【手続補正書】
【提出日】平成20年12月17日(2008.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた一導電型を付与された半導体膜からなる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に接して設けられた第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜上に接して設けられ、第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された半導体膜からなる第３の半導体膜と、
前記第２及び第３の半導体膜に設けられ、前記第３の半導体膜の一部の領域を前記第３の半導体膜の他の領域から電気的に分断する開口部と、
前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に前記第１の半導体膜に達するように設けられた第１の溝と、
前記第３の半導体膜の前記一部の領域上に設けられ、前記第１の溝を介して前記第１の半導体膜に接する第１の電極と、
前記第３の半導体膜の前記他の領域を覆うように選択的に設けられた絶縁膜と、
前記絶縁膜に設けられた第２の溝と、
前記絶縁膜上に設けられ、前記第２の溝を介して前記第３の半導体膜の前記他の領域に接して設けられた第２の電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に選択的に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に接し、一導電型を付与された半導体膜からなる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に接して設けられた第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜上に接して設けられ、第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された半導体膜からなる第３の半導体膜と、
前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に設けられ、前記第３の半導体膜の一部の領域を前記第３の半導体膜の他の領域から電気的に分断する開口部と、
前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に前記第１の半導体膜に達するように設けられた第１の溝と、
前記第３の半導体膜の前記一部の領域上に設けられ、前記第１の溝を介して前記第１の電極と接する第２の電極と、
前記第３の半導体膜の前記他の領域を覆う様に選択的に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜に設けられた第２の溝と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第２の溝を介して前記第３の半導体膜の前記他の領域に接して設けられた第３の電極と、有し、
前記第２の電極及び前記第１の絶縁膜に覆われていない前記第２の半導体膜上には、前記第３の半導体膜は設けられていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に選択的に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に接して設けられた一導電型を付与された半導体膜からなる第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜上に接して設けられた第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜上に接して設けられ、第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された半導体膜からなる第３の半導体膜と、
前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に前記第１の半導体膜に達するように設けられた第１の溝と、
前記第３の半導体膜上に設けられ、前記第１の溝を介して前記第１の電極と接する第２の電極と、
前記第３の半導体膜の一部を覆う様に選択的に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜に設けられた第２の溝と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ、前記第２の溝を介して前記第３の半導体膜に接して設けられた第３の電極と、を有し、
前記第１乃至第３の半導体膜の一部の領域は、前記第１乃至第３の半導体膜の他の領域から電気的に分断されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第１の電極は、シリコンを含む酸化インジウム酸化スズ合金、酸化亜鉛、酸化スズ、酸化インジウム、酸化インジウムに２ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下の酸化亜鉛を混合したターゲットを用いて形成された酸化インジウム酸化亜鉛合金のいずれかを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または請求項３において、
前記第１の電極は、チタン、タングステン、タンタル、モリブデン、ネオジウム、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、アルミニウム、金、銀、銅から選ばれたのいずれか一の元素を少なくとも含むこと特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板は、可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記可撓性基板は、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）フィルムのいずれか一つであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の半導体装置は、カラーフィルタにより選択された光を吸収することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
基板上に一導電型を付与された第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第３の半導体膜の一部が露出するように第１の溝を有する絶縁膜を選択的に形成し、
前記第１乃至第３の半導体膜に第２の溝を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第２の溝を介して前記第１の半導体膜に接する第１の電極を形成するとともに、前記絶縁膜上に前記第１の溝を介して前記第３に半導体膜に接する第２の電極を形成し、
前記第１の電極及び前記絶縁膜をマスクとしてエッチングを行うことにより、前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に開口部を形成することによって、前記第３の半導体膜の一部の領域を他の領域から電気的に分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に一導電型を付与された第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第３の半導体膜の一部が露出するように第１の溝を有する絶縁膜を選択的に形成し、
前記第１の電極の一部が露出するように前記第１乃至第３の半導体膜に第２の溝を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第２の溝を介して前記第１の電極に接する第２の電極を形成するとともに、前記絶縁膜上に前記第１の溝を介して前記第３に半導体膜に接する第３の電極を形成し、
前記第２の電極及び前記絶縁膜をマスクとしてエッチングを行うことにより前記第２の半導体膜及び前記第３の半導体膜に開口部を形成することによって、前記第３の半導体膜の一部の領域を他の領域から電気的に分断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に一導電型を付与された第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に前記第１の半導体膜とは逆の導電型を付与された第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第３の半導体膜の一部が露出するように第１の溝を有する絶縁膜を選択的に形成し、
前記第１の電極の一部が露出するように前記第１乃至第３の半導体膜に第２の溝を形成し、
前記第３の半導体膜上に前記第２の溝を介して前記第１の電極に接する第２の電極を形成するとともに、前記絶縁膜上に前記第１の溝を介して前記第３に半導体膜に接する第３の電極を形成し、
前記第１の電極が露出するようにエッチングを行うことにより、前記第１乃至第３の半導体膜の一部の領域を前記第１乃至第３の半導体膜の他の領域と電気的に分断する開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。