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【手続補正書】
【提出日】平成25年8月12日(2013.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式
ＭｎａＣｏｂＧｅｃＡｘ
［式中、
Ａは、Ｂであり、
０．００１＜ｘ＜０．１、
０．９≦ａ≦１．１、
０．９≦ｂ≦１．１、
０．９≦ｃ≦１．０であり、
Ｍｎ若しくはＣｏの最大３０モル％までがＦｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ若しくはＣｕにより置換されても良いか、又はＭｎ、Ｃｏ若しくはＧｅの最大３０モル％までが空孔により置換されても良い。］で表わされ、且つ
斜方晶ＴｉＮｉＳｉ構造型及び六方晶Ｎｉ２Ｉｎ構造型の相が、−４０℃未満の温度で存在することを特徴とする多結晶磁気熱量材料。
【請求項２】
ｘが０．０１〜０．０５の値を有する、請求項１に記載の磁気熱量材料。
【請求項３】
Ｍｎ又はＣｏの最大２５モル％までが、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ若しくはＣｕにより置換されても良い請求項１又は２に記載の磁気熱量材料。
【請求項４】
Ｍｎ又はＣｏの１〜２０モル％、好ましくは３〜１０モル％が、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｖ若しくはＣｕにより置換されても良い請求項３に記載の磁気熱量材料。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の熱磁気材料を製造する方法であって、
当該材料のための出発元素又は出発合金を固相転化又は液相転化、任意に冷却させ、その後に加圧、焼結、不活性ガス雰囲気下で熱処理、及びその後に室温へ冷却することによるか、あるいは
出発元素又は出発合金の融解物を溶融紡糸することにより、製造する方法。
【請求項６】
以下の工程：
ａ）前記金属に基づく材料に対応する化学元素及び／又は合金を、固相及び／又は液相において、化学量論比で転化させる工程、
ｂ）任意に、工程ａ）で得られた反応生成物を固体へと転化させる工程、
ｃ）工程ａ）又はｂ）で得られた固体を焼結及び／又は熱処理する工程、
ｄ）工程ｃ）で得られた焼結及び／又は熱処理された固体を少なくとも１００Ｋ／ｓの冷却速度で急冷する工程
を含む請求項５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示面を介して見るために表示画像を送信するように構成された表示画像形成層と、
前記表示面の法線に対して狭い範囲の角度の赤外光を結像するように構成された結像検出器であって、前記結像される赤外光は前記表示面上又は前記表示面の近くに配置された１つ以上の物体からの反射を含む、結像検出器と、
前記１つ以上の物体を照らすために、前記赤外光を放射するように構成された視覚システムエミッターと、
対向する上面及び下面並びに対向する端面を有する可視光及び赤外光を伝達可能な導光路であって、前記導光路上又は前記導光路内に配置されて前記上面及び下面に平行なボリューム型の拡散層を有し、前記視覚システムエミッターからの前記赤外光を受信し、前記上面及び／又は下面からの全反射を介して並びに前記ボリューム型の拡散層による全反射の妨げによって１つの端面から対向する端面に向かって前記赤外光を導き、前記１つ以上の物体上へ前記赤外光を投影するように構成され、前記ボリューム型の拡散層は３次元に分散された複数の光拡散特性を含む、導光路と
を具備する統合された視覚及び表示システム。
【請求項２】
前記導光路は前記表示画像形成層と前記表示面との間で層状にされる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記表示画像形成層は前記導光路と前記表示面との間で層状にされる請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記視覚システムエミッターは、前記導光路の１つ以上の端に沿って配置された複数の赤外線エミッターを含む請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記導光路は、くさび形であり、前記上面及び下面に隣接する等しくない高さの対向する第１の端面及び第２の端面を有し、前記視覚システムエミッターからの赤外光は、前記第１の端面から前記第２の端面に向かって導かれ、臨界前の入射角で前記上面又は下面に達し、前記１つ以上の物体を照らすために前記導光路から屈折する請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記導光路はシート状であり、前記上面及び下面に隣接する実質的に等しい高さの対向する第１の端面及び第２の端面を有する請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
光拡散強度は、前記視覚システムエミッターからの距離が増加するにつれて増加する請求項９に記載のシステム。
【請求項８】
対向する収集光学素子が赤外光を前記導光路の対向する端部へ結合し、前記ボリューム型の拡散層の光拡散強度が、前記対向する端部の最も近くでより弱く、前記導光路の中間部分においてより強い請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記導光路は、前記ボリューム型の拡散層に対して平行に配置された、前記ボリューム型の拡散層の前記表示面とは反対側の、反射及び透過フィルター層を含み、前記フィルター層は、より低い入射角の光に対するよりもより大きな入射角の光に対して反射が大きく透過が小さく、前記フィルター層は、可視光に対するよりも赤外光に対して反射が大きく透過が小さい請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記フィルター層は、干渉フィルター、ダイクロイックフィルター及びルゲートフィルターのうちの１つ以上を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記表示画像形成層に表示データを送信して前記結像検出器から画像データを受信するように構成されたコンピューターをさらに含み、前記コンピューターは、前記表示面上又は前記表示面の近くに配置された１つ以上の物体の位置に応答し、前記１つ以上の物体と前記表示面との間の接触領域の増加又は減少に応答する請求項１に記載のシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸とを発煙硫酸中で、又はそれと硫酸との混合物中で反応させ、反応物を水、非極性溶剤及び塩基で処理し、そして最終生成物を単離することを含む、３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランの製造方法であって、以下、
（ｉ）４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸との反応を、発煙硫酸中で又はそれと硫酸との混合物中で温度３０℃未満で実施する工程、
（ｉｉ）そして反応物に水を添加する工程、
（ｉｉｉ）その後、非極性溶剤を希釈した反応物に添加する工程、
（ｉｖ）続いて得られた有機相を分離する工程、
（ｖ）その後有機相を水性塩基で処理し、そして５０℃〜９０℃の温度で加熱する工程、そして最終的に
（ｖｉ）３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランを単離する工程
を実施することを特徴とする、３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランの製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと、２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸との濃縮硫酸もしくは発煙硫酸中での、又はそれらの混合物中での反応を、１０〜２０℃の温度で実施する、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００４】
従って、本発明は、３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランの製造方法に関し、該方法は、４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸とを発煙硫酸中で、それと硫酸との混合物中で反応させ、反応物を水、非極性溶剤及び塩基で処理し、そして最終生成物を単離することを含み、その際、以下の、
（ｉ）４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸との反応を、発煙硫酸中で又はそれと硫酸との混合物中で温度３０℃未満で実施する工程、
（ｉｉ）そして反応物に水を添加する工程、
（ｉｉｉ）その後、非極性溶剤を希釈した反応物に添加する工程、
（ｉｖ）続いて得られた有機相を分離する工程、
（ｖ）その後有機相を水性塩基で処理し、そして５０℃〜９０℃の温度で加熱する工程、そして最終的に
（ｖｉ）３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランを単離する工程
を実施する。明らかに、塩基の添加は、ＵＳ ５，１６６，３５０の方法と対照的に、水性相を含有する硫酸の分離後に行われる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
すなわち、この特定の実施態様において、次の工程
（ｉ）４−メトキシ−２−メチルジフェニルアミンと２−（４’−ジ−ｎ−ブチルアミノ−２’−ヒドロキシベンゾイル）安息香酸とを発煙硫酸（オレアム）中で、又はそれと硫酸との混合物中で３０℃未満で反応する工程、
（ｉｉ）水に反応物を添加する工程、
（ｉｉｉ）非極性溶剤を希釈した反応物に添加する工程、
（ｉｖ）有機相を分離する工程、
（ｖ−ａ）水性塩基を有機相に添加し、そして５０℃〜９０度の温度で加熱する工程、
（ｖ−ｂ）塩基性水性相を取り出し、そして有機相を２回水性塩基で有機相が残るまで処理する工程、
（ｖｉ）３−ジブチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオランを単離する工程
を実施する。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月12日(2013.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加圧タバコパッケージであって、
複数の巻きタバコを収容する内側パック部分と、
内側パック部分の周りに実質的に気密性の障壁を形成する外側ラッパーと、
外側ラッパーに取り付けられ、外側ラッパーの少なくとも一部を通じて引き裂かれるように構成された開封テープとを含み、前記開封テープが、外側ラッパーの外層に取り付けられた第一開封テープ部分と、外側ラッパーの内層に取り付けられた第二開封テープ部分とを含み、前記加圧タバコパッケージがさらに、
外側ラッパー内に封じ込められ、大気圧より高い圧力である、加圧ガスを含み、
外側ラッパーが少なくとも内層および外層を含み、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの一方の表面領域を被覆する接着材料が、その間に実質的に気密性のシールを形成するのに十分に、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの他方の表面領域にこれを実質的に接着させるように構成されている、加圧タバコパッケージ。
【請求項２】
加圧ガスが、二酸化炭素、アルゴン、および窒素から選択される、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項３】
接着剤が、ポリプロピレン、ＥＶＡ、ＥＢＡ、エチレンビニルアセテート無水マレイン酸ターポリマー、無水物グラフト化ポリオレフィン、エチレンアクリル酸エステル無水マレイン酸ターポリマー、エチレンアクリル酸エステルグリシジルメタクリレートターポリマー、アイオノマー、ＨＥＶＡ、ＥＡＡ、ＬＥＶＡ、ＬＬＤＰＥ、ＬＤＰＥ、ＥＭＡ、ＥＭＭＡ、ＰＶＡ、アクリル、ＰＶｄＣ、ビニル、ポリエステル、ポリアミド、湿気硬化性ポリウレタン、ＳＢＳ、シリコーン、およびこれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項４】
接着剤が外側ラッパーの内層の全表面を実質的に覆う、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項５】
外側ラッパーの内層および外層のうちの少なくとも一方が、ニトリルコポリマーフィルム、ポリプロピレンフィルム、金属蒸着コポリマーフィルム、積層コポリマーフィルム、薄い固体アルミニウム、アルミナ（Ａｌ２０３）被覆ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、透明アルミナ被覆ＰＥＴフィルム、酸化ケイ素被覆ＰＥＴフィルム、ＥＶＯＨ被覆フィルム、およびこれらのいずれかの組み合わせからなる群より選択される材料を含む、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項６】
大気圧よりも約２．０７ｋＰａから約２０．７ｋＰａ高い圧力を含む、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項７】
大気圧よりも約１３．８ｋＰａから約２０．７ｋＰａ高い圧力を含む、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項８】
内側パック部分が、積層材料を含む厚紙ハードパックを含む、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項９】
内側パック部分が直方体の形状の箱を含む、請求項１に記載のタバコパッケージ。
【請求項１０】
外側ラッパーが内側パック部分にぴったり適合している、請求項９に記載のタバコパッケージ。
【請求項１１】
加圧タバコパッケージであって、
複数の巻きタバコを収容する内側パック部分と、
内側パック部分の周りに実質的に気密性の障壁を形成する外側ラッパーとを含み、
外側ラッパーが、外側ラッパーの一部を通じて引き裂きかつ除去するように構成された、少なくとも１つの開封テープを含み、少なくとも１つの開封テープが、外側ラッパーの外層を通じて引き裂くように構成された第一開封テープ部分と、外側ラッパーの内層を通じて引き裂くように構成された第二開封テープ部分とを含み、前記加圧タバコパッケージがさらに、
外側ラッパー内に封じ込められ、大気圧より高い圧力である、加圧ガスを含み、
外側ラッパーが少なくとも内層および外層を含み、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの一方の表面領域を被覆する接着材料が、その間に実質的に気密性のシールを形成するのに十分に、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの他方の表面領域にこれを実質的に接着させるように構成されている、加圧タバコパッケージ。
【請求項１２】
加圧タバコ製品パッケージであって、
タバコ製品を収容する内側パック部分と、
内側パック部分の周りに実質的に気密性の障壁を形成する外側ラッパーと、
外側ラッパー内に封じ込められ、大気圧より高い圧力である、加圧ガスとを含み、
外側ラッパーが少なくとも内層および外層を含み、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの一方の表面領域を被覆する接着材料が、その間に実質的に気密性のシールを形成するのに十分に、内層の外向き表面および外層の内向き表面の内の他方の表面領域にこれを実質的に接着させるように構成され、
外側ラッパーが、外側ラッパーの一部を通じて引き裂きかつ除去するように構成された、少なくとも１つの開封テープを含み、前記少なくとも１つの開封テープが、外側ラッパーの外層を通じて引き裂くように構成された第一開封テープ部分と、外側ラッパーの内層を通じて引き裂くように構成された第二開封テープ部分とを含む、加圧タバコ製品パッケージ。
【請求項１３】
タバコ製品が、複数の巻きタバコ、ルース喫煙タバコ製品、および無煙タバコ製品から選択される、請求項１２に記載のパッケージ。
【請求項１４】
加圧タバコパッケージであって、
複数の巻きタバコを収容する内側パック部分と、
内側パック部分の周りに実質的に気密性の障壁を形成する透明な外側ラッパーと、
透明な外側ラッパー内に封じ込められ、大気圧より高い圧力である、加圧ガスを含み、
透明な外側ラッパーが少なくとも透明な内層および透明な外層を含み、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの一方の表面領域を被覆する透明な接着材料が、その間に実質的に気密性のシールを形成しかつ内側パック部分の視認性を提供するのに十分に、内層の外向き表面および外層の内向き表面のうちの他方の表面領域にこれを実質的に接着させるように構成されている、加圧タバコパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記でんぷん材料が、
（ｉ）  １００〜１５０ｍＰａ・ｓの低温スラリー粘度；
（ｉｉ）  １００〜２００ＢＵのピーク粘度；及び
（ｉｉｉ）  ６０〜８０ｇ／ｍ２の水分保持値、
を有することを特徴とする、請求項１に記載の結合剤。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正浸透膜の製造方法であって、
分離可能な第１の層および第２の層を含む２重層基板を含む支持構造物を提供することと、
前記支持構造物の２重層基板の第１の層に材料を塗布して膜支持層を形成することと、
前記膜支持層にバリア材料を塗布して正浸透膜を形成することと、
前記２重層基板の第１の層を前記２重層基板の第２の層から分離させることによって正浸透膜を取り外すことと
を含む正浸透膜の製造方法。
【請求項２】
前記２重層基板の第１の層が約５０ｃｆｍ／ｆｔ２分を越えるフラジール通気度および２ミル未満厚を有する請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記２重層基板の第１の層に塗布される材料が約５〜２０ｇ／ｍ２のポリマー量を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記支持層が５０ミクロン未満の全厚を有する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記バリア材料が半透性材料を含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記バリア材料がポリマーを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記バリア材料がポリアミド尿素、ポリピペラジンまたはブロックコポリマーを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記２重層基板がポリマー紙を含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記２重層基板がポリエチレンテレフタレートまたはポリプロピレンを含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記正浸透膜を再湿潤することを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
膜の１つ以上の層に添加物を付加することを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記２重層基板の第１の層を前記２重層基板の第２の層から分離する工程が、前記支持層の細孔構造を変更することを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記２重層基板の第２の層を再利用することを更に含む請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
正浸透膜の製造方法であって、
分離可能な第１の層および第２の層を含む２重層基板を含む支持構造物を提供することと、
材料が前記２重層基板の第１の層の少なくとも一部に浸透し、前記２重層基板の第２の層にわずかに部分的に浸透するように、前記２重層基板の第１の層に材料を塗布して膜支持層を形成することと、
前記膜支持層にバリア材料を塗布して正浸透膜を形成することと、
前記２重層基板の第１の層を前記２重層基板の第２の層から分離させることによって正浸透膜を取り外すことと、
前記支持層の細孔構造を変更することと
を含む正浸透膜の製造方法。
【請求項１５】
正浸透膜の製造方法であって、
分離可能な第１の層および第２の層を含む２重層基板を含む支持構造物を提供することであって、前記第１の層が１００ｃｆｍ／ｆｔ２分以上のフラジール通気度を有することと、
前記２重層基板の第１の層に材料を塗布して膜支持層を形成することと、
前記膜支持層にバリア材料を塗布して正浸透膜を形成することと、
前記２重層基板の第１の層を前記２重層基板の第２の層から分離させることによって正浸透膜を取り外すことと
を含む正浸透膜の製造方法。
【請求項１６】
浸透駆動分離過程を促進する方法であって、
正浸透膜を提供する工程であって、
分離可能な第１の層および第２の層を含む２重層基板を含む支持構造物を提供することと、
前記支持構造物の２重層基板の第１の層に材料を塗布して膜支持層を形成することと、
前記膜支持層にバリア材料を塗布して前記正浸透膜を形成することと、
前記２重層基板の第１の層を前記２重層基板の第２の層から分離させることによって正浸透膜を取り外すこととを含む、正浸透膜を提供する工程と、
引抜溶液の源を膜の第１の側に導入することと、
供給溶液の源を膜の第２の側に導入することと
を含む浸透駆動分離過程を促進する方法。
【請求項１７】
正浸透膜を製造する方法であって、
ペーパーレス支持構造物を製造ベルトもしくはドラムに適用することと、
バリア材料を前記ペーパーレス支持構造物の上に堆積させることと、
前記ペーパーレス支持構造物を前記正浸透膜の形成のために前記製造ベルトから剥離することと
を含む正浸透膜を製造する方法。
【請求項１８】
前記ベルトもしくはドラムが、前記支持構造物の一部を保持する表面を提供するように構成および配置される請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
保持された支持構造物が、ベルトもしくはドラムが１回転する前に除去される請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月19日(2013.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａ）水媒体中に
ｉ）少なくとも１つのリン化合物
ｉｉ）少なくとも１つの第６族金属化合物
ｉｉｉ）少なくとも１つの第８族金属化合物、及び
ｉｖ）ａ）テトラエチレングリコール、
ｂ）約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、
ｃ）テトラエチレングリコール及び約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコールの混合物、又は
ｄ）（１）テトラエチレングリコール及び／又は約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、及び（２）１又はそれ以上のモノエチレングリコール、ジエチレングリコール、及びトリエチレングリコールの混合物である添加剤を一緒に投入し、添加剤の第６族金属及び第８族金属の合計モル数に対するモル比が、０．３１：１〜０．６：１であり、リンの第６族金属に対する原子比率が、少なくとも約０．３３：１である、溶液を生成すること、
Ｂ）前記溶液を任意に約４０℃より高い温度で加熱して、加熱溶液を生成すること、ならびに
Ｃ）前記加熱溶液を任意に冷却して、冷却溶液を生成することを含む、
溶液を生成する方法。
【請求項２】
前記リンの第６族金属に対する原子比率が少なくとも約０．３３：１〜約０．８：１であり、及び／又は前記第６族金属化合物及び第８族金属化合物は、その第６族金属及び第８族金属の原子比率が少なくとも約１．５：１である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リン化合物が水溶性で酸性リン化合物であり、任意に前記リン化合物がオルトリン酸である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第８族金属化合物が炭酸塩、水酸化物、又はヒドロキシ炭酸塩であり、及び／又は
前記第６族金属化合物が酸化物又はオキソ酸である請求項１に記載の方法。
【請求項５】
添加剤の第６族金属及び第８族金属の合計モル数に対するモル比が、少なくとも約０．３６：１である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記添加剤が、約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、又はトリエチレングリコール及びテトラエチレングリコール及び／又は約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコールの混合物である請求項１に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの酸性基並びに水酸基及び酸性基から選ばれる少なくとも１つの官能基を有する有機酸が含まれ、任意に前記有機酸がクエン酸である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第６族金属がモリブデン及び／又はタングステンであり、及び／又は前記第８族化合物がニッケル又はコバルトの化合物である請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
第６族金属、第８族金属、リン、及び
ａ）テトラエチレングリコール、
ｂ）約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、
ｃ）テトラエチレングリコール及び約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコールの混合物、又は
ｄ）（１）テトラエチレングリコール及び／又は約２００〜約４００の平均分子量を有するポリエチレングリコール、及び（２）１又はそれ以上のモノエチレングリコール、ジエチレングリコール、及びトリエチレングリコールの混合物である添加剤からなり、
添加剤の第６族金属及び第８族金属の合計モル数に対するモル比が、０．３１：１〜０．６：１であり、リンの第６族金属に対する原子比率が、少なくとも約０．３３：１である、
請求項１に記載の方法で生成された溶液。
【請求項１０】
前記リンの第６族金属に対する原子比率が約０．３３：１〜約０．８：１であり、及び／又は前記第６族金属化合物及び第８族金属化合物が、その第６族金属及び第８族金属の原子比率が約１．５：１〜約６：１となるような量である請求項９に記載の溶液。
【請求項１１】
添加剤の第６族金属及び第８族金属の合計モル数に対するモル比が、少なくとも約０．３６：１である請求項９に記載の溶液。
【請求項１２】
前記第６族金属がモリブデン及び／又はタングステンであり、及び／又は前記第８族金属がニッケル又はコバルトである請求項９〜１１のいずれか１項に記載の溶液。
【請求項１３】
Ｉ）担体及び請求項１２に記載の溶液を含む含浸溶液を一緒に投入して含浸担体を生成すること、
ＩＩ）前記含浸担体を乾燥すること、ならびに
ＩＩＩ）任意に前記含浸担体を焼成して触媒を生成し、任意に触媒を硫化することを含む方法。
【請求項１４】
Ｉ）が単独の含浸工程からなる請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記担体がシリカ、アルミナ、シリカ・アルミナ、シリカ・アルミナが分散されたアルミナ、アルミナ被覆シリカ、又はシリカ被覆アルミナである請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの酸性基並びに水酸基及び酸性基から選ばれる少なくとも１つの官能基を有する少なくとも１つの有機酸が含浸溶液中に存在し、任意に前記有機酸がクエン酸である請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の方法によって生成された触媒組成物。
【請求項１８】
前記第６族金属がモリブデンであり、前記モリブデンが三酸化モリブデンとして計算して約５〜約４０重量％の量で存在する請求項１７に記載の組成物。
【請求項１９】
炭化水素原料及び請求項１７に記載の触媒を接触させ、水素処理、水素化脱窒素、及び／又は水素化脱硫を行う方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基材；
硬化性組成物を基材上に堆積するためのコーティングユニット；
適用されるべき光学的可変像を有する、光学的に透明なフルオロポリマーのエンボス箔、特にエンボスベルト、又はシートを含むエンボスユニット；
エンボスされたベルト材料を介して紫外線で複製パターンを照射するための紫外線源
を含む、転写装置であって、前記照射が光学的可変像のエンボスと同時に起こる、前記転写装置。
【請求項２】
前記可撓性基材が紫外線に対して不透明である、請求項１に記載の転写装置。
【請求項３】
コーティングユニットが、グラビアコーター、フレキソコーター、マイクログラビアコーター、及びスロットダイコーターからなる群から選択されるコーターを含む、請求項１又は２に記載の転写装置。
【請求項４】
適用されるべき光学的可変像を有する光学的に透明なフルオロポリマーの転写箔、特にベルト、又はシート。
【請求項５】
光学的に透明なフルオロポリマーが、ペルフルオロエチレンプロピレンコポリマー、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）及び過フッ化共成分からのコポリマー、エチレン及びテトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）のコポリマー、ポリビニリデンフルオリド（ＰＶＤＦ）−コポリマー及びＰＶＤＦ−ホモポリマー、テトラフルオロエチレン及びヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）からのコポリマー、並びにＴＦＥ、ＨＦＰ及びビニリデンフルオリド（ＶＤＦ）単位で形成されたターポリマーからなる群から選択される材料である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の転写装置、又は請求項４に記載のエンボス箔、特にベルト又はシート。
【請求項６】
紫外線源が、光学的可変像が硬化性組成物中にエンボスされる前に硬化性組成物が硬化されないように、適用されるべき光学的可変像が被覆された側に接触するように促される位置で、紫外線を集光するための反射器を更に含む、請求項１から３までの、又は５のいずれか１項に記載の転写装置。
【請求項７】
光学的可変像（光学的可変デバイス）を基材上に形成するための方法であって、
Ａ）硬化性組成物（ワニス）を基材の少なくとも１部に適用する工程；
Ｂ）前記硬化性組成物の少なくとも１部を光学的可変像形成手段に接触させる工程；
Ｃ）前記組成物を硬化する工程；
Ｄ）任意に、高屈折率材料の層及び／又は金属層を硬化された組成物の少なくとも１部に堆積させる工程を含み、その際、前記光学的可変像形成手段が、適用されるべき光学的可変像を有する光学的に透明なフルオロポリマーの光学的に透明なエンボス箔、特にベルト、又はシートを含み、且つ硬化性化合物を乾燥又は硬化する手段を含む、前記方法。
【請求項８】
前記硬化性組成物が１種以上の顔料及び／又は染料を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記基材が透明ではない（不透明の）シート状材料、例えば、紙である、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記硬化性組成物がグラビア又はフレキソ印刷の手段によって堆積される、請求項７から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記硬化性組成物が紫外（Ｕ．Ｖ．）線又は電子ビームによって硬化される、請求項７から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
金属層を、アルミニウム、ステンレス鋼、ニクロム、金、銀、白金及び銅を含む群から選択される１種以上の金属を含む金属インクを堆積させることによって形成する、請求項７から１１までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項４に記載の適用されるべき光学的可変像を有する光学的に透明なフルオロポリマーのエンボス箔、特にベルト、又はシートの製造方法であって、最初のホログラムを光学的に透明なフルオロポリマーに熱的にエンボスすること；又は透明フルオロポリマーシムを生成するために紫外線に同時に曝露させる間にＵＶ硬化性配合物を最初のシムに適用することを含む、前記製造方法。
【請求項１４】
請求項４に記載の適用されるべき光学的可変像を有する光学的に透明なフルオロポリマーのエンボス箔、特にベルト、又はシートを含む、光学的可変像形成手段。
【請求項１５】
押箔の製造方法であって、
（ａ）剥離コーティングでキャリアを被覆する工程、
（ｂ）硬質ラッカーのコーティングを剥離コーティング上に適用する工程、
（ｃ）紫外線プライマーコーティングを硬質ラッカーのコーティング上に適用する工程、
（ｄ）紫外線プライマーコーティングの少なくとも一部と、光学的可変像（光学的可変デバイス）形成手段とを接触させる工程、
（ｅ）任意に、転写された光学的可変デバイスを全体又は一部の領域のいずれかとして保持するＵＶプライマーに透明高屈折率材料の層及び／又は金属層を堆積させる工程、
（ｆ）任意に、続いてプロセスカラーを印刷する工程、及び
（ｇ）加熱活性化接着剤を、工程ｄ）、ｅ）、又はｆ）で得られた層、又はプロセスカラー層の上に適用する工程を含み、その際、光学的可変像形成手段が、適用されるべき光学的可変像を有する光学的に透明なフルオロポリマーの光学的に透明なエンボス箔、特にベルト、又はシートを含み、且つ硬化性化合物を乾燥又は硬化する手段を含む、前記製造方法。
【請求項１６】
製造物品のラベル付け方法であって、
請求項１５に記載の方法によって得られた押箔の加熱活性化接着剤層と前記物品とを接触させる工程；
前記押箔を型押しして前記加熱活性化接着剤層を前記物品へ付着させる工程；及び
前記押箔のキャリアを前記硬質ラッカー層から除去する工程
を含む、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月25日(2013.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スラブ（２ａ，２ｂ）の表面を、圧延ロール域における圧延加工前に研磨し、その際、スラブを、可逆の研磨台（１２ａ，１２ｂ）上に載設させて、研磨室に配置された、研磨機ユニット（Ｉ，ＩＩ）の研磨アセンブリの下側で往復運動させ、表面を研磨加工したあとで直線的に研磨台を研磨室から外方へ移動させ、スラブを、研磨台から持ち上げて反転装置に供給し、その際、スラブ（２ａ，２ｂ）を、反転後に反転装置から取り出して、未加工の別の表面が上側に位置するように研磨台に収容し、次いで、該研磨台を、表面を加工するために新たに研磨室に進入させる、特に連続鋳造により製造されたスラブ（２ａ，２ｂ）を取り扱う装置において、
研磨台（１２ａ，１２ｂ）が載設されたスラブ（２ａ，２ｂ）と共に直線的に移動する少なくとも１つの研磨機ユニット（Ｉ，ＩＩ）の出口付近に、該研磨台（１２ａ，１２ｂ）の移動方向に対して横方向に移動可能なスラブマニピュレータ（９）が配置されており、該スラブマニピュレータ（９）は、研磨台（１２ａ，１２ｂ）の長さをブリッジする走行部枠（１３）を備えており、該走行部枠（１３）に、各端面側で内側に位置し、同期的に駆動される複数の回動部枠（１７ａ，１７ｂ）が設けられており、該回動部枠（１７ａ，１７ｂ）は、それぞれ該回動部枠（１７ａ，１７ｂ）に昇降可能に配置された上下の持上桁（１４ａ，１４ｂ）を介して相互に結合されており、一方の持上桁（１４ａ）は、スラブ表面に下側から係合する支持要素（２１ａ）を備えており、他方の持上桁（１４ｂ）は、反対側のスラブ表面に上側から係合する支持要素（２１ｂ）を備えていることを特徴とする、スラブを取り扱う装置。
【請求項２】
持上桁（１４ａ，１４ｂ）は、相互に独立して昇降可能である、請求項１記載の装置。
【請求項３】
回動部枠（１７ａ，１７ｂ）は、回動駆動装置（１８）により作動させられる回動支承部（１９）でもって、走行部枠（１３）に面して形成されている、請求項１または２記載の装置。
【請求項４】
持上桁（１４ａ，１４ｂ）は、支持要素として、桁長手方向にみて相互にずらした櫛歯状の支持ビーム（２１ａ，２１ｂ）を備えている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
【請求項５】
支持ビーム（２１ａ，２１ｂ）は、相互に重畳して、最大スラブ幅の半分を越えて、かつ最小スラブ幅を越えて延びるように形成されている、請求項４記載の装置。
【請求項６】
持上桁（１４ａ，１４ｂ）は、回動部枠（１７ａ，１７ｂ）のガイド（１６）に配置されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の装置。
【請求項７】
持上桁（１４ａ，１４ｂ）は、ストッパ（２２）を備えており、該ストッパ（２２）に、スラブ（２ａ，２ｂ）の狭幅面が当接する、請求項１から６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項８】
昇降距離を調節するために、回動部枠（１７ａ，１７ｂ）の、持上桁（１４ａ，１４ｂ）に枢着された液圧シリンダ（１５）が設けられている、請求項１から７までのいずれか１項記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スラブの表面を研磨するためにスラブを取り扱う装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、スラブの表面を、圧延ロール域における圧延加工前に研磨し、その際、スラブを、可逆の研磨台上に載設させて、研磨室に配置された、研磨機ユニットの研磨アセンブリの下側で往復運動させ、表面を研磨加工したあとで研磨台を直線的に研磨室から外方へ移動させ、スラブを、研磨台から持ち上げて反転装置に供給し、その際、スラブを、反転後に反転装置から取り出して、未加工の別の表面が上側に位置するように研磨台に収容し、次いで、研磨台を、表面を加工するために新たに研磨室に進入させる、特に連続鋳造により製造されたスラブを取り扱う装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
実際に、連続鋳造された、鋼片から所望の長さに切断されたスラブの表面を、特に広幅面で（選択的には狭幅面でも）圧延ロール域における圧延加工前に、上述のステップに従って研磨することが一般的である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
したがって本発明の課題は、構造上の手間が大きく低減された、極めて簡単な、連続鋳造されたスラブを研磨する際にスラブを取り扱う装置を提供することである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明による装置によれば、研磨台が載設されたスラブと共に直線的に移動する少なくとも１つの研磨機ユニットの出口付近に、研磨台の移動方向に対して横方向に移動可能なスラブマニピュレータが配置されており、スラブマニピュレータは、研磨台の長さにわたって延在する、つまり研磨台の長さをブリッジする走行部枠を備えており、走行部枠に、各端面側で内側に位置し、同期的に駆動される複数の回動部枠が設けられており、回動部枠は、それぞれ回動部枠に昇降可能に配置された上下の持上桁を介して相互に結合されており、一方の持上桁は、スラブ表面に下側から係合する支持要素を備えており、他方の持上桁は、反対側のスラブ表面に上側から係合する支持要素を備えている。両方の持上桁の間でスラブを受け取ったあとで、１つの支持要素がスラブを支持し、これに対してスラブは、別の支持要素の調節により位置決めしながら挟持もしくは緊締される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月6日(2013.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置を通じて流れる液体に固体の形態の可溶性物質を溶解、拡散及び分配する装置であって、
装置は、
上部と底部とを有するコンテナを有し、
コンテナは、コンテナの底部の端部において装置を通じた液体の流れのためのインレット及びアウトレットを有し、
装置は、更に、
コンテナに収容された固体の形態の可溶性物質と接触してインレットからアウトレットまで液体を導く手段を備え、
インレットとアウトレットとの間に画定された流路があり、流路は、コンテナに収容された錠剤に液体を接触するようになっており、
装置は、ライン装置の端部であり、
コンテナの上部は、大気圧に解放されており、
アウトレットは、大気圧に流出する、装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
流路は、液体を錠剤に接触するためにパイプの壁に開口を有するパイプを備える、装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
開口は、パイプの壁に沿って長手方向に延びる、装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちのいずれか一つに記載の装置において、
装置を流れる水に溶解された物質の量を調整するための調整手段を備える、装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
調整手段は、流路に対する障害部からなる、装置。
【請求項６】
請求項５記載の装置において、
流路は、パイプと、パイプに対して移動可能な障害部とを備える、装置。
【請求項７】
請求項６記載の装置において、
障害部は、障害部が流路を障害しない引っ込んだ位置から、障害部が流路を部分的に障害するために流路の中に延びる延びた位置まで移動可能である、装置。
【請求項８】
請求項９記載の装置において、
障害部は、引っ込んだ形態と延びた形態との間の移動のために回転的に取り付けられる、装置。
【請求項９】
請求項８記載の装置において、
障害部は、パイプの壁に回転的に取り付けられたねじからなる、装置。
【請求項１０】
請求項５乃至９のうちのいずれか一つに記載の装置において、
装置は、障害部にアクセスするためのアクセスハウジングを備える、装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置において、
アクセスハウジングは、容器を通じて延びる、装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の装置において、
容器は、錠剤の受け入れのためのチャンバを備え、チャンバは、隔壁によってアクセスハウジングから分離される、装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の装置において、
チャンバを大気圧に維持するために、隔壁とチャンバの上部との間に開口を備える、装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のうちのいずれか一つに記載の装置において、
インレットとアウトレットは、実質的に同軸である、装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のうちのいずれか一つに記載の装置において、
容器は、大気への開口を有する、装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の装置において、
開口は、上部開口である、装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の装置において、
上部開口は、隙間嵌め蓋によって覆われる、装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のうちのいずれか一つに記載の装置において、
インレットは、水供給パイプと結合するようになっている、装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のうちのいずれか一つに記載の装置において、
装置の底部における容器の断面領域は、装置の上部における断面領域より小さい、装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のうちのいずれか一つに記載の装置において、
アウトレットは、下方に向いている、装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の装置において、
アウトレットは、拡張部を備える、装置。
【請求項２２】
請求項２０又は２１記載の装置において、
アウトレットは、下向きに曲がった壁を有する、装置。
【請求項２３】
請求項２２記載の装置において、
下向きに曲がった壁と垂直線とが成す角度は、約４５度である、装置。
【請求項２４】
請求項２０乃至２３のうちのいずれか一つに記載の装置において、
アウトレットは、容器と一体である、装置。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のうちのいずれか一つに記載の装置において、
固体の形態の可溶性物質は、錠剤からなる、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排出流体からのＣＯおよび揮発性有機化合物、特にハロゲン化有機化合物の破壊のための基材上に付着された酸化触媒であって、
該酸化触媒は
その一つがルテニウムまたは白金からなる、少なくとも二種の白金族金属、
ＣｅＯ２およびＺｒＯ２の固溶体からなる耐火性酸化物担持体（該耐火性金属酸化物は酸化触媒の１０〜９５重量％を構成する。）、および
シリカおよび酸化スズの一方または両方を含み、ならびに
該基材は好ましくはハニカム構造またはモノリス構造を持ちおよび該基材はコージェライト、ムライト、鉄−クロム合金およびステンレス鋼よりなる群から製造される酸化触媒。
【請求項２】
二種の白金族金属がルテニウムおよび白金からなり、およびルテニウム対白金の比が２０：１〜１：２０である請求項１記載の酸化触媒。
【請求項３】
耐火性酸化物担持体が、酸化ランタン、酸化セリウム、酸化イットリウム、酸化プラセオジム、酸化ネオジム、およびそれらの混合物よりなる群から選択される希土類金属酸化物の一種以上とブレンドすることにより安定化される請求項１または２記載の酸化触媒。
【請求項４】
酸化触媒が２ｍ２／ｇ〜２００ｍ２／ｇの表面積および１〜２０マイクロメーターの粒径を有する酸化スズを含み、および該酸化スズが酸化触媒の５％〜５０％を構成する請求項１ないし３のいずれか１項に記載の酸化触媒。
【請求項５】
白金族金属が１０〜２００ｇ／ｃｆ（０．３５ｇ／Ｌ〜７．１ｇ／Ｌ）からなる充填量で基材に付着される請求項１ないし４のいずれか１項に記載の酸化触媒。
【請求項６】
酸化触媒は、該酸化触媒の５〜５０重量％を構成するシリカを含み、および該シリカが非晶質シリカ、沈降シリカ、モレキュラーシーブ、ＭＣＭ−４１、ＳＢＡ−１５およびそれらの組合せよりなる群から選択される請求項１ないし５のいずれか１項に記載の酸化触媒。
【請求項７】
酸化触媒が、２００ｍ２／ｇ以上の表面積、１００オングストローム以上の細孔径、０．５〜２０マイクロメーターの粒径をもつ非晶質シリカからなるシリカを含む請求項６記載の酸化触媒。
【請求項８】
排出流体からのＣＯおよび揮発性有機化合物、特にハロゲン化有機化合物の破壊のための、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基材上に付着された酸化触媒の製造方法であって、
ＣｅＯ２およびＺｒＯ２の固溶体、酸化スズおよびシリカの一方または両方を含む、水性混合物スラリーを調製して、混合物を形成し、およびここで該水性混合物スラリーはコロイダルアルミナ、コロイダルシリカ、コロイダルチタン、コロイダルジルコニア、コロイダルセリアおよびそれらの混合物よりなる群から選択されるバインダーとブレンドされ；
該混合物をブレンドし；
基材を該ブレンドした混合物で被覆し；
該被覆された基材を乾燥しおよび焼成し；
該焼成した被覆された基材上に、少なくとも一つが白金またはルテニウムからなる少なくとも二種の白金族金属前駆体材料を付着させ；ならびに
該白金族金属が被覆された基材を乾燥しおよび焼成することからなる製造方法。
【請求項９】
排出流体からのＣＯおよび揮発性有機化合物、特にハロゲン化有機化合物の破壊のための、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基材上の酸化触媒の製造方法であって、
ＣｅＯ２およびＺｒＯ２の固溶体、酸化スズおよびシリカの一方または両方よりなる群から選択される少なくとも一種の成分に、少なくとも二種の貴金属前駆体を付着させて、混合物を作成し、
該混合物をブレンドし；
基材を該ブレンドした混合物で被覆し；
該被覆された基材を乾燥しおよび焼成することからなる製造方法。
【請求項１０】
ＣＯおよびハロゲン化ＶＯＣを含むＶＯＣ、ならびにそれら混合物を含むガス流体を処理する方法であって、
ＣＯおよびハロゲン化ＶＯＣを含むＶＯＣを含むガス流体と酸素を結合させ；そして
前記結合した酸素−ガス流体を２００℃〜５００℃の温度で請求項１ないし７のいずれか１項に記載の基材上の触媒と接触させることからなる方法。
【請求項１１】
ガス状排出流体からの揮発性有機化合物、特にハロゲン化有機化合物の破壊のための請求項１ないし７のいずれか１項に記載の酸化触媒の使用であって、特には２００〜４００ｃｐｓｉ（３０−６０セル毎平方センチメートル）基材のような高セル密度基材とともに使用するための復熱式燃焼装置（ｒｅｃｕｐｅｒａｔｉｖｅ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｏｘｉｄｉｚｅｒ）等で使用するための使用。
【請求項１２】
ガス状排出流体からの揮発性有機化合物、特にハロゲン化有機化合物の破壊のための請求項１ないし７のいずれか１項に記載の酸化触媒の使用であって、特には２００ｃｐｓｉ（３０セル毎平方センチメートル）以下の低セル密度基材とともに、とりわけ１００ｃｐｓｉ（１５セル毎平方センチメートル）以下の基材のために使用するための蓄熱式触媒燃焼装置（ｒｅｇｅｎｅｒａｔｉｖｅ  ｃａｔａｌｙｔｉｃ  ｏｘｉｄｉｚｅｒ）等で使用するための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月28日(2013.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メタノールおよびアンモニアを同時製造するためのプロセスであって、一酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ2）および水素（Ｈ2）から実質的になる合成ガス混合物を、最初に、メタノール貫流式反応装置内である程度反応させ、未反応の合成ガスを第１と第２の流れに分割し、該第１の流れを精製しアンモニア合成区画に供給し、該第２の流れをメタノール合成・精製区画に供給する各工程を有してなるプロセス。
【請求項２】
ａ）  ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2から実質的になる合成ガス混合物をメタノール貫流式反応装置に供給して、メタノール／合成ガス混合物を製造する工程、
ｂ）  工程ａ）の前記混合物を粗製メタノールおよび未反応合成ガスに分離する工程、
ｃ）  工程ｂ）の前記未反応合成ガスを第１と第２の流れに分割する工程、
ｄ）  工程ｃ）の前記第１の流れを合成ガス精製区画に供給して、ＣＯ流、ＣＯ2流およびＨ2流を製造する工程、
ｅ）  工程ｄ）からの前記Ｈ2流をＮ2流と共にアンモニア合成区画に供給して、アンモニア流を製造する工程、
ｆ）  工程ｃ）からの前記第２の流れおよび工程ｄ）からの前記ＣＯ流をメタノールループ式反応装置に供給して、メタノール含有混合物を製造する工程、
ｇ）  前記メタノール含有混合物からの粗製メタノールを分離し、残りのガスを工程ｆ）に再循環する工程、および
ｈ）  工程ｂ）からと工程ｇ）からの前記粗製メタノールをメタノール精製区画に供給して、メタノール流を得る工程、
を有してなることを特徴とする請求項１記載のプロセス。
【請求項３】
ａ”）  空気を空気分離区画に供給して、Ｏ2流およびＮ2流を製造する工程、
ａ’）  複合改質区画において、脱硫炭化水素供給原料を工程ａ”）からのＯ2および水蒸気により改質して、ＣＯ、ＣＯ2およびＨ2から実質的になる合成ガス混合物を製造する工程、
ａ）  工程ａ’）の前記合成ガス混合物をメタノール貫流式反応装置に供給して、メタノール／合成ガス混合物を製造する工程、
ｂ）  工程ａ）の前記混合物を粗製メタノールおよび未反応合成ガスに分離する工程、
ｃ）  工程ｂ）の前記未反応合成ガスを第１と第２の流れに分割する工程、
ｄ）  工程ｃ）の前記第１の流れを合成ガス精製区画に供給して、ＣＯ流、ＣＯ2流およびＨ2流を製造する工程、
ｅ）  工程ｄ）からの前記Ｈ2流を工程ａ”）の前記Ｎ2流と共にアンモニア合成区画に供給して、アンモニア流を製造する工程、
ｆ）  工程ｃ）からの前記第２の流れおよび工程ｄ）からの前記ＣＯ流をメタノールループ式反応装置に供給して、メタノール含有混合物を製造する工程、
ｇ）  前記メタノール含有混合物からの粗製メタノールを分離し、残りのガスを工程ｆ）に再循環する工程、および
ｈ）  工程ｂ）からと工程ｇ）からの前記粗製メタノールをメタノール精製区画に供給して、メタノール流を得る工程、
を有してなることを特徴とする請求項１または２記載のプロセス。
【請求項４】
前記合成ガス混合物が１．９から２．３の化学量論数ＳＮを有することを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のプロセス。
【請求項５】
メタンの豊富な供給原料を水蒸気と混合し、断熱性予備改質装置（ＡＰＲ）に通過させ、該ＡＰＲからの予備改質されたガスを、並列で運転されている、水蒸気メタン改質装置（ＳＭＲ）、ガス加熱改質装置（ＧＨＲ）、および前記酸素と共に自熱改質装置（ＡＴＲ）に供給される３つの流れに分割することを特徴とする請求項３記載のプロセス。
【請求項６】
前記炭化水素供給原料が、少なくとも７５モル％のメタンを含有するメタンの豊富な供給原料であることを特徴とする請求項３または５記載のプロセス。
【請求項７】
前記未反応合成ガスの第１と第２の流れが５０／５０から８０／２０の比率で分割されることを特徴とする請求項１から６いずれか１項記載のプロセス。
【請求項８】
前記第１の流れの前記第２の流れに対する比率が７０／３０であることを特徴とする請求項７記載のプロセス。
【請求項９】
請求項１から８いずれか１項記載のプロセス、および尿素合成区画において、該プロセスにおいて形成されたＣＯ2およびＮＨ3から尿素を製造するその後の工程を含む、メタノールおよび尿素を同時製造するためのプロセス。
【請求項１０】
請求項１から９いずれか１項記載のプロセスにしたがって、合成ガスからメタノールおよびアンモニアを製造するための製造プラントであって、メタノール貫流式反応装置、メタノールループ式反応装置、メタノール精製区画、合成ガス生成区画、およびアンモニア合成区画を備えることを特徴とする製造プラント。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月9日(2013.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸収剤組成物を製造する方法であって、
前記方法が、
（ｉ）支持体を塩基性炭酸銅のスラリーに浸漬し、又は噴霧することにより、銅化合物の層を前記支持体の材料表面上に付与し、
（ｉｉ）被覆された前記支持材料を乾燥することを含んでなり、
前記乾燥した支持体上の銅化合物層の厚さが、１〜２００μｍの範囲である、方法。
【請求項２】
前記銅化合物層の厚さが、１〜１５０μｍ、好ましくは１〜１００μｍ、より好ましくは１〜５０μｍの範囲である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記吸収剤が、０．５〜２０重量％の銅を含んでなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記支持材料が、アルミナ、水和アルミナ、チタニア、ジルコニア、シリカもしくはアルミノシリケート、またはこれらのうちの２種以上の混合物を含んでなる、請求項１〜３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記支持体が、発泡体、モノリスまたはハニカムの形態、或いは構造体化パッキング上の被覆物の形態である、請求項１〜４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記支持体が、それを介して延びる２〜１０のホールを有する円筒体、球状体、リング状体、三分葉体および四分葉体からなる群より選択される成形微粒子単体の形態である、請求項１〜５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記支持体が、１０〜３３０ｍ２・ｇ−１のＢＥＴ表面積と、および０．３〜０．９ｃｍ３・ｇ−１の範囲の孔隙体積を有してなる、請求項１〜６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記スラリーのｐＨが、５〜９の範囲にある、請求項１〜７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記乾燥および被覆された支持体を焼成し、銅化合物を酸化銅（ＩＩ）に転換することをさらに含んでなる、請求項１〜８の何れか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記層に１種以上の硫黄化合物を塗布し、
前記銅を硫化し、硫化銅（ＩＩ）を形成することをさらに含んでなる、請求項１〜９の何れか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記硫黄化合物が、硫化水素である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法により得られる、吸収剤前駆体組成物。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載の方法により得られる吸収剤前駆体組成物であって、
支持材料の表面上にＣｕＳを含む層の形態において、硫化された銅化合物を含んでなる、組成物。
【請求項１４】
プロセス流体から重金属を除去する方法であって、
前記流体を、請求項１２に記載の吸収剤組成物、又は請求項１〜１１の何れか一項に記載の方法により製造された吸収剤組成物と接触することを含んでなり、
前記流体が、１種以上の硫黄化合物、好ましくは硫化水素を含んでなる、方法。
【請求項１５】
プロセス流体から重金属を除去する方法であって、
前記流体を、請求項１３に記載の吸収剤、又は請求項１０または１１に記載の方法により製造された吸収剤と接触させることを含んでなる、方法。