【手続補正書】
【提出日】平成25年11月8日(2013.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本発明の好ましい実施形態を本明細書中に記載し、その中には、本発明を実施するための発明者が知っている最良の形態を含む。好ましい実施形態の変更は上述の記載を読んだときに当業者に明らかになるであろう。本発明の発明者は当業者がこのような変更を適宜使用することを期待し、そして発明者は本明細書中に具体的に記載したものとは異なって発明が実施されることを意図している。したがって、本発明は適用可能な法によって認められるとおりの添付の特許請求の範囲に記載される対象のすべての変更及び均等を包含する。さらに、そのすべての可能な変更中の上述の要素の任意の組み合わせは、本明細書中に示されておらず又は内容から明らかに矛盾していないかぎり本発明に包含される。
なお、本発明の実施態様としては下記の態様を挙げることができる：
〈１〉（ｉ）下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になり、かつｐＨが７〜１１である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％の湿式法シリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜２質量％のアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩、
（ｅ）水酸化カリウム、
（ｆ）随意に重炭酸塩、及び、
（ｇ）水、
（ｉｉ）シリコンウェハの縁に対して上記研磨パッドを、上記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
（ｉｉｉ）上記縁の少なくとも一部を磨り減らして、上記シリコンウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコンから本質的になるシリコンウェハの縁の研磨方法。
〈２〉上記研磨組成物が、０．０２質量％〜５質量％の有機カルボン酸、０．０２質量％〜２質量％のアミノホスホン酸、及び０．１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、上記〈１〉項に記載の方法。
〈３〉上記研磨組成物が、５質量％〜２０質量％の湿式法シリカを含む、上記〈２〉項に記載の方法。
〈４〉上記研磨組成物が、１０質量％〜１５質量％の湿式法シリカを含む、上記〈３〉項に記載の方法。
〈５〉上記湿式法シリカは平均粒子サイズが４ｎｍ〜１８０ｎｍである、上記〈２〉項に記載の方法。
〈６〉上記湿式法シリカは平均粒子サイズが２０ｎｍ〜５０ｎｍである、上記〈５〉項に記載の方法。
〈７〉上記研磨組成物が、０．１質量％〜２質量％の有機カルボン酸を含む、上記〈２〉項に記載の方法。
〈８〉上記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、上記〈７〉項に記載の方法。
〈９〉上記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈８〉項に記載の方法。
〈１０〉上記研磨組成物が、０．１質量％〜１質量％のアミノホスホン酸を含む、上記〈２〉項に記載の方法。
〈１１〉上記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈１０〉項に記載の方法。
〈１２〉上記アミノホスホン酸はアミノトリ（メチレンホスホン酸）である、上記〈１１〉項に記載の方法。
〈１３〉上記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、上記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、上記〈２〉項に記載の方法。
〈１４〉上記研磨組成物が、ｐＨが８〜１０である、上記〈２〉項に記載の方法。
〈１５〉上記研磨組成物が、下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になる、上記〈１〉項に記載の方法：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％の湿式法シリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の、乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜２質量％の、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
（ｅ）０．０５質量％〜２質量％の水酸化カリウム、
（ｆ）０．０５質量％〜５質量％の重炭酸カリウム、及び、
（ｇ）水。
〈１６〉（ｉ）下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になり、かつｐＨが７〜１１である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％のシリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜１質量％のアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩、
（ｅ）随意に重炭酸塩、
（ｆ）随意に水酸化カリウム、及び、
（ｇ）水、
（ｉｉ）ウェハの縁に対して上記研磨パッドを、上記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
（ｉｉｉ）上記縁の少なくとも一部を磨り減らして、上記ウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコン及び酸化シリコンから本質的になる表面を有するウェハの縁の研磨方法。
〈１７〉上記研磨組成物が、０．０２質量％〜５質量％の有機カルボン酸、０．０２質量％〜２質量％のアミノホスホン酸、及び０．１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、上記〈１６〉項に記載の方法。
〈１８〉上記シリカはヒュームドシリカである、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈１９〉上記研磨組成物が、５質量％〜２０質量％のシリカを含む、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈２０〉上記研磨組成物が、１０質量％〜１５質量％のシリカを含む、上記〈１９〉項に記載の方法。
〈２１〉上記シリカは平均粒子サイズが４ｎｍ〜１８０ｎｍである、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈２２〉上記シリカは平均粒子サイズが２０ｎｍ〜５０ｎｍである、上記〈２１〉項に記載の方法。
〈２３〉上記研磨組成物が、０．１質量％〜２質量％の有機カルボン酸を含む、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈２４〉上記有機カルボン酸はヒドロキシカルボン酸である、上記〈２３〉項に記載の方法。
〈２５〉上記有機カルボン酸は乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈２４〉項に記載の方法。
〈２６〉上記研磨組成物が、０．１質量％〜１質量％のアミノホスホン酸を含む、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈２７〉上記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、上記〈２６〉項に記載の方法。
〈２８〉上記アミノホスホン酸はアミノトリ（メチレンホスホン酸）である、上記〈２７〉項に記載の方法。
〈２９〉上記研磨組成物が、重炭酸塩を含み、上記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈３０〉上記研磨組成物が、水酸化カリウムを含む、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈３１〉上記研磨組成物が、ｐＨが８〜１０である、上記〈１７〉項に記載の方法。
〈３２〉上記研磨組成物が、下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になる、上記〈１６〉項に記載の方法：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％の湿式法シリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の、乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜２質量％の、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
（ｅ）０．０５質量％〜２質量％の水酸化カリウム、
（ｆ）０．０５質量％〜５質量％の重炭酸カリウム、及び、
（ｇ）水。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になり、かつｐＨが７〜１１である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％の湿式法シリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜２質量％のアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩、
（ｅ）水酸化カリウム、及び
（ｇ）水、
（ｉｉ）シリコンウェハの縁に対して前記研磨パッドを、前記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
（ｉｉｉ）前記縁の少なくとも一部を磨り減らして、前記シリコンウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコンから本質的になるシリコンウェハの縁の研磨方法。
【請求項２】
前記研磨組成物が、（ｆ）重炭酸塩を更に含有している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｉ）下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になり、かつｐＨが７〜１１である化学機械研磨組成物、及び研磨パッドと、基材を接触させること：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％のシリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜１質量％のアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩、及び
（ｇ）水、
（ｉｉ）ウェハの縁に対して前記研磨パッドを、前記化学機械研磨組成物を介在させて動かすこと、及び、
（ｉｉｉ）前記縁の少なくとも一部を磨り減らして、前記ウェハの縁を研磨すること、
を含む、縁がシリコン及び酸化シリコンから本質的になる表面を有するウェハの縁の研磨方法。
【請求項４】
前記研磨組成物が、（ｅ）重炭酸塩を更に含有している、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記研磨組成物が、（ｆ）水酸化カリウムを更に含有している、請求項３又は４に記載の方法。
【請求項６】
前記シリカが、ヒュームドシリカである、請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記研磨組成物が、０．０２質量％〜５質量％の有機カルボン酸、０．０２質量％〜２質量％のアミノホスホン酸、及び０．１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウム塩を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記研磨組成物が、５質量％〜２０質量％のシリカを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記シリカが、平均粒子サイズ４ｎｍ〜１８０ｎｍである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜２質量％の有機カルボン酸を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記有機カルボン酸が、ヒドロキシカルボン酸である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記有機カルボン酸が、乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記研磨組成物が、０．１質量％〜１質量％のアミノホスホン酸を含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記アミノホスホン酸はエチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記アミノホスホン酸はアミノトリ（メチレンホスホン酸）である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記研磨組成物が、重炭酸塩を更に含み、かつ前記重炭酸塩は重炭酸カリウムである、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記研磨組成物が、ｐＨ８〜１０である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記研磨組成物が、下記（ａ）〜（ｇ）から本質的になる、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法：
（ａ）０．５質量％〜２０質量％の湿式法シリカ、
（ｂ）０．０１質量％〜５質量％の、乳酸、シュウ酸、２−ヒドロキシ酪酸、ベンジル酸、及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれる有機カルボン酸、
（ｃ）０．０００５質量％〜２質量％の、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）及びそれらの組み合わせからなる群より選ばれるアミノホスホン酸、
（ｄ）０．０１質量％〜５質量％のテトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、
（ｅ）０．０５質量％〜２質量％の水酸化カリウム、
（ｆ）０．０５質量％〜５質量％の重炭酸カリウム、及び、
（ｇ）水。