【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンドパッド構造を備えている装置であって、該ポンドパッド構造は、
基板であって、高側面領域と低側面領域とを含む複数のプレーナー過電圧クランプデバイスを備え、各デバイスは、第１の方向に、該デバイスの幅に沿って伸長される、基板と、
該基板の上に配置された第１のパターン化金属層であって、該第１のパターン化金属層は、（ｉ）該第１の方向に伸長され、該高側面領域と整列させられ、該高側面領域に電気的に接続された少なくとも１つの伝導性の島と、（ｉｉ）該少なくとも１つの伝導性の島を囲み、該低側面領域に電気的に接続された伝導性のエリアとを備えている、第１のパターン化金属層と、
第１のバスであって、該第１のバスは、該第１の方向に対して実質的に垂直に配向され、該少なくとも１つの伝導性の島を囲む該伝導性のエリアの少なくとも一部分を含む、第１のバスと
を備え、
該プレーナー過電圧クランプデバイスは、過電圧条件の下で該少なくとも１つの伝導性の島から該第１のバスに電流を分流するように構成される、装置。
【請求項２】
少なくとも１つの第２の金属層をさらに備え、該少なくとも１つの第２の金属層は、前記第１の金属層の上に配置され、前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
第２のバスをさらに備え、該第２のバスは、前記少なくとも１つの第２の金属層の少なくとも一部分を含み、該第２のバスが前記第１の方向に実質的に平行に配向される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第１のバスが電力リターンバスである、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
上部金属層をさらに備え、該上部金属層は、前記少なくとも１つの第２の金属層の上に配置され、ワイヤに接着する接着エリアを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つの第２の金属層が、下部パターン化金属層と、上部連続金属層とを含み、前記装置は、該下部パターン化金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスと、該上部連続金属層の少なくとも一部分を含む第３のバスとをさらに含む、請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記プレーナー過電圧クランプデバイスは、前記第１の方向において軸の周りに鏡面対称である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記プレーナー過電圧クランプデバイスがＭＯＳ構造を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ＭＯＳ構造は、それぞれ、
前記高側面領域における、第１の伝導率タイプの低くドープされた第１の深い領域と、
前記低側面領域における、該第１の深い領域とは反対側の該第１の深い領域に隣接した、第２の伝導率タイプの低くドープされた第２の深い領域と、
該第１の深い領域内に形成される、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第１の浅いドレイン領域、および第１の浅い領域の反対側における該第２の伝導率タイプの高くドープされた第２の浅い領域と、
該第２の深い領域の各々において形成される、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第３の浅いソース領域と
を備え、該第１、第２、第３の浅い領域は、該第１の方向に伸長される、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記第２の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第３の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島を囲む前記伝導性のエリアに電気的に接続される、請求項９に記載の装置。
【請求項１３】
プレーナーＭＯＳクランプデバイスは、前記第２の深い領域内に形成される高くドープされた第４の浅い領域をさらに備え、前記第３の浅いソース領域は、前記第２の浅い領域と該第４の浅い領域との間に位置を定められる、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記第４の浅い領域は、前記少なくとも１つの伝導性の島を囲む前記伝導性のエリアに電気的に接続される、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記ＭＯＳ構造がゲート構造をさらに備え、各ゲート構造は、絶縁層と、該絶縁層上に配置されたゲート電極とを備え、該ゲート構造の少なくとも複数の部分が前記第２の深い領域と重なり合う、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
前記第２の浅い領域、前記第１および第２の深い領域、ならびに前記第３の浅い領域は、集合的にサイリスタタイプの応答を有する、請求項９に記載の装置。
【請求項１７】
ボンドパッド構造を作製する方法であって、該方法は、
基板を提供することであって、該基板は、高側面領域と低側面領域とを含む複数のプレーナー過電圧クランプデバイスを含み、各デバイスは、第１の方向に該デバイスの幅に沿って伸長される、ことと、
該基板の上に第１のパターン化金属層を形成することであって、該第１のパターン化金属層は、（ｉ）該第１の方向に伸長され、該高側面領域に整列させられ、該高側面領域に電気的に接続された少なくとも１つの伝導性の島と、（ｉｉ）該少なくとも１つの伝導性の島を囲み、該低側面領域に電気的に接続された伝導性のエリアとを含む、ことと、
第１のバスを形成することであって、該第１のバスは、該第１の方向に対して実質的に垂直に配向され、該少なくとも１つの伝導性の島を囲む該伝導性のエリアの少なくとも一部分を含み、該プレーナー過電圧クランプデバイスは、過電圧条件の下で該少なくとも１つの伝導性の島から該第１のバスに電流を分流するように構成される、ことと
を包含する、方法。
【請求項１８】
前記第１の金属層の上に少なくとも１つの第２の金属層を形成することをさらに包含し、該少なくとも１つの第２の金属層は、前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続されている、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの第２の金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスを形成することをさらに包含し、該第２のバスを形成することは、前記第１の方向に実質的に平行に配向された該第２のバスを形成することを包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの第２の金属層の上に上部金属層を形成することをさらに包含し、該上部金属層は、ワイヤに接着する接着エリアを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの第２の金属層を形成することは、下部パターン化金属層と、上部連続金属層とを形成することを包含し、前記方法は、該下部パターン化金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスと、該上部連続金属層の少なくとも一部分を含む第３のバスとを形成することをさらに包含する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２２】
前記プレーナー過電圧クランプデバイスは、ＭＯＳ構造を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＭＯＳ構造は、それぞれ、
前記高側面領域における、第１の伝導率タイプの低くドープされた第１の深い領域と、
前記低側面領域における、該第１の深い領域の反対側にあり、該第１の深い領域に隣接した、第２の伝導率タイプの低くドープされた第２の深い領域と、
該第１の深い領域内に形成された、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第１の浅いドレイン領域と、第１の浅い領域の反対側における該第２の伝導率タイプの高くドープされた第２の浅い領域と、
該第２の深い領域の各々内に形成された、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第３の浅いソース領域と
を含み、該第１、第２、第３の浅い領域は、該第１の方向に伸長される、請求項２２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
ボンドパッド構造を備えている装置であって、該ポンドパッド構造は、
基板であって、高側面領域と低側面領域とを含む複数のプレーナー過電圧クランプデバイスを備え、各デバイスは、第１の方向に、該デバイスの幅に沿って伸長される、基板と、
該基板の上に配置された第１のパターン化金属層であって、該第１のパターン化金属層は、（ｉ）該第１の方向に伸長され、該高側面領域と整列させられ、該高側面領域に電気的に接続された少なくとも１つの伝導性の島と、（ｉｉ）該少なくとも１つの伝導性の島を囲み、該低側面領域に電気的に接続された伝導性のエリア面積とを備えている、第１のパターン化金属層と、
第１のバスであって、該第１のバスは、該第１の方向に対して実質的に垂直に配向され、該少なくとも１つの伝導性の島を囲む該伝導性のエリア面積の少なくとも一部分を含む、第１のバスと
を備え、
該プレーナー過電圧クランプデバイスは、過電圧条件の下で該少なくとも１つの伝導性の島から該第１のバスに電流を分流するように構成される、装置。
（項目２）
前記第１のバスが電力リターンバスである、項目１に記載の装置。
（項目３）
少なくとも１つの第２の金属層をさらに備え、該少なくとも１つの第２の金属層は、前記第１の金属層の上に配置され、前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、項目１に記載の装置。
（項目４）
第２のバスをさらに備え、該第２のバスは、前記少なくとも１つの第２の金属層の少なくとも一部分を含む、項目３に記載の装置。
（項目５）
前記第２のバスが、電力供給バスまたは信号バスのうちの１つである、項目４に記載の装置。
（項目６）
前記第２のバスが前記第１の方向に実質的に平行に配向される、項目４に記載の装置。
（項目７）
上部金属層をさらに備え、該上部金属層は、前記少なくとも１つの第２の金属層の上に配置され、ワイヤに接着する接着エリア面積を含む、項目３に記載の装置。
（項目８）
前記少なくとも１つの第２の金属層が、下部パターン化金属層と、上部連続金属層とを含む、項目３に記載の装置。
（項目９）
前記下部パターン化金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスと、前記上部連続金属層の少なくとも一部分を含む第３のバスとをさらに含む、項目８に記載の装置。
（項目１０）
前記プレーナー過電圧クランプデバイスは、前記第１の方向において軸の周りに鏡面対称である、項目１に記載の装置。
（項目１１）
前記基板が偶数のプレーナー過電圧クランプデバイスを含む、項目１に記載の装置。
（項目１２）
前記プレーナー過電圧クランプデバイスがバイポーラ接合トランジスタを含む、項目１に記載の装置。
（項目１３）
前記プレーナー過電圧クランプデバイスがＭＯＳ構造を含む、項目１に記載の装置。
（項目１４）
前記ＭＯＳ構造は、それぞれ、
前記高側面領域における、第１の伝導率タイプの低くドープされた第１の深い領域と、
前記低側面領域における、該第１の深い領域とは反対側の該第１の深い領域に隣接した、第２の伝導率タイプの低くドープされた第２の深い領域と、
該第１の深い領域内に形成される、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第１の浅いドレイン領域、および第１の浅い領域の反対側における該第２の伝導率タイプの高くドープされた第２の浅い領域と、
該第２の深い領域の各々において形成される、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第３の浅いソース領域と
を備え、該第１、第２、第３の浅い領域は、該第１の方向に伸長される、項目１３に記載の装置。
（項目１５）
前記第２の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、項目１４に記載の装置。
（項目１６）
前記第１の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、項目１５に記載の装置。
（項目１７）
前記第３の浅い領域が前記少なくとも１つの伝導性の島を囲む前記伝導性のエリアに電気的に接続される、項目１４に記載の装置。
（項目１８）
プレーナーＭＯＳクランプデバイスは、前記第２の深い領域内に形成される高くドープされた第４の浅い領域をさらに備え、前記第３の浅いソース領域は、前記第２の浅い領域と該第４の浅い領域との間に位置を定められる、項目１７に記載の装置。
（項目１９）
前記第４の浅い領域は、前記少なくとも１つの伝導性の島を囲む前記伝導性のエリアに電気的に接続される、項目１８に記載の装置。
（項目２０）
前記ＭＯＳ構造がゲート構造をさらに備え、各ゲート構造は、絶縁層と、該絶縁層上に配置されたゲート電極とを備え、該ゲート構造の少なくとも複数の部分が前記第２の深い領域と重なり合う、項目１４に記載の装置。
（項目２１）
前記ＭＯＳ構造が絶縁バリヤーをさらに備える、項目１４に記載の装置。
（項目２２）
前記第２の浅い領域、前記第１および第２の深い領域、ならびに前記第３の浅い領域は、集合的にサイリスタタイプの応答を有する、項目１４に記載の装置。
（項目２３）
ボンドパッド構造を備えている装置であって、該ボンドパッド構造は、
（ａ）基板であって、該基板に一体化された電圧クランプとして動作する複数のプレーナーＭＯＳ構造を有し、各電圧クランプは、
（ｉ）ゲート構造と、
（ｉｉ）該ゲート構造の第１の側面上にある、第１の伝導率タイプの第１の高くドープされた領域と、
（ｉｉｉ）該ゲート構造の第２の側面上にある、該第１の伝導率タイプの第２の高くドープされた領域であって、該第２の高くドープされた領域は、（Ａ）第２の伝導率タイプの第３の高くドープされた領域と、および（Ｂ）スペーシングまたはバラスティングのうちの少なくとも１つとによって該ゲート構造から分離される、第２の高くドープされた領域と
を備えている、基板と、
（ｂ）該基板の上に配置された第１の金属層であって、該第１の金属層は、該第２の高くドープされた領域に電気的に接続された少なくとも１つの伝導性の島と、該少なくとも１つの伝導性の島を囲み、該第１の高くドープされた領域に電気的に接続される伝導性のエリアとを備えている、第１の金属層と
を備えている、装置。
（項目２４）
少なくとも１つの第２の金属層をさらに備え、該少なくとも１つの第２の金属層は、前記第１の金属層の上に配置され、前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続される、項目２３に記載の装置。
（項目２５）
上部金属層をさらに備え、該上部金属層は、前記少なくとも１つの第２の金属層の上に配置され、該少なくとも１つの第２の金属層に電気的に接続される、項目２４に記載の装置。
（項目２６）
前記少なくとも１つの伝導性の島および前記プレーナーＭＯＳ構造の前記ドープされた領域は、第１の方向に伸長される、項目２３に記載の装置。
（項目２７）
電力リターンバスをさらに備え、該電力リターンバスは、前記第１の方向に対して実質的に垂直に配向され、前記少なくとも１つの伝導性の島を囲む前記伝導性のエリアの少なくとも一部分を含む、項目２６に記載の装置。
（項目２８）
前記プレーナーＭＯＳ構造は、過電圧条件の下で、前記少なくとも１つの伝導性の島から電力リターンバスに電流を分流するように構成される、項目２３に記載の装置。
（項目２９）
ボンドパッド構造を作製する方法であって、該方法は、
基板を提供することであって、該基板は、高側面領域と低側面領域とを含む複数のプレーナー過電圧クランプデバイスを含み、各デバイスは、第１の方向に該デバイスの幅に沿って伸長される、ことと、
該基板の上に第１のパターン化金属層を形成することであって、該第１のパターン化金属層は、（ｉ）該第１の方向に伸長され、該高側面領域に整列させられ、該高側面領域に電気的に接続された少なくとも１つの伝導性の島と、（ｉｉ）該少なくとも１つの伝導性の島を囲み、該低側面領域に電気的に接続された伝導性のエリアとを含む、ことと、
第１のバスを形成することであって、該第１のバスは、該第１の方向に対して実質的に垂直に配向され、該少なくとも１つの伝導性の島を囲む該伝導性のエリアの少なくとも一部分を含み、該プレーナー過電圧クランプデバイスは、過電圧条件の下で該少なくとも１つの伝導性の島から該第１のバスに電流を分流するように構成される、ことと
を包含する、方法。
（項目３０）
前記第１の金属層の上に少なくとも１つの第２の金属層を形成することをさらに包含し、該少なくとも１つの第２の金属層は、前記少なくとも１つの伝導性の島に電気的に接続されている、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
前記少なくとも１つの第２の金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスを形成することをさらに包含する、項目３０に記載の方法。
（項目３２）
前記第２のバスを形成することは、前記第１の方向に実質的に平行に配向された該第２のバスを形成することを包含する、項目３１に記載の方法。
（項目３３）
前記少なくとも１つの第２の金属層の上に上部金属層を形成することをさらに包含し、該上部金属層は、ワイヤに接着する接着エリア面積を含む、項目３０に記載の方法。
（項目３４）
前記少なくとも１つの第２の金属層を形成することは、下部パターン化金属層と、上部連続金属層とを形成することを包含する、項目３０に記載の方法。
（項目３５）
前記下部パターン化金属層の少なくとも一部分を含む第２のバスと、前記上部連続金属層の少なくとも一部分を含む第３のバスとを形成することをさらに包含する、項目３４に記載の方法。
（項目３６）
前記プレーナー過電圧クランプデバイスは、ＭＯＳ構造を含む、項目２９に記載の方法。
（項目３７）
前記ＭＯＳ構造は、それぞれ、
前記高側面領域における、第１の伝導率タイプの低くドープされた第１の深い領域と、
前記低側面領域における、該第１の深い領域の反対側にあり、該第１の深い領域に隣接した、第２の伝導率タイプの低くドープされた第２の深い領域と、
該第１の深い領域内に形成された、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第１の浅いドレイン領域と、第１の浅い領域の反対側における該第２の伝導率タイプの高くドープされた第２の浅い領域と、
該第２の深い領域の各々内に形成された、該第１の伝導率タイプの高くドープされた第３の浅いソース領域と
を含み、該第１、第２、第３の浅い領域は、該第１の方向に伸長される、項目３６に記載の方法。
上述の考察は、添付の図面に関連して解される場合、本発明の下記の詳細な説明からより容易に理解される。