【手続補正書】
【提出日】平成21年1月21日(2009.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成された低誘電率層を上部に有する基板を処理する方法であって、前記方法は、
ａ）前記基板を、光学メトロロジーチャンバー内部の第１の基板ホルダ上に配置し、
ｂ）前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面上の残留物を測定し、前記少なくとも一つのフィーチャーは最上部のクリティカルディメンジョン、および底部のクリティカルディメンジョンを有する周期的な格子であり、
ｃ）前記測定された側壁又は底部表面の残留物及び検証された超臨界プロセスモデルに基づいた、過酸化物を含む超臨界洗浄プロセス処方を決定し、
ｄ）前記光学メトロロジーチャンバーに連結された超臨界処理チャンバー内の第２の基板ホルダに前記基板を配置し、
ｅ）前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて超臨界流体で前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャーを洗浄し、
ｆ）前記超臨界処理チャンバーから前記基板を取り出す段階を含む方法。
【請求項２】
ｇ）前記光学メトロロジーチャンバー内に前記基板を再配置し、
ｈ）前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面上に残存する残留物を測定する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ｉ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しいとき、前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を保存し、
ｊ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しくないとき、新しい超臨界洗浄プロセス処方を決定する段階をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｉ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しいとき、前記基板を洗浄された基板として同定し、
ｊ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しくないとき、前記基板を洗浄されていない基板として同定する段階をさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
ｇ）前記超臨界処理チャンバー内の前記第２の基板ホルダに、パターン形成された低誘電率層に少なくとも一つのフィーチャーを有する基板を追加で配置し、
ｈ）前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて前記超臨界流体で前記追加の基板の少なくとも一つのフィーチャーを洗浄し、
ｉ）前記超臨界処理チャンバーから前記追加の基板を取り出し、
ｊ）ｇ）−ｉ）の段階を（Ｎ−１）回繰り返し、Ｎは１より大きく２５以下の整数であり、
ｋ）前記光学メトロロジーチャンバー内に前記Ｎ番目の基板を再配置し、
ｌ）前記Ｎ番目の基板の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面上に残存する残留物を測定する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ｍ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しいとき、前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を保存し、
ｎ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しくないとき、新しい超臨界洗浄プロセス処方を決定する段階をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ｍ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しいとき、前記Ｎ番目の基板を洗浄された基板として同定し、
ｎ）前記測定された残存する残留物が実質的にゼロに等しくないとき、前記Ｎ番目の基板を洗浄されていない基板として同定する段階をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
移送システムが前記超臨界処理チャンバーを前記光学メトロロジーチャンバーに連結する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板が半導体材料、金属材料、誘電体材料、またはセラミック材料、またはそれらの二つ以上の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が低誘電率材料、または超低誘電率材料、またはそれらの組み合わせを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記決定された超臨界洗浄プロセス処方に従う前記超臨界流体が、超臨界ＣＯ２及び洗浄化学薬品を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記洗浄化学薬品が酸及び溶媒を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
段階ｅ）に、
前記超臨界処理チャンバーを、第１の洗浄圧力に加圧し、
前記超臨界処理チャンバー内部に前記超臨界流体を導入し、
前記超臨界処理チャンバーを通じて、第１の時間前記超臨界流体を再循環させる段階をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の時間が３０秒から１０分の範囲である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の時間の後に、前記超臨界処理チャンバーが、超臨界圧力に加圧されるプッシュスループロセスを実行し、
前記超臨界流体を再循環した後で、前記超臨界処理チャンバーの外部へプロセス化学薬品を押し出すため前記超臨界処理チャンバーに出口を与える段階をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
リンス工程の実行をさらに含む方法であって、前記方法において前記基板は超臨界ＣＯ２及びリンス化学薬品を含む超臨界リンス流体を用いてリンスされ、前記リンス化学薬品はアルコールを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
コンピュータが読み取り可能な媒体であって、上記媒体は、
光学メトロロジーチャンバー内の第１の基板ホルダに、その上部にパターン形成された低誘電率層を有する基板を配置し、
前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面上の残留物を測定し、前記少なくとも一つのフィーチャーは最上部のクリティカルディメンジョン、および底部のクリティカルディメンジョンを有する周期的な格子であり、
前記測定された側壁又は底部表面上の残留物及び検証された超臨界プロセスモデルに基づいた、過酸化物を含む超臨界洗浄プロセス処方を決定し、
前記光学メトロロジーチャンバーに連結された超臨界処理チャンバー内の第２の基板ホルダに前記基板を配置し、
前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて超臨界流体で前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャーを洗浄し、
前記超臨界処理チャンバーから前記基板を取り出すための、コンピュータに実行可能な指示を含む、コンピュータが読み取り可能な媒体。
【請求項１８】
前記光学メトロロジーチャンバー内に前記基板を再配置し、
前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面に残存する残留物を測定するための、コンピュータに実行可能な指示をさらに含む、請求項１７に記載のコンピュータが読み取り可能な媒体。
【請求項１９】
その上部にパターン形成された低誘電率層を有する基板を処理するために構成された処理システムにおいてコントローラーを運転する方法であって、前記方法は、
光学メトロロジーチャンバー内の第１の基板ホルダに前記基板を配置することを前記処理システムに指示し、
前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面の残留物を測定することを前記処理システムに指示し、前記少なくとも一つのフィーチャーは最上部のクリティカルディメンジョン、および底部のクリティカルディメンジョンを有する周期的な格子であり、
前記測定された側壁又は底部表面上の残留物及び検証された超臨界プロセスモデルに基づいた、過酸化物を含む超臨界洗浄プロセス処方を決定することを前記処理システムに指示し、
前記光学メトロロジーチャンバーに連結された超臨界処理チャンバー内の第２の基板ホルダに前記基板を配置することを前記処理システムに指示し、
前記決定された超臨界洗浄プロセス処方を用いて前記超臨界流体で前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャーを洗浄することを前記処理システムに指示し、
前記超臨界処理チャンバーから前記基板を取り出すことを前記処理システムに指示する段階を含む方法。
【請求項２０】
前記光学メトロロジーチャンバー内で前記基板を再配置することを前記処理システムに指示し、
前記パターン形成された低誘電率層の少なくとも一つのフィーチャー内の側壁又は底部表面に残存する残留物を測定することを前記処理システムに指示する段階をさらに含む、請求項１９に記載の方法。