【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに処理を施す基板処理装置であって、前記半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置において、
前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧が印加されることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記静電チャックが前記半導体ウエハを離脱させるときに前記直流電源は前記電極板に正電圧を印加し、
前記正電圧の値は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、１５００Ｖ以下であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記載置台には高周波電源が接続され、
前記高周波電源は、前記直流電源が前記電極板に前記負電圧を印加する前に、前記載置台上にシースを発生させるために、前記載置台に高周波電力を印加することを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記半導体ウエハの表面にはポリシリコン層が形成され、前記処理はエッチング処理であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置における基板吸着方法であって、
前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧を印加する負電圧印加ステップを有することを特徴とする基板吸着方法。
【請求項６】
前記静電チャックが前記半導体ウエハを離脱させるときに前記直流電源は前記電極板に正電圧を印加する正電圧印加ステップを有し、
前記正電圧の値は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、１５００Ｖ以下であることを特徴とする請求項５記載の基板吸着方法。
【請求項７】
前記載置台に接続された高周波電源は、前記直流電源が前記電極板に前記負電圧を印加する前に、前記載置台上にシースを発生させるために、前記載置台に高周波電力を印加する高周波電力印加ステップを有することを特徴とする請求項５又は６記載の基板吸着方法。
【請求項８】
半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置における基板吸着方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧を印加する負電圧印加モジュールを有することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の基板処理装置は、半導体ウエハに処理を施す基板処理装置であって、前記半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置において、前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧が印加されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項２記載の基板処理装置は、請求項１記載の基板処理装置において、前記静電チャックが前記半導体ウエハを離脱させるときに前記直流電源は前記電極板に正電圧を印加し、前記正電圧の値は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、１５００Ｖ以下であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項３記載の基板処理装置は、請求項１又は２記載の基板処理装置において、前記載置台には高周波電源が接続され、前記高周波電源は、前記直流電源が前記電極板に前記負電圧を印加する前に、前記載置台上にシースを発生させるために、前記載置台に高周波電力を印加することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４記載の基板処理装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の基板処理装置において、前記半導体ウエハの表面にはポリシリコン層が形成され、前記処理はエッチング処理であることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項５記載の基板吸着方法は、半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置における基板吸着方法であって、前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧を印加する負電圧印加ステップを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項６記載の基板吸着方法は、請求項５記載の基板吸着方法において、前記静電チャックが前記半導体ウエハを離脱させるときに前記直流電源は前記電極板に正電圧を印加する正電圧印加ステップを有し、前記正電圧の値は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、１５００Ｖ以下であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項７記載の基板吸着方法は、請求項５又は６記載の基板吸着方法において、前記載置台に接続された高周波電源は、前記直流電源が前記電極板に前記負電圧を印加する前に、前記載置台上にシースを発生させるために、前記載置台に高周波電力を印加する高周波電力印加ステップを有することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項８記載の記憶媒体は、半導体ウエハを収容する収容室と、該収容室内に配置され且つ前記半導体ウエハを載置する載置台とを備え、該載置台は電極板を内部に有する絶縁性部材からなる静電チャックを上部に有し、前記電極板には直流電源が接続される基板処理装置における基板吸着方法をコンピュータに実行させるプログラムを格納するコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、前記プログラムは、
前記静電チャックが前記半導体ウエハを吸着するときに前記直流電源は、前記半導体ウエハ又は前記半導体ウエハの周りの収容室内部品から局所的な直流放電ではないグロー放電を発生させるために、前記電極板に負電圧を印加する負電圧印加モジュールを有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１記載の基板処理装置、請求項５記載の基板吸着方法及び請求項８記載の記憶媒体によれば、静電チャックが半導体ウエハを吸着するときに直流電源は電極板に負電圧を印加する。電極板に負電圧が印加されると、静電チャックが吸着する半導体ウエハの周縁部や半導体ウエハの周りに配置された収容室内部品からの放電形態は局所的な直流放電ではないグロー放電となる。グロー放電は放電先でエネルギーが集中しないので、収容室の内壁面から堆積物が剥離・飛散することがなく、パーティクルが発生しない。また、電極板に負電圧が印加されると、半導体ウエハにおける静電チャックと反対側の面である表面の電位は負となる。パーティクルが負に帯電している場合、該パーティクルは半導体ウエハの表面から斥力を受ける。したがって、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着するのを防止することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２記載の基板処理装置及び請求項６記載の基板吸着方法によれば、静電チャックが半導体ウエハを離脱させるときに直流電源は電極板に正電圧を印加し、該正電圧の値は１５００Ｖ以下である。電極板に負電圧が印加されて半導体ウエハが静電チャックに吸着されているときに、電極板に正電圧を印加すると、半導体ウエハ及び静電チャックの間に斥力が作用して半導体ウエハは静電チャックから離脱する。このとき、正電圧の値が１５００Ｖ以下であると、放電形態は殆ど局所的な直流放電であるアーク放電とならない。したがって、半導体ウエハが静電チャックから離脱するときにも、半導体ウエハの表面にパーティクルが付着するのを防止することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項３記載の基板処理装置及び請求項７記載の基板吸着方法によれば、載置台に接続された高周波電源は、直流電源が電極板に正電圧を印加する前に、載置台に高周波電力を印加する。載置台に高周波電力が印加されると、載置台上にシースが発生する。該シースは負に帯電するパーティクルを載置台に載置された半導体ウエハの上方から排斥する。したがって、収容室内においてパーティクルが発生しても、該パーティクルが半導体ウエハの表面に付着するのを確実に防止することができる。