Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月11日(2013.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体素子（１００）であって、
第１の支持体（１Ａ）と、
少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と、
少なくとも一つの電子部品（３）とを有しており、
前記第１の支持体（１Ａ）は、上側（１１Ａ）と、前記第１の支持体（１Ａ）の上側（１１Ａ）に対向する下側（１２Ａ）とを備え、前記第１の支持体（１Ａ）は第１の領域（Ｂ１）と第２の領域（Ｂ２）を有しており、
前記少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）は、前記第１の支持体（１Ａ）の上側（１１Ａ）に設けられており、
前記少なくとも一つの電子部品（３）は、前記第１の支持体（１Ａ）の下側（１２Ａ）の第２の領域（Ｂ２）に設けられており、
前記第１の領域（Ｂ１）が、垂直方向で前記第２の領域（Ｂ２）の厚みよりも大きな厚みを有し、前記第１の領域（Ｂ１）の下側（１２Ａ）が、垂直方向で前記第２の領域を越えて突出しており、
前記少なくとも一つの電子部品（３）が前記少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と導電的に接続されていることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項２】
前記オプトエレクトロニクス半導体チップ（２）と前記電子部品（３）は、それぞれボンディングワイヤ（２１，３１）を介してさらに別の支持体（１Ｂ）と導電的に接続されている、請求項１記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項３】
前記第２の領域（Ｂ２）は、前記第１の支持体（１Ａ）においてアンダーカット部分（５Ａ）によって形成されている、請求項１または２記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項４】
前記少なくとも一つの電子部品（３）は、垂直方向で前記第１の支持体（１Ａ）を越えて突出していない、請求項１から３いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項５】
前記第２の領域（Ｂ２）は、前記第１の支持体（１Ａ）において切欠き（１３）によって形成されている、請求項１から４いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項６】
前記第２の領域（Ｂ２）は、少なくとも３つの側面において前記第１の領域（Ｂ１）を取り囲んでいる、請求項１から５いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項７】
前記少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）は、ケーシング本体（４）によって側方から取り囲まれている、請求項１から６いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項８】
前記ケーシング本体（４）は、前記少なくとも一つの電子部品（３）を少なくとも部分的に取り囲んでいる、請求項７記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項９】
前記ケーシング本体（４）は、前記下側（１２Ａ）において、垂直方向で前記第１の領域（Ｂ１）を越えて突出していない、請求項７または８記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項１０】
前記ケーシング本体（４）は、前記第１の支持体（１Ａ）を、さらなる別の支持体（１Ｂ）に機械的に接続させている、請求項７から９いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項１１】
前記少なくとも一つの電子部品（３）は、静電破壊による損傷から保護する回路を含む、請求項１から１０いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【請求項１２】
前記少なくとも一つの電子部品（３）は、前記少なくとも一つのオプトエレクトロニクス半導体チップ（２）のための駆動制御回路を含む、請求項１から１１いずれか１項記載のオプトエレクトロニクス半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
アノードおよびカソード、ならびに光の入射時に電子−正孔対を生じさせるためのこれらの電極間に配置された少なくとも１つの有機光活性真性ｉ型層系を含む有機光活性コンポーネントであって、
（ｉ）前記光活性ｉ型層系が、電子−正孔対を分離するための少なくとも１つの混合層を含有し、
（ｉｉ）前記混合層が、正孔を受け取るための少なくとも１つのドナー材料および電子を受け取るための少なくとも１つのアクセプター材料を含有し、したがって前記混合層がドナー−アクセプター系を形成しており、
（ｉｉｉ）前記混合層の前記ドナー材料および前記アクセプター材料が非ポリマー材料であり、
（ｉｖ）前記ドナー材料が、前記アクセプター材料の蒸発温度よりも少なくとも１５０℃低い真空中での蒸発温度を有し、
（ｖ）それぞれｎ型、ｉ型またはｐ型層系から構成されるｎｉｐ型、ｉｐ型またはｎｉ型構造から構成される配列を有し、ここでｎはｎ型伝導性層を、ｐはｐ型伝導性層を指し示し、その際、前記有機光活性ｉ型層系が直接カソード上にまたは電子伝導性ｎ型材料系上に配置されていることを特徴とする、有機光活性コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月19日(2013.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】オプトエレクトロニック半導体チップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持プレート（７）とオプトエレクトロニック半導体ボディ（１）とを有するオプトエレクトロニック半導体チップであって、前記オプトエレクトロニック半導体ボディ（１）は、
−電磁放射を出射及び／又は入射するための前面（１２０）と、
−前記前面（１２０）の反対側に位置する後面（１１０）であって、前記オプトエレクトロニック半導体ボディ（１）の前記後面（１１０）は前記支持プレート（７）と対向し、前記オプトエレクトロニック半導体ボディ（１）ははんだ（８）により前記支持プレート（７）に接着され、前記はんだ（８）は凹部（４）の少なくとも第１の部分（４１）を充填する、前記後面（１１０）と、
−前記後面（１１０）から前記前面（１２０）の方向に、順に、第１の導電層（２１）、活性層（２２）、及び、第２の導電層（２３）を有する活性半導体積層体（２）と、を有し、
−前記半導体積層体（２）は、前記後面（１１０）から前記半導体積層体（２）内へ延在する少なくとも１つの前記凹部（４）を有し；
−前記凹部（４）は、前記第１の導電層（２１）及び前記活性層（２２）を貫通して前記第２の導電層（２３）内へ延在する前記第１の部分（４１）を有し、且つ、前記第２の導電層（２３）内において基面（４１１）を有し；
−前記凹部（４）は開口部（４２０）を有する第２の部分（４２）を有し、前記開口部（４２０）は、前記後面（１１０）の平面図において、前記第１の部分（４１）の前記基面（４１１）の外形により完全に囲まれており、
前記第２の部分（４２）は、前記開口部（４２０）を出発点として、前記前面（１２０）の方向に少なくとも前記第２の導電層（２３）内に延在する、オプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項２】
前記第２の部分（４２）の前記開口部（４２０）は、前記第１の部分（４１）の前記基面（４１１）内に含まれ、
前記第２の部分（４２）は前記第２の導電層（２３）内に完全に延在する、請求項１に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項３】
前記第１の部分（４１）は、前記第２の部分（４２）の前記開口部（４２０）の周囲に延在するトレンチとして形成され、
前記第２の部分（４２）は、前記第１の導電層（２１）及び前記活性層（２２）を貫通して前記第２の導電層（２３）内に延在する、請求項１に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項４】
前記第１の部分（４１）の側面（４１２，４１２Ａ，４１２Ｂ，４１２Ｃ，４１２Ｄ）は、前記半導体積層体（２）の主延伸平面に対して斜めに延在する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項５】
前記第２の部分（４２）は、少なくとも部分的に金属層（６Ａ，６Ｂ）により充填される、請求項１〜４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項６】
前記第１の部分（４１）の表面は、少なくとも部分的に絶縁層（５）により被覆され、
前記第２の部分（４２）の表面には絶縁層が存在しない、請求項１〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項７】
前記第２の部分（４２）の前記開口部（４２０）の全外周を囲む、前記第１の部分（４１）の前記基面（４１１）の領域の最小横方向長さは１μｍ以上である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項８】
支持プレート（７）と、オプトエレクトロニック半導体ボディ（１）とを有し、
前記オプトエレクトロニック半導体ボディ（１）は、
−電磁放射を出射及び／又は入射するための前面（１２０）と、
−前記前面（１２０）の反対側に位置し、前記支持プレート（７）に対向し、はんだ（８）により前記支持プレート（７）に接着された後面（１１０）と、
−前記後面（１１０）から前記前面（１２０）の方向に、順に、第１の導電層（２１）、活性層（２２）、及び、第２の導電層（２３）を有し、また、前記後面（１１０）から活性半導体積層体（２）内へ延在し、且つ、前記第１の導電層（２１）及び前記活性層（２２）を貫通して前記第２の導電層（２３）内へ延在する少なくとも１つの凹部（４）を有する活性半導体積層体（２）と、を有し、
前記凹部（４）は、前記凹部（４）の前面側基面（４０１）から、体積の少なくとも１／３が前記はんだ（８）とは異なる材料からなる金属層（６Ａ，６Ｂ）により充填される、オプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項９】
前記後面（１１０）の平面図において、前記金属層（６Ａ，６Ｂ）は前記前面側基面（４０１）の領域の一部を被覆し、
前記金属層（６Ａ，６Ｂ）の外周を囲む前記凹部（４）の領域は前記はんだ（８）により充填される、請求項８に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項１０】
前記金属層（６Ａ，６Ｂ）は、前記半導体積層体（２）を超えて前記後面（１１０）の方向に突出する、請求項８又は９に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項１１】
はんだ停止層（９）が前記金属層（６Ａ，６Ｂ）と前記はんだ（８）との間に配置される、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項１２】
前記第２の導電層（２３）は、前記活性層（２２）及び前記第１の導電層（２１）を超えて横方向に突出し、その結果、前記第２の導電層（２３）は、前記半導体積層体（２）の外周を囲み、前記活性層（２２）の前記主延伸平面が延在し、且つ、前記はんだ（８）で充填された溝（１０）を前記支持プレート（７）と共に形成する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項１３】
前記前面（１２０）から前記後面（１１０）方向における前記溝（１０）の長さは５００ｎｍ以下である、請求項１２に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【請求項１４】
前記支持プレート（７）の境界領域（７１０）は、前記半導体積層体（２）を超えて横方向に突出し、
前記半導体積層体（２）の表面領域には、少なくとも前記溝（１０）の領域内において、パッシベーション層（５’）が設けられ、
前記パッシベーション層（５’）は、前記はんだ（８）により充填された前記溝（１０）が前記半導体積層体（２）を超えて横方向に延在するように、前記支持プレート（７）の前記境界領域（７１０）の少なくとも一部の上方に前記半導体積層体（２）から横方向に延在する、請求項１２又は１３に記載のオプトエレクトロニック半導体チップ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
研磨材粒子は、好ましくはコロイド状に安定である。コロイドという用語は、液体担体中の研磨材粒子の懸濁を表している。コロイド状安定性とは、時間が経ってもこの懸濁を維持することを表している。本発明との関連では、研磨材を１００ｍＬの目盛り付きシリンダーに容れ、そして攪拌せずに２時間置いたときに、目盛り付きシリンダーの底部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｂ］ｇ／ｍＬ）と、目盛り付きシリンダーの上部５０ｍＬの粒子濃度（［Ｔ］ｇ／ｍＬ）との差を、研磨材組成物中の初期の粒子濃度（［Ｃ］ｇ／ｍＬ）で割った値が、０．５以下（すなわち｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］≦０．５）であれば、研磨材はコロイド状に安定していると考えられる。より好ましくは、｛［Ｂ］−［Ｔ］｝／［Ｃ］の値は０．３以下、そして最も好ましくは０．１以下である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
【請求項２】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項１記載の研磨組成物。
【請求項３】
ノニオン性界面活性剤を更に含む、請求項１記載の研磨組成物。
【請求項４】
前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項３記載の研磨組成物。
【請求項５】
前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、請求項１記載の研磨組成物。
【請求項６】
前記研磨組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、請求項１記載の研磨組成物。
【請求項７】
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含んでなる化学機械研磨組成物。
【請求項８】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項９】
前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項１０】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項１１】
前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項１２】
前記錯化剤が、グリシンである、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項１３】
前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、請求項７記載の研磨組成物。
【請求項１４】
（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）過酸化水素、
（ｅ）イミノカルボン酸、および
（ｆ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
【請求項１５】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物が、ノニオン性界面活性剤を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記イミノカルボン酸が、ヒドロキシイミノジコハク酸四ナトリウムである、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
前記研摩組成物が、０．５質量％〜２質量％の過酸化水素を含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２０】
前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、請求項１４記載の方法。
【請求項２１】
前記ディスクが、メモリーディスクである、請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
（ｉ）基材を、研磨パッドおよび化学機械研磨組成物と接触させること、該化学機械研磨組成物は、
（ａ）ヒュームドアルミナ粒子、
（ｂ）アルファアルミナ粒子、
（ｃ）実質的に球形の、非凝集シリカ粒子、
（ｄ）ノニオン性界面活性剤、
（ｅ）過酸化水素、オキソン、および過硫酸ナトリウムを含む酸化剤
（ｆ）錯化剤、ならびに
（ｇ）水、
を含み、
（ｉｉ）該化学機械研磨組成物を該研磨パッドと該基材との間に伴って、該基材に対して該研磨パッドを動かすこと、ならびに
（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を研摩して、該基材を研磨すること、
を含んでなる基材の化学機械研磨方法。
【請求項２３】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜３質量％のヒュームドアルミナ粒子、０．１質量％〜１質量％のアルファアルミナ粒子、および０．５質量％〜５質量％の実質的に球形の、非凝集シリカ粒子を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２４】
前記ノニオン性界面活性剤が、シロキサン単位、エチレンオキシド単位、およびプロピレンオキシド単位を含む共重合体界面活性剤である、請求項２２記載の方法。
【請求項２５】
前記研摩組成物が、０．１質量％〜５質量％の錯化剤を含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２６】
前記錯化剤が、アミノ酸である、請求項２２記載の方法。
【請求項２７】
前記錯化剤が、グリシンである、請求項２２記載の方法。
【請求項２８】
前記研磨組成物が、０．０５質量％〜０．３質量％の過酸化水素、０．１質量％〜０．５質量％のオキソン、および０．５質量％〜１質量％の過硫酸ナトリウムを含む、請求項２２記載の方法。
【請求項２９】
前記基材が、ニッケル−リンコーティングされたアルミニウムディスクを含む、請求項２２記載の方法。
【請求項３０】
前記ディスクが、メモリーディスクである、請求項２９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月27日(2013.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
白金と遷移金属との合金を含む電気化学用途の触媒であって、前記遷移金属が、Ｘ線吸収端近傍スペクトル（ＸＡＮＥＳ）によって測定された、酸化物状態の遷移金属の吸収端に類似する吸収端を有し、前記測定が濃Ｈ３ＰＯ４電解質中で行われる、前記触媒。
【請求項２】
広域Ｘ線吸収微細構造（ＥＸＡＦＳ）によって測定される遷移金属の結合距離が、酸化物状態の遷移金属の結合距離に相当する、請求項１に記載の触媒。
【請求項３】
遷移金属がニッケル、クロム、バナジウム、コバルト、マンガン、及びそれらの混合物又は合金からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の触媒。
【請求項４】
遷移金属に対する白金のモル比が１〜５の範囲である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項５】
合金中の微結晶が５ｎｍ未満の平均サイズを有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項６】
触媒が更に担体を含む、請求項１から５までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項７】
前記担体が炭素担体である、請求項６に記載の触媒。
【請求項８】
ニッケルの結合距離が１．５〜１．８Åの範囲である、請求項２から７までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項９】
遷移金属がニッケルであり且つ測定が濃Ｈ３ＰＯ４電解質中で可逆水素電極に対して０．５４Ｖで行われる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の触媒。
【請求項１０】
請求項１から９までのいずれか１項に記載の触媒を電極触媒として使用する酸素還元反応の方法。
【請求項１１】
前記酸素還元反応を燃料電池中で行う、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸素還元反応を電解質としての濃Ｈ３ＰＯ４の存在下で行う、請求項１０又は１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学照射装置（１）において、
放射検出器（１０）と第１の光源（２１）と第２の光源（２２）とを備え、
前記放射検出器（１０）は半導体チップと光学フィルタを含み、所定のスペクトル感度分布を有しており、
前記第１の光源（２１）は白色放射を発生し、
前記第２の光源（２２）は可視スペクトル領域において単色放射を発生し、前記第１の光源（２１）から送出された放射と、該第２の光源（２２）から送出された放射が重畳されて、所定の波長スペクトルを有する混合放射が生成され、
該混合放射の波長スペクトルは、前記放射検出器（１０）のスペクトル感度分布に整合されており、前記混合放射の波長スペクトルは、前記放射検出器（１０）のスペクトル感度から平均して最大で４０％隔たっており、
前記放射検出器（１０）のスペクトル感度分布は、人間の目のスペクトル感度分布に整合されていることを特徴とする、
光学照射装置。
【請求項２】
前記混合放射の波長スペクトルの経過特性および色再現性が、前記放射検出器（１０）のスペクトル感度分布の経過特性および色再現性に整合されている、請求項１記載の光学照射装置。
【請求項３】
前記混合放射の波長スペクトルは、可視スペクトル領域において連続的なスペクトルを有する、請求項１または２記載の光学照射装置。
【請求項４】
前記第１の光源（２１）は発光ダイオードチップである、請求項１から３のいずれか１項記載の光学照射装置。
【請求項５】
前記第２の光源（２２）は、赤色スペクトル領域において単色放射を送出する発光ダイオードチップである、請求項１から４のいずれか１項記載の光学照射装置。
【請求項６】
可視スペクトル領域において単色放射を発生する第３の光源（２３）が設けられており、該第３の光源（２３）の単色放射は、前記第２の光源（２２）の単色放射とは異なる、請求項１から５のいずれか１項記載の光学照射装置。
【請求項７】
可視スペクトル領域において単色放射を発生する第４の光源が設けられており、該第４の光源の単色放射は、前記第３の光源（２３）の単色放射および前記第２の光源（２２）の単色放射とは異なる、請求項６記載の光学照射装置。
【請求項８】
前記第１の光源（２１）は、白色放射を送出する第１の発光ダイオードチップであり、前記第２の光源（２２）は、赤色スペクトル領域の放射を送出する第２の発光ダイオードチップであり、前記第３の光源（２３）は、緑色スペクトル領域の放射を送出する第３の発光ダイオードチップであり、前記第４の光源は、青色スペクトル領域の放射を送出する第４の発光ダイオードチップである、請求項７記載の光学照射装置。
【請求項９】
白色放射を発生させるために前記第１の光源（２１）が２つだけ設けられており、該２つの第１の光源（２１）の間に第２の光源（２２）が１つだけ設けられている、請求項４または５記載の光学照射装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項記載の光学照射装置（１）が設けられている光学記録装置。
【請求項１１】
光学記録装置は、移動電話機、カメラ、ビデオカメラのいずれか１つの機器である、請求項１０記載の光学記録装置。
【請求項１２】
前記第１の光源（２１）はフラッシュライトである、請求項１０または１１記載の光学記録装置。
【請求項１３】
前記第２の光源（２２）は、オートフォーカス機構のための照明として用いられる、請求項１０から１２のいずれか１項記載の光学記録装置。
【請求項１４】
前記第２の光源（２２）は撮影インジケータとして装備されている、請求項１０から１２のいずれか１項記載の光学記録装置。
【請求項１５】
前記第２の光源（２２）は、赤目現象を低減させるプリフラッシュである、請求項１０から１２のいずれか１項記載の光学記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月15日(2013.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一水和物の形態若しくは非水和の形態のベンジルジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アンモニウムクロリドを含む薬剤において、該薬剤が、さらに、適した医薬溶媒中のジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アンモニウムオキシド及び／又はジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アミンを有することを特徴とする薬剤。
【請求項２】
前記成分の比が、以下のように：
−  一水和物の形態若しくは非水和の形態のベンジルジメチル（３−［ミリストイルアミノ］プロピル）−アンモニウムクロリド０．００８〜５．０質量％
−  ジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アンモニウムオキシド及び／又は
−  ジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アミン０．００００５〜１．０質量％
−  適した医薬溶媒１００質量％まで
で形成されていることを特徴とする、請求項１記載の薬剤。
【請求項３】
前記成分の比が、以下のように：
−  一水和物の形態若しくは非水和の形態のベンジルジメチル（３−［ミリストイルアミノ］プロピル）−アンモニウムクロリド０．００８〜２．０質量％
−  ジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アンモニウムオキシド及び／又は
−  ジメチル（３−［ミリストイルアミノ］−プロピル）−アミン０．００００５〜０．０１質量％
−  適した医薬溶媒１００質量％まで
で形成されていることを特徴とする、請求項１又は２記載の薬剤。
【請求項４】
前記薬剤が、さらに、以下の一連の塩酸塩からの局所麻酔薬：リドカイン、ブピバカイン、ピロメカイン又はトリメカインを０．１〜５．０質量％の量で含有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項５】
前記薬剤が、さらに、塩化ナトリウムを０．６〜１．０質量％の量で含有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項６】
前記薬剤が、さらに、キシロメタゾリン、オキシメタゾリン、ナファゾリン、フェニレフリン、フェニルプロパノールアミン又はプソイドエフェドリンの一群からの抗浮腫剤を０．０１〜２．０質量％の量で含有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項７】
前記薬剤が、さらに、トリアムシノロン、ベタメタゾン又はフルオシノロンアセトニド、ヒドロコルチゾン、ハロメタゾン又はデキサメタゾンの一群からのコルチコステロイドを０．１〜３．０質量％の量で含有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項８】
前記薬剤が、さらに、メトロニダゾール、クロトリマゾール、ケトコナゾール、アシクロビル又はリマンタジンの一群からの殺菌剤及び／又は殺ウイルス製剤を０．０１〜５．０質量％の量で含有することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項９】
医薬溶媒としてアルコール及び／又は水を含有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項１０】
医薬溶媒として、植物性由来、動物性由来又は合成由来の任意の液状、ゲル状の軟膏基剤、洗浄基剤又は固体基剤を含有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の薬剤。
【請求項１１】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の薬剤を用いて、様々の病因及び局在化による伝染性疾患及び化膿性炎症性疾患を治療及び予防するための方法。
【請求項１２】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の薬剤を用いて、眼、外耳及び内耳、口腔、頸部及び鼻咽頭の並びに歯科医学における伝染性疾患、真菌性疾患及び化膿性炎症性疾患を治療及び予防するための方法。
【請求項１３】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の薬剤を用いて、胃腸管及び泌尿生殖器系の伝染性疾患、真菌性疾患及び化膿性炎症性疾患を治療及び予防するための方法。
【請求項１４】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の薬剤を用いて、腔内手術及び他の手術における術後期間中の伝染性疾患及び化膿性炎症性疾患を治療及び予防するための方法。
【請求項１５】
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の薬剤を用いて、伝染性疾患、真菌性疾患及び化膿性炎症性疾患並びに皮膚火傷及び粘膜火傷を治療及び予防するための方法。
【請求項１６】
請求項１から１０までのいずれか１項記載の薬剤を用いて、ウイルス起源の疾患を治療及び予防するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月10日(2013.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気圧式パイプ運搬システムにおいて材料を処理する方法であって、廃材等の材料は、ごみシュート（３）又は何らかの他の投入点（２００）の投入開口部等の投入点の投入開口部から投入され、投入点に関連して又は該投入点の付近に配置されているプレス装置（１）によってよりコンパクトになるように処理され、移送配管内で前方に移送される、方法であって、
該プレス装置は回転式プレス機であり、リム状処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）の一部は回転可能であり、該処理手段は、回転軸に対して偏心して配置されている開口部（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を備え、該処理手段の一部は固定され、処理される該材料は、少なくとも部分的に該空気圧式パイプ運搬システムの吸引及び／又は圧力差によって、該回転式プレス機内に及び／又は該回転式プレス機を通して誘導される、
ことを特徴とする、空気圧式パイプ運搬システムにおいて材料を処理する方法。
【請求項２】
回転時に、該回転式プレス機の該処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）の少なくとも一部は、処理される該材料を該処理手段を通して給送する、ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
該材料の進行方向において、該回転式プレス機の該処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）を通過する材料経路の断面積は進行方向に減少する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
回転時に、該回転可能な処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）は少なくとも１つの他の処理手段（１０Ｂ）とともに該材料を圧縮する、ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
該処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）は、回転方向が変化すると該材料を切削するのに用いられる、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
トルクを変化させることができるように該回転可能な処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）は駆動装置（７）によって駆動される、ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
それぞれの該回転可能な処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）の回転方向は個別に変化させることができる、ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
該回転可能な処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）の駆動装置（７）は電気モータ、空気圧式モータ、又は油圧モータである、ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
該回転式プレス機（１）の後で、シリンダ・ピストンの組合せである第２のプレス装置（３０）によって該材料は更に圧縮される、ことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
該回転式プレス機（１）の後で、特に排出チャンバ（４、４１）内で圧力媒体、より詳細にはガスによって該材料は影響され、該材料は、少なくとも部分的に圧力媒体を吹き付けることによって、更には、廃棄物ステーション等の材料送達ステーションへの該空気圧式パイプ運搬システムの作動によって該排出チャンバから該移送配管（５）内に移送される、ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
ごみシュート（３）又は何らかの他の投入点（２００）等の少なくとも１つの投入点と、該投入点に関連して又は該投入点の付近に配置されているプレス装置（１）と、移送配管内で材料を前方に移送する手段とを備える空気圧式パイプ運搬システムにおいて材料を処理する装置であって、
該プレス装置は回転式プレス機（１、１００）であり、リム状の処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）の一部は、回転可能な処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）であり、該処理手段は、該回転可能な処理手段の回転軸に対して偏心して配置されている開口部（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）を備え、一部は固定処理手段（１０Ｂ）であり、処理される該材料は、少なくとも部分的に該空気圧式パイプ運搬システムの吸引及び／又は圧力差によって、該回転式プレス機内に及び該回転式プレス機を通して誘導される、
ことを特徴とする、空気圧式パイプ運搬システムにおいて材料を処理する装置。
【請求項１２】
該回転式プレス機の該処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）の少なくとも一部は、材料を給送するねじ山付きのセクション等の表面パターン形成手段又は相当する手段を備え、該処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）が回転する際に、該回転式プレス機の該処理手段によって生じる圧縮段階を通じ、該表面パターン形成は処理される該材料を移送する、ことを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
該材料の進行方向において、該回転式プレス機の該処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）を通過する該材料経路（１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ）の断面積は進行方向に減少する、ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載の装置。
【請求項１４】
該処理手段（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）の処理部分の少なくとも一部は上下になって配置されているプレート部分（１０１、１０２、１０３、１０４、１０５）から形成される、ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１５】
該材料を前方に給送する溝又は突起等の手段は該処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）の処理表面（１３Ａ、１３Ｃ）上に形成される、ことを特徴とする請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１６】
切削ブレードセクション（１４Ａ、１４Ｃ）は処理手段内に配置されており、該処理手段（１０Ａ、１０Ｃ）の回転方向が変わると該材料を切削する、ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１７】
該回転式プレス機の該処理手段の後で、シリンダ・ピストンの組合せである第２のプレス装置（３０）は該処理手段の排出側に取り付けられている、ことを特徴とする請求項１１乃至１６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１８】
該プレス装置（３０）は、２つのピストン部分（３２、３３）、すなわち第１のピストン部分（３２）と第２のピストン部分（３３）とを含む、シリンダ・ピストンの組合せである、ことを特徴とする請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
該第１のピストン部分（３２）は該第２のピストン部分（３３）よりもその断面積が大きい、ことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の装置。
【請求項２０】
該第２のプレス装置、すなわちその第１のピストン部分（３２）が、最初に該回転式プレス機（３）の排出開口部から該排出チャンバ（４１）内に移送される該材料がよりコンパクトになるように圧縮し、その後、該第２のピストン部分（３３）が、該排出開口部（４２）を介して該排出チャンバから該移送配管（５）内に該材料を前方に移送する、ことを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２１】
該第２のプレス装置（３０）はばね及び／又は圧力媒体によって作動する、ことを特徴とする請求項１７乃至２０のいずれか一項に記載の装置。
【請求項２２】
該装置は、該材料が、圧力媒体によって少なくとも部分的に吹き付けることによって該排出チャンバから該移送配管（５）内に移送されるように、該回転式プレス機（１）の後で、より詳細には排出連結部（４）又は該排出チャンバ（４１）内で、圧力媒体、より詳細にはガスによって該材料に影響を与える手段を備える、ことを特徴とする請求項１１乃至２１のいずれか一項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月20日(2013.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電デバイスのための高品質シリコン材料を形成するためのシステムであって、前記システムは、
内側領域を備えるるつぼと、アークヒーターを含むエネルギー源とを、具備し、
前記るつぼは、石英材料でできており、
前記石英材料は、少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができ、
前記るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域があり、
前記アークヒーターを含む前記エネルギー源は、前記開放域より上に構成され、前記露出溶融材料と前記アークヒーターの銃口領域との間の隙間によって間隔が開いており、前記露出溶融材料の中心領域付近内で規定の温度プロファイルの形成を引き起こしつつ、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する、システム。
【請求項２】
前記アークヒーターは、励起アルゴン種を発して、一部の溶融材料に熱移動を引き起こすように構成されるプラズマ銃であり、
前記アークヒーターは、前記アークヒーターの冷却を引き起こす熱移動装置を備える構成である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記アークヒーターは、発生源によって強熱することができる、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記アークヒーターは、電力定格が20kワット以上であり、デューティーサイクルに従ってパルス駆動することができる、請求項１から３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記銃口領域は、最大寸法が約0.5センチメートルから約2センチメートルである、請求項１から４のいずれかに記載のシステム。
【請求項６】
最大温度プロファイルは、溶融材料からリン種の除去を引き起こす約3000度以上である、請求項１から５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
溶融材料には、少なくとも最大温度プロファイルにより形成される温度勾配によって引き起こされる対流が含まれる、請求項１から６のいずれかに記載のシステム。
【請求項８】
前記対流は、前記溶融材料中で混合を引き起こす、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記るつぼは、カバーガスを受けて前記溶融材料を前記るつぼ内に維持する、請求項１から８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記るつぼは、アルゴン含有カバーガスを受けて、前記溶融材料を前記るつぼ内に維持し、
前記カバーガスは、前記溶融材料が酸化を受けないように維持するのに適している、請求項１から９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
蒸発溶融材料の一部を前記溶融材料に戻すように構成されたキャリヤーガスを更に含む、請求項１から１０のいずれかに記載のシステム。
【請求項１２】
前記溶融材料内にシリコン種の大部分を戻すと共に、リン種の大部分を排出するように構成された複数の表面領域を更に含む、請求項１から１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記溶融材料内にシリコン種の大部分を戻すと共に、リン種の大部分を排出するように構成された複数のフィン領域を更に含み、
前記溶融材料は、シリコン材料及びリン種を含み、
前記溶融材料は、結果としてリン種を0.1ppm以下含む、請求項１から１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
太陽電池用高品質シリコン材料を形成するためのシステムであって、前記システムは、
内側領域を備えるるつぼと、アークヒーターを含むエネルギー源と、ノズル領域と、を具備し、
前記るつぼ、石英材料でできており、
前記石英材料は、少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができ、
前記るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域があり、
前記アークヒーターを含む前記エネルギー源は、前記開放域より上に構成され、前記露出溶融材料と前記アークヒーターの銃口領域との間の隙間によって間隔が開いており、前記露出溶融材料の中心領域付近内で規定の温度プロファイルの形成を引き起こしつつ、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持し、
前記ノズル領域は、アルゴンガスを出力して前記溶融材料の中心領域付近中でくぼみ領域を引き起こすように構成された、システム。
【請求項１５】
アルゴンガスは、隆起した領域によって各々が隔てられた複数の凹領域を含むくぼみ領域を形成するのに適切な流速を備える、請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記ノズル領域は、アルゴンガス発生源に接続し、
前記ノズル領域は、セラミック物質を含む、請求項１４又は１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記アルゴンガス発生源は、アークチューブから独立して操作可能であり、
前記溶融材料は、0.7 Pascal-秒の粘度を含み、
前記アルゴンガス発生源は、純度99.99%以上である、請求項１６に記載のシステム。
【請求項１８】
前記くぼみ領域は、プルームのために表面領域を広げて溶融材料と相互作用し
前記くぼみ領域は、少なくとも1センチメートル以上の深さを有する、請求項１４から１７のいずれかに記載のシステム。
【請求項１９】
前記表面領域の増加は、前記くぼみ領域のない表面領域より少なくとも3倍以上である、請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記表面領域の増加は、前記くぼみ領域のない表面領域より少なくとも5倍以上であり、
前記溶融材料は、乱流によって特徴付けられ、
前記アークヒーターは、前記溶融材料の前記露出領域の選択部分に与えるように構成される、請求項１８又は１９に記載のシステム。
【請求項２１】
光電デバイス用高品質シリコン材料を形成する方法であって、前記方法は、
原料シリコン材料を内側領域を備えるるつぼへ移送すること、
前記るつぼ内の前記原料シリコン材料に熱エネルギーを与えて、前記原料シリコン材料を溶融して液体の状態にし、約摂氏1400度より低い温度で溶融材料を形成することと、
前記溶融材料の露出内側領域にアークヒーターを備えるエネルギー源を受けさせることと、
前記溶融材料から1又は複数の不純物を除去して、るつぼ内により高純度のシリコン材料を形成することと、を含み、
前記るつぼは、石英材料でできており、
前記石英材料は、少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができ、
前記溶融材料は、前記るつぼの前記内側領域によって囲まれる露出領域を有し、
前記アークヒーターを備える前記エネルギー源は、前記露出領域より上に構成されて、前記露出領域と前記アークヒーターの銃口部との間との隙間によって間隔が開いており、前記露出溶融材料の内側領域付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、前記溶融材料の外側領域を前記るつぼの前記石英材料の融点より低い温度に維持する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ズボンのように着用可能な衛生物品を製造する方法であって、
前記衛生物品は、
ユーザの股部分の周囲に配置され、２つの互いに対向する端部の間で長手方向に延在する中央部分と、
前記中央部分の前記端部のうち一方に接続されており、前記中央部分の互いに対向する側部から延在して前記衛生物品のウェストラインの少なくとも一部分を画定する少なくとも一対のサイドパネルとを備え、
前記少なくとも一対のサイドパネルはそれぞれ、近位縁部が前記中央部分に接続されており、遠位縁部には前記ウェストラインの前記衛生物品用の閉止部分があり、
前記方法は、前記少なくとも一対のサイドパネルを、折り曲げた状態で、前記中央部分に接続する段階を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも一対のサイドパネルを折り曲げた状態で製造する段階を備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記折り曲げた状態において、前記少なくとも一対のサイドパネルは、前記遠位縁部が前記近位縁部の近くにある請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記近位縁部において前記中央部分に接続される内側部分と、
前記遠位縁部に閉止手段を持つ外側部分と
を設けることによって、
（ｉ）前記少なくとも一対のサイドパネルを製造する段階を備え、
前記内側部分および前記外側部分は、前記少なくとも一対のサイドパネルのそれぞれの中間領域において互いに接続可能であり、
前記方法はさらに、
（ｉｉ）前記内側部分および前記外側部分のうち一方を折り曲げて、前記中間領域において折り曲げ部を形成する段階と、
（ｉｉｉ）前記中間領域において前記折り曲げ部により前記内側部分および前記外側部分を互いに接続することによって、前記外側部分を前記内側部分に対向するように取り付ける段階と、
（ｉｖ）前記近位縁部において前記中央部分に前記内側部分を接続して、前記少なくとも一対のサイドパネルを折り曲げた状態で前記中央部分に接続する段階と
を備える請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記折り曲げ部を形成することによって、前記中間領域において前記内側部分を折り曲げる段階を備え、前記折り曲げ部は、前記衛生物品の内側に向けて折り曲げることが好ましい請求項４に記載の方法。
【請求項６】
好ましくは前記中間領域において前記内側部分に接続される前に、前記遠位縁部において前記外側部分を折り曲げる段階を備える請求項４または請求項５に記載の方法。
【請求項７】
複数のサイドパネルの前記外側部分が接続されている一続きの織物として、前記内側部分を製造する段階と、
前記一続きの織物を分断して、それぞれが前記少なくとも一対のサイドパネルとなる部分を形成する段階と
を備えることが好ましい請求項４から請求項６のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも一対のサイドパネルは、前記衛生物品を長手方向に展開した場合に内側の側部を含み、
前記方法は、前記内側の側部において、前記衛生物品の前記ユーザの足のための側方開口のうち１つのための成形切断部を設ける段階を備える請求項１から請求項７のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも一対のサイドパネルは、前記衛生物品を長手方向に展開した場合に内側の側部を含み、
前記方法は、前記内側の側部において、前記衛生物品の前記ユーザの足のための側方開口のうち１つのための成形切断部を設ける段階を備え、
前記成形切断部を前記内側部分にのみ設けることによって、前記内側部分に接続されている前記外側部分は、切断処理が省略される請求項４に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも一対のサイドパネルが接続されている端部とは反対側の前記中央部分の端部に、別の一対のサイドパネルを接続する段階を備え、前記別の一対のサイドパネルのそれぞれの遠位縁部には折り曲げ部がある請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記一続きの織物において、前記一続きの織物に接続されている前記内側部分同士の間に分離ゾーンを残す段階と、
前記一続きの織物において残された前記分離ゾーンから別の一対のサイドパネルを製造する段階と、
前記少なくとも一対のサイドパネルが接続されている端部とは反対側の前記中央部分の端部に、別の一対のサイドパネルを接続する段階と
を備え、
前記別の一対のサイドパネルのそれぞれの遠位縁部には折り曲げ部がある請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記別の一対のサイドパネルは、前記衛生物品を長手方向に展開した場合の内側に側部を含み、
前記方法は、前記内側の縁部において、前記衛生物品のユーザの足のための側方開口の１つの成形切断部を設ける段階を備える請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記成形切断部は、
近位の曲線状部分と、
遠位の直線状部分と
を有しており、
前記直線状部分は、前記衛生物品の主要軸に直交しており、対応する前記少なくとも一対のサイドパネルの折り曲げ部分に位置しているのが好ましい請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記成形切断部は、
近位の曲線状部分と、
遠位の直線状部分と
を有しており、
前記直線状部分は、前記衛生物品の主要軸に直交しており、対応する前記少なくとも一対のサイドパネルおよび前記別の一対のサイドパネルの折り曲げ部分に位置しているのが好ましい請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ズボンのように着用可能な衛生物品であって、
前記衛生物品は、
ユーザの股部分の周囲に配置され、２つの互いに対向する端部の間で長手方向に延在する中央部分と、
前記中央部分の前記端部のうち一方に接続されており、前記中央部分の互いに対向する側部から延在して前記衛生物品のウェストラインの少なくとも一部分を画定する少なくとも一対のサイドパネルとを備え、
前記少なくとも一対のサイドパネルはそれぞれ、近位縁部が前記中央部分に接続されており、遠位縁部には前記ウェストラインでの前記衛生物品用の閉止部分があり、
（ｉ）前記少なくとも一対のサイドパネルは、内側部分が前記近位縁部において前記中央部分に接続されており、外側部分には前記遠位縁部において前記閉止部分があり、
前記内側部分および前記外側部分は、前記少なくとも一対のサイドパネルの中間領域において互いに接続されており、
（ｉｉ）前記内側部分および前記外側部分のうち一方は、前記中間領域において折り曲げられて折り曲げ部を形成し、
（ｉｉｉ）前記外側部分は、前記中間領域において前記折り曲げ部によって、前記内側部分に接続されて対向するように取り付けられている衛生物品。
【請求項１６】
前記折り曲げ部は、前記内側部分に含まれており、前記衛生物品の内側に向けて折り曲げられている請求項１５に記載の衛生物品。
【請求項１７】
前記少なくとも一対のサイドパネルが接続されている端部とは反対側の前記中央部分の端部に接続されている別の一対のサイドパネルを備え、
前記別の一対のサイドパネルはそれぞれ、選択的に設けることが可能で、折り曲げられている遠位縁部を含む請求項１５または請求項１６に記載の衛生物品。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月20日(2013.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンツとして装着可能な衛生製品の製造方法であって、
前記製品は、
使用者の股部分の周りに巻かれ、２つの互いに対向する端部を結ぶ長手方向に延びる中央体と、
前記中央体の一端に接続され、前記中央体の互いに対向する辺から延びて、前記製品のウエスト線の少なくとも一部を画定する少なくとも一対のサイドパネルと
を有し、
前記製造方法は、
少なくとも１つのアセンブリテープを提供して、前記アセンブリテープに、前記アセンブリテープの少なくとも一辺から延び、それぞれの近位端が前記アセンブリテープに取り付けられた複数のサイドパネルを取り付ける段階と、
前記中央体に、少なくとも１つサイドパネルが取り付けられた前記アセンブリテープの一部を接続することで、前記サイドパネルを前記中央体に接続する段階と
を備える製造方法。
【請求項２】
少なくとも一対のアセンブリテープそれぞれの少なくとも一辺から延びるように、複数の前記サイドパネルを、それぞれの近位端が前記アセンブリテープに取着されるように取り付ける段階と、
少なくとも１つのサイドパネルをそれぞれ取り付けられた前記アセンブリテープの部分を、前記中央体の互いに対向する辺に接続することで、前記サイドパネルを前記中央体に接続する段階と
を備える請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
複数の対の前記サイドパネルを前記アセンブリテープに取り付け、各対においてサイドパネルが前記アセンブリテープの互いに対向する辺から延びるようにする段階と、
前記アセンブリテープを長手方向に分割して、複数の前記サイドパネルがそれぞれ１つの辺から延びる２つの更なるアセンブリテープを形成する段階と、
前記中央体の互いに対向する辺に、前記更なるアセンブリテープそれぞれの、少なくとも１つのサイドパネルが取り付けられた部分を接続することで少なくとも一対の前記サイドパネルを前記中央体に接続する段階と
を備える請求項１または請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記アセンブリテープに対して、前記アセンブリテープの少なくとも１つの辺から延びるように、第１の複数の第１のサイドパネルと第２の複数の第２のサイドパネルとを取り付ける段階を備え、
前記第１の複数の第１のサイドパネルは、前記２の複数の第２のサイドパネルとは異なっており、前記第１の複数の第１のサイドパネルおよび前記２の複数の第２のサイドパネルは、それぞれ交互するシーケンスとして、前記アセンブリテープの前記少なくとも１つの辺から延びる請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
各対において、前記アセンブリテープの互いに対向する辺に、互いに鏡面対象なサイドパネルが延びる、請求項３に記載の製造方法。
【請求項６】
それぞれのウェブ部材の長手方向に対する斜め方向に、少なくとも一部を切断する処理により、それぞれのウェブ部材を分割することで、前記アセンブリテープの少なくとも１つの辺から延び、前記アセンブリテープに取り付けられる少なくとも一群の複数のサイドパネルを形成する段階と、
形成された前記サイドパネルを前記アセンブリテープに取り付ける前に、前記サイドパネルの１つおきに交互に１８０度の回転処理を行い、前記回転処理の後に、前記少なくとも一群の複数のパネル全てを、前記アセンブリテープへの取り付けのために同じ方向を向かせる請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記アセンブリテープへ取り付けられる少なくとも一群の複数のサイドパネルをＶ字型に折り畳み、前記サイドパネルの遠位端を前記サイドパネルの前記近位端の近くに持ってくる段階を備える請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記アセンブリテープは、３２ｃｍ未満である幅を有する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記アセンブリテープは、８ｃｍ未満である幅を有する請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記アセンブリテープは、可撓性の層状の材料からなる請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記アセンブリテープは、不織材料からなる請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記サイドパネルを前記アセンブリテープに取り付け、接着、超音波溶着、熱溶着から選択される処理で前記アセンブリテープを前記中央体に接続する段階を備える請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記アセンブリテープを備え、前記アセンブリテープには、前記アセンブリテープの少なくとも一辺から延び、それぞれの近位端が前記アセンブリテープに取り付けられた前記サイドパネルが取り付けられている、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の製造方法を実現するための製品。