Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも体腔を再現した腔所の周囲領域が弾性材料で形成され、カテーテルの挿入が可能な透光性の立体モデルを通過する光に生じる光弾性効果を検出する立体モデルの応力観測装置であって、
偏光光源及びそれに対応する偏光フィルタと、
前記偏光光源及び前記偏光フィルタの内側に配置される位相シフトフィルタであって、前記偏光光源からの光の一部が背景色として前記偏光フィルタを透過可能とする位相シフトフィルタと、を備え、
前記光弾性効果と前記立体モデルへ挿入されたカテーテルの影をともに目視可能とした、ことを特徴とするカテーテル手術シミュレータ。
【請求項２】
前記位相シフトフィルタは１波長板又は２波長板からなる、ことを特徴とする請求項１に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項３】
前記偏光光源及び前記偏光フィルタの内側に、円偏向法観察が実現されるように一対の１／４波長フィルタが配置され、前記位相シフトフィルタは前記一対の１／４波長フィルタの間に配置されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項４】
前記偏光フィルタと前記位相シフトフィルタが積層され、メガネの窓の部分が形成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項５】
膜状モデルと比較して光弾性効果をほとんど生じさせないゲルからなりかつ前記膜状モデルに対して密着性のある基材で前記膜状モデルが囲繞されている、ことを特徴する請求項１〜４のいずれか一項に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項６】
前記基材を収納する透光性のケーシングであって、前記ケーシングと前記膜状モデルとの間において、前記基材は前記膜状モデルの自由変形を許容するマージンを有するケーシングが更に備えられる、ことを特徴とする請求項５に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項７】
前記膜状モデルはウレタン樹脂若しくはウレタンエラストマーからなり、
前記基材はシリコーンゲルからなる、ことを特徴とする請求項５に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項８】
前記偏光光源は白色光源と前記偏光フィルタからなる、ことを特徴とする請求項１に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項９】
少なくとも体腔を再現した腔所の周囲領域が弾性材料で形成された透光性の立体モデルへカテーテルを挿入し、
偏光光源と及びそれに対応する偏光フィルタの間に前記立体モデルを配置して、前記カテーテルにより前記周囲領域に生じた応力に対応する光弾性効果を生じさせ、
前記偏光光源と前記偏光フィルタの間に位相シフトフィルタを介在させることにより、前記光弾性効果とともに前記立体モデルへ挿入された前記カテーテルの影を観察可能とする、
ことを特徴とする立体モデルの応力観測方法。
【請求項１０】
少なくとも体腔を再現した腔所の周囲領域が弾性材料で形成された透光性の立体モデルへカテーテルを挿入し、
偏光光源と及びそれに対応する偏光フィルタの間に前記立体モデルを配置して、前記カテーテルにより前記周囲領域に生じた応力に対応する光弾性効果を生じさせ、
前記偏光光源に対して前記偏光フィルタを非直交状態とすることにより、前記光弾性効果とともに前記立体モデルへ挿入されたカテーテルの影を観察可能とする、
ことを特徴とする立体モデルの応力観測方法。
【請求項１１】
前記立体モデルの光弾性効果を撮像する撮像装置と、
前記撮像装置により撮像された画像を処理して、前記立体モデルの状態を特定する特徴量を生成する画像処理装置と、
前記画像処理装置で生成された前記特徴量を出力する、又は前記特徴量に基づきアラームを出力する出力部と、
が更に備えられていることを特徴とする請求項１に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項１２】
前記特徴量は、画素の輝度、あるいは当該画素の輝度に一定の法則に基づいて重み係数を乗じ、それらをある領域内の画素について足し合わせることにより得られる計算値であることを特徴とする、請求項１１に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項１３】
前記画像処理装置で特定された前記特徴量を積算する手段が更に備えられる、ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【請求項１４】
前記膜状モデルへ造影剤を導入した状態の画像を保存する手段が更に備えられ、
前記出力部は前記画像の上に重ねて前記撮像装置が撮像した光弾性効果を表示する、
ことを特徴とする請求項１１に記載のカテーテル手術シミュレータ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート線を形成する段階、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜、半導体層、及びデータ層を順次に形成する段階、
前記データ層上にアルカリ可溶性樹脂及び化学式（Ｉ）の感光性化合物を含むフォトレジスト膜を形成する段階
【化１】
2007017987.tif 000001
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）、
前記フォトレジスト膜をパターニングして、第１フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、
前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、
前記第１フォトレジストパターンをリフローして、第２フォトレジストパターンを形成する段階、及び
前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含む、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項２】
前記感光性化合物は、ジアジド化合物である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項３】
前記感光性化合物は、２，２´−メチレンビス［６−［（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）メチル］−４−メチル−１、２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸塩］を含む、請求項１または２に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項４】
前記フォトレジスト膜は、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項３に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化２】
2007017987.tif 000002
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化３】
2007017987.tif 000003
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【請求項５】
前記第１フォトレジストパターンをリフローする段階は、１００〜１５０℃で行う、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項６】
前記第２フォトレジストパターンは、前記データ層を末端まで覆う、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項７】
前記半導体層をエッチングする段階の後に、前記第１フォトレジストパターンをエッチバックする段階をさらに含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項８】
前記第１フォトレジストパターンは、第１部分、及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項９】
前記フォトレジストパターンを形成する段階は、前記フォトレジスト膜を露光する段階、及び前記露光されたフォトレジスト膜を現像する段階を含み、
露光された前記フォトレジスト膜を現像する段階と、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階との間に、熱処理を行わない、請求項１に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１０】
基板上にゲート線を形成する段階、
前記ゲート線上にゲート絶縁膜及び半導体層を順次に形成する段階、
前記半導体層上にデータ層を形成する段階、
前記データ層上にフォトレジスト膜を形成する段階、
前記フォトレジスト膜を露光する段階、
前記フォトレジスト膜を現像して、第１部分及び前記第１部分より厚さが薄い第２部分を含む第１フォトレジストパターンを形成する段階、
前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階、
前記１次エッチングされたデータ層をエッチングマスクとして利用して半導体層をエッチングする段階、
前記第１フォトレジストパターンをリフローして、第２フォトレジストパターンを形成する段階、そして
前記第２フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を２次エッチングする段階を含み、
前記露光されたフォトレジスト膜を現像する段階と、前記第１フォトレジストパターンをエッチングマスクとして利用して前記データ層を１次エッチングする段階との間に、熱処理を行わない、薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
【請求項１１】
前記フォトレジスト膜は、化学式（Ｉ）の感光性化合物を含む、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化４】
2007017987.tif 000004
（化学式（Ｉ）において、Ｒ１はアルキレン基であり、Ｒ２はアルキル基である。）。
【請求項１２】
前記フォトレジスト膜は、化学式（ＩＩ）の第１化合物または化学式（ＩＩＩ）の第２化合物を含む耐熱性調整添加剤をさらに含む、請求項１０に記載の薄膜トランジスタ表示板の製造方法
【化５】
2007017987.tif 000005
（化学式（ＩＩ）において、Ｒはメチレン基、エチレン基、またはプロピレン基である）
【化６】
2007017987.tif 000006
（化学式（ＩＩＩ）において、Ｒ１はメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、またはヘキシレン基であり、Ｒ２は水素またはメチル基である）。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月3日(2009.7.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素部が形成された表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域とで構成されたアレイ基板において、
各々の前記画素部に形成され、ゲート配線とソース配線に電気的に連結されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子に電気的に連結される画素電極と、
前記周辺領域に形成される金属パターン部と、
前記金属パターン部上に形成される画素電極パターン部と、
前記画素電極及び画素電極パターン部上に形成される配向膜とを有することを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記金属パターン部が形成され、前記周辺領域に形成された密封部材（ｓｅａｌｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）を更に有することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記周辺領域に形成され、前記ゲート配線にゲート信号を出力するゲート回路部を更に有することを特徴とする請求項１に記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記金属パターン部は、前記ゲート回路部に駆動信号を伝達する信号配線部であることを特徴とする請求項３に記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記金属パターン部は、前記ソース配線と同一層の金属層で形成されることを特徴とする請求項４に記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記金属パターン部は、前記ゲート配線と同一層の金属層で形成されることを特徴とする請求項４に記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記周辺領域は前記ゲート回路部が形成された第１周辺領域と、該第１周辺領域から前記表示領域を隔てて向かい合う第２周辺領域とを含み、前記金属パターン部は、前記第２周辺領域に形成された段差補償部を更に含むことを特徴とする請求項３に記載のアレイ基板。
【請求項８】
前記段差補償部は、前記ゲート配線と同一層の金属層で形成されることを特徴とする請求項７に記載のアレイ基板。
【請求項９】
前記段差補償部は、前記ソース配線と同一層の金属層で形成されることを特徴とする請求項７に記載のアレイ基板。
【請求項１０】
第１配向膜を有する第１基板と、
表示領域と周辺領域とを有し、前記表示領域に形成される複数の画素電極と、前記周辺領域に順次に形成される金属パターン部及び画素電極パターン部と、前記画素電極及び画素電極パターン部をカバーするように形成される第２配向膜とを有する第２基板と、
前記第１基板と第２基板の間に介在する液晶層と、
前記液晶層を収容するために前記周辺領域に形成され、前記第１基板と第２基板を密封する密封部材とを有することを特徴とする液晶表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アレイ基板及びこれを有する液晶表示パネル
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、アレイ基板及びこれを有する液晶表示パネルに係り、より詳細には、結合力を向上させるためのアレイ基板及びこれを有する液晶表示パネルに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係るアレイ基板及びこれを有する液晶表示パネルよれば、画素電極パターンを密封部材が形成される領域のパッシベーション層上に広く分布させることにより、画素電極パターンによってパッシベーション層と配向膜間の接着力を強化させるという効果がある。
具体的には、アレイ基板と整列基板間を結合させる密封部材が形成される結合領域の金属パターン上に画素電極パターンを形成することにより、結合領域での配向膜とパッシベーション層間の接着力を強化させ、これによってアレイ基板と整列基板間の結合力を強化させるという効果がある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、本発明に係るアレイ基板及びこれを有する液晶表示パネルを実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光軸（Δ）を有する可変焦点レンズ（６０）であって、該レンズが、
屈折率が異なり且つ可動屈折性光境界面（６９）沿いに接触する第一および第二の不混和性液体（６７、６８）を含む第一のチャンバ（６１）と、
第一の液体と、前記第一の液体に接触する一定体積のガス（７２）とを含む第二のチャンバ（７０）と、
第一の液体で満たされており、第一の液体が第一のチャンバの間を第二のチャンバ内の中へ通過することを可能にする通路（７４、８２）とを備え、前記通路がレンズを通過する光線の光路から一定体積のガスを隔てて保つ、レンズ。
【請求項２】
第二のチャンバ（７０）が、一定体積のガス（７２）と接触する少なくとも一つの壁（８８、９０、９２）を備え、前記壁は、第一の液体（６７）により低い湿潤性を有する材料からなるかまたは該材料で覆われる、請求項１に記載のレンズ。
【請求項３】
通路（７４、８２）が、第一の液体（６７）により高い湿潤性を有する材料からなる壁かまたは該材料で覆われる壁を備える、請求項１に記載のレンズ。
【請求項４】
第二のチャンバ（７０）が、第一、第二、および第三の壁（８４、８６、８８）で囲まれ、第一の壁は第二の壁に対し第一の角度（α）で傾斜し、第二の壁は第三の壁に対し第二の角度（β）で傾斜し、第一の壁は第三の壁に対し第三の角度（γ）で傾斜し、第一の角度は第二の角度より小さく且つ第三の角度より小さい、請求項１に記載のレンズ。
【請求項５】
通路（７４、８２）が多孔質材料の孔を備える、請求項１に記載のレンズ。
【請求項６】
第二のチャンバ（７０）が多孔質材料の孔を備え、一定体積のガスが孔に分散される、請求項１に記載のレンズ。
【請求項７】
第二のチャンバ（７０）が管の形を有し、これの一端（９８）は第一のチャンバ（６１）の中へ開放され、これの他端（９９）は閉ざされる、請求項１に記載のレンズ。
【請求項８】
一定体積のガスが一つ以上の気泡を含む、請求項１に記載のレンズ。
【請求項９】
ガスが、空気、不活性ガスまたは不活性ガスの混合物、またはレンズに収容される液体のうち一つの蒸気からなる、請求項１に記載のレンズ。
【請求項１０】
ガスの体積がレンズの内部体積の５％から５０％の間に等しい、請求項１に記載のレンズ。
【請求項１１】
ガスの体積がレンズの内部体積の１０％から２０％の間に等しい、請求項１０に記載のレンズ。
【請求項１２】
エレクトロウェッティング効果によって屈折性境界面を動かすためのシステムをさらに備える、請求項１に記載のレンズ。
【請求項１３】
・  第一および第二の透明窓と、
・  前記窓を密着させて有し、且つ第一および第二の液体を収容する第一のチャンバ（６１）を画定する中央開口部を備え、軸（Δ）周りに回転対称である中間部品と
をさらに備える、請求項１に記載のレンズ。
【請求項１４】
前記中間部品が、第一のチャンバ（６１）と接続し且つ前記一定体積のガスを収容する膨張チャンバ（７０）を画定する、第二の開口部をさらに備える、請求項１３に記載のレンズ。
【請求項１５】
前記第二の開口部が、前記中間部品に作られた溝を備え、軸（Δ）周りに回転対称である、請求項１４に記載のレンズ。
【請求項１６】
請求項１に記載のレンズを備える、カメラモジュール。
【請求項１７】
請求項１６に記載のカメラモジュールを備える、携帯電話。
【請求項１８】
エレクトロウェッティング可変焦点レンズ（６０）を製造する方法であって、
（ａ）第一の囲壁材（６４、６６）からなる不完全囲壁を形成するステップと、
（ｂ）不完全囲壁を少なくとも一つの液体（６７）で満たすステップと、
（ｃ）不完全囲壁の中で一定体積のガス（７２）を形成するステップであって、一定体積のガスは、レンズを通過する光線が通過しない領域において前記液体と接触する、ガスを形成するステップと、
（ｄ）密閉された囲壁を形成するため、不完全囲壁を第二の囲壁材（６２）で閉ざすステップと
を含み、ステップ（ｂ）、（ｃ）、および（ｄ）が大気圧より低い圧力のもとで遂行される、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年2月5日(2009.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部に一つ以上の第１画素領域、及び第１サブ領域と第２サブ領域とを含む一つ以上の第２画素領域が形成されたベース基板と、
前記第１画素領域及び前記第２画素領域の第１サブ領域に形成された第１カラーフィルタと、
前記第２画素領域の第２サブ領域に形成された第２カラーフィルタと、
を含むことを特徴とするカラーフィルタ基板。
【請求項２】
前記第１カラーフィルタは、レッド、グリーンまたはブルー色を含むことを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項３】
前記第１画素領域は、レッド画素領域、グリーン画素領域及びブルー画素領域を含み、
前記第１カラーフィルタは前記レッド画素領域に形成されたレッドカラーフィルタ、前記グリーン画素領域に形成されたグリーンカラーフィルタ及び前記ブルー画素領域に形成されたブルーカラーフィルタを含むことを特徴とする請求項２記載のカラーフィルタ基板。
【請求項４】
前記第２画素領域は、シアン画素領域、マゼンタ画素領域及びイエロー画素領域を含み、
前記シアン画素領域の前記第１サブ領域には前記ブルーカラーフィルタが形成され、前記シアン画素領域の前記第２サブ領域には前記グリーンカラーフィルタが形成され、
前記マゼンタ画素領域の第１サブ領域には前記レッドカラーフィルタが形成され、前記第２サブ領域には前記ブルーカラーフィルタが形成され、
前記イエロー画素領域の第１サブ領域には前記レッドカラーフィルタが形成され、前記第２サブ領域には前記グリーンカラーフィルタが形成されることを特徴とする請求項３記載のカラーフィルタ基板。
【請求項５】
前記第１及び第２サブ領域は、互いに同一の面積であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項６】
前記第１及び第２サブ領域の面積は、互いに異なることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項７】
前記第２画素領域それぞれは第３サブ領域をさらに含み、前記第３サブ領域は前記第１サブ領域と前記第２サブ領域との間に配置されることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項８】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、前記第２画素領域の幅方向に形成されることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項９】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、前記第２画素領域の長さ方向に形成されたことを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項１０】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、メッシュ形状であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項１１】
前記第１及び第２サブ領域は、ドット（ＤＯＴ）形状であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。
【請求項１２】
レッド画素領域、グリーン画素領域、ブルー画素領域及び第１サブ領域と第２サブ領域とを含む混色画素領域を含むベース基板と、
前記レッド画素領域に形成されたレッドカラーフィルタと、
前記グリーン画素領域に形成されたグリーンカラーフィルタと、
前記ブルー画素領域に形成されたブルーカラーフィルタと、
を含み、
前記第１及び第２サブ領域には前記レッドカラーフィルタ、前記グリーンカラーフィルタ及び前記ブルーカラーフィルタのうち選択された２つの互いに異なる色を有するカラーフィルタがそれぞれ形成されることを特徴とするカラーフィルタ基板。
【請求項１３】
上部に一つ以上の第１画素領域、及び第１サブ領域と第２サブ領域とを含む一つ以上の第２画素領域が形成されたベース基板に、前記第１及び第２画素領域を露出させる開口部を含むブラックマトリックスを形成する段階と、
前記第１画素領域及び前記第２画素領域の第１サブ領域に第１カラーフィルタを形成する段階と、
前記第２画素領域の第２サブ領域に第２カラーフィルタを形成する段階と、
を含むことを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第１及び第２カラーフィルタは、レッドカラーフィルタ、グリーンカラーフィルタ及びブルーカラーフィルタのうち選択された２つのカラーフィルタであることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板製造方法。
【請求項１５】
前記第１及び第２サブ領域は、互いに同一の面積であることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板製造方法。
【請求項１６】
前記第１及び第２サブ領域の面積は、互いに異なることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第２画素領域それぞれは、第３サブ領域をさらに含み、前記第３サブ領域は前記第１サブ領域と前記第２サブ領域との間に配置されることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、前記第２画素領域の幅方向に形成されることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板製造方法。
【請求項１９】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、前記第２画素領域の長さ方向に形成されることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板製造方法。
【請求項２０】
前記第１及び第２サブ領域の境界は、メッシュ形状であることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項２１】
前記第１及び第２サブ領域は、ドット形状であることを特徴とする請求項１３記載のカラーフィルタ基板の製造方法。
【請求項２２】
前記請求項１〜１２のいずれかに記載のカラーフィルタ基板と、
前記ベース基板の前記第１画素領域と前記第２画素領域に形成される光を発光する発光素子と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２３】
前記請求項１〜１２のいずれかに記載のカラーフィルタ基板と、
前記カラーフィルタ基板に対向し、画素電極及び前記画素電極に画素電圧を印加するスイッチング素子を含むアレイ基板と、
前記アレイ基板と前記カラーフィルタ基板との間に介在された液晶層と、
を含むことを特徴とする表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月13日(2009.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
集積回路装置のテストは、電子装置に対して可能な限り高度な品質管理を得るため、長年にわたって遵守された手順である。テスタは、典型的には、テスタ装置と関連するロドボド上に形成された複数の導電性トレスを含む。テストを実施するため、導通装置の導線、あるいは非導電装置のパッドを、ロドボド上の対応トレスに相互接続する必要がある。複数接点を備えたテストソケットは、相互接続を実施するため、テスト対象装置とロドボドとの間に介装される。１つの接点は、前端において、テスト対象装置の導線またはパッドを、ロボド上の対応トレスと嵌合する。
【特許文献１】米国特許第４，９８０，２４５号明細書
【特許文献２】米国特許第５，０６９，６２９号明細書
【特許文献３】米国特許第５，１８９，３６３号明細書
【特許文献４】米国特許第５，６０９，４８９号明細書
【特許文献５】米国特許第５，６３４，８０１号明細書
【特許文献６】米国特許第６，２３１，３５３号明細書
【特許文献７】米国特許第６，２４４，８７４号明細書
【特許文献８】米国特許第６，５７２，３８８号明細書
【特許文献９】米国特許第６，８５４，９８１号明細書
【特許文献１０】米国特許公開第２００３／００６８９０８号公報
【特許文献１１】米国特許公開第２００４／００６７６６５号公報
【特許文献１２】米国特許公開第２００４／０２４８４４８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月11日(2008.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
複数種類の音声処理の中から選択された１つを実行する音声処理部と、
ザッピング状態を検出するザッピング検出部と、
ザッピング状態か否かに応じて異なる音声処理に切り替える処理切替部と、を備え、
前記処理切替部は、前記ザッピング検出部が前記ザッピング状態を検出したとき、音質向上機能を含まない音声処理に切り替えるよう前記音声処理部を制御することを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
複数種類の画像処理の中から選択された１つを実行する画像処理部と、
ザッピング状態を検出するザッピング検出部と、
ザッピング状態か否かに応じて異なる画像処理に切り替える処理切替部と、を備え、
前記処理切替部は、前記ザッピング検出部が前記ザッピング状態を検出したとき、画質向上機能を含まない画像処理に切り替えるよう前記画像処理部を制御することを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、複数種類の音声処理の中から選択された１つを実行する音声処理部と、ザッピング状態を検出するザッピング検出部と、ザッピング状態か否かに応じて異なる音声処理に切り替える処理切替部と、を備え、前記処理切替部は、前記ザッピング検出部が前記ザッピング状態を検出したとき、音質向上機能を含まない音声処理に切り替えるよう前記音声処理部を制御する電子機器を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、複数種類の画像処理の中から選択された１つを実行する画像処理部と、ザッピング状態を検出するザッピング検出部と、ザッピング状態か否かに応じて異なる画像処理に切り替える処理切替部と、を備え、前記処理切替部は、前記ザッピング検出部が前記ザッピング状態を検出したとき、画質向上機能を含まない画像処理に切り替えるよう前記画像処理部を制御する電子機器を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月30日(2009.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
実施例及び比較例ともに磁性粉末には、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）から成る非晶質磁性合金を用いた。前記磁性粉末は、扁平状で、前記磁性粉末の平均粒径（Ｄ５０）は５８μｍ、アスペクト比は１０２であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
実験に使用した磁性粉末は、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1から成る非晶質磁性合金であり、前記磁性粉末は、扁平状で、前記磁性粉末の平均粒径（Ｄ５０）は５６μｍ、アスペクト比は１００であった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
磁性粉末には、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1から成る非晶質磁性合金を用いた。前記磁性粉末は、扁平状で、前記磁性粉末の平均粒径（Ｄ５０）は５６μｍ、アスペクト比は１００であった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
磁性粉末の含有量を、３５体積％とした。磁性粉末には、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）から成る非晶質磁性合金を用いた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
実施例では、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1から成る非晶質の磁性粉末（含有量３５体積％）を用いた。実施例の前記磁性粉末の平均粒径（Ｄ５０）は５６μｍ、アスペクト比は１００であった。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
第１の電磁波抑制シートでは、組成がＦｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）、平均粒径（Ｄ５０）が８０μｍ、アスペクト比が９６の磁性粉末及び、塩素化率が４０％の塩素化ポリエチレン（昭和電工（株）社製のエラスレン）を用いた。シート厚は９１μｍであった。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
第２の電磁波抑制シートでは、組成がＦｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）、平均粒径（Ｄ５０）が８０μｍ、アスペクト比が８７の磁性粉末及び、塩素化率が３５％の塩素化ポリエチレン（昭和電工（株）社製のエラスレン）を用いた。シート厚は８６μｍであった。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
第３の電磁波抑制シートでは、組成がＦｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）、平均粒径（Ｄ５０）が８０μｍ、アスペクト比が１０２の磁性粉末及び、塩素化率が４０％の塩素化ポリエチレン（昭和電工（株）社製のエラスレン）を用いた。シート厚は６５μｍであった。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
第４の電磁波抑制シートでは、組成がＦｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）、平均粒径（Ｄ５０）が８０μｍ、アスペクト比が９８の磁性粉末及び、塩素化率が３５％の塩素化ポリエチレン（昭和電工（株）社製のエラスレン）を用いた。シート厚は５９μｍであった。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
磁性粉末には、Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1（ａｔ％）から成る非晶質磁性合金を用いた。前記磁性粉末は、扁平状で、前記磁性粉末の平均粒径（Ｄ５０）は５６μｍ、アスペクト比は１００であった。また、磁性粉末の含有量は３５体積％とした。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
【図１】本実施形態における電磁波抑制シートの斜視図、
【図２】本実施形態の電磁波抑制シートを膜厚方向へ切断した切断面の模式図（部分拡大図）、
【図３】塩素化ポリエチレンの塩素化率と磁性粉末の充填密度との関係を示すグラフ、
【図４】磁性粉末の含有量と磁性粉末の充填密度とをの関係を示すグラフ、
【図５】磁性粉末の含有量と、複素比透磁率の実数部μ´（１３．５６ＭＨｚ）との関係を示すグラフ、
【図６】磁性粉末の含有量と複素比透磁率の虚数部μ″（１ＧＨｚ）との関係を示すグラフ、
【図７】磁性粉末の含有量と相対密度の関係を示すグラフ、
【図８】磁性粉末の含有量と、シート面内方向の複素比誘電率の実数部ε´及び、複素比誘電率の虚数部εとの関係を示すグラフ、
【図９】（ａ）は、本実施例（磁性粉末；Ｆｅ67.9Ｃｒ4Ｎｉ4Ｓｎ3.5Ｐ8.8Ｃ10.8Ｂ1）の電磁波抑制シートを膜厚方向へ切断した断面の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）、図９（ｂ）は、比較例（磁性粉末；Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）の電磁波抑制シートを膜厚方向へ切断した断面の走査電子顕微鏡写真（ＳＥＭ写真）、
【図１０】本実施例の第１の電磁波抑制シート（塩素化ポリエチレン（昭和電工（株）社製（塩素化率４０％）  シート厚：９１μｍ）を用い、５００ＭＨｚ〜９ＧＭｚの周波数帯域での複素比誘電率の実数部ε´、複素比誘電率の虚数部εの測定結果、
【図１１】本実施例の第２の電磁波抑制シート（塩素化ポリエチレン：昭和電工（株）社製（塩素化率３５％）  シート厚：８６μｍ）を用い、５００ＭＨｚ〜９ＧＭｚの周波数帯域での複素比誘電率の実数部ε´、複素比誘電率の虚数部εの測定結果、
【図１２】本実施例の第３の電磁波抑制シート（塩素化ポリエチレン：昭和電工（株）社製（塩素化率４０％）  シート厚：６５μｍ）を用い、５００ＭＨｚ〜９ＧＭｚの周波数帯域での複素比誘電率の実数部ε´、複素比誘電率の虚数部εの測定結果、
【図１３】本実施例の第４の電磁波抑制シート（塩素化ポリエチレン：昭和電工（株）社製（塩素化率３５％）  シート厚：５９μｍ）を用い、５００ＭＨｚ〜９ＧＭｚの周波数帯域での複素比誘電率の実数部ε´、複素比誘電率の虚数部εの測定結果、
【図１４】本実施例における電磁波抑制シートの厚さ方向の複素比誘電率の実数部ε´及び、複素比誘電率の虚数部ε″の周波数特性を示したグラフ、
【図１５】本実施例における電磁波抑制シートの電磁波抑制シートの面内方向の複素比誘電率の実数部ε´及び、複素比誘電率の虚数部ε″の周波数特性を示したグラフ、
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク（Ｎ）に接続可能とするための特定の呼制御プロトコル（Ｑ.931）によりＩＰ電話変換するための呼処理（ＣＰ）をし、
音声信号を複数種のうちのいずれかの音声ＩＰプロトコルによってインターネット・プロトコル電話信号（ＮＰ1〜ｎ）として送受するためのエンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）をし、
前記複数種のうちのいずれかの音声ＩＰプロトコルによるインターネット・プロトコル電話信号（ＮＰ1〜ｎ）と前記呼処理（ＣＰ）における前記特定の呼制御プロトコル（Ｑ.931）による信号との間で処理可能とするように音声ＩＰプロトコル変換するための固有のプロトコルにも対応可能な（16）、前記複数種の数のプロトコル変換ユニット処理（10）をする
複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項２】
ネットワーク（Ｎ）に接続可能とするための呼制御プロトコル（Ｑ.931）によりＩＰ電話変換するための呼処理（ＣＰ）をし、
複数ｎ個の音声信号を、前記ｎよりは大きくはない複数ｐ種（ｎ≧ｐ≧2）のそれぞれの音声ＩＰプロトコルによって送受するエンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）をし、
前記ｐ種のそれぞれの音声ＩＰプロトコルによる電話信号と前記呼処理における呼制御プロトコル（Ｑ.931）による信号との間で処理可能とするように音声ＩＰプロトコル変換するための固有のプロトコルにも対応可能な（16）、ｐ個の仮想呼処理（ＶＰ）をする、
複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項３】
前記特定の呼制御プロトコルが、電話交換用Ｑ.931プロトコルであり、
複数ｎ個の音声信号の前記ｎよりは大きくはない複数ｐ種（ｎ≧ｐ≧2）のそれぞれの音声ＩＰプロトコルが、ＳＩＰプロトコルとＨ．323プロトコルとを含んでいる、
請求項1の複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項４】
前記プロトコル変換ユニット処理（10）が、
前記エンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）の種類に対応してそれぞれのプロトコルを終端して下位層のプロトコルを隠蔽し、隠蔽できないプロトコルの固有部分は別の処理として実行するための固有処理（16）と、
前記エンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）で使用するプロトコルをサポートするべく、前記固有部分を別の処理として前記固有処理（16）に処理の依頼をする機構を持つプロトコル変換処理（11）とを含んでいる、
請求項1の複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項５】
前記固有処理（16）が、
通信制御プロトコルであるＳＩＰ（Session Initiation Protocol）およびH.323で前記プロトコル変換処理（11）とメッセージの送受信を行う 
請求項4の複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項６】
前記仮想呼処理（ＶＰ）が、
SIP仮想クライアント（ＳＶＣ）とH.323仮想クライアント（ＨＶＣ）を含み、前記SIP仮想クライアントおよび前記H.323仮想クライアントは、それぞれＳＩＰスタック（ＳＴＳ）およびＨ．323スタック（ＳＴＨ）を含んでいるプロトコル変換処理（11）と、
前記エンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）に必要なデータを格納するデータベース（ＤＢ）、SIPサーバ（ＳＳ）およびＨ．323ゲートキーパ（ＧＫ）に登録されたデータから仮想端末と固有のプロトコルを用いる現実の端末を結びつけるデータを必用時に前記プロトコル変換処理（11）に提供するための、固有のプロトコルにも対応可能な固有処理（16）とを含む、
請求項2の複数プロトコル対応ＩＰ電話方法。
【請求項７】
ネットワーク（Ｎ）に接続可能とするための特定の呼制御プロトコル（Ｑ.931）によりＩＰ電話変換するための呼処理手段（ＣＰ）と、
音声信号を複数種のうちのいずれかの音声ＩＰプロトコルによってインターネット・プロトコル電話信号（ＮＰ1〜ｎ）として送受するためのエンドポイント手段（ＥＰ1〜ｎ）と、
前記複数種のうちのいずれかの音声ＩＰプロトコルによるインターネット・プロトコル電話信号（ＮＰ1〜ｎ）と前記呼処理手段（ＣＰ）における前記特定の呼制御プロトコル（Ｑ.931）による信号との間で処理可能とするように音声ＩＰプロトコル変換するための固有のプロトコルにも対応可能な（16）、前記複数種の数のプロトコル変換ユニット手段（10）とを含む、
複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【請求項８】
ネットワーク（Ｎ）に接続可能とするための呼制御プロトコル（Ｑ.931）によりＩＰ電話変換するための呼処理手段（ＣＰ）と、
複数ｎ個の音声信号を、前記ｎよりは大きくはない複数ｐ種（ｎ≧ｐ≧2）のそれぞれの音声ＩＰプロトコルによって送受するエンドポイント手段（ＥＰ1〜ｎ）と、
前記ｐ種のそれぞれの音声ＩＰプロトコルによる電話信号と前記呼処理における呼制御プロトコル（Ｑ.931）による信号との間で処理可能とするように音声ＩＰプロトコル変換するための固有のプロトコルにも対応可能な（16）、ｐ個の仮想呼処理手段（ＶＰ）とを含む、
複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【請求項９】
前記特定の呼制御プロトコルが、電話交換用Ｑ.931プロトコルであり、
複数ｎ個の音声信号の前記ｎよりは大きくはない複数ｐ種（ｎ≧ｐ≧2）のそれぞれの音声ＩＰプロトコルが、ＳＩＰプロトコルとＨ．323プロトコルとを含んでいる
請求項7の複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【請求項１０】
前記プロトコル変換ユニット手段（10）が、
前記エンドポイント処理（ＥＰ1〜ｎ）の種類に対応してそれぞれのプロトコルを終端して下位層のプロトコルを隠蔽し、隠蔽できないプロトコルの固有部分は別の処理として実行するための固有処理手段（16）と、
前記エンドポイント手段（ＥＰ1〜ｎ）で使用するプロトコルをサポートするべく、前記固有部分を別の処理として前記固有処理手段（16）に処理の依頼をする機構を持つプロトコル変換手段（11）とを含んでいる、
請求項7の複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【請求項１１】
前記固有処理手段（16）が、
通信制御プロトコルであるＳＩＰ（Session Initiation Protocol）およびH.323で前記プロトコル変換手段（11）とメッセージの送受信を行う 
請求項10の複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【請求項１２】
前記仮想呼処理手段（ＶＰ）が、
SIP仮想クライアント（ＳＶＣ）とH.323仮想クライアント（ＨＶＣ）を含み、前記SIP仮想クライアントおよび前記H.323仮想クライアントは、それぞれＳＩＰスタック（ＳＴＳ）およびＨ．323スタック（ＳＴＨ）を含んでいるプロトコル変換手段（11）と、
前記エンドポイント手段（ＥＰ1〜ｎ）に必要なデータを格納するデータベース（ＤＢ）、SIPサーバ（ＳＳ）およびＨ．323ゲートキーパ（ＧＫ）に登録されたデータから仮想端末と固有のプロトコルを用いる現実の端末を結びつけるデータを必用時に前記プロトコル変換手段（11）に提供するための、固有のプロトコルにも対応可能な固有処理手段（16）とを含む、
請求項8の複数プロトコル対応ＩＰ電話装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月2日(2009.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子領域及びその周辺領域に配置されるとともに無機系材料によって形成された第１絶縁層を含む配線基板と、
前記配線基板の前記周辺領域に形成された前記第１絶縁層上に配置された支持体と、
前記配線基板の前記表示素子領域に形成された前記第１絶縁層上に配置されるとともに前記支持体から離間した第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に配置された第１電極と、
前記第２絶縁層の上において前記第１電極の周縁に配置された隔壁と、
前記第１電極の上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層の上に配置された第２電極と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記支持体は、複数の層を積層した積層体によって構成され、
前記隔壁と同一層の樹脂層、前記隔壁よりも低透湿性の樹脂層、及び、防水層の少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１絶縁層の表面からの前記支持体の高さは、前記第１絶縁層の表面からの前記隔壁の高さより高いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
表示素子領域及びその周辺領域に配置されるとともに無機系材料によって形成された第１絶縁層を含む配線基板と、
前記配線基板の前記周辺領域に形成された前記第１絶縁層上に配置された第１樹脂層と、
前記第１樹脂層の上に積層された第２樹脂層と、
前記配線基板の前記表示素子領域に形成された前記第１絶縁層上に配置されるとともに前記第１樹脂層と同一の樹脂材料によって形成され、前記第１樹脂層との間に溝が形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に配置された第１電極と、
前記第２絶縁層の上に配置されるとともに前記第２樹脂層と同一の樹脂材料によって形成され、前記第２樹脂層との間に溝が形成された隔壁と、
前記第１電極の上に配置された有機活性層と、
前記有機活性層の上に配置された第２電極と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項５】
表示素子領域と前記表示素子領域に隣接する周辺領域とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記表示素子領域に配置された有機ＥＬ素子と、
前記配線基板の前記周辺領域に配置され、前記有機ＥＬ素子から隔離された支持体と、
を備えたことを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、表示装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明の目的は、表示品位が良好であり、且つ、信頼性の向上及び長寿命化が可能な表示装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の第１態様によれば、
表示素子領域及びその周辺領域に配置されるとともに無機系材料によって形成された第１絶縁層を含む配線基板と、前記配線基板の前記周辺領域に形成された前記第１絶縁層上に配置された支持体と、前記配線基板の前記表示素子領域に形成された前記第１絶縁層上に配置されるとともに前記支持体から離間した第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置された第１電極と、前記第２絶縁層の上において前記第１電極の周縁に配置された隔壁と、前記第１電極の上に配置された有機活性層と、前記有機活性層の上に配置された第２電極と、を備えたことを特徴とする表示装置が提供される。
また、この発明の第２態様によれば、
表示素子領域及びその周辺領域に配置されるとともに無機系材料によって形成された第１絶縁層を含む配線基板と、前記配線基板の前記周辺領域に形成された前記第１絶縁層上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層の上に積層された第２樹脂層と、前記配線基板の前記表示素子領域に形成された前記第１絶縁層上に配置されるとともに前記第１樹脂層と同一の樹脂材料によって形成され、前記第１樹脂層との間に溝が形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に配置された第１電極と、前記第２絶縁層の上に配置されるとともに前記第２樹脂層と同一の樹脂材料によって形成され、前記第２樹脂層との間に溝が形成された隔壁と、前記第１電極の上に配置された有機活性層と、前記有機活性層の上に配置された第２電極と、を備えたことを特徴とする表示装置が提供される。
また、この発明の第３態様によれば、
表示素子領域と前記表示素子領域に隣接する周辺領域とを有する配線基板と、前記配線基板の前記表示素子領域に配置された有機ＥＬ素子と、前記配線基板の前記周辺領域に配置され、前記有機ＥＬ素子から隔離された支持体と、を備えたことを特徴とする表示装置が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明によれば、表示品位が良好であり、且つ、信頼性の向上及び長寿命化が可能な表示装置を提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月22日(2009.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の通信装置と通信することが出来る通信装置であって、
電源が供給される電源入力部と、
前記電源入力部と電気的に接続されて前記電源を当該通信装置の外部に出力する電源出力部と、
前記電源出力部に接続された前記他の通信装置との通信に関する設定処理を、前記電源出力部を介して行う設定制御部と、
を備える通信装置。
【請求項２】
請求項１に記載の通信装置であって、
前記電源は、電力線で伝送される交流電源であり、
前記電源出力部は、電源コンセントである通信装置。
【請求項３】
請求項２に記載の通信装置であって、
前記他の通信装置が有する電源プラグと前記電源コンセントとの接続を検出する接続検出部を更に備え、
前記設定制御部は、前記接続検出部により、前記電源コンセントに前記他の通信装置が接続されたことが検出されたときに、前記設定処理を行う通信装置。
【請求項４】
請求項３に記載の通信装置であって、
前記接続検出部は、前記電源コンセントにおける電圧降下を監視する電圧降下監視部を有し、所定値以上の電圧降下が発生した場合に、前記電源プラグの接続を検出する通信装置。
【請求項５】
請求項３に記載の通信装置であって、
前記接続検出部は、前記電源コンセントから外部に突出し、外部から接続される電源プラグにより押下されるボタンを更に有し、当該ボタンの押下を検出することにより前記電源プラグと前記電源コンセントとの接続を検出する通信装置。
【請求項６】
請求項３ないし５のいずれか一項に記載の通信装置であって、
前記電源コンセントに接続され、少なくとも交流電源周波数を除いた、周波数帯域の信号を減衰させるフィルタを更に備える通信装置。
【請求項７】
請求項６に記載の通信装置であって、
通信を行う伝送路から入力された信号の利得を制御して増幅する自動利得制御部を更に備え、
前記設定制御部は、前記自動利得制御部の利得制御量が所定の制御量以下の場合に、前記設定処理を行う通信装置。
【請求項８】
請求項３ないし５のいずれか一項に記載の通信装置であって、
通信を行う伝送路から入力された信号の利得を制御して増幅する自動利得制御部を更に備え、
前記設定制御部は、前記自動利得制御部の利得制御量が所定の制御量以上の場合に、前記設定処理を行う通信装置。
【請求項９】
請求項３ないし８のいずれか一項に記載の通信装置であって、
前記接続検出部からの接続検出から所定時間以内に設定用信号が検出された場合に設定処理が開始されたことを示す表示部を更に備える通信装置。
【請求項１０】
請求項３ないし９のいずれか一項に記載の通信装置であって、
前記設定制御部は、前記接続検出部による検出結果に応じて、自装置の設定として、親機又は子機のいずれかを決定する通信装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の通信装置であって、
前記設定制御部は、前記接続検出部によって前記電源コンセントに外部から接続されたことが検出されたときに、自装置を親機に設定する通信装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の通信装置であって、
親機又は子機の自装置の設定を表示する設定表示部を更に備える通信装置。
【請求項１３】
請求項２に記載の通信装置であって、
設定処理の開始を許可する指示を受け付ける指示入力部と、
少なくとも交流電源周波数を除いた、周波数帯域の信号を減衰させるフィルタと、
前記電源入力部と前記電源コンセントとの間を、前記フィルタを介して接続する第一の経路と、前記フィルタを介さずに接続する第二の経路とのうちのいずれか一方を選択して接続する経路選択部と、
を更に備え、
前記経路選択部は、前記指示入力部から設定処理の開始を許可する指示が入力されると、前記第一の経路を選択する通信装置。
【請求項１４】
請求項２ないし１３のいずれか一項に記載の通信装置であって、
前記設定制御部は、前記電源コンセントに接続された通信装置から設定処理の要求を受信すると、前記設定処理を開始する通信装置。
【請求項１５】
請求項２ないし９のいずれか一項に記載の通信装置であって、
前記設定処理部は、前記電源入力部を介して接続される通信装置が、前記電源コンセントに接続された通信装置との通信を可能とする設定処理を行う通信装置。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載された通信装置である第一の通信装置と、
電力線に接続可能な第二の電源入力部と、前記第二の電源入力部を介して前記第一の通信装置の電源コンセントに接続して設定処理を行う第二の設定制御部とを有する第二の通信装置と、
を備え、
前記第二の設定制御部は、前記設定処理中の送信出力強度を、通常の通信中の送信出力強度より下げる通信システム。
【請求項１７】
他の通信装置と通信することが出来る画像取得装置であって、
交流電源が供給される電源入力部と、
前記電源入力部と電気的に接続されて前記交流電源を当該画像取得装置の外部に出力する電源コンセントと、
前記電源コンセントに接続された前記他の通信装置との通信に関する設定処理を、前記電源コンセントを介して行う設定制御部を含む、電力線通信部と、
前記電力線通信部を介して、前記電源コンセントを介して接続された画像出力装置から出力される画像データを取得する画像取得部と、
前記電源コンセント及び前記電力線通信部を接続する経路と、前記電源入力部との間に接続され、少なくとも交流電源周波数を除いた、周波数帯域の信号を減衰させるフィルタと、
を備える画像取得装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の画像取得装置であって、
前記電源入力部及び前記フィルタを接続する経路と、前記画像取得部との間に接続された、電力線通信を行う第二の電力線通信部を更に備える動画取得装置。
【請求項１９】
電源に接続される電源入力部と電気的に接続されて電源を出力する電源出力部を備える通信装置を用いた、通信装置の設定方法であって、
当該通信装置と、前記電源出力部に接続された他の通信装置との通信に関する設定処理を、前記電源出力部を介して行うステップを有する設定方法。
【請求項２０】
他の通信装置と通信することが出来る通信装置であって、
電源が供給される電源入力部と、
前記他の通信装置との設定処理を実行し、前記設定処理のための信号を前記電源に重畳させて前記他の通信装置へ送信する設定制御部と、
少なくとも電源周波数を除いた周波数帯域を減衰させ、減衰した信号を前記電源入力部へ出力し、前記設定制御部と前記入力部との間に備えられたフィルタと、
を備えた通信装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の通信装置であって、
設定処理の開始を許可する指示を受け付ける指示入力部と、
前記電源入力部と前記設定制御部との間を、前記フィルタを介して接続する第一の経路と、前記フィルタを介さずに接続する第二の経路とのうちのいずれか一方を選択して接続する経路選択部と、
を更に備え、
前記経路選択部は、前記指示入力部から設定処理の開始の指示が入力されると、前記第一の経路を選択する通信装置。
【請求項２２】
請求項２０記載の通信装置であって、
前記設定制御部は、前記電源入力部に接続されている前記他の通信装置から設定処理の開始を指示する設定処理要求を受信したときに、前記設定処理を行う通信装置。