(57)【要約】【課題】剥離強度が大きいプリント基板を提供すると共に、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能なプリント基板の製造方法およびプリント基板加工機を提供する。【解決手段】プリント基板１の製造方法として、表面が絶縁層２ａであるプリント基板１の表面にレジスト層５を形成した後、内層の導体パターン３と接続する位置（第１の位置）にレジスト層５の表面側からＣＯ２レーザ（第１のレーザ）を照射してレジスト層５の表面から導体パターン３と接続する穴６を形成し、第１の位置とパターンを形成する位置（第２の位置）に、エキシマレーザ（第２のレーザ）を照射して第２の位置にレジスト層５の表面から内層の導体層に接続されない深さの穴８と溝９を形成し、穴６，８および溝９に導電物質を充填して導体パターン１１、１２を形成した後、レジスト層５を除去することにより導体パターンの一部を絶縁層２ａの表面から突出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層に導体層を有し且つ表面が絶縁層であるプリント基板の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
予め定める第１の位置に、前記レジスト層の表面側から第１のレーザを照射して、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に至る穴を形成する穴形成工程と、
前記第１の位置および予め定める第２の位置に第２のレーザを照射して、前記第２の位置に、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に接続されない深さの窪み部を形成する窪み部形成工程と、
前記穴および前記窪み部に導電物質を充填して導体パターンを形成する導体充填工程と、
前記レジスト層を除去することにより前記導体パターンの一部を前記絶縁層の表面から突出させてプリント基板とするレジスト層除去工程と、を備えることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項２】
内層に導体層を有し且つ表面が絶縁層であるプリント基板の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、
予め定める第１および第２の位置に第２のレーザを照射して、前記第１および第２の位置に、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に接続されない深さの窪み部を形成する窪み部形成工程と、
前記第１の位置に、前記レジスト層の表面側から第１のレーザまたは前記第２のレーザを照射して、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に至る穴を形成する穴形成工程と、
前記穴および前記窪み部に導電物質を充填して導体パターンを形成する導体充填工程と、
前記レジスト層を除去することにより前記導体パターンの一部を前記絶縁層の表面から突出させてプリント基板とするレジスト層除去工程と、を備えることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項３】
前記導体充填工程にて導電物質を充填するにあたり、前記穴と前記窪み部、および前記レジスト層の表面に導電物質を配置した後、前記レジスト層の表面より上側の前記導電物質を除去することを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項４】
前記導体充填工程での前記穴および前記窪み部に対する導電物質の充填がスパッタリングによって実施されることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体充填工程での前記穴および前記窪み部に対する導電物質の充填がめっき法で実施され、
該めっき法においてのめっきに先立ち、前記穴および前記窪み部の表面に厚さ１［μｍ］以下の導体物を配置することを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２のレーザがエキシマレーザであることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１のレーザがＣＯ２レーザまたは波長４００［ｎｍ］以下のＵＶレーザであることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２のレーザの中心軸と直角方向の断面は、一辺が他辺よりも十分に大きい略矩形形状であることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項９】
第１のレーザを出力するレーザ発振器と、
第２のレーザを出力するレーザ発振器と、
前記第１のレーザを断面が円形のビームに整形する第１の光学系と、
前記断面円形ビームをＸ，Ｙ方向に位置決めする位置決め装置と、
前記第２のレーザを断面が矩形のビームに整形する第２の光学系と、
前記断面矩形ビームの光路上に配置されるマスクを前記光路に対して直角の方向に移動させる移動装置と、
被加工物を載置してＹ方向に移動自在のテーブルと、を備え、
前記被加工物に前記断面円形ビームと前記断面矩形ビームを照射可能に構成したことを特徴とするプリント基板加工機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の製造方法およびプリント基板加工機に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細な配線を備えるプリント基板の製造方法として、以下のようなものが知られている（特許文献１参照）。該特許文献１には、プリント基板の表面絶縁層に導体パターン（配線パターン）に合わせた溝を形成し、形成した溝に導体（配線パターンの前駆体）を堆積させた後、過剰に堆積した導体をプリント基板の表面側から除去する方法が開示されている。この技術の場合、内層の導体パターンと表面に形成される導体パターンとを接続するための貫通穴を、導体パターンに合わせた溝を形成するに先立ち、レーザにより加工している。そして、この技術によれば、表面が平坦なプリント基板を形成することができた。
【０００３】
また、ビームの断面形状（以下、「ビーム形状」という。）を矩形形状にしたエキシマレーザを用いて導体パターンを作製する試みもなされている（非特許文献１参照）。
【０００４】
また、表面の導体層をマスクとして、ビーム形状を矩形形状にしたエキシマレーザによりブラインドホールを形成する技術が知られている（特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−４１０２９号公報
【特許文献２】特開平７−３３６０５５号公報
【非特許文献１】Ｐｈｉｌ  Ｒｕｍｓｂｙ他、Ｐｒｏｃ．ＳＰＩＥ  Ｖｏｌ．３１８    ４、ｐ．１７６−１８５、１９９７年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の場合、溝を形成するための工程として、少なくとも、ａ．フォトレジスト塗布工程、ｂ．フォトレジスト硬化工程、ｃ．露光工程、ｄ．現像工程、ｅ．ソフトエッチング工程、が必要である。また、貫通穴の部分を除くほとんどの導体パターンは、絶縁層の上に平面的に置かれた状態であるため、剥離強度が小さかった。
【０００７】
また、非特許文献１では、内層の導体パターンと表面に形成される導体パターンとを接続する手段が考慮されていない。
【０００８】
本発明の目的は、上記した課題を解決し、剥離強度が大きいプリント基板を提供すると共に、製造時間の短縮および製造コストの低減が可能なプリント基板の製造方法およびプリント基板加工機を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の手段は、プリント基板の製造方法として、内層に導体層を有し且つ表面が絶縁層であるプリント基板の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、予め定める第１の位置に、前記レジスト層の表面側から第１のレーザを照射して、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に至る穴を形成する穴形成工程と、前記第１の位置および予め定める第２の位置に第２のレーザを照射して、前記第２の位置に、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に接続されない深さの窪み部を形
成する窪み部形成工程と、前記穴および前記窪み部に導電物質を充填して導体パターンを形成する導体充填工程と、前記レジスト層を除去することにより前記導体パターンの一部を前記絶縁層の表面から突出させてプリント基板とするレジスト層除去工程と、を備えることを特徴とする。なお、本発明における上記「窪み部」は、穴および溝を含む広い概念である。
【００１０】
また、本発明の第２の手段は、プリント基板の製造方法として、内層に導体層を有し且つ表面が絶縁層であるプリント基板の表面にレジスト層を形成するレジスト層形成工程と、予め定める第１および第２の位置に第２のレーザを照射して、前記第１および第２の位置に、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に接続されない深さの窪み部を形成する窪み部形成工程と、前記第１の位置に、前記レジスト層の表面側から第１のレーザまたは前記第２のレーザを照射して、前記レジスト層の表面から前記内層の導体層に至る穴を形成する穴形成工程と、前記穴および前記窪み部に導電物質を充填して導体パターンを形成する導体充填工程と、前記レジスト層を除去することにより前記導体パターンの一部を前記絶縁層の表面から突出させてプリント基板とするレジスト層除去工程と、を備えることを特徴とする。なお、本発明における上記「窪み部」は、穴および溝を含む広い概念である。
【００１１】
上記第１および第２の手段において、前記導体充填工程にて導電物質を充填するにあたり、前記穴と前記窪み部、および前記レジスト層の表面に導電物質を配置した後、前記レジスト層の表面より上側の前記導電物質を除去してもよい。この場合、前記導体充填工程での前記穴および前記窪み部に対する導電物質の充填をスパッタリングによって実施することができる。また、前記導体充填工程での前記穴および前記窪み部に対する導電物質の充填をめっき法で実施する場合、該めっき法においてのめっきに先立ち、前記穴および前記窪み部の表面に厚さ１［μｍ］以下の導体物を配置することが好ましい。
【００１２】
また、上記第１および第２の手段において、前記第２のレーザをエキシマレーザとし、前記第１のレーザをＣＯ２レーザまたは波長４００［ｎｍ］以下のＵＶレーザとすることができる。
【００１３】
また、上記第１および第２の手段において、前記第２のレーザの中心軸と直角方向の断面を、一辺が他辺よりも十分に大きい略矩形形状とすることができる。
【００１４】
また、本発明の第３の手段は、プリント基板加工機として、第１のレーザを出力するレーザ発振器と、第２のレーザを出力するレーザ発振器と、前記第１のレーザを断面が円形のビームに整形する第１の光学系と、前記断面円形ビームをＸ，Ｙ方向に位置決めする位置決め装置と、前記第２のレーザを断面が矩形のビームに整形する第２の光学系と、前記断面矩形ビームの光路上に配置されるマスクを前記光路に対して直角の方向に移動させる移動装置と、被加工物を載置してＹ方向に移動自在のテーブルと、を備え、前記被加工物に前記断面円形ビームと前記断面矩形ビームを照射可能に構成したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、先に設けられている絶縁層の表面から突出する導体パターンが、その上に形成される絶縁層に食い込む状態となり、該導体パターンの介在によって、先の絶縁物と後の絶縁物とを剥離しないように保持する剥離強度が大きくなるので、プリント基板としての信頼性を向上することができる。また、従来に比べて加工工程を減らすことができるので、製造時間の短縮および製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照しながら本発明を説明する。
【００１７】
図１は、本発明に係る多層のプリント基板１の製造手順を説明する図である。同図（ａ）は、ベース（コア材）となるプリント基板１の要部断面図であり、同図（ｂ）〜（ｈ）は、製造プロセスを順を追って説明した断面図である。
【００１８】
図１（ａ）に示すように、プリント基板１は、絶縁物２と、導体で形成された導体パターン３と、内層の導体パターン３ｎと、導体パターン３と導体パターン３ｎとを接続する導体で形成されたパターン接続部４と、から構成されている。導体パターン３は、いわゆる円形状のランド部３ｄと、該ランド部３ｄ間を接続するライン部３ｌとから構成されている。なお、このプリント基板１は本発明に基づいて製造されたものであり、導体パターン３の一部が絶縁物２から突出している。
【００１９】
工程１：図１（ｂ）に示すように、プリント基板１の表面に絶縁物２を積層する。積層する絶縁物２の材質としては、線幅が１０［μｍ］以下、線間が１０［μｍ］程度のファインパターンを形成するのに適したもの（例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂あるいはフェノール樹脂等の熱硬化性樹脂）を使用する。また、絶縁物２を積層する手段としては、フィルム状のものを積層しても良いし、液状の材料を塗布して硬化させても良い。以下、積層した絶縁物２を、基材となるプリント基板１の絶縁物２と区別するため、積層した絶縁物２を絶縁物２ａと呼ぶ。ここでは、積層する絶縁物２ａの厚さを１５［μｍ］とする。
【００２０】
工程２：図１（ｃ）に示すように、内層に、導体層であるランド部３ｄ、ライン部３ｌ、導体パターン３ｎ、パターン接続部４を有し且つ表面が絶縁物２ａ（絶縁層）であるプリント基板１の表面（つまり、絶縁物２ａの表面）にレジストを積層してレジスト層５を形成する。なお、積層するレジストとしては、現像液に対する露光部の溶解性が大きいポジ形のレジストとすることが望ましい。また、レジストを積層する手段としては、フィルム状のものを積層しても良いし、液状の材料を塗布して硬化させても良い。なお、液状のレジストにより積層厚を３［μｍ］とする場合は例えばディップ法を、積層厚を３［μｍ］以下とする場合はスピンコート法あるいはキャピラリーコート法を採用すればよい。ここでは、積層厚を３［μｍ］とする。なお、以下、レジスト層５が形成されたプリント基板１もプリント基板１という。工程２は、本発明における「レジスト層形成工程」に対応している。
【００２１】
工程３：予め定める第１の位置に、レジスト層５の表面側から第１のレーザを照射して該レジスト層５の表面から内層の導体層に至る穴６を形成する。つまり、図１（ｄ）に示すように、第１のレーザにより、レジスト層５の表面側からランド部３ｄに達する穴６を加工する。すなわち、断面を円形にしたレーザの光軸を加工しようとするランド３ｄの中心に位置決めした後、第１のレーザとしてのパルス状のレーザを、図中の矢印Ａで示すように照射する。穴６の形状として、穴６の底部の内径を、穴６の入り口部の内径に近い値とすることができる加工条件を選定することが好ましい。
【００２２】
具体的な例として、例えば、第１のレーザにＣＯ２レーザを用いて直径が５０［μｍ］の穴６を形成する場合、波長９．４［μｍ］、エネルギ密度１０〜１５［Ｊ／ｃｍ２］、パルス幅１０［μｓ］のパルスを２パルス照射することにより、穴６の底部の直径を４０［μｍ］程度にすることができる。また、第１のレーザに波長３５５［ｎｍ］のＵＶレーザを用いる場合、加工部でのエネルギを０．８［Ｊ／ｃｍ２］として、パルス幅２０［ｎｓ］のパルスを３０パルス程度照射すればよい。なお、レーザとしてＣＯ２レーザを用いる場合、穴６の底部にスミアと呼ばれる炭化物７が残る場合がある。工程３は、本発明における「穴形成工程」に対応している。
【００２３】
工程４：第１の位置および予め定める第２の位置に第２のレーザを照射して、第１および第２の位置に、レジスト層の表面から内層の導体層に接続されない深さの（即ち、形成しようとする導体パターンに対応する深さの）穴８および溝９を形成する。つまり、同図（ｅ）に示すように、ビーム形状を矩形（線状）にした第２のレーザを、図中の矢印Ｂで示すようにレジスト層５の表面側から照射し、形成しようとする導体パターンに対応する深さの穴８および溝９を加工する。穴８は、穴６の入り口部近傍に繋がるように加工する。なお、穴８はランドが形成される部分であり、溝９はラインとなる部分である。この場合、レーザを、導体パターンと同じレーザ透過部が形成された後述のマスク上を走査させればよい。
【００２４】
なお、具体的な光学系については後述するが、例えば、第２のレーザをエキシマレーザ（波長３０８［ｎｍ］等）とし、パルス幅を２０〜３０［ｎｓ］、加工部のエネルギ密度を１［Ｊ／ｃｍ２］、パルス繰返し周期を５０［Ｈｚ］として、１０パルス程度で深さが１０［μｍ］の加工を行うことができる。なお、上記工程３においてスミア（炭化物７）が残存していたとしても、エキシマレーザを照射することによりスミアは除去される。工程４は、本発明における「窪み部形成工程」に対応している。本実施形態における「窪み部」は、穴８および溝９を含む広い概念である。第２のレーザにおける中心軸と直角方向の断面は、一辺が他辺よりも十分に大きい略矩形形状とすることが好ましい。
【００２５】
工程５：レジスト層５の上からスパッタリングにより、穴６，８および溝９に、導電物質である導体１０（例えば、銅）を充填させる。導体１０を堆積させる高さは、レジスト層５の表面から１〜２［μｍ］でよい。この場合、穴６，８および溝９の上部の導体１０が凹む場合があるが、凹みが１〜２［μｍ］であれば実用上差し支えない。工程５は、本発明における「導体充填工程」に対応している。工程５により、プリント基板の断面は同図（ｆ）に示すものとなる。
【００２６】
工程６：同図（ｇ）に示すように、例えば、砥石Ｒを用いて導体１０をレジスト層５の表面まで除去する。この場合、プリント基板１の表面を、検出装置（図示せず）で監視しながら研削すると効率的である。具体的には、レジストの光反射率は小さいので、例えば、ＣＣＤカメラ（図示せず）により、パターンが形成されていない加工表面の光反射率を監視し、光反射率が予め定める閾値以下になった場合に、レジスト層５の表面が露出したと判定するようにすればよい。これにより、穴６，８および溝９に充填された後に研磨された導体１０により、導体パターン１２および導体パターン１１が形成される。
【００２７】
工程７：同図（ｈ）に示すように、従来から使用されているレジスト除去剤によりレジスト層５を除去する。これにより、工程６で形成された導体パターン１２および導体パターン１１が絶縁物２ａから突出した状態のプリント基板１が作製される。工程７は、本発明における「レジスト層除去工程」に対応している。
【００２８】
以下、上記工程１〜７を繰り返すことにより、所望の層数のプリント基板１を製造することができる。
【００２９】
図１（ｈ）から理解できるように、本発明に係るパターンは、ランド部３ｄ、ライン部３ｌおよびパターン接続部４における絶縁物２から突出している部分（高さ方向の一部）が、これらの上部に形成された絶縁物２ａ中に入り込んでいる（埋没している）。このため、絶縁物２と絶縁物２ａとが剥離しないように保持する強度（以下、剥離強度という）を従来に比べて大きくすることができ、プリント基板としての信頼性を向上することができる。
【００３０】
また、従来技術（例えば特開２００６−４１０２９号公報）では溝形成のための工程として、少なくとも、フォトレジスト塗布工程、フォトレジスト硬化工程、露光工程、現像工程、ソフトエッチング工程が必要であったが、本発明に係る実施形態によると、これに比べて加工工程を削減することができるので、製造時間の短縮化および製造コストの低減化を図ることができる。
【００３１】
なお、本実施形態における、工程３の「穴形成工程」と工程４の「窪み部形成工程」を、これと逆の順序、つまり、工程４の「窪み部形成工程」を行ってから工程３の「穴形成工程」を行うように構成することもできる。その場合、まず、第１の位置および予め定める第２の位置に第２のレーザを照射して、第１および第２の位置に、レジスト層５の表面から内層の導体層に接続されない深さの穴８および溝９（窪み部）を形成する。その後、上記第１の位置に、レジスト層５の表面側から第１のレーザを照射して、該レジスト層５の表面から内層の導体層（例えばランド部３ｄ）に至る穴６を形成する。そして、上記工程５〜７を前述と同様に行うのである。このようなプリント基板の製造方法によっても、前述した実施形態と略々同様の効果を得ることができる。
【００３２】
なお、前述した本実施形態における導体充填工程（工程５）では、レジスト層５の上からスパッタリングにより穴６，８および溝９に導体１０を充填させたが、これに代えて、以下の変形例のようにすることもできる。
【００３３】
＜第１の変形例＞
図２は、導体充填工程を変更した第１の変形例を説明する図であり、図２（ａ）〜（ｅ）に示される工程、および図２（ｆ）〜（ｈ）に示される工程は、それぞれ図１（ａ）〜（ｈ）に示す工程と実質的に同様である。本第１の変形例では、図２（ｅ１），（ｅ２）に示す工程が新たに加えられている。
【００３４】
本第１の変形例では、予め穴６の位置と同軸の位置に穴３０ａが形成されたマスク３０を用意しておく。そして、図１（ｅ）で説明した工程４（窪み部形成工程）の終了後、プリント基板１の上面（つまり、レジスト層５、穴８および溝９を含む表面全体）にマスク３０を配置して、スパッタリングまたは真空蒸着により、導体１０を穴６の内部に充填する（同図（ｅ１））。次いで、穴６の内部に充填された導体１０の表面高さが穴８の底面の高さになった時点で（同図（ｅ２））、マスク３０を取り外し、その後、図１（ｆ）で説明した導体充填工程（スパッタリングまたは真空蒸着）を実行して、導体１０をレジスト層５の表面から１〜２［μｍ］の高さに堆積させる。その後、図１（ｇ）の工程６と図１（ｈ）の工程７を順次実施する。
【００３５】
＜第２の変形例＞
図３は、導体充填工程を変更した第２の変形例を説明する図であり、図３（ａ）〜（ｅ）に示される工程、および図３（ｆ）〜（ｈ）で示される工程は、それぞれ図１（ａ）〜（ｈ）に示す工程と実質的に同様である。本第２の変形例では、図３（ｅ１）〜（ｅ３）に示す工程が新たに加えられている。
【００３６】
本第２の変形例では、上記第１の変形例における図２（ｅ１），（ｅ２）に示した工程までは同じであるが、その後の処理が異なる。すなわち、図３（ｅ２）の工程後、ウエット法を用いてプリント基板１の表面（つまり、レジスト層５の表面、穴８および溝９の内面を含む表面全体）にめっき触媒（例えば、パラジウム）を付与する。引き続き、無電解めっきを行って導体物の薄膜層Ｔ（図中の点線）を形成し（図３（ｅ３））、その後、めっき処理により導体１０を、レジスト層５の表面から１〜２［μｍ］の高さとなるように堆積させる。めっき処理としては通常の電気めっきでもよいし、穴底からめっきが形成されるいわゆるフィルドめっきあるいはリバーシブルめっき（不図示の電極とプリント基板１との間に印加する電圧の極性を周期的に変え、めっきと電解を繰り返すめっき処理）を行うと、穴６、８が形成された部分の表面もほぼ平坦にすることができるので、同図（ｇ）に示す工程６の作業が容易になる。
【００３７】
＜第３の変形例＞
図４は、導体充填工程を変更した第３の変形例を説明する図であり、図４（ａ）〜（ｅ）に示した工程、および図４（ｆ）〜（ｈ）で示される工程は、それぞれ図１（ａ）〜（ｈ）に示す工程と実質的に同様である。本第３の変形例では、図４（ｅ１）に示す工程が新たに加えられている。
【００３８】
本第３の変形例では、図３で説明したようなマスク３０を使用しない。すなわち、図１（ｅ）で説明した工程４（窪み部形成工程）の終了後、ウエット法を用いてプリント基板１の表面（つまり、レジスト層５、穴６、穴８および溝９を含む露出面全体）にめっき触媒（例えば、パラジウム）を付与してから無電解めっきを行って導体物の薄膜層Ｔ（図中の点線）を形成した後、あるいはスパッタリングによりプリント基板１の表面全体（つまり、穴６、穴８、溝９およびレジスト層の表面）に導体物の薄膜層Ｔ（図中の点線）を厚さ１［μｍ］以下に形成した後（同図（ｅ１））、電気めっき処理により、導電物質である導体１０を、レジスト層５の表面から１〜２［μｍ］の高さになるように堆積させる（同図（ｆ））。めっき処理としては、通常の電気めっきでもよいし、フィルドめっきあるいはリバーシブルめっきでもよい。なお、リバーシブルめっきを行う場合、上記第２の変形例の場合に比べて、めっき層の厚さを厚くする必要がある。
【００３９】
ところで、上記においては積層する絶縁物２ａの材質を熱硬化性樹脂とし、積層厚を１５［μｍ］としたが、絶縁物２ａの積層厚は用途によって異なる。通常、絶縁物２ａの積層厚を４０［μｍ］以下とする場合は、単一材質の絶縁物とする。一方、積層厚を４０［μｍ］以上とする場合は、絶縁物２ａを複数の材質とすることがある。
【００４０】
ついで、図５を参照して、本発明を適用することができる他のプリント基板の構成について説明する。
【００４１】
同図（ａ）に示すように、積層厚が４０［μｍ］を超える場合は、例えば、絶縁材料を２層構造にして、導体層（３ｌ、３ｄ等）の上にガラス繊維入りの材料２ａ１（ＦＲ−４材等）を積層（ビルドアップ）してから、熱硬化性樹脂２ａをビルドアップする。以下、図１〜図４で説明した工程により、同図（ｂ）に示すように、導体パターン１１、１２を形成する。なお、ＦＲ−４材は、難燃性のエポキシ−ガラス布複合樹脂（glass  reinforced  epoxy）である。
【００４２】
次に、本発明に好適なプリント基板加工機について説明する。図６は、本発明に好適なプリント基板加工機のヘッド部の配置図、図７および図８はヘッド部（レーザ照射部）の概略構成図である。
【００４３】
プリント基板加工機（図示せず）は、被加工物であるプリント基板１に対して、断面円形ビームと断面矩形ビームを照射可能に構成されている。ヘッド部ＨＡ、ＨＢは、プリント基板加工機の本体（図示せず）に固定されている。プリント基板１を支持するテーブル２０は、被加工物である該プリント基板１を載置した状態で本体上をＸ，Ｙ方向に移動自在となるように構成されている。本体には、図示を省略するＣＯ２レーザ発振器（第１のレーザを出力するレーザ発振器）およびエキシマレーザ発振器（第２のレーザを出力するレーザ発振器）が配置されている。
【００４４】
図７に示すように、ヘッドＨＡには一対のガルバノミラー２１、２２とｆθレンズ（集光レンズ）２３とが配置されている。そして、穴６を加工する場合（前述した工程３）は、不図示の光学系（第１の光学系）により、ＣＯ２レーザ発振器から出力されたパルス状のＣＯ２レーザ（第１のレーザ）を断面が円形のビームに整形し、ガルバノミラー２１、２２によりＸ、Ｙ方向に位置決めして、所望の位置に穴６を加工する。なお、ガルバノミラー２１、２２は、断面円形ビームをＸ，Ｙ方向に位置決めする位置決め装置を構成している。
【００４５】
図８に示すように、ヘッドＨＢの場合、ヘッドＨＢとテーブル２０との間の光路には、マスク３１がテーブル２０と平行になるようにして配置されている。上記本体には、マスク３１を光路に対して直角の方向に移動させる移動装置（図示せず）が配設されている。マスク３１には、プリント基板１に配置しようとするパターンに対応するレーザ透過部が設けられている。マスク３１とテーブル２０との間には、集光レンズ３２が配置されている。
【００４６】
そして、穴８および溝９を加工する場合（上記の工程４）、エキシマレーザ発振器からパルス状に出力された方形のエキシマレーザ（第２のレーザ）は、図示を省略するホモジナイザ（ビーム強度分布整形器：第２の光学系）により、強度分布が一様な矩形ビーム（以下、「ラインビーム」と呼ぶ。）に変換（整形）され、断面矩形ビームの光路上に配置されたマスク３１に入射する。そして、マスク３１を透過したラインビームは、集光レンズ３２により集光され、プリント基板１の表面に積層されたレジスト層５の表面にレーザ透過部の像を結像して、穴８および溝９を加工する。マスク３１とテーブル２０を逆方向に移動させると、ラインビームがマスク３１を走査するので、プリント基板１の表面に所望の穴８および溝９を加工することができる。なお、この場合、テーブル２０のマスク３１に対する移動速度は、縮小倍率に等しくする。
【００４７】
なお、エキシマレーザに代えて、第２のレーザとして波長４００［ｎｍ］以下のＵＶレーザを用い、ビーム形状を例えば円形にして導体パターンを描画させるようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施形態に係る多層のプリント基板の製造手順を説明する図である。
【図２】本発明に係る第１の変形例を説明する図である。
【図３】本発明に係る第２の変形例を説明する図である。
【図４】本発明に係る第３の変形例を説明する図である。
【図５】本発明を適用することができる他のプリント基板の構成説明図である。
【図６】本発明に好適なプリント基板加工機のヘッド部の配置図である。
【図７】本発明に好適なヘッド部の説明図である。
【図８】本発明に好適なヘッド部の説明図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  プリント基板
２  絶縁物
２ａ  絶縁層（絶縁物）
３ｄ、３ｌ、３ｎ、４  導体層（ランド部、ライン部、導体パターン、パターン接続部）
５  レジスト層
６  穴
８、９  窪み部（穴、溝）
１０  導電物質（導体）
１１、１２  導体パターン
２０  テーブル
２１、２２  位置決め装置（ガルバノミラー）
Ｔ  導体物（薄膜層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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