【手続補正書】
【提出日】平成21年4月16日(2009.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面方位が（１００）のランタンニッケルオキサイドからなる下地層と、
前記下地層上に設けられ、面方位が（１００）の白金からなる下電極と、前記下電極上に設けられ、面方位が（１００）配向の強誘電体層からなる圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子と、
を具備することを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項２】
少なくとも酸化ジルコニウムからなる層を有するバッファ層をさらに備え、前記下地層は前記バッファ層上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のアクチュエータ装置。
【請求項３】
シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に設けられた二酸化シリコンからなる層とをさらに備え、前記バッファ層は前記二酸化シリコンからなる層上に設けられていることを特徴とする請求項２に記載のアクチュエータ装置。
【請求項４】
前記圧電体層は、エピタキシャル成長により形成されたものであることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項５】
前記圧電体層は正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項６】
前記バッファ層は、前記下地層との密着力を高める層を具備することを特徴とする請求項２又は３に記載のアクチュエータ装置。
【請求項７】
前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、マグネシウム酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛との固溶体及びリラクサ強誘電体から選択される何れか一種からなる単結晶強誘電体薄膜、又は面内無配向で基板方線方向に配向した多結晶強誘電体薄膜であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項８】
前記単結晶強誘電体薄膜又は、前記多結晶強誘電体薄膜が点欠陥を有することを特徴とする請求項７に記載のアクチュエータ装置。
【請求項９】
前記シリコン単結晶基板は、面方位が（１１０）であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載のアクチュエータ装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか一項に記載のアクチュエータ装置を、前記基板に形成された圧力発生室に当該圧力発生室内の液体をノズル開口から吐出させるための圧力を発生させる圧力発生手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項１１】
請求項１０に記載の液体噴射ヘッドを有することを特徴とする液体噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、面方位が（１００）のランタンニッケルオキサイドからなる下地層と、前記下地層上に設けられ、面方位が（１００）の白金からなる下電極と、前記下電極上に設けられ、面方位が（１００）配向の強誘電体層からなる圧電体層と、前記圧電体層上に設けられた上電極とからなる圧電素子と、を具備することを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１の態様では、面方位（１００）であるランタンニッケルオキサイド（ＬＮＯ）からなる下地層上に白金（Ｐｔ）からなる下電極を成長させることにより、白金（Ｐｔ）からなる下電極の面方位が（１００）に制御され、さらにこの面方位が（１００）である白金（Ｐｔ）からなる下電極上に圧電体層をエピタキシャル成長させることにより、圧電体層を結晶歪みのない面方位（１００）に成長させることができ、分極方向の揺らぎを抑えた、歪みのない状態のアクチュエータ装置となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の第２の態様は、少なくとも酸化ジルコニウムからなる層を有するバッファ層をさらに備え、前記下地層は前記バッファ層上に設けられていることを特徴とする第１の態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第２の態様では、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなるバッファ層が、振動板としての剛性を保持すると共に圧電体層から鉛（Ｐｂ）が溶出しても、鉛（Ｐｂ）が該バッファ層の下に設けられる層まで拡散するのを防ぐことができ、アクチュエータ装置の耐久性がより確実に向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第３の態様は、シリコン単結晶基板と、前記シリコン単結晶基板上に設けられた二酸化シリコンからなる層とをさらに備え、前記バッファ層は前記二酸化シリコンからなる層上に設けられていることを特徴とする第２の態様に記載のアクチュエータ装置にある。
本発明の第４の態様は、前記圧電体層は、エピタキシャル成長により形成されたものであることを特徴とする第１〜３の何れか一つの態様に記載のアクチュエータ装置にある。
本発明の第５の態様は、前記圧電体層は正方晶系、単斜晶系、及び菱面体晶系からなる群から選択される少なくとも一種の結晶系が他の結晶系に優先している結晶系を有することを特徴とする第１〜４の何れか一つの態様に記載のアクチュエータ装置にある。
本発明の第６の態様は、前記バッファ層は、前記下地層との密着力を高める層を具備することを特徴とする第２又は３の態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第６の態様では、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる層を設けることで、振動板としての剛性を保持すると共に圧電体層から鉛（Ｐｂ）が溶出しても、鉛（Ｐｂ）が該バッファ層の下に設けられる層まで拡散するのを防ぐことができ、さらに密着力を高める層を設けることで酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）からなる層と、結晶性が高いランタンニッケルオキサイド（ＬＮＯ）からなる下地層との密着力を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第７の態様は、前記圧電体層は、チタン酸ジルコン酸鉛、チタン酸バリウム、チタン酸バリウムストロンチウム、マグネシウム酸ニオブ酸鉛とチタン酸鉛との固溶体及びリラクサ強誘電体から選択される何れか一種からなる単結晶強誘電体薄膜、又は面内無配向で基板方線方向に配向した多結晶強誘電体薄膜であることを特徴とする第１〜６の何れか一つの態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第７の態様では、実用に十分な電界誘起歪みを得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の第８の態様は、前記単結晶強誘電体薄膜又は、前記多結晶強誘電体薄膜が点欠陥を有することを特徴とする第７の態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第８の態様では、小さな電圧で大きな歪みを得ることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の第９の態様は、前記シリコン単結晶基板は、面方位が（１１０）であることを特徴とする第１〜８の何れか一つの態様に記載のアクチュエータ装置にある。
かかる第９の態様では、基板の面方位が（１１０）であっても、面方位（１００）のランタンニッケルオキサイド（ＬＮＯ）からなる下地層を具備することにより、下電極の面方位が（１００）配向となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の第１０の態様は、第１〜９の何れか一つの態様に記載のアクチュエータ装置を、前記基板に形成された圧力発生室に当該圧力発生室内の液体をノズル開口から吐出させるための圧力を発生させる圧力発生手段として具備することを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第１０の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドとなる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様に記載の液体噴射ヘッドを有することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第１１の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドを有する液体噴射装置となる。