Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月22日(2009.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
温度データＴ１が、所定の第１の温度Ｔａ以下のときは、定常制御２２によって、電力変換部５２を所定の定常の電力供給５２Ａを行う制御状態とし、定常制御２３によって、流量制御弁１Ａを所定の定常の原燃料１を供給する制御状態とするように制御する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の第１従来技術の構成に付加して、燃料電池本体５０の発電動作に伴って排出される水分を高純度化して高純度水をガス改質部１１・酸化剤供給部１３などに与えるための水処理機能を設けた構成（以下、第２従来技術という）が周知である。
【特許文献１】特許第３６４６４０７号公報  この特許文献１は、上記の第１従来技術の構成を開示している。
【特許文献２】特開２００５−１２９３３４号公報  この特許文献２は、上記の第２従来技術の構成を開示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記の第１従来技術・第２従来技術の構成では、ガス改質部１１が過熱された場合の事故防止策を講じているものであるが、これとは逆に、発電出力５１の変動時に各部の温度が不適切な状態になりガス改質部１１の温度が低下し、または、加熱部１１Ｂの燃焼不良・燃焼中断などによってガス改質部１１の温度が低下すると、発電動作に関係する各部に異常が生じて、装置全体が動作不良状態になる可能性があるため、装置の運転停止制御を行っている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明では、ガス改質部１１の加熱部１１Ｂ内の燃焼不良・燃料供給不足などによって、一時的に、加熱不足になるときもあることに着目したものであり、発電出力を漸増状態に制御しておき、ガス改質部１１の温度が定常の運転時の温度よりも低い第１の所定温度値以下になったときは、先制的に、発電出力の漸増を停止して現状維持させ、その後に、ガス改質部１１の温度が定常の運転時の温度よりも低いが第１の所定温度値よりも高い第２の所定温度値以上になったときは、漸増状態に復旧させている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
そして、制御部３０は、図４のように、マイクロコンピュータによる処理制御器、例えば、ＣＰＵボード（ＣＰＵ／Ｂ）を主体にして構成した制御部であって、各検出部分から得られる各検出信号のデータと、入力操作部分３６、例えば、キーボードから入力した操作データ・設定データなどを入出力ポート３１から取り込んで、作業用メモリ３３に一時的に記憶し、作業メモリ用３３に記憶した各データと、処理用メモリ３２に予め記憶した制御処理フローによるプログラムと、データ用メモリ３４に予め記憶した所定温度値・所定時間値などの基準値データなどと、時計回路３５で計時した経過時間などの時間値データなどとにもとづいて、所要の演算処理などを行って得られる各制御信号を入出力ポート３１から各制御部分に出力するとともに、作業用メモリ３３などに記憶している記憶データの内容から所要のものを表示部分３７、例えば、液晶画面による表示部に与えて表示するように構成したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月12日(2009.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項５記載のプラズマ発生装置を備え、
前記生成された前記プラズマによって被処理物のプラズマ処理を実施可能としたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルを照明する照明光学系と、前記レチクルのパターンを被処理体に投影する投影光学系とを備える露光装置であって、
偏光状態を計測する偏光計測手段と、
前記レチクルを照明するための有効光源分布内の複数の領域の偏光状態を各々調整可能な偏光調整手段と、
前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記偏光調整手段を介して前記複数の領域の各偏光状態を独立して制御する制御部とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記偏光調整手段は、少なくとも２つの波長板を有することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記少なくとも２つの波長板は、光軸に垂直な面内に配置されることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記少なくとも２つの波長板は、光軸方向に重ねて配置されることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項５】
前記偏光調整手段は、前記照明光学系の瞳位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項６】
前記偏光調整手段は、前記投影光学系の瞳位置に配置されることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記偏光計測手段の計測結果に基づいて、前記少なくとも２つの波長板の各々を独立して回転制御することを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項８】
前記偏光計測手段は、前記照明光学系の一部の光学素子又は前記照明光学系の全ての光学素子を経た光の偏光状態を計測することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項９】
前記偏光計測手段は、前記投影光学系を経た光の偏光状態を計測することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
図３は、偏光調整手段１００の構成を示す概略平面図である。偏光調整手段１００は、照明光学系１４の瞳位置に配置された９つの分割波長板（位相差板）１０２ａ及び１０２ｂで構成される。保持フレーム１０４は、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂを保持する。偏光調整手段１００は、例えば、図３に示す構成を光軸方向に２つ重ねて配置し、一方がλ／２波長板の機能を有し、他方がλ／４波長板の機能を有するように構成する。なお、９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂは、後述するように、それぞれ、微小角度（±３度乃至±１０度程度）回転できるように（調整可能に）構成されている。また、偏光調整手段１００は、保持フレーム１０４（即ち、９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの全体）を回転させる機構も有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ここで、偏光調整手段１００、具体的には、分割波長板１０２ａ及び１０２ｂについて詳細に説明する。図５及び図６は、偏光照明として一般的に用いられるタンジェンシャル偏光及びラジアル偏光の電界ベクトル分布を示す図である。図５及び図６は、照明光学系１４の瞳面内での分布を示し、それぞれの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂの内部の偏光の電界ベクトルを示している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図１に示す偏光計測手段５０は、偏光状態を計測する際、この２度傾斜した偏光を計測し、所望の偏光状態であるタンジェンシャル偏光からずれていることを制御部６０に通信する。制御部６０は、偏光調整手段１００の制御指令を生成し、偏光調整手段１００（分割波長板１０２ａ及び１０２ｂ）の駆動を制御する。具体的には、制御部６０は、入射偏光と進相軸との成す角θが４４度となるように、矢印Ａで示す偏光が入射する分割波長板１０２ａの角度を１度駆動（補正）する。これにより、射出する偏光は、α＋２θ＝９０度となり、所望の垂直偏光となる。また、必要に応じて、偏光調整手段１００を制御（調整）した後で偏光計測手段５０によって偏光を再度計測し、所望の偏光となっていることを確認してもよい。なお、制御部６０は、所望の偏光状態からずれた偏光が透過する分割波長板１０２ａのアクチュエーター１２４をバネ機構１２６に対して押したり又は引いたりしたりすることで、分割波長板１０２ａの角度を制御する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
偏光調整手段１００による偏光状態の微調整の別の例について説明する。本実施形態では、偏光調整手段１００は、光軸方向に２つ重ねて配置されている。光源部１２からの光が最初に入射する偏光調整手段１００は、λ／４波長板の分割波長板で構成され、以下、第１の偏光調整手段と称する。光源部１２からの光が第１の偏光調整手段の次に入射する偏光調整手段１００は、λ／２波長板の分割波長板で構成され、以下、第２の偏光調整手段と称する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
制御部６０は、図３に示す偏光調整手段１００が有する９つの分割波長板１０２ａ及び１０２ｂ（の有効領域）のそれぞれに対して、所望の偏光状態からのずれが平均的にどれだけずれているかを算出し、楕円補正量及び回転補正量を求める。制御部６０は、求めた楕円補正量及び回転補正量を補正駆動量として、偏光調整手段１００（の分割波長板の駆動）を制御する。楕円補正量に対しては、２つ重ねて配置されている偏光調整手段１００のうちλ／４波長板を駆動して補正（調整）し、回転補正量に対しては、λ／２波長板を駆動（回転制御）して補正（調整）する。偏光状態を補正（調整）した場合、必要に応じて、偏光計測手段５０で偏光状態を再度計測し、かかる計測結果に基づいて、偏光状態の補正（調整）を繰り返してもよい。このように、照明光学系１４に存在する様々な偏光誤差に対して補正を行うことで、レチクル２０を照明する光束の偏光状態を所望の偏光状態にすることができる。偏光制御が終了すると、露光装置１は、レチクルステージ２５を介してレチクル２０を搬送し、被処理体４０を所望の偏光状態で露光する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを積層し、絶縁性樹脂材料で該半導体チップを固定するマルチチップ素子の製造方法において、前記絶縁性樹脂材料として、主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂を用いることを特徴とするマルチチップ素子の製造方法。
【請求項２】
前記主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂のフッ素含有量が、１０〜７０質量％である、請求項１に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項３】
前記含フッ素樹脂が、主鎖に含フッ素芳香族環構造を有する請求項１または２に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項４】
前記含フッ素樹脂が、芳香環にフッ素原子が直接結合している含フッ素芳香環含有化合物と、フェノール性水酸基を２個以上有する化合物とを、脱ＨＦ縮合反応により縮合反応させて得られる樹脂である、請求項３に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項５】
前記含フッ素芳香環含有化合物としてペルフルオロ芳香環を有する１種または２種以上の化合物を用いることを特徴とする、請求項３または４に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項６】
前記含フッ素芳香族環構造を有する含フッ素樹脂の濃度が１〜８０質量％である溶液組成物を用いてコーティングする工程を有することを特徴とする、請求項３〜５のいずれかに記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項７】
前記含フッ素樹脂が、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する請求項１または２に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項８】
前記含フッ素樹脂が、環状の分子構造を有するモノマーを重合反応させて得られる樹脂、または少なくとも２つの重合性二重結合を有するモノマーを環化重合反応させて得られる樹脂である、請求項７に記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項９】
複数の半導体チップが積層され、該半導体チップが絶縁性樹脂材料により固定されているマルチチップ素子において、前記絶縁性樹脂材料が主鎖に含フッ素環構造を有する含フッ素樹脂であることを特徴とするマルチチップ素子。
【請求項１０】
前記含フッ素樹脂が、主鎖に含フッ素芳香族環構造を有する請求項９に記載のマルチチップ素子。
【請求項１１】
前記含フッ素樹脂が、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する請求項９に記載のマルチチップ素子。
【請求項１２】
半導体チップ表面に接続電極を形成する工程と、半導体チップを積層して接続する工程と、隙間に絶縁性樹脂材料を、毛細管現象を利用して流し込む工程とを有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項１３】
半導体チップ表面に接続電極と絶縁性樹脂材料膜とを作製する工程と、半導体チップを積層すると同時に接続電極を接続する工程とを有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のマルチチップ素子の製造方法。
【請求項１４】
接続電極が形成してある半導体チップ表面に、絶縁性樹脂材料膜を形成する工程と、半導体チップを積層する工程と、ビアを形成することによって接続電極を接続する工程とを有することを特徴とする、請求項１〜８のいずれかに記載のマルチチップ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月6日(2009.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性体粉末と、
ポリテトラフルオロエチレン粉末と、
から構成されることを特徴とする複合磁性シート。
【請求項２】
前記磁性体粉末は、鉄系合金の磁性体粉末であることを特徴とする請求項１に記載の複合磁性シート。
【請求項３】
前記磁性体粉末は、球状粉末であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合磁性シート。
【請求項４】
前記磁性体粉末は、扁平粉末であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合磁性シート。
【請求項５】
前記磁性体粉末の含有率は、複合磁性シートに対して８５重量％以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の複合磁性シート。
【請求項６】
前記複合磁性シートの密度が３．５ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の複合磁性シート。
【請求項７】
磁性体粉末とポリテトラフルオロエチレン粉末とを混合する粉末混合工程と、
上記粉末混合工程後の混合粉末を加圧して成形する加圧成形工程と、
を含むことを特徴とする複合磁性シートの製造方法。
【請求項８】
磁性体粉末とポリテトラフルオロエチレン粉末とを混合する粉末混合工程と、
上記粉末混合工程後の混合粉末を加圧して成形する加圧成形工程と、
上記加圧成形工程後の複合磁性シートを再度加圧する再加圧成形工程と、
を含むことを特徴とする複合磁性シートの製造方法。
【請求項９】
前記加圧成形工程は、圧延ロール成形であることを特徴とする請求項７または８に記載の複合磁性シートの製造方法。
【請求項１０】
前記圧延ロール成形において、一方の圧延ロールの回転速度と他方の圧延ロールの回転速度とが異なることを特徴とする請求項９に記載の複合磁性シートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来から使用されている電解液の選択幅を維持するためには、バインダーを使用することなく、黒鉛表面に導電材を付着させる必要がある。そのための方法としては、メカニカルアロイイング法が考えられる（例えば、特許文献３、４参照）。しかし、この方法は、黒鉛粒子と導電材とを混合後、機械的攪拌を行うものであり、導電材が不特定方向から黒鉛に衝突するため、導電材が黒鉛粒子表面に付着する前に黒鉛粒子が崩壊する問題がある。黒鉛よりも高い硬度の導電材が使用されている場合には、黒鉛粒子の崩壊が顕著に生じる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ところで、上述の技術は、表面に導電材が付着した黒鉛に関するものであるが、導電材以外の他部材が付着した黒鉛が、リチウムイオン二次電池用負極材料として要求されるときもある（例えば、特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００５−１９３９９号公報
【特許文献２】特開２００４−１２７７２３号公報
【特許文献３】特開２００５−１５９１０号公報
【特許文献４】特開２００４−５５５０５号公報
【特許文献５】特開２００４−２５０２７５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月9日(2009.1.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2007220376.tif 000001
（式（Ｉ）中、Ｒ１ａ、Ｒ２ｂは、それぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、ｍは１〜１００のいずれかの整数を表し、ｍが２以上のとき、Ｒ１ａ同士、Ｒ２ｂ同士は、同一又は相異なっていてもよい。）で表される構成単位（Ｉ）を有する重合体を含有することを特徴とする電極保護膜。
【請求項２】
式（Ｉ）
【化２】
2007220376.tif 000002
（式（Ｉ）中、Ｒ１ａ、Ｒ２ｂは、それぞれ独立して水素原子又はメチル基を表し、ｍは１〜１００のいずれかの整数を表し、ｍが２以上のとき、Ｒ１ａ同士、Ｒ２ｂ同士は、同一又は相異なっていてもよい。）で表される構成単位（Ｉ）を有する重合体を含むアーム部と、分岐鎖を有する有機基を含むコア部とを有するスターポリマーを含有することを特徴とする電極保護膜。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、炭素材料を含む負極と、非水電解質とを備えた非水電解質二次電池において、前記非水電解質中に、エチエンカーボネートまたはプロピレンカーボネートの少なくとも一方と、鎖状カルボン酸エステルと、一般式（１）で示されるカルボキシエステル化合物とが含まれていることを特徴とする非水電解質二次電池。
【化１】
2007220313.tif 000001
ここで、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ独立して、水素、炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、炭素数１〜４のハロゲン元素を含んでもよいアルキル基、シクロアルキル基またはアルケニル基のいずれかであり、ｎは２または３の整数である。
【請求項２】
非水電解質中に、一般式（１）で示される化合物が０．１〜５ｗｔ％含まれていることを特徴とする請求項１記載の非水電解質二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願発明者らは上記課題を解決するために、鋭意研究を重ねた結果、前記非水電解質に一般式（１）で示されるカルボニロキシエステル化合物を含有させることで、高温での優れた寿命性能を備えた非水電解質二次電池を得ることができることを見出し、また、非水電解質中に、一般式（１）で示される化合物を０．１〜５ｗｔ％含有させることによって、優れた低温放電特性を備えた非水電解質二次電池を得ることができることを見出した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項２の発明は、上記非水電解質二次電池において、非水電解質中に、一般式（１）で示される化合物が０．１〜５ｗｔ％含まれていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項２の発明によれば、非水電解質中に、一般式（１）で示される化合物を０．１〜５ｗｔ％含有させることにより、さらに低温での充放電特性が良好な非水電解質二次電池を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明において、鎖状カルボン酸エステルと、一般式（１）で表されるカルボニロキシエステル化合物とは異なる化合物を用いる。すなわち、鎖状カルボン酸エステルは、一般式Ｍ５−Ｃ−（＝Ｏ）−Ｏ−Ｍ６で表される化合物であり、Ｍ５およびＭ６は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基または炭素数１〜４のハロゲン元素を含んでいてもよいアルキル基とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
さらに、非水電解質中に一般式（１）で示される化合物を含有させることで、高温での寿命性能が良好な非水電解質二次電池を得ることができる。さらに、非水電解質中に、一般式（１）で示される化合物を０．１〜５ｗｔ％含有させることにより、低温放電特性が特に良好な非水電解質二次電池を得ることができる。電解質中の一般式（１）で示される化合物の含有量は次式で求めることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一般式（１）で示される化合物の含有量（ｗｔ％）＝（一般式（１）で示される化合物の重量）／（ＥＣ＋ＰＣ＋鎖状カルボン酸エステル＋電解質）
非水電解質中における一般式（１）で示される化合物の含有量が５ｗｔ％より多いと、電極上に高抵抗な皮膜が形成され、また、電解質のイオン伝導度が低下するといった原因により、低温放電特性向上の効果は得られない。また、含有量が０．１ｗｔ％よりも少ないと、その効果が小さく低温放電特性の向上が見られない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、カルボニロキシエステル化合物の非水電解質中の含有量を０．１〜５ｗｔ％とすることで低温放電特性が向上した理由は、高分子量のカルボニロキシエステル化合物の添加による非水電解液のイオン伝導度の低下が小さく、カルボニロキシエステル化合物によって電極上に形成される低抵抗で安定な被膜によるものと考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された導体膜と、前記積層された複数のセラミック層のうち所定のセラミック層を貫通して形成されたビアホール導体とを備えた多層セラミック基板において、前記ビアホール導体を形成するために充填される導電性ペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項２】
積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された導体膜を備えた多層セラミック基板において、前記導体膜を形成するための導電性ペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の多層セラミック基板において、焼成前の多層セラミック層の少なくとも一方の主面に、前記多層セラミック層の焼成条件では焼結しない収縮抑制層を密着させ、これを前記多層セラミック層の焼成条件で焼成した後、未焼結の収縮抑制層を除去することにより得られる、ＸＹ方向の焼成収縮を抑制した多層セラミック基板。
【請求項４】
前記多層セラミック基板において、前記１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉の混合比率がすべての銀重量に対して１５ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の多層セラミック基板。
【請求項５】
セラミック層と、導体膜と、ビアホール導体とを備えた多層セラミック基板の製造方法であって、セラミックグリーンシートにビアホールを形成する工程と、少なくとも結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を混合してなる導電性ペーストを前記ビアホールに充填してビアホール導体を形成する工程と、ビアホール導体を形成した複数の前記セラミックシートから積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含むことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項６】
セラミック層と、導体膜とを備えた多層セラミック基板の製造方法であって、少なくとも結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を混合してなる導電性ペーストを用いてセラミックグリーンシートに導電膜を形成する工程と、導電膜を形成した複数の前記セラミックシートから積層体を作製する工程と、前記積層体を焼成する工程と、を含むことを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多層セラミック基板とその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記目的を達成するために、本発明においては、請求項１記載の多層セラミック基板は、積層された複数のセラミック層と、これらのセラミック層に形成された導体膜と、複数のセラミック層のうち所定のセラミック層を貫通して形成されたビアホール導体とを備えており、前記ビアホール導体を形成するために充填される導電性ペーストが少なくとも銀粉と有機ビヒクルとを含み、前記銀粉が少なくとも結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を含むことを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、前記ビアホール導体以外でも、内部導体膜や表層導体膜などの導体膜に前記導電性ペーストを用いても良い。結晶子径の異なる銀粉を混合することにより、セラミック層の焼結により発生する力に追随するように銀粉の焼結が進行する。内部導体膜もしくは表層導体膜についても、構造欠陥を抑制し、良好な接続を得て低抵抗化を可能にすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３記載の多層セラミック基板において、この多層セラミック基板は焼結時に、ＸＹ方向（平面方向）には殆ど収縮を起こさず、Ｚ方向（厚み方向）のみに優先的に焼結が進行する。仮に単一に近い結晶子径を有する銀粉を用いると、ＸＹ方向に欠陥が発生し、Ｚ方向へは導体が隆起する恐れがある。ここで、結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉と５５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下の銀粉を混合した導電性ペーストを用いると、６００℃以上で起こる無収縮多層セラミック基板特有の焼結挙動により発生する力に追随するように銀粉の焼結が進行する。これにより、セラミック層と導体間に発生し得る構造欠陥を抑制するだけでなく、導体は銀粉のみであることから、良好な接続を得て低抵抗化を可能にすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、請求項４記載の前記銀粉の結晶子径１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下の銀粉の混合比率がすべての銀重量に対して１５ｗｔ％以上８５ｗｔ％以下にすることにより、ビアホール導体、内部導体膜、表層導体膜を形成したとき、セラミック焼結温度において、セラミック層の焼結が開始されるが、その温度領域において結晶子径の大きい銀粉の焼結が同様に開始される。このとき低温で焼結した銀粉を骨格として、結晶子径の大きな銀粉はセラミック層の焼結により発生する力に追随するように焼結が進行する。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板の半径方向に回転可能な基板把持手段と、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、
前記基板把持手段は、前記基板に接触する第１把持部と第２把持部と前記基板把持手段を開放状態に付勢するためのウエイトとを備え、
前記基板搭載部は、前記基板把持手段が前記基板を把持する位置および開放する位置で、それぞれ前記ウエイトが当接するストッパを備えたことを特徴とする基板把持装置。
【請求項２】
前記基板搭載部の前記基板把持手段下に通気孔を備えたことを特徴とする請求項１記載の基板把持装置。
【請求項３】
前記把持手段に設けられた磁性体と、
前記基板搭載部に設けられた磁気を発生させる磁気発生手段と、
前記基板把持手段の把持位置を検出する位置検出手段と、を備えたことを特徴とする請求項１乃至２いずれかに記載の基板把持装置。
【請求項４】
前記位置検出手段が検出する把持位置に応じて、前記磁気発生手段が発生する磁気の強さを変化させることを特徴とする請求項３に記載の基板把持装置。
【請求項５】
前記基板把持部の前記基板接触部に、櫛歯状の凹凸を備えたことを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の基板把持装置。
【請求項６】
前記基板把持部の前記基板接触部における基板接触面が山谷状であることを特徴とする請求項１乃至５いずれかに記載の基板把持装置。
【請求項７】
基板が載置される基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板半径方向に回転可能な基板把持手段と、前記基板搭載部に設けられたストッパと、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、
前記基板搭載部は、前記基板把持手段下に通気孔を備えたことを特徴とする基板把持装置。
【請求項８】
基板が載置される基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板半径方向に回転可能な基板把持手段と、前記基板搭載部に設けられたストッパと、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、
前記把持手段に設けられた磁性体と、
前記基板搭載部に設けられた磁気を発生させる磁気発生手段と、
前記基板把持手段の把持位置を検出する位置検出手段と、を備えたことを特徴とする基板把持装置。
【請求項９】
請求項１乃至９いずれかに記載の基板把持装置を備えたことを特徴とする基板搬送装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９いずれかに記載の基板把持装置を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板把持装置、基板搬送装置および基板処理装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記問題を解決するため、本発明は、次のように構成したのである。
請求項１に記載の発明は、基板を載置する基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板の半径方向に回転可能な基板把持手段と、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、前記基板把持手段は、前記基板に接触する第１把持部と第２把持部と前記基板把持手段を開放状態に付勢するためのウエイトとを備え、前記基板搭載部は、前記基板把持手段が前記基板を把持する位置および開放する位置で、それぞれ前記ウエイトが当接するストッパを備えたことを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は、前記基板搭載部の前記基板把持手段下に通気孔を備えたことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明は、前記把持手段に設けられた磁性体と、前記基板搭載部に設けられた磁気を発生させる磁気発生手段と、前記基板把持手段の把持位置を検出する位置検出手段と、を備えたことを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明は、前記位置検出手段が検出する把持位置に応じて、前記磁気発生手段が発生する磁気の強さを変化させることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、前記基板把持部の前記基板接触部に、櫛歯状の凹凸を備えたことを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明は、前記基板把持部の前記基板接触部における基板接触面が山谷状であることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明は、基板が載置される基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板半径方向に回転可能な基板把持手段と、前記基板搭載部に設けられたストッパと、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、前記基板搭載部は、前記基板把持手段下に通気孔を備えたことを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明は、基板が載置される基板搭載部と、前記基板搭載部に設けられた回転支持部と、前記回転支持部を中心に前記基板半径方向に回転可能な基板把持手段と、前記基板搭載部に設けられたストッパと、を備え、前記基板の自重により前記基板把持手段が前記回転支持部回りに回転して前記基板を把持する基板把持装置において、前記把持手段に設けられた磁性体と、前記基板搭載部に設けられた磁気を発生させる磁気発生手段と、前記基板把持手段の把持位置を検出する位置検出手段と、を備えたことを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明は、請求項１乃至９いずれかに記載の基板把持装置を備えたことを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至９いずれかに記載の基板把持装置を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月16日(2009.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
断面形状が円弧帯状の空間に配置するフレキシブルプリント基板であって、
電気部品を搭載した複数の円弧帯状部材と、
前記複数の円弧帯状部材の間を接続し、前記複数の円弧帯状部材を前記円弧帯状の空間に搭載可能であるように折り畳み自在に接続する接続部材と、を有し、
前記円弧帯状部材は前記空間の円弧帯状の断面に垂直な方向に並べて配置されていることを特徴とするフレキシブルプリント基板。
【請求項２】
前記接続部材は、前記空間への搭載時には、前記円弧帯状の断面に垂直な方向に配置されることを特徴とする請求項１に記載のフレキシブルプリント基板。
【請求項３】
フレキシブルプリント基板を搭載するための円弧帯状の基板搭載空間を備えたレンズ鏡筒において、
前記基板搭載空間に、請求項１または請求項２に記載のフレキシブルプリント基板を搭載したことを特徴とするレンズ鏡筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記課題を達成するために、以下のように構成したフレキシブルプリント基板及び該フレキシブルプリント基板を有するレンズ鏡筒を提供するものである。
本発明のフレキシブルプリント基板は、断面形状が円弧帯状の空間に配置するフレキシブルプリント基板であって、
電気部品を搭載した複数の円弧帯状部材と、
前記複数の円弧帯状部材の間を接続し、前記複数の円弧帯状部材を前記円弧帯状の空間に搭載可能であるように折り畳み自在に接続する接続部材と、を有し、
前記円弧帯状部材は前記空間の円弧帯状の断面に垂直な方向に並べて配置されていることを特徴としている。
また、本発明のフレキシブルプリント基板は、前記接続部材は、前記空間への搭載時には
、前記円弧帯状の断面に垂直な方向に配置されることを特徴としている。
また、本発明のレンズ鏡筒は、フレキシブルプリント基板を搭載するための円弧帯状の基板搭載空間を備えたレンズ鏡筒において、
前記基板搭載空間に、上記したいずれかに記載のフレキシブルプリント基板を搭載したことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月29日(2009.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記
積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理
ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えてお
り、この保持具を構成する保持柱における前記基板のそれぞれを載置する載置部は、前記
処理ガスの噴出方向の下流側部分もしくは上流側部分またはそのいずれにも、前記処理ガ
スの流れおよび拡散を妨げない整流部を備えている基板処理装置。
【請求項２】
前記整流部はＣ面取りまたはＲ面取りによって形成されている請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱の周方向の寸法が、前記複数枚の基板の積層ピッチよりも小さい基板処理装置。
【請求項４】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱における前記基板のそれぞれを保持する保持溝の凹部には、前記処理ガスの噴出方向の下流側部分に、前記処理ガスの流れおよび拡散を妨げない整流部を備えている基板処理装置。
【請求項５】
前記整流部はＣ面取りまたはＲ面取りによって形成されている請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具は前記基板のそれぞれを保持する複数本の保持柱と、前記基板のそれぞれを保持しない少なくとも１本の支柱とを備えている基板処理装置。
【請求項７】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具の前記基板をそれぞれ載置する載置部の厚さが３ｍｍ以下になっている基板処理装置。
【請求項８】
複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で減圧下の処理室に載置し、前記積層方向に延在し多数のガス噴出口を有するガスノズルによって前記基板の側方から処理ガスを供給して、前記基板を回転させながら処理する基板処理装置であって、
前記複数枚の基板をそれぞれ間隔を置いて積層させた状態で保持する保持具を備えており、この保持具を構成する保持柱は、前記基板の中心方向に貫通する通風孔を備えている基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月2日(2009.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１は、折り曲げられた円筒サスペンション１０２（２０２及び３０２）を有するリング共振器ジャイロスコープ１００の一実施形態の一部切り取り分解図である。図２及び３は、リング共振器１０４（２０４及び３０４）、リング共振器の中央マウント部１０６（２０６及び３０６）、スペーサ１０８（２０８及び３０８）、駆動／検出電極１１０（２１０及び３１０）、及び封止リング１１２（２１２及び３１２）の２つの構成例を示すジャイロスコープの部分断面図である。図２において、リング共振器２０４、リング共振器の中央マウント部２０６、スペーサ２０８、駆動／検出電極２１０及び封止リング２１２は、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４に形成されている。スペーサ２０８は、ＳＯＩウエハー２１６のハンドル層２１８に形成されている。折り曲げられた円筒サスペンション２０２は、内筒２０２ａ、外筒２０２ｂ及び環帯２０２ｃを備え、内筒２０２ａ、外筒２０２ｂ及び環帯２０２ｃは同心円的であり、内筒２０２ａの上縁は環帯２０２ｃの内側の縁に結合され、外筒２０２ｂの上縁は環帯２０２ｃの外側の縁に結合されている。折り曲げられた円筒サスペンション２０２は、エピタキシャルポリシリコンのような材料を、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４及びハンドル層２１８の両方に形成された空洞中にそれぞれ堆積させることによって形成される。空洞は、リング共振器２０４及び折り曲げられた円筒サスペンション２０２を切り離すために、その後除去される二酸化ケイ素などの犠牲層により裏打ちされている。この構成において、犠牲層及びエピタキシャルポリシリコンの堆積は、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４及びハンドル層２１８の間の接合面を均一にブリッジしなければならない。図３において、リング共振器３０４、リンク共振器の中央マウント部３０６、駆動／検出電極３１０及び封止リング３１２は、ＳＯＩウエハー３１６のハンドル層３１８に形成されている。スペーサ３０８は、素子層３１４に形成されている。折り曲げられた円筒サスペンション３０２は、内筒３０２ａ、外筒３０２ｂ及び環帯３０２ｃを備え、内筒３０２ａ、外筒３０２ｂ及び環帯３０２ｃは同心円的であり、内筒３０２ａの上縁は環帯３０２ｃの内側の縁に結合され、外筒３０２ｂの上縁は環帯３０２ｃの外側の縁に結合されている。この構成は、リング共振器３０４が、所定の共振周波数及び強化された面外の剛性のために必要な以上の質量をもたらすための、より高いアスペクト比を有することを許容する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
１．  ボッシュ処理のような深反応イオンエッチングを用い、ＳＯＩウエハー２１６の素子層２１４を突き抜けてハンドル層２１８まで、そのハンドル層の厚さ（Ｔ）未満の深さ（Ｄ）だけ、円形空洞をパターン化しエッチングする。円形空洞の幅（Ｗ）は、犠牲層の壁の厚さ及び折り曲げられた円筒サスペンションのデザインにより決定される。
２．  二酸化ケイ素などの犠牲層を、ＳＯＩウエハーの上及び円形空洞の中に堆積又は成長させる。
３．  その犠牲層を素子層の表面から除去し、エピタキシャルポリシリコン層を、ＳＯＩウエハー２１６の上及び円形空洞の中に堆積させる。
４．  リング共振器２０４及び駆動／検出電極パターンを、エピタキシャルポリシリコン層及び素子層２１４を突き抜けて、ＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層に至るまでパターン化し、エッチングする。
５．  円形空洞を、ハンドル層２１８を突き抜けて、ＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層までパターン化し、エッチングする。この円形空洞は、素子層側にエッチングされた円形空洞と同心円状であり、エピタキシャルポリシリコンの折り曲げられた円筒サスペンション及びＳＯＩウエハー２１６の絶縁層を取り囲んでいる犠牲層を露出させる。
６．  リング共振器２０４及びサスペンション２０２を開放するように、折り曲げられた円筒サスペンション２０２及びＳＯＩウエハー２１６の絶縁体層を取り囲んでいる犠牲層をエッチングする。
７．  誘電体絶縁層２２０及び２２２をトップカバーウエハー１２０及びボトムカバーウエハー１２２の両方の上に堆積又は成長させる。
８．  ボトムウエハーをＳＯＩウエハーの素子層に接着すると共に、トップカバー１２０をＳＯＩウエハー２１６のハンドル層２１８に接着する。
９．  駆動／検出電極２１０とリング共振器の中央マウント部２０６とを、例えば抵抗接触２２４により電気的に接触させるために、ボトムカバー１２２にビアホール１１６を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2007052014.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2007052014.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月14日(2009.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ナビゲーションデバイス(110)であって、
光源(120)に対して光学的に透明な層(150)を通して反射面(160)を照明するように構成された光源(120)と、
前記反射面(160)から反射された前記光源(120)からの光に応じてナビゲーション情報を生成するように構成されたセンサ(130)であって、前記センサ(130)と前記反射面(160)との間の距離に合った被写界深度を有するように構成されたセンサ(130)と、
前記光ナビゲーションデバイス(110)の滑動機能を提供するために、前記光ナビゲーションデバイスが前記層(150)に接触しなくなったことを示すための接触センサ(210)と
からなる光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項２】
前記光源(120)は、ガラスからなる前記層(150)に対して透明であるように構成される、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項３】
前記光源(120)はレーザからなる、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項４】
前記光源(120)はＶＣＳＥＬからなる、請求項３に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項５】
前記センサ(130)はＣＭＯＳ撮像装置からなる、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項６】
前記接触センサ(210)は、
光信号を送信するための光トランスミッタ(310)と、
光路上の前記光信号を受信するための光検出器(320)と、
前記光ナビゲーションデバイス(110)が前記層(150)に接触しているときにのみ、前記光路を遮断する羽根板部材(330)と
を含む、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項７】
前記接触センサ(210)はメカニカルスイッチからなる、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項８】
前記接触センサ(210)は静電容量を含み、該静電容量容量スイッチは、
第１の電極と、
第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極の間のキャパシタンスの変化を判定し、前記光ナビゲーションデバイス(110)が前記層(150)に接触しなくなったことを示すための容量センサと
を含む、請求項１に記載の光ナビゲーションデバイス(110)。
【請求項９】
透明な層を通して光ナビゲーションデバイスによってナビゲーション情報を生成する方法であって、
光に対して透明な層を通して光によって反射面を照明するステップと、
前記反射面から反射された前記光を検出するステップと、
前記反射面に対する前記光ナビゲーションデバイスの動きをトラッキングすることにより、前記反射面から反射された光に応答して、ナビゲーション情報を生成するステップと、
前記光ナビゲーションデバイスが前記層から持ち上げられたときに、前記反射面に対する前記光ナビゲーションデバイスを滑動させるステップと
からなる方法。
【請求項１０】
前記反射面と、反射された前記光を受信するセンサとの間の所望の範囲の距離を許容するように、前記光ナビゲーションデバイスに関連する被写界深度を設定するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記反射面から反射された前記光が、反射された前記光を受信するセンサに到達するように、前記光ナビゲーションデバイスの開口部を構成するステップを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記光ナビゲーションデバイスを滑動させるステップは、
前記光ナビゲーションデバイスが前記層から持ち上げられたことを検出するステップと、
前記光ナビゲーションデバイスが前記層から持ち上げられたときに、前記光ナビゲーションデバイスの動きのトラッキングを無効にするステップと
を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記光ナビゲーションデバイスを滑動させるステップは、
前記光ナビゲーションデバイスが前記層に接触していることを検出するステップと、
前記光ナビゲーションデバイスが前記層に接触しているときに、前記光ナビゲーションデバイスのトラッキングを有効にするステップと
を更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記光ナビゲーションデバイスが持ち上げられたことを検出するステップは、
第１の電極と第２の電極の間のキャパシタンスの変化を判定するステップを更に含み、前記光ナビゲーションデバイスが前記層に接触している場合、前記キャパシタンスが一定である、請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月31日(2009.7.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
引き続き図２を参照して、Ｃ１  ＥＣＣ発生器２１８は、ＦＩＦＯ２０８からデータを受取り、ＦＩＦＯ２０８からのデータのＣ１  ＥＣＣを計算し、ＦＩＦＯ２０８からのデータおよび計算されたＣ１  ＥＣＣを第２のバッファ２４０に格納し、Ｃ２  ＥＣＣのＣ１  ＥＣＣを計算および格納するように適合される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
Ｃ２  ＥＣＣ発生器２４２は、Ｃ１  ＥＣＣのＣ２  ＥＣＣを計算し、それを第２のバッファ２４０に格納するように適合される。この発明の１つの実施例に従って、データプロセッサ２００はＣ２  ＥＣＣ発生器２４２を含む。この発明の別の実施例に従って、媒体フォーマッタ２２０はＣ２  ＥＣＣ発生器２４２を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
引き続き図４を参照して、４０６において、データおよび第１のデジタル署名が第１のバッファから受取られる。４０８において、第１のバッファからのデータの第２のデジタル署名が計算される。４１０において、第２のデジタル署名が第１のデジタル署名と一致するかどうかに関して判断がなされる。一致が存在しない場合、４４６においてエラーが表示される。一致が存在する場合、４１２において、第１のバッファからのデータが圧縮される。４１４において、圧縮データがＦＩＦＯに格納される。４１６において、ＦＩＦＯに格納されたデータが復元される。４１８において、復元されたデータの第３のデジタル署名が計算される。４２０において、第３のデジタル署名が第１のデジタル署名と一致するかどうかに関して判断がなされる。一致が存在しない場合、４４６においてエラーが表示される。一致が存在する場合、４２２において処理が継続する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月12日(2009.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延長されるデータ線と前記データ線から分枝されたソース電極と前記ソース電極とは離隔されて形成されたドレイン電極とを含むデータ配線と、
前記データ配線下部に形成され、前記ソース及びドレイン電極の下部で連結してチャネル領域を形成する半導体層と、 
前記半導体層下部に形成され、前記データ線と交差して第２方向へ延長されるゲート線と前記ゲート線から分枝されたゲート電極とを含むゲート配線と、を含み、
前記ゲート線は第１深さの第１溝を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ表示板。
【請求項２】
前記ゲート電極は前記ドレイン電極の下部領域に第２深さを有する第２溝を具備することを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項３】
前記第１溝上部には前記第１溝を覆う光遮断膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項４】
前記光遮断膜は一つの画素領域幅の３０〜７０％の幅を有することを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項５】
前記光遮断膜は電圧が印加されないフローティング状態であることを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項６】
前記光遮断膜はソース及びドレイン電極と同じ物質で形成されたことを特徴とする請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項７】
前記第２溝の終端は前記ドレイン電極下部に形成されるチャネル領域の終端と整列されることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項８】
前記第１深さは９〜１１μｍであることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項９】
前記第２深さは３〜５μｍであることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ表示板。
【請求項１０】
カラーフィルター基板と、
第１項ないし第９項のうちいずれか一つの項の薄膜トランジスタ表示板と、
前記カラーフィルター基板と前記薄膜トランジスタ表示板間に介在された液晶層と、 
を含むことを特徴とする液晶表示装置。