Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＰＬＣ機能が可能なプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）であって、
ＰＬＣ機能の各々に割り当てられた１つまたは複数のプロセッサと、
前記プロセッサに結合されると共に複数のプログラムまたはデータの少なくとも１つを格納する少なくとも１つのメモリと、
相互の通信を可能にするように前記ＰＬＣ機能の各々に対応する前記プロセッサを接続している複数のチャンネルと、
を備えており、
ＰＬＣ機能のうちの少なくとも２つが並列に動作する、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）。
【請求項２】
前記メモリはその各々が１つのＰＬＣ機能と直接関連付けされている複数の第１及び第２のメモリを備えていると共に、該第１のメモリはプログラム及び中間結果を配置させかつ該第２のメモリはプロセッサ間の通信中のデータフロー変数を配置させている、請求項１に記載のＰＬＣ。
【請求項３】
第２のメモリをその間接的に関連するＰＬＣ機能に対応したプロセッサとそれぞれ接続している複数のチャンネルをさらに備える請求項２に記載のＰＬＣ。
【請求項４】
前記プロセッサはシンクフェーズとランフェーズを周期的に循環すると共に、ＰＬＣ機能の各々に対応するプロセッサはシンクフェーズでは互いにデータを交換しかつランフェーズではメモリ内に格納されたプログラムを実行する、請求項１に記載のＰＬＣ。
【請求項５】
前記プロセッサは、すべてのプロセッサが対応するプログラムを完了したときにランフェーズからシンクフェーズに同時に切替わる、請求項４に記載のＰＬＣ。
【請求項６】
前記プロセッサは、事前定義の最大時間期間に到達したときにランフェーズからシンクフェーズに同時に切替わる、請求項４に記載のＰＬＣ。
【請求項７】
前記メモリは、その各々が１つのＰＬＣ機能と関連付けされている複数のプログラムメモリと、第１のメモリ及び第２のメモリを備えたｐｉｎｇ−ｐｏｎｇバッファと、を含む、請求項１に記載のＰＬＣ。
【請求項８】
前記プロセッサは、第１のメモリ及び第２のメモリへのアクセスを交替式に有するＩＯ走査プロセッサ及び論理解法プロセッサを含む、請求項７に記載のＰＬＣ。
【請求項９】
第１のメモリ及び第２のメモリをプロセッサとそれぞれ接続していると共にプロセッサによる第１のメモリまたは第２のメモリへのアクセスを制御している２つの調停器をさらに備える請求項７に記載のＰＬＣ。
【請求項１０】
前記調停器に接続させた保護機構をさらに備えると共に、該保護機構は２つ以上のプロセッサが第１のメモリまたは第２のメモリの同じ１つのエリアにアクセスするときに該プロセッサに対する優先度を設定する、請求項９に記載のＰＬＣ。
【請求項１１】
前記第１のメモリがｐｉｎｇバッファでありかつ前記第２のメモリがｐｏｎｇバッファであると共に、該ｐｉｎｇバッファとｐｏｎｇバッファは入力データ及び出力データを格納するために同様の空間を有する、請求項７に記載のＰＬＣ。
【請求項１２】
複数のＰＬＣ機能が可能であるような、複数のプログラムまたはデータの少なくとも１つを格納する少なくとも１つのメモリとＰＬＣ機能の各々に割り当てられると共に該メモリに結合された１つまたは複数のプロセッサとを備えるプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）を動作させる方法であって、
（ａ）ＰＬＣ機能の各々に対応するプロセッサを同時にイニシャライズするステップと、
（ｂ）プロセッサを用いて対応するプログラムを目下の掃引サイクルで実行することによってＰＬＣ機能を並列に動作させるステップと、
（ｃ）目下の掃引サイクルでプロセッサを用いることによって並列にデータを交換するステップと、
（ｄ）次の掃引サイクルにおいてプロセッサをステップ（ｂ）に切替え、プロセッサがそれぞれに要求されたすべてのプログラムを完了するまでステップ（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）を周期的に実行するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記メモリはその各々が１つのＰＬＣ機能と関連付けされている複数の第１及び第２のメモリを含むと共に、ステップ（ｂ）の間に生成された中間結果を該第１のメモリ内に配置するステップと、ステップ（ｃ）の間に他のプロセッサからのデータフロー変数を該第２のメモリ内に配置するステップと、をさらに含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
ステップ（ｄ）の間において事前定義の最大周期に到達したときに次の掃引サイクルですべてのプロセッサをステップ（ｂ）に同時に切替えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
ステップ（ｄ）の間にすべてのプロセッサが対応するプログラムを目下の掃引サイクルで完了したときに次の掃引サイクルにおいてすべてのプロセッサをステップ（ｂ）に同時に切替えている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
その各々が複数のＰＬＣ機能が可能な複数のプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）と、
前記ＰＬＣを接続する複数のシステムリンクと、
前記ＰＬＣを１つまたは複数のデバイスと接続する複数のＩＯモジュールと、を備えるプログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）システムであって、各ＰＬＣは、
ＰＬＣ機能の各々に割り当てられた１つまたは複数のプロセッサと、
前記プロセッサに結合されると共に複数のプログラムまたはデータの少なくとも１つを格納する少なくとも１つのメモリと、を備えており、
前記プロセッサは複数の論理解法プロセッサを含み、
ＰＬＣ機能のうちの少なくとも２つが並列に動作している、プログラマブルロジックコントローラ（ＰＬＣ）システム。
【請求項１７】
前記システムリンクが低電圧差動信号（ＬＶＤＳ）である、請求項１６に記載のＰＬＣシステム。
【請求項１８】
各ＰＬＣは、相互の通信を可能にするようにＰＬＣ機能の各々に対応するプロセッサを接続している複数のチャンネルを備えている、請求項１６に記載のＰＬＣシステム。
【請求項１９】
前記メモリはその各々が１つのＰＬＣ機能と関連付けされている複数の第１及び第２のメモリを備えていると共に、該第１のメモリはプログラム及び中間結果を配置させかつ該第２のメモリはプロセッサ間の通信中のデータフロー変数を配置させている、請求項１６に記載のＰＬＣシステム。
【請求項２０】
前記第２のメモリはさらに、システムリンクを通じて送られるデータをそれぞれ格納するように専用としたシステム入力ドメインとシステム出力ドメインを備えている、請求項１９に記載のＰＬＣシステム。
【請求項２１】
前記メモリは、その各々が１つのＰＬＣ機能と関連付けされた複数のプログラムメモリと、第１のメモリ並びに入力データ及び出力データを格納するための該第１のメモリと同じ空間を有する第２のメモリを備えたｐｉｎｇ−ｐｏｎｇバッファと、を含む、請求項１６に記載のＰＬＣシステム。
【請求項２２】
前記ｐｉｎｇ−ｐｏｎｇバッファは第１のメモリ及び第２のメモリをプロセッサとそれぞれ接続している２つの調停器を備えており、かつ該調停器はプロセッサによる第１のメモリまたは第２のメモリへのアクセスを制御している、請求項２１に記載のＰＬＣシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月4日(2013.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を追跡するための方法であって、
一意の識別コードを自動的に生成するステップと、
前記一意の識別コードを、トランスミッタとレシーバとに割り当てるステップと、
前記トランスミッタにより生成される信号を、前記レシーバが受信することを可能にするステップと、
前記トランスミッタと前記レシーバとの間の距離が所定値よりも大きい場合に、警報信号を生成するステップと、を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
物体を追跡するためシステムであって、
処理装置からプログラミング命令を受信することが可能なレシーバと、
前記処理装置からプログラミング命令を受信することが可能であり、前記物体に固定することが可能なトランスミッタと、
前記処理装置と、前記レシーバ及び前記トランスミッタとの間の通信を容易にするように構成された選択可能な結合と、
前記レシーバを保持するための少なくとも１つのスロットを有する保持装置と、を備え、
前記レシーバ及び前記トランスミッタは、一意の識別コードを受信するように構成されており、
前記トランスミッタは、信号を生成するように構成されており、
前記レシーバは、前記トランスミッタにより生成される信号を受信するように構成されており、
前記レシーバは、前記トランスミッタと前記レシーバとの間の距離が所定値よりも大きい場合に、警報信号を生成するように構成されていることを特徴とするシステム。
【請求項３】
前記トランスミッタにより生成される信号は、前記トランスミッタと前記レシーバとの間の距離と関連付けられた可変信号強度を有し、前記所定値は、対応する信号強度と関連付けられており、前記警報信号は、前記可変信号強度が前記所定値についての対応する信号強度よりも下がった場合に生成されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記レシーバ及び前記トランスミッタは、ユーザ入力コードを受信することが可能であることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記一意の識別コードは、前記選択可能な結合を介して、前記トランスミッタと前記レシーバとに送信されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記処理装置は、前記一意の識別コードを前記トランスミッタ及び前記レシーバに割り当てた後に、利用可能な識別コードのリストから、前記一意の識別コードを削除するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項７】
前記レシーバは、前記一意の識別子を有するトランスミッタのみと通信するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
前記所定値は、１〜５フィートの範囲内の数字に設定されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項９】
前記所定値は、１００〜２００フィートの範囲内の数字に設定されることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項１０】
処理装置からプログラミング命令を受信することが可能な追加のレシーバと、
前記処理装置からプログラミング命令を受信することが可能であり、前記物体に固定することが可能な追加のトランスミッタと、をさらに備え、
前記選択可能な結合は、前記処理装置と、前記追加のレシーバ及び前記追加のトランスミッタとの間の通信を容易にするように構成されており、
前記保持装置は、前記追加のレシーバを保持するための少なくとも１つの追加のスロットを備え、
前記追加のレシーバ及び前記追加のトランスミッタは、追加の一意の識別コードを受信するように構成されており、
前記追加のトランスミッタは、信号を生成するように構成されており、
前記追加のレシーバは、前記追加のトランスミッタにより生成される信号を受信するように構成されており、
前記追加のレシーバは、前記追加のトランスミッタと前記追加のレシーバとの間の距離が追加の所定値よりも大きい場合に、警報信号を生成するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項１１】
前記レシーバ及び前記追加のレシーバは、前記保持装置の少なくとも１つのスロット及び少なくとも１つの追加のスロット内に配置されていることを特徴とする請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記保持要素は、前記レシーバに対応する少なくとも１つのボタンを備えており、前記ボタンは、前記少なくとも１つのボタンが作動されると、前記所定値を変更するように構成されていることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項１３】
前記トランスミッタの表面は、前記トランスミッタを前記物体に固定することを可能にする接着剤を備えることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記保持要素はリストバンドであることを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記ボタンは、前記保持要素の凹状チャネル内に配置されていることを特徴とする請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記凹状チャネルにアクチュエータ素子を挿入することにより、前記ボタンを作動させるためのアクチュエータ素子をさらに備えることを特徴とする請求項１４に記載のシステム。
【請求項１７】
前記トランスミッタにより生成される信号は、全地球測位情報を含むことを特徴とする請求項２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月30日(2013.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
・第１の電極（１）と、
・該第１の電極（１）の上に配置された第１の平坦化層（２）と、
・該第１の平坦化層（２）の上に配置された第１の注入層（３）と、
・該第１の注入層（３）の上に配置された有機機能層（４）と、
・該有機機能層（４）の上に配置された第２の電極（５）と、
・前記第２の電極（５）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の平坦化層（２’）と、
・前記第２の平坦化層（２’）と前記有機機能層（４）との間に配置された第２の注入層（３’）とを有する有機光電構成素子であって、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥF−ＥHOMO,Inj.≦ＥF−ＥHOMO,Plan.かつＥF−ＥHOMO,Inj.＜ＥF−ＥHOMO,Funk.が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥLUMO,Inj.−ＥF≦ＥLUMO,Plan.−ＥFかつＥLUMO.Inj.−ＥF＜ＥLUMO,Funk−ＥFが成り立ち、
ここでＥHOMOはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥLUMOはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーであり、ＥFはフェルミエネルギーであることを特徴とする、
有機光電構成素子。
【請求項２】
エネルギーレベルに対して：
ＥF−ＥHOMO,Plan.＜ＥF−ＥHOMO,Funk.が成り立つ、
請求項１に記載の有機光電構成素子。
【請求項３】
前記第１の電極（１）から放出される電荷担体が前記第１の注入層（３）に蓄積される、請求項１または２に記載の有機光電構成素子。
【請求項４】
前記第１の注入層（３）に蓄積された電荷担体が、該注入層（３）に続く層に注入される、請求項３に記載の有機光電構成素子。
【請求項５】
前記第１の注入層（３）の層厚は１から２０ｎｍである、請求項１から４のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項６】
前記第１の注入層（３）はドープされている、請求項１から５のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項７】
ドーピング物質は、ＭｏＯ２、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＲｅＯ３、Ｒｅ２Ｏ７、Ｖ２Ｏ５から選択されている、請求項６に記載の有機光電構成素子。
【請求項８】
前記第１の注入層（３）は次から選択された物質を含む：４、４’４、４’’−トリス（Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミノ、フタロシアニン銅複合体、４、４’、４’’−トリス（Ｎ−３−メチルフェニル−Ｎ−フェニルアミノ）トリフェニルアミノ、Ｎ、Ｎ’−ビス（ナフタリン−１−ｙｌ）−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン、２、２’、７、７’−テトラキス（Ｎ、Ｎ−ジフェニルアミン）−９、９’−スピロビフルオレン、ジ−［４−（Ｎ、Ｎ−ジトリルアミン）−フェニル］シクロヘキサン、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’ービス（フェニル）−ベンジジン、請求項１から７のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項９】
前記第１の注入層（３）は次から選択された物質を含む：ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ＰＥＤＯＴベースの材料、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリン、請求項１から８のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１０】
前記第１の平坦化層（２）は次から選択された物質を含む：ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、ポリ（９−ビニルカルバゾール）、ポリ（Ｎ、Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン）、ポリアニリン、請求項１から９のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１１】
エレクトロルミネセンス構成素子として構成されている、請求項１から１０のいずれか一項に記載の有機光電構成素子。
【請求項１２】
有機光電構成素子の製造方法において、
Ａ）第１の電極（１）を準備する工程、
Ｂ）第１の平坦化層（２）を前記第１の電極（１）上に取り付ける工程、
Ｃ）第１の注入層（３）を前記第１の平坦化層（２）上に取り付ける工程、
Ｄ）有機機能層（４）を前記第１の注入層（３）上に取り付ける工程、
Ｅ）第２の電極（５）を前記有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｆ）第２の注入層（３′）を有機機能層（４）上に取り付ける工程、
Ｇ）第２の平坦化層（２′）を前記第２の注入層（３′）上に取り付ける工程、
を有し、
前記工程Ｆ）及びＧ）は前記ステップＥ）の前に実施し、
前記第１の電極（１）がアノードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥF−ＥHOMO,Inj.≦ＥF−ＥHOMO,Plan．かつＥF−ＥHOMO,Inj.＜ＥF−ＥHOMO,Funk.が成り立ち、
前記第２の電極（５）がカソードであり、エネルギーレベルに対して：
ＥLUMO,Inj.−ＥF≦ＥLUMO,Plan.−ＥFかつＥLUMO.Inj.−ＥF＜ＥLUMO,Funk−ＥFが成り立ち、
ここでＥHOMOはそれぞれの層が最大で有するエネルギーレベルのエネルギー、そしてＥLUMOはそれぞれの層が最小で有しないエネルギーレベルのエネルギーであり、ＥFはフェルミエネルギーであることを特徴とする、
製造方法。
【請求項１３】
前記第１の注入層（３）は、方法工程Ｃ）において湿式化学法により取り付けられる、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月22日(2013.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リレーアーマチュアー（１６８）とアーマチュアリターンエレメント（１７１）とを有している、内燃機関用の電気式始動装置用のリレー（１６）であって、
前記リレーアーマチュアー（１６８）の端面と前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）の端面との間に形成される中空空間（２３６）内に封入されている流体が前記リレーアーマチュア（１６８）と前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）との間で、前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）へ向かう方向でのリレーアーマチュアー（１６８）の運動を空気圧作用によって緩衝する、
ことを特徴とするリレー（１６）。
【請求項２】
前記リレーアーマチュア（１６８）の外周に、運動方向に依存して動作する緩衝部材（２４０）が設けられている、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項３】
前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）または前記リレーアーマチュアー（１６８）内に弁（２１２）が収容されており、当該弁は、中空空間（２３６）内の前記流体の圧縮によって閉鎖方向に負荷される、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項４】
前記中空空間（２３６）内の圧力は、前記弁（２１２）の閉鎖時に、サブチャネル（２２０）を通じて低減される、請求項３記載のリレー（１６）。
【請求項５】
前記中空空間（２３６）には、前記弁（２１２）の開放時に、前記弁（２１２）の弁座（２１６）内に通じているメインチャネル（２１８）およびサブチャネル（２２０）を通じて、再び流体が充填される、請求項３記載のリレー（１６）。
【請求項６】
前記中空空間（２３６）内の圧力は、少なくとも１つの孔（２３０、２３２）を有するガイドブッシュ（２０２）によって低減される、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項７】
前記リレーアーマチュア（１６８）と前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）との間隔が所定の間隔Δｓに達すると、前記中空空間（２３６）の圧力を低減する弁素子（２４６）が操作される、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項８】
前記弁素子（２４６）は前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）内に収容されている、請求項７記載のリレー（１６）。
【請求項９】
前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）はチャネル（２５４）を有しており、当該チャネル内を前記弁素子（２４６）が案内され、前記アーマチュアリターンエレメントは減負荷空間（２５３）内に通じる溝（２５６）を有している、請求項７および８記載のリレー（１６）。
【請求項１０】
前記空気圧式緩衝は、前記アーマチュアリターンエレメント（１７１）への前記リレーアーマチュア（１６８）の接近に関連した、運動方向依存の緩衝である、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項１１】
前記リレーアーマチュアー（１６８）およびアーマチュアリターンエレメント（１７１）の少なくとも１つは、前記中空空間（２３６）の空気を抑制して抜くためのチャネル（２０４、２１０）を有している、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項１２】
シーリング素子（２４０）が、リレーアーマチュア（１６８）とリレーケーシング（１５６）との間で、前記中空空間（２３６）を密閉している、請求項１記載のリレー（１６）。
【請求項１３】
前記シーリング素子（２４０）は、シーリングリップ部またはシーリングリングである、請求項１２記載のリレー（１６）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月26日(2013.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顕微鏡であって、
照明装置（１９）であって、該照明装置を用いて、試料領域（Ｐ）を照明するための光のシートが生成され、該光のシートが、照明ビーム経路（３５）の照明軸（Ｘ）の方向、および前記照明軸（Ｘ）に交差して位置する横軸（Ｙ）の方向において、略平面状に延在している、前記照明装置（１９）と、
検出ビーム経路の検出軸（Ｚ）に沿って、前記試料領域（Ｐ）から放射される光を検出するために用いられる検出装置（１）であって、照明軸（Ｘ）と検出軸（Ｚ）との間の角度、および横軸（Ｙ）と検出軸（Ｚ）との間の角度がゼロではない、前記検出装置（１）とを備え、
前記照明装置（１９）が、照明光を別の照明ビーム経路（３６）内に偏向させ、前記照明軸（Ｘ）の方向および前記横軸（Ｙ）の方向において、略平面状に延在する別の光のシートを生成するための手段を含み、前記照明ビーム経路（３５）と、前記別の照明ビーム経路（３６）とが、本質的に同一の光学素子で構成され、かつ等しい光学波長を有し、前記光のシートと、前記別の光のシートとは、それらが、同じ照明軸（Ｘ）上の逆方向から前記試料領域（Ｐ）を照らすように互いに対して位置合わせされており、
前記照明装置（１９）は、前記照明ビーム経路（３５）と前記別の照明ビーム経路（３６）との間で、前記照明光を切替えるための切替え手段をさらに含み、
前記検出装置（１）は、前記試料領域（Ｐ）から放射される光を、光の位置依存検出のための空間分解アレイ検出器（４）に結像するための検出対物レンズ（２）を含む、顕微鏡において、
前記切替え手段は、１０ｍｓ未満の切替間隔を有する素早く切替可能な切替え素子を含み、前記アレイ検出器（４）の所定の積分時間と、前記切替え素子の切替間隔とは、前記試料領域（Ｐ）が、前記積分時間中に、前記照明軸（Ｘ）上の各方向から少なくとも一度は照明されるように互いに調整されていることを特徴とする顕微鏡。
【請求項２】
前記切替え素子は、切替えミラー（３４）として設計されることを特徴とする、請求項１に記載の顕微鏡。
【請求項３】
切替えミラー（３４）が、照明瞳の平面と共役である平面内に配置されることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の顕微鏡。
【請求項４】
前記照明装置（１９）が、光のシートの生成のための手段を含み、該生成のための手段が、回転対称光ビームを生成するための手段と、前記横軸（Ｙ）に沿った前記試料領域（Ｐ）の光シート状走査のための走査手段と、角度走査手段であって、該角度走査手段を用いて前記光のシートと前記照明軸（Ｘ）との間の角度を変えることができる、前記角度走査手段とを含む、顕微鏡において、前記走査手段が、素早く切替可能な走査ミラー（２３）と走査対物レンズ（２４）とを含み、前記角度走査手段が、素早く切替可能な角度走査ミラー（２８）を含むことを特徴とする、請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の顕微鏡。
【請求項５】
前記照明装置（１９）は、非点収差的に作用する光学素子を含み、前記非点収差的に作用する光学素子は、前記照明ビーム経路内および前記別の照明ビーム経路内のうちの少なくとも一方に配置され、前記非点収差的に作用する光学素子は、瞳面への切替えミラー（３４）または走査ミラー（２３）の正確な結像のためのものであることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の顕微鏡。
【請求項６】
前記切替えミラー（３４）は、検流計駆動部を有することを特徴とする、請求項２、３、及び５のいずれか一項に記載の顕微鏡。
【請求項７】
前記非点収差的に作用する光学素子は、円柱光学素子（３３）を含むことを特徴とする、請求項５に記載の顕微鏡。
【請求項８】
前記試料領域（Ｐ）は、前記アレイ検出器（４）の積分時間中に、前記照明光が一方の照明ビーム経路から別の照明ビーム経路へ少なくとも一度は切替えられるように、前記照
明軸（Ｘ）に沿って反対方向から実質的に同時に照明されることを特徴とする、請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の顕微鏡を用いた画像の記録のための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月23日(2013.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顕微鏡画像の形成方法であって、
ａ）それぞれ顕微鏡対物レンズを介して、ＴＩＲＦ法により試料が照明され、
ｂ）構造の種々の位相で試料が構造化照明され、
少なくとも１つの試料領域の画像をそれぞれ形成するために、前記ａ）及びｂ）による方法の試料光が検出され、
前記ａ）及びｂ）にしたがって形成された試料画像が互いに計算され、好ましくは乗算され、新たな試料画像を形成するために結果が格納される、顕微鏡画像の形成方法。
【請求項２】
試料の画像形成方法であって、
顕微鏡法によって異なる位置分解能を実現し、
少なくとも２つの顕微鏡法、すなわち、
構造化された線形照明または広視野照明により試料を発光励起し、構造を好ましくは回転し、各回転位置に対して複数回移動し、このとき少なくとも３つの回転位置と回転位置ごとに少なくとも３つの移動位置とを実現し、それぞれ発光する試料を所定の光学的分解能で平面検出器上に結像し、このようにして得られた画像からフーリエ分析を含む計算処理によって、所定の光分解能を超えて上昇した位置分解能で第１の顕微鏡画像を形成する第１の顕微鏡法と、
ＴＩＲＦ照明モジュールを介して試料を対物レンズにより、カバーガラスに配置された試料に全反射が生じるように斜めに照明し、該試料を位置分解して検出し、第２の顕微鏡画像を形成する第２の顕微鏡法と
を組み合わせ、
第１の顕微鏡画像と第２の顕微鏡画像とを互いに画素ごとに計算することにより、好ましくは乗算することにより結合する、請求項１に記載の試料の画像形成方法。
【請求項３】
計算的に結合した結果が画像で表示される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
構造化された照明の複数の異なる位相における画像記録により次数を分離する工程と、
次数をＴＩＲＦ画像により、好ましくは乗算によりフィルタリングする工程と、
次数を共通の計算により組合せ、画像で表示する工程と
を特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項５】
ＴＩＲＦ照明を形成するための第１の照明手段と、構造化された照明を形成するための第２の照明手段とが設けられており、
ＴＩＲＦ画像と、構造化照明された試料の画像とを検出するための検出手段が設けられており、
ＴＩＲＦ画像と、構造の種々の位相で構造化された照明から計算された試料の画像とを格納するための手段が設けられており、
前記画像をとりわけ乗算により計算で結合するための手段が設けられている、
とりわけ請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法を実施するための顕微鏡。
【請求項６】
照明手段と、検出手段と、顕微鏡対物レンズを含む結像および照明光線路とからなり、
ＴＩＲＦ画像と、構造化照明された試料の画像とを検出するための検出手段が設けられており、
該ＴＩＲＦ画像と、構造の種々の移動位置で構造化された照明から形成された試料の画像とを格納するための手段が設けられており、
前記画像を計算で結合し、結果を格納するための手段が設けられている、
請求項５に記載の方法を実施するための顕微鏡。
【請求項７】
前記顕微鏡は、
試料を検知する、顕微鏡法のための対物レンズと、
少なくとも部分的に一致している、対物レンズを通る検出光線路および少なくとも１つの照明光線路と、
該検出光線路に結合されており、鏡筒レンズと平面検出器とを有し、該対物レンズとともに該試料を該平面検出器上に結像する顕微鏡モジュールと、
該照明光線路に結合されており、対物レンズにより試料を広視野照明するための広視野照明モジュールであって、少なくとも２つの異なる波長領域で照明光線を出力するように制御可能な広視野照明モジュールと、
照明光線路中に照明方向で該広視野照明モジュールに後置された照明光線モジュレータであって、制御装置により制御可能であり、照明光線路中で作動または非作動可能であり、照明光線の作動状態ではストライプ状の変調を行う照明光線モジュレータと
を有し、
該照明光線モジュレータは、ストライプ状の変調が照明光線路の光軸に対して垂直に移動可能であるように制御可能であり、
該試料の上に配置されたカバーガラスに全反射が生じるように該試料を該対物レンズによって斜めに照射するため、同様に該制御装置により制御されるＴＩＲＦ照明モジュールが照明光線路に作動可能に結合されており、エバネッセント場に励起された試料光が検出器に達し、その検出信号が格納され、
エバネッセント場に励起された試料体積の検出が行われ、
ＴＩＲＦ画像と、構造化照明された試料の画像とを検出するための検出手段が設けられており、
ＴＩＲＦ画像と、構造の種々の移動位置で構造化された照明から形成された試料の画像とを格納するための手段が設けられており、
前記画像をとりわけ乗算により計算で結合するための手段が設けられている、
請求項５または６のいずれかに記載の、分解能が異なる少なくとも２つの顕微鏡法により試料を顕微鏡観察するように構成されたコンビネーション顕微鏡。
【請求項８】
計算によって発生した画像を画像表示するための手段が設けられている、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月27日(2013.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
平面を有する基板と、
第１の磁気抵抗センサーであって、
前記基板の平面に平行な第１の面を有する第１の検知素子であって、該第１の検知素子は前記第１の面に対向する第２の面を有し、かつ第１および第２の対向端部を有する、前記第１の検知素子と、
前記第１の検知素子の第１の面に対して非平行に配置され、前記第１の検知素子の前記第１の端部および第１の面に近接する端部を有する第１の磁束ガイドとを含む前記第１の磁気抵抗センサーと
を備える強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項２】
前記第１の磁気抵抗センサーは、
前記第１の検知素子の第１の面に非平行に配置され、前記第１の検知素子の第２の端部と第２の面とに近接する端部を有する第２の磁束ガイドをさらに備える、
請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項３】
前記第１の磁気抵抗センサーは、強磁性薄膜ベースの磁場センサーのアレイの１つを備える、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項４】
前記第１の磁束ガイドおよび前記第２の磁束ガイドの少なくとも１つは、前記基板の平面と実質的に直交して配置される、請求項２に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項５】
第１の方向に直交する第２の方向の磁場を検出する第２の検知素子を有する第２の磁気抵抗センサーと、
前記第２の検知素子に直交し、前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向の磁場を検出する第３の検知素子を有する第３の磁気抵抗センサーと
をさらに備え、
前記第３の検知素子は前記第１の検知素子および前記第２の検知素子と同一平面内にある、請求項１に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項６】
強磁性薄膜ベースの磁場センサーであって、
前記センサーの平面に直交する磁場を検知するホイートストンブリッジとして結合された第１、第２、第３、および第４の磁気トンネル接合センサーを備える第１のブリッジ回路を備え、
前記第１の磁気トンネル接合センサーは、
第１の基準層と、
前記第１の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第１の検知素子と、
前記第１の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第１の磁束ガイドとを含み、
前記第２の磁気トンネル接合センサーは、
第２の基準層と、
前記第２の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第２の検知素子と、
前記第２の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第２の磁束ガイドとを含み、
前記第３の磁気トンネル接合センサーは、
第３の基準層と、
前記第３の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第３の検知素子と、
前記第３の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第３の磁束ガイドとを含み、
前記第４の磁気トンネル接合センサーは、
第４の基準層と、
前記第４の基準層に形成され、第１および第２の端部と第１および第２の面を有する第４の検知素子と、
前記第４の検知素子の第１の端部と第１の面とに直交しかつ離間して配置された第４の磁束ガイドとを含む、強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【請求項７】
第１の方向に直交する第２の方向の磁場を検知する第２のホイートストンブリッジとして結合された第５、第６、第７、および第８の磁気トンネル接合センサーを含む第２のブリッジ回路と、
前記第１の方向および前記第２の方向に直交する第３の方向の磁場を検知する第３のホイートストンブリッジとして結合された第９、第１０、第１１、および第１２の磁気トンネル接合センサーを含む第３のブリッジ回路と、
をさらに備える、請求項６に記載の強磁性薄膜ベースの磁場センサー。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月17日(2013.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分析装置のための燃焼炉であって、
燃焼管を受け入れるための開口を備えた底壁を有する炉ハウジングと、
概略円筒状の燃焼管と、
前記燃焼管に結合された下側封止組立体であって、前記底壁の前記開口を介して前記燃焼管を前記ハウジング内に上昇させると共に前記燃焼管を前記ハウジングから下降させるために上昇位置と下降位置との間で移動可能な下側封止組立体とを有する燃焼炉。
【請求項２】
前記燃焼管は、下側端にベース組立体を有し、前記ハウジングの前記底壁が、前記燃焼管を前記炉ハウジング内の使用位置に保持するために前記ベース組立体と選択的に係合するロック組立体を有する、請求項１に記載の炉。
【請求項３】
前記ロック組立体は、前記燃焼管が前記ペデスタルによって前記開口内で上昇されたときに前記ベース組立体と係合する少なくとも１個の回転可能なカムを有する、請求項２に記載の炉。
【請求項４】
前記ベース組立体は、前記カムロック組立体の前記回転可能なカムと協力して、前記燃焼管を前記炉ハウジングの前記底壁に選択的にロックし前記底壁から解放するカムを有する、請求項３に記載の炉。
【請求項５】
前記ベース組立体は、カムを有するカラーと、前記燃焼管を取り囲み前記上側カラーにねじ結合された上側リングと、前記上側リングとカラーとの間に位置決めされた環状封止部材とを有する、請求項２に記載の炉。
【請求項６】
前記カラーの前記カムは、環状外側面と、前記環状面の両側に広がる上側面取り面及び下側面取り面とを有する、請求項５に記載の炉。
【請求項７】
前記カラーは、前記上側リングと反対側に内部環状くぼみを有し、前記くぼみ内に位置決めされた下側環状封止部材を有する、請求項６に記載の炉。
【請求項８】
前記カラーは、前記下側環状封止が位置決めされた円筒状スリーブを有し、このスリーブは、炉の下側封止組立体の上に封止可能に延在するように形成された、請求項７に記載の炉。
【請求項９】
前記燃焼管と前記底壁の間に延在する解放可能なロック機構であって、前記燃焼管を使用位置に保持したり、前記開口を通して下方に取り外すために前記燃焼管を解放したりするための解放可能なロック機構を更に有する、請求項１に記載の炉。
【請求項１０】
前記ロック機構は、前記燃焼管の一端の近傍に固定されて前記管を燃焼炉ハウジングの底壁に解放可能に保持するためのカムと、前記開口の近傍で前記燃焼炉ハウジングに回転可能に取り付けられて、前記燃焼管の前記カムと解放可能に係合する少なくとも１本のカムピンとを有する、請求項９に記載の炉。
【請求項１１】
前記ロック機構は、前記開口の両側に少なくとも１対のカムピンを有する、請求項１０に記載の炉。
【請求項１２】
前記カムは、互いに対して約９０°の角度で延在する１対の離間した傾斜面を有する、請求項１１に記載の炉。
【請求項１３】
前記カムピンは、約９０°の角度の側壁を有するテーパ付きスロットを有し、前記側壁が、前記カムの前記傾斜面と係合して前記燃焼管を適所に保持する、請求項１２に記載の炉。
【請求項１４】
前記カムピンは、前記カムピンをカム係合位置とカム係合解除位置の間で回転させるためのハンドルを有する、請求項１３に記載の炉。
【請求項１５】
前記ロック機構は、前記カムピンを回転させるためのアクチュエータを更に有する、請求項１４に記載の炉。
【請求項１６】
前記底壁内に延在し、前記開口の両側の前記側壁と交差する１対のピン収容穴と、
前記ピン収容穴内に回転可能に取り付けられた１対のピンであって、前記開口の方を向くと共に前記ピン穴と前記開口の交点で露出したＶ字形スロットをそれぞれ有する１対のピンと、
前記燃焼管の下側端に取り付けられテーパ面を備えたカムであって、前記ピンが第１の位置にあるときにテーパ面が前記ピンの前記スロットと係合して記燃焼管を前記炉ハウジング内の適所に保持し、前記ピンが第２の位置に回転されたときにテーパ面が前記ピンから外れて前記燃焼管を解放するカムと
を更に有する、請求項１に記載の炉。
【請求項１７】
前記Ｖ字形スロットは約９０°である、請求項１６に記載の炉。
【請求項１８】
前記カムは、前記テーパ面の間に環状面を有する、請求項１７に記載の炉。
【請求項１９】
前記テーパ面は、互いに対して約９０°の角度で延在する、請求項１８に記載の炉。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月13日(2013.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューター実装方法であって、
計算システムのメモリーにおいて、訓練画像のための顔データーを発見するステップであって、前記顔データーが、顔に関連したユーザー作成のタグを含み、前記タグが、前記顔と関連した人を特定する識別（ＩＤ）を示す、ステップと、
別の計算システムのメモリー内のある位置において前記顔データーを複製するステップであって、これにより前記位置における前記顔データーが、前記別の計算システムにおける１つ以上のアプリケーションによる使用のために発見可能となるようにする、ステップと、
を含むコンピューター実装方法。
【請求項２】
請求項１記載のコンピューター実装方法であって、更に、前記タグを特定するステップを含み、該特定は、対象画像のための顔データーを前記別の計算システムにおける前記顔データーと比較して、前記対象画像の前記顔データーが前記計算システムからの前記顔データーと一致するとき前記タグを特定する、コンピューター実装方法。
【請求項３】
請求項２記載のコンピューター実装方法において、前記特定は、前記別の計算システムにおける訓練なしで実行される、コンピューター実装方法。
【請求項４】
請求項１記載のコンピューター実装方法において、前記訓練画像の前記顔データーは、前記訓練画像に含まれる顔を数学的に表す、コンピューター実装方法。
【請求項５】
請求項１記載のコンピューター実装方法において、前記発見は自動的に起きる、コンピューター実装方法。
【請求項６】
請求項１記載のコンピューター実装方法において、前記タグは、更に
前記顔と関連した人の名前、または、
前記顔と関連した電子メール・アドレス、
のうち１つ以上を含む、コンピューター実装方法。
【請求項７】
コンピューター実装方法であって、
ネットワーク・サービスにおいて顔データーを公表するステップであって、該顔データーが、ユーザー・アカウントと関連付け、該顔データーによって表される顔の顔特性に基づいて、人を特定するために使用可能である、ステップと、
人を特定するために、前記ユーザー・アカウントに関連付けた前記顔データーに対する要求に応答して、前記顔データーにアクセスすることを許可されているユーザーを指定する許可表現によって、前記顔データーへのアクセスを制御するステップと、
を含む、コンピューター実装方法。
【請求項８】
請求項７記載のコンピューター実装方法であって、更に、前記顔データーを公表したユーザーを特定するために、前記ユーザー・アカウントの識別を前記顔データーと関連付けるステップを含む、コンピューター実装方法。
【請求項９】
請求項８記載のコンピューター実装方法であって、更に、前記ユーザー・アカウントの前記識別を、前記顔によって表される人のユーザー・アカウントの識別と置き換えるステップを含む、方法。
【請求項１０】
請求項９記載のコンピューター実装方法において、前記顔によって表される人のユーザー・アカウントにしたがって設定される前記許可表現に基づいて、前記ネットワーク・サービスのユーザーのうち誰に前記顔データーへのアクセスを付与するのかが、制御される、コンピューター実装方法。
【請求項１１】
請求項７記載のコンピューター実装方法であって、更に、前記顔によって表される人から、前記顔データーに対応する補助顔データーを受け入れるステップを含む、コンピューター実装方法。
【請求項１２】
請求項７記載のコンピューター実装方法であって、更に、前記顔データーを前記ユーザー・アカウントと関連付けて格納するステップを含む、コンピューター実装方法。
【請求項１３】
請求項７記載のコンピューター実装方法において、前記顔データーが、ユーザーの代わりに、クライアント計算システムにおいてアプリケーションによってアクセス可能である、コンピューター実装方法。
【請求項１４】
請求項１から６のいずれかに記載のコンピューター実装方法をコンピューターに実行させるためのコンピューター実行可能命令を格納した１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【請求項１５】
請求項７から１３のいずれかに記載のコンピューター実装方法をコンピューターに実行させるためのコンピューター実行可能命令を格納した１つ以上のコンピューター読み取り可能記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月10日(2013.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃焼室（５）を有しており、可燃ガス（Ｂ）及び酸化剤（Ｏ）が対向側から前記燃焼室に供給される向流燃焼器において、
相互に連結され、他の上に一つが位置している３つの平面基板（１、２、３）を備えており、
前記中基板（２）は燃焼室（５）を備えており、前記基板の平面内に位置する通路（４）が対向方向で前記燃焼室から端部へ通じており、
前記上基板（３）及び前記下基板（１）は基本的に閉じられており、
少なくとも前記中基板（２）はマイクロシステム技術の方法を用いて製造されている、ことを特徴とする向流燃焼器。
【請求項２】
前記向流燃焼器が熱交換器である、ことを特徴とする請求項１に記載の向流燃焼器。
【請求項３】
前記上基板（３）及び／又は前記下基板（１）は、燃焼室（５）の領域において、燃焼を加速させる材料で覆われている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の向流燃焼器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月24日(2013.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2013506674.tif 000001
［式中：
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ（ＣＨ３）２、及び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３からなる群より独立して選択され；そして
Ｑ１は、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３及び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３からなる群より選択される］の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項２】
Ｒ１が−ＣＨ３である、請求項１の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項３】
Ｒ１が−ＣＨ２ＣＨ３である、請求項１の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項４】
Ｒ２が−ＣＨ３である、請求項１〜３のいずれか１項の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項５】
Ｒ２が−ＣＨ２ＣＨ３である、請求項１〜３のいずれか１項の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項６】
Ｑ１が−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３である、請求項１〜５のいずれか１項の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項７】
Ｑ１が−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３である、請求項１〜５のいずれか１項の式（Ｉ）の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項８】
遊離アミンである、請求項１〜７のいずれか１項の化合物。
【請求項９】
医薬的に許容される塩である、請求項１〜７のいずれか１項の化合物。
【請求項１０】
塩酸塩である、請求項９の化合物。
【請求項１１】
（Ｒ）−１−（４−｛２−ブチル−１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｒ）−１−（４−｛２−ブチル−１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジエチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｓ）−１−（４−｛２−ブチル−１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｓ）−１−（４−｛２−ブチル−１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジエチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｒ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｓ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール；
（Ｒ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジエチルアミノ−プロパン−２−オール；及び
（Ｓ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジエチルアミノ−プロパン−２−オールからなる群より選択される、請求項１の化合物又はその医薬的に許容される塩。
【請求項１２】
（Ｒ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール、またはその医薬的に許容される塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１３】
（Ｓ）−１−（４−｛１−［４−（４−クロロ−フェノキシ）−フェニル］−２−エトキシメチル−１Ｈ−イミダゾール−４−イル｝−フェノキシ）−３−ジメチルアミノ−プロパン−２−オール、またはその医薬的に許容される塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項の化合物と医薬的に許容される担体を含んでなる医薬組成物。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項の化合物の、ＲＡＧＥ媒介性疾患を治療するための医薬品の製造への使用
【請求項１６】
ＲＡＧＥ媒介性疾患の治療における使用のための、請求項１〜１３のいずれか１項の化合物又は請求項１２の医薬組成物。
【請求項１７】
ＲＡＧＥ媒介性疾患がアルツハイマー病である、請求項１５または１６の使用、又は化合物。
【請求項１８】
式（Ｘ）：
【化２】
2013506674.tif 000002
の化合物と式：Ｒ１Ｒ２ＮＨを有するアミンを混合することを含んでなる、式（Ｉ）：
【化３】
2013506674.tif 000003
［式中：
Ｒ１とＲ２は、−ＣＨ３、−ＣＨ２ＣＨ３、−ＣＨ（ＣＨ３）２、及び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３からなる群より独立して選択され；そして
Ｑ１は、−ＣＨ２ＯＣＨ２ＣＨ３及び−ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３からなる群より選択される］の化合物又はその医薬的に許容される塩を合成するための方法。