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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
少なくとも前記基板の端面を覆うように保護層を形成し、
物理的な手段を用いて前記基板を薄くし、
前記保護層を除去し、
前記基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
少なくとも前記基板の端面を覆うように保護層を形成し、
前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記保護層を除去し、
前記研磨された基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
前記基板の他方の面及び前記基板の端面を覆うように保護層を形成し、
前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記保護層を除去し、
前記研磨された基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または３において、前記研磨された基板の厚さは、２μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、可撓性を有するフィルムを用いて前記積層体の片面または両面を封止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一において、帯電防止フィルムを含む積層フィルムを用いて前記積層体の片面または両面を封止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれか一において、インジウム及び錫を含む酸化物が貼り付けられたフィルムを含む積層フィルムを用いて前記積層体の片面または両面を封止することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
前記基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成した後、
少なくとも前記積層体の端面を覆うように保護層を形成し、
物理的な手段を用いて前記積層体における前記基板を薄くし、
前記保護層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
前記基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成した後、
少なくとも前記積層体の端面を覆うように保護層を形成し、
前記積層体における前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記保護層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板の一方の面上に複数の集積回路を有する素子層を形成し、
前記基板及び前記素子層を分断して前記複数の集積回路のうち少なくとも一つが設けられた層を有する積層体を形成した後、
前記積層体における前記基板の他方の面及び前記積層体の端面を覆うように保護層を形成し、
前記積層体における前記基板の他方の面を研削し、
前記基板の研削された他方の面を研磨し、
前記保護層を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または１０において、前記研磨された基板の厚さは、２μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記保護層を、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、液滴吐出法、またはディスペンサー法により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記保護層として可逆性材料を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記保護層としてホットメルトワックスまたはＵＶ剥離性樹脂を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）凹溝パターンが形成された第１の絶縁膜を有するウエハの第１の主面上および前記凹溝パターン内に、銅または銅を主要成分とするメタル層を形成する工程；
（ｂ）前記工程（ａ）の後、ＣＭＰ装置内の第１の研磨プラテン上の第１の研磨パッド上において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、研磨スラリを用いて前記メタル層を除去するための化学機械研磨を施す工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記ＣＭＰ装置内の第２の研磨プラテン上の第２の研磨パッド上に銅の防食剤を含む第１の薬液を供給することにより、前記ウエハの前記第１の主面に対して研磨を施す工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）が完了した前記ウエハの前記第１の主面を、湿潤状態に保持した状態で、前記ＣＭＰ装置内において、前記ウエハを後洗浄処理部に移送する工程；
（ｅ）前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、純水または第２の薬液により、後洗浄を施す工程；
（ｆ）前記後洗浄が施された前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、前記ＣＭＰ装置の前記工程（ｃ）から前記工程（ｆ）が行われる部分は、１００ルクス以下の照度に保たれるように遮光構造にされている。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記凹溝パターンに残された前記メタル層は、ダマシンまたはデュアルダマシンプロセスによる配線の一部を構成する。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、シャワーを用いて行われる。
【請求項４】
請求項３記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記後洗浄は、ブラシ洗浄またはスクラブ洗浄により行われる。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記湿潤状態への保持は、純水を用いて行われる。
【請求項６】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上に絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記絶縁膜をパターニングすることによって前記絶縁膜に配線溝を形成する工程；
（ｃ）前記絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上および前記配線溝内に、銅または銅を主成分とするメタル層を形成する工程；
（ｄ）前記ウエハの前記第１の主面に対して研磨スラリを用いた化学機械研磨を施すことにより、前記配線溝内の前記メタル層を残すように、前記配線溝外の前記メタル層を除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハを後洗浄処理部に移送する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）における移送過程で、前記ウエハの前記第１の主面に純水シャワーを施す工程；
（ｇ）前記工程（ｅ）（ｆ）の後、前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、純水または薬液により後洗浄を施す工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、
前記配線溝内に残される前記メタル層は、前記ウエハの前記第１の主面上に形成されたｐｎ接合に接続され、
前記工程（ｄ）から前記工程（ｈ）が行われる部分は、１００ルクス以下の照度に保たれるように遮光構造にされている。
【請求項７】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上に絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記絶縁膜をパターニングすることによって前記絶縁膜に配線溝を形成する工程；
（ｃ）前記絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上および前記配線溝内に、銅または銅を主成分とするメタル層を形成する工程；
（ｄ）前記ウエハの前記第１の主面に対して研磨スラリを用いた化学機械研磨を施すことにより、前記配線溝内の前記メタル層を残すように、前記配線溝外の前記メタル層を除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハを後洗浄処理部に移送する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）における移送過程に配置された湿潤処理部で、前記ウエハの前記第１の主面に純水シャワーを供給する工程；
（ｇ）前記工程（ｅ）（ｆ）の後、前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、純水または薬液により後洗浄を施す工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、
前記配線溝内に残される前記メタル層は、前記ウエハの前記第１の主面上に形成されたｐｎ接合に接続され、
前記工程（ｄ）から前記工程（ｈ）が行われる部分は、１００ルクス以下の照度に保たれるように遮光構造にされている。
【請求項８】
以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）ウエハの第１の主面上に絶縁膜を形成する工程；
（ｂ）前記絶縁膜をパターニングすることによって前記絶縁膜に配線溝を形成する工程；
（ｃ）前記絶縁膜を有する前記ウエハの前記第１の主面上および前記配線溝内に、銅または銅を主成分とするメタル層を形成する工程；
（ｄ）前記ウエハの前記第１の主面に対して研磨スラリを用いた化学機械研磨を施すことにより、前記配線溝内の前記メタル層を残すように、前記配線溝外の前記メタル層を除去する工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記ウエハを後洗浄処理部に移送する工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）における移送過程に配置された湿潤処理部で、前記ウエハの前記第１の主面に湿潤処理を施す工程；
（ｇ）前記工程（ｅ）（ｆ）の後、前記後洗浄処理部内において、前記ウエハの前記第１の主面に対して、純水または薬液により後洗浄を施す工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記ウエハの前記第１の主面を乾燥させる工程、
ここで、
前記配線溝内に残される前記メタル層は、前記ウエハの前記第１の主面上に形成されたｐｎ接合に接続され、
前記工程（ｄ）から前記工程（ｈ）が行われる部分は、１００ルクス以下の照度に保たれるように遮光構造にされている。
【請求項９】
請求項６、７または８記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記工程（ｄ）の完了から前記工程（ｇ）の完了までの前記ウエハの前記第１の主面は、湿潤状態で保持されている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光触媒物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質を形成し、
前記光触媒物質をめっき触媒物質を含む溶液中に浸漬又は前記めっき触媒物質を含む溶液を塗布しつつ、前記光触媒物質に光を照射し、前記光触媒物質に前記めっき触媒物質を吸着又は析出させ、
前記めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、前記めっき触媒物質を吸着又は析出させた前記光触媒物質表面に金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上にフッ化炭素基を有する物質を形成し、
前記フッ化炭素基を有する物質上に光触媒物質を含む組成物を吐出して選択的に光触媒物質を形成し、
前記光触媒物質をめっき触媒物質を含む溶液中に浸漬又は前記めっき触媒物質を含む溶液を塗布しつつ、前記光触媒物質に光を照射し、前記光触媒物質に前記めっき触媒物質を吸着又は析出させ、かつフッ化炭素基を有する物質を分解し、
前記めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、前記めっき触媒物質を吸着又は析出させた前記光触媒物質表面に金属膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記金属膜をゲート電極層とし、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記半導体層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、前記金属膜をゲート電極層とし、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層を形成し、
ゲート絶縁層、前記ソース電極層及びドレイン電極層上に半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記光触媒物質として酸化チタンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上にアミノ基を有する物質を含む組成物を吐出して選択的にアミノ基を有する物質を形成し、
前記アミノ基を有する物質を、めっき触媒物質を含む溶液中に浸漬し、前記アミノ基を有する物質に前記めっき触媒物質を吸着又は析出させ、
前記めっき触媒物質を、金属材料を含むめっき液に浸漬し、前記めっき触媒物質を吸着又は析出させた前記アミノ基を有する物質表面に金属膜を形成し、
前記めっき触媒物質を含む溶液はｐＨを３以上６以下に調整して用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記ゲート電極層、又は前記ソース電極層及び前記ドレイン電極層としてニッケル合金薄膜、又は銅薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記金属膜としてニッケル合金薄膜、又は銅薄膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記めっき触媒物質としてパラジウム、白金、ロジウム、又は金を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた導電性を示すパターン上に、電解めっき処理により導電膜を形成し、
前記導電膜に基体を貼り付け、
前記基体を前記基板から剥がすことにより、前記パターンと前記導電膜とを分離することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項２】
基板上に設けられた導電性を示すパターン上に、電解めっき処理により導電膜を形成し、
前記電解めっき処理の後、前記基板を洗浄し、
前記導電膜に基体を貼り付け、
前記基体を前記基板から剥がすことにより、前記パターンと前記導電膜とを分離することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記パターンは、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｎｂ、又はＳｎを含むことを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記導電膜は、ＡｇとＡｕとの合金、ＣｕとＡｕとの合金、ＮｉとＡｕとの合金、ＣｄとＡｕとの合金、ＣｏとＡｕとの合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｃｏ、又はＣｄを含むことを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項５】
第１の基板上に設けられた導電性を示すパターン上に、電解めっき処理により導電膜を形成し、
前記導電膜に基体を貼り付け、
前記基体を前記基板から剥がすことにより、前記パターンと前記導電膜とを分離し、
前記導電膜と、第２の基板上に設けられ少なくとも１つの薄膜トランジスタを有するＩＣチップとを、電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板上に設けられた導電性を示すパターン上に、電解めっき処理により導電膜を形成し、
前記導電膜に基体を貼り付け、
前記基体を前記基板から剥がすことにより、前記パターンと前記導電膜とを分離し、
第２の基板上に設けられ少なくとも１つの薄膜トランジスタを有するＩＣチップ上に、導電性樹脂を形成し、
前記導電性樹脂を介して、前記導電膜と前記ＩＣチップとを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板上に設けられた導電性を示すパターン上に、電解めっき処理により導電膜を形成し、
前記導電膜に基体を貼り付け、
前記基体を前記基板から剥がすことにより、前記パターンと前記導電膜とを分離し、
前記導電膜と、第２の基板上に設けられ少なくとも１つの薄膜トランジスタを有するＩＣチップとを、電気的に接続し、
前記ＩＣチップと前記導電膜とを第３の基板で覆うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記第３の基板は、ポリプロピレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、繊維質な材料からなる紙、又は帯電防止フィルムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記第３の基材は、基材フィルムと合成樹脂フィルムとの積層フィルムを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記基材フィルムは、ポリエステル、ポリアミド、無機蒸着フィルム、又は紙類であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記合成樹脂フィルムは、アクリル系合成樹脂又はエポキシ系合成樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記パターンは、Ｆｅ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｎｂ、又はＳｎを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項５乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記導電膜は、ＡｇとＡｕとの合金、ＣｕとＡｕとの合金、ＮｉとＡｕとの合金、ＣｄとＡｕとの合金、ＣｏとＡｕとの合金、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｈ、Ｃｏ、又はＣｄを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、回折格子パターン或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記導電膜のエッチングを選択的に行って、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を両側側部に有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記半導体層にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記ゲート電極の膜厚の厚い領域をマスクとして前記ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、前記半導体層のうち膜厚の薄い前記ゲート電極と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域を形成し、
前記第１の不純物領域の幅は、第２の不純物領域の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、回折格子パターン或いは半透部を有するフォトマスク又はレチクルを用いて、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記導電膜のエッチングを選択的に行って、膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を両側側部に有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記半導体層のうちチャネル形成領域の両側にソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層のうち膜厚の薄い前記ゲート電極と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域とを形成し、
前記第１の不純物領域の幅は、前記第２の不純物領域の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に少なくとも一種類の有機化合物を含む層とを有する記憶素子を有し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電流を流すと、前記有機化合物が還元され、前記第１の導電層または前記第２の導電層が酸化されて一部がイオン化することを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に少なくとも一種類の有機化合物を含む層とを有する記憶素子を有し、
前記有機化合物には金属陽イオンが存在し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電流を通すと、前記有機化合物が酸化されると共に、前記金属陽イオンが還元されることを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の両方、あるいは一方の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として−３．０Ｖ以上、且つ、＋０．８Ｖ以下であることを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１の導電層の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として−３．０Ｖ以上、且つ、＋０．８Ｖ以下であり、前記第２の導電層の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として＋０．８Ｖ以上であることを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記記憶装置は、第１の方向に延びた複数のビット線と、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延びた複数のワード線を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記有機化合物は、共役高分子であることを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載した記憶装置を用いた電子機器。
【請求項８】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に少なくとも一種類の有機化合物を含む層とを有する記憶素子と、トランジスタとを有し、
前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域は、前記第１の導電層または第２の導電層と電気的に接続し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電流を流すと、前記有機化合物が還元され、前記第１の導電層または前記第２の導電層が酸化されて一部がイオン化することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の導電層と、第２の導電層と、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に少なくとも一種類の有機化合物を含む層とを有する記憶素子と、トランジスタとを有し、
前記トランジスタのソース領域またはドレイン領域は、前記第１の導電層または第２の導電層と電気的に接続し、
前記有機化合物には金属陽イオンが存在し、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電流を通すと、前記有機化合物が酸化されると共に、前記金属陽イオンが還元されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記第１の導電層と前記第２の導電層の両方、あるいは一方の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として−３．０Ｖ以上、且つ、＋０．８Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８または請求項９において、
前記第１の導電層の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として−３．０Ｖ以上、且つ、＋０．８Ｖ以下であり、前記第２の導電層の標準電位が、飽和カロメル電極を基準として＋０．８Ｖ以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一において、
前記半導体装置は、アンテナを有し、該アンテナは波形整形回路または整流回路の一部を構成するトランジスタと電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一において、
前記有機化合物は、共役高分子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項に記載した半導体装置を用いた電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に位置して基板を支える基板支持部と、
前記基板の端部を露出するため、前記基板の中心部上に、プラズマが生じないほどの間隔を隔てて配設されて、前記端部を除く基板の中心部上でのプラズマ生成を防ぐ遮蔽部と、
前記チャンバーの外壁の一部に配設されて前記基板の端部とチャンバーの内壁との間の領域にプラズマ電源を印加するアンテナと、
前記基板支持部にバイアスを印加するバイアス印加部と、を備えるプラズマエッチング装置。
【請求項２】
前記基板の端部の下側領域を露出するために前記基板支持部は前記基板の直径よりも小径を有し、前記遮蔽部と同じ直径を有する、請求項１に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項３】
前記基板支持部により露出された、前記基板の端部の下側領域は１〜４ｍｍの幅であり、前記遮蔽部により露出された前記基板の端部の上側領域は１〜４ｍｍの幅である、請求項２に記載のプラズマエッチング装置。
【請求項４】
前記基板支持部が昇降自在に、前記基板支持部の下部に駆動部が設けられている請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項５】
前記遮蔽部内に、前記遮蔽部と前記基板との間の領域にカーテンガスを吹き付けるカーテンガス流路と、前記遮蔽部の側面と前記チャンバーの内壁との間の領域に反応ガスを吹き付ける反応ガス供給流路及びガス噴射ノズルが形成されている請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項６】
前記アンテナは、前記チャンバーの内壁と前記遮蔽部との間の前記チャンバーの上壁、下壁、または前記チャンバーの外壁に円形の帯状または螺旋状に配設される請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項７】
前記遮蔽部内に、前記遮蔽部と前記基板との間の領域にカーテンガスを吹き付けるカーテンガス流路を形成して前記チャンバーの外壁を介して反応ガスを供給する反応ガス供給手段を設ける請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項８】
前記バイアス印加部と前記アンテナは共通電源を用いるものであり、前記共通電源と前記バイアス印加部との間に第１の整合回路が、且つ、前記共通電源と前記アンテナとの間に第２の整合回路がそれぞれ接続されている請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【請求項９】
前記アンテナが設けられる前記チャンバーの内壁に絶縁物質が形成される請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマエッチング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子、前記スイッチング素子に連結された下部電極、前記下部電極上に形成された下部電極コンタクト層、前記下部電極コンタクト層上に備えられ、下面の一部の領域が、前記下部電極コンタクト層の上面と接触した相変化層、及び前記相変化層上に形成された上部電極を備えるが、
前記相変化層は、均一に分布された絶縁性の不純物を含むことを特徴とする相変化ＲＡＭ。
【請求項２】
前記絶縁性の不純物は、前記相変化層全体に均一に分布されたことを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項３】
前記絶縁性の不純物は、相変化が起こる前記相変化層の所定領域にのみ均一に分布されたことを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項４】
前記絶縁性の不純物は、ＳｉＯｘ（ｘ＝１〜４）、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯｘ（ｘ＝１〜４）、ＡｌＯ及びＡｌ２Ｏ３からなる群から選択された少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項５】
前記絶縁性の不純物の含量は、体積を基準に前記相変化層の１０％未満であることを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項６】
前記下部電極コンタクト層は、ＴｉＮまたはＴｉＡｌＮであるか、ＴｉＮやＴｉＡｌＮよりゼーベック係数の絶対値が大きく、負の符号を有し、ＴｉＮやＴｉＡｌＮより熱伝導度は低く、前記ＴｉＮやＴｉＡｌＮと同じレベルの電気抵抗を有する物質層であることを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項７】
前記下部電極コンタクト層は、コンタクトホールの一部を満たし、前記相変化層は、前記コンタクトホールの残りの部分を満たすことを特徴とする請求項１に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項８】
スイッチング素子と、
前記スイッチング素子に連結された下部電極と、
前記スイッチング素子及び前記下部電極を覆う層間絶縁層と、
前記層間絶縁層に形成されており、前記下部電極が露出される第１コンタクトホールと、
前記第１コンタクトホールを満たす第１下部電極コンタクト層と、
前記層間絶縁層上に形成されており、前記第１下部電極コンタクト層を覆う第２下部電極コンタクト層と、
前記第２下部電極コンタクト層上に形成されており、前記第２下部電極コンタクト層が露出される第２コンタクトホールを備える絶縁層と、
前記絶縁層の相部面に形成されており、前記第２コンタクトホールを満たす相変化層と、
前記相変化層上に形成された上部電極と、を備えるが、
前記相変化層は、均一に分布された絶縁性の不純物を含むことを特徴とする相変化ＲＡＭ。
【請求項９】
前記絶縁性の不純物は、前記相変化層全体に均一に分布されたことを特徴とする請求項８に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項１０】
前記絶縁性の不純物は、前記下部電極コンタクト層と接触した部分を中心に相変化が起こる前記相変化層の所定領域にのみ均一に分布されたことを特徴とする請求項８に記載の相変化ＲＡＭ。
【請求項１１】
スイッチング素子、前記スイッチング素子に連結された下部電極、前記下部電極上に形成された下部電極コンタクト層、前記下部電極コンタクト層上に備えられ、下面の一部の領域が、前記下部電極コンタクト層の上面と接触した相変化層、及び前記相変化層上に形成された上部電極を備えるが、前記相変化層は、均一に分布された絶縁性の不純物を含む相変化ＲＡＭの動作方法において、
前記相変化層及び前記下部電極コンタクト層を通過するリセット電流を印加して、前記相変化層の前記下部電極コンタクト層に接触した部分を非晶質状態に変えることを特徴とする相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１２】
前記リセット電流は、前記下部電極コンタクト層としてＴｉＮやＴｉＡｌＮが使用されるときのリセット電流より小さいことを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１３】
前記下部電極コンタクト層は、コンタクトホールの一部を満たし、前記相変化層は、前記コンタクトホールの残りの部分を満たすことを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１４】
前記リセット電流を印加した後、前記相変化層および前記下部電極コンタクト層を通過するセット電流を前記リセット電流より長時間印加することを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１５】
前記絶縁性の不純物は、前記相変化層の全体に分布されたことを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１６】
前記絶縁性の不純物は、前記下部電極コンタクト層と接触する相変化層の一部の領域にのみ分布されたことを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１７】
前記相変化層は、Ｔ字型であり、
前記下部電極コンタクト層は、前記スイッチング素子に連結される第１下部電極コンタクト層、及び前記Ｔ字型相変化層と前記第１下部電極コンタクト層とを連結する第２下部電極コンタクト層を備えることを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１８】
前記下部電極コンタクト層の側面は、スペーサで取り囲まれたことを特徴とする請求項１１に記載の相変化ＲＡＭの動作方法。
【請求項１９】
基板に形成されたスイッチング素子、前記スイッチング素子に連結された下部電極、前記下部電極上に形成された下部電極コンタクト層、前記下部電極コンタクト層上に備えられ、下面の一部の領域が前記下部電極コンタクト層の上面と接触した相変化層、及び前記相変化層上に形成された上部電極を備えるが、前記相変化層は、均一に分布された絶縁性の不純物を含む相変化ＲＡＭの製造方法において、
前記下部電極コンタクト層が形成された結果物の上面上に、前記絶縁性の不純物が除外された相変化層の構成物と前記絶縁性の不純物とが均一に混合された物質を形成して、前記絶縁性の不純物が均一に分布された相変化層を形成することを特徴とする相変化ＲＡＭの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月27日(2009.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学液体を貯蔵する母タンクと、前記母タンクに比べて相対的に第１高さの差ｈ高い位置に配置された中間タンクと、前記中間タンクに比べて相対的に第２高さの差ｈ’高い位置に配置されたバブリングタンクを利用する化学液体の供給方法として、
前記タンクを各々初期圧力で設定する段階と、
前記母タンクは前記母タンクの初期圧力で維持されるようにし、前記中間タンクは前記中間タンクの初期圧力より高い第１圧力になるようにして前記母タンクから前記中間タンクに前記化学液体の特定量を供給する段階と、
前記中間タンクは前記第１圧力から前記中間タンクの初期圧力になるようにし、前記バブリングタンクは前記バブリングタンクの初期圧力より高い第２圧力になるようにして前記中間タンクから前記バブリングタンクに前記特定量の化学液体を供給する段階と、
前記バブリングタンクは前記第２圧力より低い第３圧力になるようにし、前記中間タンクは真空に設定して前記バブリングタンクと前記中間タンクとの間の配管に存在する化学液体を前記中間タンクに戻し、前記母タンクを真空に設定して前記中間タンクと前記母タンクとの間の配管に存在する化学液体を前記母タンクに戻す段階と、
を含むことを特徴とする化学液体の供給方法。
【請求項２】
前記タンクを各々初期圧力で設定する段階は、
前記母タンクの初期圧力ＰＭＴを数式１に基づいて設定する段階を含む、
ＰＭＴ＝前記第１高さの差ｈによる化学液体の圧力＋前記中間タンクのプッシュ圧力
（数式１）
（ただし、式中、前記中間タンクのプッシュ圧力は前記化学液体が前記中間タンクの一定部分を占めているとき、前記中間タンクから前記母タンクに作用する化学液体の圧力である。）ことを特徴とする請求項１に記載の化学液体の供給方法。
【請求項３】
前記タンクを各々初期圧力で設定する段階は、
前記中間タンクの初期圧力ＰＩＴを数式２に基づいて設定する段階を含む、
ＰＩＴ＝前記中間タンクのプッシュ圧力×｛ＶＩＴ（空き空間）／ＶＩＴ｝（数式２）
（ただし、式中、前記ＶＩＴ（空き空間）は前記中間タンクで前記化学液体が満たされない空き空間の容積であり、前記ＶＩＴは前記中間タンクの全容積である。）ことを特徴とする請求項２に記載の化学液体の供給方法。
【請求項４】
前記タンクを各々初期圧力で設定する段階は、
前記バブリングタンクの初期圧力ＰＢＴを数式３に基づいて設定する段階を含み、
ＰＢＴ＝｛前記中間タンクの初期圧力（ＰＩＴ）−前記第２高さの差ｈ’による化学液体の圧力｝×｛ＶＢＴ（空き空間）／Ｖ（ＢＴ＋ｈ’配管）  ｝    （数式３）
（ただし、式中、前記ＶＢＴ（空き空間）は前記バブリングタンクで前記化学液体が満たされない空き空間の容積であり、前記Ｖ（ＢＴ＋ｈ’配管）は前記バブリングタンクの全容積と前記バブリングタンクと前記中間タンクの間の配管の容積の合計である。）ことを特徴とする請求項３に記載の化学液体の供給方法。
【請求項５】
前記母タンクは前記母タンクの初期圧力で維持されるようにし、前記中間タンクは前記中間タンクの初期圧力より高い第１圧力になるようにして前記母タンクから前記中間タンクに前記化学液体の特定量を供給する段階は、
前記母タンクの初期圧力が持続的に維持されるように前記母タンクに不活性ガスを注入する段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の化学液体の供給方法。
【請求項６】
前記中間タンクと前記母タンクとの間の配管に溶剤を供給して前記中間タンクと前記母タンクとの間の配管を洗浄する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の化学液体の供給方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月29日(2009.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
端面発光LED（２１０、３１０、４１０）のアレイを画定するために互いに近接して配列された複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）から構成される光源であって、
前記アレイ内の複数の端面発光LEDのそれぞれによって別個に発せられた光線（２３２、２３４、２３６）が、概ね二次元の断面形状を有する単一の光線（２４０、３４０、４４０、５４０）をともに形成することからなる、光源。
【請求項２】
前記複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）が、端面発光LEDの少なくとも１つの積層体を画定するように配列されてなる、請求項１に記載の光源。
【請求項３】
さらに、
端面発光LEDの前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LED（２０２、２０４、２０６）の間にギャップ（２１２）を有し、
前記少なくとも１つの積層体内の複数のLEDを電気的に直列に接続するために、端面発光LEDの前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LED（３０２、３０４、３０６）の間に接触部材（３１２）を有し、及び、
端面発光LEDの前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LED（４０２、４０４、４０６）の間にトンネル接合（４１２）を有する、請求項２に記載の光源。
【請求項４】
前記ギャップ（２１２）が約１μmから約50 μmの幅を有する、請求項３に記載の光源。
【請求項５】
前記接触部材（３１２）が銀の接触部材（３１２）からなる、請求項３に記載の光源。
【請求項６】
前記光源を電源に電気的に接続するために、端面発光LED（３０２、３０４、３０６）の前記少なくとも１つの積層体の対向する側面のそれぞれに接触部材（３１２）をさらに有する、請求項２に記載の光源。
【請求項７】
前記複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）が、GaNに基づく複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）からなる、請求項１に記載の光源。
【請求項８】
複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）を互いに近接させて配置して、端面発光LED（２１０、３１０、４１０）のアレイを画定するステップを含む端面発光LED光源の製造方法であって、前記アレイ（２１０、３１０、４１０）内の複数の端面発光LEDのそれぞれによって別個に発せられた光線（２３２、２３４、２３６）が、概ね二次元の断面形状を有する単一の光線（２４０、３４０、４４０、５４０）をともに形成することからなる、方法。
【請求項９】
複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）を互いに近接させて配置して、端面発光LED（２１０、３１０、４１０）のアレイを画定するステップが、前記複数の端面発光LED（２０２、２０４、２０６、３０２、３０４、３０６、４０２、４０４、４０６）を配列して、端面発光LEDの少なくとも１つの積層体を画定するステップを含むことからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LED（２０２、２０４、２０６）の間にギャップ（２１２）を設けるステップと、
前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LEDを電気的に直列に接続するために、前記少なくと１つの積層体の各端面発光LED（３０２、３０４、３０６）の間に接触部材（３１２）を設けるステップと、
前記少なくとも１つの積層体の各端面発光LED（４０２、４０４、４０６）の間にトンネル接合（４１２）を設けるステップ
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース信号を受信する対象装置であって、ローカル出力装置と前記ソース信号においてチャンネルを選局する第１のチューナー及び第２のチューナーとを含む該対象装置と、
遠隔制御装置と、
を備え、
前記遠隔制御装置が、
該遠隔制御装置によって制御されるべき前記対象装置の前記第１のチューナーにデータを送信し、該対象装置の前記第１のチューナーからストリーミングビデオデータ及びストリーミングオーディオデータのうち少なくとも一方を受信する無線インターフェイスと、
ユーザ入力に基づいてユーザコマンドを発生するユーザ入力インターフェイスと、
前記ユーザコマンドを受信し、前記無線インターフェイスを介して前記ユーザコマンドを前記対象装置へ無線送信する制御モジュールと、
を備えるシステム。
【請求項２】
前記ユーザ入力インターフェイスがボタンとタッチパッドのうちの少なくとも一方を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記無線インターフェイスが、ＩＥＥＥ８０２．１１規格と、ＩＥＥＥ８０２．１１規格の修正版である８０２．１１ａ、８０２．１１ｂ、８０２．１１ｇ、８０２．１１ｈ、８０２．１１ｎ、８０２．１６及び８０２．２０と、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈとからなる群より選択されたプロトコルに準拠する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記無線インターフェイスが前記遠隔制御装置から該遠隔制御装置のためのコンフィギュレーション情報を受信する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記制御モジュールと通信するディスプレイを更に備え、
前記遠隔制御装置が前記対象装置からストリーミングビデオデータを受信し、
前記制御モジュールが前記ストリーミングビデオデータを前記ディスプレイへ出力する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
オーディオ出力を更に備え、
前記遠隔制御装置が前記対象装置からストリーミングオーディオデータを受信し、
前記制御モジュールが前記ストリーミングオーディオデータを前記オーディオ出力へ出力する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記オーディオ出力がスピーカー及びオーディオ出力ジャックのうちの少なくとも一方を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記制御モジュールと通信し、入力された音声波形を音声信号に変換するマイクロホンを更に備える、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記対象装置が、ボイスオーバーインターネットプロトコル（ＶＯＩＰ）データを該対象装置から転送し、音声データを前記マイクロホンから前記対象装置へ転送する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記遠隔制御装置が前記制御モジュールと通信するディスプレイと前記制御モジュールと通信するオーディオ出力とのうちの少なくとも一方を含み、
前記対象装置が前記第１のチューナーから該対象装置の前記ローカル出力装置を介して信号を出力し、前記第２のチューナーから前記遠隔制御装置の前記ディスプレイと前記オーディオ出力とのうちの少なくとも一方を介して信号を選択的に出力する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記対象装置がソース信号を受信し、第１の信号出力及び第２の信号出力を含み、
前記遠隔制御装置が前記制御モジュールと通信するディスプレイと前記制御モジュールと通信するオーディオ出力とのうちの少なくとも一方を含み、
前記対象装置が該対象装置の前記ローカル出力装置を介して前記信号出力のうちの一方を出力し、前記遠隔制御装置の前記ディスプレイと前記オーディオ出力とのうちの少なくとも一方を介して前記信号出力のうち他方を選択的に出力する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記対象装置の前記信号出力のうちの少なくとも一つが、前記対象装置の状態情報と、チャンネルガイドと、クローズキャプションとのうちの少なくとも一つを含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記制御モジュールが複数の前記対象装置の固有のネットワークアドレスを格納する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記遠隔制御装置が、複数の前記対象装置を制御する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記対象装置が前記遠隔制御装置へ送信されるべきデータに関してデータ削減とデータ圧縮とのうちの少なくとも一方を実行する制御モジュールを含む、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記制御モジュールがデータを局所的にキャッシュするメモリを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記対象装置が、自動ネゴシエーションモジュールを含み、
前記遠隔制御装置が自動ネゴシエーションモジュールを含み、
前記対象装置の前記自動ネゴシエーションモジュールと前記遠隔制御装置の自動ネゴシエーションモジュールが前記対象装置と前記遠隔制御装置とのうちの少なくとも一方の性能に関係するデータを交換する、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記データが、前記遠隔制御装置のメモリサイズ、前記遠隔制御装置によってサポートされる機能、前記対象装置によってサポートされる遠隔機能、前記遠隔制御装置のディスプレイサイズ、前記遠隔制御装置のディスプレイ解像度、前記対象装置の出力解像度、前記遠隔制御装置のキャッシュサイズ、及び、前記遠隔制御装置の処理能力からなる群より選択された少なくとも一つのタイプを含む、
請求項１７に記載のシステム。
【請求項１９】
前記遠隔制御装置が、所定の休止時間後に該遠隔制御装置を低電力状態へ遷移させるパワーダウンモジュールを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項２０】
前記マイクロホンと通信し、前記オーディオ信号中の前記遠隔制御装置のための言葉によるコマンドを認識する音声認識モジュールを更に備える、請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月19日(2009.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成される導電性パッドと、
前記導電性パッドに電気的に連結されるターミネーションポイントと、
前記導電性パッドと前記ターミネーションポイントとの間に形成されるフェライト構造と、を含むことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記ターミネーションポイントは、前記導電性パッド上に形成され且つ前記導電性パッドに連結されるバンプ構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記バンプ構造は、金属または金属合金よりなる物質で形成されるボール構造であることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記バンプ構造と前記導電性パッドとの間に形成されるＵＢＭ層をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記ＵＢＭ層は、前記フェライト構造と前記バンプ構造との間に形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記フェライト構造は、前記バンプ構造の一部を取り囲む環状であることを特徴とする請求項２に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記フェライト構造は、前記ＵＢＭ層を収容することができるように接着層を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体デバイス。
【請求項８】
前記フェライト構造は、酸化鉄と、少なくとも１つ以上の金属または金属合金とよりなる物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【請求項９】
前記環状フェライト構造は、楕円形環、矩形環、または多角形環を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体デバイス。
【請求項１０】
前記導電性パッドは、銅またはアルミニウムよりなる物質で形成され、前記ＵＢＭ層は、チタニウム、タングステン、ニッケル、タンタル、クロム、または金よりなる物質で形成され、
前記フェライト構造は、酸化鉄と、少なくとも１つ以上の金属または金属合金とよりなる物質で形成され、
前記フェライト構造は、前記フェライト構造と前記ＵＢＭ層との間に形成される接着層を含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイス。
【請求項１１】
前記導電性パッドと前記ターミネーションポイントとを電気的に連結する信号線をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成された第１電極膜と、前記第１電極膜の上に形成された圧電膜と、前記圧電膜の上に形成された第２電極膜とを備えた圧電素子において、
前記圧電膜は、結晶化された複数の圧電体薄膜の積層構造を有する
圧電素子。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記圧電体薄膜は、３５０ｎｍ以下の膜厚である
圧電素子。
【請求項３】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記第１電極膜は、チタン層と白金層の積層膜からなる
圧電素子。
【請求項４】
請求項１に記載の圧電素子であって、
素子形状が片持ち梁形状である
圧電素子。
【請求項５】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記基板は、シリコン単結晶基板である
圧電素子。
【請求項６】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記第２電極膜は、前記圧電膜上に形成された駆動電極と、この駆動電極を挟む一対の検出電極とで形成されている
圧電素子。
【請求項７】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記圧電膜は、鉛、ジルコニウム、チタニウム及び酸素を主成分とする
圧電素子。
【請求項８】
請求項１に記載の圧電素子であって、
前記第１電極膜と前記第２電極膜との間に印加される交流信号の中心電界強度が、前記圧電膜のヒステリシスループの中心から正方向にシフトした位置に設定されている
圧電素子。
【請求項９】
基板の上に第１電極膜を形成する工程と、
前記第１電極膜の上に圧電膜を形成する工程と、
前記圧電膜の上に第２電極膜を形成する工程とを有する圧電素子の製造方法において、
圧電体薄膜を成膜する成膜工程と当該圧電体薄膜を熱処理して結晶化させる結晶化熱処理工程とを複数回繰り返し行うことで、前記圧電膜を所定の厚みにまで形成する
圧電素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記圧電体薄膜の１回当たりの形成膜厚を３５０ｎｍ以下とする
圧電素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記結晶化熱処理を７００℃以上８００℃以下で行う
圧電素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記圧電体薄膜の成膜を酸素ガス雰囲気でのスパッタ法によって行う
圧電素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記圧電体薄膜はチタン酸ジルコン酸鉛であり、スパッタ用ターゲットの鉛含有量は、チタンおよびジルコニウムの総合含有量１に対して、原子量で１．０２以上１．１以下である
圧電素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記第１電極膜を形成する工程では、前記基板上にチタン層を形成する工程と、このチタン層の上に白金層を形成する工程とからなる
圧電素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記第２電極膜を形成する工程の後、
前記第２電極膜をパターニングする工程と、
前記第２電極膜のパターニング後、前記圧電膜をパターニングする工程と、
前記圧電膜をパターニング後、前記第１電極膜をパターニングする工程とを有する
圧電素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項９に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記第１電極膜、前記圧電膜及び前記第２電極膜の形成及びパターニングを前記基板上で複数個同時に行うとともに、個々の前記圧電膜の分極処理を前記基板上に形成した配線を通して複数個同時に行う
圧電素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記分極処理の後、前記配線を溶解除去する
圧電素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記分極処理の後、前記配線を研削除去する
圧電素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記圧電膜の分極処理温度と当該圧電膜のキュリー温度との比が０．２以上である
圧電素子の製造方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の圧電素子の製造方法であって、
前記圧電膜の分極処理工程では、前記第１電極膜を負極に接続するとともに前記第２電極膜を正極に接続する
圧電素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状部材の上面にシート繰出ユニットから繰り出されたシートを押圧ローラで押圧して貼付するためのシート貼付用テーブルにおいて、
前記板状部材を支持する内側テーブルと、当該内側テーブルを囲むように配置された外側テーブルとからなり、
前記内側テーブルは、前記外側テーブルの上面を基準位置として前記板状部材の厚みに応じて昇降し、
前記押圧ローラ及び外側テーブルは昇降可能に設けられ、前記押圧ローラは、前記外側テーブルの上面を基準として前記シートの厚みに応じて昇降可能に設けられていることを特徴とするシート貼付用テーブル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明は、板状部材の上面にシート繰出ユニットから繰り出されたシートを押圧ローラで押圧して貼付するためのシート貼付用テーブルにおいて、
前記板状部材を支持する内側テーブルと、当該内側テーブルを囲むように配置された外側テーブルとからなり、
前記内側テーブルは、前記外側テーブルの上面を基準位置として前記板状部材の厚みに応じて昇降し、
前記押圧ローラ及び外側テーブルは昇降可能に設けられ、前記押圧ローラは、前記外側テーブルの上面を基準として前記シートの厚みに応じて昇降可能に設けられる、という構成を採っている。