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【手続補正書】
【提出日】平成21年8月3日(2009.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過部と、遮光部と、半透過部とを備えた露光マスクにおいて、
前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和は、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、ｎ、ｍとの関係が、
（ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （３ｎ／２）×ｍ  の条件式を満たすことを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
透過部と、遮光部と、半透過部とを備えた露光マスクにおいて、
前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和は、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、ｎ、ｍとの関係が、
（２ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （６ｎ／５）×ｍ  の条件式を満たすことを特徴とする露光マスク。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ｎ、ｍ、Ｌの関係は、
Ｌ  ＜  （２ｎ／３）×ｍ  を満たすことを特徴とする露光マスク。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記遮光部の側部に前記半透過部が配置されることを特徴とする露光マスク。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記露光マスクを用いて、膜厚の厚い第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域を有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて被エッチング膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて前記導電膜のエッチングを行って、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記ゲート電極の外側にソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート電極の前記第２の領域を通過させて前記ゲート電極の前記第２の領域と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域とを形成し、
前記レジストパターンの形成は、前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和が、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、
（ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （３ｎ／２）×ｍ  の条件式を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて前記導電膜のエッチングを行って、第１の領域と、該領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記ゲート電極の外側にソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート電極の前記第２の領域を通過させて前記ゲート電極の前記第２の領域と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域とを形成し、
前記レジストパターンの形成は、前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和が、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、
（２ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （６ｎ／５）×ｍ  の条件式を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有する第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のレジストパターンを用いて前記導電膜のエッチングを行って、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記ゲート電極の外側にソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート電極の前記第２の領域を通過させて前記ゲート電極の前記第２の領域と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域とを形成し、
前記ゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の開口と、前記第１の開口より浅い第２の開口とを有する第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンを用いて前記第２の絶縁膜のエッチングを行って、前記第２の絶縁膜に第３の開口と、前記第３の開口より浅い第４の開口とを形成し、
前記第１のレジストパターンの形成は、前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和が、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、
（ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （３ｎ／２）×ｍ  の条件式を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有する第１のレジストパターンを形成し、
前記第１のレジストパターンを用いて前記導電膜のエッチングを行って、第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を注入して、前記ゲート電極の外側にソース領域及びドレイン領域と、前記ゲート電極の前記第２の領域を通過させて前記ゲート電極の前記第２の領域と重なる領域に第１の不純物領域及び第２の不純物領域とを形成し、
前記ゲート電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、半透過部を備えた露光マスクを用いて、第１の開口と、前記第１の開口より浅い第２の開口とを有する第２のレジストパターンを形成し、
前記第２のレジストパターンを用いて前記第２の絶縁膜のエッチングを行って、前記第２の絶縁膜に第３の開口と、前記第３の開口より浅い第４の開口とを形成し、
前記第１のレジストパターンの形成は、前記半透過部における遮光材料のライン幅Ｌと遮光材料間のスペース幅Ｓとの和が、露光装置の解像度をｎ、投影倍率を１／ｍ（ｍ≧１）とすると、
（２ｎ／３）×ｍ  ≦  Ｌ＋Ｓ  ≦  （６ｎ／５）×ｍ  の条件式を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一において、前記ｎ、ｍ、Ｌの関係は、
Ｌ  ＜  （２ｎ／３）×ｍ  を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至１０のいずれか一において、前記第１及び第２の不純物領域は、ソース領域及びドレイン領域よりも低い濃度でｎ型またはｐ型の不純物元素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月21日(2009.8.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの上に前記密封材で囲まれた領域内に形成され、前記密封材と同一層に位置する高台と、
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有し、
前記高台は不連続的な複数の突起を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記高台は、前記密封材より低い高さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記高台は、第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記高台は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選択されるいずれか一つの高分子樹脂を含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在される球形間隔材をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記高台は、光硬化性または熱硬化性物質を含むことを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
複数の薄膜パターンを含む第１表示板及び第２表示板を各々形成する段階と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って高台を形成する段階と、
前記高台を硬化させる段階と、
前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つに前記高台を囲むように密封材を形成する段階と、
前記第１表示板と前記第２表示板を合着する段階と、
前記密封材を硬化させる段階とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記高台を前記密封材より低い高さで形成することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記高台を形成する段階は、第１高台及び前記第１高台を囲む第２高台を形成すること
を特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２表示板を形成する段階は、第２基板上に遮光部材を形成する段階と、前記第２
基板上に色フィルタを形成する段階と、前記遮光部材及び前記色フィルタ上に共通電極を
形成する段階とを含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、互いに対向する第１表示板及び第２表示板と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に位置して、前記第１表示板及び第２表示板のうちのいずれか一つの周囲に沿って形成される密封材と、前記第１表示板及び前記第２表示板のうちのいずれか一つの上に前記密封材で囲まれた領域内に形成され、前記密封材と同一層に位置する高台と、前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在されて、前記密封材で囲まれる液晶とを有し、前記高台は不連続的な複数の突起を含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
前記高台は、前記密封材より低い高さで形成されることが好ましい。
前記高台は、第１高台及び前記第１高台と前記密封材との間に位置する第２高台を含むことが好ましい。
前記高台は、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル−エポキシ系樹脂、及びフェノール樹脂からなる群より選択されるいずれか一つの高分子樹脂を含むことが好ましい。
前記第１表示板と前記第２表示板との間に介在される球形間隔材をさらに含むことが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記高台は光硬化性または熱硬化性物質を含むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記高台を前記密封材より低い高さで形成することが好ましい。
前記高台を形成する段階は、第１高台及び前記第１高台を囲む第２高台を形成することが好ましい。
前記第２表示板を形成する段階は、第２基板上に遮光部材を形成する段階と、前記第２基板上に色フィルタを形成する段階と、前記遮光部材及び前記色フィルタ上に共通電極を形成する段階とを含むことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月5日(2009.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池と、第１の表示モードと、第２の表示モードと、の切り替えを前記電池の残量にしたがって行う回路と、を有し、
前記第１の表示モードと前記第２の表示モードは表示画像の明暗が反転していることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
文字を黒表示とする前記第１の表示モードと、文字を白表示とし、前記文字の枠を黒表示とする前記第２の表示モードとの切り替えを行う前記回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１において、
文字を白表示とする前記第１の表示モードと、文字を黒表示とし、前記文字の枠を白表示とする前記第２の表示モードとのモード切り替えを行う前記回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
電池と、第１の表示色又は第２の表示色による文字の表示の切り替えを前記電池の残量にしたがって行う回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４において、
文字を黒表示とする前記第１の表示色と、文字を白表示とし、前記文字の枠を黒表示とする前記第２の表示色とによる文字の表示の切り替えを行う前記回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項４において、
文字を白表示とする第１の表示色と、文字を黒表示とし、前記文字の枠を白表示とする第２の表示色とによる文字の表示のモード切り替えを行う前記回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光マスク及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明領域と半透明領域を透過する露光に用いる光の位相差Δθと、該半透明領域の露光に用いる光に対する透過率ｎとが式（１）を満たすことを特徴とする露光マスク。
【数１】
2007072451.tif 000001
【請求項２】
透明領域と半透明領域を透過する露光に用いる光の位相差Δθと、該半透明領域の露光に用いる光に対する透過率ｎとが式（２）を満たし、かつ、前記透過率ｎは０．１５以上０．８以下であることを特徴とする露光マスク。
【数２】
2007072451.tif 000002
【請求項３】
透光性基板と、当該透光性基板上に配置された半透明膜と、当該半透明膜上に配置された遮光膜とを有する露光マスクであって、
露光に用いる光に対する前記半透明膜と前記透光性基板との位相差Δθと、該半透明膜の露光に用いる光に対する透過率ｎとが式（３）を満たすことを特徴とする露光マスク。
【数３】
2007072451.tif 000003
【請求項４】
透光性基板と、当該透光性基板上に配置された半透明膜と、当該半透明膜上に配置された遮光膜とを有する露光マスクであって、
露光に用いる光に対する前記半透明膜と前記透光性基板との位相差が−９０度以上９０度以下であることを特徴とする露光マスク。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記遮光膜は、Ｃｒ膜又はＣｒの積層からなる膜であることを特徴とする露光マスク。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一において、前記半透明膜の材料として、ＭｏとＳｉを含む合金、ＣｒとＳｉを含む合金又はＣｒが用いられていることを特徴とする露光マスク。
【請求項７】
請求項３乃至請求項６のいずれか一において、前記半透明膜の露光に用いる光に対する透過率が０．１５以上０．８以下であることを特徴とする露光マスク。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記露光に用いる光はｉ線であることを特徴とする露光マスク。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記露光マスクを用いて、膜厚の厚い第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて被エッチング膜を選択的にエッチングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜上に第２導電膜を形成し、
前記第２導電膜上に、透光性基板と、該透光性基板上に配置された半透明膜と、該半透明膜上に配置された遮光膜とを有する露光マスクを用いて、膜厚の厚い第１の領域と、該第１の領域の側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域とを有するレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを用いて前記第２及び第１導電膜のエッチングを行って、第２導電層と、該第２導電層よりも幅が広く、かつ側壁及び該第２導電層と重ならない領域が露出した第１導電層との導電積層パターンでなるゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に一導電型不純物元素のイオンを添加して、前記第１及び第２導電層と重ならない領域に高濃度の一導電型不純物領域と、前記第２導電層と重ならず、かつ前記第１導電層と重なる領域に低濃度の一導電型不純物領域とを形成し、
前記レジストパターンの形成は、露光に用いる光に対する前記半透明膜と前記透光性基板との位相差Δθと、該半透明膜の露光に用いる光に対する透過率ｎとが式（３）を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【数４】
2007072451.tif 000004
【請求項１１】
第１及び第２の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１導電膜を形成し、
前記第１導電膜上に第２導電膜を形成し、
透光性基板と、該透光性基板上に配置された半透明膜と、該半透明膜上に配置された遮光膜とを有する露光マスクを用いて、前記第１の半導体層と重なる前記第２導電膜上に膜厚の厚い第１の領域と、該第１の領域の両側部に該第１の領域より膜厚の薄い第２の領域を有する第１のレジストパターンと、前記第２の半導体層と重なる前記第２導電膜上に膜厚の厚い第３の領域と、該第３の領域の片側部に該第３の領域より膜厚の薄い第４の領域を有する第２のレジストパターンとを形成し、
前記第１及び第２のレジストパターンを用いて前記第２及び第１導電膜のエッチングを行って、前記第１の半導体層上に第２導電層と、該第２導電層よりも幅が広く、かつ側壁及び該第２導電層と重ならない領域が露出した第１導電層とでなる左右対称の形状の第１のゲート電極と、前記第２の半導体層上に第４導電層と、該第４導電層よりも幅が広く、かつ側壁及び該第４導電層と重ならない領域が露出した第３導電層とでなる左右非対称の形状の第２のゲート電極とを形成し、
前記第１及び第２のゲート電極をマスクとして、前記第１及び第２の半導体層に一導電型不純物元素のイオンを添加して、前記第１の半導体層に前記第１及び第２導電層と重ならない領域に第１の高濃度の一導電型不純物領域と、前記第２導電層と重ならず、かつ前記第１導電層と重なる領域に第１の低濃度の一導電型不純物領域とを形成するとともに、前記第２の半導体層に前記第３及び第４導電層と重ならない領域に第２の高濃度の一導電型不純物領域と、前記第４導電層と重ならず、かつ前記第３導電層と重なる領域に第２の低濃度の一導電型不純物領域を形成し、
前記第１及び第２のレジストパターンの形成は、露光に用いる光に対する前記半透明膜と前記透光性基板との位相差Δθと、該半透明膜の露光に用いる光に対する透過率ｎとが式（３）を満たす露光マスクを用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【数５】
2007072451.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接し、
前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を接続した形状であり、
前記第２副画素電極の前記平行四辺形電極片のうちの少なくとも一つは、前記第１副画素電極の前記平行四辺形電極片同士を接続した側と反対側の辺に隣接する位置に配置されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第２副画素電極は、３個の右傾斜平行四辺形電極片と３個の左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記右傾斜平行四辺形電極片と前記左傾斜平行四辺形電極片とは交互に配列されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む複数の画素電極と、
を含み、
前記第１副画素電極と前記第２副画素電極とは互いに隣接していて、
前記第１及び第２副画素電極は共に、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、前記第１副画素電極と前記第２副画素電極は共に、前記傾斜方向が互いに異なる平行四辺形電極片を交互に配列して接続しており、
前記第２副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数が前記第１副画素電極を構成する前記平行四辺形電極片の個数より多い、液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第２副画素電極は、２つの右傾斜平行四辺形電極片と２つの左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、
列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状となるように配置され、
行方向に隣接する画素電極は、同一の形状で、かつ、横中心線が同一直線上となるように配置されている、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素電極は、行方向及び列方向にそれぞれ隣接しており、
列方向に隣接する画素電極は、隣接する画素電極同士が互いに左右反転対称した形状であり、
行方向に隣接する画素電極は、横中心線が交差し、行方向に隣接する画素電極の第１及び第２副画素電極の各々が互いに左右反転対称した形状である、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成されていて、第１及び第２副画素電極を含む画素電極と
を含み、
前記画素電極は隣接した同一の形態の第１領域と第２領域とを有し、
前記第１及び第２副画素電極各々は、傾斜方向が互いに異なる少なくとも２つの平行四辺形電極片を含み、
前記第１副画素電極は前記第１領域に位置し、
前記第２副画素電極は前記第１領域に位置する第１電極片と前記第２領域に位置する第２電極片とを含む
液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１副画素電極は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含み、
前記第１電極片及び第２電極片各々は、一つの右傾斜平行四辺形電極片と一つの左傾斜平行四辺形電極片とを含む、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１副画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと、
前記第２副画素電極と連結されている第２薄膜トランジスタと、
前記第１薄膜トランジスタと連結されている第１信号線と、
前記第２薄膜トランジスタと連結されている第２信号線と、
前記第１及び第２薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線と
をさらに含む、請求項１、２、４、５、８、および９のいずれか一つに記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、本発明においては、前記第１副画素電極と連結されている第１薄膜トランジスタと、前記第２副画素電極と連結されている第２薄膜トランジスタと、前記第１薄膜トランジスタと連結されている第１信号線と、前記第２薄膜トランジスタと連結されている第２信号線と、前記第１及び第２薄膜トランジスタと連結されていて、前記第１及び第２信号線と交差する第３信号線とをさらに含む。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月31日(2009.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配列されている複数の画素、
前記画素にゲート信号を伝達する複数のゲート線、
前記画素にデータ信号を伝達する複数のデータ線、及び
複数のクロック信号に基づいて前記ゲート信号を生成する第１及び第２ゲート駆動部を含み、
前記複数のクロック信号のうち隣接する二つのクロック信号の位相差は、１８０゜以上３６０゜未満であり、
前記複数のクロック信号のうち隣接しない二つの信号の位相差は、１８０゜であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数のクロック信号のデューティ比は、５０％であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の駆動装置。
【請求項３】
前記複数のクロック信号は、第１乃至第４クロック信号を含み、
前記第１クロック信号及び前記第２クロック信号の位相差、または前記第３クロック信号及び前記第４クロック信号の位相差は、１８０゜以上３６０゜未満であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１クロック信号及び前記第３クロック信号の位相差、または前記第２クロック信号及び前記第４クロック信号の位相差は、１８０゜であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第３クロック信号は前記第１ゲート駆動部に入力され、前記第２及び第４クロック信号は前記第２ゲート駆動部に入力されることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１及び第２ゲート駆動部には、第１及び第２出力開始信号が各々入力されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２出力開始信号の位相差は、１８０゜以上３６０゜未満であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記画素のうち隣接する二つのデータ線の間に行方向に配列されている二つの画素（画素のペア）は、同一のデータ線に接続していることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記画素のペアの二つの画素は、互いに異なるゲート線に接続していることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記表示装置は、前記データ信号を生成するデータ駆動部をさらに含み、
前記データ駆動部は、前記画素が列方向に配列している複数の画素行のうちで、第１画素行に位置する前記画素のペアの二つの画素のうち先に前記ゲート信号の印加を受ける画素には、残りの画素より長時間にわたって前記データ信号を印加することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月14日(2009.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品を交換することが可能な画像形成装置であって、
複数の部品が交換された際、それぞれの部品の交換により必要とされる調整の処理項目と、当該処理項目の優先順位の情報とから、前記複数の部品の交換により必要とされる前記処理項目の実行順を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された前記実行順にしたがって前記処理項目を実行する制御手段と、
を備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
交換可能な各部品に関して必要とされる調整の処理項目と、当該処理項目の優先順位に関する情報と、を記憶する記憶手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記決定手段は、前記記憶手段に記憶されている優先順位の情報に基づき、前記複数の部品に関して必要とされる調整の処理項目の実行順を並び替えることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記決定手段は、前記記憶手段に記憶されている処理項目の情報に基づき、前記複数の部品において必要とされる調整の処理項目を比較して、重複する処理項目を、当該複数の部品間で共通する一つの処理項目とすることを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記決定手段は、前記記憶手段に記憶されている優先順位の情報に基づき、前記共通する一つの処理項目の実行順を決定することを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
交換された部品を検索するための検索手段を更に備え、
前記処理項目と、当該処理項目の優先順位に関する情報が変更された場合、
前記決定手段は、前記変更に従い前記検索手段により検索された複数の部品に関して必要とされる調整の処理項目の実行順を決定することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記決定手段により決定された前記実行順を表示する表示手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項８】
部品を交換することが可能な画像形成装置の制御方法であって、
複数の部品が交換された際、それぞれの部品の交換により必要とされる調整の処理項目と、当該処理項目の優先順位の情報とから、前記複数の部品の交換により必要とされる前記処理項目の実行順を決定する決定工程と、
前記決定工程により決定された前記実行順にしたがって前記処理項目を実行する制御工程と、
を有することを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置の制御方法をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、画像形成技術に関するものである。特に、交換された部品に関する処理を、決定した実行順に従い表示手段に表示することが可能な画像形成装置、画像形成装置の制御方法、及びプログラムに関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は上記の問題点を鑑みてなされたものであり、作業者が複数種の部品等を交換した場合、必要とされる処理と処理の順番とを決定し、一連の作業フローとして実行することが可能な画像形成装置、画像形成装置の制御方法、及びプログラムの提供を目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明にかかる画像形成装置は、部品を交換することが可能な画像形成装置であって、
複数の部品が交換された際、それぞれの部品の交換により必要とされる調整の処理項目と、当該処理項目の優先順位の情報とから、前記複数の部品の交換により必要とされる前記処理項目の実行順を決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された前記実行順にしたがって前記処理項目を実行する制御手段と、を備えることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
好ましくは、上記の画像形成装置において、交換可能な各部品に関して必要とされる調整の処理項目と、当該処理項目の優先順位に関する情報と、を記憶する記憶手段を更に備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
好ましくは、上記の画像形成装置において、前記決定手段は、前記記憶手段に記憶されている優先順位の情報に基づき、前記複数の部品に関して必要とされる調整の処理項目の実行順を並び替えることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
好ましくは、上記の画像形成装置において、前記決定手段は、前記記憶手段に記憶されている処理項目の情報に基づき、前記複数の部品において必要とされる調整の処理項目を比較して、重複する処理項目を、当該複数の部品間で共通する一つの処理項目とすることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
好ましくは、上記の画像形成装置において、交換された部品を検索するための検索手段を更に備え、
前記処理項目と、当該処理項目の優先順位に関する情報が変更された場合、
前記決定手段は、前記変更に従い前記検索手段により検索された複数の部品に関して必要とされる調整の処理項目の実行順を決定することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明によれば、複数種の部品等を交換した場合、必要とされる処理と、処理の順番とを決定し、一連の作業フローとして実行することが可能になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これにより、オペレータ等は、作業の効率化による装置のダウンタイムの低減とオペレータ等の作業ミスの発生を防止することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のベース部材、及び該ベース部材に対して開閉可能に支持された開閉部材と、
前記開閉部材または前記ベース部材のいずれか一方に設けられ、かつ鍵により解錠操作される錠と、
前記開閉部材または前記ベース部材のいずれか一方に設けられ、いずれか他方に設けられた被係止部に係止及び離脱する少なくとも一つの鉤部材と、
その鉤部材に動力伝達可能に連結されると共に前記鍵の解錠操作に伴い解錠方向に移動する連結杆を有し、前記鍵の解錠操作に応じた前記錠の動作を前記連結杆により前記鉤部材に伝達して前記被係止部から離脱させる伝達機構と、
前記解錠方向に移動する前記連結杆に対し当接によって移動を制限する当接位置及びその移動を制限しない非当接位置の間で変位可能に支持された当接片により前記連結杆が前記解錠方向に移動することを阻止する移動阻止手段を有し、前記鍵を用いずに行われる前記鉤部材への直接の解錠操作に対して、前記鉤部材が離脱側に変位することを前記移動阻止手段により禁止するロック機構と、
前記開閉部材を閉じた際、前記移動阻止手段の当接片を遮蔽し、その当接片に対する直接の操作を防止する不正操作防止部とを備えることを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月4日(2009.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のフォトダイオードが互いに離隔されて形成された半導体基板上に保護絶縁膜、下部モールド絶縁層及び上部モールド絶縁層を順次に形成する段階；
前記上部モールド絶縁層内に前記下部モールド絶縁層と接触するダミーパターンを形成する段階；
前記ダミーパターンを選択的に除去して前記ダミーパターンと接触した前記下部モールド絶縁層を露出させる予備空洞領域を形成する段階；および
前記露出された下部モールド絶縁層を異方性エッチングして前記フォトダイオード上の前記保護絶縁膜を露出させる空洞領域を形成する段階；
を含むことを特徴とするイメージセンサーの形成方法。
【請求項２】
前記上部モールド絶縁層及び前記ダミーパターンを形成する段階は、
前記下部モールド絶縁層上に配線モールド層を形成する段階；
前記配線モールド層内にダミー開口部を形成する段階；および
前記ダミー開口部を充填する充填パターンを形成する段階；
を含み、
前記上部モールド絶縁層は前記配線モールド層を含み、前記ダミーパターンは前記充填パターンを含むこと
を特徴とする請求項１に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項３】
前記配線モールド層を形成する段階、前記ダミー開口部を形成する段階及び前記充填パターンを形成する段階を複数回反復的に遂行し、
前記上部モールド絶縁層は、積層された複数の前記配線モールド層を含み、前記ダミーパターンは、積層された複数の前記充填パターンを含み、
前記積層された充填パターンのうちの最下部に設けられた充填パターンは、前記下部モールド絶縁層と接触し、最上部に設けられた充填パターンは露出されること
を特徴とする請求項２に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項４】
前記配線モールド層は、順次に積層されたバリヤ絶縁膜及び層間絶縁膜を含み、前記バリヤ絶縁膜は前記層間絶縁膜についてエッチング選択比を有すること
を特徴とする請求項２または請求項３に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項５】
前記半導体基板は、前記フォトダイオードが形成される画素領域及び周辺回路が形成される周辺領域を有し、
前記周辺領域の上部モールド絶縁層内に少なくとも１層の周辺金属配線を形成する段階をさらに含み、前記ダミーパターンと前記少なくとも１層の周辺金属配線は、同一な物質で形成すること
を特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一つの項に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項６】
前記上部モールド絶縁層上にマスク層を形成する段階；および
前記マスク層をパターニングして前記ダミーパターンを露出させる開口部を形成する段階；
をさらに含み、
前記フォトダイオードの間に設けられた前記上部モールド絶縁層上に配置された前記パターニングされたマスク層の幅は、前記フォトダイオードの間に設けられた前記上部モールド絶縁層の幅に比べて狭く、
前記パターニングされたマスク層をエッチングマスクとして使用して前記異方性エッチングを遂行して前記下部モールド絶縁層及び前記フォトダイオードの間に設けられた前記上部モールド絶縁層の周縁をエッチングすること
を特徴とする請求項１乃至請求項５のうちのいずれか一つの項に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項７】
前記上部モールド絶縁層内に混信防止バリヤを形成する段階をさらに含み、前記混信防止バリヤは、前記フォトダイオードの間に形成された前記パターニングされたマスク層下に設けられること
を特徴とする請求項６に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項８】
前記混信防止バリヤは、下部モールド層の上部面から上に離隔されるように形成すること
を特徴とする請求項７に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項９】
前記混信防止バリヤは、前記ダミーパターンと同一な物質で形成されること
を特徴とする請求項７または請求項８に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項１０】
前記下部モールド絶縁層内に少なくとも１層の画素金属配線を形成する段階をさらに含み、前記画素金属配線は、前記フォトダイオードの間に設けられた前記下部モールド層内に形成され、
前記異方性エッチング時、前記画素金属配線上に設けられる前記上部モールド絶縁層の下部が残存されること
を特徴とする請求項６乃至請求項９のうちいずれか一つの項に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項１１】
前記画素金属配線の上部面は、前記残存する上部モールド絶縁層と接触し、前記上部モールド絶縁層の下部面は、前記画素金属配線内金属元素の拡散を防止する絶縁物質で形成されること
を特徴とする請求項１０に記載のイメージセンサーの形成方法。
【請求項１２】
前記空洞領域を形成した後に、
前記半導体基板上に前記空洞領域を充填する透明絶縁層を形成する段階をさらに含むこと
を特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちのいずれか一つの項に記載のイメージセンサーの形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月4日(2009.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の側端部と接する第１の絶縁層と、
前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層上に接して設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層とを有し、
前記第２の絶縁層は、ガラス転移温度以上で流動化する絶縁性材料によって形成されており、
前記絶縁性材料が流動化した組成物に対するぬれ性は、前記第１の導電層より前記第１の絶縁層の方が高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１の導電層と前記第２の絶縁層との間に、撥液層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記撥液層は、フッ化炭素基を有する物質を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２において、前記撥液層は、シランカップリング剤を含む物質を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は有機材料を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加した後、前記第１の導電層と前記第２の導電層とは一部接することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加した後、前記第２の絶縁層の膜厚が変化することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の側端部に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層上に接して第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の絶縁層は、ガラス転移温度以上で流動化する絶縁性材料によって形成されており、
前記絶縁性材料が流動化した組成物に対するぬれ性は、前記第１の導電層より前記第１の絶縁層の方が高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
撥液層を有する第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層の側端部に接して第１の絶縁層を形成し、
前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層上に接して第２の絶縁層を形成し、
前記第２の絶縁層上に第２の導電層を形成し、
前記第２の絶縁層は、ガラス転移温度以上で流動化する絶縁性材料によって形成されており、
前記絶縁性材料が流動化した組成物に対するぬれ性は、前記第１の導電層より前記第１の絶縁層の方が高いことを特徴とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記撥液層は、フッ化炭素基を有する物質を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０において、前記撥液層は、シランカップリング剤を含む物質を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項において、前記第２の絶縁層は有機材料を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月19日(2008.12.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子、記憶装置および半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられた第１の導電層と、
前記第１の導電層の一部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の導電層の一方の端部に接し、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層は、第１の方向に延びて設けられ、
前記第２の導電層は、前記第１の方向と垂直な第２の方向に延びて設けられ、
前記第１の絶縁層は、前記第１の方向に延びて設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の絶縁層は開口部を有し、
前記開口部において、前記第１の導電層の一方の端部が前記第２の絶縁層に接していることを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記絶縁層は、前記第１の導電層と前記第２の導電層に電圧が印加されることによって、結晶状態、導電性、又は形状が変化する材料で設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記絶縁層は、光が照射されることによって、結晶状態、導電性、又は形状が変化する材料で設けられていることを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層の端部は、前記絶縁表面に対して、１０度以上８５度未満の角度で傾斜していることを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の導電層の端部は、曲面を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の絶縁層は、前記第１の導電層の他方の端部に接することを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイを有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、記憶素子を有し、
前記記憶素子は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層の一部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の導電層の一方の端部に接し、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項１０】
複数のメモリセルがマトリックス状に配置されたメモリセルアレイを有し、
前記複数のメモリセルのそれぞれは、トランジスタと、前記トランジスタに電気的に接続された記憶素子と、を有し、
前記記憶素子は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層の一部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の導電層の一方の端部に接し、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記トランジスタは、単結晶半導体基板又はＳＯＩ基板を用いて設けられていることを特徴とする記憶装置。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、
前記トランジスタは電界効果トランジスタであることを特徴とする記憶装置。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記記憶素子は、電気的作用により抵抗値が変化する材料で設けられていることを特徴とする記憶装置。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記記憶素子に電圧を印加することによって、前記記憶素子にデータを書き込む回路を有することを特徴とする記憶装置。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記記憶素子は、光が照射されることにより抵抗値が変化する材料で設けられていることを特徴とする記憶装置。
【請求項１６】
絶縁表面上に設けられた第１のトランジスタ及び第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続された記憶素子と、
前記絶縁表面上に設けられ、前記第２のトランジスタと電気的に接続され、アンテナとして機能する導電層と、を有し、
前記記憶素子は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層の一部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の導電層の一方の端部に接し、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記アンテナとして機能する導電層は、前記第２の導電層と同時に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
第１のトランジスタと、
第２のトランジスタと、
前記第１のトランジスタと電気的に接続された記憶素子と、
前記第２のトランジスタと導電性粒子を介して電気的に接続され、アンテナとして機能する導電層と、を有し、
前記記憶素子は、
第１の導電層と、
前記第１の導電層の一部を覆う第１の絶縁層と、
前記第１の導電層の一方の端部に接し、前記第１の導電層及び前記第１の絶縁層を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上に設けられた第２の導電層と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記アンテナとして機能する導電層と同時に形成される第２の導電層を有し、
前記アンテナは、前記導電性粒子と前記第２の導電層とを介して、前記第２のトランジスタと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記記憶素子は、電気的作用により抵抗値が変化する材料で設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項１９のいずれか一項において、
前記記憶素子は、光が照射されることにより抵抗値が変化する材料で設けられていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月20日(2009.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記憶素子及びその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電層と、
前記第１の導電層上の一部に撥液層と、
前記第１の導電層及び前記撥液層上に絶縁層と、
前記絶縁層上に第２の導電層と、
を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項２】
第１の導電層と、
前記第１の導電層の周縁より内側に接して重なる撥液層と、
前記第１の導電層及び前記撥液層上に絶縁層と、
前記絶縁層上に第２の導電層と、
を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記撥液層を複数有することを特徴とする記憶素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記撥液層は、フッ化炭素基を有する物質を含むことを特徴とする記憶素子。
【請求項５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記撥液層は、シランカップリング剤を含む物質を含むことを特徴とする記憶素子。
【請求項６】
請求項５において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有することを特徴とする記憶素子。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記撥液層は、シランカップリング剤の単分子膜であることを特徴とする記憶素子。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記第１の導電層の端部は、前記絶縁層に対するぬれ性が前記第１の導電層より高い隔壁に覆われ、
前記絶縁層は、前記第１の導電層、前記撥液層、及び前記隔壁上に形成されていることを特徴とする記憶素子。
【請求項９】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に選択的に撥液層を形成し、
前記第１の導電層及び前記撥液層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１０】
第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に撥液層を形成し、
前記撥液層上にマスク層形成材料を含む組成物を吐出しマスク層を形成し、
前記マスク層を用いて前記撥液層の一部を除去し、
前記第１の導電層及び前記一部が除去された撥液層上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層上に第２の導電層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、前記撥液層は、フッ化炭素基を有する物質を含むことを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１２】
請求項９又は１０において、前記撥液層は、シランカップリング剤を含む物質を含むことを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記シランカップリング剤はアルキル基を有することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１４】
請求項９又は１０において、前記撥液層に、シランカップリング剤の単分子膜を用いることを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一項において、
前記第１の導電層の端部に、前記絶縁層に対するぬれ性が前記第１の導電層より高い隔壁を形成し、
前記第１の導電層、前記撥液層、及び前記隔壁上に前記絶縁層を形成することを特徴とする記憶素子の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一項において、
前記記憶素子への書き込みは、
前記第１の導電層と前記第２の導電層との間に電圧を印加して、前記撥液層上の前記絶縁層を前記撥液層が形成されていない前記第１の導電層表面に移動させるように前記絶縁層を変形させ、前記第１の導電層と前記第２の導電層とを短絡させることにより行うことを特徴とする記憶素子の作製方法。