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【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉱油もしくは合成油またはこれらの混合物からなる基油に、潤滑油組成物全量基準で、
少なくとも下記の添加剤（１）を１〜１５質量％および下記の添加剤（２）をリン量として０．０３〜０．１５質量％配合してなり、ＳＡＥ粘度グレードＸ１Ｗ−３０またはＸ２Ｗ−２０（但し、Ｘ１およびＸ２は、それぞれ０，５または１０である。）の規格を満たす潤滑油組成物であって、該潤滑油組成物全量基準で０．５〜１０質量％のスーツの存在下において、ローラーフォロア型動弁機構を搭載した内燃機関の潤滑に使用することを特徴とする潤滑油組成物。
（１）重量平均分子量    ８０，０００〜３００，０００の下記の（ｉ）および（ｉｉ）；
（ｉ）    分散型ポリメタアクリレート
（ｉｉ）  分散型オレフィンコポリマー
からなる群より選択される少なくとも一種の重合体。
（２）ジアルキルジチオリン酸亜鉛。
【請求項２】
前記ローラーフォロア型動弁機構とさらにＮＯｘ吸蔵触媒装置が装備されたディーゼルエンジンに使用される請求項１または２に記載の潤滑油組成物。
【請求項３】
前記分散型ポリメタアクリレートおよび分散型オレフィンコポリマーの重量平均分子量が、８５，０００〜２５０，０００である請求項１に記載の潤滑油組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月23日(2009.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な支持フィルム上に近赤外線吸収層が形成された光学フィルムであって、
前記近赤外線吸収層は、下記一般式（Ｉ）
【化１】
2009098699.tif 000001
［式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよいアルキニル基を表し；Ｘ−は、（ＲｆＳＯ２）２Ｎ−または（ＲｆＳＯ２）３Ｃ−で表される陰イオンを表し、Ｒｆは炭素数１〜４のフルオロアルキル基を表す］
で表されるジイモニウム系色素を透明樹脂中に含有した層であり、
前記支持フィルムの表面は易接着処理が施されていることを特徴とする光学フィルム。
【請求項２】
前記フルオロアルキル基がパーフルオロアルキル基である請求項１に記載の光学フィルム。
【請求項３】
視感平均透過率が４５％以上である請求項１または２に記載の光学フィルム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の光学フィルムを有するプラズマディスプレイ用光学フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学フィルム及びプラズマディスプレイ用光学フィルタ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、近赤外線を吸収する近赤外線吸収能を有する光学フィルム、特にプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと略す。）の視認側に設置されて用いられる光学フィルタに好適に用いられる光学フィルム及びプラズマディスプレイ用光学フィルタに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、前記従来の技術が有する問題点に鑑みてなされたものであり、耐湿性および光学特性に優れた光学フィルム及びプラズマディスプレイ用光学フィルタを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明者らは、鋭意検討の結果、ジイモニウム系色素中の陰イオンとして、特定の陰イオンを有するジイモニウム系色素を用いた光学フィルムにより上記課題が解決されることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、透明な支持フィルム上に近赤外線吸収層が形成された光学フィルムであって、前記近赤外線吸収層は、一般式（Ｉ）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化１】
2009098699.tif 000002
［式中、Ｒ１〜Ｒ８は、それぞれ独立に水素原子、置換基を有してもよいアルキル基、置換基を有してもよいアルケニル基、置換基を有してもよいアリール基、または置換基を有してもよいアルキニル基を表し；Ｘ−は、（ＲｆＳＯ２）２Ｎ−または（ＲｆＳＯ２）３Ｃ−で表される陰イオンを表し、Ｒｆは炭素数１〜４のフルオロアルキル基を表す］
で表されるジイモニウム系色素を透明樹脂中に含有した層であり、前記支持フィルムの表面は易接着処理が施されていることを特徴とする光学フィルムを提供する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明により、耐湿性および光学特性に優れた光学フィルム及びプラズマディスプレイ用光学フィルタが提供される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明の、光学フィルムは、透明な支持フィルム（以下、支持フィルムと記す。）上に近赤外線吸収層を形成し、該支持フィルムと一体化されたものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
支持フィルムの厚みは、１０〜５００μｍの範囲において作業性が良好で、ヘイズ値が低く抑えられるという面から好ましい。本発明では、支持フィルム上に光学フィルムを形成する前に、該支持フィルムの表面に易接着処理を施す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
以下に、実施例を示して本発明をより詳細に説明する。本発明は、これらの例によって何ら制限されるものではない。例１〜例５は実施例であり、例６は参考例であり、例７〜例１１は比較例である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
表１に示すように、例１〜６の光学フィルム（実施例及び参考例）は、いずれも、光学特性が良好で、耐熱性、耐湿性ともに良好であった。なかでも、ジイモニウム系色素以外の色素も配合した例３の光学フィルムは、全色素量が少ないにもかかわらず、優れた光学特性を示した。
これに対し、陰イオンとしてＣｌＯ４−を用いた例７、陰イオンとしてＳｂＦ６−を用いた例８、陰イオンとしてＣＦ３ＳＯ３−を用いた例９、陰イオンとしてＣＨ３Ｃ６Ｈ４ＳＯ３−を用いた例１０の光学フィルムは、耐湿性が悪く、特に例９、例１０は耐熱性も悪かった。
また、例１０の光学フィルムは、近赤外線吸収能がかなり悪かった。これは、例１０で用いたジイモニウム系色素が、近赤外線吸収層中での安定性が非常に低く、層中で急速に壊れてしまったためと考えられる。
また、例７で用いたジイモニウム系色素の添加量を増量した例１１の光学フィルムは、Ｔｖが低く、色度座標も、理想的な値（（ｘ、ｙ）＝（０．３１０，０．３１６））から大きくはずれていた。また、耐熱性、耐湿性ともに悪かった。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月7日(2009.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有限の遅延時間をもつ回路素子を介して電気的に結合された、第１の解析対象物と第２の解析対象物とに対し、電磁界回路連携解析を行なうシミュレーション装置であって、
前記第１の解析対象物を含む第１の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第１の電磁界解析手段と、
前記第１の電磁界解析手段と連携して、前記第１の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第１の回路解析手段と、
前記第２の解析対象物を含む第２の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第２の電磁界解析手段と、
前記第２の電磁界解析手段と連携して、前記第２の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第２の回路解析手段と、
前記第１の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第１の電磁界解析手段で求めた電磁界値と、前記第２の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の他方の端子における、前記第２の電磁界解析手段で求めた電磁界値とを用いて、前記回路素子について回路解析を行なう第３の回路解析手段と、
前記第１の回路解析手段と前記第２の回路解析手段の内部状態を、前記第３の回路解析手段で計算した内部状態で置き換える連携手段とを備える、シミュレーション装置。
【請求項２】
前記第１の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第１の電磁界解析手段で求めた電界値または磁界値と、電圧値または電流値とを相互に変換する第１の変換手段と、
前記第１の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第１の電磁界解析手段で求めた電界値または磁界値、もしくは前記第１の変換手段により求めた電圧値または電流値を記憶する第１の記憶装置と、
前記第２の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の他方の端子における、前記第２の電磁界解析手段で求めた電界値または磁界値と、電圧値または電流値とを相互に変換する第２の変換手段と、
前記第２の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第２の電磁界解析手段で求めた電界値または磁界値、もしくは前記第２の変換手段により求めた電圧値または電流値を記憶する第２の記憶装置とをさらに備え、
前記第３の回路解析手段は、前記回路素子について、前記第１および第２の記憶装置に記憶された２つの端子の情報に基づいて前記回路解析を行なう、請求項１記載のシミュレーション装置。
【請求項３】
前記時間領域電磁界解析としてＦＤＴＤ法を用いることを特徴とする、請求項１または２に記載のシミュレーション装置。
【請求項４】
演算部を有するコンピュータに、有限の遅延時間をもつ回路素子を介して電気的に結合された、第１の解析対象物と第２の解析対象物とに対し、電磁界回路連携解析を実行させるためのシミュレーションプログラムであって、
前記演算部が、前記第１の解析対象物を含む第１の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第１の電磁界解析ステップと、
前記演算部が、前記第１の電磁界解析ステップと連携して、前記第１の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第１の回路解析ステップと、
前記演算部が、前記第２の解析対象物を含む第２の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第２の電磁界解析ステップと、
前記演算部が、前記第２の電磁界解析ステップと連携して、前記第２の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第２の回路解析ステップと、
前記演算部が、前記第１の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第１の電磁界解析ステップで求めた電磁界値と、前記第２の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の他方の端子における、前記第２の電磁界解析ステップで求めた電磁界値とを用いて、前記回路素子について回路解析を行なう第３の回路解析ステップと、
前記演算部が、前記第１の回路解析ステップと前記第２の回路解析ステップでの内部状態を、前記第３の回路解析ステップで計算した内部状態で置き換える連携ステップとを備える、シミュレーションプログラム。
【請求項５】
請求項４記載のシミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【請求項６】
有限の遅延時間をもつ回路素子を介して電気的に結合された、第１の解析対象物と第２の解析対象物とに対し、電磁界回路連携解析を実行させるためのシミュレーション方法であって、
前記第１の解析対象物を含む第１の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第１の電磁界解析ステップと、
前記第１の電磁界解析ステップと連携して、前記第１の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第１の回路解析ステップと、
前記第２の解析対象物を含む第２の解析領域において、時間領域電磁界解析を行なう第２の電磁界解析ステップと、
前記第２の電磁界解析ステップと連携して、前記第２の解析領域において、前記回路素子の回路解析を行う第２の回路解析ステップと、
前記第１の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の一方の端子における、前記第１の電磁界解析ステップで求めた電磁界値と、前記第２の解析対象物と前記回路素子とを接続する前記回路素子の他方の端子における、前記第２の電磁界解析ステップで求めた電磁界値とを用いて、前記回路素子について回路解析を行なう第３の回路解析ステップと、
前記第１の回路解析ステップと前記第２の回路解析ステップでの内部状態を、前記第３の回路解析ステップで計算した内部状態で置き換える連携ステップとを備える、シミュレーション方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような蓄熱性温熱器具である所謂温熱用パックは、医療器具として薬事法の管轄下にあり、一般医療器具（クラスＩ）または管理医療器具（クラスII）に該当し、厚生労働省の管轄下で温熱パックの適合性について調査が行われ、かつ認証されてから、初めて市場に出荷される。そのため、温熱用パックは、厳しい品質管理と技術管理の下に製造されており、一般的な商品に比較して技術的な不具合や品質不良となるような問題の発生率は低く抑えられている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯ２と炭素とを800〜1100℃の温度で接触させて得られた生成ガスと、Ｆ２を含むガスとを接触させることを特徴とするＣＯＦ２の製造方法。
【請求項２】
ＣＯ２と800〜1100℃の温度に加熱した炭素とを接触させて得られた生成ガスと、Ｆ２を含むガスとを接触させることを特徴とするＣＯＦ２の製造方法。
【請求項３】
ＣＯ２と炭素とを900〜1000℃の温度で接触させることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項４】
Ｆ２を含むガスを接触させるときの温度を０〜250℃とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項５】
Ｆ２を含むガスを接触させるときの圧力を50〜150kPaとすることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項６】
ＣＯ２と900〜1000℃に加熱した炭素とを0.5〜30分間接触させることを特徴とする請求項２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項７】
Ｆ２を含むガスが、ＣＯＦ２とＦ２ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項８】
Ｆ２を含むガスが、ＣＯＦ２、不活性ガス及びＦ２ガスとを含む混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項９】
生成したＣＯＦ２を、Ｆ２を含むガスを流通させる工程の前段、若しくは該流通させる反応系内に、循環させることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項１０】
炭素が、活性炭、コークス、炭、木炭及びカーボンブラックから選択される少なくとも１種の材料からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のＣＯＦ２の製造方法。
【請求項１１】
ＣＯ２と高温加熱した炭素とを接触させるための第１の反応ゾーンと、該第１の反応ゾーンで発生したガスとＦ２を含むガスとを接触させるための第２の反応ゾーン、とを備えることを特徴とするＣＯＦ２の製造装置。
【請求項１２】
第２の反応ゾーンから流出されるガスの一部を、第２の反応ゾーンの前段に循環させるための経路を設置したことを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ２の製造装置。
【請求項１３】
第２の反応ゾーンから流出されるガスの一部を、第２の反応ゾーンの途中に循環させるための経路を設置したことを特徴とする請求項１１に記載のＣＯＦ２の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち本発明は、ＣＯ２と炭素とを800〜1100℃の温度で接触させて得られた生成ガスと、Ｆ２を含むガスとを接触させることを特徴とするＣＯＦ２の製造方法である。ここで、ＣＯ２と炭素とを800〜1100℃の温度で接触させて生成ガスを得る具体的手段としては、ＣＯ２と800〜1100℃の温度に高温加熱した炭素とを接触させる方法が特に好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
更にまた、図２に示す装置を用い、上記第２の反応ゾーンで生成したＣＯＦ２の一部を、再度第２の反応器に循環させ、導入されるＦ２ガスと共に第２の反応ゾーン内を流通・反応させることにより、高純度のＣＯＦ２を連続して製造することができる。また、連続製造が可能となるだけでなく、ＣＯＦ２を循環させることで、ＣＯＦ２の捕集効率も向上させることができ、更には、第三種成分（例えば、Ｎ２等の希ガス）を希釈ガスとして使用しなくても済むので、後工程となるＣＯＦ２の分離精製も簡便に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月4日(2009.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１、および請求項２記載の、炭と、ガラス粒子と、バインダー剤、とに加えて、金属あるいは金属酸化物を添加し、還元条件において６００℃〜１２００℃の高温で焼成することにより製造される、金属酸化物を担持した電気伝導性炭複合多孔質セラミックス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
微粉砕した炭およびガラス粒子と、請求項２記載のバインダー剤とに、必要に応じて請求項３記載の金属成分を加えて混合し、任意の形状に加圧成型し、還元条件において６００℃〜１２００℃の高温で焼成する方法による電気伝導性炭複合多孔質セラミックスの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
以下、添付図面を参照し、本発明の実施の形態を説明する。図1は、本発明の一実施形態に係る電気伝導性炭複合多孔質セラミックスの製造方法を示す工程図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
【図１】本発明の一実施形態に係る電気伝導性炭複合多孔質セラミックスの製造方法を示す工程図である。
【図２】炭複合セラミックスの３０倍の電子顕微鏡写真である。
【図３】炭複合セラミックスの断面の１７０倍の電子顕微鏡写真である。
【図４】炭複合セラミックスの断面の３５０倍の電子顕微鏡写真である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月6日(2009.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エポキシ含有基とアルコキシ基とを有するシリコーン樹脂、酸無水物、及び、ルイス酸性を有する有機金属化合物を含有することを特徴とする光半導体用熱硬化性組成物。
【請求項２】
シリコーン樹脂は、平均組成式が下記一般式（１）で表される樹脂成分を含有することを特徴とする請求項１記載の光半導体用熱硬化性組成物。
【化１】
2008056857.tif 000001
一般式（１）中、ａ、ｂ、ｃ及びｄは、それぞれａ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．２、ｂ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０．３〜１．０、ｃ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．５、ｄ／（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）＝０〜０．３を満たし、Ｒ1〜Ｒ6は、少なくとも１個がエポキシ含有基を表し、前記エポキシ含有基以外のＲ1〜Ｒ6は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物、又は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【請求項３】
シリコーン樹脂は、平均組成式が下記一般式（２）、（３）、（４）又は（５）で表される樹脂成分を有し、かつ、下記一般式（６）、（７）及び／又は（８）で表される構造単位を有することを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体用熱硬化性組成物。
【化２】
2008056857.tif 000002
一般式（２）中、ｅ及びｆは、それぞれｅ／（ｅ＋ｆ）＝０．５〜０．９５、ｆ／（ｅ＋ｆ）＝０．０５〜０．５を満たし、Ｒ12は、エポキシ含有基であり、Ｒ10、Ｒ11は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【化３】
2008056857.tif 000003
一般式（３）中、ｇ及びｈは、それぞれｇ／（ｇ＋ｈ）＝０．５〜０．９５、ｈ／（ｇ＋ｈ）＝０．０５〜０．５を満たし、Ｒ14及び／又はＲ15は、エポキシ含有基であり、Ｒ13は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。また、Ｒ14又はＲ15のいずれか一方のみがエポキシ含有基である場合、他方は直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。
【化４】
2008056857.tif 000004
一般式（４）中、ｉ、ｊ及びｋは、それぞれ（ｉ＋ｊ）／（ｉ＋ｊ＋ｋ）＝０．５〜０．９５、ｋ／（ｉ＋ｊ＋ｋ）＝０．０５〜０．５を満たし、Ｒ18及び／又はＲ19は、エポキシ含有基であり、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ20は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。また、Ｒ18又はＲ19のいずれか一方のみがエポキシ含有基である場合、他方は直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表す。
【化５】
2008056857.tif 000005
一般式（５）中、ｌ、ｍ及びｎは、それぞれｌ／（ｌ＋ｍ＋ｎ）＝０．５〜０．９５、（ｍ＋ｎ）／（ｌ＋ｍ＋ｎ）＝０．０５〜０．５を満たし、Ｒ23は、エポキシ含有基であり、Ｒ21、Ｒ22、Ｒ24は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
Ｒ25ＳｉＸ1Ｏ2/2         （６）
Ｒ26Ｒ27ＳｉＸ2Ｏ1/2    （７）
Ｒ28ＳｉＸ3Ｘ4Ｏ1/2      （８）
一般式（６）〜（８）中、Ｒ25〜Ｒ28は、少なくとも１個がエポキシ含有基を表し、前記エポキシ含有基以外のＲ25〜Ｒ28は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜８の炭化水素或いはそのフッ素化物を表し、Ｘ1〜Ｘ4は、直鎖状若しくは分岐状の炭素数１〜４のアルコキシ基を表し、これらは、互いに同一であってもよく、異なっていてもよい。
【請求項４】
ルイス酸性を有する有機金属化合物は、周期表ＩＩＩＡ族、ＩＶＡ族及びＩＩＩＢ族に属するいずれかの原子を含有することを特徴とする請求項１、２又は３記載の光半導体用熱硬化性組成物。
【請求項５】
更に、硬化促進剤を含有することを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の光半導体用熱硬化性組成物。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の光半導体用熱硬化性組成物を用いてなることを特徴とする光半導体用封止剤。
【請求項７】
請求項１、２、３、４又は５記載の光半導体用熱硬化性組成物を用いてなることを特徴とする光半導体素子用ダイボンド材。
【請求項８】
請求項１、２、３、４又は５記載の光半導体用熱硬化性組成物を用いてなることを特徴とする光半導体素子用アンダーフィル材。
【請求項９】
請求項１、２、３、４若しくは５記載の光半導体用熱硬化性組成物、請求項６記載の光半導体用封止剤、請求項７記載の光半導体素子用ダイボンド剤及び／又は請求項８記載の光半導体素子用アンダーフィル材を用いてなることを特徴とする光半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アミド基と反応する反応基を分子内に１つ有する有機化合物と反応させたポリアミドイミド系樹脂と、導電性フィラーとを含有し、
前記ポリアミドイミド系樹脂におけるアミド基残存率が５０％以下であることを特徴とする円筒状部材。
【請求項２】
溶剤可溶型ポリアミドイミド系樹脂と、アミド基と反応する反応基を分子内に１つ有する有機化合物と、有機極性溶媒と、を含有することを特徴とする樹脂組成物。
【請求項３】
像担持体と、前記像担持体の表面を帯電させる帯電手段と、前記像担持体の表面に潜像を形成させる潜像形成手段と、前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成させる現像手段と、前記トナー像を記録媒体に転写させる転写手段と、前記トナー像を記録媒体に定着させる定着手段と、を有し、
アミド基と反応する反応基を分子内に１つ有する有機化合物と反応させたポリアミドイミド系樹脂と、導電性フィラーとを含有し、前記ポリアミドイミド系樹脂におけるアミド基残存率が５０％以下である円筒状部材を備えることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、アミド基と反応する反応基を分子内に１つ有する有機化合物と反応させたポリアミドイミド系樹脂と、導電性フィラーとを含有し、前記ポリアミドイミド系樹脂におけるアミド基残存率が５０％以下である円筒状部材である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、本発明は、像担持体と、前記像担持体の表面を帯電させる帯電手段と、前記像担持体の表面に潜像を形成させる潜像形成手段と、前記潜像をトナーにより現像してトナー像を形成させる現像手段と、前記トナー像を記録媒体に転写させる転写手段と、前記トナー像を記録媒体に定着させる定着手段と、を有し、アミド基と反応する反応基を分子内に１つ有する有機化合物と反応させたポリアミドイミド系樹脂と、導電性フィラーとを含有し、前記ポリアミドイミド系樹脂におけるアミド基残存率が５０％以下である円筒状部材を備える画像形成装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式（２）
【化１】
2008056852.tif 000001
で表される繰り返し単位を有する重合体又は共重合体を含有するキレート樹脂。
【請求項２】
次の式（１）
【化２】
2008056852.tif 000002
で表される２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルと次の一般式（Ａ）
【化３】
2008056852.tif 000003
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2は１価の有機基を示す。）
で表されるアルケニルエーテルモノマーとの共重合体を含有するキレート樹脂。
【請求項３】
ｔｅｒｔ−ブチルアセトアセテートと２−ヒドロキシエチルビニルエーテルを反応させることを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルの製造方法。
【請求項４】
２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルを、ルイス酸の存在下にリビングカチオン重合することを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル重合体の製造方法。
【請求項５】
２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルと、該２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルとカチオン重合可能な他の単量体とを、ルイス酸の存在下にリビングカチオン重合することを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル共重合体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は、次の式（２）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【化１】
2008056852.tif 000004
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
で表される繰り返し単位を有する重合体又は共重合体を含有するキレート樹脂を提供するものである。
また、本発明は、次の式（１）
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【化２】
2008056852.tif 000005
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
で表される２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルと次の一般式（Ａ）
【化３】
2008056852.tif 000006
（式中、Ｒ1は水素原子又はメチル基を示し、Ｒ2は１価の有機基を示す。）
で表されるアルケニルエーテルモノマーとの共重合体を含有するキレート樹脂を提供するものである。
また、本発明は、ｔｅｒｔ−ブチルアセトアセテートと２−ヒドロキシエチルビニルエーテルを反応させることを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルの製造方法を提供するものである。
また、本発明は、２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルを、ルイス酸の存在下にリビングカチオン重合することを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル重合体の製造方法を提供するものである。
さらに本発明は、２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルと、該２−アセトアセトキシエチルビニルエーテルとカチオン重合可能な他の単量体とを、ルイス酸の存在下にリビングカチオン重合することを特徴とする２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル共重合体の製造方法を提供するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例２
三方活栓をつけたガラス反応容器を窒素ガス気流下で加熱し、容器内を十分乾燥させた。窒素雰囲気下、容器内に２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル（０．８モーラー（以下Ｍと略す））、１−イソブトキシエチルアセテート４．０ｍＭ、及び酢酸エチルを入れ全体を４．５ｍＬとし、０℃に冷却した後、三フッ化ホウ素エーテル錯体２００ｍＭの酢酸エチル溶液０．５ｍＬ（２０ｍＭ）を加えて重合を開始した。同じ重合を残り３本行い、順次所定時間に、極少量のアンモニア水を含むメタノール５ｍＬを加え重合を停止し、メタノール中に再沈し、開始剤残渣を除去した。反応液を除去後、減圧乾燥することにより種々の分子量のポリ（２−アセトアセトキシエチルビニルエーテル）を得た。
得られたポリマーの重合率（即ち、モノマーの転化率）は重量法により求めた。重量平均分子量Ｍｗ及び数平均分子量Ｍｎは、ポリスチレンゲルを用いたゲル濾過クロマトグラフィー（ＧＰＣ）を使用し、ＴＨＦを溶離液とし、温度：３８℃で測定した。更に、得られたＭｗとＭｎの比を算出し、分子量分布の指標とした。
各サンプルの転化率、Ｍｗ、Ｍｎ及びＭｗ／Ｍｎは表１に示す通りであった。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリウレタンからなるブロック（Ａ）と、重合性不飽和単量体を重合させてなるポリマーのブロック（Ｂ）とを有するブロックコポリマーからなることを特徴とする顔料分散剤。
【請求項２】
前記ブロック（Ａ）と前記ブロック（Ｂ）の質量割合が、２：９８〜９０：１０の範囲である、請求項１に記載の顔料分散剤。
【請求項３】
前記ブロックコポリマーがスルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、亜リン酸基、及び次亜リン酸基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する（但し、スルホン酸基、カルボキシル基、リン酸基、亜リン酸基及び次亜リン酸基は、塩を形成していてもよい）、請求項１又は２に記載の顔料分散剤。
【請求項４】
前記ブロックコポリマーの酸価が１６〜２００ｍｇＫＯＨ／ｇの範囲である、請求項１〜３のいずれかに記載の顔料分散剤。
【請求項５】
前記ブロックコポリマーが、ウレタン結合あるいは尿素結合を有する高分子アゾ重合開始剤の存在下、重合性不飽和単量体を重合させて得られる、請求項１〜４のいずれかに記載の顔料分散剤。
【請求項６】
前記ウレタン結合を有する高分子アゾ重合開始剤が、１分子中に一般式（１）及び一般式（２）の構造単位を少なくとも１つずつ有する請求項５に記載の顔料分散剤。
【化１】
2008056806.tif 000001
（１）
【化２】
2008056806.tif 000002
（２）
（一般式（１）中、Ｒ１はアルキレン基、環状アルキレン基、エステル基を有するアルキレン基、ベンゼン環、またはベンゼン環を含んだアルキレン基を、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、同一であっても異なっていてもよい、アルキレン基、シアノ基を含んだアルキレン基、アミド結合を含んだアルキレン基、またはアミド結合と水酸基を併せ有するアルキレン基を表す。一般式（２）中、Ｒ４はポリオール残基を表する。）
【請求項７】
前記重合性不飽和単量体が、（メタ）アクリレート又は重合性ビニル化合物である、請求項１〜６のいずれかに記載の顔料分散剤。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の顔料分散剤、及び顔料を含有することを特徴とする顔料ペースト。
【請求項９】
請求項８に記載の顔料ペーストと、バインダー樹脂を含有することを特徴とする印刷インキ組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月20日(2009.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ステアリングシャフトの上端部に設けられたハンドル支持部材と、このハンドル支持部材に固定されたハンドルと、メータ支持部材を介してハンドルの近傍でハンドル支持部材に支持されたメータとを備えた車両におけるメータ支持構造において、
前記メータ支持部材は、上下方向に延びる脚部と、その上部から屈曲して前記ハンドル支持部材上方へ延びるメータ支持部を備え、
前記脚部の下端部を前記ステアリングシャフト側へ支持させるとともに、
前記メータ支持部上に前記メータを取付けて前記ハンドル支持部材上方へ配置するとともに、
前記メータ支持部の前記ハンドル支持部材上方に位置する端部を、前記ステアリングシャフト側に設けた受け部へ押し当てて支持させたことを特徴とするメータ支持構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記課題を解決するため本願のメータ支持構造に係る請求項１の発明は、ステアリングシャフトの上端部に設けられたハンドル支持部材と、このハンドル支持部材に固定されたハンドルと、メータ支持部材を介してハンドルの近傍でハンドル支持部材に支持されたメータとを備えた車両におけるメータ支持構造において、
前記メータ支持部材は、上下方向に延びる脚部と、その上部から屈曲して前記ハンドル支持部材上方へ延びるメータ支持部を備え、
前記脚部の下端部を前記ステアリングシャフト側へ支持させるとともに、
前記メータ支持部上に前記メータを取付けて前記ハンドル支持部材上方へ配置するとともに、
前記メータ支持部の前記ハンドル支持部材上方に位置する端部を、前記ステアリングシャフト側に設けた受け部へ押し当てて支持させたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に使用するアニオン性界面活性剤には、洗浄料に使用される多くのアニオン性界面活性剤中からラウリルグリコール酢酸Ｎａを選択的に使用する。ラウリルグリコール酢酸Ｎａは公知のアニオン性界面活性剤である。
ラウリルグリコール酢酸Ｎａには、下記化学式のモノ体が好ましく利用される。なお、モノ体の他に、ジ体、２モノ体も存在するが、これらを使用することも可能である。モノ体に、ジ体及び２モノ体が混合した混合物も好ましく使用することができる。
［化１］
モノ体：Ｃ10Ｈ21ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＮａ
［化２］
ジ体：Ｃ10Ｈ21ＣＨ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＮａ）ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＮａ
［化３］
２モノ体：Ｃ10Ｈ21ＣＨ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＯＯＮａ）ＣＨ2ＯＨ
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナノ酸化物粒子であって、該粒子表面が結合性官能基を持つポリビニル単分子膜によって保護されていることを特徴とするナノ酸化物粒子。
【請求項２】
前記結合性官能基を持つポリビニル単分子膜が、結合性官能基を持つポリアクリル単分子膜であることを特徴とする請求項１に記載のナノ酸化物粒子。
【請求項３】
前記結合性官能基が、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載のナノ酸化物粒子。
【請求項４】
前記結合性官能基を持つポリビニル単分子膜が、下記一般式（１）に表される結合性官能基を持つアクリル系モノマーを重合させて形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のナノ酸化物粒子。
【化１】
2008056776.tif 000001
（式中、Ｒ１は水素原子またはメチル基、Ｒ２はアルキル基、ハロゲン原子または水素原子を示す。ｎは１以上の整数である。）
【請求項５】
前記ナノ酸化物粒子の粒子径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のナノ酸化物粒子。
【請求項６】
前記ナノ酸化物粒子が、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ガドニウム、酸化ハフニウム、酸化エルビウム、酸化ネオジウム、酸化セリウム、酸化ジスプロシウム、またはこれらの混合酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のナノ酸化物粒子。
【請求項７】
ナノ酸化物粒子、結合性官能基を持つビニル系モノマー、分散媒の混合溶液を作成する工程と、
前記分散媒が前記混合溶液の全体の７０重量％以上存在する溶液中で前記ビニル系モノマーを重合させる工程と、
前記混合溶液の液体成分を除去して、固形のナノ酸化物粒子を得る工程と、
を有することを特徴とする表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項８】
前記分散媒が、アルコール類又はケトン類と水との混合溶媒である請求項７に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項９】
前記結合性官能基を持つビニル系モノマーが、結合性官能基を持つアクリル系モノマーであることを特徴とする請求項７または８に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項１０】
前記結合性官能基が、チオール基、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基のいずれかであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記結合性官能基を持つビニル系モノマーが、下記一般式（２）に表される結合性官能基を持つアクリル系モノマーであることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【化２】
2008056776.tif 000002
（式中、Ｒ３は水素原子またはメチル基、Ｒ４はアルキル基、ハロゲン原子または水素原子を示す。ｍは１以上の整数である。）
【請求項１２】
前記ナノ酸化物粒子が、水熱合成法により得られたものであることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項１３】
前記ナノ酸化物粒子の粒子径が１ｎｍ以上３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項１４】
前記ナノ酸化物粒子が、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ガドニウム、酸化ハフニウム、酸化エルビウム、酸化ネオジウム、酸化セリウム、酸化ジスプロシウム、またはこれらの混合酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項７〜１３のいずれか１項に記載の表面保護ナノ酸化物粒子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか１項に記載のナノ酸化物粒子を分散した透明光学樹脂。
【請求項１６】
請求項１５に記載の透明光学樹脂を用いたレンズ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が異なる２種類以上の重合性単量体を用いて重合した水性樹脂分散体であって、その水性樹脂分散体は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上で、かつ高Ｔｇ成分を得るために使用する重合性単量体の６０質量％以上がメタクリル酸メチルである高Ｔｇ成分と、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃以下の低Ｔｇ成分からなり、高Ｔｇ成分と低Ｔｇ成分の比が高Ｔｇ成分／低Ｔｇ成分（重量比）＝４６／５４〜７０／３０からなることを特徴とする水性樹脂分散体。
【請求項２】
水性樹脂分散体を得るために使用する重合性単量体全体の５０質量％を超える量が、２０℃における水の溶解度が０．１質量％以上であることを特徴とする請求項１に記載の水性樹脂分散体。
【請求項３】
低Ｔｇ成分の重合性単量体中の、メタクリル酸メチル、メタクリル酸シクロヘキシルの使用量が夫々５質量％以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の水性樹脂分散体。
【請求項４】
水性樹脂分散体を得るために使用する重合性単量体全体の５〜４５質量％のメタクリル酸シクロヘキシルを使用することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
【請求項５】
下記式（１）で表されるＳｉ含有化合物をも含んでいることを特徴とする請求項１〜４記載の水性樹脂分散体。
（Ｒ1 ）n −Ｓｉ−（Ｒ2 ）4-n            （１）
（式中、ｎは０から３の整数であり、Ｒ1 は水素、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基、炭素数５〜６のシクロアルキル基から選ばれる基である。ｎ個のＲ1 は同一であっても、異なっても良い。Ｒ2 は炭素数１〜８のアルコキシ基、アセトキシ基、水酸基から選ばれる基である。４−ｎ個のＲ2 は同一であっても、異なっても良い。）
【請求項６】
高Ｔｇ成分が水性樹脂分散体粒子の中心部分（コア）、低Ｔｇ成分が水性樹脂分散体粒子の外側部分（シェル）からなる構造を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
【請求項７】
２段階以上の工程で乳化重合して得られることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
【請求項８】
乳化重合中のｐＨが４以下で製造して得られることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
【請求項９】
低Ｔｇ成分にカルボニル基及び／又はアルデヒド基含有重合性単量体を使用することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
【請求項１０】
請求項９に記載の水性樹脂分散体に、分子中に少なくとも２個のヒドラジノ基を有する有機ヒドラジン化合物、セミカルバジド系硬化剤を配合すること特徴とする粒子間架橋が可能な水性樹脂分散体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明者らは、上記のような問題点を解決するために鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明の第１は、重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が異なる２種類以上の重合性単量体を用いて重合した水性樹脂分散体であって、その水性樹脂分散体は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以上で、かつ高Ｔｇ成分を得るために使用する重合性単量体の６０質量％以上がメタクリル酸メチルである高Ｔｇ成分と、ガラス転移温度（Ｔｇ）が４０℃以下の低Ｔｇ成分からなり、高Ｔｇ成分と低Ｔｇ成分の比が高Ｔｇ成分／低Ｔｇ成分（重量比）＝４６／５４〜７０／３０からなることを特徴とする水性樹脂分散体である。
本発明の第２は、水性樹脂分散体を得るために使用する重合性単量体全体の５０質量％を超える量が、２０℃における水の溶解度が０．１質量％以上であることを特徴する上記第１に記載の水性樹脂分散体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第３は、低Ｔｇ成分の重合性単量体に、メタクリル酸メチル、メタクリル酸シクロヘキシルの使用量が夫々５質量％以上であることを特徴とする上記第１または２に記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第４は、水性樹脂分散体を得るために使用する重合性単量体全体の５〜４５質量％のメタクリル酸シクロヘキシルを使用することを特徴とする上記第１〜３のいずれかに記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第５は、下記式（１）で表されるＳｉ含有化合物をも含んでいることを特徴とする上記第１〜４のいずれかに記載の水性樹脂分散体。
（Ｒ1 ）n −Ｓｉ−（Ｒ2 ）4-n            （１）
（式中、ｎは０から３の整数であり、Ｒ1 は水素、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基、炭素数５〜１０のアリール基、炭素数５〜６のシクロアルキル基から選ばれる基である。ｎ個のＲ1 は同一であっても、異なっても良い。Ｒ2 は炭素数１〜８のアルコキシ基、アセトキシ基、水酸基から選ばれる基である。４−ｎ個のＲ2 は同一であっても、異なっても良い。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第６は、高Ｔｇ成分が水性樹脂分散体粒子の中心部分（コア）、低Ｔｇ成分が水性樹脂分散体粒子の外側部分（シェル）からなる構造を有することを特徴とする上記第１〜５のいずれかに記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第７は、２段階以上の工程で乳化重合して得られることを特徴とする上記第１〜６のいずれかに記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第８は、乳化重合中のｐＨが４以下で製造して得られたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第９は、低Ｔｇ成分にカルボニル基及び／又はアルデヒド基含有重合性単量体を使用することを特徴とする上記第１〜８のいずれかに記載の水性樹脂分散体である。
本発明の第１０は、上記第９に記載の水性樹脂分散体に、分子中に少なくとも２個のヒドラジノ基を有する有機ヒドラジン化合物、セミカルバジド系硬化剤を配合すること特徴とする粒子間架橋が可能な水性樹脂分散体である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと、
第１の機械加工後の前記ウェーハにレーザー光を照射して、前記ウェーハ内部の表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置に改質領域を形成する改質領域形成ステップと、
改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと、
を備えることを特徴とするウェーハ加工方法。
【請求項２】
第１の機械加工前の前記ウェーハの表面に該ウェーハの表面に形成されたパターンを保護する保護用テープを貼着するテープ貼着ステップと、
第２の機械加工後の前記ウェーハの表面に紫外線光を照射する紫外線光照射ステップと、
紫外線光照射後の前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着して前記ウェーハをフレームへマウントするテープマウントステップと、
フレームへマウントされた前記ウェーハの表面に貼着されている前記保護用テープの剥離を行うテープ剥離ステップと、
前記保護用テープが剥離された前記ウェーハの前記ダイシングテープが貼着された側より、前記ダイシングテープのエキスパンドを行い、前記ウェーハの各チップ間の間隔を拡張するエキスパンドステップと、
を備える請求項１に記載のウェーハ加工方法。
【請求項３】
第２の機械加工後の前記ウェーハをプラズマ洗浄するプラズマ洗浄ステップを備える請求項１又は請求項２に記載のウェーハ加工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１より５０〜５００μｍ厚い厚さＴ２まで前記ウェーハの裏面を加工する第１の機械加工ステップと、第１の機械加工後の前記ウェーハにレーザー光を照射して、前記ウェーハ内部の表面より厚さ方向にＴ１までの距離の位置に改質領域を形成する改質領域形成ステップと、改質領域形成後の前記ウェーハの裏面を研削加工し、研削後の前記ウェーハの裏面を研磨加工し、ウェーハの最終加工厚さＴ１まで前記ウェーハの裏面を加工する第２の機械加工ステップと、を備えることを特徴とするウェーハ加工方法を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月13日(2009.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面、前記第１主面に対向する第１裏面、前記第１主面に形成された複数のワイヤ接合部、前記第１裏面に形成された複数のランド部、前記第１主面から前記第１裏面に向かってそれぞれ形成された複数のビア部、および前記複数のビア部内にそれぞれ形成された複数の導体部を有する配線基板と、
第２主面、前記第２主面に対向する第２裏面、および前記第２主面に形成された複数のパッドを有し、前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向するように、前記配線基板の前記第１主面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数のワイヤ接合部とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂体と、
前記複数のランド部にそれぞれ接続された複数の外部端子と、
を含み、
前記複数のワイヤ接合部は、前記複数の導体部を介して前記複数のランド部とそれぞれ電気的に接続されており、
前記複数のビア部は、第１ビア部と、第２ビア部とを有し、
前記複数のランド部は、前記第１ビア部内に形成された第１導体部と電気的に接続される第１ランド部と、前記第２ビア部内に形成された第２導体部と電気的に接続される第２ランド部とを有し、
前記第１ビア部は、平面的に前記第１ランド部の外側に配置されており、
前記第１導体部は、前記配線基板の前記第１裏面に形成された引き出し配線を介して前記第１ランド部と電気的に接続されており、
前記第２ビア部は、平面的に前記第２ランド部の内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記第２ビア部は、平面的に複数の前記第１ビア部の間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数のワイヤ接合部は、前記配線基板の主面上でその周縁部と前記周縁部の内側とに２列に並んで配置され、かつ前記複数のランド部は、前記配線基板の裏面上の外周部に５列に並んで配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置において、前記第２ビア部は、前記５列のランド部のうちの外側から２列目のランド部上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記ワイヤ接合部の直下に配置された前記ランド部は、前記引き出し配線を介して前記第１ビア部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置において、前記複数のランド部のうち、最外周に配置されたランド部は、前記引き出し配線を介して前記第１ビア部に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記半導体チップの対角線の延長線上には前記第１ビア部が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板は、その主面と裏面に導体パターンが形成された２層配線構造の基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１記載の半導体装置において、前記配線基板の前記第１裏面は、絶縁膜で覆われており、
前記複数のランド部のそれぞれの一部は、前記絶縁膜から露出しており、
前記第１ビア部は、平面的に前記第１ランド部の前記一部の外側に配置されており、
前記第２ビア部は、平面的に前記第２ランド部の前記一部の内側に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１記載の半導体装置において、同列における隣り合ったワイヤ接合部間の配置ピッチをＰとし、前記ビア部の直径をＬとし、前記ランド部の直径をＭとすると、Ｐ＜Ｌ＜Ｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１記載の半導体装置において、前記外部端子は、半田ボールであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
すなわち、本発明は、第１主面、前記第１主面に対向する第１裏面、前記第１主面に形成された複数のワイヤ接合部、前記第１裏面に形成された複数のランド部、前記第１主面から前記第１裏面に向かってそれぞれ形成された複数のビア部、および前記複数のビア部内にそれぞれ形成された複数の導体部を有する配線基板と、第２主面、前記第２主面に対向する第２裏面、および前記第２主面に形成された複数のパッドを有し、前記第２裏面が前記配線基板の前記第１主面と対向するように、前記配線基板の前記第１主面上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの前記複数のパッドと前記配線基板の前記複数のワイヤ接合部とをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂体と、前記複数のランド部にそれぞれ接続された複数の外部端子と、を含み、前記複数のワイヤ接合部は、前記複数の導体部を介して前記複数のランド部とそれぞれ電気的に接続されており、前記複数のビア部は、第１ビア部と、第２ビア部とを有し、前記複数のランド部は、前記第１ビア部内に形成された第１導体部と電気的に接続される第１ランド部と、前記第２ビア部内に形成された第２導体部と電気的に接続される第２ランド部とを有し、前記第１ビア部は、平面的に前記第１ランド部の外側に配置されており、前記第１導体部は、前記配線基板の前記第１裏面に形成された引き出し配線を介して前記第１ランド部と電気的に接続されており、前記第２ビア部は、平面的に前記第２ランド部の内側に配置されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
すなわち、２層配線構造の基板を用いて配線の高密度化や半導体装置の高機能化を実現させることができる。その結果、多層配線基板を用いた場合に比較して基板のコストを低減することができ、半導体装置の低コスト化を図ることができる。