【手続補正書】
【提出日】平成25年10月3日(2013.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＶＡ族元素堆積サイクルを含み、反応チャンバ内の基板にＶＡ族元素を含む薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、各サイクルは、
前記反応チャンバ内に第１の気相反応物質のパルスを提供して、前記基板に前記反応物質のほぼ一つの単分子層以下の層を形成する工程と、
前記反応チャンバから過剰な第１の気相反応物質を除去する工程と、
第２の気相反応物質が前記基板上で前記第１の気相反応物質と反応して、ＶＡ族元素を含む薄膜を形成するように、前記反応チャンバに前記第２の気相反応物質のパルスを提供する工程であって、前記第２の気相反応物質は、一又はそれ以上のＳｉ、Ｇｅ又はＳｎが結合したＶＡ族原子を含み、前記ＶＡ族元素は、Ｓｂ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｎ又はＰであり、前記第２の気相反応物質中の前記ＶＡ族元素がＮである場合、前記第１の気相反応物質は、遷移金属、Ｓｉ又はＧｅを含まない、工程と、
もしあれば、前記反応チャンバから過剰な第２の気相反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、を含む原子層堆積方法。
【請求項２】
前記第１の気相反応物質は、アミノゲルマニウム前駆体、有機テルル前駆体、還元反応物質又はプラズマ反応物質ではない請求項２に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の気相反応物質は、ＧｅＢｒ２、ＧｅＣｌ２−Ｃ４Ｈ８Ｏ２、ＳｂＣｌ３、ＧａＣｌ３又はＩｎＣｌ３である請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の気相反応物質は、アルコール、水又はオゾンではない請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の気相反応物質は、Ｓｂ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の気相反応物質は、アンチモンを含む請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の気相反応物質は、Ｓｂ（ＳｉＥｔ３）３又はＳｂ（ＳｉＭｅ３）３である請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記提供する工程中の前記基板の温度は、約１５０℃よりも低い請求項１に記載の方法。
【請求項９】
Ｓｂ−Ｔｅ堆積サイクルをさらに含み、前記Ｓｂ−Ｔｅ堆積サイクルは、
前記反応チャンバ内にＳｂ前駆体を含む第１の気相反応物質のパルスを提供して、前記基板に前記反応物質のほぼ一つの単分子層以下の層を形成する工程と、
前記反応チャンバから過剰な第１の気相反応物質を除去する工程と、
Ｔｅ前駆体が前記基板上で前記Ｓｂ前駆体と反応するように、前記反応チャンバに前記Ｔｅ前駆体を含む前記第２の気相反応物質のパルスを提供する工程であって、前記Ｔｅ前駆体は、Ｔｅ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、アルキル基である、工程と、
もしあれば、前記反応チャンバから過剰な第２の気相反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｔｅ前駆体は、Ｔｅ（ＳｉＥｔ３）２である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
Ｇｅ−Ｓｂ堆積サイクルをさらに含み、前記Ｇｅ−Ｓｂ堆積サイクルは、
前記反応チャンバ内にＧｅ前駆体を含む第１の気相反応物質のパルスを提供して、前記基板に前記Ｇｅ前駆体のほぼ一つの単分子層以下の層を形成する工程と、
前記反応チャンバから過剰な第１の気相反応物質を除去する工程と、
前記Ｓｂ前駆体が前記基板上で前記Ｇｅ前駆体と反応するように、前記反応チャンバに前記Ｓｂ前駆体を含む第２の気相反応物質のパルスを提供する工程と、
もしあれば、前記反応チャンバから過剰な第２の気相反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
複数のＴｅ堆積サイクルであって、各サイクルは、第３の前駆体及びＴｅを含む第４の前駆体のパルスを交互に連続的に行うことを含む、複数のＴｅ堆積サイクルと、
複数のＧｅ堆積サイクルであって、各サイクルは、第５の前駆体及びＧｅを含む第６の前駆体のパルスを交互に連続的に行うことを含む、複数のＧｅ堆積サイクルと、を含むさらに含み、基板にＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ薄膜を形成する請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の前駆体は、ハロゲン化アンチモンであり、前記第３の前駆体は、ハロゲン化アンチモンであり、Ｇｅを含む前記第６の前駆体は、ハロゲン化ゲルマニウムであり、Ｔｅを含む前記第４の前駆体は、Ｔｅ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）２を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基である請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記薄膜は、Ｇｅ３Ｓｂ６Ｔｅ５又はＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５を含む請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
複数のＳｅ堆積サイクルであって、各サイクルは、第３の前駆体及びＳｅを含む第４の前駆体のパルスを交互に連続的に行うことを含む、複数のＳｅ堆積サイクルと、
複数のＧｅ堆積サイクルであって、各サイクルは、第５の前駆体及びＧｅを含む第６の前駆体のパルスを交互に連続的に行うことを含む、複数のＧｅ堆積サイクルと、をさらに含み、基板にＧｅ−Ｓｂ−Ｓｅ薄膜を形成する請求項５に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の気相反応物質は、Ｘ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｘは、Ｓｂ、Ａｓ、Ｂｉ又はＰである請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記第２の気相反応物質は、Ａｓ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基である請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の気相反応物質は、Ｓｂ（ＧｅＲ１Ｒ２Ｒ３）３を含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基である請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
第３の前駆体及び第４の前駆体のパルスを交互に連続的に行うことを含む第２の堆積サイクルであって、前記第４の前駆体はＡ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘを含み、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基であり、ＡはＳｂ，Ｔｅ又はＳｅであり、ＡがＳｂのときＸが３であり、ＡがＴｅ又はＳｅのときＸが２であり、ナノラミネート薄膜を堆積する、第２の堆積サイクルをさらに含む請求項５に記載の方法。
【請求項２０】
Ｓｂ前駆体を製造する方法であって、
ＩＡ族金属にＳｂを含む化合物を反応させることにより第１の生成物を形成する工程と、
次いで、Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＸを含む第２の反応物質と前記第１の生成物とを混合する工程であって、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、一又はそれ以上の炭素原子を有するアルキル基であり、Ｘは、ハロゲン原子であり、それにより、式Ｓｂ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）３を有する化合物を形成する工程と、を含む方法。
【請求項２１】
複数の堆積サイクルを含み、反応チャンバ内の基板に窒素を含む薄膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）方法であって、各サイクルは、
前記反応チャンバ内に第１の気相反応物質のパルスを提供して、前記基板に前記反応物質のほぼ一つの単分子層以下の層を形成し、前記第１の気相反応物質は遷移金属を含まない、工程と、
前記反応チャンバから過剰な第１の気相反応物質を除去する工程と、
第２の気相反応物質が前記基板上で前記第１の気相反応物質と反応して、窒素を含む薄膜を形成するように、前記反応チャンバに前記第２の気相反応物質のパルスを提供する工程であって、前記第２の気相反応物質は、Ｎ（ＡＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘＲ３−ｘを含み、Ｘは１から３であり、ＡはＳｉ、Ｓｎ、又はＧｅであり、Ｒ、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、直鎖状、環状、分枝又は置換された、アルキル基、水素基又はアリール基から独立に選択されうる、工程と、
もしあれば、前記反応チャンバから過剰な第２の気相反応物質及び反応副生成物を除去する工程と、を含む原子層堆積方法。
【請求項２２】
前記第２の気相反応物質は、式Ｎ（ＳｉＲ１Ｒ２Ｒ３）ｘＲ３−ｘを有する請求項２１に記載の方法。