【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中心部及び端部を有する基板表面の処理方法であって：
前記中心部を、第1ラジカル源によって生成される第1ラジカルに曝露する工程；及び、
前記端部を、第2ラジカル源によって生成される第2ラジカルに曝露する工程；
を有し、
前記第1ラジカルと前記第2ラジカルとは前記基板に対して実質的に平行に流れ、
前記端部曝露における少なくとも1つの特性及び前記中心部曝露における少なくとも1つの特性は前記基板表面処理に関する空間的変化を制御するように設定される、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記の中心部曝露における少なくとも1つの特性は、前記第1ラジカル流量、前記第1ラジカルの電子温度、前記第1ラジカルの組成、前記第1ラジカル源のパワー入力、前記第1ラジカル源のUV強度、前記第1ラジカル源のUV波長、前記第1ラジカル源の周波数若しくは前記第1ラジカル密度又はこれらの組み合わせを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記の端部曝露における少なくとも1つの特性は、前記第2ラジカル流量、前記第2ラジカルの電子温度、前記第2ラジカルの組成、前記第2ラジカル源のパワー入力、前記第2ラジカル源のUV強度、前記第2ラジカル源のUV波長、前記第2ラジカル源の周波数若しくは前記第2ラジカル密度又はこれらの組み合わせを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記処理は、前記基板の少なくとも一部の上に膜を形成する工程又は、前記基板の少なくとも一部から膜を除去する工程又は、両工程を有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記基板の少なくとも一部の上に膜を形成する工程を有し、
前記中心部曝露及び前記端部曝露は、膜厚、膜の均一性若しくは膜の組成又はこれらの組み合わせを前記表面で空間的に変化させる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の少なくとも一部の上に膜を形成する工程を有し、
前記中心部曝露及び前記端部曝露は、前記酸化膜中の酸素濃度の均一性、前記酸化膜の深さ若しくは前記酸化膜の厚さ又はこれらの組み合わせを前記表面で空間的に変化させる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記第1ラジカル、前記第２ラジカル又は両ラジカルは酸素ラジカルを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記第1ラジカル、前記第２ラジカル又は両ラジカルは窒素ラジカルを有することを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記第1ラジカル、前記第２ラジカル又は両ラジカルは前記基板表面を層流で流れることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板を前記基板表面内で約1rpmから約60rpmの速度で回転させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理は約25℃から約1200℃の範囲の基板温度で実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記処理は約1mTから約800Tの範囲の圧力で実行されることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解、少なくとも１種類のプロセスガスのUV誘起分解又は両分解によってラジカルを発生させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解よってラジカルを発生させ、
前記の少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解は、高周波(RF)プラズマ、誘導結合プラズマ、プラズマトーチ、容量結合プラズマ、マイクロ波プラズマ、容量マイクロ波プラズマ、マイクロ波誘導プラズマ、スロット平面アンテナプラズマ、表面波プラズマ若しくはヘリコン波プラズマ又はこれらの組み合わせたプラズマを含む少なくとも1種類のローカルプラズマ発生、リモートプラズマ発生又はラジカル流の上流でのプラズマ発生を有すること特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１５】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記プラズマ誘起分解は、少なくとも1種類の、ローカル高周波(RF)プラズマ、リモート高周波(RF)プラズマ又はラジカル流の上流での高周波(RF)プラズマを発生させる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記プラズマ誘起分解は、複数のスロットを有する平面アンテナ部を介した少なくとも1種類のプロセスガスのマイクロ波照射によって、少なくとも1種類のローカルプラズマ発生又はリモートすなわち上流プラズマ発生を生じさせる、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、
前記プロセスガスは、O2、N2、NO、NO2若しくはN2O又はこれらを組み合わせた気体、及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe若しくはKr又はこれらを組み合わせた気体を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１８】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記のプラズマ誘起分解によって発生したプラズマは、3eV未満の電子温度を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項１９】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記のプラズマ誘起分解によって発生したプラズマは、1×1011cm-3から1×1013cm-3の密度及び、±3%以下の密度均一性を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２０】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記プラズマ誘起分解は、複数のスロットを有する平面アンテナ部を介した少なくとも1種類のプロセスガスによるマイクロ波照射によって、少なくとも1種類のローカルプラズマ発生、リモートプラズマ発生又はラジカル流の上流でのプラズマ発生を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２１】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのUV放射光誘起分解によってラジカルを発生させることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２２】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのUV放射光誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記UV放射光は172nmの放射線を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２３】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのUV放射光誘起分解によってラジカルを発生させ、かつ、
前記UV放射光は2つ以上の紫外光源から発生する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２４】
前記第1ラジカル源若しくは前記第2ラジカル源又は両ラジカルは、少なくとも１種類のプロセスガスのプラズマ誘起分解によってラジカルを発生させ、
前記プロセスガスは、O2、N2、NO、NO2若しくはN2O又はこれらを組み合わせた気体、及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe若しくはKr又はこれらを組み合わせた気体を有する、
ことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２５】
2つ以上の第1ラジカル源をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項２６】
2つ以上の第2ラジカル源をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項２７】
前記端部は前記第1ラジカルにも曝露されるが、前記中心部は前記第2ラジカルに曝露されないことを特徴とする、請求項1に記載の方法。
【請求項２８】
前記処理前に、
湿式化学洗浄を含む少なくとも1つの洗浄工程を実行する工程；若しくは、
前記洗浄に引き続き、前記基板表面をHFに浸漬することで前記基板表面上にむき出しのシリコン表面を形成する工程；若しくは、
前記基板表面から自然酸化膜を除去する工程；若しくは、
前記基板表面からSiO2を除去する工程；又は、
上記工程を組み合わせた工程；
をさらに有する、請求項1に記載の方法。
【請求項２９】
中心部及び端部を有する基板表面処理用の処理システムであって：
前記表面に対して実質的に平行に流れる第1ラジカルに前記中心部を曝露するために備えられている第1ラジカル源；
前記表面に対して実質的に平行に流れる第2ラジカルに前記端部を曝露するために備えられている第2ラジカル源；
を有し、
前記端部曝露における少なくとも1つの特性及び前記中心部曝露における少なくとも1つの特性は前記基板表面処理に関する空間的変化を制御するように設定されることを特徴とする、基板表面処理用の処理システム。
【請求項３０】
第1ラジカルと第2ラジカルとは実質的に互いに平行に流れることを特徴とする、請求項２9に記載の処理システム。