Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月5日(2013.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）構造用の間接誘導トンネル・エミッタであって、
第１の半導体材料から形成された細長いコア・エレメントと、
前記コア・エレメントを少なくとも部分的に取り囲み、前記ＴＦＥＴ構造のソース領域に対応する位置に配置された外装と、
前記外装と前記コア・エレメントとの間に配置された絶縁体層と、
前記外装を前記コア・エレメントにショートさせるソース接点と、を含み、
ＯＮ状態中に前記ＴＦＥＴ構造のチャネル領域内にトンネリングするために十分なキャリア濃度を前記コア・エレメントの前記ソース領域に導入するように前記外装が構成される、ＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項２】
前記コア・エレメントが、ナノワイヤ、フィン構造、およびカーボン・ナノチューブのうちの１つまたは複数を含む、請求項１記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項３】
前記絶縁体層が前記第１の半導体材料より広いバンドギャップを有する第２の半導体材料から形成される、請求項２記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項４】
前記外装が第３の半導体材料から形成された半導体外装を含み、前記半導体外装が前記コア・エレメントより高い濃度でドーピングされる、請求項３記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項５】
前記ソース接点が、前記コア・エレメントより高い濃度でドーピングされる第４の半導体材料から形成される、請求項４記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項６】
前記第１、第２、第３、および第４の半導体材料が、それらの間の界面にヘテロ接合を形成するエピタキシャル成長半導体を含む、請求項５記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項７】
前記第１、第３、および第４の半導体材料が同じ材料である、請求項６記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項８】
前記第１、第２、および第３の半導体が単結晶構造を有する、請求項７記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項９】
前記外装が金属材料を含む、請求項３記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１０】
前記外装が金属材料で覆われる、請求項４記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１１】
前記第１の半導体材料のバンドエッジ・エネルギーが、前記第２の半導体のバンドエッジ・エネルギーより大きく、前記第３の半導体材料のバンドエッジ・エネルギーより大きい、請求項５記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１２】
前記第３の半導体材料のフェルミ・エネルギーが、前記第１の半導体材料のフェルミ・エネルギーより高い、請求項１１記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１３】
前記第１の半導体材料がＩｎＡｓ０．８Ｐ０．２を含み、前記第２の半導体材料がＩｎＰを含み、前記第３および第４の半導体材料がＩｎＡｓを含む、請求項５記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１４】
前記第１、第２、第３、および第４の半導体材料の長さが１０ナノメートルから１００ナノメートルである、請求項５記載のＴＦＥＴ構造用の間接誘導トンネル・エミッタ。
【請求項１５】
トンネル電界効果トランジスタ（ＴＦＥＴ）構造用の間接誘導トンネル・エミッタを形成する方法であって、
第１の半導体材料から細長いコア・エレメントを形成することと、
前記コア・エレメントを少なくとも部分的に取り囲む絶縁体層を形成することと、
前記ＴＦＥＴ構造のソース領域に対応する位置で前記絶縁体層を少なくとも部分的に取り囲む外装を形成することと、
前記外装を前記コア・エレメントにショートさせるソース接点を形成することを含み、
ＯＮ状態中に前記ＴＦＥＴ構造のチャネル領域内にトンネリングするために十分なキャリア濃度を前記コア・エレメントの前記ソース領域に導入するように前記外装が構成される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも二枚の窓ガラス材料のプライと、
少なくとも一枚の中間層材料のプライと、
フィルムに接着した少なくとも一つの電気伝導経路のグリッドと、
窓を加熱するために該グリッドに電流を供給する電気接続手段とを備え、
前記少なくとも一枚の中間層材料のプライ、グリッド及びフィルムを少なくとも二枚の窓ガラス材料のプライ間に積層することを特徴とする電気加熱窓。
【請求項２】
前記グリッドが、正方形または長方形の格子の枠組みである請求項１に記載の電気加熱窓。
【請求項３】
前記少なくとも一つの電気伝導経路を銀、銅、金及びアルミニウムからなる群より選択した材料から製造し得る請求項１または２に記載の電気加熱窓。
【請求項４】
前記電気接続手段が少なくとも二つのバスバーを備え、前記バスバーの少なくとも一つが波形であるか、または隆起部分を有する前記請求項のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項５】
前記バスバーの少なくとも一つを導電性接着剤で被覆する請求項４に記載の電気加熱窓。
【請求項６】
前記グリッドが、銅及び／またはニッケルのような少なくとも一つの導電体の被覆をさらに備える前記請求項のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項７】
前記グリッドが、少なくとも一つのバスバーに隣接する領域で少なくとも一つの電気伝導経路の表面積を増加させた請求項４〜６のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項８】
前記グリッドが、少なくとも一つのバスバーに隣接する領域で少なくとも一つの電気伝導経路の厚さを増加させた請求項４〜７のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項９】
前記少なくとも一つのバスバーに隣接する領域における少なくとも一つの電気伝導経路の厚さが少なくとも２０マイクロメートルである請求項４〜８のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項１０】
前記少なくとも一つの電気伝導経路を第一の方向（「垂直」経路）または第二の方向（「水平」経路）のいずれかに配置する請求項２〜９のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項１１】
前記グリッドが、水平経路よりも多い垂直経路を備える請求項１０に記載の電気加熱窓。
【請求項１２】
前記隣接する垂直経路の間及び／または隣接する水平経路の間の間隔が少なくとも２０００マイクロメートルである請求項１０または１１に記載の電気加熱窓。
【請求項１３】
前記少なくとも一つの電気伝導経路の幅が１７マイクロメートル未満である前記請求項のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項１４】
前記グリッドが、一つ以上の電気伝導経路に一つ以上の間隙を備える前記請求項のいずれか一項に記載の電気加熱窓。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載の電気加熱窓を少なくとも一つ組み込んだ車両。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月9日(2013.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光放出開口部（１２）を有しているランプケーシング（１）と、
前記ランプケーシング（１）内に配置されている第１の種類の光源（２）と、
前記ランプケーシング（１）に固定されている保持部（４）と、
前記保持部（４）に固定されている、少なくとも一つの第２の種類の光源（３）とを備えており、
前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）は有機発光ダイオードを含んでおり、
前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）は、放射方向（Ｒ）において前記光放出開口部（１２）の後方に配置されており、
前記保持部（４）は少なくとも二つの支柱（４１，４２）を含んでおり、該二つの支柱（４１，４２）の間に前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）が回転可能に支承されていることを特徴とする、ランプ。
【請求項２】
前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）の内の少なくとも一つは少なくとも部分的に反射性に構成されており、
前記第１の種類の光源（２）の動作時に放出された光が前記第２の種類の光源（３）に入射し、該第２の種類の光源（３）によって反射される、請求項１記載のランプ。
【請求項３】
前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）の内の少なくとも一つは少なくとも部分的に放射透過性に構成されており、
前記第１の種類の光源（２）の動作時に放出された光が前記第２の種類の光源（３）に入射し、該第２の種類の光源（３）を通過する、請求項１又は２に記載のランプ。
【請求項４】
前記ランプケーシング（１）は第１の中空部（１３）を有しており、該第１の中空部（１３）内には前記第１の種類の光源（２）が配置されており、前記第１の中空部の、前記第１の種類の光源（２）に対向している内面（１３１）は反射性に構成されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項５】
前記ランプケーシング（１）は第１の中空部（１３）を有しており、該第１の中空部（１３）は部分的に回転楕円のように構成されており、
前記第１の種類の光源（２）は、前記回転楕円の焦点（１３２）の周辺に配置されており、前記焦点（１３２）は前記光放出開口部（１２）とは反対側に位置しており、
前記光放出開口部（１２）は、前記回転楕円の別の焦点（１３３）の周辺に配置されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項６】
前記ランプケーシング（１）は第２の中空部（１５）を有しており、該第２の中空部（１５）は、前記第１の中空部（１３）の前記光放出開口部（１２）側とは反対側に配置されており、
前記第２の中空部（１５）内には前記両光源（２，３）のための制御装置（５）が配置されている、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項７】
前記ランプケーシング（１）は、少なくとも部分的に円錐台又は角錐台のように構成されている基体（１１）を有しており、
前記円錐台又は前記角錐台は、前記光放出開口部（１２）から離れる方向に配向されている方向において先細りされている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項８】
前記ランプケーシング（１）は基体（１１）と、少なくとも二つの冷却ディスク（１４ａ）及び／又は冷却リブ（１４ｂ）とを有しており、
前記冷却ディスク（１４ａ）及び／又は前記冷却リブ（１４ｂ）は間隔を空けて前記基体（１１）に固定されており、且つ、前記基体（１１）を側方において包囲している、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項９】
前記光放出開口部（１２）を包囲する、前記ランプケーシング（１）の外面（１６）は、少なくとも部分的に反射性に構成されている、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項１０】
前記保持部（４）は前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）の電気的な接続に使用される、請求項１乃至９のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの第２の種類の光源（３）は回転可能に支承されている、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項１２】
前記保持部（４）は少なくとも一つの支柱（４１，４２）を含んでおり、該支柱（４１，４２）は少なくとも部分的に正弦関数及び／又は余弦関数のように構成されている、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項１３】
前記保持部（４）は少なくとも二つの支柱（４１，４２）を含んでおり、第２の支柱（４２）の経過は第１の支柱（４１）の経過及び該第１の支柱（４１）の主延在軸についての回転から生じる、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のランプ。
【請求項１４】
前記保持部（４）は二重螺旋のように構成されており、前記保持部（４）は、それぞれが螺旋として構成されている二つの支柱（４１，４２）を含んでいる、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月22日(2013.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体の存在下での、銅の集束イオンビームエッチングの方法であって、
集束イオンビームを、エッチングすべき銅に対して向けること、
前記銅および隣接する誘電体を、ヒドラジンおよびヒドラジン誘導体、および化学構造Ｒ１Ｎ（−Ｒ２）−Ｎ＝Ｏを有するニトロソアミンおよびニトロソアミン関連化合物からなる群から選択された化合物を含むエッチング促進剤に曝すことであって、Ｒ１およびＲ２は、線形または分岐炭化水素基またはハロゲン化炭化水素基であり、前記化合物は、最高で約２２０℃の沸点を有する、前記エッチング促進剤に曝すこと
を含む方法。
【請求項２】
前記ヒドラジンは、ヒドラジン一水和物を含み、前記ヒドラジン誘導体は、ヒドロキシエチルヒドラジン、シアノエチルヒドラジン、ブトキシカルボニルメチルヒドラジンおよびブトキシカルボニルメトキシエチルヒドラジンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記線形または分岐炭化水素基は、メチル（ＣＨ３）、エチル（Ｃ２Ｈ５）、プロピル（Ｃ３Ｈ７）およびブチル（Ｃ４Ｈ９）から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ニトロソアミン関連化合物は、直接または酸素を介して接続された前記Ｒ１およびＲ２基を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ニトロソアミンは、ＮＤＭＡ、ＮＭＥＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡおよびＮＥＢＡからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ニトロソアミン関連化合物は、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲおよびカルムスチンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング促進剤はさらに、スパッタされた銅を非導電性にする強力な酸化剤を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記酸化剤は、約２１℃以下の沸点を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記酸化剤は、四酸化窒素を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
スパッタされた銅が、実質的に酸化され、かつ前記イオンビームによってスパッタされた誘電体が実質的に補充されるように、銅エッチングイオンビーム電流を、四酸化窒素の流束に対して調節することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記銅は、前記エッチング促進剤に対する直接的な曝露から影になった第１の面を有する高アスペクト比の孔内に位置しており、前記酸化剤は、前記酸化剤が、直接作用する第２の面から前記第１の面に十分な流束で反射して、前記第１の面における再堆積した銅を酸化させるような揮発性を有するように選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
銅エッチングイオンビーム電流と、前記エッチング促進剤の流束との比を調節して、前記エッチングの近傍の面に再堆積したスパッタされた銅を実質的に完全に酸化させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記誘電体は、従来の誘電体または低誘電率誘電体の一方である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の表面及び該第一の表面の反対側の第二の表面を有する半導体結晶と、
該半導体結晶の前記第一の表面と電気的に結合されて、前記第一の電極と前記結晶との間に電流を流す第一の電極と、
該第一の電極と前記結晶との間に部分的に透過性の電気的障壁を生成するように、前記第一の表面において前記半導体結晶と前記第一の電極との間に設けられる絶縁層であって、厚みが５０ナノメートルから５００ナノメートルにわたる絶縁層と
を備えた放射線検出器。
【請求項２】
前記半導体結晶はカドミウム及びテルルを含んでいる、請求項１に記載の検出器。
【請求項３】
半導体結晶はカドミウム亜鉛テルル、又はカドミウムマンガンテルルを含んでいる、請求項２に記載の検出器。
【請求項４】
絶縁層はテルル、酸素、及びカドミウムを含んでおり、前記絶縁層でのテルルの濃度及び酸素の濃度は前記結晶から前記第一の電極へ向かう方向で増大し、前記カドミウムの濃度は前記結晶から前記第一の電極へ向かう前記方向で減少する、請求項３に記載の検出器。
【請求項５】
前記絶縁層は、酸化アルミニウム又は窒化ケイ素を含む堆積絶縁体を含んでいる、請求項１に記載の検出器。
【請求項６】
前記絶縁層の厚みは１００ナノメートルから２００ナノメートルにわたる、請求項１に記載の検出器。
【請求項７】
前記絶縁層の厚みは１４０ナノメートルから１７０ナノメートルにわたる、請求項６に記載の検出器。
【請求項８】
前記半導体結晶の前記第二の表面に第二の電極をさらに含んでおり、前記第二の電極が、互いから物理的に分離した複数の読み出しピクセルを含んでいる、請求項１に記載の検出器。
【請求項９】
前記第二の電極と前記半導体結晶との間に絶縁層をさらに含んでいる請求項８に記載の検出器。
【請求項１０】
前記複数の読み出しピクセルに隣接して複数のバイアス制御部分をさらに含んでいる請求項８に記載の検出器。
【請求項１１】
前記読み出しピクセル及び前記バイアス制御部分は相異なる物質を含んでいる、請求項１０に記載の検出器。
【請求項１２】
前記半導体結晶はＰ型半導体物質を含んでおり、前記読み出しピクセルはインジウム又はアルミニウムを含んでおり、前記バイアス制御部分は貴金属を含んでいる、請求項１１に記載の検出器。
【請求項１３】
前記半導体結晶はＮ型半導体物質を含んでおり、前記読み出しピクセルは貴金属を含んでおり、前記バイアス制御部分はインジウム又はアルミニウムを含んでいる、請求項１１に記載の検出器。
【請求項１４】
物理的に分離された前記読み出しピクセルと、前記バイアス制御部分との間の電圧を制御するバイアス制御回路をさらに含んでいる請求項１０に記載の検出器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内側表面を有するハウジングと、ハウジングの内側表面に隣接して置かれかつ空洞を規定する第一電極と、空洞の内側に配置された異極性の第二電極と、第一電極と第二電極の間に配置されたセパレータと、第一接触表面間に配置される少なくとも一つのコネクターとを含む電気化学的要素であって、第一電極が少なくとも二つの個々のセグメントを含み、それらが第一接触表面を介して二次元的な態様で互いに隣接しており、かつハウジングの内側表面に隣接してさらなる接触表面を介して置かれており、少なくとも一つのコネクターが、セグメントを電気伝導的に接続し、少なくとも一つのコネクターが、環状又はリング形状であり、その外側部分上に形成された少なくとも一つのストリップ形状の突出部を含むことを特徴とする電気化学的要素。
【請求項２】
ハウジングが実質的に円筒形の構成を持つことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項３】
第一電極の少なくとも一部が中空円柱形の形をとることを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項４】
第一電極が少なくとも一つの円板形状及び少なくとも一つの環状（リング形状）の個々のセグメントを含み、前記セグメントが各場合において同一外側直径を持つことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項５】
第一電極が少なくとも二つの環状（リング形状）の個々のセグメントを含み、前記セグメントが各場合において同一の外側及び内側直径を持つことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項６】
中空円柱体の形の第一電極の少なくとも一部が一つ以上の積み重ねられた環状（リング形状）の個々のセグメントを含み、前記セグメントが各場合において同一の外側及び内側直径を持つことを特徴とする請求項３に記載の電気化学的要素。
【請求項７】
個々のセグメントが二次元的な態様で互いに隣接する接触表面が環状の個々のセグメントの外側及び内側直径によって規定されることを特徴とする請求項４に記載の電気化学的要素。
【請求項８】
第一電極の内側の空洞が実質的に円柱形であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項９】
コネクターとして金属のコネクターを含むことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１０】
コネクターとして金属箔又は金属シートのコネクターを含むことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１１】
コネクターとして電気伝導性の組成を持つ少なくとも一つの接触層を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１２】
少なくとも一つのコネクターが、セグメントのさらなる接触表面とハウジングの内側表面の間の接触領域内にまで及び、かつセグメントを電気伝導的にハウジングに接続することを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１３】
少なくとも一つのコネクターが環状（リング形状）構成を持ち、その外側及び内側直径が好ましくは環状（リング形状）の個々のセグメントの外側及び／又は内側直径に相当することを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１４】
第一電極が正極であり、第二電極が負極であることを特徴とする請求項１に記載の電気化学的要素。
【請求項１５】
正極が二酸化マンガン電極であり、負極が亜鉛電極であることを特徴とする請求項１４に記載の電気化学的要素。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
２００９年３月２４日付でサタケらに付与された米国特許第７，５０７，５２４号では、光を使った加速試験特有のＩＳＯ規格を開示している。この規格は、これらの参照文献でＩＳＯ−１０５−Ｂ０２として指定されている。
試験とその変形形態は多数存在することが理解されるであろう。また、時とともに基準が変わるとこれらの試験も変更される。これらの変化は、種々の改善された基準が必要なことを示唆している。しかしながら、前記基準および試験は、全般的に、長年にわたり実質的に変化せずその程度のみが変化してきたように見られ、現行の業界基準および試験は依然として不十分であると考えられる。本明細書に開示する試験の大半は、露出時間が長く、実施負担も極めて大きく、試験機器を長期占有する。この長期試験により、これらのアッセイは、製品を開発または改善する上で非現実的なものになってしまっている。また、前記試験の終了まで長期かかるため、消費者はこれらの試験結果を商品購入時に役立てられない。上記の事情から、主要な環境条件における光情報媒体の劣化を評価し、その品質を予測する汎用加速試験の改善が必要とされている。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【特許文献１】  特公平０７−３３４８６４号公報
【特許文献２】  特公２００６−２６４２４１号公報
【特許文献３】  韓国公開特許第１０−２０００−００３７７２５号公報
【特許文献４】  特公平０８−２９２１３５号公報
【特許文献５】  特公平０６−１３８０３５号公報
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を保持する回転型ダイヤルキャリアを含むマルチディスクキャリアと、
各マルチディスクキャリアを受容するサイズの複数の処理モジュールにおいて、前記モジュールのうち少なくとも１つは、前記処理モジュール内に位置するマルチディスクキャリア内の複数の基板に、同時に表面処理工程を適用するための同時処理源を含む複数の処理モジュールと、
を含む複数の基板の処理装置。
【請求項２】
前記回転型ダイヤルキャリアは、少なくとも３つの前記基板を保持する請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項３】
前記処理モジュールのうちの１つは、前記処理モジュール内に位置するマルチディスクキャリア内の基板より少ない数に、表面処理工程を適用するための順次処理源を含む請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項４】
前記ダイヤルキャリアは、定形化された方式で回転して、前記ダイヤルキャリア内の複数の基板に、前記順次処理源を順次適用する請求項３に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項５】
前記処理モジュールは、前記マルチディスクキャリア内を通過する基板の順次工程のために順に配列された請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項６】
前記処理モジュールは、線形配置されて組み立てられた請求項５に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項７】
前記マルチディスクキャリアが、トラックに沿って車で転移される、前記トラックをさらに含む請求項５に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項８】
前記処理モジュールは、２つの垂直レベルに配列され、マルチディスクキャリアを前記２つの垂直レベルの間を移動させるための昇降ステーションをさらに含む請求項５に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項９】
１つの前記処理モジュールは、前記ダイヤルキャリアを回転させるために、前記マルチディスクキャリアに係合できるアクチュエータを含む請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項１０】
１つの前記処理モジュールは、法線方向を有する源と、前記法線方向に対する角度で前記ダイヤルキャリアを傾ける前記マルチディスクキャリアＭＤＣに係合できるアクチュエータを含む請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項１１】
少なくとも１つの前記処理モジュール内の環境が、ロードロックによって外気から断絶される請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項１２】
前記処理モジュールにおいて、マルチディスクキャリアを運んだり前記処理モジュールからマルチディスクキャリアを受けるためのロボット式基板調整機をさらに含む請求項１に記載の複数の基板の処理装置。
【請求項１３】
基板上にパターニングされたフォトレジスト物質を蒸着するステップと、
前記フォトレジスト物質を硬化させるステップと、
前記パターニングされたフォトレジスト上に炭素スペーサ層を蒸着するステップと、
所望するパターン構造を製造するために前記基板を同時にエッチングするエッチング工程を用いて前記炭素スペーサ層を除去するステップと、
前記硬化したフォトレジストを除去するステップと、
を含む、パターン構造を製造するマスク改善工程。
【請求項１４】
前記炭素スペーサ層の蒸着ステップは、前記フォトレジスト物質に隣接した基板の一部分より、前記フォトレジスト物質上に前記スペーサ層のより大きい蓄積を形成する請求項１３に記載のパターン構造を製造するマスク改善工程。
【請求項１５】
磁気スタック上の媒体内に垂直に定義されたトレンチのパターンをエッチングするステップと、
前記トレンチを完全に満たすために気相蒸着工程を用いて前記垂直に定義されたトレンチ充填材層を蒸着するステップと、
前記トレンチを満たすために前記充填材層を平坦化するステップと、
を含む、磁気ディスク媒体の製造工程。
【請求項１６】
前記充填材層の蒸着ステップは、物理的気相蒸着を含む請求項１５に記載の磁気ディスク媒体の製造工程。
【請求項１７】
前記充填材層の蒸着ステップは、凝縮相蒸着を含む請求項１５に記載の磁気ディスク媒体の製造工程。
【請求項１８】
前記充填材層は、酸化アルミニウム、シリコン、シリコン二酸化物、シリコン窒化物、α−炭素及び炭素窒化物からなる群より選択される物質を含む請求項１５に記載の磁気ディスク媒体の製造工程。
【請求項１９】
トレンチ及び前記トレンチ間のランド部を覆う、磁気スタック上の選択された厚さの炭素二重層を蒸着するステップと、
前記トレンチ及び前記ランド部上の表面を形成するために、前記トレンチを満たして前記ランド部を覆うように、前記炭素層上にシリコン含有充填材層を蒸着するステップと、
前記トレンチ内の前記充填材層を残すことによって、前記選択された厚さと略同じ距離の前記炭素二重層の上部表面の下に含入された、前記ランド部上の前記充填材層を除去するためのシリコン含有充填材層に対する高選択比の工程において、前記充填材層を選択的にエッチングするステップと、
前記ランド部上に露出した炭素を除去して前記炭素層及びシリコン含有層で満たされた前記トレンチを残すために、前記炭素層に対する高選択比の工程において、前記炭素層を選択的にエッチングするステップと、
を含む磁気スタック上のトレンチを含む磁気媒体表面の平坦化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
第１コンタクトモジュール２２０は、第２回路基板２１４の縁２２６に対向する第１回路基板２１２の一縁２２４に実装される。そして、第２コンタクトモジュール２２２は、第１回路基板２１２の縁２２４の第１コンタクトモジュール２２０と嵌合するために、第２回路基板２１４の一縁２２６に実装される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
コンタクトモジュール２２２は、実装部２７８の下面２７２に実装パッド２８２を有する。これらの実装パッド２８２は、第２回路基板２１４の上面に固定されるよう構成される。例えば、実装パッド２８２は、上面の対応するパッドに半田付けされる。別の実施形態では、ピン、固定具、接着剤等の別の固定手段を設けてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
コンタクトモジュール３２０，３２２は、第２回路基板３１４の縁３２６に対向する第１回路基板３１２の一縁３２４に、及び第２回路基板３１４の縁３２８のコンタクトモジュール３２０と嵌合するために第３回路基板３１６の一縁３３０に実装される。第２回路基板３１４の両縁３２８，３２６のコンタクトモジュール３２０，３２２は、互いに同一形状であり、逆向きを向く。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
第１ハウジング４４０は、第２コンタクトモジュール４２２（図１５参照）の一部を受容するよう構成された受容空間４５０を有する。受容空間４５０は、開放した上部及び開放した前部を有する室に代表される。任意であるが、受容空間４５０はまた、開放した下部を有してもよい。コンタクト溝４４６内にはコンタクト４５２が挿入される。コンタクト４５２は、第２コンタクトモジュール４２２の一部と嵌合するために受容空間４５０内に配置される。図示の実施形態において、コンタクト４５２は、互いに同一形状であり、ソケットを構成する。各コンタクト４５２は、回路基板４１２に実装するよう構成された実装部４５４を有する。図示の実施形態において、実装部４５４は、回路基板４１２に表面実装され半田付けされるよう構成された実装パッドに代表される。各コンタクト４５２は、実装部４５４とはほぼ反対側の上部で開放する１対のコンタクト４５６を有する。任意であるが、コンタクト４５２は、開放した上部及び開放した前部を有するほぼＵ形状であってもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2013503440.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の端キャップ（１１０，１１２）と、
上記端キャップ間に取り付けられたヒートシンク（２２４）と、
上記ヒートシンクの第１表面（１２４）に取り付けられた第１の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメント（１２２）と、
ＬＥＤサブアセンブリー・セグメントからの放射を反射し基板に焦点を合わせるように位置決めされた反射器（１１８）と、を備え、
上記第１の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントは、上記基板の可変な幅あるいは長さに適応するように数を変更可能である、
ＵＶ ＬＥＤランプモジュール（１００，２００）。
【請求項２】
上記ヒートシンクの第２表面（２２６）に取り付けられる、第２の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントをさらに備え、この第２の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントは、上記基板の可変な幅あるいは長さに適応するように数を変更可能である、
請求項１に記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項３】
上記第２の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントは、上記第１の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントの放射波長とは異なる放射波長を放射する、請求項２に記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項４】
上記端キャップの一つから延在する複数のアラインメントピン（１１４，２１４）をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項５】
上記ヒートシンクへの冷却剤の進入及び退出を許可する一対の流体バルブをさらに備える、請求項１から４のいずれかに記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項６】
上記ヒートシンクは、一対の冷却液通路を形成し、この冷却液通路の一方は、冷却剤が上記ヒートシンクに進入するのを許容し、冷却液通路の他方は、冷却剤が上記ヒートシンクから出るのを許容する、請求項１から５のいずれかに記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項７】
それぞれの上記冷却液通路は、上記液体冷却剤内へ突出するフィン機構（１３６，２３６）によって囲まれる、請求項６に記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項８】
上記端キャップの一つは、電気及び流体の接続並びにアライメントピンを有する接続端キャップ（１１０，２１０）である、請求項１から３のいずれかに記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項９】
上記端キャップの一つは、クロスオーバー端キャップ（１１２，２１２）である、請求項８に記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュール。
【請求項１０】
基板表面のＵＶ硬化用の、請求項１から９のいずれかに記載のＵＶ ＬＥＤランプモジュールを形成する方法であって、該方法は、
上記基板表面の長さあるいは幅に適応するように第１の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントを選択し、
上記ＵＶ ＬＥＤランプモジュール内に、選択された複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントを設置する、
ことを備えた方法。
【請求項１１】
上記基板表面の長さあるいは幅に適応するように第２の複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントを選択し、
上記ＵＶ ＬＥＤランプモジュール内に、選択された複数のＬＥＤサブアセンブリー・セグメントを設置する、
ことをさらに備えた、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
上記ＬＥＤサブアセンブリー・セグメントから放射されたＵＶ放射を上記基板表面へ反射する反射器を位置決めすることをさらに備えた、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
基板に設置された材料を硬化する方法であって、上記材料はＵＶ光開始剤を有し、該方法は、ＵＶ放射を上記基板に向けることを備え、上記ＵＶ放射は、請求項１のＵＶ ＬＥＤランプモジュールから発生する、方法。
【請求項１４】
基板に設置された材料を硬化する方法であって、上記材料はＵＶ光開始剤を有し、該方法は、ＵＶ放射を上記基板に向けることを備え、上記ＵＶ放射は、請求項２のＵＶ ＬＥＤランプモジュールから発生する、方法。
【請求項１５】
それぞれのサブアセンブリーによって異なった材料が硬化され、そのようなサブアセンブリーは、ＵＶ放射の異なった波長を発する、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ギフトカード、封筒及びグリーティングカードを各々が含む複数のギフトカードパッケージを有するギフトカードマルチパックを備えることを特徴とするギフトカード配布システム。
【請求項２】
各ギフトカードパッケージがクーポンをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のギフトカード配布システム。
【請求項３】
前記クーポンは、前記ギフトカードの発行会社からユーザにより購入される商品又はサービスの購入価格に適用される割引に交換可能であることを特徴とする請求項２に記載のギフトカード配布システム。
【請求項４】
前記システムは、前記ギフトカードマルチパックを取付可能な搬送物をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のギフトカード配布システム。
【請求項５】
前記搬送物は、商品用の製品パッケージ、パブリケーション、食品容器、飲料容器、買い物袋、及び、前記ギフトカードマルチパックを含有するサイズ及び形状の郵送用封筒からなる一群から選択されるアイテムを含むことを特徴とする請求項４に記載のギフトカード配布システム。
【請求項６】
前記搬送物は、結合郵便物を含み、当該結合郵便物は、請求書を入れる料金請求封筒、銀行口座取引明細書を入れる銀行口座取引明細書封筒、又は、前記ギフトカードマルチパック以外の郵送アイテムのための郵送用封筒を含むことを特徴とする請求項４に記載のギフトカード配布システム。
【請求項７】
前記各ギフトカードパッケージは複数のフォームを有し、前記複数のフォームの各々は、前記フォームから前記ギフトカード、前記封筒及び前記グリーティングカードを分離可能な分離線を含むことを特徴とする請求項１に記載のギフトカード配布システム。
【請求項８】
前記搬送物は、郵送される第１の物品が入り且つ前記ギフトカードマルチパックも挿入される結合郵便物用の封筒又はパッケージであることを特徴とする請求項４に記載のギフトカード配布システム。
【請求項９】
前記ギフトカードマルチパックは、郵送用に平坦なパッケージを作るために積み重ねることができる複数のフォームを有することを特徴とする請求項１に記載のギフトカード配布システム。
【請求項１０】
ギフト贈与者によって個人化され得る印刷可能なフォームであって、分離可能なコンポーネントであるギフトカード、グリーティングカード及び封筒を有するフォームからギフトカードパッケージを作成する方法であって、
（ａ）インターネットに接続されたコンピュータが、システムのウェブサイトを介してギフト贈与者からのアクセスを受け付けるステップと、
（ｂ）前記コンピュータが、前記ウェブサイトを通じて前記ギフトカードの有効化と当該ギフトカードへの資金供給を受け付けるステップと、
（ｃ）前記コンピュータが、前記ギフトカードの有効化及び資金供給に続いて、前記ギフトカードに印刷され得るギフトカード番号を取得するステップと、
（ｄ）前記コンピュータが、前記システムのウェブサイトを用いて、ギフト贈与者が前記フォームに印刷するために個人化されたコンテンツの入力を受け付けるステップと、
（ｅ）前記コンピュータが、前記フォームに前記個人化されたコンテンツ及び前記ギフトカード番号を印刷するステップと、を具え、
前記分離可能なコンポーネントは前記フォームから分離され、ギフト受贈者へ郵送するために前記封筒に前記ギフトカード及び前記グリーティングカードが挿入されることを特徴とするギフトカードパッケージ作成方法。
【請求項１１】
前記印刷可能なフォームは、ギフトカードマルチパックを作成するために複数の前記印刷可能なフォームがパッケージ化されており、
前記ギフトカードマルチパックの配達とは無関係な理由でギフト贈与者に配達される搬送物に前記ギフトカードマルチパックが取り付けられることによって、ギフト贈与者に前記ギフトカードマルチパックが配達されることを特徴とする請求項１０に記載のギフトカードパッケージ作成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の一領域を再加工する方法であって：
パッチを準備し；
粘性接着剤層を構造物とパッチの間に配置し；
接着剤層内部でパッチから離散するスペーサを使用して接着剤層の厚さを制御し；
パッチを構造物に対して圧縮する
ことを含む方法。
【請求項２】
スペーサの使用には、スペーサをパッチ及び構造物のうちの一つに配置することが含まれ、
粘性接着剤層の配置には、スペーサを介してパッチ及び構造物のうちの一つに接着剤を塗布することが含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
スペーサの使用には、パッチを構造物に対して圧縮する時に接着剤の圧縮を制限するために、パッチ及び構造物の間にスペーサを配置することが含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
スペーサの使用には、相互に間隔を置いて配置されている構造物及びパッチの間に複数の細長いスペーサ要素を配置することが含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
パッチの準備には、パッチに複数の貫通孔を形成して、パッチが圧縮される時にパッチの下から空気が抜け出ることができるようにすることが含まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上に配置されてパッチに圧力をかけるようになっている当て板と、当て板と構造物の間の反当て板とを用いて、パッチを圧縮する時に、パッチの周辺部にかかる圧力を制限する
ことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
構造物の一領域を再加工するキットであって：
再加工領域を覆って、構造物に対して圧縮されるのに適したパッチと；
パッチ部材を構造物に接着する粘性接着剤と；
パッチを構造物に接着するのに使用される接着剤の層の厚さを制御するために使用される、接着剤の層内部でパッチから離散するスペーサ
を含むキット。
【請求項８】
パッチが硬化繊維強化ポリマー複合材である、請求項７に記載のキット。
【請求項９】
スペーサが、接着剤が通る実質的に非圧縮性のスクリーンを含む、請求項７に記載のキット。
【請求項１０】
スペーサが、接着剤に混入されるようになっている事前に計量された量の実質的に非圧縮性のビーズを含む、請求項７に記載のキット。
【請求項１１】
スペーサが、パッチと構造物の間にそれぞれ配置されるようになっている複数の細長い繊維を含む、請求項７に記載のキット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
さらに、その他の有利な実施形態と比較して、異なる有利な実施形態により異なる利点を得ることが可能である。選択された一又は複数の実施形態は、実施形態及び実際の応用形態の原理を最適に説明するため、また、当業者が、考えられる特定の使用に好適である様々な修正を施した様々な実施形態の開示を理解できるように選択され記載されたものである。
また、本発明は以下に記載する態様を含む。
（態様１）
１．構造物の一領域を再加工する方法であって：
パッチを準備し；
粘性接着剤層を構造物とパッチの間に配置し；
スペーサを使用して接着剤層の厚さを制御し；
パッチを構造物に対して圧縮する
ことを含む方法。
（態様２）
２．スペーサの使用には、スペーサをパッチ及び構造物のうちの一つに配置することが含まれ、
粘性接着剤層の配置には、スペーサを介してパッチ及び構造物のうちの一つに接着剤を塗布することが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様３）
３．パッチを構造物に対して圧縮する前に、パッチ及び構造物のうちの一つからスペーサを取り除く
ことをさらに含む、態様２に記載の方法。
（態様４）
４．スペーサの使用には、パッチを構造物に対して圧縮する時に接着剤の圧縮を制限するために、パッチ及び構造物の間にスペーサを配置することが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様５）
５．スペーサの使用には：
スペーサをパッチ周囲の構造物に配置し；
スペーサを使用してパッチの構造物に対する圧縮を制限する
ことが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様６）
６．スペーサの使用には、相互に間隔を置いて配置されている構造物及びパッチの間に複数の細長いスペーサ要素を配置することが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様７）
７．パッチの準備には、スペーサをパッチと一体的に形成することが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様８）
８．パッチの準備には、パッチに複数の貫通孔を形成して、パッチが圧縮される時にパッチの下から空気が抜け出ることができるようにすることが含まれる、態様１に記載の方法。
（態様９）
９．パッチを圧縮する時に、パッチの周辺部にかかる圧力を制限する
ことをさらに含む、態様１に記載の方法。
（態様１０）
１０．構造物の一領域を再加工するキットであって：
再加工領域を覆って、構造物に対して圧縮されるのに適したパッチと；
パッチ部材を構造物に接着する粘性接着剤と；
パッチを構造物に接着するのに使用される接着剤層の厚さを制御するスペーサ
を含むキット。
（態様１１）
１１．パッチが硬化繊維強化ポリマー複合材である、態様１０に記載のキット。
（態様１２）
１２．スペーサが、接着剤が通る実質的に非圧縮性のスクリーンを含む、態様１０に記載のキット。
（態様１３）
１３．スペーサがパッチと一体的に形成されている、態様１０に記載のキット。
（態様１４）
１４．スペーサが、接着剤に混合される事前に計量された量の実質的に非圧縮性のビーズを含む、態様１０に記載のキット。
（態様１５）
１５．スペーサが、パッチと構造物の間にそれぞれ配置される複数の細長い繊維を含む、態様１０に記載のキット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー溶液を用いて溶液キャストする際に、ポリマー溶液に用いられた溶媒と非親和性のガス（gas）を含んだ乾燥空気をキャスター内に供給することにより、キャスト層の乾燥空気の接触面にクレーター（crater）を形成し、前記クレーターとクレーターとの間にはプラトー（plateau）を形成して、最終フィルムの表面粗さを調節する光学フィルムの製造方法。
【請求項２】
非親和性のガスは水蒸気である請求項１に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項３】
光学フィルムは、表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ〜２０μｍである請求項１又は２に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項４】
光学フィルムは、セルロースアシレート系フィルム、アクリル系フィルム、ポリノルボルネン系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルスルホン系フィルム、ポリスチレン系フィルム、ポリエーテルエーテルケトン系フィルム、ポリビニルアルコール系フィルム、ポリビニルアセテート系フィルムから選択される何れか一つである請求項１〜３の何れか一つに記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項５】
ポリマー溶液はセルロースアシレート樹脂、溶媒及び添加剤を含み、前記溶媒は、メチレンクロライド、酢酸メチル、ケトン（ketone）類及びアルコール（alcohol）類から選択される何れか一つまたは二つ以上の混合物である請求項１〜４の何れか一つに記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項６】
添加剤は、可塑剤、マット剤、 微粒子粉体、界面活性剤、紫外線吸収剤、剥離剤、波長分散調整剤及び光学異方性調節剤から選択される何れか一つまたは二つ以上の混合物である請求項５に記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項７】
乾燥の後、光学フィルムの片面または両面に、ハードクリアコーティング層、防眩コーティング層、低反射コーティング層、反射防止コーティング層、帯電防止コーティング層、液晶コーティング層をコーティングする段階をさらに含む請求項１〜６の何れか一つに記載の光学フィルムの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７の何れか一つに記載の製造方法により製造される光学フィルム。
【請求項９】
光学フィルムは、光拡散または光補償フィルムである請求項８に記載の光学フィルム。
【請求項１０】
光学フィルムは、ＩＰＳモード、ＶＡモードまたはＴＮモードの液晶表示装置用の光補償フィルムである請求項８又は９に記載の光学フィルム。
【請求項１１】
請求項１から７の何れか一つに記載の製造方法により製造される光学フィルムを用いた偏光板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の偏光板を用いた液晶表示装置またはＯＬＥＤ表示装置。
【請求項１３】
溶液キャストする際に、ポリマー溶液に用いられた溶媒と非親和性のガス（gas）を含んだ乾燥空気を用いてフィルムの表面にクレーター（crater）及びプラトー（plateau）を形成することにより表面粗さを調節した光学フィルム。
【請求項１４】
非親和性のガスは水蒸気である請求項１３に記載の光学フィルム。
【請求項１５】
光学フィルムは、セルロースアシレート系フィルム、アクリル系フィルム、ポリノルボルネン系フィルム、ポリカーボネート系フィルム、ポリスルホン系フィルム、ポリエーテルスルホン系フィルム、ポリスチレン系フィルム、ポリエーテルエーテルケトン系フィルム、ポリビニルアルコール系フィルム、ポリビニルアセテート系フィルムから選択される何れか一つの請求項１３又は１４に記載の光学フィルム。
【請求項１６】
ポリマー溶液はセルロースアシレート樹脂、溶媒及び添加剤を含み、前記溶媒は、メチレンクロライド、酢酸メチル、ケトン（ketone）類及びアルコール（alcohol）類から選択される何れか一つまたは二つ以上の混合物である請求項１３〜１５の何れか一つに記載の光学フィルム。
【請求項１７】
添加剤は、可塑剤、マット剤、微粒子粉体、界面活性剤、紫外線吸収剤、剥離剤、波長分散調整剤及び光学異方性調節剤から選択される何れか一つまたは二つ以上の混合物である請求項１６に記載の光学フィルム。
【請求項１８】
光学フィルムは、表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ〜２０μｍである請求項１３から１７の何れか一つに記載の光学フィルム。
【請求項１９】
光学フィルムの片面または両面に、ハードクリアコーティング層、防眩コーティング層、低反射コーティング層、反射防止コーティング層、帯電防止コーティング層、液晶コーティング層から選択される何れか一つ以上のコーティング層がさらに含まれる請求項１３〜１８の何れか一つに記載の光学フィルム。
【請求項２０】
光学フィルムは、厚さが２０〜１５０μｍである請求項１３〜１９の何れか一つに記載の光学フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月30日(2013.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリカおよび／またはケイ酸塩化合物を含むシリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを阻害する方法であって、水性システムが、水性成分および前記水性成分と接触する表面を含み、前記方法が、ポリマーを水性システムの水性成分に添加することによりシリカスケールをまとめて、シリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを防止するステップを含み、ポリマーが天然油成分およびアルキレンオキシドの反応生成物を含む、方法。
【請求項２】
シリカおよび／またはケイ酸塩化合物を含むシリカスケールの水性システムにおける表面上の堆積を阻害する方法であって、前記方法が：
水性システム中に水を提供するステップ；
水性システム中で水を循環させるステップ；および
ポリマーを水に導入することによりシリカスケールをまとめて、シリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを防止するステップ
を含み、前記ポリマーが、天然油成分およびアルキレンオキシドの反応生成物を含む、方法。
【請求項３】
天然油成分が非石油系油としてさらに定義される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
天然油成分が天然油および天然油と反応性である化合物の反応生成物を含み、前記反応生成物が１以上の活性水素含有官能基を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
ポリマーが約５００〜約１０，０００の分子量を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
当初シリカおよび／またはケイ酸塩化合物で飽和した水性システムの水性成分が、少なくとも２１０ｐｐｍの水性成分中に溶解したシリカおよび／またはケイ酸塩化合物を、約２０〜約３０ｐｐｍのポリマーを水性成分に添加した２２時間後に保持する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
シリカおよび／またはケイ酸塩化合物を含むシリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを阻害する方法であって、水性システムが水性成分および前記水性成分と接触する表面を含み、前記方法が、ポリマーを水性システムの水性成分に添加することにより、シリカスケールをまとめて、シリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを防止するステップを含み、ポリマーが：
Ａ．脂肪酸またはそのエステルを含むコア；
Ｂ．ポリマーコアに結合した複数のポリマー側鎖（前記複数のポリマー側鎖は、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、およびそれらの組み合わせの群から選択されるアルキレンオキシ基を含み、前記側鎖は末端が水素原子である）
を含む、方法。
【請求項８】
ポリマーが約５００〜約１０，０００の分子量を有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
当初シリカおよび／またはケイ酸塩化合物で飽和した水性成分が、少なくとも２１０ｐｐｍの水性成分中に溶解したシリカおよび／またはケイ酸塩化合物を、ポリマーを約２０〜約３０ｐｐｍの量で水性成分に添加した２２時間後に保持する、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
シリカおよび／またはケイ酸塩化合物を含むシリカスケールが水性システムにおける表面上に堆積するのを阻害する方法であって、水性システムが水性成分および前記水性成分と接触する表面を含み、前記方法が、ポリマーを水性システムの水性成分に添加することにより、シリカスケールをまとめて、水性システムにおける表面上に堆積するのを防止するステップを含み、ポリマーが次式：
Ａx［（Ｂy）Ｈ］z
（式中、
Ａは脂肪酸またはそのエステルであり、そして
ｘは少なくとも１であり；
Ｂは、エチレンオキシ基、プロピレンオキシ基、ブチレンオキシ基、およびそれらの組み合わせの群から選択されるアルキレンオキシ基であり、
そしてｙは少なくとも１であり、そして
ｚは少なくとも１であり；そして
Ｈは水素原子である）を有する、方法。