Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予測符号化を含む符号化を行う画像符号化方法であって、
符号化するピクチャが、フラッシュを受けた画面を含むフラッシュピクチャであるか否かを検出するフラッシュ検出工程と、
前記フラッシュ検出工程において、フラッシュピクチャであると検出された場合に、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプを判定するピクチャタイプ判定工程と、
前記ピクチャタイプ判定工程において判定されたピクチャタイプに応じて、前記符号化するピクチャを含む所定のピクチャの符号量を調整する符号量調整工程とを有し、
前記符号量調整工程においては、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがBピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量のみを増加させ、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがIピクチャまたはPピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量及び前記フラッシュピクチャを前記予測符号化の際の参照画像として使用するピクチャの符号量を増加させることを特徴とする画像符号化方法。
【請求項２】
前記符号化するピクチャを構成するフィールド毎に評価値を算出する評価値算出工程を有し、
前記フラッシュ検出工程は、前記評価値算出工程によって算出された前記フィールド毎の評価値の差により前記フラッシュピクチャを検出することを特徴とする請求項１に記載の画像符号化方法。
【請求項３】
予測符号化を含む符号化を行う画像符号化装置であって、
符号化するピクチャが、フラッシュを受けた画面を含むフラッシュピクチャであるか否かを検出するフラッシュ検出手段と、
前記フラッシュ検出手段により、フラッシュピクチャであると検出された場合に、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプを判定するピクチャタイプ判定手段と、
前記ピクチャタイプ判定手段により判定されたピクチャタイプに応じて、前記符号化するピクチャを含む所定のピクチャの符号量を調整する符号量調整手段とを有し、
前記符号量調整手段は、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがBピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量のみを増加させ、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがIピクチャまたはPピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量及び前記フラッシュピクチャを前記予測符号化の際の参照画像として使用するピクチャの符号量を増加させることを特徴とする画像符号化装置。
【請求項４】
前記符号化するピクチャを構成するフィールド毎に評価値を算出する評価値算出手段を有し、
前記フラッシュ検出手段は、前記評価値算出手段によって算出された前記フィールド毎の評価値の差により前記フラッシュピクチャを検出することを特徴とする請求項３に記載の画像符号化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の画像符号化方法は、予測符号化を含む符号化を行う画像符号化方法であって、符号化するピクチャが、フラッシュを受けた画面を含むフラッシュピクチャであるか否かを検出するフラッシュ検出工程と、前記フラッシュ検出工程において、フラッシュピクチャであると検出された場合に、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプを判定するピクチャタイプ判定工程と、前記ピクチャタイプ判定工程において判定されたピクチャタイプに応じて、前記符号化するピクチャを含む所定のピクチャの符号量を調整する符号量調整工程とを有し、前記符号量調整工程においては、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがBピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量のみを増加させ、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがIピクチャまたはPピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量及び前記フラッシュピクチャを前記予測符号化の際の参照画像として使用するピクチャの符号量を増加させることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の画像符号化装置は、予測符号化を含む符号化を行う画像符号化装置であって、符号化するピクチャが、フラッシュを受けた画面を含むフラッシュピクチャであるか否かを検出するフラッシュ検出手段と、前記フラッシュ検出手段により、フラッシュピクチャであると検出された場合に、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプを判定するピクチャタイプ判定手段と、前記ピクチャタイプ判定手段により判定されたピクチャタイプに応じて、前記符号化するピクチャを含む所定のピクチャの符号量を調整する符号量調整手段とを有し、前記符号量調整手段は、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがBピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量のみを増加させ、前記フラッシュピクチャのピクチャタイプがIピクチャまたはPピクチャの場合には、前記符号化するピクチャの符号量及び前記フラッシュピクチャを前記予測符号化の際の参照画像として使用するピクチャの符号量を増加させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、予測符号化を含む符号化を行う際に、符号化するピクチャがフラッシュを受けた画面を含むフラッシュピクチャであるか否かを検出し、フラッシュピクチャの場合には、そのピクチャタイプに応じて所定のピクチャの符号量を増加させるようにしたので、フラッシュ光を受けた画像であっても画質を破綻させないようにすることができ、良好な画質の画像を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月26日(2009.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に、界面酸化膜を介して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記シリコン基板中、前記ゲート電極の下に形成されたチャネル領域と、
前記シリコン基板中、前記ゲート電極の第１および第２の側にそれぞれ形成された第１および第２の拡散領域と、
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜の形成は、
ＨＴＢおよびＴＥＯＳを原料としてＨｆＳｉＯ4膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記ＨｆＳｉＯ4膜を窒素ラジカルによりＨｆＳｉＯＮ膜に変換する工程と、を含み、
前記ＣＶＤ工程では、前記ＨｆＳｉＯ4膜の膜厚に沿ってＳｉ濃度を変えることにより、前記界面酸化膜に接して第１の絶縁膜を形成し、前記ゲート電極に接して第２の絶縁膜を形成するとともに、前記第２の絶縁膜の電子親和力は前記第１の絶縁膜の電子親和力よりも大きく、前記ゲート電極の電子親和力より小さくなるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の絶縁膜は、前記第２の絶縁膜よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第２の絶縁膜は、前記第１の絶縁膜に接して形成されていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜の伝導帯と前記第２の伝導帯との間には、段差が存在することを特徴とする請求項１〜３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜は前記第２の絶縁膜よりも高いＳｉ濃度を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の間で、Ｓｉ濃度が不連続に変化することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の伝導帯は前記第２の伝導帯に、連続的に遷移することを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の絶縁膜は前記第２の絶縁膜よりも高いＳｉ濃度を有し、前記Ｓｉ濃度は、前記第１の絶縁膜から前記第２の絶縁膜に、連続的に遷移することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ゲート電極は、金属よりなることを特徴とする請求項１〜８のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一の側面によれば本発明は、
シリコン基板上に、界面酸化膜を介して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記シリコン基板中、前記ゲート電極の下に形成されたチャネル領域と、
前記シリコン基板中、前記ゲート電極の第１および第２の側にそれぞれ形成された第１および第２の拡散領域と、
よりなる半導体装置の製造方法であって、
前記ゲート絶縁膜の形成は、
ＨＴＢおよびＴＥＯＳを原料としてＨｆＳｉＯ4膜を形成するＣＶＤ工程と、
前記ＨｆＳｉＯ4膜を窒素ラジカルによりＨｆＳｉＯＮ膜に変換する工程と、を含み、
前記ＣＶＤ工程では、前記ＨｆＳｉＯ4膜の膜厚に沿ってＳｉ濃度を変えることにより、前記界面酸化膜に接して第１の絶縁膜を形成し、前記ゲート電極に接して第２の絶縁膜を形成するとともに、前記第２の絶縁膜の電子親和力は前記第１の絶縁膜の電子親和力よりも大きく、前記ゲート電極の電子親和力より小さくなるように形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非自発光型の表示素子と、
前記表示装置を照明するために設けられた青色発光素子と、
前記青色発光素子の発光を導いて出光面から出光させる導光体と、
青色励起で赤色光に変換する第一色変換体と、
青色励起で緑色光に変換する第二色変換体を備え、
前記第一色変換体は、青色光で励起して赤色光を発光する赤色蛍光体を含有するとともに、前記青色発光素子と前記導光体の間の光路中に設けられ、
前記第二色変換体は、青色光で励起して緑色光を発光する緑色蛍光体を含有するとともに、前記導光体の出光面と前記表示素子の間の光路中に設けられたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記緑色蛍光体は樹脂に分散されており、前記樹脂は二枚の非通水性透明基材の間に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第二色変換体の上表面に、拡散ビーズを樹脂に分散した拡散層が設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
非自発光型の表示素子と、
前記表示装置を照明するために設けられた青色発光素子と、
前記青色発光素子の発光を導いて出光面から出光させる導光体と、
青色励起で赤色光に変換する第一色変換体と、
青色励起で緑色光に変換する第二色変換体を備え、
前記第一色変換体は、青色光で励起して赤色光を発光する赤色蛍光体を含有するとともに、前記青色発光素子と前記導光体の間の光路中に設けられ、
前記第二色変換体は、青色光で励起して緑色光を発光する緑色蛍光体を含有するとともに、前記緑色蛍光体が前記導光体に分散されたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
カラー表示のためのカラーフィルタを備えるとともに、前記カラーフィルタの緑着色部は、４７０ｎｍ以下の光の透過率が５３５ｎｍ近辺の透過率の２０％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
カラー表示のためのカラーフィルタを備えるとともに、前記カラーフィルタの緑着色部は、６００ｎｍ以上の光の透過率が５３５ｎｍ近辺の透過率の２０％以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第二色変換体には青色で光を励起する第三の蛍光体が含まれ、前記第三の蛍光体は前記緑色蛍光体に対する重量比で３０％以下の割合で混合していることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第三の蛍光体が青色励起で赤色光に変換する第二の赤色蛍光体であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第二の赤色蛍光体が前記赤色蛍光体と同一の物質であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第三の蛍光体が、青色励起で橙色光に変換する色蛍光体または青色励起で黄色光に変換する色蛍光体であることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記導光体の背後側に、多層膜のポリエステル系反射シートまたは白ＰＥＴの反射シートを備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体にオーミック接触する電極と、を有し、該電極が該半導体に接するＴｉＷ合金層を有し、前記ＴｉＷ合金層のＴｉ濃度が４ｗｔ％以上である、半導体素子。
【請求項２】
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体と、該半導体にオーミック接触する電極と、を有し、該電極が該半導体に接するＴｉＷ合金層を有し、前記ＴｉＷ合金層におけるＷとＴｉの組成比が該層の厚さ方向に略一定である、半導体素子。
【請求項３】
前記ＴｉＷ合金層が、Ｔｉを１０ｗｔ％含むＴｉ−Ｗターゲットを用いたスパッタリング法により形成されたものである、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記電極が熱処理を加えられたものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記電極が、前記ＴｉＷ合金層の上に積層された金属層を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記金属層がＡｕ層を含む、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記金属層が、前記ＴｉＷ合金層の直上に積層されたＡｕ層を含む、請求項６に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記金属層がＡｕまたは白金族元素の単層からなるか、あるいは、最上層としてＡｕ層または白金族元素層を含む積層体である、請求項６に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記金属層が、Ａｕと同じ融点またはＡｕよりも高い融点を有する金属のみを含む請求項６に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記金属層がＲｈを含まない、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記金属層がＡｌを含まない、請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記電極の表面の算術平均粗さＲａが０．０２μｍ以下である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の半導体素子。
【請求項１３】
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体の表面にＴｉＷ合金層を電極の一部として形成する工程を含み、前記ＴｉＷ合金層のＴｉ濃度が４ｗｔ％以上である、半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
Ｔｉ−Ｗターゲットを用いたスパッタリング法によって前記ＴｉＷ合金層を形成する、請求項１３に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記ＴｉＷ合金層のＴｉ濃度が７０ｗｔ％以下である、請求項１３または１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記ＴｉＷ合金層を熱処理する工程をさらに有する、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電波放送によってテレビ中継される番組が延長になったときに、
前記テレビ中継の放送画面に、当該テレビ中継の続き番組がインターネットで視聴できる旨のメッセージを表示させ、
当該電波放送によるテレビ中継の終了後に前記続き番組のストリーム放送を開始する
ことを特徴とする番組放送方法。
【請求項２】
前記電波放送による信号中に、前記インターネットを通じて前記続き番組のストリーム放送を視聴するためのキー情報を重畳して放送し、
前記ストリーム放送を前記キー情報により視聴可能とし、該キー情報を有さないストリーム放送の視聴を拒否する
ことを特徴とする請求項1に記載の番組放送方法。
【請求項３】
前記ストリーミング放送は、アプリケーション・レイヤー・マルチキャスト、あるいはマルチキャストにおいてテレビ中継の続きをインターネットで放送し、テレビ視聴者が見ることのできない場面（終盤局面）を視聴者に提供することにより、テレビ放送とインターネット放送を一体として、視聴者に番組を提供する
ことを特徴とする請求項1に記載の番組放送方法。
【請求項４】
電波放送によってテレビ中継される番組が延長になったときに、前記テレビ中継の放送画面に、当該テレビ中継の続き番組がインターネットで視聴できる旨のメッセージを表示させるメッセージ放送手段と、
当該電波放送によるテレビ中継の終了後に前記続き番組のストリーム放送を開始するスイッチ手段と
を有することを特徴とする番組放送システム。
【請求項５】
前記電波放送による信号中に、前記インターネットを通じて前記続き番組のストリーム放送を視聴するためのキー情報を重畳して放送するキー情報重畳手段と、
前記ストリーム放送を、前記キー情報により視聴可能とし、該キー情報を有さないストリーム放送の視聴を拒否する視聴制御手段と
を有することを特徴とする請求項４に記載の番組放送システム。
【請求項６】
前記ストリーミング放送は、アプリケーション・レイヤー・マルチキャスト、あるいはマルチキャストにおいてテレビ中継の続きをインターネットで放送し、テレビ視聴者が見ることのできない場面（終盤局面）を視聴者に提供することにより、テレビ放送とインターネット放送を一体として、視聴者に番組を提供する
ことを特徴とする請求項４に記載の番組放送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る番組放送方法は、
（１）電波放送によってテレビ中継される番組が延長になったときに、テレビ中継の放送画面に、当該テレビ中継の続き番組がインターネットで視聴できる旨のメッセージを表示させ、
（２）当該電波放送によるテレビ中継の終了後に前記続き番組のストリーム放送を開始する。
さらに上記発明においては、
（３）電波放送による信号中に、インターネットを通じて続き番組のストリーム放送を視聴するためのキー情報を重畳して放送し、ストリーム放送をキー情報により視聴可能とし、該キー情報を有さないストリーム放送の視聴を拒否することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、この番組放送方法は、
電波放送によってテレビ中継される番組が延長になったときに、前記テレビ中継の放送画面に、当該テレビ中継の続き番組がインターネットで視聴できる旨のメッセージを表示させるメッセージ放送手段と、
当該電波放送によるテレビ中継の終了後に続き番組のストリーム放送を開始するスイッチ手段とを有する番組放送システムにより実現することができる。
さらに、上記発明においては、
電波放送による信号中に、インターネットを通じて続き番組のストリーム放送を視聴するためのキー情報を重畳して放送するキー情報重畳手段と、
ストリーム放送を、キー情報により視聴可能とし、該キー情報を有さないストリーム放送の視聴を拒否する視聴制御手段と
を有することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
なお、上記発明において、ストリーミング放送は、アプリケーション・レイヤー・マルチキャスト、あるいはマルチキャストにおいてテレビ中継の続きをインターネットで放送し、テレビ視聴者が見ることのできない場面（終盤局面）を視聴者に提供することにより、テレビ放送とインターネット放送を一体として、視聴者に番組を提供することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月28日(2009.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿を搬送する原稿搬送手段と、
画像を読み取る画像読取手段と、
前記画像読取手段の原稿読み取り位置よりも原稿搬送方向に対して上流に設置され、原稿を前記原稿搬送手段により搬送しながら原稿の複数の頂点を検出する検出手段と、
前記画像読取手段による原稿の読取位置に原稿が到達する前に、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記画像読取手段で読み取る画像サイズを決定するサイズ決定手段とを備えることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記画像読取手段で読み取られた原稿の画像データを蓄積する蓄積手段と、前記読取位置に原稿が到達する前に、前記サイズ決定手段で決定された画像サイズに応じて、前記蓄積手段の蓄積領域を確保する蓄積領域確保手段とを備えることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記検出手段は前記原稿搬送方向と直交する方向に配置された発光部材と受光部材とを備え、前記発光部材と前記受光部材との間を原稿が通過することにより、原稿が前記検出手段を通過した位置とタイミングとを検出することを特徴とする請求項１又は２記載の画像読取装置。
【請求項４】
原稿を搬送する原稿搬送手段と、画像を読み取る画像読取手段と、前記画像読取手段の原稿読み取り位置よりも原稿搬送方向に対して上流に設置されたセンサーとを備える画像読取装置の制御方法であって、
原稿を前記原稿搬送手段により搬送しながら原稿の複数の頂点を前記センサーで検出する検出工程と、
前記画像読取手段による原稿の読取位置に原稿が到達する前に、前記検出工程により検出された検出結果に基づいて、前記画像読取手段で読み取る画像サイズを決定するサイズ決定工程とを備えることを特徴とする画像読取装置の制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像読取装置、及び当該装置の制御方法  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像読取装置、及び当該装置の制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、原稿の読み取り生産性を低下させずに確実に画像全領域を読み取ることができる画像読取装置、及び当該装置の制御方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するために、請求項１記載の画像読取装置は、原稿を搬送する原稿搬送手段と、画像を読み取る画像読取手段と、前記画像読取手段の原稿読み取り位置よりも原稿搬送方向に対して上流に設置され、原稿を前記原稿搬送手段により搬送しながら原稿の複数の頂点を検出する検出手段と、前記画像読取手段による原稿の読取位置に原稿が到達する前に、前記検出手段の検出結果に基づいて、前記画像読取手段で読み取る画像サイズを決定するサイズ決定手段とを備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項４記載の画像読取装置の制御方法は、原稿を搬送する原稿搬送手段と、画像を読み取る画像読取手段と、前記画像読取手段の原稿読み取り位置よりも原稿搬送方向に対して上流に設置されたセンサーとを備える画像読取装置の制御方法であって、原稿を前記原稿搬送手段により搬送しながら原稿の複数の頂点を前記センサーで検出する検出工程と、前記画像読取手段による原稿の読取位置に原稿が到達する前に、前記検出工程により検出された検出結果に基づいて、前記画像読取手段で読み取る画像サイズを決定するサイズ決定工程とを備えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、原稿が斜行したとしても、原稿の読み取り生産性を低下させずに確実に画像全領域を読み取ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
このような変更例によれば、通信に係る各移動端末装置のいずれかで通信品質を検出し
、その良否を判断するため、呼制御装置1の負担を増大させることなく、段階的にトラフ
ィック負荷の調整を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エリア内からの通話を規制する通話規制装置であって、
前記エリア内について設定された通話回数の制限値と、前記エリア内における通話回数の履歴とを記憶する手段と、
エリア内からの呼発生時に、前記制限値と前記履歴に基づき該呼に対する通話接続の許可又は不許可を判断する判断手段と、
前記判断結果を前記エリア内の通話の接続制御を行う装置に通知する通信手段と
を備えたことを特徴とする通話規制装置。
【請求項２】
エリア内からの通話を規制する通話規制方法であって、
前記エリア内について設定された通話回数の制限値と、前記エリア内における通話回数の履歴とを記憶するステップと、
エリア内からの呼発生時に、前記制限値と前記履歴に基づき該呼に対する通話接続の許可又は不許可を判断するステップと、
前記判断結果に基づいて通話の接続処理を行うステップと、
を備えたことを特徴とする通話規制方法。
【請求項３】
エリア外からエリア内への通話を規制する通話規制装置であって、
前記エリア内について設定された通話回数の制限値と、前記エリア内における通話回数の履歴とを記憶する手段と、
前記エリア外から前記エリア内への呼発生の際に、前記制限値と前記履歴に基づき該呼に対する通話接続の許可又は不許可を判断する判断手段と、
前記判断結果を前記エリア外の通話の接続制御を行う装置に通知する通信手段と
を備えたことを特徴とする通話規制装置。
【請求項４】
エリア内からの通話と、エリア外からエリア内への通話を規制する通話規制装置であって、
前記エリア内について設定された通話回数の制限値と、前記エリア内で所定の時間内の通話回数の履歴とを記憶する手段と、
前記エリア内または前記エリア外から前記エリア内への呼発生の際に、前記制限値と前記履歴に基づき、該呼に対する通話接続の許可又は不許可を判断する判断手段と、
前記履歴と判断結果を前記エリア内と前記エリア外の通話の接続制御を行う装置に通知する通信手段と
を備えたことを特徴とする通話規制装置。
【請求項５】
エリア外からエリア内への通話を規制する通話規制方法であって、
前記エリア内について設定された通話回数の制限値と、前記エリア内における通話回数の履歴とを記憶し、
前記エリア外から前記エリア内への呼発生の際に、前記制限値と前記履歴に基づき該呼に対する通話接続の許可又は不許可を判断し、
前記判断結果を前記エリア外の通話の接続制御を行う装置に通知する、
ことを特徴とする通話規制方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の薄膜共振器の作用を説明する。
まず、比較のために、圧電体膜が（本発明のように液体ではなく）真空に接しており、それ以外の構成は本発明のものと同じである薄膜共振器について、その共振周波数f0を示す。共振周波数f0は、圧電体膜の密度ρp、弾性定数cp及び厚さdpを用いて、
【数１】
2007243361.tif 000001
と表される。温度が上昇すると、圧電体膜の弾性定数cpは小さくなる（密度及び厚さは弾性定数よりも温度変化が十分に小さい）ため、共振周波数f0は低くなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
それに対して、本発明の薄膜共振器では、圧電体膜が接触液に接していることにより、その共振周波数fは
f=f0-Δf    (2)
となり、圧電体膜が真空に接する薄膜共振器よりも変化分Δfだけ小さくなる。この変化分Δfは、
【数２】
2007243361.tif 000002
と表される。ここで、ρlは接触液の密度、ηlは接触液の粘性係数である。(3)式より、Δfはcp1/4及びηl1/2に比例する。温度が上昇すると、粘性係数ηlが小さくなると共に、前述のように圧電体膜の弾性定数cpも小さくなるため、Δfは小さくなる。(2)式の第2項より、このΔfの温度変化は、温度上昇と共に共振周波数fを大きくするように作用する。それに対して、(2)式の第1項のf0は、温度上昇と共に共振周波数fを小さくするように作用する。これにより、(2)式第2項の温度変化と(2)式第1項の温度変化が相殺されるため、本発明の薄膜共振器の共振周波数fは、圧電体膜が真空に接する薄膜共振器よりも温度による変化が小さくなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本実施例では、接触液１６にKF-54シリコーンオイル（本実施例１）、KF-96-10csシリコーンオイル（本実施例２）及びKF-96L-1csシリコーンオイル（本実施例３）（いずれも信越化学工業製）をそれぞれ用いた３種類のFBARを作製した。これらのシリコーンオイルの特性を表１に示す。
【表１】
2007243361.tif 000003
ここで、動粘度は粘性係数ηlを密度ρlで除したものであり、表１に挙げた値は25℃におけるものである。粘度温度係数は次式
【数３】
2007243361.tif 000004
で表される。粘度温度係数が大きいほど、温度による粘度の変化は大きい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図８に、本実施例１〜３及び比較例１のFBARにおける共振周波数の温度による変化を測定した結果をグラフで示す。比較例１では測定を行った全温度範囲において、負の傾きを持つ一次関数で表される変化を示した。その対温度変化を表すTCF（Temperature coefficient of Frequency）の値は31.4ppm/℃である。ここでTCFは、このグラフの傾きを、基準温度（この例では25℃とした）における共振周波数の値で除したものである。それに対して本実施例３ではTCF値は24.3ppm/℃、本実施例２ではTCF値は19.7ppm/℃であり、いずれも比較例１よりも温度変化が小さい。更に、本実施例１では、25℃〜50℃の温度範囲において、共振周波数はほとんど変化しない。また、50℃〜80℃の温度範囲においては、他の例と同様に共振周波数は負の傾きを持つ一次関数で表される変化を示すが、TCF値は16.0ppm/℃であり、比較例１のものよりも小さい。以上より、測定を行った全温度範囲において、本実施例１〜３のFBAR１０はいずれも比較例１のFBARよりも温度変化に対する安定性が高いといえる。また、本実施例１、本実施例２及び本実施例３を比較すると、接触液１６の粘度温度係数が高くなるほど温度安定性がより高くなるといえる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図１１に、本発明の他の実施例であるSMR（Solidly Mounted Resonator）５０を示す。このSMR５０は、[0001]方向が膜面に平行な１方向に配向したZnO薄膜５４の上下に下部電極５３及び上部電極５５を有し、下部電極５３の下には、SiO2から成る低音響インピーダンス層５１１とMoから成る高音響インピーダンス層５１２を交互に多数積層した音響多層膜５１を有する。低音響インピーダンス層５１１及び高音響インピーダンス層５１２はいずれも、ZnO薄膜５４の厚さにより定まる共振周波数を有する超音波の、その層内における波長の1/4倍の厚さを有する。そして、これらZnO薄膜５４、下部電極５３、上部電極５５及び音響多層膜５１は容器５７内に配置され、上部電極５５に、FBAR１０で用いたものと同じ接触液５６を接触させている。
SMR５０では、電極間に交流電圧を印加することにより生じるZnO薄膜５４からの超音波は、各低音響インピーダンス層５１１と高音響インピーダンス層５１２の境界で反射され、それら反射波は互いに同位相になり打ち消し合わない。これにより、ZnO薄膜５４の振動が外部に漏れることが抑えられる。そして、ZnO薄膜５４、下部電極５３、上部電極５５から成る共振器本体のうちの１つの面に接触液が接しているため、FBAR１０と同様の効果を得ることができる。
なお、前述の各種のFBARと同様に、ZnO薄膜５４の代わりに、積層体１４’やそれを複数積層させたものを用いることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007243361.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2007243361.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージングシステム（１０）で用いるための装置であって、
Ｘ線フォトン（１６）を電流に変換するように構成された直接変換検知素子（２０）を含み、前記直接変換検知素子（２０）が、
カソード面（５０）と、
複数のアノード側端縁（６２）を有するアノード面（５２）と、
前記カソード面（５０）を前記アノード面（５２）に結合し、その各々が検出器深さ（６８）をもつ複数の検出器側面（５４）と、
前記アノード面（５２）上に配置され、その各々が前記アノード側端縁（６２）の１つに近接した複数のピクセル側端縁（６０）を有するピクセルアレイ組立体（５８）と、
前記複数の検出器側面（５４）の周りに取付けられ、上部リング端縁（７２）と、下部リング端縁（７４）と、ガードリング高さ（６６）をもつリング外面とを有するガードリング（６４）と、を含み、
前記リング外面が、前記複数の検出器側面（５４）と同一平面になっている、
装置。
【請求項２】
前記ガードリング（６４）と通電状態にあり、前記ガードリング（６４）をバイアス電圧でバイアスする電源（７６）をさらに含む、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記上部リング端縁（７２）及び下部リング端縁（７４）が、前記カソード面（５０）及びアノード面（５２）から遠く離れて配置されている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記直接変換検知素子（２０）が、ＣｄＴｅを含んでおり、
前記リング外面が、前記ピクセル側端縁（６０）と同一平面になっている、請求項１記載の装置。
【請求項５】
前記ガードリング高さ（６６）が、前記検出器深さの５０％又はそれ以下である、請求項１記載の装置。
【請求項６】
Ｘ線源（１４）と、
Ｘ線フォトン（１６）を電流に変換するように構成された複数の直接変換検知素子（２０）を含む検出器アレイ（１９）と、
を含み、前記複数の直接変換検知素子（２０）の各々が、
カソード面（５０）と、
複数のアノード側端縁（６２）を有するアノード面（５２）と、
前記カソード面（５０）を前記アノード面（５２）に結合し、その各々が検出器深さ（６８）をもつ複数の検出器側面（５４）と、
前記アノード面（５２）上に配置され、複数のピクセル側端縁（６０）を有するピクセルアレイ組立体（５８）と、
前記複数の検出器側面（５４）の周りに取付けられ、上部リング端縁（７２）と、下部リング端縁（７４）と、ガードリング高さ（６６）をもちかつ前記ピクセル側端縁（６０）と同一平面上に位置するリング外面とを有するガードリング（６４）と、を含む、
イメージングシステム（１０）。
【請求項７】
前記ガードリング（６４）は、該ガードリング（６４）が前記複数の検出器側面（５４）とほぼ同一平面になるように、該複数の検出器側面（５４）上にコーティングされている、請求項６記載のイメージングシステム。
【請求項８】
カソード面（５０）と複数の検出器側面（５４）とを有する直接変換検知素子（２０）のアノード面（５２）上に配置された周辺ピクセル素子（５８）の性能を改善する方法であって、
前記複数の検出器側面（５４）の周りに、前記周辺ピクセル素子（７０）と同一平面になるようになったガードリング（６４）を施す段階、
を含む方法。
【請求項９】
前記ガードリング（６４）にバイアス電圧を印加する段階をさらに含む、請求項７記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
少なくとも１方は透明な基板間に隔壁が設けられ、帯電ないし磁化した微粒子が液体、液晶またはガス媒体中に分散された分散系が両基板および隔壁で構成されるセル内に充填されており、該微粒子を電界ないし磁界で移動させて、セルの垂直方向の光反射性ないし光透過性を変化させる粒子移動型表示装置において、該基板の少なくとも一方は凸状に変形可能な薄型基板であり、該両基板は表示装置周辺部において、分散系注入口部を除いて接着されており、該薄型基板を凸状化した時に生じる該薄型基板と隔壁との隙間を通して該分散系を表示装置に注入し、該凸状化した基板を平坦化して後、該注入口を封止することを特徴とした粒子移動型表示装置の製造法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】広く普及している液晶パネルの液晶注入、封止法としては、（１）液晶パネルの一方の基板の内面に多数の粒状液晶を均一に滴下し、減圧下で他方の基板との間に挟み込み、加圧により両基板間隙を所定ギャップに保ち、あらかじめ周辺部に設けられた接着剤を硬化することによって充填、封止する。または（２）注入口部を残し周辺部で両基板が接着され、スペーサで所定ギャップが形成された空セルを真空槽内に保持し、注入口部を液晶溜めに浸漬し、真空槽を大気圧に戻すことによりセル内外の気圧差により液晶をセルに充填して後、注入口部を樹脂で封止する方法が広く用いられている。（１）の方法は滴下した液晶が基板面内に拡がって連続相をとることが必須であるが、無数の隔壁が設けられた本願のセルでは隔壁が滴下した分散系の拡がりに対する障壁になるためこの方法は適用できない。（２）の方法はセルの両基板間がビーズや柱スペーサで所定間隙隔てられており液晶が通れる隙間がある故に適用できる方法であるが、隔壁と基板間に隙間のない本願セルには適用できないものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】本願では最も困難であったＧ／Ｇ型形態のパネルも可能とした注入、封止法であり、図５（Ａ）に断面図で示す通り電極、隔壁、スペーサ等を設けた基板２と、フィルム状で内面に電極付きないし電極なしの薄型基板６はあらかじめパネル周辺スペーサ９部において、分散系注入口２３部を除き接着してある。次にたとえば分散系供給槽から細いパイプを通して注入口１０から分散系７を注入すれば、分散系流出圧および注入された分散系にかかる重力による圧力と薄型基板６の弾性変形により薄型基板はわずかに凸状に変形し、薄型基板６と隔壁２０の間に分散系が通れるわずかの隙間が形成される結果分散系は図５（Ｂ）に示す如く基板間に充填できる。薄型基板の凸状変形は注射器を用いて注射針を注入口に差し込み機械的に基板と隔壁の間に間隙を作り出してもよく、薄型基板の重力によるたわみで生じた凸状変形を利用して分散系を注入してもよい。基板間がほぼ平行になる時のパネルに充填すべき分散系量はパネルサイズ、セルギャップ、セル面積と個数などからほぼ決まるから、パネルのバラツキも考慮した上で注入量を決定すべきである。ついでローラ２７などを用いて薄型基板６と基板２がほぼ均一ギャップになるように加圧してわずかに分散系が溢れる状態で注入口をＵＶ硬化接着剤などを用いて封止すれば分散系７はパネルに注入される（図５（Ｃ））。薄型基板６が強度的ないし信頼性面で懸念がある場合は剛体ないしより強度の高いフィルム基板１を接着剤を用いて薄型基板６に貼り付けることによって補強すればよい（図５（Ｄ））。こうしてＧ／Ｇ型パネルが形成できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】薄型基板の厚みはその材質とパネルサイズに応じて数μｍ〜０．５ｍｍ程度まで大きく変わり、パネルが大きい場合は薄いガラス基板でも十分適用可能である。分散系中の粒子サイズは通常0.1μｍ〜５μであり、基板６と隔壁２０間のギャップとして数１０μｍのギャップが形成できれば分散系はすべてのセルに充填可能である。フィルム材質としては弾性変形が元に戻らないと図５（Ｃ）の状態で皺になり易いからこれを防止するため弾性復元力の高い材質、厚みを選定すべきである。ゴム材質よりなるシートは大きな弾性変形に耐えられる故に本願薄型基板として有用なものである。分散系注入時むやみにギャップを拡げすぎるのも好ましくなく分散系がパネル内に十分行き渡るに必要な最小ギャップにすべきである。ギャップの調整は分散系流出圧、パネルの傾斜角、分散系供給速度（グラム／秒）によっても可能である。注入口に差し込むパイプは基板６の変形を小さくするようできるだけ薄型にすべきである。図５（Ｅ）では注入口は１個だが分散系導入の均一性と速度向上のため勿論複数個設けてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
従来から、多機能湿度調節器として、目標とする湿度値と乾球・湿球温度から算出した相対湿度を比較しながら湿度制御を行うことにより、湿度の急激な変化を制御するようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。また、冷却塔の運転方法とこの冷却塔として、乾球温度を計測する温度計と、その相対湿度を測定する乾式の湿度計を設けて、冷却塔の送風機の回転方向を正逆制御するようにしたものが知られている（例えば、特許文献２参照）。また、恒温恒湿装置として、乾球温度、湿球温度、相対湿度、露点温度の４つの指標の少なくとも２つの入力により、残りの少なくとも１つを演算する演算装置を備えたものが知られている（例えば、特許文献３参照）。
また、恒温恒湿装置として、目標乾球温度、目標湿球温度及び目標相対湿度の雰囲気指標のうち少なくとも２つの値の入力に基づき冷却装置の冷却能力を制御するようにしたものが知られている（例えば、特許文献４参照）。また、湿潤温度制御優先式温湿度統合コントローラとして、乾球温度センサーのみならず湿潤温度センサーを備える空気調和システム用コントローラとする構成のものが知られている（例えば、特許文献５参照）。また、、屋内温度調節器として、室内に湿度センサーと温度センサーとを設け、湿潤温度値を乾球温度と共に用いて、温度値と湿度値の両方の関数である単一の誤差信号を生成し、これによって、温度調節システムの異常サイクルなしで室内温度と室内湿度の両方を制御するようにし、湿潤温度を直接測定するセンサーを使用する代わりに、室内の相対湿度と乾球温度から湿潤温度を合成することができるようにしたものが知られている（例えば、特許文献６参照）。また、冷房負荷制御運転に連動させて冷却水温度を制御する吸収式冷凍機制御方法及び吸収式冷凍機設備として、冷水入口温度を制御する加熱量制御信号を利用して冷却水流量を制御するようにしたものが知られている（例えば、特許文献７参照）。さらに、二重効用吸収冷凍機として、この二重効用吸収冷凍機において、起動時の高圧再生器における蒸気過大流入あるいは溶液キャリオーバー現象を防止するようにしたものが知られている（例えば、特許文献８参照）。
【特許文献１】特開２００２−３６４８８３号公報（第１頁、図２）
【特許文献２】特開２００２−２１３８９８号公報（第１頁、図１）
【特許文献３】特開２００１−３３０７９号公報（第１頁、図３）
【特許文献４】特開２００１−３３０７８号公報（第１頁、図１）
【特許文献５】特表２００４−５２４４９５号公報（第１頁、図１）
【特許文献６】特表平８−５１０３４８号公報（第１頁、図１）
【特許文献７】特開２００６−５７９９１号公報（第１頁、図１）
【特許文献８】特開平７−４３０３６号公報（第１頁、図１）
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気調和機本体と、
この本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を上下方向に整流する上下風向制御板と、
前記上下風向制御板の角度を調節する上下風向制御用ステッピングモーターと、
前記本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を左右方向に整流する左右風向制御板と、
前記左右風向制御板の角度を調節する左右風向制御用ステッピングモーターと、
少なくとも前記上下風向制御用ステッピングモーターと前記左右風向制御用ステッピングモーターとを制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、
当該空気調和機が設置された室内空間を区分する複数のエリア区画を二次元状に展開して成るエリア区画群の各エリア区画に０か１の２値のいずれかを設定し、前記エリア区画群の中で空調の目標とするエリア区画を決定する目標エリア決定部と、
前記空調の目標とするエリア区画に向けて、前記上下風向制御用ステッピングモーターと前記左右風向制御用ステッピングモーターとのうち、少なくともいずれか一方を制御する際に、前記左右風向制御用ステッピングモーターは、前記エリア区画群の中で奥行き方向に各エリア区画の論理和を各列毎に算出して得られる奥行き方向一次元データに基づき動作させ、前記上下風向制御用ステッピングモーターは、前記エリア区画群の中で左右方向に各エリア区画の論理和を各行毎に算出して得られる左右方向一次元データに基づき動作させるエリア風向制御部と、
を具備することを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
前記上下風向制御板及び前記上下風向制御用ステッピングモーターを複数搭載し、
前記制御装置は、
前記左右方向一次元データを、二次元状に展開している前記エリア区画群を少なくとも２領域以上の領域に分類し、各々の領域の左右方向一次元データが各々の上下風向制御用ステッピングモーターに関連付けられた前記エリア風向制御部を有することを特徴とする請求項１記載の空気調和機。
【請求項３】
前記上下風向制御板及び前記上下風向制御用ステッピングモーターを２つ搭載し、
前記制御装置は、
前記目標エリア決定部が決定した前記空調の目標とするエリア区画が、前記領域の内、一つの領域内にのみ存在する場合には、一方の前記上下風向制御板が当該空気調和機本体に近い側の前記空調の目標とするエリア区画へ向けて、他方の前記上下風向制御板が当該空気調和機本体に遠い側の前記空調の目標とするエリア区画へ向けて吹き出し気流を整流するように、前記上下風向制御用ステッピングモーターを動作させる前記エリア風向制御部を有することを特徴とする請求項２に記載の空気調和機。
【請求項４】
空気調和機本体と、この本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を上下方向に整流する上下風向制御板と、前記上下風向制御板の角度を調節する上下風向制御用ステッピングモーターと、前記本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を左右方向に整流する左右風向制御板と、前記左右風向制御板の角度を調節する左右風向制御用ステッピングモーターとを備えた空気調和機の風向制御方法において、
当該空気調和機が設置された室内空間を区分する複数のエリア区画を二次元状に展開して成るエリア区画群の各エリア区画に０か１の２値のいずれかを設定して空調の目標とするエリア区画を決定し、
前記空調の目標とするエリア区画に向けて、前記上下風向制御用ステッピングモーターと前記左右風向制御用ステッピングモーターとのうち、少なくともいずれか一方を制御する際に、前記左右風向制御用ステッピングモーターは、前記エリア区画群の中で奥行き方向に各エリア区画の論理和を各列毎に算出して得られる奥行き方向一次元データに基づき動作し、前記上下風向制御用ステッピングモーターは、前記エリア区画群の中で左右方向に各エリア区画の論理和を各行毎に算出して得られる左右方向一次元データに基づき動作することを特徴とする空気調和機の風向制御方法。
【請求項５】
複数の制御アクチュエータを制御するアクチュエータの制御方法において、
複数のエリア区画を二次元状に展開して成るエリア区画群の各エリア区画に０か１の２値のいずれかを設定して目標とするエリア区画を決定し、
前記目標とするエリア区画に向けて、複数の制御アクチュエータを制御する際に、前記制御アクチュエータを、前記エリア区画群のＸ軸方向に関与するＸ軸系統制御アクチュエータと、前記エリア区画群のＹ軸方向に関与するＹ軸系統制御アクチュエータとに分け、
前記Ｘ軸系統制御アクチュエータは、前記エリア区画群の中でＹ軸方向に各エリア区画の論理和を各列毎に算出して得られるＹ軸方向一次元データに基づき動作し、
前記Ｙ軸系統制御アクチュエータは、前記エリア区画群の中でＸ軸方向に各エリア区画の論理和を各行毎に算出して得られるＸ軸方向一次元データに基づき動作することを特徴とするアクチュエータの制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る空気調和機は、
空気調和機本体と、
この本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を上下方向に整流する上下風向制御板と、
上下風向制御板の角度を調節する上下風向制御用ステッピングモーターと、
本体の室内へ空気を吹出す吹出し口に設けられ、吹出し気流を左右方向に整流する左右風向制御板と、
左右風向制御板の角度を調節する左右風向制御用ステッピングモーターと、
少なくとも上下風向制御用ステッピングモーターと左右風向制御用ステッピングモーターとを制御する制御装置とを備え、
制御装置は、
当該空気調和機が設置された室内空間を区分する複数のエリア区画を二次元状に展開して成るエリア区画群の各エリア区画に０か１の２値のいずれかを設定し、エリア区画群の中で空調の目標とするエリア区画を決定する目標エリア決定部と、
空調の目標とするエリア区画に向けて、上下風向制御用ステッピングモーターと左右風向制御用ステッピングモーターとのうち、少なくともいずれか一方を制御する際に、左右風向制御用ステッピングモーターは、エリア区画群の中で奥行き方向に各エリア区画の論理和を各列毎に算出して得られる奥行き方向一次元データに基づき動作させ、上下風向制御用ステッピングモーターは、エリア区画群の中で左右方向に各エリア区画の論理和を各行毎に算出して得られる左右方向一次元データに基づき動作させるエリア風向制御部と、を具備するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度検出対象範囲を走査しながら温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段を駆動する温度検出手段駆動回路と、
前記温度検出手段駆動回路を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記温度検出手段を走査して、熱画素画像を取得し、
前記熱画素画像から人の存在を判定し、
前記熱画素画像の画素毎に人の滞留回数を記憶し、
前記滞留回数に基づいて人の活動量を判断し、その活動量に応じて前記人が感じる体感温度を推測し、この体感温度に基づく空調制御を行うことを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
空気中の塵埃を捕捉するフィルタを有し、前記フィルタを定期的に自動で清掃するフィルタ自動清掃装置と、
温度検出対象範囲を走査しながら温度を検出する温度検出手段と、
前記温度検出手段を駆動する温度検出手段駆動回路と、
前記温度検出手段駆動回路を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記温度検出手段を走査して、熱画素画像を取得し、
前記熱画素画像から人の存在を判定し、
前記熱画素画像の画素毎に人の滞留回数を記憶し、
前記滞留回数に基づいて人の活動量を判断し、前記活動量に応じて前記フィルタ自動清掃装置の動作間隔を制御することを特徴とする空気調和機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明にかかる空気調和機は、温度検出対象範囲を走査しながら温度を検出する温度検出手段と、
温度検出手段を駆動する温度検出手段駆動回路と、
温度検出手段駆動回路を制御する制御部と、を備え、
制御部は、
温度検出手段を走査して、熱画素画像を取得し、
熱画素画像から人の存在を判定し、
熱画素画像の画素毎に人の滞留回数を記憶し、
滞留回数に基づいて人の活動量を判断し、その活動量に応じて人が感じる体感温度を推測し、この体感温度に基づく空調制御を行うことを特徴とする。