【手続補正書】
【提出日】平成21年9月1日(2009.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光体表面を帯電する帯電工程、露光により該感光体上に静電潜像を形成する潜像形成工程、該静電潜像を反転現像法によりトナーで現像してトナー像を形成する現像工程、転写材に該トナー像を静電転写させる転写工程、該転写材と感光体を分離させる分離工程、転写工程後に感光体上に残った転写残余トナーをクリーニング部材にて感光体上から除去するクリーニング工程を有する画像形成方法において、
該感光体は、導電性基体と該導電性基体上に少なくともアモルファスシリコンを含む光導電層及びアモルファスシリコン及び／またはアモルファスカーボンを含む表面保護層を備えたものであり、
該トナーは、少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子と、少なくとも粒子形状が立方体または直方体であるペロブスカイト型結晶であり個数平均粒子径が８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である無機微粉体Ａ及び個数平均粒径が３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満である無機微粉体Ｂを含有することを特徴とする、画像形成方法。
【請求項２】
前記反転現像法において、正帯電性の感光体を用いることを特徴とする請求項１に記載の画像形成方法。
【請求項３】
前記転写工程は、無端状転写搬送手段により搬送された転写材に前記感光体を当接させて転写する工程であり、
前記無端状転写搬送手段は、転写ベルトであり、該転写ベルトは前記感光体と当接する部位の搬送方向上流側及び下流側に設置された少なくとも２本以上のローラにより支張され、前記感光体との当接部位に於いて、該転写ベルトの前記感光体表面に対する侵入量ｉが前記感光体直径ｄの０％＜ｉ≦５％の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成方法。
【請求項４】
前記結着樹脂は、カルボキシル基を有するビニル樹脂とエポキシ基を有するビニル樹脂、カルボキシル基とエポキシ基を有するビニル樹脂、及びカルボキシル基とエポキシ基が反応したビニル樹脂からなる群より選択される１種以上のビニル樹脂を少なくとも含有し、
前記トナーは、ＴＨＦ可溶分の酸価が１〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載の画像形成方法。
【請求項５】
前記トナー中の前記無機微粉体Ａの含有率（質量％）をＡβ，前記無機微粉体Ｂの含有率（質量％）をＢβとしたとき、Ａβ/Ｂβが０．１以上３．５未満であることを特徴と
する請求項１乃至４の何れかに記載の画像形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、デジタル反転潜像を形成させる時、半導体レーザー等で行われる場合には、８００ｎｍ付近の赤外域に分光感度をもつ感光ドラムが用いられている。
この領域に分光感度を持つ感光体としては、アモルファスシリコン（以後ａ−Ｓｉと記す。）感光体がある。該ａ−Ｓｉ感光体は耐熱性，耐摩擦性等の耐久性、感度領域が広いうえ、高感度であるため、種々のレーザー光を用いることができ、複写機等の高速化、多機能化が図れるものである。しかしながら、ａ−Ｓｉ感光体はこうした利点を有する反面、コスト及び量産性の点から、膜厚を厚くすることは一般には難しく、実用的なａ−Ｓｉ感光体では帯電能を上げることができず、低電位コントラストで現像しうるトナーを用いることが必要とされ、トナーの帯電量を上げると共に、それをできる限り均一にコントロールすることが重要である。特に、高温高湿環境下における、トナーの帯電量の低下及び、トナーの流動性の低下を防止する事が重要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
上記目標を達成するための、本出願に係る発明は以下の通りである。
（１）感光体表面を帯電する帯電工程、露光により該感光体上に静電潜像を形成する潜像形成工程、該静電潜像を反転現像法によりトナーで現像してトナー像を形成する現像工程、転写材に該トナー像を静電転写させる転写工程、該転写材と感光体を分離させる分離工程、転写工程後に感光体上に残った転写残余トナーをクリーニング部材にて感光体上から除去するクリーニング工程を有する画像形成方法において、
該感光体は、導電性基体と該導電性基体上に少なくともアモルファスシリコンを含む光導電層及びアモルファスシリコン及び／またはアモルファスカーボンを含む表面保護層を備えたものであり、
該トナーは、少なくとも結着樹脂及び着色剤を含有するトナー粒子と、少なくとも粒子形状が立方体または直方体であるペロブスカイト型結晶であり個数平均粒子径が８０ｎｍ以上３００ｎｍ未満である無機微粉体Ａ及び個数平均粒径が３００ｎｍ以上３０００ｎｍ未満である無機微粉体Ｂを含有することを特徴とする、画像形成方法。
（２）上記反転現像法において、正帯電性の感光体を用いることを特徴とする（１）に記載の画像形成方法。
（３）上記転写工程は、無端状転写搬送手段により搬送された転写材に前記感光体を当接させて転写する工程であり、上記無端状転写搬送手段は、転写ベルトであり、該転写ベルトは感光体と当接する部位の搬送方向上流側及び下流側に設置された少なくとも２本以上のローラにより支張され、感光体との当接部位に於いて、該転写ベルトの感光体表面に対
する侵入量ｉが感光体直径ｄの０％＜ｉ≦５％の範囲であることを特徴とする（１）または（２）に記載の画像形成方法。
（４）上記結着樹脂は、カルボキシル基を有するビニル樹脂とエポキシ基を有するビニル樹脂、カルボキシル基とエポキシ基を有するビニル樹脂、及びカルボキシル基とエポキシ基が反応したビニル樹脂からなる群より選択される１種以上のビニル樹脂を少なくとも含有し、上記トナーは、ＴＨＦ可溶分の酸価が１〜５０ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする（１）乃至（３）の何れかに記載の画像形成方法。
（５）上記トナー中の上記無機微粉体Ａの含有率（質量％）をＡβ，上記無機微粉体Ｂの含有率（質量％）をＢβとしたとき、Ａβ/Ｂβが０．１以上３．５未満であることを特
徴とする（１）乃至（４）の何れかに記載の画像形成方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記カルボキシル基を有するビニル樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、４０〜７０℃が好ましい。Ｔｇが４０℃未満の場合、トナーの耐ブロッキング性が悪化し、７０℃を超える場合はトナーの定着性が悪化する。上記ガラス転移温度（Ｔｇ）は、例えば、示差走査熱量計（Ｍ−ＤＳＣ：ＴＡ−インストルメンツ社製）を用いて測定することが可能である。測定試料には、６ｍｇを精秤して用いる。精秤した測定試料をアルミパン中に入れ、リファレンスとして空のアルミパンを用い、測定温度範囲２０℃〜２００℃の間で、昇温速度４℃／分で常温常湿下で測定を行う。このとき、モジュレーション振幅±０．６℃、周波数１／ｍｉｎで測定する。そして、得られるリバーシングヒートフロー曲線から、ガラス転移温度（Ｔｇ）を計算する。計算は、ベースラインと吸熱による曲線の夫々の接線の交点を結ぶ直線の中点を求め、これをガラス転移温度（Ｔｇ）とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
＜ＧＰＣによる分子量分布の測定＞
４０℃のヒートチャンバー中でカラムを安定化させ、この温度におけるカラムに、溶媒としてＴＨＦを毎分１ｍｌの流速で流し、ＴＨＦ試料溶液を約１００μｌ注入して測定する。試料の分子量測定にあたっては試料の有する分子量分布を、数種の単分散ポリスチレン標準試料により作成された検量線の対数値とカウント値との関係から算出した。検量線作成用の標準ポリスチレン試料としては、例えば東ソー社製あるいは、昭和電工社製の分子量が１０2〜１０7程度のものを用い、少なくとも１０点程度の標準ポリスチレン試料を用いるのが適当である。また、検出器にはＲＩ（屈折率）検出器を用いる。なお、カラムとしては、市販のポリスチレンジェルカラムを複数本組み合わせるのが良く、例えば昭和電工社製のｓｈｏｄｅｘ  ＧＰＣ  ＫＦ−８０１、８０２、８０３、８０４、８０５、８０６、８０７、８００Ｐの組み合わせや、東ソー社製のＴＳＫｇｅｌ  Ｇ１０００Ｈ（ＨXL）、Ｇ２０００Ｈ（ＨXL）、Ｇ３０００Ｈ（ＨXL）、Ｇ４０００Ｈ（ＨXL）、Ｇ５０００Ｈ（ＨXＬ）、Ｇ６０００Ｈ（ＨXL）、Ｇ７０００Ｈ（ＨXL）、ＴＳＫｇｕｒｄ  ｃｏｌｕｍｎの組み合わせを挙げることができる。