(57)【要約】【課題】縦線キズをより確実に検出する。【解決手段】駆動部４３は、検査対象の固体撮像装置１０を駆動して周期的に撮像動作を行わせる。主制御部４２は、駆動部４３が固体撮像装置１０に印加する電子シャッタパルスの数を制御し、撮像周期ごとに露光時間を１／３０秒と１／６０秒との間で切り替える。縦線キズ検出部４５は、固体撮像装置１０からＡ／Ｄ変換器４４を介して取得される画像データから縦線キズを検出する。欠陥アドレス格納部４６は、１／３０秒の長時間露光時に出力された画像データの縦線キズのアドレスと、１／６０秒の短時間露光時に出力された画像データの縦線キズのアドレスとをそれぞれ格納する第１及び第２欠陥アドレス格納部４６ａ，４６ｂからなる。欠陥種別判定部４７は、欠陥アドレス格納部４６に格納された欠陥アドレスを比較して、縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定し、判定結果を欠陥情報記録部４８に記録する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２次元マトリクス状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの垂直列ごとに配され、読み出しゲートを介して前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記各垂直転送部の出力端に共通に接続され、前記各垂直転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部の出力端に配され、前記信号電荷を電圧信号に変換する出力部とが半導体基板の表層に形成され、前記半導体基板に電子シャッタパルスを印加することにより前記各フォトダイオードの蓄積電荷が前記半導体基板の深部に排出されるように構成された固体撮像装置の検査装置において、
前記固体撮像装置を駆動して周期的に撮像動作を行わせる駆動手段と、
露光時間を決定する前記電子シャッタパルスの数を制御して、複数の撮像周期において露光時間を変更する露光時間制御手段と、
前記固体撮像装置から取得される画像データから前記垂直方向に欠陥画素が連続してなる縦線キズを検出する縦線キズ検出手段と、
前記縦線キズ検出手段によって検出された縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期ごとに格納する欠陥アドレス格納手段と、
前記欠陥アドレス格納手段に格納された前記縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期間で比較して、前記縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定する欠陥種別判定手段と、
を備えることを特徴とする固体撮像装置の検査装置。
【請求項２】
前記欠陥種別判定手段により縦線キズの長さが露光時間に依存しないと判定された場合には、縦線キズの開始点のみを欠陥情報として記録し、前記欠陥種別判定手段により縦線キズの長さが露光時間に依存すると判定された場合には、縦線キズの開始点及びその露光時間ごとの長さを欠陥情報として記録する欠陥情報記録部を備えることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置の検査装置。
【請求項３】
前記露光時間制御手段は、撮像周期ごとに露光時間を１／３０秒と１／６０秒との間で切り替えを行うことを特徴とする請求項１または２記載の固体撮像装置の検査装置。
【請求項４】
２次元マトリクス状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの垂直列ごとに配され、読み出しゲートを介して前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記各垂直転送部の出力端に共通に接続され、前記各垂直転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部の出力端に配され、前記信号電荷を電圧信号に変換する出力部とが半導体基板の表層に形成され、前記半導体基板に電子シャッタパルスを印加することにより前記各フォトダイオードの蓄積電荷が前記半導体基板の深部に排出されるように構成された固体撮像装置の検査方法において、
前記固体撮像装置を駆動して周期的に撮像動作を行わせ、
露光時間を決定する前記電子シャッタパルスの数を制御して、複数の撮像周期において露光時間を変更し、
前記固体撮像装置から取得される画像データから前記垂直方向に欠陥画素が連続してなる縦線キズを検出し、
検出された縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期ごとに格納し、
格納した前記縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期間で比較して、前記縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定する
ことを特徴とする固体撮像装置の検査方法。
【請求項５】
請求項４記載の検査方法によって検査されたことを特徴とする固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の検査装置及び検査方法、並びに固体撮像装置に関し、特に、縦線キズの検出技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置は、被写体からの入射光を画素ごとに光電変換し、光電変換によって得られた信号電荷を画素ごとに電圧信号に変換して画像データを出力するものであり、ＣＣＤ型やＣＭＯＳ型等が知られている。これらの固体撮像装置は、半導体によって形成されており、半導体中の局部的な結晶欠陥等によって画像中に欠陥画素が生じることがある。この欠陥画素には、通常より輝度が低下した黒キズと、通常より輝度が上昇した白キズとがある。電荷転送路を有するＣＣＤ型固体撮像装置の場合には、上記のような局所的な欠陥画素（点キズ）だけでなく、垂直方向に連続した欠陥画素（縦線キズ）が発生する。
【０００３】
従って、製品として出荷するためには、欠陥画素の有無を検査工程時にて検出する必要がある。検出された欠陥画素が許容レベル以内の場合には、その製品は欠陥情報とともに出荷され、この欠陥情報を用いて画像データの補正処理がなされる。
【０００４】
上記の点キズ及び縦線キズの検出方法は、特許文献１に開示されている。特許文献１によると、点キズは、固体撮像装置から読み出した画像データと、その画像データにメディアン処理を施したものとの差分を取ることにより検出される。一方、縦線キズは、垂直方向に連続し、メディアン処理では検出できないため、画像データを垂直方向に加算して一水平線分のデータとすることによって検出される。
【特許文献１】特開平４−９０２７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、受光部の蓄積電荷を露光期間前に基板へ排出する電子シャッタ機能（縦型オーバーフロードレイン機構）を備えたＣＣＤ型固体撮像装置では、電子シャッタ速度に応じて縦線キズの長さ（垂直方向の連続量）が変化することが本出願人によって確認されており、このような縦線キズは、特許文献１記載の技術では検出されない可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、縦線キズをより確実に検出することができる固体撮像装置の検査装置及び検査方法、並びにこれによって検査された固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置の検査装置は、２次元マトリクス状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの垂直列ごとに配され、読み出しゲートを介して前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記各垂直転送部の出力端に共通に接続され、前記各垂直転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部の出力端に配され、前記信号電荷を電圧信号に変換する出力部とが半導体基板の表層に形成され、前記半導体基板に電子シャッタパルスを印加することにより前記各フォトダイオードの蓄積電荷が前記半導体基板の深部に排出されるように構成された固体撮像装置の検査装置において、前記固体撮像装置を駆動して周期的に撮像動作を行わせる駆動手段と、露光時間を決定する前記電子シャッタパルスの数を制御して、複数の撮像周期において露光時間を変更する露光時間制御手段と、前記固体撮像装置から取得される画像データから前記垂直方向に欠陥画素が連続してなる縦線キズを検出する縦線キズ検出手段と、前記縦線キズ検出手段によって検出された縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期ごとに格納する欠陥アドレス格納手段と、前記欠陥アドレス格納手段に格納された前記縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期間で比較して、前記縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定する欠陥種別判定手段と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
なお、前記欠陥種別判定手段により縦線キズの長さが露光時間に依存しないと判定された場合には、縦線キズの開始点のみを欠陥情報として記録し、前記欠陥種別判定手段により縦線キズの長さが露光時間に依存すると判定された場合には、縦線キズの開始点及びその露光時間ごとの長さを欠陥情報として記録する欠陥情報記録部を備えることが好ましい。
【０００９】
また、前記露光時間制御手段は、撮像周期ごとに露光時間を１／３０秒と１／６０秒との間で切り替えを行うことが好ましい。
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の固体撮像装置の検査方法は、２次元マトリクス状に配置され、入射光を光電変換して信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオードと、前記フォトダイオードの垂直列ごとに配され、読み出しゲートを介して前記フォトダイオードから読み出された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送部と、前記各垂直転送部の出力端に共通に接続され、前記各垂直転送部から転送された信号電荷を水平方向に転送する水平転送部と、前記水平転送部の出力端に配され、前記信号電荷を電圧信号に変換する出力部とが半導体基板の表層に形成され、前記半導体基板に電子シャッタパルスを印加することにより前記各フォトダイオードの蓄積電荷が前記半導体基板の深部に排出されるように構成された固体撮像装置の検査方法において、前記固体撮像装置を駆動して周期的に撮像動作を行わせ、露光時間を決定する前記電子シャッタパルスの数を制御して、複数の撮像周期において露光時間を変更し、前記固体撮像装置から取得される画像データから前記垂直方向に欠陥画素が連続してなる縦線キズを検出し、検出された縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期ごとに格納し、格納した前記縦線キズのアドレスを露光時間が変更された撮像周期間で比較して、前記縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かを判定することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の固体撮像装置は、上記検査方法によって検査されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の固体撮像装置の検査装置及び検査方法は、撮像周期ごとに電子シャッタパルス数を制御し、露光時間を変化させて縦線キズの検出し、検出された縦線キズが露光時間に依存するものであるか否かを判定するものであるため、電子シャッタパルスに依存しない定常的な縦線キズだけでなく、電子シャッタパルスによって生じる縦線キズを確実に検出することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１において、インターライン転送方式のＣＣＤ型固体撮像装置１０は、２次元マトリクス状に配置され、被写体からの入射光を光電変換により信号電荷に変換して蓄積する複数のフォトダイオード（ＰＤ）１１と、ＰＤ１１の垂直列ごとに配され、読み出しゲート（ＴＧ）１２を介してＰＤ１１から読み出された信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送部（ＶＣＣＤ）１３とからなる撮像領域１４を備える。
【００１４】
ＶＣＣＤ１３は、複数の垂直転送電極を備え、垂直転送電極に印加される垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４によって４相駆動される。これらの垂直転送電極のうち、第１及び第３の垂直転送パルスφＶ１，φＶ３が印加される転送電極は、ＴＧ１２のゲート電極を兼ねている。ＶＣＣＤ１３に読み出された信号電荷は、１水平走査期間の周期で水平転送部（ＨＣＣＤ）１５に転送される。ＨＣＣＤ１５は、各ＶＣＣＤ１３の出力端に共通に接続されており、ＶＣＣＤ１３から転送された１走査線分の信号電荷を水平方向に転送する。ＨＣＣＤ１５は、複数の水平転送電極を備え、水平転送電極に印加される水平転送パルスφＨ１，φＨ２によって２相駆動される。
【００１５】
ＨＣＣＤ１５の出力端には、フローティングディフュージョンアンプからなる出力部１６が配されている。この出力部１６は、ＨＣＣＤ１５の出力端へ転送されてきた信号電荷を電圧信号（画素信号）に変換して時系列的に出力を行う。
【００１６】
上記の各部は、ｎ型半導体基板（ｎ型シリコン基板）２０をベースとして、この表層に形成されたｐウェル層２１（図３参照）内に構成されている。ｎ型半導体基板２０には、基板電圧Ｖｓｕｂが印加される。基板電圧Ｖｓｕｂの値により、ＰＤ１１下に構成されるＶＯＤ（縦型オーバーフロードレイン）の電位障壁（ＯＦＢ：オーバーフローバリア）のレベルが決定される。つまり、基板電圧Ｖｓｕｂを制御することにより、ＰＤ１１の蓄積電荷をｎ型半導体基板２０に適宜排出することができる。
【００１７】
露光期間前（リセット期間中）には、ＯＦＢのレベルを下げ、ＰＤ１１内の蓄積電荷をｎ型半導体基板２０に排出（リセット）するように、基板電圧Ｖｓｕｂに高電圧パルス（電子シャッタパルス）が印加される。また、露光期間中（電荷蓄積期間中）には、ＯＦＢのレベルを上げ、ＰＤ１１が所定の電荷蓄積容量を有するように、基板電圧Ｖｓｕｂに所定の電圧（基板バイアス）が印加される。図２に示すように、リセット動作と電荷蓄積動作とは、１フレーム期間（撮像周期）ごとに行われ、リセット動作時に、電子シャッタパルスは、水平走査期間の周期で、水平ブランキング期間（Ｈ−Ｂｌｋ）内に印加されている。電子シャッタパルス数を変化させることにより、露光時間（電荷蓄積時間）を制御することが可能である。
【００１８】
なお、ＣＣＤ型固体撮像装置１０には、上記の垂直転送パルスφＶ１〜φＶ４、水平転送パルスφＨ１，φＨ２、及び基板電圧Ｖｓｕｂの他、出力部１６の信号電荷をリセットするためのリセットパルス、電源電圧、接地電圧なども印加されるが、これらの図示は省略している。
【００１９】
図３は、図１のＩ−Ｉ線に沿う断面構造を示す。ｎ型半導体基板２０の表層には、ｐウェル層２１が形成されており、ｐウェル層２１内には、ｎ型層からなり、信号電荷（電子）を蓄積する電荷蓄積部２２が形成されている。電荷蓄積部２２は、遮光膜２３に形成された開口２３ａ下に層状に広がっており、一端は基板表面に達している。電荷蓄積部２２とその下のｐウェル層２１との界面のｐｎ接合部とが前述のＰＤ１１を構成している。また、電荷蓄積部２２の表層には、暗電流の発生を抑制するためにｐ＋層２４が形成されている。
【００２０】
ｐウェル層２１は、電荷蓄積部２２下において薄くなっており、この薄部２１ａが前述のＯＦＢとなっており、薄部２１ａとその下のｎ型半導体基板２０とにより、前述のＶＯＤが構成されている。
【００２１】
遮光膜２３下のｐウェル層２１の表層には、ｎ型半導体層からなる垂直転送チャネル２５が形成されている。垂直転送チャネル２５は、ｐウェル層２１を介して電荷蓄積部２２と離間している。この離間部分及び垂直転送チャネル２５の上方には、基板表面に形成されたゲート絶縁膜２６を介して、垂直転送電極２７が形成されている。
【００２２】
垂直転送チャネル２５は、垂直転送電極２７とによって、前述のＶＣＣＤ１３を構成している。また、垂直転送チャネル２５と電荷蓄積部２２との離間部分は、その上方に延在した垂直転送電極２７とによって、前述のＴＧ１２を構成している。
【００２３】
電荷蓄積部２２のＴＧ１２と反対側の端部は、ｐ＋層２４が遮光膜２３下に延在されてなる素子分離層２４ａを介して隣接画素の垂直転送チャネル２５と離間されている。
【００２４】
遮光膜２３は、層間絶縁膜２８を介して、垂直転送電極２７上を覆っており、ＰＤ１１のみに光を入射させるように開口２３ａが形成されている。さらに、遮光膜２３上及び開口２３ａを覆うように平坦化層が形成され、さらに平坦化層上には、カラーフィルタやマイクロレンズなどが形成されているが、これらの図示は省略している。
【００２５】
以上のように構成されたＣＣＤ型固体撮像装置１０において、垂直転送電極２７に高電圧の読み出しパルスが印加されると、矢印Ａで示すように電荷蓄積部２２内の信号電荷が垂直転送チャネル２５に移送される。垂直転送チャネル２５に移送された信号電荷は、垂直転送電極２７に印加される垂直転送パルスに応じて紙面に垂直方向に転送される。また、ｎ型半導体基板２０に基板電圧Ｖｓｕｂとして電子シャッタパルスが印加されると、矢印Ｂで示すように電荷蓄積部２２内の信号電荷がｎ型半導体基板２０に排出される。
【００２６】
ところで、ＶＣＣＤ１３の一部に局所的な構造欠陥（結晶欠陥）が生じている場合には、画像中にＶＣＣＤ１３に沿った縦線キズが生じることがある。図４（Ａ），（Ｂ）は、縦線キズ３０，３１が生じた画像データを示す。画像データ３２は、高シャッタスピード時（短時間露光時）に取得されたものであり、画像データ３３は、低シャッタスピード時（長時間露光時）に取得されたものである。
【００２７】
縦線キズ３０は、シャッタスピードには依存せず、開始点３０ａから端部（ＨＣＣＤ１５とは反対側の端部）まで延在している。開始点３０ａは、電子シャッタパルスには依存せず、定常的に信号電荷をゲイン（電荷注入）またはロス（電荷放出）させる構造欠陥に対応する。この欠陥部を垂直転送される信号電荷にゲインまたはロスが生じることにより、縦線キズ３０が発生する。
【００２８】
一方、縦線キズ３１は、シャッタスピードに依存し、開始点３１ａからシャッタスピードに依存した長さだけ延在している。開始点３１ａは、電子シャッタパルスの印加に応じて信号電荷をゲインまたはロスさせる構造欠陥に対応する。図２に示したように、電子シャッタパルスは、直前のフレーム期間で生成した信号電荷を垂直転送する垂直転送動作時に印加されるため、縦線キズ３１の長さは、電子シャッタパルス数に応じて変化する。つまり、縦線キズ３１の長さは、露光時間が長い場合には、電子シャッタパルス数は少ないため短くなり、逆に、露光時間が短い場合には、電子シャッタパルス数は多いため長くなる。
【００２９】
次に、上記の縦線キズ３０，３１の判別を可能とするＣＣＤ型固体撮像装置１０の欠陥検出装置について説明を行う。図５において、欠陥検出装置４０は、照明装置４１、主制御部４２、駆動部４３、Ａ／Ｄ変換器４４、縦線キズ検出部４５、欠陥アドレス格納部４６、欠陥種別判定部４７、及び欠陥情報記録部４８によって構成されている。
【００３０】
照明装置４１は、検査対象のＣＣＤ型固体撮像装置１０に一定光量の光を照射する。駆動部４３は、タイミングジェネレータを含み、主制御部４２の指令に従って固体撮像装置１０に駆動信号（垂直転送パルス、水平転送パルス、電子シャッタパルス等）を与えるとともに、固体撮像装置１０及びＡ／Ｄ変換器４４に同期信号を与える。
【００３１】
Ａ／Ｄ変換器４４は、固体撮像装置１０から出力された撮像信号をデジタル信号に変換し、縦線キズ検出部４５に入力する。なお、Ａ／Ｄ変換器４４の前段に、固体撮像装置１０から出力された撮像信号に対して相関二重サンプリングやゲイン補正を行うアナログ信号処理部を設けてもよい。
【００３２】
主制御部４２は、欠陥検出装置４０の各部を制御するとともに、駆動部４３を制御して、固体撮像装置１０に与える電子シャッタパルス数を１フレーム周期ごとに切り替え、１フレーム周期ごとに露光時間（電荷蓄積時間）を“１／３０秒”（長時間露光）と“１／６０秒”（短時間露光）との間で切り替える。主制御部４２は、露光時間を変更する露光時間制御手段として機能している。
【００３３】
縦線キズ検出部４５は、１フレーム周期ごとに入力される１画面分の撮像信号（画像データ）に対して所定の信号処理を施し、縦線キズの検出を行う。具体的には、図６に示すように、縦線キズ検出部４５は、画像データを取得すると、点キズを除去するために、まず周知のメディアン処理を施し、次いで、点キズが除去された画像データを垂直列（ＶＣＣＤ１３に沿って並ぶ画素データ）ごとに加算して、図７に示すような一水平線分のデータを得る。図７（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ、図４（Ａ），（Ｂ）に示す画像データを垂直加算したものである。そして、縦線キズ検出部４５は、この一水平線分のデータを所定の閾値でスライスして縦線キズを検出し、さらに、検出した縦線キズの属する垂直列の画素データを所定の閾値でスライスすることにより、縦線キズのアドレス（欠陥アドレス）を特定する。
【００３４】
欠陥アドレス格納部４６は、欠陥アドレスが記録されるメモリ装置であり、第１欠陥アドレス格納部４６ａと第２欠陥アドレス格納部４６ｂとからなる。主制御部４２の制御により、第１欠陥アドレス格納部４６ａには、１／３０秒の長時間露光時に出力される画像データの欠陥アドレス（第１欠陥アドレス）が記録され、第２欠陥アドレス格納部４６ｂには、１／６０秒の短時間露光時に出力される画像データの欠陥アドレス（第２欠陥アドレス）が記録される。
【００３５】
欠陥種別判定部４７は、第１欠陥アドレス格納部４６ａに格納された欠陥アドレスと第欠陥アドレス格納部４６ｂに格納された欠陥アドレスとを比較して、縦線キズの長さが露光時間に依存するか否か（縦線キズ３０，３１のいずれの種別か）を判定し、判定結果（欠陥情報）を欠陥情報記録部４８に記録する。
【００３６】
欠陥情報記録部４８に記録される欠陥情報は、検出された縦線キズの長さが露光時間に依存しない場合（縦線キズ３０の場合）には、縦線キズの開始点のみ、検出された縦線キズの長さが露光時間に依存する場合（縦線キズ３１の場合）には、縦線キズの開始点及びその露光時間ごとの長さである。欠陥情報記録部４８に記録された欠陥情報は、固体撮像装置１０の実使用時の補正データとして利用される。
【００３７】
次に、図８に示すフローチャートに基づいて欠陥検出装置４０の作用を説明する。検査対象の固体撮像装置１０を所定位置にセットすると、照明装置４１によって固体撮像装置１０の撮像領域１４に一定光量の光が照射される（ステップＳ１）。次いで、駆動部４３により、固体撮像装置１０の駆動が開始され、全画素読み出し方式により１フレーム周期で撮像動作が繰り返し行われる（ステップＳ３）。このとき、主制御部４２の制御により、１フレーム周期ごとに露光時間が“１／３０秒”と“１／６０秒”との間で切り替えられる。
【００３８】
まず、１／３０秒の長時間露光時に出力される画像データが縦線キズ検出部４５に取り込まれ（ステップＳ３）、縦線キズ検出部４５により縦線キズの検出及びその欠陥アドレスの特定が行われ、欠陥アドレスが第１欠陥アドレス格納部４６ａに格納される（ステップＳ４）。続いて同様に、１／６０秒の短時間露光時に出力される画像データが縦線キズ検出部４５に取り込まれ（ステップＳ５）、縦線キズ検出部４５により縦線キズの検出及びその欠陥アドレスの特定が行われ、欠陥アドレスが第２欠陥アドレス格納部４６ｂに格納される（ステップＳ６）。
【００３９】
そして、欠陥種別判定部４７により、第１欠陥アドレス格納部４６ａに格納された欠陥アドレスと第欠陥アドレス格納部４６ｂに格納された欠陥アドレスとの比較が行われ、縦線キズの長さが露光時間に依存するか否かが判定され（ステップＳ７）、欠陥情報（補正データ）が欠陥情報記録部４８に記録される（ステップＳ８）。
【００４０】
なお、上記実施形態では、露光時間を“１／３０秒”と“１／６０秒”との間で切り替えを行っているが、本発明はこれに限定されず、露光時間は適宜変更してよい。また、露光時間の切り替えは、２段階に限られず３段階以上としてもよく、異なる３種以上の各露光時間における縦線キズをそれぞれ比較して欠陥種別の判定を行ってもよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、照明装置によって光照射を行った状態で画像データの取り込みを行うことにより「明時変調キズの検出」を行っているが、本発明はこれに限定されず、固体撮像装置の受光面側にメカシャッタなどを配し、遮光状態で画像データの取り込みを行うことにより「暗時白キズの検出」を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】ＣＣＤ型固体撮像装置の構成を示す模式図である。
【図２】ＣＣＤ型固体撮像装置の駆動信号を示すタイミング図である。
【図３】図１のＩ−Ｉ線に沿う断面を示す断面図である。
【図４】縦線キズが生じた画像データを示す図であり、（Ａ）は、高シャッタスピード時に取得されたものであり、（Ｂ）は、低シャッタスピード時に取得されたものである。
【図５】欠陥検出装置の構成を示すブロック図である。
【図６】縦線キズ検出部の信号処理を説明する図である。
【図７】画像データを垂直加算した一水平線分のデータを示す図であり、（Ａ）は、図４（Ａ）の画像データに対応し、（Ｂ）は、図４（Ｂ）の画像データに対応する。
【図８】欠陥検出装置の作用を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
１０  ＣＣＤ型固体撮像装置
１４  撮像領域
３０，３１  縦線キズ
３０ａ，３１ｂ  開始点
３２，３３  画像データ
４０  欠陥検出装置
４１  照明装置
４２  主制御部
４３  駆動部
４４  Ａ／Ｄ変換器
４５  縦線キズ検出部
４６  欠陥アドレス格納部
４６ａ  第１欠陥アドレス格納部
４６ｂ  第２欠陥アドレス格納部
４７  欠陥種別判定部
４８  欠陥情報記録部
【図１】
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【図２】
2008182330.tif 000004
【図３】
2008182330.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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