【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第１のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第１の配線と、前記第１の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第１のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第１のコンタクト孔を介して前記第１の配線と接続された第１の端子とを有し、
前記第１のバンプ電極は、前記第１の端子と接続されており、
前記第２の配線は、前記第１の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第１の端子は、前記絶縁膜を介して前記第２の配線と重畳して配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
平面的に見た場合に、前記第１のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第２の配線と重畳して配置されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第１のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第１の配線と、前記第１の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第１のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第１のコンタクト孔を介して前記第１の配線と接続された第１の端子とを有し、
前記第１のバンプ電極は、前記第１の端子と接続されており、
前記第２の配線は、前記第１の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第１のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第２の配線と重畳して配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、２層以上の絶縁膜で構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記基板は、薄膜トランジスタを有し、
前記絶縁膜は、前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜と同材料からなる絶縁膜を含むことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記端子は、少なくともその表面がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記半導体チップは、第２のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜より上層に形成され前記第２のバンプ電極に接続される第２の端子を有し、
前記第１の端子と前記表示部との間の距離は、前記第２の端子と前記表示部との間の距離と異なっており、
平面的に見た場合に、前記第１の端子に重畳する前記基板の配線の本数が、前記第２の端子に重畳する前記基板の配線の本数と等しいことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記基板の前記周辺部は、第１の検査端子と、第１のスイッチング素子とを有し、
前記第１の検査端子は、前記第１のスイッチング素子を介して前記第１の配線に接続されていることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記半導体チップは、第２のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜に形成された第２のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第２のコンタクト孔を介して前記第２の配線と接続された第２の端子とを有し、
前記第２のバンプ電極は、前記第２の端子と接続されており、
前記第１の配線は、前記第２の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第２の端子は、前記第１の配線と重畳して配置されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、前記半導体チップの１つの長辺に、前記第１のバンプ電極を含む複数のバンプ電極を有し、
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に２段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第１段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第２段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしていないことを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１１】
前記半導体チップは、前記半導体チップの１つの長辺に、前記第１のバンプ電極を含む複数のバンプ電極を有し、
前記複数のバンプ電極は、前記半導体チップの短辺方向に２段以上に配置されており、
前記複数のバンプ電極は、第１段目のバンプ電極の前記半導体チップの長辺方向の位置が、第２段目のバンプ電極の前記半導体チップの前記長辺方向の位置に対して、シフトしていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の表示装置。
【請求項１２】
前記基板に対向して配置された対向基板と、前記基板と前記対向基板との間に挟持された液晶とを有することを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（１）表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第１のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第１の配線と、前記第１の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第１のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第１のコンタクト孔を介して前記第１の配線と接続された第１の端子とを有し、
前記第１のバンプ電極は、前記第１の端子と接続されており、
前記第２の配線は、前記第１の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第１の端子は、前記絶縁膜を介して前記第２の配線と重畳して配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（３）表示部と周辺部とを有する基板と、
前記基板の前記周辺部に搭載された半導体チップとを有する表示装置であって、
前記半導体チップは、第１のバンプ電極を有し、
前記基板は、表示領域の配線に接続された第１の配線と、前記第１の配線に隣接して配置され表示領域の別の配線に接続された第２の配線と、前記第１の配線と前記第２の配線とを被う絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された第１のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第１のコンタクト孔を介して前記第１の配線と接続された第１の端子とを有し、
前記第１のバンプ電極は、前記第１の端子と接続されており、
前記第２の配線は、前記第１の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第１のバンプ電極は、前記絶縁膜を介して前記第２の配線と重畳して配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（７）（１）から（６）のいずれかにおいて、前記半導体チップは、第２のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜より上層に形成され前記第２のバンプ電極に接続される第２の端子を有し、
前記第１の端子と前記表示部との間の距離は、前記第２の端子と前記表示部との間の距離と異なっており、
平面的に見た場合に、前記第１の端子に重畳する前記基板の配線の本数が、前記第２の端子に重畳する前記基板の配線の本数と等しい構成としても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（９）（１）から（８）のいずれかにおいて、前記半導体チップは、第２のバンプ電極を有し、
前記基板は、前記絶縁膜に形成された第２のコンタクト孔と、前記絶縁膜より上層に形成され前記第２のコンタクト孔を介して前記第２の配線と接続された第２の端子とを有し、
前記第２のバンプ電極は、前記第２の端子と接続されており、
前記第１の配線は、前記第２の端子と電気的に絶縁されており、
平面的に見た場合に、前記第２の端子は、前記第１の配線と重畳して配置されている構成としても良い。