【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン化した放射線ビームを基板テーブル上の窪みの中の基板ホルダ上に保持した基板の目標部分上に投影するように構成したリソグラフィ装置であって、
投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システム、
上記液体を上記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材、
上記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の上記目標部分を動かすように準備した基板テーブル変位システム、
この基板が局部冷却を受けそうな、この基板変位システムの位置およびタイミングを含む予定表、および
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発または凝縮によるエネルギー損失の正味速度を、蒸発または凝縮制御技術を前記予定表と同期させることによって、制御するように準備した液体蒸発および凝縮制御装置を含むリソグラフィ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、この局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って上記基板の少なくとも一部を加熱するように構成した基板ヒータを含む装置。
【請求項３】
請求項１に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、この局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って前記基板テーブルの少なくとも一部を加熱するように構成した基板テーブルヒータを含む装置。
【請求項４】
請求項１に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置が、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、局部基板温度、並びにこの基板テーブル温度に従って前記液体供給システムの少なくとも一部を加熱するように構成した液体供給システムヒータを含む装置。
【請求項５】
請求項４に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体供給システムヒータが液体供給システムの壁に組込んだ二つの電気ヒータおよび基板と投影システムの最終素子との間のスペースに温度センサを含み、これらのヒータは、この温度センサが測定したこの液体の温度変動に応じてこの液体供給システムの中の液体を加熱するように構成してある装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記投影システムによる投影の間に基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこで前記蒸発制御技術がこのエアナイフに圧縮した加湿空気を供給することを含む装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御技術がこの液体閉込めシステムに圧縮した加湿空気を供給することを含む装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記投影システムによる投影の間に基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこで前記蒸発制御技術が前記エアナイフの中の空気を加熱することを含む装置。
【請求項９】
請求項８に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記エアナイフの中の空気を発光ダイオードを使って加熱する装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記エアナイフとエアナイフ抽出導管との間の領域に暖かい加湿空気を供給する装置。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体閉込めシステムの上流で暖かい加湿空気から復水を分離するための復水分離器をさらに含む装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、この投影システムによる投影の間にこの基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフ、この基板の表面からこの空気流を除去するためのエアナイフ抽出システムおよびこの空気とは別にこの基板の表面から液体を除去するためにこの基板の上に吊したマイクロ篩を含み、そこでこの蒸発制御技術がこのエアナイフとこのマイクロ篩の相対高さを、液体と空気の両方を、この液体、この空気およびこの基板の間のエネルギーがこの基板を最適温度に保つような速度および比率で除去するように最適化することを含む装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のリソグラフィ装置に於いて、
前記基板上の前記エアナイフの高さが２００μｍ未満若しくは約１２５μｍであるか、
前記基板の上の前記マイクロ篩の高さが約５０μｍであるか又は、
前記基板の上のエアナイフの高さが基板の上のこのマイクロ篩の高さより約５０ないし１００μｍ高い装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、前記基板が冷されそうで、従って基板からの液体の蒸発が起りそうな時刻、並びに時間の関数としての蒸発力およびこの基板テーブルまたは基板上の位置を含む装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載のリソグラフィ装置であって、更に、前記投影システムによる投影の間にこの基板表面へ空気の流れを供給するためのエアナイフをさらに含み、そこでこの予定表は、この基板が冷されそうなときとしての時刻およびこの基板上のエアナイフの位置を含む装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記予定表が、一連の基板の中の本基板のシーケンス番号をさらに含む装置。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、この予定表が、更に、実際の基板タイミングを予備計算した最適タイミングと比較する、センサからの入力を含む装置。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記予定表が、更に、この基板を照射する放射線のパラメータに関する入力を含む装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体閉込めシステムがこの基板の上にないとき、この液体を液体閉込めシステム内に保つための閉鎖円板をさらに含み、そこでこの予定表は、この基板が冷されそうなときとして、この閉鎖円板がこの液体を閉込めないときの時刻を含む装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この基板が冷されそうで、従ってこの基板からの液体の蒸発が起りそうな基板上の位置を含む装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、更に、時間の関数としての蒸発力およびこの基板および基板テーブル上の位置を含む装置。
【請求項２２】
請求項２０又は請求項２１のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記予定表は、この液体閉込めシステムに関するこの基板の相対位置、この基板の上面の位置、この基板の底面の位置又はこの液体閉込めシステムの排気チャンネルの位置を含む装置。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、液体蒸発制御装置が温度センサを含む装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載のリソグラフィ装置に於いて、温度センサがこの液体閉込めシステム内にあるか、温度センサがこの基板の上を浮遊するか又は温度センサがこの基板テーブルの中にある装置。
【請求項２５】
請求項１乃至請求項２４のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体供給システムは、投影システムの最終素子とこの基板との間の液体を一定の温度に保つように、この液体供給システムの温度を安定化するために、加熱または冷却した流体を含む少なくとも一つの水路を含む装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載のリソグラフィ装置に於いて、
前記水路は、
この投影システムの最終素子とこの基板の間のスペースを少なくとも部分的に満たすのと同じ液体がこの水路を少なくとも部分的に満たすように、この液体供給システムに接続してあるか又は
この水路の中の液体が、この投影システムの最終素子とこの基板の間のスペースを少なくとも部分的に満たす液体と同じでないように、この液体供給システムの供給源から切離してある装置。
【請求項２７】
パターン化した放射線ビームを基板テーブル上の窪みの中の基板ホルダ上に保持した基板の目標部分上に投影するように構成したリソグラフィ装置であって、
投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システム、
前記液体を上記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材、
前記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の前記目標部分を動かすように配置した基板テーブル変位システム、および
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発または凝縮によるエネルギー損失の正味速度を、蒸発または凝縮制御技術を前記基板が局部冷却を受けそうな位置で実行することによって、制御するように準備した液体蒸発および凝縮制御装置を含むリソグラフィ装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載のリソグラフィ装置に於いて、上記蒸発制御装置がこの基板ホルダの方への水流によってこの基板を熱的に状態調節することを含む装置。
【請求項２９】
請求項２８に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記流体は、液体供給システムの中の液体より低圧、好ましくは約２３００Ｐａの水であるか又はアセトン、エーテルおよびアルコールの少なくとも一つを含むガスである装置。
【請求項３０】
請求項２８又は請求項２９のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、
前記流体をこの基板テーブルの中の導管を介してこの基板の表面にポンプで出し入れする又は
前記流体を二相混合物の形で注入する装置。
【請求項３１】
請求項２７乃至請求項３０のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記蒸発制御装置は、前記基板ホルダの中に液体および蒸気の入った或る容積を組込むことによりこの基板テーブルの温度を制御することを含む装置。
【請求項３２】
請求項３１に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記容積がパイプである装置。
【請求項３３】
請求項３１又は請求項３２のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記液体が水であり、この蒸気が水蒸気である装置。
【請求項３４】
請求項３１乃至請求項３３のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記液体を加熱するためのヒータを含む装置。
【請求項３５】
請求項３４に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記ヒータがこの液体の中に又は基板テーブルの下に配置してある装置。
【請求項３６】
請求項３４又は請求項３５のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記ヒータのための入力パラメータを提供するために温度および／または圧力センサをさらに含む装置。
【請求項３７】
請求項３１乃至請求項３６のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、この容積は、空気がなく且つ非凝縮性流体であり、および大気から封止してある装置。
【請求項３８】
請求項３１乃至請求項３７のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記容積は、前記基板に向いたこの基板ホルダ表面にできるだけ近い、複数のチャンネルを含む装置。
【請求項３９】
請求項３１乃至請求項３８のいずれか一項に記載のリソグラフィ装置であって、前記基板に向いたこの基板ホルダの表面に中空窪みを含む装置。
【請求項４０】
請求項３９に記載のリソグラフィ装置に於いて、前記中空窪みは、この容積からこの基板の底面まで蒸気を通すように、前記容積と基板の間に通路を含む装置。
【請求項４１】
請求項２７に記載のリソグラフィ装置であって、前記基板ホルダと前記基板の間に真空をさらに含み、そこで液体蒸発技術が前記真空の中へ水飽和空気を供給することを含む装置。
【請求項４２】
請求項２７に記載のリソグラフィ装置であって、前液体供給システムとの接触中に吸着したこの基板テーブルからガスを脱着するために脱着装置をさらに含むリソグラフィ装置。
【請求項４３】
請求項２７に記載のリソグラフィ装置であって、前液体供給システムとの接触中に相を変えたこの基板テーブルのあらゆる部分をその元の相に戻すために再生装置をさらに含むリソグラフィ装置。
【請求項４４】
デバイス製造方法であって、
基板を保持するように構築した基板テーブルを設ける工程、
パターン化した放射線ビームをこの基板の目標部分上に投影するように構成した投影システムを設ける工程、
前記投影システムの最終素子と前記基板の間のスペースを少なくとも部分的に液体で満たすように構成した液体供給システムを設ける工程、
前記液体を投影システムの前記最終素子と前記基板の間の前記スペース内に実質的に封じ込めるように準備したシール部材を設ける工程、
前記液体供給システムによって供給した液体の蒸発によるエネルギー損失の速度を制御する工程、
前記基板テーブルを前記シール部材に対して所定の経路に沿って動かし、それによって前記基板の表面上の前記目標部分を動かすように準備した基板テーブル変位システムを設ける工程、を備え、
前記エネルギー損失の速度を制御する工程は、前記シール部材に対する前記基板テーブルの位置、速度、加速度および所定の経路の少なくとも一つ、局部基板温度、この基板テーブル温度に従って前記基板の少なくとも一部を加熱することによって、前記エネルギー損失の正味速度を制御するデバイス製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５６】
この実施例の利点は、大抵の熱損失が一般的にエアナイフと基板上のエアナイフ抽出装置の間に起ることであり、この実施例は、この特定の領域を扱う。このエアナイフとこの抽出装置との間の基板上の水１１の量は、この基板上のマイクロ篩の高さに依る。エアナイフと抽出装置の間に残った水が多ければ多いほど、より多くの水がこのエアナイフによって後に残されそうで且つ基板表面上に残される。このため、マイクロ篩をできるだけ低くするのが好ましい。他方、エアナイフの高さが重要であることも分った。１００μｍから１２５μｍへの高さの増加がウエハでの熱損失を２０％だけ減少する。このエアナイフは、２００μｍまでの高さで最も良く機能することを示している。それゆえ、エアナイフの最も低い箇所は、マイクロ篩の最も低い箇所よりも５０ないし１００μｍ高いことが好ましい。上に議論したように、熱損失の減少は、基板上のオーバレイ誤差のリスクを減少する。