Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組換えポリペプチドを産生する方法であって
哺乳動物細胞株を培地中で３５℃〜３８℃の温度で培養してから、２９℃〜３６℃の第ニの温度にシフトさせ；
培養培地にヘキサメチレン・ビスアセトアミド（ＨＭＢＡ）を添加する
ことを含んでなり；
ここにおいて、哺乳動物細胞株が、組換えポリペプチドを産生するように遺伝子操作されており、そして
第一の温度から第二の温度へのシフトの後、数時間ないし数日後に、ＨＭＢＡが添加される、
前記方法。
【請求項２】
酪酸の塩を、第一の温度から第二の温度へのシフトから、数時間ないし数日後に添加す、請求項１の方法。
【請求項３】
培地中の酪酸の塩の濃度が、０．１ｍＭ〜２ｍＭである、請求項２の方法
【請求項４】
培地中のＨＭＢＡの濃度が、０．１ミリモル〜２０ミリモルである、請求項１ないし３のいずれか１項の方法。
【請求項５】
培地中のＨＭＢＡの濃度が、０．５ミリモル〜１０ミリモルである、請求項４の方法。
【請求項６】
培地中のＨＭＢＡの濃度が、０．１ミリモル〜５ミリモルである、請求項４の方法。
【請求項７】
培地中に、キサンチン愉導体を、第一の温度から第二の温度へのシフトから、数時間ないし数日後に添加する、請求項１ないし６のいずれか１項の方法。
【請求項８】
キサンチン誘導体がカフェインであり、そして、カフェインが０．０１ないし３．０ｍＭの濃度で添加される、請求項７の方法。
【請求項９】
培地が血清不含である、請求項１ないし８のいずれか１項の方法。
【請求項１０】
細胞株が、ＣＨＯ細胞株あるいはハイブリドーマ細胞株である、請求項１ないし９のいずれか１項の方法。
【請求項１１】
組換えポリペプチドが、ＲＡＮＫ：Ｆｃ、ＩＩ型インターロイキン−１受容体、ＴＮＦＲ：Ｆｃ、ＣＤ４０リガンド、ＴＲＡＩＬ、ｆｌｔ３リガンド、ＩＬ−４受容体、Ｇ−ＣＳＦ、エリスロポエチン、および抗体からなる群より選択される、請求項１ないし１０のいずれか１項の方法。
【請求項１２】
さらに、培地から組換えポリペプチドを回収することを含む、請求項１ないし１１のいずれか１項の方法。
【請求項１３】
ポリペプチドを産生する方法であって
ポリペプチドを発現可能な哺乳動物細胞株を３５℃ないし３８℃の温度で培養し、そして、次いで
血清不含の培地中、少なくとも５日間、２９℃ないし３６℃の温度で細胞を培養する、
ことを含んでなり、
ここにおいて、ＨＭＢＡ及び酪酸の塩を、０．５ないし１０ｍＭ  ＨＭＢＡ及び０．１ないし２ｍＭ  酪酸塩の濃度で、温度シフトの後、数時間ないし数日後に添加する、
前記方法。
【請求項１４】
ポリペプチドが、ＲＡＮＫ：Ｆｃ、ＩＩ型インターロイキン−１受容体、ＴＮＦＲ：Ｆｃ、ＣＤ４０リガンド、ＴＲＡＩＬ、ｆｌｔ３リガンド、ＩＬ−４受容体、Ｇ−ＣＳＦ、エリスロポエチン、および抗体からなる群より選択される、請求項１３の方法。
【請求項１５】
ポリペプチドを産生するように遺伝子操作されているＣＨＯ細胞株、及びＨＭＢＡを含んでなる血清不含の産生培地、を含んでなる細胞培養物であって、
ここにおいて、培養物は、３５℃ないし３８℃の第一の温度で培養されており、そして、次いで、２９℃ないし３６℃の第二の温度にシフトして少なくとも５日間培養されている、並びに、
、第一の温度から第二の温度へのシフトの後、数時間ないし数日後にＨＭＢＡが添加される、
前記細胞培養物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＨＩＶ  Ｔａｔポリペプチドを含むポリペプチドをコードするポリヌクレオチド配列を含む発現カセットであって、該Ｔａｔポリペプチドをコードする該ポリヌクレオチド配列が、配列番号５２、配列番号５３、配列番号７３、配列番号７４、配列番号７５、配列番号７７、および配列番号７８からなる群より選択される配列全長に対して少なくとも９０％の配列同一性を有する配列を含む、発現カセット。
【請求項２】
請求項１に記載の発現カセットを含む、選択された宿主細胞における使用のための組換え発現系であって、前記ポリヌクレオチド配列が、該選択された宿主細胞における発現と適合する制御エレメントに作動可能に連結されている、組換え発現系。
【請求項３】
請求項２に記載の組換え発現系であって、前記制御エレメントが、転写プロモーター、転写エンハンサーエレメント、転写終結シグナル、ポリアデニル化配列、翻訳の開始の最適化のための配列、および翻訳終結配列からなる群より選択される、組換え発現系。
【請求項４】
請求項２に記載の組換え発現系であって、前記転写プロモーターが、ＣＭＶ、ＣＭＶ＋イントロンＡ、ＳＶ４０、ＲＳＶ、ＨＩＶ−Ｌｔｒ、ＭＭＬＶ−ｌｔｒ、ならびにメタロチオネインからなる群より選択される、組換え発現系。
【請求項５】
請求項１に記載の発現カセットを含む細胞であって、前記ポリヌクレオチド配列が、前記選択された細胞における発現に適合する制御エレメントに作動可能に連結されている、細胞。
【請求項６】
前記細胞が、哺乳動物細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項７】
前記細胞が、ＢＨＫ細胞、ＶＥＲＯ細胞、ＨＴ１０８０細胞、２９３細胞、ＲＤ細胞、ＣＯＳ−７細胞、およびＣＨＯ細胞からなる群より選択される、請求項６に記載の細胞。
【請求項８】
前記細胞が、ＣＨＯ細胞である、請求項７に記載の細胞。
【請求項９】
前記細胞が、昆虫細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１０】
前記細胞が、Ｔｒｉｃｈｏｐｌｕｓｉａ  ｎｉ（Ｔｎ５）昆虫細胞またはＳｆ９昆虫細胞のいずれかである、請求項９に記載の細胞。
【請求項１１】
前記細胞が、細菌細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１２】
前記細胞が、酵母細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１３】
前記細胞が、植物細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１４】
前記細胞が、抗原提示細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１５】
請求項１４に記載の細胞であって、前記抗原提示細胞が、リンパ細胞であり、該リンパ細胞が、マクロファージ、単球、樹状細胞、Ｂ細胞、Ｔ細胞、幹細胞、およびこれらの始原細胞からなる群より選択される、細胞。
【請求項１６】
前記細胞が、初代細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１７】
前記細胞が、不死化細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１８】
前記細胞が、腫瘍由来細胞である、請求項５に記載の細胞。
【請求項１９】
哺乳動物被験体における使用のためのベクターであって、
請求項１に記載の発現カセットを含み、そして前記ポリヌクレオチド配列が、該被験体における発現と適合する制御エレメントに作動可能に連結されている、ベクター。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車椅子の左右の肘掛に直角に交じわらせた操作レバーを取り付け、座位前部の中央まで伸ばし、椅子の外側にあるブレーキレバーに筒をはめ込み、座ったままで座位前部の中央まで伸びている操作レバーを手前に引けばブレーキが掛かり、押し戻すと車椅子が可動可能となり、前記操作レバーを手前に引けば三角形のテコの力で前記操作レバーに連動している加力棒も同じ方向に可動し、加力棒と筒は針金等で固定されていて筒にも同じ方向に同じ力が伝わり、前記操作レバーから車輪に加わった力でブレーキが掛かる車椅子ブレーキ装置。
【請求項２】
請求項１の車椅子ブレーキ装置で前記操作レバーと同方向に可動する加力棒は車椅子のサイドにあるブレーキレバーに被せた筒と紐又は針金で連結されており前記操作レバーを引けば車輪が制動し、前記操作レバーを戻せば車輪が可動する車椅子ブレーキ装置。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかの車椅子ブレーキ装置で、肘掛の下に同じ幅の板を上下が平行になるように取り付け、肘掛と板の間に空間を作り前記操作レバーが前後自在に動く車椅子ブレーキ装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの車椅子ブレーキ装置で、肘掛の下の板を一辺とする幅約３ｃｍ、長さ約２５ｃｍの長方形を作り前記操作レバーと直角に交わっている加力棒が前後に動く時の遊び幅となる長方形を設置した車椅子ブレーキ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色、青色、緑色の３種類のＬＥＤ（発光ダイオード）で構成される可視光光源部と、前記可視光光源部より照射させる可視光波長と照射時間と照射順序とを選択する操作入力部と、前記操作入力部から入力された内容に応じて前記可視光光源部のＬＥＤに電流を供給してＬＥＤの発光強度を制御する電流回路部と、前記可視光光源部より照射される可視光の照射範囲を調節可能な複数のレンズで構成されるしぼり部と、前記電流回路部を空気冷却するファンと、マイナスイオン発生部と、を具備し、
前記しぼり部により、複数のＬＥＤから照射される光にムラがなく、顔全体若しくは一部の部位に照射し得るものであり、
前記ファンを装置本体の照射孔を設けた箇所と反対の位置に配置し、前記マイナスイオン発生部を前記照射孔の周囲に設け、前記ファンにより発生する空気流により、マイナスイオンが可視光照射の範囲に向け放出されるようにしたものであることを特徴とする美顔育毛器。
【請求項２】
請求項１に記載の美顔育毛器において、さらに、遠赤外線照射部を設け、該遠赤外線照射部の照射軸と前記可視光光源部から照射される可視光の光軸を非共軸となるように遠赤外線照射部および可視光光源部を配設し、前記しぼり部のレンズによって、可視光照射範囲と遠赤外線照射範囲が重なることとしたことを特徴とする美顔育毛器。
【請求項３】
請求項１に記載の美顔育毛器において、操作入力部は、表示パネル部とCPU部とメモリ部と操作ボタン部を有し、可視光および遠赤外線の照射シーケンスをメモリ部にあらかじめメモリ部に格納し、該操作ボタン部から複数の症状メニューから適切な症状メニューを選択した場合に、選択された症状メニューに対応する照射シーケンスをメモリ部から読込み、CPU部が照射シーケンスに従って、前記電流回路部に適切な信号を出力することを特徴とする美顔育毛器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月19日(2009.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の肺を治療する医療装置において、
胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における開口部を通って患者の肺の中へ進むように構成された遠位端を有する、導管と、
近位端と前記遠位端との間の前記導管から突出している保持プレートであって、前記胸壁における前記開口部を通る、前記肺の中への前記導管の挿入を制限する、保持プレートと、
前記導管の前記近位端に連結された、流れ制御装置と、
固定装置であって、前記導管の不要な動作を実質的に防止するために、前記肺の内部に配置されるように構成され、前記導管の前記遠位端と動作可能に協働する、固定装置と、
を含み、
前記固定装置は、ヒンジ装置を含み、
前記医療装置は、空気が、前記胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における前記開口部を通って前記肺から流出することができるように、構成されている、医療装置。
【請求項２】
請求項１に記載の医療装置において、
前記ヒンジ装置は、前記導管の前記遠位端にヒンジによって取り付けられた、少なくとも１つのフラップを有する、医療装置。
【請求項３】
請求項２に記載の医療装置において、
前記ヒンジ装置は、前記導管の前記遠位端にヒンジによって取り付けられた、少なくとも２つのフラップを有する、医療装置。
【請求項４】
請求項３に記載の医療装置において、
前記固定装置を制御するためのスプリング構造、
をさらに含む、医療装置。
【請求項５】
請求項４に記載の医療装置において、
前記保持プレートは、前記患者の皮膚に接着剤で固定されるように構成されている、医療装置。
【請求項６】
請求項５に記載の医療装置において、
前記ヒンジ装置は、前記導管の前記遠位端に取り付けられている、医療装置。
【請求項７】
請求項６に記載の医療装置において、
前記ヒンジ装置は、形状記憶材料を含む、医療装置。
【請求項８】
請求項７に記載の医療装置において、
前記ヒンジ装置は、ニチノールを含む、医療装置。
【請求項９】
請求項１に記載の医療装置において、
前記流れ制御装置は、フィルタを含む、医療装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の医療装置において、
前記流れ制御装置は、弁を含む、医療装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の医療装置において、
前記流れ制御装置は、一方向弁を含む、医療装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の医療装置において、
前記流れ制御装置は、前記肺からの排出物を蓄積するように構成された格納容器を含む、医療装置。
【請求項１３】
患者の肺を治療する医療装置において、
胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における開口部を通って患者の肺の中へ進むように構成された遠位端を有する、導管と、
近位端と前記遠位端との間の前記導管から突出している保持プレートであって、前記胸壁における前記開口部を通る、前記肺の中への前記導管の挿入を制限するように構成されている、保持プレートと、
前記導管の前記遠位端に連結されたヒンジ固定装置であって、前記ヒンジ固定装置は、前記導管の前記遠位端が、前記胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における前記開口部を通って患者の前記肺の中へ進むことを可能にするように構成された第１形態、ならびに前記肺から前記導管の前記遠位端が外れるのを防止するように構成された第２形態を有する、ヒンジ固定装置と、
を含み、
前記医療装置は、空気が、前記胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における前記開口部を通って前記肺から流出することができるように構成されている、医療装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の医療装置において、
前記保持プレートは、前記患者の皮膚に接着剤で固定されるように構成されている、医療装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の医療装置において、
前記導管の前記近位端に連結された流れ制御装置、
をさらに含む、医療装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の医療装置において、
前記流れ制御装置は、フィルタを含む、医療装置。
【請求項１７】
請求項１３に記載の医療装置において、
前記ヒンジ固定装置は、少なくとも１つのフラップを含み、
前記ヒンジ固定装置の前記第１形態では、前記フラップは、前記導管に対して実質的に平行であり、前記ヒンジ固定装置の前記第２形態では、前記フラップは、前記導管に対して実質的に平行とは、異なる、医療装置。
【請求項１８】
請求項１３に記載の医療装置において、
前記ヒンジ固定装置は、少なくとも２つのフラップを含み、
前記ヒンジ固定装置の前記第１形態では、前記フラップは、前記導管に対して実質的に平行であり、前記ヒンジ固定装置の前記第２形態では、前記フラップは、前記導管に対して実質的に平行とは、異なる、医療装置。
【請求項１９】
請求項１３に記載の医療装置において、
前記ヒンジ固定構造を制御するためのスプリング構造、
をさらに含む、医療装置。
【請求項２０】
患者の肺を治療する医療装置において、
胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における開口部を通って患者の肺の中へ進むように構成された遠位端を有する、導管と、
近位端と前記遠位端との間の前記導管から突出している保持プレートであって、前記胸壁における前記開口部を通る、前記肺の中への前記導管の挿入を制限する、保持プレートと、
前記導管の前記遠位端に連結された、折り畳み装置であって、前記折り畳み装置は、前記導管の前記遠位端に連結された少なくとも１つのフラップを含む、折り畳み装置と、
を含み、
第１形態では、前記折り畳み装置は、前記導管の前記遠位端が、前記胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における前記開口部を通って患者の前記肺の中へ進むことを可能にするように構成されており、前記少なくとも１つのフラップは、前記導管に対して実質的に平行であり、
第２形態では、前記折り畳み装置は、前記肺から前記導管の前記遠位端が外れるのを防止するように構成されており、前記少なくとも１つのフラップは、前記導管に対して実質的に平行とは、異なり、
前記医療装置は、空気が、前記胸壁、胸膜癒着部および臓側膜における前記開口部を通って前記肺から流出することができるように構成されている、医療装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成されているリードフレームを用意し、
前記リードフレームをボンディング装置の載置台に設けると共に、前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえて、前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされた前記載置台に当接し、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングする事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記リードフレームは、前記集合ブロックとほぼ同等の大きさの開口部を有するクランパーによりを押さえられる請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記集合ブロックの周端に相当する所の前記クランパーの裏面には、凹凸部を有し、この凹凸部で押さえる請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  前記高温にされた前記載置台の上の前記リードフレームには、不活性ガスが吹き付けられる請求項１、請求項２または請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記不活性ガスは、窒素ガスである請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記不活性ガスは、前記クランパーから前記リードフレームに吹き付けられる請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成されているリードフレームを用意し、
前記リードフレームをボンディング装置の載置台に設けると共に、前記リードフレームの前記集合ブロックの周端をクランパーで押さえて、前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされた前記載置台に設置し、
前記高温にされた前記載置台を介して、高温にされた前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに窒素ガスを噴きつけ、前記リードフレームの酸化を防止しながら、前記リードフレーム設けられた半導体素子に、前記ボンディング装置を使ってボンディングする事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項８】  前記リードフレームの代わりに、金属基板、プリント基板またはセラミック基板が用いられる請求項１〜請求項７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】  請求項１に記載の半導体装置の製造方法に用いられる前記ボンディング装置であり、
加熱機能を有する前記載置台と、
前記載置台上に設けられ、前記集合ブロックの周端を押さえるクランパーと、
前記クランパから露出する領域を照らし、前記クランパーの上方に備えた照明と、
前記照明の側面に備えたキャピラリーと、
前記照明の上方に備えたパターン認識用のカメラとを少なくとも有し、
前記クランパの押圧で前記リードフレームの前記集合ブロックを過熱する事を特徴とした前記半導体装置の製造方法に用いられるボンディング装置。
【請求項１０】  前記リードフレームの酸化防止のため、前記リードフレームに不活性ガスを吹き付けるブローが設けられる請求項９に記載の前記半導体装置の製造方法に用いられるボンディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法およびこの製造方法に用いられるボンデイング装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 円軌道からのデータと線軌道からのデータとを含むＸ線断層画像を再構成する方法であって、前記円軌道３次元ラドン空間のシャドウ・ゾーンを規定し、該シャドウ・ゾーンは、円軌道から３次元ラドン・データが欠落している領域を表わし、前記方法は、
第１のボリューム内で、前記円軌道から得られる画像を表わす工程と、
対応する第２のボリューム内で、前記線軌道から得られる画像を表わす工程と、
各々の前記第１のボリューム及び各々の前記第２のボリュームの各垂直平面における２次元画像を複数の２次元フーリエ平面へ変換する工程と、
前記円軌道データから、前記２次元フーリエ平面の各々における３次元シャドウ・コーンであって該３次元シャドウ・コーンが前記３次元ラドン空間の前記シャドウ・ゾーンが前記２次元フーリエ平面にマッピングされることにより生ずる前記３次元シャドウ・コーンの投影を除去すると共に、該投影を前記線軌道データから得られた対応する投影により置き換えて、複数の修復された２次元フーリエ平面を形成するようにする工程と、
前記複数の修復された２次元フーリエ平面に対して逆２次元フーリエ変換を施して、結果として得られる第３のボリュームを表わすそれぞれの複数の２次元画像平面を得る工程と、
前記結果として得られる第３のボリュームを前記Ｘ線断層画像へ変換する工程と、を備えた前記方法。
【請求項２】 前記円軌道から得られる画像を表わす前記工程は、見込む角２θ０を有するシャドウ・コーンを選択する工程を含んでおり、ここで、前記角度θ０は、３次元ラドン空間における前記シャドウ・ゾーンの限界を表わす角度として定義される請求項１に記載の方法。
【請求項３】 前記線軌道から得られる画像を表わす前記工程は、前記線軌道データから複数の垂直画像スライスを形成して、前記第２のボリュームを形成する工程を含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項４】 前記複数の垂直画像スライスを形成する前記工程は、前記線軌道データの投影から形成される複数の平行ビームを再構成する工程を含んでいる請求項３に記載の方法。
【請求項５】 フィルタ補正逆投影法を用いて前記複数の垂直画像スライスを再構成する工程を更に含んでいる請求項４に記載の方法。
【請求項６】 正フーリエ法を用いて前記複数の垂直画像スライスを再構成する工程を更に含んでいる請求項４に記載の方法。
【請求項７】 前記正フーリエ法を用いる前記工程は、逆双１次補間を用いて、データを極格子から直交格子へ変換する工程を含んでいる請求項６に記載の方法。
【請求項８】 前記逆双１次補間を行う前記工程は、４つの最も近接した格子位置ｇｉ，ｊ、ｇｉ＋１，ｊ、ｇｉ，ｊ＋１及びｇｉ＋１，ｊ＋１に関して、各々の線軌道フーリエ・データ値ｘに対して逆双１次補間を行う工程を含んでいる請求項７に記載の方法。
【請求項９】 各々の前記線軌道データ値ｘに対して逆双１次補間を行う前記工程は、各々の前記線軌道データ値ｘのそれぞれの位置と、前記４つの最も近接した格子位置ｇｉ，ｊ、ｇｉ＋１，ｊ、ｇｉ，ｊ＋１及びｇｉ＋１，ｊ＋１の各々との間の正規化された部分面積ａ００、ａ０１、ａ１０、ａ１１を決定する工程を含んでいる請求項８に記載の方法。
【請求項１０】 それぞれの前記線軌道データ値ｘに隣接した各々の格子点ｇｉ，ｊを収集すると共に加重ｗｉｊを割り当てる工程を更に含んでいる請求項９に記載の方法。
【請求項１１】 前記正規化された部分面積を決定する前記工程は、次の等式 ｇｉ，ｊ＝ｇｉ，ｊ＋ａ１１ｘ ｇｉ＋１，ｊ＝ｇｉ＋１，ｊ＋ａ０１ｘ ｇｉ，ｊ＋１＝ｇｉ，ｊ＋１＋ａ１０ｘ ｇｉ＋１，ｊ＋１＝ｇｉ＋１，ｊ＋１＋ａ００ｘに従って各々の前記格子位置を更新する工程を含んでいる請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】 それぞれのｇｉ，ｊをｗｉｊにより除算することにより各々の格子データｇｉ，ｊを正規化する工程を更に含んでいる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】 円軌道からのデータと線軌道からのデータとを含むＸ線断層画像を再構成する装置であって、前記円軌道３次元ラドン空間のシャドウ・ゾーンを規定し、該シャドウ・ゾーンは、円軌道から３次元ラドン・データが欠落している領域を表わし、前記装置は、
第１のボリューム内で、前記円軌道から得られる画像を表わす手段と、対応する第２のボリューム内で、前記線軌道から得られる画像を表わす手段と、各々の前記第１のボリューム及び各々の前記第２のボリュームの各垂直平面における２次元画像を複数の２次元フーリエ平面へ変換する手段と、前記円軌道データから、前記２次元フーリエ平面の各々における３次元シャドウ・コーンであって、該３次元シャドウ・コーンが前記３次元ラドン空間の前記シャドウ・ゾーンが前記２次元フーリエ平面にマッピングされることにより生ずる前記３次元シャドウ・コーンの投影を除去すると共に、該投影を前記線軌道データから得られた対応する投影により置き換えて、複数の修復された２次元フーリエ平面を形成するようにする手段と、前記複数の修復された２次元フーリエ平面に対して逆２次元フーリエ変換を施して、結果として得られる第３のボリュームを表わすそれぞれの複数の２次元画像平面を得る手段と、前記結果として得られる第３のボリュームをＸ線断層画像へ変換する手段と、を備えた前記装置。
【請求項１４】 前記円軌道から得られる画像を表わす前記手段は、見込む角２θ０を有するシャドウ・コーンを選択する手段を更に含んでおり、ここで、前記角度θ０は、ラドン空間における前記シャドウ・ゾーンの限界を表わす角度として定義される請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】 前記線軌道から得られる画像を表わす前記手段は、前記線軌道データから複数の垂直画像スライスを形成して、前記第２のボリュームを形成する手段を含んでいる請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】 前記複数の垂直画像スライスを形成する前記手段は、前記線軌道データの投影から形成される複数の平行ビームを再構成する手段を含んでいる請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】 フィルタ補正逆投影法を用いて前記複数の垂直画像スライスを再構成する手段を更に含んでいる請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】 正フーリエ法手段を用いて前記複数の垂直画像スライスを再構成する手段を更に含んでいる請求項１６に記載の装置。
【請求項１９】 前記正フーリエ法手段は、逆双１次補間を用いて、データを極格子から直交格子へ変換する手段を含んでいる請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月2日(2009.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの発熱部品が熱的に接続されたベースプレート部と、前記ベースプレート部の長手方向に沿って所定の角度で並列に配置されベースプレートと熱的に接続された複数のフィンからなる少なくとも１つのフィン部と、前記少なくとも１つのフィン部のそれぞれに冷却用空気を送り込む入口部と、前記少なくとも１つのフィン部のそれぞれにおいて各フィン間を冷却用空気が減速して概ね均一に流れるように、前記冷却用空気の流れを誘導する邪魔板部および仕切り板部と、冷却用空気を排出する排出口とを備えた熱交換器。
【請求項２】
複数のフィンからなる少なくとも１つのフィン部と、前記少なくとも１つのフィン部のそれぞれに冷却用空気を送り込む入口部と、前記少なくとも１つのフィン部のそれぞれにおいて各フィン間を冷却用空気が減速して概ね均一に流れるように、前記冷却用空気の流れを誘導する邪魔板部および仕切り板部と、冷却用空気を排出する排出口とを備えた熱交換器。
【請求項３】
少なくとも１つの発熱部品が熱的に接続されたベースプレート部と、前記ベースプレート部の長手方向に沿って所定の角度で並列に配置され前記ベースプレートと熱的に接続された複数のフィンからなる少なくとも２つのフィン部がフィン間を流れる冷却用空気の流速を減速する構造を形成するように配置されたフィン群と、前記少なくとも２つのフィン部のそれぞれに冷却用空気を送り込む入口部と、冷却用空気を排出する排出口とを備え、前記少なくとも２つのフィン部のそれぞれにおいて各フィン間を冷却用空気が減速して概ね均一に流れるように、前記冷却用空気の流れを誘導するように前記フィン群が配置されている熱交換器。
【請求項４】
前記冷却用空気の流速を減速する構造が前記入口部から前記排出口に向かって漸次狭くなるように配置されたハの字形からなっている、請求項３に記載の熱交換器。
【請求項５】
前記フィン群が、前記入口部から前記排出口に向かって漸次狭くなるようにハの字形に配置され、前記フィン群の前記排出口側に前記ベースプレートの長手方向に配置される別の少なくとも１対のフィンを更に備えている、請求項３に記載の熱交換器。
【請求項６】
前記少なくとも１つのフィン部が１つのフィン部からなっており、前記仕切り板部が前記フィン部の両側端部に配置され、前記邪魔板部が最近端部および最遠端部のフィンの近傍に配置されている、請求項１または２に記載の熱交換器。
【請求項７】
前記少なくとも１つのフィン部が前記ベースプレートの幅方向に沿って配置された複数のフィン部からなっており、前記仕切り板部が前記フィン部の間および両外側端部に配置され、前記邪魔板部が各フィン部の最近端部および最遠端部のフィンの近傍に配置されている、請求項１または２に記載の熱交換器。
【請求項８】
前記入口から高速でヒートシンクに送り込まれた冷却用空気が前記仕切り板部に沿って複数のフィンの一方の端部と前記仕切り板部との間に形成された通路に沿って流れ、前記邪魔板部および前記仕切り板部に誘導されて減速してフィン間を流れて複数のフィンの他方の端部と前記仕切り板部との間に形成された通路に沿って流れて前記排出口から排出される、請求項１、２、６、または７に記載の熱交換器。
【請求項９】
前記発熱部品の熱が伝わった前記フィン表面の温度と前記排出口における冷却用空気の温度との差が小さくなるように、フィン間隔、フィン長およびフィン間を流れる流速が設定される、請求項１、２、６、７、または８に記載の熱交換器。
【請求項１０】
フィン間を流れる前記冷却用空気によって形成される、隣接するフィンのそれぞれの温度境界層が重なるように、フィン間を流れる前記冷却用空気が減速する、請求項１から９の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１１】
フィン間隔をｄ（ｍｍ）、フィン長をＬ（ｍ）、フィン間を流れる流速をｖ（ｍ／ｓ）とするとき、ｄ≦９．４√（Ｌ／ｖ）×３である、請求項１から１０の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１２】
フィン間隔をｄ（ｍｍ）、フィン長をＬ（ｍ）、フィン間を流れる流速をｖ（ｍ／ｓ）とするとき、ｄ≦９．４√（Ｌ／ｖ）×２である、請求項１から１０の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１３】
フィン間隔をｄ（ｍｍ）、フィン長をＬ（ｍ）、フィン間を流れる流速をｖ（ｍ／ｓ）とするとき、ｄ≦９．４√（Ｌ／ｖ）である、請求項１から１０の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１４】
前記複数のフィン部のそれぞれに流れる冷却用空気の流量および／またはフィン間を流れる冷却用空気の流量が異なっている、請求項１から１３の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１５】
前記熱交換器が自然空冷の熱交換器である、請求項１から１４の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１６】
前記熱交換器が水冷の熱交換器である、請求項１から１４の何れか１項に記載の熱交換器。
【請求項１７】
少なくとも１つの発熱部品が熱的に接続されたベースプレート部と、前記ベースプレート部の長手方向に沿って配置され、前記ベースプレートと熱的に接続された複数のフィンからなる少なくとも１つのフィン部と、フィン間を流れる冷却用空気の流速を減速する構造を形成するように配置された少なくとも１つの邪魔板部と、前記少なくとも１つのフィン部に冷却用空気を送り込む入口部と、冷却用空気を排出する排出口とを備え、前記少なくとも１つのフィン部の各フィン間を冷却用空気が減速して概ね均一に流れるように、前記冷却用空気の流れを誘導するように前記フィン群および前記邪魔板部が配置されている熱交換器。
【請求項１８】
前記冷却用空気の流速を減速する構造が、前記入口部から前記排出口に向かって前記フィン部と前記邪魔板部の間隔が漸次狭くなるように配置されたものである請求項１７に記載の熱交換器。
【請求項１９】
前記フィン部の上を塞ぐように、更に邪魔板部が配置されている請求項１８に記載の熱交換器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層上にそれぞれ設けられた電子を注入するための第１の電極と、正孔を注入するための第２の電極と、前記第１の電極及び前記第２の電極と電気的に接続された発光部とを有し、
前記第１の電極、前記第２の電極、及び前記発光部は、それぞれ第１の単結晶材料から構成され、
前記発光部は、前記半導体基板の基板面に対して垂直方向に形成され、１０ｎｍ以下の膜厚を有する薄膜からなり、前記第１の単結晶材料の酸化膜で覆われていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記発光部は、複数の発光素子を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記複数の発光素子は、導波路で覆われていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記複数の発光素子は、発光を強めあう間隔で並んでいることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記薄膜の材料は、ＩＶ族半導体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記薄膜の材料は、間接遷移型半導体であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ＩＶ族半導体がシリコンであり、かつ、前記シリコンの表面の面方位が（１００）面、もしくはこれと等価な面方位であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記導波路がシリコン窒化膜によって形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記導波路が、前記導波路を構成する材料の屈折率に比べて低い屈折率を有する材料により覆われていることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記半導体基板上に設けられた受光素子と、
前記発光素子と前記受光素子とを接続する導波路とを有し、
前記導波路は、前記シリコン窒化膜で構成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１半導体領域と前記第２半導体領域との界面領域上部には、前記シリコン窒化膜で構成された導波路が設置され、
前記導波路の断面は、概ね半円形であり、前記発光素子、及び前記受光素子の近傍の導波路端では、概ね半球状の形状を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
半導体基板上に、電子を注入する第１の電極と、正孔を注入する第２の電極と、
前記第１及び第２の電極から電子または正孔を注入されることにより発光する薄膜シリコンとが設けられた半導体発光素子。
【請求項１３】
前記複数の発光素子は、前記発光部の発光波長の半波長の間隔で並んでいることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月16日(2009.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２１は、従来例に係るデルタシグマ変調器を備えたデルタシグマＡ／Ｄ変換装置からの出力信号におけるノイズの周波数特性を示すグラフである。ここで、デルタシグマＡ／Ｄ変換装置の積分器は、低域周波数成分のみを通過させ、高域周波数成分を遮断するローパスフィルタ特性を有するため、量子化器６５で発生する量子化雑音は、周波数特性に依存しない白色雑音であるが、アナログ積分器の作用により、低域周波数の雑音電力が高域周波数側に移り、信号周波数帯域内の雑音電力が低減される。この効果は一般的にノイズシェービング効果として知られている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２２に示すように、オペアンプの出力信号のセトリング精度は、セトリング時間に対し指数関数的に改善する。例えば、９９％のセトリング精度を５％緩和するのに必要なセトリング時間ΔＴｂは、８９％のセトリング精度を５％緩和するのに必要なセトリング時間ΔＴａより長く必要である。すなわち、セトリング時間は、オペアンプの出力負荷容量にチャージするオペアンプ電流に比例するため、同じ出力付加容量であれば、セトリング時間の緩和量に従い、オペアンプ電流は指数関数的に減少させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２３は、図１９の各積分器７１乃至７５を構成するオペアンプの出力信号におけるセトリング精度に対する信号対雑音電力比（ＳＮＲ）の特性を示すグラフである。ｎ次フィルタのデルタシグマＡ／Ｄ変換装置の場合、２段目以降のオペアンプでは、ノイズシェービング効果によりセトリング不足により生じるノイズが高域周波数にシフトされるため、セトリング不足による信号対雑音電力比（ＳＮＲ）の劣化は、１段目オペアンプの影響が大きく、２段目以降は影響が少なくなる。図２３に示すように、信号対雑音電力比（ＳＮＲ）をΔα［ｄＢ］だけ劣化させるセトリング量は、２段目以降の積分器７２−７５を構成するオペアンプのセトリング精度Ｓｂは、１段目の積分器７１を構成するオペアンプのセトリング精度よりも十分に小さい。従って、以下の点が明らかとなる。
（１）１段目の積分器７１を構成するオペアンプのセトリング精度を高くし、２段目以降の積分器７２−７５を構成するオペアンプのセトリング精度を緩和しても信号対雑音電力比（ＳＮＲ）の劣化は少ない。
（２）２段目以降の積分器７２−７５を構成するオペアンプでは、セトリング精度を緩和し、オペアンプ電流を削減することが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上の実施形態によれば、フィルタ特性の切り替えを、オペアンプのうち後段のオペアンプのフィードバック回路Ｆ１，Ｆ２又はＦ１ａ，Ｆ２ａにより多重化する次数を切り替えて行う。これにより、オペアンプ数を増やすことなくフィルタ次数を切り替えられ回路面積が縮小できる。また、信号対雑音電力比（ＳＮＲ）特性を大幅に劣化させないように後段のオペアンプのセトリング精度を緩和し、消費電流を削減できる。すなわち、前段の積分器７１を構成するオペアンプに入力されるｋＴ／Ｃノイズ、セトリング精度不足によるノイズは、デルタシグマＡＤ変換装置の特徴である信号帯域外にノイズをシフトする。従って、ノイズシェーピング効果が有効な後段オペアンプ以降において、信号対雑音電力比（ＳＮＲ）特性の劣化が許容できる範囲で電流を削減することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図１１において、入力端子Ｔ２１は、電界効果トランジスタ２１１のソース及びドレインと、容量Ｃｓを有するキャパシタ２０１と、電界効果トランジスタ２１３のソース及びドレインを介して出力端子Ｔ２２に接続される。キャパシタ２０１の入力側一端は電界効果トランジスタ２１２のソース及びドレインを介して接地され、キャパシタ２０１の出力側一端は電界効果トランジスタ２１４のソース及びドレインを介して接地される。また、入力端子Ｔ２１は、電界効果トランジスタ２２１のソース及びドレインと、容量Ｃｓを有するキャパシタ２０２と、電界効果トランジスタ２２３のソース及びドレインを介して出力端子Ｔ２２に接続される。キャパシタ２０２の入力側一端は電界効果トランジスタ２２２のソース及びドレインを介して接地され、キャパシタ２０２の出力側一端は電界効果トランジスタ２２４のソース及びドレインを介して接地される。クロック発生回路１１は、図１１に示すように、スイッチタイミング信号φ１を発生して電界効果トランジスタ２１１，２１４の各ゲートに印加するとともに、スイッチタイミング信号φ２を発生して電界効果トランジスタ２１２，２１３の各ゲートに印加し、また、クロック発生回路１１はスイッチタイミング信号φ１を発生して電界効果トランジスタ２２２，２２３の各ゲートに印加するとともに、スイッチタイミング信号φ２を発生して電界効果トランジスタ２２１，２２４の各ゲートに印加する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
以上のように構成されたスイッチトキャパシタ回路２００Ａはダブルサンプリングで動作する回路であって、
（ａ）期間Ｔ／２のハイレベルのスイッチタイミング信号φ１のタイミングで入力信号を入力し、期間Ｔ／２のハイレベルのスイッチタイミング信号φ２のタイミングで出力信号を出力する回路５０１と、
（ｂ）回路５０１と反転動作する回路であって、期間Ｔ／２のハイレベルのスイッチタイミング信号φ２のタイミングで入力信号を入力し、期間Ｔ／２のハイレベルのスイッチタイミング信号φ１のタイミングで出力信号を出力する回路５０２とを、
同時に動作させるので、期間Ｔ（１サンプル遅延時間に対応する。）で２つのデータ信号を出力することができ、同じデータ量を得るにはクロック周期を半分にすることができる。従って、図９のダブルサンプルなしの場合と比較し、セトリング時間が２倍になるため、同等の性能の場合、セトリング精度を緩和し、消費電流を削減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月20日(2009.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光変調器であって、
第１の導波路層及び障壁層と、
前記第１の導波路層と前記障壁層との間に挟まれた量子井戸層
とを備え、
最小のバンドギャップエネルギーと、前記第１の導波路層及び前記障壁層のうちの少なくとも１つのバンドギャップエネルギーとの間において前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーを変動させる傾斜組成を、前記量子井戸層が有することからなる、光変調器。
【請求項２】
前記量子井戸層の材料が、前記第１の導波路層及び前記障壁層の材料と同じ要素を含む、請求項１に記載の光変調器。
【請求項３】
少なくとも１つの要素の割合が前記量子井戸層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの要素の割合が前記障壁層に向かって増大し、少なくとも１つの他の要素の割合が前記量子井戸層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの他の要素の割合が前記障壁層に向かって減少することからなる、請求項２に記載の光変調器。
【請求項４】
少なくとも１つの要素の割合が前記量子井戸層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの要素の割合が前記障壁層に向かって減少し、少なくとも１つの他の要素の割合が前記量子井戸層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの他の要素の割合が前記障壁層に向かって増大することからなる、請求項２に記載の光変調器。
【請求項５】
前記第１の導波路層がインジウムリン（InP）を含み、前記量子井戸層がインジウムガリウムヒ素リン（InGaAsP）を含むことからなる、請求項２に記載の光変調器。
【請求項６】
前記量子井戸層がインジウムガリウムヒ素リン（InxGa1-xAsyP1-y）を含み、ここで、0≦ｘ≦1及び0≦ｙ≦1であることからなる、請求項５に記載の光変調器。
【請求項７】
電気的な逆バイアスが前記量子井戸層にわたって印加される場合には、伝導帯の電子の分布が、前記量子井戸層内の価電子帯の正孔の分布とほぼ整列する、請求項６に記載の光変調器。
【請求項８】
前記量子井戸層が、In0.61Ga0.39As0.84P0.16とIn0.85Ga0.15As0.33P0.67の間にわたる漸進的な組成を有する、請求項７に記載の光変調器。
【請求項９】
前記量子井戸層が、
傾斜組成層及び固定組成層
を更に含み、
前記傾斜組成層が前記第１の導波路層と前記固定組成層との間に挟まれ、該傾斜組成層が、前記第１の導波路層のバンドギャップエネルギーと該固定組成層のバンドギャップエネルギーとの間のバンドギャップエネルギーを有していることからなる、請求項１に記載の光変調器。
【請求項１０】
前記傾斜組成層の材料が、前記第１の導波路層及び前記固定組成層の材料と同じ要素を含む、請求項９に記載の光変調器。
【請求項１１】
少なくとも１つの要素の割合が前記傾斜組成層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの要素の割合が前記障壁層に向かって増大し、少なくとも１つの他の要素の割合が前記傾斜組成層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの他の要素の割合が前記障壁層に向かって減少することからなる、請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１２】
少なくとも１つの要素の割合が前記傾斜組成層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの要素の割合が前記障壁層に向かって減少し、少なくとも１つの他の要素の割合が前記傾斜組成層にわたって傾斜し、前記少なくとも１つの他の要素の割合が前記障壁層に向かって増大することからなる、請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１３】
前記第１の導波路層、前記障壁層、及び前記固定組成層が、インジウムリン（InP）を含み、前記傾斜組成層が、インジウムガリウムヒ素リン（InGaAsP）を含むことからなる、請求項１０に記載の光変調器。
【請求項１４】
前記傾斜組成層がインジウムガリウムヒ素リン（InxGa1-xAsyP1-y）を含み、ここで、0≦ｘ≦1及び0≦ｙ≦1であることからなる、請求項１３に記載の光変調器。
【請求項１５】
電気的な逆バイアスが前記量子井戸層にわたって印加される場合には、伝導帯の電子の分布が、前記量子井戸層内の価電子帯の正孔の分布とほぼ整列する、請求項１４に記載の光変調器。
【請求項１６】
前記傾斜組成層が、In0.70Ga0.30As0.70P0.30とIn0.85Ga0.15As0.33P0.67との間にわたる漸進的な組成を有する、請求項１５に記載の光変調器。
【請求項１７】
前記固定組成層と前記傾斜組成層の界面におけるバンドギャップエネルギーと、前記第１の導波路層と前記障壁層のうちの少なくとも１つのバンドギャップエネルギーとの間において、前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーを前記傾斜組成層が変動させる、請求項１５に記載の光変調器。
【請求項１８】
量子井戸構造内おいて傾斜組成を形成する少なくとも１つの要素を有する該量子井戸構造を提供し、ここで、該傾斜組成が、該量子井戸構造のバンドギャップエネルギーを変動させ、
前記量子井戸構造の上に光を方向付け、
前記光を電子-正孔対に変換し、及び、
前記量子井戸から前記電子-正孔対を引き出して、光電流を発生させる
ことを含む、光の変調方法。
【請求項１９】
前記量子井戸構造内の量子井戸層の組成を傾斜させて、前記量子井戸層に隣接する層のバンドギャップエネルギー間において、前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーを変動させることを更に含むことからなる、請求項１８に記載の変調方法。
【請求項２０】
前記量子井戸構造内に追加的な材料層を提供し、及び、
前記追加的な材料層の組成を傾斜させて、該追加的な材料層に隣接する導波路層のバンドギャップエネルギーと前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーとの間において、該追加的な材料層のバンドギャップエネルギーを変動させる
ことを更に含むことからなる、請求項１８に記載の変調方法。
【請求項２１】
前記量子井戸構造にわたって電気的な逆バイアスを印加し、それによって伝導帯の電子の分布が、前記量子井戸構造内の価電子帯の正孔の分布とほぼ整列することを更に含む、請求項１８に記載の変調方法。
【請求項２２】
光変調器であって、
第１の導波路層及び障壁層と、
前記第１の導波路層と前記障壁層との間に挟まれた量子井戸層
とを備え、
前記第１の導波路層からの距離が増大するのに伴って、最小のバンドギャップエネルギーと、前記第１の導波路層及び前記障壁層のうちの少なくとも１つのバンドギャップエネルギーとの間において、前記量子井戸層のバンドギャップエネルギーを変動させる傾斜組成を、前記量子井戸層が有することからなる、光変調器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月28日(2009.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶パネルに光を提供するランプアセンブリと、
前記ランプアセンブリから放射される前記光を案内する導光フィルムと、
前記ランプアセンブリと前記導光フィルムとの間の空隙に介在して前記ランプアセンブリから放射された光を前記導光フィルムに案内する導光性ゲルと、
前記導光フィルム上部に積層され、前記導光フィルムから伝えられた光を拡散、及び集光する光学シートと、
前記ランプアセンブリ、前記導光フィルム、及び前記光学シートを収納する上部及び下部収納容器と、を有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記導光性ゲルは、前記導光フィルムと同様の屈折率を有する物質から成ることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記導光性ゲルは、前記ランプアセンブリから前記導光フィルムまで傾斜した断面を有することを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記導光性ゲル内に分布され、導光性ゲルを通過する光の均一度を向上させる拡散剤をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記導光フィルムは可撓性を有し、ＰＭＭＡ、ＰＣ、ＰＥ（ＰｏｌｙＥｔｈｙｌｅｎｅ）、またはＰＥＴで形成されることを特徴とする請求項１に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
液晶パネルに光を提供するランプアセンブリと、
前記ランプアセンブリから放射される前記光を案内する導光フィルムと、
前記ランプアセンブリと前記導光フィルムとの間の空隙の上部を覆って前記ランプアセンブリから漏れる光を前記導光フィルムに反射する反射蓋部と、
前記導光フィルム上部に積層され、前記導光フィルムから伝えられた光を拡散、及び集光する光学シートと、
前記ランプアセンブリ、前記導光フィルム及び前記光学シートを収納する上部及び下部収納容器と、を有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記導光フィルムの下部から前記ランプアセンブリの下部まで延長されて形成され、前記光を上部に反射する反射シートをさらに有することを特徴とする請求項６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記空隙に介在して前記ランプアセンブリから放射された光を前記導光フィルムに案内する導光性ゲルをさらに有することを特徴とする請求項６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
液晶パネルに光を提供するランプアセンブリと、
前記ランプアセンブリから放射される前記光を案内する導光板と、
前記ランプアセンブリと前記導光板との間の空隙に介在して前記ランプアセンブリから放射された光を前記導光板に案内する導光性ゲルと、
前記導光性ゲルの上部を覆って前記ランプアセンブリから漏れる光を前記導光板に反射する反射蓋部と、
前記導光板上部に積層され、前記導光板から伝えられた光を拡散、及び集光する光学シートと、
前記ランプアセンブリ、前記導光板及び前記光学シートを収納する上部及び下部収納容器と、を有することを特徴とするバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載のバックライトアセンブリと、
前記バックライトアセンブリから光を提供され画像情報を表示する液晶パネルアセンブリと、を有することを特徴とする液晶表示装置。