【手続補正書】
【提出日】平成21年3月19日(2009.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
精製された温度制御（temperature controlled）流体を与えるための汚染除去（decontamination）システムであって；
−第１のフィルタ要素；
−第１のフィルタ要素に結合された（coupled to）第１の流量制御要素；
−第１の流量制御要素に結合された汚染除去モジュール；
−第１の流量制御要素に結合されたバイパス要素；
−汚染除去モジュールに結合され、且つバイパス要素に結合された第２の流量制御要素；
−第２の流量制御要素に結合された第２のフィルタ要素；および
−第２のフィルタ要素に結合され、第２の流量制御要素に結合され、汚染除去モジュールに結合され、第１の流量制御要素に結合され、第１のフィルタ要素に結合されたコントローラ、を含むシステムであり；且つ、該コントローラが、汚染除去システムに入る第１の流体のための汚染物質レベルを決定するための手段；該汚染物質レベルを閾値と比較するための手段；汚染物質レベルが閾値より高い場合に、除去モジュールに第１の流体を迂回（diverting）させるための手段；および汚染物質レベルが閾値以下である場合に、第１の流体をバイパス要素に迂回させるための手段を含む汚染除去システム。
【請求項２】
第１のフィルタ要素が粗フィルタまたは細フィルタまたはそれらの組合せを含み、且つ、コントローラが、粗フィルタまたは細フィルタまたはそれらの組合せを使用すべき時を決定するための手段を含む請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項３】
第１の流量制御要素は、汚染物質レベルが閾値より高い場合に第１の流量制御要素を通る第１の経路を確立し、汚染物質レベルが閾値以下である場合に第１の流量制御要素を通る第２の経路を確立するための流体スイッチを含む、請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項４】
コントローラが、第1の経路を使用すべき時および第２の経路を使用すべき時を決定するための手段を含む、請求項３に記載の汚染除去システム。
【請求項５】
第１の流量制御要素が温度センサー、圧力センサーまたは流量センサーまたはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項６】
汚染除去モジュールが、
−入力装置とそれに結合された出力装置を有するチャンバ、および
−チャンバに結合された温度制御サブシステム、を含む、請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項７】
入力装置が、それに入る流体を蒸発させるための手段を含む、請求項６に記載の汚染除去システム。
【請求項８】
入力装置がニードル弁を含む、請求項６に記載の汚染除去システム。
【請求項９】
汚染除去モジュールが更に、チャンバに結合された圧力制御サブシステムを含む、請求項６に記載の汚染除去システム。
【請求項１０】
第２のフィルタ要素が粗フィルタ、または細フィルタまたはそれらの組合せを含み、且つコントローラが、粗フィルタ、細フィルタまたはそれらの組合せを使用すべき時を決定するための手段を含む請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項１１】
第２の流量制御要素は、汚染物質レベルが閾値より高い場合に第２の流量制御要素を通る第１の経路を確立し、汚染物質レベルが閾値以下である場合に第２の流量制御要素を通る第２の経路を確立するための流体スイッチを含む、請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項１２】
コントローラが、第1の経路を使用すべき時および第２の経路を使用すべき時を決定するための手段を含む、請求項１１に記載の汚染除去システム。
【請求項１３】
第２の流量制御要素が温度センサー、圧力センサーまたは流量センサーまたはそれらの組合せを含む、請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項１４】
第１の温度で第１の流体を第１の量だけ供給するための流体供給源を更に含み、且つ第１の流体が、気体、液体、超臨界または近超臨界二酸化炭素またはそのうちの２つ以上のものの組合せを含む請求項１に記載の汚染除去システム。
【請求項１５】
第１の流体が溶剤、助溶剤または界面活性剤またはそのうちの２つ以上のものの組合せを含む、請求項１４に記載の汚染除去システム。
【請求項１６】
流体供給源が汚染されたＣＯ2を含む、請求項１４に記載の汚染除去システム。
【請求項１７】
−超臨界処理チャンバ；
−超臨界処理チャンバに結合された再循環システムであって；該超臨界処理チャンバおよび再循環システムは再循環ループを形成するもの、および
−超臨界処理チャンバに結合された汚染除去システムであって；該汚染除去システムは、
汚染物質レベルが閾値より高い場合の流体のための汚染除去プロセス、および汚染物質レベルが閾値以下である場合の該流体のためのバイパスプロセスのうちの１つを選択的に実施する手段と、
温度制御された精製流体を用いて再循環ループを圧縮するための手段とを含む汚染除去システム、を含む超臨界処理システム。
【請求項１８】
汚染除去システムが更に、プッシュスループロセスの間に第１の体積の温度制御された精製流体を与えるための手段を含み、該第１の体積が再循環ループの容積よりも大きい請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項１９】
汚染除去システムが更に、プッシュスループロセスの間に第１の体積の温度制御された精製流体を与えるための手段を含み、該第１の体積が処理チャンバの容積より大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２０】
汚染除去システムが更に圧縮サイクルの間に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含み、該第１の体積が再循環ループの容積よりも大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２１】
汚染除去システムが更に、減圧サイクルの間に第１の体積の温度制御された精製流体を与えるための手段を含み、該第１の体積が処理チャンバの容積よりも大きい請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２２】
汚染除去システムが更に、減圧プロセスの間に第１の体積の温度制御された精製流体を与えるための手段を含み、該第１の体積が再循環ループの容積より大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２３】
汚染除去システムが更に減圧サイクルの間に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含み、該第１の体積が処理チャンバの容積よりも大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２４】
汚染除去システムが更に、圧縮サイクル中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段および減圧サイクル中に第２の体積の温度制御された非精製流体を与える手段を含み、該第１の体積および第２の体積が再循環ループの容積より大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２５】
汚染除去システムが更に、圧縮サイクル中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段および減圧サイクル中に第２の体積の温度制御された非精製流体を与える手段を含み、該第１の体積および第２の体積が超臨界処理チャンバの容積より大きい、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２６】
汚染除去システムが更に、
−第１のフィルタ要素；
−第１のフィルタ要素に結合された第１の流量制御要素；
−第１の流量制御要素に結合された汚染除去モジュール；
−第１の流量制御要素に結合されたバイパス要素；
−汚染除去モジュールに結合されバイパス要素に結合された第２の流量制御要素；
−第２の流量制御要素に結合された第２のフィルタ要素；および
−第２のフィルタ要素に結合された第２の流量制御要素に結合された汚染除去モジュールに結合された第１の流量制御要素に結合された第１のフィルタ要素に結合されたコントローラ、を含み、該コントローラが、汚染除去システムに入る第１の流体のための汚染物質レベルを決定するための手段；該汚染物質レベルを閾値と比較するための手段；汚染物質レベルが閾値より高い場合除去モジュールに第１の流体を迂回させるための手段；および汚染物質レベルが閾値以下である場合に第１の流体をバイパス要素に迂回させるための手段を含む、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２７】
汚染除去システムが更に、システム清浄プロセスの間に第１の体積の温度制御された精製流体を与えるための手段を含み、該第１の体積が再循環ループの容積よりも大きい請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２８】
超臨界処理チャンバが、基板を保持するための手段を内含する基板ホルダーを含み、汚染除去システムが更に、超臨界基板清浄プロセス中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含む、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項２９】
超臨界処理チャンバが、基板を保持するための手段を内含する基板ホルダーを含み、汚染除去システムが更に、超臨界基板すすぎプロセス中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含む、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項３０】
超臨界処理チャンバが、基板を保持するための手段を内含する基板ホルダーを含み、汚染除去システムが更に、超臨界基板乾燥プロセス中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含む、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項３１】
超臨界処理チャンバが、基板を保持するための手段を内含する基板ホルダーを含み、汚染除去システムが更に、超臨界基板硬化プロセス中に第１の体積の温度制御された精製液体を与えるための手段を含む、請求項１７に記載の超臨界処理システム。
【請求項３２】
−汚染除去システムに対し第１の温度で第１の数量の流体を供給するステップ；
−第１の数量の流体の汚染物質レベルを決定するステップ；
−および汚染物質レベルが閾値より高い場合の汚染除去プロセスおよび汚染物質レベルが閾値以下である場合のバイパスプロセスのうちの１つを選択的に実施するステップ、を含む、汚染除去システムの操作（operating）方法。
【請求項３３】
処理チャンバおよび再循環システムを内含する再循環ループを含む処理システム、および再循環ループに結合された汚染除去システムの操作方法において、該汚染除去システムが汚染物質レベルが閾値より高い場合の流体のための汚染除去プロセス、および汚染物質レベルが閾値以下である場合の該流体のためのバイパスプロセスのうちの１つを選択的に実施するシステムであり、
該操作方法が以下のステップを含む方法：
−処理チャンバ内で基板ホルダー上に基板を位置づけするステップ；
−処理チャンバをシールするステップ；
−汚染除去システムが第１の体積の温度制御された精製液体を用いて再循環ループを加圧する、超臨界圧力まで再循環ループを加圧するステップ；
−超臨界基板清浄プロセスを用いて基板を処理するステップ；
−汚染除去システムがプッシュスループロセス中に第２の体積の温度制御された精製液体を提供し、該第２の体積が再循環ループの体積より大きい、プッシュスループロセスを実施するステップ；
−汚染除去システムが圧力循環プロセスの第１の部分の間に第３の体積の温度制御された精製液体を提供し、圧力循環プロセスの第２の部分の間に第４の体積の温度制御された精製液体を提供し、該第３の体積および第４の体積が再循環ループの容積よりも大きく、第３の体積の温度制御流体内の温度差が約１０℃より小さく、第４の体積の温度制御流体内の温度差が約１０℃未満である、圧力循環プロセスを実施するステップ、
−チャンバ通気プロセスを実施するステップ；および
−基板を取出すステップ。