【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年6月5日(2013.6.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーであって、
当該一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーは、
（Ａ）マグノン利得媒質（ＭＧＭ）を含み、当該ＭＧＭは、非平衡マグノンの発生を支持し、
当該一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーは、
（Ｂ）非平衡電子を前記ＭＧＭに注入する手段を含み、前記ＭＧＭにおける前記非平衡電子の伝播が、前記非平衡マグノンの発生を引き起こす
ことを特徴とする一般構造（ＧＳ）マグノンレーザー。
【請求項２】
一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーであって、
当該一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーは、
（Ａ）マグノン利得媒質（ＭＧＭ）を含み、当該ＭＧＭは非平衡マグノンの発生を支持し、
当該一般構造（ＧＳ）マグノンレーザーは、
（Ｂ）非平衡偏極電子を前記ＭＧＭに注入する手段を含み、前記偏極電子が前記ＭＧＭの磁化方向と反対方向に偏極し、かつ前記ＭＧＭにおける前記偏極非平衡電子の伝播が、前記非平衡マグノンの発生を引き起こすことを特徴とする一般構造（ＧＳ）マグノンレーザー。
【請求項３】
（強磁性体の磁化方向に沿って）スピンアップを有する第１サブバンドと、（強磁性体の磁化方向と反対に）スピンダウンを有する第２サブバンドとの  ２つのサブバンドに分割される伝導バンドを有する強磁性体を含む四準位マグノンレーザーであって、
前記強磁性体は、四準位レーザー構造をさらに含み、
前記四準位レーザー構造は、
価電子帯に対応する最低エネルギー準位と、
スピンダウンサブバンドに対応する最高エネルギー準位と、
スピンアップサブバンドに対応する第２中間エネルギー準位
を含み、
前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へと送り込まれた電子が、前記スピンアップサブバンドにおける、より低いエネルギー電子状態へと移り、
前記送り込まれた電子のそれぞれがマグノンを放出し、
前記四準位レーザー構造は、さらに、
前記スピンアップサブバンドにおける前記より低いエネルギー電子状態に対応する第１中間準位を含み、
前記スピンアップサブバンドにおける前記電子が、前記スピンアップサブバンドの底部へと、光学フォノンを放出することにより移り、
前記第２中間エネルギー準位が、前記第１中間準位よりも低いエネルギー空間に配され、
前記電子が、前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へとポンピング手段を用いて送り込まれることを特徴とする四準位マグノンレーザー。
【請求項４】
前記電子を前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へと送り込むように構成された前記ポンピング手段をさらに含むことを特徴とする請求項３記載の四準位マグノンレーザー。
【請求項５】
前記ポンピング手段は、さらに、
前記電子を前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へと送り込むように構成された従来のレーザー手段を含むことを特徴とする請求項４記載の四準位マグノンレーザー。
【請求項６】
前記強磁性体が、強磁性半導体及び強磁性絶縁体からなる群から選択されることを特徴とする請求項３記載の四準位マグノンレーザー。
【請求項７】
サーモスタットをさらに含み、
前記磁性体が前記サーモスタットに配され、
前記サーモスタットが、臨界温度より下に前記磁性体の温度を維持するように構成されることを特徴とする、請求項３記載の四準位マグノンレーザー。
【請求項８】
（強磁性体の磁化方向に沿って）スピンアップを有する第１サブバンドと、（強磁性体の磁化方向と反対に）スピンダウンを有する第２サブバンドとの２つのサブバンドに分割される伝導バンドを有する強磁性体を含む三準位マグノンレーザーであって、
前記磁性体は、三準位レーザー構造をさらに含み、
前記三準位レーザー構造は、
スピンダウンサブバンドに対応する最高エネルギー準位と、
スピンアップサブバンドに対応する最低エネルギー準位を含み、
電子の外部源から前記最高エネルギー準位へと注入された電子が、前記スピンアップサブバンドにおける、より低いエネルギー電子状態へと移り、
前記注入された電子のそれぞれがマグノンを放出し、
前記三準位レーザー構造は、さらに、
前記スピンアップサブバンドにおける、前記より低いエネルギー電子状態に対応する中間エネルギー準位を含み、
前記スピンアップサブバンドにおける前記電子が、前記中間エネルギー準位から前記スピンアップサブバンドの底部へと、光学フォノンを放出することにより移り、
前記電子が、前記電子の外部源から前記最高エネルギー準位へと注入手段を用いて注入されることを特徴とする三準位マグノンレーザー。
【請求項９】
前記電子を前記電子の外部源から前記最高エネルギー準位へと注入するように構成された前記注入手段をさらに含むことを特徴とする請求項８記載の三準位マグノンレーザー。
【請求項１０】
前記注入手段は、さらに、
前記強磁性体に印加された電場を含み、
前記電場が、非偏極電子を外部源から前記強磁性体に注入するように構成され、
前記注入されたスピンダウン電子が、前記最高エネルギー準位に存在することを特徴とする請求項９記載の三準位マグノンレーザー。
【請求項１１】
前記注入手段は、さらに、
前記強磁性体に印加された電場を含み、
前記電場が、偏極スピンダウン電子を外部源から前記最高エネルギー準位に注入するように構成され、
前記偏極スピンダウン電子が、前記強磁性体の磁化方向と反対方向に偏極されることを特徴とする請求項９記載の三準位マグノンレーザー。
【請求項１２】
前記強磁性体が、強磁性半導体及び強磁性絶縁体からなる群から選択されることを特徴とする請求項８記載の三準位マグノンレーザー。
【請求項１３】
サーモスタットをさらに含み、
前記磁性体が前記サーモスタットに配され、
前記サーモスタットが、臨界温度より下に前記磁性体の温度を維持するように構成されることを特徴とする、請求項８記載の三準位マグノンレーザー。
【請求項１４】
ＧＳマグノンレーザーを用いることによって非平衡マグノンを発生させるための方法であって、
前記方法は、
（Ａ）ＭＧＭを提供する工程を含み、前記ＭＧＭは非平衡マグノンの発生を支持し、
前記方法は、
（Ｂ）非平衡電子を前記ＭＧＭに注入する工程を含み、前記ＭＧＭにおける前記非平衡電子の伝播が、前記非平衡マグノンの発生を引き起こす
ことを特徴とする方法。
【請求項１５】
ＧＳマグノンレーザーを用いることによって非平衡マグノンを発生させるための方法であって、
前記方法は、
（Ａ）ＭＧＭを提供する工程を含み、前記ＭＧＭが非平衡マグノンの発生を支持し、前記方法は、
（Ｂ）偏極非平衡電子を前記ＭＧＭに注入する工程を含み、前記偏極電子が前記ＭＧＭの磁化方向と反対方向に偏極し、前記ＭＧＭにおける前記偏極非平衡電子の伝播が、前記非平衡マグノンの発生を引き起こす
ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
ＧＳマグノンレーザーを用いることによって非平衡マグノンを発生させるための方法であって、
前記方法は、
（Ａ）ＭＧＭを提供する工程を含み、前記ＭＧＭが非平衡マグノンの発生を支持し、前記方法は、
（Ｂ）前記ＭＧＭにおける前記非平衡マグノンの発生を引き起こすために、実質的に十分な数の非平衡電子を前記ＭＧＭに注入する工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項１７】
ＧＳマグノンレーザーを用いることによって非平衡マグノンを発生させるための方法であって、
前記方法は、
（Ａ）ＭＧＭを提供する工程を含み、前記ＭＧＭが非平衡マグノンの発生を支持し、前記方法は、
（Ｂ）閾値数の偏極非平衡電子を前記ＭＧＭに注入する工程を含み、前記送り込まれた偏極電子の閾値数が、前記ＭＧＭにおいてマグノンのアバランシェ効果を生じさせるのに実質的に十分である
ことを特徴とする方法。
【請求項１８】
四準位マグノンレーザーを用いて非平衡マグノンを発生させる方法であって、
前記方法は、
（Ａ）前記四準位マグノンレーザーを提供する工程と、
（Ｂ）前記四準位マグノンレーザーに電子を送り込む工程を含み、
前記四準位マグノンレーザーは、（強磁性体の磁化方向に沿って）スピンアップを有する第１サブバンドと、（強磁性体の磁化方向と反対に）スピンダウンを有する第２サブバンドとの２つのサブバンドに分割される伝導バンドを有する強磁性体を含み、
前記強磁性体は、四準位レーザー構造を含み、  
前記四準位レーザー構造は、
価電子帯に対応する最低エネルギー準位と、
スピンダウンサブバンドに対応する最高エネルギー準位と、
スピンアップサブバンドに対応する第２中間エネルギー準位を含み、
前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へと送り込まれた電子が、前記スピンアップサブバンドにおける、より低いエネルギー電子状態へと移り、
前記送り込まれた電子のそれぞれがマグノンを放出し、
前記四準位レーザー構造は、さらに、
前記スピンアップサブバンドにおける、前記より低いエネルギー電子状態に対応する第１中間準位を含み、
前記スピンアップサブバンドにおける前記電子が、前記スピンアップサブバンドの底部へと、光学フォノンを放出することにより移り、
前記第２中間エネルギー準位が、前記第１中間準位よりも低いエネルギー空間に配され、
前記電子が、前記最低エネルギー準位から前記最高エネルギー準位へとポンピング手段を用いて送り込まれることを特徴とする方法。
【請求項１９】
三準位マグノンレーザーを用いて非平衡マグノンを発生させる方法であって、
前記方法は、
（Ａ）前記三準位マグノンレーザーを提供する工程と、
（Ｂ）前記三準位マグノンレーザーに電子を注入する工程を含み、
前記三準位マグノンレーザーは、（強磁性体の磁化方向に沿って）スピンアップを有する第１サブバンドと、（強磁性体の磁化方向と反対に）スピンダウンを有する第２サブバンドとの２つのサブバンドに分割される伝導バンドを有する強磁性体を含み、
前記強磁性体は、三準位レーザー構造を含み、
前記三準位レーザー構造は、
スピンダウンサブバンドに対応する最高エネルギー準位と、
スピンアップサブバンドに対応する最低エネルギー準位を含み、
電子の外部源から前記最高エネルギー準位へと注入された電子が、前記スピンアップサブバンドにおける、より低いエネルギー電子状態へと移り、
前記注入された電子のそれぞれがマグノンを放出し、
前記三準位レーザー構造は、さらに、
前記スピンアップサブバンドにおける、前記より低いエネルギー電子状態に対応する
中間エネルギー準位を含み、
前記スピンアップサブバンドにおける前記電子が、前記中間エネルギー準位から前記
スピンアップサブバンドの底部へと、光学フォノンを放出すること  により移り、
前記電子が、前記電子の外部源から前記最高エネルギー準位へと注入手段を用いて注
入されることを特徴とする方法。
【請求項２０】
ＧＳマグノンレーザーを用いることによってテラヘルツ放射を発生させる方法であっ
て、
前記方法は、
（Ａ）ＭＧＭを提供する工程と、
（Ｂ）前記非平衡マグノンを前記ＭＧＭにおいて発生させる工程と、
（Ｃ）前記ＭＧＭで発生した前記非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させて、テラヘルツフォトンを発生させる工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項２１】
四準位マグノンレーザーを用いてテラヘルツ放射を発生させる方法であって、
（Ａ）前記四準位マグノンレーザーを提供する工程と、
（Ｂ）前記四準位マグノンレーザーに電子を送り込む工程と、
（Ｃ）前記四準位マグノンレーザーにおいて非平衡マグノンを発生させる工程と、
（Ｄ）前記四準位マグノンレーザーで発生した前記非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させて、テラヘルツフォトンを発生させる工程を備えることを特徴とする方法。
【請求項２２】
三準位マグノンレーザーを用いてテラヘルツ放射を発生させる方法であって、
（Ａ）前記三準位マグノンレーザーを提供する工程と、
（Ｂ）前記三準位マグノンレーザーに電子を注入する工程と、
（Ｃ）前記三準位マグノンレーザーにおいて非平衡マグノンを発生させる工程と、
（Ｄ）前記三準位マグノンレーザーで発生した前記非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させて、テラヘルツフォトンを発生させる工程を備えることを特徴とする方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本発明の一態様は、一般構造（ＧＳ:ｇｅｎｅｒａｌ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）マグノンレーザーに向けられている。
一実施形態では、本発明のＧＳマグノンレーザーは、（Ａ）マグノン利得媒質（ＭＧＭ: ｍａｇｎｏｎ  ｇａｉｎ  ｍｅｄｉｕｍ）を備え、当該ＭＧＭは非平衡マグノンを支持し、本発明のＧＳマグノンレーザーは、（Ｂ）非平衡マグノンをＭＧＭにおいて発生させる手段とをさらに含む。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の一実施形態では、手段（Ｂ）は、さらに、（Ｂ１）非平衡電子をＭＧＭに送り込むように構成された手段を含む。ＭＧＭにおける非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の他の実施形態では、手段（Ｂ）は、さらに、（Ｂ２）非平衡電子をＭＧＭに注入するように構成された手段を含む。ＭＧＭにおける非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明のもう1つの実施形態では、手段（Ｂ）は、さらに、（Ｂ３）非平衡偏極電子をＭＧＭに注入するように構成された手段を含む。電子は、ＭＧＭの磁化方向と反対方向に偏極する。ＭＧＭにおける偏極非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
本発明の追加的な態様は、ＧＳマグノンレーザーを用いることによる非平衡マグノンの発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
本発明の一実施形態では、本発明の、ＧＳマグノンレーザーを用いることによる非平衡マグノンの発生のための方法は、さらに、（Ａ）非平衡マグノンの発生を支持するマグノン利得媒質（ＭＧＭ）を設ける工程と、（Ｂ）ＭＧＭにおける非平衡マグノンを発生させる工程とを含む。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２５】
本発明の一実施形態では、工程（Ｂ）はさらに、（Ｂ１）非平衡電子をＭＧＭに送り込む工程を含み、ＭＧＭにおける非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本発明の一実施形態では、工程（Ｂ）はさらに、（Ｂ２）非平衡電子をＭＧＭに注入する工程を含み、ＭＧＭにおける非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
本発明の一実施形態では、工程（Ｂ）はさらに、（Ｂ３）偏極非平衡電子をＭＧＭに注入する工程を含み、偏極電子は、ＭＧＭの磁化方向と反対方向に偏極し、ＭＧＭにおける偏極非平衡電子の伝播が、非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
本発明の一実施形態では、工程（Ｂ）はさらに、（Ｂ４）実質的に十分な数の非平衡電子をＭＧＭに送り込む工程をさらに含み、ＭＧＭにおける非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明の一実施形態では、工程（Ｂ）はさらに、（Ｂ６）実質的に十分な数の非平衡電子をＭＧＭに注入する工程をさらに含み、ＭＧＭにおける非平衡マグノンの発生を引き起こす。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明のさらに追加の態様は、四準位マグノンレーザーを用いることによる非平衡マグノンの発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
一実施形態では、本発明の、四準位マグノンレーザーを用いることによる非平衡マグノンの発生のための方法は、（Ａ）四準位マグノンレーザーを設ける工程と、（Ｂ）電子を、最低エネルギー準位から最高エネルギー準位へとポンピング手段を用いて四準位マグノンレーザーに送り込む工程を含む。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
またさらに、本発明の追加的な態様は、三準位マグノンレーザーを用いる非平衡マグノンの発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
一実施形態では、本発明の、三準位マグノンレーザーを用いることによる非平衡マグノンの発生のための方法は、（Ａ）三準位マグノンレーザーを設ける工程と、（Ｂ）電子を、電子の外部源から三準位マグノンレーザーの最高エネルギー準位へと、注入手段を用いて注入する工程を含む。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
またさらに、本発明の追加的な態様は、ＧＳマグノンレーザーを用いることによるテラヘルツ放射の発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
一実施形態において、本発明のＧＳマグノンレーザーを用いることによるテラヘルツ放射の発生のための方法は、（Ａ）非平衡マグノンを発生させるためのＭＧＭを設ける工程と、（Ｂ）非平衡マグノンをＭＧＭにおいて発生させる工程と、（Ｃ）ＭＧＭで発生した非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させて、テラヘルツフォトンを発生させる工程を含む。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
さらに他の本発明の追加的な態様は、四準位マグノンレーザーを用いることによるテラヘルツ放射の発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
一実施形態では、本発明の、四準位マグノンレーザーを用いることによるテラヘルツ放射の発生のための方法は、（Ａ）四準位マグノンレーザーを設ける工程と、（Ｂ）電子を四準位マグノンレーザーに送り込む工程と、（Ｃ）四準位マグノンレーザーにおいて非平衡マグノンを発生させる工程と、（Ｄ）四準位マグノンレーザーで発生した非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させてテラヘルツフォトンを発生させる工程をさらに含む。
【誤訳訂正２１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
さらに他の本発明の追加的な態様は、三準位マグノンレーザーを用いるテラヘルツ放射の発生のための方法に向けられている。
【誤訳訂正２２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
一実施形態では、本発明の、三準位マグノンレーザーを用いることによるテラヘルツ放射の発生のための方法は、（Ａ）三準位マグノンレーザーを設ける工程と、（Ｂ）電子を三準位マグノンレーザーに注入する工程と、（Ｃ）三準位マグノンレーザーにおいて非平衡マグノンを発生させる工程と、（Ｄ）三準位マグノンレーザーで発生した非平衡マグノンのうちの二つの非平衡マグノンを融合させてテラヘルツフォトンを発生させる工程とをさらに含む。