【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギを供給してプラズマを生成するプラ
ズマ生成用高周波電源と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記ガス放出板における異常放電の有無の何れか
を判定する制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
るプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、
前記制御装置は、プラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に急減し、プラズマ生成側
インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、および吸着電流モニタのモニ
タ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がない
とき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
びピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形波状に変化し、プラズマ生成側インピー
ダンスモニタのモニタ値に変化がないとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、前記プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側イ
ンピーダンスモニタ、ピークツーピーク電圧モニタ、および吸着電流モニタのモニタ値が
矩形波状に変化したとき、前記ガス放出板の異常放電ありを判定することを特徴とするプ
ラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。      
【請求項８】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタがパルス状の電流を検出したとき静電吸着用電源の出力電圧を低減してプラズマ電位を低下させ前記インナ部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室に処理ガスを分散して導入するガス放出板を備えたガス導入手段と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記試料台に高周波電圧を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化の有無の何れかを判定する制御装置を備えたことを
特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側イン
ピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がないと
き、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴とす
るプラズマ処理装置。
【請求項１２】
請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ生成
側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およ
びプラズマ電位モニタのモニタ値がパルス状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判
定することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
バイアス用高周波電源のピークツーピーク電圧モニタするピークツーピーク電圧モニタ
を備え、前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタ、バイアス印加側インピ
ーダンスモニタ、吸着電流モニタ、およびピークツーピーク電圧モニタのモニタ値が矩形
波状に変化したとき、試料台の異常放電ありを判定することを特徴とするプラズマ処理装
置。
【請求項１４】
請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。
【請求項１５】
請求項１０記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１６】
保護コーティングを施した内筒型のインナ部品を内壁に配置した反応室と、
該反応室内に配置され、その試料載置面に絶縁被膜により絶縁された静電吸着用電極を
備えた試料台と、
前記反応室の中央部に処理ガスを導入するためのガス放出口を形成した誘電体真空窓を
備えたガス導入手段と、
前記試料台に高周波バイアス電圧を印加するバイアス用高周波電源と、
前記反応室上部の前記誘電体真空窓上にループ状のアンテナを備え、該アンテナを介し
て処理室内に高周波電磁界を印加して前記反応室内に導入した処理ガスに高周波エネルギ
を供給してプラズマを生成するプラズマ生成用高周波電源と、
前記静電吸着用の直流電圧を前記静電吸着用電極に印加する静電吸着用電源とを備え、
前記生成したプラズマにより試料載置台上に載置した試料にプラズマ処理を施すプラズ
マ処理装置において、
前記静電吸着用電源から供給される電流をモニタする吸着電流モニタ、
プラズマ生成用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするプラズマ生
成側インピーダンスモニタ、
バイアス用高周波電源からみたプラズマのインピーダンスをモニタするバイアス印加側
インピーダンスモニタ、および
前記モニタで計測したモニタ値に基づいて、前記インナ部品における異常放電、静電吸
着用電極を絶縁する試料台の絶縁劣化、前記誘電体真空窓の摩耗の有無の何れかを判定す
る制御装置を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１７】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記吸着電流モニタのモニタ値がパルス状に急増し、プラズマ生成側
インピーダンスモニタおよびバイアス印加側インピーダンスモニタのモニタ値に変化がな
いとき、前記インナ部品に施した保護コーティングの絶縁破壊ありを判定することを特徴
とするプラズマ処理装置。
【請求項１８】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、前記インナ部品の交換後毎における吸着電流モニタのモニタ値の履歴
をもとに吸着用電極を絶縁する絶縁被膜の絶縁劣化を判定することを特徴とするプラズマ
処理装置。
【請求項１９】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
プラズマ電位をモニタするプラズマ電位モニタを備え、前記制御装置は、プラズマ電位
のモニタ値が所定値を超えたとき、前記静電吸着用電源の出力電圧を低減して前記インナ
部品に発生する異常放電を予防することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２０】
請求項１６記載のプラズマ処理装置において、
前記制御装置は、プラズマ生成側インピーダンスモニタのモニタ値の変化に基づいて前
記誘電体真空窓の厚みの減少を判定することを特徴とするプラズマ処理装置。