Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＨ２／ＣＨ３領域を含むポリペプチドを精製する方法において、
（ａ）ポリペプチドをプロテインＡに結合させる工程と、
（ｂ）溶離バッファーを使用して５．０以下で始まるｐＨ勾配でポリペプチドを溶離させる工程を含み、ここで溶離バッファーが高ｐＨバッファーと低ｐＨバッファーを含み、ｐＨ勾配が溶離バッファー中の各ｐＨバッファーの割合を調整することによって形成され、高ｐＨバッファーが約ｐＨ５．０であり、低ｐＨバッファーが約ｐＨ２．７である方法。
【請求項２】
低ｐＨバッファーの割合が約３５％で始まる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
約３５％で低ｐＨバッファーを含む溶離バッファーが約１６．２５ｍＭのアセテートと約８．７５ｍＭのホルマートを含有する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
低ｐＨバッファーの割合が約２５％で始まる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
約２５％で低ｐＨバッファーを含む溶離バッファーが約１８．７５ｍＭのアセテートと６．２５ｍＭのホルマートを含有する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
低ｐＨバッファーの割合が約４０％で始まる請求項１に記載の方法。
【請求項７】
約４０％で低ｐＨバッファーを含む溶離バッファーが約１５ｍＭのアセテートと１０ｍＭのホルマートを含有する請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ｐＨ勾配が約ｐＨ４．６で始まる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
ｐＨ勾配が３．０以上で終了する請求項１から８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
ｐＨ勾配が約３．７で終了する請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
宿主細胞不純物がポリペプチドから分離される請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１２】
宿主細胞不純物がチャイニーズハムスター卵巣タンパク質（ＣＨＯＰ）である請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
凝集物がポリペプチドから分離される請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ウイルスフィルター汚染物質がポリペプチドから分離される請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ウイルス粒子又はウイルス様粒子がポリペプチドから分離される請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１６】
塩基性ポリペプチド変異体がポリペプチドから分離される請求項１から１０の何れか一項に記載の方法。
【請求項１７】
ポリペプチドが抗体である請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項１８】
抗体がモノクローナル抗体、ポリクローナル抗体、多重特異性抗体、又は抗体断片である請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
ポリペプチドがイムノアドヘシンである請求項１から１６の何れか一項に記載の方法。
【請求項２０】
ポリペプチドが少なくとも約９８％の単量体の純度を有している請求項１から１９の何れか一項に記載の方法。
【請求項２１】
精製されたポリペプチドに対する宿主細胞不純物の比が段階溶離法によって精製されたポリペプチドにおける比よりも少なくとも約２０％低く、段階溶離法がポリペプチドをプロテインＡに結合させ、３．６以下で始まるｐＨで溶離させることを含む、請求項１から２０の何れか一項に記載の方法。
【請求項２２】
精製されたポリペプチドに対する宿主細胞不純物の比が段階溶離法によって精製されたポリペプチドにおける比よりも少なくとも約６０％低く、段階溶離法がポリペプチドをプロテインＡに結合させ、３．６以下で始まるｐＨで溶離させることを含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
精製されたポリペプチドがポリペプチド単量体である請求項２１又は２２に記載の方法。
【請求項２４】
精製が製造スケールプロセスである請求項１から２３の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物の総質量を基準にした質量で：
（ａ）約０.３〜約３０％の３−ブロモ−１−（３−クロロ−２−ピリジニル）−Ｎ−［４−シアノ−２−メチル−６−［（メチルアミノ）カルボニル］フェニル］−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミドと；
（ｂ）２０℃で少なくとも約５質量％の水溶性、約５〜約１８の範囲の親水性−親油性バランス値および約９００〜約２００００ダルトンの範囲の平均分子量を有する、約５〜約７０％の非イオン性エチレンオキシド−プロピレンオキシドブロックコポリマー成分と；
（ｃ）約２０〜約９５％の水と
を含む殺虫剤懸濁液濃縮組成物。
【請求項２】
成分（ｂ）が、組成物の約２０〜約７０質量％である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
成分（ａ）に対する成分（ｂ）の比率が質量基準で少なくとも約１：１である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
成分（ｂ）の親水性−親油性バランス値が約８〜約１５の範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
成分（ｂ）の平均分子量が約２０００〜約８０００ダルトンの範囲である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
成分（ｂ）が、ポロキサマー、逆ポロキサマー、ポロキサミンおよび逆ポロキサミンからなる群から選択される１種またはそれ以上の非イオン性エチレンオキシド−プロピレンオキシドブロックコポリマーを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
成分（ｂ）が、ポロキサマーから選択される１種またはそれ以上の非イオン性エチレンオキシド−プロピレンオキシドブロックコポリマーを含む、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
約０.１％〜約１５質量％の、３−ブロモ−１−（３−クロロ−２−ピリジニル）−Ｎ−［４−シアノ−２−メチル−６−［（メチルアミノ）カルボニル］フェニル］−１Ｈ−ピラゾール−５−カルボキサミド以外の１種またはそれ以上の生理活性物質をさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物を水で希釈して、希釈された組成物を形成する工程と、害虫またはその環境を、殺虫的に有効な量の前記希釈された組成物と接触させる工程とを含む、害虫を防除するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
種子と、
部分的に腐植化された天然有機物によって特徴付けられる溶存有機物質の農学的に許容される複合混合物を含む第一の成分と
を含む、種子組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物と皮膚の間での接触を可能にする条件下での皮膚上での装置の適用により被験者において好酸球性食道炎を処置するための組成物の製造における、皮膚免疫反応を起こす物質を含む組成物を含む皮膚パッチ装置の使用。
【請求項２】
皮膚パッチ装置の皮膚への適用が、被験者の食道及び腸において好酸球性浸潤の減少を起こす、請求項１記載の使用。
【請求項３】
被験者が、１つ又は複数の食物アレルゲン及び／又は空中アレルゲンに対するアレルギーに苦しむ、請求項１又は２記載の使用。
【請求項４】
物質が、アレルゲン、好ましくは食物アレルゲン又は呼吸アレルゲン、あるいはそれらの組み合わせである、請求項１〜３のいずれか一項記載の使用。
【請求項５】
アレルゲンが、牛乳、卵、小麦、大豆、ピーナッツ、花粉、及びイエダニより選択される、請求項４記載の使用。
【請求項６】
１を上回るアレルゲンが、１つ又は複数のパッチ装置を介して、別々にか、連続的にか、又は同時に皮膚に適用される、請求項１〜５のいずれか一項記載の使用。
【請求項７】
物質が乾燥形態である、請求項１〜６のいずれか一項記載の使用。
【請求項８】
方法が、皮膚パッチ装置の繰り返し適用を含む、請求項１〜７のいずれか一項記載の使用。
【請求項９】
組成物が、医薬的に許容可能な担体をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項記載の使用。
【請求項１０】
被験者における好酸球性食道炎の処置における使用ための、皮膚免疫反応を起こす物質を含む組成物を含む、皮膚パッチ装置。
【請求項１１】
パッチ装置が、乾燥形態で、静電力を通じてパッチに接着させる、皮膚反応を起こす物質を含む組成物を含む密封皮膚パッチ装置である、請求項１０記載のパッチ装置。
【請求項１２】
牛乳、卵、小麦、大豆、ピーナッツ、花粉、及びイエダニより選択される、１つ又は複数のアレルゲンを含む、請求項１１記載のパッチ。
【請求項１３】
アレルギーである被験者において好酸球性食道炎のリスクを予防又は低下する方法であって、被験者の皮膚に、皮膚免疫反応を起こす物質を含む組成物を含む皮膚パッチ装置を、該組成物と皮膚の間での接触を可能にする条件下で適用することを含む、方法。
【請求項１４】
アレルギーの被験者の食道又は腸において好酸球浸潤を減少させる方法であって、被験者の皮膚に、皮膚免疫反応を起こす物質を含む組成物を含む皮膚パッチ装置を、該組成物と皮膚の間での接触を可能にする条件下で適用することを含む、方法。
【請求項１５】
好ましくは乾燥形態で、好ましくは静電力を通じてパッチに接着させる、牛乳、卵、小麦、大豆、ピーナッツ、花粉、及びイエダニのアレルゲンより選択される少なくとも２つのアレルゲンの組み合わせを含む組成物を含む、密封皮膚パッチ装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月16日(2013.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの生物学的活性物質、調合補助物質および磁化可能粒子を包含する経口剤形であって、その剤形が少なくとも２つの相組成を有し、それらの相がそれらの配合のため経口投与後に体内で溶解でき、前記磁化可能粒子が調合補助物質中で結合して磁化状態で存在し、
さらには、
磁化粒子が剤形の少なくとも２つの相中に存在して磁場を形成し、２つまたは少なくとも２つの磁場が異なる整列を示し、これらの相が経口投与後、体内で異なる時間に溶解し、時間、位置および体内での移動に対する磁場強度が検出システムを用いて得られ、コンピュータを用いた評価システムを用いて評価することができる、前記経口剤形。
【請求項２】
剤形に組み込まれた後に、その剤形に特徴的なものであって、評価システムおよび検出システムを用いて得られることができる経時強度スペクトルを磁場が生じることを特徴とする、請求項１に記載の剤形。
【請求項３】
剤形が少なくとも３つの相組成を有し、磁化粒子が剤形の３相に存在することを特徴とする、請求項１または２に記載の剤形。
【請求項４】
剤形が少なくとも３つの相組成を有し、１つまたは少なくとも１つの相が生物学的活性物質を包含するが、磁化粒子を包含しないことを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項５】
磁化粒子を包含する少なくとも１つの相が即放相として調合されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項６】
１ｃｍの距離からテスラメーターを用いて測定した磁場強度が１〜１０００μＴの範囲にあることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項７】
磁場が局在する剤形の部材が、コア、ポリマーフィルムカプセル封入体またはカプセルの半分またはこれらの部材の組み合わせであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項８】
磁化可能粒子がマグネタイト（Ｆｅ３Ｏ４）またはマグヘマイト（Ｆｅ２Ｏ３）であることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項９】
剤形が充填カプセル、さらなるカプセルに封入された充填カプセルまたはカプセル封入錠剤の形態を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の剤形。
【請求項１０】
剤形が磁場を形成する少なくとも２つの相を包含し、個々の相が磁化可能粒子に調合補助物質を結合させ、当該磁化可能粒子を外側から作用する磁場によって磁化し、相内に磁場を発生させることによって製造され、磁化可能粒子の磁化が剤形の接合前または後に実施することができ、当該相が剤形内に占める位置によって、または相内で使用する調合補助物質によって、体内で異なる時間に溶解することができることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の剤形の製造方法。
【請求項１１】
磁場を包含する相が、製造中に非固体状態から固体状態に遷移する調合補助物質と磁化可能粒子を結合することによって製造され、調合補助物質が非固体状態の時に外側から作用する磁場を用いて磁化可能粒子が配向され、その配向性が調合補助物質の凝固中に固定され、磁場を形成する相が形成されることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
磁場を形成する相が互いに個別に、および、可能であれば追加の相とともに製造され、その後ともに接合されて本発明の剤形を形成することを特徴とする、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
フィルム形成ポリマーが磁場配向可能粒子または磁化可能粒子を固定するための調合補助物質として使用されることを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
調合の非固体状態がゲル状態または溶融状態であることを特徴とする、請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
剤形が平坦な錠剤の形態をとるコアを包含した活性成分を包含し、当該錠剤の平坦な両側がそれぞれ融合手段による磁性フィルムを備え、磁性フィルムが反対方向の磁場を有することを特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
１つ以上の磁化したカプセルの半分を剤形の部材または複数の部材として使用することにより、１つ以上の磁場を導入することを特徴とする、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
磁化したカプセルの半分が、カプセルの半分を、フィルム形成ポリマー、溶媒および磁化可能粒子を包含する調製液から、ディップコーティング法を用いて製造し、非固体状態のカプセルの半分に磁場を印加することによって得られ、その結果、磁化可能粒子が組成物中でそれ自体で配向して磁場を形成し、その磁場が凝固の後固定されることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
１つ以上の磁化した押出コアを剤形の部材または複数の部材として使用することにより、１つ以上の磁場を導入することを特徴とする、請求項１０〜１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
押出コアが、フィルム形成熱可塑性ポリマー、可能であれば物質および磁化可能粒子の調製液からストランド押出成形法を用いて製造し、その後ストランドを細長い、または平らな相に細分化することによって製造され、調製液のストランドが溶融状態で外側から印加された磁場を通過し、その結果、組成物中の磁化配向可能粒子または磁化可能粒子が配向かつ磁化してそこで磁場を形成し、その磁場が細長い、または平らな相のストランドを冷却した後に固定されることを特徴とする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
患者による剤形の摂取をモニタリングする目的の、請求項１〜９のいずれか１項に記載の検出システムおよびコンピュータを用いた評価システムと組み合わされた剤形の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５４】
押出成形コアは、フィルム形成熱可塑性ポリマー、場合によっては物質および磁化可能粒子からなる調製液からストランド押出成形法によって製造でき、その後ストランドを細長い、または平らな相に細分化する。溶融状態の調製液から得られた押出成形ストランドは、外側から印加する磁場を通過することができ、その結果、組成物中の磁場配向粒子または磁化可能粒子は配向してそこで磁場を形成し、その磁場は細長い、または平らな相のストランドを冷却した後固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向に沿って延在する複数の第１のミクロ構造体を有する第１の主表面と、
複数の第２のミクロ構造体を有し、前記第１の主表面の反対側に位置する第２の主表面と、を備える光方向転換フィルムであって、
前記第２の主表面は、約４％〜約２０％の範囲の光学的ヘイズと、約２０％〜約６０％の範囲の光学的透明度と、を有し、
前記光方向転換フィルムは、約１．５５以上の平均実効透過率を有する、光方向転換フィルム。
【請求項２】
前記第２の主表面の二次元フーリエスペクトルは、第１の主方向に沿って複数のピークを含み、
前記複数のピークは、ゼロ周波数に相当しない最低周波数ピークを含み、
前記最低周波数ピークに隣接する複数の谷部は、基準線を画定し、
前記最低周波数ピークは、前記最低周波数ピークと前記基準線との間の第１の領域、及び前記基準線より下の第２の領域を画定し、
前記第２の領域に対する前記第１の領域の比は、約２未満である、請求項１に記載の光方向転換フィルム。
【請求項３】
複数の線状ミクロ構造体を含む第１の主表面と、
複数の第２のミクロ構造体を有し、前記第１の主表面の反対側に位置する第２の主表面と、を備える光方向転換フィルムであって、
前記第２の主表面は、約４％〜約２０％の範囲の光学的ヘイズと、約２０％〜約６０％の範囲の光学的透明度と、を有し、
前記光方向転換フィルムの平均実効透過率は、滑らかな第２の主表面を含むことを除いて同一の構造を備える光方向転換フィルムと比較して、小さくないか、または約２％を越えない範囲で小さい、光方向転換フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を形成する行及び列を有するパッシブマトリックス型ディスプレイシステムの少なくとも一部分を駆動する方法であって、
（ａ）第１電圧パルスを前記行に出力することによって、前記パッシブマトリックス型ディスプレイシステムの前記部分をホメオトロピック状態に駆動する工程と、
（ｂ）前記パッシブマトリックス型ディスプレイシステムの前記部分を焦点円錐状態に駆動する工程と、
（ｃ）第２電圧パルスを前記行に出力することによって、前記パッシブマトリックス型ディスプレイシステムの前記部分をホメオトロピック状態に駆動する工程と、
（ｄ）１マイクロ秒〜６ミリ秒の範囲内の、規定の周期の間、待機する工程と、
（ｅ）前記行に第１行電圧信号を出力する工程であって、第１行電圧信号が前記書き込まれるマトリックスの前記行に適用される工程と、
（ｆ）前記行に第２行電圧信号を出力する工程であって、第２行電圧信号が前記書き込まれないマトリックスの前記行に適用される工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
（ａ）画素を形成する行及び列を有するパッシブマトリックス型ディスプレイと、
（ｂ）
第１電圧パルスを前記行に出力することによって、前記パッシブマトリックス型ディスプレイシステムの前記部分をホメオトロピック状態に駆動し、
前記パッシブマトリックス型ディスプレイシステムの前記部分を焦点円錐状態に駆動し、
第２電圧パルスを前記行に出力して前記パッシブマトリックス型ディスプレイの一部分をホメオトロピック状態に駆動し、
１マイクロ秒〜６ミリ秒の範囲内の、規定の周期の間、待機し、
前記行に第１行電圧信号を出力し、該第１行電圧信号を前記書き込まれるマトリックスの前記行に適用し、
前記行に第２行電圧信号を出力し、該第２行電圧信号を前記書き込まれないマトリックスの前記行に適用するように構成された駆動回路と、
（ｃ）前記パッシブマトリックス型ディスプレイ及び前記駆動回路に電気的に連結されたコントローラであって、前記コントローラは前記第１電圧パルス及び第２電圧パルス、並びに前記第１行電圧信号及び第２行電圧信号を制御する、コントローラと、
を含む、ディスプレイを駆動するためにシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
本開示は以下も含む。
［１］  少なくとも１つの光学層と、前記光学層の少なくとも１つの表面上に付着される少なくとも１つの帯電防止層と、を含み、前記帯電防止層が、（ａ）少なくとも１つの重合性オニウム塩、及び（ｂ）少なくとも１つの非オニウム重合性シリコーン、又はペルフルオロポリエーテル部分含有モノマー、オリゴマー、若しくはポリマーの反応生成物を含む、光学デバイス。
［２］  前記オニウム塩が、フルオロ有機アニオンを有するオニウム塩を含む、上記［１］に記載の光学デバイス。
［３］  前記オニウム塩が、アンモニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ピリジニウム塩、及びイミダゾリウム塩からなる群から選択される、上記［１］に記載の光学デバイス。
［４］  前記オニウム塩が、次の式を有し、
（Ｒ1）a-bＧ+［（ＣＨ2）qＤＲ2］bＸ-
式中、
各Ｒ1は独立してアルキル、脂環式、アリール、アルカリ環式、アルカリル、脂環式アルキル、アル環式、又は脂環式アリール部分を含み、かかる部分は１つ以上のヘテロ原子、例えば、窒素、酸素、若しくはイオウなどを含んでよく、又はリン若しくはハロゲン（したがって事実上フルオロ有機物であり得る）を含んでよく、
Ｇは窒素、イオウ、又はリンであり、
Ｇがイオウであるときａは３であり、Ｇが窒素又はリンであるときａは４であり、
Ｇがイオウであるときｂは１〜３の整数であり、Ｇが窒素又はリンであるときｂは１〜４の整数であり、
ｑは１〜４の整数である。
Ｄは酸素、イオウ、又はＮＲであり、ここでＲはＨ又は１〜４個の炭素原子の低級アルキルであり、
Ｒ2は（メタ）アクリルであり、
Ｘ-はアニオンである、上記［１］に記載の光学デバイス。
［５］  前記式中、Ｘ-が、アルキルサルフェート、メタンスルホネート、トシレート、フルオロ有機物、フルオロ無機物、及びハロゲン化物からなる群から選択されるアニオンである、上記［４］に記載の光学デバイス。
［６］  前記式中、Ｘ-が、フッ素性化学物質アニオンである、上記［４］に記載の光学デバイス。
［７］  前記式中、Ｘ-が、−Ｃ（ＳＯ2ＣＦ3）3、−Ｏ3ＳＣＦ3、−Ｏ3ＳＣ4Ｆ9、及び−Ｎ（ＳＯ2ＣＦ3）2からなる群から選択される、上記［４］に記載の光学デバイス。
［８］  前記オニウム塩が、以下の式
【化１】
2013503369.tif 000001
のうち１つを有する、上記［１］に記載の光学デバイス。
［９］  前記重合性シリコーンモノマー、オリゴマー、又はポリマーが、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）主鎖及び末端（メタ）アクリレート基を持つアルコキシ側鎖を有する材料である、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１０］  前記光学層が、反射偏光子、輝度向上フィルム、及び拡散反射偏光フィルムからなる群から選択される、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１１］  前記帯電防止層が、外層である、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１２］  前記帯電防止層が、艶消し特性を有する、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１３］  前記帯電防止層が、ビーズ又は粒子を更に含む、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１４］  前記帯電防止層が、（ａ）、（ｂ）、及び（ｃ）少なくとも１つの非オニウム重合性非シリコーンモノマー、オリゴマー、又はポリマーの反応生成物を含む、上記［１］に記載の光学デバイス。
［１５］  前記帯電防止層が、（１）（ａ）前記少なくとも１つのオニウム塩と、（ｂ）前記少なくとも１つの非オニウム重合性シリコーン、又はペルフルオロポリエーテル部分含有モノマー、オリゴマー、若しくはポリマーと、任意に（ｃ）少なくとも１つの非シリコーン非ペルフルオロポリエーテルモノマー、オリゴマー、又はポリマーと、を含む液体コーティング組成物を提供する工程、（２）前記液体コーティング組成物を前記光学層の表面に適用する工程、及び（３）前記液体コーティング組成物をその場で硬化し、前記帯電防止層を形成する工程、により形成される、上記［１］に記載の光学デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの光学層と、前記光学層の少なくとも１つの表面上に付着される少なくとも１つの帯電防止層と、を含み、前記帯電防止層が、（ａ）少なくとも１つの重合性オニウム塩、及び（ｂ）少なくとも１つの非オニウム重合性シリコーン、又はペルフルオロポリエーテル部分含有モノマー、オリゴマー、若しくはポリマーの反応生成物を含む、光学デバイス。
【請求項２】
前記オニウム塩が、次の式を有し、
（Ｒ1）a-bＧ+［（ＣＨ2）qＤＲ2］bＸ-
式中、
各Ｒ1は独立してアルキル、脂環式、アリール、アルカリ環式、アルカリル、脂環式アルキル、アル環式、又は脂環式アリール部分を含み、かかる部分は１つ以上のヘテロ原子、例えば、窒素、酸素、若しくはイオウなどを含んでよく、又はリン若しくはハロゲン（したがって事実上フルオロ有機物であり得る）を含んでよく、
Ｇは窒素、イオウ、又はリンであり、
Ｇがイオウであるときａは３であり、Ｇが窒素又はリンであるときａは４であり、
Ｇがイオウであるときｂは１〜３の整数であり、Ｇが窒素又はリンであるときｂは１〜４の整数であり、
ｑは１〜４の整数である。
Ｄは酸素、イオウ、又はＮＲであり、ここでＲはＨ又は１〜４個の炭素原子の低級アルキルであり、
Ｒ2は（メタ）アクリルであり、
Ｘ-はアニオンである、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記オニウム塩が、以下の式
【化１】
2013503369.tif 000002
のうち１つを有する、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記帯電防止層が、（１）（ａ）前記少なくとも１つのオニウム塩と、（ｂ）前記少なくとも１つの非オニウム重合性シリコーン、又はペルフルオロポリエーテル部分含有モノマー、オリゴマー、若しくはポリマーと、任意に（ｃ）少なくとも１つの非シリコーン非ペルフルオロポリエーテルモノマー、オリゴマー、又はポリマーと、を含む液体コーティング組成物を提供する工程、（２）前記液体コーティング組成物を前記光学層の表面に適用する工程、及び（３）前記液体コーティング組成物をその場で硬化し、前記帯電防止層を形成する工程、により形成される、請求項１に記載の光学デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月15日(2013.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ上で、論理表現を評価することにより、アクセス制御リストのベース・パーミッションを変更するための方法であって、前記サーバが、
サブジェクト名をオブジェクトについてのアクセス制御リストエントリに対して比較することによって前記サブジェクトについてのベース・パーミッションを決定するステップと、
論理表現エントリを含む前記オブジェクトについての前記アクセス制御リストエントリを決定するステップと、
前記サブジェクトの論理表現属性を用いて前記オブジェクトについての前記アクセス制御リスト・エントリの前記論理表現エントリを評価するステップであって、前記論理表現エントリを評価して、前記サブジェクトの前記論理表現属性に関してどの論理表現エントリが真であるかを決定する、前記評価するステップと、
真である前記論理表現エントリについて、前記論理表現エントリの集合演算子を組み合わせて、単一のユニオン・アクセス制御リストと、単一のインターセクト・アクセス制御リストと、単一のリプレース・アクセス制御リストとを得るステップであって、ユニオン演算型の組み合わせが前記ユニオン・アクセス制御リストを形成し、インターセクト演算型の組み合わせが前記インターセクト・アクセス制御リストを形成し、及び、リプレース演算型の組み合わせが前記リプレース・アクセス制御リストを形成する、前記得るステップと、
前記リプレース・アクセス制御リストが存在することに応答してリプレース演算を実行し、前記ベース・パーミッションを前記リプレース・アクセス制御リストで置換するステップであって、前記リプレース演算の結果が第１の出力であり、前記リプレース・アクセス制御リストが存在しないことに応答して、前記ベース・パーミッションが前記第１の出力である、前記置換するステップと、
前記ユニオン・アクセス制御リストが存在することに応答して前記第１の出力と前記ユニオン・アクセス制御リストとに対してユニオン演算を実行するステップであって、前記ユニオン演算の結果が第２の出力であり、前記ユニオン・アクセス制御リストが存在しないことに応答して、前記第１の出力が前記第２の出力である、前記実行するステップと、
前記インターセクト・アクセス制御リストが存在することに応答して前記第２の出力と前記インターセクト・アクセス制御リストとに対してインターセクト演算を実行するステップであって、前記インターセクト演算の結果が第３の出力であり、前記インターセクト・アクセス制御リストが存在しないことに応答して、前記第２の出力が前記第３の出力である、前記実行するステップと、
前記第３の出力を前記サブジェクトについてのパーミッションとして提供するステップと
を実行することを含み、前記リプレース演算が第１に実行され、前記ユニオン演算が第２に実行され、及び前記インターセクト演算が第３に実行され、並びに、前記論理表現属性が、ＩＰアドレス、接続タイプ、認証機構、アクセス時刻、アクセス日付、及びアクセス曜日を含む、前記方法。
【請求項２】
前記論理表現属性が、前記サブジェクトから取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記論理表現属性が、サブジェクト名、グループ名、及び資格証明をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ユニオン・アクセス制御リストが、ユニオン演算子を用いる論理表現エントリの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ユニオン・アクセス制御リストが、前記オブジェクトについてのパーミッションの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記インターセクト・アクセス制御リストが、インターセクト演算子を用いる論理表現エントリの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記インターセクト・アクセス制御リストが、前記オブジェクトについてのパーミッションの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記リプレース・アクセス制御リストが、リプレース演算子を用いる論理表現エントリの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記リプレース・アクセス制御リストが、前記オブジェクトについてのパーミッションの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
論理表現を評価することにより、アクセス制御リストのベース・パーミッションを変更するように構成されたサーバであって、
プログラムを格納するためのメモリと、
前記メモリと機能的に結合されたプロセッサであって、前記プログラムに含まれるコンピュータ実行可能命令に応答して請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実施する、前記プロセッサと
を備えている、前記サーバ。
【請求項１１】
サーバ上で論理表現を評価することにより、アクセス制御リストのベース・パーミッションを変更するためのコンピュータ・プログラムであって、サーバに、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法の各ステップを実行させる、前記コンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線検出器（１４）において、
ａ）  光電感度性材料の層（４）と、
ｂ）  該光電感度性材料の層（４）に配置されたＮ×Ｍ個のフォトダイオード検出器（２）のアレイとを有しており、各フォトダイオード検出器（２）は、バイアス電位インタフェース（１２）とダイオード出力インタフェースとを有しており、各フォトダイオード検出器（２）の上記のバイアス電位インタフェース（１２）は、バイアス電位（Ｖbias）に接続されており、
前記Ｘ線検出器（１４）はさらに、
ｃ）  Ｎ×Ｍ個の高利得かつ低ノイズの複数の読み出しユニットセル（ＲＯ）のアレイを有しており、各フォトダイオード検出器（２）は１つの読み出しユニットセル（ＲＯ）を有しており、
ｄ）  各読み出しユニットセル（ＲＯ）は、
ｄ１）  前記ダイオード出力インタフェースに接続された入力インタフェース（ＩＮ）および積算キャパシタ（Ｃfb）を有する高利得電圧増幅手段（ＰＡ）と、
ｄ２）  前記積算キャパシタ（Ｃfb）に並列接続された第１スイッチ（Ｓ１）と、
ｄ３）  第２スイッチ（Ｓ２）と第３スイッチ（Ｓ３）との間に配置されたサンプル／ホールドキャパシタ（ＣS）とを有しており、ただし該サンプル／ホールドキャパシタ（ＣS）は、前記第２スイッチ（Ｓ２）を介して前記高利得電圧増幅手段（ＰＡ）の出力側（ＯＵＴ）に接続可能であり、かつ第３スイッチ（Ｓ３）を介して単一出力線（ＳＯ）に接続可能であり、
前記Ｘ線検出器（１４）はさらに
ｅ）  行選択および列選択回路を含むマルチプレクシング手段（ＭＭ）を有しており、該行選択および列選択回路により、各読み出しセルユニット（ＲＯ）にアクセスして、前記サンプル／ホールドキャパシタ（ＣS）に実際に記憶されているアナログ信号をデータ処理手段（ＤＰＭ）に読み出す、なお当該データ処理手段（ＤＰＭ）は前記マルチプレクシング手段（ＭＭ）を制御することを特徴とする
Ｘ線検出器（１４）。
【請求項２】
前記データ処理手段（ＤＰＭ）をさらに含むことを特徴とする、
Ｘ線検出器（１４）。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＸ線検出器において、
前記高利得電圧増幅手段（ＰＡ）は、単一光子入射によって形成される信号に比べて、小さいノイズ信号を有するように選択されることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項４】
請求項１から３までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記サンプル／ホールドキャパシタ（ＣS）および前記積算キャパシタ（Ｃfb）は、収集インターバル当たり０ないし１０００個の光子のダイナミックレンジをカバーするように選択されることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項５】
請求項４に記載のＸ線検出器において、
前記収集インターバルは、２０nsから任意の所望の値までをカバーしていることを特徴とする、
Ｘ線検出器。
【請求項６】
請求項１から５までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
−  前記サンプル／ホールドキャパシタ（ＣS）に記憶された出力信号の読み出しと、
−  前記高利得電圧増幅手段（ＰＡ）の出力電圧の積算とが
並行して行われて連続モードが可能となるように前記第１スイッチ（Ｓ１），前記第２スイッチ（Ｓ２）および前記第３スイッチ（Ｓ３）を操作することを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項７】
請求項２から６までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）により、チャネル当たりの出力電圧が光子の個数に変換され、
該データ処理手段（ＤＰＭ）は、チャネル毎に光子の個数を記憶可能な少なくとも１つのレジスタ、記憶セル、またはソフトウェア、ファームウェアまたはハードウェアのいずれかで実現されるカウンタを有していることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項８】
請求項２から６までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）は、読み出しユニットセル毎の光子の個数を任意のカウンタ（レジスタまたは記憶セル）に加算することのできるデータマルチプレクサを有することを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項９】
請求項８に記載のＸ線検出器において、
チャネル毎の前記少なくとも２つのカウンタのうちの１つのカウンタは、ポンピングされたサンプル状態に対する入射光子を計数するために確保されており、
前記少なくとも２つのカウンタのうちの別の１つのカウンタは、ポンピングされていないサンプル状態に対する入射光子を計数するために確保されていることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項１０】
請求項２から９までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）により、隣接するフォトダイオード検出器（２）における電荷分布に起因して、隣接するフォトダイオード検出器（２）の間にある境界領域において吸収される光子（６）の位置が補間され、
当該補間は、隣接するフォトダイオード検出器（２）に対する同時の分割電圧信号によって起動され、
当該分割電圧信号は、１つのフォトダイオード検出器（２）内で吸収される入射光子（６）の電圧信号よりも小さいことを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項１１】
請求項２から１０までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）は補間位置毎に、光子の個数を記憶可能な少なくとも１つのレジスタ、記憶セル、または（ソフトウェア、ファームウェアまたはハードウェアのいずれかで実現される）カウンタを有していることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項１２】
請求項２から１１までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
単一入射光子（６）に対する前記積算電圧は、前記光子（６）のエネルギを表し、
前記積算電圧と、前記光子エネルギとの間の依存性は、多項式関数、有利には一次関数によって求められ、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）は、チャネル当たりの光子のエネルギスペクトルを測定できることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項１３】
請求項２から１２までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）は、読み出しユニットセル毎に、ソフトウェア、ファームウェアまたはハードウェアのいずれかで実現される複数のレジスタ、カウンタまたは記憶セルを有しており、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）は読み出しユニット毎に、請求項１１に記載されたエネルギスペクトルを記憶および／または形成できることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【請求項１４】
請求項２から１３までのいずれか１項に記載のＸ線検出器において、
前記データ処理手段（ＤＰＭ）には、ハードウェア、ソフトウェアまたはファームウェアのいずれかによって実現される窓弁別器が含まれており、
あらかじめ定めた窓内に出力信号（ＳＯ）を有するチャネルのカウンタだけがインクリメントされることを特徴とする
Ｘ線検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の段階を含む、癌を治療もしくは予防するための、またはＧＡＬＮＴ６ポリペプチドによる基質のグリコシル化を阻害するための候補物質をスクリーニングする方法：
（ａ）被験物質の存在下、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドまたはその機能的等価物と基質とを、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドによる基質のグリコシル化に適した条件下でインキュベートする段階；
（ｂ）基質グリコシル化レベルを検出する段階；および
（ｃ）基質グリコシル化レベルを対照レベルと比較する段階であって、該対照レベルと比較したグリコシル化レベルの上昇または低下は、その被験物質が基質に対するＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのグリコシル化活性を調節することを示す、段階；
（ｄ）基質に対するＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのグリコシル化活性を阻害する被験物質を選択する段階。
【請求項２】
ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドの機能的等価物が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２９の２７１位のヒスチジン残基および／または３８２位のグルタミン酸残基を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
基質がＭＵＣ１ポリペプチドまたはその機能的等価物である、請求項１記載の方法。
【請求項４】
以下の段階を含む、癌を治療もしくは予防するための、またはＧＡＬＮＴ６ポリペプチドとＭＵＣ１ポリペプチドとの間の結合を阻害するための候補物質をスクリーニングする方法：
（ａ）被験物質の存在下、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドまたはその機能的等価物を、ＭＵＣ１ポリペプチドまたはその機能的等価物と接触させる段階；
（ｂ）ポリペプチド間の結合を検出する段階；および
（ｃ）ポリペプチド間の結合を阻害する被験物質を選択する段階。
【請求項５】
ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドの機能的等価物が、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのＭＵＣ１結合ドメインを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
ＭＵＣ１ポリペプチドの機能的等価物が、ＭＵＣ１ポリペプチドのＧＡＬＮＴ６結合ドメインを含む、請求項４記載の方法。
【請求項７】
ＭＵＣ１ポリペプチドの機能的等価物が、ＭＵＣ１ポリペプチドの可変数タンデム反復（ＶＮＴＲ）ドメインに由来するペプチド断片を含み、そのペプチド断片が１個または複数個のセリン残基および／またはトレオニン残基を含む、請求項３または請求項４記載の方法。
【請求項８】
ＭＵＣ１ポリペプチドの機能的等価物が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２６（ＭＵＣ１−ａ）またはＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：２７（ＭＵＣ１−ｂ）のアミノ酸配列を含む、請求項３または請求項４記載の方法。
【請求項９】
癌が乳癌である、請求項１または請求項４記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
ＧＡＬＮＴ６を発現する癌、例えば乳癌などの治療および／または予防に用いるのに適している物質をスクリーニングする方法であって、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドとＭＵＣ１ポリペプチドとを被験物質中で接触させる段階、およびＭＵＣ１ポリペプチドのグリコシル化レベルを低下させる被験物質を選択する段階を含む方法を提供することは、本発明のさらに別の目的である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
[本発明1001]
以下の段階を含む、癌を治療もしくは予防するための、またはＧＡＬＮＴ６ポリペプチドとＭＵＣ１ポリペプチドとの間の結合を阻害するための候補物質をスクリーニングする方法：
（ａ）被験物質の存在下、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドまたはその機能的等価物を、ＭＵＣ１ポリペプチドまたはその機能的等価物と接触させる段階；
（ｂ）ポリペプチド間の結合を検出する段階；および
（ｃ）ポリペプチド間の結合を阻害する被験物質を選択する段階。
[本発明1002]
ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドの機能的等価物が、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのＭＵＣ１結合ドメインを含む、本発明1001の方法。
[本発明1003]
ＭＵＣ１ポリペプチドの機能的等価物が、ＭＵＣ１ポリペプチドのＧＡＬＮＴ６結合ドメインを含む、本発明1001の方法。
[本発明1004]
以下の段階を含む、癌を治療もしくは予防するための、またはＧＡＬＮＴ６ポリペプチドによる基質のグリコシル化を阻害するための候補物質をスクリーニングする方法：
（ａ）被験物質の存在下、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドまたはその機能的等価物と基質とを、ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドによる基質のグリコシル化に適した条件下でインキュベートする段階；
（ｂ）基質グリコシル化レベルを検出する段階；および
（ｃ）基質グリコシル化レベルを対照レベルと比較する段階であって、該対照レベルと比較したグリコシル化レベルの上昇または低下は、その被験物質が基質に対するＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのグリコシル化活性を調節することを示す、段階；
（ｄ）基質に対するＧＡＬＮＴ６ポリペプチドのグリコシル化活性を阻害する被験物質を選択する段階。
[本発明1005]
ＧＡＬＮＴ６ポリペプチドの機能的等価物が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：29の271位のヒスチジン残基および／または382位のグルタミン酸残基を含む、本発明1004の方法。
[本発明1006]
基質がＭＵＣ１ポリペプチドまたはその機能的等価物である、本発明1004の方法。
[本発明1007]
ＭＵＣポリペプチドの機能的等価物が、ＭＵＣ１ポリペプチドの可変数タンデム反復（ＶＮＴＲ）ドメインに由来するペプチド断片を含み、そのペプチド断片が1個または複数個のセリン残基および／またはトレオニン残基を含む、本発明1001または本発明1006の方法。
[本発明1008]
ＭＵＣ１ポリペプチドの機能的等価物が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：26（ＭＵＣ１−ａ）またはＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：27（ＭＵＣ１−ｂ）のアミノ酸配列を含む、本発明1001または本発明1006の方法。
[本発明1009]
癌が乳癌である、本発明1001または本発明1004の方法。
本発明の１つまたは複数の局面が、ある目的を達成することができ、一方、他の１つまたは複数の局面が、他のある目的を達成しうることは、当業者には理解されるであろう。各目的は、そのすべての点において、本発明のあらゆる局面に等しく該当するわけではない。そのため、前述の目的は、本発明のいずれか１つの局面に関して択一的に捉えることができる。本発明の上記のおよび他の目的および特徴は、以下の詳細な説明を、添付の図および実施例と併せて読むことで、さらに十分に明らかになるであろう。しかし、本発明の前記の概要および以下の詳細な説明はいずれも好ましい態様のものであり、本発明も、本発明のその他の代替的な態様も限定しないことが理解されるべきである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月28日(2013.8.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ビームのスペクトル特性を制御する方法であって、
ウェーハ上にパターンを作成するように構成されたリソグラフィ露光装置に光源によって生成された光ビームを誘導する段階と、
１又は２以上の光源及び誘導される光ビームの経路にあるビーム解析モジュールから前記光ビームのスペクトル特性を表す情報を受信する段階と、
前記リソグラフィ露光装置から、前記リソグラフィ露光装置内の１又は２以上の構成要素の光学特性に関連する光学的撮像条件を表す情報を受信する段階と、
受信したスペクトル特性を表す情報及び受信した光学的撮像条件を表す情報の両方を含む測定基準を計算することによって、前記光ビームのスペクトルを近似する段階と、
前記計算された測定に基づいて前記光ビームの特性値を推定する段階と、
前記推定光ビーム特性値がターゲット光ビーム特性値に適合するか否かを判断する段階と、
前記推定光ビーム特性値が前記ターゲット光ビーム特性値に適合しないと判断された場合に前記光ビームの前記スペクトル特性を調節する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
光ビームのスペクトル特性を制御する方法であって、
ウェーハ上にパターンを作成するように構成されたリソグラフィ露光装置に光源によって生成された光ビームを誘導する段階と、
１又は２以上の光源から及び誘導される光ビームの経路にあるビーム解析モジュールからの前記光ビームのスペクトル特性を表す情報を受信する段階と、
前記リソグラフィ露光装置から前記リソグラフィ露光装置の光学的撮像条件を表す情報を受信する段階と、
受信したスペクトル特性を表す情報及び受信した光学的撮像条件を表す情報に基づいて、前記光ビームの特性値を推定する段階と、
前記推定光ビーム特性値が前記ターゲット光ビーム特性値に適合しないと判断された場合に前記光ビームの前記スペクトル特性を調節する段階と、
を含み、
前記光ビーム特性値を推定する段階は、前記光ビームの焦点ぼけ分布の幅を推定する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記光ビーム特性値を推定する段階は、前記光ビームの帯域幅を推定する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記光ビームスペクトル特性を調節する段階は、前記光ビームの帯域幅を調節する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記スペクトル特性情報を受信する段階は、前記光ビームの測定帯域幅を受信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記光学的撮像条件情報を受信する段階は、前記リソグラフィ露光装置内の投影光学要素の開口数を受信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記光学的撮像条件情報を受信する段階は、前記ウェーハ上に印刷される前記パターンに関する情報を受信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記光学的撮像条件情報を受信する段階は、前記ウェーハパターンの前記印刷に向けて照明器の条件を受信する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記光ビームスペクトル特性を調節する段階は、第１の範囲モードで作動中に帯域幅の第１の範囲内に前記光ビームの帯域幅を調節する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記光ビームスペクトル特性を調節する段階は、第２の範囲モードで作動中に帯域幅の第２の範囲内に前記光ビームの帯域幅を調節する段階を含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記リソグラフィ露光装置の機械的撮像条件を表す情報を受信する段階を更に含み、
前記光ビーム特性値を推定する段階は、前記受信したスペクトル特性情報、前記受信した光学的撮像条件情報、及び前記受信した機械的撮像条件情報に基づく、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ウェーハ上にパターンを作成するリソグラフィ露光装置に誘導されるように構成された光ビームを生成する光システムであって、
前記光ビームを発生するように構成された光源と、
１又は２以上の光源から及び誘導される光ビームの経路に設けられ、前記光ビームのスペクトル特性を表す情報を測定するよう構成されたビーム解析モジュールと、
リソグラフィ露光装置に前記光ビームを誘導するように構成されたビーム誘導システムと、
コントローラであって、
１又は２以上の光源及び誘導される光ビームの経路にあるビーム解析モジュールから前記光ビームのスペクトル特性を表す情報を受信し、
前記リソグラフィ露光装置から、前記リソグラフィ露光装置内の１又は２以上の構成要素の光学特性に関連する光学的撮像条件を表す情報を受信し、
受信したスペクトル特性を表す情報及び受信した光学的撮像条件を表す情報の両方を含む測定基準を計算し、
前記計算した測定基準に基づいて前記光ビームの特性値を推定し、
前記推定光ビーム特性値がターゲット光ビーム特性値に適合するか否かを判断し、
前記推定光ビーム特性値が前記ターゲット光ビーム特性値に適合しないと判断された場合に該判断に基づく調節を示す信号を出力する、
ように構成されたコントローラと、
前記出力された信号を受信し、かつ前記光ビームのスペクトル特性を調節するように構成されたスペクトル特性選択システムと、
を含むことを特徴とする光システム。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記光ビームの焦点ぼけ分布の幅を推定することによって前記光ビーム特性値を推定するように構成されることを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１４】
前記コントローラは、前記光ビームのスペクトルの幅を推定することによって前記光ビーム特性値を推定するように構成されることを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１５】
前記スペクトル特性選択システムは、
スペクトル特性制御モジュールと、
前記光源の前記光ビームに光学的に結合されたそれぞれの光学特徴部に接続した１つ又はそれよりも多くのスペクトル特性作動システムと、
を含む、
ことを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１６】
前記スペクトル特性選択システムは、特性の２つ又はそれよりも多くの異なる範囲での前記光ビームスペクトル特性の調節を可能にする少なくとも２つのスペクトル特性作動システムを含むことを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１７】
前記スペクトル特性選択システムは、前記光ビームの帯域幅を調節することによって前記光ビームスペクトル特性を調節することを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１８】
前記ビーム解析モジュールは、前記光ビームの前記スペクトル特性を表す前記情報を測定する少なくとも１つのセンサを含むスペクトル値測定システムを含むことを特徴とする請求項１２に記載の光システム。
【請求項１９】
前記スペクトル値測定システムは、干渉計器又は分散計器の１つ又はそれよりも多くを含むことを特徴とする請求項１８に記載の光システム。
【請求項２０】
前記光ビームの特性値を推定する段階は、前記光ビームの焦点ぼけ分布の幅を推定する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。