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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電流発生システムにおいて、
少なくとも一つのポリマー膜燃料電池スタックと、
随意には水素である燃料を前記電池の複数のアノード室に対して並行に供給するための手段と、
空気を前記電池の複数のカソード室に対して並行に供給するための手段と、
前記電池内部で冷却材を一定の流量で循環させることにより、前記電池の温度を調節するための手段とを備えており、
前記システムのポリマー膜の水和及び熱の管理は、供給される前記空気の流量及び前記冷却材の電池入口温度にのみ作用することによって調節される、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムにおいて、
較正された圧力低下を加える要素の前後の流量に作用することによって、前記電池内部の前記空気の圧力を調節する、システム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムにおいて、
前記較正された圧力低下を加える要素は、網状電流コレクタである、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムにおいて、
前記網状電流コレクタは、少なくとも１つの金属の発泡体、メッシュ、エキスパンデッドシート、有孔シート、又は焼結材料を含む、システム。
【請求項５】
請求項２に記載のシステムにおいて、
前記較正された圧力低下は、化学量論的流量の１．２倍乃至２．５倍である、システム。
【請求項６】
請求項１乃至５のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、
前記電池の複数のアノード室に対して並行な燃料の供給、及び前記電池内部での前記冷却材の循環は、向流をなして配向される、システム。
【請求項７】
請求項６に記載のシステムにおいて、
前記電池のカソード室への前記空気の供給は、前記冷却材の循環に関して並流をなして配向されており且つ前記アノード室への前記燃料の供給に関して向流をなして配向される、システム。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、
前記電池の複数のアノード室に対して並行に燃料を供給するための前記手段は、一つ又は複数のポンプ又はエゼクターを含む水素再循環装置と、湿潤水素用のパージと、乾燥純水素補充器とを含む、システム。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、
前記冷却材の一定の流量は、活性領域１ｍ２当たり毎分１０リットル乃至５０リットル（０．０１ｍ３乃至０．０５ｍ３）である、システム。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、
空気を前記電池の前記複数のカソード室に対して並行に供給するための前記手段は、少なくとも一つのコンプレッサー又はファンを含む、システム。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちのいずれか一項に記載のシステムにおいて、
外部から追加の水を供給せずに、前記燃料電池スタック内での前記燃料と前記空気との反応によって発生した水だけをアノードパージ及びカソード排出部を通して取り出すように、水分バランスを維持する、システム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月12日(2013.7.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
部分的に、本発明は、水性またはアルコール性溶液、もしくは脂質−アルコールの溶液と抗感染薬との混合物、または中性脂質の脂質成分の少なくとも１つの相転移の温度未満での混合物を注入するステップを含む、上記抗感染脂質製剤を調製する方法を特徴とする。ここで、注入は、上記のように行われる。いくつかの実施態様において、アルコールはエタノールである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルデヒドを不飽和酸に転化するためのヘテロポリ酸触媒を調製する方法であって、
ａが０．５および３．５の間の値を持つ数である、１２：ａのモル比のモリブデンとリン；０．５および２０．０の間のＭｏ：ＮＨ４のモル比を生成するのに十分な量の、水酸化アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、臭化アンモニウム、炭酸アンモニウム、酢酸アンモニウム、蟻酸アンモニウム、プロピオン酸アンモニウム、酪酸アンモニウム、カルボン酸の他のアンモニウム塩、およびそれらの混合物または組合せからなる群より選択される、アンモニウム含有化合物；前記アンモニウム含有化合物の前記硝酸に対するモル比（ＮＨ４：ＮＯ３）を０．１および２．０の間にするのに十分な硝酸；および、少なくとも０．５：１の硝酸対モリブデンのモル比または少なくとも６．０：１の硝酸対Ｍｏ１２のモル比を提供するのに十分な硝酸、を含む前触媒組成物を形成し、
該前触媒組成物を蒸発させて、乾燥済み触媒組成物を形成し、
該乾燥済み触媒組成物をか焼して、前記ヘテロポリ酸触媒を形成する、
各工程を有してなり、
前記ヘテロポリ酸触媒が、１００Å以上かつ１０００Å未満の直径Ｄを有する中くらいの気孔を５９％以上有することを特徴とする
方法。
【請求項２】
バナジウム（Ｖ）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
銅（Ｃｕ）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
ビスマス（Ｂｉ）をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ビスマスが硝酸溶液中に溶解していることを特徴とする請求項４記載の方法。
【請求項６】
カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、セシウム（Ｃｓ）、タリウム（Ｔｌ）、およびそれらの混合物または組合せからなる群より選択される成分をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
アンチモン（Ｓｂ）、ホウ素（Ｂ）、タングステン（Ｗ）、セリウム（Ｃｅ）、ニオブ（Ｎｂ）、インジウム（Ｉｎ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、マンガン（Ｍｎ）、ヒ素（Ａｓ）、銀（Ａｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、スズ（Ｓｎ）、チタン（Ｔｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ケイ素（Ｓｉ）、タンタル（Ｔａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、マグネシウム（Ｍｇ）、バリウム（Ｂａ）、ランタン（Ｌａ）、およびそれらの混合物または組合せからなる群より選択される成分をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
アルデヒドを不飽和酸に気相酸化するように適用された、少なくともモリブデン（Ｍｏ）およびリン（Ｐ）を含むヘテロポリ酸触媒であって、該触媒が、請求項１−７いずれか１項記載の方法により調製されることを特徴とするヘテロポリ酸触媒。
【請求項９】
不飽和アルデヒドを請求項８記載の触媒と接触させて、対応する不飽和酸を形成する工程を有することを特徴とする、不飽和酸を調製する方法。
【請求項１０】
前記不飽和アルデヒドがアクロレインであり前記酸がアクリル酸である、あるいは、前記不飽和アルデヒドがメタクロレインまたはイソブチルアルデヒドであり前記不飽和酸がメタクリル酸であることを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
アルケンを混合金属酸化物触媒と接触させ、対応する不飽和アルデヒドを形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項９または１０記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
本発明の触媒は、それらに施されるか焼手順により多かれ少なかれ活性にされる。一般的なか焼手順は、所望の活性、一般には最大化された活性の触媒を得るのに、または所望の気孔サイズ分布を有する触媒を得るのに十分な温度で十分な時間に亘り、乾燥済み触媒をか焼することである。一般に、か焼温度は約３５０℃より高く、期間は約２時間および約２４時間の間であるが、それより短い時間および長い時間を用いても差し支えない。そのか焼手順は、揮発性成分および高温で揮発成分を形成する成分を気体放出(out-gas)するのに十分な均熱温度に亘る十分な均熱温度での均熱工程も含む。乾燥、均熱およびか焼中に揮発性成分を生成する特に重要な成分としては、硝酸塩およびアンモニウム塩が挙げられる。本願の発明者等は、乾燥した組成物中に存在する硝酸イオンおよびアンモニウムイオンの量は、所望の気孔サイズ分布を生成するのに重要であるが、乾燥、均熱およびか焼条件を注意深く制御することも、最終的な触媒中に生成される中くらいの気孔の数を制御する上で重要であると考えている。か焼前の触媒をあまりに速く加熱すると、揮発性成分は、気体放出する十分な時間がなく、得られる触媒の活性が減少してしまう。それゆえ、触媒の乾燥、均熱およびか焼を制御することによって、触媒が最終的なか焼温度にさらされる前に、成分の気体放出を実質的に完了することができる。均熱温度は一般に約１８０℃および約２５０℃の間であり、均熱時間は約１時間および約８時間の間であるが、より短い時間およびより長い時間を用いても差し支えない。この均熱工程は、揮発性成分および高温で揮発性成分を形成する成分が、触媒の気孔分布が損なわれる（あまりに多くの大きな気孔を生成するまたは壊れる）ほど急激にまたは爆発的にではなく、徐々に触媒から放出されるように設計される。研究所の手順において、その手順は、温度を所望の均熱工程温度まで上昇させるのに十分な期間に亘る約０．２５℃／分から約０．７５℃／分の初期温度傾斜、および温度を所望のか焼工程温度まで上昇させるのに十分な期間に亘る約０．２５℃／分から約０．７５℃／分の最終温度傾斜を含む。しかしながら、工業的な触媒手法において、工業触媒調製の分野において知られているように、傾斜度合いは一般にずっと高い。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
次いで、ＭｏＶＣｓＰＣｕＢｉＳｂＢスラリーを約７５℃および約１００℃の間で蒸発させて、蒸発混合物を形成した。次いで、蒸発混合物を約１３０℃で約１６時間に亘り乾燥させ、篩にかけて、約２０メッシュおよび約３０メッシュの間のサイズを持つ粒子を得た。次いで、これらの粒子を０．５℃／分の比率で２３０℃の均熱温度まで加熱し、空気中において３時間に亘りこの均熱温度に保持した。次いで、粒子を空気中において５時間に亘り０．５℃／分の比率で３８０℃のか焼温度に加熱して、本発明の触媒を形成した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８１】
次いで、ＭｏＶＣｓＰＣｕＢｉＳｂＢスラリーを約７５℃および約１００℃の間で蒸発させて、蒸発混合物を形成した。次いで、蒸発混合物を約１３０℃で約１６時間に亘り乾燥させ、篩にかけて、約２０メッシュおよび約３０メッシュの間のサイズを持つ粒子を得た。次いで、これらの粒子を０．５℃／分の比率で２３０℃の均熱温度まで加熱し、空気中において３時間に亘りこの均熱温度に保持した。次いで、粒子を空気中において５時間に亘り０．５℃／分の比率で３７０℃のか焼温度まで加熱して、比較例１の触媒を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三次元[3D]画像データの転送方法であって、当該方法は、
3Dソース装置において、
フレームが少なくとも２つの異なるフレーム・タイプを有する3Dビデオ転送フォーマットに従って前記3D画像データを構成するフレームを有する3D表示信号を生成するためにソース画像データを処理し、
前記3D表示信号を出力し、
3D表示装置において、
前記3D表示信号を受信し、
受信された3D表示信号中の前記異なるフレーム・タイプを検出して、当該異なるフレーム・タイプに基づいて3Dディスプレイで前記3D画像データをレンダリングするための表示制御信号を生成し、
各々のフレームは、デジタル画像ピクセル・データのシーケンスを表すためのデータ構造を持ち、各々のフレーム・タイプは部分的3Dデータ構造を表し、
当該方法は、前記3Dソース装置において、
前記3D表示信号中に少なくとも１つのフレーム・タイプ同期インジケータを含め、
前記検出は、前記3D表示信号から前記フレーム・タイプ同期インジケータを読出し、
前記表示制御信号の生成は、前記フレーム・タイプ同期インジケータに従って前記部分的3Dデータ構造を同期させることに基づき、
前記フレーム・タイプ同期インジケータは、前記3D表示信号の以降のセクションにおける前記3Dビデオ転送フォーマットを示す3Dビデオ・フォーマット・インジケータを有する、方法。
【請求項２】
前記3Dビデオ転送フォーマットにおける前記異なるフレーム・タイプが、
左フレーム・タイプ、
右フレーム・タイプ、
二次元[2D]フレーム・タイプ、
深さフレーム・タイプ、
透明度フレーム・タイプ、
遮蔽フレーム・タイプ、
前記フレーム・タイプのサブ・フレームの組み合わせを示す組み合わせフレーム・タイプ、
のうちの少なくとも１つを有し、
前記フレーム・タイプ同期インジケータは、前記3D表示制御信号を生成するために前記3Dビデオ転送フォーマットにおけるそれぞれのフレーム・タイプからの前記3D部分的データ構造の各々を時間同期させるための前記フレーム・タイプに対応するフレーム・タイプ・インジケータを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記3Dビデオ転送フォーマットが、それぞれのフレーム・タイプを介して転送されるメイン・ビデオ及び少なくとも１つの補助ビデオ・レイヤを有し、前記フレーム・タイプ同期インジケータが、メイン・フレーム・タイプ・インジケータ及び補助レイヤ・フレーム・タイプ・インジケータのうちの少なくとも１つを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記補助ビデオ・レイヤが、グラフィカル情報又は字幕を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
フレーム・タイプ同期インジケータが、前記補助ビデオ・レイヤのために、
補助レイヤのタイプ及び/又はフォーマット、
前記メイン・ビデオの表示に対する前記補助レイヤの表示の位置、
前記補助レイヤの表示のサイズ、
前記補助レイヤの表示の出現、消失の時点及び/又は継続時間、
更なる3D表示設定又は3D表示パラメータ、
のうちの少なくとも１つを示すレイヤ・シグナリング・パラメータを有する、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記フレーム・タイプ同期インジケータが、少なくとも１つのフレーム・タイプの頻度及び/又は前記異なるフレーム・タイプの順序を示すフレーム・シーケンス・インジケータを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記フレーム・タイプ同期インジケータが、フレーム・シーケンス番号を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
三次元[3D]画像データを3D表示装置に転送するための3Dソース装置であって、
フレームが少なくとも２つの異なるフレーム・タイプを有する3Dビデオ転送フォーマットに従って前記3D画像データを構成するフレームを有する3D表示信号を生成するためにソース画像データを処理するための生成手段、
前記3D表示信号を出力するための出力インタフェース手段、
を有し、
各々のフレームは、デジタル画像ピクセル・データのシーケンスを表すためのデータ構造を持ち、各々のフレーム・タイプは部分的3Dデータ構造を表し、
当該装置は、
前記表示装置においてフレーム・タイプ同期インジケータに従って前記部分的3Dデータ構造を同期させることに基づいて表示制御信号を生成するために前記3D表示信号中に少なくとも１つのフレーム・タイプ同期インジケータを含めるための送信同期手段、
を有し、
前記フレーム・タイプ同期インジケータは、前記3D表示信号の以降のセクションにおける前記3Dビデオ転送フォーマットを示す3Dビデオ・フォーマット・インジケータを有する、装置。
【請求項９】
3D表示装置であって、
3D画像データを表示するための3Dディスプレイ、
フレームが少なくとも２つの異なるフレーム・タイプを有する3Dビデオ転送フォーマットに従って前記3D画像データを構成するフレームを有する3D表示信号を受信するための入力インタフェース手段、
受信された前記3D表示信号中の前記異なるフレーム・タイプを検出するための検出手段、
前記異なるフレーム・タイプに基づいて前記3Dディスプレイで前記3D画像データをレンダリングするための表示制御信号を生成するための処理手段、
を有し、
各々のフレームは、デジタル画像ピクセル・データのシーケンスを表すためのデータ構造を持ち、各々のフレーム・タイプは部分的3Dデータ構造を表し、
前記検出手段は、前記3D表示信号からフレーム・タイプ同期インジケータを読み出し、前記フレーム・タイプ同期インジケータは、前記3D表示信号の以降のセクションにおける前記3Dビデオ転送フォーマットを示す3Dビデオ・フォーマット・インジケータを有し、
前記処理手段は、前記フレーム・タイプ同期インジケータに従って前記部分的3Dデータ構造を同期させることに基づいて前記表示制御信号を生成する、装置。
【請求項１０】
前記3Dビデオ転送フォーマットが、それぞれのフレーム・タイプを介して転送されるメイン・ビデオ及び少なくとも１つの補助ビデオ・レイヤを有し、前記フレーム・タイプ同期インジケータが、メイン・フレーム・タイプ・インジケータ及び補助レイヤ・フレーム・タイプ・インジケータのうちの少なくとも１つを有し、前記処理手段が、前記フレーム・タイプ同期インジケータに従って前記3D部分的データ構造によって表される前記異なるレイヤを組み合わせる、請求項９に記載の3D表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信端末から受信端末へのデータパケットの送信方法であって、
上位層データパケット用のデータセグメントを、ヘッダ及びペイロードを有する下位層データパケットにカプセル化する工程と、
前記データセグメントが新たな上位層データパケットの先頭を有する場合、新たな上位層データパケットの開始を示すために、所定の値が設定された新パケットインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加する工程と、
前記データセグメントが上位層データパケットの終端を有する場合、長さインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加する工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
新パケットインジケータを追加する工程は、前記下位層データパケットが新たな上位層データパケットのセグメントから始まる場合にのみ、前記下位層データパケットに新パケットインジケータを追加する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記下位層データパケットが上位層データパケットの最後のセグメントから始まる場合に、前記新パケットインジケータを省略する工程をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記長さインジケータは、前記データセグメントの長さを示すことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
拡張汎用パケット無線サービスネットワークを介する送信のため、前記上位層データパケットは、論理リンク制御プロトコルデータユニット（ＬＬＣ  ＰＤＵ）を有し、前記下位層データパケットは、無線リンク制御（ＲＬＣ）データブロックを有する
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記下位層データパケットを、基地局からダウンリンクチャネルを介して移動端末に送信する工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記下位層データパケットを、移動端末からアップリンクチャネルを介して基地局に送信する工程をさらに有することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
移動通信ネットワークの通信端末であって、
無線通信チャネルを介して、信号を送信及び受信する送受信機と、
前記無線通信チャネルを介して送信するデータパケットを生成するプロセッサであって、
上位層データパケット用のデータセグメントを、ヘッダ及びペイロードを有する下位層データパケットにカプセル化し、
前記データセグメントが新たな上位層データパケットの先頭を有する場合、新たな上位層データパケットの開始を示すために、所定の値が設定された新パケットインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加し、
前記データセグメントが、上位層データパケットの終端を有する場合に、長さインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加する
ように構成されたプロセッサと、
を有することを特徴とする通信端末。
【請求項９】
前記プロセッサが、前記下位層データパケットが新たな上位層データパケットのセグメントから始まる場合にのみ、前記新パケットインジケータを前記下位層データパケットに追加するように構成されたことを特徴とする請求項８に記載の通信端末。
【請求項１０】
前記プロセッサが、前記下位層データパケットが上位層データパケットの最後のセグメントから始まる場合に、前記新パケットインジケータを省略するように構成されたことを特徴とする請求項９に記載の通信端末。
【請求項１１】
前記長さインジケータは、前記データセグメントの長さを示すことを特徴とする請求項８に記載の通信端末。
【請求項１２】
拡張汎用パケット無線サービスネットワークを介して送信するために、前記上位層データパケットは、論理リンク制御プロトコルデータユニット（ＬＬＣ  ＰＤＵ）を有し、前記下位層データパケットは、無線リンク制御（ＲＬＣ）データブロックを有する
ことを特徴とする請求項８に記載の通信端末。
【請求項１３】
前記下位層データパケットを、ダウンリンクチャネルを介して移動端末に送信する基地局として構成されたことを特徴とする請求項１２に記載の通信端末。
【請求項１４】
前記下位層データパケットを、アップリンクチャネルを介して基地局に送信する移動端末として構成されたことを特徴とする請求項１２に記載の通信端末。
【請求項１５】
送信端末から受信端末へのデータパケットの送信方法であって、
上位層データパケットのデータセグメントを、ヘッダ及びペイロードを有する下位層データパケットにカプセル化する工程と、
前記データセグメントが上位層データパケットの終端を有する場合、長さインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加する工程と、
前記下位層データパケットの前記ペイロードを完全に埋める大きさの、ダミー上位層データパケットを生成する工程と、
新たな上位層データパケットの開始を示すように、所定の値が設定された長さインジケータを次の下位層データパケットの前記ヘッダに追加する工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１６】
無線通信チャネルを介して、信号を送信及び受信する送受信機と、
前記無線通信チャネルを介して送信するデータパケットを生成するプロセッサであって、
上位層データパケット用のデータセグメントを、ヘッダ及びペイロードを有する下位層データパケットにカプセル化し、
前記データセグメントが上位層データパケットの終端を有する場合、長さインジケータを前記下位層データパケットの前記ヘッダに追加し、
前記下位層データパケットの前記ペイロードを完全に埋める大きさの、ダミーの上位層パケットデータを生成し、
新たな上位層パケットの開始を示すように、所定の値が設定された長さインジケータを次の下位層データパケットの前記ヘッダに追加する
ように構成されたプロセッサと、
を有することを特徴とする通信端末。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ローカルエリアネットワークにおけるメディア装置のシステムにおいて、
第１のメディア装置により前記ローカルエリアネットワークを介して第２のメディア装置に格納されるメディア内容にアクセスを要求するステップを備え、各メディア内容は少なくとも１つのアクセス基準に関係しており、さらに、
前記第１のメディア装置が前記関係する少なくとも１つのアクセス基準と合致している場合、格納された各メディア内容に対して判定するステップと、
前記第１のメディア装置により関係する少なくとも１つのアクセス基準に合致するように判定される格納されたメディア内容のリストを示すステップと備える、方法。
【請求項２】
前記判定するステップは、前記第１のメディア装置に関係するそれぞれの視聴者の詳細を前記少なくとも１つのアクセス基準と比較するステップと、前記視聴者の詳細が前記アクセス基準に合致した場合に判定するステップとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのアクセス基準は、視聴者年齢制限を含み、前記視聴者の詳細は、視聴者の年齢を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つのアクセス基準は、購買レベル制限を含み、前記視聴者の詳細は、購買レベルを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記視聴者の詳細は、視聴者カードに格納される、請求項２から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１および第２のメディア装置は、ＩＰ可能化されたセットトップボックスであり、前記方法はさらに、複数のメディア内容を受けて前記第２のメディア装置に格納するステップを備える、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記複数のメディア内容は、衛星ネットワークおよびインターネットの少なくとも１つを通じた放送メディアプロバイダーから受信される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ローカルエリアネットワークにおける複数のメディア装置を含むシステムにおいて、各メディア装置は、複数のメディア内容を受信し格納するためのものであり、
前記複数のメディア装置の各々から格納されたメディア内容のリストを受けるステップと、
前記複数のメディア装置の各々に格納されたメディア内容のリストを集合リストとして示すステップとを備える、方法。
【請求項９】
ローカルエリアネットワークにおける複数のメディア装置を含むシステムにおいて、各メディア装置は、複数のメディア内容を受信し格納するためのものであり、
第１のメディア装置に格納されたメディア内容のリストを前記第１のメディア装置で示すステップと、
第２のメディア装置に格納されたメディア内容のリストを前記第１のメディア装置で示すように切り換えるステップとを備える、方法。
【請求項１０】
前記リストは、格納されたメディア内容のリストを示すとともに前記格納されたメディア内容を管理するためのプランナーインターフェイスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のメディア装置の表示が第２のメディア装置に格納されたメディア内容のリストに切り換えられた場合、前記プランナーインターフェイスを介して前記第２のメディア
装置に格納された前記メディア内容を管理するステップをさらに備える、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の方法を行なうように構成された機器。
【請求項１３】
請求項１から１１のいずれかに記載の方法を行なうように構成されて成るプログラム可能な機器を構成するためのコンピュータ実行可能な命令を格納するコンピュータ記憶メディア。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月11日(2013.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造方法であって、
ＮＭＯＳデバイス領域およびＰＭＯＳデバイス領域を有する第１半導体層を備えたウェハを提供するステップと、
少なくとも前記ＰＭＯＳデバイス領域の上に、圧縮シリコンゲルマニウム層を形成するステップと、
前記圧縮シリコンゲルマニウム層の上に、堆積された第１高Ｋ誘電体層を選択的に形成するステップであって、第１高Ｋ誘電体層は７．０またはそれより高い第１誘電率を有する第１誘電体材料から形成されるステップと、
前記ＮＭＯＳデバイス領域の前記第１半導体層上に、および前記ＰＭＯＳデバイス領域の前記第１半導体層上に、第２高Ｋ誘電体層を堆積させるステップであって、第２高Ｋ誘電体層は前記第１誘電率より高い誘電率を有する第２誘電体材料から形成されるステップと、
前記第２高Ｋ誘電体層上に、１つまたは複数のゲート電極層を堆積するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造方法であって、
前記圧縮シリコンゲルマニウム層を形成するステップは、シリコンゲルマニウムを所定厚までエピタキシャル成長させるステップを含む方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体製造方法であって、
前記堆積された前記第１高Ｋ誘電体層を選択的に形成するステップは、前記圧縮シリコンゲルマニウム層からゲルマニウム拡散を減少または除去するために選択された温度で行う堆積工程で、シリケートまたは金属酸窒化材料を堆積させることを含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造方法であって、
前記堆積された前記第１高Ｋ誘電体層を選択的に形成するステップは、
前記ＮＭＯＳデバイス領域および前記ＰＭＯＳデバイス領域上に、前記第１高Ｋ誘電体層をブランケット堆積するステップと、
前記ＰＭＯＳデバイス領域の前記圧縮シリコンゲルマニウム層を覆うように、パターン化エッチングマスクを形成するステップと、
前記圧縮シリコンゲルマニウム層上の第１高Ｋ誘電体層を残しつつＮＭＯＳデバイス領域を露出させるように、前記第１高Ｋ誘電体層を選択的にエッチングするステップと、
を含む方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体製造方法であって、
前記第２高Ｋ誘電体層を堆積させるステップは、前記ＰＭＯＳデバイス領域の前記第１高Ｋ誘電体層上に、および前記ＮＭＯＳデバイス領域の前記第１半導体層上に、ＨｆＯ２の層を堆積させることを含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月17日(2013.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ガスが貫通して流れるように適合された１以上の開口を有するガス配気装置を提供するステップと、
前記１以上の開口を通してスラリーを流し、これによって前記１以上の開口の側壁から損傷面を除去するステップとを含む半導体プロセスチャンバ用ガス配気装置を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属含有層を第１基板の上に形成する工程と、
第２基板を設ける工程と、
前記第２基板に支持され、シリコンを含有する第１層を形成する工程と、
ゲルマニウム／シリコンを含有する第２層を前記第１層上に形成する工程と、
ゲルマニウムを含有する第３層を前記第２層上に形成する工程と、
前記第３層を、前記金属含有層に接触させる工程と、
前記第３層を、前記金属含有層に接触させた後に、機械的接合材料を前記第１基板と前記第２基板との間に形成する工程とを備え、機械的接合材料を形成する前記工程は、熱を前記第３層及び前記金属含有層に加える工程を含み、前記接合材料は、前記金属含有層の金属と、前記第３層の材料と、を含む、方法。
【請求項２】
前記第１基板または第２基板のうちの１つの上方には半導体素子が形成されており、前記接触させる工程の後で前記接合材料は前記半導体素子を取り囲む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１層を形成する前記工程、第２層を形成する前記工程、及び第３層を形成する前記工程では更に、前記第１層、前記第２層、及び前記第３層が多結晶であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
更に、金属含有層を形成する前記工程の前に、ポリシリコン層を前記第１基板の上に形成する工程を含み、金属含有層を形成する前記工程では更に、前記金属含有層が前記ポリシリコン層上に形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１基板を前記第２基板に接合積層体を介して接触させる工程を備える、第１基板と第２基板との間で密封を行なうための方法において、
前記接合積層体は、
第１シリコン含有層と、
前記第１層と接触する第２ゲルマニウム／シリコン含有層と、
前記第２層と接触する第３ゲルマニウム含有層と、
前記第３層と接触する金属含有層と、を含み、前記方法はさらに、
熱及び圧力を前記接合積層体に加えて、前記接合積層体が前記第１基板と前記第２基板との接合部になるようにする工程を備える、方法。
【請求項６】
半導体素子を前記第１基板上に形成する工程をさらに備え、前記接合積層体は前記半導体素子を取り囲み、接触させる前記工程では、前記金属含有層が前記第１基板の上に形成され、かつ前記第１層が前記第２基板の上に形成される、請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月15日(2013.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品であって、
・ビーム透過面（１１）を備えている少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）と、
・カバープレート（２）と、
・接触接続箇所（３）とを有しており、
前記ビーム透過面（１１）は前記半導体チップ（１）の主要表面（１０）に構成されており、
前記カバープレート（２）は、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）に固定されており、前記半導体チップ（１）のビーム透過面（１１）全体を覆っており、当該カバープレート（２）は前記半導体チップ（１）から側方で張り出しており、
前記接触接続箇所（３）は、前記半導体チップ（１）の方を向いている、カバープレート（２）の面で、当該カバープレート（２）に固定されており、
・１つのハウジング底面（５１）と少なくとも１つのハウジング側壁（５２）とを含むハウジングボディ（５）を有しており、前記ハウジング底面上に前記半導体チップ（１）が固定されており、前記ハウジング側壁は当該半導体チップを側方で包囲しており、
・前記ハウジング側壁（５２）は、前記ハウジング底面（５１）と一体に構成されており、
・前記カバープレート（２）は、前記少なくとも１つのハウジング側壁（５２）に固定されており、
・前記接触接続箇所（３）は接続部材（４）によって、前記半導体チップ（１）の少なくとも１つの接続箇所（１３）と導電性接続されており、
・前記接続箇所（１３）は、前記半導体チップ（１）の前記主要表面（１０）に配置されているオプトエレクトロニクス半導体部品において、
前記ハウジングボディ（５）は、半導体材料またはセラミック材料を含む、
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項２】
前記接続部材（４）は、前記半導体チップ（１）の方を向いている、カバープレート（２）の面で、当該カバープレート（２）に固定されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項３】
前記接続部材（４）は、前記半導体チップ（１）の方を向いている自身の面で、前記半導体チップ（１）の前記ビーム透過面（１３）の領域を除いて、前記カバープレート（２）を完全に覆っている、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項４】
前記接続部材（４）はビーム透過性またはビーム反射性に構成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項５】
前記接続部材（４）は、前記半導体チップ（１）の前記ビーム透過面（１１）を側方で完全に包囲している、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項６】
前記接触接続箇所（３）は、前記半導体チップ（１）を側方で完全に包囲している、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項７】
前記カバープレート（２）は、ルミネセンス変換物質を含んでいる、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項８】
・前記カバープレートはセラミック材料を含んでおり、当該セラミック材料内にはルミネセンス変換材料が収容されている、または当該セラミック材料はルミネセンス変換材料を形成している、請求項７記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項９】
前記ハウジング側壁（５２）は前記ハウジング底面（５１）と部分的に、９０°よりも大きい角度を成す、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１０】
前記カバープレート（２）は少なくとも部分的に、前記ハウジング側壁（５２）と同一平面を成す、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１１】
前記ハウジングボディ（５）は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウムまたはケイ素を含む、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１２】
前記ハウジング底面（５１）は少なくとも１つの貫通孔（５４）を有しており、当該貫通孔によって、前記半導体チップ（１）と接触接続する、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品。
【請求項１３】
請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法であって、
・複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を準備するステップと、
・カバープレート（２）を準備するステップと、
・前記複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を、殊に同時に、当該カバープレート（２）に固定し、電気的に接触接続させるステップと、
・前記カバープレート（２）と半導体チップ（１）とから成るデバイスを、個々のオプトエレクトロニクス半導体部品に個別化するステップとを有しており、
前記複数の半導体チップはそれぞれビーム透過面（１１）を有しており、当該ビーム透過面（１１）は、前記各半導体チップの主要表面（１０）に構成されており、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）のビーム透過面（１１）は、前記カバープレート（２）の方を向いており、
各半導体部品は少なくとも１つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）を含んでおり、
・それぞれ１つのハウジング底面（５１）と少なくとも１つのハウジング側壁（５２）とを備えている複数のハウジングボディ（５）を準備するステップと、
・前記カバープレート（２）を、当該複数のハウジングボディに固定するステップとを有している、
ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器内でモノマー及び／またはオリゴマーの液滴を含む液体を連続液相に添加し、前記連続液相をモノマー及び／またはオリゴマーを含む液体に対して不混和な状態とし、及びモノマー及び／またはオリゴマーを前記連続液相内で反応させてポリマーを得ることでポリマーを製造する方法において、
モノマー及び／またはオリゴマーを含む液体を連続液相の外部で液滴に形成する工程と、
前記形成した液滴を連続液相に導入する工程と、を備え、
反応器が、管状反応器として形成されていることを特徴とする方法。
【請求項２】
モノマー及び／またはオリゴマーを含む液体の液滴と連続液相とが向流で流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
モノマー及び／またはオリゴマーを含む液体の液滴と連続液相とが並流で流れることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
モノマー及び／またはオリゴマーを含む液体が、少なくとも一つのノズルまたは液滴生成プレートの孔によって、液滴に形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
モノマーを含む液体が、互いに反応してポリマーを得るモノマー及びコモノマーを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
モノマーが、カプロラクタム、カプロラクトン及びラウロラクタムからなる群から選択され、
コモノマーが、カプロラクタム、カプロラクトン、ラウロラクタム、ポリテトラヒドロフラン及びアミノカプロラクタムからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
モノマー及び／またはオリゴマーを含む液体から構成されるコアと、
封入材料または封入材料の先駆物質から構成される外殻と、
を備える二重液滴が、連続液相に滴下して付加されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
封入材料は、使用されるモノマーのホモポリマーまたはコポリマーを含み、
ホモ−またはコポリマーは、コア中に存在するモノマーを含む液体に不溶性であることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
二重液滴は、環状隙間ノズルによって得られることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項１〜９に記載の方法を実行する反応器であって、
連続液相を流下させる管と、
液滴を発生させる手段と、を備え、
液滴を発生させる手段が、連続液相の外部に液滴を発生させ且つ発生させた液滴を連続液相に導入するように配置されたことを特徴とする反応器。
【請求項１１】
用いられる液滴を発生させる手段は、
ノズルまたはボアを有する液滴生成プレートであることを特徴とする請求項１０に記載の反応器。
【請求項１２】
液滴を発生させる手段と連続液相との距離が２０〜５００ｍｍの範囲内であることを特徴とする請求項１０または１１に記載の反応器。
【請求項１３】
液滴を発生させる手段から連続液相に液滴が落下するように、液滴を発生させる手段が連続した液相の上部に配置されたことを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の反応器。
【請求項１４】
ポリアミド類、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリビニルアミン類、ポリマレイン酸、ポリブチルアクリレート、ポリカプロラクタム類及び熱可塑性ポリウレタン類を製造するために用いることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ポリアミド類、ポリスチレン、ポリビニルピロリドン、ポリ（メタ）アクリレート類、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリビニルアミン類、ポリマレイン酸、ポリブチルアクリレート、ポリカプロラクタム類及び熱可塑性ポリウレタン類を製造するために用いることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の反応器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
体液中のフェニルアラニンの濃度を測定するステップ、
体液中のチロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数の濃度を測定するステップ、
チロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数に対するフェニルアラニンの比を判定するステップ、並びに、
フェニルアラニン：チロシン比が０．２以上であるが０．８以下、
フェニルアラニン：アラニン比が１．５以上であるが９．８以下、
フェニルアラニン：バリン比が１．０以上であるが６．０以下、及び、
フェニルアラニン：グルタミン比が０．５以上であるが４．５以下であることのうち、
少なくとも１つの場合に、切迫性関節不全を診断するステップを含む、
動物における切迫性関節不全を診断するための方法であり、
前記動物は、ヒトを含まない、方法。
【請求項２】
フェニルアラニン：チロシン比が０．３以上であるが０．７以下、
フェニルアラニン：アラニン比が２．０以上であるが８．０以下、
フェニルアラニン：バリン比が２．０以上であるが５．０以下、及び、
フェニルアラニン：グルタミン比が１．０以上であるが３．５以下であることのうち、
少なくとも１つの場合に、切迫性関節不全を診断するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
フェニルアラニン：チロシン比が０．４以上であるが０．６以下、
フェニルアラニン：アラニン比が４．０以上であるが７．０以下、
フェニルアラニン：バリン比が３．０以上であるが４．０以下、及び、
フェニルアラニン：グルタミン比が２．０以上であるが３．０以下であることのうち、
少なくとも１つの場合に、切迫性関節不全を診断するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
体液が、血液、血清、涙又は尿である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
体液が、血液又は血清である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
関節が、平面関節、蝶番関節、顆状関節、鞍関節、球窩関節又は車軸関節である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
関節が、膝、肘、指節間、中手指節、手、手根中手、親指、肩、股、顎又は橈尺関節である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
関節が、肩又は股関節である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
（１）体液中のフェニルアラニンの濃度を測定し；体液中のチロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数の濃度を測定し；チロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数に対するフェニルアラニンの比を判定し；フェニルアラニン：チロシン比が０．２以上であるが０．８以下、フェニルアラニン：アラニン比が１．５以上であるが９．８以下、フェニルアラニン：バリン比が１．０以上であるが６．０以下、及びフェニルアラニン：グルタミン比が０．５以上であるが４．５以下であることのうち、少なくとも１つの場合に、切迫性関節不全を診断することによって、動物における切迫性関節不全を診断するステップと、（２）作用剤を動物に投与するステップと、（３）（１）の方法を使用して、動物における切迫性関節不全を診断するステップと、（４）（１）及び（３）の結果を比較して、動物の関節疾患又は不全の予後に対する作用剤の効果を判定するステップとを含む、動物の関節疾患又は不全の予後に対する作用剤の効果を判定するための方法であり、
前記動物は、ヒトを含まない、方法。
【請求項１０】
作用剤が、物理的接触によって、又は経口、非経口、鼻腔内、皮下、経皮、経粘膜若しくは静脈内投与によって投与される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
作用剤が、所与の範囲外であった比が所与の範囲内となるように比を変更する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
作用剤が、所与の範囲内であった比が所与の範囲外となるように比を変更する、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
（１）動物の体液中のフェニルアラニン並びにチロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数の濃度に関連するデータを開発又は受信する第１の手段、（２）チロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数に対するフェニルアラニンの許容可能な比の値を規定するデータを保持する第２の手段、（３）第１及び第２の手段からのデータに接続され、それを取得可能であり、データを使用して、データに基づくチロシン、アラニン、バリン及びグルタミンの１種又は複数に対するフェニルアラニンの比を算出する第３の手段、並びに（４）（ａ）第１の手段からのデータと、（ｂ）第２の手段からのデータと、（ｃ）第３の手段から算出された比とのうち、１つ又は複数に接続され、それを表示可能である、第４の手段を備える、動物における切迫性関節不全を診断するためのシステム。
【請求項１４】
第２の手段が、第１の手段からのデータ及び第３の手段から算出された比を保持可能である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
第１の手段が、化学法又は化学分析装置である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１６】
第１の手段が化学分析装置である、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１７】
第１の手段が自動化学分析装置である、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
請求項１３に記載のシステムの第２、第３、及び第４の手段の１つ又は複数を備える、切迫性関節不全を診断するのに有用な計算装置。
【請求項１９】
プログラマブル計算機又はコンピュータを備える、請求項１８に記載の計算装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月25日(2013.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｃｏｒｅｘ）（ＤｒＭｐ）ｘの少なくとも２つの化合物、またはその互変異性型、またはその塩、またはその溶媒和物を含むデンドリマー組成物であって、ｘが３から６の整数であり、
Ａ）Ｃｏｒｅｘは：
Ａ．１）ｘが３である場合、
【化２３】
2012517000.tif 000001
Ａ．２）ｘが４である場合、
【化２４】
2012517000.tif 000002
Ａ．３）ｘが５である場合、
【化２５】
2012517000.tif 000003
Ａ．４）ｘが６である場合、
【化２６】
2012517000.tif 000004
Ａ．５）これらの組合せを表し；
Ｂ）Ｄは
【化２７】
2012517000.tif 000005
Ｃ）ＭはＲ１またはＲ２を表し、式中、
Ｃ．１）Ｒ１は
【化２８】
2012517000.tif 000006
Ｃ．２）Ｒ２は
【化２９】
2012517000.tif 000007
Ｄ）Ｒ３はＤまたはＭであり；
Ｅ）ｒはｐ−１であり；
Ｆ）ｐは２ｎ−ｌであり；
Ｇ）ｎは１から１０の整数であり；かつ、
Ｈ）Ｘは（ＣＱ２）ａＣＱ３およびＣＨ２−Ｏ−ＣＨ２−Ｐｈからなる群から選択され、式中、Ｑは独立してＨまたはハロゲンを表し、Ｐｈはフェニルを表し、ａは０から１６の整数である、
デンドリマー組成物。
【請求項２】
式（Ｃｏｒｅｘ）（ＤｒＭｐ）ｘの少なくとも２つの化合物、またはその互変異性型、またはその塩、またはその溶媒和物を含むデンドリマー組成物であって、ｘが３から６の整数であり、
Ａ）Ｃｏｒｅｘは：
Ａ．１）ｘが３である場合、
【化３０】
2012517000.tif 000008
Ａ．２）ｘが４である場合、
【化３１】
2012517000.tif 000009
Ａ．３）ｘが５である場合、
【化３２】
2012517000.tif 000010
Ａ．４）ｘが６である場合、
【化３３】
2012517000.tif 000011
Ａ．５）これらの組合せを表し；
Ｂ）Ｄは
【化３４】
2012517000.tif 000012
Ｃ）ＭはＲ１またはＲ２を表し、式中、
Ｃ．１）Ｒ１は
【化３５】
2012517000.tif 000013
Ｃ．２）Ｒ２は
【化３６】
2012517000.tif 000014
Ｄ）Ｒ３はＤまたはＭであり；
Ｅ）ｒは１／２（ｐ−１）であり；
Ｆ）ｐは３ｎ−ｌであり；
Ｇ）ｎは１から１０の整数である、
デンドリマー組成物。
【請求項３】
Ａ．１、Ａ．２、Ａ．３およびＡ．４がほぼ等モル量存在する、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
Ａ．１、Ａ．２、Ａ．３、Ａ．４、Ｂ、Ｃまたはこれらの任意の組合せが同位体濃縮されている、請求項１、２または３に記載の組成物。
【請求項５】
ＢおよびＣが同位体濃縮されている、請求項１、２、３または４に記載の組成物。
【請求項６】
前記同位体濃縮が、１２Ｃ同位体濃縮、１６Ｏ同位体濃縮、または１２Ｃおよび１６Ｃ同位体濃縮である、請求項４または５に記載の組成物。
【請求項７】
デンドリマー組成物を製造する方法であって、
Ａ）１，１，１−トリスヒドロキシエチルメタン、ペンタエリトリトール、キシリトール、ジペンタエリトリトールおよびこれらの任意の組合せからなる群から選択される少なくとも２つの核を準備するステップと、
Ｂ）前記少なくとも２つの核を混合しそして前記少なくとも２つの核が１回の樹状突起化を受けるステップと、
Ｃ）任意選択で、続いて少なくとも２つの核が１回の脱保護を受けるステップと、
Ｄ）任意選択で、続いてステップＢ）およびＣ）を繰り返すステップと、
Ｅ）任意選択で、所望に応じて続いて所望の場合ステップＤ）を繰り返し、それによって前記デンドリマー組成物を取得するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
前記少なくとも２つの核が、１，１，１−トリスヒドロキシエチルメタン、ペンタエリトリトール、キシリトールおよびジペンタエリトリトールの組合せである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップＢ）がビス（５−メチル−２−フェニル−１，３−ジオキサン−５−カルボキシル）酸無水物モノマーを使用することを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
ステップＢ）が式１：
【化３７】
2012517000.tif 000015
の化合物を使用することを含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１１】
Ａ）請求項１〜６のいずれか一項に記載の、特定の物理的性質を有する少なくとも２つのデンドリマーの混合物を準備することと、
Ｂ）前記少なくとも２つのデンドリマーをイオン化し、前記少なくとも２つのデンドリマーそれぞれの１つまたは複数のイオンを提供することと、
Ｃ）前記１つまたは複数のイオンからデータを集めることと、
Ｄ）前記特定の物理的性質と前記データを関連付けることと、
を含む、質量分析装置を較正する方法。
【請求項１２】
Ａ）請求項１〜６のいずれか一項に記載の、特定の物理的性質を有する少なくとも２つのデンドリマーを準備することと、
Ｂ）試料を準備することと、
Ｃ）前記試料の少なくとも一部を前記少なくとも２つのデンドリマーの少なくとも一部と組み合わせることと、
Ｄ）前記試料および前記少なくとも２つのデンドリマーをタンデムでイオン化し、前記少なくとも２つのデンドリマーそれぞれの１つまたは複数のイオンおよび前記試料の１つまたは複数のイオンを提供することと、
Ｅ）前記少なくとも２つのデンドリマーそれぞれの前記１つまたは複数のイオンおよび前記試料の１つまたは複数のイオンからデータを集めることと、
Ｆ）前記少なくとも２つのデンドリマーの前記特定の物理的性質と前記データを関連付け、それによって前記試料の物理的性質を判定することと、
を含む、前記試料の物理的性質を判定する方法。