記絶縁膜の残留部分と前記第２誘電膜とを除去して前記第１誘電層を露出させると共に、前記凹凸パターンの凸部の下に残留する前記第２誘電膜の部分を前記表面積増加部として形成する段階、及び、
前記表面積増加部をマスクとして利用するエッチングで、前記凹凸パターンの凹部に露出した前記第１誘電膜の表面に、前記凹凸パターンと同様な形状の第２表面積増加部を形成する段階を含む請求項１８から２１のいずれか１つに記載の表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記絶縁層をパターニングする段階が、
マスクに形成された、複数個のスリットを含むスリット露光部を通し、前記ドレイン電極を覆っている前記絶縁層の領域を露光し、
前記マスクに形成された、一定の透過率の膜で覆われた光吸収−透過部を通し、前記ストレージ電極の上方を覆っている前記絶縁層の領域を均一に露光する段階を含む請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】
波長１９３ｎｍ〜４３６nmの光に対し、前記光吸収−反射部の透過率が２０％〜７０％である請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記光吸収−透過部が酸化クロム膜又は窒化クロム膜を含む請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２７】
信号出力ユニットとストレージ電極を覆う絶縁層をパターニングするためのマスクであって、
前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の第１部分を第１光量で露光する第１光透過部と、前記第１部分の周辺を囲んでいる前記絶縁層の第２部分を前記第１光量より小さい第２光量で露光する第２光透過部とを含む第１露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の第３部分を、前記第１光量よりは小さく、一方、前記第２光量よりは大きい第３光量で露光する第３光透過部、を含む第２露光部、を有するマスク。
【請求項２８】
前記第２光透過部が、前記第１光透過部と同心の閉ループ形状である請求項２７に記載のマスク。
【請求項２９】
前記第３光透過部が、所定の間隔に連なる複数の帯形状である請求項２７に記載のマスク。
【請求項３０】
信号出力ユニットとストレージ電極を覆う絶縁層をパターニングするためのマスクであって、
複数のスリットを含み、前記信号出力ユニットのドレイン電極を覆っている前記絶縁層の領域を露光するスリット露光部、及び
前記ストレージ電極を覆っている前記絶縁層の領域を均一に露光して一定の厚みまで感光させる光吸収−透過部を有するマスク。
【請求項３１】
前記スリットが閉ループ形状である請求項３０に記載のマスク。
【請求項３２】
波長１９３ｎｍ〜４３６ｎｍの光に対して、前記光吸収−反射部の透過率が２０％〜７０％である。請求項３１に記載のマスク。