【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向して配置される対向基板と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に配置される垂直配向型の液晶層とを有する反射型液晶表示装置において、
前記アクティブマトリクス基板は、前記基板の上の前記対向基板側に配置され且つ表面が平坦化された反射電極と、前記反射電極の上に配置され且つ表面が平坦化された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項３】
前記斜方蒸着膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射電極は、ＩＴＯの仕事関数とほぼ等しい仕事関数をもつ膜からなる表面の層を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項５】
前記膜は、ＴｉもしくはＴｉＮであることを特徴とする請求項４に記載の反射型液晶表示装置。
【請求項６】
基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、
対向基板を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する反射型液晶表示装置の作製方法において、
前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、
前記基板の上に反射電極を形成する工程と、
前記反射電極を平坦化する工程と、
平坦化された前記反射電極の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜を平坦化する工程と、
平坦化された前記絶縁膜の上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項７】
前記反射電極を平坦化する工程と、前記絶縁膜を平坦化する工程とは、ＣＭＰ法を用いた研磨により行うことを特徴とする請求項６に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項８】
前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項６又は７に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項９】
前記斜方蒸着膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１０】
前記反射電極を平坦化する工程の後に、平坦化された前記反射電極の上に、ＩＴＯの仕事関数とほぼ等しい仕事関数をもつ膜からなる表面の層を堆積させる工程をさらに有することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１１】
基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、
対向基板を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する反射型液晶表示装置の作製方法において、
前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、
前記基板の上に反射電極を形成する工程と、
前記反射電極の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、
前記第１の絶縁膜の平坦化に連続して前記反射電極を平坦化する工程と、
平坦化された前記反射電極の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜の上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１２】
前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、前記反射電極を平坦化する工程とは、ＣＭＰ法を用いた研磨により行うことを特徴とする請求項１１に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１４】
前記斜方蒸着膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１５】
前記第２の絶縁膜及び前記配向膜の合計膜厚が２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１又は１４のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１６】
基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、
対向基板を形成する工程と、
前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する反射型液晶表示装置の作製方法において、
前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、
前記基板の上に反射電極を形成する工程と、
前記反射電極を平坦化する工程と、
平坦化された前記反射電極の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程とを有することを特徴とする反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１７】
前記反射電極を平坦化する工程の後に、平坦化された前記反射電極の上に、ＩＴＯの仕事関数とほぼ等しい仕事関数をもつ膜からなる表面の層を堆積させる工程をさらに有することを特徴とする請求項１６に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１８】
前記反射電極の上の前記絶縁膜及び前記配向膜の合計膜厚が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１６又は１７に記載の反射型液晶表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の反射型液晶表示装置を含むことを特徴とする投影型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射型液晶表示装置及びその作製方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するための本発明の反射型液晶表示装置は、基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板と、前記アクティブマトリクス基板に対向して配置される対向基板と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に配置される垂直配向型の液晶層とを有する。前記アクティブマトリクス基板は、前記基板の上の前記対向基板側に配置され且つ表面が平坦化された反射電極と、前記反射電極の上に配置され且つ表面が平坦化された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜とを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明において、前記絶縁膜はシリコン酸化膜であってもよい。前記斜方蒸着膜はシリコン酸化膜であってもよい。前記反射電極は、ＩＴＯの仕事関数と実質的に等しい仕事関数をもつ膜からなる表面層を有してもよい。前記膜は、ＴｉもしくはＴｉＮであってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係る反射型液晶表示装置の作製方法は、基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する。前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、前記基板の上に反射電極を形成する工程と、前記反射電極を平坦化する工程と、平坦化された前記反射電極の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を平坦化する工程と、平坦化された前記絶縁膜の上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程とを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明において、前記反射電極を平坦化する工程と、前記絶縁膜を平坦化する工程とは、ＣＭＰ法を用いた研磨により行うことが好ましい。前記絶縁膜は、シリコン酸化膜であってもよい。前記斜方蒸着膜は、シリコン酸化膜であってもよい。前記反射電極を平坦化する工程の後に、平坦化された前記反射電極の上に、ＩＴＯの仕事関数とほぼ等しい仕事関数をもつ膜からなる表面の層を堆積させる工程をさらに有してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る反射型液晶表示装置の作製方法は、基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する。前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、前記基板の上に反射電極を形成する工程と、前記反射電極の上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、前記第１の絶縁膜の平坦化に連続して前記反射電極を平坦化する工程と、平坦化された前記反射電極の上に第２の絶縁膜を形成する工程と、前記第２の絶縁膜上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程を有する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明において、前記第１の絶縁膜を平坦化する工程と、前記反射電極を平坦化する工程とは、ＣＭＰ法を用いた研磨により行うことが好ましい。前記第１の絶縁膜は、シリコン酸化膜であってもよい。前記斜方蒸着膜は、シリコン酸化膜であってもよい。前記第２の絶縁膜及び前記配向膜の合計膜厚が２００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明に係る反射型液晶表示装置の作製方法は、基板に画素スイッチを有するアクティブマトリクス基板を形成する工程と、対向基板を形成する工程と、前記アクティブマトリクス基板及び前記対向基板の間に垂直配向型の液晶層を配置する工程とを有する。前記アクティブマトリクス基板を形成する工程は、前記基板の上に反射電極を形成する工程と、前記反射電極を平坦化する工程と、平坦化された前記反射電極の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に斜方蒸着膜からなる配向膜を形成する工程とを有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明において、前記反射電極を平坦化する工程の後に、平坦化された前記反射電極の上に、ＩＴＯの仕事関数とほぼ等しい仕事関数をもつ膜からなる表面の層を堆積させる工程をさらに有することが好ましい。前記反射電極上の前記絶縁膜及び前記配向膜の合計膜厚が１００ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に係る投影型表示装置は、上記いずれかに記載の反射型液晶表示装置を含むことを特徴とする。