(57)【要約】【課題】表示パネルやパネル体の基板の強度を上げることができる表示パネルの製造方法およびパネル体の製造方法を提供する。【解決手段】下側基板および上側基板からなる表示パネルにおける端子部にポリイミドテープを貼り付けた後（ステップＳ５１）、表示パネル全体をエッチング槽に浸す（ステップＳ５２）。そして、所定時間が経過すると、表示パネルをエッチング槽のエッチング液から引き上げ、エッチング液を除去する（ステップＳ５３）。その後、端子部からポリイミドテープを剥離する（ステップＳ５４）。このような工程によれば、金属の配線を腐食させることなく、下側基板および上側基板における全てのエッジを一時にソフトエッチングすることができ、作業効率が向上する。【選択図】図７
2008009356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
大サイズの基板を切断することによって複数の表示パネルを得る表示パネルの製造方法において、
大サイズの基板を切断して表示パネルを作製し、
前記表示パネルの切断面をソフトエッチングする
ことを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
表示パネルのそれぞれの切断面を含む部分を個別にエッチング液に接触させる
請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
上側基板と下側基板とが積層され、端面を有する略矩形板状の表示パネルの製造方法であって、
略矩形板の四端面のうちの各端面を個別にエッチング液に接触させる
請求項２記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されない領域があり、前記領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルの製造方法であって、
少なくとも前記配線が形成されている領域に保護膜を形成した後、表示パネル全体をエッチング液に浸す
請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
大サイズのガラス基板を切断することによって複数のパネル体を得るパネル体の製造方法において、
大サイズのガラス基板を切断してパネル体を作製し、
前記パネル体の切断面をソフトエッチングする
ことを特徴とするパネル体の製造方法。
【請求項６】
パネル体のそれぞれの切断面を含む部分を個別にエッチング液に接触させる
請求項５記載のパネル体の製造方法。
【請求項７】
パネル体が表面に電気配線が形成されたパネル体であり、少なくとも前記電気配線が形成されている領域に保護膜を形成した後、パネル体の全体をエッチング液に浸す
請求項５記載のパネル体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルなどの表示パネルの製造方法、および電極付きガラスパネルなどのパネル体の製造方法に関し、特に、表示パネルやパネル体の基板の強度を改善することができる表示パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルなどの平面型表示パネルは、薄型、軽量、低消費電力であるという特徴を有する。そのような特長を生かして、携帯電話機を始めとする小型軽量の端末機器に広く採用されている。小型軽量の端末機器に搭載される表示パネルは、携帯性をより向上させたいという要求やデザイン上の要求等から、さらなる薄型化が要請されている。また、液晶表示パネルに装備されているパネルヒータ等の電気配線（電極）付パネル体においても同様な薄型化が要請されている。液晶表示パネルを典型例として説明すると、液晶表示パネルの構造は、２枚のガラス基板等の基板の間に液晶材料等が注入された構造であるが、液晶表示パネルを薄型にするために、基板の厚さは、例えば研磨によって薄くされる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
液晶表示パネルを製造する場合には、大サイズの基板（複数の表示パネルとなる部分を含む基板）を切断することによって、複数の液晶表示パネルを得るようにすることが多い（例えば、特許文献１参照。）。ガラス基板を切断する方法として、例えば、ホイールカッタ等で切断箇所に切れ目（スクライブライン）を形成するスクライブ工程と、スクライブラインに沿って割断するブレーク工程とからなるスクライブ法がある（例えば、特許文献２参照。）。その他、レーザ光で切断箇所にスクライブラインを形成した後に割断するスクライブ法や、レーザ光でガラス基板を切断する方法や、水圧でガラス基板を切断するウォータージェット法などがある。
【０００４】
図１５は、特許文献２に記載されているガラス基板の切断面（斜線部分）を示す説明図である。特許文献２に記載されているように、ホイールカッタ６０によってスクライブライン２０を形成していくときに、スクライブライン２０の下部にリブマーク（Rib Mark）２１と呼ばれる割れ目が形成される。リブマーク２１は、スクライブライン２０から、スクライブライン２０の進行方向に対して後方下に垂れ下がるように形成される。また、特許文献２には、リブマーク２１とともに、円弧状のウォルナーライン（Wallner Line）２２と呼ばれる刻印が形成されることも記載されている。そして、特許文献２に記載されている発明では、基板の切断面において、ウォルナーライン２２を低減できるが、リブマーク２１の形成を防止することはできない。なお、図１５において、一つのリブマーク２１および一つのウォルナーライン２２にのみ符号が付されているが、多数のリブマーク２１およびウォルナーライン２２が形成される。
【０００５】
グリフィス（Griffith）の理論によれば、ガラス等の材料に割れ目（切れ目、傷）が生じた場合に、割れ目の深さを２ｃ、材料のヤング率をＥ、表面エネルギをγとすると、破壊強度σは、（１）式のように表される（例えば、非特許文献１参照）。
σ＝√（γＥ／ｃ）                                        ・・・（１）
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−７７９４５号公報（段落００１７−００２２）
【特許文献２】特開２０００−１１９０３１号公報（段落０００２）
【非特許文献１】「岩波  理化学事典」（第５版）岩波書店、１９９８年２月２０日、ｐ．３８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
非特許文献１には、割れ目の形状などにもとづいて（１）式を変形しうることが記載されているが、例えば、破壊強度σを（２）式のように表すことができる。（２）式において、ＫＩＣは破壊靭性値、ａは割れ目の長さ、Ｙは割れ目の形状にもとづく係数である。
【０００８】
σ＝（１／Ｙ）（ＫＩＣ／√ａ）                          ・・・（２）
【０００９】
（２）式において、割れ目の長さａが大きいほど、破壊強度σの値は小さくなる。また、Ｙの値は、割れ目の断面形状が鋭角的であるほど大きい。
【００１０】
図１６（Ａ）は、リブマーク２１が形成されたガラス基板の断面Ｄの一部を模式的に示す説明図である。図１６（Ｂ）は、ガラス基板の背面側から見た斜視図である。図１６に示すように、リブマーク２１の断面形状は鋭角的（略三角形）である。よって、（２）式より、破壊強度σの値は小さくなる。つまり、破壊し始める応力の値が小さくなる。すなわち、表示パネルの基板の強度が低下するという課題がある。
【００１１】
本発明は、上記のような課題を解決するための発明であって、表示パネルやパネル体の基板の強度を上げることができる表示パネルの製造方法およびパネル体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示パネルの製造方法は、大サイズの基板を切断することによって複数の表示パネルを得る表示パネルの製造方法であって、大サイズの基板を切断して表示パネルを作製し、表示パネルの切断面をソフトエッチングすることを特徴とする。
【００１３】
表示パネルのそれぞれの切断面を含む部分を個別にエッチング液に接触させるようにしてもよい。
【００１４】
製造方法は、上側基板と下側基板とが積層され、端面を有する略矩形板状の表示パネルの製造方法であって、略矩形板の四端面のうちの各端面を個別にエッチング液に接触させるようにしてもよい。
【００１５】
製造方法は、上側基板と下側基板とが積層された構造であり、上側基板と下側基板とのうちの一方には、他方の基板が積層されない領域があり、その領域には、電気信号を伝達するための配線が形成されている表示パネルの製造方法であって、少なくとも配線が形成されている領域に保護膜を形成した後、表示パネル全体をエッチング液に浸すようにしてもよい。
【００１６】
本発明によるパネル体の製造方法は、大サイズのガラス基板を切断することによって複数のパネル体を得るパネル体の製造方法であって、大サイズのガラス基板を切断してパネル体を作製し、パネル体の切断面をソフトエッチングすることを特徴とする。
【００１７】
パネル体のそれぞれの切断面を含む部分を個別にエッチング液に接触させるようにしてもよい。
【００１８】
製造方法は、パネル体が表面に電気配線が形成されたパネル体であり、少なくとも電気配線が形成されている領域に保護膜を形成した後、パネル体の全体をエッチング液に浸すようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、表示パネルやパネル体の切断面または表示パネルやパネル体の全体をソフトエッチングすることによって、切断面に形成されているリブマーク等の傷の断面形状の鋭角性が弱まって、破壊強度が高くなる。すなわち、表示パネルやパネル体の基板の強度を高くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について、液晶表示パネルなどの表示パネルを典型例として、図面を参照して説明する。
図１は、本発明による表示パネルの製造方法を示すフローチャートである。図２は、大サイズの基板である貼り合わせ基板４００の一例を示す平面図である。ここでは、表示パネルとして、ＴＦＴ（Thin Film Transistor ）型液晶表示パネルを例にする。貼り合わせ基板４００は、ガラス基板によるアレイ基板とガラス基板による対向基板とが一体化されたものである。一体化とは、例えば、接着剤で貼り合わされていることであるが、一般に、アレイ基板と対向基板とは直に接している訳ではない。
【００２１】
貼り合わせ基板４００から、それぞれが表示部（図１において破線で示す。）を有する複数の表示パネルが得られる。アレイ基板には、それぞれの表示部の信号ライン、走査ライン、ＴＦＴ、画素電極等が形成されている。対向基板には、それぞれの表示部毎のコモン電極等が形成されている。
【００２２】
アレイ基板と対向基板とは、シール材によって貼り合わせられている。ここでは、研磨前のアレイ基板の厚さおよび対向基板の厚さは、それぞれ、０．４ｍｍであるとする。アレイ基板および対向基板が研磨装置による機械的研磨によって薄型化された後、貼り合わせ基板４００が切断される。そして、切断後のそれぞれに対してシール材に設けられている注入口から液晶材料が注入されて液晶層が形成される。なお、切断前に、液晶滴下法（ＯＤＦ（One Drop Fill ））により液晶層を形成してもよい。
【００２３】
図３は、表示パネルの製造方法、特に表示パネルのエッチング方法を説明するための説明図である。図３（Ａ）に示すように、貼り合わせ基板を切断することによって得られた表示パネル１００は、アレイ基板が切断されて得られた下側基板２００と対向基板が切断されて得られた上側基板３００とが貼り合わせられた構造になっている。この実施の形態では、下側基板２００には、上側基板３００と対向しない領域（露出している領域，配線が設けられている領域）２０１があり、領域２０１には、ＭＰＵ（Micro Processing Unit ）等からの信号を伝達するためのフレキシブル基板（フレキシブルケーブル）を接続したり、駆動用ＩＣを搭載したり、表示部に至る信号線と駆動用ＩＣとを接続したりするための配線パターンすなわち電気信号を伝達するための配線が設けられている。なお、図３（Ａ）には、駆動用ＩＣがまだ実装されていない状態が示されている。
【００２４】
図１のフローチャートを参照して本発明による表示パネルの製造方法の工程を説明する。まず、アレイ基板および対向基板に電極等を形成する（ステップＳ１）。すなわち、アレイ基板に、信号ライン、走査ライン、ＴＦＴ、画素電極等を形成する。さらに、配向膜などを積層する。また、対向基板にコモン電極等を形成する。さらに、配向膜などを積層する。
【００２５】
そして、各表示部を区画するように配されたシール材および基板間の周辺部分に配された周辺シール材で、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせ、貼り合わせ基板４００を形成する（ステップＳ２）。ソフトエッチング前に液晶材料の注入を行うことが望ましい。ソフトエッチング後に液晶注入を行うと表示パネルの切断面に新たなクラックが発生することがあるからである。液晶層の形成方法として液晶滴下法を用いる場合には、両基板の貼り合わせと同時に液晶注入を行う。また、液晶層の形成方法として真空注入法を用いる場合には、シール材に液晶材料を注入するための注入口を設け、基板切断後に液晶材料を注入して液晶層を形成する。
【００２６】
次いで、貼り合わせ基板４００を研磨装置にセットする。ここでは、両面研磨装置を用いることにする。よって、貼り合わせ基板４００を両面研磨装置の上定盤と下定盤との間に挟む。そして、研磨装置に、上定盤による研磨量として０．３ｍｍを設定し、下定盤による研磨量として０．３ｍｍを設定し、研磨装置を作動させる（ステップＳ３）。研磨前の貼り合わせ基板４００の厚さは０．８ｍｍであるから、研磨後には、貼り合わせ基板４００の厚さは０．２ｍｍになる。なお、アレイ基板と対向基板との間には空隙が存在するが、その間隔は基板の厚さに比べて極めて小さい。また、ここでは、薄型の表示パネルを作製することを想定しているが、表示パネルの厚さが、アレイ基板（未研磨状態の基板）の厚さと対向基板（未研磨状態の基板）の厚さとの和の程度でよい場合には、ステップＳ３の工程は不要である。
【００２７】
次に、貼り合わせ基板４００を切断する（ステップＳ４）。ここでは、ホイールカッタでスクライブラインを形成するスクライブ工程と、スクライブラインに沿って割断するブレーク工程とからなるスクライブ法を使用することにする。よって、スクライブラインの下部にリブマークが形成される。
【００２８】
リブマークが形成される箇所は、図３（Ａ）に示す切断面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕである。すなわち、略矩形形状の板の端面（板状の六面体における広面積の２面以外の４面）である。略矩形形状は完全に矩形の形状であってもよいが、ここでは、製造誤差等を考慮して略矩形形状と表現する。特に、切断面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕにおいてスクライブラインに近い側である（図１５参照）。なお、図３（Ａ）において紙面背面側に位置する下側基板２００および上側基板３００の各切断面にもリブマークが形成されている。また、切断面Ｒ，Ｓは同一平面上にあり、切断面Ｔ，Ｕは同一平面上にあり、紙面背面側に位置する各切断面は同一平面上にある。すなわち、切断面Ｒ，Ｓについてのスクライブラインは、表示パネル１００の表面に直交する同一面上に位置し、切断面Ｒ，Ｓについてのスクライブラインは、表示パネル１００の表面に直交する同一面上に位置し、紙面背面側に位置する各切断面についてのスクライブラインは、表示パネル１００の表面に直交する同一面上に位置する。しかし、切断面Ｐと切断面Ｑについてのスクライブラインはずれている。
【００２９】
この実施の形態では、各切断面をソフトエッチングする。すなわち、下側基板２００および上側基板３００における強度が低下しやすいエッジ（稜および端面）をソフトエッチングする。ソフトエッチングを行うときに、例えば、ふっ酸（ふっ化水素：ＨＦ）、硫酸や硝酸などの強酸、もしくは苛性ソーダ、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどの強アルカリ、またはその化合物を含む水溶液等のエッチング液に、各切断面を接触させる。図３（Ｂ）には、切断面Ｔ，Ｕがソフトエッチングされる様子が模式的に示されている。すなわち、エッチング液５１が入っているエッチング槽５０に、切断面Ｔ，Ｕを含む表示パネル１００の一部を浸す。
【００３０】
図３（Ｃ）には、切断面Ｒ，Ｓがソフトエッチングされる様子が模式的に示されている。この場合にも、切断面Ｒ，Ｓを含む表示パネル１００の一部がエッチング液５１に浸される。しかし、切断面Ｒ，Ｓを含む表示パネル１００の一部がエッチング液５１に浸される場合、配線パターンが設けられている領域２０１の一部もエッチング液５１に浸される。領域２０１には、表示部から延びるＩＴＯなどの透明電極や金属配線などが存在する。それらが、エッチング液５１によって劣化する可能性もある。
【００３１】
そこで、切断面Ｒ，Ｓを含む表示パネル１００の一部をエッチング液５１に浸す場合には、領域２０１の上に保護層を形成する。例えば、エッチング液５１によってエッチングされない材質（例えば、シリコンや合成樹脂）のシートを保護層として領域２０１の上に貼り付ける。図３（Ａ）で紙面背面側に位置する各切断面をソフトエッチングするとき、切断面Ｐをソフトエッチングするとき、および切断面Ｑをソフトエッチングするときも同様である。保護層で保護された領域２０１がエッチング液５１に浸される工程が終了すると、保護層は除去される。なお、エッチングされる量、保護する配線の種類、および配線の形成位置等により、保護層を形成しなくてもよいこともある。
【００３２】
各切断面のソフトエッチングが完了すると、表示パネル１００を洗浄する（ステップＳ６）。例えば、純水を表示パネル１００に吹き付け、表示パネル１００から純水を流下させる。
【００３３】
そして、下側基板２００の表面側（上側基板３００に対向する面と反対側）に偏光板を貼り付け、上側基板３００の表面側（下側基板２００に対向する面と反対側）に偏光板を貼り付ける（ステップＳ７）
【００３４】
なお、上記の説明では、表示パネル１００の四辺に位置する各切断面のそれぞれを、個別に、または二つの切断面を同時にソフトエッチングしたが、領域２０１を保護層で保護した後、図４に示すように、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸すようにしてもよい。その場合には、表示パネル１００における全ての切断面が一時にソフトエッチングされる。
【００３５】
図５（Ａ）は、この実施の形態の表示パネルの製造方法によって作製された表示パネル１００の断面（斜線部分）Ｄ（切断面Ｐ，Ｑ，Ｒ，Ｓ，Ｔ，Ｕのそれぞれに相当する。）の一部を模式的に示す説明図である。図５（Ｂ）は、ガラス基板の背面側から見た斜視図である。図５に示すように、リブマーク２１の断面形状は曲線状である。よって、（２）式より、破壊強度σの値は、図１６に示されたような断面形状が鋭角的である場合に比べて、大きくなる。つまり、ガラス基板が破壊し始めるときの応力の値が大きくなる。すなわち、表示パネルの基板の強度が高くなる。
【００３６】
また、この実施の形態では、表示パネル１００における全ての切断面をソフトエッチングしたが、一部の切断面のみをソフトエッチングするようにしてもよい。例えば、切断面Ｔ，Ｕのみをソフトエッチングする。その場合には、他の切断面のリブマークは曲線状にならないが、切断面Ｔ，Ｕのリブマークは曲線状になってその部分の強度が上がり、いずれの切断面もソフトエッチングしない場合に比べて、表示パネル１００全体としての強度は高くなる。また、切断面Ｔ，Ｕのみをソフトエッチングする場合には、領域２０１に保護層を設ける必要はなく、工程が簡略化される。
【００３７】
なお、エッチング液５１におけるふっ酸の濃度に特に制限はないが、１０重量％程度のふっ酸またはその化合物を含む水溶液であることが好ましい。濃度が低い場合にはエッチングを完了するのに時間がかかり、濃度が高すぎると、エッチング速度が速くなってエッチング量を所望の程度にするための制御が難しくなる。また、エッチング液５１の温度は、室温（例えば、２２℃）程度でよい。温度が低い場合にはエッチングを完了するのに時間がかかり、温度が高すぎると、エッチング速度が速くなってエッチング量を所望の程度にするための制御が難しくなる。
【００３８】
また、エッチングを開始してから完了するまでの時間（エッチング時間）は、９０秒程度が好ましい。それよりも短いとリブマークの形状変化（鋭角的から曲線状への）の程度が少なく、エッチング時間が長いと、エッチングむらが生じ、また、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸す場合には表面に凹凸が生ずる可能性がある。
【００３９】
また、この実施の形態では、表示パネル１００の厚さとして０．２ｍｍを例示したが、それよりも薄い表示パネル１００であっても、本発明を適用可能であり、また、それよりも厚い例えば０．４ｍｍ程度以上の表示パネル１００であっても、本発明を適用可能である。
【００４０】
また、上記の説明では、リブマークの影響（強度を低下させること）を低減することによって表示パネル１００の強度を高める場合について説明したが、本発明によれば、切断面におけるリブマーク以外の傷の断面形状も鋭角的から曲線状に変化する。すなわち、リブマーク以外の傷の影響も低減される。例えば、レーザ光で切断箇所にスクライブラインを形成した後に割断するスクライブ法や、レーザ光でガラス基板を切断する方法や、水圧でガラス基板を切断するウォータージェット法などで貼り合わせ基板４００を切断した場合には、ホイールカッタでスクライブラインを形成した後に割断する場合に比べて、リブマーク等が生じにくい。
【００４１】
しかし、それらの方法を使用した場合でも、何らかの理由で上記のステップＳ５の工程の前に切断面に傷が付く可能性がある。例えば、ガラス基板はカセットに収納された状態で移動したり、カセットから出し入れされる。その際に、カセットと接触することで傷が生ずることがある。そのような傷についても、ソフトエッチングによって断面形状が鋭角的から曲線状に変化するので、その傷による強度への影響を低減できる。
【００４２】
さらに、図４に示すように、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸す場合には、表示パネル１００の切断面だけでなく、表示パネル１００の表面（切断面以外の面）に生じた傷の断面形状も、ソフトエッチングによって鋭角的から曲線状に変化する。よって、その傷による強度への影響（強度を低下させること）を低減できる。
【００４３】
上記のように、表示パネル１００全体をエッチング液５１に浸す場合には、領域２０１を保護層で保護することが好ましい。図６は、その理由を説明するための説明図である。図６の左側には、エッチング液５１が入っているエッチング槽５０に、表示パネル１００全体が浸されている様子が示されているが、領域２０１には、保護層は設けられていない。その状態で、数１０秒のソフトエッチングを行うと、金属配線７１，７２，７３に腐食が生ずることが確認された。図６において、金属配線７１，７２，７３上の曲線は腐食を示す。
【００４４】
そこで、領域２０１を保護層で保護する。図７は、領域２０１に保護層としてのポリイミドテープ８１を貼り付けてソフトエッチングする場合のエッチング工程を示すフローチャートである。図８（Ａ）は、領域２０１にポリイミドテープ８１が貼り付けられた状態でエッチング液５１が入っているエッチング槽５０に、表示パネル１００全体が浸されている様子が示されている。
【００４５】
なお、図８（Ｂ）の上段に示すように、黒色の矩形で示す配線が領域２０１全体に設けられていない場合には、図８（Ｂ）の中段に示すように、端子部７０のみにポリイミドテープ８１を貼り付ければよい。端子部７０とは、領域２０１における全ての配線を包含するような、例えば矩形領域を意味する。すなわち、端子部７０は、配線が形成されている領域である。なお、全ての配線が矩形領域に納まらない場合には、端子部７０の形状は、矩形ではなく、全ての配線を包含するような形状である。また、作業の容易等を考慮して、配線が領域２０１全体に設けられていない場合であっても、図８（Ｂ）の下段に示すように、領域２０１全体にポリイミドテープ８１を貼り付けてもよい。
【００４６】
図７に示すように、端子部７０にポリイミドテープ８１を貼り付けた後（ステップＳ５１）、表示パネル１００全体をエッチング槽５０に浸す（ステップＳ５２）。そして、所定時間が経過すると、表示パネル１００をエッチング槽５０のエッチング液５１から引き上げ、エッチング液を除去する（ステップＳ５３）。なお、ステップＳ５３の工程は、図１に示されたステップＳ６の工程に相当する。その後、端子部７０からポリイミドテープ８１を剥離する（ステップＳ５４）。
【００４７】
図７に示されたエッチング工程を実施することによって、金属の配線を腐食させることなく、下側基板２００および上側基板３００における全てのエッジを一時にソフトエッチングすることができ、作業効率が向上する。
【００４８】
図９は、領域２０１に保護層としての耐酸性レジスト８２を塗布してソフトエッチングする場合のエッチング工程を示すフローチャートである。図１０（Ａ）は、領域２０１に耐酸性レジスト８２が塗布された状態でエッチング液５１が入っているエッチング槽５０に、表示パネル１００全体が浸されている様子が示されている。なお、この場合には、エッチング液５１として、ふっ酸などの酸性物質を含む水溶液を使用する。
【００４９】
また、この場合も、図１０（Ｂ）の上段に示すように、配線が領域２０１全体に設けられていない場合には、図１０（Ｂ）の中段に示すように、端子部７０のみに耐酸性レジスト８２を塗布すればよい。ただし、作業の容易等を考慮して、配線が領域２０１全体に設けられていない場合であっても、図１０（Ｂ）の下段に示すように、領域２０１全体に耐酸性レジスト８２を塗布してもよい。
【００５０】
図９に示すように、端子部７０に耐酸性レジスト８２を塗布しけた後（ステップＳ５５）、表示パネル１００全体をエッチング槽５０に浸す（ステップＳ５６）。そして、所定時間が経過すると、表示パネル１００をエッチング槽５０のエッチング液５１から引き上げ、エッチング液を除去する（ステップＳ５７）。なお、ステップＳ５７の工程は、図１に示されたステップＳ６の工程に相当する。その後、例えば端子部７０を除去液としてのアルカリ性溶液に浸して、端子部７０から耐酸性レジスト８２を除去する（ステップＳ５８）。
【００５１】
図９に示されたエッチング工程を実施することによって、金属の配線を腐食させることなく、下側基板２００および上側基板３００における全てのエッジを一時にソフトエッチングすることができ、作業効率が向上する。
【００５２】
なお、上記の実施の形態では、表示パネル１００としてＴＦＴ型表示パネルを例にしたが、表示パネルがＳＴＮ（Super Twisted Nematic ）型やＴＮ型などのパッシブマトリクス駆動の表示パネルであっても本発明を適用できる。表示パネル１００がＳＴＮ型表示パネルである場合には、下側基板２００は、例えば走査電極等が配されたコモン基板であり、上側基板３００は、例えば信号電極等が配されたセグメント基板である。また、他の平面型表示パネル、例えば、有機ＥＬ(Electroluminescence ) 表示パネル等の自発光型表示パネルにも本発明を適用できる。例えば、表示パネル１００が有機ＥＬ表示パネルである場合には、下側基板２００は、例えば電極や有機ＥＬ素子が積層された基板であり、上側基板３００は、例えば保護用の基板である。また、ガラス基板にＩＴＯなどで透明電極パターンが形成されたパネルヒータ、ガラス基板に電気配線が形成された電極付きパネル体などにも本発明を適用できる。
【実施例】
【００５３】
図１１は、表示パネル１００を一辺ずつエッチング液５１に浸してソフトエッチングする場合の具体例を示す説明図である。なお、表示パネル１００の一辺とは、表示パネル１００の最も広い面を眺めた場合に視認される四辺のうちの一つを意味する。なお、一辺ずつエッチング液５１に浸すということを三次元的に表現すると、一端面（上側基板３００の端面と下側基板２００の端面との双方を含む場合と、下側基板２００の端面のみの場合がある。）および端面の稜をエッチング液５１に浸すということである。また、一辺をエッチング液５１に浸すということは、端面および稜を含む部分をエッチング液５１に接触させるということである。端面および稜を含む部分とは、具体的には、端面から、エッチング液５１の液高よりも小さい距離だけ離れた箇所までの部分である。
【００５４】
図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、エッチング槽５０に浅く収容されたエッチング液５１に表示パネル１００を浸す。エッチング槽５０におけるエッチング液５１の液高は、例えば０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程度（表示パネル１００の厚さが０．４ｍｍである場合には、その１／２程度以下）である。なお、この場合には、領域２０１のそれぞれの辺から端子部７０の最外部までの距離は、液高よりも大きい。換言すれば、領域２０１のそれぞれの辺から端子部７０の最外部までの距離よりも、液高を小さくする。
【００５５】
液高を、領域２０１のそれぞれの辺から端子部７０の最外部までの距離よりも小さくすることができない場合には、端子部７０に保護膜を形成すればよい。なお、図１１（Ａ），（Ｂ）のそれぞれには表示パネル１００の各一辺がエッチング液５１に浸されている様子が示されているが、残りの二辺も、同様にエッチング液５１に浸されてソフトエッチングされる。
【００５６】
図１２（Ａ）は、表示パネル１００を一辺ずつソフトエッチングする場合の他の具体例を示す説明図である。この例では、表示パネル１００の各辺（図１２の表記では、表示パネル１００の各端面）を、エッチング液を浸み込ませたスポンジ５３に接触させる。なお、図１２（Ａ）には表示パネル１００の一辺がスポンジ５３に接触している様子が示されているが、残りの三辺も、同様にスポンジ５３に接触されてソフトエッチングされる。
【００５７】
また、この例では、端子部７０に保護膜を形成しないと、上側基板３００における端子部７０に近い端面および稜をソフトエッチングできない。そこで、上側基板３００における端子部７０に近い端面の一部および稜については、エッチング液を浸み込ませた布状物５４に接触させてソフトエッチングを行う。なお、図１１に示された例でも、端子部７０に保護膜を形成しないと、上側基板３００における端子部７０に近い端面をソフトエッチングできない。よって、その場合にも、エッチング液を浸み込ませた布状物５４に接触させてソフトエッチングを行うとよい。
【００５８】
図１１および図１２に示された例でも、端子部７０をエッチング液５１に浸したりスポンジ５３に接触させることなくソフトエッチングを行うことができる。すなわち、領域２０１における配線を腐食させることなく、ソフトエッチングを行うことができる。
【００５９】
上記の実施の形態および実施例の製造方法で作製された表示パネル１００に対して、図１３に示すような四点曲げ試験を行って、表示パネル１００が破壊されるときの荷重（応力）を測定した。なお、全ての切断面に対してソフトエッチングを行った。エッチング液５１として１０重量％のふっ酸を含む水溶液を用い、エッチング時間を９０秒とした。また、比較例として、ソフトエッチングを行わない場合の表示パネル１００が破壊されるときの応力を測定した。測定結果を下表に示す。
【００６０】
【表１】
2008009356.tif 000003
【００６１】
また、比較例と実施例のそれぞれについて、平均値をグラフで表したものを図１４に示す。表１および図１４に示すように、比較例に比べて、実施例の場合の強度は２倍近くになっている。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、液晶表示パネルや有機ＥＬパネルなどの平面型表示パネルの基板の強度の低下を防止するために好適に適用される。また、本発明は、ガラス基板にＩＴＯなどで透明電極パターンが形成されたパネルヒータ、ガラス基板に電気配線が形成された電極付きパネル体などのガラス基板強度の低下を防止するために好適に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明による表示パネルの製造方法を示すフローチャート。
【図２】貼り合わせ基板の一例を示す平面図。
【図３】表示パネルのエッチング方法を説明するための説明図。
【図４】表示パネルのエッチング方法を説明するための説明図。
【図５】表示パネルの断面Ｐの一部を模式的に示す説明図および基板の背面側から見た斜視図。
【図６】表示パネル全体をエッチング液に浸す場合には配線が設けられている領域を保護層で保護すること必要性を説明するための説明図。
【図７】配線が設けられている領域にポリイミドテープを貼り付けてソフトエッチングする場合のエッチング工程を示すフローチャート。
【図８】ポリイミドテープを貼り付けてソフトエッチングする工程を説明するための説明図。
【図９】配線が設けられている領域に耐酸性レジストを塗布してソフトエッチングする場合のエッチング工程を示すフローチャート。
【図１０】耐酸性レジストを塗布してソフトエッチングする工程を説明するための説明図。
【図１１】表示パネルを一辺ずつエッチング液に浸してソフトエッチングする場合の具体例を示す説明図。
【図１２】表示パネルを一辺ずつソフトエッチングする場合の他の具体例を示す説明図。
【図１３】四点曲げ試験を説明するための説明図。
【図１４】比較例と実施例のそれぞれの平均値を示す説明図。
【図１５】ガラス基板の切断面を示す説明図。
【図１６】リブマークが形成されたガラス基板の断面Ｄの一部を模式的に示す説明図および斜視図。
【符号の説明】
【００６４】
２０    スクライブライン
２１    リブマーク
５０    エッチング槽
５１    エッチング液
５３    スポンジ
５４    布状物
６０    ホイールカッタ
７０    端子部
７１，７２，７３  配線
８１    ポリイミドテープ
８２    耐酸性レジスト
１００  表示パネル
２００  下側基板
２０１  領域（露出している領域，配線が設けられている領域）
３００  上側基板
４００  貼り合わせ基板（大サイズの基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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