Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属物体を処理して、その上に金属物体と一体化しており且つ殺生物性物質を含む表面層を形成する方法であって、
（ａ）表面層にとっての基体を提供する金属物体を、溶媒を含有する陽極酸化電解液に浸漬し、金属を不動態化することによって前記金属物体上に陽極酸化された一体化表面層を形成し、
（ｂ）電位を印加し続けることによって、前記一体化表面層を貫通して前記基体まで至るピットを形成し、
（ｃ）工程（ａ）及び（ｂ）後に前記金属物体を化学的還元剤で処理することによって含水金属酸化物を生成し、前記化学的還元剤が、以下の：ＫＢｒ、ＮａＩ、Ｔｉ3+又はＨ3ＰＯ3の１種以上の溶液であり、
（ｄ）工程（ｃ）で得られた陽極酸化済みの前記金属物体を、殺生物性物質を含有する溶液と接触させることによって前記殺生物性物質を前記表面層に取り込ませる
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
金属物体を処理して、その上に金属物体と一体化しており且つ殺生物性物質を含む表面層を形成する方法であって、
（ａ）表面層にとっての基体を提供する金属物体を、溶媒を含有する陽極酸化電解液に浸漬し、金属を不動態化することによって前記金属物体上に陽極酸化された一体化表面層を形成し、
（ｂ）電位を印加し続けることによって、前記一体化表面層を貫通して前記基体まで至るピットを形成し、
（ｃ）固体の形態の腐食性金属を前記金属物体に接続して還元剤として機能させることにより、工程（ａ）及び（ｂ）後に前記金属物体を化学的還元剤で処理することによって含水金属酸化物を生成し、
（ｄ）工程（ｃ）で得られた陽極酸化済みの前記金属物体を、殺生物性物質を含有する溶液と接触させることによって前記殺生物性物質を前記表面層に取り込ませる
ことを含むことを特徴とする方法。
【請求項３】
固体の形態の前記腐食性金属を電解液に浸漬する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記腐食性金属が、Ｆｅ又はＺｎ又はその合金である、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記殺生物性物質が、殺生物性金属を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記殺生物性金属が、銅、金、プラチナ、パラジウム、銀又はそれらの混合物を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記殺生物性金属が、銀を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属物体の金属が、チタン、ニオブ、タンタル、ジルコニウム及び／又はこれらの合金を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
陽極酸化が、リン酸、硫酸、酢酸又はアルカリ性塩基を含む電解液を使用して行われる、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
リン酸を、０．０１〜５Ｍの濃度で使用する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記殺生物性物質を含有する溶液と接触させる前に、陽極酸化済みの前記金属物体を溶媒で処理して電解液及び可溶性カチオンを除去する、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
陽極酸化を、０．１〜２５ｍＡ／ｃｍ2の範囲の電流密度で行う、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
陽極酸化中、少なくとも工程（ｂ）のピット成長段階中、前記金属物体の表面に対しての前記電解液の動きを阻害する又は抑制する、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
複数回の不動態化工程を含む、請求項１〜１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法によって製造される金属物体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの支持層（２）と、焼結された軸受メタル層（１０）とを備え、前記焼結された軸受メタル層（１０）が、少なくとも層の一区域で勾配層として形成されている軸受用複合材において、
前記軸受メタル層（１０）が、少なくとも２つの連続で積層された焼結層（１２、１４、１６）から成り、第１の粉末材料による第１の焼結層が支持層（２）上に積層され、第２の粉末材料による第２の焼結層が第１の焼結層上に積層されていること、および
層の粉末材料が、勾配を形成しながら浸透していることを特徴とするすべり軸受用複合材。
【請求項２】
前記勾配層の割合が、前記軸受メタル層（１０）の厚さの少なくとも３０％であることを特徴とする請求項１に記載のすべり軸受用複合材。
【請求項３】
前記軸受メタル層（１０）が、鉛を含まない材料から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載のすべり軸受用複合材。
【請求項４】
各焼結層の粉末材料が、マトリクス材料から成る少なくとも１つの第１の粉末成分を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項５】
各焼結層の粉末材料がマトリクス材料だけから成ること、
前記マトリクス材料が同じ材料から成ること、および
前記マトリクス材料の粒径が互いに異なることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項６】
前記第１の粉末成分が、大きな粒径または小さな粒径の粒子から成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項７】
前記軸受メタル層（１０）内の小さな粒径の分率が、支持層（２）からの間隔が増すにつれて増えることを特徴とする請求項６に記載のすべり軸受用複合材。
【請求項８】
少なくとも１つの焼結層の粉末材料が、少なくとも１種の添加材料から成る少なくとも１種の第２の粉末成分を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項９】
前記第１の焼結層（１２）の第１の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第１の粉末成分が大きな粒子から成ることを特徴とする請求項４に記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１０】
前記第１の焼結層（１２）の第１の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第１の粉末成分が小さな粒子から成ることを特徴とする請求項４に記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１１】
前記第１の焼結層（１２）の第２の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第２の粉末成分が大きな粒子から成ることを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１２】
前記第１の焼結層（１２）の第２の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第２の粉末成分が小さな粒子から成ることを特徴とする請求項８〜１１のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１３】
前記第１の焼結層（１２）の第２の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第２の粉末成分が軟質粒子から成ることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１４】
前記第１の焼結層（１２）の第２の粉末成分および／または前記第２の焼結層（１４）の第２の粉末成分が硬質粒子から成ることを特徴とする請求項８〜１３のいずれか一つに記載のすべり軸受用複合材。
【請求項１５】
請求項１によるすべり軸受用複合材から成るすべり軸受要素。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属物体を処理して、その上に金属物体と一体化しており且つ殺生物性物質を含む表面層を形成する方法であって、
（ａ）表面層にとっての基体を提供する金属物体を陽極酸化電解液と接触させ、前記金属物体に陽極酸化電圧を印加してその上に陽極酸化された一体化表面層を形成することによって金属を不動態化する工程、
（ｂ）陽極酸化電圧を印加し続けることによって、前記一体化表面層を貫通して前記基体まで至るピットを形成する工程、
（ｃ）電解液又は溶液と接触させての電気化学的又は化学的還元によって前記表面層に含水金属酸化物を生成する工程、
（ｄ）工程（ｃ）で得られた陽極酸化済みの前記金属物体を工程（ｃ）の電解液又は溶液から取り出し又は分離する工程、
（ｅ）前記陽極酸化済みの金属物体を、殺生物性物質を含有する溶液と接触させることによって、前記殺生物性物質を前記表面層に取り込ませる工程、
を含み、ピット形成工程（ｂ）における電圧が、不動態化工程（ａ）中に印加される最大電圧より低く、１５〜８５Ｖであることを特徴とする方法。
【請求項２】
ピット形成工程（ｂ）における電圧が２０〜７５Ｖである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ピット形成工程（ｂ）における電圧が２０〜６０Ｖである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
陽極酸化工程（ａ）及び（ｂ）が６０分以下の合計時間で行われる、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
不動態化工程（ａ）において印加する電圧を５Ｖ／秒以下で上昇させる、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
不動態化工程（ａ）において印加する電圧を段階的に上昇させる、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
複数回の不動態化工程（ａ）を含む、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
不動態化工程（ａ）において、電圧を、５０Ｖ未満の値で１〜２０分間に亘って維持してから前記最大電圧まで上昇させる、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記最大電圧まで上昇させる前に、電圧を、３〜３５Ｖの値で２〜５分間に亘って維持する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記最大電圧まで上昇させる前に、不動態化工程（ａ）において、電圧を５０Ｖ未満の値まで上昇させ、次にゼロに低下させる、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
工程（ａ）及び（ｂ）における陽極酸化で使用する電荷の量が０．５〜１０クーロン／ｃｍ2の範囲である、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記最大不動態化電圧が、３０〜２０００Ｖの範囲から選択される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
負電圧を金属物体に印加し、前記負電圧を３００秒未満で印加することにより、電気化学的還元によって工程（ｃ）において含水金属酸化物が生成される、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
不動態化工程（ａ）中、陽極酸化電解液を攪拌し、及び／又はピット形成工程（ｂ）中、金属物体の表面に対しての電解液の動きを阻害する、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法によって製造される、医療処置で使用するための金属物体又は宝飾品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明のタービン１００の端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７は、複数のブレード１０５と交差して、これらの要素１０５、１０７を強固に係合して適切に負荷伝達する。図８Ａおよび図８Ｂは、複数のブレード１０５を少なくとも１つの端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７に結合するための技術の一実施形態を描いている。この実施形態では、複数のブレード１０５がガラス繊維のような繊維強化複合材料から成形される。複数のブレード１０５と端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは少なくとも１つの輪状体１０７との間の各交差部３００では、ブレード１０５がガラス繊維から成形される中実の非対称形状断面３０５を有する。したがって、交差部３００におけるブレード１０５の非対称形状断面３０５は、ブレード１０５における交差しない部分のハイドロフォイル形状断面２００とは異なる形状を有する。端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７との交差部３００に配置される非対称形状断面３０５は２つの平行な直線縁部３０７を備え、該直線縁部は、これらの２つの平行な直線縁部間で延びる長手方向直線縁部３０９によって離間される。この構造は、交差する端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７の外周縁に配置された、同様に形成される窪み３１０と係合する部分的に長方形の輪郭を伴う非対称形状断面３０５を与える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
一実施形態において、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７は、長方形状の窪み３１０が機械加工される中実材料から製造されてもよい。他の実施形態では、非対称形状断面３０５を受けるための窪み３１０が端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７の外周に形成されるように端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７が繊維強化複合体から成形されてもよい。いずれの実施形態でも、少なくとも１つの端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７が、非対称形状断面３０５に対応した形状を有してこの断面３０５を受け入れるための窪み３１０を備える。図８Ａおよび図８Ｂの実施形態では、細長い窪み３１０の長手方向軸が端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７の径方向と垂直でない角度を成す。この実施形態は、交差するブレード１０５のねじれに対応する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図８Ａおよび図８Ｂの実施形態は、ブレード１０５の非対称形状断面３０５を端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７に取り付けるためのボルト締めシステムを更に備える。ボルト締めシステムは、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７に形成され或いは機械加工されるとともに窪み３１０の長手方向軸に対して平行に延びる長手方向軸を有する楕円形状の切り欠き３１５を備える。切り欠き３１５および窪み３１０は、これらに挿通されて切り欠き３１５内に配置されるワッシャ３２５と係合する１つ以上の機械的な締結具３２０を支持するのに十分な幾らかの長さだけ、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７を横切って離間される。１つ以上の機械的な締結具は、たとえばボルト、ねじ、およびリベットなどであり、ブレード１０５の非対称形状断面３０５を貫通してワッシャ３２５と係合することにより、ブレード１０５を端部ディスク１０２ａ，１０２ｂまたは輪状体１０７に対して強固に締結する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
複数のブレード１０５、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７は、軽量金属や繊維強化複合体またはプラスチックなどの任意の耐久性のある軽量材料から製造できる。また、複数のブレード１０５、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７は中空または中実であってもよい。本発明の一実施形態では、複数のブレード１０５、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７がガラス繊維または炭素繊維強化複合体などの繊維強化複合体から回転モールド成形される。少なくとも端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび／または１つの輪状体１０７が複数のブレード１０５間で負荷を効率的に伝達し、それにより、応力を減少させて偏向を減らすので、複数のブレード１０５は、炭素繊維強化複合体ではなく、費用効率が高い軽量な繊維強化複合体１０５から製造するのが有益である。本発明の他の実施形態において、複数のブレード１０５、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７は、ポリヒドロキシブチレート系プラスチック、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ナイロン、アクリル、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、硫化ポリフェニル、シリコーン、および、ポリウレタンからなるグループから選択されるがこれらに限定されない、高強度プラスチック材料から製造される非中空部材である。複数のブレード１０５、端部ディスク１０２ａ，１０２ｂおよび少なくとも１つの輪状体１０７は、機械加工、回転モールド製法、押出成形、または、射出成形などの任意の数の既知の製造方法によって形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対的に密度の高い外側リムを有するフライホイールのバランスを取る方法であって、
気体流入手段を有し少なくとも部分的な真空を収納する真空チャンバ内でフライホイールを回転させるステップと、
前記フライホイールの回転中に、前記気体流入手段を制御して予め定められた量の気体を前記真空チャンバ内に流入させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記フライホイールリムが複合材料リムであることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フライホイールが表面の凹凸を有することを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記リムの表面が実質的に音速でまたは音速を越えて移動するように前記フライホイールを回転させることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
熱が材料状態を変化させることを特徴とする請求項４に記載の方法。
【請求項６】
気体の流入時に、前記表面の凹凸と前記真空チャンバの壁との間の気体に超音波衝撃波が発生することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記真空チャンバの壁と前記フライホイールリムとの間の空隙が狭く、好ましくは約１０ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記気体が不活性であり、好ましくは窒素であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記フライホイールが最初に従来の方法でバランス取りされることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記真空が１ｍｂａｒの圧力よりも優れていることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
気体流入時の圧力変化が、前記真空チャンバの圧力を約０．５ｂａｒよりも高めるのに十分であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記フライホイールの内側部分が亜音速で移動するように前記速度が選択されることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
気体の流入後に、予め定められた期間、音速と実質的に等しいかまたは音速を上回るリム表面速度で前記フライホイールが回転し続けることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記期間が約１０秒から６０秒の間であることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
流入する気体が無視できる量の水蒸気しか含まないことを特徴とする請求項１ないし１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
相対的に密度の高い外側リムを有するタイプのフライホイールのバランスを取る装置であって、
前記フライホイールを回転可能に取り付ける手段を有する真空チャンバと、
前記フライホイールリムの表面が実質的に音速でまたは音速を超えて移動するような予め定められた回転速度で前記フライホイールを回転させる駆動手段と、
前記真空チャンバ内に真空を閉じ込め、前記フライホイールの回転中に予め定められた量の気体を前記真空チャンバ内に流入させる制御が可能であるバルブ手段と、
を含む装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（ＩＩ）
【化１】
2012522125.tif 000001
で示される３−第三ブチルトルエン
および／または式（ＩＩＩ）
【化２】
2012522125.tif 000002
〔式中、基
Ｒは、メチルまたはＣ（Ｏ）Ｒ’を意味し、この場合Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状アルキル基を表わす〕で示される３−第三ブチルベンジル化合物
および／または式（ＩＶ）
【化３】
2012522125.tif 000003
で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルをメタノール、少なくとも１つの導電性塩ならびに場合により１つの補助溶剤または複数の種々の補助溶剤を含む電解液中で電気化学的陽極メトキシル化することにより、式（Ｉ）
【化４】
2012522125.tif 000004
で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造する方法。
【請求項２】
式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンだけを出発物質として使用する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
導電性塩としてメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートおよび／またはメチルトリエチルアンモニウムメチルスルフェートを使用する、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
導電性塩としてメチルトリブチルアンモニウムメチルスルフェートを使用する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
補助溶剤としてジメチルカーボネートおよび／またはプロピレンカーボネートを使用する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
電解液中の導電性塩の濃度を０．１〜２０質量百分率（質量％）の範囲内で選択する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
電気化学的陽極メトキシル化を３５〜７０℃の範囲内の電解液の温度で実施する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
電気化学的陽極メトキシル化を５００〜１０００００ミリバールの範囲内の絶対圧で実施する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
電気化学的陽極メトキシル化を１０〜１００ｍＡ／ｃｍ2の範囲内の電流密度で実施する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
電気化学的陽極メトキシル化をプレートスタックセルを使用して実施する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
電気化学的陽極メトキシル化を連続的に実施する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールの製造および引続く加水分解を含む式（ＶＩＩＩ）
【化５】
2012522125.tif 000005
で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドの製造法。
【請求項１３】
３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタール。
【請求項１４】
式（ＩＶ）
【化６】
2012522125.tif 000006
で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテル。
【請求項１５】
式（ＶＩＩ）
【化７】
2012522125.tif 000007
〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
この課題は、
式（ＩＩ）
【化１】
2012522125.tif 000008
で示される３−第三ブチルトルエンおよび／または式（ＩＩＩ）
【化２】
2012522125.tif 000009
〔式中、基
Ｒは、メチルまたはＣ（Ｏ）Ｒ’を意味し、この場合Ｒ’は、１〜６個の炭素原子を有する直鎖状または分枝鎖状アルキル基を表わす〕で示される３−第三ブチルメチルベンジル化合物および／または式（ＩＶ）
【化３】
2012522125.tif 000010
で示されるジ−（３−第三ブチルベンジル）エーテルをメタノール、少なくとも１つの導電性塩ならびに場合により１つの補助溶剤または複数の種々の補助溶剤を含む電解液中で電気化学的陽極メトキシル化することにより、式（Ｉ）
【化４】
2012522125.tif 000011
で示される３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールを製造するための方法を提供することによって解決された。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明による方法の１つの好ましい実施態様の範囲内で、式（ＩＩ）の３−第三ブチルトルエンだけが出発物質として使用される。本発明による電気化学的陽極メトキシル化の経過中に、そのことから最初に式（ＩＩＩ）の記載された化合物、殊に式（ＩＩＩａ）
【化５】
2012522125.tif 000012
〔式中、Ｍｅは、メチルを意味する〕で示される３−第三ブチル−メチルベンジルエーテルが形成されることができ、これは、次にその側で反応条件下で反応して望ましい生成物式（Ｉ）の３−第三ブチルベンズアルデヒドジメチルアセタールに変わりうるかまたはさらに反応されうる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月11日(2013.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの予め決められたアウトプットの生成により達成される高温の固体の処理方法の主要な目的の特定の性質が何であるかに基づいて、前記少なくとも一つの予め決められたアウトプットを生成するために選択的に実行可能な高温の固体の処理方法であって、
発電目的のために使用される例えば水素などの供給原料の生成、発電および他の工業的な使用を目的として使用される合成ガスの生成、発電および他の使用のための蒸気の生成、プロセス熱の生成、農業目的のための二酸化炭素の生成、および液化炭化水素の生成のために使用される水素の生成のうちの少なくとも２つの目的のために選択的に実行可能なように、前記高温の個体の処理方法を構成するステップと、
前記高温の固体の処理方法の前記目的の中から少なくとも２つを選択するステップと、
還元装置として動作可能な第１の装置を提供するステップと、
酸化装置として動作可能な第２の装置を提供するステップと、
硫黄を含んでいる固体の炭素を含んでいる燃料およびカルシウム源の両方を前記還元装置に対するインプットとして供給するステップと、
前記酸化装置に対するインプットとして空気を供給するステップと、
前記還元装置の中において、前記硫黄を含んでいる固体の炭素を含んでいる燃料の中の硫黄を前記カルシウム源により捕獲させて、前記還元装置の中に硫化カルシウムを生成させるステップと、
前記還元装置からアウトプットとして前記硫化カルシウムを外に出し、その後に当該硫化カルシウムを前記酸化装置に対するインプットとして供給するステップと、
前記酸化装置の中において、前記酸化装置に対するインプットとして供給された前記硫化カルシウムから硫酸カルシウムを生成するステップと、
前記酸化装置の中において生成された前記硫酸カルシウムを前記酸化装置からアウトプットとして外に出し、その後に当該硫酸カルシウムを前記還元装置に対するインプットとして供給するステップと、
高温の固体の処理方法の主要な目的の特定の性質が何であるかに基づいて、少なくとも一つの予め決められたアウトプットを選択的に生み出すステップと、
前記選択された目的の第１の目的および第２の目的に応じて前記還元装置を構成するステップと、
前記選択された目的の前記第１の目的および前記第２の目的に応じて前記酸化装置を構成するステップと、
前記還元装置の中の硫酸カルシウムを酸素源および熱源の両方として利用することによって前記還元装置の中において前記硫黄を含んでいる固体の炭素を含んでいる燃料から第１の予め決められたアウトプットを生み出すことと、前記酸化装置の中において発熱反応を起こしながら硫化カルシウムを燃やし前記酸化装置の中で前記硫化カルシウムを燃やしている間に発生する熱から前記酸化装置の中において第１の予め決められたアウトプットを生み出すことのうちの一つを実行することにより、前記高温の固体の処理方法の選択された前記第１の目的に対応する第１の予め決められたアウトプットを選択的に生み出すステップと、
前記還元装置の中の硫酸カルシウムを酸素源および熱源の両方として利用することによって前記還元装置の中において前記硫黄を含んでいる固体の炭素を含んでいる燃料から第２の予め決められたアウトプット生み出すことと、前記酸化装置の中において発熱反応を起こしながら硫化カルシウムを燃やし前記酸化装置の中の前記硫化カルシウムを燃やしている間に発生する熱から前記酸化装置の中において第２の予め決められたアウトプットを生み出すことのうちの一つを実行することにより、前記高温の固体の処理方法の選択された前記第２の目的に対応する第２の予め決められたアウトプットを選択的に生み出すステップと、
前記還元装置または前記酸化装置から、前記第１の予め決められたアウトプットおよび前記第２の予め決められたアウトプットを外に出すステップと
を備える高温の固体の処理方法。
【請求項２】
選択された前記第１の目的に応じて前記還元装置を構成するステップは、さらに、前記還元装置に対する付加的なインプットとして蒸気を供給するステップを備える
請求項１に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項３】
前記第１の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第１の目的は、発電のために使用される水素の生成である
請求項２に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項４】
前記第１の予め決められたアウトプットは前記還元装置の中において選択的に生み出される
請求項３に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項５】
前記第１の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第１の目的は、発電および他の工業的な使用のために使用される合成ガスである
請求項２に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項６】
前記第１の予め決められたアウトプットは前記還元装置の中において選択的に生み出される
請求項５に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項７】
選択された前記第２の目的に応じて前記酸化装置を構成するステップは、さらに、前記酸化装置に対する付加的なインプットとして水を供給するステップを備える
請求項１に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項８】
前記第２の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第２の目的は、発電および他の使用のための蒸気の生成である
請求項７に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項９】
前記第２の予め決められたアウトプットは前記酸化装置の中において選択的に生み出される
請求項８に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１０】
前記第２の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第２の目的は、プロセス熱の生成である。
請求項７に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１１】
前記第２のアウトプットは前記酸化装置の中において選択的に生み出される
請求項１に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１２】
前記第１の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第１の目的は、農業目的の二酸化炭素の生成である
請求項１に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１３】
前記第１の予め決められたアウトプットは前記還元装置の中において選択的に生み出される
請求項１２に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１４】
前記第１の予め決められたアウトプットの生成により達成される前記高温の固体の処理方法の選択された前記第１の目的は、液化炭化水素の生成のために使用される水素などの供給原料の生成である
請求項１に記載の高温の固体の処理方法。
【請求項１５】
前記第１の予め決められたアウトプットは前記還元装置の中において選択的に生み出される
請求項１４に記載の高温の固体の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバを備えた逆変位非対称ロータリエンジンであって、前記チャンバは、
アイランド外面を有する固定されたアイランドであって、前記アイランド外面は長尺状の凸形状を有する前記アイランドと、
前記アイランドの前面に取付けられた前プレートと、
前記アイランド外面に向けて付勢された凹形状の移動可能な輪郭部であって、前記輪郭部は前記アイランドの周りに回転し、前記輪郭部の内面および前記アイランド外面の間に作用容積部を画定する前記輪郭部と、
少なくとも１つの前プレート係合軸受であって、該前プレート係合軸受は前記移動可能な輪郭部の前面から前記前プレートのガイドエッジを越えて延び、前記ガイドエッジに係合する前記前プレート係合軸受とを備える逆変位非対称ロータリエンジン。
【請求項２】
前記輪郭部は、前記輪郭部の円周方向に沿った両端部にそれぞれ配置された２つの前プレート係合軸受を備える請求項１に記載のエンジン。
【請求項３】
前記２つの前プレート係合軸受は、リード端軸受と、終端軸受とを備え、前記リード端軸受および前記終端軸受の一方は、
前記移動可能な輪郭部の前面から、前記リード端軸受および前記終端軸受の他方より長く延び、
前記前プレートのガイドエッジは、異なる形状を有する二つのガイドエッジを備え、第１のガイドエッジは、前記リード端軸受および前記終端軸受の一方上に配置され、第２のガイドエッジは、前記リード端軸受および前記終端軸受の他方上に配置される請求項２に記載のエンジン。
【請求項４】
前記チャンバは、
前記固定されたアイランドの少なくとも一部および前記輪郭部を内部に配置するリム内面と、
前記リム内面に係合する軸受であって、前記移動可能な輪郭部の外面から延びる前記軸受とをさらに備え、
前記リム内面は、前記輪郭部を前記アイランドに向けて付勢することによって、前記前プレート係合軸受を前記ガイドエッジに係合させるような形状を有する請求項２に記載のエンジン。
【請求項５】
吸気ポートおよび排気ポートを有する後プレートをさらに備え、
前記排気ポートは、燃焼行程の排気段階における前記作用容積部において、前記作用容積部の前記後プレート上への突出部によって、少なくとも部分的に画定される弓形形状を備える請求項４に記載のエンジン。
【請求項６】
前記吸気ポートは、前記燃焼行程の吸気段階における前記作用容積部において、前記作用容積部の前記後プレート上への突出部によって、少なくとも部分的に画定される弓形形状を備える請求項５に記載のエンジン。
【請求項７】
前記エンジンは、前記アイランドの円周方向に沿った対向する端部上に配置された少なくとも１つのポートを備え、該ポートは、吸気ポートおよび排気ポートの少なくとも一方として作用するように構成され、
前記チャンバにおいて燃焼は発生しない請求項５に記載のエンジン。
【請求項８】
請求項７に記載のエンジンによる圧縮空気駆動エンジン。
【請求項９】
前記弓形形状は流線制御構造を有する請求項６に記載のエンジン。
【請求項１０】
前記弓形形状は、前記後プレート上に配置される第２後プレート内に加工される請求項６に記載のエンジン。
【請求項１１】
前記移動可能な輪郭部は、
前記前面および前記後プレートに係合する側面シールと、
円周方向に沿って対向するアペックスシールであって、前記輪郭部が前記アイランドに向けて付勢される際に、前記アイランド外面に係合する前記アペックスシールとをさらに備える請求項６に記載のエンジン。
【請求項１２】
前記アペックスシールは鋳鉄製である請求項８に記載のエンジン。
【請求項１３】
前記後プレートは、前記燃焼行程の圧縮段階において所定領域に配置される点火プラグ受け入れポートを備える請求項６に記載のエンジン。
【請求項１４】
前記移動可能な輪郭部は、前記輪郭部の内面を通って延びる点火プラグ受け入れポートを備え、該点火プラグ受け入れポートは、点火プラグ電極を前記作用容積部に進入させる請求項４に記載のエンジン。
【請求項１５】
前記アイランドの厚み方向に通って加工される弁チャネルと、
前記弁チャネルから前記アイランド外面を通って加工される１つ以上の開口と、
長孔を有するバレル弁であって、該バレル弁は前記弁チャネルに回転可能に配置され、燃料を前記作用容積部に選択的に給送する前記バレル弁とを備える請求項４に記載のエンジン。
【請求項１６】
前記バレル弁は、前記クランクシャフトポートにおいてクランクシャフトに直接的に噛み合う歯車付ディスクを備え、該歯車付ディスクは、前記チャンバにおいて前記輪郭部が移動することによって、前記バレル弁が前記作用容積部に燃料を選択的に給送するように構成される請求項１５に記載のエンジン。
【請求項１７】
前記アイランドの厚み方向に通って延びる弁ポートと、該弁ポート内に回転可能に配置されたロータリ弁とを備え、前記ロータリ弁は、燃焼行程の間、前記吸気ポートを選択的に覆うか、覆わない請求項６に記載のエンジン。
【請求項１８】
前記ロータリ弁は複数の開口を有するディスクを備え、前記ディスクは前記後プレートに接触して配置され、前記吸気ポートを覆って延びる請求項１７に記載のエンジン。
【請求項１９】
前記ロータリ弁は、前記クランクシャフトポートにおいてクランクシャフトに直接的に噛み合う歯車付ディスクを備え、該歯車付ディスクは、前記チャンバにおいて前記輪郭部が移動することによって、前記ロータリ弁が、前記燃焼行程の間、前記吸気ポートを選択的に覆うか、覆わないように構成される請求項１８に記載のエンジン。
【請求項２０】
前記輪郭部は、排気ガスの再循環を可能にする再循環ポートを備える請求項５に記載のエンジン。
【請求項２１】
前記後プレートの後面上の前記排気ポートに配置される制御弁をさらに備え、該制御弁は、排気段階でない前記燃焼行程において、前記排気ポートを密封する請求項６に記載のエンジン。
【請求項２２】
前記制御弁はペタル弁である請求項２１に記載のエンジン。
【請求項２３】
前記制御弁はロータリ弁である請求項２１に記載のエンジン。
【請求項２４】
複数の移動可能な輪郭部を備える請求項４に記載のエンジン。
【請求項２５】
前記後プレートおよびリム外面は同一の形状を有する請求項６に記載のエンジン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
チャンバを備えた逆変位非対称ロータリエンジンが提供される。チャンバは、アイランド外面を有する固定されたアイランドを備える。アイランド外面は、長尺状の凸形状である。チャンバは、アイランドの前面に取り付けられた前プレートを備える。凹形状の移動可能な輪郭部が備えられており、該輪郭部は、アイランド外面へ向けて付勢されると共に、アイランドの周りで回転する。作用容積部は、輪郭部の内面およびアイランド外面の間に画定される。少なくとも１つの前プレート係合軸受が設けられており、移動可能な輪郭部の前面から、前プレートのガイドエッジを越えて延びている。前プレート係合軸受は、ガイドエッジに係合する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のブロックアドレスと関連付けられる未処理不揮発性第１のメモリセルに論理状態を書込むステップと、
書込むステップの間に不揮発性第２のメモリセルに熱的前処理を同時に適用するステップとを備え、第２のメモリセルは第１のブロックアドレスに応答して選択される第２のブロックアドレスと関連付けられる、方法。
【請求項２】
制御回路と、第１のブロックアドレスと関連付けられる未処理不揮発性第１のメモリセルと、第２のブロックアドレスと関連付けられる未処理第２の不揮発性メモリセルとを備える装置であって、制御回路は、第２のメモリセルに熱的前処理を同時に適用しながら第１のメモリセルに論理状態を書込むように構成され、第２のメモリセルは第１のブロックアドレスに応答して選択されて前記熱的前処理される、装置。
【請求項３】
第１および第２のメモリセルはメモリセルの行および列を備えるアレイに配置され、第１のメモリセルは第１の行および第１の列上に配設され、第２のメモリセルは異なる第２の行および異なる第２の列上に位置決めされる、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
制御回路は、書込コマンドを受信して第１のブロックアドレスにある第１のメモリセルに論理状態を書込み、かつ第１のブロックアドレスを用いて第２のブロックアドレスを同定して第２のメモリセルに対するその後の書込コマンドの将来の受信を予測するようにさらに構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項５】
第１のメモリセルは、第１のブロックアドレスを有し、かつ第１の複数の隣接するメモリセルを備える第１のアドレス指定可能メモリブロックの部分を形成し、制御回路は、第１の複数の隣接するメモリセルの各々への選択された論理状態の書込みを命令し、第２のメモリセルは、第２のブロックアドレスを有し、かつ第２の複数の隣接するメモリセルを備える第２のアドレス指定可能メモリブロックの部分を形成し、制御回路は、第２の複数の隣接するメモリセルの各々への熱的前処理電流の印加を命令する、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
第１のメモリブロックはデータ記憶アレイの第１の行に沿って配置され、第２のメモリブロックはデータ記憶アレイの異なる第２の行に沿って配置される、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
第１のブロックアドレスはブロックアドレスＮとして特徴付けられ、第２のブロックアドレスはブロックアドレスＮ＋１として特徴付けられる、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
第１および第２のメモリセルはデータキャッシュ中のメモリセルとして特徴付けられ、第１のブロックアドレスはデータキャッシュの第１のキャッシュ線Ｎとして特徴付けられ、第２のブロックアドレスはデータキャッシュの第２のキャッシュ線Ｎ−１として特徴付けられる、請求項２に記載の装置。
【請求項９】
熱的前処理の結果、第２のメモリセルの温度が上昇し、制御回路は、第２のメモリセルが上昇した前記温度を保持する間、前記第２のメモリセルに熱的前処理を同時に適用した後に第２のメモリセルに第２の論理状態を書込むようにさらに構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項１０】
予め定められた時間間隔の終わりに制御回路に指示を与えるタイミング機構をさらに備え、制御回路は、前記指示に応答して、第２のメモリセルに対する前記熱的前処理のさらなる適用を打ち切る、請求項２に記載の装置。
【請求項１１】
タイミング機構は、ＲＣ電圧減衰を用いて予め定められた時間間隔の終わりを示す抵抗−容量結合型（ＲＣ）回路を備える、請求項１０に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月20日(2012.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体部品（１）であって、
・少なくとも２つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）を有しており、当該半導体チップは、相違する波長領域で電磁ビームを作動中に放出するように構成されており、かつ共通担体（４）の取り付け面（４０）に取り付けられており、
・非回転対称に形成されている少なくとも２つのレンズ体（４）を有しており、当該レンズ体は、相互に直交する２つの方向（Ｈ、Ｖ）に沿って、前記取り付け面（４０）に対して平行に、かつ前記半導体部品（１）の主放射方向（Ｚ）に対して垂直に、相違する放射角度（α）で前記ビームを成形するように構成されており、
前記各半導体チップ（２）には、放射方向（Ｚ）において前記レンズ体（３）の１つが後方配置されている、オプトエレクトロニクス半導体部品において、
少なくとも１つまたは全てのレンズ体（３）の表面形状は、各レンズ体（３）の高さ（Ｔ）の最大１０％のｚ値の偏差内で、以下の式に従っている：
ｚ（ｘ、ｙ）＝−０．３３８６６ｘ２−０．９３２３４ｙ２−０．５４１３６ｘ４−１．２５０３２ｘ２ｙ２＋１．７８６０６ｙ４＋０．５００５７ｘ６＋１．２７１７０ｘ４ｙ２＋０．０６０４２ｘ２ｙ４−４．４４９６０ｙ６−０．１０３４４ｘ８＋１．５６２０５ｘ６ｙ２＋６．３８８３３ｘ４ｙ４＋２．０５２６８ｘ２ｙ６−１８．７８１８ｙ８−０．１５８５０１ｘ１０−２．９５５７７４ｘ８ｙ２−１０．７３３３６ｘ６ｙ４−２６．６６１３４ｘ４ｙ６−２．３４４６４６ｘ２ｙ８＋０．１２７７７０ｙ１０
ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項２】
前記半導体部品（１）によって放出される全体ビームの色位置は、光学的なファーフィールドにおいて、観察角度に依存して、少なくとも３０°の角度領域にわたって最大でＣＩＥＬＵＶ規準色表の０．０２単位ぶん変化する、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項３】
前記半導体部品（１）によって放出される全体ビームの色位置は、観察角度に依存して、第１の方向（Ｈ）においては１１０°の角度領域内で、第２の方向（Ｖ）においては４０°の角度領域内で、ＣＩＥＬＵＶ規準色表の０．０４単位よりも僅かに変化する、請求項２記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項４】
前記レンズ体（３）のアスペクト比は、相互に直交する方向（Ｈ、Ｖ）に関して、０．３から０．９までの間にある、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項５】
前記相互に直交する方向（Ｈ、Ｖ）に沿った、前記レンズ体（３）の最大伸長（Ｌ１、Ｌ２）は最大で、当該相応する方向（Ｈ、Ｖ）に沿った半導体チップ（２）の最大寸法（Ｃ１、Ｃ２）の９倍である、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項６】
前記レンズ体（３）の高さ（Ｔ）は、前記相互に直交する方向（Ｈ、Ｖ）に沿った、前記レンズ体（３）の最大伸長（Ｌ２）の０．２５倍から０．９５倍までの間である、請求項１から５までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項７】
前記隣接するレンズ体（３）は、前記半導体チップ（２）によって放射されるビームに関して、光学的に相互に絶縁されている、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項８】
前記レンズ体（３）の集光角度（β）は、割り当てられている半導体チップ（２）によって放射されるビームに関して、水平方向（Ｈ）に沿って少なくとも１４５°であり、垂直方向（Ｖ）に沿って少なくとも１３０°である、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項９】
前記レンズ体（３）はそれぞれ異なって形成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１０】
前記レンズ体（３）は、前記取り付け面（４０）の平面図で、三角形、四角形、またはさらなる中央レンズ体（３）を含んでいる四角形に配置されている、請求項１から９までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１１】
前記レンズ体（３）と前記半導体チップ（２）との間に、鋳造体（５）が設けられており、放射方向で見て、前記レンズ体（３）は当該鋳造体（５）上に配置されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１２】
前記全てのレンズ体（３）、または、全てのレンズ体（３）と鋳造体（５）とは、１つの部分として形成されており、かつ同じ材料から成る、請求項１から１１までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１３】
外部ビームに対する少なくとも１つの遮蔽部（６）を含んでいる、請求項１から１２までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）。
【請求項１４】
多数の画素を有している表示装置（１０）であって、
・少なくとも１つの画素が、請求項１から１３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体部品（１）によって形成されており、
・隣接する画素の間の間隔（Ｄ）は４ｍｍから７５ｍｍまでの間である、ことを特徴とする表示装置（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月22日(2013.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記重力グリッパは２つの隆起部を有し、前記２つの隆起部は、前記ウエハーの角が前記２つの隆起部の間にはまった状態で前記ウエハーが配置されるように、前記重力グリッパの両側に配置され、かつ遠端部に対し一定の角度に向けられる、請求項１４に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも１つの活性量子井戸（２）を有し、
動作中、前記活性量子井戸（２）において電磁波が生成され、
前記活性量子井戸（２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向に、相互に重なったＮ個のゾーン（Ａ）を有し、ただし、Ｎは３以上の自然数であり、
前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの平均インジウム含有率ｃは相互に異なり、
前記活性量子井戸（２）は、条件
【数１】
2012522390.tif 000001
を満たし、ただし、前記成長方向ｚに対して平行な方向に順に前記ゾーン（Ａ）に連続番号を付与すると、ｃｉはｉ番目の前記ゾーン（Ａ）の平均インジウム含有率であり、ｗｉは前記ｉ番目のゾーン（Ａ）の幅であり、
前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）の前記ゾーン（Ａ）の各インジウム含有率ｃは一定であり、
ここで、前記インジウム含有率ｃは無次元で、単位％で表されており、ｚは無次元で、単位ｎｍで表されており、
前記成長方向ｚに対して平行に前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向における前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも３つの連続するゾーンの平均インジウム含有率に、
ｃｉ＜ｃｉ＋１  かつｃｉ＋１＞ｃｉ＋２
が適用される、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）において、
ｃｉ＜ｃｉ＋２であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記成長方向ｚに平行に、前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向に順に前記ゾーン（Ａ）に連続番号を付した場合、該成長方向ｚに対して平行に前記半導体チップ（１）のｐ端子側（ｐ）からｎ端子側（ｎ）に向かう方向における前記ゾーン（Ａ）の少なくとも一部の平均インジウム含有率に、
ｃｊ＞ｃｊ＋１  かつｃｊ＋２＞ｃｊ＋１  かつｃｊ＞ｃｊ＋２
が適用される、
ただし、ｉおよびｊは自然数であり、かつｉ≠ｊである、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項３】
Ｎは３〜１０であり、
前記活性量子井戸（２）の全幅（Ｗ）は０．２５ｎｍ〜１２ｎｍである、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項４】
前記活性量子井戸（２）は、前記成長方向ｚに対して平行な方向に２〜５個である、請求項１から３までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項５】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも２つの非活性量子井戸（３）を有し、
前記非活性量子井戸（３）の各インジウム含有率は、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）の最大インジウム含有率より小さい、請求項１から４までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項６】
少なくとも２つの隣接する前記活性量子井戸（２）間に、前記非活性量子井戸（３）が少なくとも１つ設けられている、請求項４および５記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項７】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも２つの導波層（４）を含み、前記少なくとも１つの活性量子井戸（２）は該導波層（４）間に設けられており、
前記導波層（４）のうち少なくとも１つの導波層は、少なくとも１つのキャリア障壁層（５）を含む、請求項１から６までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項８】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）はレーザ光を生成するために構成されている、請求項１から７までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項９】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は、４３０ｎｍ〜５４０ｎｍの電磁波を生成するために構成されている、請求項１から８までのいずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１０】
窒化物材料系をベースとするオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）であって、
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）は少なくとも１つの活性量子井戸（２）を有し、
動作中、前記活性量子井戸（２）において電磁波が生成され、
前記活性量子井戸（２）は、前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）の成長方向ｚに対して平行な方向に、相互に重なったＮ個のゾーン（Ａ）を有し、ただし、Ｎは２以上の自然数であり、
前記ゾーン（Ａ）には、前記成長方向ｚに対して平行な方向に順に連続番号が付されており、
前記ゾーン（Ａ）のうち少なくとも２つのゾーンの平均アルミニウム含有率ｋは相互に異なり、
前記活性量子井戸（２）は、
【数２】
2012522390.tif 000002
を満たすことを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。