【手続補正書】
【提出日】平成25年5月31日(2013.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加速チャンバを囲繞するマグネットヨークを含み、前記加速チャンバから前記マグネットヨークを通じて荷電粒子ビームを誘導するように構成されたサイクロトロンと、
前記マグネットヨークに隣接して配置され、対象場所に配置される対象材料を保持するように構成された対象システムであって、
前記マグネットヨークと対象領域の間に延在する放射シールドと、
前記加速チャンバから前記対象領域まで延在し、前記マグネットヨークおよび前記対象システムの前記放射シールドによって少なくとも部分的に形成されるビーム通路とを含み、
前記荷電粒子ビームが前記マグネットヨークの外側で前記対象材料上に入射するように、前記対象場所が前記マグネットヨークの外側にあり、
前記対象システムが、前記対象場所を囲み、前記対象材料から前記マグネットヨークに向けて放出された中性子を減衰させるように構成され、
前記マグネットヨークが、シールド受け入れ凹所を形成する外側表面を有し、
前記ビーム通路が、前記加速チャンバから前記マグネットヨークを通って前記シールド受け入れ凹所中に延在し、
前記放射シールドの一部分が、前記マグネットヨークの前記シールド受け入れ凹所内に適合するように形作られ、
前記放射シールドの前記一部分が、前記対象場所に向かって前記シールド受け入れ凹所の外に延在する、
アイソトープ生成システム。
【請求項２】
前記ビーム通路が、前記対象場所から前記マグネットヨークの内側表面まで計測される長さを有し、
前記ビーム通路の前記長さが、前記加速チャンバを規定し、
前記ビーム通路が前記長さに沿って、直線状に延在する、請求項１記載のアイソトープ生成システム。
【請求項３】
前記放射シールドの外側表面が、前記マグネットヨークの外側表面に直接当接する、請求項１または２に記載のアイソトープ生成システム。
【請求項４】
前記サイクロトロンおよび前記対象システムを収納する、共通の筺体をさらに含み、
前記筺体が、第１及び第２の可動の隔壁を有し、前記第１及び第２の隔壁が開位置にあるときに、前記第１及び第２の隔壁は、前記サイクロトロンの前記加速チャンバおよび前記対象システムへアクセスを可能にするように構成され、
前記第２の部分は、前記放射シールドの一部分を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のアイソトープ生成システム。
【請求項５】
前記放射シールドが、前記対象材料から放出された放射を減衰させるように構成された材料組成を含み、
前記マグネットヨークが、前記加速チャンバから放出された放射を減衰させるように構成された異なる材料組成を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載のアイソトープ生成システム。
【請求項６】
前記放射シールドが、前記凹所の形状に実質的に一致する形状を有する、請求項１乃至５のいずれかに記載のアイソトープ生成システム。
【請求項７】
前記対象システムが、前記対象領域を直接囲繞する第１の遮蔽構造を含み、
前記第１の遮蔽構造が、前記対象材料から放出されたガンマ線を減衰させるように構成された第１の材料組成を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載のアイソトープ生成システム。
【請求項８】
加速チャンバを囲繞するマグネットヨークを含み、前記加速チャンバから前記マグネットヨークを通じて荷電粒子ビームを誘導するように構成されたサイクロトロンと、
前記マグネットヨークに隣接して配置され、対象場所に配置される対象材料を保持するように構成された対象システムであって、
前記マグネットヨークと対象領域の間に延在する放射シールドと、
前記加速チャンバから前記対象領域まで延在し、前記マグネットヨークおよび前記対象システムの前記放射シールドによって少なくとも部分的に形成されるビーム通路とを含み、
前記荷電粒子ビームが前記マグネットヨークの外側で前記対象材料上に入射するように、前記対象場所が前記マグネットヨークの外側にあり、
前記ビーム通路の少なくとも一部が、前記マグネットヨークと前記対象システムの前記放射シールドにより形成され、
前記放射シールドが、前記対象場所を囲み、前記対象材料から放出された中性子を減衰させ、
前記放射シールドが、前記対象場所を有している対象領域を囲繞する第１の遮蔽構造を備え、
前記第１の遮蔽構造が、前記対象材料から放出されたガンマ線を減衰させるように構成された第１の材料組成を含み、
前記放射シールドが、前記第１の遮蔽構造を囲繞する第２の遮蔽構造を備え、
前記第２の遮蔽構造が、前記対象材料から放出された中性子を減衰させるように構成された第２の材料組成を含み、前記第２の材料組成が前記第１の材料組成とは異なる、
アイソトープ生成システム。
【請求項９】
プラットフォームによって支持されたサイクロトロンであって、加速チャンバを囲繞するマグネットヨークを含み、前記加速チャンバから前記マグネットヨークを通じて荷電粒子ビームを誘導するように構成されたサイクロトロンと、
前記プラットフォーム上で前記マグネットヨークに隣接して配置され、対象場所において対象材料を保持するように構成された対象領域を備える放射シールドを含む対象システムであって、前記荷電粒子ビームが前記マグネットヨークの外で前記対象材料上に入射するように前記対象場所が前記マグネットヨークの外にある、対象システムと、
前記加速チャンバから前記対象場所まで延在するビーム通路であって、前記マグネットヨークおよび前記対象システムによって少なくとも部分的に形成され、前記プラットフォームと交差するビーム軸に沿って延在するビーム通路と、
前記サイクロトロンおよび前記対象システムを収納する筺体とを備え、
前記筺体が、第１及び第２の可動の隔壁を有し、
前記第１及び第２の隔壁は、前記第１及び第２の隔壁が開位置にあるときに、前記サイクロトロンの前記加速チャンバおよび前記対象システムへアクセスを可能にするように構成され、
前記第２の部分は、前記放射シールドの一部分を含む、
アイソトープ生成システム。
【請求項１０】
加速チャンバを囲繞するマグネットヨークを含み、前記加速チャンバから前記マグネットヨークを通じて荷電粒子ビームを誘導するように構成されたサイクロトロンと、
前記マグネットヨークに隣接して配置され、対象場所に配置される対象材料を保持するように構成された対象システムであって、
前記加速チャンバから前記対象領域まで延在し、前記マグネットヨークおよび前記対象システムの前記放射シールドによって少なくとも部分的に形成されるビーム通路とを含み、
前記荷電粒子ビームが前記マグネットヨークの外側で前記対象材料上に入射するように、前記対象場所が前記マグネットヨークの外側にあり、
前記対象システムは、前記対象場所を囲み、前記対象材料から放出される中性子を減衰させるように構成された放射シールドを備える前記対象システムと、
前記マグネットヨークと前記放射シールドを通って前記加速チャンバから前記対象場所まで延在するビーム通路と、
を備え、
前記ビーム通路の少なくとも一部は、前記マグネットヨークと前記対象システム音前記放射シールドによって形成され、
前記放射シールドは、前記対象場所が保持される空間を有する対象領域を備え、
前記放射シールドは、外側表面と、前記対象領域から前記放射シールドの前記外側表面へ測定される半径方向厚さを有し、
前記放射シールドは、第１の部分と第２の部分を有し、
前記第１の部分の前記半径方向厚さは、重力方向において前記対象領域からプラットフォームへ延在し、
前記第２の部分の前記半径方向厚さは、前記重力方向と反対の方向において前記対象領域から前記プラットフォームから離れるように延在し、
前記第１の部分の前記半径方向厚さは、前記第２の部分の前記半径方向厚さよりも薄い、
アイソトープ生成システム。