【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
前記素子形成層の端部において、前記剥離層と前記素子形成層との界面で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
毛細管現象によって前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
前記剥離層の端部において、前記基板と前記剥離層との界面で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
毛細管現象によって前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
前記剥離層の端部において、前記剥離層の内部で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
毛細管現象によって前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層に溝を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
前記溝によって露出された前記剥離層と前記素子形成層との界面で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層に溝を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
前記溝によって露出された前記剥離層と前記素子形成層との界面で剥離を生じさせた後、前記基板から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５において、
レーザー光を照射することによって、前記素子形成層に前記溝を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記レーザー光は、ＵＶレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
レーザー光を照射することによって、前記剥離層の端部において、前記基板と前記剥離層との界面で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に、半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
レーザー光を照射することによって、前記剥離層の端部において、前記剥離層の内部で剥離を生じさせた後、前記剥離によって現れた面を液体で濡らし、
前記基板から前記素子形成層を分離し、
前記液体を移動させて、前記分離によって現れた面を濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
レーザー光を照射することによって、前記剥離層の端部において、前記剥離層と前記基板との界面で剥離を生じさせた後、前記基板から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に半導体素子を含む素子形成層を形成し、
前記素子形成層上に支持基材を設け、
レーザー光を照射することによって、前記剥離層の端部において、前記剥離層の内部で剥離を生じさせた後、前記基板から前記素子形成層を分離しながら、前記分離によって現れた面を液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記レーザー光は、紫外光域のレーザー光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４、請求項８、及び請求項９のいずれか一項において、
前記剥離によって現れた面を、ノズルを用いて前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項５、請求項１０、又は請求項１１において、
前記分離によって現れた面を、ノズルを用いて前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項４、請求項８、及び請求項９のいずれか一項において、
前記剥離によって生じた隙間に前記液体を含ませた液体保持手段を挿入し、前記剥離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項５、請求項１０、又は請求項１１において、
前記剥離によって生じた隙間に前記液体を含ませた液体保持手段を挿入し、前記分離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項４、請求項８、及び請求項９のいずれか一項において、
前記液体を噴霧手段から霧状に吹き付けることによって、前記剥離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項５、請求項１０、又は請求項１１において、
前記液体を噴霧手段から霧状に吹き付けることによって、前記分離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１、請求項２、請求項４、又は請求項８において、
前記剥離を生じさせた界面に隙間を生じさせ、
前記液体を前記隙間に滴下することによって、前記剥離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項３又は請求項９において、
前記剥離を生じさせた剥離層の内部に隙間を生じさせ、
前記液体を前記隙間に滴下することによって、前記剥離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項５又は請求項１０において、
前記剥離を生じさせた界面に隙間を生じさせ、
前記液体を前記隙間に滴下することによって、前記分離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１１において、
前記剥離を生じさせた剥離層の内部に隙間を生じさせ、
前記液体を前記隙間に滴下することによって、前記分離によって現れた面を前記液体で濡らすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記液体は、純水であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記液体は、極性液体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記液体は、酸性またはアルカリ性の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記液体は、大気圧で気体となる分子が溶けている水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記水溶液は、二酸化炭素の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２６において、
前記水溶液は、塩化水素の水溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記液体は、水と揮発性の液体を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項１乃至請求項２９のいずれか一項において、
前記剥離層は、金属を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項３０において、
前記金属は、タングステンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項１乃至請求項２９のいずれか一項において、
前記剥離層は、酸化窒化シリコン層とタングステン層との多層構造を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項１乃至請求項３２のいずれか一項において、
前記支持基材は、プラスチックを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項１乃至請求項３２のいずれか一項において、
前記支持基材は、可撓性フィルムであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項１乃至請求項３４のいずれか一項において、
前記素子形成層から前記支持基材を分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項１乃至請求項３５のいずれか一項において、
前記支持基材は、前記支持基材の一部に設けられたフィルムと前記素子形成層とが前記基板と前記支持基材とに挟まれ、且つ、前記フィルムと前記素子形成層とが重ならないように、前記素子形成層上に設けられ、
前記基板から前記素子形成層を分離した後、前記フィルムと前記支持基材とを、前記素子形成層から分離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
請求項１乃至請求項３６のいずれか一項において、
前記素子形成層の分離の後、前記素子形成層に可撓性基板を設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
請求項１乃至請求項３７のいずれか一項において、
前記半導体素子により集積回路を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。