【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、
フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記酸化ケイ素膜および前記窒化ケイ素膜をエッチングする工程を含み、
前記フルオロカーボンガスの流量を２０〜４０ｍＬ／ｍｉｎに制御し、
前記Ｏ２ガスの流量を６〜１５ｍＬ／ｍｉｎに制御する、プラズマエッチング方法。
【請求項２】
プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記窒化ケイ素膜、前記酸化ケイ素膜および前記シリコン層を一括してエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の処理圧力に対し、前記シリコン層をエッチングする際の処理圧力を低下させ、
前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量に対し、前記シリコン層をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量を低下させる、プラズマエッチング方法。
【請求項３】
前記フルオロカーボンガスが、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガスまたはＣ４Ｆ８ガスである、請求項１または請求項２に記載のプラズマエッチング方法。      
【請求項４】
前記ハイドロフルオロカーボンガスが、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガスまたはＣＨ３Ｆガスである、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項５】
前記フルオロカーボンガスの流量が１０〜５０ｍＬ／ｍｉｎである、請求項２に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項６】
前記Ｏ２ガスの流量が１〜３０ｍＬ／ｍｉｎである、請求項２から請求項５のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項７】
前記ハイドロフルオロカーボンガスと前記希ガスとの流量比（ハイドロフルオロカーボンガス流量／希ガス流量）が０．０１９〜０．１７３である、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項８】
処理圧力が８〜１２Ｐａである、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項９】
前記フルオロカーボンガスまたはＯ２ガスの流量により、前記パターンが疎な部位と密な部位におけるエッチング後の臨界寸法を制御する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１０】
前記フルオロカーボンガスの流量により、被処理体の面内におけるエッチング後の臨界寸法を制御する、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１１】
前記シリコン層は、多結晶シリコンまたは単結晶シリコンを主成分とするものである、請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載のプラズマエッチング方法。
【請求項１２】
コンピュータ上で動作し、実行時に、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御する、制御プログラム。
【請求項１３】
コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように前記プラズマ処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
【請求項１４】
被処理体に対しプラズマエッチング処理を行なうための処理室と、
前記処理室内で被処理体を載置する支持体と、
前記処理室内を減圧するための排気手段と、
前記処理室内に処理ガスを供給するためのガス供給手段と、
前記処理室内で請求項１から請求項１１のいずれか１項に記載されたプラズマエッチング方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、
フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記酸化ケイ素膜および前記窒化ケイ素膜をエッチングする工程を含み、
前記フルオロカーボンガスの流量を２０〜４０ｍＬ／ｍｉｎに制御し、
前記Ｏ２ガスの流量を６〜１５ｍＬ／ｍｉｎに制御する、プラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の第２の観点は、プラズマ処理装置の処理室内で、シリコンを主成分とするシリコン層と、該シリコン層より上層に、少なくとも酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜および予めパターン形成されたレジスト膜が積層形成された被処理体に対して、フルオロカーボンガス、ハイドロフルオロカーボンガス、希ガスおよびＯ２ガスを含む処理ガスから生成されるプラズマを用い、前記レジスト膜をマスクとして前記窒化ケイ素膜、前記酸化ケイ素膜および前記シリコン層を一括してエッチングするプラズマエッチング方法であって、
前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の処理圧力に対し、前記シリコン層をエッチングする際の処理圧力を低下させ、
前記窒化ケイ素膜をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量に対し、前記シリコン層をエッチングする際の前記ハイドロフルオロカーボンガスの流量を低下させる、プラズマエッチング方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記第１の観点および第２の観点において、前記フルオロカーボンガスは、ＣＦ４ガス、Ｃ２Ｆ６ガス、Ｃ３Ｆ８ガスまたはＣ４Ｆ８ガスであることが好ましい。また、前記ハイドロフルオロカーボンガスは、ＣＨＦ３ガス、ＣＨ２Ｆ２ガスまたはＣＨ３Ｆガスであることが好ましい。
また、上記第２の観点において、前記フルオロカーボンガスの流量は、１０〜５０ｍＬ／ｍｉｎであることが好ましい。前記Ｏ２ガスの流量は、１〜３０ｍＬ／ｍｉｎであることが好ましい。
また、上記第１および第２の観点において、前記ハイドロフルオロカーボンガスと前記希ガスとの流量比（ハイドロフルオロカーボンガス流量／希ガス流量）は０．０１９〜０．１７３であることが好ましい。処理圧力は、８〜１２Ｐａであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】