【手続補正書】
【提出日】平成25年3月1日(2013.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ族窒化物膜を加工する方法であって、
非極性または半極性のＩＩＩ族窒化物膜をＩＩＩ族窒化物の基板またはテンプレート上に成長させることを含み、
該ＩＩＩ族窒化物膜の上面は、非極性または半極性の面であり、少なくとも１００平方マイクロメートルの領域にわたって０．５ナノメートル未満の二乗平均平方根を有する平面粗度を有する、方法。
【請求項２】
前記上面は、前記領域にわたって０．２５ナノメートル未満の二乗平均平方根を有する平面粗度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記上面は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、およびＮの原子の直径のオーダーの表面粗度を有して原子的に平滑である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記成長させるステップの間にキャリアガスを使用することをさらに含み、キャリアの少なくとも一部は不活性ガスから構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板またはテンプレートは、ｍ−面窒化ガリウムのテンプレートまたは基板であり、前記膜は、非極性のｍ−面膜である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記上面は、平面かつ光学的平滑領域を有し、前記領域には、４００ナノメートル乃至６００ナノメートルの光波長で光学顕微鏡を用いて測定される場合に、識別可能な非平面表面の起伏または特徴が無く、
該領域は、１つ以上の素子層のエピタキシャル析出のための基板として使用するために十分に大きく、該素子層は、２０ミリアンペア駆動電流において、少なくとも２ミリワットの出力強度を有する光を発する、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記成長させることは、前記基板またはテンプレートのミスカット表面上である、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記基板またはテンプレートは、ｍ−面の基板またはテンプレートであり、前記ミスカットは、［０００−１］方向に向かい、０．７５°乃至１．５０°のミスカット角度を有し、前記ＩＩＩ族窒化物膜は、該ミスカットの表面上に成長させられる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記不活性ガスは、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはＸｅのうちの１つ以上から構成される、請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
１つ以上の素子層が、前記膜の上面に配置され、該素子層は、Ｈ２から構成されている前記キャリアガスの少なくとも一部によって成長させられる、請求項４に記載の方法。
【請求項１１】
前記素子層は、素子の１つ以上のｐ型ドープ層を含み、該ｐ型ドープ層は、Ｈ２から構成されている前記キャリアガスの少なくとも一部によって成長させられる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板またはテンプレートに、低指数の結晶方位から離れる方向のミスカットを提供することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
非極性または半極性の面である上面を備える非極性または半極性のＩＩＩ族窒化物膜を含む膜であって、該上面は、少なくとも１００平方マイクロメートルの領域にわたって０．５ナノメートル未満の二乗平均平方根を有する平面粗度を有する、膜。
【請求項１４】
前記上面の表面の平滑度または粗度は、成長した状態のままである、請求項１３に記載の膜。
【請求項１５】
前記上面は、前記領域にわたって、０．２５ナノメートル未満の二乗平均平方根を有する表面粗度を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１６】
前記上面は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、およびＮの原子の直径のオーダーの表面粗度を有して原子的に平滑である、請求項１３に記載の膜。
【請求項１７】
前記基板またはテンプレートは、ｍ−面窒化ガリウムのテンプレートまたは基板であり、前記膜は、非極性のｍ−面膜である、請求項１３に記載の膜。
【請求項１８】
前記上面は、平面かつ光学的平滑領域を備え、前記領域には、４００ナノメートル乃至６００ナノメートルの光波長で光学顕微鏡を用いて測定される場合に、識別可能な非平面表面の起伏または特徴が無く、
該領域は、１つ以上の素子層のエピタキシャル析出のための基板として使用するために十分に大きく、該素子層は、２０ミリアンペア駆動電流において、少なくとも２ミリワットの出力強度を有する光を発する、請求項１３に記載の膜。
【請求項１９】
前記領域には、ストライエーションが無い、請求項１８に記載の膜。
【請求項２０】
前記膜は、ｍ−面基板の表面上に析出され、該ｍ−面基板の表面は、［０００−１］方向に向かい、０．７５°乃至１．５０°のミスカット角度を有するミスカットである、請求項１３に記載の膜。
【請求項２１】
前記上面の領域は、図２（ａ）−２（ｂ）、３（ａ）−３（ｆ）、４（ａ）−４（ｂ）、５、６（ａ）−６（ｂ）、７（ａ）−７（ｃ）、８（ａ）−８（ｃ）、または９（ｄ）−９（ｆ）に示される上面よりも平滑かつ平面である、請求項１３に記載の膜。
【請求項２２】
前記上面の領域は、密度８．４×１０２ｃｍ−２、大きさ１０マイクロメートル、および勾配角度０．１°を有するピラミッド形小丘で特徴付けられた表面よりも平滑である、請求項１３に記載の膜。
【請求項２３】
前記上面の領域は、密度１．１×１０６ｃｍ−２を有する、ピラミッド形小丘で特徴付けられた表面よりも平滑である、請求項１３に記載の膜。
【請求項２４】
前記上面は、図７（ｄ）−７（ｆ）、８（ｄ）−８（ｆ）、または９（ａ）−９（ｃ）に示される表面と少なくとも同程度に平滑である平滑度または表面粗度を有する、請求項１３に記載の膜。
【請求項２５】
前記膜は、ｍ−面ＧａＮ膜であり、前記上面は、該ｍ−面ＧａＮ膜のｍ−面である、請求項１３に記載の膜。
【請求項２６】
前記膜が素子層を備えるか、または、素子層が該膜の上に成長させられており、
該素子層は、該膜の上面と少なくとも同程度に平滑である上面を有する、請求項１３に記載の膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
膜は、ｍ−面ＧａＮ膜であってもよく、上面は、ｍ−面ＧａＮ膜のｍ−面であってもよい。上面の表面平滑度または粗度は、典型的には、そのまま成長させられる。素子層の上面は、膜の上面と少なくとも同程度平滑であってもよい。
本発明は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ薄膜を加工する方法であって、
（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ膜を非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ基板もしくはテンプレート上に直接成長させることと、
該成長ステップの間、キャリアガスを使用することであって、該キャリアガスの少なくとも一部は不活性ガスから構成される、ことと
を含む、方法。
（項目２）
前記基板またはテンプレートに、低指数の結晶方位から離れる方向のミスカットを提供することをさらに含む、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記基板あるいはテンプレートは、ｍ−面の基板あるいはテンプレートであって、前記ミスカットは、［０００−１］方向に向かい、０．７５°乃至１．５０°のミスカット角度を有し、（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎ膜は、該ミスカットの表面上に成長させられる、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記不活性ガスは、Ｎ２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、またはＸｅのうちの１つ以上から構成される、項目１に記載の方法。
（項目５）
１つ以上の素子層が、前記膜の上面に配置され、該素子層は、Ｈ２から構成され、前記キャリアガスの少なくとも一部によって成長させられる、項目１に記載の方法。
（項目６）
前記素子層は、前記素子の１つ以上のｐ型ドープ層を含み、該ｐ型ドープ層は、Ｈ２から構成されている前記キャリアガスの少なくとも一部によって成長させられる、項目５に記載の方法。
（項目７）
非極性または半極性の（Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ）Ｎの膜であって、
非極性または半極性の面である上面であって、該上面は、平面で光学的に平滑な領域を有することにより、該領域が、光学顕微鏡を使用して、４００ナノメートル乃至６００ナノメートルの光波長を用いて測定される場合、識別可能な非平面の表面起伏または特徴が無い、上面を備えており、該領域は、２０ミリアンペアの駆動電流において少なくとも２ミリワットの出力強度を有する光を発する１つ以上の素子層のエピタキシャル析出のための基板としての使用に対して十分に大きい、膜。
（項目８）
前記領域は、ストライエーションが無い、項目７に記載の膜。
（項目９）
前記領域は、少なくとも１００平方マイクロメートルである、項目７に記載の膜。
（項目１０）
前記上面は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂ、およびＮの原子の直径のオーダーの表面粗度を有して原子的に平滑である、項目９に記載の膜。
（項目１１）
前記上面は、前記領域にわたって、０．５ナノメートル未満の二乗平均を有する表面粗度を有する、項目９に記載の膜。
（項目１２）
前記上面は、前記領域にわたって、０．２５ナノメートル未満の二乗平均を有する表面粗度を有する、項目９に記載の膜。
（項目１３）
前記膜は、ｍ−面基板の表面上に析出され、該ｍ−面基板の表面は、［０００−１］方向に向かい、０．７５°乃至１．５０°のミスカット角度を有するミスカットである、項目９に記載の膜。
（項目１４）
前記上面の領域は、図２（ａ）−２（ｂ）、３（ａ）−３（ｆ）、４（ａ）−４（ｂ）、５、６（ａ）−６（ｂ）、７（ａ）−７（ｃ）、８（ａ）−８（ｃ）、または９（ｄ）−９（ｆ）に示される上面よりも平滑かつ平面である、項目７に記載の膜。
（項目１５）
前記上面の領域は、密度８．４×１０２ｃｍ−２、大きさ１０マイクロメートル、および勾配角度０．１°を有するピラミッド形小丘で特徴付けられた表面よりも平滑である、項目７に記載の膜。
（項目１６）
前記上面の領域は、密度１．１×１０６ｃｍ−２を有する、ピラミッド形小丘で特徴付けられた表面よりも平滑である、項目７に記載の膜。
（項目１７）
前記上面は、図７（ｄ）−７（ｆ）、８（ｄ）−８（ｆ）、または９（ａ）−９（ｃ）に示される表面と少なくとも同程度に平滑である平滑度または表面粗度を有する、項目７に記載の膜。
（項目１８）
前記膜は、ｍ−面ＧａＮ膜であって、前記上面は、該ｍ−面ＧａＮ膜のｍ−面である、項目７に記載の膜。
（項目１９）
前記素子層は、前記膜の上面と少なくとも同程度に平滑である上面を有する、項目７に記載の膜。
（項目２０）
前記上面の表面の平滑度または粗度は、成長した状態のままである、項目７に記載の膜。