(57)【要約】【課題】  厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を均一に加熱すること。【解決手段】  第１主面１２にフォトレジスト１８が塗布されている半導体基板１０を第２主面１４の側から加熱する。半導体基板１０の第２主面１４には、凸部１４ａと凹部１４ｂが形成されている。半導体基板１０の厚い部分１６ａの表面を加熱することが開始される。このとき、半導体基板１０の薄い部分１６ｂの表面は加熱されない。この状態が所定時間維持される。次いで、半導体基板１０の薄い部分１６ｂの表面を加熱することが開始される。その後、厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂの両方が加熱されることが維持される。【選択図】  図１
2008135487.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱処理された半導体基板を製造する方法であり、
厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を用意する工程と、
半導体基板の厚い部分の表面を加熱する第１加熱工程と、
半導体基板の薄い部分の表面を加熱する第２加熱工程とを備え、
第１加熱工程を先に開始し、第２加熱工程を後に開始することを特徴とする半導体基板製造方法。
【請求項２】
第２加熱工程を開始した後も、第１加熱工程を継続することを特徴とする請求項１の半導体基板製造方法。
【請求項３】
半導体基板の厚い部分の前記表面に近接した位置に第１ホットプレートを配置するとともに、半導体基板の薄い部分の前記表面から離反した位置に第２ホットプレートを配置することによって、第２加熱工程を実行せずに第１加熱工程を実行し、
半導体基板の薄い部分の前記表面に近接した位置に第２ホットプレートを配置することによって、第２加熱工程を実行することを特徴とする請求項１又は２の半導体基板製造方法。
【請求項４】
前記用意工程では、フォトレジストが塗布されている半導体基板を用意することを特徴とする請求項１から３のいずれかの半導体基板製造方法。
【請求項５】
前記用意工程では、フラットな第１主面にフォトレジストが塗布されているとともに第２主面に凹凸が形成されている半導体基板を用意し、
第１加熱工程では、半導体基板の第２主面の凸部を加熱し、
第２加熱工程では、半導体基板の第２主面の凹部を加熱することを特徴とする請求項４の半導体基板製造方法。
【請求項６】
加熱処理された半導体基板を製造する方法であり、
厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を用意する工程と、
半導体基板の厚い部分の表面を高温で加熱する高温加熱工程と、
半導体基板の薄い部分の表面を低温で加熱する低温加熱工程とを備える半導体基板製造方法。
【請求項７】
厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を加熱する装置であり、
半導体基板の厚い部分の表面を加熱する第１加熱装置と、
半導体基板の薄い部分の表面を加熱する第２加熱装置と、
第１加熱装置が半導体基板の厚い部分の前記表面を加熱することを先に開始し、第２加熱装置が半導体基板の薄い部分の前記表面を加熱することを後に開始するように、第１加熱装置と第２加熱装置を制御する制御装置とを備える半導体基板加熱装置。
【請求項８】
第１加熱装置は、第１ホットプレートであり、
第２加熱装置は、第２ホットプレートであり、
第１ホットプレートと第２ホットプレートは、同じ熱源によって加熱されることを特徴とする請求項７の半導体基板加熱装置。
【請求項９】
第１ホットプレートは、第１位置と第２位置の間を移動可能であり、
第１ホットプレートが第１位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の前記表面に近接しているとともに、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の前記表面から離反しており、
第１ホットプレートが第２位置に位置している場合は、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の前記表面に近接しており、
制御装置は、第１ホットプレートが第１位置に位置している状態を第１所定時間維持し、その後に第１ホットプレートを第１位置から第２位置に移動させ、第１ホットプレートが第２位置に位置している状態を第２所定時間維持することを特徴とする請求項８の半導体基板加熱装置。
【請求項１０】
第１ホットプレートが第１位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の前記表面に接触して半導体基板を支持することを特徴とする請求項９の半導体基板加熱装置。
【請求項１１】
第１ホットプレートが第２位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の前記表面に近接しているとともに、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の前記表面に近接していることを特徴とする請求項９又は１０の半導体基板加熱装置。
【請求項１２】
フォトレジストが塗布されている半導体基板を加熱することを特徴とする請求項７から１１のいずれかの半導体基板加熱装置。
【請求項１３】
フラットな第１主面にフォトレジストが塗布されているとともに第２主面に凹凸が形成されている半導体基板を加熱する請求項１２の半導体基板加熱装置であり、
第１加熱装置は、半導体基板の第２主面の凸部を加熱し、
第２加熱装置は、半導体基板の第２主面の凹部を加熱することを特徴とする半導体基板加熱装置。
【請求項１４】
厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を加熱する装置であり、
半導体基板の厚い部分の表面を高温で加熱する高温加熱装置と、
半導体基板の薄い部分の表面を低温で加熱する低温加熱装置とを備える半導体基板加熱装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板を加熱するための技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板を製造するための様々な工程において、半導体基板が加熱される。例えば、フォトリソグラフィを利用して半導体基板上にレジストパターンを形成する場合、半導体基板の第１主面にフォトレジストが塗布された後に、その半導体基板の第２主面を加熱（プリベーク）することがある。また、フォトレジストを露光してパターンを形成した後に、半導体基板の第２主面を加熱（露光後ベーク）することがある。また、露光されたパターンを現像した後に、半導体基板の第２主面を加熱（ポストベーク）することがある。
これらの加熱処理では、半導体基板の第２主面を加熱することによって、半導体基板の第１主面に塗布されているフォトレジストを間接的に加熱する。半導体基板の第１主面側に加熱装置を配置してフォトレジストを直接的に加熱すると、加熱されたフォトレジストから発生する気体が加熱装置に入り込み易く、加熱装置が故障する可能性がある。フォトレジストが塗布されていない第２主面側に加熱装置を配置してフォトレジストを間接的に加熱する方法を採用すると、フォトレジストから発生する気体が加熱装置に入り込み難くなり、加熱装置が故障し難い。
なお、下記の特許文献１には、フォトレジストが塗布された半導体基板を加熱するための装置が開示されている。
【０００３】
フォトリソグラフィを利用してレジストパターンを形成する際に実行される加熱処理では、フォトレジストの一部が目標温度に到達するタイミングと、フォトレジストの他の部分が目標温度に到達するタイミングとの間に時間差があると、レジストパターンを精度よく形成することができないことが知られている（例えば特許文献１の段落「０００２」参照）。このために、半導体基板の第１主面（フォトレジストが塗布されている面）の各領域が時間差なく目標温度に到達するように半導体基板を加熱する必要がある。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３２３３７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、半導体基板に対する加熱処理においては、目標温度まで昇温させたい部分（以下では「目標部分」と呼ぶ。上記の例の場合は、フォトレジストが塗布されている第１主面が目標部分である。）の各領域が時間差なく目標温度に到達することが求められることがある。
本発明者らは、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を開発している。このような形状を有する半導体基板を加熱する場合、厚い部分は昇温し難く、薄い部分は昇温し易いために、目標部分の各領域を時間差なく目標温度に到達させるのが特に難しい。
【０００６】
本発明は、上記した実情に鑑みてなされたものであり、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を加熱するための技術を提供する。この技術では、半導体基板の目標部分の各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの形態は、加熱処理された半導体基板を製造する方法である。この方法は、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を用意する工程と、半導体基板の厚い部分の表面を加熱する第１加熱工程と、半導体基板の薄い部分の表面を加熱する第２加熱工程とを備える。この方法では、第１加熱工程を先に開始し、第２加熱工程を後に開始する。
上記の「半導体基板の厚い部分（又は薄い部分）の表面を加熱する」とは、半導体基板の外部から厚い部分（薄い部分）の表面に向けて熱を与えることを意味している。即ち、薄い部分（又は厚い部分）からの伝熱によって厚い部分（又は薄い部分）の表面が加熱されることは、「半導体基板の厚い部分（又は薄い部分）の表面を加熱する」ことに含まれないことを意味している。
半導体基板の厚い部分と薄い部分を同じ温度で同時に加熱開始すると、昇温し易い薄い部分が先に目標温度に到達し、昇温し難い厚い部分が後で目標温度に到達する。これを避けるために、本方法では、半導体基板の厚い部分の表面を加熱すること（第１加熱工程）を先に開始し、薄い部分の表面を加熱すること（第２加熱工程）を後で開始する。即ち、昇温し難い厚い部分がある程度昇温された後に、昇温し易い薄い部分が加熱される。このために、半導体基板の厚い部分と薄い部分を同じ温度で同時に加熱開始する場合と比べて、厚い部分と薄い部分が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
【０００８】
なお、第２加熱工程を開始する前（もしくは第２加熱工程を開始するのと同時）に第１加熱工程を終了してもよいし、第２加熱工程を開始した後も第１加熱工程を継続してもよい。前者の場合、第２加熱工程によって半導体基板の薄い部分が昇温するとともに、薄い部分から厚い部分に伝熱することによって厚い部分も昇温する。後者の場合、第２加熱工程が開始されると、第１加熱工程と第２加熱工程が並行して実行される。第１加熱工程によって半導体基板の厚い部分が昇温し、第２加熱工程によって半導体基板の薄い部分が昇温する。上記したいずれの場合であっても、半導体基板の厚い部分と薄い部分を同じ温度で同時に加熱開始する場合と比べて、厚い部分と薄い部分が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
なお、第１加熱工程と第２加熱工程を同時に終了してもよいし、第１加熱工程と第２加熱工程を異なるタイミングで終了してもよい。
【０００９】
上記の第１加熱工程と第２加熱工程は、様々なタイプの加熱装置を利用して実行することができる。例えば、バーナや電磁ヒータ等を利用して実行してもよい。また、例えば、一対のホットプレートを利用して第１加熱工程と第２加熱工程を実行してもよい。この場合、半導体基板の厚い部分の表面に近接した位置に第１ホットプレートを配置するとともに、半導体基板の薄い部分の表面から離反した位置に第２ホットプレートを配置することによって、第２加熱工程を実行せずに第１加熱工程を実行してもよい。また、半導体基板の薄い部分の表面に近接した位置に第２ホットプレートを配置することによって、第２加熱工程を実行してもよい。
【００１０】
上記の方法は、フォトレジストが塗布されている半導体基板を加熱する際に好適に利用することができる。フォトレジストが塗布されている半導体基板は、フラットな第１主面にフォトレジストが塗布されているとともに第２主面に凹凸が形成されていてもよい。この場合、第１加熱工程では、半導体基板の第２主面の凸部を加熱する。第２加熱工程では、半導体基板の第２主面の凹部を加熱する。
第２主面に凹凸が形成されているために、半導体基板は、厚い部分（凸部に対応する部分）と薄い部分（凹部に対応する部分）を有する。この方法では、半導体基板の第２主面（凹部及び凸部）が加熱されることによって、第１主面に塗布されているフォトレジストが間接的に加熱される。昇温し難い厚い部分（凸部）が先に加熱され、昇温し易い薄い部分（凹部）が後から加熱される。半導体基板の第１主面の各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。このために、第１主面に塗布されているフォトレジストの各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
【００１１】
次の半導体基板製造方法によっても、半導体基板の目標部分の各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。この方法は、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を用意する工程と、半導体基板の厚い部分の表面を高温で加熱する高温加熱工程と、半導体基板の薄い部分の表面を低温で加熱する低温加熱工程とを備える。
この方法によると、昇温し難い厚い部分が高温で加熱され、昇温し易い薄い部分が低温で加熱される。このために、厚い部分と薄い部分が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
なお、この方法の場合、高温加熱工程と低温加熱工程は、同時に開始してもよいし、異なるタイミングで開始してもよい。
【００１２】
本発明の一つの形態は、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板を加熱する装置である。この半導体基板加熱装置は、半導体基板の厚い部分の表面を加熱する第１加熱装置と、半導体基板の薄い部分の表面を加熱する第２加熱装置と、制御装置とを備える。制御装置は、第１加熱装置が半導体基板の厚い部分の表面を加熱することを先に開始し、第２加熱装置が半導体基板の薄い部分の表面を加熱することを後に開始するように、第１加熱装置と第２加熱装置を制御する。
この装置を利用すると、昇温し難い厚い部分の表面を加熱することが先に開始され、昇温し易い薄い部分の表面を加熱することが後で開始される。このために、半導体基板の厚い部分と薄い部分が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
【００１３】
第１加熱装置と第２加熱装置には、様々なタイプの加熱装置を利用することができる。例えば、バーナや電磁ヒータ等を利用することができる。また、例えば、第１加熱装置は、第１ホットプレートであってもよい。第２加熱装置は、第２ホットプレートであってもよい。この場合、第１ホットプレートと第２ホットプレートは、同じ熱源によって加熱されてもよい。
【００１４】
第１ホットプレートは、第１位置と第２位置の間を移動可能であってもよい。この場合、第１ホットプレートの位置によって、各ホットプレートと半導体基板の間の位置関係が決定されてもよい。
例えば、第１ホットプレートが第１位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の表面に近接しているとともに、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の表面から離反している。この場合、第１ホットプレートは、半導体基板の厚い部分の表面を加熱することができる。しかしながら、第２ホットプレートは、半導体基板の薄い部分から離れた位置にあるために、半導体基板の薄い部分の表面を加熱することができない。
また、例えば、第１ホットプレートが第２位置に位置している場合は、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の表面に近接している。この場合、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の表面を加熱することができる。なお、第１ホットプレートが第２位置に位置している場合に、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の表面に近接しているとともに、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分の表面に近接していてもよい。この場合、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分を加熱し、第２ホットプレートが半導体基板の薄い部分を加熱する。
制御装置は、第１ホットプレートが第１位置に位置している状態を第１所定時間維持し、その後に第１ホットプレートを第１位置から第２位置に移動させ、第１ホットプレートが第２位置に位置している状態を第２所定時間維持してもよい。このようにすると、半導体基板の厚い部分の表面を加熱することを先に開始し、半導体基板の薄い部分の表面を加熱することを後で開始することができる。
【００１５】
第１ホットプレートが第１位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板の厚い部分の表面に接触して半導体基板を支持してもよい。第１ホットプレートが第２位置に位置している場合は、第１ホットプレートが半導体基板に接触してもよいし、接触しなくてもよい。
一方において、第１位置と第２位置のいずれに位置している場合でも、第１ホットプレートは半導体基板に接触しなくてもよい。
【００１６】
上記の装置は、フォトレジストが塗布されている半導体基板を加熱する際に好適に利用することができる。フォトレジストが塗布されている半導体基板は、フラットな第１主面にフォトレジストが塗布されているとともに第２主面に凹凸が形成されていてもよい。この場合、第１加熱装置は、半導体基板の第２主面の凸部を加熱する。第２加熱装置は、半導体基板の第２主面の凹部を加熱する。
この装置では、半導体基板の第２主面（凹部及び凸部）が加熱されることによって、第１主面に塗布されているフォトレジストが間接的に加熱される。昇温し難い厚い部分（凸部）が先に加熱され、昇温し易い薄い部分（凹部）が後から加熱される。このために、第１主面に塗布されているフォトレジストの各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
【００１７】
次の半導体基板加熱装置を利用しても、厚い部分と薄い部分を有する半導体基板の目標部分の各領域が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。この半導体基板加熱装置は、半導体基板の厚い部分の表面を高温で加熱する高温加熱装置と、半導体基板の薄い部分の表面を低温で加熱する低温加熱装置とを備える。
この装置によると、昇温し難い厚い部分が高温で加熱され、昇温し易い薄い部分が低温で加熱される。このために、厚い部分と薄い部分が目標温度に到達するタイミングに時間差が生じることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
ここでは、以下の実施例に記載されている特徴を列記しておく。
（形態１）半導体基板は、第２主面の中央部に凹部が形成されている。この結果、第２主面の周縁部が凸形状になる。
（形態２）半導体基板は、加熱ユニットによって加熱される。加熱ユニットは、センターホットプレートとサイドホットプレートを有する。サイドホットプレートは、センターホットプレートに対して上下に移動可能である。サイドホットプレートが上昇位置にある場合、サイドホットプレートが半導体基板の凸部を加熱し、センターホットプレートが半導体基板の凹部を加熱しない。サイドホットプレートが下降位置にある場合、センターホットプレートが半導体基板の凹部を加熱する。
（形態３）サイドホットプレートが上昇位置にある場合、サイドホットプレートが半導体基板の凸部に接触する。
（形態４）サイドホットプレートが下降位置にある場合、サイドホットプレートと半導体基板の凸部との間に隙間が存在する。
（形態５）サイドホットプレートが下降位置にある場合、センターホットプレートと半導体基板の凹部との間に隙間が存在する。この隙間を形成するために、センターホットプレートの上面にスペーサ部材が配置されている。
【００１９】
（形態６）加熱ユニットは、１つのホットプレートを有する。このホットプレートは、２つの熱源を内蔵している。一方の熱源は、半導体基板の厚い部分の表面（第２主面の凸部）に対向する位置に配置されている。他方の熱源は、半導体基板の薄い部分の表面（第２主面の凹部）に対向する位置に配置されている。制御装置は、一方の熱源を先にＯＮし、他方の熱源を後でＯＮする（第２実施例）。
（形態７）上記の形態６において、一方の熱源は、他方の熱源より高温である（第３実施例）。
（形態８）加熱ユニットは、１つのホットプレートを有する。このホットプレートは、１つの熱源を内蔵している。半導体基板の厚い部分の表面（第２主面の凸部）とホットプレートとの間の距離は小さく、半導体基板の薄い部分の表面（第２主面の凹部）とホットプレートとの間の距離は大きい。この形態によると、ホットプレートの各部の温度は同じであっても、半導体基板の厚い部分の表面を高温で加熱し、半導体基板の薄い部分の表面を低温で加熱することができる（第４実施例）。
（形態９）加熱ユニットは、センターホットプレートとサイドホットプレートを有する。センターホットプレートは、第１熱源を内蔵している。サイドホットプレートは、第２熱源を内蔵している。第２熱源は、第１熱源より高温である。
サイドホットプレートは、センターホットプレートに対して上下に移動可能である。サイドホットプレートが下降位置にある場合、サイドホットプレートの上面は、センターホットプレートの上面より下方に位置している。この状態では、サイドホットプレートの上面と半導体基板の厚い部分の表面（第２主面の凸部）との間の距離は、センターホットプレートの上面と半導体基板の薄い部分の表面（第２主面の凹部）との間の距離よりも大きくなる（第５実施例）。
【実施例】
【００２０】
（第１実施例）
図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１は、本実施例において加熱処理される半導体基板１０の断面図を簡単に示す。
半導体基板（ウェハ）１０は、シリコン材料によって構成されている。半導体基板１０は、後述する加熱ユニット２０によって加熱される。半導体基板１０は、不純物がドープされた後に加熱されてもよいし、不純物がドープされる前に加熱されてもよい。半導体基板１０は、平面視すると略円形状である。半導体基板１０は、非常に薄い（図１の上下方向の長さが小さい）。
半導体基板１０は、第１主面（図１の上面）１２と、第２主面（図１の下面）１４を有する。第１主面１２は、ほぼフラットである。第２主面１４は、その中央に略円形状の凹部１４ｂが形成されている。この結果、第２主面１４の周縁部には、リング状の凸部１４ａが形成されている。第２主面１４に凹凸が形成されているために、半導体基板１０は、厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂを有することになる。
【００２１】
本実施例の半導体基板１０の場合、薄い部分１６ｂに対して様々な処理（不純物のドープ等）が行なわれる。仮に、半導体基板１０の第２主面１４の全域が薄い部分１６ｂの厚みでフラットである場合（即ち凸部１４ａが存在しない場合）、半導体基板１０の全体が薄くなり、半導体基板１０の強度が低下する。強度を確保するために、半導体基板１０には、処理が施される薄い部分１６ｂの周囲に厚い部分１６ａが設けられている。
半導体基板１０の凸部１４ａは、後工程において切削される。従って、半導体基板１０の第２主面１４は、最終的にはフラットになる。
【００２２】
半導体基板１０の第１主面１２には、フォトリソグラフィによってレジストパターンが形成される。レジストパターンを形成するために、半導体基板１０の第１主面１２には、フォトレジスト１８が塗布されている。フォトレジスト１８は、感光性の樹脂である。フォトレジスト１８は、半導体基板１０の厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂの両方に跨って塗布されている。
フォトレジスト１８を塗布する工程と、プリベーク工程と、露光工程と、露光後ベーク工程と、現像工程と、ポストベーク工程とを経て、半導体基板１０の第１主面１２にレジストパターンが形成される。以下で説明する加熱処理は、プリベーク工程と露光後ベーク工程とポストベーク工程のいずれに利用されてもよい。
【００２３】
図２は、加熱ユニット２０の一部断面図を示す。また、図２には、加熱ユニット２０を構成する一部の要素とそれを制御するコントローラのブロック図も示されている。
加熱ユニット２０は、センターホットプレート２２とサイドホットプレート２４と電磁ヒータ２６とプロキシミティボール２８ａ，２８ｂ等を有する。
センターホットプレート２２は、平面視すると略円形状である。センターホットプレート２２の上面の中央部２３ａは、上方に突出している。この結果、センターホットプレート２２の上面の周縁部２３ｂは、中央部２３ａよりも低くなっている。中央部２３ａは、平面視すると略円形状である。周縁部２３ｂは、平面視するとリング形状である。中央部２３ａの平面形状は、半導体基板１０の凹部１４ｂの平面形状にほぼ一致する。
【００２４】
サイドホットプレート２４は、平面視するとリング形状である。サイドホットプレート２４は、センターホットプレート２２の周縁部２３ｂの上方に配置されている。サイドホットプレート２４の厚み（図２の上下方向の長さ）は、センターホットプレート２２の中央部２３ａの上面と周縁部２３ｂの上面との間の距離にほぼ等しい。図２の状態では、センターホットプレート２２の中央部２３ａの上面と、サイドホットプレート２４の上面が、ほぼ同じ高さに位置している。
なお、図２では、センターホットプレート２２とサイドホットプレート２４の間に隙間が形成されているように見えるが、両ホットプレート２２，２４は接触している。
【００２５】
センターホットプレート２２とサイドホットプレート２４は、熱伝導性に優れた材料によって形成されている。センターホットプレート２２の内部には、電磁ヒータ２６が内蔵されている。電磁ヒータ２６が加熱されると、センターホットプレート２２が加熱される。サイドホットプレート２４には、ヒータが内蔵されていない。サイドホットプレート２４は、センターホットプレート２２からの伝熱によって加熱される。
【００２６】
センターホットプレート２２の中央部２３ａの上面には、複数のプロキシミティボール２８ａ，２８ｂが配置されている。各プロキシミティボール２８ａ，２８ｂは、半球形状を有する。プロキシミティボール２８ａ，２８ｂの厚み（図２の上下方向の長さ）は、半導体基板１０の凸部１４ａの下面と凹部１４ｂの下面との間の距離より大きい。
プロキシミティボール２８ａ，２８ｂは、熱伝導率の低い材料によって構成される。プロキシミティボール２８ａ，２８ｂは、例えば、セラミックによって構成される。
図２では、２つのプロキシミティボール２８ａ，２８ｂしか見えないが、実際はより多数のプロキシミティボールがセンターホットプレート２２に配置されている。
【００２７】
センターホットプレート２２には、複数の貫通孔２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄが形成されている。
貫通孔２２ａ，２２ｂは、センターホットプレート２２の中央部２３ａを上下方向に伸びている。加熱ユニット２０は、ピン３２ａ，３２ｂを有する。ピン３２ａは、貫通孔２２ａに挿入されている。ピン３２ａは、貫通孔２２ａに沿って上下方向に移動可能である。ピン３２ｂは、貫通孔２２ｂに挿入されている。ピン３２ｂは、貫通孔２２ｂに沿って上下方向に移動可能である。
貫通孔２２ｃ，２２ｄは、センターホットプレート２２の周縁部２３ｂを上下方向に伸びている。加熱ユニット２０は、ピン３４ａ，３４ｂを有する。ピン３４ａは、貫通孔２２ｃに挿入されている。ピン３４ａは、貫通孔２２ｃに沿って上下方向に移動可能である。ピン３４ａの上端にサイドホットプレート２４が固定されている。ピン３４ｂは、貫通孔２２ｄに挿入されている。ピン３４ｂは、貫通孔２２ｄに沿って上下方向に移動可能である。ピン３４ｂの上端にサイドホットプレート２４が固定されている。
なお、図２では、４つの貫通孔２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと４つのピン３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂしか見えないが、実際はより多数の貫通孔とピンがセンターホットプレート２２に配置されている。
【００２８】
加熱ユニット２０は、ピン移動装置４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂを有する。ピン移動装置４２ａは、ピン３２ａの下端に接続されている。同様に、他のピン移動装置４２ｂ，４４ａ，４４ｂのそれぞれは、対応するピン３２ｂ，３４ａ，３４ｂの下端に接続されている。ピン移動装置４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂは、例えば油圧シリンダであり、ピン３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂを上下に移動させる。
【００２９】
上記した電磁ヒータ２６とピン移動装置４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂは、コントローラ５０に接続されている。コントローラ５０は、予め設定されたプログラム（又は作業者によって入力された命令）に従って、電磁ヒータ２６とピン移動装置４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂの動作を制御する。これにより、半導体基板１０が加熱される。以下では、半導体基板１０を加熱する処理を順に説明していく。
【００３０】
（１）予熱処理
コントローラ５０は、電磁ヒータ２６をＯＮする。これにより、センターホットプレート２２とサイドホットプレート２４が加熱される。センターホットプレート２２とサイドホットプレート２４は、同じ電磁ヒータ２６によって加熱されるために、同じ温度に維持される。
【００３１】
（２）内部ピン上昇処理
コントローラ５０は、ピン移動装置４２ａ，４２ｂを駆動して、ピン３２ａ，３２ｂを上昇させる。これにより、図３の状態になる。図３の状態では、サイドホットプレート２４が下方に位置している。以下では、この位置を「下降位置」と呼ぶ。
第１主面１２にフォトレジスト１８が塗布された半導体基板１０が用意される。半導体基板１０は、ピン３２ａ，３２ｂによって支持される。半導体基板１０の凹部１４ｂがセンターホットプレート２２の中央部２３ａに対向するように、半導体基板１０が位置合わせされる。なお、図３の状態では、両ホットプレート２２，２４が半導体基板１０から大きく離反している位置にあるために、半導体基板１０は加熱されない。
【００３２】
（３）サイドホットプレート上昇処理
コントローラ５０は、ピン移動装置４４ａ，４４ｂを駆動して、ピン３４ａ，３４ｂを上昇させる。これにより、サイドホットプレート２４が上昇する。サイドホットプレート２４は、半導体基板１０の凸部１４ａの下面に接触する。
次いで、コントローラ５０は、ピン移動装置４２ａ，４２ｂを駆動して、ピン３２ａ，３２ｂを下降させる。これにより、図４の状態になる。図４の状態では、サイドホットプレート２４が半導体基板１０を支持している。なお、以下では、サイドホットプレート２４の図４の位置を「上昇位置」と呼ぶ。
図４の状態では、高温に加熱されたサイドホットプレート２４が、半導体基板１０の凸部１４ａの下面に接触している。このために、半導体基板１０の凸部１４ａが加熱される。半導体基板１０の厚い部分１６ａ（図１参照）が昇温する。図４の状態では、センターホットプレート２２と半導体基板１０の間に大きな隙間が形成されている。このために、半導体基板１０の凹部１４ｂは、センターホットプレート２２によって加熱されない。
サイドホットプレート２４は、上昇位置で所定時間維持される。例えば、３〜５秒間維持される。
【００３３】
（４）サイドホットプレート下降処理
コントローラ５０は、ピン移動装置４４ａ，４４ｂを駆動して、ピン３４ａ，３４ｂを下降させる。これにより、サイドホットプレート２４が下降位置まで移動し、図５の状態になる。図５の状態では、プロキシミティボール２８ａ，２８ｂが半導体基板１０を支持している。
センターホットプレート２２の中央部２３ａと半導体基板１０の凹部１４ｂとの間に隙間が形成されている。この隙間は非常に小さい。このために、センターホットプレート２２の中央部２３ａは、半導体基板１０の凹部１４ｂを加熱することができる。半導体基板１０の薄い部分１６ｂ（図１参照）が昇温する。
サイドホットプレート２４と半導体基板１０の凸部１４ａとの間にも隙間が形成されている。この隙間も非常に小さい。このために、サイドホットプレート２４は、半導体基板１０の凸部１４ａを加熱することができる。半導体基板１０の厚い部分１６ａ（図１参照）が昇温する。図５の状態では、半導体基板１０の凸部１４ａと凹部１４ｂの両方が加熱される。なお、プロキシミティボール２８ａ，２８ｂは熱伝導率の低い材料によって構成されているために、プロキシミティボール２８ａ，２８ｂは低温に維持されている。このために、プロキシミティボール２８ａ，２８ｂに接触している部分（凹部１４ｂ）が高温で加熱されることが防止される。
図５の状態が所定時間維持される。例えば、９０〜１２０秒間維持される。その後、加熱ユニット２０から半導体基板１０が取り除かれ、加熱処理が終了する。半導体基板１０の凸部１４ａを加熱する処理と凹部１４ｂを加熱する処理は同時に終了する。
【００３４】
図６は、上記の加熱処理において半導体基板１０の第１主面１２の温度が変化していく様子を示す。図６の実線は、半導体基板１０の薄い部分１６ｂの上面（第１主面１２）の温度変化を示す。図６の一点鎖線は、半導体基板１０の厚い部分１６ａの上面（第１主面１２）の温度変化を示す。
半導体基板１０の凸部１４ａが最初に加熱される（図４参照）。このとき、半導体基板１０の凹部１４ｂは加熱されない。このために、加熱処理が開始されてからしばらくの間は、厚い部分１６ａが昇温し、薄い部分１６ｂが昇温しない。実際は、厚い部分１６ａからの伝熱によって薄い部分１６ｂも昇温するが、その程度は無視できるほど小さい。
厚い部分１６ａがある程度昇温した後に、凹部１４ｂの加熱が開始される（図５参照）。これにより、半導体基板１０の凸部１４ａと凹部１４ｂが同時に加熱される。厚い部分１６ａは、薄い部分１６ｂと比べて昇温し難い。このために、厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂの両方を同じ温度（両ホットプレート２２，２４の温度は同じである）で加熱すると、厚い部分１６ａは緩やかに昇温し、薄い部分１６ｂは素早く昇温する。ただし、薄い部分１６ｂを加熱開始する時点では、厚い部分１６ａは薄い部分１６ｂより高温である。このために、厚い部分１６ａが薄い部分１６ｂより昇温し難くても、厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度Ｔｔに到達するタイミングは、ほぼ同じになる。本実施例では、厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面は、時間ｔで目標温度Ｔｔに到達する。
図６から明らかなように、目標温度Ｔｔに到達した後も、半導体基板１０の凸部１４ａと凹部１４ｂを加熱することが続けられる。即ち、時間ｔと時間ｔｅの間は、目標温度Ｔｔが維持された状態で半導体基板１０（及びフォトレジスタ１８）が加熱され続ける。
【００３５】
図７は、半導体基板１０の厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂを加熱することを同時に開始した場合のグラフを示す。即ち、半導体基板１０を最初から図５の状態で加熱する場合のグラフを示す。
図７から明らかなように、半導体基板１０の薄い部分１６ｂの上面が時間ｔ１で目標温度Ｔｔに到達し、厚い部分１６ａの上面が時間ｔ２で目標温度Ｔｔに到達する。即ち、フォトレジスト１８の一部が先に目標温度Ｔｔに到達し、残りの部分が後に目標温度Ｔｔに到達する。この場合、フォトレジストに悪影響がでる。例えば、フォトレジストの厚みが変わってしまったり、フォトレジストに含まれる感光剤が均一に分散しなかったりする。この場合、レジストパターンを精度よく形成することができない。
これに対し、本実施例の場合、厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度Ｔｔに到達するタイミングが同じである（図６参照）。このために、フォトレジスト１８の全域がほぼ同時に目標温度Ｔｔに到達することになる。レジストパターンを精度よく形成することができる。
【００３６】
また、本実施例では、フォトレジスト１８が塗布されている第１主面１２の反対面１４を加熱ユニット２０が加熱する。フォトレジスト１８の上方に加熱装置が存在しない。このために、加熱されたフォトレジスト１８から発生する気体が加熱ユニット２０に入り込むことがほとんどなく、加熱ユニット２０が故障する可能性が極めて低い。また、フォトレジスト１８の上方が開放されているために、気体を効率的に排気することができる。
【００３７】
（第２実施例）
図８を参照して、本発明の第２実施例を説明する。図８は、半導体基板１０と加熱ユニット１２０の断面図を簡単に示す。
半導体基板１０とフォトレジスト１８は、第１実施例と同じ構成を有する。加熱ユニット１２０は、ホットプレート１２２と電磁ヒータ１２４，１２６を有する。本実施例では、１つのホットプレート１２２が利用される。
ホットプレート１２２の周縁部には、電磁ヒータ１２４が配置されている。電磁ヒータ１２４は、半導体基板１０の凸部１４ａに対向する領域に配置されている。従って、電磁ヒータ１２４は、平面視するとリング形状を有する。
ホットプレート１２２の中央部には、電磁ヒータ１２６が配置されている。電磁ヒータ１２６は、半導体基板１０の凹部１４ｂに対向する領域に配置されている。
【００３８】
各電磁ヒータ１２４，１２６は、コントローラ１５０に接続されている。コントローラ１５０は、各電磁ヒータ１２４，１２６を独立して制御することができる。即ち、コントローラ１５０は、電磁ヒータ１２４のＯＮ／ＯＦＦと加熱温度を制御することができるとともに、電磁ヒータ１２６のＯＮ／ＯＦＦと加熱温度を制御することができる。
【００３９】
半導体基板１０がプロキシミティボール１２８ａ，１２８ｂに支持されている状態において、コントローラ１５０は、電磁ヒータ１２４をＯＮする。電磁ヒータ１２４は、所定の温度Ｔに調整される。このとき、電磁ヒータ１２６はＯＮされない。電磁ヒータ１２４のみがＯＮされる。電磁ヒータ１２４の周辺は昇温し、電磁ヒータ１２６の周辺は昇温しない。即ち、半導体基板１０の凸部１４ａのみが加熱され、凹部１４ｂは加熱されない。この状態が所定時間維持される。
次いで、コントローラ１５０は、電磁ヒータ１２６をＯＮする。電磁ヒータ１２６は、温度Ｔに調整される。この温度Ｔは、電磁ヒータ１２４の温度と同じである。なお、電磁ヒータ１２６がＯＮされた後も、電磁ヒータ１２４はＯＮ状態が維持される。電磁ヒータ１２６の周辺が昇温する。これにより、半導体基板１０の凸部１４ａと凹部１４ｂの両方が同じ温度（上記の温度Ｔ）で加熱される。この状態が所定時間維持される。
【００４０】
本実施例によっても、半導体基板１０の厚い部分１６ａを先に加熱し、薄い部分１６ｂを後から加熱することができる。これにより、半導体基板１０の厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度に到達するタイミングに大きな時間差が出来ないようにすることができる。このために、フォトレジスト１８の全域をほぼ同時に目標温度Ｔｔに到達させることができる。
【００４１】
（第３実施例）
本実施例では、上記の第２実施例が次のように変形される。
半導体基板１０がプロキシミティボール１２８ａ，１２８ｂに支持されている状態において、コントローラ１５０は、電磁ヒータ１２４と電磁ヒータ１２６の両方をＯＮする。電磁ヒータ１２４は温度Ｔ１に調整され、電磁ヒータ１２６は温度Ｔ２に調整される。温度Ｔ１は、温度Ｔ２より大きい。このために、半導体基板１０の凸部１４ａが高温で加熱され、凹部１４ｂは低温で加熱される。この状態が所定時間維持される。
【００４２】
半導体装置１０の厚い部分１６ａは、薄い部分１６ｂと比べて昇温し難い。本実施例では、昇温し難い厚い部分１６ａを高温で加熱し、昇温し易い薄い部分１６ｂを低温で加熱するために、厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂをほぼ同じ速度で昇温させることができる。このために、半導体基板１０の厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度に到達するタイミングに大きな時間差が出来ないようにすることができる。フォトレジスト１８の全域をほぼ同時に目標温度Ｔｔに到達させることができる。
【００４３】
なお、目標温度Ｔｔが上記のＴ２の場合、半導体基板１０の第１主面１２（図１参照）が目標温度Ｔ２に到達する前に、電磁ヒータ１２４を温度Ｔ１から温度Ｔ２に変更する（もしくはＯＦＦする）ことが好ましい。このようにすると、フォトレジスト１８が目標温度Ｔ２を超える温度まで加熱されることを禁止することができる。
また、目標温度Ｔｔが上記のＴ１とＴ２の間のＴ３である場合、半導体基板１０の第１主面１２（図１参照）が目標温度Ｔ３に到達する前に、電磁ヒータ１２４を温度Ｔ１から温度Ｔ３に変更（もしくはＯＦＦ）し、電磁ヒータ１２６を温度Ｔ２から温度Ｔ３に変更（もしくはＯＦＦ）してもよい。
また、目標温度Ｔｔは、上記以外の値であってもよい。例えば、目標温度Ｔｔは、上記のＴ１より高くてもよいし、Ｔ２より低くてもよい。これらの場合も、電磁ヒータ１２４及び／又は電磁ヒータ１２６の温度が適宜調整される。
【００４４】
（第４実施例）
図９を参照して、本発明の第４実施例を説明する。図９は、本実施例の半導体基板１０と加熱ユニット２２０の断面図を簡単に示す。
半導体基板１０とフォトレジスト１８は、第１実施例と同じ構成を有する。加熱ユニット２２０は、ホットプレート２２２と電磁ヒータ２２６とピン２２８ａ，２２８ｂを有する。本実施例では、１つのホットプレート２２２が利用される。また、ホットプレート２２２には、１つの電磁ヒータ２２６のみが内蔵されている。
ホットプレート２２２の上面の中央部２４０には、凹部が形成されている。このために、ホットプレート２２２の上面の周縁部２４２は、上方に突出している。中央部２４０の平面形状は、半導体基板１０の凹部１４ｂの平面形状にほぼ一致する。周縁部２４２の平面形状は、半導体基板１０の凸部１４ａの平面形状にほぼ一致する。
ホットプレート２２２の中央部２４０にピン２２８ａ，２２８ｂが固定されている。ピン２２８ａ，２２８ｂは、半導体基板１０を支持する。半導体基板１０がピン２２８ａ，２２８ｂによって支持されている状態では、半導体基板１０の凸部１４ａとホットプレート２２２の周縁部２４２との間に小さい隙間が形成されているとともに、半導体基板１０の凹部１４ｂとホットプレート２２２の中央部２４０との間に大きい隙間が形成されている。
【００４５】
図示省略のコントローラが電磁ヒータ２２６をＯＮすると、ホットプレート２２２の全域が同じ温度まで昇温する。半導体基板１０の凸部１４ａとホットプレート２２２の周縁部２４２との間の隙間は小さいために、凸部１４ａが高温で加熱される。半導体基板１０の凹部１４ｂとホットプレート２２２の中央部２４０との間の隙間は大きいために、凹部１４ｂが低温で加熱される。
【００４６】
本実施例によっても、昇温し難い厚い部分１６ａを高温で加熱し、昇温し易い薄い部分１６ｂを低温で加熱することができる。厚い部分１６ａと薄い部分１６ｂをほぼ同じ速度で昇温させることができる。このために、半導体基板１０の厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度に到達するタイミングに大きな時間差が出来ないようにすることができる。
また、本実施例では、半導体基板１０の凸部１４ａを高温で加熱し、凹部１４ｂを低温で加熱することを一つの電磁ヒータ２２６によって実現する。簡単な構成で半導体基板１０を加熱することができる。
【００４７】
（第５実施例）
図１０〜図１３を参照して、本発明の第５実施例を説明する。図１０は、本実施例の加熱ユニット３２０の断面図を簡単に示す。
加熱ユニット３２０は、センターホットプレート３２２とサイドホットプレート３２４と電磁ヒータ３２４，３２６等を有する。センターホットプレート３２２の平面形状とサイドホットプレート３２４の平面形状は、第１実施例と同様である。ただし、センターホットプレート３２２の周縁部３２３ｂは、第１実施例の場合よりも低い位置に形成されている。即ち、第１実施例と比べると、周縁部３２３ｂの上面と中央部３２３ａの上面との間の距離が大きい。このために、サイドホットプレート３２４が下降位置にある場合、サイドホットプレート３２４の上面は、センターホットプレート３２２の中央部３２３ａの上面よりも低い位置にある。
なお、センターホットプレート３２２の中央部３２３ａには、プロキシミティボール３２８ａ，３２８ｂが配置されている。
【００４８】
サイドホットプレート３２４に電磁ヒータ３４０が内蔵されている。また、センターホットプレート３２２に電磁ヒータ３２６が内蔵されている。各電磁ヒータ３４０，３２６は、コントローラ３５０に接続されている。
なお、本実施例の加熱ユニット３２０にも、複数のピン３３２ａ，３３２ｂ，３３４ａ，３３４ｂが設けられている。これらのピン３３２ａ，３３２ｂ，３３４ａ，３３４ｂを上下に移動させる装置は、第１実施例と同様であるために、図示省略している。
【００４９】
続いて、半導体基板１０を加熱する処理の内容を順に説明する。
コントローラ３５０は、電磁ヒータ３４０，３２６の両方をＯＮする。電磁ヒータ３４０は温度Ｔ１に調整され、電磁ヒータ３２６は温度Ｔ２に調整される。温度Ｔ１は、温度Ｔ２より大きい。このために、サイドホットプレート３２４が高温になり、センターホットプレート３２２が低温になる。なお、フォトレジスト１８を加熱するための目標温度は、上記の温度Ｔ２であるものとする。
コントローラ３５０は、ピン３３２ａ，３３２ｂを上昇させる。これにより、図１１の状態になる。半導体基板１０は、ピン３３２ａ，３３２ｂによって支持される。
【００５０】
コントローラ３５０は、ピン３３４ａ，３３４ｂを上昇させる。これにより、サイドホットプレート３２４が、半導体基板１０の凸部１４ａの下面に接触する。コントローラ３５０は、ピン３３２ａ，３３２ｂを下降させる。これにより、図１２の状態になる。半導体基板１０の凸部１４ａが加熱される。図１２の状態では、センターホットプレート３２２と半導体基板１０との間に大きな隙間が形成されている。このために、半導体基板１０の凹部１４ｂは、センターホットプレート３２２によって加熱されない。この状態が所定時間維持される。この所定時間は、半導体基板１０の凸部１４ａの上面（第１主面１２）が上記の温度Ｔ２に到達しない時間に設定される。
【００５１】
コントローラ３５０は、ピン３３４ａ，３３４ｂを下降させる。これにより、サイドホットプレート３２４が下降位置まで移動し、図１３の状態になる。図１３の状態では、プロキシミティボール３２８ａ，３２８ｂが半導体基板１０を支持している。
センターホットプレート３２２の中央部３２３ａと半導体基板１０の凹部１４ｂとの間の隙間は小さい。このために、センターホットプレート３２２の中央部３２３ａは、半導体基板１０の凹部１４ｂを加熱することができる。
サイドホットプレート３２４と半導体基板１０の凸部１４ａとの間の隙間は大きい。しかしながら、この隙間の大きさは、サイドホットプレート３２４が半導体基板１０の凸部１４ａを加熱することができるように設定されている。特に、この隙間の大きさは、センターホットプレート３２２（温度Ｔ２）から凹部１４ｂに加えられる温度と、サイドホットプレート３２４（温度Ｔ１；Ｔ１＞Ｔ２）から凸部１４ａに加えられる温度とがほぼ一致するように設定されている。
図１３の状態が所定時間維持される。加熱ユニット３２０から半導体基板１０が取り除かれ、加熱処理が終了する。
【００５２】
本実施例によっても、半導体基板１０の厚い部分１６ａを先に加熱し、薄い部分１６ｂを後から加熱することができる。これにより、半導体基板１０の厚い部分１６ａの上面と薄い部分１６ｂの上面が目標温度（本実施例では温度Ｔ２である）に到達するタイミングに大きな時間差が出来ないようにすることができる。このために、フォトレジスト１８の全域をほぼ同時に目標温度に到達させることができる。
しかも、本実施例では、サイドホットプレート３２４が高温であるために、半導体基板１０の凸部１４ａを高温で加熱することができる。凸部１４ａを速やかに昇温させることができる。
また、図１３の状態では、サイドホットプレート３２４と凸部１４ａの間の距離が大きく確保されている。このために、高温（Ｔ１）のサイドホットプレート３２４によって凸部１４ａが目標温度（Ｔ２）を超えて加熱されることが防止される。本実施例によると、電磁ヒータ３２４，３２６の温度を加熱処理の途中で変えなくても、半導体基板１０の凸部１４ａを高温で加熱することができるとともに、凸部１４ａが目標温度を超える温度まで加熱されることを防止することができる。
【００５３】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、上記の実施例では、半導体基板１０の材料としてシリコンを用いた例を説明したが、それ以外の半導体材料を用いてもよい。例えば、半導体材料に窒化ガリウム、炭化シリコン、ガリウムヒ素などを用いてもよい。
また、各実施例において、半導体基板１０の凸部１４ａを加熱するのを終了するタイミングと、凹部１４ｂを加熱するのを終了するタイミングが異なっていてもよい。
【００５４】
また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】フォトレジストが塗布されている半導体基板の断面図を示す。
【図２】第１実施例の加熱ユニットの断面図を簡単に示す。
【図３】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【図４】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【図５】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【図６】半導体基板の温度変化のグラフを示す（第１実施例）。
【図７】半導体基板の温度変化のグラフを示す（比較例）。
【図８】第２実施例の加熱ユニットの断面図を簡単に示す。
【図９】第４実施例の加熱ユニットの断面図を簡単に示す。
【図１０】第５実施例の加熱ユニットの断面図を簡単に示す。
【図１１】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【図１２】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【図１３】加熱ユニットによって実行される加熱処理を説明するための図を示す。
【符号の説明】
【００５６】
１０：半導体基板
１２：第１主面
１４：第２主面
１４ａ：凸部
１４ｂ：凹部
１６ａ：厚い部分
１６ｂ：薄い部分
１８：フォトレジスト
２０：加熱ユニット
２２：センターホットプレート
２４：サイドホットプレート
２６：電磁ヒータ
５０：コントローラ
【図１】
2008135487.tif 000003
【図２】
2008135487.tif 000004
【図３】
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【図４】
2008135487.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2008135487.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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