Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式(１)
【化１】
2007204390.tif 000001
(式中、R1は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良く、
A1は、
(a) トランス-1,4-シクロへキシレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -O- 及び又は -S- に置き換えられてもよい)
(b) 1,4-フェニレン基(この基中に存在する1個のCH2基又は隣接していない2個以上のCH2基は -N- に置き換えられてもよい)
(c) 1,4-シクロヘキセニレン、1,4-ビシクロ(2.2.2)オクチレン、ピペリジン-1,4-ジイル、ナフタレン-2,6-ジイル、デカヒドロナフタレン-2,6-ジイル及び1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-2,6-ジイル
からなる群より選ばれる基であり、上記の基(a)、基(b)、基(c)はCN又はハロゲンで置換されていても良く、aは0又は1であり、さらにR1-A1-は以下の構造、
【化２】
2007204390.tif 000002
（式中、nは1又は2を表す。）であっても良く、
Z1は-COO-、-OCO-、-CH2O-、-OCH2-、-CH2CH2-、-CH=CH-、-C≡C-、-(CH2)4-、-CH=CH-CH2CH2-、-CH2CH2-CH=CH- 又は単結合を表し、
Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、一般式(２)
【化３】
2007204390.tif 000003
(式中、R2は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良い)
で表されるアルコールを反応させることを特徴とする一般式(３)
【化４】
2007204390.tif 000004
(式中、R1、A1、Z1、L1、L2、L3、又はL4は一般式（１）のものと同じものを示し、R2は一般式(２)と同じ意味を表す)で表されるハイドロキノン誘導体の製造方法。
【請求項２】
一般式(１−２)又は（１−３）
【化５】
2007204390.tif 000005
(式中、nは1又は2を表し、Xは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、トリフルオロメタンスルホネート、メタンスルホネート、p-トルエンスルホネート、ホウ酸、三フッ化ホウ素、ジアルキルホウ素、トリアルキルシラン、モノ及びジアルコキシシラン、モノ及びジフルオロシランを表し、L1、L2、L3及びL4はそれぞれ独立してフッ素原子又は水素原子を表すが、L1、L2、L3又はL4の少なくとも一つはフッ素原子を表す)で表される化合物に、一般式(２)
【化６】
2007204390.tif 000006
(式中、R2は、水素原子、炭素数1〜15のアルキル基、少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数1〜15のアルキル基、炭素数2〜15のアルケニル基又は少なくとも一つのハロゲンにより置換された炭素数2〜15のアルケニル基を表し、これらの基中に存在する1個又は2個以上のCH2基はそれぞれ独立してO原子が相互に直接結合しないものとして -O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-又は-OCO-O-により置き換えられても良い)
で表されるアルコールを反応させることを特徴とする一般式(３−２)又は（３−３）
【化７】
2007204390.tif 000007
(式中、n、L1、L2、L3、又はL4は一般式（１−２）又は（１−３）のものと同じものを示し、R2は一般式(２)と同じ意味を表す)で表されるハイドロキノン誘導体の製造方法。
【請求項３】
塩基性条件下に縮合反応を行う請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
遷移金属存在下に縮合反応を行う請求項１、２又は３記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明アクリルエラストマー組成物において、加硫剤として用いられている多価カルボン酸は、エステル化され、水酸基同士の水素結合がなくなるため、分子間力がなくなり、多くの場合に液状であり、また適度な長さのアルキル基の導入により、炭化水素系溶媒の如き極性の小さい溶媒にも溶解するようになる。さらに、エステル基の存在により、エステル、ケトン等の溶媒にも溶け易くなる。その上、アクリルエラストマー自身との相溶性にすぐれているので、アクリルエラストマー組成物としたとき、分散不良を生じない。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月30日(2009.1.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
成膜対象の基板を搭載する手段と、
前記真空槽内に配置され、蒸着材料を蒸発させる手段と、
該真空槽内に配置される電極と、
該電極と真空槽との間に高周波電力を供給し、真空槽内のガスをイオン化するための給電手段と、
高周波電力の印加により前記電極に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と蒸発中の蒸着材料用の目標値との偏差を小さくするように、前記給電手段の出力する高周波電力を制御し、蒸着材料が変更されたときに、変更後の蒸着材料用に目標値を切り替える制御手段と、
から構成されることを特徴とする真空装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記セルフバイアス電圧が一定になるように、前記給電手段の出力する高周波電力を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載の真空装置。
【請求項３】
前記制御手段は、成膜中に、前記目標値を変動させる、ことを特徴とする請求項１に記載の真空装置。
【請求項４】
前記蒸着材料からの蒸発粒子の前記基板への付着をイオンによりアシストする、
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載の真空装置。
【請求項５】
真空槽と該真空槽内に配置される電極との間に高周波電圧を印加して、真空槽内に供給されたガスをイオン化し、該イオンにより第１の蒸発源からの蒸着粒子の基板への付着をアシストして成膜し、高周波電力の印加により前記真空槽と前記電極との間に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と前記第１の蒸発源用の目標値との偏差が小さくなるように高周波電力を制御し、
蒸発源を前記第１の蒸発源から、前記第１の蒸発源とは材料の異なる第２の蒸発源に変更し、セルフバイアス電圧の目標値を第１の蒸発源用の目標値から第２の蒸発源用の目標値に切り替え、
真空槽と該真空槽内に配置される電極との間に高周波電圧を印加して、真空槽内に供給されたガスをイオン化し、該イオンにより第２の蒸発源からの蒸着粒子の基板への付着をアシストして成膜し、高周波電力の印加により前記真空槽と前記電極との間に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と前記第２の蒸発源用の目標値との偏差が小さくなるように高周波電力を制御する、
ことを実行することにより、基板上に前記第１の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜と前記第２の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜との積層膜を含む膜を形成する、
ことを特徴とする成膜方法。
【請求項６】
前記蒸発源の切り替え及びセルフバイアス電圧の目標値の切り替えと、切り替え後の蒸発源及びセルフバイアス電圧の目標値による成膜処理と、を繰り返し、
基板上に前記第１の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜と前記第２の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜との積層膜を、複数層形成する、
ことを特徴とする請求項５に記載の成膜方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記目的を達成するため、この発明の第１の観点に係る真空装置は、
真空槽と、成膜対象の基板を搭載する手段と、前記真空槽内に配置され、蒸着材料を蒸発させる手段と、該真空槽内に配置される電極と、該電極と真空槽との間に高周波電力を供給し、真空槽内のガスをイオン化するための給電手段と、高周波電力の印加により前記電極に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と蒸発中の蒸着材料用の目標値との偏差を小さくするように、前記給電手段の出力する高周波電力を制御し、蒸着材料が変更されたときに、変更後の蒸着材料用に目標値を切り替える制御手段と、から構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記制御手段は、例えば、前記セルフバイアス電圧が一定になるように、前記給電手段の出力する高周波電力を制御する。
あるいは、前記制御手段は、例えば、成膜中に、前記目標値を変動させてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
前記蒸着材料からの蒸発粒子の前記基板への付着をイオンによりアシストする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記目的を達成するため、この発明の第２の観点に係る成膜方法は、
真空槽と該真空槽内に配置される電極との間に高周波電圧を印加して、真空槽内に供給されたガスをイオン化し、該イオンにより第１の蒸発源からの蒸着粒子の基板への付着をアシストして成膜し、高周波電力の印加により前記真空槽と前記電極との間に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と前記第１の蒸発源用の目標値との偏差が小さくなるように高周波電力を制御し、蒸発源を前記第１の蒸発源から、前記第１の蒸発源とは材料の異なる第２の蒸発源に変更し、セルフバイアス電圧の目標値を第１の蒸発源用の目標値から第２の蒸発源用の目標値に切り替え、真空槽と該真空槽内に配置される電極との間に高周波電圧を印加して、真空槽内に供給されたガスをイオン化し、該イオンにより第２の蒸発源からの蒸着粒子の基板への付着をアシストして成膜し、高周波電力の印加により前記真空槽と前記電極との間に発生するセルフバイアス電圧を検出し、検出したセルフバイアス電圧と前記第２の蒸発源用の目標値との偏差が小さくなるように高周波電力を制御する、ことを実行することにより、基板上に前記第１の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜と前記第２の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜との積層膜を含む膜を形成する、
ことを特徴とする。
また、前記蒸発源の切り替え及びセルフバイアス電圧の目標値の切り替えと、切り替え後の蒸発源及びセルフバイアス電圧の目標値による成膜処理と、を繰り返し、基板上に前記第１の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜と前記第２の蒸発源からの蒸着粒子の堆積膜との積層膜を、複数層形成する、ようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明によれば、蒸着材料（蒸発源）の変更に伴ってセルフバイアス電圧の目標値を自動的に変更して、セルフバイアス電圧と目標値との偏差が小さくなるように高周波電力を制御することにより、積層膜の成膜の再現性を向上させ、所望の特性を有する素子を精度よく作製することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［ＩＩＩ］で示されることを特徴とするフルオレン化合物。
【化１】
2007204425.tif 000001
（式中、Ｒ7およびＲ8は、アルキル基またはトリフルオロメチル基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ7同士、Ｒ8同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ7およびＲ8は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ7またはＲ8の少なくとも１つは、トリフルオロメチル基である。
Ｒ9およびＲ10は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基から選ばれる基を表わす。Ｒ9およびＲ10は、同じであっても異なっていてもよい。
ｎは１以上１０以下の整数を表す。）
【請求項２】
下記一般式［ＩＶ］で示されることを特徴とするフルオレン化合物。
【化２】
2007204425.tif 000002
（式中、Ｒ11およびＲ12は、アルキル基またはトリフルオロメチル基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ11同士、Ｒ12同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ11およびＲ12は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ11またはＲ12の少なくとも１つは、トリフルオロメチル基である。
Ｒ13およびＲ14は、水素原子または置換あるいは無置換のアルキル基を表わす。Ｒ13およびＲ14は、同じであっても異なっていてもよい。
Ａｒ1およびＡｒ2は、２価の置換あるいは無置換のアリール基または２価の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基を表す。Ａｒ1およびＡｒ2は、同じであっても異なっていてもよい。
ｎは１以上１０以下の整数を表す。）
【請求項３】
陽極及び陰極からなる一対の電極と、該一対の電極間に挟持された有機化合物を含む一または複数の層を少なくとも有する有機発光素子において、前記有機化合物を含む層の少なくとも一層が請求項１または２に記載のフルオレン化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項４】
前記有機化合物を含む層のうち少なくとも発光層が、前記フルオレン化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする請求項３に記載の有機発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
即ち、本発明のフルオレン化合物は、下記一般式［ＩＩＩ］で示されることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
2007204425.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（式中、Ｒ7およびＲ8は、アルキル基またはトリフルオロメチル基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ7同士、Ｒ8同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ7およびＲ8は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ7またはＲ8の少なくとも１つは、トリフルオロメチル基である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
Ｒ9およびＲ10は、水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアリール基または置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基から選ばれる基を表わす。Ｒ9およびＲ10は、同じであっても異なっていてもよい。
ｎは１以上１０以下の整数を表す。）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明のフルオレン化合物は、下記一般式［ＩＶ］で示されることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
2007204425.tif 000004
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（式中、Ｒ11およびＲ12は、アルキル基またはトリフルオロメチル基を表わす。異なるフルオレン基に結合するＲ11同士、Ｒ12同士は、同じであっても異なっていてもよく、同じフルオレン基に結合するＲ11およびＲ12は、同じであっても異なっていてもよい。但し、Ｒ11またはＲ12の少なくとも１つは、トリフルオロメチル基である。
Ｒ13およびＲ14は、水素原子または置換あるいは無置換のアルキル基を表わす。Ｒ13およびＲ14は、同じであっても異なっていてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
Ａｒ1およびＡｒ2は、２価の置換あるいは無置換のアリール基または２価の置換あるいは無置換の縮合多環芳香族基を表す。Ａｒ1およびＡｒ2は、同じであっても異なっていてもよい。
ｎは１以上１０以下の整数を表す。）
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に、本発明のフルオレン化合物の代表例を以下に挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、下記の代表例のうち、１乃至５、７乃至９、及び１１乃至３８が本発明に該当する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月3日(2009.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−ＣＯＯＨ、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２、−Ｐ（＝Ｏ）２ＯＨ及び−ＳＯ４Ｈのいずれも含まないエチレン性不飽和単量体（ａ）単位４０〜８８質量部、下記一般式（Ｉ）で表される分子内にピペリジル基を持つエチレン性不飽和単量体（ｂ）単位６〜４０質量部、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される分子内に紫外線吸収基を持つエチレン性不飽和単量体（ｃ）単位５〜２０質量部及び分子内にラジカル重合可能な不飽和二重結合を持つアニオン性反応性乳化剤を含む反応性乳化剤（ｄ）単位１〜１０質量部（但し（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）単位の合計は１００質量部）を含むエマルション粒子（Ａ）を含有する水性被覆材。
【化１】
2007204678.tif 000001
（Ｒ３は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｘは酸素原子又はイミノ基、Ｙは水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基若しくはアルコキシ基、Ｚは水素原子又はシアノ基を示す。）
【化２】
2007204678.tif 000002
（Ｒ４は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｒ５は炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基、Ｒ６は炭素数１〜２５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基。）
【化３】
2007204678.tif 000003
（Ｒ７は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｒ８は炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基、Ｒ９は水素原子又は炭素数１〜２５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基。）
【請求項２】
分子内に紫外線吸収基を持つエチレン性不飽和単量体（ｃ）が、２−（２´−ヒドロキシ−５´−（メタ）アクリロキシエチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２´−ヒドロキシ−３´−ターシャリーブチル−５´−（メタ）アクリロキシエチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾール、２−（２´−ヒドロキシ−３´−ターシャリーアミル−５´−（メタ）アクリロキシエチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールである請求項１記載の水性被覆材。
【請求項３】
分子内に紫外線吸収基を持つエチレン性不飽和単量体（ｃ）が、２−（２´−ヒドロキシ−５´−（メタ）アクリロキシエチルフェニル）−２Ｈ−ベンゾトリアゾールである請求項１記載の水性被覆材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、−ＣＯＯＨ、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）２、−Ｐ（＝Ｏ）２ＯＨ及び−ＳＯ４Ｈのいずれも含まないエチレン性不飽和単量体（ａ）単位４０〜８８質量部、下記一般式（Ｉ）で表される分子内にピペリジル基を持つエチレン性不飽和単量体（ｂ）単位６〜４０質量部、下記一般式（ＩＩ）又は（ＩＩＩ）で表される分子内に紫外線吸収基を持つエチレン性不飽和単量体（ｃ）単位５〜２０質量部及び分子内にラジカル重合可能な不飽和二重結合を持つアニオン性反応性乳化剤を含む反応性乳化剤（ｄ）単位１〜１０質量部（但し（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）単位の合計は１００質量部）を含むエマルション粒子（Ａ）を含有する水性被覆材。
【化１】
2007204678.tif 000004
（Ｒ３は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｘは酸素原子又はイミノ基、Ｙは水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基若しくはアルコキシ基、Ｚは水素原子又はシアノ基を示す。）
【化２】
2007204678.tif 000005
（Ｒ４は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｒ５は炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基、Ｒ６は炭素数１〜２５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基。）
【化３】
2007204678.tif 000006
（Ｒ７は水素原子又は炭素数１若しくは２のアルキル基、Ｒ８は炭素数１〜１５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基、Ｒ９は水素原子又は炭素数１〜２５の直鎖若しくは分岐した炭化水素置換基又は環状構造を持つ炭化水素置換基。）に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月8日(2008.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
実施例１
ビスフェノールA型エポキシ樹脂（エピコート８２８、ジャパンエポキシレジン社製）４０重量部、フェノキシ樹脂（フェノトートＹＰ５０、東都化成社製）３０重量部、アクリルゴム（テイサン＃１５００、帝国化学産業社製）１０重量部、潜在性硬化剤（ＨＸ３９４１ＨＰ、旭化成社製）２０重量部、４μｍ径のＮｉ／Ａｕメッキ樹脂粒子（ミクロパールＡＵ、積水化学工業社製）５重量部、シランカップリング剤（Ａ１８７、日本ユニカー社製）１重量、及びアシルホスフィンオキサイド系光ラジカル発生剤（イルガキュア８１９、チバスペシャリティケミカルズ社）２重量部とをトルエン中で均一に混合し、得られた混合物を剥離処理済みポリエチレンテレフタレートフィルム（Ｐ−ＷＰＥＴＡ−０７−５０、東セロ社製）の剥離処理面上に、乾燥厚２０μｍとなるように塗布し、７０℃で５分間乾燥することにより、異方性導電フィルムを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月16日(2009.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原紙に対して薬液を含有してなり、
前記薬液は、所定成分をカプセル化してなり、平均粒径が８〜１００μｍであるマイクロカプセルと、平均粒径が前記マイクロカプセル以上であるパウダーとを含有する、
ことを特徴とする薬液含有薄葉紙。
【請求項２】
前記原紙に対する前記マイクロカプセルの含有量が０．００１〜５重量％であり、
前記マイクロカプセルと前記パウダーとの重量比が、マイクロカプセル：パウダー＝０．０１：１．９９〜１．２：０．８である、請求項１記載の薬液含有薄葉紙。
【請求項３】
前記パウダーの圧縮強度が前記マイクロカプセルよりも高い、請求項１または２記載の薬液含有薄様紙。
【請求項４】
前記マイクロカプセル内に含まれる前記所定成分が、香料、抗ウィルス剤、および皮膚軟化成分の少なくとも１種を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬液含有薄葉紙。
【請求項５】
前記パウダーに香料成分を含浸させてなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薬液含有薄葉紙。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明では、原紙中に薬液が含有される。薄葉紙における薬液含有量は、好ましくは原紙に対して５〜４０重量％、特に好ましい範囲は２０〜３０重量％である。薬液含有量が少な過ぎると効果が乏しくなるだけでなく、原紙に対する塗布量が安定しなくなり、多過ぎるとべとつくようになり、さらさら感や滑らか感が阻害される。薬液を含有させるための方法としては、スプレー塗布、ロール塗布、浸漬等、公知の付与方法を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
パウダーの含有量は適宜定めることができるが、前記マイクロカプセルと前記パウダーとの重量比が、マイクロカプセル：パウダー＝０．０１：１．９９〜１．２：０．８であるのが好ましい。パウダーの量が少なすぎるとマイクロカプセルが直に外力を支え易くなるため、マイクロカプセルの破壊保護作用が不十分になるおそれがあり、過度に多くしても効果が飽和し、費用対効果の低下や手触りの悪化がもたらされるおそれがあるため好ましくない。特に好ましいパウダーの含有量は、マイクロカプセル：パウダー＝０．１：１．９〜１．１：０．９である。なお、薬液中のマイクロカプセル及びパウダーの総量が多過ぎると、薬液の流動性が低下し、原紙への浸透性・定着性が悪くなるため注意が必要である。マイクロカプセル及びパウダーの総量は薬液に対して０．１〜３０重量％とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結合装置及び画像形成システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下に積み重ねられた複数の装置を結合する結合装置において、
下側の装置と上側の装置との位置決め及び上側の装置と下側の装置の離間を防ぐための位置決めロック手段を設け、
前記位置決めロック手段は、
前記上側の装置の下面に設けられた穴と、
前記下側の装置の上面に設けられ、前記穴と嵌合して位置決めを行ない、かつ側面に切欠きを有する軸部材と、
前記上側の装置内に回動可能に設けられ、前記軸部材の切欠きに係合可能な爪部を有する係合手段と、を備えたことを特徴とする結合装置。
【請求項２】
前記係合手段が軸を中心に回動可能なレバー部材であって、その爪部を前記軸部材の切欠きに対して押し付ける方向に付勢する付勢手段を設け、さらに前記上側の装置と前記下側の装置を離間せしめる方向に力が加わった時に、その力が前記レバー部材の爪部が前記軸部材の切欠きに対して押し付けられる方向のモーメントとして働く位置に前記レバー部材の回動中心を設けたことを特徴とする請求項１に記載の結合装置。
【請求項３】
前記係合手段が軸を中心に回動可能なレバー部材であって、その爪部を前記軸部材の切欠きに対して押し付ける方向に付勢する付勢手段を設け、前記レバー部材の一端を前記上側の装置の手掛け部内に突出させて、前記レバー部材を回動操作可能としたことを特徴とする請求項１に記載の結合装置。
【請求項４】
前記係合手段がスライド可能なスライド部材であって、その爪部を前記軸部材の切欠き
に対して押し付ける方向に付勢する付勢手段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の結合装置。
【請求項５】
前記スライド部材の一端を前記上側の装置に設けられた手掛け部内に突出させて、前記スライド部材をスライド操作可能としたことを特徴とする請求項４に記載の結合装置。
【請求項６】
前記上側の装置に、引き出し可能な取手部材を設け、該取手部材の引き出し方向の移動に連動して前記スライド部材がスライドし、前記スライド部材の爪部が前記軸部材の切欠きから離れ、上下装置間の結合が解除されることを特徴とする請求項４に記載の結合装置。
【請求項７】
上下に積み重ねられた複数の装置を結合する結合装置において、
上側と下側の装置の位置決めをする位置決め部と、
前記上側と前記下側の装置の離間を妨ぐためのロックを行なうロック部と、を備え、
前記上側の装置に手掛け部を設け、前記手掛け部内に前記ロック部によるロックを解除する操作部を配置したことを特徴とする結合装置。
【請求項８】
前記位置決め部は、
前記上側の装置の下面に設けられた穴と、
前記下側の装置の上面に設けられ、前記穴と嵌合し、かつ側面に切欠きを有する軸部材と、を備え、
前記ロック部は、
前記上側の装置内に回動可能に設けられ、前記軸部材の切欠きに係合する爪部を有する係合手段を備え、
前記係合手段の一部が前記手掛け部内に突出していることを特徴とする請求項７に記載の結合装置。
【請求項９】
前記係合手段は、前記爪部が形成された回動可能なレバー部材であり、前記レバー部材の一端が前記手掛け部内に突出していることを特徴とする請求項８に記載の結合装置。
【請求項１０】
前記結合手段は、前記爪部が形成されたスライド可能なスライド部材であり、前記スライド部材の一端が前記手掛け部内に突出していることを特徴とする請求項８に記載の結合装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の結合装置と、
前記上側の装置としての画像形成装置と、
前記下側の装置として前記画像形成装置に給紙する給紙デッキと、
を備えていることを特徴とする画像形成システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は画像形成装置と給紙デッキ等、上下に積み重ねて使用する装置間の結合装置及び、結合装置を備えた画像形成システムに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明では、上下に積み重ねられた複数の装置を結合する結合装置において、下側の装置と上側の装置との位置決め及び上側の装置と下側の装置の離間を防ぐための位置決めロック手段を設け、前記位置決めロック手段は、前記上側の装置の下面に設けられた穴と、前記下側の装置の上面に設けられ、前記穴と嵌合して位置決めを行ない、かつ側面に切欠きを有する軸部材と、前記上側の装置内に回動可能に設けられ、前記軸部材の切欠きに係合可能な爪部を有する係合手段と、を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上下に積み重ねられた複数の装置を結合する結合装置において、上側と下側の装置の位置決めをする位置決め部と、前記上側と下側の装置の離間を妨ぐためのロックを行なうロック部と、を備え、前記上側の装置に手掛け部を設け、前記手掛け部内に前記ロック手段によるロックを解除する操作部を配置したことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図３は、本発明を実施した上下に積み重ねて装着する装置群としての画像形成装置１と給紙デッキ２の外観を示し、画像形成装置１と給紙デッキ２を結合して画像形成システムを構成している。画像形成装置１は給紙デッキ２の上に積載されている。この時に後で詳細に説明するように、給紙デッキ２の位置決めピン４が画像形成装置１に設けられた基準穴９ａ（図５に図示）に嵌合することにより、正しい相対位置関係が保証される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月3日(2009.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
操作の種別に応じて設けられた複数の操作ボタンを含むインターフェイスにより、ホスト装置と通信するクライアント装置であって、
前記インターフェイスを介して前記ホスト装置から受信された画像データに基づく受信画像をディスプレイに表示する表示制御手段と、
前記ディスプレイ上で指定された位置を検出する位置検出手段と、
前記位置検出手段によって検出された位置に基づいて画像を描画するクライアント側画像描画手段と、
前記クライアント側画像描画手段によって描画された描画画像と前記受信画像とを重ねてディスプレイに表示するクライアント側画像合成手段と、
を備え、
前記インターフェイスは、
前記操作ボタンに対する操作が行われている時は前記ホスト装置との通信を可能にし、前記位置検出手段による位置検出時には前記ホスト装置との通信を行わないことを特徴とするクライアント装置。
【請求項２】
前記ディスプレイは、記憶性表示体を用いたことを特徴とする請求項１に記載のクライアント装置。
【請求項３】
操作の種別に応じて設けられた複数の操作ボタンを含むインターフェイスにより、ホスト装置と通信するクライアント装置において実行されるコンピュータプログラムであって、
コンピュータに、
前記インターフェイを介して前記ホスト装置から受信された画像データに基づく受信画像をディスプレイに表示する表示制御機能と、
前記ディスプレイ上で指定された位置を検出する位置検出機能と、
前記位置検出機能によって検出された位置に基づいて画像を描画するクライアント側画像描画機能と、
前記クライアント側画像描画機能によって描画された描画画像と前記受信画像とを重ねてディスプレイに表示するクライアント側画像合成機能と、
前記操作ボタンに対する操作が行われている時は前記ホスト装置との通信を可能にし、前記位置検出機能による位置検出時には前記ホスト装置との通信を行わない通信制御機能と、
を実現させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】クライアント装置、コンピュータプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、クライアント装置、コンピュータプログラムに係り、特にオペレータがクライアント装置に表示されている画像に重ねて線画等を書き込むことが可能なクライアント装置、コンピュータプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、上記した構成は、ペンの移動等の都度合成しなおした画像をホスト装置からクライアントに送信するといった過剰な処理負荷と通信負荷を要求し、クライアントやホスト装置の小型化や低コスト化を阻害する。また、オペレータがペンを操作するタイミングと合成画像の表示タイミングとの間にずれを生じやすい。このずれは、電子ペーパの操作性と紙等に通常のペンで書き込みする場合の感覚の相違をオペレータに生じさせ、電子ペーパの操作性を低下する一因になり得る。 
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、クライアント側で生成された画像をクライアント装置で表示するホスト・クライアント型の情報処理システムにおいて、クライアント側でオペレータがタッチ操作等によって指定した位置に基づいて独自に画像を描画することによって速やかに操作が画像に反映できる操作性の高いクライアント装置、コンピュータプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
出題内容の英単語等を表示し、振りガナ付きのまたは付きでないその和訳語等の日本語、及びその日本語のローマ字綴の終字のａ、ｉ、ｕ、ｅ、ｏ、ｎのいずれか１字、またはこれらを記号化して数字、カナ、かな等に変えた１字を表示せず保存し、初期の設定によりその日本語の初字をカナ等で予め表示しまたは表示しないで、その終字をキーで回答し、保存した終１字と一致するか否か判定し、一致した場合は上記の和訳語等の日本語を表示し、一致しない場合は、初期の設定により再回答を求めて判定しまたは求めず、初期の設定によりその日本語を表示しまたは表示しない学習システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】  第１は、選択肢が不要で記述式と同等の思考力を要するが、ワンタッチで簡便に日本語の回答ができること。第２は、英単語の多義語の場合等複数の日本語の正解がありうる場合に対応でき、英和辞典と同じ形式で出題内容を作成できること。第３は、英語をかなり習得しているアジアの人達等が、英語から日本語を学習できること。なお、以下においては、主として、日本語のローマ字綴の終１字をａ，ｉ，ｕ，ｅ，ｏ，ｎのいずれかで回答し、また日本語の初字をカタカナ等で予め表示する場合の例により説明するが、終１字を他に変えた場合の簡単な例は、これらをそれぞれ１，２，３，４，５，６に変えた場合である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月11日(2009.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発音単位を頁，センテンス、フレーズ、単語等のいずれかに、また発音単位が頁の場合のためシンクロ単位をセンテンス、フレーズ、単語等のいずれかに特定しまたは初期設定により選択し、頁単位で字幕として英文データを画面に白黒表示しておいて、発音単位が頁の場合はシンクロ単位で自動的に次に進み変色表示または白黒表示し、また発音単位が頁以外の場合は、キー操作により発音単位ごとに次に進みまたは前に戻って変色表示または白黒表示し、そのシンクロ単位または発音単位にシンクロして発音を開始し、音声合成技術と英文データの単語間に存在するまたは挿入した発音休止等記号により、人の発音に近い発音が聴け、また発音休止等記号の一部を成すＳＶＣＯ等の区別記号により色別表示とその区別の回答ができる発音とスペルと構文の総合的英語学習システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  本発明では、図２のＳＶＣＯ等の区別回答を行わずに、ＳＶＣＯ等の色別表示のみ行う場合もあるが、その実施例は、図２の７ＳＶＣＯ等別色別表示部の説明に含まれているので省略する。
また、上記では、頁、センテンス、フレーズ、単語の単位によって説明したが、他には１行以上の行、単語の中の音節の単位も考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月24日(2009.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面層と、
基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなる無数の微細凸部が上記平面層上にピッチＰで配列された微細構造層から成り、
上記微細凸部の先端部に平坦化された第１の反射面を有すると共に、当該微細凸部間の平面層表面に第２の反射面を有して成り、上記ピッチＰが入射する電磁波の波長λよりも小さいことを特徴とする反射防止構造。
【請求項２】
基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなる無数の微細凸部がピッチＰで表面上に配列された反射防止構造であって、
上記微細凸部の先端部に平坦化された第１の反射面を有すると共に、当該微細凸部の基端部間に第２の反射面を有して成り、上記ピッチＰが入射する電磁波の波長λよりも小さいことを特徴とする反射防止構造。
【請求項３】
上記第２の反射面が平面であることを特徴とする請求項２に記載の反射防止構造。
【請求項４】
上記第１の反射面が平面であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つの項に記載の反射防止構造。
【請求項５】
上記第１の反射面の先端反射面占有率Ｒｔと上記第２の反射面の微細凸部間反射面占有率Ｒｂの比Ｒｔ／Ｒｂが０．２〜２であると共に、微細凸部の高さＨが次式（１）により算出される値であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つの項に記載の反射防止構造。
Ｈ＝Ａ（λ／２ｎ）  ・・・（１）
（式中のｎは微細凸部形成部分の平均屈折率、Ａは０．６〜１．４の範囲の任意の値を示す）     
【請求項６】
上記比Ｒｔ／Ｒｂが０．５〜１．６であることを特徴とする請求項５に記載の反射防止構造。
【請求項７】
上記微細凸部の底面形状に外接する円の径をＤ、上記微細凸部の稜線の延長線の交点として現れる頂点までの高さをｈとしたときに、
上記微細凸部の稜線形状が次式（２）で表わされる曲線であって、次数ｍが１を超え、１．５以下であることを特徴とする請求項１に記載の反射防止構造。
Ｘ＝（Ｄ／２）×｛１−（Ｚ／ｈ）ｍ｝・・・（２）
【請求項８】
上記微細凸部のピッチＰが３８０ｎｍ以下であり、当該微細凸部の高さＨが１６０〜３５０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つの項に記載の反射防止構造。
【請求項９】
上記微細凸部のピッチＰが２５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の反射防止構造。
【請求項１０】
上記微細凸部が球換算直径で１０〜５０ｎｍの粒子と樹脂とから成ることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つの項に記載の反射防止構造。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つの項に記載の反射防止構造を基材の少なくとも一方の面に備えていることを特徴とする反射防止成形体。
【請求項１２】
上記基材が透明であることを特徴とする請求項１１に記載の反射防止成形体。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載の反射防止成形体を用いたことを特徴とする自動車部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、微細凹凸構造を構成する個々の凸部の形状を基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなるものとし、その先端部分をあえて平滑にし、当該微細凸部の先端部と基端部周辺に、２つの反射面を形成することによって、上記目的が達成できることを見出し、本発明を完成するに到った。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記知見に基づくものであって、本発明の反射防止構造は、基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなる無数の微細凸部が入射する電磁波の波長よりも短いピッチで配列されており、これら微細凸部の先端部に平坦化された第１の反射面を有すると共に、基端部の間に第２の反射面を有していることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明によれば、反射防止構造を構成する個々の微細凸部の形状を基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなるものとして、入射する電磁波の波長λよりも小さいピッチＰで配列し、当該微細凸部の先端部と、これら微細凸部の基端部間に、第１及び第２の反射面をそれぞれ形成することとしたから、反射率を高めることなく、微細凸部の高さを低くすることができ、反射防止機能と耐傷付き性の両立が可能になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の反射防止構造は、上記したように、基端部から先端側に向かって断面積が順次小さくなる形状、すなわち、円錐台状あるいは角錐台状をなす無数の微細凸部から構成され、その先端部と、これら微細凸部の基端部間に、第１及び第２の反射面をそれぞれ備えると共に、当該微細凸部の底面サイズが入射する電磁波の波長よりも小さく、この波長よりも短いピッチで配列されているものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月27日(2009.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
紙の表面状態を検出する紙表面検出装置であって、
前記紙の表面に光を照射する発光手段と、
前記発光手段から照射されて前記紙の撮影面で反射された反射光を表面画像として読み取る読取手段と、
前記読取手段によって読み取られた前記表面画像に基づいて前記紙の撮影面の情報を検出する検出手段とを有し、
前記発光手段を、前記撮影面から離れた位置であって、前記発光手段から前記紙への光の入射方向を前記撮影面に垂直な方向から見たとき、前記入射方向が前記紙の搬送方向に対して斜め方向となる位置に配置したことにより、前記紙の繊維の向きによらず前記撮影面の凹凸状態に関する情報を検出することを特徴とする紙表面検出装置。
【請求項２】
前記入射方向と前記紙の搬送方向とのなす角度が１５度〜７５度の範囲の角度になるように前記発光手段を配置したことを特徴とする請求項１に記載の紙表面検出装置。
【請求項３】
前記読取手段は、前記紙の表面の所定サイズのエリアの表面画像を読み取るエリアセンサ、または、前記紙の表面のライン画像を読み取るラインセンサであることを特徴とする請求項１または２に記載の紙表面検出装置。
【請求項４】
前記凹凸状態に関する情報とは、前記表面画像のコントラストを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかの項に記載の紙表面検出装置。
【請求項５】
前記凹凸状態に関する情報とは、前記表面画像を２値化処理した画像のエッジ数を含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかの項に記載の紙表面検出装置。
【請求項６】
紙に画像を形成する画像形成手段と、前記紙の表面に光を照射する発光手段と、前記発光手段から照射されて前記紙の撮影面で反射された反射光を表面画像として読み取る読取手段と、前記読取手段によって読み取られた前記表面画像に基づいて前記紙の撮影面の情報を検出する検出手段と、前記画像形成手段の画像形成条件を制御する制御手段とを備えた画像形成装置において、
前記発光手段を、前記撮影面から離れた位置であって、前記発光手段から前記紙への光の入射方向を前記撮影面に垂直な方向から見たとき、前記入射方向が前記紙の搬送方向に対して斜め方向となる位置に配置したことにより、前記紙の繊維の向きによらず前記撮影面の凹凸状態に関する情報を検出し、
前記制御手段は、検出される前記撮影面の凹凸状態に関する情報に基づいて前記画像形成手段の画像形成条件を制御することを特徴とする画像形成装置。
【請求項７】
前記入射方向と前記紙の搬送方向とのなす角度が１５度〜７５度の範囲の角度になるように前記発光手段を配置したことを特徴とする請求項６に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記読取手段は、前記紙の表面の所定サイズのエリアの表面画像を読み取るエリアセンサ、または、前記紙の表面のライン画像を読み取るラインセンサであることを特徴とする請求項６または７に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記凹凸状態に関する情報とは、前記表面画像のコントラストを含み、
前記制御手段は、前記コントラストに基づいて前記画像形成条件を制御することを特徴とする請求項６乃至８のいずれかの項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記凹凸状態に関する情報とは、前記表面画像を２値化処理した画像のエッジ数を含み、
前記制御手段は、前記画像のエッジ数に基づいて前記画像形成条件を制御するすることを特徴とする請求項６乃至９のいずれかの項に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するための、本発明の記録材表面検出装置は、紙の表面状態を検出する紙表面検出装置であって、前記紙の表面に光を照射する発光手段と、前記発光手段から照射されて前記紙の撮影面で反射された反射光を表面画像として読み取る読取手段と、前記読取手段によって読み取られた前記表面画像に基づいて前記紙の撮影面の情報を検出する検出手段とを有し、前記発光手段を、前記撮影面から離れた位置であって、前記発光手段から前記紙への光の入射方向を前記撮影面に垂直な方向から見たとき、前記入射方向が前記紙の搬送方向に対して斜め方向となる位置に配置したことにより、前記紙の繊維の向きによらず前記撮影面の凹凸状態に関する情報を検出することを特徴とする。
また、本発明の画像形成装置は、紙に画像を形成する画像形成手段と、前記紙の表面に光を照射する発光手段と、前記発光手段から照射されて前記紙の撮影面で反射された反射光を表面画像として読み取る読取手段と、前記読取手段によって読み取られた前記表面画像に基づいて前記紙の撮影面の情報を検出する検出手段と、前記画像形成手段の画像形成条件を制御する制御手段とを備えた画像形成装置において、前記発光手段を、前記撮影面から離れた位置であって、前記発光手段から前記紙への光の入射方向を前記撮影面に垂直な方向から見たとき、前記入射方向が前記紙の搬送方向に対して斜め方向となる位置に配置したことにより、前記紙の繊維の向きによらず前記撮影面の凹凸状態に関する情報を検出し、前記制御手段は、検出される前記撮影面の凹凸状態に関する情報に基づいて前記画像形成手段の画像形成条件を制御することを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
上記式で示されるようにアセタル基またはケタル基はかなり低い活性化エネルギーで、一般的には約１０から２０Ｋｃａｌ／モルの範囲で脱ブロックされる。脱ブロックを行うために、かなり弱い光発生酸および／またはかなり低い温度の後露光焼成またはその両方が脱ブロッキング反応を行うために使用されてもよい。これはフォトレジスト被覆の処理には望ましいが、低い活性化エネルギー生成（ｌｏｗ  ａｃｔｉｖａｔｉｏｎ  ｅｎｅｒｇｙ）はいくつか欠点が見られる。例えば、ブロッキング基の脱ブロッキングはフォトレジストをその容器に貯蔵している間に偶然に発生する可能性もある。ポリマーの骨格上にあるブロッキング基の数が減少することは画像形成する際にレジストの感光速度に予測できない変化をもたらすようである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列または並列または直並列に接続された複数のキャパシタと、
前記キャパシタの劣化進行度を求める劣化進行度検出手段と、
前記キャパシタに接続されたバランス電圧調整手段と、
前記劣化進行度検出手段と前記バランス電圧調整手段が接続され、マイクロコンピュータを内蔵した制御部とからなり、
前記制御部は前記劣化進行度検出手段で検出された前記キャパシタの劣化進行度の平均値から、前記キャパシタの劣化進行度のバラツキ幅が小さくなるようなバランス電圧をそれぞれ求め、
接続された前記全キャパシタの両端に電圧を印加した状態で、
前記キャパシタの両端電圧が前記バランス電圧になるよう前記バランス電圧調整手段を制御する蓄電装置。
【請求項２】
劣化進行度検出手段は蓄電装置本体の起動時にキャパシタを充電する際の電流、電圧、および前記キャパシタ近傍に設けた温度センサからの温度データを基にして求めた前記キャパシタの内部抵抗値と劣化進行度の相関関係から前記キャパシタの劣化進行度を求める請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項３】
劣化進行度検出手段はキャパシタに並列に接続した定電圧源と、
前記キャパシタと前記定電圧源の間に直列に接続した電流検出手段と、
前記キャパシタと前記電流検出手段の間に接続した、バランス電圧調整手段または前記電流検出手段のいずれか一方に切り替えるスイッチとからなり、
劣化進行度を検出する際は、前記スイッチが前記電流検出手段側を選択することにより前記キャパシタの漏れ電流を求め、
前記漏れ電流と劣化進行度の相関関係から前記キャパシタの劣化進行度を求める請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項４】
バランス電圧調整手段の制御は既定の一定期間毎に行う請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項５】
キャパシタ全体の温度を一定に保つ温度調節器を設け、
前記キャパシタの温度を一定にした状態で前記キャパシタのバランス電圧を求める請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項６】
制御部に電気的間接接続手段を設けることでバランス電圧調整手段とマイクロコンピュータを電気的に絶縁した請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項７】
バランス電圧調整手段は制御部からの信号により抵抗値が調整可能な不揮発性メモリを内蔵したデジタルポテンショメーターである請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項８】
キャパシタ近傍にそれぞれ温度センサを設け、前記キャパシタのバランス電圧を温度補正して決定する請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項９】
バランス電圧調整手段は、キャパシタの両端電圧が規定電圧を超えないように制御する請求項１に記載の蓄電装置。
【請求項１０】
劣化進行度検出手段により、全てのキャパシタが劣化していることが検出されれば、その情報を出力する請求項１に記載の蓄電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
前記従来の課題を解決するために、本発明の蓄電装置は、複数のキャパシタの劣化進行度を求める劣化進行度検出手段と、前記キャパシタに並列に接続されたバランス電圧調整手段と、前記劣化進行度検出手段と前記バランス電圧調整手段が接続された制御部とからなり、前記制御部は前記劣化進行度検出手段で検出された前記キャパシタの劣化進行度の平均値から、前記キャパシタの劣化進行度のバラツキ幅が小さくなるバランス電圧をそれぞれ求め、接続された前記全キャパシタの両端に電圧を印加した状態で、前記キャパシタの両端電圧が前記バランス電圧になるよう前記バランス電圧調整手段を制御するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本構成によるとキャパシタの劣化進行度のバラツキ幅が小さくなるようにバランス電圧が調整されるので、劣化が進んだキャパシタに対し劣化進行度を遅延させられる。また、全キャパシタがほぼ同時期に動作限界に達する。その結果、前記目的を達成することができる。