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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2010531293.tif 000001
［式中、Ｒ１は、下記(1-1)〜(1-7)で示されるいずれかの基を示す。
(1-1) 基−ＣＯ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＲ２
（ここで、ｎは１〜４の整数を示す。Ｒ２は、(2-1)水酸基；(2-2)置換基として水酸基、低級アルカノイル基、低級アルカノイルオキシ基、低級アルコキシカルボニルオキシ基、シクロアルキルオキシカルボニルオキシ基もしくは５−メチル−２−オキソ−１，３−ジオキソール−４−イル基を有することのある低級アルコキシ基；または(2-3)置換基としてヒドロキシ低級アルキル基を有することのあるアミノ基を示す。）
(1-3) 基−ＣＯ−（ＣＨ２）ｐ−Ｏ−ＣＯ−ＮＲ５Ｒ６
（ここで、ｐは１〜４の整数を示す。Ｒ５は低級アルキル基を示す。Ｒ６は低級アルコキシカルボニル低級アルキル基を示す。）
(1-4) 基−ＣＯ−（ＣＨ２）ｑ−Ｘ−Ｒ７
（ここで、ｑは１〜４の整数を示す。Ｘは、酸素原子、硫黄原子またはスルホニル基を示す。Ｒ７は、カルボキシ低級アルキル基または低級アルコキシカルボニル低級アルキル基を示す。）
(1-5) 基−ＣＯ−Ｒ８
（ここで、Ｒ８は、(8-1)アルキル基上にハロゲン原子、低級アルカノイルオキシ基もしくはフェニル基（該フェニル基は、ヒドロキシ基がベンジル基で置換されていてもよいジヒドロキシホスホリルオキシ基および低級アルキル基で置換されている）が置換していてもよいアルキル基、(8-2)ハロゲン原子、低級アルカノイルオキシ基もしくはジヒドロキシホスホリルオキシ基を置換基として有する低級アルコキシ基、(8-3)ピリジル基、または(8-4)低級アルコキシフェニル基を示す。）
(1-6) 低級アルキルチオ基、ジヒドロキシホスホリルオキシ基および低級アルカノイルオキシ基からなる群より選ばれた基が置換した低級アルキル基
(1-7) １個以上の保護基を有することのあるペプチド残基］
で表されるベンゾアゼピン化合物またはその塩。
【請求項２】
一般式（１）において、Ｒ１が基−ＣＯ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（ここで、ｎは１〜４の整数）、基−ＣＯ−Ｒ８（ここで、Ｒ８はアルキル基）及び１個以上の保護基を有することのあるペプチド残基からなる群から選ばれた基を示す、請求項１に記載の化合物またはその塩。
【請求項３】
一般式（１）において、Ｒ１がサルコシル−グリシル、グリシル−グリシル、グリシル−サルコシル、グリシル−アラニル、アラニル−グリシル、サルコシル−サルコシル、グリシル−フェニルアラニル、フェニルアラニル−グリシル、フェニルアラニル−フェニルアラニル、グリシル−グリシル−グリシル、Ｎ，Ｎ−ジエメルグリシル−グリシル、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルグリシル−グリシル、サルコシル−グリシル−グリシル及びＮ，Ｎ−ジメチルグリシル−グリシル−グリシルからなる群から選ばれたペプチド残基（各基は、１個以上の保護基で保護されていてもよい）である、請求項１に記載の化合物またはその塩。
【請求項４】
一般式（１）において、Ｒ１がサルコシル−グリシル、グリシル−グリシル、グリシル−サルコシル、グリシル−アラニル、アラニル−グリシル、グリシル−フェニルアラニル、フェニルアラニル−グリシル、フェニルアラニル−フェニルアラニル、グリシル−グリシル−グリシル、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシル−グリシル、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルグリシル−グリシル及びＮ，Ｎ−ジメチルグリシル−グリシル−グリシルからなる群から選ばれたペプチド残基（各基は、１個以上の保護基で保護されていてもよい）である、請求項３に記載の化合物またはその塩。
【請求項５】
一般式（１）において、Ｒ１が基−ＣＯ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ（ここで、ｎは１〜４の整数）を示す、請求項２に記載の化合物またはその塩。
【請求項６】
一般式（１）において、Ｒ１が基−ＣＯ−Ｒ８（ここで、Ｒ８はアルキル基）を示す、請求項２に記載の化合物またはその塩。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央内孔（７）、下端および上端（８）を有する多孔質ＳｉＯ２体（４）が、焼結炉（５）にてゾーン毎に前記上端（８）から焼結されて石英ガラス円筒が得られ、第一焼結工程中、前記ＳｉＯ２体（４）が垂直方向に立って保持される保持具が用いられ、第二焼結工程にて前記ＳｉＯ２体（４）が吊り下げられ、前記保持具は石英ガラスの融合体（１０；２０；３０）を備え、前記融合体は前記内孔（７）の上端（８）領域に設けられ、前記第一焼結工程にて前記ＳｉＯ２体（４）の石英ガラスと融着し、前記第二焼結工程中、前記保持具の保持要素（６；２；３１）と有効な作用をおこない、前記保持要素と共に焼結すべきＳｉＯ２体（４）の吊り下げ保持に貢献する、以上の段階を含む石英ガラスの円筒を製造する方法。
【請求項２】
前記保持具が用いられ、前記内孔（７）の上端（８）領域にて、前記支持環（６）が前記ＳｉＯ２体の壁にはめこまれ、前記第一焼結工程の初めには前記ＳｉＯ２体の壁上に前記融合体（１０）が在り、前記第二焼結工程にて前記支持環（６）は前記ＳｉＯ２体（４）の軸方向の収縮により、前記内孔（７）に設けられた軸受け上に支持される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記融合体（１０）は環状である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記保持具が支持ベース（３）、前記支持ベース（３）に結合した保持ロッド（１）、部分的に前記保持ロッド（１）を囲むクラッド管（２）、前記ＳｉＯ２体（４）の内孔（７）を通して延びる前記保持ロッド（１）、石英ガラススリーブ（２０）の形状の前記融合体、その壁厚は前記保持ロッド（１）と前記ＳｉＯ２体内壁の間の環状隙間を埋める厚さであり、そのため残存する環状隙間の幅は前記保持ロッド（１）に対して２ｍｍ未満である、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記保持具は支持ベース（３）、前記支持ベース（３）に結合した保持ロッド（１）、部分的に前記保持ロッド（１）を囲むクラッド管（２）、前記ＳｉＯ２体（４）の内孔（７）を通して延びる前記保持ロッド（１）、環状で、前記クラッド管（２）上に在る融合体（２０）を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記融合体は前記石英ガラススリーブ（２０）の形状であり、その壁厚は前記保持ロッド（１）と前記ＳｉＯ２体内壁の間の環状隙間を埋める厚さであり、そのため残存環状隙間は前記保持ロッド（１）に対して２ｍｍ未満である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記融合体は延伸された石英ガラス体（３０）であり、前記石英ガラス体（３０）は上端と下端をもち、前記下端は前記ＳｉＯ２体（４）の内孔（７）に突出し、前記上端は保持具（３１）に把持され、それにより焼結すべき前記ＳｉＯ２体（４）は、前記第二焼結工程中、前記石英ガラス体（３０）から吊り下げ保持される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記融合体（１０；２０；３０）は、焼結温度にて、前記ＳｉＯ２体（４）の石英ガラスよりも粘度が高い石英ガラス品質である、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
合成石英ガラスの前記融合体（１０；２０；３０）が用いられる、請求項１から８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記支持ベース（３）、前記支持ベース（３）に結合した保持ロッド（１）、前記保持ロッド（１）は焼結すべきＳｉＯ２体（４）の内孔（７）を通して延び、前記保持具は石英ガラスの融合体（１０；２０；３０）を有し、前記融合体は第一焼結工程の初めは支持環（６）の上に在り、前記支持環（６）は前記ＳｉＯ２体内孔（７）の上端（８）領域で前記ＳｉＯ２体の壁にはめこまれ、前記融合体は第一焼結工程で焼結すべき前記ＳｉＯ２体（４）の石英ガラスに融着し、少なくとも第二焼結工程中、有効な作用を支持環（６）とおこない、支持環（６）はＳｉＯ２体（４）の軸方向の収縮により前記内孔（７）に設けられた軸受けに支持され、前記環と共に、焼結すべきＳｉＯ２体（４）の吊り下げ保持に貢献する、以上を備えた、請求項１から９のいずれかに記載の方法により管状多孔質ＳｉＯ２体を焼結することにより、石英ガラス円筒を製造するための保持具。
【請求項１１】
前記融合体（１０）が環状である、請求項１０に記載の保持具。
【請求項１２】
前記保持具は、部分的に前記保持ロッド（１）を囲むクラッド管（２）を有し、前記融合体は石英ガラススリーブ（２０）形状であって、壁厚は保持ロッド（１）とＳｉＯ２体内壁の間の環状の隙間を埋める厚さで、残存する環状の隙間の幅は前記保持ロッド（１）に対して２ｍｍ未満である、請求項１０または１１に記載の保持具。
【請求項１３】
支持ベース（３）、前記支持ベース（３）と結合した保持ロッド（１）、保持ロッド（１）は焼結すべき前記ＳｉＯ２体（４）の内孔（７）を通して延び、前記保持具は石英ガラスの環状融合体（１０；２０；３０）を有し、前記融合体は、部分的に前記保持ロッド（１）を囲むクラッド管（２）の上面に在り、第一焼結工程では焼結すべき前記ＳｉＯ２体（４）の石英ガラスに融着し、少なくとも第二焼結工程中、前記クラッド管（２）と有効な作用を行ない、焼結すべき前記ＳｉＯ２体（４）の吊り下げ保持に貢献する、以上を備えた請求項１から９に記載のいずれかの方法により、管状多孔質ＳｉＯ２体を焼結することにより石英ガラス円筒を製造するための保持具。
【請求項１４】
前記融合体は石英ガラススリーブ（２０）の形状であり、壁厚は保持ロッド（１）とＳｉＯ２体内壁の間の環状の隙間を埋める厚さで、残存する環状の隙間の幅は前記保持ロッド（１）に対して２ｍｍ未満である、請求項１３に記載の保持具。
【請求項１５】
前記融合体（１０；２０；３０）は、焼結温度にて、前記ＳｉＯ２体（４）の石英ガラスよりも粘度が高い石英ガラス品質である、請求項１０から１４のいずれかに記載の保持具。
【請求項１６】
前記融合体（１０；２０；３０）は合成石英ガラスからなる、請求項１０から１５のいずれかに記載の保持具。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
これに関連して、次のことも有用である。保持具が支持ベース、支持ベースに結合した保持ロッド、部分的に保持ロッドを囲むクラッド管を有する。保持ロッドは、ＳｉＯ２体の内孔を通って延びる。融合体は石英ガラス鞘の形状で構成される。その壁厚は、保持ロッドとＳｉＯ２体の内壁の環状の隙間を埋めるように構成される。保持ロッドとの残る環状隙間は２ｍｍ未満である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
本発明の、別の同様に好ましい例では、保持具が上記の支持環なしで用いられる。保持具は支持ベース、支持ベースに結合した保持ロッド、部分的に保持ロッドを囲むクラッド管を有する。保持ロッドは、ＳｉＯ２体の内孔を通って延びる。融合体は環状で、クラッド管の上面に載る。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月7日(2013.2.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１４】
第１のベルトブランケットに転写される第１の画像および第２の画像の長さを変更することが、第１の版胴から第１の刷版を取り外し、該第１の刷版を、該第１の刷版の第１の長さとは異なる第１の交換長さを有する第１の交換板に交換し、第２の版胴から第２の刷版を取り外し、該第２の刷版を、該第２の刷版の第２の長さとは異なる第２の交換長さを有する第２の交換板に交換することを含む、請求項１１から１３までのいずれか１項記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
上述のように、本発明に係る化合物は、薬理学的に許容できる塩の形態を採り得る。このような塩としては、生理学的に許容できる有機酸または無機酸との酸付加塩が挙げられる。このような塩の形成のための好適な酸の例としては、酢酸、アスパラギン酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、重炭酸、重硫酸、重酒石酸、酪酸、エデト酸カルシウム、カムシル酸、炭酸、クロロ安息香酸、クエン酸、エデト酸、エジシル酸、エストール酸、エシル酸、ギ酸、フマル酸、グルセプト酸、グルコン酸、グルタミン酸、グリコリルアルサニル酸、ヘキサミン酸、ヘキシルレソルシノイック酸、ヒドラバミン酸、臭化水素酸、塩酸、ヨウ化水素酸、ヒドロキシナフトエ酸、イセチオン酸、乳酸、ラクトビオン酸、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、マンデル酸、メタンスルホン酸、メチル硝酸、メチル硫酸、粘液酸、ムコン酸、ナプシル酸、硝酸、シュウ酸、ｐ−ニトロメタンスルホン酸、パモ酸、パントテン酸、リン酸、一水素リン酸、二水素リン酸、フタル酸、ポリガラクツロン酸、プロピオン酸、サリチル酸、ステアリン酸、コハク酸、スルファミン酸、スルファニル酸、スルホン酸、硫酸、タンニン酸、酒石酸、テオクル酸およびトルエンスルホン酸が挙げられる。グルタミン酸塩は特に好適である。代わりに、上記塩は、塩基で形成されてもよい。このような塩の形成のための好適な塩基の例としては、第一級、第二級、および第三級アミン、天然に存在する置換アミンを包含する置換アミン、環状アミン、アルギニン、ベタイン、カフェイン、コリン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルエチレンジアミン、ジエチルアミン、２−ジエチルアミノエタノール、２−ジメチルアミノエタノール、エタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−エチルピペリジン、グルカミン、グルコサミン、ヒスチジン、ヒドラバミン、イソプロピルアミン、リシン、メチルグルカミン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、ポリアミン樹脂、プロカイン、プリン、テオブロミン、トリエチルアミン、トリメチルアミンおよびトリプロピルアミンが挙げられる。薬理学的に許容できる塩は、水和物であってもよい。このような塩への式Ｉの化合物からの変換の手順は、本技術分野における従来からあるものである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０９】
Ｃ１６におけるナイスタチン構造の改変は、Ｐ４５０モノオキシゲナーゼをコードするnysNの不活性化によって、たとえば、実施例にて記載された方法によって、引き起こされるものでもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式で表される化合物またはその薬理学的に許容できる塩。
【化１】
2010531865.tif 000001
【請求項２】
酢酸、アスパラギン酸、ベンゼンスルホン酸、安息香酸、重炭酸、重硫酸、重酒石酸、酪酸、エデト酸カルシウム、カムシル酸、炭酸、クロロ安息香酸、クエン酸、エデト酸、エジシル酸、エストール酸、エシル酸、ギ酸、フマル酸、グルセプト酸、グルコン酸、グルタミン酸、グリコリルアルサニル酸、ヘキサミン酸、ヘキシルレソルシノイック酸、ヒドラバミン酸、臭化水素酸、塩酸、ヨウ化水素酸、ヒドロキシナフトエ酸、イセチオン酸、乳酸、ラクトビオン酸、マレイン酸、リンゴ酸、マロン酸、マンデル酸、メタンスルホン酸、メチル硝酸、メチル硫酸、粘液酸、ムコン酸、ナプシル酸、硝酸、シュウ酸、ｐ−ニトロメタンスルホン酸、パモ酸、パントテン酸、リン酸、一水素リン酸、二水素リン酸、フタル酸、ポリガラクツロン酸、プロピオン酸、サリチル酸、ステアリン酸、コハク酸、スルファミン酸、スルファニル酸、スルホン酸、硫酸、タンニン酸、酒石酸、テオクル酸およびトルエンスルホン酸からなる群より選ばれる生理学的に許容できる有機酸または無機酸と形成される塩の形態である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
第一級、第二級、および第三級アミン、置換アミン、環状アミン、アルギニン、ベタイン、カフェイン、コリン、Ｎ，Ｎ−ジベンジルエチレンジアミン、ジエチルアミン、２−ジエチルアミノエタノール、２−ジメチルアミノエタノール、エタノールアミン、エチレンジアミン、Ｎ−エチルモルホリン、Ｎ−エチルピペリジン、グルカミン、グルコサミン、ヒスチジン、ヒドラバミン、イソプロピルアミン、リシン、メチルグルカミン、モルホリン、ピペラジン、ピペリジン、ポリアミン樹脂、プロカイン、プリン、テオブロミン、トリエチルアミン、トリメチルアミンおよびトリプロピルアミンからなる群より選ばれる塩基と形成される塩の形態である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
グルタミン酸塩の形態である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
（ｉ）ポリケチドシンターゼのモジュール５におけるＥＲドメインの不活性化によってナイスタチン合成を担うポリケチドシンターゼ系をコードする遺伝子群を改変して、Ｃ２８とＣ２９との間において、二重結合を有するナイスタチン誘導体を産生することと；
（ｉｉ）さらに、Ｐ４５０モノオキシゲナーゼをコードする遺伝子nysNの不活性化によって前記遺伝子群を改変して、Ｃ１６位において、改変されたナイスタチン誘導体を産生するか、または
（ｉｉｉ）還元的アルキル化によって、Ｃ１６位において、得られた誘導体を改変することと、
を含む、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物を製造する方法。
【請求項６】
請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物と、担体、希釈剤または賦形剤とを含む組成物。
【請求項７】
医薬品である、請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
治療において使用するための、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物。
【請求項９】
真菌感染の処置用である、請求項７に記載の組成物。
【請求項１０】
動物における真菌感染を処置する方法において動物に投与して使用するための、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物。
【請求項１１】
殺菌剤または防腐剤としての、請求項１〜４の何れか一項に記載の化合物の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月8日(2013.5.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
衛星からの信号の見掛けの（apparent）ドップラー偏移を処理することにより、ＧＰＳ受信機は更に、（「対地速度」又は「地上航跡（ground track）」と呼ばれる）移動の速度及び方向を精密に与えることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
１０秒ごとにグラブを有するランナー追跡デバイスの例に関しては、グラブ間の経過時間は、タイムスタンプにより数マイクロ秒と測定され得る。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９１】
１）受信機の時計は、完全ではない。標準実時間時計（ＲＴＣ）回路及び水晶が使用される場合、マイクロ秒の時間の分解能さえ得られない可能性がある。しかしながら、経過時間がＩＦデータサンプルによって測定される場合（どれくらいの数のサンプルがグラブ間においてスキップされたかをカウントする）には、高分解能（fine resolution）（サブマイクロ秒）が得られ、これは、ＧＰＳ信号に対し調節可能な高品質の水晶に由来する。これにより、０．１ｐｐｍよりも良好な精度のタイミングがもたらされる。これは、不確定性が１０秒の経過時間あたり約１マイクロ秒増加することを意味する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
３）ユーザが移動する可能性がある。同じ場所の２０分離れた２つのグラブ間や、急行電車で結ばれた一対の駅での２つのグラブ間の差分を言及することはできない。無線信号は、１マイクロ秒ごとにおよそ３００ｍ伝搬し、３００ｍのユーザの動きは、おおよそ１マイクロ秒の時計エラーに等しい。ユーザは、その動きに関する情報を入力することができ、或いは、慣性センサが利用可能である。ユーザは、例えば、「静止／遅い動き／速い動き」設定を使用して、上記処理を補助（assist）することができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
上述の全てのエラーの合成（composite）が、〜５００マイクロ秒（１ミリ秒コード期間の半分）よりも少ない場合、より効率的な探索が実行可能となる。理由は、コード位相を基準点から予測することが可能となり、探索が、全ての可能なコード位相のブラインド探索（blind search）を要することなく、不確定なものに制限することが可能となるからである。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接極子、及び、少なくとも１つの電磁誘導コイルを備えるソレノイドアクチュエータであり、前記電磁誘導コイルのそれぞれが電力入力を受けるよう構成されている、ソレノイドアクチュエータと、
運動センサと、
前記運動センサに機能的に接続しており、前記運動センサからの出力を受信するように、かつ、前記電磁誘導コイルへの前記電力入力を調整するように構成されているコントローラと
を具備する装置であって、
強度における所定のしきい値を超える周囲の一時的変化の発生を前記運動センサからの前記出力が示す場合に、前記周囲の一時的変化の間、前記電磁誘導コイルによって生成される電磁場が前記接極子を所望の位置に拘束するのに十分となるように、前記コントローラが前記電力入力を調整するよう構成されている、装置。
【請求項２】
前記ソレノイドアクチュエータが、第１の電磁誘導コイル及び第２の電磁誘導コイルを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１の電磁誘導コイルがプルインコイルであり、
前記第２の電磁誘導コイルがホールディングコイルであり、
前記出力が周囲の一時的変化の発生を示す場合に、前記コントローラが、前記プルインコイルに通電することによって前記電力入力を調整するよう構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記運動センサが、加速度計、振動センサ及び衝撃センサの少なくとも１つである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記周囲の一時的変化が、衝撃若しくは振動又はその両方である、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記コントローラが、入力電圧若しくは入力電流又はその両方を増やすことによって前記電力入力を調整するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記電磁誘導コイルによって生成される前記電磁場が、機械的な抵抗力に打ち勝つのに十分となる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記機械的な抵抗力が、ばねによって提供される、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ばねが、らせんコイルばねである、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記周囲の一時的変化に起因する、前記接極子と前記電磁誘導コイルの相対的な動作を低減するために、前記接極子が機械的に平衡している、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記コントローラが、前記周囲の一時的変化の持続時間を所定のマージンだけ上まわるように設定された期間の間、前記電力を調整するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記コントローラが、前記周囲の一時的変化の立ち上がり時間と実質的に同様の立ち上がり時間で前記電力を調整する、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ソレノイドアクチュエータが、不足電圧リリース機構の部品である、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
サーキットブレーカと、
接極子、及び、少なくとも１つの電磁誘導コイルを備えるソレノイドアクチュエータ、加速度計、並びに、前記加速度計に接続しており、前記加速度計からの出力を受信し、前記電磁誘導コイルへの電力入力を調整するコントローラを備える、電圧不足の発生時に前記サーキットブレーカをトリップさせるように動作可能な不足電圧リリース機構と
を具備する装置であって、
強度における所定のしきい値を超える周囲の一時的変化の発生を前記出力が示す場合に、前記周囲の一時的変化の間、前記電磁誘導コイルによって生成される電磁場が前記接極子を所望の位置に拘束するのに十分となるように、前記コントローラが前記電力入力を調整する、装置。
【請求項１５】
運動センサからの信号を受信するための手段と、
前記運動センサからの前記信号が所定のしきい値を超えるかどうかを判別するように構成されたレベル比較器と、
ソレノイドコイルスイッチドライバと、
パワースイッチと
を備えるソレノイドアクチュエータ安全化用のコントローラであって、
前記運動センサの前記信号が前記所定のしきい値を超えているとの判別に応じて前記パワースイッチの制御を開始するように、前記レベル比較器が構成されている、コントローラ。
【請求項１６】
前記パワースイッチの制御を開始することが、前記パワースイッチを介しての電圧及び電流の少なくとも一方を増加させることを含む、請求項１５に記載のコントローラ。
【請求項１７】
前記受信するための手段と機能的に接続された出力部を有する運動センサをさらに備える、請求項１５に記載のコントローラ。
【請求項１８】
前記パワースイッチからの電力を受けるように構成されたソレノイドコイルを備えるデバイスをさらに備える、請求項１５に記載のコントローラ。
【請求項１９】
前記ソレノイドコイルを備える前記デバイスが、サーキットブレーカ用の改善された耐衝撃不足電圧リリース（ＵＶＲ）機構、接触器、バルブ及び電気施錠デバイスよりなる群から選択される、請求項１８に記載のコントローラ。
【請求項２０】
前記レベル比較器は、前記運動センサの前記信号が前記所定のしきい値を下回った後、所定の時間マージンの間、前記パワースイッチの制御をし続けるように構成されている、請求項１５に記載のコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
狭いトレンチおよび凹んだ開放領域を有するパターン付き基板上でケイ素および酸素含有層を処理する方法であって、
前記狭いトレンチ内および前記凹んだ開放領域内を含む前記パターン付き基板上にケイ素および酸素含有層を形成するステップと、
前記ケイ素および酸素含有層を平坦化して、前記狭いトレンチ内に狭い間隙充填部分を残し、前記凹んだ開放領域内に広い間隙充填部分を残すステップであり、前記狭いトレンチの上の前記ケイ素および酸素含有層の一部分を除去して、対応する平坦化前の誘電体インターフェースよりも前記狭いトレンチの近くに配置された平坦化後の誘電体インターフェースを露出させることを含むステップと、
前記平坦化工程の後に前記基板を処理して前記狭い間隙充填部分の密度を増大させるステップであり、前記平坦化後の誘電体インターフェースを前記狭いトレンチにより近く配置することで、前記狭い間隙充填部分では、前記平坦化工程前に前記基板が処理された場合より密度を高くすることができるステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ケイ素および酸素含有層を形成するステップが、
プラズマ前駆体を遠隔プラズマ領域内へ流してプラズマ流出物を形成することと、
基板処理領域内で前記プラズマ流出物とケイ素含有前駆体の流れを組み合わせることであり、前記ケイ素含有前駆体の前記流れがプラズマによって励起されていないことと、
オゾン含有大気中で前記ケイ素および窒素含有層を硬化させて、前記層をケイ素および酸素含有層に変換することと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記開放領域が、５０ｎｍ、１００ｎｍ、２００ｎｍ、５００ｎｍ、および１０００ｎｍの１つより大きい幅を有する広いトレンチである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記狭いトレンチが、１００ｎｍ、７０ｎｍ、５０ｎｍ、３５ｎｍ、２５ｎｍ、および２０ｎｍの１つより小さい幅を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板を処理して密度を増大させた後の前記広い間隙充填部分のエッチング速度が、前記狭い間隙充填部分のエッチング速度の２０％、１５％、１０％、７％、５％、および３％の１つの範囲内である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を処理して密度を増大させる前記工程が、不活性ガスを含む大気中で前記基板をプラズマに露出させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記大気が酸素をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記大気が水素をさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基板を処理して密度を増大させる前記工程が、前記基板を約４００℃、５００℃、６００℃、７００℃、または８００℃以上でアニールして前記狭い間隙充填部分の密度を増大させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ケイ素および酸素含有層を平坦化する前記工程が、前記基板を化学機械研磨することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板を処理して密度を増大させる前記工程が、前記広い間隙充填部分の密度も増大させる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板を処理して密度を増大させる前記工程が、前記基板をプラズマに順次露出させ、次いで前記基板をアニールすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板を処理して密度を増大させる前記工程が、前記基板を順次アニールし、次いで前記基板をプラズマに露出させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ケイ素および酸素含有層を平坦化するステップの前に、５００℃、６００℃、７００℃、および８００℃の１つを上回る基板温度で酸素含有大気中の前記ケイ素および酸素含有層をアニールすることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ケイ素および酸素含有層を処理する前記工程後、前記ケイ素および酸素含有層が本質的にケイ素および酸素からなる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記ＰＵＣＣＨと前記ＰＵＳＣＨでの送信のための前記電力余裕を示す前記少なくとも１つの電力余裕レポートは、前記ＰＵＳＣＨでの送信のための電力余裕を示す前記電力余裕レポートと比較して別のインスタンスで送信されることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
前記ＰＵＣＣＨと前記ＰＵＳＣＨでの送信のための前記電力余裕を示す前記少なくとも１つの電力余裕レポートは、前記ＰＵＳＣＨでの送信のための電力余裕を示す前記電力余裕レポートと比較して別のインスタンスで送信されることを特徴とする請求項２１に記載のユーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオエンコーダにおける方法であって、
ピクチャの少なくとも１部のピクチャデータを符号化するステップを含み、
前記符号化するステップは、前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために使用される予測データのフィルタリングを実行するステップを含み、
前記フィルタリングは、前記フィルタリングのフィルタパラメータの少なくとも１つに関して、及び、前記フィルタリングが使用されるか又はバイパスされるかに関して適応的に行われる、
方法。
【請求項２】
前記色度成分のそれぞれの画素に適用されるフィルタ長及びフィルタの強度の少なくとも１つを決定するエッジ検出が使用される、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために適応的な前記フィルタリングが使用されるか又はバイパスされるかを判定するエッジ検出が使用され、適応プロセスの結果は、前記予測データに依存する、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記予測データは、フィルタリングされた予測データを取得するためにフィルタリングされ、前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために使用される前記予測データの予測値は、前記予測データと前記フィルタリングされた予測データとの関数である、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記関数は、前記予測データと前記フィルタリングされた予測データのうちの１つを前記予測値として選択する、
請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記予測データと前記フィルタリングされた予測データとの間の差の絶対値は、前記予測値を決定する、
請求項３記載の方法。
【請求項７】
前記関数は、前記予測データの画素に適用される量子化ステップに依存する、
請求項３記載の方法。
【請求項８】
ビデオデコーダにおける方法であって、
ピクチャの少なくとも１部のピクチャデータを復号化するステップを含み、
前記ビデオデコーダは、前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために使用される予測データのフィルタリングを実行する適応フィルタを含み、
前記フィルタリングは、前記フィルタリングのフィルタパラメータの少なくとも１つに関して、及び、前記フィルタリングが使用されるか又はバイパスされるかに関して適応的に行われる、
方法。
【請求項９】
前記色度成分のそれぞれの画素に適用されるフィルタ長及びフィルタの強度の少なくとも１つを決定するエッジ検出が使用される、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために前記適応フィルタが使用されるか又はバイパスされるかを判定するエッジ検出が使用され、適応プロセスの結果は、前記予測データに依存する、
請求項８記載の方法。
【請求項１１】
前記予測データのエッジ検出は、前記色度成分のそれぞれの画素に適用されるフィルタタイプ、フィルタ長及びフィルタの強度のうちの少なくとも１つを決定するために使用される、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記予測データは、フィルタリングされた予測データを取得するためにフィルタリングされ、前記ピクチャの少なくとも１部の色度成分についてイントラ予測を生成するために使用される前記予測データの予測値は、前記予測データと前記フィルタリングされた予測データとの関数である、
請求項８記載の方法。
【請求項１３】
前記関数は、前記予測データと前記フィルタリングされた予測データのうちの１つを前記予測値として選択する、
請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
前記予測データと前記フィルタリングされた予測データとの間の差の絶対値は、前記予測値を決定する、
請求項１２記載の方法。
【請求項１５】
前記関数は、前記予測データの画素に適用される量子化ステップに依存する、
請求項１２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオエンコーダにおける方法であって、
画像内のブロックについて画像データを符号化するステップを含み、該ブロックの元のバージョンと少なくとも１つの参照ブロックとの間の差異を変換することによって得られた１つ又はそれよりも多くの変換係数に適用される量子化パラメータが、前記画像から決定されたグローバル特徴情報から、および前記ブロックにローカルな再構成されたデータの分散から導出される、前記方法。
【請求項２】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、
式、
ルックアップテーブル、
前記画像のグローバルプロパティ及び前記ブロックのローカルプロパティ、
分散、
前記ブロックの輝度プロパティ、
前記画像の輝度プロパティ、
前記ブロックのクロマプロパティ、及び、
前記画像のクロマプロパティ
からなるグループから選択された少なくとも１つに応答して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、前記エンコーダ及び対応するデコーダの両方で知られかつ利用される式に応答して行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、少なくとも１つの式に応答して行われ、前記少なくとも１つの式、前記少なくとも１つの式のインデックス、並びに、前記インデックスの少なくとも１つ及びその少なくとも１つの式と関連付けられたパラメータは、ビットストリームに明示的に含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、前記画像のグローバルプロパティ及び前記ブロックのローカルプロパティに応答して行われ、前記画像のグローバルプロパティは分散に基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
デフォルト量子化丸めオフセットに加えて、第２の量子化オフセットが前記画像内の複数のブロックについてサポートされ、それにより前記デフォルト量子化オフセットが明示的に信号送信され、かつ前記第２の量子化オフセットが黙示的に信号送信されるようにされている、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記量子化パラメータは量子化ステップサイズ、量子化丸めオフセット、及び、量子化スケーリングマトリックスのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
ビデオデコーダにおける方法であって、
画像内のブロックについて画像データを復号化するステップを含み、該ブロックの元のバージョンと少なくとも１つの参照ブロックとの間の差異を変換することによって得られた１つ又はそれよりも多くの変換係数に適用される量子化パラメータが、前記画像から決定されたグローバル特徴情報から、および前記ブロックにローカルな再構成されたデータの分散から導出される、前記方法。
【請求項９】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、
式、
ルックアップテーブル、
前記画像のグローバルプロパティ及び前記ブロックのローカルプロパティ、
分散、
前記ブロックの輝度プロパティ、
前記画像の輝度プロパティ、
前記ブロックのクロマプロパティ、及び、
前記画像のクロマプロパティ
からなるグループから選択された少なくとも１つに応答して行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、前記エンコーダ及び対応するデコーダの両方で知られかつ利用される式に応答して行われる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、少なくとも１つの式に応答して行われ、前記少なくとも１つの式、前記少なくとも１つの式のインデックス、並びに、前記インデックスの少なくとも１つ及びその少なくとも１つの式と関連付けられたパラメータは、ビットストリームに明示的に含まれる、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記再構成されたデータからの前記量子化パラメータの導出は、前記画像のグローバルプロパティ及び前記ブロックのローカルプロパティに応答して行われ、前記画像のグローバルプロパティは分散に基づいている、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
デフォルト量子化丸めオフセットに加えて、第２の量子化オフセットが前記画像内の複数のブロックについてサポートされ、それにより前記デフォルト量子化オフセットが明示的に信号送信され、かつ前記第２の量子化オフセットが黙示的に信号送信されるようにされている、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記量子化パラメータは量子化ステップサイズ、量子化丸めオフセット、及び、量子化スケーリングマトリックスのうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
符号化されたビデオ信号データを有するコンピュータ読み取り可能記憶媒体であって、
画像内のブロックについて符号化されたビデオデータを含み、該ブロックの元のバージョンと少なくとも１つの参照ブロックとの間の差異を変換することによって得られた１つ又はそれよりも多くの変換係数に適用される量子化パラメータが、前記画像から決定されたグローバル特徴情報から、および前記ブロックにローカルな再構成されたデータの分散から導出される、前記コンピュータ読み取り可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月5日(2013.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
無線アクセスネットワークにおいて使用されるユーザ装置における方法であって、
前記ユーザ装置は、無線ネットワーク・ノードによって制御され、少なくとも２つの送信アンテナを備え、上りリンク送信ダイバーシチを行うことが可能であり、各送信アンテナにはアンテナ重みが関連付けられており、
前記方法は、
‐複数の前記アンテナ重みの自律的な選択を制御する制御情報を含む制御信号を、前記無線ネットワーク・ノードから受信するステップと、
‐前記制御情報に従って、複数の前記アンテナ重みの自律的な選択を実行するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
少なくとも２つの送信アンテナを備えるユーザ装置を制御する無線アクセスネットワーク・ノードであって、
前記ユーザ装置は、上りリンク送信ダイバーシチを行うことが可能であり、各送信アンテナにはアンテナ重みが関連付けられており、
前記無線アクセスネットワーク・ノードは、
‐複数の前記アンテナ重みの自律的な選択を制御する制御情報を含む制御信号を作成する信号ユニットと、
‐前記制御信号を前記ユーザ装置に送信する送信機と
を備えることを特徴とする無線アクセスネットワーク・ノード。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２４】
無線アクセスネットワークにおいて使用され、無線ネットワーク・ノードによって制御されるユーザ装置であって、
前記ユーザ装置は、少なくとも２つの送信アンテナを備え、上りリンク送信ダイバーシチを行うことが可能であり、各送信アンテナにはアンテナ重みが関連付けられており、
前記ユーザ装置は、
‐複数の前記アンテナ重みの自律的な選択を制御する制御情報を含む制御信号を、前記無線ネットワーク・ノードから受信する受信機と、
‐前記制御情報に従って、複数の前記アンテナ重みを自律的に選択するアンテナ重み選択器と
を備えることを特徴とするユーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二つのガラスパネル及びそれらの間に配置された接着層から合わせ安全ガラスを製造する装置であって、
稼動位置と取外し位置との間でお互いに対して調節可能なベースプレート（３）及びカバープレート（２）と、
耐圧性をなすように前記稼動位置において前記ベースプレート（３）及びカバープレート（２）上に配置されたシール枠（４）と、
前記稼動位置において前記ガラスパネル（１０）を覆うクラッディング材料（７）と前記ベースプレート（３）との間に形成される空洞空間（１２）内において真空を生成する手段と、
前記カバープレート（２）と前記ガラスパネル（１０）上に配置された前記柔軟性のあるクラッディング材料（７）との間に、前記稼動位置において形成される作業空間（１３）内において超過圧力を生成する手段と、
結合されるべき前記ガラスパネル（１０）を加熱する加熱手段（６）と、を備え、
前記ベースプレート（３）及びカバープレート（２）は、前記稼動位置において、少なくとも二つの環状キャリヤー（１７）により形成されたフレーム（１８）の範囲内に配置されている、
ことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記シール枠（４）は、前記ベースプレート（３）又は前記カバープレート（２）に離脱可能に連結されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記シール枠（４）は、前記カバープレート（２）から突出する囲い込みウェブにより形成されている、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記シール枠（４）は、真空ユニット及び／又は圧力ユニットの配管（６，９）を接続するためのラインフィードスルー（１４，１５）を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし３いずれか一つに記載の装置。
【請求項５】
前記ベースプレート（３）及びカバープレート（２）は、前記稼動位置においてロックされ得る、
ことを特徴とする請求項１ないし４いずれか一つに記載の装置。
【請求項６】
前記加熱ユニットは、前記ベースプレート（３）及び／又は前記カバープレート（２）内を延びる配管（６）により形成されている、
ことを特徴とする請求項１ないし５いずれか一つに記載の装置。
【請求項７】
前記ベースプレート（３）及び／又は前記カバープレート（２）の外側には、断熱部材（５）が配置されている、
ことを特徴とする請求項１ないし６いずれか一つに記載の装置。
【請求項８】
前記ベースプレート（３）は、長手にスライド可能であり、又、前記カバープレート（２）に向かう方向において調節可能である、
ことを特徴とする請求項１ないし７いずれか一つに記載の装置。
【請求項９】
前記ベースプレート（３）は、空気式ベローズシリンダによって、前記カバープレート（２）に向かう方向に調節可能である、
ことを特徴とする請求項１ないし８いずれか一つに記載の装置。
【請求項１０】
前記環状キャリヤー（１７）は、Ｔ状の断面を有する、
ことを特徴とする請求項１ないし９いずれか一つに記載の装置。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれか一つに係る装置を用いて、少なくとも二つのガラスパネル及びそれらの間に配置された接着層から合わせ安全ガラスを製造する方法であって、
前記接着層が間に配置された前記ガラスパネル（１０）をベースプレート（３）上に配置する工程と、
前記ガラスパネル（１０）を柔軟性のあるクラッディング材料（７）で覆い、前記クラッディング材料（７）と前記ベースプレート（３）との間の空洞空間（１２）内に真空を生成する工程と、
前記ガラスパネル（１０）上に配置された前記クラッディング材料（７）及び密封された作業空間（１３）を生成する工程と、
前記作業空間（１３）内に超過圧力を生成する工程と、
前記接着層を備えた前記ガラスパネルを加熱し、続けて冷却する工程と、
を備えていることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的は、請求項１の特徴を備えた装置、及び請求項１１の特徴を備えた方法により達成される。本発明の有利なさらなる進化形態は、従属請求項において明記されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
同様に、本発明による設計は、種々の寸法における本発明に係る装置を、拡大あるいは製造できることにおいて特に有利であり、この設計によれば、稼動位置におけるベースプレート及びカバープレートは、少なくとも二つの環状キャリヤーにより形成されるフレーム内に配置される。装置の長さは、カバープレート及びベースプレートを受け入れる内部空間を互いに作った後に配列される数個の環状キャリヤーを用いる種々の方法において設定され得る。さらに、取り囲むキャリヤー内におけるカバープレート及びベースプレートの稼動位置での位置付けにより、全てのプロセス力（プロセスフォース）がキャリヤーにより吸収される、という利点をキャリヤーは有している。装置は、その一部としては、装置の重量に単に左右されるキャリヤー上に配置された支持物上に、製造現場において組み立てられ得る。環状キャリヤーが、Ｔ状の断面をもつものであれば、特に有利である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係る装置を用いて達成される合わせ安全ガラスを製造するための本発明に係る方法は、以下の工程：
−接着層を間に配置した（複数の）ガラスパネルを配置し、ここでは、好ましくはＰＶＢ薄膜が接着層として使用される、
−柔軟性のあるクラッディング材料、好ましくはシリコーンゴムマットでガラスパネルを覆い、
−クラッディング材料とベースプレートとの間の空洞空間内に真空を生成し、
−カバープレートとガラスプレート上に配置されたクラッディング材料との間に密封された作業空間を生成し、
−作業空間内に超過圧力を生成し、及び
−接着層を備えたガラスパネルを加熱し、続けて冷却する、
工程を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで頂部および底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部と、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記前側部分および後側部分は、前記底部の上方近傍である夫々の第1の前側および後側の水平折り目を含んでおり、
前記前側部分および前記後側部分の一方は、前記第1の前側もしくは後側の水平折り目と前記底部との間の第2の水平折り目を含んでおり、
前記第1の前側内部垂直折り目から前記底部まで延在する第1の前側傾斜折り目部分と、
前記第2の前側内部垂直折り目から前記底部まで延在する第2の前側傾斜折り目部分とを備える、カートン用の容器部。
【請求項２】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで頂部および底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部とを備える、カートン用の容器部であって、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含み、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含み、
前記前側部分および後側部分は、前記開放底部の上方近傍である夫々の前側および後側の水平折り目を含み、
前記第1および第2の前側および後側の内部垂直折り目の夫々の上端部は、面取り区画にて終端する、カートン用の容器部。
【請求項３】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで開放頂部および開放底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部とを備える、カートン用の容器部であって、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含み、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含み、
前記前側部分および前記後側部分の一方は、前記第1の前側もしくは後側の水平折り目と前記底部との間の第2の水平折り目を含み、
前記開放底部の各端部にて、下側角隅部は対角線方向に切り取られる、カートン用の容器部。
【請求項４】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで開放頂部および開放底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部と、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記前側部分および後側部分は、前記開放頂部の上方近傍である夫々の第1の前側および後側の水平折り目を含んでおり、
前記前側部分および前記後側部分の一方は、前記第1の前側もしくは後側の水平折り目と前記底部との間の第2の水平折り目を含んでおり、
前記第1の前側内部垂直折り目の外方近傍の第1の部分的罫書き部分、および、前記第2の前側内部垂直折り目の外方近傍の第2の部分的罫書き部分とを備える、カートン用の容器部。
【請求項５】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで開放頂部および開放底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部と、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含んでおり、
前記前側部分および後側部分は、前記底部の上方近傍である夫々の前側および後側の水平折り目を含んでおり、
前記第1縁部の頂部の近傍の第1の接着剤ドット、および、前記第2縁部の頂部の近傍の第2の接着剤ドットとを備える、カートン用の容器部。
【請求項６】
前側部分および後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分に対して結合することで頂部および底部を形成する夫々の第1および第2の外側折り目により形成された第1および第2縁部とを備える、カートン用の容器部であって、
前記前側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の前側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の前側内部垂直折り目とを含み、
前記後側部分は、前記第1縁部の内方近傍の第1の後側内部垂直折り目と、前記第2縁部の内方近傍であり且つ該第2縁部と平行な第2の後側内部垂直折り目とを含み、
前記前側部分および後側部分は、前記底部の上方近傍である夫々の第1の前側および後側の水平折り目を含み、
前記前側部分および前記後側部分の一方は、前記第1の前側もしくは後側の水平折り目と前記底部との間の第2の水平折り目を含み、
当該容器部は、前記第1および第2の前側および後側の内部垂直折り目はパッケージ体の各角隅部になり、第1および第2縁部は第1および第2の隅板付き側部の中央折り目になり、前記第2の水平折り目と前記底部との間の当該容器部の部分はパッケージ体のフィン・シールになり、且つ、前記第1の前側および後側の水平折り目の下方の当該容器部の部分はパッケージ体の閉塞底部になる様に、順次的に折り畳まれる、カートン用の容器部。