(57)【要約】      （修正有）【課題】広いダイナミックレンジを有する光受信回路および光結合装置を提供する。【解決手段】入力光１１に応じて電流Ｉｐを出力する受光素子１２と、入力端子１３ａに受光素子１２が接続された反転増幅器１３と、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏを入力端子１３ａに帰還する帰還回路１４とを具備する。帰還回路１４が、反転増幅器１３の入力端子１３ａと出力端子１３ｂとの間に直列接続された第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点１４ａと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣとを具備する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光に応じて電流を出力する受光手段と、
電流電圧変換特性が低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、前記電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換手段と、
を具備することを特徴とする光受信回路。
【請求項２】
入力光に応じて電流を出力する受光素子と、
入力端子に前記受光素子が接続された反転増幅器と、
トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、前記反転増幅器の出力を前記入力側に帰還する帰還回路と、
を具備することを特徴とする光受信回路。
【請求項３】
前記帰還回路が、
前記反転増幅器の出力端子と前記入力端子との間に直列接続された第１抵抗および第２抵抗と、
前記第１抵抗と前記第２抵抗との接続点と接地電位線との間に直列接続された第３抵抗およびキャパシタと、
を具備することを特徴とする請求項２に記載の光受信回路。
【請求項４】
一方の入力端子が前記反転増幅器の前記出力端子に接続され、他方の入力端子が所定の基準電圧を出力する基準電源に接続され、前記反転増幅器の出力電圧と前記基準電圧とを比較し、比較結果を出力するコンパレータを具備することを特徴とする請求項２および３のいずれかに記載の光受信回路。
【請求項５】
発光素子と、
前記発光素子から放出された光を受光し、前記光に応じて電流を出力する受光素子と、
入力端子に前記受光素子が接続された反転増幅器と、
前記反転増幅器の出力端子と前記入力端子との間に接続され、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有する帰還回路と、
を具備することを特徴とする光結合装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光受信回路および光結合装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトダイオードなどの受光素子の微小電流を増幅するためには、入力バイアス電流が少なく、入力オフセット電圧やドリフトの小さなアンプを用いて電流電圧変換するのが一般的である。その際に、アンプの入力にフォトダイオードを直接挿入するトランスインピーダンスアンプと呼ばれる回路方式が用いられる。
【０００３】
従来の光受信回路は、入力端子と出力端子との間に帰還抵抗が接続された反転増幅器と、反転増幅器の入力端子に接続された受光素子とを具備している。  
更に、反転増幅器の出力と閾値電圧とを比較し、比較結果に応じてハイレベルまたはロウレベルの電圧を出力するコンパレータを具備している。
【０００４】
受光素子にパルスの光信号が入射すると、受光素子は光信号に応じた電流を反転増幅器に供給する。反転増幅器は供給された電流を電圧に変換し、光信号に応じたパルスの電圧を出力する。  
このパルスの電圧がコンパレータにより閾値電圧と比較され、閾値以上のパルスの電圧が光信号として検出される。
【０００５】
然しながら、受光素子に入射する光信号の強度が大きくなると、コンパレータから出力されるパルスの電圧波形に歪みが生じるという問題があり、光受信回路が誤作動する恐れがある。
【０００６】
そこで、反転増幅器の利得を低く設定した場合は、受光素子に入射する光信号の強度が小さくなると、光信号の検出が困難になり、光受信回路のダイナミックレンジが狭いという問題がある。
【０００７】
これに対して、自動利得制御回路を有する光受信回路が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００８】
特許文献１に開示された光受信回路は、電流信号を電圧信号に変換して出力するプリアンプと、プリアンプから出力された電圧信号を平滑化して、低域濾波信号を出力する低域通過フィルタとを具備し、低域通過フィルタを介する信号により、プリアンプの帰還抵抗値を変化させることにより、自動利得制御を行っている。
【０００９】
然しながら、特許文献１に開示された光受信回路は、光信号の平均強度に基づいて自動利得制御を行うものであり、瞬間的に入力される過大な光信号により生じる問題に関しては何ら開示していない。
【特許文献１】特開２００３−２５８５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、広いダイナミックレンジを有する光受信回路および光結合装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一態様の光検出回路は、入力光に応じて電流を出力する受光手段と、電流電圧変換特性が低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、前記電流を電圧に変換して出力する電流電圧変換手段と、を具備することを特徴としている。
【００１２】
本発明の別態様の光検出回路は、入力光に応じて電流を出力する受光素子と、入力端子に前記受光素子が接続された反転増幅器と、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、前記反転増幅器の出力を前記入力側に帰還する帰還回路と、を具備することを特徴としている。
【００１３】
本発明の一態様の光結合装置は、発光素子と、前記発光素子から放出される光を受光し、前記光に応じて電流を出力する受光素子と、入力端子に前記受光素子が接続された反転増幅器と、前記反転増幅器の出力端子と前記入力端子との間に接続され、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有する帰還回路と、を具備することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、広いダイナミックレンジを有する光受信回路および光結合装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例】
【００１６】
本発明の実施例に係る光検出回路について、図１乃至図４を用いて説明する。図１は光受信回路を示す回路図、図２は光受信回路に用いられる反転増幅器を示す回路図、図３は光受信回路の電流電圧変換特性の周波数依存性を示す図、図４は光受信回路の効果を比較例と対比して示す図である。
【００１７】
図１に示すように、本実施例の光受信回路１０は、入力光１１の強度に応じた電流Ｉｐを出力する受光素子１２と、入力端子１３ａに受光素子１２が接続された反転増幅器１３と、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏを入力側に帰還する帰還回路１４と、を具備している。
【００１８】
更に、非反転入力端子（＋）が反転増幅器１３の出力端子１３ｂに接続され、反転入力端子（−）が所定の基準電圧ｖｒｅｆを出力する基準電源１５に接続され、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏと基準電圧Ｖｒｅｆとを比較し、比較結果に応じてハイレベルまたはロウレベルの電圧Ｖｏｕｔを出力するコンパレータ１６を具備している。
【００１９】
受光素子１２は、入力光１１の波長に応じて、シリコンフォトダイオード、ＩｎＧａＡｓ系のＰＩＮフォトダイオードまたはアバランェフォトダイオードなどを使用することができる。
【００２０】
図２に示すように、反転増幅回路１３は、受光素子１２がベースに接続され、コレクタが抵抗Ｒ４を介して電源Ｖｃｃに接続され、エミッタが接地されたｎｐｎバイポーラトランジスタＱ１（以後、単にトランジスタＱ１という）と、ベースがトランジスタＱ１のコレクタに接続され、コレクタが電源Ｖｃｃに接続され、エミッタと接地間に定電流源２０が接続されたｎｐｎバイポーラトランジスタＱ２（以後、単にトランジスタＱ２という）とを具備している。  
トランジスタＱ１はエミッタ接地アンプであり、トランジスタＱ２は電圧増幅度がほぼ１のエミッタフォロア（コレクタ接地アンプ）である。
【００２１】
帰還回路１４は、反転増幅器１３の入力端子１３ａと出力端子１３ｂとの間に直列接続された第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点１４ａと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣとを具備している。  
帰還回路１４は、所謂Ｔ型ネットワークであり、そのインピーダンスは周波数に応じて変化する。
【００２２】
受光素子１２は、受光した入力光１１の強度に応じた電流Ｉｐを出力し、トランジスタＱ１のベースに供給する。  
トランジスタＱ１は電流Ｉｐを電圧に変換して増幅し、トランジスタＱ２はトランジスタＱ１の出力電圧を、低インピーダンス信号として出力端１３ｂに出力する。
【００２３】
トランジスタＱ１によるエミッタ接地アンプのゲインが十分大きく、例えばゲインを５０以上とすることにより、反転増幅器１３の電圧増幅度は帰還回路１４のインピーダンスで定まり、ほぼ帰還回路１４のインピーダンスＺｆに等しくなる。従って、出力信号Ｖｏ＝Ｉｐ×Ｚｆとなる。
【００２４】
反転増幅器１３の電流電圧変換特性（Ｖｏ／Ｉｐ）は、受光素子１２の接合容量を無視し、反転増幅器１３が周波数依存性を有しない理想的な増幅器であるとした場合は、次式で表される。
【００２５】
Vo/Ip ＝（R1+R2）（1+ｊωC（R3＋R1R2／（R1＋R2）））／（1+ｊωCR3）
キャパシタＣのインピーダンス（１／ｊωＣ）が十分大きくなる低周波数側では、第３抵抗Ｒ３が接地電位ＧＮＤから切り離され、フローティング状態になるので、帰還回路１４のトランスインピーダンスＺｆ１はＲ１＋Ｒ２に等しくなる。
【００２６】
一方、キャパシタＣのインピーダンス（１／ｊωＣ）が十分小さくなる高周波数側では、第３抵抗Ｒ３が接地電位ＧＮＤに接続されたれた状態になるので、帰還回路１４のトランスインピーダンスＺｆ２はＲ１＋Ｒ２＋Ｒ１Ｒ２／Ｒ３に等しくなる。
【００２７】
低周波数側と高周波数側との間の周波数領域では、直列接続された第３抵抗Ｒ３とキャパシタＣとのインピーダンス応じて、帰還回路１４のトランスインピーダンスＺｆはＺｆ１からＺｆ２まで変化する。
【００２８】
具体的には、図３に示すように、電流電圧変換特性（Ｖｏ／Ｉｐ）は式（１）に従い、角周波数ωがω１＝１/Ｃ(Ｒ３+Ｒ１＋Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２））より小さい領域では、Ｒ１＋Ｒ２に等しくなる。  
一方、角周波数ωがω２＝１/ＣＲ３より大きい領域では、Ｒ１＋Ｒ２＋Ｒ１Ｒ２／Ｒ３に等しくなる。
【００２９】
これにより、トランスインピーダンスＺｆが低周波側で小さくなり、且つ高周波側で大きくなる周波数特性を有する帰還回路１４が得られる。  
但し、実際には反転増幅器１３の周波数特性や受光素子１２の接合容量の影響により、角周波数ωがω３より十分大きくなると破線２１に示すように電流電圧変換特性（Ｖｏ／Ｉｐ）は低下する。
【００３０】
図４は光受信回路１０の効果を比較例と対比して示す図で、図４（ａ）、図４（ｂ）が本実施例の場合、図４（ｃ）、図４（ｄ）が比較例の場合である。  
図４（ａ）および図４（ｃ）は本実施例および比較例の反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏの波形を示すタイミングチャート、図４（ｂ）および図４（ｄ）は本実施例および比較例のコンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔの波形を示すタイミングチャートである。
【００３１】
本明細書において、比較例とは図１に示すキャパシタＣを有せず、第３抵抗Ｒ３が第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２の接続点と接地電位ＧＮＤとの間に接続された帰還回路を備えた光受信回路を意味している。始めに、比較例について説明する。
【００３２】
図４（ｃ）に示すように、比較例では、受光素子１２にパルスの光信号１１（入力光）が入力されると、パルスの光信号１１の立ち上がりに応じて反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏが〜Ｉｐ×Ｚｆ１まで立ち上がり、パルスの光信号１１が持続している間は、この出力電圧Ｖｏが維持されている。
【００３３】
パルスの光信号１１が立ち下がると、出力電圧Ｖｏも立ち下がるが、受光素子１２の拡散電流成分によるすそ引き波形２２が発生し、立ち下がりが緩やかになる。
【００３４】
拡散電流成分によるすそ引き波形２２とは、主に入力光が赤外光の場合に、赤外光が受光素子１２のｐｎ接合を超えて受光素子１２内に深く浸入し、ｐｎ接合の空乏層外で発生したキャリアが、緩やかに減衰するために生じるものである。
【００３５】
更に、出力電圧Ｖｏが立ち下った後に、回路の浮遊容量や寄生インダクタンスに起因した共振により、リンギング波形２３が発生することがある。
【００３６】
図４（ｄ）に示すように、コンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔは、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏが基準電圧Ｖｒｅｆより大きくなる時刻ｔ１で立ち上がり、すそ引き波形２２が基準電圧Ｖｒｅｆより小さくなる時刻ｔ３で立ち下がる。  
これにより、出力電圧Ｖｏｕｔの立下がりに、後述する時刻ｔ２に対して遅れΔｔ＝ｔ３−ｔ２が生じる。
【００３７】
更に、コンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔが立ち下がった後に、コンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔは、リンギング波形２３が基準電圧Ｖｒｅｆより大きくなる時刻ｔ４で立ち上がり、リンギング波形２３が基準電圧Ｖｒｅｆより小さくなる時刻ｔ５で立ち下がる。これにより、偽パルス２４が生じる。
【００３８】
一方、図４（ａ）に示すように、本実施例では、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏは、受光素子１２にパルスの光信号１１が入射すると、パルスの光信号１１の立ち上がりに応じて、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏが〜Ｉｐ×Ｚｆ２まで立ち上がる。
【００３９】
パルスの光信号１１が一定になると、電流Ｉｐはω２より大きい高周波成分が減少し、ω１より小さい低周波成分が増加するので、出力電圧Ｖｏは緩やかに低下し、サグ２５が生じる。
【００４０】
パルスの光信号１１が立ち下がると、電流Ｉｐはω１より小さい低周波成分が減少し、ω２より大きい高周波成分が増加するので、出力電圧Ｖｏは急激に低下し、大きく下方に振られる引き戻し波形２６が生じる。
【００４１】
図４（ｂ）に示すように、コンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔは、出力電圧Ｖｏが基準電圧Ｖｒｅｆより大きくなる時刻ｔ１で立ち上がることは、比較例と同様である。  
しかし、出力電圧Ｖｏｕｔの立ち下がりは、比較例の時刻ｔ３より早く、引き戻し波形２６が基準電圧Ｖｒｅｆより小さくなる時刻ｔ２となる。
【００４２】
これにより、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏの波形に裾引き波形２２、リンギング波形２３が発生したとしても出力電圧Ｖｏの立ち下がり波形が基準電圧Ｖｒｅｆより大きく下がるため、裾引き波形２２による立ち下がりの遅れ、およびリンギング波形２３による偽パルス２４の発生を抑制することができる。
【００４３】
サグ２５、引き戻し波形２６は、コンパレータ１６の出力電圧Ｖｏｕｔの波形には影響を及ぼさないので、パルスの光信号の強度によらず、歪みのないきれいな波形の出力電圧Ｖｏｕｔを得ることが可能である。
【００４４】
図５は本実施例の光受信回路１０が、同一半導体チップ上にモノリシックに集積して形成された半導体集積装置を示す図である。  
図５に示すように、本実施例の半導体集積装置３０は、反転増幅器１３と、帰還回路１４と、基準電源１５と、コンパレータ１６とが、同一半導体チップ３１上にモノリシックに集積して形成されている。受光素子１２は、半導体チップ３１に外付けされている。
【００４５】
また、半導体チップ３１上に、電源３２に接続し、受光素子１２から出力された電流Ｉｐを入力し、コンパレータ１６から出力電圧Ｖｏｕｔを外部に供給するために必要なボンディングパッド３３ａ〜３３ｄが形成されている。
【００４６】
次に、本実施例の光結合装置について、図６を用いて説明する。  
図６に示すように、本実施例の別の光結合装置４０は、情報を光信号に変換して送出する発光素子４１と、発光素子４１から送出される光信号４２を受光する受光素子４３が対向して配置されたフォトカプラである。
【００４７】
発光素子４１は、例えばＡｌＧａＡｓ系の赤外発光ダイオードである。受光素子４３は、例えばシリコンフォトダイオードが集積された受光ＩＣである。
【００４８】
発光素子４１は、リードフレーム４４のマウントベッドに載置され、接続導体（図示せず）を介してリードフレーム４４の図示されない電極リードに電気的に接続されている。受光素子４３は、リードフレーム４５のマウントベッドに載置され、接続導体（図示せず）を介してリードフレーム４５の図示されない電極リードに電気的に接続されている。
【００４９】
発光素子４１と、受光素子４３と、リードフレーム４４、４５とは発光波長に対して透明な樹脂４６でモールドされ、更に発光波長に対して不透明な樹脂４７で一体にモールドされている。樹脂４７の側面から、リードフレーム４４、４５のリード端子が外部に延伸している。
【００５０】
発光素子４１はケーブル４８ａを介して駆動回路４９に接続される。同様に、受光素子４３はケーブル４８ｂを介して半導体集積装置３０に接続される。
【００５１】
駆動回路４９は、発光素子４１にパルス電流を通電し、パルスの光信号４２を送出させる。半導体集積装置３０は、受光素子４３から供給される電流Ｉｐに応じたきれいな波形の出力信号Ｖｏｕｔを、外部の信号処理回路（図示せず）に供給する。
【００５２】
以上説明したように、本実施例の光受信回路１０は、トランスインピーダンスが低周波数側で小さくなり、且つ高周波数側で大きくなる周波数特性を有し、反転増幅器１３の出力を入力側に帰還する帰還回路１４を具備している。
【００５３】
その結果、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏに、受光素子１２の拡散電流に起因する裾引き波形２２や、浮遊容量および寄生インダクタンスに起因するリンギング波形２３が発生しても、パルスの光信号１１に応じた歪みのないきれいな波形の出力電圧Ｖｏｕｔが得られる。  
従って、広いダイナミックレンジを有する光受信回路１０および光結合装置４０が得られる。
【００５４】
ここでは、直列接続された第１および第２抵抗Ｒ１、Ｒ２の接続点に第３抵抗Ｒ３が接続され、キャパシタＣが接地された場合について説明したが、第３抵抗Ｒ３とキャパシタＣを入れ替えても構わない。
【００５５】
帰還回路１４が、直列接続された第１抵抗Ｒ１および第２抵抗Ｒ２と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点と接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣを有するＴ型ネットワークである場合について説明したが、別の回路形式の帰還回路であっても構わない。
【００５６】
例えば、図７に示すように、光受信回路５０の帰還回路５１を、直列接続された第１抵抗Ｒ１、第２抵抗Ｒ２および抵抗Ｒ５と、第１抵抗Ｒ１と第２抵抗Ｒ２との接続点５１ａと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された第３抵抗Ｒ３およびキャパシタＣと、第２抵抗Ｒ２と抵抗Ｒ５との接続点５１ｂと接地電位線ＧＮＤとの間に直列接続された抵抗Ｒ６およびキャパシタＣ１とを有するπ型ネットワークとしても良い。  
これによれば、低周波数側と高周波数側との間の周波数領域での電流電圧変換特性プロファイルを可変できる利点がある。
【００５７】
更に、図８に示すように、光受信回路６０の帰還回路６１を、第１抵抗Ｒ１に直列接続されたインダクタＬ１と、第２抵抗Ｒ２に直列接続されたインダクタＬ２とを有するＴ型ネットワークとしても良い。  
これによれば、高周波数側においてトランスインピーダンスＺｆが大きくなるので、より高い電流電圧変換特性が得られる利点がある。
【００５８】
半導体集積装置３０に、基準電源１５およびコンバレータ１６が内蔵されている場合について説明したが、外付けされていても構わない。外付けの場合に、入力光１１のレベルに応じて基準電圧Ｖｒｅｆを外部で自由に設定できる利点がある。
【００５９】
受光素子１２が半導体集積装置３０に外付けされている場合について説明したが、内蔵するようにしても構わない。受光素子１２がシリコンフォトダイオードの場合は、半導体チップ３１にモノリシックに集積して形成することができる。
【００６０】
光受信回路１０は、反転増幅器１３とコンパレータ１６とが直接接続されている場合について説明したが、反転増幅器１３とコンパレータ１６との間に出力電圧Ｖｏを増幅する増幅器、あるいは出力電圧Ｖｏのレベルをシフトさせるレベルシフト回路、あるいは増幅器およびレベルシフト回路の両方が接続されていてもよい。  
これにより、反転増幅器１３の出力電圧Ｖｏのダイナミックレンジを拡げ、基準電源１５およびコンパレータ１６の設計が容易になる利点がある。
【００６１】
更に、基準電圧Ｖｒｅｆが固定されている場合について説明したが、入力光１１の大きさによって、基準電圧Ｖｒｅｆを可変させる方式の光受信回路に適用することもできる。これにより、偽パルス２４に対するマージンアップが図れる利点がある。
【００６２】
反転増幅器１３のトランジスタＱ１、Ｑ２が、ｎｐｎバイポーラトランジスタである場合について説明したが、ｐｎｐバイポーラトランジスタを用いて回路を構成しても構わない。  
絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳトランジスタ）を用いて反転増幅器１３を構成することもできる。ＭＯＳトランジスタとした場合、バイポーラトランジスタほどの電圧増幅率は得られないが、問題なく動作可能である。
【００６３】
第１乃至第３抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３が抵抗素子である場合について説明したが、広く一般のインピーダンス素子、例えばトランジスタで構成することも可能である。
【００６４】
光結合装置４０が対向型のフォトカプラである場合について説明したが、反射型のフォトカプラであっても同様である。
【００６５】
また、発光素子と受光素子が光ファイバで結合された光結合装置とすることもできる。例えば、図９に示すように、光結合装置７０は、情報を光信号に変換して送出する光送信回路７１と、光送信回路７１から送出される光信号７２を受信する光受信回路１０と、を備えている。
【００６６】
光送信回路７１は、光信号７２を放射する発光素子７３、例えば半導体レーザと、外部から信号Ｖｉｎを入手し、発光素子７３を電流駆動する駆動回路７４とを具備している。
【００６７】
光送信回路７１から送出された光信号７２は、例えば光ファイバ７５中を伝播し、光受信回路１０に入射する。  
光受信回路１０は、光信号７２を受光素子１２で受光し、光信号を電気信号に変換して、外部の信号処理回路（図示せず）に供給する。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施例に係る光受信回路を示す回路図。
【図２】本発明の実施例に係る光受信回路の反転増幅器を示す回路図。
【図３】本発明の実施例に係る光受信回路の電流電圧変換特性の周波数依存性を示す図。
【図４】本発明の実施例に係る光受信回路の効果を比較例と対比して示す図。
【図５】本発明の実施例に係る光受信回路が形成された半導体集積装置を示す図。
【図６】本発明の実施例に係る光結合装置を示す斜視図。
【図７】本発明の実施例に係る別の光受信回路を示す回路図。
【図８】本発明の実施例に係る別の光受信回路を示す回路図。
【図９】本発明の実施例に係る別の光結合装置の構成を示すブロック図。
【符号の説明】
【００６９】
１０、５０、６０  光受信回路
１１  入力光
１２、４３  受光素子
１３  反転増幅器
１４、５１、６１  帰還回路
１５  基準電源
１６  コンパレータ
２０  定電流源
２２  すそ引き波形
２３  リンギング
２４  偽パルス
２５  サグ
２６  引き戻し波形
３０  半導体集積装置
３１  半導体チップ
３２  電源
３３ａ〜３３ｄ  ボンディングパッド
４０、７０  光結合装置
４１  発光素子
４２、７２  光信号
４４、４５  リードフレーム
４６  透明樹脂
４７  樹脂
４８ａ、４８ｂ  ケーブル
４９  電源
７１  光送信回路
７３  発光素子
７４  駆動回路
７５  光ファイバ
Ｒ１  第１抵抗
Ｒ２  第２抵抗
Ｒ３  第３抵抗
Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６  抵抗
Ｃ、Ｃ１  キャパシタ
Ｌ１、Ｌ２  インダクタ
Ｑ１、Ｑ２  ｎｐｎバイポーラトランジスタ
【図１】
2008182529.tif 000003
【図２】
2008182529.tif 000004
【図３】
2008182529.tif 000005
【図４】
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【図５】
2008182529.tif 000007
【図６】
2008182529.tif 000008
【図７】
2008182529.tif 000009
【図８】
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【図９】
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