(57)【要約】【課題】  マグネトロンスパッタリング装置において、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、異常放電が発生し難く、良好な薄膜形成ができるようにする。【解決手段】  処理基板Ｓに対向して配置されるターゲット４１の後方に磁石組立体５を、長手方向に沿って線状に配置した中央磁石５２と、中央磁石の両側で平行に延びる直線部及び両直線部相互間を橋し渡す折り返し部から構成される周辺磁石５３とをターゲット側の極性をかえて設ける。中央磁石と周辺磁石の各直線部とが等間隔で、かつ、前記磁石組立体の長手方向両端部で中央磁石と各直線部との間隔が磁石組立体の中央領域におけるものより狭くする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理基板に対向して配置されるターゲットの後方に磁石組立体を備え、この磁石組立体は、長手方向に沿って線状に配置した中央磁石と、中央磁石両側で平行に延びる直線部及び両直線部相互間を橋し渡す折り返し部から構成される周辺磁石とをターゲット側の極性をかえて有し、前記中央磁石と周辺磁石の各直線部とが等間隔で、かつ、前記磁石組立体の長手方向両端部で中央磁石と各直線部との間隔を磁石組立体の中央領域におけるものより狭くしたことを特徴とするマグネトロンスパッタ電極。
【請求項２】
前記直線部の一方及び中央磁石の両端部を、他方の直線部側に移動させて前記間隔を狭くし、前記両端部が回転対称であることを特徴とする請求項１記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項３】
前記中央磁石の両端部のうち、他方の直線部側の側面に磁気シャントを設けたことを特徴とする請求項２記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項４】
前記他方の直線部のうち、磁石組立体の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部を、中央磁石側に移動させたことを特徴とする請求項２または請求項３記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項５】
前記他方の直線部のうち、磁石組立体の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部の上面に、補助磁石を追加したことを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項６】
前記磁石組立体を、ターゲットの裏面に沿って平行に往復動させる駆動手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のマグネトロンスパッタ電極。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６記載のマグネトロンスパッタ電極を真空排気可能なスパッタ室内に配置し、スパッタ室内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源とを設けたことを特徴とするスパッタリング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンスパッタリング方式で処理基板上に所定の薄膜を形成するためのマグネトロンスパッタ電極及びこのマグネトロンスパッタ電極を備えたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種のスパッタリング装置では、例えば矩形のターゲットの前方（スパッタ面側）にトンネル状の磁束を形成するために磁石組立体が設けられている。そして、ターゲットに負の直流電圧または交流電圧を印加してターゲットをスパッタリングする際、ターゲット前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉してターゲット前方での電子密度を高め、これらの電子と真空チャンバ内に導入される希ガスのガス分子との衝突確率を高めることでプラズマ密度を高めている。これにより、例えば処理基板の著しい温度上昇を伴うことなく成膜速度を向上できる等の利点があり、処理基板上に金属膜等を形成することによく利用されている。
【０００３】
この種のスパッタリング装置に組み込まれる磁石組立体としては、ターゲットに平行に設けた支持板（ヨーク）と、この支持板の上面略中央に、その長手方向に沿って線状に配置した中央磁石と、この中央磁石の周囲を囲うようにターゲット側の極性をかえて配置した周辺磁石とから構成したものが知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−２７８５０２号公報（例えば、従来技術の欄参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記スパッタリング装置を用いてスパッタリングする際、ターゲットの前方にレーストラック状に発生したプラズマ中の電子は、中央磁石と周辺磁石とのターゲット側の極性に応じて、このレーストラックに沿って時計周りまたは半時計回りに運動している。そして、ターゲットの端部まで来ると、電磁場によって曲げられて向きを変えるが、向きを変える際に惰性的な運動が残ることから、電子がターゲット端側に飛び出す。
【０００５】
この惰性的な運動によってターゲット端側に電子が飛び出すと、プラズマが局所的に拡がってターゲットの侵食領域がターゲット端側に延びることで、放電が不安定になって良好な薄膜形成が阻害される虞がある。また、スパッタリングの進行に伴うターゲットの侵食領域を均一にするために、磁石組立体をターゲットに沿って水平に往復動させる場合、上記電子の飛び出しを考慮すると、磁石組立体の大きさや移動量を小さくする必要があり、これでは、却って非侵食領域が大きくなってターゲットの利用効率が悪くなる。
【０００６】
そこで、上記点に鑑み、本発明の課題は、ターゲットの外周縁部を均等に侵食でき、良好な薄膜形成が可能であり、その上、ターゲットの利用効率を高くできるマグネトロンスパッタ電極及びマグネトロンスパッタ電極を備えたスパッタリング装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、請求項１記載のマグネトロンスパッタ電極は、処理基板に対向して配置されるターゲットの後方に磁石組立体を備え、この磁石組立体は、長手方向に沿って線状に配置した中央磁石と、中央磁石両側で平行に延びる直線部及び両直線部相互間を橋し渡す折り返し部から構成される周辺磁石とをターゲット側の極性をかえて有し、前記中央磁石と周辺磁石の各直線部とが等間隔で、かつ、前記磁石組立体の長手方向両端部で中央磁石と各直線部との間隔を磁石組立体の中央領域におけるものより狭くしたことを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、磁石組立体の長手方向の両端部で中央磁石と各直線部との間の間隔を局所的に狭くしたため、中央磁石と周辺磁石との間でトンネル状に発生した各磁束のうち、この間隔を局所的に狭くした領域に位置するものの磁場の垂直成分が０となる位置が、一定の範囲で中央磁石側に局所的にシフトする。このため、ターゲット前方にプラズマを発生させたとき、電子がターゲットの端部まで来て電磁場で曲げられて向きを変えるときに惰性的な運動が残っても、ターゲット端側に飛び出すことが防止され、プラズマが局所的に拡がることが防止される。その結果、スパッタリングの際に安定して放電させることができ、良好な薄膜形成が可能になる。
【０００９】
この場合、ターゲット側の極性に応じて、前記直線部の一方及び中央磁石の両端部を、他方の直線部側に移動させて前記間隔を狭くし、前記両端部が回転対称であれば、磁石組立体を往復動させる場合に、その往復動方向で惰性的な運動によってターゲット端側に電子が飛び出す箇所のみ、磁場の垂直成分が０となる位置を一定の範囲で電子の飛び出し方向と反対側にシフトさせることができ、ターゲットの外周縁部でのスパッタリングの進行に伴うターゲットの侵食領域を均一にできる。
【００１０】
例えば、前記直線部の一方及び中央磁石の両側の一部を他方の直線部側に移動させて前記間隔を狭くした場合、これに起因して、電子の飛び出し方向と反対側に位置する磁場の垂直成分が０となる位置が局所的にターゲット端側にシフトする場合があり、これでは、レーストラック状に発生したプラズマの一部がターゲット端側に拡がる。この場合、前記中央磁石の両端部のうち、他方の直線部側の側面に磁気シャントを設ければ、中央磁石のうち磁気シャントを設けた箇所の磁力が局所的に弱まって、上記電子の飛び出し方向に、磁場の垂直成分が０となる位置を一定の範囲でシフトさせる再補正ができてよい。
【００１１】
他方、垂直成分が０となる位置を再補正するために、上記に加えてまたは上記にかえて、前記他方の直線部のうち、磁石組立体の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部を、中央磁石側に移動させてもよい。
【００１２】
また、前記他方の直線部のうち、磁石組立体の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部の上面に、補助磁石を追加して、周辺磁石の一部の磁力を局所的に強めて、上記電子の飛び出し方向に磁場の垂直成分が０となる位置をシフトさせて再補正するようにしてもよい。
【００１３】
前記磁石組立体を、ターゲットの裏面に沿って平行に往復動させる駆動手段を備えておけば、ターゲットの外周縁部でのスパッタリングの進行に伴うターゲットの侵食領域を均一にできることから、磁石組立体の移動距離を大きくでき、その結果、ターゲットの高い利用効率が達成できる。
【００１４】
また、上記課題を解決するために、請求項６記載の発明は、請求項１乃至請求項５記載のマグネトロンスパッタ電極を真空排気可能なスパッタ室内に配置し、スパッタ室内に所定のガスを導入するガス導入手段と、ターゲットへの電力投入を可能とするスパッタ電源とを設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明のマグネトロンスパッタ電極及びこのマグネトロンスパッタ電極を備えたスパッタリング装置では、ターゲットの外周縁部を均等に侵食できてターゲットの利用効率が高く、その上、放電を安定させて良好な薄膜形成が可能になるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図１を参照して説明すれば、１は、本発明のマグネトロンスパッタ電極Ｃを有するマグネトロン方式のスパッタリング装置（以下、「スパッタ装置」という）である。スパッタ装置１は、例えばインライン式のものであり、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段（図示せず）を介して所定の真空度に保持できるスパッタ室１１を有する。スパッタ室１１の上部空間には基板搬送手段２が設けられている。基板搬送手段２は、公知の構造を有し、例えば、処理基板Ｓが装着されるキャリア２１を有し、駆動手段を間欠駆動させて、後述するターゲットと対向した位置に処理基板Ｓを順次搬送できる。
【００１７】
スパッタ室１１にはガス導入手段３が設けられている。ガス導入手段３は、マスフローコントローラ３１を介設したガス管３２を通じてガス源３３に連通し、アルゴンなどのスパッタガスや反応性スパッタリングの際に用いる反応ガスがスパッタ室１１内に一定の流量で導入できる。反応ガスとしては、処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて選択され、酸素、窒素、炭素、水素を含むガス、オゾン、水若しくは過酸化水素またはこれらの混合ガスなどが用いられる。スパッタ室１１の下側には、マグネトロンスパッタ電極Ｃが配置されている。
【００１８】
マグネトロンスパッタ電極Ｃは、スパッタ室１１を臨むように設けた略直方体（上面視で長方形）の一枚のターゲット４１を有する。ターゲット４１は、Ａｌ合金、ＭｏやＩＴＯなど処理基板Ｓ上に成膜しようする薄膜の組成に応じて公知の方法でそれぞれ作製され、スパッタ面４１１の面積が処理基板Ｓの外形寸法より大きく設定されている。ターゲット４１はまた、スパッタリング中、ターゲット４１を冷却するバッキングプレート４２にインジウムやスズなどのボンディング材を介して接合され、バッキングプレート４２にターゲット４１を接合した状態で、ターゲット４１のスパッタ面４１１を処理基板Ｓと対向するように絶縁板４３を介してマグネトロンスパッタ電極Ｃのフレーム４４に装着される。ターゲット４１を装着したとき、ターゲット４１の周囲には、グランド接地されたアノードとしての役割を果たすシールド（図示せず）が取付けられる。
【００１９】
マグネトロンスパッタ電極Ｃは、ターゲット４１の後方（スパッタ面４１１と反対側）に位置して磁石組立体５を有する。磁石組立体５は、ターゲット４１の長手方向に沿ってその両側に延出するように形成した支持板（ヨーク）５１を有する。支持板５１は、磁石の吸着力を増幅する磁性材料製の平板から構成される。また、支持板５１上には、支持板５１の長手方向に延びる中心線上に位置させて配置した中央磁石５２（例えば、ターゲット４１側の極性がＳ）と、この中央磁石５２の周囲を囲うように、支持板５１の上面外周に沿って環状に配置した周辺磁石５３（ターゲット４１側の極性がＮ）とがターゲット４１側の極性をかえて設けられている。
【００２０】
周辺磁石５３は、中央磁石５２に沿って平行に延びる直線部５３ａ、５３ｂと、両直線部５３ａ、５３ｂの相互間を橋し渡す長手方向両側の各折り返し部５３ｃとから構成されている。この場合、中央磁石５２と両直線部５３ａ、５３ｂとの間の間隔は一定であり、また、中央磁石５２の同磁化に換算したときの体積をその周囲を囲う周辺磁石５３の同磁化に換算したときの体積の和（周辺磁石：中心磁石：周辺磁石＝１：２：１（図１参照））程度になるように設計される。これにより、ターゲット４１の前方（スパッタ面４１１側）に、釣り合った閉ループのトンネル状の磁束がそれぞれ形成され、ターゲット４１の前方で電離した電子及びスパッタリングによって生じた二次電子を捕捉することで、ターゲット４１前方での電子密度を高くしてプラズマ密度を高くできる。
【００２１】
そして、処理基板Ｓを、ターゲット４１と対向した位置に搬送し、ガス導入手段３を介して所定のスパッタガスや反応ガスを導入した後、ターゲット４１に接続したスパッタ電源（図示せず）を介して、負の直流電圧または高周波電圧を印加すると、処理基板Ｓ及びターゲット４１に垂直な電界が形成され、ターゲット４１の前方に、レーストラック状のプラズマが発生してターゲット４１がスパッタリングされることで処理基板Ｓ上に所定の薄膜が形成される。
【００２２】
上記のように磁石組立体５を設けた場合、中央磁石５２や周辺磁石５３の上方におけるプラズマ密度は低くなり、その周辺と比較して、スパッタリングの進行に伴うターゲット４１の侵食量が少なくなる。このため、支持板５１の横幅をターゲット４１の幅より小さく定寸すると共に、エアーシリンダやモータなどの駆動手段６を設け、駆動手段６の駆動軸６１に磁石組立体５を取付けた。そして、スパッタリング中、ターゲット４１の幅方向（中央磁石５２の長手方向と直角な方向）に沿った水平な２箇所の位置で磁石組立体５を平行に往復動させてトンネル状の磁束の位置を変えるようにしている。これにより、ターゲット４１の外周縁部を含むその全面に亘って略均等に侵食でき、さらには二次元的な往復動によってターゲット４１の利用効率をさらに高めることができる。
【００２３】
ところで、図２に示すように、従来技術のように磁石組立体５を構成し、ターゲット４１の前方にレーストラック状のプラズマを発生させたとき、中央磁石５２のターゲット４１側の極性をＳ、周辺磁石５３のターゲット４１側の極性をＮとすると、プラズマ中の電子は、ターゲット４１の裏側から見た場合、レーストラックＴ１に沿って時計周りに運動している。そして、ターゲット４１の端部まで来ると、電磁場によって曲げられて向きを変えるが、向きを変える際に惰性的な運動が残ることから、電子がターゲット４１端側に飛び出し、レーストラック状のプラズマの一部が局所的にターゲット４１端側に拡がる（図２（ａ）に示すように、例えばターゲット４１の左下側では下方向（Ｘ方向）に飛び出し、他方、図示しないターゲット４１の右上側では上方向に飛び出すようになる）。
【００２４】
このような状態で磁石組立体５を往復動させた場合、ターゲット４１端側に（またはターゲット４１端の外側まで）電子が飛び出すと、ターゲット４１の侵食領域Ｅ１の一部が、局所的にターゲット４１端側まで延び（図２（ｂ）で符号Ｒで示す領域）、放電が不安定になって良好な薄膜形成が阻害される。このような電子の飛び出しを考慮すると、磁石組立体５の大きさや移動量を小さくすることが考えられるが、これでは、却って非侵食領域が大きくなり、ターゲット４１の利用効率が悪くなる。
【００２５】
図３に示すように、本実施の形態では、磁石組立体５の長手方向の両端部において、中央磁石５２と周辺磁石５３の両直線部５３ａ、５３ｂとの間の間隔を一定に保持しつつ中央磁石５２と各直線部５３ａ、５３ｂとの間隔が、磁石組立体５の中央領域におけるものより狭くなると共に、この間隔を狭くした磁石組立体５の長手方向の両端部が回転対称となるように磁石組立体５を構成した。即ち、中央磁石５２のうち両端部５２１、５２２と、一方の直線部５３ａ（中央磁石の他端では他方の直線部５３ｂ）の両端部５３１、５３２とを、電子の飛び出し方向Ｘと反対側に位置する他方の直線部５３ｂ（中央磁石の他端では一方の直線部５３ａ）側に段階的に移動させ、磁石組立体５の中央領域での間隔Ｄ１より、その長手方向両側に向かうに従い間隔Ｄ２、Ｄ３が狭くなるようにした。
【００２６】
例えば、ターゲット４１が２００×２５００ｍｍの寸法を有するとき、ターゲット４１端から１００〜２５０ｍｍの範囲の位置で、最大２０ｍｍ程度の電子の飛び出しが発生することから、このような場合には、磁石組立体５の長手方向両端から３５０ｍｍ程度の範囲を、磁石組立体５の長手方向の両端部とし、この両端部において電子の飛び出し距離に応じた幅（例えば、３０ｍｍ以下）で間隔Ｄ２、Ｄ３を狭くする。この場合、長手方向の両端からの距離が３５０ｍｍより長くなると、非侵食領域が広がってしまう。
【００２７】
これにより、中央磁石５２と周辺磁石５３との間でトンネル状に発生した各磁束のうち、この間隔を局所的に狭くした領域に位置するものの磁場の垂直成分が０となる位置（最もプラズマが密度が高くなり、ターゲットのスパッタに寄与する位置）が一定の範で中央磁石５２側に局所的にシフトする。即ち、図３（ｂ）に示すように、磁場の垂直成分が０となる位置をそれぞれ通るトラック状の線Ｌ１をみると、中央磁石５２の両端部５２１、５２２と、一方の直線部５３ａの両端部５３１、５３２とを、電子の飛び出し方向Ｘと反対側に位置する他方の直線部５３ｂ側に移動させることで、この移動させた領域で、線Ｌ１のうち一方の直線部５３ａ側に位置するものが中央磁石５２側にシフトする。
【００２８】
このため、ターゲット４１前方にプラズマを発生させたとき、電子がターゲット４１の端部まで来て電磁場で曲げられて向きを変えるときに惰性的な運動が残っても、ターゲット４１端側に飛び出すことが防止され、プラズマが局所的に拡がることはない。その結果、ターゲット４１の外周縁部でのスパッタリングの進行に伴うターゲットの侵食領域Ｅ２をターゲット４１の長手方向に沿って略線状にできると共に（図３（ｃ）参照）、スパッタリングの際に安定して放電させることができ、良好な薄膜形成が可能になる。また、スパッタリング中、ターゲット４１の幅方向に沿って磁石組立体５を往復動させても、磁石組立体５のターゲットの移動距離を大きくできるため、ターゲット４１の外周縁部を含むその全面に亘って略均等に侵食でき、ターゲット４１の利用効率をさらに高めることができる。
【００２９】
ところで、上記のように磁石組立体５を構成した場合、これに起因して、電子の飛び出し方向と反対側に存する、磁場の垂直成分が０となる位置が一定の範囲で電子の飛び出し方向と反対側に局所的にシフトする場合がある。即ち、図３（ｂ）に示すように、磁場の垂直成分が０となる位置をそれぞれ通るトラック状の線Ｌ１をみると、中央磁石５２及び一方の直線部５３ａを移動させた領域で、線Ｌ１のうち他方の直線部５３ｂ側に位置する範囲Ｌａが、電子の飛び出し方向Ｘと反対側に膨らむようにシフトする。この場合、レーストラック状に発生したプラズマの一部がターゲット４１端側に拡がり、侵食領域Ｅ２がターゲット４１端方向に若干延びる虞がある。このため、図４（ａ）に示すように、中央磁石５２のうち、他方の直線部５３ｂ側に移動させた部分５２２の側面に磁気シャント７を設けることが好ましい。
【００３０】
これにより、中央磁石５２のうち磁気シャント７を設けた箇所の磁力を局所的に弱めて、電子の飛び出し方向に、磁場の垂直成分が０となる位置をシフトさせて上記膨らみが再補正される。つまり、線Ｌ１のうち、他方の直線部５３ｂより外側に膨らんだ領域Ｌａが中央磁石５２側にシフトし、図４（ｂ）に示すようなレーストラック状の線Ｌ２となる。その結果、ターゲット４１の外周縁部でのスパッタリングの進行に伴うターゲット４１の侵食領域を、ターゲット４１の長手方向に沿ってより線状に均一にできる。
【００３１】
磁気シャント７としては、最大透磁率が高くかつ剛性を有する材料であればよく、例えば、ＳＵＳ４３０などの磁性を有するステンレス、磁場の減衰効果を高められる純鉄、ニッケルなどの金属、パーマロイ、スーパーマロイなどの透磁率の高いアロイを用いることができ、その厚さは、１．０〜５．０ｍｍの範囲に設定され、例えば、直線部５３ｂ側に移動させた部分５２２のその全長に亘って取付けられる。
【００３２】
他方で、図５に示すように、レーストラック状の線Ｌ１の膨らみを再補正するために、上記に加えてまたは上記にかえて、前記他方の直線部５３ｂのうち、磁石組立体５の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部５３０を、好ましくは、線Ｌ１の膨らんだ領域Ｌａに対応する部分を、中央磁石５２側に移動させてもよい。これにより、膨らみが中央磁石５２方向にシフトして再補正され、図５（ｂ）に示すようなレーストラック状のＬ３となる。
【００３３】
さらに、図６に示すように、レーストラック状の線Ｌ１の膨らみを再補正するために、上記に加えてまたは上記にかえて、他方の直線部５３ｂのうち、磁石組立体の長手方向の両端部に対向する部分の少なくとも一部、好ましくは、線Ｌ１の膨らんだ領域Ｌａに対応する部分の上面に、補助磁石８を追加してもよい。これにより、補助磁石８を設けた箇所の磁力を局所的に強めて、磁場の垂直成分が０となる位置をシフトさせて上記膨らみが再補正される。
【００３４】
尚、本実施の形態では、磁石組立体５の作製を考慮して、中央磁石５２のうち両端部５２１、５２２と、一方の直線部５３ａの両端部５３１、５３２とを他方の直線部５３ｂ側に段階的で移動させたものについて説明したが、これに限定されるものではなく、電子の飛び出し幅に応じて、磁石組立体５の長手方向両端に向かうに従い、間隔が連続して変化するようにしてもよい。
【００３５】
また、本実施の形態では、一枚のターゲット４１を配置したマグネトロンスパッタ電極Ｃについて説明したが、これに限定されるものではなく、処理基板Ｓに対し複数枚のターゲット４１を並設したものについて本発明を適用できる。複数枚のターゲット４１を並設した場合、惰性的な運動によって電子がターゲット端から外側に飛び出すと、隣接するターゲットに電子が飛び移って放電を不安定にするが、本発明を適用することで、電子の飛び移りが防止され、放電を安定させて良好な薄膜形成が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のスパッタリング装置を模式的に説明する図。
【図２】（ａ）は、従来技術に係る磁石組立体の構成を説明する図。（ｂ）は、電子の飛び出しを説明する図。
【図３】（ａ）は、本発明に係る磁石組立体の構成を説明する図。（ｂ）は、レーストラックの補正を説明する図。（ｃ）は、スパッタリングの進行に伴うターゲットの侵食領域を説明する図。
【図４】（ａ）は、本発明の他の形態に係る磁石組立体の構成を説明する図。（ｂ）は、磁場垂直成分が０となる位置を通るレーストラック状の線の位置の補正を説明する図。
【図５】（ａ）は、本発明の他の形態に係る磁石組立体の構成を説明する図。（ｂ）は、磁場垂直成分が０となる位置を通るレーストラック状の線の位置の補正を説明する図。
【図６】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の他の形態に係る磁石組立体の構成を説明する図。
【符号の説明】
【００３７】
１  マグネトロンスパッタリング装置
４１  ターゲット
５  磁石組立体
５２  中心磁石
５３  周辺磁石
５３ａ、５３ｂ  直線部
５３ｃ  折り返し部
Ｃ  マグネトロンスパッタ電極
Ｓ  処理基板
【図１】
2008127601.tif 000003
【図２】
2008127601.tif 000004
【図３】
2008127601.tif 000005
【図４】
2008127601.tif 000006
【図５】
2008127601.tif 000007
【図６】
2008127601.tif 000008