【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂材料からなる第１の基板の表裏両面のうちの少なくとも一方の表面上に、所定の厚さを有する第１の配線を形成する工程と、
前記第１の基板を貫通するビアホールを穿設し、当該ビアホールを導体で満たして前記第１の基板の表裏両面間の電気的導通を確保するための第１のビアを形成する工程とを有して、第１の配線板を作製する工程と、
前記第１の配線板を加熱しながら、当該第１の配線板の表裏両面にプレス治具を押し当てて当該第１の配線板に対して押圧力を印加することで、前記第１のビアを押し縮めながら前記第１の配線を前記第１の基板の厚さ方向へと埋没させて行き、前記第１の配線が前記第１の基板に完全に埋没して当該第１の配線の表面と当該第１の基板の表面とが同一面に揃うようにする工程と、
前記第１の基板のガラス転移点未満のガラス転移点を有する熱可塑性樹脂材料からなる第２の基板を、前記第１の配線板の表裏両面のうちの少なくとも前記第１の配線が形成された方の表面に、加熱しながら貼り合せる工程と、
前記第２の基板の表面上に、所定の厚さを有する第２の配線を形成する工程と、
前記第２の基板を貫通するビアホールを穿設し、当該ビアホールを導体で満たして前記第２の基板の表裏両面間の電気的導通を確保するための第２のビアを形成する工程とを有して、第２の配線板を作製する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記第２の配線板に、加熱しながら前記プレス治具により押圧力を印加することで、前記第２のビアを押し縮めながら前記第２の配線を前記第２の基板の厚さ方向へと埋没させて行き、前記第２の配線が前記第２の基板に完全に埋没して当該第２の配線の表面と当該第２の基板の表面とが同一面に揃うようにする工程を含む
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記第２の配線板の表裏両面のうち少なくとも一方に、前記第２の基板のガラス転移点未満のガラス転移点を有する熱可塑性樹脂材料からなる第３の基板を押し当てて、前記第３の基板を加熱しながら押圧力を印加することで、前記第３の基板を前記第２の配線板に貼り合せる工程と、
前記第３の基板の表面上に、第３の配線および第３のビアを形成する工程とを含んで、３層以上の配線層を積層してなる多層配線板を形成する
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１項に記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記プレス治具として、前記熱可塑性樹脂材料に対する離型処理を表面に施してなるプレス治具を用いる
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のうちいずれか１項に記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記熱可塑性樹脂材料からなる各基板の厚さを、前記各配線の厚さの２．５倍以上の厚さとする
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし５のうちいずれか１項に記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記熱可塑性樹脂材料として、液晶ポリマーを用いる
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【請求項７】
請求項１ないし６のうちいずれか１項に記載の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、
前記配線板が、前記各基板として長尺状のフィルム基板を用いて、当該各基板に前記各配線を形成してなる、多層テープキャリアである
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第１の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法は、熱可塑性樹脂材料からなる第１の基板の表裏両面のうちの少なくとも一方の表面上に、所定の厚さを有する第１の配線を形成する工程と、前記第１の基板を貫通するビアホールを穿設し、当該ビアホールを導体で満たして前記第１の基板の表裏両面間の電気的導通を確保するための第１のビアを形成する工程とを有して、第１の配線板を作製する工程と、前記第１の配線板を加熱しながら、当該第１の配線板の表裏両面にプレス治具を押し当てて当該第１の配線板に対して押圧力を印加することで、前記第１のビアを押し縮めながら前記第１の配線を前記第１の基板の厚さ方向へと埋没させて行き、前記第１の配線が前記第１の基板に完全に埋没して当該第１の配線の表面と当該第１の基板の表面とが同一面に揃うようにする工程と、前記第１の基板のガラス転移点未満のガラス転移点を有する熱可塑性樹脂材料からなる第２の基板を、前記第１の配線板の表裏両面のうちの少なくとも前記第１の配線が形成された方の表面に、加熱しながら貼り合せる工程と、前記第２の基板の表面上に、所定の厚さを有する第２の配線を形成する工程と、前記第２の基板を貫通するビアホールを穿設し、当該ビアホールを導体で満たして前記第２の基板の表裏両面間の電気的導通を確保するための第２のビアを形成する工程とを有して、第２の配線板を作製する工程と、を含むことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第３の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法は、上記第２の半導体装置実装パッケージ用多層配線板の製造方法において、前記第２の配線板の表裏両面のうち少なくとも一方に、前記第２の基板のガラス転移点未満のガラス転移点を有する熱可塑性樹脂材料からなる第３の基板を押し当てて、前記第３の基板を加熱しながら押圧力を印加することで、前記第３の基板を前記第２の配線板に貼り合せる工程と、前記第３の基板に、第３の配線および第３のビアを形成する工程とを含んで、３層以上の配線層を積層してなる多層配線板を形成することを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、第１の配線板を第１の基板のガラス転移点以上の温度に加熱しながら、その第１の配線板の表裏両面にプレス治具を押し当ててその第１の配線板に対して押圧力を印加することで、第１のビアを押し縮めながら第１の配線を第１の基板の厚さ方向へと埋没させて行き、第１の配線が第１の基板に完全に埋没してその第１の配線の表面と第１の基板の表面とが同一面に揃うようにしたので、その第１の配線板の配線が形成された方の表面は、その配線の厚さに因る凹凸がなく極めて平滑な面となる。従って、その第１の配線板の表裏両面のうちの配線が形成された方の面に第２の配線板を形成するための第２の基板を貼り合せる際に、気泡を巻き込む虞がなくなるので、そのラミネーション作業を、真空ラミネーション設備等を用いることなく、大気中で迅速かつ確実に行うことが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
第１の基板１は、熱可塑性樹脂材料からなるもので、長尺状のいわゆるキャリアテープである。その熱可塑性樹脂としては、液晶ポリマーが好適である。液晶ポリマーは一般に、その加工条件によってガラス転移点または融点を簡易に調節することが可能だからである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
続いて、図２（ａ）〜（ｂ）に示したように、大気圧環境の中で（つまり真空ラミネーション設備等を用いることなく）、第１の配線板４を第１の基板１の軟化温度以上の温度〜ガラス転移点または融点未満の範囲内の適正温度に加熱しながら、その第１の配線板４の表裏両面に板体状のプレス治具５（５−１、５−２）を押し当てて押圧力を印加することで、第１のビア２を押し縮めて行きながら第１の配線３を軟化した第１の基板１の厚さ方向へと埋没させて行く。そうして第１の配線３が第１の基板１に完全に埋没し、その第１の配線３の表面と第１の基板１の表面とが同一面に揃うようにする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
続いて、図３（ａ）〜（ｃ）に示したように、第１の基板１のガラス転移点または融点未満のガラス転移点または融点を有する熱可塑性樹脂材料からなり、片面に所定の厚さの銅箔７（７−１、７−２）をラミネートしてなる、第２の基板６（６−１、６−２）を、２枚用意する（図３（ａ）、（ｂ））。そして、そのそれぞれを、銅箔７が貼り合わされていない方の面が第１の配線板４の表面と対面するように、第１の配線３が形成された第１の配線板４の表裏両面に各々押し当てて押圧力を印加しつつ、第２の基板６の軟化温度以上〜第１の基板１のガラス転移点未満の範囲内の適切な温度に加熱することで、第２の基板６の表面を適度に軟化または軽度に溶融させて、その第２の基板６を第１の配線板４の表面に貼り合せる（図３（ｃ））。
このとき、第１の配線板４の表面が第１の配線３による凹凸のない平滑面となっているので、真空ラミネーション設備等を用いない大気圧下でも、第１の配線板４の表面と第２の基板６の表面との間に気泡を巻き込むことがない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
さらに高次の積層を行う場合には、図３（ｄ）に示したような第１の配線板４の表裏両面に第２の配線板１２を積層した状態にまで形成した後、第２の基板６の軟化温度以上〜第１の基板１のガラス転移点未満の範囲内の適切な温度に加熱することで、第２の基板６の表面を軟化または軽度に溶融させる。その状態で、半導体装置実装パッケージ用多層配線板１３の表裏両面からプレス治具５を押し当てて押圧力を印加し、第２のビア９を押し縮めて行きながら第２の配線８を第２の基板６の厚さ方向へと埋没させて行き、第２の配線８が第２の基板６の厚さ方向に完全に埋没してその第２の配線８の表面と第２の基板６の表面とが同一面に揃うようにする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
このようにして平滑化した第２の配線板１２の表裏両面に、第２の基板６のガラス転移点または融点未満のガラス転移点または融点を有する第３の基板（図示省略）を、その第３の基板の軟化温度以上〜第２の基板６のガラス転移点未満の温度に加熱しながら、貼り合せる。
以上のような一連の工程を繰り返すことにより、さらなる多層に亘って配線を積層してなる半導体装置実装パッケージ用多層配線板を製造することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、第２の基板６のガラス転移点または融点を、第１の基板１のそれよりも低い温度に設定したので、第２の配線板１２を第１の配線板４に対して加熱・押圧して積層する際に、第１の配線板４に熱変形等の不都合が生じることを回避することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、第１の基板１や第２の基板６の形成材料である熱可塑性樹脂として、液晶ポリマーを用いるようにしたので、それら基板のガラス転移点または融点を、簡易に所望の温度に設定することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記の実施の形態で説明したような製造方法によって、内層２層および外層２層で合計４層の配線層を有する半導体装置実装パッケージ用多層配線板を作製した。
第１の基板１および第２の基板６の熱可塑性樹脂材料としては、液晶ポリマーを用いた。本実施例では、第１の基板１の熱可塑性樹脂材料には、Ｔｇ（ガラス転移点）が摂氏２８５度、軟化温度が摂氏２２０度の、液晶ポリマーを用いた。この第１の基板１の厚さは３８μｍとした。また、第２の基板６には、Ｔｇが摂氏２７０度の液晶ポリマーを用いた。その厚さは３８μｍとした。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
その第１の配線板４を、大気圧中で、バッチプレスマシンに取り付けられたプレス治具５に挟み込み、加熱しながら押圧力を印加することにより、第１の配線３を第１の基板１の厚さ方向に埋没させて、その第１の配線３の表面（上面）が第１の基板１の表面と同一面に揃うようにした。
このときのプレス温度・圧力条件は、第１の配線３のパターン密度および第１のビア２の配置密度ならびに第１のビア２の高さ方向の材料力学的な強度等に対応（相関）してその適正値を定めることができる。本実施例では、加熱温度を、軟化温度である２２０度以上かつガラス転移点である２８５度未満の、摂氏２７５度とした。そしてプレス圧力を１１ＭＰａとした。このプレス圧力値は、２０ＭＰａ以下の種々の圧力値で実験的にプレスを試行し、そのうちから最適条件となるものを選択して決定した。