Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月4日(2009.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
注入された電荷に応じて光を発生するように構成されている活性領域（２１０）と、
n型材料層（２１４）とp型材料層（２１２）
とからなり、
前記n型材料層（２１４）と前記p型材料層（２１２）の少なくとも一方が少なくとも２つのドーパントでドープされ、該ドーパントの少なくとも１つが、他のドーパントのイオン化エネルギーよりも高いイオン化エネルギーを有することからなる、発光素子（２００）。
【請求項２】
前記n型ドーパントが、シリコン（Si）、セレン（Se）、テルル(Te)、酸素（O）、硫黄（S）、錫（Sn）から選択される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記p型ドーパントが、マグネシウム（Mg）、亜鉛（Zn）、カルシウム（Ca）、ベリリウム（Be）、カドミウム（Cd）から選択される、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記活性領域（２１０）に電荷を注入するように配置されているトンネル接合構造（２２０）をさらに含み、このトンネル接合層が、第１の半導体材料のn型トンネル接合層（２１４）、第２の半導体材料のp型トンネル接合層（２１２）、及びこれらのトンネル接合層（２１２、２１４）の間のトンネル接合（２１６）を含み、前記トンネル接合層（２１２、２１４）の少なくとも１つが少なくとも２つのドーパントでドープされ、該ドーパントの少なくとも１つが他のドーパントのイオン化エネルギーよりも高いイオン化エネルギーを有する、請求項１に記載の発光素子。
【請求項５】
前記少なくとも２つのドーパントが、前記n型トンネル接合層（２１４）と前記p型トンネル接合層（２１２）との界面において形成される空乏領域（３１４）の幅を最小化する、請求項４に記載の発光素子。
【請求項６】
前記p型材料層（４０４）が抵抗接触（４０８）と接触している、請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記少なくとも２つのドーパントが、前記p型トンネル接合層（４０４）と前記抵抗接触（４０８）との界面において形成される空乏領域（５１８）の幅を最小化する、請求項６に記載の発光素子。
【請求項８】
発光素子を形成する方法であって、
基板（２０１）を設け、
前記基板（２０１）上に活性領域（２１０）を形成し、
前記基板（２０１）上にp型材料層（２１２）を形成し、
前記基板上にn型材料層（２１４）を形成することを含み、
前記n型材料層（２１４）及び前記p型材料層（２１２）の少なくとも一方を少なくとも２つのドーパントでドープし、該ドーパントの少なくとも１つが、他のドーパントのイオン化エネルギーよりも高いイオン化エネルギーを有することからなる方法。
【請求項９】
前記p型材料層（４０４）と接触する抵抗接触（４０８）を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも２つのドーパントが、前記p型トンネル接合層（４０４）と前記抵抗接触（４０８）との界面において形成される空乏領域（３１４）の幅を最小化する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月16日(2009.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨組成物を使用するケミカルメカニカルポリッシング加工で基材を研磨するのに有用な研磨パッドの製造方法であって、
ポリマーマトリックス材料を用意する工程、
ポリマーシェル及び前記ポリマーシェル内に含まれる液状コアを含むポリマーカプセルを、ポリマーマトリックス材料に混入して、前記ポリマーカプセルを前記ポリマーマトリックス材料中に分散させる工程、及び
研磨パッドを形成する工程
を含み、前記研磨パッドが、形成されたポリマーマトリックス材料中に分散した前記ポリマーカプセルを有し、前記ポリマーシェルが、形成中に前記液状コアを保持して前記ポリマーマトリックス材料との接触を防ぎ、前記ポリマーシェルが、破裂して基材を研磨するための表面凹凸を形成する研磨面を有するものである方法。
【請求項２】
前記研磨パッドを形成する工程が、前記ポリマーマトリックス材料を型に入れて硬化させる工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記研磨パッドを形成する工程が、ポリマーマトリックス材料のシートを流込み成形する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
ポリマーカプセルを前記ポリマーマトリックス材料に混入する工程が、前記ポリマーカプセルを流動化する工程及び流動化したポリマーカプセルを前記ポリマーマトリックス材料に供給する工程を含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマーマトリックス材料が、混入の前に測定される第一の密度を有し、前記ポリマーカプセルが、前記第一の密度の３０％以内である、混入の前に測定される第二の密度を有する、請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記混入を、前記ポリマーマトリックス材料が液体状態で実施する、請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記液状コアが、不可避的な不純物を含む水である、請求項１記載の方法。
【請求項８】
研磨組成物を使用するケミカルメカニカルポリッシング加工で基材を研磨するのに有用な研磨パッドであって、
ポリマーカプセルを含有するポリマーマトリックス材料を含み、
前記ポリマーカプセルが、ポリマーシェル及び前記ポリマーシェル内に含まれる液状コアを含むものであり、前記ポリマーシェルが、形成中に前記液状コアが前記ポリマーマトリックス材料と接触することを防ぎ、コンディショニング中に破裂して表面凹凸を形成するためのものであり、さらに、
前記ポリマーマトリックス材料及び埋め込まれたポリマーカプセルの露出した空洞によって画定される凹凸を含む研磨面を含む研磨パッド。
【請求項９】
前記液状コアが、不可避的な不純物を含む水である液体を含む、請求項８記載の研磨パッド。
【請求項１０】
前記ポリマーシェルが、硬化したポリマーマトリックス材料よりも耐摩耗性が低い材料を含む、請求項８記載の研磨パッド。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転子を構成する永久磁石が作る磁束に平行な軸をｄ軸、ｄ軸に対応する制御上の推定軸をγ軸、γ軸から電気角で９０度進んだ推定軸をδ軸とし、
ｄ軸とγ軸との軸誤差が小さくなるようにモータを制御するモータの位置センサレス制御装置であって、
前記モータを駆動する駆動電流に、該駆動電流とは異なる周波数の重畳電流を重畳する重畳部と、
前記モータに供給したモータ電流から前記重畳電流のγ軸成分とδ軸成分を抽出する重畳成分抽出部と、
抽出された前記重畳電流のγ軸成分とδ軸成分の積に基づいて前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする制御部と、を備えた
ことを特徴とする位置センサレス制御装置。
【請求項２】
前記重畳部は、前記駆動電流を流すために前記モータへ印加する駆動電圧に、前記重畳電流に応じた重畳電圧を重畳することによって、前記駆動電流に前記重畳電流を重畳することを特徴とする請求項１に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記積の直流成分に基づいて前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記直流成分がゼロに収束するように前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする
ことを特徴とする請求項３に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項５】
前記重畳電圧のγ−δ軸上での電圧ベクトル軌跡は、γ軸またはδ軸を基準として対象性を有する図形を成す
ことを特徴とする請求項２〜請求項４の何れかに記載の位置センサレス制御装置。
【請求項６】
前記モータは非突極性を有するモータであり、
前記重畳部は、前記重畳電流のγ軸成分に起因する磁気飽和によって前記モータのインダクタンスのｄ軸成分が変化するような電圧を、前記重畳電圧として前記駆動電圧に重畳する
ことを特徴とする請求項２〜請求項５の何れかに記載の位置センサレス制御装置。
【請求項７】
回転子を構成する永久磁石が作る磁束に平行な軸をｄ軸、ｄ軸に対応する制御上の推定軸をγ軸、γ軸から電気角で９０度進んだ推定軸をδ軸とし、
ｄ軸とγ軸との軸誤差が小さくなるようにモータを制御するモータの位置センサレス制御装置であって、
前記モータを駆動する駆動電流に、該駆動電流とは異なる周波数の重畳電流を重畳する重畳部と、
前記駆動電流に前記重畳電流を重畳するために前記モータへ印加する重畳電圧のγ軸成分とδ軸成分を抽出する重畳成分抽出部と、
抽出された前記重畳電圧のγ軸成分とδ軸成分の積に基づいて前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする制御部と、を備えたことを特徴とする位置センサレス制御装置。
【請求項８】
前記制御部は、前記積の直流成分に基づいて前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする
ことを特徴とする請求項７に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記直流成分がゼロに収束するように前記モータを制御することにより、前記軸誤差を小さくする
ことを特徴とする請求項８に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項１０】
前記重畳電流のγ−δ軸上での電流ベクトル軌跡は、γ軸またはδ軸を基準として対象性を有する図形を成す
ことを特徴とする請求項７〜請求項９の何れかに記載の位置センサレス制御装置。
【請求項１１】
前記モータは非突極性を有するモータであり、
前記重畳部は、前記重畳電流のγ軸成分に起因する磁気飽和によって前記モータのインダクタンスのｄ軸成分が変化するような電流を、前記重畳電流として前記駆動電流に重畳する
ことを特徴とする請求項７〜請求項１０の何れかに記載の位置センサレス制御装置。
【請求項１２】
回転子を構成する永久磁石が作る磁束に平行な軸をｄ軸、ｄ軸に対応する制御上の推定軸をγ軸、γ軸から電気角で９０度進んだ推定軸をδ軸としてモータを制御するモータの位置センサレス制御装置であって、
前記モータを駆動する駆動電圧に、該駆動電圧とは異なる周波数を有し、γ−δ軸上での電圧ベクトル軌跡が、γ軸を短軸もしくは長軸とする楕円を成す重畳電圧を重畳する重畳部と、
前記重畳部によって前記重畳電圧が重畳された前記駆動電圧を前記モータに印加してモータを制御する制御部と、を備えた
ことを特徴とする位置センサレス制御装置。
【請求項１３】
前記重畳部は、前記重畳電圧を前記駆動電圧に重畳することによって、前記モータを駆動する駆動電流に、該駆動電流とは異なる周波数の重畳電流を重畳し、
前記モータに供給したモータ電流から前記重畳電流のγ軸成分とδ軸成分を抽出する重畳成分抽出部を備え、
前記制御部は、抽出された前記重畳電流のγ軸成分とδ軸成分に基づいて前記モータを制御する
ことを特徴とする請求項１２に記載の位置センサレス制御装置。
【請求項１４】
モータと、
前記モータを駆動するインバータと、
前記インバータを制御することにより前記モータを制御する請求項１〜請求項１３の何れかに記載の位置センサレス制御装置と、を備えた
ことを特徴とするモータ駆動システム。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月15日(2008.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電トランス式高圧電源装置であって、
圧電トランスと、圧電トランス駆動回路と、出力電圧設定信号を出力する出力電圧設定信号出力回路と、出力電圧検出回路とを備え、
前記出力電圧検出回路で検出される信号と、前記出力電圧設定信号とに基づいて前記圧電トランス駆動回路を制御する制御信号を出力する駆動制御回路とを有し、
前記出力電圧設定信号出力回路は、目標電圧より小さい電圧に対応する出力電圧設定信号を出力し、その後、目標電圧に対応する出力電圧設定信号を出力することを特徴とする圧電トランス式高圧電源装置。
【請求項２】
前記出力電圧設定信号出力回路は、前記目標電圧まで段階的に出力を大きくなるように出力電圧設定信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の圧電トランス式高圧電源装置。
【請求項３】
像担持体上に静電潜像を形成する潜像形成部と、静電潜像にトナー像を形成する現像部と、及びトナー像を転写材に転写する転写部とを備え、前記潜像形成部と前記現像部と前記転写部の少なくとも一つに対し高電圧を印加する圧電トランス式電源装置を備える画像形成装置において、
前記電源装置は、圧電トランスと、圧電トランス駆動回路と、出力電圧設定信号を出力する出力電圧設定信号出力回路と、出力電圧検出回路とを備え、
前記出力電圧検出回路で検出される信号と、前記出力電圧設定信号とに基づいて前記圧電トランス駆動回路を制御する制御信号を出力する駆動制御回路とを有し、
前記電源装置から、前記潜像形成部と前記現像部と前記転写部の少なくとも一つに対し高電圧を印加する際に、前記出力電圧設定信号出力回路は、印加する目標電圧より小さい電圧に対応する出力電圧設定信号を出力し、その後、目標電圧に対応する出力電圧設定信号を出力することを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】
転写材を静電吸着させて搬送するベルトと、転写材をベルトに静電吸着させるために転写材を帯電させる帯電吸着部とを有し、
前記圧電トランス高圧電源装置は前記帯電吸着部に高電圧を印加することを特徴とする請求項３記載の圧電トランス式高圧電源装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上記目的を達成するため、本発明に従う圧電トランス式高圧電源装置は、圧電トランス式高圧電源装置であって、圧電トランスと、圧電トランス駆動回路と、出力電圧設定信号を出力する出力電圧設定信号出力回路と、出力電圧検出回路とを備え、
前記出力電圧検出回路で検出される信号と、前記出力電圧設定信号とに基づいて前記圧電トランス駆動回路を制御する制御信号を出力する駆動制御回路とを有し、前記出力電圧設定信号出力回路は、目標電圧より小さい電圧に対応する出力電圧設定信号を出力し、その後、目標電圧に対応する出力電圧設定信号を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明の画像形成装置は、像担持体上に静電潜像を形成する潜像形成部と、静電潜像にトナー像を形成する現像部と、及びトナー像を転写材に転写する転写部とを備え、前記潜像形成部と前記現像部と前記転写部の少なくとも一つに対し高電圧を印加する圧電トランス式電源装置を備える画像形成装置において、前記電源装置は、圧電トランスと、圧電トランス駆動回路と、出力電圧設定信号を出力する出力電圧設定信号出力回路と、出力電圧検出回路とを備え、前記出力電圧検出回路で検出される信号と、前記出力電圧設定信号とに基づいて前記圧電トランス駆動回路を制御する制御信号を出力する駆動制御回路とを有し、前記電源装置から、前記潜像形成部と前記現像部と前記転写部の少なくとも一つに対し高電圧を印加する際に、前記出力電圧設定信号出力回路は、印加する目標電圧より小さい電圧に対応する出力電圧設定信号を出力し、その後、目標電圧に対応する出力電圧設定信号を出力することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、ビス（４−メチルベンゾイル）パーオキサイドと混合されるジオルガノポリシロキサンは、上記硬化剤の安定性、安全性、シリコーンゴム組成物への分散性を向上するための成分であり、直鎖状、もしくは一部に分岐構造を有する分子構造を有し、２５℃における粘度が５０ｍＰａ・ｓ〜１，０００，０００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、２５℃における粘度が１００ｍＰａ・ｓ〜１００，０００ｍＰａ・ｓであることが特に好ましい。ケイ素原子に結合する基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等の炭素原子数１〜６のアルキル基；フェニル基、ナフチル等のアリール基；トリル基、ベンジル基等のアラルキル基；３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基；ビニル基、アリル基、プロペニル基、ヘキセニル基などのアルケニル基が例示され、好ましくはメチル基である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ビス（４−メチルベンゾイル）パーオキサイドとジオルガノポリシロキサンの混合物の全酸価は、ＪＩＳ  Ｋ−２５０１：１９８０「石油製品及び潤滑油−中和価試験方法」に準じた下記の方法で測定することができる。すなわち；
試料ｍ（ｇ）を精秤し、アセトンと蒸留水の１：１混合物を加えて均一な溶液にし、フェノールフタレイン指示薬を加えた後、不活性ガス雰囲気下でＮ／２０水酸化カリウム規定液で滴定する。滴定に要したＮ／２０水酸化カリウム規定液の量（ｍｌ）をｖ１とする。また、上記で使用したアセトンと蒸留水の１：１混合物にフェノールフタレイン指示薬を加えて、同一操作で空試験を行い、その際のｖ１に相当する滴定量（ｍｌ）をｖ０とする。全酸価は下記計算式によって算出し、式中ＦはＫＯＨの分子量（５６．１）に水酸化カリウム規定液の規定度（１／２０）を乗じた２．８である。
全酸価（ＫＯＨ  ｍｇ／ｇ）＝Ｆ×（ｖ１−ｖ０）／ｍ
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
オルガノポリシロキサン（Ａ）は、上記加熱硬化性シリコーンゴム組成物の主成分であり、硬化剤（Ｃ）中のビス（４−メチルベンゾイル）パーオキサイドの作用により架橋する。成分（Ａ）は、直鎖状または一部に分岐を有する分子構造を有するジオルガノポリシロキサンであることが好ましい。また、成分（Ａ）は一分子中に少なくとも２個のビニル基、アリル基、プロペニル基、ヘキセニル基などのアルケニル基を有することが好ましく、中でもビニル基を有することが好ましい。アルケニル基は、分子鎖末端に存在してもよく、分子鎖側鎖に存在してもよく、また、分子鎖末端と分子鎖側鎖の両方に存在してもよい。アルケニル基以外のケイ素原子に結合した基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基等の炭素原子数１〜６のアルキル基；フェニル基、ナフチル基等のアリール基；トリル基、ベンジル基等のアラルキル基；３，３，３−トリフルオロプロピル基等のハロゲン置換炭化水素基が例示され、好ましくはメチル基である。また、分子鎖末端などに少量の水酸基を有していてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
成分（Ａ）は２５℃において液状であっても半固体の生ゴム状であってもよいが、重量平均分子量１００，０００以上の生ゴム状であることが好ましい。生ゴム状の成分（Ａ）としては、重量平均分子量が２００，０００〜９，０００，０００の範囲であることがより好ましく、４５０，０００〜４，５００，０００の範囲であることが特に好ましい。成分（Ａ）の重量平均分子量はゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月24日(2008.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光散乱検出器によって測定される分子量分布についてピーク面積が最大となる主要なピークとそれよりも高分子量側のピークとを有するポリカルボン酸系重合体であって、
該ポリカルボン酸系重合体は、高分子量側のピーク面積が、主要なピーク面積に対して２〜４０％である重合体であり、かつ、下記化学式（１）：
【化１】
2007270072.tif 000001
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基、−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２（−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２は、−ＣＯＯＭ１又はその他の−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２と無水物を形成していてもよい）を表し、Ｚは、０〜２の整数を表し、Ｍ１及びＭ２は、同一又は異なって、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類原子、アンモニウム基又は有機アミン基を表す。）で表されるカルボキシル基由来の構成単位（Ｉ）と、下記化学式（２）：
【化２】
2007270072.tif 000002
（式中、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を表し、ＡＯは、同一又は異なって、炭素数２以上のオキシアルキレン基の１種又は２種以上の混合物（２種以上の場合はブロック状に付加していてもランダム状に付加していてもよい）を表し、ｘは０〜２の整数を表し、ｙは１であり、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を表し、１〜３００の数であり、Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）で表されるポリオキシアルキレン鎖由来の構成単位（ＩＩ）とを含むものであって、
該構成単位（Ｉ）及び構成単位（ＩＩ）の含有量は、該重合体中、それぞれ２〜９０質量％及び２〜９８質量％であることを特徴とするポリカルボン酸系重合体。
【請求項２】
前記高分子量側のピーク面積は、前記主要なピーク面積に対して５〜３５％であることを特徴とする請求項１記載のポリカルボン酸系重合体。
【請求項３】
前記高分子量側のピーク面積は、重量平均分子量が１００万〜１０００万であるポリカルボン酸系重合体に由来するものであることを特徴とする請求項１又は２記載のポリカルボン酸系重合体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のポリカルボン酸系重合体を製造する方法であって、
該製造方法は、下記化学式（３）：
【化３】
2007270072.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基、−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２（−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２は、−ＣＯＯＭ１又はその他の−（ＣＨ２）ｚＣＯＯＭ２と無水物を形成していてもよい）を表し、Ｚは、０〜２の整数を表し、Ｍ１及びＭ２は、同一又は異なって、水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類原子、アンモニウム基又は有機アミン基、炭素数３〜１８の炭化水素基を持つシリル基を表す。）で示される単量体を含む不飽和単量体成分（Ｉ−Ｍ）と、下記化学式（４）：
【化４】
2007270072.tif 000004
（式中、Ｒ４及びＲ５は、同一又は異なって、水素原子又はメチル基を表し、ＡＯは、同一又は異なって、炭素数２以上のオキシアルキレン基の１種又は２種以上の混合物（２種以上の場合はブロック状に付加していてもランダム状に付加していてもよい）を表し、ｘは０〜２の整数を表し、ｙは１であり、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を表し、１〜３００の数であり、Ｒ６は水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。）で示される単量体を含む不飽和単量体成分（ＩＩ−Ｍ）と、該不飽和単量体成分（Ｉ−Ｍ）及び／又は（ＩＩ−Ｍ）と共重合可能な不飽和単量体（ＩＩＩ−Ｍ）とを、重合する工程を含み、
該単量体成分の使用割合は、不飽和単量体成分（Ｉ−Ｍ）／不飽和単量体成分（ＩＩ−Ｍ）／不飽和単量体（ＩＩＩ−Ｍ）＝２〜９０質量％／２〜９８質量％／０〜５０質量％であることを特徴とするポリカルボン酸系重合体の製造方法。
【請求項５】
前記製造方法は、不飽和カルボン酸と（アルコキシ）ポリアルキレングリコールとのエステル化工程で生成した混合物をそのまま単量体成分として前記重合工程に使用することを特徴とする請求項４に記載のポリカルボン酸系重合体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載のポリカルボン酸系重合体を含むことを特徴とするセメント混和剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図１５は、前述したように、シリンダー２の操作により図１１の如く施錠状態でスイッチ６１がオン状態において、室内側からサムターン３の操作により解錠した状態を示しているが、この場合、サムターン３の操作ではスイッチ６１のオン・オフはできないことを示している。すなわち、サムターン３の操作による場合には、デットボルト５を錠ケース１内に後退する点はシリンダー２の操作による場合と同様であるが、リング４０、摺動部材５０、スイッチハブ６０が、サムターン３のサムターン軸の解錠操作に応動して動作しないため、スイッチ６１はオン状態を保持したままとなる。ハブ本体１０と制御ハブ２０とがボール３０の作用によって一体的に回動するにもかかわらず、スイッチ６１のオン・オフ操作を行うスイッチハブ６０を回動するためのリング４０がハブ本体１０と制御ハブ２０と追随して回動しないように構成するために、制御ハブ２０のサムターン３による解錠操作の開始に応じて、円弧状凸部２４と係合凸部４２との当接が解除されるように構成している。つまり、一対の円弧状凸部２４，２４と係合凸部４２，４２との当接状態が、サムターン３による解錠のための回動で一挙に解除され、ハブ本体１０と制御ハブ２０との回動操作がリング４０が追随しない状態で行われるようになっている。しかも、図１５におけるサムターン３による解錠状態から再度施錠状態に操作しても、スイッチ６１はオン状態を保持したままとなり、サムターン３の施解錠操作にスイッチ６１のオン・オフは影響を及ぼさない。このことにより不正にサムターン３を操作し、室内に進入した場合でも、スイッチ６１はオンのままなので防犯状態が保持され警報を発する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2007270590.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に係る本発明によれば、さらに、この隙間の内部またはこの隙間に面してフィルターが設けられるので、異物が室内側から隙間に入り込んだ場合であっても、この異物が壁の内側の通気空間に侵入して堆積することがなく、長期に亘って良好な通気を確保する効果がより顕著に発揮される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の水域の一部分を区切る浸透堤であって、透水性を有する堤体部と、該堤体部内に埋設され、流入側に面して配設された沈木チップのろ過層と、流出側に面して配設されたしらすと沈木チップの混合物のろ過層とを備えることを特徴とする浸透堤。
【請求項２】
前記沈木チップのろ過層を堤長方向に連続的に設け、前記しらすと沈木チップの混合物のろ過層を堤長方向に断続的に設けたことを特徴とする請求項１記載の浸透堤。
【請求項３】
前記沈木チップのろ過層と前記しらすと沈木チップの混合物のろ過層とは、ほぼ同じ高さであり、かつ、流入側の水位とほぼ同じ高さであることを特徴とする請求項１または２記載の浸透堤。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の浸透堤による水質浄化方法であって、しらすと沈木チップの混合物にケイ酸濃度の低い水を通過させ、ｐＨを上げずにケイ酸を水中に溶出することを特徴とする水質浄化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
直流プラズマによりバイアス核発生処理を施すに際しては、対向電極型直流プラズマ発生装置を使用し、陽極直径を７〜２５ｍｍ、陽極―基板間距離を５〜１１ｍｍとした場合、放電気体をＨ2およびＣＨ4、ＣＨ4濃度を２〜５％、放電気体圧力を８０〜１５０Ｔorr、放電電流密度を１５０〜２５０ｍＡ/ｃｍ2、放電電圧を２５０〜７６０Ｖ、基板温度を８００〜１１００℃、放電時間を３０〜１２０秒の条件で行うことを特徴とする請求項１記載のエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、大型単結晶ダイヤモンドを得るため、異種下地にダイヤモンドをエピタキシャル成長させる試みも行われている。今日までに、エピタキシャルダイヤモンド成長が確認された下地材料は、立方晶窒化硼素（ｃ−ＢＮ）〔非特許文献１参照〕、ニッケル（Ｎｉ）、珪素（Ｓｉ）〔非特許文献３参照〕および閃亜鉛鉱型炭化珪素（β−ＳｉＣ）〔非特許文献４参照〕、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）〔非特許文献５参照〕、イリジウム（Ｉｒ）等である。これらの中で大面積単結晶の合成が可能で、ダイヤモンド以外の炭素成分や回転や傾きを持った非エピタキシャルダイヤモンド粒子を含まない高品質ダイヤモンドが成長するのは、イリジウム（Ｉｒ）のみである。従って、イリジウムを下地に用いることにより、大面積高品質ダイヤモンドを得られる可能性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の請求項４に記載のエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板の製造方法は、直流プラズマによりバイアス核発生処理を施すに際して、対向電極型直流プラズマ発生装置を使用し、陽極直径を７〜２５ｍｍ、陽極―基板間距離を５〜１１ｍｍとした場合、放電気体をＨ2およびＣＨ4、ＣＨ4濃度を２〜５％、放電気体圧力を８０〜１５０Ｔorr、放電電流密度を１５０〜２５０ｍＡ/ｃｍ2、放電電圧を２５０〜７６０Ｖ、基板温度を８００〜１１００℃、放電時間を３０〜１２０秒の条件で行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、このような構成からなる対向電極型直流プラズマ発生装置を使用して、本発明によるバイアス核発生処理について説明する。
基板ホルダ３３の中央部に、直径１インチ（２.５ｃｍ）のＩｒ下地基板２０′を設置し、トリガ３８を基板ホルダ３３に接触させた後、真空チャンバ内を１×１０-6Ｔorr以下まで排気する。次に、ヒータ３７を電流５２Ａ、電圧３.０Ｖで通電し、基板温度を約４００℃に設定する。その後、加熱を中止して基板の自然放冷を行った後、Ｈ2およびＣＨ4を合計１００Ｔorr導入する。また、放電気体を計５００sccm導入しながら、ロータリーポンプによる排気で圧力を一定に保つ。そして、再び基板の加熱を１０分間行う。その後、基板ホルダ３３に直流電圧を印加し、トリガ３８を開放させる。火花をきっかけとして放電が開始される。放電開始後には、基板ホルダ３３内に設置した熱電対で測定した温度を基に、温度コントローラによりヒータ制御を行うことで、バイアス核発生時の基板温度を安定化する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠赤外線放射微粒子含有量が５重量％以上３０重量％以下であるアクリル系重合体層と遠赤外線放射微粒子含有量が０重量％以上１重量％以下であるアクリル系重合体層とが繊維軸方向に沿って３層以上接合された多層構造を有するアクリル系複合繊維であって、繊維全体の遠赤外線放射微粒子含有量が３重量％以上１５重量％以下であることを特徴とするアクリル系合成繊維。
【請求項２】
遠赤外線放射微粒子が、Ａｌ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｚｒ、Ｃｒの珪化物、炭化物及び酸化物から選ばれる１種以上の化合物の混合物であることを特徴とする請求項１記載のアクリル系合成繊維。
【請求項３】
遠赤外線放射微粒子が、アルミノケイ酸ナトリウムおよび／またはトルマリンであることを特徴とする請求項１または２記載のアクリル系合成繊維。
【請求項４】
遠赤外線放射微粒子含有量が５重量％以上３０重量％以下であるアクリル系重合体紡糸原液と、遠赤外線放射微粒子含有量が０重量％以上１重量％以下であるアクリル系重合体紡糸原液とを、スタティックミキサーを通して繊維軸方向に沿って３層以上に接合された多層構造とし、複合紡糸することにより請求項１記載のアクリル系合成繊維を製造することを特徴とするアクリル系合成繊維の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクリル系合成繊維およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は遠赤外線を多く放射し、保温性良好なアクリル系合成繊維およびその製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明者は鋭意検討した結果、遠赤外線放射微粒子（以後、遠赤微粒子と略す）を繊維に均一に練り込むのではなく、遠赤微粒子を５重量％以上３０重量％以下含むアクリル系重合体紡糸原液と、遠赤微粒子含有量が０重量％以上１重量％以下であるアクリル系重合体とをスタティックミキサーを通して繊維軸方向に沿って３層以上に接合された多層構造とし、複合紡糸するという方法によって、遠赤微粒子を繊維中に局在化して存在させることにより、製造時の操業性および製品加工時の加工性と遠赤外線放射性（保温性）を両立できることを見いだした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明は、遠赤微粒子含有量が５重量％以上３０重量％以下であるアクリル系重合体層と遠赤微粒子含有量が０重量％以上１重量％以下であるアクリル系重合体層とが繊維軸方向に沿って３層以上接合された多層構造を有するアクリル系複合繊維であって、繊維全体の遠赤微粒子含有量が３重量％以上１５重量％以下であることを特徴とするアクリル系合成繊維である。さらに、遠赤微粒子含有量が５重量％以上３０重量％以下であるアクリル系重合体紡糸原液と、遠赤微粒子含有量が０重量％以上１重量％以下であるアクリル系重合体紡糸原液とを、スタティックミキサーを通して繊維軸方向に沿って３層以上に接合された多層構造とし、複合紡糸することにより上記アクリル系合成繊維を製造する方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、本発明の繊維において、地層状に、遠赤微粒子含有量５重量％以上３０重量％以下のアクリル系重合体層と遠赤微粒子含有量０重量％以上１重量％以下のアクリル系重合体層とがそれぞれ３層以上積み重なる。それを繊維横断面で切断したとき、各層は直線状である必要はなく、曲線や波線状でも構わないし、層の厚みは一定である必要はない。しかし、各層の両端は繊維外周に接しているか、もしくは繊維外周からの距離が繊維横断面に外接する円の直径の１／６以内である必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月19日(2009.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記パーフルオロオクタン酸非含有フッ素系撥水剤の、高速液体クロマトグラフィー質量分析にて測定したパーフルオロオクタン酸の濃度が、２ｐｐｂ未満である、請求項１に記載の撥水撥油性布帛。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明は上記の点に鑑みて、給糸部材の動きがダイヤル針と干渉する事態の生ずることがなく、移動することが出来、より小型でより多種の給糸を行うことの出来る給糸装置を得ることを目的とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
給糸装置１はブラケット４によって丸編機フレームの一部をなす固定フランジに取り付けられている。給糸装置１の上位にはシリンダ針３を支持するシリンダ５と同期回転するように図示しない中央回転軸に連結した編機ヨーク等にアクチエータ６が取り付けられている。図示の例ではアクチエータは６機設けられ、それぞれ揺動爪７を突出し、アクチエータ６の作動時爪７はそれぞれ斜め状態となる。アクチエータ６に対位してその下位にセレクターが設けてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
フィンガープレート１４を案内しているピン１９には更にシーザースプレート２６が揺動自在に枢支されている。そしてフィンガープレート１４とシーザースプレート２６とは、ピン２７でも緩嵌合されている。
シーザースプレート２６は角柱状に突出した先端部位に凹部を形成してなる糸路２８を固定刃２９とし、固定刃２９の上面には糸押さえプレート３０と該プレート３０を、固定刃２９に押し当てる板ばね３１を、固定刃２９下面には可動刃３２を当接して設け、前記糸押さえプレート３０，板ばね３１，可動刃３２は、一体的に固定刃２９に対して摺動出来るように支持されている。可動刃３２の刃部とは反対の端部にはコ字形のカム部材３３が形成され、シザースプレート２６にピン３４で支持されているロータリーハンマー３５の突部３６と係合している。３７，３８はロータリーハンマー３５のストッパー部で、サイドプレート２に植立したピン３９に当接する。ロータリーハンマー３５を旋回しロータリーハンマー３５の突部３６と可動刃のカム部材３３を介して可動刃を引き込み或いは突出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007270365.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図１〜図８は本発明の一実施例を示すものであり、図１は鞍乗り型車両の側面図、図２はエンジン本体の側面図、図３は図２の３−３線断面図、図４は図２の４−４線断面図、図５は図１の５矢視図、図６は油圧制御ユニットの構成を示す回路図、図７は図２の７矢視図、図８は図７の８−８線断面図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
先ず図１において、この荒地走行用である鞍乗り型車両が備える車体フレームＦの前部には左右一対の前輪ＷＦ…が懸架され、前記車体フレームＦの後部には左右一対の後輪ＷＲ…が懸架される。両前輪ＷＦ…および両後輪ＷＲ…間で前記車体フレームＦにはたとえば２気筒であるエンジンＥのエンジン本体１１が搭載されており、前記エンジンＥからの動力を両前輪ＷＦ…および両後輪ＷＲ…に伝達するための前後輪駆動軸１２が、前記エンジン本体１１の下部を車体フレームＦの前後方向に沿う軸線を有して貫通し、前後輪駆動軸１２の前端から出力される動力が前部駆動軸１３、ユニバーサルジョイント１４および前部差動装置１５を介して両前輪ＷＦ…に伝達され、前後輪駆動軸１２の後端から出力される動力がユニバーサルジョイント１６、後部駆動軸１７および後部差動装置１８を介して両後輪ＷＲ…に伝達される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
前記クランクケース２９は、前記クランク軸２８の回転軸線に直交する平面で結合される上部および下部ケース半体２９ａ，２９ｂが相互に結合されて成り、前記シリンダブロック３０および上部ケース半体２９ａは一体に形成される。また鞍乗り型車両の進行方向前方を向いた状態でクランクケース２９の左側には、エンジン本体１１の一部を構成する第１および第２のクランクケースカバー３５，３６が複数ずつのボルト３８…，３９…（図２参照）でそれぞれ締結されており、鞍乗り型車両の進行方向前方を向いた状態でクランクケース２９の右側には、エンジン本体１１の一部を構成する第３クランクケースカバー３７が複数のボルト４０…（図３参照）で締結される。また前記クランクケース２９の下部にはオイルパン４１が締結される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
第１および第３速用被動歯車６６，６８間でカウンタ軸５４には、第１シフタ７７がスプライン結合されており、この第１シフタ７７は、第１速用被動歯車６６に係合して第１速用歯車列Ｇ１を確立する位置と、第３速用被動歯車６８に係合して第３速用歯車列Ｇ３を確立する位置と、第１および第３速用被動６６，６８のいずれにも係合しない中間位置とを切換えてカウンタ軸５４の軸方向に移動可能である。また第２速用駆動歯車７３および第４速用駆動歯車７５間で第２メイン軸５３には、第２シフタ７８がスプライン結合されており、この第２シフタ７８は、第２速用駆動歯車７３に係合して第２速用歯車列Ｇ２を確立する位置と、第４速用駆動歯車７５に係合して第４速用歯車列Ｇ４を確立する位置と、第２および第４速用駆動歯車７３，７５のいずれにも係合しない中間位置とを切換えて第２メイン軸５３の軸方向に移動可能である。さらに第２速用歯車列Ｇ２の第２速用被動歯車７４は、第２速用駆動歯車７３との噛合状態を保持しつつ、後進用被動歯車７１に係合する位置ならびに後進用被動歯車７１との係合を解除する位置間で軸方向に移動可能であり、第２シフタ７８が第２および第４速用駆動歯車７３，７５のいずれにも係合しない中間位置にあるときに第２速用被動歯車７４を後進用被動歯車７１に係合する位置まで移動させることにより後進用歯車列ＧＲが確立する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
而して第１の油圧クラッチ５９が動力伝達状態にあって第１メイン軸５２にクランク軸２８から動力が伝達されているときには、第１速用歯車列Ｇ１、第３速用歯車列Ｇ３および後進用歯車列ＧＲのうち択一的に確立した歯車列を介して第１メイン軸５２からカウンタ軸５４に動力が伝達され、第２の油圧クラッチ６０が動力伝達状態にあって第２メイン軸５３にクランク軸２８から動力が伝達されているときには、第２変速用歯車列Ｇ２および第４変速用歯車列Ｇ４のうち択一的に確立した歯車列を介して第２メイン軸５３からカウンタ軸５４に動力が伝達される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ところで、前記前後輪駆動軸１２は、エンジン本体１１の後端から前方に向けてエンジン本体１１に挿入されて該エンジン本体１１を貫通するものであり、該前後輪駆動軸１２の前部は、図２で示すように、ボールベアリング８９を介してクランクケース２９に支承され、前記ボールベアリング８９の外方で前後輪駆動軸１２およびクランクケース２９間には環状のシール部材９０が介装される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【図１】鞍乗り型車両の側面図である。
【図２】エンジン本体の側面図である。
【図３】図２の３−３線断面図である。
【図４】図２の４−４線断面図である。
【図５】図１の５矢視図である。
【図６】油圧制御ユニットの構成を示す回路図である。
【図７】図２の７矢視図である。
【図８】図７の８−８線断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月8日(2009.5.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に選択的に犠牲層を形成し、
前記基板上に、前記犠牲層を覆う半導体層を形成し、
前記半導体層上に、前記犠牲層と重ならないマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記犠牲層と重ならない活性層、及び前記犠牲層上に構造層を形成し、
前記マスク及び前記犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に選択的に犠牲層を形成し、
前記基板上に、前記犠牲層を覆う半導体層を形成し、
前記半導体層上に、前記犠牲層と重ならない第１のマスク、及び前記半導体層を介して前記犠牲層上に選択的に第２のマスクを形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記犠牲層と重ならない活性層、及び前記犠牲層の上に構造層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記犠牲層の一部を露出させ、
前記第１のマスク、前記第２のマスク及び前記犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に選択的に第１の犠牲層を形成し、
前記基板上に、前記第１の犠牲層を覆う半導体層を形成し、
前記半導体層上に、前記第１の犠牲層と重ならないマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記第１の犠牲層と重ならない活性層、及び前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、
前記マスク及び前記第１の犠牲層を同時に除去し、
前記構造層上に選択的に第２の犠牲層を形成し、
前記第２の犠牲層上に、前記第２の犠牲層を露出するように設けられた開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部を用いて前記第２の犠牲層を除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に選択的に第１の犠牲層を形成し、
前記基板上に、前記第１の犠牲層を覆う半導体層を形成し、
前記半導体層上に、前記犠牲層と重ならない第１のマスク、及び前記半導体層を介して前記第１の犠牲層上に選択的に第２のマスクを形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて前記半導体層をエッチングして、前記第１の犠牲層と重ならない活性層、及び前記第１の犠牲層上に構造層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記第１の犠牲層の一部を露出させ、
前記第１のマスク、前記第２のマスク及び前記第１の犠牲層を同時に除去し、 前記構造層上に第２の犠牲層を形成し、
前記第２の犠牲層上に、前記第２の犠牲層を露出するように設けられた開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部を用いて前記第２の犠牲層を除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆う導電層を形成し、
前記導電層を介して前記犠牲層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記導電層をエッチングして、前記犠牲層上に構造層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記犠牲層の一部を露出させ、
前記マスク及び前記犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に半導体層及び活性層を形成し、
前記半導体層上に選択的に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆い、前記半導体層及び前記活性層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を介して前記活性層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記第１の導電層をエッチングして、前記活性層上に第２の導電層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記犠牲層の一部を露出させ、
前記マスク及び前記犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に半導体層及び活性層を形成し、
前記半導体層上に選択的に犠牲層を形成し、
前記犠牲層を覆い、前記半導体層及び前記活性層上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層を介して前記犠牲層上に第１のマスク、及び前記第１の導電層を介して前記活性層上に選択的に第２のマスクを形成し、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを用いて前記第１の導電層をエッチングして、前記犠牲層上に構造層、及び前記活性層上に第２の導電層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記犠牲層の一部を露出させ、
前記第１のマスク、前記第２のマスク及び前記犠牲層を同時に除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に選択的に第１の犠牲層を形成し、
前記第１の犠牲層を覆う第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に第２の導電層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層を介して前記第１の犠牲層上にマスクを形成し、
前記マスクを用いて前記第１の導電層及び前記第２の導電層をエッチングして、前記第１の犠牲層上に構造層、及び前記構造層上に選択的に第２の犠牲層を形成し、且つ、前記エッチングによって前記第１の犠牲層の一部を露出させ、
前記マスク及び前記第１の犠牲層を同時に除去し、
前記第２の犠牲層上に、前記第２の犠牲層を露出するように設けられた開口部を有する絶縁層を形成し、
前記開口部を用いて前記第２の犠牲層を除去することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１、請求項３、請求項５、又は請求項６において、
前記マスク及び前記犠牲層は、同一の材料を用いて形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項４において、
前記第１のマスク、前記第２のマスク、及び前記第１の犠牲層は、同一の材料を用いて形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項２又は請求項７において、
前記第１のマスク、前記第２のマスク、及び前記犠牲層は、同一の材料を用いて形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８において、
前記マスク及び前記第１の犠牲層は、同一の材料を用いて形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項３、請求項４、又は請求項８において、
前記開口部を前記絶縁層に複数形成することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記半導体層として、金属を用いて結晶化したシリコン層を用いることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記半導体層として、金属を用いて結晶化したシリコン層を用い、
前記シリコン層は、前記金属を有するシリサイドを有することを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記半導体層として、金属を用いて結晶化したシリコン層と非晶質シリコン層を用いることを特徴とする微小電気機械式装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月10日(2009.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【図１】尿レシーバを含む自動尿処理装置の概略構成図。
【図２】尿レシーバの着用状態を示す図。
【図３】尿レシーバの平面図。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線切断面を示す図。
【図５】図３のＶ−Ｖ線切断面を示す図。
【図６】容器部の斜視図。
【図７】図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図。
【図８】図６のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図。
【図９】容器部に継手部材が挿入されている図８と同様な図。
【図１０】容器部にバックシートおよび透液性シートを接合する工程を示す図。
【図１１】実施態様の一例を示す図４と同様な図。
【図１２】実施態様の一例を示す図５と同様な図。
【図１３】図６と異なる態様の容器部の斜視図。
【図１４】尿レシーバの一例を示す図４と同様な図。
【図１５】尿レシーバの一例を示す図５と同様な図。
【図１６】尿センサの平面図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2007044494.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断装置に着脱自在に装着されるカッター刃を収容するストック装置において、
前記カッター刃を収容するケース本体を備え、当該ケース本体は、カッター刃の洗浄手段を含むことを特徴とするカッター刃のストック装置。
【請求項２】
前記ケース本体に設けられて前記カッター刃の収容位置を一定に保つ位置決め手段を更に含み、当該位置決め手段は、前記カッター刃に設けられた方位決定部と、前記ケース本体内に設けられるとともに、前記方位決定部に対応する係合部とにより構成されていることを特徴とする請求項１記載のストック装置。
【請求項３】
前記洗浄手段は、前記ケース本体内に洗浄液を収容することにより構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のカッター刃のストック装置。
【請求項４】
前記洗浄手段は、前記ケース本体内に収容された洗浄液と、この洗浄液に超音波振動を付与する超音波振動装置とにより構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載のカッター刃のストック装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、ケース本体内に収容された洗浄ブラシにより構成されていることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載のカッター刃のストック装置。
【請求項６】
前記ケース本体内に、カッター刃を加熱する加熱手段が配置されていることを特徴とする請求項１ないし５の何れかに記載のカッター刃のストック装置。
【請求項７】
前記ケース本体内に、カッター刃の刃を検査する検査手段が設けられていることを特徴とする請求項１ないし６の何れかに記載のカッター刃のストック装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明は、切断装置に着脱自在に装着されるカッター刃を収容するストック装置において、
前記カッター刃を収容するケース本体を備え、当該ケース本体は、カッター刃の洗浄手段を含む、という構成を採っている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において、前記ケース本体に設けられて前記カッター刃の収容位置を一定に保つ位置決め手段を更に含み、当該位置決め手段は、前記カッター刃に設けられた方位決定部と、前記ケース本体内に設けられるとともに、前記方位決定部に対応する係合部とにより構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】