(57)【要約】【課題】本発明は、ウェハ上に形成される磁気ヘッド素子に関し、必要な層が絶縁されているか否かを磁気ヘッド素子を破壊することなく測定する。【解決手段】本発明は、ウェハに形成された磁気ヘッド素子の電気的な絶縁を測定する絶縁特性測定方法であって、該磁気ヘッド素子は上部磁極層と、下部磁極層と、該上部磁極層と該下部磁極層との間に配置された絶縁層と、該絶縁層中に導電材料で構成されたコイル層とから構成され、該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、上部磁極層と下部磁極層とが電気的に絶縁され、該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層、該下部磁極層及び該コイル層の各層には絶縁を測定する電極の端子が接続され、該電極によって、磁気ヘッド素子の絶縁特性を測定する。そのため、磁気ヘッド素子において、絶縁されていることが必要な層が絶縁されているか否かを推測することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部磁極層と、下部磁極層と、該上部磁極層と該下部磁極層との間に配置された絶縁層と、該絶縁層中に導電材料で構成されたコイル層とから構成される磁気ヘッド素子が形成されたウェハにおいて、
該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、上部磁極層と下部磁極層とが電気的に絶縁されていることを特徴とするウェハ。
【請求項２】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の上部磁極層、下部磁極層及びコイル層の各層には電気的な絶縁を測定する電極の端子が接続していることを特徴とする請求項１記載のウェハ。
【請求項３】
該コイル層は上部コイル層と下部コイル層とから構成され、
該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、該上部コイル層と該下部コイル層とが電気的に絶縁されていることを特徴とする請求項１または２に記載のウェハ。
【請求項４】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の上部磁極層、下部磁極層、上部コイル層及び下部コイル層の各層には絶縁を測定する電極の端子が接続していることを特徴とする請求項３記載のウェハ。
【請求項５】
ウェハに形成された磁気ヘッド素子の電気的な絶縁を測定する絶縁特性測定方法において、
該磁気ヘッド素子は上部磁極層と、下部磁極層と、該上部磁極層と該下部磁極層との間に配置された絶縁層と、該絶縁層中に導電材料で構成されたコイル層とから構成され、
該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、上部磁極層と下部磁極層とが電気的に絶縁され、該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層、該下部磁極層及び該コイル層の各層には絶縁を測定する電極の端子が接続され、
該電極によって、磁気ヘッド素子の絶縁特性を測定することを特徴とする絶縁特性測定方法。
【請求項６】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層及び該下部磁極層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部磁極層と下部磁極層との電気的な絶縁を測定することを特徴とする請求項５記載の絶縁特性測定方法。
【請求項７】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層及び該コイル層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部磁極層とコイル層との電気的な絶縁を測定することを特徴とする請求項５記載の絶縁特性測定方法。
【請求項８】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該コイル層及び該下部磁極層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子のコイル層と下部磁極層との電気的な絶縁を測定することを特徴とする請求項５記載の絶縁特性測定方法。
【請求項９】
該コイル層は上部コイル層と下部コイル層とから構成され、
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子は上部コイル層と下部コイル層とが絶縁され、
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部コイル層及び該下部コイル層には電気的な絶縁を測定する電極の端子が接続されていることを特徴とする請求項５記載の絶縁特性測定方法。
【請求項１０】
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部コイル層及び該下部コイル層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部コイル層と下部コイル層との電気的な絶縁を測定することを特徴とする請求項９記載の絶縁特性測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ上に形成される薄膜磁気ヘッドの必要な層が絶縁されているか否かを測定する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置の大容量化に伴い、磁気記録媒体の記録密度は年々増加している。この高密度記録技術の進歩は、主に磁気記録媒体の低ノイズ化、薄膜磁気ヘッドの高感度化、及び小型化によるものである。特に、ハードディスク装置は、動画記録用として家庭用ビデオ装置やＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等に用いられており、記録情報が大容量であるため、さらなる高記録密度化が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録用の誘導型磁気変換素子と再生用の磁気抵抗効果型素子を積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。製造工程においては、ライト部形成のために必要な層が絶縁されているか否かを測定する際に、磁気ヘッド素子を直接測定していた。そのため、測定条件によっては磁気ヘッド素子の破壊、もしくは特性劣化を引き起こす可能性があった。また、絶縁不良が発生した場合、磁気ヘッド素子の各層を切断して断面観察することにより、絶縁不良の発生場所を特定していたが、不良箇所を特定することは難しく、解析に時間がかかっていた。
【０００４】
磁気ヘッド素子の製造工程において、絶縁を測定する技術に関する先行技術文献として下記のものがある。
【特許文献１】特開平０６‐０８４１４６号公報
【特許文献２】特開平１１‐３０６５１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、絶縁されていることが必要な層の絶縁測定を磁気ヘッド素子を破壊することなく効率的に行うことである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するために、以下の手段を採用する。
【０００７】
第一の手段として：
ウェハは、上部磁極層と、下部磁極層と、該上部磁極層と該下部磁極層との間に配置された絶縁層と、該絶縁層中に導電材料で構成されたコイル層とから構成される磁気ヘッド素子が形成され、さらに、該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、上部磁極層と下部磁極層とが電気的に絶縁されている。
【０００８】
第二の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の上部磁極層、下部磁極層及びコイル層の各層には電気的な絶縁を測定する電極の端子が接続している。
【０００９】
第三の手段として：
該コイル層は上部コイル層と下部コイル層とから構成され、該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、該上部コイル層と該下部コイル層とが電気的に絶縁されている。
【００１０】
第四の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の上部磁極層、下部磁極層、上部コイル層及び下部コイル層の各層には絶縁を測定する電極の端子が接続している。
【００１１】
第五の手段として：
ウェハに形成された磁気ヘッド素子の電気的な絶縁を測定する絶縁特性測定方法において、該磁気ヘッド素子は上部磁極層と、下部磁極層と、該上部磁極層と該下部磁極層との間に配置された絶縁層と、該絶縁層中に導電材料で構成されたコイル層とから構成され、該磁気ヘッド素子の少なくとも１つは、上部磁極層と下部磁極層とが電気的に絶縁され、該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層、該下部磁極層及び該コイル層の各層には絶縁を測定する電極の端子が接続され、該電極によって、磁気ヘッド素子の絶縁特性を測定する。
【００１２】
第六の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層及び該下部磁極層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部磁極層と下部磁極層との電気的な絶縁を測定する。
【００１３】
第七の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部磁極層及び該コイル層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部磁極層とコイル層との電気的な絶縁を測定する。
【００１４】
第八の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該コイル層及び該下部磁極層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子のコイル層と下部磁極層との電気的な絶縁を測定する。
【００１５】
第九の手段として：
該コイル層は上部コイル層と下部コイル層とから構成され、該少なくとも１つの磁気ヘッド素子は上部コイル層と下部コイル層とが絶縁され、該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部コイル層及び該下部コイル層には電気的な絶縁を測定する電極の端子が接続されている。
【００１６】
第十の手段として：
該少なくとも１つの磁気ヘッド素子の該上部コイル層及び該下部コイル層に接続された電極によって、磁気ヘッド素子の上部コイル層と下部コイル層との電気的な絶縁を測定する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、磁気ヘッド素子において絶縁されていることが必要な層の絶縁特性を、測定対象の層が絶縁されている磁気ヘッド素子の各層の絶縁を測定することで、推測することができるという効果を有する。そのため、磁気ヘッド素子を破壊することなく各層の絶縁を確認することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しつつ説明する。
（実施例１）
図１は、本発明における絶縁モニタ素子が形成される実施例のウェハの平面図を表したものである。図１はウェハ全体を表し、図２は図１において丸で囲まれた部分を拡大した図面である。両図に示すように、磁気ヘッド素子５１は、ウェハ１２上に均一に配置されており、絶縁モニタ素子５２は、規則性を持って配置されている。
【００１９】
絶縁モニタ素子とは、磁気ヘッド素子において絶縁されていることが必要な層を完全に絶縁し、当該絶縁モニタ素子において層が絶縁されているか否かを測定することで、磁気ヘッド素子において絶縁されていることが必要な層が絶縁されているか否かを推測するための素子である。絶縁されているか否かを測定するために、各層から測定パッド６１、６２、６３、６４、７０が引き出されている。
【００２０】
本実施例においては、ウェハ１２上の磁気ヘッド素子５１群の中に絶縁モニタ素子５２が分散配置されてなる。例えば、１２.７センチ（５インチ）Φのウェハ上に約１mm角の磁気ヘッド素子が１万個以上、整然と上下左右にマトリクス上に配置されてなる。これは図１に示す２４の四角で囲われた区画にそれぞれ約５００個毎、配置される。また、この各区画には、例えば、１６行３２列のマトリスクで磁気ヘッド素子５１と絶縁モニタ素子５２が配置される。本実施例では上下左右に１磁気ヘッド素子５１毎に１個の絶縁モニタ素子５２が配置されている。すなわち、図２の拡大図に示すように８個の磁気ヘッド素子５１に囲まれた形で１個の絶縁モニタ素子５２がマトリクス状に配置され、これのパターンが図１のウェハ１２平面上で上下左右に、同図のパターンを一段ずつずらして繰り返し配置される。
【００２１】
一般的な磁気ヘッド素子の製造工程では、図１のウェハに示す各矩形の区画毎に切り出され、切り出された矩形の区画に対して、図２に示す磁気ヘッド５１の群の横方向、すなわち、磁気ヘッド素子の先端部が側面に露出するように行方向に切り出される。これはいわゆるローバー（ｒａｗ  ｂａｒ）と呼ばれ、個別の磁気ヘッド素子の加工、分析の対象となる。上記１区画１６行３２列のマトリクスの場合には、マトリクスの行に相当する本数、すなわち、１６本のローバーが作成される。この１つのローバーは３２個の素子が並ぶものとなる。なお、この先端部が磁気ディスク円盤の表面に対向して磁気ディスク円盤に磁界を印可、あるいは、ディスク円盤状の漏れ磁束を拾って磁気記録の読み出し、書き込みを可能にするものである。その後、ローバーで研磨が施され、すなわち、１行分、３２個を一括し磁気ヘッド素子の先端部に対して研磨が施され、特性測定に供され、あるいは、個々のヘッドに切り出された後に特性測定に供されて、磁気ヘッド素子として完成する。
【００２２】
本実施例の場合には、１行分１本の磁気ヘッド素子群には、絶縁モニタ素子は、１５個乃至１６個存在することになる。なお、同図の磁気ヘッド素子５１と絶縁モニタ素子５２の配置パターンはこれに限られないことは言うまでもない。ただし、単純にウェハ全体の四隅に１個ずつの絶縁モニタ素子を配置した場合、スパッタ等の製造装置の性能によっては、形成された層のウェハ中心部分の厚さと絶縁モニタ素子として形成される部分の層の厚さとが、そのばらつきによって相違することで、絶縁モニタ素子の測定が、ウェハ中心に形成される磁気ヘッド素子を測定したことと等価にならない場合があるので注意を要する。
【００２３】
試作のために製造する場合には、図２に示されるような絶縁モニタ素子を一個置きに配置することで、くまなく特性を取ることが望ましいが、層形成の安定化が確認された場合には、例えば、上記のように切り出した１行３２個のヘッド群に対して、その両側と中央に位置する場所に各１個、計３個の、又は両側２個の絶縁モニタ素子５２を配置する。あるいは、１回の研磨に供されるヘッド群、すなわち３２個中の中央に１個の絶縁モニタ素子を配置する。これにより、特性測定を簡便にし、特性の測定を保証しつつ、ウェハから製造できる磁気ヘッド素子の総数を大幅に上げることができる。
【００２４】
図３は、図２において丸で囲まれた磁気ヘッド素子５１を拡大し、一部の層を透視した図である。図４は、図２において丸で囲まれた絶縁モニタ素子５２を拡大し、一部の層を透視した図である。なお、図３、図４において、絶縁層は省略してある。
【００２５】
図５は、図３における磁気ヘッド素子５１の点線で示した位置を矢印の方向から見た断面図であり、同図の矢印で挟まれた範囲を矢印方向から見た断面図である。図６は、図４における絶縁モニタ素子５２の点線で示した位置を矢印方向から見た断面図である。図３乃至図６において同一部材には同一符号を付けてある。磁気ヘッド素子５１、絶縁モニタ素子５２の製造工程については後述するが、同一ウェハ上に形成される。
【００２６】
図５において磁気ヘッド素子５１は、大別してリード部とライト部とから構成されている。リード部は、磁気記録媒体からの磁界を受けて、磁界に応じた再生信号を生成する磁気抵抗効果（ＭＲ）素子３１と当該磁気抵抗効果素子３１の膜厚方向の両側から挟み込むように配置された上部シールド３０と下部シールド３２とを有する。なお、図３においては上部シールド３０が図示されている。MR素子３１には巨大磁気抵抗効果素子やトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子を用いることができる。シールド層３０、３２は、例えば、ＮｉＦｅといった磁性材料から形成される。一方、ライト部は、下部磁極層２、上部コイル層３、下部コイル層４、及び上部磁極層１を有し、コイル層の周囲には、絶縁層５、６、７が形成され、絶縁層７上には軟磁材料からなる上部磁極層１が形成される。つまり、上部コイル層３と下部コイル層４は、上部磁極層１と下部磁極層２との間に挟み込まれている。ライト部の下部磁極層２とリード部の上部シールド層３０との間には均一な厚みの非磁性層３３が挟み込まれる。非磁性層３３によって、下部磁極層２は上部シールド層３０から磁気的に分離される。非磁性層３３は、例えば、Al２O３によって形成される。上部磁極層１と下部磁極層２は、上部コイル層３、下部コイル層４の周りを１周する磁気回路を形成している。上部コイル層３、下部コイル層４に電流が供給されると、磁束流が生起される。そして、磁束流は非磁性層３３を迂回しながら下部磁極層２と上部磁極層１との間を行き交い外部に飛び出す。この外部に飛び出した磁束流によって、磁気記録媒体の磁化の方向が変えられ、情報が書き込まれる。
【００２７】
絶縁モニタ素子５２は、磁気ヘッド素子５１とほぼ同様の構成であり、同一部材には同一番号を付してある。絶縁モニタ素子５２は、ウェハ上に、磁気ヘッド素子５１と共に形成されている。同一ウェハ上に、絶縁モニタ素子５２を形成することで、磁気ヘッド素子５１の各層の絶縁を確認することができる。すなわち、図６において絶縁モニタ素子５２は、前述した磁気ヘッド素子５１の絶縁層７とは異なり、絶縁層４７が、上部磁極層１と下部磁極層２とを完全に分断することで、上部磁極層１と下部磁極層２とを絶縁している。また、絶縁層４６が、同図右側に配置される上部コイル層−下部コイル層の結合部８を分断することで、こちらは前述した磁気ヘッド素子５１の絶縁層６とは異なり上部コイル層３と下部コイル層４とを絶縁している。
【００２８】
次に、上記構成の磁気ヘッド素子５１の製造工程を図７乃至図１４を基に説明する。同様に、上記構成の絶縁モニタ素子５２の製造工程を図１５乃至図２２を基に説明する。
【００２９】
絶縁層６形成前の状態（図７、図１５）までは、磁気ヘッド素子（図７）側も、絶縁モニタ素子（図１５）も全く同一のパターンで同一ウェハ上に層形成される。
【００３０】
次に、レジスト膜４１を磁気ヘッド素子側と絶縁モニタ素子側の所定の位置に同時工程で形成する（図８、図１６）。この場合、両図に見るようにレジスト膜４１のパターンが相違する。すなわち、磁気ヘッド素子側（図８）はコイル層８上にレジスト膜４１が形成され、絶縁モニタ素子側（図１６）は、当該一部のコイル層８上にはレジスト膜は形成されない。
【００３１】
次いで、当該レジスト膜４１上に絶縁層６及び絶縁層４６を同一工程で形成する（図９、図１７）。そして、レジスト膜４１を除去することで、図１０、図１８で見るように磁気ヘッド素子側（図１０では、同通部分を取るコイル８上には絶縁層が形成されず、一方、図１８の絶縁モニタ素子側では、コイル部８上に絶縁層４６が形成されることになる。すなわち、磁気ヘッド素子５１の絶縁層６のパターンと、絶縁モニタ素子５２の絶縁層４６のパターンは図１を使用して説明したようにコイル層の連結部分８において異なるパターンが形成される。
【００３２】
コイルの同通部８を生成して、図１１、図１９に示す絶縁層７形成前の状態を作り、次いで、図１２、図２０に示すようにレジスト膜４１を所定の位置に形成した後、図１３、図２１に示すように当該レジスト膜４１上に絶縁層７を形成する。そして、図１３、図２１におけるレジスト膜４１を除去することで、図１４、図２２に示すように磁気ヘッド素子５１及び絶縁モニタ素子５２の所定の位置に絶縁層７を形成する。この場合、レジスト４１のパターンを磁気ヘッド素子側と絶縁モニタ素子とで相違させることで、絶縁モニタ素子側は図２１で示すように、同図左側のコイル部分３及び下部磁極２が、絶縁層４で覆われる形状とする。
【００３３】
なお、図７〜１４に示した製造工程と、図１５〜２２のそれぞれに示した工程は同一工程であり、すなわち、例えば、絶縁層６、７、４６、４７は同一ウェハ上において、同一材料を持って同時に形成される。また、上述した様にレジスト膜４１を形成する範囲を、レジストを露光するマスクのパターンを磁気ヘッド素子と絶縁モニタ素子で一部相違させることで、上部磁極層１と下部磁極層２とが絶縁され、かつ、上部コイル層３と下部コイル層４とが絶縁された絶縁モニタ素子を、層構造が略対応する磁気ヘッド素子と共に同時に形成する。
【００３４】
これによれば、対応する構造に関し、同一ウェハ上で、磁気ヘッド素子と絶縁モニタ素子の対応する層が生成過程で同時に生成されるので、実質的に当該ウェハ上に生成された磁気ヘッド素子と、絶縁モニタ素子との特性を近似させることができる。
【００３５】
図２３は、図２において説明した本発明の実施例１における絶縁モニタ素子の測定時の形状である。６１、６２、６３、６４はそれぞれ上部磁極層１、下部磁極層２、下部コイル層４、上部コイル層３より引き出した測定パッドを示す。６８はリード素子からリード端子までの引き出し層を、６９はリード端子を、７０は下部磁極層２からの引き出し層を示す。ただし、引き出し層７０は、磁気ヘッド素子でのコイル磁極層間の絶縁測定時に使用するため、絶縁モニタ素子では使用しないが、磁気ヘッド素子とほぼ同一の形状をとるために図示してある。図３１は、図２３において丸で囲まれた部分を拡大した図である。なお、絶縁層は省略している。各測定パッドは、図３１に示した位置から引き出されている。
【００３６】
上述したように、上部磁極層１と下部磁極層２とは、絶縁層４７によって完全に絶縁されているため、測定パッド６１と測定パッド６２との絶縁を測定することにより、磁気ヘッド素子の上部磁極層１と下部磁極層２との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５１の絶縁層７に異常があり、上部磁極層１と下部磁極層２とが不適切な位置で短絡しているために、磁極層に発生する磁束流を外部に発生することができなくなることを検出することができる。
【００３７】
また、上部磁極層１と上部コイル層３とは絶縁層４７によって完全に絶縁されているため、測定パッド６１と測定パッド６３との絶縁を測定することにより、磁気ヘッド素子の上部磁極層１と上部コイル層３との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５１の絶縁層７に異常があり、上部磁極層１と上部コイル層３とが短絡しているために、磁束流を生起できなくなることを検出することができる。
【００３８】
また、上部コイル層３と下部コイル層４とは絶縁層４６によって完全に絶縁されているため、測定パッド６３と測定パッド６４との絶縁を測定することにより、磁気ヘッド素子の下部コイル層４と上部コイル層３との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５１の絶縁層６に異常があり、上部コイル層３と下部コイル層４とが短絡しているために、磁束流を生起できなくなることを検出することができる。
【００３９】
また、下部磁極層２と下部コイル層４とは絶縁層５によって完全に絶縁されているため、測定パッド６２と測定パッド６４との絶縁を測定することにより、磁気ヘッド素子の下部磁極層２と下部コイル層４との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５１の絶縁層５に異常があり、下部磁極層２と下部コイル層４とが短絡しているために、磁束流を生起できなくなることを検出することができる。
【００４０】
なお、図７には、測定パッド６２、６３が測定器７１に接続されている状態を示してある。このように、絶縁特性を測定したい層から引き出されたパッドを測定器７１に接続することで、絶縁特性を測定することができる。
【００４１】
このように、絶縁モニタ素子の絶縁特性を測定することで実質的に磁気ヘッド素子の絶縁特性を測定できることになる。さらに、絶縁不良の障害が発生した場合でも、発生箇所の特定が容易となり、磁気ヘッドの歩留まりを向上させることができる。
（実施例２）
実施例１では、磁気ヘッド素子の導体コイル層が２層であるものについて説明したが、導体コイル層を１層にすることも考えられる。
【００４２】
図２４は、本発明における絶縁モニタ素子が形成される実施例のウェハの平面図を表したものである。図２４はウェハ全体を表し、図２５は図２４において丸で囲まれた部分を拡大した図面である。両図に示すように、磁気ヘッド素子５３は、ウェハ１２上に均一に配置されており、絶縁モニタ素子５４は、規則性を持って配置されている。絶縁されているか否かを測定するために、絶縁モニタ素子５４の各層から測定パッド６５、６６、６７、７０が引き出されている。
【００４３】
図２６は、図２５において丸で囲まれた磁気ヘッド素子５３を拡大し、一部の層を透視した図である。図２７は、図２５において丸で囲まれた絶縁モニタ素子５４を拡大し、一部の層を透視した図である。なお、図２６、図２７において、絶縁層は省略してある。
【００４４】
図２８は、図２６における磁気ヘッド素子５３の点線で示した位置を矢印の方向から見た断面図であり、同図の矢印で挟まれた範囲を矢印方向から見た断面図である。図２９は、図２７における絶縁モニタ素子５４の点線で示した位置を矢印の方向から見た断面図である。図２７、図２９において同一部材には同一符号を付けてある。実施例２における磁気ヘッド素子は、導体コイル層を１層に形成したものである。導体コイル層を一層にした以外は実施例１における磁気ヘッド素子５１と同様の構成であり、同一部材には同一番号を付してある。絶縁モニタ素子５４は、磁気ヘッド素子５３とほぼ同様の構成であり、同一部材には同一番号を付してある。絶縁モニタ素子５４では、絶縁層４７が、上部磁極層１と下部磁極層２とを完全に分断することで、上部磁極層１と下部磁極層２とを絶縁している。
【００４５】
図３０は、図２５において説明した実施例２における絶縁モニタ素子の測定時の形状である。６５、６６、６７はそれぞれ上部磁極層１、下部磁極層２、コイル層３より引き出した測定パッドを示す。図３２は、図３０において丸で囲まれた部分を拡大した図である。なお、絶縁層は省略している。各測定パッドは、図３２に示した位置から引き出されている。
【００４６】
上述したように、上部磁極層１と下部磁極層２とは、絶縁層４７によって完全に絶縁されているため、測定パッド６５と測定パッド６６との絶縁を測定することにより、上部磁極層１と下部磁極層２との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５３の絶縁層７に異常があり、上部磁極層１と下部磁極層２とが不適切な位置で短絡しているために、磁極層に発生する磁束流を外部に発生することができなくなることを検出することができる。
【００４７】
また、上部磁極層１とコイル層３とは、絶縁層４７によって完全に絶縁されているので、測定パッド６５と測定パッド６７との絶縁を測定することにより、上部磁極層１とコイル層３との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５３の絶縁層７に異常があり、上部磁極層１とコイル層３とが短絡しているために、磁束流を生起できなくなることを検出することができる。
【００４８】
また、下部磁極層２とコイル層３とは、絶縁層５によって完全に絶縁されているので、測定パッド６６と測定パッド６７との絶縁を測定することにより、下部磁極層２とコイル層３との絶縁を測定することができる。これによって、磁気ヘッド素子５３の絶縁層５に異常があり、コイル層３と下部磁極層２とが短絡しているために、磁束流を生起できなくなることを検出することができる。
【００４９】
なお、図２５には、測定パッド６６、６７が測定器７１に接続されている状態を示してある。このように、絶縁特性を測定したい層から引き出されたパッドを測定器７１に接続することで、絶縁特性を測定することができる。
【００５０】
以上の実施の形態は、本発明をより良く理解させるために具体的に説明したものであっ
て、別形態を制限するものではない。従って、発明の趣旨を変更しない範囲で変更可能で
ある。例えば、SN特性や磁化特性などを絶縁モニタ素子を測定することで、磁気ヘッド
素子の特性を測定することができるような構成にすることも考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】実施例１におけるウェハ上の磁気ヘッド素子と絶縁モニタ素子の配列を示す図である。
【図２】図１に示されるウェハの表面の拡大図である。
【図３】実施例１におけるウェハ上の磁気ヘッド素子の拡大図である。
【図４】実施例１におけるウェハ上の絶縁モニタ素子の拡大図である。
【図５】実施例１における磁気ヘッド素子の断面図である。
【図６】実施例１における絶縁モニタ素子の断面図である。
【図７】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その１）である。
【図８】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その２）である。
【図９】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その３）である。
【図１０】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その４）である。
【図１１】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その５）である。
【図１２】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その６）である。
【図１３】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その７）である。
【図１４】実施例１における磁気ヘッド素子の製造工程を示す図（その８）である。
【図１５】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その１）である。
【図１６】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その２）である。
【図１７】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その３）である。
【図１８】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その４）である。
【図１９】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その５）である。
【図２０】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その６）である。
【図２１】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その７）である。
【図２２】実施例１における絶縁モニタ素子の製造工程を示す図（その８）である。
【図２３】実施例１における絶縁モニタ素子の測定時の形状である。
【図２４】実施例２におけるウェハ上の磁気ヘッド素子と絶縁モニタ素子の配列を示す図である。
【図２５】図２４に示されるウェハの表面の拡大図である。
【図２６】実施例２におけるウェハ上の磁気ヘッド素子の拡大図である。
【図２７】実施例２におけるウェハ上の絶縁モニタ素子の拡大図である。
【図２８】実施例２におけるヘッド素子の断面図である。
【図２９】実施例２における絶縁モニタ素子の断面図である。
【図３０】実施例２における絶縁モニタ素子の測定時の形状である。
【図３１】実施例１における絶縁モニタ素子の測定時の形状の拡大図である。
【図３２】実施例２における絶縁モニタ素子の測定時の形状の拡大図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  上部磁極層
２  下部磁極層
３  上部コイル層
４  下部コイル層
５  下部磁極層−下部コイル層間絶縁層
６  上部コイル層−下部コイル層間絶縁層
７  上部磁極層−下部磁極層及び上部コイル層間絶縁層
８  上部コイル層−下部コイル層結合部
１２  ウェハ
２１  磁気抵抗効果素子
２２  下部シールド
３０  上部シールド
３１  磁気抵抗効果素子
３２  下部シールド
３３  非磁性層
４１  レジスト膜
４６上部コイル層−下部コイル層間絶縁層
４７上部磁極層−下部磁極層及び上部コイル層間絶縁層
５１  実施例１における磁気ヘッド素子
５２  実施例１における絶縁モニタ素子
５３  実施例１における磁気ヘッド素子
５４  実施例２における絶縁モニタ素子
６１  上部磁極層より引き出した測定パッド
６２  下部磁極層より引き出した測定パッド
６３  上部コイル層より引き出した測定パッド
６４  下部コイル層より引き出した測定パッド
６５  上部磁極層より引き出した測定パッド
６６  下部磁極層より引き出した測定パッド
６７  コイル層より引き出した測定パッド
６８  リード素子からリード端子までの引き出し層
６９  リード端子
７０  下部磁極層より引き出した測定パッド
７１  測定器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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