【手続補正書】
【提出日】平成25年5月17日(2013.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを露光するための複数の露光ビームレットを生成するマスクレスリソグラフマシンにおいてパターンデータにしたがってターゲットを露光するための方法であって、
前記方法は、
ベクトルフォーマットで入力パターンデータを与え、
前記入力パターンデータをレンダリングし、量子化し、画素値の空間的にマップされたアレイの形態で中間パターンデータを生成し、
前記中間パターンデータを再度サンプリングし、再度量子化し、出力パターンデータを生成し、
前記出力パターンデータを前記マスクレスリソグラフマシンへ供給し、
前記マスクレスリソグラフマシンにより生成される前記複数の露光ビームレットを前記出力パターンデータに基づいて変調するステップ、
を含んでいる、方法。
【請求項２】
前記出力パターンデータは、２レベルのビットマップデータ又は多レベルのビットマップデータを含んでいる請求項１記載の方法。
【請求項３】
パターンの中のある特定の部分を表す前記中間パターンデータは、前記パターンの中の同じ部分を表す前記出力パターンデータよりも多量のデータを含んでいる請求項１又は２のいずれか１項記載の方法。
【請求項４】
前記入力パターンデータを生成するために、ベクトルパターンデータを前処理するステップをさらに含んでいる請求項１乃至３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記前処理するステップは、近接効果補正とレジスト加熱補正とのうちの少なくとも一方を含んでいる請求項１乃至４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記ベクトルパターンデータをレンダリングすることは、
画素セルのアレイを規定することと、
前記入力パターンデータにより規定される特徴による前記画素セルの相対的なカバー範囲に基づいて、前記画素セルに値を割当てることと、
を含んでいる請求項１乃至５のいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記量子化することは、前記レンダリングされた入力パターンデータに対するエラー拡散の適用によりディザーリングすることを含んでいる請求項１乃至６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記エラー拡散は、前記レンダリングされた入力パターンデータの画素の量子化エラーを、前記中間パターンデータの１以上の近隣画素へ拡散することを含んでいる請求項１乃至７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記入力パターンデータは、線量マップデータをさらに含み、
前記中間パターンデータは、前記ベクトルフォーマットの入力パターンデータと前記線量マップデータとに基づいて形成される請求項１乃至８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記再度サンプリングすることは、
出力画素セルのアレイを規定する出力グリッドを規定すること、
前記出力画素セル内に入る中間パターンデータ値と、前記中間パターンデータ値により占有される前記出力画素セルの部分とに基づいて、各出力画素セルへ値を割当てることと、
を含んでいる請求項１乃至９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記再度サンプリングすることは、好ましくは、前記中間パターンデータの画素サイズが前記出力パターンデータの画素サイズよりも大きくなるように、前記中間パターンデータの画素サイズを変えることを含んでいる請求項１乃至１０のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
ビームレットの誤整列を補正するために、前記中間パターンデータに対して行われるパターンシフトをさらに含んでいる請求項１乃至１１のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
リソグラフマシンを操作する方法であって、
第１のステップにおいて、画像データを前記マシンへベクトルフォーマットで前記リソグラフマシンに供給し、
第２のステップにおいて、前記ベクトルフォーマットを、レンダリングし、画素値の空間的にマップされたアレイの形態のビットマップデータのフォーマットへ量子化し、
第３のステップにおいて、前記ビットマップデータに対して実時間補正を行うために、前記ビットマップデータを再度サンプリングし、
第４のステップにおいて、前記再度サンプリングされたデータを再度量子化し、
その後で第５のステップにおいて、出力ビットマップとして前記リソグラフマシンの画像化ハードウェアへ供給する、方法。
【請求項１４】
ベクトルフォーマットの入力パターンデータを、画素値の空間的にマップされたアレイの形態の出力パターンデータへ変換するためのデータパスにおいて、
前記入力パターンデータをレンダリングし量子化し、画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成する第１の処理装置と、
前記中間パターンデータを記憶する第１の記憶装置と、
前記中間パターンデータを再度サンプリングし再度量子化し、出力パターンデータを生成する第２の処理装置と、
を具備している、データパス。
【請求項１５】
パターンデータにしたがってターゲットを露光するシステムにおいて、
前記ターゲットを露光する複数の露光ビームレットを生成し、出力パターンデータに基づいて前記露光ビームレットを変調するマスクレスリソグラフマシンと、
入力パターンデータを受信し、前記出力パターンデータを生成する請求項１４記載のデータパスと、
前記出力パターンデータを前記リソグラフマシンへ供給するパターンストリーミングシステムと、
を具備している、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１０】
本発明を前述の実施形態を参照して説明した。種々の構造および代替技術が記述されて
おり、これは当業者に知られるように、ここで説明した任意の実施形態と共に使用される
ことができることに注意すべきである。さらに、これらの実施形態は本発明の技術的範囲
を逸脱せずに当業者によく知られた種々の変形及び代替の形態を受けることができること
が認識されよう。したがって特別な実施形態について説明したが、これらは単なる例示で
あり、請求項に規定されている本発明の技術的範囲を限定するものではない。  
以下に、本願出願時の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
［１］ターゲットを露光するための複数の露光ビームレットを発生するマスクレスリソグラフマシンのパターンデータにしたがってターゲットを露光するための方法において、前記方法は、
ベクトルフォーマットの入力パターンデータを与え、
画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成するために前記入力パターンデータをレンダリングし、量子化し、
出力パターンデータを生成するために前記中間パターンデータを再度サンプリングし、再度量子化し、
前記出力パターンデータを前記リソグラフマシンへ供給し、
前記リソグラフマシンにより生成される前記ビームレットを前記出力パターンデータに基づいて変調するステップを含んでいる方法。
［２］前記出力パターンデータは二レベルのビットマップデータを含んでいる前記［１］記載の方法。
［３］前記出力データパターンはＢ／Ｗビットマップデータからなる前記［１］または［２］記載の方法。
［４］前記中間パターンデータは多レベルビットマップデータを含んでいる前記［１］乃至［３］のいずれか１つに記載の方法。
［５］パターンのある部分を表す前記中間パターンデータは前記パターンの同じ部分を表す前記出力パターンデータよりも多量のデータを有している前記［１］乃至［４］のいずれか１つに記載の方法。
［６］さらに、前記入力パターンデータを発生するためにベクトルパターンデータを前処理するステップを含んでいる前記［１］乃至［５］のいずれか１つに記載の方法。
［７］前記前処理は近接効果補正を含んでいる前記［１］乃至［６］のいずれか１つに記載の方法。
［８］前記前処理はレジスト加熱補正を含んでいる前記［６］又は［７］記載の方法。
［９］前記ベクトルパターンデータのレンダリングは画素セルのアレイを規定し、前記入力パターンデータにより規定される特徴による前記画素セルの相対的なカバー範囲に基づいて前記画素セルに値を割当てるステップを含んでいる前記［１］乃至前記［８］のいずれか１つに記載の方法。
［１０］前記量子化は前記レンダリングされた入力パターンデータにおけるエラー拡散の適用によりディザーリングするステップを含んでいる前記［１］乃至［９］のいずれか１つに記載の方法。
［１１］前記エラー拡散は前記レンダリングされた入力パターンデータの画素の量子化エラーを前記中間パターンデータの１以上の近隣の画素へ拡散するステップを含んでいる前記［１］乃至前記［１０］のいずれか１つに記載の方法。
［１２］前記入力パターンデータはさらに線量マップデータを含み、前記中間パターンデータは前記ベクトルフォーマット入力パターンデータと線量マップデータとに基づいて形成される前記［１］乃至前記［１１］のいずれか１つに記載の方法。
［１３］前記再度のサンプリングは出力画素セルのアレイを規定する出力グリッドを規定し、前記出力画素セル内に入る中間パターンデータ値およびこれらの中間値により占有される前記出力画素セルの部分に基づいて各出力画素セルへ値を割当てるステップを含んでいる前記［１］乃至［１２］のいずれか１つに記載の方法。
［１４］前記出力画素セルの値は前記出力画素セル内に入る平均中間パターンデータ値を計算することにより決定される前記［１３］記載の方法。
［１５］前記再度のサンプリングは、前記中間パターンデータの画素サイズの変形を含んでいる前記［１］乃至［１４］のいずれか１つに記載の方法。
［１６］前記中間パターンデータの画素サイズは前記出力パターンで他の画素サイズよりも大きい前記［１］乃至［１５］のいずれか１つに記載の方法。
［１７］さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含んでおり、前記パターンシフトは前記出力グリッドにおけるシフトを含んでいる前記［１３］記載の方法。
［１８］さらに、ビームレット誤整列を補正するために前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含んでいる前記［１］乃至前記［１８］のいずれか１つに記載の方法。
［１９］さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含み、前記パターンシフトは前記リソグラフマシンの機械的な走査方向と前記機械的な走査方向に対して垂直な方向との両者におけるパターンシフトを含んでいる前記［１］乃至［１８］のいずれか１つに記載の方法。
［２０］さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンシフトを含み、前記パターンシフトは前記パターンデータの全体的なストライプに対する前記パターンデータのシフトを含んでいる前記［１］乃至［１９］のいずれか１つに記載の方法。
［２１］さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含み、前記パターンスケーリングは前記出力グリッドのスケーリングを含んでいる前記［１３］記載の方法。
［２２］さらに、ビームレット走査偏向の変化を補正するために前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含んでいる前記［１］乃至［２１］のいずれか１つに記載の方法。
［２３］さらに、前記中間パターンデータで行われるパターンスケーリング調節を含んでおり、前記パターンスケーリングは前記パターンデータの全体的なストライプに対するパターンデータのスケーリングを含んでいる前記［１］乃至［２２］のいずれか１つに記載の方法。
［２４］さらに、前記中間パターンデータで行われる線量補正を含んでいる前記［１］乃至２３のいずれか１つに記載の方法。
［２５］前記線量補正は、ビームレット毎に行われる前記［１］乃至［２４］のいずれか１つに記載の方法。
［２６］前記線量補正は、ビームレット当りの線量係数と前記パターンデータのストライプのスケーリングファクタに基づいて決定される前記［２４］または［２５］記載の方法。
［２７］さらに、１以上の前記ビームレットの位置の変化を補償するために前記中間パターンデータで行われる補正を含んでいる前記［１］乃至前記［２６］のいずれか１つに記載の方法。
［２８］ウエハは前記ウエハの露光期間中に機械的な走査方向で移動され、前記補正は前記入力パターンデータの調節を含み、それは前記機械的な走査方向と前記機械的な走査方向に対して実質的に垂直な方向との両者の成分を有する前記中間パターンデータのシフトを生じる前記［２７］記載の方法。
［２９］さらに、前記リソグラフマシンへの前記二レベル出力パターンデータの送信時間における変化を補償するために前記中間パターンデータで行われる補正を含んでいる前記［２４］乃至［２８］のいずれか１つに記載の方法。
［３０］さらに、前記中間データパターンで行われるフィールド歪み調節を含み、この歪み調節は前記出力グリッドに歪みを与えるステップを含んでいる前記［１３］記載の方法。
［３１］前記歪みはオーバーレイ性能を改良するためのものである前記［３０］記載の方法。
［３２］前記歪みは異なるリソグラフツールによるマッチングを改良するためのものである前記［３１］記載の方法。
［３３］前記歪みはフィールドサイズ調節、フィールド位置調節、フィールドの回転、非対称フィールドサイズ調節および／または非対称回転のうちの少なくとも１つを含んでいる前記［３０］記載の方法
［３４］前記歪みは付加的に高次の歪みを含んでいる前記［３３］記載の方法。
［３５］前記再度の量子化は、前記再度サンプルされた中間パターンデータにおいてエラー拡散を適用することによる再度のディザーリングを含んでいる前記［１］乃至前記［３４］のいずれか１つに記載の方法。
［３６］前記量子化はディザーリングプロセスを含み、前記再度の量子化は再度のディザーリングプロセスを含み、前記ディザーリングおよび前記再度のディザーリングは反対方向で行われる前記［１］乃至［３５］のいずれか１つに記載の方法。
［３７］前記入力パターンデータは中間パターンデータの２つのセットを発生するために二度ディザーリングされ、前記各セットは反対方向でディザーリングされる前記［３６］記載の方法。
［３８］中間パターンデータの前記２つのセットは前記ターゲットの交番する露光レーンを露光するために使用され、中間パターンデータの各セットは使用前に、前記ディザーリングに対して反対方向で再度ディザーリングされる前記［３７］記載の方法。
［３９］前記ターゲットは前記ターゲットの各露光レーンが同じ方向で露光されるように移動される前記［３６］記載の方法。
［４０］前記エラー拡散は前記再度サンプルされたパターンデータの画素の量子化エラーを前記出力パターンデータの１以上の近隣の画素へ分配するステップを含んでいる前記［３５］記載の方法。
［４１］エラー拡散の適用は、
画素のアレイを規定し、
画素アレイを異なるビームレットにより露光されるように割当てられている各部分へ分割し、
各部分についてのエラー拡散パラメータ値を決定し、
エラー拡散パラメータ値を使用して各部分内の画素へ値を割当てるステップを含んでいる前記［４０］記載の方法。
［４２］前記エラー拡散パラメータ値は、しきい値と、二レベル出力パターンデータ値のより高いレベルについての加重値とを含んでいる前記［４１］記載の方法。
［４３］前記エラー拡散パラメータ値は、さらに前記二レベル値の低いレベルについての加重値を含んでいる前記［４２］記載の方法。
［４４］前記エラー拡散パラメータ値はしきい値であり、ここで二レベル値を１部分内の画素セルに割当てることは前記部分について決定されたしきい値との比較に基づいている前記［４２］又は［４３］記載の方法。
［４５］前記エラー拡散の適用は、さらに別のしきい値に等しいかそれよりも低い多レベル値を有する１以上の画素の方向への拡散を許可しないことにより制限される前記［３９］乃至［４４］のいずれか１つに記載の方法。
［４６］前記エラー拡散の適用は、前記入力パターンデータで記述されている特徴外に位置されている１以上の画素への拡散を許可しないことにより制限される前記［３９］乃至［４５］のいずれか１つに記載の方法。
［４７］前記エラー拡散の適用は処理されている前記画素とはある量を超えて異なる値を有する１以上の画素方向の拡散を許可しないことにより制限される前記［３９］乃至［４６］のいずれか１つに記載の方法。
［４８］各画素はラベルを有し、前記エラー拡散の適用は処理されている前記画素とは異なるラベルを有する１以上の画素方向への拡散を許可しないことにより制限される前記［３９］乃至［４７］のいずれか１つに記載の方法。
［４９］前記ラベルは前記中間パターンデータと共に記憶されているコードからなる前記［４８］記載の方法。
［５０］前記ラベルは前処理期間中に規定され、前記ベクトルフォーマットの特徴によりカバーされる全ての画素は第１のラベル値を割当てられ、全ての他の画素は第２のラベル値を割当てられる前記［４９］記載の方法。
［５１］画像データは第１のステップで前記マシンへベクトルフォーマットで供給され、前記ベクトルフォーマットは第２のステップでレンダリングされ、画素値の空間的にマップされたアレイの形態のビットマップデータフォーマットへ量子化され、前記ビットマップデータは前記データにおいて実時間補正を行うために第３のステップで再度サンプルされ、この再度サンプルされたデータは第４のステップで再度量子化され、その後第５のステップで出力ビットマップとしてマシンの撮像ハードウェアへ供給されるリソグラフマシンの動作方法。
［５２］前記第１の量子化ステップを行うために使用される前記データの量は前記再度のサンプリングを行うことにより生じる前記データ量よりも大きい前記［５１］記載の方法。
［５３］前記再度のサンプリングはパターンシフト、パターンスケーリングまたはフィールド歪み補正のうちの１以上を含んでいる前記［５１］または［５２］記載の方法。
［５４］前記再度の量子化は線量補正を行うことを含んでいる前記［５１］乃至［５３］のいずれか１つに記載の方法。
［５５］ディザーリングプロセスは前記量子化ステップと共に行われ、ディザーリングしきい値を適合することにより行われる線量補正を含んでいる前記［５１］乃至［５４］のいずれか１つに記載の方法。
［５６］さらに前記再度のサンプリングと共に中間パターンデータの画素サイズを変形することによって出力ビットマップの画素サイズを変更することにより露光線量を制御するステップを含んでいる前記［５１］乃至［５５］のいずれか１つに記載の方法。
［５７］ベクトルフォーマットの入力パターンデータを画素値の空間的にマップされたアレイの形態の出力パターンデータへ変換するためのデータパスにおいて、
画素値の空間的にマップされたアレイの形態の中間パターンデータを生成するために前記入力パターンデータをレンダリングし量子化する第１の処理装置と、
前記中間パターンデータを記憶するための第１の記憶装置と、
出力パターンデータを生成するために前記中間パターンデータを再度サンプリングし再度量子化する第２の処理装置とを具備しているデータパス。
［５８］前記第１の処理装置はレンダリングされた入力パターンデータをディザーリングするソフトウェアおよび／またはハードウェアを具備している前記［５７］記載のデータパス。
［５９］前記第２の処理装置は再度サンプルされたパターンデータを再度ディザーリングするソフトウェアおよび／またはハードウェアを具備している前記［５７］または［５８］記載のデータパス。
［６０］前記第１の記憶装置の容量は前記パターンデータのフィールド全体に対する前記中間パターンデータを記憶するのに十分である前記［５７］乃至前記［５９］のいずれか１つに記載のデータパス。
［６１］さらに前記出力パターンデータを記憶するための第２の記憶装置を具備している前記［５７］乃至［６０］のいずれか１つに記載のデータパス。
［６２］パターンデータにしたがってターゲットを露光するシステムにおいて、
前記ターゲットを露光し出力パターンデータに基づいてビームレットを変調するための複数の露光ビームレットを生成するマスクレスリソグラフマシンと、
入力パターンデータを受信し、前記出力パターンデータを発生するための前記［５７］乃至［６１］のいずれか１つに記載のデータパスと、
前記出力パターンデータを前記リソグラフマシンへ供給するためのパターンストリーミングシステムとを具備しているシステム。