【手続補正書】
【提出日】平成25年1月9日(2013.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システムのためのノズル及びスキマー組み立て品であって、
ガススキマー、
ガスクラスタービームを形成すると共にそれを放出するための少なくとも二つのノズルのセット、前記少なくとも二つのノズルのセットが単一のガスクラスタービームへと前記少なくとも二つのノズルのセットから放出された前記ガスクラスタービームを少なくとも部分的に合体させるために及び前記ガススキマーへと前記単一のガスクラスタービームを向けるために相互の近接近で配置されたものであること、
ノズルの第一のサブセットとの流体連結における第一のガス供給装置、前記ノズルの第一のサブセットが前記少なくとも二つのノズルのセットからの少なくとも一つのノズルを具備するものであること、並びに、
ノズルの第二のサブセットとの流体連結における第二のガス供給装置、前記ノズルの第二のサブセットが前記ノズルの第一のサブセットと比べて異なるものであると共に前記少なくとも二つのノズルのセットからの少なくとも一つのノズルを具備するものであること
を具備する、ノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置は、第一のガス混合物を供給するために構成されたものであると共に、
前記第二のガス供給装置は、第二のガス混合物を供給するために構成されたものであると共に、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、異なるものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項２】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、不適合性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項３】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の少なくとも一つのものは、自燃性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項４】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一の及び第二のガス混合物は、各々、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、並びにＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるものからなる群より選択された少なくとも一つのガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項５】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシランからなる群より選択された少なくとも一つのＳｉを含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏからなる群より選択された少なくとも一つの酸素を含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項６】
請求項５のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４及びＨｅを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項７】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記ガススキマーは、ローブ形の断面を有すると共に、
ローブの数が前記少なくとも二つのノズルのセットにおけるノズルの数に等しいものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項８】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品であって、さらに、
前記少なくとも二つのノズルのセットからの一つのノズルへ機械的に結合させられた少なくとも一つのマニピュレーター、前記少なくとも一つのマニピュレーターが前記少なくとも二つのノズルのセットからの他のノズルと独立に前記ガススキマーに関して前記結合させられたノズルを位置決めするために構成されたものであること、又は、
前記少なくとも二つのノズルのセットにおける各々のノズルへ機械的に結合させられたマニピュレーター、前記マニピュレーターが前記ガススキマーに関して集合的に前記少なくとも二つのノズルのセットを位置決めするために構成されたものであること
を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項９】
請求項１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、独立に前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物のよどみ圧力を制御するために構成されたものである、及び／又は、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、各々、さらに、独立に前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の温度を制御するための温度制御システムを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１０】
ＧＣＩＢで基体を照射するためのガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で処理するシステムであって、
請求項１−９のいずれかのノズル及びスキマー組み立て品、
前記ガススキマーの下流に位置決めされた及びＧＣＩＢを形成するために前記ガスクラスタービームをイオン化するために構成されたイオナイザー、並びに、
前記ＧＣＩＢで照射されるための基体を受けるための基体のホルダー
を具備する、
システム。
【請求項１１】
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システムのためのノズル及びスキマー組み立て品であって、
ガススキマー、
少なくともノズルの第一のサブセット及び前記ノズルの第一のサブセットと比べて異なるノズルの第二のサブセットを具備する少なくとも二つのノズルのセット、前記ノズルの第一の及び第二のサブセットが各々前記少なくとも二つのノズルのセットからの前記少なくとも二つのノズルの少なくとも一つのものを具備するものであること、並びに、各々のノズルがビームの軸を有するガスクラスタービームを形成すると共にそれを放出するために構成されたものであること、前記少なくとも二つのノズルのセットが交差するガスクラスタービームのセットを形成するために単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために及び前記ガススキマーへと前記交差するガスクラスタービームを向けるために角度が付けられたものであること、並びに、
前記ノズルの第一のサブセット及び前記ノズルの第二のサブセットとの流体連結における少なくとも一つのガス供給装置
を具備する、ノズル及びスキマー組み立て品において、
前記少なくとも一つのガス供給装置は、前記ノズルの第一のサブセットへ第一のガス混合物を供給するために構成された第一のガス供給装置及び自由選択で第二のガス混合物を供給するために構成された第二のガス供給装置を含むと共に、
前記ノズルの第二のサブセットは、前記第一のガス混合物又は前記第二のガス混合物のいずれかの供給を受けるために構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１２】
請求項１１のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、並びにＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるものからなる群より選択された少なくとも一つのガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１３】
請求項１１又は１２のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記少なくとも一つのガス供給装置は、前記ノズルの第二のサブセットとの流体連結における前記第二のガス供給装置を含むと共に、
前記第二のガス供給装置は、前記第一のガス混合物と比べて同じ又は異なる組成を有する前記第二のガス混合物を供給するために構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１４】
請求項１３のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、同じものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１５】
請求項１３のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、異なるものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１６】
請求項１５のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、不適合性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１７】
請求項１５のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の少なくとも一つのものは、自燃性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１８】
請求項１５のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシランからなる群より選択された少なくとも一つのＳｉを含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏからなる群より選択された少なくとも一つの酸素を含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項１９】
請求項１８のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４及びＨｅを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項２０】
請求項１１のノズル組み立て品において、
前記ガススキマーは、ローブ形の断面を有すると共に、
ローブの数が前記少なくとも二つのノズルのセットにおけるノズルの数に等しいもののものである、
ノズル組み立て品。
【請求項２１】
請求項１１のノズル組み立て品であって、さらに、
前記少なくとも二つのノズルのセットからの一つのノズルへ機械的に結合させられた少なくとも一つのマニピュレーター、前記少なくとも一つのマニピュレーターが前記少なくとも二つのノズルのセットからの他のノズルと独立に前記ガススキマーに関して前記結合させられたノズルを位置決めするために構成されたものであること、又は、
前記少なくとも二つのノズルのセットにおける各々のノズルへ機械的に結合させられたマニピュレーター、前記マニピュレーターが前記ガススキマーに関して集合的に前記少なくとも二つのノズルのセットを位置決めするために構成されたものであること
を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項２２】
請求項１３のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、独立に前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物のよどみ圧力を制御するために構成されたものである、及び／又は、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、各々、さらに、独立に前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の温度を制御するための温度制御システムを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
【請求項２３】
ＧＣＩＢで基体を照射するためのガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で処理するシステムであって、
請求項１１−２２のいずれかのノズル及びスキマー組み立て品、
前記ガススキマーの下流に位置決めされた及びＧＣＩＢを形成するために前記交差するガスクラスタービームをイオン化するために構成されたイオナイザー、並びに、
前記ＧＣＩＢで照射されるための基体を受けるための基体のホルダー
を具備する、システム。
【請求項２４】
請求項２３のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記少なくとも二つのノズルのセット及び前記ガススキマーの間に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
【請求項２５】
請求項２３のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記ガススキマーの入力及び出力の間に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
【請求項２６】
請求項２３のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記ガススキマーの下流に及び前記イオナイザーの上流に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
【請求項２７】
請求項２３のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記イオナイザーの内側に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
関連性のある技術における熟練した者は、多数の変更及び変形が、上の教示に照らして可能性のあるものであることを認めることができる。その技術における熟練した者は、図に示された様々な構成部品についての様々な等価な組み合わせ及び置換を認識することになる。従って、発明の範囲が、この詳細な記載によってではなしに、むしろここに添付された請求項によって、限定されることは、意図されることである。
［付記］
付記（１）：
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システムのためのノズル及びスキマー組み立て品であって、
ガススキマー、
ガスクラスタービームを形成すると共に放出するための少なくとも二つのノズルのセット、前記少なくとも二つのノズルのセットが前記少なくとも二つのノズルのセットから放出された前記ガスクラスタービームを単一のガスクラスタービームへと少なくとも部分的に合体させるために及び前記単一のガスクラスタービームを前記ガススキマーへと向けるために相互の近接近で配置されたものであること、
ノズルの第一のサブセットとの流体連結における第一のガス供給装置、前記ノズルの第一のサブセットが前記少なくとも二つのノズルのセットからの少なくとも一つのノズルを具備するものであること、並びに、
ノズルの第二のサブセットとの流体連結における第二のガス供給装置、前記ノズルの第二のサブセットが前記ノズルの第一のサブセットと比べて異なるものであると共に前記少なくとも二つのノズルのセットからの少なくとも一つのノズルを具備するものであること、
を具備する、ノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置は、第一のガス混合物を供給するために構成されたものであると共に、
前記第二のガス供給装置は、第二のガス混合物を供給するために構成されたものであると共に、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、異なるものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、不適合性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の少なくとも一つは、自燃性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（４）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一の及び第二のガス混合物は、各々、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、及びＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるもの、からなる群より選択された少なくとも一つのガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（５）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシランからなる群より選択された少なくとも一つのＳｉを含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（６）：
付記（５）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏからなる群より選択された少なくとも一つの酸素を含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（７）：
付記（６）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４及びＨｅを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（８）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記ガススキマーは、円形の、楕円形の、又は卵形の断面を有する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（９）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記ガススキマーは、ローブ形の断面を有すると共に、
ローブの数が前記少なくとも二つのノズルのセットにおけるノズルの数に等しいものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（１０）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品であって、
前記少なくとも二つのノズルのセットからの一つのノズルへ機械的に結合させられた少なくとも一つのマニピュレーターをさらに具備すると共に、
前記少なくとも一つのマニピュレーターが前記少なくとも二つのノズルのセットからの他のノズルと独立に前記ガススキマーに関して前記結合させられたノズルを位置決めするように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（１１）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品であって、
前記少なくとも二つのノズルのセットにおける各々のノズルへ機械的に結合させられたマニピュレーターをさらに含むと共に、
前記マニピュレーターが前記ガススキマーに関して集合的に前記少なくとも二つのノズルのセットを位置決めするように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（１２）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物のよどみ圧力を独立に制御するように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（１３）：
付記（１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、各々、前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の温度を独立に制御するための温度制御システムをさらに具備する、ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（１４）：
ＧＣＩＢで基体を照射するためのガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で処理するシステムであって、
付記（１）−（１３）のいずれかのノズル及びスキマー組み立て品、
前記ガススキマーの下流に位置決めされた及びＧＣＩＢを形成するために前記ガスクラスタービームをイオン化するように構成されたイオナイザー、並びに、
前記ＧＣＩＢで照射されるための基体を受けるための基体のホルダー
を具備する、システム。
付記（１５）：
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で基体を照射するために付記（１４）のＧＣＩＢで処理するシステムを使用するための方法であって、
前記基体のホルダーへと前記ＧＣＩＢで照射されるための基体をロードすること、
前記単一のガスクラスタービームを形成するために前記第一のガス供給装置から少なくとも前記ノズルの第一のサブセットを通じて第一のガス混合物を流動させること及び前記第二のガス供給装置から少なくとも前記ノズルの第二のサブセットを通じて第二のガス混合物を流動させること、前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物が異なるものであること、
前記ガススキマーを通じて及びその次に前記ＧＣＩＢを形成するために前記単一のガスクラスタービームをイオン化するための前記イオナイザーを通じて前記単一のガスクラスタービームを向けること、
前記ＧＣＩＢを加速すること、並びに、
それにおいて層をドープする、成長させる、堆積させる、又は変更するために前記ＧＣＩＢで前記基体の少なくとも一つの領域を照射すること
を具備する、方法。
付記（１６）：
付記（１５）の方法において、
前記基体は、前記基体の少なくとも一つの領域における層を成長させる又は堆積させることによって浅いトレンチの絶縁（ＳＴＩ）の構造を形成するために前記ＧＣＩＢで照射される、方法。
付記（１７）：
付記（１６）の方法であって、
前記ＳＴＩの構造をアニールすること
をさらに具有する、方法。
付記（１８）：
付記（１６）の方法であって、
メモリーデバイスにおいて前記ＳＴＩの構造を使用すること
をさらに具備する、方法。
付記（１９）：
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）システムのためのノズル及びスキマー組み立て品であって、
ガススキマー、
少なくともノズルの第一のサブセット及び前記ノズルの第一のサブセットと比べて異なるノズルの第二のサブセットを具備する少なくとも二つのノズルのセット、前記ノズルの第一の及び第二のサブセットが各々前記少なくとも二つのノズルのセットからの前記少なくとも二つのノズルの少なくとも一つを具備するものであること、並びに、各々のノズルがビームの軸を有するガスクラスタービームを形成すると共に放出するために構成されたものであること、前記少なくとも二つのノズルのセットが交差するガスクラスタービームのセットを形成するために単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために及び前記ガススキマーへと前記交差するガスクラスタービームを向けるために角度が付けられたものであること、並びに、
前記ノズルの第一のサブセット及び前記ノズルの第二のサブセットとの流体連結における少なくとも一つのガス供給装置を具備する、ノズル及びスキマー組み立て品において、
前記少なくとも一つのガス供給装置は、前記ノズルの第一のサブセットへ第一のガス混合物を供給するように構成された第一のガス供給装置及び自由選択で第二のガス混合物を供給するように構成された第二のガス供給装置を含むと共に、
前記ノズルの第二のサブセットは、前記第一のガス混合物又は前記第二のガス混合物のいずれかの供給を受けるように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２０）：
付記（１９）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、及びＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるものからなる群より選択された少なくとも一つのガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２１）：
付記（１９）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記少なくとも一つのガス供給装置は、前記ノズルの第二のサブセットとの流体連結における前記第二のガス供給装置を含むと共に、
前記第二のガス供給装置は、前記第一のガス混合物と比べて同じ又は異なる組成を有する前記第二のガス混合物を供給するように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２２）：
付記（２１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、同じものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２３）：
付記（２２）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、及びＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるものからなる群より選択された少なくとも一つのガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２４）：
付記（２１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、異なるものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２５）：
付記（２４）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物は、不適合性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２６）：
付記（２４）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の少なくとも一つは、自燃性のものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２７）：
付記（２４）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一の及び第二のガス混合物は、各々、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、Ｎ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏ、ＮＨ３、ＮＦ３、Ｂ２Ｈ６、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６、ＧｅＨ２Ｃｌ２、ＧｅＣｌ３Ｈ、メチルゲルマン、ジメチルゲルマン、トリメチルゲルマン、テトラメチルゲルマン、エチルゲルマン、ジエチルゲルマン、トリエチルゲルマン、テトラエチルゲルマン、ＧｅＣｌ４、ＧｅＦ４、ＢＦ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ５、ＰＨ３、ＰＦ３、ＰＣｌ３、又はＰＦ５、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシラン、及びＣｘＨｙ、ここでｘ≧１及びｙ≧４であるもの、からなる群より選択された少なくとも一つのガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２８）：
付記（２４）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、Ｃ４Ｈ１２Ｓｉ、Ｃ３Ｈ１０Ｓｉ、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ３、Ｈ３Ｃ−ＳｉＨ２−ＣＨ３、（ＣＨ３）３−ＳｉＨ、（ＣＨ３）４−Ｓｉ、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＣｌ３Ｈ、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４、アルキルシラン、アルカンシラン、アルケンシラン、アルキンシランからなる群より選択された少なくとも一つのＳｉを含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（２９）：
付記（２８）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、ＮＯ２、Ｎ２Ｏからなる群より選択された少なくとも一つの酸素を含有するガス、並びに、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、及びＲｎからなる群より選択された自由選択の希釈ガスを具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３０）：
付記（２９）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス混合物は、ＳｉＨ４及びＨｅを具備すると共に、
前記第二のガス混合物は、Ｏ２を具備する、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３１）：
付記（１９）のノズル組み立て品において、
前記ガススキマーは、円形の、楕円形の、又は卵形の断面を有する、
ノズル組み立て品。
付記（３２）：
付記（１９）のノズル組み立て品において、
前記ガススキマーは、ローブ形の断面を有すると共に、
ローブの数が前記少なくとも二つのノズルのセットにおけるノズルの数に等しいものである、
ノズル組み立て品。
付記（３３）：
付記（１９）のノズル組み立て品であって、
前記少なくとも二つのノズルのセットからの一つのノズルへ機械的に結合させられた少なくとも一つのマニピュレーターをさらに具備すると共に、
前記少なくとも一つのマニピュレーターが前記少なくとも二つのノズルのセットからの他のノズルと独立に前記ガススキマーに関して前記結合させられたノズルを位置決めするように構成されたものである、
ノズル組み立て品。
付記（３４）：
付記（１９）のノズル及びスキマー組み立て品であって、
前記少なくとも二つのノズルのセットにおける各々のノズルへ機械的に結合させられたマニピュレーターをさらに含むと共に、
前記マニピュレーターが前記ガススキマーに関して集合的に前記少なくとも二つのノズルのセットを位置決めするように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３５）：
付記（２１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物のよどみ圧力を独立に制御するように構成されたものである、
ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３６）：
付記（２１）のノズル及びスキマー組み立て品において、
前記第一のガス供給装置及び前記第二のガス供給装置は、各々、前記第一のガス混合物及び前記第二のガス混合物の温度を独立に制御するための温度制御システムをさらに具備する、ノズル及びスキマー組み立て品。
付記（３７）：
ＧＣＩＢで基体を照射するためのガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で処理するシステムであって、
付記（１９）−（３６）のいずれかのノズル及びスキマー組み立て品、
前記ガススキマーの下流に位置決めされた及びＧＣＩＢを形成するために前記交差するガスクラスタービームをイオン化するように構成されたイオナイザー、並びに、
前記ＧＣＩＢで照射されるための基体を受けるための基体のホルダー
を具備する、システム。
付記（３８）：
付記（３７）のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記少なくとも二つのノズルのセット及び前記ガススキマーの間に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
付記（３９）：
付記（３７）のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記ガススキマーの入力及び出力の間に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
付記（４０）：
付記（３７）のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記ガススキマーの下流及び前記イオナイザーの上流の間に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
付記（４１）：
付記（３７）のＧＣＩＢで処理するシステムにおいて、
前記少なくとも二つのノズルのセットは、前記イオナイザーの内側に位置させられた単一の交差する点に向かって各々のビームの軸を収束させるために角度が付けられたものである、
ＧＣＩＢで処理するシステム。
付記（４２）：
ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）で基体を照射するために付記（３７）−（４１）のいずれかのＧＣＩＢで処理するシステムを使用するための方法であって、
前記基体のホルダーへと前記ＧＣＩＢで照射されるための基体をロードすること、
前記交差するガスクラスタービームを形成するために前記第一のガス供給装置から前記ノズルの第一のサブセットを通じて第一のガス混合物を流動させること及び前記第二のガス供給装置から前記第二のガス混合物又は前記第一のガス供給装置から前記ノズルの第二のサブセットを通じて前記第一のガス混合物のいずれかを流動させること、
前記ガススキマーを通じて及びその次に前記ＧＣＩＢを形成するために前記交差するガスクラスタービームをイオン化するための前記イオナイザーを通じて前記交差するガスクラスタービームを向けること、
前記ＧＣＩＢを加速すること、並びに、
それにおいて層をドープする、成長させる、堆積させる、又は変更するために前記ＧＣＩＢで前記基体の少なくとも一つの領域を照射すること
を具備する、方法。
付記（４３）：
付記（４２）の方法において、
前記基体は、前記基体の少なくとも一つの領域における層を成長させる又は堆積させることによって浅いトレンチの絶縁（ＳＴＩ）の構造を形成するために前記ＧＣＩＢで照射される、方法。
付記（４４）：
付記（４２）の方法であって、
前記ＳＴＩの構造をアニールすること
をさらに具有する、方法。
付記（４５）：
付記（４２）の方法であって、
メモリーデバイスにおいて前記ＳＴＩの構造を使用すること
をさらに具備する、方法。