【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光リソグラフィーに使用され、透光性材料からなる透光性物品の内部に、露光光に対して局所又は局部的に光学特性が変化する不均一性の有無を検査する透光性物品の検査方法において、
前記透光性物品に２００ｎｍ以下の波長を有する検査光を導入した場合に、該透光性物品内部で前記検査光が伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知することにより、前記透光性物品における光学的な不均一性の有無を検査することを特徴とする透光性物品の検査方法。
【請求項２】
前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位から発せられる光の波長が、２００ｎｍ超６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の透光性物品の検査方法。
【請求項３】
前記透光性物品は、光リソグラフィーの際に使用される露光装置の光学部品、又は、光リソグラフィーの際に使用される露光用マスクの基板の何れかであることを特徴とする請求項１又は２記載の透光性物品の検査方法。
【請求項４】
前記光学部品、前記露光用マスクの基板は、合成石英ガラスからなることを特徴とする請求項３記載の透光性物品の検査方法。
【請求項５】
前記透光性物品に前記検査光を導入する際に、該検査光の導入により前記透光性物品の表面にダメージを生じさせる原因物質を、該透光性物品の周辺の雰囲気から排除した状態で、前記検査光を該透光性物品に導入することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一に記載の透光性物品の検査方法。
【請求項６】
前記検査光は、パルス光であり、１パルスの単位面積当たりのエネルギーが、１０ｍＪ／ｃｍ２以上５０ｍＪ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一に記載の透光性物品の検査方法。
【請求項７】
２００ｎｍ以下の波長を有する検査光を導入する表面を有するマスクブランク用透光性基板を準備する準備工程と、
前記表面の一方から前記検査光を導入した場合に、前記透光性基板内部で前記検査光が
伝播する光路に前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位がある場合にこの部位から発せられる光であって前記検査光の波長よりも長い光を感知することにより、前記透光性基板における光学的な不均一性の有無を検査する検査工程と、
前記不均一性の有無により、局所又は局部的に光学特性が変化することによる転写パターン欠陥が発生しない透光性基板であるか否かを判別する判別工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項８】
前記局所又は局部的に光学特性が変化する部位から発せられる光の波長が、２００ｎｍ超６００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項９】
前記判別工程の後、前記透光性基板の主表面を精密研磨して、マスクブランク用透光性基板を得ることを特徴とする請求項７又は８記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１０】
前記透光性基板に前記検査光を導入する際に、該検査光の導入により前記透光性基板の表面にダメージを生じさせる原因物質を、該ガラス基板の周辺の雰囲気から削除した状態で、前記検査光を該透光性基板に導入することを特徴とする請求項７乃至９の何れか一に記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１１】
前記検査光を導入する前記表面は、マスクパターンとなる薄膜が形成される透光性基板の主表面と直交する側面であることを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１２】
前記検査工程において、前記側面の幅よりも大きなビーム形状を有する検査光を該表面に導入することを特徴とする請求項１１記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１３】
前記検査光は、パルス光であり、１パルスの単位面積当たりのエネルギーが、１０ｍＪ／ｃｍ２以上５０ｍＪ／ｃｍ２以下であることを特徴とする請求項７乃至１２の何れか一に記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１４】
前記内部欠陥は、前記透光性基板内に形成された局所脈理、内容物又は異質物であることを特徴とする請求項７乃至１３のいずれか一に記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１５】
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用されるフォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランク用透光性基板の製造方法であって、
前記露光光の波長を有する検査光を導入する表面を有するマスクブランク用透光性基板を準備する準備工程と、
前記表面から前記検査光を導入し、この導入された検査光によって前記透光性基板内に存在する内部欠陥から発する蛍光に基づいて内部欠陥を検査する検査工程と、
前記検査結果に基づいて前記マスクブランク用透光性基板を選定する選定工程と、を有することを特徴とするマスクブランク用透光性基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項７乃至１５の何れかに記載のマスクブランク用透光性基板の製造方法によって得られたマスクブランク用透光性基板の主表面上に、マスクパターンとなる薄膜を形成してマスクブランクを製造することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載のマスクブランクにおける薄膜をパターニングして、マスクブランク用透光性基板の主表面上にマスクパターンを形成し、露光用マスクを製造することを特徴
とする露光用マスクの製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の露光用マスクの製造方法によって得られた露光用マスクを使用し、露光用マスクに形成されているマスクパターンを半導体基板上に形成されているレジスト膜に転写して半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
波長２００ｎｍ以下の露光光が適用される位相シフトマスクを作製するために用いられる位相シフトマスクブランクであって、
透光性基板と、この透光性基板上に形成された光半透過膜とを有し、
前記透光性基板は、この透光性基板内に前記露光光の波長を有する検査光を導入し、この導入された検査光によって前記透光性基板内に存在する内部欠陥から発する蛍光に基づいて内部欠陥を検査する欠陥検査によって内部欠陥が検出されないものであり、
前記光半透過膜は、前記露光光に対する透過率が１０％以上であることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
上記「局所脈理」は、合成石英ガラスの合成時に金属元素が合成石英ガラス中に微量に混入された領域である。露光用マスク１４のマスクブランク用ガラス基板７に当該局所脈理が存在すると、パターン転写時に約２０〜４０％の透過率低下が生じ、転写精度を低下させ、最終的には転写パターン欠陥となる。また、上記「内容物」は、金属元素が合成石英ガラス中に、局所脈理の場合よりも多く混入された領域である。露光用マスク１４のマスクブランク用ガラス基板７に当該内容物が存在すると、パターン転写時に約４０〜６０％の透過率低下が生じ、転写精度を低下させ、最終的には転写パターン欠陥となる。更に、「異質物」は、合成石英ガラス中に酸素が過剰に混入された酸素過剰領域であり、高エネルギーの光が照射された後は回復しない。露光用マスク１４のマスクブランク用ガラス基板７に当該異質物が存在すると、パターン転写時に約５〜１５％の透過率の低下が生じ、転写精度を低下させ、最終的には転写パターン欠陥となる。パターン転写の際、転写パターン欠陥となる局部的な光学的な不均一性である内部欠陥１６は、上記「局所脈理」、「内容物」、「異質物」に限られるものではない。検査光や露光光である２００ｎｍ以下の波長を有する光をマスクブランク用ガラス基板に導入したとき、基板内部で局所又は局部的に発する蛍光による損失が８％／ｃｍを超える光学的な不均一性を、内部欠陥１６とするとよい。つまり、マスクブランク用ガラス基板７内部の光の損失が８％／ｃｍ以下であるマスクブランク用ガラス基板７を上記検査工程で選定すると良い。特に、位相シフトマスク用に使われるマスクブランク用ガラス基板の場合は、マスクブランク用ガラス基板７内部の光の損失が３％以下であるものを上記検査工程で選定すると良い。