(57)【要約】【課題】リジッドパッケージ基板の表面上に半田バンプを有する半導体チップをフェースダウンにより搭載して、前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板とをフリップチップ（ＦＣ）接続を介して機械的及び電気的に一体化した半導体装置において、前記リジッドパッケージ基板の反りを十分に低減する。【解決手段】半導体チップと、前記半導体チップがフリップチップ接続により搭載されるリジッドパッケージ基板と、少なくとも前記半導体チップ及び前記リジッドパッケージ基板間に形成された空隙を埋設するように設けられた樹脂封止体とを具えた半導体チップにおいて、前記リジッドパッケージ基板を、前記樹脂封止体の端部から前記半導体チップの少なくとも端部を含んで延在する領域が弾性体を含むように構成する。【選択図】図２
2008210985.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップがフリップチップ接続により搭載されるリジッドパッケージ基板と、
少なくとも前記半導体チップ及び前記リジッドパッケージ基板間に形成された空隙を充填して設けられた樹脂封止体とを具え、
前記リジッドパッケージ基板は、前記樹脂封止体の端部から前記半導体チップの少なくとも端部を含んで延在する領域が弾性体を含むことを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記リジッドパッケージ基板は、コア基板と、このコア基板の両側において形成された配線層パターンを有するビルドアップ層とを含み、前記弾性体は、前記リジッドパッケージ基板の、前記ビルドアップ層を構成する樹脂からなることを特徴とする、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップと、
前記半導体チップがフリップチップ接続により搭載されるリジッドパッケージ基板と、
少なくとも前記半導体チップ及び前記リジッドパッケージ基板間に形成された空隙を充填するように設けられた樹脂封止体とを具え、
前記リジッドパッケージ基板は、前記半導体チップの側端と前記リジッドパッケージ基板の側端との間において、前記リジッドパッケージ基板の前記側端に沿うようにして形成された溝部を有することを特徴とする、半導体装置。
【請求項４】
前記溝部は、前記半導体チップの前記側端と、前記リジッドパッケージ基板の主表面に設けられた、前記半導体チップから見た場合に最内側に位置する電極パッドとの間に形成されたことを特徴とする、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝部は、前記リジッドパッケージ基板の、少なくともコア基板を厚さ方向に貫通するようにして形成されたことを特徴とする、請求項３又は４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージ基板上に半導体チップと搭載してパッケージを構成する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパッケージの一種として、リジッドパッケージ基板の表面上に半田バンプを有する半導体チップをフェースダウンにより搭載して半導体チップとリジッドパッケージ基板とをフリップチップ（ＦＣ）接続を介して機械的及び電気的に一体化した構造のものがある。また、この種の半導体装置では、リジッドパッケージ基板の裏面にＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）ボールを配設しておき、このＢＧＡボールに対して半導体パッケージをマザーボードに実装する構成がとられており、いわゆるＦＣＢＧＡパッケージの半導体装置として構成されている。
【０００３】
なお、上記半導体装置においては、一般に、少なくとも半導体チップとリジッドパッケージ基板との間の空隙を充填するために封止樹脂体（アンダーフィル樹脂）を設ける。
【０００４】
この種の半導体装置では、半導体チップはシリコンで構成され、リジッドパッケージ基板は樹脂で構成されることが多いため、半導体装置が熱履歴を受けたときの前記半導体チップと、前記リジッドパッケージ基板との熱膨張係数の相違によって発生した熱応力に起因した熱ひずみにより、前記リジッドパッケージ基板が反ってしまい、前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板との接合部が破断してしまい、前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板との電気的な接続不良を生ぜしめる場合があった。
【０００５】
また、前記リジッドパッケージ基板が反ってしまうことにより、前記リジッドパッケージ基板をマザーボードに接続する際に、ＢＧＡボールが前記マザーボードと十分に接触しなくなり、前記マザーボードとの間に電気的な接続不良を生ぜしめてしまうという問題があった。さらに、このような場合に、前記リジッドパッケージ基板の反りがなくなるように、前記リジッドパッケージ基板に過剰な力を加えて前記マザーボードとの接続を試みようとすると、上記半導体チップや上記リジッドパッケージ基板に無理な力が加わり、これらにクラックが生成したり、割れが発生したりする場合があった。
【０００６】
このような状況に鑑み、上述のようなパッケージに際して、リジッドパッケージ基板の反りを低減することが盛んに試みられている。例えば、特許文献１では、上記リジッドパッケージ基板を構成するコア基板内において、帯状の、例えば前記リジッドパッケージ基板の構成材料とは異なる弾性体を、半導体チップから離隔した位置に埋め込み、前記リジッドパッケージ基板に弾性を付与し、上述した半導体チップとの熱膨張係数の相違によって生じる熱ひずみを前記弾性体で吸収させることによって、前記リジッドパッケージ基板の反りを低減することが開示されている。  
【０００７】
また、特許文献２では、半導体チップの四隅からリジッドパッケージ基板の側端方向へ向けて放射状の溝部を設け、この溝部において前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板との間に生じた熱応力に起因した熱ひずみを吸収させることによって、前記リジッドパッケージ基板の反りを低減することが開示されている。
【特許文献１】特開２００６−１０８４６０号
【特許文献２】特開２００３−５１５６８号
【０００８】
しかしながら、上述したような従来の方法では、前記リジッドパッケージ基板の反りの低減は十分ではなく、上述した従来の問題は未だ十分に解決されていないのが現状である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、リジッドパッケージ基板の表面上に半田バンプを有する半導体チップをフェースダウンにより搭載して、前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板とをフリップチップ（ＦＣ）接続を介して機械的及び電気的に一体化した半導体装置において、前記リジッドパッケージ基板の反りを十分に低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成すべく、本発明の一態様は、半導体チップと、前記半導体チップがフリップチップ接続により搭載されるリジッドパッケージ基板と、少なくとも前記半導体チップ及び前記リジッドパッケージ基板間に形成された空隙を充填するように設けられた樹脂封止体とを具え、前記リジッドパッケージ基板は、前記樹脂封止体の端部から前記半導体チップの少なくとも端部を含んで延在した領域が弾性体を含むことを特徴とする、半導体装置に関する。
【００１１】
また、本発明の他の態様は、半導体チップと、前記半導体チップがフリップチップ接続により搭載されるリジッドパッケージ基板と、少なくとも前記半導体チップ及び前記リジッドパッケージ基板間に形成された空隙を充填するように設けられた樹脂封止体とを具え、前記リジッドパッケージ基板は、前記半導体チップの側端と前記リジッドパッケージ基板の側端との間において、前記リジッドパッケージ基板の前記側端に沿うようにして形成された溝部を有することを特徴とする、半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００１２】
上記態様によれば、リジッドパッケージ基板の表面上に半田バンプを有する半導体チップをフェースダウンにより搭載して、前記半導体チップと前記リジッドパッケージ基板とをフリップチップ（ＦＣ）接続を介して機械的及び電気的に一体化した半導体装置において、前記リジッドパッケージ基板の反りを十分に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における半導体装置を示す断面図であり、図２は、図１に示す半導体装置の要部を拡大して示す断面図である。また、図３は、図２に示すリジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。
【００１５】
図１に示すように、半導体装置１０は、半導体チップ１１が半田バンプ１３を介してリジッドパッケージ基板１２に対してフリップチップ接続され、電気的及び機械的に接続されている。また、半導体チップ１１及びリジッドパッケージ基板１２間の空隙を充填するようにして封止樹脂体（アンダーフィル樹脂）１５が形成されている。さらに、リジッドパッケージ基板１２の下面にはマザーボードなどへ実装するための半田ボール１４が形成されている。これによって、半導体装置１０は、いわゆるＦＣＢＧＡパッケージの半導体装置を構成する。
【００１６】
なお、図中では簡略化して、リジッドパッケージ基板１２における半田バンプ１３及び半田ボール１４などを電気的に接続するためのビアなどについてはその記載を省略している。また、リジッドパッケージ基板１２は、以下に詳述するように、コア基板と、このコア基板の両側において形成された、Ｃｕ層（電極層）及び樹脂層が積層されてなるビルドアップ層と、このビルドアップ層の表層（表裏）に形成されたソルダーレジスト層とを含む多層基板から構成されている。但し、本態様の特徴を明確化すべく、前記ソルダーレジスト層に関してはその記載を省略している。
【００１７】
さらに、本実施形態では、簡単のためにリジッドパッケージ基板１２上に単一の半導体チップ１１のみが搭載されている場合について示しているが、複数の半導体チップを積層させて搭載させることもできる。
【００１８】
図２に示すように、本実施形態においては、リジッドパッケージ基板１２において、そのアンダーフィル樹脂１５との接触端部１５Ａから内側へ向けて、半導体チップ１１の側端１１Ａを含むような位置にまで延在する部分を弾性体１７から構成する。なお、本実施形態では、半導体装置１０（リジッドパッケージ基板１２）の大きさを約３０ｍｍ□〜５０ｍｍ□、半導体チップ１１の大きさを約１０ｍｍ□〜２０ｍｍ□とすることができるので、弾性体１７におけるアンダーフィル樹脂１５の端部１５Ａから半導体チップ１１の側端１１Ａまでの距離ｄ１は約１ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。また、半導体チップ１１の側端１１Ａから内側端までの距離ｄ２は約０ｍｍ〜約５ｍｍとすることができる。
【００１９】
次に、図３に関連して、弾性体１７を含むリジッドパッケージ基板１２の詳細な構成について説明する。図３に示すように、リジッドパッケージ基板１２は、コア基板１２１とその両側に形成されたビルドアップ層１２２及び１２３とを含む。また、これらビルドアップ層上には図示しないソルダーレジスト層が形成されている。コア基板１２１は、例えば、エポキシ樹脂などにガラス繊維などがフィラーとして充填されたガラス繊維強化樹脂などから構成される。ビルドアップ層１２２及び１２３は、電極層を構成するＣｕ層１２２Ａ及び１２３Ａと、これらＣｕ層上に形成された、例えばエポキシ樹脂などからなる樹脂層１２２Ｂ及び１２３Ｂとを含む。
【００２０】
なお、本実施形態では、簡略化してビルドアップ層１２２及び１２３をＣｕ層及び樹脂層がそれぞれ一層ずつ積層された場合について示しているが、形成すべき電極パターンの数に応じて、Ｃｕ層を２層以上とすることもでき、これに応じて積層されたＣｕ層を電気的に絶縁する前記樹脂層を２層以上とすることもできる。
【００２１】
図３に示すように、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２の所定箇所において、コア基板１２１中からガラス繊維を除去し、例えばエポキシ樹脂などの単なる樹脂層１２１Ｂからなる部分を形成するようにしている。コア基板１２１はガラス繊維などのフィラーを含むことにより剛性などが強化されているが、樹脂層１２１Ｂはガラス繊維などを含まない単なる樹脂層であるので、その剛性は十分に小さくなってその分弾性が向上することになる。結果として、リジッドパッケージ基板１２におけるコア基板１２１において、強化繊維を含まない単なる樹脂層１２１Ｂを形成することによって、かかる部分がリジッドパッケージ基板１２の弾性体１７を構成することになる。
【００２２】
なお、樹脂層１２１Ｂを構成する樹脂としては、ビルドアップ層１２２及び１２３の樹脂層１２２Ｂ及び１２３Ｂを構成する樹脂と同じものとすることができる。また、このように同じ樹脂を用いることによって、使用する樹脂の種類を増大させる必要がないので、リジッドパッケージ基板１２の製造工程を簡略化することができ、製造コストを低減させることができる。
【００２３】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態は基本的には上記第１の実施形態と同じであり、図１及び２に示すような概略構成を呈するが、リジッドパッケージ基板の一部を構成する弾性体の構成が異なる。したがって、以下においては、その異なる弾性体の部分を中心に説明する。
【００２４】
図４は、半導体装置におけるリジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。なお、上記第１の実施形態に係わる図１〜３に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
【００２５】
図４に示すように、リジッドパッケージ基板１２は、コア基板１２１とその両側に形成されたビルドアップ層１２２及び１２３とを含む。コア基板１２１は、例えば、エポキシ樹脂などにガラス繊維などがフィラーとして充填されたガラス繊維強化樹脂などから構成される。ビルドアップ層１２２及び１２３は、電極層を構成するＣｕ層１２２Ａ及び１２３Ａと、これらＣｕ層上に形成された、例えばエポキシ樹脂などからなる樹脂層１２２Ｂ及び１２３Ｂとを含む。また、前記ビルドアップ層の表層（表裏）にはソルダーレジスト層が形成されている。但し、本態様の特徴を明確化すべく、前記ソルダーレジスト層に関してはその記載を省略している。
【００２６】
なお、本実施形態でも、簡略化してビルドアップ層１２２及び１２３をＣｕ層及び樹脂層がそれぞれ一層ずつ積層された場合について示しているが、形成すべき電極パターンの数に応じて、Ｃｕ層を２層以上とすることもでき、これに応じて積層されたＣｕ層を電気的に絶縁する前記樹脂層を２層以上とすることもできる。
【００２７】
図４に示すように、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２の所定箇所において、ビルドアップ層１２２及び１２３におけるＣｕ層１２２Ａ及び１２３Ａを除去し、Ｃｕ層開口部１２５を形成するようにしている。この場合、開口部１２５には、ビルドアップ層１２２及び１２３を構成する樹脂層１２２Ｂ及び１２３Ｂ中の樹脂が充填されるようになる。したがって、かかる箇所においては、Ｃｕ層が存在している場合よりも剛性が低下し、弾性が向上するようになる。
【００２８】
結果として、リジッドパッケージ基板１２におけるビルドアップ層１２２及び１２３において、Ｃｕ層１２２Ａ及び１２３Ａに開口部１２５を形成することにより、かかる開口部１２５がリジッドパッケージ基板１２の弾性体１７を構成することになる。
【００２９】
なお、本実施形態では、ビルドアップ層１２２及び１２３の双方のＣｕ層１２２Ａ及び１２３Ａに対して開口部１２５を形成するようにしているが、本発明の作用効果を奏しさえすれば、Ｃｕ層１２２Ａ及び１２３Ａのいずれか一方にのみ開口部１２５を形成することができる。
【００３０】
また、本実施形態では、弾性体１７を構成するために、Ｃｕ層１２２Ａ及び１２３Ａの、弾性体１７に該当するＣｕ層部を総て削除するようにしているが、このように総てを削除することは必ずしも要求されるものではなく、前記Ｃｕ層部を部分的に削除し、いわゆるＣｕ層をポーラス化することによっても弾性体１７として機能させることができる。
【００３１】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態は基本的には上記第１の実施形態と同じであり、図１及び２に示すような概略構成を呈するが、リジッドパッケージ基板の一部を構成する弾性体の構成が異なる。したがって、以下においては、その異なる弾性体の部分を中心に説明する。
【００３２】
図５は、半導体装置におけるリジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。なお、上記第１の実施形態に係わる図１〜３に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
【００３３】
図５に示すように、リジッドパッケージ基板１２は、コア基板１２１とその両側に形成されたビルドアップ層１２２及び１２３と、このビルドアップ層の表層（表裏）に形成されたソルダーレジスト層とを含む多層基板から構成されている。但し、本態様の特徴を明確化すべく、前記ソルダーレジスト層に関してはその記載を省略している。コア基板１２１は、例えば、エポキシ樹脂などにガラス繊維などがフィラーとして充填されたガラス繊維強化樹脂などから構成される。ビルドアップ層１２２及び１２３は、電極層を構成するＣｕ層１２２Ａ及び１２３Ａと、これらＣｕ層上に形成された、例えばエポキシ樹脂などからなる樹脂層１２２Ｂ及び１２３Ｂとを含む。
【００３４】
なお、本実施形態では、ビルドアップ層１２２及び１２３は、１層のＣｕ層及び２層の樹脂層が積層された場合について示しているが、形成すべき電極パターンの数に応じて適宜に変化させることができる。
【００３５】
図５に示すように、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２の所定箇所において、フリップチップ実装には寄与しない複数のダミーのビア１２７−１〜１２７〜４が複数形成されている（図では、４個であるが必要に応じて任意の数とすることができる）。この場合、ビア１２７が形成された箇所は、その周囲の領域に比較して剛性が低下し、弾性が向上するようになる。結果として、リジッドパッケージ基板１２においてダミーのビア１２７を形成することにより、ビア１２７（ビア１２７を含む領域部分）がリジッドパッケージ基板１２の弾性体１７を構成することになる。
【００３６】
特に、コア基板１２１は剛性が高いため、図５に示すように、コア基板１２１を貫通するようにしてビア１２７−２及び１２７−４を形成することによって、リジッドパッケージ基板１２全体の剛性をより効果的に低減することができる。
【００３７】
また、本発明の作用効果を十分に担保するためには、例えば、半導体装置１０（リジッドパッケージ基板１２）の大きさ約３０ｍｍ□〜５０ｍｍ□、半導体チップ１１の大きさ約１０ｍｍ□〜２０ｍｍ□に対して、ビア１２７の径を０．１ｍｍ〜０．３ｍｍとすることができる。また、その数は、製品の形態などに依存させて適宜に設定することができる。
【００３８】
（第４の実施形態）
次に、第４の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態は基本的には上記第１の実施形態と同じであり、図１に示すような概略構成を呈するが、リジッドパッケージ基板の一部に弾性体を設ける代わりに、その一部に溝部を設ける点で相違する。したがって、以下においては、その相違点を中心に説明する。
【００３９】
図６は、本実施形態における半導体装置を示す平面図である。なお、上記第１の実施形態に係わる図１〜３に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
【００４０】
図６に示す半導体装置２０においては、リジッドパッケージ基板１２上には、フリップチップ接続によって半導体チップ１１が搭載され、それらの間にはアンダーフィル樹脂１５が設けられている。また、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２において、アンダーフィル樹脂１５の外延において半導体チップ１１と隣接するようにしてＬ字型のスリット（溝）２１が形成されている。また、スリット２１の外方において、同じくＬ字型のスリット（溝）２２及びＩ字型のスリット（溝）２３が形成されている。
【００４１】
なお、スリット２１及び２３の各辺は、リジッドパッケージ基板１２の側端１２Ｘ及び１２Ｙに沿うように略平行となるようにして形成されている。また、スリット２２は、リジッドパッケージ基板１２の側端１２Ｙに沿って略平行となるようにして形成されている。
【００４２】
一般に、本実施形態の半導体装置２０が熱履歴を受けた際には、半導体チップ１１とリジッドパッケージ基板１２との熱膨張係数の相違によって発生した熱応力に起因したリジッドパッケージ基板１２の熱ひずみは、半導体チップ１１から外方へ向うにつれて増大する。しかしながら、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２の側端１２Ｘ及び１２Ｙに沿ってスリット２１〜２３を形成し、リジッドパッケージ基板１２を部分的及び実質的に分断している。したがって、上述のようにして生成された熱ひずみは、リジッドパッケージ基板１２を実質的に分断するように機能しているスリット２１〜２３によって緩和されるようになる。この結果、リジッドパッケージ基板１２の上記熱ひずみに起因した反りを十分に低減することができるようになる。
【００４３】
なお、本実施形態では特に限定していないが、スリット２１〜２３はリジッドパッケージ基板１２の表面側及び裏面側のいずれにも形成することができる。リジッドパッケージ基板１２の表面側には、図示しない複数の電極パッド（接続端子）が形成されているので、スリット２１〜２３をリジッドパッケージ基板１２の表面側に形成する際には、前記電極パッドの非形成領域を適宜選択して形成する必要がある。一方、スリット２１〜２３をリジッドパッケージ１２の裏面側に形成する際には、前記電極パッドによる制限を受けることがないので、比較的自由な位置に形成することができる。
【００４４】
また、スリット２１〜２３は、上述したように、リジッドパッケージ基板１２を貫通しないようにして、その表面側あるいは裏面側に形成する代わりに、リジッドパッケージ基板１２を貫通するようにして形成することもできる。この場合、リジッドパッケージ基板１２の分断効果が助長されることになるので、上述のようにして生成された熱ひずみのスリットにおける緩和効果が増大する。したがって、リジッドパッケージ基板１２の反りをより効果的に低減することができるようになる。
【００４５】
さらに、本実施形態においては、半導体チップ１１に隣接するようにして、半導体チップ１１から見た場合に最内側に位置する（図示しない）電極パッドとの間にスリット２１を形成している。この場合、半導体チップ１１とリジッドパッケージ基板１２との熱膨張係数の相違によって発生する熱応力に起因した熱ひずみは、その生成初期の段階でスリット２１において緩和されるようになる。したがって、リジッドパッケージ基板１２全体に生じる熱ひずみを当初から十分に低減することができるようになり、さらにスリット２１の外方に形成したスリット２２及び２３によって前記熱ひずみをさらに緩和することになるので、最終的にリジッドパッケージ基板１２に残存する熱ひずみを十分に低減することができる。結果として、リジッドパッケージ基板１２の反りをより効果的に低減することができるようになる。
【００４６】
なお、スリット２１は、最も好ましくは、リジッドパッケージ基板１２において、半導体チップ１１と、この半導体チップ１１に最も近接して設けられた最内側の電極パッドとの間に形成する。例えば、半導体装置２０（リジッドパッケージ基板１２）の大きさ約３０ｍｍ□〜５０ｍｍ□、半導体チップ１１の大きさ約１０ｍｍ□〜２０ｍｍ□に対して、スリット２１の形成位置ｄ３を半導体チップ１１の側端１１Ａから２ｍｍ〜３ｍｍ（具体的には、図２に示すようなアンダーフィル樹脂フィレット部（ｄ１部）から）離隔した位置に形成することができる。また、スリット２１〜２３の幅は約０．０２５ｍｍ〜０．２ｍｍとすることができる。
【００４７】
（第５の実施形態）
次に、第５の実施形態の半導体装置について説明する。本実施形態は基本的には上記第４の実施形態と同じであるが、リジッドパッケージ基板１２に対してスリットを形成する代わりに複数の孔を形成した点で相違する。したがって、以下においては、その相違点を中心に説明する。なお、本実施形態における半導体装置の概略構成は図１に示すとおりである。
【００４８】
図７は、本実施形態における半導体装置を示す平面図である。なお、上記実施形態に係わる図１〜６に示す構成要素と類似あるいは同一の構成要素に関しては、同じ参照数字を用いて表している。
【００４９】
図７に示す半導体装置２０において、リジッドパッケージ基板１２上には、フリップチップ接続によって半導体チップ１１が搭載され、それらの間にはアンダーフィル樹脂１５が設けられている。また、本実施形態では、リジッドパッケージ基板１２において、アンダーフィル樹脂１５の外延において、リジッドパッケージ基板１２の側端１２Ｘ及び１２Ｙに沿って略平行となるように、複数の孔２６及び２７が形成されている。
【００５０】
本実施形態においても、本実施形態の半導体装置２０が熱履歴を受けた際に、半導体チップ１１とリジッドパッケージ基板１２との熱膨張係数の相違によって発生した熱応力に起因したリジッドパッケージ基板１２の熱ひずみは、孔２６及び２７がリジッドパッケージ基板１２を部分的及び実質的に分断しているので、これら孔２６及び２７によって緩和されるようになる。この結果、リジッドパッケージ基板１２の上記熱ひずみに起因した反りを十分に低減することができるようになる。
【００５１】
なお、本実施形態でも、孔２６及び２７はリジッドパッケージ基板１２の表面側及び裏面側のいずれにも形成することができる。リジッドパッケージ基板１２の表面側には、図示しない複数の電極パッド（接続端子）が形成されているので、孔２６及び２７をリジッドパッケージ基板１２の表面側に形成する際には、前記電極パッドの非形成領域を適宜選択して形成する必要がある。一方、孔２６及び２７をリジッドパッケージ１２の裏面側に形成する際には、前記電極パッドによる制限を受けることがないので、比較的自由な位置に形成することができる。
【００５２】
また、本実施形態においても、孔２６及び２７はリジッドパッケージ基板１２を貫通するようにして形成することもできる。この場合、リジッドパッケージ基板１２の分断効果が助長されることになるので、上述のようにして生成された熱ひずみの孔における緩和効果が増大する。したがって、リジッドパッケージ基板１２の反りをより効果的に低減することができるようになる。
【００５３】
なお、孔２６及び２７の大きさは、例えば、半導体装置２０（リジッドパッケージ基板１２）の大きさ約３０ｍｍ□〜５０ｍｍ□、半導体チップ１１の大きさ約１０ｍｍ□〜２０ｍｍ□に対して、約０．０２５ｍｍ〜０．２ｍｍとすることができる。また、その数は、製品の形態などに依存させて適宜に設定することができる。
【００５４】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１の実施形態における半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の要部を拡大して示す断面図である。
【図３】図２に示すリジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。
【図４】第２の実施形態における半導体装置の、リジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。
【図５】第３の実施形態における半導体装置の、リジッドパッケージ基板の弾性体を含む部分を拡大して示す断面図である。
【図６】第４の実施形態における半導体装置を示す平面図である。
【図７】第５の実施形態における半導体装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０，２０  半導体装置
１１  半導体チップ
１２  リジッドパッケージ基板
１３  半田バンプ
１４  半田ボール
１５  封止樹脂体（アンダーフィル樹脂）
１７  弾性体
２１〜２３  スリット
２６，２７  孔
【図１】
2008210985.tif 000003
【図２】
2008210985.tif 000004
【図３】
2008210985.tif 000005
【図４】
2008210985.tif 000006
【図５】
2008210985.tif 000007
【図６】
2008210985.tif 000008
【図７】
2008210985.tif 000009