【手続補正書】
【提出日】平成21年4月15日(2009.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハであって、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、ウェーハ。
【請求項２】
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で０．７ｎｍ未満である、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項３】
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で０．５ｎｍ未満である、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項４】
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．４ｎｍ未満である、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項５】
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．２ｎｍ未満である、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項６】
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．１５ｎｍ未満である、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項７】
原子間力顕微鏡で観察した場合にＧａ側におけるステップ構造を特徴とする、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項８】
Ｇａ側における結晶欠陥が１μｍ未満の直径を有する小さいピットとして見られる、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項９】
シリカまたはアルミナを含有する化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にて化学的機械研磨（ＣＭＰ）することによって形成される、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項１０】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハ上に成長したエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜（式中、０＜ｙ’≦１、ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体であって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、エピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項１１】
ウルツ鉱型結晶性薄膜を含む、請求項１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項１２】
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハと同じ組成を有する、請求項１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項１３】
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハと異なる組成を有する、請求項１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項１４】
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はグレーディッド組成を有する、請求項１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項１５】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長した少なくとも１つのエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶構造体を含む光電子デバイスであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、光電子デバイス。
【請求項１６】
光電子デバイスは発光ダイオードである、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項１７】
光電子デバイスは青色光レーザダイオードである、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項１８】
光電子デバイスは発光ダイオードに組み込まれている、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項１９】
光電子デバイスは光磁気メモリデバイスに組み込まれている、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項２０】
光電子デバイスはフルカラー発光ディスプレイに組み込まれている、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項２１】
光電子デバイスはＤＶＤデバイスに組み込まれている、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項２２】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長した少なくとも１つのエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶構造体を含むマイクロ電子デバイスであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、マイクロ電子デバイス。
【請求項２３】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長したエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブールであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
【請求項２４】
ブールは気相中で成長する、請求項２３に記載のエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
【請求項２５】
ブールは液相中で成長する、請求項２３に記載のエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
【請求項２６】
少なくとも１つの研磨工程に付されている、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項２７】
少なくとも１種の機械研磨材料を含んで成る研磨工程に付されている、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項２８】
ｃ軸がウェーハ表面に対して非垂直であるように傾けられている、請求項１に記載のウェーハ。
【請求項２９】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハが、少なくとも１つの研磨工程に付されている、請求項１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
【請求項３０】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハが、少なくとも１つの研磨工程に付されている、請求項１５に記載の光電子デバイス。
【請求項３１】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハが、少なくとも１つの研磨工程に付されている、請求項２２に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項３２】
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハが、少なくとも１つの研磨工程に付されている、請求項２３に記載のエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は概して、優れた表面品質をＧａ側にて有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）ウェーハに関し、また、そのようなウェーハの製造方法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、本発明のもう１つの要旨は、高品質ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハを製造する方法であって、
約１００μｍ〜約１０００μｍの範囲にある厚さを有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクを供給する工程、
場合により、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハの内部応力を低下させる工程、
場合により、約５μｍ〜約１５μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含むラッピングスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＮ側にてラッピングする工程、
場合により、約０．１μｍ〜約６μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含む機械研磨スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＮ側にて機械研磨する工程、
場合により、約５μｍ〜約１５μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含むラッピングスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にてラッピングする工程、
約０．１μｍ〜約６μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含む機械研磨スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にて機械研磨する工程、
少なくとも１種の化学反応物質と２００ｎｍ未満の粒子寸法を有する研磨コロイダル粒子とを含むＣＭＰスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハをそのＧａ側にて化学的機械研磨する工程、および
場合により、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハの内部応力を更に低下させ、および表面品質を向上させるようにマイルド（または穏やかに）エッチングする工程
を含み、得られるＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを有する方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の他の要旨、特徴および態様は次の説明および特許請求の範囲からより十分に明らかになるであろう。
本発明は以下の態様を含む。
（態様１）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハであって、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、ウェーハ。
（態様２）
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で０．７ｎｍ未満である、態様１に記載のウェーハ。
（態様３）
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で０．５ｎｍ未満である、態様１に記載のウェーハ。
（態様４）
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．４ｎｍ未満である、態様１に記載のウェーハ。
（態様５）
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．２ｎｍ未満である、態様１に記載のウェーハ。
（態様６）
前記ウェーハのＲＭＳ表面粗さは、ウェーハのＧａ側における２×２μｍ２面積内で０．１５ｎｍ未満である、態様１に記載のウェーハ。
（態様７）
原子間力顕微鏡で観察した場合にＧａ側におけるステップ構造を特徴とする、態様１に記載のウェーハ。
（態様８）
Ｇａ側における結晶欠陥が１μｍ未満の直径を有する小さいピットとして見られる、態様１に記載のウェーハ。
（態様９）
シリカまたはアルミナを含有する化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にて化学的機械研磨（ＣＭＰ）することによって形成される、態様１に記載のウェーハ。
（態様１０）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハ上に成長したエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜（式中、０＜ｙ’≦１、ｘ’＋ｙ’＋ｚ’＝１、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体であって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、エピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
（態様１１）
ウルツ鉱型結晶性薄膜を含む、態様１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
（態様１２）
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハと同じ組成を有する、態様１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
（態様１３）
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はＡｌｘＧａｙＩｎｚＮを含むウェーハと異なる組成を有する、態様１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
（態様１４）
エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ薄膜はグレーディッド組成を有する、態様１０に記載のエピタキシャルＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ結晶構造体。
（態様１５）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長した少なくとも１つのエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶構造体を含む光電子デバイスであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、光電子デバイス。
（態様１６）
光電子デバイスは発光ダイオードである、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様１７）
光電子デバイスは青色光レーザダイオードである、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様１８）
光電子デバイスは発光ダイオードに組み込まれている、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様１９）
光電子デバイスは光磁気メモリデバイスに組み込まれている、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様２０）
光電子デバイスはフルカラー発光ディスプレイに組み込まれている、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様２１）
光電子デバイスはＤＶＤデバイスに組み込まれている、態様１５に記載の光電子デバイス。
（態様２２）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長した少なくとも１つのエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶構造体を含むマイクロ電子デバイスであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、マイクロ電子デバイス。
（態様２３）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハ上に成長したエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブールであって、該ウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする、エピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
（態様２４）
ブールは気相中で成長する、態様２３に記載のエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
（態様２５）
ブールは液相中で成長する、態様２３に記載のエピタキシャルＡｌｘ’Ｇａｙ’Ｉｎｚ’Ｎ結晶ブール。
（態様２６）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）をそのＧａ側にて化学的機械研磨（ＣＭＰ）する方法であって、
２００ｎｍ未満の粒子寸法を有する研磨アモルファスシリカ粒子と、
少なくとも１種の酸と、
場合により、少なくとも１種の酸化剤と
を含むＣＭＰスラリーを用い、ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約０．５〜約４の範囲にある方法。
（態様２７）
ＣＭＰスラリーは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にある粒子寸法を有するヒュームドシリカを含む、態様２６に記載の方法。
（態様２８）
ＣＭＰスラリーは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にある粒子寸法を有するコロイダルシリカを含む、態様２６に記載の方法。
（態様２９）
ＣＭＰスラリーは酸化剤を含む、態様２６に記載の方法。
（態様３０）
酸化剤は過酸化水素を含む、態様２９に記載の方法。
（態様３１）
酸化剤はジクロロイソシアヌル酸を含む、態様２９に記載の方法。
（態様３２）
ＣＭＰスラリーは約０．６〜約３の範囲にあるｐＨ値を有する、態様２６に記載の方法。
（態様３３）
ＣＭＰスラリーは約０．８〜約２．５の範囲にあるｐＨ値を有する、態様２６に記載の方法。
（態様３４）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）をそのＧａ側にて化学的機械研磨（ＣＭＰ）する方法であって、
２００ｎｍ未満の粒子寸法を有する研磨コロイダルアルミナ粒子と、
少なくとも１種の酸と、
場合により、少なくとも１種の酸化剤と
を含むＣＭＰスラリーを用い、ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約３〜約５の範囲にある方法。
（態様３５）
ＣＭＰスラリーは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にある粒子寸法を有するコロイダルアルミナを含む、態様３４に記載の方法。
（態様３６）
ＣＭＰスラリーは酸化剤を含む、態様３４に記載の方法。
（態様３７）
酸化剤は過酸化水素を含む、態様３６に記載の方法。
（態様３８）
酸化剤はジクロロイソシアヌル酸を含む、態様３６に記載の方法。
（態様３９）
ＣＭＰスラリーは約３〜約４の範囲にあるｐＨ値を有する、態様３４に記載の方法。
（態様４０）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）をそのＧａ側にて化学的機械研磨（ＣＭＰ）する方法であって、
２００ｎｍ未満の粒子寸法を有するアモルファスシリカ粒子と、
少なくとも１種の塩基と、
場合により、少なくとも１種の酸化剤と
を含むＣＭＰスラリーを用い、ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約８〜約１３．５の範囲にある方法。
（態様４１）
ＣＭＰスラリーは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にある粒子寸法を有するヒュームドシリカを含む、態様４０に記載の方法。
（態様４２）
ＣＭＰスラリーは約１０ｎｍ〜約１００ｎｍの範囲にある粒子寸法を有するコロイダルシリカを含む、態様４０に記載の方法。
（態様４３）
ＣＭＰスラリーはアンモニア、アルカノールアミンおよび水酸化物からなる群から選択される塩基を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４４）
ＣＭＰスラリーはアンモニアを含む、態様４０に記載の方法。
（態様４５）
ＣＭＰスラリーはアルカノールアミンを含む、態様４０に記載の方法。
（態様４６）
ＣＭＰスラリーはＫＯＨおよびＮａＯＨからなる群から選択される水酸化物を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４７）
ＣＭＰスラリーは酸化剤を含む、態様４０に記載の方法。
（態様４８）
酸化剤は過酸化水素を含む、態様４７に記載の方法。
（態様４９）
酸化剤はジクロロイソシアヌル酸を含む、態様４７に記載の方法。
（態様５０）
ＣＭＰスラリーは約９〜約１３の範囲にあるｐＨ値を有する、態様４０に記載の方法。
（態様５１）
ＣＭＰスラリーは約１０〜約１１の範囲にあるｐＨ値を有する、態様４０に記載の方法。
（態様５２）
ＣＭＰスラリーは、研磨パッドへ送る前に直径１００ｎｍより大きい粒子を除去するために濾過される、態様２６に記載の方法。
（態様５３）
ＣＭＰスラリーは、研磨パッドへ送る前に直径１００ｎｍより大きい粒子を除去するために濾過される、態様３４に記載の方法。
（態様５４）
ＣＭＰスラリーは、研磨パッドへ送る前に直径１００ｎｍより大きい粒子を除去するために濾過される、態様４０に記載の方法。
（態様５５）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）内のそのＧａ側における結晶欠陥密度を測定する方法であって、
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハを供給する工程、
該ウェーハをそのＧａ側にて、２００ｎｍ未満の粒子寸法を有する研磨アモルファスシリカ粒子と、少なくとも１種の酸と、場合により、少なくとも１種の酸化剤とを含むＣＭＰスラリーを用いて化学的機械研磨し、ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約０．５〜約４の範囲にある工程、
研磨したＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハを洗浄および乾燥する工程、および
該ウェーハ内の欠陥密度を測定するために原子間力顕微鏡または走査型電子顕微鏡でウェーハをスキャンする工程
を含む方法。
（態様５６）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含むウェーハを製造する方法であって、
約１００μｍ〜約１０００μｍの範囲にある厚さを有するＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクを供給する工程、
場合により、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクの内部応力を低下させる工程、
場合により、約５μｍ〜約１５μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含むラッピングスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＮ側にてラッピングする工程、
場合により、約０．１μｍ〜約６μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含む機械研磨スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＮ側にて機械研磨する工程、
場合により、約５μｍ〜約１５μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含むラッピングスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にてラッピングする工程、
約０．１μｍ〜約６μｍの範囲にある平均粒子寸法を有する研磨材を含む機械研磨スラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクをそのＧａ側にて機械研磨する工程、
少なくとも１種の化学反応物質と２００ｎｍ未満の粒子寸法を有する研磨材粒子とを含むＣＭＰスラリーを用いてＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハをそのＧａ側にて化学的機械研磨する工程、および
場合により、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハの内部応力を更に低下させるため、表面品質を向上させるため、およびＮ側をマット仕上げするために、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハをマイルドエッチング条件でエッチングする工程
を含み、これにより製造されるＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハは、ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均（ＲＭＳ）表面粗さを特徴とする表面粗さを有する方法。
（態様５７）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクは、
厚いＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜を異種基板上に成長させる工程、および
異種基板を厚いＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ膜から分離する工程
により作製される、態様５６に記載の方法。
（態様５８）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクは、
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮブールを成長させる工程、および
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮブールをスライスする工程
により作製される、態様５６に記載の方法。
（態様５９）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮブールを、ウェーハブランク表面がｃ軸に対して垂直になるようにスライスする、態様５８に記載の方法。
（態様６０）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮブールを、ウェーハブランク表面がｃ軸に対して意図的に垂直にならないようにスライスする、態様５８に記載の方法。
（態様６１）
窒素またはアンモニア雰囲気中、約７００℃〜約１０００℃の高温にて約１分間〜約１時間、ウェーハを熱アニールすることにより、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハの内部応力を低下させる、態様５６に記載の方法。
（態様６２）
厚さ１００μｍ未満の表面材料の除去をもたらす化学エッチングにより、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハの内部応力を低下させる、態様５６に記載の方法。
（態様６３）
厚さ１０μｍ未満の表面材料をＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハから除去する、態様６２に記載の方法。
（態様６４）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハを１５０℃より高い温度にて強酸によって化学エッチングする、態様６２に記載の方法。
（態様６５）
強酸は硫酸、リン酸およびそれらの組合せからなる群から選択される、態様６４に記載の方法。
（態様６６）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハを１５０℃より高い温度にて溶融強塩基によって化学エッチングする、態様６２に記載の方法。
（態様６７）
強塩基は溶融ＬｉＯＨ、溶融ＮａＯＨ、溶融ＫＯＨ、溶融ＲｂＯＨ、溶融ＣｓＯＨおよびそれらの組合せからなる群から選択される、態様６６に記載の方法。
（態様６８）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクはダイアモンド粉末、シリコンカーバイド粉末、ボロンカーバイド粉末およびアルミナ粉末からなる群から選択される研磨材を含むラッピングスラリーによってラッピングされる、態様５６に記載の方法。
（態様６９）
ラッピングスラリーは約６μｍ〜約１５μｍの範囲にある平均粒子寸法を有するダイアモンド粉末を含む、態様５６または６８に記載の方法。
（態様７０）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクはそのＧａ側にて、２種またはそれ以上のラッピングスラリーによってラッピングされ、各々のより後のラッピングスラリーは順により小さくなる平均寸法を有する研磨材を含む、態様５６に記載の方法。
（態様７１）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクは、約８μｍ〜約１０μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第１ラッピングスラリーによって、そして、約５μｍ〜約７μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第２ラッピングスラリーによってラッピングされる、態様７０に記載の方法。
（態様７２）
機械研磨スラリーはダイアモンド粉末、シリコンカーバイド粉末、ボロンカーバイド粉末およびアルミナ粉末からなる群から選択される研磨材を含む、態様５６に記載の方法。
（態様７３）
機械研磨スラリーは約０．１μｍ〜約６μｍの範囲にある平均粒子寸法を有するダイアモンド粉末を含む、態様５６に記載の方法。
（態様７４）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクは、２種またはそれ以上の機械研磨スラリーによって機械研磨され、各々のより後の機械研磨スラリーは次第により小さくなる平均寸法を有する研磨材を含む、態様５６に記載の方法。
（態様７５）
ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮウェーハブランクは、約２．５μｍ〜約３．５μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第１機械研磨スラリーによって、約０．７５μｍ〜約１．２５μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第２機械研磨スラリーによって、約０．３５μｍ〜約０．６５μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第３機械研磨スラリーによって、約０．２μｍ〜約０．３μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第４機械研磨スラリーによって、そして、約０．１μｍ〜約０．２μｍの平均寸法を有する研磨材を含む第５機械研磨スラリーによって機械研磨される、態様７４に記載の方法。
（態様７６）
ＣＭＰスラリーは酸性であり、および該ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約０．５〜約４の範囲にある、態様５６に記載の方法。
（態様７７）
ＣＭＰスラリーは塩基性であり、および該ＣＭＰスラリーのｐＨ値は約８〜約１３．５の範囲にある、態様５６に記載の方法。
（態様７８）
マイルドエッチング条件は、１００℃未満の温度における酸水溶液中でのエッチングおよび塩基水溶液中でのエッチングからなる群から選択される、態様５６に記載の方法。
（態様７９）
酸はフッ酸、硝酸、硫酸、リン酸水溶液およびそれらの組合せからなる群から選択される、態様７８に記載の方法。
（態様８０）
塩基はＬｉＯＨ、ＮａＯＨ、ＫＯＨ、ＲｂＯＨ、ＣｓＯＨ水溶液およびそれらの組合せからなる群から選択される、態様７８に記載の方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
Ｎ側をラッピングした後、ホットプレート上で加熱することによりＧａＮウェーハをラップ取付け具から外した。ウェーハを洗浄し、Ｎ側がラップ取付け具に面するようにしてラップ取付け具にワックスでマウントした。ワックスを冷却しながらスチール・ブロックを各ウェーハの上に配置した。鋳鉄定盤上で直径９μｍのダイアモンドスラリーによりＧａＮウェーハをＧａ側にてラッピングし、所望のウェーハ厚さを得た。次いで、銅定盤上で直径６μｍのダイアモンドスラリーによりＧａＮウェーハをラッピングし、前のラッピング工程による表面特徴を除去した。