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【手続補正書】
【提出日】平成21年3月10日(2009.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、複数の不揮発性のＭＯＳトランジスタからなるメモリセルを縦横に配置してメモリセルアレイとし、前記メモリセルのゲートをワード線に接続し、前記メモリセルのドレインをビット線に接続してなる不揮発性半導体記憶装置において、
前記メモリセルアレイを、複数ビット幅を有する一括消去単位の複数のブロックに区分するとともに各ブロックをビット線方向に配置し、各ブロックに、ブロック内のメモリセルのソース同士を接続するブロック内ソース線を設け、
前記ビット線方向に延びる複数のブロック外ソース線を前記ワード線方向にほぼ等間隔に配置し、
ソース線ドライバを前記ブロック毎に設けて、該ソース線ドライバおよび前記ブロック内ソース線を介して前記メモリセルのソースに電位を供給する第１の経路と、
ブロックソース線選択素子を前記ブロック毎に前記ブロック内ソース線と前記ブロック外ソース線との間に設けて、前記ブロック外ソース線、前記ブロックソース線選択素子、および前記ブロック内ソース線を介して前記メモリセルのソースに電位を供給する第２の経路と、
をそれぞれ構成し、
前記メモリセルの消去時には前記一括消去の対象となっているブロックに対応するブロックソース線選択素子を非導通にして前記第２の経路を遮断して前記メモリセルのソースに与えられる電位は前記ソース線ドライバにより前記ブロック内ソース線を介した前記第１の経路によって印加されるものであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上にモリブデンを含む層によって逆スタッガード型ＴＦＴのソース／ドレイン電極層を形成し、
前記モリブデンを含む層が露出した状態において、前記基板に対し、少なくとも窒素ガスを用いた大気圧プラズマ処理を行い、
前記大気圧プラズマ処理後、前記ＴＦＴのチャネルが露出した状態で洗浄を行なう基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
基板上に形成された逆スタッガード型ＴＦＴのモリブデンを含むソース／ドレイン電極層において、
前記モリブデンを含むソース／ドレイン電極層の表面に形成されたモリブデン窒化物を有する配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリアルバスを介したデータ転送のためのマクロセルであって、ホスト動作に必要な回路とデバイス動作に必要な回路とを有する少なくとも１つのコモントランシーバマクロセルを含み、
前記コモントランシーバマクロセルは、
前記シリアルバスを介してデータを送受信するための回路を有するアナログフロントエンド回路と、
論理層回路を含み、
前記アナログフロントエンド回路は、
第１の転送モードで前記シリアルバスを介してデータを送信する第１の転送モード用送信回路と、
前記第１の転送モードよりもデータ転送が高速な第２の転送モードで前記シリアルバスを介してデータを送信する第２の転送モード用送信回路と、
前記第２の転送モードよりもデータ転送が高速な第３の転送モードで前記シリアルバスを介してデータを送信する第３の転送モード用送信回路と、
前記シリアルバスを構成する差動データ信号線の第１の信号線に接続される第１のシングルエンド受信回路と、
前記差動データ信号線の第２の信号線に接続される第２のシングルエンド受信回路と、
前記第２の転送モードで前記シリアルバスを介してデータを受信する第２の転送モード用受信回路と、
前記第３の転送モードで前記シリアルバスを介してデータを受信する第３の転送モード用受信回路と、
前記差動データ信号線のデータの有効、無効を検出する第１の検出回路と、
前記シリアルバスの切断検出を行う第２の検出回路と、
前記差動データ信号線の第１の信号線をプルアップするためのプルアップ回路と、
前記差動データ信号線の第１の信号線をプルダウンするための第１のプルダウン回路と、
前記差動データ信号線の第２の信号線をプルダウンするための第２のプルダウン回路を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記アナログフロントエンド回路は、
前記シリアルバスを構成する電源線の電圧を監視し、前記電源線の電圧が所定電圧を超えた場合に検出信号をアクティブにする第３の検出回路を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第１転送モード用送信回路は、
前記差動データ信号線の第１の信号線を駆動する第１の送信ドライバと、前記差動データ信号線の第２の信号線を駆動する第２の送信ドライバを含み、
前記第２転送モード用送信回路は、
前記差動データ信号線の第１の信号線を駆動する第３の送信ドライバと、前記差動データ信号線の第２の信号線を駆動する第４の送信ドライバを含み、
第１の転送モード用の前記第１の送信ドライバを構成する第１のＰ型トランジスタと、第２の転送モード用の前記第３の送信ドライバを構成する第３のＰ型トランジスタが、第１のＰ型トランジスタ領域に形成され、
第１の転送モード用の前記第１の送信ドライバを構成する第１のＮ型トランジスタと、第２の転送モード用の前記第３の送信ドライバを構成する第３のＮ型トランジスタが、第１のＮ型トランジスタ領域に形成され、
第１の転送モード用の前記第２の送信ドライバを構成する第２のＰ型トランジスタと、第２の転送モード用の前記第４の送信ドライバを構成する第４のＰ型トランジスタが、第２のＰ型トランジスタ領域に形成され、
第１の転送モード用の前記第２の送信ドライバを構成する第２のＮ型トランジスタと、第２の転送モード用の前記第４の送信ドライバを構成する第４のＮ型トランジスタが、第２のＮ型トランジスタ領域に形成されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のＰ型トランジスタ領域と前記第１のＮ型トランジスタ領域が隣接して形成され、
前記第２のＰ型トランジスタ領域と前記第２のＮ型トランジスタ領域が隣接して形成されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項５】
請求項３又は４において、
前記第１、第３の送信ドライバの出力ノードが接続される第１のノードと、前記第１の信号線との間に設けられる第１のダンピング抵抗と、
前記第２、第４の送信ドライバの出力ノードが接続される第２のノードと、前記第２の信号線との間に設けられる第２のダンピング抵抗を含み、
前記第１のダンピング抵抗が、前記第１のＮ型トランジスタ領域に隣接する第１の抵抗領域に形成され、
前記第２のダンピング抵抗が、前記第２のＮ型トランジスタ領域に隣接する第２の抵抗領域に形成されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれかにおいて、
前記第１、第３の送信ドライバの出力ノードが接続される第１のノードと、第２の電源との間に設けられる第１の終端抵抗回路と、
前記第２、第４の送信ドライバの出力ノードが接続される第２のノードと、前記第２の電源との間に設けられる第２の終端抵抗回路とを含み、
前記第１の終端抵抗回路を構成するＮ型トランジスタが、前記第１のＮ型トランジスタ領域に形成され、
前記第２の終端抵抗回路を構成するＮ型トランジスタが、前記第２のＮ型トランジスタ領域に形成されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１、第２の終端抵抗回路の終端抵抗値を可変に制御する終端抵抗制御回路を含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれかにおいて、
前記第１のＰ型トランジスタ及び前記第３のＰ型トランジスタは前記第１のＰ型トランジスタ領域において並んで配置され、
前記第１のＮ型トランジスタ及び前記第３のＮ型トランジスタは前記第１のＮ型トランジスタ領域において並んで配置され、
前記第２のＰ型トランジスタ及び前記第４のＰ型トランジスタは前記第２のＰ型トランジスタ領域において並んで配置され、
前記第２のＮ型トランジスタ及び前記第４のＮ型トランジスタは前記第２のＮ型トランジスタ領域において並んで配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記コモントランシーバマクロセルを、ホスト用のトランシーバマクロセルとして使用するか、デバイス用のトランシーバマクロセルとして使用するかを設定するための情報を記憶する設定情報レジスタを含むことを特徴とする集積回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記コモントランシーバマクロセルが、集積回路装置の側辺部に配置されることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
複数の前記コモントランシーバマクロセルを含み、
集積回路装置の１つの側辺部に複数のコモントランシーバマクロセルが配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、
複数の前記コモントランシーバマクロセルを含み、
集積回路装置の第１〜第４の側辺部のうちの少なくとも２つの側辺部に、少なくとも１つの前記コモントランシーバマクロセルが配置されていることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記シリアルバスはＵＳＢ（Universal Serial Bus）であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかに記載の集積回路装置と、
前記集積回路装置を制御する処理部と、
を含むことを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
小判または円形筒状の金属外環およびこの金属外環の内側で高融点ガラスの絶縁材を介在して貫通するリード部材を有し、前記金属外環と前記リード部材を絶縁離間して気密封着した金属ベースを使用した金属パッケージであって、前記リード部材が表面にメタライジング導電パターンを有し、Ａｌ２Ｏ３を９０ｗｔ％以上含むセラミック材のセラミックセグメントからなることを特徴とする金属パッケージ。
【請求項２】
前記金属外環はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏの金属およびこれらの金属を主成分とする合金を含む群から選ばれ、前記メタライジング導電パターンは主成分にＷ、ＭｏまたはＭｎから選ばれた金属を含み、前記リード部材のターミナルに少なくともＮｉめっきを施した電極部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の金属パッケージ。
【請求項３】
Ａｌ２Ｏ３を９０ｗｔ％以上含むセラミック材のグリーンシートを成膜する成膜工程、前記グリーンシートに主幹部と多数の分岐部を設けて櫛状に成形する成形工程、前記分岐部に導電ペースト材を所定のパターンで印刷する印刷工程、メタライジング導電パターンを有する複数個のセラミックセグメントとなる、フレーム体に連結する櫛状セラミック体を作製する前記グリーンシートの焼結工程、前記複数個のセラミックセグメントを複数個の金属外環の内側に貫通配置し、高融点ガラスの絶縁材と共に組み込んで加熱する気密封着工程、冷却後に前記金属外環の内側に前記絶縁材を介在して貫通する前記複数個のセラミックセグメントを前記フレーム体から切断分離し、リード部材が前記金属外環に絶縁離間して気密封着した金属ベースを得る仕上工程、前記リード部材の電極部に電子部品素子を装着する実装工程、および前記金属外環の外側に金属キャップを気密封止する封止工程を含む金属パッケージの製造方法。
【請求項４】
前記導電ペースト材はＷ、ＭｏまたはＭｎを主成分に含み、その上にＮｉめっきが施され、前記金属外環および前記絶縁材は前記セラミックセグメントと熱膨張特性が整合する材料として、前記セラミックセグメント、前記金属外環および前記絶縁材の加工作業温度における熱膨張率の近似する材料を選択し、前記仕上工程は前記メタライジング導電パターンのＮｉめっき部分にＣｕめっきまたはＮｉめっき、およびその上にＡｕめっきまたは半田めっきを施して前記リード部材の電極部を形成するめっき工程を含むことを特徴とする請求項３に記載の金属パッケージの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系と基板との間に液体が供給された状態で該基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系と前記基板との間に供給された液体を吸引して回収するための回収路を備え、
前記回収路は、該吸引される液体を細分化する細分化機構を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記細分化機構は、スプレーノズルを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記細分化機構は、オリフィスを含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記回収路は、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含み、前記オリフィスは、前記回収ノズルに設けられていることを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記細分化機構は、前記回収路に向けて気体を吹き込む噴射部を含み、前記回収路を流れる液体を前記気体によって細分化することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記噴射部が前記回収路に気体を吹き込む方向と前記回収路を通して液体を回収する方向とが鋭角を成すことを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
一対の前記噴射部が前記回収路を挟むように配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記噴射部が前記回収路の一方の側にのみ配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項９】
前記噴射部に気体を供給する気体供給部を更に備え、前記気体供給部は、前記噴射部から噴射される気体の流量を制御する制御器を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１０】
噴射部に気体を供給する気体供給部を更に備え、前記気体供給部は、前記噴射部に供給する気体の温度を制御する制御器を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１１】
噴射部に気体を供給する気体供給部を更に備え、前記気体供給部は、前記噴射部に供給する気体の湿度を制御する制御器を含むことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記回収路は、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含み、前記噴射部は、前記回収ノズルの途中に配置されていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１３】
前記回収路は、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含み、前記噴射部は、前記減圧空間に配置されていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記回収路は、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含み、前記噴射部は、前記回収管の途中に配置されていることを特徴とする請求項５乃至１１のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項１５】
投影光学系と基板との間に液体が供給された状態で該基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系と前記基板との間に供給された液体を吸引して回収するための回収路を備え、
前記回収路に水流ポンプとして機能する液体の流れが形成されることによって前記液体が吸引されることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
デバイス製造方法であって、
請求項１乃至１５のいずれ１項に記載の露光装置を使って、感光剤が塗布された基板にパターンを転写する工程と、
前記感光剤を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１の側面は、投影光学系と基板との間に液体が供給された状態で該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置が、前記投影光学系と前記基板との間に供給された液体を吸引して回収するための回収路を備え、前記回収路は、該吸引される液体を細分化する細分化機構を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収路は、例えば、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含み、前記オリフィスは、前記回収ノズルに設けられうる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の好適な実施形態によれば、前記回収路は、前記投影光学系と前記基板との間に開口した回収ノズルと、前記回収ノズルに連通した減圧空間と、前記減圧空間と真空源とを連通させる回収管とを含みうる。前記噴射部は、前記回収ノズルの途中、又は、前記減圧空間、又は、前記回収管の途中に配置されうる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第２の側面は、投影光学系と基板との間に液体が供給された状態で該基板を露光する露光装置に係り、前記露光装置が前記投影光学系と前記基板との間に供給された液体を吸引して回収するための回収路を備え、前記回収路に水流ポンプとして機能する液体の流れが形成されることによって前記液体が吸引されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光を透過する基板と、アルカリ金属を含む光電子放出層と、前記基板と前記光電子放出層との間に形成された中間層とを備え、
前記中間層が酸化ハフニウムからなることを特徴とする光電面。
【請求項２】
前記中間層と前記光電子放出層との間に下地層が形成されていることを特徴とする請求項１記載の光電面。
【請求項３】
前記光電子放出層は、アンチモンとアルカリ金属との化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の光電面
【請求項４】
前記アルカリ金属は、セシウム、カリウム、またはナトリウムである請求項１又は２記載の光電面。
【請求項５】
前記光電子放出層は、Ｎａ−Ｋ−ＣｓＳｂからなることを特徴とする請求項１又は２記載の光電面。
【請求項６】
前記光電子放出層は、Ｎａ−ＫＳｂからなることを特徴とする請求項１又は２記載の光電面。
【請求項７】
前記光電子放出層は、Ｋ−ＣｓＳｂからなることを特徴とする請求項１又は２記載の光電面。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項記載の光電面と、
前記光電面から放出された電子を収集する陽極と、
前記光電面及び前記陽極を収納する容器と、
を備えることを特徴とする電子管。
【請求項９】
入射光を透過する基板上に、酸化ハフニウムからなる中間層を形成する工程と、
前記中間層の前記基板に接する面と反対側に、アルカリ金属を含む光電子放出層を形成する工程と、を備えることを特徴とする光電面の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】    【請求項１】  上方および下方の溶接電極の間で被溶接物に溶接電源により電圧を印加することにより加圧通電して、前記被溶接物を結合する抵抗溶接機において、前記下方の溶接電極を、前記溶接電源の一方の極に導電性端子を介して接続され、しかも表面が平坦で導電性をもつ作業面として構成し、この作業面を溶接時の加圧力が支持できるベ−ス台の表面上に絶縁材を介して設けるとともに、このベース台から前記導電性端子を管状材によって絶縁し、前記上方の溶接電極を、前記溶接電源の他方の極に接続され先端に溶接チップを取付けた少なくとも２つの溶接ガンとして構成し、これら溶接ガンのうちの一つを上下の昇降により被溶接物を加圧する昇降ガンとして構成する一方、他の溶接ガンの一つを、前記ベ−ス台の作業面上におかれた被溶接物に側方から近接して先端の溶接チップにより溶接する横向きガンとして構成することを特徴とする金属材組立用抵抗溶接機。    【請求項２】  前記昇降ガンに、上方から下向きの加圧力を加える加圧装置と、この加圧装置に連結されて前記下向きの加圧力により下降する溶接ホルダと、この溶接ホルダの下端に取付けられて被溶接物を加圧する溶接チップとを設けることを特徴とする請求項１記載の金属材組立用抵抗溶接機。    【請求項３】  前記横向きガンに、上方から下向きの加圧力を加える加圧装置と、この加圧装置からの前記下向きの加圧力をその方向を変換させて伝達する変向装置と、この変向された加圧力により被溶接物を加圧する溶接チップとを設けることを特徴とする請求項１記載の金属材組立用抵抗溶接機。    【請求項４】  前記加圧装置を液体圧又は気体圧で作動するシリンダ装置から構成することを特徴とする請求項１、２又は３記載の金属材組立用抵抗溶接機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体の内側に配置された第２の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体とを接続する複数の第１の導体と
を有し、少なくとも高周波磁場パルスを発生する高周波コイルにおいて、
前記高周波磁場パルスを均一化するための均一化導体であって、前記第１の導体に接続されて該第１の導体に流れる電流を分流する導体を備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項２】
第１の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体の内側に配置された第２の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体とを接続する複数の第１の導体と
を有し、少なくとも高周波磁場パルスを発生する高周波コイルにおいて、
前記高周波磁場パルスを均一化するための均一化導体であって、前記第１の導体と前記第２の閉曲線状導体とに接続された導体を備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項３】
請求項1に記載の高周波コイルにおいて、
前記均一化導体の他端は、前記第２の閉曲線状導体に接続されていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の高周波コイルにおいて、
前記均一化導体は、前記第１の導体に接続された第２の導体と、前記第２の導体と前記第２の閉曲線状導体とに接続された１以上の第３の導体と、を有していることを特徴とする高周波コイル。
【請求項５】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記第２の導体は、前記第１の導体の略中央の位置で接続されていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項６】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記第２の導体は、前記第１の導体の略中央と前記第１の閉曲線状導体との間の位置で接続されていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項７】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記第３の導体の長さは、前記第１の導体の前記第２の閉曲線状導体との接続点から前記第２の導体との接続点迄の長さと略等しいことを特徴とする高周波コイル。
【請求項８】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記第１の導体の少なくとも１つは、前記第２の導体を複数備え、
前記第３の導体は、前記複数の第２の導体の各々と接続されていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項９】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記第２の導体と前記第３の導体とは、第４の導体を介して接続されていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項１０】
請求項１に記載の高周波コイルにおいて、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体のうちの少なくとも一方は、略リング状の形状を有することを特徴とする高周波コイル。
【請求項１１】
請求項１に記載の高周波コイルにおいて、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体のうちの少なくとも一方は、略多角形の形状を有することを特徴とする高周波コイル。
【請求項１２】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
前記複数の第１の導体のうちの少なくとも１つは、前記第２の導体と前記第１の閉曲線状導体との間に共振容量素子を備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項１３】
請求項４に記載の高周波コイルにおいて、
隣接する２つの前記第３の導体の各々に接続された少なくとも１つの共振容量素子を備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項１４】
第１の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体の内側に配置された第２の閉曲線状導体と、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体とを接続する複数の接続導体と
を有し、少なくとも高周波磁場パルスを発生する高周波コイルにおいて、
前記第１の閉曲線状導体と前記第２の閉曲線状導体との間に、複数の導体と複数の容量素子とを有して成り、前記複数の接続導体の各々に接続されて、前記第２の閉曲線状導体を囲む、実質的な導電ループを備えていることを特徴とする高周波コイル。
【請求項１５】
静磁場を発生する静磁場発生装置と、前記静磁場に傾斜磁場を発生する傾斜磁場発生コイルと、前記静磁場に配置された被検体に核磁気共鳴を誘起するための高周波磁場パルスを発生する照射コイルと、前記核磁気共鳴により発生するエコー信号を受信する受信コイルと、前記エコー信号を用いて前記被検体の画像を再構成する信号処理手段と、を備えた磁気共鳴イメージング装置において、
前記照射コイルとして、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の高周波コイルを備えたことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１色のインクを利用して記録可能な記録ヘッドをキャリッジに搭載し、前記キャリッジを記録媒体上で走査させて前記記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置であって、
前記記録ヘッドの温度を検出するヘッド温度検出手段と、
前記記録媒体の領域を所定単位に複数に分割することで得られる分割領域毎に、該分割領域に形成されるドット数をカウントするドットカウント手段と、
前記ヘッド温度検出手段により検出された記録ヘッドの温度の情報に対応する閾値と前記ドットカウント手段によってカウントされたカウント値とを比較する比較手段と、
前記比較手段における比較の結果に基づいて、前記記録ヘッドを駆動する駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を決定する決定手段とを備え、
前記決定手段において決定された駆動周波数及び移動速度にて前記記録媒体への画像の記録を行うことを特徴とするインクジェット記録装置。
【請求項２】
前記比較手段は、前記ドットカウント手段によって分割領域毎にカウントされた複数のカウント値のうちの最大値と、前記閾値とを比較することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記比較手段における比較の結果、前記カウント値が前記閾値よりも大きい場合には、前記駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を低減することを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項４】
前記インクが複数色の場合に、前記閾値は前記インクの色毎に設定され、
前記ドットカウント手段は、各色ごとにカウントを行い、
前記決定手段は、前記複数色のインクのいずれかについて前記カウント値が前記閾値より大きい場合に、全ての色のインクに対応した記録ヘッドについて前記駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を低減することを特徴とする請求項２に記載のインクジェット記録装置。
【請求項５】
前記比較手段は、前記ドットカウント手段によって分割領域毎にカウントされた複数のカウント値のうち前記閾値を越えるものの数を計数し、
前記決定手段は、前記比較手段における計数結果が所定数を越える場合に、前記記録ヘッドを駆動する駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を低減することを特徴とする請求項１に記載のインクジェット記録装置。
【請求項６】
前記分割領域は、前記キャリッジの一度の走査で記録可能な１バンドに対応する領域を前記キャリッジの走査の方向に複数に分割することで得られる領域であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項７】
前記分割領域は、前記記録媒体上の全記録領域を、前記キャリッジの走査の方向および当該走査の方向と直交する副走査の方向の両方について複数に分割することで得られる領域であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録装置。
【請求項８】
少なくとも１色のインクを利用して記録可能な記録ヘッドをキャリッジに搭載し、前記キャリッジを記録媒体上で走査させて前記記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置の制御方法であって、
前記記録ヘッドの温度を検出するヘッド温度検出工程と、
前記記録媒体の領域を所定単位に複数に分割することで得られる領域毎に、該分割領域に形成されるドット数をカウントするドットカウント工程と、
前記ヘッド温度検出工程において検出された記録ヘッドの温度の情報に対応する閾値と前記ドットカウント工程によってカウントされたカウント値とを比較する比較工程と、
前記比較工程における比較の結果に基づいて、前記記録ヘッドを駆動する駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を決定する決定工程とを備え、
前記決定工程において決定された駆動周波数及び移動速度にて前記記録媒体への画像の記録を行うことを特徴とするインクジェット記録装置の制御方法。
【請求項９】
前記比較工程では、前記ドットカウント工程において分割領域毎にカウントされた複数のカウント値のうちの最大値と、前記閾値とが比較されることを特徴とする請求項８に記載のインクジェット記録装置の制御方法。
【請求項１０】
前記決定工程では、前記比較工程における比較の結果、前記カウント値が前記閾値よりも大きい場合には、前記駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度が低減されることを特徴とする請求項９に記載のインクジェット記録装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータに、記録ヘッドを用いて記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置を制御するための制御方法を実行させるためのコンピュータプログラムであって、
前記方法は、
前記記録ヘッドの温度を検出するヘッド温度検出工程と、
前記記録媒体の領域を所定単位に複数に分割することで得られる領域毎に、該分割領域に形成されるドット数をカウントするドットカウント工程と、
前記ヘッド温度検出工程において検出された記録ヘッドの温度の情報に対応する閾値と前記ドットカウント工程によってカウントされたカウント値とを比較する比較工程と、
前記比較工程における比較の結果に基づいて、前記記録ヘッドを駆動する駆動周波数及び前記キャリッジの移動速度を決定する決定工程と
を備える。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板の一部分との間のみに満たされた液体を介して前記基板を露光する露光装置において、
前記基板を吸着保持するチャックと、
前記チャックが持つ流路に流した液体を、前記投影光学系と前記基板との間に供給する液体供給装置と、を有し、
前記液体の温度は前記液体が前記流路を通過することにより前記チャックと等しくなり、前記チャックと等しい温度の前記液体が前記投影光学系と前記基板との間に供給されることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記チャックの温度を調整するための温度調整装置を更に有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記チャックは、前記流路とは異なる第２の流路を持ち、
前記温度調整装置は、前記第２の流路に流体を流すことにより前記チャックの温度を調整することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記チャックの温度を検出するセンサを更に備え、
前記液体供給装置は、前記センサの出力に基づいて前記チャックの流路に供給する液体の温度を調整する温度調整ユニットを有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項５】
前記投影光学系は、該投影光学系の前記液体を介して前記基板と対向するレンズの近傍に設けられた流路を持ち、
前記液体供給装置は、前記チャックが持つ流路を流れた液体を、前記投影光学系が持つ流路にも流すことを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、マスクのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系と前記基板の一部分との間のみに満たされた液体を介して前記基板を露光する露光装置において、前記基板を吸着保持するチャックと、前記チャックが持つ流路に流した液体を、前記投影光学系と前記基板との間に供給する液体供給装置と、を有し、前記液体の温度は前記液体が前記流路を通過することにより前記チャックと等しくなり、前記チャックと等しい温度の前記液体が前記投影光学系と前記基板との間に供給されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルのパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最終レンズと前記基板の一部分との間のみに充填された液体を介して前記基板を露光する露光装置において、
前記最終レンズを支持する支持部材と、
前記支持部材の温度を調整する温度調整装置と、を有し、
前記温度調整装置は、前記支持部材の温度の調整を行うことによって、前記最終レンズの温度の調整を行い、前記液体の温度を調整することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記温度調整装置は、前記支持部材が持つ流路に温度を調整した流体を供給することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板を保持する保持部材と、
前記保持部材が持つ流路に温度を調整した流体を供給する第２の温度調整装置と、を有することを特徴とする請求項１または２記載の露光装置。
【請求項４】
前記保持部材が持つ流路は、複数の分割した流路を有し、
前記第２の温度調整装置は、前記複数の分割した流路の夫々を流れる前記流体の温度を独立に調整することを特徴とする請求項３記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２の温度調整装置は、露光位置情報に基づいて、前記複数の分割した流路毎にその流路を流れる前記流体の温度を調整することを特徴とする請求項４記載の露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、該露光された基板を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一側面としての露光装置は、レチクル（マスク）のパターンを基板に投影する投影光学系を備え、前記投影光学系の最終レンズと前記基板の一部分との間のみに充填された液体を介して前記基板を露光する露光装置において、前記最終レンズを支持する支持部材と、前記支持部材の温度を調整する温度調整装置と、を有し、前記温度調整装置は、前記支持部材の温度の調整を行うことによって、前記最終レンズの温度の調整を行い、前記液体の温度を調整することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技機本体枠の一側を回動軸として回動可能にガラス板保持枠が取り付けられ、該ガラス板保持枠は、裏側に備えた保持部材を介してガラス板を着脱可能に保持し、
前記保持部材は、
前記ガラス板保持枠の回動軸側に備えた回動軸側保持部材と、
開放側に備えた開放側保持部材及び下部分側に備えた下部分側保持部材とで構成されるとともに、上部分を開放することによりガラス板嵌装可能部を構成し、
ガラス板を前記ガラス板嵌装可能部の上方より嵌装する遊技機において、
前記回動軸側保持部材と開放側保持部材の間隔は、
ガラス板を前記ガラス板嵌装可能部の上方から前記開放側保持部材に沿って嵌装するとともに、下部分側保持部材に沿ってガラス板保持枠に対して平行移動させ、前記回動軸側保持部材に当接させることによりガラス板取付位置に取り付けるための移動空間を確保して構成されており、
前記ガラス板保持枠に配設され、開放側から回動軸側に向けて移動可能な移動補助部材を有し、
前記ガラス板は、前記移動補助部材を開放側から回動軸側へと移動させることにより、回動軸側のガラス板取付位置へと移動させられ、
該移動補助部材は、ガラス板保持枠からの脱落を防止する脱落防止部を備えたことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
脱落防止部は、移動補助部材と一体成形されていることを特徴とする請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
ガラス板保持枠及び脱落防止部のうちのいずれか一方には、弾性変形可能な脱落防止用係止片を備えるとともに、他方には前記脱落防止用係止片に係止される脱落防止用係止受部を備え、
移動補助部材は、前記脱落防止用係止片を操作することにより、前記脱落防止用係止受部より離脱してガラス板保持枠に対して取り外し可能としたことを特徴とする請求項１又は２に記載の遊技機。
【請求項４】
移動補助部材は、ガラス板をガラス板取付位置にて保持するために、ガラス板保持枠の所定位置に保持される保持部が備えられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の遊技機。
【請求項５】
ガラス板保持枠は、移動補助部材がガラス板をガラス板取付位置にて保持する位置で遊技機本体枠に対して閉扉可能としたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の遊技機。
【請求項６】
移動補助部材は、ガラス板をガラス板保持枠の開放側位置から押圧することにより摺動させるとともに、該ガラス板をガラス板取付位置にて取り付けた状態で、該ガラス板を回動軸方向へと付勢する付勢部材を備えていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の遊技機。
【請求項７】
移動補助部材には、ガラス板と当接する当接部を備えるとともに、
該当接部に、前記ガラス板からの衝撃を緩衝する緩衝部を備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような目的を達成するために、第１の発明は、遊技機本体枠の一側を回動軸１０として回動可能にガラス板保持枠３が取り付けられ、該ガラス板保持枠３は、裏側に備えた保持部材１１を介してガラス板４を着脱可能に保持し、前記保持部材１１は、前記ガラス板保持枠３の回動軸１０側に備えた回動軸側保持部材１２と、開放側１６に備えた開放側保持部材１３及び下部分側に備えた下部分側保持部材１４とで構成されるとともに、上部分を開放することによりガラス板嵌装可能部１５を構成し、ガラス板４を前記ガラス板嵌装可能部１５の上方より嵌装する遊技機において、前記回動軸側保持部材１２と開放側保持部材１３の間隔は、ガラス板４を前記ガラス板嵌装可能部１５の上方から前記開放側保持部材１３に沿って嵌装するとともに、下部分側保持部材１４に沿ってガラス板保持枠３に対して平行移動させ、前記回動軸側保持部材１２に当接させることによりガラス板取付位置２０に取り付けるための移動空間Ｌ２を確保して構成されており、前記ガラス板保持枠３に配設され、開放側１６から回動軸１０側に向けて移動可能な移動補助部材２５を有し、前記ガラス板４は、前記移動補助部材２５を開放側１６から回動軸１０側へと移動させることにより、回動軸１０側のガラス板取付位置２０へと移動させられ、該移動補助部材２５は、ガラス板保持枠３からの脱落を防止する脱落防止部３９を備えたことを特徴とする遊技機としたことである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が流下する遊技領域を備えた遊技盤と、
遊技盤装着領域が形成され、当該遊技盤装着領域に前記遊技盤が装着される本体部と、
前記本体部に設けられ、前記遊技盤を前記本体部に固定する固定部材と、
前記本体部の前記遊技盤装着領域の周縁部から内側に向けて突出形成され、前記遊技盤の少なくとも一辺が当接して当該遊技盤の盤面に沿った方向の動きを規制する規制部材と、
前記遊技盤の左側方および右側方にそれぞれ突出したピン部とを有し、
前記固定部材は、前記本体部の前方から前記ピン部を受け入れて凹部において当該ピン部の前方向への動きを規制する取付係合部を含み、
前記ピン部を前記取付係合部にはめ込み、前記ピン部を支点に前記遊技盤を回動して起こして当該遊技盤を前記遊技盤装着領域に取り付ける、
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
前記規制部材には、前記遊技盤の後方への動きを規制する段差部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【請求項３】
前記規制部材は、前記遊技盤の当接部分が前方に向かって開いたテーパ状になっていることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【請求項４】
前記規制部材は、
前記遊技盤の相互に対向する２つの側辺がそれぞれ当接する側辺規制部材、および前記遊技盤の上辺が当接する上辺規制部材である
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の遊技機。
【請求項５】
前記上辺規制部材は、前記遊技盤の前面を係止することを特徴とする請求項４記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の本発明の遊技機は、遊技球が流下する遊技領域を備えた遊技盤と、遊技盤装着領域が形成され、当該遊技盤装着領域に前記遊技盤が装着される本体部と、前記本体部に設けられ、前記遊技盤を前記本体部に固定する固定部材と、前記本体部の前記遊技盤装着領域の周縁部から内側に向けて突出形成され、前記遊技盤の少なくとも一辺が当接して当該遊技盤の盤面に沿った方向の動きを規制する規制部材と、前記遊技盤の左側方および右側方にそれぞれ突出したピン部とを有し、前記固定部材は、前記本体部の前方から前記ピン部を受け入れて凹部において当該ピン部の前方向への動きを規制する取付係合部を含み、前記ピン部を前記取付係合部にはめ込み、前記ピン部を支点に前記遊技盤を回動して起こして当該遊技盤を前記遊技盤装着領域に取り付けることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、固定部材により遊技盤を本体部に固定した後では、規制部材は遊技盤の振動防止機能を果たすので、不快な振動の抑制された快適な遊技環境を遊技者に提供することが可能になる。
さらに、取付係合部の凹部によりピン部の前方向への動きが規制され、ピン部を支点に遊技盤を回動して起こし遊技盤装着領域にはめ込むことにより、遊技盤が正面を向いた状態になるとともに、規制部材により盤面に沿った方向の動きが規制されて仮固定できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月28日(2009.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レニウムの濃度が３５〜５５重量パーセントの範囲内にあるモリブデン−レニウム合金を含む材料から構成され、クリンプによりシールされた端部を有する、封止管（１４）。
【請求項２】
機械的にクリンプしたシール又は溶接したシールを有している請求項１記載の封止管（１４）。
【請求項３】
少なくとも約２０００ｐｓｉ、好ましくは、少なくとも９０００ｐｓｉの圧力に耐えることのできる請求項１又は２に記載の封止管（１４）。
【請求項４】
前記モリブデン−レニウム合金は０℃から約１２００℃までの温度範囲にわたってモリブデン単独よりも大きい線熱膨張百分率を有している請求項１〜３のいずれか一項に記載の封止管（１４）。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の封止管（１４）を含んでいる放電ランプ（１０）。
【請求項６】
ハロゲン化物放電材料を含んでいる請求項５記載の放電ランプ（１０）。
【請求項７】
モリブデン−レニウム合金を含む材料から構成され、クリンプによりシールされた端部を有し、更に溶接したシールを有している、封止管（１４）。
【請求項８】
少なくとも１００ｐｓｉ乃至１７００ｐｓｉの圧力に耐えることのできる請求項７に記載の封止管（１４）。
【請求項９】
前記溶接したシールが前記クリンプされたシールに位置付けられている請求項７に記載の封止管（１４）。
【請求項１０】
前記溶接がレーザ溶接である請求項７に記載の封止管（１４）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、
前記固体撮像素子カバーは、水晶の光学軸に対して垂直にカットされてなるＺカット水晶板であることを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項２】
前記Ｚカット水晶板の主面上に、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜を主成分とする層と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を主成分とする層と、から構成された４層構造の反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子カバー。
【請求項３】
前記反射防止膜は、前記Ｚカット水晶板側から第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層される４層構造で構成されており、
前記第１層及び前記第３層は、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜であり、
前記第２層及び前記第４層は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子カバー。
【請求項４】
請求項３に記載の固体撮像素子カバーであって、
前記第１層、前記第２層、前記第３層、前記第４層の屈折率及び膜厚をｎ１，ｎ２，ｎ３，ｎ４及びｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４とするとともに、設計主波長をλ０としたときに、
０．０５２λ０≦ｎ１ｄ１≦０．０６３λ０、
０．０７０λ０≦ｎ２ｄ２≦０．０８５λ０、
０．４３２λ０≦ｎ３ｄ３≦０．５２８λ０、
０．２００λ０≦ｎ４ｄ４≦０．２４５λ０、
の関係にしたことを特徴とする固体撮像素子カバー。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の固体撮像素子カバーの主面と、
前記パッケージの中に収納された前記固体撮像素子とが対向するように前記固体撮像素子カバーと前記パッケージとを固定したことを特徴とする固体撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る固体撮像素子カバーは、パッケージの中に収納された固体撮像素子を保護するべく前記パッケージと固定される固体撮像素子カバーであって、前記固体撮像素子カバーは、水晶の光学軸に対して垂直にカットされてなるＺカット水晶板であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この構成によれば、固体撮像素子カバーにＺカット水晶板を用いるので、固体撮像素子カバーにガラスを用いた場合のように、ガラスに含まれる重金属類から発生するα線が固体撮像素子に悪影響を及ぼすことを防ぐことができる。これにより、固体撮像素子によって、固体撮像素子カバーを通過した入射光（光学像）を正規の状態で受光することができる。
また、更に、固体撮像素子カバーは、屈折率（ｎｓ）が１．５３のＺカット水晶板であるため、常光屈折率と異常光屈折率とによる複屈折は生じることがないので、入射する光を分離させることなく出射させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る固体撮像素子カバーでは、前記Ｚカット水晶板の主面上に、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜を主成分とする層と、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を主成分とする層と、から構成された４層構造の反射防止膜が形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係る固体撮像素子カバーでは、前記反射防止膜は、前記Ｚカット水晶板側から第１層、第２層、第３層、第４層の薄膜が積層される４層構造で構成されており、前記第１層及び前記第３層は、チタン（Ｔｉ）とランタン（Ｌａ）の混合酸化膜であり、前記第２層及び前記第４層は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜の少なくとも一部に導電性領域を備えた半導体装置であって、
前記導電性領域は、金属ナノ粒子が絶縁性分子を介して結合した前記薄膜に、エネルギー線が照射されることで、前記絶縁性分子の結合が解かれたものであり、前記金属ナノ粒子を融解させて結合させたものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記エネルギー線が照射される前に前記金属ナノ粒子と結合しやすい官能基を持つ導伝性分子、半導体有機分子もしくは機能性分子で前記絶縁性分子が置換されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記金属ナノ粒子と結合しやすい官能基は、チオール基、アミノ基もしくはカルボキシル基からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導伝性高分子は、ポリアセチレン系分子もしくはポリピロール系分子からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体有機分子は、ポルフィリン系分子、ポリフェニル系分子もしくはポリアセン系分子からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記機能性分子は、フォトクロミック分子もしくはポルフィリン誘導体分子からなる
ことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記薄膜の一部に、前記絶縁性分子よりも高い絶縁性を有する別の絶縁性分子を結合させたもので、前記導電性領域よりも導伝性の低い領域が形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
薄膜の少なくとも一部に絶縁性領域を備えた半導体装置であって、
前記絶縁性領域は、金属ナノ粒子が導電性分子を介して結合した前記薄膜に、エネルギー線が照射されることで、前記導電性分子が破壊されたものである、もしくは前記導電性分子との結合が解かれたものである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記薄膜の一部に、前記導電性分子よりも高い導電性を有する導電性分子で結合させたもので、前記絶縁性領域よりも導伝性の高い領域が形成されている
ことを特徴とする請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
薄膜の少なくとも一部に導電性領域を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記導電性領域を、
金属ナノ粒子が絶縁性分子を介して結合した薄膜にエネルギー線を照射して、前記絶縁性分子の結合を解くとともに前記金属ナノ粒子を融解して結合させることで形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記エネルギー線に、光線、Ｘ線、電子線もしくは集束イオンビームを用いる
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁性分子が単分子もしくはオリゴマー分子の場合、前記エネルギー線に光線もしくは電子線を用いる
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁性分子を、前記金属ナノ粒子と結合しやすい官能基を持つ導伝性分子、半導体有機分子もしくは機能性分子で置換した後、前記エネルギー線の照射を行う
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記金属ナノ粒子と結合しやすい官能基に、チオール基、アミノ基もしくはカルボキシル基を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記導伝性高分子に、ポリアセチレン系分子もしくはポリピロール系分子を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半導体有機分子に、ポルフィリン系分子、ポリフェニル系分子もしくはポリアセン系分子を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記機能性分子に、フォトクロミック分子もしくはポルフィリン誘導体分子を用いる
ことを特徴とする請求項１３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜を作製した後に、前記薄膜の一部に前記絶縁性分子よりも高い絶縁性を有する絶縁性分子で結合させることにより、前記導伝性領域よりも導伝性の低い領域を形成する
ことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
薄膜の少なくとも一部に絶縁性領域を備えた半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁性領域を、
金属ナノ粒子が導電性分子を介して結合した薄膜にエネルギー線を照射して、前記導電性分子を破壊する、もしくは前記導電性分子との結合を解くことによって形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記エネルギー線に、光線、Ｘ線、電子線もしくは集束イオンビームを用いる
ことを特徴とする請求項１９記載の半導体装置の製造方法。