【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を調製するための方法であって：
（ａ）カンデサルタンシレキセチルを溶媒に溶かして溶液を形成させ；
（ｂ）当該溶液を約４５℃以上の温度で加熱し；そして
（ｃ）当該溶液からカンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成り、当該溶媒は、Ｃ１〜Ｃ４アルコール、Ｃ３〜Ｃ８エステル、又はアセトニトリルの少なくとも１つである方法。
【請求項２】
前記溶媒和物がＣ３〜Ｃ８エステル又はアセトニトリルの少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記溶媒が、ブタノール、メタノール、イソプロパノール、エタノール、酢酸エチル又はアセトニトリルの少なくとも１つである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記溶媒がブタノールである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記段階（ｂ）の溶液を約４５℃〜約７０℃の温度で加熱している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記段階（ｂ）の溶液を還流温度で加熱している、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
更に、カンデサルタンシレキセチルを約３５℃〜約６０℃の温度で乾燥させることを含んで成る、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
カンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を調製するための方法であって：
（ａ）カンデサルタンシレキセチルを溶媒に溶かして混合物液を形成させ；
（ｂ）当該溶液を水と組み合わせて混合物を形成させ；そして
（ｃ）当該混合物からカンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成り、当該溶媒は、Ｃ１〜Ｃ４アルコール、ケトン、アルキルアミド又はアセトニトリルの少なくとも１つである方法。
【請求項９】
前記溶媒がケトン、アルキルアミド又はアセトニトリルの少なくとも１つである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記溶媒が、メタノール、イソプロパノール、エタノール、アセトン、ジメチルホルムアミド又はアセトニトリルである、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記溶媒がブタノールである、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
水を滴下して加えている、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
段階（ｂ）の溶液を約４５℃以上の温度で加熱することを更に含んで成る、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
カンデサルタンシレキセチルＶＩＩ型結晶又はＶＩＩＩ型結晶を約９０℃〜約１２０℃の温度で約１０時間以上に渡り加熱することを含んで成る、カンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を調製するための方法。
【請求項１５】
約６．１、７．３、１４．２、１７．５、及び２２．４±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンを特徴とする、カンデサルタンシレキセチルＸＩＶ型結晶。
【請求項１６】
約８．１、１０．４、１５．３、２０．５及び２５．３±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンを更に特徴とする、請求項１５に記載のカンデサルタンシレキセチル。
【請求項１７】
（ａ）カンデサルタンシレキセチルをジクロロメタンに溶かして溶液を形成させ；
（ｂ）当該溶液とトルエンを組み合わせて混合物を形成させ；そして
（ｃ）当該混合物からカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成る方法によって調製した、カンデサルタンシレキセチルＸＩＶ型結晶。
【請求項１８】
約７．３、８．２、１４．３、２０．５、及び２３．８±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターン、又は約１７３３、１４７９、１３５９、１２８８、１２５３、及び１０８５ｃｍ−１において特徴的な吸収バンドを有するＦＴＩＲスペクトルの少なくとも１つから選択されたデータを特徴とする、カンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶。
【請求項１９】
約６．４、９．３、１６．７、２５．３、及び２８．０±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンを更に特徴とする、請求項１８に記載のカンデサルタンシレキセチル。
【請求項２０】
（ａ）トリチルカンデサルタンシレキセチルの溶液をトルエン又はジクロロメタンの第一分量（ｐｏｒｔｉｏｎ）、及び第一のＣ１〜Ｃ４アルコール、酸、又はその両方で調製してトリチルカンデサルタンシレキセチルの脱保護をしてカンデサルタンシレキセチルを獲得し；
（ｂ）当該溶液を濃縮して残留物にし；
（ｃ）当該残留物とトルエン又はジクロロメタンの第二分量、及び第二のＣ１〜Ｃ４アルコールと組み合わせて混合物を形成させ；そして
（ｄ）当該混合物からカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成る方法によって調製したカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶。
【請求項２１】
前記方法中の段階（ａ）及び（ｃ）における第一のＣ１〜Ｃ４アルコール又第二のＣ１〜Ｃ４アルコールがメタノールである、請求項２０に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶。
【請求項２２】
前記方法の段階（ａ）の酸がギ酸である、請求項２０に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶。
【請求項２３】
カンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶を調製するための前記方法が更に、水と段階（ａ）の溶液を組み合わせることを含んで成る、請求項２０に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＩＶ−１型結晶。
【請求項２４】
約１０．６、１２．１、１７．８、１９．４及び２１．７±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターン、又は約１７５９、１７２３、１４２９、１３５１、１２７９、及び１０８２ｃｍ−１に特徴的な吸収バンドを有するＦＴＩＲスペクトルの少なくとも１つから選択されたデータを特徴とする、カンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩ型結晶。
【請求項２５】
約７．１、８．９、１６．３、２０．５及び２４．０±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンを更に特徴とする、請求項２２に記載のカンデサルタンシレキセチル。
【請求項２６】
（ａ）粗製のカンデサルタンをＣ１〜Ｃ４アルコールに溶かして溶液を形成させ；
（ｂ）当該溶液を約４５℃以上の温度で加熱し；そして
（ｃ）当該溶液からカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩ型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成る方法によって調製したカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩ型結晶。
【請求項２７】
前記方法の段階（ａ）のアルコールがメタノールである、請求項２６に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩ型結晶。
【請求項２８】
約６．０、１２．０、１８．０、２１．０及び２２．４±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターン、又は１７５９、１７２７、１４６４、１４３８及び１０７１ｃｍ−１に特徴的な吸収バンドを有するＦＴＩＲスペクトルの少なくとも１つから選択されたデータを特徴とする、カンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩＩ型結晶。
【請求項２９】
約１０．３、１６．３、１９．８、２１．６及び２３．１±０．２度２θにピークを有するＸ線粉末回折パターンを更に特徴とする、請求項２８に記載のカンデサルタンシレキセチル。
【請求項３０】
（ａ）トリチルカンデサルタンシレキセチルの溶液をトルエン又はジクロロメタンの第一分量、及び第一のＣ１〜Ｃ４アルコール、及び水で調製してトリチルカンデサルタンシレキセチルの脱保護をしてカンデサルタンシレキセチルを獲得し；
（ｂ）当該溶液を濃縮して残留物にし；
（ｃ）当該残留物とトルエン又はジクロロメタンの第二分量、及び第二のＣ１〜Ｃ４アルコールと組み合わせて混合物を形成させ；そして
（ｄ）当該混合物からカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩＩ型結晶を沈殿させる、段階を含んで成る方法によって調製したカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩＩ型結晶。
【請求項３１】
前記方法の段階（ａ）及び（ｃ）における前記第一のＣ１〜Ｃ４アルコール又前記第二のＣ１〜Ｃ４アルコールがメタノールである、請求項３０に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩＩ型結晶。
【請求項３２】
前記方法の段階（ｄ）の混合物にカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩ型結晶を播種している、請求項３０に記載のカンデサルタンシレキセチルＸＸＩＩＩ型結晶。
【請求項３３】
カンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を調製するための方法であって：
（ａ）請求項１７、２０、２６又は３０のいずれか１項に記載のカンデサルタンシレキセチルの溶液をＣ１〜Ｃ４アルコール中で調製し；そして
（ｂ）当該溶液からカンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を沈殿させる、
段階を含んで成る方法。
【請求項３４】
前記アルコールがエタノールである、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記段階（ｂ）の溶液を、約０℃〜約１０℃の温度で冷却している、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
カンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を調製するための方法であって：
（ａ）請求項１７、２０、２６又は３０のいずれか１項に記載のカンデサルタンシレキセチルのスラリーをＣ１〜Ｃ４アルコール中で調製し；そして
（ｂ）当該スラリーからカンデサルタンシレキセチルＩ型結晶を単離する、
段階を含んで成る方法。
【請求項３７】
前記スラリーを約−２０℃〜約２０℃の温度で冷却している、請求項３６に記載の方法。