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【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自然一方向性を有する音響表面波用変換器であって、
インターデジタル電極構造体が圧電結晶基板（１）に配置されており、
当該電極構造体は、集電電極（３；４）および櫛歯（２１；２２；２３；２４）からなるインターデジタル変換器（２）によって形成されており、
前記の櫛歯のうちの少なくとも２つの櫛歯（２１；２３）（２２；２４）は、変換器セルを構成し、
当該変換器セルは、電位の波を励起する少なくとも１つの励起中心部と、電位の波を反射する少なくとも１つの反射中心部とを有している、変換器において、
ａ）  前記の櫛歯（２１；２２；２３；２４）は向きＲに対して垂直に配向されており、ただし向きＲは、前記基板結晶の１回回転軸または３回回転軸に平行であり、
ｂ）  当該の向きＲに対して微分ｄｖ/ｄθ＝０が成り立ち、ただし
ｖは、前記表面波の位相速度であり、
θは、前記の櫛歯方向に対する垂直線と前記向きＲとの角度偏差であるが、前記基板結晶の対称面に対して垂直な方向は除外され、
前記インターデジタル電極構造体の配置に対し、前記基板結晶の対称面に対して平行な結晶基板表面、または基板結晶の２回回転軸、４回回転軸または６回回転軸に対して垂直な結晶基板表面は除外されることを特徴とする、
自然一方向性を有する音響表面波用変換器。
【請求項２】
前記の電極材料およびその層厚を選択して、各変換器セルにおける前記の励起中心部と反射中心部との間の位相シフトΦsは式
【数１】
2012525037.tif 000001
により、41.4°と48.6°との間か、-48.6°と-41.4°との間か、131.4°と138.6°との間か、または-138.6°と-131.4°との間であり、ただし
ωs1およびωs2は、短絡したインターデジタル変換器の共振周波数であり、
ωo1およびωo2は、無限に多くの櫛歯を有する閉じていないインターデジタル変換器の共振周波数であり、
各変換器セルにおいて前記の励起中心部と反射中心部との間隔は、前記の表面波の位相速度と、前記の変換器によって最大表面波振幅が放射される周波数との商の0.115と0.135との間か、-0.135と-0.115との間か、0.365と0.385との間か、または-0.385と-0.365との間にある、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項３】
前記電極構造体は、単層であるか、または複数層からなる層システムとして実施されている、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項４】
変換器セルには、極性が異なりかつ幅が同じ２つの櫛歯が含まれており、
櫛歯中央における当該櫛歯の間隔は、前記の表面波の位相速度と、前記の変換器によって最大表面波振幅が放射される周波数との商の0.5である、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項５】
前記の電極材料およびその層厚を選択して、極性が異なりかつ幅が同じ２つの櫛歯を有する１つの変換器セルにおいて櫛歯中央における当該の櫛歯の間隔が、表面波の位相速度と、前記変換器によって最大表面波振幅が放射される周波数との商の0.5であるようにした場合、１つの変換器セルには、幅の異なる櫛歯が含まれており、
前記の励起中心部と反射中心部との間隔は、前記の表面波の位相速度と、前記の変換器によって最大表面波振幅が放射される周波数との商の0.115ないし0.135と、-0.135ないし-0.115と、0.365ないし0.385と、-0.385ないし-0.365との範囲外にある、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項６】
前記の基板結晶は三方晶系に属する、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項７】
前記の基板結晶は、LiNbO3，LiTaO3，石英、またはランガサイト（[La3GaGa3(GaSi)O14]），ランガナイト（[La3(Ga0.5Nb0.5)Ga3Ga2O14]），ランガテイト（[La3(Ga0.5Ta0.5)Ga3Ga2O14]），CNGS（Ca3NbGa3Si2O14），CTGS（Ca3TaGa3Si2O14），SNGS（Sr3NbGa3Si2O14）またはSTGS（Sr3TaGa3Si2O14）からなるランガサイト族の結晶である、
請求項６に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項８】
前記の圧電結晶基板は、LiNbO3のＹ断面であり、
前記の櫛歯エッジは、３回回転軸またはＺ軸に対して垂直に配向されている、
請求項７に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項９】
前記の電極構造体を複数層からなる多層システムとして実施する場合、前記の電極材料のうちの少なくとも１つの電極材料の密度はアルミニウムの密度よりも大きい、
請求項３に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項１０】
前記の電極構造体を複数層からなる多層システムとして実施する場合、前記の電極材料のうちの１つの電極材料の、密度が高い状態における音響剪断波の位相速度は、密度が高い状態におけるアルミニウムの音響剪断波の位相速度よりも小さい、
請求項３に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項１１】
前記の電極材料は、銅、銀、金および白金からなるグループから選択され、
前記の電極構造体を複数層からなる多層システムとして実施する場合、少なくとも１つの層は当該グループの１つの電極材料から構成される、
請求項１または３に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項１２】
前記の基板、または基板および電極構造体は、電気絶縁層によって覆われている、
請求項１に記載の自然一方向性を有する変換器。
【請求項１３】
前記の基板および／または電気絶縁層における電極構造体の櫛歯は、部分的または完全にトレンチに埋め込まれており、
前記の櫛歯により、トレンチが完全に満たされるか、または部分的にだけ満たされている、
請求項１または１２に記載の自然一方向性を有する変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シーンにおけるユーザーの動作をキャプチャするための装置であって、
前記シーンの画像を受信するカメラコンポーネントと、
計算機実行可能命令を実行するプロセッサーと、を含んでいて、前記計算機実行可能命令が、
前記カメラコンポーネントから前記シーンの前記画像を受信するステップと、
前記ユーザーと関連付けられたモデルを前記画像内に生成するステップと、
前記ユーザーによる動作に応答し、前記モデルをトラッキングするステップと、
前記トラッキングされたモデルに基づいて前記ユーザーの動作に関するモーションキャプチャファイルをリアルタイムに生成するステップと、に関する命令を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ユーザーによる前記動作が、物理空間における前記ユーザーに関連付けられた体の１つ以上の部分の１つ以上の動作を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記トラッキングされたモデルに基づいて、前記ユーザーの前記動作に関する前記モーションキャプチャファイルをリアルタイムに生成するステップに関する前記命令が、
前記ユーザーによる前記動作に応答し、前記トラッキングされたモデルの第１のポーズをキャプチャするステップと、
前記トラッキングされたモデルの前記第１のポーズを含む前記モーションキャプチャファイル内の第１のタイムスタンプで第１のフレームをレンダリングするステップと、に関する命令を含むことを特徴とする請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記トラッキングされたモデルに基づいて、前記ユーザーの前記動作に関する前記モーションキャプチャファイルをリアルタイムに生成するステップに関する前記命令が、
前記ユーザーによる前記動作に応答し、前記トラッキングされたモデルの第２のポーズをキャプチャするステップと、
前記トラッキングされたモデルの前記第２のポーズを含む前記モーションキャプチャファイル中の第２のタイムスタンプで第２のフレームをレンダリングするステップと、に関する命令を含む請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記第１のフレーム及び前記第２のフレームが、前記第１のタイムスタンプ及び前記第２のタイムスタンプに対応する連続した時間順に前記モーションキャプチャファイルにレンダリングされることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
前記モデルが、関節と骨を有する骨格モデルを含むことを特徴とする請求項５記載の装置。
【請求項７】
前記第１のフレームが、前記第１のポーズにおける前記関節と前記骨を定義している第１のベクトル集合を含むことと、前記第２のフレームが、前記第２のポーズにおける前記関節と前記骨を定義している第２のベクトル集合を含むことと、を特徴とする請求項６記載の装置。
【請求項８】
シーンにおけるユーザーの動作をキャプチャするための計算機実行可能命令がストアされる計算機可読記憶媒体であって、前記計算機実行可能命令が、
前記シーンにおける画像を受信するステップと、
前記画像内に前記ユーザーのモデルを生成するステップと、
前記ユーザーによる動作を模倣するように前記モデルを調整するステップと、
前記調整されたモデルに基づいて、前記ユーザーの前記動作に関するモーションキャプチャファイルを生成するステップと、に関する命令を含むことを特徴とする計算機可読記憶媒体。
【請求項９】
前記ユーザーによる前記動作が、物理空間における前記ユーザーに関連付けられた体の１つ以上の部分の１つ以上の動作を含むことを特徴とする請求項８記載の計算機可読記憶媒体。
【請求項１０】
前記調整されたモデルに基づいて、前記ユーザーの前記動作に関する前記モーションキャプチャファイルを生成するステップに関する前記命令が更に、
前記調整されたモデルのポーズをキャプチャするステップと、
前記調整されたモデルの前記ポーズを含む前記モーションキャプチャファイル内のフレームをレンダリングするステップと、に関する命令を含むことを特徴とする請求項８記載の計算機可読記憶媒体。
【請求項１１】
前記モデルが、関節と骨を有する骨格モデルを含むことと、前記フレームが、前記ポーズにおける前記関節と前記骨を定義しているベクトル集合を含むことと、を特徴とする請求項１０記載の計算機可読記憶媒体。
【請求項１２】
更に、
前記モデルの前記関節及び前記骨をアバターの特定部分へマッピングするステップと、
前記調整されたモデルにおける前記関節と前記骨の動作を模倣するように前記アバターの前記特定部分を動画化するステップと、を含む請求項１１記載の計算機可読媒体。
【請求項１３】
ユーザーのモデルをレンダリングするためのシステムであって、
シーンの立体画像を受信するカメラコンポーネントを含むキャプチャ装置と、
前記キャプチャ装置と作用的に通信する計算装置を含んでいて、前記計算装置が、前記立体画像内に前記ユーザーのモデルを生成し、前記ユーザーによる動作に応答して前記モデルをトラッキングし、前記ユーザーの前記動作を前記トラッキングされたモデルに適用し、前記トラッキングされたモデルに基づいて前記ユーザーの前記動作に関するモーションキャプチャファイルをリアルタイムに生成するプロセッサーを含んでいることを特徴とするシステム。
【請求項１４】
前記プロセッサーが、前記モデルの関節及び骨を前記アバターの特定部分へマッピングし、前記トラッキングされたモデルの前記関節及び前記骨に適用される前記ユーザーの動作を模倣するように前記アバターの前記特定部分を動画化することによって、前記モーションキャプチャファイルを前記アバターに適用することを特徴とする請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記計算装置が更に、その上にストアされるジェスチャライブラリーを含むことと、前記プロセッサーが、前記トラッキングされたモデルに適用される前記１つ以上動作を前記ジェスチャライブラリーと比較し、前記モーションキャプチャファイルを前記アバターに適用するか否か決定することと、を特徴とする請求項１３記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前縁及び２個の側縁を有するベースと、
そのベースに連ね本ビーム整列室の長手方向沿いに設けられた第１及び第２側壁と、
ベースの前縁にあり出射孔を有する前壁と、
少なくとも一軸に関しビーム拡散が補正されていない光ビームを第１又は第２側壁越しに送り込む複数個の光源と、
それぞれ光源のうち少なくとも１個と対をなしており、対応する光源に発した光ビームが本ビーム整列室の長手方向に沿うよう転向し他の光ビームと共に平行光ビーム整列アレイとなり出射孔から出射されるよう、また光源から出射孔に至る光路がどの光ビームでもほぼ等しい長さになるようベースに複数個実装されており、且つ独立したヨー調整部材及びピッチ調整部材を有するベース側反射器と、
ビーム拡散を少なくとも一軸に関し補正すべく平行光ビーム整列アレイの光路上に配された１個又は複数個の光学素子と、
を備える細長いビーム整列室。
【請求項２】
請求項１記載のビーム整列室であって、形成される平行光ビーム整列アレイが二次元的な光ビームアレイになるよう個々のベース側反射器が一次元光源アレイと対をなすビーム整列室。
【請求項３】
複数本の光ビームを整列させる方法であって、
出射部を有する室又はその一部になるよう、ベースに連ね相対向する第１及び第２側壁を設けるステップと、
独立したヨー調整部材及びピッチ調整部材を有する反射器を、第１及び第２側壁から空間的に隔たるよう且つそれら側壁に対しある傾斜角を呈するよう、ベース沿いに複数個実装するステップと、
対をなす反射器によってその光ビームアレイが反射され他の光ビームアレイと共に光ビーム整列アレイとなって室の出射孔から出射されるよう、光ビームアレイ発生用の光源アレイを複数個準備するステップと、
少なくとも一軸に関しそのビーム拡散を補正する補正用光学素子を、個々の光源アレイからの光路長が互いに等しくなるよう光ビーム整列アレイの光路上に配置するステップと、
を有する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月22日(2013.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバで用いる検出回路装置であって、
第１の可撓コネクタ端と、第２の可撓コネクタ端と、少なくとも１つのスリットとを有する可撓コネクタであって、前記スリットの少なくとも一部は、前記第１の可撓コネクタ端および前記第２の可撓コネクタ端の間に引かれた線に平行な方向に配置され、前記第１の可撓コネクタ端は前記可動下側電極に接続され、前記第２の可撓コネクタ端は前記プラズマ処理チャンバの構成要素に接続され、前記可撓コネクタは、前記可動下側電極と前記プラズマ処理チャンバの前記構成要素との間に低インピーダンス電流路を提供するよう構成される、可撓コネクタと、
前記スリットの片側に配置されたコネクタ材料を通る電流フローを検出するための手段であって、前記スリットの前記片側に配置された前記コネクタ材料の周りに少なくとも巻かれた少なくとも１つのコイルと、前記電流フローを検出するために前記コイルに接続された検出回路とを含む手段と、
を備える、検出回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の検出回路装置であって、前記検出回路は、前記電流フローの変化が所定の閾値を超える時を決定するために、前記電流フローに関して収集された１組のパラメータを解析するよう構成される、検出回路装置。
【請求項３】
請求項２に記載の検出回路装置であって、前記１組のパラメータは、共振周波数およびインピーダンスの少なくとも一方を含む、検出回路装置。
【請求項４】
請求項３に記載の検出回路装置であって、前記可撓コネクタは複数のスリットを備え、前記複数のスリットは単一の検出回路に接続される、検出回路装置。
【請求項５】
請求項３に記載の検出回路装置であって、前記可撓コネクタは複数のスリットを備え、前記複数のスリットの各スリットは個別の検出回路に接続される、検出回路装置。
【請求項６】
請求項３に記載の検出回路装置であって、交流電流（ＡＣ）信号が、前記コイルに印加される、検出回路装置。
【請求項７】
請求項６に記載の検出回路装置であって、前記ＡＣ信号は、前記電流フローに関連する周波数とは異なる周波数を有する、検出回路装置。
【請求項８】
可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバで用いる検出回路装置であって、
第１の可撓コネクタ端と第２の可撓コネクタ端とを有する可撓コネクタであって、前記第１の可撓コネクタ端は前記可動下側電極に接続され、前記第２の可撓コネクタ端は前記プラズマ処理チャンバの構成要素に接続され、前記可撓コネクタは、前記可動下側電極と前記プラズマ処理チャンバの前記構成要素との間に低インピーダンス電流路を提供するよう構成される、可撓コネクタと、
前記可撓コネクタを通る電流フローを検出するための手段であって、検出回路に取り付けられた少なくとも１つのコイルを含む手段と、
を備える、検出回路装置。
【請求項９】
請求項８の検出回路装置であって、前記電流フローを検出するための手段は、前記下側電極が上下動される時の前記可撓コネクタの条件を前記電流フローを検出するための手段が模倣することを可能にするために予伸長される、検出回路装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の検出回路装置であって、前記電流フローを検出するための手段は、枝分かれ構成を有する、検出回路装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の検出回路装置であって、前記枝分かれ構成は、少なくとも２つの枝を備える、検出回路装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の検出回路装置であって、前記電流フローを検出するための手段は、１組の受動構成要素を備え、前記１組の受動構成要素は、１組の抵抗器、１組のインダクタ、および、１組のコンデンサの内の１つを備える、検出回路装置。
【請求項１３】
請求項８に記載の検出回路装置であって、前記検出回路は、前記電流フローの変化が所定の閾値を超える時を決定するために、前記電流フローに関して収集された１組のパラメータを解析するよう構成される、検出回路装置。
【請求項１４】
請求項８に記載の検出回路装置であって、交流電流（ＡＣ）信号および直流電流（ＤＣ）信号の内の少なくとも一方が、前記コイルに誘導される、検出回路装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の検出回路装置であって、前記ＡＣ信号および前記ＤＣ信号の内の前記少なくとも一方は、前記可撓コネクタを通る前記電流フローに関連する周波数とは異なる周波数を有する、検出回路装置。
【請求項１６】
プラズマ処理中に電流路の断絶を特定するための方法であって、
可動下側電極を有するプラズマ処理チャンバを準備する工程と、
第１の可撓コネクタ端と第２の可撓コネクタ端とを有する可撓コネクタを準備する工程であって、前記可撓コネクタは、検出回路に接続された少なくとも１つのコイルを有し、前記検出回路に接続された前記コイルは、前記可撓コネクタを通る電流フローを少なくとも検出するために構成される、工程と、
前記第１の可撓コネクタ端を前記可動下側電極に取り付け、前記第２の可撓コネクタ端を前記プラズマ処理チャンバの構成要素に取り付ける工程であって、前記可撓コネクタは、前記可動下側電極と前記プラズマ処理チャンバの前記構成要素との間に低インピーダンス電流路を提供するよう構成される、工程と、
を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記可撓コネクタは、少なくとも１つのスリットを備え、前記コイルは、少なくとも前記スリットの周りに巻かれ、前記スリットの少なくとも一部は、前記第１の可撓コネクタ端と前記第２の可撓コネクタ端との間に引かれた線と平行な方向に配置される、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、前記検出回路に接続された前記コイルは、接着剤を用いて前記可撓コネクタに固定され、前記検出回路に接続された前記コイルは、前記下側電極が上下動される時の前記可撓コネクタの条件を前記検出回路に接続された前記コイルが模倣することを可能にするために予伸長される、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、さらに、前記電流フローに関する１組のパラメータについてのデータを少なくとも収集する工程と、前記電流フローの変化が所定の閾値を超える時を決定するために、前記検出回路を用いて前記１組のパラメータを解析する工程と、を備える、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、前記コイル上に交流電流（ＡＣ）信号および直流電流（ＤＣ）信号の少なくとも一方を誘導する工程を備え、前記ＡＣ信号および前記ＤＣ信号の前記少なくとも一方は、前記可撓コネクタを通る前記電流フローに関連する周波数とは異なる周波数を有する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及び第２の表面を有する基板と、
前記基板の第１の表面の上に設けた第１の端部及び第２の端部を有し、かつ動作周波数（λ）の１／４の奇数倍の長さを有する細片と、
前記基板の前記第２の表面上に設けられ、かつ前記細片の第１の端部が接続された接地平面と、
前記細片の第２の端部に隣接し、かつ前記接地平面に接続された接地電極とを備え、
前記細片の第２の端部と前記接地電極との間には放電隙間が設けられ、
さらに、前記細片への給電用電源への接続のためのコネクタと
を備えたことを特徴とするプラズマ発生器。
【請求項２】
前記基板が誘電材料を含んでなる平面基板であり、前記細片が金属細片からなることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項３】
前記接地平面に対して前記細片の第１の端部を接続させるために基板を介して設けられた第１のビアをさらに備えると共に、前記接地平面に対して前記接地電極を接続させるために基板を介して設けられた第２のビアを備えることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項４】
前記コネクタは、電源のインピーダンスに適合するインピーダンスを供給するために、前記細片の上の任意の位置に配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項５】
大気圧または大気圧近傍でプラズマを発生し、前記プラズマの温度が３００〜１０００°Ｋであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項６】
プラズマ発生器アレイを形成するために前記基板の第１の表面上に複数の細片をさらに設けたことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ発生器。
【請求項７】
プラズマ発生器アレイであって、
第１の表面及び第２の表面を有する基板と、
前記基板の第１の表面に設けられた複数の強固に接続された共振細片とを備え、
該共振細片の端部と、対応する接地電極との間に複数の放電隙間が設けられ、かつ該放電隙間は互いに隣接しており、
さらに、少なくとも一つの細片への電力供給のために電源と接続するためのコネクタと
を備えたことを特徴とするプラズマ発生器アレイ。
【請求項８】
前記放電隙間が互いに同一直線上にあることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項９】
前記基板の第２の表面上に設けられた接地平面をさらに有することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１０】
前記各共振細片が動作周波数（λ）の１／４の奇数倍の長さを有することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１１】
電力は一つの共振細片へのみ供給され、残りの共振細片は共振結合を介してプラズマを発生することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１２】
大気圧又は大気圧近傍の圧力で連続なプラズマを生み出し、プラズマ温度が３００〜１０００°Ｋであることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１３】
前記放電隙間は、概ね円形配置で配列されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１４】
少なくとも２以上の周波数を含む入力電力を供給する電源をさらに備え、それぞれの周波数が前記アレイの異なる動作モードを励起することを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１５】
前記基板を通して延びる開口部をさらに備えると共に、前記放電隙間はリング状のプラズマを形成するために該開口部の周囲に配列されていることを特徴とする請求項７に記載のプラズマ発生器アレイ。
【請求項１６】
基板上に設けた複数の強固に結合された共振細片を有してなるプラズマ発生器アレイに電力を供給し、前記各共振細片の端部と、対応する接地電極との間に複数の放電隙間を設け、該放電隙間は互いに隣接して設けられて連続したプラズマを発生させることを特徴とするプラズマ発生方法。
【請求項１７】
前記プラズマが、実質的に線形又は実質的にリング形状の何れかであるように放電隙間が配置されることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ発生方法。
【請求項１８】
前記各共振細片の長さが、供給電力の動作周波数（λ）の１／４の奇数倍であることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ発生方法。
【請求項１９】
少なくとも２以上の動作周波数で電力を供給することをさらに備え、それぞれの動作周波数は前記アレイの異なる動作モードを励起することを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ発生方法。
【請求項２０】
一つの共振細片へ電力を供給し、共振結合を介して残りの共振細片へプラズマを発生することをさらに備えたことを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ発生方法。
【請求項２１】
発生するプラズマでそこに配置された対象物を処理するために前記基板を介して延びる開口部を備え、前記開口部の周囲に放電隙間を設けることをさらに備え、前記対象物はワークピース又は流体の一つであることを特徴とする請求項１６に記載のプラズマ発生方法。
【請求項２２】
前記プラズマで前記流体を光イオン化させるか、前記流体中で蛍光を誘発するかの何れかをさらに備えることを特徴とする請求項２１に記載のプラズマ発生方法。
【請求項２３】
各細片の端部と対応する接地電極との間に互いに隣接する複数の放電隙間を区画する複数の強固に結合された共振細片を有してなるプラズマ発生器アレイを供給し、
前記プラズマ発生器アレイの少なくとも一つの細片に電源を接続し、
前記プラズマ発生器アレイの近くに変性させるべき表面の位置を定め、
前記表面を変性させるために連続したプラズマを発生させることを特徴とする基板表面の変性方法。
【請求項２４】
前記放電隙間が実質的に同一直線上にあり、前記プラズマが実質的に線形プラズマであるか、または前記放電隙間を概ね円形配置すると共に、前記プラズマがリング状プラズマであることを特徴とする請求項２３に記載の基板表面の変性方法。
【請求項２５】
前記プラズマが、前記表面から材料を除去するか、前記基板の表面の化学的性質を変性するかの何れか一つを前記表面の材料に加えるにより該表面を変性することを特徴とする請求項２３に記載の基板表面の変性方法。
【請求項２６】
前記プラズマが、前記表面を変性するために気体と反応することを特徴とする請求項２３に記載の基板表面の変性方法。
【請求項２７】
前記気体が、シランガスであり前記表面がシリコンの堆積により変性されるか、フッ化炭素ガスであり前記表面がエッチングにより変性されるかの何れかであることを特徴とする請求項２６に記載の基板表面の変性方法。
【請求項２８】
前記線状プラズマが、大気圧又は大気圧近傍の圧力で発生され、前記プラズマの温度が３００〜１０００°Ｋであることを特徴とする請求項２３に記載の基板表面の変性方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードであって、
・半導体ボディ（１）を有しており、当該半導体ボディ（１）は、ビームを生成するために設けられている活性領域（１１）を含んでおり、
・担体（２）を有しており、当該担体（２）は、前記半導体ボディ（１）の上面（１ａ）で当該半導体ボディ（１）に固定されており、当該担体（２）はルミネセンス変換材料を含んでおり、殊にセラミックルミネセンス変換材料から成り、
・ミラー層（３）を有しており、当該ミラー層（３）は、前記上面（１ａ）に反している、前記半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）で当該半導体ボディ（１）に被着されており、
・２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）を有しており、当該２つのコンタクト層のうちの第１のコンタクト層（４ａ）は前記半導体ボディ（１）のｎ型ドーピング領域（１３）と導電性接続されており、当該２つのコンタクト層のうちの第２のコンタクト層（４ｂ）は前記半導体ボディ（１）のｐ型ドーピング領域（１２）と導電性接続されている発光ダイオードであって、
少なくとも１つのチャネル（９）が前記担体（２）を貫通している、
ことを特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
前記２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）のうちの少なくとも１つのコンタクト層から前記半導体ボディ（１）内に、および／または前記半導体ボディ（１）の方に向かって、少なくとも１つのチャネル（９）が設けられており、当該チャネルは導電性材料（９１）によって充填されており、当該導電性材料は前記半導体ボディ（１）および前記２つのコンタクト層（４ａ、４ｂ）の１つのコンタクト層と導電性接続されている、請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
少なくとも１つのチャネル（９）は前記ミラー層（３）を貫通している、請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
作動中に活性領域（１１）内で生成される電磁ビームは、前記担体（２）を通ってのみ、当該発光ダイオードから出射する、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記担体（２）の少なくとも１つの側面（２ｃ）は、前記半導体ボディ（１）の少なくとも１つの側面（１ｃ）と同一平面を成す、請求項１から４までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項６】
カバー層（５）が前記半導体ボディ（１）の少なくとも１つの側面（１ｃ）を完全に覆っている、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記カバー層（５）は前記担体（２）および／または前記ミラー層（３）を側方で覆っている、請求項６記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記担体（２）はセラミックのルミネセンス変換材料から成る、請求項１から７までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項９】
取り出し構造（６）が前記半導体ボディ（１）と担体（２）との間に配置されており、当該取り出し構造（６）および半導体ボディ（１）の材料の屈折率は最大で３０％相違する、請求項１から８までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記取り出し構造（６）の材料は前記半導体ボディ（１）の材料とは異なっており、前記取り出し構造（６）の材料は以下の物質のうちの１つを含んでいる、または以下の物質うちの１つから成る：ＴｉＯ２，ＺｎＳ，ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＢＮ，Ｔａ２Ｏ５、請求項９記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記半導体ボディ（１）と前記担体（２）との間に接続手段（７）が配置されており、当該接続手段は、前記半導体ボディ（１）と前記担体（２）との間の機械的な接続を仲介する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記接続手段（７）の屈折率は、前記半導体ボディ（１）の屈折率と少なくとも３０％相違する、請求項１１記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記接続手段（７）は、前記取り出し構造（６）を、露出している外面で包囲している、請求項１１または１２記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
発光ダイオードを製造する方法であって、以下のステップを以下の順番で有している：すなわち、
・半導体ボディ（１）を提供するステップと、
・当該半導体ボディ（１）の上面（１ａ）に担体（２）を被着するステップと、
・前記半導体ボディ（１）から成長基板（１４）を剥離するステップと、
・前記担体（２）に反している、半導体ボディ（１）の下面（１ｂ）に、ミラー層（３）を形成するステップと、
・当該ミラー層（３）および／または前記担体（２）を通って、前記半導体ボディ（１）内に達するおよび／または前記半導体ボディ（１）へと向かうチャネル（９）を形成するステップと、
・当該チャネル（９）を導電性材料（９１）によって充填するステップと、
・コンタクト層（４ａ、４ｂ）を形成するステップを有しており、ここで当該コンタクト層（４ａ、４ｂ）を前記導電性材料（９１）と導電性接続し、少なくとも１つのチャネル（９）が前記担体（２）を貫通している、
ことを特徴とする、発光ダイオードを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月9日(2013.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、ニッケル−亜鉛バッテリ反応は以下のように示される：
Ｚｎ＋２ＮｉＯＯＨ＋Ｈ2Ｏ←→ＺｎＯ＋２Ｎｉ（ＯＨ）2    （５）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
過硫酸ナトリウムと水酸化ナトリウムに関する典型的な反応は以下に示すものである：
Ｎａ2Ｓ2Ｏ8＋２Ｎｉ（ＯＨ）2＋２ＮａＯＨ  →  ２Ｎａ2ＳＯ4＋２ＮｉＯＯＨ＋２Ｈ2Ｏ      （８）
Ｎａ2Ｓ2Ｏ8＋２Ｃｏ（ＯＨ）2＋２ＮａＯＨ  →  ２Ｎａ2ＳＯ4＋２ＣｏＯＯＨ  ＋２Ｈ2Ｏ    （９）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
陽極は陰極にたいしてセパレータ４０５の向かい側にある。陽極にも電気化学的活性層４０７及び電極下地層４０９が含まれる。陽極の層４０７には水酸化ニッケル、酸化ニッケル、及び／又はオキシ水酸化ニッケルが電気化学的活性物質として、種々の添加剤と共に含まれてよい。これらはすべて上記の如くである。電極下地層４０９は例えばニッケル泡状マトリクス、又はニッケル金属シートであってよい。ニッケル泡状マトリクスが使用される場合、層４０７は一つの連続的電極となることに留意されたい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射コーティングと１つ又はそれ以上の電導的に接続されたＬＥＤとを有する回路基板の製造方法であって、前記反射コーティングは前記回路基板の面に印刷され、保護層としての透明な又は一部が透明な被覆層がインクジェット印刷により前記反射コーティングに印刷される、製造方法であり、
前記回路基板の前記面に、先ず、前記反射コーティングが塗布される前に、下地層がインクジェット印刷により塗布され、前記反射コーティングが、金、銀等の貴金属を有する酸化物層として設計され、少なくとも１つのＬＥＤ及び少なくとも１つの反射コーティングが備えられた回路基板の製造のために、次の処理ステップであって：
ａ）下地回路基板基材を露出して、前記ＬＥＤのための設置面を生成するための凹部を形成するように、上部導体層を露出するステップ；
ｂ）前記ＬＥＤのための前記設置面に隣接して電導性結合面を配置するステップ；
ｃ）前記上部導体層にはんだマスクを塗布するステップ；
ｄ）前記下地層を一回又は複数回印刷するステップ；
ｅ）インクジェット印刷により前記ＬＥＤのための前記設置面及び前記結合面の周囲領域に前記反射コーティングを印刷するステップ；並びに
ｆ）前記反射コーティングの少なくとも一部を覆う前記被覆層を印刷するステップ；
を有する製造方法。
【請求項２】
前記下地層は三次元形状を有することを特徴とする、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記回路基板の積層処理中に、後に塗布される前記反射コーティングの場所において加圧プレートにより銅（導体層）の表面に三次元の凸部及び凹部が形成されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記反射コーティングの形成のために、先ず、銀の層が、後続する銅の電気メッキによる塗布のためのプライマとして用いられることを特徴とする、請求項１乃至３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記反射コーティングは構造化露光により形成されることを特徴とする、請求項１乃至４の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記反射コーティングは、電気メッキ又は湿式化学的処理による塗布の後に、平滑化されることを特徴とする、請求項１乃至５の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記反射コーティングは、ポジ（凸状）形状又はネガ（凹状）形状に曲面化されることを特徴とする、請求項１乃至６の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記回路基板は、加圧成形又は熱成形処理により、少なくとも前記反射コーティングの前記場所で三次元的に形状化される、請求項１乃至７の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記反射コーティングの前記場所における前記回路基板の曲率は、機械的形状化であって、例えば、成形、スタンピング、ミリング又は他の機械的処理により得られる、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記反射コーティングの前記場所における前記回路基板の前記曲率は、インクジェット印刷の形式の塗布処理により得られることを特徴とする、請求項８又は９に記載の製造方法。
【請求項１１】
傾斜した壁を有する前記印刷された反射コーティング及び前記反射コーティング上に印刷された更なる層は傾斜した壁を形成するように同様に前記凹部の方に傾斜し、故に、全体としてミラーの傾斜した壁を構成することを特徴とする、請求項１乃至１０の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記壁の領域における印刷処理中に迅速なインクの硬化が実行され、故に、前記凹部の領域に備えられたＬＥＤにおけるフォーカシング効果を有する傾斜した反射面が形成されることを特徴とする、請求項１乃至１１の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
少なくとも前記ＬＥＤが色変換層により覆われることを特徴とする、請求項１乃至１２の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
複数のＬＥＤの各々が別個の色変換層により覆われることを特徴とする、請求項１乃至１３の何れか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４の何れか一項に記載の方法により製造される回路基板であって、照明目的で光源を有し、前記回路基板の導体に電導的に接続された少なくとも１つのＬＥＤを有し、前記光源の光が前記回路基板に備えられた少なくとも１つのリフレクタにより方向付けられた光に変換される、回路基板であり、前記反射コーティングは、非金属色素を有するインクを有する速乾性インク組成物を有することを特徴とする、回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
塗布のために、インクジェット印刷、シルクスクリーン印刷、パッド印刷及び他の塗布印刷方法が特に用いられる。同様に、下地層２は、反射コーティング３の層状湿式化学的塗布のための後続の湿式塗布処理のための下地層としての役割を果たすことが可能である。この場合、例えば、銀の層が、後続の銅の電気メッキによる塗布のためのプライマコートとして用いられることが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図１７及び１８は、反射コーティング３が、本発明に従って、層５、１３の傾斜した壁に印刷され、故に、迅速なインク１１の硬化が壁１６の領域で実行され、従って、反射コーティング３は、凹部６の領域に設けられるＬＥＤのフォーカシング効果を与える傾斜したリフレクタ面を構成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本発明の適用分野は、従って、標準的な回路基板、及びセンサ、例えば、フォトダイオードが備えられた回路基板に関連する。同様に、レーザダイオードが、特定の方向に発せられたビームを方向付ける又はフォーカシングするために用いられることが可能である。 故に、本発明に従った回路基板の特徴は、次のようにまとめられる。
１．全ての層２、３及び４（少なくとも層３）ははんだ耐性を有する必要がある。
２．三次元リフレクタを構成する下地層２又は複数の下地層２ａ乃至２ｃはエポキシ樹脂であることが可能である。
３．後のミラー層３（パラジウム等）が準備され、続いて、ミラーメッキにより、即ち、電気化学的に又は電気メッキによりコーティングされる。この場合、被覆層４が必ず必要である。
４．この被覆層４は、はんだ槽にも拘わらず、高い透明度が保たれる必要があり、これは、勿論、透明なはんだマスクラッカ、例えば、プロバイマー（ｐｒｏｂｉｍｅｒ）（登録商標）であることが可能である。
５．放物線形状のリフレクタのために、ＬＥＤエミッタが、略焦点に位置付けられることが可能である。
６．更に、リフレクタは一般に、波長特有の反射を有するため、反射コーティング３のリフレクタ材料は色変換又は色変調をもたらすことも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）と、アノード（２）およびカソード（９）と、該アノードと該カソードの間に配置された少なくとも１つの活性層（６）とを有する光電構成素子であって、
前記アノード（２）のカソード側表面上は、酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層（３）が直接配置されており、
前記酸化金属、前記窒化金属または前記酸化窒化金属に含まれる金属は、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の１つまたは複数の金属から選択されており、
前記誘電層（３）の上に、２０ｎｍ以下の厚さの正孔注入層（４）が直接配置されている光電構成素子。
【請求項２】
前記誘電層は０．１〜１００ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の光電構成素子。
【請求項３】
前記誘電層（３）は酸化アルミニウムからなる、請求項１または２に記載の光電構成素子。
【請求項４】
前記アノードは透明な導電性酸化物（ＴＣＯ）を含む、請求項１から３までのいずれか一項に記載の光電構成素子。
【請求項５】
前記誘電層（３）の層厚の均一性は、該誘電層に直接接する層の表面構造に依存しない、請求項１から４までのいずれか一項に記載の光電構成素子。
【請求項６】
前記誘電層（３）の厚さ変動は最大で１０％である、請求項１から５までのいずれか一項に記載の光電構成素子。
【請求項７】
前記誘電層（３）は、原子層デポジット（ＡＬＤ）によって作製可能である、請求項１から６までのいずれか一項に記載の光電構成素子。
【請求項８】
ＯＬＥＤとして構成されている、請求項１から７までのいずれか一項に記載の光電構成素子。
【請求項９】
酸化金属、窒化金属または酸化窒化金属を含有するか、またはそれらからなる非結晶誘電層を備える請求項１から８までのいずれか一項に記載の光電構成素子用のアノードの被覆方法であって、
金属Ｍは、アルミニウム、ガリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル、ランタン、および亜鉛からなる群の１つまたは複数の金属から選択されており、
Ａ）上に電極層が配置された基板を準備する工程と、
Ｂ）前記非結晶誘電層を原子層デポジット（ＡＬＤ）によって析出し、電極層を該誘電層により完全に覆う工程と、
Ｃ）前記非結晶誘電層の上に、２０ｎｍ以下の厚さの正孔注入層を取り付ける行程と、
を有する被覆方法。
【請求項１０】
前記工程Ｂ）は、プラズマのない原子層デポジット（ＡＬＤ）によって実施される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記工程Ｂ）の間に、以下の部分工程を記載の順序で複数回順次繰り返す、
Ｂ１）基板に前駆物質または酸化剤または還元剤が印加される吸収パルス工程；
Ｂ２）洗浄工程または真空化工程；
Ｂ３）吸収された前駆物質と、酸化剤または還元剤を基板に印加する、または吸収された酸化剤または還元剤と、前駆物質を印加する反応パルス工程；
Ｂ４）洗浄工程または真空化工程；
請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記工程Ｂ）は、少なくとも６０℃、最大１５０ｍｂａｒの圧力で実施される、請求項９から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記酸化剤は、水、オゾン、酸素、過酸化水素、およびそれら物質の混合物からなる群から選択される、請求項９から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記前駆物質は、金属アルカリ化合物、金属アルコキシド化合物、金属ジアルキルアミド化合物、および／または金属ハロゲン化合物である、請求項９から１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体（１）であって、
活性半導体積層部（１０）と、
反射性層系（２０）とを有しており、
前記反射性層系（２０）は、前記活性半導体積層部（１０）に当接する第１の誘電材料を含んだ第１のビーム透過性層（２１）と、金属層（２３）とを有しており、
前記金属層（２３）は前記第１のビーム透過性層（２１）の、前記活性半導体積層部（１０）とは反対側に配設されており、
前記第１のビーム透過性層（２１）と金属層（２３）との間に、第２のビーム透過性層（２２）が設けられており、
前記第２のビーム透過性層（２２）は付着性の改善された材料を含んでおり、該付着性の改善された材料に、前記金属層（２３）が直接被着されており、
前記付着性の改善された材料は、第１の誘電材料とは異なり、当該付着性の改善された材料に対する前記金属層（２３）の付着性が、第１の誘電材料に対する付着性に比べて向上するように選定され、
前記第１のビーム透過性層（２１）は、二酸化珪素（ＳｉＯ2）からなり、
前記第２のビーム透過性層（２２）の付着性の改善された材料は、ＡｌＮ、ＳｉxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＴａＮ、酸化インジウムタングステン、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛を含むグループから選択されており、
前記第２のビーム透過性層（２２）は、１０ｎｍ以下の層厚さＤを有していることを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項２】
前記金属層（２３）は、多層構造部を有しており、該多層構造部は、前記活性半導体積層部（１０）に向いた側に付着性介在層（２３Ａ）を含んでおり、該付着性介在層（２３Ａ）は、前記付着性の改善された材料に直接被着されており、前記付着性介在層（２３Ａ）はクロームからなっており、さらに前記付着性介在層（２３Ａ）は、１ｎｍ以下の層厚さを有している、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項３】
前記第２のビーム透過性層（２２）の付着性の改善された材料は、ＳｉxＮy又は酸化インジウム亜鉛又は酸化亜鉛である、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項４】
前記第２のビーム透過性層（２２）は、高い屈折率と低い屈折率を交互に有している複数の層対（２２Ａ，２２Ｂ）からなる層系を含んでおり、各層対の一つの層（２２Ｂ）は、前記付着性の改善された材料からなっている、請求項１から３いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項５】
前記金属層（２３）は、多層構造部を有しており、該多層構造部は、前記活性半導体積層部（１０）に向いた側に付着性介在層（２３Ａ）を含んでおり、該付着性介在層（２３Ａ）は、前記付着性の改善された材料に直接被着されており、さらに前記付着性介在層（２３Ａ）の、前記活性半導体積層部（１０）とは反対側に、反射器層（２３Ｂ）が含まれている、請求項１から４いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項６】
前記付着性介在層（２３Ａ）は、Ｔｉ，Ｔａ，Ａｌ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｃｒ，Ｎｉの金属のうちの少なくとも一つを含むか又はこれらの金属のうちの一つから形成されている、請求項５記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項７】
前記付着性介在層（２３Ａ）は、１ｎｍ以下の層厚さを有している、請求項５または６記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項８】
前記金属層（２３）は、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕの金属のうちの一つを含むか又はこれらの金属のうちの一つから形成されている、請求項１から７いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項９】
前記反射器層（２３Ｂ）は、Ａｌ，Ａｇ，Ａｕの金属のうちの少なくとも一つを含むか又はこれらの金属のうちの一つから形成されている、請求項５から７いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【請求項１０】
オプトエレクトロニクス半導体（１）であって、
活性半導体積層部（１０）と、
反射性層系（２０）とを有しており、
前記反射性層系（２０）は、前記活性半導体積層部（１０）に当接する第１の誘電材料を含んだ第１のビーム透過性層（２１）と、金属層（２３）とを有しており、
前記金属層（２３）は、前記第１のビーム透過性層（２１）の、前記活性半導体積層部（１０）とは反対側に配設されており、
前記第１のビーム透過性層（２１）と金属層（２３）との間に、第２のビーム透過性層（２２）が設けられており、
前記第２のビーム透過性層（２２）は付着性の改善された材料を含んでおり、該付着性の改善された材料には前記金属層（２３）が直接被着されており、
前記付着性の改善された材料は、第１の誘電材料とは異なっており、
前記第１の誘電材料は、二酸化珪素であり、
前記付着性の改善された材料は、窒素化合物であり、
前記窒素化合物は、ＡｌＮ、ＳｉxＮy、Ｓｉ3Ｎ4、ＴａＮを含むグループから選択されており、さらに、
前記金属層（２３）が多層構造部を有しており、該多層構造部は、前記活性半導体積層部（１０）に向いた側に付着性介在層（２３Ａ）を含んでおり、該付着性介在層（２３Ａ）は、前記付着性の改善された材料に直接被着されており、さらに前記付着性介在層（２３Ａ）の、前記活性半導体積層部（１０）とは反対側に、反射器層（２３Ｂ）が含まれていることを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月24日(2013.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実行ジョブスケジューリングシステム（１００）であって、
共有電子ノートブックと関連し、共有ノートブック情報に対して処理されたジョブのトラッキング情報を作成して維持するジョブトラッキングコンポーネント（１０２）と、
前記トラッキング情報に基づいて前記共有ノートブック情報に対してクライアントインスタンスによって新しいジョブを同期させるスケジューリングコンポーネント（１１２）と
を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記トラッキング情報はデータコレクションに保存されたファイルであり、前記データコレクションは前記ノートブックを示し、前記ファイルは処理されたジョブに関係したプロパティを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記スケジューリングコンポーネントが前記クライアントインスタンスからの前記新しいジョブを前記共有ノートブック情報に同期させるとき、前記クライアントインスタンスは前記共有ノートブック情報についてのアトミックロックを得ることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記新しいジョブは全ファイルジョブ又は増加分ジョブであることを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記共有ノートブック情報に対する増加分更新として前記新しいジョブを受け入れる増加分更新コンポーネントを更に含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記増加分更新のための前記新しいジョブは変更されたデータにだけ関係した変更のパケットであることを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記トラッキング情報は前記新しいジョブの最後の実行の時間情報を含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記スケジューリングコンポーネントは前記新しいジョブにランダム追加時間を加えて複数のクライアントによる同時ジョブ実行の発生を軽減することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項９】
ジョブスケジューリングのコンピュータ実行方法であって、
共有ノートブック情報に対して処理された複数のジョブのトラッキング情報を作成して維持すること（６００）と、
前記共有ノートブック情報に対する同期のためのジョブをスケジューリング処理すること（６０２）と、
前記トラッキング情報に基づいて前記共有ノートブック情報に対して前記スケジューリング処理したジョブを同期させること（６０４）と
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
ファイルサーバの前記共有ノートブック情報のルートレベルに前記トラッキング情報をデータとして保存することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記共有ノートブック情報に対する全ファイルの同期のために全ファイルジョブをスケジューリング処理することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１２】
前記共有ノートブック情報に対する部分的更新の同期のためにリビジョンジョブをスケジューリング処理することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１３】
前のリビジョンに従った前記トラッキング情報についてのテイクロックリビジョンを出力することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１４】
前記ジョブを実行する前に所定の制限時間だけ待機することを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。
【請求項１５】
前記トラッキング情報にアクセスして最後の実行ジョブについての時間情報を得ることを更に含むことを特徴とする請求項９記載の方法。