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【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光検出器を備え、かつキャリア（Ｂ１）に個別ユニットとして取り付け可能な構造ユニット（Ｋ）であって、
前記構造ユニット（Ｋ）は、ガスセンサに関連する構成（Ａ）に含まれるように構成され、前記構成（Ａ）は、発光する第一手段（１）と、受光する第二手段（２）と、気体試料（Ｇ）中において前記第一手段（１）および前記第二手段（２）の間に光学的ゲージ長を形成および画定する第三手段（３）と、制御ユニット（２０）とを備えるように構成され、前記第二手段（２）は前記構造ユニット（Ｋ）を形成するように構成され、該構造ユニット（Ｋ）は複数の第一接続器具（４、４ａ）を備え、前記第一接続器具（４、４ａ）は、前記キャリア（Ｂ１）に付随する第二接続器具（（４）、（４ａ））への電気的接続設備として、前記構造ユニット（Ｋ）の第一表面部分（５）に沿って構成されるとともに配置される構造ユニットにおいて、
前記構造ユニット（Ｋ、２）は、アパチャを形成するために前記キャリア（Ｂ１）に形成された透光性凹部（Ｂａ）の近傍に取り付け又は配置可能に構成され、組み込み式の光電気センサ（４４）を含む前記構造ユニットは、前記キャリア（Ｂ１）の一側面（Ｂ１ａ）上に配置可能であり、前記発光する第一手段（１）は、前記キャリアの逆側の他側面（Ｂ１ｂ）から所定距離だけ離間した位置に、あるいは他側面（Ｂ１ｂ）に沿って配置可能であり、前記光電気センサ（４４）および該光電気センサの光感知表面領域は、透明、又は部分的に透明なカバープレート（４４ａ、４４ｂ）、あるいはフィルタ（４４ｂ’）によって保護されることを特徴とする構造ユニット。
【請求項２】
前記カバープレートは前記キャリアの側面の近傍に配置され、かつ前記凹部を覆うように寸法を定められ、前記カバープレートは、前記キャリアの一側面および他側面の少なくとも一方に直接的または間接的に取り付けられることを特徴とする請求項１に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項３】
前記カバープレートが光学干渉フィルタの形態を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項４】
前記凹部は表面拡張部を備え、該表面拡張部は、前記キャリアの一側面に連接する平面において、ダイアフラム開口部に画定されるとともに、前記光電気センサの全光感知表面領域の表面拡張部に接続され、かつ前記光電気センサの全光感知表面領域の表面拡張部より大きい、又は小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項５】
前記キャリアの凹部の表面拡張部が、前記光感知表面領域の中央表面部分に適合することを特徴とする請求項４に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項６】
前記凹部が０．２〜２０ｍｍ２の断面積を有することを特徴とする請求項１に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項７】
前記凹部が、前記キャリアを通って光の伝搬方向に０．１〜５ｍｍの長さを有することを特徴とする請求項１に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項８】
熱的被覆が、前記キャリアの側面に対して、前記第二手段を包囲するように構成されることを特徴とする請求項１に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項９】
前記凹部は前記キャリアを貫通するビアの形態を有し、当該ビアを形成する表面部分は高反射特性を示すように処理されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項１０】
前記キャリアは、プリント回路カードであることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載の光検出器を備えた構造ユニット。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項に記載のキャリアに一つ以上の個別の構造ユニットを取り付けるためのプロセスであって、
前記キャリアは、複数のプロセス工程において、連続的に完成品または半製品として形成され、前記キャリアは前記キャリアを横断する複数の凹部を備え、選択された個別の構造ユニットは、選択された凹部の近傍において前記キャリアの一側面上に配置されるように構成され、前記構造ユニットはセンサユニットを備えるように構成されるプロセスにおいて、
前記センサユニットに設けられるとともに、前記構造ユニットに配置され、かつ前記構造ユニットに形成された開口部に接続される感知表面領域は前記凹部と協働するように構成され、前記個別の構造ユニットは前記キャリアの第一表面領域に取り付けられ、前記凹部は、前記キャリアの他側面から前記感知表面領域に向かって要素を搬送するために、前記感知表面領域に向かう開口チャネルとして作用するように構成されることを特徴とするプロセス。
【請求項１２】
要素としてＩＲ光を選択することを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１３】
要素として圧力、正圧、負圧、または差圧を選択することを特徴とする請求項１１に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記開口チャネルを透明なカバープレートによって覆うことを特徴とする請求項１１または１２に記載のプロセス。
【請求項１５】
前記開口チャネルを干渉フィルタによって覆うことを特徴とする請求項１１または１２に記載のプロセス。
【請求項１６】
第二表面領域に向かう開口部に前記開口チャネルを覆うように干渉フィルタを構成することを特徴とする請求項１１、１２、または１４に記載のプロセス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光検出器を備えた構造ユニット及びその構造ユニットをキャリアへ取り付けるためのプロセス
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は一般に、光検出器を備えた構造ユニットに関し、次に構造ユニットをキャリアの一側面に取り付けるためのプロセスに関する。本発明は、より具体的には、プリント基板の形態のプリント回路カードやプリント基板組立品等のキャリアに対して、上記のような個別の構造ユニットを既知の方法で取り付け可能とするとともに、このようなプリント回路カードに配置された電気回路や電子回路に電気的に接続可能とする。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月5日(2013.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
階層構造における基材上又は前記階層構造の他の適切な層の表面上に、マイクロレリーフパターン、回折及び/又はホログラフィック表面レリーフパターンを含むレリーフパターンを形成し、次に、前記階層構造の後続処理の際に下層のレリーフパターンの保護する保護固定層を前記レリーフパターンの少なくとも一部に形成することを特徴とする階層構造の一部としてレリーフパターンを形成する方法。
【請求項２】
熱可塑性材料層の表面に前記レリーフパターンを形成することを含む請求項１に記載の形成方法。
【請求項３】
前記保護固定層は有機又は無機材料を含み、有機又は無機材料層の表面にレリーフパターンを形成することを含むことを特徴とする請求項１に記載の形成方法。
【請求項４】
前記後続処理の工程は、少なくとも前記保護固定層を覆うさらなる層の追加を伴うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項５】
前記さらなる層は、前記基材又は前記他の適切な層として、同一又は異なる材料から形成されることを特徴とする請求項４に記載の形成方法。
【請求項６】
前記階層構造の透明な前記層及び/又は透明な固定層の提供を含むことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項７】
不透明な固定層又は不透明な前記層を提供することを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項８】
金属処理された固定層及び/又は金属処理された前記層の提供を含むことを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項９】
前記固定層を選択的に配置することを含む請求項１乃至８の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１０】
前記選択された配置において前記固定層を堆積する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の形成方法。
【請求項１１】
前記固定層を電気化学的に配置する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の形成方法。
【請求項１２】
前記固定層の選択的配置を実現するための除去工程を含むことを特徴とする請求項９、１０、又は１１に記載の形成方法。
【請求項１３】
前記固定層を提供するための重ね刷り工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１２の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１４】
前記固定層は前記レリーフパターンの複製を提供するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１５】
前記固定層は前記階層構造内で電子回路要素を形成するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１６】
前記固定層は前記階層構造内で光素子を形成するように配列されることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１７】
前記固定層は前記階層構造の表面要素又は埋設要素の少なくとも何れか一つを形成することを特徴とする請求項１乃至１６の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項１８】
階層構造における基材上又は前記階層構造の他の適切な層の表面上のマイクロレリーフパターン、回折及び/又はホログラフィック表面レリーフパターンを含むレリーフパターンと、前記積層構成の後続処理の際に下層のレリーフパターンを保護するように配列され、前記レリーフパターンの少なくとも一部に設けられる保護固定層と、を含むことを特徴とする階層構造。
【請求項１９】
前記層は熱可塑性材料層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の階層構造。
【請求項２０】
前記層及び/又は固定層は有機又は無機材料層を含むことを特徴とする請求項１８に記載の階層構造。
【請求項２１】
少なくとも前記保護固定層を覆うさらなる層を含むことを特徴とする請求項１８乃至２０の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２２】
前記さらなる層は前記基材として同一又は異なる材料から形成されることを特徴とする請求項２１に記載の階層構造。
【請求項２３】
透明な固定層及び/又は透明な前記層を含むことを特徴とする請求項１８乃至２２の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２４】
不透明な固定層及び/又は不透明な前記層を含むことを特徴とする請求項１８乃至２２の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２５】
前記固定層は金属処理された固定層を含むことを特徴とする請求項１８乃至２４の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２６】
前記固定層は前記レリーフパターンの領域にわたって選択的に配置されることを特徴とする請求項１８乃至２５の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項２７】
堆積された固定層を含むことを特徴とする請求項２６に記載の階層構造。
【請求項２８】
電気化学的に堆積された固定層を含むことを特徴とする請求項２７に記載の階層構造。
【請求項２９】
前記固定層の選択的配置を実現するように前記固定層の領域が除去されたことを特徴とする請求項２６、２７、又は２８に記載の階層構造。
【請求項３０】
重ね刷りされた固定層を含むことを特徴とする請求項１８乃至２９の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３１】
前記固定層は前記レリーフパターンの複製を提供するように配列されることを特徴とする請求項１８乃至３０の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３２】
前記固定層は前記階層構造内で電子回路要素を形成するように配列されることを特徴とする請求項１８乃至３１の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３３】
前記固定層は前記階層構造内で光素子を形成するように配列されることを特徴とする請求項１８乃至３２の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３４】
前記固定層は前記階層構造の表面要素又は埋設要素の少なくとも何れか一つを形成することを特徴とする請求項１８乃至３３の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３５】
前記固定層は、前記階層構造に対してレーザ書き込み処理ができるように、適切な寸法及び間隔の個別の固定層要素を含むことを特徴とする請求項９乃至１２の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項３６】
僅かにグラディエントなレリーフパターンを提供する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至１７の何れか一項に記載の形成方法。
【請求項３７】
前記固定層は、前記階層構造に対してレーザ書き込み処理ができるように、適切な寸法及び間隔を有する個別の固定層要素を含むことを特徴とする請求項２６乃至２９の何れか一項に記載の階層構造。
【請求項３８】
前記レリーフパターンは僅かにグラディエントなことを特徴とする請求項１８乃至３４の何れか一項に記載の階層構造。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像の光沢化処理を最適化する方法であって、
画像の端部に向かって、配置されるクリアドライインクの最大量を減らすステップを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記画像の端部に配置されるクリアドライインクの量は、50乃至5％まで減少することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
画像の光沢化処理を最適化する当該方法は、さらに、
前記画像の端部に配置されるクリアドライインクの最大量を、15％まで抑制するステップを有し、
前記配置されるクリアドライインクの量は、前端から30mmの長さにわたり、90％まで徐々に増加することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月23日(2013.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光制御フィルムと、
カラーシフトフィルムと、を備える、フィルムスタック。
【請求項２】
前記光制御フィルムが、スカイブフィルム及びミクロ複製フィルムから選択され、前記カラーシフトフィルムが多層光学フィルムを備える、請求項１に記載のフィルムスタック。
【請求項３】
前記光制御フィルムが、光入射面及び光出射面と、前記光入射面と前記光出射面との間に配設される交互の透過及び吸収区域と、を備え、各透過区域は屈折率Ｎ１を有し、各吸収区域は屈折率Ｎ２を有し、（Ｎ２−Ｎ１）の絶対値は０．００５以下である、請求項１に記載のフィルムスタック。
【請求項４】
前記光入射面に入射した光が、前記光出射面に垂直な方向に６５以上の最大相対輝度比（ＲＢＲ）で前記光出射面から出射し、４５°以下の有効極視野角（ＥＰＶ）で前記光出射面から出射する、請求項３に記載のフィルムスタック。
【請求項５】
画像光を放射する表示面と、
請求項１に記載のフィルムスタックと、を備え、
前記フィルムスタック及び表示面が、前記画像光の少なくとも一部が前記フィルムスタックを通って伝播するように配設され、前記表示面が、テレビの画面、コンピュータ用モニター、ノートパソコンのディスプレイ、ネットブックのディスプレイ、携帯電話、ＰＤＡ、及びコンソールから選択される、表示装置。
【請求項６】
穿孔及び請求項１に記載のフィルムスタックを備え、前記穿孔が、ガラスパネル、窓、扉、壁、及び天窓ユニットから選択される、構造。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００３】
トレントコンテンツをダウンロードおよびキャッシュするための前述の知られている方法の欠点は、トレントコンテンツメタファイルが、トレントコンテンツファイルをダウンロードすることを望むすべてのクライアントに必ずしも使用可能でないことがあり、その結果として、トレントコンテンツメタファイルを入手できないクライアントには、トレントコンテンツファイルをダウンロードおよびキャッシュすることが可能ではないということである。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
実際に、本発明によれば、トレントコンテンツファイルをダウンロードおよびキャッシュすることを望むクライアントは、メタファイルへのアクセスで目標トレントコンテンツファイルをダウンロードしている別の標準クライアントからの信号伝達から、ビットトレントの場合のインフォハッシュなどのトレントコンテンツ識別子を取得する。しかし、本発明にしたがって動作するキャッシングクライアントは、メタファイルを入手できない。このキャッシングクライアントはさらに、インターネットトラッカから、目標トレントコンテンツファイルのフルサイズセグメントを保持するピアのＩＰアドレスを取得する必要がある。通常は、キャッシングクライアントは、単一の要求に応答して複数のピアアドレスを受信することになる。本発明にしたがって動作するキャッシングクライアントは、インターネットトラッカ（そのアドレスが標準クライアントからのトレント信号伝達から取得された）と交信し、目標トレントコンテンツファイルのセグメントを格納するピアのＩＰアドレスをそのインターネットトラッカから取得する。ピアが保証されたフルセグメントサイズをもたない単一のセグメントのみを含む場合、以下に説明されるように、ステップＤおよびＥが反復して繰り返されなければならないことがある。通常は、キャッシングクライアントは、ステップＤで１つの要求に応答して複数のピアアドレスを受信することになることにも留意されたい。ブロック要求が拒否されるまで、１６キロバイトブロックなどの最小サイズブロックを順次にダウンロードすることによって、クライアントは、セグメントのサイズを知ることができる。標準クライアントからのビットトレント信号伝達から、キャッシングクライアントはさらに、トレントコンテンツファイルサイズを取得する。最後の欠落パラメータ、そのトレントコンテンツファイル内のセグメントの量が、セグメントサイズおよびトレントコンテンツファイルサイズからキャッシングクライアント（および、以下に説明されるような、ビットフィールド長に対する最終的検証）によって判定されることができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
１つまたは複数のトレントコンテンツメタファイルを入手せずにトレントコンテンツをキャッシュすることを望む任意のシステムは、本発明の利益を受けることができる。かかるシステムの一例は、請求項９によって示されるような、ビットトレントクライアントである。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）イオン注入した領域を形成するために基板のある領域中へとイオンを注入するステップと、
（ｂ）前記イオン注入した領域上に多孔質キャッピング層を堆積するステップと、
（ｃ）前記基板をアニールし、前記アニーリングプロセス中に前記イオン注入した領域の上に重なる前記多孔質キャッピング層のうちの少なくとも８０％を蒸発させるステップと
を備えた、イオン注入方法。
【請求項２】
（ｃ）が、前記多孔質キャッピング層のうちの少なくとも９０％を蒸発させる一方で、前記注入した領域中の前記注入したイオンのうちの少なくとも６０％を保持するように、前記基板上の前記イオン注入した領域をアニールするステップを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｂ）が、
（ｉ）少なくとも２０％の気孔率と、
（ｉｉ）少なくとも２０％の気孔体積である連続する気孔と
のうちの少なくとも１つの特性を有する多孔質キャッピング層を堆積するステップを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
（ｂ）が、プロセスゾーン中へとプロセスガスを導入し、室温でプラズマを形成するために前記プロセスガスを励起することによって、前記多孔質キャッピング層を堆積するステップを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
（ｂ）が、プロセスゾーン中へとシリコン含有ガスおよび酸素含有ガスを包含するプロセスガスを導入し、プラズマを形成するために前記プロセスガスを励起し、３０℃より低い温度で前記基板を維持することによって、二酸化シリコンを包含する多孔質キャッピング層を堆積するステップを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
（ｉ）前記シリコン含有ガスがシランを包含し、酸素含有ガスが酸素を包含するステップと、
（ｉｉ）前記プロセスガスが約５ｍＴｏｒｒから約５００ｍＴｏｒｒまでの圧力で維持されるステップと、
（ｉｉｉ）前記プラズマが、前記プロセスゾーンの周りのアンテナに約１０００ワットから約１００００ワットまでの電力レベルで電力を供給することによって形成されるステップと
のうちの少なくとも１つを備えた、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
（ａ）が、
（ｉ）ヒ素か、ホウ素か、またはリンを包含するイオンを注入するステップと、
（ｉｉ）１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３までのドーズ量でイオンを注入するステップと、
（ｉｉｉ）前記基板表面から５００Åより浅い深さに前記イオンを注入するステップと、
（ｉｖ）プロセスゾーン中へとヒ素含有ガスを包含するプロセスガスを導入し、前記プロセスガスを励起してプラズマを形成し、３０℃よりも低い温度で前記基板を維持することによってヒ素イオンを注入するステップと
のうちの少なくとも１つのステップでイオンを注入するステップを備えた、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
（ｉｖ）が、
（ｉ）約３ｍＴｏｒｒから約５Ｔｏｒｒまでの圧力で前記プロセスガスを維持するステップと、
（ｉｉ）約２００ボルトから約８０００ボルトまでの電圧で前記プロセスゾーンの周りのアンテナに電力を供給するステップと
のうちの少なくとも１つのステップを備えた、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ステップ（ａ）および（ｂ）が、プロセスチャンバのプロセスゾーン内に前記基板を設置することによって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上の複数のイオン注入領域と、
（ｃ）前記イオン注入領域を覆う多孔質キャッピング層と
を備えた中間製品。
【請求項１１】
前記多孔質キャッピング層が、
（ｉ）少なくとも２０％の気孔率と、
（ｉｉ）少なくとも２０％の気孔体積である連続する気孔と
のうちの少なくとも１つの特性を備えた、請求項１０に記載の製品。
【請求項１２】
前記イオン注入した領域が、
（ｉ）ヒ素か、ホウ素か、またはリンを包含するイオンと、
（ｉｉ）１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３から１×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３までのドーズ量で注入したイオンと、
（ｉｉｉ）前記基板表面から５００Åより浅い深さに注入したイオンと、
（ｉｖ）ｎ−タイプドープ領域に隣接するｐ−タイプドープ領域と
のうちの少なくとも１つの特性を備えた、請求項１０に記載の製品。
【請求項１３】
前記基板が、酸化シリコンと、炭化シリコンと、結晶質シリコンと、歪シリコンと、シリコンゲルマニウムと、ドープしたまたはアンドープの多結晶シリコンと、ドープしたまたはアンドープのシリコンウェーハと、ドープしたシリコンと、ゲルマニウムと、ガリウムヒ素と、窒化ガリウムと、ガラスと、サファイアと、石英とのうちの少なくとも１つを備えた、請求項１０に記載の製品。
【請求項１４】
（ａ）イオン注入した領域を形成するために基板のある領域中へとイオンを注入するステップと、
（ｂ）前記イオン注入した領域上に、分散したガスポケットを有する多孔質キャッピング層を堆積するステップと
を備えた、イオン注入方法。
【請求項１５】
（ｂ）が、分散した微小なガスポケットを有する多孔質キャッピング層を堆積するステップを備えた、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月10日(2013.1.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー電解質組成物であって：
ａ．有機微粒子を包含する第１相と；
ｂ．エチレンオキサイド含有ポリマーを包含する第２相とを含み、
前記第２相は連続相であり、及び前記有機微粒子は中空、多孔質、又はその両方であり、および
前記有機微粒子がスチレン含有ポリマーを含む、ポリマー電解質組成物。
【請求項２】
前記有機微粒子は、中空および多孔質である、請求項１に記載のポリマー電解質組成物。
【請求項３】
前記エチレンオキサイド含有ポリマーは、（ｉ）ポリエチレンオキサイドホモポリマー、（ｉｉ）１つ又はそれ以上の追加のアルコキシドモノマーを包含するエチレンオキサイドコポリマー、又はｉｉｉ）（ｉ）及び（ｉｉ）の両方を包含し、前記エチレンオキサイド含有ポリマーは、０．８０より大きいモル率のエチレンオキサイドを包含する、請求項２に記載のポリマー電解質組成物。
【請求項４】
前記エチレンオキサイド含有ポリマーは、ポリエチレンオキサイドホモポリマーであり、前記第２相は、ポリエチレンオキサイドホモポリマー、リチウム塩および非プロトン性溶媒を含む、請求項１に記載のポリマー電解質組成物。
【請求項５】
前記スチレン含有ポリマーは、スチレン−ブタジエンブロックコポリマー、スチレン−イソプレンブロックコポリマー、ポリスチレンホモポリマー、ポリスチレンランダムコポリマー、高衝撃ポリスチレン、スチレン−アクリロニトリルブロックコポリマー、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレンブロックコポリマー、上記のイソプレン及びブタジエン含有コポリマーの水素化及び部分水素化アナログ、又はそれらの任意の組み合わせから成る群から選択される、請求項１に記載のポリマー電解質組成物。
【請求項６】
前記第２相は、非プロトン性溶媒を包含し、前記ポリマー電解質組成物はさらにリチウム塩を含み、前記ポリマー電解質は、前記エチレンオキサイド含有ポリマー上の酸素原子及び前記リチウム塩由来のリチウムイオンを、酸素対リチウムの原子比が２〜３０であるように包含する、請求項１に記載のポリマー電解質組成物。
【請求項７】
前記有機微粒子は、０．３０又はそれ以上の空隙率を有する中空有機微粒子を包含し、
前記第１相は前記電解質組成物の総体積に基づいて５〜４５体積％の濃度で存在し、
前記第２相は前記電解質の総体積に基づいて２０体積％より高濃度で存在し、
リチウム塩の濃度はポリマー電解質の２０重量％より少なく、
前記エチレンオキサイド含有ポリマーは６０重量％よりニート（ｎｅａｔ）状態の結晶度を特徴とし、および、
前記電解質中の前記エチレンオキサイド含有ポリマーの結晶度は、５８重量％未満である、
請求項１から６のいずれかに記載のポリマー電解質組成物。
【請求項８】
前記ポリマー電解質組成物は、ＡＳＴＭ  Ｄ５２７９−０８によって動的機械的分析によって１ｒａｄ／秒及び３０℃で測定した剪断係数（Ｇ’）及びＳｏｌａｒｔｒｏｎ社における３０℃で１０ｍＶの交流電流振幅を用いてＡＣインピーダンス分光法によって測定したイオン導電率（σ）を、
ｉ．Ｇ’・σは、２０（Ｓ／ｃｍ）（Ｐａ）より高い；及び
ｉｉ．Ｇ’は１０３〜１０９Ｐａであるように示す、請求項１から６のいずれか記載のポリマー電解質組成物。
【請求項９】
前記電池は、多孔質セパレータを含んでいない、請求項１から６のいずれかに記載のポリマー電解質組成物を包含する二次電池。
【請求項１０】
前記プロセスは、
ｉ）ＡＳＴＭ  Ｅ１６４０−９９によって動的機械的分析によって測定したガラス転移温度（Ｔｇｓ）を有するスチレン含有ポリマーを包含する前記有機微粒子と、
ｉｉ）前記エチレンオキサイド含有ポリマーと；
ｉｉｉ）前記リチウム塩
とを混合する工程を含み、
前記有機微粒子は、Ｔｇｓより低い温度で維持される、請求項１から６のいずれかに記載のポリマー電解質組成物を調製するためのプロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月8日(2013.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
ｎドープされたエミッタシリコン層においては、多孔化されたシリコンと金属を含有する電解質との接触接続と、多孔化され、陰極に極性付けられたシリコン内およびシリコン上の金属の析出とによって、第１の金属層を用いた、多孔化された前記エミッタ層の前記コーティングを実施する、請求項５または６記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月19日(2012.12.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２８】
熱処理されたバンド材の同一構造層の厚さは、安定的な２次成長を達成するために重要である。より多量の珪素、炭素又はクロムの使用は、この層厚を薄くさせる。一般的に、熱処理されたバンド材は、厚さを仕上げるための冷間圧延前、熱間圧延され、１０００〜１２００℃で３０秒以上のソーク時間の間酸化環境で焼鈍される。冷間圧延の前、不十分な炭素除去は、同一構造層の表薄を招く。本発明においては、炭素、珪素及びクロムレベルを適切に調整することで、最終冷間圧延前の炭素除去に対する依存度を低くして、安定的な２次粒成長の達成を促す同一構造層の厚さを提供するものである。また、過剰な炭素除去はオーステナイトの体積分率を低下させるものである。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月21日(2012.11.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効剤としてＨＥＲ３活性の阻害剤及び製薬学的に認容性の基材、希釈剤及び／又は佐剤を含有する製薬組成物において、前記阻害剤のＨＥＲ３に対する結合がＨＥＲ３媒介シグナル伝達を減弱させ、前記阻害剤は、ハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５２７から産出した抗体１Ｂ４Ｃ３およびハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５１７から産出した抗体２Ｄ１Ｄ１２、そのフラグメント、ならびにその組換え誘導体から選択された抗ＨＥＲ３抗体であり、シグナル伝達の前記減弱が、１Ｂ４Ｃ３により媒介された細胞表面からのＨＥＲ３分子の少なくとも部分的な消失を生じるＨＥＲ３のダウンレギュレーションにより生じるか又はシグナル伝達の前記減弱が実質的に不活性形での２Ｄ１Ｄ１２により媒介されたＨＥＲ３の安定化により生じる、前記組成物。
【請求項２】
阻害剤がヒレグリンのＨＥＲ３への結合と拮抗しない、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記抗体がモノクローナル抗体又はそのフラグメントである、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記抗体が組換え抗体又は抗体フラグメントである、請求項１から３までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
組換え抗体又は抗体フラグメントがキメラ化抗体、ヒト化抗体、単鎖抗体及びそのフラグメントから選択される、請求項１から４までのいずれか１項記載の組成物。
【請求項６】
前記抗体が標識付け基又はエフェクター基と結合されている、請求項１から５までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
診断適用のための請求項１から６までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
治療用適用のための請求項１から６までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
請求項１から６までのいずれか１項に記載のＨＥＲ３活性の阻害剤の増殖過剰疾患、特に腫瘍疾患の診断、予防又は治療用の薬剤の製造用の使用であって、その際、前記阻害剤は、ハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５２７から産出した抗体１Ｂ４Ｃ３およびハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５１７から産出した抗体２Ｄ１Ｄ１２、そのフラグメント、ならびにその組換え誘導体から選択された抗ＨＥＲ３抗体である、前記使用。
【請求項１０】
乳癌、胃腸癌、膵臓癌、前立腺癌、神経膠腫、メラノーマ又は腫瘍転移生成の診断、予防又は治療用の請求項９に記載の使用。
【請求項１１】
前記疾患が、ＨＥＲ３燐酸化の増加と関連がある、請求項９または１０に記載の使用。
【請求項１２】
前記疾患が、ＨＥＲ２／ＨＥＲ３ヘテロ二量体化の増加と関連がある、請求項９から１１までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項１３】
前記疾患が、Ｐｌ3−キナーゼ、ｃ−ｊｕｎ−末端キナーゼ、ＡＫＴ、ＥＲＫ２及び／又はＰＹＫ２の活性の増強と関連がある、請求項９から１２までのいずれか１項に記載の使用。
【請求項１４】
ハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５１７。
【請求項１５】
ハイブリドーマ細胞系ＤＳＭ  ＡＣＣ  ２５２７。
【請求項１６】
請求項１４または１５の細胞系により産出された抗体。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
従って、本発明は、有効剤として特異的タイプのＨＥＲ３活性阻害剤及び製薬的に認容性の基材、希釈剤及び／又は佐剤を含有する製薬組成物に関する。本発明のＨＥＲ阻害剤は、ＨＥＲ３への阻害剤の結合がＨＥＲ３媒介シグナル伝達を減弱させることを特徴とする。態様の一つでは、ＨＥＲ３媒介シグナル伝達の減弱を、ＨＥＲ３のダウンレグレーションにより引き起こしてもよく、細胞表面からのＨＥＲ３分子の少なくとも部分的な消失を生じる。本発明のもう一つの態様では、ＨＥＲ３媒介シグナル伝達の減弱を、細胞表面上のＨＥＲ３の実質的に不活性形、即ち安定化されてない形に比して低いシグナル伝達を生じる形に安定化することによって引き起こすことができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月26日(2012.11.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
尿素含有肥料における固化を抑制するための組成物であって、
第四級アンモニウム化合物、第四級アンモニウム化合物の塩、カルボン酸塩系デンドリマー、ポリオール、及びこれらの混合物から成る群から選択される少なくとも一つの化合物を含む水性製剤を含んでおり、
前記組成物で処理された尿素含有肥料における固化を有効に排除するのに足るほどに、前記肥料中に形成される結晶の結晶アスペクト比が減らされる水準まで、前記処理された肥料における前記結晶の形成を緩和させるのに足る量で、前記少なくとも一つの化合物が前記組成物中に水溶性の形で存在しており、前記組成物で処理された前記尿素含有肥料中に形成される前記結晶の前記結晶アスペクト比が５〜１５の範囲内の水準へ減らされる、組成物。
【請求項２】
前記組成物の０．５重量％〜３．０重量％の量で、前記少なくとも一つの化合物が前記組成物中に存在している、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記少なくとも一つの化合物が牛脂アルキルトリメチルアンモニウである、請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
前記少なくとも一つの化合物が牛脂アルキルトリメチル塩化アンモニウムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
前記少なくとも一つの化合物がジ（水素化牛脂アルキル）ジメチル塩化アンモニウムである、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
前記少なくとも一つの化合物がポリカルボン酸塩デンドリマーである、請求項１に記載の組成物。
【請求項７】
前記少なくとも一つの化合物がマルチトール含有ポリオール製剤として含まれている、請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
前記少なくとも一つの化合物がＤ−ソルビトールである、請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
前記尿素含有肥料が尿素−ホルムアルデヒド肥料である、請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
前記水性製剤が含む化合物が、アルキルトリメチル塩化アンモニウム、カルボン酸塩デンドリマー、ソルビトール含有ポリオール、マルチトール含有ポリオール、及びこれらの混合物から成る群から選択される少なくとも一つの化合物である請求項１に記載の組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月28日(2012.11.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人工股関節に使用するための寛骨臼ソケットであって、前記人工股関節がステム（１）から成っており、該ステム（１）に球頭（２）が取付け可能であり、該球頭（２）がソケットインサート（３）において回動可能に挿入可能であり、前記ソケットインサート（３）が当該寛骨臼ソケット（４）内に挿入可能且つ固定可能であり、前記ステム（１）が大腿骨（２０）内に埋込み可能であり、且つ当該寛骨臼ソケット（４）が骨盤骨（２１）内に埋込み可能である、寛骨臼ソケットにおいて、
当該寛骨臼ソケット（４）が、該寛骨臼ソケット（４）の剛性に関して、当該寛骨臼ソケット（４）の対称軸線（ｚ）に対して相互に直交する２つの方向（ｘ，ｙ）において非対称的に形成されており、相互に直交する２つの方向のうちの、他方の方向（ｙ）に対して一方の方向（ｘ）において、補強エレメント（６）が当該寛骨臼ソケット（４）内に供給されており、寛骨臼ソケットの材料よりも高い剛性を備えた材料から成る補強エレメントが、寛骨臼ソケットの周壁内に供給されていることを特徴とする、寛骨臼ソケット。
【請求項２】
当該寛骨臼ソケット（４）が、第１の方向（ｙ）において最小の壁厚（ｂ）を有しており、第２の方向（ｘ）において最大の壁厚（ａ）を有している、請求項１記載の寛骨臼ソケット。
【請求項３】
一方の方向（ｘ）の補強エレメント（６）が、寛骨臼ソケット（４）の剛性を他方の方向（ｙ）に向かって一定に減じる、請求項１記載の寛骨臼ソケット。
【請求項４】
当該寛骨臼ソケット（４）のジオメトリが、非対称的な負荷時に可能な限り円環状の対称的なジオメトリをもたらすように非対称的に構成されている、請求項１から３までのいずれか一項記載の寛骨臼ソケット。
【請求項５】
長手方向軸線（ｚ）に対して垂直な、当該寛骨臼ソケット（４）の横断面が無負荷状態において楕円形である、請求項４記載の寛骨臼ソケット。
【請求項６】
当該寛骨臼ソケット（４）が少なくとも１つの金属から製造されている、請求項１から５までのいずれか一項記載の寛骨臼ソケット。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、人工股関節に使用するための寛骨臼ソケットであって、人工股関節がステムから成っており、ステムに球頭が取付け可能であり、球頭がソケットインサートにおいて回動可能に挿入可能であり、ソケットインサートが寛骨臼ソケット内に挿入可能且つ位置固定可能であり、ステムが大腿骨内に埋込み可能であり、且つ寛骨臼ソケットが骨盤骨内に埋込み可能である、寛骨臼ソケットに関する。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年11月12日(2012.11.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
前記ドラムの長尺方向に沿って伸びた多数のパイプで、蒸気をドラム内へ導入する。その場合そのパイプは前記ドラムの内部表面に設置されており、そのパイプはそれぞれのピッチセンターに集中している開孔口をもっている。それぞれのパイプの一方の端は閉じられ、もう一方の端は曲がることで前記ドラムの中心軸に位置するユニオン３６で結合する。ユニオン３６は回転式カップリングに接続されている。回転式カップリングは蒸気の供給源からのパイプへと順に接続されるように設置されている。前記ドラムは熱の保持を促進し、蒸気集積を促進するために、断熱された壁を有する容器３９の中に収納されてもよい。前記の容器３９は蒸気供給口の反対側の一方に開口部がある。前記開口部はホッパーから処理される廃棄物を供給する荷滑り路を受けるように設置されている。前記の荷滑り路は開口部を通ってドラム３０の隣接する端部の内側に突出するように設置されている。そして場合によって蒸気処理ユニットと外気の間の気密を維持する回転供給機構が設置されてもよい。又はらせん状の、又は部分らせん状の刃により形成された渦巻き樋（原語：ｔｒｏｕｇｈ）の中に廃棄物を導入するバッフルを設置してもよい。蒸気供給器と隣接している容器３９の反対側の端では、前記の処理された廃棄物は取り除かれる。前記のドラムの端は側板の中に配置されている。前記の側板はドラム内に蒸気を封じ込めるように機能し、そして更に処理された廃棄物のための排出口として機能するよう設置されている。密閉機能はドラム３０の中を大気圧より高く維持するためにドラムの他端と側板との間に設置されうる。これは回転機構でありうる。回転機構を蒸気処理ユニットの排出口側で常に作動させ、かつ受入口側の供給用の荷滑り路をいつも廃棄物で満たした状態に保つことにより、ドラム３０内が大気圧よりも高い圧力に維持される。密閉を維持できる受入口は設置する必要はないが、必要であれば設置してもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月20日(2012.12.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交配種を得るために交配され得るホモ接合性植物を、ヘテロ接合性植物から生成する方法であって、
ａ）ヘテロ接合性開始植物を供給し、
ｂ）第２分裂復元から生じ、かつ、２倍体の染色体セットを含むＳＤＲ−０細胞を生成することを前記植物に許容し、
ｃ）前記ＳＤＲ−０細胞から２倍体のＳＤＲ−０植物を再生し、かつ、
ｄ）このように得た前記ＳＤＲ−０植物から、倍加半数体技術、近親交配、第２分裂復元、またはそれらの組み合わせによって前記ホモ接合性植物を生成する
ことを含む方法。
【請求項２】
前記ＳＤＲ−０細胞は、前記開始植物に干渉することなく生成される請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＳＤＲ−０細胞を生成する前記植物は、平均以上の第２分裂復元を示すために選択される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳＤＲ−０細胞を生成する前記植物は、平均以上の第２分裂復元を示すために遺伝子組み換えされる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記遺伝子組み換えは、一時的である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記遺伝子組み換えは、前記植物における第２分裂復元事象の数を増やす遺伝子要素のゲノムへの安定した混入によるものである請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＤＲ−０細胞を生成する前記植物は、平均以上の第２分裂復元を示すために、環境ストレスにさらされる請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記環境ストレスは、温度ストレス、ＮＯ２、亜酸化窒素Ｎ２Ｏ、またはそれらの組み合わせから選択される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
交配種を生成する方法であって、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法により生成された第１ホモ接合性植物を第２ホモ接合性植物に交配することを含む方法。
【請求項１０】
前記第２ホモ接合性植物は、結果的に生じる前記交配種が前記ヘテロ接合性開始植物に類似するように、前記第１ホモ接合性植物に対して少なくとも部分的に相補的である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ヘテロ接合性開始植物の類似体は、前記開始植物の少なくとも５０％のヘテロ接合性を有する交配種を含んでいる請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記類似体のヘテロ接合性は、５０％〜１００％のパーセンテージである請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記類似体のヘテロ接合性は、５０％〜６０％のパーセンテージであり、好ましくは６０％〜７０％のパーセンテージであり、より好ましくは７０％〜８０％のパーセンテージであり、さらに好ましくは８０％〜９０％のパーセンテージであり、最も好ましくは９０％〜１００％のパーセンテージである請求項１０、１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２ホモ接合性植物は、結果的に生じる前記交配種が前記ヘテロ接合性開始植物より優れているように選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第２ホモ接合性植物は、それの染色体の部分集合のみが前記第１ホモ接合性植物の対応する前記染色体に対して相補的になるように選択される請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記染色体の残留物は、前記第１ホモ接合性植物と第２ホモ接合性植物との間で同一である請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
所望の遺伝子背景を伴った植物に形質を遺伝子移入する方法であって、
ａ）所望の前記遺伝子背景を有する第１植物を、ヘテロ接合性開始植物を得るために所望の前記形質を有する第２植物に交配するステップと、
ｂ）第２分裂復元から発生したＳＤＲ−０細胞を生成することを前記植物に許容するステップと、
ｃ）前記ＳＤＲ−０細胞からＳＤＲ−０植物を再生するステップと、
ｄ）所望の前記形質および前記背景を有する前記ＳＤＲ−０植物を選択するステップと、
ｅ）選択された前記ＳＤＲ−０植物からホモ接合性植物を生成するステップと
を含む方法。
【請求項１８】
前記ＳＤＲ−０細胞は、請求項２ないし８のいずれかで定義された方法によって得られる請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記ホモ接合性植物は、倍加半数体技術、近親交配、第２分裂復元、またはそれらの組み合わせによって生成される請求項１７または１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記選択は、視覚的検査に基づいて、または分子マーカー手段によって行われる請求項１７ないし１９のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８５】
図８は、寒冷処理植物（図８Ａ）と対照植物（図８Ｂ）とから採取された花粉の形態の比較例を示す。同図に示すように、非還元胞子から派生し、サイズ増大の兆候を有する花粉の数は、寒冷処理植物においては顕著に増大する。この部分的な例では、寒冷処理により非還元胞子のパーセンテージが最大で２５まで上昇することが推定された。以上のように、温度ストレスによる非還元胞子の形成の増進は、大いに実現可能である。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１９】
痛み、好ましくは急性痛、慢性痛、神経障害性痛、及び内臓痛より成る群から選ばれた痛み、関節痛、偏頭痛、うつ病、神経障害、神経外傷、神経変性疾患、好ましくは多発性硬化症、アルツハイマー病、パーキンソン病及びハンチントン病より成る群から選ばれる神経変性疾患、認知機能障害、好ましくは認知欠如状態、特に好ましくは記憶障害、癲癇、気道疾患、好ましくは喘息及び肺炎より成る群から選ばれた気道疾患、咳、尿失禁、過活動膀胱  （ＯＡＢ）、胃潰瘍、大腸炎症候群、卒中、目への刺激、皮膚刺激、神経性皮膚疾患、炎症性疾患、好ましくは腸の炎症、下痢、掻痒症、摂食障害、好ましくは過食、悪液質、食欲不振及び肥満より成る群から選ばれる障害、薬物依存、薬物乱用、薬物依存後の禁断症状、薬物に対する耐性発現、好ましくは  天然又は合成オピオイドに対する耐性発現、ドラッグ依存、ドラッグ乱用、ドラッグ依存における禁断症状、アルコール依存、アルコール乱用及びアルコール依存における禁断症状より成る群から選ばれた疾患１種以上の治療及び（又は）予防のための、
利尿のための、抗ナトリウム利尿のための、心臓血管系への影響のための、覚醒の増加（Ｖｉｇｉｌａｎｚｓｔｅｉｇｅｒｕｎｇ）に、やる気の増加（  Ｌｉｂｉｄｏｓｔｅｉｇｅｒｕｎｇ）ための、運動のモジュレーションのための、抗不安のための、局所麻酔のための及び（又は）バニロイド−受容体  １  （ＶＲ１／ＴＲＰＶ１−受容体）−アゴニスト、好ましくはカプサイシン、レシニフェラトキシン、オルヴァニル（Ｏｌｖａｎｉｌ）、アルヴァニル（Ａｒｖａｎｉｌ）、ＳＤＺ−２４９６６５、ＳＤＺ−２４９４８２、ヌヴァニル（Ｎｕｖａｎｉｌ）  及び  カプサヴァニル（Ｃａｐｓａｖａｎｉｌ）より成る群から選ばれる上記アゴニストの投与に起因する所望されない副作用、好ましくは高熱、高血圧及び気管支収縮より成る群から選ばれた副作用の阻害のための、請求項１８記載の医薬。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２０】
痛み、好ましくは急性痛、慢性痛、神経障害性痛、及び内臓痛より成る群から選ばれた痛み、関節痛、偏頭痛、うつ病、神経障害、神経外傷、神経変性疾患、好ましくは多発性硬化症、アルツハイマー病、パーキンソン病及びハンチントン病より成る群から選ばれる神経変性疾患、認知機能障害、好ましくは認知欠如状態、特に好ましくは記憶障害、癲癇、気道疾患、好ましくは喘息及び肺炎より成る群から選ばれた気道疾患、咳、尿失禁、過活動膀胱  （ＯＡＢ）、胃潰瘍、大腸炎症候群、卒中、目への刺激、皮膚刺激、神経性皮膚疾患、炎症性疾患、好ましくは腸の炎症、下痢、掻痒症、摂食障害、好ましくは過食、悪液質、食欲不振及び肥満より成る群から選ばれる障害、薬物依存、薬物乱用、薬物依存後の禁断症状、薬物に対する耐性発現、好ましくは  天然又は合成オピオイドに対する耐性発現、ドラッグ依存、ドラッグ乱用、ドラッグ依存における禁断症状、アルコール依存、アルコール乱用及びアルコール依存における禁断症状より成る群から選ばれた疾患１種以上の治療及び（又は）予防のための、
利尿のための、抗ナトリウム利尿のための、心臓血管系への影響のための、覚醒の増加（Ｖｉｇｉｌａｎｚｓｔｅｉｇｅｒｕｎｇ）に、やる気の増加（  Ｌｉｂｉｄｏｓｔｅｉｇｅｒｕｎｇ）ための、運動のモジュレーションのための、抗不安のための、局所麻酔のための及び（又は）バニロイド−受容体  １  （ＶＲ１／ＴＲＰＶ１−受容体）−アゴニスト、好ましくはカプサイシン、レシニフェラトキシン、オルヴァニル（Ｏｌｖａｎｉｌ）、アルヴァニル（Ａｒｖａｎｉｌ）、ＳＤＺ−２４９６６５、ＳＤＺ−２４９４８２、ヌヴァニル（Ｎｕｖａｎｉｌ）  及び  カプサヴァニル（Ｃａｐｓａｖａｎｉｌ）より成る群から選ばれる上記アゴニストの投与に起因する所望されない副作用、好ましくは高熱、高血圧及び気管支収縮より成る群から選ばれた副作用の阻害のための医薬の製造への、請求項  １〜  １４のいずれか１つに記載の化合物少なくとも１種の使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年4月23日(2013.4.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
本発明の一つの特徴によれば、システムは、両方のバルブを、比率フィードバックループを通して、任意の種類の単一入力単一出力（ＳＩＳＯ）制御装置、例えばＰＩＤ制御装置によって制御するように形成されている。二つのバルブの各々を制御するため、ＳＩＳＯ制御装置の出力を分割し且つ変更する。二つのバルブ制御コマンドは、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に関し、実際上反対称である。即ち、これらの制御コマンドの関係は、ＳＩＳＯ制御装置の出力を使用して一方のバルブを制御すると同時に、同じ出力を先ず最初に反転し、バイアス電流を追加した後、他方のバルブを制御するのに使用することにより形成される。二つのバルブコマンドは、各々、許容可能な最大バルブコンダクタンス位置で二つの飽和限度の一方として、線型飽和器を通過する。これによって得られる正味の効果は、一方のバルブを常に許容可能な最大バルブコンダクタンス位置に保持し、他方のバルブを能動的に制御して流量比率を維持するということである。反対称最適制御システムの好ましい実施例を図６に示す。
【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年5月30日(2013.5.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
通信プロセッサは、各種の有線および無線のネットワーク接続からメディア入力サブシステムまでのネットワーク情報をフィードバックできる。メディア入力サブシステムは、ビデオデータのフォーマットおよび処理を行うためにネットワークフィードバック情報を用いる。符号化およびコード変換処理は、ネットワークフィードバック情報を理解し、利用することにより、さらに効果的に実行できる。さらに、符号化ステップは、送信器準備完了ストリームを送信チャンネルのチャンネル特性に合わせて準備するために、前方誤り訂正と組み合わせることができる。通信プロセッサは、処理済みストリームの様々な要素に対して、どのネットワークプロトコル形式を用いるかの選定に際して、さらに最適化することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７１】
前方誤り訂正（ＦＥＣ）は、送信されるビットストリームのエラー回復力を改良するための例示の一方法である。ＦＥＣは、ベースビットに情報の付加冗長ビットを加える処理を含み、それにより、幾つかのビットが欠落するかまたは改竄された場合、フレームの完全な表示またはほぼ完全に近い表示を復号化システムにより再構築できる。ＦＥＣステップ中に付加される冗長情報のビット数を増加させるにつれて、ビットストリームは、エラーに対する保護および回復力をさらに強める。ウエーブレット符号化ビデオの場合、ビデオフレームの最小解像度サブバンドが大部分の画像エネルギーを有するので、このサブバンドをフレーム解像度が高い方のサブバンドよりもＦＥＣ冗長ビットを増加させることにより、保護することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月15日(2013.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラノラジンを含む、VGSC発現癌における転移挙動を減少または防止するための、組成物。
【請求項２】
癌が乳癌である、請求項1に記載の組成物。
【請求項３】
癌が前立腺癌である、請求項1に記載の組成物。
【請求項４】
リルゾールを含む、癌細胞を直接死滅させることなく、VGSC発現癌における転移挙動を減少または防止するための、組成物。
【請求項５】
癌が乳癌である、請求項4に記載の組成物。
【請求項６】
癌が前立腺癌である、請求項4に記載の組成物。
【請求項７】
範囲1μmol〜10μmolに対応する投薬量レベルで投与するための、請求項1から3のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
範囲1μmol〜10μmolに対応する投薬量レベルで投与するための、請求項4から6のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
電位依存性ナトリウムチャネル電流の一過性部分を排除することなく、該電流の持続性部分を少なくとも減少させる効果を有する薬物を含む、VGSC発現癌における転移挙動を減少または防止するための、組成物。
【請求項１０】
癌が乳癌である、請求項9に記載の組成物。
【請求項１１】
癌が前立腺癌である、請求項9に記載の組成物。
【請求項１２】
細胞を死滅させない、請求項9から11のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
増殖に実質的に影響を与えない、請求項9から12のいずれか一項に記載の組成物。