【手続補正書】
【提出日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナコイルと、半導体素子とが電気的に直列に接続された閉ループ回路を有する特
性評価用素子が設けられ、前記閉ループ回路が設けられた領域の表面は絶縁膜で覆われて
いることを特徴とする素子基板。
【請求項２】
アンテナコイルと、半導体素子とが電気的に直列に接続された閉ループ回路を有する特
性評価用素子が設けられ、可撓性を有することを特徴とする素子基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記半導体素子はダイオード、トランジスタ、発光素子、抵抗素子、容量素子のいずれ
かであることを特徴とする素子基板。
【請求項４】
アンテナコイルと、容量素子と、半導体素子とが電気的に直列に接続された閉ループ回
路を有する特性評価用素子が設けられ、前記閉ループ回路が設けられた領域の表面は絶縁
膜で覆われていることを特徴とする素子基板。
【請求項５】
アンテナコイルと、容量素子と、半導体素子とが電気的に直列に接続された閉ループ回
路を有する特性評価用素子が設けられ、可撓性を有することを特徴とする素子基板。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、
前記半導体素子はダイオード、トランジスタ、発光素子、抵抗素子のいずれかであるこ
とを特徴とする素子基板。
【請求項７】
アンテナコイルと、電源回路と、リングオシレータと、トランジスタと、を有する特性
評価用素子が設けられ、
前記電源回路は前記リングオシレータに電源電圧を供給する機能を有し、
前記アンテナコイルには、前記トランジスタを有し、前記リングオシレータの発振周波数で負荷変調が行われる回路が電気的に接続され、
前記電源回路、前記リングオシレータ、及び、前記トランジスタが設けられた領域の表
面は絶縁膜で覆われていることを特徴とする素子基板。
【請求項８】
アンテナコイルと、電源回路と、リングオシレータと、トランジスタと、を有する特性
評価用素子が設けられ、
前記電源回路は前記リングオシレータに電源電圧を供給する機能を有し、
前記アンテナコイルには、前記トランジスタを有し、前記リングオシレータの発振周波数で負荷変調が行われる回路が電気的に接続され、
可撓性を有することを特徴とする素子基板。
【請求項９】
アンテナコイルと、リングオシレータと、トランジスタと、前記リングオシレータへ電
源電圧の供給を行う電極パッドとを有する特性評価用素子が設けられ、
前記アンテナコイルは、前記トランジスタを有し、前記リングオシレータの発振周波数で負荷変調が行われる回路が電気的に接続され、
前記電源回路、前記リングオシレータ、及び、前記トランジスタが設けられた領域の表
面は、前記電極パッドが設けられた領域を除いて絶縁膜で覆われていることを特徴とする素子基板。
【請求項１０】
アンテナコイルと、リングオシレータと、トランジスタと、前記リングオシレータへ電
源電圧の供給を行う電極パッドとを有する特性評価用素子が設けられ、
前記アンテナコイルは、前記トランジスタを有し、前記リングオシレータの発振周波数で負荷変調が行われる回路が電気的に接続され、
可撓性を有することを特徴とする素子基板。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一において、
前記トランジスタは負荷変調を行う機能を有することを特徴とする素子基板。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の素子基板に電磁波を放射し、
前記素子基板で消費される電力を測定することで前記半導体素子の特性を評価すること
を特徴とする検査方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の素子基板に、アンテナから電磁波を放射す
ることができる測定装置を用いて、前記電磁波を放射し、
前記アンテナに生じる電流又は電圧を測定することで前記半導体素子の特性を評価することを特徴とする検査方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の素子基板に、電磁波をアンテナから放射可
能な測定装置を用いて、電磁波を放射するステップと、
磁界プローバにより前記素子基板に吸収される電力を測定するステップと、
により前記半導体素子の特性を評価することを特徴とする検査方法。
【請求項１５】
請求項１２乃至請求項１４のいずれか一に記載の検査方法を用いて、前記素子基板に設
けられた半導体素子の静特性を非接触で評価することを特徴とする検査方法。
【請求項１６】
請求項７乃至請求項９のいずれか一に記載の素子基板に、電磁波をアンテナから放射可
能な測定装置を用いて、電磁波を放射するステップと、
前記アンテナに生じる電流又は電圧を測定するステップと、
により、前記リングオシレータの特性を評価することを特徴とする検査方法。
【請求項１７】
請求項７乃至請求項９のいずれか一に記載の素子基板に、電磁波をアンテナから放射可
能な測定装置を用いて、電磁波を放射するステップと、
磁界プローバにより前記素子基板に吸収される電力を測定するステップと、
により、前記リングオシレータの特性を評価することを特徴とする検査方法。
【請求項１８】
請求項７乃至請求項９のいずれか一に記載の素子基板に、電磁波をアンテナから放射可
能な測定装置を用いて、電磁波を放射するステップと、
前記リングオシレータから放射された電磁波を測定するステップと、
により、前記リングオシレータの特性を評価する検査方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか一に記載の検査方法を用いて、前記素子基板に設
けられた半導体素子の動特性を非接触で評価することを特徴とする検査方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至請求項１９のいずれか一に記載の検査方法を用いて、前記素子基板を非
接触で検査する方法を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
第１の基板上に第１の半導体層を有する特性評価用素子と、第２の半導体層を有する薄
膜トランジスタを形成し、
前記特性評価用素子に対して接触式で検査を行い、
前記第１の基板から前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを剥離し、
前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを第２の基板上に転置し、
前記第２の基板上に転置された特性評価用素子に対して非接触式で検査を行うことによ
って前記薄膜トランジスタの特性を評価し、
前記薄膜トランジスタの特性が許容範囲を満たした前記第２の基板を切断することを特
徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
第１の基板上に第１の半導体層を有する特性評価用素子と、第２の半導体層を有する薄
膜トランジスタを形成し、
前記特性評価用素子に対して接触式で検査を行い、
前記第１の基板から前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを剥離し、
前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを第２の基板上に転置し、
前記第２の基板上に転置された特性評価用素子に対して非接触式で検査を行うことによ
って前記薄膜トランジスタの特性を評価し、
前記薄膜トランジスタの特性が許容範囲を満たした前記第２の基板を切断し、
前記切断された第２の基板上の薄膜トランジスタを検査することを特徴とする半導体装
置の作製方法。
【請求項２３】
第１の基板上に第１の半導体層を有する特性評価用素子と、第２の半導体層を有する薄
膜トランジスタを形成し、
前記特性評価用素子に対して接触式で検査を行い、
前記接触式の検査によって、前記特性評価用素子の電圧−電流特性を求め、
前記第１の基板から前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを剥離し、
前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを第２の基板上に転置し、
前記第２の基板上に転置された特性評価用素子に対して非接触式で検査を行うことによ
って前記薄膜トランジスタの特性を評価し、
前記薄膜トランジスタの特性が、前記電圧−電流特性の許容範囲を満たした前記第２の
基板を切断することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
第１の基板上に第１の半導体層を有する特性評価用素子と、第２の半導体層を有する薄
膜トランジスタを形成し、
前記特性評価用素子に対して接触式で検査を行い、
前記接触式の検査によって、前記特性評価用素子の電圧−電流特性を求め、
前記第１の基板から前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを剥離し、
前記特性評価用素子及び前記薄膜トランジスタを第２の基板上に転置し、
前記第２の基板上に転置された特性評価用素子に対して非接触式で検査を行うことによ
って前記薄膜トランジスタの特性を評価し、
前記薄膜トランジスタの特性が、前記電圧−電流特性の許容範囲を満たした前記第２の
基板を切断し、
前記切断された第２の基板上の薄膜トランジスタを検査することを特徴とする半導体装
置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２１乃至請求項２４のいずれか一において、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは同一工程で前記第１の基板上に形成す
ることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２１乃至請求項２５のいずれか一において、 
前記第２の基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。