【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｎ材料層と、
前記ＩＩＩ−Ｎ材料層の表面上に設けられた絶縁体層と、
前記ＩＩＩ−Ｎ材料層と反対側の前記絶縁体層上に設けられたエッチング停止層と、
前記絶縁体層とは反対側の前記エッチング停止層上に設けられた電極画定層と、
電極と、を備え、
前記電極画定層内に凹部が形成され、前記電極は、前記凹部内に形成されているＩＩＩ−Ｎデバイス。
【請求項２】
前記電極画定層及び前記エッチング停止層は、第１の電極画定層及び第１のエッチング停止層であり、前記デバイスは、前記第１のエッチング停止層から反対側の前記第１の電極画定層上にスタックを更に有し、前記スタックは、第２のエッチング停止層及び第２の電極画定層を含む請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記スタック内に凹部が形成され、前記電極の一部は、前記第１の電極画定層から反対側の前記スタック上にある請求項２記載のデバイス。
【請求項４】
前記第１の電極画定層と前記第２のエッチング停止層との間に第２の絶縁層を更に備える請求項２記載のデバイス。
【請求項５】
第２の電極を更に備え、前記第２の電極画定層及び前記第２のエッチング停止層内に第２の凹部が形成され、前記第２の電極は、前記第２の凹部内に形成されている請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
前記第２の電極は、前記第１の電極に電気的に接続されている請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
複数のスタックを更に備え、各スタック内に凹部が形成され、各凹部内に電極が形成されている請求項２記載のデバイス。
【請求項８】
前記電極は、フィールドプレートを含む請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項９】
前記フィールドプレートは、傾斜フィールドプレートである請求項８記載のデバイス。
【請求項１０】
前記電極画定層の凹部の一部は、少なくとも一部が前記エッチング停止層の主面に対して非垂直な角度を形成する傾けられた壁を有し、前記傾けられた壁が前記傾斜フィールドプレートを画定する請求項乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項１１】
前記非垂直な角度は、約５度から約８５度までの間である請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
前記絶縁層は、パッシベーション層である請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項１３】
前記絶縁層は、酸化物又は窒化物によって形成されている請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項１４】
前記絶縁体層は、厚さが約２ｎｍから５０ｎｍである請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】
前記絶縁体層は、単位面積あたりのキャパシタンスが約０．８ｍＦ／ｍ２から４０ｍＦ／ｍ２である請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項１６】
前記電極画定層は、酸化物又は窒化物によって形成されている請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項１７】
前記電極画定層は、厚さが少なくとも約１００ｎｍである請求項１６記載のデバイス。
【請求項１８】
前記絶縁体層及び前記電極画定層の組み合わされた厚さが、実質的に分散を抑制するために十分である請求項２記載のデバイス。
【請求項１９】
前記エッチング停止層は、厚さが約１ｎｍから１５ｎｍである請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項２０】
前記エッチング停止層は、窒化アルミニウムによって形成されている請求項１９記載のデバイス。
【請求項２１】
前記電極画定層及び前記エッチング停止層は、異なる材料によって形成されている請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項２２】
前記エッチング停止層及び前記絶縁体層は、異なる材料によって形成されている請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項２３】
前記凹部は、前記エッチング停止層内に形成されている請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項２４】
前記凹部は、前記絶縁体層内に形成されている請求項２３記載のデバイス。
【請求項２５】
前記ＩＩＩ−Ｎ材料層の第１の部分は、第１の組成を有し、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層の第２の部分は、第２の組成を有し、前記第１の組成と前記第２の組成との間の相違が、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層内に２ＤＥＧチャネルを形成する請求項２４記載のデバイス。
【請求項２６】
カソードを更に備え、前記電極の一部は、アノードであり、前記アノードは、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層に実質的にショットキー接合し、前記カソードは、２ＤＥＧチャネルと電気的に接触する請求項２５記載のデバイス。
【請求項２７】
前記凹部は、ＩＩＩ−Ｎ材料層内に延び、前記電極は、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層内の前記凹部の一部にある請求項２６記載のデバイス。
【請求項２８】
前記凹部は、２ＤＥＧチャネルを介して延びている請求項２７記載のデバイス。
【請求項２９】
前記デバイスの第１の領域の閾値電圧は、−１５Ｖより大きく、前記第１の領域は、アノード領域と前記カソードとの間にあり、前記アノード領域に隣接している前記デバイスの一部を含む請求項２８記載のデバイス。
【請求項３０】
前記絶縁層の厚さは、デバイス動作の間、約１０μＡ／ｍｍより大きい漏れ電流が前記絶縁層を流れることを防止するために十分な厚さである請求項２８記載のデバイス。
【請求項３１】
前記ＩＩＩ−Ｎ材料層の第１の部分は、第１の組成を有し、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層の第２の部分は、第２の組成を有し、前記第１の組成と前記第２の組成との間の差分によって、前記ＩＩＩ−Ｎ材料層内に２ＤＥＧチャネルが形成される請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項３２】
ソース及びドレインを更に備え、前記電極の一部は、ゲートであり、前記ソース及び前記ドレインは、前記２ＤＥＧチャネルと電気的に接触している請求項３１記載のデバイス。
【請求項３３】
デバイス閾値電圧が約−３０Ｖより大きい請求項３２記載のデバイス。
【請求項３４】
前記絶縁層の厚さは、前記デバイス閾値電圧が約−３０Ｖより大きくなる厚さである請求項３３記載のデバイス。
【請求項３５】
前記絶縁層の厚さは、デバイス動作の間、約１００μＡ／ｍｍより大きい漏れ電流が前記絶縁層を流れることを防止するために十分な厚さである請求項３３記載のデバイス。
【請求項３６】
前記デバイスは、ＦＥＴであり、デバイスが、約８００Ｖ以下のソース−ドレインバイアスで、オフ状態からオン状態にスイッチされるときに測定される動的オン抵抗が、ＤＣオン抵抗の１．４倍より小さい請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項３７】
前記電極は、ゲート電極であり、前記デバイスは、ソース及びドレインを更に備える請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項３８】
前記電極は、アノード電極であり、前記デバイスは、カソードを更に備える請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項３９】
前記凹部は、第１の側壁と第２の側壁を有し、
前記第１の側壁は前記凹部の前記第２の側壁とは反対側に設けられ、前記第１及び第２の側壁はそれぞれ前記第１の電極画定層の第１の表面から前記第２の電極画定層の第２の表面まで延びており、
前記第１の表面は、前記エッチング停止層に隣接しており、かつ、前記第２の表面は、前記第２の表面と反対側にあり、
第１の角度は、前記エッチング停止層の表面と前記エッチング停止層に隣接する前記第１の側壁との間に形成され、
第２の角度は、前記エッチング停止層の表面と前記エッチング停止層に隣接する前記第２の側壁との間に形成され、
前記第１の角度は前記第２の角度よりも大きい請求項１乃至７何れか１項に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記電極はゲート電極であり、前記ゲート電極は前記第１の側壁と前記第２の側壁との上に形成される請求項３９に記載のデバイス。
【請求項４１】
さらに、前記凹部の反対側に形成されるソースとドレインとを有し、
前記ソースは、前記第１の側壁に隣接し、前記ドレインは、前記第２の側壁に隣接する請求項４０に記載のデバイス。
【請求項４２】
デバイスが、約６００Ｖ以下のソース−ドレインバイアスで、オフ状態からオン状態にスイッチされるときに測定される動的オン抵抗が、ＤＣオン抵抗の１．２倍より小さい請求項１乃至７何れか１項記載のデバイス。
【請求項４３】
ＩＩＩ−Ｎ材料層の表面に絶縁層を設ける工程と、
前記絶縁層を設けた後に、前記絶縁層上にエッチング停止層を設ける工程と、
前記エッチング停止層を設けた後に、前記エッチング停止層に電極画定層を設ける工程と、
前記エッチング停止層より速いレートで、前記電極画定層をエッチングする選択性を有するエッチング液を用いて、前記電極画定層をエッチングして、凹部を形成する工程と、
前記凹部内及び前記電極画定層の露出部分に導電材料を堆積させる工程とを有するデバイスを製造する方法。
【請求項４４】
前記電極画定層及び前記エッチング停止層は、第１の電極画定層と第１のエッチング停止層であり、
さらに、前記第１のエッチング停止層から前記第１の電極画定層の反対側上のスタックを有し、前記スタックは第２のエッチング停止層と第２の電極画定層を形成する工程を有することを特徴とする請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
前記凹部は、前記スタック内に形成され、前記電極の一部は、前記第１の電極画定層とは反対側の前記スタック上に設けられていることを特徴とする請求項４４に記載の方法。
【請求項４６】
さらに、前記第１の電極画定層と前記第２のエッチング停止層との間に第２の絶縁体層を形成することを特徴とする請求項４４に記載の方法。
【請求項４７】
さらに、第２の電極を有し、
前記第２の凹部は、前記第２の電極画定層に形成され、前記第２の電極は前記第２の凹部に形成することを特徴とする請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記第２の電極は、前記第１の電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項４７に記載の方法。
【請求項４９】
さらに、前記スタックを複数し、
前記凹部は、各スタックに形成され、１つの電極が各凹部に形成されることを特徴とする請求項４４に記載の方法。
【請求項５０】
前記エッチング停止層をエッチングして、前記電極画定層内の前記凹部を前記絶縁層まで延ばす工程を更に有する請求項４３乃至４９何れか１項記載の方法。
【請求項５１】
前記エッチング停止層のエッチングは、ウェットエッチングを含む請求項５０記載の方法。
【請求項５２】
前記エッチング停止層をエッチングするために用いられるエッチングプロセスは、前記電極画定層又は前記絶縁層を実質的にエッチングしない請求項５０又は５１記載の方法。
【請求項５３】
前記エッチングプロセスは、前記絶縁層と比べて、約１０：１以上の選択性で前記エッチング停止層をエッチングする請求項５２記載の方法。
【請求項５４】
前記電極画定層のエッチングは、ドライエッチングを含む請求項４３乃至４９何れか１項記載の方法。
【請求項５５】
前記電極画定層のエッチングは、フッ素ベースのドライエッチングを適用することを含む請求項５４記載の方法。
【請求項５６】
前記電極画定層のエッチングによって、前記電極画定層は、少なくとも一部が前記エッチング停止層の主面に対して非垂直の角度を形成する傾けられた壁を有するようになる請求項４３乃至４９何れか１項記載の方法。
【請求項５７】
前記非垂直な角度は、約５度から約８５度までの間である請求項５６記載の方法。
【請求項５８】
前記電極画定層をエッチングするために用いられるエッチングプロセスは、エッチング停止層を実質的にエッチングしない請求項４３乃至４９何れか１項記載の方法。
【請求項５９】
前記エッチングプロセスは、前記エッチング停止層と比べて、約１０：１以上の選択性で前記電極画定層をエッチングする請求項５８記載の方法。