Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月23日(2009.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クライアント装置に設けられた操作部を含むインターフェイスを介して前記クライアント装置と通信し、前記操作部に対してなされた操作を示す操作情報を前記クライアント装置から受信すると共に、当該操作の結果を示す結果データを前記クライアント装置に送信するホスト装置であって、
前記操作情報に応じた処理を複数の部分処理に分割して実行する処理部と、
前記処理部による処理の結果を示す結果データを、前記クライアント装置へ送信する通信が完了したか否か判断する通信完了判断手段と、
前記通信完了判断手段により、先に受信された操作情報である第１操作情報に応じてなされた第１処理の結果データが前記クライアント装置に全て送信される以前に前記通信が途絶えたと判断された場合、次回以降の通信で受信された操作情報である第２操作情報により、前記第１処理を中断するか、または継続するかを決定する操作情報処理決定手段と、
を備えることを特徴とするホスト装置。
【請求項２】
前記通信完了判断手段によって前記通信が途絶えたと判断された場合、直前に実行されていた部分処理が未完了であることが記録される未完処理管理部を備え、
前記操作情報処理決定手段は、前記第１処理を継続することを決定した場合、前記未完処理管理部を参照して前記未完了の部分処理から再開して前記第１処理を継続することを特徴とする請求項１に記載のホスト装置。
【請求項３】
前記操作情報処理決定手段は、前記第１操作情報が示す操作に応じた処理を中断した後、前記第２操作情報が示す操作に応じた処理の実行を決定することを特徴とする請求項１または２に記載のホスト装置。
【請求項４】
前記操作情報処理決定手段は、
前記第１操作情報が示す操作の種別と前記第２操作情報が示す操作の種別とが異なる場合、前記第１操作情報が示す操作の種別に応じた処理を中断した後、前記第２操作情報が示す操作の種別に応じた処理を実行し、前記第１操作情報が示す操作の種別と前記第２操作情報が示す操作の種別とが同一である場合、前記未完処理管理部を参照して前記第１操作情報が示す操作の種別に応じた処理の継続を決定することを特徴とする請求項２に記載のホスト装置。
【請求項５】
前記未完処理管理部は、通信が途絶えたと判断されなかった場合には直前に実行されていた部分処理が完了したことが記録されることを含み、
前記操作情報処理決定手段は、前記第１操作情報が示す操作の種別と前記第２操作情報が示す操作の種別との異同に関わらず、前記未完処理管理部を参照して前記通信が途絶えた時点で完了している部分処理の次に実行される部分処理以降の部分処理を順次実行して前記第１操作情報が示す操作の種別に応じた処理を完了させた後、前記第２操作情報が示す操作の種別に応じた処理の実行を決定することを特徴とする請求項２に記載のホスト装置。
【請求項６】
クライアント装置に設けられた操作部を含むインターフェイスを介して前記クライアント装置と通信し、前記操作部に対してなされた操作を示す操作情報を前記クライアント装置から受信すると共に、当該操作の結果を示す結果データを前記クライアント装置に送信するホスト装置において実行されるコンピュータプログラムであって、
コンピュータに、
前記操作情報に応じた処理を複数の部分処理に分割して実行する処理機能と、
前記処理機能による処理の結果を示す結果データを、前記クライアント装置へ送信する通信が完了したか否か判断する通信完了判断機能と、
前記通信完了判断機能によって前記通信が途絶えたと判断された場合、直前に実行されていた部分処理が未完了であることが記録される未完処理管理機能と、
前記通信完了判断機能により、先に受信された操作情報である第１操作情報に応じてなされた第１処理の結果データが前記クライアント装置に全て送信される以前に前記通信が途絶えたと判断された場合、次回以降の通信で受信された操作情報である第２操作情報により、前記第１処理を中断するか、または継続するかを決定する操作情報処理決定機能と、
を実現させることを特徴とする情報処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ホスト装置、情報処理プログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ホスト装置、情報処理方法をコンピュータに実行させるためのプログラムに係り、特にオペレータがクライアント装置を操作する間にだけホスト装置とクライアント装置との通信ができるホスト装置、情報処理プログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであって、ホスト装置とクライアント装置との間で通信がクライアント装置によるデータ送信が正常に終了する以前に通信が途絶えた場合であっても後の処理を支障なく実行できるホスト装置、情報処理プログラムを提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年3月31日(2009.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する二つの主面を有する基板の一方の主面上に、少なくとも、１層以上のｐ型窒化物半導体層と、ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ≦１）から成る井戸層とＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１、ｃ＋ｄ≦１）から成る障壁層とを少なくとも含む量子井戸構造を有する活性層と、１層以上のｎ型窒化物半導体層と、を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、
対向する二つの主面を有し、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層と、を成長させて接合用積層体を形成し、
前記ｐ型窒化物半導体層の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層を設ける一方、対向する二つの主面を有し、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きく、かつ前記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する基板の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層を設け、第１の接合層と第２の接合層とを対向させて、接合用積層体と  前記基板とを加熱圧接して接合し、
前記接合用積層体の成長用基板を除去し、これにより露出した前記ｎ型窒化物半導体層の露出面に凹凸を形成する窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記ｎ型窒化物半導体層の上に絶縁性保護膜を形成する請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記ｎ型窒化物半導体層に形成された凹凸は、平面形状が丸状又は多角形で断面形状が波状である請求項１または２に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記基板が、導電性であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記成長用基板が、絶縁性であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記第１の接合層が、前記ｐ型窒化物半導体層に接して形成されたオーミック電極層を有する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１の接合層と前記第２の接合層が、それぞれ第１の共晶形成層と第２の共晶形成層を有し、接合時には、第１及び第２の共晶形成層を構成する金属が互いに拡散して共晶を形成する請求項１乃至６のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項８】
前記成長用基板の一方の主面に接して、ＧａｅＡｌ１−ｅＮ（０＜ｅ≦１）から成るバッファ層と、アンドープのＧａＮ及びｎ型不純物をドープしたＧａＮのいずれかから成る高温成長層と、を含む下地層を設ける請求項１乃至７のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項９】
前記成長用基板の一方の主面上に、前記活性層の発光を自己吸収する窒化物半導体を含んだ下地層を成長し、該下地層の上に、少なくとも、前記ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層とを成長する請求項１乃至８のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
前記下地層は、前記成長用基板の除去工程で除去する請求項９に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記活性層の発光波長が３８０ｎｍ以下であり、前記下地層がＧａＮを含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記井戸層及び障壁層が、それぞれ、ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０＜ａ≦１、０＜ｂ≦１、ａ＋ｂ＜１）と、ＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０＜ｃ≦１、０≦ｄ≦１、ｃ＋ｄ＜１）とであり、かつ前記ｎ型窒化物半導体がＡｌを含む請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
前記成長用基板の他方の主面の全面に電磁波を照射して成長用基板を除去する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記窒化物半導体素子の表面の少なくとも一部に、蛍光物質を含有するコーティング層を形成する請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記課題を解決するため、本件第１発明の窒化物半導体素子の製造方法は、対向する二つの主面を有する基板の一方の主面上に、少なくとも、１層以上のｐ型窒化物半導体層と、ＡｌａＩｎｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ≦１）から成る井戸層とＡｌｃＩｎｄＧａ１−ｃ−ｄＮ（０≦ｃ≦１、０≦ｄ≦１、ｃ＋ｄ≦１）から成る障壁層とを少なくとも含む量子井戸構造を有する活性層と、１層以上のｎ型窒化物半導体層と、を有する窒化物半導体素子の製造方法であって、対向する二つの主面を有し、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きな熱膨張係数を有する成長用基板の一方の主面上に、少なくとも、ｎ型窒化物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化物半導体層と、を成長させて接合用積層体を形成し、前記ｐ型窒化物半導体層の上に１層以上の金属層から成る第１の接合層を設ける一方、対向する二つの主面を有し、前記ｎ型及びｐ型窒化物半導体層よりも大きく、かつ前記成長用基板と同じか小さい熱膨張係数を有する基板の一方の主面上に１層以上の金属層から成る第２の接合層を設け、第１の接合層と第２の接合層とを対向させて、接合用積層体と前記基板とを加熱圧接して接合し、前記接合用積層体の成長用基板を除去し、これにより露出した前記ｎ型窒化物半導体層の露出面に凹凸を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成21年8月24日(2009.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面照明型の完全に空乏化された電磁放射検出用の荷電結合素子（ＣＣＤ）であって、
表面と裏面とを有する実質的な厚さの高抵抗率の光子感知シリコン基板と、
前記基板の表面上の複数のＣＣＤ埋設チャネル領域であって、該チャネルは前記基板とは逆の導電型である、電磁放射の入射により前記基板内で生成された信号電荷を集電するための前記複数のＣＣＤ埋設チャネル領域と、
集電された信号電荷を移動させるための、前記基板の表面上にパターン付けされたＣＣＤゲート電極回路と、
前記ゲート電極回路により移動させられた集電された信号電荷を検出するための、ＣＣＤ増幅回路と、
前記基板の裏面上の、電気伝導性の電気接点裏面層であって、該裏面層と前記基板の表面上のＣＣＤゲート電極回路との間にバイアス電圧を掛けることを可能にする、前記電気接点裏面層と、
少なくとも電荷キャリヤの前記基板をその全光子感知容積を通して完全に空乏化するための、前記基板に結合された裏面バイアス電圧源と、
を備えることを特徴とする、前記ＣＣＤ。
【請求項２】
前記裏面バイアス電圧源が前記電気接点裏面層に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項３】
前記裏面バイアス電圧源が前記基板の表面に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項４】
前記基板がｎ型基板であることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項５】
前記基板がｐ型基板であることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項６】
前記基板の抵抗率が、約０．１ｋΩ−ｃｍと約２０ｋΩ−ｃｍとの間にあることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項７】
前記基板の抵抗率が、約６ｋΩ−ｃｍと約１２ｋΩ−ｃｍとの間にあることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項８】
前記基板の厚さが、約１００μｍと約５ｍｍとの間にあることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項９】
前記基板の厚さが、約２５０μｍと約１ｍｍとの間にあることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１０】
前記基板の厚さが、約５０μｍと約５５０μｍとの間にあることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１１】
前記基板の厚さが、検出対象である光子のシリコンにおける吸収長の約３倍未満であることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１２】
前記基板の厚さが、検出対象である光子のシリコンにおける吸収長の約２倍未満であることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１３】
前記電気伝導性の電気接点裏面層が、厚さが約１０ｎｍと約１μｍとの間にあるリンでドープされた多結晶シリコンから形成されることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１４】
前記電気伝導性の電気接点裏面層が、検出対象である入射光子に対して透過性である程度に十分に薄いことを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１５】
前記電気伝導性の電気接点裏面層に適用される反射防止（ＡＲ）コーティングを更に備えることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１６】
前記ＡＲコーティングが絶縁コーティングを含むことを特徴とする、請求項１５に記載のＣＣＤ。
【請求項１７】
高抵抗率のインプラントされていない領域を、前記複数のＣＣＤ埋設チャネル領域における各チャネルの各側に更に備えることを特徴とする、請求項１に記載のＣＣＤ。
【請求項１８】
電気的に浮動しているチャネルストップを、前記高抵抗率のインプラントされていない領域の各側に更に備えることを特徴とする、請求項１７に記載のＣＣＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月13日(2009.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子、発光装置及び電気機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
有機化合物を含む半導体層と、
前記第１の電極と前記半導体層とを電気的に絶縁する絶縁膜と、
前記半導体層に電子を注入する第２の電極と、
前記半導体層に正孔を注入する第３の電極とを有し、
前記第３の電極は、第１の導電層と、正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料よりなる層とを有し、
前記第２の電極は、第２の導電層と、電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含む第２の複合材料よりなる層とを有し、
前記第１の複合材料よりなる層及び前記第２の複合材料よりなる層は前記半導体層に接することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層のチャネル長方向の長さは、前記第１の複合材料よりなる層のチャネル長方向の長さよりも短く、
前記第２の導電層のチャネル長方向の長さは、前記第２の複合材料よりなる層のチャネル長方向の長さよりも短いことを特徴とする半導体素子。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１の導電層は、前記第１の複合材料よりなる層に覆われ、
前記第２の導電層は、前記第２の複合材料よりなる層に覆われていることを特徴とする半導体素子。
【請求項４】
第１の電極と、
有機化合物を含む半導体層と、
前記第１の電極と前記半導体層とを電気的に絶縁する絶縁膜と、
前記半導体層に電子を注入する第２の電極と、
前記半導体層に正孔を注入する第３の電極とを有し、
前記第３の電極は、第１の導電層と、正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料よりなる層とを有し、
前記第２の電極は、電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含む第２の複合材料よりなる層と、正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料よりなる層と、第２の導電層とを有し、
前記第３の電極の前記第１の複合材料よりなる層及び前記第２の電極の前記第２の複合材料よりなる層は前記半導体層に接することを特徴とする半導体素子。
【請求項５】
第１の電極と、
有機化合物を含む半導体層と、
前記第１の電極と前記半導体層とを電気的に絶縁する絶縁膜と、
前記半導体層に電子を注入する第２の電極と、
前記半導体層に正孔を注入する第３の電極とを有し、
前記第３の電極は、正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料よりなる層と、電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含む第２の複合材料よりなる層と、第１の導電層とを有し、
前記第２の電極は、正孔輸送性を有する有機化合物と金属酸化物とを含む第１の複合材料よりなる層と、電子輸送性を有する有機化合物とアルカリ金属又はアルカリ土類金属とを含む第２の複合材料よりなる層と、第２の導電層とを有し、
前記第３の電極の前記第１の複合材料よりなる層及び前記第２の電極の前記第１の複合材料よりなる層は前記半導体層に接することを特徴とする半導体素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記第３の電極の前記第２の複合材料よりなる層及び前記第１の導電層のチャネル長方向の長さは、前記第３の電極の前記第１の複合材料よりなる層のチャネル長方向の長さよりも短く、
前記第２の電極の前記第１の複合材料よりなる層は、前記第２の電極の前記第２の複合材料よりなる層に覆われていることを特徴とする半導体素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第２の電極と前記第３の電極との間に電圧をかけた際、前記半導体層が発光することを特徴とする半導体素子。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の電極にかける電圧を変化させることで発光輝度が変化することを特徴とする半導体素子。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体素子を画素部に備え、
前記半導体素子を制御する手段を備えることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の半導体素子を画素部に備え、
前記半導体素子を制御する手段を備えた表示部を有することを特徴とする電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月16日(2009.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、前記コア基板の上面に形成された第１ビルドアップ層と、前記コア基板の下面に形成された第２ビルドアップ層とを有する配線基板と、
複数の半導体素子が形成された主面と前記主面の反対側の裏面とを有し、前記配線基板の前記第１ビルドアップ層上に複数の第１バンプ電極を介してフリップチップ接続された半導体チップと、
前記配線基板の前記第１ビルドアップ層と前記半導体チップの間に、前記複数の第１バンプ電極を囲むように形成された樹脂層と、
前記配線基板の前記第２ビルドアップ層上に配置された複数の第２バンプ電極とを備え、
前記コア基板は、第１絶縁層と、前記第１絶緑層を厚さ方向に貫通する複数の第１スルーホールと、前記第１絶緑層の上面及び下面に形成され、前記第１スルーホールを介して接続された第１配線層とを有し、
前記第１及び第２ビルドアップ層の各々は、第２絶縁層と、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の第２スルーホールと、前記第２絶縁層の上面及び下面に形成され、前記第２スルーホールを介して接続された第２配線層とを有し、
前記第１及び第２ビルドアップ層の前記複数の第２スルーホールの直径は、前記コア基板の前記第１スルーホールの直径より小さく形成され、
前記コア基板の前記第１絶縁層と、前記第１及び第２ビルドアップ層の前記第２絶縁層は、それぞれガラスクロスを含有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの前記裏面上に、前記半導体チップより平面的外形の大きいヒートスプレッダーが接着されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップは、シリコン基板と、前記シリコン基板上に形成された多層配線構造と、前記多層配線構造を覆うように形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜から露出するように形成されたパッド電極とを有し、
前記複数の第１バンプ電極は、前記半導体チップの前記パッド電極に接続され、
前記パッシペーション膜は、ＳｉＯ２膜を含み、
前記多層配線構造は、前記パッシベーション膜の前記ＳｉＯ２膜より低誘電率を持つ層間絶縁膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記多層配線構造の前記層間絶縁膜は、ＳｉＯＣ膜又はＳｉＯＦ膜のいずれかであることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１及び第２ビルドアップ層のそれぞれの厚さは、前記コア基板の厚さより薄いことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一実施例に係る半導体装置は、コア基板と、前記コア基板の上面に形成された第１ビルドアップ層と、前記コア基板の下面に形成された第２ビルドアップ層とを有する配線基板と、複数の半導体素子が形成された主面と前記主面の反対側の裏面とを有し、前記配線基板の前記第１ビルドアップ層上に複数の第１バンプ電極を介してフリップチップ接続された半導体チップと、前記配線基板の前記第１ビルドアップ層と前記半導体チップの間に、前記複数の第１バンプ電極を囲むように形成された樹脂層と、前記配線基板の前記第２ビルドアップ層上に配置された複数の第２バンプ電極とを備え、前記コア基板は、第１絶縁層と、前記第１絶緑層を厚さ方向に貫通する複数の第１スルーホールと、前記第１絶緑層の上面及び下面に形成され、前記第１スルーホールを介して接続された第１配線層とを有し、前記第１及び第２ビルドアップ層の各々は、第２絶縁層と、前記第２絶縁層を厚さ方向に貫通する複数の第２スルーホールと、前記第２絶縁層の上面及び下面に形成され、前記第２スルーホールを介して接続された第２配線層とを有し、前記第１及び第２ビルドアップ層の前記複数の第２スルーホールの直径は、前記コア基板の前記第１スルーホールの直径より小さく形成され、前記コア基板の前記第１絶縁層と、前記第１及び第２ビルドアップ層の前記第２絶縁層は、それぞれガラスクロスを含有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月14日(2009.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極間に、発光層と、混合層と、を有し、
前記混合層は、芳香族炭化水素と、モリブデン酸化物と、を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
一対の電極間に、発光層と、前記電極の一方と接する混合層と、を有し、
前記混合層は、芳香族炭化水素と、金属酸化物と、を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
請求項２において、
前記金属酸化物は、モリブデン酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項４】
請求項２において、
前記金属酸化物は、前記芳香族炭化水素に対し電子受容性を示す金属酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
請求項２において、
前記金属酸化物は、バナジウム酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項６】
請求項２において、
前記金属酸化物は、ルテニウム酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項７】
請求項２において、
前記金属酸化物は、レニウム酸化物であることを特徴とする発光素子。
【請求項８】
請求項２において、
前記金属酸化物は、チタン酸化物、クロム酸化物、ジルコニウム酸化物、ハフニウム酸化物、タンタル酸化物、タングステン酸化物、銀酸化物から選ばれたいずれか一であることを特徴とする発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記芳香族炭化水素は、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセンであることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成21年5月1日(2009.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オフセット集積回路パッケージオンパッケージ積層システムであって、
ベース基板を設けることと、
コンタクトパッドを前記ベース基板上に形成することと、
第１の集積回路を前記ベース基板上に取付けることと、
ベースパッケージ本体を前記第１の集積回路を囲むように形成することと、
オフセット基板を設けることと、
第２の集積回路を前記オフセット基板上に取付けることと、
前記ベース基板の上面の一部が露出するように、前記オフセット基板を前記ベースパッケージ本体の一部のみの上に置くことを含む、前記オフセット基板を前記コンタクトパッドに結合することとを備える、システム。
【請求項２】
受動構成要素、能動構成要素、またはそれらの組合せを前記ベース基板に取付けることをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
オフセットパッケージがベースモールドキャップの角にある状態で、前記オフセットパッケージを前記ベース基板に取付けることをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ベースパッケージ本体と前記オフセット基板との間に隙間充填接着剤を与えることをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
オフセットパッケージがベースモールドキャップの１つの端縁と整列された状態で、前記オフセットパッケージを前記ベース基板上に取付けることをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
オフセット集積回路パッケージオンパッケージ積層システムであって、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されるコンタクトパッドと、
前記ベース基板上に取付けられる第１の集積回路と、
前記第１の集積回路を囲むように成形されるベースパッケージ本体と、
オフセット基板と、
前記オフセット基板上に取付けられる第２の集積回路と、
前記ベース基板の上面の一部が露出するように、前記ベースパッケージ本体の一部のみの上に置かれる前記オフセット基板を含む、前記コンタクトパッドに結合される前記オフセット基板とを含む、システム。
【請求項７】
前記ベース基板に取付けられる受動構成要素、能動構成要素、またはそれらの組合せをさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
オフセットパッケージがベースモールドキャップの角にある状態で前記ベース基板上に取付けられる前記オフセットパッケージをさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記ベースパッケージ本体と前記オフセット基板との間に隙間充
填接着剤をさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
オフセットパッケージがベースモールドキャップの１つの端縁と整列された状態で前記ベース基板上に取付けられる前記オフセットパッケージをさらに含む、請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月14日(2009.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、前記配線基板上に配置されている１つ以上のＬＥＤ素子と、前記配線基板上に前記ＬＥＤ素子に接触することなく前記ＬＥＤ素子を取り囲むように形成されている第１の樹脂体と、前記配線基板上の前記第１の樹脂体により囲われた領域上に前記ＬＥＤ素子を被覆するように形成されている第２の樹脂体と、を含み、
前記第２の樹脂体は、上に凸の第１の曲面と、横に凹の第２の曲面と、を有し、前記第１の曲面と前記第２の曲面との交線が前記ＬＥＤ素子を取り囲むように形成されている
含むＬＥＤ装置。
【請求項２】
前記第２の樹脂体は、前記ＬＥＤ素子の発光により励起され、前記ＬＥＤ素子の発光と異なるピーク波長を有する蛍光を発する１つ以上の蛍光体をさらに被覆している請求項１に記載のＬＥＤ装置。
【請求項３】
前記第１の樹脂体は、前記第２の樹脂体より光透過率が低いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＥＤ装置。
【請求項４】
前記第１の樹脂体は、前記第２の樹脂体より屈折率が高いことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＬＥＤ装置。
【請求項５】
前記第１の樹脂体および前記第２の樹脂体の外縁形状は、円形状、楕円形状または多角形状である請求項１または請求項２に記載のＬＥＤ装置。
【請求項６】
前記第１の樹脂体を形成する樹脂は、前記第２の樹脂体を形成する樹脂より分子量が大きい同種類の樹脂である請求項１または請求項２に記載のＬＥＤ装置。
【請求項７】
配線基板上に１つ以上のＬＥＤ素子を配置する工程と、前記配線基板上に前記ＬＥＤ素子に接触することなく前記ＬＥＤ素子を取り囲むように第１の樹脂体を形成する工程と、前記配線基板上の前記第１の樹脂体に取り囲まれた領域上に前記ＬＥＤ素子を被覆するように第２の樹脂をポッティングすることにより第２の樹脂体を形成する工程とを含むＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項８】
さらに、前記第１の樹脂体を除去する工程を含む請求項７記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の樹脂体を形成する第１の樹脂として、前記第２の樹脂体を形成する前記第２の樹脂よりチクソ性が高い樹脂を用いることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の樹脂体を形成する第１の樹脂として、前記第２の樹脂体を形成する前記第２の樹脂より粘度が高い樹脂を用いることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のＬＥＤ装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、配線基板と、配線基板上に配置されている１つ以上のＬＥＤ素子と、配線基板上にＬＥＤ素子に接触することなくそのＬＥＤ素子を取り囲むように形成されている第１の樹脂体と、配線基板上の第１の樹脂体により囲われた領域上にＬＥＤ素子を被覆するように形成されている第２の樹脂体と、を含み、第２の樹脂体は、上に凸の第１の曲面と、横に凹の第２の曲面と、を有し、第１の曲面と第２の曲面との交線がＬＥＤ素子を取り囲むように形成されているＬＥＤ装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明にかかるＬＥＤ装置において、第２の樹脂体は、ＬＥＤ素子の発光により励起され、そのＬＥＤ素子の発光と異なるピーク波長を有する蛍光を発する１つ以上の蛍光体をさらに被覆することができる。また、第１の樹脂体は、第２の樹脂体より光透過率を低くすることができる。また、第１の樹脂体は、第２の樹脂体より屈折率を高くすることができる。また、第１の樹脂体および第２の樹脂体の外縁形状は、円形状、楕円形状または多角形状とすることができる。また、第１の樹脂体を形成する樹脂は、第２の樹脂体を形成する樹脂より分子量が大きい同種類の樹脂とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月10日(2009.4.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
医療用加速装置における機能監視のための方法において、少なくとも１つの医療用加速器の動作を定性的に特徴づける少なくとも１つの信号が、自動的に検出されてディジタル化され、ディジタル化された形で後続のコンピュータ支援による加速装置の機能検査の枠内における評価のために提供すべくデータ処理装置に保存されることを特徴とする方法。
【請求項２】
データ処理装置により、少なくとも１つの信号の振幅、幅、包絡線または形状の少なくとも１つが評価されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
動作を定性的に特徴づける少なくとも１つの信号が、データ処理装置により、予め与えられた規則に依存してまたは他の取得されたまたは予め与えられた少なくとも１つの基準信号との比較に依存して評価されることを特徴とする請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
データ処理装置による評価の際に加速器の動作状態に関する予測が行なわれることを特徴とする請求項２又は３記載の方法。
【請求項５】
評価結果が、予め与えられるかまたは使用者により確定可能な時間の間、データ処理装置に保存されることを特徴とする請求項２乃至４の１つに記載の方法。
【請求項６】
少なくとも１つの特徴的信号が、予め与えられるかまたは使用者により確定可能な時間の間、データ処理装置に保存されることを特徴とする請求項１乃至５の１つに記載の方法。
【請求項７】
特徴的信号は、取得設定に依存して、連続的または定められた時点または時間間隔にて、少なくとも１つトリガ信号に依存してまたは繰り返し取得されることを特徴とする請求項１乃至６の１つに記載の方法。
【請求項８】
アクセス可能なあらゆる特徴的信号が取得されることを特徴とする請求項１乃至７の１つに記載の方法。
【請求項９】
複数の加速器の信号が取得されることを特徴とする請求項１乃至８の１つに記載の方法。
【請求項１０】
構造の同じまたは類似の複数の加速器の取得された信号が互いに比較されることを特徴とする請求項１乃至９の１つに記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つのディジタル化された特徴的信号、評価結果、基準信号またはデータ処理装置の側に存在する少なくとも１つの他の装置固有の情報の少なくとも１つが、データ接続を介してデータ処理装置と接続されている１つまたは複数の画面に表示されることを特徴とする請求項１乃至１０の１つに記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの特徴的信号または評価結果が、移動式画面または加速装置から離れた画面に表示されることを特徴とする請求項１乃至１１の１つに記載の方法。
【請求項１３】
表示が、数値、グラフィックまたは加速器の動作状態のいずれかに依存して行なわれることを特徴とする請求項１１又は１２記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも１つの特徴的信号が波動信号であることを特徴とする請求項１乃至１３の１つに記載の方法。
【請求項１５】
特徴的信号として、ターゲットの信号、加速器室の信号、クライストロンの信号、放射線源の信号または発生放射線の信号の少なくとも１つの信号が使用されることを特徴とする請求項１乃至１４の１つに記載の方法。
【請求項１６】
特徴的信号として、ビーム流、線量パルス、放射線源の電圧、放射線源の電流、注入電流、発生放射線パルス、反射された発生放射線または放射線発生を特徴づける信号のうちの少なくとも１つが取得されることを特徴とする請求項１乃至１５の１つに記載の方法。
【請求項１７】
少なくとも１つの他の装置固有の情報は、エネルギー供給、温度監視または水流センサに関する情報の少なくとも１つであり、この情報が取得されまたは評価のために考慮されることを特徴とする請求項１乃至１６の１つに記載の方法。
【請求項１８】
データ処理装置による評価の枠内において識別される誤り発生の場合に、誤り警報が発生させられることまたは加速器動作が調整、特に中断されることを特徴とする請求項１乃至１７の１つに記載の方法。
【請求項１９】
データ保存がデータ処理装置のデータバンクにより行なわれることを特徴とする請求項１乃至１８の１つに記載の方法。
【請求項２０】
特徴的信号および少なくとも１つの加速器側のトリガ信号の少なくともいずれか一方の信号が、信号取得のための装置によって取得され、この装置が信号をディジタル化し、ディジタル化された信号またはトリガ信号または取得基準をデータ処理装置のプログラム手段により交換することを特徴とする請求項１乃至１９の１つに記載の方法。
【請求項２１】
医療用加速装置として、シンクロトロンまたはサイクロトロンが使用されることを特徴とする請求項１乃至２０の１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年11月17日(2008.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の枠体と前記第１の枠体と対向する第２の枠体と間には、前記第１の枠体の延在する第１の方向とは直向する第２の方向に、アイランドと前記アイランドに近接して設けられた複数のリードとを少なくとも有する素子搭載部が複数設けられ、前記第１の枠体と前記第２の方向に隣接するアイランドとの間には前記アイランドの幅よりも幅の狭い第１の連結体が設けられ、前記第２の枠体と前記第２の方向に隣接するアイランドとの間には前記アイランドの幅よりも幅の狭い第２の連結体が設けられ、および前記第２の方向でお互いが隣接するアイランドの間には前記アイランドの幅よりも幅の狭い第３の連結体が設けられ、少なくとも前記第１の枠体、前記第２の枠体、前記複数の素子搭載部、第１の連結体、第２の連結体および第３の連結体が一体で支持されたリードフレームを用意し、
前記素子搭載部のアイランドに半導体チップを搭載すると共に、前記素子搭載部のリードと前記半導体チップを電気的に接続し、
金型に前記リードフレームを配置し、前記上金型の封止空間を形成する平坦な上面および前記上面の周囲に位置する４つの平坦な側面から成るキャビティに、前記素子搭載部の複数が設けられるように、前記上金型と前記上金型と対向配置される下金型で押さえて熱硬化性の樹脂から成る絶縁性樹脂を充填し、
前記素子搭載部の周囲のダイシングラインに相当する所の、前記絶縁性樹脂と一体になった前記リードフレームをダイシンする事を特徴とした半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記素子搭載部は、前記第１の枠体と前記第２の枠体の間に、行および列方向に配列される請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレームは、帯状あるいは矩形状の金属薄板である請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の連結体、前記第２の連結体および前記第３の連結体は、前記ダイシングの後、前記アイランドから連続する突起として残存させる請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ダイシングラインに相当する所の前記連結体を含めてダイシングすることにより、表面、裏面および４つの側面から成る６面体のパッケージに分離し、前記側面には、前記連結体の切断面が露出される事を特徴とした請求項１〜請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記パッケージの前記表面は、前記キャビティの前記平坦な上面から離型されることで、平坦な面と成る請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記アイランドに搭載される半導体チップは、３端子のトランジスタ、ＢＩＰ型の集積回路またはＭＯＳ型の集積回路である請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記アイランドには、複数の半導体チップが設けられる請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の枠体または第２の枠体には、前記ダイシング時の位置認識マークが設けられる請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記搭載部の周囲に位置する前記リードフレームの開口部に相当する所の絶縁性樹脂、および前記搭載部の周囲に位置する連結体の部分に沿ってダイシングされる請求項１〜請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月8日(2009.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潜在的標的細胞に対するＮＫ細胞活性を修飾する方法であって、標的細胞表面でＨＬＡ−Ｅを発現することを含む方法。
【請求項２】
ＨＬＡ−Ｅが細胞内に安定に組み込まれている異種のＤＮＡによって発現されるものである請求項１の方法。
【請求項３】
細胞がＨＬＡ−Ｅを通常は発現しない請求項２の方法。
【請求項４】
細胞が非ヒトの哺乳動物細胞である請求項３の方法。
【請求項５】
細胞が異種個体の器官または組織の中の一群の細胞に存在する請求項１から４までの何れかの方法。
【請求項６】
以下の方法により単離された、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞：
検体を結合条件下でＨＬＡ−Ｅと接触させＨＬＡ−Ｅと結合した細胞を検体から分離することを含む、検体からＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞を選択する方法。
【請求項７】
以下の方法により得られる、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞を欠如する細胞の集団：
ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞をＨＬＡ−Ｅと結合条件下で接触させ、結合細胞上で標的死滅を行なうことを含む、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞を死滅または不活性化する方法であって、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞が混合細胞集団で提供され、非ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞が回収されることを特徴とする方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７の細胞の効果的な量を患者に導入することを含む治療方法。
【請求項９】
以下の（ａ）または（ｂ）の方法によって検体からＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞の集団またはＣＤ９４／ＮＫＧ２欠失細胞の集団を単離し、そして単離された細胞集団を患者に再導入することから成る方法：
（ａ）患者から細胞の検体を除去し、検体を結合条件下でＨＬＡ−Ｅと接触させ、ＨＬＡ−Ｅと結合した細胞を検体から分離することを含む、検体からＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞を選択する方法；
（ｂ）ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞をＨＬＡ−Ｅと結合条件下で接触させ、結合細胞上で標的死滅を行なうことを含む、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞を死滅または不活性化する方法であって、ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞が混合細胞集団で提供され、非ＣＤ９４／ＮＫＧ２＋細胞が回収されることを特徴とする方法。
【請求項１０】
細胞のゲノムの中へ組み込まれたＨＬＡ−Ｅをコード化する核酸により細胞表面でＨＬＡ−Ｅを発現する非ヒト哺乳動物細胞。
【請求項１１】
請求項１０による細胞を含む非ヒト哺乳動物。
【請求項１２】
以下の方法によって同定される、ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターへのＨＬＡ−Ｅの結合に影響を与えるような化合物：
（ｉ）細胞表面でＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターを発現する細胞を提供し、
（ｉｉ）試験すべき化合物の存在下にその細胞をＨＬＡ−Ｅと接触させ、そして
（ｉｉｉ）その化合物の存在がＨＬＡ−Ｅと細胞の結合に影響を与えるかどうかを決定する
ことを含む、化合物の生物学的活性を試験する方法。
【請求項１３】
２つまたはそれより多いＨＬＡ−Ｅ分子を含むＨＬＡ−Ｅの多量体であって、シグナル部分で標識されていてもよい非多量体ＨＬＡ−Ｅと比べて高められた結合能力をもっている多量体。
【請求項１４】
リンカー分子を経由して付着している組換えＨＬＡ−Ｅ分子を含む請求項１３の多量体。
【請求項１５】
ＨＬＡ−Ｅ分子がビオチン化され、たとえばストレプタビジン、アビジンまたはエクストラビジンのようなリンカー分子を経由して付着している請求項１４の多量体。
【請求項１６】
毒性剤とカップリングしたＨＬＡ−Ｅ。
【請求項１７】
ＨＬＡ−Ｅが請求項１３から１５までの何れかのＨＬＡ−Ｅの多量体の形態である請求項１６のＨＬＡ−Ｅ。
【請求項１８】
支持体に固定化されたＨＬＡ−Ｅ。
【請求項１９】
ＨＬＡ−Ｅによって仲介されるＮＫ細胞活性の阻害を予防する方法であって、
（ａ）阻害的ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターへのＨＬＡ−Ｅの結合を干渉する化合物を選択し、そして
（ｂ）阻害的ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターを発現するＮＫ細胞またはＴ細胞を化合物と接触させる
ことを含む方法。
【請求項２０】
阻害的ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターが、ＮＫＧ２Ａである請求項１９の方法。
【請求項２１】
化合物が抗体である請求項１９の方法。
【請求項２２】
抗体が抗ＣＤ９４抗体である請求項２１の方法。
【請求項２３】
抗体が抗ＮＫＧ２Ａ抗体である請求項２１の方法。
【請求項２４】
抗体が抗ＨＬＡ−Ｅ抗体である請求項２１の方法。
【請求項２５】
化合物が、２つまたはそれより多いＨＬＡ−Ｅ分子を含むＨＬＡ−Ｅの多量体である請求項１９の方法。
【請求項２６】
多量体が、非多量体ＨＬＡ−Ｅと比べて高められた結合能力を持っている請求項２５の方法。
【請求項２７】
多量体が、組換え可溶性ＨＬＡ−Ｅ分子を含む請求項２５の方法。
【請求項２８】
組換え可溶性ＨＬＡ−Ｅ分子が、リンカー分子を経由して付着されている請求項２７の方法。
【請求項２９】
ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターとＨＬＡ−Ｅの結合に影響を与える抗体をスクリーニングして生産する方法であって、
（ｉ）  スクリーニングのための試験すべき抗体を選択し、
（ｉｉ）  細胞表面でＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターを発現する細胞を提供し、ただし、ＮＫＧ２メンバーは、ＮＫＧ２Ａ，ＮＫＧ２Ｂ及びＮＫＧ２Ｃからなる群から選択され、
（ｉｉｉ）試験すべき抗体の存在下にその細胞をＨＬＡ−Ｅと接触させ、
（ｉｖ）  その抗体の存在がＨＬＡ−Ｅと細胞の結合に影響を与えるかどうかを決定し、それにより同定された抗体を提供し、そして
（ｖ）  細胞とＨＬＡ−Ｅの結合に影響を与える同定された抗体を生産する
ことを含む方法。
【請求項３０】
ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターが、阻害的ＮＫ細胞レセプターである請求項２９の方法。
【請求項３１】
ＣＤ９４／ＮＫＧ２レセプターが、促進的ＮＫ細胞レセプターである請求項２９の方法。
【請求項３２】
ＮＫＧ２メンバーがＮＫＧ２Ａである請求項２９の方法。
【請求項３３】
ＮＫＧ２メンバーがＮＫＧ２Ｃである請求項２９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月18日(2009.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
SSSYY（配列番号2）で表されるCDRH1；SFFYTGSTYYNPSLRS（配列番号4）で表されるCDRH2；QSTYYYGSGNYYGWFDR（配列番号6）で表されるCDRH3；RASQSVSSYLA（配列番号10）で表されるCDRL1；DASNRAT（配列番号12）で表されるCDRL2；及びQQRSNWPPA（配列番号14）で表されるCDRL3を含み、ヒトPDGFRαに特異的な、単離された抗体又は抗体フラグメント。
【請求項２】
QLQLQESGPGLVKPSETLSLTCTVSGGSINSSSYYWGWLRQSPGKGLEWIGSFFYTGSTYYNPSLRSRLTISVDTSKNQFSLMLSSVTAADTAVYYCARQSTYYYGSGNYYGWFDRWDQGTLVTVSS（配列番号8）を有する重鎖可変領域、又はEIVLTQSPATLSLSPGERATLSCRASQSVSSYLAWYQQKPGQAPRLLIYDASNRATGIPARFSGSGSGTDFTLTISSLEPEDFAVYYCQQRSNWPPAFGQGTKVEIK（配列番号16）を有する軽鎖可変領域を含む、請求項１に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【請求項３】
QLQLQESGPGLVKPSETLSLTCTVSGGSINSSSYYWGWLRQSPGKGLEWIGSFFYTGSTYYNPSLRSRLTISVDTSKNQFSLMLSSVTAADTAVYYCARQSTYYYGSGNYYGWFDRWDQGTLVTVSS（配列番号8）を有する重鎖可変領域、及びEIVLTQSPATLSLSPGERATLSCRASQSVSSYLAWYQQKPGQAPRLLIYDASNRATGIPARFSGSGSGTDFTLTISSLEPEDFAVYYCQQRSNWPPAFGQGTKVEIK（配列番号16）を有する軽鎖可変領域を含む、請求項１に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【請求項４】
MGWSCIILFLVATATGVHSQLQLQESGPGLVKPSETLSLTCTVSGGSINSSSYYWGWLRQSPGKGLEWIGSFFYTGSTYYNPSLRSRLTISVDTSKNQFSLMLSSVTAADTAVYYCARQSTYYYGSGNYYGWFDRWDQGTLVTVSSASTKGPSVFPLAPSSKSTSGGTAALGCLVKDYFPEPVTVSWNSGALTSGVHTFPAVLQSSGLYSLSSVVTVPSSSLGTQTYICNVNHKPSNTKVDKRVEPKSCDKTHTCPPCPAPELLGGPSVFLFPPKPKDTLMISRTPEVTCVVVDVSHEDPEVKFNWYVDGVEVHNAKTKPREEQYNSTYRVVSVLTVLHQDWLNGKEYKCKVSNKALPAPIEKTISKAKGQPREPQVYTLPPSREEMTKNQVSLTCLVKGFYPSDIAVEWESNGQPENNYKTTPPVLDSDGSFFLYSKLTVDKSRWQQGN VFSCSVMHEALHNHYTQKSLSLSPGK（配列番号31）を有する重鎖、及びMGWSCIILFLVATATGVHSEIVLTQSPATLSLSPGERATLSCRASQSVSSYLAWYQQKPGQAPRLLIYDASNRATGIPARFSGSGSGTDFTLTISSLEPEDFAVYYCQQRSNWPPAFGQGTKVEIKRTVAAPSVFIFPPSDEQLKSGTASVVCLLNNFYPREAKVQWKVDNALQSGNSQESVTEQDSKDSTYSLSSTLTLSKADYEKHKVYACEVTHQGLSSPVTKSFNRGEC（配列番号33）を有する軽鎖を含む、請求項３に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【請求項５】
抗体又は抗体フラグメントが、PDGFRαがPDGFRαのリガンドに結合するのを阻害する、又はPDGFRαを中和する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【請求項６】
哺乳動物において原発性腫瘍、転移性腫瘍、治療抵抗性の腫瘍又は血管形成腫瘍の増殖を阻害するための薬剤として使用するための、請求項１〜５のいずれか１項に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【請求項７】
腫瘍が、卵巣癌、乳癌、肺癌、肝細胞癌、胃腸間質腫瘍、メラノーマ、腎細胞癌、前立腺癌、骨癌、柔組織肉腫、平滑筋肉腫及び神経膠芽腫からなる群から選択される、請求項６に記載の抗体又は抗体フラグメント。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する外箱と、
前記外箱の開口に設けた蓋と、
前記外箱内に支持された外槽と、
前記外槽内に回転自在に配設された洗濯兼脱水槽と、
前記洗濯兼脱水槽に温風を供給する温風供給手段とを備え、
前記温風供給手段は、脱水運転終了後、前記蓋の開閉動作を検知すると動作を開始することを特徴とする洗濯乾燥機。
【請求項２】
前記温風供給手段の動作開始から所定時間経過後、前記温風供給手段の動作を停止することを特徴とする請求項１記載の洗濯乾燥機。
【請求項３】
前記洗濯兼脱水槽を回転させる駆動装置を備え、
前記温風供給手段の動作時に前記駆動装置により洗濯兼脱水槽を回転させることを特徴とする請求項１または請求項２記載の洗濯乾燥機。
【請求項４】
洗濯工程の途中の任意の時点で選択でき、前記温風供給手段を動作させて前記外槽内を乾燥させる乾燥コースを設けて、洗濯運転を制御する制御部を備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の洗濯乾燥機。