(57)【要約】      （修正有）【課題】多数の半導体ウエハの検査を並行して行うことにより総検査時間を低減できる半導体デバイスの検査装置を提供する。【解決手段】複数の半導体デバイスＤが形成された半導体ウエハＷを保持してＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸方向に移送可能なウエハ移送手段Ｒ１と、ウエハ移送手段Ｒ１によって移送される半導体ウエハＷが順次１枚ずつ格納される２以上のウエハユニット２２と、各ウエハユニット２２毎に配設され、各半導体ウエハＷ上に形成されている各半導体デバイスＤの検査を行うデバイス検査手段と、ウエハユニット２２への半導体ウエハＷの格納完了を検知する格納検知手段と、格納検知手段からの検知信号に基づいて、半導体ウエハＷのウエハユニット２２への格納が完了した順にデバイス検査手段による検査を開始するように制御する制御手段２３とを備えるようにした。【選択図】図１
2008166306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体デバイスが形成された半導体ウエハを保持してＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸の３次元方向に移送可能なウエハ移送手段と、
前記ウエハ移送手段によって移送される半導体ウエハが順次１枚ずつ格納される２以上のウエハユニットと、
前記各ウエハユニット毎に配設され、前記各半導体ウエハ上に形成されている前記各半導体デバイスの検査を行うデバイス検査手段と、
前記ウエハユニットへの半導体ウエハの格納完了を検知する格納検知手段と、
当該格納検知手段からの検知信号に基づいて、前記半導体ウエハの前記ウエハユニットへの格納が完了した順に前記デバイス検査手段による検査を開始するように制御する制御手段と、
を少なくとも備えることを特徴とする半導体デバイスの検査装置。
【請求項２】
複数枚の前記半導体ウエハを受け渡し可能に収納する1台または２台以上のカセットローダ・アンローダをさらに備え、前記ウエハ移送手段は、該カセットローダ・アンローダから検査対象としての半導体ウエハを受け取ると共に、該カセットローダ・アンローダに対して前記デバイス検査手段によって検査を完了した半導体ウエハを渡して回収させるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項３】
前記デバイス検査手段は、
前記各半導体ウエハ上に形成されている前記半導体デバイスと一対一の関係をもって複数設けられ、前記各半導体デバイスに所定のテスト信号を入力するとともに、当該テスト信号に応じて前記半導体デバイスから出力された出力信号に基づいて前記半導体デバイスの検査を行うデバイステスト手段と、
前記各半導体デバイスに形成された電極と電気的に接触可能な接触部が複数配列され、当該接触部を介して前記半導体デバイスとこれに対応する前記デバイステスト手段とを電気的に接続する接続手段とを有し、
前記デバイステスト手段は、前記半導体デバイスに入力される波形を生成する波形発生手段と、
を備えることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記デバイス検査手段による検査が完了したウエハユニットから順に、前記ウエハ移送手段により前記半導体ウエハを回収すると共に、新規の半導体ウエハを当該ウエハユニットに格納するように制御することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項５】
前記ウエハ移送手段は、Ｚ軸方向の昇降手段を備え、且つＸ軸方向およびＹ軸方向に水平に移動可能なアームを備えた１または２以上の多関節型のアームロボットで構成されることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項６】
前記各ウエハユニットは、前記ウエハ移送手段によって前記半導体ウエハを載置可能なウエハステージを備え、
当該ウエハステージは、
前記ウエハ移送手段に対してウエハステージ自体を進退させる駆動手段と、
各ウエハユニットに収納された状態で、ウエハステージ上に載置された前記半導体ウエハの位置を微調整するアライメント手段と、
前記半導体ウエハを載置した状態で、ウエハステージ自体を前記デバイステスト手段に対して昇降させる昇降手段と、
を備えることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項７】
前記ウエハステージの下方に、前記昇降手段への熱の伝導を防止する断熱手段および冷却手段の少なくとも一方が設けられることを特徴とする請求項１から請求項６の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項８】
前記断熱手段は、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在されるセラミック板、繊維系断熱材、発泡材料系断熱材で構成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項９】
前記冷却手段は、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在される冷媒を供給可能な熱回路基板で構成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項１０】
前記各ウエハユニットは、
前記ウエハステージが進出した状態で、前記半導体ウエハの載置位置を決定するための位置決め用撮像手段をウエハユニットの外部に備えることを特徴とする請求項１から請求項９の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項１１】
前記ウエハステージには、当該ウエハステージに載置された半導体ウエハを所定温度に調節可能な温調手段が設けられていることを特徴とする請求項１から請求項１０の何れかに半導体デバイスの検査装置。
【請求項１２】
前記波形発生手段は、パターン発生器および波形発生器の少なくとも何れかであることを特徴とする請求項１から請求項１１の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項１３】
前記デバイステスト手段は、生成された波形を前記半導体デバイスに入力するドライバをさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項１２の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【請求項１４】
前記デバイステスト手段は、単一の半導体装置で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項１３の何れかに記載の半導体デバイスの検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体デバイスの検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリＩＣやシステムＬＳＩといった半導体デバイスの製造は、バルク結晶から切り出した半導体ウエハの表面に、酸化，フォトリソグラフィ，拡散スパッタリング，ウエハテスト，ダイシング，ボンディング，パッケージ，ファイナルテスト等の各種工程（プロセス）を経て行われる。
【０００３】
ここで、前記ウエハテストは、半導体ウエハ上に形成された多数のチップを数ミリ角に切断（ダイシング）する前に、作製された半導体メモリＩＣやシステムＬＳＩ等のＩＣチップの電気特性をチェックし、良品であるか不良品であるかを判定する検査をいう。
【０００４】
具体的には、プローブカードを備えたテスタを用いて、プローブカードのプローブ（探針）を半導体ウエハ上に形成された各ＩＣチップのボンディングパットに当接させて、電気諸特性の測定等のテストを行っている。テスト内容としては、断線・ショートの有無、入出力電圧のチェック、出力電流のチェックを行う直流テスト、出力信号の波形チェックを行う交流テスト、出力パターンのチェック、データ書込みの可否、データ保持時間の測定、データ相互干渉の有無をチェックするファンクションテストなどがある。
【０００５】
ここで、ウエハ上に形成された多数の半導体デバイスであるＬＳＩ等の同時測定可能な数（同測数）を増やし、これにより半導体デバイスのテストコストを低減しようとする技術が提案されている。
【０００６】
なお、半導体デバイスの検査装置に関する技術を記載した文献としては、例えば特開２００１−３４９９２５号公報、特開２００３−３１５４０５号公報、特開２００４−０４５３２５号公報などがある。
【特許文献１】特開２００１−３４９９２５号公報
【特許文献２】特開２００３−３１５４０５号公報
【特許文献３】特開２００４−０４５３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述した従来の装置では、半導体ウエハを１枚ずつテストしているため、半導体デバイスの同測数を高めても、多数の半導体ウエハの総検査時間やコストを低減するには限界があった。
【０００８】
そこで、本発明は、多数の半導体ウエハの検査を並行して行うことにより総検査時間を低減できると共に、装置の設置スペースを小さくしてクリーンルームに要するコストの削減を図ることのできる高効率且つ省スペースの半導体デバイスの検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、請求項１の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、複数の半導体デバイスが形成された半導体ウエハを保持してＸ軸，Ｙ軸，Ｚ軸の３次元方向に移送可能なウエハ移送手段と、前記ウエハ移送手段によって移送される半導体ウエハが順次１枚ずつ格納される２以上のウエハユニットと、前記各ウエハユニット毎に配設され、前記各半導体ウエハ上に形成されている前記各半導体デバイスの検査を行うデバイス検査手段と、前記ウエハユニットへの半導体ウエハの格納完了を検知する格納検知手段と、当該格納検知手段からの検知信号に基づいて、前記半導体ウエハの前記ウエハユニットへの格納が完了した順に前記デバイス検査手段による検査を開始するように制御する制御手段とを少なくとも備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項２の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、複数枚の前記半導体ウエハを受け渡し可能に収納する1台または２台以上のカセットローダ・アンローダをさらに備え、前記ウエハ移送手段は、該カセットローダ・アンローダから検査対象としての半導体ウエハを受け取ると共に、該カセットローダ・アンローダに対して前記デバイス検査手段によって検査を完了した半導体ウエハを渡して回収させるように構成されることを特徴とする。
【００１１】
また、請求項３の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記デバイス検査手段は、前記各半導体ウエハ上に形成されている前記半導体デバイスと一対一の関係をもって複数設けられ、前記各半導体デバイスに所定のテスト信号を入力するとともに、当該テスト信号に応じて前記半導体デバイスから出力された出力信号に基づいて前記半導体デバイスの検査を行うデバイステスト手段と、前記各半導体デバイスに形成された電極と電気的に接触可能な接触部が複数配列され、当該接触部を介して前記半導体デバイスとこれに対応する前記デバイステスト手段とを電気的に接続する接続手段とを有し、前記デバイステスト手段は、前記半導体デバイスに入力される波形を生成する波形発生手段と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項４の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記デバイス検査手段による検査が完了したウエハユニットから順に、前記ウエハ移送手段により前記半導体ウエハを回収すると共に、新規の半導体ウエハを当該ウエハユニットに格納するように制御することを特徴とする。
【００１３】
また、請求項５の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記ウエハ移送手段が、Ｚ軸方向の昇降手段を備え、且つＸ軸方向およびＹ軸方向に水平に移動可能なアームを備えた１または２以上の多関節型のアームロボットで構成されることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項６の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記各ウエハユニットは、前記ウエハ移送手段によって前記半導体ウエハを載置可能なウエハステージを備え、当該ウエハステージは、前記ウエハ移送手段に対してウエハステージ自体を進退させる駆動手段と、各ウエハユニットに収納された状態で、ウエハステージ上に載置された前記半導体ウエハの位置を微調整するアライメント手段と、前記半導体ウエハを載置した状態で、ウエハステージ自体を前記デバイステスト手段に対して昇降させる昇降手段とを備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項７の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記ウエハステージの下方に、前記昇降手段への熱の伝導を防止する断熱手段および冷却手段の少なくとも一方が設けられることを特徴とする。  
【００１６】
また、請求項８の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記断熱手段は、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在されるセラミック板、繊維系断熱材、発泡材料系断熱材で構成されることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項９の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記冷却手段は、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在される冷媒を供給可能な熱回路基板で構成されることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項１０の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、
前記各ウエハユニットは、前記ウエハステージが進出した状態で、前記半導体ウエハの載置位置を決定するための位置決め用撮像手段をウエハユニットの外部に備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項１１の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記ウエハステージには、当該ウエハステージに載置された半導体ウエハを所定温度に調節可能な温調手段が設けられていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１２の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記波形発生手段は、パターン発生器および波形発生器の少なくとも何れかであることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項１３の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記デバイステスト手段は、生成された波形を前記半導体デバイスに入力するドライバをさらに備えることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項１４の発明に係る半導体デバイスの検査装置は、前記デバイステスト手段は、単一の半導体装置で構成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば以下の効果を奏することができる。
【００２４】
すなわち、本発明によれば、半導体ウエハの格納が完了した順にデバイス検査手段による検査を開始するように制御されるデバイス検査手段を具備した２以上のウエハユニットを備えており、各ウエハユニットにはウエハ移送手段を介して半導体ウエハが供給されるようになっているので、ウエハテストを並行して効率良く実行することができ、多数のウエハの総検査時間やコストの低減を図ることができる。
【００２５】
また、本発明によれば、デバイステスト手段と半導体デバイスとが一対一の関係で設けられていることから、半導体デバイスの同測数を増加でき、装置を小型化することができるので省スペースと低コスト化を実現することができる。
【００２６】
また、本発明によれば、検査が完了したウエハを直ちに回収することができ、さらに新規なウエハをウエハユニットに格納させて検査を開始できるので、より効率的に検査を行うことができる。
【００２７】
さらに、本発明によれば、ウエハユニットを段方向あるいは横方向に所望の数だけ実装した検査装置を容易に製造することができるので、ユーザーのニーズに合わせた効率的で使い勝手の良い検査装置を提供することができる。
【００２８】
また、本発明によれば、前記ウエハステージの下方に、前記昇降手段への熱の伝導を防止する断熱手段（例えば、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在されるセラミック板）または冷却手段（例えば、前記ウエハステージの下方と前記昇降手段との間に介在される冷媒（気体，液体の双方を含む）を供給可能な熱回路基板）を設けることができるので、昇降手段、Ｘ，Ｙ，θ３軸制御手段の熱による精度低下や、各種機構部品、モータの熱による劣化等の影響を有効に防止することができる。
【００２９】
また、本発明によれば、前記各ウエハユニットは、前記ウエハステージが進出した状態で、前記半導体ウエハの載置位置を決定するための位置決め用撮像手段をウエハユニットの外部に備えるようになっているので、撮像手段の設置スペースを十分に確保できるなど設計の自由度が高まり、比較的安価なＣＣＤカメラ等を採用することができる。従って、ウエハユニット内において超小型カメラやミラー等を配設して位置決めを行う構造に比して装置コストを低廉化することができ、ひいてはテストコストの低減に貢献することができる。
【００３０】
なお、例えば１台の画像処理装置で全ての位置決め用撮像手段を制御するようにした場合には装置構成を簡易にして小型化、低コストを図ることができる。
【００３１】
また、本発明によれば、半導体デバイスと一対一の関係で設けられたデバイステスト手段は、半導体デバイスに入力される波形を生成する波形発生手段を備えているので、検査対象である半導体デバイスが相互にアイソレーションされて隣接した半導体デバイスの動作ノイズの影響が大幅に低減されるというメリットもある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照しつつさらに具体的に説明する。ここで、添付図面において同一の部材には同一の符号を付しており、また、重複した説明は省略されている。なお、ここでの説明は本発明が実施される最良の形態であることから、本発明は当該形態に限定されるものではない。
【００３３】
図１は本発明の第１の実施形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略を示す平面図（Ａ）と正面図（Ｂ）、図２は図１の半導体デバイスの検査装置のウエハユニットの構成を示す側面図（Ａ）と平面図（Ｂ）、図３はウエハユニットが備えるプローバーユニットの構成を示す底面図（Ａ）と側面図（Ｂ）、図４はプローバーユニットが備えるテスタボードの構成を示す平面図（Ａ）と側面図（Ｂ）、図５はウエハユニットの構成を示す一部切欠き斜視図、図６は半導体デバイスの検査装置の制御系の概略を示すブロック図、図７は半導体デバイスの検査装置が備えるウエハハンドリングロボットの構成例を示す斜視図、図８は半導体デバイスの検査装置におけるデバイステスト手段（テスト回路モジュール）の機能構成を示すブロック図、図９は半導体デバイスの検査装置の動作処理の処理手順を示すフローチャート、図１０は半導体デバイスの検査装置の検査処理の処理手順を示すフローチャート、図１１は本発明の第２の実施形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略を示す平面図（Ａ）と正面図（Ｂ）、図１２はウエハステージの断熱構造の実施例を示す概略図である。
【００３４】
図１に示すように、第１の実施形態における半導体デバイスの検査装置１０は、検査装置本体２０と付属装置３０とから構成されている。
【００３５】
ここで、付属装置３０は、検査装置本体２０に対して冷却水を供給するチラーユニット、検査装置本体の各部の駆動電源を供給するシステム電源装置、後述する各ウエハユニットに電源を供給するユニット電源装置等を備え、配管および配線を介して検査装置本体２０と接続されている。
【００３６】
検査装置本体２０は、筐体２１と、筐体２１内に配設され、テスト対象である複数の半導体デバイスＤ（図２（Ｂ）参照）が形成された半導体ウエハＷが載置されるウエハステージ（ウエハチャックとも呼称される）Ｓと検査装置としてのプローバーユニット７０（詳細は後述する）をそれぞれ備える複数のウエハユニット２２、半導体デバイスＤの検査において装置全体の制御を行う主制御部としてのホストコントローラ２３、半導体ウエハＷを保持してＸ軸方向（図面上は左右方向），Ｙ軸方向（図面上は奥行き方向），Ｚ軸方向（図面上は上下方向）の３次元方向に移動して各ウエハユニット２２に対して半導体ウエハＷの脱着を行う移送手段としてのウエハハンドリングロボットＲ１、ウエハハンドリングロボットＲ１に対して半導体ウエハＷの供給，回収を行うカセットローダ・アンローダ２４（１台もしくは２台以上）を備えている。
【００３７】
ここで、ホストコントローラ２３は、中央処理装置、入出力装置および記憶装置を有しており、中央処理装置は、検査プログラムなどのソフトウェアの管理、試験プログラムの編集および翻訳、検査の実行制御、周辺装置の管理、試験結果のデータ処理などを行う。また、入出力装置には、キーボード、プリンタ、ディスプレイなどがあり、制御コマンドの入力、検査プログラムの入出力、試験結果の出力などを行う。そして、記憶装置には、磁気ディスク装置や光ディスク装置，半導体記憶装置などがあり、検査装置のシステムソフトウェア、検査プログラム、検査結果のデータ記憶などを行う。
【００３８】
ホストコントローラ２３は、図６のブロック図に示すように、カセットローダ・アンローダ２４、ウエハハンドリングロボットＲ１、ウエハステージＳ、プローバーユニット７０に接続され、検査プログラムに従って各装置の駆動制御を行うようになっている。また、ホストコントローラ２３には位置決め用のＣＣＤカメラＣ１，Ｃ２に接続されており、当該ＣＣＤカメラＣ１，Ｃ２により撮像された半導体ウエハＷのアライメントマーク等に基づいてウエハステージＳの各駆動手段を適宜制御して、半導体ウエハＷの位置決めおよびプローバーユニット７０と半導体デバイスＤとの位置決めを行うようになっている。
【００３９】
ウエハステージＳには、各ウエハステージＳが備える進退可能なウエハ載置部４０に載置された半導体ウエハＷを所定温度に加熱可能なヒータ（温調手段：図示せず）が取り付けられている。したがって、半導体ウエハＷを高温にするには、筐体２１内の温度を高くして加熱するか、あるいはヒータによりウエハ載置部４０を介して加熱するかにより行う。また、半導体ウエハＷを冷却する場合には、筐体２１内の温度を低くすることにより行う。あるいは、ウエハ載置部４０内に流路を形成し、この流路に液体あるいは気体の冷媒（温調手段）を流してウエハ載置部４０自体を冷却することにより行う。
【００４０】
図２に示すように、ウエハユニット２２は、前方側にウエハ載置部４０が進退可能な開口部２２ａを有する箱状のユニット本体６０と、ウエハ載置部４０をウエハハンドリングロボットＲ１に対するＹ軸方向（図１上は奥行き方向、図２上は左右方向）に進退させる駆動装置（例えば、ボールねじ送り機構やリニアモータ等）（図示省略）と、ウエハ載置部４０を収納した状態でウエハ載置部４０自体を垂直方向に例えば２０ｍｍのストロークで昇降させる垂直駆動手段（例えば、図には現れないボールねじ送り機構やエアシリンダ等からなるプッシャー機構Ｐ）とウエハ載置部４０自体を水平内で微少角度だけ回転させて半導体ウエハＷの位置決め制御（θ制御）を行う回転機構（例えば、図には現れないボールねじ送り機構等）を備える。
【００４１】
ユニット本体６０は、図２に示すように、高精度に加工された板状のアライメントステージベース６１と、当該アライメントステージベース６１上に設置される高剛性を備えた一体枠としてのプローブ・テスタ固定用フレーム６２とから構成されている。
【００４２】
固定用フレーム６２の上方には、後述するプローバーユニット７０を設置して、プロービングコンタクト７２を下側に露出させるための開口部（図には現れない）が形成されている。
【００４３】
固定用フレーム６２の開口部２２ａ側の外部上方には、進出状態にあるウエハ載置部４０と半導体ウエハＷとの位置決め用カメラ（ＣＣＤカメラ等）Ｃ１が設置されている。
【００４４】
また、固定用フレーム６２の内側（即ち、ウエハユニット２２内部）には、ウエハ載置部４０が収納された状態においてウエハステージＳとプローブカード７３との位置決め用カメラ（超小型ＣＣＤカメラ等）Ｃ２が設置されている。
【００４５】
ここで、ウエハ載置部４０と半導体ウエハＷの位置決め用カメラＣ１については、上述のようにウエハユニット２２の外部に配設するようになっているので、位置決め用カメラＣ１の設置スペースを十分に確保できるなど設計の自由度を高めることができる。
【００４６】
ここで、図２（Ｂ）に示すように、検査対象としての各半導体ウエハＷ上に形成される半導体デバイスＤには、トランジスタ、キャパシタ、抵抗などの回路素子、これらの回路素子を接続する配線、および外部との電気的な入出力を行う電極５０が形成されている。
【００４７】
なお、半導体ウエハＷは、特には限定されないが、例えば１２インチで約１０００ダイのＩＣチップが形成されたものを検査対象とすることができる。
【００４８】
次に、図３を参照して、検査装置としてのプローバーユニット７０について説明する。
【００４９】
プローバーユニット７０は、鋳物あるいはダイキャスト等で作製される矩形状の高剛性のフレーム７１と、当該フレーム７１の上側に配設されるテスタボード８０と、下方表面に多数の突起状のプロービングコンタクト７２を形成したプローブカード７３と、テスタボード８０とプローブカード７３とを信号受け渡し可能に接続する挿入，抜去が容易なコネクタ（例えば、ＺＩＦコネクタ等）７４とから構成されている。なお、前記ＺＩＦコネクタに代えて、プロービングピン（あるいは、ポゴピン（ＰＯＧＯ  ｐｉｎはＥＴＣ社の商標））を輪状あるいは同心円状に多数配設した、いわゆるポゴタワーを用いてもよい。
【００５０】
なお、図３（Ａ）において、プロービングコンタクト７２については微細且つ多数であるため図示を省略してあるが、実際には各半導体ウエハＷ上に形成される半導体デバイスＤの各電極５０と対向可能なパターンで作製されている。
【００５１】
テスタボード８０は、図４に示すように、ガラスエポキシ樹脂の積層基板等で構成されるテスターマザーボード８１の上面に多数のテスト回路モジュール８２が搭載され、テスターマザーボード８１の下面に配設されるＺＩＦコネクタ７４を介してプローブカード７３と接続されるようになっている。
【００５２】
テスト回路モジュール８２は、特に限定されるものではないが、例えば前述のように１２インチで約１０００ダイのＩＣチップが形成された半導体ウエハＷを検査対象とする場合には、１０００チップ対応のモジュールが実装されることとなる。
【００５３】
以上のように構成されるウエハユニット２２は、図１（Ｂ）に示すように例えば垂直方向に４段、水平方向に２列の計８個が配列される。なお、ウエハユニット２２の配列は任意であり、垂直方向の段数および水平方向の列数ともに要望や条件に応じて増減することができることはいうまでもない。
【００５４】
次に、図１と図７を参照して、ウエハの移送手段としてのウエハハンドリングロボットＲ１について説明する。
【００５５】
本実施形態におけるウエハハンドリングロボットＲ１は、いわゆる多関節型のダブルアームロボットで構成される。
【００５６】
具体的には、図７に示すように、電動モータおよび変速機構等を内蔵したロボット本体９０と、上端側から回動可能に突出する回転軸（図示せず）に接続される第１アーム９１と、第１アーム９１の先端に配設される小型電動モータＭに回動自在に接続される第２アーム９２と、第２アーム９２の先端側に配設されるウエハのグリップ部９３とを備えている。
なお、ロボット本体９０は、ロボット本体９０をＺ軸方向に昇降させる昇降手段として例えばテレスコピック型（いわゆる望遠鏡の鏡筒のような伸縮構造）等の昇降装置（昇降手段）９４を下方に備えている。この昇降装置によりロボット本体９０は、Ｚ軸方向（上下方向）に例えば１６００ｍｍ程度のストロークで変位することができるように構成されている。
【００５７】
また、ウエハハンドリングロボットＲ１の近傍に配設されるカセットローダ・アンローダ２４は、複数の半導体ウエハＷを収納する収納部２４ａを備え、ホストコントローラ２３の制御により、当該カセットローダ・アンローダ２４と対向する位置に到来したウエハハンドリングロボットＲ１のウエハのグリップ部９３に対して検査を行う半導体ウエハＷを一枚ずつ供給し、あるいはグリップ部９３により移送されて来た検査済みの半導体ウエハＷを回収するように動作される。
【００５８】
このウエハハンドリングロボットＲ１は、ホストコントローラ２３によって、ロボット本体９０側の電動モータおよび第１アーム先端の電動モータＭの動作を制御することによりウエハのグリップ部９３に保持される半導体ウエハＷをＸ軸方向およびＹ軸方向の任意の位置に移送することができる。また、ホストコントローラ２３によって、昇降装置９４等を制御することによりウエハのグリップ部９３に保持される半導体ウエハＷをＺ軸方向の任意の位置に移送することが可能である。
【００５９】
これにより、カセットローダ・アンローダ２４を介して供給される半導体ウエハＷを任意のウエハユニット２２まで運んだり、あるいは検査済みの半導体ウエハＷを回収することができる。つまり、任意のウエハユニット２２においてホストコントローラ２３の制御により外部に進出されたウエハ載置部４０上に検査する半導体ウエハＷを載置したり、あるいは検査が完了した半導体ウエハＷをウエハ載置部４０上から回収することができる。
【００６０】
何れのウエハユニット２２から半導体ウエハＷの載置を開始するか、あるいはどのような順序で載置や回収を行うかは、ホストコントローラ２３に格納する検査プログラムのプログラミング如何で自在に変更可能であるが、例えば、図１（Ｂ）において、まず左側４段の各ウエハユニット２２に対して上から順に半導体ウエハＷの載置を行い、次いで右側４段の各ウエハユニット２２に対して上から順に半導体ウエハＷの載置を行うといった順序が考えられる。
【００６１】
そして、半導体ウエハＷが載置されたウエハユニット２２は、ＣＣＤカメラＣ１による半導体ウエハＷの検知あるいは別途配設可能なウエハ載置確認用センサ、または所定時間の経過による時間制御に基づいてウエハステージＳをウエハユニット２２内に収容し、後述する手順により半導体ウエハＷ上の半導体装置Ｄの検査を開始する。
【００６２】
このように、本実施形態によれば、半導体ウエハＷが載置された順に各ウエハユニット２２において並行して半導体装置Ｄの検査を行うことができるので、効率良く多数の半導体ウエハＷの検査を行うことができ、ひいてはテストコストを低減することができる。
【００６３】
さらに、検査が完了した順にウエハユニット２２から半導体ウエハＷの回収を行うと共に、そのウエハユニット２２に対して次の半導体ウエハＷを直ちに供給することにより、より高効率に検査を進行させることが可能である。
【００６４】
次に、テスト回路モジュール８２の機能構成について、図８を用いて説明する。
【００６５】
デバイステスト手段としてのテスト回路モジュール８２は、半導体ウエハＷ上の半導体デバイスＤに所定のテスト信号を入力するとともに、当該テスト信号に応じて半導体デバイスから出力された出力信号に基づいて半導体デバイスＤの検査を行うものであり、パターン発生器８２−１、ドライバ８２−２、コンパレータ８２−３、波形発生器８２−４、インターフェイスユニット８２−５、テストエンジン８２−６、メモリ８２−７、電圧調整器８２−８、および電圧・電流印加計測ユニット８２−９を備えている。
【００６６】
ここで、複数個（例えば１０〜２０個）のテスト回路モジュール８２に対応して、副制御部としてのサブコントローラ８３が設けられている。このサブコントローラ８３はホストコントローラ２３の制御下におかれ、対応する各テスト回路モジュール８２へテストプログラムを送信し、半導体デバイスＤのテスト結果の管理を実行したり、ログの管理、ステータス管理などを実行する。
【００６７】
また、テスト回路モジュール８２およびサブコントローラ８３への電源は、検査装置１０に隣接される付属装置３０から供給される。
【００６８】
そして、テスト回路モジュール８２には数種類（±１５Ｖ、＋５Ｖなど）の電圧が電源３０から供給され、半導体ウエハＷの半導体デバイスＤには、電源３０から供給される電圧を、テスト回路モジュール８２が高精度に制御して供給する。なお、テスト回路モジュール８２は、テスト機能を有している限り、これら以外の機能構成であってもよく、これらの一部の機能構成しか有していなくてもよい。
【００６９】
ここで、波形発生手段の一つであるパターン発生器８２−１は、テスタ言語から波形用パラメータを抽出して波形をドライバ８２−２に入力する。ドライバ８２−２は、パターン発生器８２−１から入力された波形を所定の電圧にバッファリングし、テスト対象となっている半導体デバイスＤに入力する。
【００７０】
コンパレータ８２−３は、半導体デバイスＤからの出力波形を所定の基準電圧をベースにして「ハイ」「ロー」にし、テストエンジン８２−６に送る。テストエンジン８２−６は、コンパレータ８２−３からの波形を期待値と比較して半導体デバイスＤのパス／フェイル（良否）を判定するとともに、外部コントローラとしてのサブコントローラ８３あるいはホストコントローラ２３との制御を行う。
【００７１】
メモリ８２−７は、このようにしてテストエンジン８２−６で判定された半導体デバイスＤのパス／フェイルの情報および不良の発生した試験パターン毎のアドレス位置などを記憶する。また、半導体デバイスＤがメモリＬＳＩの場合には、不良ビット位置の記憶、不良ビットのマスク、不良ビット数の実時間計数、ＲＯＭ用試験パターンの発生などを行う。
【００７２】
波形発生手段の他の一つである波形発生器８２−４は、サイン波、三角波、矩形波などの任意のアナログ波形を生成して半導体デバイスＤに入力する。
【００７３】
インターフェイスユニット８２−５は、ホストコントローラ２３とテスト回路モジュール８２とのインターフェイスであり、具体的には、シリアルインターフェイスまたはパラレルインターフェイスである。電圧調整器８２−８は、ドライバ８２−２の入力電源および半導体デバイスＤの入力電源であり、所定の電圧の電源を供給する。
【００７４】
そして、電圧・電流印加計測ユニット８２−９は、半導体デバイスＤに電圧や電流を印加して半導体デバイスＤの動作電流や動作電圧を測定したり、半導体デバイスＤに形成された配線のオープン／ショートの測定を行う。
【００７５】
次に、図９に示すフローチャートを参照して本実施形態に係る検査装置の動作処理の処理手順について説明する。
【００７６】
この処理が開始されると、まずステップＳ１でウエハハンドリングロボットＲ１の初期化処理を行う。具体的には、ウエハハンドリングロボットＲ１の第１アーム９１、第２アーム９２の動作確認を行うと共に、ウエハのグリップ部９３がカセットローダ・アンローダ２４と対向する所定に到来する位置で停止させる処理を行う。
【００７７】
次いで、ステップＳ２に移行して、初期化処理が完了したか否かを判定し、完了していない場合には処理を継続し、完了したと判定された場合にはステップＳ３に進む。
【００７８】
ステップＳ３では、カセットローダ・アンローダ２４を作動させる。具体的には、検査を行う半導体ウエハＷを１枚だけウエハハンドリングロボットＲ１のウエハのグリップ部９３上に送り出す処理を行う。次いで、ステップＳ４に移行して、ウエハハンドリングロボットＲ１による半導体ウエハＷの移送を行う。具体的には、ウエハハンドリングロボットＲ１が備える電動モータを制御プログラムに従って制御して第１アームと第２アームを回動させ、予め定められた位置のウエハユニット２２（例えば、図１（Ｂ）の左段の最上位のウエハユニット２２）まで半導体ウエハＷを移送し、進出状態にあるウエハステージＳのウエハ載置部４０上に半導体ウエハＷを載置する。
【００７９】
次いで、ステップＳ５に移行して、位置決め用カメラＣ１によって半導体ウエハＷの載置が確認されたかを判定する。そして、未だ検出されない場合には待機し、検出されたと判定された場合にはステップＳ６に移行して検査処理のサブルーチンを開始する。
【００８０】
ここで、検査処理について図１０のフローチャートを参照して説明する。
【００８１】
検査処理が開始されると、まずステップＳ６０１で位置決め用カメラＣ１によって半導体ウエハＷに形成された位置決め用のアライメントマークの取り込みを行い、ステップＳ６０２で取り込まれたアライメントマークに基づいて画像処理ソフト等で位置を把握し、予め決められた位置との位置ズレ量を算出する。
【００８２】
次いで、ステップＳ６０３に移行して、半導体ウエハＷのθ（円周方向の角度）補正を行う。具体的には、位置ズレ量に基づいて、ウエハステージＳが備えるボールねじ機構等を適宜制御してウエハ載置部４０を微少角度だけ回転させて適正位置への補正を行う。ここで、位置決め用カメラＣ１については、前述したようにウエハユニット２２の外部に配設するようになっているので、位置決め用カメラＣ１の設置スペースを十分に確保できるなど設計の自由度を高めることができる。
【００８３】
次いで、ステップＳ６０４に移行してウエハステージＳをウエハユニット２２内に収納する処理を行う。具体的には、ウエハステージＳが備えるボールねじ送り機構やリニアモータを駆動させてウエハステージＳ自体の移動を行う。なお、リニアスケールを使用する場合には、より高精度でのセッティングが可能である。
【００８４】
次にステップＳ６０５に移行して、位置決め用カメラＣ２によって半導体ウエハＷに形成された位置決め用のアライメントマークの取り込みを行い、ステップＳ６０６で取り込まれたアライメントマークに基づいて画像処理ソフト等で位置を把握し、予め決められた位置との位置ズレ量を算出する。
【００８５】
ステップＳ６０７では、半導体ウエハＷのＸ軸方向、Ｙ軸方向およびθ補正を行う。具体的にはアライメントマークや、ウエハ上のパターン、ウエハのダイシングライン等の位置ズレ量に基づいて、ウエハステージＳが備えるボールねじ機構等を適宜制御してウエハ載置部４０を微少距離移動させるなどして、半導体ウエハＷ上に作製された半導体デバイスＤの各電極５０と、プローバーユニット７０側の各プロービングコンタクト７２とが１対１の関係で対向するように高精度（例えば、Ｘ，Ｙ軸＜１μ，θ軸＜１度）の位置合わせを行う。
【００８６】
次いで、ステップＳ６０８に進んで、ウエハステージＳを上昇させる処理が行われる。具体的には、ウエハステージＳが備えるボールねじ送り機構やエアシリンダの作動により例えば２０ｍｍ程度上昇される。これにより、半導体ウエハＷ上に作製された半導体デバイスＤの各電極５０と、プローバーユニット７０側の各プロービングコンタクト７２とが１対１の関係で接触され、テスト信号等の送受信が可能な状態となる。
なお、テスタ機能が有するコンタクトチェックでコンタクト（接触）の可否を確認している。
【００８７】
次に、ステップＳ６０９に移行して、プローバーユニット７０側のテスト回路モジュール８２を介して予め定められたテストプログラムに基づいて種々の検査が実行される。次いで、ステップＳ６１０に移行して、半導体ウエハＷ上の全ての半導体デバイスＤについて検査が完了したか否かが判定され、未だ完了していない場合には処理を継続し、完了したと判定された場合にはステップＳ６１１に移行する。
【００８８】
ステップＳ６１１では、ウエハステージＳを元の位置に降下させると共に、ウエハステージＳ自体のウエハユニット２２外部への退出を行ってから図９の動作処理にリターンする。
【００８９】
動作処理では、ステップＳ７に移行して、全てのウエハユニット２２に半導体ウエハＷが格納されたか否かが判定される。具体的には、ホストコントローラ２３により何れのウエハユニット２２に半導体ウエハＷが格納済みかを管理することにより判定を行う。そして、未だ全てのウエハユニット２２への格納が済んでいないと判定された場合にはステップＳ３に戻り、ステップＳ３〜ステップＳ７までの処理を繰り返す。一方、ステップＳ７で全てのウエハユニット２２への半導体ウエハＷの格納が完了したと判定された場合にはステップＳ８に移行する。
【００９０】
ステップＳ８では、何れかのウエハユニット２２で半導体デバイスＤの検査が完了したか否かが判定される。具体的には、各プローバーユニット７０のテスト回路モジュール８２を介して行われている検査処理の状況をホストコントローラ２３で監視することにより判定が行われる。そして、未だ何れのウエハユニット２２でも検査が終了していないと判定された場合には待機し、何れかのウエハユニット２２で検査が完了したと判定された場合にはステップＳ９に移行して、該当するウエハユニット２２から検査済みの半導体ウエハＷの回収をウエハハンドリングロボットＲ１の作動により行う。具体的には、ステップＳ４における動作と同様に、ウエハハンドリングロボットＲ１が備える電動モータを制御プログラムに従って制御して所望の高さまで移動させ、第１アームと第２アームを回動させ、該当する位置のウエハユニット２２のウエハステージＳのウエハ載置部４０に載置されている検査済みの半導体ウエハＷをウエハのグリップ部９３に載せて、カセットローダ・アンローダ２４側の所定位置まで移送する。
【００９１】
次いで、ステップＳ１０に移行して、カセットローダ・アンローダ２４によりウエハのグリップ部９３で保持されている検査済みの半導体ウエハＷを所定の収納部へ回収する。そして、ステップＳ１１に移行して、プログラムの制御あるいは人為的な操作により動作処理を終了するか否かが判定され、終了すると判定された場合には処理を終了し、未だ終了しない場合にはステップＳ３に戻って上記各処理を繰り返して実行する。
【００９２】
このように、本実施形態に係る検査装置１０によれば、半導体ウエハＷの格納が完了したウエハユニット２２から順にプローバーユニット７０による検査を開始するように制御されているので、ウエハテストを並行して効率良く実行することができ、多数の半導体ウエハＷの総検査時間やコストの低減を図ることができる。
【００９３】
また、テスト回路モジュール８２と半導体デバイスＤとが一対一の関係で設けられていることから、半導体デバイスＤの同測数を増加することができ、検査装置の一層の低コスト化を図ることができる。
【００９４】
また、検査が完了した半導体ウエハＷを直ちに回収することができ、さらに新規な半導体ウエハＷをウエハユニット２２に格納させて検査を開始できるので、より効率的に検査を行うことができる。
【００９５】
なお、検査処理においては、特性テストの全てのテスト項目を実行してもよいが、例えばＡＣテストなど一部のテスト項目は他の検査装置で行うようにしてもよい。
【００９６】
また、半導体ウエハＷを８５℃程度に加熱して特性テストを行っても良いし、常温あるいは常温以下にして特性テストを行うこともできる。
【００９７】
さらには、半導体ウエハＷを１２５℃程度の高温に加熱するとともに半導体デバイスＤに高電圧を印加して一定時間動作させて初期故障の発生を加速させ、初期故障を引き起こすおそれのある半導体デバイスＤを取り除くようにしてもよい。つまり、バーンインテストを行うようにしてもよい。
【００９８】
さらに、本実施の形態では、半導体デバイスＤにおいて外部との電気的な入出力を行う電極５０にプロービングコンタクト７２を接触させてテストを行っている（即ち、テスト対象である半導体デバイスＤの診断回路をテスト回路モジュール８２という外部に構成したものであり、いわゆるＢＯＳＴ（Ｂｕｉｌｔ−Ｏｕｔ  Ｓｅｌｆ−Ｔｅｓｔ）であるが、半導体デバイスＤの内部に自己診断機能を持つＢＩＳＴ（Ｂｕｉｌｔ−Ｉｎ  Ｓｅｌｆ−Ｔｅｓｔ）回路を構成して当該回路用の電極にプロービングコンタクト７２を接触させてテストを行うようにしてもよい。このようにすれば、電極数が削減されるので、結果としてプロービングコンタクト７２の数が削減されてピッチが大きくとれることとなり、信頼性を向上させることができる。
【００９９】
また、１つのテスト回路モジュール８２は、複数の半導体デバイスＤに対応して設けられていてもよい。また、テスト回路モジュール８２としては、図示するような単一の半導体装置ではなく、その半導体装置の有する機能を複数の電子部品で構成したものでもよい。
【０１００】
次に、図１１を参照して本発明の第２の実施形態に係る半導体デバイスの検査装置１００について説明する。
【０１０１】
但し、本実施形態が上述の第１の実施形態と異なる部分は、半導体ウエハＷの移送手段を構成するウエハハンドリングロボットについてが主であり、他の構成は同一であるので同一符号を付して説明は省略する。
【０１０２】
本実施形態においては、第１の実施形態に示すようにロボット本体９０自体が昇降装置９４を備えた構成のウエハハンドリングロボットＲ１に代えて、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すようにロボット本体９０の外部にＸ軸，Ｚ軸方向の移動手段を備えたウエハハンドリングロボットＲ２を採用している。
【０１０３】
具体的には、検査装置１００の筐体２１内の左右両端側にＺ軸用スライドレール１０１ａ，１０１ｂが立設され、当該Ｚ軸用スライドレール１０１ａと１０１ｂとの間に、Ｘ軸用スライドレール１０２が垂直方向に摺動可能に配設されている。そして、このＸ軸用スライドレールに多関節型のダブルアームロボットのロボット本体９０が水平方向に摺動可能に取り付けられている。Ｘ軸用スライドレール１０２およびロボット本体９０は、例えばボールねじ送り機構等の制御によってそれぞれ垂直方向および水平方向に移送されるように構成されている。
【０１０４】
なお、多関節型のダブルアームロボットの基本的な構成は図７に示すものとほぼ同様であり、第１アーム９１と第２アーム９２の駆動によりウエハのグリップ部９３に保持した半導体ウエハＷを所望のウエハユニット２２まで移送できるようになっている。
【０１０５】
尤も、ウエハハンドリングロボットＲ２は、Ｒ１に比してロボット本体９０自体が昇降装置９４を具備する必要がないので、より軽量で安価なアームロボットを採用することが可能である。
【０１０６】
このように構成されたウエハハンドリングロボットＲ２を備える検査装置１００によっても、第１の実施形態と同様の動作を行うことができる。具体的には、ホストコントローラ２３の制御により、Ｘ軸用スライドレール１０２およびロボット本体９０を垂直方向および水平方向に所望距離だけ移動させることにより、カセットローダ・アンローダ２４から受け渡しされる半導体ウエハＷを各ウエハユニット２２に対して移送したり、あるいは検査済みの半導体ウエハＷを回収することができる。
【０１０７】
なお、第１および第２の実施形態においては、図７に示すような第１アーム９１と第２アーム９２を備えるタイプのアームロボットを用いたが、これに限定されるものではなく、アームの数が１本あるいは３本以上備えるタイプのアームロボットであっても良い。また、アームロボットＲ１，Ｒ２の設置台数は、１台に限らず２台以上設けてもよい。さらにまた、カセットローダ・アンローダ２４を２台以上設けるようにしてもよい。
【０１０８】
例えば図１２（ａ），（ｂ）に示すように、前記第１の実施形態、第２の実施形態において、２台のカセットローダ・アンローダ２４Ａ，Ｂを設ける構成とすることも可能である。この場合、図１２（ａ），（ｂ）の構成では、左側の列のウエハユニット２２に対してはカセットローダ・アンローダ２４ＡでウエハＷの供給，回収を行い、右側の列のウエハユニット２２に対してはカセットローダ・アンローダ２４ＢでウエハＷの供給，回収を行うようにでき、より効率的に半導体デバイスＤの検査を実施することができる。
【０１０９】
また、ロボット本体９０を移動させる手段も、第１の実施形態および第２の実施形態に示す構造に限られず、ロボット本体９０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動できる構造であれば如何なる構成でも採用することが可能である。
【０１１０】
次に、図１３を参照してウエハステージＳが備え得るプッシャー機構と断熱構造の実施例について説明する。なお、前出と同一構成については同一符号を付して説明は省略する。
【０１１１】
この実施例に示す断熱構造では、まずウエハ載置部４０を構成する金属部材内の表面近傍位置に断熱性を有するセラミック板２００が埋め込まれている。これにより、検査体としてのウエハＷを介してテスタボード８０およびウエハステージＳ側からの熱が、プッシャー機構Ｐ側に伝達されるのを抑制することができる。
【０１１２】
なお、セラミック板２００に代えて、繊維系断熱材（例えば、ガラス繊維など）や発泡材料系断熱材（発泡プラスチックなど）を用いることも考えられる。
【０１１３】
また、本実施例では、ウエハ載置部４０の下方側に熱回路基板２０１が設置され、図示しないポンプ機構により冷媒（例えば、フッ素系不活性液体等）が供給されるようになっている。
【０１１４】
ここで、熱回路基板としては、金属熱伝導体箔が張られた２つの基板の対向する面の所定の部位に、ハーフエッチングして溝を形成し、その後、これら溝が対向するようにして当該２つの基板を接着剤を用いて、当該溝を冷媒の流路として用いるものや、接着剤を用いずに、水素結合、イオン結合またはファンデルワールス結合等の化学結合により部材を接合したものなどを利用可能である。これにより、ウエハステージＳのウエハ載置部４０を強制的に冷却することができ、ウエハステージＳ側からの熱が、プッシャー機構Ｐ側に伝達されるのをより有効に抑制することができる。
【０１１５】
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき具体的に説明したが、本明細書で開示された実施の形態はすべての点で例示であって開示された技術に限定されるものではないと考えるべきである。即ち、本発明の技術的な範囲は、上記の実施形態における説明に基づいて制限的に解釈されるものでなく、あくまでも特許請求の範囲の記載に従って解釈すべきであり、特許請求の範囲の記載技術と均等な技術および特許請求の範囲内でのすべての変更が含まれる。
例えば、本実施例では、セラミック板２００による断熱構造と、熱回路基板２０１による冷却構造の両方を設ける場合について説明したが、これに限らず、温度条件等によっては何れか一方のみを設ける構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１６】
本発明による半導体デバイスの検査装置は、特性テストが必要な様々な半導体デバイスの検査に適用できるものであり、ＳＤＲＡＭ、スタティックＲＡＭ、フラッシュメモリ、ロジックデバイス、ロジック・アナログ混載デバイスなど、様々な半導体デバイスをテスト対象として適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】本発明の第１の実施の形態である半導体デバイスの検査装置の概略を示す平面図（Ａ）と正面図（Ｂ）である。
【図２】図１の半導体デバイスの検査装置のウエハユニットの構成を示す側面図（Ａ）と平面図（Ｂ）である。
【図３】ウエハユニットが備えるプローバーユニットの構成を示す底面図（Ａ）と側面図（Ｂ）である。
【図４】プローバーユニットが備えるテスタボードの構成を示す平面図（Ａ）と側面図（Ｂ）である。
【図５】ウエハユニットの構成を示す一部切欠き斜視図である。
【図６】半導体デバイスの検査装置の制御系の概略を示すブロック図である。
【図７】半導体デバイスの検査装置が備えるウエハハンドリングロボットの構成例を示す斜視図である。
【図８】半導体デバイスの検査装置におけるデバイステスト手段（テスト回路モジュール）の機能構成を示すブロック図である。
【図９】半導体デバイスの検査装置の動作処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１０】半導体デバイスの検査装置の検査処理の処理手順を示すフローチャートである。
【図１１】本発明の第２の実施形態に係る半導体デバイスの検査装置の概略を示す平面図（Ａ）と正面図（Ｂ）である。
【図１２】半導体デバイスの検査装置の他の構成例を示す平面図である。
【図１３】ウエハステージの断熱構造の実施例を示す概略図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１０  半導体デバイスの検査装置（第１の実施形態）
Ｗ    半導体ウエハ
Ｄ    半導体デバイス
２１  筐体
２２  ウエハユニット
２３  ホストコントローラ
Ｒ１  ウエハハンドリングロボット（ウエハの移送手段）
２４（２４Ａ，Ｂ）  カセットローダ・アンローダ
Ｃ１，Ｃ２  位置決め用カメラ
３０  付属装置
Ｓ    ウエハステージ
４０  ウエハ載置部
５０  電極
６０  ユニット本体
６１  アライメントステージベース
６２  プローブ・テスタ固定用フレーム
７０  プローバーユニット
７１  フレーム
７２  プロービングコンタクト
７３  プローブカード
７４  ＺＩＦコネクタ
８０  テスタボード
８１  テスターマザーボード
８２  テスト回路モジュール（デバイス検査手段）
９０  ロボット本体
９１  第１アーム
Ｍ    電動モータ
９２  第２アーム
９３  ウエハのグリップ部
９４  昇降装置（昇降手段）
１００  半導体デバイスの検査装置（第２の実施形態）
Ｒ２    ウエハハンドリングロボット（ウエハの移送手段）
１０１ａ，１０１ｂ  Ｚ軸用スライドレール
１０２  Ｘ軸用スライドレール
Ｐ      プッシャー機構
２００  セラミック板
２０１  熱回路基板
２０２  冷媒
【図１】
2008166306.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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