(57)【要約】      （修正有）【課題】液浸露光装置において部材に残留した液体に起因して細菌が発生する可能性がある。細菌発生を放置しておくと汚染が拡大し露光不良が発生して、性能が劣化しやすいのでそれを抑制できる露光装置を提供する。【解決手段】露光装置ＥＸは、液浸露光タイプの投影露光装置であり、投影光学系の最下流と基板との空間を液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する。露光装置ＥＸは、細菌を死滅させる電磁波を発射する殺菌装置１１を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
細菌を死滅させる電磁波を発射する殺菌装置を備えた露光装置。
【請求項２】
前記液体は、純水である請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記電磁波は、紫外光を含む請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記紫外光は、前記露光光と異なる請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記殺菌装置は、前記液体と接触する部材に前記電磁波を照射する請求項１〜４のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項６】
露光に関する計測を実行するための計測部材を備え、
前記液体と接触する部材は、前記計測部材を含む請求項５記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光光を射出する射出面を有する光学部材をさらに備える請求項５又は６記載の露光装置。
【請求項８】
前記光学部材の射出側で移動可能であり、前記光学部材の射出面と対向する位置に移動可能な可動部材をさらに備え、
前記液体と接触する部材は、前記可動部材を含む請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
前記可動部材は、前記基板を保持しながら移動可能である請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
前記殺菌装置は、前記可動部材に前記基板が保持されていない状態で、前記可動部材に前記電磁波を照射する請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記可動部材は、露光に関する計測を実行可能な計測器を搭載して移動可能である請求項８〜１０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１２】
前記液体と接触する部材は、前記光学部材を含む請求項８〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記光学部材の射出面側の光路空間を前記液体で満たすように液浸空間を形成する液浸部材をさらに備え、
前記液体と接触する部材は、前記液浸部材を含む請求項８〜１２のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１４】
前記可動部材を移動可能に支持する支持面を有する定盤をさらに備え、
前記殺菌装置は、前記定盤に前記電磁波を照射可能である請求項８〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記可動部材を移動可能に支持する支持面を有する定盤をさらに備え、
前記殺菌装置の前記電磁波を発射する源は、前記定盤に配置されている請求項１２又は１３記載の露光装置。
【請求項１６】
チャンバをさらに備え、
前記基板の露光は前記チャンバ内で行われ、
前記殺菌装置は、前記チャンバの外に配置され、前記電磁波を発射する源を含む請求項１〜１５のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１７】
細菌を検出可能な検出装置と、
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記殺菌装置を制御する制御装置とを備えた請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１８】
前記殺菌装置を制御する制御装置を備え、
前記制御装置は、前記露光された基板を検査する検査装置からの情報に基づいて、前記殺菌装置を制御する請求項１〜１７のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１８のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【請求項２０】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置のメンテナンス方法であって、
前記露光装置の少なくとも一部の部材に電磁波を照射して細菌を死滅させる殺菌動作を含むメンテナンス方法。
【請求項２１】
前記電磁波は、前記露光光とは波長が異なる請求項２０記載のメンテナンス方法。
【請求項２２】
前記露光装置は、前記露光光を射出する光学部材を備え、
前記殺菌動作は、前記光学部材から前記露光光が射出されない期間が所定の許容時間以上続くときに実行される請求項２０又は２１記載のメンテナンス方法。
【請求項２３】
前記露光装置は、前記液体を供給する供給口を備え、
前記殺菌動作は、前記供給口から前記液体が送出されない期間が所定の許容時間以上続くときに実行される請求項２０〜２２のいずれか一項記載のメンテナンス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光装置、露光装置のメンテナンス方法、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、下記特許文献１に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【特許文献１】特開２００６−１６５５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置において、例えば露光装置の部材に残留した液体に起因して細菌（バクテリア）が発生する可能性がある。細菌が発生した状態を放置しておくと、細菌による汚染が拡大したり、細菌が基板に付着したりする可能性がある。その場合、露光不良（パターン欠陥など）が発生する等、露光装置の性能が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、性能の劣化を抑制できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。また、露光装置の性能の劣化を抑制できるメンテナンス方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、細菌を死滅させる電磁波（Ｌｕ）を発射する殺菌装置（１１）を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、性能の劣化を抑制できる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、性能の劣化が抑制された露光装置を用いてデバイスを製造できる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）で基板（Ｐ）を露光する露光装置（ＥＸ）のメンテナンス方法であって、露光装置（ＥＸ）の少なくとも一部の部材に電磁波（Ｌｕ）を照射して細菌を死滅させる殺菌動作を含むメンテナンス方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、露光装置の性能の劣化を抑制できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、露光装置の性能の劣化を抑制でき、デバイスを良好に製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１４】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。本実施形態においては、露光装置ＥＸが、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開第１９９９／２３６９２号パンフレット）、特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許第６，８９７，９６３号）等に開示されているような、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、露光に関する計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載して移動可能な計測ステージ２とを備えた露光装置である場合を例にして説明する。
【００１５】
図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ３と、基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ１と、基板Ｐを保持せずに、露光に関する計測を実行可能な計測器及び計測部材を搭載し、基板ステージ１とは独立して移動可能な計測ステージ２と、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれを移動可能に支持する支持面４を有する定盤５と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。制御装置７には、時間の計測を実行可能なタイマー６が接続されている。
【００１６】
なお、ここでいう基板Ｐは、デバイスを製造するための基板であって、半導体ウエハ等の基材に感光材（フォトレジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクＭとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いることもできる。
【００１７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置であって、露光光ＥＬの光路空間の少なくとも一部を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳを形成する。なお、露光光ＥＬの光路空間は、露光光ＥＬが進行する光路を含む空間である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた空間である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１８】
投影光学系ＰＬは、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面（下面）９を有する終端光学素子８を有する。本実施形態において、露光装置ＥＸは、終端光学素子８の射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳを形成する。なお、終端光学素子８は、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い光学素子である。
【００１９】
本実施形態の露光装置ＥＸは、終端光学素子８の射出側の光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳを形成するノズル部材１０を備えている。ノズル部材１０は、終端光学素子８の近傍に配置されている。終端光学素子８の射出面９と対向する位置に配置された物体とノズル部材１０との間で液体ＬＱを保持することによって、終端光学素子８の射出側の露光光ＥＬの光路空間、具体的には、終端光学素子８の射出面９とその射出面９と対向する位置に配置された物体の表面との間の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たすように液浸空間ＬＳが形成される。
【００２０】
ノズル部材１０、及び終端光学素子８とともに、液浸空間ＬＳを形成可能な物体は、終端光学素子８の射出側で移動可能である。本実施形態においては、液浸空間ＬＳを形成可能な物体は、終端光学素子８の射出側で移動可能な基板ステージ１、計測ステージ２、基板ステージ１に保持された基板Ｐ、及び計測ステージ２に搭載されている計測部材（計測器）の少なくとも一つを含む。基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれは、定盤５の支持面４に沿ってＸＹ方向（二次元方向）に移動可能である。
【００２１】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、細菌を死滅させる電磁波を発射する殺菌装置１１を備えている。本実施形態においては、殺菌装置１１は、電磁波として細菌を死滅できる紫外光を含む光Ｌｕを射出する。以下の説明においては、殺菌装置１１から射出される紫外光を含む光を適宜、殺菌光Ｌｕ、と称する。
【００２２】
また、露光装置ＥＸは、その露光装置ＥＸの少なくとも一部を収容するチャンバ１３を備えている。チャンバ１３の内側の空間は、空調システム１４によって空調されている。チャンバ１３には、少なくとも投影光学系ＰＬ、基板ステージ１、計測ステージ２、及びノズル部材１０が収容され、基板Ｐの露光はチャンバ１３内で実行される。本実施形態においては、マスクステージ３、及び照明系ＩＬの少なくとも一部もチャンバ１３の内側に配置されている。また、本実施形態においては、殺菌光Ｌｕを射出する光源１１Ｓ、及び射出面１２を含む殺菌装置１１の少なくとも一部も、チャンバ１３の内側に配置されている。
【００２３】
照明系ＩＬは、マスクＭ上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００２４】
マスクステージ３は、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムにより、マスクＭを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。マスクステージ３（マスクＭ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は不図示のレーザ干渉計によって計測される。制御装置７は、レーザ干渉計の計測結果に基づいて駆動システムを駆動し、マスクステージ３に保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００２５】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影する。本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２６】
次に、図１及び図２を参照しながら、基板ステージ１及び計測ステージ２について説明する。図２は、基板ステージ１及び計測ステージ２を上方から見た平面図である。基板ステージ１は、基板Ｐを保持する基板ホルダ１７を有する。基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの周囲には、基板ステージ１の上面１８が配置される。基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面と基板ステージ１の上面１８とはほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面及び基板ステージ１の上面１８は、終端光学素子８の射出面９と対向可能である。基板ステージ１の上面１８は、例えばＰＦＡ（テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）等、フッ素を含む材料で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。
【００２７】
基板ステージ１は、基板ホルダ１７で基板Ｐを保持した状態で、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムにより、支持面４上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ステージ１（基板Ｐ）のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報は不図示のレーザ干渉計によって計測され、基板ステージ１に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出システムによって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて駆動システムを駆動し、基板ホルダ１７に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。
【００２８】
計測ステージ２は、計測部材として、基準マークが形成された基準板２１、スリットパターンが形成されたスリット板２２、及び開口パターンが形成された上板２３を有する。基準板２１には、例えば特開平４−６５６０３号公報（対応する米国特許５，４９３，４０３号）に開示されているような、ＦＩＡ（Field Image Alignment）方式のアライメントシステムで計測される基準マークが配置されている。スリット板２２は、例えば特開２００２−１４００５号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００４１３７７号明細書）、特開２００２−１９８３０３号公報等に開示されているような空間像計測システムの一部を構成する。スリット板２２の下方には、空間像計測システムの一部を構成する受光素子が配置されている。上板２３は、露光光ＥＬの露光エネルギーに関する情報（光量、照度、照度むら等）を計測する、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報（対応する米国特許第４，４６５，３６８号）等に開示されているように照度むらを計測可能な計測器、例えば特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているような投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するためのむら計測器、例えば特開平１１−１６８１６号公報（対応する米国特許出願公開第２００２／００６１４６９号明細書）等に開示されているような照射量計測器（照度計測器）の一部を構成する。あるいは、上板２３が、例えば国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応する欧州特許第１，０７９，２２３号明細書）等に開示されているような、波面収差計測器の一部を構成していてもよい。上板２３の下方には、これら計測器の一部を構成する受光素子が配置されている。
【００２９】
各計測部材２１、２２、２３の上面と、各計測部材２１、２２、２３の上面以外の計測ステージ２の上面２４とはほぼ同一平面内に配置され、ほぼ面一である。各計測部材２１、２２、２３を含む計測ステージ２の上面２４は、終端光学素子８の射出面９と対向する位置に移動可能である。また、各計測部材２１、２２、２３の上面は、露光光ＥＬを透過可能であり、フッ素を含む材料の膜で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。また、本実施形態においては、各計測部材２１、２２、２３の上面周囲の計測ステージ２の上面２４は、ＰＦＡ等、フッ素を含む材料の膜で形成されており、液体ＬＱに対して撥液性を有する。
【００３０】
計測ステージ２は、計測部材及び計測器を搭載した状態で、リニアモータ等のアクチュエータを含む駆動システムにより、支持面４上で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。計測ステージ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の位置情報はレーザ干渉計によって計測される。また、フォーカス・レベリング検出システムは、計測ステージ２の上面の面位置情報を検出可能である。制御装置７は、レーザ干渉計の計測結果及びフォーカス・レベリング検出システムの検出結果に基づいて駆動システムを駆動し、計測ステージ２に搭載されている計測部材及び計測器の位置制御を行う。
【００３１】
次に、図３を参照しながらノズル部材１０について説明する。図３は、ノズル部材１０の近傍を示す側断面図である。図３において、ノズル部材１０は、液浸空間ＬＳを形成するための液体ＬＱを供給可能な供給口２５と、少なくとも液浸空間ＬＳの液体ＬＱを回収可能な回収口２６とを有する。ノズル部材１０は、下面を有する。例えば、基板Ｐの露光中は、ノズル部材１０の下面と基板Ｐの表面とが対向し、その間に液体ＬＱを保持することによって、終端光学素子８と基板Ｐとの露光光ＥＬの光路空間が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。本実施形態においては、ノズル部材１０は、終端光学素子８及び露光光ＥＬの光路空間を囲むように形成された環状の部材である。
【００３２】
回収口２６は、ノズル部材１０の下面に配置されている。回収口２６には多孔部材（メッシュ）２７が配置されている。ノズル部材１０の下面は、多孔部材２７の下面、及び露光光ＥＬを通過させるための開口２８を囲むように配置された平坦面２９を含む。本実施形態において、供給口２５は、回収口２７よりも露光光ＥＬの光路空間に近い位置に配置されている。
【００３３】
供給口２５は、ノズル部材１０の内部に形成された供給流路、及び供給管２８を介して、液体供給装置２９に接続されている。液体供給装置２９は、清浄で温度調整された液体ＬＱを供給口２５に供給可能である。液体供給装置２９から送出された液体ＬＱは、供給管２８、及びノズル部材１０の供給流路を流れた後、供給口２５より露光光ＥＬの光路空間に供給される。
【００３４】
回収口２６は、ノズル部材１０の内部に形成された回収流路、及び回収管３０を介して、液体回収装置３１に接続されている。液体回収装置３１は、真空システム等を備えており、回収口２６を介して液浸空間ＬＳの液体ＬＱを回収可能である。回収口２６から回収された液体ＬＱは、ノズル部材１０の回収流路を流れた後、回収管３０を介して液体回収装置３１に回収される。
【００３５】
液体供給装置２９及び液体回収装置３１の動作は制御装置７に制御される。本実施形態においては、制御装置７は、液浸空間ＬＳを形成するために、液体供給装置２９の液体供給動作と液体回収装置３１の液体回収動作とを並行して行う。また、本実施形態においては、ノズル部材１０は、物体の表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳを形成する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは局所液浸方式を採用しており、少なくとも基板Ｐの露光中には、投影光学系ＰＬの投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域が液浸空間ＬＳの液体ＬＱで覆われる。また、基板ステージ１の上面１８及び計測ステージ２の上面２４は撥液性を有しているので、液浸空間ＬＳが良好に形成される。
【００３６】
なお、図３には、終端光学素子８の射出面９と対向する位置に基板ステージ１及び基板Ｐが配置され、ノズル部材１０及び終端光学素子９と基板ステージ１及び基板Ｐとの間に液浸空間が形成されている状態が示されている。
【００３７】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、回収口２６を介して回収された液体ＬＱの品質（水質）を検出する検出装置３２を備えている。検出装置３２は、回収口２６より回収された液体ＬＱ中の全有機体炭素（ＴＯＣ：total organic carbon）を計測するＴＯＣ計を含む。検出装置３２は、回収管３０の一部に接続されており、回収口２６より回収された液体ＬＱの品質（水質）を検出可能である。なお、検出装置３２として、液体ＬＱ中の異物（パーティクル）を検出するパーティクルカウンタ、及び液体ＬＱの比抵抗を計測する比抵抗計等を設けてもよい。
【００３８】
本実施形態においては、基板ステージ１の上面１８と計測ステージ２の上面２４とはほぼ同一平面内に配置されるように（ほぼ面一となるように）、基板ステージ１の上面１８の位置と計測ステージ２の上面２４の位置とを設定することができる。基板ステージ１に保持されている基板Ｐの露光処理などを実行する場合は、図３に示すように、終端光学素子８の射出面９と対向する位置に基板ステージ１（基板Ｐ）が配置され、終端光学素子８の射出面９と基板ステージ１の上面１８（基板Ｐの表面）との間に液浸空間ＬＳが形成される。計測ステージ２を用いて計測処理などを実行する場合は、図４に示すように、終端光学素子８の射出面９と対向する位置に計測ステージ２（計測部材）が配置され、その終端光学素子８の射出面９と計測ステージ２の上面２４（計測部材の上面）との間に液浸空間ＬＳが形成される。
【００３９】
また、本実施形態においては、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号パンフレットに開示されているように、制御装置７は、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方と終端光学素子８との間で液体ＬＱを保持可能な空間を形成し続けるように、基板ステージ１の上面１８と計測ステージ２の上面２４とを接近又は接触させた状態で、基板ステージ１の上面１８及び計測ステージ２の上面２４の少なくとも一方と終端光学素子８の射出面９とを対向させつつ、終端光学素子８に対して、基板ステージ１と計測ステージ２とをＸＹ方向に同期移動させる。これにより、液体ＬＱの漏出を抑制しつつ、基板ステージ１の上面１８と計測ステージ２の上面２４との間で液体ＬＱの液浸空間ＬＳを移動可能である。
【００４０】
制御装置７は、基板ステージ１に保持された基板Ｐの露光処理、及び計測ステージ２を用いた計測処理の少なくとも一方を行うとき、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方と終端光学素子８との間に液浸空間ＬＳを形成する。また、制御装置７は、基板ステージ１及び計測ステージ２のいずれか一方のステージを投影光学系ＰＬから離すとき（露光光ＥＬが照射されない位置に移動したとき）には、他方のステージを終端光学素子８の射出面９と対向する位置に配置するので、ノズル部材１０を用いて、終端光学素子８の射出側の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たし続けることができる。
【００４１】
露光光ＥＬで基板Ｐを露光するとき、露光装置ＥＸは、照明系ＩＬより露光光ＥＬを射出し、マスクＭのパターンを介した露光光ＥＬを、投影光学系ＰＬ及び液浸空間ＬＳの液体ＬＱを介して基板Ｐに照射する。これにより、マスクＭのパターンの像が基板Ｐ上に投影されるとともに、基板Ｐが露光光ＥＬで露光される。
【００４２】
上述のように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱは、終端光学素子８、ノズル部材１０、基板ステージ１、及び計測ステージ２のそれぞれと接触する。本実施形態においては、供給口２５より供給された液体ＬＱは回収口２６より回収されるが、例えば基板ステージ１の上面１８、計測ステージ２の上面２４（計測部材の上面を含む）等に液体ＬＱの滴、薄膜などが残留する可能性がある。また、図３等に示すように、本実施形態においては、基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面と、基板ステージ１の上面１８との間には所定のギャップ３３が形成されており、そのギャップ３３を介して液体ＬＱが基板ホルダ１７に浸入し、基板ホルダ１７に液体ＬＱの滴、薄膜などが残留する可能性もある。
【００４３】
本実施形態においては、液体ＬＱは純水（超純水を含む）であり、残留した液体ＬＱを放置しておくと、その残留した液体ＬＱに起因して、細菌（バクテリア）が発生する可能性がある。また、チャンバ１３内を浮遊する僅かな細菌が、残留した液体ＬＱに付着して、増殖する可能性がある。細菌が発生した状態を放置しておくと、細菌が更に増殖したり、細菌による汚染が拡大したり、細菌が基板Ｐに付着したりする可能性がある。例えば、基板ステージ１の上面１８に発生した細菌を放置しておくと、その細菌が基板Ｐに付着したり、液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入したりする可能性がある。その状態で露光処理を実行すると、細菌が異物となって、基板Ｐに形成されるパターンに欠陥が生じる可能性がある。また、基板ホルダ１７に発生した細菌を放置しておくと、保持した基板Ｐを汚染してしまう可能性がある。また、計測ステージ２（計測部材を含む）に発生した細菌を放置しておくと、その細菌が液浸空間ＬＳの液体ＬＱに混入したりする可能性がある。
【００４４】
本実施形態においては、制御装置７は、殺菌装置１１を用いて、発生した細菌、あるいは増殖した細菌を死滅させる。本実施形態の殺菌装置１１は、細菌を死滅できる紫外光を含む殺菌光Ｌｕを殺菌対象部材に照射する。以下の説明では、殺菌対象部材が基板ステージ１及び計測ステージ２である場合について説明する。
【００４５】
なお、基板ステージ１及び計測ステージ２に限らず、液体ＬＱが残留しやすい部材を殺菌対象部材とすればよい。
【００４６】
図５は、殺菌装置１１による殺菌動作の一例を示す模式図である。殺菌装置１１は、チャンバ１３の内側において、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれに殺菌光Ｌｕを照射可能な位置に配置されている。本実施形態においては、殺菌光Ｌｕを射出する殺菌装置１１の射出面１２は、基板ステージ１及び計測ステージ２の上方において、投影光学系ＰＬの両側に１つずつ、合計２つ設けられている。
【００４７】
本実施形態において、殺菌装置１１から射出される殺菌光Ｌｕは、露光光ＥＬとは波長が異なる紫外光を含む。殺菌装置１１から射出される殺菌光Ｌｕとして、例えば水銀ランプによる波長２５４ｎｍの紫外光を含む光が用いられる。
【００４８】
殺菌装置１１を用いた殺菌動作を実行する際、制御装置７は、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれを、殺菌装置１１からの殺菌光Ｌｕが照射可能な位置に配置する。本実施形態において、殺菌装置１１の射出面１２は、基板ステージ１及び計測ステージ２の上方において２つ設けられている。制御装置７は、一方の殺菌装置１１の射出面１２と対向する位置に基板ステージ１を配置し、他方の殺菌装置１１の射出面１２と対向する位置に計測ステージ２を配置する。そして、制御装置７は、殺菌装置１１から、殺菌光Ｌｕを、基板ステージ１及び計測ステージ２のそれぞれに照射する。これにより、基板ステージ１の上面１８、及び計測ステージ２の上面２４（計測部材の上面を含む）に細菌が発生していても、その細菌を死滅させることができる。
【００４９】
また、殺菌装置１１を用いた殺菌動作を実行する際、基板ステージ１からは基板Ｐが搬出（アンロード）されており、殺菌装置１１は、基板ステージ１に基板Ｐが保持されていない状態で、基板ステージ１に殺菌光Ｌｕを照射する。これにより、殺菌装置１１は、基板ホルダ１７の上面も殺菌できる。
【００５０】
次に、殺菌装置１１を用いた殺菌動作の一例について、図６のフローチャート図を参照して説明する。基板ステージ１を用いた露光処理及び計測ステージ２を用いた計測処理を含む通常のシーケンスにおいては、液浸空間ＬＳを形成するために、供給口２５を用いる液体供給動作と回収口２６を用いる液体回収動作とが並行して行われる。回収口２６から回収される液体ＬＱの品質は、ＴＯＣ計を含む検出装置３２でモニタされている（ＳＡ１）。
【００５１】
検出装置３２は、回収口２６から回収された液体ＬＱの品質を検出し、その検出結果を制御装置７に出力する。制御装置７は、検出装置３２からの情報に基づいて、細菌が発生したかどうかを判断する（ＳＡ２）。基板ステージ１の上面１８及び計測ステージ２の上面２４の少なくとも一方に細菌が発生すると、その細菌は液浸空間ＬＳの液体ＬＱとともに回収口２６より回収される。細菌は有機物であり、ＴＯＣ計は、液体ＬＱ中の細菌の有無、あるいは液体ＬＱ中の細菌の量を検出可能である。したがって、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方に接触し、回収口２６より回収された液体ＬＱの品質を検出装置３２で検出することによって、制御装置７は、その検出装置３２からの情報に基づいて、基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方に細菌が発生したかどうかを判断することができる。
【００５２】
制御装置７は、検出装置３２の検出結果に基づいて、殺菌装置１１を制御する。制御装置７は、検出装置３２からの情報に基づいて、細菌が発生していないと判断した場合、あるいは発生した細菌の量が許容値未満であると判断した場合、通常のシーケンスを継続する（ＳＡ１）。一方、制御装置７は、検出装置３２からの情報に基づいて、細菌が発生したと判断した場合、あるいは発生した細菌の量が許容値以上であると判断した場合、殺菌装置１１を用いた殺菌動作を開始する（ＳＡ３）。制御装置７は、供給口２５の液体供給動作を停止し、回収口２６を用いて液浸空間ＬＳの液体ＬＱを全て回収する。そして、基板ステージ１に基板Ｐ（あるいは基板Ｐと同形状の基板）が保持されている場合には、不図示の基板搬送装置を用いて、基板ステージ１より基板Ｐを搬出する。そして、制御装置７は、図５を参照して説明したように、殺菌装置１１の射出面１２と対向する位置に基板ステージ１及び計測ステージ２を配置して、殺菌装置１１より殺菌光Ｌｕを射出する。殺菌装置１１は、基板ステージ１及び計測ステージ２に所定時間だけ殺菌光Ｌｕを照射する。これにより、基板ステージ１及び計測ステージ２上の細菌は死滅する。
【００５３】
また、殺菌装置１１を用いた殺菌動作後、制御装置７は、ノズル部材１０と基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方との間に液浸空間ＬＳを形成し、検出装置３２を用いて、回収口２６から回収された液浸空間ＬＳの液体ＬＱの品質を検出する動作を実行することができる。これにより、制御装置７は、その検出装置３２の検出結果に基づいて、基板ステージ１及び計測ステージ２が十分に殺菌されたかどうかを確認することができる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、殺菌装置１１によって、露光装置ＥＸの部材に発生した細菌を死滅させることができる。これにより、細菌に起因する露光不良の発生、露光装置ＥＸの性能の劣化等を抑制でき、基板Ｐを良好に露光できる。
【００５５】
なお、本実施形態においては、基板ステージ１及び計測ステージ２を殺菌するために、露光光ＥＬと異なる波長の紫外光を含む殺菌光Ｌｕを基板ステージ１及び計測ステージ２に照射しているが、紫外光である露光光ＥＬも殺菌作用を有しているので、露光光ＥＬを照射することによっても、各ステージ１、２の上面１８、２４を殺菌できる。なお、ステージ１、２の上面１８、２４に露光光（ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ））を照射した場合、その上面１８、２４の撥液性が劣化する可能性がある場合には、本実施形態のように、殺菌光Ｌｕとして、露光光ＥＬとは異なる波長（露光光ＥＬの波長よりも長い波長）の光（紫外光）を照射することが好ましい。殺菌光Ｌｕとして、露光光ＥＬとは異なる波長の紫外光を含む光を照射することによって、各ステージ１、２の上面１８、２４の撥液性の劣化を抑制しつつ、各ステージ１、２を殺菌できる。
【００５６】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の第１実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。上述の第１実施形態においては、回収口２６より回収された液体ＬＱの品質を検出装置３２で検出し、その検出結果に基づいて殺菌装置１１の動作が制御される場合について説明した。第２実施形態においては、殺菌装置１１が、露光された基板Ｐを検査する検査装置３４からの情報に基づいて制御される場合について説明する。
【００５７】
図７は、第２実施形態の一例を示す模式図である。図７に示す検査装置３４は、露光装置ＥＸとは別の装置であって、露光装置ＥＸで露光された後の基板Ｐの検査を実行する。検査装置３４は、露光された後の基板Ｐのパターンの欠陥を検査可能な欠陥検査装置を含む。
【００５８】
例えば、基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの周囲に配置されている基板ステージ１の上面１８の少なくとも一部の領域に細菌が発生すると、基板ホルダ１７に保持された基板Ｐの表面のうち基板ステージ１の上面１８において細菌が発生した領域の近傍に、その細菌に起因して、多くのパターンの欠陥が発生する可能性がある。したがって、露光された後の基板Ｐを検査装置３４で検査して、基板Ｐの表面の少なくとも一部の領域にパターンの欠陥が多く発生しているとき、基板ステージ１の上面１８に細菌が発生したと推定できる。そこで、制御装置７は、露光された後の基板Ｐを検査する検査装置３４からの情報に基づいて、殺菌装置１１を制御する。例えば、検査装置３４からの情報に基づいて、基板Ｐにパターンの欠陥が多く発生していると判断した場合、制御装置７は、殺菌装置１１を用いた殺菌動作を開始する。
【００５９】
なお、制御装置７と検査装置３４とが接続されていなくてもよい。例えば検査装置３４の検査結果に基づいて、オペレータが露光装置ＥＸの入力装置を介して殺菌動作の開始を指令するようにしてもよい。
【００６０】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。上述の第１、第２実施形態においては、細菌が発生したかどうかを検出可能（推定可能）な装置からの情報に基づいて、殺菌装置１１の動作が制御される場合を例にして説明したが、殺菌装置１１を用いた殺菌動作は、予め定められた所定時間間隔毎等、ロット毎、所定数の基板Ｐを処理した毎等、定期的に実行されてもよい。
【００６１】
また、殺菌動作は、終端光学素子８から露光光ＥＬが射出されない期間が所定の許容時間以上続くときに実行されるようにしてもよい。紫外光である露光光ＥＬは殺菌作用を有するので、その露光光ＥＬの照射によって、細菌の増殖、細菌による汚染の拡大等を抑制できる。一方、例えば夜間、週末、長期休暇時等、露光装置ＥＸの稼動が長期間停止される場合において、例えば基板ステージ１の上面１８等に残留した液体ＬＱに起因して、細菌が増殖したり、細菌による汚染が拡大する可能性が高くなる。そこで、終端光学素子８から露光光ＥＬが射出されない期間（露光光ＥＬの照射が停止されている期間、露光装置ＥＸの稼動が停止されている期間）が、所定の許容時間以上続くときに、殺菌動作を実行することで、細菌の増殖、細菌による汚染の拡大等を未然に抑制できる。なお、許容時間は、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点から殺菌動作が開始される時点までの時間に対する許容値であって、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点から許容時間以内に殺菌動作を実行することによって、基板ステージ１、計測ステージ２等を殺菌できる。なお、許容時間は、例えば実験又はシミュレーションによって求めることができる。
【００６２】
図８は、本実施形態に係る殺菌動作の一例を示すフローチャート図である。例えば夜間、週末等、露光装置ＥＸの稼動が停止され、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止されると、タイマー６により、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点からの時間の計測が開始される（ＳＢ１）。タイマー６の計測値は、制御装置７にモニタされる。なお、本実施形態においては、露光装置ＥＸの稼動が停止時においても、タイマー６、制御装置７、及び殺菌装置１１等、殺菌動作に必要な各装置、機器には動力（電力）が供給される。
【００６３】
制御装置７は、タイマー６からの情報に基づいて、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点からの時間が許容時間を超えたかどうかを判断する（ＳＢ２）。制御装置７は、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点からの時間が許容時間を超えたと判断した場合、殺菌装置１１を制御して、殺菌動作を開始する（ＳＢ３）。殺菌装置１１から射出される殺菌光Ｌｕは、基板ステージ１、計測ステージ２に照射され、基板ステージ１、計測ステージ２は、殺菌装置１１からの殺菌光Ｌｕによって殺菌される。
【００６４】
なお、本実施形態において、例えば長期休暇時等、終端光学素子８から露光光ＥＬが射出されない期間が許容時間を超えることが予め分かっている場合には、終端光学素子８からの露光光ＥＬの射出が停止された時点からの時間が許容時間を超える前に、殺菌動作を開始してもよい。この場合、タイマー６を用いることなく、露光光ＥＬの射出が停止された直後に殺菌動作を開始してもよい。
【００６５】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。上述の第３実施形態においては、終端光学素子８から露光光ＥＬが射出されない期間が所定の許容時間以上続くときに殺菌動作が実行される場合について説明したが、殺菌動作は、供給口２５から液体ＬＱが送出されない期間が所定の許容時間以上続くときに実行されるようにしてもよい。換言すれば、殺菌動作は、液浸空間ＬＳを形成する動作が実行されていない期間が所定の許容時間以上続くときに実行されるようにしてもよい。基板ステージ１の上面１８等に液体ＬＱが残留していたり、あるいは細菌が発生したとしても、供給口２５から供給される清浄な液体ＬＱによって、細菌の増殖、細菌による汚染の拡大等を最小限に抑えることができる。また、液浸空間ＬＳは、供給口２５の液体供給動作と回収口２６の液体回収動作とを並行して実行することによって形成されるので、基板ステージ１の上面１８等に液体ＬＱが残留していたり、あるいは細菌が発生したとしても、供給口２５からは清浄な液体が供給され、残留した液体、細菌等は回収口２６から回収されるので、細菌の増殖、細菌による汚染の拡大等を最小限に抑えることができる。
【００６６】
そして、供給口２５から液体ＬＱが送出されない期間（液浸空間ＬＳを形成する動作が実行されていない期間、露光装置ＥＸの稼動が停止されている期間）が、所定の許容時間以上続くときに、殺菌動作を実行することで、細菌の増殖、細菌による汚染の拡大等を未然に抑制できる。なお、許容時間は、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点から殺菌動作が開始される時点までの時間に対する許容値であって、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点から許容時間以内に殺菌動作を実行することによって、基板ステージ１、計測ステージ２等を殺菌できる。なお、許容時間は、例えば実験又はシミュレーションによって求めることができる。
【００６７】
図９は、本実施形態に係る殺菌動作の一例を示すフローチャート図である。例えば夜間、週末等、露光装置ＥＸの稼動が停止され、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止されると、タイマー６により、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点からの時間の計測が開始される（ＳＣ１）。タイマー６の計測値は、制御装置７にモニタされる。なお、本実施形態においては、露光装置ＥＸの稼動が停止時においても、タイマー６、制御装置７、及び殺菌装置１１等、殺菌動作に必要な各装置、機器には動力（電力）が供給される。
【００６８】
制御装置７は、タイマー６からの情報に基づいて、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点からの時間が許容時間を超えたかどうかを判断する（ＳＣ２）。制御装置７は、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点からの時間が許容時間を超えたと判断した場合、殺菌装置１１を制御して、殺菌動作を開始する（ＳＣ３）。殺菌装置１１から射出される殺菌光Ｌｕは、基板ステージ１、計測ステージ２に照射され、基板ステージ１、計測ステージ２は、殺菌装置１１からの殺菌光Ｌｕによって殺菌される。
【００６９】
なお、本実施形態において、例えば長期休暇時等、供給口２５から液体ＬＱが送出されない期間が許容時間を超えることが予め分かっている場合には、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された時点からの時間が許容時間を超える前に、殺菌動作を開始してもよい。この場合、タイマー６を用いることなく、供給口２５からの液体ＬＱの送出が停止された直後に殺菌動作を開始してもよい。
【００７０】
＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。上述の第１〜第４実施形態においては、殺菌装置１１が、基板ステージ１及び計測ステージ２を殺菌する場合を例にして説明したが、図１０に示すように、殺菌装置１１は、定盤５に殺菌光Ｌｕを照射して、その定盤５を殺菌することもできる。基板ステージ１を用いた露光処理及び計測ステージ２を用いた計測処理を含む通常のシーケンスにおいては、終端光学素子８の射出面９と対向する位置に基板ステージ１及び計測ステージ２の少なくとも一方が配置されるので、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが定盤５上に漏れることは抑制されているが、何らかの原因で、定盤５上に液体ＬＱが漏れたり、付着したりする可能性がある。本実施形態においては、殺菌装置１１は、定盤５の上方に配置されており、殺菌装置１１の射出面１２と定盤５の支持面４とは対向している。したがって、殺菌装置１１は、定盤５に殺菌光Ｌｕを照射可能である。殺菌装置１１を用いて定盤５を殺菌する場合には、図１０に示すように、制御装置７は、殺菌装置１１からの殺菌光Ｌｕが定盤５に照射されるように、各ステージ１、２の位置を調整する。殺菌装置１１の射出面１２と定盤５の支持面４との間より各ステージ１、２を退かすことによって、殺菌装置１１は、定盤５の支持面４に殺菌光Ｌｕを照射可能である。
本実施形態においては、殺菌装置１１の射出面１２が二つ設けられているので、各ステージ１，２に対する殺菌動作と、定盤５に対する殺菌動作とを同時に行うこともできる。
また、定盤５に対する殺菌動作も定期的に行われることが望ましいが、定盤５に発生する細菌は、基板Ｐの露光などへの影響が小さいので、露光装置ＥＸが長期間使用されないときに行うだけでもよい。
【００７１】
＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。上述の各実施形態においては、終端光学素子８の射出側に配置される基板ステージ１、計測ステージ２、及び定盤５を殺菌する場合を例にして説明したが、液浸空間ＬＳの液体ＬＱと接触する終端光学素子８、ノズル部材１０にも液体ＬＱが残留し、細菌が発生する可能性がある。したがって、終端光学素子８及びノズル部材１０に殺菌光Ｌｕを照射して、それら終端光学素子８の射出面９、ノズル部材１０の下面等を殺菌するようにしてもよい。
【００７２】
図１１は、第６実施形態に係る殺菌装置１１Ｂの一例を示す模式図である。殺菌装置１１Ｂは、終端光学素子８の射出面９及びノズル部材１０の下面のそれぞれに殺菌光Ｌｕを照射可能な位置に配置されている。本実施形態においては、殺菌光Ｌｕを射出する殺菌装置１１Ｂの光源１１Ｓは、定盤５に配置されている。具体的には、本実施形態の殺菌装置１１Ｂは、定盤５の支持面４の一部に形成された凹部４Ｒの内側に配置され、殺菌光Ｌｕを射出可能な光源１１Ｓと、凹部４Ｒの開口に配置され、光源１１Ｓからの殺菌光Ｌｕを透過可能な透明な板状の光学部材１１Ｔとを備える。光学部材１１Ｔの上面は、終端光学素子８の射出面９及びノズル部材１０の下面に向けて殺菌光Ｌｕを照射する殺菌装置１１Ｂの射出面１２Ｂを形成しており、支持面４の一部に配置されている。定盤５の支持面４と光学部材１１Ｔの上面とは同一平面内に配置され、面一である。なお、本実施形態においても、殺菌装置１１Ｂから射出される殺菌光Ｌｕは、露光光ＥＬとは波長が異なる紫外光を含む。
【００７３】
殺菌動作を実行する際には、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが全て回収される。殺菌装置１１Ｂの射出面１２Ｂは、終端光学素子８の射出面９及びノズル部材１０の下面と対向する位置に配置されており、光源１１Ｓより射出され、光学部材１１Ｔを介した殺菌光Ｌｕは、終端光学素子８の射出面９及びノズル部材１０の下面のそれぞれに照射される。これにより、終端光学素子８の射出面９、及びノズル部材１０は殺菌される。
【００７４】
なお、殺菌装置１１Ｂの光源１１Ｓを、基板ステージ１、又は計測ステージ２、またはその両方に設置してもよい。
【００７５】
＜第７実施形態＞
次に、第７実施形態について説明する。上述の第１〜第６実施形態においては、殺菌装置１１（１１Ｂ）の光源１１Ｓは、チャンバ１３の内側に配置されているが、第７実施形態の特徴的な部分は、殺菌装置１１Ｃが、チャンバ１３の外に配置され、殺菌光Ｌｕを射出する光源１１Ｓを有する点にある。
【００７６】
図１２は、第７実施形態に係る殺菌装置１１Ｃを有する露光装置ＥＸの一例を示す図である。図１２において、殺菌装置１１Ｃは、チャンバ１３の外側に配置され、殺菌光Ｌｕを射出する光源１１Ｓと、光源１１Ｓからの殺菌光Ｌｕをチャンバ１３の内側に配置された殺菌対象部材に導く光学系３５とを備えている。本実施形態においては、殺菌対象部材が、基板ステージ１及び計測ステージ２である場合を例にして説明する。
【００７７】
光学系３５は、チャンバ１３の側壁の一部に配置され、光源１１Ｓからの殺菌光Ｌｕを透過可能な透過窓３５Ａと、チャンバ１３の内側に配置され、透過窓３５Ａを通過した殺菌光Ｌｕの光路を折り曲げる反射ミラー３５Ｂとを有する。反射ミラー３５Ｂの反射面は平面であってもよいし、凸面あるいは凹面であってもよい。反射ミラー３５Ｂの反射面を凸面にすることによって、殺菌装置１１Ｃは、基板ステージ１、計測ステージ２の広い領域に殺菌光Ｌｕを照射できる。反射ミラー３５Ｂの反射面を凹面にすることによって、殺菌装置１１Ｃは、光源１１Ｓからの殺菌光Ｌｕを集光した後、その集光した殺菌光Ｌｕを、基板ステージ１、計測ステージ２に照射できる。なお、反射ミラー３５Ｂに駆動装置を接続し、反射ミラー３５Ｂを移動（揺動）することによって、反射ミラー３５Ｂで反射した殺菌光Ｌｕを、基板ステージ１、計測ステージ２の所望の位置に照射できる。
【００７８】
本実施形態によれば、殺菌装置１１Ｃの光源１１Ｓをチャンバ１３の外側に配置することによって、光源１１Ｓから発する熱が、チャンバ１３の内側の環境に影響を及ぼすことを抑制できる。
【００７９】
なお、上述の第１〜第７実施形態においては、殺菌するための電磁波として、所定の紫外光を含む光を用いる場合を例にして説明したが、殺菌するための電磁波として、エックス線、ガンマ線、電子線等を用いることもできる。また、これら電磁波を発射する源は、上述の第１〜第５実施形態で説明したように、チャンバ１３の内側の所定位置に配置されてもよいし、第６実施形態で説明したように、定盤５に配置されてもよいし、第７実施形態で説明したように、チャンバ１３の外側に配置されてもよい。
【００８０】
また、上述の第１〜第５、第７実施形態において、各ステージを移動しながら殺菌動作を行ってもよいし、各ステージを停止させた状態で殺菌動作を行ってもよい。
【００８１】
また、上述の第１〜第５、第７実施形態において、殺菌装置１１は射出面１２を２つ持っているが、射出面１２を３つ以上持っていてもよいし、１つであってもよい。殺菌装置１１が射出面１２を１つしかもっていない場合には、両方のステージに同時に殺菌光Ｌｕが照射される位置に、両方のステージを動かしてもよいし、各ステージに交互に殺菌光Ｌｕが照射されるように、両方のステージを動かしてもよい。
【００８２】
なお、上述の第１〜第７実施形態において、投影光学系ＰＬは、終端光学素子の像面側（射出側）の露光光ＥＬの光路空間を液体ＬＱで満たしているが、国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子の物体面（入射側）の光路空間も液体で満たす投影光学系を採用することもできる。この場合、終端光学素子が電磁波（殺菌光Ｌｕ）を透過可能であれば、例えば第６実施形態のような殺菌装置１１を用いて終端光学素子の物体面側において液体ＬＱと接触する部材に対して殺菌動作を行ってもよい。
【００８３】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水（純水）を用いる場合を例にして説明したが、液体ＬＱとしては、水以外の液体であってもよい。液体ＬＱとして水以外の液体を用いた場合であっても、細菌が発生した場合には、上述の各実施形態で説明した殺菌装置を用いて露光装置ＥＸの部材を殺菌できる。なお、液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬ、あるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）の膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル、セダー油等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英及び蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で、液体ＬＱと接触する投影光学系ＰＬの光学素子（最終光学素子ＦＬなど）を形成してもよい。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００８４】
また、例えば露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能なもの、例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フッ素系オイル等のフッ素系流体を用いることができる。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。
【００８５】
なお、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬと基板Ｐとの間に局所的に液体を満たす露光装置を採用しているが、本発明は、特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような露光対象の基板の表面全体が液体中に浸かっている状態で露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。
【００８６】
また、上述の実施形態において、ノズル部材など液浸システムの構成は上述のものに限られず、例えば国際公開第２００４／０８６４６８号パンフレット、国際公開第２００５／０２４５１７号パンフレットに開示されている液浸システムを用いることもできる。
【００８７】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００８８】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００８９】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９０】
また、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００９１】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９２】
また、本発明は、国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されているように、計測ステージを備えていない露光装置にも適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００９３】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９４】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージ１、２、３の位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。この場合、干渉計システムとエンコーダシステムとの両方を備えるハイブリッドシステムとし、干渉計システムの計測結果を用いてエンコーダシステムの計測結果の較正（キャリブレーション）を行うことが好ましい。また、干渉計システムとエンコーダシステムとを切り換えて用いる、あるいはその両方を用いて、ステージの位置制御を行うようにしてもよい。
【００９５】
また、上述の各実施形態において、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザ光を発生する光源装置として、ＡｒＦエキシマレーザを用いてもよいが、例えば、国際公開第１９９９／４６８３５号パンフレット（対応米国特許７,０２３,６１０号）に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザなどの固体レーザ光源、ファイバーアンプなどを有する光増幅部、及び波長変換部などを含み、波長１９３ｎｍのパルス光を出力する高調波発生装置を用いてもよい。
【００９６】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。可変成形マスクは、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）等を含む。また、可変成形マスクとしては、ＤＭＤに限られるものでなく、ＤＭＤに代えて、以下に説明する非発光型画像表示素子を用いても良い。ここで、非発光型画像表示素子は、所定方向へ進行する光の振幅（強度）、位相あるいは偏光の状態を空間的に変調する素子であり、透過型空間光変調器としては、透過型液晶表示素子（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）以外に、エレクトロクロミックディスプレイ（ＥＣＤ）等が例として挙げられる。また、反射型空間光変調器としては、上述のＤＭＤの他に、反射ミラーアレイ、反射型液晶表示素子、電気泳動ディスプレイ（ＥＰＤ：Electro Phonetic Display）、電子ペーパー（または電子インク）、光回折型ライトバルブ（Grating Light Valve）等が例として挙げられる。
【００９７】
また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。この場合、照明系は不要となる。ここで自発光型画像表示素子としては、例えば、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、無機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ（ＯＬＥＤ：Organic Light Emitting Diode）、ＬＥＤディスプレイ、ＬＤディスプレイ、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ：Field Emission Display）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）等が挙げられる。また、パターン形成装置が備える自発光型画像表示素子として、複数の発光点を有する固体光源チップ、チップを複数個アレイ状に配列した固体光源チップアレイ、または複数の発光点を１枚の基板に作り込んだタイプのもの等を用い、該固体光源チップを電気的に制御してパターンを形成しても良い。なお、固体光源素子は、無機、有機を問わない。
【００９８】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズ等の光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸空間が形成される。
【００９９】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１００】
なお、上記実施形態及び変形例で引用した液浸露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする
【０１０１】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンを基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、基板処理ステップ２０４には、露光工程に組み込まれてまたは露光工程とは別に、第１〜第７実施形態で説明した殺菌動作を含むメンテナンス動作が含まれてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】基板ステージ及び計測ステージの平面図である。
【図３】ノズル部材と基板ステージとの間に液浸空間が形成されている状態を示す図である。
【図４】ノズル部材と計測ステージとの間に液浸空間が形成されている状態を示す図である。
【図５】第１実施形態に係る殺菌装置の一例を示す図である。
【図６】第１実施形態に係る殺菌動作を説明するためのフローチャート図である。
【図７】第２実施形態に係る検査装置を示す模式図である。
【図８】第３実施形態に係る殺菌動作を説明するためのフローチャート図である。
【図９】第４実施形態に係る殺菌動作を説明するためのフローチャート図である。
【図１０】第５実施形態に係る殺菌装置の一例を示す図である。
【図１１】第６実施形態に係る殺菌装置の一例を示す図である。
【図１２】第７実施形態に係る殺菌装置の一例を示す図である。
【図１３】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…基板ステージ、２…計測ステージ、４…支持面、５…上板、６…タイマー、７…制御装置、８…終端光学素子、９…射出面、１０…ノズル部材、１１…殺菌装置、１１Ｓ…光源、１３…チャンバ、１７…基板ホルダ、２１…基準板、２２…スリット板、２３…上板、３２…検出装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、Ｌｕ…殺菌光、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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