【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに異なる配列パターンに従って複数の微細構造が配列されている複数の領域を含み、少なくとも１つの被選択領域において前記微細構造が最小繰り返し周期を有する規則的な繰り返し配列パターンに従って配列されているような半導体ウェハを製造する方法であって、
第１光設定で行われる第１結像及び、前記ウェハをカメラ上に結像させるために用いられる光の偏光及びスペクトルのうちの少なくとも一方が前記第１光設定と異なる第２光設定で行われる第２結像を含み、検出器の１画素上に結像される前記ウェハの全表面が前記最小繰り返し周期の５倍超、１０倍超または５０倍超の長さになるように、かつ前記少なくとも１つの被選択領域の各々が被選択画素群上に結像されるように、さらに、前記第１及び第２結像を行う間、前記ウェハが、前記結像に用いられる結像光学系に対して同じ位置に維持されるように、前記ウェハの少なくとも一部を前記検出器の画素アレイ上に結像させるステップと、
前記第１及び第２結像のために前記検出器の複数の画素から複数の検出信号を収集するステップと、
複数の被選択検出信号群の各群に対して、少なくとも１つの値を計算するステップとを含み、
前記被選択検出信号群の前記各群が、複数の被選択画素群のうちの少なくとも１つの画素群に属する画素から収集された検出信号を含み、前記複数の被選択画素群のいずれの群にも属さない画素からの複数の検出信号は、前記複数の被選択検出信号群のいずれの群にも含まれないことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記被選択検出信号群の各群に対して計算される値の数が、各群における前記被選択検出信号を９で除した数、特に２５、３６、６４または１００で除した数以下であることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記被選択領域の少なくとも１つに形成されている前記微細構造のフィーチャ特性を決定するステップをさらに含み、前記フィーチャ特性が、前記少なくとも１つの被選択領域が結像される画素群からの検出信号を含む前記被選択検出信号群に対して計算される前記少なくとも１つの値に基づいて決定されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャ特性が、前記規則的なアレイに配列されている前記微細構造の線幅、側壁の角度、高さ、レジスト残り、アンダーカット、隅の丸まり及び微小寸法（ＣＤ）、重ね合わせズレ、並びに層厚さを含むことを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ウェハが複数のダイを含み、各ダイが少なくとも１つの被選択領域を含むことを特徴とする請求項１または請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの被選択領域が、半導体メモリを形成する微細構造を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つのプロセスパラメータを用いて前記ウェハを処理するステップと、
前記少なくとも１つの検出信号群に対して決定された前記少なくとも１つの値に基づき、前記少なくとも１つのプロセスパラメータを変更するステップとをさらに含み、
前記処理が前記ウェハのパターン露光を含み、かつ、前記少なくとも１つのプロセスパラメータが、具体的には前記露光に用いられる露光量及び焦点を含み、かつ／または
前記処理がエッチングを含み、かつ、前記少なくとも１つのプロセスパラメータが、具体的にはエッチング時間、エッチング温度及び、前記エッチングに用いられる媒体の濃度を含み、かつ／または
前記処理が前記ウェハ上の材料の堆積を含み、かつ、前記少なくとも１つのプロセスパラメータが、具体的には濃度、温度及び時間を含み、かつ／または
前記処理が、前記ウェハをレジストでコーティングするステップと、前記コーティング後に前記レジストにパターンを露光するステップと、前記露光後に前記パターン化されたレジストを現像するステップと、前記現像後に前記現像したレジストを介して前記ウェハをエッチングするステップと、前記エッチング後に前記ウェハ上に残留する前記レジストを除去するステップとを含み、かつ、前記検査が、前記ウェハの前記エッチング後かつ前記残留レジストの前記除去前に行われることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記結像させるステップが、前記ウェハ全面を前記検出器上に結像させるステップを含むことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの計算値に基づき前記ウェハ上の少なくとも１つの位置を決定するステップと、
前記少なくとも１つの位置のミクロ検査を行うステップをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記結像が、前記ウェハの前記結像される部分全体で結像ビーム経路の主光線のずれが５°未満、特に３°未満であるようなテレセントリック結像であり、かつ／または
前記方法が、前記ウェハの前記結像される部分を照明するステップをさらに含み、該照明が、前記ウェハの前記結像される部分全体で照明ビーム経路の主光線のずれが５°未満、特に３°未満であるようなテレセントリック照明であることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１結像が第１偏光の放射線により行われ、前記第２結像が前記第１偏光と異なる第２偏光の放射線の放射線により行われ、
各群に対して前記少なくとも１つの値が前記第１結像及び前記第２結像において得られた前記被選択検出信号に基づいて計算されることを特徴とする請求項１ないし請求項１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１結像が第１波長域の放射線により行われ、前記第２結像が前記第１波長域と異なる第２波長域の放射線により行われ、
前記各群に対する前記少なくとも１つの値が、前記第１結像及び前記第２結像において得られた前記被選択検出信号に基づいて計算されることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記各第１及び第２波長域の幅が、１００ｎｍより小さいかまたは５０ｎｍより小さいことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
半導体ウェハの製造方法、具体的には請求項１ないし請求項１３のいずれか１項に記載の半導体ウェハ製造方法と併用される方法であって、
前記ウェハを、結像光学系及びカメラに対して、前記ウェハの全表面が前記結像光学系によって前記カメラ上に結像されるように位置合わせするステップと、
光源によって生じる照明光を前記ウェハ上に向けるステップと、
前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる光の第１光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの第１画像を記録するステップと、
前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる光の第２光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの第２画像を記録するステップとを含み、
前記第１及び第２光設定は、前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる光の偏光及びスペクトルの少なくとも一方が異なっており、
前記第１及び第２光設定が、互いに異なるスペクトル範囲の照明光を生じさせる異なるＬＥＤ等の光源を選択的に操作することによって生成されることを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２光設定が、前記光源と前記ウェハとの間のビーム経路及び／または前記ウェハと前記カメラとの間のビーム経路に設けられた少なくとも１つの光学フィルタによって生成され、
前記少なくとも１つの光学フィルタが、前記フィルタを通過する光の偏光及びスペクトルのうちの少なくとも一方が第２設定と異なる第１設定を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
第１光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの前記第１画像を記録するステップと、
第２光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの前記第２画像を記録するステップと、
第３光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの第３画像を記録するステップと、
第４光設定を提供し、前記ウェハから反射される照明光を用いて前記カメラにより前記ウェハの第４画像を記録するステップとを含み、
前記第１及び第２光設定は、前記偏光が異なっており、前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる前記光の前記スペクトルが実質的に同じであり、
前記第３及び第４光設定は、前記偏光が異なっており、前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる前記光の前記スペクトルが実質的に同じであり、
前記第１及び第３光設定は、前記ウェハを前記カメラ上に結像させるために用いられる前記光の前記スペクトルが異なっていることを特徴とする請求項１４または請求項１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１、第２、第３及び第４画像を解析し、前記第１、第２、第３及び第４画像に基づき前記ウェハの前記表面より下に位置する微小構造に関する情報を得るステップをさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。