【手続補正書】
【提出日】平成20年11月19日(2008.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトホールパターンを有するマスクを照明光で照明し、投影光学系を介して被露光体に投影する露光方法であって、
前記コンタクトホールパターンは、１列の周期パターンが隣り合う行で互いに半ピッチずれている千鳥格子状パターンであり、
前記照明光の有効光源は、前記投影光学系の前記瞳の中心からの距離がａで等しく、前記コンタクトホールパターンの列方向からの角度が０、２α、π−２α、π、π＋２α、２π−２αの方向に位置し、前記周期パターンの前記コンタクトホール間の列方向のピッチをＰｘ、前記列方向に対して垂直な行方向のピッチをＰｙ、前記投影光学系の開口数をＮＡ、前記照明光の波長をλとすると次式が成立し、
Ｐｘｏ／２＝（Ｐｘ／２）ＮＡ／λ、
Ｐｙｏ／２＝（Ｐｙ／２）ＮＡ／λ、
α＝ｔａｎ−１（Ｐｘｏ／（２Ｐｙｏ））、
ａ＝１／（４（Ｐｙｏ／２）／ｓｉｎ（２α）
前記コンタクトホールパターンからの回折光のうち３光束を前記投影光学系の瞳内で干渉させることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記コンタクトホールパターンは列方向に周期的に配置された２個以上のホールがあり、前記行方向にはＰｙｏだけ離れた位置からＰｘ／２だけ列方向にずれた位置にのみホールがあることを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記コンタクトホールパターンは、所定のパターンと、当該所定のパターンよりも寸法の小さな補助パターンを含み、
前記露光方法は、前記所定のパターンが解像され、かつ、前記補助パターンの解像が抑制することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項４】
１／（４（Ｐｙｏ／２））／ｓｉｎ（２α）＞１、
１／（２（Ｐｙｏ／２））／ｓｉｎ（ｔａｎ−１（２ｓｉｎ（２α）））＜１
が成立するであることを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項５】
前記有効光源は６重極形状を有することを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項６】
列方向に周期的なホールパターンのピッチをＰｘ、行方向にはピッチがＰｙの距離からＰｘ／２ずれたホールパターンに関し、
ＰｙとＰｘは
Ｐｙ＝√３・Ｐｘ／２
の関係にあるホールパターンを形成することを特徴とする請求項１記載の露光方法
【請求項７】
０．３３λ／（ＮＡ）＜Ｐｘ／２＜０．６７λ／（ＮＡ）、
０．３３λ／（Ｐｘ／２）＜ＮＡ＜０．６７λ／（Ｐｘ／２）
が成立することを特徴とする請求項６記載の露光方法。
【請求項８】
Ｐｏ＝（Ｐｘ／２）ＮＡ／λ、
ａ＝１／（３Ｐｏ）、
α＝π／６
が成立することを特徴とする請求項６記載の露光方法。
【請求項９】
コンタクトホールパターンを有するマスクを照明し、投影光学系を介して被露光体に投影する露光方法であって、
前記コンタクトホールパターンからの回折光のうち３光束を前記投影光学系の瞳内で干渉させ、
前記マスクはハーフトーン位相シフトマスクであり、前記照明はラジアル偏光照明であることを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
コンタクトホールパターンを有するマスクを照明し、投影光学系を介して被露光体に投影する露光方法であって、
前記コンタクトホールパターンからの回折光のうち３光束を前記投影光学系の瞳内で干渉させ、
前記マスクはバイナリーマスクであり、前記照明はタンジェンシャル偏光照明または無偏光照明であることを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のうちいずれか一項記載の露光方法を用いて被露光体を露光するステップと、
前記露光された前記被露光体を現像するステップとを有するデバイス製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光方法及びデバイス製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一側面としての露光方法は、コンタクトホールパターンを有するマスクを照明光で照明し、投影光学系を介して被露光体に投影する露光方法であって、前記コンタクトホールパターンは、１列の周期パターンが隣り合う行で互いに半ピッチずれている千鳥格子状パターンであり、前記照明光の有効光源は、前記投影光学系の前記瞳の中心からの距離がａで等しく、前記コンタクトホールパターンの列方向からの角度が０、２α、π−２α、π、π＋２α、２π−２αの方向に位置し、前記周期パターンの前記コンタクトホール間の列方向のピッチをＰｘ、前記列方向に対して垂直な行方向のピッチをＰｙ、前記投影光学系の開口数をＮＡ、前記照明光の波長をλとすると次式が成立し、Ｐｘｏ／２＝（Ｐｘ／２）ＮＡ／λ、Ｐｙｏ／２＝（Ｐｙ／２）ＮＡ／λ、α＝ｔａｎ−１（Ｐｘｏ／（２Ｐｙｏ））、ａ＝１／（４（Ｐｙｏ／２）／ｓｉｎ（２α）前記コンタクトホールパターンからの回折光のうち３光束を前記投影光学系の瞳内で干渉させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の別の側面としての露光方法は、コンタクトホールパターンを有するマスクを照明し、投影光学系を介して被露光体に投影する露光方法であって、前記コンタクトホールパターンからの回折光のうち３光束を前記投影光学系の瞳内で干渉させ、前記マスクはハーフトーン位相シフトマスクで前記照明はラジアル偏光照明であるか、前記マスクはバイナリーマスクで前記照明はタンジェンシャル偏光照明又は無偏光照明であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上述の露光方法を用いて被露光体を露光するステップを有するデバイス製造方法も本発明の別の側面を構成する。デバイス製造方法の請求項は、中間及び最終結果物であるデバイス自体にもその効力が及ぶ。また、かかるデバイスは、ＬＳＩやＶＬＳＩなどの半導体チップ、ＣＣＤ、ＬＣＤ、磁気センサ、薄膜磁気ヘッドなどを含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このように、露光装置１００は、投影光学系１４０のウェハ１７０側にある最終面が部分的に又は全体的に液体１８０に浸漬し、液体１８０を介してマスク１３０に形成されたパターンをウェハ１７０に露光する液浸型の露光装置である。本実施形態の露光装置１００は、ステップアンドスキャン方式の投影露光装置であるが、本発明はステップアンドリピート方式その他の露光方式を適用することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ビーム整形系１１４は、例えば、複数のシリンドリカルレンズを備えるビームエクスパンダ等を使用する。ビーム整形系１１４は、レーザー１１２からの平行光の断面形状の寸法の縦横比率を所望の値に変換する（例えば、断面形状を長方形から正方形にするなど）ことによりビーム形状を所望のものに成形する。ビーム成形系１１４は、後述するオプティカルインテグレーター１１８を照明するのに必要な大きさと発散角を持つ光束を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
照明光学系は、マスク１３０を照明する光学系である。本実施形態では、集光光学系１１６と、偏光制御手段１１７と、オプティカルインテグレーター１１８と、開口絞り１２０と、集光レンズ１２２と、折り曲げミラー１２４と、マスキングブレード１２６と、結像レンズ１２８とを含む。照明光学系は、後述する６重極照明の他、従来の照明、輪帯照明、四重極照明など様々な照明モードを実現することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
オプティカルインテグレーター１１８の出射面の直後には、形状及び径が固定された開口絞り１２０が設けられている。開口絞り１２０は、後述するように、投影光学系１４０の瞳内１４２に形成される有効光源とほぼ共役な位置に配置され、開口絞りの１２０の開口形状は投影光学系１４０の瞳面１４２の有効光源形状に相当する。開口絞り１２０は、後述するように、有効光源の形状を制御する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
マスキングブレード１２６は複数の可動遮光板より構成され、投影光学系１４０の有効面積に対応するほぼ矩形の任意の開口形状を有している。マスキングブレード１２６の開口部を透過した光束をマスク１３０の照明光として使用する。マスキングブレード１２６は開口幅を自動可変な絞りであり、転写領域を変更できる。また、露光装置１００は、スキャン方向の転写領域を変更可能にする、上述のマスキングブレードと類似した構造のスキャンブレードを更に有してもよい。スキャンブレードも開口幅が自動可変できる絞りであり、マスク１３０面と光学的にほぼ共役な位置に設けられる。露光装置１００は、これら二つの可変ブレードを用いることによって露光を行うショットの寸法に合わせて転写領域の寸法を設定することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
マスク１３０は、その上に転写されるべきパターンを形成され、マスクステージ１３２に支持及び駆動される。図４（ａ）にマスクパターンの例を示す。ここで、図４（ａ）はマスク１３０に形成されるコンタクトホールパターン（Ｘ又は列方向に周期的に配置された２個以上のホールを有するパターン）の一例を示す平面図である。パターンの説明は後で詳しく述べる。マスク１３０から発せられた回折光は投影光学系１４０を通りウェハ１７０上に投影される。ウェハ１７０は、被露光体でありレジスト１７２が基板１７４上に塗布されている。マスク１３０とウェハ１７０とは光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００はステップアンドスキャン方式の露光装置（即ち、スキャナー）であるため、マスク１３０とウェハ１７０を走査することによりマスク１３０のパターンをウェハ１７０上に転写する。なお、ステップアンドリピート方式の露光装置（即ち、「ステッパー」）であれば、マスク１３０とウェハ１７０とを静止させた状態で露光を行う。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
マスクステージ１３２は、マスク１３０を支持して図示しない移動機構に接続されている。マスクステージ１３２及び投影光学系１４０は、例えば、床等に載置されたベースフレームにダンパ等を介して支持されるステージ鏡筒定盤上に設けられる。マスクステージ１３２は、当業界周知のいかなる構成をも適用できる。図示しない移動機構はリニアモータなどで構成され、ＸＹ方向にマスクステージ１３２を駆動することでマスク１３０を移動することができる。露光装置１００は、マスク１３０とウェハ１７０を主制御ユニット１５０によって同期した状態で走査する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
投影光学系１４０は、マスク１３０に形成されたパターンを経た回折光をウェハ１７０上に結像する機能を有する。投影光学系１４０は、複数のレンズ素子のみからなるダイプトリック光学系、複数のレンズ素子と少なくとも一枚の凹面鏡とを有するカタディオプトリック光学系等を使用することができる。色収差の補正が必要な場合には、互いに分散値（アッベ値）の異なるガラス材からなる複数のレンズ素子を使用したり、回折光学素子をレンズ素子と逆方向の分散が生じるように構成したりする。そうでなければ、色収差の補償は、レーザのスペクトルの幅を狭くすることで実現する。最近、狭帯域ＭＯＰＡレーザは主な流れのうちの１つである。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図４（ａ）は、かかるマスクパターンＭＰ１の集合であるマスクパターン（又はコンタクトホールパターン）ＭＰ２の平面図である。コンタクトホールＣＨの幅をＷとし、コンタクトホール間のＸ方向のピッチをＰｘ、コンタクトホール間のＹ方向のピッチをＰｙとする。Ｘ又は横方向は列方向であり、Ｙ又は縦方向は行方向であり、各列のコンタクトホール列はピッチＰｘの周期パターンである。各列のコンタクトホール列（１列の周期パターン）は、上下の列とピッチの半分（Ｐｘ／２）ずらして配置され、３角形のパターンの集合体を形成する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
バイナリーマスクでは、コンタクトホールＣＨ（白色部分）が透過率１の光透過部であり、コンタクトホール周囲（黒色部分）が透過率０の遮光部ＬＳである。ハーフトーン位相シフトマスクではホールの部分（白色部分）が透過率１の光透過部であり、ホール周囲（黒色部分）の透過率６％程度の半遮光部、ホール周囲（黒色部分）はホールの部分（白色部分）と位相が１８０度反転している。位相シフトマスク（Ａｌｔｅｒｎａｔｅｄ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｍａｓｋ）では、後述するように、このようなパターンは配置することができない。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
Ｘ方向のピッチＰｘ、Ｙ方向のピッチＰｙをＮＡ（開口数）、λで規格化して次式を満たすようにパターンのピッチＰｘ、Ｐｙを決める。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
次に、図２（ａ）を参照して、開口絞り１２０に適用可能な６重極照明用絞りとして構成された開口絞り１２０Ａの概略平面図である。開口絞り１２０Ａは、中心に、σ＝０．２以下の６つの円を有する。開口絞り１２０Ａは、６つの円（６重極形状）からなる透過率１の光透過部１２１ａ（白色部分）と、透過率０の遮光部１２１ｂ（灰色部分）とを有する。図２（ｂ）に示すコンタクトホールパターンＭＰに対して、図２（ａ）に示すように、光源の方向をパターンの方向に一致させる。このような６重極の１つの有効光源の中心位置は次のようになる。 
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
Ｐｙ〜√３Ｐｘ／２のとき、図１６（ａ）に示すように、６重極の1つの光源を、図２（ｂ）に示す基本パターンのあるコンタクトホールを中心にした周囲のコンタクトホールの方向と一致させない場合数式８を満足していない。ここで、図１６（ａ）は、開口絞り１２０に適用できない６重極照明用絞りとして構成された開口絞りの概略平面図である。図１６（ａ）のように数式８を満足させないと結像性能が悪化する。なぜなら、微細なパターンでは、図１６（ｂ）に示すように、パターンからの０次回折光と１次回折光の２光束のみが干渉し２光束干渉となる。また、これよりパターンが大きくなると、図１６（ｃ）に示すように、パターンからの０次回折光と３つの１次回折光の４光束が干渉し４光束干渉となり、３光束干渉は実現されないからである。ここで、図１６（ｂ）は、光源の方向をパターンの方向と一致させない場合に２光束干渉が起こる例を示す概略平面図である。図１６（ｃ）は、光源の方向をパターンの方向と一致させない場合に４光束干渉が起こる例を示す概略平面図である。２光束干渉では1方向のコントラストのみは良いが直交する方向のコントラストが低く、図１６（ｃ）に示す瞳中心に対して非対称な４光束干渉では十分な焦点深度が得られないために、３光束干渉より結像性能が悪化する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
ＡｒＦエキシマレーザーとＮＡ１．３５の液浸露光装置を用いて、図１８（ａ）に示すσ＝０．２の円形の有効光源形状で図１７（ａ）に示す位相シフトマスクを照明する場合を考える。この場合、ハーフピッチの長さが変化するに従って、コントラストは図１９（ａ）に示すように変化し、焦点深度は図１９（ｂ）に示すように変化する。ハーフピッチの長さはｋ１、焦点深度はμｍで表している。焦点深度はコントラスト４０％以上を得、かつ、コンタクトホールの幅が所定の幅Ｗに対して、０．９倍から１．１倍までの±１０％の変動を許容するデフォーカス範囲とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
本実施例で提案する３光束干渉はかかる問題を解決するものである。以下、３光束干渉でコンタクトホールパターンを解像する方法について説明する。図４（ａ）のように千鳥格子状に並べたコンタクトホールパターン（千鳥格子状パターン）ＭＰ２の回折光が飛ぶ様子を図４（ｂ）に示す。図４（ｂ）に示すように、０次回折光の周囲には６点の１次回折光が分布している。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
図３（ａ）に示す６重極照明の光源Ｓ１からＳ６までの６つの光源のうち、図３（ｂ）にＳ１とＳ５における偏光状態での３光束の偏光状態を示す。６重極照明の１つの光源Ｓ５では、図３（ｂ）のように、０次回折光Ａと１次回折光Ｂ及びＣが干渉するが、ラジアル偏光照明にすると回折光ＡＢＣは図のような偏光方向となり、ＡとＣ、ＡとＢ、ＢとＣの干渉性がよい。特に、ハーフトーンマスクの場合、Ａの０次回折光と１次回折光Ｂ及びＣは振幅の符号と大きさが異なるが、ＢとＣは振幅が同じなので、ＢとＣの干渉性がよいのは重要である。ハーフトーンマスクの場合、タンジェンシャル偏光照明にすると回折光ＡＢＣの偏光方向が９０度回転した向きとなり、ＢとＣの干渉性が弱くなるためコントラストが低下する。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
つまり、小σ照明では光が殆ど垂直に入射してくるため、０次回折光と６つの１次回折光が７光束で干渉するため、ベストフォーカスでは高コントラストであるが焦点深度が得られない。また、輪帯照明では斜入射で光が入射し、３光束の干渉となり得るが、３光束が瞳の中心に対して、対称でない光が多く入射するため、デフォーカスに対して、像の悪化が大きくなり焦点深度が得られない。一方、３光束が瞳の中心に対して、対称となるようにした６重極照明ではデフォーカスに対して、像の悪化が少なく大きな焦点深度が得られる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
孤立コンタクトホールＣＨ３は孤立コンタクトホールＣＨ４よりもコントラストがよく、デフォーカス時にもホールパターンが得られていることがわかる。従って、これらの異なる大きさのホールが焦点深度〜０．２μｍにわたり、ホールが形成される。このように補助パターンＡＰの大きさは補助パターンＡＰのハーフピッチの０．６倍から０．８倍、または孤立コンタクトホールＣＨの大きさの０．６倍から０．８倍にするとよい。但し、孤立のホールパターンＣＨの大きさが異なるホールパターンを同時に露光する場合には、補助パターンＡＰのハーフピッチはすべて同じにするとよい。そして、補助パターンＡＰの大きさは補助パターンＡＰのハーフピッチの０．６倍から０．８倍にするとよい。
ホールパターンの大きさが異なる場合、同じ露光量で、所定の大きさになるように大きさ補正をする。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
本実施例は、マスク１３０にハーフトーンマスクを用い、孤立パターンと密集パターンが、図２５に示すように、混在している場合について説明する。パターン右上の孤立パターンＣＨ５は比較のために補助パターンをつけないとすると、図２６に示すような補助パターンＡＰの配置が考えられる。他のパターンがあって補助パターンの配置ができないときは、図２１（ａ）乃至（ｄ）に示すように所望のパターンの周囲に三角形となるように配置していく。補助パターンＡＰのピッチＰｘとＰｙは密集パターンの最小ピッチにあわせる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
孤立コンタクトホール同様、密集したホールパターンにおいて隣にホールが配置されない周辺のホールにも３角形をなすように配置し、周囲に６つのホールが配置するように補助パターンを配置した。補助パターンの大きさはすべて同じ大きさにした。孤立のホールパターンが密集したホールパターンが同じ露光量で、同じ大きさになるように大きさ補正をした。密集したホールパターンにおいても、隣にホールが配置されない周辺のホールに、同じ露光量で、密集したホールパターンの中心と周辺が同じ大きさになるように大きさ補正をすれば、密集パターンの大きさの均一性はさらによくなる。但し、この例では周辺ホールの大きさ補正はしていない。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
図２９は露光した結果である二次元強度分布を示す。密集パターンのホールと孤立ホールの大きさが均一となり、右側の±０．１μｍデフォ−カスしたものも解像されていることがわかる。補助パターンの配置はパターンの間に入れる余地があれば図２７に示すように補助パターンを所望のパターンの周囲に２重に取り囲むように配置してもよい。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２６】
図２５のようなｗ＝６５（ｎｍ）のホールでＰｘは密集パターンのハーフピッチ（Ｐｘ／２＝６５、Ｐｙ＝√３Ｐｘ／２）であったら、密集パターンのホールと孤立ホールの大きさをそろえるために、密集パターンのホールの大きさは６５（ｎｍ）である。しかし、孤立ホールの大きさをＷｉ＝６５＊１．１５＝７５（ｎｍ）、補助パターンの幅はＳ＝Ｗｉ＊０．７０＝５２（ｎｍ）とすると、図２９とほぼ同じ結果が得られた。補助パターンを所望のパターンの周囲に２重に取り囲むように配置した場合、孤立ホールの大きさの補正は１重に取り囲むように配置した場合とくらべて若干小さくでき、補助パターンの幅はＳも若干小さくできる。露光結果もパターンが微細になれば、補助パターンを所望のパターンの周囲に２重に取り囲むほうが若干よくなるが、最適な補助パターンの幅と孤立パターンの大きさ補正をすれば、所望のパターンの周囲に１重に取り囲めば解像力と深度の拡大効果は得られる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
Ｂｒｉｃｋ Ｗａｌｌパターンのような、パターンが遮光型で、パターン周囲が光透過型のマスクにも効果がある。図３６（ａ）のパターンでは所望のパターンを黒で、光透過部分を白で示している。Ｂｒｉｃｋ Ｗａｌｌパターンに補助パターンをいれるならば図３６（ｂ）に示すようになり、補助パターンの幅はＸＹ方向ともに、６５ｎｍ＊０．８＝５２ｎｍとする。今までと同じ露光条件ではこのＹ方向のハーフピッチ６５ｎｍをＫ１で表すとＫ１＝０．４５となる。照明条件は先ほどと同じ、図３４のような６重極照明でａ＝０．５８，２α＝２ｔａｎ−１（１．５／２）＝７３．７°である。ローカルな大きさσｒ＝０．１０とした。偏光は無偏光とした。ＡｒＦエキシマレーザー、ＮＡ＝１．３５の液浸露光装置で、露光した結果を示す。図３７（ａ）及び図３７（ｂ）は露光した結果である二次元強度分布を示す。所定の大きさになる強度とその強度の±２０％の等高線を示してある。図３７（ａ）はベストフォーカスでの結果、図３７（ｂ）は±０．１０μｍの結果を示す。ベストフォーカス、デフォーカス時ともにコントラストが良好であり、デフォーカス時の劣化が少なく、０．２μｍ以上の深度が得られている。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2007109969.tif 000001
【手続補正３０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2007109969.tif 000002