【手続補正書】
【提出日】平成21年7月29日(2009.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属−絶縁体−金属で構成されるＭＩＭキャパシタの誘電膜を形成する方法であって、
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上にパッシベーション膜を形成する段階と、
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜が上部フォトレジストパターンと直接接触されないように分離させる段階と、
を含むことを特徴とするＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項２】
前記パッシベーション膜を形成する段階の前に、
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上に上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項３】
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上に上部電極を形成する段階の後、前記パッシベーション膜を形成する段階の前に、
前記上部電極上にキャッピング絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項２記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項４】
前記キャッピング絶縁膜を形成する段階の後に、
前記キャッピング絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極との一部を露出させる段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項３記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項５】
前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極との一部を露出させる段階の後に、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極との一部を除去する段階と、
前記ＭＩＭキャパシタの下部導電性プラグ上側に位置する前記誘電膜の一部を露出させる前記ＭＩＭキャパシタ用上部電極を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁膜から前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項６】
前記キャッピング絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する段階は、集積回路基板のチップ領域及びスクライブ領域内に前記フォトレジストパターンを形成する段階を含み、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を除去する段階は、前記チップ領域及び前記スクライブ領域内で前記フォトレジストパターン外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を除去して前記スクライブ領域内に整列キーを形成する段階を含むことを特徴とする請求項５記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項７】
前記フォトレジストパターン外側に位置する前記キャッピング絶縁膜の一部を除去してパターニングされたキャッピング絶縁膜を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁膜から前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記パターニングされたキャッピング絶縁膜外側に位置する前記上部電極の一部を除去して前記キャパシタの下部導電性プラグ上側に位置する前記誘電膜の一部を露出する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項４記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項８】
前記パッシベーション膜は、前記誘電膜の露出された一部直上に形成されることを特徴とする請求項５記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項９】
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上にパッシベーション膜を形成する段階は、
前記キャパシタの下部導電性プラグと前記キャパシタの下部電極との間の界面直上側に位置する前記キャパシタの一部において前記誘電膜直上に前記キャパシタを形成する段階と、
前記界面からオフセットされる前記キャパシタの一部において上部電極と前記誘電膜の全体にかけて前記パッシベーション膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項１０】
前記パッシベーション膜上の前記フォトレジストパターン外側に位置する前記パッシベーション膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを前記パッシベーション膜上に形成する段階と、
前記パッシベーション膜の露出された一部とこれらの下にある前記誘電膜の一部及び前記キャパシタの下部電極を除去して前記キャパシタを形成し、前記下部電極は前記上部電極より側方に延長させて前記上部電極からオフセットされた下部導電性プラグと接触させる段階と、
前記キャパシタ上に第１層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１層間絶縁膜上にエッチング阻止膜を形成する段階と、
前記エッチング阻止膜上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１層間絶縁膜、前記エッチング阻止膜、前記第２層間絶縁膜、前記パッシベーション膜、及び前記キャッピング絶縁膜内にリセスを形成して前記上部電極を露出させる段階と、
デュアルダマシン工程を用いて前記リセス内に上部導電性配線を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項９記載のＭＩＭキャパシタの誘電膜形成方法。
【請求項１１】
金属−絶縁体−金属で構成されるＭＩＭキャパシタを形成する方法であって、
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上にパッシベーション膜を形成する段階と、
前記パッシベーション膜上に上部フォトレジスト物質を形成する段階と、
を含むことを特徴とするＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１２】
前記パッシベーション膜を形成する段階の前に、
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上に上部電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１３】
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上に上部電極を形成する段階の後、前記パッシベーション膜を形成する段階の前に、
前記上部電極上にキャッピング絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１２記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１４】
前記キャッピング絶縁膜を形成する段階の後に、
前記キャッピング絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する段階と、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を露出させる段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１３記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１５】
前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極との一部を露出させる段階の後に、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を除去して前記ＭＩＭキャパシタの下部導電性プラグ上側に位置する前記誘電膜の一部を露出させる前記ＭＩＭキャパシタ用上部電極を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁膜から前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１４記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１６】
前記キャッピング絶縁膜上にフォトレジストパターンを形成する段階は、集積回路基板のチップ領域及びスクライブ領域内に前記フォトレジストパターンを形成する段階を含み、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を露出させる段階は、前記チップ領域及び前記スクライブ領域内で前記フォトレジストパターン外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を除去して前記スクライブ領域内に整列キーを形成する段階を含むことを特徴とする請求項１５記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１７】
前記フォトレジストパターン外側に位置する前記キャッピング絶縁膜の一部を除去してパターニングされたキャッピング絶縁膜を形成する段階と、
前記キャッピング絶縁膜から前記フォトレジストパターンを除去する段階と、
前記パターニングされたキャッピング絶縁膜外側に位置する前記上部電極の一部を除去して前記キャパシタの下部導電性プラグ上側に位置する前記誘電膜の一部を露出する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１６記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１８】
前記パッシベーション膜は、前記誘電膜の露出された一部直上に形成されることを特徴とする請求項１７記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項１９】
前記ＭＩＭキャパシタの誘電膜上にパッシベーション膜を形成する段階は、
前記キャパシタの下部導電性プラグと前記キャパシタの下部電極との間の界面直上側に位置する前記キャパシタの一部において前記誘電膜直上に前記パッシベーション膜を形成する段階と、
前記界面からオフセットされる前記キャパシタの一部において上部電極と前記誘電膜全体にかけて前記パッシベーション膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１１記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項２０】
前記パッシベーション膜上の前記フォトレジストパターン外側に位置する前記パッシベーション膜の一部を露出させるフォトレジストパターンを前記パッシベーション膜上に形成する段階と、
前記パッシベーション膜の露出された一部とこれらの下にある前記誘電膜の一部及び前記キャパシタの下部電極を除去して前記キャパシタを形成し、前記下部電極は前記上部電極より側方に延長させて前記上部電極からオフセットされた下部導電性プラグと接触させる段階と、
前記キャパシタ上に第１層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１層間絶縁膜上にエッチング阻止膜を形成する段階と、
前記エッチング阻止膜上に第２層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１層間絶縁膜、前記エッチング阻止膜、前記第２層間絶縁膜、前記パッシベーション膜、及び前記キャッピング絶縁膜内にリセスを形成して前記上部電極を露出させる段階と、
デュアルダマシン工程を用いて前記リセス内に上部導電性配線を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１９記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項２１】
金属−絶縁体−金属で構成されるＭＩＭキャパシタを形成する方法であって、
層間絶縁膜内に銅配線膜を形成する段階と、
下部電極、誘電膜、前記銅配線上の上部電極、及びキャッピング絶縁膜を順次に形成する段階と、
前記下部電極と前記銅配線膜との間の界面からオフセットされた前記キャッピング絶縁膜上に第１フォトレジストパターン物質を形成する段階と、
前記第１フォトレジストパターン物質をエッチングマスクとして用いて前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記上部電極と前記キャッピング絶縁膜の一部を除去する段階と、
前記フォトレジストパターン物質直下に上部電極を形成し、前記界面直上側に前記誘電物質の一部を露出させる段階と、
前記露出された誘電物質と前記上部電極直上とにパッシベーション膜を形成する段階と、
前記界面と前記上部電極を覆う前記パッシベーション膜上に第２フォトレジスト物質を形成する段階と、
を含むことを特徴とするＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項２２】
前記キャッピング絶縁膜上に第１フォトレジストパターンを形成する段階は、集積回路基板のチップ領域及びスクライブ領域内に前記第１フォトレジストパターンを形成する段階を含み、
前記フォトレジストパターンの外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部とを除去する段階は、前記チップ領域及び前記スクライブ領域内で前記第１フォトレジストパターン外側に位置する前記キャッピング絶縁膜と前記上部電極の一部を除去して前記スクライブ領域内に整列キーを形成する段階を含むことを特徴とする請求項２１記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項２３】
前記露出された誘電物質と前記上部電極直上とにパッシベーション膜を形成する段階は、
前記界面直上側に位置する前記キャパシタの一部において前記誘電物質直上に前記パッシベーション膜を形成する段階と、
前記界面からオフセットされた前記キャパシタの一部において前記上部電極と前記誘電物質全体とにかけて前記パッシベーション膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項２１記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【請求項２４】
前記パッシベーション膜上に第２フォトレジストパターンを形成する段階は、
前記パッシベーション膜上の前記第２フォトレジストパターン外側に位置する前記パッシベーション膜の一部を露出させる前記第２フォトレジストパターンを前記パッシベーション膜上に形成する段階と、
前記パッシベーション膜の露出された一部とこれらの下にある前記誘電物質の一部を除去して前記キャパシタの下部電極を形成し、前記下部電極は前記上部電極より側方に延長させて前記上部電極からオフセットされた前記銅配線と接触する段階と、
前記キャパシタ上に第１上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１上部層間絶縁膜上にエッチング阻止膜を形成する段階と、
前記エッチング阻止膜上に第２上部層間絶縁膜を形成する段階と、
前記第１層間絶縁膜、前記エッチング阻止膜、前記第２層間絶縁膜、前記パッシベーション膜、及び前記キャッピング絶縁膜内にリセスを形成して前記上部電極を露出させる段階と、
デュアルダマシン工程を用いて前記リセス内に上部導電性配線を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項２３記載のＭＩＭキャパシタ形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】誘電膜上のパッシベーション膜と共に金属−絶縁体−金属キャパシタ（ＭＥＴＡＬ−ＩＮＳＵＬＡＴＯＲ−ＭＥＴＡＬＭＩＭＣＡＰＡＣＩＴＯＲＳ）を形成する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、上記問題を解決するために成されたものであり、金属電極のヒルロック及びフォトレジスト膜の汚染を防止することができるＭＩＭキャパシタの製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】