Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月26日(2012.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦点面を定義する固定された非可調焦点距離と、焦点範囲とを備えた拡大レンズと、
前記焦点面に向けられた光を与える光源と、
コントローラとを備えた装置であって、前記コントローラは、
前記装置から対象までの距離を示す信号を受け取り、
前記距離が前記レンズの焦点範囲内であれば、前記光源に光を第1輝度で放射させ、
前記距離が前記レンズの焦点範囲内でなければ、前記光源に前記第1輝度よりも暗い第2輝度で光を放射させるようプログラムされている、装置。
【請求項２】
前記光源が可視光を与えかつ放射する、請求項1に記載の装置。
【請求項３】
前記信号が前記距離を表す数値データを含む、請求項1に記載の装置。
【請求項４】
前記信号が、前記焦点距離と前記距離との差を表す数値データを含む、請求項1に記載の装置。
【請求項５】
前記信号は、前記距離が前記レンズの焦点範囲内かどうかを示す論理データを含む、請求項1に記載の装置。
【請求項６】
前記第2輝度が前記第1輝度の約30%乃至約60%である、請求項1に記載の装置。
【請求項７】
前記第2輝度がゼロ輝度であり、前記距離が前記レンズの焦点範囲内でない場合は、前記光源は光を放射しない、請求項1に記載の装置。
【請求項８】
前記コントローラは、前記距離が前記レンズの焦点範囲から外れる際に、前記光源の放射レベルを前記第1輝度から前記第2輝度まで徐々に移行させるようプログラムされている、請求項1に記載の装置。
【請求項９】
前記装置から前記対象までの距離を測定し、且つ前記装置から前記対象までの距離を示す前記信号を発生するセンサをさらに含む、請求項1に記載の装置。
【請求項１０】
前記センサは、三角測量によって前記距離を測定するために前記装置上に配置された送信器と受信器とを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記送信器は光放射源を含み、前記受信器は光検出器を含む、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記光放射源は赤外線を放射し、前記受信器は赤外線を感知する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記センサは画像センサを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１４】
前記センサは一次元イメージセンサを含む、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記センサは、前記距離が時間経過とともに変化する際に前記距離をサンプルするようにプログラムされており、発生された前記信号は時間平均距離を示す、請求項９に記載の装置。
【請求項１６】
電力タイマーをさらに含み、前記第2輝度がゼロ輝度であり、前記コントローラは、
前記電力タイマーの期限が切れていなければ前記光源に光を放射させ、
前記電力タイマーの期限が切れていれば前記光源に光を放射させないようにプログラムされている、請求項９に記載の装置。
【請求項１７】
前記コントローラが、
(I)  前記光源に光を前記第1輝度で放射させ、
(II)  前記電力タイマーの期限が切れているかどうかを判断し、
(A)  前記電力タイマーの期限が切れていれば、前記光源に光を放射させず、
(B)  前記電力タイマーの期限が切れていなければ、
(1)  前記センサに前記距離を測定させ、
(2)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にあるかどうかを判断し、
(a)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にあれば、
(i)  前記電力タイマーをリセットし、
(ii)  ステップ(II)から繰り返し、
(b)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にない場合は、前記電力タイマーを最初にリセットすることなくステップ(II)から繰り返すようプログラムされている、請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
電力タイマー及び照明タイマーをさらに含み、前記コントローラは、
前記照明タイマーの期限が切れていなければ、前記距離が前記レンズの焦点範囲内でなくても、前記光源に光を前記第1輝度で放射させ、
前記照明タイマーの期限が切れおり、前記距離が前記レンズの焦点範囲内でなければ、前記光源に光を前記第2輝度で放射させ、
前記照明タイマーの期限が切れており、前記電力タイマーの期限が切れていれば、前記光源を前記第2輝度から光を放射しない状態に切り替えるようにプログラムされている、請求項９に記載の装置。
【請求項１９】
前記コントローラが、
(I)  前記光源に光を前記第2輝度で放射させ、
(II)  前記電力タイマーの期限が切れているかどうかを判断し、
(A)  前記電力タイマーの期限が切れていれば、前記光源に光を放射させず、
(B)  前記電力タイマーの期限が切れていなければ、
(1)  前記センサに前記距離を測定させ、
(2)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にあるかどうかを判断し、
(a)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にあれば、
(i)  前記電力タイマー及び前記照明タイマーをリセットし、前記光源に前記第1輝度で出力を放射させ、
(ii) ステップ(1)から繰り返し、
(b)  前記距離が前記レンズの焦点範囲内にない場合は、前記照明タイマーの期限が切れているかどうかを判断し、
(i)  前記照明タイマーの期限が切れていれば、
(aa)  前記光源ぶ光を前記第2輝度で放射させ、
(bb)  前記電力タイマーを最初にリセットすることなくステップ(II)から繰り返し、
(ii)  前記照明タイマーの期限が切れていなければ、前記照明タイマーを最初にリセットすることなくステップ(1)から繰り返すようプログラムされている、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記光源が多数の光放出源を含み、
すべての放出源を点灯して前記第1輝度を実現し、
すべてより少ない数の放出源を点灯して前記第2輝度を実現する、請求項1に記載の装置。
【請求項２１】
請求項1の装置から対象までの距離を検知する段階と、
前記距離が前記レンズの焦点範囲内かどうかを示す、前記装置のユーザが感知可能なフィードバックを発する段階とを含み、前記フィードバックが、
前記距離が前記レンズの焦点範囲内であれば光を前記第1輝度で放射することと、
前記距離が前記レンズの焦点範囲内でなければ、前記第1輝度よりも暗い前記第2輝度で光を放射することを含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モバイル装置への無線通信リンクを提供する複数の基地局を含む通信ネットワークと通信的に接続されるモバイルユニットを含むＧＰＳ追跡システムにおいて、前記モバイル装置はまたＧＰＳ衛星システムと通信可能に接続され、前記モバイル装置が静的かを検証しかつ前記モバイル装置に送信される前記ＧＰＳ位置データを使用するか、または、破棄するかを評価するためのコンピューター実行方法であって、
時間における第１のポイントで前記モバイル装置の地理的な位置を決定するように使用することが可能なＧＰＳデータを前記モバイル装置で受信するステップと、
時間における第２のポイントで前記モバイル装置の地理的な位置を決定するように使用することが可能なＧＰＳデータを前記モバイル装置で受信するステップと、
通信信号を前記モバイル装置に供給する基地局を選択するステップと、
時間における前記第１のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号の強度を検出するステップと、
時間における前記第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号の強度を検出するステップと、
前記時間の第１および第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号間の信号強度を比較するステップと、
前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化した場合は、前記モバイル装置が移動したかを決定しかつ前記モバイル装置の位置を検証するＧＰＳデータを使用し、前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化しなかった場合は、前記モバイル装置が動いていないかを決定しかつＧＰＳデータを廃棄するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記モバイル装置は、１つまたは複数の動き検出装置を含み、前記方法はさらに、前記１つまたは複数の動き検出装置によって提供されるデータを分析して、さらに前記モバイル装置が静的かを検証し、もしそうならば前記ＧＰＳデータを廃棄するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記時間の第１および第２のポイントで検出された前記通信信号は、携帯電話の信号の少なくとも１つで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
影のマッピング、および、ＧＰＳの影を記録するログにアクセスするステップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項５】
信号強度に影響するパラメーターを管理する１つまたは複数のデータストアにアクセスするステップをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記モバイル装置は比較器コンポーネントを含み、前記比較器コンポーネントは、
前記時間の第１および第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号間の前記信号強度を比較し、
前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化した場合は、前記モバイル装置が移動したかを決定しかつ前記モバイル装置の位置を検証するＧＰＳデータを使用し、前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化しなかった場合は、前記モバイル装置が動いていないかを決定しかつＧＰＳデータを廃棄することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記モバイル装置は位置検出コンポーネントを含み、前記位置検出コンポーネントは、
時間における第１のポイントで前記モバイル装置の前記地理的な位置を決定するＧＰＳデータを前記モバイル装置で受信し、
時間における第２のポイントで前記モバイル装置の前記地理的な位置を決定するＧＰＳデータを前記モバイル装置で受信することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記時間の第１および第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号間の信号強度を比較するステップと、前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化した場合は、前記モバイル装置が移動したかを決定しかつ前記モバイル装置の位置を検証するＧＰＳデータを使用し、前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化しなかった場合は、前記モバイル装置が動いていないかを決定しかつＧＰＳデータを廃棄するステップとは、前記通信ネットワークのサーバーで実行されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記モバイル装置は、ＧＰＳ位置を訂正する人工知能スキームを実行する推定コンポーネントを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
コンピューターであって、
プロセッサーを含み、前記プロセッサーは、
時間における第１のポイントでモバイル装置の地理的な位置を決定するように使用することが可能なＧＰＳデータを受信し、
時間における第２のポイントで前記モバイル装置の地理的な位置を決定するように使用することが可能なデータを受信し、
通信信号を前記モバイル装置に供給する基地局を選択し、
時間における前記第１のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号の強度を検出し、
時間における前記第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号の強度を検出し、
前記時間の第１および第２のポイントで前記基地局によって前記モバイル装置に送信される前記通信信号間の信号強度を比較し、
前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化した場合は、前記モバイル装置が移動したかを決定し、かつ、前記時間の第１および第２のポイントで前記受信したＧＰＳデータを処理し、前記比較された信号強度が所定のしきい値を超えて変化しなかった場合は、前記モバイル装置が動いていないかを決定し、かつ、前記ＧＰＳデータを廃棄する
ように構成されていることを特徴とするコンピューター。
【請求項１１】
前記プロセッサーはさらに、前記１つまたは複数の動き検出装置によって提供されるデータを分析して、さらに前記モバイル装置が静的かを検証し、もしそうならば前記ＧＰＳデータを廃棄するように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のコンピューター。
【請求項１２】
前記時間の第１および第２のポイントで検出された前記通信信号は、携帯電話の信号、ＷｉＦｉ信号、無線周波数信号、または、デジタルテレビジョン信号の少なくとも１つで形成されていることを特徴とする請求項１０に記載のコンピューター。
【請求項１３】
前記プロセッサーはさらに、影のマッピング、および、ＧＰＳの影を記録するログにアクセスするように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のコンピューター。
【請求項１４】
前記プロセッサーはさらに、信号強度に影響するパラメーターを管理する１つまたは複数のデータストアにアクセスするように構成されていることを特徴とする請求項１１に記載のコンピューター。
【請求項１５】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法をコンピューターに実施させるためのプログラムを含むコンピューター可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月21日(2012.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽光集光器であって、
集光器の受光角を構成する第１の範囲と、当該第１の範囲外の角度を構成する第２の範囲とを含む角度の範囲から光を受け入れるよう構成された入射口を有するプリズム集光器と、
前記第１の範囲内で前記入射口に当たる光が到達するように前記集光器と共に相互配置された光電池と、
所定の色の可視光線源を構成し、前記第２の範囲内の観察者の目に見えるように前記集光器と共に相互配置される調光器とを具えることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽光集光器において、前記調光器は、前記第１の範囲内で入射口に当たる光が前記光電池に到達するのを遮らない位置に配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項３】
請求項１に記載の太陽光集光器において、前記調光器が当該調光器に当たる光の色とは異なる少なくとも１つの色の光を反射するよう構成されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽光集光器において、前記調光器が前記少なくとも１つの色の光を発光するよう構成された少なくとも１つの発光源を具えることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項５】
請求項４に記載の太陽光集光器がさらに、前記少なくとも１つの発光源の各々の動作を制御するよう構成された制御部を具えることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項６】
請求項１に記載の太陽光集光器において、前記集光器がさらに全内部反射によって前記第１の範囲の光を反射するよう構成された底部反射面を具え、前記集光器がさらに、前記第１の範囲内で前記集光器に当たり、前記底部反射面を透過する光を前記光電池の方へ反射し、かつ前記第２の範囲内で前記集光器に当たり、前記底部反射面を透過する光を前記調光器の方へ反射するように、前記底部反射面と共に相互配置された鏡面を具えることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項７】
請求項６に記載の太陽光集光器において、前記入射口がその第１の端部で前記底部反射面と接し、前記鏡面がその第２の端部で前記底部反射面と接し、前記調光器が前記底部反射面の近傍もしくは前記第１の端部に配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項８】
請求項１に記載の太陽光集光器において、前記集光器がさらに全内部反射によって前記第１の範囲からの光を反射するよう構成された底部反射面を具え、前記調光器が前記底部反射面と平行で、かつ実質的にその全長に沿って配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項９】
請求項８に記載の太陽光集光器において、前記集光器が三角形断面を有し、その第１の面が受光面を構成し、その第２の面が前記入射口を構成し、第３の面が前記底部反射面を構成し、前記第２および第３の面の間の角度が前記受光角に関することを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１０】
請求項９に記載の太陽光集光器において、前記調光器は、前記集光器と同等に形成されており、かつ前記集光器と前記調光器の各々の各第２の面が互いに平行であり、前記集光器と前記調光器の各々の各第３の面が互いに平行で向かい合うように前記集光器と共に相互配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の太陽光集光器において、前記第３の面が小さな隙間によって離れていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１２】
請求項１乃至１１の何れか１項に記載の太陽光集光器において、前記集光器が側壁を具え、前記調光器が前記側壁の少なくとも１つに隣接して配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１３】
請求項１２に記載の太陽光集光器において、前記調光器が前記少なくとも１つの側壁に平行に配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１４】
請求項１に記載の太陽光集光器において、前記集光器が誘電体で満たされた複合パラボラ集光器（ＣＰＣ）を含み、前記調光器が前記ＣＰＣの側壁の少なくとも一部に隣接して配置されていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１５】
請求項１３に記載の太陽光集光器において、前記調光器が前記側壁と平行に配置され、小さな隙間によって前記側壁から離れていることを特徴とする太陽光集光器。
【請求項１６】
太陽光集光器のアレイであって、前記集光器の各々が請求項１乃至１５の何れか１項に従って形成されていることを特徴とするアレイ。
【請求項１７】
請求項１６に記載のアレイにおいて、前記集光器はその所定の色が結合して画像を形成するように配置されていることを特徴とするアレイ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のアレイにおいて、前記画像が動画であることを特徴とするアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月4日(2012.12.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の様々な実施形態の上述の説明を、例証及び説明の目的で提示してきた。それは、包括的であることも、開示されたまさにその形態に本発明を限定することも意図していない。以上の教示を考慮すれば、多くの修正形態及び変形形態が可能である。本発明の範囲は、この詳細な説明によってではなく、むしろ添付の「特許請求の範囲」によって限定されるものとする。
本発明はまた、以下の内容を包含する。
（１）
多層半導体構造体の製造方法であって、
電極層を形成する工程と、
前記電極層に隣接して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の形成後、前記誘電体層を水素含有プラズマに曝露する工程と、
前記誘電体層を前記水素含有プラズマに曝露した後、前記誘電体層に隣接して金属酸化物半導体層を形成する工程と、を含む、方法。
（２）
前記誘電体層を形成する工程が、前記電極層を陽極酸化処理することを含む、項目１に記載の方法。
（３）
前記半導体層がＺｎＯを含み、前記誘電体層がＡｌ２Ｏ３を含む、項目１又は２に記載の方法。
（４）
前記電極層を形成する工程、前記誘電体層を形成する工程、前記誘電体層を前記水素含有プラズマに曝露する工程、及び前記半導体層を形成する工程が、可撓性基材上にロールツーロールプロセスで実施される、項目１〜３のいずれか一項に記載の方法。
（５）
前記誘電体層を形成する工程及び前記半導体層を形成する工程が、１００℃未満の温度で実施される、項目１〜４のいずれか一項に記載の方法。
（６）
前記水素含有プラズマが約５％の水素を含む、項目１〜５のいずれか一項に記載の方法。
（７）
前記水素含有プラズマが重水素を含む、項目１〜６のいずれか一項に記載の方法。
（８）
前記誘電体層を前記水素含有プラズマに曝露する工程が、前記誘電体層を少なくとも約０．０１ワット／ｃｍ２に約３〜５分間曝露することを含む、項目１〜７のいずれか一項に記載の方法。
（９）
前記誘電体層を前記水素含有プラズマに曝露する工程が、前記誘電体層の表面にある第１地点での第１濃度から、前記表面から離れた前記誘電体層内の第２地点での第２濃度へ低下する、不均一な水素濃度プロファイルを生成することを更に含む、項目１〜８のいずれか一項に記載の方法。
（１０）
前記多層半導体構造体を形成する工程が、薄膜トランジスタを形成することを含み、
前記誘電体層を水素含有プラズマに曝露する工程が、前記誘電体の表面で水素を水素化領域に組み込むことを含み、前記組み込まれた水素を含む前記水素化領域が、前記トランジスタのしきい電圧を安定化させる、項目１〜９のいずれか一項に記載の方法。
（１１）
多層半導体構造体の製造方法であって、
電極層を形成する工程と、
前記電極層に隣接して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の形成後、前記誘電体層の表面で水素化領域を生成するように前記誘電体層を処理する工程であって、前記水素化領域が、不均一な水素プロファイルを有し、水素の濃度が、前記誘電体の表面にある第１地点から誘電体層内の第２地点にかけて低下する、工程と、
前記誘電体層に隣接して金属酸化物半導体層を形成する工程と、を含む、方法。
（１２）
前記誘電体層を処理する工程が、前記誘電体の形成後に前記誘電体層を水素含有プラズマに曝露することを含む、項目１１に記載の方法。
（１３）
前記誘電体層を処理する工程が、前記誘電体層を重水素含有プラズマに曝露して前記誘電体層内に不均一な重水素プロファイルを生成することを含み、重水素の濃度が、前記誘電体の表面にある第１地点から誘電体層内の第２地点にかけて低下する、項目１１に記載の方法。
（１４）
前記電極層がアルミニウム（Ａｌ）を含み、
前記誘電体が酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を含み、
前記半導体が酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む、項目１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
（１５）
前記誘電体層を処理する工程が、前記誘電体層の表面で水素濃度を上昇させることを含み、前記電極と前記誘電体層との間の境界面付近における前記誘電体層のバルク内の水素濃度が、前記処理によって実質的に上昇されない、項目１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
（１６）
電極と、
前記電極に隣接して配置された誘電体層と、
前記誘電体層に隣接して配置された金属酸化物半導体を含む半導体層と、
前記誘電体層の半導体と誘電体との境界面における水素化領域と、を含む多層半導体構造体であって、
前記水素化領域が、前記半導体と誘電体との境界面から前記誘電体層及び前記半導体層の一方又は両方にかけて濃度が低下するように水素を組み込んでいる、半導体構造体。
（１７）
前記水素化領域がプラズマ水素化領域を含む、項目１６に記載の半導体構造体。
（１８）
前記金属酸化物半導体がＺｎＯを含み、前記誘電体が酸化アルミニウムを含む、項目１６又は１７に記載の半導体構造体。
（１９）
前記水素化領域に組み込まれた水素が重水素を含む、項目１６〜１８のいずれか一項に記載の半導体構造体。
（２０）
可撓性ポリマー基材を更に含み、前記電極が前記ポリマー基材上に配置される、項目１６〜１９のいずれか一項に記載の半導体構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層半導体構造体の製造方法であって、
電極層を形成する工程と、
前記電極層に隣接して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の形成後、前記誘電体層を水素含有プラズマに曝露する工程と、
前記誘電体層を前記水素含有プラズマに曝露した後、前記誘電体層に隣接して金属酸化物半導体層を形成する工程と、を含む、方法。
【請求項２】
多層半導体構造体の製造方法であって、
電極層を形成する工程と、
前記電極層に隣接して誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層の形成後、前記誘電体層の表面で水素化領域を生成するように前記誘電体層を処理する工程であって、前記水素化領域が、不均一な水素プロファイルを有し、水素の濃度が、前記誘電体の表面にある第１地点から誘電体層内の第２地点にかけて低下する、工程と、
前記誘電体層に隣接して金属酸化物半導体層を形成する工程と、を含む、方法。
【請求項３】
電極と、
前記電極に隣接して配置された誘電体層と、
前記誘電体層に隣接して配置された金属酸化物半導体を含む半導体層と、
前記誘電体層の半導体と誘電体との境界面における水素化領域と、を含む多層半導体構造体であって、
前記水素化領域が、前記半導体と誘電体との境界面から前記誘電体層及び前記半導体層の一方又は両方にかけて濃度が低下するように水素を組み込んでいる、半導体構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月10日(2012.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも３つの共に成長した半導体層、並びに第１の側及び第２の側を有する層状構造体を備える、多層半導体構造体であって、前記少なくとも３つの半導体層が、第１変換波長の光を生成するための第１半導体フォトルミネセント要素と、前記第１変換波長と異なる第２変換波長の光を生成するための第２半導体フォトルミネセント要素とを含み、前記第１変換波長及び前記第２変換波長のうちの少なくとも１つは可視光であり、前記層状構造体の前記第１の側が、前記第１の側からパターン形成され、前記層状構造体の前記第２の側が、前記第２の側からパターン形成される、多層半導体構造体。
【請求項２】
前記層状構造体が、ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層を含む、請求項１に記載の多層半導体構造体。
【請求項３】
出力側を有するエレクトロルミネセント要素と、
第１の側及び第２の側を有し、前記エレクトロルミネセント要素の前記出力側に取り付けられ、前記第１の側に第１のエッチングされたパターン及び前記第２の側に第２のエッチングされたパターンを有する、半導体波長変換器と、を有する、光生成デバイス。
【請求項４】
前記半導体波長変換器が、第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を含み、前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素の各々が、カドミウムマグネシウム亜鉛セレナイド（ＣｄＭｇＺｎＳｅ）の吸収層の間に配置された複数のカドミウム亜鉛セレナイド（ＣｄＺｎＳｅ）量子井戸を含む、請求項３に記載の光生成デバイス。
【請求項５】
第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を形成する半導体層の集積化スタックを含む、半導体構造体であって、
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、共通の励起波長の光によって照射されたときに、第１波長の光及び第２波長の光をそれぞれ放射可能であり、
前記第１フォトルミネセント要素がパターン形成されており、パターン形成された前記第１フォトルミネセント要素の少なくとも一部は第１半導体構造体を有し、前記第１半導体構造体の頂部の幅は前記第１半導体構造体の基部の幅と異なり、前記第２フォトルミネセント要素がパターン形成されており、パターン形成された前記第２フォトルミネセント要素の少なくとも一部は第２半導体構造体を有し、前記第２半導体構造体の頂部の幅は前記第２半導体構造体の基部の幅と異なり、
前記第１半導体構造体及び前記第２半導体構造体が、
ｉ）前記第１半導体構造体の頂部及び前記第２半導体構造体の頂部が、それぞれ前記第１半導体構造体の基部及び前記第２半導体構造体の基部よりも狭いこと、及び
ii）前記第１半導体構造体の頂部及び前記第２半導体構造体の頂部が、それぞれ前記第１半導体構造体の基部及び前記第２半導体構造体の基部よりも広いこと、のうちの１つを条件とする、半導体構造体。
【請求項６】
前記集積化スタックがＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層を含み、前記ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料層が少なくとも１つのセレン化亜鉛系半導体層を含む、請求項５に記載の半導体構造体。
【請求項７】
励起波長の光を放射可能なエレクトロルミネセントデバイスと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに取り付けられた波長変換器と、を有する発光デバイスであって、
前記波長変換器が、単一の半導体層のスタック上にパターン形成された第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を少なくとも含み、前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、前記励起波長の光によって照射されたときに、第１波長の光及び第２波長の光をそれぞれ放射可能であり、
前記第１フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と実質的に重なるが、前記エレクトロルミネセントデバイスの第２領域とは実質的に重ならず、前記第２フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの前記第２領域と重なるが、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と実質的には重ならない、発光デバイス。
【請求項８】
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素の各々が、カドミウムマグネシウム亜鉛セレナイド（ＣｄＭｇＺｎＳｅ）の吸収層の間に配置された、複数のカドミウム亜鉛セレナイド（ＣｄＺｎＳｅ）量子井戸を有する、請求項７に記載の発光デバイス。
【請求項９】
第１の側及び第２の側を有する半導体層の集積化スタックであって、第１パターンが前記半導体層のスタックの前記第１の側の第１フォトルミネセント要素内に形成され、第２パターンが前記半導体層のスタックの前記第２の側の第２フォトルミネセント要素内に形成される、集積化スタックと、
前記第１の側のエッチングされたパターンの上に配置される第１不動態化層と、を含む、半導体波長変換器。
【請求項１０】
前記第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素が、ＩＩ〜ＶＩ族半導体材料を含む、請求項９に記載の半導体波長変換器。
【請求項１１】
第１フォトルミネセント要素及び第２フォトルミネセント要素を含む半導体層と、前記第１フォトルミネセント要素及び前記第２フォトルミネセント要素の間に配置される窓層と、を備えたエピタキシャル成長されたスタックを含む半導体波長変換器であって、前記スタックが、前記第１フォトルミネセント要素及び前記第２フォトルミネセント要素から横方向に離間されている第１領域を少なくとも有し、前記第１領域が、前記窓層と、前記窓層の第１の側及び第２の側の上に配置された非エピタキシャル材料と、を含む、半導体波長変換器。
【請求項１２】
励起波長の光を放射可能なエレクトロルミネセントデバイスと、
前記エレクトロルミネセントデバイスに取り付けられた波長変換器と、を有する発光デバイスであって、
前記波長変換器が、半導体層のスタック上にパターン形成された第１フォトルミネセント要素を少なくとも含み、前記第１フォトルミネセント要素が、励起波長の光によって照射されたときに第１変換波長の光を生成可能であり、前記第１フォトルミネセント要素の１つの側に窓層が前記スタック内で配置され、前記第１フォトルミネセント要素が、前記エレクトロルミネセントデバイスの第１領域と重なり、前記窓層が、前記第１領域から横方向に離間される前記エレクトロルミネセントデバイスの第２領域と重なり、前記第１フォトルミネセント要素が、前記第２領域と実質的に重ならない、発光デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月18日(2012.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２管理導体部を利用したパッチコードマッピングシステムで使用するためのプラグであって、
第１および第２スイッチ接点および１つのポールを有し、プラグがジャックに挿入されたときに状態を変更するよう設定され、ポールが第２管理導体部に電子的に接続されている、単一ポール双投スイッチと、
第１キャパシタンスを有し、第１管理導体部と第１スイッチ接点とに電子的に接続された第１コンデンサと、
第２キャパシタンスを有し、第１管理導体部と第２スイッチ接点とに電子的に接続され、第１キャパシタンスが第２キャパシタンスと異なる第２コンデンサと
を備えたプラグ。
【請求項２】
第１のスイッチ接点に電子的に接続され、少なくとも一部の回路が第１コンデンサに並列である第１の発光ダイオードと、
第２のスイッチ接点に電子的に接続され、少なくとも一部の回路が第２コンデンサに並列である第２の発光ダイオードと
をさらに備えた、請求項１に記載のプラグ。
【請求項３】
第１および第２管理導体部間で電子的に接続されたツェナーダイオードをさらに備えた請求項２に記載のプラグ。 
【請求項４】
第１発光ダイオードと第２発光ダイオードが異なる色である請求項２に記載のプラグ。
【請求項５】
第１および第２管理導体部を利用したパッチコードのマッピングシステムであって、
第１および第２スイッチ接点および１つのポールを有し、プラグがジャックに挿入されたときに状態を変更するよう設定され、ポールが第２管理導体部に電子的に接続されている単一ポール双投スイッチと、
第１キャパシタンスを有し、第１管理導体部と第１スイッチ接点とに電子的に接続された第１コンデンサと、
第２キャパシタンスを有し、第１管理導体部と第２スイッチ接点とに電子的に接続され、第１キャパシタンスが第２キャパシタンスと異なる第２コンデンサと
を備えたプラグを備えたシステム。
【請求項６】
前記のプラグがさらに、
第１のスイッチ接点に電子的に接続され、少なくとも一部の回路が第１コンデンサに並列の第１の発光ダイオードと、
第２のスイッチ接点に電子的に接続され、少なくとも一部の回路が第２コンデンサに並列の第２の発光ダイオードと
を備える、請求項５に記載のマッピングシステム。
【請求項７】
第１または第２コンデンサの充電、第１または第２コンデンサの放電、第１または第２コンデンサの充電にかかる時間の測定を実行するよう設定されたパッチパネル回路をさらに備えた、請求項６に記載のマッピングシステム。
【請求項８】
パッチパネル回路に第１および第２トランジスタを備え、これらのトランジスタは第１トランジスタがオンで第２トランジスタがオフのときに第１または第２コンデンサを充電し、第１トランジスタがオフで第２トランジスタがオンの時に第１および第２コンデンサを放電するよう設定される、請求項７に記載のマッピングシステム。
【請求項９】
第１トランジスタは第１管理導体部を抵抗器を介して電源へ電子的に接続する機能を有し、第２トランジスタは第１管理導体部を信号用接地へ電子的に接続する機能を有する、請求項８に記載のマッピングシステム。
【請求項１０】
前記パッチパネル回路がさらに第３のトランジスタを備え、この第３のトランジスタは第２管理導体部を信号用接地へ電子的に接続する機能を有する、請求項９に記載のマッピングシステム。
【請求項１１】
前記回路が第３のコンデンサを備え、この第３のコンデンサは第１管理導体部接点と信号用接地の間に電子的に接続されている、請求項１０に記載のマッピングシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月8日(2013.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイス製造プロセスにおいて基板を移動させるシステムであって、
基板を移動させるロボットを備え、前記ロボットがエンドエフェクタを備え、前記エンドエフェクタが、
基部部分と、
前記基部部分上に置かれた少なくとも３つのパッドとを備え、前記パッドがそれぞれ接触表面を含み、少なくとも１つの接触表面が、湾曲した形状および約４５Ｒａ〜約６５Ｒａの粗さを有する、システム。
【請求項２】
本質的に３つのパッドからなる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
４つのパッドを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記少なくとも１つの接触表面が、約０．６４ｍｍ〜約９．５３ｍｍの曲率半径を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記基部部分および前記パッドの少なくとも１つが導電材料から構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
基板を移動させるエンドエフェクタであって、
基部部分と、
前記基部部分上に置かれた３つのパッドとを備え、前記パッドがそれぞれ接触表面を有し、前記接触表面の少なくとも１つが湾曲した形状を有する、エンドエフェクタ。
【請求項７】
湾曲した形状を有する前記接触表面が、約０．６４ｍｍ〜約９．５３ｍｍの曲率半径を有する、請求項６に記載のエンドエフェクタ。
【請求項８】
湾曲した形状を有する前記接触表面が、約４５Ｒａ〜約６５Ｒａの表面粗さを有する、請求項６に記載のエンドエフェクタ。
【請求項９】
少なくとも１つのパッドが導電材料から構成される、請求項６に記載のエンドエフェクタ。
【請求項１０】
前記パッドおよび前記基部部分が単一の材料片から機械加工される、請求項６に記載のエンドエフェクタ。
【請求項１１】
前記基部部分および前記３つのパッドがＴｉでドープされたアルミナセラミックから構成される請求項６に記載のエンドエフェクタ。
【請求項１２】
電子デバイス製造プロセスにおいて基板を移動させる方法であって、
ロボットアームを備える基板移送ロボットを提供するステップと、
基部部分および前記基部部分上に置かれた少なくとも３つのパッドを備えるエンドエフェクタを前記ロボットアーム上に提供するステップであり、前記パッドがそれぞれ接触表面を備え、前記接触表面の少なくとも１つが、湾曲した形状および約４５Ｒａ〜約６５Ｒａの粗さを有する、ステップと、
前記エンドエフェクタに前記基板を接触させるステップと、
前記ロボットアームを移動させるステップとを含む方法。
【請求項１３】
前記エンドエフェクタが、少なくとも０．１３ｇの加速度で移動しながら±０．１３ｍｍの範囲内で基板配置を維持する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記エンドエフェクタが、少なくとも０．１３ｇの加速度で移動しながら±０．０８５ｍｍの範囲内で基板配置を維持する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エンドエフェクタが、少なくとも０．１３ｇの加速度で移動しながら±０．０２ｍｍの範囲内で基板配置を維持する、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月29日(2013.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池デバイスの形成方法であって、
基板の裏面上に第１の誘電体層を形成するステップと、
前記裏面から前記第１の誘電体層を部分的に除去して前記基板の複数の露出された領域を形成するステップと、
前記第１の誘電体層の少なくとも一部に、前記基板の前記露出された領域の少なくとも１つと通電する金属層を堆積するステップと、
前記金属層を堆積した後に、前記基板の前面をテクスチャリングするステップと、
前記前面をテクスチャリングした後に、前記基板の前記前面上に少なくとも１つの真性シリコン含有層を堆積するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記金属層が、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、窒化タングステン（ＷＮ）、及び窒化モリブデン（ＭｏＮ）からなる群から選択された金属又は金属合金を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記前面上に、窒化シリコン（ＳｉＮ）を含むＡＲＣ層を堆積するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記裏面から前記第１の誘電体層を部分的に除去するステップが、前記基板の前記複数の露出された領域を形成するために前記第１の誘電体層を選択的にエッチングすることによって行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の誘電体層をエッチングすることが、フッ化アンモニウムを含むエッチング化学に前記基板を露出させることを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記前面をテクスチャリングするステップが、フッ化アンモニウム、フッ化水素、水酸化カリウム、及びフッ化水素酸からなる群から選択されたエッチング剤材料を含むエッチング化学に前記基板を露出させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記エッチング剤材料が更にポリエチレングリコールを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属層を堆積するステップより前に、前記第１の誘電体層の少なくとも一部の上にコンタクト層を堆積するステップを更に含み、前記コンタクト層が、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、錫（Ｓｎ）、コバルト（Ｃｏ）、レニウム（Ｒｈ）、ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、及びアルミニウム（Ａｌ）からなる群から選択された金属を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記基板の前記前面をテクスチャリングするステップの前に、前記基板の前記前面上に第２の誘電体層を形成するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板の前記裏面上に前記第１の誘電体層を堆積するより前に、前記基板の前記裏面上にドーピング層を形成するステップと、
前記ドーピング層及び前記基板を約８００℃を超える温度に加熱して、前記ドーピング層のドーパントを前記基板の前記裏面内に拡散させるステップと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ドーピング層が、ｎ型又はｐ型ドーパント原子が内部に配置されたシリケートガラス材料を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シリケートガラス材料が、ホスホシリケートガラス（ＰＳＧ）、ボロホスホシリケートガラス（ＢＰＳＧ）、又はボロシリケートガラス（ＢＳＧ）を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板の前記裏面上に前記ドーピング層を形成するステップが、結晶太陽電池基板に施される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記真性シリコン含有層上にドープされたシリコン含有層を堆積するステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ドーパントが、前記基板の前記裏面内に拡散され、高濃度にドープされた領域を形成する、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月4日(2013.1.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハウジングと、
ユーザの接触に反応する表面であって、前記ハウジングに支持されている表面と、
当該表面に動作可能に連結するアクチュエータ機構であって、スプリング機構により間隔を隔てた構造に維持された一組の導電層を有し、当該一組の導電層の一方が前記表面と連結され他方の導電層に対して変位可能である、アクチュエータ機構と、
前記導電層間の引力を増大させる電気信号で前記導電層を駆動するよう構成された駆動回路であって、前記電気信号は前記ユーザによる前記表面への接触に反応して適用され、前記引力が前記導電層の少なくとも一方について前記導電層の他方に対する変位を生じさせ、当該変位が前記スプリング機構の圧縮をもたらし、これにより前記変位が前記ユーザに触覚フィードバックを提供する、駆動回路とを具えることを特徴とするデバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のデバイスがさらに、前記間隔を隔てた導電層の一方に動作可能に隣接する接触感知ディスプレイを具え、
前記スプリング機構が、前記導電層間の引力を減衰させる電気信号の変化で弛緩するよう構成されており、この弛緩が前記導電層の少なくとも一方を前記導電層の他方から遠ざかるような移動を生じさせ、前記導電層は間隔を隔てた透明な基板の上に配置されていることを特徴とするデバイス。
【請求項３】
第１の導電層に接続されユーザの接触に反応する表面でユーザ入力を検出するステップと、
当該ユーザ入力に応じて、電気信号を適用して前記第１の導電層と第２の導電層の間の引力を増大させるステップであって、前記第１および第２の導電層はスプリング機構で隔てられており、前記引力は前記導電層の一方について前記導電層の他方に対する変位を生じさせ、当該変位が前記スプリング機構の圧縮をもたらし、これにより前記変位が前記検出に応じて前記ユーザに触覚フィードバックするステップとを含むことを特徴とする方法。
【請求項４】
請求項３に記載の方法がさらに、
前記検出後かつ前記適用前に、前記ユーザ入力に関連する入力位置を確定するステップと、
前記入力位置に関連するユーザインターフェース要素を確定するステップとを含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月25日(2012.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実施される方法であって、
実験コンテンツを使用して実験を遂行し、通信コンテンツの有効性を判定することと、
前記実験を遂行する一方で、有効性評価尺度を強化するために、ＭＬＲアルゴリズムにより考察されるコンテンツの集成を含むＭＬＲコンテンツを使用して機械学習ルーチン（ＭＬＲ）を実行することであって、前記実験コンテンツと前記ＭＬＲコンテンツとは無関係であることと、を含む方法。
【請求項２】
前記実験及び前記機械学習ルーチンが、複数の時間枠を含むスケジュールに従って実施され、前記実験及び前記機械学習ルーチンのそれぞれの少なくとも一部分は、前記複数の部分の同一の時間枠を使用して実施され、実験コンテンツ及びＭＬＲコンテンツは無関係である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
実験コンテンツ及びＭＬＲコンテンツを並行してディスプレイ上に表示することを含み、前記実験コンテンツ及びＭＬＲコンテンツは無関係である、請求項１又は２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月28日(2012.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端部、出力端部及びこれらの間にある中央領域を持ち、軸方向に沿って延在する光透過光ガイドと、少なくとも一つのＬＥＤを含み、光を前記中央領域へ注入するために前記入力端部に隣接して配される光ユニットと、前記出力端部に隣接して配される反射器であって、前記反射器に入射する光の少なくとも一部が反射されるように配される前記反射器とを含み、前記光ガイドは、その屈折率が前記光ガイドの外の媒質の屈折率より高く、前記光ガイドの内部境界面の少なくとも一部が、前記軸方向に沿って連続的に設けられる複数のプリズムを有するプリズム面を含み、各プリズムが前記軸方向に対して角度を持って配される、光学要素。
【請求項２】
前記プリズムの少なくとも一つのプリズムの前記軸方向への伸展が、他のプリズムの前記軸方向への伸展とは異なる、請求項１に記載の光学要素。
【請求項３】
前記プリズムの少なくとも一つが、他のプリズムの前記軸方向に対する角度とは異なる前記軸方向に対する角度を持って配される、請求項１に記載の光学要素。
【請求項４】
各プリズムの前記軸方向への伸展が、他のプリズムの前記軸方向への伸展とは異なる、請求項１に記載の光学要素。
【請求項５】
各プリズムの前記軸方向に対する角度が、他のプリズムの前記軸方向に対する角度とは異なる、請求項１に記載の光学要素。
【請求項６】
前記反射器は、前記出力端部と対向し前記出力端部の少なくとも一部をカバーする反射面を有し、前記反射面は、前記反射面の少なくとも一部が凹面又は凸面である、請求項１に記載の光学要素。
【請求項７】
少なくとも一つの反射ファセットが、当該ファセットに入射する少なくとも一部が反射されるように、前記反射面に配される、請求項６に記載の光学要素。
【請求項８】
前記反射器は、少なくとも一つの透過部分を有し、前記少なくとも一つの透過部分に入射する光の少なくとも一部が前記反射器を通って透過される、請求項１に記載の光学要素。
【請求項９】
前記透過部分は、前記光ガイドの軸方向と一致するか又は平行である軸に沿って延在するスルーホールを有する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項１０】
前記光ガイドは前記軸方向に沿って延在する色混合ロッドを有し、前記色混合ロッドは前記中央領域の少なくとも一部を有し、前記色混合ロッドは六角断面を持ち、前記光ユニットの複数の光源からの光を混合する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項１１】
前記反射器は、金属被覆、干渉フィルタ、拡散被覆、及び蛍光被覆の一つ以上を有する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項１２】
前記光ガイドは、透明ポリマー、ポリマー化合物、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、アクリル、プラスチック、及びこれらの組み合わせのグループから選択される材料を有する、請求項１に記載の光学要素。
【請求項１３】
請求項１乃至１２の何れか一項に記載の光学要素を含む、白熱光源を使用する照明器具へ白熱光源の代わりに組み込む、光源。
【請求項１４】
前記光学要素を少なくとも部分的に囲む少なくとも一つの半透明エンベロープを更に含む、請求項１３に記載の光源。
【請求項１５】
前記光ユニットが配されるベースを更に含み、前記ベースは白熱光源を使用する照明器具のソケットコネクタと適合する電気的コネクタを含み、前記ベースは更に前記電気的コネクタに接続される電気回路を含み、前記電気回路は前記電気的コネクタから電力を受け、当該電力により前記光ユニットを動作させることができる、請求項１３に記載の光源。
【手続補正書】
【提出日】平成25年1月18日(2013.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽放射を受光し、前記太陽放射を電気出力に変換するための太陽光電力変換装置であって、前記装置が、その中に、
ｉ）計測データを与えるために前記電気出力を計測するための電気出力計測装置と、
ｉｉ）固有のデジタル識別番号を含む安全保障情報を前記計測データと関連させ、信頼性がありかつ識別可能な計測データを作り出すための安全保障モジュールを与える情報処理装置と、
ｉｉｉ）前記太陽光電力変換装置から前記信頼性がありかつ識別可能な計測データを伝送するための計測出力と、
を組み込んでいる、装置。
【請求項２】
前記計測出力が、通信リンクへの接続に適している、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記計測出力が、通信リンクへの接続のための無線インターフェースを備えている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記太陽光電力変換装置、前記電力出力計測装置及び前記情報処理装置が、共有基板上に又は前記共有基板内に実装される、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項５】
前記装置が太陽光パネルを含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記太陽光電力変換装置、前記電気出力計測装置及び前記情報処理装置が、一体的に集積回路を与える、請求項４又は５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
太陽光セルのアレイを含み、各セルが、その中に、計測データを与えるために前記電気出力を計測する電気出力計測装置と、信頼性のある計測データを作り出すために安全保障情報を前記計測データと関連させる安全保障モジュールを与える情報処理装置とを組み込んでいる、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項８】
前記出力計測装置、前記情報処理装置及び前記計測出力が、前記太陽光パネルと同じ耐候性封止容器内に密封される、請求項５乃至７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項９】
前記出力計測装置、前記情報処理装置及び前記計測出力が、永続的な電気的接続により接続される、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１０】
前記出力計測装置、前記情報処理装置及び前記計測出力が、単一のプリント回路又はハイブリッド回路により接続される、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１１】
前記出力計測装置、前記情報処理装置及び前記計測出力が、半導体製造及び／又は組立技術により共有基板上に又は前記共有基板内に構成される導線により接続される、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１２】
前記安全保障モジュールが、前記計測データに関連する信頼性のあるデジタル証明書を作成するように設定された信頼性のあるモジュールを含む、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１３】
前記安全保障モジュールが集積回路カードを含む、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１４】
少なくとも１つの安全保障モジュールから信頼性のある計測データを受信し、データを前記計測出力へ伝送するように接続された管理モジュールを内部に組み込んでいる、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１５】
受信器、入ってくる通信に応答するように設定されている前記又は各情報処理装置並びに／若しくは管理モジュールを更に含むことにより、前記通信リンクを介して又は個別に、前記装置を遠隔で管理することができる、請求項２乃至１４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１６】
前記管理モジュールが、携帯電話ネットワーク上での通信に利用される加入者識別モジュールを含む、請求項１４又は１５のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１７】
前記管理モジュールが、１を超える安全保障モジュールから信頼性のある計測データを受信するように接続され、前記データを前記計測出力へ伝送する前に前記データを照合するように設定される、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１８】
前記情報処理装置及び／又は前記管理モジュールが、安全性の高いネットワーク上のサーバに連結する、必要処理が最小限のクライアント端末として設定される、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の装置。
【請求項１９】
場所検知装置を更に含む、請求項５乃至１８のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２０】
前記安全保障モジュールが、使用の際に、登録されたパネル位置を保持するためのデータベースを含む管理プラットフォームにネットワーク上で接続され、前記装置が、前記登録されたパネル位置への同様の変更なく移動される場合に、それ自体を盗まれたものとして登録するか、又は異なる動作モードを採用するのに適している、請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記安全保障モジュールが、無許可の改竄の場合には、前記パネルの自動化安全動作、及び／又は、前記パネルにより伝送される情報属性を誘発するのに適している、請求項５乃至２０のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２２】
可測な外部変数に関連するデータを生成し、それ以降に、前記安全保障モジュールと前記管理モジュールのうちの１つ又は両方を用いて計測される信頼性のあるデータとして伝送するための変換器を前記装置に接続している、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の装置。
【請求項２３】
再生可能なエネルギーを電気出力に変換するための電力変換装置であって、前記装置が基板を含み、前記基板が集積回路部品を備え、前記部品が、
ｉ）計測データを与えるために前記電力変換装置の電気出力を計測するための電気出力計測装置と、
ｉｉ）固有のデジタル識別番号を含む安全保障情報を前記計測データと関連させ、信頼性がありかつ識別可能な計測データを作り出すための安全保障モジュールを与える、耐改竄性又は改竄防止機能付きの情報処理装置と、
ｉｉｉ）前記電力変換装置から前記信頼性がありかつ識別可能な計測データを伝送するための計測出力と、
を含む、装置。