Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素の属性を表す属性ビット列を入力する入力手段と、
前記属性ビット列中の各ビット位置におけるビットを、どのビット位置に再配置するかを規定する順番情報を保持する保持手段と、
前記属性ビット列中の各ビットを、当該各ビットについて前記順番情報が規定する再配置ビット位置に配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える並び替え手段と、
前記並び替え手段によりビットが並べ替えられた属性ビット列を符号化する符号化手段とを備え、
前記順番情報は、複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより高いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより下位のビット位置を再配置ビット位置として規定し、前記複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより低いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより上位のビット位置を再配置ビット位置として規定した情報であり、
前記並び替え手段は、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを、当該ビットのビット位置に対して前記順番情報が規定する再配置ビット位置に再配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える
ことを特徴とする符号化装置。
【請求項２】
更に、前記入力手段が入力した属性ビット列に対して前記並び替える手段による並べ替えを行うか否かを判断する判断手段を備え、
前記並び替え手段は、前記判断手段が、前記入力手段が入力した属性ビット列に対して前記並び替える手段による並べ替えを行うと判断した場合に、前記入力手段が入力した属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替え、
前記符号化手段は、前記並び替え手段によりビットが並べ替えられた属性ビット列、もしくは前記入力手段が入力した属性ビット列を符号化することを特徴とする請求項１に記載の符号化装置。
【請求項３】
前記符号化手段は、前記並び替え手段によりビットが並べ替えられた属性ビット列に対して予測符号化処理を行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の符号化装置。
【請求項４】
画素の属性を表す属性ビット列中の各ビット位置におけるビットを、どのビット位置に再配置するかを規定する順番情報を保持する符号化装置の制御方法であって、
前記属性ビット列中の各ビットを、当該各ビットについて前記順番情報が規定する再配置ビット位置に配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える並び替え工程と、
前記並び替え工程でビットが並べ替えられた属性ビット列を符号化する符号化工程とを備え、
前記順番情報は、複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより高いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより下位のビット位置を再配置ビット位置として規定し、前記複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより低いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより上位のビット位置を再配置ビット位置として規定した情報であり、
前記並び替え工程では、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを、当該ビットのビット位置に対して前記順番情報が規定する再配置ビット位置に再配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える
ことを特徴とする符号化装置の制御方法。
【請求項５】
コンピュータに請求項１乃至３の何れか１項に記載の符号化装置が有する各手段として機能させるためのコンピュータプログラム。
【請求項６】
請求項５に記載のコンピュータプログラムを格納した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】符号化装置、符号化装置の制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的を達成するために、例えば本発明の符号化装置は以下の構成を備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
即ち、画素の属性を表す属性ビット列を入力する入力手段と、
前記属性ビット列中の各ビット位置におけるビットを、どのビット位置に再配置するかを規定する順番情報を保持する保持手段と、
前記属性ビット列中の各ビットを、当該各ビットについて前記順番情報が規定する再配置ビット位置に配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える並び替え手段と、
前記並び替え手段によりビットが並べ替えられた属性ビット列を符号化する符号化手段とを備え、
前記順番情報は、複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより高いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより下位のビット位置を再配置ビット位置として規定し、前記複数の属性ビット列間でビット値が異なる頻度がより低いビット位置として予め求めたビット位置に対してはより上位のビット位置を再配置ビット位置として規定した情報であり、
前記並び替え手段は、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを、当該ビットのビット位置に対して前記順番情報が規定する再配置ビット位置に再配置することで、前記属性ビット列を構成するそれぞれのビットを並び替える
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともベスト−エフォートパケットを提供するように構成されたパケット−スイッチネットワークにおける経路をリザーブするシステムであって、
シグナリングチャンネル（５８）を使用して、該ネットワークと通信するようにそして該ネットワーク内の２つまたはそれより多いリソース間の接続をリザーブするように動作可能な中央化された制御点（５０）を含み、
該中央化された制御点はリザーブされた接続に関するリクエストを含む所定のリザベーションプロトコルパケットの受信に応じて該接続をリザーブするように動作可能である、
システム。
【請求項２】
該２つまたはそれより多いリソースの少なくとも１つはスイッチ（５６）であり、
該制御点（５０）は該スイッチ（５６）からリザーブされた接続に関するリクエスト情報を受信するように、該リクエストに応じてリザーブされた通信をサポートすることを可能とする該ネットワークにおける少なくとも１つの経路を識別するように、そして該識別された経路に沿ってリソースをリザーブするように構成される、
請求項１に従うシステム。
【請求項３】
該制御点（５０）はネットワークリソースのリストおよび該リソース間の経路を形成しそして更新するように構成された通路／装置発見ユニット（６０）を含み、
該制御点（５０）は該ネットワークリソースのリストおよびに該リソース間の経路に基づき該受信されたリクエスト情報に応じてリソース間のリザーブされた接続を開始しそして終了するように構成される、
請求項１のシステム。
【請求項４】
該制御点（５０）はネットワーク制御システムサーバ（３０）とシグナリングネットワーク（２８）を介して通信するように構成されたネットワークインターフェイスを含み、該ネットワークインターフェイスは広域ネットワーク（ＷＡＮ）および／または広帯域ネットワークにおいてリザーブされた接続をリクエストするように構成される、
請求項１のシステム。
【請求項５】
該ネットワークは該ＷＡＮに結合された構内ネットワーク（ＬＡＮ）を含み、
該ネットワーク制御システムサーバ（３０）は該ＬＡＮおよび該ＷＡＮの間のリザーブされた接続に関する経路を選択するように動作可能であり、該経路は少なくとも該ＬＡＮの一部および該ＷＡＮの一部を含み、そして
該ネットワーク制御システムサーバ（３０）は該シグナリングネットワーク（２８）を通してスイッチコマンダ（１２２）に結合されており、そして該ネットワーク制御システムサーバ（３０）は該選択された経路に対応する該ＷＡＮの該部分に対応するリザーブされた接続コマンドを該スイッチコマンダ（１２２）に提供するように動作可能である、
請求項４のシステム。
【請求項６】
該ネットワーク制御システムサーバ（３０）は、受信するリクエスト情報に応じて、接続設定メッセージをルート制御装置（１７３）に送信するように動作可能である、
請求項５のシステム。
【請求項７】
該ルート制御装置（１７３）は複数のスイッチモニタ（１７４）に結合され、そして該複数のスイッチモニタ（１７４）はネットワーク経路の一部に関連するネットワーク素子（１２０）に対応し、そして該ルート制御装置（１７３）はリザーブリクエストを該複数のネットワーク素子（１２０）に対応する該複数のスイッチモニタ（１７４）に送信するように動作可能である、
請求項６のシステム。
【請求項８】
該複数のスイッチモニタ（１７４）は該スイッチモニタ（１７４）に関連する該ネットワーク経路の一部の利用可能性を示す該ルート制御装置（１７３）に回答を送信するように動作可能であり、
該ルート制御装置（１７３）は該受信された回答を用いてリザーブ経路を識別するように動作可能であり、そして該ルート制御装置（１７３）はさらにリザーブメッセージを識別されたリザーブ経路に対応する該複数のスイッチモニタ（１７４）の該スイッチモニタ（１７４）に送信するように動作可能である、
請求項７のシステム。
【請求項９】
該所定のリザベーションプロトコルパケットはアプリケーション層リザベーションプロトコルである、
請求項１のシステム。
【請求項１０】
該所定のリザベーションプロトコルパケットはリザベーションプロトコル（ＲＳＶＰ）またはＩＥＥＥ８０２．１Ｐ／Ｑプロトコル内にある、
請求項１のシステム。
【請求項１１】
方法であって、
中央化された制御点（５０）において、リザーブされた接続に関するリクエストを含む所定のリザベーションプロトコルパケットを受信し、そして
シグナリングチャンネル（５８）を使用して接続をリザーブするために、少なくともベスト−エフォートパケットを提供するように構成されたパケット−スイッチネットワークにおいて、１つまたはより多いリソースと通信する
ことを含む方法。
【請求項１２】
該所定のリザベーションプロトコルパケットはアプリケーション層リザベーションプロトコルである、
請求項１１の方法。
【請求項１３】
該所定のリザベーションプロトコルパケットはリザベーションプロトコル（ＲＳＶＰ）またはＩＥＥＥ８０２．１Ｐ／Ｑプロトコル内にある、
請求項１１の方法。
【請求項１４】
該２つまたはより多いリソースの少なくとも１つはスイッチ（５６）である、
請求項１１の方法。
【請求項１５】
該リクエストに対応するリザーブされた通信をサポートすることが可能である該ネットワークにおける少なくとも１つの経路を識別することをさらに含み、
該中央化された制御点（５０）は該スイッチ（５６）からの該所定のリザベーションプロトコルパケットを受信するように、そして該識別された経路に沿ってリソースをリザーブするように構成される、
請求項１１の方法。
【請求項１６】
システムであって、
第１のネットワークにおける第１の端局と結合するように構成されたスイッチを含み、該スイッチは、
該第１の端局と第２の端局との間でリザーブされた接続に関するリクエストを含むパケットを受信し、
該リクエストを遮断し、
該第１のネットワーク内の中央化された制御点に該遮断されたリクエストを伝達するように構成され、
該遮断されたリクエストの受信に応じて、該中央化された制御点は、
リクエストされリザーブされた接続に関して、第１のネットワークにおける少なくとも１つの経路を識別し、そして
該識別された少なくとも１つの経路に沿って複数のリソースをリザーブするように構成される
システム。
【請求項１７】
該受信されたパケットは該第２の端局へ送られる、
請求項１６に従うシステム。
【請求項１８】
該受信されたパケットは第２のネットワーク外部から該第１のネットワークへ発生し、そして該第１の端局に送られ、そして該中央化された制御点は該リクエストされリザーブされた接続に関する該第２のネットワークにおける追加の経路を識別するようにさらに構成される、
請求項１６に従うシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面実装部品を装着するプリント配線基板であって、
前記面実装部品を装着する半田付けランドと、
前記半田付けランドから引き出して形成した引出しパターンと、
を備え、
前記引出しパターンの一部分のみ半田が付くように形成した
ことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項２】
前記引出しパターンの一部分を半田が付かないようにレジスト塗布し、
残りの部分はレジスト除去して半田が付くようにした
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板。
【請求項３】
前記引出しパターンのうち半田が付くように形成する部分は、
前記半田付けランドの長さの略１〜２倍の長さに形成した
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプリント配線基板。
【請求項４】
面実装部品を装着するプリント配線基板であって、
前記面実装部品を装着する半田付けランドを備えるとともに、
前記半田付けランドから見て、当該プリント配線基板を噴流式半田付けするとした際の半田付け進行方向前方に、半田の表面張力を低減させる半田表面張力低減ランドを設けた
ことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項５】
前記半田付けランドを複数備え、
前記半田表面張力低減ランドを
複数の前記半田付けランドのうち、当該プリント配線基板を噴流式半田付けするとした際の半田付け進行方向最前方にある半田付けランドの前方にのみ設けた
ことを特徴とする請求項４に記載のプリント配線基板。
【請求項６】
前記半田表面張力低減ランドの縦方向サイズを前記面実装部品の縦方向サイズの略１〜２倍とし、横方向サイズを前記面実装部品の横方向サイズの略１〜２倍とした
ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のプリント配線基板。
【請求項７】
前記面実装部品を鉛フリー半田で半田付けした
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のプリント配線基板。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のプリント配線基板を収納した電気品箱を配置した
ことを特徴とする空気調和機。
【請求項９】
噴流式半田付け装置を用いてプリント配線基板に面実装部品を半田付けする方法であって、
当該プリント配線基板に、
前記面実装部品を装着する半田付けランドと、
前記半田付けランドから引き出して形成した引出しパターンと、
を設けておくとともに、
前記引出しパターンの一部分のみ半田が付くように形成しておき、
前記噴流式半田付け装置を用いて、前記面実装部品のリード部分を前記半田付けランドに半田付けする
ことを特徴とするプリント配線基板の半田付け方法。
【請求項１０】
噴流式半田付け装置を用いてプリント配線基板に面実装部品を半田付けする方法であって、
当該プリント配線基板に、
前記面実装部品を装着する半田付けランドを設けておくとともに、
前記半田付けランドから見て、前記噴流式半田付け装置の半田付け進行方向前方に、半田の表面張力を低減させる半田表面張力低減ランドを設けておき、
前記噴流式半田付け装置を用いて、前記面実装部品のリード部分を前記半田付けランドに半田付けする
ことを特徴とするプリント配線基板の半田付け方法。
【請求項１１】
前記面実装部品を鉛フリー半田で半田付けする
ことを特徴とする請求項９または請求項１０に記載のプリント配線基板の半田付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
複数の携帯端末と、前記複数の携帯端末と通信可能に接続され、前記携帯端末間のメッセージを転送するメッセージ転送装置とを含むメッセージ転送システムであって、
前記メッセージ転送装置は、
前記携帯端末の現在位置を取得する位置情報取得部と、
前記携帯端末のユーザごとに、前記現在位置、及び現在時刻を含む移動履歴情報を記憶する移動履歴記憶部と、
一のユーザに対応する前記移動履歴情報に含まれる前記現在位置の変化に基づいて当該一のユーザが移動しているか否かを判定する移動判定部と、
前記一のユーザが移動していると判定した場合に、前記移動履歴記憶部を参照して、前記一のユーザと所定時間以上所定の距離を保っている他の一又は複数のユーザである近隣ユーザを特定する近隣ユーザ特定部と、
前記近隣ユーザの一覧を前記一のユーザに対応する前記携帯端末に送信する同一環境メンバー送信部と、
を備え、
前記携帯端末は、
前記近隣ユーザの一覧を受信する近隣ユーザ受信部と、
前記近隣ユーザの一覧を出力する近隣ユーザ出力部と、
出力した前記近隣ユーザから、メッセージの送信先となるユーザの指定を受け付ける送信先受付部と、
前記メッセージの入力を受け付けるメッセージ入力部と、
前記メッセージに、指定された前記近隣ユーザをあて先として付帯させて前記メッセージ転送装置に送信するメッセージ送信部と、
を備え、
前記メッセージ転送装置は、
前記携帯端末から送信される前記メッセージを受信するメッセージ受信部と、
前記メッセージに付帯された前記近隣ユーザに対応する前記携帯端末に前記メッセージを転送するメッセージ転送部と、
を備えることを特徴とするメッセージ転送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
携帯端末によるメッセージの送信を支援するプログラムであって、
複数の携帯端末間と通信可能に接続され、前記携帯端末間のメッセージを転送するメッセージ転送装置に、
前記携帯端末の現在位置を取得するステップと、
前記携帯端末のユーザごとに、前記現在位置、及び現在時刻を含む移動履歴情報をメモリに記憶するステップと、
一のユーザに対応する前記移動履歴情報に含まれる前記現在位置の変化に基づいて当該一のユーザが移動しているか否かを判定するステップと、
前記一のユーザが移動していると判定した場合に、前記移動履歴記憶部を参照して、前記第１のユーザと所定時間以上所定の距離を保っている他の一又は複数のユーザである近隣ユーザを特定するステップと、
前記近隣ユーザの一覧を前記一のユーザに対応する前記携帯端末に送信するステップと、
を実行させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作品紹介手段と、品評受付手段と、通信手段を備え、カラオケ演奏時に楽曲専用のカラオケ映像作品を再生可能なカラオケ演奏装置であって、
作品紹介手段は、リクエスト曲のカラオケ演奏をする前に、当該カラオケ演奏時に再生する当該楽曲専用のカラオケ映像作品に付属している紹介情報を表示し、
品評受付手段は、リクエスト曲のカラオケ演奏をした後で、当該カラオケ演奏時に再生した当該楽曲専用のカラオケ映像作品についてアンケート画面を表示するとともに、当該画面に対する利用者入力に基づいて当該カラオケ映像作品の作品識別子に対応付けたアンケート結果を作成して記録し、
通信手段は、情報通信ネットワークを介して集計サーバーと通信し、品評受付手段が記録した作品識別子対応のアンケート結果を送信する
カラオケ演奏装置。
【請求項２】
アンケート画面は、複数種類の品評項目を提示し、各品評項目ごとの利用者入力を受け付ける
請求項１に記載のカラオケ演奏装置。
【請求項３】
紹介情報は、カラオケ映像作品の作者および作品内容に関する情報を含む
請求項１または２に記載のカラオケ演奏装置。
【請求項４】
紹介情報は、集計サーバーから受信したカラオケ映像作品ごとのアンケート集計結果を含む
請求項１〜３のいずれかに記載のカラオケ演奏装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】カラオケ映像作品の紹介と品評を行うカラオケ演奏装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に係るカラオケ演奏装置は、分説すると、つぎの事項（１）〜（４）により特定されるものである。
（１）作品紹介手段と、品評受付手段と、通信手段を備え、カラオケ演奏時に楽曲専用のカラオケ映像作品を再生可能なカラオケ演奏装置であること
（２）作品紹介手段は、リクエスト曲のカラオケ演奏をする前に、当該カラオケ演奏時に再生する当該楽曲専用のカラオケ映像作品に付属している紹介情報を表示すること
（３）品評受付手段は、リクエスト曲のカラオケ演奏をした後で、当該カラオケ演奏時に再生した当該楽曲専用のカラオケ映像作品についてアンケート画面を表示するとともに、当該画面に対する利用者入力に基づいて当該カラオケ映像作品の作品識別子に対応付けたアンケート結果を作成して記録すること
（４）通信手段は、情報通信ネットワークを介して集計サーバーと通信し、品評受付手段が記録した作品識別子対応のアンケート結果を送信すること
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群、負の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成され、ズーミングに際して広角端に比べて望遠端で、第１レンズ群と第２レンズ群の間隔が減少し、第２レンズ群と第３レンズ群の間隔が増大し、第３レンズ群と第４レンズ群の間隔が減少するズームレンズであって、フォーカシングに際して前記第１レンズ群が移動し、広角端と望遠端における全系の焦点距離を各々ｆｗ，ｆｔ、広角端における最も物体側のレンズ面から最も像側のレンズ面までの軸上距離をＴＤｗ、前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４とするとき、
２．５  ＜  ｆｔ／ｆｗ    ＜  ４．０
４．３  ＜  ＴＤｗ／ｆｗ  ＜  ５．０
０．１  ＜  （ｆ１／ｆｔ）２  ＜  ０．５
−０．７５  ＜  ｆ１／ｆ４  ＜  −０．３
なる条件を満足することを特徴とするズームレンズ。
【請求項２】
前記第１レンズ群は最も物体側に正レンズを有し、該正レンズの物体側レンズ面の曲率半径をＲ１、像側レンズ面の曲率半径をＲ２とするとき、
−０．３＜  Ｒ１／Ｒ２  ＜  ０．３
なる条件を満足することを特徴とする請求項１に記載のズームレンズ。
【請求項３】
前記第２レンズ群は、物体側から像側へ順に、正の屈折力の第２ａレンズ群、開口絞り、正の屈折力の第２ｂレンズ群より成り、該第２ａレンズ群の最も像側のレンズ面から該開口絞りまでの距離をＬｐ、前記第２レンズ群の光軸上の厚さをＴＤ２、前記第２レンズ群の焦点距離をｆ２、前記第２ａレンズ群の焦点距離をｆ２ａとするとき、
０．０１＜  Ｌｐ／ＴＤ２  ＜  ０．５
０．２  ＜  ｆ２／ｆ２ａ  ＜  ０．６
なる条件を満足することを特徴とする請求項１または２に記載のズームレンズ。
【請求項４】
光電変換素子の感光面上に像を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のズームレンズ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のズームレンズと、該ズームレンズによって形成される像を受光する光電変換素子とを有することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のズームレンズは、物体側から像側へ順に、負の屈折力の第１レンズ群、正の屈折力の第２レンズ群、負の屈折力の第３レンズ群、正の屈折力の第４レンズ群より構成される。ズーミングに際して広角端に比べて望遠端で、第１レンズ群と第２レンズ群の間隔が減少し、第２レンズ群と第３レンズ群の間隔が増大し、第３レンズ群と第４レンズ群の間隔が減少する。フォーカシングに際して前記第１レンズ群が移動する。広角端と望遠端における全系の焦点距離を各々ｆｗ，ｆｔ、広角端における最も物体側のレンズ面から最も像側のレンズ面までの軸上距離をＴＤｗ、前記第１レンズ群の焦点距離をｆ１、前記第４レンズ群の焦点距離をｆ４とするとき、
２．５  ＜  ｆｔ／ｆｗ    ＜  ４．０
４．３  ＜  ＴＤｗ／ｆｗ  ＜  ５．０
０．１  ＜  （ｆ１／ｆｔ）２  ＜  ０．５
−０．７５  ＜  ｆ１／ｆ４  ＜  −０．３
なる条件を満足することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
２．５  ＜  ｆｔ／ｆｗ  ＜  ４．０      ・・・（１）
２．２  ＜  ｂｆｗ／Ｈ  ＜  ３．０      ・・・（２）
ここで、ｆｗ：広角端における全系の焦点距離
ｆｔ：望遠端における全系の焦点距離
ｂｆｗ：広角端におけるバックフォーカス
Ｈ：最大像高
条件式（１）は、広角端と望遠端における全系の焦点距離の比に関し、本発明のズームレンズ構成に最適なズーム比（変倍比）を規定したものである。条件式（１）の下限値を下回るズーム比とすると、２群構成のズームレンズでも実現可能なズーム比であり、ズームレンズを４つのレンズ群で構成した意味がなくなる（４群構成の利点が生かされなくなる）。一方、上限値を超えるズーム比とすると、望遠端において第１レンズ群Ｌ１と第２レンズ群Ｌ２の軸上空気間隔を確保するために、広角端で第１レンズ群Ｌ１をより物体側に配置する必要があり、第１レンズ群Ｌ１の有効径が増大するとともに、コマ収差と歪曲収差の補正が困難となり、高い光学性能が得られなくなるので良くない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
２．５  ＜  ｆｔ／ｆｗ  ＜  ４．０      ・・・（１）
４．３  ＜  ＴＤｗ／ｆｗ  ＜  ５．０    ・・・（３）
ここで、ｆｗ：広角端における全系の焦点距離
ｆｔ：望遠端における全系の焦点距離
ＴＤｗ：広角端における最も物体側のレンズ面（第１面）から最も像側のレンズ面（最終面）までの軸上距離
条件式（１）は上述した通りである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、条件式（３）の上限値は４．９とするのが更に好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（Ｃ）第２レンズ群Ｌ１は、物体側より像側へ順に、正の屈折力の第２ａレンズ群、開口絞りＳＰ、正の屈折力の第２ｂレンズ群より成り、第２ａレンズ群の最も像側のレンズ面から開口絞りＳＰまでの軸上距離をＬｐ、第２レンズ群Ｌ２の厚さをＴＤ２、第２レンズ群Ｌ２の焦点距離をｆ２、第２ａレンズ群の焦点距離をｆ２ａとするとき、
０．０１  ＜  Ｌｐ／ＴＤ２  ＜  ０．５    （６）
０．２  ＜  ｆ２／ｆ２ａ  ＜  ０．６      （７）
なる条件を満足している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
【表１】
2005092056.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
昇降可能な装着ヘッドを設け、真空バルブを開にして前記装着ヘッドに設けられた吸着ノズルより電子部品供給装置から電子部品を真空吸着して取り出し、前記真空バルブを閉にして前記電気部品を吸着保持している前記吸着ノズルから空気を吹出してプリント基板上に装着するようにした電子部品装着装置において、前記装着ヘッドが下降時に特定位置に到達したことを検出する検出センサと、この検出センサが前記装着ヘッドの下降を検出した旨の検出信号を受けてから所定時間経過後に前記真空バルブの開閉を切り替えるように制御する制御手段を設けたことを特徴とする電子部品装着装置。
【請求項２】
昇降可能な装着ヘッドを設け、真空バルブを開にして前記装着ヘッドに設けられた吸着ノズルより電子部品供給装置から電子部品を真空吸着して取り出し、前記真空バルブを閉にして前記電気部品を吸着保持している前記吸着ノズルから空気を吹出してプリント基板上に装着するようにした電子部品装着装置において、ヘッド外に設けられたスケールと、このスケールを読み取るもので前記装着ヘッドに設けられた読み取り装置と、前記装着ヘッドが所定距離下降したことを前記読み取り装置が検出した旨の信号に基づいて前記真空バルブの開閉を切り替えるように制御する制御装置を設けたことを特徴とする電子部品装着装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このため第１の発明は、昇降可能な装着ヘッドを設け、真空バルブを開にして前記装着ヘッドに設けられた吸着ノズルより電子部品供給装置から電子部品を真空吸着して取り出し、前記真空バルブを閉にして前記電気部品を吸着保持している前記吸着ノズルから空気を吹出してプリント基板上に装着するようにした電子部品装着装置において、前記装着ヘッドが下降時に特定位置に到達したことを検出する検出センサと、この検出センサが前記装着ヘッドの下降を検出した旨の検出信号を受けてから所定時間経過後に前記真空バルブの開閉を切り替えるように制御する制御手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また第２の発明は、昇降可能な装着ヘッドを設け、真空バルブを開にして前記装着ヘッドに設けられた吸着ノズルより電子部品供給装置から電子部品を真空吸着して取り出し、前記真空バルブを閉にして前記電気部品を吸着保持している前記吸着ノズルから空気を吹出してプリント基板上に装着するようにした電子部品装着装置において、ヘッド外に設けられたスケールと、このスケールを読み取るもので前記装着ヘッドに設けられた読み取り装置と、前記装着ヘッドが所定距離下降したことを前記読み取り装置が検出した旨の信号に基づいて前記真空バルブの開閉を切り替えるように制御する制御装置を設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、真空バルブの開閉の切り替え制御を遅れることなく、またバラツクことなく行なえる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
基板１０としては、電界効果トランジスタとしての特性を阻害しないものが用いられ、シリコン基板、ガラス基板、プラスチック基板やステンレスホイル基板が挙げられる。絶縁層１４は、電気の絶縁性が高い材料からなるものであり、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、絶縁性ポリマー等を用いることができる。ここで、絶縁性ポリマーとしては、ポリイミド、ポリ（ビニルフェノール）、ポリエステル、メタクリル樹脂、ポリカーボネイト、ポリスチレン、パリレン等が挙げられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
低分子有機半導体化合物としては、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾペンタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ナフトペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ナノアセン等のポリアセン化合物；フェナントレン、ピセン、フルミネン、ピレン、アンタンスレン、ペロピレン、コロネン、ベンゾコロネン、ジベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、ビニルコロネン等のコロネン化合物；ペリレン、テリレン、ジペリレン、クオテリレン等のペリレン化合物；トリナフチン、ヘプタフェン、オバレン、ルビセン、ビオラントロン、イソビオラントロン、クリセン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、ビフェニル、トリフェニレン、ターフェニル、クォターフェニル、サーコビフェニル、ケクレン、フタロシアニン、ポルフィリン、フラーレン（Ｃ６０、Ｃ７０）、テトラチアフルバレン化合物、キノン化合物、テトラシアノキノジメタン化合物、ポリチオフェンのオリゴマー、ポリピロールのオリゴマー、ポリフェニレンのオリゴマー、ポリフェニレンビニレンのオリゴマー、ポリチエニレンビニレンのオリゴマー、チオフェンとフェニレンとの共重合体オリゴマー、チオフェンとフルオレンとの共重合体オリゴマー等が挙げられる。また、これらの低分子有機半導体化合物の誘導体を用いることもできる。このようなものとしては、例えば、テトラセンのベンゼン環付加誘導体のルブレンなどがある。また、フラーレン類の共役系を拡張したカーボンナノチューブ等も例示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
低分子有機半導体化合物としては、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ベンゾペンタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、ナフトペンタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ナノアセン等のポリアセン化合物；フェナントレン、ピセン、フルミネン、ピレン、アンタンスレン、ペロピレン、コロネン、ベンゾコロネン、ジベンゾコロネン、ヘキサベンゾコロネン、ベンゾジコロネン、ビニルコロネン等のコロネン化合物；ペリレン、テリレン、ジペリレン、クオテリレン等のペリレン化合物；トリナフチン、ヘプタフェン、オバレン、ルビセン、ビオラントロン、イソビオラントロン、クリセン、サーカムアントラセン、ビスアンテン、ゼスレン、ヘプタゼスレン、ピランスレン、ビオランテン、イソビオランテン、ビフェニル、トリフェニレン、ターフェニル、クォターフェニル、サーコビフェニル、ケクレン、フタロシアニン、ポルフィリン、フラーレン（Ｃ６０、Ｃ７０）、テトラチアフルバレン化合物、キノン化合物、テトラシアノキノジメタン化合物、ポリチオフェンのオリゴマー、ポリピロールのオリゴマー、ポリフェニレンのオリゴマー、ポリフェニレンビニレンのオリゴマー、ポリチエニレンビニレンのオリゴマー、チオフェンとフェニレンとの共重合体オリゴマー、チオフェンとフルオレンとの共重合体オリゴマー等が挙げられる。また、これらの低分子有機半導体化合物の誘導体を用いることもできる。このようなものとしては、例えば、テトラセンのベンゼン環付加誘導体のルブレンなどがある。また、フラーレン類の共役系を拡張したカーボンナノチューブ等も例示できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月8日(2009.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させる元素を含む結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜上に酸化膜を形成し、
０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度のプラズマを発生させるプラズマ処理装置を用いて、前記酸化膜上に希ガス元素を含むアモルファスシリコン膜を形成し、
前記結晶質半導体膜、前記酸化膜及び前記希ガスを含むアモルファスシリコン膜を加熱することにより、前記結晶質半導体膜から前記半導体膜の結晶化を促進する元素を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、半導体膜の結晶化を促進させる元素を含む結晶質半導体膜を形成し、
０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の電子温度で、かつ１．０×１０１１ｃｍ−３以上１．０×１０１３ｃｍ−３以下の電子密度のプラズマを発生させるプラズマ処理装置を用いて、前記結晶質半導体膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に前記プラズマ処理装置を用いて希ガス元素を含むアモルファスシリコン膜を形成し、
前記結晶質半導体膜、前記酸化膜及び前記希ガスを含むアモルファスシリコン膜を加熱することにより、前記結晶質半導体膜から前記半導体膜の結晶化を促進する元素を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記プラズマ処理装置を用いて前記酸化膜を形成する際、原料ガスとして酸素と希ガスとの混合ガス、又は酸素と水素と希ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２又は請求項３において、
前記プラズマ処理装置を用いて前記酸化膜を形成する際、前記基板を２００℃から５５０℃の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記プラズマ処理装置を用いて前記希ガス元素を含むアモルファスシリコン膜を形成する際、原料ガスとしてシランと希ガスとの混合ガス、又はジシランと希ガスとの混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記プラズマ処理装置を用いて前記希ガス元素を含むアモルファスシリコン膜を形成する際、前記基板を２００℃から５５０℃の温度に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記プラズマは、２０Ｐａ以上１３３Ｐａ以下の圧力下において発生することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記結晶化を促進させる元素は、ニッケル、ゲルマニウム、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、又は金であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層を含む有機化合物層を有する有機電界発光素子であって、下記一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物の少なくとも一種を有機化合物層に含有することを特徴とする有機電界発光素子。
一般式（ＩＩＢ１）
【化１】
2007096255.tif 000001
式中、Ａ1は、二価の連結基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に水素原子又は置換基を表す。
一般式（ＩＩＢ２）
【化２】
2007096255.tif 000002
式中、Ａ1は、二価の連結基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に水素原子又は置換基を表す。
【請求項２】
Ｒ１乃至Ｒ８が、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子又はシアノ基であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
Ｒ２及びＲ６がともに水素原子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
Ｒ１１乃至Ｒ１４が、水素原子、アルキル基又はアリール基であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
Ａ1が−Ｃ（Ｒ25）（Ｒ26）−、−Ｃ（Ｒ27）（Ｒ28）Ｃ（Ｒ29）（Ｒ30）−、−Ｓｉ（Ｒ31）（Ｒ32）−、−Ｎ（Ｒ35）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−（Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32、及びＲ35はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）から選択される基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
Ａ１が−Ｃ（Ｒ25）（Ｒ26）−又は−Ｃ（Ｒ27）（Ｒ28）Ｃ（Ｒ29）（Ｒ30）−（Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29及びＲ30はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項７】
Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29及びＲ30が水素原子、アルキル基又はアリール基であることを特徴とする請求項６に記載の有機電界発光素子。
【請求項８】
下記一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物。
一般式（ＩＩＢ１）
【化３】
2007096255.tif 000003
式中、Ａ1は、二価の連結基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に水素原子又は置換基を表す。
一般式（ＩＩＢ２）
【化４】
2007096255.tif 000004
式中、Ａ1は、二価の連結基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ11、Ｒ12、Ｒ13及びＲ14は、各々独立に水素原子又は置換基を表す。
【請求項９】
請求項１に記載の一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物を含む発光材料。
【請求項１０】
請求項１に記載の一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物を含む発光層。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示素子。
【請求項１２】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いたディスプレイ。
【請求項１３】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明光源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
式中、Ｚ1、Ｚ2、Ｚ3、Ｚ5、Ｚ6、Ｚ7、Ａ1、Ｚ32、Ｚ33、Ｚ34、Ｚ36、Ｚ37、Ｚ38、Ｙ1及びＹ2は一般式（ＩＩＩ）のそれらと同義である。
（８）Ｒ１乃至Ｒ８が、水素原子、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子又はシアノ基であることを特徴とする上記（５）又は（６）に記載の有機電界発光素子。
（９）Ｒ2及びＲ6がともに水素原子であることを特徴とする上記（３）〜（６）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１０）Ｒ１１乃至Ｒ１４が、水素原子、アルキル基又はアリール基であることを特徴とする（５）、（６）、（８）又は（９）に記載の有機電界発光素子。
（１１）前記一般式（Ｉ）乃至一般式（ＩＩＩＡ）において、Ａ1が−Ｃ（Ｒ25）（Ｒ26）−、−Ｃ（Ｒ27）（Ｒ28）Ｃ（Ｒ29）（Ｒ30）−、−Ｓｉ（Ｒ31）（Ｒ32）−、−Ｎ（Ｒ35）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−（Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32、及びＲ35はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）から選択される基である上記（１）〜（８）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１２）Ａ１が−Ｃ（Ｒ25）（Ｒ26）−又は−Ｃ（Ｒ27）（Ｒ28）Ｃ（Ｒ29）（Ｒ30）−（Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29及びＲ30はそれぞれ独立に水素原子又は置換基を表す。）であることを特徴とする上記（５）、（６）、（８）〜（１０）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
（１３）Ｒ25、Ｒ26、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ29及びＲ30が水素原子、アルキル基又はアリール基であることを特徴とする上記（１２）に記載の有機電界発光素子。
（１４）前記（５）又は（６）に記載の一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物。
（１５）前記（５）又は（６）に記載の一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物を含む発光材料。
（１６）前記（５）又は（６）に記載の一般式（ＩＩＢ１）又は（ＩＩＢ２）で表される化合物を含む発光層。
（１７）前記（５）、（６）、（８）〜（１０）、（１２）及び（１３）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた表示素子。
（１８）前記（５）、（６）、（８）〜（１０）、（１２）及び（１３）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いたディスプレイ。
（１９）前記（５）、（６）、（８）〜（１０）、（１２）及び（１３）のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を用いた照明光源。
なお、本発明は上記（５）、（６）、（８）〜（１０）、及び（１２）〜（１９）に関するものであるが、その他の事項についても参考のため記載した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に集積回路が設けられ、他方の面に凹部を有する基板を有し、
前記凹部には、放熱性材料が充填されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
積層された複数の基板を有し、
前記複数の基板のうち少なくとも１つの基板は、一方の面に集積回路が設けられ、他方の面に凹部を有し、
前記凹部には、放熱性材料が充填されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
一方の面に集積回路が設けられ、他方の面に凹部を有する基板を有し、
少なくとも前記凹部の表面には、放熱性材料を含む膜が設けられていることを特徴とする
集積回路装置。
【請求項４】
積層された複数の基板を有し、
前記複数の基板のうち少なくとも１つの基板は、一方の面に集積回路が設けられ、他方の面に凹部を有し、
少なくとも前記凹部の表面には、放熱性材料を含む膜が設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記他方の面は、前記一方の面よりも表面積が大きいことを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項２または請求項４において、
前記複数の基板のうち少なくとも１つの基板には、放熱部が設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記放熱部は、前記基板の端部に設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記放熱部に凹部が設けられていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記放熱性材料は、前記基板を構成する材料よりも熱伝導率が高い材料であることを特徴
とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板または石英基板であり、
前記放熱性材料は、２０℃における熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の材料であることを
特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板または石英基板であり、
前記放熱性材料は、Ｓｉ、金属、合金、窒化アルミニウム、グラファイト、窒化珪素、またはこれらをポリマー中に混合した材料であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記基板の厚さは１００μｍ以下であることを特徴とする集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁物層を形成し、
前記無機絶縁物層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層及び前記無機絶縁物層の一部上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層上に第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記基板と、前記無機絶縁物層、前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層で構成される素子形成層とを前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第１の無機絶縁物層を形成し、
前記第１の無機絶縁物層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層の端部を覆う第２の無機絶縁物層を形成し、
前記第２の無機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記第２の無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層上に第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記基板と、前記第１の無機絶縁物層、前記第１の電極層、前記第２の無機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層で構成される素子形成層とを前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁物層を形成し、
前記無機絶縁物層上に第１の電極層を形成し、
前記第１の電極層上に有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層を選択的にエッチングして前記第１の電極層の一部及び前記無機絶縁物層の一部を露出し、
前記有機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記無機絶縁物層に接する第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層上に第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記基板と、前記無機絶縁物層、前記第１の電極層、前記有機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層で構成される素子形成層とを前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に無機絶縁物層を形成し、
前記無機絶縁物層上に第１の電極層及び導電層を形成し、
前記第１の電極層及び導電層上に有機絶縁物層を形成し、
前記有機絶縁物層を選択的にエッチングして前記第１の電極層の一部及び前記導電層の一部を露出し、
前記有機絶縁物層の一部及び前記第１の電極層の露出部に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層及び前記導電層に接する第２の電極層を形成し、
前記第２の電極層上に第１の可撓性基板を貼りあわせ、
前記基板と、前記無機絶縁物層、前記第１の電極層、前記導電層、前記有機絶縁物層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層で構成される素子形成層とを前記剥離層において分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の電極層、前記有機化合物を含む層、及び前記第２の電極層は、記憶素子、発光素子、光電変換素子、太陽電池、又はトランジスタを構成する一部であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記基板と前記素子形成層とを分離した後、前記素子形成層に第２の可撓性基板を貼りあわせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が表面に実装された第１層の半導体装置と、接合手段を介して前記第１層の半導体装置の前記表面側に積層された第２層の半導体装置とを有する積層型半導体装置において、
前記接合手段は、前記第１層の半導体装置と前記第２層の半導体装置との間をはんだによって接合したはんだ接合部と、前記第１層の半導体装置と前記第２層の半導体装置との間を、はんだ溶融温度より低い硬化温度を有する熱硬化性樹脂によって接着固定した接着固定部であることを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、１５０℃以上１８０℃以下の温度で３０秒以上９０秒以下の時間加熱することにより完全硬化する樹脂であることを特徴とする請求項１記載の積層型半導体装置。
【請求項３】
前記熱硬化性樹脂は前記半導体素子の表面にのみ配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂は前記半導体素子の複数箇所に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の積層型半導体装置。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂は前記半導体素子の中央部から端部に向けて十字型に配置されていることを特徴とする請求項３記載の積層型半導体装置。
【請求項６】
互に積層して配置された第１層および第２層の半導体装置を有する積層型半導体装置の製造方法において、
第１層の半導体装置と第２層の半導体装置の間に、両半導体装置を接合するためのはんだおよび熱硬化性樹脂を介在させる工程と、
前記第１層および第２層の半導体装置を、前記第１層の半導体装置が水平状態となる第１の温度に加熱して熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、
前記第１層および第２層の半導体装置を、第１の温度よりも高い第２の温度に昇温させてはんだを溶融する工程と、
前記第１層および第２層の半導体装置を冷却し、前記はんだを硬化させる工程とを経ることを特徴とする積層型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
熱硬化性樹脂の硬化温度は１５０℃以上１８０℃以下であり、加熱時間は３０秒以上９０秒以下であることを特徴とする請求項５記載の積層型半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また本発明は、互に積層して配置された第１層および第２層の半導体装置を有する積層型半導体装置の製造方法において、第１層の半導体装置と第２層の半導体装置の間に、両半導体装置を接合するためのはんだおよび熱硬化性樹脂を介在させる工程と、前記第１層および第２層の半導体装置を、第１層の半導体装置が水平状態となる第１の温度に加熱して熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、前記第１層および第２層の半導体装置を、第１の温度よりも高い第２の温度に昇温させてはんだを溶融する工程と、前記第１層および第２層の半導体装置を冷却し、前記はんだを硬化させる工程とを経ることを特徴としている。