【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
前記基板は回転可能であり、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記基板の回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項２】
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
第１の回転板上に第２の回転板が設けられ、前記第２の回転板上に前記基板が設けられ、
前記第１の回転板と前記第２の回転板とは異なる中心軸を有し、それぞれ独立に回転し、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御するとともに、前記第１の回転板の回転、前記第２の回転板の回転を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電性材料からなるソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上にｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記有機半導体膜及び前記ゲート絶縁膜上にｎ型又はｐ型の不純物が低濃度に添加された有機半導体膜を形成する有機半導体装置の作製方法であって、
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
前記基板は回転可能であり、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記基板の回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電性材料からなるソース電極及びドレイン電極を形成し、
前記ソース電極及びドレイン電極上にｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記有機半導体膜及び前記ゲート絶縁膜上にｎ型又はｐ型の不純物が低濃度に添加された有機半導体膜を形成する有機半導体装置の作製方法であって、
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
第１の回転板上に第２の回転板が設けられ、前記第２の回転板上に前記基板が設けられ、
前記第１の回転板と前記第２の回転板とは異なる中心軸を有し、それぞれ独立に回転し、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御するとともに、前記第１の回転板の回転、前記第２の回転板の回転を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にｎ型又はｐ型の不純物が低濃度に添加された有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜上にｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成し、
ｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜上に導電性材料からなるソース電極及びドレイン電極を形成する有機半導体装置の作製方法であって、
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
前記基板は回転可能であり、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記基板の回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にｎ型又はｐ型の不純物が低濃度に添加された有機半導体膜を形成し、
前記有機半導体膜上にｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜からなるソース領域及びドレイン領域を形成し、
ｎ型又はｐ型の不純物が高濃度に添加された有機半導体膜上に導電性材料からなるソース電極及びドレイン電極を形成する有機半導体装置の作製方法であって、
有機半導体材料とｎ型又はｐ型の不純物材料とを共蒸着して有機半導体膜を成膜するに際し、
ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と基板との間に開閉可能なシャッター又は回転可能なマスクが設けられ、
第１の回転板上に第２の回転板が設けられ、前記第２の回転板上に前記基板が設けられ、
前記第１の回転板と前記第２の回転板とは異なる中心軸を有し、それぞれ独立に回転し、
前記シャッターの開閉又は前記マスクの回転、前記有機半導体材料の蒸着速度及び前記不純物材料の蒸着速度を制御するとともに、前記第１の回転板の回転、前記第２の回転板の回転を制御して前記有機半導体膜への前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記マスクには孔又はスリットが設けられていることを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記シャッターが開いているときに前記ｎ型又はｐ型の不純物が前記基板に蒸着されて前記有機半導体膜に添加され、
前記シャッターが閉じているときは前記ｎ型又はｐ型の不純物が前記基板に蒸着されないことを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、前記マスクが回転して前記孔又はスリットが前記ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と前記基板との間にあるときは前記ｎ型又はｐ型の不純物が前記基板に蒸着されて前記有機半導体膜に添加され、
前記マスクが回転して前記孔又はスリットが前記ｎ型又はｐ型の不純物材料の蒸発源と前記基板との間にないときは前記ｎ型又はｐ型の不純物が前記基板に蒸着されないことを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項２、４又は６のいずれか一において、前記第１の回転板が回転して、前記有機半導体材料の蒸発源と前記基板との距離と、前記不純物材料の蒸発源と前記基板との距離が変化することによって、前記ｎ型又はｐ型の不純物の添加量を制御することを特徴とする有機半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記ｎ型又はｐ型の不純物は金属化合物又は金属化合物と有機化合物との混合物であることを特徴とする有機半導体装置の作製方法。