【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板のエッジと平行な方向に沿って前記半導体基板上に形成され、上面に表面積を増加させるための表面積増加部を含む電極端子部と、
前記表面積増加部を覆う導電性バンプとを有することを特徴とする駆動集積回路。
【請求項２】
前記電極端子部は、前記半導体基板の側面と平行であることを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項３】
前記表面積増加部は、円錐形状、三角錐形状、四角錐形状、及び多角錐形状で構成された群から選択されたいずれか一つ以上の形状を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項４】
前記表面積増加部の前記寸法は、前記表面積増加部の高さであることを特徴とする請求項３に記載の駆動集積回路。
【請求項５】
前記表面積増加部は、１〜１０μｍの範囲の前記高さを有することを特徴とする請求項４に記載の駆動集積回路。
【請求項６】
前記表面積増加部は、１０００μｍ２の面積に１０〜１０００個が形成されることを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項７】
前記電極端子部は、外部画像信号の入力を受ける入力端子部、及び前記外部画像信号によって前記半導体基板の回路部で発生した駆動信号を出力する出力端子部を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項８】
前記導電性バンプは、前記電極端子部の前記表面積増加部に対応する非平面の外表面を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項９】
前記表面積増加部の寸法は、実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項１０】
前記表面積増加部の寸法は、多様な寸法を有することを特徴とする請求項１に記載の駆動集積回路。
【請求項１１】
シリコン化合物を形成するための反応溶液を含む前処理溶液を準備する段階と、
前記前処理溶液にシリコンを提供して前記シリコン化合物を含む処理溶液を準備する段階と、
前記処理溶液に電極端子部が選択的に露出されたシリコン基板を含む駆動集積回路を浸漬し、前記シリコン化合物をマスクとして前記電極端子部を前記処理溶液を用いて部分エッチングする段階とを有することを特徴とする駆動集積回路の製造方法。
【請求項１２】
前記前処理溶液は、純水を含むことを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１３】
前記前処理溶液を準備する段階は、前処理溶液を８５〜９５℃の温度で、窒素バブルによって１〜２分間攪拌する段階をさらに有することを特徴とする請求項１２に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１４】
前記前処理溶液は、イソプロピルアルコールを更に含むことを特徴とする請求項１２に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１５】
前記純水：反応溶液：ＩＰＡの割合は、１ｌ：１５×１０−３ｌ：１４×１０−３ｌであることを特徴とする請求項１４に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１６】
前記純水：反応溶液：ＩＰＡの割合は、１４ｌ：０．２１ｌ：０．２ｌであり、前記前処理溶液に、直径８インチ、厚さ４８０μｍである２４枚のシリコン基板を浸漬することを特徴とする請求項１４に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１７】
前記反応溶液は、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムを含むことを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１８】
前記シリコン化合物は、珪酸ナトリウム（Ｎａ２ＳｉＯ３）であることを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項１９】
前記前処理溶液及び前記処理溶液を準備する段階は、３〜５回反復されることを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２０】
前記電極端子部上には、１〜１０μｍの高さを有する表面積増加部が形成されることを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２１】
前記表面積増加部は、円錐形状、三角錐形状、四角錐形状、多角錐形状で構成された群から選択されたいずれか一つ以上の形状を含むことを特徴とする請求項２０に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２２】
前記電極端子部上には、金属を含むバンプが形成されることを特徴とする請求項１１に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２３】
画像信号を駆動信号に変更する駆動集積回路の半導体基板から露出された電極端子部上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記電極端子部をエッチングして前記電極端子部上に表面積増加部を形成する段階とを有することを特徴とする駆動集積回路の製造方法。
【請求項２４】
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記電極端子部上に、導電性バンプが形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項２３に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２５】
画像信号を駆動信号に変更する駆動集積回路の半導体基板から露出された電極端子部上にビーズ（ｂｅａｄ）形状を有するエッチングプロテクタを付着する段階と、
前記エッチングプロテクタをマスクとして前記電極端子部をエッチングし、前記電極端子部上に表面積増加部を形成する段階とを有することを特徴とする駆動集積回路の製造方法。
【請求項２６】
前記表面積増加部に、前記エッチングプロテクタをマスクとして金属バンプを形成する段階を更に有することを特徴とする請求項２５に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２７】
前記電極端子部をエッチングする段階は、乾式エッチングを含むことを特徴とする請求項２６に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項２８】
画像信号を駆動信号に変更する駆動集積回路の半導体基板から露出された電極端子部上に該電極端子部のエッチングを促進させる触媒を付着させる段階と、
前記触媒をエッチングマスクとして用いて前記電極端子部をエッチングして前記電極端子部上に表面積増加部を形成する段階とを有することを特徴とする駆動集積回路の製造方法。
【請求項２９】
前記フォトレジストパターンをマスクとして前記電極端子部上に、導電性バンプが形成する段階をさらに有することを特徴とする請求項２８に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項３０】
前記電極端子部をエッチングする段階は、湿式エッチングを含むことを特徴とする請求項２９に記載の駆動集積回路の製造方法。
【請求項３１】
信号入力部を通じて印加された駆動信号に基づいて画像を表示するための表示部が形成された表示基板と、
前記駆動信号を発生する回路部が形成された半導体基板、前記信号入力部の位置に対応して半導体基板上に形成され、表面積を増加させるための表面積増加部が形成された電極端子部、及び前記電極端子部の上面に形成され、前記信号入力部と電気的に連結する導電性バンプとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３２】
前記各表面積増加部は、実質的に同一の寸法を有することを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記各表面積増加部は、多様な寸法を有することを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記表面積増加部は、１〜１０μｍ範囲の高さを有することを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記表面積増加部は、１０００μｍ２の面積に１０〜１０００個が形成されることを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記各表面積増加部は、円錐形状、三角錐形状、四角錐形状、及び多角錐形状で構成された群から選択されたいずれか一つ以上の形状を含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記表示基板は、複数の第１電極を含む第１基板、前記第１基板と向かい合って対応し、第２電極を含む第２基板、及び前記第１基板と第２基板との間に介在された液晶層を含むことを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記導電性バンプは、前記電極端子部の前記表面積増加部と同等の表面積増加部を有し、前記導電性バンプの前記表面積増加部は、前記電極端子部と前記信号入力部との接触抵抗を減少させることを特徴とする請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３９】
駆動回路及び表示パネルを具備する表示装置の画質を向上させる方法において、
非平面導電性バンプを前記駆動回路の電極端子部上に具備して前記導電性バンプの表面積を増加させて前記電極端子部と前記表示パネルの信号ラインとの接触抵抗を減少させる段階を含むことを特徴とする表示装置の画質を向上させる方法。
【請求項４０】
前記非平面導電性バンプを具備する段階は、前記導電性バンプで前記電極端子部をカバーする前に表面積増加部を前記電極端子部上に形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項３９に記載の表示装置の画質を向上させる方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明による駆動集積回路は、半導体基板と、前記半導体基板のエッジと平行な方向に沿って前記半導体基板上に形成され、上面に表面積を増加させるための表面積増加部を含む電極端子部と、前記表面積増加部を覆う導電性バンプとを有することを特徴とする。