Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】タングステンの粗度減少及び反射率改善の方法、集積回路の製造方法、並びにタングステンフィルムを半導体基板上に堆積する装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タングステンフィルムを半導体基板上に形成する方法であって、
該半導体基板上にタングステン核形成層を堆積する工程と、
該タングステン核形成層上にタングステンバルク層をＣＶＤ工程で堆積する工程と
を備え、
前記ＣＶＤ工程において該半導体基板は、該タングステンバルク層の堆積の間に、パルス間に遅延期間が存在する窒素の複数パルスに露出される方法。
【請求項２】
前記タングステン核形成層を堆積する工程が１サイクル以上を有し
前記１サイクルは、タングステンを含む前駆体が窒素の存在しない状態で還元剤によって還元される少なくとも一つのＣＶＤ工程及びタングステンを含む前駆体が窒素の存在下で還元剤によって還元される少なくとも一つのＣＶＤ工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記タングステン核形成層を堆積する工程は、少なくとも２サイクルを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
堆積されたタングステンバルク層の反射率が空のシリコンウエファの反射率より２０％大きい、請求項１から３の何れか１項に記載の方法。
【請求項５】
堆積されたタングステンバルク層の抵抗率が１５マイクロオーム−ｃｍ以下である、請求項１から４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
堆積されたタングステンバルク層の抵抗率が１３マイクロオーム−ｃｍ以下である、請求項１から５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
堆積されたタングステンバルク層が、タングステンを含む前駆体の窒素の存在下での還元で堆積される第一の厚さと、タングステンを含む前駆体の窒素の存在しない状態での還元で堆積される第二の厚さとから成り、全体の厚さは第一の厚さと第二の厚さの和であり、第一の厚さの全体の厚さに対する割合が０．２と０．９の間にある、請求項１から６の何れか１項に記載の方法。
【請求項８】
第一の厚さの全体の厚さに対する割合が０．４と０．８の間にある、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第一の厚さの全体の厚さに対する割合が０．５と０．８の間にある、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
第一の厚さの全体の厚さに対する割合が０．６と０．８の間にある、請求項７から９の何れか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記タングステン核形成層を堆積する工程は、還元剤のパルスとタングステンを含む前駆体のパルスとを基板上に交互に行うことを含み、ＰＮＬ工程によって核形成層を堆積する、請求項１から１０の何れか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記タングステンバルク層を堆積する工程が、タングステンを含む前駆体が窒素の存在しない状態で還元剤によって還元されてタングステンが堆積される少なくとも一つのＣＶＤ工程と、タングステンを含む前駆体が窒素の存在下還元剤によって還元されてタングステンが堆積される少なくとも一つのＣＶＤ工程とを有し、窒素存在下のＣＶＤ工程の間の温度が窒素が存在しない状態のＣＶＤ工程の間の温度より高い、請求項１から１１の何れか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記タングステンバルク層を堆積する工程が、ＷＦ６をＨ２で還元することを含む、請求項１から１２の何れか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記タングステンを含む前駆体がＷＦ６であり、前記還元剤がＨ２である、請求項２に記載の方法。
【請求項１５】
前記タングステンバルク層を堆積する工程が、複数の逐次的ＣＶＤ工程を有し、還元剤が窒素の存在下でタングステンを含む前駆体を還元し、前記複数の逐次的ＣＶＤ工程の間には少なくとも１秒の遅延期間がある、請求項１から１４の何れか１項に記載の方法。
【請求項１６】
タングステンフィルムを半導体基板上に形成する方法であって、
該半導体基板上にタングステン核形成層を堆積する工程と、
該タングステン核形成層上にタングステンバルク層をＣＶＤ工程においてタングステンを含む前駆体を還元することで堆積する工程と
を備え、
前記ＣＶＤ工程においては該半導体基板が該タングステンバルク層の堆積の間窒素の複数パルスに露出され、窒素パルス間にはαが０．２と０．９の間にあるように遅延期間が含められ、αとは窒素の存在下で堆積されたタングステンバルク層のタングステンの厚さをタングステンバルク層の全体の厚さで割った比のことである、方法。
【請求項１７】
αが０．５と０．８の間にある、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記タングステンバルク層が、ＷＦ６のＨ２による還元で堆積される、請求項１６または１７に記載の方法。
【請求項１９】
半導体基板を準備する段階と
請求項１から１８の何れか１項に記載の方法によりタングステンフィルムを前記半導体基板上に形成する段階と
を備える集積回路の製造方法。
【請求項２０】
タングステンフィルムを半導体基板上に堆積する装置であって、
基板支持具及び基板をガスのパルスに露出させるように構成された一個以上のガス入口を含む堆積チャンバーと、
該堆積チャンバー内の工程を制御する制御器と
を備え、
該制御器はタングステンを含む前駆体及び還元剤をチャンバー内へ流入させ、窒素をパルス間に遅延期間を持たせてチャンバーの中へ脈動させる、装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月20日(2013.8.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．  少なくとも１つの六方晶結晶相を有する組成物からなる結晶化薄膜、または
ｂ．  結晶化形態で少なくとも１つの六方晶相を有することのできる結晶化可能な組成物、
を備えた物品であって、
前記組成物が、原子パーセントで表して、
５から４５のＧｅ、
５から４０のＡｓ、またはＡｓとＳｂの組合せ、ここで、Ａｓの原子パーセントはＳｂの原子パーセントよりも大きい、
４５から６５のＴｅ、および
Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓ，またはそれらの組合せを含むものである、物品。
【請求項２】
前記Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓ，またはそれらの組合せの原子パーセントが２０パーセント以下であることを特徴とする請求項１記載の物品。
【請求項３】
前記薄膜が基板上に配置されることを特徴とする請求項１または２記載の物品。
【請求項４】
相変化記憶非晶性材料からなる薄膜を提供し、
該相変化記憶非晶性材料を六方晶結晶相に転化させる、
各工程を有してなり、
前記相変化記憶非晶性材料は、原子パーセントで表して、
５から４５のＧｅ、
５から４０のＡｓ、またはＡｓとＳｂの組合せ、ここで、Ａｓの原子パーセントはＳｂの原子パーセントよりも大きい、
４５から６５のＴｅ、および
Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓ，またはそれらの組合せを含むものである、
方法。
【請求項５】
六方晶結晶相を有する相変化記憶材料からなる薄膜を提供し、
該六方晶結晶相を非晶相に転化させる、
各工程を有してなり、
前記相変化記憶材料は、原子パーセントで表して、
５から４５のＧｅ、
５から４０のＡｓ、またはＡｓとＳｂの組合せ、ここで、Ａｓの原子パーセントはＳｂの原子パーセントよりも大きい、
４５から６５のＴｅ、および
Ａｌ，Ｓｉ，Ｇａ，Ｓｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｔｌ，Ｐｂ，Ｂｉ，Ｐ，Ｓ，またはそれらの組合せを含むものである、
方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の１つの実施の形態は、少なくとも１つの六方晶相を有する組成物からなる結晶化薄膜、または結晶化形態で少なくとも１つの六方晶相を有することのできる結晶化可能な組成物を備えた物品である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明の１つの実施の形態は、少なくとも１つの六方晶相を有する組成物からなる結晶化薄膜、または結晶化形態で少なくとも１つの六方晶相を有することのできる結晶化可能な組成物を備えた物品である。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月21日(2012.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
バイナリファイルは、しばしば多くのコンピューティング装置間で転送される。バイナリファイルを受け取るコンピューティング装置は、普通はファイルの発信元（出所）についてまたはそれが受け取るコードが安全かどうかを認識していない。コンピューティング装置の安全を確認するため、バイナリファイルを分解してマルウェア（例えば、ウイルス、ワーム、トロイの木馬、および／または同類のもの）が含まれていないかを見極めることができる。
一般的に、逆アセンブラは、バイナリファイルをマシン語からアセンブリ言語に変換する。いくつかの逆アセンブラは双方向性であり、専門のプログラマが注釈、修正、説明、または前記逆アセンブラがファイルをどのように解析するかの決定を行うことができる。例えば、逆アセンブラは、コードの新規機能または特別なセクションが現れたら信号を送ることができる。識別された動作が起こった場合、前記コードの特定のセクションは、後の参照用のためにラベル付けされる。しかしながら、既知の実行形式の解析は、通常、特別に訓練を受けた人員によって手動で、または統計的方法で自動的に実行される、時間のかかるプロセスであることがある。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】  米国特許出願公開第２００８／０００５７９６号明細書
【特許文献２】  米国特許出願公開第２００８／０２０１７７９号明細書
【特許文献３】  米国特許出願公開第２００５／００８６５２６号明細書
【特許文献４】  米国特許出願公開第２００６／００７５５０４号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
水系分離液体の貯蔵寿命を伸ばすために、この分離液体が、分離液体の全重量に対して、好ましくは０.５〜１０重量％の量の防腐剤、好ましくはイソチアゾロン；第四級アンモニウム化合物、好ましくはジデシルジアンモニウムクロライド、ジオクチルジアンモニウムクロライド；ジメチロールジメチルヒダントイン；ブロモクロロジメチルヒダントインまたはビスオキサゾリンを含む場合、好都合である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
10μmに満たない粒径を持つ粒子を有する、少なくとも2つの炭素部品を接合するための有用な方法であって、少なくとも以下に列挙するものからなる諸工程：
a) 接合すべき該複数の炭素部品および、シリコンプレート又はバンド形状のシリコン製要素を配置する工程、ここで該シリコン製要素は、該部品の間に挿入されており、該炭素部品及び該シリコン製要素はアセンブリーを形成し、および
b) 圧力の作用下にて、該アセンブリーを結合状態に維持し、かつ該アセンブリーを、不活性雰囲気下で1410℃を越える温度にて加熱して、該シリコンを溶融し、かつ該部品間の界面において、少なくとも一つの炭化ケイ素ブリッジを含む接合部を形成する工程；および
c) 該工程b)の完了後に得られる該アセンブリーを、該工程b)の温度よりも高い温度に曝して、該溶融シリコン全てを消費させ、かつ該炭素部品間の界面の全表面に渡り、炭化ケイ素の接合部を形成する工程、
を含み、
該工程b)及び工程c)を、異なるが連続している２つの温度レベルで実施する、
ことを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記シリコンプレート又はバンドが50〜800μmなる範囲の厚みを有する、請求項1記載の方法。
【請求項３】
前記工程c)の完了後に得られるロウ付けが、残留固体シリコンを全く含まない、請求項1または2記載の方法。
【請求項４】
前記炭素部品が、0〜40体積％なる範囲の開放孔の多孔度を持つ、請求項1〜3の何れか1項に記載の方法。
【請求項５】
前記炭素部品が1〜5μmなる範囲の粒径を持つ粒子を有する、請求項1〜4の何れか1項に記載の方法。
【請求項６】
前記2つの接合された部品の界面において生成された接合部が、10〜40μmなる範囲の厚みを持つ、請求項1〜5の何れか1項に記載の方法。
【請求項７】
前記2つの接合された部品の界面において生成された接合部が、20〜30μmなる範囲の厚みを持つ、請求項1〜6の何れか1項に記載の方法。
【請求項８】
前記工程b)が、不活性雰囲気下で、1,410〜1,600℃なる範囲の温度にて加熱する段階を含む、請求項1〜7の何れか1項に記載の方法。
【請求項９】
前記工程b)が、不活性雰囲気下で10分〜1時間なる範囲の期間に渡り加熱する段階を含む、請求項1〜8の何れか1項に記載の方法。
【請求項１０】
前記工程b)が、1,410〜1,500℃なる範囲の温度にて行われ、かつ前記工程c)が、1,500〜1,750℃なる範囲の温度にて行われる、請求項1〜9の何れか1項に記載の方法。
【請求項１１】
前記工程b)が、前記範囲の温度にて、10分〜1時間なる範囲の期間に渡り行わる、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記工程c)が、前記範囲の温度にて、3〜8時間なる範囲の期間に渡り行われる、請求項10または11に記載の方法。
【請求項１３】
請求項1〜12の何れか1項に記載の方法によって得られた、前記部品間の界面の全表面に渡り、炭化ケイ素接合部によって接合された部品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
本発明の方法は、全く、1〜10μmなる範囲、有利には1〜5μmなる範囲の粒径を持つ粒子の炭素材料に対して極めて有利である。
該方法は、またガラス質炭素等の材料に対して使用することができる。この場合、該複合ゾーンの厚みは、実質上ゼロであり、また該工程全ては、専ら上記2つの部品間の界面において起る。
該炭素材料の多孔度は、0％(ガラス質炭素の場合)〜40体積％なる範囲で変動し得る。
この多孔度は、水銀ポロシメータ(mercury porosimetry)法によって特徴付けることができる。
該接合すべき表面が、平坦性および/または粗さにおける欠陥を示す場合、これらの欠陥は、該接合部の所望の厚みよりも小さいものである必要がある。そうでない場合には、該表面を研磨する必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透析プロセス中に圧縮空気を使用してポンプと弁とのうちの少なくとも一方を駆動する透析システムにおいて停電状態が発生した場合に患者に血液を戻す血液返還方法であって、前記透析システムは、血流路を透析液流路から分離する膜を有する透析装置を備え、前記血液返還方法は、
前記透析システムの停電状態を特定する停電特定工程と；
停電状態の特定に応答して、前記透析システムに関連するタンクから圧縮空気を解放する空気解放工程と；
解放された圧縮空気を使用することによって、前記透析液流路の圧力を上昇させて前記血流路の血液を前記患者に戻す血液返還工程と
を有することを特徴とする、血液返還方法。
【請求項２】
前記血液返還工程では、前記透析装置の膜を横断して透析液を圧送する、
請求項１記載の血液返還方法。
【請求項３】
前記血液返還方法はさらに、所望の血液量が前記患者に戻ったときに、前記血流路を閉鎖する工程を有する、
請求項１記載の血液返還方法。
【請求項４】
体外処置システムにおいて、停電が発生した場合に圧縮気体源を使用して患者に体外血液を戻す血液返還方法であって、前記体外処置システムは、血流路を電解質溶液流路から分離する半透性の膜を有するフィルタを備え、圧縮気体は、電解質溶液容器に弁を介して連通し、前記電解質溶液容器は、前記電解質溶液流路に弁を介して連通し、前記血液返還方法は、
前記体外処置システムで圧縮気体の分散または電解質溶液の流れの分散を制御する１以上の電気作動式弁への電力の成端に応答して、
１以上の第１の電気作動式弁が、前記圧縮気体と前記電解質溶液容器との間の第１の流体経路を開放する工程と；
１以上の第２の電気作動式弁が、前記電解質溶液容器と前記フィルタとの間の第２の流体経路を開放する工程と；
代替流体経路が前記フィルタから前記電解質溶液をそらす場合に、１以上の第３の電気作動式弁が、前記電解質溶液流路の前記代替流体経路を閉鎖する工程と、
前記圧縮気体を使用し前記電解質溶液流路の圧力を上昇させることによって、前記血流路の血液を前記患者に戻す工程と
を有することを特徴とする血液返還方法。
【請求項５】
前記体外処置システムは、血液透析システムであり、
前記電解質溶液は、透析液を備える、
請求項４記載の血液返還方法。
【請求項６】
前記電解質溶液容器は、透析液貯蔵タンクである、
請求項５記載の血液返還方法。
【請求項７】
前記圧縮気体源は、前記透析液貯蔵タンクに弁を介して連通する圧縮空気タンクである、
請求項６記載の血液返還方法。
【請求項８】
前記第１の電気作動式弁と、前記第２の電気作動式弁と、前記第３の電気作動式弁とは膜ベースの弁への前記圧縮気体の流れを制御し、
前記膜ベースの弁は、透析液流路の前記透析液の流れを制御する、
請求項５記載の血液返還方法。
【請求項９】
体外処置システムにおいて、停電が発生した場合に圧縮気体源を使用して患者に体外血液を戻す血液返還方法であって、前記体外処置システムは、血流路を電解質溶液流路から分離する半透性の膜を有するフィルタを備え、前記圧縮気体源からの圧縮気体は、電解質溶液容器に弁を介して連通し、前記電解質溶液容器は、電解質溶液流路に弁を介して連通し、前記血液返還方法は、
前記体外処置システムで前記圧縮気体の分散又は電解質溶液の流れの分散を制御する１以上の電気作動式弁への電力の成端に応答して、
１つ以上の前記電気作動式弁が、前記圧縮気体と前記電解質溶液容器との間の流体経路を開放する工程と；
前記圧縮気体を使用し前記電解質溶液容器から前記フィルタへの前記電解質溶液の流れを生じさせることによって、前記血流路の血液を前記患者に戻す工程と
を有することを特徴とする、血液返還方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】透析システムにおける血液返還方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月1日(2013.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
未処置の血液を、患者から汲出して透析装置に通過させる血流路と；
透析液を、透析液供給体から前記透析装置に流す透析液流路であって、前記透析液流路は前記血流路に流体連通していることと；
前記透析液流路内の透析液を、強制的に前記血流路に流し込む圧力装置と
を備える血液透析システムであって、
前記透析装置を出る透析液の圧力が、前記透析装置を出る血液の圧力よりも低くなるように、前記圧力装置内の圧力は制御される、
血液透析システム。
【請求項２】
前記血流路は、血流カセットで画定される、
請求項１記載の血液透析システム。
【請求項３】
前記透析液流路は、少なくとも１つのカセットで画定される、
請求項１記載の血液透析システム。
【請求項４】
未処置の血液を、患者から汲出して透析装置に通過させる血流路と；
透析液を透析液供給体から前記透析装置に流す透析液流路であって、前記透析液流路は前記血流路に流体連通することと；
前記透析液流路内の透析液を、強制的に前記血流路に流し込む圧力装置と
を備える血液透析システムであって、
前記透析装置に入る透析液の圧力が、前記透析装置に入る血液の圧力よりも高くなるように、前記圧力装置内の圧力は制御される、
血液透析システム。
【請求項５】
前記血流路は、血流カセットで画定される、
請求項４記載の血液透析システム。
【請求項６】
前記透析液流路は、少なくとも１つのカセットで画定される、
請求項４記載の血液透析システム。
【請求項７】
血液透析システムの作動方法であって、
前記血液透析システムは、
患者から血液を汲出して、透析装置に通過させる血流路と；
透析液を、透析液供給体から前記透析装置に流す透析液流路と
を備え、
前記透析液流路は、
前記透析装置を通過する前記透析液の量を制御する平衡カセットと；
水から前記透析液を形成する混合カセットと；
水供給体から前記混合カセットに水を通すとともに、前記混合カセットから前記平衡カセットに前記透析液を通す配向カセットと
を備え、
前記作動方法は、
前記血液透析システムを提供することと；
透析液ポンプのストローク毎に前記透析液を、前記透析装置を通して前記血流路に圧送し且つ引き返させるように、前記透析装置に前記透析液を通過させることと
を含む、血液透析システムの作動方法。
【請求項８】
前記血流路は、血流カセットで画定される、
請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記透析液流路は、少なくとも１つのカセットで画定される、
請求項７記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タイヤ取り付け型装置であって、
長手方向を定めると共に頂面及び底面を備えた基板を有し、前記基板は、実質的に直線関係をなして配列された複数個の導体端子を有し、
前記基板の前記底面の下に配置された第１の支持要素を有し、
前記基板の前記頂面の上に配置された第２の支持要素を有し、
前記複数個の導体端子は、前記第１および第２の支持要素が前記複数個の導体端子に機械的にクランプするように、前記第１の支持要素と前記第２の支持要素との間に位置決めされている、
ことを特徴とするタイヤ取り付け型装置。
【請求項２】
前記基板は、第１の導電性層と第２の導電性層との間に配置された圧電層を有する圧電形デバイスから成る、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項３】
前記複数個の導体端子は、前記基板の前記長手方向に対して約８０°〜約１００°をなす線に沿って実質的に直線関係をなして配列され、前記基板の前記長手方向は、前記タイヤの回転方向に実質的に垂直である、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項４】
前記第１の支持要素は、前記第１の支持要素から延びる１対の第１のポスト及び第２のポストから成り、前記第１のポスト及び前記第２のポストは各々、前記基板の前記複数個の導体端子のうちの１つを貫通して延びる、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項５】
前記第１のポスト及び前記第２のポストは各々、前記第２の支持要素を貫通して延びていて、前記第２の支持要素の上方に配置されたプリント回路板に作動的に接続され、前記第１のポスト及び前記第２のポストは各々、前記プリント回路板と前記基板との間の電気的接続部となると共に前記プリント回路板の機械的支持体となっている、
請求項４に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項６】
前記タイヤ取り付け型装置は、前記プリント回路板と前記基板上の前記複数個の導体端子のうちの少なくとも１つとの間の電気的接続部となるよう構成された電気コネクタを有する、
請求項４記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項７】
前記複数個の導体端子は、１対の外側導体端子及び１対の内側導体端子から成り、前記外側導体端子は、前記基板内の第１の圧電形デバイスに作動的に接続され、前記内側導体端子は、前記基板内の第２の圧電形デバイスに作動的に接続されている、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項８】
前記第１の支持要素から前記１対の外側導体端子及び前記第２の支持要素を貫通して延びる１対の第１及び第２のポストを更に有し、該ポストは、プリント回路板と前記外側導体端子との間の電気的接続部となると共に前記プリント回路板の機械的支持体となるよう前記プリント回路板に作動的に接続されている、
請求項７に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項９】
前記第１のポスト及び前記第２のポストは、前記第１の支持要素と前記第２の支持要素と前記複数個の導体端子との間の前記インターフェイスに圧縮荷重を与える、
請求項５に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項１０】
前記第２の支持要素及び前記第１の支持要素は各々、幅を有し、前記第２の支持要素の幅は、前記第１の幅よりも小さい、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項１１】
前記第１の支持要素は、メサにより互いに隔てられた第１の表面と第２の表面を備えたエラストマーパッチ内に設けられ、前記エラストマーパッチの前記第２の表面は、前記基板の前記底面にくっつけられている、
請求項１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【請求項１２】
前記第１の支持要素は、丸くなった縁部を有する、
請求項１１に記載のタイヤ取り付け型装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
大まかに図５を参照すると、全体として、トレッド部分５１０及びサイドウォール部分５２０，５２２を備えたタイヤ５００が示されている。本発明によれば、１‐Ｄタイヤ取り付け型装置１００は、タイヤ頂点５３０の中央部分にサイドウォール部分５２０，５２２相互間で側方に取り付けられている。図５で理解できるように、１‐Ｄタイヤ取り付け型装置１００は、タイヤ５００の内側ライナに取り付けられ、この内側ライナは、長さ寸法Ｌがサイドウォール５２０，５２２の方向延び、即ち、タイヤ５００の回転方向に対して実質的に側方に位置合わせされるよう差し向けられている。換言すれば、１‐Ｄタイヤ取り付け型装置のパッチポーズ角は、寸法Ｌが、タイヤ５００の回転方向に略９０度で整列している。理解されるべきこととして、本明細書の説明において、特定方向における「実質的に位置合わせされ」のような表現は、指示した方向における完全な位置合わせ状態から位置合わせのばらつきが、完全な位置合わせから、±約５°から±約１５°、±約８°から±約１２°、±約１０°、±約５°、±約４°、±約３°、あるいは±約１°のような０°から±２０°、または位置合わせの他の変形例で、またはこれらの間の位置合わせの変形例の範囲のバリエーションがあることを意図している。
本開示を使用する際、当業者は、本発明の特定の実施形態が、取付け型装置１００の特定方向に限定されないことを理解すべきである。例えば、ある実施形態で、タイヤ取付け型装置１００を、タイヤのサイドウォール部分５２０，５２２に近接してあるいは直接に取付けてもよい。これらの実施形態では、取付け型装置１００の長さ寸法をいずれかの方向に位置合わせしてよい。
例示の形態では、長さ寸法は、タイヤ取り付け型装置１００がタイヤ頂点の中央部分に位置し、種々のベルトを隔てる間隔が一定であるベルト付き構成のタイヤの領域の大部分にわたって延びるよう選択されるのが良い。当然のことながら、上述したように、タイヤ取り付け型装置１００も又、同様に、非空気圧ホイール及びタイヤであるTweel（登録商標）内に取り付け可能である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月14日(2013.6.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
４．０より大きく、５．０より小さい見掛けの比重を有しており、及び重量パーセントとして５％より多いシリカ、及び１％より多いアルミナを備えているセラミック材料により構成されたショットブラスト粒子。
【請求項２】
４．３より大きい見掛けの比重を有している請求項１に記載の粒子。
【請求項３】
４．５より大きい見掛けの比重を有している請求項２に記載の粒子。
【請求項４】
４．９より小さい見掛けの比重を有している請求項１ないし３のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項５】
ビーズの形態である請求項１ないし４のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項６】
１０％より多いシリカを備えている請求項１ないし５のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項７】
溶融により得られた請求項１ないし６のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項８】
焼成により得られた請求項１ないし６のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項９】
７００ＨＶ０．５より大きい硬度を有している請求項１ないし８のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項１０】
８００ＨＶ０．５より大きい硬度を有している請求項９に記載の粒子。
【請求項１１】
９００ＨＶ０．５から１１００ＨＶ０．５の範囲の硬度を有している請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項１２】
２ｍｍより小さいサイズを有している請求項１に記載の粒子。
【請求項１３】
１ｍｍより小さいサイズを有している請求項１２に記載の粒子。
【請求項１４】
重量パーセントとして、３０％より多く、９０％より少ないジルコニア（ＺｒＯ２）を備えている請求項１ないし１３のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項１５】
重量パーセントとして、６０％より多く、８０％より少ないジルコニア（ＺｒＯ２）を備えている請求項１４に記載の粒子。
【請求項１６】
重量パーセントとして、５％より多く、６０％より少ないシリカを備えている請求項１ないし１５のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項１７】
重量パーセントとして、１０％より多く、３０％より少ないシリカを備えている請求項１６に記載の粒子。
【請求項１８】
重量パーセントとして、２０％より少ないシリカを備えている請求項１ないし１７のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項１９】
重量パーセントとして、１０％より少ないアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を備えている請求項１ないし１８のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項２０】
重量パーセントとして、４％より多く、７％より少ないアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を備えている請求項１９に記載の粒子。
【請求項２１】
ジルコニア、シリカ、及びアルミナは共に粒子の組成の９０％より大きいことを示している請求項１ないし２０のいずれか一項に記載の粒子。
【請求項２２】
表面の一部上に粒子を打ち出す操作を備えているショットブラスト法であって、前記粒子は請求項１ないし２１のいずれか一項に記載の粒子である方法。
【請求項２３】
前記粒子は、４０ｍ／ｓより早い速度で打ち出される請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記粒子は、５５ｍ／ｓより早い速度で打ち出される請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記粒子以外に媒体を打ち出す段階を備えている請求項２２ないし２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
金属のビーズを打ち出す段階を備えていない請求項２２ないし２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
前記粒子以外の媒体を打ち出す段階を備えていない請求項２２ないし２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
前記処理された表面は、金属の表面である請求項２２ないし２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
前記処理された表面は、車部の表面である請求項２２ないし２８のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、一部の表面上に粒子を打ち出すための操作を備えているショットブラスト法を提供し、前記方法は、前記粒子が４．０より大きく、またはさらに４．３より大きく、または実際に４．５より大きく、及び５．０より小さく、またはさらに４．９より小さい見掛けの比重を有していることが顕著である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本発明は同様に、本発明によるショットブラスト法で使用されることに関連した、上述した粒子を提供する。特に、それはショットブラスト粒子、特に、ビーズの形態で、４．０より大きく、またはさらに４．３より大きく、または４．５より大きく、及び／または５．０より小さく、またはさらに４．９より小さい見掛けの比重を有している粒子を提供する。前記粒子は、セラミック材料から構成され、及び／または溶融により得られてもよい。それらは、７００ＨＶ０．５より大きく、または８００ＨＶ０．５より大きく、または９００ＨＶ０．５から１１００ＨＶ０．５の範囲の硬度を有していても良い。それらは同様に、２ｍｍより小さく、またはさらに１ｍｍより小さいサイズを有していてもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
見掛けの比重は、自動型Ａｃｃｕｐｙｃ  １３３０ヘリウム比重瓶を用いて測定された。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６４】
見掛けの比重が、最大の４．６６の見掛けの比重（媒体３）まで増大するとき、ショットブラストにより作用された前記表面層の厚さ、すなわちそれがのびている深さは増大している。驚くことに、見掛けの比重は５を越えて増大し（媒体４で５．３３）、しかしながら、この厚さは減少している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６６】
前記残余応力が、同様の方法で最大変化となる位置の深さ、前記最大深さは、見掛けの比重が４から５の範囲に到達している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６７】
到達される最大の割合は、５より大きい見掛けの比重を有するセラミックビーズで
低い。しかしながら驚くことに、この割合の落ち込みは残余応力の増大をもたらさない。
その一方、これらはより低い見掛けの比重、特に４から５の範囲のビーズよりも低い
。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月22日(2012.11.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキレンオキシドをＨ官能性出発物質に付加して、反応容器中でポリエーテルアルコールを製造する方法であって、
これらの出発成分は、上記反応容器中に連続的に供給され、
前記Ｈ官能性出発物質の内、少なくとも一種が室温で固体であり、
前記固体出発物質からペーストが調製され、及び該ペーストが前記反応容器に連続的に供給され、
前記ペーストは、前記固体出発物質を室温で液体の化合物と混合して製造され、及び
前記室温で液体の化合物がアミンであることを特徴とする方法。
【請求項２】
逆混合反応器で実施される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
連続的に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
半連続的に実施される請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記反応容器が逆混合反応器であり、前記逆混合反応器が攪拌槽反応器である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記反応容器が逆混合反応器であり、前記逆混合反応器が攪拌槽バッテリーである請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記反応容器が逆混合反応器であり、前記逆混合反応器がジェットループ反応器である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記反応容器が管状反応器である請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記反応容器が連続逆混合反応器であり、前記連続逆混合反応器の下流に他の連続反応器が連続する請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記他の連続反応器が栓流の反応器である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記他の連続反応器が管状反応器である請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
固体出発物質として用いられる化合物が少なくとも４官能性である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
用いる固体出発物質が炭水化物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記炭水化物が、ペンタエリスリトール、ソルビトール、ショ糖、セルロース、澱粉および澱粉加水分解物からなる群から選ばれる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
用いる固体出発物質が、少なくとも一個の窒素原子を含む化合物を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも一個の窒素原子を含む固体出発物質として用いられる化合物が、トリレンジアミン、ジフェニルメタンジアミン、尿素、メラミン、これらのＨ官能性誘導体、およびアミンとイソシアネートの反応生成物とからなる群から選ばれる請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ペーストが前記固体出発物質と室温で液体の化合物とを剪断力ミキサー中で混合して製造される請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも一種の室温で固体のＨ官能性化合物と少なくとも一種の室温で液体のＨ官能性化合物とからなり、ペーストの状態で存在しており、且つ前記室温で液体のＨ官能性化合物がアミンである混合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
官能基数が４でヒドロキシル基を有する固体出発物質の中では、炭水化物が特に重要である。これらの炭水化物は、好ましくはペンタエリスリトール、ソルビトール、ショ糖、セルロース、澱粉、澱粉加水分解物、ショ糖からなる群から選ばれ、ソルビトールが、特に工業的な重要性が高い。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月24日(2011.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロッカージョイントチェーン（２２）のためのリンクプレート（２１）であって、該リンクプレート（２１）はリンクプレート開口（２３）を取り囲む２つの長手方向辺（２６）と２つの高さ方向辺（２７）とを有している、ロッカージョイントチェーンのためのリンクプレートにおいて、
長手方向辺（２６）の少なくとも１つに、少なくとも１つの切欠き（３１）が配置されており、前記長手方向辺は切欠き（３１）の領域において底線（３３）に対して厚さｂを有しており、前記切欠きは底線（３３）に対して深さａを有しており、比率は０．１≦ａ／ｂ≦０．５であることを特徴とする、ロッカージョイントチェーンのためのリンクプレート。
【請求項２】
切欠き（３１）はリンクプレート（２１）の長手方向輪郭において、台形状又は方形状であることを特徴とする、請求項１記載のリンクプレート。
【請求項３】
切欠き（３１）は並列させられた凸状及び凹状の曲線により形成され、該曲線は緩やかに互いに移行し、台形状又は方形状の切欠きを形成することを特徴とする、請求項１又は２記載のリンクプレート。
【請求項４】
前記凸状又は凹状の曲線は丸み（Ｒ）であることを特徴とする、請求項３記載のリンクプレート。
【請求項５】
丸み（Ｒ）は同じであることを特徴とする、請求項４記載のリンクプレート。
【請求項６】
切欠き（３１）はリンクプレート（２１）の長手方向輪郭において部分円形状であるか、又は部分楕円形状であることを特徴とする、請求項１又は２記載のリンクプレート。
【請求項７】
複数の切欠き（３１．１，３１．２）が１つの長手方向辺（２６）に配置されていることを特徴とする、請求項１から６までのいずれか一項記載のリンクプレート。
【請求項８】
複数の切欠き（３１．１，３１．２）は前記リンクプレートの中心線（３６）に対して対称的に配置されていることを特徴とする、請求項７記載のリンクプレート。
【請求項９】
請求項１から８までのいずれか１項記載のリンクプレート（２１）を少なくとも部分的に有することを特徴とする、ロッカージョイントチェーン。
【請求項１０】
請求項９記載のロッカージョイントチェーン（２２）を備えたバリエータ変速機において、リンクプレート（２１）の切欠き（３１）は、運転中にガイドレール（１６）の滑走路（１７，１８）を通り過ぎて案内されるリンクプレート（２１）の面に配置されていることを特徴とする、請求項９記載のロッカージョイントチェーンを備えたバリエータ変速機。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
他の態様によれば、少なくとも１つの金属製基礎支持材は、０．１〜２．５ｍｍの材料厚さを有する。
好適な態様によれば、本発明の方法は、工程（ｂ）又は（ｃ）の後に他の金属層を適用する工程を含む。
他の態様によれば、本発明の方法は工程（ｃ）、（ｄ）あるいは（ｅ）の後に防食層を適用する工程を含む。
他の態様によれば、本発明の方法は工程（ｅ）の後に変形制限装置の適用の工程および／又はエラストマーガスケットの一体成形の工程を含む。
他の金属層および／又は変形制限装置および／又はエラストマーガスケットは当業者がよく知っている方法によって適用される。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月29日(2013.5.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】特許請求の範囲
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンジンからのＮＯｘおよび粒子状物質を含む排気流を処理するための排気処理システムであって、
ＮＯ２を含む前記排気ガス流の経路内の、前記エンジンからの下流のディーゼル酸化触媒であって、前記ディーゼル酸化触媒の動作ウィンドウの９０％について、前記ディーゼル酸化触媒を通過した後、前記排気ガス流内に追加的なＮＯ２を実質的に生成しないために有効な、白金を含む触媒を含有する、前記ディーゼル酸化触媒と、
前記ディーゼル酸化触媒から下流に配置された触媒すすフィルタであって、前記触媒すすフィルタは、前記フィルタ上に白金を有する酸化触媒組成物を含み、前記触媒すすフィルタは、前記フィルタを出ていくＮＯ対ＮＯ２比を最適化するために有効である、前記触媒すすフィルタと、
前記触媒すすフィルタから下流に位置するＮＯｘ還元触媒と、
を含み、前記ディーゼル酸化触媒が、前記触媒すすフィルターよりも少ない量の白金を有していることを特徴とする排気処理システム。
【請求項２】
前記ＮＯｘ還元触媒が、選択的接触還元触媒を含む、請求項１に記載の排気処理システム。
【請求項３】
前記触媒すすフィルタと前記ＮＯｘ還元触媒との間に配置された還元剤注入システムをさらに含む、請求項１に記載の排気処理システム。
【請求項４】
前記ＮＯｘ還元触媒から下流に配置されたアンモニア酸化触媒をさらに含む、請求項３に記載の排気処理システム。
【請求項５】
前記触媒すすフィルタを出ていく前記ＮＯ／ＮＯ２比は、０．６〜１．４の間である、請求項１に記載の排気処理システム。
【請求項６】
前記触媒すすフィルタを出ていく前記ＮＯ／ＮＯ２比が、０．７〜１．３の間である、請求項１に記載の排気処理システム。
【請求項７】
前記触媒すすフィルタを出ていく前記ＮＯ／ＮＯ２比が、１：１を目標とする、請求項１に記載の排気処理システム。
【請求項８】
ディーゼルエンジンからのＮＯｘおよび粒子状物質を含む排気流を処理する方法であって、
ＮＯ２を含有する前記排気流の内部に、ディーゼル酸化触媒を配置するステップであって、前記ディーゼル酸化触媒は、前記ディーゼル酸化触媒を出ていく前記排気流の中に、エンジンから出るＮＯ２に比べて少量のＮＯ２しか生成しないか、またはまったく生成しない、ステップと、
前記ディーゼル酸化触媒から下流に、触媒すすフィルタを配置するステップであって、前記触媒すすフィルタが、長手方向に延在する壁によって境界される、複数の長手方向に延在する通路を有し、前記通路は、開放した入口端部および閉鎖した出口端部を有する入口通路と、閉鎖した入口端部および開放した出口端部を有する出口通路とを含み、前記触媒すすフィルタが、前記壁上に触媒組成物を含み、前記触媒すすフィルタが、前記フィルタを出ていく前記ＮＯ対ＮＯ２比を最適化するために有効である、ステップと、
前記触媒すすフィルタから下流に選択的接触還元触媒を配置するステップと、
前記ディーゼルエンジンからの前記排気流を、前記ディーゼル酸化触媒と、前記触媒すすフィルタと、前記選択的接触還元触媒とを通過させるステップと、
を含み、前記ディーゼル酸化触媒が、前記触媒すすフィルターよりも少ない量の白金を有していることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記触媒すすフィルタと前記選択的接触還元触媒との間に、還元剤注入システムを配置するステップをさらに含み、前記還元剤注入システムが、前記触媒すすフィルタを出ていく前記排気流の中に、定期的に還元剤を添加する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記選択的接触還元触媒に次いで、アンモニア酸化触媒を配置するステップをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ディーゼルエンジンからのＮＯｘと粒子状物質とを含む排気ガス流を処理する方法であって、
エンジンから出るＮＯ２に比べてディーゼル酸化触媒を通過する前記排気ガスのＮＯ２生成を抑制するステップと、
下流の触媒すすフィルタを通じてＮＯ／ＮＯ２比を制御し、下流選択的接触還元触媒の制御を強化するステップと、
を含む、方法。
【請求項１２】
選択的接触還元触媒の前に、前記排気流の中への還元剤を計量するステップをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記選択的接触還元触媒に次いで、残留還元剤を酸化させるステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＮＯ／ＮＯ２比が、０．６〜１．４以内に制御される、請求項１３に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７０】
データは、エンジンから出るＮＯｘのＮＯ２の割合（％）は、エンジン設計、排気温度および負荷によって異なる場合があることを示している。図５を参照されたい。選択的触媒還元の反応速度を向上させるために最適なＮＯ対ＮＯ２比は１：１（５０％濃度）であり、エンジンから出るＮＯ２さえも最適な割合以上であってもよいことが、図６のデータからわかる。ＤＯＣが過度に能動的であり、能動的再生のために、燃料を燃焼するために必要なかなりの量の白金を、および白金を有するＣＳＦを含有する場合、ＮＯ２濃度は、最適なＮＯ対ＮＯ２（またはＮＯ２対ＮＯｘ）比をしばしば超過する。図６を参照されたい。これは、ＮＯ２の濃度が過度に高くなると、ＮＯｘ還元反応が阻害されるため、問題となる場合がある。図７を参照すると、ＮＯｘ全体に対するＮＯ２が８０％である時、グラフ内の短い棒で示すＮＯｘ変換が生じる。しかしながら、類似の条件下において、ＮＯｘ全体に対するＮＯ２の比率が５６％である時、ＮＯｘ変換が高まる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
配合物であって、
ａ）２〜１００ｎｍの平均粒径及び少なくとも３０ｍ２/ｇのＢＥＴ表面積を有する１種又は複数種の非常に微細化した二酸化ケイ素粉末、
ｂ）それぞれの場合に０．５μｍ超から３０ｍｍまでの平均粒径を有する、酸化物、炭化物及び窒化物からなる群から選択された１種又は複数種の粒状成分、
ｃ）１種又は複数種のバインダーとしての合成樹脂及び
ｄ）０．５μｍ超から２５０μｍまでの平均粒径を有する１種又は複数種の金属酸化防止剤
を含むことを特徴とする、配合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、配合物であって、
ａ）２〜１００ｎｍ、有利には７〜６０ｎｍの平均粒径、及び少なくとも３０ｍ２/ｇのＢＥＴ表面積、有利には３０〜１００ｍ２/ｇ、特に有利には３０〜５００ｍ２/ｇ及び最も特に有利には４０〜４００ｍ２/ｇのＢＥＴ表面積を有する１種又は複数種の非常に微細化した二酸化ケイ素粉末、
ｂ）それぞれの場合に、０．５μｍ超から３０ｍｍまでの平均粒径を有する、酸化物、炭化物及び窒化物からなる群から選択された１種又は複数種の粒状成分、
ｃ）１種又は複数種のバインダーとしての合成樹脂及び
ｄ）０．５μｍ超から２５０μｍまでの平均粒径を有する１種又は複数種の金属酸化防止剤
を含む配合物を提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
非常に微細化した二酸化ケイ素は有利には粉末として使用される。しかしながら、有機分散液を使用することも可能である。ここで、有機は、例えば、アルコール及びジオールを包含する。分散液の二酸化ケイ素含有率は非常に高くなければならない。有利には分散液を基準として、少なくとも１５質量％でなければならない。分散液は、ゲル化及び沈殿に関して長期間にわたり理想的に安定でなければならない。これは、例えば、添加剤の添加によって達成することができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
更に、ＡＥＲＯＤＩＳＰ（登録商標）Ｇ１２２０（Evonik Degussa GmbH）、２０質量％の割合の二酸化ケイ素を含有するエチレングリコールをベースとした分散液も使用する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月21日(2013.8.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される単位で変性させたシリカであって、
Ｒ２ＳｉＯ２- （Ｉ）
ＲＳｉＯ３- （ＩＩ）
Ｒが１価であり、任意に単不飽和又は多不飽和の、任意に分枝した、Ｃ１〜Ｃ２４の炭化水素基であり、
前記シリカの総有機ケイ素単位中に占める、Ｔ１単位、Ｔ２単位、及びＴ３単位からなるＴ単位の相対割合が０．１％を超え、
Ｔ１単位の相対割合（ＦＴ１＝ＩＴ１／（ＩＴ１+ＩＴ２+ＩＴ３））が１０％未満であり、
Ｔ２単位の相対割合（ＦＴ２＝ＩＴ２／（ＩＴ１+ＩＴ２+ＩＴ３））が５％を超え、
Ｔ単位がモノアルキルシリルオキシ単位、Ｒ−Ｓｉ（Ｏ−）３、であって、上付きの数字がシロキサン結合の数を示す、即ち
Ｔ１単位がＲ−Ｓｉ（ＯＲ’）２−Ｏ−Ｓｉ、
Ｔ２単位がＲ−Ｓｉ（ＯＲ’）（−Ｏ−Ｓｉ）２、及び
Ｔ３単位がＲ−Ｓｉ（−Ｏ−Ｓｉ）３であることを特徴とするシリカ。
（但し、式中、ＲはＳｉ−Ｃ−結合を有し、任意で置換されたアルキル基であり、Ｒ’がアルキル基及び水素原子のいずれかである。）
【請求項２】
Ｒ基が、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、オクチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ヘキサデシル基、又はｎ−オクタデシル基である、請求項１に記載のシリカ。
【請求項３】
シリカ表面上にジメチルシリルジオキシ単位（ＣＨ３）２Ｓｉ（Ｏ−）２及びメチルシリルトリオキシ単位ＣＨ３Ｓｉ（Ｏ−）３が存在する、請求項１から２のいずれかに記載のシリカ。
【請求項４】
シリカの総有機ケイ素単位中に占める、Ｔ１単位、Ｔ２単位、及びＴ３単位からなるＴ単位の相対割合が０．１％〜３０％である、請求項１から３の少なくともいずれかに記載のシリカ。
【請求項５】
Ｔ１単位の割合（ＦＴ１＝ＩＴ１／（ＩＴ１+ＩＴ２+ＩＴ３））が５％未満である請求項１から４の少なくともいずれかに記載のシリカ。
【請求項６】
Ｔ２単位の相対割合（ＦＴ２＝ＩＴ２／（ＩＴ１+ＩＴ２+ＩＴ３））が５％〜７５％である、請求項１から５の少なくともいずれかに記載のシリカ。
【請求項７】
一般式（Ｉ）及び（ＩＩ）で表される単位で変性させたシリカの調製方法であって、
一般式（ＩＩＩ）で表されるシラン、
Ｒ２ＳｉＸ２ （ＩＩＩ）
式中、Ｘがハロゲン、ＯＨ、又はＯＲであり、Ｒは上述の意味を有し、
又は、
一般式（ＩＶ）で表されるシロキサンで、
（ＲａＳｉＸｂ（Ｏ−）１／２）（Ｓｉ（Ｒ）２（Ｏ−）２／２）ｎ（（−Ｏ）１／２ＸｂＳｉＲａ） （ＩＶ）
式中、Ｘ及びＲが、上述の意味を有し、
ａ+ｂ＝３という条件付で、
ａが２及び３のいずれかであり、
ｂが０及び１のいずれかであり、
ｎが１〜１０４であり、
使用する前記ポリシロキサンの粘度が２５℃で０．５ｍＰａ・ｓを超え、
又は、
前記一般式（ＩＩＩ）のシラン及び／又は前記一般式（ＩＶ）のシロキサンの任意の混合物で、親水性シリカを変性することを含み、
変性が４００℃未満の温度下で、酸化条件下で行われることを特徴とする調製方法。
【請求項８】
シリカをコーティング剤、接着剤、又はシーリング剤の流動性を制御するために使用することを特徴とする、請求項１から７の少なくともいずれかに記載のシリカの使用方法。
【請求項９】
シリカを触媒架橋コーティング剤、接着剤、及びシーリング剤の貯蔵安定性を改善するために使用することを特徴とする、請求項１から７の少なくともいずれかに記載のシリカの使用方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明による方法により製造される変性表面層は、ジメチルジシリルオキシ単位とモノメチルトリシリルオキシ単位とを含む。この変性表面層により、シリカは、低い割合の未反応表面シラノール単位と、相対的に極性の高くない表面変性層とを有するようになることが発見され、これは驚くべき見知であり且つ当業者には決して予見できなかったことである。シリカを、酸化条件下、即ち、例えば、４００℃未満の温度の空気中で、ジアルキルジハロシラン、ジアルキルジアルコキシシラン、及びポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）のいずれかと反応させる。これらの反応条件下では、相対的に極性の高いＳｉＯＨ含有シロキサン鎖が形成される。このＳｉＯＨ単位は、２９Ｓｉ−ＣＭＰＡＳ−ＮＭＲ分光光度計により、Ｔ２単位として検出できる。
Ｔ単位は、モノアルキルトリシリルオキシ単位Ｒ−Ｓｉ（Ｏ−）３を意味するものとして理解され、その上付き数字がシロキサン結合の数を示す、即ち、
Ｔ１： Ｒ−Ｓｉ（ＯＲ′）２−Ｏ−Ｓｉ
Ｔ２： Ｒ−Ｓｉ（ＯＲ′）（−Ｏ−Ｓｉ）２
Ｔ３： Ｒ−Ｓｉ（−Ｏ−Ｓｉ）３、
式中、
Ｒが、Ｓｉ−Ｃ−結合を有し、任意に置換されたアルキル基であってもよく、Ｒ′がアルキル基及び水素原子のいずれかであってもよい。
同様に、Ｄ単位はジアルキルジシリルオキシ単位（Ｒ−）２Ｓｉ（Ｏ−）２を意味するものとして理解される。