(57)【要約】  【課題】  本発明は、半田および樹脂のボイドの抑制・除去に関し、より詳細には真空中で半田または樹脂による接合物を輻射加熱し、不活性ガスを急速に充填することによりボイドを抑制または除去するボイド除去装置、ボイド除去方法およびボイド除去工程を含む電子機器の製造方法に関する。  【解決手順】  本発明のボイド除去装置は、半田を所望の位置に配置した接合前の接合物と、真空チャンバー内を真空にする真空手段と、真空チャンバー内の保持台上の接合物を輻射加熱する加熱手段と、真空手段により真空チャンバー内を所定の真空度にし、真空度のもとで前記加熱手段により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱し、真空手段と加熱手段とを停止すると共に真空チャンバー内を急速に大気開放するよう制御する制御手段とからなるよう構成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田を所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物と、
真空チャンバー内を真空にする真空手段と、
前記真空チャンバー内に備えた保持台に保持された前記接合物を輻射加熱する加熱手段と、
前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に該真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とするボイド除去装置。
【請求項２】
前記ボイド除去装置は、前記真空チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備え、
前記制御手段は、前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に前記不活性ガス供給手段により不活性ガスを該真空チャンバー内に大気圧となるよう急速に導入し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする請求項１に記載のボイド除去装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に前記不活性ガス供給手段により不活性ガスを該真空チャンバー内に１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に充填し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする請求項２に記載のボイド除去装置。
【請求項４】
真空チャンバー内に備えた保持台に、半田を所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物を保持する接合物保持手順と、
前記真空チャンバー内を所定の真空度にする真空手順と、
前記真空度のもとで輻射加熱により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田を溶融させる加熱手順と、
前記真空手順を停止すると共に、前記真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に該加熱手段を停止する大気開放手順と
を備えることを特徴とするボイド除去方法。
【請求項５】
請求項４に記載のボイド除去方法によりボイドの形成を抑制しながら半田接合を行なう工程
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田および樹脂のボイドの抑制・除去に関し、より詳細には真空中で半田または樹脂による接合物を輻射加熱し、不活性ガスを急速に充填することによりボイドを抑制または除去するボイド除去装置、ボイド除去方法およびボイド除去工程を含む電子機器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器における電気的接合には半田が多く用いられている。例えば、半導体部品やチップ部品等の電子部品をプリント基板に搭載する場合は、まずプリント基板に形成した接続パッドに半田ペーストをスクリーン印刷し、半田ペースト層を形成する。次に、電子部品の接続端子（即ち、電極）を半田ペースト層の上に載せ、リフロー装置に入れて半田が溶融する温度まで加熱し、半田の溶着により電子部品の接続端子とプリント基板の接続パッドとの接合がなされたところで冷却し半田を凝固して接合を完了する。
【０００３】
このとき、接続パッドや電子部品の接続端子の半田濡れ性が悪いと、溶融した半田がパッドや接続端子の金属面を濡れて広がることがなく空気を巻き込んだ状態で半田が凝固し、この部分がボイド（気泡）として形成されてしまう場合がある。あるいは、半田ペーストに含まれるフラックスが半田溶融時に気化するが、フラックスの一部が半田層の中に取り残された状態で半田の凝固が行なわれるとボイド発生の原因にも成り得る、と考えられる。
【０００４】
ボイドの存在は接合物間（上記の場合、プリント基板の接続パッドと電子部品の接続端子）の電気的接合の信頼性を低下させるので、半田接合工程（例えば、リフロー工程）でボイドの発生を抑制することが求められる。あるいは、既にボイドができてしまっている場合はボイドを除去することが求められる。ボイドは電気的接合ばかりではなく、例えば電子部品に冷却フィン等を半田接合により装着する場合は、半田中のボイドの存在は熱伝導を妨げることになり、この場合においてもボイドの発生を抑制することが求められる。
【０００５】
ボイドは半田ばかりではなく樹脂の塗布や封止の際にも樹脂中に形成される場合があり、ここでもボイドは問題となる。例えば、ＢＧＡ（Ball Grid Array）やＣＳＰ（Chip Scale Package）の半導体デバイスと配線基板との隙間に応力の緩和や脱落防止の目的でアンダーフィル剤（封止樹脂）を充填することが行なわれおり、封止の際に空気を巻き込んでボイドを形成してしまう場合がある。ボイドにより応力の緩和や脱落防止の目的を果たせないばかりか、クラックを発生させ電子機器の信頼性を著しく低下させる場合がある。
【０００６】
ボイドの発生を抑制する方法として、不活性ガスを満たした容器に接合部材を収容し、減圧して半田を加熱溶融した後に再び不活性ガスを流入して半田を凝固させることが提案されている（特許文献１）。
【０００７】
また、既にできてしまったボイドに対するものとして、半田が付着しない材質のガス抜き用の針を用いて半田バンプに針を刺し、半田バンプ中のボイドのガスを抜く提案もされている（特許文献２）。
【特許文献１】特開２００５−２７１０５９号公報
【特許文献２】特開平３−２０８３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記に示したように、半田接合時に空気を巻き込んで半田内部にボイドを形成してしまう場合があり、このボイドが電気的接合や熱伝導の信頼性低下の一因となっていた。また、樹脂の封止時にも同様にボイドを形成してしまう場合があった。このボイドの形成を抑止するか、あるいは既にできてしまったボイドを除去することが求められている。
【０００９】
特許文献１および特許文献２に提案された方法はボイドの形成を抑制する、あるいは既にあるボイドを除去する方法として有効と考えられる。
【００１０】
本発明は、提案された方法とは異なる方法でより効果的にボイドの形成を抑制するとともに、既に形成されたボイドを減少させるボイド除去装置とボイド除去方法、およびその方法を用いた電子機器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のボイド除去装置、ボイド除去方法、およびその方法を用いた電子機器の製造方法は以下のように構成される。
（１）第１の発明
第１の発明のボイド除去装置は、接合物と真空手段、加熱手段および制御手段から構成する。
【００１２】
接合物は、ボイド除去の対象となるもので、半田を接合物の所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物である。
【００１３】
真空手段は、真空チャンバー内を真空にする手段である。
【００１４】
加熱手段は、真空チャンバー内に保持している接合物を輻射加熱する手段である。
【００１５】
制御手段は、真空手段により真空チャンバー内を所定の真空度にし、その真空度のもとで加熱手段により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱して半田を溶融し、その後真空手段を停止すると共に真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定の時間後に加熱手段を停止するよう制御するものである。
【００１６】
以上の構成により、半田未接合の接合物の場合は半田溶融時に空気を巻き込むことなく、気化したフラックスが溶融半田内に残存していても真空脱泡されるのでボイドの形成は抑制される。また、急速に大気圧とするため、その圧力によって真空脱泡されずに残っていたボイドは溶融半田から抜け出す。半田接合済の接合物の場合は、半田の溶融で内在したボイドが真空脱泡される。そして、急速な大気開放で真空脱泡されずにいたボイドは溶融半田から抜け出す。
（２）第２の発明
第２の発明のボイド除去装置は、第１の発明の大気開放を不活性ガスにより行なうものである。即ち、第１の発明のボイド除去装置に真空チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備え、制御手段が真空手段により真空チャンバー内を所定の真空度にし、その真空度のもとで加熱手段により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱し、半田の溶融後に真空手段を停止すると共に、不活性ガス供給手段により不活性ガスを真空チャンバー内に大気圧となるよう急速に導入し、所定時間後に加熱手段を停止するよう制御する。
【００１７】
この構成によりボイドに関しては第１の発明と同様の効果を得るとともに、不活性ガスの真空チャンバー内への導入で溶融半田の酸化を抑制することができる。
（３）第３の発明
第３の発明のボイド除去装置は、第２の発明の制御手段において、真空手段により真空チャンバー内を所定の真空度にし、その真空度のもとで加熱手段により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱し、半田の溶融後に真空手段を停止すると共に不活性ガス供給手段により不活性ガスを真空チャンバー内に１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に充填する。そして所定時間後に加熱手段を停止よう制御する。
【００１８】
この構成により、１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に不活性ガスを充填するため、ボイドはより強い圧力に押されて第２の発明以上に真空脱泡されずにいたボイドは溶融半田から抜け出す。
（４）第４の発明
第４の発明は、ボイド除去方法の発明で、接合物保持手順と真空手順、加熱手順および大気開放手順で構成する。
【００１９】
接合物保持手順は、真空チャンバー内に備えた保持台に、半田を所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物を保持する。
【００２０】
真空手順は、真空チャンバー内を所定の真空度にする。
【００２１】
加熱手順は、所定の真空度のもとで輻射加熱により半田の大気圧における融点以上となる温度に接合物を加熱し半田を溶融する。
【００２２】
大気開放手順は、半田を溶融後に真空手順を停止すると共に、真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に加熱手順を停止する。
【００２３】
この構成により、第１の発明と同様の効果を得ることができる。
（５）第５の発明
第５の発明は、第４の発明のボイド除去方法によりボイドの形成を抑制しながら半田接合を行なう工程を含んだ、ことを特徴とする電子機器の製造方法である。
【発明の効果】
【００２４】
第１の発明により、真空中で半田が溶融されので未接合の接合物に対してはボイドの形成が抑制され、半田接合済の接合物はボイドの脱泡で除去される。また、急速に大気圧とするため、ボイドを溶融半田から抜け出させることができる。結果として高い信頼性の半田接合が得られるボイド除去装置の提供ができる。
【００２５】
第２の発明により、第１の発明に加え不活性ガスの導入により溶融している半田の酸化を抑制するボイド除去装置の提供ができる。
【００２６】
第３の発明により、第２の発明より強力にボイドの除去を可能とするボイド除去装置の提供ができる。
【００２７】
第４の発明により、第１の発明と同様の効果を得るボイド除去方法の提供ができる。
【００２８】
第５の発明により、第１の発明と同様の効果を得ながら電子機器の製造ができる製造方法の提供ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（実施形態その１）
本発明の実施例その１について図１と図２を用いて説明する。実施例その１は第１の発明に対応するもので、真空中で半田の溶融を行い、半田溶融後に急速に大気圧に戻すことでボイドの形成を抑制し半田接合を行なう、またはボイドを含んで半田接合されたものからボイドを除去することを行なうことを可能とするボイド除去装置１００である。
【００３０】
図１は実施例そのボイド除去装置１００の構成例を示すもので、真空チャンバー１０を構成する真空ベルジャー１１とベースプレート１２、真空チャンバー１０内を真空に引く真空ポンプ２０と真空電磁バルブ２１、真空チャンバー１０を大気開放するリーク電磁バルブ３０、ボイドの抑制・除去の対象となる接合物３００を加熱する遠赤外ヒーター４０、接合物３００を保持する保持台５０、ボイド除去のシーケンスに従って真空ポンプ２０や遠赤外ヒーター４０、リーク電磁バルブ３０等を制御する制御装置２００から構成する。真空ゲージや温度センサは図示していないが制御装置２００と接続され、制御装置２００はこれらから真空度および温度の情報を取得できるものとする。また、真空ベルジャー１１は図示しない昇降機構により昇降し、接合物３００の設置や取り出し等ができる。
【００３１】
以上に述べた構成のボイド除去装置１００で、ボイドの形成を抑制しながら半田接合を行なう例を述べる。ボイド抑制の対象としてプリント基板に表面実装の電子部品を搭載する場合を例に説明する。接合物３００は、半田ペースト層を接続パッド上に形成したプリント基板と、その上に位置合わせされて載せられた表面実装部品である。その接合物３００を保持台７０に置いてボイド除去装置１００に起動をかけると、以降はボイド除去装置１００の制御装置２００が自動的にシーケンスの制御を行いボイド形成を抑制しながら半田の接合を完了するまでを行なう。まず真空ベルジャー１１をベースプレート１２と接するまで下降させて真空チャンバー１０を形成する。そして、真空チャンバー１０内を真空ポンプ２０で引き所定の真空度となったところで遠赤外ヒータ６０をＯＮとして保持台７０上の接合物を加熱する。加熱による温度は半田が大気中で溶融する温度以上で、例えば２００℃である。この状態で半田は溶融するが真空中での溶融であるので空気を巻き込むことはない。また、気化したフラックスは真空ポンプ２０により排気されので半田中にその気化したガスでボイドが形成されることはない。半田溶融後、所定時間（例えば３０秒）保持し、次に真空引きを停止する（真空電磁バルブ２１を閉じる）とともにリーク電磁バルブ３０を開放し、真空チャンバー１０内を急速（例えば、０．１秒以下）に空気を入れて大気圧に戻す。本発明はこの急速に（即ち、一気に）大気圧に戻すところに特徴があり、この大気圧に戻されたときの圧力で未だ溶融している半田に僅か残っているボイドがあればこの圧力（気圧差）に押されてボイドは放出される。
【００３２】
真空チャンバー１０内の圧力と温度のプロファルを図２に示す。即ち、真空ポンプ２０の作動により真空チャンバー１０内の圧力は低下し、真空度が所定値になったところで遠赤外ヒータ６０のスイッチが入れられ温度上昇を開始する。２００℃の温度に到達するとこの温度が維持される。半田の大気圧における溶融温度は１８３℃であるので（本実施例では錫６０％、鉛４０％の半田を用いているものとする）、半田はこの温度では溶融している。２００℃で一定時間経過した後リーク電磁バブル３０の開放により圧力は大気圧となる。圧力の垂直に近い上昇は、リークバブル３０の開放によって一気に大気圧に戻っていることを示している。その後加熱は停止され温度降下が始まる。
【００３３】
上記は、半田接合の例を示したが、既に半田接合がなされ、その中にボイドがある場合のボイドの除去も同様の方法で行なうことができる。
【００３４】
硬化前の樹脂中に形成されるボイドを抑制する方法は、上記の方法で加熱温度を樹脂の種類に合わせて最適な温度で加熱すればよい。
（実施形態その２）
次に、本発明の実施例その２について図３から図５を用いて説明する。実施例その２は第３の発明に対応するもので、真空中での半田溶融を行い、半田溶融後に急速に不活性ガスを１気圧以上で充填し、ボイドを形成させることなく半田接合を行なう、またはボイドを含んで半田接合されたものからボイドを除去することを行なうことを可能とするボイド除去装置である。
【００３５】
図３は実施例その２のボイド除去装置１０１の構成例を示すもので、実施例その１の構成に加えて窒素ガスやアルゴンガスを充填した不活性ガスボンベ６０とその開閉電磁バルブ６１、真空チャンバー１０が所定の圧力以上となったとき開く圧力バルブ７０を備える構成である（制御装置は、図１の制御装置２００と制御が異なるので制御装置２０１とした）。
【００３６】
この装置を用いてボイドを抑制する半田接合の例を図４のフローで説明する。接合物３００は実施例その１で説明した内容のプリント基板と電子部品であり、その接合物３００は保持台７０上に置れているものとする。
【００３７】
制御装置２０１は、真空ベルジャー１１をベースプレート１２と接するまで下降させて真空チャンバー１０を形成し、次いで真空チャンバー１０内を真空ポンプ２０で引く。真空度が０．１ｔｏｒｒとなったところで、不活性ガスボンベ６０の開閉電磁バルブ６１を開き、不活性ガスを真空チャンバー１０内に導入する。略大気圧となったところで開閉電磁バルブ６１を閉じ再び真空ポンプ２０で引いて不活性ガスを導入することを行なう。即ち、真空チャンバー１０に真空で引いては不活性ガスを入れることを２度繰り返す。これは、真空チャンバー１０内を不活性ガスで置換し、空気の残留をできる限り少なくすることを行なっている（Ｓ１０−Ｓ４０）。
【００３８】
次に、再び真空チャンバー１０内を真空ポンプ２０で引き、真空度が０．０５ｔｏｒｒとなったところで遠赤外ヒータ４０を点灯し加熱を開始する。加熱により温度が２００℃となったところでこの温度を所定時間維持する。半田の溶融によりフラックスの気化が起こるが真空ポンプで排気され、実施例その１で説明したようにボイドの形成は殆ど起らない（Ｓ５０−Ｓ８０）。
【００３９】
所定時間経過後、真空引きを停止する（真空電磁バルブ２１を閉じる）、と共に不活性ガスボンベ６０の開閉電磁バルブ６１を急速開放し、不活性ガスを真空チャンバー１０に充填する。不活性ガスボンベ６０はレギュレータにより５気圧に調圧されており、真空チャンバー１０内は５気圧の不活性ガス雰囲気となる。５気圧の不活性ガスにより、溶融半田中に残っていたボイドはその圧力で放出される。加熱は不活性ガス充填の後に所定時間に停止（遠赤外ヒータ４０をＯＦＦとする）し、温度降下とともに半田は凝固する。接合物３００の温度が７０℃以下となったとき真空ベルジャー１１を上昇させて取り出すことができる（Ｓ９０−Ｓ１２０）。
【００４０】
実施例その１と較べて、不活性ガスを使っているので溶融半田の酸化を抑えることができると共に、５気圧にまで一気に加圧するので半田中のボイドは除去される。
【００４１】
実施例その２における真空チャンバー１０内の圧力と温度のプロファルを図５に示す。図２と較べて温度のプロファイルは同一であるが、圧力のプロファイルが異なる。即ち、加熱に入る前に不活性ガスと置換しているため圧力は最初の段階で０．１ｔｏｒｒと大気圧の７６０ｔｏｒｒを交互に２回繰り返し、２００℃の温度維持後の不活性ガスの充填による圧力は５気圧まで一気に上昇している。
【００４２】
既に半田接合がなされ接合物や樹脂硬化におけるボイド形成の抑制は、実施例その１と同様に実施例その２の構成で可能である。
【００４３】
第２の発明である不活性ガスを大気圧まで急速開放する方法は、実施例その２で例えば不活性ガスボンベ６０の開閉電磁バルブを１気圧で閉じるようにすればよい。
【００４４】
また、実施例その１で空気を大気圧まで急速開放したが、実施例その２の不活性ガスボンベ６０の替わりに１気圧以上に加圧した空気ボンベを用いれば加圧した空気によりボイドを放出させることもできる。また、この場合は空気ボンベを用いずに、加圧ポンプを用いて空気を加圧するようにしてもよい。
【００４５】
上の実施例に関し、さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
半田を所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物と、
真空チャンバー内を真空にする真空手段と、
前記真空チャンバー内に備えた保持台に保持された前記接合物を輻射加熱する加熱手段と、
前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に該真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する制御手段と
を備えることを特徴とするボイド除去装置。
（付記２）
前記ボイド除去装置は、前記真空チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備え、
前記制御手段は、前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に前記不活性ガス供給手段により不活性ガスを該真空チャンバー内に大気圧となるよう急速に導入し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする付記１記載のボイド除去装置。
（付記３）
前記制御手段は、前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に前記不活性ガス供給手段により不活性ガスを該真空チャンバー内に１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に充填し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする付記２記載のボイド除去装置。
（付記４）
真空チャンバー内に備えた保持台に、半田を所望の位置に配置した接合前の接合物、または半田接合済の接合物を保持する接合物保持手順と、
前記真空チャンバー内を所定の真空度にする真空手順と、
前記真空度のもとで輻射加熱により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田を溶融させる加熱手順と、
前記真空手順を停止すると共に、前記真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する制御手順と
を備えることを特徴とするボイド除去方法。
（付記５）
前記ボイド除去方法によりボイドの形成を抑制しながら半田接合を行なう工程
を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。
（付記６）
前記接合物は、樹脂が塗布または封止され硬化前ものであり、
前記制御手段は、真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により所定温度に前記接合物を加熱し、該真空手段を停止すると共に該真空チャンバー内を急速に大気開放し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする付記１記載のボイド除去装置。
（付記７）
前記制御手段は、真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により所定温度に前記接合物を加熱し、該真空手段を停止すると共に該真空チャンバー内を１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に大気を充填し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする付記６記載のボイド除去装置。
【００４６】
（付記８）
前記制御手段は、前記真空手段により前記真空チャンバー内を所定の真空度にし、該真空度のもとで前記加熱手段により前記半田の大気圧における融点以上となる温度に前記接合物を加熱し、該半田が溶融した後に該真空手段を停止すると共に該真空チャンバー内に空気を１気圧より高い所定の気圧となるよう急速に充填し、所定時間後に該加熱手段を停止するよう制御する
ことを特徴とする付記１記載のボイド除去装置。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】ボイド除去装置の構成例（その１）である。
【図２】実施例その１の圧力と温度のプロファイル例である。
【図３】ボイド除去装置の構成例（その２）である。
【図４】実施例その２のプロセスフロー例である。
【図５】実施例その２の圧力と温度のプロファイル例である。
【符号の説明】
【００４８】
１０    真空チャンバー
１１    真空ベルジャー
１２    ベースプレート
２０    真空ポンプ
２１    真空電磁バルブ
３０    リーク電磁バルブ
４０    遠赤外ヒータ
５０    保持台
６０    不活性ガスボンベ
６１    開閉電磁バルブ
７０    圧力バルブ
１００  ボイド除去装置
１０１  ボイド除去装置
２００  制御装置
２０１  制御装置
３００  接合物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2008068311.tif 000006
【図５】
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