【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段の温度が第１の温度で、材料ガスをプラズマ化した状態で、半導体層にイオンドーピングを行い、
前記イオンドーピング終了後、前記材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から第２の温度まで降下させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段の温度が第１の温度で、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から第２の温度まで降下させ、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段の温度が第１の温度で、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から第２の温度まで降下させ、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、さらに前記電子発生手段の温度を前記第２の温度から第３の温度まで上昇させ、
前記電子発生手段の温度が前記第３の温度で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行い、
前記第３の温度は前記第１の温度と前記第２の温度の間の温度であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段の温度が第１の温度で、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段に流す電流を低くすることにより前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から第２の温度まで降下させ、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段が第１の温度で、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段に流す電流を低くすることにより前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から第２の温度まで降下させ、
前記電子発生手段の温度が前記第２の温度になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、さらに前記電子発生手段に流す電流を高くすることにより前記電子発生手段の温度を前記第２の温度から第３の温度まで上昇させ、
前記電子発生手段の温度が前記第３の温度で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行い、
前記第３の温度は前記第１の温度と前記第２の温度の間の温度であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記電子発生手段の温度を前記第１の温度から前記第２の温度まで降下させる間は、前記イオンドーピング装置に備えられた加速電極及び引き出し電極に電圧を印加しないことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段に第１の電流を流し、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段の電流を前記第１の電流から第２の電流まで低くし、
前記電子発生手段の電流が前記第２の電流になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、
前記電子発生手段の電流が前記第２の電流で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
電子発生手段を有するイオンドーピング装置を用いた半導体装置の作製方法において、
前記電子発生手段に第１の電流を流し、第１の材料ガスをプラズマ化した状態で、第１の半導体層に第１のイオンドーピングを行い、
前記第１のイオンドーピング終了後、前記第１の材料ガスの供給を止めるとともに水素または希ガスを流し、
前記水素または前記希ガスを流し続けた後、前記電子発生手段の電流を前記第１の電流から第２の電流まで低くし、
前記電子発生手段の電流が前記第２の電流になった後、前記水素または前記希ガスの供給を止めるとともに第２の材料ガスを流し、さらに前記電子発生手段の電流を前記第２の電流から第３の電流まで上昇させ、
前記電子発生手段の電流が前記第３の電流で、前記第２の材料ガスをプラズマ化した状態で、第２の半導体層に第２のイオンドーピングを行い、
前記第３の電流は前記第１の電流と前記第２の電流の間の電流値であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１のイオンドーピングにより前記第１の半導体層にボロンを高濃度で添加し、前記第２のイオンドーピングにより前記第２の半導体層にボロンまたはリンを低濃度で添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項２乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層は同一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１及び前記第２の半導体層に代えて、半導体基板に前記第１のイオンドーピング及び前記第２のイオンドーピングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の材料ガスと前記第２の材料ガスは同じ材料ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項２乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の材料ガスと前記第２の材料ガスは異なる材料ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記電子発生手段は、カーボンナノチューブを用いた冷陰極又はフィラメントであることを特徴とする半導体装置の作製方法。