【手続補正書】
【提出日】平成21年10月20日(2009.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と
前記第１の電極の下に形成され、前記第１の電極の外周部を囲むようにコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の電極と重なるように設けられた第１の遮光膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、且つ前記コンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続する第２の遮光膜と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、
前記第１の電極の下に形成され、前記第１の電極の外周部を囲むようにコンタクトホールが設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の電極と重なるように設けられた第１の遮光膜と、
前記層間絶縁膜を介して前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、且つ前記コンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続する第２の遮光膜と、
前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタと、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子部には、
前記第２の薄膜トランジスタのゲート線と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜上に形成された層間絶縁膜と、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ前記層間絶縁膜上に形成された第２の遮光膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された前記モニター素子と、が設けられ、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、
前記第１の遮光膜は、前記層間絶縁膜を介して、前記第１の電極と重なるように設けられ、
前記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第１の電極は前記第１の遮光膜に電気的に接続され、
前記コンタクトホールは前記第１の電極の外周部を囲むように設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記層間絶縁膜を介して、前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールを介して、前記第１の遮光膜に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
発光素子及び前記発光素子を駆動する第１の薄膜トランジスタを有する画素がマトリクス状に複数設けられた画素部と、
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光層、及び前記電界発光層上に形成された第２の電極を有するモニター素子と、前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタとを含むモニター素子部と、
前記モニター素子に一定電流を流す定電流源と、
増幅回路と、を有し、
前記定電流源は、前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方、並びに前記増幅回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の他方は、前記モニター素子の第１の電極に電気的に接続され、
前記増幅回路の出力端子に、前記第１の薄膜トランジスタを介して前記発光素子の一方の電極が電気的に接続され、
前記モニター素子部には、
前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極と同じ材料で形成された第１の遮光膜と、
前記第１の遮光膜上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極と同じ材料で形成され、且つ前記第１の層間絶縁膜上に形成された、第２の遮光膜と、
前記第２の遮光膜及び前記第２の薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極の上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成された前記モニター素子と、が設けられ、
前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは互いに重ならないように設けられ、
前記第１の遮光膜は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜を介して、前記第１の電極と重なるように設けられ、
前記第１の電極は、前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記第１の遮光膜に電気的に接続され、
前記コンタクトホールは前記第１の電極の外周部を囲むように設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記第１の層間絶縁膜を介して、前記第１の遮光膜と重なるように設けられ、
前記第２の遮光膜は、前記コンタクトホールを介して、前記第１の遮光膜に電気的に接続されている表示装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記モニター素子と、前記第２の薄膜トランジスタとは前記ゲート線を介して互いに異なる領域に設けられている表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２の遮光膜は環状である表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記モニター素子及び前記第２の薄膜トランジスタは、前記画素部に近接して設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記画素部は赤を発光する複数の画素、緑を発光する複数の画素、及び青を発光する複数の画素を有し、前記モニター素子及び前記モニター素子を駆動する第２の薄膜トランジスタは、各発光色毎にそれぞれ設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記モニター素子及び前記発光素子はＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記モニター素子と前記発光素子は同一の材料を用いて同一の工程で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記増幅回路はボルテージフォロワ回路であることを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記表示装置は、下面射出型または両面射出型であることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一に記載の表示装置が組み込まれたＥＬテレビジョン。
【請求項１４】
画素部とモニター素子部とを有する表示装置であって、
前記モニター素子部には、
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重なる位置に設けられたゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重ならない位置に設けられた第１の遮光膜と、
前記ゲート電極上及び前記第１の遮光膜上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第２の遮光膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極と、が設けられており、
前記層間絶縁膜には、前記第１の遮光膜に達し前記第１の電極の外周部を囲むように設けられた第１のコンタクトホールと、前記半導体層に達する第２のコンタクトホールと、が設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続されているとともに、前記第２のコンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されており、
前記第２の遮光膜は、前記第１の電極の外周部を囲むように設けられた環状の形状を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
画素部とモニター素子部とを有する表示装置であって、
前記モニター素子部には、
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重なる位置に設けられたゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重ならない位置に設けられた第１の遮光膜と、
前記ゲート電極上及び前記第１の遮光膜上に設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に設けられた第２の遮光膜と、
前記第２の遮光膜上に設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極と、が設けられており、
前記第１の層間絶縁膜には、前記第１の遮光膜に達し前記第１の電極の外周部を囲むように設けられた第１のコンタクトホールと、前記半導体層に達する第２のコンタクトホールと、が設けられており、
前記第２の遮光膜は、前記第１のコンタクトホールを介して前記第１の遮光膜と電気的に接続されているとともに、前記第２のコンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されており、
前記第２の遮光膜は、前記第１の電極の外周部を囲むように設けられた環状の形状を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、
前記ゲート電極と前記第１の遮光膜とは同一の工程で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
半導体層と、
前記半導体層上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重なる位置に設けられたゲート電極と、
前記第１の絶縁膜上に設けられ前記半導体層と重ならない位置に設けられた第３の電極と、
前記ゲート電極上及び前記第３の電極上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第４の電極と、
前記層間絶縁膜上に設けられた第１の電極と、
前記第１の電極上に設けられた電界発光層と、
前記電界発光層上に設けられた第２の電極と、が設けられており、
前記層間絶縁膜には、前記第３の電極に達する第１のコンタクトホールと、前記半導体層に達する第２のコンタクトホールと、が設けられており、
前記第４の電極は、前記第１のコンタクトホールを介して前記第第３の電極と電気的に接続されているとともに、前記第２のコンタクトホールを介して前記半導体層と電気的に接続されており、
前記ゲート電極と前記第３の電極とは同一の工程で形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１のコンタクトホールは、前記第１の電極の外周部を囲むように設けられており、
前記第４の電極は、前記第１の電極の外周部を囲むように設けられた環状の形状を有し、
前記第１の電極、前記電界発光層、及び前記第２の電極によりモニター素子が構成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至１８のいずれか一において、
前記第１の電極は透光性を有することを特徴とする表示装置。