Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬学的組成物であって、
(a) 実質的に純粋なプレセニリンタンパク質；
(b) プレセニリンタンパク質をコードするヌクレオチド配列を含む単離された核酸；
(c) プレセニリンタンパク質を作動可能にコードする発現ベクターであって、ここで該発現ベクターが、ヒト被験体中で該プレセニリンタンパク質を発現し得る；
(d) プレセニリンアンチセンス配列を作動可能にコードする発現ベクターであって、ここで該発現ベクターが、ヒト被験体中で該プレセニリンアンチセンス配列を発現し得る；および
(e) 実質的に純粋な抗体であって、ここで該抗体が、変異プレセニリンタンパク質に選択的に結合する；
からなる群より選択される活性成分、および薬学的に受容可能なキャリアを含有する、薬学的組成物。
【請求項２】
変異プレセニリン遺伝子を有する患者の処置方法であって、請求項１に記載の薬学的調製物の治療有効量を該患者に投与する工程を包含する、方法。
【請求項３】
変異プレセニリン−２タンパク質をコードする単離された核酸であって、該核酸は、
（ａ）配列番号１９のヒトプレセニリン−２アミノ酸配列を含むタンパク質をコードする配列；
（ｂ）残基２６３〜２９６が削除されている、配列番号１９のヒトプレセニリン−２アミノ酸配列をコードする配列；および
（ｃ）プレセニリンタンパク質をコードし、そして高度にストリンジェントなハイブリダイゼーション条件下で（ａ）〜（ｃ）の任意の配列に相補的な配列にハイブリダイズし得る配列；
からなる群より選択されるヌクレオチド配列を含み、該ヌクレオチド配列は少なくとも１つの変異を有し、該少なくとも１つの変異は、Ｍ２３９ＶおよびＩ４２０Ｔからなる群より選択される変異に対応する、単離された核酸。
【請求項４】
請求項３に記載の単離された核酸であって、該核酸は、配列番号１８およびその配列に相補的な配列からなる群より選択されるヌクレオチドを含み、該ヌクレオチドは少なくとも１つの変異を有し、該少なくとも１つの変異は、Ｍ２３９ＶおよびＩ４２０Ｔからなる群より選択される変異に対応する、単離された核酸。
【請求項５】
請求項３〜４のいずれか１項に記載の単離された核酸を含む、組換えベクター。
【請求項６】
請求項５に記載のベクターを含む、宿主細胞。
【請求項７】
プレセニリン−２タンパク質であって、
（ａ）配列番号１９のアミノ酸配列；および
（ｂ）残基２６３〜２９６が削除されている、配列番号１９のアミノ酸配列
からなる群より選択され、該アミノ酸配列は、Ｍ２３９ＶおよびＩ４２０Ｔからなる群より選択される配列番号１９の変異に対応する少なくとも１つの変異を有する、タンパク質。
【請求項８】
プレセニリン−２遺伝子の発現を調節し得る化合物の同定方法であって、
細胞と候補化合物とを接触させる工程であって、該細胞はコード領域に作動可能に連結された請求項３〜７のいずれか１項に記載のプレセニリン−２遺伝子の調節領域を含む、工程；および
該コード領域の発現の変化を検出する工程、
を包含する、方法。
【請求項９】
プレセニリン−２タンパク質に選択的に結合し得る化合物の同定方法であって、
請求項３〜７のいずれか１項において規定される少なくとも１つのプレセニリン−２成分を含む調製物を提供する工程；
該調製物と、少なくとも１つの候補化合物を含有するサンプルとを接触させる工程；および
該候補化合物への該プレセニリン成分の結合を検出する工程；
を包含する、方法。
【請求項１０】
プレセニリン−２の活性を調節し得る化合物の同定方法であって、
請求項３〜７のいずれか１項において規定されるプレセニリン−２または変異プレセニリン−２遺伝子を発現する細胞を提供する工程；
該細胞と、少なくとも１つの候補化合物とを接触させる工程；および
該活性のマーカーの変化を検出する工程；
を包含する、方法。
【請求項１１】
被験体が請求項３〜７のいずれか１項において規定される変異プレセニリン−２遺伝子を有するかどうかを決定するための診断の補助方法であって、
該被験体由来の生物学的サンプルにおいて変異プレセニリン−２核酸、変異プレセニリン−２タンパク質、または変異プレセニリン−２活性を検出する工程；
を包含する、方法。
【請求項１２】
（ａ）請求項７において規定されるプレセニリン−２タンパク質；
（ｂ）請求項３〜４のいずれかにおいて規定されるプレセニリン−２タンパク質をコードするヌクレオチド配列を含む、単離された核酸；
（ｃ）プレセニリン−２タンパク質を作動可能にコードし、請求項３〜４のいずれかにおいて規定される核酸を含む発現ベクターであって、該発現ベクターはヒト被験体において該プレセニリン−２タンパク質を発現し得る、発現ベクター；および
（ｄ）請求項３〜４のいずれかにおいて規定される核酸のプレセニリン−２アンチセンス配列を作動可能にコードする発現ベクターであって、該発現ベクターは、ヒト被験体において該プレセニリン−２アンチセンス配列を発現し得る、発現ベクター、
からなる群より選択される活性成分を含む、薬学的組成物。
【請求項１３】
哺乳動物プレセニリン−２タンパク質の生産方法であって、請求項３に記載の宿主細胞を、該プレセニリン−２タンパク質の発現に適切な条件下で培養する工程を包含する、方法。
【請求項１４】
被験体が変異プレセニリン−２遺伝子を有するかどうかを決定するための診断のためのキットであって、
（ａ）請求項７において規定されるプレセニリン−２タンパク質；
（ｂ）請求項３〜４のいずれかにおいて規定されるプレセニリン−２タンパク質をコードするヌクレオチド配列を含む、単離された核酸；
（ｃ）プレセニリン−２タンパク質を作動可能にコードし、請求項３〜４のいずれかにおいて規定される核酸を含む発現ベクターであって、該発現ベクターは、ヒト被験体において該プレセニリン−２タンパク質を発現し得る、発現ベクター；および
（ｄ）請求項３〜４のいずれかにおいて規定される核酸のプレセニリン−２アンチセンス配列を作動可能にコードする発現ベクターであって、該発現ベクターは、ヒト被験体において該プレセニリン−２アンチセンス配列を発現し得る、発現ベクター、
から選択されるキット成分を含む、キット。
【請求項１５】
非ヒトトランスジェニック動物であって、該動物またはその祖先のゲノムが、
（ａ）請求項３〜５のいずれかに記載の核酸の挿入；
（ｂ）請求項７に記載のタンパク質をコードする核酸の挿入；
（ｃ）請求項３〜７のいずれかに記載の内因性プレセニリン遺伝子の不活性化、
からなる群より選択される改変の導入により改変されている、非ヒトトランスジェニック動物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月22日(2009.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、臨界点以上の温度圧力下の水中で酸化剤により処理して分解する方法（特開平１０−２０４２０６号公報）や、非酸化雰囲気の超臨界水中で処理する方法（特開平１１−４９８８９号公報）が、陽イオン交換樹脂の処理を対象に提案されているが、これらは特殊な耐圧性反応器や加温加圧のために大量のエネルギーを必要とするなど、省エネルギー、資源循環の観点から満足なものではなく、また弱塩基性陰イオン交換樹脂の処置方法としての可能性も言及されていない。
【特許文献１】特開平１０−２０４２０６号公報
【特許文献２】特開平１１−４９８８９号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
次いで、各試料溶液について、得られた還元粘度を縦軸に、乾燥物換算の試料濃度を横軸にプロットして検量線を作成し、前記試料濃度を０に外挿することにより、試料の極限粘度を得る。試料がヒアルロン酸および／またはその塩である場合、下記式（３）に基づいて、試料の極限粘度から平均分子量Ｍを求めることができる。
式３
極限粘度（ｃｍ３／ｇ）＝ｋ’Ｍα  ・・・・・（３）
（上記式（３）において、ｋ’＝０．０３６，α＝０．７８である。）
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部と、該反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極と、を有し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該堆積膜形成装置は、該設置部に設置された円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該設置部に設置される円筒状基体同士の間に設けられ、かつ該放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板および該放電電極が、該設置部に設置される円筒状基体の周方向において該円筒状基体との距離が等間隔にならないように配置されている
ことを特徴とする堆積膜形成装置。
【請求項２】
前記仕切板の円筒状基体の軸方向の長さが、前記円筒状基体の軸方向の長さ以上であり、かつ前記放電電極の円筒状基体の軸方向の長さよりも短い請求項１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項３】
前記設置部には前記円筒状基体が端部に補助基体を有して設置され、前記仕切板の円筒状基体の軸方向の長さが、該補助基体を含めた前記円筒状基体の軸方向の長さよりも短い請求項２に記載の堆積膜形成装置。
【請求項４】
前記仕切板が平面から構成される請求項１〜３の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項５】
前記仕切板のＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９９４に準じて測定される算術平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上２０μｍ以下の範囲である請求項１〜４の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項６】
前記仕切板の表面粗さがブラスト加工によって調整されている請求項５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項７】
前記仕切板の表面粗さが溶射加工によって調整されている請求項５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項８】
前記仕切板の溶射加工に用いられる溶射材が、アルミニウム、ニッケル、ステンレス及び二酸化チタンの少なくとも１つ以上の材料である請求項７に記載の堆積膜形成装置。
【請求項９】
前記放電電極が円筒状である請求項１〜８の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１０】
前記設置部が前記複数の円筒状基体を同一円周上に設置するよう配置されている請求項９に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１１】
前記放電電極が角形である請求項１〜８の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１２】
前記設置部が前記複数の円筒状基体を一列に配置するよう配置されている請求項１１に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１３】
堆積膜の形成を行っている間、前記円筒状基体をその中心軸線周りに回転させる手段を有する請求項１〜１２の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１４】
前記堆積膜形成装置は、前記放電電極に高周波電力を印加する手段を更に有し、該高周波電力が１ＭＨｚ以上２０ＭＨｚ以下のＲＦ帯である請求項１〜１３の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１５】
前記堆積膜が水素原子を構成要素として含むアモルファスシリコンである請求項１〜１４の何れかに記載の堆積膜形成装置。
【請求項１６】
前記堆積膜が電子写真感光体の堆積膜である請求項１５に記載の堆積膜形成装置。
【請求項１７】
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器の中に、複数の円筒状基体を設置し、該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極を設け、該放電電極に高周波電力を印加することにより該反応容器の中にグロー放電を発生させて、該反応容器の中に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲にアース電位の領域がなく、かつ、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲の放電空間を非対称にして成膜を行う
ことを特徴とする堆積膜形成方法。
【請求項１８】
前記円筒状基体をその中心軸線周りに回転させながら前記堆積膜の形成を行う請求項１７に記載の堆積膜形成方法。
【請求項１９】
前記堆積膜が水素原子を構成要素として含むアモルファスシリコンである請求項１８に記載の堆積膜形成方法。
【請求項２０】
前記堆積膜が電子写真感光体の堆積膜である請求項１９に記載の堆積膜形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記目的を達成するため、本発明に係わる堆積膜形成装置は、
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器と、該反応容器の中に複数の円筒状基体を夫々設置する設置部と、該反応容器の側壁を兼ねて該複数の円筒状基体を取り囲むように設けられた放電電極と、を有し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成装置において、
該堆積膜形成装置は、該設置部に設置された円筒状基体の堆積膜が形成される面が互いに直接向き合うことがないように、該設置部に設置される円筒状基体同士の間に設けられ、かつ該放電電極と電気的に接続された仕切板をさらに備え、
該仕切板および該放電電極が、該設置部に設置される円筒状基体の周方向において該円筒状基体との距離が等間隔にならないように配置されている
ことを特徴とする堆積膜形成装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明に係わる堆積膜形成方法は、
排気手段と原料ガスを導入する手段とを備えた真空排気可能な反応容器の中に、複数の円筒状基体を設置し、該複数の円筒状基体を取り囲むように放電電極を設け、該放電電極に高周波電力を印加することにより該反応容器の中にグロー放電を発生させて、該反応容器の中に導入された原料ガスを分解し、該複数の円筒状基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、
該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲にアース電位の領域がなく、かつ、該円筒状基体の堆積膜が形成される面の周囲の放電空間を非対称にして成膜を行う
ことを特徴とする堆積膜形成方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
連続して長さ方向に送られる溶融メッキ帯鋼板を囲んだ処理室の上流区画内の帯鋼板の上側および下側に処理液スプレー装置が設けられ、前記区画に隣接した下流区画内に帯鋼板を上下から挟むリンガーロールが設けられたものにおいて、
前記上流区画内の入側と出側に液飛散防止板が設置され、前記液飛散防止板は、Ｄをスプレーノズルから液飛散防止板までの距離、Ｖを鋼板の送り速度、ｔを処理ムラが発生する反応時間差としたとき、
「Ｄmm≦Ｖm／min×ｔsec×１０００mm／m÷６０sec／min」の計算式を満足する位置に定められることを特徴とする溶融メッキ鋼板の反応型後処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の第１課題解決手段は、連続して長さ方向に送られる溶融メッキ帯鋼板を囲んだ処理室の上流区画内の帯鋼板の上側および下側に処理液スプレー装置が設けられ、前記区画に隣接した下流区画内に帯鋼板を上下から挟むリンガーロールが設けられたものにおいて、
前記上流区画内の入側と出側に液飛散防止板が設置され、前記液飛散防止板は、Ｄをスプレーノズルから液飛散防止板までの距離、Ｖを鋼板の送り速度、ｔを処理ムラが発生する反応時間差としたとき、「Ｄmm≦Ｖm／min×ｔsec×１０００mm／m÷６０sec／min」の計算式を満足する位置に定められることである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図３〜図５に示すように、支持枠１５には、加工布１９をシリンダベッド４前端の針落ち穴３０（縫製位置）に合わせるための位置合せ治具３１が着脱可能に被せられている。この治具３１は、平らな鋼板又はプラスチック板で略長方形に形成され、治具３１を支持枠１５の幅方向に位置決めする左右一対の幅決め部３２，３３と、治具３１を支持枠１５の長手方向に位置決めする前後一対の縦決め部３４，３５とを備えている。幅決め部３２，３３は支持枠１５の外側リブ２２に外側から対向するように下向きに折り曲げられ、前端の縦決め部３４が支持枠１５の縦リブ２９に後側から対向するように上向きに折り曲げられ、後端の縦決め部３５は取付板１１上の補強金具３６に前方から対向するように上向きに折り曲げられている。また、治具３１には、縫製窓１８の位置を加工布１９の上側からオペレータに指示する開口部３７が縫製窓１８と相似しかつ縫製窓１８を縮小した形状で前後方向に長く形成されている。なお、幅決め部３２，３３に把手３８が外向きに折り曲げられ、開口部３７の周囲に位置合せ用の目印３９が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の二輪車を各々ロックする錠を含む駐輪装置と、
前記錠の各々の開閉を管理する、二次元コードリーダー及びカード発行機を有する錠管理装置と、
を備える駐輪場であって、
前記駐輪場の任意の駐輪場所に二輪車が置かれてその場所の錠がかけられると、該駐輪場所の識別番号・駐輪開始時間を含む情報が印字された一次カードが発行し、
該一次カードに基づいて発行された、二次元コードを含む二次カードの該二次元コードを、前記二次元コードリーダーで読み取って前記駐輪場所の錠を開くことを特徴とする駐輪場。
【請求項２】
多数の駐輪装置が設けられているエリアへの人及び二輪車の出入りを統制するゲート（自動扉）を備える駐輪場施設であって、
前記ゲートに二次元コードリーダーを有し、該ゲートの開閉を管理するゲート管理装置が設置されており、
該駐輪場の利用者が有する二次元コードを含む利用者カードに識別情報と有効期限が過ぎると無効となる利用有効期限データを保存させておき、
前記ゲート管理装置が、前記二次元コードリーダーで前記カードの二次元コードを読み取って前記ゲートの開閉を行うことを特徴とする施設。
【請求項３】
二輪車の前輪を挟む一対の柱状部材（ペアポール）が、多数、フェンス状に配列されており、
前記前輪の抜き出しをロックする錠が、各対のペアポールに、上下スライド可能に設けられており、
前記スライド機構が、
前記ペアポールの各々の外周に嵌合して上下スライドする一対のガイド筒と、
該一対のガイド筒間をつなぐ連結部材と、
該連結部材に対して揺動可能に接続された、前記ペアポールの外周に嵌合して、摩擦係止される状態又はスライド可能な状態を取りうる上下可動係止部材と、
該係止部材を前記連結部材に対して傾斜する方向に回動付勢する付勢手段と、
を有し、
前記前輪を乗せる高さの比較的低い横パイプが前記多数のペアポールに設けられていることを特徴とする駐輪装置。
【請求項４】
前記錠にカードリーダーが設けられており、
定期預け客が二次元コードを含むカードを有しており、
前記リーダーに前記カードをかざすことにより前記錠を開錠することを特徴とする請求項３記載の駐輪装置。
【請求項５】
前記駐輪装置が、請求項３又は４記載の駐輪装置であることを特徴とする請求項１記載の駐輪場。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月28日(2008.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極、および非水電解質を備えた非水電解質二次電池であって、
上記負極は、組成式ＳｉＯｘで表される材料（ただし、Ｓｉに対するＯの原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である）の表面が炭素で被覆された負極活物質を含有しており、
上記非水電解質は、ビニレンカーボネートを含有しており、
上記正極における正極活物質の質量Ｐと上記負極における負極活物質の質量Ｎとの比Ｐ／Ｎが、３．７〜６．８であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項２】
組成式ＳｉＯｘで表される材料を被覆している上記炭素が、炭化水素系ガスを気相中で加熱した際に、該炭化水素系ガスの熱分解により生じたものである請求項１に記載の非水電解質二次電池。
【請求項３】
上記負極活物質が、更に炭素材料との複合体を形成している請求項１または２に記載の非水電解質二次電池。
【請求項４】
層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極、および非水電解質を備えた非水電解質二次電池であって、
上記負極は、組成式ＳｉＯｘで表される材料（ただし、Ｓｉに対するＯの原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である）と炭素材料との複合体の表面が炭素で被覆された負極活物質を含有しており、
上記非水電解質は、ビニレンカーボネートを含有しており、
上記正極における正極活物質の質量Ｐと上記負極における負極活物質の質量Ｎとの比Ｐ／Ｎが、３．７〜６．８であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【請求項５】
ビニレンカーボネートを０．５〜１０質量％含有する非水電解質を使用する請求項１〜４のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【請求項６】
組成式ＳｉＯｘで表される材料が、Ｓｉの微結晶または非晶質相を含んでいる請求項１〜５のいずれかに記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成し得た本発明の非水電解質二次電池は、層状構造を有するリチウム含有遷移金属酸化物を正極活物質として含有する正極、負極、および非水電解質を備えたものであって、上記負極は、組成式ＳｉＯｘで表される材料（ただし、Ｓｉに対するＯの原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である。以下、当該材料を「ＳｉＯｘ」と略記する場合がある。）の表面が炭素で被覆された負極活物質、または上記組成式ＳｉＯｘで表される材料と炭素材料との複合体の表面が炭素で被覆された負極活物質を含有しており、上記非水電解質は、ビニレンカーボネートを含有しており、上記正極における正極活物質の質量Ｐと上記負極における負極活物質の質量Ｎとの比Ｐ／Ｎが、３．７〜６．８であることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の非水電解質二次電池に係る負極は、負極活物質として、組成式ＳｉＯｘで表される材料［ただし、Ｓｉ（シリコン）に対するＯ（酸素）の原子比ｘは、０．５≦ｘ≦１．５である］の表面が炭素で被覆された材料、または上記組成式ＳｉＯｘで表される材料と炭素材料との複合体の表面が炭素で被覆された材料を含有している。上記ＳｉＯｘは、Ｓｉの微結晶または非晶質相を含んでいてもよく、この場合、ＳｉとＯの原子比は、Ｓｉの微結晶または非晶質相のＳｉを含めた比率となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更に、ＳｉＯｘとそれよりも比抵抗値が小さい導電性材料との造粒体の表面が炭素で被覆されてなるものも、好ましく用いることができる。上記造粒体内部でＳｉＯｘと導電性材料が分散した状態であると、より良好な導電ネットワークを形成できるため、これを負極活物質として含有する負極を有する非水電解質二次電池において、重負荷放電特性など電池特性を更に向上させることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
炭素で被覆された、ＳｉＯｘまたはＳｉＯｘと導電性材料との造粒体の製造において、気相成長（ＣＶＤ）法の処理温度（雰囲気温度）については、炭化水素系ガスの種類によっても異なるが、通常、６００〜１２００℃が適当であるが、中でも、７００℃以上であることが好ましく、８００℃以上であることが更に好ましい。処理温度が高い方が不純物の残存が少なく、かつ導電性の高い炭素を含む被覆層を形成できるからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
炭素で被覆された、ＳｉＯｘ粒子またはＳｉＯｘと導電性材料との造粒体と上記有機化合粒子を分散させるための分散媒としては、例えば、水、アルコール類（エタノールなど）を用いることができる。分散液の噴霧は、通常、５０〜３００℃の雰囲気内で行うことが適当である。焼成温度は、通常、６００〜１２００℃が適当であるが、中でも７００℃以上が好ましく、８００℃以上であることが更に好ましい。処理温度が高い方が不純物の残存が少なく、かつ導電性の高い良質な炭素材料を含む被覆層を形成できるからである。ただし、処理温度はＳｉＯｘの融点以下であることを要する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
正極活物質であるリチウム含有遷移金属酸化物として、例えば、高容量の層状化合物ＬｉＭ’Ｏ２（Ｍ’：Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉから選ばれる少なくとも１種の金属元素）を用いると、その正極活物質の単位質量当たりの理論容量は１６０〜２２０ｍＡｈ／ｇとなる。このとき、上記Ｐ／Ｎが上記特定値を満たすとすると、負極活物質では、炭素で被覆された、組成式ＳｉＯｘで表される材料や該材料と炭素材料との複合体において、その放電容量が、理論容量（充電）の半分以下、具体的には、ＳｉＯｘ中のＳｉ：１モル当たりに換算して、７０Ａｈ／ｍｏｌ以下に制限されることになる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数のアドレス電極、該アドレス電極を覆う誘電体層、および該誘電体層上に少なくとも前記アドレス電極間に存在し、放電空間を少なくとも単位ごとに区画する複数の隔壁とを有する背面板と、基板上に前記アドレス電極とは実質的に直交する方向に設けられた複数のサステイン電極とスキャン電極の対、該サステイン電極とスキャン電極の対を覆う誘電体層、ならびに該誘電体層上に存在する保護層を有する前面板、を有するプラズマディスプレイパネルであって、各セル内におけるアドレス電極の幅の最大値をセル内最大電極幅としたときに、それぞれのアドレス電極においては異なる２種類以上のセル内最大電極幅が存在し、隣接するセルにおけるセル内最大電極幅の差が、表示領域内で全て１０μｍ以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
それぞれのアドレス電極において、表示領域内で連続する１０セルのセル内最大電極幅の最大値と最小値の差が５０μｍ以下である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
列方向中央部のアドレス電極の表示領域内のいずれかの端部におけるセル内最大電極幅が、該アドレス電極の行方向中央部のセルにおけるセル内最大電極幅よりも大きい請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
各セル内中央部におけるアドレス電極幅がセル端部におけるアドレス電極幅より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
セル内でアドレス電極幅の最小値をセル内最小電極幅とすると、表示領域内の同一セル内のセル内最大電極幅とセル内最小電極幅との差の最大値が３０〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
表示領域内のセル内最大電極幅の最大値と最小値との差が１１〜１５０μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
セル内最大電極幅が５０〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
誘電体層上に放電空間を行ごとに区画するように隔壁と垂直方向に形成された補助隔壁を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの独立部位と、前記２つの独立部位を互いに接続する複数の接続部と、を有し、各接続部を分断することによって各独立部位を分断する一体型のプリント基板であって、各接続部が前記独立部位の端縁と交差する分断ライン上に設けられ、各接続部の最小幅を前記分断ライン上に有することを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記分断ライン上に、各接続部はくびれを有することを特徴とする請求項１記載のプリント基板。
【請求項３】
前記各接続部は穴が設けられたことを特徴とする請求項１または請求項２記載のプリント基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のプリント基板は、少なくとも２つの独立部位と、前記２つの独立部位を互いに接続する複数の接続部と、を有し、各接続部を分断することによって各独立部位を分断する一体型のプリント基板であって、各接続部が前記独立部位の端縁と交差する分断ライン上に設けられ、各接続部の最小幅を前記分断ライン上に有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月12日(2008.12.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれキャリア注入層を含み、分離領域により分離された複数の発光素子領域と、
前記複数のキャリア注入層からキャリアが注入されることによって発光する活性層と、
前記活性層と前記キャリア注入層との間に備えられ、且つ前記複数のキャリア注入層の抵抗値よりも大きな抵抗値を有する抵抗層と、を備え、
前記活性層は、前記複数のキャリア注入層に共通の層であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
請求項１に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層がＡｌＧａＡｓであることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層はｐ型であり、ｐ型の不純物のドーピング濃度は３×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層はｎ型であり、ｎ型の不純物のドーピング濃度は３×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の発光素子アレイにおいて、
前記抵抗層がアンドープ層であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の発光素子アレイにおいて、前記キャリア注入層の間の前記抵抗層の不純物のドーピング濃度は、前記キャリア注入層の下の前記抵抗層の不純物のドーピング濃度よりも低いことを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記複数のキャリア注入層どうしの分離はエッチングにて行われ、且つ、前記活性層をエッチングしないために、前記エッチングが前記抵抗層で止まっていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記抵抗層の上にエッチングストップ層が設けられていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項９】
請求項８に記載の発光素子アレイにおいて、前記エッチングストップ層は前記キャリア注入層の間において除去されていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１０】
請求項８又は９に記載の発光素子アレイにおいて、前記エッチングストップ層がＡｌＩｎＧａＰであることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１１】
請求項８から１０のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はｐ型であり、ｐ型の不純物のドーピング濃度は３×１０１７ｃｍ−３以下であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１２】
請求項８から１０のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はｎ型であり、ｎ型の不純物のドーピング濃度は３×１０１６ｃｍ−３以下であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１３】
請求項８から１０のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、
前記エッチングストップ層はアンドープ層であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記複数の発光素子領域、前記活性層、及び前記抵抗層は金属膜が形成された半導体基板に形成されていることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記活性層が量子井戸の構造であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記活性層は、前記複数のキャリア注入層に共通の層で、且つ前記発光素子領域毎に分離されていないことを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記抵抗層の膜厚が、０．００２μｍ以上、０．５μｍ以下であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１８】
請求項１から１７のいずれか１項に記載の発光素子アレイにおいて、前記複数の発光素子アレイの各発光領域の面積が、約１６００μｍ２であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか１項に記載の発光素子アレイと、該発光素子アレイから発せられた光に基づいて画像を形成する画像形成手段と、を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の発光素子アレイは、それぞれキャリア注入層を含み、分離領域により分離された複数の発光素子領域と、
前記複数のキャリア注入層からキャリアが注入されることによって発光する活性層と、
前記活性層と前記キャリア注入層との間に備えられ、且つ前記複数のキャリア注入層の抵抗値よりも大きな抵抗値を有する抵抗層と、を備え、
前記活性層は、前記複数のキャリア注入層に共通の層であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月16日(2009.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外形が多角形状とされた太陽電池パネル本体と、
該太陽電池パネル本体の棟側及び軒側に位置する辺を支持すると共に該太陽電池パネル本体を支持する側とは反対側の側面に凹状の接合部が形成された第一枠体と、
該第一枠体の前記接合部内に挿入可能とされ棟側と軒側とを結ぶ方向に隣接配置される前記太陽電池パネル本体を支持する前記第一枠体の上部同士が互いに接し且つ互いの断面形状が線対称となるように該第一枠体同士を接合可能とされた被接合部を有し、前記第一枠体に沿ってスライド可能とされると共に棟側に配置される前記太陽電池パネル本体の下側に相当する位置で所定の支持部材に固定可能とされた固定部材と
を具備することを特徴とする太陽電池モジュール枠体。
【請求項２】
前記第一枠体の前記接合部が形成された側面側に形成される係合部と、該係合部と係合可能とされ前記固定部材の軒側に形成される被係合部とからなり、前記係合部と前記被係合部とを係合させることで、前記固定部材の軒側に接合された前記太陽電池パネル本体の前記第一枠体が、該第一枠体の延びる方向に対して直角方向へ移動するのを規制する移動規制手段
を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の太陽電池モジュール枠体。
【請求項３】
前記固定部材は、高さ調整用台座部によって高さ調整が可能であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の太陽電池モジュール枠体。
【請求項４】
前記太陽電池モジュール本体の前記第一枠体に支持される辺とは異なる辺を支持する第二枠体を
更に具備することを特徴とする請求項１から請求項３までの何れか一つに記載の太陽電池モジュール枠体。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記処理部３は図１に示すように前面に蓋体１１が開閉可能に設けられたチャンバ１２を有する。このチャンバ１２は上記架台２に所定の角度である、たとえば垂直線に対して７５度の角度で傾斜して保持されていて、幅方向の両側面には７５度の角度で傾斜して搬送される基板Ｗが通過するスリット１３（図１に一箇所だけ図示）が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記チャンバ１２の内部には、図２に示すように傾斜搬送手段を構成する複数の搬送軸１５（１つのみ図示）がチャンバ１２の幅方向に所定間隔で設けられている。この搬送軸１５には、複数の支持ローラ１４が軸方向に所定間隔で回転可能に設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
なお、各処理ユニット１Ａ〜１Ｅの処理部３内には、図２に示すように基板Ｗを処理する、たとえば処理液を基板Ｗに噴射するシャワーユニットなどの処理手段２０が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
駆動ローラ１７は盤状体４２、この盤状体４２に着脱可能に取付けられた取付けリング４５、この取付けリング４５に着脱可能に取付けられた弾性材料によって作られた弾性リング４７から構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、高出力や高周波数の要求から半導体装置の中に実装される集積回路（以下ＩＣと称す）や電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと称す）や発行ダイオード（以下ＬＥＤと称す）などの半導体素子から数ワット程度の熱が発生する様になってきた。こうした半導体素子から発生する熱を効率良く放熱する手段として、リードフレームに放熱板を備えた半導体装置があった（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
タブ５をディプレスによりリードフレーム１より下方に押し下げる（図２（ｃ））。このとき、タブ５に後ほど挿入される放熱板上面とリードフレーム１とが略同一平面となる様ディプレスされる。これによれば、ワイヤーボンディング性に優れる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像情報または音声情報を受信して記録再生する情報記録再生装置において、
前記映像情報または音声情報には、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とが付随しており、
前記映像情報または音声情報を受信する受信手段と、
受信した前記映像情報または音声情報を記録再生する蓄積手段と、
受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報と前記第２の制御情報に応じて前記蓄積手段における前記映像情報または音声情報の記録再生を制御する記録再生制御手段とを備え、
前記記録再生制御手段は、受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、前記第２の制御情報に応じて、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へのコピーを可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とを切換えることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項２】
映像情報または音声情報を受信して記録再生する情報記録再生装置において、
前記映像情報または音声情報には、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とが付随しており、
前記映像情報または音声情報を受信する受信手段と、
受信した前記映像情報または音声情報を記録再生する蓄積手段と、
受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報と前記第２の制御情報に応じて前記蓄積手段における前記映像情報または音声情報の記録再生を制御する記録再生制御手段とを備え、
前記記録再生制御手段は、受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、前記第２の制御情報に応じて、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へ１世代のみコピー可としてコピー可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とを切換えることを特徴とする情報記録再生装置。
【請求項３】
映像情報または音声情報を受信して記録再生する情報記録再生方法において、
前記映像情報または音声情報には、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とが付随しており、
前記映像情報または音声情報を受信し、
受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記第２の制御情報に応じて、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へのコピーを可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とを切換えることを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項４】
映像情報または音声情報を受信して記録再生する情報記録再生方法において、
前記映像情報または音声情報には、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とが付随しており、
前記映像情報または音声情報を受信し、
受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、受信した前記映像情報または音声情報に付随している前記第２の制御情報に応じて、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へ１世代のみコピー可としてコピー可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とを切換えることを特徴とする情報記録再生方法。
【請求項５】
映像情報または音声情報を制御情報とともに送信する情報送信方法において、
前記制御情報は、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とを含み、
前記第２の制御情報は、前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、前記映像情報または音声情報を蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へのコピーを可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とのいずれであるかを示す情報であることを特徴とする情報送信方法。
【請求項６】
映像情報または音声情報を制御情報とともに送信する情報送信方法において、
前記制御情報は、前記映像情報または音声情報のコピーを制御するコピー制御情報と第２の制御情報とを含み、
前記第２の制御情報は、前記コピー制御情報が１世代のみコピー可であることを示しているときに、前記映像情報または音声情報を蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生して他の記録媒体へ１世代のみコピー可としてコピー可能とする第１の状態と、前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段に記録し、記録した前記映像情報または音声情報を前記蓄積手段より再生したときに他の記録媒体へのコピーを禁止する第２の状態とのいずれであるかを示す情報であることを特徴とする情報送信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報記録再生装置、情報記録再生方法、及び情報送信方法
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
ＰＳＴＮ回線に接続されるＰＳＴＮ接続部と、ＩＰ回線に接続されるＩＰ接続部とを備え、前記ＩＰ回線を用いた通信と前記ＰＳＴＮ回線を用いた通信とを行うことができるハイブリッド通信端末であって、音声信号の入出力を行う通信回路部と、前記通信回路部に設けられ、受話音量調整入力に従って出力する音声のゲイン調整を行うゲイン調整部と、前記ハイブリッド通信端末から該ハイブリッド通信端末に接続された局交換機までの前記ＰＳＴＮ回線の回線損失量を測定する回線損失測定手段と、前記ＩＰ接続部を介して送られてくるＶｏＩＰの音声データを復号化しアナログ音声信号として出力する音声処理部と、音声処理部において前記回線損失測定手段によって測定された回線損失量を基に前記ＩＰ回線を介して送られてくる音声のレベルを変更する音声レベル変更手段と、を備えたことを特徴とするハイブリッド通信端末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第５の発明は、ＰＳＴＮ回線に接続されるＰＳＴＮ接続部と、ＩＰ回線に接続されるＩＰ接続部とを備え、ＩＰ回線を用いた通信とＰＳＴＮ回線を用いた通信とを行うことができるハイブリッド通信端末であって、音声信号の入出力を行う通信回路部と、通信回路部に設けられ、受話音量調整入力に従って出力する音声のゲイン調整を行うゲイン調整部と、ハイブリッド通信端末から該ハイブリッド通信端末に接続された局交換機までのＰＳＴＮ回線の回線損失量を測定する回線損失測定手段と、ＩＰ接続部を介して送られてくるＶｏＩＰの音声データを復号化しアナログ音声信号として出力する音声処理部と、音声処理部において回線損失測定手段によって測定された回線損失量を基にＩＰ回線を介して送られてくる音声のレベルを変更する音声レベル変更手段と、を備えたことを特徴とするハイブリッド通信端末であり、ＩＰ回線とＰＳＴＮ回線の双方に自在に接続でき、通信経路の音声損失量を推測して目標とする音声レベルに調整することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルデータ受信機において、
それぞれが個別にチャンネルを選択可能に構成され、該選択されたチャンネルに係る受信信号を出力する複数のブランチと、
前記複数のブランチのうちの少なくとも一部を合成対象とし、該合成対象のブランチから出力される信号を合成して出力可能なダイバーシチ処理部と、
前記デジタルデータ受信機の置かれる環境状況を検知するための検知部と、
前記検知部による検知結果に応じて、前記ダイバーシチ処理部における前記合成対象のブランチ切換えを含む動作制御を行う制御部と、
を有することを特徴とするデジタルデータ受信機。
【請求項２】
前記ダイバーシチ処理部は、前記複数のブランチのうちの前記合成対象のブランチ以外のブランチから出力される信号を合成せずに出力可能である、請求項１に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項３】
前記ダイバーシチ処理部は、前記複数のブランチのうちの前記合成対象のブランチ以外のブランチから出力される信号を合成して出力可能である、請求項１に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項４】
前記検知部は、前記ダイバーシチ処理部の出力信号に基づく映像を表示する前記表示部を視聴する視聴者の配置を検知するための配置検知部であって、
前記制御部は、前記配置検知部の検知結果に基づいて、前記ダイバーシチ処理部におけるモードの動作制御を行う、請求項１〜３の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項５】
前記検知部は、前記ダイバーシチ処理部の出力信号に基づく映像を表示可能な表示部数を検知するための表示部検知部であって、
前記制御部は、前記表示部検知部の検知結果に基づいて、前記ダイバーシチ処理部におけるモードの動作制御を行う、請求項１〜３の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項６】
前記検知部は、緊急警報情報を検知するための緊急警報情報検知部であって、
前記制御部は、前記緊急警報情報検知部が緊急警報情報を検知した場合には、前記複数のブランチの全てを前記合成対象のブランチにする制御を行う、請求項１に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項７】
前記制御部は、前記複数のブランチのうち、表示される映像に利用する信号を出力するブランチ以外のブランチからの信号を利用して、チャンネルサーチを行う、請求項１〜６の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項８】
前記制御部は、前記複数のブランチのうち、表示される映像に利用する信号を出力するブランチ以外のブランチからの信号を利用して、番組の検索を行う、請求項１〜６の何れか一項に記載のデジタルデータ受信機。
【請求項９】
前記制御部は、前記ダイバーシチ処理部に異なる映像に利用する信号を同時に出力させ、複数の表示部に異なる映像を同時に表示させるように制御可能である、請求項１〜８の何れか一項に記載のデジタルデータ受信部。
【請求項１０】
前記制御部は、前記ダイバーシチ処理部の出力信号に基づく音声を出力可能で、前記複数の表示部に対応して設けられる複数のスピーカの出力制御が可能であり、前記複数の表示部に異なる映像を表示させるときに、前記複数の表示部にそれぞれ対応するスピーカから、表示された映像に対応する音声を出力させるように制御可能である、請求項９に記載のデジタルデータ受信機。