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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像手段により得られた入力画像中のエッジ点を抽出する画像処理装置において、
前記入力画像の各画素におけるエッジ強度を算出するエッジ強度算出手段と、
前記エッジ強度算出手段によって求められたエッジ強度データを、エッジ強度の大きさに応じて順位付けする順位付け手段と、
前記エッジ強度算出手段によって求められたエッジ強度データに基づいて、基準となる基準エッジ強度値を決定する基準エッジ強度値決定手段と、
前記エッジ点の抽出個数を決定する抽出個数決定手段と、
前記基準エッジ強度値と前記抽出個数とに基づいて、前記順位付けされたエッジ強度データからエッジ強度をエッジ強度閾値として特定するエッジ強度閾値特定手段と、
前記入力画像の各画素において、前記エッジ強度閾値に基づいて抽出すべきエッジ強度を持つ画素を前記エッジ点として抽出するエッジ点抽出手段と、を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記エッジ強度閾値特定手段は、前記基準エッジ強度値からの前記エッジ強度データの個数と前記抽出個数とに基づいて、前記順位付けされたエッジ強度データからエッジ強度をエッジ強度閾値として特定することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記順位付けする手段は、前記算出する手段により算出されたエッジ強度の度数分布情報を生成するものであり、
前記エッジ強度閾値特定手段は、生成した前記度数分布情報に基づいて、前記基準エッジ強度値から前記抽出個数をカウントし、前記エッジ強度閾値を決定することを特徴とする請求項１または２記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記画像処理装置はさらに、前記度数分布情報を表示する手段を備え、
前記抽出個数決定手段は、前記表示された前記度数分布情報上で、オペレータにより指定された抽出すべきエッジ強度の範囲に基づいて前記抽出個数を決定することを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記抽出個数決定手段は、オペレータにより指定された抽出すべきエッジ強度の範囲に基づいて前記抽出個数を決定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記基準エッジ強度値は、前記エッジ強度算出手段によって求められたエッジ強度の最高値であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記基準エッジ強度値は、前記エッジ強度算出手段によって求められたエッジ強度の最高値より所定量だけ低い値であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記エッジ強度閾値特定手段は、前記基準エッジ強度値を基準としてエッジ強度の高い側または低い側のエッジ強度データの個数と前記抽出個数とに基づいて、前記順位付けされたエッジ強度データからエッジ強度をエッジ強度閾値として特定し、
前記エッジ点抽出手段は、入力画像の各画素において、前記エッジ強度閾値と前記基準エッジ強度値に基づいて抽出すべきエッジ強度を持つ画素を前記エッジ点として抽出することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記エッジ強度閾値特定手段は、前記基準エッジ強度値を基準としてエッジ強度の高い側のエッジ強度データの個数と低い側の前記エッジ強度データの個数と前記抽出個数とに基づいて、前記順位付けされたエッジ強度データから高い側のエッジ強度を第１エッジ強度閾値とし、低い側のエッジ強度を第２エッジ強度閾値として特定し、
前記エッジ点抽出手段は、入力画像の各画素において、前記第１エッジ強度閾値と前記第２エッジ強度閾値に基づいて抽出すべきエッジ強度を持つ画素を前記エッジ点として抽出することを特徴とする請求項１〜５、７のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記画像処理装置はさらに、
検出すべきパターンが含まれるパターン画像を取得する手段と、
前記パターン画像の各画素において、エッジ強度を算出する手段と、
前記パターン画像の各画素の前記エッジ強度とパターン画像のエッジ強度閾値とに基づいてエッジ点を抽出し、抽出された当該エッジ点をパターン画像のエッジ点データとして登録する手段と、
パターン画像のエッジ点データを用いて、前記入力画像のエッジ点に対してパターンサーチを行う手段と、を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記エッジ強度算出手段は、前記入力画像の各画素における、画素間の輝度の変動量に基づいて、第１の方向のエッジ強度成分と、当該第１の方向に直交する第２の方向のエッジ強度成分とを算出し、当該第１および第２のエッジ強度成分に基づいて、前記エッジ強度とエッジ角度方向とを算出し、
画像処理装置は、さらに、前記エッジ点抽出手段により抽出されたエッジ点のうち、前記エッジ角度方向に沿った前記エッジ強度の極大値以外をエッジ点から除外する細線化手段と、
前記細線化手段により選択された前記エッジ点と、当該エッジ点と特徴が類似し、且つ、当該エッジ点に隣接するエッジ点と連結する手段と、
前記エッジ点の連結数の下限を指定する手段と、
前記連結数の下限未満のエッジ点を抽出すべきエッジ点から外す手段と、を備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記画像処理装置はさらに、エッジ強度予備下限値を指定する手段と、前記エッジ強度算出手段によって求められたエッジ強度データのうち、エッジ強度が前記予備下限値未満の画素は前記エッジ点の抽出対象から外す手段を備えることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１記載の画像処理装置。
【請求項１３】
撮像手段により得られた入力画像中のエッジ点を抽出する画像処理方法において、
前記入力画像の各画素におけるエッジ強度を算出し、
前記エッジ強度データを、エッジ強度の大きさに応じて順位付けし、
前記エッジ強度データに基づいて、基準となる基準エッジ強度値を決定し、
前記エッジ点の抽出個数を決定し、
前記基準エッジ強度値と前記抽出個数とに基づいて、前記順位付けされたエッジ強度データからエッジ強度をエッジ強度閾値として特定し、
前記入力画像の各画素において、前記エッジ強度閾値に基づいて抽出すべきエッジ強度を持つ画素を前記エッジ点として抽出することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月2日(2009.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制限されたサンプルタイミングインターバルを求めるステップと、
前記制限されたサンプルタイミングインターバル以内のランダムサンプル時間に、サンプルを取得するステップと
を含んでなり、
前記サンプルを取得するステップは、いくつかの取得した前記サンプルからの推定スペクトルの信号対雑音比がターゲット信号対雑音比を実現するまで反復されるものである、ランダムサンプリング方法。
【請求項２】
前記制限されたサンプルタイミングインターバルを求めるステップは、
対象の所定の周波数の集合のうちのいくつかの周波数とゼロヘルツではない周波数の集合のうちの最小周波数とのいずれか又は両方の関数である、タイミングインターバルの下限を確認し、
前記下限よりも大きい、タイミングインターバルの上限を確認する、
ことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記下限は、次式
Δｔｍｉｎ≧２／ｆ１／（２｜Ｆ｜＋１）
に従って求められる最小時間ステップΔｔｍｉｎであり、
式中、｜Ｆ｜は、前記所定の周波数の数であり、ｆ１は、前記所定の周波数の最低周波数である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記下限は、次式
Δｔｍａｘ≧１．５Δｔｍｉｎ
に従って求められる最小時間ステップΔｔｍｉｎである、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記サンプルを取得するステップは、
信号及びプロセスの１つをサンプリングして、新たに取得したサンプルを生成し
前記新たに取得したサンプルと以前に取得したサンプルとを結合して、いくつかのサンプルの集合を生成し、
結合した前記サンプルの集合について、推定スペクトルの信号対雑音比の尺度を評価する、
ことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ターゲット信号対雑音比は、前記タイムスタンプが付与されたサンプルの前記推定スペクトルに対する最小二乗フィットの最小二乗（Ｌ−Ｓ）行列ＡのＱＲ因数分解の右上三角因子行列Ｒが、次式
（ａ）min(abs(diag(R)))>0∧1/min(abs(diag(R)))<λ
（ｂ）min(abs(diag(R)))>0∧max(abs(diag(R)))/min(abs(diag(R)))<λ
のいずれか又は両方によって付与される条件を満足している場合に実現され、
式（ａ）、（ｂ）中、λは、約１．１以上、且つ、約１，０００未満である所定の限度である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
信号及びプロセスの１つからいくつかのサンプルを取得するサンプラと、
前記サンプラと通信状態にあるスペクトル推定器と
を含んでなり、
前記サンプラと前記スペクトル推定器とのいずれか又は両方は、いくつかの命令を有するコンピュータプログラムを含んでおり、該命令は、制限されたサンプルタイミングインターバルを求めて、前記制限されたサンプルタイミングインターバル以内のランダムサンプル時間において、前記信号又は前記プロセスのサンプルを取得させ、取得させた該サンプルにタイムスタンプを付与させ、該サンプルを取得することを、いくつかの取得した前記サンプルからの推定スペクトルの信号対雑音比がターゲット信号対雑音比を実現するまで反復させるものである、試験システム。
【請求項８】
被試験対象デバイスからの出力信号をサンプリングして、タイムスタンプが付与されたサンプルを生成するサンプラと、
制限されたサンプルタイミングインターバルを求めるサンプルタイミングモジュールであって、該サンプルタイミングインターバルは上限及び下限を有しており、該下限は、対象の所定の周波数の集合のうちのいくつかの周波数とゼロヘルツではない周波数の集合のうちの最小周波数とのいずれか又は両方の関数である、サンプルタイミングモジュールと
を含んでなり、
前記サンプラは、前記タイムスタンプが付与されたいくつかの前記サンプルからの推定スペクトルの信号対雑音比がターゲット信号対雑音比を実現するまで、連続したいくつかのランダムサンプル時間において前記出力信号をサンプリングし、該連続したいくつかのランダムサンプル時間は、前記下限よりも大きく前記上限よりも小さいインターバルによって分離されている、試験システム。
【請求項９】
前記サンプラは、
アナログ・デジタル変換器と、
プロセッサと、
メモリと
を含み、前記プロセッサは、前記アナログ・デジタル変換器と前記メモリとにバスを介して通信しており、
前記サンプルタイミングモジュールは、前記メモリ内に保存され、前記プロセッサによって実行されるコンピュータプログラムを含むものである、請求項８に記載の試験システム。
【請求項１０】
前記タイムスタンプが付与されたいくつかの前記サンプルから前記推定スペクトルを生成するスペクトル推定器をさらに含み、該スペクトル推定器は、前記推定スペクトルの信号対雑音比が前記ターゲット信号対雑音比を実現したかどうかを求めるものである、請求項８に記載の試験システム。
【請求項１１】
前記スペクトル推定器は、いくつかのサンプルについての要求を前記サンプラに送り、前記サンプラは、連続したランダムサンプル時間において、前記推定スペクトルの信号対雑音比が前記ターゲット信号対雑音比を実現するまで前記出力信号をサンプリングするものであり、前記スペクトル推定器は、前記ターゲット信号対雑音比を実現している場合には、サンプリングを停止するように前記サンプラに命令するものである、請求項１０に記載の試験システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正孔を提供するアノードと、
電子を提供するカソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に位置し、前記アノードの正孔と前記カソードの電子との結合によって互いに異なる波長の光を発光する複数の有機発光層と、
前記複数の有機発光層で発光した光を通過させるカラーフィルタ層と
を含み、
前記複数の有機発光層は順次に積層されていて、面積が互いに異なる有機発光表示装置。
【請求項２】
前記有機発光層各々は、赤色、緑色、青色のうちのいずれか一つを発光する請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記有機発光層は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層を含み、
前記青色発光層は、前記赤色発光層及び前記緑色発光層より広い面積を有している請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記有機発光層は、前記アノードに接する第１発光層と前記アノードと離れている第２及び第３発光層とを含み、
前記第１発光層が前記第２及び第３発光層より広い面積を有している請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記有機発光層は、前記カソードに接する第１発光層と前記カソードと離れている第２及び第３発光層とを含み、
前記第１発光層が前記第２及び第３発光層より広い面積を有している請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記複数の有機発光層は、それぞれの少なくとも一つの周縁が互いに整列されている請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記複数の有機発光層は、それぞれの中心が互いに整列されている請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記カラーフィルタ層は複数の有機発光層と重畳する請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
ゲート信号を提供するゲート電極と、
データ信号を提供するデータ電極と、
電源信号を提供する電源電極と、
前記ゲート電極、前記データ電極、前記電源電極から提供された信号によって動作するスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタと電気的に連結されて正孔を提供するアノードと、
前記アノードと対をなして電子を提供するカソードと、
前記アノードと前記カソードとの間に位置して重畳する第１発光層、第２発光層、第３発光層と、
前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層と互いに重畳するカラーフィルタ層と、を有し、
前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は互いに異なる発光面積を有している有機発光表示装置。
【請求項１０】
前記第１乃至第３発光層は、互いに異なる開口面積を有する複数のシャドーマスクを利用した蒸着法によって形成された請求項９に記載の有機発光表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心電極と、その中心電極の径方向周囲を取り囲む絶縁体と、前記絶縁体の径方向周囲を取り囲む主体金具と、前記中心電極との間に火花放電ギャップを形成するように、これと対向する形で配置された接地電極を有するとともに、タルクを主体に構成され、前記主体金具の内面と前記絶縁体の外面との隙間に充填されてこれをシールするシール充填材層を備え、
前記絶縁体と前記主体金具との隙間に該タルクを充填し、その状態で前記主体金具の後端側周縁を充填されたタルクととともに軸線方向に圧縮することにより内向きに曲げつつこれを前記絶縁体に向けて加締めることにより、前記絶縁体の外周面と前記主体金具の内周面により形成される加締め後の前記隙間の体積をＶ、充填される前記タルクの質量をＭとして、Ｍ／Ｖにて規定される前記シール充填材層の充填密度を１．５ｇ／ｃｍ３〜３．０ｇ／ｃｍ３となしたことを特徴とするスパークプラグ。
【請求項２】
前記シール充填材層を構成する前記タルクとして平均粒径が３０μｍ以上２００μｍ以下のものを使用する請求項１記載のスパークプラグ。
【請求項３】
前記主体金具には、当該スパークプラグを機関に取り付けるための工具係合部が形成されており、
該工具係合部の平行する２面の対面距離をＷとした場合、Ｗ＜１６ｍｍであり、
前記主体金具における前記シール充填材層を囲む部分の内径ＤＳが、９．０ｍｍ＜ＤＳ＜１３．０ｍｍを満たすとともに、前記絶縁体における前記シール充填材層に囲まれる部分の外径をＤＩとした場合に、ＤＳ−ＤＩ＞１．６ｍｍ、かつＤＩ≧７．０ｍｍを満たすよう設定され、
さらに、前記シール充填材層の充填密度が１．５ｇ／ｃｍ３〜３．０ｇ／ｃｍ３である請求項１又は請求項２に記載のスパークプラグ。
【請求項４】
前記シール充填材層は、常温で液体状態が維持され、かつ沸点が１５０℃以上であるバインダーを含有する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のスパークプラグ。
【請求項５】
前記シール充填材層に含有されるバインダーは、無機物又はシリコーンを含む請求項１ないし４のいずれかに記載のスパークプラグ。
【請求項６】
前記バインダーは水ガラスを含有する請求項５に記載のスパークプラグ。
【請求項７】
前記シール充填材層に含有されるバインダーの含有量は２〜７重量％である請求項４ないし６のいずれかに記載のスパークプラグ。
【請求項８】
前記シール充填材層は無機物又はシリコーンバインダーを２〜７重量％の範囲で含有する請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載のスパークプラグ。
【請求項９】
前記火花放電ギャップが形成される側を前方側としたときに、前記主体金具は、自身の後端側周縁部が前記絶縁体の外面に向けて加締め部を形成している請求項１ないし８のいずれかに記載のスパークプラグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スパークプラグ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、内燃機関用スパークプラグに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の課題は、タルクを主体とした粉末を使用しつつ高温環境においても優れたシール性を確保できるシール充填材層を備えたスパークプラグを提供することにある。特に、耐衝撃性、シール性に優れた小型のスパークプラグを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記課題を解決するために本発明は、
中心電極と、その中心電極の径方向周囲を取り囲む絶縁体と、前記絶縁体の径方向周囲を取り囲む主体金具と、前記中心電極との間に火花放電ギャップを形成するように、これと対向する形で配置された接地電極を有するとともに、タルクを主体に構成され、前記主体金具の内面と前記絶縁体の外面との隙間に充填されてこれをシールするシール充填材層を備え、
絶縁体と前記主体金具との隙間に該タルクを充填し、その状態で主体金具の後端側周縁を充填されたタルクととともに軸線方向に圧縮することにより内向きに曲げつつこれを絶縁体に向けて加締めることにより、絶縁体の外周面と主体金具の内周面により形成される加締め後の前記隙間の体積をＶ、充填されるタルクの質量をＭとして、Ｍ／Ｖにて規定されるシール充填材層の充填密度を１．５ｇ／ｃｍ３〜３．０ｇ／ｃｍ３となしたことを特徴とするスパークプラグを提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する第1の基板上に複数の発光素子と、隔壁とを有する画素部を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、前記隔壁によって端部を覆われた第1の電極と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に第2の電極とを有し、
前記隔壁と同じ材料である構造物が前記画素部を囲むように配置され、
前記構造物の膜厚は、前記隔壁の膜厚より厚いことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する第1の基板上に複数の発光素子と、単層の隔壁とを有する画素部を備えた発光装置であって、
前記発光素子は、前記隔壁によって端部を覆われた第1の電極と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に第2の電極とを有し、
前記隔壁は、前記発光素子上面から前記第1の基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、且つ該隔壁の側面に段差を有し、
前記隔壁と同じ材料である構造物が前記画素部を囲むように配置され、
前記構造物の膜厚は、前記隔壁の膜厚と同じであることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項1または請求項2において、
前記第1の基板に対向する第2の基板を有し、一対の基板の間隔を前記構造物が保持することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項3において、
前記発光素子の発光は、前記第2の基板を通過することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項3または請求項4において、
前記第2の基板は、前記第1の基板に樹脂材料で貼り合わせられていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項3乃至5のいずれか一において、
前記構造物と、一対の基板とで囲まれる領域は樹脂で充填されることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する第1の基板上に複数の発光素子と、単層の隔壁とを有する発光装置であって、
前記発光素子は、前記隔壁によって端部を覆われた第1の電極と、前記第1の電極上に有機化合物を含む層と、前記有機化合物を含む層上に第2の電極とを有し、
前記隔壁は、発光素子上面から前記第1の基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、該隔壁の側面に段差を有し、且つ該隔壁の膜厚の薄い段差部分は、該隔壁の膜厚の厚い突出した部分の半分以下の膜厚であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項1乃至7のいずれか一において、
前記第1の基板上に薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタ上に該薄膜トランジスタの電極に達する開口が設けられた絶縁膜とを有し、
前記第1の電極は、前記開口を介して前記薄膜トランジスタの電極と電気的に接続され、
前記隔壁は前記開口と重なる位置に形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項1乃至8のいずれか一において、
前記隔壁の上端部は、丸みを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する第1の基板上に複数の発光素子と、隔壁とを有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、
前記第1の基板上に第1の電極を形成し、
前記第1の電極の端部を覆うように前記隔壁と、前記画素部を囲むように、該隔壁より膜厚の厚い構造物とを形成し、
前記第1の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第2の電極を形成し、
前記構造物で基板間隔を保つように、前記第1の基板に対向する第2の基板を樹脂材料で前記第1の基板に貼り合わせて前記発光素子を封止することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面を有する第1の基板上に複数の発光素子と、隔壁とを有する画素部を備えた発光装置の作製方法であって、
前記第1の基板上に第1の電極を形成し、
回折格子パターン若しくは半透部を有する、フォトマスク又はレチクルを用いて、前記第1の電極の端部を覆うように、前記発光素子上面から前記第1の基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、且つ側面に段差を有する隔壁と、前記画素部を囲むように、該隔壁と膜厚が同じである構造物とを形成し、
前記第1の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第2の電極を形成し、
前記構造物で基板間隔を保つように、前記第1の基板に対向する第2の基板を樹脂材料で前記第1の基板に貼り合わせて前記発光素子を封止することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項10または請求項11において、
前記隔壁および前記構造物は、回折格子パターン若しくは半透部を有する、フォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項10乃至12のいずれか一において、
前記有機化合物を含む層の形成は、蒸着マスクを前記構造物に接して行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁表面を有する第1の基板上に第1の電極を形成し、
回折格子パターン若しくは半透部を有する、フォトマスク又はレチクルを用いて、前記第1の電極の端部を覆うように、前記発光素子上面から前記第1の基板に向かって裾広がりの断面形状を有し、側面に段差を有し、且つ膜厚の薄い段差部分は、膜厚の厚い突出した部分の半分以下の膜厚である、単層の隔壁を形成し、
前記第1の電極上に有機化合物を含む層を形成し、
前記有機化合物を含む層上に第2の電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項14において、
前記隔壁は、回折格子パターン若しくは半透部を有する、フォトマスク又はレチクルを用いて選択的に露光現像して形成した樹脂であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項14または請求項15において、
前記有機化合物を含む層の形成は、蒸着マスクを前記隔壁の膜厚の厚い部分に接して行うことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に対となって形成された発光素子が少なくとも一組み設けられている発光領域において、
対となっている前記発光素子の一方に設けられた第１の一対の電極、前記第１の一対の電極間に挟まれた複数の発光ユニット、前記複数の発光ユニットそれぞれを仕切る電荷発生層から構成されている第１の発光素子と、
対となっている前記発光素子の他方に設けられた第２の一対の電極と前記第２の一対電極間に挟まれた発光ユニットから構成されている第２の発光素子と、
前記第１の発光素子の初期の発光色を第１の発光色とし、前記第１の発光素子の経時変化後の発光色が第２の発光色となる時期を検出する第１の制御手段と、
前記第１の制御手段によって、前記第２の発光色となる時期を検出した際に、前記第２の発光素子が前記第２の発光色の補色となる色を発光するように制御する第２の制御手段と、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項２】
基板上に対となって形成された発光素子が少なくとも一組み設けられている発光領域において、
対となっている前記発光素子の一方に設けられた第１の一対の電極、前記第１の一対の電極間に挟まれた複数の発光ユニット、前記複数の発光ユニットそれぞれを仕切る電荷発生層から構成されている第１の発光素子と、
対となっている前記発光素子の他方に設けられた第２の一対の電極と前記第２の一対の電極間に挟まれた発光ユニットから構成されている第２の発光素子と、
前記第１の発光素子の初期輝度を第１の輝度とすると、前記第１の発光素子の輝度が前記第１の輝度から第２の輝度へ変化する時期を検出する第１の制御手段と、
前記第１の制御手段によって、前記第１の輝度から前記第２の輝度に変化する時期を検出した際に、前記第２の発光素子の輝度が強まるように発光色を制御する第２の制御手段と、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】
基板上に対となって形成された発光素子が少なくとも一組み設けられている発光領域において、
対となっている前記発光素子の一方に設けられた第１の一対の電極、前記第１の一対の電極間に挟まれた複数の発光ユニット、前記複数の発光ユニットそれぞれを仕切る電荷発生層から構成されている白色発光を示す第１の発光素子と、
対となっている前記発光素子の他方に設けられた第２の一対の電極と前記第２の一対の電極間に挟まれた発光ユニットから構成されているとともに、前記第１の発光素子に含まれる寿命の短い発光ユニットと同じ発光色を示す第２の発光素子と、
前記第１の発光素子に含まれる寿命の短い発光ユニットの寿命を検出する第１の制御手段と、
前記第１の制御手段によって、前記第１の発光素子に含まれる寿命の短い発光ユニットの寿命を検出した際に、前記第２の発光素子を発光するように制御する第２の制御手段と、
を有することを特徴とする照明装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光領域は、マトリクス状に配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光領域は、ストライプ状に配置されていることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月17日(2009.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、
前記ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界から突出している結晶粒を化学的機械的研磨に
よって除去して研磨された基板を形成する段階と、
前記研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、
前記洗浄された基板をアンローディングする段階とを有することを特徴とするポリシリ
コン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項２】
前記ポリシリコン結晶粒を除去して研磨された基板を形成する段階は、前記基板を研磨
パッドの表面に密着させた状態で前記研磨パッドを回転させる同時に前記基板と前記研磨
パッドとの間にスラリーを供給する段階を含み、
前記スラリーの研磨材は、アルミナ、シリカ、又はセリア（ＣｅＯ２）である、
ことを特徴とする請求項１に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項３】
前記研磨材の粒度範囲は、５０ｎｍ〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項２に記
載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項４】
前記洗浄された基板を形成する段階は、ブラシ洗浄、超音波洗浄、イソプロピルアルコ
ール洗浄又は超純水洗浄の少なくともいずれか一つで実施されることを特徴とする請求項
１に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項５】
前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、
前記洗浄された基板をアンローディングする段階後に、前記ポリシリコン層をパターニ
ングして前記ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の半導体層を形成する段階をさらに有す
ることを特徴とする請求項１に記載のポリシリコン薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【請求項６】
ポリシリコン結晶粒が形成された基板をローディングする段階と、
前記ポリシリコン結晶粒の間の結晶粒界から突出している結晶粒を化学的機械的研磨に
よって除去して研磨された基板を形成する段階と、
前記研磨された基板を洗浄して洗浄された基板を形成する段階と、
前記洗浄された基板をアンローディングする段階とを有する方法によって製造されたポ
リシリコン薄膜トランジスタ基板より成ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記ポリシリコン結晶粒を除去して研磨された基板を形成する段階は、前記基板を研磨
パッドの表面に密着させた状態で前記研磨パッドを回転させる同時に前記基板と前記研磨
パッドとの間にスラリーを供給する段階を含むことを特徴とする請求項６に記載の液晶
表示装置。
【請求項８】
前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、
前記洗浄された基板をアンローディングする段階後に、前記ポリシリコン層をパターニ
ングして前記ポリシリコン薄膜トランジスタ基板の半導体層を形成する段階をさらに有す
ることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記ポリシリコン結晶粒は、前記基板上にポリシリコン層で形成され、前記ポリシリコ
ン層は、前記突出している結晶粒を除去する間に実質的に平坦化されることを特徴とする
請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に形成されるポリシリコン層よりパターニングされて前記基板上に形成され
る半導体層とを有し、
前記ポリシリコン層は、突出しているポリシリコン結晶粒が除去されるように化学的機
械的研磨によって平坦化されることを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置および電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、有機材料と金属酸化物とを含む層を有し、
前記有機材料と金属酸化物とを含む層の電気伝導度の活性化エネルギーは０．０１ｅＶ以上０．３ｅＶ未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に、有機材料と金属酸化物とを含む層を有し、
前記有機材料と金属酸化物とを含む層の電気伝導度の活性化エネルギーは０．０１ｅＶ以上０．２６ｅＶ未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項３】
一対の電極間に、有機材料と金属酸化物とを含む層を有し、
前記有機材料と金属酸化物とを含む層の電気伝導度の活性化エネルギーは０．０１ｅＶ以上０．２０ｅＶ未満であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記有機材料と金属酸化物とを含む層は、可視光領域に吸収ピークがなく、金属酸化物の濃度が３０〜９５ｗｔ％であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項４において、前記有機材料は、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記有機材料と金属酸化物とを含む層は、可視光領域に吸収ピークがあり、金属酸化物の濃度が５〜９５ｗｔ％であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項６において、前記有機材料は、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、Ｎ，Ｎ’−ビス（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン、４，４’−ビス［Ｎ−（９，９−ジメチルフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ビフェニリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルのいずれかであることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記金属酸化物は、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物のいずれか一種もしくは複数種であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記有機材料と金属酸化物とを含む層は、前記一対の電極の一方の電極と接するように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発光装置を表示部として用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月11日(2009.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、互いに分離されている第１及び第２電極と、
少なくとも一部分が前記第１電極と前記第２ 電極との上に形成され、非晶質と多結晶質とを含む半導体と、
前記半導体上に形成されている第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記半導体上に位置する第３電極とを備え、
前記半導体の多結晶質の分布は、前記半導体の表面において最も高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記半導体の多結晶質の分布は、前記半導体の表面に向かうに従って高くなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記半導体と前記第１及び第２電極との間に形成されているオーミックコンタクト部材をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記半導体と前記第１絶縁膜との間に形成されている第２絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第２絶縁膜は、前記半導体と実質的に同じ平面形状を有することを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記第２絶縁膜は、前記半導体を完全に覆うことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
基板上に互いに分離されている第１電極及び第２電極を形成し、
前記基板上に非晶質シリコンと多結晶シリコンとが混在するシリコン膜を形成し、
前記シリコン膜をパターニングして半導体を形成し、
前記半導体上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に前記半導体と対向する第３電極を形成し、
前記第３電極上に保護膜を形成し、
前記保護膜上に画素電極を形成することを含むことを特徴とする薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン膜を形成するとき、シリコンを含有する気体と水素を混合した反応気体を用いて前記シリコン膜を化学気相蒸着することを含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記シリコン膜をスパッタリングによって形成するとき、
不活性気体と水素との混合気体を用いて種層を形成し、
前記水素の供給を止めて前記不活性気体のみを供給し前記種層上にシリコンを成長させて前記シリコン膜を形成することを含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体と前記ゲート絶縁膜との間に絶縁部材を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜に形成され、前記第１の絶縁膜の延長された部分を取り囲む第１の導電パッドパターンと、
前記第１の導電パッドパターン上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜を貫通して形成された第１の配列構造を有し、前記第１の導電パッドパターンと電気的に連結された第１の複数の導電ビアと、
前記第１の複数の導電ビアと電気的に連結され、前記第２の絶縁膜に形成され、前記第２の絶縁膜の延長された部分を取り囲む第２の導電パッドパターンと、
前記第２の導電パッドパターン上に形成された第３の絶縁膜と、
前記第３の絶縁膜を貫通して形成された第２の配列構造を有し、前記第２の導電パッドパターンと電気的に連結された第２の複数の導電ビアと、
前記第２の複数の導電ビアと電気的に連結され、前記第３の絶縁膜に形成された第３の導電パッドパターンと、を含むことを特徴とするボンディングパッド構造。
【請求項２】
前記第１の配列構造と前記第２の配列構造は、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載のボンディングパッド構造。
【請求項３】
前記第１の導電パッドパターンは、前記第１の絶縁膜の複数の延長された部分を取り囲み、前記第２の導電パッドパターンは、前記第２の絶縁膜の複数の延長された部分を取り囲むことを特徴とする請求項１または２に記載のボンディングパッド構造。
【請求項４】
前記第１の絶縁膜の延長された部分は開放された配列構造を有し、前記第２の絶縁膜の延長された部分は開放された配列構造を有することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項５】
前記第１の絶縁膜の延長された部分は、前記第１の導電パッド構造の周縁によって限定される面積の１５％程度であり、前記第２の絶縁膜の延長された部分は、前記第２の導電パッド構造の周縁によって限定される面積の１５％程度であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜の延長された部分は、前記第２の絶縁膜の延長された部分に対して実質的に垂直な方向を有するように配置されたことを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項７】
前記第１の絶縁膜の延長された部分は、前記第２の絶縁膜の延長された部分に対して実質的に垂直で側面的にオフセットされる方向に配置されたことを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項８】
前記第１の複数の導電ビアは、前記第２の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されたことを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項９】
前記第１の複数の導電ビアは、前記第２の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて９０％以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項１から８の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項１０】
前記第１の複数の導電ビアは、前記第２の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて５０％以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項１１】
前記第１の複数の導電ビアは、前記第２の複数の導電ビアに対して側面的にオフセットされる方向に配置されて１０％以下で垂直に重畳されることを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項１２】
前記第１の複数の導電ビアは、前記第１の絶縁膜が延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第１の導電パッドパターンと接触されるように配置され、
前記第２の複数の導電ビアは、前記第２の絶縁膜の延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第２の導電パッドパターンと接触されるように配置されたことを特徴とする請求項１から１１の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【請求項１３】
前記第１の複数の導電ビアは、メッシュパターンに配置され、
前記第２の複数の導電ビアは、メッシュパターンに配置され、前記第２の絶縁膜の延長された部分のうち互いに隣接する部分の間で前記第２の導電パッドパターンと接触されることを特徴とする請求項１から１２の何れか一項に記載のボンディングパッド構造。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されていて複数の溝を有する整列部と、
前記溝の少なくとも一部に入っている線状半導体と、
前記線状半導体と重畳する第１電極と、
前記線状半導体の両端と各々接続されている第２及び第３電極と、
を含む薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記線状半導体は、単結晶シリコンからなる縦芯と、前記縦芯を取り囲む絶縁膜と、前記絶縁膜を取り囲む導電体とを含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記線状半導体の両端の前記絶縁膜及び導電体は除去されており、前記第２及び第３電極は前記縦芯と直接接触している、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に形成されていて溝を有する整列部と、
前記溝の少なくとも一部に入っている線状半導体と、
前記線状半導体と重畳するゲート線と、
前記線状半導体の両端と各々接続されているデータ線及びドレイン電極と、
前記ドレイン電極と接続されている画素電極と、
を含む薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記線状半導体は、単結晶シリコンからなる縦芯と、前記縦芯を取り囲む絶縁膜と、前記絶縁膜を取り囲む導電体とを含む、請求項４に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記線状半導体の両端の前記絶縁膜及び導電体は除去されており、前記第２及び第３電極は前記縦芯と直接接触している、請求項５に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
基板上に溝を有する整列部を形成する段階と、
前記溝に線状半導体を満たす段階と、
前記線状半導体と重畳するゲート線を形成する段階と、
前記ゲート線と絶縁されて交差し、前記線状半導体の両端と各々接続されているデータ線及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極と接続されている画素電極を形成する段階と、
を含む薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記線状半導体を満たす段階は、
前記線状半導体を含む感光剤を塗布して前記線状半導体を含む感光膜を形成する段階と、
前記線状半導体を含む感光膜をパターニングして、前記整列部と重畳し、線状半導体を含む感光膜パターンを形成する段階と、
前記線状半導体を含む感光膜パターンの感光剤を除去する段階と、
を含む、請求項７に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記線状半導体は、単結晶シリコンからなる縦芯と、前記縦芯を取り囲む絶縁膜と、前記絶縁膜を取り囲む導電体とを含む、請求項８に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
前記整列部と重畳し、線状半導体を含む感光膜パターンを形成する段階で露出される前記線状半導体の前記絶縁膜及び前記導電体を除去する段階をさらに含む、請求項９に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に少なくとも隔壁と、隔壁と垂直な方向に形成された補助隔壁とを有するプラズマディスプレイ用部材において、前記隔壁の長手方向を縦方向としたとき、少なくとも基板縦方向の最上端および／または最下端の補助隔壁の高さが、それと直交する隔壁の高さより低く、その高さの差が４〜６０μｍであって、前記基板縦方向の最上端および／または最下端において直交する隔壁の高さより低い高さを有する補助隔壁を、前記基板縦方向の最上下端から各々１〜５本の範囲内で有することを特徴とするプラズマディスプレイ用部材。
【請求項２】
前記補助隔壁が表示領域内においては２〜５本一組で前記縦方向に隣り合う表示セルを区切るように存在し、非表示領域においては略等間隔に存在することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイ用部材。
【請求項３】
前記プラズマディスプレイ用部材の、基板最下端の補助隔壁の高さが画像表示領域内に形成された補助隔壁の高さより低く、その高さの差が４〜６０μｍであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディスプレイ用部材。
【請求項４】
前記プラズマディスプレイ用部材の画像表示領域における隔壁と補助隔壁の高さの差が０〜３０μｍであることを特徴とする請求項３記載のプラズマディスプレイ用部材。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用部材の製造方法において、基板に感光性ペーストを塗布し、該感光性ペーストの塗布膜を露光することにより、隔壁パターンおよび補助隔壁パターンを形成することを特徴とするプラズマディスプレイ用部材の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用部材の隔壁間に、ディスペンサー法により蛍光体ペーストを塗布することによって蛍光体層を設けることを特徴とする、プラズマディスプレイ用背面板の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイ用部材を用いることを特徴とするプラズマディスプレイ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち本発明は、基板上に少なくとも隔壁と、隔壁と垂直な方向に形成された補助隔壁とを有するプラズマディスプレイ用部材において、前記隔壁の長手方向を縦方向としたときに、少なくとも基板縦方向の最上端および／または最下端の補助隔壁の高さが、それと直交する隔壁の高さより低く、その高さの差が４〜６０μｍであって、前記基板縦方向の最上端および／または最下端において直交する隔壁の高さより低い高さを有する補助隔壁を、前記基板縦方向の最上下端から各々１〜５本の範囲内で有することを特徴とするプラズマディスプレイ用部材とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のトラックセグメントを含む、複数の独立して形成された記憶領域を有する記憶媒体を提供するステップと、
現在の記憶領域内のトラックセグメントの中央線に対するヘッドの位置を検出するステップと、
前記現在の記憶領域に隣接しない記憶領域を含む後続の記憶領域内の近接して並んだトラックセグメントに対応するトラック・オフセット情報にアクセスするステップと、
前記後続の記憶領域内の前記近接して並んだトラックセグメントに合わせるためにヘッド位置を調整するステップと、
を含むことを特徴とする不連続的メディアトラックにアクセスするための方法。
【請求項２】
前記複数の独立して形成された記憶領域が少なくとも一つの被スタンプ領域を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも一つの被スタンプ領域が、電子ビームリソグラフィによりパターン化されたマスターテンプレートから形成されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記複数の独立して形成された記憶領域が、媒体表面全体に実質的に対応するドーターテンプレートにより形成され、前記ドーターテンプレートが、単一の記憶領域に対応するマスターテンプレートから形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記複数の独立して形成された記憶領域が、２：１インターリーブ方式を用いてアクセスされることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記記憶媒体をマッピングし、前記複数のトラックセグメントの場所を決定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
隣接する記憶領域間の物理的オフセットを計算するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
各記憶領域からのトラックセグメントを備えたトラックを規定するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記トラックセグメントが、後続の記憶領域内の近接して並んだトラックセグメントであることを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
トラックにアクセスするステップが、現在の記憶領域から隣接しない記憶領域へと進むステップを含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１１】
オフセット情報を収集するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１２】
記憶領域内の少なくとも一つのトラックセグメントの場所を規定するテーブルを作成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１３】
前記テーブルをメモリ内に記憶するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
複数のトラックセグメントを含む、複数の独立して形成された記憶領域を有する記憶媒体と、
各記憶領域毎に、前記複数のトラックセグメントの少なくとも一つのトラックセグメントに対応するオフセット情報を記憶するように構成されたメモリと、
現在の記憶領域内のトラックセグメントの中央線に対するヘッドの位置を検出するように構成され、さらに前記オフセット情報にアクセスし、前記現在の記憶領域に隣接しない記憶領域を含む後続の記憶領域内の近接して並んだトラックセグメントに記憶ヘッドを位置合わせするように構成されたトラッキング・モジュールと、
を有することを特徴とする不連続的メディアトラックにアクセスするための装置。
【請求項１５】
前記複数の独立して形成された記憶領域が、少なくとも一つの被スタンプ領域を含むことを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記少なくとも一つの被スタンプ領域が、電子ビームリソグラフィによりパターン化されたマスターテンプレートから形成されることを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記少なくとも一つの被スタンプ領域が、媒体表面全体に実質的に対応するドーターテンプレートから形成され、前記ドーターテンプレートが、単一の記憶領域に対応するマスターテンプレートから形成されることを特徴とする請求項１５記載の装置。
【請求項１８】
前記記憶媒体がディスクを含むことを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項１９】
前記オフセット情報を収集するように構成されたマッピング・モジュールをさらに含むことを特徴とする請求項１４記載の装置。
【請求項２０】
前記マッピング・モジュールがさらに、各記憶領域からのトラックセグメントを含むトラックを規定するように構成されていることを特徴とする請求項１９記載の装置。
【請求項２１】
前記マッピング・モジュールがさらに、記憶領域内の少なくとも一つのトラックセグメントの場所を規定するテーブルを作成するように構成されていることを特徴とする請求項１９記載の装置。
【請求項２２】
前記マッピング・モジュールがさらに、隣接する記憶領域間の物理的オフセットを計算するように構成されていることを特徴とする請求項１９記載の装置。
【請求項２３】
複数のトラックセグメントを含み、複数の独立して形成された記憶領域を有する記憶媒体を含む記憶装置と、
前記記憶装置にアクセスするように構成された記憶アクセス装置と、を有し、
前記記憶装置はさらに、各記憶領域毎に前記複数のトラックセグメントの少なくとも一つのトラックセグメントに対応するオフセット情報を記憶するように構成され、現在の記憶領域内のトラックセグメントの中央線に対するヘッド位置を検出するように構成され、オフセット情報にアクセスし、前記現在の記憶領域に隣接しない記憶領域を含む後続の記憶領域内の近接して並んだトラックセグメントに記憶ヘッドを位置合わせするように構成されていることを特徴とする不連続的メディアトラックにアクセスするためのシステム。
【請求項２４】
前記記憶媒体がディスクを含むことを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２５】
前記複数の独立して形成された記憶領域が少なくとも一つの被スタンプ領域を含むことを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２６】
前記少なくとも一つの被スタンプ領域が、電子ビームリソグラフィによりパターン化されたマスターテンプレートから形成されることを特徴とする請求項２５記載のシステム。
【請求項２７】
前記記憶装置がさらに、オフセット情報を収集するように構成されていることを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２８】
前記記憶装置がさらに、各記憶領域からのトラックセグメントを含むトラックを規定するように構成されていることを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項２９】
前記記憶装置がさらに、隣接する記憶領域間の前記物理的オフセットを計算するように構成されていることを特徴とする請求項２３記載のシステム。
【請求項３０】
前記記憶装置がさらに、記憶領域内の少なくとも一つのトラックセグメントの場所を規定するテーブルを作成するように構成されていることを特徴とする請求項２３記載のシステム。