【手続補正書】
【提出日】平成21年8月6日(2009.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光デバイスであって、
基板と、
前記基板の上にある第１導電型層と、
前記第１導電型層の上にある発光層と、
前記発光層の上にある第２導電型層と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層と、
前記透明導電層の上にある金属反射層と、
前記第１導電型層を電気的に接続する複数のコンタクトと、
を含み、
前記透明導電層及び前記金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成し、かつ前記発光デバイスの少なくとも５０％の領域を占め、
前記発光デバイスがフリップチップ構成を有し、前記複数のコンタクト及び前記金属反射層が前記発光デバイスの同一面上にあり、前記基板を通って光が放射されることを特徴とする発光デバイス。
【請求項２】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記透明導電層の厚さが、前記発光層が生成する光の波長のおよそ４分の１である請求項２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
前記透明導電層が約１０％より小さい単一パスロスを有する請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項５】
前記第１導電型がｐ型であり、前記第２導電型がｎ型である請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項６】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がアルミニウム、インジウム、及びリンを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項７】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がガリウム及び窒素を含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項８】
前記第１導電型層及び前記第２導電型層がガリウム及び砒素を含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項９】
前記金属反射層が銀及び金のうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１０】
前記透明導電層及び前記金属反射層が、前記発光デバイスの少なくとも７５％の領域を占める請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項１１】
基板と、
前記基板の上にある第１導電型層と、
前記第１導電型層の下にある前記第１導電型のドープされた基板層と、
前記第１導電型層の上にある発光層と、
前記発光層の上にある第２導電型層と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層と、
前記透明導電層の上にある金属反射層と、
前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成され、前記ドープされた基板層まで延びる複数のバイアと、
前記複数のバイアを通じて前記ドープされた基板層と電気的接触を形成する複数のコンタクトと、
を含み、
前記透明導電層及び前記金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成することを特徴とする発光デバイス。
【請求項１２】
前記複数のバイアの各々が、約２μｍ〜約１００μｍの範囲にある直径を有する請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１３】
前記複数のバイアの各々が約１０μｍ〜約５０μｍの範囲にある直径を有する請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１４】
前記複数のバイアの各々が、他のバイアから約５０μｍ〜約１０００μｍ離れて配置される請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１５】
前記複数のバイアの各々が、他のバイアから約５０μｍ〜約２５０μｍ離れて設けられている請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１６】
前記複数のバイアが、長方形、六角形、菱面形、面心立方形、及び任意の形状からなるグループから選択された配列で形成される請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１７】
前記金属反射層の上に形成され、前記複数のバイアと位置合わせされた第１の複数の開口を有する絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部と、
を更に含む請求項１１に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記絶縁層が、前記金属反射層の上に第２の複数の開口を有する請求項１７に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
フリップチップ発光デバイスを形成する方法であって、
基板を準備する段階と、
前記基板の上にある第１導電型層を形成する段階と、
前記第１導電型層の上にある活性領域を形成する段階と、
前記活性領域の上にある第２導電型層を形成する段階と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層を形成する段階と、
前記透明導電層の上にある金属反射層を形成する段階と、
前記第１導電型層を電気的に接続する複数のコンタクトを形成する段階と、
を含み、
前記透明導電層及び前記金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成し、かつ前記発光デバイスの少なくとも５０％の領域を占め、
前記発光デバイスがフリップチップ構成を有し、前記複数のコンタクト及び前記金属反射層が前記発光デバイスの同一面上にあり、前記基板を通って光が放射されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記透明導電層は、前記発光層によって生成される光の波長のおよそ４分の１の厚さで形成する請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
発光デバイスを形成する方法であって、
基板を準備する段階と、
前記基板の上にある第１導電型層を形成する段階と、
前記第１導電型層の上にある活性領域を形成する段階と、
前記活性領域の上にある第２導電型層を形成する段階と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層を形成する段階と、
前記透明導電層の上にある金属反射層を形成する段階と、
前記基板と前記第１導電型層との間に前記第１導電型のドープされた基板層を形成する段階と、
ドープされた基板層の前記層に接触する複数のバイアを、前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成する段階と、
前記バイアを通じて前記ドープされた基板層と接触する複数のコンタクトを形成する段階と、
を含み、
前記透明導電層及び前記金属反射層が前記第２導電型層と電気的接触を形成することを特徴とする方法。
【請求項２３】
前記金属反射層の上にあり且つ前記複数のコンタクトが上に形成されている絶縁層を形成して、前記複数のバイアと位置合わせされた第１の複数の開口を生成する段階と、
前記絶縁層の上にあり、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部を形成する段階と、
を更に含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記複数のバイアを形成する段階が、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層の一部をエッチング除去する段階を含む請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
基板と、
前記基板の上にある第１導電型のドープされた基板層と、
前記ドープされた基板層の上にある前記第１導電型の層と、
前記第１導電型層の上にある発光層と、
前記発光層の上にある第２導電型層と、
前記第２導電型層の上にある透明導電層と、
前記透明導電層の上にあり、該透明導電層と共に前記第２導電型層との電気的接触を形成する金属反射層と、
前記金属反射層、前記透明導電層、前記第２導電型層、前記発光層及び前記第１導電型層内に形成され、前記ドープされた基板層まで延びる複数のバイアと、
前記金属反射層の上に形成され、前記複数のバイアに位置合わせされた第１の複数の開口と前記金属反射層の上にある第２の複数の開口とを有する絶縁層と、
前記複数のバイアを通じて前記ドープされた基板層と電気的に接触する複数のコンタクトと、
を含む発光デバイス。
【請求項２６】
前記絶縁層の上に形成され、前記複数のコンタクトを接続する複数の相互接続部を更に含む請求項２５に記載の発光デバイス。
【請求項２７】
前記透明導電層が酸化インジウム・スズを含む請求項２５に記載の発光デバイス。
【請求項２８】
前記透明導電層が、前記発光層が生成する光の波長のおよそ４分の１の厚さを有する請求項２７に記載の発光デバイス。
【請求項２９】
前記金属反射層が銀及び金のうちの少なくとも１つを含む請求項２５に記載の発光デバイス。