(57)【要約】【課題】本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供する。【解決手段】本発明の剥離方法は、基板上（１０）に剥離層（１２）を介して存在する被剥離物（１４）を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層（１２）の全部又は一部をシリコンゲルマニウム（Ｓｉ(1-x)Ｇｅx)層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。ここで、ｘは組成比率である。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に剥離層を介して存在する被剥離物を前記基板から剥離する方法であって、
前記剥離層の全部又は一部をシリコンゲルマニウム（Ｓｉ(1-x)Ｇｅx)層によって形成し、
前記剥離層に光を照射して前記基板と前記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
基板上にシリコンゲルマニウム層を含む剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に被剥離物を形成する工程と、
前記被剥離物に転写体を接合する工程と、
前記剥離層に光を照射し、前記剥離層に剥離を生じせしめる工程と、
前記基板を前記剥離層から離脱させる工程と、
を有することを特徴とする剥離方法。
【請求項３】
前記剥離層が前記基板上に形成されたアモルファスシリコン層とこの層の上に形成された前記シリコンゲルマニウム層とを含んで構成される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の剥離方法。
【請求項４】
前記シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの組成比率ｘが０．０１＜ｘ＜０．５の範囲である、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項５】
前記シリコンゲルマニウム層の膜厚が１０〜３００ｎｍの範囲内である、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項６】
前記被剥離物が機能性膜又は薄膜デバイスである、請求項１乃至５のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項７】
前記光の照射はレーザ光照射である、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の剥離方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の剥離方法を使用して製造された半導体デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体デバイスを使用した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被剥離物の製造方法、特に、機能性膜のような薄膜よりなる被転写層を剥離し、透明基板のような薄膜よりなる被転写層を剥離し、透明基板のような転写体へ転写する転写方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた液晶ディスプレイを製造するに際しては、基板上に薄膜トランジスタをＣＶＤ等により形成する工程を経る。薄膜トランジスタを基板上に形成する工程は高温処理を伴うため、基板は耐熱性に優れる材質のもの、すなわち、軟化点および融点が高いものを使用する必要がある。そのため、現在では、１０００℃程度の温度に耐える基板としては石英ガラスが使用され、５００℃前後の温度に耐える基板としては耐熱ガラスが使用されている。高温処理を伴う製造プロセスを経る場合には、石英基板や耐熱ガラス基板等が用いられるが、これらは非常に高価であり、したがって製品価格の上昇を招く。また、ガラス基板は重く、割れやすいという性質をもつ。
【０００３】
そこで、出願人は下記特許文献１乃至３に示すような、第1の基板上で薄膜トランジスタなどの薄膜デバイス（被転写体）を形成し、これを剥離して（より安価なガラスやプラスチックなどの）第２の基板に転写する剥離転写技術を提案している。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【特許文献２】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献３】特開２００４−１４０３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した剥離転写技術を用いることによってより安価な基板を使用することが可能となるものの、量産化、製造コスト低減のためには剥離工程における歩留まり改善が望ましい。
【０００６】
よって、本発明はより剥がれやすく、製造工程におけるコストをより低減可能な剥離方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明の剥離方法は、基板上に剥離層を介して存在する被剥離物を上記基板から剥離する方法であって、上記剥離層の全部又は一部をシリコンゲルマニウム（Ｓｉ(1-x)Ｇｅx)層によって形成し、上記剥離層に光を照射して上記基板と上記被剥離物の間に剥離を生ぜしめることを特徴する。
【０００８】
また、本発明の剥離方法は、基板上にシリコンゲルマニウム層を含む剥離層を形成する工程と、上記剥離層上に被転写層を形成する工程と、上記被転写層に転写体を接合する工程と、上記剥離層に光を照射し、上記剥離層に剥離を生じせしめる工程と、上記基板を上記剥離層から離脱させる工程と、を有する。
【０００９】
かかる方法によれば、剥離層にアモルファスシリコン層を用いた場合に比べて１／３程度のレーザエネルギで剥離を生じさせることが可能となる。これは、シリコン−ゲルマニウムの共有結合がシリコン−シリコン共有結合よりも結合力が弱いことに起因すると考えられる。また、剥離層にアモルファスシリコン層を用いる場合には、アモルファスシリコン層中の水素の膨張（ガス化）が剥離をもたらす主たる要因となるのでアモルファスシリコン層中の水素量が剥離性能に重要であるが、このプロセス管理が難しい。本方法によれば剥離層中に水素を用いないので当該プロセス管理が不要で好都合である。
【００１０】
上記剥離層が上記基板上に形成されたアモルファスシリコン層とこの層の上に形成された上記シリコンゲルマニウム層とを含んで構成されることが望ましい。ガラス基板などの上にシリコンゲルマニウム層を直接成膜する場合に比べて、ガラス基板に上に下地層としてアモルファスシリコン層を形成し、この上にシリコンゲルマニウム層を成膜するとシリコンゲルマニウム層の膜形成性が改善される。
【００１１】
上記シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの組成比率ｘが０．０１＜ｘ＜０．５の範囲であることが望ましい。ゲルマニウムの組成比率ｘを増減することでシリコンゲルマニウム層の融点温度を減増することができる。また、シリコンゲルマニウムはゲルマニウムの組成比率ｘによって液相と固相との間の温度差が異なるので組成比率ｘによって剥離のしやすさをコントロールすることが可能である。ただし、シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの組成比率ｘを０．０１以下の値に設定してこれを実現するようにプロセスをコントロールすることは難しく、０．５以上にするとシリコンゲルマニウム層の膜表面が粗い状態になる。
【００１２】
上記シリコンゲルマニウム層の膜厚が１０〜３００ｎｍの範囲内であることが望ましい。シリコンゲルマニウム層の膜厚を１０ｎｍ以下の値に設定してプロセスをコントロールすることは難しく、３００ｎｍ以上の値に設定するとシリコンゲルマニウム層の剥離性が悪化する（剥がれ難くなる）。
【００１３】
上記被剥離物（被転写層）が機能性薄膜又は薄膜デバイスであることが望ましい。機能性薄膜又は薄膜デバイスとしては、抵抗、コイル、キャパシタ、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、その他の薄膜半導体デバイス、電極（透明電極ＩＴＯを含む）、太陽電池、イメージセンサに用いられるような光電変換素子、スイッチング素子、メモリ、圧電素子のアクチュエータ、有機薄膜と他の物質との多層膜など、種々のものが挙げられる。通常、比較的高いプロセス温度を経て形成される被剥離物（被転写層）を第１の基板で作製する。これを第２の基板に転写することによって、第２の基板におけるプロセス温度を下げることが可能となる。
【００１４】
上記光の照射はレーザ光照射である。レーザ光照射によれば、例えば、基板を介して剥離層に光エネルギを集めることが可能であり、シリコンゲルマニウム層のシリコンとゲルマニウム間の結合を分離させることができる。また、他の層への影響が相対的に少ない。
【００１５】
本発明の半導体デバイスは、上述した剥離方法を使用して製造されることを特徴とする。半導体デバイスには、ＴＦＴ、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）、シリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリー、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等が含まれる。
【００１６】
また、本発明の電子機器は、上記半導体デバイスを使用することを特徴とする。電子機器には、液晶パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、電気泳動表示パネル、デジタルマイクロミラーデバイス、発光パネル等の電気光学装置が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を添付図面を参照して説明する。
【００１８】
まず、本発明の着目点について図７乃至図９を参照して説明する。本発明においては、剥離層を構成する先行例の物質であるアモルファスシリコンよりも、結合力が弱い物質を剥離層として使用することに着目した。種々の材料を実験し、剥離層として使用可能なものを検討した結果、シリコンゲルマニウム層が適当であることを見いだした。
【００１９】
先行例で剥離層に使用しているアモルファスシリコンＳｉ−Ｓｉ分子の原子間結合エネルギは７８．１  ＫＪ／ｍｏｌである。これに対してシリコンゲルマニウムＳｉ−Ｇｅ分子の原子間結合エネルギは７２．０  ＫＪ／ｍｏｌである。シリコンゲルマニウム分子の原子間結合エネルギはアモルファスシリコンの分子の原子間結合エネルギに比べて８％程度も低い値である。従って、より低い剥離エネルギで基板を分離できる可能性がある。
【００２０】
図９は、シリコンゲルマニウム層の組成比率による相温度特性を示すグラフである。同図に示すように、横軸はシリコンの組成比率（１−ｘ）を表している。ｘはゲルマニウムの組成率である。縦軸は温度を示している。また、図中の実線は液相特性を、点線は固相特性を示している。シリコンの組成比率０．０の部分はゲルマニウム１の組成が１００％であり、液相曲線及び固相曲線は共にゲルマニウムの融点９３７である。シリコンの組成比率１．０の部分はゲルマニウム１の組成が０％であり、液相曲線及び固相曲線は共にシリコンの融点１４１４℃である。
【００２１】
シリコンとゲルマニウムの組成比率によってシリコンゲルマニウム層はゲルマニウムの融点温度からシリコンの融点温度の間で液相温度及び個相温度が変化する。そして、シリコンとゲルマニウムの組成比率が０．５：０．５のとき、液相温度及び個相温度の差が最も大きくなる。従って、シリコンとゲルマニウムの組成比率でシリコンとゲルマニウム層の融点をコントロールとローすることが可能である。そして、ゲルマニウム（シリコン）の組成比率ｘが０．５近傍のとき、液相温度と個相温度との差が大きいことから剥離させやすいと考えられる。
【００２２】
一方、ゲルマニウムの組成比率ｘを増大させて０．５近傍になると、シリコンゲルマニウム層の膜表面が粗い状態になるので、この上に被転写層を形成する際に不具合である。特に、剥離層の上にシリコン系の膜を成膜して被剥離物を形成する場合には下地層の影響を受け易い。また、シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの組成比率ｘを０．０１以下の値に設定して成膜を行うことはプロセス装置の性能上の限界に近く、プロセスのコントロールが難しい。従って、シリコンゲルマニウム層中のゲルマニウムの組成比率ｘはシリコンが優位な０．０１＜ｘ＜０．５の範囲内で使用すると都合がよい。
【００２３】
もっとも、後続の被剥離物（被転写層）の製造において剥離層の膜質の影響を受けない場合（例えば、剥離層上に被剥離物の下地層を形成する場合や、剥離層上に被シリコン系の膜を成膜する場合など）や、被剥離物が比較的に低温のプロセスで製造される場合には、剥離温度（剥離エネルギ）がより低下する、ゲルマニウムリッチ（過剰）なｘ＞０．５の条件でシリコンゲルマニウム層を形成しても良い。また、ゲルマニウムのみで剥離層を形成しても良い。
【００２４】
図７は、試験サンプルの形状を示しており、耐熱ガラス基板１０の上に、剥離層１２、薄膜トランジスタの被転写層（剥離物）１４、接着層１６、被転写基板１８を形成している。このサンプルに基板１０側からレーザ光を照射して剥離の程度を観察している。
【００２５】
図８は、剥離層１２としてアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）層とシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層とを用いた場合の試験サンプルの剥離に要する光エネルギを示したグラフである。横軸にサンプルの種類、縦軸にレーザ装置の光エネルギ密度を示している。図中に４つのグループの試験サンプルが丸、バツ、三角で示されている。丸印は剥離が生じたサンプル、バツ印は剥離が生じなかったサンプル、三角印は剥離か不十分であったサンプルである。
【００２６】
第１及び第２の試験サンプルグループは、剥離層をアモルファスシリコン層で形成している。アモルファスシリコン層は、ジシランＳｉ2Ｈ6を材料とする５５０℃の熱分解ＣＶＤ法によって得られている。第１の試験サンプルグループは剥離層１２を膜厚１００ｎｍのアモルファスシリコン層で、第２の試験サンプルグループは膜厚１５０ｎｍのアモルファスシリコン層で形成している。
【００２７】
第３の試験サンプルグループは、剥離層１２を膜厚５０ｎｍのアモルファスシリコン層と膜厚１００ｎｍのシリコンゲルマニウム層とで形成している。アモルファスシリコン層はジシランＳｉ2Ｈ6を材料とする５５０℃の熱分解ＣＶＤ法により得ている。シリコンゲルマニウム層はジシランＳｉ2Ｈ6とゲルマンＧｅＨ4を材料とする５５０℃の熱分解ＣＶＤ法により得ることができる。このサンプルグループのシリコンゲルマニウム層のシリコンとゲルマニウムの構成（濃度）比率は、Ｓｉ：Ｇｅ＝８０％：２０％  である。
【００２８】
第４の試験サンプルグループは、剥離層１２を膜厚５ｎｍのアモルファスシリコン層と膜厚１５０ｎｍのシリコンゲルマニウム層とで形成している。このサンプルもアモルファスシリコン層はジシランＳｉ2Ｈ6を材料とする５５０℃の熱分解ＣＶＤ法により得ている。シリコンゲルマニウム層はジシランＳｉ2Ｈ6とゲルマンＧｅＨ4を材料とする５５０℃の熱分解ＣＶＤ法により得ることができる。このサンプルグループのシリコンゲルマニウム層のシリコンとゲルマニウムの構成（濃度）比率は、Ｓｉ：Ｇｅ＝８０％：２０％  である。
【００２９】
第３及び第４の試験サンプルグループにおいて、上述したアモルファスシリコン層は、シリコンゲルマニウム層の成膜特性を改善する（ガラス基板上にシリコンゲルマニウム層を直接堆積すると膜の成長や結晶性が悪い）ため、また、剥離層を略１５０ｎｍとして同じ膜厚で比較するために使用されている。
【００３０】
上述した、実験結果によれば、膜厚１００ｎｍのアモルファスシリコン層と同膜厚のシリコンゲルマニウム層の剥離に要する最低エネルギを比較すると、前者が１４００ｍＪ/ｃｍ2であるのに対して後者は４００ｍＪ/ｃｍ2であり、シリコンゲルマニウム層はアモルファスシリコン層の１／３以下のレーザエネルギで剥離可能ある。膜厚１５０ｎｍのアモルファスシリコン層と同膜厚のシリコンゲルマニウム層の剥離に要する最低エネルギを比較すると、前者が１８００ｍＪ/ｃｍ2であるのに対して後者は５００ｍＪ/ｃｍ2であり、シリコンゲルマニウム層はアモルファスシリコン層の１／３以下のレーザエネルギで剥離可能ある。
【００３１】
また、膜厚１００ｎｍと膜厚１５０ｎｍのアモルファスシリコン層では剥離に要する最低エネルギに４００ｍＪ/ｃｍ2の差があるのに対して、膜厚１００ｎｍと膜厚１５０ｎｍのシリコンゲルマニウム層では剥離に要する最低エネルギの差は１００ｍＪ/ｃｍ2である。従って、シリコンゲルマニウム層では膜厚差による剥離のばらつきも少ない。
【００３２】
この結果は、シリコンゲルマニウムにおける共有結合がシリコンシリコンにおける共有結合よりも弱い（不安定）であることに起因すると考えられる。また、剥離層としてアモルファスシリコンを用いる場合には、アモルファスシリコン層中の水素のガス化・膨張が剥離を促す主たる要因となるが、シリコンゲルマニウムを用いる場合には、（シリコンゲルマニウム層は水素を含むものでなく）シリコンとゲルマニウム間の共有結合の解除が剥離を促す主たる要因となっており、このような剥離の生じる主たる要因の相違が実験結果に表れたものと考えられる。
【００３３】
また、図８中には示していないが、シリコンゲルマニウム層の膜厚は１０〜３００ｎｍの範囲内で使用することが望ましい。シリコンゲルマニウム層の膜厚を１０ｎｍ以下の値に設定してプロセスをコントロールすることは難しく、３００ｎｍ以上の値に設定するとシリコンゲルマニウム層の剥離性が悪化する（剥がれ難くなる）傾向がある。
【００３４】
このように、シリコンゲルマニウム層を剥離層とすることによって、レーザ装置のレーザエネルギを約１／３に低減でき、膜厚のばらつきによる影響が少なく剥離状態も均質であるという利点が得られる。レーザエネルギの低減により、レーザ装置の高価な光源（消耗品）の寿命が延び、プロセスコストが低下する。また、膜中の水素量のコントロールが必要なアモルファスシリコンを剥離層として使用する場合のような、プロセスコントロールの難しさもなく、具合がよい。
【００３５】
（剥離方法）
次に、剥離層に上述したシリコンゲルマニウム層を使用する剥離方法（薄膜デバイスの転写方法）について、図１乃至図６を参照して説明する。
【００３６】
まず、図１に示すように基板１００を準備する。基板１００は、透光性、耐熱性の絶縁基板である。具体的には、石英ガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラスが挙げられる。
【００３７】
この基板１００の上に、熱ＣＶＤ法によってジシランＳｉ2Ｈ6を材料として５５０℃の雰囲気下でアモルファスシリコン層を５０ｎｍ成膜し、下地層を形成する。続いて、同じ熱ＣＶＤ法によってジシランＳｉ2Ｈ6とゲルマンＧｅＨ4とを材料として５５０℃の雰囲気下でアモルファスシリコン層上にシリコンゲルマニウム層を１００ｎｍ成膜して２層からなる剥離層１２０を形成する。シリコンゲルマニウム層は材料ガスの供給量を調整してシリコンＳｉ：ゲルマニウムＧｅの組成比率を０．８：０．２とした。シリコンゲルマニウム層の堆積レートは１４．４ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００３８】
本実施例では、アモルファスシリコン層はシリコンゲルマニウム層のガラス基板上への成膜性を改善する下地層として形成されている。この結果、剥離層１２０はアモルファスシリコン層（下地層）とシリコンゲルマニウム層の２層によって構成されているが、アモルファスシリコン層は必須ではない。下地の基板（層）によってはシリコンゲルマニウム層のみの単層構造であってもよい。更に、シリコンゲルマニウム層の上に光反射層や保護層等を設けるなどして剥離層１２０を多層膜構造としても良い。
【００３９】
次に、図２に示すように、剥離層１２０上に被剥離物（被転写層）１４０を形成する。被剥離物１４０としては、例えば、薄膜半導体デバイスであるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が該当する。
【００４０】
まず、図２中のＫ部分に示すように、シランＳｉＨ4と酸素Ｏ2を材料としてＥＣＲ−ＣＶＤ法によってシリコン酸化膜ＳｉＯ2（中間層）１４２を２００ｎｍ程度形成する。なお、シリコン窒化膜Ｓｉ3Ｎ4などのシリコン酸化膜以外の絶縁膜を中間層１４２として使用することができる。
【００４１】
中間層１４２は、種々の目的で形成され、例えば、被転写層１４０を物理的または化学的に保護する保護層，絶縁層，導電層，レーザ光の遮光層，マイグレーション防止用のバリア層，反射層としての機能等が挙げられる。
【００４２】
中間層１４２の上に上述したＴＦＴを形成する場合には、例えば、以下のようにする。中間層１４２の上に膜厚５０nmの非晶質シリコン膜を低圧ＣＶＤ法（Ｓｉ2 Ｈ6 ガス、４２５℃）により形成し、この非晶質シリコン膜にレーザ光（波長３０８nm）を照射して、結晶化させ、ポリシリコン膜とする。その後、このポリシリコン膜に対し、所定のパターンニングを施し、薄膜トランジスタのソース・ドレイン・チャネルとなる領域を形成する。この後、１０００°Ｃ以上の高温によりポリシリコン膜表面を熱酸化してゲート絶縁膜ＳｉＯ2 を形成した後、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、ゲート電極をマスクとしてイオン注入することによって、自己整合的（セルファライン）にソース・ドレイン領域を形成し、薄膜トランジスタを形成する。この後、必要に応じて、ソース・ドレイン領域に接続される電極及び配線、ゲート電極につながる配線を形成する。この上に保護膜を形成してＴＦＴが完成する。
【００４３】
被剥離物（被転写層）１４０であるＴＦＴは、ポリシリコン層にｎ型不純物を導入して形成されたソース，ドレイン層１４６と、チャネル層１４４と、ゲート絶縁膜１４８と、ゲート電極１５０と、層間絶縁膜１５４と、例えばアルミニュウムからなる電極１５２等を具備する。
【００４４】
図３に示すように、被剥離物１４０の上に紫外線硬化型の接着剤１６０をスピンコート法によって膜厚１００μｍ程度に塗布し、転写体であるガラス基板１８０を接合する。ガラス基板１８０側から紫外線を照射して接着剤１６０を硬化させ、ガラス基板１８０を固定する。
【００４５】
なお、接着剤１６０としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤等が適宜に使用される。また、転写体１８０としては、各種合成樹脂（熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂等）または各種ガラス材（石英ガラス、アルカリガラス等）を使用することができる。
【００４６】
次に、図４に示すように、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）を基板１００側から照射し、剥離層１２０に剥離を生じさせる。照射したレーザのエネルギ密度は５００ｍＪ／ｃｍ2であった。既述したように、剥離層１２０のシリコンゲルマニウムはエネルギ付与によって両原子間の共有結合が解除され、シリコン・ゲルマニウム間の分離が生じて剥離し易い状態となる。
【００４７】
なお、より低いエネルギ密度で照射領域を１／１０程度ずつシフトしながら照射しても良い。
【００４８】
図５に示すように、基板１００と転写体である基板１８０とを引きはがし、被剥離物である半導体デバイス（ＴＦＴ）を基板１８０側に転写する。
【００４９】
更に、図６に示すように、必要により、基板１８０側に残った剥離層１２０を洗浄やエッチングなどによって除去する。また、石英基板１００についても同様の処理を行って再使用に供する。
【００５０】
なお、剥離層であるシリコンゲルマニウム層１２０の形成方法は、上述した熱ＣＶＤ法に限定されるものではなく、同様の結果が得られる他の方法であっても良い。例えば、ＭＯＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ等であっても良い。
【００５１】
また、場合によっては、中間層１４２を形成せず、剥離層１２０上に直接被剥離物（被転写層）１４０を形成してもよい。被剥離物１４０としては、ＴＦＴの他に、例えば、薄膜ダイオードや、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子（光センサ、太陽電池）やシリコン抵抗素子、その他の薄膜半導体デバイス、電極（例：ＩＴＯ、メサ膜のような透明電極）、スイッチング素子、メモリ、圧電素子等のアクチュエータ、マイクロミラー（ピエゾ薄膜セラミックス）、磁気記録薄膜ヘッド、コイル、インダクター、薄膜高透磁材料およびそれらを組み合わせたマイクロ磁気デバイス、フィルター、反射膜、ダイクロイックミラー等がある。
【００５２】
また、照射する光としては、剥離層１２０に層内剥離および／または界面剥離を起こさせるものであればいかなるものでもよく、例えば、Ｘ線、紫外線、可視光、赤外線（熱線）、レーザ光、ミリ波、マイクロ波、電子線、放射線（α線、β線、γ線）等が挙げられる。そのなかでも、剥離層１２０の剥離を生じさせ易いという点で、レーザ光が好ましい。
【００５３】
また、このレーザ光を発生させるレーザ装置としては、各種気体レーザ、固体レーザ（半導体レーザ）等が挙げられるが、エキシマレーザ、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ、Ａｒレーザ、ＣＯ2レーザ、ＣＯレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ等が好適に用いられ、その中でもエキシマレーザが特に好ましい。
【００５４】
エキシマレーザは、短波長域で高エネルギを出力するため、極めて短時間で剥離層１２０に分子・原子間の結合力低下、膜の分離・破壊を生じさせることができるので、隣接する転写体１８０や基板１００等に温度上昇をほとんど生じさせることなく具合がよい。すなわち、基板１００や１８０に劣化、損傷を生じさせることなく、剥離層１２０を剥離することが可能である。
【００５５】
なお、剥離層１２０を透過した照射光が被剥離物（被転写層）１４０にまで達して悪影響を及ぼす場合の対策としては、例えば、剥離層１２０にシリコンゲルマニウム層にタンタル（Ｔａ）等の金属膜１２４を追加形成する方法がある。これにより、剥離層１２０を透過したレーザ光は、金属膜の界面で完全に反射され、それより上の被剥離物（被転写層）１４０に悪影響を与えない。
【００５６】
また、剥離層１２０の面積が照射光の１回の照射面積より大きい場合には、剥離層１２０の全領域に対し、複数回に分けて照射光を照射することもできる。また、同一箇所に２回以上照射してもよい。また、異なる種類、異なる波長（波長域）の照射光（レーザ光）を同一領域または異なる領域に２回以上照射してもよい。
【００５７】
以上説明したように、本発明の実施例はシリコンゲルマニウム層を剥離層として使用しているので、アモルファスシリコン層を剥離層とした場合に比べて低パワーで剥離を行うことができる。また、剥離のばらつきが減り、剥離転写法における歩留まりを向上することが可能となって具合がよい。
【００５８】
（電子機器）
【００５９】
次に、上述した剥離方法によって製造される半導体デバイスを備える電子機器の例について説明する。本実施形態にかかる半導体デバイスは、各種の電子機器において、表示部を構成する液晶パネル、エレクトロルミネッセンスパネル、電気泳動表示パネルなどの製造や、回路部の製造などに適用することができる。
【００６０】
図１０は、電子機器の例を示す概略斜視図である。同図（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話５３０はアンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、表示部５３５を備えている。
【００６１】
同図（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ５４０は受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、表示部５４４を備えている。
【００６２】
同図（Ｃ）はテレビジョン装置への適用例であり、当該テレビジョン装置５５０は表示部５５１を備えている。
【００６３】
同図（Ｄ）はロールアップ式テレビジョン装置への適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン装置５６０は表示部５６１を備えている。また、本発明にかかる薄膜デバイスは、上述した例に限らず各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【００６４】
なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図２】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図３】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図４】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図５】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図６】本発明の実施例を説明する工程図である。
【図７】実験サンプルを説明する説明図である。
【図８】実験結果を説明するグラフである。
【図９】シリコンゲルマニウムの組成比率による相変化温度特性を示すグラフである。
【図１０】本発明適用して得られた半導体デバイスを使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【符号の説明】
【００６６】
１０，１００  石英基板（第１の基板）、１２，１２０  剥離層、１４，１４０  被剥離対象（被転写層）、１６０  接着剤、１８０  ガラス基板（第２の基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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