【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、レベルシフタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、差動増幅器を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、インバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の２５％乃至４５％の大きさの範囲内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の２５％乃至４５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の２５％乃至４５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル幅の１倍乃至１０倍の大きさを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路はＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の２５％乃至４５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル長は、前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル長よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の２５％乃至４５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｐチャネル型トランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記Ｎチャネル型トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、インバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の５５％乃至７５％の大きさの範囲内にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の５５％乃至７５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル幅よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の５５％乃至７５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル幅は、前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル幅の４倍乃至２０倍の大きさを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路は、Ｎチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の５５％乃至７５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｎチャネル型トランジスタのチャネル長は、前記Ｐチャネル型トランジスタのチャネル長よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
アンテナを含む共振回路と、
前記共振回路に発生した交流信号を復調して第１の復調信号を生成する復調回路と、
前記第１の復調信号を補正して第２の復調信号を生成する補正回路を有し、
前記補正回路はＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トランジスタとで構成されるインバータを有し、
前記インバータの入出力特性の変化点の電圧値が電源電圧の５５％乃至７５％の大きさの範囲内にあり、
前記Ｎチャネル型トランジスタのしきい値電圧の絶対値は、前記Ｐチャネル型トランジスタのしきい値電圧の絶対値よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記共振回路、前記復調回路及び前記補正回路は、同じ基板上に設けられており、
前記基板は、ガラス基板又は可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記復調回路と前記補正回路は、第１の基板上に設けられており、
前記アンテナは、第２の基板上に設けられており、
前記第１の基板と前記第２の基板は、ガラス基板又は可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記復調回路は、複数の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項３及び請求項８のいずれか一項において、
前記補正回路は、複数の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項４乃至請求項７及び請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記Ｎチャネル型トランジスタと前記Ｐチャネル型トランジスタは、薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の半導体装置は、
さらに、電源回路、クロック発生回路、メモリ、メモリ制御回路及び変調回路から選択された一つ又は複数を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
共振回路に発生した信号をアナログ回路で構成された復調回路に入力し、
前記復調回路が生成する復調信号を補正回路に入力し、前記復調信号を補正する半導体装置の駆動方法であって、
前記補正回路は、レベルシフタ、差動増幅器、又はインバータから選択された一つを有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。