【手続補正書】
【提出日】平成25年5月7日(2013.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
実施例２１
配合物および被膜は、配合物中に亜鉛化合物を使用しなかったこと以外は、実施例１のものと類似した。被覆基板を、セレン／窒素蒸気下で９０分にわたり５５０℃にてアニールした。ＸＲＤ分析は、硫黄の一部（７１．４％）がセレンで置換され、平均粒度が１００ｎｍより大きい、ＣＴＳ−Ｓｅの存在を示した。
実施例２２
実施例１６を、４−ｔ−ブチルピリジンを溶媒として使用し、硫化スズ（ＩＩ）の代わりにセレン化スズ（ＩＩ）を使用して繰り返した。ＸＲＤ分析は、硫黄の一部（７６．８％）がセレンで置換され、平均粒度が３５．２ｎｍである、ＣＴＳ−Ｓｅの存在を示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
以上、本発明を要約すると下記のとおりである。
１．ｉ）窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子の銅錯体、硫化銅、セレン化銅、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される銅源；
ｉｉ）窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子のスズ錯体、水素化スズ、硫化スズ、セレン化スズ、ならびにそれらの混合物からなる群より選択されるスズ源；
ｉｉｉ）必要に応じて、窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子の亜鉛錯体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される亜鉛源；
ｉｖ）必要に応じて、Ｓ元素、Ｓｅ元素、ＣＳ2、ＣＳｅ2、ＣＳＳｅ、Ｒ1Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｓｅ−Ｚ、Ｒ1Ｓ−ＳＲ1、Ｒ1Ｓｅ−ＳｅＲ1、Ｒ2Ｃ（Ｓ）Ｓ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓｅ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓｅ−Ｚ、およびそれらの
混合物からなる群より選択されるカルコゲン化合物であって、各Ｚは、独立して、Ｈ、Ｎ
Ｒ44、およびＳｉＲ53からなる群より選択され；ここで、各Ｒ1およびＲ5は、独立して、ヒドロカルビルならびにＯ置換、Ｎ置換、Ｓ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビルからなる群より選択され；各Ｒ2は、独立して、ヒド
ロカルビル、Ｏ置換、Ｎ置換、Ｓ置換、Ｓｅ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビル、ならびにＯベース、Ｎベース、Ｓベース、およびＳｅベースの官能基からなる群より選択され；そして各Ｒ4は、独立して、水素、Ｏ置換、
Ｎ置換、Ｓ置換、Ｓｅ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビル、ならびにＯベース、Ｎベース、Ｓベース、およびＳｅベースの官能基からなる群より選択される、カルコゲン化合物；
ｖ）必要に応じて、溶媒
を含んでなる（但し、溶媒が存在しない場合は、前記カルコゲン化合物および前記スズ源のうちの少なくとも一方は、室温で液体であり；そして
前記銅源が硫化銅およびセレン化銅から選択され、かつ前記スズ源が硫化スズおよびセレン化スズから選択される場合は、前記溶媒はヒドラジンではない）
インク。
２．前記カルコゲン化合物、前記硫黄ベースの有機配位子、前記セレンベースの有機配位子、前記硫化銅、前記硫化スズ、前記硫化亜鉛、前記セレン化銅、前記セレン化スズおよび前記セレン化亜鉛の総モル数と、前記銅錯体、前記スズ錯体および前記亜鉛錯体の総モル数との比が、少なくとも約１である、上記１に記載のインク。
３．カルコゲン化合物が存在する、上記２に記載のインク。
４．亜鉛源が存在する、上記１に記載のインク。
５．亜鉛源が存在する、上記２に記載のインク。
６．硫黄元素、セレン元素、または硫黄元素とセレン元素との混合物が存在し、（Ｓ＋Ｓｅ）のモル比は、前記スズ源に対して約０．２〜約５である、上記１に記載のインク。
７．前記窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子が、アミド；アルコキシド；アセチルアセトネート；カルボキシレート；ヒドロカルビル；Ｏ置換、Ｎ置換、Ｓ置換、ハロゲン置換およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビル；チオおよびセレノレート；チオ、セレノ、およびジチオカルボキシレート；ジチオ、ジセレノ、およびチオセレノカルバメート；ならびにジチオキサントゲネートからなる群より選択される、上記１に記載のインク。
８．カルコゲン化合物が存在し、前記カルコゲン化合物は、室温で液体である、上記１に記載のインク。
９．前記スズ源が室温で液体である、上記８に記載のインク。
１０．溶媒が存在し、前記溶媒の沸点が、大気圧で約１００℃より高い、上記１に記載のインク。
１１．前記溶媒が、芳香族化合物、ヘテロ芳香族化合物、ニトリル、アミド、アルコール、ピロリジノン、アミン、およびそれらの混合物からなる群より選択される、上記１０に記載のインク。
１２．前記インクが、約１００℃より高い温度で熱処理されたものである、上記１に記載のインク。
１３．分散剤、界面活性剤、ポリマー、結合剤、配位子、キャッピング剤、脱泡剤、増粘剤、腐食抑制剤、可塑剤、およびドーパントからなる群より選択される１種以上の添加剤を、約１０重量％までさらに含む、上記１に記載のインク。
１４．銅とスズとのモル比が、約２：１である、上記１に記載のインク。
１５．銅と亜鉛とスズとのモル比が、約２：１：１である、上記１４に記載のインク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｉ）窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子の銅錯体、硫化銅、セレン化銅、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される銅源；
ii）窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子のスズ錯体、水素化スズ、硫化スズ、セレン化スズ、ならびにそれらの混合物からなる群より選択されるスズ源；
iii）必要に応じて、窒素ベース、酸素ベース、炭素ベース、硫黄ベース、およびセレンベースの有機配位子の亜鉛錯体、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ならびにそれらの混合物からなる群より選択される亜鉛源；
iv）必要に応じて、Ｓ元素、Ｓｅ元素、ＣＳ2、ＣＳｅ2、ＣＳＳｅ、Ｒ1Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｓｅ−Ｚ、Ｒ1Ｓ−ＳＲ1、Ｒ1Ｓｅ−ＳｅＲ1、Ｒ2Ｃ（Ｓ）Ｓ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓｅ−Ｚ、Ｒ2Ｃ（Ｓｅ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓ−Ｚ、Ｒ1Ｃ（Ｏ）Ｓｅ−Ｚ、およびそれらの
混合物からなる群より選択されるカルコゲン化合物であって、各Ｚは、独立して、Ｈ、ＮＲ44、およびＳｉＲ53からなる群より選択され；ここで、各Ｒ1およびＲ5は、独立して、ヒドロカルビルならびにＯ置換、Ｎ置換、Ｓ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビルからなる群より選択され；各Ｒ2は、独立して、ヒド
ロカルビル、Ｏ置換、Ｎ置換、Ｓ置換、Ｓｅ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビル、ならびにＯベース、Ｎベース、Ｓベース、およびＳｅベースの官能基からなる群より選択され；そして各Ｒ4は、独立して、水素、Ｏ置換、
Ｎ置換、Ｓ置換、Ｓｅ置換、ハロゲン置換、およびトリ（ヒドロカルビル）シリル置換ヒドロカルビル、ならびにＯベース、Ｎベース、Ｓベース、およびＳｅベースの官能基からなる群より選択される、カルコゲン化合物；
ｖ）必要に応じて、溶媒
を含んでなる（但し、溶媒が存在しない場合は、前記カルコゲン化合物および前記スズ源のうちの少なくとも一方は、室温で液体であり；そして
前記銅源が硫化銅およびセレン化銅から選択され、かつ前記スズ源が硫化スズおよびセレン化スズから選択される場合は、前記溶媒はヒドラジンではない）
インク。