(57)【要約】【課題】デブリを生成する放射源から出た汚染材料をトラップするための回転フォイルトラップによるデブリ低減効果を向上させることができるデブリ低減システムを提供する。【解決手段】デブリ低減システムは、軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリアと、前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造とを備える。磁石構造はコンタミバリアを通して磁場を設けるように構成されている。磁場は、コンタミバリアを通過する際に、コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される。【選択図】図２
2008166772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デブリを生成する放射源から出た汚染材料をトラップするためのデブリ低減システムであって、
軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び
前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造（magnet structure）であって、前記コンタミバリアを通して磁場を提供するように構成されており、前記磁場が、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される、磁石構造、
を備えるデブリ低減システム。
【請求項２】
前記磁場は、前記回転コンタミバリアの所定回転に対してほぼ不変である、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項３】
前記磁場は、前記回転コンタミバリアのあらゆる回転に対してほぼ不変である、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項４】
前記放射に通路を提供するため、前記磁石構造は外側磁石構造として構成される、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項５】
前記外側磁石構造は、前記コンタミバリアの回転軸に対して垂直に配された磁軸を有するように構成された複数の外側磁石によって提供される、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項６】
前記外側磁石が、前記回転軸に対して半径方向の構成として設けられた線形磁石である、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項７】
前記外側磁石構造が、半径方向に対向する半円の極を備える中空構造である、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項８】
中央磁石構造は、前記中空構造の極とは逆の、半径方向に対向する磁極を備えて提供される、
請求項７に記載のデブリ低減システム。
【請求項９】
前記外側磁石構造は、軸方向に対向する磁極を備えた中空構造であり、中央磁石構造は、前記中空構造の極とは逆の、軸方向に対向する磁極を備えて提供される、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項１０】
前記外側磁石構造は、前記コンタミバリアを囲む静止リングとして提供される、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項１１】
前記外側磁石構造が前記コンタミバリアと共に回転する、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項１２】
中央磁石構造は前記回転軸の中心に設けられ、前記中央磁石構造は、前記磁石構造の磁極とは逆の磁極を有する、
請求項４に記載のデブリ低減システム。
【請求項１３】
前記中央磁石構造は、前記コンタミバリアに対して静止している、
請求項１２に記載のデブリ低減システム。
【請求項１４】
前記中央磁石構造が前記コンタミバリアと共に回転する、
請求項１２に記載のデブリ低減システム。
【請求項１５】
前記中央磁石構造は、前記回転コンタミバリアの回転軸と同心円状の磁軸を有する磁石を備える、
請求項１２に記載のデブリ低減システム。
【請求項１６】
前記コンタミバリアは、放射の伝搬方向と平行な面にそれぞれ位置付けられた複数のフォイルプレートを備える、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項１７】
前記プレートが前記磁場と平行に配向されている、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項１８】
前記磁場は、前記回転軸に対して、前記プレートを軸方向に横切る磁力線を有するように提供される、
請求項１７に記載のデブリ低減システム。
【請求項１９】
前記磁場は、前記回転軸に対して、前記プレートを半径方向に横切る磁力線を有するように提供される、
請求項１７に記載のデブリ低減システム。
【請求項２０】
放電生成プラズマ源又はレーザ生成プラズマ源をさらに備える、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項２１】
前記プラズマ源は、スズ、リチウム、又はキセノンを備える、
請求項１８に記載のデブリ低減システム。
【請求項２２】
コレクタエレメントをさらに備える、
請求項１に記載のデブリ低減システム。
【請求項２３】
前記コレクタエレメントは、前記コンタミバリアの回転軸に対して対称的な円筒状のものであり、かつ、同心円状で湾曲した反射表面を備える、
請求項２２に記載のデブリ低減システム。
【請求項２４】
前記反射表面は、約２〜７ｃｍの範囲内の距離でスタックされる、
請求項２３に記載のデブリ低減システム。
【請求項２５】
放射ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイス、
前記パターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システム、及び
デブリを生成する放射源によって生成された汚染材料をトラップするように構成されたデブリ低減システム、
を備えるリソグラフィ装置であって、
前記デブリ低減システムは、
軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び
前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造であって、前記コンタミバリアを通して磁場を設けるように構成されており、前記磁場が、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される、磁石構造、
を備える、
リソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、主に、デブリ低減システム及び当該デブリ低減システムを備えるリソグラフィ装置に関する。具体的には、デブリを生じさせる放射源から来る汚染材料をトラップするためのデブリ低減システムに関する。 
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常は基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によってなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、及び、放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向）にパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行又は逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。また、パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  ＥＵＶ放射に加え、ＥＵＶリソグラフィに使用される放射源は、光学部品にとって、また、リソグラフィプロセスが行われる作業環境にとって有害な汚染材料を発生させやすい。このため、ＥＵＶリソグラフィでは、ＥＵＶ放射源から出た放射ビームを調節するように構成された光学システムにおいて、汚染を制限することが必要である。この目的のため、例えば米国特許第６８３８６８４号に開示されるように、いわゆる回転フォイルトラップを使用することが知られている。一般的なフォイルトラップには、ＥＵＶ放射源によって生成される放射の方向とほぼ平行に位置合わせされた多数の密集フォイルが使用される。微粒子、ナノ微粒子、イオンなどのコンタミデブリは、フォイルプレートによって設けられた壁にトラップされる。したがって、このフォイルトラップは、放射源からの汚染材料をトラップするコンタミバリアとして機能することができる。通常、これらのフォイルトラップは、トラップを通過しようとするほぼ全てのコンタミ粒子をトラップできるように、十分大きな寸法で設計される。実際、速度方向はフォイルプレートと平行でないことが多いので、デブリの大部分を捕らえることができ、その結果、汚染材料の衝突が起こる。また、小さな粒子はランダム拡散パスを通過するが、そこで粒子のほとんどが最終的にトラップされる。しかし、粒子の一部は、フォイルトラップを通過するような方向及び速度で移動するため、光学部品を汚染してしまう可能性がある。これらの粒子のほとんどは、１０００ｍ／ｓ以上の速度で移動する微粒子やナノメータサイズの粒子である。このような粒子は回転フォイルトラップを使用することで移動を阻止できる。しかし、これらの粒子の一部は速度が非常に速いため、回転フォイルトラップでは阻止できない（通常、ナノメータサイズの粒子やイオン／高速中性粒子の場合）。フォイルトラップのデブリ低減機能を向上させるため、電磁偏向場が提案されている。
【０００４】
[0004]  しかし、回転フォイルトラップは静的電磁場でロータとして機能し、この静的電磁が回転フォイルトラップの機能を妨げ、フォイルトラップの回転を阻害することがある。 
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
[0005]  本発明の一態様によると、回転フォイルトラップのデブリ低減効果を向上させつつ、電磁場の阻害作用を低減させる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態によると、デブリを生成する放射源から出た汚染材料をトラップするためのデブリ低減システムが提供される。このシステムは、軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び、前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造、を有する。前記磁石構造は前記コンタミバリアを通して磁場を提供するように構成されている。前記磁場は、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によると、リソグラフィ装置が提供される。このリソグラフィ装置は、放射ビームにパターンを付与するように構成されたパターニングデバイス、前記パターン付与された放射ビームを基板上に投影するように構成された投影システム、及び、デブリを生成する放射源によって生成された汚染材料をトラップするように構成されたデブリ低減システム、を有する。このデブリ低減システムは、軸を中心に回転するように構成されたコンタミバリア、及び、前記放射源からの荷電デブリを偏向させるための磁場を提供するように構成された磁石構造、を有する。前記磁石構造は前記コンタミバリアを通して磁場を設けるように構成されている。前記磁場は、前記コンタミバリアを通過する際に、前記コンタミバリアの回転軸とほぼ一致する面に沿って配向される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
[0008]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【０００９】
[0017]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の概略図である。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一ポジショナＰＭに連結された、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第二ポジショナＰＷに連結された、基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された、投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を備える。
【００１０】
[0018]  照明システムは、放射を誘導、形成、又は制御するため、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、又はその他の型の光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せ等の様々な種類の光コンポーネントを含むことができる。
【００１１】
[0019]  サポート構造は、パターニングデバイスを支持する、即ち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。サポート構造は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、及び、例えば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されるか否かなどといった他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスを保持する。サポート構造は、機械式、真空式、静電式又はその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。サポート構造は、例えば、必要に応じて固定又は可動式にすることができるフレーム又はテーブルであってよい。サポート構造は、パターニングデバイスを、例えば、投影システムに対して所望の位置に確実に配置することができる。本明細書で使用される「レチクル」又は「マスク」という用語はすべて、より一般的な「パターニングデバイス」という用語と同義であると考えてよい。
【００１２】
[0020]  本明細書で使用される「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分内にパターンを創出する等の目的で放射ビームの断面にパターンを付ける際に使用できるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けられたパターンは、例えば、そのパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分内の所望のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けられたパターンは、集積回路等の、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００１３】
[0021]  パターニングデバイスは、透過型又は反射型であってよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、並びに、各種ハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配置を採用しており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向へ反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００１４】
[0022]  本明細書で使用される「投影システム」という用語は、使用される露光放射にとって、あるいは液浸液の使用又は真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、及び静電型光学システム、又はそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書で使用される「投影レンズ」という用語はすべて、より一般的な「投影システム」という用語と同義であると考えてよい。
【００１５】
[0023]  本明細書に示されているとおり、リソグラフィ装置は、反射型のもの（例えば、反射マスクを採用しているもの）である。または、リソグラフィ装置は、透過型のもの（例えば、透過型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００１６】
[0024]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブルで実施しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光に使用することもできる。
【００１７】
[0025]  また、リソグラフィ装置は、投影システムと基板の間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば、水によって基板の少なくとも一部を覆うことができるタイプのものであってもよい。さらに、リソグラフィ装置内の別の空間、例えば、マスクと投影システムの間、に液浸液を加えてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させる技術においてよく知られている。本明細書で使用される「液浸」という用語は、基板のような構造を液体中に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、投影システムと基板の間に液体があるということを意味するものである。
【００１８】
[0026]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源がエキシマレーザである場合、放射源とリソグラフィ装置は、別々の構成要素であってよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラー及び／又はビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムを使って送られる。その他の場合、例えば、放射源が水銀ランプである場合は、放射源をリソグラフィ装置の一体部分としてもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムとともに、放射システムと呼ぶことができる。
【００１９】
[0027]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタを備えうる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータ及びコンデンサ等、他の各種コンポーネントを備えてもよい。イルミネータを使って放射ビームを調節することにより、放射ビームの断面に所望の均一性及び強度分布をもたせることができる。
【００２０】
[0028]  放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射し、このパターニングデバイスによってパターン形成される。放射ビームＢは、マスクＭＡを通り抜けた後、投影システムＰＳを通過し、当該投影システムＰＳによって、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームが集束される。第二ポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、リニアエンコーダ、又は静電容量センサ）を使用して基板テーブルＷＴを正確に動かすことにより、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置付けることができる。同様に、第一ポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用することにより、例えば、マスクライブラリからの機械検索後又はスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置付けることができる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第一ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して行われる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第二ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを使用して行われる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに連結、あるいは、固定してよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせしてよい。図示するように、基板アライメントマークはそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分の間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、１つ以上のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２１】
[0029]  例示のリソグラフィ装置は、以下の１つ以上のモードで使用できる。
【００２２】
[0030]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静的露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。その後、基板テーブルＷＴをＸ及び／又はＹ方向に移動することにより、別のターゲット部分Ｃを露光する。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズよって、単一静的露光時に結像されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００２３】
[0031]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率及び像反転特性によって決まる。スキャンモードにおいては、露光フィールドの最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決定される。
【００２４】
[0032]  ３．  別のモードにおいては、マスクテーブルＭＴを、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で基本的に静止状態に保ち、また、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、又はスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイ等のプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２５】
[0033]  上述の使用モードの組合せ及び／又はバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００２６】
[0034]  図２は、本発明の実施形態に係る放射システムの基本構造を示している。同図において、点線はＥＵＶ放射源２から射出されたＥＵＶ放射１を示す。ＥＵＶ放射源２は放電生成プラズマ源又はレーザ生成プラズマ源（スズ、リチウム、又はキセノン放射源などとして知られる）であってよい。フォイルトラップ３は、放射源２から出た汚染材料をトラップするコンタミバリアとして機能する。そのため、フォイルトラップ３は複数の密集フォイルプレート４を備え、通常、これらのフォイルプレート４は、約０．３〜５ｍｍ（半径方向距離によって異なる）の間隔で配された約１００枚のプレートである。フォイルプレート４の長さ寸法は、放射源２からの放射の方向において、例えば約数ｃｍである。好ましくは、フォイルプレート４の長さは約１．５〜５ｃｍである。中心軸に沿って、放射源２を熱シールド５で遮蔽してもよい。
【００２７】
[0035]  フォイルトラップ（コンタミバリアとも呼ばれる）は、放射９の伝搬方向と平行な面にそれぞれ配される複数のフォイルプレート４を備えている。
【００２８】
[0036]  図２に概略的に示すように、放射の下流方向にはコレクタエレメント６が存在し、このコレクタエレメント６は、ＥＵＶ放射源２から出たＥＵＶ放射を収束して別のＥＵＶ光学部品へ投影するための収束力を有する。通常、このようなコレクタエレメント６は、中心軸方向に沿って対称を成す円筒状のものであってよく、同心円状に湾曲しかつ約１〜７ｃｍの範囲内の距離でスタックされたシェル形の反射表面７を備える。図２に示すように、放射源２とフォイルトラップ３との間のエリアには磁場８が存在する。この磁場８は、荷電粒子にフォイルトラップ３を通過させてしまう軌道から、荷電粒子を偏向させるように機能し得る。しかし、磁場８を通してフォイルトラップ３を回転させると、プレート４上の磁力線の束（磁束）が変化する。その結果、電流が発生し、この電流によって、フォイルトラップ３を駆動する力とは逆の力となる磁場が生じる。これによって、フォイルトラップ３を所望の速度で回転させることが難しくなる。
【００２９】
[0037]  本発明の一態様によると、コンタミバリア３を通して磁場８を設けるために、磁気構造を使用する。コンタミバリア３（図３参照）を通過する際、フォイルトラップ３の回転軸１０と重なる面に沿って磁場が配向する。図２の実施形態では、フォイルトラップ３はどのような形状のものであってもよく、また、フォイルトラップ３を通る磁束はフォイルトラップのすべての構成部分を通過する束の合計として定義できるが、プレート４は磁場８と平行に配向されるのが好ましい。この点では、フォイルトラップ３の回転軸に対し、磁力線が軸方向にプレート４を通過するように、磁場８が形成される。別の点では、磁場８は、回転軸に対し、半径方向にプレート４を通過する磁力線を有するように設けられても良い。
【００３０】
[0038]  本発明の別の態様によると、外側磁気構造１１が設けられており、荷電デブリを偏向させる磁場８を提供するとともに、放射に通路を提供している。磁気構造１１は、回転軸とほぼ一致する対称軸を有する磁場を設けるように構成されるのが好ましい。特に、対称とは、対称軸における回転対称性であり、また／または、対称軸を通過する１つ以上の面における鏡映対象性である。磁場８は、回転コンタミバリアの回転、つまり３６０°以下で特定の度数の回転に対してほぼ不変であることが好ましい。より好ましくは、磁場は、回転コンタミバリアのあらゆる回転度に対してもほぼ不変である。また、例えば、ＥＵＶ放射源から来たイオンを熱（粒子）化するためのバッファガスを使用して、放射源２とフォイルトラップ３との間又はフォイルトラップ３とコレクタ６との間のエリアに、別のデブリ低減システムを設けてもよい。その後、通常の原子デブリを阻止するのと同じ方法で、静止フォイルトラップによってイオンを阻止することができる。磁場は、フォイルトラップ３と共に回転してもよく、又はトラップ３に対して静止しているものであってもよい。
【００３１】
[0039]  図３は、図２に示す磁場８用の磁気構造９及び１１を詳細に示している。本実施形態では、半径方向に配向した磁場を設けるため互いに対向して配された、外側磁気構造１１及び中央磁気構造９を使用している。この例では、外側磁気構造１１は、軸対称の磁極を備えた、つまり、回転軸１０とほぼ平行な磁軸を有する、中空構造である。中央磁気構造９は、回転軸１０とほぼ平行な磁軸を提供する磁極であって、中空構造の極とは逆の磁極を有する。したがって、少なくとも磁気構造の軸外端において、概ね半径方向に配向した磁場が設けられる。第一磁石構造９はフォイルトラップ３の回転軸１０に組み込まれているので、フォイルトラップ３とともに回転するようになっている。なお、磁石９を静止状態にしておき、この軸磁石の周囲に回転フォイルトラップ３を設けてもよい。この利点としては、磁石に冷却装置を設けるのが簡単なことである。同じ理由から、磁石構造９を静止状態のものとすることが好ましいが、例えば、構造的な強さを強化するために、回転フォイルトラップ３の回転部分に組み込んでもよい。第二磁気構造１１は、フォイルトラップ３からある距離を隔てた位置に、フォイルトラップ３を取り囲むようにかつ磁力線が半径方向に走るように、配置してもよい。
【００３２】
[0040]  図４は、別の実施形態における回転軸の視野方向から見た断面図である。ここでは、磁場は完全な回転対称ではないが、回転コンタミバリアの１８０°以上の回転に対して概ね不変である。この磁気構造は、半円の半径方向に対向する極を備えた外側中空磁気構造１１と、半径方向に対向した磁極であって中空構造１１の極とは逆の磁極を備えた中央磁気構造９とを備える。外側構造１１は、好ましくは、回転中心軸に対して半径方向に位置合わせされた磁場を生成するように半径方向に位置合わせされかつ対向して配された湾曲磁気構造１０、１１の一体構造である。磁場の回転対称性が制限されているため、磁気構造１０、１１がフォイルトラップと共に回転する場合は、回転フォイルトラップを取り囲むコンポーネントが、変化する磁場の影響をある程度受ける。構造１０、１１が静止状態のものであれば、回転フォイルトラップは変化する磁場の影響をある程度受ける。
【００３３】
[0041]  図５は別の実施形態を示しており、回転フォイルトラップ３に組み込むための磁気構造又は回転フォイルトラップ３に対して静止する磁気構造が示されている。構造１１は、例えば、コンタミバリアの周囲に設けられた静止リングとして、回転軸と同心円状に配されている。構造１１は、コンタミバリアの中心軸に対して半径方向に位置合わせされかつ配された、磁軸を有する複数の線形磁石を備える。回転軸上に設けられた磁石、及び、回転軸から距離をおいた同心円状のリング１２に設けられた磁石の数を増やすことにより、磁場を回転に対してより不変にすることができる。通常、回転軸上の磁石の数及びリング１２内の磁石の数は異なるものであり、例えば、リング１２内に配される磁石の数の方が多い。また、軸又は回転軸を囲むリング上にそれぞれ配される磁気構造９、１１の一方を省略してもよい。図５に示す実施形態では、半径方向に位置合わせされた磁石を中心軸に対して固定してもよい。また、回転フォイルトラップ３の周囲に配された静止リングとして磁石を設けてもよい。 
【００３４】
[0042]  図６は、偏向磁場が、回転軸上に磁軸を有する２つの対向する線形磁石１３によって形成される実施形態を示している。したがって、本実施形態では、磁石構造は、回転コンタミバリアの回転軸と同心状に配向した磁軸を有する線形磁石を備える。この磁場は、回転フォイルトラップ３の回転軸の周囲において、完全な回転対称となっている。同様に、回転フォイルトラップ３を取り囲む２つの対抗する中空円筒形磁石を使用することにより、又は、２つの対向する磁石の代わりに単一磁石を使用することにより、対称磁場を形成してよい。
【００３５】
[0043]  図７は、３０ｍｍの軸長を有する回転フォイルトラップを備える実施形態における、磁場の強さの計算結果を示し、図８は、４０ｍｍの長さを有する光軸に対して直列に位置合わせされた静止フォイルトラップを使用した場合の結果を示している。フォイル間隔は約２ｍｍとなるように、高エネルギーイオンの平均電離度（Ｅ／Ｚ＝２．５ｋＶ及びＥ／Ｚ＝３ｋＶ）は約８＋となるようにしてある。図８に示すように、約０．１５Ｔの磁場の強さを使用して、約４００ｋｅＶのＥｋｉｎまでのエネルギーを有するイオンを、回転フォイルトラップと静止フォイルトラップとの組合せを使用して止めることができる。図７に示すように、静止フォイルトラップなしの場合は、最低電荷Ｚ＝６のイオンの偏向に基づき、約１０ｋｅＶのＥｋｉｎまでのエネルギーを有するイオンを止めることができる。図７では、所定の磁場の強さＢ及びイオン電荷Ｚに対して、垂直偏向ｘ（Ｌ）が得られる。太い水平線はフォイルトラップ間隔ｂを示す。ｘ（Ｌ）＞ｂの値の場合、イオンはフォイルと衝突する。図８において、所定の磁場の強さＢ及びイオン電荷Ｚに対して、垂直偏向ｙ（Ｌ）が得られる。太い水平線はフォイルトラップ間隔ｂを示す。ｙ（Ｌ）＞ｂの値の場合、イオンがフォイルと衝突する。
【００３６】
[0044]  図２の実施形態では回転軸が放射源のピンチに向いている、つまり光軸と一致している回転フォイルトラップを示しているが、この回転軸は、放射源からの視野線に対してある角度を有してもよい。 
【００３７】
[0045]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドの製造といった他の用途を有することが理解されるべきである。当業者には当然のことであるが、そのような他の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」又は「ダイ」という用語がすべて、それぞれより一般的な「基板」又は「ターゲット部分」という用語と同義であると考えてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、及び／又は、インスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツール及びその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語が、既に多層処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３８】
[0046]  光リソグラフィの関連での本発明の実施形態の使用について上述のとおり具体的な言及がなされたが、本発明は、他の用途、例えば、インプリントリソグラフィに使用してもよく、さらに状況が許すのであれば、光リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィによって、基板上に創出されるパターンが定義される。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、又はそれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００３９】
[0047]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、約３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、又は１２６ｎｍの波長を有する）、極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）、及びイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含む、あらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００４０】
[0048]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、及び静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのどれか１つ又は組合せを指すことができる。
【００４１】
[0049]  以上、本発明の具体的な実施形態を説明してきたが、本発明は、上述以外の態様で実施することも可能である。例えば、本発明は、上記に開示した方法を表す１つ以上の機械読取可能な指示のシーケンスを含むコンピュータプログラム、又は、そのようなコンピュータプログラムが記憶されたデータ記録媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク又は光ディスク）の形態であってもよい。
【００４２】
[0050]  上記の説明は、制限ではなく例示を意図したものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】[0009]  図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示している。
【図２】[0010]  図２は、本発明の第一実施形態を示している。
【図３】[0011]  図３は、図２に示す磁場のための磁気構造を詳細に示している。
【図４】[0012]  図４は、回転軸の視野方向から見た断面図である。
【図５】[0013]  図５は、磁気構造の別の実施形態を示している。
【図６】[0014]  図６は、磁気構造のさらに別の実施形態を示している。
【図７】[0015]  図７は、静止フォイルトラップを持たない本発明の実施形態における、磁場の強さの計算結果を示している。
【図８】[0016]  図８は、静止フォイルトラップを備える本発明の実施形態における、磁場の強さの計算結果を示している。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【外国語明細書】
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