(57)【要約】【課題】  極端紫外光を用いる露光装置内における投影光学系空間内のアウトガス分圧を減少させ、投影光学系ミラーの反射率低下を防ぐ。【解決手段】  原版１１からの光を基板２２に投影する投影光学系２〜７の少なくとも一部を囲む空間１８を包囲するチャンバと、該空間を排気する排気手段３１〜３４と、該空間に気体を供給する供給手段４１とを有し、該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置において、前記供給手段により該空間に供給される気体の流量を０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内に制御する制御手段４２を設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を減圧及び換気し、原版および該投影光学系を介して基板を露光する露光方法であって、
該空間に供給される気体の流量を０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内とすることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を包囲するチャンバと、該空間を排気する排気手段と、該空間に気体を供給する供給手段とを有し、該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置であって、
前記供給手段により該空間に供給される気体の流量を０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内に制御する制御手段を有することを特徴とする露光装置。
【請求項３】
該空間を複数の空間に分離する隔壁を備え、前記供給手段は、該複数の空間のうち該基板を含む空間に隣接する空間に対し該気体を供給することを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記供給手段を制御することを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記排気手段を制御することを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内のコンダクタンスを変える手段を有することを特徴とする請求項２または３に記載の露光装置。
【請求項７】
前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の予め定められたガスの量を検出する検出手段を有し、前記制御手段は、前記検出手段からの信号に基づき、該気体の流量を制御することを特徴とする請求項２乃至６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記制御手段は、該基板を含む空間の圧力に対し前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の圧力が陽圧となる範囲内で、該気体の流量を制御することを特徴とする請求項項２乃至７のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
該気体は希ガスおよび水素のいずれかであることを特徴とする請求項２乃至８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
該基板を露光する光は極端紫外光であることを特徴とする請求項２乃至９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
請求項２乃至１０のいずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、該露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空雰囲気下において、光学素子を介して基板を露光する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体を製造するための光リソグラフィ技術においては、露光光の短波長化が進められ、ｉ線、ｇ線からＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザへと進化して来た。露光光の短波長化が進めば、より微細なマスクパターンをウエハに転写することが可能となる。しかし、細い線幅のパターンを露光するためには、紫外光を用いたリソグラフィでは原理的限界にある。そこで紫外光より短波長である極端紫外光（ＥＵＶ光、１３〜２０ｎｍ）を用いたＥＵＶリソグラフィが注目を集めている。
【０００３】
ＥＵＶ光で用いられる代表的な波長は１３．５ｎｍであるため、これまでの光リソグラフィを遥かに上回る解像度を実現することが可能である。しかし、その反面、ＥＵＶ光は、物質に吸収されやすいという性質を持つ。このため、従来のような紫外光を光源としたリソグラフィの様に、屈折光学系を用いた縮小露光を行うと、硝材によってＥＵＶ光が吸収されてしまい、ウエハ等の被露光体に到達する光量が極端に少なくなってしまう。そこで、ＥＵＶ光を用いて露光を行う際には、反射光学系を用いた縮小露光を構成する必要がある。
【０００４】
図６に、従来のＥＵＶ光を用いた縮小投影露光装置の概略図（特許文献１参照）を示す。ＥＵＶ露光装置２００は、ＥＵＶ光源２１０、照明光学系２２０、及び原版（マスク）２３０を搭載する原版ステージ２５０を備えている。また、ウエハ２７０を搭載するウエハステージ２６０、アライメント光学系２４０、及び反射型縮小投影光学系１００を備えている。さらに、上記の光学系２２０、１００、２４０、原版ステージ２５０、及びウエハステージ２６０等を収納する真空容器２８０や、真空容器２８０内のガスを排気する不図示の排気系等も備えている。反射型縮小投影光学系１００は、第１のミラー１１０、第２のミラー１２０、第３のミラー１３０、第４のミラー１４０、第５のミラー１５０、第６のミラー１６０を有している。
【０００５】
ＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源は、ターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【０００６】
照明光学系は複数枚の多層膜ミラーと、オプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【０００７】
投影光学系はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた多層膜ミラーを用いた反射光学系で構成される。このＭｏ／Ｓｉ多層膜は波長１３ｎｍ付近で、６７％程度の直入反射率を得ることができる。反射率を１００％にすることは原理的に困難であり、吸収されたエネルギの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。反射光学系には、このようなＭｏ／Ｓｉ多層膜ミラーが収差補正のため複数枚用いられるが、ＥＵＶ光の透過率を保つためには多層膜ミラーの枚数を極力少なくする必要がある。
【０００８】
ＥＵＶ露光装置の原版ステージ及びウエハステージは真空環境下で駆動する機構を持ち、原版ステージとウエハステージは縮小倍率に比例した速度比で、同期して走査する。また、原版ステージ及びウエハステージの位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
原版チャックに保持された原版やウエハチャックに保持されたウエハは原版ステージ及びウエハステージに搭載された微動機構によって高精度に位置決めが行われる。
【０００９】
アライメント光学系は原版の位置と投影光学系の光軸との位置関係、そしてウエハと投影光学系の光軸との位置関係を検出する装置である。これにより、投影像がウエハ上の所定の位置に照射されるように原版ステージ及びウエハステージの位置と角度が設定される。また、フォーカス検出機構によりウエハ面に対して垂直方向のフォーカス位置が検出され、ウエハステージの位置、角度を制御することによって、ウエハ面の結像位置が常に保たれる。
【００１０】
ＥＵＶ露光装置はＥＵＶ光の物質による吸収を避けるため、ＥＵＶ光を照射する空間を真空に保つ必要がある。そのため露光装置には真空ポンプなどの排気系が複数台取り付けられている。
【特許文献１】特開２００３−４５７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ＥＵＶ露光装置に使用されるＥＵＶ光は装置内の雰囲気によって吸収されやすい。特に酸素や水分はＥＵＶ光を強く吸収する。そのため、ＥＵＶ光の透過率を高く保つために、真空ポンプ等を利用してチャンバ内を真空状態にする必要がある。ＥＵＶ光が通過するチャンバ内の圧力は１０−３Ｐａ以下、且つ酸素及び水分の分圧が限りなく低いことが望ましい。しかし、水分などはウエハの搬送に伴って、ウエハに付着してきたものがチャンバ内で拡散する。さらに水分はチャンバ内壁に付着しやすく、排気しにくい。水分が光学素子に付着すると光学素子を酸化させ、光学素子の反射率を低下させる原因となる。
【００１２】
また、チャンバ内が真空状態になるとステージなどの機構部から炭化水素が発生する。さらに露光中、露光光とレジストが反応することでも炭化水素が発生し、これらの炭化水素が光学素子表面において露光光に照射されると、光学素子表面に炭素として付着する。光学素子に付着した炭素はＥＵＶ光を吸収し、光学素子の反射率を低下させてしまう。光学素子の反射率が低下するとスループットの低下へとつながる。以下では炭化水素と水分とを含めてアウトガスと表記する。
【００１３】
以上のことより、ＥＵＶ露光装置内の光学素子が設置された空間内においては特に、アウトガス分圧を低く保つ必要がある。
露光装置内におけるアウトガス分圧を下げるには真空ポンプなど排気系の能力を高める措置も有効である。しかし、搬送されたウエハに付着した水分、レジストやステージの機構部から発生した炭化水素は拡散により、光学素子が設置されている空間に漂うことは免れないため、スループットの向上は難しい。
本発明は、上述の背景を考慮してなされたもので、露光雰囲気の汚染を軽減することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するための露光方法は、投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を減圧及び換気し、原版および該投影光学系を介して基板を露光する露光方法である。そして、本発明では、該空間に供給される気体の流量を０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内とすることを特徴とする。
【００１５】
上記の課題を解決するための露光装置は、原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間を包囲するチャンバとを有する。さらに、該空間を排気する排気手段と、該空間に気体を供給する供給手段とを有し、該原版および前記投影光学系を介して該基板を露光する露光装置である。そして、本発明では、前記供給手段により該空間に供給される気体の流量を０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内に制御する制御手段を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、例えば、露光雰囲気の汚染を軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態では、前記空間を複数の空間に分離する隔壁を備え、前記供給手段は、該複数の空間のうち前記基板を含む空間に隣接する空間に対し前記気体を供給する。また、前記制御手段は、前記供給手段または前記排気手段を制御する。あるいは、前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内のコンダクタンスを変える手段を有してもよい。
【００１８】
前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の予め定められたガスの量を検出する検出手段を有する露光装置においては、前記制御手段は、前記検出手段からの信号に基づき、該気体の流量を制御するよう構成することが好ましい。
前記制御手段は、該基板を含む空間の圧力に対し前記投影光学系の少なくとも一部を囲む空間内の圧力が陽圧となる範囲内で、該気体の流量を制御する。
前記気体は、例えば、ヘリウムやアルゴン等の希ガスおよび水素のいずれかである。
また、前記基板を露光する光は極端紫外光である場合に本発明は特に有効である。
【００１９】
本発明の好ましい実施形態の特徴ならびにそれに対応した目的および優位性は、添付図面を参照してなされた後述の説明で明らかにされている。なお、当該図面において、同一または類似の符号は複数の図面を通して同一または類似の構成要素を表す。
以下に、本発明に係る実施の形態について添付図面に示す実施例を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１に本発明のＥＵＶ光（ここでは、０．１〜３０ｎｍ、より好ましくは１０〜１５ｎｍの波長の光）を用いた露光装置の実施例１を示す。
図１において、８は不図示のＥＵＶ光源から発し、不図示の照明光学系により導かれたＥＵＶ光であり、このＥＵＶ光８は、原版照明ミラー１を介して原版１１に照射される。２は投影系第１ミラー、３は投影系第２ミラー、４は投影系第３ミラー、５は投影系第４ミラー、６は投影系第５ミラー、７は投影系第６ミラーである。また、１２は原版保持装置、１５は原版ステージ、１６は原版アライメント光学系、１７は原版ステージ１５を囲む原版ステージ空間を示している。さらに、２２はウエハ（基板）、２４はウエハ保持装置、２１はウエハステージ、２５はウエハアライメント光学系、２６はフォーカス位置検出機構、２７はウエハステージ２１を囲むウエハステージ空間を示している。ウエハステージ空間２７は、ウエハ（基板）を含む空間である。３１〜３４は排気手段であるターボ分子ポンプ、４１は気体供給部、４２は気体流量制御部、６１〜６６は圧力センサ、７２は開口部、７４、７５は気体成分検出部である。
【００２１】
不図示のＥＵＶ光源はいくつか種類があり、その中の一つであるレーザ生成プラズマ光源はターゲット材の選択により、ほぼ必要な波長帯のみの発光が可能である。例えば、Ｘｅをターゲット材としてパルスノズルから噴出し、これにパルスレーザを照射してプラズマを発生させると、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
【００２２】
不図示の照明光学系は、複数枚の多層膜ミラーとオプティカルインテグレータなどから構成されている。照明光学系の役割は光源から放射された光を効率よく集光すること、そして露光領域の照度を均一にすることなどが挙げられる。また、オプティカルインテグレータはマスクを均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
【００２３】
投影光学系はＭｏ、Ｓｉが交互にコーティングされた複数枚の多層膜ミラーで構成される。この多層膜はＥＵＶ光の直入反射率が６７％程度であるため、多層膜ミラーに吸収されたエネルギの大部分は熱に変わる。そのためミラーの基盤材料には低熱膨張ガラスなどが用いられる。
【００２４】
原版ステージ１５及びウエハステージ２１は真空環境下で駆動する機構を持ち、縮小倍率に比例した速度比により同期して走査する。また、原版ステージ１５及びウエハステージ２１の位置や姿勢は不図示のレーザ干渉計によって観測され、制御される。
原版１１は原版ステージ１５上の原版保持装置１２に保持される。また、ウエハ２２はウエハステージ２１上のウエハ保持装置２４に保持される。原版ステージ１５及びウエハステージ２１はそれぞれ微動機構を持ち、原版１１またはウエハ２２の位置決めが可能である。
【００２５】
アライメント検出機構１６、２５は、それぞれ、原版１１の位置と投影光学系の光軸との位置関係、ウエハ２２と投影光学系の光軸との位置関係を計測する。その結果に基づき、原版１１の投映像がウエハ２２上における所定の位置に一致するように、原版ステージ１５及びウエハステージ２１の位置、角度が調整される。
また、フォーカス位置検出機構２６は投影光学系の結像位置をウエハ２２面上に保つためにウエハ２２面上における垂直方向のフォーカス位置を検出する。
一回の露光が終わるとウエハステージ２１はＸ、Ｙ方向にステップ移動して次の走査露光開始位置に移動し、再び露光を行う。
【００２６】
上述したが、安定したスループットを保つためには、アウトガスによる投影系ミラー２〜７の反射率低下を極力防ぐ必要がある。
本実施例の露光装置は上記の問題を解決し、露光性能及びスループットの低下を防ぐものである。
【００２７】
本実施例の露光装置は、投影光学系空間１８内へ気体を供給する気体供給部４１と、投影光学系空間１８内の気体を外部へ排気するターボ分子ポンプ３２、３３を備えている。
投影光学系空間１８内とウエハステージ空間２７とはＥＵＶ光８を遮らない、連通した開口部７２を有する。この開口部７２は、ＥＵＶ光８とレジストの反応によって発生したアウトガスやウエハステージ空間２７内で発生したアウトガスが投影光学系空間１８内へ進入する経路となる。この経路から進入するアウトガスを極力抑え、投影光学系空間１８内のアウトガス分圧を低下させることで、投影光学系ミラー２〜７の反射率低下を防ぐことが可能となる。
【００２８】
開口部７２を通り投影光学系空間１８内へ進入するアウトガスを抑止する手段として、投影光学系空間１８内へ気体を供給し、投影光学系空間１８をウエハステージ空間２７より陽圧に保ち、投影光学系空間１８とウエハステージ空間２７との圧力差を利用する方法が考えられる。投影光学系空間１８とウエハステージ空間２７との圧力差によって、投影光学系空間１８内へ供給した気体がウエハステージ空間２７内へ流れる。この開口部７２を流れる気体によって、アウトガスが投影光学系空間１８内への進入することを抑制することが可能となる。
【００２９】
開口部７２における気体の流れをもう少しミクロに考えると、開口部７２をウエハステージ空間２７へ向かって流れる気体分子は、次々にアウトガス分子に衝突する。この分子同士の衝突によって、アウトガス分子が投影光学系空間１８内へ進入することを抑止している。そのため、開口部７２を流れる気体分子の平均自由行程は開口部７２の開口幅よりも短いことが条件であり、気体の流れ場としては中間流領域もしくは粘性流領域が好ましい。
【００３０】
図２に投影光学系空間１８内にヘリウムを供給した場合の開口幅と空間内圧力による気体の流れ場の状態を示す。この図２より投影光学系空間１８内の圧力は開口幅に応じて、開口部７２の流れ場が中間流領域もしくは粘性流領域を満たし、且つ図３に示すＥＵＶ光８の透過率を考慮した値を選択すれば良い。例えば、開口部７２の開口幅を１０ｍｍ程度とすると、図２より、投影光学系空間１８内の圧力は、開口部７２の流れ場が中間流領域もしくは粘性流領域を満たすためには約１Ｐａ以上すれば良いことが分かる。また、図３より、ＥＵＶ光８の透過率を９０％程度確保するためには約１０Ｐａ以下（光路長１ｍの場合）にすれば良いことが分かる。投影光学系空間１８内へ供給する気体はヘリウム、アルゴン等の希ガスもしくは水素が好ましい。中でも、ヘリウムはＥＵＶ光８の透過率が高いので、より好ましい。
【００３１】
ＥＵＶ光８の透過率をより確保しやすくするために、投影光学系空間１８を隔壁１３によって分離し、気体が供給された空間を極力狭くすることが好ましい。さらに、投影光学系空間１８内を二つ以上の空間に分離した場合、二つ以上の空間のうちウエハステージ空間２７に隣接する空間に気体を供給することが好ましい。ウエハステージ空間２７に隣接する空間は、開口部７２によってウエハステージ空間２７連通している。
【００３２】
投影光学系空間１８内で発生したアウトガスは、投影光学系空間１８に設置されたターボ分子ポンプ３２、３３によって排気される。本実施例における排気手段はターボ分子ポンプであるが、その他コールドトラップやイオンポンプ等を用いても構わない。
【００３３】
しかしながら、投影光学系空間１８内の投影光学系ミラー２〜７をアウトガスから保護するためには、上述した投影光学系空間１８内を陽圧にするだけでは不十分である。アウトガスは、ウエハ２２上の不図示の露光エリアやウエハステージ２１の駆動部以外に、投影光学系空間１８内に位置する各投影光学系ミラー２〜７の不図示の微動機構や、センサ等からも発生する。図４は投影光学系空間１８内圧力を１Ｐａまたは１０Ｐａの一定値に保つ条件で、気体供給量による投影光学系空間１８内のアウトガス分圧を見積もった値を示す。投影光学系空間１８内で発生するアウトガス発生量は経験的な見積値を使用した。ここで、投影光学系空間１８内圧力を一定に保ちながら気体の供給量を増やすと、投影光学系空間１８内の排気速度も同時に増加することは言うまでもない。図４では投影光学系空間１８内へ供給する気体の供給量が増加すれば、排気速度も増加するため投影光学系空間１８内のアウトガス分圧は低下傾向にある。
【００３４】
上述したように、開口部７２から投影光学系空間１８内へ進入するアウトガスを抑止するため、投影光学系空間１８内の圧力は、開口部７２の流れ場が中間流領域もしくは粘性流領域を満たし、且つ図３に示すＥＵＶ光８の透過率を考慮した値を選択すれば良い。しかし、投影光学系空間１８内圧力を図４にある１Ｐａまたは１０Ｐａを維持していたとしても、投影光学系空間１８内のアウトガス分圧は、投影光学系空間１８内に供給する気体の供給量によって変化する。一方、投影光学系ミラー２〜７の反射率を維持し、安定したスループットを継続するためには、投影光学系空間１８内のアウトガス分圧は１０−４Ｐａ以下であることが好ましく、１０−５Ｐａ以下であることがより好ましい。以上を考慮して、投影光学系空間１８内に供給する気体の供給量は０．０５〜５０Ｐａ・ｍ３／sの範囲内であることが好ましい。この範囲は、投影光学系空間１８内のアウトガス分圧が１０−４Ｐａ以下で、上述した開口部７２での流れ場を中間流領域または粘性流領域とし、且つＥＵＶ光８の透過率を９０％程度確保するための前記気体の供給量として好ましい範囲である。
【００３５】
なお、本実施例において、投影光学系空間１８内に供給する気体の供給量は、気体流量制御部４２で任意の流量に制御される。さらに、ＥＵＶ露光装置９０に設置されている排気手段がなんらかの原因により停止した場合、気体流量制御部４２は気体の供給を停止する。
【実施例２】
【００３６】
本発明の第２の実施例について説明する。
本実施例は、先の実施例１において、ＥＵＶ露光装置９０のランニングコストを削減する構成を説明する。図５は、本発明の実施例２に係る露光装置に構成を示す。図１のものに対し、流路断面積制御部４８及び流路面積可変部４９を付加したものである。
図１及び図５に示される様に、投影光学系空間１８内の気体成分を定期的もしくは連続して、管理するために、投影光学系空間１８内に気体成分検出部７４、７５を設置する。この気体成分検出部７４、７５により、投影光学系空間１８内の特定のアウトガス（水、炭化水素等、予め定められたガス）の分圧（量）を正確に計測することが可能となる。
【００３７】
少なくとも露光中においてＥＵＶ露光装置内９０は、排気手段により真空排気されるため、長期間露光装置を使用すると、投影光学系空間１８内から発生するアウトガスの発生量は漸減すると考えられる。投影光学系空間１８内におけるアウトガス分圧が、許容値を大きく下回っているのであれば、投影光学系空間１８内の圧力を一定に維持した状態で、アウトガス分圧が許容値程度になるまで、投影光学系空間１８内へ供給する気体の流量と、投影光学系空間１８内の気体を排気する排気手段の排気速度を低下させることが出来る。例えば、ＥＵＶ透過率が高いヘリウムの場合、窒素、アルゴン等に比べて高価であるため、ヘリウムの消費量を減らすことで、装置のランニングコストを低下させることが可能である。
【００３８】
図５の露光装置において、投影光学系空間１８内へ供給する気体の流量は、気体流量制御部４２で制御される。また、投影光学系空間１８内の排気速度は、排気手段の直前に設置された流路面積可変部４９により排気手段３３直前のコンダクタンスを変えることで調節し、流路面積制御部４８によって制御される。流路面積可変部４９は排気手段からの輻射熱が、投影光学系ミラー６、７へ影響を及ぼさないように、輻射熱を吸収する手段、例えば温調等を構成することが好ましい。
【００３９】
気体成分検出部７４、７５からの信号により、気体流量制御部４２と流路面積制御部４８を制御することで、投影光学系空間１８内圧力を一定に保ち、且つアウトガス分圧を管理することが可能となる。アウトガス分圧に合わせて、気体の供給量及び排気量を制御すると、投影光学系空間１８へ必要以上の気体の供給、排気を抑え、ＥＵＶ露光装置９０のランニングコストを低下させることが出来る。投影光学系空間１８内へ供給する気体の流量制御方法及び、投影光学系空間内の気体を排気する排気速度制御方法は、上述の例に限らず様々なものを適用することができる。また、本実施例においては、気体の供給量と排気速度（流路面積）の双方を制御しているが、気体の供給量は供給バルブの開度を一定にして排気速度のみを制御する様にしても良い。
【実施例３】
【００４０】
次に、上記露光装置を利用した微小デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造プロセスを説明する。
図７は半導体デバイスの製造のフローを示す。
ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップ２（マスク製作）では設計したパターンを形成したマスクを製作する。
一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクを設置した露光装置とウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。
次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程である。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、ステップ７でこれを出荷する。
【００４１】
上記ステップ４のウエハプロセスは、ウエハの表面を酸化させる酸化ステップ、ウエハ表面に絶縁膜を成膜するＣＶＤステップ、ウエハ上に電極を蒸着によって形成する電極形成ステップステップを有する。また、ウエハにイオンを打ち込むイオン打ち込みステップ、ウエハに感光剤を塗布するレジスト処理ステップ、上記の露光装置によって回路パターンをレジスト処理ステップ後のウエハに焼付露光する露光ステップを有する。さらに、露光ステップで露光したウエハを現像する現像ステップ、現像ステップで現像したレジスト像以外の部分を削り取るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト剥離ステップを有する。これらのステップを繰り返し行うことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の実施例１に係るＥＵＶ露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】空間における流れ場の状態を示す図である。
【図３】ＥＵＶ光の透過率を示した図である。
【図４】気体供給量とアウトガス分圧の関係を示す図である。
【図５】本発明の実施例２に係るＥＵＶ露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図６】従来のＥＵＶ露光装置の概略図である。
【図７】デバイスの製造プロセスのフローを説明する図である。
【符号の説明】
【００４３】
１：原版照明ミラー、２〜７：投影系第１〜６ミラー、８：ＥＵＶ光、９：本体チャンバ、１１：原版、１２：原版保持装置、１５：原版ステージ、１６：原版アライメント光学系、１７：原版ステージ空間、１８：投影光学系空間、２０：原版ロードロック空間、２１：ウエハステージ、２２：ウエハ、２４ウエハ保持装置、２５：ウエハアライメント光学系、２６：フォーカス位置検出機構、２７：ウエハステージ空間、２８：ウエハロードロック空間、３１〜３６：ターボ分子ポンプ、４１：気体供給部、４２：気体流量制御部、４８：流路断面積制御部、４９：流路断面積可変部、６１〜６６：圧力センサ、７２：開口部、７４，７５：気体成分検出部、９０：露光装置。
【図１】
2008135586.tif 000003
【図２】
2008135586.tif 000004
【図３】
2008135586.tif 000005
【図４】
2008135586.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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