(57)【要約】【課題】バス電極形成時に有機成分を除去して誘電体層中の気泡の発生を抑えるとともに、バス電極の電気抵抗値の低下を抑制したＰＤＰの製造方法を提供すること。【解決手段】乾燥状態の電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃに活性化されたガス３３を短時間照射する。その結果、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃから樹脂３２が分解、除去され、導電性粒子３０、ガラスフリット３１が主体の電極樹脂除去膜１４ｄ、１５ｄが形成される。その後、電極樹脂除去膜１４ｄ、１５ｄを、例えば４００℃〜６００℃程度で焼成してバス電極１４ｂ、１５ｂを形成する。焼成中にガラスフリット３１が溶融して溶融ガラス３１ａとなり、導電性粒子３０同士を結着させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のガラス基板上に第１の導電膜および前記第１の導電膜を覆う誘電体層を形成した第１の基板と、第２のガラス基板上に第２の導電膜、隔壁および蛍光体層を形成した第２の基板とを対向配置し、封着したプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
前記第１の導電膜は、前記第１のガラス基板上に有機物を含む電極材料ペーストがパターニングされ乾燥された電極ペースト膜を形成するステップと、前記電極ペースト膜に活性化されたガスを照射するステップと、前記ガスが照射された前記電極ペースト膜を焼成するステップと、を含んで形成されることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記ガスは、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも１つの元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記ガスは、プラズマにより生成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記電極材料ペーストは感光性ペーストであるとともに前記ガスにキセノン（Ｘｅ）を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法に関し、特に前面板のバス電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と記す）は、対向配置した前面板と背面板との周縁部を封着部材によって封着した構造であって、前面板と背面板との間に形成された放電空間には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが封入されている。
【０００３】
前面板は、ガラス基板の片面にストライプ状に形成された走査電極と維持電極とからなる複数の表示電極と、これらの表示電極を覆う誘電体層および保護層とを備えている。表示電極は、それぞれ透明電極と、その透明電極上に形成した金属材料からなるバス電極とによって構成されている。
【０００４】
背面板は、ガラス基板の片面に表示電極と直交する方向にストライプ状に形成された複数のアドレス電極と、これらのアドレス電極を覆う下地誘電体層と、放電空間をアドレス電極毎に区画するストライプ状の隔壁と、隔壁間の溝に順次塗布された赤色、緑色および青色の蛍光体層とを備えている。
【０００５】
表示電極とアドレス電極とは直交していて、その交差部が放電セルになる。これらの放電セルはマトリクス状に配列され、表示電極の方向に並ぶ赤色、緑色および青色の蛍光体層を有する３個の放電セルが、カラー表示のための画素になる。ＰＤＰは順次、走査電極とアドレス電極間、および走査電極と維持電極間に所定の電圧を印加してガス放電を発生させ、そのガス放電で生じる紫外線で蛍光体層を励起し、発光させることによりカラー画像を表示している。
【０００６】
ここでバス電極として、アルミニウム（Ａｌ）電極やクロム（Ｃｒ）／銅（Ｃｕ）／クロム（Ｃｒ）電極の場合は、半導体プロセスを基に成膜、パターニングを行い形成される。そのため、このバス電極は高精度で形成されるものの成膜にスパッタ法などの真空装置が必要となり装置コストが高いという欠点がある。そこで、例えば銀（Ａｇ）粉末を用いた電極ペーストを、印刷法やロールコート法などの特別な真空装置が不要な方法で塗布して、銀（Ａｇ）電極のバス電極を形成する場合も多い。
【０００７】
銀（Ａｇ）粉末を用いた電極ペーストには、固形成分として導電剤の銀（Ａｇ）粉末や接着のためのガラスフリット、媒体成分としてセルロース樹脂などの樹脂やテルペン系溶剤などの溶剤が含まれている。
【０００８】
そして、この電極ペーストから形成するバス電極は塗布、パターニング後、焼成を行う。しかしながら、この焼成時に電極ペースト中の樹脂などの有機物が完全に分解、除去されない場合が多い。その場合、誘電体層を形成する際に有機物が気化して気泡が発生し、誘電体層の絶縁耐圧性能を低下させ品質、歩留まりを低下させるという問題を引き起こしていた。
【０００９】
このような問題に対し、焼成時にオゾン（Ｏ３）を供給して、酸化させる燃焼反応を促進して有機物を効率よく分解する方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−９３３１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１の方法ではガラス粉の融解時までオゾン（Ｏ３）を供給し、バス電極も長時間、酸化雰囲気に曝されるため、酸化されて電気抵抗値が高くなってしまう。また近年の画素の高精細化に伴い、画素ピッチは約４００μｍ、バス電極の幅は約５０μｍと微細化されている。そのため、このような微細化されたバス電極では、酸化による電気抵抗値の上昇は、無視できない課題となってきた。
【００１１】
本発明は上記の課題を解決するもので、バス電極形成時に有機成分を除去して誘電体層中の気泡の発生を抑えるとともに、バス電極の電気抵抗値の低下を抑制したＰＤＰの製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために本発明は、第１のガラス基板上に第１の導電膜および第１の導電膜を覆う誘電体層を形成した第１の基板と、第２のガラス基板上に第２の導電膜、隔壁および蛍光体層を形成した第２の基板とを対向配置し、封着したＰＤＰの製造方法であって、第１の導電膜は、第１のガラス基板上に有機物を含む電極材料ペーストがパターニングされ乾燥された電極ペースト膜を形成するステップと、電極ペースト膜に活性化されたガスを照射するステップと、ガスが照射された電極ペースト膜を焼成するステップと、を含んで形成される方法である。
【００１３】
このような方法とすると、活性化されたガスを短時間照射することで乾燥された電極ペースト膜の有機物が分解、除去される。また、活性化されたガスは短時間の照射のため、電極ペースト膜もほとんど酸化されることがない。そのため、第１の導電膜の形成時に有機物が除去されて、誘電体層中の気泡の発生を抑えることができるとともに、第１の導電膜の電気抵抗値の低下を抑制したＰＤＰの製造方法を提供できる。
【００１４】
また本発明のＰＤＰの製造方法で使用されるガスは、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも１つの元素を含むようにしてもよい。
【００１５】
このような元素を含む活性化されたガスは酸化性のガスであるため、乾燥された電極ペースト膜に含まれる有機物の分解、除去を短時間でできる。
【００１６】
また本発明のＰＤＰの製造方法で使用されるガスは、プラズマにより生成してもよい。
【００１７】
プラズマにより生成された活性化されたガスは、低いガス温度でありながらガス原子および分子を活性化させることが可能で、活発に化学反応を進行させ、有機物の分解、除去を促進できる。
【００１８】
また本発明のＰＤＰの製造方法の電極材料ペーストは感光性ペーストであるとともにガスにキセノン（Ｘｅ）を含むようにしてもよい。
【００１９】
活性化されたガス中でキセノン（Ｘｅ）が励起されて発生した紫外線が、未反応の感光性ペースト中の樹脂のモノマーを、ポリマーにすることでより有機物の樹脂の分解、除去が容易となる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、活性化されたガスを乾燥された電極ペースト膜に短時間照射することで、電極ペースト膜の有機物が分解、除去されるとともに、電極ペースト膜もほとんど酸化されることがない。その結果、第１の導電膜の形成時に有機物が除去されて、誘電体層中の気泡の発生を抑えることができるとともに、第１の導電膜の電気抵抗値の低下を抑制したＰＤＰの製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態によるＰＤＰの製造方法について図面を用いて説明する。
【００２２】
（実施の形態）
まず、本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法により製造されるＰＤＰの構造を、図１および図２を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態のＰＤＰの構造を示す斜視図、図２は本発明の実施の形態のＰＤＰの前面板の構造を示す断面図である。
【００２３】
図１に示すように、ＰＤＰ１００は、第１の基板である前面板１２と、第２の基板である背面板２０とが対向して配置され、その外周部をガラスフリットなどからなる封着部材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１００内部の放電空間２６には、ネオン（Ｎｅ）およびキセノン（Ｘｅ）などの放電ガスが、５３２００Ｐａ〜７９８００Ｐａの圧力で封入されている。
【００２４】
前面板１２の第１のガラス基板である前面ガラス基板１３上には、走査電極１４および維持電極１５よりなる第１の導電膜である一対の帯状の表示電極１６と、ブラックストライプ（遮光層）１７とが互いに平行に、それぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板１３上には、表示電極１６と、ブラックストライプ１７とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層１８が形成され、さらにその表面に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）などからなる電極保護のための保護層１９が形成されている。
【００２５】
背面板２０の第２のガラス基板である背面ガラス基板２１上には、前面板１２の走査電極１４および維持電極１５と直交する方向に、第２の導電膜である複数の帯状のアドレス電極２２が互いに平行に配置され、これを下地誘電体層２３が被覆している。
【００２６】
さらに、アドレス電極２２間の下地誘電体層２３上には、放電空間２６を区切る所定の高さの隔壁２４が形成されている。隔壁２４間の溝にアドレス電極２２毎に、紫外線によって赤色、青色および緑色にそれぞれ発光する蛍光体層２５が、順次塗布して形成されている。走査電極１４および維持電極１５と、アドレス電極２２とが交差する位置に放電セルが形成され、表示電極１６方向に並んだ赤色、青色、緑色の蛍光体層２５を有する放電セルが、カラー表示のための画素になる。
【００２７】
また図１の前面板１２を上下反転させた図２に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板１３に、走査電極１４および維持電極１５よりなる表示電極１６と、ブラックストライプ１７とがパターン形成されている。
【００２８】
走査電極１４と維持電極１５は、それぞれ酸化インジウム（ＩＴＯ）や、酸化スズ（ＳｎＯ２）などからなる透明導電膜である透明電極１４ａ、１５ａと、透明電極１４ａ、１５ａ上に形成されたバス電極１４ｂ、１５ｂとにより構成されている。バス電極１４ｂ、１５ｂは透明電極１４ａ、１５ａの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀（Ａｇ）材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。
【００２９】
誘電体層１８は、前面ガラス基板１３上に形成されたこれらの透明電極１４ａ、１５ａとバス電極１４ｂ、１５ｂとブラックストライプ１７を覆って設け、さらに誘電体層１８上に保護層１９を形成している。
【００３０】
次に、ＰＤＰ１００の製造方法について説明する。
【００３１】
まず、前面ガラス基板１３上に、走査電極１４および維持電極１５を構成する透明電極１４ａ、１５ａが、フォトリソグラフィ法などを用いてパターニングして形成される。そしてブラックストライプ１７と、透明電極１４ａ、１５ａ上にバス電極１４ｂ、１５ｂとになるそれぞれのペースト層を、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングし、焼成することにより形成する。ここでバス電極１４ｂ、１５ｂの材料は、導電性粒子、あるいは銀（Ａｇ）材料を含む電極材料ペーストであり、ブラックストライプ１７の材料も、黒色顔料を含むペーストである。
【００３２】
次に、走査電極１４、維持電極１５およびブラックストライプ１７を覆うように、前面ガラス基板１３上に、誘電体ガラスペーストをダイコート法などにより塗布、焼成して５μｍ〜５０μｍの厚みの誘電体層１８を形成する。ここで、誘電体ガラスペーストは、粉末の誘電体ガラスフリット、バインダおよび溶剤を含む塗料である。さらに、誘電体層１８上に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１９を、真空蒸着法により０．３μｍ〜１μｍの厚みに形成する。以上の工程により、前面ガラス基板１３上に所定の構成部材が形成されて前面板１２が完成する。
【００３３】
背面板２０は、次のようにして形成される。まず、背面ガラス基板２１上に、銀（Ａｇ）材料を含むペーストをスクリーン印刷する方法や、金属膜を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いてパターニングする方法などにより、アドレス電極２２用の構成物となる材料層を形成する。そして、その材料層を所望の温度で焼成してアドレス電極２２を形成する。
【００３４】
次に、アドレス電極２２が形成された背面ガラス基板２１上に、ダイコート法などによりアドレス電極２２を覆うように誘電体ガラスペーストを塗布して、誘電体ペースト層を形成する。その後、誘電体ペースト層を焼成することにより、下地誘電体層２３を形成する。なお、誘電体ガラスペーストは、粉末の誘電体ガラスフリット、バインダおよび溶剤を含んだ塗料である。
【００３５】
次に、下地誘電体層２３上に隔壁材料を含む隔壁形成用ペーストを塗布し、所定の形状にパターニングして隔壁材料層を形成し、その後、焼成することにより、隔壁２４を形成する。ここで、下地誘電体層２３上に塗布した隔壁用ペーストをパターニングする方法としては、フォトリソグラフィ法や、サンドブラスト法を用いることができる。
【００３６】
次に、隣接する隔壁２４間の下地誘電体層２３上および隔壁２４の側面に、蛍光体材料を含む蛍光体ペーストを塗布し、焼成することにより、蛍光体層２５が形成される。以上の工程により、背面ガラス基板２１上に所定の構成部材が形成されて、背面板２０が完成する。
【００３７】
このようにして、所定の構成部材を備えた前面板１２と背面板２０とを、表示電極１６とアドレス電極２２とが直交するように対向配置して、その周囲を封着部材で封着し、放電空間２６にネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）などを含む放電ガスを封入することでＰＤＰ１００が完成する。
【００３８】
ここで、バス電極１４ｂ、１５ｂの形成方法についてさらに詳しく説明する。
【００３９】
図３は、本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法のバス電極の形成の工程フロー図である。ステップＳ１は電極ペースト膜をフォトリソグラフィ法で形成し、電極材料ペーストを塗布し乾燥させた後、露光、現像して電極ペースト膜を形成する。
【００４０】
ステップＳ２は、活性化されたガスをステップＳ１で形成した電極ペースト膜に照射する。
【００４１】
ステップＳ３は、ステップＳ２で活性化されたガスを照射した電極ペースト膜を焼成し、バス電極を形成する。
【００４２】
図４は図３に対応する工程断面図で、図４（ａ）はステップＳ１、図４（ｂ）はステップＳ２、図４（ｃ）はステップＳ３のそれぞれ工程断面図である。
【００４３】
図４（ａ）は、前面ガラス基板１３に形成された透明電極１４ａ、１５ａ上に、感光性ペーストの電極材料ペーストを塗布し、１００℃程度で乾燥させた後、露光、現像して電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃをパターニングした状態を示す。
【００４４】
電極材料ペーストには導電性粒子３０、ガラスフリット３１、感光性樹脂や有機バインダなどの有機物の樹脂３２、および有機溶剤などが含まれている。そして、この電極材料ペーストをロールコータなどにより塗布した後、乾燥することにより大部分の有機溶剤を蒸発させる。その後、フォトリソグラフィ法により所定のパターンを有するフォトマスクを介して露光した後、アルカリ現像液などにより現像してパターニングし、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃを形成する。従って、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃは、蒸発した有機溶剤を除く導電性粒子３０、ガラスフリット３１、感光性樹脂や有機ビヒクルなどの有機物の樹脂３２などで構成されている。
【００４５】
ここで、電極材料ペーストを塗布する方法としては、ロールコート以外に、ダイコート、スピンコート、ブレードコートなどを用いることができる。また、電極材料ペーストとしては、銀（Ａｇ）粒子などの導電性粒子と、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などを主成分とするガラスフリットと、重合開始剤、感光性樹脂、有機ビヒクルなどの有機成分や有機溶剤などとをそれぞれ所定の比率で混合し混練したものを用いる。
【００４６】
また導電性粒子３０としては、粒径０．１μｍ〜５０μｍの銀（Ａｇ）粒子を用いるのが好適であるが、導電性の良好な金属電極材料粒子のアルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）などの金属やそれらの合金粒子を用いることができる。銀（Ａｇ）粒子の粒径が０．１μｍ未満では、銀（Ａｇ）粒子同士の凝集が起こりやすくなり、バス電極１４ｂ、１５ｂの抵抗値が一定にならない。また銀（Ａｇ）粒子の粒径が５０μｍを超えると、バス電極１４ｂ、１５ｂの高さを銀（Ａｇ）粒子の粒径が上回り、一定かつ均一なパターンを持ったバス電極１４ｂ、１５ｂを形成できない。
【００４７】
またガラスフリット３１としては、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などを主成分とする低融点ガラスフリットの他に、所望の電極形状を形成できるガラス材料であればよく種類、数などこれに限るものではない。
【００４８】
また有機ビヒクルとしては、エチルセルロース、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテートが含まれているのが好ましい。しかし、ガラスフリット３１および導電性粒子３０との濡れ性や結着性のよいものであれば、その種類を特に限定したものではない。
【００４９】
また図４（ａ）に示すように電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃの形状として、その高さＨは１μｍ〜５０μｍの範囲が好適であり、幅Ｗは１μｍ〜５００μｍが好適である。電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃの高さＨが１μｍ未満、または幅Ｗが１μｍ未満の場合、焼成後の電気抵抗値が高くなり、バス電極１４ｂ、１５ｂとして十分な導電性が得られない。さらに電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃの高さＨが５０μｍを超える、または幅Ｗが５００μｍを超えると、焼成後、バス電極１４ｂ、１５ｂと前面ガラス基板１３とで形成される凹凸（窪み）が大きすぎて均一な厚さで誘電体材料ペーストを塗布することができない。
【００５０】
次に、図４（ｂ）に示すように、図４（ａ）の乾燥状態の電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃに活性化されたガス３３を短時間照射する。その結果、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃから樹脂３２が分解、除去され、導電性粒子３０、ガラスフリット３１が主体の電極樹脂除去膜１４ｄ、１５ｄが形成される。なお電極樹脂除去膜１４ｄ、１５ｄとは、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃから樹脂３２が完全に除去された場合のみを意味するのではなく、樹脂３２が低減された場合も含むものとする。
【００５１】
活性化されたガス３３とは、放電や放射線の吸収、高速粒子線の衝撃などによりガス成分の原子、分子、イオンなどが高エネルギー状態に励起され、化学反応の変化を起しやすい状態であることをいう。
【００５２】
またラジカル状態とは熱分解、光分解、放射線分解、電子授受などによって化学結合が切断され、きわめて化学的活性に富み速やかに遊離基同士、あるいは安定分子との反応（ラジカル反応）によって変化する状態である。このようなラジカル状態も、活性化された状態である。
【００５３】
ラジカル状態の活性化されたガス３３を電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃに照射することにより、電極ペースト膜１４ｃ、１５ｃ中の感光性樹脂、有機ビヒクルなどの有機物の樹脂３２は効率よく大部分が分解、除去される。
【００５４】
また、活性化されたガス３３として、好ましくは、酸素（Ｏ）およびフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも１つの元素を含むのがよい。励起されラジカル状態の活性化された酸素（Ｏ）あるいはフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも１つの元素を含むガスは、酸化性のガスであるため、化学反応をさらに促進できる。
【００５５】
次に図４（ｃ）は、電極樹脂除去膜１４ｄ、１５ｄを、例えば４００℃〜６００℃程度で焼成してバス電極１４ｂ、１５ｂを形成した状態を示す。焼成中にガラスフリット３１が溶融して溶融ガラス３１ａとなり、導電性粒子３０同士を結着させる。
【００５６】
次に、活性化されたガス３３を生成するガス生成装置について説明する。図５は、本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法の活性化されたガスを生成する大気圧プラズマ処理装置の断面図である。
【００５７】
大気圧プラズマ処理装置４０は、金属部４１にガス導入口４２および電極の印加棒４３が備えられ、印加棒４３は高周波電源４４に連結されている。また、金属部４１には誘電体部４５が接続され、誘電体部４５には複数のガス噴出孔４６が設けられている。そして、ガラス基板４７がガス噴出孔４６から所定の距離Ｌ離れて設置されるように、ガス噴出孔４６に対向して接地電極４８が設けられている。
【００５８】
大気圧プラズマ処理装置４０は、ガス導入口４２よりガスを導入し金属部４１の内部に設けたガス流路を通し、複数のガス噴出孔４６からガスを噴出する。そして接地電極４８と、高周波電源４４より高周波電力が供給された印加棒４３との間に大気圧近傍の圧力のプラズマ４９が生成され、ガス噴出孔４６から噴出されたガスは、活性化されたガス３３となる。
【００５９】
このような大気圧プラズマ処理装置４０は、例えば１００００Ｐａ以上３気圧以下の雰囲気の大気圧近傍下でプラズマを生成することにより、非常に高密度なプラズマを生成できる。一般に数Ｐａ程度の減圧下でのプラズマ密度は、１０１２個／ｃｍ３程度が限界とされているが、大気圧化でのプラズマは１０１５個／ｃｍ３と３桁程度高い数密度を実現できる。そのため、低温でありながら格段にエネルギー密度の高い活性化されたガス３３をガラス基板４７に照射することができ、タクト面で格段に利点がある。さらに、装置が小型で安価であるため装置コストや面積生産性といったコスト面でも利点がある。
【００６０】
ここでガス導入口４２より導入するガスは、窒素（Ｎ２）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスと、酸素（Ｏ）あるいはフッ素（Ｆ）のうちの少なくとも１つの元素を含む酸化性ガスと、紫外線を発生するキセノン（Ｘｅ）とを混合して用いる。その際の不活性ガスの濃度は、８０％〜９９．９９％がよい。不活性ガス濃度が８０％より低いとプラズマ密度の低下を招き、処理速度の著しい低下を招く。また、不活性ガス濃度が９９．９９％より高いと化学反応の低下を招き処理速度が著しく低下する。
【００６１】
酸化性ガスの酸素（Ｏ２）濃度は０．０１％〜２０％がよい。酸素（Ｏ２）濃度が２０％より高いと、プラズマ密度の低下を招き処理速度の著しい低下を招く。また、酸素（Ｏ２）ガス濃度が０．０１％より低いと、化学反応の低下を招き処理速度が著しく低下する。
【００６２】
また、酸化性ガスのフッ素（Ｆ）含有ガスとしては、四フッ化メタン（ＣＦ４）、六フッ化エタン（Ｃ２Ｆ６）、六フッ化硫黄（ＳＦ６）などを用いる。フッ素（Ｆ）含有ガスのガス濃度は、０．０１％〜２０％がよい。フッ素（Ｆ）含有ガス濃度が２０％より高いと、プラズマ密度の低下を招き処理速度の著しい低下を招く。またフッ素（Ｆ）含有ガス濃度が０．０１％より低いと、化学反応の低下を招き処理速度が著しく低下する。
【００６３】
また、酸素（Ｏ２）ガスとフッ素（Ｆ）含有ガスとを混合して用いてもよい。その際、（Ｏ２ガス／Ｆ含有ガス）の流量比率を０．１以下にすると、フッ素（Ｆ）含有ガスに含まれるフッ素（Ｆ）以外の元素が、着色の付着物などの副生成物を形成しやすくなり好ましくない。
【００６４】
またキセノン（Ｘｅ）ガスの濃度は、０．０１％以上がよい。０．０１％未満であると紫外線強度が弱く、未反応のモノマーの感光性樹脂をポリマーに反応させる効果が小さくなる。
【００６５】
また、図５の大気圧プラズマ処理装置４０の距離Ｌは、０．０５ｍｍ〜１０ｍｍがよい。この範囲であれば、ガス噴出孔４６とガラス基板４７とが接触することもなく、また距離が離れすぎ放電開始に要する電圧が高くなりプラズマのモードがアークプラズマに移行することもない。
【００６６】
また、大気圧プラズマ処理装置４０の電力密度は、３．５Ｗ／ｃｍ２〜４５Ｗ／ｃｍ２がよい。電力密度が３．５Ｗ／ｃｍ２未満であるとプラズマが安定して発生せず、また４５Ｗ／ｃｍ２を超えるとプラズマのモードがアークプラズマに移行してしまう。
【００６７】
また、ガラス基板４７の温度は、室温〜ガラス材料軟化点の範囲で活性化されたガス３３を照射できる。この温度範囲では、ガラス基板４７が低温のため結露することや高温のためガラス基板が変形するという問題も起こらない。
【００６８】
また本発明の実施の形態では、活性化されたガスを生成するプラズマ生成装置として大気圧プラズマ処理装置で説明したが、減圧プラズマや高圧プラズマ処理装置であってもよい。プラズマは、自由に運動する正、負の荷電粒子が共存して電気的中性になっている物質の状態をいい、大気圧プラズマなどの他に、１００Ｐａ〜１０００Ｐａの圧力の減圧（真空）プラズマや高圧プラズマにより発生させることができる。このプラズマにより、導入されたガスは励起されラジカル状態のガスとなって活性化される。
【００６９】
このように活性化されたガスを短時間照射することで、乾燥された電極ペースト膜の有機物が分解、除去される。また、活性化されたガスは短時間の照射のため、電極ペースト膜もほとんど酸化されることがない。そのため、表示電極である第１の導電膜の形成時に有機物が除去されて、誘電体層中の気泡の発生を抑えることができるとともに、第１の導電膜の電気抵抗値の低下を抑制したＰＤＰの製造方法を提供できる。
【００７０】
なお本発明の実施の形態では、電極材料ペーストとして感光性樹脂を含むペーストとしフォトリソグラフィ法でパターニングする方法を説明したが、感光性樹脂を含むペーストに限定されない。感光性樹脂を含まないペーストで、スクリーン印刷、ディスペンサ描画法、インクジェット法、オフセット印刷、転写法などの方法によりパターニングする場合にも、本発明は適用できる。
【００７１】
次に実施例について説明するが、各実施例および比較例では以下の共通条件のサンプルをそれぞれ２枚作製した。共通条件とは、バス電極１４ｂ、１５ｂの形状を図４（ａ）に示す電極高さＨが１０μｍ、幅Ｗが１００μｍである。また電極材料ペーストは、粒子径２００ｎｍ〜１μｍの銀（Ａｇ）の導電性粒子、重合開始剤、感光性樹脂、ガラスフリットおよび有機ビヒクルで構成される。そしてガラスフリットは、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）を主成分とする組成である。有機ビヒクルは、エチルセルロース、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテートを主成分とする。
【００７２】
また、実施例と比較例との異なる作製条件は、バス電極１４ｂ、１５ｂの形成時に活性化されたガスの照射の有無であり、各実施例間の作製条件の異なる点は、大気圧プラズマ処理装置４０に導入するガスの種類と量である。また、大気圧プラズマ処理装置４０の距離Ｌは、０．５ｍｍとした。
【００７３】
（実施例１）
実施例１では、大気圧プラズマ処理装置４０に導入するガスとしてヘリウム（Ｈｅ）２０００ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）１０ｓｃｃｍ（ｓｃｃｍ：２５℃１気圧での流量、Ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｃ／ｍｉｎの略）の混合ガスを用いた。上記混合ガスを導入させながら、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を１２Ｗ／ｃｍ２で供給し、活性化されたガスを照射した。なお、ガラス基板４７の温度を２５℃とした。その後６００℃で焼成し、バス電極１４ｂ、１５ｂを形成した。
【００７４】
次に、バス電極１４ｂ、１５ｂを覆って誘電体材料ペーストをダイコート法にて塗布し、１００℃で乾燥後、６００℃で焼成し５０μｍの厚みの誘電体層を形成した。誘電体材料ペーストは、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）などを主成分とするガラスフリットと、エチルセルロース、ターピネオール、ブチルカルビトールアセテートを主成分とする有機ビヒクル、および有機溶剤を所定の比率で配合し混合したものである。
【００７５】
このようにして作製したサンプルを、サンプル１−１、１−２とする。
【００７６】
（実施例２）
大気圧プラズマ処理装置４０に導入するガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）２０００ｓｃｃｍ、四フッ化メタン（ＣＦ４）１０ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。
【００７７】
このようにして作製したサンプルを、サンプル２−１、２−２とする。
【００７８】
（実施例３）
大気圧プラズマ処理装置４０に導入するガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）２０００ｓｃｃｍ、四フッ化メタン（ＣＦ４）６．７ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）２０ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。
【００７９】
このようにして作製したサンプルを、サンプル３−１、３−２とする。
【００８０】
（実施例４）
大気圧プラズマ処理装置４０に導入するガスとして、ヘリウム（Ｈｅ）２０００ｓｃｃｍ、四フッ化メタン（ＣＦ４）６．７ｓｃｃｍ、酸素（Ｏ２）２０ｓｃｃｍ、キセノン（Ｘｅ）２０ｓｃｃｍの混合ガスを用いた。
【００８１】
このようにして作製したサンプルを、サンプル４−１、４−２とする。
【００８２】
（比較例）
活性化されたガスを照射させないこと以外は、実施例１と同様にして作製した。
【００８３】
このようにして作製したサンプルを、サンプルＣ１−１、Ｃ１−２とする。
【００８４】
そして、実施例１〜４および比較例によって作製された各サンプルの誘電体層中に含まれる気泡発生数を評価した。誘電体層中の気泡の数については、画像検査装置を用いて測定し、５０μｍ以上の大きさの気泡を計測した。この計測結果を（表１）に示す。
【００８５】
【表１】
2008166110.tif 000003
【００８６】
（表１）より、比較例Ｃ１−１、Ｃ１−２では対角１３インチあたり気泡数が９個と６個であるのに対し、実施例１〜４の各サンプルでは対角１３インチあたり最大で２個と大幅に低減した。また、キセノン（Ｘｅ）ガスを含有させた実施例４では、サンプル数が２個と少ないものの安定して気泡数が低減し、キセノン（Ｘｅ）ガスを含める効果も示されている。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明のＰＤＰの製造方法は、バス電極の電気抵抗値の低下を抑制しつつ、バス電極の有機物を活性化されたガスを照射することで分解、除去できるため、表示品質に優れたＰＤＰとして有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の実施の形態のＰＤＰの構造を示す斜視図
【図２】同ＰＤＰの前面板の構成を示す断面図
【図３】同ＰＤＰの製造方法のバス電極の形成の工程フロー図
【図４】（ａ）図３のステップＳ１の工程断面図（ｂ）図３のステップＳ２の工程断面図（ｃ）図３のステップＳ３の工程断面図
【図５】本発明の実施の形態のＰＤＰの製造方法の活性化されたガスを生成する大気圧プラズマ処理装置の断面図
【符号の説明】
【００８９】
１２    前面板
１３    前面ガラス基板
１４    走査電極
１４ａ，１５ａ    透明電極
１４ｂ，１５ｂ    バス電極
１４ｃ，１５ｃ    電極ペースト膜
１４ｄ，１５ｄ    電極樹脂除去膜
１５    維持電極
１６    表示電極
１７    ブラックストライプ（遮光層）
１８    誘電体層
１９    保護層
２０    背面板
２１    背面ガラス基板
２２    アドレス電極
２３    下地誘電体層
２４    隔壁
２５    蛍光体層
２６    放電空間
３０    導電性粒子
３１    ガラスフリット
３１ａ    溶融ガラス
３２    樹脂
３３    活性化されたガス
４０    大気圧プラズマ処理装置
４１    金属部
４２    ガス導入口
４３    印加棒
４４    高周波電源
４５    誘電体部
４６    ガス噴出孔
４７    ガラス基板
４８    接地電極
４９    プラズマ
１００    ＰＤＰ
【図１】
2008166110.tif 000004
【図２】
2008166110.tif 000005
【図３】
2008166110.tif 000006
【図４】
2008166110.tif 000007
【図５】
2008166110.tif 000008