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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジスト中にパターンを形成するためにレジスト上に電子ビームを向けるステップであって、電子の少なくともいくつかは前記レジストの下にある構造に入り、少なくともいくつかの電子は前記構造によって後方に散乱されるステップと、
前記構造の少なくとも一部分に電場を用いて前記レジストに入る後方散乱電子の数を減少させるステップとを、含む方法。
【請求項２】
前記パターンがリソグラフィ潜像パターンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電場を用いて前記パターン中のフィーチャぼけを減少させる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記電場を用いて前記レジスト中の近接効果を低減させる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記構造の前記一部分中の前記電場の強さが約０．００２Ｖ／ｎｍ以上０．５Ｖ／ｎｍ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記電場が、前記構造の表面から前記構造内に０．５以上２０ミクロン以下の距離だけ延びる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記構造に前記構造上面の下５ｎｍから始めて５００ｎｍの深さまで前記電場が印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記構造が絶縁層で分離された２つの導電層を含み、前記２つの導電層をよぎって電位が印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記絶縁層が、後続の処理時に所望のパターンが形成された構造の一部分になる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記絶縁層が結像層を含む２層レジスト構造の一部分であり、後で前記絶縁層内に転写されるパターンが前記結像層中に電子ビームによって作製される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記構造が、電位がそれらをよぎって印加される導電層および基板材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
導電膜が前記レジストを覆い、前記電場が前記レジストを通過するように前記導電膜と前記構造の間に電位が印加される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電場が前記レジストの存在する層にほぼ垂直に向けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記電場が、後方散乱電子を屈折させてそれらが前記レジストに入らないようにする、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記電場が、前記レジストに入る後方散乱電子の割合を少なくとも９０％減少させる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記電場が、前記レジストに入る後方散乱電子の割合を少なくとも５０％減少させる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記電場が、前記レジストに入る後方散乱電子の割合を少なくとも３０％減少させる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
別の方向に伝播する電子がレジストに入らないようにするために前記レジストに近接して電場を形成しながら、前記レジスト中にリソグラフィ潜像パターンを形成するように第１方向に伝播する電子ビームを前記レジストへ向けるステップを含む、方法。
【請求項１９】
前記別の方向へ伝播する前記電子が、前記レジストの下にある構造から後方に散乱された前記ビームからの電子である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記レジストに入る後方散乱電子の少なくとも９０％が、前記電場によって屈折される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記レジストに入る後方散乱電子の少なくとも５０％が、前記電場によって屈折される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記レジストに入る後方散乱電子の少なくとも３０％が、前記電場によって屈折される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
下にある構造に接触しているレジストの層を準備するステップと、
前記構造に電場を印加するステップと、
電子ビームで前記レジスト内にリソグラフィ潜像パターンを描画するステップとを含み、前記構造から前記レジストに入る後方散乱電子束を減少させ、それによって、前記パターンの解像度の向上が可能になるように前記電場の強さおよび向きが選定される、方法。
【請求項２４】
前記レジストに入る前記後方散乱電子束の少なくとも９０％が前記電場によって屈折される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記レジストに入る前記後方散乱電子束の少なくとも５０％が前記電場によって屈折される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２６】
前記レジストに入る前記後方散乱電子束の少なくとも３０％が前記電場によって屈折される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２７】
前記パターンが、少なくとも１つの３０ｎｍ以上５ミクロン以下の固有寸法を有するフィーチャを含む、請求項３、１８または２３に記載の方法。
【請求項２８】
前記パターンが、少なくとも１つの３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の固有寸法を有するフィーチャを含む、請求項３、１８または２３に記載の方法。
【請求項２９】
前記パターンが、少なくとも１つの３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の固有寸法を有するフィーチャを含む、請求項３、１８または２３に記載の方法。
【請求項３０】
構造にレジストを含むリソグラフィ装置中の電子束のモデリング方法であって、
ｅ−ビームと前記レジストとの相互作用をモデリングするステップを含み、前記構造中の電場を使用して前記構造から前記レジストに入る前記電子束を低減させる、方法。
【請求項３１】
前記電場の強さが０．０００２Ｖ／ｎｍ以上０．５Ｖ／ｎｍ以下である、請求項１８、２３または３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記電場の強さが０．０００２Ｖ／ｎｍ以上０．１Ｖ／ｎｍ以下である、請求項１８、２３または３０に記載の方法。
【請求項３３】
前記電場の強さが０．０１Ｖ／ｎｍ以上０．５Ｖ／ｎｍ以下である、請求項１８、２３または３０に記載の方法。
【請求項３４】
前記電場の強さが０．０１Ｖ／ｎｍ以上０．１Ｖ／ｎｍ以下である、請求項１８、２３または３０に記載の方法。
【請求項３５】
前記電場が前記レジストが存在する層にほぼ垂直に向く、請求項３０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着装置において、各電子部品の存在しないリード又はハンダボールについてのデータを格納する記憶手段と、この記憶手段に格納された前記データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理するように制御する制御手段とを設けたことを特徴とする電子部品装着装置。
【請求項２】
吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着装置において、各電子部品の存在するリード又はハンダボールについてのデータと存在しないリード又はハンダボールについてのデータとを格納する記憶手段と、この記憶手段に格納された前記両データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理するように制御する制御手段とを設けたことを特徴とする電子部品装着装置。
【請求項３】
前記認識処理装置が認識処理した結果、存在しないリード又はハンダボールについての存在したものと判断された場合に当該電子部品の装着を停止するように制御する制御装置を設けたことを特徴とする請求項1又は２に記載の電子部品装着装置。
【請求項４】
吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着方法において、各電素部品の存在しないリード又はハンダボールについてのデータを記憶手段に格納し、この記憶手段に格納された前記データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理することを特徴とする電子部品装着方法。
【請求項５】
吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着方法において、各電子部品の存在するリード又はハンダボールについてのデータと存在しないリード又はハンダボールについてのデータとを記憶手段格納し、この記憶手段に格納された前記両データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理することを特徴とする電子部品装着方法。
【請求項６】
前記認識処理装置が認識処理した結果、存在しないリード又はハンダボールについての存在したものと判断された場合に当該電子部品の装着を停止するように制御することを特徴とする請求項1又は２に記載の電子部品装着方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このため第１の発明は、吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着装置において、各電子部品の存在しないリード又はハンダボールについてのデータを格納する記憶手段と、この記憶手段に格納された前記データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理するように制御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第２の発明は、吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着装置において、各電子部品の存在するリード又はハンダボールについてのデータと存在しないリード又はハンダボールについてのデータとを格納する記憶手段と、この記憶手段に格納された前記両データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理するように制御する制御手段とを設けたことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第３の発明は、電子部品装着装置に係る第１又は第２の発明において、前記認識処理装置が認識処理した結果、存在しないリード又はハンダボールについての存在したものと判断された場合に当該電子部品の装着を停止するように制御する制御装置を設けたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第４の発明は、吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着方法において、各電素部品の存在しないリード又はハンダボールについてのデータを記憶手段に格納し、この記憶手段に格納された前記データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第５の発明は、吸着ノズルに吸着保持された電子部品を部品認カメラで撮像し、当該画像を認識処理装置により認識処理してプリント基板上に装着する電子部品装着方法において、各電子部品の存在するリード又はハンダボールについてのデータと存在しないリード又はハンダボールについてのデータとを記憶手段格納し、この記憶手段に格納された前記両データに従って前記部品認識カメラで撮像した画像を前記認識処理装置が認識処理することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第６の発明は、電子部品装着方法に係る第４又は第５の発明において、前記認識処理装置が認識処理した結果、存在しないリード又はハンダボールについての存在したものと判断された場合に当該電子部品の装着を停止するように制御することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上枠を設けないで天井から床面にわたって左右の建具枠１０ａ、１０ｂを取り付け、而る後にドア、サッシュ等を取り付ける工法であって、
上記左右の建具枠１０ａ、１０ｂの幅を壁の厚さ以下と成し、建具枠を壁の厚み内に納めるようにして取り付ける建具枠の取付け工法。
【請求項２】
左右の壁各々に下地枠３ａ、３ｂを取り付け、次いでそれら壁に必要な幅木５を施工し、クロス６を貼り終えた後に、上記左右の下地枠３ａ、３ｂ各々に対して、左右の建具枠１０ａ、１０ｂを鉛直度、真直度、隙間調節を行いながら取り付け部材１１を用いて取り付け、而る後にドア、サッシュ等を取り付ける工法に於いて、
上記左右の下地枠３ａ、３ｂ各々に建具枠の嵌合用の嵌合溝７ａ、７ｂを予め形成しておくと共に、建具枠１０ａ、１０ｂの幅を壁の厚さ以下と成し、その左右各々の嵌合溝７ａ、７ｂに対して左右各々の建具枠１０ａ、１０ｂを嵌合させて、取り付け部材１１を用いて取り付け、建具枠を壁の厚み内に納めるようにして取り付ける建具枠の完全後付け工法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記以前の技術及び上記従来技術の問題点を解決するために本発明は次の技術的手段を有するものである。
本発明は、図１及び図４に示す如く、上枠を設けないで天井から床面にわたって左右の建具枠１０ａ、１０ｂを取り付け、而る後にドア、サッシュ等を取り付ける工法であって、上記左右の建具枠１０ａ、１０ｂの幅を壁の厚さ以下と成し、建具枠を壁の厚み内に納めるようにして取り付ける建具枠の取付け工法に係るものである。
更に、本発明は左右の壁各々に下地枠を取り付け、次いでそれら壁に必要な幅木を施工し、クロスを貼り終えた後に、上記左右の下地枠各々に対して左右の建具枠を取り付け部材を用いて鉛直度、真直度、隙間調節を行いながら取り付け、而る後にドア、サッシュ等建具を取り付ける工法に於いて、上記左右の壁の左右各々下地枠に建具枠の嵌合用の嵌合溝を形成しておくと共に、建具枠１０ａ、１０ｂの幅を壁の厚さ以下と成し、その左右各々の嵌合溝に対して左右各々の建具枠を嵌合させて、取り付け部材を用いて取り付ける工法をもその特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のニッケル系超合金から製造された単結晶エーロフォイル（２２）を有するタービンブレード（２０）と、
前記第１のニッケル系超合金とは異なる第２のニッケル系超合金であって、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が０．１５重量％未満である第２のニッケル系超合金から製造され、前記エーロフォイル（２２）の先端部に溶接された補修スクィーラチップ（４６）と
を備える修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項２】
前記第２のニッケル系超合金における炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が０．１０重量％未満である、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項３】
前記第２のニッケル系超合金における炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が０．０５重量％未満である、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項４】
前記第２のニッケル系超合金が、重量％で、約１２．０％のコバルト、約６．８％のクロム、約１．５％のモリブデン、約４．９％のタングステン、約２．８％のレニウム、約６．３５％のタンタル、約６．１５％のアルミニウム、残部ニッケル、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム、ハフニウム及び不純物元素から成る公称組成を有する、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項５】
前記第２のニッケル系超合金が、重量％で、約１４．０％のクロム、約９．５％のコバルト、約４．０％のモリブデン、約４．０％のタングステン、約３．０％のアルミニウム、約５．０％のチタン、残部ニッケル、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム、ハフニウム及び不純物元素から成る公称組成を有する、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項６】
前記第２のニッケル系超合金が、重量％で、７．４〜７．８％のクロム、５．３〜５．６％のタンタル、２．９〜３．３％のコバルト、７．６〜８．０％のアルミニウム、３．７〜４．０％のタングステン、１．５〜１．８％のレニウム、残部ニッケル、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム、ハフニウム及び不純物元素から成る公称組成を有する、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項７】
前記第１のニッケル系超合金が、重量％で、約７．５％のコバルト、約７．０％のクロム、約１．５％のモリブデン、約５％のタングステン、約３％のレニウム、約６．５％のタンタル、約６．２％のアルミニウム、約０．１５％のハフニウム、約０．０５％の炭素、約０．００４％のホウ素、約０．０１％のイットリウム、残部ニッケル及び少量元素から成る公称組成、又は、重量％で、約１２．５％のコバルト、約４．２％のクロム、約１．４％のモリブデン、約５．７５％のタングステン、約５．４％のレニウム、約７．２％のタンタル、約５．７５％のアルミニウム、約０．１５％のハフニウム、約０．０５％の炭素、約０．００４％のホウ素、約０．０１％のイットリウム、残部ニッケル及び付随不純物から成る公称組成を有する、請求項１記載の修理済みガスタービンブレード（２０）。
【請求項８】
ガスタービンブレード（２０）を修理する方法であって、
エーロフォイル（２２）先端部を有する単結晶エーロフォイル（２２）を有し、前記エーロフォイル（２２）が第１のニッケル系超合金から製造され、供用に付されていたタービンブレード（２０）を用意する工程と、
前記エーロフォイル（２２）の先端部から損傷した材料を除去する工程と、
前記第１のニッケル系超合金とは異なる第２のニッケル系超合金であって、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が０．１５重量％未満である第２のニッケル系超合金を用意する工程と、
第２のニッケル系超合金から製造された補修スクィーラチップ（４６）を前記エーロフォイル（２２）の先端部に溶接する工程と
を含む方法。
【請求項９】
前記第２のニッケル系超合金を用意する工程が、炭素、ホウ素、ケイ素、ジルコニウム及びハフニウムの総量が０．１０重量％未満であるニッケル系超合金組成を有する第２のニッケル系超合金を調製することを含む、請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維材料を吐出する少なくとも一個の回転ローラを有する紡績用前処理機において繊維材料を監視する装置であって、繊維材料の不都合な蓄積を検出して電気信号を発する監視機構が配備されるという装置において、
上記監視機構は、繊維材料の不都合な蓄積（５４；５５ａ、５５ｂ）を検出し得る非接触センサ機構（２２、２２ａ、２２ｂ；３７；４８ａ、４８ｂ；５１；６４I、６４II、６４III、６４VI）を備えて成ることを特徴とする、装置。
【請求項２】
回転するまたは静止的な対向要素と一緒に前記少なくとも一個の回転ローラは間隙を形成し、該間隙から繊維材料が放出されることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも一個の回転ローラは繊維材料を下流の回転ローラに移送することを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
光学的センサ機構である前記非接触センサ機構は、移動する繊維材料の作用経路の外側に配置されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
光学的センサ機構である前記非接触センサ機構は前記作用経路を走査する２個のセンサを備えて成ることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記センサの光路は、前記移動する繊維材料の前記作用経路の方向に整列されることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記センサに対しては閾値検出デバイスが組み合わされ、該デバイスは繊維材料の積み重なりに追随して積み重なり信号を発することにより、光電センサである前記センサの光受信器の出力信号の変化に応答することを特徴とする、請求項５または６に記載の装置。
【請求項８】
前記閾値検出デバイスは、繊維材料の積み重なりにより生じた該デバイスの閾値の正の超過または負の超過が所定持続時間に亙り中断されずに継続したときにのみ繊維材料の積み重なりを信号通知することを特徴とする、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
繊維材料の蓄積の認識は光学的センサにより行われることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記光学的センサの光は光ガイドにより監視箇所まで導かれることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
材料蓄積の認識時には所定の機械応答が開始されることを特徴とする、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記応答は妥当性制御に依存して行われることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記光線が特定時間に亙り中断されたときにのみ応答が開始されることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１４】
センサは一方向光電的バリアであり、前記光電的バリアの送信器により発せられた光線の強度は、たとえば製品または材料などの異なる判断基準に対して適合可能であることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項１５】
前記光電的バリア受信器の感度は、たとえば製品または材料などの異なる判断基準に対して適合され得ることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
異なる製品条件に対する前記光電的バリアの感度および／または強度の調節内容は記憶されると共に、条件が同一である場合には、自動的に呼び出されて手動介入なしで使用され得ることを特徴とする、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
材料の蓄積を検出するために照光手段を備えた電子カメラが使用されることを特徴とする、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記センサの光路は前記ローラの周面に直接的に隣接して延在することを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項１９】
前記光学的センサ機構は送信器および受信器を備えることを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項２０】
前記光学的センサ機構は静止的な保持デバイスに取付けられることを特徴とする、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記保持デバイスは前記少なくとも一個の回転ローラの側方の領域内に配備されることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記保持デバイスは前記回転ローラの側方の領域内に配備されることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２３】
繊維材料の積み重なりに対するセンサ監視機構およびスライバの破断に対するセンサ監視機構が前記保持デバイス上に配置されることを特徴とする、請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２４】
スライバの破断に対する前記センサ監視機構は、前記各ローラの周面に対する夫々の共有接線の間の領域内において前記保持デバイス上に配置されることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記センサ監視機構の光路は、前記回転ローラまたはローラ対の回転軸のそれぞれに対して平行に延在することを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
材料の積み重なりを監視する前記センサ機構とスライバの破断を監視する制御デバイスとに対しては、共有の電気接続部が存在することを特徴とする、請求項１乃至２５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
前記制御デバイスに対する前記電気接続部は電気的評価デバイスに接続されることを特徴とする、請求項２６に記載の装置。
【請求項２８】
材料の積み重なりを監視する前記センサ機構とスライバの破断を監視する前記センサ機構との夫々の電気信号の評価は、別個に実施されることを特徴とする、請求項１乃至２７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２９】
前記監視機構は牽伸システムのローラの回りにおける不都合な巻き付きを検出するのに使用されることを特徴とする、請求項１乃至２８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項３０】
前記ローラは前記牽伸システムの頂部ローラであることを特徴とする、請求項２９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一本のスライバが通過するローラ・ニップを形成する２個の回転ローラを有する紡績用前処理機において少なくとも一本のスライバを監視する装置であって、上記スライバの存在を監視する光学的監視機構が上記各ローラの近傍に配備されるという装置において、
上記センサ機構（６１、６１ａ、６１ｂ；６３、６３ａ、６３ｂ；６４）は、前記ローラ（１１、１２；３１、３２；４６）の周面に対する夫々の共有接線（Ｔ１、Ｔ２）の領域内に配置されており、該共有接線は上記スライバの進行方向（ｃ）に対して概ね直交して配置されており、
上記センサ（６１、６１ａ、６１ｂ；６３、６３ａ、６３ｂ；６４）の光路（６１’）は上記各ローラ（１１、１２；３１、３２；４６）の夫々の回転軸に対して平行に延在することを特徴とする、装置。
【請求項２】
前記監視機構は、不都合なスライバの破断を検出し得る非接触センサを備えることを特徴とする、請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記回転ローラ対は、少なくとも一本のスライバが放出されるニップを形成していることを特徴とする、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】
前記ローラ対はスライバを下流の回転ローラ対に移送することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記センサは光電センサであり、前記光電センサに対しては閾値検出デバイスが組み合わされ、該デバイスはスライバの破断に追随して破断信号を発することにより、前記光電センサの光受信器の出力信号の変化に応答することを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記閾値検出デバイスは、スライバの破断により生じた該デバイスの閾値の正の超過または負の超過が所定持続時間に亙り中断されずに継続したときにのみスライバの破断を信号通知することを特徴とする、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記センサによりディスプレイおよび／または切換えデバイスが制御可能であることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
スライバの破断の認識は光学的センサにより行われることを特徴とする、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記光学的センサの光は光ガイドにより監視箇所まで導かれることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
スライバの破断が認識されたときには、所定の機械応答が開始されることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記応答は妥当性制御（ｐｌａｕｓｉｂｉｌｉｔｙ  ｃｏｎｔｒｏｌｓ）に依存して行われることを特徴とする、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記光線が特定時間に亙り中断されたときにのみ応答が開始されることを特徴とする、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記センサが一方向光電的バリアであり、前記光電的バリアの送信器により発せられた光線の強度は、たとえば製品または材料などの異なる判断基準に対して適合可能であることを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項１４】
前記光電的バリア受信器の感度は、たとえば製品または材料などの異なる判断基準に対して適合され得ることを特徴とする、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
異なる製品条件に対する前記光電的バリアの感度および／または強度の調節内容は記憶されると共に、条件が同一である場合には、自動的に呼び出されて手動介入なしで使用され得ることを特徴とする、請求項１３または１４に記載の装置。
【請求項１６】
スライバの破断を検出するために照光手段を備えた電子カメラが使用されることを特徴とする、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記センサの光路は前記各ローラの狭幅間隙における周面に直接的に隣接して延在することを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項１８】
前記センサの光路は前記各ローラ間の把持ラインに直接的に隣接して延在することを特徴とする、請求項２に記載の装置。
【請求項１９】
前記光路は前記作用方向に対して前記ローラ対の下流に延在することを特徴とする、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記光学的センサ機構は送信器および受信器を備えることを特徴とする、請求項１に記載の装置。
【請求項２１】
前記光学的センサ機構は静止的な保持デバイスに取付けられることを特徴とする、請求項２０に記載の装置。
【請求項２２】
前記保持デバイスは前記ローラ対の側方の領域に設けられることを特徴とする、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
スライバの破断に対するセンサ監視機構および繊維材料の積み重なりに対するセンサ監視機構が前記保持デバイス上に存在することを特徴とする、請求項２１または２２に記載の装置。
【請求項２４】
スライバの破断に対する前記センサ監視機構は、前記各ローラの周面に対する夫々の前記共有接線の間の領域内において前記保持デバイス上に配置されることを特徴とする、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
前記センサ監視機構の光路は、前記ローラ対の回転軸に対して平行に延在することを特徴とする、請求項２４に記載の装置。
【請求項２６】
材料の積み重なりを監視する前記センサ機構とスライバの破断を監視する前記センサ機構とに対しては、共有の電気接続部が存在することを特徴とする、請求項１乃至２５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２７】
スライバの破断時に、前記光路は前記送信器から前記受信器まで延在していることを特徴とする、請求項１４に記載の装置。
【請求項２８】
前記光学的監視機構の前記送信器および前記受信器は前記各ローラの夫々の端面から離間して配置されることを特徴とする、請求項２７に記載の装置。
【請求項２９】
前記光学的監視機構の前記送信器および前記受信器は前記各ローラの夫々の回転軸の間に配置されることを特徴とする、請求項２７に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明でいうシリコーン系化合物の製造方法としては、一般的な重縮合によって製造することができる。例えばＲ３ＳｉＣｌ（トリオルガノクロロシラン）、Ｒ２ＳｉＣｌ２（ジオルガノジクロロシラン）、ＲＳｉＣｌ３（モノオルガノトリクロロシラン）、ＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）をモノマーとして用い、目的とするＭ、Ｄ、Ｔ、Ｑ単位のいずれかから構成されるシリコーン系化合物をＲ３ＳｉＣｌ（Ｍ単位に相当）、Ｒ２ＳｉＣｌ２（Ｄ単位に相当）、ＲＳｉＣｌ３（Ｔ単位に相当）、ＳｉＣｌ４（Ｑ単位に相当）から所望のモル比で酸もしくはアルカリの触媒下で縮合せしめ、シリコーン系化合物を合成する方法で製造することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、シリコーン系化合物に含有されるシラノール基の含有量は反応時間によって制御可能であるが、シラノール基を制御するために封鎖剤としてＲ３ＳｉＣｌやＲ３ＳｉＯＨをシラノール基と反応させることでシラノール基の含有量を制御することも可能である。このシラノール基の含有量の測定は２９Ｓｉ−ＮＭＲなどにより測定可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
＜Ｍ、Ｄ、Ｔ、Ｑ単位の割合の調製＞Ｒ３ＳｉＣｌ（Ｍ単位に相当）、Ｒ２ＳｉＣｌ２（Ｄ単位に相当）、ＲＳｉＣｌ３（Ｔ単位に相当）、ＳｉＣｌ４（Ｑ単位に相当）を所望のモル比にて混合したのち水にて加水分解し、発生する塩酸はメタノールによって取り除いた。次いで、水酸化カリウムを触媒として縮合し、Ｍ、Ｄ、Ｔ、Ｑ単位の割合が異なるシリコーン系化合物を製造した。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
コア層の特に有利な組成が以下の通りである、請求項１〜２５のいずれか一つに記載の建築用軽量ボード：
┌──────────┬───────────┐
│原料                │［重量％］  特に      │
├──────────┼─────┬─────┤
│ポルトランドセメント│２０〜４０│２５〜３５│
├──────────┼─────┼─────┤
│ポゾラン            │  ０〜４０│２０〜３０│
├──────────┼─────┼─────┤
│膨張粘土顆粒        │３０〜６０│４０〜５０│
└──────────┴─────┴─────┘
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ドイツ特許第１９８０４３２５−Ｃ２明細書にはセメントをベースとする多層の建築用軽量ボードが開示されており、このボードも同様に水和化セメントおよび軽量骨材よりなるコア層と該コア層の両側の主要面に配置された、組み入れ補強織物含有の比較に薄いセメントベースの２つの被覆層で構成されており、その際にコア層の少なくともセメント成分は適当な疎水性化剤の添加によって疎水性化されており、その結果建築用軽量ボードの毛細管水吸収性は２４時間で１ｋｇ／ｍ２以下にある。疎水性化剤としてはドイツ特許第１９８０４３２５−Ｃ２明細書によればステアリン酸金属塩、特にステアリン酸亜鉛、−カルシウムおよび／または−アルミニウム、およびオレイン酸塩、特にオレイン酸ナトリウムが特に適していることが判っている。何故ならばこれらはセメント成分と化学的相互作用を生じそして例えば金属セッケンを形成するからである。この場合、コア層の疎水性化すべき固体成分を基準とする疎水性化剤の割合は１重量％より少ない。更にセメントマトリックス中の疎水性化剤の特に有利な分布は、ドイツ特許第１９８０４３２５−Ｃ２明細書に基づいてコア層中の水分割合が比較的に僅かな場合に達成される。骨材としては、建築用軽量ボードの水吸収性を更に低減するために、軽量骨材、例えばパーライト、バーミキュライト、特に膨張スレートの様な膨張した状態のもの、泡ガラスまたは同様に疎水性化されていてもよい破砕された膨張粘土が使用される。更に、建築用軽量ボードのコア層の両側の主要面に配置された被覆層のセメント成分も同様に疎水性化されていてもよい。被覆層の補強織物は例えば、アルカリ安定性の被覆物、例えば合成樹脂で処理されているガラス繊維織物である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の建築用軽量ボードのコア層の特に有利な組成を以下に示す：
┌──────────┬───────────┐
│原料                │［重量％］  特に      │
├──────────┼─────┬─────┤
│ポルトランドセメント│２０〜４０│２５〜３５│
├──────────┼─────┼─────┤
│ポゾラン            │  ０〜４０│２０〜３０│
├──────────┼─────┼─────┤
│膨張粘土顆粒        │３０〜６０│４０〜５０│
└──────────┴─────┴─────┘
コア層中の独立気泡のおよび／または独立孔の軽量骨材、特に膨張粘土顆粒の割合は好ましくは４０〜６０重量％、特に好ましくは４５〜５５重量％である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月26日(2008.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース上に設けられる記録媒体に対して情報処理を行うヘッドと、
矩形状に形成され、長辺および短辺を有するコネクタ本体を有するコネクタ部と、
前記ベースに対向して設けられ、前記コネクタに電気的に接続されたプリント回路基板と、を備え、
前記プリント回路基板は、このプリント回路基板の一部が切欠かれた切欠部を有し、前記切欠部は前記コネクタ本体の長辺よりも長く、前記コネクタ本体は、前記切欠部内に配置され、前記コネクタ本体の短辺は前記プリント回路基板に機械的に接続され、少なくとも前記プリント回路基板により支持されるディスク装置。
【請求項２】
前記切欠部は前記プリント回路基板の側縁に沿って延出し、前記コネクタ本体は前記切欠部の切欠き内に整列して設けられている請求項１に記載のディスク装置。
【請求項３】
前記コネクタは、前記コネクタ本体から前記プリント回路基板側に延出した複数の接続端子を有し、前記複数の接続端子は前記プリント回路基板に接続されている請求項１に記載のディスク装置。
【請求項４】
前記ベースは、前記プリント回路基板側に突出して前記コネクタを支持した突出部を有している請求項１に記載のディスク装置。
【請求項５】
前記プリント回路基板およびベースを覆ったボトムカバーを更に備え、前記ボトムカバーは前記コネクタ本体が露出した開口を有している請求項１に記載のディスク装置。
【請求項６】
前記ベースは上面部開口と、互いに平行に延びた一対の側縁部とを有し、上記ベースに取り付けられベースの上面部開口、前記記録媒体および前記機構部を覆ったトップカバーを更に備え、前記トップカバーは、それぞれ前記ベースの側縁部に重なっているとともに互いに平行に延びた一対の側縁部を有し、前記ボトムカバーは、前記ベースおよび前記トップカバーの前記側縁部を外側から同時に挟み込んで嵌合した一対の側壁を有している請求項５に記載のディスク装置。
【請求項７】
前記ベース上に設けられたエアフィルタを更に備え、
前記ベースは、前記プリント回路基板側に突出しているとともに前記エアフィルタの一部を収容した凹部を有し、前記凹部の一部は、前記突出部を形成した段部を有している請求項５に記載のディスク装置。
【請求項８】
ベース上に設けられる記録媒体と、
矩形状に形成され、長辺を有するコネクタ本体を有するコネクタ部と、
前記ベースに対向して配設され、前記コネクタに電気的に接続されたプリント回路基板と、を備え、
前記プリント回路基板は、このプリント回路基板の一部が切欠かれた切欠部を有し、前記切欠部は前記コネクタ本体の長辺よりも長く、前記コネクタ本体は、前記切欠部内に配置され、前記回路基板の表面に垂直な方向において、前記ベースと全体に重なって設けられている電子機器。
【請求項９】
前記切欠部は矩形状に形成され前記回路基板の側縁に沿って延び、前記コネクタ本体は細長い矩形状に形成され、その長手方向の両端部で前記プリント回路基板に支持されている請求項８に記載の電子機器。
【請求項１０】
前記記録媒体は、ディスク状の媒体である請求項８に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記コネクタは、前記コネクタ本体から延出し前記プリント回路基板に接続された複数の接続端子を有している請求項８に記載の電子機器。
【請求項１２】
前記ベースは、前記プリント回路基板側に突出して前記プリント回路基板に係合した複数の突出部を有している請求項８に記載の電子機器。
【請求項１３】
前記プリント回路基板の裏面側に配設され、前記プリント回路基板及びベースを覆った板状のボトムカバーを更に備えている請求項８に記載の電子機器。
【請求項１４】
ベース上に設けられた記録媒体と、
矩形状に形成され長辺および短辺を有するコネクタ本体を含むコネクタと、
前記ベースに対向して配設され、前記コネクタに電気的に接続されたプリント回路基板と、を備え、
前記プリント回路基板は、前記コネクタ本体の長辺よりも長い切欠部を有し、前記コネクタ本体は、前記切欠部の切欠き内に配置され、前記回路基板の表面に垂直な方向において、前記ベースと全体に重なって設けられ、前記コネクタ本体の短辺は前記プリント回路基板に機械的に接続されプリント回路基板によって支持されている電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するため、この発明の態様に係るディスク装置は、ベース上に設けられる記録媒体に対して情報処理を行うヘッドと、矩形状に形成され、長辺および短辺を有するコネクタ本体を有するコネクタ部と、前記ベースに対向して設けられ、前記コネクタに電気的に接続されたプリント回路基板と、を備え、前記プリント回路基板は、このプリント回路基板の一部が切欠かれた切欠部を有し、前記切欠部は前記コネクタ本体の長辺よりも長く、前記コネクタ本体は、前記切欠部内に配置され、前記コネクタ本体の短辺は前記プリント回路基板に機械的に接続され、少なくとも前記プリント回路基板により支持される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月6日(2009.3.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂｉ又はＩｎ及びＳｎを基本組成とする低融点金属成分とＡｇフィラー成分とを含んでなり、Ａｇフィラーの表面が低融点金属成分によって被覆されている金属フィラー成分と樹脂成分とを含んでなることを特長とする導電性接着剤。
【請求項２】
前記被覆の厚みが０．５μｍ〜３μｍであり、前記Ａｇフィラーと前記低融点金属成分の割合は重量比で１０：１〜１：１０であることを特長とする請求項１記載の導電性接着剤。
【請求項３】
低融点金属成分は、１０〜７０重量％のＢｉ及び残部のＳｎを含んでなることを特長とする請求項１または２記載の導電性接着剤。
【請求項４】
低融点金属成分は、１０〜９０重量％のＩｎ及び残部のＳｎを含んでなることを特長とする請求項１または２記載の導電性接着剤。
【請求項５】
低融点金属成分は、０．１〜１．０重量％のＣｕを更に含むことを特長とする請求項１〜４のいずれかに記載の導電性接着剤。
【請求項６】
低融点金属成分は、０．１〜５．０重量％のＡｇを更に含むことを特長とする請求項１〜５のいずれかに記載の導電性接着剤。
【請求項７】
低融点金属成分は、０．０１〜０．１重量％のＮｉを更に含むことを特長とする請求項１〜６のいずれかに記載の導電性接着剤。
【請求項８】
樹脂成分は、第１の成分として硬化性樹脂を含み、第２の成分としてカルボキシル基を有する還元性を有する樹脂を含むことを特長とする請求項１〜７のいずれかに記載の導電性接着剤。
【請求項９】
第２の樹脂成分は、金属を含む有機化合物を含有することを特長とする請求項８記載の導電性接着剤。
【請求項１０】
前記金属は、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＫの群から選ばれることを特長とする請求項９記載の導電性接着剤。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の導電性接着剤を用いて、加熱することにより電気回路を形成する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法によって形成された電気回路を有する電気製品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月12日(2009.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる特徴を持つ質量分析器による質量分析シグナルパターンを含む生データに基づいて同定したＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏ、および、Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ比を少なくとも格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
前記データベースに格納された、異なる質量分析器に基づく、同一のＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏに関するＩｎｔｅｎｓｉｔｙ比を抽出するステップと、
前記Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ比の値を統合し、統合した値を、前記ＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏと関連付けて、前記データベースに記憶するステップと、を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項２】
さらに、前記データベースが、ＤＮＡアレイに由来するデータに基づくＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏ、および、Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ比を備え、
前記データベースに格納された、同一のＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏに関する統合されたＩｎｔｅｎｓｉｔｙ比、および、ＤＮＡアレイに関するＩｎｔｅｎｓｉｔｙ比を抽出するステップと、
前記Ｉｎｔｅｎｓｉｔｙ比の値をノーマライズして、ノーマライズされた値を、前記ＡｃｃｅｓｓｉｏｎＮｏと関連付けて、前記データベースに記憶するステップと、を実行させることを特徴とする請求項１に記載の解析プログラム。
【請求項３】
２Ｄ−ＤＩＧＥを含む画像データであって、スポットの情報を含む画像データを格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
前記スポットのそれぞれの情報、および、前記コンピュータに接続されたデータベースであって、前記既知のタンパク質のスポットの情報を格納した他のデータベースを参照して、前記スポットの情報と、前記既知のタンパク質のスポットの情報がマッチする場合に、当該スポットの情報として、前記既知のタンパク質のスポットの情報を与え、前記データベースに格納するステップと、
マッチしない場合に、質量分析計による解析を含む他の手法により取得し、前記データベースに格納した、前記スポットの第２の情報に基づいて、前記スポットにかかるタンパク質を同定するステップと、を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項４】
前記第２の情報に基づいてタンパク質を同定するステップが、前記コンピュータに接続されたさらに他のデータベースであって、前記他の手法により同定されたタンパク質の情報が格納されたデータベースを検索するステップを含むことを特徴とする請求項３に記載の解析プログラム。
【請求項５】
各種病態を示す患者や疾患モデル動物由来組織、細胞および培養細胞を用いてプロテオーム解析方法によって得られた、電気泳動画像、および、各種異なる特徴をもつ質量分析器による質量分析シグナルパターンを少なくとも含む、生データ、並びに、当該生データに基づいて同定したペプチド・タンパク質ＩＤ、および、定量的データを格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
データベースに格納されたデータを同一言語に変換し、融合させるステップと、
ネットワークを介してアクセス可能な公開された他のデータベースを検索するステップと、
特異的タンパク質群を抽出し、これらの機能を予測し病態を解析するステップと、を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項６】
複数のＬＣ−ＭＳショットガン法を適用して得た、ＭＳスペクトルデータを格納する、ＭＳスペクトルデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
タンパク質を同定するステップと、
前記タンパク質の同定により得られた解析結果を、データベースに格納するステップと、
データベースに格納された解析結果と、タンパク相互機能解析システムおよび生物情報統合プラットフォームとを、ネットワークを介しリンクさせて融合するステップと、を実行させることを備えたことを特徴とする解析プログラム。
【請求項７】
論理的スペクトルを格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
安定同位体標識ＬＣ−ＭＳショットガン法を適用して得た生データを、既存の条件にて作成したペプチドピークリストと、前記データベースに格納された理論的スペクトルとの間の類似性に基づいて、ペプチドを同定するステップと、
安定同位体標識されたペアのピークの強度差から、前記ペプチドを含むタンパク質含有相対量を決定するステップと、
特定の組織・細胞に特異的に出現したタンパク質群を分類するステップと、を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項８】
ＤＮＡアレイ、および／または、リアルタイムＰＣＲを含む、異なる性質の分析によるｍＲＮＡ定量的発現解析データ、および、２次元電気泳動、ＬＣ−ＥＳＩ−ＭＳ／ＭＳショットガン法、および／または、ＬＣ−ＭＡＬＤＩ−ＭＳ／ＭＳショットガン法を含む、異なる手法を用いたプロテオミクスによる定量的データを格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
前記データベースに格納されたデータのそれぞれについて、ディファレンシャルディスプレイを含む、同一のアルゴリズムによる解析を施すステップを実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項９】
さらに、前記コンピュータが、
前記データベースを異なる他のデータベースとリンクされ、前記コンピュータに
前記データベースに格納された、前記解析を施された結果である解析データについて、前記リンクされた異なる他のデータベースに格納された情報に基づいて解析するステップを実行させることを特徴とする請求項８に記載の解析プログラム。
【請求項１０】
２Ｄ―ＤＩＧＥを含む画像データであって、スポットの情報を含む画像データ、および、翻訳後修飾構造を含むタンパク質情報を格納したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
前記画像データ中のスポットと、前記データベースからの翻訳後修飾構造を含むタンパク質情報とを関連付け、当該関連付けを、前記データベースに格納するステップを実行させることを特徴とする解析プログラム。
【請求項１１】
前記コンピュータに、
作成した統合データベースの情報を分析装置の解析プラットフォームにリバースインプットし、再解析するステップを実行させることを特徴とする請求項５ないし９の何れか一項に記載の解析プログラム。
【請求項１２】
ｍＲＮＡは、ＤＮＡアレイおよび／またはリアルタイムＰＣＲ、可溶化タンパク質は、２Ｄ−ＤＩＧＥを含む蛍光標識２次元電気泳動および／またはＩＣＡＴ、ｉＴＲＡＱを含む安定同位体標識法のＬＣ−ＭＳショットガン法を用いて、同時進行で、方式の定量的ディファレンシャルディスプレイによるデータを一元化して解析することを特徴とする請求項８に記載の解析プログラム。
【請求項１３】
分子ネットワークを記憶したデータベースを備えたコンピュータにおいて、前記コンピュータに、
分子統合データに基づいて、前記データベース中の分子ネットワークを検索するステップと、
病態で特異的に活性化あるいは特異的に失活しているなどの病態組織・細胞特異的シグナルカスケードを抽出するステップと、を実行させることを特徴とする解析プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システムにより直接実行機能を自動的に提供する方法であって、前記システムが、アプリケーションプログラムによりファイルにアクセスするための要求を受理し、前記ファイルにアクセスするための直接実行機能を使用するか否かを決定し、前記方法が、
前記ファイルを保持するファイルシステムを識別するステップと、
前記ファイルシステムを管理するファイルシステムドライバが、ファイルシステムダイレクトアクセスインターフェースを提供するかどうかを決定するステップと、
前記ファイルシステムドライバが、前記ファイルシステムダイレクトアクセスインターフェースを提供すると決定することに応答して、
前記直接実行機能を使用して前記ファイルにアクセスするステップと、
前記ファイルシステムが存在するデバイスを識別するステップと
前記デバイスを管理するデバイスドライバが、デバイスダイレクトアクセスインターフェースを提供するかどうかを決定するステップと、
前記デバイスドライバが、前記デバイスダイレクトアクセスインターフェースを提供すると決定することに応答して、前記直接実行機能を使用して前記ファイルにアクセスするステップと、
前記ファイルシステムが、前記直接実行機能を可能にするように構成されるかどうかを決定するステップと、
前記ファイルシステムが、前記直接実行機能を可能にするように構成されると決定することに応答して、前記ファイルシステムダイレクトアクセスインターフェースを使用して、前記直接実行機能を提供するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
ディジタルコンピュータの内部メモリ内に格納されたコンピュータプログラムであって、請求項１に記載の各ステップをコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月9日(2009.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線チップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板上に、薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路が形成されており、
前記集積回路上に、前記集積回路と電気的に接続されるパッチアンテナが固着されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項２】
可撓性基板上に、薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路が形成されており、
前記集積回路上に、前記集積回路と電気的に接続される第１のアンテナが形成されており、
前記第１のアンテナ上に、前記集積回路と電気的に接続されるパッチアンテナからなる第２のアンテナが固着されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項３】
可撓性基板上に、薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路が形成されており、
前記可撓性基板及び前記集積回路を挟持するように、前記集積回路と電気的に接続されるパッチアンテナからなる第１のアンテナ及び第２のアンテナが固着されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項４】
可撓性基板上に、薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路が形成されており、
前記集積回路上に、前記集積回路と電気的に接続される第１のアンテナが形成されており、
前記可撓性基板、前記集積回路、及び前記第１のアンテナを挟持するように、前記集積回路と電気的に接続されるパッチアンテナからなる第２のアンテナ及び第３のアンテナが固着されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記固着は、異方性導電接着剤を用いて行われており、
前記異方性導電接着剤に分散された導電性粒子により、前記集積回路と前記パッチアンテナとが電気的に接続されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記パッチアンテナは、放射電極と、前記集積回路の接地電極に電気的に接続された接地体と、前記接地体と前記放射電極との間に挟まれた誘電体層と、前記パッチアンテナと前記集積回路との間の給電を行う給電体と、を有し、
前記給電体は、前記放射電極に給電点で電気的に接続され且つ前記接地体に電気的に接続されない、又は前記接地体及び前記放射電極に電気的に接続されないことを特徴とする無線チップ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタは、有機半導体を用いて形成されていることを特徴とする無線チップ。
【請求項８】
可撓性基板上に、薄膜トランジスタを用いて形成された集積回路が形成されており、
前記集積回路上に、前記集積回路と電気的に接続される、インダクタ、コンデンサ、及び抵抗のいずれか一を含む受動素子を有する層が固着されており、
前記受動素子を有する層上に、前記受動素子と電気的に接続されるパッチアンテナが固着されていることを特徴とする無線チップ。