(57)【要約】【課題】半導体チップをウエハから切り出す際に、安定した状態でウエハを切削して、半導体チップの側面に不具合が発生したり、ウエハを個々の半導体チップに分離するための切削が不十分となることを防止できるようにする。【解決手段】ウエハ１の主面１ａに形成された切断線３に沿ってウエハ１を切断して個々の半導体チップ５に分割するウエハ１のダイシング方法であって、ウエハ１の切断が、ウエハ１と切断線３に沿ってウエハ１を切削するダイサーとを主面１ａに沿うＸ軸方向及びこれに直交するＹ軸方向に相対移動させることで行われ、切断線３の延在方向に沿うウエハ１とダイサーとの相対移動速度が一定となるように、Ｘ軸方向の移動速度及びＹ軸方向の移動速度を制御することを特徴とするウエハ１のダイシング方法を提供する。【選択図】図２
2008118031.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に複数の集積回路を形成した略板状のウエハを用意し、前記複数の集積回路を個々に区画する切断線に沿って前記ウエハを切断して個々の半導体チップに分割するウエハのダイシング方法であって、
前記ウエハの切断が、前記ウエハと前記切断線に沿って前記ウエハを切削するダイサーとを前記主面に沿う第１の軸方向及びこれに直交する第２の軸方向に相対移動させることで行われ、
前記切断線の延在方向に沿う前記ウエハと前記ダイサーとの相対移動速度が一定となるように、前記第１の軸方向の移動速度及び前記第２の軸方向の移動速度を制御することを特徴とするウエハのダイシング方法。
【請求項２】
前記ダイサーが、前記切断線に向けてレーザ光を照射するレーザからなり、
前記レーザ光の照射をＯＮにした状態で前記レーザを前記ウエハに対して移動させている状態から前記レーザ光の照射をＯＦＦに切り換えると共に、前記レーザの相対移動を停止し、
前記レーザ光の出力が、照射された前記レーザ光のエネルギーが前記ウエハに吸収されない程度の出力まで減少した際に、前記レーザの相対移動を再開することを特徴とする請求項１に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項３】
前記ダイサーが、前記切断線に向けてレーザ光を照射するレーザからなり、
前記レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えて、前記レーザ光の出力が前記ウエハの切削に要する出力まで上昇した際に、前記ウエハに対する前記レーザの相対移動を開始することを特徴とする請求項１に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項４】
前記レーザが、これに印加する電圧の大きさに基づいて前記レーザ光の出力を規定するように構成され、
前記レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に、前記レーザ光の出力が前記ウエハを切削する際の出力に維持されるための設定電圧よりも大きな電圧を前記レーザに印加し、
その後、前記レーザ光の出力が前記ウエハを切削する際の出力に到達した際に、前記レーザに印加する電圧を前記設定電圧まで減少させることを特徴とする請求項３に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項５】
前記レーザにより、第１の切断線に沿って前記ウエハを切削した後に、一部が前記第１の切断線と重複する第２の切断線に沿って前記ウエハを切削する際に、
前記レーザ光の照射位置が前記第２の切断線のうち前記重複部分を通る間には、前記レーザ光の照射をＯＦＦとすることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項６】
前記ダイサーが、前記切断線に向けてレーザ光を照射するレーザからなり、
前記切断線の領域の一部に、前記レーザ光のエネルギーの吸収率が他の領域よりも小さくなる吸収低下領域が形成され、
前記レーザ光の照射位置が前記吸収低下領域を通る際に、前記レーザ光の出力を前記照射位置が前記他の領域を通る際の出力よりも増加させて、前記吸収低下領域及び前記他の領域における前記レーザ光のエネルギーの吸収量を等しくすることを特徴とする請求項１に記載のウエハのダイシング方法。
【請求項７】
前記切断線が、少なくとも２つの直線状切断線を折れ線状に接続して形成され、
前記ダイサーが、前記切断線に向けてレーザ光を照射するレーザからなり、
前記レーザ光の照射位置が前記２つの直線状切断線の間の角部を通る際に、該角部において少なくとも前記レーザ光の出力を低下させることを特徴とする請求項１に記載のウエハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ウエハのダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウエハから切り出して製造される半導体チップには、平面視で矩形状のものだけではなく、多角形、円形等の様々な形状の外観を有したものがある。従来、この種の半導体チップをウエハから切り出すダイシング方法には、例えば特許文献１，２のように、レーザやピアノ線等のダイサーにより、折れ線状のダイシングライン（切断線）に沿ってウエハを切削する方法がある。
【特許文献１】特開２００６−１３５３０９号公報
【特許文献２】特開２００４−７９６６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、上記従来のダイシング方法のように、折れ線状や湾曲形状に形成された切断線に沿ってウエハを切削する場合には、ウエハの切削面からなる半導体チップの側面に不具合が生じたり、個々の半導体チップに分離するための切削が不十分となる虞がある。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、安定した状態でウエハを切削して、半導体チップの側面に不具合が発生したり、ウエハを個々の半導体チップに分離するための切削が不十分となることを防止することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的を達成するために、本発明は以下のウエハのダイシング方法を提案する。
本発明のウエハのダイシング方法は、主面に複数の集積回路を形成した略板状のウエハを用意し、前記複数の集積回路を個々に区画する切断線に沿って前記ウエハを切断して個々の半導体チップに分割するものであって、前記ウエハの切断が、前記ウエハと前記切断線に沿って前記ウエハを切削するダイサーとを前記主面に沿う第１の軸方向及びこれに直交する第２の軸方向に相対移動させることで行われ、前記切断線の延在方向に沿う前記ウエハと前記ダイサーとの相対移動速度が一定となるように、前記第１の軸方向の移動速度及び前記第２の軸方向の移動速度を制御することを特徴とする。
なお、例えば、切断線の延在方向が第１の軸方向及び第２の軸方向の両方に対して傾斜している場合には、第１の軸方向及び第２の軸方向の各移動速度を、第１の軸方向若しくは第２の軸方向のみに移動させる場合の各移動速度よりも小さくするように制御すればよい。
【０００５】
また、本発明のウエハのダイシング方法は、前記ダイサーが、前記切断線に向けてレーザ光を照射するレーザからなり、前記レーザ光の照射をＯＮにした状態で前記レーザを前記ウエハに対して移動させている状態から前記レーザ光の照射をＯＦＦに切り換えると共に、前記レーザの相対移動を停止し、前記レーザ光の出力が、照射された前記レーザ光のエネルギーが前記ウエハに吸収されない程度の出力まで減少した際に、前記レーザの相対移動を再開することを特徴とする。
【０００６】
さらに、本発明のウエハのダイシング方法は、前記レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えて、前記レーザ光の出力が前記ウエハの切削に要する出力まで上昇した際に、前記ウエハに対する前記レーザの相対移動を開始することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明のウエハのダイシング方法は、前記レーザが、これに印加する電圧の大きさに基づいて前記レーザ光の出力を規定するように構成され、前記レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に、前記レーザ光の出力が前記ウエハを切削する際の出力に維持されるための設定電圧よりも大きな電圧を前記レーザに印加し、その後、前記レーザ光の出力が前記ウエハを切削する際の出力に到達した際に、前記レーザに印加する電圧を前記設定電圧まで減少させることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明のウエハのダイシング方法は、前記レーザにより、第１の切断線に沿って前記ウエハを切削した後に、一部が前記第１の切断線と重複する第２の切断線に沿って前記ウエハを切削する際に、前記レーザ光の照射位置が前記第２の切断線のうち前記重複部分を通る間には、前記レーザ光の照射をＯＦＦとすることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のウエハのダイシング方法は、前記切断線の領域の一部に、前記レーザ光のエネルギーの吸収率が他の領域よりも小さくなる吸収低下領域が形成され、前記レーザ光の照射位置が前記吸収低下領域を通る際に、前記レーザ光の出力を前記照射位置が前記他の領域を通る際の出力よりも増加させて、前記吸収低下領域及び前記他の領域における前記レーザ光のエネルギーの吸収量を等しくすることを特徴とする。
なお、吸収低下領域とは、例えば集積回路の電気特性評価を行うための回路（ＴＥＧ（Test Element Group）パターン）等を形成した領域である。
【００１０】
さらに、本発明のウエハのダイシング方法は、前記切断線が、少なくとも２つの直線状切断線を折れ線状に接続して形成され、前記レーザ光の照射位置が前記２つの直線状切断線の間の角部を通る際に、該角部において少なくとも前記レーザ光の出力を低下させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のウエハのダイシング方法によれば、切断線の延在方向に沿うウエハとダイサーとの相対移動速度を一定とすることで、切断線の延在方向が主面に沿って変化するように形成されていたとしても、切断線の延在方向にわたって安定してウエハを切断することができる。したがって、ウエハを個々の半導体チップに分離するための切削が不十分となったり、ウエハの切削面からなる各半導体チップの側面に不具合が生じることを防止できる。
【００１２】
また、レーザ光の出力が、レーザ光の照射をＯＮからＯＦＦに切り換えてからレーザ光のエネルギーがウエハに吸収されない程度の出力に到達するまでには、所定の時間を要するが、レーザ光の照射をＯＦＦとすると共にレーザの相対移動を停止しておくことで、レーザ光によるウエハの切削を中断若しくは終了する位置からレーザの相対移動方向の前方側の位置に、レーザ光の照射による不意のダメージがウエハに発生することを容易に防止できる。
【００１３】
さらに、レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えてからレーザ光の出力がウエハの切削に要する出力となるまでには所定の立ち上がり時間を要するが、レーザ光の出力がウエハの切削に要する出力となるまでの間にレーザを相対移動させないことで、ウエハの切削を開始した位置において切削が不十分となることを容易に防止できる。
【００１４】
また、レーザ光の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に設定電圧以上の電圧をレーザに印加することで、上記立ち上がり時間を短縮することができる。すなわち、レーザ光によるウエハの切削を開始するまでの時間を短縮することができ、ウエハの切削効率を向上させることができる。
【００１５】
さらに、第２の切断線に沿ってウエハを切削する際に、２つの切断線の重複部分においてレーザ光を照射しないことで、重複部分におけるレーザ光の過度の照射を防いで、ウエハの切削面からなる半導体チップの側面に不具合が生じることを防止できる。
【００１６】
また、切断線に形成される吸収低下領域及び他の領域において同一の出力でレーザ光を照射した場合には、吸収低下領域におけるウエハの切削が不十分となるが、これら２つの領域の間でエネルギーの吸収量が一定となるようにレーザ光の出力を制御することで、吸収低下領域におけるウエハの切削不十分を防止することができる。
【００１７】
さらに、折れ線状に形成された切断線の角部においてはレーザの相対移動方向が変更されるため、レーザの相対移動速度が低下する場合があるが、このレーザ光の相対移動速度の低下に合わせて一時的にレーザ光の照射を低下させることで、角部におけるレーザ光の過度の照射を防止して、ウエハに不意のダメージが発生することを防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図１から図７を参照し、本発明の一実施形態に係るウエハのダイシング方法について説明する。
この実施形態のダイシング方法においては、例えば図１に示すように、予め多結晶又は単結晶のシリコンを略円板状に形成したウエハ１の主面１ａに複数の集積回路（不図示）を形成しておく。そして、このダイシング方法においては、これら複数の集積回路を個々に平面視で六角形状の領域に区画するダイシングライン（切断線）３に沿ってウエハ１を切断して個々の半導体チップ５，５，・・・に分割する。すなわち、この実施形態においては、平面視で六角形状の半導体チップ５，５，・・・が得られる。
【００１９】
そして、ウエハ１の切断には、例えば、ウエハ１を載置するステージ７及びウエハ１を切削するレーザ（ダイサー）９を備えたレーザ加工装置１１を使用する。このレーザ加工装置１１は、ステージ７に載置されたウエハ１とレーザ９とがウエハ１の主面１ａに沿うＸ軸方向（第１の軸方向）及びこれに直交するＹ軸方向（第２の軸方向）に相対移動できるように構成されている。
すなわち、レーザ加工装置１１は、ステージ７及びレーザ９の一方が他方に対してＸ軸方向及びＹ軸方向の両方に移動するように構成されるとしてもよいし、ステージ７がＸ軸方向に移動し、レーザ９がＹ軸方向に移動するように構成されるとしても構わない。
【００２０】
また、レーザ９は、ダイシングライン３に向けてレーザ光Ｌ１を照射するものであり、レーザ光Ｌ１の焦点がウエハ１の主面１ａ若しくは内部に一致するように設定されている。ここで使用するレーザ９の具体例としては、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等がある。
このレーザ９は、レーザ光Ｌ１の照射をＯＮ／ＯＦＦに切り換えることができるように構成されている。また、レーザ９は、これに印加する電圧の大きさに基づいてレーザ光Ｌ１の出力を規定するように構成されており、この印加電圧に基づいてレーザ光Ｌ１の出力が調整できるようになっている。
上述したウエハ１とレーザ９との相対移動制御や、レーザ光Ｌ１の照射のＯＮ／ＯＦＦ制御、レーザ光Ｌ１の出力調整制御は、レーザ加工装置１１に備える制御部（不図示）によって行われる。
【００２１】
次に、上述したレーザ加工装置１１を用いて、例えば図２に示すように、相互に隣り合う六角形状の半導体チップ５Ａ，５Ｂを囲む折れ線状のダイシングライン３Ａ，３Ｂに沿ってウエハ１を切削する場合について説明する。ここでは、レーザ９により、一方の半導体チップ５Ａを囲む第１のダイシングライン（第１の切断線）３Ａに沿ってウエハ１を切削した後に、他方の半導体チップ５Ｂを囲む第２のダイシングライン（第２の切断線）３Ｂに沿ってウエハ１を切削する。
なお、レーザ９によるウエハ１の切削は、レーザ光Ｌ１によりダイシングライン３に沿ってウエハ１を完全に切断すること、また、レーザ光Ｌ１によりダイシングライン３に沿う溝（不図示）を形成することの両方を含んでおり、実際にはこれらのいずれか一方の加工が実施されればよい。そして、溝を形成する場合には、溝の形成後にウエハ１を折り曲げる等して溝に応力を付与することでウエハ１を切断すればよい。
【００２２】
第１のダイシングライン３Ａに沿ってウエハ１を切削する際には、はじめに、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦとした状態でレーザ９をウエハ１に対して移動させ、レーザ光Ｌ１の照射位置が切削の開始位置となる第１のダイシングライン３Ａの頂点（角部）Ｐ１に一致したところでレーザ９の相対移動を停止する。
そして、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えて、レーザ光Ｌ１の照射位置が第１のダイシングライン３Ａの頂点Ｐ１から直線状ダイシングライン（直線状切断線）１５を介して相互に隣り合う頂点（角部）Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６を順番に通って再び頂点Ｐ１に戻るように、レーザ９を相対移動させる。すなわち、図示例において、レーザ光Ｌ１の照射位置が第１のダイシングライン３Ａに沿って左回りに移動するように、レーザ９をウエハ１に対して移動させる。
【００２３】
上述したウエハ１の切削に際しては、第１のダイシングライン３Ａの延在方向に沿うレーザ９の相対移動速度Ｖ０が一定となるように、ウエハ１に対するレーザ９のＸ軸方向の移動速度Ｖｘ及びＹ軸方向の移動速度Ｖｙを制御する。具体的には、以下の式、
【００２４】
【数１】
2008118031.tif 000003
【００２５】
が成立するように各移動速度Ｖｘ，Ｖｙを制御する。したがって、第１のダイシングライン３Ａに沿ってウエハ１を切削する際には、ウエハ１に対するレーザ９のＸ軸方向の移動速度Ｖｘ及びＹ軸方向の移動速度Ｖｙがこの［式１］に基づいて図３のように設定されることになる。
例えば、レーザ９を頂点Ｐ１から頂点Ｐ２まで移動させる際には、Ｘ軸方向の移動速度Ｖｘを−（√３／２）Ｖ０とし、Ｙ軸方向の移動速度Ｖｙを−（１／２）Ｖ０とすればよい。また、例えばレーザ９を頂点Ｐ２から頂点Ｐ３まで移動させる際には、レーザ９の相対移動方向がＹ軸方向に沿うため、Ｘ軸方向の移動速度Ｖｘを０とし、Ｙ軸方向の移動速度ＶｙをＶ０とすればよい。
【００２６】
また、上述のように第１のダイシングライン３Ａに沿ってウエハ１を切削する場合には、図４に示すように、レーザ光Ｌ１の照射位置が各頂点Ｐ２〜Ｐ６を通る際に、各頂点Ｐ２〜Ｐ６においてレーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断する制御を行う。具体的には、レーザ光Ｌ１の照射位置が各頂点Ｐ２〜Ｐ６に到達した際にレーザ光Ｌ１の照射をＯＮからＯＦＦに切り換えてレーザ光Ｌ１の出力を０％（レーザ光Ｌ１を照射しない状態）とし、各頂点Ｐ２〜Ｐ６から離れる際にレーザ光Ｌ１の照射を再びＯＮに切り換えてレーザ光Ｌ１の出力を１００％（通常ウエハ１を切削する際の出力（以下、「通常切削出力」と呼ぶ））とする制御を行う。
【００２７】
すなわち、第１のダイシングライン３Ａは、６つの直線状ダイシングライン１５，１５，・・・を折れ線状に接続して形成されているため、レーザ光Ｌ１の照射位置が相互に隣り合う直線状ダイシングライン１５，１５の間の頂点Ｐ２〜Ｐ６を通る際には、各頂点Ｐ２〜Ｐ６においてレーザ９の相対移動方向が変更となり、ウエハ１に対するレーザ９のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動速度が低下する場合がある。特に、レーザ光Ｌ１の照射位置が頂点Ｐ４を通る際には、Ｙ軸方向に関するレーザ９の相対移動方向が逆向きになるため、Ｙ軸方向に関してレーザ９の相対移動が一時的に停止することになる。
【００２８】
ここで、レーザ９の相対移動速度の低下に合わせてレーザ光Ｌ１の照射を一時的にＯＦＦとすることで、ウエハ１に対するレーザ９のＸ軸方向及びＹ軸方向の移動速度が低下しても頂点Ｐ２〜Ｐ６におけるレーザ光Ｌ１の過度の照射を防止することができる。
最後に、レーザ光Ｌ１の照射位置が再び頂点Ｐ１に到達した際にレーザ光Ｌ１の照射をＯＮからＯＦＦに切り換えることで第１のダイシングライン３Ａに沿うウエハ１の切削が完了する。
【００２９】
上述した第１のダイシングライン３Ａに沿うウエハ１の切削終了後には、図２に示すように、第２のダイシングライン３Ｂに沿ってウエハ１を切削する。この第２のダイシングライン３Ｂは、第１のダイシングライン３Ａと同様に、６つの頂点（角部）Ｐ５〜Ｐ１０を有する六角形状に形成されており、そのうち２つの頂点Ｐ５，Ｐ６の間の直線状ダイシングライン１５Ａが、第１のダイシングライン３Ａと重複している。
【００３０】
この第２のダイシングライン３Ｂに沿ってウエハ１を切削する際には、はじめに、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦとした状態で頂点Ｐ１から頂点Ｐ７までレーザ９を相対移動させる。
次いで、第１のダイシングライン３Ａの場合と同様に、レーザ光９の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えて、レーザ光Ｌ１の照射位置が第２のダイシングライン３Ｂの頂点Ｐ７からこれに隣り合う頂点Ｐ６，Ｐ５，Ｐ８，Ｐ９，Ｐ１０を順番に通って再び頂点Ｐ７に戻るように、レーザ９を相対移動させる。
【００３１】
この第２のダイシングライン３Ｂに沿うウエハ１の切削に際しては、第１のダイシングライン３Ａの場合と同様に、第２のダイシングライン３Ｂの延在方向に沿うレーザ９の相対移動速度Ｖ０を一定とする制御を行う（図３参照）。
また、第２のダイシングライン３Ｂに沿うウエハ１の切削に際しては、レーザ光Ｌ１の照射位置が第１のダイシングライン３Ｂとの重複部分の両端となる頂点Ｐ６，Ｐ５を除く他の頂点Ｐ８〜Ｐ１０を通る際に、第１のダイシングライン３Ａの場合と同様に、各頂点Ｐ８〜Ｐ１０においてレーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断する制御を行う（図４参照）。
【００３２】
そして、レーザ光Ｌ１の照射位置が、第２のダイシングライン３Ｂのうち第１のダイシングライン３Ａとの重複部分となる直線状ダイシングライン１５Ａを通る間には、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦとする制御を行う。
具体的には、図５に示すように、レーザ光Ｌ１の照射をＯＮにした状態でレーザ９を頂点Ｐ７から頂点Ｐ６まで相対移動させ、レーザ光Ｌ１の照射位置が頂点Ｐ６に到達した際に、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦに切り換えると共に、レーザ９の相対移動を停止する。なお、図示例では、レーザ光Ｌ１の照射位置が頂点Ｐ６に到達すると同時にレーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦに切り換えるようになっているが、例えば、レーザ光Ｌ１の照射位置が頂点Ｐ６に到達してレーザ９の相対移動が停止された時点で、レーザ光Ｌ１の出力がウエハ１の切削に要する出力（例えば、通常切削出力の９０％）となるように、レーザ９が頂点Ｐ６に到達する前に予めレーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦに切り換えるとしても構わない。
【００３３】
次いで、レーザ光Ｌ１の出力が、照射されたレーザ光Ｌ１のエネルギーがウエハ１に吸収されない程度の出力（図示例では、通常切削出力のα％）まで減少した際に、レーザ９の相対移動を再開してレーザ９を頂点Ｐ６から頂点Ｐ５まで移動させる。この移動におけるレーザ９の相対移動速度は、上述した一定の移動速度Ｖ０に限ることはない。
なお、レーザ光Ｌ１の照射をＯＮからＯＦＦに切り換えるときのレーザ９の相対移動制御は、この第２のダイシングライン３Ｂの頂点Ｐ６において行われることに限らず、レーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断する各頂点Ｐ２〜Ｐ６，Ｐ８〜Ｐ１０や、各ダイシングライン３Ａ，３Ｂに沿うウエハ１の切削が終了する頂点Ｐ１，Ｐ７においても同様に行うことができる。また、この際のレーザ９の相対移動制御は、頂点Ｐ１〜Ｐ１０において行われることに限らず、レーザ光Ｌ１の照射を停止する場合であれば各ダイシングライン３Ａ，３Ｂの延在方向の任意の位置で行うことができる。
【００３４】
その後、レーザ光Ｌ１の照射位置が頂点Ｐ５に到達した際には、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えると共にレーザ９の相対移動を停止する。そして、レーザ光Ｌ１の出力が、ウエハ１の切削に要する出力（図示例では、通常切削出力の９０％）まで上昇した際に、レーザ９の相対移動を再開してレーザ光Ｌ１の照射位置を頂点Ｐ５から頂点Ｐ８に向けて移動させる。
ここで、ウエハ１の切削に要するレーザ光Ｌ１の出力は、通常切削出力の９０％とすることに限らず、少なくともレーザ光Ｌ１のエネルギーがウエハ１に吸収される程度の出力以上であればよい。ただし、頂点Ｐ５から頂点Ｐ８に向けてレーザ９の相対移動を開始する際のレーザ９の加速度が小さい場合には、レーザ９の相対移動を開始するレーザ光Ｌ１の出力の閾値を低めに設定し、レーザ９の加速度が大きい場合には、この閾値を高めに設定することが好ましい。
【００３５】
なお、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮへの切り換えるときのレーザ９の相対移動制御は、第２のダイシングライン３Ｂの頂点Ｐ５において行われることに限らず、レーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断する各頂点Ｐ２〜Ｐ６，Ｐ８〜Ｐ１０や、各ダイシングライン３Ａ，３Ｂに沿うウエハ１の切削を開始する頂点Ｐ１，Ｐ７においても同様に行うことができる。また、この際のレーザ９の相対移動制御は、頂点Ｐ１〜Ｐ１０において行われることに限らず、レーザ光Ｌ１の照射を開始若しくは再開する場合であれば各ダイシングライン３Ａ，３Ｂの延在方向の任意の位置で行うことができる。
【００３６】
また、この実施形態においては、上述のように各ダイシングライン３Ａ，３Ｂに沿うウエハ１の切削を開始又は再開する際、すなわち、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に、レーザ９に一時的に大きな電圧を印加する制御を行う。具体的には、図６に示すように、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に、レーザ光Ｌ１の出力を通常切削出力に維持するための設定電圧よりも大きな電圧（図示例では、設定電圧の１２０％）をレーザ９に印加し、その後、レーザ光Ｌ１の出力が通常切削出力に到達した際に、レーザ９に印加する電圧を設定電圧まで減少させる制御を行う。
なお、図６のグラフには、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際に設定電圧をレーザ９に印加した場合のレーザ光Ｌ１の出力の時間履歴（破線）も記載されている。この場合には、上述した制御を行う場合と比較して、レーザ光Ｌ１の出力の立ち上がりの度合が緩くなるため、レーザ光Ｌ１の出力が１００％となるまでの時間が長くなる。
【００３７】
ところで、上述のようにレーザ光Ｌ１を照射するダイシングライン３の領域の一部には、所定のＴＥＧパターンやポリイミドパターン等が形成されている場合があり、図７に示すように、これらパターンには酸化膜や絶縁膜、光反射膜等のように、レーザ光Ｌ１の吸収率がダイシングライン３の他の領域よりも低い吸収低下領域１７が含まれている。
そして、この実施形態のダイシング方法においては、レーザ光Ｌ１の照射位置が上述した吸収低下領域１７を通る際に、レーザ光Ｌ１の出力をレーザ光Ｌ１の照射位置がダイシングライン３の他の領域を通る際の出力（通常切削出力）よりも増加させて、吸収低下領域１７及び他の領域におけるレーザ光Ｌ１のエネルギーの吸収量を略等しくする制御を行っている。
【００３８】
上述したウエハ１のダイシング方法によれば、ダイシングライン３の延在方向に沿うウエハ１とレーザ９との相対移動速度Ｖ０を一定とすることで、上記延在方向が主面に沿って変化するように形成されていたとしても、上記延在方向にわたって安定してウエハ１を切断することができる。したがって、ウエハ１を個々の半導体チップ５，５，・・・に分離するための切削が不十分となったり、ウエハ１の切削面からなる各半導体チップ５の側面に不具合が生じることを防止できる。
また、図５に示したように、レーザ光Ｌ１の照射をＯＮからＯＦＦに切り換えてからレーザ光Ｌ１のエネルギーがウエハ１に吸収されない程度の出力に到達するまでには、所定の時間を要するが、上述したように、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦとすると共にレーザ９の相対移動を停止しておくことで、レーザ光Ｌ１によるウエハ１の切削を中断若しくは終了する位置からレーザ９の相対移動方向の前方側の位置に、レーザ光Ｌ１の照射による不意のダメージがウエハ１に発生することを容易に防止できる。
【００３９】
さらに、図５に示したように、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換えてからレーザ光Ｌ１の出力がウエハ１の切削に要する出力となるまでには所定の立ち上がり時間を要するが、上述したように、レーザ光Ｌ１の出力がウエハ１の切削に要する出力となるまでの間にレーザ９を相対移動させないことで、ウエハ１の切削を開始した位置において切削が不十分となることを容易に防止できる。
また、レーザ光Ｌ１の照射をＯＦＦからＯＮに切り換える際には、設定電圧以上の電圧をレーザ９に印加しているため、上記立ち上がり時間を短縮することができる。すなわち、レーザ光Ｌ１によるウエハ１の切削を開始するまでの時間を短縮することができ、ウエハ１の切削効率を向上させることができる。
【００４０】
さらに、第２のダイシングライン３Ｂに沿ってウエハ１を切削する際には、２つのダイシングライン３Ａ，３Ｂの重複部分となる直線状ダイシングライン１５Ａにおいてレーザ光Ｌ１を照射しないため、この直線状ダイシングライン１５Ａにおけるレーザ光Ｌ１の過度の照射を防いで、ウエハ１の切削面からなる半導体チップ５の側面に不具合が生じることを防止できる。
また、ダイシングライン３に形成される吸収低下領域１７及び他の領域において同一の出力でレーザ光Ｌ１を照射した場合には、吸収低下領域１７におけるウエハ１の切削が不十分となるが、上述したように、これら２つの領域の間でエネルギーの吸収量が一定となるようにレーザ光Ｌ１の出力を制御することで、吸収低下領域１７におけるウエハ１の切削不十分を防止することができる。
【００４１】
さらに、半導体チップ５Ａ（５Ｂ）を囲むダイシングライン３Ａ（３Ｂ）の頂点Ｐ２〜Ｐ６（Ｐ８〜Ｐ１０）においてはレーザ９の相対移動方向が変更されるため、レーザ９の相対移動速度が低下する場合があるが、上述したように、このレーザ９の相対移動速度の低下に合わせて一時的にレーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断することで、頂点Ｐ２〜Ｐ６（Ｐ８〜Ｐ１０）におけるレーザ光Ｌ１の過度の照射を防止して、ウエハ１に不意のダメージが発生することを防ぐことができる。
【００４２】
なお、上記実施形態において、レーザ光Ｌ１の照射位置が各ダイシングライン３Ａ（３Ｂ）の各頂点Ｐ２〜Ｐ６（Ｐ８〜Ｐ１０）を通る際には、各頂点Ｐ２〜Ｐ６（Ｐ８〜Ｐ１０）においてレーザ光Ｌ１の照射を一時的に中断するとしたが、これに限ることはなく、少なくともレーザ光Ｌ１の出力を低下させれば良い。ただし、この場合には、各頂点Ｐ２〜Ｐ６（Ｐ８〜Ｐ１０）におけるレーザ光Ｌ１の過度の照射を防止できる程度の出力以下まで低下させることが好ましい。
【００４３】
また、上記実施形態のダイシング方法で用いるレーザ９は、レーザ光Ｌ１の焦点がウエハ１の主面１ａや内部に一致するように設定されたものとしたが、これに限ることはなく、少なくともダイシングライン３に向けてウエハ１を切削するレーザ光Ｌ１を照射するように構成されていればよい。すなわち、レーザは、例えば、ダイシングライン３に向けて吹きつける線状のウォータジェットの内部にレーザ光を入射して、ウォータジェットによりレーザ光をダイシングライン３まで誘導するように構成されるとしてもよい。
【００４４】
また、上記実施形態のダイシング方法では、個々の半導体チップ５Ａ，５Ｂを囲む各ダイシングライン３Ａ，３Ｂに沿ってウエハ１を切削する場合について述べたが、これに限ることはなく、例えば、所定の方向に延びる折れ線状のダイシングライン３に沿ってウエハ１を切削し、これを繰り返し行うことで、個々の半導体チップ５Ａ，５Ｂを囲むダイシングライン３Ａ，３Ｂに切削加工が施されるとしてもよい。この場合でも、ダイシングライン３に沿ってレーザ９を相対移動させる際にその相対移動方向が途中で変更されたり、ダイシングライン３に重複部分が現れることがあるため、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００４５】
また、例えば、同一方向に延びる破線状のダイシングライン３に沿ってウエハ１を切削し、その後に、他の方向に延びる破線状のダイシングライン３に沿ってウエハ１を切削することで、個々の半導体チップ５Ａ，５Ｂを囲むダイシングライン３Ａ，３Ｂに切削加工が施されるとしてもよい。この場合でも、上記実施形態と同様に、レーザ光Ｌ１の照射のＯＮ／ＯＦＦ制御やレーザ９の相対移動制御を実施することで、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００４６】
さらに、上記実施形態のダイシング方法のうち、ダイシングライン３の延在方向に沿うレーザ９の相対移動速度を一定とする制御については、例えばピアノ線等のワイヤーカッター（ダイサー）を用いてウエハ１を切断する場合にも適用することができる。
また、上記実施形態のダイシング方法では、平面視で六角形状の半導体チップ５の製造について述べたが、平面視で多角形状や円形状等の様々な形状の半導体チップの製造に適用することができる。すなわち、例えばダイシングラインが湾曲形状に形成されていても、上記実施形態と同様の効果を奏する。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態に係るウエハのダイシング方法に使用するレーザ加工装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るウエハのダイシング方法において切削するダイシングラインの概略を示す拡大平面図である。
【図３】図２において、ダイシングラインにおけるレーザ光の照射位置と、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のレーザの相対移動速度との関係を示すグラフである。
【図４】図２において、第１のダイシングラインにおけるレーザ出力の時間履歴を示すグラフである。
【図５】図２において、第２のダイシングラインの重複部分におけるレーザ出力及びレーザの相対移動速度の時間履歴を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施形態に係るウエハのダイシング方法において、ウエハの切削を開始又は再開する場合のレーザへの印加電圧及びレーザ出力の時間履歴を示すグラフである。
【図７】本発明の一実施形態に係るウエハのダイシング方法において、ダイシングラインに吸収低下領域がある場合の、レーザ光の照射位置とレーザ出力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４９】
１・・・ウエハ、３・・・ダイシングライン、３Ａ・・・第１のダイシングライン（第１の切断線）、３Ｂ・・・第２のダイシングライン（第２の切断線）、５・・・半導体チップ、９・・・レーザ（ダイサー）、１５・・・直線状ダイシングライン（直線状切断線）、１５Ａ・・・直線状ダイシングライン（重複部分）、１７・・・吸収低下領域、Ｌ１・・・レーザ光、Ｐ１〜Ｐ１０・・・頂点（角部）
【図１】
2008118031.tif 000004
【図２】
2008118031.tif 000005
【図３】
2008118031.tif 000006
【図４】
2008118031.tif 000007
【図５】
2008118031.tif 000008
【図６】
2008118031.tif 000009
【図７】
2008118031.tif 000010