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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器塗装装置であって、
第１の電気エネルギー源に接続されていると共に、供給源から塗料を受け取るように構成され、容器に塗料をスプレーする静電塗料塗布デバイスと、
前記容器を支持する支持部材であって、前記支持部材は、前記容器が前記塗料塗布デバイスによって塗装されている間に該容器を支持するように構成され、前記支持部材は、該容器が該支持部材によって支持されているときに該容器の表面に直接接触する非金属の電荷移動部分からなり、該非金属の電荷移動部分は、第２の電気エネルギー源に接続可能である、前記支持部材と、
を備える容器塗装装置。
【請求項２】
前記静電塗料塗布デバイスに接続されている前記第１の電気エネルギー源は、第１の極性を有し、前記非金属の電荷移動部分へ電圧を印加する前記第２の電気エネルギー源は、前記第１の極性とは反対の第２の極性を有する請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項３】
前記非金属の電荷移動部分は、前記塗料塗布デバイスが前記容器に塗料を塗布する前、最中及び／又は後で前記第２の電気エネルギー源から電流を受け取る請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項４】
前記第２の電気エネルギー源のパラメーターを監視するセンサーと、該センサーからの出力信号に応じて前記第２の電気エネルギー源の出力を調整する回路とを備える請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項５】
前記センサーは、電流を監視する請求項４に記載の容器塗装装置。
【請求項６】
塗装作業中に前記容器を回転させる手段を備える請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項７】
前記電荷移動部分は、前記第２の電気エネルギー源に接続可能である前記支持部材の第１の電荷移動要素と、前記支持部材の第２の電荷移動要素とを含み、該第１の電荷移動要素及び該第２の電荷移動要素は、電気的に接続されている請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項８】
前記第１の電荷移動要素及び前記第２の電荷移動要素は、前記支持部材上で空間的に分離されており、前記第２の電荷移動要素は、前記容器と接触する環状の外面を有する請求項７に記載の容器塗装装置。
【請求項９】
前記第１の電荷移動要素及び前記第２の電荷移動要素は、非金属の電荷移動材料で構成される請求項７に記載の容器塗装装置。
【請求項１０】
前記容器塗装装置は、電荷移動棒体をさらに備え、該電荷移動棒体は、前記第２の電気エネルギー源に接続されており、前記第１の電荷移動要素は、前記電荷移動棒体と接触して配置されて、電気エネルギーを前記第２の電気エネルギー源から該第１の電荷移動要素を通じて前記第２の電荷移動要素へ移動するように構成されている請求項９に記載の容器塗装装置。
【請求項１１】
前記塗料塗布デバイスは、前記塗料をスプレー及び噴霧する非金属回転カップと非金属ハウジングとを有する回転式噴霧器を備える請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項１２】
前記非金属の電荷移動部分は、前記支持部材から着脱可能であり、該支持部材全体を変えることなく異なる寸法の容器に対応するように変えることができる請求項１に記載の容器塗装装置。
【請求項１３】
前記電荷移動部分は、拡張可能なコレットからなる請求項１２に記載の容器塗装装置。
【請求項１４】
容器に静電荷を印加する装置であって、
前記容器を静電塗装作業のために所望の向きで保持する支持体を備え、
前記支持体は、前記容器と直接接触する非金属の静電荷移動材料からなり、該非金属の静電荷移動材料は、また、静電荷を前記容器へ印加するように電気エネルギー源に電気的に接続可能である装置。
【請求項１５】
容器を静電塗装する方法であって、
第１の電気的極性を有する静電塗装デバイスから前記容器へ塗料を塗布する工程と、
前記塗料が塗布されている間、並びに前記塗料が塗布される前及び前記塗料が塗布された後で前記容器を支持する工程と、
前記容器が支持されている間に該容器の一部と非金属の電荷移動材料とを直接接触させる工程と、
前記塗料を前記容器に塗布する前、最中及び／又は後で、前記第１の電気的極性とは反対の第２の電気的極性を有し前記非金属の電荷移動材料に印加される電気エネルギーを用いて、前記容器に相殺用の静電荷を印加する工程と、
を有する方法。
【請求項１６】
前記非金属の電荷移動材料に印加される電圧を調整して前記容器に印加される前記相殺用の静電荷を調整する工程を有する請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記相殺用の静電荷は、前記容器を塗装作業に対して中性の電荷に又はほとんど中性の電荷に維持するために印加される請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月11日(2012.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物質の乾燥度を高めるための方法であって、以下の工程
a)物質を、少なくとも2つの電極間に配置する工程であって、該電極の少なくとも一つは、流体を排出するのに適する工程、
b)該物質の一表面に電解質を添加する工程であって、該表面は、該物質と該電極の一方との間の界面に位置しており、ここで該工程a)およびb)は、任意の順序で行うことができる工程、
c)該物質への該電解質による含浸が起る前に、該物質を、圧力および電流の組合せによる作用に付して、該物質から液体を除去する工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
流体を排出させるのに適した少なくとも一つの前記電極が、カソードであり、かつ前記電解質と接触している少なくとも一つの前記電極が、アノードである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記添加された電解質のカチオン性部分が、カルシウム、マグネシウム、ナトリウム、カリウムおよび/または水素の少なくとも１種またはこれらの組合せを含む、請求項１〜２の何れか１項に記載の方法。
【請求項４】
前記添加された電解質のアニオン性部分が、クロライド、ニトレート、カーボネート、サルフェートおよび/または酸素の内の少なくとも１種またはこれらの任意の組合せを含む、請求項１〜３の何れか1項に記載の方法。
【請求項５】
前記処理すべき物質が、有機スラッジである、請求項１〜４の何れか１項に記載の方法。
【請求項６】
更に、導電率および/または電圧の関数として、電解質を添加する工程を含む、請求項１〜５の何れか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記電解質を、処理前、処理の停止中および処理中の何れか一つの段階にて添加する、請求項１〜６の何れか1項に記載の方法。
【請求項８】
前記電解質がイオン性界面活性剤である、請求項１〜７の何れか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記イオン性界面活性剤が、マグナー(Magnor)アニオン性界面活性剤571080である、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
電気浸透処理中の、物質-電極界面における電圧降下を防止するための方法であって、該物質-電極界面において電解質を添加する工程、および該電解質の該物質への有意な含浸が起る前に、該処理を開始する工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
物質の乾燥度を高めるための装置であって、該装置が、該物質を電流および圧力の作用下に置くのに適した少なくとも2つの電極を含み、該装置は、電極-物質界面において電解質を送出して、電気浸透による処理中に起る電圧の損失を減じ、あるいは防止するのに適したものであり、コントローラーが、該電解質による該物質の含浸または該電解質の該物質への浸透が起る前に、該処理を開始するようにプログラムされていることを特徴とする装置。
【請求項１２】
前記コントローラーが、前記処理中または多段処理の合間の何れかにおける、前記電解質の添加を制御する、請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
更に、前記物質の導電率および/または電圧を測定するために、導電率および/または電圧プローブをも含む、請求項１１または１２記載の装置。
【請求項１４】
前記物質を受取る入口が、前記物質を展開し、かつ前記電解質を該物質に添加するのに適したものである、請求項１１〜１３の何れか１項に記載の装置。
【請求項１５】
前記電解質が酸である、請求項１〜１０の何れか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（Ａ）少なくとも１つの第１の物質および少なくとも１つの第２の物質を含有する混合物を、少なくとも１つの界面活性剤と接触させ、この場合界面活性剤は、少なくとも１つの第１の物質に結合し、
（Ｂ）工程（Ａ）からの分散液を少なくとも１つの疎水性磁性粒子で処理し、したがって、少なくとも１つの界面活性剤が結合している少なくとも１つの第１の物質および少なくとも１つの磁性粒子が凝集し、
（Ｃ）工程（Ｂ）からの凝集塊を前記混合物から磁界の印加によって分離することを含む、少なくとも１つの第１の物質を全混合物に対して０．００１〜１．０質量％の量で含有しかつ少なくとも１つの第２の物質を含有する混合物から少なくとも１つの第１の物質を分離する方法。
【請求項２】
界面活性剤は、一般式（Ｉ）
Ａ−Ｚ  （Ｉ）
〔式中、
Ａは、直鎖状または分枝鎖状のＣ3〜Ｃ30アルキル、Ｃ3〜Ｃ30ヘテロアルキル、場合により置換されたＣ6〜Ｃ30アリール、場合により置換されたＣ6〜Ｃ30ヘテロアルキル、Ｃ6〜Ｃ30アリールアルキルから選択され、
Ｚは、一般式（Ｉ）の化合物を少なくとも１つの疎水性物質に結合させる基である〕で示される物質である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
Ｚは、陰イオン性基−（Ｘ）n−ＰＯ32-、−（Ｘ）n−ＰＯ2Ｓ2-、−（Ｘ）n−ＰＯＳ22-、−（Ｘ）n−ＰＳ32-、−（Ｘ）n−ＰＳ2-、−（Ｘ）n−ＰＯＳ-、−（Ｘ）n−ＰＯ2-、−（Ｘ）n−ＰＯ32-、−（Ｘ）n−ＣＯ2-、−（Ｘ）n−ＣＳ2-、−（Ｘ）n−ＣＯＳ-、−（Ｘ）n−Ｃ（Ｓ）ＮＨＯＨ、−（Ｘ）n−Ｓ-からなる群から選択され、この場合Ｘは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、ＣＨ2からなる群から選択され、ｎは、０、１または２である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
工程（Ａ）における疎水化剤の量は、処理すべき混合物と疎水化剤との混合物に対して０．０００１〜０．２質量％である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
少なくとも１つの第２の物質は、酸化物金属化合物および水酸化物金属化合物からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの磁性粒子は、磁性金属およびその混合物、磁性金属の強磁性合金およびその混合物、磁性酸化鉄、一般式（ＩＩ）
Ｍ2+xＦｅ2+1-xＦｅ3+2Ｏ4  （ＩＩ）
〔式中、Ｍは、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｚｎおよびこれらの混合物から選択され、ｘは、１以下である〕で示される立方晶フェライト、
六方晶フェライトおよびその混合物からなる群から選択される、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも１つの第１の物質および少なくとも１つの第２の物質を含有する混合物を工程（Ａ）前または工程（Ａ）中に１００ｎｍ〜１５０μｍの寸法を有する粒子に微粉砕する、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
工程（Ａ）および／または（Ｂ）で得られる分散液は、１０〜５０質量％の固体含量を有する、請求項１から７までのいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内面を有するフィードバック通路と、このフィードバック通路内に保持されている第１の弁座および排気座とを有するとともに、第２の弁座と、第１の端部および第２の端部を含み、第１の端部で第１の弁座と、第２の端部で第２の弁座とそれぞれ動作可能に係合するように構成された供給プラグとを有する継電器体を含む信号段継電器を備える、信号段と、
前記排気座に配置されたシールが流圧フィードバック力を前記排気座へ加えるためのフィードバック面積を提供するように、前記フィードバック通路の内面に対して係合し、密閉するシールと、
を備える、流量制御装置。
【請求項２】
前記シールは、Ｏリングを含む、請求項１に記載の流量制御装置。
【請求項３】
信号段継電器筐体をさらに備え、前記信号段継電器筐体および前記シールが、所定の連関力で動作するように適合される所定のフィードバック面積を提供する信号段モジュールを画定するようにする、請求項１または２に記載の流量制御装置。
【請求項４】
前記信号段が絞りモードを提供する、請求項１から３のいずれか１項に記載の流量制御装置。
【請求項５】
前記絞りモードにおける静止点で、前記供給プラグの第１の端部は、前記第１の弁座と接触し、前記供給プラグの第２の端部は、前記第２の弁座と接触する、請求項１から４のいずれか１項に記載の流量制御装置。
【請求項６】
前記流圧フィードバック力は、信号段出力圧力と比例する、請求項１から５のいずれか１項に記載の流量制御装置。
【請求項７】
バネが、前記シールにより生じる摩擦力を克服するために前記供給プラグと動作可能に連結される、請求項１から６のいずれか１項に記載の流量制御装置。
【請求項８】
前記排気座は、入力連関と接触するための入力ポストを含み、前記バネのバイアス力が、入力連関の動作と排気座の動作との間の不感帯を実質的に減少させるために、入力連関と入力ポストとの間の接触を維持するようにする、請求項７に記載の流量制御装置。
【請求項９】
比例出力を有する信号段であって、当該信号段を制御デバイスに連結するように適合された信号段入力ポストを備える信号段と、
信号通路を通して前記信号段と動作可能に接続される増幅段継電器を備える増幅段であって、前記増幅段は、前記信号段入力ポストで、入力信号に関する前記増幅段の比例作動出力またはスナップ作動出力と直接作動出力または反対作動出力とのいずれかを提供するために、前記弁座および前記排気座にわたる前記座荷重の推移が、前記第１の弁座から前記供給プラグの前記第１の端部へ、または前記第２の弁座から前記供給プラグの前記第２の端部へのいずれかの所定の係合を提供するように、増幅された流体供給出力を提供するため、継電器部材を移動するように適合される流体供給応答部材を有する、増幅段と、
を備える、二段流量制御装置を形成する、請求項１から８のいずれか１項に記載の流量制御装置。
【請求項１０】
前記信号通路での流圧は、前記増幅段の前記比例出力を提供するように、負のフィードバック力を印加するために、前記シールの内面に作用する、請求項９に記載の流量制御装置。
【請求項１１】
前記シールの前記内面により画定される前記信号通路および有効シール面積内の圧力の結果に等しい力が、信号段入力ポスト上で入力される力に反して印加される、請求項１０に記載の流量制御装置。
【請求項１２】
第１の安定圧力調整器は、前記信号段へ流体供給を提供し、第２の安定圧力調整器は前記増幅段へ流体供給を提供する、請求項９に記載の流量制御装置。
【請求項１３】
前記信号段は、供給ポートを含む信号段継電器を備え、
前記増幅段継電器は、前記信号段の前記供給プラグにわたる前記座荷重における推移が、前記信号段における遷移抽気を実質的に排除するために、前記信号段の前記第１の弁座を開く前に、前記信号段の前記排気座を閉じる請求項９に記載の流量制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月16日(2012.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミド／アミドプラスチックポリマー材料のマトリックスを含有し、このマトリックス全体に亘って次のもの：
金属粉末５以上１５体積％未満；
フルオロポリマー１〜１５体積％が分布し、
残分が付随する不純物は除きポリイミド／アミド樹脂である、プラスチックポリマーを基礎とした軸受材料。
【請求項２】
金属粉末含量が１１〜１４体積％の範囲内にある、請求項１記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項３】
金属粉末含量が約１２．５体積％である、請求項１または２記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項４】
金属粉末が次のもの：アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、タングステン、ステンレスからなる群から選択される、請求項１から３までのいずれか１項に記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項５】
金属粉末がアルミニウムである、請求項４記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項６】
アルミニウム粉末が寸法約１〜５μｍのフレーク状小板の形の粒子を有する、請求項５記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項７】
粒子の寸法が２〜３μｍである、請求項６記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項８】
フルオロポリマー含量が２〜８体積％の範囲内にある、請求項１から７までのいずれか１項に記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項９】
フルオロポリマーが次のもの：
ＰＴＦＥおよびＦＥＰからなる群から選択されている、請求項１から８までのいずれか１項に記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項１０】
さらに材料がシランを３〜６体積％の範囲内で含む、請求項１から９までのいずれか１項に記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項１１】
シラン材料が次のもの：
γ−アミノプロピルトリエトキシシランおよびビス−（γ−トリメトキシシルプロピル）アミンからなる群から選択されている、請求項１０記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項１２】
プラスチックポリマーを基礎とする軸受材料を製造する方法において、次の工程：
溶剤中のポリイミド／アミドプラスチック樹脂材料と金属粉末５体積％以上１５体積％未満およびフルオロポリマー１〜１５体積％、ポリイミド／アミド樹脂を含有する残分からなる金属粉末添加剤との混合物を形成し；
この混合物を支持体上に塗布し；
溶剤を除去するように処理し：および
ポリイミド／アミドマトリックスを硬化させるように処理することを有することを特徴とする、プラスチックポリマーを基礎とする軸受材料を製造する方法。
【請求項１３】
さらに工程：
プラスチックポリマー軸受材料の望ましい最終厚さを硬化後に達成するように溶剤混合物粘度を制御する工程を含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
溶剤は、ｎ−メチル−２−ピロリドンキシレンである、請求項１２または１３記載の方法。
【請求項１５】
前記混合物を支持体上に塗布する方法は、噴霧法である、請求項１２から１４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
複数の別々の層が支持体上に噴霧される、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
滑り軸受上に請求項１から１１までのいずれか１項に記載のプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料の層を有する滑り軸受。
【請求項１８】
実質的に明細書および図に関連して前記されたようなプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料。
【請求項１９】
実質的に明細書および図に関連して前記されたようなプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料の製造方法。
【請求項２０】
実質的に明細書および図に関連して前記されたようなプラスチックポリマーを基礎とする軸受材料の層を有する滑り軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１の視点によれば、ポリイミド／アミドプラスチックポリマー材料のマトリックスを含有し、このマトリックス全体に亘って次のもの：
金属粉末５以上１５体積％未満；
フルオロポリマー１〜１５体積％が分布し、
残分が付随する不純物を除きポリイミド／アミド樹脂である、プラスチックポリマーを基礎とした軸受材料が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
金属粉末は、次のもの：アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、銀、タングステン、ステンレスおよび類似物から選択することができる。しかし、意外なことに、本出願人の早期の材料のアルミニウムとタングステンとの金属粉末混合物が最高の性能を示すことを見出したのであるが、今や、純粋なアルミニウム粉末それ自体が最高の結果を生じることを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転カップリングが設けられた導管構造であって、
一端に独立した第１の連結部（４）が設けられた第１のホース部（１）と、
さらなる部分（６，１５；２，４，１９）の一端に設けられ、前記第１のホース部（１）と前記さらなる部分（６，１５；２，４，１９）を互いに接続してそれらの間で液体を輸送するようにした第２の連結部（５）とをさらに備え、
前記第１の連結部は前記第２の連結部内に挿入可能であり、これらの連結部には独立したシール部材（９）とともに固定手段（１７，１８）が設けられ、前記第１および第２の連結部が回転可能、かつ摺動不可能に連結されている導管構造において、
前記第１のホース部（１）は、前記第１の連結部（４）を通り、前記独立した第１の連結部をある距離だけ越えて延在し、連結状態において、前記シール部材（９）は、前記第１のホース部の前記第１の連結部を越えて延在する部分と前記第２の連結部（５）との間の空間を封止することを特徴とする導管構造。
【請求項２】
請求項１に記載の導管構造において、
前記シール部材（９）は前記第１のホース部（１）に設けられ、前記空間の外側は、直径が減少することなく前記第２の連結部（５）の自由端につづく部分（１２）によって画定されていることを特徴とする導管構造。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の導管構造において、
前記シール部材（９）はＯリングを備えることを特徴とする導管構造。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の導管構造において、
前記第２の連結部（５）は、望ましくはプラスチック材料からなり、連結状態において前記シール部材（９）、および少なくとも前記第１の連結部（４）の一部の周囲に延在するソケット（１０）を備え、前記ソケットの内側は、望ましくは、最も大きな内径を有し、前記シール部材によって封止される前記空間を画定する第１の部分（１２）と、直径が小さく、前記第１のホース部（１）の端部がはめ込まれる第２の部分（１３）と、直径が少なくとも実質的に前記連結されたホース部（１）の内径と一致する第３の部分（１４）とを備える階段状の構造を有することを特徴とする導管構造。
【請求項５】
請求項４に記載の導管構造において、
可撓性の第２のホース部（１５）が前記ソケット（１０）に接続され、当該ホース部の直径は、前記ソケット（１０）の前記第３の部分（１４）の直径と少なくとも実質的に一致し、望ましくは前記ソケット（１０）と前記第２のホース部は、例えば吐水パイプ（６）などのパイプ内に収容され、前記第２のホース部（１５）は、前記ソケット（１０）にかぶせられ、前記ソケット（１０）と前記パイプとの間で締め付け固定され、前記ソケット（１０）と前記第２のホース部との間を封止することを特徴とする導管構造。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の導管構造において、
前記固定手段（１７，１８）は、前記第１の連結部（４）によって前記第２の連結部（５）から前記第１のホース部（１）を取り外すために解除されることを特徴とする導管構造。
【請求項７】
請求項６に記載の導管構造において、
前記固定手段（１７，１８）には、クランプスプリング、ユニオンナット等が設けられていることを特徴とする導管構造。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の導管構造において、
前記さらなる部分（２，４，１９）は、ホース（２）のさらなる第１の連結部（４）に接続するためのさらなる第２の連結部（５）を有する対称カップリング（１９）を含むことを特徴とする導管構造。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の導管構造において、
前記第１のホース部（１）は、前記導管構造の隣接部分に遷移なしでつながることを特徴とする導管構造。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の導管構造において、
前記第１のホース部（１）は、ホース（２）のインナーチューブを形成し、前記ホースは前記インナーチューブと、前記インナーチューブを取り囲む、例えば金属メッシュの鞘部（３）とを備え、
望ましくは、前記第１の連結部（４）は、前記鞘部と前記鞘部を越えて延びる前記インナーチューブとの間に配置された薄肉パイプ状部（７）を備え、望ましくは、クランプ部材（８）によって前記鞘部を前記パイプ状部に締め付け固定することを特徴とする導管構造。
【請求項１１】
栓、とくに給湯栓であって、
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の導管構造を備え、
前記第２の連結部（５）は吐水パイプ（６）の一部を形成することを特徴とする栓。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリア層を基板上に成膜するに当たり：
基板の表面温度を１００℃未満に維持しながら、以下の工程（ａ）および（ｂ）を交互シークエンスで繰り返して二酸化チタンの薄膜を基板上に形成することを特徴とする方法：
（ａ）基板をＴｉＣｌ４を含むガス状の第１の先駆物質に曝露する工程；および
（ｂ）基板を不活性なガス状の酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマに曝露し、基板が第２の先駆物質のプラズマ活性化を介して形成される酸素ラジカルに曝露される工程。
【請求項２】
前記基板の第１および第２の先駆物質に対する連続曝露を不活性ガスに対する分離曝露で分ける工程をさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記不活性な酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマが、乾燥した空気、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯおよびそれらの混合物からなる群から選択された酸素含有化合物または混合物の励起によって形成される請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１および第２の先駆物質が、不活性ガスを導入した分離ゾーンによって分けられた第１および第２の先駆物質ゾーンの各々に導入され、
前記基板を前記第１および第２の先駆物質ゾーン間で前後に前記基板を搬送する各回毎に前記分離ゾーンを介して複数回搬送する工程をさらに備える請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板を約０．２メートル／秒から約１０メートル／秒の間の速度で搬送する請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記基板が可撓性のウェブ材料である請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記基板の表面温度を、バリア層の成膜中に約５℃から８０℃の間で維持する請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記薄膜を基板の反対側に成膜する工程をさらに備える請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記基板を工程（ａ）および（ｂ）を開始する前に酸素プラズマで予備処理する工程をさらに備える請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
二酸化チタン薄膜の原子層を基板上に１００℃未満の温度で成膜することにより形成され、０．５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有し、１５０オングストローム未満の厚さを有することを特徴とするバリア層。
【請求項１１】
前記薄膜が、１００オングストローム未満の厚さおよび約０．０１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項１０に記載のバリア層。
【請求項１２】
前記薄膜が、１５０オングストローム未満の厚さおよび約０．０００１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項１０に記載のバリア層。
【請求項１３】
前記薄膜が、５０オングストローム未満の厚さである請求項１０に記載のバリア層。
【請求項１４】
前記薄膜が、ほぼ完全にアモルファスである請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のバリア層。
【請求項１５】
前記薄膜が可撓性の基板上に成膜される請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のバリア層。
【請求項１６】
前記薄膜が光触媒特性を有する請求項１０〜１５のいずれか１項に記載のバリア層。
【請求項１７】
前記ＴｉＯ２の原子層の成膜が、以下の工程（ａ）および（ｂ）を交互シークエンスで繰り返すことを含む請求項１０〜１６のいずれか１項に記載のバリア層：
（ａ）基板をＴｉＣｌ４を含むガス状の第１の先駆物質に曝露する工程；および
（ｂ）基板を不活性なガス状の酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマに曝露し、基板が第２の先駆物質のプラズマ活性化を介して形成される酸素ラジカルに曝露される工程。
【請求項１８】
前記ＴｉＯ２の原子層の成膜が、前記基板の第１および第２の先駆物質に対する連続曝露を不活性ガスに対する曝露で分けることをさらに含む請求項１７に記載のバリア層。
【請求項１９】
前記不活性な酸素を含む第２の先駆物質で供給されるプラズマが、乾燥した空気、Ｏ２、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＮＯおよびそれらの混合物からなる群から選択された酸素含有化合物または混合物の励起によって形成される請求項１７または１８に記載のバリア層。
【請求項２０】
基板上に成膜された蒸気バリアであって、：
１５０オングストローム未満の厚さで、０．５ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する金属酸化物の薄膜を備えることを特徴とする蒸気バリア。
【請求項２１】
前記薄膜が、約０．０００１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項２０に記載の蒸気バリア。
【請求項２２】
前記薄膜が、５０オングストローム未満の厚さである請求項２０に記載の蒸気バリア。
【請求項２３】
前記薄膜が、１００オングストローム未満の厚さで、約０．０１ｇ／ｍ２／日未満の水蒸気透過速度を有する請求項２０に記載の蒸気バリア。
【請求項２４】
前記薄膜が基板の反対側を被覆する請求項２０〜２３のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
【請求項２５】
前記基板が、可撓性のポリマーフィルムである請求項２０〜２４のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
【請求項２６】
前記薄膜が光触媒特性を有する請求項２０〜２５のいずれか１項に記載の蒸気バリア。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月6日(2012.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間に高温の水を溜めるための容器であって、
前記容器はカバーを有し、前記カバーは、少なくとも１つの通路（９）と、前記容器の前記通路に連結されるとともに、クランプ面（７）が設けられた第１の連結部（６）が周囲に延在する第１のホース部（４）と、前記通路の周囲に前記カバーの一部として形成され、支承面（１１）が設けられた第２の連結部（１０）と、前記通路から前記容器の前記内部空間内へと延びる第２のホース部（５）とを備え、
前記第１および第２の連結部は互いに連結され、前記第１および第２のホース部には、前記２つの連結部（６，１０）が連結された状態で前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）との間で締め付けられて固定されるフランジ端部（８，１２）が設けられ、前記第１および第２のホース部（４，５）は実質的に連続したホースを形成することを特徴とする容器。
【請求項２】
請求項１に記載の容器において、前記ホース部（４）の端部が９０度より大きな角度のフランジに形成されるように、前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）は、互いに実質的に平行、かつ、前記通路（９）の中心軸に対して９０度とは異なる角度で延在していることを特徴とする容器。
【請求項３】
請求項１から請求項２のいずれか１項に記載の容器において、
前記第１の連結部（６）はオス連結部であり、前記第２の連結部（６）はメス連結部であり、望ましくはねじ山（１３、１４）により互いに接続されることを特徴とする容器。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の容器において、
前記第１のホース部（４）は、ホースの内側チューブからなり、前記ホースは前記内側チューブと、前記内側チューブを取り囲む、望ましくは金属メッシュの外側鞘部（１５）とを備え、前記内側チューブは前記外側鞘部を越えて延在することを特徴とする容器。
【請求項５】
請求項４に記載の容器において、
前記第１の連結部（６）には、前記ホースの前記内側チューブ（４）と前記外側鞘部（１５）との間に配置された薄肉のパイプ状部（１６）が設けられ、前記パイプ状部は、望ましくは前記外側鞘部を取り囲むクランプ部材（１７）によって前記内側チューブに締め付けられて固定されることを特徴とする容器。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の容器において、
前記容器の内側の、少なくとも前記通路（９）を取り囲む部分は、独立したプレート（２０）で覆われ、
前記プレートには、前記容器の前記通路と一致する開口（１９）が設けられ、前記プレートシートは、前記開口の位置で、望ましくは９０度より大きい角度で曲げられてフランジ部（１８）を形成し、前記プレートの前記フランジ部は、少なくとも部分的に前記支承面（１１）を形成することを特徴とする容器。
【請求項７】
請求項６に記載の容器において、
前記プレート（２０）は、ステンレス鋼からなることを特徴とする容器。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の容器において、
前記第１および第２のホース部（４，５）は、ＰＴＦＥからなることを特徴とする容器。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の容器において、
前記通路（９）は、前記容器のカバー（２）に形成されていることを特徴とする容器。
【請求項１０】
内部空間に高温の水を溜めるための容器であって、
前記容器は、少なくとも１つの通路（９）と、前記容器の前記通路（９）に連結されるとともに、クランプ面（７）が設けられた第１の連結部（６）が周囲に延在する第１のホース部（４）と、前記通路（９）を取り囲み、支承面（１１）が設けられた第２の連結部（１０）とを備え、
前記第１および第２の連結部は互いに連結され、前記第１のホース部（４）には、前記２つの連結部が連結された状態で前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）との間で締め付けられて固定されるフランジ端部（８）が設けられ、クランプ部における前記第１のホース部（４）の端部が９０度より大きな角度となるように、前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）とは前記通路（９）の中心軸に対して９０度とは異なる角度で実質的に互いに平行に延在していることを特徴とする容器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の容器において、
前記通路（９）から前記容器の前記内側空間（１）内に延び、前記第１のホース部（４
）と接続する第２のホース部（５）を備えることを特徴とする容器。
【請求項１２】
請求項１１に記載の容器において、
前記第２のホース部（５）にも同様にフランジ端部（１２）が設けられ、前記２つのホース部（４，５）の互いに当接する前記フランジ端部（８，１２）は、前記２つの連結部（６，１０）が連結された状態で前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）との間で締め付けられて固定され、前記第１および第２のホース部は実質的に連続したホースを形成
することを特徴とする容器。
【請求項１３】
内部空間に高温の水を溜めるための容器であって、
前記容器は、可撓性の第１のホース部（４）が通る少なくとも１つの通路（９）が設けられたカバー（２）を備え、
前記カバーの内側の、少なくとも前記通路（９）を取り囲む部分は、望ましくはステンレス鋼からなる独立したプレート（２０）で覆われ、前記カバーを前記容器の内部から遮蔽し、前記プレートには前記カバーの前記通路（９）と一致する開口（１９）が設けられ、
前記プレートは、前記開口（１９）の位置で、望ましくは９０度より大きい角度で曲げられてフランジ部（１８）を形成し、前記ホース部（４）は、前記フランジ部を封止することによって、密封されることを特徴とする容器。
【請求項１４】
請求項１３に記載の容器において、
クランプ面（７）が設けられた第１の連結部（６）と、
前記通路（９）を取り囲み、支承面（１１）が設けられた第２の連結部（１０）とをさらに備え、
前記第１および第２の連結部は互いに連結され、
前記プレート（２０）の前記フランジ部（１８）は、少なくとも部分的に前記第２の連結部（１０）の前記支承面（１１）を形成し、おそらくシール部材を介在させて、前記クランプ面（７）に当接して封止することを特徴とする容器。
【請求項１５】
請求項１４に記載の容器において、
前記第１のホース部（４）には、前記２つの連結部（６，１０）が連結された状態で前記支承面（１１）と前記クランプ面（７）との間で締め付けられて固定され、両者の間のシール部材として機能するフランジ端部が設けられていることを特徴とする容器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明は、内部空間に高温の水を溜める容器、望ましくは圧力容器を提供する。当該容器はカバーを有し、当該カバーは、少なくとも１つの通路と、容器の通路に連結されるとともに、クランプ面が設けられた第１の連結部が周囲に延在する第１のホース部と、通路の周囲にカバーの一部として形成され、支承面が設けられた第２の連結部と、通路から容器の内部空間内へと延びる第２のホース部とを備え、第１および第２の連結部は互いに連結され、第１および第２のホース部には、２つの連結部が連結された状態で支承面とクランプ面との間で締め付けられて固定されるフランジ端部が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排気フードを含む排気換気システムにおける排気流量を制御する方法であって、
排気フード付近の排気の温度を表し、排気温度センサーから発生される排気温度信号を制御モジュールで受信すること、
排気を発生する調理器具の表面の温度を表し、輻射温度センサーで発生される輻射温度信号を制御モジュールで受信すること、
制御モジュールにおいて、受信した排気温度信号及び受信した輻射温度信号に基づいて、輻射温度の変動の決定を含む、調理器具の状態を決定すること、及び
制御モジュールから制御信号を出力することにより、決定した器具の状態に応じて、平衡ダンパーを作動させ、または排気ファンの速度を変更することで排気流量を制御すること
を含む方法。
【請求項２】
前記調理器具の状態が調理状態、アイドル状態及び停止状態を含み、
前記排気流量を制御することが、調理器具の状態の変化に基づいて、計画排気流量（Ｑｄｅｓｉｇｎ）、アイドル排気流量（Ｑｉｄｌｅ）及び停止排気流量の間で排気流量を変える信号を出力することを含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
制御モジュールは、調理器具が調理状態にあると決定される際には計画排気流量（Ｑｄｅｓｉｇｎ）に、調理器具の状態がアイドル状態にあると決定される際にはアイドル排気流量（Ｑｉｄｌｅ）に、また調理器具が停止状態にあると決定される際には停止排気流量に、排気流量を変更する請求項２記載の方法。
【請求項４】
輻射温度の変動が決定され、しかも輻射温度が予定の最低輻射温度より高い場合に、調理器具が調理状態にあると決定され、輻射温度の変動がないと決定される場合に、調理器具がアイドル状態にあると決定され、また輻射温度の変動がなく、しかも輻射温度が予定の最低輻射温度より低い場合に、調理器具が停止状態にあると決定される請求項２記載の方法。
【請求項５】
調理器具の表面に対向して調理面から出てくる輻射温度を検知するように、排気フードに配置された赤外線センサーを用いて輻射温度が測定される請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記排気換気システム付近の雰囲気温度を測定することをさらに含み、排気温度及び排気換気システム付近の雰囲気温度がそれぞれの温度センサーを用いて測定される請求項１記載の方法。
【請求項７】
さらに、排気流を制御する前に、排気換気システムを校正することを含む請求項１記載の方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法を実施する排気換気システムであって、
前記平衡ダンパーまたは前記排気ファンに接続され前記平衡ダンパーまたは前記排気ファンを制御するとともに、前記排気温度信号及び前記輻射温度信号を受信する制御モジュールを含み、前記制御モジュールは、前記方法を実施するのに有効な、プログラム可能なプロセッサを有する、排気換気システム。
【手続補正書】
【提出日】平成23年11月29日(2011.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射誘起熱転写プロセスにてドナー要素を使用する方法であって、前記ドナー要素が支持層及び転写層を備えており、
前記ドナー要素を巻き付けるように適合された円筒状表面を備える回転可能なローラを設けるステップと、
前記ドナー要素の第１の端を前記ローラに固定するステップと、
張力を前記媒体に印加しながら前記ドナー要素の第１の部分を前記円筒状表面に巻き付け、前記ドナー要素の前記第１の部分と前記円筒状表面との間に接触領域を確立するステップと、
前記印加された張力を減らして、前記ドナー要素の前記第１の部分と前記円筒状表面との間の前記接触領域を変えるステップと、
前記ドナー要素の前記第１の部分と前記円筒状表面との間の前記接触領域が変えられた後に、前記ドナー要素の付加的な部分を前記円筒状表面に巻き付けるステップと、
前記ドナー要素を前記ローラから基材に転写するステップと、
前記ドナー要素を照射に対してイメージ状に露光し、前記転写層の一部分を前記ドナー要素から前記基材に転写するステップと、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記ドナー要素の前記付加的な部分を前記円筒状表面に巻き付ける前に、前記ドナー要素の第２の部分を前記円筒状表面から巻き戻すステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記印加された張力を減らしながら前記ドナー要素の第２の部分を前記円筒状表面から巻き戻すステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ローラを前記ローラの回転軸の周囲に回転させて、前記ドナー要素の第２の部分を前記円筒状表面から巻き戻し、前記印加された張力を減らすステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ドナー要素の前記第１の部分の一部分を前記円筒状表面から分離しながら前記ローラの回転軸を並進するステップを包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ドナー要素の前記第１の部分の一部分を前記円筒状表面から分離しながら前記ローラの前記回転軸を並進するステップを包含する、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月30日(2012.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
異なる輻射線感度を有する２層又は３層以上の輻射線感受性層、及び赤外線アブレーション可能層を含んで成るレリーフ印刷前駆体であって、
前記アブレーション可能層が、前記２層又は３層以上の輻射線感受性層が応答する画像形成輻射線に対して不透明であるレリーフ印刷前駆体。
【請求項２】
自己支持型であり、前記輻射線感受性層のうちの１層が硬化されて、基体を提供することができる請求項１に記載の前駆体。
【請求項３】
透明基体をさらに含み、前記赤外線アブレーション可能層が、前記透明基体の前記２層又は３層以上の輻射線感受性層とは反対側にある請求項１に記載の前駆体。
【請求項４】
第一のλmaxを含む第一の画像形成輻射線に対して感受性を有する第一の輻射線感受性層、
前記第一のλmaxと少なくとも２５ｎｍ異なる第二のλmaxを含む第二の画像形成輻射線に対して感受性を有する、前記第一の輻射線感受性層の上に配置された第二の輻射線感受性層、及び
任意選択の、前記第一及び第二の画像形成輻射線に対して不透明であり、赤外線吸収化合物を含む、前記第二の輻射線感受性層の上に配置された赤外線アブレーション可能層
を少なくとも含んで成る請求項１又は２記載の前駆体。
【請求項５】
前記第一のλmaxが２９０〜４００ｎｍであり、前記第二のλmaxが２９０〜３２０ｎｍである請求項４に記載のレリーフ印刷前駆体。
【請求項６】
前記第二の輻射線感受性層が、前記第一の画像形成輻射線に対して透明でもある請求項４又は５に記載のレリーフ印刷前駆体。
【請求項７】
前記第二のユニットが、前記第二の輻射線感受性層の上に配置された可剥性保護層をさらに含む請求項１〜６のいずれか１項に記載のレリーフ印刷前駆体。
【請求項８】
以下の工程を含んで成るレリーフ印刷画像を形成する方法：
Ａ）赤外線アブレーションエネルギーに対して請求項１〜７のいずれか１項に記載のレリーフ印刷前駆体を像様露光して、前記赤外線アブレーション可能層にマスク画像を形成又は改変する工程、
Ｂ）工程Ａの次に、又は工程Ａと同時に、前記マスク画像を通して第二の画像形成輻射線に対して前記レリーフ印刷前駆体を露光する工程、及び
Ｃ）任意選択的に、追加の赤外線アブレーションエネルギーを用いて前記マスク画像を改変して改変されたマスク画像を形成する工程。
【請求項９】
Ｄ）次に前記改変されたマスク画像を通して第一の画像形成輻射線に対して前記レリーフ印刷前駆体を露光する工程をさらに含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
工程Ｄの前に、前記輻射線感受性層が、第一のユニットとして、前記第二輻射線感受性層及び前記赤外線アブレーション可能層を含む第二のユニットに積層される請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第二のユニットが、前記第一及び第二のユニットの積層前に剥離される可剥性保護層をさらに含む請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
工程Ａ及びＢの後に、前記第一の輻射線感受性層が、第一のユニットとして、前記第二輻射線感受性層及び前記赤外線アブレーション可能層を含む第二のユニットに積層される請求項９〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月5日(2012.12.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージを印刷する方法であって、当該方法は、前記イメージに基づいたイメージマスクを調製する調製工程を有し、当該調製工程は：
前記イメージに対応する第1解像度のハーフトーンデータを取得する取得工程；
前記ハーフトーンデータの解像度を、少なくとも一次元において増大させる増大工程；
前記ハーフトーンデータの実質的に全てのイメージ部位のサイズに一定のパターンを適用する適用工程；
処理されたハーフトーンデータに基づいて前記イメージマスクを処理する処理工程；
前記イメージマスクを凸版媒体の前駆体に固定する固定工程；
前記イメージマスクを介して前記凸版媒体の前駆体を放射線に曝露する曝露工程；
前記凸版媒体の前駆体から凸版媒体を生成する生成工程；及び、
前記凸版媒体の起伏部を用いて前記イメージを印刷する印刷工程；
を有し、
前記適用工程は、前記イメージマスクの対応するイメージ領域の透明度を一定程度減少させるように設計され、
前記凸版媒体を生成する生成工程は、前記凸版媒体に対応する起伏部のパターンとなる凸版媒体を生成する工程を有し、
前記印刷工程は、ベタ塗りの部位がパターンとなるときに、インク濃度が増大するようにベタ塗りイメージ部位を印刷する工程を有する、
方法。
【請求項２】
前記適用工程は、実効サイズが少なくとも30μmの直径であるハーフトーンイメージ部位に前記パターンを適用する工程を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記一定のパターンが規則的なパターンを有する、請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月19日(2012.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料中の被分析物濃度を判定するための方法であって、
試料中の被分析物の濃度に対応する、少なくとも一つの出力信号値を生成する工程と、
少なくとも二つの項を包含し、少なくとも二つの各項が重み係数によって修正される、少なくとも一つの複合指数関数から、少なくとも一つのΔＳ値を判定する工程と、
少なくとも一つの参照相関および少なくとも一つのΔＳ値により、少なくとも一つの出力信号値を補正する工程と、
少なくとも一つの出力信号値から試料中の被分析物濃度を判定する工程と、
を含む、方法。
【請求項２】
判定された被分析物濃度のパーセントバイアスがΔＳと実質的に線形の関係にあり、判定された被分析物濃度のパーセントバイアスを電流に関連させる式によって補正を行う、請求項１記載の方法。
【請求項３】
少なくとも一つの参照相関が参照機器によって事前に決定されている、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
補正が、
Ａｃｏｒｒ＝（ｉ−Ｉｎｔ）／（Ｓｃａｌ＋ｆ（ｐｒｅｄｉｃｔｏｒ））、
のように表され、ここで、Ａｃｏｒｒが判定された被分析物濃度であり、ｉが試料中の被分析物の濃度に対応する少なくとも一つの出力信号値であり、Ｉｎｔが参照相関の切片であり、Ｓｃａｌが参照相関であり、ｆ（ｐｒｅｄｉｃｔｏｒ）が複合指数関数を包含する予測関数であり、ここで、少なくとも一つのΔＳ値が、参照相関の傾きと、バイアスなしの試料の被分析物濃度を提供するであろう、出力信号値のラインの仮想的な傾きとの間における傾きの差を表す、請求項１、２または３記載の方法。
【請求項５】
複合指数関数がさらに、ゼロに等しくない少なくとも一つの定数を含む、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項６】
少なくとも二つの項の一つが試料の未処理被分析物濃度値を包含する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項７】
少なくとも二つの項の一つが温度を包含する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項８】
少なくとも二つの項の一つが試料の％Ｈｃｔに対応する誤差パラメータを包含する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項９】
中間出力信号値および出力信号以外の値から、独立して選択された、誤差パラメータを少なくとも二つの各項が包含する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１０】
誤差パラメータが少なくとも一つの出力信号値の修正の原因となる誤差寄与因子に対応する、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
複合指数関数から判定された少なくとも一つのΔＳ値が、少なくとも０．６のΔＳｃａｌとのＲ２相関を有する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１２】
試料中の被分析物濃度を判定する工程がさらに、複数の試料から被分析物濃度を判定する工程を含み、複数の試料について判定された被分析物濃度に対して、複合指数関数が複数の試料の混合バイアスについて５よりも少ない標準偏差値を提供する、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１３】
さらに、
異なる誤差パラメータが複合指数関数および第二の複合指数関数によって変形され、少なくとも二つのΔＳ値を提供する、第二の複合指数関数；または
異なる誤差パラメータが複合指数関数および指数関数によって変形され、少なくとも二つのΔＳ値を提供する、指数関数
を含む、請求項１〜８のいずれか一項記載の方法。
【請求項１４】
さらに、正規化が参照相関式の傾きに応答するか、正規化された傾き関数に応答する、少なくとも一つのΔＳ値を正規化する工程を含む、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１５】
少なくとも二つの項が少なくとも一つの除外テストによって選択されている、前記請求項のいずれか一項記載の方法。
【請求項１６】
試料中の被分析物濃度を判定するためのバイオセンサシステムであって、
ストリップによって形成された容器に近接する試料インタフェースを有する、テストセンサと、
試料インタフェースと電気的に通信するセンサインタフェースに接続されたプロセッサであって、記憶媒体と電気的に通信するプロセッサを有する、測定装置と、
を含み、
ここで、プロセッサが試料中の被分析物の濃度に対応する、センサインタフェースからの出力信号値を判定し、
ここで、重み係数によって修正された少なくとも二つの各項を包含する、少なくとも一つの複合指数関数から、プロセッサが少なくとも一つのΔＳ値を判定し、
ここで、記憶媒体内に存在する少なくとも一つのΔＳ値および少なくとも一つの参照相関により、プロセッサが出力信号値を補正する、
システム。
【請求項１７】
プロセッサがさらに、少なくとも一つの参照相関の切片と、複合指数関数を包含する予測関数とにより、出力信号値を補正し、少なくとも一つのΔＳ値が参照相関の傾きと、バイアスなしの試料の被分析物濃度を提供するであろう、出力信号値のラインの仮想的な傾きとの間における傾きの差を表す、請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
複合指数関数がさらに、ゼロに等しくない少なくとも一つの定数を含む、請求項１６または１７のいずれか一項記載のシステム。
【請求項１９】
少なくとも二つの項の一つが試料の未処理の被分析物濃度値を包含する、請求項１６〜１８のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２０】
少なくとも二つの項の一つが温度を包含する、請求項１６〜１９のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２１】
少なくとも二つの項の一つが試料の％Ｈｃｔに対応する誤差パラメータを包含する、請求項１６〜２０のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２２】
中間出力信号値および出力信号以外の値から、独立して選択された、誤差パラメータを少なくとも二つの各項が包含する、請求項１６〜２１のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２３】
少なくとも一つの出力信号値の修正の原因となる誤差寄与因子に、誤差パラメータが対応する、請求項２２記載のシステム。
【請求項２４】
プロセッサにより、複合指数関数から判定された、少なくとも一つのΔＳ値が少なくとも０．６のΔＳｃａｌとのＲ２相関を有する、請求項１６〜２３のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２５】
プロセッサがさらに、複数の試料から被分析物濃度を判定し、
複合指数関数が、複数の試料について判定された被分析物濃度に対して、複数の試料の混合バイアスについて５よりも少ない標準偏差値を提供する、請求項１６〜２４のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２６】
プロセッサが少なくとも一つのΔＳ値を正規化し、正規化が参照相関式の傾きに応答するか、正規化された傾き関数に応答している、請求項１６〜２５のいずれか一項記載のシステム。
【請求項２７】
少なくとも二つの項が少なくとも一つの除外テストによって選択されている、請求項１６〜２６のいずれか一項記載のシステム。