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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三フッ化アルミニウムを生成する方法であって、
少なくとも約３０質量％のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を含むフルオロアルミン酸塩の供給物を酸に接触させ、三フッ化アルミニウムと少なくとも一種の副生成物とを生成する工程を備える方法。
【請求項２】
上記供給物は、少なくとも約７０質量％の、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記酸は、塩酸、硫酸およびこれらの混合物から選択される請求項２記載の方法。
【請求項４】
上記供給物をシリコンソースの不存在下酸と接触させる請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
上記のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩が、ＮａＡｌＦ４、Ｎａ５Ａｌ３Ｆ１４、Ｎａ３ＡｌＦ６、およびこれらの混合物からなる群から選択される請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
フッ化水素と、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩化物塩もしくは硫化物塩とを副生成物として生成させる請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
上記フッ化水素をシリコンソースと接触させ四フッ化シリコンを生成する請求項６記載の方法。
【請求項８】
上記フッ化物塩がシラン製造による副生成物である請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
上記のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を水性の酸に接触させ、
上記のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を反応容器に導入し、上記三フッ化アルミニウムと副生成物とを含むスラリーを生成する請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
上記スラリーを固液分離ユニットに導入し、上記三フッ化アルミニウムを含む固体部分と、少なくとも一種の副生成物を含む液体部分とを生成する請求項９記載の方法。
【請求項１１】
上記固体部分は、三フッ化アルミニウムおよびアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩化物塩もしくは硫化物塩を含み、
上記液体部分は、水、フッ化水素、未反応の酸、およびアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩化物塩もしくは硫化物塩を含む請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
上記のアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を実質的に無水の酸に接触させ、
流動ガスとして酸を含む流動層反応器に上記フッ化物塩を導入する請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
粒子の三フッ化アルミニウムと、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩化物塩もしくは硫化物塩と、を上記流動層反応器内において生成させる請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
上記粒子の三フッ化アルミニウムおよび上記塩を洗浄ユニットに導入し、上記塩から上記三フッ化アルミニウムを分離する工程を備える請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
水素、フッ化水素、および未反応の酸を含む使用済みガスを生成する請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
蒸留塔において、水素、フッ化水素、および未反応の酸の少なくとも一種を分離する工程を備える請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
三フッ化アルミニウムの水和物を生成する請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
上記三フッ化アルミニウムの水和物を乾燥させ、三フッ化アルミニウムの半水和物を生成する請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
三フッ化アルミニウムを生成する方法であって、
アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を酸に接触させ、三フッ化アルミニウムと少なくとも一種の副生成物とを生成する工程と、
上記三フッ化アルミニウムを上記副生成物から分離する工程と、を備える方法。
【請求項２０】
上記酸は、塩酸、硫酸およびこれらの混合物から選択される請求項１９記載の方法。
【請求項２１】
上記フッ化物塩をシリコンソースの不存在下酸と接触させる請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
シランと三フッ化アルミニウムとを生成する方法であって、
四フッ化シリコンと、四水素化アルミニウムのアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属の塩とを接触させ、シランと、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を含む廃液とを生成する工程と、
上記廃液に酸を接触させ、三フッ化アルミニウムと、少なくとも一種の副生成物とを生成する工程と、
上記三フッ化アルミニウムを上記副生成物から分離する工程と、を備える方法。
【請求項２３】
上記四フッ化シリコンが、上記四水素化アルミニウムを含む反応溶液中においてバブリングされる請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
上記四フッ化シリコンと上記四水素化アルミニウムとを、約３０℃〜約８０℃に維持されている反応媒体内で接触させる請求項２２または請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
上記フッ化物塩を固液分離ユニットにおいて上記反応媒体から分離する請求項２４記載の方法。
【請求項２６】
上記廃液は、約３０質量％〜約９５質量％の、アルカリ金属もしくはアルカリ土類金属とアルミニウムとのフッ化物塩を含む請求項２２〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
上記酸は、塩酸、硫酸およびこれらの混合物から選択される請求項２２〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
上記廃液をシリコンソース不存在下酸と接触させる請求項２２〜２７のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月24日(2013.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂からなる表面層（ａ）、ポリアミド系樹脂からなる中間層（ｂ）およびシール可能な樹脂からなる表面層（ｃ）の少なくとも３層からなり、
（Ａ）該中間層（ｂ）が、融点が１８０℃以上である脂肪族ポリアミドと、イソフタル酸およびテレフタル酸を主たる酸成分とする脂肪族ジアミンとの重縮合物からなる非晶質芳香族ポリアミドとからなり、非晶質芳香族ポリアミド含有率が２５〜４５重量％である混合物からなり、全層厚中の２５％を超え５０％以下の層厚を占め、
（Ｂ）１００℃での引張試験において伸度１００％時の応力が、縦方向（ＭＤ）および横方向（ＴＤ）のいずれか少なくとも一方向で３〜２２ＭＰａ、且つＭＤおよびＴＤの平均値として３〜２０ＭＰａであり、且つ
（Ｃ）９０℃熱水中収縮率がＭＤおよびＴＤでそれぞれ３〜２０％であること、
を特徴とする深絞り成形用熱収縮性多層フィルム。
【請求項２】
１００℃での引張試験において伸度１００％時の応力が、縦方向（ＭＤ）および横方向（ＴＤ）のいずれか少なくとも一方向で６．３〜２１．８ＭＰａ、且つＭＤおよびＴＤの平均値として８．３〜１９．９ＭＰａである請求項１に記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項３】
最大絞り深さ（Ｄ）が６０ｍｍ以上であり、且つ最大絞り深さ（Ｄ）／金型短辺長さ（Ｌ）で定まる短辺基準絞り比（Ｄ／Ｌ）が０．７０以上である請求項１または２に記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項４】
深絞り成形可能な金型の内側表面積／金型の開口面積で定まる面積基準最大絞り比が２．８以上である請求項１〜３のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項５】
中間層（ｂ）を構成する非晶質芳香族ポリアミドがイソフタル酸およびテレフタル酸を主たる酸性分とするヘキサメチレンジアミンとの重縮合物である請求項１〜４のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項６】
中間層（ｂ）を構成する脂肪族ポリアミドがナイロン６またはナイロン６−６６共重合体からなる請求項１〜５のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項７】
表面層（ａ）を構成する熱可塑性樹脂が、ポリエステル、ポリオレフィンまたはポリアミドからなる請求項１〜６のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項８】
表面層（ｃ）を構成するシール可能な樹脂がポリオレフィンからなる請求項１〜７のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項９】
中間層（ｂ）と表面層（ａ）および／または（ｃ）との間に、ガスバリア樹脂層および接着性樹脂層のいずれか少なくとも一層を付加中間層として含む請求項１〜８のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルム。
【請求項１０】
溶融された少なくとも３種の熱可塑性樹脂を管状に共押出し、熱可塑性樹脂からなる表面層（ａ）、ポリアミド系樹脂からなる中間層（ｂ）、シール可能な樹脂からなる表面層（ｃ）の少なくとも３層からなり、且つ該中間層（ｂ）が、融点が１８０℃以上である脂肪族ポリアミドと、イソフタル酸およびテレフタル酸を主たる酸成分とする脂肪族ジアミンとの重縮合物からなる非晶質芳香族ポリアミドとからなり、非晶質芳香族ポリアミド含有率が２５〜４５重量％である混合物からなり、全層厚中の２５％を超え５０％以下の層厚を占める管状体を形成し、次いで該管状体をその各層に占める主たる樹脂の融点以下に水冷却し、その後管状体の各層に占める主たる樹脂の融点以下の温度に再加熱し、管状体の内部に流体を入れながら管状体を垂直方向に引出しつつ垂直方向に２．１〜２．４倍および円周方向２．１〜２．６倍に延伸して二軸延伸管状フィルムを形成し、これを折り畳み、次いで内部に流体を入れて再び形成した管状体の表面層（ａ）側からスチームもしくは温水により垂直方向および円周方向にそれぞれ緩和率が２０〜３５％となるように緩和熱処理を行い、その後冷却することによる延伸配向多層フィルムを得ることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の熱収縮性多層フィルムの製造方法。
【請求項１１】
管状体を垂直方向に引出しつつ垂直方向に２．２〜２．４倍および円周方向に２．２〜２．６倍に延伸後、各方向に２０〜３０％緩和熱処理して二軸延伸管状フィルムを形成する請求項１０に記載の熱収縮性多層フィルムの製造方法。
【請求項１２】
７５〜９５℃のスチームもしくは温水により緩和熱処理する請求項１０また１１に記載の熱収縮性多層フィルムの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明のポリアミド系樹脂系熱収縮性多層フィルムは上述の知見に基づくものであり、熱可塑性樹脂からなる表面層（ａ）、ポリアミド系樹脂からなる中間層（ｂ）およびシール可能な樹脂からなる表面層（ｃ）の少なくとも３層からなり、（Ａ）該中間層（ｂ）が、融点が１８０℃以上である脂肪族ポリアミドと、イソフタル酸およびテレフタル酸を主たる酸成分とする脂肪族ジアミンとの重縮合物からなる非晶質芳香族ポリアミドとからなり、非晶質芳香族ポリアミド含有率が２５〜４５重量％である混合物からなり、全層厚中の２５％を超え５０％以下の層厚を占め、（Ｂ）１００℃での引張試験において伸度１００％時の応力が、縦方向（ＭＤ）および横方向（ＴＤ）のいずれか少なくとも一方向で３〜２２ＭＰａ（＝Ｎ／ｍｍ２）、且つＭＤおよびＴＤの平均値として３〜２０ＭＰａであり、且つ（Ｃ）９０℃熱水中収縮率がＭＤおよびＴＤでそれぞれ３〜２０％であること、を特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
上記のようにして製造された本発明の深絞り成形用熱収縮性多層フィルムは、１００℃での引張試験において伸度１００％時の応力が縦方向（ＭＤ）および横方向（ＴＤ）のいずれか少なくとも一方向で３〜２２ＭＰａ（＝Ｎ／ｍｍ２）、好ましくは５〜２０ＭＰａ、さらに好ましくは５〜１８ＭＰａ、且つＭＤおよびＴＤの平均値として３〜２０ＭＰａ、好ましくは５〜１８ＭＰａであり、且つ９０℃の熱水中収縮率がＭＤおよびＴＤでそれぞれ３〜２０％、好ましくは５〜１５％であることが特徴的である。上記したＭＤおよびＴＤにおける応力が過大であると、深絞り成形適性が悪化し、過小であると深絞り成形後のフィルム強度が不充分になりやすい。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月29日(2013.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピクセル型固体フォトン検出器の電荷分布を制御する方法であって、
ピクセル型固体フォトン検出器に、
少なくとも２個のピクセルの電化を共有するするように前記少なくとも２個のピクセルを画定するようにピクセル型素子を成形し又は隔設することにより、電荷分布が前記少なくとも２個のピクセルにより検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、
隣り合ったピクセルの間に重なり領域を有するジグザグ型で複数のピクセルを構成するステップと、
前記少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップと、
前記得られた電荷共有情報に基づいて前記電荷分布の前記複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップと
を備えた方法。
【請求項２】
前記電荷分布は電子電荷雲により画定され、該電子電荷雲よりも小さい寸法を有するように前記複数のピクセルを構成するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
位置を決定する前記ステップは、前記位置を決定するために図心計算を用いることを含んでおり、該図心計算は一次ピクセル及び少なくとも１個の隣接ピクセルからの電荷情報を用いる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のピクセルは行及び列に分割され、前記電荷共有情報を得るために行列加算を用いるステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複数のピクセルに関連する複数のチャネルのエネルギ出力を加算することにより、検出されたフォトンのエネルギを決定するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数のピクセルを設ける前記ステップは、複数の陽極ピクセル及び複数の陰極ピクセルを設けることを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ピクセル型固体フォトン検出器の陽極信号と陰極信号との間の飛行時間差に基づく時間を用いて相互作用深さを決定するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記決定された位置に基づいて前記複数のピクセルの補正ファクタを決定するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記複数のピクセルの各々を小ピクセルに構成するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ピクセル・アレイの複数の行及び列の各々の交互のピクセルが接続されるように、前記複数のピクセルを相互接続するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記重なり領域は鋸歯型構成を含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記電荷分布が前記少なくとも２個のピクセルにより検出されるように前記複数のピクセルを成形して配置するステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
ピクセル型固体フォトン検出器の電荷分布を制御する方法であって、
ピクセル型固体フォトン検出器に、
少なくとも２個のピクセルの電化を共有するするように前記少なくとも２個のピクセルを画定するようにピクセル型素子を成形し又は隔設することにより、電荷分布が前記少なくとも２個のピクセルにより検出されるような構成として複数のピクセルを設けるステップと、
前記複数のピクセルに隣接して抵抗層を設けるステップと、
前記少なくとも２個のピクセルから電荷情報を得るステップと、
前記得られた電荷共有情報に基づいて前記電荷分布の前記複数のピクセルとの相互作用の位置を決定するステップと
を備えた方法。
【請求項１４】
前記電荷分布の電荷共有を集束させるように構成されている方向制御グリッドを設けるステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
複数のピクセル型陽極を有する２層ピクセル型固体フォトン検出器を設けるステップをさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動物にANGPTL3を標的とする10〜30連結ヌクレオシドの長さの修飾オリゴヌクレオチドを含む化合物を含む、動物でのANGPTL3発現を少なくとも40％低減させる方法であって、ANGPTL3の発現が動物で低減するための医薬組成物。
【請求項２】
動物におけるANGPTL3の発現の低減が、
（a）  apoC-III発現レベルを減少させ；
（b）  トリグリセリドレベルを減少させ；
（c）  コレステロールレベルを減少させ；
（d）  LDLレベルを減少させ；
（e）  グルコースレベルを減少させ；
（f）  インスリン感受性を改善し；および／または
（g）  代謝性疾患または心臓血管疾患を軽減する；
請求項1に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記修飾オリゴヌクレオチドが、前記修飾オリゴヌクレオチドの全体にわたり測定した配列番号1〜5のいずれかに少なくとも90％、少なくとも95％または100％相補的な核酸塩基配列を有する、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記修飾オリゴヌクレオチドが配列番号34、37-38、40-43、45、50-55、57-64、67、69-75、77-78、81-83、85、87、90、92-103、105-107、109-110、113-115、117-123、126-146、148-160、162-180のいずれか1つに記載の配列の少なくとも8つの隣接核酸塩基を含む核酸塩基配列を有する、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記動物がヒトである、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記化合物が第1剤であり、さらに第2剤を投与することを含む、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記修飾オリゴヌクレオチドの少なくとも1つのヌクレオシド間連結が修飾ヌクレオシド間連結であり、前記修飾オリゴヌクレオチドの少なくとも1つのヌクレオシドが修飾糖を含み、および／または前記修飾オリゴヌクレオチドの少なくとも1つのヌクレオシドが修飾核酸塩基を含む、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項８】
各ヌクレオシド間連結がホスホロチオエートヌクレオシド間連結である、請求項7に記載の医薬組成物。
【請求項９】
少なくとも1つの修飾糖が二環式糖である、請求項7に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
少なくとも1つの修飾糖が2'-O-メトキシエチル、（4’-CH（CH3）-O-2’）BNA、（4’-CH2-O-2’）BNA、または4'-（CH2）n-O-2'架橋（式中、nは1または2である）を含む、請求項7に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記修飾核酸塩基が5-メチルシトシンである、請求項7に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記修飾オリゴヌクレオチドは20連結ヌクレオシドからなる、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記修飾オリゴヌクレオチドは：
a．連結デオキシヌクレオシドからなるギャップセグメント；
b．連結ヌクレオシドからなる5'ウィングセグメント；
c．連結ヌクレオシドからなる3'ウィングセグメント；を有し、
前記ギャップセグメントは5'ウィングセグメントと3'ウィングセグメントの間に位置し、各ウィングセグメントの各ヌクレオシドが修飾糖を含む、請求項1または2に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
代謝疾患または心臓血管疾患の動物を処置するための医薬組成物であって、
20連結ヌクレオシドからなる修飾オリゴヌクレオチドを含み配列番号34〜182のいずれかから選択される核酸配列の少なくとも8個の連続した核酸塩基を含む核酸塩基配列を有する化合物、を含み、
前記代謝疾患または心臓血管疾患の動物が処置される、前記医薬組成物。
【請求項１５】
前記レベルが独立して少なくとも5％、10％、20％、30％、35％、または40％減少する、請求項2に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
10〜30連結ヌクレオシドからなり配列番号34〜182のいずれかから選択される核酸塩基配列の少なくとも8つの隣接核酸塩基を含む核酸塩基配列を有する修飾オリゴヌクレオチドを含む化合物。
【請求項１７】
修飾オリゴヌクレオチドの核酸塩基配列が、修飾オリゴヌクレオチドの全体にわたり測定した場合に、配列番号1〜5のいずれかに少なくとも90％、少なくとも95％、または100％相補的である、請求項16に記載の化合物。
【請求項１８】
少なくとも1つのヌクレオシド間連結が修飾ヌクレオシド間連結であり、少なくとも1つのヌクレオシドが修飾糖を含み、および／または少なくとも1つのヌクレオシドが修飾核酸塩基を含む、請求項16に記載の化合物。
【請求項１９】
各ヌクレオシド間連結がホスホロチオエートヌクレオシド間連結である、請求項18に記載の化合物。
【請求項２０】
少なくとも1つの修飾糖が二環式糖である、請求項18に記載の化合物。
【請求項２１】
少なくとも1つの修飾糖が2'-O-メトキシエチル、（4’-CH（CH3）-O-2’）BNA、（4’-CH2-O-2’）BNA、または4'-（CH2）n-O-2'架橋（式中、nは1または2である）を含む、請求項18に記載の化合物。
【請求項２２】
修飾核酸塩基が5-メチルシトシンである、請求項18に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
治療有効量のグラチラマーの薬剤的に許容される塩を含む長時間作用性非経口医薬組成物。
【請求項２】
それを必要とする対象者において医学的に許容される位置で移植するのに適したデポー形態において治療有効量のグラチラマーの薬剤的に許容される塩を含む長時間作用性医薬組成物。
【請求項３】
前記グラチラマーの薬剤的に許容される塩が酢酸グラチラマーである、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記グラチラマーが、約０．１４のグルタミン酸、約０．４３のアラニン、約０．１０のチロシンおよび約０．３３のリシンのモル比でＬ−アラニン、Ｌ−グルタミン酸、Ｌ−リシン、およびＬ−チロシンを含み、または
前記グラチラマーが約１５〜約１００のアミノ酸を含む、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
皮下または筋肉内移植に適した、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記グラチラマーの薬剤的に許容される塩が、約２０〜約７５０ｍｇの範囲の用量である、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項７】
薬剤的に許容される生分解性または非生分解性担体をさらに含む、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記担体が、ＰＬＧＡ、ＰＬＡ、ＰＧＡ、ポリカプロラクトン、ポリヒドロキシブチラート、ポリオルトエステル、ポリアルカンアンヒドリド、ゼラチン、コラーゲン、酸化セルロース、およびポリホスファゼンから選択される、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
水中油中水二重乳化プロセスにより調製される微粒子の形態または生分解性微小球、非生分解性微小球、任意の好適な幾何学的形状のインプラント、移植型ロッド、移植型カプセル、移植型リング、または持続放出ゲルもしくは浸食性マトリックスの形態の、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
治療有効量のグラチラマーの薬剤的に許容される塩を含む内部水性相、生分解性または非生分解性ポリマーを含む水非混和性ポリマー相、および外部水性相を含む、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記水非混和性ポリマー相がＰＬＡおよびＰＬＧＡから選択される生分解性ポリマーを含み、または
前記外部水相が、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリソルベート、ポリエチレンオキシド−ポリプロピレンオキシドブロックコポリマーおよびセルロースエステルから選択される界面活性剤を含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
週１回から６ヶ月ごとに１回までまたは２週間ごとに１回から１ヶ月に１回までの投薬スケジュールに適した、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記組成物が、酢酸グラチラマーの市販の連日注射可能な投与形態と等しいかまたはさらに優れた治療有効性を提供し、副作用の発生率が低減され、および／または局所および／または全身レベルで副作用の重篤度が低減され、または
前記組成物が、実質的に類似した用量の酢酸グラチラマーの即時放出処方と比較して、対象者においてグラチラマーの持続放出または持効性作用を提供する、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
対象者において多発性硬化症を治療し、またはグラチラマーの持続放出または持効性作用を提供するための薬剤製造に使用される、請求項１から１３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１５】
対象者において多発性硬化症を治療を目的とし、またはグラチラマーの持続放出または持効性作用を提供における薬剤製造に使用するために適したデポー形態の医学的に許容可能な塩。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月26日(2013.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
安定な無菌ＩＤＰＮ溶液であって、１〜１０質量／体積％のブドウ糖、７〜２０質量／体積％のアミノ酸および５質量／体積％未満の脂質を含み、ブドウ糖とアミノ酸が両方とも同じ溶液に溶解しており、無菌容器に入れられており少なくとも２４時間室温で安定であるＩＰＤＮ溶液。
【請求項２】
ａ）  ２〜２６ｇのブドウ糖；および
ｂ）  １２〜４５ｇのアミノ酸を含み；
１Ｌ未満の体積を有する、請求項１に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項３】
ブドウ糖の濃度が約０．０２〜約０．１ｇ／ｍｌであり、アミノ酸の濃度が約０．１〜約０．２ｇ／ｍｌである、請求項１または２に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項４】
脂質を含まない、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項５】
８〜２５ｇの脂質を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液を含むパッケージを含む、無菌製品。
【請求項７】
患者の体重測定値に基づき製剤され、血液透析に併せて非経口的に投与する、栄養障害の治療を、それを必要とする血液透析患者において行うための、請求項１に記載のＩＰＤＮ溶液。
【請求項８】
患者の体重測定値のｋｇあたり約１ｇ未満のブドウ糖、および患者の体重測定値のｋｇあたり約２ｇ未満のアミノ酸を含むように製剤される、請求項７に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項９】
患者の体重測定値が該当する体重群に基づくブドウ糖とアミノ酸の量を患者に送達するように製剤され、体重群は、約９〜約１２ｋｇ、約１３〜約１７ｋｇ、約１８〜約２２ｋｇ、約２３〜約２７ｋｇ、約２８〜約３３ｋｇ、約３４〜約３９ｋｇ、約４０〜約４４ｋｇ、約４５〜約５１ｋｇ、約５２〜約５９ｋｇ、約６０〜約６９ｋｇ、または約７０ｋｇ以上である、請求項７または８に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１０】
（ｇ／ｋｇ）基準で患者の体重測定値の約５０％〜約６０％の量のブドウ糖、および（ｇ／ｋｇ）基準で患者の体重測定値の約１２０％〜約１６０％の量のアミノ酸を含むように製剤化される、請求項７〜９のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１１】
ＩＤＰＮ溶液の最初の投与後、患者のアルブミンレベルが１〜３ヶ月で約０．２〜約０．４ｇ／ｄＬ増加するか、またはＩＰＤＮ溶液の最初の投与後、患者のアルブミンレベルが３ヶ月以内で約０．２ｇ／ｄＬまたは約０．３ｇ／ｄＬ増加する、請求項７〜１０のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１２】
患者に１週間に１〜７回投与されるか、または患者に１週間に４、５、６または７回投与される、請求項７〜１１のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１３】
非経口投与が一定期間に渡って行われ、該一定期間が患者の体重測定値に基づく、請求項７〜１２のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１４】
注入時間が約２時間〜約８時間であるか、または注入時間が約２〜約２．２５時間、約２．２５〜約２．５時間、約２．５〜約２．７５時間、約２．７５〜約３時間、約３〜約３．２５時間、約３．２５〜約３．５時間、約３．５〜約３．７５時間、約３．７５〜約４時間、または約４〜約４．２５時間である、請求項１３に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１５】
脂質を含まない、請求項７〜１４のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１６】
約１２４ｍＬ〜約３５７ｍＬの全体積中に約４ｇ〜約１９ｇの量のブドウ糖および約１３．５ｇ〜約４２ｇの量のアミノ酸を含むように製剤され、患者は９ｋｇ〜３３ｋｇの体重を有しており、１７ｍＬ／時〜１２７ｍＬ／時の注入速度で投与される、請求項７〜１５のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１７】
約３２９ｍＬ〜約８１７ｍＬの全体積中に、約１７ｇ〜約４７ｇの量のブドウ糖および約５１ｇ〜約１０５ｇの量のアミノ酸を含むように製剤され、患者は３４ｋｇ〜少なくとも７０ｋｇの体重を有しており、４５ｍＬ／時〜２９０ｍＬ／時の注入速度で投与される、請求項７〜１５のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１８】
約３７２ｍＬ〜約９３７ｍＬの全体積中に約１７ｇ〜約４７ｇの量のブドウ糖、約５１ｇ〜約１０５ｇの量のアミノ酸、および８．６ｇ約〜約２４ｇの量の脂質を含み、該患者は少なくとも３４ｋｇの体重を有しており、４５ｍＬ／時〜３２５ｍＬ／時の注入速度で投与される、請求項７〜１４のいずれかに記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項１９】
患者の体重測定値が該当する体重群に基づくブドウ糖とアミノ酸の量を患者に送達するように製剤され、体重群は、約９〜約１２ｋｇ、約１３〜約１７ｋｇ、約１８〜約２２ｋｇ、約２３〜約２７ｋｇ、または約２８〜約３３ｋｇである、請求項７〜１５のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液。
【請求項２０】
患者の体重測定値が該当する体重群に基づくブドウ糖とアミノ酸の量を患者に送達するように製剤され、体重群は、約３４〜約３９ｋｇ、約４０〜約４４ｋｇ、約４５〜約５１ｋｇ、約５２〜約５９ｋｇ、約６０〜約６９ｋｇ、または約７０ｋｇ以上である、請求項７〜１５のいずれか１項に記載のＩＤＰＮ溶液。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コネクタインサートとケーブルとを有するケーブル組体を製造する方法であって、
前記ケーブルのシールド層中の複数の繊維を複数の金属ワイヤから分離するステップと、
前記複数の金属ワイヤ間から前記コネクタインサートのシールドに至るはんだ接続部を形成するステップと、
前記はんだ接続部を覆うようにキャップを配置するステップと、
前記キャップを捲縮するステップと、を備えることを特徴とするコネクタインサート製造方法。
【請求項２】
前記複数の繊維はアラミド繊維であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記ケーブルの前記シールド層は編組層であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記ケーブルの前記シールド層は、複数の逆向き回りの螺旋から形成されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記キャップを前記コネクタインサートにはんだ付けするステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
プリント回路基板上の導電パッドを前記コネクタインサートの内壁にはんだ付けするステップを更に備えることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記導電パッドは前記プリント回路基板の縁部にあることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記プリント回路基板上の能動デバイスを前記シールドに熱結合するステップを更に備えることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
コネクタインサート及びケーブル装置であって、
インサートシールドと、
複数の撚線対、複数のワイヤ及び前記インサートシールドに電気的に接続されたシールド層を備えるケーブルと、
前記シールド層と前記インサートシールドとの間の接続部を被覆するキャップであって、捲縮されたキャップと、
前記撚線対に対応する複数の非円形の開口部及び前記ワイヤに対応する複数のほぼ円形の開口部を有し、前記開口部を利用して前記複数の撚線対及び前記複数のワイヤが貫通するブロックと、
前記撚線対のうち少なくとも１つの撚線対に結合され且つ前記インサートシールドに接続されたパッドを有するプリント回路基板と、
前記プリント回路基板に固定され且つ前記インサートシールドに熱結合された能動デバイスと、を備えることを特徴とするコネクタインサート及びケーブル装置。
【請求項１０】
前記ケーブルシールド層は前記インサートシールドにはんだ付けされることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート及びケーブル装置。
【請求項１１】
前記複数の非円形の開口部の各々はほぼ楕円形であることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート及びケーブル装置。
【請求項１２】
前記パッドは、前記プリント回路基板の一方の面に配置されることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート。
【請求項１３】
前記キャップは、前記シールド層と前記インサートシールドとの間の前記接続部を覆うように捲縮されることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート。
【請求項１４】
前記キャップは前記コネクタインサートにはんだ付けされることを特徴とする請求項１３記載のコネクタインサート。
【請求項１５】
前記インサートシールドの一部を被覆するプラスチック筐体を更に備えることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート。
【請求項１６】
前記ケーブルシールド層は複数の繊維を備えることを特徴とする請求項９記載のコネクタインサート。
【請求項１７】
前記複数の繊維はアラミド繊維であることを特徴とする請求項１５記載のコネクタインサート。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月25日(2013.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路生成プロセスが施された回路領域を有するシート状の基板が巻きつけられる軸部と、
前記軸部に巻かれた状態の前記基板を収容するカバー部とを備え、
前記軸部は、前記基板の巻き始めの一端部のうち、前記回路領域と異なる領域を保持する保持部を有する、
基板ケース。
【請求項２】
前記保持部は、前記軸部の表面から内部に向けて形成されたスロット部を有する、
請求項１に記載の基板ケース。
【請求項３】
前記スロット部は、前記軸部の表面から内部に向けて間隔が徐々に狭くなる、
請求項２に記載の基板ケース。
【請求項４】
前記スロット部は、前記軸部の表面一周に亘って複数設けられる、
請求項２又は３に記載の基板ケース。
【請求項５】
前記保持部は、前記基板の巻き始めの一端部を前記軸部に固定する固定ピンを有する、
請求項１から請求項４のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項６】
前記基板を前記軸部に巻いた状態で、前記基板の他端部のうち前記回路領域と異なる領域を前記軸部又は前記カバー部のうち少なくとも一方に固定させる固定部を更に備える、
請求項１から請求項５のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項７】
前記固定部は、前記基板を挟むクランプ機構を有する、
請求項６に記載の基板ケース。
【請求項８】
前記軸部は、
前記基板の裏面のうち、一方の側端部の裏面が当接する第一端部と、前記基板の裏面のうち、他方の側端部の裏面が当接する第二端部と、前記基板の裏面のうち、前記第一端部と前記第二端部との間の中間部の裏面の少なくとも一部が当接する１つ以上のリブ部と、前記第一端部と前記第二端部と前記リブ部とを連結する連結部と、を有する、
請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項９】
前記第一端部及び前記第二端部の少なくとも一方は、前記軸部を駆動する駆動機構及び前記軸部を搬送する搬送機構のうち少なくとも一方に接続される被接続部を有する、
請求項８に記載の基板ケース。
【請求項１０】
前記カバー部は、前記軸部を保持する軸部保持部を有する、
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項１１】
前記軸部保持部は、前記軸部の一部を露出させる露出部を有する、
請求項１０に記載の基板ケース。
【請求項１２】
前記カバー部は、前記基板を通過させる開口部を有する、
請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項１３】
前記カバー部は、開閉可能に形成された蓋部を有する、
請求項１から請求項１２のうちいずれか一項に記載の基板ケース。
【請求項１４】
前記蓋部は、前記軸部を出し入れ可能に形成されている、
請求項１３に記載の基板ケース。
【請求項１５】
前記蓋部の閉状態を保持する閉状態保持部を更に備える、
請求項１３又は請求項１４に記載の基板ケース。
【請求項１６】
回路生成プロセスが施された回路領域を有するシート状の基板を軸部に巻きつける巻き付け機構と、
前記基板を巻きつけた状態の前記軸部をカバー部に収容する搬送機構と、
を備える基板収容装置。
【請求項１７】
前記巻き付け機構は、前記軸部を回転させる駆動機構を有する、
請求項１６に記載の基板収容装置。
【請求項１８】
前記巻き付け機構及び前記搬送機構は、前記軸部に接続する接続部を有する、
請求項１６又は請求項１７に記載の基板収容装置。
【請求項１９】
前記軸部は、前記基板の巻き始めの一端部のうち、前記回路領域と異なる領域を保持する保持部を有し、
前記巻き付け機構は、前記保持部の位置を調整する位置調整機構を有する、
請求項１６から請求項１８のうちいずれか一項に記載の基板収容装置。
【請求項２０】
前記カバー部は、前記基板を通過させる開口部を備え、
前記位置調整機構は、前記保持部と前記開口部とが対応するように前記保持部の位置を調整する、
請求項１９に記載の基板収容装置。
【請求項２１】
前記基板を前記軸部に巻いた状態で、前記基板の他端部のうち前記回路領域と異なる領域を前記軸部又は前記カバー部のうち少なくとも一方に固定させる固定機構を更に備える、
請求項１６から請求項２０のうちいずれか一項に記載の基板収容装置。
【請求項２２】
前記カバー部として、開閉可能に形成された蓋部が設けられたカバー部が用いられ、
前記搬送機構は、前記蓋部を開閉させる開閉機構を有する、
請求項１６から請求項２１のうちいずれか一項に記載の基板収容装置。
【請求項２３】
表示領域とドライバ領域とで構成される表示デバイスの中間品、又は完成品が形成されるシート基板を丸めて収容するために、
前記シート基板の長手方向の両端のうち、前記表示デバイスが形成される領域の外側の一端部を、取り外し可能に保持する保持部を備えた軸部と、
前記シート基板の一端部を前記軸部の保持部で保持して、前記軸部の回りに巻き付けて丸めた状態の前記シート基板を、前記軸部と係合して収容する開閉可能なカバー部と、
を備える基板ケース。
【請求項２４】
前記保持部は、前記軸部の表面から内部に向けて間隔が徐々に狭くなるように形成されたスロット部を有する、
請求項２３に記載の基板ケース。
【請求項２５】
前記軸部は、前記シート基板の幅方向の一方の側端部の裏面が当接する第一端部と、前記シート基板の幅方向の他方の側端部の裏面が当接する第二端部と、前記軸部の軸方向に関して、前記第一端部と前記第二端部との間の中間部で前記シート基板の裏面と当接する１つ以上のリブ部と、前記第一端部と前記第二端部と前記リブ部とを連結する連結部と、
を有する、
請求項２３又は請求項２４に記載の基板ケース。
【請求項２６】
前記第一端部及び前記第二端部の少なくとも一方は、前記軸部を駆動する為の駆動機構、又は前記軸部を搬送する為の搬送機構に接続される被接続部を有する、
請求項２５に記載の基板ケース。
【請求項２７】
前記カバー部は、前記軸部と係合して前記軸部を保持する軸部保持部を有し、
該軸部保持部は、前記第一端部及び前記第二端部の少なくとも一方に設けられる前記被接続部を露出させる露出部を備える、
請求項２６に記載の基板ケース。
【請求項２８】
前記軸部と前記カバー部は、硬質のダンボール紙またはカートン紙を含む再生可能な材料によって構成される、
請求項２３から請求項２７のいずれか一項に記載の基板ケース。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意のプロセスにおいて、金属汚染物混入の量を決定またはモニタリングするための方法であって、当該方法が、
シリコン−オン−インシュレータ構造をプロセシング工程に供する工程であって、前記シリコン−オン−インシュレータ構造が、ハンドルウエハと、シリコン層と、前記ハンドルウエハと前記シリコン層との間の誘電層とを含み、前記シリコン−オン−インシュレータ構造は、前記シリコン層側にフロント表面を有し、前記プロセシング工程によって、前記シリコン層に金属汚染物混入が与えられる、工程と、
前記シリコン−オン−インシュレータ構造を熱アニールに付して、前記シリコン層の金属汚染物質を溶解させる工程と、
前記シリコン−オン−インシュレータ構造を冷却して、前記シリコン層に金属析出物を形成する工程と、
前記シリコン層の前記金属析出物をデリニエーションする工程と
を含む、方法。
【請求項２】
前記プロセスが半導体プロセスであり、前記シリコン−オン−インシュレータ構造を半導体プロセシング工程に供する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体プロセスが、研磨、洗浄、結合強度を高める熱処理、エピタキシー、酸化物ストリッピング、プラズマ活性化、湿式化学エッチング、気相化学エッチング、高温アニーリング、イオン注入および酸化からなる群から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シリコン層の表面をエッチャントと接触させることによって、前記金属析出物がデリニエーションされる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記デリニエーションする工程によって、前記シリコン−オン−インシュレータ構造のフロント表面にピット、ホールおよび／またはキャビティを形成し、さらに、前記シリコン−オン−インシュレータ構造の前記フロント表面においてピット、ホールおよび／またはキャビティの存在を調べる工程を包む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記エッチャントが、ＨＦ、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、Ｃｒ２Ｏ３、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＣｒＯ３、ＡｇＮＯ３およびそれらの混合物からなる群から選択される化合物を含む溶液であり、
前記化合物が、ＨＦである場合、少なくとも約１時間にわたって、前記シリコン層の表面を前記エッチャントと接触させ、そして、
前記化合物が、Ｋ２Ｃｒ２Ｏ７、Ｃｒ２Ｏ３、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＣｒＯ３、ＡｇＮＯ３およびそれらの混合物からなる群から選択される場合、少なくとも約１秒間にわたって、前記シリコン層の表面を前記エッチャントと接触させる、
請求項４または５に記載の方法。
【請求項７】
前記シリコン−オン−インシュレータ構造の前記フロント表面に向けて光を照射する工程および散乱反射光を検出する工程によって、前記シリコン−オン−インシュレータ構造の前記フロント表面において前記ピット、ホールおよび／またはキャビティの存在を調べる工程と、
前記散乱反射光を分析して、前記プロセスの金属汚染物混入の影響を決定する工程
とを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記シリコン−オン−インシュレータ構造を約６００℃〜約１３００℃の温度で熱アニールに付す、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
シリコン中、金属汚染物質が相対的に移動する温度から前記金属汚染物質がもはや相対的に移動しない温度の範囲にわたって、前記シリコン−オン−インシュレータ構造を冷却する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記シリコン層内で金属汚染物質が過飽和である温度が存在し、前記過飽和温度から、前記金属汚染物質がもはや相対的に移動しない温度への冷却速度が、約７℃／秒未満である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シリコン層の厚みが、約２５０ｎｍ未満である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリコン−オン−インシュレータ構造を前記半導体プロセシング工程に供する、請求項２〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリコン−オン−インシュレータ構造を前記半導体プロセシング工程を行う圧力にさらす、請求項２〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記デリニエーション後の金属析出物の空間分布を分析して、前記半導体プロセスの金属汚染物混入の影響を決定する、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記ピット、ホールおよび／またはキャビティの空間分布を分析して、前記半導体プロセスの金属汚染物混入の影響を決定する、請求項５〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月6日(2013.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに付着する汚染物質の濃度を予測するための方法であって、前記半導体ウエハは少なくとも２つのウエハ表面を有し、当該方法が、
第１の期間にわたって、前記ウエハを水と接触させる工程、
前記ウエハを乾燥させる工程、
前記少なくとも一方のウエハ表面の汚染物質の濃度を決定するために前記ウエハを分析する工程、
第１の期間よりも短い第２の期間にわたって前記ウエハを水と接触させた場合に前記ウエハに付着するであろう汚染物質の濃度を予測する工程
を含む、方法。
【請求項２】
第１の期間が少なくとも５００分間であり、第２の期間が５０分間未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の期間が少なくとも７００分間であり、第２の期間が２０分間未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
予測される汚染物質の濃度が２ｅ８原子／ｃｍ２未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
予測される汚染物質の濃度が１ｅ６原子／ｃｍ２未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
検出される汚染物質が金属である、請求項１記載の方法。
【請求項７】
検出される汚染物質がニッケルを含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記ウエハが、容器の垂直な側壁に対して実質的に平行となるように配置されること、および前記ウエハが、容器の垂直な側壁に対して実質的に垂直となるように配置されることの少なくとも一方である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ウエハ表面における前記金属含量に基づいて、前記水中の金属含量を決定する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ウエハを前記水と接触させる前に、前記ウエハ表面における金属含量を決定するために前記ウエハを分析する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ウエハを水と接触させる前に、容器内に前記ウエハを配置する工程、および容器内に水が存在する間に、前記容器内に前記ウエハを配置する工程の少なくとも一方をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記ウエハを水の中に浸漬させることによって、前記ウエハを前記水と接触させる工程、および前記ウエハ表面と接触するように水を流して、前記ウエハを水と接触させる工程の少なくとも一方をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月3日(2013.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
図１は、ワンド１００の上面図であるが、図２は、ワンド部分の側面図である。この実施形態のワンドは、少なくとも２００ｍｍ、または少なくとも３００ｍｍ、または少なくとも４００ｍｍまたはいくつかの実施形態において少なくとも４５０ｍｍの直径を有するウエハを輸送するように適合している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ輸送システムであって：
ベルヌーイの定理を用いてプレートの下でウエハがぶら下がるように気体の流れをウエハに誘導するための複数のプレート出口を有するプレート；および
ウエハをプレートに対して横方向に配置するように気体の流れを誘導するための配置出口を含んでおりプレートから延在している配置器；
を含み、
ウエハがプレートおよび配置器に接触するのを防ぐように、プレート出口と配置出口が作動する、半導体ウエハ輸送システム。
【請求項２】
プレートが、平面を規定しており、および配置出口が、平面に対して０°〜１０°の間の角度で気体を誘導する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
配置出口が、プレートの平面にほぼ平行に延在しているスリットである、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
配置器が、第１配置器であり、システムが、第１配置器から間隔を空けて第２配置器を更に含んでおり、第２配置器が、プレートに対してウエハを配置するための配置出口を含んでおり平面から延在している、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
プレートが、そこに設置されており気体源をプレート出口及び／又は配置出口に接続している流路を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
プレートから延在しているネックと、プレートを配置するためにネックから延在しているアームとを更に含み、ネックが、気体源をプレート内の流路に接続するためにそこに流路を含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
少なくとも１つのプレート出口が気体を平面に対して誘導している角度が、少なくとも１つの他のプレート出口が気体を平面に対して誘導している角度と異なる、請求項２に記載のワンド。
【請求項８】
少なくとも１つのプレート出口が気体を平面に対して誘導している角度が、配置器に向けてウエハを付勢するように選択されている、請求項２に記載のワンド。
【請求項９】
プレート出口が、円形形状であり、及び配置器が、ウエハの縁上に設置されている切欠きと係合するように構成されている、請求項１に記載のワンド。
【請求項１０】
プレートが円形であり、および配置器が、プレートの周囲に沿って互いに均等に間隔が空けられている、請求項４に記載のワンド。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以前にキャンプ・オンしていたモバイル装置のリストを記憶するメモリを含むセルラ基地局で、以前にセルにキャンプ・オンしたモバイル装置が前記セル内に存在するかどうかを確認する方法であって、
前記モバイル装置に接続要求を送信させるためのメッセージを前記モバイル装置に送信するステップと、
前記モバイル装置から接続要求を受信した場合に、前記モバイル装置に接続拒絶メッセージを送信するステップと、
前記モバイル装置から接続要求を受信しない場合に、以前にキャンプ・オンしていたモバイル装置の前記リストから前記モバイル装置を除去するステップと、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記接続が、無線資源制御（ＲＲＣ）接続である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
接続要求を得るための前記メッセージが、ページング・タイプ１メッセージである、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記接続拒絶メッセージが、パラメータ「拒絶理由＝未指定」および「待機時間＝０」を有するＲＲＣ接続拒絶メッセージである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記モバイル装置からの接続要求を得るために前記モバイル装置に前記メッセージを送信する前に、モバイル装置の存在を検証することを求める要求をアプリケーションから受信するステップと、
接続要求を受信した後で、または受信しなかった後で、前記モバイル装置の存在について前記アプリケーションに通知するステップと、
を含む、前記請求項の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
以前にキャンプ・オンしていたモバイル装置のリストを登録するメモリと、
前記モバイル装置接続要求を得るためのメッセージを前記モバイル装置に送信し、前記モバイル装置から接続要求を受信した場合に、前記モバイル装置に接続拒絶メッセージを送信し、前記モバイル装置から接続要求を受信しない場合に、以前にキャンプ・オンしていたモバイル装置の前記リストから前記モバイル装置を除去することによって、セル内の前記モバイル装置の存在を確認する存在確認手段と、
を含む、セルラ基地局。
【請求項７】
前記存在確認手段が、存在を確認することを求める要求をアプリケーションから受信し、前記アプリケーションに応答を送信して前記存在について通知するようになされている、請求項６に記載のセルラ基地局。