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【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
媒体に情報を記録する記録装置であって、
媒体で情報が記録される領域の構成単位の情報を取得する構成単位情報取得部と、
前記構成単位情報取得部で取得した構成単位の情報に基づいて、第１の記録可能残量を出力する残量制御部とを含み、
前記残量制御部は、前記構成単位に加えて媒体の記録容量にも基づいて、前記第１の記録可能残量を出力し、前記第１の記録可能残量が所定量を下回ると、媒体への記録を停止するよう制御するシステム制御部を更に含み、前記構成単位の残量の割合に応じて前記第１の記録可能残量を出力する、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項２】
請求項１の記録装置であって、
前記残量制御部は、記録済みの構成単位当たりの記録済みの容量又は時間に応じて前記第１の記録可能残量を出力する。
【請求項３】
請求項１の記録装置であって、
前記残量制御部は、媒体の記録容量に基づく第２の記録可能残量を出力し、
前記残量制御部に出力された前記第１の記録可能残量と前記第２の記録可能残量とを表示する表示部を更に含み、
前記表示部は、前記第１の記録可能残量を、前記構成単位の未記録の単位数、又は、前記構成単位の残量の割合として表示する。
【請求項４】
請求項１の記録装置であって、
前記残量制御部は、媒体の記録容量に基づく第２の記録可能残量を出力し、
前記残量制御部に出力された前記第１の記録可能残量と前記第２の記録可能残量との割合又は差が所定以上の場合、前記記録装置の操作者に向けた通知を発する出力部を更に含む。
【請求項５】
請求項１の記録装置であって、
動画のデジタル情報を入力する入力部と、
媒体への情報の記録と前記記録の停止との指示操作を受ける操作部と、
前記操作部の指示に応じて媒体への記録及び停止を制御する媒体制御部とを更に含み、
前記媒体制御部は、前記操作部で記録の指示操作を受けると、前記入力部で入力したデジタル情報を前記構成単位のうち第１の構成単位に情報を記録し、前記第１の構成単位の容量を超えてデジタル情報を記録するとき、第２の構成単位に情報を記録し、前記操作部で記録の停止の指示操作を受けると前記第２の構成単位への記録を停止し、前記操作部で記録の操作指示を再度受けると、第３の構成単位にデジタル情報を記録する。
【請求項６】
請求項１から９のいずれかの記録装置であって、
前記第１の記録可能残量は、記録可能時間であり、
前記構成単位は、個別の識別情報を付され、且つ、構成単位の数が制限されており、
前記構成単位は、Ｖｉｄｅｏ Ｏｂｊｅｃｔに含まれるＣＥＬＬである。
【請求項７】
媒体に情報を記録する記録装置であって、
媒体への情報の記録と前記記録の停止とを制御する媒体制御部と、
媒体への記録可能残量を出力する残量制御部とを含み、
前記残量制御部による記録可能残量の出力は、同じ容量の情報を記録した場合に、媒体制御部により第１の間隔で記録及び停止したときの前記記録可能残量の減少量よりも、前記第１の間隔より短い第２の間隔で複数回記録及び停止したときの前記記録可能残量の減少量が大きく、
媒体への情報の記録と前記記録の停止との間隔が所定の間隔より短いとき、前記記録装置の操作者に向けた通知を発する出力部を更に含む、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項８】
媒体に情報を記録する記録装置であって、
媒体の種別の情報を取得する媒体制御部と、
前記媒体制御部で取得した種別の情報に応じて、媒体の記録可能残量のモードを切り替える残量制御部とを含み、
前記残量制御部は、媒体の記録領域の構成単位に基づく記録可能残量を出力するモードと、前記構成単位に基づかない記録可能残量を出力するモードとを切り替える、
ことを特徴とする記録装置。
【請求項９】
動画を記録するビデオカメラであって、
動画情報を入力する撮像部と、
ＤＶＤ＋ＲＷ又はＤＶＤ＋Ｒに情報を読み書きするリードライト部と、
前記リードライト部で取得したＤＶＤ＋ＲＷ又はＤＶＤ＋ＲのＣＥＬＬ数に基づいて、記録可能残量を出力する出力部とを有する、
ことを特徴とするビデオカメラ。
【請求項１０】
媒体に情報を記録する記録装置であって、
画像音声情報を入力する入力部と、
媒体を搭載し、前記入力部で入力した画像音声情報を媒体へ読み書きする媒体制御部と、
前記入力部で入力した画像音声情報の管理情報を記憶する記憶部と、
充電された電力を供給する電源部と、
媒体の容量と、媒体の記憶領域の構成単位の量及び前記記憶部の管理情報の記憶容量及び前記電源部の充電容量のうち少なくとも一つとに基づいた記憶可能残量を出力する残量制御部とを含む、
ことを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板と、シリコン基板の基板面上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に配置され、かつ、上表面の方位が（１００）である単結晶シリコン膜と、前記単結晶シリコン膜に接続された電極を備え、
前記単結晶シリコン膜は、第１導電型の第１領域と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２領域と、を含み、
前記電極は、前記第１領域に接続された第１電極と、前記第２領域に接続された第２電極を含み、
前記単結晶シリコン膜は、前記第１電極と前記第２電極との間に、部分的に膜厚の薄い領域を備えることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記単結晶シリコン膜の前記膜厚が薄い領域における膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記単結晶シリコン膜の前記膜厚が薄い領域における下表面の方位が（１００）であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記単結晶シリコン膜の部分的に膜厚の薄い領域に、選択的に配置され、かつ、前記単結晶シリコン膜に接している酸化シリコン膜を備えていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記前記単結晶シリコンの部分的に膜厚の薄い領域の側壁に隣接する領域にも、選択的に配置された酸化シリコン膜を備えていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項６】
請求項４において、
前記第１電極と前記第２電極との間を素子の長さ方向と定義し、その長さ方向と垂直な方向を幅方向と定義した場合、前記単結晶シリコン膜の当該幅方向の側壁上に配置されたシリコン酸化膜を備えていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項７】
請求項１又は２において、
前記第１絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項８】
請求項１又は２において、
前記単結晶シリコン膜は、素子毎に分離されていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項９】
請求項１又は２において、
前記単結晶シリコン膜は、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域が隣接しているか、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域との間に不純物イオンの注入を施していない第３領域を備えるか、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域との間に前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物の両方の注入がなされている第４領域を備えることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１０】
シリコン基板と、シリコン基板の基板面上に配置された第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に配置された単結晶シリコン膜と、前記単結晶シリコン膜に接続された電極を備え、
前記単結晶シリコン膜は、第１導電型にドープされた第１領域と、前記第１導電型とは異なる第２導電型にドープされた第２領域と、を含み、
前記電極は、前記第１領域に接続された第１電極と、前記第２領域に接続された第２電極を含み、
前記単結晶シリコン膜は、前記第１電極と前記第２電極との間に、部分的に膜厚の薄い領域を備え、さらに、
前記単結晶シリコン膜の部分的に膜厚の薄い領域に、選択的に配置され、かつ、前記単結晶シリコン膜に接している酸化シリコン膜を備えていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記単結晶シリコン膜の前記膜厚が薄い領域における膜厚が１０ｎｍ以下であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
前記前記単結晶シリコンの部分的に膜厚の薄い領域の側壁に隣接する領域にも、選択的に配置された酸化シリコン膜を備えていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１３】
請求項１０又は１１において、
前記単結晶シリコン膜の前記膜厚が薄い領域における下表面の方位が（１００）であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１４】
請求項１０又は１１において、
前記第１電極と前記第２電極との間を素子の長さ方向と定義し、その長さ方向と垂直な方向を幅方向と定義した場合、前記単結晶シリコン膜の当該幅方向の側壁上に配置されたシリコン酸化膜であることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１５】
請求項１０又は１１において、
前記単結晶シリコン膜は、素子分離されていることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１６】
請求項１０又は１１において、
前記単結晶シリコン膜は、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域が隣接しているか、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域との間にドーピングされていない第３領域を備えるか、
前記第１導電型の第１領域と前記第２導電型の第２領域との間に前記第１導電型不純物と前記第２導電型不純物の両方のドーピングされている第４領域を備えることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１７】
基板面上に、第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に配置され、かつ、上表面の方位が（１００）である単結晶シリコン膜を備えたシリコン基板を用意する第１工程と、
前記単結晶シリコン膜の第５領域に対して、第１導電型の不純物を注入する第２工程と、
前記単結晶シリコン膜の第６領域に対して、前記第１導電型とは異なる第２導電型の不純物を注入する第３工程と、
前記単結晶シリコン膜の一部の領域を選択的に熱酸化する第４工程とを備えたシリコン発光素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第４工程は、前記熱酸化した単結晶シリコン膜の領域における単結晶シリコンの膜厚が１０ｎｍ以下になるまでなすことを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項１９】
請求項１７において、前記第４工程の熱酸化は、段階的になされることを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項２０】
請求項１７において、前記第４工程の熱酸化により、前記単結晶シリコン膜の不純物を活性化することを特徴とするシリコン発光素子。
【請求項２１】
請求子１７において、
前記単結晶シリコン膜の下表面の方位が（１００）であることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。
【請求項２２】
請求子１７において、
前記第１絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。
【請求項２３】
請求項１７において、
前記第２工程と前記第３工程において、
前記第５領域と前記第６領域とが隣接しているか、重なっているか、離されていることを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。
【請求項２４】
請求項１７において、
前記第４工程をなす前に、前記単結晶シリコン膜を素子毎に分離された状態にしておき、
前記第４工程時に、前記単結晶シリコン膜の側壁も熱酸化することを特徴とするシリコン発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板母材上の複数の領域に、発光素子を形成する第１工程と、
前記複数の領域の各領域に、薄膜トランジスタ回路を形成する第２工程と、
前記各領域に、少なくとも前記薄膜トランジスタ回路を覆うように接着剤を供給する第３工程と、
前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する第４工程と、
切断線が前記接着剤に当接するように前記基板母材を切断することにより、前記基板母材を、おのおのが前記発光素子および前記薄膜トランジスタ回路を含む複数の基板に分割する第５工程と、
を含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第４工程において、前記封止部材の外縁が前記接着剤の供給された領域の外縁に一致するように前記封止部材を接着するようにした発光装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の発光装置の製造方法であって、
少なくとも前記第３工程より前に、前記基板母材に前記切断用の溝部を形成する第６工程を含む発光装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の発光装置の製造方法であって、
前記第３工程は、前記溝部に沿って前記接着剤を供給する工程であって、前記溝部に接するように前記接着剤を供給し、
前記第５工程は、前記切断線が前記溝部に当接するように前記基板母材を切断する工程である発光装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１のいずれの４に記載の発光装置の製造方法であって、
前記発光素子を有機エレクトロルミネセンス素子とした発光装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の発光装置の製造方法であって、
前記接着剤として熱硬化樹脂を用いるようにした発光装置の製造方法。
【請求項７】
長方形形状をした基板と、
前記基板上に配置された発光素子と、
前記基板上の前記長方形形状の外端に沿って配置される薄膜トランジスタ回路と、
前記基板の上方に設けられた封止部材と、
前記基板上の前記薄膜トランジスタ回路を少なくとも覆って、前記封止部材と前記基板とを固着する接着剤と、を具備し、
前記薄膜トランジスタ回路を覆っている前記接着剤は、
更に、前記基板上の前記長方形形状の外端と、前記薄膜トランジスタ回路との間の領域に亘って前記封止部材と前記基板とを固着する発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置であって、
前記発光装置は、更に、前記基板上に、前記発光素子から出力される光を検出する光検出素子を含み、
前記薄膜トランジスタ回路は、前記光検出素子の出力を処理するものである発光装置。
【請求項９】
請求項７又は８のいずれかに記載の発光装置であって、
前記発光素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である発光装置。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかに記載の発光装置を備えた露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の露光装置を備えた画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の製造方法、発光装置、露光装置およびこれを用いた画像形成装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、発光装置の製造方法、発光装置、露光装置およびこれを用いた画像形成装置に係り、特に発光装置の形成に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の発光装置の製造方法は、基板母材上の複数の領域に、発光素子を形成する第１工程と、前記複数の領域の各領域に、薄膜トランジスタ回路を形成する第２工程と、前記各領域に、少なくとも前記薄膜トランジスタ回路を覆うように接着剤を供給する第３工程と、前記各領域にそれぞれ所定の封止部材を接着する第４工程と、切断線が前記接着剤に当接するように前記基板母材を切断することにより、おのおのが前記発光素子および前記薄膜トランジスタ回路を含む複数の基板に分割する第５工程と、を含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の方法によれば、少なくとも薄膜トランジスタ回路を覆うように接着剤を供給し、接着剤の供給された領域で基板母材を複数の基板に分割するようにしているため、接着剤の存在により、各基板の切断位置にクラックが発生するのを防止できる。さらに、前記基板にクラックが発生したとしても、接着剤の存在によりクラックの進行は抑制され、前記薄膜トランジスタ回路の保護を図ることが可能となる。
このように、前記接着剤は、素子特性が低下するのを防止でき、前記薄膜トランジスタ回路の信頼性を向上することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の半導体チップと、
前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、
前記第１及び第２の半導体チップを覆うように封止する第１の封止樹脂と、
前記第１の封止樹脂の下面に設けられ、前記第１の半導体チップと電気的に接続される前記第１の外部接続端子と、
前記第１の封止樹脂の下面に設けられ、前記第２の半導体チップと電気的に接続される前記第２の外部接続端子と、を備え、
前記第１の封止樹脂は、低弾性樹脂により構成されており、
前記第１の半導体チップは、前記第１の外部接続端子と電気的に接続されるパッドを有しており、
前記第２の半導体チップを、前記パッドと重ならないように前記第１の半導体チップ上に積み重ねたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の外部接続端子は、前記第１及び第２の外部接続端子の一部が前記第２の半導体チップと対向する前記第１の半導体チップの面とは反対側の面に接触するように配置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置と、
前記半導体装置と電気的に接続される配線パターンを有する実装基板と、
前記半導体装置を封止する第２の封止樹脂と、を備えたことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
前記半導体装置を複数備え、
前記半導体装置に設けられた前記第１及び第２の外部接続端子が他の半導体装置と接触しないように前記複数の半導体装置を積み重ねたことを特徴とする請求項３記載の電子装置。
【請求項５】
第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記第１の半導体チップが電気的に接続される第１の外部接続端子と、前記第２の半導体チップが電気的に接続される第２の外部接続端子と、を備えた半導体装置の製造方法であって、
支持板となる金属板上に第１及び第２の外部接続端子を形成する外部接続端子形成工程と、
第１の低弾性樹脂を介して、前記金属板上に前記第１の半導体チップを貼り付ける第１の半導体チップ貼付工程と、
前記第１の半導体チップ上に第２の半導体チップを貼り付ける第２の半導体チップ貼付工程と、
前記第１及び第２の半導体チップを第２の低弾性樹脂で封止する封止工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の半導体チップは、前記第１の外部接続端子と電気的に接続されるパッドを有しており、
前記第２の半導体チップは、前記パッドと重ならないように前記第１の半導体チップ上に貼り付けることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法に関し、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備えた半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、反りの発生を抑制することのできる半導体装置、電子装置、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の一観点によれば、第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップ上に積み重ねられた第２の半導体チップと、前記第１及び第２の半導体チップを覆うように封止する第１の封止樹脂と、前記第１の封止樹脂の下面に設けられ、前記第１の半導体チップと電気的に接続される前記第１の外部接続端子と、前記第１の封止樹脂の下面に設けられ、前記第２の半導体チップと電気的に接続される前記第２の外部接続端子と、を備え、前記第１の封止樹脂は、低弾性樹脂により構成されており、前記第１の半導体チップは、前記第１の外部接続端子と電気的に接続されるパッドを有しており、前記第２の半導体チップを、前記パッドと重ならないように前記第１の半導体チップ上に積み重ねたことを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４７】
本発明によれば、半導体チップと、半導体チップを封止する封止樹脂とを備えた半導体装置及び電子装置に適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月7日(2009.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電層と該導電層上に配置された電子放出膜とを備える電子放出素子であって、
前記導電層が、（Ａ）複数の第１領域と、（Ｂ）前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域とを、少なくとも有する表面を備えており、
前記電子放出膜が、前記複数の第１領域に跨り、且つ、前記導電層の前記表面を覆っている、ことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記電子放出素子は基体の表面上に配置されており、前記複数の第１領域は前記基体の表面と前記電子放出膜との間に配置されており、前記複数の第１領域と前記基体の表面との間に、前記第１領域よりも低抵抗な第３領域が配置されていることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記複数の第１領域の各々は柱状の領域であり、前記柱状の領域は、前記基体の表面に対して垂直に配向している、ことを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記電子放出膜の主体の抵抗率が、前記第１領域の抵抗率よりも高く、前記第２領域の抵抗率よりも低い、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記電子放出膜の主成分が炭素であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記電子放出膜の主体が、１×１０８Ω・ｃｍ以上１×１０１４Ω・ｃｍ以下の抵抗率を備えることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記電子放出膜が金属を含むことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記電子放出膜の膜厚をｄ’、前記複数の第１領域のうちの隣合う２つの第１領域の間の最短距離をＷ’−Ｗ、前記第１領域の比抵抗をρ３、前記第２領域の比抵抗をρ４、前記電子放出膜の比抵抗をρ５、定数をｋとした時に、下記式（１）を満たすことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【数１】
2007294126.tif 000001
【請求項９】
前記第１領域が、金属を含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記第１領域が、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ｔａ、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＴｉＡｌＮのいずれかから選択された材料を含むことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記第２領域が、前記第１領域を構成する材料の酸化物であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電子放出素子。
【請求項１２】
複数の電子放出素子を備える電子源と、該電子源から放出された電子が照射されることで発光する発光体と、を具備する画像表示装置であって、前記複数の電子放出素子の各々が請求項１乃至１１のいずれか１項の電子放出素子であることを特徴とする画像表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子放出素子及び画像表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明は、導電層と該導電層上に配置された電子放出膜とを備える電子放出素子であって、前記導電層が、複数の第１領域と、前記複数の第１領域の各々の間に設けられた、前記第１領域よりも高抵抗な第２領域とを、少なくとも有する表面を備えており、前記電子放出膜が、前記複数の第１領域に跨り、且つ、前記導電層の前記表面を覆っている、ことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から投射された光をライトバルブを介してスクリーンに投射する投射型表示装置であって、
前記光源の駆動状態を測定する測定手段と、
前記測定手段によって測定された駆動状態に基づいて、前記ライトバルブを制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項２】
前記制御手段は、予め指定された前記光源の駆動状態と前記光源の発光光に対応する輝度とに基づいて前記ライトバルブを制御することを特徴とする請求項１に記載の投射型表示装置。
【請求項３】
前記ライトバルブは、ＲＧＢの光それぞれに対応した複数のライトバルブから構成されており、
前記制御手段は、前記複数のライトバルブを構成するそれぞれのライトバルブを独立して制御することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の投射型表示装置。
【請求項４】
前記制御手段は、予め指定された前記光源の駆動状態と発光スペクトルとに基づいて前記ライトバルブを制御しホワイトバランスを補正することを特徴とする請求項３に記載の投射型表示装置。
【請求項５】
前記光源は放電ランプであり、
前記測定手段は、前記放電ランプ内部の電極間の電圧または電極間の電流を測定することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れか１項に記載の投射型表示装置。
【請求項６】
安定状態における前記光源の駆動状態をメモリに記憶する記憶手段と、
前記測定手段によって測定された駆動状態と前記メモリに記憶された前記安定状態における前記光源の駆動状態との比較に基づいてユーザに報知する報知手段と、
をさらに有することを特徴とする請求項１乃至請求項５の何れか１項に記載の投射型表示装置。
【請求項７】
光源から投射された光をライトバルブを介してスクリーンに投射する投射型表示装置の制御方法であって、
測定手段が、前記光源の駆動状態を測定する測定工程と、
制御手段が、前記測定工程によって測定された駆動状態に基づいて、前記ライトバルブを制御する制御工程と、
を備えることを特徴とする制御方法。
【請求項８】
請求項７に記載の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明による投射型表示装置は以下の構成を備える。即ち、
光源から投射された光をライトバルブを介してスクリーンに投射する投射型表示装置において、光源の駆動状態を測定する測定手段と、測定手段によって測定された駆動状態に基づいてライトバルブを制御する制御手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
プラズマを発生させる空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、
前記マイクロ波導入器は、前記チャンバの壁面から前記プラズマを発生させる空間に向けて突出した導波体と、前記導波体の先端に設けられ前記プラズマを発生させる空間にマイクロ波を放射させる放射部と、
を備え、
前記導波体は、内導体と、前記内導体の外側に設けられた外導体と、前記内導体と前記外導体との間に設けられマイクロ波を伝搬する内部充填部と、を有し、
前記内導体は、前記放射部を貫通せず前記放射部の内部に突出していること、を特徴とするマイクロ波導入器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため、本発明の一態様によれば、
プラズマを発生させる空間を有するチャンバに取り付けられるマイクロ波導入器であって、
前記マイクロ波導入器は、前記チャンバの壁面から前記プラズマを発生させる空間に向けて突出した導波体と、前記導波体の先端に設けられ前記プラズマを発生させる空間にマイクロ波を放射させる放射部と、を備え、
前記導波体は、内導体と、前記内導体の外側に設けられた外導体と、前記内導体と前記外導体の間に設けられマイクロ波を伝搬する内部充填部と、を有し、
前記内導体は、前記放射部を貫通せず前記放射部の内部に突出していること、を特徴とするマイクロ波導入器が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
マイクロ波導入器１００は、プラズマを発生させる空間８００に向けてチャンバ３００の壁面からチャンバ３００の内側（同図の下側）の減圧空間に向けて突出するように取り付けられる。このマイクロ波導入器１００には、チャンバ３００の外側から、導波管２００を介してマイクロ波ＭＷが導入される。図１に表した具体例の場合、内導体１００ａ、外導体１００ｂ、外部被覆部１００ｄ、内部充填部１００ｃ、放射部１００ｅは、それぞれ円形断面を有する。これら円形の直径は、内導体１００ａが最も小さく、内部充填部１００ｃ、外導体１００ｂ、外部被覆部１００ｄ、放射部１００ｅの順に大きくなる。例えば、内導体１００ａの直径はφ４ミリメータ、内部充填部１００ｃはφ１０ミリメータ、外導体１００ｂはφ１４ミリメータ、外部被覆部１００ｄがφ２０ミリメータとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
本実験例では、マイクロ導入器にマイクロ波を伝搬させたときの電界強度比分布をシミュレーションにより構造解析を行った。
ここで、導波体１０１の上端は、チャンバ３００の上面に対して略垂直方向に接続されている。導波体１０１の下端は、チャンバ内壁と略平行に設けられた放射部１００ｅの中央に接続されている。内導体１００ａの下端は、放射部１００ｅを貫通せずに放射部１００ｅの内部に突出した構造を有する。構造解析は、例えば、株式会社エー・イー・ティ・ジャパン社製の「ＭＷ−Ｓｔｕｄｉｏ」を用いて行うことができる。電界強度比分布は、モノトーン色の濃淡で表し、電界強度比が高い程濃く、低いほど淡くなるように表示した。
放射部１００ｅは、直径をφ１０１ミリメータとし、厚さを１０ミリメータとする。内導体１００ａの突出寸法Ｈ２は、約２ミリメータとする。
図５から、電界強度は、放射部１００ｅの端部が特に高く、導波体１０１の下端、導波体１０１の上端、の順に小さくなることが分かる。このように電界強度の高い放射部１００ｅをチャンバ３００の上面から離して設けることで、チャンバ３００の内壁などがスパッタリングされるのを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月17日(2009.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図３に示すように。ＲＦ電極３０の例えば６つのねじ孔３１には、電極押さえ板５０の６つの孔５１を介してボルト７０が螺合されることで、ＲＦ電極３０と電極押さえ板５０とが固定される。また、石英ガラス固定板４０の例えば８つのねじ孔４１には、ＲＦ電極固定板６０の孔６１を介してボルト７１が螺合することで、石英ガラス固定板４０とＲＦ電極固定板６０とが固定される。さらに、チャンバー壁１２に設けた例えば８つのねじ孔１１には、ＲＦ電極固定板６０の孔６３を介してボルト（図示せず）が螺合されることで、ＲＦ電極固定板６０がチャンバー壁１２に固定される。この構造により、ＲＦ電極３０は他の金属部材１２，４０，６０と絶縁されて、光学窓２０に保持される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
このとき、光学窓２０付近に生成される酸素プラズマまたは窒素プラズマのトリガーとして、ＫｒＦエキシマレーザを好適に用いることができる。なお、本発明ではレーザ波長はエキシマレーザに限定されるものではなく、他の波長であってもよく、好ましくは紫外線レーザであると良い。また、ガス導入管１３０を介して光学窓２０付近に導入されるガスの種類についても、好ましくは酸素または窒素であるが、これらに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し、
前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり、
前記強磁性自由層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し、前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合しており、
前記強磁性膜固定層はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１が前記第二の強磁性膜の厚さｔ２より厚いことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が０．４から１．０の範囲にあることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記非磁性導電層は、Ｒｕからなり、膜厚が０．４ｎｍから１．４ｎｍの範囲あるいは２．０ｎｍから２．８ｎｍの範囲にあることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記強磁性固定層は反強磁性膜の上に形成され、前記絶縁膜は前記強磁性固定層の上に形成され、前記強磁性自由層は前記絶縁膜の上に形成され、前記強磁性固定層は、非磁性膜を挟んで反強磁性結合した２層の強磁性膜からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜は前記強磁性自由層の上に形成され、前記強磁性固定層は前記絶縁膜の上に形成され、前記強磁性固定層の上に反強磁性膜が形成され、前記強磁性固定層は、非磁性膜を挟んで反強磁性結合した２層の強磁性膜からなることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し、前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり、前記強磁性自由層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し、前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合しており、前記強磁性膜固定層はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、
前記強磁性自由層をスピントランスファートルクにより磁化反転させるための電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流す電極と、
前記トンネル磁気抵抗効果素子に流れる電流をオン・オフ制御するスイッチング素子とを備えることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項８】
請求項７記載の磁気メモリセルにおいて、前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１が前記第二の強磁性膜の厚さｔ２より厚いことを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項９】
請求項７記載の磁気メモリセルにおいて、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が０．４から１．０の範囲にあることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１０】
請求項７記載の磁気メモリにおいて、前記非磁性導電層は、Ｒｕからなり、膜厚が０．４ｎｍから１．４ｎｍの範囲あるいは２．０ｎｍから２．８ｎｍの範囲にあることを特徴とする磁気メモリセル。
【請求項１１】
複数の磁気メモリセルと、所望の磁気メモリセルを選択する手段とを備え、
前記磁気メモリセルは、
絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し、前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり、前記強磁性自由層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し、前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合しており、前記強磁性膜固定層はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜を有するトンネル磁気抵抗効果素子と、
前記強磁性自由層をスピントランスファートルクにより磁化反転させるための電流を前記トンネル磁気抵抗効果素子に流す電極と
を有することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１２】
請求項１１記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記第一の強磁性膜と前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１が前記第二の強磁性膜の厚さｔ２より厚いことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１３】
請求項１１記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記第一の強磁性膜の厚さｔ１と前記第二の強磁性膜の厚さｔ２の比（ｔ２／ｔ１）が０．４から１．０の範囲にあることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１４】
請求項１１記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記非磁性導電層は、Ｒｕからなり、膜厚が０．４ｎｍから１．４ｎｍの範囲あるいは２．０ｎｍから２．８ｎｍの範囲にあることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１５】
請求項１１記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、スピントランスファートルクにより磁気情報を記録することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１６】
絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた強磁性自由層と強磁性固定層とを有し、
前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であり、
前記強磁性自由層は、非磁性導電層を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜からなり、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜に隣接し、前記第二の強磁性膜と第一の強磁性膜は反強磁性結合していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがフリップチップ実装される実装基板であって、
絶縁層と、
第１のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層を囲むと共に、前記第１のソルダーレジスト層から分離した第２のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層と前記第２のソルダーレジスト層との間に形成され、前記絶縁層を露出する開口部とを有し、前記絶縁層上に設けられたソルダーレジスト層と、
前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第１のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第１の接続パッドと、
前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第２のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第２の接続パッドと、を含むことを特徴とする実装基板。
【請求項２】
前記第１のソルダーレジスト層は四角形を構成し、該四角形の角部近傍には前記第２の接続パッドが設置されることを特徴とする請求項１記載の実装基板。
【請求項３】
前記第１の接続パッドの露出面積と前記第２の接続パッドの露出面積とが同じであることを特徴とする請求項１または２記載の実装基板。
【請求項４】
前記第１のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出された第３の接続パッドをさらに有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の実装基板。
【請求項５】
前記第３の接続パッドの露出面積は、前記第１の接続パッドの露出面積および前記第２の接続パッドの露出面積と同じであることを特徴とする請求項４記載の実装基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一観点によれば、半導体チップがフリップチップ実装される実装基板であって、絶縁層と、第１のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層を囲むと共に、前記第１のソルダーレジスト層から分離した第２のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層と前記第２のソルダーレジスト層との間に形成され、前記絶縁層を露出する開口部とを有し、前記絶縁層上に設けられたソルダーレジスト層と、前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第１のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第１の接続パッドと、前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第２のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第２の接続パッドと、を含むことを特徴とする実装基板が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記第１のソルダーレジスト層は四角形を構成し、該四角形の角部近傍には前記第２の接続パッドが設置されると、当該角部近傍での第１及び第２の接続パッドの干渉を効果的に抑制することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記第１の接続パッドの露出面積と前記第２の接続パッドの露出面積とが同じであると、第１及び第２の接続パッドと半導体チップの接続の信頼性が良好となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記第１のソルダーレジスト層に形成された開口部から露出する第３の接続パッドをさらに有すると、中心部に接続パッドを有する半導体チップを実装することが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明による実装基板は、半導体チップがフリップチップ実装される実装基板であって、絶縁層と、第１のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層を囲むと共に、前記第１のソルダーレジスト層から分離した第２のソルダーレジスト層と、前記第１のソルダーレジスト層と前記第２のソルダーレジスト層との間に形成され、前記絶縁層を露出する開口部とを有し、前記絶縁層上に設けられたソルダーレジスト層と、前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第１のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第１の接続パッドと、前記絶縁層上に設けられ、一方の端部が前記開口部から露出され、前記第２のソルダーレジスト層から突出すると共に、前記半導体チップがフリップチップ実装される第２の接続パッドと、を含むことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタを有する半導体装置であって、
前記キャパシタは、
半導体基板上に設けられた層間絶縁膜内に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、
前記誘電体膜を介して前記下部電極と反対側に設けられるように配置された上部電極と、を有し、
前記層間絶縁膜は、
前記下部電極の底部から前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第１のコンタクトプラグと、
前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第２のコンタクトプラグと、を有し、
前記第１のコンタクトプラグの上部は前記下部電極の底部に接続され、
前記第１のコンタクトプラグの直径は、前記第２のコンタクトプラグの直径よりも大きく、
前記下部電極は、
前記層間絶縁膜内に設けられた溝内に設けられ、前記溝の底面と側面とを覆う第１のバリアメタルと、前記第１のバリアメタル上に設けられた第１のタングステン膜とを有し、
前記第１のコンタクトプラグは、
前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第１の孔内に設けられ、前記第１の孔の底面と側面とを覆う第２のバリアメタルと、前記第２のバリアメタル上に設けられた第２のタングステン膜とを有し、
前記第２のコンタクトプラグは、
前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第２の孔内に設けられ、前記第２の孔の底面と側面とを覆う第３のバリアメタルと、前記第３のバリアメタル上に設けられた第３のタングステン膜とを有し、
前記第１、第３および第３のバリアメタル膜は同じ材料であり、
前記第２のコンタクトプラグの高さは前記第１のコンタクトプラグの高さよりも高く、前記第１のコンタクトプラグの上部は前記第２のコンタクトプラグの上部よりも低い位置にある半導体装置。
【請求項２】
前記第１のコンタクトプラグの直径は、前記第２のコンタクトプラグの直径の１．０５倍以上であり、
前記第１〜第３のバリアメタル膜は、ＴａＮ、Ｔａ、ＴｉおよびＴｉＮから選択された一つの材料を含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
キャパシタを有する半導体装置の製造方法であって、
(ａ)半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
(ｂ)前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第１および第２の孔を設けるとともに、前記層間絶縁膜内に前記第１の孔上に位置するように溝を形成するステップと、
(ｃ)前記溝内、前記第１および第２の孔内を埋めるように第１の導電材料を堆積するステップと、
(ｄ)前記溝内、前記第１および第２の孔内からはみ出した前記第１の導電材料を研磨除去し、前記第１の孔内に第１のコンタクトプラグを設けるとともに、前記溝内に前記キャパシタの下部電極を設け、前記第２の孔内に第２のコンタクトプラグを設けるステップと、
(ｅ)前記下部電極上に前記キャパシタの誘電体膜を形成するステップと、
(ｆ)前記誘電体膜を介して前記下部電極と反対側に前記キャパシタの上部電極を形成するステップと、を有し、
前記ステップ(ｂ)は、
前記第１の孔の直径が前記第２の孔の直径より大きくなるように前記第１および第２の孔を形成するステップを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ステップ(ｂ)は、
前記第１のコンタクトプラグの直径が、前記第２のコンタクトプラグの直径の１．０５倍以上となるように前記第１および第２の孔を形成するステップを含む、請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ステップ(ｂ)は、
前記層間絶縁膜内に前記溝を形成した後、前記第１および前記第２の孔を形成するステップとを含み、
前記第１の孔は、前記層間絶縁膜を前記溝の底部から厚さ方向に貫通するように形成される、請求項３または請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特にＭＩＭ（Metal Insulator Metal）構造のキャパシタを有する半導体装置およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置は、キャパシタを有する半導体装置であって、前記キャパシタは、半導体基板上に設けられた層間絶縁膜内に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられた誘電体膜と、前記誘電体膜を介して前記下部電極と反対側に設けられるように配置された上部電極と、を有し、前記層間絶縁膜は、前記下部電極の底部から前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第１のコンタクトプラグと、前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第２のコンタクトプラグと、を有し、前記第１のコンタクトプラグの上部は前記下部電極の底部に接続され、前記第１のコンタクトプラグの直径は、前記第２のコンタクトプラグの直径よりも大きく、前記下部電極は、前記層間絶縁膜内に設けられた溝内に設けられ、前記溝の底面と側面とを覆う第１のバリアメタルと、前記第１のバリアメタル上に設けられた第１のタングステン膜とを有し、前記第１のコンタクトプラグは、前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第１の孔内に設けられ、前記第１の孔の底面と側面とを覆う第２のバリアメタルと、前記第２のバリアメタル上に設けられた第２のタングステン膜とを有し、前記第２のコンタクトプラグは、前記層間絶縁膜を厚さ方向に貫通する第２の孔内に設けられ、前記第２の孔の底面と側面とを覆う第３のバリアメタルと、前記第３のバリアメタル上に設けられた第３のタングステン膜とを有し、前記第１、第３および第３のバリアメタル膜は同じ材料であり、前記第２のコンタクトプラグの高さは前記第１のコンタクトプラグの高さよりも高く、前記第１のコンタクトプラグの上部は前記第２のコンタクトプラグの上部よりも低い位置にある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置によれば、第１のコンタクトプラグの直径は、前記第２のコンタクトプラグの直径よりも大きく形成することで、下部電極の製造時のフォトリソグラフィのフォーカスマージンが大きくなり。下部電極形成用の電極溝をより深く形成してもコンタクトプラグの形成に不具合が生じることがない。このため、電極溝の深さで規定される下部電極の厚さが厚くなり、ＣＭＰによる過剰研磨で、ディッシングやエロージョンが発生し、下部電極の表面が皿状に窪んでも、下部電極の厚さがディッシングやエロージョンによる過剰研磨量に比べて十分厚いので、下部電極が局所的にでも完全に除去されるということがなく、キャパシタに不具合が生じることが防止される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像表示素子を照明するための光源装置であって、
少なくとも１つ以上の点状光源と、
前記点状光源が配置された基板と、
前記点状光源の発光面に接触し、前記発光面を覆うように配置された反射部材を有し、
前記反射部材は、前記点状光源からの射出された光線を通過させるための開口部と
を有することを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記点状光源の発光面を取り囲むようにテーパ面が形成され、
前記開口部は、前記テーパ面の端部より大きい
ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記点状光源の発光面を取り囲むようにテーパ面が形成され、
前記開口部は、前記点状光源のハウジングの端面の大きさより小さい
ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項４】
前記反射部材は、金属、または金属に反射板を取り付けた構成である
ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項５】
前記点状光源のハウジングは、前記点状光源が配置された前記基板を囲む側面部を有し、
前記反射部材は、前記側面部に接触するように配置されている
ことを特徴とする請求項３に記載の光源装置。
【請求項６】
入力された映像信号を処理して、観察者に映像を表示する映像表示装置であって、
映像表示手段と、
前記映像表示手段に表示された映像を照明するための少なくとも１つ以上の点状光源と、
前記点状光源が配置された基板と、
前記点状光源の発光面に接触し、前記発光面を覆うように配置された反射手段と、
前記反射手段は、前記点状光源からの射出された光線を通過させるための開口部を有している
ことを特徴とする映像表示装置。
【請求項７】
前記点状光源の発光面を取り囲むようにテーパ面が形成され、
前記開口部は、前記テーパ面の端部より大きい
ことを特徴とする請求項６に記載の映像表示装置。
【請求項８】
前記点状光源の発光面を取り囲むようにテーパ面が形成され、
前記開口部は、前記点状光源のハウジングの端面の大きさより小さい
ことを特徴とする請求項６に記載の映像表示装置。
【請求項９】
前記反射部材は、金属、または金属に反射板を取り付けた構成である
ことを特徴とする請求項６に記載の映像表示装置。
【請求項１０】
前記点状光源のハウジングは、前記点状光源が配置された前記基板を囲む側面部を有し、
前記反射部材は、前記側面部に接触するように配置されている
ことを特徴とする請求項８に記載の映像表示装置。
【請求項１１】
前記点状光源からの光線を偏光させる偏光素子を有し、
前記反射部材は、前記偏光素子からの反射光を反射させる
ことを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板、第一の電極、有機ＥＬ層、第二の電極、防湿層が積層されており、該防湿層が基板の縁まで形成されてなる有機ＥＬ素子において、
少なくとも前記防湿層の側縁部を覆うように樹脂層が設けられていることを特徴とする、有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記樹脂層はシランカップリング剤、あるいはチタンカップリング剤を含有していることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記樹脂層は前記防湿層の側縁部の上面も覆うように設けられていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記樹脂層はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイソブチレン樹脂、イソブテン−イソプレン共重合体樹脂、金属アルコキシド重合体のいずれかであることを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記した背景技術の課題を解決するための手段として、請求項１に記載した発明に係る有機ＥＬ素子は、
少なくとも基板、第一の電極、有機ＥＬ層、第二の電極、防湿層が積層されており、該防湿層が基板の縁まで形成されてなる有機ＥＬ素子において、
少なくとも前記防湿層の側縁部を覆うように樹脂層が設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、少なくとも基板、第一の電極、有機ＥＬ層、第二の電極、防湿層が積層されており、該防湿層が基板の縁まで形成されてなる有機ＥＬ素子において、少なくとも前記防湿層の側縁部を覆うように樹脂層が設けられている。そのため、防湿層の切断端面が露出した有機ＥＬ素子の信頼性が向上する。すなわち、防湿層の側縁部が樹脂層で覆われているので、側縁部において防湿層とその下のガラス基板との界面から水分が浸入して前記防湿層が剥離することがなく、信頼性の高い有機ＥＬ素子となる。