Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明システムであって、
前記照明システムの照明器具のデータを含む第１データベースと、
作成されるべき照明シーンに関して前記照明システムの照明器具の照明プリセットに関する情報を含む第２データベースと、
作成されるべき照明シーンに基づく前記照明システムのエネルギ消費を前記第１及び第２データベースから取り出されたデータに依存して計算する計算モジュールと、
エネルギ目標値に依存して一群の照明シーンから１以上の照明シーンを、各照明シーンに関するエネルギ消費を計算すると共に前記エネルギ目標値以下のエネルギ消費を持つ各照明シーンを選択することにより、自動的に選択する照明シーン選択器モジュールと、
を有する照明システム。
【請求項２】
請求項１に記載の照明システムであって、前記計算モジュールが前記エネルギ消費を、
選択された照明シーンの作成のために必要とされる前記照明器具のデータを前記第１データベースから取り出すステップと、
前記選択された照明シーンに対する照明プリセットを前記第２データベースから取り出すステップと、
前記エネルギ消費を前記取り出された照明器具のデータ及び前記取り出された照明プリセットから計算するステップと、
により計算する照明システム。
【請求項３】
請求項２に記載の照明システムであって、前記エネルギ消費を前記取り出された照明器具のデータ及び前記取り出された照明プリセットから計算するステップが、
前記照明システムの挙動を、前記取り出された照明プリセットに基づいてモデル化するステップと、
前記選択された照明シーンに関する推定されるエネルギ消費を、前記モデル化に基づいて計算するステップと、
を有する照明システム。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の照明システムであって、
エネルギ経費を含む第３データベース、
を更に有し、
前記計算モジュールは、作成されるべき照明シーンの総エネルギ経費を、前記計算されたエネルギ消費及び前記第３データベースから取り出されるエネルギ経費に基づいて計算する、
照明システム。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載の照明システムであって、前記照明シーン選択器モジュールは、更に、前記自動的に選択された照明シーンから照明プログラムを自動的に作成する照明システム。
【請求項６】
照明システムのエネルギ消費を決定する方法であって、
前記照明システムの照明器具のデータを含む第１データベースから、照明シーンの作成に必要とされる照明器具のデータを取り出すステップと、
作成されるべき照明シーンに関して前記照明システムの照明器具の照明プリセットに関する情報を含む第２データベースから、前記照明シーンのための照明プリセットを取り出すステップと、
前記作成されるべき照明シーンに基づく前記照明システムのエネルギ消費を、前記第１及び第２データベースから取り出されたデータに依存して計算するステップと、
照明シーン選択器モジュールを用いて、エネルギ目標値に依存して一群の照明シーンから１以上の照明シーンを、各照明シーンに関するエネルギ消費を計算すると共に前記エネルギ目標値以下のエネルギ消費を持つ各照明シーンを選択することにより、自動的に選択するステップと、
を有する方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、前記エネルギ消費が、前記取り出された照明器具のデータ及び前記取り出された照明プリセットから計算される方法。
【請求項８】
請求項７に記載の方法であって、前記エネルギ消費を前記取り出された照明器具のデータ及び前記取り出された照明プリセットから計算するステップが、
前記照明システムの挙動を、前記取り出された照明プリセットに基づいてモデル化するステップと、
前記選択された照明シーンに関する推定されるエネルギ消費を、前記モデル化に基づいて計算するステップと、
を有する方法。
【請求項９】
請求項７又は請求項８に記載の方法であって、
作成されるべき照明シーンの総エネルギ経費を、前記計算されたエネルギ消費及び第３データベースから取り出されるエネルギ経費に基づいて計算するステップ、
を更に有する方法。
【請求項１０】
請求項６ないし９の何れか一項に記載の方法であって、
エネルギ目標値に依存して一群の照明シーンから１以上の照明シーンを、各照明シーンに関するエネルギ消費を計算すると共に前記エネルギ目標値以下のエネルギ消費を持つ各照明シーンを選択することにより、自動的に選択するステップ、
を更に有する方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法であって、前記自動的に選択された照明シーンから照明プログラムを自動的に作成するステップを更に有する方法。
【請求項１２】
プロセッサが請求項６ないし１１の何れか一項に記載の方法を実行するのを可能にするコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンピュータプログラムを記憶した記録担体。
【請求項１４】
請求項６ないし１１の何れか一項に記載の方法を実行するようにプログラムされたコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月14日(2013.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子構成素子において、
−  基板（１）と、
−  当該基板（１）に配置された少なくとも１つの第１の電極（３）と、
−  前記基板（１）側を向いた前記電極（３）の面に配置された成長層（７）とを有しており、
前記成長層（７）に配置された前記電極（３）は、厚さが30nm以下の金属層（９）を有しており、
前記成長層（７）は、10nm以下の厚さを有しており、
前記電子構成素子は、有機発光ダイオードとして構成されており、さらに第２の電極（１１）と、前記第１の電極（３）と前記第２の電極（１１）との間に配置された少なくとも１つの有機機能層（５，１３，１５，１７）を有しており、
Ａ）  前記成長層（７）は、前記基板（１）から遠ざかる方向に、前記有機機能層（５，１３，１５，１７）に直接続いており、前記第１の電極（３）は、前記成長層（７）に直接続いており、該第１の電極（３）には、反射防止層、散乱層、光の色変換を行うための層および／または機械的な保護層である機能層が直接続いており、
択一的または付加的に
Ｂ）  前記成長層（７）は、前記基板（１）と前記第１の電極（３）との間に配置されており、該第１の電極（３）は、前記基板（１）から遠ざかる方向に、前記成長層（７）に直接続いており、前記有機機能層（５，１３，１５，１７）は、前記第１の電極（３）に直接続いていることを特徴とする
電子構成素子。
【請求項２】
前記成長層（７）は、1nmないし8nmの厚さを有する
請求項１に記載の電子構成素子。
【請求項３】
前記成長層（７）は、インジウムがドーピングされた酸化すず（ＩＴＯ）からなる層と、アルミニウムがドーピングされた酸化亜鉛（ＡＺＯ）からなる層とから選択される
請求項１または２に記載の電子構成素子。
【請求項４】
前記金属層（９）は、±１０％の厚さの均一性を有する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項５】
前記金属層（９）は少なくとも１つの金属を含んでおり、
当該金属は、アルミニウム、バリウム、インジウム、銀、金、マグネシウム、カルシウムおよびリチウムからなるグループから、ならびに当該金属の組み合わせから、または当該金属または当該金属の化合物から、当該金属のうちの複数から、殊に合金からなる、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項６】
前記電子構成素子（１００）の表面抵抗率は、8Ω／□以下であり、殊に5Ω／□以下である、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項７】
前記のタイプＡ）だけが実現され、かつ、前記のタイプＢ）が実現されていない、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項８】
前記のタイプＢ）だけが実現され、かつ、前記のタイプＡ）が実現されていない、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項９】
前記成長層（７）は、誘電体酸化物から構成される、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１０】
前記電子構成素子は、ランバート放射特性（１９）を有しており、
前記成長層（７）は、Al2O3，WO3またはRe2O7から構成されている、
請求項１から９までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１１】
60%以上の透過率を有する、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１２】
前記成長層（７）は、スパッタ法によってデポジットされる、
請求項１から１１までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１３】
前記成長層（７）は、アモルフォス構造を有する、
請求項１から１２までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【請求項１４】
前記第１の電極（３）と前記第２の電極（１１）との間に第３の電極を有しており、
前記成長層（７）は、前記基板（１）側を向いた前記第３の電極の面に配置されており、
当該第３の電極は、同時二極性層として構成されており、
前記第３の電極は、電気的に接触接続しており、
前記第１の電極（３）は、前記金属層（９）から構成される、
請求項１から１３までのいずれか１項に記載の電子構成素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月22日(2013.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライトアセンブリであって、
第１及び第２の概ね反対の主表面、並びに第１の色を有する第１区域、及び第２の少なくとも１つの異なる色を有するか、若しくは透明である第２区域を有し、前記第２主表面は内側主表面である、外側ライトカバーと、
前記外側ライトカバーの前記内側主表面の少なくとも３０パーセントに対して平行である内側主表面を有する反射体と、
前記外側ライトカバーと前記反射体との間に配置された内側レンズであって、前記内側レンズは第１及び第２の概ね反対の主表面を有し、前記内側レンズの前記第１主表面又は第２主表面の少なくとも１つは半透過型であり、前記内側レンズの前記第２主表面は、前記内側レンズの前記第１主表面よりも、前記反射体の前記内側主表面に近い、内側レンズと、
通電されたときに、第１の色を放射する第１の光源と、を備え、
前記内側レンズの内側主表面と、前記反射体の前記内側主表面との間の光学キャビティが存在し、前記第１の光源は、通電されたときに、前記外側カバーの前記第１主表面から見たときに、前記第１区域及び第２区域に同じ色を提供するように選択され、かつ配置されて、前記光学キャビティ内へ光を導入する、ライトアセンブリ。
【請求項２】
前記第１区域の前記第１の色は赤色であり、これと共に前記第１の光源の前記第１の色が赤色であり、前記第２区域の前記第２の色が白色又は透明であり、これと共に第２の光源の第２の色が対応して白色又は透明であり、第３区域の第３の色は琥珀色であり、これと共に第３の光源の第３の色は琥珀色である、請求項１に記載のライトアセンブリ。
【請求項３】
通電されたときに、前記第１の光源の前記第１の色とは異なる第２の色を放射する前記第２の光源を更に含み、該第２の光源は、通電されたときに、前記外側カバーの前記第１主表面から見たときに、前記第１区域に同じ色を提供するように選択され、かつ配置されて、前記光学キャビティ内へ光を導入する、請求項１又は２に記載のライトアセンブリ。
【請求項４】
前記第２の光源は、通電されたときに、前記外側カバーの前記第１主表面から見たときに、前記第２区域に前記第２の色も提供するように選択され、かつ配置されて、前記光学キャビティ内へ光を導入する、請求項３に記載のライトアセンブリ。
【請求項５】
通電されたときに、通電されたときの前記第１の光源と同じではあるが、前記第１の光源の前記第１の色よりも明るい第３の色を放射する第３の光源を更に含み、該第３の光源は通電されたときに、前記外側カバーの前記第１主表面から見たときに、前記第１の光源の強度よりも明るい光強度を提供するように選択され、配置されて、前記光学キャビティ内へ光を導入する、請求項３又は４に記載のライトアセンブリ。
【請求項６】
前記半透過型表面は、半透過型表面を有するフィルムであり、
前記半透過型表面が、前記外側ライトカバーの前記内側主表面に成形され、又は、
前記半透過型表面が、前記外側ライトカバーの前記内側主表面にエンボス加工される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のライトアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月1日(2013.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードにおいて、
該発光ダイオードは、
−  動作時に青色光のスペクトル領域において１次ビームを放射する発光ダイオードチップ（１）と、
−  当該１次ビームの一部を吸収して２次ビームを再放射する変換素子（３４）とを有しており、
ただし、
−  当該変換素子（３４）には、第１の発光材料（３）および第２の発光材料（４）が含まれており、
−  前記第１の発光材料（３）は、吸収波長領域（Δλab）において、波長が長くなるのに伴って吸収率が小さくなり、前記第２の発光材料（４）は、同じ吸収波長領域（Δλab）において、波長が長くなるのに伴って吸収率が大きくなり、
−  前記１次ビームには、前記吸収波長領域（Δλab）内にある複数の波長が含まれており、
−  前記発光ダイオードは、１次ビームおよび２次ビームからなりかつ少なくとも4000Kの色温度を有する白色混合光を放射し、
前記第１の発光材料（３）は、発光中心としてユーロピウムをベースとしており、
前記第２の発光材料（４）は、発光中心としてCerをベースにしている、ことを特徴とする
発光ダイオード。
【請求項２】
前記第１の発光材料（３）および第２の発光ダイオード（４）は同じ色の光を放射し、
当該第１の発光材料および第２の発光材料の最大放射強度の波長は、互いわずかにずれている、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
前記第１の発光材料および第２の発光材料の最大放射強度の波長は、最大で20nm、有利に最大10nm、殊に有利に最大7nmだけ異なる、
請求項１または２に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記２次ビームは、黄色光のスペクトル領域内にある、
請求項１から３までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記第２の発光材料（４）の最大放射強度の波長は、前記第１の発光材料（３）の最大放射強度の波長よりも長い、
請求項１から４までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記第２の発光材料（４）には（Gd, Lu, Y）（Al, Ga)G:Cer3+が含まれている、
請求項１から５までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記第１の発光材料（３）には（Ca, Sr, Ba）SiO4:Eu2+および／または（Ca, Sr, Ba）Si2O2N2:Eu2+が含まれている、
請求項１から６までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記第１次ビームの放射強度の最大値（λD）は、少なくとも440nmでありかつ最大で470nmである、
請求項１から７までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記吸収波長領域（Δλab）における前記変換素子の吸収率は、殊に少なくとも440nmでありかつ最大で470nmである波長領域において最大35％だけ減少する、
請求項１から８までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記第２の発光材料（４）に対する前記第１の発光材料（３）の重量比は、少なくとも0.60でありかつ最大で1.5である、
請求項１から９までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
２つの発光ダイオードチップ（１）を有しており、
動作時に当該２つの発光ダイオードチップ（１）によって形成される電磁ビームの放射強度最大値は、少なくとも5nmだけ異なっている、
請求項１から１０までのいずれか１項に記載の発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月21日(2013.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバリア層と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域と、
第１のバリア層上に直接設けられた第２の接着剤層であって、第１の導電領域及び第２の導電領域が第２の接着剤層上に直接配設される第２の接着剤層と、
第１の電極及び第２の電極に配置された２つの導電性素子と
を備える封止光電子デバイスであって、第１の電極及び第２の電極がそれぞれ対応する第１の導電領域及び第２の導電領域と対面接触で電気的に接続する、封止光電子デバイス。
【請求項２】
第２の電極を第１の導電領域及び第２の導電領域から電気的に絶縁するために第２の電極上に配設された第１の保護層をさらに備える、請求項１記載の封止光電子デバイス。
【請求項３】
第１の保護層上に配設された第２の保護層をさらに備える、請求項２記載の封止光電子デバイス。
【請求項４】
第２のバリア層が透明である、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の封止光電子デバイス。
【請求項５】
基板と第２のバリア層の間に設けられた第３の接着剤層をさらに備える、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の封止光電子デバイス。
【請求項６】
第２のバリア層が基板と第１の電極の間に配設される、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の封止光電子デバイス。
【請求項７】
第１のバリア層と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくともエレクトロルミネセンスデバイスの側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第１の導電領域であって、第１の電極と電気的に結合し、第２の電極及び第２の導電領域から電気的に絶縁されている第１の導電領域と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する第２の導電領域であって、第２の電極と電気的に結合し、第１の電極及び第１の導電領域から電気的に絶縁されている第２の導電領域と
を備える封止光電子デバイスであって、第１のバリア層が基板上に配設され、エレクトロルミネセンスデバイスが第１の導電領域と第２の導電領域とをワイヤを介して電気的に接続するための２つの導電性素子を備えている、封止光電子デバイス。
【請求項８】
第１のバリア層が透明である、請求項７記載の封止光電子デバイス。
【請求項９】
第２のバリア層上に直接設けられた第４の接着剤層と、第４の接着剤層と第２の電極の間に配設された第３の保護層とをさらに備える、請求項７又は請求項８記載の封止光電子デバイス。
【請求項１０】
第１のバリア層と、
第１のバリア層と結合するように構成され、共に側面を画成する基板及びエレクトロルミネセンス素子を備えるエレクトロルミネセンスデバイスであって、前記エレクトロルミネセンス素子が、基板上に配設された第１の電極と、第２の電極と、それらの間に配設された光電活性層とを備えている、エレクトロルミネセンスデバイスと、
エレクトロルミネセンスデバイスと結合するように構成された第２のバリア層と、
第１のバリア層と第２のバリア層の間に配置され、少なくとも前記側面と結合してエレクトロルミネセンスデバイスを第１のバリア層と第２のバリア層の間に封止するように構成された接着剤と、
第１のバリア層上に設けられ、第１のバリア層と第２のバリア層の間に位置する導電領域であって、エレクトロルミネセンスデバイスの第１の電極及び第２の電極の一方の電極と電気的に結合し、他方の電極から電気的に絶縁されている導電領域と
を備える封止光電子デバイスであって、エレクトロルミネセンスデバイスに隣接して構成され、第１の電極及び第２の電極の一方の電極に隣接する第３の電極を備える第２のエレクトロルミネセンスデバイスが存在していて、第３の電極と第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極とが導電領域に電気的に接続されている、封止光電子デバイス。
【請求項１１】
第３の電極が、第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極と極性が異なる、請求項１０記載の封止光電子デバイス。
【請求項１２】
第３の電極が、第１の電極及び第２の電極の前記一方の電極と極性が同一である、請求項１０記載の封止光電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月29日(2012.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１層の上に閉じ込め第２層を形成させるための方法であって、前記方法が、
第１表面エネルギーを有する前記第１層を形成させる工程と、
前記第１層に下塗層を施す工程と、
前記下塗層をパターン状に放射線に暴露して、暴露領域および非暴露領域を生じさせる工程と、
前記下塗層を現像して、前記下塗層を前記暴露領域または前記非暴露領域のいずれか一方から効果的に除去して、下塗層のパターンを有する第１層を生じさせる工程であって、前記下塗層のパターンが前記第１表面エネルギーより大きい第２表面エネルギーを有する工程と、
前記第１層上の前記下塗層のパターン上に前記第２層を液体付着によって形成させる工程と
を含む、第１層の上に閉じ込め第２層を形成させるための方法。
【請求項２】
電極を含んでいてその上に第１有機活性層と第２有機活性層とが配置されている有機電子デバイスを製作するための方法であって、前記方法が、
第１表面エネルギーを有する前記第１有機活性層を前記電極の上に形成させる工程と；
前記第１有機活性層に下塗層を施す工程と；
前記下塗層をパターン状に放射線に暴露して、暴露領域および非暴露領域を生じさせる工程と；
前記下塗層を現像して、前記下塗層を前記暴露領域または前記非暴露領域のいずれか一方から実質的に除去して、下塗層のパターンを有する第１活性有機層を生じさせる工程であって、前記下塗層のパターンが前記第１表面エネルギーより大きい第２表面エネルギーを有する工程と；
前記第１有機活性層上の前記下塗層のパターン上に液体付着によって前記第２有機活性層を形成させる工程と
を含む、有機電子デバイスを製作するための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
明快にするために別々の実施形態の文脈において本明細書で説明されている特定の複数の特徴を、１つの実施形態で兼ね備えさせることもできることを理解すべきである。その逆に、簡潔にするために１つの実施形態の文脈で説明されている様々な特徴を、別個に、あるいは任意の副次的な組合せで備えさせることもできる。さらに、範囲内に示されている値に言及している場合、それはその範囲内の各値およびすべての値を含む。
本発明は以下の実施の態様を含むものである。
１．第１層の上に閉じ込め第２層を形成させるための方法であって、前記方法が、
第１表面エネルギーを有する前記第１層を形成させる工程と、
前記第１層に下塗層を施す工程と、
前記下塗層をパターン状に放射線に暴露して、暴露領域および非暴露領域を生じさせる工程と、
前記下塗層を現像して、前記下塗層を前記暴露領域または前記非暴露領域のいずれか一方から効果的に除去して、下塗層のパターンを有する第１層を生じさせる工程であって、前記下塗層のパターンが前記第１表面エネルギーより大きい第２表面エネルギーを有する工程と、
前記第１層上の前記下塗層のパターン上に前記第２層を液体付着によって形成させる工程と
を含む、第１層の上に閉じ込め第２層を形成させるための方法。
２．前記非暴露領域を除去する、前記１に記載の方法。
３．液体による処理によって現像を実施する、前記１に記載の方法。
４．蒸発によって現像を実施する、前記１に記載の方法。
５．前記非暴露領域の最も外側の表面を吸収性表面と接触させることによって現像を実施する、前記１に記載の方法。
６．前記非暴露領域の最も外側の表面を粘着表面と接触させることによって現像を実施する、前記１に記載の方法。
７．電極を含んでいてその上に第１有機活性層と第２有機活性層とが配置されている有機電子デバイスを製作するための方法であって、前記方法が、
第１表面エネルギーを有する前記第１有機活性層を前記電極の上に形成させる工程と；
前記第１有機活性層に下塗層を施す工程と；
前記下塗層をパターン状に放射線に暴露して、暴露領域および非暴露領域を生じさせる工程と；
前記下塗層を現像して、前記下塗層を前記暴露領域または前記非暴露領域のいずれか一方から実質的に除去して、下塗層のパターンを有する第１活性有機層を生じさせる工程であって、前記下塗層のパターンが前記第１表面エネルギーより大きい第２表面エネルギーを有する工程と；
前記第１有機活性層上の前記下塗層のパターン上に液体付着によって前記第２有機活性層を形成させる工程と
を含む、有機電子デバイスを製作するための方法。
８．前記第１活性層が正孔輸送層であり、前記第２活性層が放射層である、前記７に記載の方法。
９．前記第１活性層が正孔注入層であり、前記第２活性層が正孔輸送層である、前記７に記載の方法。
１０．前記正孔注入層が導電性ポリマーとフッ素化酸ポリマーとを含む、前記９に記載の方法。
１１．前記正孔注入層が、フッ素化酸ポリマーがドープされた導電性ポリマーと無機ナノ粒子とから本質的になる、前記９に記載の方法。
１２．前記下塗層が正孔輸送物質を含む、前記９に記載の方法。
１３．前記下塗層が、高分子トリアリールアミン類、ポリカルバゾール類、ポリフルオレン類、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、フルオレンとトリアリールアミンとのコポリマー、金属キノレート類、それらの重水素化類似体、およびそれらの組合わせよりなる群から選択される物質を含む、前記９に記載の方法。
１４．前記正孔輸送層が、高分子トリアリールアミン類、非平面構成で結合している共役部分を有する高分子トリアリールアミン類、およびフルオレンとトリアリールアミン類とのコポリマーよりなる群から選択される、前記９に記載の方法。
１５．前記正孔輸送層上に液体付着によって放射層を形成させることをさらに含む、前記９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムを含む第１バリア層と、
前記第１バリア層上の窒化ガリウムチャネル層と、
前記窒化ガリウムチャネル層上に存在し、第１サブレイヤーと第２サブレイヤーと第３サブレイヤーとを備え、前記第１サブレイヤーと第３サブレイヤーは各々アルミニウムを含む第２バリア層と、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記第２サブレイヤーの電界は、前記第１サブレイヤーの電界および前記第３サブレイヤーの電界に対して反転していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第１バリア層はアルミニウム窒化ガリウムを含み、前記第１サブレイヤーおよび第３サブレイヤーは各々アルミニウム窒化ガリウムを含み、前記第２サブレイヤーは窒化ガリウムを含む、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
さらに基板を備え、前記第１バリア層は前記基板上に存在し、前記基板は、炭化ケイ素、窒化ガリウム、窒化アルミニウムまたはシリコンを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記第３サブレイヤー内に埋め込まれたゲート電極をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ゲート電極はＴ−ゲートであることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ゲート電極はフッ素表面処理を含むことを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記ゲート電極、第１バリア層、窒化ガリウムチャネル層および第２バリア層は、エンハンスメント型トランジスタを形成することを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記ゲート電極は第１ゲート電極を備え、前記装置は、前記第２バリア層上に設けられた第２ゲート電極をさらに備え、前記第２ゲート電極、第１バリア層、窒化ガリウムチャネル層および第２バリア層は、デプレッション型トランジスタを形成することを特徴とする請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記ゲート電極と前記第２サブレイヤー間に絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項５に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１サブレイヤーは前記窒化ガリウムチャネル層上に存在し、前記装置はさらに、前記第２サブレイヤーと第３サブレイヤー間にエッチストップ層を備えることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
無線周波数（ＲＦ）入力信号を受信するトランシーバと、
前記トランシーバに接続され、前記ＲＦ入力信号をデジタル入力信号に変換するアナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）と、
を備えるシステムであって、前記ＡＤＣは、アルミニウムを含む第１バリア層と、前記第１バリア層上の窒化ガリウムチャネル層と、前記窒化ガリウムチャネル層上に存在し、第１サブレイヤーと第２サブレイヤーと第３サブレイヤーとを備え、前記第１サブレイヤーと第３サブレイヤーは各々アルミニウムを含む第２バリア層と、前記第３サブレイヤー内に埋め込まれたゲート電極と、を有するエンハンスメント型高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１３】
前記トランシーバに接続され、前記ＲＦ入力信号を受信しやすいように構成されたアンテナ構造をさらに備えることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記システムは、レーダ装置、衛星通信装置、携帯電話、基地局、放送ラジオあるいはＴＶ増幅器システムであることを特徴とする請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
アルミニウムを含む第１バリア層を形成するステップと、
前記第１バリア層上に窒化ガリウムチャネル層を形成するステップと、
前記窒化ガリウムチャネル層上に第２バリア層を形成するステップであって、前記第２バリア層は、第１サブレイヤーと第２サブレイヤーと第３サブレイヤーとを備え、前記第１サブレイヤーと第３サブレイヤーは各々アルミニウムを含むステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記第１バリア層は、アルミニウム窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１サブレイヤーはアルミニウム窒化ガリウムを含み、前記第２サブレイヤーは窒化ガリウムを含み、前記第３サブレイヤーはアルミニウム窒化ガリウムを含むことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記第３バリア層内に埋め込まれた第１ゲート電極を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２バリア層上に第２ゲート電極を形成するステップをさらに備えることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第２サブレイヤーと第３サブレイヤー間にエッチストップ層を形成するステップをさらに備え、ゲート電極を形成する前記ステップは、前記第３サブレイヤー内を前記エッチストップ層まで埋め込まれたゲート電極を形成するステップを備えることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月26日(2013.6.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、第１の成分と、前記第１の成分とは異なる第２の成分とからなる半導体材料、を含んでおり、ｎ型導電層（１）とｐ型導電層（５）との間に配置されている多重量子井戸構造を備えており、前記多重量子井戸構造が、
−  複数の量子井戸層（３１）と少なくとも１層のバリア層（３２）とからなる積層体（３）であって、連続する量子井戸層（３１）の各対の間に１層のバリア層（３２）が配置されており、前記バリア層（３２）が両方の量子井戸層（３１）に隣接している、積層体（３）と、
−  前記積層体（３）と前記ｎ型導電層（１）とに隣接しているｎ側終端層（２）と、
−  前記積層体（３）と前記ｐ型導電層（５）との間に配置されており、かつ前記積層体（３）に隣接しているｐ側終端層（４）と、
を備えており、
前記半導体材料の前記第１の成分がＩｎからなり、
前記半導体材料の前記第１の成分のモル比率（ｘ）が、
−  前記ｎ側終端層（２）と、前記少なくとも１層のバリア層（３２）と、前記ｐ側終端層（４）とにおけるよりも、前記量子井戸層（３１）のそれぞれにおいて高く、
−  前記ｎ型導電層（１）におけるよりも前記ｎ側終端層（２）において高く、前記ｐ型導電層（５）におけるよりも前記ｐ側終端層（４）において高く、
前記ｎ型導電層（１）がｐ側境界領域（１１）を備えており、前記ｐ側境界領域（１１）が、前記ｎ側終端層（２）のｎ側境界領域（２２）に隣接しており、前記ｎ型導電層（１）の前記ｐ側境界領域（１１）と、前記ｎ側終端層（２）の前記ｎ側境界領域（２２）とが、ｎ型ドーパントによってドープされている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項２】
前記ｎ側終端層（２）がｐ側境界領域（２１）を備えており、前記ｐ側境界領域（２１）が、特に、前記積層体（３）に直接隣接しており、かつ公称的にはドープされていない、
請求項１に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項３】
前記少なくとも１層のバリア層（３２）における前記半導体材料の前記第１の成分の前記モル比率（ｘ）が、前記ｎ側終端層（２）における前記モル比率と少なくとも同じ大きさである、
請求項１または請求項２に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項４】
前記少なくとも１層のバリア層（３２）における前記半導体材料の前記第１の成分の前記モル比率（ｘ）が、前記ｐ側終端層（４）における前記モル比率と少なくとも同じ大きさである、
請求項１から請求項３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項５】
前記ｎ側終端層（２）と、前記少なくとも１層のバリア層（３２）と、前記ｐ側終端層（４）とにおける前記半導体材料の前記第１の成分の前記モル比率（ｘ）が、同じ大きさである、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項６】
オプトエレクトロニクス半導体ボディであって、第１の成分と、前記第１の成分とは異なる第２の成分とからなる半導体材料、を含んでおり、ｎ型導電層（１）とｐ型導電層（５）との間に配置されている単一量子井戸構造を備えており、前記単一量子井戸構造が、
−  １層の単一量子井戸層（３１）と、
−  前記量子井戸層（３１）と前記ｎ型導電層（１）とに隣接しているｎ側終端層（２）と、
−  前記量子井戸層（３１）と前記ｐ型導電層（５）との間に配置されており、かつ前記量子井戸層（３１）に隣接しているｐ側終端層（４）と、
を備えており、
前記半導体材料の前記第１の成分がＩｎからなり、
前記半導体材料の前記第１の成分のモル比率（ｘ）が、
−  前記ｎ側終端層（２）と、前記ｐ側終端層（４）とにおけるよりも、前記量子井戸層（３１）において高く、
−  前記ｎ型導電層（１）におけるよりも前記ｎ側終端層（２）において高く、前記ｐ型導電層（５）におけるよりも前記ｐ側終端層（４）において高く、
前記ｎ型導電層（１）がｐ側境界領域（１１）を備えており、前記ｐ側境界領域（１１）が、前記ｎ側終端層（２）のｎ側境界領域（２２）に隣接しており、前記ｎ型導電層（１）の前記ｐ側境界領域（１１）と、前記ｎ側終端層（２）の前記ｎ側境界領域（２２）とが、ｎ型ドーパントによってドープされている、
オプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項７】
前記ｎ側終端層（２）がｐ側境界領域（２１）を備えており、前記ｐ側境界領域（２１）が、特に、前記積層体（３）または前記単一量子井戸層（３１）に直接隣接しており、かつ公称的にはドープされていない、
請求項１から請求項６のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項８】
前記ｎ側終端層（２）が、１０ｎｍに等しいかそれより大きい層厚さ（ｄ）、特に、５０ｎｍに等しいかそれより大きい層厚さ（ｄ）を有する、
請求項１から請求項７のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項９】
前記ｎ側終端層（２）の前記ｐ側境界領域（２１）が、１０ｎｍに等しいかそれより大きい層厚さを有する、
請求項６に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１０】
前記半導体材料の前記第２の成分が、ＡｌおよびＧａからなる群からの少なくとも１種類の材料と、窒素とを含んでいる、
請求項１から請求項９のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１１】
前記半導体材料がＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）であり、Ｉｎからなる前記第１の成分が、前記ｎ側終端層（２）において比率ｘ≧０．０５を有する、
請求項１０に記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１２】
前記ｎ型導電層（１）が前記半導体材料の前記第１の成分を含んでいない、
請求項１から請求項１１のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１３】
前記ｎ型導電層（１）の前記ｐ側境界領域（１１）と、前記ｎ側終端層（２）の前記ｎ側境界領域（２２）とにおけるｎ型ドーパントが、５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３に等しいかそれより大きい濃度で存在する、
請求項１から請求項１２のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【請求項１４】
前記第１の成分の前記モル比率（ｘ）が、前記ｎ側終端層（２）の中で、特に、前記ｎ側終端層（２）の前記ｎ側境界領域（２２）の中で、前記ｎ型導電層から遠ざかる方向に、連続的に、または段階的に、高くなっている、
請求項１から請求項１３のいずれかに記載のオプトエレクトロニクス半導体ボディ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
排出流体の流れを収容するようになされた湾曲している外側のシェルを有する少なくとも１つの排出チューブと、
前記少なくとも１つの排出チューブの第１の領域を通して延びており、前記湾曲している外側のシェルと熱的に通じている少なくとも１つの熱交換器と、
前記少なくとも１つの排出チューブを通して延びており、排出流体圧力の低下が少ない前記少なくとも１つの排出チューブの第２の領域と、
前記第２の領域内で動作するように配置されており、背圧が許容可能な限界を超えるほど前記排出流体の流速が十分に大きくなった時にだけ前記排出流体が前記第２の領域を通って流れることができるようになされた少なくとも１つの排出弁と、
前記湾曲している外側のシェルの外側表面に熱的に通じており、排熱回収装置の動作中の前記少なくとも１つの排出チューブの熱膨張に対応するようになされた少なくとも１つの熱電素子と、
を有する、発電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
熱電型発電装置を用いて発電する方法であって、
少なくとも１つの排出チューブを通過するように排出流体の流れを導くことを含み、
前記排出チューブが、
排出流体から熱エネルギーを受けるようになされた熱交換器を持つ熱交換コアと、
前記排気チューブに取り付けられたエンジンによって発生した動作中の排気質量流量に対応するようになされており、前記熱交換コアより排出流体圧力低下が少ない排気バイパスと、
前記熱交換コアと前記排気バイパスのうちの少なくとも一部を封入する湾曲している外側のシェルと、
を備え、
前記排出流体の流れの少なくとも一部を、背圧が許容可能な限界を超えるほど前記排出流体の流速が十分に大きくなった時に前記排気バイパスを通過するようにさせることを含み、
前記少なくとも１つの排出チューブの前記外側のシェルと熱的に結合している複数の熱電素子を使って、前記排出流体からの熱出力を電力に変えることを含み、
前記複数の熱電素子が、
前記少なくとも１つの排出チューブの第１の端部の近くに接続された複数の第１の熱電素子と、
前記少なくとも１つの排出チューブの前記第１の端部とは反対の第２の端部の近くに接続された複数の第２の熱電素子と、を含み、各前記第１の熱電素子が各前記第２の熱電素子よりも長い、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月7日(2013.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）６００〜１００,０００の質量平均分子量を有し、任意選択的に反応性官能基を有するフッ素含有ポリマーを含んでなる０〜９５質量％の成分（Ｉ）；
ｂ）６００〜１００,０００の質量平均分子量を有し、反応性官能基を有するフッ素およびケイ素含有ポリマーを含んでなる０.１〜７５質量％の成分（II）、ここで、成分（II）が式（II）
【化１】
2013500357.tif 000001
（式中、Ａは反応性官能基であり、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ個別に、エーテル結合を任意選択的に含有する、Ｃ1〜Ｃ6アルキル基であり、ここで、少なくとも１つのＲは少なくとも部分的にフッ素化されており、ｘ、ｙおよびｚは、ポリマー中の繰り返し単位の数を示す整数であり、ここで、ｘ、ｙ、およびｚの少なくとも１つは０より大きい）
で表される；
ｃ）６００未満の質量平均分子量を有し、少なくとも１つの官能基を有する反応性希釈剤を含む５〜９９.９質量％の成分（III）；
ｄ）１０,０００未満の数平均分子量を有するフッ素含有の非官能性オリゴマーまたはポリマーを含む０〜２０質量％の成分（IV）；ならびに
ｅ）無機粒子を含む０〜８０質量％の成分（Ｖ）
を含んでなる組成物であって、
組成物の０.１〜９５質量％が成分（Ｉ）および成分（II）の１つまたは両方であり、組成物の５〜９９.９質量％が成分（III）であり、組成物の残りが成分（IV）および（Ｖ
）の１つまたは両方であり、ここで、質量百分率はすべて成分（Ｉ）〜（Ｖ）の総質量に基づいており、ただし成分（Ｉ）と成分（IV）の両方が存在するとき、成分（Ｉ）は成分（IV）と同一ではない、上記組成物。
【請求項２】
成分（Ｉ）が０.１％〜２％の質量％で存在する請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
成分（Ｉ）が１０,０００〜７０,０００の質量平均分子量を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
成分（II）が４％〜７５％の質量％で存在し、６００〜３,０００の質量平均分子量を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
成分（III）が、６００未満の質量平均分子量を有し、少なくとも１つの官能基を有するフッ素含有反応性希釈剤を含んでなる成分（IIIａ）を含んでなるか、または成分（III）が、６００未満の質量平均分子量を有し、少なくとも１つの官能基を有するケイ素含有反応性希釈剤を含んでなる成分（IIIｂ）を含んでなるか、または成分（III）が、６００未満の質量平均分子量を有し、少なくとも１つの官能基を有するフッ素およびケイ素含有反応性希釈剤を含んでなる成分（IIIｃ）を含んでなる、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
成分（III）が１５％〜８０％の質量％で存在し、２００〜６００の質量平均分子量を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
成分（IV）が５％〜１３％の質量％で存在し、３,０００〜８,０００の数平均分子量を有する請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
成分（IV）がパーフルオロポリアルキルエーテルオリゴマーまたはポリマーであり、成分（Ｖ）が１０％〜４０％の質量％で存在する請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
成分（Ｖ）が導電性または半導性無機粒子を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
請求項１に記載の組成物を含むコーティング。
【請求項１１】
請求項１に記載の組成物でコートされた基材。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月18日(2013.7.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
鎖延長縮合重合体を提供するために縮合重合体の重合処理中に鎖延長剤を添加することを含み、
前記鎖延長剤が、
少なくとも１つの官能性（メタ）アクリル単量体と、
少なくとも１つのスチレン単量体、置換スチレン単量体、（メタ）アクリル単量体、またはその２つ以上の混合物と、
の重合生成物を含む、方法。
【請求項２】
請求項１の方法であって、
前記鎖延長剤が２以上の官能価を有する、方法。
【請求項３】
請求項１の方法であって、
前記鎖延長剤が２を超える官能価を有する、方法。
【請求項４】
請求項１の方法であって、
前記官能性（メタ）アクリル単量体がエポキシ官能性（メタ）アクリル単量体である、方法。
【請求項５】
請求項４の方法であって、
前記エポキシ官能性（メタ）アクリル単量体がメタクリル酸グリシジルである、方法。
【請求項６】
請求項１の方法であって、
前記スチレン単量体はスチレンであり、かつ
前記（メタ）アクリル単量体がアクリル酸ブチル、２−エチルヘキシルアクリレート、または（メタ）アクリル酸メチルである、方法。
【請求項７】
請求項１の方法であって、
前記鎖延長剤が、鎖延長剤及び縮合重合体の成分の総重量に対して約０．０３〜約１０重量％の量で縮合重合体に添加される、方法。
【請求項８】
請求項１の方法であって、
前記縮合重合体がポリエステル、ポリアミド、またはポリカーボネートから選択される、方法。
【請求項９】
請求項１の方法であって、
前記縮合重合体がポリエステルである、方法。
【請求項１０】
請求項１の方法であって、
前記縮合重合体がバイオポリエステルである、方法。
【請求項１１】
請求項１０の方法であって、
前記バイオポリエステルが、一般式ＣＨ３−ＣＨ（ＯＨ）−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨまたはＣＨ２（ＯＨ）−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨを有する単量体の重合生成物を含む、ポリ（乳酸）、ポリ（２−ヒドロキシ酪酸）、または別のバイオエステルであり、
ここで、ｎは１以上である、方法。
【請求項１２】
請求項１の方法であって、
少なくとも約０．６ｄｌ／ｇの鎖延長縮合重合体の溶液固有粘度が約９０分以下の時間で達成される、方法。
【請求項１３】
請求項１の方法であって、
当該方法が、固体重合による鎖延長縮合重合体を処理することを含まない、方法。
【請求項１４】
方法であって、
鎖延長ポリエステルを提供するためにポリエステルの重合処理中に鎖延長剤を添加することを含み、
前記鎖延長剤が、
少なくとも１つの官能性（メタ）アクリル単量体と、
少なくとも１つのスチレン単量体、置換スチレン単量体、（メタ）アクリル単量体、またはその２つ以上の混合物と、
の重合生成物を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４の方法であって、
前記重合処理がバッチ重合処理または連続重合処理である、方法。
【請求項１６】
請求項１４の方法であって、
前記鎖延長剤が、バッチ重合処理の重合段階中に添加される、方法。
【請求項１７】
方法であって、
鎖延長ポリエステルを提供するためにポリエステルの重合処理中に鎖延長剤を添加することを含み、
前記鎖延長剤が、
少なくとも１つの官能性（メタ）アクリル単量体と、
少なくとも１つのスチレン単量体、置換スチレン単量体、（メタ）アクリル単量体、またはその２つ以上の混合物と、
の重合生成物を含み、
前記重合処理がバッチ重合処理または連続重合処理であり、
前記鎖延長剤が、縮合重合体の溶液固有粘度が約０．６ｄＬ／ｇのときに添加され、
前記鎖延長縮合重合体の分子量が、鎖延長剤なしで分子量を達成する時間よりも短い時間で達成される、方法。
【請求項１８】
請求項１７の方法であって、
前記鎖延長縮合重合体が、鎖延長剤なしで形成される縮合重合体よりも高い溶融粘度を示す、方法。
【請求項１９】
請求項１の方法で形成される鎖延長縮合重合体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の構成要素：
５重量％〜５０重量％の範囲内のオレフィンブロックコポリマー；
１０重量％〜７０重量％の範囲内の、少なくとも９５℃の軟化点を有する第１粘着付与樹脂；
０重量％〜６５重量％の範囲内の、第１粘着付与樹脂と異なる第２粘着付与樹脂；
０重量％〜６０重量％の範囲内の可塑剤；
０重量％〜２０重量％の範囲内の、１１５℃以上の軟化点を有する芳香族強化樹脂；
１重量％〜４０重量％の範囲内の、比較的低い結晶化度を有する二次ポリマー、ここで低い結晶化度とは、２５０ジュール／グラム以下であり、オレフィンブロックコポリマー、第１および第２粘着付与樹脂、ならびに強化樹脂とは異なる二次ポリマー；ならびに
０．１％〜５％の範囲内の安定剤；
のブレンドを含むホットメルト接着剤組成物であって、構成要素は合計で組成物の１００重量％となり、組成物の粘度は、１６３℃で２０，０００ｍＰａ．ｓ以下である、組成物。
【請求項２】
ＳＢ、ＳＩ、ＳＩＳ、ＳＢＳ、ＥＶＡ、ＳＥＢ、ＳＥＥＰＳ、ＳＩＢＳ、ＳＥＢＳ、ＳＥＰ、ＳＥＰＳ、ＳＢＢＳおよびこれらのブレンドからなる群から選択される、１重量％〜２５重量％の範囲内の補助ポリマーをさらに含み、前記補助ポリマーが、オレフィンブロックコポリマー、第１および第２粘着付与樹脂、強化樹脂、および二次ポリマーとは異なるポリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
１０重量％〜３０重量％の範囲内、好ましくは１２重量％〜２０重量％の範囲内の前記オレフィンブロックコポリマーを含む、請求項１または請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
前記可塑剤が、２重量％〜３０重量％の範囲内の量にて存在し、および／かつ鉱油および液体ポリブテンからなる群から選択される、請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
【請求項５】
前記第１粘着付与樹脂が、
９５℃〜１４０℃の範囲内の軟化点を有し、および／かつ
４０重量％〜６５重量％の範囲内、好ましくは、５０重量％〜６０重量％の範囲内の量にて存在し、および／かつ
脂肪族炭化水素樹脂およびこれらの水素化誘導体、水素化脂環式炭化水素樹脂、芳香族修飾脂肪族または水素化脂環式炭化水素樹脂、脂肪族修飾芳香族炭化水素樹脂、部分または完全水素化芳香族炭化水素樹脂、ならびにポリテルペンおよびスチレン化ポリテルペン樹脂からなる群から選択される、
請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記組成物が、１５，０００ｍＰａ．ｓ以下、好ましくは１６３℃で１２，０００ｍＰａ．ｓ以下の粘度を有し、および／かつ、
少なくとも６０％、好ましくは少なくとも７０％、最も好ましくは少なくとも８０％の初期接着保持を有する、
請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項７】
前記芳香族強化樹脂が、２重量％〜１５重量％の範囲内の量にて存在し、および／かつ
純粋なモノマー重合からの生成物であり、および／かつ
１１５℃〜１６０℃、好ましくは、１１５℃〜１４０℃、最も好ましくは１２０℃〜１４０℃の範囲内の軟化点を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
【請求項８】
前記二次ポリマーが、１５０ジュール／グラム以下、好ましくは１００ジュール／グラム以下の結晶化度を有し、および／かつ
２重量％〜３０重量％の範囲内の量にて存在する、
請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
【請求項９】
石油ワックス、微結晶ワックス、低分子ポリエチレンおよびポリプロピレン、ならびに合成ワックスおよびポリオレフィンワックスからなる群から選択されるワックスをさらに含む、請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
【請求項１０】
積層体であって、請求項１〜９のいずれかに記載の接着剤組成物を有するフィルム材料の第２の層と接着した不織布材料の第１の層を含む積層体。
【請求項１１】
不織布材料の第１層、不織布またはフィルム材料の第２層、ならびに前記第１および第２不織布層間に配置され、請求項１〜１０のいずれかに記載の接着剤組成物と一緒に接着された１種以上ののエラストマー基材を含む弾性積層体。
前記
【請求項１２】
前記フィルム材料が、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、エチレン−プロピレンコポリマーフィルムまたは布様のコートされたフィルム材料を含む、請求項１０に記載の積層体、または請求項１１に記載の弾性積層体。
【請求項１３】
請求項１０もしくは請求項１２に記載の積層体もしくは請求項１１または請求項１２に記載の弾性積層体を作製する請求項１３に記載の方法であって、前記方法が、  第１基材を第１方向に供給するステップ；
前記第１基材から離間した第２基材を前記第１方向に供給するステップ；
１つまたは両方の前記基材に対して、請求項１〜９のいずれかに記載の接着剤組成物を適用するステップ；および
前記基材を一緒に圧縮して前記積層体または前記弾性積層体を形成するステップ
を含む、請求項１０もしくは請求項１２に記載の積層体または請求項１１もしくは請求項１２に記載の弾性積層体を作製する方法。
【請求項１４】
請求項１１または請求項１２に記載の弾性積層体を作製する請求項１３に記載の方法であって、前記方法が、追加的な
前記第１および第２基材間の１種以上のエラストマー基材を前記第１方向に供給し、前記エラストマー基材が、接着剤適用の前、間または後に伸張され、好ましくは、初期の緩和された状態から最大で５００％まで伸長されるステップ；
前記エラストマー基材のいずれかまたは前記基材の一方もしくは両方に請求項１〜９のいずれかに記載の接着剤組成物を適用するステップ；および
前記基材を一緒に圧縮して前記弾性積層体を形成するステップ
を含む、方法。
【請求項１５】
前記接着剤が、繊維、ビーズ、ドット、またはフィルムの形態で連続的または断続的に適用される、請求項１３または請求項１４に記載の方法。