Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月28日(2009.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極を有する基板上に、はんだ粉と沸点を有する添加剤とを含有する樹脂を供給する工程と、
前記基板上に供給された前記樹脂の表面に平板を当接させ、前記基板と前記平板との間の距離が一定となるように保持する工程と、
前記添加剤の沸点以上かつ前記はんだ粉が溶融する温度以上で前記樹脂を加熱し、前記電極上に前記はんだ粉を集合させてバンプを形成する工程と、
前記平板を除去する工程と、
を含むバンプ付き基板の製造方法。
【請求項２】
前記添加剤の沸点以上かつ前記はんだ粉が溶融する温度以上で前記樹脂を加熱することによって、前記添加剤を沸騰させて前記樹脂中に気泡を発生させ、前記気泡が前記樹脂中を対流することによって、前記はんだ粉を前記電極の周辺に集合させることを特徴とする、請求項１に記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項３】
前記添加剤は、グリセリン、イソプロピルアルコール、酢酸ブチル、ブチルカルビトールおよびエチレングリコールよりなる群から選ばれた１種もしくは２種以上からなることを特徴とする、請求項１または２に記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項４】
前記はんだ粉は、略同一の粒径を有していることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板上に形成された電極と前記平板との間に設けられた一定の隙間は、前記はんだ粉の粒径よりも広いことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項６】
前記平板に一定の圧力を加えることによって、前記樹脂を押圧しながら、前記樹脂を加熱することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項７】
前記添加剤が沸騰することによって生じる気泡が、前記基板と前記平板との間に設けられた隙間の周辺部から、外部に蒸発することを特徴とする、請求項２〜６のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項８】
前記平板の前記基板に対向する平面上に、前記基板に形成された複数の電極と対向する位置に、前記電極と略同一形状の金属パタ−ンが形成されていることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項９】
前記バンプが溶融した状態で、前記平板を除去し、前記電極上に、前記電極と前記平板との間に設けられた隙間の間隔よりも高いバンプを形成することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１０】
前記バンプを形成する工程の後、前記基板を冷却し、前記基板の冷却後、前記樹脂表面に当接されている平板を、前記樹脂表面から離間させることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１１】
前記平板を除去する工程の後、前記基板を冷却する工程を更に含み、前記基板の冷却後、前記樹脂を除去する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１２】
前記はんだ粉は、鉛フリーはんだ材料からなることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１３】
前記はんだ粉は、０．５〜３０体積％の割合で、前記樹脂中に含有されていることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１４】
前記基板が、配線基板または半導体チップであることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【請求項１５】
前記樹脂は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、または光硬化性樹脂のいずれか一つを主成分とすることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一つに記載のバンプ付き基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記特定手段は、
画角＝θ、回転角＝Φ、撮像幅＝Ｌ、前記第２フレームを符号化する際に前記第１フレーム内で参照しない領域の幅＝ｄとおくと、以下の式
ｄ／Ｌ＝（１−（ｓｉｎ（（θ／２）−Φ）／ｓｉｎ（θ／２）））／２
を計算する手段と、
前記回転角、及び前記計算により求めたｄに基づいて、前記第２フレームを符号化する際に前記第１フレーム内で参照しない領域を特定する手段と
を備えることを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月13日(2009.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の窒化物半導体を成長させ、該第１の窒化物半導体に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンにおける（１１−２０）面と等価である面を成長核として第２の窒化物半導体層を成長させることを含む窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
基板上に、第１の窒化物半導体パターンを形成し、該第１の窒化物半導体パターンを成長核として第２の窒化物半導体層を成長させる窒化物半導体基板の製造方法であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
第２の窒化物半導体層を成長させた後、基板を除去する請求項１又は２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
第１の窒化物半導体パターンの（１１−２０）面と等価である面で囲まれたパターンは、平面形状が三角形である請求項１又は３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
第１の窒化物半導体パターンは、前記（１１−２０）面と等価である面を内周と外周とに有する請求項１、３及び４のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において内周及び外周が相似である凸部を含んで構成される請求項５に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において内周及び外周が略正三角形の凸部を含んで構成される請求項６に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項８】
第１の窒化物半導体パターンにおける枠体の一単位が、平面形状において内周及び外周が略正三角形である請求項２又は３に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項９】
第２の窒化物半導体層を、ファセット成長させる請求項１〜８のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
ファセット成長は、（１１−２２）面と等価である面を成長面とするものである請求項９に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
第１の窒化物半導体パターンの（１１−２０）面と等価である面で囲まれたパターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される請求項１、３〜７、９、１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
第１の窒化物半導体パターンの（１１−２０）面と等価である面で囲まれたパターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該複数の略正三角形の三つの頂点がそれぞれ同一方向に向いて配置しており、かつ、隣接する略正三角形の枠体と頂点のみで接触して構成される請求項１、３〜７、９、１０のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１３】
第１の窒化物半導体パターンの（１１−２０）面と等価である面で囲まれたパターンは、凸状に形成されてなる請求項１１又は１２に記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１４】
第１の窒化物半導体パターンの（１１−２０）面と等価である面で囲まれたパターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、前記パターンが、該枠体の３つで包囲され、該枠体の外周形状と略同じ形状の凹部を有してなる請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１５】
基板上に、（１１−２０）面と等価である面で囲まれ、平面形状において相似である２以上の凹部を有するパターンが形成された第１の窒化物半導体と、該第１の窒化物半導体上に形成された第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板。
【請求項１６】
基板上に、第１の窒化物半導体パターンと、該第１の窒化物半導体パターン上に形成された第２の窒化物半導体層とを有する窒化物半導体基板であって、
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状が略正三角形の複数の枠体によって形成され、該枠体の頂点のみを、隣接する枠体と共有するように規則的に配置されて構成される窒化物半導体基板。
【請求項１７】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において内周及び外周が相似である凸部を含んで構成される請求項１５に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１８】
第１の窒化物半導体パターンは、平面形状において内周及び外周が略正三角形の凸部を含んで構成される請求項１７に記載の窒化物半導体基板。
【請求項１９】
第１の窒化物半導体パターンにおける枠体の一単位が、平面形状において内周及び外周が略正三角形である請求項１６に記載の窒化物半導体基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】  本発明は、静電チャックを使用する場合と同等な位置にパターンを描画する装置及び方法を提供することを目的とする。また、他の目的として、描画されたマスクのパターン位置ずれ量を高精度に計測する方法及び装置を提供することを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】  本発明の一態様によれば、静電チャックを用いなくとも静電チャックを用いた場合の位置に描画位置を補正することができる。よって、静電チャックを用いなくとも静電チャックを用いた場合の位置に描画することができる。よって、静電チャックを用いる場合よりもより理想的な平面に再現することができ、描画の再現性を向上させることができる。また、本発明の他の態様によれば、静電チャックにより保持する場合を想定して補正したパターンと補正していないパターンとの両方の位置精度を確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月21日(2009.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】  かかる構成により、基板裏面をＳＥＭＩ規格で規定する静電チャックで保持した場合のように平面に矯正された際の基板の表面の変形量を得ることができる。かかる変形量によるパターンの位置ずれ量が補正されて描画された第１のパターンを用いて、第１のパターンの位置ずれ量を計測することにより、基板裏面をＳＥＭＩ規格で規定する静電チャックで保持した場合のように平面に矯正された場合と同様の位置にパターンが描画されているかどうかを真空チャックした状態で確認することができる。一方で、第２の位置ずれ量計測工程により、ＳＥＭＩ規格で規定する静電チャックを用いずに基板裏面を３点支持して保持する場合のように基板裏面が平面に矯正されない場合に、所望する位置にパターンが描画されているかどうかを確認することができる。その結果、描画装置固有の位置ずれ補正量の妥当性を確認することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】  本発明によれば、静電チャックを用いない描画装置で描画されたパターン位置ずれを３点支持により確認することができると共に、静電チャックにより保持する場合を想定して補正したパターンのパターン位置ずれも確認することができる。さらに、静電チャックを用いなくともパターン位置ずれを確認することができる。また、本発明の他の態様によれば、静電チャックにより保持する場合を想定して補正したパターンと補正していないパターンとの両方の位置精度を確認することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】  以上のように本実施の形態によれば、静電チャックを用いない描画装置で描画されたパターン位置ずれを３点支持により確認することができると共に、静電チャックにより保持する場合を想定して補正したパターンのパターン位置ずれも確認することができる。さらに、静電チャックを用いなくともパターン位置ずれを確認することができる。よって、静電チャックを用いる場合よりも位置計測の再現性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月30日(2009.10.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１領域及び第２領域が区分される基板を備える段階と、
前記第１領域及び第２領域の基板上に金属酸化膜及び第１仕事関数を有する金属物質からなる第１金属膜を形成する段階と、
前記第１領域の第１金属膜上に予備シリコン拡散防止膜パターンを形成する段階と、
前記予備シリコン拡散防止膜パターン及び前記第１金属膜上にシリコンを含む導電膜を形成する段階と、
前記導電膜に含まれたシリコンを前記第２領域の第１金属膜に拡散させ、前記第２領域の第１金属膜をシリコン元素が含まれ前記第１仕事関数より低い第２仕事関数を有する第２金属膜に転換する段階と、
前記シリコンを含む導電膜、予備シリコン拡散防止膜パターン、第１金属膜、第２金属膜をパターニングし、前記第１領域に金属酸化膜、第１金属パターン、シリコン拡散防止膜パターン及びシリコンを含む導電膜パターンが積層された第１ゲート構造物と、前記第２領域に金属酸化膜、第２金属パターン及び前記シリコンを含む導電膜パターンが積層された第２ゲート構造物とを形成する段階と、
を含むことを特徴とするデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項２】
前記金属酸化膜は、タンタル酸化膜、チタン酸化膜、ハフニウム酸化膜、ジルコニウム酸化膜、ハフニウムシリケート、ジルコニウムシリケート、窒化ハフニウムシリケート、窒化ジルコニウムシリケート、アルミニウム酸化膜、窒化アルミニウム酸化膜、ハフニウムアルミン酸塩、イットリウム酸化膜、ニオブ酸化膜、セシウム酸化膜、インジウム酸化膜、イリジウム酸化膜、ランタン酸化膜、ＢＳＴ膜、ＰＺＴ膜、ストロンチウムチタン酸化膜、鉛チタン酸化膜、ストロンチウムルテニウム酸化膜、カルシウムルテニウム酸化膜、鉛ジルコニウム酸化膜、ランタンジルコニウム酸化膜、及びランタンチタン酸化膜からなる群のうちから選択された少なくとも一つであることを特徴とする請求項１記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項３】
前記第１仕事関数は、４．７〜５．２ｅＶであることを特徴とする請求項１記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項４】
前記第１金属膜は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステン、ハフニウム、ジルコニウム、チタン窒化物、タンタル窒化物、モリブデン窒化物、タングステン窒化物、ハフニウム窒化物、ジルコニウム窒化物からなる群れのうちから選択された少なくとも一つの物質を蒸着させ形成することを特徴とする請求項３記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項５】
前記シリコンを含む導電膜パターンは、不純物がドーピングされたポリシリコンを蒸着させ形成することを特徴とする請求項１記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項６】
前記シリコンを含む導電膜は、金属シリサイドから形成されることを特徴とする請求項１記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項７】
前記シリコン拡散防止膜パターンは、非結晶性を有する金属物質を使用して形成することを特徴とする請求項１記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【請求項８】
前記シリコン拡散防止膜パターンは、チタンシリコン窒化物、タンタルシリコン窒化物、タングステンシリコン窒化物、モリブデンシリコン窒化物、ハフニウムシリコン窒化物、ジルコニウムシリコン窒化物からなる群のうちから選択された少なくとも一つの物質を蒸着させ形成することを特徴とする請求項７記載のデュアルゲート構造物形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月15日(2009.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置、レーザ照射方法及び半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームを転送する転送レンズと、
前記転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズと、
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記転送レンズは、前記レーザ発振器の射出口と、前記シリンドリカルレンズアレイの入射面の位置を互いに共役の関係にするように配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームを偏向する偏向ミラーと、
前記偏向ミラーで偏向されたレーザビームを転送する転送レンズと、
前記転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズと、
前記集光レンズを通過したレーザビームを投影させる照射面を設置するステージと
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記レーザ発振器の射出口と、前記偏向ミラーと、前記転送レンズと、前記シリンドリカルレンズアレイは、
前記レーザ発振器の射出口から前記偏向ミラーまでの距離をａ、前記偏向ミラーから前記転送レンズまでの距離をｂ、前記転送レンズから前記シリンドリカルレンズアレイの入射面までの距離をｃ、前記転送レンズの焦点距離をｆとした場合、これらが次式、
【数１】
2007150272.tif 000001
を満たす関係にあることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項３乃至４のいずれか一項において、
前記転送レンズは、前記レーザ発振器の射出口と、前記シリンドリカルレンズアレイの入射面の位置を互いに共役の関係にするように配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームを転送する第１の転送レンズと、
前記第１の転送レンズを通過したレーザビームを偏向する偏向ミラーと、
前記偏向ミラーで偏向したレーザビームを転送する第２の転送レンズと、
前記第２の転送レンズを通過したレーザビームを複数に分割するシリンドリカルレンズアレイと、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを重ね合わせる集光レンズと、
前記集光レンズを通過したレーザビームを投影させる照射面を設置するステージと
を有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記レーザ発振器の射出口と、前記偏向ミラーと、前記第１の転送レンズと、前記第２の転送レンズと、前記シリンドリカルレンズアレイは、
前記レーザ発振器の射出口から前記第１の転送レンズまでの距離をａ、前記第１の転送レンズから前記偏向ミラーまでの距離をｂ、前記第１の転送レンズの焦点距離をｆ１とした場合、これらが次式、
【数２】
2007150272.tif 000002
を満たす関係にあり、
前記偏向ミラーから前記第２の転送レンズまでの距離をｃ、前記第２の転送レンズから前記シリンドリカルレンズアレイまでの距離をｄ、前記第２の転送レンズの焦点距離をｆ２とするとした場合、これらが次式、
【数３】
2007150272.tif 000003
を満たす関係にあることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項６又は７において、
前記第１の転送レンズは、前記レーザ発振器の射出口と、前記偏向ミラーの位置を互いに共役の関係にするように配置され、
前記第２の転送レンズは、前記偏向ミラーと、前記シリンドリカルレンズアレイの位置を互いに共役の関係にするように配置されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームはガウスビームであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
レーザ発振器から射出したレーザビームをシリンドリカルレンズアレイで複数に分割するときに、前記レーザ発振器の射出口と前記シリンドリカルレンズアレイの入射面の位置を互いに共役の関係にするように配置された転送レンズを用い、前記転送レンズにより前記シリンドリカルレンズアレイ上にレーザビームを投影し、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを、集光レンズにより重ね合わせて照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームはガウスビームであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
レーザ発振器から射出したレーザビームを転送レンズによりシリンドリカルレンズアレイ上に投影し、
前記シリンドリカルレンズアレイで前記レーザビームを複数に分割し、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを、集光レンズにより重ね合わせて半導体膜に照射して結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
レーザ発振器から射出したレーザビームをシリンドリカルレンズアレイで複数に分割するときに、前記レーザ発振器の射出口と前記シリンドリカルレンズアレイの入射面の位置を互いに共役の関係にするように配置された転送レンズを用い、前記転送レンズにより前記シリンドリカルレンズアレイ上にレーザビームを投影し、
前記シリンドリカルレンズアレイで形成されたレーザビームを、集光レンズにより重ね合わせて半導体膜に照射して結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２乃至１３のいずれか一項において、
前記レーザ発振器から射出されるレーザビームはガウスビームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月26日(2009.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フイルム、回路パターンをこの順に積層した回路基板用部材であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲の周縁部における可撓性フイルムと補強板との剥離力が４９Ｎ／ｍを超え、４９０Ｎ／ｍ以下の範囲内にあり、可撓性フイルムの周縁部より内側の範囲における補強板との剥離力が０．０９８Ｎ／ｍ以上、４９Ｎ／ｍ以下の範囲内にある回路基板用部材。
【請求項２】
可撓性フイルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射してから、回路パターン付き可撓性フイルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、可撓性フイルムの周縁部における可撓性フイルムと補強板の剥離力が、回路パターン形成中は４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、回路パターンを形成後、可撓性フイルムを剥離する前は０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板の製造方法。
【請求項３】
少なくとも補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フイルム、回路パターンをこの順に積層した回路基板用部材であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲を周縁部とすると、可撓性フイルムの４つの各頂点から内側へ最大５０ｍｍ未満の部分であって、前記周縁部よりも内側にある部分と重複する部分を除いた部分である四隅部の可撓性フイルムと補強板との剥離力が４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、前記四隅部以外の可撓性フイルムと補強板との剥離力が０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板用部材。
【請求項４】
可撓性フイルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射してから、回路パターン付き可撓性フイルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲を周縁部とすると、可撓性フイルムの４つの各頂点から内側へ最大５０ｍｍ未満の部分であって、前記周縁部よりも内側にある部分と重複する部分を除いた部分である四隅部における可撓性フイルムと補強板の剥離力が、回路パターン形成中は４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、回路パターンを形成後、可撓性フイルムを剥離する前は０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
すなわち本発明は、以下の構成からなる。
（１）少なくとも補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フイルム、回路パターンをこの順に積層した回路基板用部材であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲の周縁部における可撓性フイルムと補強板との剥離力が４９Ｎ／ｍを超え、４９０Ｎ／ｍ以下の範囲内にあり、可撓性フイルムの周縁部より内側の範囲における補強板との剥離力が０．０９８Ｎ／ｍ以上、４９Ｎ／ｍ以下の範囲内にある回路基板用部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（２）可撓性フイルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射してから、回路パターン付き可撓性フイルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、可撓性フイルムの周縁部における可撓性フイルムと補強板の剥離力が、回路パターン形成中は４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、回路パターンを形成後、可撓性フイルムを剥離する前は０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（３）少なくとも補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フイルム、回路パターンをこの順に積層した回路基板用部材であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲を周縁部とすると、可撓性フイルムの４つの各頂点から内側へ最大５０ｍｍ未満の部分であって、前記周縁部よりも内側にある部分と重複する部分を除いた部分である四隅部の可撓性フイルムと補強板との剥離力が４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、前記四隅部以外の可撓性フイルムと補強板との剥離力が０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板用部材。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（４）可撓性フイルムの片面に補強板を紫外線硬化型有機物層を介して貼り合わせ、紫外線硬化型有機物層に紫外線を照射してから、回路パターン付き可撓性フイルムを補強板から剥離する回路基板の製造方法であって、可撓性フイルムの端から内側へ最大３０ｍｍ未満の範囲を周縁部とすると、可撓性フイルムの４つの各頂点から内側へ最大５０ｍｍ未満の部分であって、前記周縁部よりも内側にある部分と重複する部分を除いた部分である四隅部における可撓性フイルムと補強板の剥離力が、回路パターン形成中は４９Ｎ／ｍを超え４９０Ｎ／ｍ以下であり、回路パターンを形成後、可撓性フイルムを剥離する前は０．０９８Ｎ／ｍ以上４９Ｎ／ｍ以下である回路基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
前記複合材料の吸収スペクトルが、前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルにも吸収ピークが現れない波長に吸収ピークを有することを特徴とする複合材料。
【請求項２】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
前記無機化合物は周期表第５族乃至第７族のいずれかの金属の金属酸化物からなることを特徴とする複合材料。
【請求項３】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物はアリールアミン骨格を有する高分子化合物であり、
前記無機化合物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ニオブ、又は酸化レニウムからなることを特徴とする複合材料。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有することを特徴とする複合材料。
【化１】
2007150226.tif 000001
（但し式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかを表し、式中Ｒ２はトリアリールアミン構造を有する１価の置換基を表す。）
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、
【化２】
2007150226.tif 000002
式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、式中Ｒ２は下記式（２）で表される基であることを特徴とする複合材料。
【化３】
2007150226.tif 000003
（ただし式中Ａｒ１は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１２のアリーレン基、Ａｒ２、Ａｒ３は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１４のアリール基を表す。）
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記一般式（１）で表される繰り返し単位を有し、
【化４】
2007150226.tif 000004
式中Ｒ１は水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基のいずれかであり、式中Ｒ２は下記式（３）で表される基であることを特徴とする複合材料。
【化５】
2007150226.tif 000005
（但し式中Ａｒ１〜Ａｒ３は置換基を有しても有さずとも良い炭素数６〜１４のアリール基を表す。）
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか１において、前記高分子化合物が下記構造式（４）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であることを特徴とする複合材料。
【化６】
2007150226.tif 000006
【請求項８】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
前記複合材料の吸収スペクトルが前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルとも異なることを特徴とする複合材料。
【化７】
2007150226.tif 000007
【請求項９】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
前記複合材料の吸収スペクトルが、前記高分子化合物、前記無機化合物のどちらの吸収スペクトルにも吸収ピークが現れない波長に吸収ピークを有することを特徴とする複合材料。
【化８】
2007150226.tif 000008
【請求項１０】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
前記無機化合物は周期表第５族乃至第７族のいずれかの金属の金属酸化物からなることを特徴とする複合材料。
【化９】
2007150226.tif 000009
【請求項１１】
有機化合物と無機化合物とを含む複合材料であり、
前記有機化合物は下記構造式（７８）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物であり、
前記無機化合物は酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化タンタル、酸化ニオブ、又は酸化レニウムからなることを特徴とする複合材料。
【化１０】
2007150226.tif 000010
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１において、前記無機化合物は粒子を形成しており、前記粒子の粒径は２０ｎｍ以下であることを特徴とする複合材料。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料を用いたことを特徴とする発光素子用材料。
【請求項１４】
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極及び前記第２の電極の間に発光積層体と、を有し、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有することを特徴とする発光素子。
【請求項１５】
陽極として機能する電極と、
陰極として機能する電極と、
前記陽極として機能する電極及び前記第陰極として機能する電極の間に発光積層体と、を有し、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有し、
前記複合材料からなる層は前記陽極として機能する電極に接して設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１６】
陽極として機能する電極と、
陰極として機能する電極と、
前記陽極として機能する電極及び前記陰極として機能する電極の間に発光積層体と、を有し、
請求項１乃至請求項１２のいずれか１に記載の複合材料からなる層を前記発光積層体の一部として有し、
前記複合材料からなる層は前記陰極として機能する電極に接して設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか１に記載の発光素子と、前記発光素子の発光を制御する手段とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
表示部を有し、前記表示部は請求項１４乃至請求項１６のいずれか１に記載の発光素子を有し、前記発光素子の発光を制御する手段を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射する被写体光を光電変換し、画像信号を出力する複数の画素から成る撮像手段と、
前記撮像手段から、フィールド毎に読み出しパターンを変えて画像信号を出力するように前記撮像手段を駆動する駆動手段と、
前記撮像手段よりも被写体側に配置された光学ローパスフィルタと、
前記撮像手段から出力される画像信号に基づいて、前記撮像手段の欠陥画素を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された欠陥画素から出力された画像信号を補正する補正手段とを有し、
前記検出手段は、フィールド毎に読み出しパターンを変えて前記画像信号が出力された場合、フィールド内及び連続する２フィールド間の画像信号に基づき、予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、前記撮像手段の画素の並び順において２画素以上連続しない場合に、当該画素を前記撮像手段の欠陥画素として検出することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記検出手段は、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド内の水平方向で連続しているかどうかを判断するライン内検出手段と、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド内の垂直方向で連続しているかどうかを判断するフィールド内検出手段と、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド間の垂直方向で連続しているかどうかを判断するフィールド間検出手段と、
前記ライン内検出手段と、前記フィールド内検出手段と、前記フィールド間検出手段の何れにおいても連続していないと判断された場合に、当該画素を欠陥画素として決定する決定手段と
を有することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記撮像手段からフィールド毎に読み出しパターンを変えて得られた最新フィールドの画像信号と、次に新しいフィールドの画像信号とに基づいて、被写体の動き量を検出する動き検出手段と、
前記検出された動き量が予め設定された動き量よりも小さい場合に前記検出手段を駆動し、大きい場合に前記検出手段を制止する手段と
を更に有することを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記撮像装置の揺れを検出する揺れ検出手段と、
前記検出された前記撮像装置の揺れが予め設定された揺れよりも小さい場合に前記検出手段を駆動し、大きい場合に前記検出手段を制止する手段と
を更に有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記撮像装置に三脚を取り付けるための三脚取り付け手段と、
三脚が前記三脚取り付け手段に取り付けられているかどうかを検知する三脚検知手段と、
前記三脚検知手段が三脚が取り付けられている状態を検知した場合に前記検出手段を駆動し、検知していない場合に前記検出手段を制止する手段と
を更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
入射する被写体光を光電変換し、画像信号を出力する複数の画素から成る撮像手段と、前記撮像手段よりも被写体側に配置された光学ローパスフィルタとを有する撮像装置における欠陥画素処理方法であって、
前記撮像手段から、フィールド毎に読み出しパターンを変えて画像信号を出力する撮像工程と、
前記撮像工程で前記撮像手段から出力された前記フィールド内及び連続する２フィールド間の画像信号に基づいて、予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、前記撮像手段の画素の並び順において２画素以上連続しない場合に、当該画素を前記撮像手段の欠陥画素として検出する検出工程と、
前記検出工程で検出された欠陥画素から出力された画像信号を補正する補正工程と
を有することを特徴とする欠陥画素処理方法。
【請求項７】
前記検出工程では、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド内の水平方向で連続しているかどうかを判断するライン内検出工程と、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド内の垂直方向で連続しているかどうかを判断するフィールド内検出工程と、
前記予め設定された第１の値よりも高いか、または、前記第１の値より低い第２の値よりも低い画像信号を出力した画素が、フィールド間の垂直方向で連続しているかどうかを判断するフィールド間検出工程と、
前記ライン内検出工程と、前記フィールド内検出工程と、前記フィールド間検出工程の何れにおいても連続していないと判断された場合に、当該画素を欠陥画素として決定する決定工程と
を有することを特徴とする請求項６に記載の欠陥画素処理方法。
【請求項８】
前記撮像工程で前記撮像手段から出力された最新フィールドの画像信号と、次に新しいフィールドの画像信号とに基づいて、被写体の動き量を検出する動き検出工程と、
前記検出された動き量が予め設定された動き量よりも小さい場合に前記検出工程を実行し、大きい場合に前記検出工程の実行を制止する工程と
を更に有することを特徴とする請求項６または７に記載の欠陥画素処理方法。
【請求項９】
前記撮像装置の揺れを検出する揺れ検出工程と、
前記検出された前記撮像装置の揺れが予め設定された揺れよりも小さい場合に前記検出工程を実行し、大きい場合に前記検出工程の実行を制止する工程と
を更に有することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の欠陥画素処理方法。
【請求項１０】
前記撮像装置は、前記撮像装置に三脚を取り付けるための三脚取り付け手段を有し、
三脚が前記三脚取り付け手段に取り付けられているかどうかを検知する三脚検知工程と、
前記三脚検知工程で三脚が取り付けられている状態を検知した場合に、前記検出工程を実行し、検知していない場合に前記検出工程の実行を制止する工程と
を更に有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の欠陥画素処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月27日(2008.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の電極パッドが形成された配線基板と、
前記配線基板の主面に実装された第１の半導体チップと、
主面に複数の電極パッドが形成された第２の半導体チップであって、前記配線基板の主面上に前記第１の半導体チップを介在して搭載された第２の半導体チップと、
前記第２の半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の電極パッドとを夫々電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記配線基板の主面に実装された受動部品と、
前記第１及び第２の半導体チップ、前記複数のボンディングワイヤ、及び前記受動部品を封止する樹脂封止体とを有し、
前記第１の半導体チップの高さは、前記受動部品の高さよりも高く、
前記受動部品は、前記第１の半導体チップの周囲において、その一部若しくは全体が前記第２の半導体チップと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記主面には、複数の前記受動部品が実装されており、
前記複数の受動部品は、各々の一部若しくは全体が前記第２の半導体チップと平面的に重なるように配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の半導体チップは、複数の突起状電極を介在して前記配線基板の前記主面に実装されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記複数の受動部品は、厚さが異なる第１の受動部品及び第２の受動部品を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記複数の受動部品は、矩形体からなるコンデンサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の半導体チップは、前記第２の半導体チップよりも小さい平面サイズで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
（ａ）受動部品と、主面に複数の電極パッドが形成された配線基板と、第１の半導体チップと、第２の半導体チップとを準備する工程と、
（ｂ）前記配線基板の主面に前記受動部品を搭載する工程と、
（ｃ）前記配線基板の主面に前記第１の半導体チップを搭載する工程と、
（ｄ）前記配線基板の主面上に前記第１の半導体チップを介在して前記第２の半導体チップを搭載する工程と、
（ｅ）前記第２の半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の電極パッドとを複数のボンディングワイヤで夫々電気的に接続する工程と、
（ｆ）前記受動部品、前記第１及び第２の半導体チップ、及び前記複数のボンディングワイヤを樹脂封止する工程とを有し、
前記第１の半導体チップの高さは、前記受動部品の高さよりも高く、
前記受動部品は、前記第１の半導体チップの周囲において、その一部若しくは全体が前記第２の半導体チップと平面的に重なる位置に搭載されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程では、複数の突起状電極を介在して、前記第１の半導体チップを前記配線基板の前記主面に実装することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程では、複数の前記受動部品を前記配線基板の前記主面に実装し、
前記複数の受動部品は、厚さが異なる第１の受動部品及び第２の受動部品を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の受動部品は、矩形体からなるコンデンサであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、前記（ｂ）工程の後に実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、前記配線基板の複数の電極パッドと前記複数のボンディングワイヤの一端部を夫々電気的に接続した後、前記第２の半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のボンディングワイヤの他端部を夫々電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程の後、前記配線基板の主面と前記第１の半導体チップの主面との間に樹脂を充填する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の半導体チップは、前記第２の半導体チップよりも小さい平面サイズで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月29日(2009.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エチレン性不飽和シラン化合物および重合用ポリエチレンを重合させてなるシラン変性樹脂を含む充填材用樹脂と、紫外線吸収剤、光安定化剤、熱安定化剤およびマスターバッチ用ポリエチレンを含むマスターバッチと、を有する太陽電池モジュール用充填材であって、前記重合用ポリエチレンおよび前記マスターバッチ用ポリエチレンが、０．８９５〜０．９１０ｇ／ｃｍ３の範囲内の密度を有するメタロセン系直鎖状低密度ポリエチレンであり、厚みが６００±１５μｍのシート状としたとき、波長６０００ｎｍ以上２５０００ｎｍ以下の範囲内におけるピーク面積が１２０００以下であることを特徴とする太陽電池モジュール用充填材。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池モジュール用充填材を用いた充填材層を有することを特徴とする太陽電池モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信装置と、該通信装置に収容される複数の無線端末とで構成される無線伝送システムにおける通信経路の設定方法であって、
収容する複数の無線端末の状況を取得する取得工程と、
無線端末の間でデータを転送する際に、前記取得工程において取得された各無線端末の状況に応じて、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路か、或いは前記通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する通信経路かを選択する選択工程とを有することを特徴とする通信経路の設定方法。
【請求項２】
前記選択工程は、少なくとも１つの無線端末が移動可能な状況にある場合、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路を選択することを特徴とする請求項１記載の通信経路の設定方法。
【請求項３】
前記選択工程は、前記無線端末の利用状況に応じて、前記通信経路を選択することを特徴とすることを特徴とする請求項１記載の通信経路の設定方法。
【請求項４】
前記選択工程は、前記複数の無線端末がそれぞれ電源ケーブルによって給電されている場合、前記通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する通信経路を選択することを特徴とする請求項１記載の通信経路の設定方法。
【請求項５】
前記選択工程は、少なくとも１つの無線端末がバッテリーによって給電されている場合、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路を選択することを特徴とする請求項１記載の通信経路の設定方法。
【請求項６】
前記選択工程は、データを送信する機能を有する無線端末が１台のみ前記通信装置に収容されている状況の場合、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路を選択することを特徴とする請求項１記載の通信経路の設定方法。
【請求項７】
複数の無線端末を無線により収容する通信装置であって、
収容する複数の無線端末の状況を取得する取得手段と、
無線端末の間でデータを転送する際に、前記取得手段により取得した各無線端末の状況に応じて、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路か、或いは前記通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する通信経路かを選択する選択手段とを有することを特徴とする通信装置。
【請求項８】
請求項１乃至６の何れか１項に記載の通信経路の設定方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信経路の設定方法、通信装置、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これらの条件による判断の結果、端末間の直接通信経路を選択して通信を行っている状態でも、端末の移動によっては電波が届かなくなり、端末間での直接通信ができなくなるような場所が発生する。その場合、通信が途切れてしまうことが予想される。逆に、基地局経由での通信経路を選択している場合は、基地局の管理エリア内の移動では通信が途切れるようなことはないと予想される。即ち、通信トラフィックの量を条件として最適な通信経路の選択を行うことができても、システムにとって最適な通信経路を選択したことにはならない場合があった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、無線端末の間でデータを転送する際に、無線端末の状況に応じて、通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路か無線端末の間を直接接続する通信経路かを選択することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、通信装置と、該通信装置に収容される複数の無線端末とで構成される無線伝送システムにおける通信経路の設定方法であって、収容する複数の無線端末の状況を取得する取得工程と、無線端末の間でデータを転送する際に、前記取得工程において取得された各無線端末の状況に応じて、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路か、或いは前記通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する通信経路かを選択する選択工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、複数の無線端末を無線により収容する通信装置であって、収容する複数の無線端末の状況を取得する取得手段と、無線端末の間でデータを転送する際に、前記取得手段により取得した各無線端末の状況に応じて、前記通信装置を経由して無線端末の間を接続する通信経路か、或いは前記通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する通信経路かを選択する選択手段とを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明によれば、無線端末の間でデータを転送する際に、各無線端末の状況に応じて、通信装置を経由して無線端末の間を接続する経路と、通信装置を経由せずに直接、無線端末の間を接続する経路から効果的な経路を自動設定することができる。