Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月30日(2013.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのモータ（４．１）を備える少なくとも１つの駆動ユニット（４）と、
それぞれモータ接点エレメント（１２．１；１３．１）と安全接点エレメント（１２．２；１３．２）を有する少なくとも２つの操作ユニット（１２，１３）を備える少なくとも１つの操作装置（２）と、
少なくとも１つの給電ユニット（３）と、
少なくとも１つの安全装置（９）とを有するファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）であって、
前記家具駆動部（１）は、前記少なくとも２つの操作ユニットの機能表示およびエラー表示のための通報装置と安全装置（９）とによって構成されている、ことを特徴とするファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項２】
少なくとも２つの操作ユニット（１２，１３）のモータ接点エレメント（１２．１；１３．１）は、モータ電流を切り換えるため少なくとも１つのモータ（４．１）と接続可能である、ことを特徴とする請求項１に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項３】
それぞれ１つのモータ接点エレメント（１２．１；１３．１）と安全接点エレメント（１２．２；１３．２）が機械的に相互に結合されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項４】
それぞれ１つのモータ接点エレメント（１２．１；１３．１）と安全接点エレメント（１２．２；１３．２）が同時にまたは連続して操作される、ことを特徴とする請求項３に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項５】
少なくとも２つの操作ユニット（１２，１３）の安全接点エレメント（１２．２；１３．２）は、安全スイッチエレメント（１５）を操作するために少なくとも１つの安全装置（９）と結合されている、ことを特徴とする請求項１から４までのいずれか１項に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項６】
少なくとも１つの安全装置（９）は、操作装置（２）、給電ユニット（３）、電圧源（８）、またはそれらの組み合わせの中に配置されている、ことを特徴とする請求項２から５までのいずれか１項に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項７】
少なくとも２つの操作ユニット（１２、１３）の安全接点エレメント（１２．２；１３．２）は、少なくとも１つの安全装置（９）を形成する、ことを特徴とする請求項６に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項８】
安全接点エレメント（１２．２；１３．２）はそれぞれ対応するモータ接点エレメント（１２．１；１３．１）と電気的に直列に接続されている、ことを特徴とする請求項６に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項９】
通報装置（１０）は光学的および／または音響的通報エレメント（１１）を有する、ことを特徴とする請求項１から８までのいずれか１項に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１０】
通報装置（１０）は光学的通報エレメント（１１）として発光ダイオードを有する、ことを特徴とする請求項８に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１１】
通報装置（１０）は、通報エレメント（１１）を評価する論理回路および／またはコントローラの形で少なくとも１つの評価ユニットを有する、ことを特徴とする請求項９に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１２】
通報装置（１０）は評価ユニットとしてダイオードユニット（１４）を有する、ことを特徴とする請求項１１に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１３】
通報装置（１０）は、高抵抗の抵抗（Ｒ３，Ｒ５，Ｒ６）を備える少なくとも１つの発光ダイオードを有する、ことを特徴とする請求項８または９に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１４】
安全装置（９）は、補助電圧源（１７）を備える電源スイッチユニット（１６）の構成部分である、ことを特徴とする請求項１から１３までのいずれか１項に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１５】
補助電圧源（１７）は、電源に接続された補助電圧トランス（１７．１）である、ことを特徴とする請求項１４に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【請求項１６】
補助電圧源（１７）は、バッテリー、再充電可能なバッテリーおよび／または大容量のコンデンサである、ことを特徴とする請求項１４に記載のファーストフェイルセーフ機能付き電動家具駆動部（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月13日(2013.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明装置をオン状態に設定すると、照明を提供するように構成した光源と、
前記照明装置の外から入射する光線に応じて該光源を制御するように構成した光制御回路と、
を含む、照明装置。
【請求項２】
前記光制御回路は、前記入射光線によって伝えられる光学的に変調したコマンドに対応する、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
前記光制御回路を、前記照明装置をオン状態に設定すると、前記光源を特定の時間に一時的にオフにするよう構成し、
前記光制御回路は、前記光源をオフにした前記特定の時間中に前記入射光線に反応する、
請求項１に記載の照明装置。
【請求項４】
前記光制御回路は、前記照明装置の外から入射した光を復調して、該入射光によって伝えられる光学的に変調したコマンドを検出するように構成した受信機ブロックを含み、
該受信機ブロックは、前記光源をオフにした前記特定の時間中に、前記入射光に反応する、
請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
前記光制御回路は、
前記照明装置をオン状態に設定すると、前記光源をパルス幅変調するよう構成し、前記照明装置をオン状態に設定すると、前記特定の時間に一時的に前記光源をオフにするよう構成する光源制御回路を更に含む、
請求項３に記載の照明装置。
【請求項６】
前記光源制御回路は、受信データコマンドに応じて、前記光源の前記パルス幅変調を変えて、調光能力を得られる、請求項５に記載の照明装置。
【請求項７】
交流電圧源によって動作可能に駆動する電源ブロックであって、前記光制御回路と前記光源に電力を供給するよう構成する電源ブロックを更に含む、請求項３に記載の照明装置。
【請求項８】
前記光源をオフにする時間を、前記商用交流電源と同期させる、請求項７に記載の照明装置。
【請求項９】
前記光源を、第２照明装置又はリモコン等の外部装置と通信するよう制御するように、前記光源制御回路を構成する、請求項３に記載の照明装置。
【請求項１０】
照明装置を操作する方法であって、該方法は、
前記照明装置をオン状態に設定すると、第１時間に、光源によって照明光を提供し、第２時間に、光源を一時的にオフにするステップと、
前記光源をオフにした前記第２時間中に、前記照明装置の外から入射した光を検出し、
前記入射光に応じて、前記照明装置を制御するステップと、
を含む、方法。
【請求項１１】
交流電圧源を使用して前記照明装置を駆動し、前記第２時間を前記交流電圧源の周波数と同期させるステップと、
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記入射光を復調して、前記入射光によって伝えた光学的に変調したデータコマンドを復号し、
前記入射光から復号した前記データコマンドに応じて、前記照明装置の属性を変えること
を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記属性は、前記照明装置内で１つ又は複数の光源に関する調色設定を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記照明装置の外から入射する光は、環境光を含み、
前記制御することは、前記環境光の量に応じて調光を調整することを含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
照明装置をオン状態に設定すると、照明を提供するように構成した光源と、
該光源が照明を提供していない特定の時間中、光を検出するように構成した光検出器と
を含む、照明装置。
【請求項１６】
前記光源は、前記照明を提供するように構成した第１ＬＥＤを含み、該第１ＬＥＤを、該第１ＬＥＤが照明を提供していない特定の時間中には、前記光検出器になるようにも構成する、請求項１５に記載の照明装置。
【請求項１７】
第２ＬＥＤを更に含み、前記第１ＬＥＤは、前記第２ＬＥＤから発した光を検出する、請求項１６に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記照明装置によって生成した光の色を調整するために、制御回路を更に含む、請求項１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記第１ＬＥＤ又は前記第２ＬＥＤ又は両前記ＬＥＤによって生成した光を、調色するために調整する、請求項１８に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  実装面（１ａ）を有するキャリア（１）と、
−  前記実装面（１ａ）に固定されている少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）と、
−  電磁放射（４）を反射するように設けられている反射要素（３）と、
を備えており、
−  前記反射要素（３）が前記キャリア（１）に固定されており、
−  前記反射要素（３）が多孔質ポリテトラフルオロエチレンを備えており、
前記反射要素（３）が、少なくとも部分的に、接着剤を使用しない方法で前記キャリア（１）に固定されている、
発光ダイオード。
【請求項２】
前記反射要素（３）が、多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる箔から構成されている、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項３】
−  前記反射要素（３）が、多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる堅いインサート部として具体化されており、かつ、前記キャリア（１）の反射壁（１１）に固定されており、前記反射壁（１１）が前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の側方を囲んでおり、
−  前記キャリア（１）の外面の領域（１３）であって、プラスチックによって形成されており、かつ、前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の動作時に前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）によって生成される電磁放射（４）が入射し得る、領域（１３）、のすべてが、前記反射要素（３）によって覆われている、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項４】
−  前記反射要素（３）が、前記キャリア（１）のベースプレート（１０）に固定されている、多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる反射壁（１１）、として具体化されており、
−  前記キャリア（１）の外面の領域（１３）であって、プラスチックによって形成されており、かつ、前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の動作時に前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）によって生成される電磁放射（４）が入射し得る、領域（１３）、のすべてが、前記反射要素（３）によって覆われている、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項５】
前記反射要素（３）が、多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる堅いインサート部として具体化されており、かつ、前記キャリア（１）の反射壁（１１）に固定されており、前記反射壁（１１）が前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の側方を囲んでいる、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項６】
前記反射要素（３）が、前記キャリア（１）のベースプレート（１０）に固定されている、多孔質ポリテトラフルオロエチレンからなる反射壁（１１）、として具体化されている、
請求項１に記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記反射要素（３）が、前記キャリア（１）の外面の領域（１３）であって、前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の動作時に前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）によって生成される電磁放射（４）が入射し得る、領域（１３）、のすべてを覆っている、
請求項１から請求項６のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の動作時に、前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）によって生成される電磁放射（４）が前記キャリアの前記外面に入射しない、
請求項１から請求項７のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記キャリア（１）の外面の領域（１３）であって、プラスチックによって形成されており、かつ、前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）の動作時に前記少なくとも１個の発光ダイオードチップ（２，２ａ，２ｂ，２ｃ）によって生成される電磁放射（４）が入射し得る、領域（１３）、のすべてが、前記反射要素（３）によって覆われている、
請求項１から請求項８のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
プラスチックが存在していない、前記キャリア（１）の外面の領域（１４）すべてに、前記反射要素（３）が存在していない、
請求項１から請求項９のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光ダイオードを製造する方法であって、
前記キャリア（１）が、少なくとも部分的に熱可塑性材料を備えており、前記反射要素（３）を接着剤を使用しない方法で前記キャリア（１）に固定する目的で、前記反射要素（３）を前記プラスチックの上に前記プラスチックの溶融によって押し付ける、
方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の発光ダイオードを製造する方法であって、
前記キャリア（１）が少なくとも部分的に熱可塑性材料を備えており、前記反射要素（３）を接着剤を使用しない方法で前記キャリア（１）に固定する目的で、前記反射要素（３）を前記プラスチックによってインサート成形する、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月21日(2013.3.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のバリア層によってヒートアシスト領域から離され、第２のバリア層によってピン止め領域から離された自由層を有する抵抗性検知素子（ＲＳＥ）を含む装置であって、前記ヒートアシスト領域は、前記自由層と前記ピン止め領域とに関して面外異方性を有する、装置。
【請求項２】
前記ピン止め領域は、逆平行方向に構成された複数の固定磁性層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
読み出し動作の間、前記ピン止め領域および前記ヒートアシスト領域は、各々、実質的にゼロの正味磁気モーメントを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記スピン分極された電流は、前記ＲＳＥを単一の方向に通過する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記スピン分極された電流は、前記ＲＳＥの後にスイッチングデバイスを通過する、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記ヒートアシスト領域は、少なくとも、第１の合成フェリ磁性層と第２の合成フェリ磁性層とを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の合成フェリ磁性層は、前記ＲＳＥの前記第２の合成フェリ磁性層よりも低いキュリー温度を有する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記ヒートアシスト領域は、第１の温度において実質的にゼロの正味磁気モーメントを有し、第２の温度において非ゼロの正味磁気モーメントを有する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記ヒートアシスト領域は、電流によって引き起こされた熱により活性化される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ヒートアシスト領域は、希土類遷移金属を含む単一のフェリ磁性層を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
第１のバリア層によってヒートアシスト領域から離され、第２のバリア層によってピン止め領域から離された自由層を有する抵抗性検知素子（ＲＳＥ）を含む装置であって、前記ヒートアシスト領域は、少なくとも、第１の合成フェリ磁性層と、前記自由層および前記ピン止め領域に関する面外異方性とを有する、装置。
【請求項１２】
第１の合成フェリ磁性層と第２の合成フェリ磁性層との間の第１のバリア層と、
前記ヒートアシスト領域と前記ピン止め領域との間の第２のバリア層と、
前記自由層と前記ピン止め領域との間の第３のバリア層と、
第１のピン止め層と第２のピン止め層との間の第４のバリア層とをさらに含む、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
ヒートアシスト領域、磁気トンネル接合（ＭＴＪ）およびピン止め領域を有する抵抗性検知素子（ＲＳＥ）を提供するステップと、
前記ピン止め領域および前記ヒートアシスト領域が、各々、ゼロの正味磁気モーメントを有している間に、スピン分極された電流を用いて前記ＭＴＪに第１の論理状態を書込むステップと、
前記ピン止め領域がゼロの正味磁気モーメントを有し、前記ヒートアシスト領域が非ゼロの正味磁気モーメントを生成するようにされている間、静磁場を用いて前記ＭＴＪに第２の論理状態を書込むステップとを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気セルであって、
自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、
前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層と、
前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、
永久磁石を含むとともに、前記第１の基準磁化配向方向に直交する第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層とを備え、
前記強磁性自由層は、前記第１の強磁性固定基準層と前記第２の強磁性固定基準層との間にある、磁気セル。
【請求項２】
前記強磁性自由層、前記第１の強磁性固定基準層、および前記第２の強磁性固定基準層は、面内磁気異方性を有する、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項３】
前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間に第２の酸化物バリヤ層をさらに備える、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項４】
前記第１の強磁性固定基準層は、合成反強磁性素子を含む、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項５】
前記第２の強磁性固定基準層は、合成反強磁性素子を含む、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項６】
前記強磁性自由層は、前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項７】
前記自由磁化配向方向は、前記第２の基準磁化配向方向に直交する、請求項１に記載の磁気セル。
【請求項８】
スピントルクトランスファ磁気セルであって、
前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、
前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層と、
前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、
永久磁石を含むとともに、前記自由磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層と、
前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備える、スピントルクトランスファ磁気セル。
【請求項９】
スピントルクトランスファ磁気セルであって、
前記磁気セルを流れる電流によって誘導されるスピントルクトランスファによって、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態との間を切換える、面内自由磁化配向方向を有する強磁性自由層と、
前記自由磁化配向方向に平行または逆平行の第１の基準磁化配向方向を有する第１の強磁性固定基準層と、
前記強磁性自由層と前記第１の強磁性固定基準層との間にある第１の酸化物バリヤ層と、
永久磁石を含むとともに、前記第１の基準磁化配向方向に直交する、面内の第２の基準磁化配向方向を有する第２の強磁性固定基準層と、
前記強磁性自由層と前記第２の強磁性固定基準層との間の第２の酸化物バリヤ層とを備える、スピントルクトランスファ磁気セル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月5日(2013.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気積層体であって、
磁化の向きを切換えることができる強磁性自由層と、磁化の向きが固定された強磁性基準層と、これらの間にあるバリア層とを備え、前記自由層、基準層、およびバリア層は各々中心を有し、
中心を有する環状反強磁性ピニング層を備え、前記ピニング層の中心は、前記自由層、基準層、およびバリア層各々の中心と整列し、前記ピニング層は、前記自由層から電気的に分離されるとともに前記基準層と物理的に接触する、磁気積層体。
【請求項２】
前記基準層の面積は前記自由層の面積よりも大きい、請求項１に記載の磁気積層体。
【請求項３】
前記基準層は合成反強磁性（ＳＡＦ）３重層である、請求項１または２に記載の磁気積層体。
【請求項４】
前記基準層は単一強磁性ピンド層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気積層体。
【請求項５】
前記環状ピニング層は少なくとも前記自由層を囲む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の磁気積層体。
【請求項６】
前記環状ピニング層と前記自由層との間に電気絶縁分離層をさらに備える、請求項５に記載の磁気積層体。
【請求項７】
前記環状ピニング層は、ピンド層の、前記自由層とは反対の側に位置する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気積層体。
【請求項８】
前記バリア層の面積は前記自由層の面積よりも大きい、請求項１〜７のいずれか１項に記載の磁気積層体。
【請求項９】
前記磁気積層体は磁気トンネル接合メモリセルである、請求項１〜８のいずれか１項に記載の磁気積層体。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月4日(2013.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気機器、例えばソーラーモジュール（２）の電気的接続のための連結接続装置であって、
該連結接続装置は、
ケーシング下部（３）およびケーシング上部（４）を有するケーシングと、
前記電気機器からの少なくとも１つの接続線路（６）に電気的に接触する少なくとも１つのコンタクトばね（５）と、
少なくとも１つのケーブル（８）を接続するために前記ケーシング内に配置されている少なくとも１つの端子エレメント（７）と、
前記コンタクトばね（５）を介して前記接続線路（６）へ接触し、かつ、前記端子エレメント（７）を介して前記ケーブル（８）へ接続されて、前記接続線路（６）と前記ケーブル（８）とを電気的に接続可能な少なくとも１つの金属部（９）と
を有しており、
前記ケーシングは前記ケーブル（８）を通すための少なくとも１つの開口（１０）を有しており、
前記ケーシング下部（３）に前記コンタクトばね（５）および前記端子エレメント（７）および前記金属部（９）が配置されており、
前記ケーシング上部（４）に少なくとも１つの操作エレメント（１１）が配置されており、
前記コンタクトばね（５）は、前記ケーシング上部（４）が前記ケーシング下部（３）へ載置または圧着される際に、前記接続線路（６）に接触しない第１の位置から前記接続線路へ接触する第２の位置へ移動するものである、
連結接続装置において、
前記コンタクトばね（５）は、２つのコンタクトばね脚部（１２，１３）と該２つのコンタクトばね脚部（１２，１３）を接続する１つのコンタクトばね背部（１４）とを有しており、
前記連結接続装置に、さらに、上ばね（１５）が設けられており、
前記上ばね（１５）は、２つの上ばね脚部（１６，１７）と該２つの上ばね脚部（１６，１７）を接続する１つの上ばね背部（１８）とを有しており、かつ、前記ケーシング上部（４）が前記ケーシング下部（３）へ載置または圧着される際に、前記操作エレメント（１１）が前記上ばね背部（１８）へ押しつけられることによって第１の位置から第２の位置へ移動するものであり、
さらに、前記上ばね（１５）は、前記コンタクトばね（５）に対して相対的に移動し、少なくとも一方のコンタクトばね脚部（１２，１３）の位置を変化させ、これにより前記接続線路（６）が２つのコンタクトばね脚部（１２，１３）のあいだに挟まれてこれらに接触するように配置されている
ことを特徴とする連結接続装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年10月22日(2012.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層と、
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層の上に配置され、抵抗感知メモリスタックを形成する、非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層と、
抵抗感知メモリスタックによって隔てられた第１および第２の電極とを含む、抵抗感知メモリセル。
【請求項２】
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層は１０〜７５ナノメートルの範囲の厚さを有し、非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層は１〜７ナノメートルの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項３】
第１および第２の電極は貴金属から形成される、請求項１または２に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項４】
非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層から結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層を隔てる酸素拡散バリア層をさらに含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項５】
酸素拡散バリア層は金属の酸素拡散バリア層である、請求項４に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項６】
酸素拡散バリア層は１〜１０ナノメートルの範囲の厚さを有する、請求項５に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項７】
酸素拡散バリア層はプラチナ層である、請求項５に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項８】
プラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物はＰｒ1-XＣａXＭｎＯ3を含み、式中、Ｘ
は０．２〜０．６の範囲にある、請求項１〜７のいずれか１項に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項９】
酸素拡散バリア層は導電性酸化物の酸素拡散バリア層である、請求項４に記載の抵抗感知メモリセル。
【請求項１０】
不揮発性メモリセルであって、
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層と、
非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層と、
非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層から結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層を隔て、抵抗感知メモリスタックを形成する、酸素拡散バリア層とを含み、酸素拡散バリア層は、電気バイアスがある場合には酸素イオンがそれを通り抜けるようにするものの、電気バイアスがない場合には酸素または酸素イオンがそれを通り抜けることを阻止し、前記不揮発性メモリセルはさらに、
抵抗感知メモリスタックによって隔てられた第１および第２の電極を含む、不揮発性メモリセル。
【請求項１１】
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層は１０〜７５ナノメートルの範囲の厚さを有し、非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層は１〜７ナノメートルの範囲の厚さを有する、請求項１０に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１２】
酸素拡散バリア層は１〜１０ナノメートルの範囲の厚さを有する、請求項１１に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１３】
第１および第２の電極は、タングステン、ニッケル、モリブデン、プラチナ、金、パラジウム、ロジウム、およびそれらの合金、混合物または組合せから形成される、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１４】
酸素拡散バリア層は、プラチナを含む、金属の酸素拡散バリア層である、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１５】
プラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物はＰｒ1-XＣａXＭｎＯ3を含み、式中、Ｘ
は０．２〜０．６の範囲にある、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１６】
酸素拡散バリア層は、ＩｒＯ、ＲｕＯ、ＳｒＲｕＯ3、ランタン・カルシウム・マンガ
ン酸化物、またはそれらの組み合わせを含む、導電性酸化物の酸素拡散バリア層である、請求項１０〜１５のいずれか１項に記載の不揮発性メモリセル。
【請求項１７】
第１の電極の上に結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層を堆積させるステップと、
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層の上に非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層を堆積させるステップと、
非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層の上に第２の電極を堆積させ、抵抗感知メモリセルを形成するステップとを含む、方法。
【請求項１８】
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物は、少なくとも摂氏４００度の温度で堆積される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物は、摂氏４００度未満の温度で堆積される、請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
結晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層と非晶質のプラセオジム・カルシウム・マンガン酸化物の層との間に酸素拡散バリア層を堆積させるステップをさらに含む、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気器具のためのオペレータ制御装置であって、このオペレータ制御装置がオペレータ制御パネル、照明された表示器、及び平坦な感圧性センサー素子と一緒に接触スイッチを持つものにおいて、平坦な要素支持体がオペレータ制御パネルの後面上に配置され、前記要素支持体が一面にかつ透明な窓により閉じられる少なくとも一つの開口の領域内にまたはその付近に照明手段を持ち、後面上に少なくとも平坦なセンサー素子を持ち、後面がオペレータ制御パネルとは反対の面であること、及び前記少なくとも一つの開口がオペレータ制御パネル内に設けられていることを特徴とするオペレータ制御装置。
【請求項２】
複数の開口がオペレータ制御パネル内に設けられ、前記開口が記号を、例えば７セグメント表示器を形成して、特にそれらが互いから薄いウエブにより分離されることを特徴とする請求項１に記載のオペレータ制御装置。
【請求項３】
複数の開口がオペレータ制御パネル内に設けられ、照明手段が、オペレータ制御パネル内の開口の背後に、好ましくはそれらが開口中に幾らか突出するように、配置されることを特徴とする請求項１または２に記載のオペレータ制御装置。
【請求項４】
オペレータ制御パネル内の少なくとも一つまたは二つの開口が、関連した平坦なセンサー素子を持つかまたは平坦なセンサー素子に対向して位置されており、さらに開口が、特に照明された表示器の干渉記号の全ての開口が、好ましくはセンサー素子の表面に対向して位置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項５】
センサー素子が、特にピエゾ材料から構成された被膜として平坦な形で要素支持体に直接付与されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項６】
センサー素子が、要素支持体に平坦な形で別個の要素として、特に支持体上に薄いピエゾ板として付与され、特に永久的に接着剤で結合されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項７】
少なくとも一つの開口がオペレータ制御パネル内に設けられ、オペレータ制御パネルの各開口のための透明窓が、オペレータ制御パネルの各開口中に個々に挿入されている透明部品により形成され、かつ前記オペレータ制御パネルに固定され、照明手段が、好ましくはオペレータ制御パネルの開口中に窓のちょうど前面のまたは前記窓の真向かいの点まで突出することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項８】
複数の窓が、複数の開口に対し干渉態様で、特に導光要素として形成され、導光要素が前記オペレータ制御パネルの後面から前記オペレータ制御パネルに固定され、導光要素の突起が窓としての開口中に延び、導光要素支持体が、特に導光要素の後面に与えられているか、または二つの部分が互いに接続されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項９】
導光要素が、オペレータ制御パネルの後面に、特に接着剤結合により取り付けられ、かつ要素支持体の導光要素の後面に、特に接着剤結合により固定されることを特徴とする請求項８に記載のオペレータ制御装置。
【請求項１０】
要素支持体上に配置されている照明手段が、窓内のまたは導光要素内の対応する凹所内に、特にオペレータ制御パネルの開口中に延びる窓の下で、係合するかまたは延びることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項１１】
照明手段が同様に、要素支持体の後面上に、オペレータ制御パネルに直接通過しない照明方向で配置され、照明手段が、好ましくは光の方向を少なくとも一回オペレータ制御パネルの開口に向けて屈折する請求項８〜１０のいずれか一つに記載の導光要素中に光を放射することを特徴とする請求項１〜１０のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項１２】
導光要素が、特に要素支持体の表面に平行な照明方向を持つ横方向照明ＬＥＤの形である照明手段からの光を、一度約９０°屈折させてオペレータ制御パネルの開口に向けることを特徴とする請求項１１に記載のオペレータ制御装置。
【請求項１３】
導光要素が、開口中に延びる突起を持つことを特徴とする請求項１１または１２に記載のオペレータ制御装置。
【請求項１４】
オペレータ制御装置がハウジングにより後方を閉じられており、請求項１１〜１３のいずれか一つに記載の導光要素が好ましくはハウジングに固定され、特に一体化された態様でハウジング上に射出成形されていることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項１５】
導光要素が、複数の照明手段のために設計され、かつ各照明手段のために一つの反射表面を持ち、さらに一つの照明手段から隣接照明への光放射を防ぐために隣接照明手段間の光学的分離が、反射表面の造形により達成されていることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【請求項１６】
窓が、特に請求項８または９のいずれか一つに記載の導光要素の場合にオペレータ制御パネルの開口内に係合するそれらの突起の領域内で、少なくとも部分的に拡散体及び／またはカラーフィルターの形態であることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一つに記載のオペレータ制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子であって、
第１の部分と第２の部分とを有する第１の半導体層と、
第１の部分と第２の部分とを有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に配置される絶縁層と、
前記第１の半導体層の前記第１の部分と接触して第１の接合部を形成するとともに、前記第２の半導体層の前記第１の部分と接触して第２の接合部を形成する第１の金属コンタクトと、
前記第１の半導体層の前記第２の部分と接触して第３の接合部を形成するとともに、前記第２の半導体層の前記第２の部分と接触して第４の接合部を形成する第２の金属コンタクトとを含み、
前記第１の接合部と前記第４の接合部とはショットキー接触部であり、前記第２の接合部と前記第３の接合部とはオーミック接触部である、スイッチング素子。
【請求項２】
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは、シリコン、シリコン含有化合物、ゲルマニウム、ゲルマニウム含有化合物、アルミニウム含有化合物、ホウ素含有化合物、ガリウム含有化合物、インジウム含有化合物、カドミウム含有化合物、亜鉛含有化合物、鉛含有化合物、および錫含有化合物から独立して選択される、請求項１に記載のスイッチング素子。
【請求項３】
前記第１の半導体層は結晶シリコンであり、前記第２の部分はリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、または砒素（Ａｓ）でドーピングされる、請求項１または２に記載のスイッチング素子。
【請求項４】
前記第２の半導体層は結晶シリコンであり、前記第１の部分はリン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、または砒素（Ａｓ）でドーピングされる、請求項１〜３のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項５】
前記第１の半導体層の前記第２の部分と前記第２の半導体層の前記第１の部分とは、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、または砒素（Ａｓ）で高濃度にドーピングされる、請求項１〜４のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項６】
前記第１の半導体層の前記第１の部分と前記第２の半導体層の前記第２の部分とは高濃度にドーピングされない、請求項５に記載のスイッチング素子。
【請求項７】
第２の絶縁層と基板層とをさらに含み、前記第２の絶縁層は前記基板層と前記第１の半導体層との間に配置され、前記第２の絶縁層は前記第１および第２の金属コンタクトと接触する、請求項１〜６のいずれか１項に記載のスイッチング素子。
【請求項８】
不揮発性メモリ素子であって、
スイッチング装置と、
不揮発性メモリセルとを含み、
前記スイッチング装置は、
第１の部分と第２の部分とを有する第１の半導体層と、
第１の部分と第２の部分とを有する第２の半導体層と、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層との間に配置される絶縁層と、
前記第１の半導体層の前記第１の部分と接触して第１の接合部を形成するするとともに、前記第２の半導体層の前記第１の部分と接触して第２の接合部を形成する第１の金属コンタクトと、
前記第１の半導体層の前記第２の部分と接触して第３の接合部を形成するとともに、前記第２の半導体層の前記第２の部分と接触して第４の接合部を形成する第２の金属コンタクトとを含み、
前記第２の接合部と前記第３の接合部とはオーミック接触部であり、
前記スイッチング装置は前記不揮発性メモリセルと直列に電気的に接続される、不揮発性メモリ素子。
【請求項９】
前記第１の接合部と前記第４の接合部とはショットキー接触部である、請求項８に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１０】
前記第１の半導体層の前記第２の部分と前記第２の半導体層の前記第１の部分とは、リン（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、または砒素（Ａｓ）でドーピングされる、請求項８または９に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１１】
前記第１の半導体層の前記第１の部分と前記第２の半導体層の前記第２の部分とはドーピングされない、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１２】
前記第１および第２の半導体層は実質的に同じ厚さを有する、請求項８に記載の不揮発性メモリ素子。
【請求項１３】
前記不揮発性メモリセルはスピントルクトランスファランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）スタックである、請求項８に記載の不揮発性メモリ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月25日(2013.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電領域と金属領域との間に配置されたトンネル領域を備えた不揮発性メモリセルであって、前記トンネル領域は、第１のトンネル障壁と第２のトンネル障壁との間に配置された活性界面領域を含み、前記メモリセルを選択された抵抗状態へとプログラムする書込電流の印加に応じた前記金属領域と前記導電領域との両方からのイオンの移動とともに高抵抗性膜が前記活性界面領域の中に形成される、メモリセル。
【請求項２】
金属イオンのみが前記第１のトンネル障壁を通過し、酸素イオンのみが前記第２のトンネル障壁を通過する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記高抵抗性膜は、前記活性界面領域に隣接してかつ前記第１および第２のトンネル障壁の中に生成する金属酸化物を含む、請求項１または２に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記トンネル領域は、プログラム可能なメタライゼーションセル（ＰＭＣ）を含み、前記ＰＭＣでは、第１のトンネル接合は、金属イオンを伝導する固体電解質材料を含み、第２のトンネル接合は、酸素イオンを伝導する固体電解質材料を含む、請求項１から３のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記第１および第２のトンネル障壁は、前記活性界面領域と同じ材料を含む、請求項１から４のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記高抵抗性膜は、第１の方向の第１の電流を前記トンネル領域を通過させることによって形成され、前記高抵抗性膜は、第２の方向の第２の電流を前記トンネル領域を通過させることによって完全に消散される、請求項１から５のいずれか１項に記載のメモリセル。
【請求項７】
導電領域と金属領域との間に配置されたトンネル領域を含む不揮発性メモリセルを用意するステップを備えた方法であって、前記トンネル領域は、第１のトンネル障壁と第２のトンネル障壁との間に配置された活性界面領域を含み、前記方法は、前記メモリセルを選択された抵抗状態へとプログラムする書込電流を印加することによる前記金属領域と前記導電領域との両方からのイオンの移動とともに高抵抗性膜を前記活性界面領域の中に形成するステップをさらに備える、方法。
【請求項８】
金属イオンのみが前記第１のトンネル障壁を通過し、酸素イオンのみが前記第２のトンネル障壁を通過する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記高抵抗性膜は、前記活性界面領域に隣接してかつ前記第１および第２のトンネル障壁の中に生成する金属酸化物を含む、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記トンネル領域は、プログラム可能なメタライゼーションセル（ＰＭＣ）を含み、前記ＰＭＣでは、第１のトンネル接合は、金属イオンを伝導する固体電解質材料を含み、第２のトンネル接合は、酸素イオンを伝導する固体電解質材料を含む、請求項７から９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および第２のトンネル障壁は、前記活性界面領域と同じ材料を含む、請求項７から１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記高抵抗性膜は、第１の方向の第１の電流を前記トンネル領域を通過させることによって形成され、前記高抵抗性膜は、第２の方向の第２の電流を前記トンネル領域を通過させることによって完全に消散される、請求項７から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
請求項１に記載のメモリセルを含むアレイと、
コントローラと、
前記アレイと前記コントローラとの間の通信のためのインターフェイス回路とを備える、データ記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月21日(2013.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適用された信号を所定の複数の閾値のうちの少なくとも異なる２つと比較するための調整可能な上記複数の閾値を有する複数の比較手段（３１，３２，３３）と、複数の増幅回路（３４，３５）とを備えたアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためのパイプライン型アナログからデジタルへの変換器（ＡＤＣ）であって、
上記複数の比較手段は階層的ツリー構造を形成するように設けられ、上記階層的ツリー構造は複数の階層的レベル（３６，３７）を有し、
上記階層的ツリー構造の第１の階層的レベルは、上記アナログ入力信号が供給されるように設けられ、
上記各階層的レベルが上記複数の増幅回路のうちの少なくとも１つの増幅回路と関連し、上記少なくとも１つの増幅回路は上記対応する階層的レベルにおいて上記適用された信号が上記比較手段に供給され、次の階層的レベルにおいて少なくとも１つの比較手段に上記適用されるべき信号を生成し、
上記複数の階層的レベルは、先行する階層的レベルの非線形歪みが除去されるように、所望の入力閾値が適用されるときに上記調整可能な閾値を設定するための手段を備えることを特徴とするパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項２】
上記調整可能な閾値を設定するための手段は、複数の可変キャパシタを備えることを特徴とする請求項１記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項３】
上記複数の可変キャパシタは、上記比較手段と関連する第１の複数の可変キャパシタと上記複数の増幅回路と関連する第２の複数の可変キャパシタとを備えることを特徴とする請求項２記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項４】
上記増幅回路は、複数の非線形のデジタルからアナログへの変換器であることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１つに記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項５】
上記各複数の比較手段は、比較器／トラックホールド増幅回路において上記複数の増幅回路の１つの増幅回路と一緒に実装されることを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１つに記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項６】
上記パイプライン型ＡＤＣはさらに、ｍビット保持ＡＤＣフロントエンドを備えること特徴とする請求項１から５のうちいずれか１つに記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項７】
ｎビットフラッシュのアナログからデジタルへの変換器をさらに備えることを特徴とする請求項１から６のうちいずれか１つに記載のパイプライン型ＡＤＣ。
【請求項８】
適用された信号を所定の複数の閾値のうちの少なくとも異なる２つと比較するための調整可能な上記複数の閾値を有する複数の比較手段（３１，３２，３３）と、複数の増幅回路（３４，３５）とを備えたアナログ入力信号をデジタル信号に変換するためのパイプライン型アナログからデジタルへの変換器におけるアナログ入力信号をデジタル出力に変換するための方法であり、
上記変換器は、
上記複数の比較手段は階層的ツリー構造を形成するように設けられ、上記階層的ツリー構造は複数の階層的レベル（３６，３７）を有し、
上記階層的ツリー構造の第１の階層的レベルは、上記アナログ入力信号が供給されるように設けられ、
上記各階層的レベルが上記複数の増幅回路のうちの少なくとも１つの増幅回路と関連し、上記少なくとも１つの増幅回路は上記対応する階層的レベルにおいて上記比較手段に接続され、次の階層的レベルにおいて少なくとも１つの比較手段に上記適用されるべき信号を生成するように設けられた上記変換器であって、
上記方法は、
所望の入力閾値信号を適用することによって校正ステップを実行し、それによって、先行する階層的レベルの非線形歪みが除去されるように、上記調整可能な閾値を設定することによって上記複数の比較手段が調整されるステップと、
上記アナログ入力信号を上記階層的ツリー構造の第１の階層的レベルに適用するステップと、
上記アナログ入力信号を、上記第１の階層的レベルの第１の比較手段を介してそれぞれの閾値信号と比較し、それにより比較信号を生成してこの比較信号を入力信号として後に続く階層的レベルに供給するステップと、
前のステップの上記比較の結果に基づき、第２の階層的レベルのその関連した増幅回路を有する後に続く比較手段を選択するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項９】
上記調整可能な閾値を設定することは、可変容量により実行されることを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年5月13日(2013.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活物質を粉体（１２）の形態で含む少なくとも１つの繊条要素（１１；４１；５１；６１；７１）のための支持体（１０；２０；３０；４０；５０；６０；７０）であって、前記支持体上にある各々の繊条要素の封鎖手段（１３、１３´；２３、２３´；．．．）と、前記支持体のための固定手段（１４；４４、４４´、．．．）と、を備えた前記支持体において、
前記封鎖手段が、２５ＭＰａから９０ＭＰａの圧縮力を前記繊条要素に及ぼすことを特徴とする支持体。
【請求項２】
前記圧縮力が２５ＭＰａから５５ＭＰａである請求項１に記載の支持体。
【請求項３】
前記封鎖手段に対応する前記繊条要素の断面積が、前記封鎖手段に対応していない前記繊条要素の断面積に対して８％未満だけ縮小される請求項１に記載の支持体。
【請求項４】
前記固定手段が、圧着または弾性力だけで保持される請求項１に記載の支持体。
【請求項５】
横方向延長部（３１、３１´）が設けられる請求項１に記載の支持体。
【請求項６】
前記繊条要素が側面にスリット（１５；４５）を備える請求項１に記載の支持体。
【請求項７】
前記繊条要素が、１つまたは複数のゲッター物質の粉体を含む請求項１に記載の支持体。
【請求項８】
前記繊条要素が、水銀を放出するための１つまたは複数の化合物の粉体を含む請求項１に記載の支持体。
【請求項９】
前記繊条要素が、１つまたは複数のゲッター物質の粉体も含む請求項８に記載の支持体。
【請求項１０】
請求項１に記載の活物質の粉体を含む繊条要素のための支持体を備えるランプ。
【請求項１１】
前記活物質が水銀を放出するための１つまたは複数の化合物の粉体から構成される請求項１０に記載のランプ。
【請求項１２】
前記活物質が１つまたは複数のゲッター物質の粉体から構成される請求項１１に記載のランプ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ表面積を有する複数のナノ構造体と、
前記複数のナノ構造体によって規定された幾何学的プロファイルを有する部材と、
前記複数のナノ構造体の表面積全体より小さい表面積に接触するように配置された導電性材料と、を含むハイブリッド導体であって、
前記導電性材料と前記複数のナノ構造体との組合せによって、導電性を向上させつつ、前記部材の長さに沿って抵抗率を低下させたことを特徴とするハイブリッド導体。
【請求項２】
前記ナノ構造体は、炭素、銅、銀、ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組合せのいずれか１つから形成される請求項１に記載のハイブリッド導体。
【請求項３】
前記複数のナノ構造体は、フッ化物塩、塩化物塩、臭化物塩、ヨウ素酸塩、硝酸塩、硫酸塩またはそれらの組合せのいずれか１つを含む溶液中でドープされて成る請求項１に記載のハイブリッド導体。
【請求項４】
前記複数のナノ構造体によって規定される前記部材は、糸またはシートのいずれか１つを含む請求項１に記載のハイブリッド導体。
【請求項５】
前記部材は、複数の糸、複数のシート、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項４に記載のハイブリッド導体。
【請求項６】
前記導電性材料は、前記複数のナノ構造体の前記表面積全体より小さい表面積に接触する導電性被覆、前記複数のナノ構造体の前記表面積全体より小さい表面積に接触する導電性ワイヤ、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項１に記載のハイブリッド導体。
【請求項７】
前記導電性材料は、銅、アルミニウム、チタン、プラチナ、ニッケル、金、銀、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項６に記載のハイブリッド導体。
【請求項８】
請求項１に記載のハイブリッド導体を含む熱導体。
【請求項９】
請求項１に記載のハイブリッド導体を含む電気モータ用の低渦電流かつ低抵抗の巻線。
【請求項１０】
請求項１に記載のハイブリッド導体を含むソレノイド用の低渦電流かつ低抵抗の巻線。
【請求項１１】
フッ化物塩、塩化物塩、臭化物塩、ヨウ素酸塩、硝酸塩、硫酸塩、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む溶液中でドープされて成る複数のナノ構造体と、
前記複数のナノ構造体によって規定された幾何学的プロファイルを有する部材と、を含むハイブリッド導体であって、
前記複数のナノ構造体によって、導電性を向上させつつ、前記部材の長手方向に沿って抵抗率を低減させたことを特徴とするハイブリッド導体。
【請求項１２】
前記複数のナノ構造体によって規定される前記部材は、糸またはシートのいずれか１つを含む請求項１１に記載のハイブリッド導体。
【請求項１３】
前記部材は、複数の糸、複数のシート、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項１２に記載のハイブリッド導体。
【請求項１４】
それぞれ表面積を有する複数のナノ構造体を提供する工程と、
前記複数のナノ構造体によって規定された幾何学的プロファイルを有する部材を形成する工程と、
前記複数のナノ構造体の表面積全体より小さい表面積に導電性材料を接触させる工程と、を含む方法であって、
前記導電性材料と前記複数のナノ構造体との組合せによって、導電性を向上させつつ、前記部材の長さに沿って抵抗率を低下させたことを特徴とする方法。
【請求項１５】
前記提供する工程において、前記ナノ構造体は、炭素、銅、銀、ホウ素、窒化ホウ素、またはそれらの組合せのいずれか１つから形成される請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記形成する工程に付随して、フッ化物塩、塩化物塩、臭化物塩、ヨウ素酸塩、硝酸塩、硫酸塩、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む溶液中で前記複数のナノ構造体をドープする工程を更に含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記形成する工程において、前記複数のナノ構造体によって規定される前記部材は、糸またはシートのいずれか１つを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記形成する工程において、前記部材は、複数の糸、複数のシート、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記接触させる工程は、前記部材を導電性部材で被覆して、前記複数のナノ構造体の表面積全体より小さい表面積に接触させること、導電性ワイヤを前記複数のナノ構造体の表面積全体より小さい表面積に撚り合わせること、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
前記接触させる工程において、前記導電性材料および前記導電性ワイヤは、銅、アルミニウム、チタン、プラチナ、ニッケル、金、銀、またはそれらの組合せのいずれか１つを含む請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月27日(2013.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
油成分を含む誘電体流体を含み、前記油成分が、ハマナ油及び高エルカ酸菜種油のうちの一方又は両方、並びにエステル化ハマナ油及びエステル化高エルカ酸菜種油のうちの一方又は両方を含む、組成物。
【請求項２】
前記油成分が、少なくとも４５重量％のエルカ酸含有量を有する、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
酸化防止剤及び金属捕捉剤のうちの一方又は両方を更に含む、請求項１に記載の組成物。