【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を設けるステップ、
前記基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
前記フォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
パターンの形成されたスタンプを設けるステップ、
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するステップ、
前記フォトレジストに前記スタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内で前記フォトレジストを硬化させるステップ、
前記スタンプを前記基板から外すステップ、及び、
前記基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、
を含む、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項２】
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップが、前記金属薄膜層の上にＵＶ硬化性のフォトレジストまたは熱硬化性のフォトレジストを塗布するステップを含む、請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項３】
前記フォトレジストを硬化させるステップが、前記ＵＶ硬化性のフォトレジストにＵＶ光を照射して硬化させるステップ、または、前記熱硬化性のフォトレジストに熱を照射して硬化させるステップ、を含む、請求項２に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項４】
前記スタンプを設けるステップでは複数のスタンプを設ける、請求項１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項５】
基板を設けるステップ、
前記基板の上に金属薄膜層を形成するステップ、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップ、
前記フォトレジストが塗布された基板をべークするステップ、
パターンの形成されたスタンプを設けるステップ、
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するステップ、
前記フォトレジストに前記スタンプのパターンが転写された基板を別のチャンバーに移し、そのチャンバー内で前記フォトレジストを１次硬化させるステップ、
前記スタンプを前記基板から外すステップ、
前記フォトレジストを２次硬化させるステップ、及び、
前記基板の金属薄膜層に対してエッチングを行うステップ、
を含む、ワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項６】
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布するステップが、
ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されるハイブリッドフォトレジストを前記金属薄膜層の上に塗布するステップ、
を含む、請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項７】
前記フォトレジストを１次硬化させるステップが、前記ハイブリッドフォトレジストにＵＶ光を照射して硬化させるステップを含む、請求項６に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項８】
前記スタンプを設けるステップでは、前記基板よりも小さいスタンプを設け、
前記フォトレジストを１次硬化させるステップでは、前記スタンプが圧着された前記基板の領域に前記ＵＶ光を照射する、
請求項７に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項９】
前記スタンプを前記基板のフォトレジストの上に圧着するステップ、前記フォトレジストを１次硬化させるステップ、及び前記スタンプを前記基板から外すステップを、前記スタンプのパターンが前記基板のフォトレジストの全体に転写されるまで繰り返す、請求項８に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１０】
前記フォトレジストを２次硬化させるステップが、前記ハイブリッドフォトレジストに熱を照射して硬化させるステップを含む、請求項６に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１１】
前記スタンプを設けるステップが、複数の単位スタンプを設けるステップを含む、請求項１または請求項５に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１２】
前記スタンプを設けるステップが、
ベースプレートを設けるステップ、
前記ベースプレートの一面の上に、互いに極性の異なる第１の磁石と第２の磁石とを交互に配置するステップ、及び、
前記ベースプレートの一面の上に、前記複数の単位スタンプを取り付けるステップ、
をさらに含む、請求項１１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１３】
前記複数の単位スタンプを設けるステップが、
単位スタンプ基板を設けるステップ、
前記単位スタンプ基板の一面の上に微細パターンを形成するステップ、
前記微細パターンの形成された単位スタンプ基板の上に保護層を形成するステップ、
前記単位スタンプ基板を切断するステップ、及び、
前記保護層を除去するステップ、
を含む、請求項１１に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１４】
前記保護層を形成するステップが、
前記微細パターンの形成された単位スタンプ基板の上に、フォトレジストまたは可溶性のポリマーから形成された有機物質層、を塗布するステップ、及び、
前記有機物質層をべークするステップ、
を含む、請求項１３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【請求項１５】
前記複数の単位スタンプを設けるステップが、前記単位スタンプ基板の他面の上に金属導電層を形成するステップをさらに含む、請求項１３に記載のワイヤーグリッド偏光子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の参考例によるワイヤーグリッド偏光子製造システムは、
基板の上に金属薄膜層を形成する蒸着ユニット、
その金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストをべークするコーティングユニット、
所定のパターンが形成されたスタンプを含み、そのスタンプを上記のフォトレジストの上に圧着してスタンプのパターンをそのフォトレジストに転写するスタンピングユニット、及び、
スタンピングユニットのチャンバーとは別のチャンバー内で上記のフォトレジストを硬化させる硬化ユニット、を備えている。このワイヤーグリッド偏光子製造システムでは特に、スタンピングユニットと硬化ユニットとが順番にインラインに設けられている。ここで、搬送ユニットが両ユニットの間に設けられていても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上、本発明によるワイヤーグリッド偏光子製造システム及びその製造方法の実施形態について説明した。しかし、これらの実施形態は好ましいものとして例示されたものに過ぎず、本発明の実施形態はこれらに限定されるものではない。実際、当業者であれば、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨を逸脱することなく、上記の実施形態を種々に変更可能であろう。従って、そのような変更の範囲も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解されるべきである。
(付記)
(付記１）
基板の上に金属薄膜層を形成する蒸着ユニット、
前記金属薄膜層の上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストをべークするコーティングユニット、
パターンの形成されたスタンプを含み、前記スタンプを前記フォトレジストの上に圧着して前記スタンプのパターンを前記フォトレジストに転写するスタンピングユニット、及び、
前記スタンピングユニットのチャンバーとは別のチャンバー内で前記フォトレジストを硬化させる硬化ユニット、
を備えているワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記２）
前記金属薄膜層に対してエッチングを行うエッチングユニットと、
前記フォトレジストを除去する灰化ユニットと、
をさらに備えている、付記１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記３）
前記基板を搬入する搬入ユニット、
前記基板を洗浄する洗浄ユニット、
前記基板を搬出する搬出ユニット、及び、
前記基板を搬送する搬送ユニット、
をさらに備えている、付記２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記４）
前記搬入ユニット、前記洗浄ユニット、前記蒸着ユニット、前記コーティングユニット、前記スタンピングユニット、前記硬化ユニット、前記エッチングユニット、前記灰化ユニット、及び前記搬出ユニットが順番にインラインに設けられ、前記搬送ユニットが、各ユニットの間に設けられている、付記３に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記５）
前記スタンピングユニットが、
スタンピングチャンバー、
前記スタンピングチャンバー内に配置され、前記基板を支持する第１の基板支持部、及び、
前記スタンプに圧力を加えて前記スタンプを前記基板の上に圧着する加圧部、
をさらに含む、付記１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記６）
前記スタンプが、
ベースプレート、
前記ベースプレートの一面の上に交互に配置された、互いに極性の異なる第１の磁石と第２の磁石、及び、
前記ベースプレートの一面の上に取り付けられている複数の単位スタンプ、
を含む、付記５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記７）
前記単位スタンプが、
単位スタンプ基板と、
前記単位スタンプ基板の一面の上に一方向に形成された微細パターンと、
を含む、付記６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記８）
前記単位スタンプが、前記単位スタンプ基板の他面の上に形成された金属導電層、をさらに含む、付記７に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記９）
前記単位スタンプ基板がシリコンウェーハ製または水晶ウェーハ製である、付記７に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１０）
前記加圧部が、
加圧チャンバーと、
前記加圧チャンバー内に気体を注入して気圧を加える気圧印加部と、
を備えている、付記５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１１）
前記加圧部が、前記加圧チャンバー内に加えられる気圧を均一に維持する気圧補正部、をさらに備えている、付記１０に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１２）
前記気圧印加部が、
前記加圧チャンバーの外部に設けられ、前記加圧チャンバーに気体を供給する気体供給源と、
前記加圧チャンバーの壁に形成された気体注入ホールと、
を備えている、付記１１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１３）
前記気圧補正部が、前記加圧チャンバーの内部に設けられた複数のバネ部材を含む、付記１１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１４）
予備スタンプを保管するスタンプ保管チャンバー、をさらに備えている、付記５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１５）
前記硬化ユニットが、
硬化チャンバー、
前記硬化チャンバー内に配置され、前記基板を支持する第２の基板支持部、及び、
前記フォトレジストを硬化させる硬化ソース部、
を備えている、付記１に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１６）
前記フォトレジストがＵＶ硬化性または熱硬化性を持つ、付記１５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１７）
前記硬化ソース部がＵＶ光源またはヒーターを備えている、付記１６に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１８）
前記フォトレジストが、ＵＶ硬化性のフォトレジストと熱硬化性のフォトレジストとの混合により構成されたハイブリッドフォトレジストを含む、付記１５に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記１９）
前記スタンピングユニットが、前記ＵＶ硬化性のフォトレジストを硬化させるＵＶ光源をさらに備え、
前記硬化ソース部が、前記熱硬化性のフォトレジストを硬化させるヒーターを備えている、
付記１８に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記２０）
前記スタンピングユニットが、前記ＵＶ光源から照射されるＵＶ光の一部を遮断するＵＶ遮光部、をさらに備えている、付記１９に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記２１）
前記ＵＶ遮光部が金属膜を含む、付記２０に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。
(付記２２）
前記エッチングユニットが前記金属薄膜層に対してドライエッチングを行う、付記２に記載のワイヤーグリッド偏光子製造システム。