(57)【要約】 【課題】半導体融液に揮発性ドーパントによるドーピングを行うに際し、ドーパントガスを半導体融液中に十分に拡散させることのできるドーパントの注入方法の提供。【解決手段】坩堝３１内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法は、ドーパントガスの流れ方向に沿った支持軸３６を中心として、坩堝３１を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、ドーパントガスを半導体融液に吹き付ける。坩堝３１を回転させることで、内部の半導体融液に対流が生じ、吹き付けられたドーパントが半導体融液内に拡散し易くなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法であって、
前記ドーパントガスの流れ方向に沿った軸を中心として、前記坩堝を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、前記ドーパントガスを前記半導体融液に吹き付けることを特徴とするドーパントの注入方法。
【請求項２】
請求項１に記載のドーパントガスの注入方法において、
前記ドーパントガスは、下端に該ドーパントガスを前記半導体融液に導く導管を有する容器を備えたドーピング装置内に収納された揮発性ドーパントから供給され、
前記導管先端から前記半導体融液に吹き付けることを特徴とするドーパントの注入方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のドーパントガスの注入方法において、
前記坩堝の回転速度（回転数）の単位時間当たりの変化率が１rpm／min〜１０rpm／minであることを特徴とするドーパントガスの注入方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、坩堝内の半導体融液中に、揮発したドーパントガスを注入するドーパントの注入方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体シリコンウェハの抵抗値を調整するために、シリコン単結晶の成長工程において、成長結晶の引き上げ前にリンや、砒素等のドーパントがドーピングされる。このドーピングは、坩堝内の半導体融液中にドーパントを注入して行われる。
ところで、ドーパントには、揮発性、不揮発性のものが知られており、砒素や赤リン等の揮発性ドーパントを注入する場合、下部にガスを導く導管を有する容器を備えたドーピング装置内に揮発性ドーパントを収納し、容器下部を半導体融液表面に近づけることにより、内部の揮発性ドーパントが気化してドーパントガスが導管を通じて半導体融液に注入される。また、場合によっては、導管下端を半導体融液内に浸け込んでしまい、ドーパントガスが外部に逃げにくくすることも知られている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２５３７９１号公報
【特許文献２】特開２００４−１３７１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前述した特許文献１、特許文献２による揮発性ドーパントの注入方法では、確かにドーパントガスを半導体融液に注入させることはできるのだが、ドーパントが半導体融液全体に拡散する速度が非常に遅いため、導管からドーパントガスが吹き付けられる半導体融液の液面表層にドーパントガスの高濃度層が形成されてしまう。
このため、ドーピング装置を外してインゴットの引き上げを開始するまでに、この高濃度層部分のドーパントの蒸発が促進され、半導体融液中に十分にドーパントを行き渡らせることができないという問題がある。
【０００５】
本発明の目的は、半導体融液に揮発性ドーパントによるドーピングを行うに際し、ドーパントガスを半導体融液中に十分に拡散させることのできるドーパントの注入方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るドーパントの注入方法は、
坩堝内の半導体融液中に揮発したドーパントガスを注入するドーパントガスの注入方法であって、
前記ドーパントガスの流れ方向に沿った軸を中心として、前記坩堝を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、前記ドーパントガスを前記半導体融液に吹き付けることを特徴とする。
【０００７】
ここで、揮発したドーパントガスは、下端にドーパントガスを導く導管を有する容器を備えたドーピング装置内に揮発性ドーパントを収納し、このドーピング装置を半導体融液表面接近させると、半導体融液の熱により揮発性ドーパントが揮発して、ドーパントガスが半導体融液表面に吹き付けられる。
揮発性ドーパントとしては、砒素、赤リン等が挙げられる。
この発明によれば、半導体融液の入った坩堝を時計回り又は反時計回りに交互に回転させることにより、坩堝内の半導体融液に任意の対流変化が生じるので、吹き付けられたドーパントガスの拡散を促進することができる。従って、融液表面から注入したドーパントが蒸発することを抑制することができ、ドーパントの吸収率を向上させることができる。
【０００８】
以上において、前記ドーパントガスは、下端に該ドーパントガスを前記半導体融液に導く導管を有する容器を備えたドーピング装置内に収納された揮発性ドーパントから供給され、前記導管先端から前記半導体融液に吹き付けるのが好ましい。
ここで、ドーピング装置の導管は、半導体融液に浸け込まずにドーパントガスを吹き付けてもよいし、導管を半導体融液に浸け込んで吹き付けるようにしてもよい。
導管を半導体融液に浸け込む場合、ドーピング装置の導管が一重管の場合には、一重管そのものを浸け込み、内外の二重管の場合には、外管のみを浸け込むのが好ましい。
この発明によれば、導管先端から半導体融液にドーピングガスを吹き付けることにより、半導体融液表面に吹き付けられるドーパントガスが半導体融液表面に沿って拡がって坩堝外部に流れることを防止することができるため、半導体融液へのドーパントガスの注入を促進することができる。尚、ドーピング装置は石英製であるため、破損のおそれを考慮すると回転させない方が好ましい。
【０００９】
また、前記坩堝の回転速度（回転数）の単位時間当たりの変化率が１rpm／min〜１０rpm／minであるのが好ましい。
変化率が１rpm／minを下回る場合、坩堝を交互に回転させても遅すぎて半導体融液を十分に対流を変化させることができない。
一方、変化率が１０rpm／minを超える場合、回転速度の変化が大きすぎて半導体融液が追従することができなくなり、やはり半導体融液を十分に対流させることができない。
従って、変化率を１rpm／min〜１０rpm／minとすることにより坩堝内の半導体融液に十分な対流を生じさせることができ、注入されたドーパントガスを半導体融液内に十分に拡散させることができる。
尚、坩堝の回転速度の上限は、時計回り方向を正、反時計回り方向を負とすると、−２０rpm〜２０rpmの範囲で行うのが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
〔１〕引き上げ装置１の全体構成
図１には、本実施形態に係る引き上げ装置１が示され、この引き上げ装置１は、引き上げ装置本体３と、ドーピング装置２とを備えて構成される。
引き上げ装置本体３は、チャンバ３０と、このチャンバ３０内に配置された坩堝３１と、この坩堝３１に熱を放射して加熱する加熱部３２と、引き上げ部３３と、シールド３４と、断熱筒３５とを備える。
チャンバ３０内には上方から下方に向かって不活性ガス、例えば、アルゴンガスが導入される。また、チャンバ３０内の圧力は制御可能となっていて、通常は、チャンバ３０内の圧力を、５３３２Ｐａ以上、７９９８０Ｐａ以下でドーピングが行われる。
【００１１】
坩堝３１は、半導体ウェハの原料である多結晶のシリコンを融解し、シリコンの融液とするものであり、有底の円筒形状の石英製の第一坩堝３１１と、この第一坩堝３１１の外側に配置され、第一坩堝３１１を収納する黒鉛製の第二坩堝３１２とを備えている。
この坩堝３１は、支持軸３６で支持されており、支持軸３６はその中心軸回りに回転可能かつ昇降可能とされ、支持軸３６が回転するとこれに伴い、坩堝３１も回転する。
坩堝３１の回転速度（回転数）は、坩堝３１を上部から見たときに、時計回りを正、反時計回りを負とすると、−２０rpm〜２０rpmの範囲で設定が可能とされ、回転速度の単位時間当たりの変化率も０rpm／min〜１０rpm／minまで連続的に変化させることができる。
【００１２】
加熱部３２は、坩堝３１の外側に配置されており、坩堝３１を加熱して、坩堝３１内のシリコンを融解する。
引き上げ部３３は、坩堝３１上部に配置されており、種子結晶又はドーピング装置２が取り付けられる。引き上げ部３３は回転可能かつ昇降可能に構成されている。
断熱筒３５は、坩堝３１及び加熱部３２の周囲を取り囲むように配置されている。
シールド３４は、加熱部３２からドーピング装置２に向かって放射される輻射熱を遮断する熱遮蔽用シールドである。このシールド３４は、ドーピング装置２の周囲を取り巻くように配置されており、融液の表面を覆うように設置され、下端側の開口部が上端側の開口部より小さくなった円錐形状となっている。
【００１３】
〔２〕ドーピング装置２の構造
ドーピング装置２は、固体状態の揮発性ドーパントを揮発させて、坩堝３１内のシリコンの融液にドープさせるためのものである。
ここで、ドーパントとしては、例えば、赤燐、砒素等があげられる。
このドーピング装置２は、図２に示されるように、外管２１と、外管２１内部に配置される内管２２と、熱遮蔽部材２３とを備える。
【００１４】
外管２１は、下端面が開口し、上端面が閉鎖された有底の筒型形状であり、上端面を構成する上面部２１１と、この上面部２１１の外周縁から下方に延びる側面部２１２とを備えている。尚、本実施形態では、外管２１の側面部２１２は、円柱状となっており、この外管２１の材質としては、例えば、透明石英が挙げられる。
外管２１の高さ寸法Ｔは、例えば、４５０ｍｍであり、外管２１の側面部２１２の径Ｒは、１００ｍｍ以上、引き上げ結晶径の１．３倍以下とするのが好ましい。
【００１５】
外管２１の上面部２１１には、上面部２１１から上方に突出した支持部２４が設けられており、この支持部２４を引き上げ装置１の引き上げ部３３に取り付けることで、外管２１が引き上げ装置１に保持されることとなる（図１参照）。
また、この外管２１の上面部２１１は、後述する内管２２の収容部２２１の上方を覆うものである。この上面部２１１は、チャンバ３０内を上方から下方に向かって、換言すると、収容部２２１の上方から下方に向かって流れる前述した不活性ガスが収容部２２１に直接吹き付けられるのを防止する吹き付け防止部材としての役割を果たす。
【００１６】
内管２２は、収容部２２１と、この収容部２２１に接続され、収容部２２１に連通する筒状部２２２とを備え、内管２２の材質としては、例えば、透明石英が挙げられる。
収容部２２１は、固体状態の揮発性ドーパントを収容する部分であり、中空の円柱形状となっている。
この収容部２２１は、平面略円形形状の上面部２２１Ａ、この上面部２２１Ａに対向配置される底面部２２１Ｂ、上面部２２１Ａ及び底面部２２１Ｂの外周縁間に配置される側面部２２１Ｃを有する。
【００１７】
底面部２２１Ｂの中央には、開口が形成されており、この開口の周囲の底面部２２１Ｂ上に固体状態のドーパントが配置される。そして、固体状態の揮発性ドーパントが揮発すると、ドーパントガスが前記開口から排出されることとなる。なお、前記開口の周囲には固体状態のドーパントが落下するのを防止するための落下防止壁２２１Ｂ１が形成されている。
また、この収容部２２１に収容されたドーパントの位置は、収容部２２１が融液に近いと高温に晒されて断熱効果が小さくなるので、ドーパントの昇華温度付近となる位置が好ましい。ここでは、例えば、融液の表面から３００ｍｍ程度としている。
側面部２２１Ｃには、収容部２２１外方に向かって突出した断面略Ｔ字形状の支持片２２１Ｃ１が形成されている。この支持片２２１Ｃ１を外管２１の内周面に形成された支持部２１２Ａに載置することで、内管２２が外管２１に支持されることとなる。
【００１８】
筒状部２２２は、前述した収容部２２１内で揮発したドーパントガスを融液表面に導く導管としての機能を有し、上端面及び下端面が開口した円柱状の部材であり、上端部は、収容部２２１の底面部２２１Ｂの開口に接続されている。
筒状部２２２の径は、外管２１の径よりも小さくなっており、筒状部２２２の外周面と、外管２１の内周面との間には、隙間が形成される。
本実施形態では、筒状部２２２は、収容部２２１の開口に接続される第一筒状部２２２Ａと、この第一筒状部２２２Ａに接続され、下方に延びる第二筒状部２２２Ｂとを備える。
【００１９】
第一筒状部２２２Ａは、収容部２２１と一体的に構成されており、第一筒状部２２２Ａと第二筒状部２２２Ｂとは別体となっている。
第一筒状部２２２Ａには、第一筒状部２２２Ａの周方向に沿ってリング状の複数の溝２２２Ａ１が形成されている。本実施形態では３つの溝２２２Ａ１が形成されている。この溝２２２Ａ１は、後述する熱遮蔽部材２３の熱遮蔽板２３１を支持するためのものである。
第二筒状部２２２Ｂは、径が２０ｍｍ以上、１５０ｍｍ以下である。本実施形態の第二筒状部２２２Ｂは円筒形状であるため、ドーパントガスの排出口の径も２０ｍｍ以上、１５０ｍｍ以下となる。内管２２を外管２１に保持させた際に、外管２１の下端部先端は、第二筒状部２２２Ｂの下端部先端よりも下方（融液側）に突出する。
【００２０】
熱遮蔽部材２３は、収容部２２１の下方を覆い、融液からの輻射熱を遮断し、必要以上に揮発性ドーパントの揮発を生じさせないためのものである。熱遮蔽部材２３は、複数枚（例えば、５枚）の平面略円形形状の熱遮蔽板２３１を有している。
ここで、熱遮蔽板２３１の枚数は、融液に吹き付けられるドーパントガスの昇華速度１０〜５０ｇ／minから算出されたガス流量となるように適宜設定すればよいが、筒状部２２２の下端から流れ出るガスの流量は、融液から蒸発する蒸発物の流量よりも多くする必要がある。
【００２１】
熱遮蔽板２３１は、外管２１の内径と略同じ外径を有し、中央には、筒状部２２２を挿入するための孔２３１１が形成されている。この熱遮蔽板２３１は、内管２２の筒状部２２２と、外管２１との間の隙間を遮蔽するように略水平に配置され、各熱遮蔽板２３１は互いに略平行となっている。
本実施形態では、５枚の熱遮蔽板２３１のうち、融液側に配置される熱遮蔽板２３１Ａは、例えば、カーボン断熱材で構成されたものを採用することができる。カーボン断熱材は、例えば、炭素繊維を熱可塑性樹脂等に含浸させ、これを加熱硬化させた後、真空下又は不活性ガス雰囲気下で焼成したものである。
このような熱遮蔽板２３１Ａの熱伝導率としては、例えば、１４１２℃で２０Ｗ／ｍ・℃以上の材料のものを採用することができる。
【００２２】
また、５枚の熱遮蔽板２３１のうち、収容部２２１側配置される３枚の熱遮蔽板２３１Ｂは、不透明石英からなるものを採用することができる。不透明石英は、例えば、石英ガラス中に微細な泡を多数包含させたものである。
このような熱遮蔽板２３１Ｂの熱伝導率としては、例えば、１４１２℃で８Ｗ／ｍ・℃以下の材料のものを採用することができる。
【００２３】
これらの複数枚の熱遮蔽板２３１は、筒状部２２２の下端部側から、２枚の熱遮蔽板２３１Ａ、３枚の熱遮蔽板２３１Ｂの順で配置される。
熱遮蔽板２３１Ａは、その外周縁が外管２１の内側に形成された突起２１２Ｂに支持される。融液に最も近い熱遮蔽板２３１Ａ（２３１Ａ１）は、筒状部２２２の下端部先端から、例えば、８０ｍｍ程度上方に設置される。
また、熱遮蔽板２３１Ａ１の上方の熱遮蔽板２３１Ａ２は、筒状部２２２の下端部先端から例えば、１７０ｍｍ程度上方に設置される。従って、熱遮蔽板２３１Ａ１と、熱遮蔽板２３１Ａ２との間には、９０ｍｍ程度の隙間が形成される。
【００２４】
一方、熱遮蔽板２３１Ｂは、孔２３１１の周縁部が、内管２２の筒状部２２２の第一筒状部２２２Ａの溝２２２Ａ１に支持される。
３枚の熱遮蔽板２３１Ｂのうち、最も融液に近い位置に配置された熱遮蔽板２３１Ｂ１は、例えば、筒状部２２２の下端部先端から２５０ｍｍ程度上方に設置される。
熱遮蔽板２３１Ｂ１の上方に設置される熱遮蔽板２３１Ｂ２は、熱遮蔽板２３１Ｂ１から１０ｍｍ上方に配置される。
さらに、熱遮蔽板２３１Ｂ１上に設置される熱遮蔽板２３１Ｂ３は、熱遮蔽板２３１Ｂ２から１０ｍｍ上方に配置される。すなわち、各熱遮蔽板２３１Ｂ間には、所定間隔の隙間が形成されている。
なお、熱遮蔽板２３１Ｂ１と、収容部２２１との距離は、例えば３０ｍｍである。
【００２５】
〔３〕引き上げ装置１におけるドーパントの注入
前述したドーピング装置２を引き上げ装置本体３に装着して、ドーピングを行う場合、図１に示されるように、ドーピング装置２の外管２１上に設けられた支持部２４を引き上げ装置本体３の引き上げ部３３に取り付け、ドーピング装置２の外管２１の筒状部２１２先端が融液内に浸け込まれるように、ドーピング装置２の上下位置を調整する。
この状態で坩堝３１を、回転速度（回転数）の変化率が、１rpm／min〜１０rpm／minの範囲となるように、そして、最大の回転速度が−２０rpm〜２０rpmの範囲となるように、回転させる。つまり、坩堝３１は、ドーピング装置２の筒状部２２２内のドーパントガスの流れに沿った軸を中心として回転することとなる。
【００２６】
次に、引き上げ装置１の上方から融液に向かって不活性ガスを流す。この不活性ガスは、融液表面に沿って流れる。
不活性ガスは、ドーピングを行なう間及び成長結晶を引き上げる間中、流し続ける。この不活性ガスの流量は、５０Ｌ／min以上、４００Ｌ／min以下とする。
不活性ガスの流量を４００Ｌ／minを超えるものとした場合には、収容部２２１が冷却されすぎて、ドーパントが揮発しなくなる、若しくは、昇華したドーパントが固着されてしまう可能性がある。
【００２７】
ドーピング装置２の収容部２２１内に設置されたドーパントは、融液の熱により徐々に昇華し、ガスとなってドーピング装置２の筒状部２２２から排出され、融液に溶解することとなる。
坩堝３１内の融液は、坩堝３１が回転することにより対流が生じ、この融液の対流により、注入されたドーパントガスが融液全体に拡散し易くなる。
なお、ドーピングする際の坩堝３１内の融液の温度は、融液の原料の融点以上、融点＋６０℃以下とする。本実施形態では、融液の原料シリコンであるため、融液の温度を１４１２℃以上、１４７２℃以下とする。
ガスが融液に溶解したら、引き上げ装置１の引き上げ部３３からドーピング装置２を取り外し、引き上げ部３３に種子結晶を取り付ける。そして、成長結晶の引き上げを開始する。
【００２８】
〔４〕実施形態の変形
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
前述の実施形態では、ドーピング装置２によるドーパントの注入に際して、ドーピング装置２の筒状部２１２の先端を半導体融液に浸け込んでドーピングを行っていたが、本発明はこれに限られない。
すなわち、図３に示されるように、外管２１を半導体融液に浸け込まないようにドーピングを行ってもよい。
【００２９】
また、前記実施形態では、外管２１及び内管２２を備え、内管２２の上部に揮発性ドーパントの収容部２２１を形成し、この収容部２２１から下方に向かって筒状部２２２が延びる二重構造のドーピング装置２によりドーピングを行っていたが、揮発性ドーパントを収容するドーピング装置は、これに限られず、種々の形状のものを採用することができる。要するに、坩堝を時計回り又は反時計回りに交互に回転させながら、ドーパントガスを半導体融液に吹き付けることができるような構造であればよい。
その他、本発明の実施の際の具体的な構造、手順等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
【実施例】
【００３０】
次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限られるものではない。
〔１〕吹付同士での比較
図３に示されるように、ドーピング装置２の外管２１の筒状部２１２の下端部を坩堝３１内の融液に浸け込まない状態で、坩堝３１の回転速度を変化させて時計回り、反時計回りに交互に回転させた場合（実施例１）と、通常のドーピングで行われる坩堝３１を定速で回転させた場合（比較例１）とにおいて、比較例１のドーパント吸収率を１００としたときの実施例１におけるドーパント吸収指数（実施例１吸収率／比較例１吸収率×１００）によって評価した。。
尚、ドープ中のガス条件は、いずれも炉内圧５９９８５Ｐａ、アルゴンガス流量２００Ｌ／minで行った。
実施例１及び比較例１のドーピング条件、及び、実験結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
2008087991.tif 000003
【００３２】
〔２〕浸け込みと吹付及び回転速度の変化率の比較
次に、図１に示されるように、ドーピング装置２の外管２１の筒状部２１２の下端を融液に浸け込んだ状態で、坩堝３１を時計回り、反時計回りに交互に回転させたものと、筒状部２１２の下端を融液に浸け込んだ状態で、一定の回転速度で回転させたものとの比較を行った。
実施例２は坩堝３１の回転速度の範囲を−２rpm〜２rpmとし、回転速度の単位時間当たりの変化率を１rpm／minとした。
実施例３は坩堝の回転速度の範囲を−２０rpm〜２０rpmとし、回転速度の単位時間当たりの変化率を５rpm／minとした。
実施例４は坩堝の回転速度の範囲を−２０rpm〜２０rpmとし、回転速度の単位時間当たりの変化率を１０rpm／minとした。
比較例２乃至比較例４は、対応する実施例とドーパント量、チャージ量を同じにした他は、比較例１と同様の条件で実験を行っている。
実施例２乃至実施例４、及び比較例２乃至比較例４のドーピング条件及び実験結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
〔３〕考察
まず、比較例１と実施例１とを対比すると、実施例１の吸収指数が１０７．５％となっていて、定速回転の比較例１よりもドーパントの吸収率が向上しており、交互に回転させることにより、融液中のドーパントの拡散が促進されることが確認された。
次に、さらに浸け込みによりドーピングを行った実施例２乃至実施例４と、比較例２乃至比較例４とを対比すると、吹付の場合よりも、吸収指数が大幅に向上しており、ドーピング装置のドーパントガスを導く導管を融液に浸け込み、かつ、坩堝を交互に回転させることにより融液へのドーパントの吸収率が大幅に改善されることが確認できる。
但し、実施例４に示されるように、回転速度の時間当たりの変化率を１０rpm／minとすると、吸収率が実施例３の場合よりも下がってしまう。これは、坩堝の回転速度の上昇率が速すぎて、内部の融液がこれについて行けず、うまく対流変化を生じさせることができなかったものと推測される。
【００３５】
さらに、浸け込み＋坩堝の交互回転で製造した実施例に係るインゴットと、吹付＋坩堝の定速回転で製造した比較例に係るインゴットとについて、それぞれの直胴部分の抵抗率を四探針法により測定したところ、図４に示されるように、インゴットの直胴部分のいずれの位置においても、比較例よりも抵抗率が低い、すなわち、実施例によれば、ドーパントがより効率よくメルトにドープされたことが確認された。
また、ドーピング終了後からインゴットの引き上げ開始までの時間とトップ部分の抵抗率との関係は、図５に示されるように、実施例の場合、ドーピング後から引き上げ開始までの時間を長くとっても、トップ部分の抵抗率が大きく上がることがない、つまり、実施例によれば、融液中にドーパントが効果的に投入されていることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係る引き上げ装置の構造を表す模式断面図。
【図２】前記実施形態におけるドーピング装置の構造を表す模式断面図。
【図３】前記実施形態の変形を表す引き上げ装置の模式断面図。
【図４】本発明の実施例及び比較例の効果を対比したグラフ。
【図５】本発明の実施例及び比較例の効果を対比したグラフ。
【符号の説明】
【００３７】
１…引き上げ装置、２…ドーピング装置、３…装置本体、２１…外管、２２…内管、２３…熱遮蔽部材、２４…支持部、３０…チャンバ、３１…坩堝、３２…加熱部、３３…引き上げ部、３４…シールド、３５…断熱筒、３６…支持軸、２１１…上面部、２１２Ａ…支持部、２１２…側面部、２１２Ｂ…突起、２２１…収容部、２２１Ａ…上面部、２２１Ｂ…底面部、２２１Ｂ１…落下防止壁、２２１Ｃ…側面部、２２１Ｃ１…支持片、２２２…筒状部、２２２Ａ…第一筒状部、２２２Ａ１…溝、２２２Ｂ…第二筒状部、２３１…熱遮蔽板、２３１Ａ…熱遮蔽板、２３１Ａ１…熱遮蔽板、２３１Ａ２…熱遮蔽板、２３１Ｂ…熱遮蔽板、２３１Ｂ１…熱遮蔽板、２３１Ｂ２…熱遮蔽板、２３１Ｂ３…熱遮蔽板、３１１…第一坩堝、３１２…第二坩堝、２３１１…孔
【図１】
2008087991.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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