【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノスプレー源と質量分析器を結合するための単一チップ上に設けられる微細加工したナノスプレーイオン化装置であって、
キャピラリ入力部と協働する第１位置合わせフィーチャと、
キャピラリ出力部と協働する第２位置合わせフィーチャと、
前記キャピラリ入力部とキャピラリ出力部の間のイオン経路を画定するオリフィスと、
を備え、
前記イオン経路にほぼ直交する向きに設けられた少なくとも１つの導電電極をさらに備え、
前記第１位置合わせフィーチャ、前記第２位置合わせフィーチャ、前記オリフィス、および前記少なくとも１つの電極は、それぞれ前記チップ内に一体に形成される
ことを特徴とする微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２】
前記チップは２枚の基板から構築され、
前記各基板はスタック構成で組み合わされて、前記チップが形成される
ことを特徴とする請求項１に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項３】
前記２枚の基板はそれぞれ絶縁基部を備え、
前記各基板は、前記得られるチップがその外側の表面に絶縁部分を有するように互いに重ね合わされる
ことを特徴とする請求項２に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項４】
前記２枚の基板はそれぞれ、個々のフィーチャと共に形成され、
前記各フィーチャは、前記２枚の基板が合わせられたときに、得られるフィーチャの組合せにより、前記第１位置合わせフィーチャ、前記第２位置合わせフィーチャ、前記オリフィス、および前記少なくとも１つの電極が画定されるように構成される
ことを特徴とする請求項２または３に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項５】
第１の基板は、前記キャピラリ入力部用の第１の溝状の位置合わせフィーチャ、および前記キャピラリ出力部用の第２の溝状の位置合わせフィーチャを画定し、
前記各基板はさらに、その上に、前記基板に垂直に配置された溝状の直立縁部を伴う前記少なくとも１つの導電電極を備える
ことを特徴とする請求項４に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項６】
前記第２基板は、その上に、前記基板に垂直に配置された溝状の直立縁部を伴う少なくとも１つの導電電極を備えることを特徴とする請求項５に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項７】
前記第１基板と第２基板を互いに重ね合わせて、前記第１および第２の基板上に設けられた前記少なくとも１つの電極が連続電極を形成し、
前記電極の溝は組み合わされてオリフィスを形成する
ことを特徴とする請求項６に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項８】
前記キャピラリ入力部は、ナノスプレーキャピラリであることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項９】
前記ナノスプレーキャピラリ入力部は流体を供給し、
前記流体は、液体クロマトグラフィシステムから導入可能である
ことを特徴とする請求項８に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１０】
前記ナノスプレーキャピラリ入力部は流体を供給し、
前記流体は、キャピラリ電気泳動システムから導入可能である
ことを特徴とする請求項８に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１１】
前記入力キャピラリに最も近い電極は、最初にテイラーコーンを生成し、次いで、前記入力キャピラリに収容された液体からイオンを引き出すことを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１２】
前記キャピラリ出力部は、質量分析器への入力部を形成することを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１３】
少なくとも２つの電極を備え、少なくとも第２電極は前記出力キャピラリにイオンを集束することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの電極は電気的に加熱され、選択的に溶媒を除去することを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１５】
少なくとも１つの電極はセグメント化されて、偏向横方向電界を形成することによって、電気的中性物からのイオンの分離を助けることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１６】
前記偏向横方向電界は経時的に変化して、噴霧化を促進することを特徴とする請求項１５に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１７】
前記チップは、少なくとも１つの流体排出用の穴を含むことを特徴とする請求項１から１６のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１８】
少なくとも第１基板基部は、少なくとも１つのガス注入用の穴と、前記キャピラリ入力部を取り囲むプレナムチャンバと、を含むことを特徴とする請求項３に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項１９】
前記プレナムチャンバは、前記スプレーに対するシースとして構成された軸方向ガス流を生成するように構成されることを特徴とする請求項１８に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２０】
前記絶縁基部は、フォトパターニングが可能なポリマーで形成されることを特徴とする請求項３に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２１】
前記基板−基部の周囲、排出用の穴、およびガス注入口は、フォトパターニングによって画定されることを特徴とする請求項１８に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２２】
前記位置合わせフィーチャおよび電極は、半導体で形成されることを特徴とする請求項１から２１のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２３】
前記半導体は、シリコンであることを特徴とする請求項２２に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２４】
前記半導体は、異方性湿式化学エッチングによって結晶面を貫通して溝状に加工されることを特徴とする請求項２２に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２５】
前記半導体は、深堀反応性イオンエッチングによって溝状に加工されることを特徴とする請求項２２に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２６】
前記位置合わせフィーチャまたは前記電極のいずれかは、深堀反応性イオンエッチングを利用することによって形成されることを特徴とする請求項２２に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２７】
前記電極、溝、または基板−基部は、ソーイングによって形成されることを特徴とする請求項３に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２８】
前記位置合わせフィーチャおよび電極は、金属で形成されることを特徴とする請求項１から２７のいずれかに記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項２９】
前記金属は、電気メッキによって被着されることを特徴とする請求項２８に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項３０】
前記基板−基部は、ガラスで形成されることを特徴とする請求項３に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項３１】
前記ガラスは、フォトパターニング可能であることを特徴とする請求項３０に記載の微細加工したナノスプレーイオン化装置。
【請求項３２】
出力部にキャピラリニードルを有するナノスプレー供給源と、入力部にキャピラリニードルを有する質量分析器と、前記供給源と前記質量分析器の間に設けられた請求項１から３１のいずれかに記載のナノスプレーイオン化装置と、を備え、
前記装置の前記位置合わせフィーチャは、前記キャピラリニードル用の接続ポートを提供し、それによって、前記供給源から発する流体がイオン化されて、前記質量分析器に渡されるようにし得ることを特徴とする一体化パッケージ。