Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体を少なくとも部分的に含む吸水性ポリマー構造体であり、該吸収性ポリマー構造体は、部分的に中和された架橋アクリル酸からなり、該中空体の少なくとも一部が、マトリックスとして構成された該吸水性ポリマー構造体に埋め込まれており、該中空体が該吸水性ポリマー構造体内に均一に分布しており、該吸水性ポリマー構造体の総重量に対して０．００１〜１５重量％の量で該中空体を含むことを特徴とする吸水性ポリマー構造体。
【請求項２】
ｉ）（α１）重合性モノエチレン性不飽和酸性基含有モノマー又はその塩と、（α２）前記モノマー（α１）と重合可能な任意のモノエチレン性不飽和モノマーと、（α３）任意の架橋剤と、を含むモノマー水溶液をフリーラジカル重合させてポリマーゲルを得る工程と、
ｉｉ）必要に応じて前記ヒドロゲルを粉砕する工程と、
ｉｉｉ）必要に応じて粉砕した前記ヒドロゲルを乾燥させて吸水性ポリマー粒子を得る工程と、
ｉｖ）得られた前記吸水性ポリマー粒子を必要に応じて粉砕及び篩い分けする工程と、
ｖ）得られた前記吸水性ポリマー粒子を必要に応じてさらに表面変性させる工程と、
を含み、
以下の条件Ｉ）及びＩＩ）の少なくとも一方を満たす方法によって得られる、前記請求項１記載の吸水性ポリマー構造体。
Ｉ）前記工程ｉ）において、無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体を前記モノマーに添加する；
ＩＩ）無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体を前記工程ｉ）において得られた前記ヒドロゲル又は前記工程ｉｉ）において得られた前記粉砕したヒドロゲルに添加する。
【請求項３】
前記有機材料が、発泡剤を含む熱可塑性ポリマー材料である、請求項１又は２のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項４】
前記中空体が、平均体積Ｖ１を有し、温度を上昇させることによって平均体積Ｖ２＞Ｖ１に膨張させることができる粒子である、請求項３に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項５】
前記粒子を前記工程ｉ）〜ｖ）の少なくとも１つにおいて膨張させる、請求項４に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項６】
前記中空体が、平均体積Ｖ２を有し、平均体積Ｖ１＜Ｖ２から前記平均体積Ｖ２に膨張させることによって得られる粒子である、請求項３に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項７】
前記ポリマー材料が非熱可塑性ポリマー材料である、請求項１又は２のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項８】
前記無機材料が多結晶酸化アルミニウムである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項９】
少なくとも０．３ｇ／ｇ／秒の、本願明細書に記載した試験方法によって測定した吸収速度を有する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項１０】
以下の特性の少なくとも１つを有する、請求項１〜９のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体。
（β１）本願明細書に記載した試験方法によって５０ｇ／ｃｍ２の圧力下で測定した吸収率が少なくとも２２．０ｇ／ｇ。
（β２）本願明細書に記載した試験方法によって測定した保持率が少なくとも２６ｇ／ｇ。
（β３）本願明細書に記載した試験方法によって測定した透過率が少なくとも４５×１０−７ｃｍ３秒／ｇ。
【請求項１１】
吸水性ポリマー構造体の製造方法であって、
ｉ）（α１）重合性モノエチレン性不飽和酸性基含有モノマー又はその塩と、（α２）前記モノマー（α１）と重合可能な任意のモノエチレン性不飽和モノマーと、（α３）任意の架橋剤と、を含むモノマー水溶液をフリーラジカル重合させてポリマーゲルを得る工程と、
ｉｉ）必要に応じて前記ヒドロゲルを粉砕する工程と、
ｉｉｉ）必要に応じて粉砕した前記ヒドロゲルを乾燥させて吸水性ポリマー粒子を得る工程と、
ｉｖ）得られた前記吸水性ポリマー粒子を必要に応じて粉砕及び篩い分けする工程と、
ｖ）得られた前記吸水性ポリマー粒子を必要に応じてさらに表面変性させる工程と、
を含み、
以下の条件Ｉ）及びＩＩ）の少なくとも一方を満たす方法。
Ｉ）前記工程ｉ）において、無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体を前記モノマーに添加する；
ＩＩ）無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体を前記工程ｉ）において得られた前記ヒドロゲル又は前記工程ｉｉ）において得られた前記粉砕したヒドロゲルに添加する。
【請求項１２】
前記有機材料が、発泡剤を含む熱可塑性ポリマー材料であり、前記中空体が、平均体積Ｖ１を有し、温度を上昇させることによって平均体積Ｖ２＞Ｖ１に膨張させることができる粒子である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記粒子を前記工程ｉ）〜ｖ）の少なくとも１つにおいて膨張させる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記有機材料が、発泡剤を含む熱可塑性ポリマー材料であり、前記中空体が、平均体積Ｖ２を有し、平均体積Ｖ１＜Ｖ２から前記平均体積Ｖ２に膨張させることによって得られる粒子である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ポリマー材料が非熱可塑性ポリマー材料である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記無機材料が多結晶酸化アルミニウムである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１１〜１６のいずれか１項に記載の方法によって得られる吸水性ポリマー構造体。
【請求項１８】
少なくとも０．３ｇ／ｇ／秒の、本願明細書に記載した試験方法によって測定した吸収速度を有する、請求項１７に記載の吸水性ポリマー構造体。
【請求項１９】
以下の特性の少なくとも１つを有する、請求項１７又は１８に記載の吸水性ポリマー構造体。
（β１）本願明細書に記載した試験方法によって５０ｇ／ｃｍ２の圧力下で測定した吸収率が少なくとも２２．０ｇ／ｇ。
（β２）本願明細書に記載した試験方法によって測定した保持率が少なくとも２６ｇ／ｇ。
（β３）本願明細書に記載した試験方法によって測定した透過率が少なくとも４５×１０−７ｃｍ３秒／ｇ。
【請求項２０】
請求項１〜１０及び１７〜１９のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体を含む、発泡体、成形品、繊維、シート、フィルム、ケーブル、シール材、吸収性衛生用品、植物・菌類生育調節剤用担体、包装材料、土壌添加剤又は建設材料。
【請求項２１】
請求項１〜１０及び１７〜１９のいずれか１項に記載の吸水性ポリマー構造体の、発泡体、成形品、繊維、シート、フィルム、ケーブル、シール材、吸液性衛生用品、植物・菌類生育調節剤用担体、包装材料、活性化合物の制御放出のための土壌添加剤又は建設材料における使用。
【請求項２２】
無機又は有機材料からなるシェルを有する中空体の、吸水性ポリマー構造体の製造のための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月4日(2013.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの化合物
【化１】
2012522840.tif 000001
［式中、
Ｒ１およびＲ２の一方はＦであり、他方はＨおよびＦから選択され、
Ｒ３およびＲ４の一方はＨであり、他方はＨおよびＯＨから選択され、
-----は共有結合であるか、または存在せず、-----が共有結合である場合、Ｒ４は存在しない］
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステル。
【請求項２】
Ｒ１およびＲ２がそれぞれＦである、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項３】
式ＩＩの化合物
【化２】
2012522840.tif 000002
［式中、Ｒ３はＨおよびＯＨから選択される］
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項４】
式ＶＩＩＩの化合物
【化３】
2012522840.tif 000003
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項５】
式ＶＩＩＩの化合物
【化４】
2012522840.tif 000004
である、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項６】
式ＩＩＩの化合物
【化５】
2012522840.tif 000005
［式中、
Ｒ３およびＲ４の一方はＨであり、他方はＨおよびＯＨから選択される］
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項７】
式ＩＶの化合物
【化６】
2012522840.tif 000006
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項８】
式Ｖの化合物
【化７】
2012522840.tif 000007
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項７に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項９】
式ＶＩの化合物
【化８】
2012522840.tif 000008
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項１に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項１０】
式ＶＩＩの化合物
【化９】
2012522840.tif 000009
または薬学的に許容されるその塩、Ｃ１〜６アルキルエステルもしくはＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項９に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項１１】
式ＶＩＩＩの化合物
【化１０】
2012522840.tif 000010
またはそのＣ１〜６アルキルエステルである、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項１２】
式ＶＩＩＩの化合物
【化１１】
2012522840.tif 000011
またはそのＣ２〜６アルケニルエステルである、請求項２に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステル。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物または薬学的に許容されるその塩、アルキルエステルもしくはアルケニルエステルと、薬学的に許容される賦形剤とを含む医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月28日(2013.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素または酸素含有ガスを用いてのシクロヘキサンのシクロヘキサノン／シクロヘキサノールへの接触酸化の副生成物として反応混合物の水抽出によって得られる、アジピン酸、６−ヒドロキシカプロン酸、６−オキソカプロン酸、４−ヒドロキシシクロヘキサノン、ギ酸、およびアジピン酸とヒドロキシカプロン酸との合計に対して０．５〜５質量％の１，４−シクロヘキサンジオールを含有するカルボン酸混合物から、エステル化し、部分流を水素化することによって１，６−ヘキサンジオールにし、かつ６−ヒドロキシカプロン酸エステルを環化することによってε−カプロラクトンにする、１，６−ヘキサンジオールおよびε−カプロラクトンを製造する方法において、該方法が、
ａ）水性カルボン酸混合物中に含まれるアルデヒドおよびケトンのみを５０〜２００℃の水素化温度および５〜３５バール（絶対圧）の反応圧で接触水素化して、相当するアルコールにし、かつ混合物中に含まれるギ酸が５０％を上回って分解され、
ｂ）水性反応混合物中に含まれるモノカルボン酸およびジカルボン酸を、脱水後に、低分子量アルコールにより相当するカルボン酸エステルに変換し、
ｃ）得られたエステル化混合物から、第１蒸留工程で、過剰量のアルコールおよび低沸成分を取り除き、
ｄ）塔底生成物から、第２蒸留工程で、１，４−シクロヘキサンジオールを減少させたエステル留分と１，４−シクロヘキサンジオールを含む留分とに分離し、
ｅ）該エステル留分から、第３蒸留工程で、主に６−ヒドロキシカプロン酸エステルを含有する流を少なくとも部分的に分離し、
ｆ）６−ヒドロキシカプロン酸エステルを少なくとも部分的に取り除いた（ｅ）からのエステル留分を接触水素化し、かつ自体公知の方法で水素化生成物を蒸留することによって１，６−ヘキサンジオールを得て、かつ、
ｇ）主に６−ヒドロキシカプロン酸エステルを含有する流を、２００℃を上回る温度で減圧下で加熱し、これにより６−ヒドロキシカプロン酸エステルが環化されてε−カプロラクトンとなり、かつ環化生成物から蒸留によって純粋なε−カプロラクトンを得る、
ことを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、ルテニウム、ニッケル、コバルト、レニウムおよび銅から成る群から選択された少なくとも１種の金属を、金属の形またはその化合物として含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、二酸化チタン成形体または活性炭成形体上に担持されたルテニウム、コバルトまたはニッケルを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、触媒活性金属および担体から成る触媒の全質量に対して０．０１〜１０質量％の範囲の金属含量およびＤＩＮ６６１３１によって測定された５〜５００ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を示す、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、ルテニウムを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
エステル化を１〜３個の炭素原子を有するアルコールを用いて行う、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
エステル化を４〜１０個の炭素原子を有するアルコールを用いて行う、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
エステル化をメタノールを用いて行い、かつ蒸留工程（ｃ）中で、実質的に１，４−シクロヘキサンジオール不含のカルボン酸メチルエステル留分を塔頂で得て、かつ高沸成分および１，４−シクロヘキサンジオールを含有する塔底留分を得て、かつカルボン酸メチルエステル留分を第３蒸留工程（ｄ）中に連行する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
エステル化をｎ−ブタノールまたはｉ−ブタノールを用いて行い、かつ蒸留工程（ｃ）中で、１，４−シクロヘキサンジオールを低沸成分と一緒に塔頂で分離し、かつカルボン酸ブチルエステルを側流として、あるいはこれを含む塔底生成物として得て、かつ第３蒸留工程（ｄ）に連行する、請求項１から５または７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
蒸留工程（ｃ）および（ｄ）を単一の塔内で実施する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
エステル化をメタノールを用いて行う場合に、上方の側方搬出物における実質的にジカルボン酸メチルエステルを含有する留分と、下方の側方搬出物としての実質的に６−ヒドロキシカプロン酸メチルエステルを含有する留分と、および塔底生成物としての１，４−シクロヘキサンジオールを含有する留分とに分離する、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
エステル化をｎ−ブタノールまたはｉ−ブタノールを用いて行う場合に、上方の側方搬出物において実質的に６−ヒドロキシカプロン酸ブチルエステルを含有する留分を、下方の側方搬出物として実質的にジカルボン酸ブチルエステルを含有する留分を、および塔頂生成物として１，４−シクロヘキサンジオールを含有する留分を得る、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｃ）の塔底生成物が、さらなる低分子量アルコールおよびエステル化触媒の添加下で、少なくとも部分的に再度エステル化され、かつ別個の蒸留工程において（ｂ）および（ｃ）と同様に分離するか、あるいは１，４−シクロヘキサンジオールの分離後にのみ再度エステル化し、かつカルボン酸エステルを含有する留分を、水素化工程（ｄ）中に導く、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2012522826.tif 000001
式中、
Ｒ１は、メチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、
Ｒ２は、水素またはＣ１〜Ｃ４アルキルであり、
Ｒ３は、Ｃ２、Ｃ３またはＣ４ヒドロキシアルキル、あるいはＣ２、Ｃ３またはＣ４アルコキシアルキルであり、および
Ｒ４は、水素またはメチルである、
で表される化合物。
【請求項２】
Ｏ−エチルＳ−４−メトキシ−２−メチルブタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−４−ヒドロキシ−３−メチルブタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−４−ヒドロキシ−３−メチルペンタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−４−ヒドロキシ−２−メチルブタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−４−ヒドロキシ−２−メチルペンタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−３−ヒドロキシブタン−２−イルカルボノチオエート
Ｏ−エチルＳ−１−ヒドロキシヘキサン−３−イルカルボノチオエート、
Ｏ−エチルＳ−１−メトキシヘキサン−３−イルカルボノチオエート、および
Ｏ−メチルＳ−１−メトキシヘキサン−３−イルカルボノチオエート
からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
請求項１または２に定義した式（Ｉ）で表される化合物および少なくとも１種のさらなるフレーバー原料を含む、フレーバーまたはフレグランス組成物。
【請求項４】
請求項１に定義した式（Ｉ）で表される化合物のフレーバーまたはフレグランスとしての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙サイズが３０ナノメーター以下のサブミクロンサイズの窪みを含む基材上に銅を電着させる方法であって、
ａ）銅イオン源と、一種以上の促進剤と、式Ｉの化合物から選ばれる一種以上の抑制剤とを含む銅めっき浴を前記基材と接触させる工程、及び
【化１】
2012522897.tif 000001
［式中、
−Ｒ1基は、それぞれ独立して、エチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーであって、ランダムコポリマーであるものから選ばれ、  −Ｒ2基は、それぞれ独立して、Ｒ1またはアルキルから選ばれ、
−ＸとＹは独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン及びＺ−（Ｏ−Ｚ）m（但し、Ｚ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれる。）から選ばれるスペーサー基であり、
−ｎは０以上の整数であり、
−ｍは１以上の整数であり、特にｍ＝１〜１０であり、
−エチレンオキシドと他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーのエチレンオキシド含量が３０〜７０％である。］
ｂ）サブミクロンサイズの窪みを銅で充填するのに充分な時間、前記基材に電流密度を印加する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
ＸとＹが独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選ばれる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
アミン化合物が、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、ヘキシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、１，５−ジアミノペンタン、１，６−ジアミノヘキサン、ネオペンタンジアミン、イソホロンジアミン、４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン、４，７，１０−トリオキサデカン−１，１３−ジアミン、トリエチレングリコールジアミン、ジエチレントリアミン、（３−（２−アミノエチル）アミノプロピルアミン、３，３’−イミノジ（プロピルアミン）、Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）メチルアミン、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミン、トリエチレンテトラアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミンから選ばれる請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記Ｃ３〜Ｃ４アルキレンオキシドがプロピレンオキシドから選ばれる請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記抑制剤の分子量Ｍwが６０００ｇ／ｍｏｌ以上である請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記抑制剤の分子量Ｍwが７０００〜１９０００ｇ／ｍｏｌである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記抑制剤の分子量Ｍwが９０００〜１８０００ｇ／ｍｏｌである請求項５に記載の方法。
【請求項８】
活性アミノ官能基を含むアミン化合物が少なくとも３個の活性アミノ基を含む請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記銅めっき浴がさらに一種以上のレベリング剤を含む請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記窪みのアスペクト比が４以上である請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオンの供給源、及び
ａ）活性アミノ官能基を含むアミン化合物と、
ｂ）エチレンオキシド、及びＣ３及びＣ４アルキレンオキシドから選ばれる、少なくとも１種の化合物の混合物、
を反応させることによって得ることができる、少なくとも１種の抑制剤を含み、
該抑制剤は、分子量Ｍｗが６０００ｇ／モル以上であり、及び
エチレンオキシド及び更なるＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマー中のエチレンオキシドの含有量が、３０〜７０％であることを特徴とする組成物。
【請求項２】
前記抑制剤は、分子量Ｍｗが、７０００〜１９０００ｇ／モルであることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
抑制剤の分子量Ｍｗが、９０００〜１８０００ｇ／モルであることを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
金属イオンが、銅イオンを含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の組成物。
【請求項５】
活性アミノ官能基を含むアミン化合物が、少なくとも３個の活性アミノ基を含むことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の組成物。
【請求項６】
抑制剤が、式Ｉ
【化１】
2012522898.tif 000001
（但し、
−Ｒ１基が、それぞれ独立して、エチレンオキシド、及び少なくとも１種の、更なるＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーから選ばれ、該コポリマーは、ランダムポリマーであり、
−Ｒ２基が、それぞれ独立してＲ１、又はアルキレン、好ましくはＣ１から選ばれ、
−Ｘ及びＹが、独立してスペーサー基であり、及びＸが、各繰り返し単位について、独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレン、及びＺ−（Ｏ−Ｚ）ｍから選ばれ、ここで、Ｚ基は、それぞれ独立して、Ｃ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれ、
−ｎが、０以上の整数であり、
−ｍが、１以上の整数である）
の化合物から選ばれることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の組成物。
【請求項７】
Ｘ及びＹが独立しており、及びＸが、各繰り返し単位について、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選ばれることを特徴とする請求項６に記載の組成物。
【請求項８】
アミン化合物が、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、（３−（２−アミノエチル）アミノプロピルアミン、３，３’−イミノジ（プロピルアミン）、Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）メチルアミン、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミン、トリエチレンテトラアミン、及びＮ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミンから選ばれることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の組成物。
【請求項９】
Ｃ３〜Ｃ４アルキレンオキシドが、プロピレンオキシドから選ばれることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
更に、少なくとも１種の促進剤を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種の平滑剤を含むことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
請求項１に記載の組成物を含む金属メッキ溶液を、アパーチャー径が３０ナノメーター以下の機構を含む基材上に金属を堆積させるために使用する方法。
【請求項１３】
ａ）請求項１〜１２の何れか１項に記載の組成物を含む金属メッキ溶液を、基材と接触させる工程、及び
ｂ）金属層が前記基材上に堆積するのに十分な時間、前記基材に電流密度を施す工程、
によって基材上に金属層を堆積させる方法。
【請求項１４】
基材が、マイクロメーター以下の寸法の機構を有し、及び堆積が、マイクロメーター以下の寸法の機構を満たすように行われることを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
マイクロメーター以下の寸法の機構が、１〜３０ｎｍのアパーチャー径、及び／又は４以上のアスペクト比を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を有する高濃度モノ過硫酸カリウムであって、活性酸素対不活性硫酸塩の重量比が約０．８：１〜約１．７：１である高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％の、
Ｂ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、または
Ｂ２）ホスホニウム（phosphomium）、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウム（benzolium）のハロゲンもしくは硝酸塩、または
Ｂ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；
Ｃ）組成物の約０．０１重量％〜約１０重量％の第２酸化剤；および
Ｄ）組成物の約０重量％から約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物。
【請求項２】
１）基材の表面上に形成された第１金属膜、前記第１金属膜上に形成された第２金属膜、前記第２金属膜上に形成された任意選択の追加の金属膜を有する基材を提供する工程と、２）前記基材を請求項１に記載のエッチャント組成物と接触させる工程とを含んでなる基材のエッチング方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
表１１のデータは、ポリアクリル酸が異方性エッチング剤および腐食抑制剤として有効
であったことを実証する。データはまた、スルフェートイオンが銅エッチング速度を低下
させることができたことを示す。
以下、本明細書に記載の主な発明につき列記する。
［１］
Ａ）約０．０２５重量％〜約０．８重量％の活性酸素を有する高濃度モノ過硫酸カリウムであって、活性酸素対不活性硫酸塩の重量比が約０．８：１〜約１．７：１である高濃度モノ過硫酸カリウム；
Ｂ）組成物の約０．０１重量％〜約３０重量％の、
Ｂ１）有機酸、有機酸のアルカリ金属塩、有機酸のアンモニウム塩、もしくは有機酸のホモポリマー、または
Ｂ２）ホスホニウム（phosphomium）、テトラゾリウム、もしくはベンゾリウム（benzolium）のハロゲンもしくは硝酸塩、または
Ｂ３）成分Ｂ１）とＢ２）との混合物；
Ｃ）組成物の約０．０１重量％〜約１０重量％の第２酸化剤；および
Ｄ）組成物の約０重量％から約９７．４９重量％の水
を含んでなるエッチャント組成物。
［２］
前記有機酸が水溶性カルボン酸、水溶性ジカルボン酸、または水溶性トリカルボン酸である前記［１］に記載のエッチャント組成物。
［３］
前記有機酸が、酢酸、ブタン酸、クエン酸、ギ酸、グルコン酸、グリコール酸（giycoiic acid）、マロン酸、シュウ酸、ペンタン酸、スルホ安息香酸、スルホコハク酸（sulfbsuccinic acid）、スルホフタル酸（sulfophthalic acid）、サリチル酸、スルホサリチル酸、安息香酸、乳酸、グリセリン酸、コハク酸、リンゴ酸、酒石酸、イソクエン酸、およびプロペン酸からなる群から選択される、前記［１］に記載のエッチャント組成物。
［４］
前記第２酸化剤が、第二鉄塩、第二銅塩、および過酸化水素からなる群から選択される前記［１］に記載のエッチャント組成物。
［５］
前記任意選択の第２酸化剤が、Ｆｅ（ＮＯ３）３、Ｆｅ２（ＳＯ４）３、ＮＨ４Ｆｅ（ＳＯ４）２、ＦｅＰＯ４、および前述のもののそれぞれの水和物からなる群から選択されるＦｅ３＋を含有する第二鉄塩化合物であるか、またはＣｕ（ＮＯ３）２、ＣｕＳＯ４、ＮＨ４ＣｕＰＯ４、および前述のもののそれぞれの水和物からなる群から選択される第二銅塩である前記［４］に記載のエッチャント組成物。
［６］
ピロリジン、ピロリン（pyrrolyn）、ピロール、インドール、ピラゾール、イミダゾール、ピリミジン、プリン、ピリジン、およびアミノテトラゾールテトラフェニルホスホニウム（aminotetrazoie tetraphenylphosphonium）塩、置換ホスホニウム塩、トリフェニルアゾリウム塩、置換テトラゾリウム塩、および置換ベンゾリウム塩からなる群から選択される異方性エッチング剤をさらに含んでなる前記［１］に記載のエッチャント組成物。
［７］
有機酸、それのアルカリ金属塩、または異方性エッチング剤である腐食抑制剤をさらに含んでなる請求項１に記載のエッチャント組成物。
［８］
界面活性剤、金属イオン遮断剤、腐食防止剤、およびｐＨ調整剤からなる群から選択される１つ以上の成分をさらに含んでなる、前記［１］に記載のエッチャント組成物。
［９］
１）基材の表面上に形成された第１金属膜、前記第１金属膜上に形成された第２金属膜、前記第２金属膜上に形成された任意選択の追加の金属膜を有する基材を提供する工程と、２）前記基材を前記［１］〜［８］のいずれか一項に記載のエッチャント組成物と接触させる工程とを含んでなる基材のエッチング方法。
［１０］
前記第１金属膜がモリブデンまたはチタンを含んでなり、前記第２金属膜が銅を含んでなり、そして前記基材がシリコン、ガラス、ステンレススチール、プラスチック、または石英である前記［９］に記載の方法。
［１１］
工程１）の後および工程２）の前に、フォトレジストマスクを前記第２膜上へ層状にする工程と、前記マスクを選択的に露光する工程と、前記基材を焼き付ける工程と、現像液と接触させることによって現像してフォトレジストパターンを形成する工程とをさらに含んでなる前記［９］に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオン源と、
ａ）少なくとも３個の活性アミノ官能基をもつアミン化合物を
ｂ）エチレンオキシドとＣ３およびＣ４アルキレンオキシドから選ばれる少なくとも一種の化合物との混合物と反応させて得られる少なくとも一種の抑制剤
とを含む組成物であって、
添加物中のエチレンオキシドと他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーのエチレンオキシド含量が３０〜７０％である組成物。
【請求項２】
前記金属イオンが銅イオンを含む請求項１に記載組成物。
【請求項３】
前記抑制剤が式Ｉの化合物から選ばれる前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【化１】
2012522900.tif 000001
（式中、
−Ｒ１基は、それぞれ独立してエチレンオキシドと少なくとも一種の他のＣ３〜Ｃ４アルキレンオキシドのコポリマーで、ランダムコポリマーあるものから選ばれ、
−Ｒ２基は、各々が独立してＲ１またはアルキレン、好ましくはＣ１から選ばれ、
−ＸとＹは、独立してスペーサー基であり、各繰返単位のＸは独立して、Ｃ１〜Ｃ６アルキレンとＺ−（Ｏ−Ｚ）ｍから選ばれ、
なおＺ基はそれぞれ独立してＣ２〜Ｃ６アルキレンから選ばれ、
−ｎは１以上の整数であり、
−ｍは１以上の整数、特にｍ＝１〜１０である。）
【請求項４】
ＸとＹが独立して、また各繰返単位のＸが独立して、Ｃ１〜Ｃ４アルキレンから選ばれる請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記アミン化合物が、ジエチレントリアミンと、３−（２−アミノエチル）アミノプロピルアミン、３，３’−イミノジ（プロピルアミン）、Ｎ，Ｎ−ビス（３−アミノプロピル）メチルアミン、ビス（３−ジメチルアミノプロピル）アミン、トリエチレンテトラアミン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−アミノプロピル）エチレンジアミンから選ばれる前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
前記Ｃ３〜Ｃ４アルキレンオキシドがプロピレンオキシドから選ばれる前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
前記抑制剤の分子量Ｍｗが６０００ｇ／ｍｏｌ以上である前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
前記抑制剤の分子量Ｍｗが７０００〜１９０００ｇ／ｍｏｌである請求項７に記載の組成物。
【請求項９】
さらに一種以上の加速剤を含む前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
さらに一種以上のレベリング剤を含む前記請求項のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
請求項１に記載の組成物を含む金属めっき浴を、空隙サイズが３０ナノメーター以下である窪みを含む基材の上に上記金属を析出させるために使用する方法。
【請求項１２】
ａ）請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物を含む金属めっき浴を基材に接触させ、
ｂ）基材上に金属層を析出させるのに充分な時間、基材に電流密度を印加することからなる支持体上に金属の層を析出させる方法。
【請求項１３】
前記基材がサブミクロンサイズの窪みを含み、この析出がマイクロメータサイズまたはサブミクロンサイズの窪みを充填するために行われる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記サブミクロンサイズの窪みの空隙サイズが１〜３０ｎｍであり及び／又はアスペクト比が４以上である請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料堆積装置内に基板（１０）を保持する装置において、
前記基板（１０）は、材料（Ｍ）が堆積される堆積面（１０ａ）を有しており、
前記の装置（１）は、
−  複数の堆積開口部（Ｄ1）を含むシャドウマスク（２０）と、
−  複数の包囲開口部（Ｓ1）を含むサポート構造体（３０）と、
−  前記のサポート構造体（３０）を保持するサポート構造体保持手段（６）および／または基板（１０）を保持する基板保持手段（５）とを有しており、
前記のサポート構造体（３０）は、基板（１０）の堆積面（１０ａ）と同じ側にあり、
前記のシャドウマスク（２０）は、基板（１０）とサポート構造体（３０）との間に配置されて、シャドウマスク（１０）の少なくとも１つの堆積開口部（Ｄ1）が、サポート構造体（３０）の対応する包囲開口部（Ｓ1）内に配置されるようにし、
前記基板（１０）と、前記シャドウマスク（２０）と、前記サポート構造体（３０）とは互いに直接接触しており、
前記基板は、フレーム内の前記サポート構造体と前記シャドウマスクとからなる集合体に配置されており、前記基板の重量は前記サポート構造体保持手段に支えられ、
前記サポート構造体と、前記シャドウマスクとは別個の保持手段である、
ことを特徴とする、
材料堆積装置に基板（１０）を保持する装置（１）。
【請求項２】
前記のシャドウマスク（２０）の堆積開口部（Ｄ1）と、サポート構造体（３０）の包囲開口部（Ｓ1）とが関連付けられている、
請求項１に記載の装置（１）。
【請求項３】
前記のサポート構造体（３０）の包囲開口部（Ｓ1）は、当該包囲開口部に関連付けられている、前記シャドウマスク（２０）の堆積開口部（Ｄ1）よりも大きい、
請求項１または２に記載の装置（１）。
【請求項４】
少なくとも１．５ｍｍの厚さを有するサポート構造体（３０）を有する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項５】
最大で０．５ｍｍの厚さを有するシャドウマスク（２０）を有する、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項６】
前記サポート構造体（３０）には磁性材料が含まれており、
前記装置（１）には、前記堆積面（１０ａ）とは反対側の基板（１０）の面側に配置された磁石（７０）が含まれており、
当該の磁石（７０）によって前記の磁性的なサポート構造体（３０）に磁力が及ぼされる、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項７】
前記の基板保持手段（５）および／またはサポート構造体保持手段（６）を含むフレーム（４）が含まれている、
請求項１から６までのいずれ１項に記載の装置（１）。
【請求項８】
前記のシャドウマスク（２０）および／またはサポート構造体（３０）の開口部（Ｄ1,Ｓ1）には、レーザカットされた開口部（Ｄ1,Ｓ1）および／または光化学エッチングされた開口部（Ｄ1,Ｓ1）および／または機械的にカットされた開口部（Ｄ1,Ｓ1）が含まれている、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項９】
前記サポート構造体（３０）にはサポートマスクまたはサポートバーが含まれている、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１０】
前記サポート構造体には磁性材料が含まれており、
前記の基板の堆積面ではない面側に磁石が配置されており、
当該磁石によって前記サポート構造体に磁力が及ぼされる、
請求項１から９までのいずれか１項に記載の装置（１）。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の、基板（１０）を保持する装置（１）を有する材料堆積装置（５０）。
【請求項１２】
−  材料（Ｍ）が堆積される堆積面（１０ａ）を含む基板（１０）と、−  複数の堆積開口部（Ｄ1）を含むシャドウマスク（２０）と、
−  複数の包囲開口部（Ｓ1）を含むサポート構造体（３０）とを材料堆積装置（５０）に配置する方法において、
当該方法には、前記の基板（１０）を基準にしてシャドウマスク（２０）およびサポート構造体（３０）を配置して、前記サポート構造体（３０）が、基板（１０）の堆積面（１０ａ）と同じ側にあるようにすることと、
前記シャドウマスク（２０）を基板（１０）とサポート構造体（３０）との間に配置して、シャドウマスク（２０）の少なくとも１つの堆積開口部（Ｄ1）が前記サポート構造体（３０）の対応する包囲開口部（Ｓ1）内に配置されるようにすることとが含まれており、
前記基板（１０）と、前記シャドウマスク（２０）と、前記サポート構造体（３０）とは互いに直接接触しており、
前記基板は、フレーム内の前記サポート構造体と前記シャドウマスクとからなる集合体に配置されており、前記基板の重量はサポート構造体保持手段に支えられ、
前記サポート構造体と前記シャドウマスクとは別個の保持手段である、
ことを特徴とする、
材料堆積装置（５０）に配置する方法（１）。
【請求項１３】
前記のサポート構造体（３０）を基準にしてシャドウマスク（２０）を配置して、前記のシャドウマスク（２０）の堆積開口部（Ｄ1）が、前記サポート構造体（３０）の相応する包囲開口部（Ｓ1）上に配置されるようにし、
前記のシャドウマスク（２０）の堆積開口部（Ｄ1）が、前記のサポート構造体（３０）の対応する包囲開口部（Ｓ1）内に配置されるようにする、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
基板（１０）上に材料堆積を行う方法において、
請求項１２または１３に記載の方法を使用して、サポート構造体（３０）によってサポートされるシャドウマスク（２０）を基準にして基板（１０）を配置することを特徴とする、
基板（１０）上に材料堆積を行う方法。
【請求項１５】
前記の材料堆積をOLED製造プロセスにおいて実行する、
請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１〜４個の炭素原子を有する脂肪族炭化水素を芳香族炭化水素に変換する方法において、該方法が、以下の工程：
ａ）１〜４個の炭素原子を有する少なくとも１種の脂肪族炭化水素を含有する出発材料流Ｅを、触媒の存在下で、非酸化的条件下で、芳香族炭化水素および水素を含有する生成物流Ｐに変換し、かつ、
ｂ）生成物流Ｐから変換の際に生じた水素の少なくとも一部を、少なくとも１個の選択的プロトン伝導性膜、および該膜の各側に少なくとも１個の電極触媒を有する、気密性膜電極アセンブリを用いて電気化学的に分離し、この際、膜の保持側でアノード触媒と接触させて水素の少なくとも一部をプロトンに酸化し、かつ該プロトンを、膜を通過させた後に透過側でカソード触媒と接触させて酸素により水に変換し、この際、酸素は、膜の透過側で接触する酸素含有流Ｏ由来である、
を含む、前記方法。
【請求項２】
生じた芳香族炭化水素を、工程ａ）およびｂ）の間であるか、あるいは工程ｂ）の後に生成物流Ｐから分離する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
生成物流Ｐを、生じた水素の少なくとも一部および芳香族炭化水素の分離後に、方法に返送する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程ｂ）を２０〜１２００℃の温度で行う、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
酸素含有流Ｏが、少なくとも１５モル％の酸素を含有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
酸素含有流Ｏとして空気を使用する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
工程ｂ）を０．５〜１０バールの圧力で行う、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
工程ｂ）において保持側および透過側を同じ圧力に保つ、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
選択的プロトン伝導性膜として、ポリマー膜およびセラミック膜から成る群から選択された膜を使用する、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
電極としてガス拡散電極を使用する、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
出発材料流Ｅが少なくとも５０モル％のメタンを含有する、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
出発材料流Ｅが天然ガス由来である、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年3月29日(2012.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
カチオン性フィルム形成ポリマーおよび／またはカチオン性固定ポリマーは、少なくとも１個の永続的にカチオン化された窒素原子を含有する少なくとも１の構造単位を有する。永続的にカチオン化された窒素原子は、窒素原子が、正電荷を有し、そのため第４級アンモニウム化合物を形成しているものであると理解される。第４級アンモニウム化合物は、第３級アミンとアルキル化剤、例えば塩化メチル、塩化ベンジル、硫酸ジメチル、臭化ドデシルと同時にエチレンオキシドとの反応により製造される。使用する第３級アミンに応じて、次に示す群が特に知られている：アルキルアンモニウム化合物、アルケニルアンモニウム化合物、イミダゾリニウム化合物およびピリジニウム化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
したがって、さらに特に好ましい本発明の粉末状組成物は、カチオン性フィルム形成ポリマーおよび／またはカチオン性固定ポリマーとして、式（M1-a）で表される少なくとも１種の構造単位および式（M-I）で表される少なくとも１種の構造単位および式（M-I I）で表される少なくとも１種の構造単位：
【化９】
2012522818.tif 000001
を含有する少なくとも１種のコポリマー（b2）を含有するという特徴的な特性を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
この種類の好ましいポリマー（b）は、以下から形成される群の少なくとも１つのポリマーから選択される：
・２-アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸およびアクリルアミドのコポリマー、
・２-アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、アクリルアミドおよびアクリル酸のコポリマー、
・２-アクリルアミド-２-メチルプロパンスルホン酸、アクリルアミドおよびメタクリル酸のコポリマー。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
本発明によれば、両性フィルム形成ポリマーおよび／または両性固定ポリマーが、式（S1-1）〜（S1‐5）で示される少なくとも１種の構造単位に加えて、式（S2-9）〜（S2-15）で示される少なくとも１種の構造単位および式（S2-1）〜（S2-8）で示される少なくとも１種の構造単位：
【化２９】
2012522818.tif 000002
［式中、
Ｒ１２は、（Ｃ２-Ｃ１２）アシル基（特にアセチルまたはネオデカノイル）を表す］
を含有するのが、同様に適当である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月26日(2013.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素または酸素含有ガスを用いてシクロヘキサンのシクロヘキサノン／シクロヘキサノールへの接触酸化の副生成物として反応混合物の水抽出によって得られる、アジピン酸、６−ヒドロキシカプロン酸、６−オキソカプロン酸、４−ヒドロキシシクロヘキサノン、ギ酸、ならびにアジピン酸とヒドロキシカプロン酸との合計に対して０．５〜５質量％の１，４−シクロヘキサンジオールを含有するカルボン酸混合物から出発して、エステル化し、かつ、部分流を水素化することによって１，６−ヘキサンジオールにする、１，６−ヘキサンジオールを製造する方法において、
ａ）水性カルボン酸混合物中に含まれるアルデヒドおよびケトンのみを、５０〜２００℃の水素化温度で、かつ５〜３５バール（絶対圧）の反応圧で、相当するアルコールに接触水素化し、かつ混合物中に含まれるギ酸が５０％を上回って分解され、
ｂ）水性反応混合物中に含まれるモノカルボン酸およびジカルボン酸を脱水後、低分子量アルコールを用いて相当するカルボン酸エステルに変換し、
ｃ）得られたエステル化混合物から、第一蒸留工程中で、過剰量のアルコールおよび低沸成分を分離し、
ｄ）塔底生成物から、第２の蒸留工程中で、１，４−シクロヘキサンジオールを減少させたエステル留分と１，４−シクロヘキサンジオールを含む留分とに分離し、
ｅ）（ｄ）からのエステル留分を接触水素化し、かつ自体公知の方法で水素化生成物の蒸留によって１，６−ヘキサンジオールを得る、
ことを特徴とする、前記１，６−ヘキサンジオールを製造する方法。
【請求項２】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、ルテニウム、ニッケル、コバルト、レニウムおよび銅から成る群から選択された少なくとも１種の金属を、金属の形またはその化合物として含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、二酸化チタン成形体または活性炭成形体上に担持されたルテニウム、コバルトまたはニッケルを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、触媒活性金属および担体からなる触媒の全質量に対して０．０１〜１０質量％の範囲の金属含量およびＤＩＮ６６１３１により測定された５〜５００ｍ２／ｇの範囲のＢＥＴ表面積を有する、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）中の水素化のための触媒が、ルテニウムを含む、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
エステル化を１〜３個の炭素原子を有するアルコールを用いて行う、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
エステル化を４〜１０個の炭素原子を有するアルコールを用いて行う、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
エステル化をメタノールを用いて行い、かつ蒸留工程ｃ）中で、塔頂で実質的に１，４−シクロヘキサンジオール不含のカルボン酸メチルエステル留分を得て、かつ、高沸成分および１，４−シクロヘキサンジオールを含有する塔底留分を得て、かつカルボン酸メチルエステル留分を、第３の蒸留工程ｄ）中に連行する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
エステル化をｎ−ブタノールまたはｉ−ブタノールを用いて行い、かつ蒸留工程ｃ）中で、１，４−シクロヘキサンジオールを低沸成分と一緒に塔頂を介して分離し、かつカルボン酸ブチルエステルを側流として、あるいはこれを含有する塔底生成物として得て、かつ第３の蒸留工程ｄ）に連行する、請求項１から５または７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
蒸留工程ｃ）およびｄ）を単一の塔内で行う、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
工程ｃ）の塔底生成物を少なくとも部分的に、低分子量アルコールおよびエステル化触媒のさらなる添加により再度エステル化し、かつｂ）およびｃ）と同様に、別個の蒸留工程中で分離するか、あるいは１，４−シクロヘキサンジオールを分離した後にのみ、再度エステル化し、かつカルボン酸エステルを含有する留分を水素化工程ｄ）に導く、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(i) 1.5重量%〜6.5重量%の１つ以上のグルココルチコイドと、
(ii) 15重量%〜25重量%のポリマーまたは結合剤と、
(iii) 30重量%〜40重量%の充填剤と、
(iv) 0.1重量%〜0.5重量%の流動促進剤と、
(v) 0.1重量%〜0.5重量%の滑沢剤と、
(vi) １重量%〜５重量%のフィルムコーティングシステムと、
(vii) 25重量%〜40重量%の溶媒と
を含み、前記溶媒が、組成物の製造プロセスにおいて用いられ、全体的または部分的に蒸発し、グルココルチコイドの全量の20〜30%が前記フィルムコーティングシステムに存在する、組成物。
【請求項２】
１つ以上のグルココルチコイドが、ヒドロコルチゾン、コルチゾン、プレドニゾロン、プレドニゾン、メチルプレドニゾン、トリアムシノロン、パラメタゾン、ベタメタゾン、デキサメタゾン、フルドロコルチゾン、ブデソニド、フルチカゾン、コルチゾン酢酸エステルおよびベクロメタゾンまたはそれらの任意の組み合わせから選択される請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
ポリマーまたは結合剤が、微結晶セルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、L-ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、メチルセルロースポリマー、ヒドロキシエチルセルロース、カルボキシメチルセルロースナトリウム、カルボキシメチレン、カルボキシメチルヒドロキシエチルセルロースまたはそれらの任意の組み合わせから選択される請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
充填剤が、セルロース、微結晶セルロース、粉末セルロース、ケイ化微結晶エチルセルロース、デンプンもしくは化工デンプンまたはそれらの任意の組み合わせから選択される請求項１〜３のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項５】
流動促進剤または滑沢剤が、ステアリン酸、ステアリン酸マグネシウム、ステアリン酸カルシウムまたはその他のステアリン酸金属塩、タルク、ろうおよびグリセリド、軽油、PEG、ベヘン酸グリセリル、コロイドシリカ、硬化植物油、トウモロコシデンプン、フマル酸ステアリルナトリウム、ポリエチレングリコール、硫酸アルキル、安息香酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、タルクまたはそれらの任意の組み合わせから選択される請求項１〜４のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
フィルムコーティングシステムが、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、アクリル酸ポリマー、エチルセルロース、セルロースアセテートフタレート、ポリビニルアセテートフタレート、ヒドロキシプロピルメチルセルロースフタレート、ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセルロースナトリウム、酢酸セルロース、セルロースアセテートフタレート、ゼラチン、メタクリル酸コポリマー、ポリエチレングリコール、シェラック、スクロース、二酸化チタン、カルナウバろう、ミクロクリスタリンワックス、モノステアリン酸グリセリル、タルク、ゼインまたはそれらの組み合わせを含む請求項１〜５のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
溶媒が、所望によりアルコール、例えばメタノールもしくはエタノールを補った水、またはエタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、ジクロロメタンなどのような有機溶媒である請求項１〜６のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
被覆錠剤である請求項１〜７のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
速放組成物である請求項１〜８のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
１つ以上のグルココルチコイドが、グルココルチコイドの一部分を含有するコアを含む単回単位剤形の形態で投与され、前記コアが、グルココルチコイドの残りの部分で被覆されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
組成物が１つ以上のグルココルチコイドを含み、グルココルチコイドの全量の約15〜約35重量%が、投与により速放され、グルココルチコイドの残りの部分が、少なくとも約８時間、例えば少なくとも約12時間の期間中に調節放出される請求項１〜10のいずれか１項のいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
内因性グルココルチコイド分泌パターンが減弱または破壊された対象者においてグルココルチコイド療法の１つ以上の副作用を低減するための医薬品の製造における請求項１〜11で規定される組成物の使用。
【請求項１３】
前記組成物が経口投与の形態に製造され、グルココルチコイドの全量の約15〜約35重量%が投与により速放され、グルココルチコイドの残りの部分が、少なくとも約８時間、例えば少なくとも約12時間の期間中に調節放出される、請求項12に記載の使用。
【請求項１４】
前記組成物が、グルココルチコイドの一部分を含有するコアを含む単回単位剤形の形態で製造され、前記コアが、グルココルチコイドの残りの部分で被覆されている、請求項12または13に記載の使用。
【請求項１５】
コアが、膨潤性マトリクスタイプのものである請求項14に記載の使用。
【請求項１６】
１つ以上の副作用が、体重増進、心血管危険因子の増加、骨分解の増加、代謝危険因子からなる群より選択される請求項12〜15のいずれか１項に記載の使用。
【請求項１７】
十分な副腎能力を有する対象者における内因性グルココルチコイド分泌パターンの減弱もしくは破壊を治療または予防するための医薬品の製造における請求項１〜11のいずれか１項で規定される組成物の使用。
【請求項１８】
内因性グルココルチコイド分泌パターンの減弱または破壊が、対象者の概日血漿コルチゾール濃度-時間プロファイルの混乱と関連する請求項17に記載の使用。
【請求項１９】
概日血漿コルチゾール濃度-時間プロファイルの混乱が、甲状腺機能低下症、うつ、断眠、不眠症、睡眠障害、副腎疲労症候群、慢性疲労症候群、肥満、三次性副腎不全、概日リズム睡眠障害、交代勤務、時差ぼけ、悪液質または慢性ストレスから生じる請求項17または18に記載の使用。