【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月17日(2012.12.17)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するためにプラズマ処理装置において相対的に移動する部材同士を電気的に接続するためのＲＦストラップであって、
表面を有する湾曲した金属片と、
前記表面に接合された可撓性被覆であって、前記相対的な移動に応じて前記金属片とともに屈曲できる弾性を有するポリマまたはエラストマを含み、プラズマ生成ラジカルの雰囲気内における耐浸食性が向上され、前記ラジカルから前記金属片を保護する被覆と、を備えるＲＦストラップ。
【請求項２】
請求項１に記載のＲＦストラップであって、
前記被覆は、前記被覆が形成されたその場で硬化されたフルオロエラストマ、エポキシ樹脂、シリコーン、またはこれらの組み合わせを含む、ＲＦストラップ。
【請求項３】
請求項１または２に記載のＲＦストラップであって、
前記被覆は、前記被覆が形成されたその場で硬化された充填されていない架橋シロキサンを含む、ＲＦストラップ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のＲＦストラップであって、
前記金属片は、湾曲部分によって接続された２つの平面部分を含み、前記平面部分は、ギャップを調整可能な容量結合プラズマチャンバ内において、前記相対的に移動する部材としての電極およびチャンバ壁に取り付け可能である、ＲＦストラップ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のＲＦストラップであって、
前記金属片は、ベリリウム銅材料片である、ＲＦストラップ。
【請求項６】
請求項４、または請求項４に従属する請求項５に記載のＲＦストラップであって、
前記電極は、底部電極である、ＲＦストラップ。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載のＲＦストラップであって、
前記ラジカルは、フッ素および／または酸素を含む、ＲＦストラップ。
【請求項８】
プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内において上部電極アセンブリの下で基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において前記上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
請求項１に記載のＲＦストラップを介して前記チャンバの前記部材間においてＲＦ電力を伝送することと、を備える方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、
前記基板サポートは、垂直方向に移動可能であり、前記ＲＦストラップは、前記相対的に移動する部材としての前記基板サポートと前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、
前記上部電極は、垂直方向に移動可能であり、前記ＲＦストラップは、前記相対的に移動する部材としての前記上部電極と前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
【請求項１２】
請求項８ないし１１のいずれかに記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第１のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第２のステップとを含む、方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
本発明は、その具体的な実施形態を参照にして詳細に説明されてきたが、当業者にならば、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく様々な変更および修正を加えることならびに等価物を用いることが可能であることが明らかである。
なお、本発明は、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
半導体基板を処理するためにプラズマ処理装置において使用するためのＲＦ帰還ストラップであって、
表面を有する湾曲した金属片と、
前記表面に接合された可撓性被覆であって、ポリマまたはエラストマを含み、プラズマ生成ラジカルの雰囲気内における耐浸食性が向上され、前記ラジカルから前記金属片を保護する被覆と、を備えるＲＦ帰還ストラップ。
適用例２：
請求項１に記載のＲＦストラップであって、
前記被覆は、in-situ硬化されたフルオロエラストマ、エポキシ樹脂、シリコーン、またはこれらの組み合わせを含む、ＲＦストラップ。
適用例３：
請求項１に記載のＲＦストラップであって、
前記被覆は、in-situ硬化された充填されていない架橋シロキサンを含む、ＲＦストラップ
適用例４：
請求項１に記載のＲＦストラップであって、
前記金属片は、湾曲部分によって接続された２つの平面部分を含み、前記平面ン部分は、ギャップを調整可能な容量結合プラズマチャンバ内において電極およびチャンバ壁に取り付け可能である、ＲＦストラップ。
適用例５：
請求項４に記載のＲＦストラップであって、
前記金属片は、ベリリウム銅材料片である、ＲＦストラップ。
適用例６：
請求項４に記載のＲＦストラップであって、
前記電極は、底部電極である、ＲＦストラップ。
適用例７：
請求項１に記載のＲＦストラップであって、
前記ラジカルは、フッ素および／または酸素を含む、ＲＦストラップ。
適用例８：
プラズマ処理装置であって、
半導体基板を内部においてプラズマ処理するための真空チャンバと、
前記真空チャンバ内において使用するためのプラズマ処理アセンブリであって、エラストマ接合と、プラズマ生成ラジカルに対する耐浸食性を向上されたシリコーンベースのエラストマ材料と、によって第２の部材に接合された第１の部材を含み、前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記第１の部材の合わせ面を前記第２の部材の合わせ面に密着させる、プラズマ処理アセンブリと、を備えるプラズマ処理装置。
適用例９：
請求項８に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理アセンブリは、前記真空チャンバの下部に位置する基板サポートを取り囲む温度制御式のホットエッジリング・アセンブリを含み、
前記第１の部材は、下側リングに重なるセラミック中間リングを含み、前記中間リングは、前記基板サポートに組み込まれたＲＦ電極に前記下側リングを介して取り付けられ、
前記第２の部材は、前記中間リングに重なる上側リングを含み、前記上側リングは、前記真空チャンバの内部に曝された上面と、前記エラストマ接合を介して前記中間リングの上面に接合された下面とを含み、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記中間リングの前記上面を前記上側リングの前記下面に密着させる、プラズマ処理装置。
適用例１０：
請求項８に記載のプラズマ処理装置であって、
前記プラズマ処理アセンブリは、前記真空チャンバの下部に位置する基板サポートを含み、
前記第１の部材は、高周波（ＲＦ）電源に結合された下側電極アセンブリを含み、
前記第２の部材は、前記下側電極アセンブリの上面に位置する静電チャック部材を含み、前記静電チャック部材は、基板を受ける下面と、前記エラストマ接合によって前記下側電極アセンブリの前記上面に接合された下面とを有し、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、プラズマ生成ラジカルから前記エラストマ接合を保護するために、前記エラストマ接合を取り囲み前記下側電極の前記上面を前記静電チャック部材の前記下面に密着させる、プラズマ処理装置。
適用例１１：
請求項１０に記載のプラズマ処理装置であって、
前記シリコーンベースのエラストマ材料は、Ｏリング状である、プラズマ処理装置。
適用例１２：
請求項１１に記載のプラズマ処理装置であって、
前記Ｏリング状のシリコーンベースのエラストマ材料は、多角形の断面形状を有する、プラズマ処理装置。
適用例１３：
プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
プラズマ処理装置の反応チャンバ内において上部電極アセンブリの下で基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において前記上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、
請求項１に記載のＲＦストラップを介して前記チャンバのパーツ間においてＲＦ電力を伝送することと、を備える方法。
適用例１４：
請求項１３に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。
適用例１５：
請求項１３に記載の方法であって、
前記基板サポートは、垂直方向に移動可能であり、前記ＲＦストラップは、前記基板サポートと前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
適用例１６：
請求項１３に記載の方法であって、
前記上部電極は、垂直方向に移動可能であり、前記ＲＦストラップは、前記上部電極と前記チャンバの内壁との間に電流路を提供する、方法。
適用例１７：
請求項１３に記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第１のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第２のステップとを含む、方法。
適用例１８：
プラズマ処理装置内において半導体基板を処理する方法であって、
請求項８に記載のプラズマ処理装置の反応チャンバ内において基板サポート上に基板を配することと、
前記反応チャンバにプロセスガスを導入することと、
前記反応チャンバ内において上部電極アセンブリと前記基板との間において前記プロセスガスからプラズマを生成することと、
前記基板を前記プラズマによって処理することと、を備える方法。
適用例１９：
請求項１８に記載の方法であって、
前記処理は、前記基板をエッチングすることを含む、方法。
適用例２０：
請求項１８に記載の方法であって、
前記処理は、フッ素ラジカルを含有するプラズマを使用する第１のステップと、酸素ラジカルを含有するプラズマを使用する第２のステップとを含む、方法。