【手続補正書】
【提出日】平成21年9月18日(2009.9.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ機器であって、
データを受取り、データについての誤り訂正符号を生成するように動作可能なメモリコントローラと、
第１のメモリバンクおよび第２のメモリバンクを含むメモリとを含み、メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクに格納し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクに格納するようにさらに動作可能であって、誤り訂正符号はデータに関連付けられる、メモリ機器。
【請求項２】
メモリコントローラは、データに関連付けられる第１のアドレスを受取るように動作可能であって、メモリコントローラは、前記第１のアドレスに対応する位置においてデータをメモリに置くようにさらに動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項３】
メモリコントローラは、第１のアドレスを変換することによって第２のアドレスを生成し、前記第２のアドレスに対応する位置において誤り訂正をメモリに格納するように動作可能である、請求項２に記載のメモリ機器。
【請求項４】
メモリは４つのバンクおよび２つの誤り訂正符号記憶領域を含む、請求項３に記載のメモリ機器。
【請求項５】
メモリの合計サイズは値Ｓを有し、データのバイト数と誤り訂正符号のバイト数との間の割合は値Ｒであり、４つのバンクはバンク１、バンク２、バンク３およびバンク４を含み、第１のアドレスがバンク１またはバンク２にデータを置く場合、第２のアドレスは次の式［(first address−S/(R*2))/R］＋［S−S/(R*2)］によって求められ、第１のアドレスがバンク３またはバンク４にデータを置く場合、第２のアドレスは次の式［(first address−(S/2))/R］によって求められる、請求項４に記載のメモリ機器。
【請求項６】
誤り訂正符号を生成するために多項式が使用される、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項７】
多項式は、Ｘ16＋Ｘ15＋Ｘ11＋Ｘ10＋Ｘ6＋Ｘ4＋Ｘ3＋１で構成される、請求項６に記
載のメモリ機器。
【請求項８】
メモリコントローラは、メモリへのデータの転送、およびメモリへの誤り訂正符号の転送を連続して実行するように動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項９】
メモリコントローラは、メモリへのデータの転送、およびメモリへの誤り訂正符号の転送をオーバーラップする態様で同時に実行するように動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１０】
メモリコントローラは、メモリへのデータの転送を同時に実行する間、メモリへの誤り訂正符号の転送のためのアドレスを生成するように動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１１】
メモリコントローラは、第２のメモリバンクにおいて誤り訂正符号の転送を同時に実行する間、第１のメモリバンクの閉鎖を実行するように動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１２】
メモリコントローラからデータを受取り、データをデータ記憶媒体に置くように動作可能なトランスデューサをさらに含む、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１３】
メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクから取出し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクから取出し、取出されたデータが誤りを含むかどうかを誤り訂正符号に基づいて判断するようにさらに動作可能である、請求項１２に記載のメモリ機器。
【請求項１４】
メモリコントローラは、誤り訂正符号に基づいて誤りを訂正するようにさらに動作可能である、請求項１３に記載のメモリ機器。
【請求項１５】
メモリはＤＤＲメモリを含む、請求項１４に記載のメモリ機器。
【請求項１６】
データは３２バイトで構成され、誤り訂正符号は２バイトで構成される、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１７】
メモリはＤＤＲメモリを含む、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１８】
誤り訂正符号はハミング符号を含む、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項１９】
誤り訂正符号はＢＣＨ符号を含む、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項２０】
データ記憶媒体は磁気データ記憶テープを含む、請求項１３に記載のメモリ機器。
【請求項２１】
誤り訂正符号は、単一誤り訂正／二重誤り検出符号を含む、請求項２０に記載のメモリ機器。
【請求項２２】
誤り訂正符号は、二重誤り訂正／三重誤り検出符合を含む、請求項１５に記載のメモリ機器。
【請求項２３】
データ記憶媒体は磁気テープを含む、請求項１２に記載のメモリ機器。
【請求項２４】
データ記憶媒体は書込可能なＣＤまたは再書込可能なＣＤを含む、請求項１２に記載のメモリ機器。
【請求項２５】
データ記憶媒体は、書込可能なＤＶＤまたは再書込可能なＤＶＤを含む、請求項１２に記載のメモリ機器。
【請求項２６】
データ記憶媒体はハードドライブを含む、請求項１２に記載のメモリ機器。
【請求項２７】
メモリからデータを受取るように動作可能なコンピュータをさらに含む、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項２８】
メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクから取出し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクから取出し、誤り訂正符号に基づいてデータの完全性を調べ、データを前記コンピュータに転送するようにさらに動作可能である、請求項２７に記載のメモリ機器。
【請求項２９】
データ記憶媒体からデータを読出し、データをメモリコントローラに転送するように動作可能なトランスデューサをさらに含む、請求項２８に記載のメモリ機器。
【請求項３０】
メモリはＤＤＲメモリを含む、請求項２９に記載のメモリ機器。
【請求項３１】
データ記憶媒体は磁気テープを含む、請求項３０に記載のメモリ機器。
【請求項３２】
メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクから取出し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクから取出し、誤り訂正符号に基づいてデータの完全性を調べるようにさらに動作可能である、請求項１に記載のメモリ機器。
【請求項３３】
メモリコントローラは、誤り訂正符号に基づいてデータの中の誤りを訂正するようにさらに動作可能である、請求項３２に記載のメモリ機器。
【請求項３４】
メモリはＤＤＲメモリを含む、請求項３２に記載のメモリ機器。
【請求項３５】
データを転送する方法であって、
データを受取ることと、
誤り訂正符号を生成することと、
メモリモジュールのメモリアレイの中の第１のメモリ空間にデータを置くことと、メモリモジュールのメモリアレイの中の第２のメモリ空間に誤り訂正符号を置くこととを含み、誤り訂正はデータに関連付けられ、第１のメモリ空間および第２のメモリ空間はメモリアレイ内では連続的ではない、方法。
【請求項３６】
第１のメモリ空間はメモリモジュールの中の第１のメモリバンクを含み、第２のメモリ空間はメモリモジュールの中の第２のメモリバンクを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
メモリモジュールはＤＤＲメモリモジュールを含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
データを第１のメモリ空間から取出すことと、
誤り訂正符号を第２のメモリ空間から取出すことと、
誤り訂正符号に基づいてデータの完全性を調べることとをさらに含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３９】
誤り訂正符号に基づいてデータを訂正することをさらに含む、請求項３８に記載の方法。
【請求項４０】
データを受取ることはメモリコントローラを用いてデータを受取ることを含み、メモリコントローラは、誤り訂正符号を生成し、メモリモジュールの中の第１のメモリバンクにデータを置き、メモリモジュールの中の第２のメモリバンクに誤り訂正符号を置くように構成される、請求項３８に記載の方法。
【請求項４１】
データを格納する方法であって、
データを受取ることと、
誤り訂正符号を生成することと、
メモリの中の第１のメモリバンクにデータを置くことと、
メモリの中の第２のメモリバンクに誤り訂正符号を置くこととを含み、誤り訂正はデータに関連付けられる、方法。
【請求項４２】
データを第１のメモリバンクに置くことおよび誤り訂正符号を第２のメモリバンクに置くことは、連続して実行される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
データを第１のメモリバンクに置くことおよび誤り訂正符号を第２のメモリバンクに置くことは、オーバーラップする態様で同時に実行される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
データを第１のメモリバンクに置くことは、メモリコントローラに与えられるアドレスを利用して実行される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
データを第１のメモリバンクに置くことは、アドレス変換なしに実行される、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
誤り訂正符号を第２のメモリバンクに置くことは、アドレス変換とともに実行される、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
データを第１のメモリバンクから取出すことと、
誤り訂正符号を第２のメモリバンクから取出すことと、
誤り訂正符号に基づいてデータの完全性を調べることとをさらに含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４８】
データをデータ記憶媒体に書込むことをさらに含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
データ記憶媒体は磁気データ記憶媒体を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
データ記憶媒体は光学データ記憶媒体を含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５１】
磁気データ記憶媒体はテープを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５２】
磁気データ記憶媒体はハードドライブを含む、請求項４９に記載の方法。
【請求項５３】
光学データ記憶媒体はＤＶＤを含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５４】
光学データ記憶媒体はＣＤを含む、請求項５０に記載の方法。
【請求項５５】
データの完全性が妥協された場合に誤り訂正符号に基づいてデータを訂正することをさらに含む、請求項４７に記載の方法。
【請求項５６】
データを受取ることは、メモリコントローラを用いてデータを受取ることを含む、請求
項５５に記載の方法。
【請求項５７】
メモリはＤＤＲメモリを含む、請求項５６に記載の方法。
【請求項５８】
誤り訂正符号はＳＥＣ／ＤＥＤハミング符号を含む、請求項５７に記載の方法。
【請求項５９】
メモリ機器であって、
テープドライブを含み、前記テープドライブは、
データを受取り、データについての誤り訂正符号を生成するように動作可能であり、かつ、ホストコンピュータとテープドライブとの間で前記データをバッファリングするように動作可能なメモリコントローラと、
第１のメモリバンクおよび第２のメモリバンクを含むメモリとを含み、メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクに格納し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクに格納するようにさらに動作可能である、メモリ機器。
【請求項６０】
メモリ機器であって、
テープドライブを含み、前記テープドライブは、
データを受取り、データについての誤り訂正符号を生成するように動作可能であり、かつ、ホストコンピュータとテープドライブとの間で前記データをバッファリングするように動作可能なメモリコントローラと、
第１のメモリバンクおよび第２のメモリバンクを含むメモリとを含み、メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクに格納し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクに格納し、第１のアドレスを受取り、第１のアドレスに対応する位置においてデータを第１のメモリバンクに格納するようにさらに動作可能であって、データは、連続的な態様で第１のメモリバンクに格納される、メモリ機器。
【請求項６１】
メモリ機器であって、
データを受取り、データについての誤り訂正符号を生成するように動作可能であり、かつ、ホストコンピュータとテープドライブとの間で前記データをバッファリングするように動作可能なメモリコントローラと、
第１のメモリバンクおよび第２のメモリバンクを含むメモリとを含み、メモリコントローラは、データを第１のメモリバンクに格納し、誤り訂正符号を第２のメモリバンクに格納し、第１のアドレスを受取り、第１のアドレスに対応する位置においてデータを第１のメモリバンクに格納するようにさらに動作可能であって、データは、連続的な態様で第１のメモリバンクに格納され、メモリコントローラは、第１のアドレスを変換することによって第２のアドレスを生成し、第２のアドレスに対応する位置において誤り訂正符号を第２のメモリバンクに格納するように動作可能である、メモリ機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
別の例では、ＥＣＣデータバッファはデータ記憶装置１２において実現される。データ記憶機器は磁気テープドライブ１４を含む。この機器は、データバッファメモリコントローラ１８を含むＡＳＩＣ（特定用途向け集積回路）１６を含む。データバッファメモリコントローラ１８は、ホストコンピュータ２０インターフェイスとデータ記憶テープインターフェイス論理２２との間でデータをバッファリングするために利用される。このメモリコントローラ１８は、データがデータバッファにある間データを保護するためのＳＥＣ／ＤＥＤ（単一誤り訂正／二重誤り検出）ハミングＥＣＣデータ完全性スキームを組入れる
。このＥＣＣは残りのテープドライブサブシステムに透過である。この開示の利点を有する当業者は、ＤＥＣ／ＴＥＤ（二重誤り訂正／三重誤り検出）ＢＣＨ符号またはリードソロモン符号などの他の誤り訂正符号スキームがハミングＥＣＣの代わりに利用されることもできることを理解するであろう。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ホストコンピュータ２０からテープドライブ１４の中のテープにデータを転送するために、データは最初にホストコンピュータ２０からメモリコントローラ１８に転送される。メモリコントローラの動作はプロセッサ２６によって管理される。メモリコントローラ１８は、データの流れをバッファリングしてオーバーフローを防ぐためにＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ２４を利用することによって、ホストコンピュータ２０からテープインターフェイス論理２２へのデータの流れを制御する。メモリコントローラ１８によって受取られるデータの各々のセット（たとえば、３２バイト）ごとに、メモリコントローラ１８はＥＣＣ（たとえば、２バイトのＥＣＣの冗長性）を生成する。この特定の実現例では、４つの別個のバンク２８、３０、３２、３４を有するＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ２４が、データバッファのデータ記憶領域として実現される。メモリコントローラ１８は次いで、ＤＤＲ−ＳＤＲＡＭ２４の中の、４つの利用可能なバンクのうちの１つである第１のバンクの中にデータを伝送し、次いで３つの残りのバンクのうちの１つである第２のバンクの中にＥＣＣを伝送する。結果として、データおよびその関連付けられるＥＣＣは２つの別個のバンクに保存される。しかしながら、この構成に応じて、２つのバンクはさまざまな組合せを有する可能性があり、２つの隣接するバンクに限定されない。たとえば、データはバンク♯２  ３０に格納される場合もあり、関連付けられるＥＣＣはバンク♯０  ３４に格納される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
次の３２バイト境界に切上げられるこの数は、986,912＝0x00F_0F20である。
バーストECC符号語のサイズを32Bytes_dataおよび２Bytes_BurstECC_Redundancy＝34Bytesとして維持する。そして、データの３２バイトのバーストごとに、２バイトのバーストECCが存在することになる。バーストECCアドレスについてのオフセットを得るために１７で除算されたData_addressを使用することが可能である。