(57)【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
0006656506.tif 000036
（式中、Ｒ１が（Ｉ）の何れかの基であり、Ｒ２が（ＩＩ）の何れかの基から選ばれる基である。
（Ｉ）一般式（２）又は（３）である基
【化２】
0006656506.tif 000037
【化３】
0006656506.tif 000038
（Ａｒ１は炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であって、該芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単環式又は環数が２若しくは３の多環式である基、Ａｒ２は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい複素芳香族基、Ｒ’は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基である。）
（ＩＩ）水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。）
で表されるベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体。
【請求項２】
下記一般式（４）
【化４】
0006656506.tif 000039
（式中、Ｒ１が下記一般式（２）又は（３）の何れかの基であり、
【化５】
0006656506.tif 000040
【化６】
0006656506.tif 000041
（但し、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＲ’は上記と同義である。）
Ｒ２は、水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。）
で表される請求項１に記載のベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体を用いた有機半導体材料。
【請求項４】
請求項３に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体インク。
【請求項５】
請求項３に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体膜。
【請求項６】
請求項３に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体素子。
【請求項７】
請求項３に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いてなる有機トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、それを用いた有機半導体材料、それを用いた有機半導体インク、及びそれを用いた有機トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコンや多結晶シリコンを半導体材料として用いてなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置等のスイッチング素子として広く用いられている。しかし、これらシリコンを用いたトランジスタは、その製造において、高温熱処理プロセスを有する事から、プラスチック基板を用いることになる次世代型フレキシブルディスプレイには耐熱性の問題から展開できない。これを解決するために、シリコンに代えて、有機半導体材料をチャネル（半導体層）に用いた有機トランジスタが提案されている。
【０００３】
有機半導体材料はインク化することで、低温で印刷成膜出来るため、耐熱性の乏しいプラスチック基板に適用でき、フレキシブルディスプレイへの応用が、さらには、フレキシブルエレクトロニクスへの応用が期待されている。
【０００４】
例えば、特許文献１〜２には、芳香族環とアセチレン骨格よりなる化合物が、０．５ｃｍ２／Ｖｓの半導体特性（移動度）を示すことが開示されている。
【０００５】
一方、これら有機半導体材料は、当初の課題「有機半導体はシリコン半導体に比べ、半導体特性（移動度）が低く、その結果、トランジスタの応答速度が遅く実用化は難しい」に対して、アモルファスシリコンの移動度を凌駕する材料が開発され始めている。
【０００６】
例えば、特許文献３には、ジナフト［２，３−ｂ：２’，３’−ｆ］チエノ［３，２−ｂ］チオフェン骨格を有する化合物が、真空蒸着膜で４．０ｃｍ２／Ｖｓの移動度を示すことが、特許文献４には、種々の置換基を有するＶ字型構造の化合物が、エッジキャスト法で成膜された単結晶薄膜で１１ｃｍ２／Ｖｓという高い移動度を示すことが、非特許文献１には、２，７−ジオクチル［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェンが、ダブルインクジェット法で作製された単結晶膜で、特性のばらつきは大きいもの、最大で３０ｃｍ２／Ｖｓという高い移動度を示すことが、又、特許文献５には、フェニル置換のナフトジカルコゲン化合物が０．７ｃｍ２／Ｖｓの移動度を示すことが、特許文献６〜７には、高次液晶相を発現する化合物が、高次液晶相経由の薄膜で５．７ｃｍ２／Ｖｓの移動度を示すことが、開示されている。このように、アモルファスシリコンの移動度（０．５ｃｍ２／Ｖｓ）を超えた半導体特性を示す有機半導体材料の報告が相次いでいる。
【０００７】
このように有機半導体の移動度は高まっているが、未だ実用化には至っていない。これは、開示されているこれらの移動度が、エッジキャスト法やダブルインクジェット法による単結晶膜、真空蒸着法による薄膜、スピンコート法による薄膜等、均質なバルクを与える成膜法で作製された膜を半導体層に用いて評価されたものであり、インクジェット法やノズル印刷法等の実用的な印刷法に通ずる、インク液滴の滴下（ドロップキャスト）とその乾燥で作製された多結晶膜よりなる半導体層では、特性の低下が生ずるためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】国際公開第２００９／１２５７０４号
【特許文献２】国際公開第２００９／１２５７２１号
【特許文献３】国際公開第２０１２／１１５２３６号
【特許文献４】国際公開第２０１３／１２５５９９号
【特許文献５】国際公開第２０１０／０５８６９２号
【特許文献６】国際公開第２０１２／１２１３９３号
【特許文献７】国際公開第２０１４／０３８７０８号
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Ｎａｔｕｒｅ、２０１１年、４７５巻、３６４頁
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来の有機半導体材料は、溶媒への溶解性が乏しいため、インクを調整することが困難であり、従って、印刷に通ずる湿式成膜に課題があった。又、溶媒溶解性がある材料についても、湿式成膜時に分子配列の乱れが生じたり、部分的に結晶化する等、均質膜の作製に課題があり、高い移動度を得るためには、特殊な成膜方法や煩雑なポスト成膜プロセス（アニール処理等）が必要であった。
【００１１】
そこで、本発明の課題は、溶媒への溶解性に優れ、複雑なプロセスを経由せずとも容易に（即ち、インク液滴を滴下し、そのものを乾燥するだけで）、高い移動度の膜を与える化合物、及びそれを用いた有機半導体材料を提供すること、更には、実用的な構成の有機トランジスタを簡便に作製できる有機半導体インクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は前記目的を達成すべく、鋭意検討を重ね、特定のアリーレンアセチレン構造からなる置換基を有する特定構造の複素環式芳香族化合物が、溶媒溶解性に優れる故に有機半導体インクとしての適性を有し、煩雑な熱処理を必要とせず、簡便な湿式法（即ち、“インク液滴を滴下し、そのものを乾燥する”だけの方法）であっても、高い移動度の有機半導体膜を与えることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
即ち、本発明は以下の項目から構成される。
１．  一般式（１）
【００１４】
【化１】
0006656506.tif 000002
【００１５】
（式中、Ｒ１が（Ｉ）の何れかの基であり、Ｒ２が（ＩＩ）の何れかの基から選ばれる基である。
（Ｉ）一般式（２）又は（３）である基
【００１６】
【化２】
0006656506.tif 000003
【００１７】
【化３】
0006656506.tif 000004
【００１８】
（Ａｒ１は炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であって、該芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単環式又は環数が２若しくは３の多環式である基、Ａｒ２は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい複素芳香族基、Ｒ’は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基である。）
（ＩＩ）水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。）
で表されるベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、
２．下記一般式（４）
【００１９】
【化４】
0006656506.tif 000005
【００２０】
（式中、Ｒ１が下記一般式（２）又は（３）の何れかの基であり、
【００２１】
【化５】
0006656506.tif 000006
【００２２】
【化６】
0006656506.tif 000007
【００２３】
（但し、Ａｒ１、Ａｒ２、およびＲ’は上記と同義である。）
Ｒ２は、水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。）
で表される１．に記載のベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体、
３．  １．又は２．に記載のベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体を用いた有機半導体材料、
４．  ３．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体インク、
５．  ３．に記載の有機半導体材料を含有する有機半導体膜、
６．  ３．に記載の有機半導体材料を用いてなる有機半導体素子、
７．  ３．に記載の有機半導体材料を有機半導体層として用いてなる有機トランジスタ。
８．  一般式（５）で表わされるベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体の製造方法であって、
【００２４】
【化７】
0006656506.tif 000008
【００２５】
（式中、Ａｒ３は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であって、該芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単環式又は環数が２若しくは３の多環式である基であり、Ｒ３は、水素原子、アルキル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基を表す。）
（１）一般式（６）で表される化合物と、カルボン酸塩化物（Ｃｌ−ＣＯ−Ａｒ３（Ａｒ３は上記と同義である。））とを反応させ、一般式（７）で表される化合物を得る工程；
（２）一般式（７）で表される化合物に、トリアルキルシリルジアゾメタンの金属塩を反応させて、一般式（５）で表される化合物を得る工程；
を含む、製造方法。
【００２６】
【化８】
0006656506.tif 000009
【００２７】
（式中、Ｒ３は上記と同義である。）
【００２８】
【化９】
0006656506.tif 000010
【００２９】
（式中、Ｒ３及びＡｒ３は上記と同義である。）
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、溶媒への溶解性に優れ、高い移動度を示す化合物、該化合物を含有する有機半導体材料、該化合物を含有する有機半導体インクならびに該化合物を含有する有機トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】ボトムゲートボトムコンタクト型トランジスタの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
（化合物）
本発明の化合物は、一般式（１）又は（４）で表されるように、ベンゾチエノベンゾチオフェン(［１］ベンゾチエノ［３，２−ｂ］［１］ベンゾチオフェン。以下、ＢＴＢＴと略す）環に置換基としてＲ１及びＲ２を有する化合物であり、当該置換基の少なくとも一方が、特定のアリーレンアセチレン構造からなる一般式（２）又は（３）で表される基であり、もう一方の置換基が、水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基であることに特徴を有する。
【００３３】
【化１０】
0006656506.tif 000011
【００３４】
（式中、Ｒ１が（I）の何れかの基であり、Ｒ２が（II）の何れかの基から選ばれる基である。
（Ｉ）一般式（２）又は一般式（３）である基
【００３５】
【化１１】
0006656506.tif 000012
【００３６】
【化１２】
0006656506.tif 000013
【００３７】
（Ａｒ１は炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であって、該芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単環式又は環数が２若しくは３の多環式である基、Ａｒ２は置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい複素芳香族基、Ｒ’は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基である。）
（II）水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。）
【００３８】
本発明の化合物は、ＢＴＢＴ環を含む主骨格がアセチレン部位を介して芳香環等と連結することで、溶媒溶解性が向上し、更にπ共役平面の拡張により移動度が向上する。
【００３９】
又、一方の置換基を、水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、及びトリフルオロメチル基の如く、短くすることで、置換基間相互作用が単純化し、均質な半導体膜を提供することが可能となる。即ち、“インク液滴を滴下し、そのものを乾燥する”という簡便な湿式法であっても、高い移動度の有機半導体膜を与えることが可能となる。
【００４０】
次に、本発明の化合物の置換基について説明する。
【００４１】
本発明の一般式（１）で表される化合物の置換基Ｒ２は、水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基から選ばれる基である。
【００４２】
一方、本発明の一般式（１）で表せる化合物の置換基Ｒ１は、一般式（２）又は（３）で表される置換基である。
【００４３】
【化１３】
0006656506.tif 000014
【００４４】
【化１４】
0006656506.tif 000015
【００４５】
一般式（２）で表される置換基のＡｒ１は、炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であって、該芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が単環式又は環数が２若しくは３の多環式である基であれば、特に制限はないが、例えば以下のものを挙げることができる。
【００４６】
炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフチレニル基、アセナフテニル基、アントラセニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ｐ−ターフェニル基、クォーターフェニル基等の炭素数６〜２４の単環又は多環式芳香族炭化水素基、等が挙げられる。
【００４７】
炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基（Ａｒ１）の具体例としては、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−ヘプチルフェニル基、４−ｎ−オクチルフェニル基、４−ｎ−ノニルフェニル基、４−ｎ−デシルフェニル基、９，９’−ジヘキシルフルオレニル基、等が挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００４８】
又、炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する複素芳香族基の複素芳香族基としては、ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、ビチエニル基、ターチエニル基、クォーターチエニル基、チエノチエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基、ビチエニル基、ターチエニル基、クォーターチエニル基等、５員環又は６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基に他の芳香族基が縮合するなどした多環式複素芳香族基、等が挙げられる。
【００４９】
炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有する複素芳香族基（Ａｒ１）の具体例としては、５−エチルチエニル基、５−ｎ−プロピルチエニル基、５−イソプロピルチエニル基、５−ｎ−ブチルチエニル基、５−ｎ−ペンチルチエニル基、５−ｎ−ヘキシルチエニル基、５−ｎ−ヘプチルチエニル基、５−ｎ−オクチルチエニル基、５−ｎ−ノニルチエニル基、５−ｎ−デシルチエニル基、等が挙げられる。
【００５０】
Ａｒ１について、上記の中でも、溶媒溶解性の観点からは、炭素数２〜１８のアルキル基を置換基として有するフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基が好ましく、半導体特性の観点からは、炭素数２〜１０のアルキル基を置換基として有する芳香族炭化水素基又は複素芳香族基が好ましく、従って、溶媒溶解性及び半導体特性、両観点からは、炭素数２〜１０のアルキル基を置換基として有するフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、チエニル基、ベンゾチエニル基が特に好ましい。
【００５１】
一般式（３）で表される置換基のＡｒ２は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は置換基を有してもよい複素芳香族基であれば、特に制限はないが、例えば以下のものを挙げることができる。
【００５２】
フェニレン基、ナフチレン基、アズレニレン基、アセナフテニレン基、アントラセニレン基、フェナントレニレン基、ナフタセニレン基、フルオレニレン基、ピレニレン基、クリセニレン基、ペリレニレン基、ビフェニレン基、ｐ−ターフェニレン基、クォーターフェニレン基等の炭素数６〜２４の単環又は多環式芳香族炭化水素二価基、
トリレン基、キシリレン基、エチルフェニレン基、プロピルフェニレン基、イソプロピルフェニレン基、ブチルフェニレン基、ペンチルフェニレン基、ヘキシルフェニレン基、ヘプチルフェニレン基、オクチルフェニレン基、ノニルフェニレン基、デシルフェニレン基、メチルナフチレン、９，９‘−ジヘキシルフルオレニル基等、前記芳香族炭化水素二価基が炭素数２〜１８のアルキル基で置換されたアルキル置換芳香族炭化水素二価基、
フルオロフェニレン基、クロロフェニレン基、ブロモフェニルン基等、前記の芳香族炭化水素二価基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲンで置換されたハロゲン化芳香族炭化水素二価基等が挙げられる。
【００５３】
更に、チエニレン、ピリジレン等の複素芳香族二価基や、これらが置換された複素芳香族二価基も使用することができる。
【００５４】
又、一般式（３）で表される置換基のＲ’は水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基又は複素芳香族基であれば、特に制限はないが、例えば以下のものが挙げられる。
【００５５】
炭素数１〜２０のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、４−メチル−２−ペンチル基、３，３−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、１−メチルヘプチル基、２−エチルヘキシル基、２−プロピルペンチル基、ｎ−ノニル基、２，２−ジメチルヘプチル基、２，６−ジメチル−４−ヘプチル基、３，５，５−トリメチルヘキシル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基、１−メチルデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−トリデシル基、１−ヘキシルヘプチル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オクタデシル基、ｎ−エイコシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基等の直鎖、分岐又は環状のアルキル基、
【００５６】
置換基を有してもよい芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ナフチル基、アズレニル基、アセナフテニル基、アントラニル基、フェナントリル基、ナフタセニル基、フルオレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ペリレニル基、ビフェニル基、ｐ−ターフェニル基、クォーターフェニル基等の炭素数６〜２４の単環又は多環式芳香族炭化水素基、
ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、２，４−キシリル基、２，６−キシリル基、メシチル基、ジュリル基、４−エチルフェニル基、４−ｎ−プロピルフェニル基、４−イソプロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、４−ｎ−ペンチルフェニル基、４−ｎ−ヘキシルフェニル基、４−ｎ−デカフェニル基、４−ステアリルフェニル基、９，９‘−ジヘキシルフルオレニル基等、前記芳香族炭化水素基が炭素数１〜１８のアルキル基で置換されたアルキル置換芳香族炭化水素基、
スチリル基、４−ブテニルフェニル基、４−オクタデセニルフェニル基等、前記の芳香族炭化水素基が炭素数２〜２０のアルケニル基で置換されたアルケニル置換芳香族炭化水素基、
【００５７】
４−フルオロフェニル基、２，６−フルオロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，３，４，５，６−パーフルオロフェニル基等、前記の芳香族炭化水素基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲンで置換されたハロゲン化芳香族炭化水素基、
４−（２−エトキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘプチルオキシエチル）フェニル基、４−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）フェニル基、４−（２−シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基、４−（１２−エトキシドデシル）フェニル基、４−（シクロヘキシルオキシエチル）フェニル基等、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換芳香族炭化水素基、
【００５８】
４−（メチルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）フェニル基、４−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）フェニル基、４−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）フェニル基等、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換芳香族炭化水素基、
４−（３−オクチルアミノプロピル）フェニル基、４−（３−ドデシルアミノプロピル）フェニル基、４−（ジエチルアミノエチル）フェニル基等、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換芳香族炭化水素基、等が挙げられる。
【００５９】
又、置換基を有してもよい複素芳香族基としては、ピロリル基、インドリル基、フリル基、チエニル基、イミダゾリル基、ベンゾフリル基、トリアゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、ベンゾチエニル基、ピラゾリル基、インドリジニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、カルバゾリル基、ジベンゾフラニル基、ジベンゾチオフェニル基、インドリニル基、チアゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、チアジアジニル基、オキサジアゾリル基、ベンゾキノリニル基、チアジアゾリル基、ピロロチアゾリル基、ピロロピリダジニル基、テトラゾリル基、オキサゾリル基等、５員環又は６員環の複素芳香族基や、該複素芳香族基にベンゼンが縮合した多環式複素芳香族基、
５−メチルチエニル基、５−ヘキシルチエニル基、５−デカチエニル基、５−ステアリルチエニル基等前記複素芳香族基が炭素数１〜２０のアルキル基で置換されたアルキル置換複素芳香族基、
【００６０】
フルオロピリジニル基、フルオロインドリル基等、前記の複素芳香族基がフッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲンで置換されたハロゲン化複素芳香族基、５−（２−エトキシエチル）チエニル基、５−（２−ｎ−テトラデシルオキシエチル）チエニル基、
５−（２−シクロヘキシルオキシエチル）チエニル基、５−（１２−エトキシドデシル）チエニル基等、前記芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルコキシアルキル基で置換されたアルコキシアルキル置換複素芳香族基、
【００６１】
５−（メチルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（２−ｎ−ヘキシルスルファニルエチル）チエニル基、５−（３−ｎ−デシルスルファニルプロピル）チエニル基、５−（シクロヘキシルスルファニルプロピル）チエニル基等、前記の芳香族炭化水素基が炭素数３〜２０のアルキルスルファニルアルキル基で置換されたアルキルスルファニルアルキル置換複素芳香族基、
５−（３−オクチルアミノプロピル）チエニル基、５−（３−ドデシルアミノプロピル）チエニル基、５−（ジエチルアミノエチル）チエニル基等、前記の複素芳香族基が炭素数３〜２０のアルキルアミノアルキル基で置換されたアルキルアミノアルキル置換複素芳香族基、等が挙げられる。
【００６２】
以上の如くして説明した置換基を有する本発明の具体的な化合物として、以下を挙げることができるが、これらに限られるものではない。
【００６３】
【化１５】
0006656506.tif 000016
【００６４】
【化１６】
0006656506.tif 000017
【００６５】
【化１７】
0006656506.tif 000018
【００６６】
（本発明化合物の合成）
本発明化合物の合成は、公知慣用の方法を組み合わせて行うことができる。
合成経路の一例を、以下に挙げるが、本発明化合物の合成はこれらに限るものではない。
【００６７】
先ず、母骨格となるＢＴＢＴ環に、反応（Ａ）〜（Ｄ）の如くして、置換基Ｒ２に相当する基として、メチル基、シアノ基、フルオロ基、又はトリフルオロメチル基を導入する。
【００６８】
【化１８】
0006656506.tif 000019
【００６９】
化合物（ａ−２）の合成では、先ず、ＢＴＢＴをホルミル化し、化合物（ａ−１）を得る。次に、このものを還元反応によりメチル化する。
【００７０】
化合物（ｂ−２）の合成では、先ず、ＢＴＢＴを臭素化し、化合物（ｂ−１）を得る。次に、このものを、銅（I）塩存在下でバートン試薬と反応させることでトリフルオロメチル化する。
【００７１】
化合物（ｃ−３）の合成では、先ず、ＢＴＢＴをニトロ化し、化合物（ｃ−１）を得る。次に、このものを、還元反応せしめ、然る後、シアン化銅を作用させる（ザンドマイヤー反応）。
【００７２】
化合物(ｄ−１）の合成は、前記化合物（ｃ−２）をジアゾニウムフルオロボレートとし、これを熱分解する。
【００７３】
ＢＴＢＴ環への置換基Ｒ２の導入は、ここに示した反応（Ａ）〜（Ｄ）に限定されるものではなく、公知慣用の反応を適用することができる。
【００７４】
次に、Ｒ２（水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基）を置換基として有するＢＴＢＴ（ｅ−１）に、カルボン酸塩化物とを反応させ、アシル化し、次いでトリアルキルシリルジアゾメタンの金属塩を反応せしめることで、一般式（２）で表される置換基をＲ１として有する目的とする化合物（ｅ−３）を得ることができる（反応（Ｅ））。ここで、「トリアルキルシリルジアゾメタンの金属塩」中のトリアルキルシリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリブチルシリル基、トリイソプロピルシリル基などを挙げることができ、好ましくはトリメチルシリル基である。又、「トリアルキルシリルジアゾメタンの金属塩」中の金属塩を形成する金属としては例えば、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、亜鉛、アルミニウムを挙げることができ、好ましくはリチウムである。
【００７５】
【化１９】
0006656506.tif 000020
【００７６】
（式中、Ｒ２及びＡｒ１は上記と同義である。）
なお、反応（Ｅ）は、Ｒ２がアルキル基である場合においても適応可能であり、又、Ａｒ１が、前記した置換基である場合に加え、無置換の芳香族炭化水素基若しくは複素芳香族基、及びメチル基（炭素数１のアルキル基）を置換基として有する芳香族炭化水素基若しくは複素芳香族基の場合においても適応可能である。
【００７７】
又、Ｒ２（水素原子、メチル基、シアノ基、フルオロ基、トリフルオロメチル基）を置換基として有するＢＴＢＴ（ｆ−１）に、ハロゲン化剤を反応させ、ハロゲン化し（ｆ−２）、次いでパラジウム触媒と塩基の存在下、有機ホウ素化合物をクロスカップリングさせることで、一般式（３）で表される置換基をＲ１として有する目的とする化合物（ｆ−３）を得ることができる（反応（Ｆ））。
【００７８】
【化２０】
0006656506.tif 000021
【００７９】
（式中、Ｒ２、Ａｒ２及びＲ’は上記と同義であり、Ｘはハロゲン原子を表す。）
なお、ＢＴＢＴ環への置換基Ｒ１の導入は、ここに示した反応（Ｅ）〜（Ｆ）に限定されるものではなく、公知慣用の反応を適用することができる。
【００８０】
（有機半導体材料・インク）
本発明の化合物は、有機半導体素子を用途とした、有機半導体材料として使用することができる。本発明の化合物を、有機半導体として使用するためには、通常、膜形態（有機半導体膜又は有機半導体層）にて使用される。膜の形成にあたっては、真空蒸着等公知慣用の乾式成膜法により形成しても構わないが、低温成膜が可能で、生産性に優れる印刷法にて形成することが好ましく、そのために、本発明の化合物、即ち有機半導体材料は、インクとして使用することが好ましい。インクを調製するためには、本発明の化合物を溶媒に溶解する。又、半導体性能を損なわない範囲で、インク特性を付与するために、フッ素系やシリコン系等のレベリング剤、およびポリスチレン、アクリル樹脂、半導体高分子等の高分子化合物を粘度調整剤として添加することもできる。
【００８１】
使用する溶媒は何を用いても構わず、又２種以上の溶媒を混合して用いても良い。具体的には、ｎ−ヘキサン、ｎ−オクタン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン等の脂肪族系溶媒；シクロヘキサン等の脂環式系溶媒；ベンゼン、トルエン、クメン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ｐ−シメン、メシチレン、アニソール、２−メチルアニソール、３−メチルアニソール、４−メチルアニソール、２，５−ジメチルアニソール、３，５−ジメトキシトルエン、２，４−ジメチルアニソール、フェネトール、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、１，５−ジメチルテトラリン、ｎ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｎ−ペンチルベンゼン、１，３，５−トリエチルベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、２，５−ジエチルシベンゼン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等の芳香族系溶媒；テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジエチルエーテル、アニソール、ベンジルエチルエーテル、エチルフェニルエーテル、ジフェニルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル等のエーテル系溶媒；酢酸メチル、酢酸エチル、エチルセロソルブ、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒；メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン等のケトン系溶媒；その他ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、ジエチルホルムアミド等が挙げられるが、これらに限定されることはない。      
調製された液体組成物における本発明の化合物の濃度としては、０．０１〜２０重量％であることが好ましく、さらには０．１〜１０重量％であることが好ましい。
【００８２】
（有機半導体素子）
本発明の化合物を有機半導体材料として用いてなる有機半導体素子としては、ダイオード、有機トランジスタ、フォトダイオード、発光ダイオード、発光トランジスタや、ガスセンサー、バイオセンサー、血液センサー、免疫センサー、人工網膜、味覚センサー等のセンサー類、さらには、メモリ、ＲＦＩＤ等が挙げられる。
中でも、本発明の化合物は、有機半導体材料として、１ｃｍ２／Ｖｓ以上の高い電荷移動度を有するので、有機トランジスタ又は発光素子への応用が特に有用である。
【００８３】
（有機トランジスタ）
次に本発明の有機半導体材料を有機半導体層として用いてなる有機トランジスタについて説明する。
有機トランジスタは、通常、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極、およびゲート絶縁層、有機半導体層を有してなるものであり、各電極や各層の配置によって種々のタイプのトランジスタがあるが、本発明の有機半導体材料はトランジスタの種類に限定されることなく、何れのトランジスタにも使用することができる。トランジスタの種類については、アルドリッチ社の材料科学の基礎第６号「有機トランジスタの基礎」等を参照することができる。
【００８４】
図１に示すボトムコンタクト型を一例に詳説すると、１は基板、２はゲート電極、３はゲート絶縁層、４は有機半導体層、５はソース電極、６はドレイン電極である。
【００８５】
基板としては、ガラス、樹脂、プラスチックが用いられるが、フレキシブルな有機トランジスタを得るためには、ガラス製シート、樹脂製シート、プラスチックフィルムを用いることが出来る。中でも、樹脂製シートやプラスチックフィルムを用いると、フレキシブル性に加え、軽量化を図ることができ、可搬性を高めることが出来るとともに、衝撃に対する耐性を向上出来るので好適である。材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等を挙げることが出来る。  
【００８６】
ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極の電極材料は、導電性材料であれば特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、酸化スズ、アンチモン、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）、フッ素ドープ酸化亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペースト、カーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム混合物、リチウム／アルミニウム混合物等が用いられる。さらに、ドーピング等で導電率を向上させた公知の導電性ポリマー、例えば、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルホン酸の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）なども好適に用いられる。
【００８７】
電極の形成方法としては、上記材料を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いてパターン化する方法、又は前記導電性薄膜上に、熱転写やインクジェット等によるレジストをパターン成膜し、然る後エッチングする方法がある。更には、導電性ポリマーの溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液を直接インクジェットによりパターニングしてもよいし、導電性ポリマーの溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液若しくはペーストを塗工し、斯くの如くして得られた塗工膜をリソグラフやレーザーアブレーションなどによりパターン化してもよい。更には、導電性ポリマーの溶液若しくは分散液、又は導電性微粒子の分散液若しくはペーストを、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法等、各種印刷法でパターニングする方法も用いることが出来る。
【００８８】
ゲート絶縁層は、ポリパラキシリレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂などの熱可塑性樹脂；エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、メラミン樹脂などの熱硬化性樹脂；ＵＶ硬化性樹脂などの有機薄膜が好適に使用出来、さらには、酸化シリコン膜などの無機材料も用いることが出来る。
【００８９】
ゲート絶縁層はスピンコート法、キャスト法、ディップ法、ドクターブレード法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、ディスペンス法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法、等の公知の湿式成膜方法により薄膜を作製することが可能であり、必要に応じフォトリソグラフ法で必要な形状にパターニングしてもよい。
【００９０】
有機半導体層は、本発明の化合物を用いて真空蒸着法等の公知慣用の乾式成膜法にて成膜することができるが、前記本発明のインクを用いて印刷等の湿式成膜法にて成膜することが好ましい。有機半導体層の膜厚は、特に制限されることはないが、通常、０．５ｎｍ〜１μｍであり、２ｎｍ〜２５０ｎｍであると好ましい。
【００９１】
又、有機半導体層は、結晶性を高め半導体特性の向上等を図ることを目的に、必要に応じて、成膜後にアニーリングを実施してもよい。アニーリングの温度は５０〜２００℃が好ましく、７０〜２００℃であるとさらに好ましく、時間は１０分〜１２時間が好ましく、１時間〜１０時間がより好ましく、３０分〜１０時間であるとさらに好ましい。
【００９２】
成膜方法としては、例えば、スピンコート法、キャスト法、ディップ法、ドクターブレード法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、ディスペンス法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法、凸版印刷法、反転印刷法、マイクロコンタクトプリント法等の公知の湿式成膜方法を挙げることが出来る。
【００９３】
本発明の有機トランジスタは、ディスプレイを構成する画素のスイッチング用トランジスタ、信号ドライバー回路素子、メモリ回路素子、信号処理回路素子等として好適に使用できる。ディスプレイの例としては、液晶ディスプレイ、分散型液晶ディスプレイ、電気泳動型ディスプレイ、粒子回転型表示素子、エレクトロクロミックディスプレイ、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ、電子ペーパー等が挙げられる。
【実施例】
【００９４】
本発明を実施例で更に詳細に説明する。
（実施例１）＜化合物の製造＞
まず、ＢＴＢＴ（０．５１ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン３０ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（１．１０ｇ、８．２５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−プロピルベンゾイルクロリド（０．３５ｍＬ、１．９９ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、１．５時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から３０：７０のグラディエント）で回収した生成物をアセトンで再結晶し、２−（４−プロピルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．４５ｇ得た（収率５５％）。
【００９５】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．２０ｍＬ、２．４０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン１３．５ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．５０ｍＬ、２．３３ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン４ｍＬを加えた２−（４−プロピルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．４４ｇ、１．１４ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、１．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から９０：１０のグラディエント）で回収した生成物を５６℃に加熱したアセトンに溶解後、金属スカベンジャーを加え攪拌し、金属スカベンジャーをろ別除去し、ろ液から再結晶することで、（Ｉ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．０４ｇ得た（収率９％）。
【００９６】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）  δ  ８．０９（ｓ、１Ｈ、ＢＴＢＴ環）、７．９４−７．８８（ｄｄ、２Ｈ、ＢＴＢＴ環）、７．８６（ｄ、１Ｈ、ＢＴＢＴ環）、７．６０（ｄ、１Ｈ、ＢＴＢＴ環）、７．５０−７．４７（ｄｄ、２Ｈ、フェニル）、７．４６−７．４０（ｄｄ、２Ｈ、ＢＴＢＴ環）、７．１８（ｄ、２Ｈ、フェニル）、２．６２（ｔ、２Ｈ、ＢＴＢＴ−ＣＨ２）、１．６６（ｑ、２Ｈ、ＢＴＢＴ−ＣＨ２−ＣＨ２）、０．９６（ｔ、３Ｈ、ＣＨ３）．
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．１Ｈｚ），７．９４−７．８３（３Ｈ，ｍ），７．６２−７．５９（１Ｈ，ｍ），７．５０−７．３９（４Ｈ，ｍ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ），２．６２（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），１．６６（２Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝１５．０，７．５Ｈｚ），０．９６（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝３８２
【００９７】
【化２１】
0006656506.tif 000022
【００９８】
＜有機トランジスタの製造＞
ガラス基板（図１の１に相当）上に金属マスクを用いてアルミニウムを真空蒸着法にて約３０ｎｍの厚さで成膜して、ゲート電極を形成した（図１の２に相当）。ここに、パリレン蒸着装置（ラボコーターＰＤＳ２０１０、日本パリレン製）を用いて、ジクロロ−ジパラキシリレン（ＤＰＸ−Ｃ、日本パリレン製）を原料にして、ポリパラクロロキシリレン（パリレンＣ）薄膜（厚さ５００ｎｍ）をケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）法にて作製し（図１の３に相当）、さらに、真空蒸着法によって、金薄膜（厚さ４０ｎｍ）からなるソース・ドレイン電極をパターン形成した（図１の５と６に相当。チャネル長Ｌ（ソース電極−ドレイン電極間隔）を７５μｍ、チャネル幅Ｗを５．０ｍｍとした）。次に、このようにして得られた基板を、ペンタフルオロチオフェノールの０．１％エタノール溶液に１時間浸漬したのち、窒素ブローで乾燥し、前記化合物ＢＴＢＴ誘導体化合物（Ｉ）の０．４％ｐ−キシレン溶液（有機半導体インク）の液滴０．１μＬを、前記ソース・ドレイン電極の間にドロップキャスト（滴下）した後、自然濃縮により乾固させることで、前記化合物ＢＴＢＴ誘導体化合物（Ｉ）よりなる有機半導体層（図１の４に相当）を形成した（有機半導体溶液（インク）液滴の滴下（ドロップキャスト）とその乾燥によって有機半導体層を形成）。
【００９９】
＜半導体特性（移動度）の評価＞
このようにして得られた有機トランジスタについて、半導体特性（移動度）を評価した。半導体特性（移動度）は、ソース電極を接地し、ドレイン電極に−８０Ｖを印加した状態で、デジタルマルチメーター（ＳＭＵ２３７、ケースレー製）を用いて、ゲート電極に０から−８０Ｖ、電圧（Ｖｇ）をスイープ印加しながら、ドレイン電極に流れる電流（Ｉｄ）を測定し、√Ｉｄ−Ｖｇの傾きから、（式１）を用いて求めた。単位はｃｍ２／Ｖ・ｓである。
【０１００】
【数１】
0006656506.tif 000023
【０１０１】
（式中、Ｗはチャネル幅、Ｌはチャネル長、μは移動度、Ｃはゲート絶縁層の単位面積当たりの電気容量、ＶＴは閾値電圧を表す。）
評価結果を表１に示した。
【０１０２】
（実施例２）＜化合物の製造＞
まず、ＢＴＢＴ（０．５０ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン３５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（１．１６ｇ、８．７０ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−ペンチルベンゾイルクロリド（０．５ｍＬ、２．４６ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、４時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から３０：７０のグラディエント）で回収した生成物をシクロヘキサンで再結晶し、２−（４−ペンチルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．４９ｇ得た（収率５７％）。
【０１０３】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．２０ｍＬ、２．４０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン１０ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．５０ｍＬ、２．３３ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン７ｍＬを加えた２−（４−ペンチルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．４９ｇ、１．１８ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、３．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、（ＩＩ）で表されるＢ  
ＴＢＴ誘導体を０．０６ｇ得た（収率１３％）。
【０１０４】
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝４．４，３．７Ｈｚ），７．８７（３Ｈ，ｄｄｔ，Ｊ＝１９．３，１１．０，３．６Ｈｚ），７．６１−７．５６（１Ｈ，ｍ），７．４９−７．３９（４Ｈ，ｍ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．１Ｈｚ），１．６８−１．５８（２Ｈ，ｍ），１．３４（４Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１２．６，５．０Ｈｚ），０．９０（３Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝９．０，５．０Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４１０
【０１０５】
【化２２】
0006656506.tif 000024
【０１０６】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（ＩＩ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１０７】
（実施例３）＜化合物の製造＞
まず、ＢＴＢＴ（０．５０ｇ、２．０９ｍｍｏｌ）、塩化アルミニウム（１．１６ｇ、８．７０ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、ｐ−ヘプチルベンゾイルクロリド（０．７０ｍＬ、１．４５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、３時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から３０：７０のグラディエント）で回収した生成物をアセトンで再結晶し、２−（４−ヘプチルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．３９ｇ得た（収率３９％）。
【０１０８】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（０．８５ｍＬ、２．０７ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン５ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．０ｍＬ、１．５５ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン１２ｍＬを加えた２−（４−ヘプチルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．３６ｇ、０．８２ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、３時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から９０：１０のグラディエント）で回収した生成物を５６℃に加熱したアセトンに溶解後、金属スカベンジャーを加え攪拌し、金属スカベンジャーをろ別除去し、ろ液から再結晶することで、化合物（ＩＩＩ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．０４ｇ得た（収率１１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ），７．９４−７．８３（３Ｈ，ｍ），７．６０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．３，１．３Ｈｚ），７．４９−７．４０（４Ｈ，ｍ），７．１９（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６０−１．５６（２Ｈ，ｍ），１．３１（８Ｈ，ｍ），０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４３８
【０１０９】
【化２３】
0006656506.tif 000025
【０１１０】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（ＩＩＩ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１１１】
（実施例４）＜化合物の製造＞
まず、ＢＴＢＴ（０．５０ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン３５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（１．１３ｇ、８．４８ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−デシルベンゾイルクロリド（０．６ｍＬ、２．１４ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、３時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝１００：０から３０：７０のグラディエント）で回収した生成物をシクロヘキサンで再結晶し、２−（４−デシルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．５４ｇ得た（収率５４％）。
【０１１２】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．１０ｍＬ、２．２０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン１０ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．４０ｍＬ、２．１７ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン６ｍＬを加えた２−（４−デシルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．５４ｇ、１．１１ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、４時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへジクロロメタンを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、化合物（ＩＶ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．１１ｇ得た（収率２１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝３．１Ｈｚ），７．９４−７．８１（３Ｈ，ｍ），７．６０（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．１，１．５Ｈｚ），７．５０−７．３９（４Ｈ，ｍ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），１．６０（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．２９（１４Ｈ，ｍ），０．８８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４８０
【０１１３】
【化２４】
0006656506.tif 000026
【０１１４】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（ＩＶ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１１５】
（実施例５）＜化合物の製造＞
２−メチルＢＴＢＴ（０．５０ｇ、２．０８ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（１．１２ｇ、８．４０ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−プロピルベンゾイルクロリド（０．５ｍＬ、２．８４ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、２時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から５０：５０のグラディエント）を行い、２−メチル−７−（４−プロピルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．５４ｇ得た（収率６４％）。
【０１１６】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．３５ｍＬ、２．７０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン４．５ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．７５ｍＬ、２．７１ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン２１ｍＬを加えた２−メチル−７−（４−プロピルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．５４ｇ、１．３４ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、２．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、化合物（Ｖ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．１２ｇ得た（収率２３％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０７（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ），７．７６（３Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１７．６，６．８Ｈｚ），７．５８（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１．５Ｈｚ），７．４８（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝４．２Ｈｚ），７．２８（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝２．８Ｈｚ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），２．６１（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ），２．５２（３Ｈ，ｓ），１．６６（２Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝１５．０，７．３Ｈｚ），１．６６（２Ｈ，ｔｄ，Ｊ＝１５．０，７．３Ｈｚ），０．９５（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝３９６
【０１１７】
【化２５】
0006656506.tif 000027
【０１１８】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（Ｖ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１１９】
（実施例６）＜化合物の製造＞
まず、ＢＴＢＴ（２．５１ｇ、１０．４ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２１０ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（６．０９ｇ、４５．７ｍｍｏｌ）を添加し、さらにブチルジクロロメチルエーテル（２．０ｍＬ、１４．１ｍｍｏｌ）を滴下した。２．５時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへ飽和炭酸水素ナトリウム水溶液を加え中和した。さらにクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から１０：９０のグラディエント）を行い、２−ホルミルＢＴＢＴを１．３３ｇ得た（収率４７％）。
【０１２０】
次いで、塩化アルミニウム（０．８９ｇ、６．６８ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン１０ｍＬを加え、攪拌した。更に混合液を０℃に冷却し、ｔｅｒｔ−ブチルアミンボラン（１．１６ｇ、１３．３ｍｍｏｌ）を加え、再度アルゴン置換を行った。
【０１２１】
５分攪拌した後、脱水ジクロロメタン２０ｍＬを加えた２−ホルミルＢＴＢＴ（０．６０ｇ、２．２４ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。１時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへ希塩酸を加え中和した。更にクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９５：５から５０：５０のグラディエント）を行い、２−メチルＢＴＢＴを０．２８ｇ得た（収率４９％）。
【０１２２】
２−メチルＢＴＢＴ（０．５１ｇ、２．１２ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（１．１４ｇ、８．５５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−ペンチルベンゾイルクロリド（０．５ｍＬ、２．４６ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、２時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から５０：５０のグラディエント）を行い、２−メチル−７−（４−ペンチルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．４７ｇ得た（収率５２％）。
【０１２３】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．００ｍＬ、２．００ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン４．５ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．５０ｍＬ、２．３３ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン２１ｍＬを加えた２−メチル−７−（４−ペンチルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．４７ｇ、１．１０ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、２時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、化合物（ＶＩ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．１０ｇ得た（収率２１％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０６（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝３．７Ｈｚ），７．８２−７．７５（２Ｈ，ｍ），７．７２（１Ｈ，ｓ），７．７６−７．５５（１Ｈ，ｍ），７．４６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），７．２９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ），７．１８（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ），２．６３（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．７Ｈｚ），２．５１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），１．６８−１．５８（２Ｈ，ｍ），１．３６（４Ｈ，ｄｄｄ，Ｊ＝２０．４，１０．５，４．９Ｈｚ），０．９０（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．０Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４２４
【０１２４】
【化２６】
0006656506.tif 000028
【０１２５】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（ＶＩ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１２６】
（実施例７）＜化合物の製造＞
２−メチルＢＴＢＴ（０．４０ｇ、１．６６ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２０ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（０．９０ｇ、６．７３ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−ヘプチルベンゾイルクロリド（０．５ｍＬ、２．１０ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、２．５時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から５０：５０のグラディエント）を行い、２−メチル−７−（４−ヘプチルベンゾイル）ＢＴＢＴを０．５４ｇ得た（収率７１％）。
【０１２７】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（１．２０ｍＬ、２．４０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン４．５ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（１．５０ｍＬ、２．３３ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン２１ｍＬを加えた２−メチル−７−（４−ヘプチルベンゾイル）ＢＴＢＴ（０．５４ｇ、１．１９ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、２．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、化合物（ＶＩＩ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．１３ｇ得た（収率２４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝３．３Ｈｚ），７．８１−７．７１（３Ｈ，ｍ），７．５７（１Ｈ，ｄｔ，Ｊ＝１０．５Ｈｚ，３．８Ｈｚ），７．４６（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），７．２９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝０．７Ｈｚ），７．１７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．３Ｈｚ），２．６６（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝２３．３，１６．０Ｈｚ），２．５１（３Ｈ，ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ），１．６１（２Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝１４．７，７．３Ｈｚ），１．３０（８Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．２，５．０Ｈｚ），０．８９（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４５２
【０１２８】
【化２７】
0006656506.tif 000029
【０１２９】
＜有機トランジスタの製造及び半導体特性（移動度）の評価＞
化合物（Ｉ）のかわりに、化合物（ＶＩＩ）を用いた以外は、実施例１と同様にして、有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１３０】
（実施例８）＜化合物の製造＞
特許文献７に従って合成した２−デシルＢＴＢＴ（０．５０ｇ、１．３１ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（０．７０ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにベンゾイルクロリド（０．２ｍＬ、１．４５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、２時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から５０：５０のグラディエント）を行い、２−デシル−７−ベンゾイルＢＴＢＴを０．３５ｇ得た（収率５５％）。
【０１３１】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（０．７２ｍＬ、１．４４ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン４ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（０．９３ｍＬ、１．４４ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン７ｍＬを加えた２−デシル−７−ベンゾイルＢＴＢＴ（０．３５ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、２．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、（ＶＩＩＩ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．０９ｇ得た（収率２５％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．８３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．７２（１Ｈ，ｓ），７．６１−７．５５（３Ｈ，ｍ），７．３８−７．３５（３Ｈ，ｍ），７．２９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），２．７７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），１．７０（２Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７Ｈｚ），１．５５−１．２７（１４Ｈ，ｍ，Ｊ＝１５．０，７．３Ｈｚ），０．８８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４８０．３
【０１３２】
【化２８】
0006656506.tif 000030
【０１３３】
（実施例９）＜化合物の製造＞
特許文献７に従って合成した２−デシルＢＴＢＴ（０．５０ｇ、１．３１ｍｍｏｌ）にアルゴン雰囲気下で脱水ジクロロメタン２５ｍＬを加え、攪拌した。次に混合液を−７０℃に冷却し、塩化アルミニウム（０．７０ｇ、５．２５ｍｍｏｌ）を添加し、さらにｐ−トルオイルクロリド（０．２ｍＬ、１．４５ｍｍｏｌ）を滴下した。反応液を０℃まで昇温し、２時間攪拌した後、反応液を水に再沈して反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（溶媒組成はヘキサン：ジクロロメタン＝９０：１０から５０：５０のグラディエント）を行い、２−デシル−７−（４−トルオイル）ＢＴＢＴを０．３６ｇ得た（収率５７％）。
【０１３４】
次いで、２Ｍのトリメチルシリルジアゾメタン溶液（０．７２ｍＬ、１．４４ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下で脱水テトラヒドロフラン４ｍＬに加え、攪拌した。更に混合液を−７０℃に冷却し、１．５５Ｍのｎ−ブチルリチウム溶液（０．９３ｍＬ、１．４４ｍｍｏｌ）を滴下し、トリメチルシリルジアゾメタンのリチウム塩を発生させた。３０分攪拌した後、脱水テトラヒドロフラン７ｍＬを加えた２−デシル−７−（ｐ−トルオイル）ＢＴＢＴ（０．３６ｇ、０．７２ｍｍｏｌ）溶液を、反応液へ加えた。その後反応液を室温まで昇温し、２．５時間攪拌した後、酢酸１０％のメタノール溶液を加え反応を停止した。そこへクロロホルムを加え、分液ロートへ移送し、有機層を水、食塩水で分液洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。精製はシリカゲルカラム（シリカゲルと金属スカベンジャーにまぶした生成物を、５５℃に加熱したシクロヘキサンで分取）で回収した生成物をアセトンで再結晶することで、（ＩＸ）で表されるＢＴＢＴ誘導体を０．０９ｇ得た（収率２４％）。
１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ３）：δ  ８．０８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ），７．８３（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．７８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．７２（１Ｈ，ｓ），７．５７（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ），７．４４（２Ｈ，ｄ），７．２９（１Ｈ，ｄｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ），７．１６（２Ｈ，ｄ），２．７７（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ），２．３７（３Ｈ，ｓ），１．７０（２Ｈ，ｑｕｉｎｔ．，Ｊ＝７Ｈｚ），１．５５−１．２７（１４Ｈ，ｍ，Ｊ＝１５．０，７．３Ｈｚ），０．８８（３Ｈ，ｔ，Ｊ＝７Ｈｚ）．
ＦＤ−ＭＳ：［Ｍ］＋＝４９４．３
【０１３５】
【化２９】
0006656506.tif 000031
【０１３６】
（比較例１）
ＷＯ２００６／０７７８８８記載の方法にて（Ｉ’）で表される化合物を合成した。得られた化合物について、実施例１と同様に有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１３７】
【化３０】
0006656506.tif 000032
【０１３８】
（比較例２）
国際公開第２００９／１２５７２１号記載の方法にて（ＩＩ’）で表される化合物を合成した。得られた化合物について、実施例１と同様に有機トランジスタの製造、半導体特性（移動度）の評価を実施した。結果を表１に示す。
【０１３９】
【化３１】
0006656506.tif 000033
【０１４０】
（比較例３）
国際公開第２０１４／０３８７０８号記載の方法にて（ＩＩＩ’）で表される化合物を合成した。得られた化合物について、実施例同様に溶解性の評価、又トランジスタ評価を行った結果を表１に記載した。
【０１４１】
【化３２】
0006656506.tif 000034
【０１４２】
【表１】
0006656506.tif 000035
【０１４３】
表１の結果より、本発明の化合物は、溶媒溶解性が高く、又、与える多結晶膜の均質性が高いため、有機半導体溶液（インク）液滴の滴下（ドロップキャスト）とその乾燥によって有機半導体層を形成しても、高い半導体特性（移動度）を呈する有機トランジスタを与える。これに対し、比較例の化合物は、当該成膜法では、半導体特性（移動度）が低い。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明の化合物は有機半導体材料としての利用が可能であり、該有機半導体材料を有機半導体層として用いる有機トランジスタへの利用が可能である。
【符号の説明】
【０１４５】
１：基板、２：ゲート電極、３：ゲート絶縁層、４：有機半導体層、５：ソース電極、６：ドレイン電極
【図１】
0006656506.tif 000042