Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定以上の電界強度になると自動的にメールを送信することを特徴とする通信装置。
【請求項２】
電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部を有し、前記アンテナマークの本数が所定の数になると自動的にメールを送信することを特徴とする通信装置。
【請求項３】
電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部を有し、前記アンテナマークの本数が表示可能な最多の数になると自動的にメールを送信することを特徴とする通信装置。
【請求項４】
入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、
前記入力手段からメール送信指示がある際に、前記電界強度検出手段が所定未満の電界強度であると検出するとメール送信をせず、続いて前記電界強度検出手段が所定以上の電界強度であると検出すると自動的に前記メールを送信するように前記メール送受信手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項５】
入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、制御手段と、を有し、
前記制御手段は、前記入力手段からメール送信指示がある際に、前記電界強度検出手段が予め定められた第１の電界強度以上を検出しなければメール送信をせず、続いて前記電界強度検出手段が前記第１の電界強度以上を検出すると自動的に前記メールを送信するように前記メール送受信手段を制御し、前記第1の電界強度を検出して前記メールを送信し、
送信の失敗回数が予め定められた回数になると、前記第1の電界強度より大きい第２の電界強度を閾値として自動的にメールを送信するように制御することを特徴とする通信装置。
【請求項６】
入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、
前記入力手段から、前記メール送受信手段を用いてメールを送信するように指示があった際に、前記電界強度検出手段が所定以上の電界強度を検出していなければ、前記メール送受信手段を用いてメール送信することを禁止するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする通信装置。
【請求項７】
入力手段と、メール送受信手段と、電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部と、
前記入力手段から、前記メール送受信手段を用いてメールを送信するように指示があった際に、前記表示部に表示される前記アンテナマークの本数が所定の数になっていなければ、前記メール送受信手段を用いてメール送信することを禁止するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】通信装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、メール機能を有する通信装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項１に記載の通信装置は、所定以上の電界強度になると自動的にメールを送信することを特徴とする。
請求項２に記載の通信装置は、電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部を有し、前記アンテナマークの本数が所定の数になると自動的にメールを送信することを特徴とする。
請求項３に記載の通信装置は、電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部を有し、前記アンテナマークの本数が表示可能な最多の数になると自動的にメールを送信することを特徴とする。
請求項４に記載の通信装置は、入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、前記入力手段からメール送信指示がある際に、前記電界強度検出手段が所定未満の電界強度であると検出するとメール送信をせず、続いて前記電界強度検出手段が所定以上の電界強度であると検出すると自動的に前記メールを送信するように前記メール送受信手段を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
請求項５に記載の通信装置は、入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、制御手段と、を有し、前記制御手段は、前記入力手段からメール送信指示がある際に、前記電界強度検出手段が予め定められた第１の電界強度以上を検出しなければメール送信をせず、続いて前記電界強度検出手段が前記第１の電界強度以上を検出すると自動的に前記メールを送信するように前記メール送受信手段を制御し、前記第1の電界強度を検出して前記メールを送信し、送信の失敗回数が予め定められた回数になると、前記第1の電界強度より大きい第２の電界強度を閾値として自動的にメールを送信するように制御することを特徴とする。
請求項６に記載の通信装置は、入力手段と、メール送受信手段と、電界強度検出手段と、前記入力手段から、前記メール送受信手段を用いてメールを送信するように指示があった際に、前記電界強度検出手段が所定以上の電界強度を検出していなければ、前記メール送受信手段を用いてメール送信することを禁止するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
請求項７に記載の通信装置は、入力手段と、メール送受信手段と、電界強度の強さをアンテナマークの本数で表示する表示部と、前記入力手段から、前記メール送受信手段を用いてメールを送信するように指示があった際に、前記表示部に表示される前記アンテナマークの本数が所定の数になっていなければ、前記メール送受信手段を用いてメール送信することを禁止するよう制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出する対象画像検出手段，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいて色補正パラメータを決定する色補正パラメータ決定手段，および
上記色補正パラメータ決定手段によって決定された色補正パラメータにしたがって上記被写体像データを色補正する色補正回路，
を備え，
上記対象画像検出手段が，上記被写体像から肌色の画像部分を検出するものであり，
上記色補正パラメータ決定手段が，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいて上記被写体像がどのような光源下で得られたものかおよび上記被写体像が撮像された環境での色温度の少なくとも一方を検出する光源／色温度検出手段を備え，
上記光源／色温度検出手段によって検出された光源および色温度の少なくとも一方にもとづいて上記色補正パラメータを決定するものである，
被写体像データの色補正装置。
【請求項２】
与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出する対象画像検出手段，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいてガンマ補正係数を決定するガンマ補正係数決定手段，および
上記ガンマ補正係数決定手段によって決定されたガンマ補正係数にしたがって上記被写体像データをガンマ補正するガンマ補正回路，
を備えた被写体像データのガンマ補正装置。
【請求項３】
与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出する対象画像検出手段，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいて，ノイズ低減パラメータを決定するノイズ低減パラメータ決定手段，および
上記ノイズ低減パラメータ決定手段によって決定されたノイズ低減パラメータにしたがって上記被写体像データをノイズ低減処理するノイズ低減回路，
を備えた被写体像データのノイズ低減装置。
【請求項４】
与えられる被写体像データが，複数のカラー要素が順番に出力されるカラー画像データであり，
上記カラー画像データを，カラー要素で補間することによりカラー要素ごとのカラー画像データとする同時化処理を行なう同時化回路をさらに備え，
上記ノイズ低減回路は，上記同時化回路から出力したカラー画像データをノイズ低減処理するものである，
請求項３に記載の被写体像データのノイズ低減装置。
【請求項５】
上記ノイズ低減回路に入力する被写体像データがCCD-RAWデータである，請求項３に記載の被写体像データのノイズ低減装置。
【請求項６】
上記ノイズ低減パラメータ決定手段によって決定されたノイズ低減パラメータに応じて輪郭強調パラメータを決定し，決定した輪郭強調パラメータを用いて上記ノイズ低減回路においてノイズ低減処理が行われた被写体像データを輪郭強調処理する輪郭強調回路，
をさらに備えた請求項３に記載の被写体像データのノイズ低減装置。
【請求項７】
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像のノイズ量を検出するノイズ量検出手段をさらに備え，
上記ノイズ低減パラメータ決定手段は，上記ノイズ量検出手段によって検出されたノイズ量にもとづいて上記ノイズ低減パラメータを決定するものである，
請求項３に記載の被写体像データのノイズ低減装置。
【請求項８】
被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出する対象画像検出手段，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像の第１の輪郭強調パラメータと上記被写体像のうち上記対象画像を除く画像部分の第２の輪郭強調パラメータとを決定する輪郭強調パラメータ決定手段，および
上記被写体像データのうち，上記対象画像を表す画像データについては上記第１の輪郭強調パラメータを用いて輪郭強調処理を行い，上記対象画像を除く画像部分を表す画像データについては上記第２の輪郭強調パラメータを用いて輪郭強調処理を行う輪郭強調回路，
を備えた被写体像データの輪郭強調装置。
【請求項９】
対象画像検出手段が，与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出し，
色補正パラメータ決定手段が，検出された対象画像にもとづいて色補正パラメータを決定し，
色補正回路が，決定された色補正パラメータにしたがって上記被写体像データを色補正する，
被写体像データの色補正装置の制御方法であって，
上記対象画像検出手段が，上記被写体像から肌色の画像部分を検出するものであり，
上記色補正パラメータ決定手段が，
上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいて上記被写体像がどのような光源下で得られたものかおよび上記被写体像が撮像された環境での色温度の少なくとも一方を検出し，
検出された光源および色温度の少なくとも一方にもとづいて上記色補正パラメータを決定するものである，
被写体像データの色補正装置の制御方法。
【請求項１０】
対象画像検出手段が，与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出し，
ガンマ補正係数決定手段が，検出された対象画像にもとづいてガンマ補正係数を決定し，
ガンマ補正回路が，決定されたガンマ補正係数にしたがって上記被写体像データをガンマ補正する，
被写体像データのガンマ補正装置の制御方法。
【請求項１１】
対象画像検出手段が，与えられる被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出し，
ノイズ低減パラメータ決定手段が，上記対象画像検出手段によって検出された対象画像にもとづいて，ノイズ低減パラメータを決定し，
ノイズ低減回路が，決定されたノイズ低減パラメータにしたがって上記被写体像データをノイズ低減処理する，
被写体像データのノイズ低減装置の制御方法。
【請求項１２】
対象画像検出手段が，被写体像データによって表される被写体像から対象画像を検出し，
輪郭強調パラメータ決定手段が，検出された対象画像の第１の輪郭強調パラメータと上記被写体像のうち上記対象画像を除く画像部分の第２の輪郭強調パラメータとを決定し，
輪郭強調回路が，上記被写体像データのうち，上記対象画像を表す画像データについては上記第１の輪郭強調パラメータを用いて輪郭強調処理を行い，上記対象画像を除く画像部分を表す画像データについては上記第２の輪郭強調パラメータを用いて輪郭強調処理を行う，
被写体像データの輪郭強調装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下のステップ：
・レーザ光を放射するためにレーザ管（１）を操作し；
・放射したレーザ光のうちの少なくとも１つの成分の強度を測定し（８，１３）；
・測定された強度が、プリセットされたセットポイント値に制御されるように、レーザ管（１）の管温度（Ｔ２）を調整し；
この場合、ガスレーザの起動の間、つまり定常操作前の方法が、以下のステップによる起動制御手続きから成り：
・周囲温度（Ｔ０）を測定し；
・前記レーザ管（１）の状態を少なくともほぼセットポイント状態に制御し（５４，５５，５６）、この場合、このセットポイント状態は、測定される周囲温度の関数であり、追加の加熱又は冷却なしの定常状態の周囲温度でのレーザ管（１）の温度に相当し；
・連続操作制御に切り替える（５６）、連続した操作制御から成る、前記レーザ管（１）を有するガスレーザの周波数を安定化する方法、特に定常操作中にレーザ干渉計で操作する方法。
【請求項２】
始動制御手続きは、好ましくは以下のステップ：
・周囲温度（Ｔ０）を測定し（５１）；
・レーザ管（１）の管温度を測定し；
・周囲温度及び管温度にしたがって作動制御変数を決定し（５２）；
・前記作動制御変数が少なくともほぼ零に制御されるように、前記レーザ管（１）の管温度（Ｔ２）を調整し；
・連続操作制御に切り替える（５６）ステップから成る請求項１に記載の方法。
【請求項３】
作動制御変数は、ガスレーザのモードの数であり、作動制御変数を決定する以下のステップから成る方法：
・管温度（Ｔ２）に相当する状態とセットポイント状態との間の通過するモードの数として作動制御変数を決定する（５２）請求項２に記載の方法。
【請求項４】
作動制御変数を決定する（５２）以下のステップ：
・周囲温度（Ｔ０）に応じてプリセットされた関数から通過するモードの数を決定し；
・管温度（Ｔ２）と周囲温度（Ｔ０）との間の差が、プリセットされた閾値を超えた場合、通過するモードの数をこの差にしたがって修正するステップから成る請求項３に記載の方法。
【請求項５】
さらに以下のステップ：
・連続操作制御の間に加熱電力及び冷却電力を監視し（５７）；
・プリセットされた期間の加熱電力又は冷却電力が、プリセットされた閾値（５８）を超えた場合：管温度（Ｔ２）を考慮して始動制御の実行を更新するステップから成る請求項３に記載の方法。
【請求項６】
さらに以下のステップ：
・通過するモードの第１の数の間にプリセットされた最大加熱電力でレーザ管（１）を加熱し（５５）；
・通過するモードの第２の数の間にプリセットされた低減した加熱電力で前記レーザ管（１）を加熱する（５６）か、又は、プリセットされた冷却電力で前記レーザ管（１）を冷却するステップから成る請求項３又は４又は５に記載の方法。
【請求項７】
作動制御変数は、温度差であり、作動制御変数を決定する以下のステップ：
・周囲温度にしたがってセットポイント状態にあるレーザ管（１）の温度を決定し（Ｔ０）；
・前記管温度と前記セットポイント状態にあるレーザ管（１）の温度との差として作動制御変数を決定する（５２）ステップから成る請求項２に記載の方法。
【請求項８】
周囲温度は、周りに配置され且つレーザ管（１）に固定されたハウジング部の外側の温度である請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
以下から構成される、特にレーザ干渉計で利用するための周波数安定化ガスレーザ：
レーザ光を放射するレーザ管（１），
放射されたレーザ光のうちの少なくとも１つの成分の強度を測定する検出器（８），
第１操作条件で連続操作制御として実施される制御システム（７），前記レーザ管（１）の管温度を調整するこの連続操作制御の場合、測定される強度が、プリセットされたセットポイント値に制御され、
この場合、前記ガスレーザは：
周囲温度センサ（１６）及び
この周囲温度センサ（１６）によって測定された周囲温度（Ｔ０）にしたがってセットポイント状態を決定するセットポイント生成装置（１７）から構成され、この場合、前記セットポイント状態は、さらなる加熱又は冷却なしの定常状態で測定された周囲温度（Ｔ０）にあるレーザ管（１）の管温度（Ｔ２）に相当し、
この場合、第２操作条件にある制御システム（７）が、始動制御システムとして提供されていて、この始動制御システムの場合、レーザ管（１）の状態が、少なくともほぼこのセットポイント状態に制御され、その結果、連続制御システムに切り替えられる周波数安定化ガスレーザ。
【請求項１０】
管温度センサ（１４）を有し、この場合、セットポイント生成装置（１７）が、周囲温度（Ｔ０）及び管温度（Ｔ２）にしたがって作動制御変数を決定するために構成され、第２操作状態にある制御システム（７）が、レーザ管（１）の温度を調整するために構成され、その結果、前記作動制御変数が、少なくともほぼ零に制御される請求項９に記載の周波数安定化ガスレーザ。
【請求項１１】
作動制御変数は、管温度（Ｔ２）に相当する状態とセットポイント状態との間のガスレーザ（１）を通過するモードの数である請求項１０に記載の周波数安定化ガスレーザ。
【請求項１２】
作動制御変数は、管温度（Ｔ２）とセットポイント状態にあるレーザ管（１）の温度との間の温度差である請求項１０に記載の周波数安定化ガスレーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月1日(2009.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素含有膜上に前記炭素含有膜の上面を一部露出させるマスクパターンを形成する段階と、
前記マスクパターンをエッチングマスクとして利用して、Ｏ２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって前記炭素含有膜を異方性エッチングして、炭素含有膜パターンを形成する段階とを含むことを特徴とする炭素含有膜エッチング方法。
【請求項２】
前記Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ４、及びＳｉＣｌｘＦｙ(ｘ＋ｙ＝４)からなる群から選択されるいずれか一つ、またはその組み合わせからなることを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項３】
前記混合ガスは、その総量を基準に５０〜９５体積％のＯ２と、５〜５０体積％のＳｉ含有ガスからなることを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項４】
前記混合ガスは、Ｎ２及び非活性ガスのうちから選択される少なくとも一つの物質をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項５】
前記混合ガスは、前記混合ガスの総量を基準に２０〜９５体積％のＯ２と、前記混合ガスの総量を基準に５〜５０体積％のＳｉ含有ガスと、前記Ｏ２の総量を基準に０〜１００体積％のＮ２と、前記Ｏ２の総量を基準に０〜５０体積％の非活性ガスとからなること(但し、Ｎ２及び非活性ガスの含有量が同時に０ではない)を特徴とする請求項４に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項６】
前記非活性ガスは、Ａｒ、Ｈｅ、Ｘｅ、及びＫｒからなる群から選択されるいずれか一つであることを特徴とする請求項４に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項７】
前記混合ガスは、ＣｘＦｙ(ｘ，ｙはそれぞれ定数)系ガスをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項８】
前記ＣｘＦｙ系ガスは、前記混合ガスの総量を基準に１０体積％未満の量で含まれることを特徴とする請求項７に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項９】
前記炭素含有膜は、ＡＣＬ、ＳｉＬＫ、ＮＣＰ、及びＡＨＭからなる群から選択されるいずれか一つからなることを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項１０】
前記炭素含有膜パターンが形成された後、前記炭素含有膜パターン及び前記マスクパターン上に存在するポリマー副産物を、ＣＦ４、Ｃｌ２、またはこれらの組み合わせからなるガスを利用するプラズマエッチング工程によって除去する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項１１】
前記マスクパターンは、シリコン酸化膜、シリコン酸化窒化膜、Ｓｉ、ＳｉＧｅ、またはこれらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１に記載の炭素含有膜エッチング方法。
【請求項１２】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜上に炭素含有膜を形成する段階と、
前記炭素含有膜上にキャッピング層を形成する段階と、
フォトリソグラフィ工程を利用して前記キャッピング層をパターニングして、前記炭素含有膜の上面を一部露出させるキャッピング層パターンを形成する段階と、
前記キャッピング層パターンをエッチングマスクとして、Ｏ２、及びＳｉ含有ガスからなる混合ガスのプラズマによって、前記炭素含有膜を異方性エッチングして炭素含有膜パターンを形成する段階と、
前記炭素含有膜パターンをエッチングマスクとして、前記層間絶縁膜を異方性エッチングして、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールを形成する段階とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記Ｓｉ含有ガスは、ＳｉＦ４、ＳｉＣｌ４、ＳｉＨ４、及びＳｉＣｌｘＦｙ(ｘ＋ｙ＝４)からなる群から選択されるいずれか一つ、またはその組み合わせからなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記混合ガスは、その総量を基準に５０〜９５体積％のＯ２と、５〜５０体積％のＳｉ含有ガスとからなることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク通信のための交換装置におけるセッション交換方法であって、
セッション管理設備からセッション情報を得るステップと、
取得した前記セッション情報と、予め定めたユーザー情報およびアプリケーション情報とを記憶するステップと、
記憶された前記ユーザー情報、前記アプリケーション情報、及び前記セッション情報に基づき、各セッションのデータをトンネル伝送する必要があるか否かを判断するステップと、
前記判断ステップの結果に基づき、前記セッションのデータを異なるコアネットワークへ切り替えて伝送するステップと
を含むセッション交換方法。
【請求項２】
請求項1記載のセッション交換方法であって、
前記セッション情報、前記ユーザー情報、及び前記アプリケーション情報をセッション交換テーブルデータベースに記憶する
セッション交換方法。
【請求項３】
請求項２記載のセッション交換方法であって、
前記セッション交換テーブルデータベースに、アプリケーションタイプとサービス品質のテーブル、前記ユーザー情報とサービス品質のテーブル、前記セッション情報のテーブル、及び前記セッションと前記トンネル伝送用のトンネルの対応テーブルを記憶する
セッション交換方法。
【請求項４】
請求項1記載のセッション交換方法であって、
前記セッションが前記ユーザー情報、または前記アプリケーションタイプによって識別される
セッション交換方法。
【請求項５】
請求項４記載のセッション交換方法であって、
前記ユーザー情報はユーザーIDを含み、前記ユーザーIDは前記セッションの発信元アドレスによって確定される
セッション交換方法。
【請求項６】
請求項４に記載のセッション交換方法であって、
前記アプリケーションタイプは、トランスポート層プロトコル、またはポート番号によって確定される
セッション交換方法。
【請求項７】
コアネットワークを介したユーザー間のネットワーク通信のためのセッション交換装置であって、
セッション管理装置からセッション情報を取得するセッション情報インターフェース部と、
取得した前記セッション情報と、予め定めたユーザー情報、およびアプリケーション情報を記憶する記憶部と、
前記ユーザー情報と前記アプリケーション情報、及び前記セッション情報に基づき、各セッションのサービス品質の決定と、トンネル伝送の必要性の有無の判断と、前記トンネル伝送が必要とされた前記セッションに対し、前記コアネットワークのエッジルーターとの間にトンネル接続を確立するセッション処理部と
からなるセッション交換装置。
【請求項８】
請求項７記載のセッション交換装置であって、
前記セッション処理部が、前記セッションの前記サービス品質に基づき、前記トンネル伝送の必要性の有無を判断する
セッション交換装置。
【請求項９】
請求項７記載のセッション交換装置であって、
前記セッション処理部は、
前記記憶部に記憶されている情報に基づいて前記各セッションを分析して前記セッションのサービス品質を確定し、前記セッションに対してセッションIDを付与するセッション分析モジュールと、
前記セッションID、及び確定された前記サービス品質に基づき前記セッションのデータを切り替えるセッション交換モジュールと、
トンネル処理が必要なそれぞれの前記セッションに対して前記トンネル接続を確立するトンネルモジュールとからなる
セッション交換装置。
【請求項１０】
請求項７記載のセッション交換装置であって、
前記記憶部は、アプリケーションタイプとサービス品質のテーブル、前記ユーザー情報とサービス品質のテーブル、前記セッション情報のテーブル、前記セッションと前記トンネル伝送の対応のテーブルを記憶する
セッション交換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
または例えば図６（Ｃ）に示すように、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４を、絶縁層を介して配線配置面に対して垂直方向に隣接して配置する場合に、できるだけ線間距離が長くなるように配置する。より具体的には、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４の少なくとも一部が、半導体基板３００の平面視において重なるように配置する。このとき、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４が垂直方向に重なって配置されるときの線間距離がｄ１２（ｄ１２は正の数）となる場合に、ｄ１２がｄ１１より大きくなるように配置される。或いは、図６（Ｄ）に示すように、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４は、その間に少なくとも１つの他の信号線ＳＬ１０が介在するように垂直方向に絶縁層を介して重なって配置されてもよい。この信号線ＳＬ１０は、いわゆる所定の電圧レベルに固定されたシールド線であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
一般的に第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４を水平方向又は垂直方向に隣接して配置する場合、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４には寄生容量として線間容量が付加される。従って、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）に示す距離ｄ２、ｄ１２が短いほど、容量結合の影響で、一方の信号線の信号の変化が他方の信号線の信号の変化に影響を及ぼす。そのため、信号Ｓ３、Ｓ４のように異位相又は異振幅の関係にある場合、図７に示すように例えば信号Ｓ３の変化の方向は信号Ｓ４の変化の方向と一致せず、信号Ｓ３の変化が信号Ｓ４の変化を妨げることになる。その結果、第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４の間の線間容量の余計な充放電が必要となり、自己消費電力が増大してしまう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
次に期間ＰＨ２において、トランジスタＮＴｒ１がオフ、トランジスタＰＴｒ１がオンとなるため、接続端子ＴＣ１に接続されるフライングコンデンサＦＣ１の一端はシステム電源ＶＤに接続される。従って、接続端子ＴＣ２に接続されるフライングコンデンサＦＣ２の他端の電圧は２Ｖとなる。トランジスタＰＴｒ３がオフ、トランジスタＰＴｒ４がオンとなるため、電圧２Ｖは、接続端子ＴＣ４に接続されるフライングコンデンサＦＣ２の一端に供給される。このとき、トランジスタＮＴｒ２がオン、トランジスタＰＴｒ２がオフであるため、信号線ＳＬ１０を介して接続端子ＴＣ３に接続されるフライングコンデンサＦＣ２の他端にシステム接地電源ＶＳＳが接続される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
そして、期間ＰＨ２に続く期間ＰＨ１において、トランジスタＮＴｒ２がオフ、トランジスタＰＴｒ２がオンとなるため、接続端子ＴＣ３に接続されるフライングコンデンサＦＣ２の他端にシステム電源ＶＤが接続される。これにより、信号線ＳＬ１１を介して接続端子ＴＣ４に接続されるフライングコンデンサＦＣ２の一端の電圧が３Ｖとなる。このときトランジスタＰＴｒ５がオンであるため、出力信号線ＳＬＸを介して電圧３Ｖが安定化用コンデンサＳＣの一端に供給され、その後安定化用コンデンサＳＣに電圧が保持される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
ここで、互いに同位相かつ同振幅の信号が伝送される第１及び第２の信号線ＳＬ１、ＳＬ２と、互いに異位相又は異振幅の信号が伝送される第３及び第４の信号線ＳＬ３、ＳＬ４とを含む場合、第１及び第２の信号線を半導体装置１００の配線配置面に対し垂直な方向に隣接して配置する（図３（Ｂ）参照）。このときの線間距離をｄ１とする。こうすることで、図１１の波線部分３１０、３１２に示すように、配線配置面を上から見た場合に信号線が重ねて配置されるので、長さＤＳを短くできる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属部材で内部空間が構成され、第１の主面と第２の主面とが互いに離間し対向する密閉容器と、
前記第１の主面上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層表面に設けられる配線層と、
前記配線層上に一端が固着されて立設され、電気的に接続される複数の熱電変換素子と、
前記熱電変換素子の他端に配置され、前記複数の熱電変換素子間を電気的に接続する金属細線網と、
前記金属細線網と前記第２の主面との間に設けられた絶縁部材と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置。
【請求項２】
金属製の基板と、
前記基板の表面上の中央部に載置された熱電変換素子と、
前記基板の表面上の周辺部において接合され、前記熱電変換素子を内側に囲む枠体と、
前記基板の表面上において、一端が前記熱電変換素子に電気的に接続され、他端が前記枠体よりも外側に引き出され外部電極に接続された引出配線と、
前記基板の表面上に前記枠体を介して対向配置され、前記基板及び前記枠体とともに前記熱電変換素子を封止する蓋と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置。
【請求項３】
金属製の基板と、
前記基板の表面に載置された熱電変換素子と、
前記熱電変換素子を介在して前記基板に対向配置された蓋と、
前記熱電変換素子の周囲を取り囲んで前記基板の周縁部に一端が接合されるとともに、前記蓋の周縁部に他端が接合される高熱抵抗形状部を有する枠体と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置。
【請求項４】
金属製の密閉容器を構成する第１の主面上に絶縁層を介して配線層を形成する工程と、
接合材料を介して前記配線層上に熱電変換素子を接合する工程と、
前記熱電変換素子上に金属細線網を載置する工程と、
絶縁部材を前記金属細線網上に載置するとともに金属製の密閉容器を構成する第２の主面との間で挟持し、前記金属製の容器を溶接によって密閉することで前記金属製の容器内に形成される内部空間を気密に封止する工程と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に熱電変換素子を載置する工程と、
前記基板の表面上の周辺部に枠体を取り付ける工程と、
絶縁性を有する材料が溶射されて形成された溶射膜が内面に形成された蓋の、前記溶射膜上に金属細線網を固定する工程と、
前記基板の表面と前記蓋の内面とを対向配置し、前記蓋が前記溶射膜を介して前記金属細線網を前記熱電変換素子の他方の電極に押しつけるとともに、前記蓋の周辺部を前記枠体に取り付け前記基板と前記蓋と前記枠体とにより囲まれた空間内に前記熱電変換素子を気密封止する工程と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【請求項６】
金属製の基板の表面上においてその中央部からその周辺部に渡って引出配線を形成する工程と、
前記基板の表面上の周辺部に、前記引出配線を跨いで枠体を接合する工程と、
前記引出配線の一端部の領域に構成された電極に熱電変換素子を電気的に接続する工程と、
前記基板の表面上に前記枠体を介して蓋を取り付け、前記基板、前記枠体及び前記蓋により形成された空間内に前記熱電変換素子を封止する工程と、
を備えることを特徴とする熱電変換装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザアニール方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、
レーザビームの進行方向と垂直な断面が矩形であり、電場が矩形の長辺方向を向く直線偏光の矩形レーザビーム、又は、長軸が矩形の長辺方向を向く楕円偏光の矩形レーザビームを生成し、
前記半導体膜表面で励起された表面電磁波と前記矩形レーザビームとが干渉することによって、前記半導体膜表面上の定在波に対応する周期的なエネルギー分布が前記矩形の長辺方向に発生した矩形レーザビームを前記基板の表面に入射させることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項２】
基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、
レーザビームの進行方向と垂直な断面が矩形であり、電場が矩形の短辺方向を向く直線偏光の矩形レーザビーム、又は、長軸が矩形の短辺方向を向く楕円偏光の矩形レーザビームを生成し、
前記半導体膜表面で励起された表面電磁波と前記矩形レーザビームとが干渉することによって、前記半導体膜表面上の定在波に対応する周期的なエネルギー分布が前記矩形の短辺方向に発生した矩形レーザビームを前記基板の表面に入射させることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項３】
矩形レーザビームの長辺と垂直な方向に基板を搬送しながら前記半導体膜表面を矩形レーザビームで照射し、
前記半導体膜への矩形レーザビームの入射角を、基板の搬送方向、又は、基板の搬送方向と反対方向に増加させるように、前記入射角を調節することを特徴とする請求項２に記載のレーザアニール方法。
【請求項４】
基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、
レーザビームの進行方向と垂直な断面が矩形であり、電場の向きが矩形の長辺方向と短辺方向とに交互に切り換わる偏光した矩形レーザビームを生成し、
前記半導体膜表面で励起された表面電磁波と前記矩形レーザビームとが干渉することによって、前記半導体膜表面上の定在波に対応する周期的なエネルギー分布が前記矩形の長辺方向と短辺方向とに交互に発生した矩形レーザビームを前記基板の表面に入射させることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項５】
前記矩形レーザビームのエネルギー密度を、又は、前記矩形レーザビームの短辺幅を調整して、形成される多結晶又は単結晶半導体膜の結晶粒の寸法を調整することを特徴とする請求項１乃至４に記載のレーザアニール方法。
【請求項６】
基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、
直線偏光した第１のレーザビームを生成し、
直線偏光した第２のレーザビームを生成し、
前記第１のレーザビームの偏光方向と、前記第２のレーザビームの偏光方向とが垂直になるように、前記第１のレーザビームと第２のレーザビームとを合成し、
前記合成されたレーザビームを、前記レーザビームの進行方向と垂直な断面が矩形である矩形レーザビームにし、
前記半導体膜表面で励起された表面電磁波と前記矩形レーザビームとが干渉することによって、前記半導体膜表面上の定在波に対応する周期的なエネルギー分布が発生した前記矩形レーザビームを前記基板の表面に入射させることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項７】
基板の表面に形成された半導体膜にレーザビームを照射することにより行うレーザアニール方法であって、
レーザビームの進行方向と垂直な断面が矩形であり、円偏光した矩形レーザビームを生成し、
前記半導体膜表面で励起された表面電磁波と前記矩形レーザビームとが干渉することによって、前記半導体膜表面上の定在波に対応する周期的なエネルギー分布が発生した前記矩形レーザビームを前記基板の表面に入射させることを特徴とするレーザアニール方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート材に画像を形成する画像形成手段と、
積載されたシート材を収納可能な第１の給送部からシート材を給送する第１の給送手段と、
積載されたシート材を収納可能な第２の給送部からシート材を給送する第２の給送手段と、
前記第１の給送手段、及び前記第２の給送手段により給送されたシート材を前記画像形成手段まで搬送する搬送手段と、
前記第１の給送手段を駆動可能な駆動手段と、
前記駆動手段の駆動力を前記第２の給送手段に伝達する駆動伝達手段と、
前記第２の給送手段に対する前記駆動手段からの駆動力の伝達と切断を切り換える駆動伝達切換手段と、
前記駆動伝達切換手段を制御する制御手段と、を有し、
前記第１の給送手段により前記第１の給送部から給送された第１のシート材を前記搬送手段が搬送している間に、
前記第２の給送手段に駆動力を伝達して前記第２の給送部から第２のシート材の給送を開始し、前記第２のシート材が前記搬送手段の直前に給送された時に前記第２の給送手段への駆動力の伝達を切断して前記第２のシート材を前記搬送手段の直前で待機させるように、前記制御手段が前記駆動伝達切換手段を制御する
ことを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記駆動伝達手段が複数配列された駆動列が設けられ、
前記駆動列よりも上流側において前記駆動手段が前記第１給送手段を駆動しており、
前記駆動列における最下流の位置に前記駆動伝達切換手段が配設されていることを特徴とする請求項１記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記第２の給送手段が前記第１の給送部および前記第１の給送手段の下方に設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明は、
シート材に画像を形成する画像形成手段と、
積載されたシート材を収納可能な第１の給送部からシート材を給送する第１の給送手段と、
積載されたシート材を収納可能な第２の給送部からシート材を給送する第２の給送手段と、
前記第１の給送手段、及び前記第２の給送手段により給送されたシート材を前記画像形成手段まで搬送する搬送手段と、
前記第１の給送手段を駆動可能な駆動手段と、
前記駆動手段の駆動力を前記第２の給送手段に伝達する駆動伝達手段と、
前記第２の給送手段に対する前記駆動手段からの駆動力の伝達と切断を切り換える駆動伝達切換手段と、
前記駆動伝達切換手段を制御する制御手段と、を有し、
前記第１の給送手段により前記第１の給送部から給送された第１のシート材を前記搬送手段が搬送している間に、
前記第２の給送手段に駆動力を伝達して前記第２の給送部から第２のシート材の給送を開始し、前記第２のシート材が前記搬送手段の直前に給送された時に前記第２の給送手段への駆動力の伝達を切断して前記第２のシート材を前記搬送手段の直前で待機させるように、前記制御手段が前記駆動伝達切換手段を制御する
ことを特徴とする画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐火製の炉壁と、その内部を燃焼室と改質室に区画する隔壁と、該隔壁の先端に対向して設けられた該炉壁の開口部に配置された回転式の蓄熱体とを備え、前記燃焼室で発生させた燃焼ガスを通過させて前記蓄熱体に給熱するとともに、前記改質室に導入する原料ガスを前記蓄熱体との熱交換により昇温させて改質する熱改質装置において、前記蓄熱体は、中央部分に複数体配列された、複数条のガス流路を有するハニカム体と、その外周に配置されたガス流路を持たない耐熱部材から構成されたことを特徴とする熱改質装置。
【請求項２】
請求項１記載の熱改質装置において、前記蓄熱体と前記隔壁の先端間で生じる前記燃焼室と前記改質室間でのガス混入を防止する圧力制御装置と、前記蓄熱体の背面で生じるガス混入を防止する水蒸気噴射手段とを備えたことを特徴とする熱改質装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
そこで、本発明は、上記従来技術の問題点を解決し、回転蓄熱体による熱交換方式が採用された熱改質装置において、蓄熱体の破損や損耗発生時の補修・交換作業を容易とする熱改質装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明の第２の目的は、２流体間における相互のガス混入を抑制・防止して、燃料ガスの発熱量低下を防止することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１に係る発明は、耐火製の炉壁と、その内部を燃焼室と改質室に区画する隔壁と、該隔壁の先端に対向して設けられた該炉壁の開口部に配置された回転式の蓄熱体とを備え、前記燃焼室で発生させた燃焼ガスを通過させて前記蓄熱体に給熱するとともに、前記改質室に導入する原料ガスを前記蓄熱体との熱交換により昇温させて改質する熱改質装置において、前記蓄熱体は、中央部分に複数体配列された、複数条のガス流路を有するハニカム体と、その外周に配置されたガス流路を持たない耐熱部材から構成されたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項２に係る発明は、前記蓄熱体と前記隔壁の先端間で生じる前記燃焼室と前記改質室間でのガス混入を防止する圧力制御装置と、前記蓄熱体の背面で生じるガス混入を防止する水蒸気噴射手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、請求項１に係る発明によれば、蓄熱体の中央部分に複数のハニカム体を並べて配置し、破損や損耗等が生じた不具合箇所のみを交換可能としたため、補修・交換が容易となり、補修経費が節減できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、請求項２に係る発明によれば、熱改質装置に圧力制御装置や水蒸気噴射手段を設けたことにより、原料ガスと燃焼ガスの間におけるガス混入を抑制・防止することができ、改質されたガスの発熱量の低下を低減して、高い発熱量の燃料ガスを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
米発酵液に添加した吸着剤を回収し、該吸着剤から溶媒で抽出した物からなる疎水性混合物。
【請求項２】
吸着剤が活性炭である請求項１に記載の疎水性混合物。
【請求項３】
米発酵液が清酒である、請求項１又は２に記載の疎水性混合物。
【請求項４】
溶媒がクロロホルム及びメタノールを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の疎水性混合物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の疎水性混合物を含む抗酸化化粧料。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の疎水性混合物を含む美白化粧料。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載の疎水性混合物を含む保湿化粧料。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記工程（II−Ａ）は、エネルギー効率の観点から、工程（II）に１つだけ含まれることが好ましい。
上記工程（II−Ａ）および（II−Ｂ）における加熱温度は、工程（IV）で発生する蒸気の温度によって決定される。また、導入される蒸気および高温流体の圧力も工程（IV）で発生する蒸気の圧力によって決定される。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイア基板上に、互いに導電型が異なる層に挟まれた活性層を有する窒化物系化合物半導体の積層体を気相成長させた窒化物系化合物半導体発光素子において、上記サファイア基板表面の結晶方位を＜０００１＞方向より傾斜させることにより、上記サファイア基板上に形成した窒化物系化合物半導体層の表面粗さを１．５ｎｍ以下あるいは貫通転位密度を１×１０10ｃｍ-2未満とすることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
サファイア基板上に、互いに導電型が異なる層に挟まれた活性層を有する窒化物系化合物半導体の積層体を気相成長させる窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、上記サファイア基板表面の結晶方位を＜０００１＞方向より傾斜させることにより、上記サファイア基板上に形成した窒化物系化合物半導体層の表面粗さを１．５ｎｍ以下あるいは貫通転位密度を１×１０10ｃｍ-2未満とすることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月9日(2009.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
又、上記ハウジング部６４の内側に設けた凹孔６７の開口端部に抑え部材３７を固定して、この抑え部材３７により、上記１対の玉軸受３６ａ、３６ｂのうち、下方の玉軸受３６ｂの外輪６３の下端面を抑え付けている。これに対して、上記１対の玉軸受３６ａ、３６ｂのうち、上方の玉軸受３６ａの外輪６３の上端面は、上記ハウジング部６４の上端部に設けた天板部６８により抑え付けている。これにより、ねじ軸３５のステアリングコラム４ｂに対する軸方向の変位が阻止される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
［本発明の実施の形態の第８例］
次に、図１４は、請求項１〜５に対応する、本発明の実施の形態の第８例を示している。本例の場合、合成樹脂或は金属製のナット部材４４ｂを、連結用素子部である軸部５３、５３ａの回転中心軸、及び、ねじ軸３５の長さ方向の双方に対し直交する軸を中心軸とした外周面７４を有する、円柱状に形成している。即ち、上記ナット部材４４ｂは、長さ方向が図１４の表裏方向である円柱状に形成されている。又、ナットホルダ４３ａを構成する側壁部４７ａ、４７ａの内側面の上記ねじ軸３５の長さ方向中間部に、これら両側壁部４７ａ、４７ａの長さ方向（軸部５３、５３ａの回転中心軸及びねじ軸３５の長さ方向の双方に対し直交する方向、図１４の表裏方向）全体に亙って、上記外周面７４と同一の中心軸を有する凹状の円筒面７５、７５を、それぞれ形成している。そして、上記ナット部材４４ｂの外周面７４を、上記ナットホルダ４３ａの円筒面７５、７５に対し、この外周面７４の円周方向（外周面７４の中心軸を中心とする回転方向）に摺動可能に係合させている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
上述の様に構成される本例の場合、ステアリングコラム４ａから前記軸部５３、５３ａを介して、上記ナットホルダ４３ａに回転方向の力が作用しても、上記ナット部材４４ｂとこのナットホルダ４３ａとが相対回転する事により、この力を吸収できる。例えば、本例の構造と電動式パワーステアリング装置とを組み合わせた構造で、この電動式パワーステアリング装置の動力を、上記ステアリングコラム４ａの内側に回転自在に支持したステアリングシャフトに直接伝達する場合、このステアリングシャフトに伝達される動力の反力が、上記ステアリングコラム４ａに作用する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビルの複数階床を運行する複数のエレベータかごを制御するエレベータの群管理システムにおいて、
発生したホール呼びに対して前記複数のエレベータかごのいずれかを割当てる際に、前記エレベータかご毎に前記ホール呼びが割当てられた場合の将来方向時点までの運行軌跡を演算し、この演算結果に基づいて前記ホール呼びに割当てられる前記エレベータかごを決定することを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項２】
請求項１に記載のものにおいて、前記軌跡の演算は、その時点またはその時間帯でのサービス階床情報を用いて作成されることを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項３】
請求項１に記載のものにおいて、前記軌跡は、各前記エレベータかごに対して階床毎の到着予測時間を計算し、前記到着予測時間を将来の時間に対する前記エレベータかごの予想位置とし、時間と予想位置で決まる点を結ぶことで作成されることを特徴とするエレベータの群管理システム。
【請求項４】
請求項１に記載のものにおいて、前記軌跡は、交通流及びエレベータの状態の情報を用いて作成されることを特徴とするエレベータの群管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、ビルの複数階床を運行する複数のエレベータかごを制御するエレベータの群管理システムにおいて、発生したホール呼びに対して前記複数のエレベータかごのいずれかを割当てる際に、前記エレベータかご毎に前記ホール呼びが割当てられた場合の将来方向時点までの運行軌跡を演算し、この演算結果に基づいて前記ホール呼びに割当てられる前記エレベータかごを決定するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によるエレベータ群管理システムは、長期的に安定した各かごの時間的等間隔制御を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月16日(2008.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（８）  本発明にかかるパンタグラフ位置検出方法は、エアセクション区間の吊架線と平行で且つ離間させて配設したワイヤを加振すると共に該ワイヤの振動を検出して振動周波数を求め、さらに電気車のパンタグラフが前記トロリ線を介して前記吊架線のハンガを持ち上げることによって前記ハンガが前記ワイヤに接触した際の前記ワイヤの振動周波数変化を検知することで前記エアセクション区間内における前記パンタグラフの位置検出を行う。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2007261401.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2007261401.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2007261401.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月3日(2009.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子と、絶縁材料からなり前記圧電素子上に形成された保護膜と、を具備し、
前記保護膜の前記上電極に対向する領域に、前記圧電素子の長手方向に延びる複数の凹部が形成されていることを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項２】
前記圧電素子の長手方向での前記凹部の長さが、前記圧電素子の実質的な駆動部である圧電体能動部の長さの２／３以上であることを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ装置。
【請求項３】
前記凹部が前記保護膜を貫通する貫通孔であることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクチュエータ装置。
【請求項４】
前記保護膜が、無機絶縁材料からなることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載のアクチュエータ装置を基板に形成された圧力発生室に当該圧力発生室内の液体をノズル開口から噴射させるための圧力を発生させる圧力発生手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項６】
隣接する前記凹部間の前記保護膜の圧電素子長手方向の幅が前記圧力発生室の幅以下であることを特徴とする請求項５に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項７】
前記圧電素子の長手方向両端部が、前記圧力発生室に対向する領域の外側までそれぞれ延設されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の液体噴射ヘッド。
【請求項８】
請求項５〜７の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子と、絶縁材料からなり前記圧電素子上に形成された保護膜と、を具備し、前記保護膜の前記上電極に対向する領域に、前記圧電素子の長手方向に延びる複数の凹部が形成されていることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１の態様では、圧力発生室の長手方向における振動板の剛性が、圧力発生室の幅方向の剛性よりも大きくなる。したがって、絶縁破壊の発生を防止すると共に圧電素子の駆動による振動板の変位量の低下も抑えられ、且つ圧電素子の変形に伴う振動板の破壊も防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の態様は、前記圧電素子の長手方向での前記凹部の長さが、前記圧電素子の実質的な駆動部である圧電体能動部の長さの２／３以上であることを特徴とする第１の態様のアクチュエータ装置にある。
かかる第２の態様では、圧電素子の変形に伴う振動板の破壊を防止でき、且つ振動板の変位量の低下もより確実に抑えられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第５の態様は、第１〜４の何れかの態様のアクチュエータ装置を基板に形成された圧力発生室に当該圧力発生室内の液体をノズル開口から噴射させるための圧力を発生させる圧力発生手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第５の態様では、液滴の吐出特性、耐久性等の各種特性に優れた液体噴射ヘッドを実現することができる。