【手続補正書】
【提出日】平成21年4月14日(2009.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、を備えるトランジスタを有し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われ、
前記トランジスタを前記基板上に一体形成された画素部及び走査線駆動回路部に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられたチタンからなる第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第２の導電膜と、を備えるトランジスタを有し、
前記第２の導電膜及び前記酸化物半導体膜上に設けられたパッシベーション膜を有し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられた酸化物半導体膜と、
前記酸化物半導体膜上に設けられたチタンからなる第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に設けられたアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第２の導電膜と、を備えるトランジスタを有し、
前記第２の導電膜及び前記酸化物半導体膜上に設けられたパッシベーション膜を有し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理が行われ、
前記トランジスタを前記基板上に一体形成された画素部及び走査線駆動回路部に備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記加熱処理により、前記トランジスタの移動度を向上させることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記加熱処理は３００℃〜４００℃で行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記トランジスタはチャネルエッチ型又はチャネル保護型であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記トランジスタはマルチゲート構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一に記載の半導体装置は、テレビジョン又は電子ペーパーであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行い、前記トランジスタの移動度を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して３００℃〜４００℃の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にチタンからなる第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第２の導電膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記第２の導電膜及び前記酸化物半導体膜上にパッシベーション膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にチタンからなる第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第２の導電膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記第２の導電膜及び前記酸化物半導体膜上にパッシベーション膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行い、前記トランジスタの移動度を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜上にチタンからなる第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上にアルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第２の導電膜を形成することによってトランジスタを形成し、
前記第２の導電膜及び前記酸化物半導体膜上にパッシベーション膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して３００℃〜４００℃の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行い、
フッ素又は塩素を含むガスを用いて前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、
フッ素又は塩素を含むガスを用いて前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングし、
前記酸化物半導体膜の少なくともチャネル形成領域となる領域に対して加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７又は１８において、
前記フッ素を含むガスは、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳＦ６又はＣＨＦ３から選択されたガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１７又は１８において、
前記塩素を含むガスは、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＳｉＣｌ４又はＣＣｌ４から選択されたガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１１乃至２０のいずれか一において、前記酸化物半導体膜は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系のアモルファス酸化物半導体膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。