【手続補正書】
【提出日】平成21年2月9日(2009.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第１の基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の部分を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の第２の撥液層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲む形状の第２の絶縁層を形成し、
前記第１の撥液層及び前記第２の撥液層を除去することによって、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に同心円状の第１の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の開口部に充填され且つ前記第３の撥液層を囲む同心円状のゲート電極を形成し、
前記第３の撥液層を除去し、
前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、及び前記第２の導電層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、正または負の導電型が付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングして円状の第４の半導体層を形成し、前記第１の半導体層をエッチングして円状の第３の半導体層を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第３の導電層上であって、前記第３の導電層を囲う円状の第４の撥液層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲う同心円状の部分を有する第４の導電層を形成し、
前記第４の撥液層を除去し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層をマスクとして、前記第４の半導体層をエッチングして前記ゲート電極と重なる位置に同心円状の第２の開口部を有する第６の半導体層を形成し、前記第３の半導体層の一部をエッチングして第５の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第１の基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の部分を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の第２の撥液層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲む形状の第２の絶縁層を形成し、
前記第１の撥液層及び前記第２の撥液層を除去することによって、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に同心円状の第１の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の開口部に充填され且つ前記第３の撥液層を囲む同心円状のゲート電極を形成し、
前記第３の撥液層を除去し、
前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、及び前記第２の導電層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、正または負の導電型が付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングして円状の第４の半導体層を形成し、前記第１の半導体層をエッチングして円状の第３の半導体層を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第２のマスクを形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第２のマスク上であって、前記第２のマスクを囲う円状の第４の撥液層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲う同心円状の部分を有する第３の導電層を形成し、
前記第４の撥液層を除去し、
前記第２のマスク及び前記第３の導電層をマスクとして、前記第４の半導体層をエッチングして前記ゲート電極と重なる位置に同心円状の第２の開口部を有する第６の半導体層を形成し、前記第３の半導体層の一部をエッチングして第５の半導体層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第１の基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の部分を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の第２の撥液層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲む形状の第２の絶縁層を形成し、
前記第１の撥液層及び前記第２の撥液層を除去することによって、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に同心円状の第１の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の開口部に充填され且つ前記第３の撥液層を囲む同心円状のゲート電極を形成し、
前記第３の撥液層を除去し、
前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、及び前記第２の導電層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングして円状の第２の半導体層を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第４の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲い前記ゲート電極と重なる同心円状の第２のマスクを形成し、
前記第４の撥液層を除去し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の半導体層に正又は負の導電型を付与する不純物を添加することにより第３の半導体層を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第３の導電層上であって、前記第３の導電層を囲う円状の第５の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第５の撥液層を囲う同心円状の第４の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の絶縁層を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第１の基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の部分を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の絶縁層を囲む同心円状の第２の撥液層を形成し、
前記第１の導電層上及び前記基板上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲む形状の第２の絶縁層を形成し、
前記第１の撥液層及び前記第２の撥液層を除去することによって、前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層との間に同心円状の第１の開口部を形成し、
前記第１の絶縁層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の開口部に充填され且つ前記第３の撥液層を囲む同心円状のゲート電極を形成し、
前記第３の撥液層を除去し、
前記第１の絶縁層上、前記第２の絶縁層上、及び前記第２の導電層上に、ゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート絶縁層上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングして円状の第２の半導体層を形成し、
前記第１のマスクを除去し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第４の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲い前記ゲート電極と重なる同心円状の第２のマスクを形成し、
前記第４の撥液層を除去し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の半導体層に正又は負の導電型を付与する不純物を添加することにより第３の半導体層を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第５の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第５の撥液層を囲う同心円状の第３の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、正又は負の導電型を付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングすることにより円状の第４の半導体層を形成し、前記第１の半導体層をエッチングすることにより円状の第３の半導体層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の導電層上であって、前記第１の導電層を囲う円状の第１の撥液層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の撥液層を囲う同心円状の第２の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第２の導電層と接する第３の導電層を形成し、
前記第１の撥液層を除去し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をマスクとして、前記第４の半導体層をエッチングして同心円状の開口部を有する第６の半導体層を形成し、前記第３の半導体層の一部をエッチングして第５の半導体層を形成し、
前記第３の導電層上に、液滴吐出法を用いて、第２の撥液層を形成し、
前記第３乃至第５の導電層上に、液滴吐出法を用いて、第２の撥液層を囲うゲート絶縁層を形成し、
前記第２の撥液層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって前記開口部と重なる位置に、液滴吐出法を用いて、前記第３の撥液層を囲う同心円状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、正又は負の導電型を付与された第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第２の半導体層をエッチングすることにより円状の第４の半導体層を形成し、前記第１の半導体層をエッチングすることにより円状の第３の半導体層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の導電層上であって、前記第１の導電層を囲う円状の第１の撥液層を形成し、
前記第４の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第１の撥液層を囲う同心円状の第２の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第２の導電層と接する第３の導電層を形成し、
前記第１の撥液層を除去し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層をマスクとして、前記第４の半導体層をエッチングして同心円状の開口部を有する第６の半導体層を形成し、前記第３の半導体層の一部をエッチングして第５の半導体層を形成し、
前記第３の導電層上に、液滴吐出法を用いて、第２のマスクを形成し、
前記第３乃至第５の導電層上に、液滴吐出法を用いて、第２のマスクを囲うゲート絶縁層を形成し、
前記第２の撥液層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第２の撥液層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって前記開口部と重なる位置に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲う同心円状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の半導体層をエッチングすることにより円状の第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、第１の撥液層を囲う同心円状の第２のマスクを形成し、
前記第１の撥液層を除去し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の半導体層に正又は負の導電型を付与する不純物を添加することにより第３の半導体層を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の導電層上であって、前記第１の導電層を囲う円状の第２の撥液層を形成し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲う同心円状の第２の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第２の導電層に接する第３の導電層を形成し、
前記第２の撥液層を除去することによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層の間に同心円状の開口部を形成し、
前記第１の導電層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成し、
前記第１乃至第３の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第３の撥液層を囲うゲート絶縁層を形成し、
前記第３の撥液層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第４の撥液層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって前記開口部と重なる位置に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲う同心円状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に、第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１のマスクを形成し、
前記第１のマスクを用いて、前記第１の半導体層をエッチングすることにより円状の第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第１の撥液層を形成し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、第１の撥液層を囲う同心円状の第２のマスクを形成し、
前記第１の撥液層を除去し、
前記第２のマスクを用いて、前記第２の半導体層に正又は負の導電型を付与する不純物を添加することにより第３の半導体層を形成し、
前記第２のマスクを除去し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第２の撥液層を形成し、
前記第３の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、前記第２の撥液層を囲う同心円状の第１の導電層を形成し、
液滴吐出法を用いて、前記第１の導電層に接する第２の導電層を形成し、
前記第２の撥液層を除去し、
前記第２の半導体層上に、液滴吐出法を用いて、円状の第３の撥液層を形成することによって、前記第３の撥液層と前記第１の導電層の間に同心円状の開口部を形成し、
前記第１及び第２の導電層上に、液滴吐出法を用いて、前記第３の撥液層を囲うゲート絶縁層を形成し、
前記第３の撥液層を除去し、
前記第３の撥液層を除去された位置に、液滴吐出法を用いて、円状の第４の撥液層を形成し、
前記ゲート絶縁層上であって前記開口部と重なる位置に、液滴吐出法を用いて、前記第４の撥液層を囲う同心円状のゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。