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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
壁（１）により画定されたセル（２）内を、該壁中の開口部（４）を通して移動する物体（５）用の装置であって、該壁中に形成され、且つ底面（１８）および側面（２２、２０）を有する該物体を誘導するためのキャビティ（１７）が設けられたトラック（７）と、該トラックから延びて該セル内に突出する支持ビーム（８）と、該支持ビームと該トラックの間の連結部（１４）と、該支持ビーム下部のポッド（９）と、該セルの外側にあるウィンチ（１０）と、該トラックおよび該支持ビームに沿った経路で巻き解かれ、ポッドが吊るされたウィンチケーブル（２４）とを具えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記トラックに前記ウィンチケーブルが通るノッチが設けられていることを特徴とする、請求項１に従う運搬装置
【請求項３】
２個の支持ビーム、４本のウィンチケーブルが存在し、前記ポッドが長方形であり、前記ポッドの四隅が、前記ウィンチケーブルから吊るされたことを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の運搬装置。
【請求項４】
前記トラックは、前記開口部の長さに前記トラックの長さを適合させるための拡張モジュールを具えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の運搬装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】セル内を移動する物体用の装置
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
一般的な形態において、本発明は、壁により画定されたセル内を、壁中の開口部を通して移動する物体用の装置であって、壁中に形成され、且つ下面と側面を有する物体を誘導するためのキャビティが設けられたトラックと、トラックから延びてセル内に突出る支持ビームと、支持ビームとトラックの間の連結部と、支持ビームの下のポッドと、セルの外側にあるウィンチと、トラックおよび支持ビームに沿った経路で巻き解かれ、ポッドが吊るされたウィンチケーブルとを具えることを特徴とする装置に関する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
図１は、セル２の内部を分割するセル壁１および外部媒体３を示す。トンネル形態の開口部４はセル壁１の一方から他方へと貫通する。本発明に含まれないロボット５は、セル２の内部へと挿入することができる。開口部４は床面高さより上にあるため、ロボットを下降させる必要がある。運搬装置は開口部４中に形成されたトラック７と、トラック７を伸長し、且つセル２の内部にある開口部４の外側に突出する、２個の支持ビーム８と、支持ビーム８から吊り下げるポッド９と、外部媒体３内に位置し、且つトラック７に固定された、ウィンチ１０を具える。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
モジュール１４および１６は通常以下のように作られる。モジュール１４および１６はそれらの全長に渡って、トラック７を辿るであろう物体ロボット５の大きさに合わせた寸法を有するキャビティ１７と、下部支持面１８ならびに２つの側部誘導面１９および２０とを具える。またモジュール１４および１６は、それらの両端に位置するモジュール２１の間に連結フランジを具えるが、これらはキャビティ１７に沿って、且つその下を、開口部４の壁の範囲まで伸長して、トラック７の位置を固定する。これらフランジ２１は、穿孔２２であって、これらを貫通してモジュール組立ボルト（図示せず）が挿入される穿孔と、後述するノッチ２３であって、これらを貫通してウィンチ１０の巻き戻しケーブル２４が通るノッチと、モジュールの一方の側面上にある第２穿孔２５および、他方の側面上にあり、第２穿孔２５の内部に係合しているセンタリングピン２６を具える。この説明は、トラック７の全体節を除外している；ウィンチ１０の組立フランジ１３は、開口部４の輪郭を越えて突出して、セル１の壁に対するトラック７の停止位置を提供する；且つ、連結モジュール１４と支持ビーム８の間の連結部２７は肩部１５と、且つ開口部４の前部に沿ってスライド可能であるスリーブ２８であって、その外側に多かれ少なかれ突出し、開口部４の長さにトラック７の長さを適合させるスリーブとを具える。さらに、連結モジュール１４は、支持ビーム８に到達するケーブル２４の位置を調整して、それらを互いから分離するとともに上昇させる、誘導チューブ２９を具える。チューブ２９のうちの二つは支持ビーム８の始点において停止し、他の２つは最終点に至るまで進行する。ケーブル２４はチューブ２９を超えて突出し、且つポッド９は四隅においてそれらから吊り下げられ、２個の支持ビーム８の間および下で伸長する。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月7日(2012.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトである対象の耳鳴を治療するための装置であって、
音を提示する音声インタフェースと、
前記対象からのフィードバックを受け取る入力インタフェースと、
プロセッサとを備え、
該プロセッサが、
前記音声インタフェースを介して前記対象の耳に音を提示すること、
前記入力インタフェースを介して前記対象から受け取ったフィードバックの関数として、提示された音声の周波数および強度を調節し、知覚された大きさおよび整合されたピッチを少なくとも有する整合音を生成すること、
前記整合されたピッチと前記知覚された大きさよりも小さい強度を有する音を生成すること、
前記生成された音を正弦波で変調し、変調音を生成すること、および
前記音声インタフェースを介して前記変調音を前記対象に適用し、それにより前記対象の耳鳴を抑制すること
からなる命令を実行する、装置。
【請求項２】
前記プロセッサは、
前記変調音を適用した後で前記対象からさらなるフィードバックを受取ること、および
前記さらなるフィードバックの関数として、ゼロから前記知覚された大きさまでの範囲で前記変調音の強度を調節すること
からなる命令をさらに実行する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記変調音は１００Ｈｚから１０ｋＨｚまでの中心周波数を有する、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記変調音は０．５ｋＨｚから中心周波数の２５％までの変調周波数を有する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記生成された音は純音、クリックトレイン、スピーチ、音楽、バンドパスノイズ、またはホワイトノイズである、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記変調は、前記生成された音を振幅変調または周波数変調し、変調音を生成することからなる、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記プロセッサは前記変調音にオフセットランプを追加することからなる命令をさらに実行する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記オフセットランプの持続時間は１分間またはそれ以上である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記変調音の持続時間は８時間以下である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記変調は、二重段階波の適応手順により行われる、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記プロセッサは、前記変調音を携帯型オーディオ装置に伝達することからなる命令をさらに実行する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記音声インタフェースは、スピーカ、ヘッドホン、ヘッドセット、またはイヤホンである、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記入力インタフェースは、提示された音の知覚された大きさの１〜１０のランク段階からの選択を受け取るように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記音声インタフェースを介して前記音を前記対象の耳に３〜６分間提示するという命令をさらに実行する、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
ヒトである対象の耳鳴を治療するための装置を制御する方法であって、
前記装置は、
前記対象に音を提示する音声インタフェースと、
前記対象からのフィードバックを受け取る入力インタフェースとを備え、
前記方法は、
前記音声インタフェースを介して前記対象の耳に音を提示することと、
前記入力インタフェースを介して前記対象から受け取ったフィードバックの関数として、提示される音声の周波数および強度を調節し、知覚された耳鳴の大きさおよび整合されたピッチを少なくとも有する調節音を生成することと、
前記知覚された耳鳴の大きさよりも小さい強度と前記整合されたピッチとを有する音を生成することと、
前記生成された音を正弦波で変調し、変調音を生成することと、
前記変調音を前記対象に適用し、それにより前記対象の耳鳴を抑制することと、を含む方法。
【請求項１６】
前記変調音を適用した後で前記対象からさらなるフィードバックを受取ることと、
前記さらなるフィードバックの関数として、ゼロから前記知覚された耳鳴の大きさまでの範囲で前記変調音の強度を調節することとをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記変調音は１００Ｈｚから１０ｋＨｚまでの中心周波数を有する、請求項１５または１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記変調音は０．５ｋＨｚから中心周波数の２５％までの変調周波数を有する、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記生成された音は純音、クリックトレイン、スピーチ、音楽、バンドパスノイズ、またはホワイトノイズである、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記変調は、前記生成された音を振幅変調または周波数変調し、変調音を生成することからなる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記変調音にオフセットランプを追加することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記オフセットランプの持続時間は１分間またはそれ以上である、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記変調音の持続時間は８時間以下である、請求項１５に記載の方法。
【請求項２４】
前記変調は、二重段階波の適応手順により行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２５】
前記変調音を携帯型オーディオ装置に記憶することをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月14日(2012.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
１つの特徴によれば、コリメーション手段とセンサーの配置は、そのセンサーの活性面を照射するコリメートされたビームが、活性面への長軸の射影に最も近い位置にある縁部によって規定されるようにされていて、その縁部は、Ｘ線発生装置とそのセンサーが回転するときにオーバーラップ領域を最小にできる最小距離の位置にある。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
このようにすると、Ｘ線発生装置とセンサーが回転するとき、照射される物体においてオーバーラップされる体積を最小にして、物体に関するアーチファクトのない立体表示を再構成することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
１つの特徴によれば、コリメーション手段とセンサーの配置は、そのセンサーの活性面を照射するコリメートされたビームが、活性面への長軸の射影に最も近い位置にある縁部によって規定されるようにされていて、その縁部は、Ｘ線発生装置とそのセンサーが回転するときにオーバーラップ領域を最小にできる最小距離の位置にある。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
１つの特徴によれば、上記処理は、異なる信号に由来していて回転中にＸ線ビームを順番に照射された物体の各部から来るデータに重みを付けるステップを含んでいて、その重み付けの調節は、順番に回転していくときにビームが常に照射されているオーバーラップ領域と呼ぶ物体の領域の中にその物体の照射された部分が存在するかしないかに応じて行なわれる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６３】
【図１】本発明による歯科放射線医学装置を斜めから見た全体概略図である。
【図２】従来技術によるセンサーとＸ線発生装置の配置を上から見た概略図である。
【図３ａ】本発明によるセンサーとＸ線発生装置の配置を２つの角度位置について上から見た概略図である。
【図３ｂ】本発明によるセンサーとＸ線発生装置の配置を２つの角度位置について上から見た概略図である。
【図３ｃ】中心からずらして配置したセンサーのアノードの傾きの変更を示す。
【図３ｄ】Ｘ線ビームの強度を長軸３４に対する傾きの関数として示した概略図である。
【図３ｅ】図３ａの一部を拡大した概略図であり、オーバーラップ領域を示している。
【図３ｆ】オーバーラップ領域を最小にするためセンサーがずれた位置にある概略図である。
【図４】センサーから供給されるデータを処理する操作の概略図である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１５】
センサーのずれｄの値は、センサーとＸ線発生装置が次々と回転していく間にＸ線ビームによって掃引される物体３２のあらゆる領域または部分に共通するオーバーラップ領域が必要とされることによって制限される。このオーバーラップ領域は図３ｅ（図３ａの部分拡大図）に参照番号３９で示してあり、この図の回転面内で参照番号３０を中心とする円に対応する。しかしオーバーラップ領域は三次元であり、回転軸３０を持つ円筒体であることに注意する必要がある。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１１８】
このずれた構成では、可能な最大のずれは、センサーの幅の半分から幅Ｉを差し引いた値に対応する。幅Ｉは、オーバーラップ領域をできるだけ小さくできるが、物体を立体的に再構成する際にアーチファクトをなくすのに十分な最小距離を表わす。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２１】
したがってセンサーの中心２０ｂは、オーバーラップ領域をできるだけ小さくするという上に示した理由により、最大で、センサーの活性面２０ａへの長軸３４の射影から、センサーの幅の半分（Ｌ／２）よりも小さなＬ／２−Ｉに等しい距離だけ横方向にずれている。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１２２】
センサーの活性面に周辺領域２０ｃが存在することを考慮すると、所定のサイズのセンサーで照射面をできるだけ広くしたい場合、センサーは、最大で距離Ｌ／２−Ｉからこの領域２０ｃの幅を差し引いた値だけずらすことができる。このようにするとオーバーラップ領域は確実に最小になる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５５】
図４のアルゴリズムは、ブロック４１から出るデータに適用されてＸ線撮影された物体の非オーバーラップ領域をオーバーラップ領域と一様化する第３の処理ブロック４２を備えていることが望ましい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５６】
一般に、ブロック４１においてフィルタリングされたそれぞれの信号または射影は、ブロック４２において、オーバーラップ領域３９（Ｘ線ビームが回転するときに物体のうちでＸ線ビームを常時照射される部分または領域）を考慮し、異なる信号または射影からのデータ同士の間に存在する冗長性を考慮した重み関数を掛けられる。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１５７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１５７】
一般に、重みは、センサーとＸ線発生装置が順番に回転していくときにＸ線ビームを照射されてセンサーが異なる信号を供給する物体の領域が、オーバーラップ領域３９（図３ｅ）に対してどのような位置にあるかの関数として調節する。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(i) S-アデノシルメチオニン(SAM)依存性ハロゲン化メチルトランスフェラーゼ(MHT)をコードする異種遺伝子を含む組換え型酵母；
(ii) 塩素、臭素、およびヨウ素を含む群から選択されるハロゲン化物；ならびに
(iii) 炭素源
を、ハロゲン化メチルが産生される条件下で培養培地において混合する段階を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月11日(2011.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）透明な支持体を用意するステップと；
ｂ）カラーパターンを有するカラーマスクを透明な支持体の第１の側に形成するステップと；
ｃ）カラーマスクを形成した後、可視光に対して感受性のある堆積阻害材料を含む第１の層を、透明な支持体の第１の側またはその第１の側の反対側に適用するステップと；
ｄ）カラーマスクを通して第１の層を可視光に露光して、コーティングされたときの第１の状態とは異なる露光された第２の状態にある堆積阻害材料から構成される第１のパターンを形成し、堆積阻害材料を現像して堆積阻害材料が実質的にない選択された領域を第１の層にもたらすことによって、堆積阻害材料を含む第１の層をパターニングするステップと；
ｅ）透明な支持体の上に機能性材料の第２の層を堆積するステップ；
を含み、機能性材料の第２の層は、透明な支持体上の堆積阻害材料のない選択された領域にだけ実質的に堆積される、構造体を形成する方法。
【請求項２】
堆積阻害材料が実質的にない前記選択された領域が、第１のパターンのうちでコーティングされたときの第１の状態からなる部分に対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
機能性材料を堆積させる前記ステップが、原子層堆積により透明な支持体の上に無機薄膜を堆積させることを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
無機薄膜を堆積させる前記ステップが、一連のガス流を同時に案内することを含み、当該一連のガス流は、順に、少なくとも、第１の反応性ガス材料と、不活性なパージガスと、第２の反応性ガス材料とを含み、任意選択的に、これらのガス流を複数回繰り返し、第１の反応性ガス材料は、第２の反応性ガス材料で処理された基材表面と反応して無機薄膜を形成でき、第１の反応性ガス材料は揮発性有機金属前駆体化合物であり、当該方法は、堆積中の基材の温度を３００℃未満にしながら実質的に大気圧でまたは大気圧超で実施され、前記無機薄膜は、前記基材表面のうちで堆積阻害材料が実質的にない選択された領域にだけ実質的に堆積されることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記堆積阻害材料が透明な支持体の第１の側に適用され、カラーマスクと支持体と前記選択された領域の機能性材料が前記構造体中に残る、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記機能性材料を堆積させた後に前記堆積阻害材料を除去することをさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記カラーマスクが少なくとも２つの異なるカラーパターンを含み、ステップ（ｄ）においてそれらのカラーパターンのうちの１つを使用する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
露光に用いられる可視光が、前記カラーマスクの吸収スペクトルに実質的に含まれるスペクトルを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
露光に用いられる可視光が白色光であり、前記堆積阻害材料が前記カラーマスクによってフィルタリングされた光スペクトルに対して感受性を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記堆積阻害材料が光開始剤とポリマー材料を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
カラーパターンを有する前記カラーマスクが、前記透明な支持体の、前記堆積阻害材料を含む第１の層が適用されるとともに透明な支持体の第２の層が堆積される側と同じ側に形成され、光パターン化可能な材料の層がポジ型またはネガ型である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
カラーパターンを有する前記カラーマスクが、前記透明な支持体の、前記堆積阻害材料を含む第１の層が適用される側の反対側で、かつ、透明な支持体の第２の層が堆積される側の反対側に形成され、光パターン化可能な材料の層がポジ型である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化薄膜を形成する方法であって：
（ａ）基板を用意する工程、
（ｂ）該基板に、オルガノシロキサンを含むフォトパターン化可能な堆積阻害材料を含む組成物を適用する工程、
（ｃ）該フォトパターン化可能な堆積阻害材料を画像形成化学線に暴露することにより、被覆されたままの第１状態とは異なる露光された第２状態の堆積阻害材料から構成されるパターンを形成する工程、
（ｄ）該露光されたフォトパターン化可能な堆積阻害材料を処理することにより、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された領域を提供する工程、そして
（ｅ）気相堆積法によって該基板上に機能材料層を堆積する工程、
を含み、
該機能材料が、該堆積阻害材料を有さない該選択された基板領域内だけに実質的に堆積される、
パターン化薄膜を形成する方法。
【請求項２】
該オルガノシロキサンが、架橋されたビニル末端シロキサンを含むポリマーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該オルガノシロキサンが、フッ素化又は部分フッ素化オルガノシロキサンである、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
該フォトパターン化可能な堆積阻害材料が、励起状態に達するために画像形成化学線を吸収することができる色素を光開始剤として含有する、エチレン付加重合のための開始剤系をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記フォトパターン化可能な堆積阻害材料が、オルガノシロキサンに加えて、モノマー、オリゴマー、又は架橋可能なポリマー、及びこれらの混合物から成る群から選択され、そして標準圧力で１００℃を上回る沸点を有する少なくとも１種の付加重合性エチレン系不飽和化合物を含むフォトパターン化可能材料をさらに含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
該フォトパターン化可能な堆積阻害材料が、環化ポリ（ｃｉｓ−イソプレン）を含み、そしてビスアジドでＵＶ線に対して増感され、任意選択的に色素増感剤で可視波長に対して増感されたフォトパターン化可能材料をさらに含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
該機能材料が、気相堆積法、化学蒸着法、又は原子層堆積法によって堆積される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法を用いて製造された電子デバイスであって、該電子デバイスが、集積回路、アクティブ・マトリックス・ディスプレイ、太陽電池、アクティブ・マトリックス撮像装置、センサ、及びｒｆ価格ラベル、識別ラベル、又は在庫ラベルから成る群から選択される、電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月18日(2013.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二本鎖リボ核酸（ｄｓＲＮＡ）であって、該ｄｓＲＮＡは、３０ヌクレオチド未満であり、かつ実質的に互いに相補的な少なくとも２つの配列を含み、該ｄｓＲＮＡのセンス鎖が第一配列を含み、該ｄｓＲＮＡのアンチセンス鎖が第ＶＩＩ因子をコードするｍＲＮＡに相補的な領域を含む第二配列を含み、該相補的な領域が長さ３０ヌクレオチド未満であり、該第二配列が配列番号２のヌクレオチド配列の少なくとも１５の隣接ヌクレオチドを含む、ｄｓＲＮＡ。
【請求項２】
９８Ｎｌ２‐５で製剤化した第ＶＩＩ因子標的ｓｉＲＮＡの単回投与によって少なくとも２５％発現抑制することにより、前記ｄｓＲＮＡがラット肝第ＶＩＩ因子ｍＲＮＡレベルを低減する、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項３】
前記センス鎖またはアンチセンス鎖の少なくとも１つのヌクレオチドは、修飾ヌクレオチドである、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項４】
前記修飾ヌクレオチドが、２’‐Ｏ‐メチル修飾ヌクレオチド、５’‐ホスホロチオエート基含有ヌクレオチド、及びコレステリル誘導体又はドデカン酸ビスデシルアミド基に連結した末端ヌクレオチドからなる群から選択される、請求項３に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項５】
前記修飾ヌクレオチドが、２’‐デオキシ‐２’‐フルオロ修飾ヌクレオチド、２’‐デオキシ修飾ヌクレオチド、ロックトヌクレオチド、脱塩基性ヌクレオチド、２’‐アミノ修飾ヌクレオチド、２’‐アルキル修飾ヌクレオチド、モルホリノヌクレオチド、ホスホラミデート、及びヌクレオチド含有非天然塩基からなる群から選択される、請求項３に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項６】
前記修飾ヌクレオチドが、ホスホロチオエート又は２’修飾ヌクレオチドを含む、請求項３に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項７】
前記相補的な領域が少なくとも１５ヌクレオチドの長さである、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項８】
前記相補的な領域が１９〜２１ヌクレオチドの長さである、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項９】
前記第二配列が、配列番号２のヌクレオチド配列を含む、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１０】
前記第一配列が、配列番号１のヌクレオチド配列を含む、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１１】
前記第二配列が、配列番号２のヌクレオチド配列からなる、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１２】
前記第一配列が、配列番号１のヌクレオチド配列からなる、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１３】
前記第二配列は、配列番号２のヌクレオチド配列を含み、前記第一配列は、配列番号１のヌクレオチド配列を含む、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１４】
前記第二配列は、配列番号２のヌクレオチド配列からなり、前記第一配列は、配列番号１のヌクレオチド配列からなる、請求項１に記載のｄｓＲＮＡ。
【請求項１５】
請求項１に記載のｄｓＲＮＡの少なくとも１つの鎖をコードするヌクレオチドに作動可能に連結された調節配列を含む、ベクター。
【請求項１６】
請求項１５に記載のベクターを含む細胞。
【請求項１７】
請求項１に記載のｄｓＲＮＡを含む細胞。
【請求項１８】
請求項１に記載のｄｓＲＮＡ及び製薬上許容可能な担体を含む医薬組成物。
【請求項１９】
細胞内ＶＩＩ因子遺伝子発現の阻害のための、請求項１に記載のｄｓＲＮＡを含む組成物であって、該ｄｓＲＮＡが該細胞内に導入され、該細胞が、第ＶＩＩ因子遺伝子のｍＲＮＡ転写産物を分解するのに十分な時間維持される、組成物。
【請求項２０】
ウイルス性出血性発熱の治療又は管理のための、請求項１に記載のｄｓＲＮＡの治療的有効量を含む、組成物。
【請求項２１】
細胞内ＶＩＩ因子遺伝子発現の阻害のためのインビトロの方法であって、
（ａ）請求項１に記載のｄｓＲＮＡを細胞内に導入する工程と、
（ｂ）工程（ａ）において産生される細胞を、第ＶＩＩ因子遺伝子のｍＲＮＡ転写産物を分解するのに十分な時間維持し、それによって細胞内の第ＶＩＩ因子遺伝子発現を阻害する工程とを含む方法。
【請求項２２】
本発明の二本鎖ＲＮＡ（ｄｓＲＮＡ）。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
小売市場において入手できる多くの抗酸化添加剤は合成化学物質からなる。植物は、そのレドックス特性のために抗酸化性である、多数のバイオフェノール化合物を含み；それらが還元剤、水素供与体、一重項酸素クエンチャー（ｓｉｎｇｌｅ ｏｘｙｇｅｎ ｑｕｅｎｃｈｅｒｓ）及び金属キレート剤として作用することを可能にする。消費者の間に、食品中の合成化学添加物及び揚げ物中の高い脂肪含有量に対する意識が広まっていた。ラットへのブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）の飼料投与が、胸膜及び腹腔及び組織内、すなわち、精巣上体、睾丸及び膵臓内で致死的出血を引き起こすことが報告されてきた。ブチルヒドロキシアニソール（ＢＨＡ）も毒性及び発癌効果を示す。これらの抗酸化剤は法的限界の範囲内での使用が考慮されており、その有効性及び低価格のために、それらは食品産業においてしばしば用いられている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミカン属植物の植物部位に由来する極性抽出物を含む、調理油中の揚げ物内の油吸収を減少させるために調理油中に含有させる抗酸化添加剤組成物。
【請求項２】
植物部位が、果実、葉、茎、花又は根である、請求項１記載の抗酸化添加剤組成物。
【請求項３】
ミカン属植物の植物部位に由来する極性抽出物を含む抗酸化添加剤を含む調理油組成物。
【請求項４】
組成物中の添加剤濃度が０．０２％〜０．５％である、請求項３記載の組成物。
【請求項５】
植物部位が、果実、葉又は花である、請求項３記載の組成物。
【請求項６】
抽出物が、ピネン、シトロネラール、テルピネン−４−オール、シトロネロール、酢酸シトロネリル、ゲラニアール、酢酸ゲラニアール、ネラール、カロテノイド類、トコフェノール類、トコトリエノール類、フラボノイド類、エリオシトリン、ネオエリオシトリン、ナリルチン、ヘスペリジン、ネオヘスペリジン、ジジミン、ルテイン、フロクマリン類及びカルバゾールからなる群から選択される１種以上の化合物を含む、請求項３記載の組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年1月31日(2013.1.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジェットミルで米を湿式粉砕する工程と、
粉砕した米を真空乾燥する工程と、
１００メッシュを通過する米粉を得るように、真空乾燥した米粉を網で仕分けする工程と、を備える米粉の調整方法。
【請求項２】
７５〜８５ｗｔ％の請求項１に記載の１００メッシュを通過する米粉と、５〜１５ｗｔ％のタピオカ澱粉と、５〜１５ｗｔ％の添加物とを含むパンケーキの調合物。
【請求項３】
前記添加物は、混合野菜粉、全卵粉、とうもろこし粉、塩、砂糖、ベーキングパウダー、グアーガム、及びくちなし黄着色物からなる群より選ばれた１種又は２種以上の組み合わせである請求項２に記載のパンケーキの調合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
本発明は、ジェットミルで米を湿式粉砕するステップと、粉砕された米を真空乾燥するステップと、真空乾燥された米粉を網（メッシュ）で仕分けすることによって、１００メッシュを通過する米粉を得るステップとを含む米粉の調合方法を提供することを特徴とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
米粉砕にて用いられたローラの違いによって１００メッシュを通過する米粉の収率を検査するため、１００キログラムの米をジェットミルで３０分間粉砕し（グループ１）、また１００キログラムの米をハンマーミルで圧縮及び衝撃によって３０分間粉砕した（グループ２）。粉砕後、粉砕した米をメッシュサイズ毎に分別してサイズ毎の収率を検査した。結果は表２に示した。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
【表２】
（ローラによって分類された）粉砕方法に基づくサイズ毎の収率
2011505805.tif 000001
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
表２に示した通り、米粉砕において幅広く用いられる２種類の方法、即ち、ジェットミルによる粉砕方法及びハンマーミルによる粉砕方法との間では、ジェットミルによる粉砕方法が１００メッシュを通過する米粉をより多く得ることができた。これに基づき、以降は米粉砕にジェットミルを用いた。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
実施例１から実施例３の結果を統合すると、米粉が低い澱粉損壊率を呈することから、パンケーキ調合物に適した米タイプは、ジェットミルで湿式粉砕し、真空乾燥し、１００メッシュを通過することにより調合された米粉であると結論づけることができた。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月17日(2011.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者から単離した生体試料において、ＦＯＸＬ−２及び／又はそのプロモータ若しくは調節因子におけるＣｐＧメチル化の有無を検出することによるものであり、ＣｐＧの高メチル化が、前記細胞増殖性障害の存在の指標となる、細胞増殖性障害又は肺癌の存在を検出する方法。
【請求項２】
前記被験者から得られた生体試料から単離したゲノムＤＮＡを、該ゲノムＤＮＡの少なくとも１つの標的領域内でメチル化ＣｐＧジヌクレオチドと非メチル化ＣｐＧジヌクレオチドとを識別する、少なくとも１つの試薬又は試薬群に接触させる工程であって、該標的領域が、配列番号５の少なくとも１６個の連続したヌクレオチドの配列を含むか、又はストリンジェントな条件下でこれとハイブリダイズし、前記連続したヌクレオチドがＣｐＧジヌクレオチド配列を少なくとも１つ含む、接触させる工程、をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ａ）該処理ゲノムＤＮＡ又はその処理断片を、増幅酵素及び配列番号１６、１７、３０及び３１から成る群から選択される配列に相補的であるか、又は適度にストリンジェントな条件若しくはストリンジェントな条件下でこれらとハイブリダイズする少なくとも９ヌクレオチドの連続した配列及びその相補鎖を含む少なくとも１つのプライマーに接触させる工程であって、該処理ゲノムＤＮＡ又はその断片のいずれかを増幅し、少なくとも１つの増幅産物を産出するか又は増幅しない、接触させる工程、並びに
ｂ）前記増幅産物の有無又は特性に基づき、配列番号５の少なくとも１つのＣｐＧジヌクレオチドのメチル化状態若しくはレベル、又はその平均、又は配列番号５の複数のＣｐＧジヌクレオチドの平均メチル化状態若しくはレベルを反映する値を決定する工程であって、細胞増殖性障害の検出又は診断の少なくとも一方を可能にする、決定する工程、
をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
該ゲノムＤＮＡ又はその断片の処理において、重亜硫酸塩、亜硫酸水素塩、二亜硫酸塩、硫酸アンモニウム又は硫酸グアニジン、及びこれらの組合せから成る群から選択される試薬の使用を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記被験者から得られた該生体試料が、細胞株、組織断片、生検、パラフィン包埋組織、体液、尿、血漿、血清、全血、単離血球、血液から単離される細胞及びこれらの組合せを含む群から選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
配列番号１６、１７、３０及び３１から成る群から選択される配列に相補的であるか、又は適度にストリンジェントな条件若しくはストリンジェントな条件下でこれらとハイブリダイズする少なくとも９ヌクレオチドの連続した配列及びその相補鎖を含む少なくとも１つの核酸分子又はペプチド核酸分子をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記核酸分子又はペプチド核酸分子がハイブリダイズされる核酸の増幅を抑制する、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ｂ）の決定する工程において、該増幅産物のシークエンシングを行うことを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
ａ）の増幅又は接触させる工程において、メチル化特異的なプライマーの使用を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
ａ）ゲノムＤＮＡを該被験者から得られた生体試料から抽出、又は単離する工程、
ｂ）ａ）のゲノムＤＮＡ又はその断片を、１つ又は複数のメチル化感受性制限酵素で消化する工程、
ｃ）ｂ）のＤＮＡ制限酵素消化物を、増幅酵素及び配列番号５のＣｐＧジヌクレオチドを少なくとも１つ含む配列の増幅に適した少なくとも２つのプライマーに接触させる工程、及び
ｄ）増幅産物の有無に基づき、配列番号５の少なくとも１つのＣｐＧジヌクレオチドのメチル化状態若しくはレベルを決定する工程であって、これによって細胞増殖性障害、好ましくは肺癌の検出が可能になる、決定する工程、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
配列番号５の少なくとも１６塩基長のセグメントと、同一であるか、又はこれに相補的であるか、又はストリンジェントな条件若しくは高ストリンジェントな条件下でこれとハイブリダイズする、少なくとも１つの核酸若しくはペプチド核酸とのハイブリダイゼーションによって増幅産物の有無が決定される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
配列番号１６、１７、３０及び３１から成る群から選択されるＤＮＡ配列の少なくとも１６個の連続したヌクレオチド、及びそれらに相補的な配列を含む核酸。
【請求項１３】
配列番号１６、１７、３０及び３１から成る群から選択されるＤＮＡ配列の少なくとも９ヌクレオチド長のセグメントと、同一であるか、又はこれに相補的であるか、又はストリンジェントな条件若しくは高ストリンジェントな条件下でこれとハイブリダイズする、オリゴヌクレオチド。
【請求項１４】
（ａ）重亜硫酸試薬と、（ｂ）配列番号１６、１７、３０及び３１から成る群から選択されるＤＮＡ配列の少なくとも９塩基長のＤＮＡセグメントと同一であるか、又はこれに相補的であるか、又はストリンジェントな条件若しくは高ストリンジェントな条件下でこれとハイブリダイズする、少なくとも一組のオリゴヌクレオチドとを含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法を行うのに適したキット。
【請求項１５】
肺癌細胞増殖障害の診断、疾患進行の状態の検出、疾患に関する良好かつ多くの情報の取得及び／又は特徴付けにおける請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法、請求項１２及び１３に記載の核酸及びオリゴヌクレオチド、及び／又は請求項１４に記載のキットの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成23年12月9日(2011.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炎症性リウマチ性疾患（ＩＲＤ）の炎症性要素の治療用薬剤の製造における単離骨形成細胞の使用であって、
該骨形成細胞が、以下の特徴：
ｉ）該細胞がアルカリホスファターゼ（ＡＬＰ）、より具体的には骨−肝臓−腎臓型のＡＬＰ、及び／又はオステオカルシン（ＯＣＮ）の発現を有すること；
ｉｉ）該細胞が外部環境を石灰化するか、又はカルシウム含有細胞外マトリクスを合成する能力の証拠を示すこと；及び
ｉｉｉ）該細胞が実質的に、脂肪細胞系列又は軟骨細胞系列の細胞のうちいずれか一方、好ましくはそのいずれにも分化しないこと、
を示す、該骨形成細胞の使用。
【請求項２】
該骨形成細胞が、ａ）造骨分化を行なうことが可能であるか、又はｂ）造骨分化の方向に拘束されている（committed）か、又はｃ）少なくとも部分的に造骨分化が進行している、請求項１に記載の単離骨形成細胞の使用。
【請求項３】
炎症性リウマチ性疾患（ＩＲＤ）の炎症性要素の治療用薬剤の製造における骨芽細胞（osteoblasts）の使用。
【請求項４】
該単離骨形成細胞又は該骨芽細胞が、単離骨髄幹細胞又は間葉系幹細胞から分化により派生する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の使用。
【請求項５】
該骨形成細胞がヒト起源のものであり、且つ該薬剤がヒト被験体への自家投与又は同種投与に採用される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の使用。
【請求項６】
前記投与が全身、局所、関節内、又は関節周囲への投与である、請求項５に記載の使用。
【請求項７】
該ＩＲＤが骨関節炎（ＯＡ）、乾癬性関節症、痛風、偽痛風、並びに関節リウマチ（ＲＡ）、腸疾患性関節炎、反応性関節炎及びライター症候群を含む様々な原因による関節炎、骨壊死、少関節型若年性関節リウマチ、スティル病、ベーチェット病、全身性エリテマトーデス、敗血症性関節炎、並びに強直性脊椎炎、腸疾患性脊椎炎及び未分化脊椎関節症を含む脊椎関節症から選択される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項８】
該ＩＲＤが骨関節炎（ＯＡ）、関節リウマチ（ＲＡ）及び骨壊死以外のものである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の使用。
【請求項９】
該ＩＲＤが炎症及び骨病変（複数可）の両方を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１０】
該ＩＲＤが炎症を含むが、骨病変（複数可）を含まない、請求項１〜８のいずれか一項に記載の使用。
【請求項１１】
骨形成細胞、並びにＩＲＤの炎症性要素の治療において同時使用、逐次使用又は個別使用される、疾患修飾性抗リウマチ薬（ＤＭＡＲＤ）及びグルココルチコイドから選択される薬物を含む医薬組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
ある実施形態のステッピングモーター制御では、低スイッチング閾値から高スイッチング閾値までの電流の上昇時間、高スイッチング閾値から低スイッチング閾値までの電流の下降時間、上昇時間および下降時間を構成する継続期間、複数の前記上昇時間、複数の前記下降時間、または、複数の前記継続期間のいずれかを測定し、前記測定した時間と、高ステップ損失閾値とを比較し、前述の閾値を超過する場合にステップ損失が検出されることで、センサーの不要なステップ損失検出が達成される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ステッピングモーターを開始／終了周波数を超えて動作させると、モーターが振動するだけではなく、モーターが開始できないほどのステップ損失が発生する。それによって、電流の継続期間が減少する現象が現れる。従って、高い回転速度の場合、上昇時間、下降時間、電流の継続期間、複数の前記上昇時間、複数の前記下降時間、または、複数の前記継続期間のいずれかを測定し、測定した時間と低ステップ損失閾値（ｔｍｉｎ）とを比較し、前述の閾値に達しない場合にステップ損失を検出するのが適切である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５３】
したがって、好ましくは、継続期間ｔｘの最大値は、信号Ｓ７の継続期間ｔｘ（または、複数の継続期間ｔｘ）を複数測定することで決定されることが提案される。つまり、ステップ損失が起こった場合、継続期間ｔｘの散乱した値の中に、非常に高い値が発生することがわかる。そのような最大値は確かに負荷モーメントと共に変化するが、ステップ損失が起こった場合に上方へ極端に飛び上がる傾向がある。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月22日(2013.5.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補強ファイバを含まない、１００％固体熱可塑性ポリウレタン、１００％固体熱硬化性ポリウレタン又はこれらのアロイ、
１５０以下のデニール値の織り布、又は、
滑らかな表面を有するように重合体で塗布された織り布
からなる群から選択された画像補強層の上の、０．０２５から０．３ｍｍの厚さを有する薄い印刷面層を有する印刷ブランケット又はスリーブを備えた画像転写生成品であって、
前記画像転写生成品が印刷ブランケットを備える場合、前記ブランケットは、表面が前記画像補強層により覆われた、又は最上層が前記画像補強層であるブランケットカーカスを有すると共に、前記薄い印刷面層は、前記画像補強層に直接接着されており、
前記画像転写生成品が印刷スリーブを備える場合、前記スリーブは、硬質金属、重合体、又は重合体複合材からなるベーススリーブを有し、前記画像補強層は、前記ベーススリーブ上にあり、前記薄い印刷面層は、前記画像補強層に直接接着されていることを特徴とする画像転写生成品。
【請求項２】
前記画像転写生成品は、印刷ブランケットを備え、前記ブランケットカーカスは、布、膜、重合体複合材料、又は金属から成る少なくとも１つのベースプライを備えていることを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項３】
前記ブランケットカーカスは、更に可圧縮層を含むことを特徴とする請求項２に記載の画像転写生成品。
【請求項４】
前記画像転写生成品は、印刷スリーブを備え、前記ベーススリーブは、可圧縮層を含むことを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項５】
前記印刷面層は、０．０５乃至０．１８ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項６】
前記印刷面層は、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、多硫化ゴム、ブチルゴム、ＥＰＤＭゴム、熱可塑性及び熱硬化性ポリウレタン、並びにそれらの混合物又はアロイから選択されることを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項７】
前記画像補強層は、ポリエステル織り布であることを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項８】
前記画像補強層は、重合体が塗布された織り布であることを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項９】
前記重合体は、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ＥＰＤＭゴム、ポリビニル塩化物、ポリウレタン、及びそれらの混合物又はアロイから選択されることを特徴とする請求項８に記載の画像転写生成品。
【請求項１０】
前記画像補強層は、表面に重合体膜が貼り合わせられた布層であることを特徴とする請求項１に記載の画像転写生成品。
【請求項１１】
薄い印刷面層を有する画像転写生成品を作る方法であって、
少なくとも１つのベースプライを備えたブランケットカーカス、又は硬質金属、重合体、又は重合体複合材からなるベーススリーブを用意し、
補強ファイバを含まない、１００％固体熱可塑性ポリウレタン、１００％固体熱硬化性ポリウレタン又はこれらのアロイ、１５０以下のデニール値の織り布、又は、滑らかな表面を有するように重合体で塗布された織り布からなる群から選択された画像補強層を、前記ブランケットカーカス又はベーススリーブに付し、
０．０２５乃至０．３ｍｍの厚さを有する印刷面層を、前記画像補強層に直接接着させることを特徴とする方法。
【請求項１２】
更に、前記画像補強層を付する前に、可圧縮層を前記ブランケットカーカス又はベーススリーブに付することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記印刷面層は、ロール式ナイフ塗布処理、カレンダー処理、非静電的スプレイ塗布処理、静電的スプレイ塗布処理、又は押出し貼り合わせにより付されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記画像補強層は、ロール式ナイフ塗布処理、カレンダー処理、空気圧スプレイ塗布処理、静電スプレイ塗布処理、スロットダイ塗布処理、又は押出し処理により液体で採用される１００％固体ポリウレタンを備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記画像補強層は、貼り合わせにより付されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
画像転写生成品は、ブランケットカーカス内にある、又はベーススリーブの上にある可圧縮層を更に備えている。
好適には、印刷面層は、約０．００２乃至約０．００７インチ（約０．０５乃至約０．１８ｍｍ）の厚さを有する。印刷面層は、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、多硫化ゴム、ブチルゴム、ＥＰＤＭゴム、熱可塑性及び熱硬化性ポリウレタン、並びにそれらの混合物又はアロイから選択される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
画像補強層は、好ましくは、重合体膜、布、又はそれらの組み合わせから選択される。
本発明の一実施形態においては、画像補強層は、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ＥＰＤＭゴム、ポリビニル塩化物、ポリウレタン、及びそれらの混合物又はアロイから選択された重合体膜からなる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の他の実施形態においては、画像補強層は、ポリエステル織り布のような滑らかな厚さ一定の布である。
本発明の更に他の実施形態においては、画像補強層は、重合体コーティングが浸透又は塗布された、又は表面に重合体膜が貼り合わせられた布層であり、それにより印刷面層が付される滑らかな面が得られる。布層は、好ましくは、織られたポリエステルである。塗布又は膜を形成する重合体は、ニトリルゴム、水素化ニトリルブタジエンゴム、ブチルゴム、ＥＰＤＭゴム、ポリビニル塩化物、ポリウレタン、及びそれらの混合物又はアロイから選択される。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
我々は、ブランケット又はスリーブ構成において、滑らかな面を有する画像補強層を使用することにより、非常に薄い印刷面層を使用することができるようになることを発見した。滑らかな画像補強層は、厚さ及び面の十分な均一性を呈するので、下にある補強層から印刷面又は印刷画像までを通して見える糸、パターン、模様という問題を抱えることなく、より薄い印刷面が適用できる。本発明の印刷面層は、約０．００１〜０．０１２インチ（約０．０２５〜約０．３ｍｍ）の厚さを有している。一方、従来技術における印刷面層の厚さは、典型的には、約０．０１２〜０．０２０インチ（０．３ｍｍ〜０．５１ｍｍ）である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月20日(2013.5.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報（１１４）を記憶するための複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）であり、チェーン化ネットワークとして組織化され、前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）の少なくとも１つがアップストリーム通信バッファ（１３２、１３４）を含む、複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）と、
前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）内部の前記少なくとも１つのアップストリーム通信バッファ（１３２、１３４）の制約条件に基づいて複数の記憶ノードへの流れを制御するマスタコントローラ（１１０）であり、前記マスタコントローラ（１１０）と前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）との間の通信が決められた最大待ち時間を有するマスタコントローラ（１１０）と
を備え、
前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）のうち最も遠い記憶ノード（１４０）からの要求に対する最大の応答時間が、
ｍａｘＬａｔ（ＭａｘＮｏｄｅ）＝ｍｉｎＬａｔ（ＭａｘＮｏｄｅ）＋（ＭａｘＮｏｄｅ−１）×（ＢＬ／２×１／ｔＣＫ）
という関係によって定義され、ここでｍａｘＬａｔ（ＭａｘＮｏｄｅ）はチェーン内の最後のノードの最大待ち時間、ｍｉｎＬａｔ（ＭａｘＮｏｄｅ）はチェーン内の最後のノード（１４０）の最小待ち時間、ＢＬは応答のバースト長、ｔＣＫはクロック周期である、記憶システム。
【請求項２】
前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）の配置についての情報が、前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）がチェーン化ネットワークとして組織化されていること、及びダウンストリームにある前記メモリノードからの応答が優先されることを示す、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項３】
前記アップストリーム通信バッファ（１３２、１３４）の少なくとも１つのサイズが、Ｎのバースト要求の長さによって確立される、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項４】
最小待ち時間が、他の待ち状態の要求がないかのように、送出されるべき要求と、前記複数の記憶ノード（１２０、１３０、１４０）の特定のものから受け取られるべき応答との往復時間によって決定される、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項５】
前記アップストリーム通信バッファが内部メモリコア（１３２）からの応答を、ダウンストリームの他のデバイスからの、アップストリームに転送されるべき応答を待ちながら一時的に記憶する、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項６】
前記マスタコントローラが要求の個別待ち時間を
前記システム内の未処理応答のベクトルと、
前記複数のメモリノード（１２０、１３０、１４０）のそれぞれの最小待ち時間と、
前記要求のバースト長と、
クロック周波数と、
前記マスタコントローラ（１１０）と前記複数のメモリノード（１２０、１３０、１４０）を結合するバスの幅と、
前記システム内の前記複数のメモリノード（１２０、１３０、１４０）の数のメモリノードカウントとに基づいて決定する、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項７】
前記マスタコントローラ（１１０）が新たな要求を挿入し、ベクトル要求内部の要求を前記新たな要求の対応する待ち時間と、前記ベクトル要求内部の前記要求の対応する待ち時間とに基づいて再構成する、請求項１に記載の記憶システム。
【請求項８】
前記最大待ち時間が制約条件下の要求のものである、請求項１に記載の記憶システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
次に図２を参照すると、本発明の一実施形態による例示的な記憶フロー図２００が示されている。ステップ２１０で、メモリノードの配置、及びメモリノードとマスタコントローラの間のトラフィックフローに関する情報を得ることができる。例えば、この情報は、デイジーチェーン構造内のメモリ構成要素の数を含むことができる。同様に、この情報は、いくつか例を挙げると、ロバスト要求のバイト単位の長さ、クロックの周期、及びバスのバイト単位のサイズを含むことができる。一例では、配置についての情報は、記憶ノードがデイジーチェーン構造として構成されていること、及び／又は、それぞれ異なる記憶ノードの応答間で衝突がある場合には、マスタコントローラ１１０からより遠い記憶ノードが、マスタコントローラ１１０により近い記憶ノードよりも優先されることを示すことができる。