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【手続補正書】
【提出日】平成20年1月28日(2008.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の透明基板と第２の透明基板で液晶を挟持し、前記第１の透明基板に光制御層を設け、前記第２の透明基板に反射板を設けてなる液晶表示装置において、
前記第１の透明基板と前記第２の透明基板の少なくとも一方の透明基板の側辺に配置する光源とを備え、前記光源からの発光が前記透明基板に入射する時点で偏光していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】  前記光源からの発光は、前記光源と前記透明基板の一辺との間に配置された偏光板により偏光されることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】  前記偏光板と前記透明基板との間に、位相差板を備えることを特徴とする請求項２記載の液晶表示装置。
【請求項４】  前記第１の透明基板の視認側に更に偏光板を備えることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】  前記液晶がTN液晶またはSTN液晶であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１の透明基板と第２の透明基板で液晶を挟持し、第１の透明基板に光制御層を設け、第２の透明基板に反射板を設けてなる液晶表示装置において、第１の透明基板と第２の透明基板の少なくとも一方の透明基板の側辺に配置する光源とを備え、光源からの発光が透明基板に入射する時点で偏光していることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
光源からの発光は、光源と透明基板の一辺との間に配置された偏光板により偏光されていてもよい。またこの場合、偏光板と透明基板との間に位相差板を備えていてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、第１の透明基板の視認側に更に偏光板を備えていてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記液晶表示装置にあっては、液晶がTN液晶またはSTN液晶であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  自動焦点機能を有する光学機器であって、
光学系を通過して形成される像の映像信号を生成する映像信号生成手段と、
被写体の輝度情報を取得する輝度情報取得手段と、
前記輝度情報に基づいて増幅特性を決定し、その増幅特性に従って前記映像信号を増幅する増幅手段と、
前記増幅手段の出力に基づいて前記光学系を駆動して焦点を調整する焦点調整手段と、
を備えることを特徴とする光学機器。
【請求項２】
前記増幅手段は、前記輝度情報に基づいて増幅率を決定することを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項３】
前記増幅手段は、前記輝度情報に基づいて、前記映像信号の低周波成分を増幅する増幅率及び高周波成分を増幅する増幅率を決定することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光学機器。
【請求項４】
前記増幅手段は、前記輝度情報に基づいて、前記映像信号を増幅する際の周波数特性を決定することを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項５】
前記増幅手段は、被写体の輝度が高いときは前記映像信号の高周波成分を増幅する増幅率が大きくなるように、該増幅率を決定することを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項６】
前記増幅手段は、被写体の輝度が高くなると前記映像信号の高周波成分を増幅する増幅率の比率が大きくなるように、前記映像信号の低周波成分及び高周波成分の各増幅率を決定することを特徴とする請求項１に記載の光学機器。
【請求項７】
光学系を通過して形成される像の映像信号を生成する映像信号生成手段と、前記映像信号を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の出力に基づいて前記光学系を駆動して焦点を調整する焦点調整手段とを備える光学機器の制御プログラムを記録したコンピュータで読み取り可能な記録媒体であって、該制御プログラムは、前記コンピュータに、
被写体の輝度情報を取得する輝度情報取得工程と、
前記輝度情報に基づいて前記増幅手段の増幅特性を決定する増幅特性決定工程と、
を実行させることを特徴とするメモリ媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決しようとする手段】
本発明の第１の側面に係る光学機器は、自動焦点機能を有する光学機器であって、光学系を通過して形成される像の映像信号を生成する映像信号生成手段と、被写体の輝度情報を取得する輝度情報取得手段と、前記輝度情報に基づいて増幅特性を決定し、その増幅特性に従って前記映像信号を増幅する増幅手段と、前記増幅手段の出力に基づいて前記光学系を駆動して焦点を調整する焦点調整手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔表面にポリイミド前駆体樹脂溶液を塗工し、続く熱処理工程で乾燥及び硬化を行い、銅箔とポリイミド樹脂層からなる銅張積層板を製造する方法において、銅箔に電解銅箔を用い、前記熱処理工程において、３００〜４５０℃の温度範囲で保持することで、前記銅箔の平均結晶粒径を熱処理工程前の２〜８倍に成長させることを特徴とする高屈曲性フレキシブル銅張積層板の製造方法。
【請求項２】
熱処理工程前における銅箔の平均結晶粒径が０．５〜２μｍの範囲にある請求項１記載の高屈曲性フレキシブル銅張積層板の製造方法。
【請求項３】
熱処理工程において、３００〜４５０℃の温度範囲で３〜４０分間保持する請求項１又は２に記載の高屈曲性フレキシブル銅張積層板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有するトンネル磁気抵抗効果素子において、
前記第一の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、
前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一の強磁性膜は、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少ないことを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、
配向制御膜と、前記配向制御膜の上に順に積層された反強磁性膜、第三の強磁性膜、非磁性膜を有し、前記非磁性膜の上に前記第一の強磁性膜、絶縁膜及び第二の強磁性膜が順に積層され、
前記第三の強磁性膜の磁化方向は前記反強磁性膜によって固定され、前記第三の強磁性膜と前記第一の強磁性膜とは前記非磁性膜を介して反強磁性結合していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
請求項４記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜の上に第二の非磁性膜と第四の強磁性膜と第二の反強磁性膜がこの順に積層され、前記第四の強磁性膜の磁化方向は前記第二の反強磁性膜によって固定されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
請求項４記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第二の強磁性膜の上に第二の非磁性膜と第四の強磁性膜がこの順に積層されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、
配向制御膜を有し、前記配向制御膜の上に前記第一の強磁性膜、絶縁膜及び第二の強磁性膜が順に積層され、
更に、前記第二の強磁性膜の上に非磁性膜、第三の強磁性膜、反強磁性膜が順に積層され、
前記第三の強磁性膜の磁化方向は前記反強磁性膜によって固定され、前記第三の強磁性膜と前記第一の強磁性膜とは前記非磁性膜を介して反強磁性結合していることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項８】
請求項７記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記配向制御膜と前記第一の強磁性膜の間に、第二の反強磁性膜と第四の強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層され、前記第四の強磁性膜の磁化方向は前記第二の反強磁性膜によって固定されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項９】
請求項７記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記配向制御膜と前記第一の強磁性膜の間に、第四の強磁性膜と第二の非磁性膜がこの順に積層されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗素子。
【請求項１０】
トンネル磁気抵抗効果素子と、前記トンネル磁気抵抗効果素子に流れる電流をオン・オフ制御するスイッチング素子とを備える磁気メモリにおいて、
前記トンネル磁気抵抗効果素子は、絶縁膜と、前記絶縁膜を挟んで設けられた第一の強磁性膜と第二の強磁性膜とを有し、前記第一の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であり、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少なく、前記絶縁膜は（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ膜であることを特徴とする磁気メモリ。
【請求項１１】
請求項１０記載の磁気メモリにおいて、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とする磁気メモリ。
【請求項１２】
請求項１０記載の磁気メモリにおいて、スピントランスファートルクにより磁気情報を記録することを特徴とする磁気メモリ。
【請求項１３】
複数の磁気メモリセルと、所望の磁気メモリセルを選択する手段とを備える磁気ランダムアクセスメモリにおいて、
前記磁気メモリセルは、ＣｏとＦｅとＢを含有し、Ｃｏに対するＦｅの組成比が５０ａｔｍ％より大きく、１００ａｔｍ％より少ない体心立方構造の第一の強磁性膜と、（１００）配向した岩塩構造のＭｇＯ絶縁膜と、第二の強磁性膜とが積層されたトンネル磁気抵抗効果素子を含むことを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１４】
請求項１３記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、前記第二の強磁性膜はＣｏとＦｅとＢを含有する体心立方構造の膜であることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１５】
請求項１３記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて、スピントランスファートルクにより磁気情報を記録することを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１６】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜は前記第二の強磁性膜の上に形成され、前記第一の強磁性膜は前記絶縁膜の上に形成されていることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項１７】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜は結晶構造を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【請求項１８】
請求項１記載のトンネル磁気抵抗効果素子において、前記第一及び第二の強磁性膜は結晶構造を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月2日(2009.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に配置された複数のスイッチ素子と、前記複数のスイッチ素子の上に配置された変換素子とを備えた複数の画素と、
を有する放射線検出装置であって、
前記複数のスイッチ素子は、第１の端子と、第２の端子と、制御端子とを含む転送用スイッチ素子及びリセット用スイッチ素子を有し、
前記転送用スイッチ素子は、前記第１の端子が前記変換素子の電極に接続され、前記第２の端子が信号配線に接続され、制御端子が第１の制御配線に接続されており、
前記リセット用スイッチ素子は、前記第１の端子が前記変換素子の前記電極に接続され、前記第２の端子がリセット配線に接続され、前記制御端子が第２の制御配線に接続されており、
前記転送用スイッチ素子と前記リセット用スイッチ素子とは、前記電極に接続されている前記第１の端子から前記信号配線又は前記リセット配線に接続されている前記第２の端子への向きが略同じで、前記制御端子の向きが略同じ配置であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記複数のスイッチ素子が前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
前記信号配線の幅方向の両端と、前記第１の制御配線の幅方向の両端とが、前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線検出装置。
【請求項４】
前記リセット配線の幅方向の両端と、前記第２の制御配線の幅方向の両端とが、前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項５】
前記信号配線と前記制御配線との交差部が前記変換素子の上から見た前記電極の領域の内側に配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項６】
前記信号配線、前記制御配線の幅方向の両端は、前記電極の端部から１μｍ以上内側に配置されていることを特徴とするから請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項７】
前記スイッチ素子と前記変換素子との間に配置された絶縁層を有することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項８】
前記絶縁層が有機樹脂からなることを特徴とする請求項７に記載の放射線検出装置。
【請求項９】
前記変換素子がＰＩＮ型光電変換素子又はＭＩＳ型光電変換素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１０】
前記変換素子の上に配置された波長変換体を有することを特徴とする請求項９に記載の放射線検出装置。
【請求項１１】
前記変換素子が放射線を直接電荷に変換する変換素子であることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の放射線検出装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の放射線検出装置と、
前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
放射線を発生させるための放射線源とを具備することを特徴とする放射線検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の放射線検出装置は、絶縁基板と、絶縁基板上に配置された複数のスイッチ素子と前記複数のスイッチ素子上に配置された変換素子とを備えた複数の画素と、を有する放射線検出装置であって、前記複数のスイッチ素子は、第１の端子と、第２の端子と、制御端子とを含む転送用スイッチ素子及びリセット用スイッチ素子を有し、前記転送用スイッチ素子は、前記第１の端子が前記変換素子の電極に接続され、前記第２の端子が信号配線に接続され、制御端子が第１の制御配線に接続されており、
前記リセット用スイッチ素子は、前記第１の端子が前記変換素子の前記電極に接続され、前記第２の端子がリセット配線に接続され、前記制御端子が第２の制御配線に接続されており、前記転送用スイッチ素子と前記リセット用スイッチ素子とは、前記電極に接続されている前記第１の端子から前記信号配線又は前記リセット配線に接続されている前記第２の端子への向きが略同じで、前記制御端子の向きが略同じ配置であることを特徴とする放射線検出装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月15日(2009.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層を有するフォトダイオードと、
トランジスタを含む増幅回路と、
スイッチと、
を有し、
入射する光の強度が所定の強度より小さいと前記スイッチにより前記フォトダイオード
と前記増幅回路は電気的に接続され、光電流は前記増幅回路により増幅されて出力され、
入射する光の強度が前記所定の強度より大きいと前記スイッチは前記フォトダイオードと
前記増幅回路の一部又は全部を電気的に切り離して光電流の増幅率を下げて出力されるこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
イン領域の一方との間に直列に挿入されたスイッチと、
を有し、
前記スイッチは受光強度に応じてオンオフの切り替えが行われることを特徴とする半導
体装置。
【請求項３】
ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
イン領域の一方との間に直列に挿入されたスイッチと、
を有し、
前記スイッチは受光強度が所定の値より高いときオフとなり、前記受光強度が前記所定
の値より低いときオンとなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと第２のトランジスタと、
一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一方の端子と、前記第２のトランジスタのソース領域又はドレ
イン領域の一方との間に挿入されたスイッチと、
を有し、
受光強度に応じて前記スイッチの切り替えを行う制御部を有することを特徴とする半導
体装置。
【請求項５】
ゲート電極に共通の電位が印加されるように電気的に接続され、カレントミラー回路を形成する第１のトランジスタと複数段の第２のトランジスタと、
一方の端子が電源に電気的に接続され、他方の端子が前記第１のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方かつ前記第１のトランジスタのゲート電極に電気的に接続されるフォトダイオードと、
前記フォトダイオードの一方の端子と、前記複数段の第２のトランジスタのソース領域又はドレイン領域の一方との間にそれぞれ挿入されたスイッチと、
を有し、
受光強度に応じて前記スイッチを切り替えることで、前記カレントミラー回路の増幅率を多段階に変化させることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１において、
前記光電変換層は、ｐ型半導体層、ｉ型半導体層及びｎ型半導体層を含むことを特徴と
する半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記トランジスタは、ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域、ゲート絶縁膜及びゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月17日(2009.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源制御回路と、メモリセルと、第１及び２のワード線と、グランド線と、電源線と、第１乃至３のデータ線とを有し、
前記電源制御回路は、
２つの入力端子と１つの出力端子を有し、いずれか一方の前記入力端子にハイレベルが入力されると前記出力端子にハイレベルが出力され、両方の前記入力端子にロウレベルが入力されると前記出力端子にロウレベルが出力される回路と、第１のインバーター回路と、第１及び２のトランジスタとを有し、
前記２つの入力端子と１つの出力端子を有する回路の２つの入力端子は、それぞれ前記第１のワード線又は前記第２のワード線に電気的に接続され、
前記２つの入力端子と１つの出力端子を有する回路の出力端子は、前記第１のインバーター回路の入力端子と、かつ、前記第１のトランジスタのゲート電極とに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の電圧を供給する配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記電源線と、かつ、前記第２のトランジスタの一方の電極とに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの他方は、第２の電圧を供給する配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲート電極は、前記第１のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、
前記メモリセルは、
第３乃至６のトランジスタと、互いに出力端子と入力端子が接続された第２及び３のインバーター回路と、を有し、
前記第２及び３のインバーター回路は、前記電源線に一方の電極が電気的に接続された第７及び８のトランジスタを有し、
前記第２及び３のインバーター回路は、前記グランド線に一方の電極が電気的に接続された第９及び１０のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、前記第２のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、前記第３のトランジスタの他方の電極は、前記第１のデータ線に電気的に接続され、前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの一方の電極は、前記第２のデータ線と接続され、前記第４のトランジスタの他方の電極は、前記第３のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、前記第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの一方の電極は、前記第１０のトランジスタの他方の電極に電気的に接続され、前記第５のトランジスタの他方の電極は、前記第６のトランジスタの一方の電極に電気的に接続され、前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２のインバーター回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタの他方の電極は、前記第３のデータ線に電気的に接続され、前記第６のトランジスタのゲート電極は、前記第２のワード線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記２つの入力端子と１つの出力端子を有する回路は、ＯＲ回路、ＮＯＲ回路とインバーター回路とからなる回路、２つのインバーター回路とＮＡＮＤ回路とからなる回路のいずれかからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
電源制御回路と、メモリセルと、第１乃至４のワード線と、グランド線と、電源線と、第１乃至３のデータ線とを有し、
前記電源制御回路は、
４つの入力端子と１つの出力端子を有し、少なくともいずれか１つの前記入力端子にハイレベルが入力されると前記出力端子にハイレベルが出力され、すべての前記入力端子にロウレベルが入力されると前記出力端子にロウレベルが出力される回路と、第１のインバーター回路と、第１及び２のトランジスタと、クロックが入力されるフリップフロップ回路とを有し、
前記４つの入力端子と１つの出力端子を有する回路の４つの入力端子は、それぞれ前記第１乃至４のワード線に電気的に接続され、
前記第１及び２のワード線は、前記フリップフロップ回路の出力端子にそれぞれが電気的に接続され、前記第３及び４のワード線は、前記フリップフロップ回路の入力端子にそれぞれが電気的に接続され、
前記４つの入力端子と１つの出力端子を有する回路の出力端子は、前記第１のインバーター回路の入力端子と、かつ、前記第１のトランジスタのゲート電極とに電気的に接続され、
前記第１のトランジスタの一方の電極は、第１の電圧を供給する配線に電気的に接続され、前記第１のトランジスタの他方の電極は、前記電源線と、かつ、前記第２のトランジスタの一方の電極とに電気的に接続され、
前記第２のトランジスタの他方は、第２の電圧を供給する配線に電気的に接続され、前記第２のトランジスタのゲート電極は、前記第１のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、
前記メモリセルは、
第３乃至６のトランジスタと、互いに出力端子と入力端子が接続された第２及び３のインバーター回路と、を有し、
前記第２及び３のインバーター回路は、前記電源線に一方の電極が電気的に接続された第７及び８のトランジスタを有し、
前記第２及び３のインバーター回路は、前記グランド線に一方の電極が電気的に接続された第９及び１０のトランジスタを有し、
前記第３のトランジスタの一方の電極は、前記第２のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、前記第３のトランジスタの他方の電極は、前記第１のデータ線に電気的に接続され、前記第３のトランジスタのゲート電極は、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第４のトランジスタの一方の電極は、前記第２のデータ線と接続され、前記第４のトランジスタの他方の電極は、前記第３のインバーター回路の出力端子に電気的に接続され、前記第４のトランジスタのゲート電極は、前記第１のワード線に電気的に接続され、
前記第５のトランジスタの一方の電極は、前記第１０のトランジスタの他方の電極に電気的に接続され、前記第５のトランジスタの他方の電極は、前記第６のトランジスタの一方の電極に電気的に接続され、前記第５のトランジスタのゲート電極は、前記第２のインバーター回路の入力端子に電気的に接続され、
前記第６のトランジスタの他方の電極は、前記第３のデータ線に電気的に接続され、前記第６のトランジスタのゲート電極は、前記第２のワード線に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記４つの入力端子と１つの出力端子を有する回路は、ＯＲ回路、ＮＯＲ回路とインバーター回路とからなる回路、２つのインバーター回路とＮＡＮＤ回路とからなる回路のいずれかからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第１乃至１０のトランジスタは絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第１乃至３のデータ線は、前記第１乃至１０のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一層から設けられることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生するランプ及び前記ランプをカバーするランプカバーを含むランプユニットと、
前記ランプユニットからの光をガイドする導光板と、
開口された上部を介してランプユニット及び前記導光板を収納するモールドフレームと、
前記モールドフレームと結合され、前記ランプユニットを固定する固定モールドとを含み、
前記固定モールドは、液晶表示パネルを支持し得るように、前記ランプユニットを前記モールドフレームと前記固定モールドとの間に固定させてなることを特徴とする前記液晶表示パネルに光を提供するためのバックライトアセンブリ。
【請求項２】
前記モールドフレームは、
前記ランプユニット及び前記導光板の下部をカバーする底部と、
前記ランプユニット及び前記導光板の側部をカバーする側壁とを含む請求項１記載のバックライトアセンブリ。
【請求項３】
前記モールドフレームは、前記底部の中央領域が開口されている請求項１又は２記載のバックライトアセンブリ。
【請求項４】
前記モールドフレームは、前記底部の外面に形成されたランプワイヤー固定部を含む請求項１〜３のいずれか１つに記載のバックライトアセンブリ。
【請求項５】
前記導光板の上部に配置される少なくとも一つの光学シートと、
前記導光板の下部に配置される反射板とをさらに含む請求項１〜４のいずれか１つに記載のバックライトアセンブリ。
【請求項６】
前記モールドフレームは、前記側壁の上部に形成されたシート固定突起を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載のバックライトアセンブリ。
【請求項７】
前記光学シートは、前記シート固定突起に対応される固定ホールを有する請求項５又は６に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項８】
前記シート固定突起の上部は、前記固定モールドによってカバーされるてなる請求項６又は７に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項９】
前記ランプユニットは、前記導光板の互いに向き合う両側部にそれぞれ配置されてなる請求項１〜８のいずれか１つに記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１０】
光を発生するランプ及び前記ランプをカバーするランプカバーを含むランプユニットと、
前記ランプユニットからの光をガイドする導光板と、
前記導光板の上部に配置された少なくとも一つの光学シートと、
前記導光板の下部に配置された反射板と、
開口された上部を介して前記反射板、前記ランプユニット、前記導光板及び前記光学シートを収納し、底部の外面に形成されたランプワイヤー固定部及び側壁の上部に形成されたシート固定突起を備えるモールドフレームと、
前記モールドフレームと結合され前記ランプユニットを固定する固定モールドとを含み、
前記固定モールドは、液晶表示パネルを支持し得るように、前記ランプユニットを前記モールドフレームと前記固定モールドとの間に固定させてなることを特徴とする前記液晶表示パネルに光を提供するためのバックライトアセンブリ。
【請求項１１】
前記光学シートは、前記シート固定突起に対応される固定ホールを有し、前記シート固定突起の上部は前記固定モールドによってカバーされてなる請求項１０に記載のバックライトアセンブリ。
【請求項１２】
前記請求項１〜１１のいずれか１つに記載のバックライトアセンブリと、
前記バックライトアセンブリの上部に配置され、画像を表示する液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルを駆動する駆動回路部とを含む表示ユニットと、
前記表示ユニットを固定するトップシャーシとを含むことを特徴とする液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に集積化された駆動回路と接続される複数のバンプと、
前記駆動回路上に形成される有機絶縁膜とを具備し、
前記有機絶縁膜は、前記複数のバンプより低く半導体基板から伸張され前記複数のバンプの下部エッジが前記有機絶縁膜の下部エッジよりさらに突出されることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記有機絶縁膜は、前記複数のバンプそれぞれを個別的に取り囲むオープンホールを有することを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
前記オープンホールの平面積は、前記バンプの平面積より大きいことを特徴とする請求項２記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記駆動回路と前記バンプとの間に接続されたチップパッドと、
前記駆動回路と前記有機絶縁膜との間に形成され、前記チップパッドの一部を露出させる保護膜とをさらに具備することを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項５】
半導体チップが異方性導電フィルムを介して実装された表示パネルにおいて、
基板上に形成され、前記半導体チップに形成されたバンプと前記異方性導電フィルム内の導電粒子を介して接続される電極パッドと、
前記電極パッドを取り囲み孤立させるオープンホールを有して前記基板上に形成される第１絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体チップの実装された表示パネル。
【請求項６】
前記第１絶縁膜は、有機絶縁膜であることを特徴とする請求項５記載の半導体チップの実装された表示パネル。
【請求項７】
前記電極パッドは前記基板上に形成された信号ラインと接続される下部電極パッドと、
前記下部電極パッド上に形成される第２絶縁膜のコンタクトホールを介して前記下部電極パッドと接続される上部電極パッドとを具備することを特徴とする請求項５記載の半導体チップの実装された表示パネル。
【請求項８】
前記オープンホールの平面積は、前記電極パッドの平面積より大きいことを特徴とする請求項５記載の半導体チップの実装された表示パネル。
【請求項９】
前記第１絶縁膜は、前記電極パッドより前記基板からさらに伸張されることを特徴とする請求項５記載の半導体チップの実装された表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体チップ及びそれを実装した表示パネル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は半導体チップ及びそれを実装した表示パネルに関し、特に、異方性導電粒子の残留率を向上させることができる半導体チップ及びそれを実装した表示パネルに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そこで、本発明は上記従来の半導体チップ及びそれを実装した表示パネルにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、ＡＣＦの導電粒子の残留率を向上させることができる半導体チップ及びそれを実装した表示パネルに関する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のユニットをラインによって接続して構成される製造装置を設置する設置方法であって、
それぞれ前記ラインとの接続部が前記複数のユニットのうち対応するユニットと同一の位置に設けられた複数の模型を前記複数のユニットのうち対応するユニットの設置予定位置に配置する工程と、
前記ラインを敷設するとともに前記複数の模型に前記ラインを接続する工程と、
前記ラインを検査する工程と、
前記検査で発見された不具合を解決する工程と、
前記複数の模型に代えて前記複数のユニットを設置する工程と、
前記複数のユニットに前記ラインを接続する工程とを含み、
前記複数のユニットの少なくとも一部のユニットは、前記検査のための検査器を有する、
ことを特徴とする設置方法。
【請求項２】
前記ラインは、ケーブル、チューブおよびダクトの少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の設置方法。
【請求項３】
前記検査器は、ケーブルの断線検査、チューブのリーク検査、ケーブルの周囲における電磁ノイズの検査および用力検査の少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の設置方法。
【請求項４】
前記用力検査は、空気圧、冷却水温度および電力品質の検査の少なくとも１つを含む、ことを特徴とする請求項３に記載の設置方法。
【請求項５】
前記複数のユニットは、露光装置を構成する本体ユニットおよび光源ユニットを含む、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の設置方法。
【請求項６】
前記本体ユニットは、クリーンルームに配置され、前記光源ユニットは、前記クリーンルームが配置された階と異なる階に配置される、ことを特徴とする請求項５に記載の設置方法。
【請求項７】
複数のユニットをラインによって接続して構成される製造装置における前記複数のユニットのうちの１つの装置の模型であって、
前記ラインと接続する接続部と、
前記接続部に前記ラインが接続された状態で前記ラインを検査するように当該模型の中に配置された検査器とを備え、
前記接続部は、前記１つの装置の接続部と同一の位置に配置されている、
ことを特徴とする模型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の第１の側面は、複数のユニットをラインによって接続して構成される製造装置を設置する設置方法に係り、前記配置方法は、それぞれ前記ラインとの接続部が前記複数のユニットのうち対応するユニットと同一の位置に設けられた複数の模型を前記複数のユニットのうち対応するユニットの設置予定位置に配置する工程と、前記ラインを敷設するとともに前記複数の模型に前記ラインを接続する工程と、前記ラインを検査する工程と、前記検査で発見された不具合を解決する工程と、前記複数の模型に代えて前記複数のユニットを設置する工程と、前記複数のユニットに前記ラインを接続する工程とを含み、前記複数のユニットの少なくとも一部のユニットは、前記検査のための検査器を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の第２の側面は、複数のユニットをラインによって接続して構成される製造装置における前記複数のユニットのうちの１つの装置の模型に係り、前記模型は、前記ラインと接続する接続部と、前記接続部に前記ラインが接続された状態で前記ラインを検査するように当該模型の中に配置された検査器とを備え、前記接続部は、前記１つの装置の接続部と同一の位置に配置される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロードキャストまたはマルチキャストサービスを提供する方法であって、
該方法は、
少なくとも１つの端末が第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して伝送されるブロードキャストまたはマルチキャストサービスのデータを受信することができるように、第２のダウンリンク共用物理チャネルを介して制御情報を伝送することと、
該第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して該データを伝送することと
を含み、
該第２のダウンリンク共用物理チャネルは、ＴＦＣＩ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｆｏｒｍａｔ  Ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）フィールドおよびパイロットフィールドのうちの少なくとも１つを含み、
該第２のダウンリンク共用物理チャネルは、該ブロードキャストまたはマルチキャストサービスの伝送されるデータとは異なるサービスのデータをさらに含む、方法。
【請求項２】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用トランスポートチャネルにマッピングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用データ物理チャネルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用制御物理チャネルである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して伝送されたデータは、複数のコードによって使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルの制御情報は、受信インジケータフィールドおよびチャネルコードフィールドのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、受信インジケータフィールドおよびチャネルコードフィールドをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ダウンリンク共用トランスポートチャネルは、ＦＡＣＨ（Ｆｏｒｗａｒｄ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｈａｎｎｅｌ）またはＤＳＣＨ（Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｓｈａｒｅｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ）である、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルおよび前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、それぞれ異なったコードを使用する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
ブロードキャストまたはマルチキャストサービスを受信する方法であって、
該方法は、
ネットワークから第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して受信されるブロードキャストまたはマルチキャストサービスのデータを受信するために、第２のダウンリンク共用物理チャネルを介して制御情報を受信することと、
該第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して該データを受信することと
を含み、
該第２のダウンリンク共用物理チャネルは、ＴＦＣＩ（Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｆｏｒｍａｔ  Ｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）フィールドおよびパイロットフィールドのうちの少なくとも１つを含み、
該第２のダウンリンク共用物理チャネルは、該ブロードキャストまたはマルチキャストサービスの受信されるデータとは異なるサービスのデータをさらに含む、方法。
【請求項１１】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用トランスポートチャネルにマッピングされる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用データ物理チャネルである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、ダウンリンク共用制御物理チャネルである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルを介して伝送されたデータは、複数のコードによって使用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルの制御情報は、受信インジケータフィールドおよびチャネルコードフィールドのうちの少なくとも１つを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、受信インジケータフィールドおよびチャネルコードフィールドをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】
前記ダウンリンク共用トランスポートチャネルは、ＦＡＣＨ（Ｆｏｒｗａｒｄ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｈａｎｎｅｌ）またはＤＳＣＨ（Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｓｈａｒｅｄ  Ｃｈａｎｎｅｌ）である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１のダウンリンク共用物理チャネルおよび前記第２のダウンリンク共用物理チャネルは、それぞれ異なったコードを使用する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の記録済み動画データを処理して再生する再生装置において、
前記複数の記録済み動画データを蓄積する蓄積部と、
前記蓄積部に蓄積された前記複数の記録済み動画データであって、記録の開始時刻が異なる複数の記録済み動画データを時刻的に同期の取れた動画データになるよう処理する編集部と、
前記編集部により処理された動画データをモニタに出力して表示させる出力部とを備えることを特徴とする再生装置。
【請求項２】
前記編集部は、前記複数の記録済み動画データの時刻差を抽出し、前記時刻差を元に前記複数の記録済み動画データから、時刻的に同期の取れた動画データになるよう処理することを特長とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項３】
前記時刻差を、前記複数の記録済み動画データの音声レベル情報により抽出することを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項４】
前記音声レベル情報による抽出を前記複数の記録済み動画データ間の音声レベルのパタン一致検出情報により実施することを特徴とする請求項３に記載の再生装置。
【請求項５】
前記時刻差を、前記複数の記録済み動画データの記録時刻が重複している範囲において抽出することを特徴とする請求項２に記載の再生装置。
【請求項６】
前記編集部は、前記時刻的に同期の取れた動画データについてＧＯＰ構造解析を行い、同一ＧＯＰ構造となるように再符号化処理またはデータ分割処理を行うことを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項７】
前記複数の記録済み動画データの時刻情報と時刻差情報により、メニュー情報を生成するメニュー生成部をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項８】
前記出力部は、前記編集部により処理された一の動画データを前記モニタに表示させるとともに、前記編集部により処理された他の動画データを動画サムネイルとして前記モニタに表示させ、前記動画サムネイルが選択された場合、前記一の動画データに変えて、選択された前記動画サムネイルが示す前記他の動画データを出力し、前記モニタに表示させることを特徴とする請求項１に記載の再生装置。
【請求項９】
複数の動画データの時刻差を抽出する抽出部と、
前記時刻差を元に前記複数の動画データから、時刻的に同期の取れた動画データを生成する編集部と、
前記時刻的に同期の取れた一つの動画データを表示部に出力し、かつ他の動画データを動画サムネイルとして前記表示部に出力している場合、前記動画サムネイルが選択されたとき、前記表示部に表示されている前記一つの動画データから前記動画サムネイルが示す前記他の動画データに切り替わって表示されるように出力する出力部を有することを特徴とする再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記従来技術では、複数の記録済みビデオカメラデータを再生する際に、各ビデオカメラに基準となる同期信号を配信する必要があり、さまざまなビデオカメラに対して共通仕様としなければならず、現状出回っているビデオカメラでは対応していない。従って、異なるビデオカメラで記録した複数の動画データを同時再生しようとした場合、表示に時刻的なずれが発生する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、図４は、図１のシステムの基本的な構成図である。
３種類の映像音声符号化情報３００を順次入力し、蓄積部２０７に蓄積する。３種類の映像音声符号化情報を３００ａ、３００ｂ、３００ｃとする。蓄積部２０７の一例としてハードディスクや半導体メモリ、光ディスク等がある。
最初に時刻基準となる映像音声符号化情報３００ａを蓄積部２０７から読み出し、映像音声復号化部２０１にて復号化処理を行ない、時刻情報３０２（以後３０２ａとする）と音声復号化情報３０３（以後３０３ａとする）を抽出して編集部２０２に供給する。時刻情報３０２は、映像音声復号化情報の開始時刻または終了時刻を示す情報である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１５は、メニュー画の別の一例である。タイトルＣに対応する映像音声符号化データが、複数日に渡り記録されており、更に同日中に複数記録データが存在する場合において、作成中のメニュー画中に全ての映像音声符号化データ状況を表示している。ここでは、このうち特定の映像音声符号化データ１０３ｃ１を選択し、決定ボタン１０５を選択すると、図１６で示す作成中のメニュー画に表示画が変わる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2009010548.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と
前記減圧処理室に供給された処理ガスに電磁エネルギーを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記減圧処理室内のガスを排気する排気手段と、
前記減圧処理室内のガス圧力を測定する圧力測定手段と
前記排気手段により排気されるガスの排気速度を調整する排気速度調整手段を備え、
前記圧力測定手段により測定したガス圧力が目標値に一致するように、ＰＩＤ制御演算を行って排気速度の操作量を計算し、排気速度の変化量が前記操作量に一致するように前記排気速度調整手段の開度を調整する圧力制御方法において、
前記ＰＩＤ制御演算および該演算に用いるゲインの演算は制御周期毎に行うとともに、前記ＰＩＤ制御演算に用いる積分ゲインは、排気速度と正の相関を有して、かつ、目標圧力値と負の相関を有する関数であることを特徴とするプラズマ処理装置の圧力制御方法。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置の圧力制御方法において、
前記ＰＩＤ制御演算に用いる比例ゲインは、目標圧力値と負の相関を有する関数であることを特徴とするプラズマ処理装置の圧力制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置の圧力制御方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
減圧処理室に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記減圧処理室に供給された処理ガスに電磁エネルギーを供給してプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記減圧処理室内のガスを排気する排気手段と、前記減圧処理室内のガス圧力を測定する圧力測定手段と、前記排気手段により排気されるガスの排気速度を調整する排気速度調整手段を備え、前記圧力測定手段により測定したガス圧力が目標値に一致するように、ＰＩＤ制御演算を行って排気速度の操作量を計算し、排気速度の変化量が前記操作量に一致するように前記排気速度調整手段の開度を調整する圧力制御方法において、前記ＰＩＤ制御演算および該演算に用いるゲインの演算は制御周期毎に行うとともに、前記ＰＩＤ制御演算に用いる積分ゲインは、排気速度と正の相関を有して、かつ、目標圧力値と負の相関を有する関数である。