【手続補正書】
【提出日】平成21年1月23日(2009.1.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
第１の走査線と、
第２の走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲートが前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のトランジスタと、
ゲートが前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース又ドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第４のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
発光素子と、
第１の走査線と、
第２の走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲートが前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のトランジスタと、
ゲートが前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース又ドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第４のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであり、
前記第２乃至第４のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
発光素子と、
走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
ゲートが前記走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続された第３のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
発光素子と、
第１の走査線と、
第２の走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１の走査線に電気的に接続され、他方の電極が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続されたダイオードと、
ゲートが前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース又ドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
発光素子と、
第１の走査線と、
第２の走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記第１の走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の電極が前記第１の走査線に電気的に接続され、他方の電極が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続されたダイオードと、
ゲートが前記第２の走査線に電気的に接続され、ソース又ドレインの一方が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第３のトランジスタと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであり、
前記第２及び第３のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
発光素子と、
走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記走査線に電気的に接続され、ソース又はドレインの他方が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続された第２のトランジスタと、
一方の電極が前記走査線に電気的に接続され、他方の電極が前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方に電気的に接続されたダイオードと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの他方と前記第１のトランジスタのゲートとの導通、非導通を制御するスイッチを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
発光素子と、
走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
ノードと、
ゲートが前記ノードに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
前記データ線及び前記走査線の電位によりオン、オフが制御され、前記第１のノードの電位を決定する第２のトランジスタと、を有し、
前記データ線の電位によらず、前記ノードの電位を、前記第１のトランジスタをオフする電位に設定することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第２のトランジスタは、ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記走査線に電気的に接続され、他方が前記ノードに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
発光素子と、
走査線と、
データ線と、
電流供給線と、
第１のノードと、
第２のノードと、
ゲートが前記第１のノードに電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記電流供給線に電気的に接続され、他方が前記発光素子の一方の電極に電気的に接続された第１のトランジスタと、
前記データ線及び前記走査線の電位によりオン、オフが制御され、前記第２のノードの電位を決定する第２のトランジスタと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの導通、非導通を制御するスイッチと、を有し、
前記データ線の電位によらず、前記第２のノードの電位を、前記第１のトランジスタをオフする電位に設定することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第２のトランジスタは、ゲートが前記データ線に電気的に接続され、ソース又はドレインの一方が前記走査線に電気的に接続され、他方が前記第２のノードに電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１のトランジスタはＰチャネル型トランジスタであり、
前記第２のトランジスタはＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
一方の電極が前記第１のトランジスタのゲートに電気的に接続され、他方の電極が前記電流供給線に電気的に接続されている容量を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記電流供給線の電位は、前記発光素子の他方の電極の電位よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置を画素部に具備することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項に記載の半導体装置を表示部に具備することを特徴とする電子機器。