Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月3日(2013.4.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層工程を除いて、印刷プロセス及び／又はコーティングプロセスによって第１の連続的なポリマー層（1; 1a）に対して穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）を付け加える工程Ａ）と、
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）に被覆（4; 1b、2b）を付け加えて、その結果、前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の穴（3; 3a）が、閉じられてボイド（5）を形成する工程Ｂ）と、
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）に前記被覆（4; 1b、2b）をつなぐ工程Ｃ）と、
電極（6a）が、前記第１の連続的なポリマー層（1; 1a）の外側に付け加えられ、電極（6b）が前記被覆（4; 1b、2b）の外側に付け加えられて、工程Ａ）乃至Ｃ）のうちの１つの前後に、電極（6a、6b）がお互いに独立してあるいは同時に付け加えられる工程Ｄ）と、
工程Ｃ）の後にあるいは工程C）に続く工程の後に得られた配置が帯電される工程Ｅ）と、を備えることを特徴とする、電気機械の変換器の製造プロセス。
【請求項２】
前記被覆が、穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）と、第２の連続的なポリマー層（1b）と、を備えて、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）が、前記第２の連続的なポリマー層（1b）の上に配置されて、第２のポリマー層（2b）の穴（3b）が前記第１のポリマー層（2a）の穴（3a）に対面配置されるように前記被覆が配置されているか、あるいは、
前記被覆が、第３の連続的なポリマー層（4）であることを特徴とする、請求項１に記載の製造プロセス。
【請求項３】
前記被覆は、印刷プロセス及び／又はコーティングプロセスにより、前記第２の連続的なポリマー層（1b）に対して穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）を付け加えることによって製造されることを特徴とする、請求項１に記載の製造プロセス。
【請求項４】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）が前記第１の連続的なポリマー層（1; 1a）に付け加えられた後に、前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の材料を単に部分的に硬化させることと、及び／又は、
前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）が前記第２の連続的なポリマー層（1b）に付け加えられた後に、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の材料を単に部分的に硬化させること、及び、
前記被覆（4; 1b、2b）が付け加えられた後に、前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の材料をさらに硬化させることと、及び／又は、
前記被覆（4; 1b、2b）が付け加えられた後に、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の材料をさらに硬化させることにより、
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）が、前記被覆（4; 1b、2b）につながれることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造プロセス。
【請求項５】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の取り付け及び／又は前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の取り付けは、ドクターブレード、スピンコーティング、浸漬コーティング、スプレーコーティング、カーテンコーティング、スロットダイコーティング、フレキソ印刷、グラビア印刷、タンポン印刷、ディジタル印刷、熱転写印刷、多孔性印刷、ローラー塗布工程及び／又はスクリーン印刷プロセスによる塗布によって行われることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造プロセス。
【請求項６】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の穴（3; 3a）が、穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）を真っ直ぐに貫通し、及び／又は、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の穴（3b）が、穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）を真っ直ぐに貫通することを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造プロセス。
【請求項７】
前記穴（3a）を有する第１のポリマー層（2a）の穴（3a）と前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の穴（3b）とが、前記被覆（1b、2b）を付け加える際に、前記穴（3a）を有する第１のポリマー層（2a）の１つの穴（3a）と前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の１つの穴（3b）とが部分的に又は完全に重なるように形成且つ配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の製造プロセス。
【請求項８】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）及び／又は前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）は、セルロースエステル、セルロースエーテル、ゴム誘導体、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル、アルキド樹脂、フェノール樹脂、アミノ樹脂、アミド樹脂、ケトン樹脂、キシレン-ホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリビニルエステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルエーテル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエステル、コポリエステル、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリウレタン及びこれらのポリマーの混合物から成るグループから選ばれた少なくとも１つのポリマーを備え、及び／又は、
前記第１の連続的なポリマー層（1; 1a）及び／又は前記第２の連続的なポリマー層（1b）及び／又は前記第３の連続的なポリマー層（4）は、ポリカーボネート、全フッ素置換されたあるいは部分的にフッ素化された重合体及び共重合体、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテル、ポリメタクリル酸メチル、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィン共重合体、ポリオレフィン及びこれらのポリマーの混合物から成るグループから選ばれた少なくとも１つのポリマーを備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造プロセス。
【請求項９】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）及び／又は前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）は、１つ以上の一液形のポリウレタン及び／又は１つ以上の二液形のポリウレタン及び／又は１つ以上の水性ポリウレタン分散液及び／又は１つ以上のポリウレタンホットメルト接着剤を備えることを特徴とする、請求項１又は２に記載の製造プロセス。
【請求項１０】
請求項１又は２に記載の製造プロセスによって製造されたことを特徴とする、電気機械の変換器。
【請求項１１】
前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）が異なった形状の穴（3; 3a）を有し、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）が異なった形状の穴（3b）を有し、好ましくは、前記穴（3; 3a）を有する第１のポリマー層（2; 2a）の穴（3; 3a）の少なくともいくつかが、非円形の断面領域を持った形状を、特にハニカム形状の構造を有し、及び／又は、前記穴（3b）を有する第２のポリマー層（2b）の穴（3b）の少なくともいくつかが、非円形の断面領域を持った形状を、特にハニカム形状の構造を有することを特徴とする、請求項１０に記載の電気機械の変換器。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月14日(2013.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のミラーを含む投影システムを有するＥＵＶリソグラフィ装置を用いて基板上にパターン付き放射ビームを投影する方法であって、
前記投影システムの最終ミラーを、前記基板の表面に実質的に垂直な方向に移動させる間に、前記投影システムを用いて、前記パターン付き放射ビームを前記基板上に投影させることと、
前記ミラーの前記移動に因る前記基板上での前記投影されたパターン付き放射ビームの望ましくない並進を実質的に補償するように前記最終ミラーを回転させることと、
を含む方法。
【請求項２】
前記最終ミラーの前記回転は、前記最終ミラーの前記移動と同期される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記リソグラフィ装置は、スキャン動作で前記基板を前記投影システムに対して移動させるスキャニング装置であり、前記最終ミラーの前記回転は、前記基板のスキャン動作の方向に実質的に垂直な軸周りである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
露光領域の外側部分における放射の強度は、前記露光領域のその他の部分における放射の強度より大きい、請求項１から３のいずれに記載の方法。
【請求項５】
前記基板の前記スキャン動作の速度は、時間間隔Ｔの間に、前記基板が前記パターン付き放射ビームによって画定される露光領域の幅に対応する距離を移動するような速度であり、
前記時間間隔Ｔの間に、前記最終ミラーは、初期位置から、前記初期位置から変位した位置に、また前記初期位置に戻るまで１以上の移動サイクルを経て移動し、前記最終ミラーは前記時間間隔Ｔの終わりにおいて、前記初期位置に戻る、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記基板の前記スキャン動作の速度は、時間間隔Ｔの間に、前記基板が前記パターン付き放射ビームによって画定される露光領域の幅に対応する距離を移動するような速度であり、
前記時間間隔Ｔの間に、前記最終ミラーは、初期向きから回転された向きに、また前記初期向きに戻るまで１以上の向きサイクルを経て移動し、前記最終ミラーは前記時間間隔Ｔの終わりにおいて、前記初期向きに戻る、請求項３または５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板の位置は、ターゲット部分の露光時は前記投影システムに対して固定され、前記ターゲット部分の前記露光は、時間間隔Ｔの間に行われ、
前記時間間隔Ｔの間に、前記最終ミラーは、初期位置から、前記初期位置から変位した位置に、また前記初期位置に戻るまで１以上の移動サイクルを経て移動し、前記最終ミラーは前記時間間隔Ｔの終わりにおいて、前記初期位置に戻る、請求項１または２に記載の方法。
【請求項８】
前記基板の前記位置は、ターゲット部分の露光時は前記投影システムに対して固定され、前記ターゲット部分の前記露光は、時間間隔Ｔの間に行われ、
前記時間間隔Ｔの間に、前記最終ミラーは、初期向きから回転された向きに、また前記初期向きに戻るまで１以上の向きサイクルを経て移動し、前記最終ミラーは、前記時間間隔Ｔの終わりにおいて、前記初期向きに戻る、請求項２または７に記載の方法。
【請求項９】
前記最終ミラーの前記初期位置は、前記最終ミラーの移動サイクルの間に前記最終ミラーが経験する様々な位置の１つの極端にある、請求項５または６に記載の方法。
【請求項１０】
複数のミラーを有する投影システムと、
基板を支持する基板テーブルと、
を含むＥＵＶリソグラフィ装置であって、
前記投影システムの最終ミラーが、パターン付き放射ビームを前記基板上に誘導するように構成され、
前記装置は、
前記投影システムの前記最終ミラーを、前記基板の表面に実質的に垂直な方向に移動させ、かつ前記ミラーの前記移動に因る前記基板上での前記投影されたパターン付き放射ビームの望ましくない並進を実質的に補償するような態様で前記最終ミラーを回転させるアクチュエータをさらに含む、装置。
【請求項１１】
前記アクチュエータは、前記最終ミラーの前記回転を、前記最終ミラーの前記移動と同期させるように構成される、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記リソグラフィ装置は、スキャン動作で前記基板を前記投影システムに対して移動させるスキャニング装置であり、前記最終ミラーの前記回転は、前記基板のスキャン動作の方向に実質的に垂直な軸周りである、請求項１０または１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記アクチュエータは、前記最終ミラーの初期位置が、前記最終ミラーの移動サイクルの間に前記最終ミラーが経験する様々な位置の１つの極端にあるように構成される、請求項１０から１２のいずれかに記載の装置。
【請求項１４】
前記投影システムは、少なくとも４つのミラーを含む、請求項１０から１３のいずれかに記載の装置。
【請求項１５】
前記アクチュエータは、高周波コンポーネントおよび低周波コンポーネントを含む制御システムによって制御される、請求項１０から１４のいずれかに記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月1日(2013.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本開示の様々な修正及び変更は、本開示の範囲及び原理から逸脱することなく当業者には明白であり、また、本発明は、上記で説明した例示的な実施形態に不当に限定して理解すべきではない。本発明の実施態様の一部を以下の項目１−３５に列記する。
［１］
式ＰｔｘＭ（１−ｘ）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．９であり、ＭはＮｂ、Ｂｉ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ及びＺｒからなる群から選択される、燃料電池触媒。
［２］
ＭがＮｂであり、ｘが０．６〜０．９である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［３］
ｘが０．７〜０．８である、項目２に記載の燃料電池触媒。
［４］
ＭがＢｉであり、ｘが０．６〜０．９である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［５］
ｘが０．６５〜０．７５である、項目４に記載の燃料電池触媒。
［６］
ＭがＲｅであり、ｘが０．５２〜０．９０である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［７］
ｘが０．５２〜０．６９である、項目６に記載の燃料電池触媒。
［８］
ＭがＣｕであり、ｘが０．３０〜０．８である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［９］
ｘが０．３２〜０．４２である、項目８に記載の燃料電池触媒。
［１０］
ＭがＨｆであり、ｘが０．６５〜０．９３である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［１１］
ｘが０．７２〜０．８２である、項目１０に記載の燃料電池触媒。
［１２］
ＭがＺｒであり、ｘが０．６０〜０．９である、項目１に記載の燃料電池触媒。
［１３］
ｘが０．６６〜０．８である、項目１２に記載の燃料電池触媒。
［１４］
式Ｐｔｘ（ＬｉＦ）（１−ｘ）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．９である、燃料電池触媒。
［１５］
ｘが０．５〜０．８である、項目１４に記載の燃料電池触媒。
［１６］
式ＰｔａＣｏｂＭｃに従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、ａは０．３〜０．９であり、ｂは０．０５を超え、ｃは０．０５を超え、ＭはＡｕ、Ｚｒ及びＩｒからなる群から選択される、燃料電池触媒。
［１７］
前記触媒材料が式ＰｔｘＣｏ（ｘ／２．２）Ａｕ（１−ｘ−ｘ／２．２）に従い、式中、ｘが０．５３〜０．５８である、項目１６に記載の燃料電池触媒。
［１８］
前記触媒材料が式Ｐｔ（１−ｘ−ｙ）ＣｏｘＺｒｙに従い、式中、ｘ及びｙは、条件２ｙ＋ｘ＞０．３５、４ｙ＋ｘ＜１．００及びｘ＜０．７を満たす、項目１６に記載の燃料電池触媒。
［１９］
前記触媒材料が式ＰｔｘＣｏ（ｘ／３．９）Ｉｒ（１−ｘ−ｘ／３．９）に従い、式中、ｘが０．６３〜０．７６である、項目１６に記載の燃料電池触媒。
［２０］
ｘが０．６５〜０．６９である、項目１９に記載の燃料電池触媒。
［２１］
式ＰｔａＴｉｂＱｃに従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、ａは０．３〜０．９であり、ｂは０．０５を超え、ｃは０．０５を超え、ＱはＣ及びＢからなる群から選択される、燃料電池触媒。
［２２］
ＱがＣである、項目２１に記載の燃料電池触媒。
［２３］
前記触媒材料が式Ｐｔ０．５（ＴｉｘＣ（１−ｘ））０．５に従い、式中、ｘが０．３〜０．８２である、項目２１に記載の燃料電池触媒。
［２４］
ｘが０．４〜０．７０である、項目２３に記載の燃料電池触媒。
［２５］
前記触媒材料が式Ｐｔｘ（ＴｉＣ）（（１−ｘ）／２）に従い、式中、ｘが０．４〜０．７である、項目２１に記載の燃料電池触媒。
［２６］
ＱがＢである、項目２１に記載の燃料電池触媒。
［２７］
前記触媒材料が式Ｐｔ０．４（ＴｉｘＢ（１−ｘ））０．６に従い、式中、ｘが０．１０〜０．８８である、項目２１に記載の燃料電池触媒。
［２８］
ｘが０．５２〜０．８２である、項目２７に記載の燃料電池触媒。
［２９］
式Ｐｔｘ（ＳｉＯ２）（（１−ｘ）／３）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．７〜０．９５である、燃料電池触媒。
［３０］
式Ｐｔｘ（ＺｒＯ２）（（１−ｘ）／３）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．６５〜０．８である、燃料電池触媒。
［３１］
式Ｐｔｘ（Ａｌ２Ｏ３）（２（１−ｘ）／５）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．７である、燃料電池触媒。
［３２］
式Ｐｔｘ（ＴｉＳｉ２）（（１−ｘ）／３）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．８〜０．９５である、燃料電池触媒。
［３３］
式Ｐｔｘ（ＴｉＯ２）（（１−ｘ）／３）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．７である、燃料電池触媒。
［３４］
式Ｐｔ（１−ｘ）（ミッシュメタル）ｘに従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．４〜０．８５である、燃料電池触媒。
［３５］
式Ｐｔｘ（Ｃｏ０．９Ｍｎ０．１）（ｘ／１．７）（ＳｉＯ２）（（１−ｘ−ｘ／１．７）／３）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．６である、燃料電池触媒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＰｔｘＭ（１−ｘ）に従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ｘは０．３〜０．９であり、ＭはＮｂ、Ｂｉ、Ｒｅ、Ｈｆ、Ｃｕ及びＺｒからなる群から選択される、燃料電池触媒。
【請求項２】
式ＰｔａＣｏｂＭｃに従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、ａは０．３〜０．９であり、ｂは０．０５を超え、ｃは０．０５を超え、ＭはＡｕ、Ｚｒ及びＩｒからなる群から選択される、燃料電池触媒。
【請求項３】
式ＰｔａＴｉｂＱｃに従う触媒材料を含むナノスケールの触媒粒子の薄膜を有するミクロ構造担持ウィスカーを含むナノ構造要素を含む燃料電池触媒であって、式中、ａ＋ｂ＋ｃ＝１であり、ａは０．３〜０．９であり、ｂは０．０５を超え、ｃは０．０５を超え、ＱはＣ及びＢからなる群から選択される、燃料電池触媒。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月15日(2013.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁であって、
入口ボアと、該入口ボアと流体連通状態にある出口ボアと、前記入口ボアと前記出口ボアとの間に形成されたオフセット部とを有する弁体と、
前記入口ボアと前記出口ボアの接合部で前記弁体に回転可能に結合された弁プレートとを備え、
前記弁プレートの少なくとも一部分は、前記オフセット部とシールを形成している、
ことを特徴とする弁。
【請求項２】
前記入口ボアと前記出口ボアは、ほぼ同一の直径を有する、
請求項１記載の弁。
【請求項３】
前記入口ボアと前記出口ボアは、互いに異なる直径を有する、
請求項１記載の弁。
【請求項４】
前記入口ボア及び前記出口ボアの少なくとも一方は、円筒形の断面を有する、
請求項１記載の弁。
【請求項５】
前記弁プレートに結合され、回転軸線を定めるシャフトを更に有する、
請求項１記載の弁。
【請求項６】
前記シャフトは、前記弁プレートと一体である、
請求項５記載の弁。
【請求項７】
前記シャフトは、前記弁プレートの中心の付近に設けられている、
請求項５記載の弁。
【請求項８】
前記シャフトは、前記弁プレートの中心からオフセットしている、
請求項５記載の弁。
【請求項９】
前記弁プレートは、前記オフセット部と面シールを形成する、
請求項１記載の弁。
【請求項１０】
前記弁プレートは、前記入口ボア及び前記出口ボアの一方の表面と周方向シールを形成する、
請求項１記載の弁。
【請求項１１】
前記弁プレートは、開放位置と閉鎖位置との間で回転する、
請求項１記載の弁。
【請求項１２】
前記オフセットは、約０．００１インチ（０．０２５４ｍｍ）から前記シャフトの約直径までの長さである、
請求項５記載の弁。
【請求項１３】
前記入口ボアと前記出口ボアは、同一の中心軸線を有する、
請求項１記載の弁。
【請求項１４】
前記入口ボア又は前記出口ボアの一部分は、前記弁プレートの縁に隣接して異形表面を有し、前記弁プレートが閉鎖位置から開放位置に向かって回転しているとき、前記弁プレートの遠位縁と前記異形表面との間に実質的に一定の距離が維持される、
請求項１記載の弁。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
5-FUまたは他のチミジル酸シンターゼ阻害剤による治療に対するがん患者の応答を予測する方法であって、患者由来のがん組織サンプル中のH3K4me2、H3K9me2もしくはH3K18acまたはそれらの組合せについてのグローバルヒストン修飾レベルを測定することを含む、方法。
【請求項２】
低レベルのヒストン修飾の存在が、5-FUまたは他のチミジル酸シンターゼ阻害剤で治療したときのより不良な予後または生存率を示し、H3K4me2、H3K9me2またはH3K18acについての高いグローバルヒストン修飾レベルが、5-FUまたは他のチミジル酸シンターゼ阻害剤で治療したときのより良好な生存予後を示す、請求項１の方法であって、ここで高レベルと低レベルの間のカットオフは、既知の処置生存または予後のチミジル酸シンターゼ阻害剤処置したがん患者の比較群について観察されるグローバルヒストン修飾レベルの統計的分析に基づく、方法。
【請求項３】
患者がリンパ節転位陰性のがんを有するかもしくは５−フルオロウラシルを投与されている、請求項１の方法。
【請求項４】
ヒストン修飾H3K4me2、H3K9me2またはH3K18acの陽性腫瘍細胞染色を用いて患者を低または高染色として分類する、請求項１〜３のいずれか１項の方法であって、ここで、低染色分類がより不良な全体的生存の予後を支持する、方法。
【請求項５】
予後がH3K4me2およびH3K18ac両方のヒストン修飾レベルに基づく、請求項１〜３のいずれか１項の方法であって、ここで、H3K4me2およびH3K18ac両方についての低ヒストン修飾レベルがより低い生存可能性を予測する、方法。
【請求項６】
ヒストン修飾レベルが免疫細胞化学または免疫組織化学によって測定される、請求項４の方法。
【請求項７】
H3K4me2、H3K9me2およびH3K18acから選択されるヒストン修飾の２つまたは３つについてのヒストン修飾レベルが、予後を提供するために使用される、請求項１の方法。
【請求項８】
がんが膵臓がんである、請求項１の方法。
【請求項９】
分類がヒストンルール（histone rule）に基づく、請求項１の方法。
【請求項１０】
がんが腺がんである、請求項１〜９のいずれか１項の方法。
【請求項１１】
がんが低グレードまたは低ステージのがんである、請求項１０の方法。
【請求項１２】
ヒストン修飾について低いレベルと高いレベルを分けるカットオフが、H3K9dimeについて約≧３０％、H3K4me2について約＞６０％またはH3K18acについて約＞３５％染色である、請求項１〜１１のいずれか１項の方法。.
【請求項１３】
5-FUまたは他のがん治療に加えてヒストンデアセチラーゼ阻害剤の投与が有益ながん患者を同定する方法であって、患者の膵臓がん由来組織サンプル中のH3K18acヒストン修飾のレベルを測定することを含み、ここで、低レベルの修飾はヒストンデアセチラーゼ阻害剤が有益であることの指標であり、ここで、高レベルと低レベルの間のカットオフが、既知の生存または予後のがん患者の比較群について得られたH3K18acグローバルヒストン修飾レベルに基づく、方法。
【請求項１４】
5-FUおよび阻害剤が患者を処置するために選択され、患者がそのように処置されるかまたはそのように助言される、請求項１３の方法。
【請求項１５】
がんが低グレードまたは低ステージのがんである、請求項１３の方法。
【請求項１６】
膵臓がんについての予後を提供する方法であって、
(a) H3K4me2、H3K9me2およびH3K18acからなる群から選択される修飾されたヒストンタンパク質と特異的に結合する抗体と患者由来のがん組織サンプルとを接触させ；そして
(b) 結果既知の比較集団について観察されるレベルと比較して、該組織サンプル中の該修飾されたヒストンタンパク質のレベルを測定し；それにより、該がんについての予後を提供すること
を含む、方法。
【請求項１７】
低レベルの該修飾されたヒストンタンパク質の存在が、生存についてのより不良な予後を示し、高レベルの該修飾されたヒストンタンパク質の存在が、生存についてのより良好な予後を示す、請求項１６の方法。
【請求項１８】
チミジル酸シンターゼ阻害剤が5-FUであり、H3K9me2およびH3K18acの両方のヒストン修飾レベルを決定することを含む、請求項１６の方法。
【請求項１９】
ゲムシタビンまたはチミジル酸シンターゼ阻害剤ではない薬物による治療が、チミジル酸シンターゼ阻害剤のみまたはチミジル酸シンターゼ阻害剤とロイコボリンによる治療よりも好ましいがん患者を同定する方法であって、患者のがん由来組織サンプル中のH3K18acヒストン修飾のレベルを測定することを含み、ここで、カットオフと比較して修飾のレベルが低いことがゲムシタビンまたは前記薬物による治療が好ましいことを示す、方法。
【請求項２０】
患者がゲムシタビンを投与される、請求項１９の方法。
【請求項２１】
チミジル酸シンターゼ阻害剤が5-FUである、請求項１９または２０の方法。
【請求項２２】
がんが膵臓がんである、請求項１９の方法。
【請求項２３】
カットオフが、既知の生存または予後のチミジル酸シンターゼ阻害剤処置がん患者の比較群について観察されるグローバルヒストン修飾レベルの統計的分析に基づく請求項１９の方法であって、ここで、カットオフが１年生存によって判断して、治療に対する応答において少なくとも２０％異なる２つの集団に比較群を区分する、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月13日(2012.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排ガス処理装置のための実質的に耐亀裂性の取付マットであって、
対向する主表面を有する少なくとも１つの層と、
前記主表面の少なくとも一方の少なくとも一部に施された補強コーティング層と、
を含み、前記補強コーティング層が前記取付マットの性能特性に実質的に影響を与えず、補強コーティング層の無い同じ取付マットと比較して前記取付マットの耐亀裂性を高める、
ことを特徴とする取付マット。
【請求項２】
前記層が無機繊維を含み、
前記無機繊維が、高アルミナ多結晶繊維、セラミック繊維、ムライト繊維、ガラス繊維、生体溶解性繊維、クォーツ繊維、シリカ繊維、及びこれらの混合物からなる群から選択され、
前記高アルミナ多結晶繊維が、約７２〜約１００質量パーセントのアルミナ及び約０〜約２８質量パーセントのシリカからなる繊維化生成物を含み、
又は前記セラミック繊維が、約４５〜約７２質量パーセントのアルミナ及び約２８〜約５５質量パーセントのシリカからなる繊維化生成物を含むアルミノシリケート繊維を含み、
又は前記生体溶解性繊維が、約６５〜約８６質量パーセントのシリカと、約１４〜約３５質量パーセントのマグネシアと、約５質量パーセント以下の不純物とからなる繊維化生成物を含むマグネシアシリカ繊維を含み、
又は前記生体溶解性繊維が、約４５〜約９０質量パーセントのシリカと、０よりも多く約４５質量パーセントまでのカルシアと、０よりも多く約３５質量パーセントまでのマグネシアとからなる繊維化生成物を含むカルシアマグネシアシリカ繊維を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項３】
前記層が、未膨張バーミキュライト、イオン交換バーミキュライト、熱処理バーミキュライト、膨張性グラファイト、ハイドロバイオタイト、水膨潤性四ケイ素フッ素マイカ、アルカリ金属シリケート、又はこれらの混合物から選択された膨張材料を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項４】
前記補強コーティング層が、有機ラテックスを含み、
前記有機ラテックスが、アクリルラテックスを含み、
前記アクリルラテックスが、前記取付マットの乾燥質量に基づいて、前記取付マットに約０．０１〜約２質量パーセントの量で施される、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項５】
前記補強コーティング層が、前記取付マットの少なくとも一方の主表面に連続コーティングとして施され、
前記連続コーティングが、前記取付マットの前記主表面全体にわたって実質的に均一である、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項６】
前記補強コーティング層が、前記取付マットの質量に基づいて、約０．０１〜約０．５質量パーセントの量の紫外光検出可能色素をさらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項７】
前記補強コーティング層が、酸化防止剤をさらに含み、
前記酸化防止剤が、一次酸化防止剤、二次酸化防止剤、多機能酸化防止剤、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項８】
前記層が、少なくとも２つの層を含み、
前記２つの層が、（ａ）少なくとも１つの非膨張層と少なくとも１つの膨張層、（ｂ）少なくとも２つの膨張層、（ｃ）少なくとも２つの非膨張層、（ｄ）２つの非膨張層間に挟まれた膨張層、又は（ｅ）２つの膨張層間に挟まれた非膨張層を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の取付マット。
【請求項９】
ハウジングと、
前記ハウジング内に取り付けられた脆弱な触媒担体構造と、
前記ハウジングと前記脆弱な触媒担体構造の間の間隙内に配置された、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の取付マットと、
を含むことを特徴とする排ガス処理装置。
【請求項１０】
脆弱な触媒担体構造を排ガス処理装置のハウジング内に保持するための、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の取付マットを作製する方法であって、
対向する主表面を有する膨張層、非膨張層、又はハイブリッド層を提供又は準備するステップと、
前記層の前記主表面の少なくとも一方の少なくとも一部に可撓性補強コーティング層を施すステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１１】
排ガス処理装置のためのエンドコーンであって、
外側金属コーンと、
内側金属コーンと、
前記外側金属エンドコーンと内側金属エンドコーンの間に配置されたコーン絶縁体と、
を含み、前記コーン絶縁体が、対向する主表面を有する膨張層、非膨張層、又はハイブリッド層と、前記主表面の少なくとも一方の少なくとも一部に施された補強コーティング層とを含み、前記補強コーティング層が前記コーン絶縁体の性能特性に実質的に影響を与えず、補強コーティング層の無い同じコーン絶縁体と比較して前記コーン絶縁体の耐亀裂性を高める、
ことを特徴とする排ガス処理装置のためのエンドコーン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
いくつかの実施形態によれば、取付マットを準備するために使用する耐熱性無機繊維がセラミック繊維を含む。限定ではないが、好適なセラミック繊維として、アルミナ繊維、アルミナシリカ繊維、アルミナジルコニアシリカ繊維、ジルコニアシリカ繊維、ジルコニア繊維及び同様の繊維が挙げられる。有用なアルミナシリカセラミック繊維が、Ｕｎｉｆｒａｘ  Ｉ  ＬＬＣ社（ニューヨーク州ナイアガラフォールズ）からＦＩＢＥＲＦＲＡＸという登録商標で市販されている。ＦＩＢＥＲＦＲＡＸセラミック繊維は、約４５〜約７５重量（又は質量、以下同様）パーセントのアルミナ及び約２５〜約５５重量パーセントのシリカからなる繊維化生成物を含む。ＦＩＢＥＲＦＲＡＸ繊維は、最高約１５４０℃の動作温度及び最高約１８７０℃の融点を示す。ＦＩＢＥＲＦＲＡＸ繊維は、耐熱シート及び耐熱紙に容易に形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙によって離隔されつつ、互いに対向する第１の主表面及び第２の主表面を備える光学構造物であって、
前記第１の主表面及び前記第２の主表面は、前記空隙内の第１の位置において互いに物理的に接触し易く、
前記光学構造物は、前記第１の主表面及び前記第２の主表面が前記第１の位置において互いに接触するのを防止するために、前記第１の位置に配置された光学フィルムを備え、
前記光学フィルムは、約１．３以下の実効屈折率を有する、光学構造物。
【請求項２】
第１の光学層と、
第２の光学層、および、前記第１の光学層と前記第２の光学層との間に配置され、約１．３以下の実効屈折率を有する光学フィルムを含む、光学構造物と、
前記第１の光学層と前記光学フィルムとを物理的に接触させたときに、前記第１の光学層と前記第２の光学層との間で光結合が発生しないように、前記第１の光学層と前記光学構造物との間に配置された空隙と、を備え、
前記光学構造物における２つの隣接する主表面の各々の相当部分は、互いに物理的に接触する、光学アセンブリ。
【請求項３】
光ガイドと、
前記光ガイドの縁部に沿って配置された１つ以上のランプと、
前記光ガイドが物体と物理的に接触したときの光損失を防止するために、前記光ガイドの少なくとも一部に配置された光学フィルムと、を備え、
前記光学フィルムは、約１マイクロメートル以上の厚さ、及び約１．３以下の実効屈折率を有する、光源。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月27日(2013.3.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを切断するためのブレードレス光ファイバ切断装置であって、
略平面状の支持トレイを介して相互に連結される第１のクランプ及び第２のクランプであって、前記第２のクランプが前記第１のクランプ対して前記光ファイバの軸に沿って移動可能であり、前記第１及び第２のクランプがそれぞれ、前記光ファイバの一部を受容する、第１のクランプ及び第２のクランプと、
前記光ファイバの剥離部分に張力を生成するための軸方向張力機構であって、張力下にある前記ファイバの前記剥離部分が、前記光ファイバに傷を付ける可撓性研磨材から接触を受けるように露出される、軸方向張力機構と、を含むブレードレス光ファイバ切断装置。
【請求項２】
前記シャトル装置が前記第１の位置から前記第２の位置まで移動する間に、前記可撓性研磨材が前記光ファイバに接触する、請求項１に記載のブレードレス光ファイバ切断工具。
【請求項３】
前記可撓性研磨材が、研磨剤でコーティングされた金属ワイヤ及び研磨剤でコーティングされた長繊維の一方を含む、請求項１に記載のブレードレス光ファイバ切断工具。
【請求項４】
光ファイバを切断する方法であって、
略平面状の支持トレイを介して相互に連結され、第２のクランプが第１のクランプに対して前記光ファイバの軸に沿って移動可能である、前記第１のクランプ及び第２のクランプと、前記光ファイバの剥離部分に歪み力を生成するための機構と、を含む光ファイバ切断工具を用意する工程と、
前記剥離されたファイバ部分を形成するために、前記光ファイバの一部を剥離する工程と、
前記光ファイバの第１の部分を前記第１のクランプの中に配置し、前記光ファイバの前記剥離部分を前記第２のクランプの上に延ばす工程と、
前記第１のクランプから離れた前記第２のクランプの中に保持された前記ファイバに軸方向張力を生成する工程と、
前記ファイバの表面に傷を付けるために、前記第１のクランプと前記第２のクランプとの間の前記剥離されたファイバの表面に可撓性研磨材を適用する工程と、を含む、光ファイバを切断する方法。
【請求項５】
前記可撓性研磨材が、前記トレイの第１の位置から第２の位置へと横方向に移動するシャトル装置上に配置され、前記シャトル装置が前記第１の位置から前記第２の位置へと移動している間に、前記可撓性研磨材が前記光ファイバと接触する、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年11月15日(2012.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）表示エリアを有する基板と、
ｂ）前記基板の表面上に形成される接着層と、
ｃ）前記基板に接着され、前記表示エリア内に分散される複数のチップレットであって、各チップレットは１つ又は複数の接続パッドを有し、各チップレットは５つ以上の辺を有する、複数のチップレットと、
ｄ）前記表示エリア内の前記接着層上に形成される複数のピクセルであって、各ピクセルは、１つのチップレットの接続パッドに電気的に接続されるボトム電極と、該ボトム電極上に形成される１つ又は複数の発光材料層と、該１つ又は複数の発光材料層上に形成されるトップ電極とを有する、複数のピクセルと、
ｅ）前記トップ電極上に配置され、前記基板に接着されるカバーと、
を備える、ディスプレイデバイス。
【請求項２】
前記ディスプレイデバイスは２つの推奨軸を有するフレキシブルディスプレイデバイスであり、該推奨軸を中心に前記ディスプレイデバイスが曲げられ、前記チップレットは、該推奨軸がチップレット対称軸と平行になるように向けられる、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項３】
前記チップレットは、多角形である形状を有する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項４】
前記チップレットは、六角形又は八角形である形状を有する、請求項３に記載のディスプレイデバイス。
【請求項５】
前記チップレットは、凹部及び凸部の両方を有する形状を有する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項６】
前記基板又は前記カバーは可撓性である、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項７】
前記チップレットは２０ミクロン厚未満である、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項８】
前記チップレットは行及び列に配列され、２次元アレイを形成する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項９】
前記チップレットは共通の向きに配列される、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１０】
前記接続パッドは前記チップレットの周縁を回って配置される、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１１】
前記チップレットの中心に接続パッドが配置されるか、又は該チップレットの中心を通り抜けるライン上に接続パッドが配置される、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１２】
前記基板上に形成される１つ又は複数のバスワイヤをさらに備え、各バスワイヤは少なくとも１つの接続パッドに接続される、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１３】
前記バスワイヤ（複数可）は、前記基板上の単一の層内に形成される、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１４】
前記１つ又は複数のバスワイヤは、チップレット上の別々の第１の接続パッド及び第２の接続パッドに接続され、該第１の接続パッド及び該第２の接続パッドは該チップレット内で電気的に接続される、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１５】
少なくとも１つのバスワイヤが、複数のチップレットの接続パッドに接続される、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１６】
前記１つ又は複数のバスワイヤは、前記表示エリア内の前記基板上に２次元格子を形成する、請求項１２に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１７】
前記ディスプレイデバイスは推奨湾曲方向を有し、前記基板上に形成され、前記接続パッドに接続される少なくとも１つの長いバスワイヤ及び少なくとも１つの短いバスワイヤをさらに備え、該長いバスワイヤ（複数可）は前記推奨湾曲軸の方向に形成される、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【請求項１８】
ａ）表示エリアを有する基板と、
ｂ）前記基板の表面上に形成される接着層と、
ｃ）前記基板に接着され、前記表示エリア内に分散される複数のチップレットであって、各チップレットは１つ又は複数の接続パッドを有し、各チップレットはプラス記号の形の形状を有する、複数のチップレットと、
ｄ）前記表示エリア内の前記接着層上に形成される複数のピクセルであって、各ピクセルは、１つのチップレットの接続パッドに電気的に接続されるボトム電極と、該ボトム電極上に形成される１つ又は複数の発光材料層と、該１つ又は複数の発光材料層上に形成されるトップ電極とを有する、複数のピクセルと、
ｅ）前記トップ電極上に配置され、前記基板に接着されるカバーと、
を備える、ディスプレイデバイス。
【請求項１９】
前記ディスプレイデバイスは２つの推奨軸を有するフレキシブルディスプレイデバイスであり、該推奨軸を中心に前記ディスプレイデバイスが曲げられ、前記チップレットは、該推奨軸がチップレット対称軸と平行になるように向けられ、前記チップレットの２つの最も長い直交する延長部は該推奨軸と平行に向けられる、請求項１８に記載のディスプレイデバイス。
【請求項２０】
前記ディスプレイデバイスは２つの推奨軸を有するフレキシブルディスプレイデバイスであり、該推奨軸を中心に前記ディスプレイデバイスが曲げられ、前記チップレットは、該推奨軸がチップレット対称軸と平行になるように向けられ、前記チップレットの２つの最も短い直交する直径は該推奨軸と平行に向けられる、請求項１９に記載のディスプレイデバイス。
【請求項２１】
前記チップレットは、正多角形である形状を有する、請求項１に記載のディスプレイデバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月19日(2013.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層とその第１の層の上に設けられた第２および第３の層とを含む媒体であって、前記第１の層は、第１の周波数の電磁放射に反応して可視的な変化を示し、
前記第２の層は、第２の周波数の電磁放射に反応して、該第２の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に透明である第１の状態から、該第２の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に不透明である第２の状態に変化し、
前記第３の層は第１の周波数の光が前記第１の層に作用することを阻止すべく選択的にアレンジされる、媒体。
【請求項２】
前記第３の層は、第３の周波数の電磁放射に反応して、該第３の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に不透明である第１の状態から、該第３の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に透明である第２の状態に変化する、請求項１に記載の媒体。
【請求項３】
前記第２の層は前記第３の層と前記第１の層との間に配置され、前記第３の層は第３の周波数に応じて第２の周波数に対し実質的に透明になるようにアレンジされる、請求項２に記載の媒体。
【請求項４】
前記第１の状態から前記第２の状態への前記第３の層の変化は不可逆的である、請求項２又は３に記載の媒体。
【請求項５】
前記第１及び/又は第２の層のそれぞれの前記第１の状態から前記第２の状態への変化は不可逆的である、請求項１乃至４のいずれかに記載の媒体。
【請求項６】
前記第３の層を覆うレンチキュラー層を含む、請求項１乃至５のいずれかに記載の媒体。
【請求項７】
前記第３の層は、前記第１の周波数の電磁放射が前記第１の層に作用することを可能にするように取り外しできる、請求項１に記載の媒体。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の媒体に可視画像を書き込む方法であって、前記第１の層に可視画像を生成するために前記第１の層を第１の周波数の電磁放射に露出することを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
続いて、前記第２の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に不透明となるように該第２の層を第２の電磁放射に露出することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
請求項２又は３に従属するとき、前記第１の層を第１の周波数の電磁放射に露出するステップの前に、前記第３の層が第１の周波数の電磁放射に対し実質的に透明になるように該第３の層を第３の電磁放射に露出することを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の層を第１の周波数の電磁放射に露出する前記ステップは、前記第１の層に可視画像を作製するように第１の周波数の電磁放射の空間分布及び／又は強度を制御することを含む、請求項８乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記空間分布は空間可変シャッタによって制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記空間分布は光学画像化装置によって制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記空間分布は、媒体に対し第１の周波数の電磁放射のビームを走査することによって制御される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
請求項８乃至１４にいずれかに記載の方法を行うようにアレンジされた装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月5日(2013.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射パターンを記録するためのセンサであって、
ブロックの外面の方へ垂直に傾く第１ブッシングと、前記第１ブッシングに対して角度αで傾き且つ前記外面の方向において前記第１ブッシングの方へ傾く少なくとも１つの追加的なブッシングと、を有するブロックであって、複数の前記ブッシングの中心軸が、前記外面から２〜１０ｍｍの距離にあり且つ同時にレーザーの焦点である位置で交差している、ブロックと、
前記第１ブッシング内に配置され、及び前記外面の方向にレーザービームを放射することができるレーザーと、
線形ビーム形状を形成するための光学素子と、
前記少なくとも１つの追加的なブッシング内に配置され且つ前記外面の方向に向けられた少なくとも１つの光検出器と、
追加的なセンサ又はマウントにセンサを接続するための接続手段と、を少なくとも具備するセンサ。
【請求項２】
互いに解放可能に接続されている、請求項１に記載の２つ以上のセンサを具備する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年4月2日(2013.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生体分析反応装置（６０）のためのカートリッジ（１０）において、該カートリッジ（１０）が、試料のための少なくとも１つの試料室（３４）を有しており、該少なくとも１つの試料室（３４）が壁部を有しており、該壁部を通じて試料を生体分析反応装置（６０）によって処理又は分析することができ、
前記カートリッジ（１０）が、ハウジング及びプラットフォーム（３０）を有しており、該プラットフォーム（３０）が少なくとも１つの試料室（３４）を有しており、
前記プラットフォーム（３０）が、前記ハウジングに可動に結合されており、作動手段を作動させることによって、前記プラットフォーム（３０）が、壁部がハウジングによって保護されている収容位置と、壁部がハウジングの外側に位置する延長位置との間を可動であることを特徴とする、生体分析反応装置（６０）のためのカートリッジ（１０）。
【請求項２】
少なくとも１つの試料室（３４）が、該少なくとも１つの試料室（３４）を充填するためのチャネルに接続されており、該チャネルが前記作動手段の近傍において終わっている、請求項１記載のカートリッジ（１０）。
【請求項３】
前記チャネルの一部が、作動手段内に配置されている、請求項２記載のカートリッジ（１０）。
【請求項４】
前記壁部が、プラットフォーム（３０）の第１の側に配置されており、前記プラットフォーム（３０）が、第１の側と反対の第２の側を有しており、延長位置におけるプラットフォームが、試料を処理又は分析するために生体分析反応装置（６０）によって、第１の側及び第２の側からアクセス可能である、請求項１記載のカートリッジ（１０）。
【請求項５】
前記プラットフォームが、ハウジングに回転可能に結合されている、請求項１記載のカートリッジ（１０）。
【請求項６】
前記作動手段が、軸であり、前記プラットフォームが、該プラットフォーム（３０）を回転軸線を中心にして回転させるために前記軸に結合されている、請求項５記載のカートリッジ（１０）。
【請求項７】
前記プラットフォームが、ハウジングに摺動可能に結合されている、請求項１記載のカートリッジ（１０）。
【請求項８】
前記少なくとも１つの試料室（３４）が、壁部を形成する箔によって被覆された、プラットフォーム（３０）における開口によって形成されている、請求項１記載のカートリッジ（１０）。
【請求項９】
請求項１のカートリッジ（１０）を収容するためのスロットを有する生体分析反応装置（６０）において、カートリッジ（１０）のプラットフォーム（３０）を延長及び収容するためのアクチュエータを有することを特徴とする、生体分析反応装置（６０）。
【請求項１０】
少なくとも１つの試料室（３４）を充填するための貯蔵部を有しており、該貯蔵部が、プラットフォーム（３０）を移動させるための作動手段を備えるアクチュエータの機械的な接続部において終わったラインを介して、少なくとも１つの試料室（３４）に接続されている、請求項９記載の生体分析反応装置（６０）。
【請求項１１】
スロットにおけるカートリッジ（１０）の存在を検出するためのカートリッジ存在センサを有する、請求項９記載の生体分析反応装置（６０）。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月15日(2013.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線治療を受ける患者の皮膚に接着する基材、および該基材によって支持され、放射線の照射を受けると酸化状態が変化する蛍燐光体を有することを特徴とする放射線線量測定パッチ。
【請求項２】
前記基材が可撓性である請求項１に記載の放射線線量測定パッチ。
【請求項３】
前記パッチが一つかそれ以上のロケーターマーキングを有する請求項１または２に記載の放射線線量測定パッチ。
【請求項４】
前記パッチがひとつかそれ以上のバーコードマーキングを有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線線量測定パッチ。
【請求項５】
放射線治療の照射放射線に反応して前記蛍燐光体の酸化状態が変化し、該治療の該照射放射線線量を記録する請求項１〜４のいずれか１項に記載の放射線線量測定パッチ。
【請求項６】
前記蛍燐光体が、前記治療の前記照射放射線線量の分布を記録する請求項５に記載の放射線線量測定パッチ。
【請求項７】
放射線治療中患者の放射線被曝をモニタリングする方法であって、該患者の放射線照射側の所定位置において少なくとも一つの蛍燐光体パッチを該患者の皮膚に貼り付けることからなり、このさいに該蛍燐光体パッチとして、基材と、そしてこの基材によって支持され、放射線を照射すると酸化状態が変化する蛍燐光体とからなるパッチを使用し、そしてさらに該蛍燐光体の刺激および蛍燐光体反応の検出によって該蛍燐光体パッチの該蛍燐光体を参照することを含むことを特徴とする上記モニタリング方法。
【請求項８】
前記少なくとも一つの蛍燐光体パッチが複数の蛍燐光体位置を含み、そして前記参照が前記複数の蛍燐光体位置を参照し、放射線被曝の分布を検出することを含む請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の蛍燐光体位置を離散的な蛍燐光体領域によって形成する請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の蛍燐光体位置が独立した一つの蛍燐光体領域内にある請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記参照が前記複数の蛍燐光体位置の同時刺激、および前記複数の蛍燐光体位置の前記蛍燐光体反応のイメージの取り込みからなる請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記参照が、可動の参照ヘッドによって前記複数の蛍燐光体領域を個別に参照することからなる請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記可動の参照処理ヘッドが、蛍燐光体領域に対する前記参照ヘッドの目的位置を表示するインジケーターを有する請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
放射線治療において患者の放射線被曝を検出するさいに使用する放射線線量測定プローブであって、該プローブの一部に設けた放射線検出蛍燐光体、および該蛍燐光体を目的の位置に案内する手段を備えたプローブ本体を有することを特徴とする放射線線量測定プローブ。
【請求項１５】
放射線治療中患者の放射線被曝をモニタリングする方法であって、放射線線量測定プローブの一部に放射線検出蛍燐光体を形成した放射線線量測定プローブおよび該蛍燐光体を案内する手段を有するプローブ本体を準備し、前記患者の放射線治療位置に近接して前記蛍燐光体が設けられるように前記プローブを案内し、そして前記蛍燐光体の刺激および蛍燐光体反応の検出を行うことによって前記蛍燐光体を参照することからなることを特徴とする該モニタリング方法。