【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空引き可能になされた処理容器内で被処理体の表面に複数の薄膜を堆積して薄膜の積層構造を形成する方法において、
合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第１の金属よりなる合金種膜を形成する合金種膜形成工程と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて第２の金属よりなる母材膜を前記合金種膜よりも厚く形成する母材膜形成工程とを、それぞれ１回以上交互に行うようにしたことを特徴とする薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項２】
前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とは、それぞれ交互に複数回行なうことを特徴とする請求項１記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項３】
前記合金種膜形成工程では、前記第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを交互に異なるタイミングで間欠的に前記処理容器内へ供給して成膜を行う間欠成膜法を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項４】
前記合金種膜形成工程では、前記第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを同時に前記処理容器内へ供給して連続して成膜を行う連続成膜法を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項５】
前記母材膜形成工程では、前記第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを交互に異なるタイミングで間欠的に前記処理容器内へ供給して成膜を行う間欠成膜法を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項６】
前記母材膜形成工程では、前記第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを同時に前記処理容器内へ供給して連続して成膜を行う連続成膜法を実行することを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項７】
前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを行った後に、前記被処理体を所定の温度に加熱するアニール工程を行うようにしたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項８】
前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを同一の処理容器内で行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項９】
前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを交互に異なる処理容器内で行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項１０】
前記合金種膜の１層の厚さは、１〜２００Åの範囲内であり、前記母材膜の１層の厚さは５〜５００Åの範囲内であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項１１】
前記第１の金属は、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｂ、Ｖ、Ｍｎよりなる群から選択される１つの金属であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項１２】
前記第２の金属は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗよりなる群から選択される１つの金属であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項１３】
前記還元ガスは、Ｈ２ 、ＮＨ３ 、Ｎ２ 、Ｎ２ Ｈ４ ［ヒドラジン］、ＮＨ（ＣＨ３ ）２ ［エチルアミン］、Ｎ２ Ｈ３ ＣＨ［メチルジアゼン］、Ｎ２ Ｈ３ ＣＨ３ ［メチルヒドラジン］よりなる群より選択される１以上のガスであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法。
【請求項１４】
被処理体の表面に形成された薄膜の積層構造において、
合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて形成された第１の金属より成る合金種膜と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて前記合金種膜よりも厚く形成された第２の金属よりなる母材膜とを、それぞれ１層以上交互に積層するように構成したことを特徴とする薄膜の積層構造。
【請求項１５】
前記合金種膜と前記母材膜とは、それぞれ複数層積層されていることを特徴とする請求項１４記載の薄膜の積層構造。
【請求項１６】
前記合金種膜の１層の厚さは、１〜２００Åの範囲内であり、前記母材膜の１層の厚さは５〜５００Åの範囲内であることを特徴とする請求項１４又は１５記載の薄膜の積層構造。
【請求項１７】
被処理体の表面に薄膜を堆積させる成膜装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
前記被処理体を載置する載置台と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内にガスを導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段へ合金種としての第１の金属を含む原料ガスを供給する第１の原料ガス供給手段と、
前記ガス導入手段へ母材としての第２の金属を含む原料ガスを供給する第２の原料ガス供給手段と、
前記ガス導入手段へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、
装置全体を動作させて、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法を実行するように制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項１８】
前記処理容器内へプラズマを立てるためのプラズマ形成手段が設けられることを特徴とする請求項１７記載の成膜装置。
【請求項１９】
真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置する載置台と、
前記被処理体を加熱する加熱手段と、
前記処理容器内にガスを導入するガス導入手段と、
前記ガス導入手段へ合金種としての第１の金属を含む原料ガスを供給する第１の原料ガス供給手段と、
前記ガス導入手段へ母材としての第２の金属を含む原料ガスを供給する第２の原料ガス供給手段と、
前記ガス導入手段へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、
装置全体の動作を制御する制御手段とを有する成膜装置を用いて前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるに際して、
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法を実行するように前記成膜装置を制御する、コンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この場合、例えば請求項２に規定するように、前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とは、それぞれ交互に複数回行なう。
また例えば請求項３に規定するように、前記合金種膜形成工程では、前記第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを交互に異なるタイミングで間欠的に前記処理容器内へ供給して成膜を行う間欠成膜法を実行する。
また例えば請求項４に規定するように、前記合金種膜形成工程では、前記第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを同時に前記処理容器内へ供給して連続して成膜を行う連続成膜法を実行する。
また例えば請求項５に規定するように、前記母材膜形成工程では、前記第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを交互に異なるタイミングで間欠的に前記処理容器内へ供給して成膜を行う間欠成膜法を実行する。
また例えば請求項６に規定するように、前記母材膜形成工程では、前記第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを同時に前記処理容器内へ供給して連続して成膜を行う連続成膜法を実行する。
また例えば請求項７に規定するように、前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを行った後に、前記被処理体を所定の温度に加熱するアニール工程を行う。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また例えば請求項８に規定するように、前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを同一の処理容器内で行う。
また例えば請求項９に規定するように、前記合金種膜形成工程と前記母材膜形成工程とを交互に異なる処理容器内で行う。
また例えば請求項１０に規定するように、前記合金種膜の１層の厚さは、１〜２００Åの範囲内であり、前記母材膜の１層の厚さは５〜５００Åの範囲内である。
また例えば請求項１１に規定するように、前記第１の金属は、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｂ、Ｖ、Ｍｎよりなる群から選択される１つの金属である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また例えば請求項１２に規定するように、前記第２の金属は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｗよりなる群から選択される１つの金属である。
また例えば請求項１３に規定するように、前記還元ガスは、Ｈ２ 、ＮＨ３ 、Ｎ２ 、Ｎ２ Ｈ４ ［ヒドラジン］、ＮＨ（ＣＨ３ ）２ ［エチルアミン］、Ｎ２ Ｈ３ ＣＨ［メチルジアゼン］、Ｎ２ Ｈ３ ＣＨ３ ［メチルヒドラジン］よりなる群より選択される１以上のガスである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項１４に係る発明は、被処理体の表面に形成された薄膜の積層構造において、合金種としての第１の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて形成された第１の金属より成る合金種膜と、前記第１の金属とは異なる母材としての第２の金属を含む原料ガスと還元ガスとを用いて前記合金種膜よりも厚く形成された第２の金属よりなる母材膜とを、それぞれ１層以上交互に積層するように構成したことを特徴とする薄膜の積層構造である。
この場合、例えば請求項１５に規定するように、前記合金種膜と前記母材膜とは、それぞれ複数層積層されている。
また、例えば請求項１６に規定するように、前記合金種膜の１層の厚さは、１〜２００Åの範囲内であり、前記母材膜の１層の厚さは５〜５００Åの範囲内である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１７に係る発明は、被処理体の表面に薄膜を堆積させる成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記被処理体を載置する載置台と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内にガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段へ合金種としての第１の金属を含む原料ガスを供給する第１の原料ガス供給手段と、前記ガス導入手段へ母材としての第２の金属を含む原料ガスを供給する第２の原料ガス供給手段と、前記ガス導入手段へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、装置全体を動作させて、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法を実行するように制御する制御手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置である。
この場合、例えば請求項１８に規定するように、前記処理容器内へプラズマを立てるためのプラズマ形成手段が設けられる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項１９に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、被処理体を載置する載置台と、前記被処理体を加熱する加熱手段と、前記処理容器内にガスを導入するガス導入手段と、前記ガス導入手段へ合金種としての第１の金属を含む原料ガスを供給する第１の原料ガス供給手段と、前記ガス導入手段へ母材としての第２の金属を含む原料ガスを供給する第２の原料ガス供給手段と、前記ガス導入手段へ還元ガスを供給する還元ガス供給手段と、装置全体の動作を制御する制御手段とを有する成膜装置を用いて前記被処理体の表面に薄膜を堆積させるに際して、請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の薄膜の積層構造の形成方法を実行するように前記成膜装置を制御する、コンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体である。