【手続補正書】
【提出日】平成21年5月7日(2009.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に平行に設けられた第１及び第２シリコン層の間に挟まれた酸化シリコン層を含むウエハーと、
前記第１シリコン層の一部分から形成された制御装置と、
前記第１シリコン層の前記一部分付近にシリコン角材として形成され、前記第１及び第２シリコン層に対して垂直な平面上に設けられ、支持ベース（１０７）に取り付けられた振動マイクロアセンブリ（１０５）であって、前記酸化シリコン層は、前記振動マイクロアセンブリ（２０５）の下に空洞を形成するように除去されており、前記制御装置が、絶対真空条件下で当該マイクロアセンブリを、既知の周波数及び振幅で、前記空洞内で前記支持ベースに対して自由に振動させる、振動マイクロアセンブリと
を含む圧力センサー（１０１）。
【請求項２】
前記既知の周波数及び／又は振幅からの、前記マイクロアセンブリの前記振動の周波数及び／又は振幅の偏差を検出する光学検出システムを更に含み、
前記光学検出システム（１１１）は、
前記振動マイクロアセンブリ（１０５）の表面へ入射光ビーム（１１５）を向ける光源（１１３）と、
前記振動マイクロアセンブリ（１０５）により反射された反射光ビーム（１１５’）を受光するよう構成された表面（１２３）と、前記表面（１２３）に作用するときの前記反射光ビーム（１１５’）の強度、又は前記表面（１２３）への前記反射光ビーム(１１５’）の入射点の位置に依存して変動する電流値を供給する少なくとも１つの電気的接点とを有するセンサー（１２１）と
を含むことを特徴とする請求項１に記載の圧力センサー（１０１）。
【請求項３】
前記光源は固体レーザダイオード（１１７）を備えていることを特徴とする請求項２に記載の圧力センサー（１０１）。
【請求項４】
前記制御装置（１０９）は、前記振動マイクロアセンブリ（１０５）の前記支持ベース（１０７）に接続された圧電部材を含むことを特徴とする請求項３に記載の圧力センサー（１０１）。
【請求項５】
前記振動マイクロアセンブリ（１０５）は、２００マイクロメータ〜８００マイクロメータの範囲の長さと、４０マイクロメータ〜１００マイクロメータの範囲の幅と、１マイクロメータ〜５０マイクロメータの範囲の厚みとを有する角材であることを特徴とする請求項４に記載の圧力センサー（１０１）。
【請求項６】
前記制御装置（１０９）を駆動する信号の前記周波数成分は、前記振動マイクロアセンブリ（１０５）の固有周波数と等しいことを特徴とする請求項５に記載の圧力センサー（１０１）。
【請求項７】
シリコン角材として形成され、支持ベース（１０７）へ取り付けられた振動マイクロアセンブリ（１０５）であって、酸化シリコン層を挟む相互に平行な１対のシリコン層を含むウエハー付近に位置し、前記１対のシリコン層の面に対して垂直な平面上に設けられた振動マイクロアセンブリを設ける工程と、
前記１対のシリコン層の一方の一部分から形成され、一定の周波数信号成分により駆動される制御装置（１０９）によって、前記酸化シリコン層を除去して形成された空洞内で、周囲環境圧力に依存する周波数及び振幅で前記支持ベースに対して前記マイクロアセンブリを振動させる工程と、
光ビーム（１１５）を光源（１１３）から発生させる工程と、
前記振動マイクロアセンブリの表面に前記光ビームを向ける工程と、
前記振動マイクロアセンブリにより反射された前記光ビームを受光するよう構成された表面と、前記表面での前記反射された光ビームの入射点の位置及び／又は強度に依存して変動する電気パラメータ値を供給する少なくとも１つの電気的接点とを有する光学センサー（１２１）を設ける工程と、
前記電気パラメータの変動を測定して、前記振動マイクロアセンブリの周波数及び／又は振幅の変動を得る工程と
を含む圧力検出方法。
【請求項８】
前記変動を測定する前に、前記電気パラメータの変動を増幅する工程を更に含み、前記電気パラメータは電流又は電圧であることを特徴とする請求項７に記載の圧力検出方法。
【請求項９】
相互に平行に設けられた第１及び第２シリコン層と、それらの間の酸化シリコンの中間層とを含むウエハーと、
シリコン角材として形成され、前記第１及び第２シリコン層に対して垂直な平面上に設けられ、支持ベース（２０７）に固定された振動マイクロアセンブリ（２０５）と、
前記振動マイクロアセンブリ付近に、前記第１シリコン層の一部分から形成された制御電極（２０９）と
を含み、
前記振動マイクロアセンブリと前記制御電極との間の前記ウエハーの一部分が除去されて、そこに空洞が形成されており、所定の周波数成分の信号により駆動される前記制御電極が、絶対真空条件下で前記マイクロアセンブリを、既知の周波数及び振幅で、前記支持ベースに対して自由に振動させ、
前記既知の周波数及び／又は振幅からの、前記マイクロアセンブリの前記振動の周波数及び／又は振幅の偏差を検出する手段（２１１）であって、少なくとも１つの電気パラメータが、前記振動マイクロアセンブリ（２０５）の前記振動周波数及び／又は振幅に依存して可変であるところの電気回路（２１１）を含む手段（２１１）を更に含む圧力センサー（２０１）。
【請求項１０】
前記電気回路はＭＯＳＦＥＴトランジスター（２１３）を含み、前記振動マイクロアセンブリは前記ＭＯＳＦＥＴトランジスターの制御電極即ちゲート（Ｇ）として作用することを特徴とする請求項９に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１１】
前記振動マイクロアセンブリ（２０５）をゲートとして含む前記ＭＯＳＦＥＴトランジスター（２１３）は、第２ＭＯＳＦＥＴトランジスター（２１５）と並列接続されていることを特徴とする請求項１０に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１２】
前記第１及び第２ＭＯＳＦＥＴトランジスター（２１３，２１５）は、第３及び第４ＭＯＳＦＥＴトランジスター（２１７，２１９）とそれぞれ直列接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１３】
前記電気回路（２１１）は、前記振動マイクロアセンブリ（２０５）の前記支持ベース（２０７）に少なくとも部分的に統合されていることを特徴とする請求項１２に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１４】
前記振動マイクロアセンブリ（２０５）は、前記制御電極（２０９）と平行な方向に振動することを特徴とする請求項１３に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１５】
前記振動マイクロアセンブリ（２０５）は、前記制御電極（２０９）に対して垂直方向に振動することを特徴とする請求項１３に記載の圧力センサー（２０１）。
【請求項１６】
相互に平行に設けられた第１及び第２シリコン層と、酸化シリコンの中間層とを含むウエハーと、
前記第１シリコン層の一部分から形成された制御電極と、
前記第１シリコン層の前記一部分に対向する前記第２のシリコン層の一部分から形成された振動マイクロアセンブリであって、当該振動マイクロアセンブリが前記制御電極に垂直な方向に自由に振動できるように、前記中間酸化シリコン層が除去されて、当該振動マイクロアセンブリの下に空洞が形成されている振動マイクロアセンブリと
を含む圧力センサ。
【請求項１７】
前記ウエハーの前記第２シリコン層に重ねられた更なるウエハーを更に含み、
前記振動マイクロアセンブリに対応して、前記更なるウエハーに、更なる空洞が形成されており、前記制御電極が、前記更なるウエハーの前記更なる空洞内に位置していることを特徴とする請求項１６に記載の圧力センサー。