(57)【要約】【課題】シール材から不純物が液晶中へ混入することを抑制する、液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置の製造方法では、液晶を注入する前に、シール材に対して紫外線照射処理が１回以上、熱処理が２回以上行われる。また、ダイシング前に第一の紫外線照射処理及び第一の熱処理を加えて、更にダイシング後に第二の紫外線照射と第二の熱処理を加える。なお、各々最後の熱処理は真空中で行われる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の基板を紫外線・熱併用硬化樹脂であるシール材を介して貼り合わせ、該１対の基板の間隙に負の誘電率異方性を有する液晶を注入・密封した液晶表示装置の製造方法であって、
液晶を注入する前に、該シール材に対して紫外線照射処理を１回以上、熱処理を２回以上行い、及び該２種類の処理のうち、最後に行われる処理は熱処理であり、且つ該最後の熱処理は真空中で行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
１対の基板を紫外線・熱併用硬化樹脂であるシール材を介して貼り合わせた後、個々のパネルに分断し、次に該個々のパネルに負の誘電率異方性を有する液晶を注入・密封した液晶表示装置の製造方法であって、
該パネルへの分断の前に、該シール材に対して紫外線照射処理を１回以上、熱処理を１回以上行い、そして分断の後且つ該液晶を注入する前に、該シール材に熱処理を１回以上行い、及び該分断後の最後の熱処理は真空中で行われることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
該熱処理は、常圧と真空中とで、交互に１回以上繰り返し行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
該１対の基板は、それぞれ垂直配向膜及び電極が形成されており、及びそれぞれの該垂直配向膜及び電極が対面するように貼り合わされることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
該１対の基板は、一方が駆動回路が形成された複数の電極を含む垂直配向膜を有する基板であり、もう一方が前記基板と対応する複数の電極を含む垂直配向膜を有する基板であり、及びそれぞれの該電極及び垂直配向膜が対面するように貼り合わされることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
該垂直配向膜の表面には、親和性を高めるための表面処理剤が塗布されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の液晶表示装置を１個以上使用した液晶プロジェクター装置。
【請求項９】
請求項８に記載の液晶プロジェクター装置と、該液晶プロジェクター装置からの画像光を背面に投射するスクリーンとを備えたリアプロジェクションテレビ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は負の誘電異方性を有する液晶を用いて画像、文字等を表示する液晶表示装置の製造方法、その方法で作られた液晶表示装置、その液晶表示装置を用いた液晶プロジェクター装置及びリアプロジェクション装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
投射型の液晶表示装置においては、ギャップ制御用のスペーサが混ぜられた周辺シール材によって、セルギャップの制御が行われている。また、直視型とは異なり、パネルが非常に小さい（数ｃｍ角程度）ため、有効画素の近傍にシールを配置することになる。一般的には、片方の基板に液晶の注入口になる部分を除いてシール材を塗布して、対向の基板を押し付けてギャップを調整しながら貼り合わせる。シール材を硬化させ対向電極間のギャップを固定させてから液晶を注入する。シール材の硬化は紫外線によるものと熱によるものがあり、それによってシール材を選択することになる。
【０００３】
シール材は高分子の重合によって硬化するが、比較的低分子のものあるいはシール材の選択によっては、混入されている溶剤が残留していると後々に液晶に浸透してくる。それによって液晶の配向性に不具合が生じ、投影映像に周辺シールからのムラが生じてしまう。この解消方法として、下記のような手法が提案されている。
【０００４】
特許文献１には、紫外線硬化樹脂を用いて、紫外線照射によって硬化させた後に加熱処理を行う工程が設けられている。紫外線硬化後であっても、紫外線硬化樹脂に元々含まれている揮発成分がパネルの動作温度程度でも発生して液晶に浸透してしまうためである。熱処理を行うことで、シール材に残留する揮発成分を除去している。
【特許文献１】特開平０７−１６８１９２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしそのように熱処理を行っても、図２の様にシールは液晶注入口でしか外界と繋がっていない。従って、シールの内側に揮発した成分は、通常の熱処理では、シールと両基板に囲まれた空間に充満される。一部は注入口から抜けるが、大部分は温度を下げた後に内部の両基板の内面に吸着されてしまう。液晶を注入してパネルを完成させた後に、通常動作により温度が上がってくると、揮発した成分は液晶中に拡散する。あるいは配向膜表面に吸着したまま配向異常を生じさせる。
【０００６】
また、投射型の液晶表示装置のパネルの製造方法の中には、ウエハの状態で貼り合わせまで行い、その後個々のパネルに分断することにより半導体ラインの延長で装置を使用し、優れた均一性を利用出来るということ及び製造コストを下げることが可能となっている。しかし、上記の課題に照らして考えてみると、ウエハで処理する場合には、更にシール材から発生したガスは外へはき出されずに液晶セル内部に留まってしまう。
【０００７】
更に、液晶中に拡散したシール材から揮発した成分（イオン性）は、液晶に電圧が印加されるときに、液晶中において外部電界を打ち消す方向に内部電界を生じさせ、焼き付きの原因となる。
【０００８】
従って、本発明は、シール材を従来の技術以上に十分に硬化させることで、シール材及び封口材等から多量に染み出る不純物が液晶中へ混入することを抑制し、且つシール材より発生した揮発性分をセル内より排出することで、配向の不具合及び焼き付きを抑制することが目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、１対の基板を紫外線・熱併用硬化樹脂であるシール材を介して貼り合わせ、該１対の基板の間隙に負の誘電率異方性を有する液晶を注入・密封した液晶表示装置の製造方法であって、液晶を注入する前に、該シール材に対して紫外線照射処理を１回以上、熱処理を２回以上行い、及び該２種類の処理のうち、最後に行われる処理は熱処理であり、且つ該最後の熱処理は真空中で行われることを特徴とする。
【００１０】
また本発明は、１対の基板を紫外線・熱併用硬化樹脂であるシール材を介して貼り合わせた後、個々のパネルに分断し、次に該個々のパネルに負の誘電率異方性を有する液晶を注入・密封して形成された液晶表示装置の製造方法であって、該パネルへの分断の前に、該シール材に対して紫外線照射処理を１回以上、熱処理を１回以上行い、そして分断の後且つ該液晶を注入する前に、該シール材に熱処理を１回以上行い、及び該分断後の最後の熱処理は真空中で行われることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上詳述したように、本発明によれば、上記したような問題点が解消され、配向異常や焼き付きが起こりにくい液晶表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００１３】
本発明の基本的なフロー図を図１に示す。
【００１４】
このフロー図はＳｉ側に画素駆動回路が形成してある例を示している。この場合、液晶パネルは反射型になるが、本発明は、反射型に限ったことではなく、透過型の液晶表示パネルも含まれる。
【００１５】
Ｓｉ側及びガラス側ともに無機配向膜を形成し、洗浄後、表面処理を行う。シール塗布後に両者を貼り合わせる。ここではウエハ状で貼り合わせることになっているが、無機配向形成前にダイシング等で分断してよい。又はガラスもパネル状のガラスを用いて単体処理をしてもよい。第一の紫外線照射と第一の熱処理によって、シールの硬化を行う。その後ダイシング等で個々のパネルに分断した後、必要に応じて第二の紫外線照射、第二の熱処理を行う。最終的には真空中で熱処理を行い、その後液晶を注入する。
【００１６】
本発明の表示装置の例として、反射型のアクティブマトリクス液晶表示装置について説明する。
【００１７】
図５ｈがこの液晶表示装置の模式図である。基板上に画素のスイッチ用のトランジスタがあり、ドレインが画素電極に接続されており、更に、基板の拡散層との間に容量が形成されている。画素電極は各画素のスイッチングトランジスタを覆うように形成され、遮光していると共に、高い開口率を実現している。この画素電極がマトリクス状に形成された画素電極基板と、透明電極を形成した透明基板を対向配置し、その間に液晶が封入されている。これら２つの基板の各々の表面には液晶を所定の方向に配向するための配向膜が形成されている。配向の方向は４５度が一般的に使用されている。
【００１８】
絶縁性部材として、ＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏ  Ｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｇｌａｓｓ）１１が設けられており、導電性部材１３と、絶縁性部材１１の表面は、ケミカルメカニカルポリシングにより研磨されている。
【００１９】
以下、前述のフロー図にならって、この液晶表示装置の製造工程について説明する。
【００２０】
まず、アクティブマトリクス基板の表面に更に配向膜を形成する。電子ビーム蒸着によりＳｉＯ２を斜めの方向から蒸着する。配向膜蒸着後にはある程度の表面汚染（メタル、異物など）があるので、洗浄によって除去しておいた方が好ましい。必要に応じて、配向膜表面にオクタデカノールなどの蒸気を吹き付けて表面を疎水化する。これにより水分の吸着を抑制しパネルの耐湿性を向上させる。
【００２１】
これより、液晶を注入するまでの工程を、図４ａから４ｆを用いて説明する。図４ａから４ｆは、平面の模式図と断面の模式図がセットになっている。
【００２２】
有効画素を取り囲むように（図２の様に）、シール材をディスペンサにより塗布する。ウエハ上では複数のパネルに対して同様の処理がされるので、図４ａの様になる。シール材としては、紫外線硬化・熱硬化併用タイプの材料を用いることが好ましい。
【００２３】
この表面に、ＩＴＯ及び反射防止膜が形成されたガラス基板を貼り合わせて押圧して、ギャップを均等化させる（図４ｂ）。
【００２４】
ガラス基板側から紫外線を照射してシール材をある程度硬化させ、更に熱をかけて硬化させる。硬化させている最中に図４ｃの様にシール材から揮発成分がガスとして気化してウエハの隙間に出てくる。最終的に揮発成分は、図４ｄに示すように、ウエハのギャップ全面に広がる。必要に応じて再度紫外線を照射して硬化する。
【００２５】
ここまでは、ウエハ状態ですべて処理されている。パネルの大きさにもよるが、図３に示すように数十個から百数十個のパネルが１枚のウエハから作製される。ガラス側もウエハ状態で処理される。
【００２６】
ダイシングを両面から行い、個々のパネルに分断する（図４ｅ）。この後は、事前に行った電気テストで良品のもののみを後の工程に進めればよい。
【００２７】
個々のパネルになった後には、図４ｅに示すようにシール材でほぼ囲まれたセル内には、ガス状あるいは内壁に吸着した状態でシールから発生した不純物が残っている。ここで、紫外線照射をまた行ってもよい。
【００２８】
次に、真空中で再度熱処理を行う。真空中で熱処理することで、パネルのシールと両基板で囲まれた領域にはき出されたシール材からのガスを外部へ吐き出させることが可能となる。また、真空中での加熱中にもシール材からガスが発生するが、それも溜まらずに抜けていくことが可能となっている（図４ｆ）。
【００２９】
本発明は、特にウエハ貼り合わせの場合に有効である。ウエハ貼り合わせの場合には、シール材の通常の硬化の際に排出されるガスが図４ｄに示すように３μｍの隙間に充満してしまう。特にウエハ中央付近のガスは、この状態で外部へ吐き出されることが非常に困難である。従って、ダイシング前に第一の紫外線照射及び第一の熱処理を加えて、更にダイシング後に第二の紫外線照射と第二の熱処理を加える。第二の紫外線照射は必要に応じて加えても加えなくてもよい。シール材からは可能な限りのガスを吐き出させておくことと、ダイシング前及び後での紫外線照射及び熱処理で発生するガスを可能な限りパネル外部へ吐き出させることを両立させることが求められる。
【００３０】
この要求を可能にするのが本発明である。第二の紫外線照射と第二の熱処理は複数回行ってもよい。また、少なくとも最終熱処理を真空中にすることで、最終的にセル内部に残留するシール材からのガスを極力抑えることが可能となる。
【００３１】
更に好ましくは、ダイシング等で分断する前には、必要最小限の第一の紫外線照射及び第一の熱処理を加えて、ダイシング中にセルギャップが変化しない程度には硬化させておく。そしてチップに分断後に最終的に必要な第二の紫外線照射と第二の熱処理を加える。
【００３２】
また、ダイシング後の加熱処理を、真空と常圧とを１回以上交互に連続して熱処理することで、溜まったガスを効率よく外部へ吐き出させることが可能となっている。
【００３３】
熱処理の処理チャンバーには、ガスを導入したり、排気したり、真空を常圧に戻したりする配管が接続されている。これらの配管には、パーティクルフィルターやケミカルフィルターを接続しておくことが望ましい。これによって、シール材からのガス以外の余分な不純物（固体、気体）を排除することが可能となる。パーティクルが注入口からセル内に熱処理中に入ることは難しいが、注入口に付着したものが液晶注入時にその一部でもセル内部へ入る可能性がある。ケミカル成分は、紫外線処理中や熱処理中にもセル内部に入る可能性があるので、排除しておくことが大切である。
【００３４】
この後注入口より液晶を注入し、注入口を封止し、熱処理を行うと、液晶が再配列して一定のプレチルトで並ぶ。パネルは、フレキに実装され、反射型液晶パネルとなる。
【００３５】
尚、図５ａから５ｈは画素部を中心として模式的に示してあるが、画素部形成工程と同時に、画素部のスイッチングトランジスタを駆動するためのシフトレジスタ等周辺駆動回路も同一基板上に形成することが出来る。また、対向基板は透明基板２０上にカラーフィルター２１、ブラックマトリクス２２、ＩＴＯなどからなる共通電極２３、及び配向膜１５を配して構成されている。３板でカラーを表示する場合には、対向基板は透明基板２０上に対向基板ＩＴＯなどからなる共通電極２３、及び配向膜１５を配して構成されている。
【００３６】
次に、本例の反射型液晶表示装置の駆動方法を説明する。
【００３７】
基板１にオンチップで形成されたシフトレジスタ等の周辺回路により、ソース領域７に信号電位を与え、それと同時にゲート電極５にゲート電位を印加し、画素のスイッチングトランジスタをオン状態にし、ドレイン領域７’に信号電荷を供給する。信号電荷はドレイン領域７’とＰＷＬ３との間に形成されるｐｎ接合の空乏層容量に蓄積され、Ａｌ電極９を介して画素電極１３に電位を与える。画素電極１３の電位が所望の電位に達した時点で、ゲート電極５の印加電位を切り、画素スイッチングトランジスタをオフ状態にする。信号電荷は前述のｐｎ接合容量部に蓄積されているため、画素電極１３の電位は、次に画素スイッチングトランジスタが駆動されるまで固定される。この固定された画素電極１３の電位が図５ｈに示された基板１と対向基板２０との間に封入された液晶１４を駆動する。
【００３８】
信号電荷を蓄積するために、ドレイン領域７’を小さくして、ドレイン領域７’にコンタクトしているＡｌ電極９を広くして、Ａｌ電極９とＰＷＬ３との容量を使用してもよい。
【００３９】
次に図６を用いて、上述した本実施形態の液晶表示装置を用いた液晶プロジェクター装置について説明する。
【００４０】
図６は液晶プロジェクター装置の一例であり、構成を限定するものではない。１０１はランプ、１０２はリフレクター、１０３はロッドインテグレーター、１０４はコリメーターレンズ、１０５は偏光変換系、１０６はリレーレンズ、１０７はダイクロイックミラーである。また、１０８は偏光ビームスプリッター、１０９はクロスプリズム、１１０は液晶パネル、１１１は投影レンズ、１１２は全反射ミラーである。１１０の液晶パネルは、本発明によって製造された液晶表示装置を用いたものである。
【００４１】
ランプ１０１から出た光束はリフレクター１０２で反射し、インテグレーター１０３の入り口に集光する。このリフレクター１０３は楕円リフレクターであり、発光部及びインテグレーター入り口にその焦点が存在する。インテグレーター１０３に入った光束はインテグレーター内部で０〜数回反射を繰り返し、インテグレーター出口で２次光源像を形成する。２次光源形成法としてはフライアイを用いた方法もあるが、ここでは省略する。２次光源からの光束はコリメーターレンズ１０４を通して、おおむね平行光とされ、偏光変換系の偏光ビームスプリッター１０５に入射する。Ｐ波は偏光ビームスプリッター１０５で反射し、λ／２板を通りＳ波となり、全てがＳ波となりリレーレンズ１０６に入射する。光束はリレーレンズ１０６により、パネルに集光される。パネルに集光される間に、色分解ダイクロイックミラー１０７、偏光板(不図示)、偏光ビームスプリッター１０８、クロスプリズム１０９等で色分解系が構成され、Ｓ波がそれぞれ３枚の液晶パネル１１０に入射する。液晶パネル１１０では液晶シャッターが、映像に合わせて画素ごとに電圧を制御する。液晶の作用によりＳ波を楕円偏光（もしくは直線偏光）に変調し、偏光ビームスプリッター１０８でＰ波成分を透過させ、クロスプリズム１０９で色合成した後投影レンズ１１１から投影する形態が一般的である。
【００４２】
本実施形態の液晶プロジェクター装置は、筐体内に設置され、壁や専用スクリーンに投射される液晶プロジェクターを構成することが出来る。
【００４３】
また本実施形態の液晶プロジェクター装置はリアプロジェクションテレビ等のリアプロジェクション装置に用いることが出来る。即ち、図７に示すように、本実施形態の液晶プロジェクター装置を（ここでは投影レンズのみを示している）、反射ミラー３１０、スクリーンとなるフレネルレンズ３１１、レンチキュラーレンズ３１２とともに筐体内に配置することで、リアプロジェクションテレビ等のリアプロジェクション装置を構成することが出来る。この構成は一例であり、限定的なものではない。
【００４４】
図７に示すように、液晶プロジェクター装置の投影レンズ１１１からの光を反射ミラー３１０で反射させスクリーンの背面に投射し（反射ミラーを介さず投射してもよい）、フレネルレンズ３１１で平行光とする。その後、レンチキュラーレンズ３１２を通して光を広角度に散乱させる。
【００４５】
従って本実施形態の液晶プロジェクター装置は、フロントプロジェクション方式（壁や専用スクリーン等に画像光を投射する方式）、リアプロジェクション方式（スクリーンの背面に画像光を投射してスクリーンの透過光を見る方式）のいずれにも用いられる。
【実施例】
【００４６】
本発明の実施例を説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。
【００４７】
（実施例１）  
先ず、不純物濃度が１０１５ｃｍ  −３以下であるｎ形シリコン半導体基板１を部分熱酸化し、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ＯＦ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）酸化膜２を形成した。該ＬＯＣＯＳ酸化膜２をマスクとしてボロンをドーズ量１０１２ｃｍ−２程度イオン注入し、不純物濃度１０１６ｃｍ−３程度のｐ形不純物領域であるＰＷＬ３を形成した。この基板１を再度熱酸化し、酸化膜厚１００ｎｍ以下のゲート酸化膜４を形成した（図５ａ）。
【００４８】
リンを１０２０ｃｍ−３程度ドープしたｎ形ポリシリコンからなるゲート電極５を形成した後、基板１全面にリンをドーズ量１０１２ｃｍ−２程度イオン注入し、不純物濃度１０１６ｃｍ−３程度のｎ形不純物領域であるＮＬＤ６を形成した。続いて、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、リンをドーズ量１０１５ｃｍ−２程度イオン注入し、不純物濃度１０１９ｃｍ−３程度のソース、ドレイン領域７、７’を形成した（図５ｂ）。
【００４９】
次に、基板１全面に層間膜であるＰＳＧ８を形成した。ソース、ドレイン領域７、７’の直上のＰＳＧ８にコンタクトホールをパターニングし、スパッタリングによりＡｌを蒸着した後パターニングし、Ａｌ電極９を形成した（図５ｃ）。
【００５０】
基板１全面にプラズマＳｉＮ膜１０を３００ｎｍ程度、続いてＰＳＧ１１を１０００ｎｍ程度成膜した（図５ｄ）。
【００５１】
プラズマＳｉＮ膜１０をドライエッチングストッパー層として、ＰＳＧ１１を画素間の分離領域のみを残すようにパターニングし、その後ドレイン領域７’にコンタクトしているＡｌ電極９直上にスルーホール１２をドライエッチングによりパターニングした（図５ｅ）。
【００５２】
基板１上にスパッタリング、或いはＥＢ蒸着により、画素電極１３を１０００ｎｍ以上成膜した（図５ｆ）。
【００５３】
画素電極１３の表面をＣＭＰにより研磨した（図５ｇ）。研磨量はＰＳＧ１１厚を１０００ｎｍ、画素電極厚をｘｎｍとした場合、ｘｎｍ以上、ｘ＋１０００ｎｍ未満である。
【００５４】
具体的なＣＭＰは、ＣＭＰ装置として荏原製作所製ＥＰＯ−１１４、研磨布にＲｏｄｅｌ社製ＳＵＰＲＥＭＥ  ＲＮ−Ｈ（Ｄ５１）、スラリーにＦＵＪＩＭＩ社製ＰＬＮＥＲＬＩＴＥ５１０２を用いて行った。
【００５５】
上記の工程により形成されたアクティブマトリクス基板の表面に更に配向膜を形成した。以下の条件で電子ビーム蒸着によりＳｉＯ２を斜めの方向から蒸着した。
【００５６】
装置上の蒸着角度・・・垂直から６０度
基板加熱・・・無し
蒸着速度・・・１ｎｍ／秒
蒸着源・・・ＳｉＯ２
厚さ・・・１００ｎｍ
蒸着方向・・・画素の辺に対して４５度
【００５７】
次に液晶を注入する工程を実施した。有効画素を取り囲むように、シール材をディスペンサにより塗布した。ウエハ上では複数のパネルに対して同様の処理がされた。シール材は、紫外線・熱併用タイプ／ＷＲ−７９８（協立化学産業製）を用いた。スペーサは、３μｍ径のものを用いた。
【００５８】
この表面に、ＩＴＯ及び反射防止膜が形成されたガラス基板を貼り合わせて押圧してギャップを均等化させた。
【００５９】
ガラス基板側から紫外線を照射してシール材をある程度硬化させ、更に熱をかけて硬化させた。処理条件は以下となる。
【００６０】
紫外線照射条件・・・１８００ｍＪ
熱処理条件・・・常圧、不活性雰囲気中、１２０℃−１時間
【００６１】
硬化させている最中にシール材から揮発成分がガスとして気化して、ウエハの３μｍの隙間に広がった。必要に応じて再度紫外線を照射して紫外線で硬化してよい。
【００６２】
これで機械的強度と接着強度に関しては十分な状態になった。
【００６３】
ダイシングを両面から行い、個々のパネルに分断した。この後は、事前に行った電気テストで良品のもののみ後ろの工程に進む。
【００６４】
次に、以下の条件で再度熱処理を行った。
【００６５】
熱処理条件・・・真空中、１４０℃−４時間
【００６６】
この後注入口より液晶を注入し、注入口を封止し、１２０℃１０分の熱処理を行うと液晶が再配列して一定のプレチルトで並んだ。
【００６７】
本例のアクティブマトリクス基板は、シール材から液晶への汚染が抑制され、動作時の温度環境においても液晶配向の乱れが無くなり、品質が格段に向上した。
【００６８】
（実施例２）
実施例１に関して、ダイシング後の加熱処理を、真空と常圧とを１回以上交互に連続した熱処理とした。熱処理条件は次の通りである。
【００６９】
熱処理条件・・・常圧、不活性雰囲気中、１２０℃−４時間
熱処理条件・・・真空中、１４０℃−４時間
【００７０】
実施例２の処理を行ったことで、溜まったガスを効率よく外部へ吐き出させることが出来た。
【００７１】
上記二つの実施例では、高温になる動作環境においても液晶は配向を乱すことは生じなかった。上記に示した実施例において、他の工程についても、ここの実施例に限られた条件だけでなく、様々な条件で実施出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明を説明するための工程フローである。
【図２】本発明を説明するためのパネル単体のシール塗布後の模式図である。
【図３】ウエハ状態で複数のパネルにシールが塗布された時の模式図である。
【図４ａ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図４ｂ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図４ｃ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図４ｄ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図４ｅ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図４ｆ】ウエハ状態での処理のシール塗布から液晶注入直前までの工程図（平面及び断面）である。
【図５ａ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｂ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｃ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｄ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｅ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｆ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｇ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図５ｈ】本発明の実施工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明による反射型液晶表示装置を用いた液晶プロジェクター装置である。
【図７】上記液晶プロジェクター装置を用いたリアプロジェクション装置の説明図である。
【符号の説明】
【００７３】
１  基板
２  ＬＯＣＯＳ酸化膜
３  ＰＷＬ
４  ゲート酸化膜
５  ゲート電極
６  ＮＬＤ
７  ソース
７’  ドレイン
８  ＰＳＧ
９  Ａｌ電極
１０  プラズマＳｉＮ膜
１１  ＰＳＧ
１２  スルーホール
１３  画素電極
１４  液晶
１４’  液晶
１５  配向膜
１５’  配向膜
２０  対向（透明）基板
２１  カラーフィルター
２２  ブラックマトリクス
２３  対向電極
１０１  ランプ
１０２  リフレクター
１０３  ロッドインテグレーター
１０４  コリメーターレンズ
１０５  偏光変換
１０６  リレーレンズ
１０７  ダイクロイックミラー
１０８  偏光ビームスプリッター
１０９  クロスプリズム
１１０  液晶パネル
１１１  投影レンズ
１１２  全反射ミラー
２０１  チップ
２０２  シール
２０３  有効画素領域
２０４  シリコンウエハ
２０５  パッド
２０６  ガラスウエハ
２０７  パネル
２０８  シールからの発生ガス
３１０  反射ミラー
３１１  フレネルレンズ
３１２  レンチキュラーレンズ
【図１】
2008009274.tif 000003
【図２】
2008009274.tif 000004
【図３】
2008009274.tif 000005
【図４ａ】
2008009274.tif 000006
【図４ｂ】
2008009274.tif 000007
【図４ｃ】
2008009274.tif 000008
【図４ｄ】
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【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
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【図５ｄ】
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【図５ｅ】
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【図５ｆ】
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【図５ｇ】
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【図５ｈ】
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【図６】
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【図７】
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