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【手続補正書】
【提出日】平成21年5月18日(2009.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス管の中間部に折り返し部を有し、前記ガラス管における前記折り返し部から少なくとも一方の端部に向かって旋回軸の廻りを旋回している旋回部を有すると共に、前記ガラス管の内周面に蛍光膜が塗布されている発光管であって、
前記旋回部の任意のガラス管の横断面において、前記横断面でのガラス管の中心を通り且つ前記旋回軸と平行な方向に対向する２つの部位の内、前記一方の端部側部位の蛍光膜の厚みが前記折り返し部側部位の蛍光膜の厚みよりも厚く、且つ、前記折り返し部側部位から前記対向する一方の端部側部位にかけて蛍光膜の厚みが徐々に厚くなり、
前記折り返し部から前記一方の端部に向かう前記旋回部において、前記各横断面の一方の端部側部位の各蛍光膜の膜厚が、前記折り返し部から離れるに従って厚くなっていることを特徴とする発光管。
【請求項２】
前記ガラス管は、前記折り返し部から両端部までが前記旋回軸廻りに旋回する２重螺旋形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光管。
【請求項３】
前記ガラス管は、前記ガラス管の両端部が前記旋回軸と略平行であり、前記折り返し部から前記両端部手前までが旋回する２重螺旋形状に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光管。
【請求項４】
前記旋回部に対応するガラス管の横断面において、前記旋回軸方向であって前記折り返し部側の内周面に塗布されている蛍光膜の単位面積当たりの質量が、２ｍｇ／ｃｍ2以上１２ｍｇ／ｃｍ2以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光管。
【請求項５】
前記旋回部に対応するガラス管の横断面において、前記旋回軸方向であって前記少なくとも一方の端部側の内周面に塗布されている蛍光膜の単位面積当たりの質量が、５ｍｇ／ｃｍ2以上３０ｍｇ／ｃｍ2以下の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光管。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光管を備えていることを特徴とする放電ランプ。
【請求項７】
ガラス管を折り返し、その折り返された部分から少なくとも一方の端部に向かって旋回軸の廻りを旋回する旋回部に形成されていると共に、前記ガラス管の内周面に蛍光体が塗布され、前記旋回部の任意のガラス管の横断面において、前記横断面でのガラス管の中心を通り且つ前記旋回軸と平行な方向に対向する２つの部位の内、前記一方の端部側部位の蛍光膜の厚みが前記折り返し部側部位の蛍光膜の厚みよりも厚く、且つ、前記折り返し部側部位から前記対向する一方の端部側部位にかけて蛍光膜の厚みが徐々に厚くなり、前記折り返し部から前記一方の端部に向かう前記旋回部において、前記各横断面の一方の端部側部位の各蛍光膜の膜厚が、前記折り返し部から離れるに従って厚くなっている発光管の製造方法であって、
ガラス管を湾曲させて折り返し部と旋回部とを形成する工程と、
当該形成されたガラス管の内部に蛍光膜用の懸濁液を注入する工程と、
懸濁液が注入されているガラス管を、前記折り返し部が上になるように立設した状態で、内部の懸濁液を流出させる工程と、
前記懸濁液を流出させたガラス管を、前記立設した状態で乾燥させる工程と
を経てなされることを特徴とする発光管の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス管は、前記折り返し部から両端部までが前記旋回軸廻りに旋回する２重螺旋形状に形成されていること特徴とする請求項７に記載の発光管の製造方法。
【請求項９】
前記ガラス管は、前記ガラス管の両端部が前記旋回軸と略平行であり、前記折り返し部から前記両端部手前までが旋回する２重螺旋形状に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の発光管の製造方法。
【請求項１０】
前記懸濁液は、前記ガラス管を前記折り返し部が上となるようにした状態で注入されていることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の発光管の製造方法。
【請求項１１】
前記懸濁液の注入は、注入された懸濁液の先端が折り返し部を越えるまで行われることを特徴とする請求項７〜１０のいずれか１項に記載の発光管の製造方法。
【請求項１２】
前記懸濁液の粘度が、４．５ｃＰ以上８．０ｃＰ以下の範囲内であることを特徴とする請求項７〜１１のいずれか１項に記載の発光管の製造方法。
【請求項１３】
前記ガラス管の内径が、５ｍｍ以上９ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項７〜１２のいずれか１項に記載の発光管の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に連続記録層、マスク層が形成された中間体の前記マスク層を所定のパターンで部分的に除去するマスク層加工工程と、前記連続記録層における前記マスク層から露出する部分を除去し、該連続記録層を前記所定のパターンで多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、前記分割記録要素間の隙間部に非磁性体を充填して前記分割記録要素の側面を前記非磁性体で完全に被覆する非磁性体充填工程と、前記分割記録要素上に残存するマスク層を除去するマスク層除去工程と、を含み、且つ、前記連続記録層加工工程と、前記非磁性体充填工程と、前記マスク層除去工程と、をこの順で実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記マスク層除去工程は、前記分割記録要素上に残存するマスク層と共に前記隙間部上の余剰の非磁性体を除去して表面を平坦化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月7日(2009.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質層と、前記電解質層の一方の面に設けられるカソード触媒層と、前記電解質層の他方の面に設けられるアノード触媒層と、を備える燃料電池において、
前記電解質層と前記カソード触媒層との間に設けられ、比抵抗の高い物質を含む還元層を備えることを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の燃料電池において、
前記カソード触媒層に酸化剤の反応流体が供給され、
前記還元層は、カソード触媒層における反応流体の上流側に対応する領域よりも下流側に対応する領域に集中して形成されていることを特徴とする燃料電池。
【請求項３】
請求項１記載の燃料電池において、
前記カソード触媒層に酸化剤の反応流体が供給され、
前記還元層は、カソード触媒層における反応流体の上流側に対応する領域から下流側に対応する領域に向けて塗布量が多くなるように傾斜をつけて形成されていることを特徴とする燃料電池。
【請求項４】
電解質層と、前記電解質層の一方の面に設けられるカソード触媒層と、前記電解質層の他方の面に設けられるアノード触媒層と、を備える燃料電池において、
前記電解質層と前記カソード触媒層との間に設けられ、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化タンタル、酸化タングステン、タングステンカーバイド、タンタルカーバイド、チタンカーバイドおよびモリブデンカーバイドからなる群のうち少なくとも１つを含む層を備えることを特徴とする燃料電池。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の燃料電池と、
前記燃料電池のカソード触媒層に酸化剤を供給する酸化剤供給手段と、
前記燃料電池のアノード触媒層に燃料を供給する燃料供給手段と、
を備えることを特徴とする燃料電池システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明のある態様は、燃料電池であって、電解質層と、前記電解質層の一方の面に設けられるカソード触媒層と、前記電解質層の他方の面に設けられるアノード触媒層と、を備える燃料電池において、前記電解質層と前記カソード触媒層との間に設けられ、比抵抗の高い物質を含む還元層を備えることを特徴とするものである。
また、前記カソード触媒層に酸化剤の反応流体が供給され、前記還元層は、カソード触媒層における反応流体の上流側に対応する領域よりも下流側に対応する領域に集中して形成されていることを特徴とするものである。
さらにまた、前記カソード触媒層に酸化剤の反応流体が供給され、前記還元層は、カソード触媒層における反応流体の上流側に対応する領域から下流側に対応する領域に向けて塗布量が多くなるように傾斜をつけて形成されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
カソード１４側に設けられるセパレータ３４にはガス流路３８が設けられ、このガス流路３８を通じて膜電極接合体５０に酸化剤ガスが供給される。同様に、アノード２２側に設けられるセパレータ３６にもガス流路４０が設けられており、このガス流路４０を通じて膜電極接合体５０に燃料ガスが供給される。具体的には、燃料電池１０の運転時、酸化剤ガス、たとえば、空気がガス流路３８内をカソード側拡散層２０の表面に沿って上方から下方へ流通することにより、カソード側触媒層１６に酸化剤ガスが供給される。一方、燃料電池１０の運転時、燃料ガス、例えば水素ガスがガス流路４０内をアノード側拡散層２８の表面に沿って上方から下方へ流通することにより、アノード側触媒層２４に燃料ガスが供給される。これにより、膜電極接合体５０内で反応が生じる。アノード側拡散層２８を介して触媒層２４に水素ガスが供給されると、ガス中の水素がプロトンとなり、このプロトンが固体高分子膜１２中をカソード１４側へ移動する。このとき放出される電子は外部回路に移動し、外部回路からカソード１４に流れ込む。一方、カソード側拡散層２０を介して触媒層１６に空気が供給されると、酸素がプロトンと結合して水となる。この結果、外部回路においてはアノード２２からカソード１４に向かって電子が流れることとなり、電力を取り出すことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
改質器を備え、当該改質器を燃料電池モジュールの排ガスで加熱する燃料電池発電システムにおいて、前記燃料電池モジュールの温度とは独立に前記改質器の温度を制御できる温度調節手段を備え、前記温度調節手段は、前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給する流路を有することを特徴とする燃料電池発電システム。
【請求項２】
請求項１において、前記改質器として前記排ガスよりも高温又は低温の流体を導入可能な三流体熱交換器よりなる改質器を備え、前記三流体熱交換器に導入された前記排ガスよりも高温又は低温の流体により前記改質器の温度を調節できるようにしたことを特徴とする燃料電池発電システム。
【請求項３】
請求項１において、前記改質器で改質される燃料が炭化水素系燃料であり、前記燃料電池モジュールが固体酸化物形燃料電池モジュールよりなることを特徴とする燃料電池発電システム。
【請求項４】
請求項２において、前記三流体熱交換器よりなる改質器が、被改質ガスの流路と排ガスの流路及び排ガスよりも高温又は低温の流体が流れる流路を有し、前記被改質ガスの流路と前記排ガスよりも高温又は低温の流体が流れる流路とが隔壁を介して隣接していることを特徴とする燃料電池発電システム。
【請求項５】
改質器を備え、当該改質器を燃料電池モジュールの排ガスで加熱する燃料電池発電システムの運転方法において、前記燃料電池モジュールの温度とは独立に前記改質器の温度を制御できる温度調節手段を備え、前記温度調節手段は、前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給する流路を有し、前記燃料電池モジュールの温度または負荷に応じて前記温度調節手段を起動し、前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給して前記改質器の温度を制御するようにしたことを特徴とする燃料電池発電システムの運転方法。
【請求項６】
請求項５において、前記改質器で改質する燃料が炭化水素系燃料であり、前記燃料電池モジュールが固体酸化物形燃料電池モジュールよりなり、前記改質器の温度を調節して改質ガスの炭化水素濃度を調節し、前記燃料電池モジュールの改質反応を制御するようにしたことを特徴とする燃料電池発電システムの運転方法。
【請求項７】
請求項５において、前記改質器を前記排ガスよりも高温又は低温の流体を導入可能な三流体熱交換器よりなる改質器とし、前記三流体熱交換器に導入する前記流体の温度及び／又は流量を調節して、前記改質器の温度を制御するようにしたことを特徴とする燃料電池発電システムの運転方法。
【請求項８】
改質器を備え、当該改質器を燃料電池モジュールの排ガスで加熱する燃料電池発電システムの運転方法において、前記燃料電池モジュールの温度とは独立に前記改質器の温度を制御できる温度調節手段を備え、前記温度調節手段は、前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給する流路を有し、当該温度調節手段により前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給して前記改質器の温度を調節し、改質ガスの炭化水素濃度を調節してモジュールの昇降温速度を制御するようにしたことを特徴とする燃料電池発電システムの運転方法。
【請求項９】
改質器を備え、当該改質器を燃料電池モジュールの排ガスで加熱する燃料電池発電システムの運転方法において、前記燃料電池モジュールの温度とは独立に前記改質器の温度を制御できる温度調節手段を備え、前記温度調節手段は、前記改質器に前記排ガスよりも高温又は低温の流体を供給する流路を有し、前記燃料電池モジュールの温度を下げる必要があれば前記改質器の温度を低くして炭化水素濃度を増加させ、逆に前記燃料電池モジュールの温度を上げる必要があれば前記改質器の温度を高くして炭化水素濃度を低減させる制御を行うことを特徴とする燃料電池発電システムの運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月16日(2009.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極ケースおよび負極ケースが、ガスケットを挟みながら嵌合した状態で、正極板、負極板および電解液を包含しているコイン型の非水電解質電池であって、多孔膜状の結着剤が、少なくとも一方の極板と、当該極板と対向する少なくとも一方の極ケースとを結着していることを特徴とするコイン型の非水電解質電池。
【請求項２】
前記結着剤は、室温以上３００［℃］未満において弾性を有することを特徴とする請求項１に記載のコイン型非水電解質電池。
【請求項３】
前記正極ケースと前記ガスケットとの間には、膜状のシール剤が介挿されており、前記結着剤は、前記シール剤と同じ成分からなることを特徴とする請求項１または２に記載のコイン型非水電解質電池。
【請求項４】
前記結着剤は、ブチレンゴム、延伸多孔質ポリテトラフルオロエチレン、スチレンブタジエンゴム、エチレンプロピレンゴム、フッ素ゴムから選択された少なくとも１種類を主成分に含むことを特徴とする請求項１から３までのいずれかに記載のコイン型非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係るコイン型非水電解質電池では、正極ケースおよび負極ケースが、ガスケットを挟みながら嵌合した状態で、正極板、負極板および電解液
を包含しているコイン型の非水電解質電池に対し、多孔膜状の結着剤で、少なくとも一方の極板と、当該極板と対向する少なくとも一方の極ケースとを結着させた。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月11日(2009.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理室内で、処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が０．１３３〜１３３Ｐａの第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、
前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０％以上で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法。
【請求項２】
前記第２の酸化処理工程の処理時間が、１〜６００秒である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項３】
前記第１の酸化処理工程および前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の合計膜厚に対して、前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の膜厚の割合が０．１〜５％である、請求項１に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項４】
プラズマ処理装置の処理室内で、処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が０．１３３〜１３３Ｐａの第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、
前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０〜５０％で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法。
【請求項５】
前記第１の酸化処理工程において、前記処理ガスは、水素を０．１〜１０％の割合で含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項６】
処理温度が２００〜８００℃である、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項７】
前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波によって形成されるマイクロ波励起プラズマである、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法。
【請求項８】
プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理室と、
前記処理室内で、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のシリコン酸化膜の形成方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記第１の観点において、前記第２の酸化処理工程の処理時間が、１〜６００秒であることが好ましい。
また、前記第１の酸化処理工程および前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の合計膜厚に対して、前記第２の酸化処理工程において形成された前記シリコン酸化膜の膜厚の割合が０．１〜５％であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第２の観点は、  プラズマ処理装置の処理室内で、処理ガス中の酸素の割合が１％以下で、かつ圧力が０．１３３〜１３３Ｐａの第１の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第１の酸化処理工程と、
前記第１の酸化処理工程に引き続き、処理ガス中の酸素の割合が２０〜５０％で、かつ圧力が４００〜１３３３Ｐａの第２の処理条件でプラズマを形成し、該プラズマにより、前記被処理体表面のシリコンを酸化してシリコン酸化膜を形成する第２の酸化処理工程と、
を含む、シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記第１および第２の観点において、前記第１の酸化処理工程での前記処理ガスは、水素を０．１〜１０％の割合で含むことが好ましい。
また、処理温度が２００〜８００℃であることが好ましい。
さらに、前記プラズマは、前記処理ガスと、複数のスロットを有する平面アンテナにより前記処理室内に導入されるマイクロ波によって形成されるマイクロ波励起プラズマであることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第３の観点は、プラズマを発生させるプラズマ供給源と、
前記プラズマにより、被処理体を処理するための真空排気可能な処理室と、
前記処理室内で、上記第１の観点または第２の観点のシリコン酸化膜の形成方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、プラズマ処理装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め設定されたレシピに従ってウェハの周縁部の外観検査を行う外観検査装置において、
前記ウェハを回転自在に保持するウェハ保持部と、
前記ウェハの周縁部の拡大像を取得する周縁撮像部と、
レシピを設定するにあたって前記ウェハの周縁部の検査位置を任意に設定可能な検査領域指定部と、
前記検査領域指定部で指定した検査位置を検査するレシピを作成して登録し、登録されたレシピに従って前記ウェハ保持部及び前記周縁撮像部を制御して、検査を行う制御部と、
を有することを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
前記検査領域指定部は、検査する範囲をウェハの中心に対する周方向の角度で始点と終点のそれぞれを入力可能で、かつ始点及び終点の角度は、ウェハのノッチ又はオリエンテーションフラットの位置を基準にした角度であることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記検査領域指定部は、検査する範囲をウェハの中心に対する周方向の角度で指定できると共に、その範囲内で所定の角度ごとに観察位置を指定できることを特徴とする請求項１または2に記載の外観検査装置。
【請求項４】
さらにウェハを搬送する搬送装置がウェハを保持する位置を予め登録する記憶装置を備えることを特徴とする請求項1から３のいずれかに記載の外観検査装置。
【請求項５】
前記制御部は、通信手段を介して前記検査領域指定部を備えた他の装置から搬送装置が前記ウェハを保持する位置を取得する請求項１から3のいずれかに記載の外観検査装置。
【請求項６】
前記制御部は、ウェハを搬送する搬送装置がウェハを保持する位置に基づいて、ウェハの周縁部の検査位置を設定したレシピを作成することを特徴とする請求項４または5に記載の外観検査装置。
【請求項７】
前記搬送装置は、移動式の保持部を備え、前記ウェハを挟み込む把持を行うことを特徴とする請求項４から６のいずれか1項に記載の外観検査装置。
【請求項８】
予め設定されたレシピに従ってウェハの周縁部の外観検査を行う外観検査装置において、
前記ウェハを回転自在に保持するウェハ保持部と、前記ウェハの周縁部の拡大像を取得する周縁撮像部と、前記ウェハを把持して前記ウェハ保持部に搬送する搬送装置が前記ウェハを保持する位置の情報に基づいて、前記ウェハの周縁部の検査位置を設定したレシピを自動的に作成する制御部と、を備えることを特徴とする外観検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の課題を解決する本発明は、上記の課題を解決する本発明は、予め設定されたレシピに従ってウェハの周縁部の外観検査を行う外観検査装置において、ウェハを回転自在に保持するウェハ保持部と、ウェハの周縁部の拡大像を取得する周縁撮像部と、レシピを設定するにあたって前記ウェハの周縁部の検査位置を任意に設定可能な検査領域指定部と、前記検査領域指定部で指定した検査位置を検査するレシピを作成して登録し、登録されたレシピに従って前記ウェハ保持部及び前記周縁撮像部を制御して、検査を行う制御部と、を有することを特徴とする外観検査装置とした。
この外観検査装置は、ウェハの周縁部の一部のみについて検査を行うことが可能になる。例えば、ウェハの直径が３０ｃｍ程度の場合には、周縁部の周長は１ｍ程度になる。従来の装置では、このように長い領域の検査を常に行っていたが、この基板検査装置では必要な部分のみを検査することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月26日(2009.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜と、前記電解質膜の一方の面に設けられた第１の電極と、前記電解質膜の他方の面に設けられた第２の電極と、前記第１の電極と接触する第１の集電体と、前記第２の電極と接触する第２の集電体とから構成される複数のセルを平面上に配置した燃料電池において、
前記第１の電極と前記第１の集電体とを密着させるための板バネ部材と、
前記板バネ部材を固定し、前記第１の集電体に前記板バネ部材を押圧するための固定部材と、
前記第１の集電体と前記板バネ部材との間に設けられた絶縁材料からなる集電体支持部を備え、
前記板バネ部材は、金属材料で形成され、少なくとも一つの辺と平行方向の断面形状が凸形状であり、その凸形状側の面が前記第１の集電体の方向に対して押圧され、さらに、前記第１の電極に酸化剤を供給するための開口部を有し、
前記集電体支持部は、前記開口部と連通する貫通穴を有することを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
前記板バネ部材は、前記集電体支持部に埋め込まれていることを特徴とする請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
前記板バネ部材は、表面が耐腐食性材料で被覆されていることを特徴とする請求項１または２に記載の燃料電池。
【請求項４】
前記固定部材は、前記第１の電極の垂直方向に対して外向きに突出していることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月25日(2009.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の上方のノズルから洗浄液を吐出し、前記基板を回転させながら前記基板を洗浄する基板洗浄方法であり、前記ノズルから前記洗浄液を前記基板に吐出しながら、前記ノズルを前記基板の中心から前記基板の外側へ走査し、前記洗浄液を前記基板の外側に散逸させる基板洗浄方法において、
前記ノズルから吐出された前記洗浄液が前記基板表面に接触する際、既に前記基板上に滞留している洗浄液に衝突しないように、前記洗浄液の流量、前記基板の回転数、前記ノズルの走査速度と走査開始位置を制御することを特徴とする基板洗浄方法。
【請求項２】
前記ノズルの走査速度は、前記ノズルから吐出した前記洗浄液が前記基板上で跳水現象を起こしている領域の半径と前記基板の単位時間あたりの回転数との積と比例関係を持つことを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項３】
前記ノズルの走査開始位置は、前記ノズルから吐出した前記洗浄液が前記基板上で跳水現象を起こしている領域の半径と比例の関係で表された位置とすることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄液の流量は、前記ノズルから吐出した前記洗浄液が前記基板上で跳水現象を起こしている領域の半径により決まることを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【請求項５】
他のノズルから洗浄液を前記基板の裏面に吐出することを特徴とする請求項１に記載の基板洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月7日(2009.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に二つのゲート電極を配列し、該ゲート電極を覆う絶縁層を介して前記二つのゲート電極の両側にソース電極およびドレイン電極を設けるとともに、前記二つのゲート電極間の位置に対応する電極はソース電極およびドレイン電極を兼ねるものとし、前記ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体薄膜を設けた相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタであって、前記有機半導体薄膜をｐ型半導体として動作させやすい半導体とするとともに、ｎ型チャネルＦＥＴ領域でのみ前記ソース電極およびドレイン電極と前記有機半導体薄膜との間にアルキルチオールの硫黄と反対側の先端の水素をナトリウムに置換したもの（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＮａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜を挟んだことを特徴とする相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項２】
前記単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルキル酸ナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＣＯ２Ｎａ）（ｎは０以上の整数）から成る単分子膜に置換された請求項１記載の相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項３】
前記単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルコールナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＯＮａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜に置換された請求項１記載の相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項４】
基板上に二つのゲート電極を配列し、該ゲート電極を覆う絶縁層を介して前記二つのゲート電極の両側にソース電極およびドレイン電極を設けるとともに、前記二つのゲート電極間の位置に対応する電極はソース電極およびドレイン電極を兼ねるものとし、前記ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体薄膜を設けた相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタであって、前記有機半導体薄膜をｐ型半導体として動作させやすい半導体とするとともに、ｎ型チャネルＦＥＴ領域では前記ソース電極およびドレイン電極と前記有機半導体薄膜との間にアルキルチオールの硫黄と反対側の先端の水素をナトリウムに置換したもの（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＮａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜を挟み、ｐ型チャネルＦＥＴ領域では前記ソース電極およびドレイン電極と前記有機半導体薄膜との間にペルフルオロアルキルチオール（ＳＨ−（ＣＦ２）ｎＦ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜を挟んだことを特徴とする相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項５】
前記ｎ型チャネルＦＥＴ領域の単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルキル酸ナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＣＯ２Ｎａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜に置換された請求項４記載の相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項６】
前記ｎ型チャネルＦＥＴ領域の単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルコールナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＯＮａ）から成る単分子膜に置換された請求項４記載の相補型ＭＯＳ（ＣＭＯＳ）トランジスタ。
【請求項７】
基板上にゲート電極を配列し、該ゲート電極を覆う絶縁層を介して前記ゲート電極の両側にソース電極およびドレイン電極を設けるとともに、前記ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体薄膜を設けたｐ型チャネルＦＥＴであって、前記有機半導体薄膜とソース電極の間及び前記有機半導体薄膜とドレイン電極の間にペルフルオロアルキルチオール（ＳＨ−（ＣＦ２）ｎＦ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜を挟んだことを特徴とするｐ型チャネルＦＥＴ。
【請求項８】
基板上にゲート電極を配列し、該ゲート電極を覆う絶縁層を介して前記ゲート電極の両側にソース電極およびドレイン電極を設けるとともに、前記ソース電極およびドレイン電極間に有機半導体薄膜を設けたｎ型チャネルＦＥＴであって、前記有機半導体薄膜とソース電極の間及び前記有機半導体薄膜半導体とドレイン電極の間にアルキルチオールの硫黄と反対側の先端の水素をナトリウムに置換したもの（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＮａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜を挟んだことを特徴とするｎ型チャネルＦＥＴ。
【請求項９】
前記単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルキル酸ナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＣＯ２Ｎａ）（ｎは０以上の整数）から成る単分子膜に置換された請求項８記載のｎ型チャネルＦＥＴ。
【請求項１０】
前記単分子膜が先端にナトリウムが付いたアルコールナトリウムチオール（ＳＨ−（ＣＨ２）ｎＯＮａ）（ｎは１以上の整数）から成る単分子膜に置換された請求項８記載のｎ型チャネルＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月8日(2009.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図９および図１１を参照して、書込動作時には、ｐ型ウエル領域２にはたとえば０Ｖ、ｎ型不純物領域３にはたとえば０Ｖがそれぞれ印加される。また選択ワード線１０にはたとえば１５Ｖ、非選択ワード線１０にはたとえば１０Ｖが印加される。またビット線側選択トランジスタＳＧ０のゲート電極層２０にはたとえば８Ｖ、ソース線側選択トランジスタＳＧ１のゲート電極層２０とにはたとえば０Ｖが印加される。また選択ビット線にはたとえば０Ｖが印加され、ソース線にはたとえば０Ｖが印加される。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月2日(2009.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを回転自在に保持するウェハ保持部と、ウェハの周縁部の拡大像を取得する周縁撮像部とを有し、前記ウェハ保持部と前記周縁撮像部とが相対移動可能に構成され、ウェハの周縁部の外観検査を行う外観検査装置であって、
ウェハ上の周縁部の所定の位置が観察できるよう前記周縁撮像部又は前記ウェハ保持部の配置を調整する情報を入力する入力部と、
入力されたウェハの位置をプリセット値として登録するプリセット設定部と、
プリセット値に従って外観検査が可能にウェハを移動させる検査制御部と、
を有することを特徴とする外観検査装置。
【請求項２】
前記入力部は、ウェハ位置をティーチングするために前記ウェハ保持部を手動で移動させる操作装置であることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項３】
前記ウェハ上の周縁部の位置をティーチングするためのGUIを表示するモニタを備えたことを特徴とする請求項2に記載の外観検査装置。
【請求項４】
前記入力部は、ウェハの周縁部の形状のデータを入力する装置であることを特徴とする請求項１に記載の外観検査装置。
【請求項５】
前記検査制御部は、周方向に観察位置が複数ある場合、スムージング処理に従って観察位置を移動させることを特徴とする請求項1から４のいずれか1項に記載の外観検査装置。
【請求項６】
作成された撮影条件と前記プリセット値とを合わせてレシピとして前記記憶装置に記憶する記憶装置を備えたことを特徴する請求項１から５のいずれか1項に記載の外観検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月26日(2009.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
アンダーシュートを防ぐための第２の方法はガス配管１１５の部分の容積Ｖ１をバルブ１１３からガス貯め１０に至るまでの処理ガスライン８の容積とガス貯め１０の容積の総和Ｖｏに比べ十分小さくすることである。これにより、Ｐ１とＰｏの間に多少の圧力差があった場合でも、メカニズム１によるアンダーシュートを低減できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
ガス導入機構１９には図２の拡大図のよう穴径ｄ＝０.１mm，穴深さｔ＝７mmのノズル状のガス導入用穴１１を２７個有するものを用いて、Ｐｏ＝Ｐ１になるように可変コンダクタンスバルブ１００の開度を調整した状態でガス流量の応答性を調べた。処理ガスライン８の配管長を変えることでＶｏの大きさを変えて、ガス供給源１０１からガス供給源１１１へ切換えた場合のガス供給源１１１の流量の応答性の変化をみた結果を図４に示す。なお処理ガスライン８のガス配管には一般的な１／４インチステンレス配管を用いた。図４に示すように処理ガスライン８の配管長を短くして、Ｖｏを小さくするに従って、応答性が向上しており、配管長を２０mm、Ｖｏを１.１cm3まで小くすることで目標の１ｓ以内に流量を設定値１５０sccmにすることができることがわかる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施例の方法では、Ｐ１がＰ２より高くなるまで待ってからバルブ１３３を開くことによって、排ガスライン９に排ガスが逆流することを防止できる。このため、ターボ分子ポンプの排気ガス中の反応生成物が排ガスライン９を介して減圧処理室２０に逆流することを防止できるため、反応生成物に起因する製品欠陥を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月25日(2009.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱性のある電子部品が少なくとも１つは面実装されている回路基板と、
前記回路基板を収容する金属製のケースと、
前記電子部品の電極部と前記ケースとを熱的に接続するように配設される放熱部材とを備えることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記放熱部材は、前記電子部品の電極部と前記ケースとに接触するように配設されることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記放熱部材は、多面体になるように成形され、前記電子部品の電極部から発生する熱を、少なくとも１つの面から他の１つ以上の面を介して前記ケースに伝導するように配設されることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記放熱部材は、前記電子部品の電極部から発生する熱を、少なくとも１つの面から他の２つ以上の面を介して前記ケースに伝導するように配設されることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
【請求項５】
前記放熱部材は、上面の高さが前記電子部品の上端と同じ又はそれより下になるように成形され、前記電子部品の電極部から発生する熱を、側面を介して前記ケースに伝導するように配設され、
前記電子部品は、内部から発生する熱を、上端を介して前記ケースに伝導するように配設されることを特徴とする請求項３又は４に記載の電子装置。
【請求項６】
前記ケースは、前記電子部品の上端に対向する面の一部分が前記電子部品の上端に接触するように、又は、前記電子部品の上端に対向する面の一部分が他の部分より前記電子部品の上端に接近するように成形されることを特徴とする請求項５に記載の電子装置。
【請求項７】
前記放熱部材は、上面の高さが前記電子部品の上端と同じ又はそれより上になるように成形され、前記電子部品の電極部から発生する熱を、上面を介して前記ケースに伝導するように配設されることを特徴とする請求項３又は４に記載の電子装置。
【請求項８】
前記ケースは、前記放熱部材の上面に対向する面の一部分が前記放熱部材の上面に接触するように、又は、前記放熱部材の上面に対向する面の一部分が他の部分より前記放熱部材の上面に接近するように成形されることを特徴とする請求項７に記載の電子装置。
【請求項９】
前記電子装置は、さらに、
前記回路基板と前記ケースとを電気的に絶縁するように配設される絶縁部材を備え、
前記放熱部材は、前記電子部品の電極部から発生する熱を、前記絶縁部材を介して前記ケースに伝導するように配設されることを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の電子装置。
【請求項１０】
前記電子装置は、さらに、
前記回路基板と前記ケースとを電気的に絶縁するように配設される絶縁部材を備え、
前記絶縁部材は、前記放熱部材が前記ケースに接触するように前記放熱部材を貫通させる開口部を有することを特徴とする請求項１から８までのいずれかに記載の電子装置。
【請求項１１】
前記回路基板には、発熱性のある電子部品が２つ以上は面実装されており、
前記放熱部材は、そのうち少なくとも２つの電子部品の電極部と前記ケースとを熱的に接続するように配設されることを特徴とする請求項１から１０までのいずれかに記載の電子装置。
【請求項１２】
前記電子装置は、さらに、
前記電子部品の電極部以外の少なくとも一部分と前記ケースとを熱的に接続するように配設される緩衝部材を備えることを特徴とする請求項１から１１までのいずれかに記載の電子装置。
【請求項１３】
前記放熱部材は、シリコン樹脂又はアクリル樹脂で形成されることを特徴とする請求項１から１２までのいずれかに記載の電子装置。
【請求項１４】
ランプを有する照明器具本体と、
前記電子部品として、前記ランプを点灯するための電子部品を前記回路基板に面実装する請求項１から１３までのいずれかに記載の電子装置とを備えることを特徴とする照明器具。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記表面プロファイルは，前記被処理基板上に形成される素子の寸法であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
被処理基板に対してエッチング処理を実行する複数の処理室と，前記被処理基板の処理前後の素子寸法を測定する測定室とを備える基板処理装置の基板処理方法であって，
前記測定室において前記被処理基板の処理前の素子寸法を測定する処理前測定工程と，
前記処理室のうちのいずれかに向けて前記被処理基板の搬送を開始する前に，前記各処理室ごとに前記処理前の素子寸法の測定値から目標寸法を達成するエッチング時間を算出する第１計算工程と，
前記各処理室ごとに算出されたエッチング時間がそれぞれ予め設定された許容範囲内か否かを判定する判定工程と，
前記判定工程で前記許容範囲内であると判定した処理室がある場合に，それらの処理室のいずれかに向けて前記被処理基板の搬送を開始してから当該処理室へ前記被処理基板を搬入するまでの間に，当該処理室でエッチング処理された直前の被処理基板から得られた処理後の素子寸法の測定値に基づく調整値と前記処理前の素子寸法の測定値とから目標寸法を達成するエッチング時間を算出し直す第２計算工程と，
当該処理室に前記被処理基板を搬入して前記第２計算工程で算出したエッチング時間によりエッチング処理を実行する処理工程と，
を有することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお，表面プロファイルは例えば前記被処理基板上に形成される素子の寸法であり，処理パラメータは例えば前記被処理基板の処理時間である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に対してエッチング処理を実行する複数の処理室と，前記被処理基板の処理前後の素子寸法を測定する測定室とを備える基板処理装置の基板処理方法であって，前記測定室において前記被処理基板の処理前の素子寸法を測定する処理前測定工程と，前記処理室のうちのいずれかに向けて前記被処理基板の搬送を開始する前に，前記各処理室ごとに前記処理前の素子寸法の測定値から目標寸法を達成するエッチング時間を算出する第１計算工程と，前記各処理室ごとに算出されたエッチング時間がそれぞれ予め設定された許容範囲内か否かを判定する判定工程と，前記判定工程で前記許容範囲内であると判定した処理室がある場合に，それらの処理室のいずれかに向けて前記被処理基板の搬送を開始してから当該処理室へ前記被処理基板を搬入するまでの間に，当該処理室でエッチング処理された直前の被処理基板から得られた処理後の素子寸法の測定値に基づく調整値と前記処理前の素子寸法の測定値とから目標寸法を達成するエッチング時間を算出し直す第２計算工程と，当該処理室に前記被処理基板を搬入して前記第２計算工程で算出したエッチング時間によりエッチング処理を実行する処理工程と，を有することを特徴とする基板処理方法が提供される。このように，本発明は処理パラメータとして算出したエッチング時間により被処理基板に対してエッチング処理を行う場合に適用できる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミ線丸棒の端部に、外部端子と接合するための断面凹形の金属キャップが嵌合されたコンデンサ用リード線。
【請求項２】
前記金属キャップが、この金属キャップの開口部と対向する端部側から前記開口部側へ向かう方向に沿って外径が拡大する曲面を有する請求項１に記載のコンデンサ用リード線。
【請求項３】
前記金属キャップの開口部側の外径をアルミ線丸棒の径より大きくして前記開口部側の金属キャップ端面に段差部を設けた請求項１に記載のコンデンサ用リード線。
【請求項４】
前記アルミ線丸棒と前記金属キャップとを加熱処理により接合してなる請求項１に記載のコンデンサ用リード線。
【請求項５】
前記金属キャップが、アルミニウムより高融点である金属からなる請求項１に記載のコンデンサ用リード線。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載のコンデンサ用リード線のアルミ線丸棒部と接続されたコンデンサ素子と、前記コンデンサ素子を収納した有底筒状の外装ケースと、前記コンデンサ用リード線を挿通する貫通孔を備えて前記外装ケースの開放端を封止する封口体と、この封口体の前記貫通孔から露呈した前記コンデンサ用リード線の金属キャップと接合した外部端子と、を備えたコンデンサ。
【請求項７】
断面凹形の金属キャップをアルミ線丸棒の端部に嵌め込む嵌込み工程と、
前記金属キャップの開口部に対向する端部の外面と外部端子とを溶接する溶接工程と、からなるコンデンサ用リード線の製造方法。
【請求項８】
前記金属キャップとアルミ線丸棒とを加熱処理により接合する接合工程を含む請求項７に記載のコンデンサ用リード線の製造方法。
【請求項９】
前記金属キャップが、アルミニウムより高融点である金属からなる請求項７又は請求項８に記載のコンデンサ用リード線の製造方法。
【請求項１０】
前記金属キャップとして端部側から開口部側へ向かう方向に沿って外径が拡大する曲面を有する金属キャップを用いる請求項７又は請求項８に記載のコンデンサ用リード線の製造方法。
【請求項１１】
前記金属キャップとして開口部側の外径をアルミ線丸棒の径より大きくして前記開口部側の金属キャップ端面に段差部を設けた金属キャップを用いる請求項７又は請求項８に記載のコンデンサ用リード線の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月15日(2009.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の目的は、以下の事項の少なくとも１つを含む：
ＤＶＢ−Ｈ規格のＴＳ信号（ＤＶＢ−Ｈ信号）に適したビットレート変換装置（又は方法）の提供；
簡易な構造を持つビットレート変換装置（又は方法）の提供；
ビットレートの下限を下げることのできるビットレート変換装置（又は方法）の提供；及び
以下に述べる実施形態及び添付の図面を参照することによって、当業者に明らかになる事項。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
バースト判定機能６２が否定判定を示す場合、出力部４５は、常に、ＮＵＬＬパケット生成部４６からのＮＵＬＬパケットを出力する。
このように、出力部４５は、バースト期間において、バッファ４２又はＮＵＬＬパケット生成部４６の何れか一方のパケットを読出クロック信号に基づいて出力し、バースト期間以外において、ＮＵＬＬパケット生成部４６のＮＵＬＬパケットを読出クロック信号に基づいて出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月22日(2009.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長方形状に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された多層配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体素子および前記多層配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されたパッド電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記パッド電極と同層の導電膜で形成された配線層と、
前記パッド電極および前記配線層を覆うように形成され、前記パッド電極の上部に開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記パッド電極に電気的に接続された長方形状のバンプ電極とを有し、
前記バンプ電極および前記パッド電極は、前記半導体基板の長辺に沿う第１方向に所定の間隔で複数配置され、
前記バンプ電極の各々は、前記バンプ電極の長辺が、前記半導体基板の短辺に沿う第２方向に沿うように配置され、
前記バンプ電極の前記第１方向における幅は、前記パッド電極の前記第１方向における幅より小さく形成され、
前記バンプ電極の前記第２方向における幅は、前記パッド電極の前記第２方向における幅より大きく形成され、
前記開口部は前記バンプ電極の短辺の一方側に形成され、
前記配線層は、前記複数配置されたバンプ電極と平面的に重なり、かつ、前記複数配置されたバンプ電極の各長辺と交差するように延在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
長方形状に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された多層配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体素子および前記多層配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されたパッド電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記パッド電極と同層の導電膜で形成された配線層と、
前記パッド電極および前記配線層を覆うように形成され、前記パッド電極の上部に開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記パッド電極に電気的に接続された長方形状のバンプ電極とを有し、
前記バンプ電極は、前記半導体基板の長辺に沿う第１方向に所定の間隔で複数配置され、
前記バンプ電極の各々は、前記バンプ電極の長辺が、前記半導体基板の短辺に沿う第２方向に沿うように配置され、
前記開口部は前記バンプ電極の短辺の一方側に形成され、
前記配線層は、前記複数配置されたバンプ電極と平面的に重なり、かつ、前記複数配置されたバンプ電極の各長辺と交差するように延在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
長方形状に形成された半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された半導体素子と、
前記半導体素子上に形成された多層配線と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体素子および前記多層配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上に形成されたパッド電極と、
前記第１絶縁膜上に形成され、前記パッド電極と同層の導電膜で形成された配線層と、
前記パッド電極および前記配線層を覆うように形成され、前記パッド電極の上部に開口部を有する第２絶縁膜と、
前記第２絶縁膜上に形成され、前記開口部を介して前記パッド電極に電気的に接続された長方形状のバンプ電極とを有し、
前記バンプ電極および前記パッド電極は、前記半導体基板の長辺に沿う第１方向に所定の間隔で複数配置され、
前記バンプ電極の各々は、前記バンプ電極の長辺が、前記半導体基板の短辺に沿う第２方向に沿うように配置され、
前記バンプ電極の前記第１方向における幅は、前記パッド電極の前記第１方向における幅より小さく形成され、
前記バンプ電極の前記第２方向における幅は、前記パッド電極の前記第２方向における幅より大きく形成され、
前記配線層は、前記複数配置されたバンプ電極と平面的に重なり、かつ、前記複数配置されたバンプ電極の各長辺と交差するように延在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁膜と前記バンプ電極の間に、前記バンプ電極の下地となる金属膜が形成され、前記バンプ電極は、前記金属膜を介して前記パッド電極に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第２絶縁膜は、窒化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第１絶縁膜は、酸化シリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記バンプ電極は、金膜から構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記パッド電極と前記配線層は、アルミニウム膜と前記アルミニウム膜の上下に積層形成されたチタン膜及び窒化チタン膜を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記パッド電極は、正方形形状を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線層は、電源配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記第１方向に複数配置されているパッド電極間には、前記パッド電極および前記配線層と同層の導電膜は形成されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記配線層は最上層配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体素子は、液晶表示装置を駆動するための回路の一部を構成していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置において、
前記複数のバンプ電極は、前記液晶表示装置のゲート端子と接続するためのものであることを特徴とする半導体装置。