【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の処理方法において、
複数のイオンを含むイオンビームを、イオンビーム経路に沿ってイオン源から前記基板に向けて指向させるステップと、
前記イオンビーム経路内で、前記イオン源と前記基板との間に、マスクの少なくとも一部分を設けるステップと、
前記基板及び前記マスクのうち一方を、該基板及び該マスクのうち他方に対して、平行移動させるステップと、
を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記マスクを、前記イオンビームに対して固定配置する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、
前記マスクは、互いに離間した複数のフィンガーを備え、少なくとも１つのギャップを規定する方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
前記マスクは、前記複数のフィンガーを支持するベースを備えている方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、
前記マスクの前記少なくとも一部分を、前記イオンビームの高さ方向に延在させるとともに、前記イオンビームの第１部の経路内に設ける方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記イオンビームは、第２部をさらに備え、
前記マスクの前記少なくとも一部分を、前記イオンビームの前記第２部の経路内に設けないようにする方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さにほぼ等しくする方法。
【請求項８】
請求項６に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さよりも大きくする方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さと前記イオンビームの前記第２部の高さとの比を、３：２とする方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さより小さくする方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さと前記イオンビームの前記第２部の高さとの比を、２：３とする方法。
【請求項１２】
請求項６に記載の方法において、
前記マスクは、互いに離間した複数のフィンガーを備え、少なくとも１つのギャップを規定し、
前記イオンビームの前記第１部からのイオンの一部を、前記マスクの前記少なくとも１つのギャップを通過させ、前記基板に注入して、選択的イオン注入を行う方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第２部からのイオンを、前記基板に注入して、ブランケットイオン注入を行う方法。
【請求項１４】
請求項１０に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さより小さくする方法。
【請求項１５】
基板の処理方法において、
イオンビームをイオン源から前記基板に向けてイオンビーム経路に沿って指向させるステップであって、該イオンビームは複数のイオンを含む、ステップと、
前記イオン源と前記基板との間で前記イオンビーム経路内にマスクを設けるステップであって、前記マスクの少なくとも一部分を、前記イオンビームの全体高さの一部のみに亘って前記イオンビームの高さ方向に延在させている、ステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法において、
前記マスク及び前記イオンビームを、相対的に固定配置する方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法において、
前記マスク及び前記基板のうち少なくともいずれか一方を、前記マスク及び前記基板のうち他方に対して、平行移動させるステップを、さらに含む方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法において、
前記イオンビームは、第１部及び第２部を有し、
前記マスクの前記少なくとも一部分を、前記イオンビームの前記第１部の経路内に設け、
前記マスクの前記少なくとも一部分を、前記イオンビームの前記第２部の経路内に設けないようにする方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さにほぼ等しくする方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さより大きくする方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さと前記イオンビームの前記第２部の高さとの比を、３：２とする方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さを、前記イオンビームの前記第２部の高さより小さくする方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部の高さと前記イオンビームの前記第２部の高さとの比を、２：３とする方法。
【請求項２４】
請求項１８に記載の方法において、
前記マスクは、互いに離間した複数のフィンガーを備え、１つ以上のギャップを規定し、
前記イオンビームの前記第１部からのイオンの一部を、前記フィンガーにより規定した前記１つ以上のギャップを通過させる方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法において、
前記イオンビームの前記第１部からのイオンを用いて選択的イオン注入を行い、前記イオンビームの前記第２部からのイオンを用いてブランケットイオン注入を行う方法。
【請求項２６】
基板の処理方法において、
複数のイオンを含むイオンビームをイオンビーム経路に沿って指向させるステップと、
前記イオンビームの第１部からのイオンを用いて前記基板に対してブランケットイオン注入を行い、前記イオンビームの第２部からのイオンを用いて前記基板に対して選択的イオン注入を行うステップであって、前記第１部及び前記第２部を前記イオンビームの互いに対向する側に配置している、実行ステップと、
を含む方法。
【請求項２７】
請求項２６に記載の方法において、
前記実行ステップは、前記イオンビームの前記第２部の経路内に前記マスクの少なくとも一部分を設けずに、前記イオンビームの前記第１部の経路内に前記マスクの前記少なくとも一部分を設けることを含む方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の方法において、
前記選択的イオン注入を、前記イオンビームの前記第１部の幅方向に設けられた１つ以上のギャップを通過するイオンを用いて行う方法。
【請求項２９】
請求項２８に記載の方法において、
前記イオンビーム及び前記マスクを固定配置するステップと、
前記マスク及び前記基板のうち一方を、該マスク及び該基板のうち他方に対して平行移動させるステップと、
を含む方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図３は、本発明の一実施形態による例示的なマスク３５０を示す。本実施の形態において、マスク３５０は、少なくとも１つのフィンガー３５２を備えることができる。マスク３５０は、随意にベース３５４を含むことができ、フィンガー３５２をベース３５４により支持することができる。マスク３５０がベース３５４を含まない場合、マスク３５０は、共に支持及び／又は保持される１つ以上のフィンガー３５２とすることができる。マスク３５０が２つ以上のフィンガー３５２を備える場合、フィンガー３５２を互いに離間させて、ギャップ又はアパーチャ３５６を規定することができる。一実施形態において、マスク３５０は、複数のフィンガー３５２を有して１つ以上のギャップ又はアパーチャを規定することができ、フィンガー３５２は、互いに均一の形状又は寸法を有することができる。さらに、ギャップ又はアパーチャ３５６が均一の形状又は寸法を有するように、フィンガー３５２を構成することができる。他の実施形態において、マスク３５０は、６１個のフィンガー３５２を有することができ、フィンガー３５２は、６０個の均一かつ矩形状のアパーチャ３５６を形成するように構成される。ただし、マスク３５０が任意数のフィンガー３５２及びアパーチャ３５６を有し得ることは、当業者に理解されるはずである。さらに、アパーチャ３５６は、均一又は非均一に関わらず、様々な形状及び寸法を有することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
図４は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスク４５０を示す。本実施形態において、マスク４５０は、少なくとも１つのフィンガー４５２を備えることができる。マスク４５０は、フィンガー４５２を支持し、マスク４５０の互いに対向する側に設けられた、第１ベース４５４ａ及び第２ベース４５４ｂを備えることもできる。必要に応じて、マスク４５０は、マスク４５０の互いに対向する側において、フィンガーの隣に設けられた第３ベース４５４ｃ及び第４ベース４５４ｄを含むこともできる。代案として、第３ベース４５４ｃ及び第４ベース４５４ｄを、追加のフィンガー４５２に置き換えることができる。マスク４５０が２つ以上のフィンガー４５２を備える場合、フィンガー４５２を互いに離間させて、１つ以上のギャップ又はアパーチャ４５６を規定することができる。一実施形態において、マスク４５０は、複数のフィンガー４５２を有することができ、フィンガー４５２は、均一の形状及び寸法を有することができる。さらに、アパーチャ４５０が均一の形状及び寸法を有するように、フィンガー４５２を構成することができる。ただし、マスク４５６が任意数のフィンガー４５２及びアパーチャ４５６を有し得ることは、当業者に理解されるはずである。さらに、アパーチャ４５６は、均一又は非均一に関わらず、様々な形状及び寸法を有することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
イオンビーム２０、マスク３５０、及び基板５００の各々は、個別の回転自由度及び平行移動自由度を有することができる。イオンビーム２０、マスク３５０、及び基板５００は、連帯して又は個別に、傾け、回転させ、及び／又は平行移動させることができる。本実施形態では、マスク３５０を、イオンビーム２０に対して固定配置することができる。一方、基板５００は、矢印５１０で示す高さ方向に、イオンビーム２０及び／又はマスク３５０に対して平行移動させることができる。詳細には説明しないが、他の実施形態では、基板５００を、矢印５１２で示す方向に、イオンビーム２０及び／又はマスク３５０に対して平行移動させることもできる。基板５００が高さ方向５１０に平行移動するとき、ドーパントを含む第１領域５０２及び第２領域５０４を形成することができる。第１領域５０２は、イオンビームの第１部２０ａ及び第２部２０ｂからのドーパントが注入されることから、高濃度ドープ領域とすることができる。一方、第２領域５０４は、イオンビームの第１部２０ａからのドーパント又はイオンが注入されることから、低濃度ドープ領域とすることができる。本実施形態の基板５００を図１に示す基板１００と比較すると、高濃度にドープした第１領域５０２はコンタクト領域１０２に対応し、低濃度にドープした第２領域５０４はスペーサー領域１０４に対応し得る。コンタクト領域１０２のドーパントのドーズ量がスペーサー領域１０４のドーパントのドーズ量よりも少ない他の実施形態において、高濃度にドープした第１領域５０２はスペーサー領域１０４に対応し、低濃度にドープした第２領域５０４はコンタクト領域１０２に対応し得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図９は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスク９５０を示す。明確かつ単純な説明のために、マスク９５０について、アパーチャに関して説明する場合がある。マスク９５０は、高さ方向９１０に、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃの複数の行９５５ａ〜９５５ｃを備えることができる。本実施形態において、マスク９５０は、３行９５５ａ〜９５５ｃを備えることができる。各行９９５ａ〜９５５ｃには、１つ以上のアパーチャ９５６ａ〜９５６ｃを設けることができる。本実施形態では、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃを、矩形状とすることができる。図９に示すように、本実施形態の各アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃは、高さ方向９１０に距離ｌだけ延びる第１側部９６７ａ及び第２側部９６７ｂと、幅方向９１２に距離ｗだけ延びる第１幅部９６９ａ及び第２幅部９６９ｂとを、備えることができる。他の実施形態において、アパーチャ９５６ａ〜９５６ｃは、他の形状を有することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
図１２は、本発明の他の実施形態による他の例示的なマスクを示す。マスク１２５０は、複数行を備えることができ、各行は１つ以上のアパーチャを備える。本実施形態において、マスク１２５０は、高さ方向１２１０に５行１２５５ａ〜１２５５ｅを備えることができ、幅方向１２１２に沿う１つ以上のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅを、それぞれ各行１２５５ａ〜１２５５ｅに設けることができる。図１２に示すように、隣接行のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅは、互いに非均一である。例えば、隣接行のアパーチャ１２５６ａ〜１２５６ｅは、互いにその寸法及び位置に関して異なることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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