Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
時間ライン６５０は「リーブ」６６０、「ジョイン」６６１、「ＡＶ停止」６６２、「リソース初期化」６６３、「データハンドリング」６６４、「ＡＶ初期化」６６５、及び「ＡＶ開始」６６５の一連の動作を含んでいる。これらの動作はそれぞれ図４の矢印４０５及び４０７、ステップ４０３、４０６、４１５、４０９及び４１０に対応している。矢印「Ｐ＋」６５１、６５２及び「Ｐ＋ｐｌａｙ」６５３はそれぞれチャンネル変更指令の受信、現在のチャンネルからのデータのレンダリングを停止すること、次のチャンネルからのデータのレンダリングを開始することを示している。これらの矢印はそれぞれ図４の矢印４０２、４０４及び４１１に対応している。矢印６７１及び６７２はＡＶデータストリームフロー６７０に対する「リーブ」動作６６０及び「ジョイン」動作６６１の結果をそれぞれ示している。時間ライン６７０はＡＶストリームデータの受信（６８０、６８２）又は非受信（６８１）を示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタルオーディオ／ビデオレシーバにおいてデジタルオーディオ／ビデオチャンネル変更の遅延を低減する方法であって、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ、ｈの順で実行される以下のステップ、
ａ）現在のチャネルから第１の受信されたオーディオ／ビデオストリームに含まれる第１のオーディオ／ビデオデータを受信するステップと、
ｂ）オーディオ／ビデオデコーダを使用して前記受信された第１のオーディオ／ビデオデータを復号化するステップと、
ｃ）前記現在のチャンネルから次のチャンネルへチャンネルを変更するチャンネル変更要求を受信するステップと、
ｄ）前記現在のチャンネルから前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する要求を送出し、前記次のチャンネルから第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する要求を送出するステップと、
ｅ）前記次のチャンネルから前記第２のオーディオ／ビデオストリームに含まれる第２のオーディオ／ビデオデータを受信するステップと、
ｆ）前記オーディオ／ビデオデコーダにおいて、前記受信された第１のオーディオ／ビデオデータの復号化を停止するステップと、
ｇ）前記デジタルオーディオ/ビデオレシーバのリソースを再初期化して、前記受信された第２のオーディオ／ビデオデータを処理するステップと、
ｈ）前記オーディオ／ビデオデコーダにおいて、前記受信された第２のオーディオ／ビデオデータの復号化を開始するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記第１のオーディオ／ビデオストリームの第１のビットレートと前記第２のオーディオ／ビデオストリームの第２のビットレートとの合計が所定の閾値より小さいかどうかを判別するステップを含み、
前記合計が前記所定の閾値より小さければ、前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する前記要求は前記第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する前記要求の後に送出され、
前記合計が前記所定の閾値より小さくなければ、前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する前記要求は前記第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する前記要求の前に送出される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のオーディオ／ビデオストリームの前記ビットレート及び／又は前記第２のオーディオ／ビデオストリームの前記ビットレートは、
前記ストリームの前回の受信の間に前記方法を実行する装置によって行われた前記第１の及び／又は前記第２のオーディオ／ビデオストリームのビットレートの測定から得られたビットレート値、及び／又は
前記装置に接続されたサーバーから受信された前記第１の及び前記第２のオーディオ／ビデオストリームのビットレート値
から決められる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記所定の閾値は、
メモリーに格納された予め設定されたダウンリンク帯域幅、及び／又は
ネットワークトラフィックの測定を通して得たダウンリンク帯域幅の推定
から得られる、請求項２から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記オーディオ／ビデオデコーダにおける停止する前記ステップと前記オーディオ／ビデオデコーダにおける開始する前記ステップとの間に、前記第２のオーディオ／ビデオストリームからのデータ受信のためにメモリーリソースを初期化するステップを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
デジタルオーディオ／ビデオの受信のための装置であって、
第１の受信されたオーディオ／ビデオストリームのビットレートを判定する手段と、
受信されるべき
｛第２のオーディオ／ビデオストリームのビットレートを判定する手段と、
前記第１のオーディオ／ビデオストリームの第１のビットレートと前記第２のオーディオ／ビデオストリームの第２のビットレートとの合計が所定の閾値より小さいかどうか判別する手段と、
前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する要求の送出と前記第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する要求の送出とを順次行う手段であって、
前記合計が前記所定の閾値より小さければ、前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する前記要求は前記第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する前記要求の後に送出され、
前記合計が前記所定の閾値より小さくなければ、前記第１のオーディオ／ビデオストリームの受信を停止する前記要求は前記第２のオーディオ／ビデオストリームの受信を開始する前記要求の前に送出される、前記手段と、
を含む、前記装置。
【請求項７】
前記装置は携帯端末である、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記装置はデジタルオーディオ／ビデオストリームを受信するためのセットトップボックスレシーバである、請求項６又は７に記載の装置。
【請求項９】
前記装置はデジタルオーディオ／ビデオストリームを受信するための内蔵レシーバを有するデジタルテレビジョンセットである、請求項６又は７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドレインとゲートとソースとを有する電界効果トランジスタを備える電子素子であって、該ドレインおよびソースは、第１の型の半導体領域を含み、該第１の型のさらなるドープされた領域が、該ゲートと該ドレインとの中間にあり、該さらなるドープされた領域は、第２の型の半導体領域によって、少なくとも部分的に該ドレインから分離され、かつ、浮動するように構成され、該第１の型は、該第２の型とは反対である、素子。
【請求項２】
前記さらなるドープされた領域は、ソース電圧とドレイン電圧との中間の電圧に浮動するように構成されている、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記さらなるドープされた領域は、中間ドレイン領域を形成する、請求項１に記載の素子。
【請求項４】
前記ゲートは、前記第２の型の半導体材料を含む、請求項１に記載の素子。
【請求項５】
前記トランジスタは、接合型電界効果トランジスタである、請求項１に記載の素子。
【請求項６】
前記ドレインおよび前記さらなるドープされた領域のうちの少なくとも１つは、前記電界効果トランジスタのチャネルに対向する側に、低下されたドーパント濃度の修正されたドーピングプロファイルを有する、請求項１に記載の素子。
【請求項７】
前記第１の型は、Ｎ型半導体である、請求項１に記載の素子。
【請求項８】
前記電界効果トランジスタは、半導体材料の接合型分離井戸および半導体材料の絶縁井戸のうちの１つ内に形成されている、請求項１に記載の素子。
【請求項９】
前記ドレインおよび前記さらなるドープされた領域は、前記トランジスタのチャネルの一部によって、相互から分離されている、請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
ソースと、チャネルと、ドレインと、該ドレインと同一導電性型の中間ドレインとを備える電界効果トランジスタであって、該中間ドレインは、該チャネル内において該ドレインに隣接して配置され、かつ、該ドレインおよび該中間ドレインと反対の導電性型の半導体材料によって、少なくとも部分的に該ドレインから離間され、該中間ドレインが、浮動するように構成されている、電界効果トランジスタ。
【請求項１１】
前記中間ドレインは、前記ドレインと実質的に同一ドーピング濃度および型を有する、請求項１０に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１２】
ソース領域と、第１のドレイン領域および第２のドレイン領域と、該第１のドレイン領域と該ソース領域との間に配置されたゲート領域とを備える電界効果トランジスタであって、該電界効果トランジスタは、該第１のドレイン領域と該ソース領域との間の該ゲートの周りに非対称であり、該第２のドレイン領域は、該第１のドレイン領域と該ソース領域との間の中間にあって、該第１のドレイン領域および該ソース領域から離間され、該第２のドレイン領域が、浮動するように構成され、該第１のドレイン領域および該第２のドレイン領域は、第１の導電性型の半導体材料を備え、該第１のドレイン領域は、第２の導電性型の半導体材料によって、少なくとも部分的に該第２のドレイン領域から分離され、該第１の導電性型は、該第２の導電性型とは異なる、電界効果トランジスタ。
【請求項１３】
前記第２のドレインは、ソース電圧と第１のドレイン電圧との間の電圧に浮動するように構成されている、請求項１２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項１４】
前記ソースおよび前記ドレインは、前記ゲートの周りに非対称的に配設されている、請求項１に記載の素子。
【請求項１５】
前記電界効果トランジスタは、接合型電界効果トランジスタである、請求項１０〜１３のうちのいずれか１項に記載の電界効果トランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月5日(2013.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイポーラトランジスタとフィールドプレートとを含む装置であって、該バイポーラトランジスタは、エミッタ領域と、ベース接点を有するベース領域と、コレクタ領域と、浮動保護領域とを備え、該浮動保護領域は、該ベース領域から分離され、かつ、該ベース領域を囲み、該フィールドプレートは、該バイポーラトランジスタの該浮動保護領域から絶縁され、該バイポーラトランジスタの該浮動保護領域の上方に配置され、該バイポーラトランジスタの該浮動保護領域を全体的に覆い、該バイポーラトランジスタの該浮動保護領域を越えて延在する、装置。
【請求項２】
前記バイポーラトランジスタは、少なくとも部分的に前記浮動保護領域と前記ベース領域との間に電界絶縁層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記バイポーラトランジスタは、前記コレクタ領域が、前記ベース領域の下に延在するように、垂直方向に形成されたトランジスタである、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
接続領域は、電気接点が前記垂直トランジスタの表面から前記コレクタ領域まで作られ得るように、該コレクタ領域から該垂直トランジスタの表面まで延在する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記バイポーラトランジスタは、絶縁体によって境界を決められた井戸内に形成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記絶縁体は、二酸化ケイ素である、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記エミッタ領域および前記コレクタ領域は、第１の導電型の領域を形成するようにドープされ、前記ベース領域および前記浮動保護領域は、該第１の型と反対の第２の導電型の領域を形成するようにドープされる、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記第１の型の領域は、Ｐ−型半導体であり、前記第２の型の領域は、Ｎ−型半導体である、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記第１の型は、Ｎ−型半導体であり、前記第２の型は、Ｐ−型半導体である、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記ベース領域および前記コレクタ領域の中間に半導体材料のさらなる領域をさらに備え、該さらなる領域のドーピング濃度は、該コレクタ領域より低い濃度でドープされている範囲内である、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記浮動保護領域の縁は、前記ベース領域の縁から４μｍから６μｍにある、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記浮動保護領域は、実質的に３μｍ幅である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
バイポーラトランジスタを製造する方法であって、
エミッタ領域と、ベース領域と、コレクタ領域とを形成することと、
該ベース領域から分離され、かつ、該ベース領域を囲む浮動保護領域を形成することと、
該浮動保護領域の上方に配置されたフィールドプレートを生成することであって、該フィールドプレートは、該浮動保護領域の縁を全体的に覆い、該浮動保護領域の縁から絶縁され、該浮動保護領域の縁を越えて延在する、ことと
を含む、方法。
【請求項１４】
前記エミッタ領域と、前記ベース領域と、前記コレクタ領域とを形成することは、該ベース領域の下に該コレクタ領域を生成して、垂直トランジスタを画定することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
電気接点が垂直トランジスタの表面から前記コレクタ領域まで作られ得るように、該コレクタ領域から該垂直トランジスタの表面まで接続領域を延在させることをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記エミッタ領域と、前記ベース領域と、前記コレクタ領域とを形成することは、絶縁体によって境界を決められた井戸内に該領域を提供することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記浮動保護領域を形成することは、単一マスクを通して、該浮動保護領域および前記ベース領域を同時にドープすることを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１８】
少なくとも部分的に前記浮動保護領域と前記ベース領域との間に電界絶縁層を生成することをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１９】
前記バイポーラトランジスタは、前記ベース領域と前記コレクタ領域との間に形成されたＰＮ接合点の縁の周りに空乏領域を形成するように構成され、前記浮動保護領域は、該空乏領域を延在させるように構成されている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項２０】
前記エミッタ領域および前記コレクタ領域は、第１の導電型を有し、前記ベース領域および前記浮動保護領域は、第２の導電型を有し、該第２の導電型は、該第１の導電型とは反対である、請求項１または２に記載の装置。
【請求項２１】
前記浮動保護領域は、前記ベース領域と同一導電型を有し、電界絶縁層は、該浮動保護領域に当接する第１の縁と、該ベース領域に当接する第２の縁とを有し、該電界絶縁層は、該ベース領域の少なくとも一部を該浮動保護領域から絶縁するように構成され、前記バイポーラトランジスタは、該ベース領域と前記コレクタ領域との間に形成されたＰＮ接合点の縁の周りに空乏領域を形成するように構成され、該浮動保護領域は、該空乏領域を分散させるように構成されている、請求項１または２に記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月26日(2013.2.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板（１）の製造方法において、
・実質的に平坦なシリコン表面を有するシリコン基板を設ける工程と、
・多数の孔（２）を有する多孔質のシリコン表面、とりわけマクロ孔および／またはメソ孔および／またはナノ孔を有する多孔質のシリコン表面を形成する工程と、
・シリコンに挿入すべき次のような充填材料（３）、すなわち、該孔（２）の直径より小さい直径を有する充填材料（３）を設ける工程と、
・振動の生成によって該充填材料（３）を該孔（２）に挿入する工程と、
・場合によっては、過剰な充填材料（３）を該シリコン基板から除去する工程と、
・該孔（２）に充填された充填材料（３）を有する該シリコン基板（１）を、約１０００℃〜約１４００℃の間の温度でアニールすることにより、該孔（２）を閉鎖して該充填材料（３）を閉じ込める工程
とを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記振動は、超音波および／または前記シリコン基板の機械的な運動によって生成される、請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
前記充填材料（３）を、超臨界二酸化炭素および／または液相（懸濁、乳濁）の状態で前記孔（２）に挿入する、請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
前記多孔質のシリコン表面の孔（２）を電気化学的なアノード処理によって形成する、請求項１から３までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン基板をアニールする工程は、水素雰囲気で行う、請求項１から４までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン基板（１）は単結晶シリコンマトリクスである、請求項１から５までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項７】
挿入すべき前記充填材料をナノ粒子の形態で挿入する、請求項１から６までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項８】
挿入すべき前記充填材料は炭素および／または炭素化合物である、請求項１から７までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項９】
挿入すべき前記充填材料は炭化水素または高分子の芳香族炭素化合物または脂肪族炭素化合物または窒素‐炭素化合物である、請求項１から７までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１０】
挿入すべき前記充填材料（３）は、２つまたは３つ以上の異なる材料の混合物である、請求項１から９までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１１】
前記孔（２）を、前記シリコン基板の第１の単結晶のシリコン層でのみ生成する、請求項１から１０までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１２】
挿入すべき前記充填材料（３）は、ｐ型またはｎ型の炭化シリコンを製造するためのドーパントを含む、請求項１から１１までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１３】
孔（２）を有するように形成された前記シリコン基板（１）の第１の領域に第１の材料を充填し、
孔を有するように形成された該シリコン基板の第２の領域に、該第１の充填材料と異なる第２の充填材料を充填する、請求項１から１２までのいずれか１項記載の製造方法。
【請求項１４】
挿入すべき前記充填材料（３）は、希土類の群から選択され、前記充填材料（３）を多孔質のシリコン基板に挿入後、該シリコンを酸化する、請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか１項記載の方法で製造されたシリコン基板。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
特に有利には、振動の生成によって、シリコン表面の孔に充填材料を充填する。このことはたとえば、振動テーブル等によって機械的に行うか、または超音波によって行うことができる。このような振動は有利には２つの異なる方向で生成され、とりわけ２つの相互に垂直な方向に生成される。択一的に、超臨界二酸化炭素によって、または液相から、たとえば懸濁または乳濁から、シリコン表面の孔に充填材料を充填することもできる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
口の洗浄に使用するための液滴噴霧作成装置であって、前記装置は：
オリフィス板を貫く少なくとも１つのオリフィス開口部を持ったオリフィス板を中に有するスプレーヘッド筐体；
前記スプレーヘッド筐体に液体を届けるための液体ライン(line)システムであって、前記オリフィス開口部を通る液体の流量が、前記液体が前記オリフィス開口部を通り液体流としてそこから出る前記オリフィス開口部の大きさに対し十分大きいシステム；及び
前記スプレーヘッド筐体中の少なくとも２つの気体開口部を通って前記スプレーヘッド筐体に気体を届けるための気体ラインシステムを含み、
前記２つの気体開口部は前記オリフィス開口部の下流にあり、前記２つの気体開口部はそこからの気体流が略１８０°離れて前記オリフィス開口部からの前記気体流に略垂直に衝突するように方向付けられ、
前記スプレーヘッド筐体は、前記スプレーヘッド筐体から下流であるとともに前記スプレーヘッド筐体の前記２つの気体開口部から下流に、前記気体開口部を有する前記スプレーヘッド筐体の一部より小さい直径である１ｍｍ以下であるが０．４ｍｍより大きい直径を有する出口ダクトを有する、液滴加速部を含み、
前記オリフィス開口部は１５０−３５０μｍの範囲の直径を有し、
前記スプレーヘッドの内部は、前記気体開口部を通る前記気体流に対して、前記気体流が、歯の洗浄をするために、毎秒２５−７０ｍの範囲の十分な速度と十分な大きさとを有する液滴噴霧に前記液体流を分解するのに十分な速度と流量で前記オリフィス開口部からの前記液体流に衝突するように、構成され且つ配置される、
装置。
【請求項２】
前記液体流により作られた圧力が、液体の表面張力に打ち勝つために必要な圧力より実質的に大きい請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項３】
前記オリフィス開口部が０．５ｍｍ以下の直径を有する請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項４】
前記オリフィス板が、シリコンを含む物資でできている請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項５】
前記オリフィス板が、複数のオリフィス開口部を含む請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項６】
前記加速ダクトの直径が約０．４ｍｍで且つ前記オリフィス開口部の直径が１５０−２００μｍの範囲である請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項７】
前記システムが、前記オリフィス開口部からの液体流を囲む前記筐体内に中央輪部材を含み、前記中央輪が中央輪を貫く一定間隔の複数の開口部を含み、各開口部のペアーは約１８０°の角度を為し且つ前記液体流ラインに垂直で、前記気体流が前記中央輪に向けられ、且つ前記中央輪開口部が前記オリフィス開口部からの前記液体流に対し開いている請求項１の液滴噴霧装置。
【請求項８】
前記システムが、前記オリフィス開口部からの前記液体流を囲む中央輪部材を含み、前記中央輪部材が前記液体流に対し開いている中央輪を囲む連続的開口部を含み、前記中央輪部材が前記筐体に配られる前記気体流を受け取る請求項１の液滴噴霧装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月2日(2013.8.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３３】
前記VIII因子タンパク質が、前記タンパク質を野生型VIII因子とアライメントしたときに309位のフェニルアラニンをセリンにした置換を含む、請求項３１に記載の核酸分子。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療的または予防的使用のためのエイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）濃厚(rich)組成物の取得方法であって、
該方法が、大規模従属栄養増殖（largely heterotrophic growth）の能力、ＥＰＡの産生能力、および光合成脂質産生能力を有する微生物の培養物を使用すること；
該方法が、有機炭素をエネルギー源として使用する条件下で細胞を増殖する培養期(phase)を含むこと；
該条件が、培養物内部で、４０μｍｏｌフォトン／ｍ２／ｓ未満の平均的光合成活性放射照度に相当するレベルで制御照射を使用することと、リンおよびシリコンを含む範囲から選択される栄養素の制限を課すことと、有機炭素成分を、４〜２４時間の期間に、培養物の将来予測される増殖に従って、経時的に増加させ供給すること；
当該手法が少なくとも１つのＥＰＡ側鎖を含む極性脂質の量と、ＥＰＡに富む組成物を作り出す収穫プロセスとを最大化するために実施するものであり、該収穫プロセスは、少なくとも１つのＥＰＡ側鎖を有する中性脂質よりも、少なくとも１つのＥＰＡ側鎖を有する極性脂質を選択的に回収して、エイコサペンタエン酸（ＥＰＡ）濃厚組成物を生じさせることを含むこと
を特徴とする方法。
【請求項２】
該条件が、培養物内部で、１〜１０μｍｏｌフォトン／ｍ２／ｓの平均的光合成活性放射照度に相当するレベルで制御照射を使用することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
該微生物の培養物が、同定された海産微生物を含有してなることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
該微生物の培養物が、同定された微細藻類を含有してなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項５】
該微生物が、ニッスキア・レビス（Nitzschia laevis）として知られる海産単細胞珪藻から構成されることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項６】
該微生物が、培養条件下にあるときに、ＥＰＡを有する少なくとも１つの側鎖を含む分子を有する極性脂質の収率を改善するために選択される微生物の株を含有してなることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記収穫プロセスは、以下の工程： 
ａ）選択した時間に培地から細胞を採取する工程；
ｂ）内在性酵素を変性させるために細胞を加熱死滅させる工程；
ｃ）細胞をバイオマスのケーキに成型する工程；
ｄ）第一の非選択的脂質溶媒でバイオマスのケーキを抽出し、抽出した物質を残渣として溶媒から回収する工程；
ｅ）該残渣を第二の選択的溶媒により抽出して、非極性ＥＰＡ濃厚脂質組成物が極性ＥＰＡ濃厚脂質組成物から分離されるようにし、場合によっては、さらに、必要な標準的純度を達成するために、ＥＰＡ濃厚組成物のいずれかのタイプまたは両方をさらに精製する工程；
をさらに含む、請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
微生物は、ガラクトリピド内のＳｎ１位置に濃縮されたＥＰＡに富むガラクトリピドを蓄積する、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
培養は、全ＥＰＡの４０％〜７０％を、極性脂質に含まれるＥＰＡとして産生する、請求項１〜８のいずれか１つに記載の方法。 
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８３】
好ましくは、該培養は管理条件下で、ＥＰＡの４０％〜７０％を極性脂質（中性脂質とは明らかに異なるものとして）に含まれるＥＰＡとして産生し得る；より好ましくはその比率は５０％を超え、より好ましくは６０％以上である。
第二の広義の局面において、本発明は、本明細書にすでに記載した培養物に由来するＥＰＡ濃厚組成物であって、該ＥＰＡ濃厚組成物が以下の工程：
選択した時間に培地から細胞を採取する工程；
内在性酵素を変性させるために細胞を加熱またはさもなくば死滅させる工程；
細胞をバイオマスのケーキに成型する工程；
第一の非選択的脂質溶媒でバイオマスのケーキを抽出し、抽出した物質を残渣として溶媒から回収する工程（略臨界のジメチルエーテルの使用が一つの選択である）；
該残渣を第二の選択的溶媒により抽出して、中性ＥＰＡ濃厚脂質組成物が極性ＥＰＡ濃厚脂質組成物から分離されるようにし、場合によってはさらに、必要な標準的純度を達成するために、ＥＰＡ濃厚組成物のいずれかのタイプまたは両方をさらに精製する工程；
からなる採取方法によって得る組成物を提供する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水溶性担体物質中で１０００ｎｍ未満の粒径を有するナノ分散体形態の非水溶性オピオイドを含み、遊離溶媒量が１５質量％未満である水溶性組成物の製造方法であって、以下の工程：
ａ）ｉ）非水溶性オピオイド
ｉｉ）水溶性担体物質、及び
ｉｉｉ）前記オピオイドと前記担体物質のそれぞれのための溶媒、
を含む混合物を準備する工程；並びに、
ｂ）前記混合物をスプレー乾燥させて前記すなわちそれぞれの溶媒を除去し、前記組成物を得る工程、
を含み
前記水溶性担体物質が、水溶性高分子物質及び／又は水溶性界面活性剤であり、
前記水溶性高分子物質が、
（ａ）天然高分子；
（ｂ）セルロース誘導体；
（ｃ）以下の群から選択される２種以上のモノマー類から調製されるホモポリマー又はコポリマー：ビニルアルコール、アクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド、メタクリルアミド、アクリルアミドメチルプロパンスルホネート類、アミノアルキルアクリレート類、アミノアルキル-メタクリレート類、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメチルアクリレート、ビニルピロリドン、ビニルイミダゾール、ビニルアミン類、ビニルピリジン、エチレングリコール及びその他のアルキレングリコール類、エチレンオキシド及びその他のアルキレンオキシド類、エチレンイミン、スチレンスルホネート類、エチレングリコールアクリレート類、及びエチレングリコールメタクリレート；
（ｄ）シクロデキストリン類
からなる群から選択され、
前記水溶性界面活性剤が、ノニオン性、アニオン性又はカチオン性である、製造方法。
【請求項２】
前記天然高分子が、グアーガム、アルギネート、ローカストビーンガム、及びデキストランからなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記セルロース誘導体が、キサンタンガム、キシログルカン、セルロースアセテート、メチルセルロース、メチル-エチルセルロース、ヒドロキシ-エチルセルロース、ヒドロキシ-エチルメチル-セルロース、ヒドロキシ-プロピルセルロース、ヒドロキシ-プロプルメチルセルロース、ヒドロキシ-プロピルブチルセルロース、エチルヒドロキシ-エチルセルロース、カルボキシ-メチルセルロース及びその塩類、並びにカルボキシ-メチルヒドロキシエチルセルロース及びその塩類からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記シクロデキストリン類が、β-シクロデキストリンである、請求項１記載の方法。
【請求項５】
以下の工程：
ａ）ｉ）非水溶性オピオイドのための水に非混和性の溶媒中の非水溶性オピオイドの溶液と
ｉｉ）水溶性担体物質の水溶液、とを含むエマルションを準備する工程；及び
ｂ）前記エマルションをスプレー乾燥させて、水と、水に非混和性の溶媒とを除去し、前記組成物を得る工程、
を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
以下の工程：
ａ）ｉ）少なくとも１種の水に混和性の、非水性溶媒、
ｉｉ）任意選択で水、
ｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の混合物中に可溶性である水溶性担体物質、及び
ｉｖ）（ｉ）及び（ｉｉ）の混合物中に可溶性の非水溶性オピオイド、
を含む単一相混合物を準備する工程；並びに
ｂ）前記の溶液をスプレー乾燥させて、水と、水に混和性の溶媒とを除去し、前記組成物を得る工程、
を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記スプレー乾燥を１２０℃以上の温度で行う、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記水溶性高分子担体物質が、ポリエチレングリコール、ポリビニルピロリドン、ポリ(２-エチル-２-オキサゾリン)、ポリビニルアルコール、ヒドロキシプロピルセルロース及びヒドロキシプロピル-メチルセルロース、並びにアルギネートのうちの少なくとも１つを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記水溶性界面活性剤担体物質が、アルコキシル化ノニオン界面活性剤、エーテルサルフェート界面活性剤、カチオン界面活性剤、又はエステル界面活性剤のうち少なくとも１つを含む、請求項１〜８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記非水性溶媒が、ジクロロメタン、クロロホルム、エタノール、アセトン、及びジメチルスルホキシドのうち少なくとも１種を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法によって組成物を調製する工程を含む、鎮痛に、麻酔に、又は下痢の治療に用いる医薬の調製方法。
【請求項１２】
非水溶性オピオイドと水溶性担体とを含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の製造方法によって得られる組成物であって、前記担体物質中にナノ分散された１０００ｎｍ未満の平均粒径をもつオピオイド粒子を含む組成物。
【請求項１３】
前記オピオイド粒子の平均粒径が２００〜１０００ｎｍである、請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
前記オピオイド粒子の平均粒径が４００〜１０００ｎｍである、請求項１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記オピオイド粒子の平均粒径が５００〜８００ｎｍである、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
一種以上のさらなる医薬活性剤をさらに含有する、請求項１２〜１５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
鎮痛剤を含有する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
前記鎮痛剤が、パラセタモール又はＮＳＡＩＤである、請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
制吐剤を含有する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２０】
前記制吐剤が、ハロペリドールである、請求項１９に記載の組成物。
【請求項２１】
胃腸運動促進剤を含有する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２２】
前記胃腸運動促進剤が、ドンペリドン又はメトクロプラミンである、請求項２１に記載の組成物。
【請求項２３】
緩下剤を含有する、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２４】
オキシダーゼ阻害剤を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項２５】
前記オキシダーゼ阻害剤が、キニン誘導体である、請求項２４に記載の組成物。
【請求項２６】
鎮痛に、麻酔に、又は下痢の治療に用いるための、請求項１２〜２５のいずれか一項に記載の組成物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明との関連では、実質的に溶媒を含まないとは、国際的な医薬品監督団体（例えば、ＦＤＡ、ＥＭＥＡ）によって、医薬製品中の残存溶媒量に関して許容された限度内を意味し、及び／又は製品の遊離（フリー）の溶媒量が１５質量％未満、好ましくは１０質量％未満、より好ましくは５質量％未満、最も好ましくは２質量％未満であることを意味する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の主題は、以下の複素環式基本構造：１，２，４−ベンゾトリアジンＡ及び／又はＢ及び／又はピラゾロ−［１，５−ａ］−ベンズイミダゾールＣ及び／又はＤ
【化１】
2009542767.tif 000001
［式中、置換基Ｒ1及びＲ2は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル及び／又は任意のπ不足芳香族化合物の、相互に独立した意味合いを有することができる］
のうち１つを含有する、複素芳香族成分である。特に、π不足芳香族化合物として、縮合された、及び、縮合されていない、１個又は数個の窒素原子を有する芳香族の六員のアザ複素環が理解される。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の複素環式基本構造：１，２，４−ベンゾトリアジンＡ及び／又はＢ及び／又はピラゾロ−［１，５−ａ］−ベンズイミダゾールＣ及び／又はＤ
【化１】
2009542767.tif 000002
［式中、置換基Ｒ1及びＲ2は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル及び／又は任意のπ不足芳香族化合物の、相互に独立した意味合いを有することができ、
Ｒ3は、アリール及び／又はアルキルの意味合いを有する］
のうち１つを含有する、複素芳香族化合物。
【請求項２】
Ｒ3が少なくとも一化合物中でフェニルの意味合いを有する、請求項１記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ3が、少なくとも１回メチルの意味合いを有する、請求項１又は２記載の化合物。
【請求項４】
式４
【化２】
2009542767.tif 000003
の化合物が前記式Ａの化合物または前記式Ｂの化合物に変換され、あるいは、
式７
【化３】
2009542767.tif 000004
の化合物が、前記式Ｃの化合物または前記式Ｄの化合物に変換され、
前記式４の化合物の前記式Ｂの化合物への変換工程は、前記式４の化合物と式Ｒ1Ｒ2Ｃ＝Ｏの化合物との反応を含み、
前記式７の化合物の前記式Ｄの化合物への変換工程は、前記式７の化合物と式Ｒ1Ｒ2Ｃ＝Ｏの化合物との反応を含み、
置換基Ｒ1およびＲ2は、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチル及び／又は任意のπ不足芳香族化合物の、相互に独立した意味合いを有することができ、Ｒ3はアリールおよび／またはアルキルの意味合いを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の化合物の製造方法。
【請求項５】
Ａ）式３
【化４】
2009542767.tif 000005
の化合物の形成のために、式１
【化５】
2009542767.tif 000006
の化合物を式２
【化６】
2009542767.tif 000007
の化合物と反応させる工程、および
Ｂ）前記式３の化合物を前記式４の化合物に変換させる工程
により、前記式４の化合物を製造する、請求項４に記載の化合物の製造方法。
【請求項６】
Ａ）式６
【化７】
2009542767.tif 000008
の化合物の形成のために、式１
【化８】
2009542767.tif 000009
の化合物を、式５
【化９】
2009542767.tif 000010
の化合物と反応させる工程、および、
Ｂ）前記式６の化合物を前記式７の化合物に変換する工程
により、前記式７の化合物を製造する、請求項４に記載の化合物の製造方法。
【請求項７】
有機エレクトロニクス中での電子輸送材料としての請求項１から３までのいずれか１項記載の化合物の使用。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか１項記載の化合物を含む、有機エレクトロニクス構成要素。
【請求項９】
置換基Ｒ1及びＲ2は、任意のπ不足芳香族化合物の、相互に独立した意味合いを有し、芳香環における電子密度はベンゾール環に対して減少している、請求項１記載の化合物。
【請求項１０】
π不足芳香族化合物は、縮合された芳香族の六員のアザ複素環、縮合されていない芳香族の六員のアザ複素環、少なくとも３つのヘテロ原子を有する五員環のπ不足芳香族化合物の群から選択され、ただし、前記複素芳香族化合物のヘテロ原子はＳ、ＯおよびＮおよびこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１記載の化合物。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】発明の名称
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【発明の名称】芳香族アザ複素環、その製造方法及びこの材料の有機エレクトロニクス中での使用ならびに有機エレクトロニクス構成要素
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリタングステン酸塩を用いた、アルカノールと硫化水素との触媒気相反応によるアルキルメルカプタンの製造方法において、前記反応体の反応を少なくとも２の連続する反応帯域で行い、前記反応帯域は異なる活性の触媒を含み、アルキルメルカプタン形成に対して、第１の反応帯域で使用される触媒の活性が、第２の、またはさらなる反応帯域で使用される触媒の活性より低い、アルキルメルカプタンの製造方法。
【請求項２】
第２の帯域における触媒が、生成するアルキルメルカプタンの、副生成物への反応を触媒しないか、または≦１％の選択性で触媒する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の帯域における触媒が、アルカノールと硫化水素との、副生成物への反応を触媒しないか、または≦１％の選択性で触媒する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
第２の反応帯域における触媒の活性は、同じ標準試験条件下で、第１の反応帯域で使用される触媒の活性よりも少なくとも１％高い、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
第２の反応帯域における触媒の活性は、第１の反応帯域で使用される触媒の活性よりも１０〜５０％高い、請求項４記載の方法。
【請求項６】
ハロゲン化物含有の、および／またはハロゲン化物不含のアルカリタングステン酸塩を触媒として使用する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
第１の反応帯域においてハロゲン化物不含のアルカリタングステン酸塩を、かつ第２の反応帯域においてハロゲン化物含有のアルカリタングステン酸塩を使用する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
臭化物含有のアルカリタングステン酸塩を使用することを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第１の反応帯域において使用されたアルコールが３０〜９５％反応した後、メルカプタン形成に関して第１の反応帯域で使用されたものより高い活性を有する触媒に変更する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
第１の反応帯域におけるより低い触媒活性を、固体の不活性材料による触媒量の希釈によって達成する、請求項２から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
第１と第２の反応帯域、またはさらなる反応帯域において同一の触媒を使用する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
第１の反応帯域におけるより低い触媒活性を、比表面積、細孔径分布、細孔容積、ペレット直径、およびペレット形態の群から選択された、１または複数の物理的な特性の変化によって達成する、請求項２から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
相互に直列に接続されている異なる反応器において反応帯域が連続している、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応帯域が直接相互に連結されている、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
硫化水素とメタノールをメチルメルカプタンに反応させる、請求項１から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
これに対して第１の反応帯域には好ましくは、アルキルメルカプタン形成に比べて付加的なアルカノールと硫化水素との反応を触媒せず、またはほとんど触媒せず（選択性が好ましくは≦１％）、同時並行的に進行する反応、例えばジメチルエーテルへと反応させない、１の触媒を装入する。これらの触媒は好ましくはメルカプタン形成を顧慮して、第２の反応帯域の触媒より低い活性である。さらには第１の反応帯域のための触媒は、好ましくは熱負荷により強く、かつ高温でも良好な選択性でアルキルメルカプタンをもたらす。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの１型又は２型多形体。
【請求項２】
１：１〜１：４の範囲でオロチン酸がイオン結合している、オロチン酸と結合された５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの１型又は２型多形体。
【請求項３】
前記塩基：酸比が、１：１〜１：４の範囲である、請求項２に記載の多形体。
【請求項４】
前記塩基：酸比が、０．７：１．３である、請求項２に記載の多形体。
【請求項５】
オロチン酸と結合された５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの１型多形体の製造方法であって、前記オロチン酸が１：１〜１：４の範囲でイオン結合しており、以下の工程、
ジフェニルホスホリルアジドを３，５−ジクロロ−４−（４’−クロロベンゾイル）ベンジルアルコールと反応させて３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドを得る工程、
２−シアノアセトアミドを３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドと反応させて、５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドを得る工程、及び
オロチン酸を５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドと反応させる工程、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項６】
５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの１型多形体の製造方法であって、以下の工程、
ジフェニルホスホリルアジドを３，５−ジクロロ−４−（４’−クロロベンゾイル）ベンジルアルコールと反応させて３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドを得る工程、及び
２−シアノアセトアミドを３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドと反応させて、５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドを得る工程、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項７】
オロチン酸と結合された５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの２型多形体の製造方法であって、前記オロチン酸が１：１〜１：４の範囲でイオン結合しており、以下の工程、
ジフェニルホスホリルアジドを３，５−ジクロロ−４−（４’−クロロベンゾイル）ベンジルアルコールと反応させて３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドを得る工程、
２−シアノアセトアミドを３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドと反応させて、５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドを得る工程、及び
オロチン酸を５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドと反応させる工程、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項８】
５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドの２型多形体の製造方法であって、以下の工程、
ジフェニルホスホリルアジドを３，５−ジクロロ−４−（４’−クロロベンゾイル）ベンジルアルコールと反応させて３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドを得る工程、
２−シアノアセトアミドを３，５−ジクロロ−４−（４−クロロベンゾイル）ベンジルアジドと反応させて、５−アミノ−１−（４−（４−クロロベンゾイル）−３，５−ジクロロベンジル）−１，２，３−トリアゾール−４−カルボキサミドを得る工程、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項９】
薬剤としての使用のための、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多形体又は請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法によって製造される多形体。
【請求項１０】
固形癌、黄斑変性症、網膜症、慢性骨髄性白血病又はＡＩＤＳの治療における使用のための、請求項１〜４のいずれか１項に記載の多形体又は請求項５〜８のいずれか１項に記載の方法によって製造される多形体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体における表皮の過剰増殖性の予防または治療のための難消化性オリゴ糖またはその塩を活性成分として含有する組成物であって、該難消化性オリゴ糖がオリゴフルクトースを含有し、かつ、活性成分として該難消化性オリゴ糖またはその塩を組成物中０．５〜８０質量％含むことを特徴とする前記組成物。
【請求項２】
前記表皮の過剰増殖性が、ケラチン生成細胞過剰増殖性である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記ケラチン生成細胞過剰増殖性が、乾癬ケラチン生成細胞過剰増殖性である請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
前記ケラチン生成細胞過剰増殖性が、尋常性ケラチン生成細胞過剰増殖性である請求項１または２に記載の組成物。
【請求項５】
前記難消化性オリゴ糖またはその塩を活性成分として組成物中０．５〜５０質量％含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記難消化性オリゴ糖またはその塩を活性成分として組成物中１〜２５質量％含まれることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
更に、薬学的に許容される希釈剤または担体を含有する請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
希釈剤または担体が、ピーナツ油、水、ヤシ脂肪酸エチル、ヤシ脂肪酸オクチル、ポリオキシエチレン化硬化ヒマシ油、流動パラフィン、イソプロパノール、グリセロール、プロピレングリコール、パラフィン、セルロース、パラベン、ステアリルアルコール、ポリエチレングリコール、イソプロピルミリステート及びフェノキシエタノールよりなる群から選ばれる一種以上の成分である請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
栄養食品または飲料品の調製における、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１０】
局所皮膚適用製剤の製造における、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１１】
経口用製剤の製造における、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１２】
経口用製剤が０．５ｍｇ〜７ｇのオリゴフルクトースを活性成分として含有する請求項１１に記載の組成物の使用。
【請求項１３】
薬学的組成物の調製における、請求項１〜７のいずれかに記載の組成物の使用。
【請求項１４】
局所皮膚適用製剤が、溶液、クリーム、軟膏、ゼリー、ゲル、シャンプー、スプレー、泡状物、粉末、リポソーム、水溶液、油性溶液及び懸濁液よりなる群から選ばれる一種以上の製剤であることを特徴とする請求項１０に記載の組成物の使用。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれかに記載のオリゴフルクトースを含有する組成物を用いて調製された薬学的組成物、栄養製品、経口用製剤または局所用製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(S)‐N‐メチル‐3‐(1‐ナフチルオキシ)‐3‐(2‐チエニル)プロピルアミン塩酸塩、すなわち式I
【化１】
2013503823.tif 000001
のデュロキセチンが、非プロトン性溶媒及びプロトン性溶媒の混合物から結晶化されることを特徴とする、結晶デュロキセチンの調製のための方法。
【請求項２】
酢酸エチル、アセトン、又はエチルメチルケトン(2‐ブタノン)が前記非プロトン性溶媒として用いられ、且つ水、メタノール、エタノール又は2‐プロパノールが前記プロトン性溶媒として用いられることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記結晶化が、30℃から溶媒の混合物の沸点までの範囲の温度で行われることを特徴とする、請求項1又は2に記載の方法。
【請求項４】
結晶化の間、水の含量が、1.70体積％〜0体積％に及ぶことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
結晶化の間、メタノール、エタノール、又は2‐プロパノールの含量が、50体積％〜0体積％に及ぶことを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
結晶化の間、非プロトン性とプロトン性溶媒の体積比が、非プロトン性溶媒の段階的な添加により調整されることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
プロトン性溶媒の、すなわち、水、メタノール、エタノール、又は2‐プロパノールの含量が、蒸留による、プロトン性溶媒の、又は水、メタノール、エタノール、又は2‐プロパノールを含む溶媒の共沸性混合物の段階的除去により、結晶化の間減少することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
プロトン性溶媒の、すなわち、水、メタノール、エタノール、又は2‐プロパノールの含量が、蒸留及び非プロトン性溶媒の同時添加による、プロトン性溶媒の、又は水、メタノール、エタノール、又は2‐プロパノールを含む溶媒の共沸性混合物の段階的除去により、結晶化の間減少することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
デュロキセチンの結晶化後、懸濁液が20〜40℃に冷却され、且つデュロキセチンが濾過より取り除かれることを特徴とする、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
見かけの密度が、0.25 g/cm3超であることを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項１１】
見かけの密度が、0.30〜0.40 g/cm3の範囲であることを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項１２】
平滑で透明な結晶を含むことを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項１３】
少なくとも80μmの、レーザー回折により測定されるd(0.9)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１４】
90〜190μmの範囲で、レーザー回折により測定されるd(0.9)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１５】
少なくとも30μmの、レーザー回折により測定されるd(0.5)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１６】
35〜80μmの範囲で、レーザー回折により測定されるd(0.5)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１７】
少なくとも10μmの、レーザー回折により測定されるd(0.1)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１８】
10〜30μmの範囲で、レーザー回折により測定されるd(0.1)パーセンタイルの値を有する、結晶デュロキセチン。
【請求項１９】
90μmより大きい結晶を少なくとも10％を含むことを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２０】
50μmより大きい結晶を少なくとも33％を含むことを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２１】
10μmより大きい結晶を少なくとも90％を含むことを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２２】
結晶の少なくとも65％が、1〜2の範囲の伸長パラメータ値を有することを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２３】
結晶の少なくとも85％が、1〜3の範囲の伸長パラメータ値を有することを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２４】
150μm2超の平均面積値を有する結晶を含むことを特徴とする、結晶デュロキセチン。
【請求項２５】
請求項10〜24のいずれか一項に定義されるようなデュロキセチン、及びさらなる医薬的に許容される賦形剤を含むことを特徴とする、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジブリン、賦形剤、乳化剤、崩壊剤、希釈剤および滑剤を含む経口処方物であって、賦形剤、乳化剤、崩壊剤、希釈剤および滑剤のうちのいずれか２つ以上が単一成分であり得る経口処方物。