(57)【要約】【課題】記録層を凹凸パターン加工するために用いられた樹脂材料を確実に除去できる信頼性が高い磁気記録媒体の製造方法、これに用いられるスタンパ、転写装置及び樹脂マスク形成方法を提供する。【解決手段】連続膜の記録層を有する被加工体１０の記録層の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料２８を塗布し、転写部５０Ｂに所定の凹凸パターンが形成されたスタンパ５０を樹脂材料２８に当接させて樹脂材料２８に凹凸パターンを転写すると共に樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部２８Ａに対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料２８にエネルギー線を照射して樹脂材料２８の硬化反応がエッジ部２８Ａを除く部分においてエッジ部２８Ａにおけるよりも進行するように樹脂材料２８を硬化させ、樹脂材料２８をエッチングして樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続膜の記録層を有する被加工体の前記記録層の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布する樹脂材料塗布工程と、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを前記樹脂材料に当接させて前記樹脂材料に前記凹凸パターンを転写すると共に前記樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーが前記エッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように前記樹脂材料にエネルギー線を照射して前記樹脂材料の硬化反応が前記エッジ部を除く部分において前記エッジ部におけるよりも進行するように前記樹脂材料を硬化させる転写工程と、前記樹脂材料をエッチングして前記樹脂材料の前記エッジ部を前記樹脂材料の他の部分よりも多く除去する樹脂材料エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記樹脂材料エッチング工程においてウェットエッチングを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であり、且つ、前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるスタンパを用い、該スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、
前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であるスタンパを用いると共に前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるマスク及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に圧力を加えることが可能であり、且つ、前記エネルギー線が透過可能であるスタンパステージを用い、該スタンパステージと前記スタンパとの間に前記マスクを設置し、前記スタンパステージ及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項１又は２において、
前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であるスタンパを用いると共に該スタンパを介して前記樹脂材料に圧力を加えることが可能であり、前記エネルギー線が透過可能であり、且つ、前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるスタンパステージを用い、該スタンパステージ及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
所定の凹凸パターンが形成された転写部を備え所定のエネルギー線が透過可能である基部と、被転写物に照射される前記エネルギー線から前記転写部のエッジ部に対応する前記被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるマスクと、を含むことを特徴とするスタンパ。
【請求項７】
転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを介して被転写物に圧力を加えることが可能であり、所定のエネルギー線が透過可能であり、且つ、前記被転写物に照射される前記エネルギー線から前記スタンパの転写部のエッジ部に対応する前記被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるスタンパステージを含むことを特徴とする転写装置。
【請求項８】
被加工体の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布する樹脂材料塗布工程と、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを前記樹脂材料に当接させて前記樹脂材料に前記凹凸パターンを転写すると共に前記樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーが前記エッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように前記樹脂材料にエネルギー線を照射して前記樹脂材料の硬化反応が前記エッジ部を除く部分において前記エッジ部におけるよりも進行するように前記樹脂材料を硬化させる転写工程と、前記樹脂材料をエッチングして前記樹脂材料の前記エッジ部を前記樹脂材料の他の部分よりも多く除去する樹脂材料エッチング工程と、を含むことを特徴とする樹脂マスク形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、凹凸パターンの記録層を有する磁気記録媒体の製造方法、これに用いられるスタンパ、転写装置及び樹脂マスク形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ハードディスク等の磁気記録媒体は、記録層を構成する磁性粒子の微細化、材料の変更、ヘッド加工の微細化等の改良により著しい面記録密度の向上が図られており、今後も一層の面記録密度の向上が期待されている。
【０００３】
しかしながら、ヘッド加工の限界、記録磁界の広がりに起因する記録対象のトラックに隣り合うトラックへの誤った情報の記録、再生時のクロストーク等の問題が顕在化し、従来の改良手法による面記録密度の向上は限界にきており、一層の面記録密度の向上を実現可能である磁気記録媒体の候補として、記録層を多数の記録要素に分割してなるディスクリートトラックメディアやパターンドメディアが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
記録層を凹凸パターンに加工する技術としては、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥ（イオンビームエッチング）やＮＨ３ガス等の含窒素ガスが添加されたＣＯガスを反応ガスとするＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を利用しうる。
【０００５】
具体的には、基板の上に連続膜の記録層等が形成された被加工体の記録層の上に樹脂材料を形成し、インプリント法で樹脂材料を所定の凹凸パターンに加工し、この凹凸パターンの樹脂材料に基づいて記録層を凹凸パターンに加工することが可能である。尚、記録層と樹脂層との間に一又は複数のマスク層を形成し、樹脂材料に基づいてマスク層、記録層を順次凹凸パターンに加工することも提案されている。
【０００６】
記録層の上に樹脂材料を形成する手法としては、例えばスピンコート法を用いることができる。ハードディスク等の磁気記録媒体の基板には一般的にチャッキングのための中心孔が形成されており、中心孔の周囲に流動状態の樹脂を供給して基板を回転させることで遠心力により樹脂が基板の全面に塗布される。
【０００７】
尚、凹凸パターンに加工された記録層の上に充填材を成膜して記録要素の間の凹部を充填し、更に、ＩＢＥ等で記録要素の上の余剰の充填材を除去することで記録要素及び充填材の表面を平坦化できる。
【０００８】
異物の混入が少ない磁気記録媒体を製造するためには、記録層を凹凸パターンに加工した後、記録要素の上に残存する樹脂材料を完全に除去しておくことが望ましい。特に、表面が平坦な磁気記録媒体を製造するためには、凹凸パターンの記録層の上に充填材を成膜する前に、記録要素の上に残存する樹脂材料を完全に除去しておくことが望ましい。
【０００９】
【特許文献１】特開平９−９７４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、樹脂材料を塗布する工程において例えばスピンコート法により樹脂が基板上に展延される際、基板上の部位により樹脂材料の厚さにばらつきが生じ、樹脂材料が部分的に著しく厚く形成されてしまうことがある。例えば、基板の中心孔の周囲（塗布開始位置付近）のエッジ部や外周のエッジ部において樹脂材料の厚さが他の部分の数倍〜数十倍の厚さとなってしまうことがある。尚、ディッピング法により樹脂材料を塗布する場合も、基板の中心孔の周囲のエッジ部や外周のエッジ部において樹脂材料の厚さが他の部分よりも厚くなってしまうことがある。
【００１１】
これにより、記録層を凹凸パターンに加工した後でも、樹脂材料が完全に除去されず残留してしまうことがある。このような場合、完成した製品に樹脂が残留してしまうことが懸念される。又、記録要素の上に残存する樹脂材料は、充填材成膜工程、平坦化工程等の後工程で種々の問題を生じさせる可能性もある。即ち、信頼性という点で問題がある。尚、インプリント法により樹脂材料に凹凸パターンを転写する際にエッジ部をスタンパで圧縮することで樹脂材料のエッジ部をある程度薄くすることは可能であるが、他の部分の数倍〜数十倍の厚さで形成された樹脂材料のエッジ部を、スタンパによる圧縮だけで、記録層が凹凸パターンに加工された後に完全に除去できる程度に充分に薄くすることは困難である。
【００１２】
本発明は、以上の問題に鑑みてなされたものであって、記録層を凹凸パターン加工するために用いられた樹脂材料を確実に除去できる信頼性が高い磁気記録媒体の製造方法、これに用いられるスタンパ、転写装置及び樹脂マスク形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、連続膜の記録層を有する被加工体の記録層の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布し、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを樹脂材料に当接させて樹脂材料に凹凸パターンを転写すると共に樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部を除く部分においてエッジ部におけるよりも進行するように樹脂材料を硬化させ、樹脂材料をエッチングして樹脂材料のエッジ部を樹脂材料の他の部分よりも多く除去することにより上記目的を達成するものである。
【００１４】
又、本発明は、所定の凹凸パターンが形成された転写部を備え所定のエネルギー線が透過可能である基部と、被転写物に照射されるエネルギー線から転写部のエッジ部に対応する被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるマスクと、を含むスタンパにより上記目的を達成するものである。
【００１５】
又、本発明は、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを介して被転写物に圧力を加えることが可能であり、所定のエネルギー線が透過可能であり、且つ、被転写物に照射されるエネルギー線からスタンパの転写部のエッジ部に対応する被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるスタンパステージを含む転写装置により上記目的を達成するものである。
【００１６】
又、本発明は、被加工体の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布し、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを樹脂材料に当接させて樹脂材料に凹凸パターンを転写すると共に樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部を除く部分においてエッジ部におけるよりも進行するように樹脂材料を硬化させ、樹脂材料をエッチングして樹脂材料のエッジ部を樹脂材料の他の部分よりも多く除去することにより上記目的を達成するものである。
【００１７】
樹脂材料塗布工程において中心孔の周囲や外周の樹脂材料のエッジ部が他の部分よりも著しく厚く形成されても、樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部を除く部分においてエッジ部におけるよりも進行するように樹脂材料を硬化させることで、所定のエッチングに対する樹脂材料のエッジ部のエッチングレートを樹脂材料の他の部分のエッチングレートよりも大きくすることができる。従って、樹脂材料をエッチングして樹脂材料のエッジ部を樹脂材料の他の部分よりも多く除去することができる。このように他の部分よりも厚くなりやすい樹脂材料のエッジ部を選択的にエッチングすることにより、記録層を凹凸パターン加工するために用いられた樹脂材料を確実に除去できる。
【００１８】
即ち、次のような本発明により、上記目的を達成したものである。
【００１９】
（１）連続膜の記録層を有する被加工体の前記記録層の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布する樹脂材料塗布工程と、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを前記樹脂材料に当接させて前記樹脂材料に前記凹凸パターンを転写すると共に前記樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーが前記エッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように前記樹脂材料にエネルギー線を照射して前記樹脂材料の硬化反応が前記エッジ部を除く部分において前記エッジ部におけるよりも進行するように前記樹脂材料を硬化させる転写工程と、前記樹脂材料をエッチングして前記樹脂材料の前記エッジ部を前記樹脂材料の他の部分よりも多く除去する樹脂材料エッチング工程と、を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
（２）  （１）において、前記樹脂材料エッチング工程においてウェットエッチングを用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
（３）  （１）又は（２）において、前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であり、且つ、前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるスタンパを用い、該スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２２】
（４）  （１）又は（２）において、前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であるスタンパを用いると共に前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるマスク及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に圧力を加えることが可能であり、且つ、前記エネルギー線が透過可能であるスタンパステージを用い、該スタンパステージと前記スタンパとの間に前記マスクを設置し、前記スタンパステージ及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２３】
（５）  （１）又は（２）において、前記転写工程において前記スタンパとして前記エネルギー線が透過可能であるスタンパを用いると共に該スタンパを介して前記樹脂材料に圧力を加えることが可能であり、前記エネルギー線が透過可能であり、且つ、前記樹脂材料のエッジ部を前記エネルギー線から遮蔽可能であるスタンパステージを用い、該スタンパステージ及び前記スタンパを介して前記樹脂材料に前記エネルギー線を照射することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
（６）所定の凹凸パターンが形成された転写部を備え所定のエネルギー線が透過可能である基部と、被転写物に照射される前記エネルギー線から前記転写部のエッジ部に対応する前記被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるマスクと、を含むことを特徴とするスタンパ。
【００２５】
（７）転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを介して被転写物に圧力を加えることが可能であり、所定のエネルギー線が透過可能であり、且つ、前記被転写物に照射される前記エネルギー線から前記スタンパの転写部のエッジ部に対応する前記被転写物のエッジ部を遮蔽可能であるスタンパステージを含むことを特徴とする転写装置。
【００２６】
（８）被加工体の上にエネルギー線硬化性の樹脂材料を塗布する樹脂材料塗布工程と、転写部に所定の凹凸パターンが形成されたスタンパを前記樹脂材料に当接させて前記樹脂材料に前記凹凸パターンを転写すると共に前記樹脂材料のエッジ部を除く部分に対する照射エネルギーが前記エッジ部に対する照射エネルギーよりも多くなるように前記樹脂材料にエネルギー線を照射して前記樹脂材料の硬化反応が前記エッジ部を除く部分において前記エッジ部におけるよりも進行するように前記樹脂材料を硬化させる転写工程と、前記樹脂材料をエッチングして前記樹脂材料の前記エッジ部を前記樹脂材料の他の部分よりも多く除去する樹脂材料エッチング工程と、を含むことを特徴とする樹脂マスク形成方法。
【００２７】
尚、本出願書類において「エネルギー線」という用語は、流動状態の特定の樹脂を硬化させる性質を有する、例えば紫外線等の電磁波、電子線等の粒子線の総称という意義で用いることとする。
【００２８】
又、本出願書類において「照射エネルギー」という用語は、樹脂材料に照射されるエネルギー線の単位面積当たりのエネルギーの量という意義で用いることとする。
【００２９】
又、本出願書類において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、記録層又は被加工層を凹凸パターン加工するために用いられた樹脂材料を確実に除去できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の好ましい実施形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００３２】
本発明の第１実施形態は、図１に示される被加工体１０の出発体にドライエッチング等の加工を施し、図２に示されるような所定のラインアンドスペースパターン（データトラックパターン）及びサーボパターン（図示省略）の形状に連続膜の記録層を加工する磁気記録媒体の製造方法に関するものであり、記録層を凹凸パターン加工するための樹脂材料にスタンパで凹凸パターンを転写する工程及び凹凸パターンの樹脂材料をエッチングする工程に特徴を有している。他の構成については本第１実施形態の理解に特に重要とは思われないため説明を適宜省略する。
【００３３】
被加工体１０の出発体は、図１に示されるように、基板１２、軟磁性層１６、配向層１８、連続膜の記録層２０、第１マスク層２２、第２マスク層２６を有し、これらの層がこの順で基板１２の上に形成された構成である。
【００３４】
基板１２は、中心孔１２Ａを有する略円板形状である。尚、基板１２の内周及び外周はＣ０．０５〜０．５（ｍｍ）の面取りがされている。例えば、基板１２の内周及び外周はＣ０．２（ｍｍ）の面取りがされている。基板１２の材料としてはガラス、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３等を用いることができる。
【００３５】
軟磁性層１６は、厚さが５０〜３００ｎｍである。軟磁性層１６の材料としてはＦｅ合金、Ｃｏ合金等を用いることができる。
【００３６】
配向層１８は、厚さが２〜４０ｎｍである。配向層１８の材料としては非磁性のＣｏＣｒ合金、Ｔｉ、Ｒｕ、ＲｕとＴａの積層体、ＭｇＯ等を用いることができる。
【００３７】
記録層２０は、厚さが５〜３０ｎｍである。記録層２０の材料としてはＣｏＣｒＰｔ合金等のＣｏＣｒ系合金、ＦｅＰｔ系合金、これらの積層体、ＳｉＯ２等の酸化物系材料の中にＣｏＰｔ等の強磁性粒子をマトリックス状に含ませた材料等を用いることができる。
【００３８】
第１マスク層２２は、厚さが３〜５０ｎｍである。第１マスク層２２の材料としてはＣ（炭素）を用いることができる。第１マスク層２２の材料として、例えばダイヤモンドライクカーボン（以下、「ＤＬＣ」という）と呼称される硬質炭素膜を用いてもよい。
【００３９】
第２マスク層２６は、厚さが２〜３０ｎｍである。第２マスク層２６の材料としてはＮｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ等を用いることができる。
【００４０】
磁気記録媒体３０は、中心孔を有するディスク形状の垂直記録型のディスクリートトラックメディアである。記録層３２は、前記連続膜の記録層２０がデータ領域において径方向に微細な間隔で多数の同心円弧形状の記録要素３２Ａに分割された凹凸パターン形状であり、図２はこれを示している。尚、記録層３２はサーボ領域において、所定のサーボパターンで多数の記録要素に分割されている（図示省略）。又、記録要素３２Ａの間の凹部３４には充填材３６が充填され、記録要素３２Ａ及び充填材３６の上には保護層３８、潤滑層４０がこの順で形成されている。
【００４１】
充填材３６としては、ＳｉＯ２、Ｃ（炭素）、ＤＬＣ、樹脂材料等を用いることができる。保護層３８は、厚さが１〜５ｎｍである。保護層３８の材料としてはＤＬＣを用いることができる。潤滑層４０は、厚さが１〜２ｎｍである。潤滑層４０の材料としてはＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）を用いることができる。
【００４２】
次に、図３に示されるフローチャート等を参照して磁気記録媒体３０の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、被加工体１０の出発体を作製する（Ｓ１０２）。被加工体１０の出発体は基板１２の上に、軟磁性層１６、配向層１８、連続膜の記録層２０、第１マスク層２２、第２マスク層２６をこの順でスパッタリングにより形成することにより得られる。尚、第１マスク層２２としてＤＬＣを形成する場合にはＣＶＤ法を用いる。又、軟磁性層１６はメッキ法で形成してもよい。
【００４４】
次に、図４に示されるように、スピンコート法により（連続膜の記録層２０の上の）第２マスク層２６の上に樹脂材料２８を３０〜３００ｎｍの厚さに塗布する（Ｓ１０４）。具体的には、中心孔１２Ａの周囲に所定の量の樹脂材料２８を供給し、被加工体１０を回転させて遠心力により樹脂材料２８を第２マスク層２６の上に展延させる。尚、ディッピング法により樹脂材料２８を第２マスク層２６の上に塗布してもよい。
【００４５】
樹脂材料２８としては、紫外線等のエネルギー線が照射されることで硬化する性質を有する光重合開始剤を含んだアクリル系樹脂モノマー、オリゴマーやエポキシ系樹脂モノマー、オリゴマー等のエネルギー線硬化性の樹脂材料を用いることができる。具体的には、ラジカル重合系であるアクリル樹脂の場合、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、シリコンアクリレート、ポリエステルアクリレートのオリゴマーと、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ヘキサンジオールジアクリレート、ヒドロキシフェノキシプロピルアクリレート等の１〜３官能基以上を有するモノマーを所望の物性(硬化物性、粘度、硬化収縮、密着性)を考慮しながらブレンドすることで得られる。また、エポキシ樹脂を用いたカチオン重合系でもビスフェノール系、ノボラック系、脂環系、脂肪族系の単独またはブレンド品等のエネルギー線硬化性の樹脂材料を用いることができる。
【００４６】
この際、図５に示されるように、樹脂材料２８の外周及び内周のエッジ部２８Ａは他の部分よりも厚くなりやすい。例えば、エッジ部２８Ａは１〜２μｍ（１０００〜２０００ｎｍ）の厚さで形成されることがある。
【００４７】
次に、図６に示されるような、スタンパ５０、転写装置６０及び照射装置７０を用いてインプリント法により樹脂材料２８に凹凸パターンを転写する（Ｓ１０６）。
【００４８】
スタンパ５０は、図７に示されるように、中心孔５０Ａを有する略円板形状で、記録層２０の凹凸パターンに相当する凹凸パターンが形成された環状の転写部５０Ｂを備え紫外線等のエネルギー線が透過可能である基部５０Ｃと、基部５０Ｃを介して被加工体１０の樹脂材料２８（被転写物）に照射されるエネルギー線から転写部５０Ｂの内周及び外周のエッジ部に相当する樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを遮蔽可能であるマスク５０Ｄと、を有している。基部５０Ｃの材料としては例えばポリオレフィン、アクリル、ガラス等の透光性の材料等を用いることができる。マスク５０Ｄの材料としては非透光性の（特に紫外線領域（波長４００ｎｍ以下）の光を遮蔽する）フィルムや塗料を用いることができる。尚、本第１実施形態では、マスク５０Ｄは基部５０Ｃにおける転写部５０Ｂと反対側の面に設置されており、マスク５０Ｄと基部５０Ｃの表面は段差がない平坦な面となっている。マスクは基部５０Ｃにおける転写部５０Ｂの側の面に設置してもよい。
【００４９】
転写装置６０は、スタンパ５０を介して樹脂材料２８に圧力を加えることが可能であるスタンパステージ６２を備えている。スタンパステージ６２は、中心孔６２Ａを有する略円板形状である。スタンパステージ６２の材料としてはスタンパ５０の基部５０Ｃと同様にポリオレフィン、アクリル、ガラス等の透光性の材料等を用いることができる。スタンパステージ６２は、図示しない駆動装置により上下動可能である。
【００５０】
又、転写装置６０は、被加工体１０の中心孔１２Ａに嵌合して被加工体１０を保持可能である保持器６４を備えている。保持器６４は、スタンパ５０の中心孔５０Ａ、スタンパステージ６２の中心孔６２Ａにも嵌合可能であり、これら被加工体１０、スタンパ５０及びスタンパステージ６２の中心が一致するように、これらを位置決めするようになっている。
【００５１】
照射装置７０は、スタンパステージ６２の上に設置され紫外線等のエネルギー線を下方に照射するようになっている。
【００５２】
図８に示されるように、保持器６４に保持された被加工体１０の上に転写部５０Ｂが樹脂材料２８に当接するようにスタンパ５０を載置し、更にスタンパステージ６２を下降させスタンパ５０を介して樹脂材料２８に圧力を加え、樹脂材料２８に転写部５０Ｂの凹凸パターンを転写すると共に照射装置７０からスタンパステージ６２、スタンパ５０を介して樹脂材料２８に紫外線等のエネルギー線を照射して樹脂材料２８を硬化させる。この際、エネルギー線の一部はマスク５０Ｄにより遮蔽され樹脂材料２８のエッジ部２８Ａにはエネルギー線が照射されない。即ち、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部２８Ａに対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料２８にエネルギー線が照射され、樹脂材料２８の硬化反応がエッジ部２８Ａを除く部分においてエッジ部２８Ａにおけるよりも進行するように樹脂材料２８が硬化する。より詳細には、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分は重合や架橋反応により分子量が増大し固体状態に変化する。一方、エッジ部２８Ａでは重合や架橋反応が抑制される。尚、照射エネルギーはエネルギー線の単位時間あたりのエネルギーと照射時間との積である。図８中の照射装置７０の下の矢印は、エネルギー線の照射方向を模式的に示したものである。又、図６及び図８では被加工体１０における基板１２と樹脂材料２８との間の層の図示を省略している。樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分が硬化したら、スタンパステージ６２を上昇させ、更にスタンパ５０を樹脂材料２８から離間させる。
【００５３】
次に、図９に示されるように、樹脂材料２８をエッチングして樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去する（Ｓ１０８）。本第１実施形態では、ウェットエッチングを用い、被加工体１０を所定の溶剤中に浸漬し、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを溶解させて除去する。溶剤としてはアセトン、エタノール、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート）、酢酸ブチル等を用いることができる。樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分は重合や架橋反応により分子量が増大し固体状態に変化しているために溶剤に溶解しにくい。一方、エッジ部２８Ａは重合や架橋反応が抑制されているので溶剤に容易に溶解する。従って、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを選択的に効率よく除去することができる。樹脂材料２８のエッジ部２８Ａは、図９に示されるように、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分の凹部の底部の厚さと近い厚さになるまで除去すればよいが、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを完全に除去してもよい。尚、図９中の２点鎖線は樹脂材料２８のエッジ部２８Ａにおけるエッチングで除去された部分を示す。
【００５４】
次に、図１０に示されるように、凹凸パターンの樹脂材料２８に基づいてドライエッチングにより記録層２０を凹凸パターンに加工する（Ｓ１１０）。具体的には、まず、酸素系ガスを用いたＲＩＥにより凹部の底部の樹脂材料２８を除去する。尚、樹脂材料２８は凸部も部分的に除去されるが、転写された凹凸の段差の分だけ凸部が残存する。次に、例えばＡｒ、Ｋｒ、Ｘｅ等の希ガスを用いたＩＢＥにより凹凸パターンの樹脂材料２８に基いて凹部の底部の第２マスク層２６を除去し、次に例えばハロゲン系ガスを用いたＲＩＥにより凹部の底部の第１マスク層２２を除去し、更に例えばＡｒ等の希ガスを用いたＩＢＥにより連続膜の記録層２０のうち凹部の底部の部分を除去する。これにより、連続膜の記録層２０は多数の記録要素３２Ａに分割され、凹凸パターンの記録層３２が形成される。この時点で記録要素３２Ａの上の樹脂材料２８や第２マスク層２６は概ね除去される。記録要素３２Ａの上に残存する第１マスク層２２は、例えば酸素系ガス、ハロゲン系ガスやＮＨ３、Ｈ２等の水素系ガスを用いたＲＩＥにより完全に除去する。これにより、第１マスク層２２の上の樹脂材料２８や第２マスク層２６も完全に除去される。
【００５５】
上記のように樹脂材料塗布工程（Ｓ１０４）において中心孔１２Ａの周囲や外周の樹脂材料２８のエッジ部２８Ａが他の部分よりも著しく厚く形成されても樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部２８Ａに対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料２８にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部２８Ａを除く部分においてエッジ部２８Ａにおけるよりも進行するように樹脂材料２８を硬化させることで、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）のエッチングに対する樹脂材料２８のエッジ部２８Ａのエッチングレートを樹脂材料２８の他の部分のエッチングレートよりも大きくすることができ、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）において樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去することができる。このように他の部分よりも厚くなりやすい樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを選択的にエッチングすることにより、凹凸パターンの記録層３２を形成するために用いられた樹脂材料２８を完全に除去することができる。
【００５６】
次に、図１１に示されるように、スパッタリング又はバイアススパッタリングにより、凹凸パターンの記録層３２の上に充填材３６を成膜し、記録要素３２Ａの間の凹部３４を充填材３６で充填する（Ｓ１１２）。尚、充填材３６として樹脂材料を用いる場合は、スピンコート法で充填材３６を成膜する。
【００５７】
次に、図１２に示されるように、Ａｒ等の希ガスを用いたＩＢＥにより、充填材３６における記録要素３２Ａの上面よりも上側（基板１２と反対側）の部分を除去し、記録要素３２Ａ及び充填材３６の表面を平坦化する（Ｓ１１４）。尚、図１２中の矢印は加工用ガスの照射方向を模式的に示したものである。
【００５８】
次に、ＣＶＤ法により記録要素３２Ａ及び充填材３６の上に保護層３８を形成する（Ｓ１１６）。
【００５９】
更に、ディッピング法により保護層３８の上に潤滑層４０を塗布する（Ｓ１１８）。これにより、前記図２に示される磁気記録媒体３０が完成する。
【００６０】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
【００６１】
前記第１実施形態では、転写工程（Ｓ１０６）においてエネルギー線が透過可能である基部５０Ｃと、マスク５０Ｄとを備え転写部５０Ｂのエッジ部に相当する樹脂材料２８のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽可能であるスタンパ５０を用いていたのに対し、図１３に示されるように、本第２実施形態では、転写工程（Ｓ１０６）においてスタンパステージ８０とスタンパ８２との間にマスク８４を設置する。
【００６２】
スタンパステージ８０は、負圧発生装置８６に連通し下面に開口する複数の吸気孔８０Ａが形成されており、スタンパステージ８０は下面において負圧によりマスク８４を吸引して保持可能とされている。
【００６３】
スタンパ８２は、中心孔８２Ａを有する略円板形状であり、前記第１実施形態に係るスタンパ５０の転写部５０Ｂと同様の転写部８２Ｂを備えている。尚、スタンパ８２はマスクを備えていない。
【００６４】
マスク８４は、中心孔８４Ａを有する略円板形状で、紫外線等のエネルギー線が透過可能である基部８４Ｂと、被加工体１０の樹脂材料２８（被転写物）に照射されるエネルギー線から樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを遮蔽可能であるマスク部８４Ｃと、を有している。他の構成については前記第１実施形態と同様であるので図１〜１２と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００６５】
このようにスタンパステージ８０とスタンパ８２との間にマスク８４を設置する場合も、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部２８Ａに対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料２８にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部２８Ａを除く部分においてエッジ部２８Ａにおけるよりも進行するように樹脂材料２８を硬化させることができる。従って、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０６）において樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去でき、凹凸パターンの記録層３２を形成するために用いられた樹脂材料２８を完全に除去することができる。
【００６６】
次に、本発明の第３実施形態について説明する。
【００６７】
前記第２実施形態では、転写工程（Ｓ１０６）においてスタンパステージ８０とスタンパ８２との間にマスク８４を設置していたのに対し、図１４に示されるように、本第３実施形態では、転写工程（Ｓ１０６）において樹脂材料２８のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽可能であるスタンパステージ９０を用いる。尚、スタンパ８２とスタンパステージ９０との間にマスクは設置されない。他の構成については前記第２実施形態と同様であるので図１３と同一符号を用いることとして説明を適宜省略する。
【００６８】
スタンパステージ９０は、中心孔９０Ａを有する略円板形状で、スタンパ８２を介して樹脂材料２８に圧力を加えることが可能でありエネルギー線が透過可能である基部９０Ｂと、該基部９０Ｂ及びスタンパ８２を介して樹脂材料２８に照射されるエネルギー線からスタンパ８２の転写部８２Ａのエッジ部に対応する樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを遮蔽可能であるマスク９０Ｃとを備えている。
【００６９】
このようにマスク９０Ｃを備え樹脂材料２８のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽可能であるスタンパステージ９０を用いる場合も、樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを除く部分に対する照射エネルギーがエッジ部２８Ａに対する照射エネルギーよりも多くなるように樹脂材料２８にエネルギー線を照射して樹脂材料の硬化反応がエッジ部２８Ａを除く部分においてエッジ部２８Ａにおけるよりも進行するように樹脂材料２８を硬化させることができる。従って、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）において樹脂材料２８のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去でき、凹凸パターンの記録層３２を形成するために用いられた樹脂材料２８を完全に除去することができる。
【００７０】
尚、前記第１実施形態ではマスク５０Ｄを備えるスタンパ５０を用い、前記第２実施形態ではマスク８４をスタンパステージ８０とスタンパ８２との間に設置し、前記第３実施形態ではマスク９０Ｂを備えるスタンパステージ９０を用いて樹脂材料２０のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽しているが、例えば、照射装置７０とスタンパステージ６２との間にマスクを配置して樹脂材料２０のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽してもよい。又、マスクを備えた照射装置を用いてもよい。
【００７１】
又、前記第２実施形態において、スタンパステージ８０はマスク８４を負圧により保持しているが、マスク８４をスタンパステージに接着してもよい。
【００７２】
又、前記第１及び第３実施形態において、スタンパ５０、８２と、スタンパステージ６２、９０とは別体であり、被加工体１０の上に順次下降するようになっているが、負圧や接着によりスタンパステージでスタンパを保持し、これらが一体で被加工体１０の上に同時に下降するようにしてもよい。
【００７３】
又、前記第１〜第３実施形態において、スタンパ５０、８２を介して樹脂材料２８にエネルギー線を照射しているが、被加工体１０を構成する基板１２や記録層２０等の材料がエネルギー線が透過可能な材料であり被加工体をエネルギー線が透過可能であれば、被加工体１０を介して樹脂材料２８にエネルギー線を照射してもよい。この場合、照射装置は被加工体における樹脂材料が塗布された面と反対側に配置し、マスクは被加工体と照射装置との間に配置すればよい。又、マスクを備えた照射装置を用いてもよい。
【００７４】
又、前記第１〜第３実施形態において、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）においてウェットエッチングを用いて樹脂材料２８をエッチングしているが、ドライエッチングにより樹脂材料のエッジ部を樹脂材料の他の部分よりも多く除去してもよい。具体的には、加工用ガスとしてＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ２Ｆ８、ＳＦ６等のハロゲン系ガスやＯ２やＯ３等の酸素系ガスを用いたＲＩＥやＡｒやＸｅ等の希ガスを用いたＩＢＥ等のドライエッチングを用いることができる。尚、ドライエッチングの場合、樹脂材料におけるエネルギー線の照射による重合や架橋反応により分子量が増大し固体状態に変化する部分と、エネルギー線から遮蔽され重合や架橋反応が抑制される部分とのエッチングの選択比がウェットエッチングに対して小さくなってしまう場合が多いが、エッジ部の厚さを樹脂材料の他の部分と同等の厚さにまで薄くできなくても、エッジ部と樹脂材料の他の部分との厚さの差をある程度低減することで、凹凸パターンの記録層を形成するために用いられた樹脂層の残存を抑制する一定の効果が得られる。
【００７５】
又、前記第１〜第３実施形態において、転写工程（Ｓ１０６）において樹脂材料２０の内周及び外周のエッジ部２８Ａをエネルギー線から遮蔽し、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）において内周及び外周のエッジ部２８Ａを樹脂材料２８の他の部分よりも多く除去しているが、樹脂材料塗布工程（Ｓ１０４）において樹脂材料２０の内周及び外周の一方のエッジ部２８Ａだけが樹脂材料２８の他の部分よりも著しく厚く形成される場合には、著しく厚く形成された方のエッジ部だけを転写工程（Ｓ１０６）においてエネルギー線から遮蔽し、樹脂材料エッチング工程（Ｓ１０８）において著しく厚く形成された方のエッジ部だけを樹脂材料の他の部分よりも多く除去してもよい。
【００７６】
又、前記第１〜第３実施形態において、被加工体１０、磁気記録媒体３０には中心孔１２Ａが形成されているが、中心孔がない磁気記録媒体を製造する場合にも本発明は適用可能である。
【００７７】
又、前記第１〜第３実施形態において、記録層加工工程（Ｓ１１０）において記録層２０を完全に分割しているが、記録層を厚さ方向の途中まで加工し、凹部で記録層が連続した凹凸パターンの記録層を形成してもよい。
【００７８】
又、前記第１〜第３実施形態において、記録層２０（３２）の下に軟磁性層１６、配向層１８が形成されているが、記録層２０（３２）の下の層の構成は、磁気記録媒体の種類に応じて適宜変更すればよい。例えば、軟磁性層１６の下に反強磁性層や下地層を形成してもよい。又、軟磁性層１６、配向層１８のいずれか一方を省略してもよい。又、基板１２の上に記録層２０（３２）を直接形成してもよい。
【００７９】
又、前記第１〜第３実施形態において、記録層３２が基板１２の片面に備えられた例が示されているが、記録層が基板の両面に備えられた磁気記録媒体を製造する場合にも本発明は適用可能である。
【００８０】
又、前記第１〜第３実施形態において、磁気記録媒体３０は記録要素３２Ａがデータ領域においてトラックの形状で形成された垂直記録型のディスクリートトラックメディアであるが、トラックが周方向に分割された形状で記録要素が形成されたパターンドメディア、記録要素が螺旋形状で形成された磁気ディスクの製造についても本発明は適用可能である。又、ＭＯ等の光磁気ディスク、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録ディスク、更に、磁気テープ等のディスク形状以外の磁気記録媒体の製造に対しても本発明は適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、例えば、ディスクリートトラック媒体、パターンド媒体等の、記録層が所定の凹凸パターンで形成された磁気記録媒体の製造に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録媒体の製造工程における被加工体の出発体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図２】同被加工体を加工して得られる磁気記録媒体の構造を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図３】同磁気記録媒体の製造工程の概要を示すフローチャート
【図４】前記被加工体に樹脂材料を塗布する工程を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図５】同樹脂材料のエッジ部の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図６】同第１実施形態に係るスタンパ、転写装置及び照射装置を模式的に示す一部断面を含む側面図
【図７】同スタンパの構造を模式的に示す平面図
【図８】同スタンパにより前記樹脂材料に凹凸パターンを転写する工程を模式的に示す一部断面を含む側面図
【図９】同樹脂材料のエッジ部が除去された前記被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１０】記録層が凹凸パターンに加工された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１１】同記録層の上に充填材が成膜された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１２】記録要素及び充填材の表面が平坦化された同被加工体の形状を模式的に示す径方向に沿う断面図
【図１３】本発明の第２実施形態に係るスタンパ、転写装置及び照射装置を模式的に示す一部断面を含む側面図
【図１４】本発明の第３実施形態に係るスタンパ、転写装置及び照射装置を模式的に示す一部断面を含む側面図
【符号の説明】
【００８３】
１０…被加工体
１２…基板
１６…軟磁性層
１８…配向層
２０、３２…記録層
２２…第１マスク層
２６…第２マスク層
２８…樹脂材料
３０…磁気記録媒体
３２Ａ…記録要素
３４…凹部
３６…充填材
３８…保護層
４０…潤滑層
５０、８２…スタンパ
５０Ｂ、８２Ｂ…転写部
５０Ｃ、８４Ｂ、９０Ｂ…基部
５０Ｄ、８４、９０Ｃ…マスク
６０…転写装置
６２、８０、９０…スタンパステージ
６４…保持器
７０…照射装置
Ｓ１０２…被加工体の出発体作製工程
Ｓ１０４…樹脂材料塗布工程
Ｓ１０６…転写工程
Ｓ１０８…樹脂材料エッチング工程
Ｓ１１０…記録層加工工程
Ｓ１１２…充填材成膜工程
Ｓ１１４…平坦化工程
Ｓ１１６…保護層成膜工程
Ｓ１１８…潤滑層成膜工程
【図１】
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【図２】
2008210450.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008210450.tif 000006
【図５】
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【図６】
2008210450.tif 000008
【図７】
2008210450.tif 000009
【図８】
2008210450.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2008210450.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2008210450.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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