【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１０％以上の流量で使用することを特徴とするトンネル型磁気抵抗多層膜製造方法。
【請求項２】
基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを５０％以上の流量で使用することを特徴とするトンネル型磁気抵抗多層膜製造方法。
【請求項３】
基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１００％の流量で使用することを特徴とするトンネル型磁気抵抗多層膜製造方法。
【請求項４】
排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを導入するためのガス導入系と、を有することを特徴とするトンネル型磁気抵抗多層膜製造装置。
【請求項５】
排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記基板ホルダーを回転させるための回転機構と、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを導入するためのガス導入系と、を有することを特徴とするトンネル型磁気抵抗多層膜製造装置。
【請求項６】
さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１０％以上に流量調整するための流量調整器を有することを特徴とする、請求項４又は５記載のトンネル型磁気抵抗多層膜製造装置。
【請求項７】
さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを５０％以上に流量調整するための流量調整器を有することを特徴とする、請求項４又は５記載のトンネル型磁気抵抗多層膜製造装置。
【請求項８】
前記ガス導入系は、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスが１００％であることを特徴とする、請求項４又は５記載のトンネル型磁気抵抗多層膜製造装置。
【請求項９】
前記反強磁性層が、ＰｔＭｎ膜又はＩｒＭｎ膜であり、前記磁化固定層が、ＣｏＦｅ膜であり、前記非磁性スペーサ層が、アルミナであり、前記磁化自由層が、ＮｉＦｅ膜であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載のトンネル型磁気抵抗多層膜製造方法。
【請求項１０】
スパッタリングに用いる前記ターゲットの材料が、白金（原子番号７８）とマンガン（原子番号２５）のように、原子番号に大きな差のある元素から成るものである請求項１から３のいずれか１項記載のトンネル型磁気抵抗多層膜製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トンネル型磁気抵抗多層膜製造方法及び製造装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記課題を解決するため、本願の請求項１記載の発明は、基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１０％以上の流量で使用するという構成を有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、上記課題を解決するため、請求項２記載の発明は、基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを５０％以上の流量で使用するという構成を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、上記課題を解決するため、請求項３記載の発明は、基板上に、反強磁性層と、該反強磁性層との結合により磁化の向きが固定されている磁化固定層と、非磁性スペーサ層と、磁化の向きが自由である磁化自由層とを順に積層することでトンネル型磁気抵抗多層膜を製造する方法であって、
反強磁性層の薄膜をスパッタリングにより作製する工程において、スパッタ用ガスとして、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１００％の流量で使用するという構成を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、上記課題を解決するため、請求項４記載の発明は、排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを導入するためのガス導入系と、を有するという構成を有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、上記課題を解決するため、請求項５記載の発明は、排気系を接続した真空容器と、
前記真空容器内に設置した、反強磁性層からなる薄膜を堆積させるための基板を保持するための基板ホルダーと、
前記基板ホルダーを回転させるための回転機構と、
前記真空容器内に設置した、放電を生じさせるためのカソードであって、該カソード面を前記基板ホルダー面に対して傾斜させて配置したカソードと、
前記真空容器内にアルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを導入するためのガス導入系と、を有するという構成を有する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、上記課題を解決するため、請求項６記載の発明は、前記請求項４又は５の構成において、さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを１０％以上に流量調整するための流量調整器を有するという構成を有する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、上記課題を解決するため、請求項７記載の発明は、前記請求項４又は５の構成において、さらに、前記アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスを５０％以上に流量調整するための流量調整器を有するという構成を有する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、上記課題を解決するため、請求項８記載の発明は、前記請求項４又は５の構成において、前記ガス導入系は、アルゴンより原子番号の大きな元素のクリプトン（Ｋｒ）ガス又はキセノン（Ｘｅ）ガスが１００％であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項９記載の発明は、前記請求項１〜３のいずれかの構成において、前記反強磁性層が、ＰｔＭｎ膜又はＩｒＭｎ膜であり、前記磁化固定層が、ＣｏＦｅ膜であり、前記非磁性スペーサ層が、アルミナであり、前記磁化自由層が、ＮｉＦｅ膜であるという構成を有する。
また、上記課題を解決するため、請求項１０記載の発明は、前記請求項１〜３のいずれかの構成において、スパッタリングに用いる前記ターゲットの材料が、白金（原子番号７８）とマンガン（原子番号２５）のように、原子番号に大きな差のある元素から成るものであるという構成を有する。