【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月2日(2013.10.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
本発明の基板の他の特徴を次に示す：
−前記透明導電層を伴う前記混合層の多層膜が、最大で３０％に等しいヘイズ値を有する；
−前記混合層が、前記透明導電層を伴うその結合面において、１０〜５０ｎｍの長さで５〜２０ｎｍの直径の不規則に配向した小ロッドからなる表面を有して、１０〜５０ｎｍのｒｍｓ粗さを形成し、そして滑らかな表面を有する以外は前記透明導電層を伴う前記混合層の同じ多層膜に対して５〜１０％の多層膜全体のヘイズ値の増加を生じさせる（光起電用途においては高度のヘイズ値が求められる）；
−少なくとも７５％、好ましくは８０％に等しい光透過率（人間の目の感度特性によって測定される可視光線透過率−標準ＩＳＯ９０５０）；
−基板の導電性面によってそれらの長さの全体にわたって電気的に接触している、同じ長さＬでこの長さＬだけ離れた２つの線形平行電極の端子において測定される電気抵抗として規定される５〜１０００Ωの表面抵抗Ｒ□；
−最大で１０％に等しい可視及び近赤外における吸収。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
特にガラスを透かして見ることができるために不可欠な本発明の基板の他の特徴を次に示す：
−前記透明導電層を伴う前記混合層の多層膜が５％未満、好ましくは１％未満のヘイズ値を有する；
−少なくとも８０％に等しい光透過率；
−１０〜１０００Ωの表面抵抗Ｒ□；
−反射光が中間色であり及び全ての場合に均一である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
次の多層膜が得られた：
ＳｎＯ2に向かうＳｉＯ2勾配／ＳｎＯ2（１０ｎｍ）／ＳｉＯ2（１０ｎｍ）を有する、ガラス／ＳｉＯ2（１０ｎｍ）／混合ＳｉＯＳｎ。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
７８％の光透過率、１０Ωに等しい表面抵抗、及び４％に等しいヘイズ値を有する層が得られた。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
得られた層は１０Ωの表面抵抗、８０％の光透過、及び１．５％のヘイズ値を有した。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電セルの電極を構成することができ及びドープした酸化物からなる透明導電層を伴う透明ガラス基板であって、ガラス基板及び透明導電層の間に、ガラスへの良好な付着性を有する１以上の第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドと、ドープした状態で、透明導電層を構成することができる１以上の第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドとの混合層が介在し、該混合層が、少なくとも０．０１に等しいＦ／Ｓｎのモル比を有することを特徴とする、透明ガラス基板。
【請求項２】
該混合層が、該ガラス基板から距離が増加するにつれて、該第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの比率が減少する方向に傾斜する組成物を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板。
【請求項３】
該混合層が、該ガラス基板から距離が増加するにつれて、該第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの比率が増加する方向に傾斜する組成物を有することを特徴とする、請求項１に記載の基板。
【請求項４】
少なくとも２００℃の温度において該基板の両面に少なくとも１００Ｖの電界を少なくとも１０分間加えて、試験温度における該ガラス基板の電気抵抗率の値に応じて少なくとも２ｍＣ／ｃｍ2の電荷の移動を生じさせる処理後２４時間以内に、機械的強度が影響を受けない、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板。
【請求項５】
該透明導電層を伴う該混合層の多層膜が最大で３０％に等しいヘイズ値を有することを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項６】
該混合層が、該透明導電層を伴うその結合面において１０〜５０ｎｍの長さで５〜２０ｎｍの直径の不規則に配向した小ロッドからなる表面を有して１０〜５０ｎｍのｒｍｓ粗さを形成することと、滑らかな表面を有する以外は該透明導電層を伴う該混合層の同じ多層膜に対して５〜１０％の多層膜全体のヘイズ値の増加を生じさせることとを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項７】
該透明導電層を伴う該混合層の該多層膜が少なくとも７５％に等しい光透過率を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項８】
該透明導電層を伴う該混合層の該多層膜が５〜１０００Ωの表面抵抗Ｒ□を有することを特徴とする、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板。
【請求項９】
該透明導電層を伴う該混合層の該多層膜が最大で１０％に等しい可視及び近赤外における吸収を有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１０】
１種または複数種の該第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドが、Ｓｉ、Ａｌ、及びＴｉの窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドから選択されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１１】
１種または複数種の該第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドが、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎの窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドから選択されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１２】
該透明導電層が、ＳｎＯ2：Ｆ、ＳｎＯ2：Ｓｂ、ＺｎＯ：Ａｌ、ＺｎＯ：Ｇａ、ＩｎＯ：Ｓｎ、及びＺｎＯ：Ｉｎからなる群から選択されるＳｎ、Ｚｎ、またはＩｎをドープした酸化物層からなることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１３】
該混合層が、最大で１００，０００Ωに等しい表面抵抗を有することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１４】
該混合層の厚みが２０〜５００ｎｍであることを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１５】
該ガラス基板側に位置する該混合層の面が、２〜２０ｎｍの厚みの１以上の第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドから専らなることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１６】
該ガラス基板側とは反対側に位置する該混合層の面が、２〜２０ｎｍの厚みの１以上の第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドから専らなることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１７】
ドープした酸化物からなる該透明導電層が、同じ酸化物で非ドープの層が介在した該混合層につなげられ、非ドープ酸化物及びドープ酸化物の２層の累積厚みが７００〜２０００ｎｍであり、２層の厚みの比率が１：４〜４：１であることを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１８】
３００〜６００ｎｍの厚みを有する該透明導電層がドープ酸化物からなり、該混合層上に直接形成されることを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の基板。
【請求項１９】
ドープ酸化物からなる該透明導電層が、光起電セルを構成するコーティングのさらなる堆積に対して該透明導電層を保護する層でコーティングされ、または酸化亜鉛及び酸化チタンからなる群から選択される光起電セルの量子効率を向上する層でコーティングされたことを特徴とする、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の基板。
【請求項２０】
該基板の両面のうち１面が、反射防止または疎水性または光触媒型の機能性を提供する多層膜でコーティングされていることを特徴とする、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の基板。
【請求項２１】
該混合層が、１以上の第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの結晶粒と混合した１以上の第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの結晶粒を含有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の基板。
【請求項２２】
該混合層が、１以上の第１の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドと、１以上の第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドとの混合結晶粒を含有することを特徴とする、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の基板。
【請求項２３】
透過型電子顕微鏡によって測定された該結晶粒の大きさが１０〜８０ｎｍであることを特徴とする、請求項２１または２２に記載の基板。
【請求項２４】
該混合層が、少なくとも１種のフッ素化合物の存在下で該第１及び第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの前駆体を該基板に接触させることからもたらされる、化学気相成長法による堆積によって得られる、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
【請求項２５】
該混合層が、プラズマ強化化学気相成長を用いることによって得られることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
該混合層が、最大で３００℃に等しい基板の温度において得られることを特徴とする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
該混合層が、少なくとも５００℃に等しい基板の温度において得られることを特徴とする、請求項２４に記載の方法。
【請求項２８】
該混合層が、該第１及び第２の窒化物またはオキシ窒化物または酸化物またはオキシカーバイドの相対的堆積速度を制御するための助剤の存在下で得られることを特徴とする、請求項２４〜２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
該少なくとも１種のフッ素化合物がテトラフルオロメタン（ＣＦ4）、オクタフルオロプロパン（Ｃ3Ｆ8）、ヘキサフルオロエタン（Ｃ2Ｆ6）、フッ化水素（ＨＦ）、ジフルオロクロロメタン（ＣＨＣｌＦ2）、ジフルオロクロロエタン（ＣＨ3ＣＣｌＦ2）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3）、ジクロロジフルオロメタン（ＣＦ2Ｃｌ2）、トリフルオロクロロメタン（ＣＦ3Ｃｌ）、トリフルオロブロモメタン（ＣＦ3Ｂｒ）、トリフルオロ酢酸（ＴＦＡ、ＣＦ3ＣＯＯＨ）、及びフッ化窒素（ＮＦ3）から選択されることを特徴とする、請求項２４〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板を有する光起電セル。
【請求項３１】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板を有し、最大で２０００ｍｍに等しい曲率半径を有する強化及び／または曲面ガラス。
【請求項３２】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板を有する付形加熱ガラス。
【請求項３３】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板を有するプラズマスクリーン。
【請求項３４】
請求項１〜２３のいずれか一項に記載の基板を有する平面ランプの電極。