【手続補正書】
【提出日】平成21年1月27日(2009.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に配置された、入射した光を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に電気的に接続される信号転送用スイッチ素子と、前記変換素子に電気的に接続される、前記変換素子にバイアスを印加するためのリセット用スイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
を有する光電変換装置であって、
前記変換素子と、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子との間に配置された絶縁層を有し、
前記変換素子は、半導体層と、導電層と、を有し、
前記変換素子の前記導電体層は、前記絶縁層の１つのコンタクトホールを介して、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子に共通に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光電変換装置において、前記信号転送用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、前記リセット用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、
少なくとも一部が前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層と、少なくとも一部が前記リセット用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層とが共通の導電層からなることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１に記載の光電変換装置において、前記信号転送用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、前記リセット用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、
少なくとも一部が前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層と、少なくとも一部が前記リセット用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層とが、前記コンタクトホール内で共通接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の光電変換装置において、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子は薄膜トランジスタであり、前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極及びリセット用スイッチ素子の前記一つの電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記基板上に前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成され、
前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成された領域の少なくとも一部を除く、前記基板上の領域に、前記変換素子が設けられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の光電変換装置において、前記基板上に前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成され、
前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成された領域を含む、前記基板上の領域に、前記絶縁層を介して前記変換素子が設けられることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換装置を備えた放射線撮像装置において、前記変換素子上に放射線を光に変換するシンチレータを備えたことを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に配置された、入射した放射線を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に電気的に接続される信号転送用スイッチ素子と、前記変換素子に電気的に接続される、前記変換素子にバイアスを印加するためのリセット用スイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
を有する放射線撮像装置であって、
前記変換素子と、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子との間に配置された絶縁層を有し、
前記変換素子は、半導体層と、導電層と、を有し、
前記変換素子の前記導電層は、前記絶縁層の１つのコンタクトホールを介して、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子に共通に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項９】
請求項８に記載の放射線撮像装置において、前記信号転送用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、前記リセット用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、
少なくとも一部が前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層と、少なくとも一部が前記リセット用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層とが共通の導電層からなることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の放射線撮像装置において、前記信号転送用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、前記リセット用スイッチ素子の一つの電極が前記変換素子と電気的に接続され、
少なくとも一部が前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層と、少なくとも一部が前記リセット用スイッチ素子の前記一つの電極となる導電層とが、前記コンタクトホール内で共通接続されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載の放射線撮像装置において、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子は薄膜トランジスタであり、前記信号転送用スイッチ素子の前記一つの電極及びリセット用スイッチ素子の前記一つの電極は、前記薄膜トランジスタのソース電極又はドレイン電極であることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１２】
請求項８から１１のいずれか１項に記載の放射線撮像装置において、前記基板上に前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成され、
前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成された領域の少なくとも一部を除く、前記基板上の領域に、前記変換素子が設けられることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１３】
請求項８から１１のいずれか１項に記載の放射線撮像装置において、前記基板上に前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成され、
前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子が形成された領域を含む、前記基板上の領域に、前記絶縁層を介して前記変換素子が設けられることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項１４】
請求項７から１３のいずれか１項に記載の放射線撮像装置と、
前記放射線撮像装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記放射線を発生させるための放射線源と、
を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項１５】
基板と、前記基板上に配置された、転送用スイッチ素子及びリセット用スイッチ素子と、前記転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された下電極を有する変換素子と、を有する放射線撮像装置の製造方法であって、
前記転送用スイッチ素子のソース電極及びドレイン電極の一方の電極と、前記リセット用スイッチ素子のソース電極及びドレイン電極の一方の電極とを、共通の導電層で共通の電極となるように形成する第1の工程、
前記第1の工程の後に、前記転送用スイッチ素子と前記リセット用スイッチ素子とを覆う前記絶縁層を形成する第２の工程、
前記共通の電極の上に対応する1つのコンタクトホールを前記絶縁層に形成する第３の工程、及び
前記第３の工程の後に、前記コンタクトホールを介して前記共通の電極と接続される、前記変換素子の前記下電極を形成する第４の工程、
を有する放射線撮像装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は上記課題を解決するための手段として、基板と、
前記基板上に配置された、入射した光を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に電気的に接続される信号転送用スイッチ素子と、前記変換素子に電気的に接続される、前記変換素子にバイアスを印加するためのリセット用スイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
を有する光電変換装置であって、
前記変換素子と、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子との間に配置された絶縁層を有し、
前記変換素子は、半導体層と、導電層と、を有し、
前記変換素子の前記導電体層は、前記絶縁層の１つのコンタクトホールを介して、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子に共通に接続されていることを特徴とする光電変換装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明は、基板と、
前記基板上に配置された、入射した放射線を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に電気的に接続される信号転送用スイッチ素子と、前記変換素子に電気的に接続される、前記変換素子にバイアスを印加するためのリセット用スイッチ素子と、を備えた複数の画素と、
を有する放射線撮像装置であって、
前記変換素子と、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子との間に配置された絶縁層を有し、
前記変換素子は、半導体層と、導電層と、を有し、
前記変換素子の前記導電層は、前記絶縁層の１つのコンタクトホールを介して、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子に共通に接続されていることを特徴とする放射線撮像装置を提供する。