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【手続補正書】
【提出日】平成21年9月11日(2009.9.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状基板（２０）から複数の部品（３０）を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法であって、
第１の真空板（３）に固定される板状基板（２０）から前記部品（３０）を横方向に分離するステップと、
第１の真空板（３）に前記部品（３０）を吸引するステップと、
分離された前記部品（３０）を前記第１の真空板（３）から取り外すステップと
を含む、板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項２】
第１の真空板（３）に前記板状基板（２０）を吸引するステップと、
分離中に前記第１の真空板（３）に吸引させたまま前記部品（３０）を横方向に分離するステップと、
前記部品（３０）を前記第１の真空板（３）から取り外すステップと
を含む、請求項１に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項３】
第１の真空板（３）に前記板状基板（２０）を固定するステップと、
前記部品（３０）を横方向に分離するステップと、
分離された前記部品（３０）を前記第１の真空板（３）を介して吸引するステップと、
前記部品（３０）を前記第１の真空板（３）から取り外すステップと
を含む、請求項１に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項４】
前記部品（３０）を前記真空板（３）から取り外すことは、第２の真空板（３３）によって前記第１の真空板（３）から前記部品（３０）を持ち上げて外すことを含む、請求項１又は２に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項５】
前記部品（３０）を取り外すことは、少なくとも横方向に分離された前記部品（３０）の下で、前記第１の真空板（３）の吸引圧力をオフに切り替えるか又は低下させることを含む、請求項１又は２に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項６】
前記基板（２０）は、該基板（２０）のうち想定分離線に沿って延びる領域を露出させたまま残して、加工すべき前記部品（３０）の領域を覆うマスクで覆われる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項７】
前記基板（２０）は、凸領域（４４）及び凹領域（４６）を有する第１の真空板（３）に吸引され、該凸領域（４４）は、加工すべき前記部品（３０）に沿って延び、前記凹領域（４６）は、該部品（３０）の周囲の基板材料（２９）に沿って延び、
加工された前記部品（３０）の周囲の基板部分（２９）は、前記第１の真空板（３）の前記凹領域（４６）に吸引される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項８】
前記基板（２０）は、凸領域及び凹領域を有する第１の真空板（３）に固定され、該凹領域は、加工すべき前記部品（３０）に沿って延び、前記凸領域は、前記部品（３０）の周囲の前記基板材料（２９）に沿って延び、
加工された前記部品（３０）は、横方向分離後に前記第１の真空板（３）の前記凹領域に吸引される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項９】
加工すべき前記部品（３０）に割り当てられる第１の領域と、該部品の周囲の前記板状基板（２０）の第２の領域とが、選択駆動式に吸引される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する方法。
【請求項１０】
板状基板（２０）から複数の部品（３０）を製造する、又は孔あき板状基板を製造する、特に請求項１〜２４のいずれか１項に記載の方法を実行する装置であって、
前記板状基板（２０）を固定する第１の真空板（３）と、
前記基板（２０）から前記部品（３０）を横方向に分離するデバイスと、
分離された前記部品（３０）を前記第１の真空板（３）から取り外すデバイスと
を備える、板状基板から複数の部品を製造する、又は孔あき板状基板を製造する、特に請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法を実行する装置。
【請求項１１】
前記第１の真空板（３）から前記部品（３０）を持ち上げて外す第２の真空板を特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２の真空板は、前記第１の真空板（３）と相補的に構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１の真空板（３）のプラスチックコーティング、好ましくはテフロン（登録商標）コーティングを特徴とする、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
基板（２０）の想定分離線に沿って延びるプラスチックリング、特に弾性リング（９）を有する第１の真空板（３）を特徴とする、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
凸領域（４４）及び凹領域（４６）を有する第１の真空板（３）を特徴とする、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記領域の形態及び配置は、加工すべき前記部品（３０）の形態及び該部品（３０）の周囲の基板材料（２９）の形態に対応する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第１の真空板（３）の凸領域は、加工すべき前記部品（３０）を固定するように形成され、凹領域は、前記残りの基板残留物（２９）を受け止めて固定するように形成される、請求項１５又は１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記真空板（３）の凹領域は、前記基板（２０）から分離された前記部品（３０）を吸引するように形成される、請求項１５又は１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
前記第１の真空板（３）は、特に分離された前記部品（３０）を固定するための第１の領域と、少なくとも１つの第２の領域とを有し、該第１の領域及び該少なくとも１つの第２の領域は、真空発生デバイスに個別に接続される、請求項１０〜１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
オプトキャップ（７２）を製造する方法であって、該オプトキャップ（７２）の窓、特にガラス窓が、請求項１〜１９のいずれか１項に記載の方法又は装置（１）によって製造される、オプトキャップを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、前記実施例２では、フィン部材(１)を基板(２)の表面に連続した渦巻状に配置しているが、本願の第１発明を示す実施例３では図５に示す如く、それぞれ半径の異なる環状のフィン部材(１)を複数個形成し、この環状のフィン部材(１)を基板(２)の表面に、基板(２)の中央部(５)を中心とした同心円状にそれぞれ配置している。尚、本実施例３に示す如きヒートシンクも前記実施例２と同様に、冷却風が中心付近から放射状に流れる用途に特に好ましいものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記の如くガイド部材(７)及びフィン部材(１)を基板(２)の表面に配置することにより、フィン部材(１)は弧状部(１０)において、ガイド部材(７)に支持された状態となる。そのため、基板(２)上に固定配置したフィン部材(１)は、ガイド部材(７)の存在により倒れにくいものとなる。従って、ガイド部材(７)を配置せずにフィン部材(１)の一側(６)のみを基板(２)に固定配置した場合と比較して、安定した状態でフィン部材(１)を基板(２)に配置することが可能となる。また、上記の如く、フィン部材(１)を、基板(２)上に固定したガイド部材(７)に沿って配置することにより、フィン部材(１)の基板(２)上への位置決めを容易なものとすることができ、基板(２)に配置するフィン部材(１)の位置精度を向上させることが可能となる。従って、基板(２)にフィン部材(１)を配置する際の作業性を向上させることも可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
【図１】本願の第１発明である実施例１を示すヒートシンクの平面図。
【図２】実施例１のヒートシンクのＡ−Ａ線断面図。
【図３】実施例１のヒートシンクの部分断面図。
【図４】第１発明の実施例２を示すヒートシンクの平面図。
【図５】第１発明の実施例３を示すヒートシンクの平面図。
【図６】第１発明の実施例４を示すヒートシンクの平面図。
【図７】第１発明の実施例５を示すヒートシンクの部分断面図。
【図８】第２発明である実施例６を示す、基板上にガイド部材を配置した状態を示す平面図。
【図９】実施例６を示すヒートシンクの部分断面図。
【図１０】実施例６を示すヒートシンクの平面図。
【図１１】第２発明の実施例７を示すヒートシンクの部分断面図。
【図１２】実施例６、７及び他の異なる実施例のガイド部材を示す断面図。
【図１３】第２発明の実施例８〜１１のガイド部材を示す斜視図。
【図１４】実施例８を示す基板及びガイド部材の部分斜視図。
【図１５】実施例８を示すヒートシンクの部分断面図。
【図１６】実施例９〜１１を示すヒートシンクの部分断面図。
【図１７】実施例９を示すヒートシンクの平面図。
【図１８】実施例１０を示すヒートシンクの平面図。
【図１９】実施例１１を示すヒートシンクの平面図。
【図２０】実施例１〜１１及び他の異なる実施例を示す線材の断面図。
【図２１】実施例１〜１１及び他の異なる実施例を示すフィン部材の巻回形状を示す概念図。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属材料を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上及び前記ゲート絶縁膜上の酸化亜鉛を含む半導体膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上の金属材料を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第２の導電膜と、
前記第２の導電膜上及び前記ゲート絶縁膜上の酸化亜鉛を含む半導体膜と、
前記半導体膜上の有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜上の前記導電膜と電気的に接続された画素電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁膜上の金属材料を有する第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上のｎ型又はｐ型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第２の導電膜と、
前記絶縁膜上及び前記第２の導電膜上の酸化亜鉛を含む半導体膜と、
前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記有機樹脂膜は塗布法により形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第１の導電膜は、Ａｌを含む膜又は、Ａｌ合金を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に金属膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記金属膜はＴｉ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜、窒化珪素膜のうちのいずれかからなる単層膜又は積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタ上の絶縁膜と、前記絶縁膜上の画素電極と、第２のトランジスタを有する駆動回路と、を有し、
前記第１のトランジスタは、
酸化亜鉛を有する第１の半導体膜と、
前記第１の半導体膜に接するｎ又はｐ型の不純物元素が添加された酸化亜鉛を有する第２の導電膜と、
前記第２の導電膜に接する金属材料を有する第１の導電膜と、
前記第１の半導体膜に第１のゲート絶縁膜を介して隣接する第１のゲート電極と、を有し、
前記画素電極は、前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールを介して前記第１のトランジスタに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタは、前記駆動回路から延在する配線に電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、
酸化亜鉛を有する第２の半導体膜と、
前記第２の半導体膜に接するｎ又はｐ型の不純物元素が添加された酸化亜鉛を有する第４の導電膜と、
前記第２の導電膜に接する金属材料を有する第３の導電膜と、
前記第２の半導体膜に第２のゲート絶縁膜を介して隣接する第２のゲート電極と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記絶縁膜は有機樹脂膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、
前記第１の導電膜は、Ａｌを含む膜又は、Ａｌ合金を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、
前記第３の導電膜は、Ａｌを含む膜又は、Ａｌ合金を含む膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、
前記第１の導電膜と前記第２の導電膜の間に第１の金属膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、
前記第３の導電膜と前記第４の導電膜の間に第２の金属膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３において、
前記第１の金属膜はＴｉ膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４において、
前記第２の金属膜はＴｉ膜であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極と、
前記基板上に、前記第１の電極の端部を覆う保護膜と、
前記第１の電極と前記保護膜に接し、一導電型を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記一導電型とは逆の導電型を有する第３の半導体層と、を有し、
前記保護膜の端部の断面は、テーパー形状を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
基板上に第１の電極と、
前記基板上に、前記第１の電極の端部を覆う保護膜と、
前記第１の電極と前記保護膜に接し、一導電型を有する第１の半導体層と、
前記第１の半導体層上に第２の半導体層と、
前記第２の半導体層上に設けられ、前記一導電型とは逆の導電型を有する第３の半導体層と、を有し、
前記保護膜の端部の断面は、テーパー形状を有し、
前記第１の電極の端部の断面は、テーパー形状を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の電極の端部の断面のテーパー角は、８０度以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項２または３において、前記第１の電極の断面の頂点の角度は、９０度より大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１の電極は、前記第１の半導体層と接する部分における平面形状は、角部を有さないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記保護膜の端部の断面のテーパー角は、８０度以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記保護膜の断面の頂点の角度は、９０度より大きいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記保護膜は、絶縁材料、または前記第１の半導体層の抵抗より高抵抗な材料を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記保護膜は、透光性樹脂を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記保護膜は、感光性材料を含むことを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記保護膜は、少なくともカラーフィルターを有することを特徴とすることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、前記第１の電極は、トランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記基板は、少なくとも可視光の範囲の波長に対して、透過波長の選択性があることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記第１の半導体層は、前記保護膜の端部に接することなく設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第１の電極と前記保護膜は同一面上に設けられており、前記第１の半導体層は、前記第１の電極、前記保護膜、および前記面に接して設けられていることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
保護膜２１１については、その形状により図２（Ａ）のようにｐ型半導体層２０３と接して形成されている場合と、図２（Ｂ）のように電極２０２の端部周辺のみ形成されている場合がある。図２（Ａ）の構造では、ｐ型半導体層２０３は、下地の状態によらず、新たに形成された保護膜２１１と接するため、安定した特性を得ることができる。また、図２（Ｂ）の構造は、光が保護膜２１１を通過せずに、光電変換層へ届くため、光利用効率が高い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電材料からなる第１のバリア膜を形成し、
前記第１のバリア膜上に選択的にレジストを形成し、
前記第１のバリア膜上と前記レジスト上とで、銅、銀、アルミニウムまたは金のうち少なくともいずれか一を含む導電膜が分離されるように前記導電膜を形成し、
前記レジストを除去することで前記レジスト上に形成された前記導電膜を除去し、
前記第１のバリア膜上に形成された前記導電膜を覆うように第２の導電材料からなる第２のバリア膜を形成し、
前記第１のバリア膜及び前記第２のバリア膜を選択的にエッチングし、複数の配線及び電極を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のバリア膜、または、前記第２のバリア膜は、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、タンタル、あるいはそれらの合金、あるいはそれらの窒化物のいずれか一であることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記レジストの端部が、逆テーパー形状となるように前記レジストを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記レジストの端部が、概略垂直、あるいは７５°以上９０°未満のテーパー角を有するテーパー形状となるように前記レジストを形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記レジストの膜厚は前記導電膜の膜厚よりも厚く形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項６】
ゲート配線と、ゲート電極を有する薄膜トランジスタと、を有し、
前記ゲート配線は、第１の部分及び第２の部分を有し、
前記第１の部分は、
第１の導電材料からなる第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に選択的に形成された銅、銀、アルミニウムまたは金のうち少なくともいずれか一を含む導電膜と、
前記導電膜を覆うように形成された第２の導電材料からなる第２のバリア膜と、を有し、
前記第２の部分は、
前記第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に形成された前記第２のバリア膜と、を有し、
前記ゲート電極は、前記ゲート配線における前記第１の部分及び前記第２の部分のうち前記第２の部分のみを有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
ソース配線と、ソース電極を有する薄膜トランジスタと、を有し、
前記ソース配線は、第１の部分及び第２の部分を有し、
前記第１の部分は、
第１の導電材料からなる第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に選択的に形成された銅、銀、アルミニウムまたは金のうち少なくともいずれか一を含む導電膜と、
前記導電膜を覆うように形成された第２の導電材料からなる第２のバリア膜と、を有し、
前記第２の部分は、
前記第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に形成された前記第２のバリア膜と、を有し、
前記ソース電極は、前記ソース配線における前記第１の部分及び前記第２の部分のうち前記第２の部分のみを有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
基板と、複数の配線が設けられた前記基板上の画素領域と、駆動回路と、前記複数の配線と前記駆動回路とを接続する前記基板上の複数の引き回し配線とを有し、
前記複数の引き回し配線は、第１の部分及び第２の部分を有し、
前記第１の部分は、
第１の導電材料からなる第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に選択的に形成された銅、銀、アルミニウムまたは金のうち少なくともいずれか一を含む導電膜と、
前記導電膜を覆うように形成された第２の導電材料からなる第２のバリア膜と、を有し、
前記第２の部分は、
前記第１のバリア膜と、
前記第１のバリア膜上に形成された前記第２のバリア膜と、を有し、
前記複数の配線は、前記複数の引き回し配線における前記第１の部分及び前記第２の部分のうち前記第１の部分のみを有し、
前記複数の引き回し配線は、前記複数の引き回し配線同士が概略等しい抵抗値を有するように前記第２の部分を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において
前記第１のバリア膜、または、前記第２のバリア膜は、タングステン、モリブデン、クロム、チタン、タンタル、あるいはそれらの合金、あるいはそれらの窒化物のいずれか一であることを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月16日(2009.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を有する半導体チップと、
前記半導体チップが配設されるチップ支持部と、前記半導体チップが電気的に接続される端子部とを有するリードフレームと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置において、
前記半導体チップ上に前記リードフレームと熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一とし、
前記半導体基板の裏面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記基材と熱膨張係数の略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設けたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、該半導体基板上に形成された半導体素子とを有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、
前記半導体素子と電気的に接続され、前記封止樹脂から露出される外部接続端子と、を備えた半導体装置において、
前記半導体チップ上に前記半導体基板と熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記半導体基板と熱膨張係数が略等しく、かつ前記半導体基板の外形と略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設け、該第２の熱膨張係数緩和部材を前記半導体基板と対向するように配置したことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置。
【請求項７】
基材と、該基材の第１の主面に設けられた接続パッドと、前記第１の主面とは反対側の前記基板の第２の主面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続される外部接続端子とを有する基板と、
前記基材の第１の主面に設けられ、前記接続パッドと電気的に接続される半導体チップと、
前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置において、
前記半導体チップ上に前記基材と熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記第１の熱膨張係数緩和部材及び封止樹脂上に、前記基材と熱膨張係数の略等しい第２の熱膨張係数緩和部材をさらに設けたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体チップと前記第１の熱膨張係数緩和部材との間に、前記接続パッドと電気的に接続される他の半導体チップを少なくとも１つ設けたことを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一観点によれば、半導体基板を有する半導体チップと、前記半導体チップが配設されるチップ支持部と、前記半導体チップが電気的に接続される端子部とを有するリードフレームと、前記半導体チップを封止する封止樹脂と、を備えた半導体装置において、前記半導体チップ上に前記リードフレームと熱膨張係数の略等しい第１の熱膨張係数緩和部材を設け、該第１の熱膨張係数緩和部材の上面を前記封止樹脂の上面と略面一とし、前記半導体基板の裏面は、前記封止樹脂から露出されていることを特徴とする半導体装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチックフィルムからなる内袋内にバインダーを含まない無機繊維重合体を収納した芯材と、
前記芯材を収納して内部を減圧し周縁部を溶着して封止したラミネートフィルムからなる外包材とを備え、
前記内袋または前記外包材にガス成分や水分を吸着する手段を備えたことを特徴とする真空断熱材。
【請求項２】
請求項１に記載の真空断熱材において、前記外包材は溶着用プラスチック層及び金属層を有するラミネートフィルムで構成されていることを特徴とする真空断熱材。
【請求項３】
請求項１または２に記載の真空断熱材において、前記内袋は吸着材を練り込んだプラスチックフィルムで構成されていることを特徴とする真空断熱材。
【請求項４】
請求項１から３の何れかに記載の真空断熱材において、前記外包材は吸着材を練り込んだプラスチック層を有するラミネートフィルムで構成されていることを特徴とする真空断熱材。
【請求項５】
請求項１から４の何れかに記載の真空断熱材において、前記無機繊維重合体はグラスウール、グラスファイバー、アルミナ繊維、シリカアルミナ繊維の何れかであることを特徴とする真空断熱材。
【請求項６】
外箱と内箱とによって形成される断熱空間に真空断熱材を配設した冷蔵庫において、
前記真空断熱材は、プラスチックフィルムからなる内袋内に有機系バインダーを含まない無機繊維重合体を収納して形成した芯材と、前記芯材を収納して内部を減圧し周縁部を溶着して封止したラミネートフィルムからなる外包材とを備え、前記内袋または前記外包材に水分やガス成分などを吸着する手段を備えたものであることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項７】
プラスチックフィルムからなる内袋内にバインダーを含まない無機繊維重合体を収納した芯材と、
前記芯材を収納して内部を減圧し周縁部を溶着して封止したラミネートフィルムからなる外包材とを備え、
前記内袋は表面に撥水処理膜を有していることを特徴とする真空断熱材。
【請求項８】
請求項７に記載の真空断熱材において、前記内袋は、撥水処理膜を施したフィルムと、他のガスバリア性のプラスチックフィルムとのラミネートフィルムであることを特徴とする真空断熱材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前述の目的を達成するための本発明の第１の態様は、プラスチックフィルムからなる内袋内にバインダーを含まない無機繊維重合体を収納した芯材と、前記芯材を収納して内部を減圧し周縁部を溶着して封止したラミネートフィルムからなる外包材とを備え、前記内袋または前記外包材にガス成分や水分を吸着する手段を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明の第２の態様は、外箱と内箱とによって形成される断熱空間に真空断熱材を配設した冷蔵庫において、前記真空断熱材は、プラスチックフィルムからなる内袋内に有機系バインダーを含まない無機繊維重合体を収納して形成した芯材と、前記芯材を収納して内部を減圧し周縁部を溶着して封止したラミネートフィルムからなる外包材とを備え、前記内袋または前記外包材に水分やガス成分などを吸着する手段を備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マニフォールドに連結されている複数のシリンダと、前記マニフォールドの下流で空燃比（λ）を測定する検出器とを少なくとも含む排気回路を有する内燃エンジンの各シリンダ内の空燃比を推定する方法において、
複数の前記シリンダの各々からの気体の排出と、前記排気回路内における前記検出器までの気体の移動とをリアルタイムで表す物理モデルを定めるステップと、
前記物理モデルの少なくとも１つの変数から、前記検出器によって測定される前記空燃比（λ）の推定値を定めるステップと、
前記物理モデルを、前記測定される空燃比（λ）の測定値の前記推定値が考慮される適応型の非線形推定器に結合するステップと、
前記適応型の非線形推定器によって前記各シリンダ内の前記空燃比の値をリアルタイムで推定するステップと、
を有することを特徴とする、内燃エンジンの各シリンダ内の空燃比を推定する方法。
【請求項２】
気体の通過時間と前記検出器の応答時間とによる遅延時間を、決められたシリンダ内で試験的な外乱を発生させることと、その影響を前記検出器の位置で測定することとによって求める、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記物理モデルは、前記排気マニフォールド内の気体の総質量（ＭT）と、前記排気マニフォールド内の新気の質量（Ｍair）と、前記各シリンダ内の空燃比（λi）との、少なくとも３種類の変数を有している、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記物理モデルは、前記排気マニフォールド内の気体の総質量（ＭT）と、前記シリンダから流出する質量流量（ｄi）との、少なくとも２種類の出力データを有している、請求項１から３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記測定される空燃比（λ）を、前記排気マニフォールド内の気体の総質量（ＭT）と前記排気マニフォールド内の新気の質量（Ｍair）との関数として推定する、請求項１から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記各シリンダ内の前記空燃比の前記推定値は、前記排気マニフォールド内の気体の総質量（ＭT）の推定値、前記排気マニフォールド内の新気の質量（Ｍair）の推定値、およい前記各シリンダ内の前記空燃比（λi）の推定値の、リアルタイムの修正値を含んでいる、請求項１から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
すべてのシリンダ内の空燃比を調節するために各シリンダ内に噴射される燃料質量を変化させるエンジン制御に適用される、請求項１から６のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口を有し、内部に気体が含まれた筐体と、
前記筐体に振動可能に装着され、前記気体に振動を与えることで、前記開口を介して前記気体を脈流として吐出させるための気体吐出用振動体と、
前記気体吐出用振動体を駆動する第１の駆動部と、
前記気体吐出用振動体の加振力が減衰するように振動する減衰用振動体と
を具備することを特徴とする噴流発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載の噴流発生装置であって、
前記第１の駆動部は、
マグネットと、
前記気体吐出用振動体に弾性的に接続され、前記減衰用振動体を構成するコイルと
を有することを特徴とする噴流発生装置。
【請求項３】
請求項１に記載の噴流発生装置であって、
前記減衰用振動体は、前記筐体の外部に装着されていることを特徴とする噴流発生装置。
【請求項４】
発熱体と、
開口を有し、内部に気体が含まれた噴流発生用筐体と、
前記噴流発生用筐体に振動可能に装着され、合成の加振力が減衰するように振動しながら前記気体に振動を与えることで、前記開口を介して前記気体を前記発熱体に向けて脈流として吐出させるための複数の振動体と、
前記各振動体を駆動する駆動部と
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記発熱体を収容する電子機器用筐体をさらに具備し、
前記電子機器用筐体の一部が、前記噴流発生用筐体の一部または全部で構成されていることを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項４に記載の電子機器であって、
前記発熱体を収容する電子機器用筐体と、
前記噴流発生用筐体と前記電子機器用の筐体とに接続され、前記各振動体が振動することによる前記噴流発生用筐体の振動を吸収するための吸振機構と
をさらに具備することを特徴とする電子機器。
【請求項７】
発熱体と、
開口をそれぞれ有し、内部に気体が含まれた複数の噴流発生用筐体と、
前記各噴流発生用筐体に振動可能にそれぞれ装着され、合成の加振力が減衰するように振動しながら前記気体に振動を与えることで、前記開口を介して前記気体を前記発熱体に向けて脈流として吐出させるための複数の振動体と、
前記噴流発生用筐体ごとに設けられ、前記各振動体を駆動する複数の駆動部と
を具備することを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項７に記載の電子機器であって、
前記発熱体を収容する電子機器用筐体と、
前記各噴流発生用筐体のうち少なくとも１つと前記電子機器用筐体とに接続され、前記各振動体が振動することによる前記各噴流発生用筐体の振動を吸収するための吸振機構と
をさらに具備することを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項８に記載の電子機器であって、
前記吸振機構は、
前記各噴流発生用筐体同士を連結する連結部材と、
前記電子機器用筐体に設けられ、前記加振力の残力による前記各噴流発生用筐体の移動を吸収するように前記連結部材を弾性的に支持する支持機構と
を有することを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月20日(2009.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプランジャ（１０）を備え、吸込み孔（１３）を介して相互に接続されている吸込み室（１１）およびポンプ室（１２）が、プランジャないし各プランジャ（１０）と、
第１位置において、プランジャないし各プランジャ（１０）が吸込み孔ないし各吸込み孔（１３）を閉鎖し、かくして吸込み室（１１）からポンプ室（１２）への燃料の流入を阻止し、
第２位置において、プランジャないし各プランジャ（１０）が吸込み孔ないし各吸込み孔（１３）を開き、かくして吸込み室（１１）からポンプ室（１２）への燃料の充填を可能にする
ように協働する内燃機関の燃料噴射ポンプにおいて、
吸込み孔ないし各吸込み孔（１３）が、吸込み室（１１）に隣接して双曲線状入口区域（１４）を有し、各双曲線状入口区域（１４）が、吸込み室（１１）から出発してポンプ室（１２）に向けて次第に狭められていることを特徴とする燃料噴射ポンプ。
【請求項２】
各々の双曲線状入口区域（１４）の壁（１６）が、断面円弧状に輪郭づけられていることを特徴とする請求項１記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項３】
各々の双曲線状入口区域（１４）がその吸込み孔（１３）の円筒状区域（１５）に移行していることを特徴とする請求項１又は２記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項４】
双曲線状入口区域（１４）がその吸込み孔（１３）の円筒状区域（１５）に、連続的に或いは角部を形成して不連続的に移行していることを特徴とする請求項３記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項５】
吸込み孔（１３）の中に損耗要素として各々ボルト状デフレクタが突出していることを特徴とする請求項１から４の１つに記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項６】
少なくとも１つのプランジャ（１０）を備え、吸込み孔（１３）を介して相互に接続されている吸込み室（１１）およびポンプ室（１２）が、プランジャないし各プランジャ（１０）と、
第１位置において、プランジャないし各プランジャ（１０）が吸込み孔ないし各吸込み孔（１３）を閉鎖し、かくして吸込み室（１１）からポンプ室（１２）への燃料の流入を阻止し、
第２位置において、プランジャないし各プランジャ（１０）が吸込み孔ないし各吸込み孔（１３）を開き、かくして吸込み室（１１）からポンプ室（１２）への燃料の充填を可能にする
ように協働する内燃機関の燃料噴射ポンプにおいて、
吸込み孔或いは各吸込み孔（１３）が、吸込み室（１１）に隣接して段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域（１４）を有し、各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域（１４）が、吸込み室（１１）から出発してポンプ室（１２）に向けて次第に狭められたことを特徴とする内燃機関の燃料噴射ポンプ。
【請求項７】
各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域（１４）の裁頭円錐状区域（１８、１９）の開き角（β18、β19）が、各々の裁頭円錐状区域（１８、１９）が吸込み室（１１）に近ければ近い程大きくされたことを特徴とする請求項６記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項８】
各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域（１４）の裁頭円錐状区域（１８、１９）の開き角（18、γ19）が、裁頭円錐状区域（１８、１９）が吸込み室（１１）に近ければ近い程小さくされたことを特徴とする請求項６記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項９】
各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域と吸込み室との間に、円筒状区域が置かれたことを特徴とする請求項７又は８記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項１０】
各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域の互いに隣接する２つの裁頭円錐状区域間に、円筒状区域が置かれたことを特徴とする請求項６から９の１つに記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項１１】
各々段階的に裁頭円錐状に区分けされた入口区域（１４）が、その吸込み孔（１３）の円筒状区域（１５）に移行することを特徴とする請求項６から１０の１つに記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項１２】
入口区域の互いに隣接する裁頭円錐状区域間又は裁頭円錐状区域と、それに隣接する円筒状区域間に位置する角部が丸められたことを特徴とする請求項６から１１の１つに記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項１３】
吸込み孔（１３）内に、損耗要素として各々ボルト状デフレクタが突出することを特徴とする請求項６から１２の１つに記載の燃料噴射ポンプ。
【請求項１４】
複数のシリンダを備え、所定の噴射圧力下で燃料を各々のシリンダに噴射すべく、各シリンダに各々燃料噴射ポンプが付属する内燃機関において、
燃料噴射ポンプが請求項１から１３の１つに応じて形成されたことを特徴とする内燃機関。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多量の潤滑粘性油及び少量の１又は２以上の添加剤を含む潤滑油組成物を用いてエンジンクランクケース又はトランスミッションにおける銅腐食特性及び／又はニトリルシール適合性を改良する方法であって、
前記潤滑油組成物が、潤滑油組成物の全質量をベースとして、少なくとも０．１質量％、特には０．１５〜０．４０質量％、より詳細には０．２０〜０．３５質量％の硫黄含量を有し、前記潤滑油組成物に少なくとも１種の数平均分子量４５０〜２３００である非水素化オレフィンポリマー若しくはコポリマー、例えばポリブテン及び／又はポリイソブテンの有効量、例えば、前記潤滑油組成物の全質量をベースとして０．２〜１０．０質量％、好ましくは０．５〜５質量％、より好ましくは１．０〜２．５質量％を添加すること及び／又は導入することを含む、前記方法。
【請求項２】
潤滑粘性油の硫黄含量が、潤滑粘性油の全質量をベースとして０．００１〜０．１０質量％、好ましくは０．００５〜０．０５質量％であり、また場合により、添加剤の少なくとも１つが、潤滑油組成物の質量をベースとして少なくとも０．００５質量％の硫黄を提供する硫黄含有化合物を含んでいてもよい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
硫黄含有化合物を含む少なくとも１つの添加剤が、ジヒドロカルビルジチオホスフェートの金属塩、スルホネート清浄剤、硫化フェネート清浄剤、硫黄含有モリブデン化合物、無灰ジチオカルバメート、及びそれらの混合物より選ばれる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
潤滑油組成物が、潤滑油組成物の全質量をベースとして、
（ａ）０．５〜１．９質量％、例えば０．８〜１．１質量％、好ましくは０．９０〜１．０５質量％、例えば１．１質量％以下、好ましくは１．０５質量％以下の硫酸灰分（ＳＡＳＨ）含量；及び／又は
（ｂ）１５００ｐｐｍ未満、好ましくは１２５０ｐｐｍ未満、例えば５００〜１２５０ｐｐｍ、より好ましくは１２００ｐｐｍ未満、例えば５００〜１２００ｐｐｍ、更により好ましくは８５０ｐｐｍ未満、例えば５００〜８５０ｐｐｍのリン含量；
のうちの少なくとも１つ、好ましくは双方を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
潤滑油組成物が、前記潤滑油組成物１ｋｇあたり少なくとも９ｍｍｏｌ、例えば少なくとも１８ｍｍｏｌ、好ましくは少なくとも２４ｍｍｏｌ、例えば１２〜５０ｍｍｏｌ、好ましくは１８〜３３ｍｍｏｌのサリチレート石鹸を前記潤滑油組成物に提供する量のサリチレート清浄剤を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
潤滑油組成物が、前記潤滑油組成物において、０．０８〜０．３５質量％、例えば０．０９〜０．２５質量％、好ましくは０．１０〜０．２０質量％の窒素を提供する量の窒素含有分散剤及び／又は分散性粘度調整剤を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
潤滑油組成物のリン含量が、前記潤滑油組成物の全質量をベースとして、１５００ｐｐｍ未満、例えば５００〜１５００ｐｐｍ、好ましくは１２５０ｐｐｍ未満、例えば５００〜１２５０ｐｐｍ、より好ましくは１２００ｐｐｍ未満、例えば５００〜１２００ｐｐｍ、更により好ましくは８５０ｐｐｍ未満、例えば５００〜８５０ｐｐｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
潤滑粘性油が、潤滑油組成物の全質量をベースとして、少なくとも５０質量％、例えば少なくとも６０質量％、特には少なくとも７０質量％の鉱油を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
潤滑油組成物が、内燃エンジン、例えばヘビーデューティディーゼル（ＨＤＤ）エンジン用の動力伝達流体又はクランクケース潤滑油組成物であり、また場合により、前記組成物が、ＡＣＥＡ  Ｅ２−９６＃５、例えばＡＣＥＡ  Ｅ７−０４及びＡＰＩ  ＣＩ−４の少なくとも１つ、好ましくはＡＣＥＡ  Ｅ４−９９＃３、より好ましくはＡＣＥＡ  Ｅ６−０４及びＡＰＩ  ＣＪ−４の少なくとも１つの性能要件を満たす、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
非水素化オレフィン（コ）ポリマーが、４５０〜１３００、例えば４５０〜９５０の数平均分子量を有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
硫黄含量が少なくとも０．１５質量％、例えば０．１５〜０．４９質量％、好ましくは０．２０〜０．３５質量％であるクランクケース潤滑油又はトランスミッションオイル組成物であって、
多量の潤滑粘性油と、硫黄分を有する少なくとも１つの添加剤を含む少量の添加剤、及び少量、例えば少なくとも０．２質量％、例えば０．５〜５．０質量％、好ましくは１．０〜２．５質量％の数平均分子量４５０〜２３００である非水素化オレフィンポリマー、例えばポリブテン又はポリイソブテンとを含み、また場合により、以下の（ｉ）〜（ｖ）の１又は２以上を含んでいてもよい前記組成物：
（ｉ）ジヒドロカルビルジチオホスフェートの金属塩、スルホネート清浄剤、硫化フェネート清浄剤、硫黄含有モリブデン化合物、及び無灰ジチオカルバメートより選ばれる、硫黄含有添加剤；
（ｉｉ）組成物の質量をベースとして０．５〜１．９質量％の硫酸灰分（ＳＡＳＨ）含量；
（ｉｉｉ）組成物の質量をベースとして１５００ｐｐｍ未満、例えば５００〜１２５０ｐｐｍのリン含量；
（ｉｖ）組成物において０．０８〜０．３５質量％の窒素を提供する、窒素含有分散剤及び／又は分散性粘度調整剤；
（ｖ）組成物１ｋｇあたり少なくとも９ｍｍｏｌ、例えば１２〜５０ｍｍｏｌのサリチレート石鹸を提供するサリチレート清浄剤。
【請求項１２】
潤滑粘性油と混合した場合に請求項１１に記載の組成物が得られる多量の潤滑剤添加剤を含む、添加剤コンセントレート。
【請求項１３】
硫黄含有クランクケース潤滑油又はトランスミッションオイル組成物の銅腐食特性を改良するため、及び／又は、硫黄及び／又はサリチレート石鹸を含む潤滑油組成物とニトリルゴム、特にはニトリルゴムのエンジン及びトランスミッションシールとの間の適合性を改良するための、数平均分子量４５０〜２３００である非水素化オレフィンポリマー、好ましくはポリブテン又はポリイソブテンの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  少なくとも一種類のウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物、
（Ｂ）  少なくとも一種類のポリ（メタ）アクリレート化合物、
（Ｃ）  少なくとも一種類のポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物、
（Ｄ）  少なくとも一種類のシリコーンポリ（メタ）アクリレート化合物、
（Ｅ）  少なくとも一種類の可視光範囲のフリーラジカル重合開始剤、および
（Ｆ）  少なくとも一種類の紫外光範囲のフリーラジカル重合開始剤、
を含む放射線硬化性組成物。
【請求項２】
前記ウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物がウレタンジ（メタ）アクリレート化合物であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記ウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物がウレタンジアクリレートオリゴマーであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項４】
前記ウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約１０質量％から約３０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項５】
前記ポリ（メタ）アクリレート化合物がジアクリレートモノマーであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項６】
前記ポリ（メタ）アクリレート化合物がトリシクロデカンジメタノールジアクリレートモノマーであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項７】
前記ポリ（メタ）アクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約２０質量％から約４０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項８】
前記ポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物が一種類以上のポリエステルポリアクリレートであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項９】
前記ポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約２０質量％から約５０質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１０】
前記ポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物が、少なくとも一種類のアミン修飾ポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物と少なくとも一種類のポリエステルポリ（メタ）アクリレート化合物との混合物であることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１１】
前記アミン修飾ポリエステルポリアクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約５質量％から約２０質量％の量で存在し、前記ポリエステルポリアクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約１５質量％から約３５質量％の量で存在することを特徴とする請求項１０記載の組成物。
【請求項１２】
前記シリコーンポリ（メタ）アクリレート化合物が、前記組成物の総質量に基づいて、約０．１質量％から約３質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１３】
前記可視光範囲のフリーラジカル重合開始剤がビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルホスフィンオキシドであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１４】
前記可視光範囲のフリーラジカル重合開始剤が、前記組成物の総質量に基づいて、約０．５質量％から約７質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１５】
前記紫外光範囲のフリーラジカル重合開始剤が１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンであることを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１６】
前記紫外光範囲のフリーラジカル重合開始剤が、前記組成物の総質量に基づいて、約０．５質量％から約７質量％の量で存在することを特徴とする請求項１記載の組成物。
【請求項１７】
可視光プロジェクション・システムによって三次元固体物品を製造するのに有用な放射線硬化性組成物であって、該組成物が、
（Ａ）  少なくとも一種類のウレタンポリ（メタ）アクリレート化合物を約１０質量％から約３０質量％、
（Ｂ）  少なくとも一種類のジアクリレートモノマーを約２０質量％から約４０質量％、
（Ｃ１）  少なくとも一種類のアミン修飾ポリエステルポリアクリレート化合物を約１５質量％から約２０質量％、
（Ｃ２）  少なくとも一種類のポリエステルポリアクリレート化合物を約１５質量％から約３０質量％、
（Ｄ）  少なくとも一種類のシリコーンポリアクリレート化合物を約０．１質量％から約３質量％、
（Ｅ）  少なくとも一種類の可視光範囲のフリーラジカル重合開始剤を約０．５質量％から約７質量％、
（Ｆ）  少なくとも一種類の紫外光範囲のフリーラジカル重合開始剤を約０．５質量％から約７質量％、
を含み、前記質量％の全てが前記組成物の総質量に基づくものである硬化性組成物。