【手続補正書】
【提出日】平成21年9月24日(2009.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、
前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、
前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、
焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、
を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記焼成工程において少なくともグリーンシート積層体を構成するセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させることで、前記拘束層と前記グリーンシート積層体との結合を、前記拘束層を除去する工程を超音波洗浄で行うことが可能な程度としたことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項２】
低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、
前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、
前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、
焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、
を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＣａを含有し、
焼成後の前記グリーンシート積層体において、前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＣａ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｃａ長石の（００４）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の５０％以上であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項３】
低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、
前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、
前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、
焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、
を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、
前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＳｒを含有し、
焼成後の前記グリーンシート積層体において、前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＳｒ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｓｒ長石の（００２）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の４５％以上であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項４】
前記グリーンシート積層体を焼成する工程において、グリーンシート積層体に含有されるガラス成分を前記拘束層に浸透させることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項５】
低温焼成可能なガラスセラミックを用いて構成されているとともに、
拘束層の働きにより、焼成によって積層方向に収縮しているが、表層面内方向の収縮が拘束された、多層セラミック基板であって、
前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＣａを含有し、
前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＣａ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｃａ長石の（００４）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の５０％以上であることを特徴とする多層セラミック基板
【請求項６】
低温焼成可能なガラスセラミックを用いて構成されているとともに、
拘束層の働きにより、焼成によって積層方向に収縮しているが、表層面内方向の収縮が拘束された、多層セラミック基板であって、
前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＳｒを含有し、
前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＳｒ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｓｒ長石の（００２）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の４５％以上であることを特徴とする多層セラミック基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明者は、多層セラミック基板の製造方法における拘束シートの除去性について精査した結果、セラミック中のガラス成分の結晶化の程度が支配的な因子であることを見出し、更にセラミック中のガラス成分を結晶化させると、拘束シートの除去が極めて容易になることを知見した。即ち、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程とを具備する多層セラミック基板の製造方法であって、前記焼成工程において少なくともグリーンシート積層体を構成するセラミック中のガラス成分の少なくとも一部を結晶化させることで、前記拘束層と前記グリーンシート積層体との結合を、前記拘束層を除去する工程を超音波洗浄で行うことが可能な程度としたことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法である。尚、前記導体パターンを形成する工程で、所望のグリーンシートにビアホールを形成し、これに導体ペーストを充填してビア導体を形成する工程を加えても良い。
また、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＣａを含有し、焼成後の前記グリーンシート積層体において、前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＣａ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｃａ長石の（００４）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の５０％以上であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法である。
また、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックを使用したグリーンシートに導体ペーストで所望の導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンを適宜形成したグリーンシートを積層してグリーンシート積層体を作製する工程と、前記グリーンシートの焼成温度では焼結しない無機材料を使用した拘束シートによる拘束層を前記グリーンシート積層体の上下両面または片面に設ける工程と、前記拘束層を設けた前記グリーンシート積層体を８００℃〜１０００℃で焼成する工程と、焼成後の前記グリーンシート積層体から前記拘束層を除去する工程と、を具備する多層セラミック基板の製造方法であって、前記ガラスセラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＳｒを含有し、焼成後の前記グリーンシート積層体において、前記ガラスセラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＳｒ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｓｒ長石の（００２）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の４５％以上であることを特徴とする多層セラミック基板の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックを用いて構成されているとともに、
拘束層の働きにより、焼成によって積層方向に収縮しているが、表層面内方向の収縮が拘束された、多層セラミック基板であって、前記セラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＣａを含有し、前記セラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＣａ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｃａ長石の（００４）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の５０％以上であることを特徴とする多層セラミック基板である。５０％未満の場合は基板への拘束シートの固着が強力で、除去が容易でないという問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、本発明は、低温焼成可能なガラスセラミックを用いて構成されているとともに、
拘束層の働きにより、焼成によって積層方向に収縮しているが、表層面内方向の収縮が拘束された、多層セラミック基板であって、前記セラミックの成分として少なくともＡｌ，  ＳｉおよびＳｒを含有し、前記セラミック中のガラス成分の少なくとも一部がＳｒ長石として結晶化しており、Ｘ線回折パターンにおいて、Ｓｒ長石の（００２）面のピーク強度がＡｌ２Ｏ３の（１１３）面のピーク強度の４５％以上であることを特徴とする多層セラミック基板である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（実施例１と比較例１）
以下、具体例を通して、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法を説明する。
図１に例示した製造方法を基に、基体用グリーンシートのセラミック材料として上記仮焼き粉砕粉による低温焼成可能なセラミック材料を用いてグリーンシート積層体を形成した。また、拘束シート６０ａ、６０ｂを構成する無機材料の粒子としてアルミナ粒子を用いた。
拘束シート６０ａ、６０ｂをグリーンシート積層体５０の上下面に積層してから焼成した。尚、本発明は、未焼成のセラミックグリーンシート積層体上面の外部電極の有無に関係なく適用可能である。
実施例１では、焼成工程において８７５〜９２５℃で、１５分〜２時間の保持を行うことによって結晶化を促進した。表１において、試料番号に＊印のないものが本発明の実施例であり、試料番号に＊印を付記したものは本発明の範囲外の比較例である。
試料番号１、２、３の比較例は、実施例１と同様のグリーンシート積層体５０を用いて、焼成工程を８５０〜９００℃で０分〜２時間の保持を行ったものである。
焼成後の多層セラミック基板を５分間の超音波洗浄した後に残留アルミナを目視にて比較した。図３に実施例（Ａ）（試料番号５）と比較例（Ｂ）（試料番号１）の基板の写真を示す。評価は概ね、
多層セラミック基板上にアルミナが占める面積率が１％以下：良好
とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３より明らかなように、実施例１（試料番号５）の基板上の残留アルミナは、比較例１（試料番号１）の場合よりも遥かに少なくなることが分かった。実際、比較例１（試料番号１）においては、アルミナが強力に固着しているため５分間の超音波洗浄ではほとんど除去できず、残留アルミナで覆われていた。このことは、比較例においてはセラミック中のガラス成分が拘束層シートに浸透し、ガラス成分を結晶化させないため、セラミックと拘束層がガラス成分を介して物理的に強固に結合した状態であるためアルミナの除去性が悪く、その結果、大量のアルミナ残留が見られると考えられる。これに対して、実施例においては、ガラス成分が結晶化しており、結晶化によって拘束層シートとセラミックの界面におけるガラスを介した結合が破壊されるため、アルミナの除去性が向上し、これによってアルミナ残留量も減少すると考えている。また、図２よりＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８のＸ線回折パターンのＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８のピーク強度においてＡｌ２Ｏ３のピーク強度の４５％以上にあるものが本発明の実施例であり、この場合は、アルミナ残量が少なく、拘束層の除去性に優れている。一方、ＳｒＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８のピーク強度がＡｌ２Ｏ３のピーク強度の４５％未満であるものは比較例であることが分かった。この場合は、上記したようにアルミナの残留量が極めて多い。
よって、本発明に係る多層セラミック基板の製造方法によると、拘束シートの除去性が十分であり、多層セラミック基板や、その表面に形成された導体パターンの損傷、剥離の無い、高精度で高度な平坦性を有する低温焼成（ＬＴＣＣ）の多層セラミック基板を提供できる。その結果、高精度で高度な平坦性を有する信頼性の高い多層セラミック基板を得られた。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
一方、比較例２は、実施例２と同様のグリーンシート積層体５０を用いているが、焼成工程を８００〜９００℃で、３０分間の保持を行ったものとした。
焼成後の多層セラミック基板を４分間の超音波洗浄した後に残留アルミナを目視にて比較した。
次に、ＣｕのＫα線を用いてＸ線回折測定を行い、長石族の結晶化度を確認した。ここで、長石族のＣａ長石とアルミナのピーク強度比は、ＣａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８（灰長石）の（００４）面のピークとＡｌ２Ｏ３（アルミナ）の（１１３）面のピークの強度比より求めた。その結果を目視による残留アルミナ量の比較と共に表２に示す。