(57)【要約】【課題】ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤを発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能なスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータを実現することにある。【解決手段】低速尾部効果を有するＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路に改良を加えたものである。本回路は、ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤと、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、ＬＥＤを所定の時間発光させる駆動回路とを有することを特徴とするものである。【選択図】図１
2008182291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低速尾部効果を有するＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路において、
前記ＦＥＴスイッチを照射する光源と、
前記ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、前記光源を所定の時間発光させる駆動回路と
を有することを特徴とするスイッチ回路。
【請求項２】
駆動回路は、前記光源の輝度を徐々に低下させて消灯させることを特徴とする請求項１記載のスイッチ回路。
【請求項３】
駆動回路は、前記ＦＥＴスイッチがオンした場合の挿入損失が一定となるよりも前に前記光源の輝度を減少させ始めることを特徴とする請求項１または２記載のスイッチ回路。
【請求項４】
駆動回路は、前記光源を照射させるための駆動信号の立下り時間を立上がり時間よりも長くすることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスイッチ回路。
【請求項５】
駆動回路は、
所定の時間幅の矩形波上のパルス信号を生成するパルス信号生成部と、
このパルス信号生成部からのパルス信号の立下りを緩やかにした前記駆動信号を出力する変換部と
を設けたことを特徴とする請求項４記載のスイッチ回路。
【請求項６】
光源は、樹脂を用いて封止され、この樹脂を透過して前記ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のスイッチ回路。
【請求項７】
ＦＥＴスイッチは、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のスイッチ回路。
【請求項８】
複数の前記ＦＥＴスイッチを１個の前記光源で照射し、
駆動回路は、前記複数のＦＥＴスイッチのうち１個でもオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、前記光源を発光させることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のスイッチ回路。
【請求項９】
複数の経路を選択し、入力信号を所望量減衰して出力するステップアッテネータにおいて、
経路の切替を行なう請求項１〜８のいずれかに記載のスイッチ回路を有することを特徴とするステップアッテネータ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低速尾部効果を有するＦＥＴをＦＥＴスイッチとして用いたスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータに関し、詳しくは、ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度で光源を発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能なスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータ
に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＦＥＴは、電気的なオン、オフを行なうためのスイッチとして用いられることが多い。特に、高速信号のオン・オフを行なう場合、化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ）によるＦＥＴがスイッチとして用いられる。
【０００３】
ＦＥＴスイッチをオフ状態からオン状態に遷移させる場合、オフからオンまでの立ち上がり時間（プロキシマルラインからディスタルラインに達するまでの立上がり時間）は、１［ｍｓ］以下であり、機械式スイッチと比較して非常に高速である。
【０００４】
しかしながら、ＦＥＴスイッチがオンされて導通状態になったとしても、オン状態における挿入損失が最終的な値となるには、数十［ｍｓ］かかる。このような現象は、低速尾部効果（slow tail effect）と呼ばれ、例えば、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを使用したステップアッテネータでは、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチが多数含まれるため低速尾部効果が顕著となり、ステップアッテネータの性能に影響を及ぼす。
【０００５】
低速尾部効果による過渡応答の時間は、チャネル内の不純物によってトラップされたキャリアが放出されるまでの時定数が関係する。そのため、十分にエネルギーをもった光をＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチに照射する事によって低速尾部効果が緩和される。
【０００６】
そこで、低速尾部効果を回避するため、個々のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチそれぞれの直上３〜３．５［ｍｍ］程度の位置に光源を配置し、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを照射している。もちろん、低速尾部効果を軽減するか、最小限に抑えるのに十分な強度レベルの光を照射する。この光源には高輝度ＬＥＤが用いられ、常時発光してＦＥＴスイッチを照射し、低速尾部効果による影響を抑える（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−８５２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
低速尾部効果を回避するには、ＬＥＤの輝度が高いほど有効であり、より高輝度なＬＥＤが使用される。
【０００９】
しかしながら、輝度の高いＬＥＤは、短波長のスペクトル成分のエネルギー強度が強く、ＬＥＤパッケージの封止用の透明な樹脂モールドを劣化させる。
【００１０】
図７は、高輝度ＬＥＤの劣化特性を示した図である。ＬＥＤの駆動電流を３０、２０、１０［ｍＡ］で測定した例を示している。例えば、ＬＥＤの最高輝度を得るために最大定格の３０［ｍＡ］を流すと、約３０００時間（約４ヶ月）で輝度が半分となる。また、１０［ｍＡ］に抑えたとしても、約２年で輝度が半分となっているのが分かる。
【００１１】
なお、高輝度ＬＥＤとは、輝度が数百〜数千［ｍｃａｄ］のものを一般的に指すが、低速尾部効果を押さえるのに十分な輝度の光を出射するＬＥＤを含む。もちろん、照射用のＬＥＤとＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチとの距離等によって、必要とする輝度は変化する。
【００１２】
このように低速尾部効果を回避するためにＬＥＤの輝度を高くすると樹脂が劣化し、その結果、ＧａＡｓ−ＦＥＴに照射される輝度が低下してしまう。これにより、低速尾部効果の低減効果も減少、消失し、使用期間の長期化と共にオフ状態からオン状態への切替速度が低速化してしまうという問題があった。
【００１３】
そこで本発明の目的は、化合物半導体（例えば、ＧａＡｓ）のＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤを発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能なスイッチ回路およびこのスイッチ回路を用いたステップアッテネータを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
請求項１記載の発明は、
低速尾部効果を有するＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路において、
前記ＦＥＴスイッチを照射する光源と、
前記ＦＥＴスイッチがオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、前記光源を所定の時間発光させる駆動回路と
を有することを特徴とするものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明において、
駆動回路は、前記光源の輝度を徐々に低下させて消灯させることを特徴とするものである。
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、
駆動回路は、前記ＦＥＴスイッチがオンした場合の挿入損失が一定となるよりも前に前記光源の輝度を減少させ始めることを特徴とするものである。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の発明において、
駆動回路は、前記光源を照射させるための駆動信号の立下り時間を立上がり時間よりも長くすることを特徴とするものである。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発明において、
駆動回路は、
所定の時間幅の矩形波上のパルス信号を生成するパルス信号生成部と、
このパルス信号生成部からのパルス信号の立下りを緩やかにした前記駆動信号を出力する変換部と
を設けたことを特徴とするものである。
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の発明において、
光源は、樹脂を用いて封止され、この樹脂を透過して前記ＦＥＴスイッチを照射するＬＥＤであることを特徴とするものである。
請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の発明において、
ＦＥＴスイッチは、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチであることを特徴とするものである。
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の発明において、
複数の前記ＦＥＴスイッチを１個の前記光源で照射し、
駆動回路は、前記複数のＦＥＴスイッチのうち１個でもオフ状態からオン状態に遷移するのに伴って、前記光源を発光させることを特徴とするものである。
請求項９記載の発明は、
複数の経路を選択し、入力信号を所望量減衰して出力するステップアッテネータにおいて、
経路の切替を行なう請求項１〜８のいずれかに記載のスイッチ回路を有することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、駆動回路が、ＦＥＴスイッチのオン・オフの状態に関わらず光源を常時発光させるのでなく、オフ状態からオン状態に遷移するのに伴って光源を所定の時間発光させるので、光源の劣化を抑えることができる。これにより、ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減するのに十分な輝度で光源を発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能となる。
また、このようなスイッチ回路をステップアッテネータに用いるので、ステップアッテネータを長期間に渡って安定して高速切替ができる。
さらに、駆動回路が、光源の輝度を徐々に低下させて消灯させるので、ＦＥＴスイッチのオン状態における挿入損失のレベル変動を抑えることができ、特に、ステップアッテネータのように多数のＦＥＴスイッチを使う場合、長期間に渡って安定した高速切替ができると共に、切り替え中に不連続点も発生せず、性能の悪化を抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。
［第１の実施例］
図１は、本発明の第１の実施例（ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いたスイッチ回路）を示した構成図である。図１において、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１は、ＧａＡｓを材料としている。ＬＥＤ２は、透明な樹脂でモールドされ、所定の輝度の白色光を出射し、封止用の樹脂を透過してＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１を照射する。
【００１７】
駆動回路３は、パルス信号生成部３１、変換部３２を有し、駆動信号を出力してＬＥＤ２を駆動して所定の輝度で発光させる。
【００１８】
パルス信号生成部３１は、例えば、モノステーブル・マルチバイブレータＩＣ３１ａであり、トリガ信号が入力されると、あらかじめ設定された時間幅（ＩＣ３１ａに外付けされる抵抗Ｒ１，コンデンサＣ１の値により設定）のパルス信号Ｖｇを出力する。
【００１９】
変換部３２は、パルス信号生成３１からパルス信号Ｖｇが入力され、このパルス信号Ｖｇの立下りに時定数を持たせた駆動信号（駆動電流ＩＬｄ）に変換し、ＬＥＤ２を駆動する。変換部３２は、例えば、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１、コンデンサＣ２，抵抗Ｒ２，Ｒ３を有する。
【００２０】
ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のゲート端子は、生成部３１からのパルス信号（電圧信号）Ｖｇが印加される。ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のソース端子は、所定の電源電圧Ｖｃｃが印加される。コンデンサＣ２，抵抗Ｒ２は、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のソース−ドレイン間に直列に接続される。抵抗Ｒ３は、ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のドレイン端子とＬＥＤ２との間に設けられる。
【００２１】
このような装置の動作を説明する。
ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１をオフ状態（ソース−ドレイン間が遮断状態）からオン状態（ソース−ドレイン間が導通状態）にする場合を除き、駆動回路３が、ＬＥＤ２を駆動せず、ＬＥＤ２も発光しない。
【００２２】
ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１をオフ状態からオン状態にする場合、制御部（図示せず）が、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１のゲート端子に所定の電圧（第１の制御信号）を印加するのとほぼ同時に、第１の制御信号に同期させてトリガ信号（第２の制御信号）をパルス信号生成部３１に出力する。これにより、パルス信号生成部３１が、所定のパルス幅のパルス信号Ｖｇを生成し、変換部３２に出力する。
【００２３】
そして、変換部３２のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１が、パルス信号Ｖｇの立ち上がりに追従して直ちにオン（ソース−ドレイン間が導通状態）し、抵抗Ｒ３を介して所定の電流量の駆動電流ＩＬｄをＬＥＤ２に流す。これにより、ＬＥＤ２が発光し、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１を照射する。
【００２４】
一方、変換部３２のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１が、パルス信号Ｖｇの立ち下がりに追従して直ちにオフ（ソース−ドレイン間が遮断状態）するが、コンデンサＣ２、抵抗Ｒ３によって、ＬＥＤ２に流れる駆動電流ＩＬｄは所定の時定数をもって緩やかに徐々に減少し、ＬＥＤ２の発光輝度も徐々に弱まっていく。つまり、パルス信号Ｖｇの立ち上がりの波形に対しては、駆動電流ＩＬｄの波形も可能な限り急峻に立ち上がって追従するが、立ち下りに対しては、駆動電流ＩＬｄの波形が所定の時定数をもった指数関数的な波形となる。
【００２５】
ここで、図２は、図１に示す回路における変換部３２のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のドレイン端子の電圧を示した図である。横軸は時間（２［ｍｓ／ｄｉｖ］）であり、縦軸は電圧である。また、コンデンサＣ２＝５［μＦ］、抵抗Ｒ３＝８５［Ω］、ＩＬｄ（ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１がオン時）＝２０［ｍＡ］である。抵抗Ｒ２は、大電流が流れるのを防止するためのものであり、数［Ω］でよい。そして、このようなコンデンサＣ２，抵抗Ｒ３の定数の場合、約１［ｍｓ］の時定数をもってＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のドレイン端子の電圧が下降しているのが分かる。すなわち、駆動電流ＩＬｄが約１［ｍｓ］の時定数をもって下降することを示している。
【００２６】
また、パルス信号Ｖｇの時間的なパルス幅は、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１のゲート端子に所定の電圧が印加された時間を基準とし、この基準時間からの立ち上がり時間をΔｔｏｎとし、基準時間からＦＥＴスイッチのオン状態における挿入損失が最終的な値になるまでの時間をΔｔｅｎｄとした場合、
Δｔｏｎ＜（パルス信号Ｖｇのパルス幅）＜Δｔｅｎｄ
とするとよい。なお、（パルス信号Ｖｇのパルス幅）≒（駆動電流ＩＬｄの最大値の時間幅（ＭＯＳ−ＦＥＴＱ１がオンしている時間））でもある。
【００２７】
また、変換部３２が、ドライブ電流ＩＬｄの立下りのみに時定数を持たせて指数関数的に電流量を減少させ、ＬＥＤ２をオフしていくのは、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１のオン状態への切替後、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１の状態が定常状態にある場合、ＦＥＴスイッチ１のソース−ドレイン間を流れる入力信号によってキャリアは伝導帯にあがり、不純物順位からは自由に移動しているので、ＬＥＤ１を時定数を持たせずにオフしたとしても低速尾部効果を軽減することができる。
【００２８】
しかしながら、ＬＥＤ１によってＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１に光を照射している場合としていない場合とで伝導帯に存在するキャリア数が変化するため、ソース−ドレイン間で若干の伝送ロスの変化を生じ、ＬＥＤ１を時定数なくオフとした瞬間に挿入損失のレベルに不連続を生じてしまう。このような不連続点を解消するために、ＬＥＤ２に時定数をもたせてオフさせることにより、レベルの不連続を軽減している。
【００２９】
このように、駆動回路２が、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチのオン・オフの状態に関わらずＬＥＤ２を常時発光させるのでなく、オフ状態からオン状態への切替に同期して、ＬＥＤ２を所定の時間だけ発光させるので、ＬＥＤ２の劣化を抑えることができる。これにより、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１の低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤ２を発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能となる。
【００３０】
さらに、駆動回路２が、ＬＥＤ２の輝度を指数関数的に徐々に低下させて消灯させるので、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ２のオン状態における挿入損失のレベル変動を抑えることができる。
【００３１】
［第２の実施例］
図３は、本発明の第２の実施例を示した構成図である。図３は、図１に示すスイッチ回路を用いたステップアッテネータの構成を示した図である。
【００３２】
図３において、ＳＰＤＴスイッチ（Single-Pole/Double-Throw Switch）部４（１）〜４（８）は、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１を複数個含み、端子Ｐ１に端子Ｐ２または端子Ｐ３を接続する。
【００３３】
ここで、図４は、スイッチ部４（１）〜４（８）の一実施例を示した構成図である。図４において、端子Ｐ１−Ｐ２間の電気的なオン・オフを行なうＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）、端子Ｐ１−Ｐ３間の電気的なオン・オフを行なうＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（２）、アイソレーションを高めるために端子Ｐ２、Ｐ３それぞれを共通電位に電気的なオン・オフを行なうシャント用のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（３）、１（４）で構成される。そして、図１に示す回路と同様に、制御部（図示せず）が、各スイッチ１（１）〜１（４）のゲート端子に抵抗を介して所定の電圧を印加することにより、各スイッチ１（１）〜１（４）のオン・オフを制御し、端子Ｐ１−Ｐ２または端子Ｐ１−Ｐ３を接続する。
【００３４】
図３に戻り、スイッチ部４（１）〜４（８）の端子Ｐ２間にはスルー用の信号線５（１）〜５（４）が接続され、端子Ｐ３間には減衰用のＴ型の減衰回路を持つ信号線６（１）〜６（４）が接続される。また、信号線６（１）〜６（４）上の減衰回路の減衰量は、それぞれ所定の値をもつ。また、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）を含むスイッチ部４（１）〜４（８）はベアチップのまま所定の大きさの筐体（図示せず）に、信号線５（１）〜５（４）、６（１）〜６（４）、ＬＥＤ２と共に密閉される。駆動回路３は、筐体内でも筐体外でもよい。
【００３５】
なお、図３においては、１個のＬＥＤ２でスイッチ部４（１）〜４（８）内のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）の全部を照射する構成を示しているが、スイッチ部４（１）〜４（８）ごとに、またはスイッチ部４（１）〜４（８）内のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）ごとにＬＥＤ２を設けて個々を照射してもよい。
【００３６】
また、筐体の内壁を全て金メッキにし、ＬＥＤ２の反射光も極力減少せずに再度ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）に照射されるようにするとよい。
【００３７】
このようなステップアッテネータの動作を説明する。
制御部（図示せず）が、入力信号を所定量減衰するため、スイッチ部４（１）〜４（８）に対して接続切替用の制御信号を出力すると共に、この制御信号に同期して駆動回路３にトリガ信号を出力する。これにより、スイッチ部４（１）〜４（８）内のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）がオフ状態からオン状態に遷移する所定の時間だけ、駆動回路３が、ＬＥＤ２にＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）を照射させる。
【００３８】
ここで、図５は、スイッチ部４（１）〜４（８）の全てを減衰回路がある信号線６（１）〜６（４）から、スルー側の信号線５（１）〜５（４）に切り替えた場合（つまり、ステップアッテネータの相対減衰値を最大量変化させた場合）の出力信号の特性を示した図である。なお、図５は、一例として、相対減衰値を６５［ｄＢ］から０［ｄＢ］にした。また、入力信号の入力レベル＋１０［ｄＢｍ］、ＬＥＤ２の輝度１１００［ｍｃｄ］とし、内壁を金メッキした約１５［ｍｍ］×４０［ｍｍ］×（厚さ）５［ｍｍ］の筐体を用いた。
【００３９】
図５において、横軸は時間であり、縦軸は出力信号のレベルである。図５（ａ）は、駆動電流ＩＬｄの立下りに時定数を持たせない場合（パルス信号Ｖｇそのままの駆動信号）であり、図５（ｂ）は、図１に示す回路を用いて駆動電流ＩＬｄの立下りに時定数を持たせた場合である。
【００４０】
図５（ａ）では、ＬＥＤ２の照射のオフによって出力信号に０．０２［ｄＢ］の不連続点が生じ、この不連続点からさらに一定の時定数をもって出力信号が最終的な定常状態の値（以下、「出力信号が最終的な定常状態の値」を「最終レベル」と呼ぶ）に至る。不連続点から最終レベルまでのレベル変動は約０．０５［ｄＢ］である。もちろん、ＬＥＤ２をオフするタイミングを早めると（つまり、ＬＥＤ２の点灯時間を短くすると）、不連続点のレベル変動が小さくなるが、ＬＥＤ２オフ後の最終レベルまでのレベル変動が大きくなり、低速尾部効果を軽減できない。ステップアッテネータにおいては、低速尾部効果による誤差はもちろんのこと、切り替え中に不連続点が発生すると、性能の悪化となる。
【００４１】
一方、図５（ｂ）では、ＬＥＤ２が輝度を緩やかに低下させて照射をオフするので、不連続点は無く、滑らかに出力信号のレベルが変化する。また、ＬＥＤ２オフ後から約８００［μｓ］の時間で、最終レベルに対して０．０５［ｄＢ］以内に静定する。この速度は、機械式スイッチが通常１０［ｍｓ］以上の切替時間を要することと比較すると非常に高速である。なお、図５の実験例では、１個のＬＥＤ２を用いたが、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）ごとにＬＥＤ２を用いてより高輝度に照射すれば、さらに低速尾部効果を軽減でき、切替時間を高速にできる。
【００４２】
また、図６は、ＬＥＤ２による照射が無い場合と、図１に示す回路を用いて照射した場合とを比較した図である。細線が照射無しであり、太線が図１に示す回路による照射有りである。図６より、ＬＥＤ２の照射が無い場合、最終レベルの０．０５［ｄＢ］以内に静定するのに数十［ｍｓ］必要としているが、ＬＥＤ２を照射すると非常に短時間で静定しているのが分かる。すなわち、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）を常に照射していなくとも、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）をオフ状態からオン状態にする場合にのみ所定の時間だけ照射すれば、低速尾部効果を改善できることは明らかである。
【００４３】
ここで、ＬＥＤ２の特性劣化の時間について検討する。ＬＥＤ２をオンすることにより、このＬＥＤ２を封止している樹脂の透過特性が劣化する。その結果、ＬＥＤ２そのものの輝度は低下しなくても、樹脂を透過する光量が減少し、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）の低速尾部効果を軽減できなくなってしまうことは上述した。
【００４４】
図１に示す回路では、ＬＥＤ２がオンされる時間は約２［ｍｓ］である。後半の１［ｍｓ］は、時定数をもって徐々に輝度がさがるが、一定の輝度と仮定して試算する。
【００４５】
ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）のオン・オフのＤｕｔｙ比が１％、すなわち０．２［ｓ］おきの切替の場合、劣化（例えば、輝度が半分）するまでの時間は、常に照射している場合と比較して約１００倍になる。また、平均して２［ｓ］おきの切替の場合、劣化するまでの時間は、約１０００倍となる。
【００４６】
すなわち、従来技術のように常に照射している場合、ステップアッテネータを使用している時間、つまり、電源通電時間に伴ってＬＥＤ２の特性が劣化し、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの切替速度も低下していく。一方、図１に示すスイッチ回路を用いた場合、ステップアッテネータの電源通電時間とは無関係に、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの切替頻度（切替回数）によって劣化が決まる。従って、常に照射している場合と比較して、長期間に渡って安定した高速切替が可能である。
【００４７】
このように、ステップアッテネータに用いられる複数のＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）のうちいずれか１個でもオフ状態からオン状態にする場合、駆動回路２が、ＬＥＤ２を所定の時間だけ発光させるのでＬＥＤ２の劣化を抑えることができる。これにより、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）の低速尾部効果を低減するのに十分な輝度でＬＥＤ２を発光させても、長期間に渡って安定した高速切替が可能となる。
【００４８】
また、駆動回路２が、ＬＥＤ２の輝度を指数関数的に徐々に低下させて消灯させるので、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ１（１）〜１（４）のオン状態における挿入損失のレベル変動を抑えることができる。これにより、長期間に渡って安定した高速切替ができると共に、切り替え中に不連続点も発生せず、性能の悪化を抑えることができる。
【００４９】
なお、本発明はこれに限定されるものではなく、以下に示すようなものでもよい。
ＬＥＤ２に照射されるＦＥＴスイッチとしてＧａＡｓを材料とするものを例に挙げたが、低速尾部効果を有するものであればどのようなＦＥＴスイッチでもよい。
【００５０】
光源として白色のＬＥＤ２を用いる構成を示したが、他の色でもよく、さらには、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの低速尾部効果を低減できる輝度の光を照射できるものであればどのようなものでもよい。
【００５１】
スイッチ部４（１）〜４（４）は、ＳＰＤＴスイッチとする構成を示したが、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチの組み合わせはどのようなものでよく、ＳＰＳＴスイッチ（Single-Pole/Single-Throw Switch）等としてもよい。
【００５２】
スイッチ回路をステップアッテネータに用いる構成を示したが、ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチを用いる回路全般（特に、高速応答性を必要とする回路）や、高周波信号（数百［ＭＨｚ］以上）の送信・受信を行なう測定器内に設けられるＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ等、どのようなものに適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施例を示した構成図である。
【図２】図１に示す回路における変換部３２のＭＯＳ−ＦＥＴＱ１のドレイン端子の電圧を示した図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示した構成図である。
【図４】図３に示すスイッチ部４（１）〜４（８）の一実施例を示した構成図である。
【図５】ステップアッテネータの出力信号の特性例を示した図である。
【図６】ステップアッテネータの出力信号のその他の特性例を示した図である。
【図７】従来のスイッチ回路の構成を示した図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ＧａＡｓ−ＦＥＴスイッチ
２  ＬＥＤ
３  駆動回路
３１  パルス信号生成部
３２  変換部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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