Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを排出する排出手段と、
シート排出方向と交差するシート幅方向の両端部にそれぞれ設けられ、シートが排出されるのに伴いシートを下方から押し上げる一対の押し上げ部と、
前記一対の押し上げ部の間に設けられ、シートを上方から押し下げる押さえ部材と、
を備えたことを特徴とするシート排出装置。
【請求項２】
前記一対の押し上げ部の形状は、シート排出方向の上流から下流に向かうにつれてそれぞれ高くなるようにシート排出方向に対して傾斜するとともに、シート幅方向においてもそれぞれ外側に向かうにつれて高くなる傾斜形状であることを特徴とする請求項１に記載のシート排出装置。
【請求項３】
前記排出手段は、シート排出方向の上流側に設けられた第１の排紙ローラ対と下流に設けられた第２の排紙ローラ対を有し、
前記押し上げ部は、前記第１の排紙ローラ対と前記第２の排紙ローラ対の間に位置し、
前記第２の排紙ローラ対は、シート幅方向で前記押し上げ部の内側であって、前記押し上げ部の頂上部より低い位置で、かつ前記押し上げ部の下流側に設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載のシート排出装置。
【請求項４】
前記押さえ部材を下方へ付勢するバネを備え、
前記押さえ部材は、前記第１の排紙ローラ対と前記第２の排紙ローラ対の間に位置し、前記第１の排紙ローラ対近傍で、前記シートのこしの大きさが前記バネの付勢力よりも大きい場合に上方に回動可能に設けられている請求項３に記載のシート排出装置。
【請求項５】
前記押さえ部材は、前記第１の排紙ローラ対の上側ローラを回転可能に保持し、前記第１の排紙ローラ対へのガイド形状を有している請求項３または４に記載のシート排出装置。
【請求項６】
前記押さえ部材は、前記押し上げ部の前記傾斜形状に対向して設けられた傾斜部を有することを特徴とする請求項２に記載のシート排出装置。
【請求項７】
排出されるシートの少なくとも排出方向上流端を搬送するベルト部材を前記押し上げ部に沿って設けていることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のシート排出装置。
【請求項８】
シートに画像を形成する画像形成部と、
前記画像形成部により画像が形成されたシートを排出積載する請求項１〜７のいずれか１項に記載のシート排出装置と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド、ポリウレタンおよびポリ尿素からなる群から選ばれる少なくとも一種の有機ポリマー（Ａ）と、該有機ポリマー（Ａ）のマトリックス中に微分散された、平均粒子径が１〜３００ｎｍの酸化ケイ素（シリカ）及び／又は酸化アルミニウム（アルミナ）を含有する無機化合物微粒子（Ｂ）とを含む有機無機複合体であって、前記無機化合物微粒子（Ｂ）の表面上に、水溶液中における２５℃での標準酸化還元電位が−０．５Ｖ以上であり、平均粒子径が０．１〜３００ｎｍの金属微粒子（Ｃ）が担持されていることを特徴とする有機無機複合体。
【請求項２】
前記金属微粒子（Ｃ）が、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、銀、パラジウム、イリジウム、白金、金からなる群から選ばれる少なくとも一種の金属微粒子である請求項１に記載の有機無機複合体。
【請求項３】
前記無機化合物微粒子（Ｂ）が、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムを含有する、請求項１または２に記載の有機無機複合体。
【請求項４】
前記無機化合物微粒子（Ｂ）が、周期表第３〜第１２族の遷移金属元素又は周期表第１３〜１６族の典型金属元素の金属酸化物、金属水酸化物および金属炭酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の無機化合物（Ｂ’）を含有する、請求項１〜３のいずれかに記載の有機無機複合体。
【請求項５】
有機無機複合体全量１００質量％に対する前記無機化合物微粒子（Ｂ）の含有率が、２０〜８０質量％である請求項１〜４のいずれかに記載の有機無機複合体。
【請求項６】
前記有機無機複合体が、繊維径が２０μｍ以下でアスペクト比が１０以上のパルプ形状を有する請求項１〜５のいずれかに記載の有機無機複合体。
【請求項７】
請求項６に記載のパルプ状有機無機複合体を有する不織布。
【請求項８】
ジカルボン酸ハロゲン化物、ジクロロホルメート化合物、及びホスゲン系化合物からなる群から選ばれる少なくとも１つのハロゲン化合物（ａ−１）を有機溶媒に溶解した有機溶液（１）と、ジアミン（ａ−２）と、珪酸アルカリ及びアルミン酸アルカリから選ばれる少なくとも一種のアルカリ金属化合物（ｂ−１）と、水溶液中における２５℃での標準酸化還元電位（Ｅ０）が−０．５Ｖ以上である金属を有する金属化合物（ｃ−１）とを含有する、塩基性の水溶液（２）とを混合攪拌し反応させ有機無機複合体を得る工程１と、工程１により得られた有機無機複合体を含有するスラリーに還元剤を添加し、金属化合物（ｃ−１）中の金属イオンを有機無機複合体上で金属に還元する工程２と、を有する有機無機複合体の製造方法。
【請求項９】
前記有機溶液（１）を構成する有機溶媒が水に非相溶である、請求項８に記載の有機無機複合体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）（Ａ１）ポリアミド樹脂、（Ａ２）ポリブチレンテレフタレート樹脂および（Ａ３）ポリフェニレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料を０．５〜２重量部を配合してなるレーザ溶着用樹脂組成物。
【請求項２】
（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料が、チタニア層を有する光輝顔料である請求項１記載のレーザ溶着用樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料が、無機酸化物または無機水酸化物の基材上に金属酸化物層を有するものである請求項１または２記載のレーザ溶着用樹脂組成物。
【請求項４】
（Ｃ）無機充填材（ただし、金属酸化物層を有する光輝顔料を除く）および有機充填材から選択される少なくとも１種を、（Ａ）熱可塑性樹脂１００重量部に対し１〜２００重量部配合してなる請求項１〜３のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物。
【請求項５】
厚み２．０ｍｍの成形品にした時に、波長８００〜１１００ｎｍのレーザ光の透過率が１５％以上である請求項１〜４のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物を成形してなる成形品。
【請求項７】
請求項６記載の成形品をレーザ溶着してなる溶着成形品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち本発明は、
（１）（Ａ）（Ａ１）ポリアミド樹脂、（Ａ２）ポリブチレンテレフタレート樹脂および（Ａ３）ポリフェニレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種の熱可塑性樹脂１００重量部に対し、（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料を０．５〜２重量部を配合してなるレーザ溶着用樹脂組成物、
（２）（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料が、チタニア層を有する光輝顔料である（１）記載のレーザ溶着用樹脂組成物、
（３）（Ｂ）金属酸化物層を有する光輝顔料が、無機酸化物または無機水酸化物の基材上に金属酸化物層を有するものである（１）または（２）記載のレーザ溶着用樹脂組成物、
（４）（Ｃ）無機充填材（ただし、金属酸化物層を有する光輝顔料を除く）および有機充填材から選択される少なくとも１種を、（Ａ）熱可塑性樹脂１００重量部に対し１〜２００重量部配合してなる（１）〜（３）のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物、
（５）厚み２．０ｍｍの成形品にした時に、波長８００〜１１００ｎｍのレーザ光の透過率が１５％以上である（１）〜（４）のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物、
（６）（１）〜（５）のいずれか記載のレーザ溶着用樹脂組成物を成形してなる成形品、
（７）（６）記載の成形品をレーザ溶着してなる溶着成形品、である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明で用いる（Ａ）熱可塑性樹脂は、（Ａ１）ポリアミド樹脂、（Ａ２）ポリブチレンテレフタレート樹脂および（Ａ３）ポリフェニレンスルフィド樹脂から選ばれる少なくとも１種である。これらの樹脂は耐薬品性、耐熱性、機械的強度、電気絶縁性が高位にバランスがとれており、かつ、加工性にも良好である。これら（Ａ１）ポリアミド樹脂、（Ａ２）ポリブチレンテレフタレート樹脂、（Ａ３）ポリフェニレンスルフィド樹脂は単独であっても良いし、ポリアミドとポリアミド共重合体、ポリブチレンテレフタレートとポリブチレンテレフタレート共重合体、ポリフェニレンスルフィドとポリフェニレンスルフィド共重合体との併用であっても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶解度パラメータが１７〜２０（Ｊ／ｃｍ３）１／２の範囲にあり、かつ比表面積が０．００５〜１ｍ２／ｇの範囲にある粒状重合体（Ｌ）。
【請求項２】
重合体の構成単位としてラクトン骨格を有する構成単位（Ａ）を含有する請求項１に記載の粒状重合体（Ｌ）。
【請求項３】
懸濁重合法により製造される請求項１に記載の粒状重合体（Ｌ）。
【請求項４】
半導体製造工程で使用される重合体の精製用である請求項１に記載の粒状重合体（Ｌ）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラスチック光ファイバおよびプラスチック光ファイバコード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メチルメタクリレ−トを主成分とする（共）重合体からなるコアと、式（１）で示されるパーフルオロアルキルメタクリレ−ト
【化１】
2002148451.tif 000001
（ただし、Ｒはフッ素原子または水素原子、ｍは１または２、ｎは１から１０の整数を表わす。）、メチルメタクリレートを含有する共重合体である第１クラッドと、
ヘキサフルオロプロピレン      １０〜３０重量％
テトラフルオロエチレン        ４５〜７５重量％
弗化ビニリデン                １０〜３５重量％
他の共重合可能な成分          １〜１０重量％
を共重合成分とし、かつ弗素組成重量率が７０〜７４％である共重合体からなる第２クラッドからなり、理論開口数がＮＡ＝０．４５〜０．５２であることを特徴とするプラスチック光ファイバ。
【請求項２】  第２クラッドが
ヘキサフルオロプロピレン                １４〜２５重量％
テトラフルオロエチレン                  ４９〜７０重量％
弗化ビニリデン                          １４〜３０重量％
他の共重合可能な弗素元素を含有する成分  ２〜７重量％
を共重合成分とし、かつ弗素組成重量率が７１〜７４％である共重合体からなることを特徴とする請求項１に記載のプラスチック光ファイバ。
【請求項３】  他の共重合可能な弗素元素を含有する成分が、パーフルオロアルキルビニルエーテルであることを特徴とする請求項２に記載のプラスチック光ファイバ。
【請求項４】  第１クラッドが、パーフルオロアルキルメタクリレート６０〜９５重量％、及びメチルメタクリレート５〜４０重量％を共重合成分として含有する共重合体からなり、さらにガラス転移温度が８０℃以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラスチック光ファイバ。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載のプラスチック光ファイバの外周に少なくとも１層以上の被覆層を有し、該被覆層が、オレフィン系ポリマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリ弗化ビニリデン、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ナイロンエラストマー、ポリエステルエラストマーあるいはウレタン樹脂、弗素樹脂から選ばれる少なくとも１種の樹脂であるプラスチック光ファイバコード。
【請求項６】  被覆層が、多層構造からなる請求項５に記載のプラスチック光ファイバコード。
【請求項７】  被覆層が、ポリアミド樹脂である請求項５または６に記載のプラスチック光ファイバコード。
【請求項８】  ポリアミド樹脂が、ナイロン１２である請求項７に記載のプラスチック光ファイバコード。
【請求項９】  被覆層が、ナイロンエラストマーである請求項５〜８のいずれかに記載のプラスチック光ファイバコード。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも結着樹脂、離型剤及び磁性粉体を有し、重量平均粒径が３〜１
０μｍの磁性トナーにおいて、
該磁性トナーは磁場７９．６ｋＡ／ｍ（１０００エルステッド）における磁化の強さが１０〜５０Ａｍ2／ｋｇ（ｅｍｕ／ｇ）であり、
該磁性トナーの粒度分布は、重量平均粒径／数平均粒径の比が１．４０以下であり、
該磁性トナーの平均円形度は０．９７０以上であり、
該磁性トナーの重量平均粒径よりも粒径が小さい磁性トナー（Ｆ）と、該磁性トナーよりも重量平均粒径が大きい磁性トナー（Ｇ）に２分割したときの、磁性トナー（Ｆ）、（Ｇ）それぞれの飽和磁化をσｓｆ、σｓｇとしたときに下式（１）を満たし、
示差走査熱量計により測定される前記磁性トナー（Ｆ）、（Ｇ）それぞれの前記離型剤の吸熱量をＨｆ、Ｈｇとしたときに、下式（２）を満たすことを特徴とする磁性トナー。
【数１】
（１） ０．８０＜σｓｆ／σｓｇ＜１．００
（２） ０．２５＜Ｈｇ／Ｈｆ＜１．００
【請求項２】 前記磁性トナーの粒度分布において、重量平均粒径／数平均粒径の比が１
．３５以下であることを特徴とする請求項１に記載の磁性トナー。
【請求項３】 前記飽和磁化σｓｆ、σｓｇが下記式（３）を満たし、及び前記吸熱量Ｈ
ｆ、Ｈｇが下記式（４）を満たすことを特徴とする請求項１又は２に記載の磁性トナー。
【数２】
（３） ０．８７＜σｓｆ／σｓｇ＜１．００
（４） ０．６０＜Ｈｇ／Ｈｆ＜１．００
【請求項４】 前記磁性トナーは、離型剤を結着樹脂に対し１〜３０質量％含有すること
を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項５】 前記離型剤の示差走査熱量分析による吸熱ピークは、４０〜１１０℃であ
ることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項６】 前記磁性トナーの鉄及び鉄化合物の遊離率は、０．０５〜１．００％であ
ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項７】 前記磁性粉体は、二重結合を有するシランカップリング剤で表面処理され
ていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項８】 前記磁性粉体は、二重結合を有さない少なくとも一種類以上のシランカッ
プリング剤と、二重結合を有するシランカップリング剤で表面処理されている事を特徴と
する請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項９】 前記磁性粉体は、水系媒体中でカップリング剤により表面処理されている
ことを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の磁性トナー。
【請求項１０】 帯電部材に電圧を印加し、像担持体を帯電させる帯電工程と、
帯電された像担持体に静電潜像として画像情報を書き込む静電潜像形成工程と、
前記静電潜像を表面に保持する像担持体と、磁性トナーを表面に担持する磁性トナー担持体とを一定の間隔を設けて配置することにより現像部を形成し、磁性トナーを前記磁性トナー担持体表面に前記間隔よりも薄い厚さにコートさせ、交番電界が印加されている前記現像部において前記磁性トナーを前記静電潜像に転移させてトナー像を形成する現像工程と、
前記トナー像を記録媒体に転写する転写工程とを有し、像担持体上に繰り返して作像が行われる画像形成方法において、
前記磁性トナーは、請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁性トナーであることを特徴とする画像形成方法。
【請求項１１】 前記現像工程は、トナー像を記録媒体上に転写した後に像担持体に残留
したトナーを回収するクリーニング工程を兼ねていることを特徴とする請求項１０に記載の画像形成方法。
【請求項１２】 前記帯電工程において、少なくとも帯電部材と像担持体の当接部に、導
電性微粉体が介在していることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の画像形成方法。
【請求項１３】 前記帯電工程は、アスカーＣ硬度が２５〜５０度のローラ部材に電圧を
印加することにより像担持体を帯電させる工程であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１４】 前記帯電工程は、前記ローラ部材に電圧を印加することにより像担持体
を帯電させる工程であり、前記ローラ部材は、少なくとも表面が球形換算での平均セル径が５〜３００μｍである窪みを有しており、前記窪みを空隙部としたローラ部材の表面の空隙率が１５〜９０％であることを特徴とする請求項１３に記載の画像形成方法。
【請求項１５】 前記帯電工程は、前記帯電部材として、導電性を有するブラシ部材に電
圧を印加することにより像担持体を帯電させる工程であることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の画像形成方法。
【請求項１６】 感光体上に形成された静電潜像をトナーを転移させて可視化してトナー
像を形成し、該トナー像を記録媒体に転写することにより画像を形成する画像形成装置から着脱可能に構成されているプロセスカートリッジであって、感光体と、前記感光体を所定の電位に帯電させる帯電手段と、トナーを有し、前記感光体上に形成された静電潜像に該トナーを転移させて可視化し、トナー像を形成する現像手段と、から選ばれる少なくとも２つ以上は一体に支持され、前記トナーは、請求項１〜９のいずれか一項に記載の磁性トナーであることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも結着樹脂、離型剤及び磁性粉体を有し、重量平均粒径が３〜１０μｍの磁性トナーにおいて、該磁性トナーは磁場７９．６ｋＡ／ｍ（１０００エルステッド）における磁化の強さが１０〜５０Ａｍ2／ｋｇ（ｅｍｕ
／ｇ）であり、該磁性トナーの粒度分布は、重量平均粒径／数平均粒径の比が１．４０以下であり、該磁性トナーの平均円形度は０．９７０以上であり、該磁性トナーの重量平均粒径よりも粒径が小さい磁性トナー（Ｆ）と、該磁性トナーよりも重量平均粒径が大きい磁性トナー（Ｇ）に２分割したときの、磁性トナー（Ｆ）、（Ｇ）それぞれの飽和磁化を
σｓｆ、σｓｇとしたときに下式（１）を満たし、示差走査熱量計により測定される前記磁性トナー（Ｆ）、（Ｇ）それぞれの前記離型剤の吸熱量をＨｆ、Ｈｇとしたときに、下式（２）を満たすことを特徴とする磁性トナー及び該磁性トナーを用いた画像形成方法、プロセスカートリッジに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月28日(2009.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノード；
光伝導性有機半導体材料からなる電子ドナー層；
フラーレンを含む、前記電子ドナー層上の電子輸送層；
励起子障壁層；及び
カソード；
を備える感光性有機オプトエレクトロニクス素子。
【請求項２】
励起子障壁層が電子輸送層とカソードの間に位置する請求項１に記載の素子。
【請求項３】
励起子障壁層がＢＣＰを含む請求項２に記載の素子。
【請求項４】
励起子障壁層がＡｌｑ２ＯＰＨを含む請求項２に記載の素子。
【請求項５】
アノード平滑化層が電子ドナー層とアノードの間に位置する請求項１に記載の素子。
【請求項６】
アノード平滑化層がＰＥＤＯＴ：ＰＳＳを含む請求項５に記載の素子。
【請求項７】
ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳがプラズマで処理された請求項６に記載の素子。
【請求項８】
フラーレンがＣ６０からＣ９６の範囲の大きさから選択される請求項１〜７のいずれか一項に記載の素子。
【請求項９】
フラーレンがナノチューブである請求項１に記載の素子。
【請求項１０】
アノードが透明導電性酸化物から選択される請求項１に記載の素子。
【請求項１１】
アノードがＩＴＯから選択される請求項１０に記載の素子。
【請求項１２】
電子輸送層がＣ６０であり、
電子ドナー層がＣｕＰｃであり、また
励起子障壁層がＢＣＰである、
請求項２に記載の素子。
【請求項１３】
外部電力変換効率が少なくとも３．６％である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の素子。
【請求項１４】
電子輸送層、電子ドナー層、及び励起子障壁層が、導波路を形成する２つの平行反射平面の間に配置される請求項１に記載の素子。
【請求項１５】
２つの反射表面の１つが素子に光を入射させる開口部をもつ請求項１４に記載の素子。
【請求項１６】
反射表面に平行な方向から光が素子に入れるように、２つの反射表面の間に透明な孔をもつ請求項１５に記載の素子。
【請求項１７】
フラーレンを含む電子輸送層を少なくとも１個のサブセルが含む、複数の感光性オプトエレクトロニクスサブセルを備える積層型感光性有機オプトエレクトロニクス素子。
【請求項１８】
前記サブセルが励起子障壁層及び電子輸送層に隣接する電子ドナー層をさらに含む請求項１７に記載の素子。
【請求項１９】
励起子障壁層がＢＣＰを含み、電子輸送層に隣接する請求項１８に記載の素子。
【請求項２０】
電子輸送層がＣ６０であり、
電子ドナー層がＣｕＰｃであり、また
励起子障壁層がＢＣＰである、
請求項１７に記載の素子。
【請求項２１】
アノード、電子ドナー層、フラーレンを含む電子輸送層、励起子障壁層及びカソードを備える感光性有機オプトエレクトロニクス素子の製造方法であって、
（ａ）アノード上に電子ドナー層を堆積させるステップ、
（ｂ）前記電子ドナー層上に電子輸送層を堆積させるステップ、
（ｃ）前記電子輸送層上に励起子障壁層を堆積させるステップ、及び
（ｄ）前記励起子障壁層上にカソードを堆積させるステップ
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエチレングリコールの両末端がカルボキシル化されたカルボキシル化ポリエチレングリコールとシクロデキストリン分子とを混合して、複数のシクロデキストリン分子の開口部に前記カルボキシル化ポリエチレングリコールが串刺し状に包接されてなる擬ポリロタキサンを得る包接工程；及びカルボキシル基と反応する基を有する封鎖基と前記擬ポリロタキサンとを反応させて両末端に封鎖基を有するポリロタキサンを得る封鎖工程；を有するポリロタキサンの製造方法であって、
前記カルボキシル化ポリエチレングリコールは、ポリエチレングリコールを2,2,6,6-テトラメチル-1-ピペリジニルオキシラジカル（ＴＥＭＰＯ）により酸化して得られる、上記方法。
【請求項２】
ポリエチレングリコールの両末端がカルボキシル化されたカルボキシル化ポリエチレングリコールとシクロデキストリン分子とを混合して、複数のシクロデキストリン分子の開口部に前記カルボキシル化ポリエチレングリコールが串刺し状に包接されてなる擬ポリロタキサンを得る包接工程；及び前記擬ポリロタキサンと−ＮＨ２基又は−ＯＨ基を有する封鎖基とを反応させて、−ＣＯ−ＮＨ−封鎖基又は−ＣＯ−Ｏ−封鎖基の両末端を有するポリロタキサンを得る封鎖工程；を有するポリロタキサンの製造方法であって、
前記カルボキシル化ポリエチレングリコールは、ポリエチレングリコールを2,2,6,6-テトラメチル-1-ピペリジニルオキシラジカル（ＴＥＭＰＯ）により酸化して得られる、上記方法。
【請求項３】
前記ＴＥＭＰＯによる酸化を弱塩基性系で行う請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記弱塩基性系が、臭化ナトリウム及び次亜塩素酸ナトリウムの混合水溶液である請求項３記載の方法。
【請求項５】
2,2,6,6-テトラメチル-1-ピペリジニルオキシラジカル（ＴＥＭＰＯ）によりポリエチレングリコールを酸化してポリエチレングリコールの両末端がカルボキシル化されたカルボキシル化ポリエチレングリコールを得るカルボキシル化工程；及び前記カルボキシル化ポリエチレングリコールとシクロデキストリン分子とを混合して、シクロデキストリン分子の開口部に前記カルボキシル化ポリエチレングリコールが串刺し状に包接されてなる擬ポリロタキサンを得る包接工程；を有する擬ポリロタキサンの製造方法であって、
前記ＴＥＭＰＯによる酸化を弱塩基性系で行う、上記方法。
【請求項６】
前記弱塩基性系が、臭化ナトリウム及び次亜塩素酸ナトリウムの混合水溶液である請求項５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被装着物の運動を、加速度センサと角速度センサの少なくともひとつを用いて検出する運動検出装置において、
周囲を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段の撮像した異なる時点の画像を比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、被装着物の運動情報を獲得する獲得手段と、
をさらに具備することを特徴とする運動検出装置。
【請求項２】  操作者の手の甲に装着され、手に加わる加速度か角速度の少なくともひとつを検出する手甲検出手段と、
前記手甲検出手段の検出結果を利用して所定の方式でコマンドを生成する操作入力解析手段とを有する操作入力装置であり、
周囲を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段の撮像した異なる時点の画像を比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、手の運動情報を獲得する獲得手段と、
をさらに具備することを特徴とする操作入力装置。
【請求項３】  操作者の手の甲に装着され、前記操作者の手の甲の動きまたは姿勢を検出する手甲検出手段と、
前記操作者の指に装着され、前記操作者の指の姿勢を検出する指姿勢検出手段と、
前記手甲検出手段と前記指姿勢検出手段の出力に基づいて、前記操作者の手全体の形状を求める手形状推定手段と、
前記手形状推定手段の出力を用いて、所定のコマンドを生成する操作入力解析手段とを有する操作入力装置であり、
周囲を撮像する撮像手段と、
前記撮像手段の撮像した異なる時点の画像を比較する比較手段と、
前記比較手段の比較結果に基づいて、手の運動情報を獲得する獲得手段と、
をさらに具備することを特徴とする操作入力装置。
【請求項４】  前記撮像手段と前記比較手段と前記獲得手段は、１つのチップ上で実現されていることを特徴とする請求項１に記載の運動検出装置。
【請求項５】  前記撮像手段と前記比較手段と前記獲得手段は、１つのチップ上で実現されていることを特徴とする請求項２または３に記載の操作入力装置。
【請求項６】  前記チップは手の甲に装着され、
前記チップの出力を前記手甲検出手段の出力に反映する動作モードと、
前記チップの出力を前記手甲検出手段の出力に反映しない動作モードを
有することを特徴とする請求項５に記載の操作入力装置。
【請求項７】  前記チップは３個装着され、各々が略直交する３方向を撮像することを特徴とする請求項５または６に記載の操作入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第３の発明は、操作者の手の甲に装着され、前記操作者の手の甲の動きまたは姿勢を検出する手甲検出手段と、前記操作者の指に装着され、前記操作者の指の姿勢を検出する指姿勢検出手段と、前記手甲検出手段と前記指姿勢検出手段の出力に基づいて、前記操作者の手全体の形状を求める手形状推定手段と、前記手形状推定手段の出力を用いて、所定のコマンドを生成する操作入力解析手段とを有する操作入力装置であり、周囲を撮像する撮像手段と、前記撮像手段の撮像した異なる時点の画像を比較する比較手段と、前記比較手段の比較結果に基づいて、手の運動情報を獲得する獲得手段と、をさらに具備する。
また、第４の発明は、第１の発明において、前記撮像手段と前記比較手段と前記獲得手段は、１つのチップ上で実現されている。
また、第５の発明は、第２または第３の発明において、前記撮像手段と前記比較手段と前記獲得手段は、１つのチップ上で実現されている。
また、第６の発明は、第５の発明において、前記チップは手の甲に装着され、前記チップの出力を前記手甲検出手段の出力に反映する動作モードと、前記チップの出力を前記手甲検出手段の出力に反映しない動作モードを有する。
また、第７の発明は、第５または第６の発明において、前記チップは３個装着され、各々が略直交する３方向を撮像する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が第１始動口に進入したことに起因して当否の判定を行う第１当否判定手段と、
前記第１当否判定手段の判定結果を表示する第１表示手段と、
前記第１当否判定手段の判定結果が当たりであったことを条件として作動する役物連続作動装置と、
前記役物連続作動装置の作動により複数回にわたって開放され得る第１大入賞口と、
を備えた弾球遊技機において、
遊技球が第２始動口に進入したことに起因して開放し、入賞した遊技球が進入すると前記役物連続作動装置が作動する特定領域を備える第２大入賞口と、
前記第１始動口又は前記第２始動口への遊技球の進入時に実行され、前記第１始動口又は前記第２始動口への遊技球の進入に起因した前記役物連続作動装置の作動の終了後に前記役物連続作動装置を作動させやすい特典遊技を実行するか否かを決める特典決定手段と、
を備え、
前記特典遊技中において前記特典決定手段によって遊技球が第２始動口に進入したことに起因した役物連続作動装置の作動後に前記特典遊技を実行しないと決定した場合に、前記第２大入賞口の開放前に前記第２大入賞口への入賞の回避を促すための報知をする報知手段と
を備えたことを特徴とする弾球遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の遊技機は、
遊技球が第１始動口に進入したことに起因して当否の判定を行う第１当否判定手段と、
前記第１当否判定手段の判定結果を表示する第１表示手段と、
前記第１当否判定手段の判定結果が当たりであったことを条件として作動する役物連続作動装置と、
前記役物連続作動装置の作動により複数回にわたって開放され得る第１大入賞口と、
を備えた弾球遊技機において、
遊技球が第２始動口に進入したことに起因して開放し、入賞した遊技球が進入すると前記役物連続作動装置が作動する特定領域を備える第２大入賞口と、
前記第１始動口又は前記第２始動口への遊技球の進入時に実行され、前記第１始動口又は前記第２始動口への遊技球の進入に起因した前記役物連続作動装置の作動の終了後に前記役物連続作動装置を作動させやすい特典遊技を実行するか否かを決める特典決定手段と、
を備え、
前記特典遊技中において前記特典決定手段によって遊技球が第２始動口に進入したことに起因した役物連続作動装置の作動後に前記特典遊技を実行しないと決定した場合に、前記第２大入賞口の開放前に前記第２大入賞口への入賞の回避を促すための報知をする報知手段と
を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、遊技球が第２始動口に進入したことに起因して第２大入賞口が開放される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、第１始動口、第１当否判定手段、第１表示手段、役物連続作動装置及び第１大入賞口の第１の系統と第２始動口及び第２大入賞口の第２の系統とが存在する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
一方、前記第１始動口又は前記第２始動口への遊技球の進入に起因した役物連続作動装置の作動（第２始動口への遊技球の進入の場合は上述の特定領域への進入が条件となる。）の終了後に役物連続作動装置を作動させやすい特典遊技を実行するか否かを特典決定手段が決める。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
特典遊技中において、第１始動口又は第２始動口への遊技球の進入に起因した役物連続作動装置が作動した場合、特典決定手段によって特典遊技を実行すると決まっていればよいが、そうでなければ役物連続作動装置の作動（第１大入賞口の連続開放）に伴って特典遊技（例えば高確率） が終了してしまう。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
しかしながら、本発明の弾球遊技機は、前記特典遊技中において遊技球が第２始動口に進入したことに起因した役物連続作動装置の作動後に前記特典遊技を実行しないと決定した場合には、第２大入賞口の開放前に報知手段によって第２大入賞口への入賞の回避を促すための報知をする。遊技者がこれに応じて第２大入賞口への入賞を回避すれば、遊技球が特定領域に入って役物連続作動装置が作動する可能性がきわめて小さくなるから役物連続作動装置は作動せず、特典遊技は引き続き実行される。よって、遊技者が期待できたはずの利益（特典遊技の継続）が損なわれるのを防止できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機の本体枠に設けられた遊技盤装着枠の一側部に対し、遊技盤の一側部が係脱可能に係合され、その係合部を支点として前記遊技盤が前記遊技盤装着枠に沿う装着位置まで回動されることで前記遊技盤装着枠に前記遊技盤が着脱交換可能に装着される遊技機であって、
前記本体枠と前記遊技盤には、前記遊技盤装着枠に対する前記遊技盤の回動動作に伴って電気的に接続される本体枠側コネクタと遊技盤側コネクタとがそれぞれ配設され、
前記本体枠側コネクタ及び前記遊技盤側コネクタには、遊技に関連する信号を伝達するための信号線に対応する複数の信号端子が配設される第１の端子配設領域と、前記本体枠側から前記遊技盤側に電源を供給する電源線に対応する電源端子及びグランド端子が配設される第２の端子配設領域と、が区分けされて設けられるとともに、前記本体枠側コネクタ及び前記遊技盤側コネクタは、前記本体枠の前側と前記遊技盤の後側とにそれぞれ配設され、
前記第２の端子配設領域に配設された電源端子とグランド端子のうち、グランド端子は前記遊技盤の回動支点側に配置され、電源端子は前記遊技盤の回動自由端側に配置されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
本体枠側コネクタ及び遊技盤側コネクタには、第１、第２の端子配設領域に配設された複数の信号端子、電源端子及びグランド端子を保護するために、前記第１、第２の端子配設領域を外側から覆って取り囲む周壁体がそれぞれ形成され、
前記本体枠側コネクタの周壁体と、前記遊技盤側コネクタの周壁体とのうち、一方の周壁体が外側、他方の周壁体が内側に位置して相互に嵌込まれる大きさに形成され、
前記両周壁体が相互に嵌込まれることで、前記本体枠側コネクタの複数の信号端子、電源端子及びグランド端子と、前記遊技盤側コネクタの複数の信号端子、電源端子及びグランド端子とが接続案内される構成にしてあることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
本体枠側コネクタと遊技盤側コネクタの両コネクタのうち、少なくとも一方のコネクタにおいて、グランド端子は、電源端子よりも長く形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の遊技機であって、
本体枠側コネクタ及び遊技盤側コネクタは、上下方向に長い縦形状をなして本体枠の前側と遊技盤の後側とにそれぞれ配設され、
前記本体枠側コネクタ及び前記遊技盤側コネクタの第１の端子配設領域と、第２の端子配設領域と、が上下に区分けして配置されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前枠体と、その前枠体の略中央部に設けられかつ遊技盤が着脱可能に装着される遊技盤装着枠と、前記遊技盤装着枠の後側に設けられた機構装着体とを備えた遊技機であって、
前記遊技盤装着枠に装着された遊技盤の後側周辺部のうちの少なくとも左右両側部と前記機構装着体の前壁部との間には、第１、第２の配線空間が左右に分離して設けられ、
前記第１配線空間には電源線が配線され、
前記第２配線空間には信号線が配線されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
機構装着体の前壁部には、第１、第２の配線空間内に電源線と信号線とをそれぞれ配線保持するための複数の保持片が一体に形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
遊技機の後側上部には外部端子板が設けられる一方、遊技機の後側下部には払出制御基板が設けられ、
前記外部端子板と前記払出制御基板との距離寸法に対応する長さ寸法をもって第２配線空間が設けられ、その第２配線空間に、前記外部端子板と前記払出制御基板とを電気的に接続する信号線が配線されていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の遊技機であって、
遊技機の後側上部には分電基板が設けられる一方、遊技機の後側下部には電源基板が設けられ、
前記分電基板と前記電源基板との距離寸法に対応する長さ寸法をもって第１配線空間が設けられ、その第１配線空間に、前記分電基板と前記電源基板とを電気的に接続する電源線が配線されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）第１の伸張率、表面、及び前記表面とは反対側の裏面を有する第１テープと、前記第１の伸張率より低い第２の伸張率、及び第１開口部を有し、前記第１テープの前記表面における中央部が前記第１開口部から露出するように、前記第１テープ上に設けられた第２テープとを備えたダイシングテープを準備する工程；
（ｂ）複数のチップ領域を有する半導体ウエハを、前記半導体ウエハが前記第２テープの前記第１開口部内に位置するように、前記第１テープの前記表面に貼り付ける工程；
（ｃ）前記第１テープの前記裏面における中央部を支持リングで支持した状態で前記第２テープ上に配置された治具を押し下げ、前記複数のチップ領域のうちの隣り合うチップ領域同士の間隔を広げ、複数の半導体チップを取得する工程；
（ｄ）前記複数の半導体チップのうちの第１半導体チップを前記ダイシングテープ上からピックアップする工程；
ここで、
前記（ｃ）工程では、前記半導体ウエハの前記複数のチップ領域のうちの隣り合うチップ領域同士の間に形成された破砕層に沿って、前記複数のチップ領域が互いに分離される。
【請求項２】
請求項１において、
前記半導体ウエハの平面形状は、円形から成り、
前記第１テープの前記第１開口部の直径は、前記半導体ウエハの直径よりも大きく、
前記治具の平面形状は、第２開口部を有するリング状から成り、
前記治具の前記第２開口部の直径は、前記第１テープの前記第１開口部の直径よりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記（ｄ）工程では、前記第１半導体チップの下方に配置された突き上げゴマにて、前記ダイシングテープ上に配置された前記第１半導体チップを押し上げ、前記第１半導体チップの上方に配置されたコレットにより、前記第１半導体チップを保持することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記（ｃ）工程では、常温の雰囲気で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記第２テープは、第１接着剤を介して前記第１テープの前記表面に貼り付けられており、
前記治具は、前記支持リングの周囲に位置するように、第２接着剤を介して前記第２テープの周縁部に沿って、前記第２テープに固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記半導体ウエハは、前記第１接着剤及び接着層を介して前記第１テープの前記表面に固定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記破砕層は、前記複数のチップ領域のうちの隣り合うチップ領域同士の間のスクライブエリアにレーザを照射することにより、前記半導体ウエハの内部に形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記第１テープ及び第２テープは、樹脂によって形成され、
前記治具は、金属によって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１テープは、ポリオレフィンによって形成され、
前記第２テープは、他のポリオレフィンまたはポリエチレンテレフタレートによって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｄ）工程の後、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｅ）ピックアップされた前記第１半導体チップを配線基板に搭載する工程；
（ｆ）前記第１半導体チップの主面に形成された複数のパッドと前記配線基板の主面に形成された複数の電極とを複数のワイヤでそれぞれ電気的に接続する工程；
（ｇ）前記第１半導体チップと前記複数のワイヤを樹脂で封止する工程。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明は、以下の工程を含むものである。（ａ）第１の伸張率、表面、及び前記表面とは反対側の裏面を有する第１テープと、前記第１の伸張率より低い第２の伸張率、及び第１開口部を有し、前記第１テープの前記表面における中央部が前記第１開口部から露出するように、前記第１テープ上に設けられた第２テープとを備えたダイシングテープを準備する工程；（ｂ）複数のチップ領域を有する半導体ウエハを、前記半導体ウエハが前記第２テープの前記第１開口部内に位置するように、前記第１テープの前記表面に貼り付ける工程；（ｃ）前記第１テープの前記裏面における中央部を支持リングで支持した状態で前記第２テープ上に配置された治具を押し下げ、前記複数のチップ領域のうちの隣り合うチップ領域同士の間隔を広げ、複数の半導体チップを取得する工程；（ｄ）前記複数の半導体チップのうちの第１半導体チップを前記ダイシングテープ上からピックアップする工程；ここで、前記（ｃ）工程では、前記半導体ウエハの前記複数のチップ領域のうちの隣り合うチップ領域同士の間に形成された破砕層に沿って、前記複数のチップ領域が互いに分離される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を収容する処理容器と、この処理容器内で被処理体に所定の処理を施す処理機構と、前記処理容器の上部に開閉可能に設けられた蓋体と、蓋体を開閉する開閉機構とを具備し、
前記開閉機構は、前記処理容器の一方の端部に蓋体を回動可能に連結するヒンジ部と、前記蓋体を回動させる駆動部とを有し、
前記ヒンジ部は、前記駆動部によって前記蓋体を回動させる際の回動軸となる主軸と、前記主軸の先端側に設けられ、蓋体の角度調整が可能な調整軸とを有することを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記ヒンジ部は、前記調整軸を軸として前記蓋体を回動させることにより前記蓋体の位置を調節する位置調節部を有していることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記位置調節部は、前記蓋体の上下方向の位置も調節可能であることを特徴とする請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記蓋体と前記処理容器との間にシール部材が介在されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項５】
前記処理機構による処理は、前記処理容器内を真空にして行われることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記処理機構は、マイクロ波を発生するマイクロ波発生部と、前記蓋体に設けられ、前記マイクロ波発生部で発生したマイクロ波を前記処理容器に導くアンテナと、前記処理容器内に処理ガスを導入する処理ガス導入機構とを有し、前記マイクロ波により前記処理容器内に処理ガスのプラズマを形成することを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
被処理体を収容する処理容器内で被処理体に所定の処理を施す処理装置において、前記処理容器の上に設けられる蓋体を開閉する蓋体の開閉機構であって、
前記処理容器の一方の端部に蓋体を回動可能に連結するヒンジ部と、前記蓋体を回動させる駆動部とを有し、
前記ヒンジ部は、前記駆動部によって前記蓋体を回動させる際の回動軸となる主軸と、前記主軸の先端側に設けられ、蓋体の角度調整が可能な調整軸とを有することを特徴とする蓋体の開閉機構。
【請求項８】
前記ヒンジ部は、前記調整軸を軸として前記蓋体を回動させることにより前記蓋体の位置を調節する位置調節部を有していることを特徴とする請求項７に記載の蓋体の開閉機構。
【請求項９】
前記位置調節部は、前記蓋体の上下方向の位置も調節可能であることを特徴とする請求項８に記載の蓋体の開閉機構。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
上記表３の結果から明らかなように、ＭｇやＡｌが無添加のコバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2）からなる正極活物質β０を含有する混合正極活物質ｖを備えた正極板ｉを用いた電池Ｉにおいては、ＤＳＣ最大発熱温度（℃）が低下しているとともに、発煙・発火、破裂の個数も３個に増大して過充電試験耐性が低下していることが分かる。これは、ＭｇやＡｌが添加されていないときは、それらを添加したものに比べてコバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ2）自体の熱安定性が低いため、発熱ピークも大きくなり、ＤＳＣ最大発熱温度が低くなったためと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図４Ａに示すように、トレイ９に載置した光ディスク１を光ディスク装置１００に不図示のローディング機構で、図４Ｂに示すように光ディスク１を記録再生位置に搬入する。この状態で図４Ｃに示すように、不図示のトラバース移動機構でターンテーブル５を上昇させると共に不図示のクランプ機構でクランパ６を降下させることで、クランパ６とターンテーブル５との間に光ディスク１を挟持する。図４Ｃのように光ピックアップ３が光ディスク１の外周部分を記録再生する場合として、１倍速記録から３２倍速記録までスピンドルモータにより光ディスク１を回転させて風切り音を調べたところ、４倍速記録から３２倍速記録までの風切り音は、円盤体７を備えない従来構成の４倍速の記録速度程度に減少させることができた。これは光ディスク１の表面に沿って生じた空気流を突起部８（峰部１３）が受けて円盤体７が回転することで、光ディスク１と光ディスク装置１００内にある周囲の固定された空気との間の相対速度を段階的に下げることができ、この相対速度を下げることの緩衝効果で気流によって生じる騒音を低減できるものと想定される。その上、本実施形態の円盤体を用いることにより、チルトと称される光ディスクの傾きに起因する悪影響をも抑制することができる。
（実施の形態２）
次に、図５を参照して本発明の別の実施形態を説明する。同図（ａ）は本実施形態の斜視図、（ｂ）は側面図である。先の実施形態との相違点は胴部１４の外周部分に鍔部１５を備え、この鍔部１５に貫通孔１６を穿った円盤体の構成である。本実施形態における円盤体の回転を起動する回転駆動部は鍔部１５に穿った貫通孔１６である。すなわち、貫通孔１６を不図示の光ディスクのうねりによって生じた空気流が通過することで、光ディスク１の回転に円盤体が追従回転する。また、胴部１４は同図（ｂ）に示したようにクランパ１２の大部分を隠蔽する厚みを備え、胴部１４の中心部にクランパ１２の外形に沿った陥没部を有し、当該陥没部の中心に円盤体の回転軸をクランパの回転軸に同軸状に配置する構成とした。貫通孔１６は胴部１４の回転軸１２を中心とした扇形状であり、本実施形態では円盤体の直径は１１ｍｍとし、鍔部１５の貫通孔１６を形成した円環状部における貫通孔１６と非貫通部との面積比率は１対１とし、貫通孔１６を１６個穿った。円環状部の位置は円盤体の回転中心から９ｍｍから１０ｍｍとした。この円盤体と光ディスクとの間隔を１ｍｍとなるようにクランパ１２に装着し、実施の形態１と同様に１倍速記録から３２倍速記録までスピンドルモータにより光ディスク１を回転させて風切り音を調べたところ、実施の形態１とほぼ同様の結果が得られた。これは、光ディスクの表面に沿って生じた空気流が貫通孔１６を通過し円盤体が回転することで、光ディスクと光ディスク装置内にある周囲の固定された空気との間の相対速度を段階的に下げることができ、この相対速度を下げることの緩衝効果で気流によって生じる騒音を低減できるものと想定される。その上、本実施形態の円盤体を用いることにより、チルトと称される光ディスクの傾きに起因する悪影響をも抑制することができる。