【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより当該凹部を埋める工程と、
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を順次成長させる工程と
を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２】
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる際に、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生する転位が、上記三角形の断面形状となる状態の上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の斜面またはその近傍に到達したとき、上記一主面に平行な方向に屈曲することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項３】
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層および上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる際に、上記凹部の底面の部分の上記基板に第１の幅を有する第１の穴が形成されるとともに、上記凹部の両側の部分の上記基板に上記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２の穴が形成されることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
上記凹部の断面形状は逆台形であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
上記凹部の深さをｄ、上記凹部の底面の幅をＷg 、上記三角形の断面形状となる状態の上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の斜面と上記一主面とがなす角度をαとしたとき、２ｄ≧Ｗg ｔａｎαが成立することを特徴とする請求項４記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
上記一主面に上記凹部と凸部とを交互に有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項７】
上記凹部は一方向に延在していることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項８】
上記凹部は、少なくとも、互いに交差する第１の方向および第２の方向に延在していることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項９】
上記凸部が六角形の平面形状を有し、この凸部が蜂の巣状に二次元配列しており、この凸部を囲むように上記凹部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１０】
上記凹部の両側の部分の上記基板上に非晶質層を有することを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１１】
上記凹部の両側の部分の上記基板上に第１の非晶質層、第２の非晶質層および第３の非晶質層を順次形成しておき、上記第２の非晶質層は上記第１の非晶質層および上記第３の非晶質層に対して選択的にエッチング可能であることを特徴とする請求項１記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項１２】
複数の発光ダイオードが集積された集積型発光ダイオードの製造方法において、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより当該凹部を埋める工程と、
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させる工程と、
上記第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を順次成長させる工程と
を有することを特徴とする集積型発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１４】
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記凹部の底面の部分の上記基板に第１の幅を有する第１の穴を有するとともに、上記凹部の両側の部分の上記基板に上記第１の幅よりも大きい第２の幅を有する第２の穴を有する
ことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１５】
複数の発光ダイオードが集積された集積型発光ダイオードにおいて、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする集積型発光ダイオード。
【請求項１６】
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板の当該凹部に、その底面を底辺とする三角形の断面形状となる状態を経て第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより当該凹部を埋める工程と、
上記第１の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層から上記基板上に第２の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を横方向成長させる工程と
を有することを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の成長方法。
【請求項１７】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ少なくとも一つ含むセルがプリント配線基板上に複数個配列した光源セルユニットにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする光源セルユニット。
【請求項１８】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードバックライトにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする発光ダイオードバックライト。
【請求項１９】
赤色発光の発光ダイオード、緑色発光の発光ダイオードおよび青色発光の発光ダイオードをそれぞれ複数個配列した発光ダイオードディスプレイにおいて、
上記赤色発光の発光ダイオード、上記緑色発光の発光ダイオードおよび上記青色発光の発光ダイオードのうちの少なくとも一つの発光ダイオードが、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする発光ダイオードディスプレイ。
【請求項２０】
一つまたは複数の発光ダイオードを有する電子機器において、
少なくとも一つの上記発光ダイオードが、
一主面に一つまたは複数の凹部を有する基板と、
上記基板上に、上記凹部に空隙を形成しないで成長された第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層と、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上の第１の導電型の第３の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層、活性層および第２の導電型の第４の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とを有し、
上記第６の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層において、上記凹部の底面との界面から上記一主面に対して垂直方向に発生した転位が、上記凹部の底面を底辺とする三角形部の斜面またはその近傍に到達し、そこから上記一主面に平行な方向に屈曲している
ことを特徴とする電子機器。