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【手続補正書】
【提出日】平成25年5月14日(2013.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップ（１）と電気抵抗素子（４）とを含む
発光半導体モジュールであって、
前記発光ダイオードチップ（１）は、相互に独立に動作可能な少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）と、それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子（３１，３２）とを有しており、
各発光領域（２ａ，２ｂ）は、前記発光ダイオードチップ（１）の動作中に１次電磁放射を形成するために設けられており、かつ、該１次電磁放射の少なくとも一部を前記発光ダイオードチップ（１）から出力するための発光面（２１，２２）を１つずつ有しており、
前記各変換素子（３１，３２）は、前記１次電磁放射の少なくとも一部を吸収して２次電磁放射を再放出するために設けられており、かつ、それぞれ各発光面の後方に配置されており、
前記電気抵抗素子（４）は、前記少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）のうち少なくとも１つに対して直列または並列に接続されており、
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップの外表面に被着された層として構成されており、
前記層は複数の導電性セクション（４１）を有しており、該複数の導電性セクションのうち少なくとも１つは、前記電気抵抗素子（４）の抵抗値を調整するために、前記発光ダイオードチップ（１）の動作時に前記導電性セクションを通って電流が流れないよう、分断されている
ことを特徴とする発光半導体モジュール。
【請求項２】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップ（１）内に集積されている、請求項１記載の発光半導体モジュール。
【請求項３】
前記電気抵抗素子（４）は前記発光ダイオードチップ（１）の前記発光面（２１，２２）の下方に配置されている、請求項１または２記載の発光半導体モジュール。
【請求項４】
前記層は、前記発光ダイオードチップ（１）のうち前記発光面（２１，２２）を含む主表面（１ａ）に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項５】
前記層は、前記発光ダイオードチップ（１）のうち前記発光面（２１，２２）の反対側に位置する主表面（１ｂ）に配置されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項６】
前記層は金属から成る、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項７】
前記層はドープされた半導体材料から成り、前記電気抵抗素子（４）の抵抗値は、前記導電性セクション（４１）の分断（４２）による調整に加えて、前記ドープにより調整される、請求項１から５までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項８】
各発光面（２１，２２）の後方に１つずつ変換素子（３１，３２）が配置されており、前記１次電磁放射と前記２次電磁放射とがそれぞれ混合されて白色混合光が形成される、請求項１から７までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項９】
前記それぞれ異なって構成された少なくとも２つの変換素子（３１，３２）はそれぞれ厚さ（Ｄ）が異なる、請求項１から８までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１０】
前記発光ダイオードチップ（１）の動作中に各発光面（２１，２２）から白色混合光が放出され、前記少なくとも２つの発光領域（２ａ，２ｂ）の前記白色混合光は色座標および／または色温度および／または輝度の点でそれぞれ異なる、請求項１から９までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１１】
少なくとも１つの第１の発光面（２１）は横方向で少なくとも１つの第２の発光面（２２−２５）によって包囲されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【請求項１２】
前記発光ダイオードチップ（１）の前記発光領域（２ａ，２ｂ）のコンタクトを形成するための少なくとも１つの導体路（６５）が少なくとも１つの発光面（２１，２２）の下方に配置されている、請求項１から１１までのいずれか１項記載の発光半導体モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月11日(2013.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ；
前記グラフェン薄膜上の前記触媒薄膜と反対の表面上にポリマーベース膜を配置し；
前記ポリマーベース膜を硬化させ；かつ
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を前記触媒薄膜から剥離させることを含むグラフェン薄膜の単離方法。
【請求項２】
前記触媒薄膜が背部支持基板上に配置され、前記背部支持基板が前記触媒薄膜上の前記グラフェン薄膜と反対の表面上に形成され、かつ薄膜剥離層が前記背部支持基板および触媒薄膜の間に配置される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記剥離層が酸化亜鉛を含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜が、剥離層を含む化学的作用により、少なくとも前記基板から剥離される請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜が、酢を用いて剥離層を含む化学的作用により、前記基板および触媒薄膜から剥離される請求項２〜４のいずれか１つに記載の方法。
【請求項６】
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜が、前記触媒薄膜のエッチングにより、前記触媒薄膜から剥離される請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜が、前記触媒薄膜の少なくとも一部のエッチングにより、前記触媒薄膜から剥離される請求項１〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
グラフェン親和性コーティングでターゲット受電基板をコーティングすることにより、ターゲット受電基板をつくることをさらに含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
前記グラフェン親和性コーティングが、シリコン含有膜またはラングミュア−プロジェットフィルムである請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ターゲット受電基板の表面エネルギーを増加させるために、紫外線を前記ターゲット受電基板に曝露し、それにより前記ターゲット受電基板を他の方法よりもより前記グラフェン薄膜を受容的にすることをさらに含む請求項１〜９のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１１】
接触圧力を用いて、ターゲット受電基板上に直接または間接的に前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を配置することをさらに含み、前記グラフェン薄膜が前記ポリマーベース膜よりも前記ターゲット受電基板の近くである請求項１〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
前記ターゲット受電基板上への前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜の配置が、ブランケットスタンピングを用いて行われる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記ターゲット受電基板上への前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜の配置が、１つ以上のローラーを用いて行われる請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
溶剤を用いてそれを溶解することおよび／または紫外線の曝露により、前記ポリマーベースの層を除去することをさらに含む請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１５】
触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ；
前記グラフェン薄膜上の前記触媒薄膜と反対の表面上にポリマーベース膜を配置し；
前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を前記触媒薄膜から剥離させ；
接触圧力を用いて、ターゲット受電基板上に直接または間接的に前記グラフェン薄膜およびポリマーベース膜を配置し、前記グラフェン薄膜が前記ポリマーベース膜よりも前記ターゲット受電基板の近くであり；かつ
溶剤および／または紫外線のその曝露によりポリマーベースの層を除去することを含むターゲット受電基板上でのグラフェン薄膜の配置方法。
【請求項１６】
前記ポリマーベース層がＰＭＭＡである請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
金属触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ；
ターゲット受電基板上に直接または間接的にグラフェン薄膜および触媒薄膜を配置し；かつ
前記触媒薄膜に実質的に透明金属酸化物を与えるために、前記グラフェン下の触媒薄膜を電気化学的に陽極酸化する
ことを含むターゲット受電基板上でのグラフェン薄膜の配置方法。
【請求項１８】
前記電気化学的な陽極酸化の間、前記グラフェン薄膜が、前記金属触媒薄膜が陽極化されるのと同様に陰極化される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
触媒薄膜上にグラフェン薄膜をヘテロエピタキシャル成長させ；
前記触媒薄膜と反対の表面上の前記グラフェン薄膜に接着剤を適用し；
前記触媒薄膜から前記グラフェン薄膜を剥離させ；かつ
前記グラフェン薄膜を前記ターゲット受電基板に接着させることを含むターゲット受電基板上でのグラフェン薄膜の配置方法。
【請求項２０】
前記グラフェン薄膜が、前記接着剤の剥離の間、前記グラフェン薄膜および触媒薄膜の間よりも、前記グラフェン薄膜および接着剤の間のより強い結合の効力により、前記触媒薄膜から剥離される請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記グラフェン薄膜が、前記触媒薄膜の選択的なエッチングにより、前記触媒薄膜から剥離される請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月24日(2013.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板；
前記ガラス基板上に直接または間接的に配置された第１のグラフェンベースの導電層；
前記第１のグラフェンベースの導電層と接触する第１の半導体層；
前記第１の半導体層上に直接または間接的に配置された少なくとも１つの吸収層；
前記少なくとも１つの吸収層上に直接または間接的に配置された第２の半導体層；
前記第２の半導体層と接触する第２のグラフェンベースの導電層；および
前記第２のグラフェンベースの導電層上に直接または間接的に配置されたバック接点
を含む太陽電池。
【請求項２】
前記第１のグラフェンベースの導電層と反対側の基板の表面上に備えられた反射防止膜をさらに含む請求項１に記載の太陽電池。
【請求項３】
前記第１の半導体層がｎ型の半導体層であり、かつ前記第１のグラフェンベースの層がｎ型のドーパントでドープされている請求項１または２に記載の太陽電池。
【請求項４】
前記第２の半導体層がｐ型の半導体層であり、かつ前記第２のグラフェンベースの層がｐ型のドーパントでドープされている請求項３に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記ガラス基板と前記第１のグラフェンベースの層との間に介在する亜鉛ドープ酸化錫の層をさらに含む請求項１〜４のいずれか１つに記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１および／または第２の半導体層が、ポリマー材料を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の太陽電池。
【請求項７】
基板；
少なくとも１つの光電変換薄膜層；
第１および第２の電極；および
第１および第２の透明導電性グラフェンベースの層
を含み、
前記第１および第２のグラフェンベースの層が、それぞれｎおよびｐ型のドーパントでドープされている光電変換デバイス。
【請求項８】
ガラス基板；
前記ガラス基板上に直接または間接的に備えられた第１の透明導電性グラフェンベースの層；
前記ガラス基板に対して実質的に平行でかつ間隔を有する変形可能なホイル；および
前記変形可能なホイル上に直接または間接的に備えられた第２の透明導電性グラフェンベースの層
を含むタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項９】
前記第１および／または第２のグラフェンベースの層が、パターン化されている請求項８に記載のタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項１０】
前記変形可能なホイルと前記ガラス基板との間に配置された複数のピラー、および
前記サブアセンブリの周囲における少なくとも１つのエッジシール
をさらに含む請求項８または９に記載のタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項１１】
前記変形可能なホイルが、ＰＥＴホイルである請求項８〜１０のいずれか１つに記載のタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項１２】
前記第１および／または第２のグラフェンベースの層が、５００オーム／スクウェア未満のシート抵抗を有する請求項８〜１１のいずれか１つに記載のタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項１３】
前記第１および／または第２のグラフェンベースの層が、３００オーム／スクウェア未満のシート抵抗を有する請求項８〜１１のいずれか１つに記載のタッチパネルサブアセンブリ。
【請求項１４】
請求項８〜１３のいずれか１つに記載のタッチパネルサブアセンブリ；および
前記変形可能なホイルと反対側のタッチパネルサブアセンブリの基板の表面に接続されたディスプレイ
を含むタッチパネル装置。
【請求項１５】
前記ディスプレイが、ＬＣＤディスプレイである請求項１４に記載のタッチパネル装置。
【請求項１６】
前記タッチパネル装置が、静電容量結合方式タッチパネル装置である請求項１４または１５に記載のタッチパネル装置。
【請求項１７】
前記タッチパネル装置が、抵抗膜方式タッチパネル装置である請求項１４または１５に記載のタッチパネル装置。
【請求項１８】
基板に支持されたグラフェンベースの層を含み、
前記グラフェンベースの層の一部分が、イオンビームへの曝露／プラズマ処理および／またはＨ*でのエッチングにより前記一部分の導電率が減少させられてなるデータ／バスライン。
【請求項１９】
前記一部分が、導電性でない請求項１８に記載のデータ／バスライン。
【請求項２０】
前記基板が、ガラス基板である請求項１８または１９に記載のデータ／バスライン。
【請求項２１】
前記基板が、シリコンウエハである請求項１８または１９に記載のデータ／バスライン。
【請求項２２】
前記一部分が、イオンビームへの曝露／プラズマ処理および／またはＨ*でのエッチングにより、少なくとも部分的に除去されてなる請求項１８〜２１のいずれか１つに記載のデータ／バスライン。
【請求項２３】
基板に支持されたグラフェンベースの層を含み、前記グラフェンベースの層の一部分が、イオンビームへの曝露／プラズマ処理および／またはＨ*でエッチングされて、前記グラフェンベースの層の他の一部分と比較して、前記グラフェンベースの層の一部分が薄く、
前記グラフェンベースの層が、全体として、少なくとも８０％の可視透過率を有するアンテナ。
【請求項２４】
前記グラフェンベースの層が、全体として、少なくとも９０％の可視透過率を有する請求項２３に記載のアンテナ。
【請求項２５】
基板を用意し；
前記基板上にグラフェンベースの層を形成し；かつ
イオンビーム／プラズマへの曝露およびＨ*でのエッチングの一方により、前記グラフェンベースの層を選択的にパターン化することを含む電子デバイスの製造方法。
【請求項２６】
前記パターン化の前に、前記グラフェンベースの層を第２の基板に転写することをさらに含む請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記パターン化が、導電率の減少および／または前記グラフェンベースの層の一部分の除去のために行われる請求項２５または２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記パターン化の前に、前記グラフェンベースの層の一部分上に保護マスクを設けることをさらに含む請求項２５〜２７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項２９】
前記保護マスクが、フォトレジスト材料を含む請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記保護マスクを除去することをさらに含む請求項２８または２９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性一体型ライトガイドであって、
より大きい形体を有する第２のパターンに重ねられた、より小さい形体を有する第１のパターンを含む、構造化入射面と、
構造化上面であって、
前記可撓性一体型ライトガイド内を伝播する光を、全内部反射によって抽出するための複数の離散型光抽出器を含む、第１の領域と、
前記構造化入射面から前記第１の領域へと光を向けるためのテーパ部分を含む第２の領域と、を含む構造化上面と、を備え、
前記光抽出器が、前記可撓性一体型ライトガイドの長さに沿って第１の周期を有する周期的配列を形成し、前記第１の周期は、前記可撓性一体型ライトガイドが画素化ディスプレイのバックライトとして使用される場合に、実質的に目に見える干渉縞が生じないような周期である、可撓性一体型ライトガイド。
【請求項２】
可撓性一体型ライトガイドであって、
より大きい形体を有する第２のパターンに重ねられた、より小さい形体を有する第１のパターンを含む、構造化入射面と、
構造化上面であって、
前記可撓性一体型ライトガイド内を伝播する光を、全内部反射によって抽出するための複数の離散型光抽出器を含み、各離散型光抽出器が同一の三次元物体の一部である第１の領域と、
前記第１の領域に向かって薄く先細りするテーパ部分を含む第２の領域と、を含む、構造化上面と、を備え、
前記構造化入射面に近接している離散型光抽出器の寸法が、前記構造化入射面から離れている離散型光抽出器の寸法より小さい、可撓性一体型ライトガイド。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウィルス型広告コンテンツの分散を実施するまたは容易にする装置実装システムであって、
移動体デバイスが、第２の移動体デバイスからウィルス型広告コンテンツを直接受信し、
受信した前記ウィルス型広告コンテンツが、前記移動体デバイスにおいて表示されるか監視し、
前記監視に少なくとも部分的に基づいて、前記受信したウィルス型広告コンテンツのセグメントに料金を割り振り、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに関連付けられた評判格付けに基づいて、前記料金が、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに割り振られ、
第３の移動体デバイスから既に受信されている第１の追加のウィルス型広告コンテンツを使って、前記受信したウィルス型広告コンテンツを変更し、
前記受信したウィルス型広告コンテンツまたは前記第２の追加のウィルス型広告コンテンツのうちの少なくとも１つに関連したディジタル権利管理（ＤＲＭ）属性に基づいて、前記受信したウィルス型広告コンテンツとの第２の追加のウィルス型広告コンテンツの関連付けを妨げ、前記第２の追加のウィルス型広告コンテンツが前記移動体デバイスに既に保存されており、
１組の受信先を受信し、
前記変更したウィルス型広告コンテンツを前記１組の受信先に送る
命令を保持するメモリーと、
前記メモリーに結合されており、前記メモリー内に保持された命令を実行するプロセッサーと、
を含む、システム。
【請求項２】
請求項１記載のシステムにおいて、前記変更されたウィルス型広告コンテンツが、前記１組の受信先に含まれる個人の部分集合と関連した１つ以上の移動体デバイスに直接送られる、システム。
【請求項３】
請求項１記載のシステムにおいて、前記ウィルス型広告コンテンツが広告主に帰属するか、または前記第２の追加のウィルス型広告コンテンツが前記広告主の競合に帰属する、システム。
【請求項４】
請求項１記載のシステムにおいて、前記メモリーが、更に、前記１組の受信先またはこの１組の受信先に含まれる個人の部分集合の少なくとも１つに送られたウィルス型広告コンテンツと共に、ディジタル権利管理（ＤＲＭ）属性が保存されていることを保証する命令を保持する、システム。
【請求項５】
ウィルス型広告コンテンツの流布を実施する装置実装方法であって、
メモリーに結合されたプロセッサーであって前記メモリーに保持された命令を実行するプロセッサーを提供し、
方法を提供する命令を実行する、
ことを含み、
前記方法が、
移動体デバイスにおいてウィルス型広告コンテンツを受信するステップと、
前記移動体デバイスに既に保存されている他のウィルス型広告コンテンツと前記ウィルス型広告コンテンツを重ね繋ぐことによって、前記ウィルス型広告コンテンツを変更するステップと、
前記変更したウィルス型広告コンテンツのための１組の受信先を受信するステップと、
前記１組の受信先に前記変更したウィルス型広告コンテンツを送るステップであって、前記変更したウィルス型広告コンテンツが、前記１組の受信先内の各受信先と関連した異種の移動体デバイスに直接送られる、ステップと、
前記１組の受信先または１組の受信先に含まれる個人の部分集合のうちの少なくとも１つに対し送られる前記ウィルス型広告コンテンツと、ディジタル権利管理（ＤＲＭ）属性との関連付けを維持するステップと、
前記受信したウィルス型広告コンテンツのセグメントに料金を割り振るステップであって、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに関連付けられた評判格付けに基づいて、前記料金が、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに割り振られ、前記１組の受信先へ前記変更したウィルス型広告コンテンツを送ることに基づいてユーザーを補償するため前記料金が広告主により使用される、ステップと、
を含み、
前記１組の受信先のうちの少なくとも１つの受信先が前記変更したウィルス型広告コンテンツを視聴する、方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法において、前記ウィルス型広告コンテンツが、前記１組の受信先と異なるユーザーと関連した初期移動体デバイスから直接受信される、方法。
【請求項７】
請求項５記載の方法であって、前記ウィルス型広告コンテンツを重ね繋ぐことは、前記移動体デバイスによって直接受信された前記ウィルス型広告コンテンツを、前記移動体デバイスにおいてローカルに作成されたコンテンツと重ね繋ぐことを含み、前記１組の受信先またはこの１組の受信先に含まれる個人の部分集合の少なくとも１つに、前記重ね繋いだウィルス型広告コンテンツが送られる、方法。
【請求項８】
請求項５記載の方法であって、更に、前記受信したウィルス型広告コンテンツが、前記移動体デバイスにて表示されるか監視するステップを含む、方法。
【請求項９】
ウィルス型広告コンテンツを流布するための装置実装方法であって、
ウィルス型広告コンテンツを移動体デバイスにおいて受信し、
前記受信したウィルス型広告コンテンツが前記移動体デバイスにおいて表示されるか監視し、
前記監視に少なくとも部分的に基づいて、前記受信したウィルス型広告コンテンツのセグメントに料金を割り振り、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに関連付けられた評判格付けに基づいて、前記料金が、前記受信したウィルス型広告コンテンツの前記セグメントに割り振られ、
前記移動体デバイスに既に保存されているコンテンツを使って、前記ウィルス型広告コンテンツを変更し、
前記ウィルス型広告コンテンツまたは前記移動体デバイスに既に保存されている前記コンテンツのうちの少なくとも１つとディジタル権利属性を維持し、
変更したウィルス型広告コンテンツのための１組の受信先を受信し、
前記１組の受信先に前記変更したウィルス型広告コンテンツを送り、前記変更したウィルス型広告コンテンツが、前記１組の受信先内の各受信先に関連した異種の移動体デバイスに対し直接送られる、システム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月3日(2013.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体通信ネットワークにおける移動局による実行のための方法であって：
該移動局に関わるレンジング動作の間に前記ネットワークから第一の移動局識別子を受信する段階と；
前記レンジング動作の間に前記ネットワークから受信される少なくとも一つのメッセージの内容を、前記第一の移動局識別子を使って抽出する段階と；
前記レンジング動作が完了したのちに前記ネットワークから受信される少なくとも一つのメッセージの内容を、前記第一の移動局識別子とは異なる第二の移動局識別子を使って抽出する段階とを含む、
方法。
【請求項２】
前記第一の移動局識別子が前記レンジング動作の間に前記ネットワークから受信される第一のメッセージに含まれる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第一のメッセージの受信に先立ち：
一組のレンジング資源によって特徴付けられるレンジング・メッセージを前記ネットワークに送信する段階をさらに含む、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第一のメッセージがさらに、前記一組のレンジング資源を同定する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記第一のメッセージにおいて同定されている前記一組のレンジング資源に基づいて、前記第一のメッセージが前記移動局に宛てられていることを判別する段階をさらに含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記第一の移動局識別子を受信したのち：
一組のレンジング資源によって特徴付けられるレンジング・メッセージを前記ネットワークに送信する段階をさらに含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記レンジング動作の間に受信される前記少なくとも一つのメッセージの少なくとも一つが前記レンジング動作の完了の指標を含む、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記第二の移動局識別子が、前記レンジング動作の間に受信される特定のメッセージ中に含められる、請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記特定のメッセージが前記移動局に宛てられていることを、前記特定のメッセージ中の前記第一の移動局識別子の存在に基づいて判定する段階をさらに含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記移動局が、一意的な識別子によって他の移動局に比して一意的にアドレス指定可能であり、当該方法がさらに、前記第二の移動局識別子を受信するのに先立って：
前記一意的な識別子を含むメッセージを前記ネットワークに送信する段階を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記一意的な識別子を含む前記メッセージが上りリンク・パラメータに従って送られ、当該方法がさらに、前記第二の移動局識別子の受信後、かつ前記一意的な識別子を含む前記メッセージの送信前に、さらに：
前記ネットワークから、前記一意的な識別子を含む前記メッセージの送信のための前記上りリンク・パラメータを示す承認メッセージを受信する段階を含む、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記承認メッセージが前記第一の移動局識別子を含む、請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
受信回路および処理エンティティを有する移動局であって、
前記受信回路は、ネットワークからメッセージを受信するよう構成され、前記メッセージの少なくとも一つはレンジング動作の間に受信され、第一の移動局識別子を含み；
前記処理エンティティは、前記レンジング動作の間に前記ネットワークから受信された少なくとも一つのメッセージの内容を、前記第一の移動局識別子に基づいて抽出し、前記レンジング動作が完了したのちに前記ネットワークから受信された少なくとも一つのメッセージの内容を、前記第一の移動局識別子とは異なる第二の移動局識別子に基づいて抽出するよう構成されている、
移動局。
【請求項１４】
移動体通信ネットワークにおける基地局による実行のための方法であって：
移動局に宛てられた第一のメッセージを出力する段階であって、前記第一のメッセージはレンジング動作の間に前記移動局が使うための第一の移動局識別子を含む、段階と；
前記レンジング動作が完了したことを判別する段階と；
前記移動局に宛てられた第二のメッセージを出力する段階であって、前記第二のメッセージは、前記ネットワークとのその後の通信において前記移動局が使うための第二の移動局識別子を含む、段階とを含む、
方法。
【請求項１５】
前記第一のメッセージを出力する段階が、前記移動局からレンジング・メッセージを受信した後に実行され、前記レンジング・メッセージは一組のレンジング資源によって特徴付けられる、請求項１４記載の方法。
【請求項１６】
前記移動局からグローバルに一意的な識別子を受信する段階と；
前記グローバルに一意的な識別子に基づいてメモリを参照して前記第二の移動局識別子を取得する段階とを含む、
請求項１４記載の方法。
【請求項１７】
前記レンジング動作の完了前に、前記第一の移動局識別子を使う前記移動局への少なくとも一つのメッセージを送る段階をさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１８】
前記レンジング動作の完了後に、前記第二の移動局識別子を使う前記移動局への少なくとも一つのメッセージを送る段階をさらに含む、請求項１４記載の方法。
【請求項１９】
移動局に宛てられたメッセージを出力するよう構成された送信回路と；
移動局に関わるレンジング動作が完了したときを判別すること、前記レンジング動作の間に送信されるメッセージの第一のものに、前記レンジング動作の間に前記移動局が使うための第一の移動局識別子を挿入すること、および前記レンジング動作が完了した後に前記移動局が使うための第二の移動局識別子を前記メッセージの第二のものに挿入することのために構成された処理エンティティとを有する、
基地局。
【請求項２０】
データ送信方法であって：
メモリにアクセスして、ある受信者と確立されたサービス・フローに関連付けられた、該受信者に送信されるべきある量のデータを取得する段階と；
前記メモリにアクセスして、前記サービス・フローを特徴付ける制御情報を取得する段階と；
前記データの少なくとも一部をデータグラムのペイロードに入れ、該データグラムのヘッダに前記サービス・フローを特徴付ける前記制御情報を入れることによってデータグラムを形成する段階であって、前記サービス・フローを特徴付ける前記制御情報は前記ヘッダの16より少ないビットを占める、段階と；
前記データグラムで電波周波数信号を変調し、前記電波周波数信号を無線媒体を通じて放出する段階とを含む、
方法。
【請求項２１】
前記サービス・フローを特徴付ける前記制御情報が前記ヘッダの少なくとも３ビットを占める、請求項２０記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年8月16日(2013.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電システムの直流電路のアークを検出する方法であって、前記直流電路の電流の値（ＩＤＣ）が繰り返されるタイムフレーム（７）の中で検出されて平均値（８）が生成され、前記タイムフレーム（７）の中で、前記直流電路の電圧の値（ＵＤＣ）が検出されて平均値（８’）が生成され、前記電流（ＩＤＣ）及び前記電圧（ＵＤＣ）の平均値（８，８’）に基づいて、計算方法によって少なくとも１つの検出信号（９）及び少なくとも１つの検出閾値（１０）が継続的に算出され、前記少なくとも１つの検出信号（９）をそれぞれの平均値（８，８’）から算出するために、２つの連続する平均値（８，８’）の差により偏差平均値が算出されることを特徴とする方法。
【請求項２】
少なくとも１つの検出信号（９）及び少なくとも１つの検出閾値（１０）をそれぞれの平均値（８，８’）から算出するために、長期平均値（１１，１１’）がディジタルローパスフィルタによって算出されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
少なくとも１つの検出信号をそれぞれの偏差平均値から算出するために、長期偏差平均値がディジタルローパスフィルタによって算出されることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
それぞれの前記タイムフレーム（７）の後に、前記検出信号（９）及び前記検出閾値（１０）が、前記電流（ＩＤＣ）及び前記電圧（ＵＤＣ）の偏差平均値、長期平均値（１１，１１’）及び長期偏差平均値によって算出されることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記電圧（ＵＤＣ）の長期偏差平均値及び偏差平均値から生成された値と、前記電流（ＩＤＣ）の長期偏差平均値及び偏差平均値から生成された値とが掛け合わされて、前記検出信号（９）が生成されることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記検出信号（９）の値に、１より大きい補正係数が乗じられることを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記電流（ＩＤＣ）及び前記電圧（ＵＤＣ）の長期平均値（１１，１１’）が、前記検出閾値（１０）を生成するために掛け合わされることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記検出閾値（１０）は、直列アークの検出のために、１より小さい補正係数が掛け合わされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記検出閾値（１０）は、並列アークの検出のために、１より小さい補正係数が掛け合わされることを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記検出信号（９）が前記検出閾値（１０）を超えたときにアークが検出され、直列アークと並列アークとの区別がなされることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記アークの検出の後、当該アークを消弧することを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記並列アークを消弧するために、前記直流電路がスイッチにより短絡され、前記直列アークを消弧するために、前記直流電路の電流が遮断されることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
試験実行により前記検出方法の機能を点検することを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記検出方法は、前記光起電システムの始動プロセスの後に始動することを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
交流電圧グリッド（３）に電力を供給する構成要素を有する光起電システムであって、直流−直流変換器（４）と、少なくとも１つの太陽電池（２）によって生成された直流電流（ＩＤＣ）に関連する直流電圧（ＵＤＣ）を、前記交流電圧グリッド（３）に供給するための交流電圧（ＵＡＣ）に変換する直流−交流変換器（５）と、制御装置（６）とを有し、前記直流電圧（ＵＤＣ）及び前記直流電流（ＩＤＣ）を測定するための測定装置が設けられ、前記制御装置（６）は、請求項１から１４に記載の方法に従って、当該光起電システムの直流電路のアークを検出するための方法を実行するように設計されていることを特徴とする光起電システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
次の工程において、最新の平均値８，８’及び前のタイムフレーム７の平均値８，８’、つまり連続する平均値８，８’のそれぞれから、計算方法により偏差平均値が算出される。このため、２つのタイムフレームの間の急な変化を検出できる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
同じ原理により、それぞれの長期偏差平均値は、同じフィルタ係数のディジタルローパスフィルタによって、それぞれの最新の偏差平均値から算出される。また、ここで、それぞれの偏差平均値の効果は、それにしたがって小さい。そのため、長期偏差平均値は、それが偏差平均値よりもゆっくり変化するような遅れ要素のように振る舞う。結果として、長期偏差平均値は、入射する放射の強度の量として機能し、それにより、アークが放射の変化から区別され得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
検出信号９を算出するために、長期偏差平均値及び偏差平均値から電圧ＵＤＣの検出信号９ｕに対応する電圧ＵＤＣの値が生成され、当該値に長期偏差平均値及び偏差平均値から生成される電流ＩＤＣの検出信号９ｉに対応する電流ＩＤＣの値が乗じられる。このため、それらの値は、それぞれの場合に同時に算出された長期偏差平均値と偏差平均値との差である。大きな差は、電圧ＵＤＣ又は電流ＩＤＣのそれぞれの急な変化をもたらす。これは、急な変化が、長期偏差平均値よりも偏差平均値をよりはっきりさせる効果を有するからである。このようにして、アークが点火されたときのような短く急な変化が加味されることを確実にする。入射する放射のレベルによる変化が加味されなければならず、これは、そのような変化がより長い時間を掛けて行われ、偏差が実質的にゼロになるため、長期平均値１１，１１’及び平均値８，８’と同じ効果を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的にポンピングされるオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）において、
ＩｎＧａＮを含有しているか、又は、ＩｎＧａＮから構成されている、少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）と、
ＡｌＧａＮを含有しているか、又は、ＡｌＧａＮから構成されている、少なくとも二つのカバー層（４）とを有しており、
前記カバー層（４）はそれぞれ、前記ビーム活性量子井戸（２）のうちの一つに対応付けられており、
前記カバー層（４）は前記ビーム活性量子井戸（２）のｐ側にそれぞれ設けられており、
前記ビーム活性量子井戸（２）と、対応付けられている前記カバー層（４）との間隔は最大で１．５ｎｍであり、
一連の層群（８）が３回から２０回繰り返されて設けられており、
隣接する一連の層群（８）は直接的に重なって設けられており、
前記一連の層群（８）は、
−ビーム活性量子井戸（２）、
−ＧａＮを含有しているか、又は、ＧａＮから構成されている中間層（３）、
−カバー層（４）、
−ＧａＮを含有しているか、又は、ＧａＮから構成されているバリア層（５）、
の順序で直接的に相互に重なって設けられている複数の層から構成されており、
更に、前記カバー層（４）の平均厚さは０．３ｎｍ以上１．５ｎｍ以下であり、前記中間層（３）の厚さは０．３ｎｍ以上１．２ｎｍ以下であり、成長方向における連続する二つのカバー層（４）の間隔は３ｎｍ以上８ｎｍ以下であることを特徴とする、オプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項２】
前記中間層（３）の厚さは０．４ｎｍ以上０．８ｎｍ以下であり、成長方向における連続する二つのカバー層（４）の間隔は４ｎｍ以上６ｎｍ以下である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項３】
前記カバー層（４）のＡｌ含有率は２０％以上７０％以下である、請求項１又は２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項４】
前記カバー層（４）の厚さ又は平均厚さは０．５ｎｍ以上１．０ｎｍ以下である、請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項５】
前記ビーム活性量子井戸（２）の厚さ（Ｑ）は１．５ｎｍ以上４．５ｎｍ以下であり、
ＩｎＧａＮから構成されている前記ビーム活性量子井戸（２）のインジウム含有率は１５％以上３５％以下である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項６】
前記カバー層（４）のＡｌ含有率は４０％以上７０％以下である、請求項５に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項７】
前記ビーム活性量子井戸（２）とそれぞれ対応付けられている前記カバー層（４）との間隔は最大で単層二つ分の厚さであり、
前記カバー層（４）のＡｌ含有率は２０％以上５０％以下である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項８】
前記ビーム活性量子井戸（２）、及び／又は、前記カバー層（４）、及び／又は、前記中間層（３）の間の移行領域（２３，２４，３４）は単層一つ分以上単層三つ分以下の厚さを有している、請求項１乃至７のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項９】
５個以上１５個以下のビーム活性量子井戸（２）を有している、請求項１乃至８のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１０】
前記ビーム活性量子井戸（２）はＩｎＧａＮしか含有しておらず、
該ビーム活性量子井戸（２）の単層と、ＡｌＧａＮしか含有していない前記カバー層（４）の単層との間には、ＩｎＧａＮ及び／又はＧａＮ及び／又はＡｌＧａＮから成る混合物を含有する、最大で二つの単層が存在する、請求項７記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１１】
前記ビーム活性量子井戸（２）のバンドギャップはそれぞれ２．５５ｅＶ以上３．０ｅＶ以下である、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１２】
前記中間層（４）の平均バンドギャップはそれぞれ、対応付けられているビーム活性量子井戸（２）の平均バンドギャップの少なくとも１２０％である、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【請求項１３】
隣り合う少なくとも二つのビーム活性量子井戸（２）は相互に偏差する平均バンドギャップを示し、
前記偏差は０．０３ｅＶ以上０．２０ｅＶ以下である、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス半導体チップ（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ＰＷＭ信号を受信し、前記第１ＰＷＭ信号と異なる周波数を有する第２ＰＷＭ信号を出力するパルス幅変調周波数変換器において、方法は、
第１ＰＷＭ信号の第１ＰＷＭサイクルをサンプリングすることによって、ＰＷＭパラメタの第１セットを生成する第１セット生成ステップと；
所定変化閾値に基づき前記第１セットをフィルタリングすることによって、ＰＷＭパラメタの第２セットを生成する第２セット生成ステップと；
前記第２セットに基づき前記第２ＰＷＭ信号における第２ＰＷＭサイクルを生成する第２ＰＷＭサイクル生成ステップと
を有する、方法。
【請求項２】
前記第１セット生成ステップは、前記第１ＰＷＭサイクルをサンプリングすることによって前記第１セットの第１値および第２値を決定するステップを有し、前記第１値は、第１ＰＷＭサイクルにおける選択サンプル値を有するサンプルのサンプル数を表し、第２値は、第１ＰＷＭサイクルにおけるサンプルの総数を表し、
前記第２セット生成ステップは、
所定変化閾値によって定義された変化閾値範囲に基づき第１値をフィルタリングすることによって、前記第２セットの第３値を生成する第３値生成ステップと；
前記変化閾値範囲に基づき前記第２値をフィルタリングすることによって、前記第２セットの第４値を生成する第４値生成ステップと
を有する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第２ＰＷＭサイクル生成ステップは、
前記第２ＰＷＭ信号のＰＷＭステップ範囲と、前記第３値および前記第４値の比とに基づき、デューティ値を決定するステップと；
前記デューティ値に基づき前記第２ＰＷＭサイクルを生成するステップと
からなる、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第２値の所定変化閾値に対する比を、第２比とし、
前記ＰＷＭステップ範囲と前記第２比との積を第１積とすると、
前記方法はさらに、切り捨てたまたは四捨五入した前記第１積が前記第２ＰＷＭ信号のＰＷＭステップ分解度の１つの最下位ビットよりも大きくないように、サンプリング周波数を構成するステップを有する、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
第１ＰＷＭ信号を受信するための入力と、第２ＰＷＭ信号を与えるための出力とを有するパルス幅変調周波数変換器であって、前記パルス幅変調周波数変換器は、
前記第１ＰＷＭ信号の第１ＰＷＭサイクルをサンプリングすることによって、ＰＷＭパラメタの第１セットを生成するためのサンプリングモジュールと；
所定変化閾値に基づき前記第１セットをフィルタリングすることによって、ＰＷＭパラメタの第２セットを生成するためのフィルタモジュールと；
前記第２セットに基づき前記第２ＰＷＭ信号における第２ＰＷＭサイクルを生成するためのＰＷＭ生成モジュールと
を備える、パルス幅変調周波数変換器。
【請求項６】
前記サンプリングモジュールは、前記第１ＰＷＭサイクルをサンプリングすることによって前記第１セットの第１値および第２値を決定し、前記第１値は、前記第１ＰＷＭサイクルにおける選択サンプル値を表し、前記第２値は、前記第１ＰＷＭサイクルにおけるサンプルの総数を表し、
前記フィルタモジュールは、前記所定変化閾値によって定義された変化閾値範囲に基づき前記第１値をフィルタリングすることによって、前記第２セットの第３値を生成し、前記変化閾値範囲に基づき前記第２値をフィルタリングすることによって、前記第２セットの第４値を生成する、
請求項５記載のパルス幅変調周波数変換器。
【請求項７】
前記ＰＷＭ生成モジュールは、
前記第２ＰＷＭ信号のＰＷＭステップ分解度と、前記第３値および前記第４値の比とに基づき、デューティ値を決定し、
前記デューティ値に基づき前記第２ＰＷＭサイクルを生成する、
請求項６記載のパルス幅変調周波数変換器。
【請求項８】
前記ＰＷＭ生成モジュールは、
第１期間で第１状態に前記第２ＰＷＭ信号を駆動することであって、前記第１期間は、前記デューティ値と等しい生成クロックのサイクル数を有することと；
第２期間で第２状態に前記第２ＰＷＭ信号を駆動することであって、前記第２期間は、前記ＰＷＭステップ分解度と前記デューティ値との差に等しい前記生成クロックのサイクル数を有し、前記第２期間は、前記第１期間を先立つまたはその後であることと
によって、前記デューティ値に基づき前記第２ＰＷＭサイクルを生成する、
請求項７記載のパルス幅変調周波数変換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パルス幅変調周波数変換およびその方法
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主発振回路を備える低電力スイッチモード電源であって、前記主発振回路は、直流電源に接続され、前記主発振回路は、変圧器の第１の一次コイルに接続され、前記変圧器は、少なくとも第１の二次コイルを備え、前記二次コイルは、整流器を通じて出力回路に接続され、前記出力回路は、少なくとも主に直流出力電圧を形成する第１のコンデンサを備え、前記低電力スイッチモード電源は、フィードバック回路を更に備え、前記フィードバック回路は、主スイッチング回路の制御のための実出力電圧を用いる低電力スイッチモード電源において、前記フィードバック回路は、オプトカプラを備え、前記オプトカプラのＬＥＤ入力部は、電流及び電圧制限回路を前記出力電圧に接続され、前記低電力スイッチモード電源は、分圧器の形態の第１の電流ループを備え、前記分圧器は、少なくとも一つの大型抵抗（Ｒ３，Ｒ４）を通じて前記直流電源に接続され、前記大型抵抗（Ｒ３，Ｒ４）は、第１のトランジスタ（Ｑ１）の第１の端子に接続され、前記分圧器は、第２のトランジスタ（Ｑ２）のコレクタに接続され、前記第２のトランジスタ（Ｑ２）は、接地された第１の端子を有し、前記低電力スイッチモード電源は、前記変圧器の前記一次コイルの形態の第２の電流ループを更に備え、前記一次コイルの第１の端部は、前記直流電源に接続され、前記一次コイルの第２の端部は、前記第１のトランジスタ（Ｑ１）の第２の端子に接続され、前記第２の電流ループは、抵抗（Ｒ６）を更に備え、前記抵抗（Ｒ６）は接地され、前記第１のトランジスタ（Ｑ１）のベースは、前記オプトカプラのトランジスタ出力部に更に接続されたことを特徴とする低電力スイッチモード電源。
【請求項２】
前記変圧器は、第２の一次コイルを備え、前記第２の一次コイルの第１の端部は接地され、前記第２の一次コイルの第２の端部は、前記第１の電流ループの分圧器に接続されることを特徴とする請求項１に記載の低電力スイッチモード電源。
【請求項３】
スタンバイ状態における発振器の単一のスイッチングシーケンスは、１秒に１回以下の割合で実行されることを特徴とする請求項１と請求項２の一方に記載の低電力スイッチモード電源。
【請求項４】
低電力リレーユニットが前記低電力パワースイッチ電源から動作用電力を受信し、前記低電力リレーユニットは、バイステーブルリレーを備え、前記バイステーブルリレーは、制御回路に接続したコイルを有し、前記制御回路は、第１の電流ループ及び第２の電流ループを備え、前記第１の電流ループ及び前記第２の電流ループはそれぞれ、電子ブリッジを形成する二つの電子スイッチを備え、前記リレーユニットのコイルは、前記電子ブリッジの前記電子スイッチ間に接続され、少なくとも一つの前記電子スイッチがプロセッサに接続され、前記プロセッサは、前記電子スイッチに対する起動パルスを生成し、前記プロセッサは、入力装置にも接続されることを特徴とする請求項１から３のうちのいずれか１項に記載された低電力スイッチモード電源の使用。
【請求項５】
前記低電力スイッチモード電源は、リレーユニットに給電するのに用いられ、前記リレーユニットは、バイステーブルリレーの位置を制御し、前記リレーユニットは、入力信号に基づいて前記バイステーブルリレーの位置を変更することを特徴とする請求項４に記載の低電力スイッチモード電源の使用。
【請求項６】
前記リレーユニットは、通信装置から入力信号を受信することを特徴とする請求項５に記載の低電力スイッチモード電源の使用。
【請求項７】
前記低電力スイッチモード電源及び前記リレーユニットは、電力消費装置の電源の一部である請求項４から６のうちのいずれか１項に記載の低電力スイッチモード電源の使用。
【請求項８】
低電力スイッチモード電源を操作する方法であって、主に直流入力電力が発振器によって交流出力電力に変換され、交流電力は交流電圧及び交流電流に変換され、交流出力電力が、直流出力電圧を有する直流電力に変換され、出力直流電圧が、前記発振器を制御するためのフィードバック信号として用いられる方法において、前記発振器は、第１の電流ループ及び第２の電流ループを備え、前記第１の電流ループは、前記第２の電流ループに対する起動電流を生成し、変圧器の１次コイルは、前記第２の電流ループの一部であり、前記第２の電流ループは、電流／電圧測定システムを備え、前記第２の電流ループを流れる電流を増大させ、前記第２の電流ループを流れる電流を閉じることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013502195.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2013502195.tif 000002