(57)【要約】【課題】プラズマディスプレイ前面パネルの誘電体層を改善したプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供する。【解決手段】ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルにおいて、前記スキャン電極とサステイン電極を覆うように、差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差をおいて形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔は前記隔壁の高さよりさらに広いことを特徴とする。【選択図】図７
2008166225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、
前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、
前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は、１．２倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、１つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記補助電極の所定の幅は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長さ方向への長辺長より狭く、
前記補助電極の所定の厚さは、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
前記補助電極は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置して、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項６】
前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１００μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】
前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１５０μｍ以上３５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】
ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、
前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、
前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、
前記放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さが前記スキャン電極と前記サステイン電極の透明電極間の間隔より大きく、前記スキャン電極と前記サステイン電極のバス電極との間の間隔より小さいことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項９】
前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は１．２倍以上２倍以下であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１０】
前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は１つ以上の所定の幅と厚さを有する補助電極を含むことを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】
前記補助電極の所定の幅は前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長手方向への長辺長より狭く、
前記補助電極の所定の厚さは前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１２】
前記補助電極は前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置され、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１３】
前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１００μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１４】
前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１５０μｍ以上３５０μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１５】
ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法であって、
ガラスに複数のスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップ（ａ）と、
前記複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第１上部誘電体層を形成するステップ（ｂ）と、
前記第１上部誘電体層の上部に第２上部誘電体層を形成するステップ（ｃ）と、
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１６】
ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、且つ、高さの差が１．２倍以上２倍以下であり、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、１つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
を製造する方法であって、
複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第１上部誘電体層を形成するステップ（ａ）と、
前記第１上部誘電体層の上部に１つ以上の補助電極を形成するステップ（ｂ）と、
前記補助電極を覆うように、第２上部誘電体層を形成するステップ（ｃ）と
を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関し、さらに詳細には、プラズマディスプレイ前面パネルの誘電体層を改善したプラズマディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、プラズマディスプレイパネルは、前面パネルと後面パネルとの間に形成された隔壁が１つの単位セルをなすものであって、各セル内には、ネオン（Ｎｅ）、ヘリウム（Ｈｅ）又はネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ）のような主放電気体と少量のキセノンを含有する不活性ガスとが充填されている。高周波電圧により放電される際に、不活性ガスは、真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ  Ｕｌｔｒａ  ｖｉｏｌｅｔｒａｙｓ）を発生し、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることにより、画像が具現される。このようなプラズマディスプレイパネルは、薄くて軽い構成が可能なため、次世代表示装置として注目されつつある。
【０００３】
図１は、一般的なプラズマディスプレイパネルの構造を示した斜視図である。
【０００４】
図１に示すように、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）は、画像がディスプレイされる表示面である前面ガラス１０１にスキャン電極１０２とサステイン電極１０３とが対をなして形成された複数の維持電極対が配列された前面パネル１００、及び背面をなす後面ガラス１１１上に前述の複数の維持電極対と交差するように複数のアドレス電極１１３が配列された後面パネル１１０が一定の距離を隔てて平行に結合される。
【０００５】
前面パネル１００は、１つの放電セルで互いに放電させ、セルの発光を維持するためのスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３、すなわち透明なＩＴＯ物質で形成された透明電極（ａ）及び金属材質で製作されたバス電極（ｂ）で備えられたスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が対をなして含まれる。スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３は、放電電流を制限し、電極対間を絶縁させる１つ以上の上部誘電体層１０４により覆われ、上部誘電体層１０４の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層１０５が形成される。
【０００６】
後面パネル１１０は、複数の放電空間、すなわち放電セルを形成させるためのストライプタイプ（またはウェルタイプ）の隔壁１１２が平行を維持して配列される。また、アドレス放電を行って真空紫外線を発生させる複数のアドレス電極１１３が、隔壁１１２に対して平行に配置される。後面パネル１１０の上側面には、アドレス放電時に画像表示のために可視光線を放出するＲ、Ｇ、Ｂ蛍光体１１４が塗布される。アドレス電極１１３と蛍光体１１４との間には、アドレス電極１１３を保護するための下部誘電体層１１５が形成される。
【０００７】
このように、前面パネルの製造過程及び後面パネルの製造過程を経た後、前述の前面パネルと後面パネルとを合着させるためのシーリング工程により、プラズマディスプレイパネルの製品が完成される。ここで、前面パネル及び後面パネルが製造される過程をさらに説明すると、次の図２の通りである。
【０００８】
図２は、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。
【０００９】
図２に示すように、従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図２の左側に羅列した前面パネルの製造過程、右側に羅列した後面パネルの製造過程、及び下側に羅列したシーリング過程などを含む組立過程を含む。
【００１０】
まず、図２の左側に羅列した前面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
【００１１】
前面パネルは、まず、前面ガラスを用意した後（１００）、前面ガラスの上部に複数の維持電極対が形成される（１１０）。この後、維持電極対の上部に上部誘電体層が形成され（１２０）、上部誘電体層に維持電極対を保護するためのＭｇＯ物質からなる保護膜が形成される（１３０）。
【００１２】
次に、図２の右側に羅列した後面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
【００１３】
後面パネルは、前面パネルと同様に、後面ガラスを用意し（２００）、前面パネルに形成された維持電極対と交差して対向するように、複数のアドレス電極が後面ガラスに形成される（２１０）。この後、アドレス電極を覆うように、下部誘電体層が形成され（２２０）、下部誘電体層の上側面に隔壁が形成され（２３０）、隔壁間の放電空間に蛍光層が形成される（２４０）。
このように製造された前面パネル及び後面パネルは、互いに合着して（３００）、プラズマディスプレイパネルを形成する（４００）。
【００１４】
ここで、前述の従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前面パネルの製造工程をさらに詳細に説明すると、以下の図３の通りである。
【００１５】
図３は、従来のプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
【００１６】
図３に示すように、（ａ）ステップでは、前面ガラス３００の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）物質の透明電極３０１を形成する。
【００１７】
このような透明電極３０１の形成方法の一例を説明すると、ＩＴＯ物質で形成された透明電極膜の上部に、ドライフィルムフォトレジスト（Ｄｒｙ  Ｆｉｌｍ  Ｐｈｏｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔ：以下、「ＤＦＲ」と記す）をラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスク（Ｐｈｏｔｏ  Ｍａｓｋ）のパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極３０１ａ及びサステイン用透明電極３０１ｂを形成する。
【００１８】
この後、（ｂ）ステップでは、スキャン用透明電極３０１ａ及びサステイン用透明電極３０１ｂが形成された前面ガラス３００の上部に、ブラック層３０２を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約１２０℃程度に乾燥し、（ｃ）ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンが形成されたフォトマスク３０５を載置して、紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程（フォトリソグラフィ；Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）という。
【００１９】
露光工程を経たブラック層３０２の上部に、（ｄ）ステップで、バス電極３０３ａ、３０３ｂを形成するために、銀（Ａｇ）ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
【００２０】
この後、（ｅ）ステップでは、所定のパターンが形成されたフォトマスク３０６を、塗布された銀（Ａｇ）ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、（ｆ）ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約５５０℃以上の焼成炉（図示せず）で約３時間の間、焼成することにより、スキャン用バス電極３０３ａ及びサステイン用バス電極３０３ｂが形成される。
【００２１】
この後、（ｇ）ステップでは、スキャン電極３０１ａ、３０３ａ及びサステイン電極３０１ｂ、３０３ｂの形成された前面ガラス３００の上部に、上部誘電体層３０７を形成する。このとき、前述の上部誘電体層３０７は、差等的な誘電体層であって、スキャン用透明電極３０１ａ及びサステイン用透明電極３０１ｂ間の放電ギャップ部分に誘電体層３０７を差等的な厚さに形成する。
【００２２】
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層３０７の形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約５００℃〜６００℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
【００２３】
最後に、（ｈ）ステップにおいて、上部誘電体層３０７の表面上にＣＶＤ法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜（保護層）３０８が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
【００２４】
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例である差等的な厚さの誘電体層をさらに詳細に説明すると、以下の図４の通りである。
【００２５】
図４は、従来のプラズマディスプレイパネルの一例であって、差等的な厚さを有する上部誘電体層を説明するための図である。図４に示すように、従来のプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス４００の上部にスキャン電極４０１及びサステイン電極４０３が形成され、前述のスキャン電極４０１及びサステイン電極４０３間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために、上部誘電体層４０７が形成される。また、前述の上部誘電体層４０７の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層４０８が形成される。
【００２６】
このとき、前述の上部誘電体層４０７は、その厚さが差等的な厚さに形成され、その形状は、放電セル内の中心部から所定の深さに陥没された陥没部を含む構造を有する。このような誘電体層を差等的な誘電体層４０７という。差等的な誘電体層４０７は、プラズマディスプレイパネルの駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができることから、プラズマ面放電の際、駆動電圧を下げることができ、これにより放電効率を向上させることができる。
【００２７】
しかしながら、前述の差等的な誘電体層４０７を適用したプラズマディスプレイパネルは、スキャン電極４０１とアドレス電極（図示せず）との間の間隔が比較的広く形成される。これにより、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいては、対向放電の特性を向上させるには限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
そこで、本発明は、上述の問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、プラズマディスプレイパネルのうち、前面パネルの誘電体層の構造を改善して面放電及び対向放電の特性を向上させることができるプラズマディスプレイパネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２９】
上記の目的を達成すべく、本発明のプラズマディスプレイパネルは、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とする。
【００３０】
また、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の高さの差は１．２倍以上２倍以下であることを特徴とする。
さらに、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層は１つ以上の所定の幅と厚さを有する補助電極を備えることを特徴とする。
【００３１】
さらに、前記補助電極の所定の幅は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の長辺長より狭く、前記補助電極の所定の厚さは前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の厚さより小さいことを特徴とする。
さらに、前記補助電極は、前記差等的な厚さに形成された上部誘電体層の中心部に位置して、複数の前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層と同一線上に形成されることを特徴とする
【００３２】
また、前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１００μｍ以上４００μｍ以下であることを特徴とする。
また、前記スキャン電極とサステイン電極との間の間隔は１５０μｍ以上３５０μｍ以下であることを特徴とする。
【００３３】
また、上述した技術的な課題を解決するための本発明の他のプラズマディスプレイパネルは、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように差等的な厚さに形成された上部誘電体層は、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、前記放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さがスキャン電極と前記サステイン電極の透明電極間の間隔より大きく、前記スキャン電極と前記サステイン電極のバス電極間の間隔より小さいことを特徴とする。
【００３４】
また、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広いことを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法は、ガラスに複数のスキャン電極及びサステイン電極を形成するステップ（ａ）と、複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第１上部誘電体層を形成するステップ（ｂ）と、前記第１上部誘電体層の上部に第２上部誘電体層を形成するステップ（ｃ）とを含むことを特徴とする。
【００３５】
また、ガラス上に配置されるスキャン電極、サステイン電極、アドレス電極、隔壁及び上部誘電体層を含むプラズマディスプレイパネルであって、前記スキャン電極と前記サステイン電極を覆うように形成された上部誘電体層は、前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の放電領域部分より、前記放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように、差等的な厚さに形成され、且つ、高さの差が１．２倍以上２倍以下であり、前記隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極と前記サステイン電極との間の間隔が前記隔壁の高さより広く、１つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備えることを特徴とするプラズマディスプレイパネルを製造する方法は、複数のスキャン電極及びサステイン電極を覆うように、第１上部誘電体層を形成するステップ（ａ）と、前記第１上部誘電体層の上部に１つ以上の補助電極を形成するステップ（ｂ）と、前記補助電極を覆うように、第２上部誘電体層を形成するステップ（ｃ）とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、スキャン電極とサステイン電極の透明電極間の面放電の開始時に放電経路が短くなり放電開始電圧をさらに低減することができ、維持放電のためのサステイン波形の電圧の大きさを減らすことができる。従って、サステイン波形を供給するための回路に耐電圧特性の高い素子を使用しなくてもロングギャップ構造のプラズマディスを駆動することができ、製造コストを減らすことができるという効果がある。従って、ロングギャップ構造のプレイパネルにおいて、上部誘電体層を不均一に形成することで、ロングギャップ構造の効率がさらに向上するという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施形態をさらに詳細に説明する。
【００３８】
図５は、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図２に示したものと同様に、順次的な過程を経て形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法をさらに詳細に説明すると、以下の図５の通りである。
【００３９】
図５に示すように、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、図５の左側に羅列した前面パネルの製造過程と、右側に羅列した後面パネルの製造過程、及び下側に羅列したシーリング過程などを含む組立過程を含む。
【００４０】
まず、図５の左側に羅列した前面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
【００４１】
前面パネルは、まず、前面ガラスを用意した後（３００）、前面ガラスの上部に複数の維持電極対が形成される（３１０）。この後、維持電極対の上部に上部誘電体層が形成され（３２０）、上部誘電体層に維持電極対を保護するためのＭｇＯ物質からなる保護膜が形成される（３３０）。
【００４２】
次に、図５の右側に羅列した後面パネルの製造過程を説明すると、以下の通りである。
【００４３】
後面パネルは、前面パネルと同様に、後面ガラスを用意し（４００）、前面パネルに形成された維持電極対と交差して対向するように、複数のアドレス電極が後面ガラスに形成される（４１０）。この後、アドレス電極を覆うように、下部誘電体層が形成され（４２０）、下部誘電体層の上側面に隔壁が形成され（４３０）、隔壁間の放電空間に蛍光層が形成される（４４０）。
【００４４】
このように製造された前面パネル及び後面パネルは、互いに合着して（５００）、プラズマディスプレイパネルを形成する（６００）。
【００４５】
ここで、前述の本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法において、前面パネルの製造工程をさらに詳細に説明すると、次の図６の通りである。
【００４６】
図６は、本発明に係る第１の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの上部誘電体層は、後面パネルの下部誘電体層と近くなるように、不均一に高さの偏差を持って形成される。このような、プラズマディスプレイ前面パネルの差等的な高さの偏差を有する上部誘電体層を説明すると、以下の図６の通りである。
【００４７】
図６に示すように、（ａ）ステップでは、前面ガラス６００の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）物質の透明電極６０１を形成する。
【００４８】
このような透明電極６０１の形成方法の一例を説明すると、ＩＴＯ物質で形成された透明電極膜の上部に、ＤＦＲをラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスクのパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極６０１ａ及びサステイン用透明電極６０１ｂを形成する。
【００４９】
この後、（ｂ）ステップでは、スキャン用透明電極６０１ａ及びサステイン用透明電極６０１ｂの形成された前面ガラス６００の上部に、ブラック層６０２を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約１２０℃程度に乾燥し、（ｃ）ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンの形成されたフォトマスク６０５を載置して紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程（フォトリソグラフィ）という。
【００５０】
（ｄ）ステップでは、露光工程を経たブラック層６０２の上部にバス電極６０３ａ、６０３ｂを形成するために、銀（Ａｇ）ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
【００５１】
この後、（ｅ）ステップでは、所定のパターンの形成されたフォトマスク６０６を、塗布された銀（Ａｇ）ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、（ｆ）ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約５５０℃以上の焼成炉（図示せず）で約３時間の間、焼成することにより、スキャン用バス電極６０３ａ及びサステイン用バス電極６０３ｂが形成される。
【００５２】
この後、（ｇ）ステップにおいて、スキャン電極６０１ａ、６０３ａ及びサステイン電極６０１ｂ、６０３ｂの形成された前面ガラス６００の上部に、第１上部誘電体層６０７ａを形成する。この後、（ｈ）ステップにおいて、前述の第１上部誘電体層６０７ａの上部に所定のパターンで第２上部誘電体層６０７ｂを形成する。このとき、前述の第２上部誘電体層６０７ｂは、差等的な誘電体層であって、複数のスキャン電極６０１ａ、６０３ａとサステイン電極６０１ｂ、６０３ｂとの間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど次第に厚くなるように差をおいて形成される。
【００５３】
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層６０７ａ、６０７ｂの形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約５００℃〜６００℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
【００５４】
最後に、（ｈ）ステップにおいて、第２上部誘電体層６０７ｂの表面上にＣＶＤ法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜（保護層）６０８が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
【００５５】
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例である差等的な誘電体層をさらに詳細に説明すると、次の図７の通りである。
【００５６】
図７は、図６に示すプラズマディスプレイパネルの差等的な誘電体層を説明するための図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、図４に示すものと同様に形成される。但し、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、複数のスキャン電極とサステイン電極との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの差等的な厚さを有する誘電体層をさらに詳細に説明すると、次の図７の通りである。
【００５７】
図７に示すように、まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス７００の上部にスキャン電極７０１及びサステイン電極７０３が形成され、前述のスキャン電極７０１及びサステイン電極７０３間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために差等的な厚さを有する上部誘電体層７０７が形成される。また、前述の上部誘電体層７０７の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層７０８が形成される。
【００５８】
このとき、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層７０７は、複数の複数のスキャン電極７０１とサステイン電極７０３との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。好ましくは、上部誘電体層７０７が差等的な厚さを有するように、上部誘電体層７０７の高さの差（ｈ１）が１．２倍以上２倍以下になるように形成される。
【００５９】
このように形成されたプラズマディスプレイパネルは、駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができるから、プラズマ面放電時に駆動電圧を下げることができ、放電効率を向上させることができる。
【００６０】
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、スキャン電極とアドレス電極との間の間隔が狭くなるように、差等的な高さ偏差を持って形成されるので、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいても、対向放電の特性を向上させることができる。
【００６１】
一方、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの構造を改善して、面放電及び対向放電の特性をさらに向上させるための一例を説明すると、以下の図８の通りである。
【００６２】
図８Ａ及び図８Ｂは、本発明に係る第２の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの上部誘電体層は、図７に示すものと同様に、後面パネルの下部誘電体層と近くなるように、不均一に高さ偏差をおいて形成される。ここで、本発明のプラズマディスプレイパネルは、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層が、１つ以上の所定の幅及び厚さを有する補助電極を備える。このような、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルの差等的な厚さを有した上部誘電体層に、１つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図８の通りである。
【００６３】
図８Ａに示すように、（ａ）ステップでは、前面ガラス８００の上部に酸化インジウム及び酸化スズからなるＩＴＯ物質の透明電極８０１を形成する。
【００６４】
このような透明電極８０１の形成方法の一例を説明すると、ＩＴＯ物質で形成された透明電極膜の上部にＤＦＲをラミネートして、所定のパターンが形成されたフォトマスクのパターンで露光した後、現像及びエッチング工程を経て、スキャン用透明電極８０１ａ及びサステイン用透明電極８０１ｂを形成する。
【００６５】
この後、（ｂ）ステップでは、スキャン用透明電極８０１ａ及びサステイン用透明電極８０１ｂのが形成された前面ガラス８００の上部にブラック層８０２を形成するためのブラックペーストを印刷した後、約１２０℃程度で乾燥し、（ｃ）ステップでは、乾燥されたブラックペーストの上部に所定のパターンが形成されたフォトマスク８０５を載置して紫外線を照射して乾燥する。このような工程を露光工程（フォトリソグラフィ）という。
【００６６】
（ｄ）ステップにおいて、露光工程を経たブラック層８０２の上部に、バス電極８０３ａ、８０３ｂを形成するために、銀（Ａｇ）ペーストを塗布して印刷した後に乾燥する。
【００６７】
この後、（ｅ）ステップにおいて、所定のパターンが形成されたフォトマスク８０６を、塗布された銀（Ａｇ）ペーストの上部に載置して露光する。露光工程を経た後、（ｆ）ステップでは、硬化されない部分を現像した後、約５５０℃以上の焼成炉（図示せず）で約３時間の間、焼成することによって、スキャン用バス電極８０３ａ及びサステイン用バス電極８０３ｂが形成される。
【００６８】
この後、（ｇ）ステップでは、スキャン電極８０１ａ、８０３ａ及びサステイン電極８０１ｂ、８０３ｂの形成された前面ガラス８００の上部に、第１上部誘電体層８０７ａを形成し、（ｈ）ステップでは、前述の第１上部誘電体層８０７ａの上部に１つ以上の所定の幅及び厚さ有した補助電極８０９を形成する。
【００６９】
この後、（ｉ）ステップでは、前述の補助電極８０９を覆うようにし、差等的な厚さを有するように、所定のパターンで第２上部誘電体層８０７ｂを形成する。このとき、前述の第２上部誘電体層８０７ｂは、差等的な誘電体層であって、複数のスキャン電極８０１ａ、８０３ａとサステイン電極８０１ｂ、８０３ｂとの間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。
【００７０】
このような差等的な厚さを有する上部誘電体層８０７ａ、８０７ｂの形成方法の一例を説明すると、誘電体ガラスペーストを塗布して乾燥した後、約５００℃〜６００℃の温度で焼成を行って、上部誘電体層を形成する。
【００７１】
最後に、（ｊ）ステップでは、第２上部誘電体層８０７ｂの表面上にＣＶＤ法、イオンプレート法、真空蒸着法などを利用して、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護膜（保護層）８０８が形成されて、プラズマディスプレイパネルの前面パネルが完成される。
【００７２】
ここで、前述のプラズマディスプレイ前面パネルの一例として、差等的な誘電体層に１つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図９の通りである。
【００７３】
図９は、図８に示すプラズマディスプレイパネルの補助電極を備える差等的な誘電体層を説明するための図である。まず、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、図７に示すものと同様に形成される。但し、本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、差等的な厚さを有する誘電体層に１つ以上の補助電極が形成される。このような、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの差等的な厚さを有する誘電体層に１つ以上の補助電極が形成される工程をさらに詳細に説明すると、以下の図９の通りである。
【００７４】
図９に示すように、まず本発明に係るプラズマディスプレイ前面パネルは、前面ガラス９００の上部にスキャン電極９０１及びサステイン電極９０３が形成され、前述のスキャン電極９０１及びサステイン電極９０３間の放電電流を制限し、電極対間を絶縁させるために、差等的な厚さを有する上部誘電体層９０７が形成される。また、前述の上部誘電体層９０７の上面には、放電条件を容易にするために、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を蒸着した保護層９０８が形成される。
【００７５】
このとき、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層９０７は、複数のスキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の放電領域部分より、前述の放電領域部分から遠ざかるほど、次第に厚くなるように差をおいて形成される。好ましくは、上部誘電体層９０７が差等的な厚さを有するように、上部誘電体層９０７の高さの差（ｈ２）が１．２倍以上２倍以下になるように形成される。
【００７６】
ここに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、前述の差等的な厚さに形成された上部誘電体層９０７に１つ以上の所定の幅Ｗと厚さｔ１に形成された補助電極９０９がさらに備えられる。このような補助電極９０９は、差等的な厚さに形成された上部誘電体層９０７の中心部に位置して、複数のスキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の放電領域部分に形成された上部誘電体層９０７と同一線上に形成される。
【００７７】
さらに好ましくは、前述の補助電極９０９の所定の幅Ｗは、差等的な厚さに形成された上部誘電体層９０７の長さ方向への長辺長より狭くなるように形成され、補助電極９０９の所定の厚さｔ１は、差等的な厚さに形成された上部誘電体層９０７の厚さより小さくなるように形成される。これは、前述のスキャン電極９０１及びサステイン電極９０３間の放電電流を制限し、上部誘電体層９０７の破壊を防止するための最適の条件になる。
【００７８】
このように形成された差等的な誘電体層に備えられた補助電極を備えるプラズマディスプレイパネルは、図７に示すプラズマディスプレイパネルと同様に、駆動時に発生する電界の強度を大きくして、壁電荷の量をさらに多く蓄積することができるため、プラズマ面放電の際、駆動電圧を下げることができ、これにより放電効率を向上させることができる。
【００７９】
さらに、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの上部誘電体層は、スキャン電極とアドレス電極との間の間隔が狭くなるように、差等的な高さ偏差を持って形成され、前述の上部誘電体層に１つ以上の補助電極がさらに備えられて、スキャン電極及びサステイン電極とカップリング（Ｃｏｕｐｌｉｎｇ）が発生するようにすることによって、高精細化を追求するためのプラズマディスプレイパネルにおいても対向放電の特性をさらに向上させることができる。
【００８０】
また、図９には示していないが、隔壁により区画される放電セル内に位置する前記スキャン電極９０１と前記サステイン電極９０３との間の間隔（Ｗ１）は隔壁の高さよりさらに広くすることができる。さらに好ましくは、スキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の間隔（Ｗ１）は１００μｍ以上４００μｍ以下になるようにする。スキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の間隔（Ｗ１）が１００μｍ以上４００μｍ以下に形成された構造をロングギャップ（Long gap)構造と定義する。
【００８１】
このように、スキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の間隔（Ｗ１）を１００μｍ以上４００μｍ以下にすることは、ロングギャップ構造のプラズマディスプレイパネルを形成し、放電領域の陽光柱（Positive Column)領域を利用するようにすることで、プラズマディスプレイパネルの放電効率を極大化するためである。
さらに好ましくは、スキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の間隔（Ｗ１）を大略１５０μｍ以上３５０μｍ以下にする。
【００８２】
また、図９に示すように、放電セル内に位置するスキャン電極９０１とサステイン電極９０３との間の放電ギャップに形成された差等的な誘電体層の厚さ（ｄ）はスキャン電極とサステイン電極の透明電極（９０１ａ、９０３ａ）間の間隔（Ｗ１）より大きく、スキャン電極とサステイン電極のバス電極（９０１ｂ、９０３ｂ）間の間隔（Ｗ２）より小さくすることができる。
【００８３】
上述した本発明の好ましい実施の形態は、例示の目的のために開示されたものであり、本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形、及び変更が可能であり、このような置換、変更などは、特許請求の範囲に属するものである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】従来のプラズマディスプレイパネルの構造を概略的に示した斜視図である。
【図２】従来のプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。
【図３】従来のプラズマディスプレイパネルの一例であって、前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
【図４】従来のプラズマディスプレイパネルの一例であって、差等的な厚さを有する上部誘電体層を説明するための図である。
【図５】本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を順次に示したフローチャートである。
【図６】本発明に係る第１の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
【図７】図６に示すプラズマディスプレイパネルの差等的な誘電体層を説明するための図である。
【図８Ａ】本発明に係る第２の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
【図８Ｂ】本発明に係る第２の実施形態であって、プラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を順次に示した工程図である。
【図９】図８Ｂに示すプラズマディスプレイパネルの補助電極を備える差等的な誘電体層を説明するための図である。
【図１】
2008166225.tif 000003
【図２】
2008166225.tif 000004
【図３】
2008166225.tif 000005
【図４】
2008166225.tif 000006
【図５】
2008166225.tif 000007
【図６】
2008166225.tif 000008
【図７】
2008166225.tif 000009
【図８Ａ】
2008166225.tif 000010
【図８Ｂ】
2008166225.tif 000011
【図９】
2008166225.tif 000012