Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乗り手の足の挿入または取外しのためのビンディング装置を準備する方法であって、ビンディング装置は、フックおよびループのうち一方を有するベースと、ストラップピースと、フックおよびループのうち他方を有する係合ストラップとを含み、方法は、
ストラップピースおよび係合ストラップの少なくとも１つを掴むステップと、
乗り手の足の挿入または取外しに十分な分だけビンディング装置ベースから端部を解除するために、係合ストラップの端部をビンディング装置ベースのフックおよびループのうち一方から外すステップとを含む、方法。
【請求項２】
係合ストラップは鋸歯状ストラップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
係合ストラップの端部をビンディング装置ベースから外す行為は、係合ストラップの端部をビンディング装置のヒールフープから外すステップを含む、請求項１および２のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
係合ストラップの端部をビンディング装置ベースから外す行為は、係合ストラップの端部をビンディング装置の側壁から外すステップを含む、請求項１および２のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
フックは係合ストラップの端部に配置され、フックはビンディング装置ベースのループから外される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
フックはベースに配置され、フックは係合ストラップの端部のループから外される、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
フックはベースのヒールフープに配置される、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
フックはベースの側壁に配置される、請求項１、２および４のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
ストラップピースおよび係合ストラップの少なくとも１つを掴む行為は、ストラップピ
ースおよびアンクルストラップの係合ストラップの少なくとも１つを掴むステップを含む、請求項１から８のいずれかの１つに方法。
【請求項１０】
ストラップピースおよび係合ストラップの少なくとも１つを掴む行為は、ストラップピースおよびトウストラップの係合ストラップの少なくとも１つを掴むステップを含む、請求項１から９のいずれかの１つに方法
【請求項１１】
スノーボードブーツをビンディング装置に挿入するステップと、
ストラップピースをブーツの上面に配置するステップと、
係合ストラップの端部をビンディング装置ベースに引っ掛けるステップと、
ブーツのまわりにストラップピースおよび係合ストラップを締めるステップとをさらに含む、請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
ブーツのまわりにストラップピースおよび係合ストラップを締める行為は、締付要素を引張るステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
締付要素は、専ら係合ストラップ上またはその中にのみ配置される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
フックおよびループのうち一方を有するベースを含むビンディング装置と、
ストラップピースと、
フックおよびループのうち他方を有する係合ストラップとを含み、フックは、ストラップピースを乗り手の足に固定するためにループを係合するよう構成される、装置。
【請求項１５】
フックは半円形のチャネルを形成する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
フックと係合するループの部分はほぼ円形の断面を有する、請求項１４および１５のいずれかに記載の装置。
【請求項１７】
係合ストラップはフックを含み、ベースはループを含む、請求項１４から１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１８】
係合ストラップはループを含み、ベースはフックを含む、請求項１４から１６のいずれかに記載の装置。
【請求項１９】
乗り手の足のまわりにストラップピースおよび係合ストラップを締めるための締付要素をさらに含む、請求項１４から１８のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内に水平方向に配列された複数の膜エレメントと、該筐体における膜エレメントの下方に配置された散気装置と、前記筐体の下方に、前記散気装置から排出されるエアが前記筐体内に導かれるように構成されたフードとを有する分離膜モジュールであって、前記フードのうち前記膜エレメントの配列方向に面するフードが、前記膜エレメントの配列方向に面するフード以外のフードよりも下方まで設置され、かつ前記散気装置が、前記膜エレメントの配列方向に面するフードの最下端よりも下方に設置されていることを特徴とする、分離膜モジュール。
【請求項２】
前記膜エレメントの下端と前記散気装置との距離が、５００ｍｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載の分離膜モジュール。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載の分離膜モジュールが、処理槽内に浸漬設置されていることを特徴とする水処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の水処理装置を用いた水処理方法であって、前記処理槽内の被処理水を前記処理槽内に浸漬設置された分離膜モジュールを用いて固液分離するに際し、前記散気装置から排出したエアを前記筐体内に導くことを特徴とする水処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記の目的を達成するために、以下に述べる構成からなる。すなわち、
（１）筐体内に水平方向に配列された複数の膜エレメントと、該筐体における膜エレメントの下方に配置された散気装置と、前記筐体の下方に、前記散気装置から排出されるエアが前記筐体内に導かれるように構成されたフードとを有する分離膜モジュールであって、前記フードのうち前記膜エレメントの配列方向に面するフードが、前記膜エレメントの配列方向に面するフード以外のフードよりも下方まで設置され、かつ前記散気装置が、前記膜エレメントの配列方向に面するフードの最下端よりも下方に設置されていることを特徴とする、分離膜モジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（３）上記（１）または（２）のいずれかに記載の分離膜モジュールが、処理槽内に浸漬設置されていることを特徴とする水処理装置。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（４）上記（３）に記載の水処理装置を用いた水処理方法であって、処理槽内の被処理水を処理槽内に浸漬設置された分離膜モジュールを用いて固液分離するに際し、散気装置から排出したエアを筐体内に導くことを特徴とする水処理方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
フード５は、フード６よりも下方に設置されていれば、本発明の効果が得られる。このフード５の長さは特に限定されるものではないが、筐体２の最下端から３００ｍｍの間まで設置されていることが好ましい。筐体２の形状として直方体を選択した場合には、膜エレメント３の配列方向のフード５が２個となる。これらのフード５は、フード６よりも下方に設置されていれば、特にその高さが限定されるものではないが、Ａ−Ｂ方向でエア８を均一に分散させるために同じ高さに設定されるのが好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
膜エレメント３は、筐体２内で各膜エレメント間に形成される気液混合流を流すための流路が略均一になるように配列されるのが好ましい。また、気液混合流がスムーズに上昇するように、各膜エレメント３が水平方向に配列されるのがよい。この、水平方向とは、水平を基準に±２０°の範囲を表す。流路の幅は、散気装置４から排出されるエア８の量によって適宜設定することができるが、一例として、膜エレメント１枚当り７〜２５Ｌ／分のエアを散気装置４から排出する場合、４〜１０ｍｍの幅とするのが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明によると、散気装置４がフード５の最下端よりも下方に設置されていることで、モジュールの高さを低く設定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体層と、該窒化物半導体層に形成された共振器と、該共振器の端面に形成された密着層と該密着層上に形成された端面コート膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、前記密着層と前記窒化物半導体層は六方晶の結晶からなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記密着層がＺｎＯであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記密着層がＡｌの窒化物であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記端面コート膜が酸化物を含んでなることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記酸化物は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｒの何れかの酸化物の単層、又は何れかの酸化物の層を含む多層構造であることを特徴とする請求項４記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記端面コート膜が窒化物であることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記端面コート膜がＳｉの窒化物の単層、またはＳｉの窒化物と酸化物の多層構造であることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記密着層がＡｌの窒化物であり、前記端面コート膜がＡｌの酸化物であることを特徴とする１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記密着層がスパッタ法、もしくはプラズマＣＶＤ法で作製されたものであることを特徴とする請求項１から８の何れかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１０】
前記密着層を２００℃以下の温度で成膜することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
六方晶である窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層を劈開することにより共振器を形成する工程と、前記共振器端面に六方晶からなる密着層を形成する工程と、密着層の上に端面コート膜を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１２】
六方晶である窒化物半導体層を形成する工程と、前記窒化物半導体層をエッチングすることにより共振器を形成する工程と、前記共振器端面に六方晶からなる密着層を形成する工程と、前記密着層の上に端面コート膜を形成する工程を含むことを特徴とする窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１３】
前記密着層がＡｌの窒化物からなることを特徴とする請求項１１または１２に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１４】
前記共振器端面を形成した後、前記共振器端面を不活性ガスによってクリーニングする工程を有することを特徴とする請求項１１から１３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１５】
前記不活性ガスが希ガスであることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１６】
前記希ガスとしてＡｒガスを用いること特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１７】
前記不活性ガスとして窒素ガスを用いることを特徴とする請求項１４に記載の窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線ネットワークデバイスを含む無線ネットワークの無線ネットワークデバイスであって、
データパケットを送受信し、ビーコンを周期的に送信又は受信する無線周波数（ＲＦ）送受信器と、
該ＲＦ送受信器と通信し、前記ビーコンに基づいてグループ識別子及び局識別子を確定し、前記無線ネットワークデバイスの前記グループ識別子及び前記局識別子並びに第２の無線ネットワークデバイスから受信されたデータパケットに対応付けられたグループ識別子及び局識別子に基づいて、デフォルトフレーム間間隔（ＩＦＳ）時間と第２のＩＦＳ時間とのうちの一方を選択する制御モジュールと、
を具備する、無線ネットワークデバイス。
【請求項２】
前記第２のＩＦＳ時間は、前記デフォルトＩＦＳ時間以下である、請求項１に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項３】
前記制御モジュールは、前記ビーコンに基づいてグループ識別子ｘ及び局識別子ｙを確定する、請求項１に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項４】
前記制御モジュールは、前記データパケットが、グループ識別子ｘ−１及び局識別子ｙを有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記第２のＩＦＳ時間を選択する、請求項３に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項５】
前記制御モジュールは、前記データパケットが、ｘ未満のグループ識別子及び局識別子ｙを有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記第２のＩＦＳ時間を選択する、請求項３に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項６】
前記制御モジュールは、前記データパケットが、グループ識別子ｘ及びｙ以外の局識別子を有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記デフォルトＩＦＳ時間を選択する、請求項３に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項７】
グループＩＦＳ時間は、前記グループ識別子に基づき、デルタＩＦＳ時間は、前記局識別子に基づき、前記デフォルトＩＦＳ時間は、前記グループＩＦＳ時間と前記デルタＩＦＳ時間との合計である、請求項１に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項８】
前記デバイスは、前記デフォルトＩＦＳ時間又は前記第２のＩＦＳ時間のうちの一方の後にデータパケットを送信する、請求項１に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項９】
前記無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させる電源管理モジュールをさらに具備し、前記電源管理モジュールは、スケジュールされたビーコン時間の前に、前記無線ネットワークデバイスを前記アクティブモードに移行し、かつ前記ＲＦ送受信器がデータパケットを送信した後に、前記無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させる、請求項８に記載の無線ネットワークデバイス。
【請求項１０】
複数の無線ネットワークデバイスを含む無線ネットワークの第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法であって、
データパケットを送受信すること、
ビーコンを周期的に送信又は受信すること、
前記ビーコンに基づいてグループ識別子及び局識別子を確定すること、及び
前記無線ネットワークデバイスの前記グループ識別子及び前記局識別子並びに第２の無線ネットワークデバイスから受信されたデータパケットに対応付けられたグループ識別子及び局識別子に基づいて、デフォルトフレーム間間隔（ＩＦＳ）時間と第２のＩＦＳ時間とのうちの一方を選択すること
を含む、無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１１】
前記第２のＩＦＳ時間は、前記デフォルトＩＦＳ時間以下である、請求項１０に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１２】
前記ビーコンに基づいてグループ識別子ｘ及び局識別子ｙを確定することをさらに含む、請求項１０に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１３】
前記選択するステップは、前記データパケットが、グループ識別子ｘ−１及び局識別子ｙを有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記第２のＩＦＳ時間を選択することを含む、請求項１２に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１４】
前記選択するステップは、前記データパケットが、ｘ未満のグループ識別子及び局識別子ｙを有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記第２のＩＦＳ時間を選択することを含む、請求項１２に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１５】
前記選択するステップは、前記データパケットが、グループ識別子ｘ及びｙ以外の局識別子を有する第２の無線ネットワークデバイスから受信される場合、前記デフォルトＩＦＳ時間を選択することを含む、請求項１２に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１６】
グループＩＦＳ時間は、前記グループ識別子に基づき、デルタＩＦＳ時間は、前記局識別子に基づき、前記デフォルトＩＦＳ時間は、前記グループＩＦＳ時間と前記デルタＩＦＳ時間との合計である、請求項１０に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１７】
前記デフォルトＩＦＳ時間又は前記第２のＩＦＳ時間のうちの一方の後にデータパケットを送信することをさらに含む、請求項１０に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１８】
前記第１の無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させ、該移行させるステップは、スケジュールされたビーコン時間の前に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記アクティブモードに移行させることを含み、かつデータパケットを送信した後に、前記無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させることを含むことをさらに含む、請求項１７に記載の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線ネットワークデバイスを含む無線ネットワークの第１の無線ネットワークデバイスであって、
データパケットを送受信し、ビーコンを周期的に送信又は受信する無線周波数（ＲＦ）送受信器と、
該ＲＦ送受信器と通信し、前記ビーコンに基づいて、前記複数の無線ネットワークデバイスのうちの前記第１の無線ネットワークデバイスの送信位置ｍ及びデフォルトフレーム間間隔（ＩＦＳ）時間を確定し、前記ＲＦ送受信器が送信位置ｍ−１を有する第２の無線ネットワークデバイスからデータパケットを受信する場合、第２のＩＦＳ時間を選択し、前記ＲＦ送受信器が前記第２の無線ネットワークデバイスからデータパケットを受信しない場合、前記デフォルトＩＦＳ時間を選択する制御モジュールと、
を具備する、第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項２】
前記第２のＩＦＳ時間は、前記デフォルトＩＦＳ時間以下である、請求項１に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項３】
前記ＲＦ送受信器は、前記デフォルトＩＦＳ時間又は前記第２のＩＦＳ時間のうちの一方の後にデータパケットを送信する、請求項１に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項４】
前記第１の無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させる電源管理モジュールをさらに具備する、請求項３に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項５】
前記電源管理モジュールは、スケジュールされたビーコン時間の前に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記アクティブモードに移行させる、請求項４に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項６】
前記電源管理モジュールは、前記ＲＦ送受信器がデータパケットを送信した後に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させる、請求項５に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項７】
請求項４に記載の前記第１の無線ネットワークデバイスを具備し、Ｎ個の無線ネットワークデバイスをさらに具備する無線ネットワークであって、前記電源管理モジュールは、前記Ｎ個の無線ネットワークデバイスのすべてがデータパケットを送信した後に前記第１の無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させる無線ネットワーク。
【請求項８】
請求項１に記載の前記第１の無線ネットワークデバイスを具備し、前記ＲＦ送受信器に前記ビーコンを周期的に送信するコーディネータデバイスをさらに具備する、無線ネットワーク。
【請求項９】
ｍ＝２であり、前記第２のＩＦＳ時間は、前記第２の無線ネットワークデバイスのデフォルトＩＦＳ時間に等しい、請求項１に記載の第１の無線ネットワークデバイス。
【請求項１０】
複数の無線ネットワークデバイスを含む無線ネットワークの第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法であって、
データパケットを送受信すること、
ビーコンを周期的に送信又は受信すること、
前記ビーコンに基づいて、前記複数の無線ネットワークデバイスのうちの前記第１の無線ネットワークデバイスの送信位置ｍ及びデフォルトフレーム間間隔（ＩＦＳ）時間を確定すること、
前記第１の無線ネットワークデバイスが送信位置ｍ−１を有する第２の無線ネットワークデバイスからデータパケットを受信する場合、第２のＩＦＳ時間を選択すること、及び
前記第１の無線ネットワークデバイスが前記第２の無線ネットワークデバイスからデータパケットを受信しない場合、前記デフォルトＩＦＳ時間を選択すること
を含む、第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１１】
前記第２のＩＦＳ時間は、前記デフォルトＩＦＳ時間以下である、請求項１０に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１２】
前記デフォルトＩＦＳ時間又は前記第２のＩＦＳ時間のうちの一方の後にデータパケットを送信することをさらに含む、請求項１０に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１３】
前記第１の無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させることをさらに含む、請求項１２に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１４】
前記第１の無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させることは、スケジュールされたビーコン時間の前に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記アクティブモードに移行させることを含む、請求項１３に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１５】
前記第１の無線ネットワークデバイスをアクティブモードと非アクティブモードとの間で移行させることは、前記第１の無線ネットワークデバイスがデータパケットを送信した後に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させることを含む、請求項１４に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１６】
前記無線ネットワークは、Ｎ個の無線ネットワークデバイスを含み、該Ｎ個の無線ネットワークデバイスのすべてがデータパケットを送信した後に、前記第１の無線ネットワークデバイスを前記非アクティブモードに移行させることをさらに含む請求項１３に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【請求項１７】
ｍ＝２であり、前記第２のＩＦＳ時間は、前記第２の無線ネットワークデバイスのデフォルトＩＦＳ時間に等しい、請求項１０に記載の第１の無線ネットワークデバイスでデータを送受信する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月10日(2008.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＡＷ画像データを処理するためのシステムであって、
イメージングセンサによって生成されたＲＡＷ画像データを受け取る入力インタフェースと、
イメージングセンサのセットに対応するＲＡＷ画像プラグインのセットと通信して、前記ＲＡＷ画像データにアクセスする抽象化レイヤと
を備えたことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記イメージングセンサは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末、携帯電話およびスキャナの少なくとも１つに含まれることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記ＲＡＷ画像データは、前記イメージングセンサから読み出されたピクセル表現のセットを備えたことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記抽象化レイヤは、アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤを備えたことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤは、オペレーティングシステムまたはアプリケーションに組み込まれていることを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤは、アプリケーションのセットおよびオペレーティングシステムリソースのセットの少なくとも１つにＲＡＷ画像ファンクションのセットを公開することを特徴とする請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記アプリケーションのセットおよびオペレーティングシステムリソースのセットの少なくとも１つは、少なくともアプリケーションのセットを備え、前記アプリケーションのセットは、汎用画像編集プログラム、画像取得プログラム、フォトアルバムプログラム、印刷プログラム、画像共有プログラム、スライドショープログラム、画像アーカイブプログラムおよび画像閲覧プログラムの少なくとも１つを備えたことを特徴とする請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＲＡＷ画像プラグインのセットは、ＲＡＷ画像ファイル仕様、ＲＡＷ画像メタデータ仕様、ＲＡＷ画像ファイルハードウェアインタフェース仕様およびＲＡＷ画像サムネイル表現仕様の少なくとも１つを備えたことを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＲＡＷ画像プラグインのセットは、対応するイメージングセンサを含むデバイスの製造業者によって独立に生成され得ることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記ＲＡＷ画像データは、非ＲＡＷ符号化フォーマットに変換されることを特徴とする請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記非ＲＡＷ符号化フォーマットは、ＪＰＧフォーマット、ＢＭＰフォーマット、ＴＩＦＦフォーマット、ＧＩＦフォーマットおよびＰＮＧフォーマットの少なくとも１つを備えたことを特徴とする請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
ＲＡＷ画像データを処理するための方法であって、
イメージングセンサによって生成されたＲＡＷ画像データを受け取ることと、
抽象化レイヤを通じて、イメージングセンサのセットに対応するＲＡＷ画像プラグインのセットと通信して、前記イメージングセンサに関連付けられたプラグインを識別することと、
前記識別したプラグインを用いて前記ＲＡＷ画像データにアクセスすることと
を備えることを特徴とするＲＡＷ画像データを処理する方法。
【請求項１３】
前記イメージングセンサは、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、携帯情報端末、携帯電話およびスキャナの少なくとも１つに含まれることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＲＡＷ画像データは、前記イメージングセンサから読み出されたピクセル表現のセットを備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記抽象化レイヤは、アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤを備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤは、オペレーティングシステムまたはアプリケーションに組み込まれることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アプリケーションプログラミングインタフェースレイヤは、アプリケーションのセットおよびオペレーティングシステムリソースのセットの少なくとも１つにＲＡＷ画像ファンクションのセットを公開することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記アプリケーションのセットおよびオペレーティングシステムリソースのセットの少なくとも１つは、少なくともアプリケーションのセットを備え、前記アプリケーションのセットは、汎用画像編集プログラム、画像取得プログラム、フォトアルバムプログラム、印刷プログラム、画像共有プログラム、スライドショープログラム、画像アーカイブプログラムおよび画像閲覧プログラムの少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＲＡＷ画像プラグインのセットは、ＲＡＷ画像ファイル仕様、ＲＡＷ画像メタデータ仕様、ＲＡＷ画像ファイルハードウェアインタフェース仕様およびＲＡＷ画像サムネイル表示仕様の少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２０】
前記ＲＡＷ画像プラグインのセットは、対応するイメージングセンサを含むデバイスの製造業者によって独立に生成され得ることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２１】
前記ＲＡＷ画像データを非ＲＡＷ符号化フォーマットに変換することをさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項２２】
前記非ＲＡＷ符号化フォーマットは、ＪＰＧフォーマット、ＢＭＰフォーマット、ＴＩＦＦフォーマット、ＧＩＦフォーマットおよびＰＮＧフォーマットの少なくとも１つを備えることを特徴とする請求項２１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にゲートパターンを形成するステップと、
前記ゲートパターンを有する半導体基板をコンフォーマルに覆うシリコン窒化膜を形成するステップと、
前記シリコン窒化膜を有する半導体基板をアンモニア（ＮＨ３）気体雰囲気で熱処理して前記シリコン窒化膜内の不純物を除去するステップと、
前記シリコン窒化膜を異方性エッチングして前記ゲートパターンの側壁上に窒化膜スペーサを形成するステップと、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記シリコン窒化膜を形成することは、Ｃ８Ｈ２２Ｎ２Ｓｉを前駆体として用いることを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理は、約６００℃〜約７００℃の温度で実行することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理は、急速熱処理装置を用いて約１０秒〜約６０秒の間実行することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記熱処理の間、前記アンモニア気体は約２０ｓｃｃｍ〜約１００ｓｃｃｍの流量で前記半導体基板の上部に流すことを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記シリコン窒化膜を形成することと、前記半導体基板を熱処理することとはインサイチュ方式で実行することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記窒化膜スペーサを形成する前に、前記シリコン窒化膜を形成することと、前記半導体基板を熱処理することを少なくとも１回順次に繰り返して実行することを特徴とする請求項１記載の半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記シリコン窒化膜を形成する前に、前記ゲートパターンを有する半導体基板をコンフォーマルに覆うシリコン酸化膜を形成することをさらに含み、前記シリコン窒化膜は前記シリコン酸化膜上にコンフォーマルに形成することを特徴とする請求項１記載の半導体素
子の製造方法。
【請求項９】
前記シリコン酸化膜を形成する前に、前記ゲートパターンをイオン注入マスクとして用いて前記半導体基板内に不純物イオンを注入して低濃度不純物領域を形成し、
前記窒化膜スペーサを形成した後、前記ゲートパターン及び前記窒化膜スペーサをイオン注入マスクとして用いて前記半導体基板内に不純物イオンを注入してソース／ドレイン領域を形成することをさらに含むことを特徴とする請求項８記載の半導体素子の製造方
法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月15日(2009.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の幅と第１の長さを有し、温度の上昇によって抵抗が減少する第１抵抗素子と、
前記第１抵抗素子と直列に連結され第２の幅と第２の長さを有し、温度の上昇によって抵抗が増加する第２抵抗素子と、を備え、
前記第２の幅に対する前記第２の長さの第２比はＴｐ，Ｒｐ，Ｔａ，Ｒａ及び前記第１の幅に対する第１の長さの第１比を用いて決定されることを特徴とする均一な抵抗値を有する抵抗素子：
ここで、前記Ｔｐ、Ｔａは、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子それぞれの抵抗温度係数であり、前記Ｒｐ、Ｒａは、各々第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子のシート抵抗である。
【請求項２】
前記第１の幅と前記第１の長さは、同じであることを特徴とする請求項１に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子。
【請求項３】
前記第２比は−（Ｔｐ×Ｒｐ）／（Ｔａ×Ｒａ）であることを特徴とする請求項２に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子。
【請求項４】
前記第１抵抗素子は、半導体基板上に形成されたパッド状のポリシリコンよりなることを特徴とする請求項１に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子。
【請求項５】
前記第２抵抗素子は、半導体基板内に形成された不純物領域であることを特徴とする請求項１に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子。
【請求項６】
前記第２抵抗の前記第２比が前記第１抵抗素子の前記第１比と−（Ｔｐ×Ｒｐ）／（Ｔａ×Ｒａ）をかけた値の場合、前記第１抵抗素子と前記第２抵抗素子を含む前記抵抗素子は温度の変化に無関係の均一な抵抗値を有し、前記均一な抵抗値は前記第１及び第２抵抗素子の抵抗値の和であることを特徴とする請求項１に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子。
【請求項７】
同じ大きさの第１幅及び第１長さを有しつつ、半導体基板上に形成され、温度の上昇によって抵抗が減少する第１抵抗素子と、
前記第１抵抗素子と所定の間隔だけ離隔されて前記第１抵抗素子と直列に連結され、第２の幅及び第２の長さを有しつつ、温度の上昇によって抵抗が増加する前記半導体基板内に形成された第２抵抗素子であって、前記第２の幅と前記第２の長さはＴｐ，Ｒｐ，Ｔａ及びＲａを用いて決定される第２抵抗素子と、
前記第１抵抗素子の一側と前記第２抵抗素子の一側とを直列に連結する金属配線層と、を備える均一な抵抗値を有する抵抗素子を用いた半導体素子：
ここで、前記Ｔｐ、Ｔａは、前記第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子それぞれの抵抗温度係数であり、前記Ｒｐ、Ｒａは、各々第１抵抗素子及び前記第２抵抗素子のシート抵抗である。
【請求項８】
前記第１の幅と前記第２の幅は、同じであり、前記第２の長さは前記第１の長さの−（Ｔｐ×Ｒｐ）／（Ｔａ×Ｒａ）倍であることを特徴とする請求項７に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子を用いた半導体素子。
【請求項９】
前記第２長さは、前記第２の幅より１．２ないし１．５倍長いことを特徴とする請求項７に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子を用いた半導体素子。
【請求項１０】
前記第１抵抗素子は、ポリシリコンであり、前記第２抵抗素子は不純物領域であり、前記第２の長さは前記第２の幅より約１．３２倍長いことを特徴とする請求項７に記載の均一な抵抗値を有する抵抗素子を用いた半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月13日(2009.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験信号を素子から電子増倍管に入力させる段階と電子増倍管の出力から電子増倍管の利得を判断する段階とを含む、少なくとも１つの光検知器を含む素子から受信した信号を使用上増倍するように構成された電子増倍管の利得を判断する方法であって、
前記試験信号は、前記少なくとも１つの光検知器上への電磁信号の入射の不存在下で、該少なくとも１つの光検知器によって発生した電荷を含むか又はそれから導出されたものであり、
クロック誘導電荷及び／又は暗電流を前記素子内で促進させるように、前記素子内で電荷移動を達成するための、少なくとも１つの制御信号を構成する段階を更に含む、
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの制御信号の振幅は、電荷移動中にクロック誘導電荷を促進させるように設定されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの制御信号は、周期的信号であり、
前記周期を電荷移動中にクロック誘導電荷を促進させるように設定する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記素子内の電荷移動を達成するために少なくとも１つの制御信号を外す段階を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記素子内で電荷移動が達成されるように、少なくとも１つのクロック信号を非逆転モードで動作させる段階を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記電子増倍管の利得が有効にされた時及び該電子増倍管の利得が無効にされた時に前記試験信号を該電子増倍管に入力させる段階と、該電子増倍管の利得が有効にされた時の該試験信号に応答した該電子増倍管の出力を該電子増倍管の利得が無効にされた時の該試験信号に応答した該電子増倍管の出力と比較することによって利得を判断する段階とを更に含むことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記判断又は測定された利得に応答して前記電子増倍管の利得を調節する段階を更に含むことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記素子は、少なくとも１つの電荷結合素子（ＣＣＤ）を含むことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも１つの光検知器を含む素子から電子増倍管に試験信号を入力させるための手段と電子増倍管の出力から電子増倍管の利得を判断するための手段とを含む、電子増倍管の利得を検知するための装置であって、
前記試験信号は、前記少なくとも１つの光検知器上への電磁信号の入射の不存在下で、該少なくとも１つの光検知器によって発生した電荷を含むか又はそれから導出されたものであり、
クロック誘導電荷及び／又は暗電流を前記素子内で促進させるように、前記素子内で電荷移動を達成するための、少なくとも１つの制御信号を構成する手段を更に含む、
ことを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記構成する手段は、前記少なくとも１つの制御信号の振幅を、電荷移動中にクロック誘導電荷を促進させるように設定するように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの制御信号は、周期的信号であり、
前記構成する手段は、前記周期を電荷移動中にクロック誘導電荷を促進させるように設定するように構成されている、
ことを特徴とする請求項９又は１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記構成する手段は、前記素子内の電荷移動を達成するために少なくとも１つの制御信号を外すように構成されていることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記電子増倍管の利得が有効にされた時及び該電子増倍管の利得が無効にされた時に前記試験信号を該電子増倍管に入力させる手段と、該電子増倍管の利得が有効にされた時の該試験信号に応答した該電子増倍管の出力を該電子増倍管の利得が無効にされた時の該試験信号に応答した該電子増倍管の出力と比較することによって利得を判断する手段とを更に含むことを特徴とする請求項９から請求項１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの光検知器及び電子増倍管を有する少なくとも１つの電荷結合素子（ＣＣＤ）を含む装置であって、前記電子増倍管は、前記少なくとも１つのＣＣＤから受信した信号を使用上増倍するように構成されており、請求項９に記載されている電子増倍管の利得を検知するための装置を更に含む、
ことを特徴とする装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】剥離方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属層を形成し、
前記金属層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
機械的な力を加えることにより、前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
基板上に金属層を形成し、
前記金属層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記金属層の膜応力と前記酸化物層の膜応力の差異を利用して、機械的な力を加えることにより、前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項３】
基板上に窒化物層を形成し、
前記窒化物層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
機械的な力を加えることにより、前記窒化物層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項４】
基板上に窒化物層を形成し、
前記窒化物層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
前記金属層の膜応力と前記酸化物層の膜応力の差異を利用して、機械的な力を加えることにより、前記窒化物層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする剥離方法。
【請求項５】
請求項１または２において、前記金属層は、タングステンであることを特徴とする剥離方法。
【請求項６】
請求項３または４において、前記窒化物層は、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、もしくは窒化モリブデンからなる単層または積層であることを特徴とする剥離方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記酸化物層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、または酸化金属材料であることを特徴とする剥離方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記被剥離層は、薄膜ダイオード、光電変換素子、シリコン抵抗素子、または薄膜トランジスタを含むことを特徴とする剥離方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、人間の手または被剥離層を引き剥がす装置を用いることにより、前記機械的な力を加えることを特徴とする剥離方法。
【請求項１０】
基板上に金属層を形成し、
前記金属層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
機械的な力を加えることにより、前記金属層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に窒化物層を形成し、
前記窒化物層上に酸化物層を形成し、
前記酸化物層上に被剥離層を形成し、
機械的な力を加えることにより、前記窒化物層が設けられた基板から前記酸化物層の層内または界面において前記被剥離層を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０において、前記金属層は、タングステンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１１において、前記窒化物層は、窒化チタン、窒化タングステン、窒化タンタル、もしくは窒化モリブデンからなる単層または積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、前記酸化物層は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、または酸化金属材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１０乃至１４のいずれか一において、前記被剥離層は、薄膜ダイオード、光電変換素子、シリコン抵抗素子、または薄膜トランジスタを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか一において、人間の手または被剥離層を引き剥がす装置を用いることにより、前記機械的な力を加えることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射光量に応じて電気信号に変換し、変換して得た画像信号を所定時間間隔で出力する撮像手段と、
花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替手段と、
画像信号を前記所定時間遅延させる遅延手段と、
前記モード切替手段により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記撮像手段から出力される画像信号と、前記遅延手段から出力される画像信号を所定の割合で加算して出力する加算手段とを有し、
前記遅延手段は、前記加算手段により加算された画像信号を遅延させることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記モード切替手段によって切り替えられる撮影モードに応じて、前記加算手段で用いる割合を設定する設定手段を更に有し、
前記設定手段は、前記花火撮影モードにおいて、前記通常撮影モードよりも、前記遅延手段から出力される画像信号の割合を高く設定することを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記設定手段は、前記加算手段にて加算される、前記撮像手段から出力される画像信号の割合と、前記遅延手段から出力される画像信号の割合の合計が１となるように設定することを特徴とする請求項２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記設定手段は、前記通常撮影モードにおいて、前記遅延手段から出力される画像信号の割合を０に設定することを特徴とする請求項２または３に記載の撮像装置。
【請求項５】
入射光量に応じて電気信号に変換し、変換して得た画像信号を所定時間間隔で出力する撮像工程と、
花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替工程と、
画像信号を前記所定時間遅延させる遅延工程と、
前記モード切替工程により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記撮像工程において出力される画像信号と、前記遅延工程において遅延される画像信号を所定の割合で加算して出力する加算工程とを有し、
前記遅延工程では、前記加算工程において加算された画像信号を遅延させることを特徴とする撮像装置の制御方法。
【請求項６】
前記モード切替工程によって切り替えられる撮影モードに応じて、前記加算工程において用いる割合を設定する設定工程を更に有し、
前記設定工程では、前記花火撮影モードにおいて、前記通常撮影モードよりも、前記遅延工程から出力される画像信号の割合を高く設定することを特徴とする請求項５に記載の制御方法。
【請求項７】
前記設定工程では、前記加算工程において加算される、前記撮像工程から出力される画像信号の割合と、前記遅延工程において遅延される画像信号の割合の合計が１となるように設定することを特徴とする請求項６に記載の制御方法。
【請求項８】
前記設定工程では、前記通常撮影モードにおいて、前記遅延工程で出力される画像信号の割合を０に設定することを特徴とする請求項６または７に記載の制御方法。
【請求項９】
音声を画像と共に記録する撮像装置であって、
音声を入力し、音声信号に変換して出力する音声入力手段と、
花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替手段と、
花火撮影モードで用いる第１の音声周波数特性と、通常撮影モードで用いる第２の音声周波数特性とを含む周波数特性を切り替える周波数特性切替手段と、
前記モード切替手段により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記音声入力手段から出力された音声信号に対して、前記周波数特性切替手段により切り替えられた第１の音声周波数特性を用いて音声周波数特性変換を行う特性変換手段とを有し、
前記第１の音声周波数特性は、前記第２の音声周波数特性よりも、低音を強調する特性を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項１０】
音声を画像と共に記録する撮像装置の制御方法であって、
音声を入力し、音声信号に変換して出力する音声入力工程と、
花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替工程と、
花火撮影モードで用いる第１の音声周波数特性と、通常撮影モードで用いる第２の音声周波数特性とを含む周波数特性を切り替える周波数特性切替工程と、
前記モード切替工程により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記音声入力工程から出力された音声信号に対して、前記周波数特性切替工程において切り替えられた第１の音声周波数特性を用いて音声周波数特性変換を行う特性変換工程とを有し、
前記第１の音声周波数特性は、前記第２の音声周波数特性よりも、低音を強調する特性を有することを特徴とする制御方法。
【請求項１１】
情報処理装置に、請求項５乃至８及び１０のいずれか１項に記載の制御方法の各工程を実行させるためのプログラム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプログラムを格納したことを特徴とする情報処理装置が読み取り可能な記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明の撮像装置は、入射光量に応じて電気信号に変換し、変換して得た画像信号を所定時間間隔で出力する撮像手段と、花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替手段と、画像信号を前記所定時間遅延させる遅延手段と、前記モード切替手段により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記撮像手段から出力される画像信号と、前記遅延手段から出力される画像信号を所定の割合で加算して出力する加算手段とを有し、前記遅延手段は、前記加算手段により加算された画像信号を遅延させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、別の構成によれば、音声を画像と共に記録する本発明の撮像装置は、音声を入力し、音声信号に変換して出力する音声入U力手段と、花火撮影モードと、通常撮影モードとを少なくとも含む複数の撮影モードを切り替えるモード切替手段と、花火撮影モードで用いる第１の音声周波数特性と、通常撮影モードで用いる第２の音声周波数特性とを含む周波数特性を切り替える周波数特性切替手段と、前記モード切替手段により花火撮影モードに切り替えられた場合に、前記音声入力手段から出力された音声信号に対して、前記周波数特性切替手段により切り替えられた第１の音声周波数特性を用いて音声周波数特性変換を行う特性変換手段とを有し、前記第１の音声周波数特性は、前記第２の音声周波数特性よりも、低音を強調する特性を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前脚と後脚を連結する左右の側部フレームと、その両側部フレームを連結する前側上部連結ステーからなるＵ字状の座部支持枠と、その座部支持枠の後端部に揺動可能に連結された逆Ｕ字状の背当て部支持枠とを有し、上記Ｕ字状の座部支持枠及び逆Ｕ字状の背当て部支持枠によってベースシート用生地を張設したことを特徴とする、ベビーカー。
【請求項２】
ベースシート用生地は、左右の側部フレーム、前側上部連結ステー、背当て部支持枠の左右の側枠部及びその左右の側枠部を連結する水平杆部に装着され、前後方向及び左右方向に緊張状態に張設されていることを特徴とする、請求項１記載のベビーカー。
【請求項３】
座部支持枠に張設されたベースシート用生地の裏面側にはベースシート緊張部材が縫着されており、そのベースシート緊張部材の先端部が左右の側部フレームの後部を連結する後側上部連結ステーに装着されていることを特徴とする、請求項１または２記載のベビーカー。
【請求項４】
後側上部連結ステーは、ベビーカーの展開状態において背当て部支持枠の枢着軸の軸線よりも下方位置に設けられていることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のベビーカー。
【請求項５】
左右の側部フレームは、各々の後端に連結されたフレーム取付部材と、フレーム取付部材に連結されたブラケットとを介して後脚に連結されていることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のベビーカー。
【請求項６】
前脚に連結された左右の側部フレームと、その両側部フレームを連結する前側上部連結ステーからなるＵ字状の座部支持枠と、その座部支持枠の後端部に揺動可能に連結された逆Ｕ字状の背当て部支持枠とを有し、左右の側部フレームは、各々の後端に連結されたフレーム取付部材と、フレーム取付部材に連結されたブラケットとを介して後脚に連結され、上記Ｕ字状の座部支持枠及び逆Ｕ字状の背当て部支持枠によってベースシート用生地を張設したことを特徴とする、ベビーカー。
【請求項７】
前脚に設けられた左右の側部フレームと、
この両側部フレームの各々の後端に設けられたフレーム取付部材と、
このフレーム取付部材に軸を介して設けられるとともに、後脚に接続されたブラケットと、
上記両側部フレームを連結する前側上部連結ステーからなるＵ字状の座部支持枠と、
この座部支持枠の後端部に揺動可能に連結された逆Ｕ字状の背当て部支持枠とを有し、
上記Ｕ字状の座部支持枠及び逆Ｕ字状の背当て部支持枠によってベースシート用生地を張設したことを特徴とする、ベビーカー。