(57)【要約】【課題】エージングの進行状況を把握し、適切な処理を施すことによりチップ実装後の不良発生率を大幅に低下させ得るようにする。【解決手段】ヒータ２と、チップ１に通電するプローブ４及び定電流源５ａ，５ｂと、チップ１に流す電流をエージング電流Ｉe、微弱電流Ｉm、加熱電流Ｉh、微弱電流Ｉmの順に切り換える切換スイッチ７と、チップ１の電極間電圧を検出する増幅器８、Ｓ／Ｈ回路部９、Ａ／Ｄ変換器１０と、演算を実行する制御部１１とを備える。ヒータ２でチップ１を加熱し、その状態でチップ１にエージング電流Ｉeを流した後、チップ１に微弱電流Ｉmを流してチップ１の電極間電圧Ｖm1を検出する。次いで、チップ１に加熱電流Ｉhを流した後、チップ１に流す電流を微弱電流Ｉmに戻してチップ１の電極間電圧Ｖm2として検出する。Ｖm1，Ｖm2を基に制御部１１で演算を実行し、チップ１の良否判定を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの電極を有し、該２つの電極間に電流を流すことにより発光する光半導体チップに対し、所定温度に加熱した状態で所定のエージング電流を流す加速エージング工程と、
前記加速エージング工程後、前記光半導体チップを前記所定温度に加熱した状態に保ったまま、該光半導体チップに前記エージング電流より小さい微弱電流を流し、このときの光半導体チップの電極間電圧を第１測定電圧として検出する第１電圧検出工程と、
前記第１電圧検出工程に次いで、前記光半導体チップに前記微弱電流より大きな加熱電流を流した後、光半導体チップに流す電流を前記微弱電流に戻し、このときの光半導体チップの電極間電圧を第２測定電圧として検出する第２電圧検出工程と、
を含むことを特徴とするエージング処理方法。
【請求項２】
前記第１、第２電圧検出工程により検出された第１、第２測定電圧を基に、光半導体チップの良否を判定するための演算を実行する良否判定工程を含み、
前記良否判定工程による演算結果が規定範囲内に収まるまで前記加速エージング工程及び第１、第２電圧検出工程を繰り返し行い、
前記加速エージング工程を規定回数行っても前記良否判定工程による演算結果が規定範囲に収まらなかった光半導体チップを不良チップとして排除することを特徴とする請求項１記載のエージング処理方法。
【請求項３】
前記良否判定工程による演算結果が規定範囲内に収まった光半導体チップを対象に、常温下で当該光半導体チップの電流−光出力特性を検査することを特徴とする請求項２記載のエージング処理方法。
【請求項４】
２つの電極を有し、該２つの電極間に電流を流すことにより発光する光半導体チップを加熱するための外部加熱手段と、
前記光半導体チップに対し、所定のエージング電流、該エージング電流より小さい微弱電流、及び該微弱電流より大きい加熱電流を流すための通電手段と、
前記通電手段から光半導体チップに流される電流を前記エージング電流、前記微弱電流、前記加熱電流、及び前記微弱電流の順に切り換える通電量変換手段と、
前記光半導体チップに対して前記加熱電流の通電前に前記微弱電流を流したときの光半導体チップの電極間電圧を第１測定電圧として検出すると共に、前記光半導体チップに対して前記加熱電流の通電後に前記微弱電流を流したときの光半導体チップの電極間電圧を第２測定電圧として検出する電圧検出手段と、
前記電圧検出手段により検出された第１、第２測定電圧に基づき、光半導体チップの良否を判定するための演算を実行する良否判定手段と、
を具備することを特徴とするエージング処理装置。
【請求項５】
前記通電手段は、複数の光半導体チップに対応する複数のプローブを有し、その各プローブから各光半導体チップのそれぞれに個別に通電可能とされていることを特徴とする請求項４記載のエージング処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザなどの光半導体デバイスを製造する際に適用されるエージング処理技術に係わり、特に光半導体チップにその電流−光出力特性を安定化するためのエージング電流を流した直後に、エージングの進行状況を把握して、不良チップを早期に発見できるようにした方法および装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＡlＧaＩnＰ材料系の半導体レーザでは、半導体結晶中に拡散させるドーパント（不純物）としてＺｎが多用されるが、その種の半導体レーザによれば通電により半導体結晶の性状が物理的に変化し、これに起因して通電初期段階で電流−光出力特性に変動がみられる。具体的には、通電初期段階では、所定の光出力を得るための電流（以下、定格駆動電流と称す）が大きく変動する。このため、半導体レーザの製造に際しては初期変動を無くして特性の安定化を図るためにエージング処理が行われる。
【０００３】
係るエージング処理は、チップに通電してその結晶構造を安定化させるものであり、これには通電量などにもよるが通常数時間から数百時間を要する。尚、エージング処理の進行状況は、一般的に定格駆動電流をチップに流し、その変化をモニタリングすることにより行われる。
【０００４】
ここに、エージング処理による効果は、環境温度（エージング温度）が高く、チップに流す電流（エージング電流）が大きいほど高くなるので、一般には半導体結晶の性状変化を促進して処理効率を上げるべく、加速エージングといって半導体レーザをバーンインチャンバと呼ばれる恒温槽内に置き、当該槽内における高温環境下でチップに通電することが行われる。
【０００５】
但し、加速エージングでは、半導体レーザなどの構成部材が熱破損せぬようチップに流されるエージング電流が通常、定格駆動電流以下に制限される。
【０００６】
特に、チップを基板（サブマウントやリードフレーム等）に実装した状態でエージング処理を行う場合には、エージング温度が高いと、ボンディング部分などが熱劣化してしまうので、エージング温度を高く設定することができず、このため処理に時間が掛かり、処理効率の低下を招くという問題がある。
【０００７】
又、チップ実装後のエージング処理では、バーンインチャンバをはじめ、大型の処理装置を必要とする上、チップの電流−光出力特性が改善せずして不良品と認定された場合、チップのみならず、その他の実装部品の全てが無駄になってしまう。
【０００８】
そこで、半導体レーザをチップ状態のまま、該チップに加速エージング処理を施す方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１３５２４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１のように高温下で行われる加速エージングでは、上述のようにエージング電流が閾値電流よりも小さい値に制限されるので、通常行われる定格駆動電流によるエージング進行状況の把握ができない。このため、処理時間（通電時間）を実験データや経験則に基づいて設定せざるを得ず、チップ実装後の検査で多くの不良品が発見されることがあった。
【００１１】
又、定格駆動電流を流して電流−光出力特性を検査する場合には、環境温度を下げてチップ温度が下がるまで待たねばならないので時間が掛かり、ひいては半導体デバイスの生産効率の悪化を招くという問題がある。
【００１２】
更に、加速エージングでは、エージングの進行が速いので、チップの特性ばらつき、処理時間、エージング電流等の僅かな違いにより、エージングの度合のバラツキが大きくなるため、電流−光出力特性に大きなバラツキを生ずる。従って、処理時間の管理だけでは過度の処理によりチップの劣化が進行し、製品寿命を低下させてしまうことになる。
【００１３】
本発明は以上のような事情に鑑みて成されたものであり、その目的は高温下で行われる加速エージングでもエージングの進行状況を把握し、適切な処理を施すことによりチップ実装後の不良発生率を大幅に低下させ得るようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は上記の目的を達成するため、
２つの電極（アノード／カソード）を有し、該２つの電極間に電流を流すことにより発光する光半導体チップ１に対し、所定温度に加熱した状態で所定のエージング電流Ｉeを流す加速エージング工程と、
前記加速エージング工程後、前記光半導体チップ１を前記所定温度に加熱した状態に保ったまま、該光半導体チップ１に前記エージング電流Ｉeより小さい微弱電流Ｉmを流し、このときの光半導体チップ１の電極間電圧を第１測定電圧Ｖm1として検出する第１電圧検出工程と、
前記第１電圧検出工程に次いで、前記光半導体チップ１に前記微弱電流Ｉmより大きな加熱電流Ｉhを流した後、光半導体チップ１に流す電流を前記微弱電流Ｉmに戻し、このときの光半導体チップ１の電極間電圧を第２測定電圧Ｖm2として検出する第２電圧検出工程と、
を含むことを特徴とするエージング処理方法を提供する。
【００１５】
加えて、本発明に係るエージング処理方法は、
前記第１、第２電圧検出工程により検出された第１、第２測定電圧Ｖm1，Ｖm2を基に、光半導体チップ１の良否を判定するための演算を実行する良否判定工程を含み、
前記良否判定工程による演算結果が規定範囲内に収まるまで前記加速エージング工程及び第１、第２電圧検出工程を繰り返し行い、
前記加速エージング工程を規定回数行っても前記良否判定工程による演算結果が規定範囲に収まらなかった光半導体チップ１を不良チップとして排除することを特徴とする。
【００１６】
更に、前記良否判定工程による演算結果が規定範囲内に収まった光半導体チップ１を対象に、常温下で当該光半導体チップ１の電流−光出力特性を検査することを特徴とする。
【００１７】
一方、本発明は、
２つの電極（アノード／カソード）を有し、該２つの電極間に電流を流すことにより発光する光半導体チップ１を加熱するための外部加熱手段（ヒータ２）と、
前記光半導体チップ１に対し、所定のエージング電流Ｉe、該エージング電流より小さい微弱電流Ｉm、及び該微弱電流より大きい加熱電流Ｉhを流すための通電手段（プローブ４及び定電流源５ａ，５ｂ）と、
前記通電手段４，５ａ，５ｂから光半導体チップ１に流される電流を前記エージング電流Ｉe、前記微弱電流Ｉm、前記加熱電流Ｉh、及び前記微弱電流Ｉmの順に切り換える通電量変換手段（切換スイッチ７）と、
前記光半導体チップ１に対して前記加熱電流Ｉhの通電前に前記微弱電流Ｉmを流したときの光半導体チップ１の電極間電圧を第１測定電圧Ｖm1として検出すると共に、前記光半導体チップ１に対して前記加熱電流Ｉhの通電後に前記微弱電流Ｉmを流したときの光半導体チップ１の電極間電圧を第２測定電圧Ｖm2として検出する電圧検出手段（増幅器８、Ｓ／Ｈ回路部９、Ａ／Ｄ変換器１０）と、
前記電圧検出手段８，９，１０により検出された第１、第２測定電圧Ｖm1，Ｖm2に基づき、光半導体チップ１の良否を判定するための演算を実行する良否判定手段（制御部１１）と、
を具備することを特徴とするエージング処理装置を提供する。
【００１８】
又、前記通電手段は、複数の光半導体チップ１，・・に対応する複数のプローブ４，・・を有し、その各プローブ４，・・から各光半導体チップ１，・・のそれぞれに個別に通電可能とされていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る方法および装置によれば、高温下で行われる加速エージングでも、チップを高温加熱状態に保ったまま、これを熱破損させることなく、エージング電流通電後におけるチップの電極間電圧の変化からエージング進行状況を把握できる。
【００２０】
従って、チップに最適なエージング処理を施して不良チップを早期に発見し、チップ実装後の不良発生率を低下させて歩留まりを向上させることができ、しかも過度なエージングによるチップの劣化を防いで良品チップの製品寿命を可及的長くすることができる。
【００２１】
又、良否判定工程で規定範囲内に収まらなかったチップを対象に、加速エージング工程を繰り返し行う方法によれば、加速エージング工程を小刻みに行って過度なエージングを防止しながら可及的多くのチップを良品として選出することができる。
【００２２】
更に、通電手段として、複数の光半導体チップに個別に通電可能とされる複数のプローブを有する装置によれば、処理効率を高くできる上、各チップ間に特性のばらつきが生じていてもチップ単位で最適なエージング処理を行えるので、過度なエージングによるチップの劣化を防止しながら、不良チップを早期に発見して歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面に基づいて本発明を詳しく説明する。尚、本発明はエージング処理対象の光半導体として、発光デバイスに属する半導体レーザや発光ダイオードに適用することができるが、本例ではこれを半導体レーザとして説明する。
【００２４】
図１は、半導体レーザチップに対して環境温度６５℃の下で２０mAのエージング電流を流したときの熱抵抗値の経時変化を示すグラフである。これによれば、半導体レーザチップの熱抵抗値Ｒthがエージング初期段階で大きく上昇した後、エージングの進行に伴って漸次減少しながら安定していく現象が認められる。
【００２５】
尚、熱抵抗値とは、半導体レーザチップの発熱を外部にどれだけ放出できるかの放熱路特性を示す値であり、換言すれば半導体レーザチップに所定の電力を印加した場合に、半導体接合部（以下、ジャンクションとする）の温度が周囲の環境温度に対して何度上昇するかを示す重要なパラメータである。
【００２６】
ここに、熱抵抗値をＲth、ジャンクション温度をＴj、通電によるジャンクションの温度上昇をΔＴj、環境温度（エージング温度）をＴa、印加電力をＷとしたとき、
Ｒth＝（Ｔj−Ｔa）／Ｗ＝ΔＴj／Ｗ［℃／Ｗ］    ・・・式１
で表わすことができる。
【００２７】
ここに、半導体レーザチップの電流−電圧特性は、ジャンクション温度Ｔjに対応して相関的に変化するので、ΔＴjはチップに印加された電圧の変化量から概算することができる。
【００２８】
例えば、図２に示すように、半導体レーザチップに対し、その発熱が抑えられる程度の十分に小さな微弱電流Ｉmを順方向に通電し、このときの半導体レーザチップの電極間電圧Ｖm1（アノード／カソード間の電圧）を検出すると共に、これに続いて半導体レーザが発熱するような加熱電流Ｉhを通電し、このときの半導体レーザチップの電極間電圧Ｖhを検出し、その直後に電流値を先の微弱電流Ｉmに戻して微小な待ち時間Ｔd後に半導体レーザチップの電極間電圧Ｖm2を検出すれば、通電による半導体レーザチップのジャンクションの温度上昇ΔＴjは、
ΔＴj＝（Ｖm1−Ｖm2）／Ｔm＝ΔＶ／Ｔm［℃］    ・・・式２
として求めることができる。但し、Ｔm［Ｖ／℃］は、微弱電流Ｉmを通電したときの電圧変動ΔＶ＝（Ｖm1−Ｖm2）を示す半導体レーザの温度係数とする。
【００２９】
従って、上記式１、２から、
Ｒth＝ΔＶ／（Ｔm・Ｗ）＝ΔＶ／（Ｔm・Ｉh・Ｖh）［℃／Ｗ］    ・・・式３
として求めることができる。
【００３０】
尚、図２における加熱電流Ｉhは、半導体レーザのジャンクション近傍のみが加熱されるよう、その通電時間Ｔmが数ｍ秒以下の短いパルスであることが望ましい。
【００３１】
ここに、以上のような条件で測定される熱抵抗値Ｒthは過渡熱抵抗と呼ばれるが、係る熱抵抗値Ｒthの変化を検出する場合、上記Ｔm、Ｉh、Ｖhを一定とすると、ΔＶ（Ｖm1，Ｖm2）を検出すれば、Ｒthの変化を簡易的に求めることができる。
【００３２】
従って、高温加熱下で行われる加速エージングでも、Ｖm1，Ｖm2を検出することにより、チップのエージング進行状況を把握して適切なエージング処理を施し、実装後のチップから不良チップが多量に検出されることを未然に防止することが可能となる。
【実施例１】
【００３３】
図３は、半導体レーザチップに対して上記のようなエージング処理を施すための装置の構成例を示す。
【００３４】
図３において、１は半導体レーザチップ、２は半導体レーザチップ１を加熱する外部加熱手段を構成する熱源（ヒータ）であり、その熱源２上には電極３を介して半導体レーザチップ１が載せられる。そして、熱源２から電極３への固体伝熱によって半導体レーザチップ１を高温加熱しながら、その半導体レーザチップ１に対しプローブ４から通電が行われる構成とされる。尚、半導体レーザチップ１は、アノード／カソードの何れか一方が電極３に接触され、その他方にプローブ４の先端が接触される。
【００３５】
プローブ４は、２つの定電流源５ａ，５ｂに導電接続されて通電手段を構成するものであり、一方の定電流源５ｂとプローブ４とを繋ぐ電路にはダイオード６ならびに通電量変換手段としての切換スイッチ７が設けられる。
【００３６】
そして、本例によれば、切換スイッチ７をＯＮ−ＯＦＦ制御することにより、半導体レーザチップ１に対する通電量を過渡的な影響を抑えて瞬時に切り換えられるようになっている。具体的には、切換スイッチ７を閉じることにより一方の定電流源５ａからプローブ４を通じて半導体レーザチップ１に微弱電流Ｉmが供給され、切換スイッチ７を開いたときには他方の定電流源５ｂからプローブ４を通じて半導体レーザチップ１に微弱電流Ｉmより大きいエージング電流Ｉeおよび加熱電流Ｉhが供給されるようにしてある。
【００３７】
又、定電流源５ａ，５ｂから半導体レーザチップ１への通電時における半導体レーザチップ１の電極間電圧（アノード／カソード間の電圧）を検出するため、プローブ４と電極３には増幅器８が導電接続され、増幅器８の出力側にはＳ／Ｈ（サンプルホールド）回路部９を介してＡ／Ｄ（アナログデジタル）変換器１０が導電接続されている。そして、半導体レーザチップ１の電極間電圧が増幅器８により増幅され、増幅器８の出力がＳ／Ｈ回路部９によりサンプリングホールドされると共に、その出力がＡ／Ｄ変換器１０により数値データ（デジタル信号）に変換され、これが制御部１１に入力されて信号処理されるようになっている。
【００３８】
尚、制御部１１は、Ａ／Ｄ変換器１０より数値データとして入力された半導体レーザチップ１の電極間電圧を基に、半導体レーザチップ１の良否を判定するための演算を実行する図示せぬ演算回路（良否判定手段）を含み、その演算結果によって半導体レーザチップ１のエージング進行状況を把握できるようになっている。又、制御部１１には、熱源２、定電流源５ａ，５ｂ、切換スイッチ７、Ｓ／Ｈ回路部９がそれぞれ導電接続され、それらが制御部１１により駆動制御されるようになっている。
【００３９】
図４は、以上のように構成されるエージング処理装置の制御態様を示すフローチャートである。ここに、係る装置によるエージング処理方法について説明すると、先ず加熱工程Ｓ１として、熱源２への電源投入により該熱源２が発熱され、その発熱量を制御部１１により制御しながら電極３上に載置された半導体レーザチップ１を高温（チップ１の熱破損を防止できる温度で、１００〜３００℃の範囲内に設定されるが、本例では１５０℃）に加熱する。
【００４０】
そして、半導体レーザチップ１が所定温度に達したら、加速エージング工程Ｓ２として、上記の切換スイッチ７を開き、半導体レーザチップ１にプローブ４を接触させ、定電流源５ｂから高温加熱状態の半導体レーザチップ１に対して一定のエージング電流Ｉeを所定時間流す。尚、エージング電流Ｉeは、半導体レーザチップ１を発光させないような電流値、すなわち閾値電流よりも小さい電流に制限され、本例ではこれが３０mAとされる。又、エージング電流Ｉeの通電時間は例えば２分に設定される。
【００４１】
次に、エージング電流Ｉeの通電により上昇した半導体レーザチップ１のジャンクション温度が熱源２による加熱温度（１５０℃）に下がるまで待機（約１０秒）した後、上記のように半導体レーザチップ１の熱抵抗値Ｒthを算出するために、電圧検出工程Ｓ３として、半導体レーザチップ１の電極間電圧Ｖm1、Ｖm2、Ｖhを測定する。
【００４２】
具体的には、切換スイッチ７を閉じ、定電流源５ａからプローブ４を通じて半導体レーザチップ１に先のエージング電流Ｉｅより小さい微弱電流Ｉm（半導体レーザチップ１を熱源２による加熱温度以上に昇温させないための小さな電流であり、例えば１mA）を順方向に流し、このときの半導体レーザチップ１の電極間電圧を第１測定電圧Ｖm1として検出する（第１電圧検出工程）。次いで、切換スイッチ７を開き、加熱電流Ｉhとして定電流源５ｂの出力電流を微弱電流Ｉmより大きく定格駆動電流より小さい値（例えば２０mA）に設定し、その定電流源５ｂからプローブ４を通じて半導体レーザチップ１に２０mAの加熱電流Ｉhを微小時間（例えば１ｍ秒）だけ流し、このときの半導体レーザチップ１の電極間電圧をＶhとして検出する（加熱電圧検出工程）。その後、切換スイッチ７を閉じ、定電流源５ａからプローブ４を通じて半導体レーザチップ１に第１測定電圧Ｖm1の検出時と同じ微弱電流Ｉmを流し、このとき（微弱電流Ｉmの通電開始から約１μ秒後）の半導体レーザチップ１の電極間電圧を第２測定電圧Ｖm2として検出する（第２電圧検出工程）。尚、それらの検出電圧Ｖm1、Ｖh、Ｖm2は図３に示されるＡ／Ｄ変換器１０から制御部１１の記憶領域に一時的に格納される。
【００４３】
そして、制御部１１では良否判定工程Ｓ４として、Ｖm1、Ｖm2、Ｖhを基に、半導体レーザチップ１の良否を判定するための演算が実行される。具体的には、Ｖm1、Ｖm2、Ｖhを基に、上記式３から加速エージング工程Ｓ２を経た半導体レーザチップ１の熱抵抗値Ｒthを算出し、その演算結果が規定範囲内（基準レベルＲthmより小さい値）に収まっていた場合には、係る半導体レーザチップ１を良品として検査工程（スクリーニング工程）に移し、これに常温下で定格駆動電流を流し、所定の光が出力されるか否かの確認、検査を行う。尚、検査工程における検査項目として電流−光出力特性等があるが、係る検査工程は、半導体レーザチップ１を基板に実装してパッケージ状態として行っても、チップ状態のまま行っても良い。
【００４４】
一方、良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲内に収まらなかった場合には、最大許容回数Ｎmaxを上限に、良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲内に収まるまで加速エージング工程Ｓ２〜良否判定工程Ｓ４を繰り返し行い、その回数Ｎをその都度制御部１１でカウントし、加速エージング工程Ｓ２を規定回数行っても（Ｎ＝Ｎmaxになっても）良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲に収まらなかったときには処理を終了し、係る半導体レーザチップ１を不良チップとして排除する。
【００４５】
尚、上記例では電圧検出工程でＶm1、Ｖm2のほかＶhを検出し、それらを基にチップ１の良否を判定するための指標となる熱抵抗値を算出するようにしているが、Ｖm1，Ｖm2のみを検出するだけでもよく、この場合でもそのチップ１の良否を判定するに足る熱抵抗値を概算することができる。
【実施例２】
【００４６】
次に、図５は本発明に係る装置の変更例を示す。尚、本例の装置は、複数の半導体レーザ１，・・に対応する複数のプローブ４，・・を備え、その各プローブ４に対応してマルチスイッチ１２を設けることにより、各プローブ４から対応する半導体レーザチップ１への通電を個別に行えるようにしたもので、それ以外の構成は上記例と同一とされる。
【００４７】
ここで、係る半導体レーザチップ１は、例えばその複数が直列に連なった状態に切り出されたバー状の形態であり、プローブ４もそれら半導体レーザチップ１に対応して複数が所定の間隔をあけて配列される。
【００４８】
又、マルチスイッチ１２は制御部１１に導電接続され、その制御部１１によりマルチスイッチ１２の開閉動作が各プローブ４，・・毎に行えるようになっている。
【００４９】
以下、図５および図６に基づいて係る装置によるエージング処理方法について説明すると、先ず加熱工程Ｓ１として、熱源２への電源投入により該熱源２が発熱され、その発熱量を制御部１１により制御しながら電極３上に載置された複数の半導体レーザチップ１を同時に高温加熱（例えば１５０℃）する。
【００５０】
そして、それら半導体レーザチップ１が所定温度に達したら、加速エージング工程Ｓ２として、切換スイッチ７を開くと共に、マルチスイッチ１２の全接点を閉じ、各プローブ４をそれぞれ半導体レーザチップ１に接触させ、定電流源５ｂから高温加熱状態の半導体レーザチップ１に対して一定のエージング電流Ｉeを所定時間流す。尚、エージング電流Ｉeは半導体レーザチップ１を発光させないような電流値、すなわち閾値電流より小さい電流に制限され、本例ではこれが３０mAとされる。但し、全ての半導体レーザチップ１に３０mAのエージング電流Ｉeが流れるよう、定電流源５ｂの出力電流は半導体レーザチップ１の数×３０mAに設定され、その通電時間は例えば２分に設定される。
【００５１】
次に、エージング電流Ｉeの通電により上昇した半導体レーザチップ１のジャンクション温度が、熱源２による加熱温度（１５０℃）に下がるまで待機（約１０秒）した後、上記のように半導体レーザチップ１の熱抵抗値Ｒthを算出するために、電圧検出工程Ｓ３として、マルチスイッチ１２を一つずつ順番に閉じ、各半導体レーザチップ１の電極間電圧Ｖm1、Ｖm2、Ｖhを実施例１と同様にして一つずつ順番に測定する。
【００５２】
その後、電圧検出工程Ｓ３が終わった半導体レーザチップ１を対象に、良否判定工程Ｓ４として実施例１と同様の演算を実行し、その演算結果が規定範囲内（基準レベルＲthmより小さい値）に収まっていた場合には、係る半導体レーザチップ１が良品チップであることを示すフラグを制御部１１の記憶領域に格納し、良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲内に収まらなかった場合には、係る半導体チップ１が規定外チップであることを示すフラグを制御部１１の記憶領域に格納する。
【００５３】
そして、全ての半導体レーザチップ１について、上記のような処理が行われた後、規定外チップと判定された半導体レーザチップ１が存在する場合には、これに該当する半導体レーザチップ１についてのみ、最大許容回数Ｎmaxを上限に、良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲内に収まるまで加速エージング工程Ｓ２〜良否判定工程Ｓ４を繰り返し行い、その回数Ｎをその都度制御部１１でカウントし、加速エージング工程Ｓ２を規定回数行っても（Ｎ＝Ｎmaxになっても）良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲に収まらなかったときには処理を終了し、係る半導体レーザチップ１を不良チップとして排除する。
【００５４】
その後、上記良否判定工程Ｓ４による演算結果が規定範囲内に収まった光半導体チップ１（良品チップ）については、実施例１と同様、これに検査工程として常温下で定格駆動電流を流し、所定の光が出力されるか否かの確認、検査を行う。
【００５５】
尚、本例において、加熱エージング工程Ｓ２と電圧検出工程Ｓ３を繰り返す場合、制御部１１は規定外と判定された半導体レーザチップ１にのみ通電が行われるようマルチスイッチ１２を制御し、加熱エージング工程Ｓ２では定電流源５ｂの出力電流が規定外チップの数に応じて調整される。
【００５６】
又、本例でも電圧検出工程でＶm1、Ｖm2のほかＶhを検出し、それらを基にチップ１の良否を判定するための指標となる熱抵抗値を算出するようにしているが、Ｖm1，Ｖm2のみを検出するだけでもよく、この場合でもそのチップ１の良否を判定するに足る熱抵抗値を概算することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】チップへの通電による熱抵抗値の経時変化を示すグラフ
【図２】チップの電極間電圧を測定する原理説明図
【図３】本発明に係るエージング処理装置の構成例を示す説明図
【図４】本発明に係るエージング処理のフローチャート
【図５】本発明に係るエージング処理装置の変更例を示す説明図
【図６】本発明に係るエージング処理のフローチャート
【符号の説明】
【００５８】
１  光半導体チップ（半導体レーザチップ）
２  ヒータ（外部加熱手段）
３  電極
４  プローブ（通電手段）
５ａ，５ｂ  定電流源（通電手段）
７  切換スイッチ（通電量変換手段）
８  増幅器（電圧検出手段）
９  Ｓ／Ｈ回路部（電圧検出手段）
１０  Ａ／Ｄ変換器（電圧検出手段）
１１  制御部（良否判定手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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