【手続補正書】
【提出日】平成21年3月2日(2009.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る焼成酸
化チタン薄膜からなり、ＵＶ光照射によるセルフクリーニングが可能のものであることを
特徴とする防汚膜。    
【請求項２】
前記焼成酸化チタン薄膜が、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で
形成された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成されて得られた薄膜であることを特
徴とする請求項１記載の防汚膜。    
【請求項３】
前記焼成酸化チタン薄膜が、１〜５ｎｍの厚みを有することを特徴とする請求項１又は
２記載の防汚膜。    
【請求項４】
アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る焼成酸
化チタン薄膜が基体表面に形成されていることを特徴とする基体構造体。    
【請求項５】
前記焼成酸化チタン薄膜が、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で
基体表面に形成された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成されて得られた薄膜であ
ることを特徴とする請求項４記載の基体構造体。    
【請求項６】
前記焼成酸化チタン薄膜が、１〜５ｎｍの厚みを有することを特徴とする請求項４又は
５記載の基体構造体。    
【請求項７】
前記基体構造体が、所定のパターンを有するナノインプリント用金型構造体又は所定の
パターンを基板表面に露光するために用いるフォトマスクを有するフォトマスク構造体で
あり、前記焼成酸化チタン薄膜がこの金型表面又はフォトマスク表面に形成されているこ
とを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の基体構造体。    
【請求項８】
基体表面上に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で酸化チタン薄
膜を形成し、次いでこの酸化チタン薄膜を大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成して、ア
ナターゼ型構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る焼成酸化チタン
薄膜を形成することを特徴とする基体構造体の作製方法。    
【請求項９】
前記焼成酸化チタン薄膜が、１〜５ｎｍの厚みを有するように形成されることを特徴と
する請求項８記載の基体構造体の作製方法。    
【請求項１０】
前記焼成が、３５０〜６００℃で行われることを特徴とする請求項９記載の基体構造体
の作製方法。    
【請求項１１】
前記基体構造体が、所定のパターンを有するナノインプリント用金型構造体又は所定の
パターンを基板表面に露光するために用いるフォトマスクを有するフォトマスク構造体で
あり、前記酸化チタンをこの金型表面又はフォトマスク表面に形成することを特徴とする
請求項８〜１０のいずれかに記載の基体構造体の作製方法。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】防汚膜、基体構造体及び基体構造体の作製方法
【技術分野】
【０００１】
本発明は、防汚膜、基体構造体及び基体構造体の作製方法に関し、特に焼成された酸化
チタン薄膜(以下、「焼成酸化チタン薄膜」と称す)からなる防汚膜、この焼成酸化チタン
薄膜を備えたナノインプリント用金型構造体及びフォトマスク構造体のような基体構造体
、並びにこの基体構造体の作製方法に関する。    
【背景技術】
【０００２】
従来から、ナノインプリント法、すなわち金型に設けた凹凸パターンを、基板上に塗布
した樹脂材料に押し付けてその凹凸パターン形状を樹脂材料に転写するナノインプリント
法として、熱硬化樹脂や光硬化樹脂を用いるパターン転写法が知られている。光硬化樹脂
を用いるパターン転写法によるパターニングでは、ナノインプリント用金型を成型基板へ
圧着し、例えばＵＶ光を照射することで成型基板上にパターンを形成する。このＵＶ光照
射式は、透明な金型を使用するので、熱硬化式に比べて、成型基板と金型との位置合わせ
精度に優れており、近年種々の技術が提案されている(例えば、特許文献１参照)。また、
このＵＶ光照射式では、金型を押し付ける圧力が比較的小さく、室温でパターンを形成で
きるため応力の影響が小さい。しかし、金型を成型基板に押し付けることで成型基板上の
光硬化樹脂と金型表面との付着が生じる場合があり、金型が汚れ、その後のパターン転写
が困難になってしまうという問題がある。    
【０００３】
また、例えばＸ線露光の際に用いられるＸ線マスクにおいては、支持体上にＸ線を透過
する材料からなるメンブレン膜が設けられ、このメンブレン膜上にマスクパターンが設け
られる。このＸ線マスクに対向して配置される被露光基板のＸ線マスク側の表面にはＸ線
感光性有機レジスト膜が形成されており、Ｘ線を照射するとＸ線マスクのパターンが有機
レジスト膜上に転写される。この場合、有機レジスト膜の一部が分解して発生するガスは
メンブレン膜やマスクパターンの表面に接触して固化し、これが露光時に被露光基板上に
転写されてしまうという問題がある。このようなＸ線マスク上の欠陥発生を抑制するため
に、例えば基板表面の少なくとも露出している面に光触媒膜を形成したり、マスクパター
ンを覆うように光触媒膜を形成したりしている(例えば、特許文献２参照)。しかし、ＵＶ
光露光に用いられるフォトマスクの場合には、必ずしも満足のいく触媒膜ではない。    
【特許文献１】特開２００５−２０３７９７号公報(特許請求の範囲等)
【特許文献２】特開平１０−１２５５８３号公報(特許請求の範囲等)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、上記従来技術の問題点を解決することにあり、紫外光領域(３８０ｎ
ｍ以下)の光の波長でも透明性に優れた酸化チタン薄膜であって、露光光自身でパターン
面の十分なセルフクリーニング効果を奏することができる焼成酸化チタン薄膜を表面に備
えたナノインプリント用金型構造体やフォトマスク構造体等の基体構造体及びその作製方
法を提供することにある。    
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の防汚膜は、アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が
付与され得る焼成酸化チタン薄膜からなり、ＵＶ光照射によるセルフクリーニングが可能
なものであることを特徴とする。親水性となれば、表面についたダストの下に水が入り込
みダストを落としやすくするという効果がある。また、酸化チタンは、紫外線を吸収する
ことで有機物を分解する作用があるので、防汚効果がある。    
【０００６】
本発明の基体構造体は、アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水
性が付与され得る焼成酸化チタン薄膜が基体表面に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明の基体構造体の作製方法は、基体表面上に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着に
より酸化性雰囲気中で酸化チタン薄膜を形成し、次いでこの酸化チタン薄膜を大気雰囲気
中又は酸素雰囲気中で焼成して、アナターゼ型構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親
水性が付与され得る焼成酸化チタン薄膜を形成することを特徴とする。    
【発明の効果】
【０００８】
本発明の防汚膜によれば、ＵＶ光照射により膜自体のセルフクリーニングが可能である
という効果を奏する。    
【０００９】
本発明の基体構造体によれば、その表面に設ける焼成酸化チタン薄膜は、紫外光領域の
光の波長において高い透過率を有する結晶構造を有し、露光光自身で基体表面に対してセ
ルフクリーニング効果があるので、基体に汚れが付着しないという効果を奏する。    
【００１０】
本発明の基体構造体の作製方法によれば、低温で焼成しても光触媒効果を失わず、十分
な結晶性を持つ酸化チタン薄膜を基体表面に設けることができるので、ガラス基体より耐
熱温度の低い、例えば融点の低い金属などの基体表面にも成膜が可能であるという効果を
奏する。    
【００１１】
本発明の基体構造体であるナノインプリント用金型構造体によれば、その表面に設ける
焼成酸化チタン薄膜は、上記したような結晶構造を有し、露光光自身で金型表面のパター
ン面に対してセルフクリーニング効果があるので、金型に汚れが付着しないという効果を
奏する。すなわち、上記焼成酸化チタン薄膜を表面に形成して光触媒機能を付加したナノ
インプリント用金型構造体を使用すると、成型基板への圧着・硬化の工程で問題となって
いる金型表面での付着物形成を抑制することができ、欠陥の少ないパターン転写が可能で
あるという効果を奏する。    
【００１２】
また、本発明の基体構造体であるナノインプリント用金型構造体の作製方法によれば、
低温で焼成して上記したような酸化チタン薄膜を金型表面に設けることができるので、例
えば融点の低い金属などの表面にも成膜が可能であるという効果を奏する。    
【００１３】
さらに、本発明の基体構造体であるフォトマスク構造体によれば、その表面に設ける焼
成酸化チタン薄膜は、上記したような紫外光領域の光の波長において高い透過率を有する
結晶構造を有し、露光光自身でフォトマスク表面のパターン面に対してセルフクリーニン
グ効果があるので、フォトマスクに汚れが付着しないという効果を奏する。    
【００１４】
本発明の基体構造体であるフォトマスク構造体の作製方法によれば、低温で焼成して上
記したような酸化チタン薄膜をフォトマスク表面に設けることができるので、例えば融点
の低い金属などの表面にも成膜が可能であるという効果を奏する。    
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明によれば、アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付
与され得る焼成酸化チタン薄膜からなり、ＵＶ光照射によるセルフクリーニングが可能で
ある防汚膜を提供することができる。    
【００１６】
上記焼成酸化チタン薄膜は、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で
形成された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成されて得られた薄膜であり、１〜５
ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを有するものである。膜厚がこの範囲を外れると、Ｕ
Ｖ光照射によるセルフクリーニング効果が発揮できず、付着物等の汚れの形成を防止でき
ない。    
【００１７】
本発明によればまた、アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性
が付与され得る焼成酸化チタン薄膜が基体表面に形成されている基体構造体を提供するこ
とができる。    
【００１８】
上記基体としては、石英ガラス、合成石英等で構成されたものが挙げられる。    
【００１９】
上記基体表面に設ける焼成酸化チタン薄膜は、上記と同様に、ＴｉＯを蒸発源として、
ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で基体表面に形成された後、酸化性雰囲気中で焼成された
薄膜であり、１〜５ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを有する。膜厚が、１ｎｍ未満で
あると基体構造体表面に汚れが付着するという問題があり、５ｎｍを超えるとＵＶ光透過
率が低い。    
【００２０】
このＥＢ蒸着のプロセスの温度条件は、室温〜５００℃である。また、酸化性雰囲気と
しては、酸素ガス雰囲気、大気雰囲気、酸素原子を含んだ乾燥空気のようなガス雰囲気を
挙げることができる。    
【００２１】
本発明によればさらに、基体表面上に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性
雰囲気中で酸化チタン薄膜を形成し、次いでこの酸化チタン薄膜を大気雰囲気中又は酸素
雰囲気中で焼成して、アナターゼ型構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与
され得る焼成酸化チタン薄膜を形成する基体構造体の作製方法を提供することができる。
この焼成された酸化チタン薄膜は、上記と同様に、１〜５ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの
厚みを有するように形成される。また、その焼成は、３５０〜６００℃で行われることが
好ましい。焼成温度が３５０℃未満であると、アナターゼ構造にならず、６００℃を超え
ると、基体構造体に成膜されている酸化チタン膜が変質してしまう。    
【００２２】
本発明の別の実施の形態によれば、所定のパターンを有するナノインプリント用金型の
表面に、アナターゼ型結晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る
焼成酸化チタン薄膜が形成されているナノインプリント用金型構造体を提供することがで
きる。この焼成酸化チタン薄膜は、上記と同様に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着によ
り酸化性雰囲気中でナノインプリント用金型表面に形成された後、大気雰囲気中又は酸素
雰囲気中で焼成された薄膜であり、また、１〜５ｎｍｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを
有するように形成される。膜厚が、１ｎｍ未満であるとナノインプリント用金型表面と光
硬化樹脂との付着が生じ、金型表面に汚れが付着するという問題があり、５ｎｍを超える
と低波長領域における透過率が低く、ＵＶ光照射式のナノインプリント用金型としては実
用的ではない。    
【００２３】
ナノインプリント用金型としては、石英ガラス、合成石英等で構成されたものが挙げら
れる。また、ＥＢ蒸着のプロセス条件及び酸化性雰囲気は上記と同様である。    
【００２４】
本発明による上記ナノインプリント用金型構造体を用いてナノインプリント法を効率的
に実施することができる。この場合、金型に設けた所定の凹凸パターンを、基板上に塗布
した光硬化樹脂材料に圧着し、ＵＶ光を照射すると、この凹凸パターン形状が樹脂材料に
転写され、成型基板上にパターンを形成することができる。透明な金型を使用するので、
成型基板と金型との位置合わせ精度に優れており、金型を押し付ける圧力が比較的小さく
、
室温でパターンを形成できるため応力の影響が小さいという利点がある。また、金型を成
型基板に押し付けても成型基板上の光硬化樹脂と金型表面との付着は生じず、そしてパタ
ーン転写を所望の回数繰り返しても、金型の汚れもない。    
【００２５】
上記ナノインプリント用金型構造体は、所定のパターンを有するナノインプリント用金
型の表面上に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で酸化チタン薄膜
を形成し、次いでこの酸化チタン薄膜を大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成して、アナ
ターゼ型構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る焼成酸化チタン薄
膜を形成することにより作製される。この焼成酸化チタン薄膜は、上記と同様に、１〜５
ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを有するように形成され、また、この焼成を上記と同
様に３５０〜６００℃で行うことが好ましい。    
【００２６】
本発明のさらに別の実施の形態によれば、所定のパターンを基板表面に露光するために
用いるフォトマスクを有するフォトマスク構造体のフォトマスク表面に、アナターゼ型結
晶構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性が付与され得る焼成酸化チタン薄膜が形
成されているフォトマスク構造体を提供することができる。この焼成酸化チタン薄膜は、
上記と同様に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により酸化性雰囲気中で基体表面に形成
された後、大気雰囲気中又は酸素雰囲気中で焼成された薄膜であり、また、上記と同様に
、１〜５ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを有する。    
【００２７】
フォトマスクとしては、石英ガラス、合成石英等で構成されたものが挙げられる。また
ＥＢ蒸着のプロセス条件及び酸化性雰囲気は上記と同様である。    
【００２８】
本発明による上記フォトマスク構造体を用いてＵＶ光露光を効率的に実施することがで
きる。この場合、ＵＶ光露光領域が設けられている支持体上にＵＶ光を透過する材料から
なるメンブレン膜が設けられ、このメンブレン膜上に上記焼成酸化チタンを形成してある
マスクパターンが設けられているものを用いてＵＶ露光を行った。このＵＶ光マスクに対
向して配置される被露光基板のマスク側の表面にはＵＶ光感光性有機レジスト膜が形成さ
れている。ＵＶ光を照射するとＵＶ光マスクのパターンが有機レジスト膜上に転写される
。この際、有機レジスト膜の一部が分解して発生するガスがマスクパターンの表面に接触
して固化することはなく、露光時に被露光基板上に転写される際に、ＵＶ光マスク上の欠
陥が発生することはない。    
【００２９】
上記フォトマスク構造体は、所定のパターンを基板表面に露光するために用いるマスク
を有するマスク構造体のフォトマスク表面上に、ＴｉＯを蒸発源として、ＥＢ蒸着により
酸化性雰囲気中で酸化チタン薄膜を形成し、次いでこの酸化チタン薄膜を大気雰囲気中又
は酸素雰囲気中で焼成して、アナターゼ型構造を有し、かつ、ＵＶ光を照射すると親水性
が付与され得る焼成酸化チタン薄膜を形成することにより作製される。この焼成酸化チタ
ン薄膜は、上記と同様に、１〜５ｎｍ、好ましくは１〜３ｎｍの厚みを有するように形成
され、また、この焼成を上記と同様に３５０〜６００℃で行うことが好ましい。    
【００３０】
以下、本発明の実施例及び比較例を挙げて、本発明を詳細に説明する。本発明は、これ
らの例によってなんら限定されるものではない。    
【実施例１】
【００３１】
石英ガラス基板を３５０℃に加熱し、ＴｉＯを蒸発源としてＥＢ蒸着により成膜を行い
、基板上に酸化チタン薄膜を形成した。この場合、１×１０Ｅ−３Ｐａまで真空排気を行
い、その後、酸素ガスを５×１０Ｅ−２Ｐａまで導入して成膜し、膜厚１０ｎｍ、３ｎｍ
、２ｎｍ及び１ｎｍの４種の酸化チタン薄膜試料を作製した。作製した各試料を大気中３
５０℃で６０分間焼成した。膜厚１０ｎｍの酸化チタン薄膜について、焼成前及び焼成後
のそれぞれの膜についてのＸ線回折グラフを図１(ａ)及び(ｂ)に示す。図１から明らかな
ように、焼成前の膜は、アモルファス構造(図１(ａ))であったのに対し、焼成後の膜は、
アナターゼ型構造(１０１)、(００４)、(２００)、(１０５)、(２１１)、(２０４)面(図
１(ｂ))となっており、透明性に優れた膜となっていることが分かる。膜厚１ｎｍ、２ｎ
ｍ及び３ｎｍの酸化チタン薄膜の場合も上記と同様な結晶構造を示した。    
【００３２】
また、上記したようにして作製された焼成酸化チタン薄膜の親水性を評価するため、水
滴接触角測定を行った。この場合、酸化チタン薄膜にＵＶ光(波長２５４ｎｍ)を所定の時
間照射し、その直後に水滴接触角を測定した。ＵＶ光照射時間と水滴接触角との関係を表
１に示す。    
【００３３】
(表１)
2007244971.tif 000001
【００３４】
表１から明らかなように、ＵＶ光照射によって、親水性に優れている(表１のデータで
は超親水性になっている)焼成酸化チタン薄膜が得られていることが分かる。また、膜厚
が１〜１０ｎｍの範囲にあれば、ＵＶ光照射により、十分濡れ性に優れた酸化チタン膜が
得られることが分かる。    
【実施例２】
【００３５】
上記実施例１記載の手順に従って、膜厚１０ｎｍ、３ｎｍ、２ｎｍ、及び１ｎｍの焼成
酸化チタン薄膜を作製した。作製した焼成酸化チタン薄膜に油状液体であるオレイン酸を
塗布し、ＵＶ光(波長２５４ｎｍ)を所定の時間照射し、その直後に水滴接触角を測定した
。ＵＶ光照射時間と水滴接触角との関係を表２に示す。    
【００３６】
(表２)
2007244971.tif 000002
【００３７】
表２から明らかなように、ＵＶ光照射によって、水滴接触角が下がっている。このこと
から、ＵＶ光照射時間が長くなるにつれて、オレイン酸の分解が進んでいることが分かる
。すなわち、ＵＶ光照射により光触媒効果が現れていることが分かる。    
【実施例３】
【００３８】
上記実施例１記載の手順に従って、膜厚２０ｎｍ、１０ｎｍ、５ｎｍ及び３ｎｍの焼成
酸化チタン薄膜を作製した。作製した各酸化チタン薄膜に対して、１９３〜８００ｎｍの
波長における透過率を測定し、その結果を図２に示す。図２から明らかなように、短波長
領域(３８０ｎｍ以下)において、膜厚３ｎｍの酸化チタン薄膜の場合にほぼ７０％以上、
膜厚５ｎｍの酸化チタン薄膜の場合に５０％以上、膜厚１０ｎｍの酸化チタン薄膜の場合
に４０％以上の透過率を有していることが分かる。このことから、５ｎｍ以下の膜厚を有
する酸化チタン薄膜であれば、紫外光領域において５０％以上の高い透過率を示すことが
分かる。下限は、光触媒機能を維持するために、１ｎｍ程度であることが好ましい。    
【実施例４】
【００３９】
図３に示すようなパターン(凸部１の幅：５０μｍ、凸部１の高さ：５００ｎｍ、凹部
２の幅：２５μｍ)を有するナノインプリント用金型の表面に、上記実施例１に記載の手
順に従って、膜厚３ｎｍの焼成酸化チタン薄膜を作製した。かくして得られた焼成酸化チ
タン薄膜付き金型の酸化チタン薄膜側を、光硬化性樹脂(エポキシ樹脂)を塗布した基板の
樹脂表面に押圧し、酸化チタン薄膜と反対側の金型表面側から金型に対してＵＶ光を照射
することにより、基板上の樹脂層に金型のパターンを転写した。この転写作業を５０回繰
り返し行っても、酸化チタン薄膜への光硬化樹脂の付着や転写基板でのパターニング欠陥
は観察されなかった。    
【実施例５】
【００４０】
実施例４記載の手順に従って、ナノインプリント用金型の表面に、膜厚３ｎｍの焼成酸
化チタン薄膜を作製した。この場合、焼成温度を６００℃に設定して６０分間行った。か
くして得られた金型を用い、実施例４と同様に、基板上の樹脂層に金型のパターンを転写
した。この転写作業の結果は、実施例４の場合と同様に良好であった。                
(比較例１)    
【００４１】
上記実施例４記載の手順に準じて、表面に焼成酸化チタン薄膜を作製していないナノイ
ンプリント用金型を用いて基板上の樹脂層に金型パターンの転写を行った。この転写作業
を５０回繰り返し行ったところ、金型への光硬化樹脂の付着や転写基板での欠陥が観察さ
れた。                                                                          
(比較例２)    
【００４２】
上記実施例１記載の手順に従って、膜厚２００ｎｍの焼成酸化チタン薄膜を作製した。
３００〜８００ｎｍの波長における透過率を測定し、その結果を図４に示す。この膜の透
過率を実施例３で得られた焼成酸化チタン薄膜の透過率と比較すると、紫外光領域の波長
の光をかなり吸収していることが分かる。また、可視光領域においても、５００ｎｍ付近
の波長では、４０％程度の光が吸収されていたことが分かる。                        
(比較例３)    
【００４３】
スパッタ法により、ＴｉＯ２からなるターゲットを使用し、成膜チャンバー内へ酸素ガ
スを導入しながら石英ガラス製基板上に酸化チタン薄膜を作製した。作製された試料を大
気中６００℃で６０分間焼成した。焼成後の酸化チタン薄膜についてのＸ線回折グラフを
図５に示す。図５から明らかなように、２θ＝２５°付近にアナターゼ構造(１０１)面の
回折ピークが僅かに現れているが、２７°付近にルチル構造(１１０)面の回折ピークが現
れていることから、高温で焼成したとしても、結晶性が十分にあがっていないことが分か
る。従って、スパッタ法により作製した焼成酸化チタン薄膜の場合、ＥＢ蒸着法で作製し
た焼成酸化チタン薄膜よりも光触媒性能は落ちるものと考えられる。    
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明によれば、紫外光領域において高い透過率を有し、優れた光触媒効果を有する焼
成酸化チタン薄膜や、この酸化チタン薄膜を表面に備えたナノインプリント用金型構造体
及びフォトマスク構造体等の基体構造体を提供することができ、かくして、このような薄
膜表面や構造体表面への付着物形成が抑制され、そして金型用構造体の場合は欠陥の少な
いパターン転写が可能となり、また、フォトマスク構造体の場合はマスク表面の汚染防止
が可能となる。従って、本発明は、ナノインプリント法や、フォトマスクを用いる露光工
程等の技術分野で工業的に利用することができる。    
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施例１で得られた酸化チタン薄膜のＸ線回折グラフであり、(ａ)は膜焼成前のＸ線回折グラフ、(ｂ)は膜焼成後のＸ線回折グラフ。
【図２】実施例３で得られた焼成酸化チタン薄膜に対する、１９３〜８００ｎｍの波長領域での透過率を示すグラフ。
【図３】ナノインプリント用金型の一つのパターン図を示す金型の上面図。
【図４】比較例２で得られた焼成酸化チタン薄膜に対する、３００〜８００ｎｍの波長領域での透過率を示すグラフ。
【図５】比較例３で得られた焼成酸化チタン薄膜のＸ線回折グラフ。