(57)【要約】【課題】常温から高温に試験温度が変化した場合でも、良品チップから不良チップの電気的な分離を確実にして製品の歩留りを向上させる、かつウェーハの大型化を抑えつつ有効チップ数の減少を防止できる電源電流遮断装置を提供する。【解決手段】ウェーハレベルバーイン開始前の常温状態において、チップ２〜５をそれぞれ動作させるための各信号を供給して動作させ、チップ２〜５における不良チップを検出し、不良チップが検出された場合、温度センサー９にて選択された電源電流遮断回路１０からの経路で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断し、ウェーハレベルバーイン実施中の高温状態においては、不良チップが検出された場合、温度センサー９にて選択された電源電流遮断回路１１〜１４からの経路で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。【選択図】図１
2008166453.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、
前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、
前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、
前記検査ボードの周辺温度を検出し、その周辺温度に応じて前記電源電流遮断手段の接続数を切替える温度検出手段とからなる
ことを特徴とする電源電流遮断装置。
【請求項２】
前記温度検出手段は、
前記検査ボードの周辺温度に応じて前記電源電流遮断手段の接続数を１個もしくは複数個に切替える
ことを特徴とする請求項１記載の電源電流遮断装置。
【請求項３】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、
前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、
前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、
前記電源電流遮断手段を加熱するヒーター手段と、
前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段を前記電源電流遮断手段が一定温度になるように制御する高温制御手段とからなる
ことを特徴とする電源電流遮断装置。
【請求項４】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、
前記検査ボードと前記半導体ウェーハをコンタクトした状態で、前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、
前記検査ボードに実装され、前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、
前記検査ボード全体を前記電源電流遮断手段が実装されている面から加熱するヒーター手段と、
前記ヒーター手段の前記加熱による前記検査ボード全体の温度を制御する温度制御手段と、
前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段および前記温度制御手段を前記検査ボード全体が一定温度になるように制御する高温制御手段とからなる
ことを特徴とする電源電流遮断装置。
【請求項５】
前記電源電流遮断手段は、
前記検査ボード裏面の、前記半導体ウェーハと前記検査ボードがコンタクトされない箇所に実装している
ことを特徴とする請求項４記載の電源電流遮断装置。
【請求項６】
前記ヒーター手段は、
前記温度制御手段により、前記検査ボードの裏面に実装されている前記電源電流遮断手段全てを一括して加熱する
ことを特徴とする請求項４または請求項５記載の電源電流遮断装置。
【請求項７】
それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、
前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、
前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、
前記電源電流遮断手段を加熱するヒーター手段と、
前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段を前記電源電流遮断手段が一定温度になるように個々に可変制御する可変温度制御手段とからなる
ことを特徴とする電源電流遮断装置。
【請求項８】
前記可変温度制御手段は、
前記電源電流遮断手段の各々に１対１で接続されている
ことを特徴とする請求項７記載の電源電流遮断装置。
【請求項９】
前記電源電流遮断手段は、ＰＴＣサーミスタである
ことを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の電源電流遮断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハ状態で一括してバーインするウェーハレベルバーインにおいて、ＰＴＣサーミスタを用いて、半導体ウェーハに形成された複数個の半導体装置に対する電源供給を制御する電源電流遮断装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
（従来技術１）
従来、電子回路分野における過熱保護用素子や過電流保護用素子として、様々なＰＴＣサーミスタが用いられており、例えば、下記の特許文献１に過電流保護用ＰＴＣサーミスタが開示されている。
【０００３】
このようなＰＴＣサーミスタは、一般に、正の抵抗温度特性であってキューリ温度を超えると抵抗値が急激に増加する特性を有しており、そのような特性を利用して、電子回路の過電流保護素子や温度検出素子として広く使用されている。
（従来技術２）
一方、近年では、半導体装置は微細化高集積化がさらに進み、半導体ウェーハ上に形成される半導体装置の個数が著しく増大しており、それに伴って初期不良を短時間で検出する必要性が生じ、半導体装置（以下、「チップ」と称する）を製造する際には、製造初期に発生する不良品を高速でスクリーニングするために、チップを高温、高電圧条件下で動作させる加速試験のようなバーイン技術が必要不可欠となってきている。
【０００４】
このようなバーイン技術として、半導体ウェーハ上に形成されている複数のチップをウェーハ状態で一括してバーインするウェーハレベルバーインがあり、このバーイン技術を用いて、例えば、下記の特許文献２の半導体集積回路装置が開示されている。
【０００５】
この半導体集積回路装置におけるウェーハレベルバーイン技術では、ゲート回路を制御してバーイン試験中に不良チップを他の良品チップから電気的に分離したり、その電気的な分離により有効チップ数の減少を防止するようにしている。
【特許文献１】特開２００５−２４３８２６号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５７４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような従来の半導体集積回路装置では、ゲート回路をウェーハのチップ形成領域外に生成しているため、チップ形成領域とは別にゲート回路を形成する専用の領域が必要となり、ウェーハでの有効チップ数の減少を抑えるためにはウェーハの小型化が抑制（大型化の方向）され、逆にウェーハの大型化を抑えるためにはウェーハでのチップの取れ数増加に抑制（有効チップ数減少の方向）がかかるという問題点を有していた。
【０００７】
また、上記の半導体集積回路装置では、ウェーハ内にゲート回路が生成されているため、その生成の段階もしくは使用途中にゲート回路自体が故障した場合には、接続されているチップの良品か不良品かなどについての正確な判定制御ができなくなり、製品としての歩留りが低下するという問題点も有していた。
【０００８】
そこで、例えば、ウェーハ内のゲート回路の代わりに従来技術１で説明したＰＴＣサーミスタを外付け接続するとしても、ＰＴＣサーミスタではその特性から周辺温度により流れる電流量が変動するため、常温から高温に温度変化させるバーイン試験には不向きという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、ウェーハレベルバーイン試験において常温から高温に試験温度が変化した場合でも、チップの良否判定を正確に実行し、良品チップから不良チップの電気的な分離を確実にして製品の歩留りを向上させることができ、かつウェーハの大型化を抑えつつ有効チップ数の減少を防止することができる電源電流遮断装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１記載の電源電流遮断装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、前記検査ボードの周辺温度を検出し、その周辺温度に応じて前記電源電流遮断手段の接続数を切替える温度検出手段とからなることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の請求項２記載の電源電流遮断装置は、請求項１記載の電源電流遮断装置であって、前記温度検出手段は、前記検査ボードの周辺温度に応じて前記電源電流遮断手段の接続数を１個もしくは複数個に切替えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の請求項３記載の電源電流遮断装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、前記電源電流遮断手段を加熱するヒーター手段と、前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段を前記電源電流遮断手段が一定温度になるように制御する高温制御手段とからなることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の請求項４記載の電源電流遮断装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、前記検査ボードと前記半導体ウェーハをコンタクトした状態で、前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、前記検査ボードに実装され、前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、前記検査ボード全体を前記電源電流遮断手段が実装されている面から加熱するヒーター手段と、前記ヒーター手段の前記加熱による前記検査ボード全体の温度を制御する温度制御手段と、前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段および前記温度制御手段を前記検査ボード全体が一定温度になるように制御する高温制御手段とからなることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の請求項５記載の電源電流遮断装置は、請求項４記載の電源電流遮断装置であって、前記電源電流遮断手段は、前記検査ボード裏面の、前記半導体ウェーハと前記検査ボードがコンタクトされない箇所に実装していることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の請求項６記載の電源電流遮断装置は、請求項４または請求項５記載の電源電流遮断装置であって、前記ヒーター手段は、前記温度制御手段により、前記検査ボードの裏面に実装されている前記電源電流遮断手段全てを一括して加熱することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の請求項７記載の電源電流遮断装置は、それぞれが検査用電極を有する複数の半導体装置が形成された半導体ウェーハを一括でコンタクトして検査する検査ボードにおいて、前記複数の半導体装置に対して前記検査のための電源供給を制御する電源電流遮断装置であって、前記半導体装置に電源を供給する電源手段と、前記半導体装置が動作する間、過電流が流れる半導体装置を検出し、前記検出された半導体装置と前記電源手段間の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断手段と、前記電源電流遮断手段を加熱するヒーター手段と、前記半導体装置が動作する間、前記ヒーター手段を前記電源電流遮断手段が一定温度になるように個々に可変制御する可変温度制御手段とからなることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の請求項８記載の電源電流遮断装置は、請求項７記載の電源電流遮断装置であって、前記可変温度制御手段は、前記電源電流遮断手段の各々に１対１で接続されていることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の請求項９記載の電源電流遮断装置は、請求項１から請求項８のいずれかに記載の電源電流遮断装置であって、前記電源電流遮断手段は、ＰＴＣサーミスタであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上のように本発明によれば、ウェーハレベルバーイン試験を実施している動作環境温度が、常温か高温かを温度センサーにより判定することで、温度センサーからチップ単体毎に接続されたＰＴＣサーミスタか、もしくは、複数のチップに接続されたＰＴＣサーミスタかのいずれかを経由するルートが選択され、ＰＴＣサーミスタの高温時に比べて常温時の方が多くの電流が流れるという温度特性に合った評価が可能となり、確実に不良チップの除去判定ができる。
【００２０】
また、ウェーハレベルバーインの試験前から、あらかじめＰＴＣサーミスタをヒーターで暖め、一定の高温状態に加熱しておくことで、バーイン試験温度に関係なく一定の電流遮断値で不良チップの判定ができ、製品の歩留りを低下することなく不良チップの除去を確実に実行することができる。
【００２１】
また、検査ボードの裏面に実装された複数個のＰＴＣサーミスタ全てに対して、温度制御ファンとヒーターとで生成された温風にて均一加熱することで、ＰＴＣサーミスタ個々をヒーターで加熱するような複雑な温度制御を必要としない簡単な構成で、不良チップの除去判定が正確にできる。
【００２２】
また、ＰＴＣサーミスタの遮断電流精度がばらついた場合、接続された可変温度制御回路からの温度設定値を、個々のＰＴＣサーミスタの温度特性に合わせて可変調整することで、精度の悪いＰＴＣサーミスタが搭載されても、容易な温度設定で個々のＰＴＣサーミスタの制御が可能となり、確実に不良チップの除去ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明にかかわる電源電流遮断装置の実施の形態を、図面に基づいて詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、半導体ウェーハに複数個搭載されているチップの平面図と、検査ボードに搭載される電源電流遮断装置の回路構成を示したブロック図である。
【００２４】
図１に示すように、半導体ウェーハ１は、そのウェーハ本体に複数のチップ２〜５を搭載しており、個々のチップ２〜５には検査用電極としてのパッド電極、例えば電源パッド６などが設けられている。
【００２５】
一方、検査ボード７には、チップ２〜５に電源を供給するための電源回路８と、過電流が流れるチップ２〜５を検出し、前記検出されたチップと電源回路８の電気的結合を自動的に遮断する電源電流遮断回路（以下、「ＰＴＣサーミスタ」と称する）１０〜１４と、検査ボード７の周辺温度検出とＰＴＣサーミスタ１０もしくはＰＴＣサーミスタ１１〜１４のいずれかに電源供給するかを判定する機能を有した温度センサー９とで構成された電源電流遮断装置を含む、ウェーハレベルバーイン動作に必要なその他複数の装置（説明は省略）を搭載している。
【００２６】
以上の構成において、ウェーハレベルバーイン試験を行う方法を説明する。
検査ボード７と半導体ウェーハ１に搭載されたチップ２〜５の各パッド電極とをコンタクトした後、電源パッド６に電源回路８からの電源を供給する。次に、ウェーハレベルバーイン開始前、すなわち、検査ボード７が常温状態の時、チップ２〜５をそれぞれ動作させるための各信号を供給して動作させ、チップ２〜５における不良チップを検出する。不良チップが検出された場合、温度センサー９にて選択されたＰＴＣサーミスタ１０からの経路で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。
【００２７】
ここで、図５を用いて、ＰＴＣサーミスタ１０の電流−電圧特性について説明する。
ＰＴＣサーミスタ１０の動作特性として、前記した常温状態、例えば２５℃の時は、点線で示した傾きとなる。１Ｖで電源印加されたチップ２〜５は、（Ａ）に示した箇所の電流値≒４８０ｍＡ以上の電流が流れると自動的に遮断する。つまり、チップ２〜５個々の動作電流値が正常な場合１００ｍＡとすると、
１００ｍＡ×４個＝４００ｍＡ＜４８０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１０は遮断動作しない。
【００２８】
一方、チップ２〜５のいずれか１個が不良動作＝２００ｍＡの異常動作電流だと、
１００ｍＡ×３個＋２００ｍＡ＝５００ｍＡ＞４８０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１０は遮断する。この時、ＰＴＣサーミスタ１０に接続されているチップ２〜５全ての電源が遮断される。
【００２９】
次に、ウェーハレベルバーイン実施中、すなわち、検査ボード７が高温状態の時、チップ２〜５をそれぞれ動作させるための各信号を供給して動作させ、チップ２〜５における不良チップを検出する。不良チップが検出された場合、温度センサー９にて選択されたＰＴＣサーミスタ１１〜１４からの経路で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。
【００３０】
ここで、図５を用いて、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４の電流−電圧特性について説明する。
ＰＴＣサーミスタ１１〜１４の動作特性として、前記した高温状態、例えば１２５℃の時は、実線で示した傾きとなる。１Ｖで電源印加されたチップ２〜５は、（Ｂ）に示した箇所の電流値≒１２０ｍＡ以上の電流が流れると自動的に遮断する。つまり、チップ２〜５個々の動作電流値が正常な場合１００ｍＡとすると、
１００ｍＡ＜１２０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４は遮断動作しない。
【００３１】
一方、チップ２〜５のいずれかが１個、例えばチップ２が不良動作＝２００ｍＡの異常動作電流だと、
２００ｍＡ＞１２０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１１は遮断する。
【００３２】
この時、ＰＴＣサーミスタ１２〜１４に接続されているチップ３〜５に関しては、正常に電源供給されている。
（実施の形態２）
図２は、半導体ウェーハに複数個搭載されているチップの平面図と、検査ボードに搭載される電源電流遮断装置の回路構成を示したブロック図である。
【００３３】
図２に示すように、半導体ウェーハ１は、そのウェーハ本体に複数のチップ２〜５を搭載しており、個々のチップ２〜５には検査用電極としてのパッド電極、例えば電源パッド６などが設けられている。
【００３４】
一方、検査ボード７には、チップ２〜５に電源を供給するための電源回路８と、過電流が流れるチップ２〜５を検出し、前記検出されたチップと電源回路８の電気的結合を自動的に遮断するＰＴＣサーミスタ１１〜１４と、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４を高温に暖めるヒーター１６〜１９と、ヒーター１６〜１９を一定の温度に調整する高温制御回路１５とで構成された電源電流遮断装置を含む、ウェーハレベルバーイン動作に必要なその他複数の装置（説明は省略）を搭載している。
【００３５】
以上の構成において、ウェーハレベルバーイン試験を行う方法を説明する。
検査ボード７と半導体ウェーハ１に搭載されたチップ２〜５の各パッド電極とをコンタクトした後、各電源パッド６に電源回路８からの電源をＰＴＣサーミスタ１１〜１４のそれぞれを経由して供給する。
【００３６】
次に、ウェーハレベルバーイン開始前、すなわち、検査ボード７が常温状態の時、チップ２〜５をそれぞれ動作させるための各信号を供給して動作させ、チップ２〜５における不良チップを検出する。不良チップが検出された場合、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。ＰＴＣサーミスタ１１〜１４は、高温制御回路１５からの制御信号によりヒーター１６〜１９が起動して加熱された高温状態となっている。
【００３７】
ここで、図５を用いて、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４の電流−電圧特性について説明する。
ＰＴＣサーミスタ１１〜１４の動作特性として、前記した高温状態、例えば１２５℃の時は、実線で示した傾きとなる。１Ｖで電源印加されたチップ２〜５は、（Ｂ）に示した箇所の電流値≒１２０ｍＡ以上の電流が流れると自動的に遮断する。つまり、チップ２〜５個々の動作電流値が正常な場合１００ｍＡとすると、
１００ｍＡ＜１２０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４は遮断動作しない。
【００３８】
一方、チップ２〜５のいずれか１個が、例えばチップ２が不良動作＝２００ｍＡの異常動作電流だと、
２００ｍＡ＞１２０ｍＡ
となり、ＰＴＣサーミスタ１１は遮断動作する。この時、ＰＴＣサーミスタ１２〜１４に接続されているチップ３〜５に関しては、正常に電源供給されている。
【００３９】
次に、ウェーハレベルバーイン実施中、すなわち、検査ボード７が高温状態の時、上記、常温状態と同様な動作を行い、不良チップが検出された場合は、チップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。
（実施の形態３）
図３は、チップを複数個搭載している半導体ウェーハと、検査ボード裏面に搭載されたＰＴＣサーミスタと、ＰＴＣサーミスタを制御する為の電源電流遮断装置を示した断面図である。
【００４０】
図３に示すように、チップ２〜５を含む複数個のチップが搭載された半導体ウェーハ１と、検査ボード７の裏面、すなわち、半導体ウェーハ１と検査ボード７とをコンタクトする反対側の面に、ＰＴＣサーミスタ１０〜１４を含む複数個のＰＴＣサーミスタ２４と、検査ボード７の裏面全体にまんべんなくヒーター熱が伝わるように配置された複数個のヒーター２５と、ヒーター２５の熱を送風するための複数個の温度制御ファン２６と、ヒーター２５および温度制御ファン２６を制御するための高温制御回路１５とで構成されている。
【００４１】
以上の構成において、ウェーハレベルバーイン試験を行う方法を説明する。
検査ボード７と半導体ウェーハ１とをコンタクトした後、ウェーハレベルバーインに必要な各種動作を設定して試験を行う。この時、検査ボード７の周辺温度が常温状態、高温状態に関係なく、高温制御回路１５からの制御信号に従い、温度制御ファン２６を回転させて、ＰＴＣサーミスタ２４が搭載された検査ボード７の裏面に風が届くような送風を行い、かつ、ヒーター２５の熱を、例えば、１２５℃になるよう設定し、ＰＴＣサーミスタ２４を高温状態として保つ。
【００４２】
そして、半導体ウェーハ１に複数個搭載されたチップの不良チップを検出する。不良チップが検出された場合、ＰＴＣサーミスタ２４と接続されているチップの電気的結合を自動的に遮断する。
（実施の形態４）
図４は、半導体ウェーハに複数個搭載されているチップの平面図と、検査ボードに搭載される電源電流遮断装置の回路構成を示したブロック図である。
【００４３】
図４に示すように、半導体ウェーハ１は、そのウェーハ本体に複数のチップ２〜５を搭載しており、個々のチップ２〜５には検査用電極としてのパッド電極、例えば電源パッド６などが設けられている。
【００４４】
一方、検査ボード７には、チップ２〜５に電源を供給するための電源回路８と、過電流が流れるチップ２〜５を検出し、前記検出されたチップと電源回路８の電気的結合を自動的に遮断するＰＴＣサーミスタ１１〜１４と、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４を高温に暖めるヒーター１６〜１９と、ヒーター１６〜１９各々に１対１で接続され、温度を可変調整することができる可変温度制御回路２０〜２３とで構成された電源電流遮断装置を含む、ウェーハレベルバーイン動作に必要なその他複数の装置（説明は省略）を搭載している。
【００４５】
以上の構成において、ウェーハレベルバーイン試験を行う方法を説明する。
検査ボード７と半導体ウェーハ１に搭載されたチップ２〜５の各パッド電極とをコンタクトした後、電源パッド６に電源回路８からの電源を、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４を経由して供給する。次に、ウェーハレベルバーイン開始前、すなわち、検査ボード７が常温状態の時、チップ２〜５をそれぞれ動作させるための各信号を供給して動作させ、チップ２〜５における不良チップを検出する。不良チップが検出された場合、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４で接続されているチップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。ＰＴＣサーミスタ１１〜１４は、可変温度制御回路２０〜２３各々からの制御信号によりヒーター１６〜１９が起動して、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４が加熱された高温状態となっている。
【００４６】
ここで、図６を用いて、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４の電流−温度特性について説明する。
図６は、印加電圧を１Ｖに固定した場合での電流−温度特性を示したグラフで、例えば、ライン（１）はＰＴＣサーミスタ１１の特性を示し、１３０℃の時１００ｍＡの電流が流れる特性（交点（Ｃ）の位置）をもっている。ライン（２）はＰＴＣサーミスタ１２の特性を示し、１２０℃の時１００ｍＡの電流が流れる（交点（Ｄ）の位置）特性をもっている。ライン（３）はＰＴＣサーミスタ１３の特性を示し、１１０℃の時１００ｍＡの電流が流れる特性（交点（Ｅ）の位置）をもっている。ライン（４）はＰＴＣサーミスタ１４の特性を示し、１１０℃の時１００ｍＡの電流が流れる特性（交点（Ｆ）の位置）をもっている。
【００４７】
このような特性をそれぞれ有したＰＴＣサーミスタ１１〜１４を、可変温度制御回路２０〜２３からの制御信号、例えば、ＰＴＣサーミスタ１１の温度制御を行う場合、可変温度制御回路２０から１３０℃で一定に暖めるための制御信号をヒーター１６に送り、ヒーター１６では１３０℃の一定温度でＰＴＣサーミスタ１１を加熱する。また、ＰＴＣサーミスタ１２の温度制御を行う場合、可変温度制御回路２１から１２０℃で一定に暖めるための制御信号をヒーター１７に送り、ヒーター１７では１２０℃の一定温度でＰＴＣサーミスタ１２を加熱する。さらに、ＰＴＣサーミスタ１３の温度制御を行う場合、可変温度制御回路２２から１１０℃で一定に暖めるための制御信号をヒーター１８に送り、ヒーター１８では１１０℃の一定温度でＰＴＣサーミスタ１３を加熱する。
【００４８】
次に、ＰＴＣサーミスタ１４の温度制御を行う場合、可変温度制御回路２３から１００℃で一定に暖めるための制御信号をヒーター１９に送り、ヒーター１９では１００℃の一定温度でＰＴＣサーミスタ１４を加熱する。これにより、ＰＴＣサーミスタ１１〜１４に接続されたチップ２〜５の動作電流が、１００ｍＡを超えた場合にのみ、自動的に遮断する。
【００４９】
次に、ウェーハレベルバーイン実施中、すなわち、検査ボード７が高温状態の時、上記常温状態と同様な動作を行い、不良チップが検出された場合は、チップ２〜５と電源回路８との電気的結合を自動的に遮断する。
【００５０】
なお、実施の形態１、実施の形態２および実施の形態４に記した、電源パッド６を１箇所としたが、複数箇所としても良い。また、実施の形態１で、常温時、ＰＴＣサーミスタ１０に接続されているチップを４チップとしたが、これよりも接続が少ないチップとしても良いし、また、接続が多いチップとしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の電源電流遮断装置は、ウェーハレベルバーイン試験において常温から高温に試験温度が変化した場合でも、チップの良否判定を正確に実行し、良品チップから不良チップの電気的な分離を確実にして製品の歩留りを向上させることができ、かつウェーハの大型化を抑えつつ有効チップ数の減少を防止することができるもので、ウェーハレベルバーインでのコンタクト一括制御管理や、コンタクト安定性等の用途にも応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態１の電源電流遮断装置の構成を示すブロック図
【図２】本発明の実施の形態２の電源電流遮断装置の構成を示すブロック図
【図３】本発明の実施の形態３の電源電流遮断装置における検査ボードの裏面に実装されたＰＴＣサーミスタの温度制御構成を示した断面図
【図４】本発明の実施の形態４の電源電流遮断装置の構成を示すブロック図
【図５】本発明の実施の形態１および２におけるＰＴＣサーミスタの電流−電圧特性の説明図
【図６】本発明の実施の形態４におけるＰＴＣサーミスタの電流−温度特性の説明図
【符号の説明】
【００５３】
１    半導体ウェーハ
２〜５    チップ
６    電源パッド
７    検査ボード
８    電源回路
９    温度センサー
１０〜１４、２４    ＰＴＣサーミスタ
１５    高温制御回路
１６〜１９、２５    ヒーター
２０〜２３    可変温度制御回路
２６    温度制御ファン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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