【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をアイソトロピック相から移動度が異なる結晶相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をアイソトロピック相から移動度が異なるスメクチック相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をスメクチック相から移動度が異なる結晶相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物を結晶相から移動度が異なるスメクチック相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物を結晶相から移動度が異なるアイソトロピック相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をスメクチック相から移動度が異なるアイソトロピック相へ相転移させることでデータを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をアイソトロピック相から移動度が異なる結晶相へ相転移させることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記結晶相から前記アイソトロピック相へ相転移させ、前記アイソトロピック相を保たせることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をアイソトロピック相から移動度が異なるスメクチック相へ相転移させることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記スメクチック相から前記アイソトロピック相へ相転移させ、前記アイソトロピック相を保たせることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項９】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をスメクチック相から移動度が異なる結晶相へ相転移させることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記結晶相から前記スメクチック相へ相転移させ、前記スメクチック相を保たせることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加することで前記有機化合物を加熱させて相転移させ、相転移させた相を保持する速度で冷却することで前記データを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物を結晶相から移動度が異なるスメクチック相へ相転移させ、前記スメクチック相を保たせることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記スメクチック相から前記結晶相へ相転移させることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物を結晶相から移動度が異なるアイソトロピック相へ相転移させ、前記アイソトロピック相を保たせることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記アイソトロピック相から前記結晶相へ相転移させることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１３】
第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層に挟持される有機化合物とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物は液晶性を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第１の電圧を印加し、前記有機化合物をスメクチック相から移動度が異なるアイソトロピック相へ相転移させ、前記アイソトロピック相を保たせることでデータを記録し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に第２の電圧を印加し、前記有機化合物を前記アイソトロピック相から前記スメクチック相へ相転移させることでデータを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
請求項４乃至６、請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に前記第１の電圧を印加することで前記有機化合物を加熱させて相転移させ、前記相転移させた相を保持する速度で冷却することで、前記データを記録することを特徴とする記憶装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれか一において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に前記第２の電圧を印加することで前記有機化合物を加熱させ、相転移させた相を保持しない速度で冷却して、相転移させることで、前記データを消去することを特徴とする記憶装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、
第３の導電層と前記第３の導電層上に設けられる半導体層と有し、
前記第１の導電層に接するように前記半導体層が設けられていることを特徴とする記憶装置。