【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順テーパ状の段差面を有した下地層上にアモルファスの半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜をエキシマレーザ光の照射によってアニールするアニール工程と、
を備え、
前記半導体膜形成工程で前記エキシマレーザ光の光路方向に沿った前記半導体膜の厚さを前記段差面上の部分で他の部分よりも前記他の部分の２０％以内の範囲で厚く形成し、前記アニール工程によって前記段差面上の前記半導体膜の結晶粒径を１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下にすることを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体膜の形成方法において、
前記半導体膜形成工程で前記段差面のテーパ角度が４０°以下であることを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項３】
順テーパ状の段差面を有した下地層上にアモルファスの半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記半導体膜をエキシマレーザ光の照射によってアニールするアニール工程と、
を備え、
前記半導体膜形成工程で前記段差面のテーパ角度が４０°以下であり、前記アニール工程によって前記段差面上の前記半導体膜の結晶粒径を１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下にすることを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の半導体膜の形成方法において、
前記半導体膜形成工程で前記テーパ角度は５°以上１５°以下であることを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一つに記載の半導体膜の形成方法において、
基板上に金属膜を局所的に形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜のパターンエッジを覆って順テーパ状の段差面を有した絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
をさらに備え、
前記半導体膜形成工程で、前記絶縁膜を前記下地層とし、前記絶縁膜形成工程で形成された段差面を覆って前記半導体膜を形成することを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体膜の形成方法において、
前記金属膜形成工程で前記金属膜を１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さで形成することを特徴とする半導体膜の形成方法。
【請求項７】
基板上に表示ＴＦＴを備えた表示パネルにおいて、
前記基板の一部上に形成された金属膜からなる前記表示ＴＦＴ用の遮光膜と、
前記基板上に形成され前記遮光膜を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記遮光膜のパターンエッジ上の部分が順テーパ状の段差面を有する前記表示ＴＦＴ用の半導体膜と、
を備え、
前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分は、前記半導体膜の他の部分よりも２０％以内の範囲で厚く形成され、
前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分の結晶粒径は、アニールにより１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
基板上に表示ＴＦＴを備えた表示パネルにおいて、
前記基板の一部上に形成された金属膜からなる前記表示ＴＦＴ用の遮光膜と、
前記基板上に形成され前記遮光膜を覆う絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成され、前記遮光膜のパターンエッジ上の部分が順テーパ状の段差面を有する前記表示ＴＦＴ用の半導体膜と、
を備え、
前記半導体膜の前記段差面のテーパ角度は４０°以下に形成され、
前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分の結晶粒径は、アニールにより１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項９】
請求項８に記載の表示パネルにおいて、
前記半導体膜の前記段差面のテーパ角度は５°以上１５°以下に形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項１０】
請求項７または請求項８に記載の表示パネルにおいて、
前記基板は、光透過性基板であり、
前記遮光膜は、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さで形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項１１】
請求項７または請求項８に記載の表示パネルにおいて、
前記基板は、光透過性基板であり、
前記遮光膜のＯＤ値は、２以上に形成されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項１２】
請求項１１に記載の表示パネルにおいて、
前記遮光膜のＯＤ値は、３以上に形成されていることを特徴とする表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体膜の形成方法および表示パネル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体膜の形成方法および表示パネルに係り、具体的にはエキシマレーザによるアニールによって半導体膜の結晶粒径を段差面上の部分とその他の部分とで揃える技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、エキシマレーザによるアニールによって半導体膜の結晶粒径を段差面上の部分とその他の部分とで揃えることが可能な半導体膜の形成方法および表示パネルを提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記金属膜形成工程で前記金属膜を１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さで形成することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
さらに、本発明に係る表示パネルは、基板上に表示ＴＦＴを備えた表示パネルにおいて、前記基板の一部上に形成された金属膜からなる前記表示ＴＦＴ用の遮光膜と、前記基板上に形成され前記遮光膜を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記遮光膜のパターンエッジ上の部分が順テーパ状の段差面を有する前記表示ＴＦＴ用の半導体膜と、を備え、前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分は、前記半導体膜の他の部分よりも２０％以内の範囲で厚く形成され、前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分の結晶粒径は、アニールにより１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
さらに、本発明に係る表示パネルは、基板上に表示ＴＦＴを備えた表示パネルにおいて、前記基板の一部上に形成された金属膜からなる前記表示ＴＦＴ用の遮光膜と、前記基板上に形成され前記遮光膜を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記遮光膜のパターンエッジ上の部分が順テーパ状の段差面を有する前記表示ＴＦＴ用の半導体膜と、を備え、前記半導体膜の前記段差面のテーパ角度は４０°以下に形成され、前記半導体膜の順テーパ状の段差面を有する部分の結晶粒径は、アニールにより１６０ｎｍ以上４００ｎｍ以下に形成されていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、半導体膜の段差面のテーパ角度は５°以上１５°以下に形成されてことが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、基板は、光透過性基板であり、遮光膜は、１００ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の厚さで形成されていることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、基板は、光透過性基板であり、遮光膜のＯＤ値は、２以上に形成されていることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、遮光膜のＯＤ値は、３以上に形成されていることが好ましい。