【手続補正書】
【提出日】平成21年5月27日(2009.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板の一方の面上に前記第１の基板よりも硬度の高い第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項２】
第１の基板の一方の面上に前記第１の基板よりも硬度の高い第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記素子上に第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項３】
第１の基板の一方の面上に前記第１の基板よりも硬度の高い第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記素子上に前記第１の基板よりも硬度の高い第２の層を形成し、
前記第２の層上に第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去することは、前記第１の基板を研削または研磨することによって行うことを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項５】
第１の基板の一方の面上に第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板の化学反応によるエッチングを行うことで、前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去し、前記第１の層は、前記第１の基板をエッチングする際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料を含むことを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項６】
第１の基板の一方の面上に第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記素子上に第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板の化学反応によるエッチングを行うことで、前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去し、前記第１の層は、前記第１の基板をエッチングする際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料を含むことを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項７】
第１の基板の一方の面上に第１の層を形成し、
前記第１の層上に素子を形成し、
前記素子上に第２の層を形成し、
前記第２の層上に第２の基板を貼り合わせ、
前記第１の基板の他方の面から前記第１の基板の化学反応によるエッチングを行うことで、前記第１の基板を薄膜化する又は前記第１の基板を除去し、前記第１の層は、前記第１の基板をエッチングする際に用いるエッチャントに対して耐性を有する材料を含むことを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の基板と前記第１の層との間に、ダイアモンドライクカーボンを主成分とし、Ｓｉを１％以上２０％以下含む第１のバッファ層を形成することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の層と前記素子との間に、ダイアモンドライクカーボンを主成分とし、Ｓｉを１％以上２０％以下含む第２のバッファ層を形成することを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９のいずれか一項において、
前記第１の層、前記第１のバッファ層又は、前記第２のバッファ層のいずれか、から前記素子を前記第１の基板から剥がすことを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１の層はダイアモンドライクカーボンを主成分とすることを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項３又は請求項７において、
前記第２の層はダイアモンドライクカーボンを主成分とすることを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の基板として、ガラス基板、Ｓｉ基板または金属基板を用いることを特徴とする集積回路装置の作製方法。
【請求項１４】
基板の一方の面上に設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第１の層と、前記第１の層上に設けられた素子と、前記素子上に設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第２の層とを有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１５】
基板の一方の面上に設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第１の層と、前記第１の層上に設けられ、素子を含む単位回路と、前記単位回路上に前記単位回路を覆うようにして設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第２の層とを有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５において、
前記基板と前記第１の層との間に、前記基板と前記第１の層との密着性を向上させる第１のバッファ層を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１のバッファ層は、窒素を含んだダイアモンドライクカーボン膜、炭窒化ホウ素膜または炭化タングステン膜であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項１８】
請求項１６又は請求項１７において、
前記第１のバッファ層は、ダイアモンドライクカーボンを主成分とし且つＳｉを１％以上２０％以下含む層を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記基板は、ガラス基板、Ｓｉ基板または金属基板であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２０】
ダイアモンドライクカーボンを主成分とする第１の層と、前記第１の層上に設けられた素子と、前記素子上に設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第２の層とを有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２１】
ダイアモンドライクカーボンを主成分とする第１の層と、前記第１の層上に設けられ、素子を含む単位回路と、前記単位回路上に前記単位回路を覆うようにして設けられたダイアモンドライクカーボンを主成分とする第２の層とを有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のいずれか一項において、
前記第２の層と前記素子との間に、前記第２の層と前記素子との密着性を向上させる第３のバッファ層を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２３】
請求項２２において、
前記第３のバッファ層は、窒素を含んだダイアモンドライクカーボン膜、炭窒化ホウ素膜または炭化タングステン膜であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２４】
請求項２２又は請求項２３において、
前記第３のバッファ層は、ダイアモンドライクカーボンを主成分とし且つＳｉを１％以上２０％以下含む層を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２５】
請求項１４乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記第１の層と前記素子との間に、前記第１の層と前記素子との密着性を向上させる第２のバッファ層を有することを特徴とする集積回路装置。
【請求項２６】
請求項２５において、
前記第２のバッファ層は、窒素を含んだダイアモンドライクカーボン膜、炭窒化ホウ素膜または炭化タングステン膜であることを特徴とする集積回路装置。
【請求項２７】
請求項２５又は請求項２６において、
前記第２のバッファ層は、ダイアモンドライクカーボンを主成分とし且つＳｉを１％以上２０％以下含む層を有することを特徴とする集積回路装置。