(57)【要約】【課題】電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料の製造方法、及び、該製造方法により得られる電磁波遮蔽材料を提供する。【解決手段】印刷により基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、並びに、光硬化剤及び／又は熱硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成するパターン形成工程と、前記パターンに光照射及び／又は前記パターンを加熱することにより、前記パターンを硬化させるパターン硬化工程と、前記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程とからなる電磁波遮蔽材料の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷により基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、並びに、光硬化剤及び／又は熱硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成するパターン形成工程と、
前記パターンに光照射及び／又は前記パターンを加熱することにより、前記パターンを硬化させるパターン硬化工程と、
前記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程とからなる
ことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。
【請求項２】
基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物、及び、光硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物からなる光硬化性樹脂組成物層を形成する光硬化性樹脂組成物層形成工程と、
マスクを介して前記光硬化性樹脂組成物層に光照射して硬化させる光照射工程と、
前記光硬化性樹脂組成物層から未硬化部分を除去してパターンを形成するパターン形成工程と、
前記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程とからなる
ことを特徴とする電磁波遮蔽材料の製造方法。
【請求項３】
更に、下地メッキ層の表面に電解メッキ法又は無電解メッキ法によりメッキ層を形成するメッキ工程を有することを特徴とする請求項１又は２記載の電磁波遮蔽材料の製造方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の電磁波遮蔽材料の製造方法により製造されてなることを特徴とする電磁波遮蔽材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料の製造方法、及び、該製造方法により得られる電磁波遮蔽材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種電子機器の普及に伴い、身近な環境への電磁波の放出が増えている。この電磁波は、航空機や医療機器等に誤作動を与えることが明らかになっている。
【０００３】
このような状況に対して、電磁波遮蔽材料の研究が行われているが、電磁波の効率的な遮蔽性能に加え、近年のプラズマディスプレイ等への需要から、良好な視認性が求められているのが現状である。このような性能を満たす電磁波遮蔽材料を製造する方法としては、例えば、特許文献１には、プラスチック支持体に導電性金属箔を積層してなる構造体において、凸版反転オフセット法によりインクレジストで幾何学図形を導電性金属箔上に描き、導電性金属箔のインクレジストで覆われていない部分をエッチングすることによって導電性金属からなる幾何学図形を形成する電磁波シールドフィルムの製造方法が開示されている。しかしながら、特許文献１に開示されている製造方法では、導電性金属箔をエッチングしているため、開口部の平滑性に劣り、得られる電磁波シールドフィルムはヘイズ値が高く、充分な視認性が得られないという問題があり、このため導電性金属箔からなる幾何学図形をエッチングして、更に透明化処理が行われているが、このような処理はコストがかかるという問題や煩雑な工程であることから好ましい電磁波遮蔽材料とは言えなかった。
【０００４】
また、特許文献２には、透明基材の表面に無電解メッキ触媒を含有する紫外線硬化性樹脂ペーストを印刷し、パターンを形成する電磁波シールド性光透過窓材の製造方法が開示されている。しかしながら、無電解メッキ触媒としてＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属粒子、Ｃｕ等の金属粒子、又は、ＩＴＯ等の金属酸化物等の微粒子が用いられており、極めて高価であるという問題があった。
【特許文献１】特開２００５−７２５５１号公報
【特許文献２】特開２００５−１５０３６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記現状に鑑み、電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料の製造方法、及び、該製造方法により得られる電磁波遮蔽材料を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、印刷により基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、並びに、光硬化剤及び／又は熱硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成するパターン形成工程と、上記パターンに光照射及び／又は上記パターンを加熱することにより、上記パターンを硬化させるパターン硬化工程と、上記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程とからなる電磁波遮蔽材料の製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００７】
本発明者らは、鋭意検討の結果、電磁波遮蔽材料の製造方法において、印刷により基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、並びに、光硬化剤及び／又は熱硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成させることにより、容易にメッキ処理を行うことができるとともに、エッチングを必要とせず、透明化処理を行う必要がないため、電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料を得ることができるということを見出し、本発明を完成させるに至った。
本発明者らは、原理等は不明であるものの、少なくともＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤を含有するパターンを形成させることにより、電子を放出する還元性の性質が発現すると考え、下地メッキ金属塩溶液に浸漬するだけで容易に下地メッキ処理が可能であることを見出した。
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法を説明する模式図を図１に示した。以下、図１を用いて本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法を説明する。
【０００８】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、印刷により基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、並びに、光硬化剤及び／又は熱硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成するパターン形成工程を有する（図１（ａ））。
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤を用いることにより、後述するようにパターン表面に下地メッキ金属塩溶液を接触させるだけで下地メッキを施すことが可能となり、安価で生産性に優れる。
【０００９】
上記基材の材質としては特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の透明性、耐熱性、耐湿性等の耐久性に優れたフィルム基材が好適である。
【００１０】
上記ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤としては特に限定されず、例えば、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、（３−トリメトキシシリルプロピル）ジエチレントリアミン、ｎ−ブチルアミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エチルアミノイソブチルトリメトキシシラン、Ｎ−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシシリルプロピル）アミン、ビス（トリメトキシシリルプロピル）アミン等や、上記ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤が加水分解縮合したオリゴマー型のシランオリゴマー等が挙げられ、溶剤としてエタノール、トルエン、アセトン等に溶解させた後、光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物に混合されて用いられる。上記ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤が加水分解縮合したオリゴマー型のシランオリゴマーの場合、市販されているシランオリゴマーであってもよいし、使用した上記シランカップリング剤が使用中にオリゴマー化したシランオリゴマーであってもよい。
また、上記ＮＨ基とは、Ｎ原子とＨ原子との単結合を有する官能基を意味し、Ｎ−ＨやＮＨ−Ｒ（Ｒは任意の有機基を意味する）もＮＨ基の定義に含まれる。
【００１１】
上記光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物における上記ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤の含有量としては特に限定されないが、上記ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、並びに、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物の合計量に対して好ましい下限が５重量％、好ましい上限が８０重量％である。５重量％未満であると、メッキパターンが形成されないことがあり、８０重量％を超えると、光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物が光照射及び／又は加熱することにより硬化しにくくなることがある。より好ましい下限は１０重量％、より好ましい上限は６０重量％である。
【００１２】
上記光硬化性樹脂組成物は、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物、及び、光硬化剤等を含有する。
【００１３】
上記光硬化性化合物とは、光照射により重合反応を開始する化合物を意味する。上記光硬化性化合物としては特に限定されないが、光照射により重合反応を開始して硬化し得る、常温で液体の光重合性単量体が好ましく、このような光重合性単量体としては、例えば、多官能（メタ）アクリレート、単官能（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００１４】
上記多官能（メタ）アクリレートとしては特に限定されず、例えば、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ノナエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ノナプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、２，２−ビス〔４−（アクリロキシジエトキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔４−（メタクリロキシジエトキシ）フェニル〕プロパン、３−フェノキシ−２−プロパノイルアクリレート、１，６−ビス〔３−アクリロキシ−２−ヒドロキシプロピル〕ヘキシルエーテル等が挙げられる。
【００１５】
上記単官能（メタ）アクリレートとしては特に限定されず、例えば、メチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００１６】
また、上述した光重合性単量体の以外の光硬化性化合物としては、例えば、多官能（メタ）アクリレートオリゴマー、単官能（メタ）アクリレートオリゴマー、アクリル変性反応性オリゴマー等が挙げられる。
【００１７】
上記アクリル変性反応性オリゴマーとしては特に限定されず、例えば、ポリエステルアクリレートオリゴマー、ウレタンアクリレートオリゴマー、エポキシアクリレートオリゴマー、シリコーンアクリレートオリゴマー、ポリブタジエンアクリレートオリゴマー等が挙げられる。
【００１８】
上記光硬化剤としては、光照射により上記光硬化性化合物の重合反応を開始させる役割を有するものであれば特に限定されず、例えば、下記一般式（１）で表される官能基を有する光反応性触媒、光カチオン触媒、光ラジカル開始剤等が挙げられる。
【００１９】
【化１】
2008210892.tif 000002
【００２０】
上記一般式（１）中、ｍは２〜５の整数を表し、Ｙ（ｍ）は周期表の１４族、１５族又は１６族の原子を表し、Ｚは水素基、炭化水素基、メルカプト基、アミノ基、ハロゲン基、アルコキシル基、アルキルチオ基、カルボニルオキシ基又はオキソ基を表す。
【００２１】
上記一般式（１）で表される官能基を有する光反応触媒は、上記一般式（１）で表される官能基のうち、異なるものを複数種有していてもよい。上記一般式（１）で表される官能基としては、例えば、酸素、硫黄、窒素、リン及び炭素からなる群より選択されるＹ（ｍ）で示される原子に対し、カルボニル基が２個結合した化合物であって、Ｙ（ｍ）で示される原子の価数に応じて適宜、Ｚで示される炭化水素基又はオキシド基を有するもの等が挙げられる。
【００２２】
上記炭化水素基としては特に限定されず、例えば、脂肪族系炭化水素基、不飽和脂肪族系炭化水素基、芳香族系炭化水素基等が挙げられる。これらの炭化水素基は、本発明の目的を阻害しない範囲でアミノ基、水酸基、エーテル基、エポキシ基、重合性不飽和基、ウレタン基、ウレア基、イミド基、エステル基等の置換基を有していてもよい。また、異なる炭化水素基を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
上記一般式（１）で表される官能基を有する光反応触媒は、環状化合物であってもよい。このような環状化合物としては、例えば、環状鎖の中に１個又は２個以上の同種又は異種の上記一般式（１）で表される官能基を有する化合物等が挙げられる。更に、複数個の同種又は異種の上記環状化合物を適当な有機基で結合した化合物や、複数個の同種又は異種の上記環状化合物をユニットとして少なくとも１個以上含む双環化合物等も用いることができる。
【００２４】
上記光カチオン触媒としては特に限定されず、例えば、鉄−アレン錯体化合物、芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ヨードニウム塩、芳香族スルホニウム塩、ピリジニウム塩、アルミニウム錯体／シラノール塩、トリクロロメチルトリアジン誘導体等が挙げられる。このうち、オニウム塩やピリジニウム塩の対アニオンとしては、例えば、ＳｂＦ６−、ＰＦ６−、ＡｓＦ６−、ＢＦ６−、テトラキス（ペンタフルオロ）ボレート、トリフルオロメタンスルフォネート、メタンスルフォネート、トリフルオロアセテート、アセテート、スルフォネート、トシレート、ナイトレート等が挙げられる。これらの光カチオン触媒は単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００２５】
上記光ラジカル開始剤としては特に限定されず、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール誘導体化合物；ハロゲン化ケトン；アシルフォスフィンオキシド、アシルフォスフォナート等のアシル化リン化合物；２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン、２−ベンジル−２−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン；ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキシド；ビス−（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルフォスフィンオキシド；ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス（ペンタフルオロフェニル）−チタニウム、ビス（η５−シクロペンタジエニル）−ビス［２，６−ジフルオロ−３−（１Ｈ−ピリ−１−イル）フェニル］−チタニウム；アントラセン、ペリレン、コロネン、テトラセン、ベンズアントラセン、フェノチアジン、フラビン、アクリジン、ケトクマリン、ベンゾフェノン、アセトフェノン、チオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−クロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００２６】
上記光硬化剤として、上述した光硬化剤以外の光硬化剤として、例えば、ソジウムメチルジオカーバメイトサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、ジフェニルモノサルファイド、ジベンゾチアゾイルモノサルファイド及びジサルファイド等のサルファイド類；ヒドラゾン、アゾビスイソブチロニトリル、ベンゼンジアゾニウム等のジアゾ化合物；ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ジメチルアミノベンゾフェノン、ミヒラーケトン、ベンジルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミノアントラキノン、２−クロロアントラキノン、ベンジルジメチルケタール、メチルフェニルグリオキシレート等の芳香族カルボニル化合物；２，２−ジエトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体；ｐ−ジメチルアミノ安息香酸メチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸エチル、ｐ−ジメチルアミノ安息香酸ブチル、ｐ−ジエチルアミノ安息香酸イソプロピル等のジアルキルアミノ安息香酸エステル類；ベンゾイルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、キュメンハイドロパーオキサイド等の過酸化物；９−フェニルアクリジン、９−ｐ−メトキシフェニルアクリジン、９−アセチルアミノアクリジン、ベンズアクリジン等のアクリジン誘導体；９，１０−ジメチルベンズフェナジン、９−メチルベンズフェナジン、１０−メトキシベンズフェナジン等のフェナジン誘導体；４，４’，４”−トリメトキシ−２，３−ジフェニルキノサリン等のキノサリン誘導体；２，４，５−トリフェニルイミダゾイル２量体等も好適に用いられる。
【００２７】
上記熱硬化性樹脂組成物は、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、熱硬化性化合物、及び、熱硬化剤等を含有する。
【００２８】
上記熱硬化性化合物とは、加熱することにより重合反応を開始する化合物を意味する。特に、上記熱硬化性化合物としてエポキシ基を持つ化合物、及び、上記熱硬化剤としてエポキシ基を持つ化合物を加熱することにより硬化させる熱硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物が好適である。
【００２９】
上記エポキシ基を持つ化合物とは、分子中に少なくとも１個のエポキシ基を有する化合物のことである。上記エポキシ基を持つ化合物のエポキシ基の数は、１分子あたり１個以上であることが好ましく、より好ましくは２個以上である。ここで、１分子あたりのエポキシ基の数は、上記エポキシ基を持つ化合物のエポキシ基の総数を、上記エポキシ基を持つ化合物の分子の総数で除算することにより求められる。
【００３０】
上記エポキシ基を持つ化合物としては、従来公知の各種エポキシ基を持つ化合物を用いることができ、特に限定されないが、例えば、後述するエポキシ基を持つ化合物（１）〜エポキシ基を持つ化合物（１１）等が挙げられる。これらのエポキシ基を持つ化合物は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００３１】
エポキシ基を持つ化合物（１）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタントリグリシジルエーテル、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び、ナフタレン型エポキシ樹脂等の芳香族エポキシ樹脂、並びに、これらの水素添加物や臭素化物等のハロゲン化物等が挙げられる。
【００３２】
エポキシ基を持つ化合物（２）としては、例えば、３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシ−２−メチルシクロヘキサンカルボキシレート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジペート、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサノン−メタ−ジオキサン、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル等の脂環族エポキシ樹脂等が挙げられる。このようなエポキシ基を持つ化合物（２）の市販品としては、例えば、ダイセル化学工業社製の商品名「ＥＨＰＥ−３１５０」（軟化温度７１℃）等が挙げられる。
【００３３】
エポキシ基を持つ化合物（３）としては、例えば、１，４−ブタンジオールのジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールのジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、炭素数が２〜９、好ましくは２〜４のアルキレン基を含むポリオキシアルキレングリコールやポリテトラメチレンエーテルグリコール等を含む長鎖ポリオールのポリグリシジルエーテル等の脂肪族エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００３４】
エポキシ基を持つ化合物（４）としては、例えば、フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ジグリシジル−ｐ−オキシ安息香酸、サリチル酸のグリシジルエーテル−グリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル型エポキシ樹脂、及び、その水素添加物等が挙げられる。
【００３５】
エポキシ基を持つ化合物（５）としては、例えば、トリグリシジルイソシアヌレート、環状アルキレン尿素のＮ，Ｎ’−ジグリシジル誘導体、ｐ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体、ｍ−アミノフェノールのＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル誘導体等のグリシジルアミンエポキシ樹脂、及び、その水素添加物等が挙げられる。
【００３６】
エポキシ基を持つ化合物（６）としては、例えば、グリシジル（メタ）アクリレートと、エチレン、酢酸ビニル、（メタ）アクリル酸エステル等のラジカル重合性モノマーとの共重合体等が挙げられる。
【００３７】
エポキシ基を持つ化合物（７）としては、例えば、エポキシ化ポリブタジエン等のような、共役ジエン化合物又はその部分水素添加物を主体とする重合体における不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの等が挙げられる。
【００３８】
エポキシ基を持つ化合物（８）としては、例えば、エポキシ化スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（エポキシ化ＳＢＳ）等のような、ビニル芳香族化合物を主体とする重合体ブロックと共役ジエン化合物又はその部分水素添加物を主体とする重合体ブロックとを同一分子内に有するブロック共重合体における共役ジエン化合物又はその部分水素添加物の不飽和炭素の二重結合をエポキシ化したもの等が挙げられる。
【００３９】
エポキシ基を持つ化合物（９）としては、例えば、１分子あたり１個以上、好ましくは２個以上のエポキシ基を有するポリエステル樹脂等が挙げられる。
【００４０】
エポキシ基を持つ化合物（１０）としては、例えば、上記エポキシ基を持つ化合物（１）〜エポキシ基を持つ化合物（９）の構造中にウレタン結合やポリカプロラクトン結合を導入したウレタン変成エポキシ樹脂やポリカプロラクトン変成エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４１】
エポキシ基を持つ化合物（１１）としては、例えば、上記エポキシ基を持つ化合物（１）〜エポキシ基を持つ化合物（１０）にアクリロニトリル−ブタジエン共重合ゴム（ＮＢＲ）、末端カルボキシル基変成ブタジエン−アクリロニトリル共重合ゴム（ＣＴＢＮ）、ポリブタジエン、アクリルゴム等のゴム成分を含有させたゴム変成エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４２】
上記エポキシ基を持つ化合物には、分子中に少なくとも１個のオキシラン環を有するオリゴマー又はポリマーが添加されていてもよい。
【００４３】
上記エポキシ基を持つ化合物が、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、及び、ナフタレン型エポキシ樹脂からなる群より選択される少なくとも１種を含んでいる場合には、分子鎖が剛直であるため、材料の強度や高温での寸法安定性に優れている。
【００４４】
上記熱硬化剤としては、加熱することにより上記熱硬化性化合物の重合反応を開始させる役割を有するものであれば特に限定されず、例えば、従来公知の各種エポキシ基を持つ化合物の熱硬化剤を用いることができる。
上記熱硬化剤としては特に限定されないが、例えば、アミン化合物、アミン化合物から合成される例えばポリアミノアミド化合物等の化合物、３級アミン化合物、イミダゾール化合物、ヒドラジド化合物、メラミン化合物、酸無水物、フェノール化合物、熱潜在性カチオン重合触媒、光潜在性カチオン重合触媒、ジシアンジアミド及びその誘導体等が挙げられる。上記熱硬化剤は、単独で用いられてもよいし、２種以上が併用されてもよい。
【００４５】
上記アミン化合物としては、例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ポリオキシプロピレンジアミン、ポリオキシプロピレントリアミン等の鎖状脂肪族アミン及びその誘導体、メンセンジアミン、イソフォロンジアミン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン、ジアミノジシクロヘキシルメタン、ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、３，９−ビス（３−アミノプロピル）−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン等の環状脂肪族アミン及びその誘導体、ｍ−キシレンジアミン、α−（ｍ／ｐ−アミノフェニル）エチルアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルスルフォン、α，α−ビス（４−アミノフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン等の芳香族アミン及びその誘導体等が挙げられる。
【００４６】
上記アミン化合物から合成される化合物としては、例えば、上記アミン化合物とコハク酸、アジピン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ドデカ二酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ジヒドロイソフタル酸、テトラヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸等のカルボン酸化合物とから合成されるポリアミノアミド化合物及びその誘導体、上記アミン化合物とジアミノジフェニルメタンビスマレイミド等のマレイミド化合物とから合成されるポリアミノイミド化合物及びその誘導体、上記アミン化合物とケトン化合物とから合成されるケチミン化合物及びその誘導体、上記アミン化合物とエポキシ化合物、尿素、チオ尿素、アルデヒド化合物、フェノール化合物、アクリル化合物等の化合物とから合成されるポリアミノ化合物及びその誘導体等が挙げられる。
【００４７】
上記３級アミン化合物としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルピペラジン、ピリジン、ピコリン、ベンジルジメチルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノール、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビスシクロ（５，４，０）ウンデセン−１及びこれらの誘導体等が挙げられる。
上記イミダゾール化合物としては、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００４８】
上記ヒドラジド化合物としては、例えば、１，３−ビス（ヒドラジノカルボエチル）−５−イソプロピルヒダントイン、７，１１−オクタデカジエン−１，１８−ジカルボヒドラジド、エイコサン二酸ジヒドラジド、アジピン酸ジヒドラジド及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００４９】
上記メラミン化合物としては、例えば、２，４−ジアミノ−６−ビニル−１，３，５−トリアジン及びその誘導体等が挙げられる。
【００５０】
上記酸無水物としては、例えば、フタル酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテート、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、５−（２，５−ジオキソテトラヒドロフリル）−３−メチル−３−シクロヘキセン−１，２−ジカルボン酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸−無水マレイン酸付加物、ドデセニル無水コハク酸、ポリアゼライン酸無水物、ポリドデカン二酸無水物、クロレンド酸無水物及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００５１】
上記フェノール化合物としては、フェノール構造を有する化合物であればよく、例えば、下記一般式（２）〜（４）で表される疎水性フェノール化合物、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾール及びこれらの誘導体等が挙げられる。
【００５２】
【化２】
2008210892.tif 000003
【００５３】
上記一般式（２）中、Ｒ１はメチル基又はエチル基を示し、Ｒ２は水素又は炭化水素基を示し、ｎは２〜４の整数を示す。
【００５４】
【化３】
2008210892.tif 000004
【００５５】
上記一般式（３）中、ｎは０又は１〜５の整数を示す。
【００５６】
【化４】
2008210892.tif 000005
【００５７】
上記一般式（４）中、Ｒ３は下記式（５ａ）又は下記式（５ｂ）で表される基を示し、Ｒ４は下記式（６ａ）、下記式（６ｂ）又は下記式（６ｃ）で表される基を示し、Ｒ５は下記式（７ａ）又は下記式（７ｂ）で表される基を示し、Ｒ６は水素又は炭素数１〜２０の炭素原子含有分子鎖基を示し、ｐ及びｑはそれぞれ１〜６の整数を示し、ｒは１〜１１の整数を示す。
【００５８】
【化５】
2008210892.tif 000006
【００５９】
【化６】
2008210892.tif 000007
【００６０】
【化７】
2008210892.tif 000008
【００６１】
上記一般式（４）において、Ｒ６は水素又は炭素数１〜２０の炭素原子含有分子鎖基を示している。炭素数１〜２０の炭素原子含有分子鎖基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、又は、ベンゼン、ナフタレン、シクロペンタジエン等の脂環式炭化水素を有する基等が挙げられる。
【００６２】
上記熱硬化剤が上記フェノール化合物である場合には、熱硬化性樹脂組成物やこの熱硬化性樹脂組成物からなる成形体の硬化物は、耐熱性や熱履歴を与えた場合の寸法安定性が向上し、吸水性が低下する。特に、熱硬化剤が上記一般式（２）〜（４）で表される疎水性フェノール化合物である場合には、熱硬化性樹脂組成物や成形体の硬化物は、耐熱性や熱履歴を与えた場合の寸法安定性がより向上し、吸水性がより低下する。
【００６３】
上記熱潜在性カチオン重合触媒としては、例えば、６フッ化アンチモン、６フッ化リン、４フッ化ホウ素等を対アニオンとしたベンジルスルホニウム塩、ベンジルアンモニウム塩、ベンジルピリジニウム塩、ベンジルスルホニウム塩等のイオン性熱潜在性カチオン重合触媒、Ｎ−ベンジルフタルイミド、芳香族スルホン酸エステル等の非イオン性熱潜在性カチオン重合触媒等が挙げられる。
【００６４】
上記光潜在性カチオン重合触媒としては、例えば、６フッ化アンチモン、６フッ化リン、４フッ化ホウ素等を対アニオンとした芳香族ジアゾニウム塩、芳香族ハロニウム塩、芳香族スルホニウム塩等のオニウム塩類や鉄−アレン錯体、チタノセン錯体、アリールシラノール−アルミニウム錯体等の有機金属錯体類等のイオン性光潜在性カチオン重合触媒、ニトロベンジルエステル、スルホン酸誘導体、リン酸エステル、フェノールスルホン酸エステル、ジアゾナフトキノン、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホナート等の非イオン性光潜在性カチオン重合触媒等が挙げられる。
【００６５】
上記エポキシ基を持つ化合物（１）〜（１１）に対する上記エポキシ基を持つ化合物の熱硬化剤の配合割合としては、特に限定されないが、上記エポキシ基を持つ化合物のエポキシ基と上記熱硬化剤のエポキシ反応性官能基とが当量比で１：０．５〜１：２程度となるような配合割合であることが好ましい。上記当量比が１：０．５〜１：２程度の範囲を逸脱する配合割合であると、熱硬化性樹脂組成物の硬化物の耐熱性が不充分となることがある。
【００６６】
上記光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物には、適宜アクリル系反応性希釈剤、増感剤、有機溶剤等が含有されてもよい。
【００６７】
上記アクリル系反応性希釈剤としては特に限定されず、例えば、グリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールとアクリル酸又はメタクリル酸から得られる低分子量多官能アクリルが挙げられる。
【００６８】
上記増感剤としては特に限定されず、例えば、イソプロピルベンゾインエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンジルメチルケタール等のケタール化合物、２−ヒドロキシ−２−メチルフェニルプロパノン等のアセトフェノン化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン等のベンゾフェノン化合物、クロロチオキトサン等のチオキトサン化合物等が挙げられる。
【００６９】
上記有機溶剤としては特に限定されず、上記光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物の反応を妨げないものであればよく、例えば、エタノール、トルエン、アセトン等が挙げられる。
【００７０】
上記光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物の粘度としては特に限定されないが、インクジェット印刷によりパターンを形成する場合には５〜２０Ｐａ・ｓ（２３℃）であることが好ましく、グラビア印刷、スクリーン印刷によりパターンを形成する場合には１０〜１０００Ｐａ・ｓ（２３℃）であることが好ましい。上記光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物の粘度は、上記光硬化性化合物及び／又は熱硬化性化合物、又は、上記有機溶剤の添加量により適宜調整することができる。
【００７１】
上記光硬化性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂組成物と比較して硬化速度が速く、生産性に優れるという利点がある。
【００７２】
上記基材表面にパターンを形成する印刷の方法としては特に限定されず、例えば、グラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等が挙げられる。
【００７３】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、上記パターンに光照射及び／又は上記パターンを加熱することにより、上記パターンを硬化させるパターン硬化工程を有する（図１（ｂ）、（ｃ））。
【００７４】
上記光照射の条件としては特に限定されないが、上記光照射させるための光源として、光硬化剤を感光できる波長の光を発する光源を用いればよい。例えば、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、エキシマーランプ、冷陰極管、ＵＶ−ＬＥＤランプ、ハロゲンランプ、高周波誘導型ＵＶランプ等を用いることができる。
上記光照射の強度としては特に限定されないが、光照射により上記シランカップリング剤が失活しないように注意する必要がある。
【００７５】
上記加熱の条件としては特に限定されないが、上記熱硬化性化合物や上記シランカップリング剤が分解しないように注意する必要があり、通常、３００℃以下で加熱される。
【００７６】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、上記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程を有する（図１（ｄ））。
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、上述したようにＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤を用いることにより、上記パターン表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させるだけでパターン表面に下地メッキ層が形成される。
【００７７】
上記下地メッキ金属塩溶液としては特に限定されず、例えば、硫酸銅溶液、塩化金酸溶液、塩化銅溶液、硫酸パラジウム溶液、塩化パラジウム溶液、硝酸銀溶液等が挙げられる。
【００７８】
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、更に、下地メッキ層の表面に電解メッキ法又は無電解メッキ法によりメッキ層を形成するメッキ工程を有することが好ましい。
【００７９】
上記電解メッキ法又は無電解メッキ法で用いられる金属塩溶液としては特に限定されず、例えば、硫酸銅溶液、塩化金酸溶液、塩化銅溶液、硫酸パラジウム溶液、塩化パラジウム溶液、硝酸銀溶液、硫酸ニッケル溶液、塩化すず溶液等が挙げられる。
また、上記電解メッキ法、無電解メッキ法としては特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
【００８０】
また、本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法においては、印刷により直接基材表面に光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなるパターンを形成させる代わりに、基材表面に光硬化性樹脂組成物からなる層を形成させ、マスクを介して光照射することによりパターンを形成させてもよい。
すなわち、基材表面に、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物、及び、光硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物からなる光硬化性樹脂組成物層を形成する光硬化性樹脂組成物層形成工程と、マスクを介して上記光硬化性樹脂組成物層に光照射して硬化させる光照射工程と、上記光硬化性樹脂組成物層から未硬化部分を除去してパターンを形成するパターン形成工程と、上記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程とからなる電磁波遮蔽材料の製造方法もまた、本発明の１つである。
本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法を説明する模式図を図２に示した。以下、図２を用いて本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法を説明する。
【００８１】
別の態様の本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、ＮＨ基又はＮＨ２基を有するシランカップリング剤、光硬化性化合物、及び、光硬化剤を含有する光硬化性樹脂組成物からなる光硬化性樹脂組成物層を形成する光硬化性樹脂組成物層形成工程を有する（図２（ａ））。
上記基材、上記光硬化性樹脂組成物等は上述した基材、光硬化性樹脂組成物等を用いることができる。
【００８２】
別の態様の本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、マスクを介して上記光硬化性樹脂組成物層に光照射して硬化させる光照射工程を有する（図２（ｂ））。
マスクを介して上記光硬化性樹脂組成物からなる層に光照射することにより、光照射された箇所は硬化し、光照射されていない箇所は軟化したままである。従って、後述するパターン形成工程により、光照射されていない箇所のみを選択的に除去することが可能となり、パターンを形成することができる。
【００８３】
別の態様の本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、上記光硬化性樹脂組成物層から未硬化部分を除去してパターンを形成するパターン形成工程を有する（図２（ｃ））。
【００８４】
上記光硬化性樹脂組成物層から未硬化部分を除去する方法としては特に限定されず、例えば、基材表面を従来公知の有機溶剤等で洗浄する方法等が挙げられる。
【００８５】
別の態様の本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、上記パターンの表面に下地メッキ金属塩溶液を付着させて下地メッキ層を形成する下地メッキ工程を有する（図２（ｄ））。
【００８６】
また、別の態様の本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法は、更に、下地メッキ層の表面に電解メッキ法又は無電解メッキ法によりメッキ層を形成するメッキ工程を有することが好ましい。
【００８７】
また、本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法により製造されてなる電磁波遮蔽材料もまた、本発明の１つである。
本発明の電磁波遮蔽材料は、エッチングを必要とせずにパターンを形成させることができるため透明化処理を行う必要がないため電磁波遮蔽性に優れ、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料となる。また、本発明の電磁波遮蔽材料は、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ等の貴金属、Ｃｕ等の金属粒子、又は、ＩＴＯ等の金属酸化物等の微粒子等の高価な無電解メッキ触媒を用いなくても作製することができることから、無電解メッキ触媒を用いてなる従来の電磁波遮蔽材料と比較してもコスト面で優れる。
【発明の効果】
【００８８】
本発明によれば、電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料の製造方法、及び、該製造方法により得られる電磁波遮蔽材料を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８９】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００９０】
（実施例１）
光硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレート（共栄社化学社製「ＰＴＭＧＡ２５０」）１００重量部、及び、２−エチルヘキシルアクリレート５０重量部、光硬化剤として、ベンゾインエチルエーテル５重量部、有機溶剤として、アセトン５重量部、シランカップリング剤として、３−アミノプロピルトリエトキシシランオリゴマー（チッソ社製「ＭＳ３３０１」）１０重量部を、まず、３０分撹拌して脱気した後、更にビーズミルで撹拌した。その後、三本ロールミルで混練し、光硬化性樹脂組成物を調製した。
この光硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷により、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（厚さ１００μｍ）上に印刷し、大気雰囲気中で、紫外線を照射強度２５０ｍＷ、積算光量１０００ｍＪで照射して硬化させることにより、所定の格子状パターン（パターンの幅２５μｍ、パターン間の幅１７５μｍ、厚さ０．５μｍ）のパターンを形成した。
このようにして格子状パターンを形成したＰＥＴフィルムをｐＨ２．０に調整した４重量％塩化銅水溶液に浸漬した後、ジメチルアミンボラン水溶液に５０℃で２分間浸漬することにより、下地メッキ層が形成された電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９１】
（実施例２）
実施例１と同様にして下地メッキ層を形成した後、硫酸銅１０重量部、エチレンジアミン４酢酸（ＥＤＴＡ）２０重量部、ホルムアルデヒド１５重量部を含むｐＨ１２．０に調整した無電解銅メッキ浴に６０℃で１時間浸漬することにより、下地メッキ層の表面にメッキ層が形成された電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９２】
（実施例３）
シランカップリング剤として、３−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は、実施例１と同様にして電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９３】
（実施例４）
塩化銅水溶液の代わりに、塩化パラジウム水溶液を用いたこと以外は、実施例２と同様にして電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９４】
（実施例５）
光硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレート（共栄社化学社製「ＰＴＭＧＡ２５０」）１００重量部、及び、２−エチルヘキシルアクリレート５０重量部、光硬化剤として、ベンゾインエチルエーテル５重量部、有機溶剤として、アセトン５重量部、シランカップリング剤として、３−アミノプロピルトリエトキシシランオリゴマー（チッソ社製「ＭＳ３３０１」）１０重量部を、まず、３０分撹拌して脱気した後、更にビーズミルで撹拌した。その後、三本ロールミルで混練し、光硬化性樹脂組成物を調製した。
この光硬化性樹脂組成物を、ＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）上に乾燥皮膜の厚さが約０．５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、所定の格子状パターン（パターンの幅２５μｍ、パターン間の幅１７５μｍ）が形成されたマスクを介して大気雰囲気中で、紫外線を照射強度２５０ｍＷ、積算光量１０００ｍＪで照射した。
その後、紫外線が照射されていない箇所をテトラヒドロフランにより除去することにより格子状パターン（パターンの幅２５μｍ、パターン間の幅１７５μｍ、厚さ０．５μｍ）を形成した。
このようにして格子状パターンを形成したＰＥＴフィルムをｐＨ２．０に調整した４重量％塩化銅水溶液に浸漬した後、ジメチルアミンボラン水溶液に５０℃で２分間浸漬することにより、下地メッキ層が形成された電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９５】
（実施例６）
実施例５と同様にして下地メッキ層を形成した後、硫酸銅１０重量部、ＥＤＴＡ２０重量部、ホルムアルデヒド１５重量部を含むｐＨ１２．０に調整した無電解銅メッキ浴に６０℃で１時間浸漬することにより、下地メッキ層の表面にメッキ層が形成された電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９６】
（実施例７）
シランカップリング剤として、３−アミノプロピルトリメトキシシランを用いたこと以外は、実施例５と同様にして電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９７】
（実施例８）
塩化銅水溶液の代わりに、塩化パラジウム水溶液を用いたこと以外は、実施例６と同様にして電磁波遮蔽材料を作製した。
【００９８】
（比較例１）
シランカップリング剤を加えなかったこと以外は、実施例１と同様にして格子状パターンを形成した後、下地メッキ処理を行ったが下地メッキ層が形成されなかった。
【００９９】
（比較例２）
シランカップリング剤を加えなかったこと以外は、実施例５と同様にして格子状パターンを形成した後、下地メッキ処理を行ったが下地メッキ層が形成されなかった。
【０１００】
（比較例３）
基材としてＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）を用い、その表面にプライマ（日立化成工業社製「ＨＰ−１」、塗布厚１μｍ）を塗布し、更にその上に接着層として、ポリビニルブチラール樹脂（電気化学工業社製「＃６０００ＰＥ」、軟化点７２℃、分子量２４００、ｎ＝１．５２）を乾燥塗布厚が２０μｍになるように塗布した。その接着層面に導電性金属箔として厚さ１８μｍの電解銅箔（ジャパンエナジー社製「ＪＴＣ」）の粗化面を貼り合わせた。その後、銅箔の光沢面に、凸版反転オフセット法を用いてインクレジスト（日立化成工業社製「ＲＡＹＣＡＳＴ」）を格子状パターン（パターンの幅１５μｍ、パターン間の幅２５０μｍ）に形成し、９０℃で１５分間プリベークした後、高圧水銀ランプで紫外線を９０ｍＪ／ｃｍ２照射した。その後、インクレジストで被覆されていない銅箔をケミカルエッチング、及び、レジスト剥離の工程を経て、電磁波遮蔽材料を作製した。
この工程は、インクレジストを、シリコン樹脂面（ブランケット）上にキャップコータを用いて塗布し、その塗布層を乾燥させた後、パターンの幅１５μｍ、パターン間の幅２５０μｍの格子状パターンの逆パターンを形成した凸版を押圧して凸版の凸部分に印刷インキ組成物を転写して、凸部分の版胴を用いて不要部分の塗膜を除去し、塗布面に残ったインクレジストを銅箔の光沢面に転写した。
【０１０１】
（比較例４）
光硬化性化合物として、ポリエチレングリコールジアクリレート（共栄社化学社製「ＰＴＭＧＡ２５０」）１００重量部、及び、モルフォリンアクリレート１００重量部、光重合開始剤（チバ・スペシャリティーケミカルズ社製「ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７」）６重量部を３０分撹拌して脱気した後、無電解メッキ触媒粒子としてパラジウム微粒子（平均粒径約０．１μｍ）２０重量部を投入して更にビーズミルで撹拌した。その後、三本ロールミルで混練し、＃３００のメッシュでフィルタリングすることにより光硬化性樹脂組成物を調製した。
この光硬化性樹脂組成物をスクリーン印刷により、ＰＥＴフィルム（厚さ１００μｍ）上に印刷し、大気雰囲気中で、紫外線を照射強度２５０ｍＷ、積算光量１０００ｍＪで照射して硬化させることにより、所定の格子状パターン（パターンの幅２０μｍ、パターン間の幅２３０μｍ、厚さ３μｍ）の光硬化性樹脂組成物のパターンを形成した。
このようにして格子状パターンを形成したＰＥＴフィルムを無電解銅めっき浴（メルテックス社製「Ｃｕ５１００」）に浸漬して５０℃で２０分間無電解銅メッキ処理して導電性パターンを形成することにより、電磁波遮蔽材料を作製した。
【０１０２】
＜評価＞
実施例１〜８、及び、比較例３〜４で得られた電磁波遮蔽材料について、以下の評価を行った。結果を表１に示した。
【０１０３】
（１）可視光透過率の測定
得られた電磁波遮蔽材料を、分光光度計（バリアン社製）を用い、４００〜８００ｎｍにおける透過率の平均値を求めた。
【０１０４】
（２）メッキ均一性の評価
得られた電磁波遮蔽材料のメッキ部の状態を、日立ハイテクノロジーズ社製走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）により、倍率１００００倍でメッキ部の状態の観察を行い、メッキ部の表面の突起の高さの評価を行った。
上記突起の高さは、電磁波遮蔽材料のメッキ部の基準表面から突起として現れている高さを測定した。
突起の平均高さは、確認された２０個の突起について高さを測定し、それを算術平均して突起の平均高さとし、以下の基準で評価を行った。
○：メッキ部の表面の突起の平均高さが３０ｎｍ未満である。
△：メッキ部の表面の突起の平均高さが３０ｎｍ以上１００ｎｍ未満である。
×：メッキ部の表面の突起の平均高さが１００ｎｍ以上である。
【０１０５】
（３）表面抵抗の測定
抵抗率計（三菱化学社製「ロレスターＥＰ」：測定レンジ１０−２〜１０６Ω）を用い、４端子４探針法（測定温度２３℃）にて得られた電磁波遮蔽材料の表面抵抗を測定した。
【０１０６】
【表１】
2008210892.tif 000009
【産業上の利用可能性】
【０１０７】
本発明によれば、電磁波を充分に遮蔽し、かつ、安価で生産性に優れた電磁波遮蔽材料の製造方法、及び、該製造方法により得られる電磁波遮蔽材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０８】
【図１】本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法の一例を模式的に示した図である。
【図２】本発明の電磁波遮蔽材料の製造方法の一例を模式的に示した図である。
【符号の説明】
【０１０９】
１  光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物からなる層
２  基材
３  光硬化性樹脂組成物及び／又は熱硬化性樹脂組成物が硬化してなるパターン
４  下地メッキ層
５  光硬化性樹脂組成物からなる層
６  基材
７  マスク
８  光硬化性樹脂組成物が硬化してなるパターン
９  下地メッキ層
【図１】
2008210892.tif 000010
【図２】
2008210892.tif 000011