【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、
により求め、
前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値に設定したこと
を特徴とする静電型超音波トランスデューサ。
【請求項２】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の固定電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、
により算出し、
前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値に設定すること
を特徴とする静電型超音波トランスデューサの設計方法。
【請求項３】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の固定電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、
により算出する演算手段と、
前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に振動膜挟持部としての段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値に設定する設定手段と、
を有することを特徴とする静電型超音波トランスデューサの設計装置。
【請求項４】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の固定電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、
により算出する第１のステップと、
前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値に設定する第２のステップと、
をコンピュータに実行させるための静電型超音波トランスデューサの設計プログラム。
【請求項５】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
前記一対の電極の固定電極部を形成するための導電体板上に貫通穴のパターンを形成したマスク部材を被覆し、エッチング処理により前記導電体板に貫通穴を形成する第１の工程と、
前記静電型超音波トランスデューサにより出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、により求め、前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値になるように形成する第２の工程と、
を有することを特徴とする静電型超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項６】
前記貫通穴が形成された導電体板に振動膜挟持部形成材としての非導電性の感光性レジストを所定の厚さに形成する第３の工程と、
前記非導電性の感光性レジスト表面に前記振動膜挟持部のパターンが形成された振動膜挟持部形成用マスク部材を被覆し、露光する第４の工程と、
前記振動膜挟持部形成用マスク部材を剥離し、現像により不要な前記感光性レジストを除去する第５の工程と、
を有することを特徴とする請求項５に記載の静電型超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
前記貫通穴が形成された導電体板表面に前記振動膜挟持部形成材を形成するためのマスク部材が配列されてなるスクリーン印刷版及び液状の振動膜挟持部形成材をセットする第３の工程と、
前記貫通穴が形成された導電体板表面に前記スクリーン印刷板及び前記液状の振動膜挟持部形成材をセットした後、スキージを移動させながら前記振動膜挟持部形成材をマスク部材がかかっていない部分に塗布する第４の工程と、
前記振動膜挟持部形成材をマスク部材がかかっていない部分に塗布した後、前記スクリーン印刷版を外し、前記導電板表面に残存する前記振動膜挟持部形成材を乾燥させる第５の工程と、
を有することを特徴とする請求項６に記載の静電型超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項８】
貫通穴が形成された第１の電極と、前記第１の電極の貫通穴と対をなす貫通穴が形成され、前記第１の電極との間に交流信号が印加される第２の電極と、前記一対の電極に挟まれると共に、導電層を有し、該導電層に直流バイアス電圧が印加される振動膜と、前記一対の電極と前記振動膜とを保持する保持部材とを有し、
出力される所望音圧をＰ（ｄＢ）、駆動周波数をｆ（Ｈｚ）としたときに、前記振動膜が駆動された際の該振動膜における膜振動の片側振幅値をａ（ｍ）すると、膜振動の片側振幅値ａを、次式、
ａ＝（１／πｆ）√｛（ＩＯ・１０Ｐ／１０）／２ρＯｃ｝、
ここで、Ｉｏ：基準音響インテンシティーで０．９６×１０−１２（Ｗ/ｍ２）、ρo：空気の密度で１．２（ｋｇ/ｍ３）、ｃ：空気中の音速で約３４０（ｍ／Ｓ）、
により求め、
前記一対の電極の各々の振動膜側における貫通穴外周に段部を有し、該段部の前記振動膜側方向の高さを、前記片側振幅値ａを超え、かつ前記片側振幅値ａの近傍の値に設定したことを特徴とする静電型超音波トランスデューサを含んで構成され、音響ソースから供給される音声信号から可聴周波数帯の信号音を再生する超音波スピーカと、
映像を投影面に投影する投影光学系と、
を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電型超音波トランスデューサ、静電型超音波トランスデューサの設計方法、静電型超音波トランスデューサの設計装置、静電型超音波トランスデューサの設計プログラム、製造方法及び表示装置