【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の動作条件下で動作するために調整が可能な可変マイクロ波回路であって、
導波管中に突き出るような構成のコアを有する可調同調要素を備える導波管と、前記可調同調要素は、前記コアを囲むマイクロ波トラップをさらに備え、前記マイクロ波トラップは前記導波管の外側に配置され、
前記導波管中に突き出している前記可調同調要素の前記コアの長さを選択的に変化させるアクチュエータと、
複数の動作条件の変化によりアクチュエータを選択的に変化させるように構成されているコントローラと、を備える、マイクロ波回路。
【請求項２】
前記アクチュエータは、空気圧式または電気式である、請求項１に記載のマイクロ波回路。
【請求項３】
前記複数の動作条件は、異なる別個のガス組成、異なるガス圧、異なるマイクロ波の出力の入力、又は前記条件の少なくとも１つを含む組み合わせ条件である、請求項１に記載のマイクロ波回路。
【請求項４】
前記別個のガス組成は、含窒素ガス、フッ素結合ガス、還元ガス、酸化ガス、不活性ガス、又は前記ガスの少なくとも１つを含む組み合わせガスである、請求項３に記載のマイクロ波回路。
【請求項５】
前記導波管の垂直方向に沿って前記可調同調要素の位置を選択的に変化させる垂直位置調整システムをさらに備える、請求項１に記載のマイクロ波回路。
【請求項６】
前記垂直位置調整システムは、前記導波管の長さ方向に沿って前記可調同調要素を選択的に配置する垂直アクチュエータと、前記複数の動作条件の変化に応じて前記垂直アクチュエータを選択的に動作させるように構成されているコントローラとを備える、請求項５に記載のマイクロ波回路。
【請求項７】
フォトレジスト、ポリマー及び基板残滓の少なくともいずれか１つを除去する可調プラズマアッシング装置であって、
マイクロ波の出力ソースを備え、プラズマを発生させるように構成されているプラズマ発生部と、
複数の動作条件下で動作するために調整が可能な可変マイクロ波回路と、
前記基板を収納し、前記プラズマ発生部と連動するプロセスチャンバーとを含み、
前記可変マイクロ波回路は、
マイクロ波エネルギーを伝送するためにマイクロ波の出力ソースと連動してマイクロ波エネルギーを伝送するように構成されている導波管と、
前記導波管中に突き出るように構成されているコアを有する可調同調要素と、前記コアは前記コアと前記導波管との間に配置されている金属または合金から成る複数のベアリングを備え、前記複数のベアリングは前記導波管の外側に配置され、前記導波管中に突き出るコアの長さを選択的に変化させるアクチュエータと、
前記複数の動作条件の変化に応じて前記アクチュエータを選択的に変化させるように構成されているコントローラとを備える、可調プラズマアッシング装置。
【請求項８】
前記複数のベアリングおよび前記コアの少なくとも一方は、ベリリウム銅で構成されている、請求項７に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項９】
前記アクチュエータは、空気圧式または電気式である、請求項７に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項１０】
前記複数の動作条件は、異なる合計ガス流量、別個のガス組成、異なるガス圧、異なるマイクロ波の出力の入力、又は前記条件の少なくとも１つを含む組み合わせ条件である、請求項７に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項１１】
前記別個のガス組成は、含窒素ガス、フッ素結合ガス、還元ガス、酸化ガス、不活性ガス、又は前記ガスの少なくとも１つを含む組み合わせガスである、請求項１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項１２】
前記導波管の垂直方向に沿って前記可調同調要素の位置を選択的に変化させるように構成されている垂直位置調整システムをさらに備える、請求項７に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項１３】
前記垂直位置調整システムは、
前記波導波管の長さ方向に沿って前記可調同調要素を選択的に配置する垂直アクチュエータと、
前記複数の動作条件の変化に応じて、前記垂直アクチュエータを選択的に動作させるように構成されているコントローラとを備える、請求項１２に記載の可調プラズマアッシング装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の可変マイクロ波回路を備えるプラズマアッシング装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の可変マイクロ波回路において、前記可変マイクロ波回路は、マイクロ波下流プラズマアッシング装置内に配置されている、可変マイクロ波回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
最良の実施例の言及を通して説明された、本発明の実施例の中で、本発明の実施例から外れない範囲で種々の変更が可能であり、同等物がその要素を代用できるということが、技術的に高度な実施例によって理解される。加えて、その本質的な範囲から外れない発明の実施例の教示によって多くの変更が可能であり、その変更によって特定の状況あるいは物質の適応が可能となる。その結果、本発明の実施例は、この発明を実行するために検討されたベストモードとして説明された特定の実施例に限定されないが、本発明の実施例は、従属項の範囲内に含まれるすべての実施例を含むことが意図されている。さらに、「第一の」、「第二の」等の言葉の使用は順番や重要性を示すものではないが、どちらかと言えば「第一の」、「第二の」等の言葉は、ある要素をもう１つの要素から区別するために使用される。さらに、”a”、”an”等の言葉の使用は、量の限定を示すものではないが、どちらかと言えば、参照された項目のうち少なくとも１つの存在を示すものである。
適用例１：複数の別個の動作条件下で動作するために調整が可能な継続的可変マイクロ波回路であって、導波管中に突き出るような構成のコアを有する可調同調要素によって構成された導波管と、上記可調同調要素と連動し、反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出しているコアの長さを選択的に変化させるために動作するアクチュエータと、上記アクチュエータと連動し、複数の動作条件の変化によりアクチュエータを選択的に動作させるために構成されたコントローラとを含むことを特徴とするマイクロ波回路。
適用例２：上記可調同調要素は、マイクロ波エネルギーの漏洩を防ぐために上記導波管とコアとを電気的に絶縁させるマイクロ波トラップをさらに備えることを特徴とする適用例１に記載のマイクロ波回路。
適用例３：上記可調同調要素のコアが上記導波管と電気的に密に連動し、上記コアと連動する複数のベアリングをさらに備え、上記ベアリングは、上記コアと導波管との間から漏れたマイクロ波エネルギーをアースするように設けられていることを特徴とする適用例１に記載のマイクロ波回路。
適用例４：上記複数のベアリングは、ベリリウム銅で構成されていることを特徴とする適用例３に記載のマイクロ波回路。
適用例５：上記アクチュエータは、空気圧又は電気で駆動することを特徴とする適用例１に記載のマイクロ波回路。
適用例６：上記複数の動作条件は、別個のガス組成、異なるガス圧、異なるマイクロ波の出力の入力、又は上記条件の少なくとも１つを含んで組み合わせた条件あることを特徴とする適用例１に記載のマイクロ波回路。
適用例７：上記別個のガス組成は、含窒素ガス、フッ素結合ガス、還元ガス、酸化ガス、不活性ガス、又は上記ガスの少なくとも１つを含んで組み合わせたガスであることを特徴とする適用例６に記載のマイクロ波回路。
適用例８：複数の動作条件下で動作するための能力をさらに供給するための、上記導波管の垂直方向に沿って上記可調同調要素の位置を選択的に変化させるための垂直位置調整システムをさらに含むことを特徴とする適用例１に記載のマイクロ波回路。
適用例９：上記垂直位置調整システムは、上記可調同調要素と連動し、反射されたマイクロ波の出力を最小化するためのマイクロ波導波管の縦に沿って当該可調同調要素の位置を選択的に決めるために動作できる垂直アクチュエータと、上記垂直アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化において上記垂直アクチュエータを選択的に動作させるために構成されたコントローラとを含むことを特徴とする適用例８に記載のマイクロ波回路。
適用例１０：フォトレジスト、ポリマー及び／または基板残滓を除去する可調プラズマアッシング装置であって、マイクロ波の出力ソースを含み、プラズマを発生させるためのプラズマ発生部と、マイクロ波の出力ソースと連動する複数の動作条件下で動作するために調整が可能な継続的可変マイクロ波回路と、上記マイクロ波の出力を届ける基板を収納するための導波管と連動するプロセスチャンバーとを含み、上記継続的可変マイクロ波回路は、マイクロ波エネルギーを伝送するためにマイクロ波の出力ソースと連動する導波管と、上記導波管と連動し、当該導波管中に突き出るように構成されたコアを含む可調同調要素と連動し、プラズマアッシング中に反射されたマイクロ波の出力を最小化するための導波管中に突き出るように構成されたコアの長さを選択的に変化させるよう動作するアクチュエータと、上記アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化において当該アクチュエータを選択的に動作させるために構成されたコントローラとを含むことを特徴とする可調プラズマアッシング装置。
適用例１１：上記可調同調要素は、マイクロ波エネルギーの漏洩を防ぐために上記導波管とコアとを電気的に絶縁させるマイクロ波トラップをさらに備えることを特徴とする適用例１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１２：上記可調同調要素のコアが上記導波管と電気的に密に連動し、上記コアと連動する複数のベアリングをさらに備え、上記ベアリングは、上記コアと導波管との間から漏れたマイクロ波エネルギーをアースするように設けられていることを特徴とする適用例１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１３：上記複数のベアリングは、ベリリウム銅で構成されていることを特徴とする適用例１２に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１４：上記アクチュエータは、空気圧又は電気で駆動することを特徴とする適用例１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１５：上記複数の動作条件は、異なる合計ガス流量、別個のガス組成、異なるガス圧、異なるマイクロ波の出力の入力、又は上記条件の少なくとも１つを含んで組み合わせたことを特徴とする適用例１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１６：上記別個のガス組成は、含窒素ガス、フッ素結合ガス、還元ガス、酸化ガス、不活性ガス、又は上記ガスの少なくとも１つを含んで組み合わせたことを特徴とする適用例１５に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１７：複数の動作条件下で動作するための能力をさらに供給するための、上記導波管の垂直方向に沿って上記可調同調要素の位置を選択的に変化させるための垂直位置調整システムをさらに含むことを特徴とする適用例１０に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１８：上記垂直位置調整システムは、上記可調同調要素と連動し、反射されたマイクロ波の出力を最小化するためのマイクロ波導波管の縦に沿って当該可調同調要素の位置を選択的に決めるために動作できる垂直アクチュエータと、上記垂直アクチュエータと連動し、複数の動作条件での変化において、上記垂直アクチュエータを選択的に動作させるために構成されたコントローラとを含むことを特徴とする適用例１７に記載の可調プラズマアッシング装置。
適用例１９：導波管内でマイクロ波エネルギーを発生させ、マイクロ波エネルギーと第一のガス組成から第一のプラズマを形成し、第一の挿入長で導波管内に同調スタブのコアを調整できるように挿入することによって、第一のプラズマから反射された出力を最小化し、マイクロ波エネルギーと第二のガス組成から第二のプラズマを形成し、第二のプラズマが発生されたとき、同時に第一の挿入長から第二の挿入長に可調同調スタブのコアを移動させることによって、第二のプラズマから反射された出力を最小化するために導波管中に挿入された同調スタブのコアの長さを選択的に変化させることを特徴とするプラズマアッシング処理。
適用例２０：第一の挿入長から第二の挿入長に同調スタブのコアを移動させるために、配置されたアクチュエータを動作させることをさらに含むことを特徴とする適用例１９に記載のプラズマアッシング処理。
適用例２１：複数の動作条件のうち少なくとも１つの中で変化を検出し、複数の動作条件のうち少なくとも１つの中で変化に応答してアクチュエータを自動的に動作させることを特徴とする適用例１９に記載のプラズマアッシング処理。
適用例２２：導波管の垂直方向に反って同調スタブのコアの位置を選択的に変化させることをさらに含むことを特徴とする適用例１９に記載のプラズマアッシング処理。