【手続補正書】
【提出日】平成21年4月30日(2009.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の電極と、
前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体層とを有する光電変換層と、
前記第３の半導体層上に第２の電極と、を有し、
前記基板上に前記第１の電極と、前記第１の電極上に前記１の半導体層と、前記第１の半導体層上に前記第２の半導体層と、を有する第１の構造と、
前記基板上に前記第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に前記第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に前記第３の半導体層と、前記第３の半導体層上に前記第２の電極と、を有する第２の構造と、を有し、
前記第１の電極と前記第１の半導体層の接触部と、前記第３の半導体層と前記第２の電極の接触部は重ならないことを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
基板上に第１の電極と、
前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体層とが順次積層されている光電変換層と、
前記第３の半導体層上に第２の電極と、を有し、
前記第１の電極の端部は前記第１の半導体層に覆うように設けられ、
前記第１の電極と前記第１の半導体層の接触部と、前記第３の半導体層と前記第２の電極の接触部とは重ならないように設けられ、
前記第３の半導体層と前記第２の電極の接触部に重ならない前記第２の半導体層の一部が除去されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
基板上に第１の電極と、
前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体層と、第２の半導体層と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体層とが順次積層されている光電変換層と、
前記第３の半導体層上に絶縁膜と、
前記絶縁膜上に、前記絶縁膜を介して前記第３の半導体層に電気的に接続する第２の電極と、を有し、
前記第１の電極の端部は前記第１の半導体層に覆うように設けられ、
前記第１の電極と前記第１の半導体層の接触部と、前記第３の半導体層と前記絶縁膜の接触部は重ならないように設けられ、
前記第３の半導体層と前記絶縁膜の接触部と重ならない前記第２の半導体層の一部が除去されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１の電極は、アルミニウムからなる第１の導電膜、第２の導電膜を順に積層した構造を有し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜を覆うように設けられ、且つ前記第１の半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記第１の電極は、第１の導電膜、アルミニウムからなる第２の導電膜を順に積層した構造を有し、
前記第１の導電膜は、前記第１の半導体層と接していることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記基板は、可撓性基板であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記基板と、前記第１の半導体層及び前記第１の電極との間に、カラーフィルタを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体膜と、第２の半導体膜と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体膜を順次形成し、
前記第３の半導体膜の上に、導電膜を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、前記第３の半導体膜及び前記導電膜は前記第１の電極の端部を覆い、かつ、前記第１の半導体膜の一部を前記第１の電極に接するように前記第１の電極の一部を露出させて、それぞれ第１の島状半導体膜、第２の島状半導体膜、第３の島状半導体膜及び島状導電膜を形成し、
前記第１電極と前記第１の半導体膜に重なる前記島状導電膜の一部を少なくとも除去して第２の電極を形成し、
前記第２の電極をマスクとして、前記第２の島状半導体膜の一部及び前記第３の島状半導体膜の一部を除去することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において
前記露出した第１の電極、前記第１の島状半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記第３の島状半導体膜、及び前記第２の電極を覆って、絶縁膜を形成し、かつ前記絶縁膜には前記露出した第１の電極及び前記第２の電極それぞれに達する第１の溝及び第２の溝が形成され、
前記絶縁膜上に、前記第１の溝及び前記第２の溝それぞれを介して前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれに電気的に接続する第３の電極及び第４の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に、第１の電極を形成し、
前記第１の電極上に、一導電型の第１の半導体膜と、第２の半導体膜と、前記一導電型とは逆の導電型の第３の半導体膜を順次形成し、
前記第３の半導体膜の上に、第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜、前記第３の半導体膜及び前記第１の絶縁膜は前記第１の電極の端部を覆い、かつ、前記第１の半導体膜の一部を前記第１の電極に接するように前記第１の電極の一部を露出させて、それぞれ第１の島状半導体膜、第２の島状半導体膜、第３の島状半導体膜及び第１の島状絶縁膜を形成し、
前記第１電極と前記第１の半導体膜に重なる前記第１の島状絶縁膜の一部を少なくとも除去して第２の島状絶縁膜を形成し、
前記第２の島状絶縁膜をマスクとして、前記第２の島状半導体膜の一部及び前記第３の島状半導体膜の一部を除去することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において
前記第２の島状絶縁膜に第１の溝を形成し、
前記第２の島状絶縁膜上に、前記第１の溝を介して前記第３の島状半導体膜と電気的に接続する第２の電極を形成し、
前記露出した第１の電極、前記第１の島状半導体膜、前記第２の島状半導体膜、前記第３の島状半導体膜、前記第２の島状絶縁膜、及び前記第２の電極を覆って、第３の絶縁膜を形成し、かつ前記第３の絶縁膜には前記露出した第１の電極及び前記第２の電極それぞれに達する第２の溝及び第３の溝が形成され、
前記第３の絶縁膜上に、前記第２の溝及び前記第３の溝それぞれを介して前記第１の電極及び前記第２の電極それぞれに電気的に接続する第３の電極及び第４の電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１の電極は、アルミニウムからなる第１の導電膜、第２の導電膜を順に積層し、
前記第２の導電膜は、前記第１の導電膜を覆い、且つ前記第１の島状半導体膜と接するように設けることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１の電極は、第１の導電膜、アルミニウムからなる第２の導電膜を順に積層し、
前記第１の導電膜は、前記第１の島状半導体膜と接するように設けることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記基板は、可撓性基板であることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記基板と、前記第１の島状半導体膜及び前記第１の電極との間に、カラーフィルタを設けることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の光電変換装置を具備することを特徴とする半導体装置。