【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
立方晶系ケイ素の相と、
組成物の８０体積％以上を構成する、立方晶系ケイ素の前記相とともに共晶凝集体中に配置された、ケイ素以外の第１元素を含む相と
を含む組成物であって、上昇Ｒ曲線を示し、かつ５０重量％超のケイ素濃度を有する組成物。
【請求項２】
立方晶系ケイ素の相と；
組成物の８０体積％以上を構成する立方晶系ケイ素の前記相とともに共晶凝集体中に配置された、ケイ素以外の第１元素を含む相である第１シリサイド相であって、前記共晶凝集体が固有の間隔λを有する相と
を含む組成物であって、５０重量％超のケイ素濃度、１０λより大きい厚さ、および１．２ＭＰａ・ｍ１／２より大きい破壊靱性を有する組成物。
【請求項３】
立方晶系ケイ素の相と、
組成物の８０体積％以上を構成する共晶凝集体中に立方晶系ケイ素の前記相とともに配置された、ケイ素以外の第１元素を含む相である第１シリサイド相であって、前記共晶凝集体が固有の間隔λを有する相と
を含む組成物であって、５０重量％超のケイ素濃度および１００λより大きい厚さを有する組成物。
【請求項４】
立方晶系ケイ素の相と、
組成物の８０体積％以上を構成する共晶凝集体中に立方晶系ケイ素の前記相とともに配置された、ケイ素以外の第１元素を含む相である第１ダイシリサイド相であって、前記共晶凝集体が固有の間隔λを有する相と
を含む組成物であって、５０重量％超のケイ素濃度および１０λより大きい厚さを有する組成物。
【請求項５】
上昇Ｒ曲線を示す、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
２５℃で上昇Ｒ曲線を示す、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
立方晶系ケイ素とケイ素以外の第１元素を含む前記相との界面が、亀裂に遭遇すると離層することができる、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１．２ＭＰａ・ｍ１／２の破壊靱性を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
少なくとも２ＭＰａ・ｍ１／２の破壊靱性を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
前記共晶凝集体が種々の配向の局所領域を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
前記第１元素が遷移金属である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
前記第１元素が、バナジウム、クロム、ニオブ、およびタンタルの１つである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
前記第１元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タリウム、モリブデン、タングステン、鉄、オスミウム、コバルト、ニッケル、ストロンチウム、およびマグネシウムの１つである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
前記第１元素が、スカンジウムおよびイットリウムの１つである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
前記第１元素が、マンガンおよびレニウムの１つである、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１６】
前記第１元素がアルカリまたはアルカリ土類金属である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
鋳物である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１８】
立方晶系ケイ素の前記相とケイ素以外の第１元素を含む前記相とが変則的な共晶構造に配置されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１９】
ケイ素以外の第１元素を含む前記相が、第２元素を含む混合ダイシリサイド相である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２０】
ケイ素以外の第１元素を含む前記相が、第２元素を含む混合ダイシリサイド相であり、前記第１元素および前記第２元素が、共通の結晶構造のダイシリサイドを形成し、かつ前記組成物が２ＭＰａ・ｍ１／２より大きい破壊靱性を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２１】
塑性流動できる金属結合相を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２２】
前記金属結合相がスズ銀、アルミニウムまたは鉛を含む、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
前記組成物の厚さが２０λより大きい、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２４】
前記組成物の固有の間隔λが５μｍ未満である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２５】
ケイ素以外の第１元素を含む前記相は前記第１元素のシリサイドを含み、前記第１元素のシリサイドが、５０原子パーセントケイ素超のケイ素濃度でケイ素と二元共晶系を形成する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２６】
ケイ素以外の第１元素を含む前記相がケイ素以外の第２元素をさらに含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２７】
前記第１元素がバナジウムであり、前記第２元素がクロムである、請求項２６に記載の組成物。
【請求項２８】
第１共晶組成が、ケイ素と前記第１元素のシリサイドとの間に存在し、
第２共晶組成が、ケイ素と前記第２元素のシリサイドとの間に存在し、かつ
前記第１共晶組成と前記第２共晶組成とを結び付ける曲線上にある液体組成が冷却時に共晶凝固を受ける、請求項２６に記載の組成物。
【請求項２９】
前記第１元素のシリサイド、前記第２元素のシリサイド、および前記第１シリサイド相が共通の結晶構造中に存在する、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３０】
前記共晶凝集体が、前記曲線上にある液体組成を冷却することによって形成される、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３１】
ケイ素、前記第１元素および前記第２元素が、前記曲線上の点でのケイ素、前記第１元素および前記第２元素の各濃度の１原子パーセント内のそれぞれ各濃度で存在する、請求項２８に記載の組成物。
【請求項３２】
前記共晶凝集体が２つの相を含む、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項３３】
前記シリサイド相および立方晶系ケイ素の前記相の１つが、前記共晶凝集体の少なくとも１０体積％を占める、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３４】
前記第１シリサイド相が、少なくとも第１元素と第２元素との混合シリサイドである、請求項３２に記載の組成物。
【請求項３５】
前記混合シリサイドが混合ダイシリサイドである、請求項３４に記載の組成物。
【請求項３６】
前記第１元素がクロムであり、前記第２元素がバナジウムである、請求項３５に記載の組成物。
【請求項３７】
炭化タングステン対応体を使ったボールオンディスク試験によって測定されるように５×１０−１４ｍ２／Ｎ以下の比摩耗率を有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項３８】
ケイ素とバナジウムダイシリサイドとの間の共晶組成を、ケイ素とクロムダイシリサイドとの間の共晶組成と結び付ける曲線上の点でのケイ素、バナジウムおよびクロムの各濃度の２原子パーセント内のそれぞれ各濃度で、
約５０重量％より大きい濃度でケイ素、
バナジウム、および
クロム
を含み、前記曲線上にある液体が冷却時に共晶凝固を受ける、組成物であって、上昇Ｒ曲線を示す組成物。
【請求項３９】
ケイ素と少なくとも１つの元素とを一緒に溶融させて、５０重量％を超えるケイ素濃度を有する液体を形成する工程と、
前記液体を鋳型内に配置する工程と、
前記鋳型内で、前記液体を冷却し、それによって、物体の少なくとも８０体積％を構成する、共晶凝集体中に配置された立方晶系ケイ素とシリサイドとを同時に形成する工程とを備える、鋳造物の製造方法。
【請求項４０】
ケイ素と少なくとも１つの元素とを一緒に溶融させて、５０重量％を超えるケイ素濃度を有する液体を調製する工程と、
前記液体を鋳型内に配置する工程と、
前記鋳型内で前記液体を冷却することによって、物体の少なくとも８０体積％を構成する、共晶凝集体中に配置された立方晶系ケイ素とシリサイドとを同時に形成する工程と
によって形成される物体。