Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層に電気光学素子を通過させたレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された光吸収層の一部を除去して前記第１の層の一部を露出し、
前記露出された第１の層をエッチングして、第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の層を形成し、前記第１の層上に光吸収層を形成し、
前記光吸収層に電気光学素子を通過させたにレーザビームを照射し、
前記レーザビームが照射された光吸収層の一部を除去して第１の膜厚の光吸収層及び前記第１の膜厚より薄い第２の膜厚の光吸収層を形成し、
前記第１の膜厚の光吸収層をマスクとして、前記光吸収層及び前記第１の層をエッチングして、第２の層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記レーザビームが前記電気光学素子を通過することにより、前記光吸収層に照射される前記レーザビームの面積及び位置が選択的に調節されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電気光学素子は細長い矩形のデジタルマイクロミラーデバイスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電気光学素子は細長い矩形の液晶材料を有する素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記電気光学素子は細長い矩形であり、
前記レーザビームは矩形ビームであり、
前記矩形ビームの走査に同期するように前記電気光学素子に入力する電気信号を順次変更させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を発振するための発振素子であって、
基板と、
前記基板上に設けられる共鳴トンネルダイオードと、を備え、前記共鳴トンネルダイオードは、
前記基板の格子定数とは異なる格子定数を有し、且つ臨界膜厚よりも薄い膜厚を有する２つ以上の量子井戸層と、
前記２つ以上の量子井戸層をそれぞれ隔てる複数の障壁層と、を有し、
前記複数の障壁層のうち前記２つ以上の量子井戸層に挟まれる障壁層は、前記２つ以上の量子井戸層のサブバンド間においてキャリアがフォトンアシストトンネル可能である様に構成され、
前記複数の障壁層のうち少なくとも１つの層は、前記基板の格子定数とは異なる格子定数を有し、且つ前記量子井戸層の歪量を補償するような歪量を有することを特徴とする発振素子。
【請求項２】
前記基板はInP基板であり、前記井戸層はIn組成が60%以上100%以下のInGaAsないしInAsであって、前記障壁層はIn組成が0%以上50%以下のInAlAsないしAlAs若しくはAlAsSbを少なくとも２層含むことを特徴とする請求項1記載の発振素子。
【請求項３】
前記基板はInAs基板であり、InAsSb井戸層とInAlAs若しくはAlAsSb障壁層を少なくとも含む、
あるいは、前記基板はGaSb基板であり、InAsSb若しくはInGaSb井戸層とInAlAs若しくはAlAsSb障壁層を少なくとも含む、
あるいは、前記基板はGaN基板であり、InGaN井戸層とAlGaN障壁層を少なくとも含むことを特徴とする請求項１記載の発振素子。
【請求項４】
前記電磁波は30GHz以上30THz以下の周波数領域の少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項1から３のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項５】
前記共鳴トンネルダイオードから発生された電磁波を共振させるための共振器を備え、
前記共振器は、伝送路とアンテナとを含み構成、あるいはストライプ状の表面プラズモン伝送路と前記伝送路の端部における反射面とで構成されることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の発振素子。
【請求項６】
前記ストライプ状の表面プラズモン伝送路の伝播定数を前記電磁波の伝播方向に沿って周期的に変化させ、ブラッグ反射を利用することによって前記電磁波が定在波となること特徴とする請求項５に記載の発振素子。
【請求項７】
テラヘルツ波を発振するための発振素子であって、
基板と、
前記基板の上に設けられる共鳴トンネルダイオードと、を備え、
前記共鳴トンネルダイオードは、
前記基板の格子定数と異なる格子定数を有し、臨界膜厚よりも薄い膜厚を有する第１の障壁層と、
前記第１の障壁層と接し、前記基板の格子定数と異なる格子定数を有し、臨界膜厚よりも薄い膜厚を有する第１の量子井戸層と、
前記第１の量子井戸層と接し、臨界膜厚よりも薄い膜厚を有し且つ該第１の量子井戸層のサブバンドにおけるキャリアがフォトンアシストトンネル可能である様に構成される第２の障壁層と、
前記第２の障壁層と接し、該第２の障壁層を介して前記第１の量子井戸層と反対側に設けられ、前記基板の格子定数と異なる格子定数を有し、臨界膜厚よりも薄い膜厚を有する第２の量子井戸層と、
前記第２の量子井戸層と接し、前記基板の格子定数と異なる格子定数を有し、臨界膜厚よりも薄い膜厚を有する第３の障壁層と、を有し、
前記第２の障壁層と前記第１及び第２の量子井戸層とが有する歪量を、前記第１及び第３の障壁層が有する歪量で補償するように構成されることを特徴とする発振素子。
【請求項８】
前記第２の障壁層が、前記基板の格子定数と整合する格子定数を有することを特徴とする請求項７に記載の発振素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置の所定の動作に応じて更新される、当該装置の前記所定の動作の動作回数を表す機器状態情報と、当該装置に固有の装置識別情報とを保持する保持手段と、
記録データに関して、前記動作回数とは別の、当該記録データの生成に関る情報を記録情報として取得する取得手段と、
前記装置識別情報と前記機器状態情報と前記記録情報とに基づいて前記記録データの単一の固有識別情報を生成する生成手段と、
前記記録データと前記生成手段で生成された固有識別情報を含むファイルを記録媒体に記録する記録手段とを備えることを特徴とするデータ記録装置。
【請求項２】
前記機器状態情報は、当該装置による記録回数、データの作成回数、データ更新回数、シャッター動作回数の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載のデータ記録装置。
【請求項３】
前記記録情報は、記録データの取得日時、取得時間、取得時の制御情報の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のデータ記録装置。
【請求項４】
前記装置識別情報は、当該装置に付されたシリアル番号、ＭＡＣアドレス、乱数の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ記録装置。
【請求項５】
前記記録媒体に格納された前記ファイルに関して、前記記録データの内容が変更された場合には、前記生成手段は新たな固有識別情報を生成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のデータ記録装置。
【請求項６】
前記記録媒体に記録されたファイルに関して、該ファイルに含まれる前記記録データと属性情報のうち、該属性情報のみが変更される編集が行われた場合には、前記生成手段は新たな固有識別情報を生成せず、固有識別情報の更新はしないことを特徴とする請求項５に記載のデータ記録装置。
【請求項７】
前記属性情報のみが変更される編集は、画像の回転処理であることを特徴とする請求項６に記載のデータ記録装置。
【請求項８】
前記所定の動作の動作回数をカウントして記憶するカウント手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のデータ記録装置。
【請求項９】
前記生成手段は、前記装置識別情報と前記機器状態情報と前記記録情報との演算によって前記記録データの単一の前記固有識別情報を生成することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のデータ記録装置。
【請求項１０】
保持手段が、装置の所定の動作に応じて更新される、当該装置の前記所定の動作の動作回数を表す機器状態情報と、当該装置に固有の装置識別情報とを保持する保持工程と、
取得手段が、記録データに関して、前記動作回数とは別の、当該記録データの生成に関る情報を記録情報として取得する取得工程と、
生成手段が、前記装置識別情報と前記機器状態情報と前記記録情報とに基づいて前記記録データの単一の固有識別情報を生成する生成工程と、
記録手段が、前記記録データと前記生成工程で生成された固有識別情報を含むファイルを記録媒体に記録する記録工程とを備えることを特徴とするデータ記録装置の制御方法。
【請求項１１】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか１項に記載のデータ記録装置の各手段として機能させるプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記の目的を達成するための本発明によるデータ記録装置は以下の構成を備える。即ち、
装置の所定の動作に応じて更新される、当該装置の前記所定の動作の動作回数を表す機器状態情報と、当該装置に固有の装置識別情報とを保持する保持手段と、
記録データに関して、前記動作回数とは別の、当該記録データの生成に関る情報を記録情報として取得する取得手段と、
前記装置識別情報と前記機器状態情報と前記記録情報とに基づいて前記記録データの単一の固有識別情報を生成する生成手段と、
前記記録データと前記生成手段で生成された固有識別情報を含むファイルを記録媒体に記録する記録手段とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記識別手段は、抽出された前記ジャンル特徴語に基づいて、前記チャンネルが属する前記ジャンルを前記番組ごとに識別し、
前記提示制御手段は、前記チャンネルを現在放送中の番組が属する前記ジャンルに分類して提示するように前記チャンネルの提示を制御する
請求項１に記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記識別手段は、抽出された前記ジャンル特徴語に基づいて、前記チャンネルが属する前記ジャンルを前記番組ごとに識別させ、前記提示制御手段には、前記チャンネルを現在放送中の番組が属する前記ジャンルに分類して提示するように前記チャンネルの提示を制御させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
CPU(Central Processing Unit)１０１は、ROM(Read Only Memory)１０３に記憶されたプログラムや、HDD１２０から、HDD I/F１１９およびバス１０４を介してRAM(Random Access Memory)１０２にロードされたプログラムを実行し、例えば、U/I制御部１０５により受信された、ユーザからの指令、すなわち、リモートコントローラ１３６などからのコマンドに応じて各部の動作を制御する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
TSデコーダ１０８は、CPU１０１による制御に従って、復調器１０７から供給されてきたトランスポートストリームから所定のストリームをRAM１０９を用いて抽出し、抽出したストリームを構成するパケットをバス１０４上に、または、AVデコーダ１１０に出力する。バス１０４上に供給されたパケット（番組のデータ）は、例えば、HDD I/F１１９を介してHDD１２０に供給され、記憶される。また、TSデコーダ１０８により得られたEPGも、適宜、HDD１２０に供給され、記憶される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
HDD I/F１１９は、バス１０４を介して供給されてきたデータをHDD１２０に記憶させるとともに、要求に応じて、HDD１２０に記憶されているデータをバス１０４を介して各
に供給する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
次に、図２０のフローチャートを参照して、情報処理装置１００により実行されるチャンネル検索画面表示処理について説明する。なお、この処理は、リモートコントローラ１３６などを用いて、ユーザにより入力されたチャンネル検索画面の表示の指令が、U/I処理部２０７を介して、検索画面表示処理部２１４に入力されたとき開始される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
次に、図２４のフローチャートを参照して、現在放送中の番組のジャンルに基づいて、各チャンネルを各ジャンルに分類して、ユーザに提示するようにした場合における、情報処理装置１００により実行されるチャンネル検索画面表示処理について説明する。なお、この処理は、リモートコントローラ１３６などを用いて、ユーザにより入力されたチャンネル検索画面の表示の指令が、U/I処理部２０７を介して、検索画面表示処理部２１４に入力されたとき開始される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月20日(2009.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信側から受信側へ、あるプロトコルに従うフレームフォーマットのデータを再送するデータ再送方法において、
前記送信側は、前記データの再送要求があった場合、再送すべき前記データである再送対象データを、前記要求と分割すべきデータサイズとに基づいて複数の分割データに分割し、
前記各分割データを受信側に送信する、
ことを特徴とするデータ再送方法。
【請求項２】
前記送信側は、前記受信側との通信の品質が良好であるほど前記再送対象データを大きなサイズの前記分割データに分割し、当該品質が劣悪であるほど前記再送対象データを小さなサイズの前記分割データに分割する、
請求項１記載のデータ再送方法。
【請求項３】
前記送信側は、前記受信側との通信の品質が良好であるほど前記再送対象データを多い個数の前記分割データに分割し、当該品質が劣悪であるほど前記再送対象データを少ない個数の前記分割データに分割する、
請求項１記載のデータ再送方法。
【請求項４】
前記再送対象データには、当該再送対象データに係るプロトコルよりも上位の層のプロトコルに基づいて生成された複数のフレームが含まれており、
前記送信側は、前記再送対象データを、１つの前記フレームに係るデータが分割されないように、前記分割データに分割する、
請求項１記載のデータ再送方法。
【請求項５】
前記分割データには、当該分割データの基である前記再送対象データに関する情報が付加されている、
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のデータ再送方法。
【請求項６】
前記送信側は、
１つの前記分割データを再送する回数を所定の回数に制限し、
前記再送対象データに係るいずれかの前記分割データが前記所定の回数までに前記受信側において正常に受信されなかった場合は、当該再送対象データに係る残りの前記分割データを送信するのを中止する、
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のデータ再送方法。
【請求項７】
前記再送対象データには、当該再送対象データに係るプロトコルの層よりも上位の層のプロトコルに基づいて生成された複数のフレームが含まれており、
前記送信側は、
１つの前記分割データを再送する回数を所定の回数までに制限し、
前記再送対象データに係る前記分割データのうちのいずれかが前記所定の回数までに前記受信側において正常に受信されなかった場合は、当該正常に受信されなかった分割データに一部分が含まれるいずれの前記フレームとも同一でない他の前記フレームの一部分が含まれる分割データについては前記受信側に送信するが、それ以外の分割データについては前記受信側に送信するのを中止する、
請求項１記載のデータ再送方法。
【請求項８】
前記送信側は、
再送対象データを前記分割データに分割する個数に応じて、前記分割データを再送する回数を制限する、
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載のデータの再送方法。
【請求項９】
あるプロトコルに従うフレームフォーマットのデータを再送する通信装置において、
前記データの再送の要求を受け付ける再送要求受付手段と、
前記データの再送要求があった場合、再送すべき前記データを、前記要求と分割すべきデータサイズとに基づいて、複数に分割するデータ分割手段と、
分割された前記データを送信するデータ送信手段と、
を有することを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
あるプロトコルに従うフレームフォーマットのデータを再送するコンピュータに用いられるコンピュータプログラムであって、
前記データの再送要求があった場合、再送すべき前記データを、前記要求と分割すべきデータサイズとに基づいて、複数に分割する処理と、
分割された前記データを送信する処理とを、
コンピュータに実行させるためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】データ再送方法、通信装置、およびコンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るデータ再送方法は、送信側から受信側へ、あるプロトコルに従うフレームフォーマットのデータを再送するデータ再送方法において、前記送信側は、前記データの再送要求があった場合、再送すべき前記データである再送対象データを、前記要求と分割すべきデータサイズとに基づいて複数の分割データに分割し、前記各分割データを受信側に送信する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＩＰ網と、第２のＩＰ網との間で交換されるＩＰパケットを暗号化して通信するＩＰＳｅｃ処理装置であって、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、セキュリティポリシを格納するセキュリティポリシデータベースを備え、
前記セキュリティポリシデータベースは、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、及び第３のセキュリティポリシデータベースを含み、
前記第１のセキュリティポリシデータベース及び第３のセキュリティポリシデータベースは、線形リスト構造を有し、
前記第２のセキュリティポリシデータベースは、ハッシュリスト構造を有し、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、前記ＩＰパケットを送信及び受信の少なくとも一方をするとき、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、第３のセキュリティポリシデータベースの順に、前記ＩＰパケットに適用されるセキュリティポリシを検索することを特徴とするＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項２】
前記セキュリティポリシは、検索で照合される順序に従って分類され、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、又は第３のセキュリティポリシデータベースに、前記分類されたセキュリティポリシを格納することを特徴とする請求項１に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項３】
前記セキュリティポリシは、検索で照合される優先順位を含み、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、前記優先順位に従って、検索することを特徴とする請求項１に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項４】
前記第２のセキュリティポリシデータベースは、前記ＩＰパケットに含まれるＩＰアドレスのプレフィックス長ごとに分割されていることを特徴とする請求項１に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項５】
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、
前記セキュリティポリシが適用されるユーザの情報と対応付けて、前記セキュリティポリシを前記セキュリティポリシデータベースに格納し、
前記セキュリティポリシが適用されるユーザの指定を受け付けて、前記指定されたユーザに対応付けられたセキュリティポリシを検索することを特徴とする請求項１に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項６】
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、
前記セキュリティポリシデータベースに、システムによる通信であって、ユーザ間の通信よりも優先される通信に適用されるセキュリティポリシをシステム用のセキュリティポリシとして格納し、
前記システム用のセキュリティポリシを優先して検索される位置に配置することを特徴とする請求項５に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項７】
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、通信先のＩＰＳｅｃ処理装置との間で、暗号鍵を交換し、
前記暗号鍵を交換するときに受信したパケットに含まれるＩＰアドレス及びユーザの情報に基づいて、前記セキュリティポリシを生成することを特徴とする請求項５に記載のＩＰＳｅｃ処理装置。
【請求項８】
第１のＩＰ網と、第２のＩＰ網との間で交換されるＩＰパケットを暗号化して通信するＩＰＳｅｃ処理装置を備えるネットワークシステムであって、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、
通信先のＩＰＳｅｃ処理装置との間で、暗号鍵を交換し、
前記暗号鍵を交換するときに受信したパケットに含まれるＩＰアドレス及びユーザの情報に基づいて、前記セキュリティポリシを生成し、
前記セキュリティポリシを格納するセキュリティポリシデータベースを備え、
前記セキュリティポリシデータベースは、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、及び第３のセキュリティポリシデータベースを含み、
前記第１のセキュリティポリシデータベース及び第３のセキュリティポリシデータベースは、線形リスト構造を有し、
前記第２のセキュリティポリシデータベースは、ハッシュリスト構造を有し、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、前記ＩＰパケットを送信及び受信の少なくとも一方をするとき、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、第３のセキュリティポリシデータベースの順に、前記ＩＰパケットに適用されるセキュリティポリシを検索することを特徴とするネットワークシステム。
【請求項９】
前記セキュリティポリシは、検索で照合される順序に従って分類され、
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、第１のセキュリティポリシデータベース、第２のセキュリティポリシデータベース、又は第３のセキュリティポリシデータベースに、前記分類されたセキュリティポリシを格納することを特徴とする請求項８に記載のネットワークシステム。
【請求項１０】
前記ＩＰＳｅｃ処理装置は、
前記セキュリティポリシが適用されるユーザの情報と対応付けて、前記セキュリティポリシを前記セキュリティポリシデータベースに格納し、
前記セキュリティポリシが適用されるユーザの指定を受け付けて、
前記指定されたユーザに対応付けられたセキュリティポリシを検索することを特徴とする請求項８に記載のネットワークシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本実施例の照明器具では、シェード部材１４の周囲長を、上記のように小骨１２が約80°開いた状態での周囲長と等しくなるようにする。例えば、小骨１２の長さが170 mm、ろくろ１１の中心から小骨１２の取り付け点までの距離が15 mmとすると、シェード部材１４の周囲長Lは、
L = 2π×(15+170)×sin(80°)= 2π×185×0.98 = 1138．6 mm
とする。なお、実際には上記のように実物で小骨１２と親骨１３を開いた状態にし、それにシェード部材１４を緊張させて貼り付けるという方法で作製することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月17日(2009.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
液晶パネルユニット２の背面側に組み合わされ照明光を照射するバックライトユニット３は、図１に示すように、照明光を照射する複数のＬＥＤ１１が光源として実装された光源基板１０と、光源基板１０が一側面２１に複数取り付けられた導光板２０と、導光板２０の一側面２１に対して略垂直の一方の面に取り付けられた反射シート３０と、導光板２０の他方の面に取り付けられ、複数の光学機能シートが積層された光学シート層４０とを備える。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、導光板２０は、導光板２０内に入射された照明光が一方の面に形成されている調光部２４の非形成領域に当たると、照明光の入射角が導光板２０の一方の面に対して臨界角以上のときは、照明光を他方の面側に反射させ、照明光の入射角が導光板２０の一方の面に対して臨界角以下のときは、導光板２０の一方の面に取り付けられている後述する反射シート３０によって照明光が他方の面側に反射される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
また、ＬＥＤ１１のマイクロレンズ１２の中に、図１４に示すように、屈折率が高い、例えば、ポリカーボネイト、ポリメチルメタクリレート、アクリル、シリコーン等の光透過性樹脂２９を充填して、光透過性樹脂２９、マイクロレンズ１２、導光板２０と順次屈折率を高めていき、導光板２０に入射される照明光の出射角が小さくなるように調整して、ＬＥＤ１１から照射される照射光の光利用効率を向上させてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【図１】本発明を適用した液晶表示装置の要部縦断面図である。
【図２】導光板の斜視図である。
【図３】光源基板と導光板の要部縦断面図である。
【図４】導光板の反射部の他の使用例を示した斜視図である。
【図５】光源基板と導光板の反射部の他の使用例を示した要部縦断面図である。
【図６】本発明を適用した導光板に入射された照明光の状態を示した導光板の要部縦断面図である。
【図７】光源にＣＣＦＬを用いたときの光源基板と導光板の要部縦断面図である。
【図８】光源基板と導光板の他の取り付け方法を示した要部縦断面図である。
【図９】導光板の他の使用例を示した斜視図である。
【図１０】導光板の他の使用例を示した斜視図である。
【図１１】導光板の反射部に反射材を取り付けた状態を示した要部縦断面図である。
【図１２】導光板の反射部に段付形状を設けた状態を示した要部縦断面図である。
【図１３】導光板とＬＥＤとの間に光透過性樹脂を設けた状態の光源基板と導光板の要部縦断面図である。
【図１４】ＬＥＤ１１の中に光透過性樹脂を設けた状態の光源基板都道交番の要部縦断面図である。
【図１５】従来のバックライトユニットの光源基板と導光板の要部縦断面図である。
【図１６】従来の導光板に入射された照明光の状態を示した導光板の要部縦断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓄電セルが一の積層方向に積層された積層体と、
前記積層体の前記積層方向の両端に配置されたエンドプレートと、
前記両端に配置された前記エンドプレート同士を締結する拘束部材と
を備え、
前記両端に配置された前記エンドプレートのうち少なくとも一方は樹脂で形成され、
前記拘束部材は、前記積層方向に延びる板状に形成され、
前記拘束部材は、前記積層方向に対してほぼ垂直な向きに曲がるように形成された曲がり部を端部に有し、
前記拘束部材は、前記エンドプレートの表面のうち、前記積層体と接触する表面と反対側の表面において、前記端部が締結部材によって前記エンドプレートに固定されている、蓄電モジュール。
【請求項２】
前記締結部材は、リベットを含む、請求項１に記載の蓄電モジュール。
【請求項３】
前記蓄電セルは、電極を有し、
前記電極は、前記積層体の表面のうち、前記拘束部材が配置されている表面から飛び出すように形成され、
前記拘束部材は、前記電極よりも高さが低くなっている、請求項１または２に記載の蓄電モジュール。
【請求項４】
前記積層体は、前記蓄電セルを前記積層方向に挟み込むように固定するための枠部材を含み、
前記枠部材は、前記蓄電セルから排出されるガスを流通させるための排ガス流路部を含み、
前記排ガス流路部は、前記積層方向に延びるように形成され、
前記排ガス流路部は、前記積層体の表面のうち、前記拘束部材が配置されている表面から突出するように形成され、
前記拘束部材は、前記排ガス流路部よりも高さが低くなっている、請求項１から３のいずれかに記載の蓄電モジュール。
【請求項５】
前記積層体は、前記蓄電セルを前記積層方向に挟み込むように固定するための枠部材を含み、
前記枠部材の、前記蓄電セルと対向する面には、リブが設けられている、請求項１から４のいずれかに記載の蓄電モジュール。
【請求項６】
前記エンドプレートは樹脂からなる、請求項１から５のいずれかに記載の蓄電モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に第１の電極が形成された光素子と、一面に前記光素子の前記第１の電極と接続する第２の電極が形成された基板との接続体において、
前記第２の電極は、凹部を備え、導体バンプを介して前記第１の電極と接続されていることを特徴とする接続体。
【請求項２】
請求項１に記載の接続体であって、
前記光素子は、面発光素子または面受光素子であることを特徴とする接続体。
【請求項３】
請求項１に記載の接続体であって、
前記導体バンプは、Auバンプであることを特徴とする接続体。
【請求項４】
基板の一面に接続された面発光素子と面受光素子と、前記基板の他面に形成され、前記面発光素子と前記面受光素子とを光学的に接続する光導波路とからなる光送受信モジュールであって、
前記面発光素子と前記面受光素子とを接続する前記基板の電極は、凹部を備え、導体バンプを介して前記発光素子と前記面受光素子と接続されていることを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項５】
請求項４に記載の光送受信モジュールであって、
前記導体バンプは、Auバンプであることを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項６】
請求項４に記載の光送受信モジュールであって、
さらに、前記面発光素子を駆動ドライバと、前記面受光素子の出力信号増幅器とを前記基板の前記一面に搭載したことを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれか一に記載の光送受信モジュールであって、
前記基板は可撓性を有することを特徴とする光送受信モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特許文献３に記載された光素子をフェースダウンにより搭載する技術としては、Ａｕバンプ接続、はんだ接続等がある。しかし、特許文献３には、以下の問題点が生じる点の記載が無い。
（１）光素子と光伝送路を高効率に光結合するためには、光素子と基板との平行度が精密に制御できることが必須であるが、この平行出しが困難である。特に、電極の接合にＡｕバンプを用いる場合、バンプ先端の高さばらつきが極めて大きいため、各バンプの高さを揃えるための工程を導入する必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５（ａ）に示すように光素子２にはＡｕからなる導体バンプ２２が形成されている。図５（ｂ）に示すように光素子２は、形成された導体バンプ２２が基板電極端部１２と接した状態で超音波接合により接合される。実施例３では、導体バンプ２２は基板電極１２の二辺でのみ接触した状態となる。そのため、実施例２に比べ、導体バンプ２２と基板電極１２の接触面積が小さくなる。すなわち、超音波接合時、光素子２に掛ける荷重がさらに少なくても接触部には充分な圧力が加わることとなる。そのため、実施例２と比較して、さらに光素子２のダメージを回避するためには有利となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図７（ａ）に示すように、実施例５では光素子２として発光点２３が素子電極２１の形成された面（活性面）の裏面に存在する裏面出射型の面発光レーザを用いている。素子電極２１にはＡｕからなる導体バンプ２２が形成されている。図７（ｂ）（ｃ）に示すように、導体バンプ２２を凹部１３に挿入し、超音波接合を用いることにより、光素子２と基板１の平行度が保たれて接合される。この結果、光素子２Ｂから出射される光は、基板１に対して垂直に出射される。光素子２Ｂから出射された光は別の光学系に入射される、基板１に対して垂直に出射されているため、光学系に対する位置決めが容易である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上述した実施例１ないし実施例５に拠れば、以下に示す効果が期待できる。接合材がＡｕ等からなるバンプである場合は
（１）バンプの高さを揃える工程を施すことなく光素子と基板との平行度を確保できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
接合材にはんだペーストまたは導電性接着剤ペーストを用いた場合は
（１）ペースト材を開口部または凹部に供給することで、従来よりも多く接合材はんだを供給することができる。これにより、ペーストの供給量の制御が容易になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（３）開口部に接合材が溜まるため、光素子の電極と基板の電極との間の接合材を薄くすることができる。その結果、光結合効率が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月18日(2009.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励起光を射出する励起光源と、
該励起光源からの光を吸収して波長変換する波長変換部材と、を有する発光装置において、
該波長変換部材は、第１の波長変換部材と第２の波長変換部材とを少なくとも有し、
該第１の波長変換部材の発光ピーク波長と該第２の波長変換部材の発光ピーク波長とが略同一であり、
該励起光の発光ピーク波長における該第１の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が７０％以上であり、且つ該励起光の発光ピーク波長における該第２の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が６０％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
励起光を射出する励起光源と、
該励起光源からの光を吸収して波長変換する波長変換部材と、を有する発光装置において、
該波長変換部材は、第１の波長変換部材と第２の波長変換部材とを少なくとも有し、
該第１の波長変換部材の発光ピーク波長と該第２の波長変換部材の発光ピーク波長とが略同一であり、
該第１の波長変換部材は輝度を高める役割を有し、該第２の波長変換部材は所定の色調に色合わせし、且つ、光拡散材としての役割を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記第１の波長変換部材の発光ピーク波長と前記第２の波長変換部材の発光ピーク波長とは３０ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記励起光の発光ピーク波長における前記第２の波長変換部材の反射率は４０％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記第１の波長変換部材はチオガレート系蛍光体又は窒化物系蛍光体であり、前記第２の波長変換部材はアルミン酸塩蛍光体であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記発光装置は、さらに、屈曲可能に長手方向に延長し、前記励起光源から射出される励起光を前記波長変換部材へ伝送するライトガイドを有していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記ライトガイドは、長手方向に対して垂直に交わる横断面において、中心部（コア）の屈折率が周辺部（クラッド）の屈折率よりも高くなるよう構成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
前記励起光源は、半導体発光素子であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の発光装置。
【請求項９】
前記波長変換部材は、ガラス中に含有されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第２の波長変換部材は、前記第１の波長変換部材に比べて異なる色調を有しかつ高い反射率を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１１】
前記励起光源は、発光ピーク波長が３５８〜４２０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が８０％以上であることを特徴とする請求項１、３乃至１１のいずれかに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記第２の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が５０％以下であることを特徴とする請求項１、３乃至１２のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、励起光を射出する励起光源と、該励起光源からの光を吸収して波長変換する波長変換部材と、を有する発光装置において、該波長変換部材は、第１の波長変換部材と第２の波長変換部材とを少なくとも有し、該第１の波長変換部材の発光ピーク波長と該第２の波長変換部材の発光ピーク波長とが略同一であり、該励起光の発光ピーク波長における該第１の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が７０％以上であり、且つ該励起光の発光ピーク波長における該第２の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が６０％以下である発光装置に関する。これにより高輝度を保持しつつ、所定の色調を有する発光装置を提供することができる。つまり、第１の波長変換部材は輝度を高める役割を有し、並びに、第２の波長変換部材は所定の色調に色合わせし、且つ、光拡散材としての
役割を有する。
また、本発明は、励起光を射出する励起光源と、該励起光源からの光を吸収して波長変換する波長変換部材と、を有する発光装置において、該波長変換部材は、第１の波長変換部材と第２の波長変換部材とを少なくとも有し、該第１の波長変換部材の発光ピーク波長と該第２の波長変換部材の発光ピーク波長とが略同一であり、該第１の波長変換部材は輝度を高める役割を有し、該第２の波長変換部材は所定の色調に色合わせし、且つ、光拡散材としての役割を有する発光装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記波長変換部材は、ガラス中に含有されていることが好ましい。これにより長寿命の発光装置を提供することができる。
前記第２の波長変換部材は、前記第１の波長変換部材に比べて異なる色調を有しかつ高い反射率を有することが好ましい。
前記励起光源は、発光ピーク波長が３５８〜４２０ｎｍであることが好ましい。
前記第１の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が８０％以上であることが好ましい。
前記第２の波長変換部材の励起スペクトルの相対発光効率が５０％以下であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ基板上に形成した活性層、ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層を有する半導体レーザにおいて、
前記活性層と前記ｐ型および前記ｎ型クラッドとの価電子帯バンド端のエネルギーの差が５０ｍｅＶ以上であり、伝導帯バンド端のエネルギーの差が１００ｍｅＶ以上であるダブルヘテロ構造型のバンドラインナップを有すること、
前記活性層が該活性層を構成する元素の中でＺｎＳｅＴｅの合計の成分比が８０％以上１００％以下であること、または、該活性層が量子井戸構造より構成され、該量子井戸の井戸層を構成する元素の中でＺｎＳｅＴｅの合計の成分比が８０％以上１００％以下であること、および
前記クラッド層が該クラッド層を構成する構成元素の中でＢｅＭｇＺｎＴｅの合計の成分比が８０％以上１００％以下であること
を特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記活性層と前記ｐ型および前記ｎ型クラッドとの価電子帯バンド端のエネルギーの差が５０ｍｅＶ以上であることに代えて１００ｍｅＶ以上であり、
前記伝導帯バンド端のエネルギーの差が１００ｍｅＶ以上であることに代えて３００ｍｅＶ以上である請求項１記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記ｐ型クラッド層、または、ｎ型クラッド層が、該クラッド層を構成する構成元素の中でＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であること、
該ＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であるクラッド層が格子不整度±１％以内で前記ＩｎＰ基板に格子整合すること、および
該クラッド層中のＢｅＭｇＺｎＴｅの組成比がＢｅＹ２ＭｇＺ２Ｚｎ１−Ｙ２−Ｚ２Ｔｅであり、且つ、Ｂｅ組成比Ｙ２が０．５０＜Ｙ２＜０．６２を満足する請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記活性層のＺｎＳｅＴｅの各組成比がＺｎＳｅＸ２Ｔｅ１−Ｘ２であり、且つ、Ｓｅ組成比Ｘ２が０．１５＜Ｘ２＜０．２０を満足すること、
前記ｐ型クラッド層、または、ｎ型クラッド層が、該クラッド層を構成する構成元素の中でＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であること、
該ＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であるクラッド層が格子不整度±１％以内で前記ＩｎＰ基板に格子整合すること、および
該クラッド層中のＢｅＭｇＺｎＴｅの組成比がＢｅＹ２ＭｇＺ２Ｚｎ１−Ｙ２−Ｚ２Ｔｅであり、且つ、Ｂｅ組成比Ｙ２が０．５０＜Ｙ２＜０．６２を満足する請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記ＢｅＭｇＺｎＴｅクラッド層中のＢｅ組成比Ｙ２の０．５０＜Ｙ２＜０．６２に代えて、Ｂｅ組成比Ｙ２を０．６０＜Ｙ２＜０．６２を満足するものとした請求項４記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記活性層を構成する元素がＺｎＳｅＴｅに代えてＢｅＺｎＳｅＴｅとされ、該活性層のＢｅＺｎＳｅＴｅの合計の成分比が８０％以上１００％以下であること、または、該活性層が量子井戸構造より構成され、該量子井戸の井戸層を構成する元素の中でＢｅＺｎＳｅＴｅの合計の成分比が８０％以上１００％以下とされるとともに、
前記ｐ型クラッド層、または、ｎ型クラッド層が、該クラッド層を構成する構成元素の中でＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であること、
該ＢｅＭｇＺｎＴｅの成分比が８０％以上１００％以下であるクラッド層が格子不整度±１％以内で前記ＩｎＰ基板に格子整合すること、および
該クラッド層中のＢｅＭｇＺｎＴｅの組成比がＢｅＹ２ＭｇＺ２Ｚｎ１−Ｙ２−Ｚ２Ｔｅであり、且つ、Ｂｅ組成比Ｙ２が０．５０＜Ｙ２＜０．６２を満足する請求項２記載の半導体レーザ。
【請求項７】
前記活性層または該活性層を構成する量子井戸の該主成分をＢｅＸ７ＣｄＹ７Ｚｎ１−Ｘ７−Ｙ７ＳｅＺ７Ｔｅ１−Ｚ７で表記し、該クラッド層の該主成分をＢｅＸ８ＣｄＹ８ＭｇＺ８Ｚｎ１−Ｘ８−Ｙ８−Ｚ８ＳＵ８ＳｅＶ８Ｔｅ１−Ｕ８−Ｖ８で表記した時、前記活性層と前記クラッド層の間に光ガイド層を挿入し、
前記光ガイド層の８０％以上を占める主成分をＡ（ＢｅＸ７ＣｄＹ７Ｚｎ１−Ｘ７−Ｙ７ＳｅＺ７Ｔｅ１−Ｚ７）＋（１―Ａ）（ＢｅＸ８ＣｄＹ８ＭｇＺ８Ｚｎ１−Ｘ８−Ｙ８−Ｚ８ＳＵ８ＳｅＶ８Ｔｅ１−Ｕ８−Ｖ８）、（ここで０＜Ａ＜１）で構成した請求項４記載の半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
次いで、傾斜を持ったフォトレジスト９を介して基板８にリンあるいはヒ素等の不純物を注入し、熱処理することにより、電荷転送方向と垂直な方向である信号電荷転送部幅方向において不純物濃度及び不純物の存在深さが連続的に変化する不純物拡散領域１１を形成することができる(図５（ｃ）)。フォトレジスト９の厚みが薄い側Ａ’で、不純物濃度が高く、不純物の存在深さが大きくなる。なお、図５では、簡単のため不純物の存在深さを一定に記載している。
次いで、フォトレジスト９をエッチングにより除去する(図５（ｄ）)。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月12日(2009.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
比誘電率が３．０以下で、高い被膜強度を有する低誘電率非晶質シリカ系被膜を基板上に形成する方法であって、
（１）テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物を基板上に塗布する工程（塗布工程）、および
（２）前記基板を装置内に収納して該装置内に過熱水蒸気を導入し、前記被膜を１０５〜４５０℃の温度条件下で加熱処理する工程（加熱処理工程）、
を含む各工程で少なくとも処理することを特徴とする低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記塗布工程で使用される液状組成物が、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる、テトラアルキルオルソシリケート(TAOS)および下記一般式(I)で示されるアルコキシシラン(AS)からなる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
ＸnＳｉ（ＯＲ）4-n        （Ｉ）
（式中、Ｘは水素原子、フッ素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Ｒは水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、ｎは１〜３の整数である。）
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記塗布工程で使用される液状組成物が、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる、下記一般式（II）で示されるビス（トリアルコキシシリル）アルカン（BTASA）および下記一般式（I）で示されるアルコキシシラン（AS）からなる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
ＸnＳｉ（ＯＲ）4-n        （Ｉ）
（式中、Ｘは水素原子、フッ素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Ｒは水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、ｎは１〜３の整数である。）
ＯＲ7      ＯＲ2
｜         ｜
ＯＲ6−Ｓｉ−Ｒ1−Ｓｉ−ＯＲ3       （II）
｜         ｜
ＯＲ5      ＯＲ4
（式中、Ｒ1はメチレン基、エチレン基またはプロピレン基を表し、Ｒ2〜Ｒ7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。）
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記塗布工程で使用される液状組成物が、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイド（TAAOH）の存在下で加水分解して得られる、下記一般式（II）で示されるビス（トリアルコキシシリル）アルカン（BTASA）、下記一般式（I）で示されるアルコキシシラン（AS）およびテトラアルキルオルソシリケート（TAOS）からなる有機ケイ素化合物の加水分解物を含む液状組成物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法。
ＸnＳｉ（ＯＲ）4-n        （Ｉ）
（式中、Ｘは水素原子、フッ素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表し、Ｒは水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。また、ｎは１〜３の整数である。）
ＯＲ7      ＯＲ2
｜         ｜
ＯＲ6−Ｓｉ−Ｒ1−Ｓｉ−ＯＲ3       （II）
｜         ｜
ＯＲ5      ＯＲ4
（式中、Ｒ1はメチレン基、エチレン基またはプロピレン基を表し、Ｒ2〜Ｒ7は同一でも異なっていてもよく、水素原子、または炭素数１〜８のアルキル基、フッ素置換アルキル基、アリール基もしくはビニル基を表す。）
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月6日(2009.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータにより回転するスピンドルと、該スピンドルに形成したカム溝内における鋼球の変位により、該スピンドルに対して軸方向へ移動しつつ回転するハンマーと、先端にねじ締め用の先端工具が装着され、該ハンマーから回転トルクを受けてねじ締め方向に回転するアンビルを備え、前記アンビルに付加される外部トルクが一定トルクに達すると、前記ハンマーが前記スピンドルに対して軸方向へ変位しつつ回転することにより前記アンビルに係脱して該アンビルを回転方向に打撃しつつ回転させる回転打撃工具において、前記アンビルと前記先端工具との間に装着される騒音防止装置であって、
前記アンビルと一体で回転する駆動側回転体と、
該駆動側回転体と同軸で相対回転可能に配置され、前記先端工具を装着可能な出力側回転体と、
前記駆動側回転体と前記出力側回転体の外周側に跨って装着され、前記駆動側回転体がねじ締め方向に回転すると該駆動側回転体に巻き付いて該駆動側回転体と一体で回転し、該駆動側回転体と一体で回転すると前記出力側回転体に巻き付いて該出力側回転体を前記駆動側回転体と一体でねじ締め方向に回転させる巻きばねを備えた騒音防止装置。
【請求項２】
請求項１記載の騒音防止装置であって、
駆動側回転体を収容して該駆動側回転体と一体で回転する駆動側スリーブと、
該駆動側スリーブと同軸で相対回転可能に配置され、前記出力側回転体を収容して該出力側回転体と一体で回転する出力側スリーブと、
前記駆動側スリーブと前記出力側スリーブの内周側に跨って装着され、前記駆動側スリーブがねじ緩め方向に回転すると該駆動側スリーブに巻き付いて該駆動側スリーブと一体で回転し、該駆動側スリーブと一体で回転すると前記出力側スリーブに巻き付いて該出力側スリーブを前記駆動側スリーブと一体でねじ緩め方向に回転させる逆転用巻きばねを備えた騒音防止装置。
【請求項３】
請求項２記載の騒音防止装置であって、前記駆動側スリーブと前記出力側スリーブを相互に軸方向への変位を規制しつつ相対回転可能な状態でケースに収容した騒音防止装置。
【請求項４】
請求項２記載の騒音防止装置であって、巻きばねおよび／または逆転用巻きばねに、断面矩形の角ばねを用いる構成とした騒音防止装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載した騒音防止装置であって、アンビルに設けた先端工具装着部を利用して着脱可能に装着される騒音防止装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載した騒音防止装置を備えた回転打撃工具。