(57)【要約】【課題】タングステンを含むウエハを研磨する用途により適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供する。【解決手段】本発明の研磨用組成物は、コロイダルシリカと過酸化水素とを含有する。研磨用組成物のｐＨは１〜４であり、研磨用組成物中の鉄イオン濃度は０．０２ｐｐｍ以下である。研磨用組成物は、リン酸又はリン酸塩をさらに含有することが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
コロイダルシリカと過酸化水素とを含有し、
ｐＨが１〜４であり、
研磨用組成物中の鉄イオン濃度が０．０２ｐｐｍ以下であることを特徴とする研磨用組成物。
【請求項２】
リン酸又はリン酸塩をさらに含有することを特徴とする請求項１に記載の研磨用組成物。
【請求項３】
シリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比が０．５〜２であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨用組成物。
【請求項４】
研磨用組成物を用いて研磨後のウエハにおける０．２μｍ幅のタングステンプラグが０．２μｍ間隔で設けられた領域で測定されるエロージョン量を４０ｎｍ以下とすることができる請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物。
【請求項５】
タングステンを含むウエハを研磨する方法であって、
シリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比が１０以上である研磨用組成物を用いて、前記ウエハを予備研磨する工程と、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、予備研磨後のウエハを研磨する工程と
を備えることを特徴とする研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、タングステンを含むウエハを研磨する用途、より具体的にはタングステンプラグを形成するべくタングステンパターン付きウエハを研磨する用途に主に使用される研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タングステンを含むウエハを研磨する用途に使用される研磨用組成物として、過酸化水素などの酸化剤、硝酸鉄などの鉄触媒、及びシリカなどの砥粒を含有する研磨用組成物が特許文献１に開示されている。しかしながら、この特許文献１の研磨用組成物を用いて研磨を行った場合には、研磨用組成物中の鉄イオンによるウエハの鉄汚染が避けられないという問題があった。
【特許文献１】特開平１０−２６５７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明はこのような実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、タングステンを含むウエハを研磨する用途により適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、コロイダルシリカと過酸化水素とを含有し、ｐＨが１〜４であり、研磨用組成物中の鉄イオン濃度が０．０２ｐｐｍ以下である研磨用組成物を提供する。
【０００５】
請求項２に記載の発明は、リン酸又はリン酸塩をさらに含有する請求項１に記載の研磨用組成物を提供する。
請求項３に記載の発明は、シリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比が０．５〜２である請求項１又は２に記載の研磨用組成物を提供する。
【０００６】
請求項４に記載の発明は、研磨用組成物を用いて研磨後のウエハにおける０．２μｍ幅のタングステンプラグが０．２μｍ間隔で設けられた領域で測定されるエロージョン量を４０ｎｍ以下とすることができる請求項１〜３のいずれか一項に記載の研磨用組成物を提供する。
【０００７】
請求項５に記載の発明は、タングステンを含むウエハを研磨する方法であって、シリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比が１０以上である研磨用組成物を用いて、前記ウエハを予備研磨する工程と、請求項１〜４のいずれか一項に記載の研磨用組成物を用いて、予備研磨後のウエハを研磨する工程とを備える研磨方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、タングステンを含むウエハを研磨する用途により適した研磨用組成物及びその研磨用組成物を用いた研磨方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の一実施形態を説明する。
本実施形態の研磨用組成物は、コロイダルシリカ及び過酸化水素を、好ましくはｐＨ調整剤とともに、水と混合することによってｐＨが１〜４になるように、かつ研磨用組成物中の鉄イオン濃度が０．０２ｐｐｍ以下になるように製造される。従って、研磨用組成物は、コロイダルシリカ、過酸化水素及び水を含有し、好ましくはｐＨ調整剤をさらに含有する。
【００１０】
この研磨用組成物は、タングステンを含むウエハを研磨する用途に使用される。より具体的には、タングステンプラグを形成するべくタングステンパターン付きウエハを研磨する用途、特にシリコン酸化膜に対してタングステン膜を選択的に研磨する研磨用組成物を用いて予備研磨した後のタングステンパターン付きウエハのタングステン膜及びシリコン酸化膜を研磨する用途で使用される。
【００１１】
前記コロイダルシリカは、少なくともｐＨが１〜４の領域ではタングステン膜及びシリコン酸化膜を機械的に研磨する作用を有し、研磨用組成物によるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度を向上させる働きをする。なお、コロイダルシリカの代わりにヒュームドシリカやα−アルミナなどの他の砥粒を使用した場合には、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用に足るレベルにまで向上させることができないうえに、研磨用組成物を用いて研磨後のウエハで測定されるエロージョン量を実用に足るレベルにまで低減することはできない。
【００１２】
研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカは、ケイ酸ソーダ法により合成されるコロイダルシリカよりはゾルゲル法により合成されるコロイダルシリカであることが好ましい。ゾルゲル法により合成されるコロイダルシリカは、ケイ酸ソーダ法により合成されるコロイダルシリカに比べて純度が高く、特に鉄イオンやナトリウムイオンなどの不純物金属イオンの含有量が少ない点で有利である。ゾルゲル法によるコロイダルシリカの合成は、ケイ酸メチルをメタノール、アンモニア及び水からなる溶媒中に溶解して加水分解させることにより行われる。一方、ケイ酸ソーダ法によるコロイダルシリカの合成は、ケイ酸ナトリウムを出発原料として用いてイオン交換を通じて行われる。
【００１３】
研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径は１０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上である。平均一次粒子径が大きくなるにつれて、タングステン膜及びシリコン酸化膜を機械的に研磨するコロイダルシリカの作用が強まるため、研磨用組成物によるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、コロイダルシリカの平均一次粒子径が１０ｎｍ以上、さらに言えば１５ｎｍ以上、もっと言えば２０ｎｍ以上であれば、研磨用組成物によるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
【００１４】
研磨用組成物に含まれるコロイダルシリカの平均一次粒子径はまた１００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは８５ｎｍ以下、さらに好ましくは７０ｎｍ以下である。平均一次粒子径が小さくなるにつれて、コロイダルシリカの分散性が向上し、研磨用組成物中にコロイダルシリカの沈殿が生じにくくなる。この点、コロイダルシリカの平均一次粒子径が１００ｎｍ以下、さらに言えば８５ｎｍ以下、もっと言えば７０ｎｍ以下であれば、研磨用組成物中のコロイダルシリカの分散性を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。また、コロイダルシリカの平均一次粒子径が７０ｎｍ以下であれば、コロイダルシリカの平均一次粒子径が大きすぎる場合に起こりうる研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度の低下を抑制することもできる。なお、以上で説明した平均一次粒子径の値は、ＢＥＴ法で測定されるコロイダルシリカの比表面積に基づいて算出されるものである。
【００１５】
研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量は２０ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは３０ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは４０ｇ／Ｌ以上である。コロイダルシリカの含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が２０ｇ／Ｌ以上、さらに言えば３０ｇ／Ｌ以上、もっと言えば４０ｇ／Ｌ以上であれば、研磨用組成物によるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させることができる。
【００１６】
研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量はまた２００ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１５０ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは１２０ｇ／Ｌ以下である。コロイダルシリカの含有量が多くなりすぎると、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度がタングステン膜の研磨速度に比べて高くなりすぎる虞がある。この点、研磨用組成物中のコロイダルシリカの含有量が２００ｇ／Ｌ以下、さらに言えば１５０ｇ／Ｌ以下、もっと言えば１２０ｇ／Ｌ以下であれば、研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度がタングステン膜の研磨速度に比べて高くなりすぎることを抑制することができる。
【００１７】
前記過酸化水素は、タングステン膜を酸化する作用を有し、研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を向上させる働きをする。
研磨用組成物に含まれる過酸化水素は、ＥＬグレード、すなわち電子工業用高純度品であることが好ましい。
【００１８】
研磨用組成物中の過酸化水素の含有量は５ｇ／Ｌ以上であることが好ましく、より好ましくは１０ｇ／Ｌ以上、さらに好ましくは１５ｇ／Ｌ以上である。過酸化水素の含有量が多くになるにつれて、研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度は向上する。この点、研磨用組成物中の過酸化水素の含有量が５ｇ／Ｌ以上、さらに言えば１０ｇ／Ｌ以上、もっと言えば１５ｇ／Ｌ以上であれば、研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルまで向上させることができる。
【００１９】
研磨用組成物中の過酸化水素の含有量はまた１５０ｇ／Ｌ以下であることが好ましく、より好ましくは１００ｇ／Ｌ以下、さらに好ましくは７０ｇ／Ｌ以下である。過酸化水素の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストが抑えられる。この点、研磨用組成物中の過酸化水素の含有量が１５０ｇ／Ｌ以下、さらに言えば１００ｇ／Ｌ以下、もっと言えば７０ｇ／Ｌ以下であれば、費用対効果の点で有利である。
【００２０】
前記ｐＨ調整剤は、研磨用組成物のｐＨを１〜４、好ましくは１．２〜３、より好ましくは１．５〜２．５とするべく、必要に応じて適宜添加される。
ｐＨ調整剤として使用される酸は、硝酸、塩酸、ホウ酸、硫酸及びリン酸から選ばれる無機酸であってもよいし、コハク酸、クエン酸、リンゴ酸、グリセリン酸、マンデル酸、アスコルビン酸、グルタミン酸、グリオキシル酸、グリコール酸、乳酸、グルコン酸、酒石酸、マレイン酸及びイタコン酸から選ばれる有機酸であってもよい。その中でも、硝酸は研磨用組成物の安定性を向上させる点で好ましく、リン酸は研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を向上させる点で好ましく、クエン酸は研磨用組成物中の過酸化水素を安定化する点で好ましい。
【００２１】
また、ｐＨ調整剤として使用されるアルカリは、アンモニア、第４級アンモニウム塩を除くアンモニウム塩、又はアルカリ金属水酸化物であることが好ましく、より好ましくは水酸化ナトリウム以外のアルカリ金属水酸化物又はアンモニア、最も好ましくはアンモニアである。アンモニア、第４級アンモニウム塩を除くアンモニウム塩、又はアルカリ金属水酸化物を使用した場合には、他のアルカリ、特に第４級アンモニウム塩を使用した場合に比べて、良好なスラリー安定性を有する研磨用組成物が得られる。また、水酸化ナトリウム以外のアルカリ金属水酸化物又はアンモニアを使用した場合には、シリコン酸化膜中にナトリウムイオンが拡散することによる不具合を避けることができ、アンモニアを使用した場合には、シリコン酸化膜中にアルカリ金属イオンが拡散することによる不具合を避けることができる。水酸化ナトリウム以外のアルカリ金属水酸化物は入手が容易な点で水酸化カリウムであることが好ましい。
【００２２】
研磨用組成物のｐＨは４以下であることが必須である。これは、研磨用組成物のｐＨが中性又はアルカリ性では研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用に足るレベルにまで向上させることができず、研磨用組成物のｐＨが弱酸性では研磨用組成物中のコロイダルシリカの安定性が悪いためである。研磨用組成物によるシリコン酸化膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させるためには、研磨用組成物のｐＨは３以下であることが好ましく、より好ましくは２．５以下である。
【００２３】
研磨用組成物のｐＨはまた１以上であることが必須である。これは、研磨用組成物のｐＨが１未満の場合には、研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を実用に足るレベルにまで向上させることができないためである。研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を実用上特に好適なレベルにまで向上させるためには、研磨用組成物のｐＨは１．２以上であることが好ましく、より好ましくは１．５以上である。
【００２４】
本実施形態の研磨用組成物は、上記したように、シリコン酸化膜に対してタングステン膜を選択的に研磨する研磨用組成物を用いて予備研磨した後のタングステンパターン付きウエハを研磨する用途にも使用される。シリコン酸化膜に対してタングステン膜を選択的に研磨する研磨用組成物としては、例えば、コロイダルシリカと過酸化水素とを含有し、ｐＨが５〜８．５である研磨用組成物が使用可能である。予備研磨時に使用する研磨用組成物は、シリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比が１０以上であることが好ましい。
【００２５】
本実施形態によれば以下の利点が得られる。
・  本実施形態の研磨用組成物は、コロイダルシリカ及び過酸化水素を含有し、ｐＨが１〜４に設定されているため、タングステン膜及びシリコン酸化膜をいずれも高い研磨速度で研磨することができ、しかもタングステン膜とシリコン酸化膜を同程度の研磨速度で研磨することができる。また、研磨用組成物中の鉄イオン濃度が０．０２ｐｐｍ以下であるため、ウエハの鉄汚染を極力抑制することができる。よって、タングステンを含むウエハを研磨する用途、より具体的にはタングステンプラグを形成するべくタングステンパターン付きウエハを研磨する用途に適し、特にシリコン酸化膜に対してタングステン膜を選択的に研磨する研磨用組成物を用いて予備研磨した後のタングステンパターン付きウエハを研磨する用途に適する。
【００２６】
・  本実施形態の研磨用組成物には、ヨウ素酸塩や過ヨウ素酸塩などのヨウ素化合物が含有されていないため、研磨装置や研磨パッドを腐食する虞のあるヨウ素ガスが研磨中に研磨用組成物から発生する虞がない。
【００２７】
前記実施形態は次のように変更されてもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物には二種類以上のコロイダルシリカ、例えば平均一次粒子径が異なる二種類以上のコロイダルシリカが含有されてもよい。
【００２８】
・  前記実施形態の研磨用組成物には二種類以上のｐＨ調整剤が含有されてもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物には、リン酸塩を添加してもよい。リン酸塩を添加した場合には、ｐＨ調整剤としてリン酸を使用した場合と同様、研磨用組成物によるタングステン膜の研磨速度を向上させることができる。研磨用組成物に添加されるリン酸塩は、アルカリ金属のリン酸塩であってもよいし、リン酸二水素アンモニウムなどのリン酸アンモニウムであってもよい。
【００２９】
・  前記実施形態の研磨用組成物には必要に応じて、界面活性剤、水溶性高分子、金属キレート剤を添加してもよい。界面活性剤は、アニオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤のいずれでもよい。水溶性高分子は、例えば、ポリアクリル酸、ヒドロキシエチルセルロース又はプルランであってもよい。金属キレート剤は、例えば、エチレンジアミン四酢酸又はジエチレントリアミン五酢酸であってもよい。
【００３０】
・  前記実施形態の研磨用組成物は一剤型であってもよいし、二剤型を始めとする多剤型であってもよい。多剤型とする場合、コロイダルシリカを含む剤のｐＨは６〜１２であることが好ましく、より好ましくは６．５〜１１である。このｐＨが低すぎる場合には、コロイダルシリカの分散安定性が良くないため、ゲル化が起こりやすい。逆にｐＨが高すぎる場合には、コロイダルシリカの溶解が起こる虞がある。
【００３１】
・  前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することによって調製されてもよい。
・  前記実施形態の研磨用組成物は、タングステン配線を形成するべくタングステンパターン付きウエハを研磨する用途に使用することもできる。
【００３２】
次に、本発明の実施例及び比較例を説明する。
コロイダルシリカ、過酸化水素、酸、アルカリ及びリン酸塩を適宜に水と混合することにより実施例１〜１６の研磨用組成物を調製した。コロイダルシリカ又はそれに代わる砥粒、過酸化水素又はそれに代わる酸化剤、酸、アルカリ、及びリン酸塩又はそれに代わる塩を適宜に水と混合することにより比較例１〜１２の研磨用組成物を調製した。各例の研磨用組成物中のコロイダルシリカ又はそれに代わる砥粒、過酸化水素又はそれに代わる酸化剤、酸、アルカリ、及びリン酸塩又はそれに代わる塩の詳細、並びに研磨用組成物のｐＨ及び研磨用組成物中の鉄イオン濃度を測定した結果を表１に示す。なお、研磨用組成物中の鉄イオン濃度の測定には、株式会社島津製作所製のプラズマ発光分析装置“ICPS-8100”を使用した。
【００３３】
【表１】
2008135452.tif 000002
表１の“コロイダルシリカ又はそれに代わる砥粒”欄中、“コロイダルシリカ＊１”はゾルゲル法による平均一次粒子径が２８ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊２”はゾルゲル法による平均一次粒子径が２３ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊３”はゾルゲル法による平均一次粒子径が３６ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊４”はゾルゲル法による平均一次粒子径が４４ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊５”はゾルゲル法による平均一次粒子径が６７ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊６”はゾルゲル法による平均一次粒子径が３６ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊７”はゾルゲル法による平均一次粒子径が１１ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊８”はゾルゲル法による平均一次粒子径が９０ｎｍのコロイダルシリカ、“コロイダルシリカ＊９”はケイ酸ソーダ法による平均一次粒子径が３０ｎｍのコロイダルシリカ、“フュームドシリカ”は平均粒子径が３０ｎｍのフュームドシリカ、“α−アルミナ”は平均粒子径が１９０ｎｍのα−アルミナを表す。
【００３４】
表１の“酸化剤”欄中、“Ｈ２Ｏ２”は過酸化水素、“Ｈ５ＩＯ６”はオルト過ヨウ素酸を表す。
表１の“アルカリ”欄中、“ＫＯＨ”は水酸化カリウム、“ＮＨ３”はアンモニアを示す。
【００３５】
表１の“塩類”欄中、“ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４”はリン酸二水素アンモニウム、“ＮＨ４ＮＯ３”は硝酸アンモニウム、“ＮＨ４Ｃｌ”は塩化アンモニウムを表す。
下記の表２の“タングステン膜の研磨速度”欄及び“シリコン酸化膜の研磨速度”欄には、各例の研磨用組成物を用いて、タングステンブランケットウエハ及びＴＥＯＳブランケットウエハを表３に示す研磨条件で研磨したときにタングステン膜の研磨速度及びシリコン酸化膜（ＴＥＯＳ膜）の研磨速度を測定した結果を示す。研磨速度は、研磨前後の各ウエハの厚さの差を研磨時間で除することにより求めた。タングステンブランケットウエハの厚さの測定には、国際電気システムサービス株式会社のシート抵抗測定器“VR-120”を使用し、ＴＥＯＳブランケットウエハの厚さの測定には、ケーエルエー・テンコール社の膜厚測定装置“ASET F5x”を使用した。
【００３６】
表２の“選択比”欄には、上記にようにして求められるタングステン膜及びシリコン酸化膜の研磨速度からシリコン酸化膜の研磨速度に対するタングステン膜の研磨速度の比率を計算した結果を示す。
【００３７】
表２の“エロージョン”欄には、各例の研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件で研磨したタングステンパターン付きウエハ（株式会社アドバンテック製）でエロージョン量を測定した結果を示す。使用したタングステンパターン付きウエハには、下から順に４００ｎｍ厚のＴＥＯＳ膜、２０ｎｍ厚のチタン膜、５０ｎｍの窒化チタン膜及び４００ｎｍ厚のタングステン膜が設けられている。ＴＥＯＳ膜の研磨量が厚さ８０ｎｍに達するまでタングステンパターン付きウエハを研磨することにより、０．２μｍ間隔で設けられた０．２μｍ幅のタングステンプラグをウエハ上に形成した。エロージョン量の測定は、ケーエルエー・テンコール社の接触式表面測定装置であるプロファイラ“HRP340”を用いて行った。
【００３８】
表２の“鉄汚染”欄には、各例の研磨用組成物を用いて表３に示す研磨条件で研磨した後のタングステンパターン付きウエハの鉄汚染の程度を評価した結果を示す。具体的には、株式会社テクノス製の全反射蛍光Ｘ線分析装置“TREX620”を用いて、研磨後のタングステンパターン付きウエハ表面の鉄原子の個数を計測し、１×１０１０［atoms/cm2］未満の場合には○（良）、１×１０１０［atoms/cm2］以上の場合には×（不良）と評価した。
【００３９】
表２の“スラリー安定性”欄には、各例の研磨用組成物のスラリー安定性を評価した結果を示す。より具体的には、各例の研磨用組成物１リットルを容量１リットルのポリエチレン瓶に入れて８０℃の恒温槽中に保持し、一日経過した時点で研磨用組成物中に沈殿が生じたり研磨用組成物のゲル化が生じた場合には×（不良）、一日後にはなかったが一週間を経過した時点では沈殿又はゲル化があった場合には△（可）、一週間を経過しても沈殿又はゲル化がなかった場合には○（良）と評価した。
【００４０】
表２の“ヨウ素ガス”欄には、各例の研磨用組成物のヨウ素ガス濃度を評価した結果を示す。具体的には、理研計器株式会社製のヨウ素ガス濃度検出器“EC-777”を用いて、各例の研磨用組成物のヨウ素ガス濃度を測定し、ヨウ素ガス濃度が０．１ｐｐｍ以下の場合には○（良）、０．１ｐｐｍを上回る場合には×（不良）と評価した。
【００４１】
【表２】
2008135452.tif 000003
【００４２】
【表３】
2008135452.tif 000004
表２に示すように、実施例１〜１６の研磨用組成物では、タングステン膜の研磨速度及びシリコン酸化膜の研磨速度とも１００ｎｍ／ｍｉｎ以上という実用に足るレベルの値が得られた。しかも実施例１〜１６の研磨用組成物では、タングステン膜の研磨速度とシリコン酸化膜の研磨速度が同程度であり、タングステン膜とシリコン酸化膜の間の選択比は０．５〜２．０という値が得られた。また、実施例１〜１６の研磨用組成物では、エロージョンに関しても４０ｎｍ以下という実用に足るレベルの値が得られた。さらに、実施例１〜１６の研磨用組成物では、鉄汚染に関する評価は良であった。
【００４３】
これに対し、比較例１，２の研磨用組成物はシリコン酸化膜の研磨速度が低すぎ、少なくともこの点で実用的でない。比較例３，４，７〜９の研磨用組成物は鉄汚染に関する評価が不良であり、少なくともこの点で実用的でない。比較例５の研磨用組成物はヨウ素ガスに関する評価が不良であり、少なくともこの点で実用的でない。比較例６，１１，１２の研磨用組成物はタングステン膜の研磨速度が低すぎ、少なくともこの点で実用的でない。比較例１０の研磨用組成物はスラリー安定性の評価が不良であり、少なくともこの点で実用的でない。