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【手続補正書】
【提出日】平成25年9月10日(2013.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SEQ ID NO: 32、33、22、28、6、9、10、11、12、13、14、15、18、19、20、21、23、24、25、26、27、29、30、35、または36に記載された配列の少なくとも8個の隣接した核酸塩基を含む、12個〜30個の連結したヌクレオシドからなる修飾されたオリゴヌクレオチドを含む化合物。
【請求項２】
SEQ ID NO: 32、33、22、28、6、9、10、11、12、13、14、15、18、19、20、21、23、24、25、26、27、29、30、35、または36に記載された配列の少なくとも15個または18個の隣接した核酸塩基を含む、請求項1に記載の化合物。
【請求項３】
化合物の核酸塩基配列が、SEQ ID NO: 32、33、22、28、6、9、10、11、12、13、14、15、18、19、20、21、23、24、25、26、27、29、30、35、または36に記載された配列を含む、請求項1に記載の化合物。
【請求項４】
化合物の核酸塩基配列が、SEQ ID NO: 32、33、22、28、12、または30に記載された配列を含む、請求項1に記載の化合物。
【請求項５】
修飾されたオリゴヌクレオチドが、15〜25個または18〜21個の連結したヌクレオシドからなる、請求項1または2に記載の化合物。
【請求項６】
修飾されたオリゴヌクレオチドの核酸塩基配列が、SEQ ID NO 1に対して少なくとも90％相補的、95％相補的または100％相補的である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項７】
修飾されたオリゴヌクレオチドが、一本鎖オリゴヌクレオチドである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項８】
少なくとも1つのヌクレオシド間結合が、修飾ヌクレオシド間結合であり、修飾されたオリゴヌクレオチドの少なくとも1つのヌクレオシドが、修飾糖を含み、および／または少なくとも1つのヌクレオシドが、修飾核酸塩基を含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項９】
各ヌクレオシド間結合が、ホスホロチオエートヌクレオシド間結合である、請求項8に記載の化合物。
【請求項１０】
少なくとも1つの修飾糖が、2環糖である、請求項8または9に記載の化合物。
【請求項１１】
少なくとも1つの2環糖のそれぞれが、4'-CH2-N(R)-O-2'ブリッジを含み、ここでRは、独立して、H、C1〜C12アルキル、または保護基である、請求項10に記載の化合物。
【請求項１２】
少なくとも1つの修飾糖が、2'-O-メトキシエチル基を含む、請求項8〜11のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１３】
修飾されたオリゴヌクレオチドが：
10個または8個の連結したデオキシヌクレオシドからなるギャップ部分；
5個の連結したヌクレオシドからなる5'ウィング部分；そして
5個の連結したヌクレオシドからなる3'ウィング部分；
を含み、ここでギャップ部分は、5'ウィング部分と3'ウィング部分との間に位置し、そしてそれぞれのウィング部分のそれぞれのヌクレオシドは修飾糖を含む、請求項1〜12のいずれか1項に記載の化合物。
【請求項１４】
1またはそれ以上のヌクレオシド間結合がホスホロチオエートヌクレオシド間結合である、請求項13に記載の化合物。
【請求項１５】
それぞれのヌクレオシド間結合がホスホロチオエートヌクレオシド間結合である、請求項13に記載の化合物。
【請求項１６】
1またはそれ以上のヌクレオシド間結合がホスホジエステルヌクレオシド間結合である、請求項13に記載の化合物。
【請求項１７】
1またはそれ以上のヌクレオシド間結合がホスホジエステルヌクレオシド間結合であり、そして1またはそれ以上のヌクレオシド間結合がホスホロチオエートヌクレオシド間結合である、請求項13に記載の化合物。
【請求項１８】
ISIS 444652（SEQ ID NO: 32）、ISIS 437527（SEQ ID NO: 33）、ISIS 443139（SEQ ID NO: 22）、ISIS 436689（SEQ ID NO: 28）の長さおよびモチーフを有する、請求項4に記載の化合物。
【請求項１９】
ISIS 444652（SEQ ID NO: 32）、ISIS 437527（SEQ ID NO: 33）、ISIS 443139（SEQ ID NO: 22）、およびISIS 436689（SEQ ID NO: 28）から選択される化合物。
【請求項２０】
請求項1〜19のいずれかの化合物またはその塩、および少なくとも1つの薬学的に許容可能な担体または希釈剤を含む、組成物。
【請求項２１】
ハンチントン病を有するヒトを治療するための、請求項1〜20のいずれかに記載される化合物または組成物を含む、医薬組成物。
【請求項２２】
ハンチントン病の進行を予防し、処置し、軽減しまたは遅らせるための、請求項1〜20のいずれかに記載される化合物または組成物を含む、医薬組成物。
【請求項２３】
ハンチントン病の症状を軽減するための、12〜30個の連結したヌクレオシドからなるSEQ ID NO:1に対して特異的にハイブリダイズする修飾されたオリゴヌクレオチドを含む化合物を含む、医薬組成物。
【請求項２４】
ハンチントン病に関連する症状の進行速度を減少させるための、12〜30個の連結したヌクレオシドからなるSEQ ID NO:1に対して特異的にハイブリダイズする修飾されたオリゴヌクレオチドを含む化合物を含む、医薬組成物。
【請求項２５】
ハンチントン病に関連する症状により示される分解を反転させるための、12〜30個の連結したヌクレオシドからなるSEQ ID NO:1に対して特異的にハイブリダイズする修飾されたオリゴヌクレオチドを含む化合物を含む、医薬組成物。
【請求項２６】
医薬組成物が、ヒトにおける情動不安、協調不足、意図せず開始される運動、意図せず完了されない運動、歩行不安定、舞踏病、硬直、身もだえするような運動、異常姿位、不安定性、異常な顔貌、そしゃく困難、嚥下困難、発話困難、発作、睡眠障害、計画性低下、柔軟性低下、抽象的思考低下、ルール習得低下、適切な動作の開始の低下、不適切な動作の阻害の低下、短期記憶の低下、長期記憶の低下、パラノイア、見当識障害、精神錯乱、幻覚、認知症、不安、抑鬱症、感情鈍麻、自己中心性、攻撃性、強迫行動、易刺激性、自殺念慮、脳容量の低下、筋萎縮、心不全、グルコース耐性の低下、体重減少、骨粗鬆症、および精巣萎縮の少なくとも1つを減少させる、請求項21〜25のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
医薬組成物がCNSに対して投与される、請求項21〜25のいずれか1項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
ウェーハの裏側に随意の酸化物シール１２５を形成してもよい。酸化物シール１２５は、一般的には、オートドーピングを減少しようとするものである。しかしながら、酸化物シール１２５は、多数のエピタキシャル層成長プロセス間の多数のクリーニングプロセス中に腐蝕し、「ピンホール」欠陥が生じる場合がある。酸化物シール１２５がこのように腐蝕すると、酸化物シール１２５はオートドーピングを防ぐことができない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体形成方法において、
第１導電型のシリコンウェーハにアクセスする工程と、
前記第１導電型のエピタキシャル層を前記シリコンウェーハの前面上で成長させる工程と、
前記第１導電型のキャリアをインプラントすることなく、前記エピタキシャル層をインプラントし、逆の導電型の領域を形成する工程と、
前記成長及びインプラントを繰り返し、前記逆の導電型の垂直カラムを形成する工程とを含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、更に、
前記シリコンウェーハにインプラントを行い、前記垂直カラムと垂直方向で整合した前記逆の導電型の領域を形成する工程を含む、方法。
【請求項３】
請求項１又は２のいずれかに記載の方法において、更に、
シリコン酸化物層を前記シリコンウェーハの全ての表面に付着する工程を含む、方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法において、
前記シリコン酸化物を付着する前記工程は、前記成長工程の前に行われる、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法において、更に、
前記シリコン酸化物を前記シリコンウェーハの前面から除去する工程を含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記除去工程は、前記成長工程の前に行われる、方法。
【請求項７】
請求項４に記載の方法において、更に、
ポリシリコン層を前記シリコンウェーハの裏面に前記シリコン酸化物に重ねて付着する工程を含む、方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法において、
前記ポリシリコン層を付着する前記工程は、前記成長工程前に行われる、方法。
【請求項９】
請求項１又は２のいずれかに記載の方法において、更に、
少なくとも６層の前記エピタキシャル層を成長させる工程を含む、方法。
【請求項１０】
シリコンウェーハ上にエピタキシャルシリコンを成長させる方法において、
前記シリコンウェーハの全ての表面及び縁部にシリコン酸化物層を付着する工程と、
前記シリコンウェーハの前面から前記シリコン酸化物を除去する工程と、
ポリシリコン層を前記シリコンウェーハの裏面に前記シリコン酸化物に重ねて付着する工程と、
前記シリコンウェーハの前記前側上でエピタキシャルシリコン層を成長させる工程とを含む、方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法において、
前記エピタキシャルシリコン層のオートドーピングを、前記シリコン酸化物層がないウェーハ上でのエピタキシャルシリコンの成長中のオートドーピングと比較して減少する、方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１のいずれかに記載の方法において、
前記シリコンウェーハの全ての表面及び縁部にシリコン酸化物層を付着する前記工程と、
前記シリコンウェーハの前面から前記シリコン酸化物を除去する前記工程と、
ポリシリコン層を前記シリコンウェーハの裏面に前記シリコン酸化物に重ねて付着する前記工程と、
前記エピタキシャルシリコン層上に別のエピタキシャルシリコン層を成長させる工程と、
を繰り返すことを更に含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法において、更に、
前記別のエピタキシャルシリコン層の成長前に前記エピタキシャルシリコン層の一領域をドーピングする工程を含む、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法において、
前記別のエピタキシャルシリコン層は、エピタキシャルシリコンがないことを特徴とする隙間を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１０又は１１のいずれかに記載の方法において、
前記ポリシリコン層上で成長する任意のエピタキシャルシリコンは、前記ポリシリコン層がないウェーハの裏側で成長したエピタキシャルシリコンよりも滑らかであることを特徴とする、方法。
【請求項１６】
半導体デバイスにおいて、
バルクシリコンを含むシリコン基板と、
前記基板の前側に付着した複数の積み重ねられたエピタキシャルシリコン層とを含み、
前記複数のエピタキシャルシリコン層の各々が、集合して、前記半導体デバイスに垂直ドープカラムを形成するドープ領域を含む、半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体デバイスにおいて、
少なくとも６つの積み重ねられたエピタキシャル層を含む、半導体デバイス。
【請求項１８】
請求項１６又は１７のいずれかに記載の半導体デバイスにおいて、
前記垂直ドープカラムは、表面インプランテーションにより得ることができる深さよりも大きい深さを持つことを特徴とする、半導体デバイス。
【請求項１９】
シリコンウェーハにおいて、
バルクシリコンと、
前記バルクシリコンの少なくとも一つの平らな表面及び縁部上のシリコン酸化物コーティングと、
前記バルクシリコンの前記平らな表面上の前記シリコン酸化物コーティング上に配置されたポリシリコン層とを含む、シリコンウェーハ。
【請求項２０】
方法において、
前記シリコンウェーハの全ての表面及び縁部にシリコン酸化物層を付着する工程と、
前記シリコンウェーハの前面から前記シリコン酸化物を除去する工程と、
前記シリコンウェーハの裏面に前記シリコン酸化物に重ねてポリシリコン層を付着する工程と、
前記シリコンウェーハの前記前面にバッファ層を付着する工程と、
非シリコンエピタキシー層を前記シリコンウェーハの前側の前記バッファ層上で成長させる工程とを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月27日(2013.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ光学ベンチと、
広帯域光を生成する光源と、
前記ベンチに設置された第１の波長可変ファブリペロフィルタであって、波長可変信号を生成するように、前記光源からの前記広帯域光をスペクトル的にフィルタリングする第１の波長可変ファブリペロフィルタと、
前記ベンチに設置された増幅器であって、前記波長可変信号を増幅する増幅器と、
前記ベンチに設置された第２の波長可変ファブリペロフィルタであって、前記増幅器からの前記増幅された波長可変信号をスペクトル的にフィルタリングする第２の波長可変ファブリペロフィルタとを備えた、波長掃引光源。
【請求項２】
請求項１において、さらに、
ハーメチックパッケージを備え、
前記マイクロ光学ベンチはこのハーメチックパッケージ内に設置されている、波長掃引光源。
【請求項３】
請求項２において、前記ハーメチックパッケージはバタフライパッケージである、波長掃引光源。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項において、さらに、
前記光学ベンチの温度を制御するように、前記光学ベンチの裏面に取り付けられた熱電冷却機を備えた、波長掃引光源。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項において、前記光源は、前記ベンチに設置された高輝度発光ダイオードを含む、波長掃引光源。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか一項において、前記光源は、前記ベンチに設置された半導体光増幅器を含む、波長掃引光源。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか一項において、前記第１の波長可変ファブリペロフィルタおよび前記第２の波長可変ファブリペロフィルタは、反射型で動作する、波長掃引光源。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項において、前記第１のファブリペロ波長可変フィルタの半値全幅帯域幅は２０ＧＨｚ未満である、波長掃引光源。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項において、前記第１のファブリペロ波長可変フィルタの半値全幅帯域幅は約１０ＧＨｚ以下である、波長掃引光源。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項において、前記増幅器は半導体光増幅器である、波長掃引光源。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一項において、さらに、
前記第２の波長可変ファブリペロフィルタからの前記増幅された波長可変信号を増幅する第２の増幅器を備えた、波長掃引光源。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項において、さらに、
前記第１の波長可変ファブリペロフィルタと前記増幅器との間にアイソレータを備えた、波長掃引光源。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項において、前記増幅器と前記第２の波長可変ファブリペロフィルタとの間にアイソレータを備えた、波長掃引光源。
【請求項１４】
広帯域光を生成する光源、
波長可変信号を生成するように、前記光源からの前記広帯域光をスペクトル的にフィルタリングする波長可変ファブリペロフィルタ、
前記波長可変信号を増幅する第１の増幅器、および
前記第１の増幅器からの前記波長可変信号を増幅する第２の増幅器を有する、波長掃引光源と、
前記波長掃引光源からの前記増幅された波長可変信号を試料アームおよび参照アームに伝送し、干渉信号を生成するように、前記試料アームおよび前記参照アームからの前記光信号を合成する干渉計とを備えた、光トモグラフィシステム。
【請求項１５】
走査帯域にわたってスペクトル的に波長調整された波長可変光信号を生成するように、光源からの光をスペクトル的にフィルタリングする波長可変フィルタと、
前記波長可変光信号を増幅する光増幅器であって、前記増幅された波長可変光信号は、レーザ共振器を形成することなく、前記波長可変フィルタによってフィルタリングされている、光増幅器とを備えた、掃引源。
【請求項１６】
請求項１５において、前記光源は、前記走査帯域にわたって光を生成する増幅自然放出源を備えた、掃引源。
【請求項１７】
請求項１５または１６において、前記波長可変フィルタはファブリペロ波長可変フィルタである、掃引源。
【請求項１８】
請求項１５〜１７のいずれか一項において、前記波長可変光学フィルタの通過帯域は、半値全幅で２０ギガヘルツ未満である、掃引源。
【請求項１９】
請求項１５〜１８のいずれか一項において、さらに、
波長調整コントローラであって、前記波長可変フィルタを駆動して、前記走査帯域にわたって１０キロヘルツよりも大きい速度で波長調整させる波長調整コントローラを備えた、掃引源。
【請求項２０】
請求項１５〜１９のいずれか一項において、さらに、
波長調整コントローラであって、前記波長可変フィルタを駆動して、前記走査帯域にわたって１００キロヘルツよりも大きい速度で波長調整させる波長調整コントローラを備えた、掃引源。
【請求項２１】
請求項１５〜２０のいずれか一項において、前記光増幅器は半導体光増幅器である、掃引源。
【請求項２２】
請求項１５〜２１のいずれか一項において、さらに、
前記光増幅器を２度目に通過させて前記波長可変フィルタに戻るように、前記波長可変光信号を反射する反射体を備えた、掃引源。
【請求項２３】
請求項１５〜２２のいずれか一項において、さらに、
前記光増幅器を含むループであって、前記波長可変光信号を前記波長可変フィルタに戻るように方向付けるループを備えた、掃引源。
【請求項２４】
請求項１５〜２３のいずれか一項において、さらに、
前記波長可変フィルタによってフィルタリングされている前記波長可変光信号の偏光を回転させる偏光回転システムを備えた、掃引源。
【請求項２５】
走査帯域にわたってスペクトル的に波長調整された波長可変光信号を生成するように、波長可変フィルタで光をスペクトル的にフィルタリングする工程と、
増幅された波長可変光信号を生成するように、前記波長可変光信号を増幅する工程と、
前記増幅された波長可変光信号を、前記波長可変フィルタでスペクトル的にフィルタリングする工程とを備えた、波長可変光信号の生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月24日(2013.7.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガルバニセル（２０１，２０２，３０１，３０２）のための保護装置であって、当該ガルバニセルは、バッテリーセルの極端子（２０３，２０４，５０３，５０４）と好適に接続されている接触要素（２０５，２０７，２０９，２１２，４０５，４０９，４０６，４０７，５０６，５０７，５０９，６０６，６０７，７０６，７０７，７０９，８０５，８０６，８０７，８０９）を介して、バッテリーとなるように相互接続されている、ガルバニセルのための保護装置において、
当該保護装置は、当該保護装置を作動させるための作動装置（７０８，７１０，７１１）を有しており、
前記保護装置の作動時に、前記保護装置は当該保護装置に対応するセルに対して、前記相互接続を変化させることによって橋絡を行い、このようにして当該セルをバッテリー複合体から電気的に除去し、
前記作動装置は形状記憶材料から成る構成要素を有し、当該構成要素は、当該構成要素に電流が貫流しているとともに加熱されるとき、当該構成要素の温度が所定の温度範囲の外部にあるやいなや、および／または当該構成要素の温度が所定の温度範囲の外部にある限り、当該構成要素の形状の変化によって前記相互接続の変化を生じさせることを特徴とする保護装置。
【請求項２】
請求項１に記載の保護装置であって、当該保護装置において、形状記憶材料から成る前記構成要素は、電導性の構成要素または電気的な絶縁を行う構成要素である、保護装置。
【請求項３】
請求項２に記載の保護装置であって、形状記憶材料から成る前記電導性の構成要素には、前記保護装置に対応するセルへの充電または放電が行われる電流が貫流しているか、または、前記作動装置を制御するために前記保護装置の内部または外部で作り出される信号を介して制御される電流が貫流している、保護装置。
【請求項４】
前記相互接続を変化させるために必要なエネルギーを貯蔵するとともに、前記保護装置の作動時に当該エネルギーを提供するエネルギー貯蔵装置を有している、請求項１から３のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項５】
機械的エネルギー貯蔵装置（７０８，８０８，９０８，１００８，１１０８，１２０８）を有している、請求項４に記載の保護装置。
【請求項６】
バッテリーの個々のセルに配設され得る請求項１から５のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項７】
前記保護装置の外部で作り出される信号および／または前記保護装置の内部で作り出される信号を介して作動され得る作動装置を有している、請求項１から６のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項８】
信号を介して作動され得る作動装置を有している保護装置であって、前記信号は少なくとも一つの物理値を測定する少なくとも一つのセンサによって作り出され、当該物理値は前記保護装置に対応しているガルバニセルの動作状態を示している、請求項１から７のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか一項に記載の保護装置であって、当該保護装置の作動装置は、当該作動装置を作動させるための前提が後になって消失した場合、作動停止され得、その後、前記保護装置は当該保護装置に対応するセルに対する橋絡を取り消し、それによって当該セルは再び前記バッテリー複合体に組み込まれる、保護装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の保護装置であって、当該保護装置は、隣接するセルの極端子同士の間に設けられ得るように形成されている、保護装置。
【請求項１１】
作動装置を有する請求項１から１０のいずれか一項に記載の保護装置であって、前記作動装置はヒューズワイヤ（９１１，１２１１）を有しており、当該ヒューズワイヤはエネルギー貯蔵装置として用いられる波形バネ（９０８，１２０８）を引っ張られた状態に保ち、前記作動装置は電流パルスによって作動可能であり、当該電流パルスは前記ヒューズワイヤを溶かし（１２３０）、その後、前記波型バネは緊張を緩め、その際、前記相互接続を変化させるために必要な前記エネルギーを提供する、保護装置。
【請求項１２】
気密に密閉されたハウジングを有している、請求項１から１１のいずれか一項に記載の保護装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の保護装置であって、当該保護装置において前記ハウジングは保護ガスで充填されている、保護装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の保護装置を有するガルバニセル。
【請求項１５】
請求項１４に記載の少なくとも一つのガルバニセルを有するバッテリー。
【請求項１６】
請求項１４に記載の複数のガルバニセル有するバッテリーであって、当該バッテリーにおいて、
複数の保護装置が前記バッテリーの隣接するセルの間に設けられており、
前記バッテリーのセルの直列接続を相互接続するための複数の接触要素が設けられており、
当該接触要素の第一の部分は可動式に設けられており、
当該接触要素の第二の部分は固定式に設けられており、
第一のセルの保護装置を作動させると、可動式の第一の接触要素であって、当該作動の前は隣接する第二のセルへの電気的な直列接続のために用いられる第一の接触要素は、前記保護装置の作動時に、移動されるとともに固定式の第二の接触要素に押し付けられ、それによって、前記第一のセルは架橋され、それによって前記直列接続から電気的に除去される、バッテリー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月9日(2013.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つのノードを含む第１のノードセットの第１のノードによって実行される送信の方法であって、
前記第１のセットの少なくとも一つの第２のノード向けの送信ステップであって、少なくとも一つの第２のノードセットに対する少なくとも一つの割り当てられたタイムスロット中の送出の禁止を表すクワイエット情報の少なくとも一つの項目の送信ステップを含み、クワイエット情報の前記少なくとも一つの項目はビーコンフレームの少なくとも一つのクワイエットエレメントに含まれる、前記方法。
【請求項２】
前記第１のセット及び前記少なくとも一つの第２のセットは、同一のチャネルアクセス方法を用いる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記チャネルアクセス方法は、キャリア検出によるチャネルアクセス方法である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも一つのタイムスロットの割り当てを表す情報の項目の受信ステップを含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
一時的な同期を表す情報の項目の受信ステップを含む、請求項１から４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第１のノードはアクセスポイントであり、前記少なくとも一つの第２のノードは前記アクセスポイントに関連し、前記少なくとも一つの第２のセットはアクセスポイントを含む、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第１及び第２のセットは無線ローカルネットワークタイプの同一のネットワークに属する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第１及び第２のセットは同一の電源ラインタイプのネットワークに属する、請求項１から６のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２つのノードを含む第１のノードセットの少なくとも一つの第２のノードによって実行される受信の方法であって、
少なくとも一つの第２のノードセットに割り当てられた少なくとも一つのタイムスロット中の送出の禁止を表すクワイエット情報の少なくとも一つの項目の受信ステップを含み、前記クワイエット情報は前記第１のセットの第１のノードから受信され、クワイエット情報の前記少なくとも一つの項目はビーコンフレームの少なくとも一つのクワイエットエレメントに含まれる、前記方法。
【請求項１０】
前記方法は、クワイエット情報の前記少なくとも一つの項目に応じたネットワーク割り当てベクトル（ＮＡＶ）のポジショニングステップを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月12日(2013.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
会議オーディオシステム（１）の１つの参加者ユニットに割り当てられる、調整可能な遅延時間の間、オーディオ入力信号を遅延させてオーディオ出力信号を形成する遅延ユニット（１６）において、
当該遅延ユニット（１６）には、
環状バッファ（１７）と、
前記環状バッファ（１７）の第１書き込み位置に第１入力信号のサンプル（Ｓ１）を書き込む書き込みポインタ（Ｗ）と、
前記の環状バッファ（１７）の第１読み出し位置から得られるサンプルを、第１出力信号のサンプルとして読み出す読み出しポインタ（Ｒ）とが含まれており、
前記の第１書き込み位置と、第１読み出し位置と間の距離によって第１遅延時間（ｄold）が決定され、
前記の遅延ユニットにはさらに、
書き込みの後、前記の書き込みポインタ（Ｗ）をつぎの位置に移動し、かつ読み出しの後、前記の読み出しポインタ（Ｒ）をつぎの位置に移動するバッファ制御モジュールが含まれており、
前記のバッファ制御モジュールにより、書き込みポインタ（Ｗ）が第２書き込み位置に移動されることによって前記の第２遅延時間（ｄnew）が調整され、
前記の第１読み出し位置と第２書き込み位置と間の距離によって前記の第２遅延時間（ｄnew）が決定されることを特徴とする、
会議オーディオシステムの１参加者ユニットに割り当てられる遅延ユニット（１６）。
【請求項２】
第１遅延時間を有する第１入力オーディオ信号から、第２遅延時間を有する第２入力オーディオ信号への切り換え中に、前記のバッファ制御モジュールにより、前記の遅延時間が調整される、
請求項１に記載の遅延ユニット（１６）。
【請求項３】
前記の第２書き込み位置は、つぎのルール、すなわち
第１読み出し位置＋第２遅延時間＝第２書き込み位置
にしたがって決定される、
請求項１または２に記載の遅延ユニット（１６）。
【請求項４】
前記のサンプルを読み出した後、前記のバッファ制御ユニットにより、サンプルのメモリ位置がゼロにされる、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の遅延ユニット（１６）。
【請求項５】
前記の第２遅延時間（ｄnew）が第１遅延時間（ｄold）よりも短い場合、前記のバッファ制御ユニットにより、前記の第１信号のサンプル（Ｓ１）と、第２信号のサンプル（Ｓ２）とが部分的にオーバラップされる、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の遅延ユニット（１６）。
【請求項６】
前記の第１オーディオ信号をフェードアウトし、および／または第２のオーディオ信号をフェードインする処理ユニットをさらに有する、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の遅延ユニット（１６）。
【請求項７】
環状バッファを用いて、調整可能な遅延時間の間、オーディオ入力信号を遅延してオーディオ出力信号を形成する方法において、
書き込みポインタ（Ｗ）により、前記の環状バッファ（１７）の第１書き込み位置に第１オーディオ入力信号のサンプル（Ｓ１）を書き込み、
読み出しポインタ（Ｒ）により、前記の環状バッファ（１７）の第１読み出し位置から第１オーディオ入力信号のサンプルを読み出し、
前記の第１書き込み位置と第１読み出し位置との間の距離により、第１遅延時間（ｄold）を決定し、
書き込みの後、前記の書き込みポインタ（Ｗ）をつぎの位置に移動し、
読み出しの後、前記の読み出しポインタ（Ｒ）をつぎの位置に移動し、
前記の第１遅延時間（ｄold）を有する第１オーディオ入力信号から、第２遅延時間（ｄnew）を有する第２オーディオ入力信号への切り換え中、前記の書き込みポインタを第２書き込み位置にセットし、前記の第１読み出し位置と第２書き込み位置との間の距離によって前記の第２遅延時間を決定することを特徴とする、
オーディオ入力信号を遅延してオーディオ出力信号を形成する方法。
【請求項８】
前記の第１遅延時間を有する第１オーディオ入力信号から、第２遅延時間を有する第２オーディオ入力信号への切り換え中に、前記の遅延時間を調整する、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記の第２書き込み位置は、つぎのルール、すなわち
第１読み出し位置＋第２遅延時間＝第２書き込み位置
にしたがって決定される、
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記のサンプルを読み出した後、サンプルのメモリ位置がゼロにされる、
請求項７から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記の第２遅延時間（ｄnew）が第１遅延時間（ｄold）よりも短い場合、前記のバッファ制御モジュールにより、前記の第１信号のサンプル（Ｓ１）と、第２信号のサンプル（Ｓ２）とが部分的にオーバラップされる、
請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
オーディオ入力信号を遅延させてオーディオ出力信号を形成する遅延ユニット上に設置された、環状バッファ（１７）を有するコンピュータのためのコンピュータプログラムであって、
前記コンピュータプログラムは、前記コンピュータに下記ステップを実行させる、
書き込みポインタ（Ｗ）により、前記の環状バッファ（１７）の第１書き込み位置に第１オーディオ入力信号のサンプル（Ｓ１）を書き込むステップと、
読み出しポインタ（Ｒ）により、前記環状バッファ（１７）の第１読み出し位置から得られるサンプルを第１出力信号のサンプルとして読み出すステップと、
前記の第１書き込み位置と第１読み出し位置との間の距離により、第１遅延時間（ｄold）を決定するステップと、
書き込みの後、前記の書き込みポインタ（Ｗ）をつぎの位置に移動するステップと、
読み出しの後、前記の読み出しポインタ（Ｒ）をつぎの位置に移動するステップと、
前記の第１遅延時間（ｄold）を有する第１オーディオ入力信号から、第２遅延時間（ｄnew）を有する第２オーディオ入力信号への切り換え中に、前記の書き込みポインタを第２読み出し位置をセットし、前記の第１読み出し位置と第２書き込み位置との間の距離によって前記の第２遅延時間を決定するステップとを実行させることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１３】
会議オーディオシステム（１）において、
参加者スピーカ（５）および／または参加者マイクロフォン（４）をそれぞれ有する複数の参加者ユニット（２）と、
前記の参加者マイクロフォン（４）のうちの少なくとも１つの参加者マイクロフォンまたは別の音源からの少なくとも１つのオーディオ信号を、複数の参加者スピーカ（５）に分配する制御手段（１５）と、
共通の１つの音響的雰囲気を形成する複数の参加者スピーカ（５）と、
前記のオーディオ信号に遅延時間を加えるように動作する遅延手段（１６）とを有しており、
前記の遅延手段には、請求項１から６までのいずれか１項に記載の遅延ユニットが含まれていることを特徴とする会議オーディオシステム（１）。
【請求項１４】
前記の遅延時間は、前記のオーディオ信号をそれぞれ形成する参加者マイクロフォン（４）または音源の位置と、前記の個別の参加者スピーカ（５）の位置との距離に依存する、
請求項１３に記載の会議オーディオシステム（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共押出多層シートを含むバックシートであって、前記共押出多層シートが、
ｉ）ポリオレフィン樹脂を含む内層；
ii）ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂と無水マレイン酸グラフト化ポリプロピレン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ）のブレンド、又はポリプロピレン樹脂／ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ多層構造体、を含むコア層；
iii）無水マレイン酸グラフト化ポリフッ化ビニリデン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）とＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦのブレンド、又はＰＶＤＦ／ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ多層構造体、を含む外層；
iv）前記コア層と前記外層の間に存在する第１のタイ層；及び
ｖ）前記コア層と前記内層の間に存在する任意選択的に用いられる第２のタイ層；
を含むバックシート。
【請求項２】
前記内層が、約１ミル（２５．４μｍ）〜約５ミル（１２７μｍ）の厚さを有し、前記コア層が約１ミル（２５．４μｍ）〜約１５ミル（３８１μｍ）の厚さを有し、前記第１のタイ層及び／又は任意選択的に使用される第２のタイ層がそれぞれ約０．０５ミル（１．２７μｍ）〜２ミル（５０．８μｍ）の厚さを有し、前記第１のタイ層と、前記第２のタイ層が存在する場合に、第２のタイ層は、エチレン−メタクリレート樹脂（ＥＭＡ）、エチレン−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＧＭＡ）又はエチレン−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＭＡ−ＧＭＡ）のうちの少なくとも１つを含むエチレンコポリマーであるか、あるいは官能基、例えばグリシジルメタクリレート及びアミンなどを有するポリオレフィンである、請求項１に記載のバックシート。
【請求項３】
光起電力セルと、共押出多層シートを含むバックシートとを含むリジッドな光起電力セルパネルであって、前記共押出多層シートが、
ｉ）ポリオレフィン樹脂を含む内層；
ii）ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂と無水マレイン酸グラフト化ポリプロピレン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ）のブレンド、又はポリプロピレン樹脂／ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ多層構造体、を含むコア層；
iii）無水マレイン酸グラフト化ポリフッ化ビニリデン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）とＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦのブレンド、又はＰＶＤＦ／ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ多層構造体、を含む外層；
iv）前記コア層と前記外層の間に存在する第１のタイ層；及び
ｖ）前記コア層と前記内層の間に存在する任意選択的に用いられる第２のタイ層；
を含む、リジッドな光起電力セルパネル。
【請求項４】
共押出多層シートを含むバックシートであって、前記共押出多層シートが、
（１）ＰＶＤＦとＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦのブレンド、（２）ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ、又は（３）ＰＶＤＦの層とＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦの層を含む二層構造体、を含む第１の層；
（１）ポリプロピレン樹脂、（２）ポリプロピレン樹脂と無水マレイン酸グラフト化ポリプロピレン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ）のブレンド、又は（３）ポリプロピレン樹脂の層とＭＡＨ−ｇ−ＰＰの層を含む二層構造体、を含む第２の層；
前記第１の層と第２の層の間に挟持され、かつ、前記第１の層及び第２の層と接触している第１のタイ層であって、エチレン−メタクリレート樹脂（ＥＭＡ）、エチレン−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＧＭＡ）もしくはエチレン−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＭＡ−ＧＭＡ）のうちの少なくとも１つ、又は官能基、例えばグリシジルメタクリレート及びアミンなどを有するポリオレフィンを含む第１のタイ層；
を含み、（１）第１の層が二層構造体を含む場合には、ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦの層は第１のタイ層と接触しており、（２）第２の層が二層構造体を含む場合には、ＭＡＨ−ｇ−ＰＰの層は第１のタイ層と接触しており、
前記共押出多層シートは、任意選択的に、さらに、
（ａ）ポリオレフィン樹脂を含む第３の層と、前記第３の層と第２の層の間に挟持され、かつ、前記第３の層及び第２の層と接触している第２のタイ層であって、エチレン−メタクリレート樹脂（ＥＭＡ）、エチレン−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＧＭＡ）もしくはエチレン−メチルアクリレート−グリシジルメタクリレート樹脂（Ｅ−ＭＡ−ＧＭＡ）のうちの少なくとも１つを含むエチレンコポリマーであるか、又は官能基、例えばグリシジルメタクリレート及びアミンなどを有するポリオレフィンである第２のタイ層、あるいは
（ｂ）第２の層に隣接しているか又は第３のタイ層により第２の層に取り付けられた封止材フィルムであって、シラン官能化樹脂を含む封止剤フィルムを含む、バックシート。
【請求項５】
ｉ）ポリオレフィン樹脂を含む内層；
ii）ポリプロピレン樹脂、ポリプロピレン樹脂と無水マレイン酸グラフト化ポリプロピレン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ）のブレンド、又はポリプロピレン樹脂／ＭＡＨ−ｇ−ＰＰ多層構造体、を含むコア層；
iii）無水マレイン酸グラフト化ポリフッ化ビニリデン（ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ）、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）とＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦのブレンド、又はＰＶＤＦ／ＭＡＨ−ｇ−ＰＶＤＦ多層構造体、を含む外層；
iv）前記コア層と前記外層の間に存在する第１のタイ層；及び
ｖ）前記コア層と前記内層の間に存在する任意選択的に用いられる第２のタイ層；
を有する多層フィルムを共押出することを含む、バッキングシートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月4日(2013.9.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】本発明のマーカーの質量およびキャピラリー電気泳動の移動時間（ＣＥ−Ｔ）、ならびに該マーカーのいくつかについての配列を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
１．サンプル調製
診断用のポリペプチドマーカーを検出するために、尿を使用した。健康なドナー（対照群）および血管疾患に罹患している患者から尿を採取した。その後のＣＥ−ＭＳ測定のために、限外ろ過によって、患者の尿に高濃度で含まれるタンパク質（アルブミンおよび免疫グロブリンなど）を分離する必要があった。そこで、７００μＬの尿を採取し、７００μｌのろ過バッファー（２Ｍ尿素、１０ｍＭアンモニア、０．０２％ＳＤＳ）と混合した。この体積１．４ｍＬのサンプルを限外ろ過した（２０ｋＤａ、ザルトリウス社、ドイツ、ゲッティンゲン）。１．１ｍＬの限外ろ液が得られるまで、遠心機を用いて３０００ｒｐｍで限外ろ過を行った。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表皮中のヒスタミンの非侵襲的な測定により抗真菌シャンプーの利益を実証する方法であって、該方法が、
ａ）該抗真菌シャンプーの利用後に、哺乳類の上皮に接着物品を貼付する工程と、
ｂ）上皮細胞の該接着物品への付着を可能にする工程と、
ｃ）該接着物品を該哺乳類の上皮から取り外す工程と、
ｄ）抽出のために標準的な実験室法を用いて該接着物品を準備する工程と、
ｅ）該接着物品に付着した上皮細胞からヒスタミンを抽出する工程と、
ｆ）該接着物品に付着した上皮細胞からのヒスタミンを測定する工程と、
ｇ）該抗真菌シャンプーの利用前の哺乳類の上皮細胞におけるヒスタミンの基準時サンプルと比較して該上皮細胞中のヒスタミンの量を定量化する工程と、
を含み、ここで、該ヒスタミンを該接着部品上のタンパク質の量で除することによって、該ヒスタミンを標準化する、方法。
【請求項２】
前記上皮が角質層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ヒスタミンの基準値と比較したときに、標準化されたヒスタミン値が４６％減少する、  請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ヒスタミン値が２５％〜１００％減少する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
抗真菌シャンプーの利用前のヒスタミンの基準値と比較したときに、利用後の標準化されたヒスタミンが４６％減少する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
フケ防止シャンプーの利用前のヒスタミンの基準値と比較したときに、利用後の標準化されたヒスタミンが４６％減少する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ジンクピリチオンシャンプーの利用前のヒスタミンの基準値と比較したときに、利用後の標準化されたヒスタミンが４６％減少する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
正常集団と比較したときに、痒みの点で７９％改善する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
正常な肌の状態に７９％回帰する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記哺乳類がヒトである、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
哺乳類における痒みの認知を客観的に測定する非侵襲的な方法であって、該方法が、
ａ）哺乳類の上皮に接着物品を貼付する工程と、
ｂ）上皮細胞の該接着物品への付着を可能にする工程と、
ｃ）該接着物品を該哺乳類の上皮から取り外す工程と、
ｄ）抽出を行うために標準的な実験室法を用いて該接着物品を準備する工程と、
ｅ）該接着物品に付着した上皮細胞からヒスタミンを抽出する工程と、
ｆ）該接着物品に付着した上皮細胞からのヒスタミンを測定する工程と、
ｇ）基準サンプルと比較して該上皮細胞中のヒスタミンの量を定量化する工程と、
を含み、ここで、該ヒスタミンを該接着部品上のタンパク質の量で除することによって、該ヒスタミンを標準化する、方法。
【請求項１２】
痒みの認知の減少に直接的に正比例する、基準値からのヒスタミンの減少が存在する、請求項１１による方法。
【請求項１３】
前記ヒスタミンを前記接着物品上のタンパク質の量で除することによって前記ヒスタミンを標準化する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記接着物品が、疾病、疾患、又は炎症反応に悩む被験者の上皮に貼付される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記接着部品が、皮膚炎に悩む被験者の上皮に貼付される、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記接着部品が、フケに悩む被験者の上皮に貼付される、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の実施形態は、表皮中のヒスタミンの非侵襲的な測定により抗真菌シャンプーの利益を実証する方法であって、該抗真菌シャンプーの利用後に哺乳類の上皮に接着物品を貼付する工程と、上皮細胞の接着物品への付着を可能にする工程と、接着物品を哺乳類の上皮から取り外す工程と、抽出のために標準的な実験室法を用いて接着物品を準備する工程と、該接着物品に付着した上皮細胞からヒスタミンを抽出する工程と、該接着物品に付着した上皮細胞からのヒスタミンを測定する工程と、該抗真菌シャンプーの利用前の哺乳類の上皮細胞におけるヒスタミンの基準時サンプルと比較して上皮細胞中のヒスタミンの量を定量化する工程と、を含み、ここで、該ヒスタミンを該接着部品上のタンパク質の量で除することによって、該ヒスタミンを標準化する、方法を目的とする。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
本発明の更なる実施形態は、哺乳類における痒みの認知を客観的に測定する非侵襲的な方法であって、該方法が、哺乳類の上皮に接着物品を貼付する工程と、上皮細胞の接着物品への付着を可能にする工程と、接着物品を哺乳類の上皮から取り外す工程と、抽出のために標準的な実験室法を用いて接着物品を準備する工程と、該接着物品に付着した上皮細胞からヒスタミンを抽出する工程と、該接着物品に付着した上皮細胞からのヒスタミンを測定する工程と、基準時サンプルと比較して上皮細胞中のヒスタミンの量を定量化する工程とを含み、ここで、該ヒスタミンを該接着部品上のタンパク質の量で除することによって、該ヒスタミンを標準化する、方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月12日(2013.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体がパーキンソン病（ＰＤ）に罹患しているか否かを特定し、且つＰＤとＰＤではない他の神経学的疾患とを鑑別することを補助する方法であって、当該方法は、個体から採取された脳脊髄液（ＣＳＦ）サンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマー量を測定することを含み、得られた測定結果に基づいて個体がＰＤに罹患しているか否かが決定される、前記方法。
【請求項２】
個体がＰＤに罹患しているか否かを決定すること及びＰＤとＰＤではない他の神経学的疾患とを鑑別することが、サンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマー量が、非ＰＤ個体から採取されたサンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマーの量と比べて増加しているか否かを決定することに基づいて為される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
サンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマー量が、非ＰＤ個体から採取されたサンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマーの量と比べて少なくとも２倍増加している場合に、個体がＰＤに罹患していると決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
該ＣＳＦサンプル中の総α−シヌクレイン量を測定すること、及び
【数１】
2013504766.tif 000001
比を計算することを更に含み、該比に基づいて個体がＰＤに罹患しているか否かが決定される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
個体がパーキンソン病（ＰＤ）に罹患しているか否かを特定することを補助する方法であって、当該方法は、個体から採取された脳脊髄液（ＣＳＦ）サンプル中の可溶性α−シヌクレインオリゴマー量及び総α−シヌクレイオン量を測定すること、及び、
【数２】
2013504766.tif 000002
比を計算することを含み、該比に基づいて個体がＰＤに罹患しているか否かが決定される、前記方法。
【請求項６】
個体がＰＤに罹患しているか否かを決定することが、当該比が、非ＰＤ個体から採取されたサンプル中の比と比べて増加しているか否かを決定することに基づいて為される、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項７】
当該比が、非ＰＤ個体から採取されたサンプル中の比と比べて少なくとも３倍増加している場合に、個体がＰＤに罹患していると決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
当該比が、パーセンテージで表現された場合、少なくとも６％である場合に、個体がＰＤに罹患していると決定される、請求項４又は５に記載の方法。
【請求項９】
個体が、ＰＤ又はＰＤではない他の神経学的疾患を発症するリスクがあると疑われている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
個体がＰＤか、又はＰＤではない他の神経学的疾患の家族歴を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
個体が（ａ）ＰＤの診断に関連するいずれの臨床症状も有しないか、又は該症状を有すると診断されていない、或いは（ｂ）ＰＤのいずれか１つの非運動症状を有するか、又は該症状を有すると診断されている、或いは（ｃ）ＰＤではない他の神経学的疾患に関連する１以上の症状を有するか、又は該症状を有すると診断されている、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
個体がホーエン−ヤールのグレード２又はそれ未満に分類される者である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法に使用するための試験キットであって、可溶性α−シヌクレインオリゴマーに特異的な抗体、及び全ての形態のα−シヌクレインに結合する抗体を含む、前記試験キット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水塊中に配置される波動ポンプ装置であって、
水底に固定され、ボアを形成している潜水可能シリンダと、
前記潜水可能シリンダに対して作用し、前記潜水可能シリンダを水中において直立姿勢に付勢する水中フロートと、
使用時において、波動及び潮動に応じて、前記水塊中を上下に移動するべく前記水塊の表面又はその十分近傍に配設される表面フロートと、
前記表面フロートから垂下するとともに、当該長手部材は前記潜水可能シリンダの前記ボア内に伸縮自在に延出して前記潜水可能シリンダ内にポンピングチャンバを形成する長手部材と、を備え、
前記ポンピングチャンバの容積がポンピングサイクルにおいて波動と共に変化して、前記長手部材の上昇ストローク時に前記ポンピングチャンバ内に流体を取り込み、前記長手部材の下降ストローク時に前記ポンピングチャンバから流体を吐出し、
前記水塊の底に対して前記潜水可能シリンダを移動させる必要無く、有効ポンピングサイクルが潮汐範囲に渡って連続しながら、前記長手部材を前記潜水可能シリンダに対して伸長又は退避させることによって、変化する潮の深さに適合するべく潮汐移動と共に前記ポンピングチャンバの長さが変化し、
前記長手部材が前記潜水可能シリンダの前記ボア内に退避する程度に、前記長手部材は前記ボアの断面積を大きな部分を占める波動ポンプ装置。
【請求項２】
前記長手部材の下降ストロークが主たる又は唯一の作用ストロークとなるように構成されている請求項１に記載の波動ポンプ装置。
【請求項３】
更に、前記潜水可能シリンダの下端部領域に設けられた入口を有し、この入口は前記ポンピングチャンバと連通するとともに、前記長手部材の上昇ストローク時に前記ポンピングチャンバへと流体を取り入れるように構成されている請求項１又は２に記載の波動ポンプ装置。
【請求項４】
前記長手部材は内部空洞を有し、前記内部空洞はバラストを収納している請求項１〜３の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項５】
前記ボア内において前記潜水可能シリンダと前記長手部材との間にクリアランス領域が形成されており、前記クリアランス領域の幅は、前記長手部材の直径の２％未満である請求項１〜４の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項６】
前記長手部材は、前記ボア内にスライド取り付けされている請求項５に記載の波動ポンプ装置。
【請求項７】
前記クリアランス領域内にベアリングが設けられている請求項６に記載の波動ポンプ装置。
【請求項８】
使用時において、植物又は藻が前記クリアランス領域に堆積して前記長手部材の前記潜水可能シリンダ内での移動を潤滑するように構成されている請求項５〜７の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項９】
前記長手部材の前記潜水可能シリンダ内での移動中に過剰な厚みの植物を除去するために前記クリアランス領域の入口にスクレーパが設けられている請求項８に記載の波動ポンプ装置。
【請求項１０】
前記装置は、使用時において、前記クリアランス領域の水膜が前記長手部材の前記潜水可能シリンダ内での移動を潤滑するように構成されている請求項５〜９の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項１１】
前記潜水可能シリンダを前記水塊の底に固定するために繋ぎ具を取り付けることが可能な単一の繋ぎポイントを有している請求項１〜１０の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項１２】
前記長手部材は、前記ボアの直径の少なくとも９０％である直径を有する請求項１〜１１の何れか一項に記載の波動ポンプ装置。
【請求項１３】
波動ポンプ装置を使用する流体のポンピング方法であって、
前記ポンプ装置が、浮力によって直立姿勢に向けて付勢される潜水可能シリンダと、当該潜水可能シリンダに対して伸縮する長手部材と、前記潜水可能シリンダの上方に配設されるとともに前記長手部材に接続されるフロートとを有し、前記フロートと前記長手部材とが水塊における波動と潮動とによって前記潜水可能シリンダに対して往復移動するように構成されたものにおいて、
前記方法は、
波動ポンピングサイクル中に流体をポンピングし、これによって水塊の波動によって前記フロートと前記長手部材とが或る周波数で、かつ前記水塊の波の周波数と振幅とによって駆動される程度に前記潜水可能シリンダに対して往復移動される工程と、
潮汐期間全体を通して流体をポンピングするべく前記波動ポンピングサイクルを維持しながら、前記潜水可能シリンダに対して前記長手部材を伸縮自在に延出、退避させることによって、潮汐期間中に前記水塊の潮振動に対して調節する工程と、を有する流体のポンピング方法。
【請求項１４】
更に、潮汐周期中に前記水塊中において前記潜水可能シリンダの高さを実質的に維持する工程を有する請求項１３に記載の流体のポンピング方法。
【請求項１５】
更に、前記ポンプ装置を、満潮と干潮との間の水の平均深さの変化が最大で１２ｍである水塊中において作動させる工程と、
高潮時における水塊の波に対応するべく前記長手部材が前記潜水可能シリンダから更に延出することを許容しながら、高潮に対して適合するべく前記長手部材を前記潜水可能シリンダから最大１２ｍまで延出させる工程と
を有する請求項１４に記載の流体のポンピング方法。