【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、
研磨対象物を収納したカセットを載置し、該カセットに収納された研磨対象物を検知するセンサを有するロードアンロードブロックと、
研磨対象物を移動させる搬送ブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄液で洗浄する洗浄槽と、洗浄後の研磨対象物を乾燥する乾燥槽とを有した洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロック、前記搬送ブロック、及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、
研磨、洗浄乾燥後の研磨対象物は、前記搬送ブロックにより研磨前に研磨対象物が収納されていたカセットと同一のカセットに戻されることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項２】
研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄、乾燥する洗浄ブロックと、
研磨後の研磨対象物を研磨ブロックから洗浄ブロックに移送する移送装置と、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記搬送装置及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、
前記研磨ブロックは、ターンテーブルと、ターンテーブル上に研磨対象物を支持するトップリングとを有し、
研磨後の研磨対象物を、トップリングに取り付けられた状態で粗洗浄する洗浄機を有し、
粗洗浄後に研磨対象物はトップリングから離脱され、その後前記移送装置によって洗浄ブロックに移送され、洗浄ブロックで洗浄、乾燥されることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項３】
研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、
研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨対象物を移動させる搬送ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
ポリッシング装置内からポリッシング装置外に排気する排気ダクトと、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロック、前記搬送ブロック、及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、
ポリッシング装置の天井にファンとケミカルフィルタとを有したフィルタブロックを配置し、前記ポリッシング装置の床面にはダクトヘッダが取り付けられ、該ダクトヘッダに開けられた穴に降下した空気が吸い込まれることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項４】
前記ダクトヘッダはダクトにより前記フィルタブロックに接続されていることを特徴とする請求項３記載のポリッシング装置。
【請求項５】
前記ロードアンロードブロックには、ステージ上に載置されたカセットに収納された研磨対象物のマッピングを行うセンサが設置されていることを特徴とする請求項１又は３記載のポリッシング装置。
【請求項６】
半導体ウエハを研磨した後に洗浄するポリッシング方法であって、
ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻すことを特徴とするポリッシング方法。
【請求項７】
半導体ウエハを研磨した後に洗浄して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、
ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻すことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
半導体ウエハを研磨した後に洗浄するポリッシング方法であって、
ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻して、１枚の半導体ウエハの処理を終了した後、引き続き残りの半導体ウエハの処理を行って、カセット内の全枚数の半導体ウエハの処理を終了した後に、カセットを交換することを特徴とするポリッシング方法。
【請求項９】
研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、
前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁とを有し、
前記洗浄ブロックは研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄槽と、洗浄後の研磨対象物を乾燥させる乾燥槽とを備え、
前記洗浄槽と乾燥槽のそれぞれにミストを排気する排気ダクトを設けたことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項１０】
前記排気ダクトにそれぞれ開口調整バルブを設けたことを特徴とする請求項９記載のポリッシング装置。
【請求項１１】
前記研磨ブロックに排気ダクトと開口調整バルブを設けたことを特徴とする請求項９又は１０記載のポリッシング装置。
【請求項１２】
研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、
前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁と、
研磨対象物を搬送するロボットとを有し、
前記ロードアンロードブロックには装置に投入されたカセットに収納された研磨対象物の数と収納棚の位置を計測するセンサが備えられており、計測終了後に前記ロボットが該カセットに収納された研磨対象物を取り出すことを特徴とするポリッシング装置。
【請求項１３】
装置をコントロールする制御ブロックを更に有し、前記センサで計測された研磨対象物の数と位置の情報は該制御ブロックに記憶されることを特徴とする請求項１２記載のポリッシング装置。
【請求項１４】
前記洗浄ブロックは研磨された研磨対象物を洗浄する洗浄槽と、洗浄された対象物を乾燥する乾燥槽とを備え、研磨後に洗浄乾燥された研磨対象物は前記ロボットにより研磨前と同一のカセットに戻されることを特徴とする請求項１２又は１３記載のポリッシング装置。
【請求項１５】
研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、
研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、
研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、
前記研磨ブロックを配した第１室と、
前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、
前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁と、
研磨対象物を搬送するロボットとを有し、
前記研磨ブロックは研磨布を貼付したターンテーブルと、研磨対象物を支持し該研磨布に押圧するトップリングと、研磨後の研磨対象物を該トップリングに取り付けた状態で粗洗浄する洗浄機とを備えることを特徴とするポリッシング装置。
【請求項１６】
前記洗浄ブロックは研磨された研磨対象物を洗浄する洗浄槽と、洗浄された対象物を乾燥する乾燥槽とを備え、前記洗浄機により粗洗浄された対象物は前記洗浄ブロックで洗浄乾燥され、前記ロボットによってロードアンロードブロックに投入されたカセットに戻されることを特徴とする請求項１５記載のポリッシング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上述の目的を達成するために、本発明の一態様は、研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、研磨対象物を収納したカセットを載置し、該カセットに収納された研磨対象物を検知するセンサを有するロードアンロードブロックと、研磨対象物を移動させる搬送ブロックと、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄液で洗浄する洗浄槽と、洗浄後の研磨対象物を乾燥する乾燥槽とを有した洗浄ブロックと、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロック、前記搬送ブロック、及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、研磨、洗浄乾燥後の研磨対象物は、前記搬送ブロックにより研磨前に研磨対象物が収納されていたカセットと同一のカセットに戻されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の態様は、研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄、乾燥する洗浄ブロックと、研磨後の研磨対象物を研磨ブロックから洗浄ブロックに移送する移送装置と、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記搬送装置及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、前記研磨ブロックは、ターンテーブルと、ターンテーブル上に研磨対象物を支持するトップリングとを有し、研磨後の研磨対象物を、トップリングに取り付けられた状態で粗洗浄する洗浄機を有し、粗洗浄後に研磨対象物はトップリングから離脱され、その後前記移送装置によって洗浄ブロックに移送され、洗浄ブロックで洗浄、乾燥されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の他の態様は、研磨対象物を研磨した後に、洗浄するポリッシング装置において、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨対象物を移動させる搬送ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、ポリッシング装置内からポリッシング装置外に排気する排気ダクトと、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロック、前記搬送ブロック、及び前記洗浄ブロックを配した第２室とを備え、ポリッシング装置の天井にファンとケミカルフィルタとを有したフィルタブロックを配置し、前記ポリッシング装置の床面にはダクトヘッダが取り付けられ、該ダクトヘッダに開けられた穴に降下した空気が吸い込まれることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記２室のうち、研磨ブロックを配置した第１室において、ターンテーブルの下面を境として平面状に隔壁を設け、この第１室を上下に２分割し、この上下２室に貫通する管を設け、各管と各室の間にバルブを設け、このバルブの一端を主管に連絡し、この主管を装置外部に開口させることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、洗浄ブロックの洗浄槽に貫通する管を設け、管と槽の間にバルブを設け、このバルブの一端に管を接続し、この管を装置外部に開口することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄するポリッシング方法であって、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻すことを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の他の態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄して半導体デバイスを製造する半導体デバイスの製造方法であって、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻すことを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の他の態様は、半導体ウエハを研磨した後に洗浄するポリッシング方法であって、ポリッシング装置をクリーンルーム内に設置し、ポリッシング装置の第２室内のロードアンロードブロックに配置されたカセットに収納された半導体ウエハをセンサにより検知した後に、該カセットから半導体ウエハを取り出して第１室内の研磨ブロックで研磨し、研磨後の半導体ウエハを隔壁に設けられた受け渡し口を介して前記第２室内の洗浄ブロックに搬送し、該洗浄ブロックにて研磨後の半導体ウエハを洗浄し乾燥させ、洗浄乾燥の終了した半導体ウエハを前記カセットに戻して、１枚の半導体ウエハの処理を終了した後、引き続き残りの半導体ウエハの処理を行って、カセット内の全枚数の半導体ウエハの処理を終了した後に、カセットを交換することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の他の態様は、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁とを有し、前記洗浄ブロックは研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄槽と、洗浄後の研磨対象物を乾燥させる乾燥槽とを備え、前記洗浄槽と乾燥槽のそれぞれにミストを排気する排気ダクトを設けたことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の他の態様は、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁と、研磨対象物を搬送するロボットとを有し、前記ロードアンロードブロックには装置に投入されたカセットに収納された研磨対象物の数と収納棚の位置を計測するセンサが備えられており、計測終了後に前記ロボットが該カセットに収納された研磨対象物を取り出すことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記研磨対象物は前記第２室を介して前記第１室に導入され、前記第１室で研磨された研磨対象物が第１室から第２室に移送され、前記第２室で洗浄された研磨対象物が第２室からクリーンルームに取出されることが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記洗浄ブロックは、前記第２室における空気の流れに対して反対方向に、清浄度が高くなる順番に複数の洗浄装置を配置したことが好ましい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の他の態様は、研磨対象物を収納したカセットの受け渡しをするロードアンロードブロックと、研磨対象物を研磨する研磨ブロックと、研磨後の研磨対象物を洗浄する洗浄ブロックと、前記研磨ブロックを配した第１室と、前記ロードアンロードブロック及び前記洗浄ブロックを配した第２室と、前記第１室と前記第２室とを区切る隔壁と、研磨対象物を搬送するロボットとを有し、前記研磨ブロックは研磨布を貼付したターンテーブルと、研磨対象物を支持し該研磨布に押圧するトップリングと、研磨後の研磨対象物を該トップリングに取り付けた状態で粗洗浄する洗浄機とを備えることを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、前記第２室の下部に配置された複数の開口を有するダクトヘッダと、前記第２室の排気を該ダクトを介して排出する排気ファンとを更に備えたことが好ましい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述した本発明の一態様によれば、研磨ブロックが設置された第１室は洗浄ブロック等のその他のブロック部分が設置された第２室を介してクリーンルームに連通されている。換言すれば、第１室とクリーンルームとは直接連通していない。このため、第１室で発生する汚染物質が直接クリーンルームを汚染することがない。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、研磨ブロックと洗浄ブロック等のその他のブロック部分とを隔壁によって遮断することが好ましい。これにより、研磨ブロックで発生する汚染物質が洗浄装置等を汚染することを抑制することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、研磨ブロックが設置された第１室及びその他のブロック部分が設置された第２室の両室を独立して、且つ、クリーンルーム、第２室、第１室の順に圧力が低くなるよう排気することが好ましい。これにより、排気に見合った清浄な空気はクリーンルームから供給される。このため、洗浄された清浄なウエハは、ポリッシング装置内の清浄な空気の流れに対して逆行する方向に移送されるため、ポリッシング処理によって発生する塵埃やミストが清浄なウエハを汚染してしまうことがない。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、研磨ブロックを配置した第１室をポリッシング処理部と動力駆動部とに分けそれぞれを独立に排気することが好ましい。これにより、動力駆動部がポリッシング処理によって発生する汚染物質によって汚染されることがない。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
前記洗浄室の天井にウエハの移動範囲にウエハ表面で風速０．３〜０．４ｍ／ｓの清浄な空気を吹き出すＨＥＰＡフィルタとファンを内蔵したフィルタブロックを設け、該洗浄室の床面には吹き降りた空気を回収するための開口面積調整が可能な穴を多数開けた管を設け、このフィルタブロックと管をダクトでつないで空気が循環できるようにし、また、前記ＨＥＰＡフィルタの吸引側にケミカルフィルタの取り付けを可能な構造とすることが好ましい。