Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月5日(2009.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
同メインパイプ４により燃料タンクや収納ボックスが支持され、その上方にシート５が配置されている。
シート５は、前後に長尺であり、前半部の運転者用シート５ｆの後方が同乗者用シート５ｒとなっている。
一方車体前部１Ｆにおいては、ヘッドパイプ２に軸支されて上方にハンドル６が設けられ、下方にフロントフォーク７が延びてその下端に前輪８が軸支されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
該内燃機関30から後方にかけてベルト式無段変速機35が構成され、その後部に設けられた減速機構38に後輪21が軸支されている。
ユニットケース31の後端と前記メインパイプ４の後部間にリヤクッション22が介装されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図５は、パワーユニット17を図２の概ねＶ−Ｖ線に沿って截断し展開した断面図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ユニットケース31は、左右割りの左ユニットケース31Ｌと右ユニットケース31
Ｒとを合体して構成されるもので、右ユニットケース31Ｒは、クランクケース部の半体をなし、左ユニットケース31Ｌは、前後に長尺で前部のクランクケース部31ａ，中央の伝動ケース部31ｂ，後部の減速機ケース部31ｃからなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
右ユニットケース31Ｒの右側面に設けられるＡＣジェネレータ60は、右ユニットケース31Ｒの中央円筒部31ｄより突出するクランク軸40の端部にＡＣＧボス61を介して碗状のアウタロータ62が固着され、その内周面に周方向に亘って配設される磁石63の内側にステータコイル65の巻回されたステータ64が中央円筒部31ｄに固定されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
そして伝動ケースカバー36の前部内面には、クランク軸40と同軸に摺動軸102が回転かつ軸方向の摺動可能に支持されており、同摺動軸102 には被動ヘリカルギヤ103 が形成されて前記駆動ヘリカルギヤ100 と噛合しているとともに、右端にはラチェットホイール104 が固着され、全体がフリクションスプリング105 により左方に付勢されている。
一方クランク軸40側のボス79には、ラチェットホイール104 に対向してラチェット79ａが形成されており、両者は摺動軸102 の摺動で接離可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
したがってキックペダルが踏み込まれ、キック軸27がリターンスプリング101 に抗して回転すると、キック軸27と一体に駆動ヘリカルギヤ100 が回転して、これと噛合する被動ヘリカルギヤ103 が摺動軸102 と一体に回転しながらフリクションスプリング105 に抗して右方に摺動して、ラチェットホイール104 がボス79のラチェット79ａと噛み合ってクランク軸40を強制的に回転させ内燃機関30を始動することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
したがって、伝動ケースカバー36の前部のケース吸風口36ｃは、前記固定側プーリ半体77に取り付けられた冷却ファン118に対向して開口し（図５参照）、冷却ファン118の回転によりケース吸風口36ｃから冷却風をベルト式無段変速機室70内に吸い込み、ベルト式無段変速機35を冷却した冷却風をケース排風ダクト36ｄより外へ排出することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
以上のように、伝動ケースカバー36の前部にヒールガイド部材である外気導入ダクト150が取り付けられるので、ベルト式無段変速機35の固定側プーリ半体77に添着された冷却ファン118の回転により、外気導入ダクト150の外気導入口154から外気通路160を介して外気をケース吸風口36ｃに導入して冷却風としてベルト式無段変速機室70内に吸い込み、ベルト式無段変速機35を冷却した冷却風をケース排風ダクト36ｄより外へ排出する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2008196397.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品を収納して加熱する加熱室を有した本体部と、前記加熱室を開閉する扉と、前記扉を閉じた状態をロックするロック装置とを備えた加熱調理器において、前記ロック装置はロック状態で前記扉を引いた際にロック状態を維持するとともに、前記扉を所定時間引き続けた後にロック状態を解除することを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
前記加熱室から送風機により強制排気する排気手段を設け、前記ロック装置のロック状態で前記扉を引いた際に前記排気手段を停止した状態を維持するとともに、前記扉を前記所定時間引き続けた際に前記排気手段による排気を行うことを特徴とする請求項１に記載の加熱調理器。
【請求項３】
前記加熱室から所定量排気した後に前記ロック装置のロック状態を解除したことを特徴とする請求項２に記載の加熱調理器。
【請求項４】
前記扉を引いた際に前記本体部と前記扉との間に隙間が形成されることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の加熱調理器。
【請求項５】
調理時、前記扉を引いた時、前記ロック装置のロック解除動作を開始した時、及び、前記ロック装置のロック解除が完了した時に表示によって報知したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
食品を収納して加熱する加熱室を有した本体部と、前記加熱室を開閉する扉と、前記扉を閉じた状態をロックするロック装置とを備えた加熱調理器において、前記ロック装置は、前記本体部と前記扉の一方に設けられて支持部を支点に回動するとともに先端部が回動方向に突出するレバー部材と、前記本体部と前記扉の他方に設けられて前記レバー部材の回動により前記先端部と係合する係合部と、前記レバー部材の回動を規制して前記レバー部材と前記係合部との係合状態を保持する回動規制部とを備え、前記レバー部材は弾性体を有し、前記ロック装置によるロック時に所定の力で前記扉を引いた際に前記弾性体が弾性変形して前記レバー部材と前記係合部との係合を解除できることを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
前記回動規制部はモータにより回転するとともに軸に垂直な平面部と前記平面部に対して傾斜する螺旋状の傾斜部とを有した回転体を備え、前記レバー部材は前記傾斜部との摺動により回動し、前記平面部との当接によって回動が規制されることを特徴とする請求項１に記載の加熱調理器。
【請求項３】
前記回動規制部は前記レバー部材の前記支持部に対して前記係合部から離れた側に当接して前記レバー部材の回動を規制することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の加熱調理器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷媒を圧縮する圧縮機と，室外空気及び冷媒の間で熱交換を行う室外空気熱交換器と，前記圧縮機及び前記室外空気熱交換器に並列接続され，室内空気及び冷媒の間で熱交換を行う室内空気熱交換器を有する複数の室内ユニットと，前記室外空気熱交換器及び複数の前記室内空気熱交換器の間に設けられ，該室外空気熱交換器及び該室内空気熱交換器各々の間の冷媒の流量を制御する複数の冷媒制御弁と，を備えてなる空気調和機であって，
少なくとも一つの前記室内ユニットで暖房運転が実行されているときに，他の停止中の前記室内ユニットに貯溜している液体冷媒の量を検出する冷媒貯溜量検出手段と，
前記冷媒貯溜量検出手段による検出結果が予め設定された上限値以上となった場合に，停止中の前記室内ユニットに対応する前記冷媒制御弁の開度を徐々に増加させる弁開度制御手段と，
を備えてなることを特徴とする空気調和機。
【請求項２】
前記室内ユニット各々の前記室内空気熱交換器の内部の冷媒温度を検出する複数の中間温度検出手段と，前記室内空気熱交換器の前記冷媒制御弁側の出口の冷媒温度を検出する複数の出口温度検出手段とを更に備えてなり，
前記冷媒貯溜量検出手段が，暖房運転中の前記室内ユニットに対応する前記出口温度検出手段による検出温度と，停止中の前記室内ユニットに対応する前記中間温度検出手段による検出温度との温度差に基づいて，停止中の前記室内ユニットに貯溜している液体冷媒の量を検出するものである請求項１に記載の空気調和機。
【請求項３】
前記弁開度制御手段が，前記冷媒貯溜量検出手段による検出結果が予め設定された下限値以下となった場合に，停止中の前記室内ユニットに対応する前記冷媒制御弁を閉鎖させるものである請求項１または２に記載の空気調和機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月27日(2009.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の流体が流通される外管と，前記外管内に内蔵されてなり，第二の流体が流通される断面円形状の複数の内管とを備えてなり，前記第一の流体及び第二の流体の間で熱交換を行う熱交換器であって，
前記外管の断面が長円形状或いは扁平形状に形成されてなり，複数の前記内管が前記外管の長径方向に配列されてなることを特徴とする熱交換器。
【請求項２】
前記内管が，前記第二の流体が流通する第一の内管と，前記第一の内管及び前記第一の流体との間に空間を形成する第二の内管とを有してなる請求項１に記載の熱交換器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の熱交換器を備えてなるヒートポンプ式給湯機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月14日(2009.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンモニアを含む雰囲気中で、Ｇａを含む原料を昇華させて、複数の開口部を有する、ＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部が埋め込まれるように、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に複数の、該基体に垂直な面が発達する、島状のＧａＮ系単結晶を得る第１の結晶成長工程と、
該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系単結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を、該第１の結晶成長工程とは異なるエピタキシャル成長法により形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項２】
前記基体に垂直な面は、（１１−２０）面または（１−１００）面であることを特徴とする、請求項１に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【請求項３】
前記島状のＧａＮ単結晶の形状が六角柱であることを特徴とする、請求項１に記載のＧａＮ系結晶膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＧａＮ系結晶膜の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、アンモニアを含む雰囲気中で、Ｇａを含む原料を昇華させて、複数の開口部を有する、ＧａＮ系結晶の成長を抑制する膜が表面に設けられた基体上の、該開口部が埋め込まれるように、ＧａＮ系化合物を選択的に結晶化させることにより、基体上に複数の、該基体に垂直な面が発達する、島状のＧａＮ系単結晶を得る第１の結晶成長工程と、該基体上に、該複数の島状のＧａＮ系単結晶を成長核として、ＧａＮ系結晶を、該第１の結晶成長工程とは異なるエピタキシャル成長により形成することにより、ＧａＮ系結晶の連続膜を得る第２の結晶成長工程とを含むことを特徴とする、ＧａＮ系結晶膜の製造方法を提供する。
好適な実施形態では、前記基体に垂直な面は、（１１−２０）面または（１−１００）面であることを特徴とする。
好適な実施形態では、前記島状のＧａＮ単結晶の形状が六角柱であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月29日(2008.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  長珠節、ペドラ・ウメ・カア、サラソウジュ、インドボダイジュ、サキシマスオウノキ、サングレ・デ・グラド、ハスの中から選ばれる１種または２種以上の抽出物を含有することを特徴とするテストステロン５α−レダクターゼ阻害剤。
【請求項２】  抽出物が水、エタノールおよび１，３−ブチレングリコールの中から選ばれる１種または２種以上の溶媒の抽出物である請求項１のテストステロン５α−レダクターゼ阻害剤。
【請求項３】  長珠節、ペドラ・ウメ・カア、サラソウジュ、インドボダイジュ、サキシマスオウノキ、サングレ・デ・グラド、ハスの中から選ばれる１種または２種以上の抽出物を含有することを特徴とする育毛剤。
【請求項４】  抽出物が水、エタノールおよび１，３−ブチレングリコールの中から選ばれる１種または２種以上の溶媒の抽出物である請求項３の育毛剤。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月9日(2008.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送波を電気信号に変換するアンテナと、
複数のフリップフロップ回路を含む非同期カウンタと、
前記電気信号を用いて電源電圧を生成し、生成した前記電源電圧を前記非同期カウンタに供給する電源回路と、を有し、
前記複数のフリップフロップ回路はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
搬送波を電気信号に変換するアンテナと、
複数のフリップフロップ回路を含む非同期カウンタと、
前記電気信号を用いて電源電圧を生成し、生成した前記電源電圧を前記非同期カウンタに供給する電源回路と、を有し、
前記複数のフリップフロップ回路はそれぞれ、単結晶シリコンをチャネル部に用いたトランジスタを複数有し、
前記トランジスタのチャネル長は、０．５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
搬送波を電気信号に変換するアンテナと、
複数のフリップフロップ回路を含む非同期カウンタと、
前記電気信号を用いて電源電圧を生成し、生成した前記電源電圧を前記非同期カウンタに供給する電源回路と、を有し、
前記複数のフリップフロップ回路はそれぞれ、複数の薄膜トランジスタを有し、
前記複数の薄膜トランジスタのそれぞれのチャネル長は、３μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
搬送波を電気信号に変換するアンテナと、
ｍ個（ｍは自然数）のフリップフロップ回路を含む非同期カウンタと、
抵抗素子、容量素子及び複数のインバータから選択された少なくとも一種を有する第１の回路と、
前記電気信号を用いて電源電圧を生成し、生成した前記電源電圧を前記非同期カウンタと前記第１の回路に供給する第２の回路と、を有し、
前記第１の回路は、前記ｍ個のフリップフロップ回路から選択されたｎ個（ｎは自然数、１≦ｎ≦ｍ）のフリップフロップ回路の出力端子に電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１又は請求項３において、
前記電源回路は、複数の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１又は請求項３において、
前記アンテナ、前記非同期カウンタおよび前記電源回路は、同一の絶縁表面上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記複数のフリップフロップ回路の一端のフリップフロップ回路の入力端子に信号が入力されてから、前記複数のフリップフロップ回路の他端のフリップフロップ回路の出力端子から信号が出力されるまでの期間は、前記搬送波の１周期よりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４において、
前記第２の回路は、複数の薄膜トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項４において、
前記アンテナ、前記非同期カウンタ、前記第１の回路及び前記第２の回路は、同一の絶縁表面上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項４において、
前記ｍ個のフリップフロップ回路の一端のフリップフロップ回路の入力端子に信号が入力されてから、前記ｍ個のフリップフロップ回路の他端のフリップフロップ回路の出力端子から信号が出力されるまでの期間は、前記搬送波の１周期よりも長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電気信号を復調する復調回路を有し、
前記復調回路は、前記非同期カウンタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記電気信号を復調する復調回路と、前記復調回路により復調された信号の解析を行う命令解析回路と、を有し、
前記復調回路と前記命令解析回路の少なくとも一方は、前記非同期カウンタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記アンテナに負荷変調を加える変調回路を有し、
前記変調回路は、前記非同期カウンタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
データを記憶する記憶素子を複数含む記憶回路と、前記記憶回路に対するデータの書き込みとデータの読み出しを制御する制御回路と、を有し、
前記記憶回路と前記制御回路の少なくとも一方は、前記非同期カウンタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
データを記憶する記憶素子を複数含む記憶回路と、前記記憶回路に対するデータの書き込みとデータの読み出しを制御する制御回路と、前記アンテナに負荷変調を加える変調回路と、前記記憶回路に記憶されたデータを前記変調回路に供給する記憶制御回路と、を有し、
前記記憶回路、前記制御回路、前記変調回路及び前記記憶制御回路から選択された少なくとも一つは、前記非同期カウンタを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１または請求項２において、
前記搬送波の周波数は、８６０ＭＨｚ以上９６０ＭＨｚ以下、又は１ＧＨｚ以上５ＧＨｚ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１において、
前記非同期カウンタは、１ＭＨｚ以上１００ＭＨｚ以下の周波数で動作することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項３において、
前記搬送波の周波数は１３．５６ＭＨｚであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月25日(2009.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷制御装置へ命令及びデータを送信する情報処理装置に、ネットワークを介して接続可能な印刷制御装置内のプロセッサに実行させるメモリ管理のためのコンピュータプログラムであって、
前記印刷制御装置に接続された着脱可能なメモリから起動コードを受信するステップと；
前記メモリにおける起動コードが前記印刷制御装置にインストールされたデータファイルに格納されている起動コードと関連付けられる場合、前記印刷制御装置にインストールされたアプリケーションソフトウェアを起動するステップと
を実行させ、
前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを起動することにより、前記メモリにアクセス可能となることを特徴とするメモリ管理のためのコンピュータプログラム。
【請求項２】
前記起動コードは、ライセンスアクセスナンバー及び／又はデバイスナンバーであることを特徴とする請求項１に記載のコンピュータプログラム。
【請求項３】
前記ライセンスアクセスナンバーは、シリアルナンバーであって、前記印刷制御装置にインストールされた前記アプリケーションソフトウェアに割り当てられることを特徴とする請求項２記載のコンピュータプログラム。
【請求項４】
前記デバイスナンバーはシリアルナンバーであって、前記印刷制御装置に割り当てられることを特徴とする請求項２記載のコンピュータプログラム。
【請求項５】
前記起動コードは、ユーザがライセンスアクセスナンバー及びデバイスナンバーをサーバに入力した場合に、前記サーバから提供されることを特徴とする請求項２記載のコンピュータプログラム。
【請求項６】
前記サーバは、前記起動コードを前記メモリ及び前記データファイルに格納することを特徴とする請求項５記載のコンピュータプログラム。
【請求項７】
前記アプリケーションソフトウェア及び前記データファイルの双方が前記印刷制御装置にインストールされている場合に、前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを実行可能となることを特徴とする請求項１記載のコンピュータプログラム。
【請求項８】
前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを起動した後に、スキャンデータを前記メモリに格納することを特徴とする請求項１記載のコンピュータプログラム。
【請求項９】
前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを起動した後に、前記メモリのデータを印刷することを特徴とする請求項１記載のコンピュータプログラム。
【請求項１０】
前記ソフトウェアは、記憶媒体に格納され、前記印刷制御装置において実行されることを特徴とする請求項１記載のコンピュータプログラム。
【請求項１１】
印刷制御装置へ命令及びデータを送信する情報処理装置にネットワークを介して接続可能な印刷制御装置であって、
前記印刷制御装置に接続された着脱可能なメモリから起動コードを受信する受信器と；
前記メモリの起動コードが前記印刷制御装置にインストールされたデータファイルに格納されている起動コードと関連付けられる場合、前記印刷制御装置にインストールされたアプリケーションソフトウェアを起動するコントローラとを備え、
前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを起動することにより、前記メモリにアクセス可能となることを特徴とする印刷制御装置。
【請求項１２】
印刷制御装置へ命令及びデータを送信する情報処理装置にネットワークを介して接続可能な印刷制御装置におけるメモリ管理方法であって、
前記印刷制御装置に接続された着脱可能のメモリから起動コードを受信するステップと；
前記メモリの起動コードが前記印刷制御装置にインストールされたデータファイルに格納されている起動コードと関連付けられる場合、前記印刷制御装置にインストールされたアプリケーションソフトウェアを起動するステップとを備え、
前記印刷制御装置は、前記アプリケーションソフトウェアを起動することにより、前記メモリにアクセス可能となることを特徴とするメモリ管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリ管理のためのコンピュータプログラム、印刷制御装置、及び印刷制御装置のメモリ管理方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述の問題のうちの少なくとも１つを解決するためになされたものである。本発明の１つの面によれば、印刷制御装置へ命令及びデータを送信する情報処理装置にネットワークを介して接続可能な印刷制御装置内のプロセッサに実行させるメモリ管理のためのコンピュータプログラムが提供される。このコンピュータプログラムは、印刷制御装置に接続された着脱可能なメモリから起動コードを受信するステップと；メモリの起動コードが印刷制御装置にインストールされたデータファイルに格納されている起動コードと関連付けられる場合、印刷制御装置にインストールされたアプリケーションソフトウェアを起動するステップとを実行させ、印刷制御装置は、アプリケーションソフトウェアを起動することにより、メモリにアクセス可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）導電性銀粉末と、
ｂ）マンガン含有添加剤と、
ｃ）軟化点が３００℃から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、
ｄ）有機媒体中に分散されている
ことを特徴とする厚膜導電性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように、処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物を含む基板。
【請求項３】
請求項１に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物から形成された電極。
【請求項４】
ｐ−ｎ接合を有する半導体と、半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から、半導体デバイスを製造する方法であって、（ａ）前記絶縁膜上に、請求項１に記載の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法によって形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項６】
前記組成物は、前記有機媒体が除去され、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする請求項１に記載の組成物から形成された半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
Ｐｂフリーのフリットを使用した組成物に関し、本発明者等は、ＰｂフリーのはんだとＰｂを含有するはんだの両方を使用して、接着性を試験した。使用したＰｂフリーのはんだは、９６．５Ｓｎ／３．５Ａｇである。Ｐｂフリーのはんだの場合、はんだ温度は３７５℃であり、はんだ時間は５〜７秒である。使用したフラックスは、ＭＦ２００である。得られた接着性は、典型的な場合、６００ｇを超える。
本発明は、以下の態様を包含する。
［１］
ａ）導電性銀粉末と、
ｂ）マンガン含有添加剤と、
ｃ）軟化点が３００℃から６００℃の範囲内にあるガラスフリットとが、
ｄ）有機媒体中に分散されている
ことを特徴とする厚膜導電性組成物。
［２］
（ａ）Ｚｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、およびＣｒから選択された金属と、（ｂ）金属酸化物ＭＯｘであって、ＭがＺｎ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｃｕ、およびＣｒから選択されたＭＯｘと、（ｃ）焼成によって（ｂ）の金属酸化物を生成することができる任意の化合物と、（ｄ）これらの混合物とから選択された、追加の金属／金属酸化物添加剤をさらに含むことを特徴とする［１］に記載の組成物。
［３］
前記マンガン含有添加剤は、ＭｎＯ2であることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［４］
前記マンガン含有添加剤は、マンガンの有機金属化合物であることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［５］
前記マンガン含有添加剤は、焼成状態の間にＭｎＯ2を生成することができる化合物であることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［６］
前記マンガン含有添加剤の粒径は、７ナノメートルから１００ナノメートル未満の範囲にあり、前記マンガン含有添加剤は、粉末の形をとることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［７］
前記ガラスフリット組成物は、全ガラスフリット組成物に対して、ＳｉＯ2を２１〜２９重量パーセント、Ａｌ2Ｏ3を０．１〜８重量パーセント、ＰｂＯを５０〜６２重量パーセント、Ｂ2Ｏ3を７〜１０重量パーセント、ＺｎＯを０〜４重量パーセント、Ｌｉ2Ｏを０〜０．１重量パーセント、およびＴｉＯ2を２〜７重量パーセント含むことを特徴とする［１］に記載の組成物。
［８］
前記ガラスフリットは、全ガラスフリット組成物に対して、ＳｉＯ2を０．１〜８重量パーセント、Ａｌ2Ｏ3を０〜４重量パーセント、Ｂ2Ｏ3を８〜２５重量パーセント、ＣａＯを０〜１重量パーセント、ＺｎＯを０〜４２重量パーセント、Ｎａ2Ｏを０〜４重量パーセント、Ｌｉ2Ｏを０〜３．５重量パーセント、Ｂｉ2Ｏ3を２８〜８５重量パーセント、Ａｇ2Ｏを０〜３重量パーセント、ＣｅＯ2を０〜４．５重量パーセント、ＳｎＯ2を０〜３．５重量パーセント、およびＢｉＦ3を０〜１５重量パーセント含む、鉛フリーのガラスフリットであることを特徴とする［１］に記載の組成物。
［９］
［１］に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように、処理されていることを特徴とする［１］に記載の組成物を含む基板。
［１０］
［１］に記載の組成物は、前記有機媒体が除去されるように、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする［１］に記載の組成物から形成された電極。
［１１］
ｐ−ｎ接合を有する半導体と、半導体の主要面上に形成された絶縁膜とからなる構造要素から、半導体デバイスを製造する方法であって、（ａ）前記絶縁膜上に、［１］に記載の厚膜組成物を付着させるステップと、（ｂ）前記半導体、絶縁膜、および厚膜組成物を焼成して、電極を形成するステップとを含むことを特徴とする方法。
［１２］
前記絶縁膜は、窒化シリコン膜、酸化チタン膜、ＳｉＮｘ：Ｈ膜、酸化シリコン膜、および酸化シリコン／酸化チタン膜を含む群から選択されることを特徴とする［１１］に記載の方法。
［１３］
［１１］に記載の方法によって形成されたことを特徴とする半導体デバイス。
［１４］
前記組成物は、前記有機媒体が除去され、かつ前記ガラスフリットおよび銀粉末が焼結されるように処理されていることを特徴とする［１］に記載の組成物から形成された半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月24日(2009.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光灯のフィラメントへの電力を切り替えるスイッチであって、第１の状態と第２の状態とを有し、前記第２の状態は、フィラメントへの電力の供給に関連づけられており、前記第１の状態は、前記フィラメントからの電力の除去に関連づけられている、スイッチと、
前記スイッチに通じており、前記スイッチが前記第１の状態にあるときに前記フィラメントのフィラメント抵抗をサンプリングし、前記スイッチが前記第２の状態に遷移するときに、前記フィラメント抵抗に基づいて、前記蛍光灯に供給されている電流を、公称電流値を超えて選択的に増大させる制御モジュールと、
を備える制御システム。
【請求項２】
前記制御モジュールは、前記スイッチが前記第１の状態にあるときに定常状態のフィラメント抵抗値を求め、前記定常状態のフィラメント抵抗値における変化を監視する、請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記制御モジュールに通じており、且つ、前記蛍光灯の動作状態を示す指示器を更に備える、請求項２に記載の制御システム。
【請求項４】
前記制御モジュールは、前記定常状態のフィラメント抵抗値における変化を所定のフィラメント抵抗の変化閾値と比較し、前記定常状態のフィラメント抵抗値における前記変化が前記所定のフィラメント抵抗の変化閾値を超えるときに前記指示器の状態を変更する、請求項３に記載の制御システム。
【請求項５】
前記制御モジュールは、前記定常状態のフィラメント抵抗値を所定のフィラメント抵抗の閾値と比較し、前記定常状態のフィラメント抵抗値が前記所定のフィラメント抵抗の閾値を超えるときに前記指示器の状態を変更する、請求項３に記載の制御システム。
【請求項６】
前記制御モジュールは、前記スイッチがオンになるときに、前記スイッチがオンになる前に記憶される前記フィラメントの記憶フィラメント抵抗値に基づいて、前記フィラメントへの電流および電圧のうちの少なくとも一つを、前記公称電流レベルを超える第１の量だけ増大させる、請求項１に記載の制御システム。
【請求項７】
前記制御モジュールは、前記スイッチが前記第１の状態にあるときに定常状態のフィラメント抵抗値を求めて記憶し、前記制御モジュールは、前記スイッチが前記第２の状態に遷移するときに、前記スイッチが前記第２の状態に遷移する前に記憶される記憶フィラメント抵抗値と前記記憶された定常状態のフィラメント抵抗値との間の差に基づいて、前記フィラメントへの電流および電圧のうちの少なくとも一つを、前記公称レベルを超える第１の量だけ増大させる、請求項６に記載の制御システム。
【請求項８】
周囲温度を推定する周囲温度推定器をさらに備える、請求項４に記載の制御システム。
【請求項９】
前記定常状態のフィラメント抵抗値における前記変化は、前記周囲温度に基づいて調整される、請求項８に記載の制御システム。
【請求項１０】
前記周囲温度推定器は温度センサを備える、請求項８に記載の制御システム。
【請求項１１】
前記周囲温度推定器は、前記蛍光灯が所定の期間中前記第１の状態にあった後に測定されるフィラメント抵抗に基づいて前記周囲温度を推定する、請求項８に記載の制御システム。
【請求項１２】
電解キャパシタンス素子と、前記電解キャパシタンス素子の第１の温度を検知する第１の温度センサと、を有する安定器モジュールを更に備え、
前記制御モジュールは前記第１の温度センサに通じており、前記第１の温度が所定の閾値を超えるときに前記蛍光灯への電力出力を調整する、
請求項１に記載の制御システム。
【請求項１３】
前記制御モジュールは、前記第１の温度に基づいて前記電力出力を調整する、請求項１２に記載の制御システム。
【請求項１４】
電圧源と選択的に通じる入力を有する整流器モジュールを更に備え、前記電解キャパシタンス素子および前記制御モジュールは前記整流器モジュールの出力に通じている、請求項１２に記載の制御システム。
【請求項１５】
電気部品と、
前記電気部品の第２の温度を検知する第２の温度センサと、
を更に備え、
前記制御モジュールは前記第２の温度センサに通じており、前記第２の温度が所定の閾値を超えるときに、前記蛍光灯への電力出力を調整する、請求項１２に記載の制御システム。
【請求項１６】
電圧源と選択的に通じる入力を有する整流器モジュールを更に備え、前記制御モジュールは、前記整流器モジュールの出力に通じている、請求項１５に記載の制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月5日(2009.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解キャパシタンス素子と、
前記電解キャパシタンス素子の温度を検知する温度センサと、
前記温度センサに通じており、前記検知された温度が所定の閾値を超えるときに蛍光灯への電力出力を調整する制御モジュールと、
を備え、
前記制御モジュールは、所定の期間に前記電力出力を低減し、前記所定の期間の後に前記電力出力を増大させる、蛍光灯用の安定器モジュール。
【請求項２】
前記制御モジュールは、前記電力出力を低減するときに、前記蛍光灯への前記電力出力をオフにする、請求項１に記載の安定器モジュール。
【請求項３】
前記制御モジュールは、前記電力出力を低減するときに、前記所定の期間、前記電力出力をオフにする、請求項１に記載の安定器モジュール。
【請求項４】
前記制御モジュールは、前記所定の期間の後に、前記蛍光灯への電力出力を増大させる、請求項６に記載の安定器モジュール。
【請求項５】
前記制御モジュールは、前記検知された温度に基づいて前記電力出力を調整する、請求項１に記載の安定器モジュール。
【請求項６】
請求項１に記載の前記安定器モジュールを備え、前記制御モジュールに選択的に電力を供給するスイッチを更に備えるシステム。
【請求項７】
前記スイッチは三路スイッチである、請求項９に記載のシステム。
【請求項８】
選択的に電圧源に通じる入力を有する整流器モジュールを更に備え、前記電解キャパシタンス素子および前記制御モジュールは、前記整流器モジュールの出力に通じている、請求項１に記載の安定器モジュール。
【請求項９】
前記整流器の第１の出力端子に通じている第１の端子、および前記制御モジュールに通じている制御端子を有する第１のパワートランジスタと、
前記第１のパワートランジスタの第２の端子に通じている第１の端子、および前記制御モジュールに通じている制御端子を有する第２のパワートランジスタと、
を更に備える、請求項１１に記載の安定器モジュール。
【請求項１０】
前記第１のパワートランジスタの前記第１および第２の端子に通じている第２のキャパシタンス素子をさらに備える、請求項１２に記載の安定器モジュール。
【請求項１１】
前記第１のパワートランジスタの前記第２の端子に通じている一端、および前記蛍光灯の電極に通じている反対端を有するインダクタンス素子を更に備える、請求項１３に記載の安定器モジュール。
【請求項１２】
請求項１に記載の前記安定器モジュールを備え、
第１電極対および第２の電極対を有する前記蛍光灯と、
前記第１の電極対の一方および前記第２の電極対の一方に通じている第３のキャパシタンス素子と、
を更に備えるシステム。
【請求項１３】
請求項１３に記載の前記安定器モジュールを備え、
第１の電極対および第２の電極対を有する前記蛍光灯と、
前記第１の電極対の一方および前記第２のキャパシタンス素子に通じている第４のキャパシタンス素子と、
を更に備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月23日(2009.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子よりなる画素部を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた複数の発光体と、前記発光体同士の間に形成された導電層とからなり、
前記導電層は前記発光素子毎に設けられており、
前記導電層の端部は前記発光体で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の発光素子よりなる画素部を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた複数の発光体と、前記発光体同士の間に形成された導電層とからなり、
前記導電層は前記発光素子毎に、互いに独立して設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
互いに独立して設けられた隣接する前記導電層の間には、前記発光体を構成する化合物の一部又は全部からなる層が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記発光素子における発光領域の端部より前記導電層の端部が外側に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
複数の発光素子よりなる画素部を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１及び第２の発光体と、前記第１の発光体と前記第２の発光体との間に形成された第１の導電層と、前記第１の電極と前記第１の発光体との間に形成された第２の導電層とからなり、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は前記発光素子毎に設けられており、
前記第１の導電層の端部は前記発光体で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記発光素子における発光領域の端部より前記第２の導電層の端部が外側に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
複数の発光素子よりなる画素部を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１及び第２の発光体と、前記第１の発光体と前記第２の発光体との間に形成された第１の導電層と、前記第２の電極と前記第２の発光体との間に形成された第２の導電層とからなり、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は前記発光素子毎に設けられており、
前記第１の導電層の端部は前記発光体で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記発光素子における発光領域の端部より前記第２の導電層の端部が外側に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
複数の発光素子よりなる画素部を有し、
前記発光素子は、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に設けられた第１及び第２の発光体と、前記第１の発光体と前記第２の発光体との間に形成された第１の導電層と、前記第１の電極と前記第１の発光体との間に形成された第２の導電層と、前記第２の電極と前記第２の発光体との間に形成された第３の導電層とからなり、
前記第１の導電層、前記第２の導電層、及び前記第３の導電層は前記発光素子毎に設けられており、
前記第１の導電層の端部は前記発光体で覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記発光素子における発光領域の端部より前記第２の導電層の端部及び前記第３の導電層の端部が外側に形成されていることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月25日(2009.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  
閃光撮影時は、手ブレを防止できる限界のシャッター速度に対応する第１の被写体輝度以上では、被写体輝度の低下に応じてシャッター速度を決定し、第１の被写体輝度から所定の露出値だけの露出不足となる第２の被写体輝度までは、シャッター速度を前記手ブレ防止の限界シャッター速度に固定し、第２の被写体輝度以下では被写体輝度の低下に応じてシャッター速度を遅くすることを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項２】  
請求項１に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記手ブレ防止の限界シャッター速度を、撮影レンズの焦点距離に応じて決定することを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項３】  
請求項１または請求項２に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
第２の被写体輝度以下では前記所定の露出値だけ露出不足となる高速のシャッター速度を設定することを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項４】  
請求項１から３のいずれかの項に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記所定の露出値を撮影モードに応じて可変とすることを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項５】  
請求項１から３のいずれかの項に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記所定の露出値を任意に可変とすることを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかの項に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記第２の被写体輝度から所定の露出値だけの露出不足となる第３の被写体輝度以下では、前記手ブレ防止の限界シャッター速度より遅いシャッター速度に固定することを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかの項に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記第１の被写体輝度より高い第４の被写体輝度以上では、シャッター速度を最高シンクロ速度に固定することを特徴とする閃光撮影可能なカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
一実施の形態の被写体輝度Ｂｖに対するシャッター速度Ｔｖの関係を示す図２に対応づけて本発明を説明すると、
（１）  請求項１の発明は、閃光撮影時は、手ブレを防止できる限界のシャッター速度Ｔｖ５（１／３０秒）に対応する第１の被写体輝度Ｂｖ５以上では、被写体輝度Ｂｖの低下に応じてシャッター速度Ｔｖを決定し、第１の被写体輝度Ｂｖ５から所定の露出値２ＥＶだけの露出不足となる第２の被写体輝度Ｂｖ３までは、シャッター速度Ｔｖを手ブレ防止の限界シャッター速度Ｔｖ５（１／３０秒）に固定し、第２の被写体輝度以下では被写体輝度の低下に応じてシャッター速度を遅くすることにより、上記目的を達成する。
（２）  請求項２の閃光撮影可能なカメラは、手ブレ防止の限界シャッター速度Ｔｖを撮影レンズの焦点距離に応じて決定するようにしたものである。
（３）  請求項３の閃光撮影可能なカメラは、第２の被写体輝度Ｂｖ３以下では所定の露出値２ＥＶだけ露出不足となる高速のシャッター速度を設定する
（４）  請求項４の閃光撮影可能なカメラは、所定の露出値を撮影モードに応じて可変としたものである。
（５）  請求項５に記載の閃光撮影可能なカメラにおいて、
前記所定の露出値を任意に可変としたものである
（６）  請求項６の閃光撮影可能なカメラは、第２の被写体輝度から所定の露出値だけの露出不足となる第３の被写体輝度以下では、手ブレ防止の限界シャッター速度より遅いシャッター速度に固定するようにしたものである。
（７）  請求項７の閃光撮影可能なカメラは、第１の被写体輝度より高い第４の被写体輝度以上では、シャッター速度を最高シンクロ速度に固定するようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  経路探索に利用される電子地図データであって、
道路を表すリンクと、該リンクの結合点であるノードとによって現実の道路のつながり状態を表す道路データを記憶する道路データ記憶部と、
前記リンク及びノードの少なくとも一方について、経路探索用の評価情報を、探索条件に応じて使い分け可能に多義的に記憶する評価情報記憶部とを備え、
前記経路探索は、前記リンクおよびノードの少なくとも一方について定義されたコストの算術演算によって経路を決定する方法であり、
前記評価情報記憶部は、前記探索条件に対応して各コストを記憶する電子地図データ。
【請求項２】  請求項１記載の電子地図データであって、
前記探索条件には、車両の通行の安全性優先なる条件が含まれる電子地図データ。
【請求項３】  請求項１記載の電子地図データであって、
前記探索条件には、通行日時が含まれる電子地図データ。
【請求項４】  経路探索に利用される電子地図データであって、
道路を表すリンクと、該リンクの結合点であるノードとによって現実の道路のつながり状態を表す道路データを記憶する道路データ記憶部と、
前記リンク及びノードの少なくとも一方について、経路探索用の評価情報を、探索条件に応じて使い分け可能に多義的に記憶する評価情報記憶部とを備え、
前記経路探索は、前記リンクおよびノードの少なくとも一方について定義されたコストの算術演算によって経路を決定する方法であり、
前記コストは、複数の関連パラメータの演算により特定可能であり、
前記評価情報記憶部は、前記探索条件に応じて前記関連パラメータを使い分け可能に記憶する電子地図データ。
【請求項５】  請求項４記載の電子地図データであって、
前記関連パラメータには、道路幅員、歩道の有無、分離帯の有無、路面の種別、傾斜、街路灯の有無、期間に応じた通行規制の有無、平均交通量、事故発生率、規制速度、追い越し禁止の有無の少なくとも一つが含まれる電子地図データ。
【請求項６】  請求項１記載の電子地図データであって、
前記評価情報は、前記リンクまたはノードの通行規制に関する規制情報である電子地図データ。
【請求項７】  請求項６記載の電子地図データであって、
前記規制情報には、予め設定された期間に対応して変動する規制が含まれる電子地図データ。
【請求項８】  電子地図データに基づいて経路探索を行う経路探索装置であって、
該電子地図データは、
道路を表すリンクと、該リンクの結合点であるノードとによって現実の道路のつながり状態を表す道路データを記憶する道路データ記憶部と、
前記リンク及びノードの少なくとも一方について、経路探索用の評価情報を、探索条件に応じて使い分け可能に多義的に記憶する評価情報記憶部とを備えるデータであり、
該経路探索装置は、
前記電子地図データを参照するデータ参照部と、
前記経路探索の出発点、目的地、および探索条件を入力する条件入力部と、
前記探索条件に基づいて前記評価情報を使い分けて、経路を探索する探索部とを備え、
前記リンクおよびノードの少なくとも一方について定義されたコストの算術演算によって経路を決定し、
前記評価情報記憶部は、前記探索条件に対応して各コストを記憶する経路探索装置。
【請求項９】  請求項８記載の経路探索装置であって、
前記探索条件には、通行の安全性優先なる条件が含まれる経路探索装置。
【請求項１０】  請求項８記載の経路探索装置であって、
前記探索条件には、通行日時が含まれる経路探索装置。
【請求項１１】  請求項８記載の経路探索装置であって、
前記電子地図データは、前記評価情報記憶部において、前記経路探索に使用されるコストを算出するための関連パラメータを前記探索条件に応じて使い分け可能に記憶しており、
前記探索部は、
該関連パラメータに基づいて前記探索条件に応じたコストを算出するコスト算出部と、
該コストの算術演算に基づいて経路を探索するコスト評価部とを備える経路探索装置。
【請求項１２】  請求項８記載の経路探索装置であって、
前記評価情報は、前記リンクまたはノードの通行規制に関する規制情報であり、
前記探索部は、該通行規制が設定された経路の優先度を下げて経路探索を行う経路探索装置。
【請求項１３】  電子地図データに基づいて経路探索を行うためのコンピュータプログラムであって、
該電子地図データは、
道路を表すリンクと、該リンクの結合点であるノードとによって現実の道路のつながり状態を表す道路データを記憶する道路データ記憶部と、
前記リンク及びノードの少なくとも一方について、経路探索用の評価情報を、探索条件に応じて使い分け可能に多義的に記憶する評価情報記憶部とを備えるデータであり、
該コンピュータプログラムは、
前記電子地図データを参照する機能と、
前記経路探索の出発点、目的地、および探索条件を入力する機能と、
前記探索条件に基づいて前記評価情報を使い分けて、経路を探索する機能と、
前記リンクおよびノードの少なくとも一方について定義されたコストの算術演算によって経路を決定する機能と、をコンピュータにより実現させるためのコンピュータプログラムであり、
前記評価情報記憶部は、前記探索条件に対応して各コストを記憶する、コンピュータプログラム。