【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に実装された半導体素子の熱を当該配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、前記配線基板をはんだフローすることにより前記スルーホールにはんだを充填してから、前記半導体素子を前記配線基板に実装したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
配線基板上にヒートシンクを介して実装された半導体素子の熱を当該ヒートシンク及び上記配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、前記ヒートシンクを当該ヒートシンクの下面に形成された溝部が前記配線基板のスルーホールと連通した状態で前記配線基板に接着してから、前記配線基板をはんだフローすることにより前記スルーホール及び前記ヒートシンクの溝部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
配線基板上に実装された半導体素子の熱を当該配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、前記半導体素子をスペーサ部材により前記配線基板との間に隙間部を形成した状態で実装してから、前記配線基板をはんだフローすることにより前記スルーホール及び前記半導体素子と前記配線基板との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
配線基板上にヒートシンクを介して実装された半導体素子の熱を当該ヒートシンク及び上記配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置の製造方法において、前記ヒートシンクをスペーサ部材により前記配線基板との間に隙間部を形成した状態で実装してから、前記配線基板をはんだフローすることにより前記スルーホール及び前記ヒートシンクと前記配線基板との隙間部にはんだを充填したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記スペーサ部材は、前記配線基板上若しくは前記半導体素子の下面に設けられた凸部であることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記スペーサ部材は、接着剤であることを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記スペーサ部材ははんだペーストであり、前記配線基板をリフローすることにより前記半導体素子若しくは前記ヒートシンクを当該配線基板との間に隙間部を形成した状態に保持したことを特徴とする請求項３または４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記はんだペーストが塗布される金属パターンは、前記スルーホールと接続された金属パターンと分離して設けられていることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体素子は前記ヒートシンクと伝熱的に一体化された状態でモールドされていると共に、そのモールドパッケージから前記ヒートシンクが外部に露出していることを特徴とする請求項２または請求項４乃至８の何れかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
配線基板上に実装された半導体素子の熱を当該配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置において、前記スルーホールにはんだが充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
配線基板上にヒートシンクを介して実装された半導体素子の熱を当該ヒートシンク及び上記配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置において、前記ヒートシンクの下面には前記配線基板のスルーホールと連通した溝部が形成されており、前記スルーホール及び前記ヒートシンクの溝部にははんだが充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
配線基板上に実装された半導体素子の熱を当該配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置において、前記半導体素子と前記配線基板との間にスペーサ部材を設けることによって隙間部が形成されており、前記スルーホール及び前記半導体素子と前記配線基板との隙間部にははんだが充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
配線基板上にヒートシンクを介して実装された半導体素子の熱を当該ヒートシンク及び上記配線基板のスルーホールを通じて放熱する構成の半導体装置において、前記ヒートシンクと前記配線基板との間にスペーサ部材を設けることによって隙間部が形成されており、前記スルーホール及び前記ヒートシンクと前記配線基板との隙間部にははんだが充填されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記スペーサ部材は、前記配線基板上若しくは前記半導体素子の下面に設けられた凸部であることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記スペーサ部材は、接着剤であることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記スペーサ部材ははんだペーストであることを特徴とする請求項１２または１３記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記はんだペーストが塗布される金属パターンは、前記スルーホールと接続された金属パターンと分離して設けられていることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体素子は前記ヒートシンクと伝熱的に一体化された状態でモールドされていると共に、そのモールドパッケージから前記ヒートシンクが外部に露出していることを特徴とする請求項１１または請求項１３乃至１７の何れかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、配線基板に実装された半導体素子の熱をスルーホールを通じて放熱する手段を改善した半導体装置及びその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、配線基板上に実装された半導体素子の熱をスルーホールを通じて確実に放熱することができる半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項４の発明によれば、ヒートシンクを配線基板上に実装すると、スペース部材によりヒートシンクと配線基板との間に隙間部が形成される。
そして、配線基板をはんだフローすると、スルーホール内にはんだが上昇して充填されると共に、ヒートシンクと配線基板との間の隙間部にはんだが濡れ拡がって充填される。これにより、半導体素子の熱はヒートシンクと配線基板との隙間部及びスルーホール内に充填されたはんだを通じて効率よく放熱される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項８の発明によれば、はんだペーストが溶解することによりはんだが濡れ拡がるものの、はんだペーストが塗布される金属パターンはスルーホールと接合された金属パターンと分離して設けられているので、はんだがスルーホールまで濡れ拡がってしまうことはなく、半導体素子またはヒートシンクと配線基板との間に隙間部を確実に形成することができる。
請求項９の発明によれば、本発明をＩＣパッケージに適用することが可能となる。
また、請求項１０乃至１８の発明によれば、上記請求項１乃至９と同様の効果を奏する半導体装置を提供することができる。