【手続補正書】
【提出日】平成25年10月8日(2013.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）半導体材料と、
Ｂ）前記半導体材料に最も近い基板の側面上に第１の表面および前記基板の他の側面上に第２の表面を有し、かつ５〜１５０ミクロンの厚さを有する基板と、を含んでなる薄膜トランジスタ組成物であって、
前記基板が、
ａ）ｉ）剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、
ｉｉ）剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分と、
から誘導されるポリイミドであって、
前記ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比が４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率が２０〜８０：８０〜２０である、
ポリイミド、ならびに
ｂ）ｉ）少なくとも１つの寸法で、（数平均で）５５０ナノメートル未満であり、
ｉｉ）３：１を超えるアスペクト比を有し、
ｉｉｉ）全ての寸法で前記基板の厚さ未満であり、そして
ｉｖ）前記基板の１０〜４５容積％の量で存在する、
サブミクロン充填材
を含んでなる薄膜トランジスタ組成物。
【請求項２】
前記半導体材料と前記第１の表面との間に不動態化層を追加的に含んでなる、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項３】
前記第２の表面上に第２の不動態化層を追加的に含んでなる、請求項２に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項４】
前記基板が、５０ナノメートル未満の厚さを有する金属層を含んでなり、そして前記金属層は、前記半導体材料から離れた側の、基板側面上にある、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項５】
前記金属層が、前記金属層を貫通して延在する開口を画定する壁を有する、請求項４に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項６】
前記ｎ型シリコン層上に配置されたパターン化された金属層をさらに含んでなり、前記ｎ型シリコン層が前記パターン化された金属層の下部にのみ存在するように、前記ｎ型シリコン層が前記パターン化された金属層に補完的なパターンを画定する、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項７】
前記サブミクロン充填材が、酸化物、窒化物、炭化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項８】
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項９】
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７０モル％が、ピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分の少なくとも７０モル％が、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルである、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物。
【請求項１０】
前記ポリイミドがブロックコポリマーである、請求項１に記載の薄膜トランジスタ組成物であって、
前記ブロックコポリマーが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導されか、
または、
前記ブロックコポリマーが、
ａ）１０〜４０モル％の、ピロメリット酸二無水物および１，４−ジアミノベンゼンのブロックと、
ｂ）９０〜６０のモル％の、ピロメリット酸二無水物および４，４’−ジアミノジフェニルエーテルのブロックと、
から誘導される、薄膜トランジスタ組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
上記から、本開示の方法は、可撓性フィルム上にトランジスタを形成する方法を提供することがわかるであろう。これによって、従来技術の方法よりも高い加工温度の使用が可能となり、したがって、従来技術の方法よりも高品質の半導体層を製造することが可能となる。本方法で使用される基板は、ほとんどの半導体層の熱膨張係数に厳密に適合する熱膨張係数を有するため、半導体層と基板との間の熱膨張の差による半導体層のクラッキングおよび／または層間剥離のリスクは低減される。本開示は、ロール−ツー−ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）操作に好適な方法を提供し、したがって、本方法は、可撓性フ
ィルム上での大面積トランジスタアレイの作成に非常に適切である。
以下、本明細書に記載の主な発明につき列記する。
［１］
Ａ）半導体材料と、
Ｂ）前記半導体材料に最も近い基板の側面上に第１の表面および前記基板の他の側面上に第２の表面を有し、かつ５〜１５０ミクロンの厚さを有する基板とを含んでなる薄膜トランジスタ組成物であって、
前記基板が、
ａ）ｉ）剛性ロッド二無水物、非剛性ロッド二無水物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族二無水物成分と、
ｉｉ）剛性ロッドジアミン、非剛性ロッドジアミンおよびそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの芳香族ジアミン成分と、
から誘導されるポリイミドであって、
前記ポリイミドの全二無水物成分および全ジアミン成分に基づき、二無水物のジアミンに対するモル比が４８〜５２：５２〜４８であり、そしてＸを剛性ロッド二無水物および剛性ロッドジアミンのモルパーセント、Ｙを非剛性ロッド二無水物および非剛性ロッドジアミンのモルパーセントとした場合のＸ：Ｙ比率が２０〜８０：８０〜２０である、
ポリイミド、ならびに
ｂ）ｉ）少なくとも１つの寸法で、（数平均で）５５０ナノメートル未満であり、
ｉｉ）３：１を超えるアスペクト比を有し、
ｉｉｉ）全ての寸法で前記基板の厚さ未満であり、そして
ｉｖ）前記基板の１０〜４５容積％の量で存在する、
サブミクロン充填材
を含んでなる薄膜トランジスタ組成物。
［２］
前記半導体材料と前記第１の表面との間に不動態化層を追加的に含んでなる、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［３］
前記不動態化層が、二酸化ケイ素または窒化アルミニウムを含んでなる、前記［２］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［４］
前記第２の表面上に第２の不動態化層を追加的に含んでなる、前記［２］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［５］
前記基板が、５０ナノメートル未満の厚さを有する金属層を含んでなり、そして前記金属層は、前記半導体材料から離れた側の、基板側面上にある、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［６］
前記金属層が、前記金属層を貫通して延在する開口を画定する壁を有する、前記［５］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［７］
前記半導体材料と前記不動態化層との間に誘電層を追加的に含んでなる、前記［２］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［８］
前記誘電層が窒化ケイ素を含んでなる、前記［７］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［９］
前記半導体材料が非晶質シリコンを含んでなる、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１０］
前記半導体材料が、前記非晶質シリコン上にｎ型シリコン層をさらに含んでなる、前記［９］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１１］
前記ｎ型シリコン層上に配置されたパターン化された金属層をさらに含んでなり、前記ｎ型シリコン層が前記パターン化された金属層の下部にのみ存在するように、前記ｎ型シリコン層が前記パターン化された金属層に補完的なパターンを画定する、前記［１０］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１２］
前記サブミクロン充填材が、少なくとも１つの寸法で４００ナノメートル未満である、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１３］
前記サブミクロン充填材が、酸化物、窒化物、炭化物およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１４］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１５］
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７０モル％が、ピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分の少なくとも７０モル％が、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルである、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１６］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［１５］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１７］
前記ポリイミドが、
ａ）前記芳香族二無水物成分の少なくとも７５モル％が、ピロメリット酸二無水物であり、そして
ｂ）前記芳香族ジアミン成分として、７０モル％の４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび３０モル％の１，４ジアミノベンゼン、
から誘導される、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１８］
前記ポリイミドがブロックコポリマーである、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［１９］
前記ブロックコポリマーが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導される、前記［１８］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［２０］
前記ブロックコポリマーが、
ａ）１０〜４０モル％の、ピロメリット酸二無水物および１，４−ジアミノベンゼンのブロックと、
ｂ）９０〜６０のモル％の、ピロメリット酸二無水物および４，４’−ジアミノジフェニルエーテルのブロックと、
から誘導される、前記［１８］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［２１］
前記サブミクロン充填材が、針状二酸化チタン、タルク、ＳｉＣ繊維、プレート状Ａｌ2Ｏ3またはそれらの混合物である、前記［２０］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［２２］
前記サブミクロン充填材が、カップリング剤、分散剤またはそれらの組み合わせによってコーティングされている、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［２３］
前記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物および３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。
［２４］
前記ポリイミドが、４，４’−ジアミノジフェニルエーテルおよび１，４−ジアミノベンゼンと、ピロメリット酸二無水物とから誘導されるランダムコポリマーである、前記［１］に記載の薄膜トランジスタ組成物。