【手続補正書】
【提出日】平成25年4月26日(2013.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
組成物１および３の押出発泡には、組成物２の押出発泡で起こるような剥がれが随伴しない。
実施例３
本実施例においては、発泡絶縁体が４５％の空洞率を有し、発泡絶縁体の厚さが０．０４０インチ（１．０ｍｍ）であるケーブルについて信号伝送結果を比較する。この比較は、本明細書の実施例１の組成物から製造された発泡絶縁体と、発泡セル核剤の濃度が０．３重量％であることを除いては、米国特許出願公開第２００８／０２８３２７１号明細書（米国特許第７，６３８，７０９号明細書）の実施例１の組成物から製造された発泡絶縁体との間の比較である。本明細書の実施例１のケーブルの減衰は、８００ＭＨｚ〜４．５ＧＨｚの全体測定範囲にわたってすべてのＦＥＰ発泡絶縁体についてのそれより良好である。このように、１０００ＭＨｚ、２ＧＨｚ、３ＧＨｚ、および４ＧＨｚで、減衰改善は、本発明について、それぞれ、１ｄＢ／１００フィート（３０．５ｍ）、２ｄＢ／１００フィート（３０．５ｍ）、３ｄＢ／１００フィート（３０．５ｍ）、および４ｄＢ／１００フィート（３０．５ｍ）である。たとえば、３ＧＨｚで、本発明の絶縁体から製造されたケーブルの減衰は、米国特許出願公開第２００８／０２８３２７１号明細書の実施例１のＴＦＥ／ＨＦＰコポリマーブレンド組成物についての−２３．５ｄｂ／１００フィート（３０．５ｍ）と比べて−２１．５ｄＢ／１００フィート（３０．５ｍ）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．溶融加工可能なテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーと、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーと、発泡セル造核剤とを含む発泡性組成物であって、該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーの溶融温度が、上記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーの溶融温度より３５℃か、もしくはそれ以下でしかない温度で高いか、または該テトラフルオロエチ
レン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーがそれぞれ、１〜４０ｇ／１０分の範囲内のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し、そして該コポリマーの一方のＭＦＲが該ポリマーの他方のＭＦＲの少なくとも２倍であるか、またはそれらの組み合わせである、上記発泡性組成物。
２．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーの溶融温度が２５５℃〜２６５℃であり、前記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ−（アルキルビニルエーテル）コポリマーの溶融温度が２８０℃〜２９５℃である上記１に記載の発泡性組成物。
３．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーが、０．２〜４質量％の、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）を含有し、該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーのペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）が前記組成物の押出発泡において押出ダイの外側での該組成物の剥がれを防ぐのに有効な量で存在する上記１に記載の発泡性組成物。
４．前記量が、前記テトラフルオロエチレンおよび前記ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）の総合質量に基づいて少なくとも６質量％である、上記３に記載の発泡性組成物。
５．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーより多い前記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーが前記組成物中に存在する上記１に記載の発泡性組成物。
６．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび前記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーの総合質量に基づいて、該コポリマーのそれぞれが少なくとも２５質量％で前記組成物中に存在する上記５に記載の発泡性組成物。
７．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび前記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーがそれぞれ、１〜４０ｇ／１０分の範囲内のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し、そして該コポリマーの一方のＭＦＲが該コポリマーの他方のＭＦＲの少なくとも２倍である上記１に記載の発泡性組成物。
８．前記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーのＭＦＲが１５ｇ／１０分かそれ以下であり、前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーのＭＦＲが少なくとも２０ｇ／１０分である上記７に記載の発泡性組成物。
９．１０ＧＨｚで０．０００３かそれ以下の誘電正接を示す上記１に記載の発泡性組成物。
１０．前記コポリマーの１つが２０かそれ以下でしかない不安定末端基／１０６炭素原子を有し、前記コポリマーの他方が３０〜１２０の不安定末端基／１０６炭素原子を有し、前記コポリマーの残りの末端基が−ＣＦ３である上記１に記載の発泡性組成物。
１１．発泡剤をさらに含有する上記１に記載の発泡性組成物。
１２．前記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーがまた、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、０．２〜４質量％のペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）を含有する上記１に記載の発泡性組成物。
１３．溶融加工可能なテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマー、発泡セル造核剤、および発泡剤を含む組成物を形成する工程と、該組成物を押出ダイから導体上へ溶融ドローダウン押出して絶縁体を該導体上に形成する工程とを含み、該溶融ドローダウン押出する工程が上記ダイから該導体上の該絶縁体の形成まで伸びる融解状態での該組成物のコーンを形成する方法であって、上記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーの溶融温
度が上記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーの溶融温度より３５℃かそれ以下でしかない温度で高く、および／または該テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーがそれぞれ、１〜４０ｇ／１０分の範囲内のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し、そして該コポリマーの一方のＭＦＲが該コポリマーの他方のＭＦＲの少なくとも２倍であり、上記発泡剤が該融解組成物を上記導体上で発泡させる、上記方法。
１４．前記溶融ドローダウンが３０：１かそれ以下のドローダウン比にあり、前記コーンの軸長さが少なくとも１インチであり、そして前記導体上での前記組成物の発泡成形が、３６〜６５％の空洞率を有する前記絶縁体を与える、上記１３に記載の方法。
１５．前記絶縁体の厚さが少なくとも２０ミルである、上記１３に記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融加工可能なテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーと、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーと、発泡セル造核剤とを含む発泡性組成物であって、該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーの溶融温度が、上記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーの溶融温度より３５℃か、もしくはそれ以下でしかない温度で高いか、または該テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーがそれぞれ、１〜４０ｇ／１０分の範囲内のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し、そして該コポリマーの一方のＭＦＲが該ポリマーの他方のＭＦＲの少なくとも２倍であるか、またはそれらの組み合わせである、上記発泡性組成物。
【請求項２】
溶融加工可能なテトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマー、アルキルが１〜４個の炭素原子を含有する、テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマー、発泡セル造核剤、および発泡剤を含む組成物を形成する工程と、該組成物を押出ダイから導体上へ溶融ドローダウン押出して絶縁体を該導体上に形成する工程とを含み、該溶融ドローダウン押出する工程が上記ダイから該導体上の該絶縁体の形成まで伸びる融解状態での該組成物のコーンを形成する方法であって、上記テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーの溶融温度が上記テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーの溶融温度より３５℃かそれ以下でしかない温度で高く、および／または該テトラフルオロエチレン／ヘキサフルオロプロピレンコポリマーおよび該テトラフルオロエチレン／ペルフルオロ（アルキルビニルエーテル）コポリマーがそれぞれ、１〜４０ｇ／１０分の範囲内のメルトフローレート（ＭＦＲ）を有し、そして該コポリマーの一方のＭＦＲが該コポリマーの他方のＭＦＲの少なくとも２倍であり、上記発泡剤が該融解組成物を上記導体上で発泡させる、上記方法。