【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の金属材料（２２０）を溶融させる装置において、
真空室（２１４、３１１、６２０）と、
該真空室（２１４、３１１、６２０）内に配置された炉床（ｈｅａｒｔｈ）（２２４、３３６、６４０）と、
前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に又は前記真空室（２１４、３１１、６２０）に隣接して配置された少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）であって、該少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、第１の面積の包含範囲（coverage）を有する第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）と、導電性の金属材料（２２０）をその溶融温度まで加熱するのに十分なエネルギとを作るようにされた前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）であって、前記導電性の金属材料（２２０）は、チタン、チタン合金、タングステン、ニオブ、タンタル、白金、パラジウム、ジルコ二ウム、イリジウム、ニッケル、ニッケル系合金、鉄、鉄系合金、コバルト、及びコバルト系合金から選ばれた少なくとも１つの材料であり、第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を前記真空室（２１４、３１１、６２０）へ向けるよう位置決めされた前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）と、
少なくとも１つの鋳型と、炉床（２２４、３３６、６４０）から導電性の金属材料（２２０）を受け取るよう位置決めされた噴霧装置（６２４）と、
前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に又は前記真空室（２１４、３１１、６２０）に隣接して配置された補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）であって、該補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、第２の面積の包含範囲（coverage）を有する第二の電子フィールド（７０２、７０２´）と、前記導電性の金属材料（２２０）の少なくとも１つを少なくともその溶融温度まで加熱し、且つ導電性の金属材料（２２０）中の任意の固体の凝縮物を溶融させ、且つ形成されるインゴットの領域に熱を提供するのに十分なエネルギとを作るようにされた前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）であって、該補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、第２の面積の包含範囲が第１の面積の包含範囲より小さくなるように、第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を収束させる前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）と、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）により放出された前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）をステア（steer）するステアリング装置（７０４）であって、前記収束した第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を、前記導電性金属材料（２２０）の少なくとも一部、前記固体の凝縮物及び前記形成されるインゴットの少なくとも一つの方へ向ける前記ステアリング装置（７０４）であって、前記ステアリング装置（７０４）は、少なくとも前記第１の面積の包含範囲領域内で前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）により作られた前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を選択的にステアするようにされた前記ステアリング装置（７０４）とを具備する、導電性の金属材料（２２０）を溶融させる装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置において、
導電性の金属材料（２２０）を炉床（２２４、３３６、６４０）の少なくとも１つの領域に上方の位置にて前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に導入する構成とされた少なくとも１つの供給装置（２１９、６２２）を更に備える、装置。
【請求項３】
請求項２に記載の装置において、
前記供給装置（２１９、６２２）及び少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、該少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタにより放出された第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）が、前記供給装置（２１９、６２２）により前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に導入された導電性の金属材料（２２０）に少なくとも部分的に衝突するように配置される、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置において、
前記炉床（２２４、３３６、６４０）は、溶融材料（２２６、３３４、６４２）の保持領域を含み、前記炉床（２２４、３３６、６４０）及び少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、該少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）により放出された第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）が、前記溶融材料（２２６、３３４、６４２）の保持領域に少なくとも部分的に衝突するように配置される、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置において、
前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、陽イオンプラズマを作り出す構成とされた電極（３１９、５１６）を含むプラズマ領域を備える、装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置において、
前記電極（３１９、５１６）は、前記プラズマ領域の一部分に沿って位置決めされたワイヤーを備える、装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置において、
前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を負に帯電させる構成とされた高電圧の電源と電気的に接続されたカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を含むカソード領域を更に備え、該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）は、前記電極（３１９、５１６）により発生された陽イオンが前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）に向けて加速され、且つ該カソードと衝突し、これにより前記第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）から解放するように前記電極（３１９、５１６）に対して位置決めされる、装置。
【請求項８】
請求項７に記載の装置において、
前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、電子透過性のフォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）を更に備え、該フォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）は、前記真空室（２１４、３１１、６２０）の壁内に位置決めされ、これにより、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）から解放された前記第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）が前記フォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）を通じて前記真空室（２１４、３１１、６２０）に入るのを許容するようにした、装置。
【請求項９】
請求項７に記載の装置において、
前記高電圧の電源は、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を２０，０００ボルト以上の負の電圧に給電するように該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）に電力を供給する、装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置において、
前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）は、前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に開口し、前記第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）が前記少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）から、電子透過性の窓部を通ることなく、前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に直接、通るようにした、装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置において、該装置は、電子ビーム冷間炉床（２２４、３３６、６４０）の溶融炉である、装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置において、
前記第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）の前記第一の面積は、広い面積の電子フィールドである、装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置において、
前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）の断面積は、円形の断面外形及び矩形の断面外形の何れか１つを有する、装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置において、
前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）は、ラスター走査して、前記導電性の金属材料（２２０）の部分のその溶融温度までの加熱、前記導電性の金属材料（２２０）内の固体の凝縮物の溶融、及び形成されるインゴットの領域に対する熱の提供の少なくとも１つを許容するような構成とされる、装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、陽イオンプラズマを作り出す構成とされた電極（３１９、５１６）を含むプラズマ領域を備える、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置において、
前記電極（３１９、５１６）は、前記炉床（２２４、３３６、６４０）の少なくとも一部分の上方の位置にて導電性の金属材料（２２０）を真空室（２１４、３１１、６２０）内に導入する構成とされた供給装置（２１９、６２２）の反対側の真空室（２１４、３１１、６２０）の一端に近接して前記プラズマ領域内に位置決めされたワイヤーを備える、装置。
【請求項１７】
請求項１５に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を負に帯電させる構成とされた高電圧の電源と電気的に接続されたカソードを含むカソード領域を更に備え、該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）は、前記電極（３１９、５１６）により発生された陽イオンが前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）に向けて加速され、且つ該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）と衝突し、これにより前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）から解放するように前記電極（３１９、５１６）に対して位置決めされる、装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置において、
前記電極（３１９、５１６）及び前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）の少なくとも一方は、円形の形状であり、前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）に対して円形の断面外形を形成するようにした、装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の装置において、
前記電極（３１９、５１６）及び前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）の少なくとも一方は、矩形の形状であり、前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）に対して矩形の断面外形を形成するようにした、装置。
【請求項２０】
請求項１７に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、電子透過性のフォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）を更に備え、該フォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）は、前記真空室（２１４、３１１、６２０）の壁内に位置決めされ、これにより、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）から解放された前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）が前記フォイル窓部（３２９、５１５、６３４、６３６）を通じて前記真空室（２１４、３１１、６２０）に入るのを許容するようにした、装置。
【請求項２１】
請求項１７に記載の装置において、
前記高電圧の電源は、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を２０，０００ボルト以上の負の電圧に給電するように電力を供給する、装置。
【請求項２２】
請求項１に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に開口し、前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）が前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）から、電子透過性の窓部を通ることなく、前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に直接、通るようにした、装置。
【請求項２３】
導電性の金属材料（２２０）を溶融させる装置において、
真空室（２１４、３１１、６２０）と、
該真空室（２１４、３１１、６２０）内に配置された炉床（２２４、３３６、６４０）と、
導電性の金属材料（２２０）を溶融させる構成とされた溶融装置であって、前記溶融装置は、前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に又は前記真空室（２１４、３１１、６２０）に隣接して配置され、且つ前記導電性の金属材料（２２０）をその溶融温度まで加熱するのに十分なエネルギを有する所定の包含範囲の広い面積の電子フィールドを前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に向けるよう位置決めされた少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）を備える前記溶融装置と、
少なくとも１つの鋳型と、炉床（２２４、３３６、６４０）から溶融した導電性の金属材料（２２０）を受け取るよう位置決めされた噴霧装置（６２４）と、
前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に又は前記真空室（２１４、３１１、６２０）に隣接して配置された補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）であって、該補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、前記広い面積の電子フィールドの包含範囲面積より小さい包含面積を有する収束した電子フィールドと、導電性の金属材料（２２０）の少なくとも一部の溶融、導電性の金属材料（２２０）中の固体の凝縮物の溶融、及び凝固するインゴットの領域の加熱のうちの少なくとも１つを行う十分なエネルギとを作るようにされた前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）とを更に備え、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、収束した電子フィールドをステアして、導電性の金属材料（２２０）の一部、固体の凝縮物、及び凝固するインゴットのうちの少なくとも一つに向けることができるようにした、装置。
【請求項２４】
請求項２３に記載の装置において、
前記溶融装置は、前記導電性の金属材料（２２０）をその溶融温度まで加熱するのに十分なエネルギを有する電子ビームを放出する構成とされた少なくとも１つの熱イオン電子ビーム銃を備える、装置。
【請求項２５】
導電性の金属材料（２２０）を溶融させる装置において、
真空室（２１４、３１１、６２０）内に又は前記真空室（２１４、３１１、６２０）に隣接して配置され、且つ広い面積の電子フィールドを前記真空室（２１４、３１１、６２０）内に向けるよう位置決めされ、前記広い面積の電子フィールドは所定の包含範囲を有し且つ導電性の金属材料（２２０）をその溶融温度まで加熱するのに十分なエネルギを有する、少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）と、
前記広い面積の電子フィールドの包含範囲面積よりも小さい包含範囲面積を有する収束した電子フィールドを作るようにされた補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）であって、前記収束した電子フィールドの断面積は第１の形状を有する断面積の外形を画成する前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）と、
前記広い面積の電子フィールドの包含範囲面積の少なくとも一部の領域内に前記収束した電子フィールドを選択的にステアするようにされたステアリングシステムであって、前記収束した電子フィールドを導電性の金属材料（２２０）の少なくとも一部分上に衝突させ、導電性の金属材料（２２０）の任意の凝固部分を溶融させ、導電性の金属材料（２２０）中の任意の固体の凝縮物を溶融させ、及び形成されるインゴットの領域を加熱することの少なくとも１つを行なう構成とされたステアリングシステムとを備える、装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の装置において、
第二の形状を有する電極（３１９、５１６）と、
第三の形状を有するカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）とを更に備え、
前記第一の形状は前記第二の形状及び前記第三の形状の少なくとも一方に類似している、装置。
【請求項２７】
請求項２５に記載の装置において、
前記第一の形状は、円形の形状及び矩形の形状の何れか一方である、装置。
【請求項２８】
請求項２７に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、円形のワイヤー電極（３１９、５１６）と、円形の断面外形を有する収束した電子フィールドを作り出す構成とされた円形のカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）とを備える、装置。
【請求項２９】
請求項２７に記載の装置において、
前記補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）は、矩形の電極（３１９、５１６）と、矩形の断面外形を有する収束した電子フィールドを作り出す構成とされた矩形のカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）とを備える、装置。
【請求項３０】
材料を加工する方法において、
金属及び金属合金の少なくとも一方を含む材料を雰囲気圧力に対して低圧力に維持された炉室（２１４、３１１、６２０）内に導入するステップと、
少なくとも第一のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）を使用して第一の包含範囲面積を有する第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を発生させるステップと、
炉室（２１４、３１１、６２０）内の材料に対し第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を作用させ、材料を該材料の溶融温度よりも高い温度まで加熱するステップと、
第二のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）を使用して、第二の包含範囲面積を有する第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を発生させるステップと、
前記第二の包含範囲面積が前記第一の包含範囲面積よりも小さいビームを作るように前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を収束するステップと、
材料中の任意の固体の凝縮物、材料の任意の凝固部分、及び凝固するインゴットの領域の少なくとも一つに対し、ステアシステムを使用して第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を作用させ、固体の凝縮物、凝固部分及び凝固するインゴットの領域の少なくとも１つを溶融させ又は加熱するステップとを更に備える、材料を加工する方法。
【請求項３１】
請求項３０に記載の方法において、
前記材料は、チタン、チタン合金、タングステン、ニオブ、タンタル、白金、パラジウム、ジルコニウム、イリジウム、ニッケル、ニッケル系合金、鉄、鉄系合金、コバルト、及びコバルト系合金の少なくとも１つから成る、方法。
【請求項３２】
請求項３０に記載の方法において、
前記材料に対して少なくとも第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を作用させた後又は作用させると同時に、前記材料から鋳物又は粉体を形成するステップを更に備える、方法。
【請求項３３】
請求項３０に記載の方法において、
チタン、チタン合金、タングステン、ニオブ、タンタル、白金、パラジウム、ジルコニウム、イリジウム、ニッケル、ニッケル系合金、鉄、鉄系合金、コバルト、及びコバルト系合金から成る群から選んだ少なくとも１つの導電性材料を前記炉室（２１４、３１１、６２０）内に導入するステップと、
選択的に、少なくとも１つの合金添加物を前記材料に添加するステップと、
前記材料に対して第一の電子フィールド（２１８、３３２、５３８、６３８）を作用させた後又は作用させると同時に、前記材料から鋳物又は粉体を形成するステップとを更に備える、方法。
【請求項３４】
請求項３０に記載の方法において、
前記第一のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）及び前記第二のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）内にて前記炉室（２１４、３１１、６２０）内の圧力と同一の圧力を維持するステップを更に備える、方法。
【請求項３５】
請求項３０に記載の方法において、
前記炉室（２１４、３１１、６２０）内にて前記第一のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）及び前記第二のイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）内の圧力よりも低い圧力を維持するステップを更に備える、方法。
【請求項３６】
請求項３０に記載の方法において、
前記炉室（２１４、３１１、６２０）内にて４０μ以上の圧力を維持し、炉室（２１４、３１１、６２０）内にて材料を加熱する間、材料から揮発性成分（ｖｏｌａｔｉｌｅ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）の望ましくない気化を減少させ又は解消するステップを更に備える、方法。
【請求項３７】
請求項３０に記載の方法において、
前記炉室（２１４、３１１、６２０）内にて３００μ以上の圧力を維持し、炉室（２１４、３１１、６２０）内にて材料を加熱する間、材料から揮発性成分の望ましくない気化を減少させ又は解消するステップを更に備える、方法。
【請求項３８】
請求項３０に記載の方法において、
固体の凝縮物、凝固した部分、及び凝固するインゴットの領域の１つの上方にて前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）をラスター走査し、固体の凝縮物、凝固した部分、及び凝固するインゴットの領域の１つを溶融させ又は加熱するステップを更に備える、方法。
【請求項３９】
請求項３０に記載の方法において、
前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）を磁気式ステアリングシステムを使用して、固体の凝縮物、凝固した部分、及び凝固するインゴットの領域の何れか１つに向けるステップを更に備える、方法。
【請求項４０】
請求項３０に記載の方法において、
前記第二の電子フィールド（７０２、７０２´）は、円形の断面外形と、矩形の断面外形の何れか一方を有する、方法。
【請求項４１】
材料を加工する方法において、
金属及び金属合金の少なくとも一方を含む材料を雰囲気圧力に対して低い圧力に維持された炉室（２１４、３１１、６２０）内に導入するステップと、
炉室（２１４、３１１、６２０）内の材料（２２０）に対し、材料（２２０）をその材料の溶融温度よりも高い温度まで加熱する構成とされた溶融装置を作用させるステップと、
補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）を使用して、収束した電子フィールドを発生させるステップと、
材料（２２０）中の任意の固体の凝縮物、材料（２２０）の任意の凝固部分、及び凝固するインゴットの領域の少なくとも１つに対し、ステアリングシステムを使用して、収束した電子フィールドを作用させ、固体の凝縮物、凝固部分、及び凝固するインゴットの領域の少なくとも１つを溶融させ又は加熱するステップとを更に備える、方法。
【請求項４２】
請求項４１に記載の方法において、
前記溶融装置は、電子ビームを放出する構成とされた少なくとも１つの熱イオン電子ビーム銃を備える、方法。
【請求項４３】
請求項４１に記載の方法において、
前記溶融装置は、少なくとも１つのイオンプラズマ電子エミッタ（２１６、３１０、５１０、６１４、６１６）を備える、方法。
【請求項４４】
材料（２２０）を加工する方法において、
補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）を使用して第一の形状を有する断面外形を含む収束した電子フィールドを発生させるステップと、
収束した電子フィールドをステアして、収束した電子フィールドを材料（２２０）に衝突させるステップと、材料（２２０）中の任意の固体の凝縮物、材料（２２０）の任意の凝固部分、及び凝固するインゴットの領域の少なくとも１つを溶融させ又は加熱するステップとを備える、方法。
【請求項４５】
請求項４４に記載の方法において、
第二の形状を有する電極（３１９、５１６）と、第三の形状を有するカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）とを使用して、収束した電子フィールドを発生させるステップを更に備え、前記第一の形状は、前記第二の形状及び第三の形状の少なくとも一方に類似する、方法。
【請求項４６】
請求項４４に記載の方法において、
補助イオンプラズマ電子エミッタ（７００、７００´、８０２）を使用して円形の断面外形及び矩形の断面外形の一方を有する収束した電子フィールドを発生させるステップを更に備える、方法。
【請求項４７】
請求項４６に記載の方法において、
円形の電極（３１９、５１６）及び円形のカソード（１０１８）を使用して、収束した電子フィールドを発生させるステップを更に備える、方法。
【請求項４８】
請求項４６に記載の方法において、
矩形の電極（３１９、５１６）及び矩形のカソード（９１８）を使用して、収束した電子フィールドを発生させるステップを更に備える、方法。
【請求項４９】
溶融炉内にて導電性材料（２２０）を溶融させる電子フィールドを発生させる方法において、
第一の非線形の形状を有するアノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）を提供するステップと、
該アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）に電圧を印加するステップと、
前記アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）にて正カチオンを保持するプラズマを作り出すステップと、
第二の形状を有するカソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を提供するステップと、
該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を前記アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）に対して位置決めするステップと、
前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）を負に帯電する構成とされた電圧を該カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）に印加するステップと、
前記正のカチオンを前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）に向けて加速し、自由な第二の電子を発生させるステップと、
前記アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）の第一の非線形の形状に相応する第三の断面外形を有する電子フィールドを前記自由な第二の電子を使用して形成するステップと、を備える方法。
【請求項５０】
請求項４９に記載の方法において、
前記電子フィールドの第三の形状は、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）の第二の形状に相応する、方法。
【請求項５１】
請求項５０に記載の方法において、
前記電子フィールドの第三の形状は、前記カソード（１８、３１８、５１８、８１８、９１８、１０１８）の前記第二の形状と同一である、方法。
【請求項５２】
請求項４９に記載の方法において、
前記アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）は、ワイヤー、導電性の薄い板、導電性の薄いシート、導電性の薄いフォイルの１つを備える、方法。
【請求項５３】
請求項４９に記載の方法において、
前記電子フィールドの第三の形状は、前記アノード（１２、３１９、８１９、９１９、１０１９）の第一の非線形の形状と同一である、方法。