Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月25日(2009.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パネルのエッジ領域に隣接して形成された連結面及び前記連結面上に形成された第１導電連結パターンを備えたパネルと、
テープパッケージと、を備えた装置であって、
前記テープパッケージが、
入力リード配線及び出力リード配線を備えた少なくとも１つのリードを備え、その上に形成された第２導電連結パターンを備えたベース基板と、
前記ベース基板に形成され、前記入力リード配線と電気的に連結された半導体チップと、を備え、
前記出力リード配線が、
第１幅を有する終端と、
第１幅より大きな第２幅を有し、前記入力リード配線と隣接する第２部分と、
前記第１幅と前記第２幅との間で可変の幅を有する遷移領域と、を備え、
前記終端が、前記エッジ領域が前記遷移領域に覆われるように、前記第１導電連結パターンと連結され、
前記第２部分が、前記入力リード配線と前記遷移領域との間に配置され、前記遷移領域が、前記第２部分と前記終端との間に配置されていることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記半導体チップが、ソルダバンプを通じて前記入力リード配線と連結されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記テープパッケージが、前記ベース基板及び前記第２部分上に形成されたソルダレジストをさらに備え、終端と前記遷移領域とが前記ソルダレジストに対して露出されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記遷移領域が直線的に傾斜した形状を備え、前記終端が前記ベース基板の一端へと拡張されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記終端が直線状であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記終端が、前記ベース基板の一端へと拡張されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１幅が約１５μｍから５０μｍの範囲の幅を有し、前記第２幅が約２０μｍから８０μｍの範囲の幅を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記エッジ領域が、傾斜されたパネルのエッジを備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記終端の少なくとも一部が、前記エッジ領域に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ベース基板が、前記遷移領域が形成された位置で曲げられていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１導電連結パターンと前記第２導電連結パターンとがＡＣＦに連結されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記終端と前記遷移領域とが第１膜に対して露出されるようにして、前記第２部分上に配置された第１膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第１膜が、ソルダレジストを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第２導電連結パターンが、少なくとも過半数のそれぞれが入力リード配線と出力リード配線とを備えた複数のリードを備え、
前記半導体チップが、前記ベース基板上に搭載され、前記入力リード配線と電気的に連結され、
前記出力リード配線が、
対応する終端の幅を有する終端と、
前記終端の幅より大きな対応する第２部分の幅を有し、前記入力リード配線と隣接する第２部分と、
前記対応する終端の幅と、前記対応する第２部分の幅との間で可変の幅を有する遷移領域と、を備え、
前記終端が、前記遷移領域が前記エッジ領域を覆うように前記導電連結パターンと連結され、
前記第２部分が、前記入力リード配線と前記遷移領域との間に配置され、前記遷移領域が、前記第２部分と前記終端との間に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
前記終端の幅と前記第１幅とが実質的に同一であり、前記第２部分の幅と前記第２幅が実質的に同一であることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成され、その内の少なくとも１つが入力リード配線と、終端、末端、及び遷移領域を備えた対応する出力リード配線と、を備えた複数のリードと、
前記ベース基板上に搭載され、ソルダバンプを通じて前記入力リード配線と連結された半導体チップと、
前記末端を覆い、前記終端と前記遷移領域の一部を露出させるソルダレジストと、
を備えたテープパッケージであって、
前記終端が第１幅を有し、前記末端が前記第１幅より大きな第２幅を有し、
前記遷移領域が、前記第１幅と前記第２幅との間で可変の幅を有し、
前記末端が入力リード配線と隣接し、前記遷移領域が前記末端と前記終端との間に配置されていることを特徴とするテープパッケージ。
【請求項１７】
ソルダバンプが、前記入力リード配線と、前記半導体チップと、の間に配置されていることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項１８】
前記遷移領域が、直線的に傾斜した形状を備え、前記終端が前記ベース基板の一端へと拡張されていることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項１９】
前記末端が、“Ｓ”字状であることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２０】
前記第１幅が、約１５μｍから５０μｍの範囲であり、前記第２幅が、約２０μｍから８０μｍの範囲であることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２１】
前記出力リード配線が、銅を含むことを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２２】
前記入力リード配線の幅が、実質的に前記第２幅と同一であることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２３】
前記ベース基板が、その上に前記遷移領域が形成された位置で曲げられていることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２４】
前記半導体チップを保護する封止材料をさらに備えることを特徴とする請求項１６に記載のテープパッケージ。
【請求項２５】
ベース基板と、
前記ベース基板上に搭載され、その内の少なくとも１つが入力リード配線と、終端、末端、及び遷移領域を備えた対応する出力リード配線と、を備えた複数のリードと、
前記ベース基板上に搭載され、前記入力配線と連結された半導体チップと、
前記出力リード配線の一部を覆うソルダレジストと、を備えたテープパッケージであって、
前記終端が第１幅を有し、前記末端が前記第１幅より大きな第２幅を有し、
前記遷移領域が、前記第１幅と前記第２幅との間で可変の幅を有し、
前記末端が入力リード配線と隣接し、前記遷移領域が前記末端と前記終端との間に配置されていることを特徴とするテープパッケージ。
【請求項２６】
前記ソルダレジストが、前記末端を覆い、前記終端と前記入力リード配線の一部を露出させることを特徴とする請求項２５に記載のテープパッケージ。
【請求項２７】
前記入力リード配線と前記半導体チップとに連結されたソルダバンプをさらに備え、前記ソルダバンプが、前記半導体チップと前記入力リード配線との間に配置されていることを特徴とする請求項２６に記載のテープパッケージ。
【請求項２８】
前記入力リード配線と前記半導体チップとに連結された金属ワイヤをさらに備えることを特徴とする請求項２６に記載のテープパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極と、前記一対の電極間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は、側鎖にアミド基を有する高分子材料を含み、
前記高分子材料の主鎖の構造は、９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
請求項１において、前記高分子材料は、一定の周期で側鎖にアミド基を有し、一定の周期で選ばれた側鎖のアミド基間に、分子内水素結合が形成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
請求項２において、前記分子内水素結合が高分子主鎖に沿って集積化し、高分子鎖を形成していることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記アミド基の方向を前記一対の電極間に電圧をかけて制御することで前記高分子材料の分極の方向を制御することを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
一対の電極と、前記一対の電極間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は高分子材料を含み、該高分子材料は一般式（１）で表されるポリアクリル酸アミド誘導体であることを特徴とする記憶素子。
【化１】
2006332630.tif 000001
【請求項６】
請求項５において、前記ポリアクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、前記ポリアクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上のアイソタクティシチーを有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
一対の電極と、前記一対の電極間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は高分子材料を含み、該高分子材料は一般式（２）で表されるポリメタクリル酸アミド誘導体であることを特徴とする記憶素子。
【化２】
2006332630.tif 000002
【請求項９】
請求項８において、前記ポリメタクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記ポリメタクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上のアイソタクティシチーを有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項１１】
一対の電極と、前記一対の電極間に設置された有機化合物層を有し、前記有機化合物層は高分子材料を含み、該高分子材料は一般式（３）で表されるポリプロパルギルアミド誘導体であることを特徴とする記憶素子。
【化３】
2006332630.tif 000003
【請求項１２】
請求項１１において、前記ポリプロパルギルアミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２において、前記ポリプロパルギルアミド誘導体の主鎖は９０％以上のシスの立体規則性を有していることを特徴とする記憶素子。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記ポリプロパルギルアミド誘導体は、プロパルギルアミドをロジウム触媒、あるいは鉄触媒を用いて重合することで合成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項１５】
複数のビット線と、複数のワード線と、
記憶素子部を備えた複数のメモリセルと、
前記複数のメモリセルからなるメモリセルアレイとを有し、
前記記憶素子部は、前記ビット線を構成する導電層と有機化合物層と前記ワード線を構成する導電層との積層構造からなり、
前記有機化合物層は少なくとも一種の側鎖にアミド基を有する高分子材料を含むこと
を特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記高分子材料は、一般式（１）で表されるポリアクリル酸アミド誘導体であることを特徴とする半導体装置。
【化４】
2006332630.tif 000004
【請求項１７】
請求項１６において、前記ポリアクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記ポリアクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上のアイソタクティシチーを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１５において、前記高分子材料は、一般式（２）で表されるポリメタクリル酸アミド誘導体であることを特徴とする半導体装置。
【化５】
2006332630.tif 000005
【請求項２０】
請求項１９において、前記ポリメタクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、前記ポリメタクリル酸アミド誘導体の主鎖は９０％以上のアイソタクティシチーを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１５において、前記高分子材料は、一般式（３）で表されるポリプロパルギルアミド誘導体であることを特徴とする半導体装置。
【化６】
2006332630.tif 000006
【請求項２３】
請求項２２において、前記ポリプロパルギルアミド誘導体の主鎖は９０％以上の立体規則性を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項２２または請求項２３において、前記ポリプロパルギルアミド誘導体の主鎖は９０％以上のシスの立体規則性を有していることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、半導体装置、及び記憶素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第１の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層と第２の導電層との界面より高いことを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第２の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層と第１の導電層との界面より高いことを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層と、を有し、
前記絶縁物を含む有機化合物層の前記絶縁物の濃度は、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第１の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層の中心部より高く、且つ、前記絶縁物を含む有機化合物層と前記第２の導電層との界面の方が、前記絶縁物を含む有機化合物層の中心部より高いことを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記絶縁物は粒子形状であることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層は、前記絶縁物を含むことを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層又は前記第２の導電層は、前記絶縁物とは異なる絶縁物を含むことを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが一部接することを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記絶縁物を含む有機化合物層の膜厚が変化することを特徴とする記憶素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記絶縁物を含む有機化合物層に含まれる絶縁物として、キャリア注入されない材料を用いることを特徴とする記憶素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項に記載の記憶素子を有する半導体装置。
【請求項１２】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１３】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に絶縁物と有機化合物とを含む組成物を吐出し、前記組成物を固化して、前記第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１４】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層に絶縁物を添加して、絶縁物を含む有機化合物層を形成し、
前記絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記絶縁物を含む有機化合物層中の前記絶縁物が濃度勾配を有するように、前記絶縁物を含む有機化合物層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
メモリセル７２１は、ワード線Ｗｙ（１≦ｙ≦ｎ）を構成する第１の導電層と、ビット線Ｂｘ（１≦ｘ≦ｍ）を構成する第２の導電層と、絶縁物を含む有機化合物層とを有する。絶縁物を含む有機化合物層は、第１の導電層と第２の導電層の間に単層または積層して設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、半導体装置、及び記憶素子の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物を含む第１の導電層と、
前記絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層と、
前記有機化合物層上に第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に有機化合物層と、
前記有機化合物層上に絶縁物を含む第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
第１の絶縁物を含む第１の導電層と、
前記第１の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層と、
前記有機化合物層上に第２の絶縁物を含む第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記第１の導電層と前記第２の導電層とが一部接することを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
電気的作用を加えることによって、前記有機化合物層の膜厚が変化することを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の記憶素子を有する半導体装置。
【請求項７】
絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項８】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に絶縁物を含む第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項９】
第１の絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の絶縁物を含む第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１０】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に絶縁物を添加して、絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１１】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層表面の一部を改質して、絶縁物混入領域を前記第１の導電層に形成し、
前記絶縁物混入領域上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１２】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に金属元素、又は半導体元素を添加し、
前記金属元素又は前記半導体元素を酸化して、絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１３】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に第１の絶縁物を添加して、第１の絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の絶縁物を含む第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１４】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層表面の一部を改質して、第１の絶縁物混入領域を第１の導電層に形成し、
前記第１の絶縁物混入領域上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の絶縁物を含む第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１５】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層に金属元素、又は半導体元素を添加し、
前記金属元素又は前記半導体元素を酸化して、第１の絶縁物を含む第１の導電層を形成し、
前記第１の絶縁物を含む第１の導電層上に有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に第２の絶縁物を含む第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２又は請求項１５において、
加熱処理によって、前記金属元素又は前記半導体元素を酸化することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
絶縁物混入領域を有する導電層を形成後、その表面をドライエッチングやウェットエッチングなどのエッチングにより、所望の形状に加工してもよいし、表面を削るなどの加工を行ってもよい。絶縁物混入領域を所望の形状に加工することによって、有機化合物層との界面に存在し、有機化合物層と接する絶縁物の量や濃度を制御することができる。本発明でも用いることのできる絶縁物を含む導電層の形状について、図１６を用いて説明する。図１６（Ａ１）（Ａ２）において、基板８０上に絶縁物混入領域８２を有する第１の導電層８１が形成されている。図１６（Ａ１）（Ａ２）のように、第１の導電層８１中に選択的に絶縁物混入領域を形成し、絶縁物混入領域が膜として連続性を有さずに、不連続な島状の形状となる場合がある。図１６（Ａ１）（Ａ２）において、第１の導電層８１中の絶縁物混入領域８２は、無秩序な形状の島状で、無規則な位置に形成され、上面図である図１６（Ａ１）における線Ｙ−Ｚの断面図である図１６（Ａ２）で確認できるように、個々の島状の絶縁物混入領域８２を有する第１の導電層８１は膜厚分布を有しており、その表面に凹凸形状を有する場合もある。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】有機トランジスタ、及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極表面を絶縁化して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成された有機半導体材料を含む半導体層とを有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項２】
ゲート電極と、
前記ゲート電極表面を絶縁化して形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成された有機半導体材料を含む半導体層と、
前記半導体層の少なくとも一部に接して形成された導電層と、前記導電層と前記半導体層との間に形成された有機化合物及び金属酸化物との複合層とを有するソース及びドレイン電極とを有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極表面に対し、電子密度電子密度が１０１１ｃｍ−３以上、かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマ処理を行うことによって形成されることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記ゲート絶縁膜は、前記ゲート電極表面に対し、電子密度電子密度が１０１１ｃｍ−３以上、かつ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の高密度プラズマ処理を行うことによって形成されることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記ゲート電極は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅から選ばれた一又は複数の材料を含むことを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、８以上の誘電率を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項７】
請求項２乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機化合物は、芳香族アミン骨格を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項８】
請求項２乃至請求項７のいずれか一において、
前記金属酸化物は、チタン、バナジウム、クロム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウムの酸化物から選ばれた一又は複数であることを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項９】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を、電子密度が１０１１ｃｍ−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下の高密度プラズマ処理により絶縁化してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に有機半導体材料を含む半導体層を形成し、
前記半導体層上に、有機化合物及び金属酸化物が混合された複合層を形成し、前記複合層上に導電層を形成して、前記複合層と前記導電層を有するソース及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
基板上にゲート電極を形成し、
前記ゲート電極表面を、電子密度が１０１１ｃｍ−３以上かつ電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下の高密度プラズマ処理により絶縁化してゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に有機半導体材料を含む半導体層を形成し、
前記半導体層上に、有機化合物及び金属酸化物が混合された複合層を形成し、前記複合層上に導電層を形成して、前記複合層と前記導電層を有するソース及びドレイン電極を形成することを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記ゲート電極として、タンタル、ニオブ、アルミニウム、モリブデン、チタン、銅から選ばれた一又は複数の材料を用いることを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一において、
前記ゲート絶縁膜は、８以上の誘電率を有することを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一において、
前記有機化合物は、芳香族アミン骨格を有することを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一において、
前記金属酸化物として、チタン、バナジウム、クロム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステン、レニウムの酸化物から選ばれた一又は複数を用いることを特徴とする有機トランジスタの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月9日(2009.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】検査方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路に設けられた接続端子と、フレキシブルプリント配線板に設けられた圧着接続端子との接続状態を、前記フレキシブルプリント配線板に設けられ、且つ前記接続端子に電気的に接続された圧着検査端子によって検査することを特徴とする検査方法。
【請求項２】
半導体集積回路に設けられた複数の接続端子の一つと、フレキシブルプリント配線板に設けられた圧着接続端子との接続状態を、前記フレキシブルプリント配線板に設けられ、且つ複数の前記接続端子に対して電気的に接続された一本の圧着検査端子によって検査することを特徴とする検査方法。
【請求項３】
半導体集積回路が封止された状態で、
前記半導体集積回路に設けられた接続端子と、フレキシブルプリント配線板に設けられた圧着接続端子との接続状態を、前記フレキシブルプリント配線板に設けられ、且つ前記接続端子に電気的に接続された圧着検査端子によって検査することを特徴とする検査方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記接続状態は、前記接続端子と前記圧着接続端子の間の抵抗値を測定することで検査されることを特徴とする検査方法。
【請求項５】
半導体集積回路とフレキシブルプリント配線板との電気的接続を検査する検査方法であって、
前記半導体集積回路は複数の接続端子を有し、
前記フレキシブルプリント配線板は、複数の配線と、検査用配線とを有し、
複数の前記配線は圧着接続端子と第１の外部接続端子をそれぞれ有し、
前記検査用配線は圧着検査端子と第２の外部接続端子を有し、
複数の前記接続端子のそれぞれを、対応する複数の前記配線の前記圧着接続端子とそれぞれ電気的に接続し、
複数の前記接続端子のそれぞれを、前記圧着検査端子と電気的に接続し、
前記第１の外部接続端子と前記第２の外部接続端子との間の抵抗値を測定することによって、複数の前記接続端子のそれぞれと前記圧着接続端子との接続状態を検査することを特徴とする検査方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記接続端子と前記圧着接続端子は、異方性導電膜を介して電気的に接続されることを特徴とする検査方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記検査の後、前記接続端子と前記圧着検査端子との接続を切断することを特徴とする検査方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記検査の後、前記フレキシブルプリント配線板に設けられている切り口及び開口部よりも前記半導体集積回路側に設けられている前記圧着検査端子及び前記フレキシブル配線板の一部を前記切り口及び開口部から切り離すことにより、前記接続端子と前記圧着検査端子との接続を切断することを特徴とする検査方法。
【請求項９】
請求項６において、
前記検査の後、前記接続端子と前記圧着検査端子との接続を切断すると共に前記異方性導電膜の一部を除去し、
前記異方性導電膜が除去された領域に樹脂材料を充填することを特徴とする検査方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記圧着接続端子は、前記接続端子に対し垂直に跨ぐ形状を有することを特徴とする検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に金属膜を形成し、
前記金属膜に酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより、前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを有する素子層を形成し、
前記素子層上に保護層を形成し、
前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を選択的に除去して、開口部を形成し、
前記基板から前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を分離し、
可撓性を有する第１及び第２のフィルムを用いて前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を封止し、
前記基板付近でのプラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に酸素を含む雰囲気中でプラズマを用いて金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを有する素子層を形成し、
前記素子層上に保護層を形成し、
前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を選択的に除去して、開口部を形成し、
前記基板から前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を分離し、
可撓性を有する第１及び第２のフィルムを用いて前記下地膜、前記素子層、及び前記保護層を封止し、
前記基板付近でのプラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に金属膜を形成し、
前記金属膜に酸素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより、前記金属膜の表面に金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜に窒素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより、前記酸化珪素膜の表面を窒化し、
前記表面が窒化された酸化珪素膜上に窒素を含む酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を含む酸化珪素膜上に薄膜トランジスタを有する素子層を形成し、
前記素子層上に保護層を形成し、
前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を選択的に除去して、開口部を形成し、
前記基板から前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を分離し、
可撓性を有する第１及び第２のフィルムを用いて前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を封止し、
前記基板付近でのプラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に酸素を含む雰囲気中でプラズマを用いて金属酸化膜を形成し、
前記金属酸化膜上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜に窒素を含む雰囲気中でプラズマ処理を行うことにより、前記酸化珪素膜の表面を窒化し、
前記表面が窒化された酸化珪素膜上に窒素を含む酸化珪素膜を形成し、
前記窒素を含む酸化珪素膜上に薄膜トランジスタを有する素子層を形成し、
前記素子層上に保護層を形成し、
前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を選択的に除去して、開口部を形成し、
前記基板から前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を分離し、
可撓性を有する第１及び第２のフィルムを用いて前記表面が窒化された酸化珪素膜、前記窒素を含む酸化珪素膜、前記素子層、及び前記保護層を封止し、
前記基板付近でのプラズマの電子密度は１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、電子温度は０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または４において、前記窒素を含む雰囲気は、Ｎ２もしくはＮＨ３と、希ガスとの混合ガス、または、Ｎ２もしくはＮＨ３と、希ガスと、Ｈ２との混合ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記酸素を含む雰囲気は、Ｏ２もしくはＮ２Ｏと、希ガスとの混合ガス、または、Ｏ２もしくはＮ２Ｏと、希ガスと、水素との混合ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記プラズマを発生させる電源の周波数は２．４５ＧＨｚであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記プラズマの電位は５Ｖ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記保護層として、ＤＬＣ膜、炭素を含む膜、窒素を含む酸化珪素膜、酸素を含む窒化珪素膜、または樹脂材料からなる膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記開口部を、ＵＶ光またはレーザー光の照射により形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上に設けられた有機化合物層と
前記有機化合物層上に、隙間を介して設けられた第２の導電層と、を有する記憶素子を有し、
前記有機化合物層は、光異性化しうる部位を有し、かつ、導電性粒子が分散されていることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層が設けられた第１の基板と、前記第２の導電層が設けられた第２の基板と、前記有機化合物層を封止するシール材と、を有し、
前記第１の基板および前記第２の基板の間で、間隔保持材を挟持することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
第１の導電層と、
光異性化しうる部位を有し、かつ、導電性粒子が分散されている有機化合物層と、
前記有機化合物層上に、隙間を介して設けられた第２の導電層と、を有する記憶素子を形成し、
前記有機化合物層に光を照射し、前記光が照射された領域の周囲を隆起させることによって、前記有機化合物層を前記第２の導電層に接触させることを特徴とする記憶装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月6日(2009.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】コネクタ及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続端子を含む第１のハウジングと、
前記接続端子の先端部を受け止めるための凹部を備える第２のハウジングと、
前記接続端子を保持するための孔を備えるカバーと、を有し、
前記第２のハウジングは、前記凹部に前記接続端子が変形する方向に誘導する誘導手段を有することを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
請求項１において、
前記誘導手段は導電性材料でなることを特徴とするコネクタ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記誘導手段は立体的なしずく型であることを特徴とするコネクタ。
【請求項４】
コネクタと、フラットケーブルと、プリント基板とを有し、
前記コネクタは、接続端子を含む第１のハウジングと、前記接続端子の先端部を受け止めるための凹部を備える第２のハウジングと、前記接続端子を保持するための孔を備えるカバーとを有し、
前記フラットケーブルは、長手方向に沿って平行に配置された複数の導体と、前記複数の導体を被覆する絶縁体とを有し、
前記プリント基板は、導通部を有し、
前記接続端子は、前記絶縁体を破って前記導体のいずれか一に電気的に接続され、かつ、前記導通部に電気的に接続され、
前記第２のハウジングは、前記凹部に前記接続端子が変形する方向に誘導する誘導手段を有することを特徴とする電子機器。
【請求項５】
コネクタと、フラットケーブルと、プリント基板とを有し、
前記コネクタは、接続端子を含む第１のハウジングと、前記接続端子の先端部を受け止めるための凹部を備える第２のハウジングと、前記接続端子を保持するための孔を備えるカバーとを有し、
前記フラットケーブルは、長手方向に沿って平行に配置された複数の導体と、前記複数の導体を被覆する絶縁体とを有し、
前記プリント基板は、導通部を有し、
前記第２のハウジングは、前記凹部に前記接続端子が変形する方向に誘導する誘導手段を有し、
前記接続端子は、前記絶縁体を破って前記導体のいずれか一に電気的に接続され、前記凹部に収納された際、変形して前記導通部と接触し、前記導体と前記導通部とが電気的に接続することを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記誘導手段は導電性材料でなることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一において、
前記誘導手段は立体的なしずく型であることを特徴とする電子機器。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成21年9月15日(2009.9.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
一様な層厚を有する前記積重構造で複数の反射帯域を使用できるように、前記発光有機層中で発生する前記光の異なったスペクトル成分のための前記積重構造による反射に、別々の等級の誘電体層の積重構造を使用する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の透明発光部品。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月27日(2009.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
次に実施例、比較例、試験例を挙げて更に本発明の説明を行うが、本発明はこれらに限定されるものではない。尚、以下の例では「部」は「質量部」を表わす。又、実験に用いた原料は以下の通りである。
リシノール酸カリウム：花王（株）製  ＦＲ−２５（リシノール酸カリウム３３％水溶液）
ポリエチレングリコール♯４０００：関東化学（株）製
ポリアクリル酸ナトリウム：純正化学（株）製
塩化ナトリウム：純正化学（株）製
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
リシノール酸カリウム１３部（ＦＲ−２５では４０部）、エタノール６０部を市販乳化機「コンビミックス」（ＰＲＩＭＩＸ（株）製）で攪拌し均一に混合し、これをスプレーボトルに入れて目的物とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
リシノール酸カリウム１３部（ＦＲ−２５では４０部）、ポリエチレングリコール♯４０００を１０部、エタノール５０部を市販乳化機「コンビミックス」（ＰＲＩＭＩＸ（株）製）で攪拌し均一に混合し、これをスプレーボトルに入れて目的物とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
リシノール酸カリウム１３部（ＦＲ−２５では４０部）、ポリエチレングリコール♯４０００を１０部、ポリアクリル酸ナトリウム２部、エタノール４８部を市販乳化機「コンビミックス」（ＰＲＩＭＩＸ（株）製）で攪拌し均一に混合し、これをスプレーボトルに入れて目的物とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
リシノール酸カリウム２．７部（ＦＲ−２５では８部）、ポリエチレングリコール♯４０００を１０部、エタノール８２部を市販乳化機「コンビミックス」（ＰＲＩＭＩＸ（株）製）で攪拌し均一に混合し、これをスプレーボトルに入れて目的物とした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表１】
2007223984.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月10日(2009.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）炭酸ガス発生物を含有する入浴剤であって、（Ｂ）油性成分及び（Ｆ）香料のいずれか一方又は両方がそれぞれ粒子化されており、当該粒子中又は入浴剤中に（Ｃ）ポリオキシアルキレン（アルキレンの炭素数２〜３、オキシアルキレンの繰り返し数７〜１４）アルキル又はアルケニルエーテル（アルキル又はアルケニルの炭素数１４〜２０）を含有する入浴剤。
【請求項２】
次の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｇ）及び（Ｄ）：
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｂ）油性成分、
（Ｇ）ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤、
（Ｄ）常温で固体又はペースト状の水溶性高分子、前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテル及び香料を含有する粒子
を含有する請求項１記載の入浴剤。
【請求項３】
次の成分（Ａ）、（Ｅ）、（Ｆ）及び（Ｃ）：
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｅ）油性成分、ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤及び賦形剤を含有する粒子、
（Ｆ）香料、
（Ｃ）前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテル
を含有する請求項１記載の入浴剤。
【請求項４】
次の成分（Ａ）、（Ｄ）及び（Ｅ）：
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｄ）常温で固体又はペースト状の水溶性高分子、前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテル及び香料を含有する粒子、
（Ｅ）油性成分、ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤及び賦形剤を含有する粒子
を含有する請求項１記載の入浴剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本発明入浴剤には、前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテル以外の非イオン界面活性剤を含有していてもよく、前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテルを含有しない部分には、（Ｇ）ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤（前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテルを包含する）、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステルを含有することができる。ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤のポリオキシアルキレン鎖は、ポリオキシエチレン鎖、ポリオキシプロピレン鎖、あるいはオキシエチレン基とオキシプロピレン基が混合したポリオキシアルキレン鎖でもよく、その場合オキシエチレン基とオキシプロピレン基はランダムでもブロックでもかまわない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
（１）次の成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｇ）及び（Ｄ）：
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｂ）油性成分、
（Ｇ）ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤、
（Ｄ）常温で固定又はペースト状の水溶性高分子、前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテル、及び香料を含有する粒子
を含有する入浴剤。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
（２）次の成分（Ａ）、（Ｅ）、（Ｆ）及び（Ｃ）：
（Ａ）炭酸ガス発生物、
（Ｅ）油性成分、ポリオキシアルキレン系非イオン界面活性剤及び賦形剤を含有する粒子、
（Ｆ）香料、
（Ｃ）前記ポリオキシアルキレンアルキル又はアルケニルエーテルを含有する入浴剤。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月5日(2009.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アダマンタノール類と、メタクリル酸誘導体またはアクリル酸誘導体とを原料として、一般式（１）で表される高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類を製造する方法において、粗アダマンチル（メタ）アクリレート類中をアルカリ性水溶液で洗浄することを特徴とする高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法。
【化１】
2007223932.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ３は同一又は異なって、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、炭素数１〜２０のアルキル基、エーテル基を有する炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン含有アルキル基を示す。Ｒ4〜Ｒ6は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のハロゲン含有アルキル基を示す）。
【請求項２】
洗浄後に残留する無機アニオン濃度が１００ｐｐｍ以下である請求項１記載の高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法。
【請求項３】
無機アニオンがハロゲン類、硫酸イオン、硝酸イオンまたはリン酸イオンである請求項２記載の高純度アダマンチル（メタ）アクリレート類の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月20日(2008.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３は、車体フレーム１及びマフラー２１の正面図であり、マフラー２１は左右方向へ幅広くなるよう横長に配置され、入口側キャップ部４３、本体部４４、出口側キャップ部４５からなる比較的大容量で左右に延びるものである。入口側キャップ部４３及び出口側キャップ部４５はそれぞれ上方へ突出する略漏斗状をなし、入口側キャップ部４３は車体中心線Ｃ上に位置する本体部４４に対してその左側から開口部を覆って取付けられ、出口側キャップ部４５は右側から取付けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図５は排気系部分の平面図であり、本体部４４は左右方向へ開口する中空筒状をなし、その左右両側に入口側キャップ部４３と出口側キャップ部４５が溶接で一体化される。入口側キャップ部４３及び出口側キャップ部４５は、それぞれ前後半割状をなし、前後合わせにして中空状にしてから合わせ部を溶接される。符号２２ｂはテールパイプ２２の後端部２２を補強パイプ１６（図１）へ取付けるためのブラケットである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月20日(2008.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ダウンフレーム後部４４は前方へ向かって開放された略コ字状断面をなし、左右両側部４４ａの左右の縁部４４ｄがダウンフレーム前部４３の左右両側部４３ｂの各後部外側面へ重なった状態で、左右の縁部４４ｄに沿って隅肉溶接される。ダウンフレーム後部４４の後部４４ｂはダウンフレーム前部４３の後部４３ｃから後方へ離れて位置し、ダウンフレーム前部４３とダウンフレーム後部４４からなるダウンフレーム５の横断面は略日の字状をなす。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ダウンフレーム後部４４における側部４４ａの前側縁部である先端部４４ｄは、後部４３ｃに対応して重なるように、上半部が直線部をなし、下半部が曲線部をなす。なお、図示の側面視において現れる後部４３ｃと先端部４４ｄの各輪郭線は、それぞれ溶接ラインＬ１（図２）と一致する。ダウンフレーム後部４４の上端４４ｅはヘッドユニット４０の上部ガセット４１及びクロス部４１ａの下端に沿うように側面視屈曲形状をなす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
枝分かれ部４８の下端縁部４８ａは接合端部をなして側面視で後方斜め下がりに傾斜し（図５参照）、この縁部内側に凹部４８ｂが形成され、ロアフレーム６の前端が嵌合されるようになっている。枝分かれ部４８の後部は若干長く下方へ延出してロアフレーム６の後部表面へ重なるオーバーラップ部４８ｃとなっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図７は図２のＡ矢示方向からダウンフレーム５の前面側上部を示す。ダウンフレーム前部４３はダウンフレーム後部４４の左右側部４４ａ間に嵌合されるため、下部ガセット４２の下方では、ダウンフレーム前部４３の左右に縁部４４ｄが上下方向へ平行し、これに沿って溶接ラインＬ１も左右に平行して上下方向へ直線上に形成されている。メイン側ジョイント部４６はメインフレーム３の下面に当接し、その周囲に沿って溶接ラインＬ２が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
１：車体フレーム、２：ヘッドパイプ、３：メインフレーム、４：センターフレーム、５：ダウンフレーム、６：ロアフレーム、７：エンジン、４０：ヘッドユニット、４３：ダウンフレーム前部、４４：ダウンフレーム後部、４５：スティフナー部、４６：メイン側ジョイント部、４７：ロア側ジョイント部、４８：枝分かれ部
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月20日(2009.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性材料により形成され長手方向に連続した流路を有する弾性チューブと、前記弾性チューブの端部およびその近傍に一体に成形され前記流路を外部に連通させるコネクタとを有するコネクタ付き弾性チューブを製造する製造方法であって、
前記弾性チューブの一端において、前記流路の内径に略等しいピンを前記流路に挿入するピン挿入手順と、
前記弾性チューブの前記一端の周囲を前記弾性チューブに対して間隔をおいて包囲する成形面、および、前記ピンが挿入された区間の一部において前記弾性チューブを隙間なく包囲する前記成形面に隣接して形成された密着面を有する金型を前記弾性チューブに装着して、前記コネクタと相補的な形状を有する成形空間を形成する型締め手順と、
前記成形空間に前記コネクタの材料樹脂を注入する注型手順と、
前記金型を開いて前記弾性チューブの前記一端の周囲に形成された前記コネクタを取り出し、更に、前記ピンを抜き取る型開き手順と
を含み、
前記注型手順において、前記弾性チューブの表面のうち前記成形空間の内側で前記密着面に隣接する区間に面した前記成形空間の一部領域に対して流入する前記材料樹脂の流通速度を減速させる製造方法。
【請求項２】
前記型締め手順において、前記一部領域へ向かう前記材料樹脂の流路上に、前記材料樹脂の流通に抗して固定された減速部材を配置する請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記型締め手順において、前記密着面および前記ピンの間に前記弾性チューブを把持させる請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記注型手順において、前記一部領域に隣接した前記金型の一部分の温度を部分的に低下させ、前記材料樹脂の流動性を低下させる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
弾性材料により形成され長手方向に連続した流路を有する弾性チューブと、前記弾性チューブの端部およびその近傍に一体に成形され前記流路を外部に連通させるコネクタとを有するコネクタ付き弾性チューブであって、
前記弾性チューブの一端において、前記流路の内径に略等しいピンを前記流路に挿入するピン挿入手順と、
前記弾性チューブの前記一端の周囲を前記弾性チューブに対して間隔をおいて包囲する成形面、および、前記ピンが挿入された区間の一部において前記弾性チューブを隙間なく包囲する前記成形面に隣接して形成された密着面を有する金型を前記弾性チューブに装着して、前記コネクタと相補的な形状を有する成形空間を形成する型締め手順と、
前記成形空間に前記コネクタの材料樹脂を注入する注型手順と、
前記金型を開いて前記弾性チューブの前記一端の周囲に形成された前記コネクタを取り出し、更に、前記ピンを抜き取る型開き手順と
を含み、
前記注型手順において、前記弾性チューブの表面のうち前記成形空間の内側で前記密着面に隣接する区間に面した前記成形空間の一部領域に対して流入する前記材料樹脂の流通速度を減速させて製造されたコネクタ付き弾性チューブ。