【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理性能を改善するために基板担体を修正する方法であって、前記方法は、
ａ．基板担体によって支持された基板上に少なくとも１つの層を堆積させることと、
ｂ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として前記基板上の前記少なくとも１つの層のパラメータを測定することと、
ｃ．前記基板上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の物理的特徴を得るために、前記基板上の複数の位置のうちの少なくともいくつかに対応する前記測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることと、
ｄ．前記基板担体上の位置の関数として前記基板上の前記少なくとも１つの堆積された層の所望のパラメータを得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板担体の物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記基板担体は、黒鉛、ＳｉＣ、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも１つから形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも１つから形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所深さを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所熱伝導率を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所放射率を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所機械的特性を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記パラメータは、性能測定基準を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の光学的パラメータである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の電気パラメータである、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記パラメータは、前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の電気光学的パラメータである、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板担体上の前記複数の対応する位置のうちの少なくともいくつかに関連する前記測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記少なくとも１つの層の放射波長を、前記基板担体の対応する局所深さに関連付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記位置の関数として前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体上の複数の対応する位置のうちの少なくとも１つにおいて、前記基板担体から材料を取り除くことを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも１つによって、前記基板担体上の対応する位置のうちの少なくとも１つにおいて、前記基板担体から取り除かれる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担に材料を追加することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
前記局所領域の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記局所領域の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における放射率を変化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
基板担体の性能測定基準を改善するための方法であって、前記方法は、
ａ．材料処理のために基板を支持するための基板担体を製造することであって、前記基板担体は、位置の関数として物理的特徴を有する、ことと、
ｂ．基板担体によって支持される基板上に少なくとも１つの層を堆積させることと、
ｃ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の性能測定基準を測定することと、
ｄ．前記基板上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の物理的特徴を得るために、前記基板上の少なくともいくつかの位置に対応する前記測定された性能測定基準を、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることと、
ｅ．前記基板担体上の位置の関数として前記基板上の前記堆積された少なくとも１つの層の所望の性能測定基準を得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板担体の物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
【請求項２４】
前記製造された基板担体は、所定の深さ輪郭を有する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記製造された基板担体は、所定の熱輪郭を有する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
処理性能を改善するために基板担体を修正する方法であって、前記方法は、
ａ．基板担体によって支持された基板上に少なくとも１つの層を堆積させることと、
ｂ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として、前記基板上に堆積される前記少なくとも１つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
ｃ．前記基板上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の深さを得るために、前記基板上に製造された前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板担体の深さに関連付けることと、
ｄ．前記基板上の対応する位置の関数として、前記基板上の前記堆積された少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、前記基板上の複数の位置に対応する複数の位置において、前記基板担体の深さを修正することと
を含む、方法。
【請求項２７】
前記少なくとも１つの層を堆積させることは、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記パラメータは、光学強度を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
前記パラメータは、光学的放射波長を含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
前記パラメータは、電気パラメータを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３１】
前記パラメータは、電気光学的パラメータを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３２】
前記基板上に堆積された前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板担体の深さに関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３３】
前記基板上に堆積された前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、前記基板担体の深さに関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３４】
前記堆積された少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板担体の深さを修正することは、局所において前記基板担体から材料を取り除くことを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３５】
前記材料は、個別の局所において取り除かれる、請求項３４に記載の方法。
【請求項３６】
前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、請求項３４に記載の方法。
【請求項３７】
前記堆積された少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板担体の深さを修正することは、局所において前記基板担体に材料を追加することを含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項３８】
請求項１に記載の方法によって作られた基板担体。
【請求項３９】
請求項２３に記載の方法によって作られた基板担体。
【請求項４０】
請求項２６に記載の方法によって作られた基板担体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本教示による方法では、その後、基板上に製造されるデバイスの１つ以上のパラメータは、基板担体上のそれらの対応する位置の関数として測定される。パラメータは、限定するものではないが、光学的パラメータ、電気パラメータ、または電気光学的パラメータを含む任意の種類のパラメータであることが可能である。例えば、パラメータは、電気または光学デバイスの性能測定基準であることが可能である。１つの特定の実施形態では、測定されるパラメータは、発光ダイオードまたは半導体レーザー等の光学デバイスによって生成される光学的放射の波長である。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
処理性能を改善するために基板担体を修正する方法であって、
ａ．基板担体によって支持された基板上に少なくとも１つの層を蒸着させることと、
ｂ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として前記少なくとも１つの層のパラメータを測定することと、
ｃ．前記基板担体上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の物理的特徴を得るために、前記基板担体上の複数の位置のうちの少なくともいくつかに対応する測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることと、
ｄ．前記基板担体上の位置の関数として前記少なくとも１つの蒸着された層の所望のパラメータを得るために、前記基板担体上の複数の対応する位置のうちの１つ以上において、前記基板担体の物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
（項目２）
前記基板担体は、黒鉛、ＳｉＣ、金属、およびセラミック材料のうちの少なくとも１つから形成される、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記基板は、半導体、金属、および絶縁体材料のうちの少なくとも１つから形成される、項目１に記載の方法。
（項目４）
前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目１に記載の方法。
（項目５）
前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の測定されたパラメータを、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることは、実験によって得られるデータを関連付けることを含む、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所深さを含む、項目１に記載の方法。
（項目７）
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所熱伝導率を含む、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所放射率を含む、項目１に記載の方法。
（項目９）
前記基板担体の物理的特徴は、前記基板担体の局所機械的特性を含む、項目１に記載の方法。
（項目１０）
前記パラメータは、性能測定基準を含む、項目１に記載の方法。
（項目１１）
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の光学的パラメータである、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の電気パラメータである、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記パラメータは、前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の電気光学的パラメータである、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記基板担体上の前記複数の対応する位置のうちの少なくともいくつかに関連する測定されたパラメータを関連付けることは、特定の場所における前記少なくとも１つの層の放射波長を、前記基板担体の対応する局所深さに関連付けることを含む、項目１に記載の方法。
（項目１５）
前記位置の関数として前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体上の複数の対応する位置のうちの少なくとも１つにおいて、前記基板担体から材料を取り除くことを含む、項目１に記載の方法。
（項目１６）
前記材料は、機械加工、レーザー切断、化学エッチング、および静電放電のうちの少なくとも１つによって、前記基板担体上の対応する位置のうちの少なくとも１つにおいて、前記基板担体から取り除かれる、項目１５に記載の方法。
（項目１７）
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担に材料を追加することを含む、項目１に記載の方法。
（項目１８）
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における熱伝導率を変化させることを含む、項目１に記載の方法。
（項目１９）
前記局所領域の熱伝導率は、材料を前記局所領域に挿入することによって変化させられる、項目１８に記載の方法。
（項目２０）
前記局所領域の熱伝導率は、前記局所領域において材料処理を行うことによって変化させられる、項目１８に記載の方法。
（項目２１）
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における放射率を変化させることを含む、項目１に記載の方法。
（項目２２）
前記基板担体の物理的特徴を修正することは、前記基板担体の局所領域における局所機械的特性を変化させることを含む、項目１に記載の方法。
（項目２３）
基板担体の性能測定基準を改善するための方法であって、
ａ．材料処理のために基板を支持するための基板担体を製造することであって、前記基板担体は、位置の関数として物理的特徴を有する、ことと、
ｂ．基板担体によって支持される基板上に少なくとも１つの層を蒸着させることと、
ｃ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の性能測定基準を測定することと、
ｄ．前記基板担体上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の物理的特徴を得るために、前記基板担体上の少なくともいくつかの位置に対応する前記測定された性能測定基準を、前記基板担体の物理的特徴に関連付けることと、
ｅ．前記基板担体上の位置の関数として蒸着された前記少なくとも１つの層の所望の性能測定基準を得るために、前記基板担体上の複数の対応する位置のうちの１つ以上において、前記基板担体の物理的特徴を修正することと
を含む、方法。
（項目２４）
前記製造された基板担体は、所定の深さ輪郭を有する、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
前記製造された基板担体は、所定の熱輪郭を有する、項目２３に記載の方法。
（項目２６）
処理性能を改善するために基板担体を修正する方法であって、
ａ．基板担体によって支持された基板上に少なくとも１つの層を蒸着させることと、
ｂ．前記基板担体上のその対応する位置の関数として、前記基板上に蒸着される前記少なくとも１つの層の温度依存性処理パラメータを測定することと、
ｃ．前記基板担体上の複数の位置に対応する前記基板担体の複数の深さを得るために、前記基板担体上に製造された前記少なくとも１つの層の前記測定されたパラメータを、基板担体の深さに関連付けることと、
ｄ．前記基板担体上の対応する位置の関数として、蒸着された前記少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、前記基板担体上の複数の対応する位置のうちの１つ以上において、前記基板担体の深さを修正することと
を含む、方法。
（項目２７）
前記少なくとも１つの層を蒸着させることは、気相成長法により多重量子井戸構造を製造することを含む、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
前記パラメータは、光学強度を含む、項目２６に記載の方法。
（項目２９）
前記パラメータは、光学的放射波長を含む、項目２６に記載の方法。
（項目３０）
前記パラメータは、電気パラメータを含む、項目２６に記載の方法。
（項目３１）
前記パラメータは、電気光学的パラメータを含む、項目２６に記載の方法。
（項目３２）
前記基板上に蒸着された前記少なくとも１つの層の測定されたパラメータを、前記基板担体の深さに関連付けることは、数学的モデルを使用することを含む、項目２６に記載の方法。
（項目３３）
前記基板上に蒸着された前記少なくとも１つの層の測定されたパラメータを、前記基板担体の深さに関連付けることは、実験データを関連付けることを含む、項目２６に記載の方法。
（項目３４）
前記蒸着された少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板担体の深さを修正することは、局所において前記基板担体から材料を取り除くことを含む、項目２６に記載の方法。
（項目３５）
前記材料は、個別の局所において取り除かれる、項目３４に記載の方法。
（項目３６）
前記材料は、連続する輪郭を形成するために取り除かれる、項目３４に記載の方法。
（項目３７）
前記蒸着された少なくとも１つの層の所望のパラメータを得るために、位置の関数として前記基板担体の深さを修正することは、局所において前記基板担体に材料を追加することを含む、項目２６に記載の方法。