Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプラント手術の際に用いられるドリルであって、
駆動装置に連結可能に胴体の上端に形成されている連結部と、
前記胴体の下端に形成され、ドリリングのための切刃を有する切削部と、を備え、
前記切削部の末端の外周縁は、前記切削部の末端面の中心よりも突出しており、
前記切削部の末端には、中心が窪んだ凹部が形成され、ドリリング作業時、前記切削部の先端にボーンディスクを形成させ、粘膜の損傷を防止し、
前記切削部の外周縁部は、ラウンド処理され、ドリリング作業時、前記切削部が粘膜に直接触れた場合も、粘膜の損傷を防止することを特徴とするインプラント手術用ドリル。
【請求項２】
前記切削部は、一つ以上の切刃を有し、それぞれの前記切刃は、先端の内側に一つ以上の傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載のインプラント手術用ドリル。
【請求項３】
それぞれの前記切刃の側面は、一定の厚さのガイド部を有し、ドリリングの際に進入経路の揺れが生じないことを特徴とする請求項２に記載のインプラント手術用ドリル。
【請求項４】
前記切刃は、前記切刃の末端側に行くほど、リーディング方向側に湾曲するリーディングエッジ部を有することを特徴とする請求項２に記載のインプラント手術用ドリル。
【請求項５】
前記切刃間には、切削される骨のチップを容易に排出及び保管可能なチップポケット部が形成されることを特徴とする請求項１に記載のインプラント手術用ドリル。
【請求項６】
前記連結部と前記切削部との間における胴体の外周には、外側方向に突出した段部と、前記段部の基端からさらに外側方向に突出する止め部が形成され、ドリリングの深さを制限するためのストッパー部材が挟まれて固定されることを特徴とする請求項１に記載のインプラント手術用ドリル。
【請求項７】
インプラント手術の際に用いられるドリルであって、前記ドリルの切刃は、ボーンディスクを形成可能に傾斜面が形成された末端形状を有すると共に、ドリリング作業時に生成する骨チップの一部が、前記傾斜面と前記ボーンディスクとの間の空間に排出されながら、上顎洞膜を挙上させることを特徴とするインプラント手術用ドリル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の足の筋肉に電気刺激を送達する装置において、
１つまたは複数の電源と、
電流を発生する信号発生器と、
前記信号発生器と通信する、前記足に前記電流を送達するための電極と、
を具備し、
前記電流が、前記筋肉を収縮させるためのものであり、
前記電極が、前記足の踵にかつ前記足の足弓に位置するように適合されることを特徴とする装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
当該装置をプログラムするための入力パラメータを受け取り、現パラメータを使用者に反響させる入出力インタフェースと、
前記入力パラメータに従って前記信号発生器によって生成される前記電流を制御するプロセッサと、
前記プロセッサおよび前記入出力インタフェースと通信する、前記入力パラメータを格納する記憶媒体と、
をさらに具備することを特徴とする装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、
前記入力パラメータを、前記使用者から、前記患者をモニタリングするモニタリング装置から、前記患者から、または任意の組合せから受け取ることを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項２に記載の装置において、
前記入力パラメータが、深部静脈血栓を防止するように静脈血流を促進し、血栓後症候群患者の静脈血流を促進し、足筋の筋萎縮を防止するように調整されることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、
前記１つまたは複数の電源が、前記信号発生器に近接しており、
前記電極と前記信号発生器との間に結合された、前記信号発生器から前記電極に前記電流を送達する導体
をさらに具備することを特徴とする装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置において、
前記信号発生器が、単一チャネル逐次神経筋電気刺激（ＮＭＥＳ）装置であることを特徴とする装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置において、
前記送達される電流が、二相対称方形波の形態であり、
前記方形波が、５０パルス／秒に実質的に等しい周波数を有し、
前記送達される電流が、最大２０ミリアンペアの強度を有することを特徴とする装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置において、
前記電流が、実質的に２秒間に等しい上昇時間と実質的に２秒間に等しい下降時間とを有するパルスの形態であることを特徴とする装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置において、
前記信号発生器と通信する加速度計
をさらに具備し、
前記信号発生器が、前記加速度計が前記患者の動きを通信すると前記電流の発生を終了し、事前にプログラムされた患者による無活動の期間が前記加速度計によって通知されると電流の発生を再開することを特徴とする装置。
【請求項１０】
患者の足の筋肉に電気刺激を送達する装置において、
１つまたは複数の電源と、
電流を発生する信号発生器と、
前記信号発生器と通信する、前記足に前記電流を送達するための電極と、
を具備し、
前記電流が、前記筋肉により脳に通信される疼痛信号をかく乱するためのものであり、
前記電極が、前記足の腓骨神経を刺激するように踵の前側に接続されることを特徴とする装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置において、
前記電極が、後脛骨神経の位置の内側踝、腓腹神経の位置の外側踝、および前脛骨神経の位置の前側踝のうちの２つ以上に位置するように適合されることを特徴とする装置。
【請求項１２】
請求項１０に記載の装置において、
当該装置をプログラムするための入力パラメータを受け取り、前記入力パラメータを使用者に反響させる入出力インタフェースと、
前記入力パラメータに従って前記信号発生器によって生成される前記電流を制御するプロセッサと、
前記プロセッサおよび前記入出力インタフェースと通信する、前記入力パラメータを格納する記憶媒体と、
をさらに具備することを特徴とする装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の装置において、
前記入力パラメータを、前記使用者から、前記患者をモニタリングするモニタリング装置から、前記患者から、または組合せから受け取ることを特徴とする装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置において、
前記入力パラメータが、創傷治癒を促進し、踝および足の慢性筋骨格痛を低減し、足および踝の急性術後疼痛を低減するように調整されることを特徴とする装置。
【請求項１５】
請求項１０に記載の装置において、
前記１つまたは複数の電源が、前記信号発生器に近接しており、
前記電極と前記信号発生器との間に結合された、前記信号発生器から前記電極に電流を送達する導体
をさらに具備することを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月28日(2013.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅基板表面上にウィスカ耐性の錫系コーティング層を堆積するための方法であって、当該方法は、以下からなる：
銅基板表面を以下からなる浸漬めっき組成物に接触させる工程：
約５ｇ／Ｌ〜約２０ｇ／ＬのＳｎ２＋イオン濃度を提供するに十分なＳｎ２＋イオン源；
約１０ｐｐｍ〜約２４ｐｐｍのＡｇ＋イオン濃度を提供するに十分なＡｇ＋イオン源；
約６０ｇ／Ｌ〜約１２０ｇ／Ｌの錫イオン及び銅イオンのための硫黄系錯化剤濃度を提供するに十分な硫黄系錯化剤源で、前記硫黄系錯化剤は銅と錫の相対起電力電位を反転することが可能であり；
約３０ｇ／Ｌ〜約１１０ｇ／Ｌの次亜リン酸塩濃度を提供するに十分な次亜リン酸塩イオン源；
前記次亜リン酸塩に加えて、約３０ｇ／Ｌ〜約１１０ｇ／Ｌの抗酸化剤濃度を提供するに十分な抗酸化剤源；
少なくとも約１２ｇ／Ｌのピロリドン濃度を提供するに十分なピロリドン源；並びに
約０〜約５に組成物のｐＨを低下させるに十分な濃度の酸。ここで、前記錫系コーティング層は少なくとも８０重量％の錫を含む。
【請求項２】
前記Ａｇ＋イオン源が、約１２ｐｐｍ〜約２４ｐｐｍのＡｇ＋イオン濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記Ａｇ＋イオン源が、約１２ｐｐｍ〜約２０ｐｐｍのＡｇ＋イオン濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ａｇ＋イオン源が、約１０ｐｐｍ〜約１６ｐｐｍのＡｇ＋イオン濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｓｎ２＋イオン源が、約６ｇ／Ｌ〜約１２ｇ／ＬのＳｎ２＋イオン濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｓｎ２＋イオン源が、約６ｇ／Ｌ〜約１０ｇ／ＬのＳｎ２＋イオン濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ピロリドン源が、ポリビニルピロリドンからなる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ピロリドン源が、ポリビニルピロリドンおよび１−メチル−２−ピロリドンからなる請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記抗酸化剤が、約４０ｇ／Ｌ〜約８０ｇ／Ｌの濃度を提供するに十分である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記銅基板表面をめっき組成物に接触させることが銅の銅イオンへの酸化を誘発する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
追加の硫黄系錯化剤は、浸漬錫めっき組成物に、銅イオン１ｇ／Ｌ堆積当たり、約３ｇ／Ｌ〜約９ｇ／Ｌの錯化剤添加速度で、添加される請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記接触が、約０．５μｍ〜約１．５μｍの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記接触が、約０．７μｍ〜約１．２μｍの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記接触が、約０．７μｍ〜約１．０μｍの厚みで錫コーティング層を堆積する請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
以下からなる物品：
表面を有する銅基板；および
基板表面上の錫系コーティング層で、当該錫系コーティング層が約０．５μｍ〜約１．５μｍの厚みを有し、銅−錫金属間化合物の形成を妨げ、
前記銅−錫金属間化合物の形成の妨げは、少なくとも７回の加熱・冷却サイクルへの曝露に際し、各サイクルは、物品を少なくとも２１７℃に付し、次いで約２０℃〜２８℃に冷却し、少なくとも０．２５μｍ厚の銅のない錫系コーティング層の領域が存在することで特徴付けられる。
【請求項１６】
請求項１〜１４の何れかの方法によってコーティングされた物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のナノチャネルが内部に形成された多孔質メンブレンであって、前記ナノチャネルが、酸化物表面を含み、かつ第１の直径を有し、入口開口部から出口開口部まで延びている、前記多孔質メンブレンと、
前記入口開口部から前記出口開口部までに広がる官能化ナノ粒子の単一層の自己組織化膜であって、前記官能化ナノ粒子が、金属ナノ粒子と、前記金属ナノ粒子の上に配置された、前記酸化物表面に対して反応性の少なくとも１つの官能基を有する有機リガンドとを含む、自己組織化膜と
を含み、前記自己組織化膜が、前記第１の直径を第２の直径まで減少させる、フィルタ。
【請求項２】
前記多孔質メンブレンは、アルミニウムを含み、前記ナノチャネルは、陽極酸化アルミニウム酸化物を用いることによって形成される、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記ナノチャネルは、１０ｎｍと２００ｎｍとの間の前記第１の直径を含む、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記第２の直径が２ｎｍから３ｎｍまでである、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記ナノ粒子は、陽イオンを反発させるのに有効な表面電荷を有する、請求項４に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記ナノ粒子は、陰イオンを反発させるのに有効な表面電荷を有する、請求項４に記載のフィルタ。
【請求項７】
前記ナノ粒子は、中性電荷を有する、請求項４に記載のフィルタ。
【請求項８】
電解液は海水を含み、前記第２の直径は、２ｎｍから３ｎｍまでである、請求項１に記載のフィルタ。
【請求項９】
ある圧力で電解液を受け入れるように構成された第１の容積と、
前記第１の容積から、第１の直径を有する複数のナノチャネルが内部に形成されたメンブレン、及び、前記ナノチャネルの表面に入口開口部から出口開口部まで広がって付着した金属ナノ粒子の自己組織化単一層で分離された、第２の容積と
を含む、フィルタ・システムであって、
前記自己組織化単一層は、前記フィルタ・システムに前記第１の直径よりも小さい第２の直径を提供し、前記第２の直径は、前記メンブレンを通じた前記電解液中のイオンの輸送を防ぐのに有効である、フィルタ・システム。
【請求項１０】
前記第１の容積の圧力を調節するように構成された圧力調節器をさらに含む、請求項９に記載のフィルタ・システム。
【請求項１１】
前記メンブレンを前記圧力に抗して支持するように構成された支持構造体をさらに含む、請求項９に記載のフィルタ・システム。
【請求項１２】
前記第１の容積内の流体をかき混ぜるように構成された混合機をさらに含む、請求項９に記載のフィルタ・システム。
【請求項１３】
前記電解液及びろ過された電解液をろ過するように逐次的に配置された複数のメンブレンをさらに含む、請求項９に記載のフィルタ・システム。
【請求項１４】
フィルタを作製するための方法であって、
多孔質メンブレン材料内の各ナノチャネルの直径を狭めることを含み、
前記直径を狭めることは、入口開口部から出口開口部までに広がって官能化ナノ粒子の自己組織化単一層を各ナノチャネルの内面に付着させることを含み、
前記官能化ナノ粒子の各々は、金属ナノ粒子と、前記内面と反応して該内面上に前記ナノ粒子の自己組織化単一層を形成するのに有効な少なくとも１つの官能基を含む、前記金属ナノ粒子に付着した有機リガンドとを含む、
方法。
【請求項１５】
前記多孔質メンブレン材料は、多孔質陽極酸化アルミニウム酸化物材料を含み、前記少なくとも１つの官能基は、前記酸化物材料に対して反応性である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記多孔質メンブレン材料は、シュウ酸、硫酸、クロム酸、リン酸及びそれらの組み合わせから成る群から選択された酸の中でアルミニウム膜を陽極酸化することによって形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記多孔質メンブレン材料の各ナノチャネルは、２０ｎｍから４０ｎｍまでの直径を有し、前記ナノチャネルの前記内面に付着した前記官能化ナノ粒子は、フィルタに２ｎｍから３ｎｍまでの直径を与える、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ポリマーの処理のための容器（２）に挿入されるロータディスク（１）であり、上面（４）に混合及び／又は粉砕部材（５）を備えることができて反対側の下面（６）に内側から外側に延びる多数の搬送リブ（７）が備わっているディスク本体（３）を有し、搬送リブによって、稼働の間、ポリマー粒子が外側に向かって搬送可能であり又は搬送リブ（７）が、稼働の間、ロータディスク（１）の中心（８）から外側に向けられた力を、搬送リブ（７）によって捕捉されたポリマー粒子にかけ、搬送リブ（７）が、回転又は運動の方向に凹形に湾曲しているロータディスクであって、搬送リブ（７）の外側最終部分は、ロータディスク（１）の縁に対してほぼ接線方向に、特に０°〜２５°の間、好ましくは１２°〜１８°の間の外側交角αで、方向付けされ、これらの交角は、それぞれ、搬送リブ（７）上にある接線と、ロータディスク（１）の縁上にある接線との間を、これらの接線の交点において、又は搬送リブ（７）の端点において測定したものであることを特徴とするロータディスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記搬送リブ（７）の内側開始部分は、それぞれ内側中央領域（１４）及び外側中央領域（１５）に対して、０°〜４５°の間、好ましくは１５°〜３０°の間の第一及び第二の内側交角、それぞれ、β１及びβ２で設定されており、第二の内側交角β２は、好ましくは第一の内側交角β１よりも大きく、これらの交角は、それぞれ、搬送リブ（７）上にある接線と、内側中央領域（１４）上及び外側中央領域（１５）上にある接線との間を、これらの接線の交点において、又は搬送リブ（７）の端点において測定したものであることを特徴とする請求項１〜４の一つに記載のロータディスク。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月25日(2013.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入口と出口とを有する接着剤吐出モジュールであって、前記入口を通して低圧で液体材料を受け、前記出口において高圧を急速に発達させ、それにより前記出口から前記液体材料を噴射するようになっている接着剤吐出モジュールと、
低圧に維持されるホットメルト接着剤の供給部と、
前記接着剤吐出モジュールの前記入口と前記供給部との間を連通させる低圧液体通路と、
を備える接着剤吐出システム。
【請求項２】
請求項１に記載の接着剤吐出システムであって、
前記接着剤吐出モジュールは、
前記出口と連通している液体チャンバーおよび前記出口に近接している窪みと、
前記液体チャンバー内に配置されているピストン先端と、
を更に備え、
前記窪みは、前記ピストン先端と相補的な形状であるとともに該ピストン先端を内部に受容するようになっていて、それによって、前記ピストン先端は、前記窪み内に移動するときに前記高圧を発生させる接着剤吐出システム。
【請求項３】
請求項２に記載の接着剤吐出システムであって、
前記ピストン先端は、前記液体チャンバー内で、前記供給部からのホットメルト接着剤が前記窪みに入れられる第１の位置と、前記ピストン先端が前記液体チャンバーをホットメルト接着剤の前記供給部からシールする第２の位置と、ホットメルト接着剤が前記出口から高圧下で噴射される第３の位置との間を、往復動可能である接着剤吐出システム。
【請求項４】
請求項１に記載の接着剤吐出システムであって、
ホットメルト接着剤の前記供給部は、ホットメルト接着剤を固体形態で収容するようになっている接着剤吐出システム。
【請求項５】
請求項４に記載の接着剤吐出システムであって、
ホットメルト接着剤を前記接着剤吐出モジュールに向けて給送する螺旋刃を更に備える接着剤吐出システム。
【請求項６】
請求項４に記載の接着剤吐出システムであって、
ホットメルト接着剤を前記接着剤吐出モジュールに向けて給送する真空給送機構を更に備える接着剤吐出システム。
【請求項７】
請求項１に記載の接着剤吐出システムであって、
接着剤吐出システムは、それぞれの第１の入口および第２の入口と第１の出口および第２の出口とを有する第１の接着剤吐出モジュールと第２の接着剤吐出モジュールとを備え、前記第１の入口および前記第２の入口は、前記供給部からそれぞれの第１の低圧液体通路および第２の低圧液体通路を通して同じ低い圧力で液体材料を受け取り、前記それぞれの出口に近接して高圧を生成して液体材料を前記出口から異なる速度で噴射する接着剤吐出システム。
【請求項８】
請求項１に記載の接着剤吐出システムであって、
前記供給部は前記接着剤吐出モジュール上で支持されている接着剤吐出システム。
【請求項９】
液体材料を噴射する装置であって、
液体材料の供給源に連結可能な吐出装置本体であって、液体チャンバーを含む、吐出装置本体と、
前記液体チャンバー内に移動可能に配置されているとともにピストン先端を有する、ピストンと、
前記液体チャンバーおよび液体出口と流体連通している窪みであって、前記ピストン先端を該窪み内に受け入れ可能であるように前記ピストン先端と相補的な形状である、窪みと、
を備え、
前記ピストンは、前記ピストン先端が前記窪みから離間している第１の位置から、前記ピストン先端が前記窪みを効果的にシールして該ピストン先端と前記窪みとの間に個別量を画定する第２の位置へ、次いで、前記ピストン先端が前記窪み内に受け入れられて前記個別量を前記窪みから前記液体出口を通して変位させる第３の位置まで移動可能である、液体材料を噴射する装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の接着剤吐出装置であって、さらに、
前記吐出装置本体内の開口端であって、前記液体チャンバーと連通している開口端と、
前記吐出装置本体の前記開口端に動作可能に連結されているノズルと、
を更に備え、
前記窪みは前記ノズルに形成されている装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の接着剤吐出装置であって、さらに、
前記ピストン先端は球状形状を有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
液体材料を吐出する方法であって、
液体材料を、液体チャンバーを充填するには十分であるが該液体材料を窪みと関連するとともに前記液体チャンバーと連通している出口から吐出させない圧力で前記液体チャンバーに供給することと、
前記窪みに近接して個別量の液体材料を効果的にシールすることと、
前記窪みにおいて高圧を生成することであって、前記出口から前記個別量の液体材料を噴射する、高圧を生成することと、
を含む、液体材料を吐出する吐出方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の吐出方法であって、
生成される前記圧力は約４００ポンド毎平方インチから約２５００ポンド毎平方インチの範囲である吐出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月12日(2013.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
材料、特に熱可塑性材料の処理及び毒性除去並びに汚染物又は不純物の材料からの除去方法において、材料が、少なくとも一つの受容タンク(1)において真空下に加熱され、混合され、場合により粉砕され、すすぎ媒体が、材料の高さの下で、受容タンク(1)に導入され、材料の少なくとも部分的な領域を通過し、汚染物でいっぱいになった又は飽和したすすぎ媒体が、もう一度受容タンク(1)から運び出される方法であって、受容タンク(1)に導入されるすすぎ媒体の量が、液体のすすぎ媒体の場合には、時間あたりの材料のキログラム又は材料スループットあたり、時間あたり0.1リットル未満である一方、同時に受容タンク(1)内の真空が、100ミリバールより下に絶えず維持されていることを特徴とする方法。
【請求項２】
材料、特に熱可塑性材料の処理及び毒性除去並びに汚染物又は不純物の材料からの除去方法において、材料が、少なくとも一つの受容タンク(1)において真空下に加熱され、混合され、場合により粉砕され、すすぎ媒体が、材料の高さの下で、受容タンク(1)に導入され、材料の少なくとも部分的な領域を通過し、汚染物でいっぱいになった又は飽和したすすぎ媒体が、もう一度受容タンク(1)から運び出される方法であって、受容タンク(1)に導入されるすすぎ媒体の量が、ガス状のすすぎ媒体の場合には、時間あたりの材料のキログラム又は材料スループットあたり、時間あたり5 Nm3未満、特に0.1 Nm3 (DIN 1343による規定立方メートルVn)未満であり、一方、同時に受容タンク(1)内の真空が、100ミリバールより下に絶えず維持されており、ガス状のすすぎ媒体が、少なくとも1メートル／分の速度で、受容タンク(1)に入り或いは導入される又は浄化されている材料にぶつかることを特徴とする方法。
【請求項３】
真空が、50ミリバールより下、特に10〜20ミリバールの間、好ましくは2ミリバールより下に永続的に維持されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
すすぎ媒体が、ガス状の物質、特に空気、二酸化炭素、蒸気、不活性ガス例えば窒素であることを特徴とする請求項１〜３の一つに記載の方法。
【請求項５】
受容タンク(1)に入った直後に蒸発する液体、特に水が、すすぎ媒体として用いられることを特徴とする請求項１〜４の一つに記載の方法。
【請求項６】
すすぎ媒体が、極性又は非極性であることを特徴とする請求項１〜５の一つに記載の方法。
【請求項７】
すすぎ媒体が、受容タンク(1)に入る前に、特に受容タンク(1)内の温度まで、加熱及び／又は乾燥されることを特徴とする請求項１〜６の一つに記載の方法。
【請求項８】
すすぎ媒体が、少なくとも1メートル／分の速度で、受容タンク(1)に入る又は浄化されている材料にぶつかることを特徴とする請求項１〜７の一つに記載の方法。
【請求項９】
受容タンク(1)に入るすすぎ媒体の量が、ガス状のすすぎ媒体の場合には、時間あたりの材料のキログラム又は材料スループットあたり、時間あたり0.050 Nm3未満、特に0.001〜0.047 Nm3(規定立方メートルVn)、好ましくは0.001〜0.030 Nm3の範囲であり、蒸発前の液体のすすぎ媒体の場合には、時間あたりの材料のキログラム又は材料スループットあたり、時間あたり0.0001〜0.08リットル、好ましくは0.003〜0.05リットルの間の範囲である請求項１〜８の一つに記載の方法。
【請求項１０】
スループット又は材料とすすぎ媒体の受容タンク(1)への添加と受容タンクからの取り出しが連続的であることを特徴とする請求項１〜９の一つに記載の方法。
【請求項１１】
すすぎ媒体が、受容タンク(1)、特に円筒状の受容タンクの底面を通して導入されることを特徴とする請求項１〜１０の一つに記載の方法。
【請求項１２】
すすぎ媒体が、好ましくは1〜10mmの直径を有する、特に70mm2以下の開放面積を有する少なくとも一つのノズル、必要ならば単一のノズル、例えばニードルノズルによって導入されることを特徴とする請求項１〜１１の一つに記載の方法。
【請求項１３】
ポリマー材料、特に熱可塑性材料を処理する時に、ガラス転移温度より上で溶融範囲よりも下の温度、好ましくは材料が軟化した状態で存在する温度、好ましくは材料がビカー軟化点(DIN 306、 A、 10N、 50 K/hによる)の範囲にある温度で、処理が行われることを特徴とする請求項１〜１２の一つに記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも一つの別の受容タンク(1’)が、受容タンク(1)の上流又は下流から追加され、材料が、全ての受容タンク(1,1’,…)を相次いで通り抜け、その際、先行する請求項の一つによる方法が、各々の受容タンク(1,1’,…)において、特に異なるすすぎ剤及び異なるすすぎ剤の量を用いて、実施されることを特徴とする請求項１〜１３の一つに記載の方法。
【請求項１５】
単一の前処理タンク又は並列に切り替えられる二つの前処理タンク並びにそれに連結された主処理タンクが設けられ、その際、先行する請求項の一つによる方法が、主処理タンクにおいて、好ましくは各々の二つの前処理タンクにおいても実施され、特に主処理タンク内の温度が前処理タンク内の温度よりも高く及び／又は主処理タンク内の圧力が前処理タンク内の圧力よりも低いことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５の一つに記載の方法を実施するための装置であって、少なくとも一つの受容タンク又はカッターコンパクタ(1)を備え、受容タンク又はカッターコンパクタ(1)は、特に基本的に漏斗形又は円筒状のものであり、特に底面(3)及び側壁(2)を有するものであり、真空ポンプによって排気することができ、受容タンク又はカッターコンパクタ(1)内には、少なくとも一つの混合部材(12、21)、特に垂直方向の軸(8)の回りに回転することのできるものが配置され、混合部材は、受容タンク(1)の内部に存在する処理されている材料、特に断片状又は粒状の材料、特に溶融していないポリマー粒子の形態のプラスチック材料を動かし又は回転させ、この材料を、混合し、加熱し場合により粉砕し又は材料に作用し、その際、受容タンク(1)において、稼働の間受容タンク(1)内に位置する材料の高さの下又は稼働の間に形成する混合渦の材料の高さの下に、すすぎ媒体の受容タンク(1)の内部への進入のため、少なくとも一つの、特にノズルの形態の、すすぎ媒体供給手段が、形成又は連結されている装置であり、すすぎ媒体供給手段が、すすぎ媒体を少なくとも１メートル／分の速度で受容タンク(1)に導入することができるよう構成され、受容タンク(1)及び真空ポンプが、受容タンク(1)内の真空を絶えず100ミリバールより下に維持することができるように構成され又は構造的に設計されていることを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月17日(2013.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの継手（１、１０）が設けられていることと、
第１部分と、第２部分とをそれぞれ有することと、
前記第１部分及び前記第２部分は、ばねの力に反して互いに対して限られた程度捩じることが可能であることと、
前記ばねは、弾性ゴム材料からなる板状ばね板（８）を備えることと、
支持板（９）が前記ばね板（８）の間に設けられることと、
前記ばね板（８）及び前記支持板（９）を担持するためのいくつかのキャリア（４）が前記継手の円周に分布するように設けられていることと、
継手軸の上面から見て、各キャリア（４）は半径方向内側に向かって先が細くなる楔の輪郭を有することと、
交互になった前記ばね板（８）及び前記支持板（９）のパケットが、各キャリアの両側で前記キャリア（４）の２つの楔表面に隣接して配置されていることと、
円周方向で見て外側の前記支持板（９）は、案内ストリップ（２０）又は案内溝（２１）を有し、それらは他方の継手部分の外側の前記支持板（９）の対応する案内ストリップもしくは案内溝と協働することと、
前記第１継手（１）の前記第２部分は、連結軸を介して前記第２継手（１０）の前記第１部分と駆動結合されていることと、
各継手は、継手軸（５）の方向で見て星形の本体（３）を備えていることと、
前記本体（３）は、半径方向外側に延びる複数の突起部（３．１）を有することと、
各突起部（３．１）は、キャリア（４）を担持することと、
各キャリア（４）は、２つのネジ（６、６）により関連する前記突起部（３．１）に固定されることとを含む、トルクを駆動軸から出力軸へ伝達するための継手装置であって、
前記２つのネジ（６、６）の間に前記キャリア（４）を位置決めするための位置決めピン（７）が設けられ、前記位置決めピンは、前記ネジ（６、６）に対して軸方向に平行であることと、
前記２つの継手のうちの一方（１）は、前記駆動軸と駆動結合されており、前記２つの継手のうちの他方（１０）は、前記出力軸と駆動結合されていることと、
前記対応する継手（１、１０）の前記第１部分又は前記第２部分の対応する凹部に挿入可能である各キャリア（４）は、前記キャリアによって担持されるばね板（８）と共に、予め取り付けられたばねユニットを形成することとを特徴とする、継手装置。
【請求項２】
前記ばね板（８）は、前記キャリア（４）の該当する楔表面に、そして後続の支持板（９）の該当する表面にそれぞれ加硫接着されることを特徴とする、請求項１に記載の継手装置。
【請求項３】
円周方向で見て外側の前記支持板（９）は、案内ストリップ（２０）又は案内溝（２１）を有し、それらは他方の継手部分のばねパケットの対応する案内ストリップもしくは案内溝と協働することを特徴とする、請求項１又は２に記載の継手装置。
【請求項４】
前記位置決めピン（７）が、前記楔形状キャリア（４）を貫いて案内され、前記該当する突起部（３．１）に嵌入されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか一項に記載の継手装置。
【請求項５】
更に、前記ネジにより前記キャリア（４）に固定され、かつばね板（８）及び支持板（９）からなるばねパケットに達するブラケットが設けられることを特徴とする、請求項１に記載の継手装置。
【請求項６】
前記請求項１〜４の何れか一項に記載の継手装置の取付け方法であって、
前記位置決めピン（７）が、前記楔形状キャリア（４）を貫いて案内され、前記該当する突起部（３．１）に嵌入される工程と、
前記キャリア（４）、前記ばね板（８）及び前記支持板（９）を含むばねユニットが前記第１部分又は前記第２部分の本体（３）に取り付けられる工程とを特徴とする、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面を形成する共鳴媒質（６１）および非共鳴媒質（６２および／または６３）を含むタイプのサンプル（８０５）中に誘導された共鳴非線形光信号を検出するための装置であって、
第１の所定の角振動数ωｐにて所定タイプのサンプルの共鳴媒質を励起するための、ポンプビームと呼ばれる少なくとも１つの第１の励起ビームの放射源（８０１）と、
前記ポンプビームが光軸に沿ってサンプルに入射し、サンプルの共鳴媒質−非共鳴媒質間の横断界面の所定位置にてサンプルを妨害した場合に、前記ポンプビームとサンプルとの相互作用から生じた非線形光信号を検出するための第１の光モジュール（８０３）と、
前記入射ポンプビームと実質的に同じ位置にて、前記反射ポンプビームが前記横断界面を妨害するように配置された前記ポンプビームの反射手段（８１３）と、
前記反射ポンプビームとサンプルとの相互作用から生じた非線形光信号を検出するための第２の光モジュール（８０６）と、
共鳴媒質の振動共鳴もしくは電子共鳴の指標である検出信号の差の計算を含み、前記第１および第２の検出モジュールによって検出された光信号を処理するための処理モジュール（８３０）と、を含む装置。
【請求項２】
放射源（８０１）は、第１の角振動数ωｐとは異なる少なくとも第２の角振動数ωｓにて、共鳴媒質を励起するための少なくとも第２の励起ビームの放射を可能とし、
励起ビームのすべては、同一線上にあって、共通の焦点体中の前記位置にて前記横断界面を妨害するように配置されており、
反射手段は、界面上の同じ位置にてすべての励起ビームを前記横断界面に反射するように配置され、
第１および第２の検出モジュールによって検出された信号の差は、第１および第２の振動数の振動数の線形結合に等しい角振動数における共鳴媒質の振動共鳴または電子共鳴の指標である請求項１に記載の装置。
【請求項３】
放射源（８０１）は、角振動数ωｐのポンプビームおよび角振動数ωｓのストークスビームの放射を可能とし、
前記ポンプビームとストークスビームとの相互作用から生じた非線形光信号は、角振動数ωａｓ＝２ωｐ−ωｓのＣＡＲＳ散乱信号と呼ばれる信号であって、
第１および第２の検出モジュールにより検出された信号の差は、共鳴媒質のラマン共鳴の指標である請求項２に記載の装置。
【請求項４】
反射手段は、１以上の励起ビームを反射でき、前記非線形光信号を伝達可能な反射鏡（８１３）により形成されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
反射鏡（８１３）が球状である請求項４に記載の装置。
【請求項６】
１以上の前記入射励起ビームの焦点を共通の焦点体（７１）中にて合せることにより、共鳴媒質と非共鳴媒質との間の前記界面を妨害することを可能にするための焦点レンズ（８０７）と、
入射ビームの焦点レンズと同一のレンズであって、入射励起ビームとサンプルとの相互作用から生じた非線形信号を集めるための集光レンズと、をさらに含み、
前記集光レンズは、反射励起ビームの焦点を合せるための焦点レンズを形成し、
入射ビームの焦点を合せるための前記焦点レンズは、反射励起ビームとサンプルとの相互作用から生じた非線形信号を集めるための集光レンズを形成する請求項１〜５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
放射源（８０１）により放射された１以上の励起ビームをサンプルに向けることを可能とし、１以上の反射励起ビームとサンプルとの相互作用から生じた非線形光信号を通過させることを可能とする２色性ビームスプリッタ（８０４）をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
光検出モジュールのそれぞれは、画像記録装置を含み、
非線形光信号は、光軸に対してそれぞれ対称な方向にて光検出モジュールのそれぞれに集められ、検出された各信号対に対して生じた差がもたらされる請求項１〜７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
１以上の励起ビームの角度スキャンをもたらす装置をさらに含むことによって、共鳴媒質と非共鳴媒質との間の界面の異なる位置にて、１以上の励起ビームがサンプルを妨害することを可能とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
放射源が少なくとも１つの可変波長励起ビームを放射することにより、共鳴媒質の振動共鳴または電子共鳴のスペクトルを得ることを可能とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
サンプル（８０５）中に誘導された共鳴非線形光信号を検出するための方法であって、
サンプル（８０５）は、界面を形成する共鳴媒質（６１）と非共鳴媒質（６２および／または６３）とを含み、
本方法は、
ポンプビームと呼ばれる共鳴媒質の少なくとも１つの第１の励起ビームを、第１の所定の角振動数ωｐにて放射するステップと、
１つ以上の前記励起ビームとサンプルとの相互作用から生じた第１の非線形光信号を検出するステップと、
１つ以上の前記励起ビームを反射することにより、反射した１つ以上の前記励起ビームが１つ以上の入射励起ビームと実質的に同じ位置にて前記横断界面を妨害するステップと、
１つ以上の前記反射励起ビームとサンプルとの相互作用から生じた第２の非線形光信号を検出するステップと、
共鳴媒質の振動共鳴または電子共鳴の指標である検出信号間の差を計算することを含む、検出された第１の光信号および第２の光信号を処理するステップと、を含み、
前記ポンプビームは、光軸に沿ってサンプルへ入射することによって、共鳴媒質と非共鳴媒質との間の横断界面の所定位置にてサンプルを妨害する方法。
【請求項１２】
第１の角振動数ωｐとは異なる少なくとも第２の角振動数ωｓにて共鳴媒質の少なくとも１つの第２の励起ビームを放射するステップを含み、
第１の検出信号と第２の検出信号との差は、第１の振動数および第２の振動数の線形結合に等しい角振動数における共鳴媒質の振動共鳴または電子共鳴の指標であって、
励起ビームはすべて同一線上にあって、共通の焦点体中の前記位置にて前記横断界面を妨害する請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
角振動数ωｐのポンプビームおよび角振動数ωｓのストークスビームを放射するステップを含み、
前記ポンプビームとストークスビームとの相互作用から生じた非線形光信号は角振動数ωａｓ＝２ωｐ−ωｓのＣＡＲＳ散乱信号と呼ばれる信号であって、 
第１の検出信号と第２の検出信号との差は、共鳴媒質のラマン共鳴の指標である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１および第２の非線形光信号は、入射励起ビームの光軸に関して対称な方向にそれぞれ検出され、検出された各信号対に対して生じた差がもたらされる請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
１以上の励起ビームが、角度スキャンを受けることにより、共鳴媒質と非共鳴媒質との間の界面の複数の位置にてサンプルを妨害する請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの励起ビームが可変の放射波長を有することにより、共鳴媒質の振動共鳴または電子共鳴のスペクトルを得ることが可能となる請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギの局所的な集中を生じさせる方法であって、
一連の発射物を提供すること、および、前記発射物を対象物に発射することを含み、
前記対象物は、該対象物への衝突の際に、前記発射物が該発射物と前記対象物との間に多量の気体を捕集し、圧縮するように構成され、
前記対象物および発射物は、前記対象物に対する前記発射物の衝撃が、捕集された前記気体の体積内に、集束した衝撃波を生じさせるようにさらに構成されている方法。
【請求項２】
前記対象物は、前記発射物を少なくとも部分的に受容し、前記発射物の下で前記気体を捕集するように形成された凹面を備えている請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記対象物の構造は、前記発射物の幅よりも狭くそこに規定された個別の窪みを有した対象物表面を備えている請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記対象物の構造は、複数の窪みを備えている請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記発射物は、液体の小滴を含んでいる請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記発射物は２５０ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記発射物は５００ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記発射物は７５０ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
核融合反応を生じさせるべく使用される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
捕集される前記気体の体積は、５×１０−１１〜５×１０−７リットルである、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
エネルギの局所的な集中を生じさせる装置であって、
一連の発射物を提供する手段と、
前記発射物を対象物に発射し、該対象物への衝突の際に、前記発射物が該発射物と前記対象物との間に多量の気体を捕集するように構成された手段とを備え、
前記対象物および発射物は、前記対象物に対する前記発射物の衝撃が、捕集された前記気体の体積内に、集束した衝撃波を生じさせるようにさらに構成されている装置。
【請求項１２】
前記対象物は、前記発射物を少なくとも部分的に受容し、前記発射物の下で前記気体を捕集するように形成された凹面を備えている請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記対象物の構造は、前記発射物の幅よりも狭くそこに規定された個別の窪みを有した対象物表面を備えている請求項１１または１２のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１４】
前記対象物の構造は複数の窪みを備えている、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記発射物は液体の小滴を含んでいる、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
前記発射物は２５０ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
前記発射物は５００ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
前記発射物は７５０ｍ／ｓを超える速度を有している、請求項１１乃至１７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１９】
核融合反応を生じさせるべく使用される請求項１１乃至１８のいずれかに記載の装置。
【請求項２０】
捕集される前記気体の体積は、５×１０−１１〜５×１０−７リットルである請求項１１乃至１９のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
ウイルス、バクテリア、寄生生物に感染した細胞及び／又は腫瘍細胞に影響を及ぼすための方法であって、細胞に影響を及ぼすためにウイルス、バクテリア、寄生生物に感染した細胞及び／又は腫瘍細胞の少なくとも一種の特定の標的プロテアーゼ（２）を阻害するための少なくとも一種のプロテアーゼ阻害剤（３）と、前記少なくとも一種の特定の標的プロテアーゼ（２）の開裂部位のタンパク質配列と同一及び／又は該タンパク質配列から僅かに変化したタンパク質配列を有する少なくとも一種のペプチド不活化ｓｉＲＮＡ、ＰＮＡ又はＲＮＡ（５）とを投与し、前記ペプチド不活化ｓｉＲＮＡ、ＰＮＡ又はＲＮＡ（５）を活性化する目的で該ペプチド不活化ｓｉＲＮＡ、ＰＮＡ又はＲＮＡ（５）のペプチド結合が少なくとも一種の特定の標的プロテアーゼ（２）によって開裂されるようにした方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１６個のアミノ酸または１７個のアミノ酸を含み、Ｃ末端カルボキシル基および／またはＮ末端アミノ基を有さず、
任意選択で、アミノ酸の１つが非天然アミノ酸であり、
閉環があるアミノ酸の側鎖と別のアミノ酸のＣ末端との間で形成されるか、または閉環が非天然アミノ酸によって行われることを特徴とする環式有機化合物。
【請求項２】
アミノ酸配列ＧＱＲＥＴＰＥＧＡＥＡＫＰＷＹに加えて１つまたは２つのさらなるアミノ酸を含む、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
非天然アミノ酸が、オルニチンまたはω−アミノ酸から選択される、請求項１または２のいずれかに記載の化合物。
【請求項４】
閉環が、あるアミノ酸の側鎖と別のアミノ酸のＣ末端との間に形成されることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の化合物。
【請求項５】
下記式の化合物である、請求項１から４のいずれかに記載の化合物。
【化１】
2013517224.tif 000001
【化２】
2013517224.tif 000002
【請求項６】
塩の形態である、請求項１から５のいずれかに記載の化合物。
【請求項７】
薬物として使用するための、請求項１から６のいずれかに記載の化合物。
【請求項８】
請求項１から６のいずれかに記載の化合物を含む医薬製剤であって、ベクトルイオンチャネルを調節するための、肺機能に関連した疾患を処置するための、および浮腫を処置するための、該医薬製剤。
【請求項９】
請求項１から６のいずれかに記載の化合物を、少なくとも１つの薬学的に許容されるアジュバントと組み合わせて含むことを特徴とする、請求項８に記載の医薬製剤。
【請求項１０】
請求項９に記載の医薬製剤であって、少なくとも１つの薬学的に許容されるアジュバントが、１つまたは複数の充填剤、結合剤、崩壊剤、フロー調整剤、滑沢剤、香味剤、糖または甘味料、香料、防腐剤、安定効果を有する物質、湿潤剤、乳化剤、可溶化剤、浸透圧を調節するための塩および／または緩衝液（混合物）から選択されることを特徴とする該医薬製剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月18日(2013.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フュージョンドロー方法において、
溶融ガラスを、成形用ウェッジの１対の下方傾斜成形面部分であって、下流方向に沿って合流して底部を形成している下方傾斜成形面部分上に流すステップ、
前記溶融ガラスを、前記１対の下方傾斜成形面部分のうちの少なくとも一方と交わっている、エッジ誘導部材上に流すステップ、
ガラスリボンを前記底部から延伸するステップであって、このとき該ガラスリボンのエッジが、前記エッジ誘導部材を離れて流れてくる溶融ガラスにより形成されるステップ、
加熱装置を使用して、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの接触面を加熱するステップ、および、
冷却装置を使用して、前記ガラスリボンの、前記エッジ誘導部材を離れて流れてきた部分から熱を奪うステップ、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記加熱装置が、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの前記接触面を、該溶融ガラスの液相温度超の温度で維持することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記溶融ガラスの温度を、前記底部の下流の位置で、該溶融ガラスのバギーワープ温度より低温で維持するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記冷却装置が、前記底部より下方の前記ガラスリボンの前記エッジから、前記ガラスリボンの前記エッジの温度が前記ガラスリボンの内部の温度よりも速い速度で低下するように、優先的に熱を奪うことを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記冷却装置が、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの前記接触面に前記加熱装置が与える熱よりも多くの熱を、前記底部より下方の前記ガラスリボンの前記エッジから奪うことを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記加熱装置が、前記エッジ誘導部材の外側で動作する外部加熱器を用いて、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの前記接触面の温度を維持することを特徴とする請求項１から５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
ガラスリボンを融合延伸するための装置であって、
下流方向に沿って合流して底部を形成する１対の下方傾斜成形面部分を含む、成形用ウェッジ、
前記１対の下方傾斜成形面部分のうちの少なくとも一方と交わっている、エッジ誘導部材、
前記エッジ誘導部材と接触している溶融ガラスの接触面を加熱するよう構成された、加熱装置、および、
ガラスリボンの、前記エッジ誘導部材を離れて流れてきた部分から熱を奪うよう構成された、冷却装置、
を備えていることを特徴とする装置。
【請求項８】
前記加熱装置が、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの前記接触面を、該溶融ガラスの液相温度超の温度で維持するよう構成されていることを特徴とする請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記冷却装置が、前記底部より下方の前記ガラスリボンの前記エッジから、前記ガラスリボンの前記エッジの温度が前記ガラスリボンの内部の温度よりも速い速度で低下するように、優先的に熱を奪うよう構成されていることを特徴とする請求項７または８記載の装置。
【請求項１０】
前記冷却装置が、前記エッジ誘導部材と接触している前記溶融ガラスの前記接触面に前記加熱装置が与える熱よりも多くの熱を、前記底部より下方の前記ガラスリボンの前記エッジから奪うように構成されていることを特徴とする請求項７から９いずれか１項記載の装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年10月9日(2013.10.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
アリールカルボニルアミノアルキル、アリールオキシカルボニルアミノアルキル、アリールオキシアリールカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルキルスルホニルアミノ、アリールスルホニルアミノ、ヘテロアリールスルホニルアミノ、ヘテロシクリルスルホニルアミノ、ヘテロアリールチオ、アジド、-N+R51R52R53、P(R50)2、P(=O)(R50)2、OP(=O)(R50)2、-NR60C(=O)R63、ジアルキルホスホニル、アルキルアリールホスホニル、ジアリールホスホニル、ヒドロキシホスホニル、アルキルチオ、アリールチオ、ペルフルオロアルキルチオ、ヒドロキシカルボニルアルキルチオ、チオシアノ、イソチオシアノ、アルキルスルフィニルオキシ、アルキルスルホニルオキシ、アリールスルフィニルオキシ、アリールスルホニルオキシ、ヒドロキシスルホニルオキシ、アルコキシスルホニルオキシ、アミノスルホニルオキシ、アルキルアミノスルホニルオキシ、ジアルキルアミノスルホニルオキシ、アリールアミノスルホニルオキシ、ジアリールアミノスルホニルオキシ、アルキルアリールアミノスルホニルオキシ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルフィニル、アリールスルホニル、ヒドロキシスルホニル、アルコキシスルホニル、アミノスルホニル、アルキルアミノスルホニル、ジアルキルアミノスルホニル、アリールアミノスルホニル、ジアリールアミノスルホニル又はアルキルアリールアミノスルホニルであるか; 又は1,2又は1,3配置で原子を置換している2つのQ1基が一緒になってアルキレンジオキシ(即ち、-O-(CH2)y-O-)、チオアルキレンオキシ(即ち、-S-(CH2)y-O-)又はアルキレンジチオキシ(即ち、-S-(CH2)y-S-)(ここで、yは、1又は2である)を形成するか; 又は同じ原子を置換している2つのQ1基が一緒になってアルキレンを形成し;  Q1は、各々独立して、無置換か又は1、2又は3つの置換基で置換されており、各々独立してQ2より選ばれ;
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
アルキルスルホニルアミノ、アリールスルホニルアミノ、ヘテロアリールスルホニルアミノ、ヘテロシクリルスルホニルアミノ、ヘテロアリールチオ、アジド、-N+R51R52R53、P(R50)2、P(=O)(R50)2、OP(=O)(R50)2、-NR60C(=O)R63、ジアルキルホスホニル、アルキルアリールホスホニル、ジアリールホスホニル、ヒドロキシホスホニル、アルキルチオ、アリールチオ、ペルフルオロアルキルチオ、ヒドロキシカルボニルアルキルチオ、チオシアノ、イソチオシアノ、アルキルスルフィニルオキシ、アルキルスルホニルオキシ、アリールスルフィニルオキシ、アリールスルホニルオキシ、ヒドロキシスルホニルオキシ、アルコキシスルホニルオキシ、アミノスルホニルオキシ、アルキルアミノスルホニルオキシ、ジアルキルアミノスルホニルオキシ、アリールアミノスルホニルオキシ、ジアリールアミノスルホニルオキシ、アルキルアリールアミノスルホニルオキシ、アルキルスルフィニル、アルキルスルホニル、アリールスルフィニル、アリールスルホニル、ヒドロキシスルホニル、アルコキシスルホニル、アミノスルホニル、アルキルアミノスルホニル、ジアルキルアミノスルホニル、アリールアミノスルホニル、ジアリールアミノスルホニル又はアルキルアリールアミノスルホニルであるか; 又は1,2又は1,3配置で原子を置換している2つのQ2基が一緒になってアルキレンジオキシ(即ち、-O-(CH2)y-O-)、チオアルキレンオキシ(即ち、-S-(CH2)y-O-)又はアルキレンジチオキシ(即ち、-S-(CH2)y-S-)(ここで、yは、1又は2である)を形成するか; 又は同じ原子を置換している2つのQ2基が一緒になってアルキレンを形成し;
R50は、ヒドロキシ、アルコキシル、アラルコキシ、アルキル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、アリール又は-NR70R71であり、ここで、R70及びR71は、各々独立して、水素、アルキル、アラルキル、アリール、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル又はヘテロシクリルであるか、又はR70とR71が一緒になってアルキレン、アザアルキレン、オキサアルキレン又はチアアルキレンを形成し;
R51、R52及びR53は、各々独立して、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、ヘテロシクリル又はヘテロシクリルアルキルであり;
R60は、水素、アルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアリール、ヘテロアラルキル、ヘテロシクリル又はヘテロシクリルアルキルであり;
R63は、アルコキシ、アラルコキシ、アルキル、ヘテロアリール、ヘテロシクリル、アリール又は-NR70R71である。