【手続補正書】
【提出日】平成21年6月3日(2009.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応器内に処理基板を提供する段階と、
前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、
前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、
を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン系ガスはＳｉＨ４ガスを含み、
前記炭素系ガスはＣ２Ｈ２ガスまたはＣＨ４ガスの少なくとも１種を含み、
前記垂直配向膜は３５％以上のＳｉ−Ｓｉ結合分率を有し、
前記垂直配向膜において、シリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であることを特徴とする請求項１に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項３】
前記垂直配向膜にイオンビームを照射して前記垂直配向膜のプレチルト角を調節する段階をさらに含み、
前記イオンビームの入射角度は、前記垂直配向膜に対して４５°〜９０°であり、
前記プレチルト角は、６７°〜９０°であることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項４】
シリコン系物質を含む第１ターゲットおよび炭素系物質を含む第２ターゲットを具備する反応器内に処理基板を提供する段階と、
前記反応器内に不活性ガスを注入する段階と、
前記第１および第２ターゲットに電圧を印加して前記不活性ガスをプラズマ状態に活性化させる段階と、
プラズマ状態の前記不活性ガスが前記第１および第２ターゲットと衝突することによって、前記第１および第２ターゲットからシリコン原子および炭素原子が放出されて、炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、
を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法。
【請求項５】
前記垂直配向膜に含まれる炭化シリコンにおいて、シリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であり、
前記処理基板には接地電圧を印加し、前記第１および第２ターゲットにはＲＦ電圧を各々印加し、
前記垂直配向膜に含まれる炭化シリコンにおいて前記シリコンに対する炭素の組成比は、前記第１および第２ターゲットに印加される前記ＲＦ電圧の大きさに応じて変わることを特徴とする請求項４に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項６】
前記不活性ガスはアルゴンガスであり、
前記垂直配向膜に含まれる水素比率は３０％以下であり、
前記炭化シリコンにイオンビームを照射して前記垂直配向膜のプレチルト角を調節する段階をさらに含むことを特徴とする請求項４または５に記載の垂直配向膜の製造方法。
【請求項７】
第１ベース基板、前記第１ベース基板上に形成された共通電極、および前記共通電極上に形成され炭化シリコンを有する第１垂直配向膜を含む第１表示基板と、
第２ベース基板、前記第２ベース基板上に形成された画素電極、および前記画素電極上に形成され炭化シリコンを有する第２垂直配向膜を含む第２表示基板と、
前記第１表示基板と前記第２表示基板との間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１および第２垂直配向膜は３５％以上のＳｉ−Ｓｉ結合分率を有し、
前記第１および第２垂直配向膜におけるシリコンに対する炭素の組成比が０．５〜１１であることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１および第２垂直配向膜のプレチルト角は６７°〜９０°であることを特徴とする請求項７または８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記共通電極は２以上の第１開口部を具備し、
前記画素電極は前記第１開口部の間に位置する第２開口部を具備することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
配向膜は、水平配向膜と垂直配向膜とに大きく区別される。水平配向膜は、液晶層に電圧が印加されない状態で液晶分子を基板の表面に対して平行に配列させる特性を有する。一方、垂直配向膜は、液晶層に電圧が印加されない状態で液晶分子を基板の表面に対して所定の角度に傾くように配列させる特性を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内にシリコン系ガスと炭素系ガスとを注入する段階と、前記処理基板の表面で前記シリコン系ガスおよび前記炭素系ガスを化学反応させ、垂直配向特性を有する炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、シリコン系物質を含む第１ターゲットおよび炭素系物質を含む第２ターゲットを具備する反応器内に処理基板を提供する段階と、前記反応器内に不活性ガスを注入する段階と、前記第１および第２ターゲットに電圧を印加して前記不活性ガスをプラズマ状態に活性化させる段階と、プラズマ状態の前記不活性ガスが前記第１および第２ターゲットと衝突することによって、前記第１および第２ターゲットからシリコン原子と炭素原子が放出されて、垂直配向特性を有する炭化シリコンを含む垂直配向膜を前記処理基板上に形成する段階と、を含むことを特徴とする垂直配向膜の製造方法を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
加熱された前記処理基板３０上で上述のガスが化学反応し、その結果、前記処理基板３０上には垂直配向特性を有する炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む垂直配向膜４０が形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
垂直配向膜４０に存在するＳｉ結合分率のうちＳｉ−Ｓｉ結合分率が全体の３５％以上であることが好ましい。この場合、前記垂直配向膜４０はイオンビームを照射する工程がなくとも垂直配向特性を有することができる。なお、本願における結合分率は、ＸＰＳ（Ｘ−ｒａｙ  Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析によって算出される値である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
一方、前記反応器５５の内部には、不活性ガスであるアルゴンガス（Ａｒ）が注入される。前記Ａｒは前記第１および第２ターゲット２３、２５から放出された電子と衝突してアルゴンイオン（Ａｒ＋）に励起され、励起されたアルゴンイオン（Ａｒ＋）は前記第１および第２ターゲット２３、２５と衝突する。前記アルゴンイオン（Ａｒ＋）が前記第１および第２ターゲット２３、２５と衝突すれば、前記第１および第２ターゲット２３、２５からシリコン原子および炭素原子が各々放出される。放出された前記シリコン原子および炭素原子は前記処理基板３５上で結合して前記処理基板３５上に薄膜としてコーティングされる。よって、前記処理基板３５上には垂直配向特性を有する炭化シリコン（ＳｉＣｘ）を含む垂直配向膜４５が形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
前記ブラックマトリックス１２０および前記カラーフィルタ層１３０の上にはオーバーコーティング層１４０がさらに形成される。前記オーバーコーティング層１４０は互いに異なる厚さを有する前記ブラックマトリックス１２０と前記カラーフィルタ層１３０との間で発生する段差を減少させることによって、前記カラーフィルタ基板１００の表面を平坦化させる。