【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導体層と、
前記第１の導体層上の第２の導体層と、
前記第２の導体層上の第３の導体層と、
を含むヒューズであって、前記第１の導体層及び前記第３の導体層の各々は前記第２の導体層に比べて比較的高い原子拡散抵抗を有する、ヒューズと、
電圧源と、
前記電圧源と前記第１の導体層との間、前記電圧源と前記第２の導体層の両端との間、及び前記電圧源と前記第３の導体層との間の電気接続であって、前記電圧源は選択的に制御可能であり、前記電気接続のうちの選択されたものにおける電圧極性を変化させて、前記第２の導体層内の電子の２方向の流れを選択的に制御し、それにより前記第１の導体層及び前記第３の導体層との界面における前記第２の導体層内での非破壊的な開路及び短絡のいずれかの形成を選択的に制御することができる、電気接続と、
を含む回路構造体。
【請求項２】
前記第２の導体層の前記両端は、近位端と、前記近位端とは反対側の遠位端とを含み、前記第１の導体層及び前記第３の導体層の各々は、前記第２の導体層に比べて短く、さらに前記第２の導体層の前記近位端の両側上にこれに隣接して配置される、請求項１に記載の回路構造体。
【請求項３】
前記電圧源はさらに、前記電気接続のうちの選択されたものにおける電圧の大きさを変化させることができるように選択的に制御可能である、請求項１に記載の回路構造体。
【請求項４】
前記電圧源は、負電圧を前記第３の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して、前記第３の導体層との前記界面に開路を生成し、
前記電圧源はさらに、負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加して前記開路を充填し、前記第３の導体層との前記界面に短絡を再生成する、請求項２に記載の回路構造体。
【請求項５】
前記電圧源は、負電圧を前記第１の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記第１の導体層との前記界面に開路を生成し、
前記電圧源はさらに、負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加して前記開路を充填し、前記第１の導体層との前記界面に短絡を再生成する、請求項２に記載の回路構造体。
【請求項６】
前記電圧源は、負電圧を前記第１の導体層及び前記第３の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記界面に開路を生成し、
前記電圧源はさらに、負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加して前記回路を充填し、前記界面に短絡を再生成する、請求項２に記載の回路構造体。
【請求項７】
前記第２の導体層は銅及びアルミニウムのいずれかを含む、請求項１に記載の回路構造体。
【請求項８】
前記第１の導体層及び前記第３の導体層の各々は導電性拡散障壁材料を含む、請求項１に記載の回路構造体。
【請求項９】
前記導電性拡散障壁材料は、コバルト、クロム、ルテニウム、タンタル、窒化タンタル、酸化インジウム、タングステン、窒化タングステン、チタン及び窒化チタンのうちのいずれかを含む、請求項８に記載の回路構造体。
【請求項１０】
第１の導体層と、
前記第１の導体層の上の第２の導体層と、
前記第２の導体層の上の第３の導体層と、
前記第３の導体層の上の第４の導体層と、
を含むヒューズであって、前記第２の導体層及び前記第４の導体層の各々は前記第１の導体層及び前記第３の導体層に比べて比較的高い原子拡散抵抗を有する、ヒューズと、
電圧源と、
前記電圧源と前記第１の導体層の両端との間、前記電圧源と前記第３の導体層の両端との間、及び前記電圧源と前記第４の導体層との間の電気接続であって、前記電圧源は選択的に制御可能であり、前記電気接続における電圧極性を変化させて前記第１の導体層及び前記第３の導体層内の電子の２方向の流れを選択的に制御し、それにより前記第２の導体層との界面における前記第１の導体層内、並びに、前記第２の導体層及び前記第４の導体層との界面における前記第３の導体層内での非破壊的な開路及び短絡のいずれかの形成を選択的に制御することができる、電気接続と、
を含む回路構造体。
【請求項１１】
前記第２の導体層及び前記第４の導体層の各々は、前記第１の導体層及び前記第３の導体層に比べて短い、請求項１０に記載の回路構造体。
【請求項１２】
前記電圧源はさらに、前記電気接続のうちの選択されたものにおける電圧の大きさを変化させることができるように選択的に制御可能である、請求項１０に記載の回路構造体。
【請求項１３】
前記第１の導体層及び前記第３の導体層の各々は銅及びアルミニウムのいずれかを含む、請求項１０に記載の回路構造体。
【請求項１４】
前記第２の導体層及び前記第４の導体層の各々は導電性拡散障壁材料を含む、請求項１０に記載の回路構造体。
【請求項１５】
前記導電性拡散障壁材料は、コバルト、クロム、ルテニウム、タンタル、窒化タンタル、酸化インジウム、タングステン、窒化タングステン、チタン及び窒化チタンのうちのいずれかを含む、請求項１４に記載の回路構造体。
【請求項１６】
ヒューズのプログラミング及び再プログラミング方法であって、
第１の導体層と、前記第１の導体層上の第２の導体層と、前記第２の導体層上の第３の導体層とを含むヒューズを準備することであって、前記第１の導体層及び前記第３の導体層の各々は前記第２の導体層に比べて比較的高い原子拡散抵抗を有し、前記第２の導体層は近位端と、前記近位端とは反対側の遠位端とを有し、前記第１の導体層及び前記第３の導体層は前記第２の導体層に比べて短く、かつ、前記第２の導体層の前記近位端の両側上にこれに隣接して配置される、準備することと、
電圧源と前記第１の導体層との間、前記電圧源と前記第２の導体層の両端との間、及び前記電圧源と前記第３の導体層との間に電気接続を形成することと、
前記電圧源を選択的に制御して前記電気接続における電圧極性を変化させ、前記第２の導体層内の電子の２方向の流れを選択的に制御し、それにより前記第１の導体層及び前記第３の導体層との界面における前記第２の導体層内での非破壊的な開路及び短絡のいずれかの形成を選択的に制御することによって、プログラミング及び再プログラミング・プロセスを実行することと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記プログラミング及び再プログラミング・プロセスを実行することは、
負電圧を前記第３の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記第３の導体層との前記界面に開路を生成することによって、第１のプログラミング・プロセスを実行することと、
正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加し、同時に負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記開路を充填し、前記第３の導体層との前記界面に短絡を生成することによって、第２のプログラミング・プロセスを実行することと、
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記プログラミング及び再プログラミング・プロセスを実行することは、
負電圧を前記第１の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記第１の導体層との前記界面に開路を生成することによって、第１のプログラミング・プロセスを実行することと、
負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加して前記開路を充填し、前記第１の導体層との前記界面に短絡を生成することによって、第２のプログラミング・プロセスを実行することと、
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記プログラミング及び前記再プログラミング・プロセスを実行することは、
負電圧を前記第１の導体層及び前記第３の導体層に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加して前記界面に前記開路を生成することによって、第１のプログラミング・プロセスを実行することと、
負電圧を前記第２の導体層の前記遠位端に印加し、同時に正電圧を前記第２の導体層の前記近位端に印加して前記開路を充填し、前記界面に前記短絡を生成することによって、第２のプログラミング・プロセスを実行することと、
をさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
ヒューズのプログラミング及び再プログラミング方法であって、
第１の導体層と、前記第１の導体層の上の第２の導体層と、前記第２の導体層の上の第３の導体層と、前記第３の導体層の上の第４の導体層とを含むヒューズを準備することであって、前記第２の導体層及び前記第４の導体層の各々は前記第１の導体層及び前記第３の導体層に比べて比較的高い原子拡散抵抗を有する、準備することと、
電圧源と前記第１の導体層の両端との間、前記電圧源と前記第３の導体層の両端との間、及び前記電圧源と前記第４の導体層との間に電気接続を形成することと、
前記電圧源を選択的に制御して前記電気接続における電圧極性を変化させ、前記第１の導体層及び前記第３の導体層内の電子の２方向の流れを選択的に制御し、それにより前記第２の導体層との界面における前記第１の導体層内、並びに、前記第２の導体層及び前記第４の導体層との界面における前記第３の導体層内での非破壊的な開路及び短絡のいずれかの形成を選択的に制御することによって、プログラミング及び再プログラミング・プロセスを実行することと、
を含む方法。