【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面上に半導体装置を載置するステージと、前記ステージ上の半導体装置の表面を加圧しながら前記ステージ上を移動できるローラと、を有し、前記ステージには、その表面に微小孔が設けられていてこの微小孔を介して真空吸引することにより前記半導体装置を真空吸着によって固定できると共に、前記ステージ及び前記ローラにはいずれもその加熱部材が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項２】
ステージ表面の材料として多孔質材料が使用されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項３】
ステージ表面の微小な孔は、前記半導体装置を真空吸着するために使用されると共に、はんだボールが実装されている半導体装置を組み立てる際に、はんだボールとステージ表面とを接触させないための逃げ用の孔としても機能することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項４】
前記多孔質材料の微小孔以外に、はんだボール逃げ用の孔が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項５】
表面上に半導体装置を載置するステージと、前記ステージ上の半導体装置の表面を加圧しながら前記ステージ上を移動できるローラと、下降して前記半導体装置の上から加圧して半導体装置をステージに固定すると共に、上昇して前記ローラの動きを妨げないように配置された加圧装置とを有し、前記ステージ及び前記ローラにはいずれもその加熱部材が設けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記加圧装置を構成する材料の少なくとも表面が弾性を有する耐熱材料であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記ステージの表面に微小な孔が設けられ、この孔を介して前記半導体装置を真空吸着することを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記ステージの表面に多孔質材料が使用されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
ステージ表面の微小な孔は、前記半導体装置を真空吸着するために使用されると共に、はんだボールが実装されている半導体装置を組み立てる際に、はんだボールとステージ表面とを接触させないための逃げ用の孔としても機能することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
ステージの表面に多孔質材料の微小孔以外に、はんだボールが実装されている半導体装置を組み立てる際にはんだボールとステージ表面とを接触させないようにするための逃げ用の孔を備えていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
加圧力を付加するために、前記ローラを支持するアームに弾性体が連結されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
ローラを支持するアームに弾性体を連結し、更に伸縮可能なアクチュエータを連結させることによって前記弾性体の圧縮量を可変とすることにより、ローラによる加圧の強度を制御できるようにしたことを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記ローラに使用される材料が弾性を有する耐熱材料であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
ステージ装置の表面に非粘着性を付加する加工が施してあることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
ステージの中心部又は最外周部に溝が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
ステージ表面の形状が凸形状を有し、加圧すると表面形状が平坦になるような弾性装置を備えていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１７】
ステージ表面の材料が形状記憶材料であり、加熱前は表面形状が凸形状であるが、ローラの加熱によって平坦になる装置を備えていることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１８】
加熱部材として、ステージ、ローラ以外に、非接触で加熱できる赤外線ヒーター装置を備えていることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１９】
その製造プロセス中に半導体チップ、インターポーザー基板に接触するローラの位置に応じて、ローラの動作速度、動作パターン、加圧強度、加熱温度を設定して可変に制御できる制御装置を備えていることを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造装置を用いて、フレキシブルインターポーザー基板を加熱しながら半導体チップの側面及び裏面に沿って折り曲げる工程を含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、特にベアチップを当該ベアチップと略同サイズにパッケージしたチップサイズパッケージ（Chip Size Package；ＣＳＰ）の製造に好適の半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、マザーボード基板とのフリップチップ実装の際に、熱硬化性樹脂からなるアンダーフィル樹脂によるはんだバンプの封止工程が必要なく、マザーボード基板との接続信頼性が高く、安価で、且つ、不具合が発生した場合においても極めて容易にリペアすることができるＣＳＰ技術によるベアチップと略同サイズの小型半導体装置及び前記半導体装置を複数個積層して構成される半導体装置を製造するために好適で、半導体装置を保持する際の密着性を著しく高めることができる半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、本発明においては、その製造プロセス中に半導体チップ、インターポーザー基板に接触するローラの位置に応じて、ローラの動作速度、動作パターン、加圧強度、加熱温度を設定して可変に制御できる制御装置を備えることができる。
本願第３発明に係る半導体装置の製造方法は、上記第１発明又は第２発明に係る半導体装置の製造装置を用いて、フレキシブルインターポーザー基板を加熱しながら半導体チップの側面及び裏面に沿って折り曲げる工程を含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
以上詳述したように、本発明の半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法によれば、半導体装置を保持する際の密着性を著しく高めることができる。