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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の同一方向に回転するスクリュー軸を備えた多軸スクリュー装置のためのスクリュー要素であって、
隣接スクリュー要素は、異なる非対称のプロファイルを有し、
前記スクリュー要素は、各ケースに単一のネジ山ランド領域を有し、
一対の隣接スクリュー要素のネジ山全てのランド角度の合計ＳＫＷは０以上、２π−４・ａｒｃｃｏｓ（Ａ／ＤＥ）以下であり、
隣接スクリュー要素の自由断面領域Ｆ１ｆｒｅｉ及びＦ２ｆｒｅｉは、互いにサイズが相違していることを特徴とするスクリュー要素。
【請求項２】
一対の同一方向に回転するスクリュー軸を備えた多軸スクリュー装置のためのスクリュー要素であって、
隣接スクリュー要素は、同一の、非対称プロファイルを有し、
前記プロファイルは、π−２ａｒｃｃｏｓ（Ａ／２ＲＡ）以下のネジ山ランド角度を備えた単一のネジ山ランド領域を備え、
前記プロファイルでは、ネジ山ランド領域は、テーパ領域の一方の側に隣接し、１以上の円弧を備え、テーパ領域の円弧が位置する全ての点は、ＲＡ＋ＲＩ）／２とＲＡの間に位置するプロファイルの回転中心からの距離を有し、Ａは中心距離であり、ＲＡは外半径であり、ＲＩはスクリュー半径であり、ｐは円周率であることを特徴とするスクリュー要素。
【請求項３】
一対の同一方向に回転するスクリュー軸を備えた多軸スクリュー装置のためのスクリュー要素であって、
隣接スクリュー要素は非同一のプロファイルを有し、
隣接する一対の要素の場合、一方のプロファイルは丁度１つのネジ山ランド領域と、丁度２つのネジ山ランド領域とを有し、
隣接プロファイルの自由端断面領域Ｆ１ｆｒｅｉ及びＦ２ｆｒｅｉは、サイズが互いに相違することを特徴とするスクリュー要素。
【請求項４】
多軸スクリュー装置に設けたことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のスクリュー要素の使用方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載のスクリュー要素を使用する２軸又は多軸押出機で粘弾性混合物を押し出すことを特徴とする製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物であって、以下：
ａ）以下を含むアミン硬化組成物：
（ｉ）式Ｉを有するビス芳香族第２級ジアミンを約６０ｍｏｌ％〜約９０ｍｏｌ％
【化１】
2013514455.tif 000001
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ10アルキルである）；および
（ｉｉ）式ＩＩを有するビス芳香族第１級ジアミンを約１０ｍｏｌ％〜約４０ｍｏｌ％
【化２】
2013514455.tif 000002
（式中、Ｒ2は、それぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ10アルキルであり、Ｒ3は、それぞれ独立に、塩素、臭素、フッ素、または水素であり、ｍｏｌ％は、ビス芳香族第２級ジアミンおよびビス芳香族第１級ジアミンの合計モル数に基づく）；ならびに
（ｂ）遊離イソシアネート（ＮＣＯ）基を有するプレポリマー；
（ただし、プレポリマー中のＮＣＯ基対アミン硬化組成物中のアミン（−ＮＨ2）基のモル比は、約０．８〜約２．０の範囲である）
を含む組成物。
【請求項２】
式Ｉのビス芳香族第２級ジアミン が、４，４’−ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジフェニルメタンから成る群から選択される、請求項１の組成物。
【請求項３】
式ＩＩのビス芳香族第１級ジアミンが、４，４’−メチレン−ビス−（２−エチル−６−メチル−アニリン）（ＮＭＭＥＡ）；４，４’'−メチレン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）（ＭＤＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−イソプロピル−６−メチルアニリン）（ＭＭＩＰＡ）; メチレン−ビス−オルトクロロアニリン（ＭＢＯＣＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−メチルアニリン）（ＭＭＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−クロロ−６−エチルアニリン）（ＭＣＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）（ＭＤＩＰＡ）またはこれらの混合物から成る群から選択される、請求項１の組成物。
【請求項４】
式ＩＩのビス芳香族第１級ジアミンが４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）（ＭＤＥＡ）である、請求項３の組成物。
【請求項５】
組成物であって、以下：
ａ）以下を含むアミン硬化剤組成物：
（ｉ）約５０ｍｏｌ％より多くの式Ｉを有するビス芳香族第２級ジアミン
【化３】
2013514455.tif 000003
（式中、Ｒ1は、それぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ10アルキルである）、
（ｉｉ）式ＩＩを有するビス芳香族第１級ジアミンを約３ｍｏｌ％〜約４７ｍｏｌ％
【化４】
2013514455.tif 000004
（式中、Ｒ2は、それぞれ独立に、Ｃ1−Ｃ10アルキルであり、Ｒ3は、それぞれ独立に、塩素、臭素、フッ素、または水素である）；および
（ｉｉｉ）式ＩＩＩａ、ＩＩＩｂまたはそれらの混合を有するモノ芳香族第１級ジアミンを約３ｍｏｌ％〜約４７ｍｏｌ％
【化５】
2013514455.tif 000005
（式中、Ｒ4はそれぞれ独立して、−ＣＨ2−または−Ｓ−、ｍｏｌ％は、ビス芳香族第２級ジアミン、ビス芳香族第１級ジアミンおよびモノ芳香族第１級ジアミンの合計モル数に基づく）；
ならびに
（ｂ）遊離イソシアネート（ＮＣＯ）基を有するプレポリマー
（ただし、プレポリマー中のＮＣＯ基対アミン硬化組成物中のアミン（−ＮＨ2）基のモル比は、約０．８〜約２．０の範囲である）
を含む組成物。
【請求項６】
式Ｉのビス芳香族第２級ジアミン が、４，４’−ビス（ｓｅｃ−ブチルアミノ）ジフェニルメタンから成る群から選択される、請求項５の組成物。
【請求項７】
式ＩＩのビス芳香族第１級ジアミンが、４，４’−メチレン−ビス−（２−エチル−６−メチル−アニリン）（ＮＭＭＥＡ）；４，４’'−メチレン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）（ＭＤＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−イソプロピル−６−メチルアニリン）（ＭＭＩＰＡ）; メチレン−ビス−オルトクロロアニリン（ＭＢＯＣＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−メチルアニリン）（ＭＭＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（２−クロロ−６−エチルアニリン）（ＭＣＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス−（３−クロロ−２，６−ジエチルアニリン）（ＭＣＤＥＡ）；４，４’−メチレン−ビス（２，６−ジイソプロピルアニリン）（ＭＤＩＰＡ）またはこれらの混合物から成る群から選択される、請求項５の組成物。
【請求項８】
式ＩＩのビス芳香族第１級ジアミン が４，４’−メチレン−ビス−（２，６−ジエチルアニリン）（ＭＤＥＡ）である、請求項７の組成物。
【請求項９】
式ＩＩＩａまたはＩＩＩｂのモノ芳香族第１級ジアミンが、３，５−ジエチルトルエン−２，４−ジアミン, ３，５−ジエチルトルエン−２，６−ジアミンまたはこれらの混合物から成る群から選択される、請求項５の組成物。
【請求項１０】
前記プレポリマーがトルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）とポリオールとの反応または過剰な高２，４−ＭＤＩとポリオールとの反応またはこれらのブレンドにより生じるポリウレタンプレポリマーである。請求項１または５の組成物。
【請求項１１】
前記ポリオールがポリオキシプロピレンポリオール、ポリオキシエチレンプロピレンポリオール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリエステル、ポリカプロラクトン、またはこれらの混合物である、請求項１０の組成物。
【請求項１２】
前記ポリウレタンプレポリマーのＮＣＯ基含有量が約１重量％〜１５重量％である、請求項１０の組成物。
【請求項１３】
プレポリマー１００重量部に対し、約２０部〜約１３０部の量で可塑剤をさらに含む、請求項１または５の組成物。
【請求項１４】
プレポリマー１００重量部に対し、約１０部〜約１５０部の量で充填剤をさらに含む、請求項１３の組成物。
【請求項１５】
前記の可塑剤が、ジブチルフタレート、ジヘプチルフタレート、ジオクチルフタレート、ブチルベンチルフタレート、ジオクチルアジペート、トリクレジルフォスフェート、塩素化パラフィン、トリス(β−クロロプロピル）フォスフェートまたはこれらの混合物で
あり、前記の充填剤が炭酸カルシウム、タルク、 カオリン、ゼオライトまたは 珪藻土である、請求項１３の組成物。
【請求項１６】
アミン硬化剤組成物を請求項１または５のプレポリマーと反応させるか、または混合することを含むコーティング組成物。
【請求項１７】
過剰なトルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）とポリオールとの反応または過剰な高２，４−ＭＤＩとポリオールとの反応またはこれらのブレンドにより生じるポリウレタンプレポリマーである、請求項１６のコーティング組成物。
【請求項１８】
前記のコーティングが屋根、床または戸外の条件にさらされる表面用の防水コーティングとして使用される、請求項１７のコーティング組成物。
【請求項１９】
戸外の条件にさらされる前記の表面がコンクリート製である、請求項１８のコーティング組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１９５】
ユーザセレクタユニット１１０２は、フィードバックユニット１１１２によって得られたフィードバック情報に基づいて、複数のユーザＵ１−ＵＭに関連のデータを選択し、複数の符号化変調ユニット１１０４の各々にこの情報を提供する。各符号化変調ユニット１１０４は、ユーザの情報ビットを符号化及び変調してマッピングユニット１１０６に送る。マッピングユニット１１０６は、複合記号、即ち、複数のシンボル集合体に入力ビットをマップし、ＤＩＤＯ−ＩＱ認識プリコーディングユニット１１０８に結果を送る。ＤＩＤＯ−ＩＱ認識プリコーディングユニット１１０８は、ユーザからフィードバックユニット１１１２によって得られたチャネル状態情報を利用してＤＩＤＯ−ＩＱ認識プリコーディング重みを計算し、マッピングユニット１１０６から得られる入力記号をプリコーディングする。プリコーディングデータストリームの各々は、ＩＦＦＴを計算して循環プレフィックスを追加するＯＦＤＭユニット１１１５にＤＩＤＯ−ＩＱ認識プリコーディングユニット１１０８により送られる。この情報は、ＤＡ変換を操作してＲＦユニット１１１４に送るＤ／Ａユニット１１１６に送られる。ＲＦユニット１１１４は、中間／高周波にベースバンド信号をアップコンバートして送信アンテナに送る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２３５】
ユーザセレクタユニット１９０２は、ＤＩＤＯ構成器１９１０によって得られるフィードバック情報に基づいて、複数のユーザＵ1−ＵMに関連のデータを選択して複数の符号化変調ユニット１９０４の各々にこの情報を提供する。各符号化変調ユニット１９０４は、各ユーザの情報ビットを符号化及び変調してマッピングユニット１９０６に送る。マッピングユニット１９０６は、複合記号、即ち、複数のシンボル集合体に入力ビットをマップしてプリコーディングユニット１９０８に送る。符号化変調ユニット１９０４及びマッピングユニット１９０６は、ＤＩＤＯ構成ユニット１９１０から得られた情報を利用して各ユーザに対して使用すべき変調／符号化方式の形式を選択する。この情報は、フィードバックユニット１９１２によって供給される各々のユーザのチャネル品質情報を利用することによってＤＩＤＯ構成ユニット１９１０により計算される。ＤＩＤＯプリコーディングユニット１９０８は、ＤＩＤＯ構成ユニット１９１０によって得られる情報を利用してＤＩＤＯプリコーディング重みを計算し、マッピングユニット１９０６から得られる入力記号をプリコーディングする。プリコーディングデータストリームの各々は、ＩＦＦＴを計算して循環プレフィックスを追加するＯＦＤＭユニット１９１５にＤＩＤＯプリコーディングユニット１９０８により送られる。この情報は、ＤＡ変換を操作してＲＦユニット１９１４に得られるアナログに信号を送るＤ／Ａユニット１９１６に送られる。ＲＦユニット１９１４は、中間／高周波にベースバンド信号をアップコンバートして送信アンテナに送る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
好ましくは、係合機構は、付勢要素に接続されるように構成されたアームである。アームは、ハウジングの孔を通って付勢要素に接続される。好ましくは、アームは、注入装置の駆動装置と係合可能なねじ山を含み、基部ステーションは、アームに接続されたモーターをさらに含んでおり、このモーターがアームを回転させ、アクチュエータ機構をその第１の位置に戻したり、駆動装置が注射器をその延出位置に動かしてその中身を排出するためにアクチュエータ機構により作用されうる位置まで駆動装置を戻したりする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
ハブ１０を介して縫合糸７８の一部を引出すことが必要である場合には、図１６に示すように、ハブがロック解除位置にある場合に縫合糸７８は、ハブ１０を介して比較的容易に動く。すなわち、第２ベースすなわちハンドル１４が第１ベースすなわちベース１２の上側面に対して傾斜して（望ましくは実質的に９０度の角度で）位置する場合、縫合糸７８は、バー２４の孔２８及び回動ピン３８の孔４６を通る。この位置では、第２ベースすなわちハンドル１４の回動ピン３８の孔４６、及び第１ベースすなわちベース１２のバー２４の孔２８は実質的に軸方向に整列している。さらに、カバー６０の孔７４及びスリット７６も実質的に軸方向に整列している。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
【化１】
2010537206.tif 000001
〔式中、Ｘは、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉならびに置換および非置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルから選択され；ＹおよびＺは、独立に、Ｈ、Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、Ｉならびに置換および非置換Ｃ１−Ｃ１０アルキルから選択され；かつ、Ｒは、ＣＯＯＨ、ＣＯＮＨ２、ＳＯ３ＨおよびＣＯＯＲ’（Ｒ’はＣ１−Ｃ１０アルキル）から選択される〕
で表されるシアノ桂皮酸誘導体の、分析物のＭＡＬＤＩ質量分析のためのマトリックスとしての使用。
【請求項２】
Ｘが、Ｆ、Ｃｌ、メチルまたはＣ２−Ｃ１０アルキルから選択され、ＹおよびＺが、独立に、Ｈ、ＦおよびＣｌから選択される、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記シアノ桂皮酸誘導体が、２，４−ジフルオロ−シアノ桂皮酸、４−クロロ−シアノ桂皮酸または４−メチル−シアノ桂皮酸である、請求項１または２に記載の使用。
【請求項４】
４−クロロ−シアノ桂皮酸が、陽イオンのＭＡＬＤＩ質量分析のためのマトリックスである、請求項３に記載の使用。
【請求項５】
２，４−ジフルオロ−シアノ桂皮酸、４−クロロ−シアノ桂皮酸および４−メチル−シアノ桂皮酸が、陰イオンのＭＡＬＤＩ質量分析のためのマトリックスである、請求項３に記載の使用。
【請求項６】
２，４−ジフルオロ−シアノ桂皮酸が、陰イオンおよび陽イオンのＭＡＬＤＩ質量分析のためのマトリックスである、請求項３に記載の使用。
【請求項７】
４−メチル−シアノ桂皮酸および４−クロロ−シアノ桂皮酸が、二重電荷またはそれ以上の電荷を有するイオンのＭＡＬＤＩ質量分析のためのマトリックスである、請求項３に記載の使用。
【請求項８】
前記分析物が、消化されたタンパク質またはペプチドである、請求項１〜７のいずれかに記載の使用。
【請求項９】
前記マトリックスが、前記分析物と混合されている、請求項１〜８のいずれかに記載の使用。
【請求項１０】
前記一般式に該当する様々なシアノ桂皮酸誘導体の混合物またはさらなるマトリックスと前記一般式に該当する少なくとも１種類のシアノ桂皮酸誘導体との混合物が使用される、請求項１〜９のいずれかに記載の使用。
【請求項１１】
前記さらなるマトリックスが、瘁|シアノ−４−ヒドロキシ桂皮酸、２，５−ジヒドロキシ安息香酸、シナピン酸またはフェルラ酸から選択される、請求項１０に記載の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４６】
図4は、前記アドサーバ380によって実行されてよいアドを選択するための処理を示す。前記アドサーバ380は、ステップ405において、或る特定のメンバー用のアドのリクエスト("アドリクエスト")を受信する。該アドリクエストは、或る特定のメンバーに対する提示のために或る広告主からの1または複数のアドを記述するものである。一実施の形態において、前記リクエストは、前記特定のメンバーのユニークなメンバー識別子を含むことによって前記特定のメンバーを特定する。そして、前記アドサーバ380は、ステップ410において、前記アドリクエストデータベース175における各アドリクエスト毎のターゲティング規準(もしこのような基準があれば)を前記メンバーに適用する。図6を参照して以下に詳述するように、アドリクエストは、アドを特定の規準に適合するメンバーにのみアドを送るために1組のターゲティング規準を指定するものであってよい。ターゲティング規準の一例は、18歳と30歳との間の年齢であって、音楽に関心があるメンバーを指定するものであってよい。一実施の形態において、前記ターゲティング規準は、性、年齢、学歴、地理的エリア、雇用タイプまたはメンバープロフィールのその他のデータのようなユーザの様々な人口統計学的なデータを記述する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
前記アドリクエスト600に記載された入札金額フィールド620は、前記アドが提示されたメンバーがアドにクリックする毎に前記広告主520が支払う報酬の金額を示してよい。代案として、前記入札金額フィールド620は、前記アドが1またはある特定数のメンバーに表示される毎に、前記広告主520が前記ソーシャルネットワーキングウェブサイトオペレータ510に支払うことになる金額を明記してよい。前記データ範囲フィールド625は、前記アドが表示される時間範囲を明記してよく、これにより、前記広告主が複数の異なる時に複数の異なるアドを表示することが可能になる。例えば、広告主は複数の異なるデータ範囲フィールド625を有する多数のアドリクエストを提示してよく、これにより、前記広告主が一日中、一か月中または他の時間インターバル中における複数の異なる時に複数の異なるアドを表示することが可能になる。従って、前記広告主は複数の異なる時に複数の異なるアドコンテンツ630を表示でき、これにより、広告主は、該広告主に関連したアドにメンバーがアクセスする可能性をより高めるよう、様々なアドまたはプロモーションを表示することができる。さらに、前記アドリクエスト600は前記広告主520がターゲティング規準635を指定することを可能にするものであり、該ターゲティング規準635の使用法についてはアドを生成するための処理のステップ410に関連して上述されている。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
動作時に半導体チップによって放出される光の定義された部分を遮る、フレーム部の傾斜側面に代えて、またはこれに加えて、別の実施形態においては、カバープレートには、部分的に、反射層、吸収層、または反射・吸収層が設けられている。反射層、吸収層、または反射・吸収層は、半導体チップによって放出される光を反射する、吸収する、または反射および吸収し、したがって、動作時に発光半導体チップによって放出される光のさらなる定義された部分を遮り、これは有利である。具体的には、反射層、吸収層、または反射・吸収層は、自身を照らす半導体チップからの光の１５％未満、好ましくは５％未満、特に好ましくは２％未満を透過させる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
このプロセスの別の実施形態においては、カバー要素を分離する前または分離した後に、カバープレートを形成するカバープレートウェハの部分に、部分的に、反射層、吸収層、反射・吸収層のうちの１つ以上を設ける。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１７】
図１６Ａおよび図１６Ｂによる半導体モジュールは、図１４および図１５の半導体モジュールと異なる点として、第一に、半導体チップ１０とは反対を向いているカバープレート３００の主面３０２に、部分的に反射層が形成されており、この反射層は、反射層１７のさらなる部分を意図的に遮る。例えば、図１６に上面図として概略的に示したように、反射層１７によって、カバープレート３００の光取出し出力領域の非対称な幾何学形状が達成される。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体モジュールであって、
チップキャリアと、
前記チップキャリア上に実装されている発光および／または受光半導体チップと、
前記チップキャリアとは反対を向いている、前記半導体チップの側の上方に配置されている、少なくとも部分的に光透過性のカバープレートと、フレーム部とを有するカバー要素と、
を備えており、
前記フレーム部が、前記半導体チップを横方向に囲んでおり、接合層を使用せずに前記カバープレートに接合されており、前記カバープレートから遠い方の自身の側において前記チップキャリアに接合されており、
前記カバープレートと前記フレーム部との結合面において前記カバープレートの第１の主面の領域が前記フレーム部の開口と重なり合うように、前記フレーム部は、接合層を使用せずに前記カバープレートの第１の主面に接合し、前記開口を有しており、
前記フレーム部は、前記半導体チップによって放出される光に対して不透明であり、
前記カバー要素と前記チップキャリアとによって囲まれており、かつ前記半導体チップを含んでいる領域に、前記半導体チップを封止するポッティング化合物が存在せず、
前記カバープレートには、部分的に、反射層、吸収層、または反射・吸収層が設けられており、
動作時に、前記チップキャリアの主延在平面に対して１０度に等しいかまたは１０度またはそれ以下の角度（β，β１，β２）をなす光ビームを放出する、もしくは受け取る、またはその両方を行う、
オプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項２】
前記反射層により前記カバープレートの光取出し出力領域の非対称な幾何学形状が達成されるように、前記カバープレートには前記反射層、吸収層、または反射・吸収層が部分的に形成されている、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項３】
前記フレーム部が、前記半導体チップに面している少なくとも１つの傾斜側面を有する、請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項４】
前記傾斜側面が４０度〜７０度の間の角度をなしている、請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項５】
前記傾斜側面が５３度〜５６度の間の角度をなしている、請求項３または請求項４に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項６】
前記傾斜側面と前記半導体チップとの間の横方向距離が、前記チップキャリアから前記カバープレートの方に近づくにつれて減少または増大する、請求項３に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項７】
前記反射層、吸収層、または反射・吸収層が、窒化タンタル、シリコン、クロムのうちの１つ以上を含んでいる、またはこれらの材料の１つから成る、請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項８】
前記フレーム部が前記チップキャリアにはんだ付けされている、請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項９】
前記チップキャリアが窒化アルミニウムを含んでいる、請求項１から請求項８のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１０】
前記カバープレートは、カバープレートウェハから作られ、前記フレーム部はフレームウェハから作られる、請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１１】
前記カバープレートがホウケイ酸ガラスを含んでおり、前記フレーム部がシリコンを含んでいる、請求項１から請求項１０のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１２】
前記フレーム部は、少なくとも１つの貫通部を含む、請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュールを有する、オプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１３】
前記半導体チップは、前記チップキャリアを上から見たとき前記フレーム部によって横方向に完全には囲まれていない、請求項１２に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１４】
前記フレーム部は、ウェブもしくは支柱、またはその両方のように互いに隔置されている複数の個々の部分から成る、請求項１２または請求項１３に記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１５】
数個の発光半導体チップは、前記フレーム部の開口内に一緒に配置され、発光半導体チップのそれぞれは前記チップキャリアの導電性トラックに半田付けされている、請求項１から請求項１４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。
【請求項１６】
請求項１から請求項１５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュールを有する、自動車のヘッドライト。
【請求項１７】
請求項１から請求項１５のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュールを有する投影装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
当業者には、この種のフリーラジカル開始バルク重合では、モノマーからポリマーへの１００％の変換は達成不可能でないとしても、困難であることは明らかであろう。このため、反応終了時のポリマーには残渣や未反応のモノマーが少なく、それらは水性又は溶剤抽出プロセスで取り除かれ、生体での使用に適したコンタクトレンズが生成する。その結果として、これらの残りのモノマーのいくつかは反応終了時にポリマーに組み込まれるであろう。このため、重合反応の終了時に生成するＰＶＰホモポリマーは、必然的に形成の極低濃度の他のモノマー要素を含むことになる。反応終了時にレンズポリマーに組み込まれるこれらの残りのポリマーの濃度の正確な定量化は、生成するポリマーの性質のため困難である。しかし、微量の他の要素がＰＶＰホモポリマーに組み込まれるであろうことは分かる。したがって、本発明によれば、ＰＶＰホモポリマーは、基本的には重合したＮＶＰのみからなるポリマーであり、微量の他のモノマーが存在するものも含むことが分かるだろう。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
（たとえば、シリコンまたはゲルマニウムのような）第１の基板１０が、（ハッチングパターンの方向で表される）第１の結晶方位をもって備えられる。熱的成長のような既知のプロセス（非特許文献１を参照）を用いて、酸化物層２０が基板１０上に形成される。第２の結晶方位を持つ（例えば、シリコンのような）第２の層３０が、上述のＳＯＩ接合技術を用いて層１０に接着される。次に、（例えば、化学機械的研磨のような標準的プレーナ研磨工程を用いて）第２の層が研磨され１００、層３０´を残す。１つの実施形態では、残留層の厚さは、シリコン層が１−５μｍであり、介在する酸化物層は約０．１−０．５μｍである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
このステップは、もう１つの酸化物層４０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層５０を用いて繰り返される。そこで、層５０は、研磨され１００、層５０´を残す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
もう１つの酸化物層６０と(再度、それ自身の、所望の方位を持った)他の層７０を用いて、このステップは再び繰り返される。そこで、層７０は研磨され１００、層７０´を残す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁作動式の弁のための固定の磁気回路素子（６６，６６’，６６’’）を製造する方法において、
磁気回路素子（６６，６６’，６６’’）は、少なくとも２つの域を有しており、直に上下に並んで位置する２つの域は、異なる磁気特性を有しており、
以下の方法ステップ：
ａ）磁性材料もしくは磁化可能な材料から成る円筒形状の基本体（５５，５５’）を提供し、基本体（５５，５５’）は、強磁性であるか、またはフェライトまたはマルテンサイトの材料組織を有し、
ｂ）基本体（５５，５５’）に第１の完全な熱処理を施し、その際、基本体（５５，５５’）の第１の熱処理を、焼き入れによって行い、
ｃ）マルテンサイトの基本体（５５，５５’）内に、マルテンサイトと残留オーステナイトとから成る組織を有する部分領域（５９）もしくは縁部領域（５９，５９’）を形成するために、基本体（５５，５５’）に局所的な第２の熱処理を施し、基本体（５５，５５’）の局所的な第２の熱処理を、レーザ加熱または誘導加熱（５７）によって行い、基本体（５５，５５’）に局所的な第２の熱処理を施したあとで、形成された基本体（５５，５５’）の最終加工を、磁気回路素子（６６，６６’，６６’’）の所望の幾何学形状が得られるまで行い、
ｄ）磁気回路素子（６６，６６’，６６’’）として完成加工された基本体（５５，５５’）を磁気回路に組み込む
方法ステップを有することを特徴とする、電磁作動式の弁のための固定の磁気回路素子を製造する方法。
【請求項２】
基本体（５５，５５’）の最終加工を、しごき加工、転造加工、ロータリスエージング、縁曲げ加工および／または縁拡開加工によって行う、請求項１記載の方法。
【請求項３】
最終的に加工された基本体（５５、５５’）を、スリーブ状のハウジング（６６）、中実なアーマチュアピン（６６’）またはフラットなアーマチュアプレート（６６’’）として磁気回路に組み込む、請求項１または２記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
磁気回路素子の所望の異なる磁気特性を得るために、基本体５５は、完全に熱処理にさらされ、熱処理は、たとえば焼き入れ、冷凍庫における深冷処理および／または炉５６内の単数または複数回の焼き戻しによって実施することができる（図３）。焼き入れのあとで、組織は、依然として残留オーステナイト部分から成っていてよく、残留オーステナイトは、後続の熱処理ステップによってマルテンサイトに変態させられる。これに対して選択的に、組織は、堆積された粒子、たとえば炭化物、窒化物または金属間化合物を有するフェライトから成っていてもよい。熱処理は、基本体５５に完全に磁性のマルテンサイトの材料組織が形成されるように行われる（図４）。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
次いで局所的に制限して実施される別の熱処理が行われる。このために基本体５５の部分領域は、たとえばレーザ加熱または誘導加熱５７を用いた短時間の熱処理にさらされる（図５）。このようにして基本体５５の材料は、第２の熱処理の部分領域で局所的にオーステナイト化され、均質化され、包囲する材料による基本体５５の冷却もしくは急冷のあとで、マルテンサイトの領域５８と、マルテンサイトおよび残留オーステナイトを有する部分領域５９とから成る（図６）。ここでは基本体５５は、異なる組織および磁気特性を有する複数の域から成る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
基本体５５は、次いで最終処理され、固定のハウジング５６は、磁気回路素子として所望の幾何学形状で提供される。本発明に従って製造されるハウジング６６を燃料噴射弁に使用する場合、有利には、ハウジング６６は、製作技術的な手段、たとえばしごき加工、転造加工、ロータリスエージング、縁曲げ加工および／または縁拡開加工によって特別に成形される。ハウジング６６によって、図１に示した公知の燃料噴射弁において、コア２と中間部材１２と弁座支持体１６とから成る弁管の機能全体を完全に引き受けることができ、したがってたとえば燃料噴射弁の軸方向全長にわたって延在する構成部材が提供される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
磁気回路素子の所望の異なる磁気特性を得るために、基本体５５’は、完全に熱処理にさらされ、熱処理は、たとえば焼き入れ、冷凍庫内での深冷処理または炉５６内での単数または複数回の焼き戻しによって行うことができる（図１０）。焼き入れしたあとで、組織は、依然として残留オーステナイト部分から成っていてよく、残留オーステナイトは、後続の熱処理ステップによってマルテンサイトに変態させられる。これに対して選択的に、組織は、堆積された粒子、たとえば炭化物、窒化物または金属間化合物を有するフェライトから形成してもよい。熱処理は、基本体５５’に完全に磁性のマルテンサイトの材料組織が形成されるように行われる（図１１）。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
図１５には、本発明に従って製造されるアーマチュアプレート６６’を備えたフラット型アーマチュア構造の磁気回路の一部を概略的に示した。製造原理は、ハウジング６６もしくはアーマチュアピン６６’を製造するための前述の方法ステップと比較可能である。局所的な第２の熱処理は、フラットでプレート状の基本体の片側で、レーザ加熱または誘導加熱を用いた短時間の加熱処理が実施されるように行われる。このようにして基本体の材料は、この側で、局所的にオーステナイト化され、均質化され、包囲する材料による基本体の冷却もしくは急冷のあとで、マルテンサイトの領域５８’’と、マルテンサイトおよび残留オーステナイトを有する、マグネットコイル１に向いた側の縁部領域５９’’とから成る。アーマチュアプレート６６’は、異なる組織と磁気特性とを有する域から成る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
活性成分の高い利用率を達成するための要件は、接着性及び製造性に必要な、接着層及びリザーバ層の大きな層厚（コーティング重量）の要件と、また、経皮的使用に必要な高い熱力学的活量（飽和溶解度に近い）に到達する前に、大部分の活性成分を溶解する大多数の接着剤組成物の性質と拮抗する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
この目的は、本発明によれば、活性成分に対して本質的に不透過性の支持層、皮膚から離れたポリイソブチレンに基づく層、皮膚から離れた層よりも薄く、そしてＴＴＳの製造後には活性成分の大部分を含む、アクリル共重合体に基づく接着性皮膚接触層、及び活性成分に対して本質的に不透過性の剥離可能な保護層、を含む経皮治療システム（ＴＴＳ）を提供することにより達成される。皮膚から離れた層のコーティング重量は、本発明によれば、少なくとも８０ｇ／ｍ2、好ましくは１００〜２００ｇ／ｍ2であり；皮膚接触層のコーティング重量は、本発明によれば、５０ｇ／ｍ2以下、好ましくは２０〜３０ｇ／ｍ2である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
好ましい実施態様では、皮膚から離れた層のコーティング重量の皮膚接触層のコーティング重量に対する比は少なくとも２：１、特に好ましくは３：１から５：１である。皮膚から離れた層の主成分として関係するポリイソブチレンは、先行技術で使用されているポリシロキサンより低い拡散性を有するが、驚くべきことに、本発明の経皮治療システムは、活性成分の利用率及び用量確度の点において、先行技術において周知のシステムを凌駕することが明らかになっている。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
上記の本発明は、活性成分の用量が、一方では相対的に大きな層厚に適用され、また他方では本発明に従って使用される活性成分に対して非常に低い溶解能を示すポリイソブチレンのポリマー組成物への後者の導入を介して非常に正確で効率的であることを可能にし、そして活性成分／ポリマー混合物をシートにコーティングする確度が、相対的に大きな層厚のために非常に高くなることを可能にする。更なる利点は、アクリレート共重合体に基づく接着性皮膚接触層が、活性成分でコーティングされる必要はなく、そのためこの層の厚さは、これまでの先行技術に従って通例となっていて、また正確な用量に必要な５０ｇ／ｍ2を超えるコーティング重量より低く低減され、そして好ましくは２０〜３０ｇ／ｍ2の典型的コーティング重量まで制限することさえできるという事実から生じる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分に対して不透過性で皮膚の反対側に面する支持層、１００〜２００ｇ／ｍ2のコーティング重量を有する皮膚から離れたポリイソブチレンに基づく隣接するポリマー層、２０〜３０ｇ／ｍ2のコーティング重量を有する皮膚から離れたポリマー層に隣接するアクリレート共重合体に基づく接着性皮膚接触層、及び皮膚接触層から剥離することができ活性成分に対して不透過性の保護層を含む、室温で不揮発性の少なくとも１つの活性薬剤成分を３０ｍｇを超えない一日量で投与するための経皮治療システムであって、該経皮治療システムを製造する際、積層及び拡散均等化の後で皮膚から離れたポリマー層中に存在する活性成分の主要部分が皮膚接触層中へ移動することを特徴とするシステム。
【請求項２】
皮膚から離れた層のコーティング重量の皮膚接触層のコーティング重量に対する比が少なくとも２：１であることを特徴とする、請求項１に記載の経皮治療システム。
【請求項３】
比が３：１から５：１であることを特徴とする、請求項１に記載の経皮治療システム。
【請求項４】
皮膚接触層のポリマー主成分が、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル及びビニル化合物のグループから選択されるモノマーの共重合体から成ることを特徴とする、請求項１に記載の経皮治療システム。
【請求項５】
ビニル化合物が酢酸ビニルであることを特徴とする、請求項４に記載の経皮治療システム。
【請求項６】
活性成分が、鎮痛薬、気管支拡張薬、抗糖尿病薬、血管拡張薬、抗渇望薬及び抗パーキンソン病薬のグループから選択されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の経皮治療システム。
【請求項７】
活性成分が鎮痛薬であることを特徴とする、請求項６に記載の経皮治療システム。
【請求項８】
活性成分の少なくとも１つがオピオイドであることを特徴とする、請求項７に記載の経皮治療システム。
【請求項９】
オピオイドがフェンタニル及び／又はその誘導体の１つであることを特徴とする、請求項８に記載の経皮治療システム。
【請求項１０】
フェンタニル誘導体がアルフェンタニル、スフェンタニル又はレミフェンタニルであることを特徴とする、請求項９に記載の経皮治療システム。
【請求項１１】
適切な揮発性溶媒又は溶媒混合物に溶解した活性成分を、皮膚から離れた層を意図するポリイソブチレン系のポリマー組成物と混合し、得られた混合物をシリコン処理したプラスチックシートに少なくとも２００μｍの層厚に均一に適用し、得られた積層体を乾燥及び溶媒の蒸発後に支持層で覆い、そしてシリコン処理したプラスチックシートを除去した後、接着性皮膚接触層及び剥離可能な保護層を、皮膚から離れた活性成分含有層及び接着性皮膚接触層が互いに接触するような方法で、皮膚から離れた層上に積層することを特徴とする、請求項１に記載の経皮治療システムを製造する方法。
【請求項１２】
皮膚から離れた層のコーティング重量の皮膚接触層のコーティング重量に対する比が少なくとも２：１であることを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
比が３：１から５：１であることを特徴とする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
活性成分がフェンタニル又はフェンタニル誘導体であることを特徴とする、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１５】
フェンタニル誘導体がアルフェンタニル、スフェンタニル又はレミフェンタニルであることを特徴とする、請求項１４に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーブレンド組成物であって、以下の成分：
ａ）組成物の重量に基づいて、５５重量％〜９２重量％のスチレンテトラブロックコポリマーであって、（１）Ｓ−Ｉ−Ｂ−Ｓ（式中、各Ｓは独立して主にスチレンのポリマーブロックであり、１０，０００〜１５，０００の見かけの分子量を有し、Ｉは主にイソプレンのポリマーブロックであり、Ｂは主にブタジエンのポリマーブロックであり、ＩおよびＢは７５：２５〜１５：８５の範囲内に含まれるＩ：Ｂの重量比で存在している）として表される分子構造と、（２）テトラブロックコポリマーの重量に基づいて１５重量％〜３２重量％の範囲内の重合スチレン含量と、（３）８５，０００〜１６０，０００の範囲内の見かけの分子量とを有するスチレンテトラブロックコポリマーと；
ｂ）組成物の重量に基づいて、８重量％〜４５重量％の、成分（ａ）とは相違する熱可塑性樹脂と；任意で、
ｃ）組成物の重量に基づいて、０重量％〜２０重量％のエキステンダー材料とを含み、
ａ）、ｂ）およびｃ）の量は一緒にすると１００重量％となる組成物。
【請求項２】
前記熱可塑性樹脂（ｂ）は、ポリスチレン、スチレン−イソプレンコポリマー、スチレン−ブタジエンコポリマー、およびオレフィンポリマー樹脂から選択される少なくとも１つの樹脂である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂は、スチレン−イソプレンコポリマーもしくはスチレン−ブタジエンコポリマーであり、いずれの場合もコポリマーの重量に基づいて６５重量％を超える重合スチレン含量を有する、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記熱可塑性樹脂は、エチレンをベースとするポリマーおよびプロピレンをベースとするポリマーから選択されるオレフィンポリマー樹脂である、請求項２に記載の組成物。
【請求項５】
前記熱可塑性樹脂は、高圧低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、線状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、エチレン／α−オレフィンコポリマーから選択されるエチレンをベースとするポリマーであり、前記α−オレフィンは３〜２０個の炭素原子およびエチレン／α−オレフィン共重合体を含有している、請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
前記熱可塑性樹脂は、ホモポリマーポリプロピレン、プロピレン／α−オレフィンコポリマーから選択されるプロピレンをベースとするポリマーであって、前記α−オレフィンは２個または４〜８個の炭素原子を含有している、請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
前記エキステンダーは、炭化水素油、ナフタレン油、ならびにオレフィン不飽和を有し、イソプレンおよびブタジエンのうちの少なくとも１つと相溶性であるモノマーに由来するポリマーもしくはオリゴマーから選択される、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記炭化水素油は、白色鉱油である、請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
前記エキステンダーは、組成物の重量に基づいて、１重量％〜１８重量％の量で存在する、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
前記スチレンテトラブロックコポリマーは、組成物の重量に基づいて、６５重量％〜９２重量％の範囲内の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１１】
前記熱可塑性樹脂ｂ）は、組成物の重量に基づいて、８重量％〜３０重量％の範囲内の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１２】
前記エキステンダー材料ｃ）は、組成物の重量に基づいて、０重量％超〜１５重量％の範囲内の量で存在する、請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組成物から調製された少なくとも１つの層を含むポリマーフィルム。
【請求項１４】
前記層は、同一のタイプおよび量の熱可塑性樹脂およびエキステンダーから、しかし同一のスチレン、イソプレンおよびブタジエン含量を有し、前記イソプレンおよびブタジエンは実質的にランダムポリマーブロックとして存在するスチレンブロックコポリマーを用いて調製された層より小さい、２００％伸び時のピーク力対３０％伸び時の無負荷力として示される改良された横断方向ヒステリシス試験比を有する、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
【請求項１５】
前記改良された横断方向ヒステリシス試験比は、約３０重量％のスチレン含量、約３５重量％のイソプレン含量および約３５重量％のブタジエン含量を有する８５重量％のテトラブロック（各テトラブロック重量％はテトラブロックの重量に基づく）、１０重量％のポリスチレンおよびエキステンダーとしての５重量％の白色鉱油（テトラブロック、低密度ポリエチレンおよび鉱油の重量％は組成物の重量に基づく）を含む層組成物については５以下である、請求項１３に記載のポリマーフィルム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
Ｄ．  ＢＣＰ−４  −  ランダムＩ／Ｂブロックを用いた線状Ｓ（Ｉ／Ｂ）ジブロックコポリマーの調製
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月6日(2013.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水ミストをかなり含みかつ濾過除去する粒子を含んでいる空気流を供給するステップと、
前記空気流を濾過媒体に通すステップと
を含む、空気から粒子を濾過除去する方法であって、
前記媒体が、前記空気流に対して上流側と下流側とを有し、また疎水性不織ウェブの下流において前記疎水性不織ウェブと流体接触するナノウェブ層を含む、方法。
【請求項２】
空気流中の水ミストにさらされた状態での前記媒体での圧力低下が、前記水ミストに３分間さらした後にせいぜい１０倍しか増大しない、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第２ウェブが前記ナノウェブと前記疎水性ウェブとの間に配置され、かつその両方と流体接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記疎水性ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記疎水性ウェブがその表面の少なくとも一部で前記ナノウェブと結合している、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記疎水性ウェブが、前記ナノウェブの上流においてスパンボンド不織ウェブを含みかつ前記ナノウェブと流体接触する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記スパンボンド不織ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記スパンボンドウェブが、１成分がポリオレフィンを含む、単一成分繊維または２成分複合繊維を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記不織ウェブが、前記ナノウェブの上流において前記ナノウェブと流体接触するメルトブローン不織ウェブを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記メルトブローン不織ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、請求項９に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
上記の実施例では、番号１および３は、空気流に面する疎水性ウェブ（ある場合はスパンボンド、ある場合はメルトブローンウェブ）を有していた。このデータは、湿気による圧力上昇を防ぐ点での本発明の有効性を示している。実施例２のメルトブローンウェブは疎水性であり、ナノウェブ層の上流にあるが、親水性スパンボンド不織布が空気流に面しているため、圧力増大は著しく大きい。スパンボンド不織布は実施例３では親水性であり、ナノウェブ層のすぐ上流にあり、疎水性メルトブローン不織布が空気流に面しているため増大圧力は著しく低下している。
次に、本発明の態様を示す。
１．  水ミストをかなり含みかつ濾過除去する粒子を含んでいる空気流を供給するステップと、
前記空気流を濾過媒体に通すステップと
を含む、空気から粒子を濾過除去する方法であって、
前記媒体が、前記空気流に対して上流側と下流側とを有し、また疎水性不織ウェブの下流において前記疎水性不織ウェブと流体接触するナノウェブ層を含む、方法。
２．  空気流中の水ミストにさらされた状態での前記媒体での圧力低下が、前記水ミストに３分間さらした後にせいぜい１０倍しか増大しない、上記１に記載の方法。
３．  第２ウェブが前記ナノウェブと前記疎水性ウェブとの間に配置され、かつその両方と流体接触する、上記１に記載の方法。
４．  前記疎水性ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、上記１に記載の方法。
５．  前記疎水性ウェブがその表面の少なくとも一部で前記ナノウェブと結合している、上記４に記載の方法。
６．  前記疎水性ウェブが前記ナノウェブと点結合している、上記５に記載の方法。
７．  前記疎水性ウェブが、前記ナノウェブの上流においてスパンボンド不織ウェブを含みかつ前記ナノウェブと流体接触する、上記１に記載の方法。
８．  前記スパンボンド不織ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、上記７に記載の方法。
９．  前記スパンボンド不織ウェブが前記ナノウェブと結合している、上記８に記載の方法。
１０．  前記スパンボンド不織ウェブが前記ナノウェブと点結合している、上記８に記載の方法。
１１．  前記スパンボンドウェブが、１成分がポリオレフィンを含む、単一成分繊維または２成分複合繊維を含む、上記７に記載の方法。
１２．  前記不織ウェブが、前記ナノウェブの上流において前記ナノウェブと流体接触するメルトブローン不織ウェブを含む、上記１に記載の方法。
１３．  前記メルトブローン不織ウェブが前記ナノウェブと実際に接触する、上記１２に記載の方法。
１４．  前記メルトブローン不織ウェブが前記ナノウェブと結合している、上記１３に記載の方法。
１５．  前記メルトブローン不織ウェブが前記ナノウェブと点結合している、上記１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の文書（６０）を面同士が向かうよう積み重ねられた構成で格納するための筐体（５５）と、
前記筐体に取り外し可能に連結される支持板（１００）と、
前記支持板（１００）に回転可能に接続される複数のギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）とを含み、少なくとも２つのシャフト（１３０）が少なくとも２つの対の前記ギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）を接続するよう配され、さらに、
前記筐体（５５）に関連する複数の実質的に平行なラック（５９）を含み、前記ラック（５９）は複数の前記ギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）を係合するよう構成され、さらに、
前記筐体の１つの長手方向端部にて、もっとも最近積み重ねられた文書に向かって前記支持板（１００）を付勢するための付勢機構（１５０）を含む、文書格納アセンブリ（５０）。
【請求項２】
ロック位置とアンロック位置との間で移動可能な設置機構をさらに含む、請求項１に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項３】
前記設置機構の前記ロック位置は、付勢機構が前記少なくとも２つのシャフトのうちの１つの上に付勢力をかけることを防止し、これにより前記シャフトの回転を防止する、請求項２に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項４】
前記支持板は、前記設置機構が前記ロック位置にある際に、前記筐体から取り外すことが可能である、請求項２または３に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項５】
文書格納アセンブリにおいて文書（６０）を積み重ねるための文書積重機構（７０）を有する文書確認装置に取り外し可能に連結される文書格納アセンブリ（５０）であって、
複数の文書（６０）を面同士が向かうよう積み重ねられた構成で格納するための筐体（５５）と、
前記筐体（５５）に連結される支持板（１００）と、
前記支持板（１００）に回転可能に接続される複数のギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）とを含み、少なくとも２つのシャフト（１３０）が少なくとも２つの対の前記ギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）を接続するよう配され、前記文書格納アセンブリ（５０）はさらに、
前記筐体（５５）に関連する複数の実質的に平行なラック（５９）を含み、前記ラック（５９）は複数の前記ギア（１２０，１２０ａ，１２０ｂ）を係合するよう構成され、前記文書格納アセンブリ（５０）はさらに、
前記筐体の１つの長手方向端部にてもっとも最近積み重ねられた文書に向かって前記支持板（１００）を付勢するための付勢機構（１５０）とを含む、文書格納アセンブリ（５０）。
【請求項６】
摺動構成を含む補助機構を含み、前記摺動構成は、前記補助機構が前記筐体に対してその間にて低い抵抗量で摺動することを可能にする、請求項５に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項７】
前記摺動構成は、前記補助機構と前記筐体との間に連結されるローラの連なりを含む、請求項６に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項８】
前記摺動構成は、前記補助機構と前記筐体との間に連結される対の摺動レールを含む、請求項６に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項９】
前記筐体に取り外し可能に連結されるとともに前記筐体の１つの側の少なくともある部分を形成するアクセスカバーをさらに含む、請求項１から８のいずれかに記載の文書格納アセンブリ。
【請求項１０】
前記アクセスカバーは、前記文書の下に前記筐体の下側長手方向側を形成するよう配される、請求項９に記載の文書格納アセンブリ。
【請求項１１】
前記付勢機構（１５０）は、前記少なくとも２つのシャフト（１３０）の１つに連結されるばねを含む、請求項１から１０のいずれかに記載の文書格納アセンブリ。
【請求項１２】
前記複数のギアは、前記支持板の少なくとも２つの対向する縁部に回転可能に接続される、請求項１から１１のいずれかに記載の文書格納アセンブリ。
【請求項１３】
前記少なくとも２つのシャフトは、前記支持板の対向する縁部上に少なくとも２つの対の前記ギアを接続するよう配される、請求項１から１２のいずれかに記載の文書格納アセンブリ。