Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月18日(2013.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の接続部を有する位置トランスミッタと、
第１、第２、および前記位置トランスミッタの前記第２の接続部に連結する第３の接続部を有する電気アイソレータと、
前記位置トランスミッタの前記第１の接続部および前記電気アイソレータの前記第１の接続部に連結された少なくとも第１の接続部、および前記電気アイソレータの前記第２の接続部に連結された第２の接続部を含む電空コントローラと、を備えた、プロセス制御装置。
【請求項２】
前記電気アイソレータは当該電気アイソレータの前記第１の接続部と前記第２の接続部とを連結するレジスタを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記位置トランスミッタは弁に連結されたアクチュエータの位置に基づいて電流信号を変化させる位置センサを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記位置トランスミッタは前記位置トランスミッタの前記第１の接続部からの前記電流信号を、前記電空コントローラの前記第１の接続部に送信する、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記位置トランスミッタは前記電空コントローラとは異なるプロセス制御環境に配置される、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記電気アイソレータは電力供給装置からの電力を受信する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記電空コントローラは前記電気アイソレータと電気的に分離された電流源からの電力を受信する、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記電空コントローラは前記レジスタ全体における前記電流信号の電圧差に基づいて前記アクチュエータの位置を決定する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記電気アイソレータは当該電気アイソレータの前記第３の接続部から前記位置トランスミッタの前記第２の接続部に電力を供給する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記位置トランスミッタは圧力に基づいて電流信号を変化させる圧力センサを含む、請求項２に記載の装置
【請求項１１】
前記位置センサは、電位差計、磁気センサ、圧電性トランスデューサ、ホール効果センサ、またはストリング電位差計の少なくとも１つを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項１２】
第１の接続部および電源に連結された第２の接続部を有する位置トランスミッタと、
前記位置トランスミッタの前記第１の接続部に連結された少なくとも第１の接続部を含む電空コントローラと、
前記電空コントローラの前記第１の接続部と第２の接続部とを連結するレジスタと、を備えるプロセス制御装置。
【請求項１３】
前記位置トランスミッタは制御デバイスに連結されたアクチュエータの位置に基づいて電流信号を変化させる位置センサを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記位置トランスミッタは前記位置トランスミッタの前記第１の接続部からの前記電流信号を、前記電空コントローラの前記第１の接続部に送信する、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記位置トランスミッタは前記電空コントローラとは異なるプロセス制御環境に配置される、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記電空コントローラは前記電源と電気的に分離された電流源からの電力を受信する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記電空コントローラは前記レジスタ全体における前記電流信号の電圧差に基づいて前記アクチュエータの位置を決定する、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記位置トランスミッタは圧力に基づいて電流信号を変化させる圧力センサを含む、請求項１２に記載の装置。
【請求項１９】
前記位置センサは、電位差計、磁気センサ、圧電性トランスデューサ、ホール効果センサ、またはストリング電位差計の少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項２０】
電空コントローラの第１の接続部を、位置トランスミッタの第１の接続部に連結することと、
前記電空コントローラの前記第１の接続部と第２の接続部との間にレジスタを連結することにより前記電空コントローラと前記レジスタとを連結することと、
前記位置トランスミッタの第２の接続部を電源に連結することと、を含む、プロセス制御システムにおいて電空コントローラを位置トランスミッタに連結する、方法。
【請求項２１】
前記レジスタおよび接地電位が電気アイソレータ内に配置されており、前記レジスタは前記電気アイソレータの第１の接続部と第２の接続部との間を連結する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記電空コントローラの第１の接続部は前記電気アイソレータの前記第１の接続部に連結され、前記電空コントローラの前記第２の接続部は前記電気アイソレータの前記第２の接続部に連結される、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記電気アイソレータは、前記位置トランスミッタの前記第２の接続部に連結された、前記電気アイソレータの第３の接続部から位置コントローラに電源を供給する、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
電流源を前記電空コントローラに連結することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
前記電流源と電源とは電気的に分離されている、請求項２４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーラーセルパワーシステムに用いるソーラーパネルアレイであって、
複数のソーラーパネルからなるストリング、
前記複数のソーラーパネルからなるストリング内の対応するソーラーパネルに各々が結合されている複数の電圧コンバータ、及び
複数の最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）コントローラ、
を含み、
各ＭＰＰＴコントローラが、前記複数のソーラーパネルからなるストリング内の対応するソーラーパネルに結合されており、各ＭＰＰＴコントローラが、前記対応するソーラーパネルとインバータとの間の瞬間的なパワー不均衡を検知する形態とされている、
ソーラーパネルアレイ。
【請求項２】
請求項１に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、前記複数の電圧コンバータの内の少なくとも１つの電圧コンバータのデューティサイクルを制限する形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項３】
請求項２に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、前記電圧コンバータの内の少なくとも１つの電圧コンバータの変換比を特定値に制限する形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項４】
請求項２に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、前記デューティサイクルを固定量に減少させる形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項５】
請求項２に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、出力値に比例する量だけ前記デューティサイクルを減少させる形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項６】
請求項１に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数の電圧コンバータの内の少なくとも１つの電圧コンバータの出力電流が閾値電流未満である場合、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、前記少なくとも１つの電圧コンバータの電圧を調整する形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項７】
請求項１に記載のソーラーパネルアレイであって、前記複数のＭＰＰＴコントローラの内の少なくとも１つのＭＰＰＴコントローラが、検知した値に基づいて少なくとも１つの変数を推定する形態とされている、ソーラーパネルアレイ。
【請求項８】
ソーラーセルパワーシステムに用いるデバイスであって、
複数のソーラーパネルからなるストリングにおける１つのソーラーパネルに結合すべく適合されている電圧コンバータ、及び
前記電圧コンバータに結合されている最大パワーポイントトラッキング（ＭＰＰＴ）コントローラ、
を含み、
前記ＭＰＰＴコントローラが、前記ソーラーパネルとインバータとの間の瞬間的なパワー不均衡を検知する形態とされている、デバイス。
【請求項９】
請求項８に記載のデバイスであって、前記ＭＰＰＴコントローラが、前記電圧コンバータのデューティサイクルを制限する形態とされている、デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のデバイスであって、前記ＭＰＰＴコントローラが、前記電圧コンバータの変換比を特定値に制限する形態とされている、デバイス。
【請求項１１】
請求項９に記載のデバイスであって、前記ＭＰＰＴコントローラが、前記電圧コンバータの前記デューティサイクルを固定量へ減少させる形態とされている、デバイス。
【請求項１２】
請求項９に記載のデバイスであって、前記ＭＰＰＴコントローラが、出力値に比例する量だけ前記電圧コンバータの前記デューティサイクルを減少させる形態とされている、デバイス。
【請求項１３】
請求項８に記載のデバイスであって、前記電圧コンバータの出力電流が閾値電流未満である場合、前記ＭＰＰＴコントローラが前記電圧コンバータの変換比を調整する形態とされている、デバイス。
【請求項１４】
請求項８に記載のデバイスであって、前記ＭＰＰＴコントローラが、検知した値に基づいて少なくとも１つの変数を推定する形態とされている、デバイス。
【請求項１５】
光起電力アレイにおける過電圧回避方法であって、
複数のパワー変数の内の少なくとも１つを検知すること、
複数のソーラーパネルからなるストリング内の１つのソーラーパネルと、ソーラーパネルアレイに結合されているインバータとの間のパワー不均衡を検知すること、および
電圧コンバータの出力を調整すること、
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、前記電圧コンバータの出力を調整することが、前記電圧コンバータのデューティサイクルを制限することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、前記電圧コンバータのデューティサイクルを制限することが、前記電圧コンバータの変換比を特定値に制限することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、前記電圧コンバータのデューティサイクルを制限することが、
前記デューティサイクルを固定量へ減少させること、
前記デューティサイクルを出力電圧に比例する量だけ減少させること、及び
前記デューティサイクルを出力電圧スルーレートに比例する量だけ減少させること、
の内の少なくとも１つを含む、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、更に、
前記電圧コンバータの出力電流が閾値電流未満である場合、前記電圧コンバータの変換比を減少させること、
を含む、方法。
【請求項２０】
請求項１５に記載の方法であって、更に、
検知した値に基づいて少なくとも１つのパワー変数を推定する、
ことを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月15日(2013.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１ミリ秒から１秒の間の範囲の持続期間を有する光のパルスを放出して半導体基板の上面全体を照明し、且つ、少なくとも２００℃まで前記半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱して前記半導体基板をアニールするように構成された、発光ダイオードのアレイを含む光学的アセンブリ
を備えた、半導体基板を熱的に処理するためのシステム。
【請求項２】
前記光のパルスが、１秒以下である持続期間を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記発光ダイオードが、前記半導体基板の上面を実質的に均一に加熱するパターンに配列される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記パターンが同心円であり、
各同心円からの前記発光ダイオードのエネルギー出力が、前記半導体基板の前記上面を実質的に均一に加熱するように変えられることが可能である、
請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記パターンが前記半導体基板の外側端部近くで同心円を含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項６】
前記発光ダイオードからの照明が、前記半導体基板の表面近傍域に変化を生じさせる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
処理チャンバと、
処理チャンバの内部に配置された半導体基板を支持するように構成された基板支持アセンブリと、
第１の発光ダイオードアセンブリを含む光学的アセンブリと、
を備えた半導体基板を熱的に処理するためのシステムであって、前記第１の発光ダイオードアセンブリが、
１ミリ秒から１秒の間の範囲の持続期間を有する光のパルスを放出して半導体基板の上面全体を実質的に垂直な入射で照明するように構成された発光ダイオードの第１のアレイを備え、前記発光ダイオードの第１のアレイが、少なくとも２００℃まで前記半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱して前記半導体基板をアニールするパターンに配列された、半導体基板を熱的に処理するためのシステム。
【請求項８】
前記発光ダイオードの第１のアレイからの照明が、前記半導体基板の上面近傍域に変化を生じさせる、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
半導体基板を熱的に処理する方法であって、
前記半導体基板を用意するステップと、
１ミリ秒から１秒の間の範囲の持続期間を有する光のパルスを放出して半導体基板の上面全体を照明する発光ダイオードのアレイを含む光学的アセンブリを用いて、少なくとも２００℃まで前記半導体基板の上面全体を急速且つ実質的に均一に加熱するステップであって、
前記光のパルスが、１つまたは複数のＬＥＤ波長を備える、
加熱するステップと
を備えた方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の表面から放出された光を受けるステップと、
プロセス監視波長近くの前記放出された光の輝度を決定するステップであって、前記プロセス監視波長が前記１つまたは複数のＬＥＤ波長とは異なる、決定するステップと
をさらに備えた、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記半導体基板を実質的に均一に加熱するステップが、前記半導体基板をアニールする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記半導体基板を実質的に均一に加熱するステップが、前記半導体基板の内部のドーパントを拡散させる、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レニウム及びセシウム促進された銀ベースのエポキシ化触媒を、気相エポキシ化反応促進剤を含む供給材料と低くても約２４０℃の高温で少なくとも約２時間にわたって接触させること、そしてその後温度を約２３０℃以下の低温まで低下させることを含んで成り、前記供給材料が、前記温度が２４０℃以上の場合、約５モル％未満の濃度でさらに二酸化炭素を含む、レニウム及びセシウム促進された銀ベースのエポキシ化触媒の効率を現場で高める方法。
【請求項２】
該気相エポキシ化反応促進剤が有機ハロゲン化物を含み、該有機ハロゲン化物が塩化メチル、塩化エチル、二塩化エチレン、塩化ビニル、又はこれらのうちの２つもしくは３つ以上の任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
レニウム及びセシウム促進された銀ベースのエポキシ化触媒を、気相エポキシ化反応促進剤、酸素、及び１種又は２種以上のアルキレンを含む供給材料と、低くても約２４０℃の高温で少なくとも約２時間にわたって接触させ、続いて、温度を約２３０℃以下の低温まで低下させることを含み、前記供給材料が、前記温度が２４０℃以上の場合、約５モル％未満の濃度でさらに二酸化炭素を含む、１種又は２種以上のアルキレンをエポキシ化する方法。
【請求項４】
気相促進剤、酸素、及び／又は１種又は２種以上のアルキレンのうちの少なくとも１つの濃度を、該高温時と該低温時とで異なるようにする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
アルキレンオキシドを１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、１，２−カーボネート、又はアルカノールアミンに変換することを含み、該アルキレンオキシドが、アルキレンをエポキシ化する方法により調製されたものであり、該エポキシ化方法が、レニウム及びセシウム促進された銀ベースのエポキシ化触媒を、気相エポキシ化反応促進剤、酸素、及び１種又は２種以上のアルキレンを含む供給材料と低くても約２４０℃の高温で少なくとも約２時間にわたって接触させ、続いて、温度を約２３０℃以下の低温まで低下させることを含み、前記供給材料が、前記温度が２４０℃以上の場合、約５モル％未満の濃度でさらに二酸化炭素を含む、１，２−ジオール、１，２−ジオールエーテル、１，２−カーボネート、又はアルカノールアミンを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月17日(2013.4.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１の処理リザーバに水を供給するための注入口、
（ｂ）複数の１種又は２種以上の多価カチオンを充填させた、実質的に水不溶性の樹脂材料を含む水処理組成物、ここで、前記組成物は、前記処理リザーバ内に含まれる、
（ｃ）第１の処理リザーバに流体接続された放出口、ここで、前記放出口は、前記処理リザーバから、処理された水を供給する、
を含む、水源を取り扱うための装置。
【請求項２】
前記樹脂材料が、弱酸カチオン樹脂を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記樹脂材料が、ゲル型樹脂構造物、マクロ多孔質型樹脂構造物、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記樹脂材料が、カルボキシル基を含む官能基を含む表面を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記樹脂材料が、ブタジエン、エチレン、プロピレン、アクリロニトリル、スチレン、塩化ビニリデン、塩化ビニル、並びにそれらの誘導体及び混合物から成る群から選択される、添加された追加のコポリマーを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記樹脂材料が、ポリビニル芳香族化合物で架橋されているアクリル酸ポリマーである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記ポリビニル芳香族化合物が、ポリビニル芳香族化合物、例えば、ジビニルベンゼン、トリビニルベンゼン、ジビニルトルエン、ジビニルキシレン、ポリビニルアントラセン、並びにそれらの誘導体及び混合物から成る群から選択される、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記樹脂材料が、約１５０〜約１００，０００の分子量を有するポリマー材料を、前記水源に供給する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記アクリル酸ポリマーが、約０．５％〜約２５％、架橋されている、請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記アクリル酸ポリマーが、８％未満、架橋されている、請求項６に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水源を処理するための装置であって、
前記水源を、処理リザーバに供給するための注入口、
前記処理リザーバの内部に位置する、１種又は２種以上の触媒、前記触媒は、支持材料と結合した水処理剤を含み、前記水処理剤は、マグネシウムイオン、アルミニウムイオン、亜鉛イオン、チタンイオン、及びそれらの混合物の供給源から成る群から選択される、及び
前記リザーバから、処理された水を供給するための放出口、
を含む、前記装置。
【請求項２】
前記支持材料が、イオン性樹脂を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記樹脂が、弱酸カチオン樹脂を含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記水処理剤が、マグネシウムを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記支持材料が、樹脂のビーズを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記支持材料が、アクリル酸ポリマー、メタクリル酸ポリマー、及びそれらの組み合わせから成る群から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記支持材料が、カルボン酸ポリマーを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記支持材料が、カルシウムイオンよりも、マグネシウムイオンと選択的に結合する樹脂である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記処理リザーバが、１種又は２種以上の金属酸化物又は金属水酸化物をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記金属酸化物が、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、又はそれらの混合物から選択される、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面及び第２の表面により境界づけられた物質厚さを持つプレフォームのボディを加熱するための加熱システムであって、多くの指向された光ビームを放射する光源装置と、前記ボディ内の第１の表面と第２の表面との間の長めの経路に沿って光が基本的にガイドされるように、少なくとも特定の最小期間の間、前記光源装置からの光を特定の方向に意図的に前記ボディへ入力させる入力結合装置とを少なくとも有し、前記長めの経路は第１の表面と第２の表面との間の最短距離の長さの少なくとも２倍である、加熱システム。
【請求項２】
前記入力結合装置は、前記光源装置からの光が前記ボディの物質の取り込み角度範囲内の角度で前記ボディに入力され、全内反射により第１の表面と第２の表面との間にガイドされるように、配置されることを特徴とする、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項３】
前記入力結合装置は、前記光源装置からの光が、前記経路に沿って基本的に吸収されるまで、第１の表面と第２の表面との間にガイドされるように、配置されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項４】
前記入力結合装置は、前記光源装置からの光が、前もって規定されたエントリポイントで及び／又は前もって規定されたエントリラインに沿って、ボディへ入力されるように、配置されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項５】
前記光源装置は、少なくとも一つの光源と、多くの光ビームを前記ボディの方向に送る多くの光ファイバとを有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項６】
前記入力結合装置は、前記光源装置からの光が、前記ボディに入力されるポイントで第１の表面と第２の表面との間の最短の直線により規定された横断方向に対して角度を持つ方向で前記ボディに入力されるように、配置されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項７】
前記入力結合装置は、前記光源装置からの光が前記光源装置から前記ボディへガイドされる中間入力結合物質を有することを特徴とする、請求項１に記載の加熱システム。
【請求項８】
前記中間入力結合物質が透明なポリマー又は液体、好ましくは水又は油であることを特徴とする、請求項７に記載の加熱システム。
【請求項９】
前記中間入力結合物質が、前記プレフォームの前記ボディの屈折率と前記光源装置の光放射表面物質の屈折率との間の屈折率を持つことを特徴とする、請求項７又は８に記載の加熱システム。
【請求項１０】
前記入力結合装置は、前記ボディに多くの光ビームが入力される角度が、前記光源装置からの光の主要部分が、前記ボディに光が入力されるポイントに戻らないような角度であるように配置されることを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項１１】
指向された光ビームが放射される複数の光放射表面により特徴づけられる、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項１２】
前記ボディが加熱されながら、ルートに沿って前記ボディを移動させる移送手段により特徴づけられる、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項１３】
プレフォームのボディが光放射表面の光経路内にあるとき、光が前記光放射表面から出力されるように、前記光源装置及び／又は前記入力結合装置から指向された光の出力のタイミングを制御するための制御装置により特徴づけられる、請求項１２に記載の加熱システム。
【請求項１４】
前記光源装置は、８００ｎｍ及び／又は９７０ｎｍの波長で好ましくはレーザー光を放射する少なくとも一つのレーザー放射光源を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の加熱システム。
【請求項１５】
第１の表面及び第２の表面により境界づけられた物質厚さを有するプレフォームのボディを加熱するための方法であって、光源装置からの多くの指向された光ビームが前記ボディを通って送られ、前記ボディ内の第１の表面と第２の表面との間の長めの経路に沿って光が基本的にガイドされるように、前記光源装置からの光は、少なくとも特定の最小期間の間、特定の方向に意図的に前記ボディへ入力され、前記長めの経路は第１の表面と第２の表面との間の最短距離の長さの少なくとも２倍である、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近位端部および遠位端部を有し、前記遠位端部が遠位アンカーを有するカテーテルシャフトと、
前記カテーテルシャフトに沿って前記遠位アンカーから前記カテーテルシャフトの前記近位端部のハンドルへ伸びる操舵部材と、
前記カテーテルシャフトに沿って、前記遠位アンカーから前記カテーテルシャフトの前記近位端部の前記ハンドルへ伸びる解放部材と、を備え、
ロック位置の前記解放部材が、前記操舵部材の遠位端部が前記遠位アンカー内の操舵部材開口部から分離するのを妨げるため設けられた遠位端部を有し、操舵部材解放要素が解放位置に移動されるとき、前記操舵部材の前記遠位端部が前記遠位アンカーから分離するのを妨げられない、
ことを特徴とする補綴物送達カテーテル。
【請求項２】
前記遠位アンカーが操舵部材受入開口部を有し、
前記操舵部材解放要素が解放位置に移動されるとき、前記操舵部材の前記遠位端部が前記遠位アンカー内の前記操舵部材開口部から分離するのを妨げられない、
請求項１に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項３】
前記操舵部材および前記解放部材が、前記カテーテルシャフトと、前記遠位アンカーと、スプラインと、前記操舵部材および前記解放部材の少なくとも１つとの間の近位捕捉空間内の腔内補綴物要素を捕捉する前記スプラインを通って伸びる、
請求項２に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項４】
前記スプラインが、中に、前記操舵部材および前記解放部材の少なくとも１つが通るように構成された貫通穴を有する、
前記スプラインが、前記近位捕捉空間から、前記操舵部材および前記解放部材の少なくとも１つの解放を妨げる少なくとも１つのサイドフックを有する、または、
前記腔内補綴物要素が、近位スプリング要素を有する、
請求項３に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項５】
前記腔内補綴物要素が、近位スプリング要素を有し、前記腔内補綴物要素が、ステントの部分である、または、
前記腔内補綴物要素が、近位スプリング要素を有し、前記腔内補綴物要素が、ステントグラフトの部分である、
請求項３に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項６】
前記操舵部材がチューブである、
請求項３に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項７】
操舵部材チューブが、遠位端部において拡張可能なロック要素を有する、
請求項６に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項８】
前記解放部材が、ワイヤまたはチューブである、
請求項７に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項９】
前記ワイヤまたはチューブが前記操舵部材チューブの前記拡張可能なロック要素内に位置決めされるものとして前記解放部材が構成されるときに前記ロック位置が生成され、前記ワイヤまたはチューブが前記操舵部材チューブの前記拡張可能なロック要素内に位置決めされないものとして前記解放部材が構成されるときに前記解放位置が生成される、または、
前記ワイヤまたはチューブが拡大端部ロック部を有する、
請求項８に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１０】
前記操舵部材がワイヤである、
請求項３に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１１】
前記ワイヤが拡大端部を有する、
請求項１０に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１２】
前記解放部材がワイヤであり、
前記ワイヤが典型的には拡大端部ロック部を有する、
請求項１１に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１３】
前記遠位アンカーを越えて伸びる前記カテーテルシャフトと前記解放部材の間の遠位捕捉空間内で腔内補綴物要素を捕捉するバリアとしてはたらくため、前記解放部材が前記遠位アンカーを越えて伸びる、
請求項１に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１４】
前記遠位アンカーが、中に前記操舵部材が固定され、かつ周りに前記遠位捕捉空間から伸びる前記腔内補綴物要素の部分の位置決めが可能であるリブとして構成される、
請求項１３に記載の補綴物送達カテーテル。
【請求項１５】
前記腔内補綴物要素が、近位スプリング要素を有する、または、
前記操舵部材がチューブであり、操舵部材チューブが自身の遠位端部において拡張可能なロック要素を有し、前記解放部材がワイヤまたはチューブであり、前記ワイヤまたはチューブが前記操舵部材チューブの前記拡張可能なロック要素内に位置決めされるものとして前記解放部材が構成されるときに前記ロック位置が生成され、前記ワイヤまたはチューブが前記操舵部材チューブの前記拡張可能なロック要素内に位置決めされないものとして前記解放部材が構成されるときに前記解放位置が生成される、
請求項１４に記載の補綴物送達カテーテル。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する心臓腔内の電気的活動に対する生理学的信号を測定するように構成される１つ以上の電極と；
少なくとも一部においてラプラスの方程式に基づき、さらに前記１つ以上の電極によって測定される生理学的信号と、前記表面に対する前記電極の位置とに基づき、前記表面に対する複数の位置での双極生理学的情報を決定するように構成される処理ユニットと
を含む、システム。
【請求項２】
１つ以上の電極は、少なくとも第１電極と、第２電極とを含み、
前記第１電極は、前記心臓腔内に位置付けられ、
前記第２電極は、前記電極が心臓腔内の局所組織活性化によって影響を及ぼされないように、前記心臓腔から隔てて位置付けられる、
請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記双極生理学的情報は、電流密度情報を含む、
請求項１または２記載のシステム。
【請求項４】
前記電流密度情報は、前記電流密度の垂直成分、電流密度ベクトルの大きさ、および前記電流密度の接線成分の大きさからなる群から選択される情報を含む、
請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記処理ユニットはさらに、互いに異なるカテーテル位置で測定される信号を、電気的心拍サイクルに従って相互に対して同期化するように構成される、
請求項１〜４何れか一項記載のシステム。
【請求項６】
前記処理ユニットはさらに、前記測定される信号を、ＥＣＧおよび心臓間電気記録図のうちの少なくとも１つを含む生理学的データに基づき同期化するように構成される、
請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記処理ユニットはさらに、前記同期化された信号を、前記心臓腔内の互いに異なるカ
テーテル位置のカテーテル電極によってサンプリングされる前記位置の全てから１度に取得されたかのように処理するように構成される、
請求項５または６記載のシステム。
【請求項８】
前記処理ユニットはさらに、変換関数を前記測定された生理学的信号に適用するように構成される、
請求項１〜７何れか一項記載のシステム。
【請求項９】
前記処理ユニットはさらに、１つ以上の正規化項を含む１つ以上のマトリックスとして表現することができる変換関数を解くように構成される、
請求項１〜８何れか一項記載のシステム。
【請求項１０】
前記１つ以上のマトリックスは、以下の方程式：
【数１】
2012524606.tif 000001
で表すことができる、
請求項９記載のシステム。
【請求項１１】
前記処理ユニットはさらに、変換関数を前記生理学的信号に適用するように構成され、
前記変換関数は、前記生理学的信号を、前記表面の前記複数の位置での前記双極生理学的情報に関連付ける、
請求項１〜１０何れか一項記載のシステム。
【請求項１２】
前記処理ユニットはさらに、前記複数の位置での前記生理学的情報を測定された前記信号に関連付けるために、順変換を計算し、前記順変換を反転させることによって、前記変換関数を決定するように構成される、
請求項１１記載のシステム。
【請求項１３】
前記処理ユニットはさらに、物理的関係に基づく正規化によって、劣決定マトリックス反転を再公式化するように構成される、
請求項１２記載のシステム。
【請求項１４】
前記物理的関係は、以下の方程式：
【数２】
2012524606.tif 000002
で表すことができる、
請求項１３記載のシステム。
【請求項１５】
前記システムはさらに、１つ以上の電極の前記位置を取得するように構成される追跡システムを含む、
請求項１〜１４何れか一項記載のシステム。
【請求項１６】
前記処理ユニットはさらに、前記双極情報の後処理を実施するように構成される、
請求項１〜１５何れか一項記載のシステム。
【請求項１７】
前記双極情報の前記後処理によって生成される情報は、アイソ電流マップ；心臓の電気的活動の時間依存挙動に関する情報を含むタイミングマップ；および差分マップからなる群から選択される情報を含む、
請求項１６記載のシステム。
【請求項１８】
１つ以上の電極で、表面を有する心臓腔内の電気的活動に対する生理学的信号を測定することと；
少なくとも部分的にラプラスの方程式に基づき、さらに前記測定される生理学的信号と、前記表面に対する前記１つ以上の電極の位置とに基づき、前記表面に対する複数の位置での双極生理学的情報を決定することと
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワンピース型分岐血管内グラフトのための送達デバイスであって、
遠位端に第１の先端部を有し、前記第１の先端部が、内部を貫通して設けられた第１のルーメンと第１の表面と該第１の表面と反対側の略曲線状のテーパー付けされた第２の表面とを有する第１のカテーテル部と、
遠位端に第２の先端部を有し、前記第２の先端部が、内部を貫通して設けられた第２のルーメンと第３の表面と該第３の表面の反対側の略曲線状のテーパー付けされた第４の表面とを有する第２のカテーテル部と、
前記第１のカテーテル部および前記第２のカテーテル部の周囲に設けられた外側スリーブであって、前記第１の先端部の少なくとも一部と前記第２の先端部の少なくとも一部とが前記外側スリーブの遠位端を越えて遠位方向に延びる外側スリーブと、を備え、
前記第１の表面および前記第３の表面は相補形状を有し、これにより、前記第１の先端部および前記第２の先端部が略平滑な複合連続表面先端部を共に形成する、
ことを特徴とする送達デバイス。
【請求項２】
前記複合先端部は、略弾丸形状の複合先端部を形成する、
請求項１に記載の送達デバイス。
【請求項３】
前記第１の表面および前記第２の表面は略平坦である、
請求項２に記載の送達デバイス。
【請求項４】
前記第３の表面は略凹形状であり、前記第１の表面は略凸形状である、
請求項２に記載の送達デバイス。
【請求項５】
前記外側スリーブのルーメン内に設けられた内側スリーブをさらに含み、前記血管内グラフトは前記内側スリーブ内に設けられる、
請求項２に記載の送達デバイス。
【請求項６】
前記内側スリーブは、本体部と、該本体部から延びる第１の分岐部と、前記本体部から延びる第２の分岐部とを有する、
請求項５に記載の送達デバイス。
【請求項７】
プッシャをさらに備え、前記プッシャは、前記外側スリーブの前記ルーメン内に配置され、前記血管内グラフトに近位である、
請求項５に記載の送達デバイス。
【請求項８】
前記第２の略曲線状のテーパー付けされた表面は、その近位端部において第１の肩部を含み、前記第４の略曲線状のテーパー付けされた表面は、その近位端部において第２の肩部を含み、前記外側スリーブの前記遠位端は、前記第１の肩部および前記第２の肩部と隣接する、
請求項２に記載の送達デバイス。
【請求項９】
前記プッシャが、少なくとも第１および第２のルーメンを備えている、
請求項７に記載の送達デバイス。
【請求項１０】
前記プッシャが、第３のルーメンを備えている、
請求項９に記載の送達デバイス。
【請求項１１】
前記第１および／または第２の分岐部が、プルストリングを用いて引き裂きまたは分解可能なシームを備えている、
請求項６に記載の送達デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月18日(2013.4.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
ｉ．下塗り塗料の全質量に対して少なくとも３５質量％の固体含量を有する非水性下塗り塗料の少なくとも１つの下塗り塗膜および
ｉｉ．クリヤラッカーの全質量に対して少なくとも５０質量％の固体含量を有する非水性クリヤラッカーの少なくとも１つのクリヤラッカー塗膜を含む、マルチコート塗装系であって、下塗り塗料およびクリヤラッカーが
Ａ．式（Ｉ）
【化１】
2012524674.tif 000001
〔式中、ｎは、１〜１０であり、
Ｒ1は、１〜１８個のＣ原子を有する一価または二価のアルキル基またはアルキレン基であるか、またはそれぞれ１〜１８個のＣ原子を有するモノアルキル化またはジアルキル化されたフェニル基またはナフチル基であり、
Ｒ5およびＲ6は、互いに無関係に水素、または１〜１２個のＣ原子を有するアルキル基であるか、またはＲ5およびＲ6は、一緒になって６〜１２個のＣ原子を有するシクロアルキル基であり、ならびに
ａ．Ｒ4は、水素原子を表わし、およびＲ2およびＸは、不在であるか、または
ｂ．Ｒ4は、メチレン基を表わし、
Ｒ2は、水素原子、１〜１８個のＣ原子を有する一価または多価のアルキル基、ビスフェノールＡ基またはビスフェノールＦ基を表わし、この場合これらの基は、置換されていてよく、および
Ｘは、カルボニル基または酸素原子を表わし、この場合Ｘは、場合によるものであり、この場合式（Ｉ）の化合物は、３５０〜２０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有し、およびｎが１を上廻る場合には、基Ｒ1またはＲ2の少なくとも１つは、少なくとも二価である〕で示される少なくとも１つのエポキシ−スルホン酸化合物、または
Ｂ．式（ＩＩ）
【化２】
2012524674.tif 000002
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｘおよびｎは、式（Ｉ）の化合物と同様の意味を有し、および
Ｒ3は、１〜１８個のＣ原子を有するアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基、またはポリマー基であり、この場合Ｒ3は、置換されていてよく、この場合ｎが１を上廻る場合には、基Ｒ1、Ｒ2またはＲ3の少なくとも１つは、少なくとも二価であり、この場合式（ＩＩ）による化合物は、少なくとも１０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する〕で示される少なくとも１つのエポキシ−イソシアネートによりブロック化されたスルホン酸化合物を、それぞれの塗料の全質量に対して、それぞれ０．５〜３．０質量％含有する、前記のマルチコート塗装系。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項３】
下塗り塗料および／またはクリヤラッカーがそれぞれ互いに無関係に、式（Ｉ）および／または（ＩＩ）の少なくとも１つの化合物を、それぞれの塗料の全質量に対してそれぞれ１．５〜３．０質量％含有する、請求項１または２記載のマルチコート塗装系。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
下塗り塗料および／またはクリヤラッカーがそれぞれ互いに無関係に、式（Ｉ）および／または（ＩＩ）の少なくとも１つの化合物を、それぞれの塗料の全質量に対してそれぞれ１．８〜２．７質量％含有する、請求項１または２記載のマルチコート塗装系。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
本発明によるマルチコート塗装系は、
ｉ．下塗り塗料の全質量に対して少なくとも３５質量％の固体含量を有する非水性下塗り塗料の少なくとも１つの下塗り塗膜および
ｉｉ．クリヤラッカーの全質量に対して少なくとも５０質量％の固体含量を有する非水性クリヤラッカーの少なくとも１つのクリヤコートを含み、
このマルチコート塗装系は、下塗り塗料およびクリヤラッカーが
Ａ．式（Ｉ）
【化１】
2012524674.tif 000003
〔式中、ｎは、１〜１０であり、
Ｒ1は、１〜１８個のＣ原子を有する一価または二価のアルキル基またはアルキレン基であるか、またはそれぞれ１〜１８個のＣ原子でモノアルキル化またはジアルキル化されたフェニル基またはナフチル基であり、
Ｒ5およびＲ6は、互いに無関係に水素、または１〜１２個のＣ原子を有するアルキル基であるか、またはＲ5およびＲ6は、一緒になって６〜１２個のＣ原子を有するシクロアルキル基であり、ならびにａ．Ｒ4は、水素原子を表わし、およびＲ2およびＸは、不在であるか、またはｂ．Ｒ4は、メチレン基を表わし、
Ｒ2は、水素原子、１〜１８個のＣ原子を有する一価または多価のアルキル基、ビスフェノールＡ基またはビスフェノールＦ基を表わし、この場合これらの基は、置換されていてよく、および
Ｘは、カルボニル基または酸素原子を表わし、この場合Ｘは、場合によるものであり、この場合式（Ｉ）の化合物は、３５０〜２０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有し、およびｎが１を上廻る場合には、基Ｒ1またはＲ2の少なくとも１つは、少なくとも二価である〕で示される少なくとも１つのエポキシスルホン酸化合物、または
Ｂ．式（ＩＩ）
【化２】
2012524674.tif 000004
〔式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｘおよびｎは、式（Ｉ）の化合物と同様の意味を有し、および
Ｒ3は、１〜１８個のＣ原子を有するアルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基またはアリール基、またはポリマー基であり、この場合Ｒ3は、置換されていてよく、この場合ｎが１を上廻る場合には、基Ｒ1、Ｒ2またはＲ3の少なくとも１つは、少なくとも二価であり、この場合式（ＩＩ）による化合物は、少なくとも１０００ｇ／ｍｏｌの数平均分子量を有する〕で示される少なくとも１つのエポキシ−イソシアネートによりブロック化されたスルホン酸化合物を、それぞれの塗料の全質量に対して、０．５〜３．０質量％含有することによって特徴付けられる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
締結具の締付けまたは緩め器具であって、
該器具の中に回転可能に支持された、第一及び第二締結具を受け入れる第一及び第二受け部材と、
前記それぞれの締結具を締め付けるまたは緩めるために前記それぞれの受け部材の回転を生じさせる、第一及び第二トルク動力工具としての第一及び第二回転装置であり、空気圧、電気、油圧のいずれかにより駆動される第一及び第二回転装置と、
パラメータ間の差を事前設定値の範囲内に維持するために各回転装置の作動パラメータを制御する装置であり、前記作動パラメータが、油圧または空気圧用流体の圧力または流量か、電流、電圧または磁場などの電気回路パラメータか、トルク出力値か、回転速度か、またはこれらの組合せを含み、作動時に前記作動パラメータの前記差が前記事前設定値を超えた場合、前記制御装置が、前記作動パラメータの前記差が前記事前設定値の範囲内に戻るまで、前記作動パラメータが高い方の前記装置の前記作動パラメータを下げるか、前記作動パラメータの低い方の前記装置の前記作動パラメータを上げるか、または前記それぞれの装置の前記作動パラメータを上下させることによって、前記それぞれの回転装置の前記作動パラメータを調整する、制御装置と、
を含み、
前記回転装置が接続され、接続体が、
前記第一回転装置の回転力軸の周りで回転可能に取付け可能な第一力伝達要素と、
前記第一要素の少なくとも遠位部の周りで回転可能に取付け可能か、前記遠位部に沿って伸縮可能に取付け可能か、または前記遠位部の周りで回転可能に取付け可能かつ前記遠位部に沿って伸縮可能に取付け可能な第二力伝達要素と、
を含む、器具。
【請求項２】
前記制御装置が前記作動パラメータを検知する装置を含むことを特徴とする、請求項１に記載の器具。
【請求項３】
前記作動パラメータがトルク出力であり、かつ作動時に、前記トルク出力の前記差が前記事前設定値を超えた場合、前記制御装置が、前記トルク出力の前記差が前記事前設定値の範囲内に戻るまで、前記トルク出力が高い方の前記装置の前記トルク出力を下げるか、前記トルク出力が低い方の前記装置の前記トルク出力を上げるか、または前記それぞれの装置の前記トルク出力を上下させることによって、前記それぞれの回転装置の前記トルク出力を調整することを特徴とする、請求項１又は２に記載の器具。
【請求項４】
前記回転装置が前記締結具を同時に締め付けるまたは緩めることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の器具。
【請求項５】
前記第一及び第二回転装置の第一及び第二反動回転力が実質的に打ち消されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の器具。
【請求項６】
前記回転装置と前記制御装置との間で通信する装置を含む前記締結具の締付けまたは緩めを管理する装置を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の器具。
【請求項７】
前記回転装置は油圧駆動され、シリンダと、ピストン軸に沿って前記シリンダ内を往復動可能なピストンを含むシリンダ・ピストン手段を備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の器具。
【請求項８】
第一要素は、第一回転装置のピストン軸の周りで回転可能に取り付け可能であり、第二要素は、第二回転装置のピストン軸の周りで回転可能に取り付け可能である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の器具。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月16日(2013.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
骨固定要素であって、
前記固定要素の長手軸にほぼ沿って延在するシャフトと、
頭部であって、その周囲に分布された複数の固定要素開口を含み、前記固定要素開口の各々は、前記頭部を通って前記頭部の近位面から前記頭部の遠位面まで延在し、前記固定要素開口の各々は、前記頭部を通って開口軸に沿って延在する、頭部と、
を備える、骨固定要素。
【請求項２】
前記固定要素開口の各々は、前記開口軸と前記長手軸の交点が前記頭部の近位となるように、前記長手軸に対して傾斜している、請求項１に記載の固定要素。
【請求項３】
前記固定要素開口の各々は、前記開口軸と前記長手軸の交点が前記頭部の遠位となるように、前記長手軸に対して傾斜している、請求項１に記載の固定要素。
【請求項４】
前記開口の少なくとも２つは、部分的に開放されており、前記２つの開口に隣接する前記頭部の最近位端の、対応する開口の最近位点からの高さが、前記開口の直径よりも小さい、請求項１に記載の固定要素。
【請求項５】
前記開口の最初の１つは、その内部表面に沿ったねじ切りを含み、そこを通って挿入される骨固定要素の頭部上の対応するねじ切りと係合する、請求項１に記載の固定要素。
【請求項６】
第１の開口軸の角度が、第２の開口軸の角度と等しい、請求項１に記載の固定要素。
【請求項７】
前記シャフトは、前記頭部に対して回転可能である、請求項１に記載の固定要素。
【請求項８】
前記固定要素開口の各々の前記開口軸は、前記固定要素の前記長手軸とほぼ平行である、請求項１に記載の固定要素。
【請求項９】
前記頭部は、そこを通って前記近位面から前記遠位面まで係止軸に沿って延在する係止穴を更に含み、前記係止穴は、係止要素を受容するように適合および構成されている、請求項１に記載の固定要素。
【請求項１０】
骨を処置するためのシステムであって、
主要固定要素であって、
前記固定要素の長手軸にほぼ沿って延在するシャフトと、
頭部であって、その周囲に分布された複数の固定要素開口を含み、前記固定要素開口の各々は、前記頭部を通って前記頭部の近位面から前記頭部の遠位面まで延在し、前記固定要素開口の各々は、前記頭部を通って開口軸に沿って延在する、頭部と、
を含む、主要固定要素と、
前記固定要素開口の各々を通して挿入するためのサイズおよび形状とされた複数の補助的骨固定要素であって、第１の前記補助的骨固定要素の１つは、その頭部上に、前記補助的骨固定要素が挿入される前記固定要素開口の１つの対応するねじ切りと係止接合するように適合されたねじ切りを含む、複数の補助的骨固定要素と、
を含む、システム。
【請求項１１】
前記開口軸は、前記開口軸と前記長手軸の交点が前記頭部の近位となるように、前記長手軸に対して傾斜している、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記開口軸は、前記開口軸と前記長手軸の交点が前記頭部の遠位となるように、前記長手軸に対して傾斜している、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１３】
前記開口の少なくとも２つは、部分的に開放されており、前記２つの開口に隣接する前記頭部の最近位端の、対応する開口の最近位点からの高さが、前記開口の直径よりも小さい、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１４】
前記少なくとも２つの開口を包囲する前記頭部の表面は、２４０°から２７０°の間の角度で周囲に延在する、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記シャフトは、前記頭部に対して回転可能である、請求項１０に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツール本体及び切削要素を有する回転ツールのための間接冷却システムであって、
切削要素を取り付けるためのツール本体上の少なくとも一つの特定の領域と、
クーラントからなる寒剤と、
切削要素の後面に対する周囲の温度よりも低い温度である、クーラントを導くためのツール本体の間接チャンネルと、
間接チャンネルからクーラントを受け入れるための切削要素の後面に形成されたキャビティと、を備え、
それによって、キャビティのクーラントが切削要素を冷却する、間接冷却システム。
【請求項２】
請求項２記載の間接冷却システムにおいて、
キャビティに形成された複数のフィンを更に備え、
それによって、複数のフィンは、切削要素からクーラントへの熱エネルギーの伝達を高める、間接冷却システム。
【請求項３】
請求項１記載の間接冷却システムにおいて、
クーラントは、同じワークピースを加工するときの合成クーラントに必要とされる流量の２パーセントよりも少ない流量を使用してワークピースを加工するときの切削要素の温度を減少することができる、間接冷却システム。
【請求項４】
請求項１記載の間接冷却システムにおいて、
インサートにクーラントを噴射するためのツール本体上にある開口と、
開口にクーラントを導くためのツール本体の直接冷却チャンネルと、を更に備え、
それによって、切削要素は、切削要素に噴射されるクーラントによって及び切削要素の後面に適用されるクーラントによって冷却される、間接冷却システム。
【請求項５】
請求項４記載の間接冷却システムにおいて、
切削ツール要素は、切削ツールインサートである、間接冷却システム。
【請求項６】
請求項５記載の間接冷却システムにおいて、
切削ツール要素は、ツール本体にろう付けされる又は永久的に取り付けられる、間接冷却システム。
【請求項７】
請求項１記載の間接冷却システムにおいて、
切削ツール要素は、ツール本体と一体である、間接冷却システム。
【請求項８】
請求項５記載の間接冷却システムにおいて、
インサートを収容するためにツール本体に形成された少なくとも二つのポケットと、
各ポケットに取り付けられたインサートと、を更に備え、
各ポケットは、インサートの後面にクーラントを導くための間接冷却チャンネルを有し、
それによって、ツール本体の各インサートは、間接冷却によって冷却される、間接冷却システム。
【請求項９】
請求項８記載の間接冷却システムにおいて、
ツール本体に取り付けられると共にインサートから離間された少なくとも二つのジェット開口と、
ジェット開口にクーラントを供給するために各ジェット開口に連結された直接冷却チャンネルと、を更に備え、
それによって、ジェット開口は、インサートにクーラントを直接噴射してインサートを冷却し、同時に、インサートは、インサートの後面のキャビティに供給されるクーラントによって間接的に冷却される、間接冷却システム。
【請求項１０】
請求項３記載の間接冷却システムにおいて、
クーラントの流量は、各切削縁部に対して０．０８Ｌ／分である、間接冷却システム。