Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月10日(2009.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無細胞タンパク質合成方法において、次の工程を含むタンパク質合成・回収一体型無細胞タンパク質合成方法：
１）無細胞タンパク質合成液を用いて無細胞タンパク質合成系でタンパク質合成反応を行う工程、
２）合成反応により合成したタンパク質を合成したタンパク質と特異的に結合できる担体で捕捉する工程、
３）合成したタンパク質を捕捉した担体を含む無細胞タンパク質合成反応液の一部又は全部を該無細胞タンパク質合成系から分取する工程、
４）該合成したタンパク質を捕捉した担体と該無細胞タンパク質合成反応液を分離する工程、
５）合成したタンパク質を捕捉した担体が分離された後の無細胞タンパク質合成反応液を、再利用するために、該無細胞タンパク質合成系にもどす工程。
【請求項２】
上記１）〜５）の工程を複数回行うことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
上記４）の工程において、前記担体に捕捉されたタンパク質を、無細胞タンパク質合成中、複数回の無細胞タンパク質合成反応毎の合間、又は無細胞タンパク合成反応終了後に該担体より回収することを特徴とする請求項１又は２の方法。
【請求項４】
前記合成したタンパク質と特異的に結合できる担体を、無細胞タンパク質合成前、無細胞タンパク質合成中、又は無細胞タンパク質合成後に、前記無細胞タンパク質合成系に添加することを特徴とする請求項１〜３の何れか一に記載の方法。
【請求項５】
無細胞タンパク質合成による副産物を無細胞タンパク質合成系外に除去することを含む請求項１〜４の何れか一に記載の方法。
【請求項６】
複数回のタンパク質合成反応のために、基質、エネルギー源及び／又は翻訳鋳型の無細胞タンパク質合成系内への補充が行われる請求項１〜５の何れか一に記載の方法。
【請求項７】
合成したタンパク質と特異的に結合できる担体が、以下のいずれか１から選ばれる請求項１〜６の何れか一に記載の方法；
１）合成したタンパク質を特異的に結合できる物質を固定したビーズ、
２）合成したタンパク質を特異的に結合できる物質を固定した磁気ビーズ、
３）合成したタンパク質を特異的に結合できるイオン交換樹脂、
４）合成したタンパク質を特異的に結合できるアフィニティー樹脂。
【請求項８】
無細胞タンパク質合成液が、以下から選ばれる細胞抽出物由来である請求項１〜７の何れか一に記載の方法；
１）大腸菌、
２）植物種子、
３）ウサギ網状赤血球、
４）昆虫細胞、
５）哺乳動物細胞。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一に記載の方法に用いる試薬の少なくとも１を含む合成キット。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月26日(2009.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク上のコンピュータと学習内容を相互補完する通信端末と、各種生理機能のための観測端末と、を備えたコンピューターを用いて、
医療においてあらゆる状況下の生体について学習でき、必要な学習量とその学習期間の満了に応じて利用方法を拡張するための医学用グリッドコンピュータシステムであって、
端末入力された各種観測データを、人工知能推論に基づいて精度変換し、該要素同士を結合リストに基づいて結合した結合要素パターンを学習する手段と、
入力された特定のデータを、前記結合要素パターンから抽出して当該学習量又は当該学習量比率を表示する手段と、
を具備したことを特徴とした医学用グリッドコンピュータシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、病院や健康診断での診察には、所見のほかに聴診器やCTスキャン等が生体の観測に用いられており、それらの装置から得られた画像、及び音波情報を元に、医師による診察が行われているが、より高度な診断システム、及び原因不明の病気を究明するために必要な観測装置等が求められている。例えば、人間の５感では診察し難い脳波、及び生体波動の場合、又は長時間の病状等の観測が必要な場合には、医師の代わりに診断できるような人工知能を備えたシステムが必要であった。
【特許文献１】特開２００１−３２５５８２
【特許文献２】特開２００１−３４４２５９
【特許文献３】特開２００１−２８２８１９
【特許文献４】特開２００６−１８９９１８
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の医学用グリッドコンピュータシステムにおいて、学習データベースは、特に人工知能のデータマイニングに特化したデータベースであり、一般的な汎用コンピューター上のデータベースサーバーでも当該発明の人工知能の構築方法を用いることで実現可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の対象物を内部に保持可能な袋状の網部と、
その網部の上端周縁の一部から突出し、網部の直径よりも短く形成された柄と、を備えた玉網であって、
前記玉網の重心が前記柄において網部を立ち上げやすい箇所となるように形成されていることを特徴とする玉網。
【請求項２】
前記玉網の重心は、前記柄の前端から後端までに位置するとともに、前記柄の前端から重心までの長さが柄の全長の６．３％から２３．８％の範囲に位置するよう形成されていることを特徴とする請求項１記載の玉網。
【請求項３】
前記玉網の重心は、前記柄の前端から後端までに位置するとともに、前記柄の前端から重心までの長さが柄の全長の１５．９％から１９．０％の範囲に位置するよう形成されていることを特徴とする請求項１記載の玉網。
【請求項４】
前記柄の後端付近には、柄の比重よりも大きな比重の重りを取り付けたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の玉網。
【請求項５】
前記重りは、前記柄に対して着脱自在に形成されていることを特徴とする請求項４に記載の玉網。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（請求項２）  
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の玉網をより具体的に限定したものである。
すなわち、前記玉網(1)の重心(G)は、前記柄(20)の前端(22a)から後端(23a)までに位置するとともに、前記柄(20)の前端(22a)から重心(G)までの長さが柄の全長の６．３％から２３．８％の範囲に位置するよう形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（作用）
玉網(1)の重心(G)を、柄(20)の前端(22a)から重心(G)までの長さが柄の全長の６．３％から２３．８％の範囲になるように、玉網(1)の全体を形成する。このようにすれば、玉網における網部(10)を立ち上げる操作性が向上する。これにより、釣り人が飛んでくる魚を受け止める際に、網部(10)を立ち上げて構える操作を円滑な動きとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（請求項３）  
請求項３に記載の発明は、請求項１記載の玉網を限定したものである。
すなわち、前記玉網(1)の重心(G)は、前記柄(20)の前端(22a)から後端(23a) までに位置するとともに、前記柄(20)の前端(22a)から重心(G)までの長さが柄の全長の１５．９％から１９．０％の範囲に位置するよう形成されていることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（作用）
玉網(1)の重心(G)を、柄(20)の前端(22a)から重心(G)までの長さが１５．９％から１９．０％の範囲になるよう設定する。柄の全長の１５．９％から１９．０％としたのは、複数の釣り人による玉網の操作性サンプルデータから抽出したものであり、請求項２で限定した重心(G)までの長さの範囲よりも、汎用的な範囲であるからである。このようにすれば、釣り人が飛んでくる魚を受け止める際に、網部(10)を立ち上げて構える操作を円滑な動きとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レバウディオサイドＡを５０重量％以上含有するステビアおよびアセスルファムカリウムからなる群から選ばれる一種以上の甘味料とイヌリンとを含有することを特徴とする甘味料組成物。
【請求項２】
前記甘味料がステビアである請求項１記載の甘味料組成物。
【請求項３】
前記ステビアがレバウディオサイドＡを７０重量％以上含有するステビアである請求項２記載の甘味料組成物。
【請求項４】
前記甘味料の含有率が０．４〜７５重量％で、且つ固形状の甘味料組成物である請求項１記載の甘味料組成物。
【請求項５】
前記甘味料が下記一般式（１）で表されるイヌリンである請求項１記載の甘味料組成物。
2007195449.tif 000001
（式中ｎは１０〜６０の整数である。）
【請求項６】
前記イヌリンの含有量が前記甘味料１重量部に対して０．２５〜２５０重量部である請求項１〜５のいずれか１項記載の甘味料組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
即ち、本発明はレバウディオサイドＡを５０重量％以上含有するステビアおよびアセスルファムカリウムからなる群から選ばれる一種以上の甘味料とイヌリンとを含有することを特徴とする甘味料組成物を提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】前記立体網目状構造体の外周の二面、三面又は四面のいずれかの表面側の密度が、前記表面側を除く部分の密度より相対的に高いことを特徴とする請求項１記載の立体網目状構造体の製造方法。【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  前記立体網目状構造体の外周の二面、三面又は四面のいずれかの表面側及び中間部の密度が、前記表面側を除く部分の密度より相対的に高いことを特徴とする請求項２記載の立体網目状構造体の製造方法。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】  請求項２記載の発明は、前記立体網目状構造体の外周の二面、三面又は四面のいずれかの表面側の密度が、前記表面側を除く部分の密度より相対的に高いことを特徴とする請求項１記載の立体網目状構造体の製造方法である。これにより請求項１の課題が一層好適に解決できる。【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  請求項３記載の発明は、前記立体網目状構造体の外周の二面、三面又は四面のいずれかの表面側及び中間部の密度が、前記表面側を除く部分の密度より相対的に高いことを特徴とする請求項２記載の立体網目状構造体の製造方法である。これにより請求項１の課題が一層好適に解決できる。【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  【発明の実施の形態】  以下第１実施形態の立体網目状構造体１は、図１及び図２（ａ）の通り、再生熱可塑性樹脂を原料又は主原料とし、複数本の線条が螺旋状に無秩序に絡まり合い部分的に熱接着した板状の三次元網目状構造体であることを特徴とした立体網目状構造体である。前記三次元網目状構造体の三面の表面側の密度が、前記表面側を除く部分の密度より相対的に高いことが好ましい。即ち、第１実施形態の立体網目状構造体１（図２（ａ）参照）は、三面成形であり、対向する他の１面から内部に向かって所定間隔の領域は密度が高く成形されたものであり、中央部内部の領域の密度はそれよりも低く設定され他の一面が不揃いと成っている。このため、後工程で加工することがない利点が生じる。つまり、幅の広い一対の面及び一側面は後述のロール等によって強制的に成形され、端縁が他の面よりもきれいに揃えられている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月28日(2009.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側に設けられた第１金属膜と支持基板上に設けられた第２金属膜の接合を介して、前記支持基板上に中空構造を形成して支持された薄膜バルク音響共振器を製造する方法であって、
結晶成長用基板上に半導体膜を結晶成長させる工程と、
前記半導体膜上に前記圧電体膜を結晶成長させる工程と、
前記圧電体膜上に前記下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に前記第１金属膜を形成する工程と、
前記支持基板上に前記第２金属膜を形成する工程と、
前記第１金属膜と前記第２金属膜を互いに接合させることにより、前記結晶成長用基板と前記支持基板とを結合させる工程と、
前記結晶成長用基板が除去された前記半導体膜の表面を平坦化する工程と、
前記半導体膜をドライエッチングにより除去する工程と、
前記半導体膜が除去された前記圧電体膜上に前記上部電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項２】
前記半導体膜と前記圧電体膜の選択比が１０以上のエッチングガスで前記半導体膜を除去する請求項１記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項３】
前記半導体膜がＧａＮ、前記圧電体膜がＡｌＮにより形成され、
前記半導体膜の除去に用いるエッチングガスがＳＦ6とＳｉＣｌ4の混合ガスである請求項２記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項４】
ＳｉＣｌ4の混合比がＳＦ6より多く、且つＳＦ6の５倍よりも少ない請求項３記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項５】
前記半導体除去時のチャンバ内の圧力を１Ｐａよりも高くする請求項３記載の薄膜バルク音響共振器の製造方法。
【請求項６】
圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側において支持基板上に支持された薄膜バルク音響共振器において、
Ｘ線回折測定による前記圧電体膜の（０００２）面のロッキングカーブの半値幅が１度以下であり、
前記圧電体膜の表面粗さＲｍｓが５ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。
【請求項７】
圧電体膜を下部電極および上部電極により挟んで形成された共振部が、前記下部電極側において支持基板上に支持された薄膜バルク音響共振器において、
前記共振部の前記下部電極側に第１金属膜が設けられ、前記支持基板上に第２金属膜が設けられ、前記第１金属膜と前記第２金属膜の共晶反応による接合を介して前記共振部が前記支持基板と結合されて、前記共振部と前記支持基板との間に中空構造が形成され、
前記上部電極は、前記圧電体膜の表面粗さＲｍｓが５ｎｍ以下の面上に形成されていることを特徴とする薄膜バルク音響共振器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月28日(2009.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ドキュメントデータを受け取る受信ユニットと、
この受信ユニットによって受け取った電子ドキュメントデータに対して実行される選択されたドキュメント処理を表すインストラクションデータを含むドキュメント処理要求を受け取る受信ユニットとを含む受け取り手段と、
前記電子ドキュメントデータおよびインストラクションデータに対応するジョブデータを選択的に前記ドキュメント処理要求にしたがって処理を行う第１の外部ドキュメント処理装置へ伝達する通信手段と、
前記インストラクションデータにしたがって前記電子ドキュメントデータに対するローカルドキュメント処理動作を実行する手段と
を有し、
前記受け取り手段は、前記第１の外部ドキュメント処理装置から処理済みジョブデータを受け取る受信ユニットをさらに含むことを特徴とするドキュメント処理システム。
【請求項２】
前記第１の外部ドキュメント処理装置からの処理済みジョブデータを受け取った後に、ローカルドキュメント処理動作を、さらに実行することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項３】
前記通信手段は、前記電子ドキュメントデータに対応するジョブデータを選択的に、前記処理動作にしたがって処理を行う第２の外部ドキュメント処理装置へ伝達する手段を、さらに含み、
前記第２の外部ドキュメント処理装置から、前記処理動作にしたがった処理後の処理済みジョブデータを受け取る手段を
さらに有することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項４】
前記第１の外部ドキュメント処理装置によって実行される処理動作は、光学的手法による文字認識、またはデータの保存、またはフォーマット変換の処理動作を含むことを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項５】
前記第１の外部ドキュメント処理装置の処理に関連するコストを表すデータを伝達する手段をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のドキュメント処理システム。
【請求項６】
電子ドキュメントデータを受け取るステップと、
このステップで受け取った電子ドキュメントデータに対して実行される選択されたドキュメント処理を表すインストラクションデータを含むドキュメント処理要求を受け取るステップと、
前記電子ドキュメントデータおよびインストラクションデータに対応するジョブデータを選択的に前記ドキュメント処理要求にしたがって処理を行う第１の外部ドキュメント処理装置へ伝達するステップと、
前記第１の外部ドキュメント処理装置から処理済みジョブデータを受け取るステップと、
前記インストラクションデータにしたがって前記電子ドキュメントデータに対するローカルドキュメント処理動作を実行するステップと
を包含することを特徴とするドキュメント処理方法。
【請求項７】
前記第１の外部ドキュメント処理装置からの処理済みジョブデータを受け取った後に、ローカルドキュメント処理動作を実行するステップを、さらに、包含することを特徴とする請求項６に記載のドキュメント処理方法。
【請求項８】
前記電子ドキュメントデータに対応するジョブデータを選択的に、前記処理動作にしたがって処理を行う第２の外部ドキュメント処理装置へ伝達するステップと、
前記第２の外部ドキュメント処理装置から、前記処理動作にしたがった処理後の処理済みジョブデータを受け取るステップと
を、さらに、包含することを特徴とする請求項６に記載のドキュメント処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ドキュメント処理システムおよび方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ドキュメント処理システムおよび方法に関し、特に、選択的にドキュメント処理装置から外部委託されるドキュメント処理を実行するシステムおよび方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記の従来の問題点に鑑みてなされたもので、ドキュメント処理装置から選択的に外部委託されるドキュメント処理を実行するシステムおよび方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明の一実施形態によるドキュメント処理システムは、前記外部ドキュメント処理装置からの処理済みジョブデータを受け取った後に、ローカルドキュメント処理動作を、さらに実行する。ここで、本発明においてローカルドキュメント処理動作とは、ドキュメント処理ジョブすなわちドキュメント処理要求を最初に受け取った装置が実行するドキュメント処理動作をいう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、ドキュメント処理装置から選択的に外部委託されるドキュメント処理を実行するシステムおよび方法が提供される。したがって、ドキュメント処理装置が単独では実行できないドキュメント処理動作を要求された場合であっても、そのドキュメント処理動作の一部または全部を外部委託することによって、そのドキュメント処理動作を実行することが可能となる。また、全体としてシステムリソースとライセンスコストが節約しうる効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、ドキュメント処理システムおよび方法に関し、特に、選択的にドキュメント処理装置から外部委託されるドキュメント処理を実行するシステムおよび方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デシリアライザ回路網であって、該デシリアライザ回路網は、
リタイムシリアルデータ信号および回復クロック信号の複数のバージョンを生成するＣＤＲ回路網であって、該回復クロック信号は該リタイムシリアルデータ信号の半分の周波数を有し、該複数のバージョンは、ほぼ１８０度互いに位相の異なる第１および第２のバージョンを含む、ＣＤＲ回路網と、
偶数番号のビット位置にある、該リタイムシリアルデータ信号のビットを捕らえる、該第１のバージョンに応答する第１のレジスタ回路網と、
奇数番号のビット位置にある、該リタイムシリアルデータ信号のビットを捕らえる、該第２のバージョンに応答する第２のレジスタ回路網と
を備える、デシリアライザ回路網。
【請求項２】
前記第１のレジスタ回路網によって捕らえられる連続するビットの選択可能な数をデシリアライズする第１のデシリアライザ回路網と、
前記第２のレジスタ回路網によって捕らえられる連続するビットの選択可能な数をデシリアライズする第２のデシリアライザ回路網とをさらに備える、請求項１に記載の回路網。
【請求項３】
前記選択可能な数は、４または５ビットを含む、請求項２に記載の回路網。
【請求項４】
前記第１および第２のデシリアライザ回路網によってデシリアライズされたビットを、インターリーブされたデータ内において、そのオリジナルの偶数番号および奇数番号のビット位置にリストアするために、該デシリアライズされたビットをインターリーブする回路網をさらに備える、請求項２に記載の回路網。
【請求項５】
前記インターリーブされたデータの２つの連続するグループを選択的にデシリアライズする回路網をさらに備え、該選択的にデシリアライズする回路網は、
互いに並列である出力をインターリーブし、かつそれらの出力を有する、該回路網に接続された第１および第２のデータグループレジスタ回路であって、該第１および第２のデータグループレジスタ回路のうちの各々が、該インターリーブされたデータのグループのうちの１つを並列に登録し、出力することが可能である、第１および第２のデータグループレジスタ回路と、
（ａ）前記インターリーブする回路網が該インターリーブされた連続するグループを出力するレートと、（ｂ）該レートの半分とのうちの制御可能に選択可能な１つである周波数を有する第１のクロック信号を、該第１のデータグループレジスタ回路に加えるため、かつ該第１のクロック信号と１８０度位相が異なる第２のクロック信号を、該第２のデータグループレジスタ回路に加えるための、クロック回路網と
を含む、請求項４に記載の回路網。
【請求項６】
前記選択可能な数を制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項２に記載の回路網。
【請求項７】
選択可能な１つの前記クロック回路網のいずれが選択をするかを制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項５に記載の回路網。
【請求項８】
デシリアライザ回路網であって、該デシリアライザ回路網は、
リタイムシリアルデータ信号と、該リタイムシリアルデータ信号のビットレートの二分の一の周波数を有する回復クロック信号とを生成するＣＤＲ回路網と、
選択可能な因子によって該回復クロック信号の周波数を分割して、比較的低い周波数のクロック信号を生成する周波数分割回路網と、
該低い周波数のクロック信号を使用して該リタイムシリアルデータ信号をデシリアライズする回路網と
を備える、デシリアライザ回路網。
【請求項９】
前記選択可能な因子を制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項８に記載の回路網。
【請求項１０】
前記選択可能な因子は、４あるいは５に選択され得る、請求項９に記載の回路網。
【請求項１１】
デシリアライザ回路網であって、該デシリアライザ回路網は、
リタイムシリアルデータ信号と、該リタイムシリアルデータ信号のビットレートの二分の一の周波数を有する回復クロック信号とを生成するＣＤＲ回路網と、
該回復クロック信号を使用して、該回復クロック信号の周波数よりも高い周波数を有するいかなるクロック信号も用いることなしに、該リタイムシリアルデータ信号をパラレルな第１および第２データ信号にデシリアライズする第１のデシリアライザ回路網と、
該第１のデータ信号を第１の複数のパラレルデータ信号にデシリアライズする第２のデシリアライザ回路網と、
該第２のデータ信号を第２の複数のパラレルデータ信号にデシリアライズする第３のデシリアライザ回路網と
を備える、デシリアライザ回路網。
【請求項１２】
前記第１および第２の複数のパラレルデータ信号をインターリーブして、第３の複数のパラレルデータ信号を生成するインターリーブ回路網をさらに備える、請求項１１に記載の回路網。
【請求項１３】
連続する第３の複数の信号を選択的にデシリアライズして、第４の複数のパラレルデータ信号を生成するする第４のデシリアライザ回路網をさらに備え、該第４のデシリアライザ回路網は、前記連続的な第３の複数の信号をデシリアライズしないように代替的に動作可能である、請求項１２に記載の回路網。
【請求項１４】
前記第２および第３のデシリアライザ回路網の各々は、前記第１および第２の複数のパラレルデータ信号のサイズに関して制御可能である、請求項１１に記載の回路網。
【請求項１５】
前記第２および第３のデシリアライザ回路網を制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項１４に記載の回路網。
【請求項１６】
前記第４のデシリアライザ回路網を制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項１３に記載の回路網。
【請求項１７】
選択可能な因子によって前記回復クロック信号の周波数を分割して、前記第２および第３のデシリアライザ回路網の使用のためのより低い周波数の信号を生成する周波数分割回路網をさらに備える、請求項１１に記載の回路網。
【請求項１８】
前記選択可能な因子を制御するダイナミック再構成メモリ回路網をさらに備える、請求項１７に記載の回路網。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月30日(2009.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信した放送データから放送Ａ／Ｖ番組を識別するデータを自動的に取り出す方法であって、
第１の番組を示すユーザ入力を受け取るステップと、
第１の番組により電子番組スケジュールを分析するステップと、
少なくとも第１の番組の番組名と放送チャンネルとを判断するステップと、
第１の番組の放送開始時刻及び終了時刻を判断するステップ、または第１の番組の放送時間を判断するステップと、
第１の番組に対応するが番組開始時刻、終了時刻、長さ、または放送チャンネルが異なる第２の番組が放送される予定であるか自動的に検出するステップと、
少なくとも第１の番組の番組名、放送チャンネル、開始時刻、終了時刻、または長さと、第２の番組が検出されたことを示す表示とを表示するステップと、
所定の基準により、決定された放送チャンネルまたは長さに関して、メニューに表示された番組のどれが有利な点または不利な点を有するかを自動的に検出するステップであって、有利な点には長さが短いこと、サブタイトルがあること、異なる言語の２つのオーディオトラックがあることを含み、不利な点には信号品質が低い送信チャネルを利用することを含むステップと、
有利な点を有する検出された番組を好ましいとしてディスプレイに表示し、または不利な点を有するあるいは有利な点を有さない検出された番組を好ましくないとしてディスプレイに表示するステップと、を含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
少なくとも第１の番組と異なる第２の番組のデータが追加的に表示される方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の方法であって、
第１の番組または第２の番組を選択する第２のユーザ入力を受け取るステップと、
さらに処理するため、選択された第１の番組または第２の番組に対応するデータを選択するステップと、を含む方法。
【請求項４】
請求項１または２に記載の方法であって、
前記信号品質の決定は、
放送される番組に関するチャンネルの信号品質を測定するステップと、
前記信号品質の表示を記憶するステップにより行われる方法。
【請求項５】
請求項３に記載の方法であって、
タイマーに少なくとも選択された番組の放送開始時刻、終了時刻または長さ、及びチャンネルを格納するステップと、
録画のためタイマーを設定または起動するステップと、をさらに含む方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
番組変更を検出するため電子番組スケジュールをチェックする時刻を規定するステップをさらに含む方法。
【請求項７】
請求項１または２に記載の方法であって、
好ましい番組の基準は、周波数が異なるため、関係するチャンネルの受信品質が他のチャンネルの受信品質よりよいことである方法。
【請求項８】
請求項１または２に記載の方法であって、
検出するステップは、シリーズものの異なるエピソードを識別する追加情報の検出を含む方法。
【請求項９】
請求項１または２に記載の方法であって、
電子番組スケジュールを分析するステップは、電子番組スケジュールが提供する時間範囲とは異なる所定の時間範囲に限定されていることを特徴とする方法。
【請求項１０】
受信した放送データから放送Ａ／Ｖ番組を識別するデータを自動的に取り出す装置であって、
第１の番組を示すユーザ入力を受け取る受取手段と、
第１の番組により電子番組スケジュールを分析する分析手段と、
少なくとも第１の番組の番組名と放送チャンネルとを判断する番組名・放送チャネル判断手段と、
第１の番組の放送開始時刻及び終了時刻を判断、または第１の番組の放送される長さを判断する時刻または長さ判断手段と、
第１の番組に対応するが番組開始時刻、終了時刻、長さ、または放送チャンネルが異なる第２の番組が放送される予定であるか自動的に検出する番組検出手段と、
少なくとも第１の番組の番組名、放送チャンネル、開始時刻、終了時刻、または長さと、第２の番組が検出されたことを示す表示とを表示する表示手段と、
所定の基準により、決定された放送チャンネルまたは長さに関して、メニューに表示された番組のどれが有利な点または不利な点を有するかを自動的に検出する有利または不利検出手段であって、有利な点には長さが短いこと、サブタイトルがあること、異なる言語の２つのオーディオトラックがあることを含み、不利な点には信号品質が低い送信チャネルを利用することを含む有利または不利検出手段と、
有利な点を有する検出された番組を好ましいとしてディスプレイに表示し、または不利な点を有するあるいは有利な点を有さない検出された番組を好ましくないとしてディスプレイに表示する表示手段と、を有する装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の装置であって、
第１の番組または第２の番組を選択する第２のユーザ入力を受け取る受取手段と、
さらに処理するため、選択された第１の番組または第２の番組に対応するデータを選択する選択手段とをさらに有する装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載の装置であって、
少なくとも放送される第１の番組と第２の番組に関するチャンネルの信号品質を測定する測定手段と、
前記信号品質の表示を記憶する記憶手段とをさらに有する装置。
【請求項１３】
請求項１ないし９のいずれか一項に記載した方法の実行を開始するボタンまたはボタン機能を有するリモートコントロール。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月12日(2009.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法、選定方法、複合材料、発光素子、発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
有機化合物が、室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるＡｇ／Ａｇ＋電極に対する酸化ピーク電位が０Ｖ以上１．５Ｖ以下（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋）の範囲内に位置するか否かを判断し、
前記有機化合物の酸化ピーク電位が前記範囲内に位置する場合に、一対の電極間に、前記有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料を含む層を有する発光物質を含む層が挟まれた構造を有する前記発光素子を作製することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれか一種もしくは複数種であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１において、
前記金属酸化物は、酸化モリブデンであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
一対の電極間に、有機化合物と金属酸化物とを含む複合材料を含む層を有する発光物質を含む層が挟まれた構造を有する発光素子を形成する際に、前記複合材料を含む層の構成材料となる前記有機化合物を選定する選定方法であって、
前記有機化合物が、室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるＡｇ／Ａｇ＋電極に対する酸化ピーク電位が０Ｖ以上１．５Ｖ以下（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋）の範囲内に位置するか否かを判断し、
前記有機化合物の酸化ピーク電位が前記範囲内に位置する場合に、前記有機化合物を前記複合材料を含む層の構成材料として採用することを特徴とする選定方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする選定方法。
【請求項７】
請求項５において、
前記金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれか一種もしくは複数種であることを特徴とする選定方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記金属酸化物は、酸化モリブデンであることを特徴とする選定方法。
【請求項９】
室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるＡｇ／Ａｇ＋電極に対する酸化ピーク電位が０Ｖ以上１．５Ｖ以下（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋）の範囲内に位置する有機化合物と、金属酸化物とを含むことを特徴とする複合材料。
【請求項１０】
室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるＡｇ／Ａｇ＋電極に対する酸化ピーク電位が０．２Ｖ以上１．１Ｖ以下（ｖｓ．Ａｇ／Ａｇ＋）の範囲内に位置する有機化合物と、金属酸化物とを含むことを特徴とする複合材料。
【請求項１１】
室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるフェロセンの酸化還元電位に対する酸化ピーク電位が０Ｖ以上１．５Ｖ以下（ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）の範囲内に位置する有機化合物と、金属酸化物とを含むことを特徴とする複合材料。
【請求項１２】
室温でジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）中におけるフェロセンの酸化還元電位に対する酸化ピーク電位が０．１Ｖ以上１．０Ｖ以下（ｖｓ．Ｆｃ／Ｆｃ＋）の範囲内に位置する有機化合物と、金属酸化物とを含むことを特徴とする複合材料。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、前記有機化合物に対して電子受容性を示すことを特徴とする複合材料。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、遷移金属酸化物であることを特徴とする複合材料。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物であることを特徴とする複合材料。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムのいずれか一種もしくは複数種であることを特徴とする複合材料。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記金属酸化物は、酸化モリブデンであることを特徴とする複合材料。
【請求項１８】
一対の電極間に発光物質を含む層を有し、前記発光物質を含む層は、請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項１９】
請求項１８において、前記複合材料を含む層は、前記一対の電極のうち陽極として機能する電極と接するように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項２０】
請求項１８において、前記複合材料を含む層は、前記一対の電極のうち陰極として機能する電極と接するように設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項２１】
請求項１８において、前記複合材料を含む層は、前記一対の電極それぞれと接するように一層ずつ設けられていることを特徴とする発光素子。
【請求項２２】
一対の電極間に、ｎ（ｎは２以上の任意の自然数）層の発光物質を含む層を有し、ｍ層目（ｍは任意の自然数であり、１≦ｍ＜ｎである）の発光物質を含む層とｍ＋１層目の発光物質を含む層との間に、請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の複合材料を含む層を有することを特徴とする発光素子。
【請求項２３】
請求項１８乃至請求項２２のいずれか一項に記載の発光素子を有する発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月25日(2009.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に窒素雰囲気下でプラズマ処理を行い前記基板の一方の面を窒化処理することによって、前記基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上方に素子群を形成し、
前記基板を薄膜化し、
薄膜化された前記基板および前記素子群を覆う可撓性を有するフィルムを設けることで、前記素子群を封止する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板に窒素雰囲気下でプラズマ処理を行い前記基板の一方の面を窒化処理することによって、前記基板の一方の面に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜の上方に素子群を形成し、
前記基板を薄膜化し、
薄膜化された前記基板に窒素雰囲気下でプラズマ処理を行い前記基板の薄膜化された面を窒化処理することによって、前記基板の薄膜化された面に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜および前記素子群を覆う可撓性を有するフィルムを設けることで、前記素子群を封止する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板に窒素雰囲気下でプラズマ処理を行い前記基板の一方の面を窒化処理することによって、前記基板の一方の面に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の上方に素子群を形成し、
前記基板を薄膜化し、
前記基板に化学処理を行うことによって、前記基板を除去して前記絶縁膜を露出させ、
前記絶縁膜および前記素子群を覆う可撓性を有するフィルムを設けることで、前記素子群を封止する
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記基板の薄膜化は、前記基板の他方の面から、研削処理または研磨処理の一方または両方を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記窒素雰囲気として、窒素と希ガスを含む雰囲気、ＮＨ３と希ガスを含む雰囲気、二酸化窒素と希ガスを含む雰囲気または亜酸化窒素と希ガスを含む雰囲気とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記プラズマ処理は、高周波を用いて電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下、且つ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の条件下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記高周波として、マイクロ波を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月29日(2009.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、レーザービームを遮断する耐熱性酸化膜パターンとを有することを特徴とする逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項２】
前記耐熱性酸化膜パターンは、融点が約２０００℃以上の物質で形成されることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項３】
前記耐熱性酸化膜パターンは、Ａｌ２Ｏ３、ＺｒＯ、ＳｉＯ２、またはＭｇＯよりなる単一膜、またはこのような単一膜が二種以上積層された多層膜で形成されることを特徴とする請求項２に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項４】
前記耐熱性酸化膜パターンは、可視光線に対して高透過率を有することを特徴とする請求項２に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項５】
前記透明基板は、石英よりなることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項６】
前記レーザービームは、３０８ｎｍのＸｅＣｌ、または２４８ｎｍのＫｒＦを利用したエキシマレーザービームであることを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項７】
前記透明基板と前記耐熱性酸化膜との間に介在して、前記耐熱性酸化膜パターンと実質的に同一なパターンを有するフォトマスク用の金属膜パターンをさらに有することを特徴とする請求項１に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項８】
前記フォトマスク用金属膜パターンは、Ｍｏ、Ｔｉ、またはこれらの合金よりなることを特徴とする請求項７に記載の逐次的横方向結晶化用のマスク。
【請求項９】
透明基板上に耐熱性酸化膜及び金属膜を順次に積層する（ａ）段階と、
前記金属膜をエッチングして金属膜パターンを形成する（ｂ）段階と、
前記金属膜パターンをエッチングマスクとして用い、前記耐熱性酸化膜をエッチングして、耐熱線酸化膜パターンを形成する（ｃ）段階と、
前記金属膜パターンを除去する（ｄ）段階とを有することを特徴とする逐次的横方向結晶化用のマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記（ｂ）段階は、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）を用いて前記金属膜をパターニングする段階であることを特徴とする請求項９に記載の逐次的横方向結晶化用のマスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に具備され、それぞれ異なる方向に延長されたグレインが形成された一つ以上のブロックからなる多結晶シリコンを含むスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に連結された画素電極と、を有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記ブロックは、正方形の形状を有することを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記少なくとも一つ以上のブロックは、それぞれ第１方向に延長された第１グレインセットと、前記第１方向とは異なる第２方向に延長された第２グレインセットと、を含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記スイッチング素子は、
多結晶シリコンパターンとオーバーラップされるゲート電極と、
前記多結晶シリコンパターンの第１端部とコンタクトされるソース電極と、
前記多結晶シリコンパターンの第２端部とコンタクトされるドレイン電極と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記ベース基板上に具備され、前記スイッチング素子をカバーし、前記スイッチング素子のドレイン電極を露出させる第３コンタクトホールを有する保護膜と、
前記保護膜上に形成され、前記第３コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に連結された画素電極と、を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記ベース基板上に形成され、多結晶シリコン層を含む複数のスイッチング素子を更に含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項７】
ベース基板上にそれぞれ異なる方向に延長されたグレインが形成された一つ以上のブロックからなる多結晶シリコンパターンを形成する段階と、
前記ベース基板上に前記多結晶シリコンパターンをカバーするゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上に前記多結晶シリコンパターンとオーバーラップするゲート電極を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極をカバーする層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜に前記多結晶シリコンパターンの第１及び第２端部をそれぞれ露出させる第１及び第２コンタクトホールを形成する段階と、
前記第１コンタクトホールを通じて前記第１端部とコンタクトされるソース電極、及び前記第２コンタクトホールを通じて前記第２端部とコンタクトされるドレイン電極を形成する段階と、
前記ドレイン電極と電気的に連結される画素電極を形成する段階と、
を有することを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
前記多結晶シリコンパターンを形成する段階は、
前記ベース基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
前記非晶質シリコン上に、光透過領域及び光遮断領域を含むマスクを配置する段階と、
前記光透過領域に対応する非晶質シリコンの第１溶融領域に光を照射して溶融させる段階と、
前記透過領域の幅分だけ前記マスクを移動させる段階と、
前記光透過領域に対応する非晶質シリコンの第２溶融領域に光を照射して溶融させ多結晶シリコン層を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記ブロックは、正方形形状を有することを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記ブロックの幅は、前記ソース電極とドレイン電極との離隔距離より小さいことを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記画素電極を形成する段階以前に、
前記層間絶縁膜上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜に前記ドレイン電極を露出させる第３コンタクトホールを形成する段階と、を更に含み、
前記画素電極は、前記ドレイン電極と前記第３コンタクトホールを通じて電気的に連結されることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
ベース基板上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
正方形形状を有する透過部と遮断部を含むマスクを前記非晶質シリコン層の上部に配置させる段階と、
レーザービームを照射して前記透過部に対応する前記非晶質シリコン層を溶融させ、溶融された第１溶融領域と前記遮光部に対応する非溶融領域の境界から前記第１溶融領域の内側にグレインを成長させる段階と、
前記マスクを前記透過部の幅分だけ移動させる段階と、
前記レーザービームを照射して前記透過部に対応する前記非晶質シリコン層を溶融させ、溶融された第２溶融領域と前記第１溶融領域との境界から前記第２溶融領域の内側にグレインを成長させ、多結晶シリコン層を形成する段階と、
を有することを特徴とするシリコン結晶化方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２溶融領域それぞれは、第１乃至第４グレイン領域に区分され、
前記第１乃至第４グレイン領域は、三角形形状を有することを特徴とする請求項１２記載のシリコン結晶化方法。
【請求項１４】
前記透過部と前記遮断部は、同一の形状及び同一のサイズを有することを特徴とする請求項１２記載のシリコン結晶化方法。
【請求項１５】
ポリシリコン層として、
四角形形状を有する複数のブロックと、
各ブロックにある三角形形状の四つのグレイン領域と、を有し、
第１グレイン領域及び第３グレイン領域は、前記ポリシリコン層の横方向に延長されたグレインを含み、第２グレイン領域及び第４グレイン領域は、前記横方向と垂直な縦方向に延長されたグレインを含むことを特徴とするポリシリコン層。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】膜厚の決定方法、発光装置の作製方法、発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極である発光装置における前記有機化合物を含む層の膜厚の決定方法であって、
前記有機化合物を含む層における前記バッファ層以外の層の膜厚を決定した後、前記一対の電極間の光学距離が前記発光層から射出される光の極大波長の整数倍になるように前記バッファ層の膜厚を決定することを特徴とする膜厚の決定方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする膜厚の決定方法。
【請求項３】
一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極である発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物を含む層における前記バッファ層以外の層の膜厚を決定した後、前記一対の電極間の光学距離が前記発光層から射出される光の極大波長の整数倍になるように前記バッファ層の膜厚を決定する段階と、
前記一対の電極の一方を形成する段階と、
前記一対の電極の一方の上に、決定したそれぞれの膜厚になるように前記有機化合物層を形成する段階と、
前記有機化合物層の上に、前記一対の電極の他方を形成する段階と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極である発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物を含む層における前記バッファ層以外の層の膜厚を決定した後、前記一対の電極間の光学距離が前記発光層から射出される光の極大波長の整数倍になるように前記バッファ層の膜厚を決定する段階と、
前記一対の電極の他方を形成する段階と、
前記一対の電極の他方の上に、決定したそれぞれの膜厚になるように前記有機化合物層を形成する段階と、
前記有機化合物層の上に、前記一対の電極の一方を形成する段階と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
一対の電極、および前記一対の電極間に挟まれた有機化合物を含む層を有する発光素子を有し、
前記有機化合物を含む層は、発光物質を含む発光層、および正孔輸送性を示す有機化合物と金属化合物を含む複合材料を有するバッファ層を少なくとも含み、
前記一対の電極は、一方が反射率の高い電極であり、他方が半透明電極であり、
前記バッファ層の膜厚は発光素子外部に射出する発光の強度が高くなるように決定されたことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記一対の電極間の光学距離が、当該発光素子から取り出される光の極大波長の半分の整数倍であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項６または請求項７において、
前記一対の電極間の光学距離が、当該発光素子から取り出したい光における極大波長の半分の整数倍であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記金属化合物は、遷移金属の酸化物または窒化物であることを特徴とする発光装置。