【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触検出機器における方法において、前記機器が、接触面（４）および対向面（５）を画定する光透過パネル（１）と、前記パネル（１）内で光シートを供給するための光源機構（２；８）において、前記シートが、前記接触面（４）と前記対向面（５）との間の内部反射によって伝播する光を含む光源機構（２；８）と、透過光エネルギを測定するための光センサ機構（３；９）において、前記光源機構（２；８）および前記光センサ機構（３；９）が、前記接触面（４）上の検出線格子Ｄｊを画定するように配置され、各検出線Ｄｊが、前記光源機構（２；８）から前記光センサ機構（３；９）まで前記接触面（４）にわたる光路を表し、前記接触検出機器が、前記接触面（４）に接触する１つまたは複数の対象（６）が前記検出線格子Ｄｊにおける局所的減衰を引き起こすように、構成される光センサ機構（３；９）と、を含み、前記方法が、
検出線セットＤｊ上の前記光センサ機構（３；９）によって受信された光を示す信号値ｄｍを含む出力ベクトルｄを取得するステップと、
少なくとも１つの二次元基底関数ｆｖによって、前記接触面（４）上の二次元減衰フィールドを表すステップにおいて、前記または各基底関数ｆｖが、その二次元範囲内で減衰強度を定義するステップと、
前記または各基底関数ｆｖに対する前記検出線セットＤｊのマッピングに基づいて、推定減衰フィールドを計算するステップにおいて、前記推定減衰フィールドが前記出力ベクトルｄを生じるように前記または各基底関数ｆｖの前記減衰強度および位置の少なくとも１つを最適化することによって計算するステップと、
前記１つまたは複数の対象（６）に関連する接触データの抽出のために、前記推定減衰フィールドを処理するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記減衰フィールドが、複数の基底関数ｆｖによって表され、これらの基底関数ｆｖが、前記接触面（４）上の再構成格子に配置されること、及び、各基底関数ｆｖが、所与の位置を前記再構成格子に有し、かつ減衰パラメータａｖによって定義されることを特徴とする方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法において、前記減衰パラメータａｖが、前記範囲の中心点における前記減衰強度であり、各基底関数が、前記再構成格子においてそれぞれの頂点に集中されること、及び、各基底関数ｆｖが、前記再構成格子において１つを除いて全ての頂点でゼロ減衰を有することを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項２乃至３のいずれか一項に記載の方法において、前記再構成格子が、三角形であることを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれか一項に記載の方法において、前記基底関数ｆｖが、同一の六角形の範囲を有することを特徴とする方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか一項に記載の方法において、各光シート用の前記信号値ｄｍが、前記光透過パネル（１）上の出力結合部位（１１）内で、光の空間分布を示す投影信号Ｓｉを形成し、前記方法が、各光シート用に、各基底関数ｆｖ用のシートカーネルｋｖを識別するステップにおいて、前記シートカーネルｋｖが、前記基底関数ｆｖが前記光シートを減衰させる場合に、前記結果としての投影信号Ｓｉを表すように生成されるステップをさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、前記マッピングが、前記検出線Ｄｊと前記複数の基底関数ｆｖとの間の全ての交差を識別することと、前記検出線Ｄｊと交差する各基底関数ｆｖ用に、前記交差を前記シートカーネルｋｖにマッピングすることにより減衰割合値ｒｖ、ｊを導き出すことと、によって各検出線Ｄｊ用に生成されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項２乃至７のいずれか一項に記載の方法において、前記推定減衰フィールドを計算する前記ステップが、
ｐ（ａ｜ｄ）＝κ・ｐ（ａ）・ｐ（ｄ｜ａ）
によるベイズ反転に基づいており、この式でａが、各基底関数ｆｖ用の１つの減衰値ａｖを含む減衰ベクトルであり、κが定数であり、ｐ（ａ）が、前記出力ベクトルｄと無関係に前記減衰フィールドにおける減衰値ａｖの確率分布を表す事前分布であり、ｐ（ｄ｜ａ）が、前記減衰ベクトルａを所与として前記信号値ｄｍの確率分布を表す尤度分布であり、ｐ（ａ｜ｄ）が、前記出力ベクトルｄを所与として減衰値ａｖの確率分布を表すことを特徴とする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、前記方法が、出力ベクトルｄの時間系列用に前記減衰フィールドを連続して推定するように動作し、前記推定減衰フィールドを計算する前記ステップが、前記確率分布ｐ（ａ｜ｄ）を最大化する前記減衰ベクトルａを見つけるステップを含むこと、及び、前の出力ベクトルｄ用に見つけられた前記減衰ベクトルａが、現在の出力ベクトルｄ用の前記減衰ベクトルａを見つけるステップ用の出発点として用いられることを特徴とする方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法において、対応する接触検出機器系列用に包括的マッピングを取得するステップと、前記系列における個別接触検出機器用に較正パラメータを測定するステップと、前記較正パラメータに基づいて前記包括的モデル関数を適合させることによって、アイテムに特有のマッピングを取得するステップと、をさらに含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法において、前記マッピングが、線積分の集合として各検出線Ｄｊ用に生成され、各線積分が、前記検出線Ｄｊとそれぞれの基底関数ｆｖとの間の交差に沿って評価されることを特徴とする方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法において、前記マッピングが、前記検出線Ｄｊの幅および強度プロファイルの少なくとも１つを説明するように生成されることを特徴とする方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の方法において、前記取得ステップが、前記検出線セットＤｊ上の受信光エネルギを表す測定値を取得するステップと、それぞれの背景値によって前記測定値を正規化するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
データ処理システム上で実行される場合に、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の方法を実行するように適合されたコンピュータコードを含むことを特徴とするコンピュータプログラムプロダクト。
【請求項１５】
接触面上の１つまたは複数の対象に関連する接触データを抽出するための、接触検出機器に含まれる装置において、前記接触検出機器が、前記接触面（４）および対向面（５）を画定する光透過パネル（１）と、前記パネル（１）内で光シートを供給するための光源機構（２；８）において、前記シートが、前記接触面（４）と前記対向面（５）との間の内部反射によって伝播する光を含む光源機構（２；８）と、透過光エネルギを測定するための光センサ機構（３；９）において、前記光源機構（２；８）および前記光センサ機構（３；９）が、前記接触面上の検出線格子Ｄｊを画定するように配置され、各検出線Ｄｊが、前記光源機構（２；８）から前記光センサ機構（３；９）まで前記接触面（４）にわたる光路を表し、前記接触検出機器が、前記接触面（４）に接触する前記１つまたは複数の対象が前記検出線格子Ｄｊにおいて局所的減衰を引き起こすように、構成された光センサ機構（３；９）と、を含み、前記装置が、
検出線セットＤｊ上で前記光センサ機構（３；９）によって受信された光を示す信号値ｄｍを含む出力ベクトルｄを取得するための要素（１５０）と、
少なくとも１つの二次元基底関数ｆｖによって、前記接触面（４）おける二次元減衰フィールドを表すための要素（１５２）において、前記または各基底関数ｆｖが、その二次元範囲内で減衰強度を定義する要素（１５２）と、
前記または各基底関数ｆｖに対する前記検出線セットＤｊのマッピングに基づいて、推定減衰フィールドを計算するための要素（１５４）であって、前記推定減衰フィールドが出力ベクトルｄを生じるように、前記または各基底関数ｆｖの減衰強度および位置の少なくとも１つを最適化することによって計算するための要素（１５４）と、
前記接触データの抽出用に前記推定減衰フィールドを処理するための要素（１５６）と、を含むことを特徴とする装置。