Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透明又は半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極と、前記一対の電極間に挾持された一つ又は複数の有機化合物層と、を含んで構成され、
前記有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有し、
且つ前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩ−１）又は（ＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2008028201.tif 000001
（一般式（Ｉ−１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に炭素数１〜１０の１価の直鎖状炭化水素基、炭素数３〜１０の１価の分枝鎖状炭化水素基、置換もしくは未置換の１価のフェニレン基、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の多核芳香族炭化水素、置換もしくは未置換の芳香環数２〜１０の１価の縮合芳香族炭化水素、又は置換もしくは未置換の１価の芳香族複素環を表す。Ｔは炭素数１〜１０の２価の直鎖状炭化水素基、又は炭素数２〜１０の２価の分枝鎖状炭化水素基を表す。ａは１〜４の整数、ｂは０〜３を表す。）
【化２】
2008028201.tif 000002
（一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）中、Ａ１は前記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種以上を表し、Ｙ１は２価のアルコール残基を表し、Ｚ１は２価のカルボン酸残基を表し、ｍは１〜５の整数を表し、Ｒ３は、−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−Ｈ、又は基−Ｏ−（Ｙ１−Ｏ）ｍ−ＣＯ−Ｚ１−ＣＯ−ＯＲ’で表される基（但し、Ｙ１、Ｚ１、ｍは上記と同じ意味を有し、Ｒ’は、水素原子、アルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、又は、置換もしくは未置換のアラルキル基を表す）を表し、ｐは５〜５０００の整数を表す。）
【請求項２】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層とを含み、前記発光層、電子輸送層及び電子注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１層とを含み、前記発光層、正孔輸送層及び正孔注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
前記有機化合物層が、少なくとも、発光層と、正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも１層と、電子輸送層及び電子注入層の少なくとも１層とを含み、前記発光層、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層及び電子注入層から選択された少なくとも１層が、前記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
前記有機化合物層が、電荷輸送機能を持つ発光層のみから構成され、前記電荷輸送機能を持つ発光層が、前記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種以上含有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
請求項１に記載の有機電界発光素子をマトリクス及びセグメント状の少なくとも一方に配置したことを特徴とする画像表示媒体。
【請求項７】
請求項１に記載の有機電界発光素子を製造する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機化合物層の構成成分を溶媒中に溶解させた塗布溶液をインクジェット法により塗布する塗布工程を少なくとも有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記目的を達成するため電荷輸送性ポリマーに関し鋭意検討した結果、特定の電荷輸送性ポリエステルが、有機電界発光素子として好適な電荷注入特性、電荷移動度、薄膜形成能、発光特性に加え、発光時の熱安定性、保存安定性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
＜１＞
少なくとも一方が透明又は半透明である陽極及び陰極よりなる一対の電極と、前記一対の電極間に挾持された一つ又は複数の有機化合物層と、を含んで構成され、
前記有機化合物層の少なくとも一層が、下記一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し単位よりなる電荷輸送性ポリエステルを少なくとも１種含有し、
且つ前記電荷輸送性ポリエステルが、下記一般式（ＩＩ−１）又は（ＩＩ−２）で示される電荷輸送性ポリエステルであることを特徴とする有機電界発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
＜６＞
＜１＞に記載の有機電界発光素子をマトリクス及びセグメント状の少なくとも一方に配置したことを特徴とする画像表示媒体。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
＜７＞
＜１＞に記載の有機電界発光素子を製造する有機電界発光素子の製造方法であって、前記有機化合物層の構成成分を溶媒中に溶解させた塗布溶液をインクジェット法により塗布する塗布工程を少なくとも有することを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
一般式（Ｉ−１）で示される構造から選択された少なくとも１種を部分構造として含む繰り返し構造を有する電荷輸送性ポリエステルとしては、下記一般式（ＩＩ−１）及び（ＩＩ−２）で示されるものが適用される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタのチャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化に起因する閾値電圧の変化を反映させて動作解析を行うためのトランジスタモデルを用いたシミュレーション方法であって、
（１）チャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化とチャネル形成領域における局在準位によって捕獲／放出されるキャリアとの関係を反映するように規定された閾値電圧計算用モデルによって得られる値に基づいて閾値電圧変化量を計算し、
（２）該閾値電圧変化量に基づいて閾値電圧の値を補正し、
（３）該補正された閾値電圧の値に基づいてトランジスタモデルから成る回路モデルの動作を解析する、
シミュレーション方法。
【請求項２】
閾値電圧計算用モデルは、独立した１つの積分回路モデルあるいは相互に独立した複数の積分回路モデルによって構成されている請求項１に記載のシミュレーション方法。
【請求項３】
積分回路モデルは、静電容量モデルと抵抗モデルとが直列接続されて成る請求項２に記載のシミュレーション方法。
【請求項４】
積分回路モデルを構成する抵抗モデルにおける抵抗の値を、トランジスタモデルの動作に依存して変化させる請求項３に記載のシミュレーション方法。
【請求項５】
積分回路モデルのそれぞれには、トランジスタモデルのゲート端子とソース端子との間の電位差の値に基づいた電圧が印加される請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
【請求項６】
トランジスタモデルのゲート端子とソース端子との間の電位差の値をＶgs、所定の電圧の値をＶgslim（但し、Ｖgslim＞０）としたとき、
Ｖgsの絶対値がＶgslimの値以下である場合には、各積分回路モデルにはＶgsの値の電圧を印加し、
Ｖgsの絶対値がＶgslimの値を超える場合には、各積分回路モデルにはＶgslim2／Ｖgsの値の電圧を印加する請求項５に記載のシミュレーション方法。
【請求項７】
閾値電圧変化量を、各積分回路モデルを構成する静電容量モデルにおける電荷の値に基づいて計算する請求項３乃至請求項６のいずれか１項に記載のシミュレーション方法。
【請求項８】
（Ａ）閾値電圧の基準値をＶth_ref、
（Ｂ）積分回路モデルの個数をＮ、第ｎ番目（但し、ｎ＝１，２，…，Ｎ）の積分回路モデルを構成する静電容量モデルにおける電荷の値をＱn、閾値電圧変化量をΔＶthとしたとき、ΔＶthを以下の式（１）に基づいて計算し、その後、Ｖth_refにΔＶthを加えることにより閾値電圧の値を補正する請求項７に記載のシミュレーション方法。
2008028191.tif 000001
但し、α、βは定数、ＣOXはトランジスタモデルにおける単位面積あたりのゲート絶縁膜容量の値である。
【請求項９】
（Ａ）第ｎ番目の積分回路モデルを構成する静電容量モデルにおける静電容量の値をＣn、
（Ｂ）ある時刻ｔにおける、第ｎ番目の積分回路モデルに印加されている電圧の値をＶn（ｔ）、第ｎ番目の積分回路モデルを構成する静電容量モデルにおける電荷の値をＱn（ｔ）、第ｎ番目の積分回路モデルを構成する抵抗モデルにおける抵抗の値をＲn（ｔ）としたとき、時刻ｔから時間Δｔが経過したときの第ｎ番目の積分回路モデルを構成する静電容量モデルにおける電荷の値Ｑn（ｔ＋Δｔ）を、以下の式（２）に基づいて計算し、更に、閾値電圧変化量ΔＶthを、以下の式（１）’に基づき計算する請求項８に記載のシミュレーション方法。
2008028191.tif 000002
2008028191.tif 000003
【請求項１０】
電界効果型トランジスタのチャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化に起因する閾値電圧の変化を反映させて動作解析を行うためのトランジスタモデル用いたシミュレーション方法に基づく、電界効果型トランジスタから成る回路の動作制御方法であって、
該シミュレーション方法によって、
（１）チャネル形成領域におけるポテンシャル分布の変化とチャネル形成領域における局在準位によって捕獲／放出されるキャリアとの関係を反映するように規定された閾値電圧計算用モデルによって得られる値に基づいて閾値電圧変化量を計算し、
（２）該閾値電圧変化量に基づいて閾値電圧の値を補正し、
（３）該補正された閾値電圧の値に基づいてトランジスタモデルから成る回路モデルの動作を解析し、
（４）該回路モデルの動作の解析結果に基づいて、電界効果型トランジスタから成る回路に入力される信号を補正する、
電界効果型トランジスタから成る回路の動作制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月1日(2008.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記ステップ２における加工条件を、スクライブ荷重２０ｇｆ〜３０ｇｆとする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記枠部は矩形状であり、前記腕部は前記枠部の四隅に設けられていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月30日(2009.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体の光学像を観察可能にするための接眼ユニットと、
被写体の光学像を電気信号に変換する撮像素子と、
前記撮像素子の前方であって撮影光軸上に配設された光学部材と、
前記光学部材に対して前記接眼ユニット側に配置され、前記光学部材に振動を与える加振手段と、
前記光学部材に対して前記加振手段と対向する側に配置され、前記光学部材を前記加振手段の方向に付勢する付勢部材と、
前記光学部材、前記加振手段、及び前記付勢部材を保持する保持部材と、
撮影光軸に垂直な平面部を有し、その平面部に開口部が形成されている撮像装置本体構造部材とを備え、
前記保持部材は、前記開口部に、前記平面部に触れることなく配置されることを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記加振手段は、前記光学部材に撮影光軸に対して直交方向の振動を与えることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記加振手段は、積層型の圧電素子であることを特徴とする請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記付勢部材は、高分子重合体からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記接眼ユニットは、係止部材によって前記撮像装置本体構造部材に係止されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記撮像装置本体構造部材は、撮影者側に延伸する係止部をさらに有し、前記接眼ユニットが前記係止部に前記係止部材によって係止されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の撮像装置は、被写体の光学像を観察可能にするための接眼ユニットと、被写体の光学像を電気信号に変換する撮像素子と、前記撮像素子の前方であって撮影光軸上に配設された光学部材と、前記光学部材に対して前記接眼ユニット側に配置され、前記光学部材に振動を与える加振手段と、前記光学部材に対して前記加振手段と対向する側に配置され、前記光学部材を前記加振手段の方向に付勢する付勢部材と、前記光学部材、前記加振手段、及び前記付勢部材を保持する保持部材と、撮影光軸に垂直な平面部を有し、その平面部に開口部が形成されている撮像装置本体構造部材とを備え、前記保持部材は、前記開口部に、前記平面部に触れることなく配置される点に特徴を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、加振手段を接眼ユニット側に配置し、比較的大きくなる付勢部材を加振手段と対向する側に配置するので、撮像装置本体構造部材に形成される開口部の接眼ユニット側の面積が拡大するのを最小限に抑えることができる。これにより、撮像装置本体構造部材の剛性や強度を効率的に確保することができ、撮像装置の剛性や強度を確保することができる。さらに、接眼ユニットの支持剛性や強度を確保しつつ、接眼ユニットを係止する高さ位置を抑えることもできるので、撮像装置の上下方向及び左右方向の小型化を図ることができる。
また、保持部材が、撮像装置本体構造部材の開口部に、該撮像装置本体構造部材の撮影光軸に垂直な平面部に触れることなく配置されるので、撮像装置本体構造部材と保持部材とは撮影光軸方向の略同一位置に配置されることになり、撮像装置の撮影光軸方向の小型化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
前記半導体基板の基板電圧を制御してブルーミングを抑制する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
第１導電型の前記半導体基板に形成された第２導電型の半導体ウェル領域と、
前記半導体ウェル領域内に形成された前記光電変換部を有し、
被写体の明るさを判定し、前記基板電圧を輝度に応じて制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
被写体の明るさを有効画素領域全域の平均出力から判定し、前記基板電圧を輝度に対応して制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項５】
被写体の明るさを有効画素領域を分割した所要の分割領域の平均出力から判定し、前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項６】
輝点が存在する暗い被写体を撮影するモード選択に対応して、前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項７】
動画撮影において、１フレームあるいは数フレーム前の１フレーム出力、あるいは数フレーム分の平均出力を用いて光量を判定し、輝度に対応して前記基板電圧を制御する
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項８】
半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
暗い被写体の撮影時に、輝度に応じて前記基板電圧を初期設定電圧より昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項９】
半導体基板に複数の画素が配列された撮像領域を有し、
前記画素は、光電変換部と、光電変換により生成された電荷を画素信号に変換する変換部とを含み、
被写体の明るさに応じて基板電圧を昇圧してオーバーフローバリアを低く制御する
ことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する画像処理手段と、
前記固体撮像装置からの出力信号により被写体の明るさを判定する判定手段と、
前記判定回路からの判定結果に基づき基板電圧を制御する基板電圧制御手段とを有し、
被写体の明るさに対応して前記基板電圧制御手段からの制御信号により、前記固体撮像装置の基板電圧を制御する
ことを特徴とする制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月21日(2009.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
色変換テーブル生成方法であって、
出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する工程と、
前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する工程と、
前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとの誤差が最小となるように前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する工程と、
を有することを特徴とする色変換テーブル生成方法。
【請求項２】
前記補正する工程では、前記推測したデバイスカラーと前記補間演算したデバイスカラーとの色差を比較し、該比較結果により決まる前記色変換テーブルの一部デバイスカラーを補正することを特徴とする請求項１記載の色変換テーブル生成方法。
【請求項３】
前記補正する工程では、前記誤差が最小となるように補正するために、擬似逆行列を用いることを特徴とする請求項１記載の色変換テーブル生成方法。
【請求項４】
色変換テーブル生成方法であって、
出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する工程と、
前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する工程と、
前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとを比較し、該比較結果、決まる色域において色差を小さくすべく前記色変換テーブルの前記色域のデバイスカラーに平滑化を行うことで前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する工程と、
を有することを特徴とする色変換テーブル生成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項記載の色変換テーブル生成方法で生成されることを特徴とする色変換テーブル。
【請求項６】
色変換テーブル生成装置であって、
出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する手段と、
前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する手段と、
前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとの誤差が最小となるように前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する手段と、
を有することを特徴とする色変換テーブル生成装置。
【請求項７】
色変換テーブル生成装置であって、
出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する手段と、
前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する手段と、
前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとを比較し、該比較結果、決まる色域において色差を小さくすべく前記色変換テーブルの前記色域のデバイスカラーに平滑化を行うことで前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する手段と、
を有することを特徴とする色変換テーブル生成装置。
【請求項８】
請求項１乃至４の何れか１項記載の色変換テーブル生成方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、色変換テーブル生成方法であって、出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する工程（本実施例では、［0043］、［0072］S1101,S1102に相当）と、前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する工程（本実施例では、［0072］S1103に相当）と、前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとの誤差が最小となるように前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する工程（本実施例では、［0073］S1104〜S1106に相当）とを有することを特徴とする。
また、本発明は、色変換テーブル生成方法であって、出力機器で再現された色域の色を測色した測色値から色変換テーブルを構成する格子点の色に対応するデバイスカラーを推測して色変換テーブルを生成する工程（本実施例では、［0043］、［0094］S1401,S1402に相当）と、前記色変換テーブルを構成する格子点の色に加え、格子点以外の色に対応するデバイスカラーを推測する工程（本実施例では、［0097］S1403に相当）と、前記生成した色変換テーブルを用いて前記格子点以外の色を補間演算して求めたデバイスカラーと、前記推測した格子点及び格子点以外の色に対応するデバイスカラーとを比較し、該比較結果、決まる色域において色差を小さくすべく前記色変換テーブルの前記色域のデバイスカラーに平滑化を行うことで前記色変換テーブルのデバイスカラーを補正する工程（本実施例では、［0099］S1406に相当）とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ処理によって、製造工程に配置されているプロセス処理装置の動作チェックを行うために少なくとも１種類の非製造品をキャリアに積載して前記製造工程中の保管庫に搬送するキャリア搬送制御方法において、
前記保管庫に保管されている前記非製造品のリアルタイムの在庫量を取得し、このリアルタイムの在庫量と予め登録されている前記保管庫の適正量とを比較し、この差分に基づいて前記非製造品の搬送先である前記保管庫の優先度を作成し、
前記作成された前記保管庫の前記優先度に基づいて事前に前記計測装置の近傍の前記保管庫に前記非製造品を前記キャリアによって搬送する、
ことを特徴とするキャリア搬送制御方法。
【請求項２】
前記動作チェックに必要な種類の前記非製造品の前記キャリアによる搬送は、前記製造工程中から空きキャリアと、前記動作チェックに必要な種類の前記非製造品を載せている前記キャリアとを選択し、
これら空きキャリアと前記動作チェックに必要な種類の前記非製造品を載せている前記キャリアとを前記予測された前記計測装置の近傍の前記保管庫に搬送する、
ことを特徴とする請求項１記載のキャリア搬送制御方法。
【請求項３】
製造工程に散在する複数種類の前記非製造品の中から前記動作チェックに必要な複数種類の前記非製造品の各配置位置を検索し、
これら検索された前記動作チェックに必要な複数種類の前記非製造品を前記予測された前記計測装置の近傍の前記保管庫に搬送し、
これと共に前記製造工程中から前記非製造品が積載されていない空きキャリアを検索し、当該空きキャリアを前記予測された前記計測装置の近傍の前記保管庫に搬送し、
前記空きキャリア内に前記動作チェックに必要な複数種類の前記非製造品を前記動作チェックの順序に従って載積する、
ことを特徴とする請求項１記載のキャリア搬送制御方法。
【請求項４】
前記非製造品は、半導体基板を有し、
前記計測装置は、前記動作チェックとして少なくとも膜厚測定又はダスト測定を行い、
少なくとも前記膜厚測定又は前記ダスト測定の前記動作チェックに必要な複数種類の前記半導体基板を前記動作チェックの順序に従って前記空きキャリア内に載積する、
ことを特徴とする請求項３記載のキャリア搬送制御方法。
【請求項５】
製造工程に配置されている複数のプロセス処理装置間に設けられた搬送系に複数のキャリアを搬送し、このキャリアに前記プロセス処理装置の動作チェックを行うために少なくとも１種類の非製造品を積載して前記製造工程中の保管庫に搬送するキャリア搬送制御装置において、
前記保管庫に保管されている前記非製造品のリアルタイムの在庫量を取得し、このリアルタイムの在庫量と予め登録されている前記保管庫の適正量とを比較し、この差分に基づいて前記非製造品の搬送先である前記保管庫の優先度を作成する配分量算出部と、
前記作成された前記保管庫の前記優先度に基づいて事前に前記計測装置の近傍の前記保管庫に前記非製造品を前記キャリアによって搬送する搬送制御部と、
を具備することを特徴とするキャリア搬送制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】キャリア搬送制御方法及びその装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハ等の製造工程に配置されている複数のプロセス処理装置の動作チェックを行うために少なくとも１種類の動作チェック用の半導体ウエハをキャリアに積載してプロセス処理装置に搬送するキャリア搬送制御方法及びその装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の目的は、無駄な搬送や無駄な在庫を減少し、半導体装置製造のオンライン中にプロセス処理装置のチェック動作を行って生産性の向上に寄与できるキャリア搬送制御方法及びその装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の主要な局面に係るキャリア搬送制御方法は、コンピュータ処理によって、製造工程に配置されているプロセス処理装置の動作チェックを行うために少なくとも１種類の非製造品をキャリアに積載して製造工程中の保管庫に搬送するキャリア搬送制御方法において、保管庫に保管されている非製造品のリアルタイムの在庫量を取得し、このリアルタイムの在庫量と予め登録されている保管庫の適正量とを比較し、この差分に基づいて非製造品の搬送先である保管庫の優先度を作成し、作成された保管庫の優先度に基づいて事前に計測装置の近傍の保管庫に非製造品を前記キャリアによって搬送する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の主要な局面に係るキャリア搬送制御装置は、製造工程に配置されている複数のプロセス処理装置間に設けられた搬送系に複数のキャリアを搬送し、このキャリアにプロセス処理装置の動作チェックを行うために少なくとも１種類の非製造品を積載して製造工程中の保管庫に搬送するキャリア搬送制御装置において、保管庫に保管されている非製造品のリアルタイムの在庫量を取得し、このリアルタイムの在庫量と予め登録されている保管庫の適正量とを比較し、この差分に基づいて非製造品の搬送先である保管庫の優先度を作成する配分量算出部と、作成された保管庫の優先度に基づいて事前に計測装置の近傍の保管庫に非製造品をキャリアによって搬送する搬送制御部とを具備する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明によれば、無駄な搬送や無駄な在庫を減少し、半導体装置製造のオンライン中にプロセス処理装置のチェック動作を行って生産性の向上に寄与できるキャリア搬送制御方法及びその装置を提供できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の貫通穴が形成された基板の第１の面に、前記複数の貫通穴を塞ぐように接着され、電解メッキの給電に用いられる導電層と、前記電子部品が形成されない前記基板の周縁部に位置する部分の前記基板の第１の面に設けられ、前記導電層を囲むように配置されたダミー導電層とを並列接続し、定電流源を用いて前記導電層及び前記ダミー導電層に電流を流すことで、電解メッキ法により複数の前記貫通穴に導電材料を埋設するメッキ工程と、
前記メッキ工程後に、前記導電層を除去する導電層除去工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記導電層除去工程後に、前記基板の第１の面、及び前記基板の第１の面の反対側に位置する前記基板の第２の面から突出した部分の前記導電材料を研磨により除去する研磨工程を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記研磨工程後に、前記導電材料の端面と接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記導電パターンに半導体チップを実装する実装工程と、をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記基板は、複数の電子部品が形成可能な領域を有し、
前記実装工程後に、複数の前記電子部品の形成領域に対応する部分の前記基板を切断することで、前記電子部品の形成領域に対応する部分の前記基板を個片化する切断工程を有することを特徴とする請求項１ないし３のうち、いずれか１項記載の電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明によれば、複数の貫通穴が形成された基板の第１の面に、前記複数の貫通穴を塞ぐように接着され、電解メッキの給電に用いられる導電層と、前記電子部品が形成されない前記基板の周縁部に位置する部分の前記基板の第１の面に設けられ、前記導電層を囲むように配置されたダミー導電層とを並列接続し、定電流源を用いて前記導電層及び前記ダミー導電層に電流を流すことで、電解メッキ法により複数の前記貫通穴に導電材料を埋設するメッキ工程と、
前記メッキ工程後に、前記導電層を除去する導電層除去工程と、を含むことを特徴とする電子部品の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スピーカボックスの前側にスピーカが装着され、前記スピーカボックスに対し、同スピーカボックス内の音響室に一端部が連通し他端が遊技機の前側に向けて開口する空気通路を構成するダクト体が設けられた遊技機であって、
前記スピーカボックスの周壁の一壁面にはダクト装着部が形成される一方、
前記ダクト体は、前記スピーカボックスと別体に形成されるとともに、前記ダクト装着部に着脱交換可能に装着される構成にしてあることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
スピーカボックスと別体でかつ特性が異なる複数のダクト体が準備され、
前記複数のダクト体のうち、所望とする特性を有するダクト体が選択され、その選択されたダクト体が、スピーカボックスの周壁の一壁面に形成されたダクト装着部に着脱交換可能に装着される構成にしてあることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
スピーカボックスの周壁の一壁面と、ダクト体との相互には、同ダクト体を一方向にスライドさせることによって係合しかつ前記スピーカボックスの周壁の一壁面に前記ダクト体を着脱交換可能に装着するスライド凹部とスライド凸部とが形成され、
前記スピーカボックスの周壁の一壁面に形成されたスライド凹部又はスライド凸部を、ダクト装着部としていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外枠の前側に、本体枠がヒンジ機構によって開閉可能に装着され、前記本体枠に、遊技盤が着脱可能に嵌込まれる遊技盤装着枠が設けられ、前記本体枠の前側に、スピーカが装着された遊技機であって、
前記本体枠は、前記遊技盤装着枠を構成する遊技盤装着体と、後側に球払出装置が装着される機構装着体と、を備えるとともに、合成樹脂材によって一体成形され、
前記本体枠には、同本体枠の前面から後方に向かって延びかつ周壁部と後壁部とを有して前方に開口する箱形状のスピーカボックスが、前記本体枠の成形と同時に一体に形成され、
前記スピーカボックスの開口部には、同開口部を塞ぐようにしてスピーカが装着されるとともに、同スピーカの振動板の後側と前記後壁部との間に構成された空間部を音響室とし、
しかも、前記スピーカの作動時に前記音響室内に発生する音波によって前記スピーカの振動板の動きが阻害されることを抑制するために、前記スピーカボックスは、その後壁部が前記遊技盤装着枠の後側を越える奥行き寸法をもって大きく形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
本体枠には、遊技盤装着体の開口の下方に位置する一側寄り部分に球を発射する発射装置が配置されるとともに、他側寄り部分にスピーカボックスが形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の遊技機であって、
スピーカボックスは、その開口側が広く、奥側が狭い箱形状に形成されていることを特徴とする遊技機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の遊技機であって、
音響室に一端部が連通され他端が本体枠の前側に開口する音響通路が設けられ、  前記音響室の内壁部には、同内壁部と協働して音響通路を構成するダクト部材が装着されていることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機記録膜を有する光記録媒体の製造方法であって、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と、
Ｇｅの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と
を備え、
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜され、
上記酸化物膜の成膜工程では、ＧｅおよびＧｅ酸化物の混合物ターゲットをスパッタリングすることにより上記酸化物膜を成膜し、
上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０であることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項２】
上記酸化物膜の隣接膜と反対側の主面に、誘電体膜を成膜する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項３】
波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項４】
レーザ光を上記隣接膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
半導体の非飽和酸化物からなるスパッタリングターゲットであって、
少なくともＧｅ粉末およびＧｅ酸化物粉末とを混合し、該混合物を加圧焼成してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】
上記加圧焼成後の酸素の含有量が４５原子％以上６０原子％以下であることを特徴とする請求項５記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
Ｔｉの非飽和窒化物からなるスパッタリングターゲットであって、
少なくともＴｉ金属粉末とＴｉ窒化物粉末とを混合し、該混合物を加圧焼成してなることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項８】
上記加圧焼成後の窒素の含有量が１原子％以上２０原子％以下であることを特徴とする請求項７記載のスパッタリングターゲット。
【請求項９】
Ｔｉの非飽和窒化物からなるスパッタターゲットであて、
少なくともＴｉ粉末と、Ｓｉ粉末と、Ｔｉ窒化物粉末およびＳｉ窒化物粉末のうち少なくとも一方とを混合し、該混合物を加圧焼成してなることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項１０】
上記加圧焼成後の窒素の含有量が１原子％以上２０原子％以下であることを特徴とする請求項９記載のスパッタターゲット。
【請求項１１】
少なくともＳｉおよびＴｉを含有するターゲットであって、
上記Ｓｉの含有量が、８原子％以上３２原子％以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機記録膜を有する光記録媒体であって、
上記無機記録膜が、
Ｇｅの酸化物からなる酸化物膜と、
上記酸化物膜と接するように設けられた、金属材料からなる隣接膜と
を備え、
上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０の範囲であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
上記隣接膜が、ＴｉまたはＡｌからなることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項３】
上記隣接膜が、Ｓｉをさらに含有させたＴｉＳｉ合金からなることを特徴とする請求項２に記載の光記録媒体。
【請求項４】
上記酸化物膜の上記隣接膜と接する側とは反対側の面に誘電体膜がさらに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項５】
上記誘電体膜が、上記酸化物膜に隣接する第１の誘電体膜と、該第１の誘電体膜上に形成された第２の誘電体膜とを備え、
上記第１の誘電体膜がＺｎＳ−ＳｉＯ2からなり、上記第２の誘電体膜がＳｉＮからなることを特徴とする請求項４に記載の光記録媒体。
【請求項６】
トラックピッチが０．２９μｍ以上０．３５μｍ以下の範囲の案内溝を有する基板上に形成されてなり、かつ、グルーブ深さが１８ｎｍ以上２１．５ｎｍ以下の範囲で形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【請求項７】
上記案内溝のうち、記録・再生するグルーブ面からの、再生光学系における戻り検出光量をＲON、他方のグルーブ面からの戻り検出光量をＲINとしたとき、
−０．０１＜２（ＲON−ＲIN）/（ＲON＋ＲIN）
であることを特徴とする請求項６に記載の光記録媒体。
【請求項８】
識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項９】
識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項１０】
無機記録膜を有する光記録媒体の製造方法であって、
Ｔｉからなる隣接膜を成膜する工程と、
Ｇｅの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と
を備え、
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とは隣接するように成膜され、
上記酸化物膜の吸収係数ｋが、０．１５≦ｋ≦０．９０の範囲であることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
レーザ光を上記隣接膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１０記載の光記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機記録膜を有する光記録媒体であって、
上記無機記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
上記酸化物膜に隣接する隣接膜と
を備え、
上記隣接膜が、
チタンおよびシリコンからなる第１の隣接膜と、
上記第１の隣接膜とは組成が異なるチタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜と
を備え、
上記第１および第２の隣接膜のうち第２の隣接膜が酸化物膜側となるように設けられ、
上記第１および第２の隣接膜の組成をそれぞれＴｉＳｉx、ＴｉＳｉyと表した場合、上記ＴｉＳｉx、ＴｉＳｉyがｘ＜ｙの関係を満たすことを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】
識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
上記識別情報は、上記酸化物膜に上記識別情報に応じた記録マークを形成することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項３】
識別情報が記録された識別情報記録領域を有し、
上記識別情報は、上記無機記録膜を上記識別情報に応じたパターンで除去することにより記録されていることを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
【請求項４】
無機記録膜を有する光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
上記隣接膜の成膜工程は、
チタンおよびシリコンからなる第１の隣接膜を成膜する工程と、
上記第１の隣接膜とは組成が異なるチタンおよびシリコンからなる第２の隣接膜を成膜する工程と
を備え、
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記第２の隣接膜とが隣接するように成膜され、
上記第１および第２の隣接膜の組成をそれぞれＴｉＳｉｘ、ＴｉＳｉｙと表した場合、上記ＴｉＳｉｘ、ＴｉＳｉｙがｘ＜ｙの関係を満たすことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項６】
波長３５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下のレーザ光を上記酸化物膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項７】
レーザ光を上記隣接膜側から上記光記録媒体に対して照射することにより、識別情報を記録する工程をさらに備えることを特徴とする請求項４記載の光記録媒体の製造方法。
【請求項８】
無機記録膜を有する光記録媒体であって、
上記無機記録膜が、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜と、
上記酸化物膜に隣接する隣接膜と
を備え、
上記隣接膜が、
アルミニウムからなる第１の隣接膜と、
チタンからなる第２の隣接膜と
を備え、
上記第１および第２の隣接膜のうち第２の隣接膜が酸化物膜側に設けられていることを特徴とする光記録媒体。
【請求項９】
無機記録膜を有する光記録媒体の製造方法であって、
ゲルマニウムの酸化物からなる酸化物膜を成膜する工程と、
金属からなる隣接膜を成膜する工程と
を備え、
上記隣接膜の成膜工程は、
アルミニウムからなる第１の隣接膜を成膜する工程と、
チタンからなる第２の隣接膜を成膜する工程と
を備え、
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記第２の隣接膜とが隣接するように成膜され、
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程では、上記酸化物膜と上記隣接膜とが隣接するように成膜されることを特徴とする光記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
上記酸化物膜および上記隣接膜の成膜工程を連続して行うことを特徴とする請求項９記載の光記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月21日(2008.11.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザに対する融資が可能な場合にユーザ本人に代わって融資資金を指定口座へ振り込む振込代行処理を行う振込代行サーバと、
インターネットを介して前記振込代行サーバに接続された操作端末と、
前記インターネットを介して前記振込代行サーバに接続された振込元ホストと、
専用回線を介して前記振込元ホストに接続された振込先ホストを備え、
前記振込代行サーバは、
前記ユーザが操作する前記操作端末から振込代行依頼データを受けたとき、少なくとも前記指定口座を示す振込先口座データ、振込金額データ及び振込人名データを要求する手段と、
前記ユーザに対する融資が可能と判断された場合に、前記振込元ホストに対して前記指定口座への振込処理を依頼する手段と、
前記振込元ホストから振込結果データを受け取ったときに前記振込金額データを貸付金データとして計上する手段を備えることを特徴とする振込代行システム。
【請求項２】
前記振込元ホストは、
振込元口座データ、前記振込先口座データ、前記振込人名データ及び前記振込金額データを含む振込データを生成し、当該振込データを前記振込先ホストへ送信する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の振込代行システム。
【請求項３】
前記振込代行サーバは、
前記操作端末から送られてきた前記振込金額データをもとに前記ユーザに対する融資の可否を判断する手段をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の振込代行システム。
【請求項４】
前記振込代行サーバは、
前記振込先口座データがユーザごとに登録された指定口座レコードファイルを有し、前記振込代行処理の際に入力された振込先口座データの登録を要求された場合に、前記振込先口座データが登録された新規指定口座レコードを前記指定口座レコードファイルに追加することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の振込代行システム。
【請求項５】
前記振込代行サーバは、
前記ユーザ本人の登録口座データを含む顧客レコードファイルを備え、
前記振込先口座データが前記顧客レコードファイルに登録された前記ユーザ本人の登録口座データと一致する場合に、振込先口座データの再入力を要求することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振込代行システム。
【請求項６】
前記振込代行サーバは、
前記ユーザ本人の登録口座データを含む顧客レコードファイルを備え、
前記振込先口座データが前記顧客レコードファイルに登録された前記ユーザ本人の登録口座データと一致する場合に、ユーザ本人の登録口座に振り込む処理モードである振込キャッシングモードに移行することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の振込代行システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルと、
前記メモリセルに接続されるビット線と、
第１ノードおよび第２ノードを持ち、前記ビット線に前記第１ノードが接続された第１容量素子と、
前記第１容量素子の前記第２ノードを入力とする増幅回路と、
前記第１容量素子の前記第２ノードに接続され、前記第１容量素子に電荷を供給する充電回路とを有し、
前記増幅回路は、インバータから成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記インバータの入力と出力とを短絡する第１スイッチを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、
前記充電回路は電流源から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、
前記充電回路は、一端が前記第１容量素子の前記第２ノードに接続され、他端が第１電源に接続された抵抗から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、
前記充電回路は、第２容量素子および第２スイッチを含むスイッチトキャパシタ回路から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
メモリセルと、
前記メモリセルに接続されるビット線と、
前記ビット線に接続されたプリチャージ回路と、
前記ビット線に一端が接続された容量素子と、
前記容量素子の他端を入力とするインバータと、
前記インバータの入力と出力とを短絡する第１スイッチとを有し、
前記メモリセルの情報読み出し動作時に、前記プリチャージ回路により前記ビット線をプリチャージすると共に、前記第１スイッチにより前記インバータの入力と出力とを短絡することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置において、
前記容量素子の他端に接続された充電回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置において、
前記充電回路は電流源から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置において、
前記充電回路は、一端が前記容量素子の他端に接続され、他端が第１の電源に接続された抵抗から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置において、
前記充電回路は、第２容量素子および第２スイッチを含むスイッチトキャパシタ回路から成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７記載の半導体装置において、
前記インバータの出力に接続された後段増幅回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６記載の半導体装置において、
前記メモリセルは、不揮発性メモリセルであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
Ｘアドレスに対応する複数のワード線と、
Ｙアドレスに対応する複数のビット線と、
前記ワード線と前記ビット線に結合され、情報を格納する複数のメモリセルと、
前記ビット線に接続され、前記ビット線と選択された前記ワード線に接続されたメモリセルの情報を読み出す複数のセンス回路とを具備して成り、
前記メモリセルを介して前記ビット線に流れる電流は、前記メモリセル内の保持情報と前記ワード線により印加された電圧に応じて変わるものであり、
読み出し用の前記センス回路は、
反転増幅器と、
前記ビット線に接続される第１ノードと、前記反転増幅器の入力となる第２ノードとを持つ第１容量素子と、
前記反転増幅器の入力と出力とを短絡する第１スイッチと、
前記第１容量素子に電荷を供給するための充電回路とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記ワード線を選択し、前記ビット線を所定の電圧にプリチャージした後、前記ビット線をフローティング状態にして、ビット線電位の低下を前記センス回路により感知し、前記メモリセルに格納された情報を読み出すことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体装置において、
前記ビット線のプリチャージ期間中に前記反転増幅器の入力と出力とを短絡し、前記反転増幅器の入出力電位と前記ビット線のプリチャージ電位との差を前記第１容量素子に保持することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記充電回路は、第２容量素子および第２スイッチを含むスイッチトキャパシタ回路から成り、
前記スイッチトキャパシタ回路により、クロックに同期して前記第２容量素子の電荷を前記第１容量素子に転送し、前記反転増幅器の入力電位を上昇させることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１３記載の半導体装置において、
前記充電回路は、前記反転増幅器の入力と第１電源との間に設けられた抵抗から成り、
前記抵抗を流れる電流により前記第１容量素子を充電し、前記反転増幅器の入力電位を上昇させることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置において、
前記メモリセルのディスチャージ電流と前記ビット線の寄生容量とで決定されるビット線電位低下の速度が、所定の判定値より大きい場合は、前記第１容量素子を介して前記反転増幅器の入力電位が低下し、
前記ビット線電位低下の速度が前記判定値より小さい場合は、前記第２容量素子から前記第１容量素子への電荷転送により前記反転増幅器の入力電位が上昇し、
前記ビット線電位低下の速度の大小で前記反転増幅器の入力電位が上昇したり低下したりすることで、前記反転増幅器の入力電位を増幅して論理振幅に拡大し、前記メモリセルに保持された情報を読み出すことを特徴とする半導体装置。