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【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年7月23日(2013.7.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機液体に分散された、結晶化抑制剤を含み、かつ、レーザ回折法によって求めた、1000nm以下の長さのロッド形の炭酸ストロンチウム粒子を含む分散液であって、有機液体中の粒子の分散液が、分散剤を用いられて得られ、少なくとも90％が指定された最大の長さを有し、前記分散剤と前記結晶化抑制剤とが互いに異なり、前記結晶化抑制剤が、ヒドロキシ置換カルボン酸化合物、鎖長が炭素原子１〜１０個のアルキル（又はアルキレン）基を有するホスホン酸化合物、１つ以上の窒素原子及び１つ以上のカルボン酸又はホスホン酸基を含む化合物、ポリアミノ酸、炭素原子１〜２０個（ＣＯＯ基の炭素原子を含めずに算出した）と１つ以上のＣＯＯ基を有するイオウ置換カルボン酸、ポリアクリレート、ポリエーテル、エーテルスルホネート、フタル酸及びその誘導体のエステル、ポリグリセロールエステル、アミン、脂肪酸のエステル及びそれらの混合物から成る群から選択される、前記分散液。
【請求項２】
分散液が有機液体を含み、存在する有機液体が1つ以上のプロトン性及び/又は非プロトン性有機液体であることを特徴とする請求項1記載の分散液。
【請求項３】
存在する有機液体が、1つ以上のアルコール、直鎖ケトン、環状ケトン、脂肪族又は芳香族炭化水素、又は炭化水素混合物、又はハロゲン化炭化水素を含むことを特徴とする、請求項2記載の分散液。
【請求項４】
前記ハロゲン化炭化水素が塩化炭化水素である、請求項3記載の分散液。
【請求項５】
炭酸ストロンチウムが、結晶化抑制剤の存在下に、水酸化ストロンチウム水溶液とCO2との反応から得られることを特徴とする、請求項1記載分散液。
【請求項６】
結晶化抑制剤及び分散剤を含む、20〜70質量％の炭酸ストロンチウム、及び30〜80質量％の有機液体の含量を有する、請求項1記載の分散液。
【請求項７】
結晶化抑制剤を含み、かつ、1000nm以下の長さのロッド形の炭酸ストロンチウム粒子を含む請求項1〜6のいずれかに記載の分散液の調製方法であって、ロッド形の結晶形に存在する炭酸ストロンチウムから開始し、有機液体にそれを分散させ、有機液体中の粒子の分散液が分散剤を用いられて得られ、前記分散剤と前記結晶化抑制剤とが互いに異なる、前記方法。
【請求項８】
分散が、二次粒子サイズの粉砕により行われることを特徴とする、請求項7記載の方法。
【請求項９】
出発材料が、結晶化抑制剤の存在下に沈殿した炭酸ストロンチウムであることを特徴とする、請求項7又は8記載の方法。
【請求項１０】
炭酸ストロンチウム粒子が150nm未満の平均粒径を有するまで分散が行われることを特徴とする、請求項7、8又は9記載の方法。
【請求項１１】
結晶化抑制剤を含み、かつ、1000nm以下の長さのロッド形の炭酸ストロンチウム粒子の再分散性粉末であって、粒子が分散剤で被覆され、粉末が請求項1記載の分散液から有機液体を除去することによって得ることができ、前記分散剤と前記結晶化抑制剤とが互いに異なり、前記結晶化抑制剤が、ヒドロキシ置換カルボン酸化合物、鎖長が炭素原子１〜１０個のアルキル（又はアルキレン）基を有するホスホン酸化合物、１つ以上の窒素原子及び１つ以上のカルボン酸又はホスホン酸基を含む化合物、ポリアミノ酸、炭素原子１〜２０個（ＣＯＯ基の炭素原子を含めずに算出した）と１つ以上のＣＯＯ基を有するイオウ置換カルボン酸、ポリアクリレート、ポリエーテル、エーテルスルホネート、フタル酸及びその誘導体のエステル、ポリグリセロールエステル、アミン、脂肪酸のエステル及びそれらの混合物から成る群から選択される、前記再分散性粉末。
【請求項１２】
有機液体中の炭酸ストロンチウムの分散液から液体を蒸発させることによって得られることを特徴とする、請求項11記載の再分散性粉末。
【請求項１３】
ポリマーにおける添加剤としての、プラスチックの複屈折の特性を妨げるための、請求項1〜6のいずれか1項に記載の炭酸ストロンチウム分散液又は請求項11又は12に記載の再分散性粉末の使用。
【請求項１４】
請求項1〜6のいずれか1項に記載の分散液又は請求項11又は12に記載の再分散性粉末を用いて得られる、複屈折が減少したプラスチック。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
また、鎖長が炭素原子1〜10個のアルキル(又はアルキレン)基を有するホスホン酸化合物も非常に容易に有用である。有用な化合物は、1、2又はそれ以上のホスホン酸基を有する化合物である。更に、ヒドロキシル基によって置換されてもよい。非常に有用な例は、1-ヒドロキシエチレンジホスホン酸、1,1-ジホスホノプロパン-2,3-ジカルボン酸、2-ホスホノブタン-1,2,4-トリカルボン酸である。これらの例は、ホスホン酸基及びカルボン酸基双方を有する化合物を用いることも可能であることを示している。
また、1〜5個又はそれ以上の窒素原子及び1つ以上、例えば5つまでのカルボン酸又はホスホン酸基を含み、任意に更にヒドロキシル基で置換されてもよい化合物も非常に容易に有用である。例としては、エチレンジアミン又はジエチレントリアミン塩基構造とカルボン酸又はホスホン酸置換基を有する化合物が含まれる。容易に有用な化合物は、例えば、ジエチレントリアミンペンタキス(メタンホスホン酸)、イミノジコハク酸、ジエチレントリアミン五酢酸、N-(2-ヒドロキシエチル)エチレンジアミン-N,N,N-トリ酢酸である。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２１】
実施例2: 塩化メチレン中の実施例1において調製された炭酸ストロンチウムの分散液の調製
炭酸ストロンチウムを、塩化メチレンと、Byk Chemieから入手でき、且つポリエーテル部分がエポキシド単位から形成された側鎖を有するリン酸エステルに基づく酸性基を有するコポリマーである分散剤Disperbyk(登録商標)102と混合する。混合物は、50質量％の炭酸ストロンチウム及び10質量％を分散剤を含有し; 100質量％に対する残りは、塩化メチレンによって形成された。分散の前に、混合物の試料は、粒径を求めるために分析した;結果を“ゼロ”として下記の表1に示す。
その後、混合物をガラスボールによって溶解器に分散した。15分後、合計30分後に、試料について粒径を再び分析した。分散剤を含まないSrCO3と塩化メチレンの1:1の質量比の混合物の溶解器処理(ガラスボールによる)も行い、得られた粒径を決定した。
結果をゼロ試料と共に表1に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月7日(2013.8.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の平型ガルバニセル（３）が設けられているハウジング（２）を有する電気化学的エネルギー貯蔵装置（１）であって、
隣り合う２つの平型ガルバニセルの間に、それぞれ１つの平型熱伝導体（４）および／あるいは平型弾性体（５）が設けられている電気化学的エネルギー貯蔵装置において、
少なくとも１つの熱伝導体（４）が係合する、１つの弾性構造体あるいは複数の弾性構造体（８，９）を有する、少なくとも１つの壁を前記ハウジング（２）が備えることを特徴とする電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項２】
前記平型ガルバニセル、前記平型熱伝導体および／あるいは前記平型弾性体が、接触面で、面圧の意味での力（１１）を互いにかけ合うことを特徴とする請求項１に記載の電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項３】
前記ハウジング（２）は、１つの構造体あるいは複数の構造体（８，９）を有する少なくとも１つの壁を備え、それによって、少なくとも１つの熱伝導体（４）は、該熱伝導体が接触面で作用する前記力（１１）の方向に移動できないように係合することを特徴とする請求項２に記載の電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項４】
前記熱伝導体（４）が、前記ハウジング（２）から突出する熱交換要素（１２）と熱伝導可能に接合されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項５】
前記熱伝導体（４）が、ガス状あるいは液体の熱移動媒体が貫流できる通路（１３）を備えるハウジング部品（８，９）と熱伝導可能に接合されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項６】
前記熱伝導体（４）が、ガス状あるいは液体の熱移動媒体が貫流できる通路（１４）を備えることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気化学的エネルギー貯蔵装置。
【請求項７】
複数の平型ガルバニセル（３）が設けられているハウジング（２）を有する電気化学的エネルギー貯蔵装置を冷却あるいは加熱するための方法において、
少なくとも１つの熱伝導体（４）が、前記ハウジング（２）の少なくとも１つの壁の１つの弾性構造体あるいは複数の弾性構造体（８，９）に係合するように、隣り合う２つの平型ガルバニセルの間に、それぞれ１つの平型熱伝導体（４）および／あるいは平型弾性体（５）が設けられることを特徴とする方法。
【請求項８】
前記平型ガルバニセル（３）、前記平型熱伝導体（４）および／あるいは前記平型弾性体（５）が、接触面で、面圧の意味での力（１１）を互いにかけ合うことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ハウジング（２）は、１つの構造体あるいは複数の構造体（８，９）を有する少なくとも１つの壁を備え、それによって、少なくとも１つの熱伝導体（４）が、該熱伝導体が接触面で作用する前記力（１１）の方向に移動できないように係合することを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記熱伝導体（４）が、前記ハウジング（２）から突出する熱交換要素（１２）と熱伝導可能に接合されていることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記熱伝導体（４）が、ガス状あるいは液体の熱移動媒体が貫流する通路（１３）を備えるハウジング部品（８，９）と熱伝導可能に接合されていることを特徴とする請求項７から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱伝導体（４）が、ガス状あるいは液体の熱移動媒体が貫流する通路（１４）を備えることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月29日(2013.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非線形、線形パラメータ変動、及び時変モデルを同定するシステムであって、
線形部分空間アルゴリズムを含み、該線形部分空間アルゴリズムは、第１の出力信号と第１の入力信号の少なくとも一方を入力し、前記第１の出力信号及び前記第１の入力信号は、該第１の入力信号とスケジューリング関数の間のクロネッカー積、状態関数と前記スケジューリング関数の間のクロネッカー積、及び実質的に同等な信号のうちの少なくとも１つと併用される、前記線形部分空間アルゴリズムの第２の出力信号及び拡張入力信号の少なくとも一方を含む、システム。
【請求項２】
パラメータ推定値及び状態推定値を精緻化する前記線形部分空間アルゴリズムの少なくとも１回の反復をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
１回の反復の収束を判定する尤度関数の評価をさらに含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
最適な状態次数を、尤度計算及びＡＩＣ計算の少なくとも一方を用いて最適な状態次数を選択する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記システムにおける少なくとも一つの故障あるいは変化を判定する尤度比テストをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
初期化時に、状態関数と、スケジューリング関数と状態関数の間のクロネッカー積との少なくとも一方が存在しない、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
不安定な計算をもたらすデータ利用時における、該データを無視する異常値打ち切りをさらに含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項８】
ＡＲＸモデル化計算の監視により前記異常値打ち切りを実現する、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
計算を安定化させる実験計画の利用をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
非線形、時変、及びパラメータ変動処理を支配する方程式のセットを推定するシステムであって、
第１の入力と、
第２の入力と、
フィードバックボックスと、
時間遅延ボックスと、
を備え、
前記第１の入力及び前記第２の入力は、前記フィードバックボックスを通って前記時間遅延ボックスに至り、出力を生成するシステム。
【請求項１１】
前記システムは、連続する出力からの変動が所定の閾値に達するまで反復する、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記システムの出力は、前記システムの反復の間、前記第１の入力及び前記第２の入力のうち少なくとも一方として用いられる、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記時間遅延ボックスは、所定のサンプル持続時間である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記時間遅延ボックスは、複数の線形時不変係数の少なくとも１つを有する、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記フィードバックボックスは、複数の基底関数、複数のスケジューリング関数、及び複数の状態関数のそれぞれのクロネッカー積のうち少なくとも１つを有する、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１の入力は、複数のスケジューリングパラメータのうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１７】
第２の入力は、複数の基底関数のうちの少なくとも１つである、請求項１１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月14日(2013.8.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルブ要素の位置を決定するシステムであって、
ハウジング内に配置され、バルブ軸に接続されたゲートを有したバルブと、
前記バルブ軸に接続された磁性ターゲットであって、該磁性ターゲットは、開口した近位端部と、前記近位端部の反対側の遠位端部と、前記遠位端部に隣接する遠位表面とを有した管体を備え、前記開口した端部は、前記管体内において長手方向に配置された穴部を規定した磁性ターゲットと、
調節部と、前記調節部に接続された係合部と、前記係合部の遠位端部に隣接して配置された接触表面とを有し、前記係合部は、前記穴部内に受け入れられ、前記管体に変位可能に接続された調節部材と、
前記固定磁石の第２の極が前記管体の前記遠位端部の近位にあり、かつ前記固定磁石の第１の極が前記第２の極と反対側になるように、前記穴部内に配置された固定磁石と、
前記可動磁石の第１の極が前記前記固定磁石の第１の極に隣接しかつ前記可動磁石の第２の極が前記調節部材の前記接触表面の近位に来るように、前記調節部材と前記固定磁石との間の前記穴部内に配置された可動磁石と、
その近位端部においてセンサーを有し磁気的にトリガーされる近接スイッチであって、該近接スイッチは、前記ハウジングの外部に固定されて配置され、該センサーは、前記固定磁石の磁束場または前記可動磁石の磁束場を検出するように適合される、近接スイッチと、
を含み、
前記調節部材が前記管体の前記遠位端部に向かって長手方向に変位すると、前記可動磁石が前記固定磁石に向かって変位して、これにより前記固定磁石の磁束場が前記固定磁石の長手方向軸から離隔方向に延び、かつ前記可動磁石の磁束場が前記可動磁石の長手方向軸から離隔方向に延びるように、前記第２の極に隣接する前記可動磁石の上面が、前記調節部材の前記接触表面と係合するように配置される、
バルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項２】
前記固定磁石および前記可動磁石は、どちらとも円筒型の軸方向に磁化されたサマリウムコバルト磁石であるか、またはどちらとも円筒型の軸方向に磁化されたネオジム磁石である、請求項１に記載のバルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項３】
前記穴部は、前記調節部材が前記管体に対して回転すると、前記調節部材の前記長手方向変位が発生するように、前記調節部材の前記係合部のねじ部に接続するように適合された前記近位端部に隣接するねじ部を有する、請求項１又は２に記載のバルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項４】
前記調節部は、前記係合部と一体形成されたフランジ端部を含む、請求項１乃至３のいずれかに記載のバルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項５】
前記固定磁石および前記可動磁石双方の第１の極は北であり、前記固定磁石および前記可動磁石双方の第２の極は南であり、
又は前記固定磁石および前記可動磁石双方の第１の極は南であり、前記固定磁石および前記可動磁石双方の第２の極は北である、請求項１乃至４のいずれかに記載のバルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項６】
前記ハウジングは封入型ハウジングである、請求項１乃至５のいずれかに記載のバルブ要素の位置を決定するシステム。
【請求項７】
ラジアル方向に磁化された永久磁石の磁束場を２つの軸方向に磁化された永久磁石を用いてシミュレートする方法であって、
軸方向に磁化された第１の永久磁石を提供するステップであって、前記第１の永久磁石は、第１の極、第２の極および第１の磁束場を有する、ステップと、
軸方向に磁化された第２の永久磁石を提供するステップであって、前記第２の永久磁石は、第１の極、第２の極および第２の磁束場を有する、ステップと、
前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石が配置される際、前記第１の永久磁石の長手方向軸が前記第２の永久磁石の長手方向軸と実質的に同軸になり、前記第１の永久磁石の第１の極が前記第２の永久磁石の第１の極の近位に来るようにするステップであって、前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石は、長手方向距離だけ離隔される、ステップと、
前記第１の永久磁石と前記第２の永久磁石との間の長手方向距離を低減するための機構を設けることで、前記第１の永久磁石の前記第１の磁束場を前記第１の永久磁石の長手方向軸から離隔方向に伸長させ、前記第２の永久磁石の前記第２の磁束場を前記第２の永久磁石の長手方向軸から離隔方向に伸長させる、ステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石はどちらとも円筒型の軸方向に磁化されたサマリウムコバルト磁石であるか、またはどちらとも円筒型の軸方向に磁化されたネオジム磁石である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石双方の前記第１の極は北であり、前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石の前記第２の極は南であり、
前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石双方の前記第１の極は南であり、前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石の前記第２の極は北である、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の永久磁石および前記第２の永久磁石は、管体の穴部内に配置される、請求項７乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の永久磁石と前記第２の永久磁石との間の長手方向距離を低減するための前記機構は、前記調節部材が前記管体に対して回転すると、前記調節部材の前記長手方向変位が発生するように、前記管体の前記穴部内のねじ部と係合するねじ部を有する調節部材を有する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
封入型バルブハウジング内の変位可能なゲートを有するバルブを提供するステップであって、該ゲートは変位可能なバルブ軸に固定される、ステップと、
前記管体に対する前記第１の永久磁石と前記第２の永久磁石との間の長手方向距離を低減するように前記機構を接続し、前記管体を前記バルブ軸に固定するステップと、
前記バルブハウジングの外部にセンサーを設けるステップであって、前記センサーは、前記バルブ軸が所望位置まで変位した際、前記第１の磁束場または前記第２の磁束場を検出することができる、ステップと、
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ．光を通過させて放射できる前側及び対向する裏側を有するハウジングと、
ｂ．前記ハウジング内に配置された、
ｉ．対向する第１及び第２主側面とその間の１つ以上の側面とを有する少なくとも１つの光ガイドであって、前記第１主側面が前記ハウジングの前記前側に向き、前記第２主側面が前記ハウジングの前記裏側に向いている、光ガイドと、
ｉｉ．前記光ガイドに光を結合するために前記光ガイドの少なくとも１つの側面の少なくとも一部に沿って配置された少なくとも１つの光源と、
ｉｉｉ．前記光ガイドの前記第２主側面と前記ハウジングの前記裏側との間に配置された第１不織繊維層と、
ｉｖ．前記光ガイドの前記第１主側面に配置された、半透明の第２不織繊維層と、
ｃ．主側面に複数個のコーナーキューブ要素を有する少なくとも１つの透明な再帰反射シートであって、前記再帰反射シートが前記ハウジングの前記前側に配置される、再帰反射シートと、を含む、照明装置。
【請求項２】
前記ハウジングの裏側に配置され、前記第１不織繊維層に面する拡散反射面を有する、光増強フィルムを更に含む、請求項１に記載の照明装置。
【請求項３】
互いに並んで配置された異なる色の２つ以上の着色領域を含み、各領域がバックライト、方向指示灯、後退灯、及び停止灯から選択される異なる機能性照明を画定する、請求項１又は２に記載の照明装置。
【請求項４】
着色領域にそれぞれが関連した少なくとも２つ以上の光ガイドと、第１及び第２主側面とその間の横側面とを有する少なくとも１つのセパレータと、を更に含み、前記セパレータの前記第１及び第２主側面が前記ハウジングの前側及び裏側にほぼ垂直に延在するように、前記少なくとも１つのセパレータが前記ハウジング内で２つの光ガイドの間に配置され、前記少なくとも１つのセパレータが前記第１及び第２主側面に反射面を含む、請求項３に記載の照明装置。
【請求項５】
背後に光源を配置する非再帰反射領域を提供するように、前記少なくとも１つの再帰反射シート及び前記少なくとも１つの光ガイドに切り抜き部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月3日(2013.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ制御器とメモリセルとを備える第１の内部メモリと、
前記第１の内部メモリに結合される実行ユニットと、
増設処理ユニットの第２の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供し、更に前記増設処理ユニットによる前記第１の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供するように構成されるインタフェースと、を備えるグラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）。
【請求項２】
前記増設処理ユニットはＧＰＵを備える請求項１の処理ユニット。
【請求項３】
前記増設処理ユニットは中央処理ユニット（ＣＰＵ）を備え、前記第２の内部メモリはキャッシュメモリである請求項１の処理ユニット。
【請求項４】
前記第１の内部メモリは積層ダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項１の処理ユニット。
【請求項５】
前記第１の内部メモリは埋め込みダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項１の処理ユニット。
【請求項６】
前記インタフェースは前記第１の内部メモリをディスプレイデバイスに結合するように更に構成される請求項１の処理ユニット。
【請求項７】
コンピューティングデバイス上で実行される場合にグラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）を定義する命令が入っている持続性コンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記ＧＰＵは、
メモリ制御器とメモリセルとを備える第１の内部メモリと、
前記第１の内部メモリに結合される実行ユニットと、
増設処理ユニットの第２の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供し、更に前記増設処理ユニットによる前記第１の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供するように構成されるインタフェースと、を備えるコンピュータプログラム製品。
【請求項８】
前記増設処理ユニットはＧＰＵを備える請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項９】
前記増設処理ユニットは中央処理ユニットを備え、前記第２の内部メモリはキャッシュメモリである請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項１０】
前記ＧＰＵの前記第１の内部メモリは積層ダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項１１】
前記ＧＰＵの前記第１の内部メモリは埋め込みダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
前記ＧＰＵはハードウエア記述言語ソフトウエアにおいて具現化される請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
前記ＧＰＵはべリログハードウエア記述言語ソフトウエア、ベリログＡハードウエア記述言語ソフトウエア及びＶＨＤＬハードウエア記述言語ソフトウエアの１つにおいて具現化される請求項７のコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
第１のメモリ制御器と第１のメモリセルとを備える第１の内部メモリと前記第１の内部メモリに結合される第１の実行ユニットとを備える第１のグラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）と、
第２のメモリ制御器と第２のメモリセルとを備える第２の内部メモリと前記第２の内部メモリに結合される第２の実行ユニットと、
前記第１のＧＰＵによる前記第２のＧＰＵの前記第２の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供し、更に前記第２のＧＰＵによる前記第２のＧＰＵの前記第１の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供するように構成されるインターフェースと、を備えるシステム。
【請求項１５】
前記第１の内部メモリは積層ダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項１４のシステム。
【請求項１６】
前記第１の内部メモリは埋め込みダイナミックランダムアクセスメモリを備える請求項１４のシステム。
【請求項１７】
前記インタフェースは前記第１の内部メモリ及び前記第２の内部メモリをディスプレイデバイスに結合するように更に構成される請求項１４のシステム。
【請求項１８】
外部メモリと、
キャッシュメモリを備える中央処理ユニット（ＣＰＵ）と、
前記外部メモリ及び前記ＣＰＵの間を結合するバスと、を更に備える請求項１４のシステム。
【請求項１９】
前記第１のＧＰＵは、前記ＣＰＵの前記キャッシュメモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供し、更に前記ＣＰＵによる前記第１の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供するように構成される増設インタフェースを更に備える請求項１８のシステム。
【請求項２０】
前記第２のＧＰＵは、前記ＣＰＵの前記キャッシュメモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供し、更に前記ＣＰＵによる前記第２の内部メモリへの高帯域専用内部メモリアクセスを提供するように構成される増設インタフェースを更に備える請求項１８のシステム。
【請求項２１】
前記メモリ制御器は前記メモリセルへのアクセスを提供するように構成される請求項１の処理ユニット。
【請求項２２】
前記メモリ制御器は前記増設処理ユニットの第２のメモリ制御器へ結合される請求項１の処理ユニット。
【請求項２３】
前記実行ユニットは前記第２の内部メモリからデータを読み出すために前記メモリ制御器へとリクエストを送る請求項２２の処理ユニット。
【請求項２４】
前記実行ユニットは前記第２の内部メモリ内に記憶するために前記メモリ制御器へデータを送る請求項２２の処理ユニット。
【請求項２５】
前記増設処理ユニットの前記第２の内部メモリ内のデータは前記だい１の内部メモリと同様のメカニズムによってアクセスされる請求項１の処理ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成25年9月2日(2013.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）上でワーク項目を処理する方法であって、
メモリ内の中央処理ユニット（ＣＰＵ）によって書き込まれる１つ以上のバッファの実行シーケンスを順序付けるために前記１つ以上のバッファの優先順位を変更することと、
前記１つ以上のバッファからバッファの第１のサブセットを前記第１のサブセットからのワーク項目の前記ＧＰＵ上での実行のために変更された前記優先順位に基づいて選択することと、
前記第１のサブセットからの前記ワーク項目を変更された前記実行シーケンスに応じて前記ＧＰＵ上で実行することと、を備え、
前記変更することと前記選択することとは動的に決定された前記ＧＰＵのワークロードプロファイルに対応している方法。
【請求項２】
前記変更することの前に前記１つ以上のバッファの優先順位を前記ＣＰＵから受信することを更に備える請求項１の方法。
【請求項３】
前記実行することは、
前記第１のサブセットからの第１のバッファからのワーク項目を前記ＧＰＵ上で実行することと、
第２のバッファからのワーク項目が前記ＧＰＵ上で実行されるべきことを決定することと、
前記第１のバッファからのワーク項目を実行からプリエンプトすることと、
前記第２のバッファからのワーク項目の前記ＧＰＵ上での実行を開始することと、を備える請求項１の方法。
【請求項４】
前記プリエンプトすることは、
前記第１のバッファのコンテクストをローカルメモリ内のコンテクスト保存区域に保存することを備える請求項３の方法。
【請求項５】
前記決定することは、
前記第１のバッファからのワーク項目の実行における経過時間を予め定められたタイムスライス値と比較することを備える請求項３の方法。
【請求項６】
前記決定することは、
前記バッファの少なくとも１つをモニタリングすることと、
前記第１のバッファよりも高い優先度レベルを有する前記バッファの前記少なくとも１つにおけるワーク項目を検出することと、を備える請求項３の方法。
【請求項７】
前記モニタリングすることは、
第２のプロセッサによって書き込まれた少なくとも１つのメモリロケーションを読み出すことと、
前記少なくとも１つのメモリロケーションから読み出される値に基づいてコマンド書き込みイベントを検出することと、を備える請求項６の方法。
【請求項８】
前記選択することは、
前記バッファの各々におけるワーク項目を解析することと、
前記バッファの各々における前記ワーク項目の優先度を決定することと、
前記決定された優先度に基づいて前記第１のサブセットを選択することと、を備える請求項１の方法。
【請求項９】
中央処理ユニット（ＣＰＵ）及び前記ＧＰＵに結合されるシステムメモリを前記メモリとして使用することを更に備える請求項１の方法。
【請求項１０】
前記１つ以上のバッファの少なくとも１つとしてリングバッファを使用することを更に備える請求項１の方法。
【請求項１１】
前記第１のサブセットにおける前記バッファの各々として中央処理ユニット（ＣＰＵ）によって書き込まれる１つ以上のコマンドバッファを選択することを更に備える請求項１の方法。
【請求項１２】
グラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）上でワーク項目を実行するためのシステムであって、前記ＧＰＵは、
メモリ内の中央処理ユニット（ＣＰＵ）によって書き込まれる１つ以上のバッファの実行シーケンスを順序付けるために前記１つ以上のバッファの優先順位を変更することと、
前記１つ以上のバッファからバッファの第１のサブセットを前記第１のサブセットからのワーク項目の前記ＧＰＵ上での実行のために変更された前記優先順位に基づいて選択することと、
前記第１のサブセットからの前記ワーク項目を変更された前記実行シーケンスに応じて前記ＧＰＵ上で実行することと、のために構成され、
前記変更することと前記選択することとは動的に決定された前記ＧＰＵのワークロードプロファイルに対応しているシステム。
【請求項１３】
前記ＧＰＵは、前記変更することの前に前記１つ以上のバッファの優先順位を前記ＣＰＵから受信することのために更に構成される請求項１２のシステム。
【請求項１４】
前記ＧＰＵは、
前記第１のサブセットからの第１のバッファを実行することと、
第２のバッファが前記ＧＰＵ上で実行されるべきことを決定することと、
前記第１のバッファを実行からプリエンプトすることと、
前記第２のバッファの前記ＧＰＵ上での実行を開始することと、のために更に構成される請求項１２のシステム。
【請求項１５】
前記プリエンプトすることは、
前記第１のバッファのコンテクストをローカルメモリ内のコンテクスト保存区域に保存することを備える請求項１４のシステム。
【請求項１６】
前記決定することは、
前記バッファの少なくとも１つをモニタリングすることと、
前記第１のバッファよりも高い優先度レベルを有する前記バッファの前記少なくとも１つにおけるワーク項目を検出することと、を備える請求項１４のシステム。
【請求項１７】
前記１つ以上のバッファの少なくとも１つはリングバッファである請求項１２のシステム。
【請求項１８】
中央処理ユニット（ＣＰＵ）と、
前記ＣＰＵ及び前記ＧＰＵに結合される前記メモリと、を更に備える請求項１２のシステム。
【請求項１９】
前記ＧＰＵは１つ以上のコンテクスト保存区域を伴って構成されるローカルメモリを備える請求項１２のシステム。
【請求項２０】
命令を記憶している持続性コンピュータ可読記憶媒体であって、前記命令は実行されるときに方法を用いてグラフィクス処理ユニット（ＧＰＵ）上でワーク項目を処理することに適合させられており、前記方法は、
メモリ内の中央処理ユニット（ＣＰＵ）によって書き込まれる１つ以上のバッファの実行シーケンスを順序付けるために前記１つ以上のバッファの優先順位を変更することと、
前記１つ以上のバッファからバッファの第１のサブセットを前記第１のサブセットからのワーク項目の前記ＧＰＵ上での実行のために変更された前記優先順位に基づいて選択することと、
前記第１のサブセットからの前記ワーク項目を変更された前記実行シーケンスに応じて前記ＧＰＵ上で実行することと、を備え、
前記変更することと前記選択することとは動的に決定された前記ＧＰＵのワークロードプロファイルに対応している持続性コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２１】
前記命令はハードウエア記述言語命令を備える請求項２０の持続性コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２２】
前記命令は前記ワーク項目をＧＰＵ上で処理するためのデバイスを創出するマスクワーク／フォトマスクの創出を通した製造処理を構成することに適合させられている請求項２０の持続性コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項２３】
前記動的に決定された前記ワークロードプロファイルは前記ＧＰＵの処理要素の利用可能性を含み、前記選択することは前記処理要素の利用を高めるために前記優先順位を変更することを更に含む請求項１の方法。
【請求項２４】
前記選択することは前記ＧＰＵによって実行される請求項１の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月19日(2013.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験制御盤装置であって、
試験入力信号を受信するように構成される試験入力装置と、
前記試験入力信号の継続時間を読み取るためのタイマと、
前記信号継続時間が前記試験を開始するために有効な継続時間であることを検証するように構成される検証装置と、
試験開始信号を弁制御器装置に送信することによって、前記試験を開始するように構成される伝送器装置と、
前記弁制御器装置から信号を受信するように構成される受信器装置と、
前記試験制御盤装置が前記弁制御器装置から弁制御器装置信号を受信したことを示すように構成される出力指示器装置と、を備え、
前記弁制御器装置信号は、試験確認応答信号である、
装置。
【請求項２】
前記弁制御器装置信号は、位置センサ信号、圧力センサ信号、もしくは電流センサ信号から成る群のうちのいずれか１つ、または、ループ電流信号、行程設定値信号、行程信号、もしくはＤＶＣ起動信号から成る群のうちのいずれか１つである、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記出力指示器装置は、可聴または可視指示を生成するように構成される、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記継続時間は、３〜１０秒であり、前記試験は、部分的ストローク試験である、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記出力指示器装置は、発光ダイオード（ＬＥＤ）をあるパターンで点滅させるように構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項６】
前記出力指示器装置は、前記弁制御器装置信号が確認応答信号であったことを示すように、発光ダイオードを反復的に点滅させるように構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項７】
前記出力指示器装置は、前記試験制御盤装置によって受信された前記弁制御器装置信号の種類に応じて、出力を表示させるように構成される、請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記出力指示器装置は、発光ダイオードを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記出力指示器装置は、緑色ＬＥＤ、黄色ＬＥＤ、または赤色ＬＥＤのうちのいずれか１つまたはそれらの組み合わせを含む、請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記伝送器装置または受信器装置のうちのいずれか１つまたは両方が、ワイヤレス装置である、請求項３に記載の装置。
【請求項１１】
システムを試験するためのプログラムされた命令を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体を有するコンピュータプログラム製品であって、該コンピュータプログラム製品が前記システムによって実行されたとき、前記命令は、
試験入力信号を受信することと、
前記試験入力信号の継続時間を読み取ることと、
前記信号継続時間が前記試験を開始するために有効な継続時間であることを検証することと、
試験開始信号を弁制御器装置に送信することによって前記試験を開始することと、
前記弁制御器装置から信号を受信することと、
前記試験制御盤装置が前記弁制御器装置から弁制御器装置信号を受信したことを示すことと、を前記システムに実施させ、
前記弁制御器装置信号は、試験確認応答信号である、
コンピュータプログラム製品。
【請求項１２】
前記弁制御器装置信号は、位置センサ信号、圧力センサ信号、もしくは電流センサ信号から成る群のうちのいずれか１つ、または、ループ電流信号、行程設定値信号、行程信号、もしくはＤＶＣ起動信号から成る群のうちのいずれか１つである、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１３】
前記試験制御盤装置が弁制御器装置信号を受信したことを示すことは、可聴または可視指示を生成することを含む、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１４】
前記継続時間は、３〜１０秒であり、前記試験は、部分的ストローク試験である、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１５】
前記試験制御盤装置が弁制御器装置信号を受信したことを示すことは、発光ダイオード（ＬＥＤ）をあるパターンで点滅させることを含む、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１６】
前記試験制御盤装置が弁制御器装置信号を受信したことを示すことは、前記弁制御器装置信号が確認応答信号であったことを示すように、発光ダイオードを反復的に点滅させることを含む、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１７】
前記試験制御盤装置が弁制御器装置信号を受信したことを示すことは、受信された前記弁制御器装置信号の種類に応じて、出力を表示させることを含む、請求項１１に記載のコンピュータプログラム製品。
【請求項１８】
前記試験制御盤装置が弁制御器装置信号を受信したことを示すことは、発光ダイオードを使用することを含む、請求項１７に記載のコンピュータプログラム製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の態様に従うと、システムを試験するためのプログラムされた命令を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体を有するコンピュータプログラム製品であって、コンピュータプログラム製品がシステムによって実行されたとき、命令は、試験入力信号を受信することと、試験入力信号の継続時間を読み出すことと、信号継続時間が試験を開始するために有効な継続時間であることを検証することと、試験開始信号を弁制御器装置に送信することによって試験を開始することと、弁制御器装置から信号を受信することと、試験制御盤装置が弁制御器装置から弁制御器装置信号を受信したことを示すことと、を前記システムに実施させ、弁制御器装置信号は、試験確認応答信号であるコンピュータプログラム製品である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2013504121.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2013504121.tif 000002
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ａ】
2013504121.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３Ｂ】
2013504121.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月29日(2013.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動車用放電ランプアセンブリであって、
共通のハウジング内に格納された高圧スタータ又はイグナイタユニット及びバラストユニットと、前記ハウジングから延びる高輝度放電ランプバーナとを含む一体型の高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリと、
自動車用ヘッドランプ光学アセンブリと、
前記共通のハウジング内の前記一体型高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリを前記自動車用ヘッドランプ光学アセンブリに機械的に連結する連結アセンブリであって、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの一方の周囲の周囲位置で離間し、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの他方の溝に受け入れられる複数のスナップ嵌めクランプを含む連結アセンブリとを備える、自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項２】
前記一体型ランプ及びドライバアセンブリと前記ヘッドランプ光学アセンブリの一方から延びて、前記一体型ランプ及びドライバアセンブリと前記ヘッドランプ光学アセンブリの他方の基準面と当接係合する第１、第２及び第３の突起部を更に備える、請求項１に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項３】
前記光学アセンブリと前記放電ランプとを回転式に配向するため、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの一方の内部のスロットと、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの他方から延びるキーとを更に備える、請求項２に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項４】
前記光学アセンブリと前記放電ランプとを回転式に配向するため、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの一方の内部のスロットと、前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの他方から延びるキーとを更に備える、請求項１に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項５】
前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの他方のねじ部と作用的に係合する前記ヘッドランプ光学アセンブリと前記一体型ランプ及びドライバアセンブリの一方の上に受け入れられるねじ山付きリングを更に備える、請求項１に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項６】
前記ねじ山付きリングが前記スナップ嵌めクランプの上方に受け入れられる、請求項５に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項７】
自動車用放電ランプアセンブリであって、
共通のハウジング内に格納された高圧スタータ又はイグナイタユニット及びバラストユニットと、前記ハウジングから延びる高輝度放電ランプバーナとを含む一体型の高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリと、
自動車用ヘッドランプ光学アセンブリと、
前記共通のハウジング内の前記一体型高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリを前記自動車用ヘッドランプ光学アセンブリに機械的に連結する連結アセンブリであって、前記一体型ランプ及びドライバの共通のハウジングと前記ヘッドランプ光学アセンブリの一方から外側に延び、前記一体型ランプ及びドライバの共通のハウジングと前記ヘッドランプ光学アセンブリの他方に形成された凹部内に作用的に受け入れられるようにする少なくとも１つのバヨネットピンと、前記バヨネットピンが前記凹部から不慮に離脱することを防止するために前記バヨネットピンと作用的に係合するばねとを含む連結アセンブリとを備える、自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項８】
前記一体型ランプ及びドライバアセンブリと前記ヘッドランプ光学アセンブリの一方から延びて、前記一体型ランプ及びドライバアセンブリと前記ヘッドランプ光学アセンブリの他方の基準面と当接係合する第１、第２及び第３の突起部を更に備える、請求項７に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項９】
各々の凹部が略Ｌ形を有し、該Ｌ形の軸方向の第１の部分が前記一体型高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリを前記共通のハウジングと共に、前記ヘッドランプ光学アセンブリの方向に相対的に軸方向に前進できるようにする、請求項７に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項１０】
各々の略Ｌ形凹部が、前記一体型高輝度放電ランプ及びドライバアセンブリを前記共通のハウジングと共に前記ヘッドランプ光学アセンブリに対して回転移動できるようにする略周方向の第２の部分を含む、請求項９に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項１１】
略Ｌ形凹部の各々の略周方向の第２の部分が、前記凹部の軸方向の第１の部分と９０°以下の内包角をなす、請求項１０に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項１２】
前記ばねが、前記バヨネットピンを前記略Ｌ形凹部の略周方向の第２の部分内に押圧する、請求項１１に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【請求項１３】
各々の凹部が、９０°以下の内包角をなす軸方向の第１の部分と、略周方向の第２の部分とを含む略Ｌ形の形状を有し、前記ばねが前記周方向の第２の部分内に前記バヨネットピンを保持する、請求項７に記載の自動車用放電ランプアセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤ電球であって、
ハウジング内に配置された発光ダイオードと、
前記ハウジングの欠陥を判定し、前記欠陥が検出された場合に前記発光ダイオードの少なくとも１つを電源から切断する隔離監視装置と、
を少なくとも有し、
前記ＬＥＤ電球が主電源電圧に適合されているＬＥＤ電球。
【請求項２】
請求項１に記載のＬＥＤ電球であって、前記隔離監視装置が、前記欠陥が検出された場合に前記発光ダイオードを電源から全極切断する接点遮断手段を有するＬＥＤ電球。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のＬＥＤ電球であって、前記隔離監視装置が、前記欠陥が検出された場合に前記発光ダイオードを電源から永久的に切断する接点遮断手段を有するＬＥＤ電球。
【請求項４】
請求項１ないし３の何れか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記ハウジングが、前記発光ダイオードに電源を供給するために電球ソケットと着脱可能に係合する口金部材を有するＬＥＤ電球。
【請求項５】
請求項１ないし４の何れか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記発光ダイオードが主電源電圧に適合されているＬＥＤ電球。
【請求項６】
請求項１ないし５の何れか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記隔離監視装置が、前記ハウジング内の媒体の圧力を測定する圧力センサを有すると共に、該測定された圧力が所定の閾値に対応しない場合に前記発光ダイオードを電源から切断するＬＥＤ電球。
【請求項７】
請求項１ないし６の何れか一項に記載のＬＥＤ電球であって、前記ハウジングは前記発光ダイオードにより発生された光の少なくとも一部が伝達されるように構成された透明なカバー部材を有し、前記隔離監視装置は前記カバー部材の欠陥を検出するＬＥＤ電球。
【請求項８】
請求項７に記載のＬＥＤ電球であって、前記隔離監視装置は、検出信号を供給する送信器と、該送信器に対して前記カバー部材により伝達された前記検出信号を受信するように配置された検出器とを有すると共に、前記検出信号から前記カバー部材の障害を判定するＬＥＤ電球。
【請求項９】
請求項８に記載のＬＥＤ電球であって、前記送信器が光源であり、前記検出器が光検出器であるＬＥＤ電球。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載のＬＥＤ電球であって、前記送信器は前記カバー部材内で振動信号を励起し、前記検出器は前記振動信号を受信するＬＥＤ電球。
【請求項１１】
請求項１ないし１０の何れか一項に記載のＬＥＤ電球と、該ＬＥＤ電球と着脱可能に係合する電球ソケットとを有する照明器具。
【請求項１２】
少なくとも１つの発光ダイオードとハウジングとを有し、主電源電圧に適合されているＬＥＤ電球を動作させる方法であって、
前記ハウジングの欠陥が判定され、
前記欠陥が判定された場合に、前記少なくとも１つの発光ダイオードが電源から切断される、
方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年8月8日(2013.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に電極を印刷するための組成物であって、
それぞれ組成物の合計質量に対して、５０〜９０質量％の導電性粒子、０〜７質量％のガラスフリット、０．１〜５質量％の、レーザー照射のための少なくとも１種の吸収剤、０〜８質量％の少なくとも１種のマトリクス材料、０〜８質量％の少なくとも１種の有機金属化合物、３〜５０質量％の、溶媒としての水、０〜６５質量％の少なくとも１種の歩留まり向上剤、及び０〜５質量％の少なくとも１種の添加剤を含み、及び
前記歩留まり向上剤は、水の蒸発を遅らせるための遅延剤であり、及び
前記添加剤として、分散剤、チキソトロープ剤、可塑剤、湿潤剤、消泡剤、乾燥剤、架橋剤、錯化剤、及び／又は伝導性ポリマー粒子が使用される、組成物。
【請求項２】
導電性粒子が、銀、金、アルミニウム、白金、パラジウム、スズ、ニッケル、カドミウム、ゲリウム、インジウム、銅、亜鉛、鉄、ビスマス、コバルト、マンガン、クロム、バナジウム、チタニウム、又はこれらの混合物、又は合金を含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
導電性粒子が、平均粒子径を、３ｎｍ〜１００μｍの範囲に有することを特徴とする請求項１又は２の何れかに記載の組成物。
【請求項４】
導電性粒子が、基本的に球形であることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の組成物。
【請求項５】
使用するガラスフリットが、酸化ビスマスベースの無鉛ガラスであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の組成物。
【請求項６】
ガラスフリットが、０．０１〜１０質量％の酸化テルルを含むことを特徴とする請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
マトリクス材料が、水溶性、又は水分散性のポリマーであることを特徴とする請求項１〜６の何れか１項に記載の組成物。
【請求項８】
歩留まり向上剤が、グリセロール、グリコール、ポリグリコール、アルカノールアミン、Ｎ−メチルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリビニルアミン、ポリビニルホルムアミド、又はこれらの混合物から成る群から選ばれることを特徴とする請求項１〜７の何れか１項に記載の組成物。
【請求項９】
有機金属化合物が、金属カルボキシレート、金属プロピオン酸塩、金属アルコキシド、金属の錯体、又はこれらの混合物であることを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
有機金属化合物の金属が、アルミニウム、ビスマス、亜鉛、及びバナジウムから成る群から選ばれることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
有機金属化合物が、追加的に、ホウ素又はシリコンを含むことを特徴とする請求項１〜１０の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
使用されるレーザー照射のための吸収剤が、無機顔料、及び銀、金、白金、パラジウム、タングステン、ニッケル、スズ、鉄、インジウムチンオキシド、タングステンオキシド、チタニウムカーバイド、又はチタニウムニトリド、ファインカーボンタイプ、又はファインランタンヘキサボライドのナノ粒子であることを特徴とする請求項１〜１１の何れか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
ファインカーボンが、カーボンブラック、グラファイト、カーボンナノチューブ、及び／又はグラフェンを含むことを特徴とする請求項１２に記載の組成物。
【請求項１４】
太陽電池のための電極を製造するために使用される、請求項１〜１３の何れか１項に記載の組成物。