Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル・ラジオ受信機の自動利得制御方法であって、
ａ）第１の信号の種類と第２の信号の種類の両方と関連して使用されるように適合された第３の動作モードで動作するステップと、
ｂ）前記第１の信号の種類に対応する第１の出力レベルを前記第２の信号の種類に対応する第２の出力レベルと比較するステップと、
ｃ）前記比較ステップに応答して、前記第３のモードから、前記第１の信号の種類に関連して使用されるように適合された第１の動作モードおよび前記第２の信号の種類に関連して使用されるように適合された第２の動作モードのうちの１つに遷移するステップとを含む自動利得制御方法。
【請求項２】
さらに、ｄ）前記比較ステップに応答して、前記第１の動作モードから前記第３の動作モードに遷移するステップと、ｅ）前記比較ステップに応答して、前記第２の動作モードから前記第３の動作モードに遷移するステップとを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ステップｂ）は、前記第１の出力レベルと前記第２の出力レベルとの差を計算するステップを含み、ステップｃ）は、前記差が第１の定数よりも小さいことに応じて前記第１のモードに遷移し、前記差が第２の定数よりも大きいことに応じて前記第２のモードに遷移するステップを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ステップｄ）は、前記差が前記第１の定数よりも大きいことに応じて行われ、ステップｅ）は、前記差が前記第２の定数よりも小さいことに応じて行われる請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ステップｃ）は、前記差が前記第１の定数からプリセット・ヒステリシス・オフセット値を引いた値よりも小さいことに応じて前記第３のモードから前記第１のモードに遷移するステップを含み、ステップｄ）は、前記差が前記第１の定数に前記プリセット・ヒステリシス・オフセット値を加えた値よりも大きいことに応じて前記第１のモードから前記第３のモードに遷移するステップを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
さらに、第１の追跡信号は前記第１の信号の種類の存在に対応し、第２の追跡信号は前記第２の信号の種類の存在に対応する、前記第２の信号の種類について最適化された第４のモードを含み、さらに、ｆ）前記第１の追跡信号が存在しないことに応じて前記第１のモードから前記第４のモードに遷移するステップと、ｇ）前記第２の追跡信号が存在しないことに応じて前記第４のモードから前記第３のモードに遷移するステップとを含む請求項３に記載の方法。
【請求項７】
さらに、ｈ）前記第１の追跡信号が存在しないことに応じて前記第３のモードから前記第４のモードに遷移するステップを含む請求項５に記載の方法。
【請求項８】
ステップｃ）は、遷移条件が最初に確定された後、プリセットされた時間だけ遷移を遅らせるステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の信号の種類は、時分割多重（ＴＤＭ）信号を含み、前記第２の信号の種類は、符号直交周波数分割多重（ＣＯＦＤＭ）信号を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
デジタル・ラジオ受信機の自動利得制御デバイスであって、
プロセッサであって、
第１の信号の種類と第２の信号の種類の両方と関連して使用されるように適合された第３の動作モードで前記デジタル・ラジオ受信機を動作させ、
前記第１の信号の種類に対応する第１の出力レベルを前記第２の信号の種類に対応する第２の出力レベルと比較し、
前記比較ステップに応答して、前記第３のモードから、前記第１の信号の種類に関連して使用されるように適合された第１の動作モードおよび前記第２の信号の種類に関連して使用されるように適合された第２の動作モードのうちの１つに前記デジタル・ラジオ受信機を遷移させることができるようにプログラムされたプロセッサを備える自動利得制御デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体に対してヒンジで連結されて回動して開閉するスキャナユニットを備える画像読取記録装置であって、
前記装置本体と第１の軸で連結され、および、前記スキャナユニットと第２の軸で連結され、前記第１の軸と前記第２の軸の間が伸びる力が付せられているとともに、前記スキャナユニットの回動の途中で前記回動の方向における力の方向が逆方向に変化するダンパユニットと、
前記装置本体に配され、前記装置本体に対して前記スキャナユニットが閉じた状態で前記ダンパユニットの前記第１の軸と前記第２の軸とを支持する金属製の支え部材と、
を備えることを特徴とする画像読取記録装置。
【請求項２】
前記スキャナユニットが前記装置本体に対して閉じるときに、前記スキャナユニットの動きを規制するアンチショックユニットを備えることを特徴とする請求項１に記載の画像読取記録装置。
【請求項３】
前記ダンパユニットの力の方向が逆方向に変化する位置付近で、前記アンチショックユニットは前記スキャナと当接することを特徴とする請求項２に記載の画像読取記録装置。
【請求項４】
前記ダンパユニットの力の方向が逆方向に変化する位置で、前記ヒンジ、前記第２の軸、前記第１の軸の順に並んで配置されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像読取記録装置。
【請求項５】
前記装置本体に、インクを吐出可能なインクジェット記録ヘッドにより記録紙に記録を行う記録部を有することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像読取記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
装置本体に対してヒンジで連結されて回動して開閉するスキャナユニットを備える画像読取記録装置であって、前記装置本体と第１の軸で連結され、および、前記スキャナユニットと第２の軸で連結され、前記第１の軸と前記第２の軸の間が伸びる力が付せられているとともに、前記スキャナユニットの回動の途中で前記回動の方向における力の方向が逆方向に変化するダンパユニットと、前記装置本体に配され、前記装置本体に対して前記スキャナユニットが閉じた状態で前記ダンパユニットの前記第１の軸と前記第２の軸とを支持する金属製の支え部材と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
なお、図３から分かるように、１つの単位画素マトリクス１２が、青色光Ｂ、緑色光Ｇ、赤色光Ｒ、および赤外光IRを独立に検知する構造であり、実質的には１つの単位画素マトリクス１２内において波長（色）別に画素１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ，１２IRを形成した構造である。これら単位画素マトリクス１２を有して構成されるセンサ部１１２の垂直列ごとに設けられ、各センサ部から読出ゲート１２４によって読み出された信号電荷を垂直転送する複数本の垂直転送ＣＣＤ１２２とセンサ部１１２とによって撮像エリア１１０が構成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
ＣＭＯＳに応用した場合、単位画素マトリクス１２内の１つ１つの画素（光電変換素子）１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒ，１２IRに対してセルアンプを１つ持つ構造となる。よってこの場合、図４（Ａ）のような構造となる。画素信号はセルアンプで増幅された後にノイズキャンセル回路などを通して出力される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
さらに、赤外反射領域のバンド幅ΔλIRは、誘電体積層膜１の屈折率差Δｎが大きいときには広くなり、逆に屈折率差Δｎが小さいときには狭くなる。したがって、赤外反射領域のバンド幅ΔλIRは、ＳｉＮ／ＳｉＯ２多層膜の場合には狭く、Ｓｉ／ＳｉＯ２多層膜の場合には広くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５４】
このスリット５０５は、開口部５０５ａの周期（隣接する開口部５０５ａの間隔）と散乱体５０３の周期（隣接する散乱体５０３の遮光部５０３ｂの間隔；散乱体５０３の開口部の間隔）が等しく、かつこれらが平行に配置されている。加えて、隣接する散乱体５０３間の中点を通る略中心線CL０上（フォトダイオード群５１２表面に対して垂直）の位置に開口部５０５ａが配されるようになっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５５】
さらに分光イメージセンサ５１１は、スリット５０５とフォトダイオード群５１２の間に別の長尺状の遮光部５０７ｂが開口部５０７ａを挟んで周期的にかつ平行に配置されている散乱体５０７が設けられている。この散乱体５０７は、散乱体５０７の周期（隣接する遮光部５０７ｂの間隔）と散乱体５０３の周期（散乱体５０３の隣接する遮光部５０３ｂの間隔）またはスリット５０５の開口部５０５ａの周期（スリット５０５の隣接する開口部５０５ａの間隔）が等しくなるように設定されている。加えて、散乱体５０７の遮光部５０７ｂが、散乱体５０３間の中点を通る略中心線CL０上（フォトダイオード群５１２表面に対して垂直）の位置に配されるようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６１】
また、特に、スリット５０５の開口部５０５ａの周期（隣接する開口部５０５ａの間隔）と散乱体５０３の周期（隣接する遮光部５０３ｂの間隔）が等しく、かつこれらを平行に配置すれば、全体構造（特に散乱体５０３とスリット５０５との関係）において周期性および対称性が高まり、光の干渉特性がよくなる。その結果、分光特性がよくなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６２】
また、散乱体５０３によって回折した光（回折波Ｌ２）がその中点（遮光部５０３ｂ間の中心）付近に集光する。よって、散乱体５０３間の中点を通る略中心線CL０上（フォトダイオード群５１２表面に対して垂直）の位置にスリット５０５の開口部５０５ａが配されるようにすることで、効率よく分光されることになる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６７】
また、散乱体５０３の周期（隣接する遮光部５０３ｂの間隔）と散乱体５０７の周期（隣接する遮光部５０７ｂの間隔）とが等しく、かつこれらを平行に配置すれば、全体構造（特に散乱体５０３と散乱体５０７との関係）において周期性および対称性が高まり、光の干渉特性がよくなる。その結果、分光特性がよくなる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６９】
特に、散乱体５０３の周期（隣接する遮光部５０３ｂの間隔）とスリット５０５の開口部５０５ａの周期（隣接する開口部５０５ａの間隔）と散乱体５０７の周期（隣接する遮光部５０７ｂの間隔）が等しく、かつこれらを平行に配置すれば、全ての散乱体の位置関係を合わせることができ、周期性および対称性において最大の効果を得ることができる。結果として、光の干渉特性が極めてよくなり、分光特性が格段によくなる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２７７】
もちろん、散乱体５０３の位置の周期（光散乱体の中心点から次の同じ光散乱体の中心点までの横方向の間隔）はフォトダイオード群５１２の配列ピッチ（従来構造の画素ピッチ）に対応するので、結果として、散乱体５０３の位置の周期を変えることで画素ピッチを調整可能となる。高密度の撮像デバイスにする場合は、この周期を小さくすればよく、低密度の撮像デバイスにする場合は、この周期を大きくすればよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９３】
スリット５０５は、それぞれのスリット幅Ｄｓの開口部５０５ａが、横方向（図中のＸ方向）に周期的でかつ平行に配置されており、さらにそれぞれのスリット幅Ｄｓの開口部５０５ａが、散乱体５０３間の中点を通る略中心線CL０上（Ｓｉ基板５０９やフォトダイオード群５１２表面に対して垂直）の位置に設けられ、長尺状の散乱体５０３と平行に配置されている。つまり、スリット５０５の開口部５０５ａの周期（隣接する開口部５０５ａの間隔）と散乱体５０３の周期（隣接する遮光部５０３ｂの間隔）および位相が等しく、かつこれらが平行に配置されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０４８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０４８２】
ただし、カラー画素Ｒとカラー画素Ｂの配置密度はベイヤ配列に対して１／２になるのでカラー分解能が低下する。しかしながら、色に関する人間の視感度は、緑Ｇに比べて赤Ｒや青Ｂは劣るので、大きな問題にはならないと考えてよい。一方、補正画素を利用した赤外光画像に関しては、補正画素の配置密度が、可視光領域の緑色成分を感知するためのカラー画素Ｇに対して１／２になるので、分解能は可視光カラー画像よりも劣る。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４０】
2007053731.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月6日(2009.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータを第２の装置で再生可能な第２のコンテンツデータに変換する変換ステップと、
変換された第２のコンテンツデータを前記第１の装置内に保存するとともに、前記変換された第２のコンテンツデータを第２の装置へ移動する移動ステップと、
前記変換された第２のコンテンツデータの前記第２の装置への移動に応じて、前記第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータを復元可能な再生不能データに変換する再生不能化ステップと、
を含むことを特徴とする再生制御方法。
【請求項２】
前記変換ステップでは、前記第１のコンテンツデータから一部のデータを抽出し、抽出されたデータを用いて第２のコンテンツデータを生成し、
前記再生不能化ステップでは、前記変換ステップにおいて前記第１のコンテンツデータから抽出された一部のデータを消去することにより、前記第１のコンテンツデータを再生不能にする
ことを特徴とする請求項１記載の再生制御方法。
【請求項３】
前記第１のコンテンツデータは、映像データと音声データを含むＭＰＥＧ形式のデータであり、
前記一部のデータは、映像データのＩピクチャのＤＣ成分と音声データである
ことを特徴とする請求項２記載の再生制御方法。
【請求項４】
前記再生不能化ステップでは、暗号化鍵を用いて前記第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータを暗号化し、
前記移動ステップでは、前記第２のコンテンツデータと共に前記暗号化鍵を前記第２の装置へ移動する
ことを特徴とする請求項１に記載の再生制御方法。
【請求項５】
前記第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータは第１の画質を有し、前記第２の装置へ移動された第２のコンテンツデータは前記第１の画質より低い画質を有する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の再生制御方法。
【請求項６】
前記第２の装置で再生可能なコンテンツデータの解像度、フレームレート、及び、映像サイズの情報を含む機器データを受信するステップを更に含み、
前記変換ステップでは、前記第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータの解像度、フレームレート、及び、映像サイズを前記機器データに基づき変換する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の再生制御方法。
【請求項７】
前記第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータはコピー制限されたコンテンツデータである
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の再生制御方法。
【請求項８】
外部再生装置で再生するための取り外し可能な記憶媒体に、コンテンツデータを移動可能な再生制御装置であって、
第１のコンテンツデータを蓄積する蓄積手段と、
前記第１のコンテンツデータを前記外部再生装置で再生可能な低解像度の第２のコンテンツデータに変換する第１の変換手段と、
変換された第２のコンテンツデータを前記再生制御装置内に保存するとともに、前記変換された第２のコンテンツデータを前記記憶媒体へ移動させる移動手段と、
前記変換された第２のコンテンツデータの前記記憶媒体への移動に応じて、前記蓄積手段に蓄積された第１のコンテンツデータを復元可能な再生不能データに変換する第２の変換手段と、
を含むことを特徴とする再生制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の再生制御方法は、第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータを第２の装置で再生可能な第２のコンテンツデータに変換する変換ステップと、変換された第２のコンテンツデータを第１の装置内に保存するとともに、変換された第２のコンテンツデータを第２の装置へ移動する移動ステップと、変換された第２のコンテンツデータの第２の装置への移動に応じて、第１の装置内に蓄積された第１のコンテンツデータを復元可能な再生不能データに変換する再生不能化ステップと、を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明の再生制御装置は、外部再生装置で再生するための取り外し可能な記憶媒体に、コンテンツデータを移動可能な再生制御装置であって、第１のコンテンツデータを蓄積する蓄積手段と、第１のコンテンツデータを外部再生装置で再生可能な低解像度の第２のコンテンツデータに変換する第１の変換手段と、変換された第２のコンテンツデータを再生制御装置内に保存するとともに、変換された第２のコンテンツデータを記憶媒体へ
移動させる移動手段と、変換された第２のコンテンツデータの記憶媒体への移動に応じて、蓄積手段に蓄積された第１のコンテンツデータを復元可能な再生不能データに変換する第２の変換手段と、を含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月13日(2009.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超高周波を発生させる超高周波発生部と、
前記超高周波によって光を発生する光発生部と、
前記光発生部と連結され、前記光発生部から発生された光をガイドする光ガイド部と、
を含むことを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記超高周波発生部は、マグネトロンであることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記超高周波発生部と光発生部とを連結して、前記超高周波を前記光発生部に伝送する超高周波伝送部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記超高周波伝送部は、導波管であることを特徴とする請求項３に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記光発生部は、
前記超高周波によって励起され光を発生させる発光ガスを内部に含まれるランプ部と、
前記ランプ部の外郭を取り囲む、前記超高周波を共振させる超高周波共振部と、を含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記超高周波共振部は、メッシュ構造を有することを特徴とする請求項５に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記光発生部は、前記超高周波共振部の外郭の一部を取り囲み、前記ランプ部から発生された光を反射させ前記光ガイド部に入射させる光反射部をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記光ガイド部は、棒形状を有することを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記光ガイド部の内部には、光を拡散させるためのビーズが分布されたことを特徴とする請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
前記光ガイド部は、複数個は並列で配置されることを特徴とする請求項８に記載のバックライトアセンブリ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】バックライトアセンブリ
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性面に電極バンプが形成された半導体チップと、
前記半導体チップが前記電極バンプを介して一面にボンディングされるテープ配線基板と、
前記半導体チップと前記テープ配線基板とのボンディングされた部分を保護する成形樹脂と、を備え、
前記テープ配線基板は、
チップ実装領域及び屈曲部を有するベースフィルムと、
前記ベースフィルムに形成された配線パターンであって、前記ベースフィルムの一側から前記チップ実装領域に延びている入力配線パターンと、ベースフィルムの他側から前記チップ実装領域に延びている出力配線パターンとを有する配線パターンと、
前記配線パターン上に形成され、前記入出力配線パターンの各々の端部を露出させる保護層と、
前記屈曲部に加えられる機械的ストレスを分散させるために、前記ベースフィルムの屈曲部に形成される孔と、を備えることを特徴とするテープパッケージ。
【請求項２】
前記孔は、前記配線パターンの一部を貫通して形成されることを特徴とする請求項１に記載のテープパッケージ。
【請求項３】
前記孔は、楕円形、円形またはスロット形態で形成されることを特徴とする請求項１または２に記載のテープパッケージ。
【請求項４】
前記孔は、前記屈曲部は、前記ベースフィルムの他端より前記チップ実装領域から遠く離れるように、前記ベースフィルムの一部分に形成されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一項に記載のテープパッケージ。
【請求項５】
前記孔は、前記配線パターンが形成された方向と平行な方向に一定の長さを有するスロットで形成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のテープパッケージ。
【請求項６】
前記孔は、前記配線パターンが形成された方向に垂直な方向に一定の長さを有するスロットで形成されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載のテープパッケージ。
【請求項７】
前記孔は、ベースフィルムのパッケージ部分の幅にのみ形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のテープパッケージ。
【請求項８】
前記孔は、前記ベースフィルムの全幅に形成されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一項に記載のテープパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路部を有する本体上に配置され、前記回路部に信号を入力するか、又は前記回路部から信号を出力するためのパッドと、
前記パッドと電気的に接続され、前記本体の上面上に配置された導電パターンと、
前記導電パターンの上面の全面に形成され、前記導電パターンの前記上面の一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁性フォトレジスト構造物と、を含む半導体パッケージの配線構造物。
【請求項２】
前記導電パターンは、Ｔｉ／Ｃｕ、ＴｉＷ／Ｎｉ、Ｔｉ／Ｎｉ、ＴｉＷ／ＮｉＶ、Ｃｒ／Ｃｕ、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｃｒ／ＮｉＶ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｎｉ、ＴｉＷ／Ｃｕ／Ｎｉ、ＴｉＷ／Ｃｕ／ＮｉＶ、及びＣｒ／Ｃｕ／ＮｉＶからなる群から選択された少なくとも１つの合金を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項３】
前記導電パターンの厚みは、１０００Å〜７０００Åであることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項４】
前記絶縁性フォトレジスト構造物は、前記導電パターンと実質的に同じ外郭形状を有することを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項５】
前記本体及び前記導電パターンの間に、前記パッドと対応する第１開口を有する保護膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項６】
前記保護膜パターン及び前記導電パターンの間に、前記第１開口に対応する第２開口を有する第１絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項５記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項７】
前記第１絶縁膜パターンの厚みは、１μｍ〜２５μｍであることを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項８】
前記絶縁性フォトレジスト構造物の上面及び露出された前記第１絶縁膜パターンに沿って配置され、前記コンタクトホールと対応する第３開口を有する第２絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項６記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項９】
前記第２絶縁膜パターンの厚みは、１μｍ〜２５μｍであることを特徴とする請求項８記載の半導体パッケージの配線構造物。
【請求項１０】
入力信号を処理してデータ信号を出力する回路部を有する半導体チップと、
前記半導体チップ上に配置され前記回路部に電気的に接続されたパッドと、
前記パッドと電気的に接続され、前記半導体チップの上面に沿って配置された導電パターンと、
前記導電パターンの上面の全面上に形成され、前記導電パターンの上面一部を露出させるコンタクトホールを有する絶縁性フォトレジスト構造物と、
前記コンタクトホールを埋め立てながら、前記導電パターン上に電気的に接続された導電部材と、を含むウエハーレベルパッケージ。
【請求項１１】
前記半導体チップ及び前記導電パターンの間に、前記パッドと対応する第１開口を有する保護膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１２】
前記保護膜パターン及び前記導電パターンの間に、前記第１開口に対応する第２開口を有する第１絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１１記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１３】
前記絶縁性フォトレジスト構造物の上面及び露出された前記第１絶縁膜パターンの表面に沿って配置され、前記コンタクトホールと対応する第３開口を有する第２絶縁膜パターンを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１４】
前記導電パターン及び前記導電部材の間に、前記導電パターン及び前記導電部材を電気的に接続するための導電性バンプを更に含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１５】
前記導電性バンプは、前記導電パターンと接着される導電性接着パターン、前記導電性接着パターン上に配置された導電ウェッチングパターン（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ｗｅｔｔｉｎｇ ｐａｔｔｅｒｎ）を含むことを特徴とする請求項１４記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１６】
前記導電性バンプは、前記導電ウェッチングパターン上に形成された酸化抑制パターンを更に含むことを特徴とする請求項１４記載のウエハーレベルパッケージ。
【請求項１７】
前記導電部材は、球形状を有するはんだを含むことを特徴とする請求項１０記載のウエハーレベルパッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体パッケージの配線構造物及びこれを利用したウエハーレベルパッケージ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージの配線構造物及びこれを利用したウエハーレベルパッケージに関する。より具体的に、本発明は、新規な配線構造を有し、単純な製造工程で製造されることができる半導体パッケージの配線構造物、これを利用したウエハーレベルパッケージに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮断膜上に形成され、チャンネル領域両側に各々隣接した第１導電型低濃度ドーピング領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域に各々隣接した第１導電型ソース／ドレイン領域を含む第１半導体層と、該第１半導体層上に形成される第１ゲート絶縁膜と、該第１ゲート絶縁膜上に形成され、前記第１半導体層内に形成された前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第２ゲート絶縁膜と、該第２ゲート絶縁膜上に形成される第１ゲート電極とを含む第１導電型ＭＯＳトランジスタと、
遮断膜上に形成され、チャンネル領域両側に各々隣接した第２導電型ソース／ドレイン領域を含む第２半導体層と、該第２半導体層上に形成された第１ゲート絶縁膜と、該第１ゲート絶縁膜上に形成され、前記第２半導体層と重畳される第２ゲート絶縁膜と、該第２ゲート絶縁膜上に形成される第２ゲート電極とを含む第２導電型ＭＯＳトランジスタとを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項２】
前記第２ゲート絶縁膜の厚さは、前記第１ゲート絶縁膜の厚さ以上を有することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板。
【請求項３】
遮断膜と、該遮断膜上に形成される第１半導体層及び第２半導体層とを有する基板を提供する段階と、
前記第１半導体層上に第１ゲート絶縁膜と、前記第１半導体層内に形成されるチャンネル領域及び低濃度ドーピング領域と重畳する第２ゲート絶縁膜と、前記第１半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する第１ゲート電極と、前記第２ゲート絶縁膜と重畳する感光膜パターンとからなる第１イオン注入マスク構造と、前記第２半導体層上に第１ゲート絶縁膜と、前記第２半導体層と重畳される第２ゲート絶縁膜と、前記第２半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳される第２ゲート電極と、該第２ゲート電極と重畳される感光膜パターンとからなる第２イオン注入マスク構造とを形成する段階と、
前記第１及び第２イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして高濃度第２導電型不純物イオンを前記第２半導体層と前記第１半導体層下部の遮断膜内に注入して第２導電型ソース／ドレイン領域を形成する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記第２導電型ソース／ドレイン領域の形成段階後、前記各感光膜パターンを除去する段階と、
前記感光膜パターンが除去された結果構造物をイオン注入マスクとして低濃度第１導電型不純物イオンを前記第１半導体層内に注入して低濃度ドーピング領域を形成する段階とをさらに有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１及び第２イオン注入マスク構造を形成する段階は、前記遮断膜上の前記第１半導体層及び第２半導体層上に第１及び第２ゲート絶縁膜及び導電膜を順次に形成する段階と、
前記導電膜上に、前記第１半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳される第１厚さを有する単層構造の感光膜パターンを形成し、前記第２半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳される領域には第１厚さを有し、前記第２半導体層内に形成されるソース／ドレイン領域と重畳される領域には第２厚さを有する二層構造の感光膜パターンを形成する段階と、
前記各感光膜パターンをエッチングマスクとして前記導電膜をパターニングして前記第１ゲート電極及び第２ゲートパターンを形成し、該第２ゲートパターンにて前記２ゲート絶縁膜をパターニングする段階と、
前記二層構造の感光膜パターンの第２厚さ部分を除去する段階と、
前記第２厚さ部分が除去された感光膜パターンをエッチングマスクとして前記第２ゲートパターンをパターニングして、第２ゲート電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２導電型ソース／ドレイン領域を形成する段階は、前記第２半導体層内に前記第２導電型不純物イオンのドーピング濃度のピークが存在するようにすることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２ゲート絶縁膜の厚さは、前記第１ゲート絶縁膜の厚さ以上を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンネル領域両側にそれぞれ隣接する低濃度ドーピング領域及び前記低濃度ドーピング領域にそれぞれ隣接するソース/ドレーン領域を含む半導体層が形成されている基板を提供する段階と、
前記基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成した後、前記導電膜をパターニングしてゲート電極を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板を提供する段階は、
多結晶ケイ素膜が形成されている基板上に、前記半導体層の前記チャンネル領域及び前記低濃度ドーピング領域と重畳する高層部及び前記高層部の両側にそれぞれ隣接して、前記半導体層の前記ソース/ドレーン領域とそれぞれ重畳する低層部を含む感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを蝕刻マスクとして使って、前記多結晶ケイ素膜をパターニングして前記半導体層を形成する段階と、
前記感光膜パターンの前記低層部を除去して第１イオン注入マスク構造を形成する段階と、
前記第１イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして使って、前記半導体層内に高濃度不純物イオンを注入して前記ソース/ドレーン領域を形成する段階と、
前記低層部が除去された前記感光膜パターンの両側壁を前記半導体層の前記低濃度ドーピング領域と前記チャンネル領域との境界に実質的に整列して、第２イオン注入マスク構造を形成する段階と、
前記第２イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして使って、前記半導体層内に低濃度不純物イオンを注入して前記低濃度ドーピング領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記半導体層と前記基板との間に遮断膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
チャンネル領域両側にそれぞれ隣接する第１導電型低濃度ドーピング領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域にそれぞれ隣接する第１導電型ソース/ドレーン領域を含む第１半導体層及び両端に第導電型低濃度ドーピング領域を含む第２半導体層が形成された基板を提供する段階と、
前記基板上にゲート絶縁膜及び導電膜を順に形成して、前記導電膜上に前記第１半導体層と重畳する感光膜パターン及び前記第２半導体層内に形成されるチャンネル領域と重畳する感光膜パターンを形成する段階と、
前記各感光膜パターンを蝕刻マスクとして使って、前記導電膜をパターニングして第１ゲートパターン及び第２ゲート電極を形成する段階と、
前記結果物をイオン注入マスクとして使って、高濃度第２不純物イオンを前記第２半導体層内に注入してソース/ドレーン領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板を提供する段階は、
多結晶ケイ素膜が形成されている基板上に、前記第１半導体層の前記チャンネル領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域と重畳する高層部及び前記高層部の両側にそれぞれ隣接して、前記第１半導体層の前記第１導電型ソース/ドレーン領域とそれぞれ重畳する低層部を含む第１感光膜パターン及び前記第２半導体層と重畳する第２感光膜パターンを形成する段階と、
前記第１及び第２感光膜パターンをそれぞれ蝕刻マスクとして使って、前記多結晶ケイ素膜をパターニングして前記第１及び第２半導体層を形成する段階と、
前記第１及び第２感光膜パターンを前記第１感光膜パターンの前記低層部が除去されるまでアッシングして、第１イオン注入マスク構造を形成する段階と、
前記第１イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして使って、前記第１半導体層内に高濃度の第１導電型不純物イオンを注入して前記第１第導電型ソース/ドレーン領域を形成する段階と、
前記アッシングされた第１及び第２感光膜パターンを前記アッシングされた第１感光膜パターンの両側壁が前記第１半導体層の前記第１導電型低濃度ドーピング領域と前記チャンネル領域との境界に実質的に整列するまでアッシングして、第２イオン注入マスク構造を形成する段階と、
前記第２イオン注入マスク構造をイオン注入マスクとして使って、前記第１及び第２半導体層内に低濃度の前記第１導電型不純物イオンを注入してそれぞれ前記低濃度ドーピング領域を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１半導体層と重畳する前記感光膜パターンは、前記第１半導体層内に形成される前記チャンネル領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域と重畳する高層部と前記高層部の両側にそれぞれ隣接して、前記第１半導体層内に形成される前記ソース/ドレーン領域とそれぞれ重畳する低層部を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２半導体層内に前記ソース/ドレーン領域形成段階後に、前記第１半導体層と重畳する前記感光膜パターンの前記低層部を除去して、これを蝕刻マスクとして使って、前記第１ゲートパターンをパターニングして第１ゲート電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１半導体層と重畳する前記感光膜パターンは、前記第１半導体層内に形成される前記チャンネル領域と重畳する高層部と前記高層部の両側にそれぞれ隣接して、前記第１半導体層内に形成される前記第１導電型低濃度ドーピング領域及び前記ソース/ドレーン領域とそれぞれ重畳する低層部を含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に形成されて、チャンネル領域両側にそれぞれ隣接する第１導電型低濃度ドーピング領域及び前記第１導電型低濃度ドーピング領域にそれぞれ隣接する第１導電型ソース/ドレーン領域を含む第１半導体層及びチャンネル領域両側にそれぞれ隣接して、低濃度の第１導電型不純物イオンを含む第２導電型ソース/ドレーン領域を含む第２半導体層と、
前記第１及び第２半導体層上に形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に前記第１半導体層の一部と重畳する第１ゲート電極及び前記第２半導体層内に形成された前記チャンネル領域と重畳する第２ゲート電極と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
【請求項１０】
前記第１ゲート電極は、前記第１半導体層の前記チャンネル領域及び前記第１導電型ドーピング領域と重畳することを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に半導体層と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられた２つのゲート電極と、を有し、
前記半導体層は、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置する第１のチャネル形成領域および第２のチャネル形成領域と、前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域との間に位置する高濃度不純物領域と、前記ソース領域と前記第１のチャネル形成領域との間および前記第１のチャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に位置する一対の第１の低濃度不純物領域と、前記ドレイン領域と前記第２のチャネル形成領域との間および前記第２のチャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に位置する一対の第２の低濃度不純物領域と、を含み、
前記２つのゲート電極のうち、一方は前記第１のチャネル形成領域および前記第１のチャネル形成領域と接する一対の前記第１の低濃度不純物領域と重なり、他方は前記第２のチャネル形成領域および前記第２のチャネル形成領域と接する一対の前記第２の低濃度不純物領域と重なり、
前記第２のチャネル形成領域よりも前記第１のチャネル形成領域のチャネル長が長い
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１のチャネル形成領域のチャネル長をＬ１とし、前記第２のチャネル形成領域のチャネル長をＬ２とした時、Ｌ１≧２×Ｌ２の関係式が成り立つことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記チャネル長Ｌ１は２μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記チャネル長Ｌ２は１μｍ以上且つ前記チャネル長Ｌ１よりも０．５μｍ以上短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記２つのゲート電極は、それぞれ２層の導電層の積層構造からなり、
前記２層の導電層は、下層である第１の導電層が上層である第２の導電層よりも前記チャネル長方向に長くなっており、
前記２つのゲート電極の一方は、前記第２の導電層が前記第１のチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層と重なっていない前記第１の導電層部分が一対の前記第１の低濃度不純物領域と重なり、
前記２つのゲート電極の他方は、前記第２の導電層が前記第２のチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層と重なっていない前記第１の導電層部分が一対の前記第２の低濃度不純物領域と重なることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、を画素部に有し、
前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記発光素子と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方は、前記第１のトランジスタのゲート電極と電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの前記ゲート電極と前記第２のトランジスタのゲート電極はそれぞれ２つあり、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、それぞれ、ソース領域と、ドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に位置する第１のチャネル形成領域および第２のチャネル形成領域と、前記第１のチャネル形成領域と前記第２のチャネル形成領域との間に位置する高濃度不純物領域と、前記ソース領域と前記第１のチャネル形成領域との間および前記第１のチャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に位置する一対の第１の低濃度不純物領域と、前記ドレイン領域と前記第２のチャネル形成領域との間および前記第２のチャネル形成領域と前記高濃度不純物領域との間に位置する一対の第２の低濃度不純物領域と、を含み、
前記第１のトランジスタの２つの前記ゲート電極のうち、一方は前記第１のチャネル形成領域および前記第１のチャネル形成領域と接する一対の前記第１の低濃度不純物領域と重なり、他方は前記第２のチャネル形成領域および前記第２のチャネル形成領域と接する一対の前記第２の低濃度不純物領域と重なり、
前記第２のトランジスタの２つの前記ゲート電極のうち、一方は前記第１のチャネル形成領域と重なり、他方は前記第２のチャネル形成領域と重なり、
前記第１のトランジスタは、前記第２のチャネル形成領域よりも前記第１のチャネル形成領域のチャネル長が長く、
前記第２のトランジスタは、前記第２のチャネル形成領域と前記第１のチャネル形成領域のチャネル長が同じ長さである
ことを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項５において、前記第１のトランジスタにおける前記第１のチャネル形成領域のチャネル長をＬ１とし、前記第１のトランジスタの前記第２のチャネル形成領域のチャネル長をＬ２とした時、Ｌ１≧２×Ｌ２の関係式が成り立つことを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項６において、前記チャネル長Ｌ１は２μｍ以上１０μｍ以下であり、
前記チャネル長Ｌ２は１μｍ以上且つ前記チャネル長Ｌ１よりも０．５μｍ以上短いことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか一において、
前記第１のトランジスタにおける前記２つのゲート電極は、それぞれ２層の導電層の積層構造からなり、
前記２層の導電層は、下層である第１の導電層が上層である第２の導電層よりも前記チャネル長方向に長くなっており、
前記２つのゲート電極の一方は、前記第２の導電層が前記第１のチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層と重なっていない前記第１の導電層部分が一対の前記第１の低濃度不純物領域と重なり、
前記２つのゲート電極の他方は、前記第２の導電層が前記第２のチャネル形成領域と重なり、前記第２の導電層と重なっていない前記第１の導電層部分が一対の前記第２の低濃度不純物領域と重なることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１のトランジスタはｐチャネル型トランジスタであり、前記第２のトランジスタはｎチャネル型トランジスタであることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成されて第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、
前記絶縁基板の上に前記ゲート配線と絶縁して形成されて、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含むデータ配線と、
前記ゲート配線と前記データ配線上に画素ごとに形成され、前記ドレーン電極と連結された画素電極を含み、
前記ゲート配線及び／または前記データ配線は、下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜と、
前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜と、
を含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板。
【請求項２】
前記下部構造物と下部膜の界面に、銀（Ａｇ）酸化物が連続的または非連続的に位置することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項３】
前記下部膜の厚さは、１０ないし２０００Åであることを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項４】
前記下部膜は、５ないし６０ａｔ％の酸素を含有することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項５】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、銀（Ａｇ）酸化物を含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜トランジスター基板。
【請求項６】
前記銀（Ａｇ）導電膜上に、ＩＴＯ、非晶質ＩＴＯ、ＩＺＯ、Ｗ、Ｍｏ、ＭｏＮｂまたはＭｏＷを含む上部膜をさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の薄膜トランジスター基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスター基板
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスター基板に関し、より詳細には、銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む薄膜トランジスター基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明が解決しようとする技術的課題は、接着力が改善された低抵抗銀（Ａｇ）配線構造を含む薄膜トランジスター基板を提供することである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記技術的課題を達成するための本発明の一実施形態による薄膜トランジスター基板は、絶縁基板上に形成されて第１方向に延びたゲート線及び前記ゲート線に連結されたゲート電極を含むゲート配線と、前記絶縁基板の上に前記ゲート配線と絶縁して形成されて、前記ゲート線と交差するように第２方向に延びたデータ線、前記データ線に連結されたソース電極及び前記ソース電極と離隔して位置するドレーン電極を含むデータ配線と、前記ゲート配線と前記データ配線上に画素ごとに形成され、前記ドレーン電極と連結された画素電極を含み、前記ゲート配線及び／または前記データ配線は、下部構造物上に形成された銀（Ａｇ）酸化物を含む下部膜と、前記下部膜上に形成された銀（Ａｇ）または銀（Ａｇ）合金を含む銀（Ａｇ）導電膜と、を含む。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の実施形態による薄膜トランジスター基板によれば、ゲート配線及び／またはデータ配線の信頼性が確保されて信号特性がよくなり、画質が改善され工程效率が増大される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月10日(2009.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されているデータ線と、
前記データ線と交差していて、ゲート電極を含むゲート線と、
前記ゲート線及び前記データ線上に形成されていて、前記ゲート電極を露出する第１開口部が形成されている第１層間絶縁膜と、
前記第１開口部に形成されているゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体上に位置して、前記データ線に連結されているソース電極と、
前記ゲート絶縁体上に位置して、前記ソース電極と対向するドレイン電極を含む画素電極と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に形成されていて、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の一部を露出する第２開口部を定義する隔壁と、
前記第２開口部に形成されている有機半導体と、
を含む、有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記第２開口部は、前記第１開口部より小さい、請求項１に記載の有機薄膜トランジス
タ表示板。
【請求項３】
前記ゲート絶縁体は、前記第１層間絶縁膜より誘電定数が高く、
前記ゲート絶縁体は、ポリイミド系化合物、ポリビニルアルコール系化合物、及びポリフルオラン系化合物から選択される少なくとも１種の物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記第１層間絶縁膜は、ポリアクリル系化合物、ポリスチレン系化合物、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ベンゾシクロブタン、パリレンから選択される少なくとも１種の物質を含む、請求項３に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記有機半導体上に形成されている遮断部材をさらに含み、
前記遮断部材は、フッ素系炭化水素化合物またはポリビニルアルコール系化合物を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記データ線または前記ゲート線のうちのいずれか一つと平行で、前記画素電極と少なくとも一部が重畳する維持電極線をさらに含み、
前記第１層間絶縁膜は、前記維持電極線及び前記画素電極の間に位置する、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記維持電極線及び前記画素電極の間に位置する第２層間絶縁膜をさらに含み、
前記第１層間絶縁膜は有機物質を含み、前記第２層間絶縁膜は無機物質を含む、請求項６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記画素電極に連結されていて、前記維持電極線のうちの一部と重畳する導電体をさらに含む、請求項６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記第１層間絶縁膜、前記ゲート絶縁体、前記隔壁、及び前記有機半導体のうちの少なくとも一つは、溶解性物質を含むか、または、前記第１層間絶縁膜及び前記隔壁のうちの少なくとも一つは、感光性有機物質を含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
前記ソース電極及び前記画素電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯを含む、請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。