【誤訳訂正書】
【提出日】平成25年2月13日(2013.2.13)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上に位置する透明導電層と、該透明導電層の上に位置する半導体窓層と、該半導体窓層の上に位置する半導体吸収層と、該半導体吸収層の上に位置する裏面コンタクトと、を有する光電変換装置であって、
前記裏面コンタクトはポリシリコンおよびアモルファスシリコンのいずれかである光電変換装置。
【請求項２】
前記裏面コンタクトがｐ型ドープポリシリコンである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記裏面コンタクトが、少なくとも１×１０１７ｃｍ−３のキャリア濃度を有するｐ型ドープポリシリコンである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項４】
前記裏面コンタクトが、少なくとも５×１０１９ｃｍ−３のキャリア濃度を有する縮退したｐ型ドープポリシリコンである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項５】
前記半導体窓層が硫化カドミウムである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項６】
前記半導体窓層が硫化カドミウムを含む、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項７】
前記半導体吸収層がテルル化カドミウムである、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項８】
前記半導体吸収層がテルル化カドミウムを含む、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項９】
前記裏面コンタクトがアモルファスシリコンであり、ホウ素のドーパントを含む、請求項１に記載の光電変換装置。
【請求項１０】
前記半導体窓層が硫化カドミウムである、請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１１】
前記半導体窓層が硫化カドミウムを含む、請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１２】
前記半導体吸収層がテルル化カドミウムである、請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１３】
前記半導体吸収層がテルル化カドミウムを含む、請求項９に記載の光電変換装置。
【請求項１４】
基板上に硫化カドミウム半導体を含む半導体窓層を成膜する工程と、
前記半導体窓層上に、テルル化カドミウム半導体を含む半導体吸収層を成膜する工程と、
前記半導体吸収層上に、ポリシリコンおよびアモルファスシリコンのいずれかである裏面コンタクトを成膜する工程と、
を有する光電変換装置の製造方法。
【請求項１５】
前記裏面コンタクトを低圧化学気相蒸着により成膜する、請求項１４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１６】
前記裏面コンタクトをプラズマ化学気相蒸着により成膜する、請求項１４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１７】
前記裏面コンタクトをスパッタリングにより成膜する、請求項１４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１８】
前記裏面コンタクトがｐ型ドープポリシリコンである、請求項１４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項１９】
前記裏面コンタクトがアモルファスシリコンであり、ホウ素のドーパントを含む、請求項１４に記載の光電変換装置の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
本発明は、光電変換装置および裏面コンタクトに関するものである。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の光電変換装置は概して、透明導電層の上に位置する第１半導体層、該第１半導体層の上に位置する第２半導体層、およびポリシリコン裏面コンタクトを含むことができる。前記ポリシリコン裏面コンタクトは、少なくとも１×１０１７ｃｍ−３のキャリア濃度を有するｐ型ドープポリシリコンとすることができる。前記ポリシリコン裏面コンタクトは、少なくとも５×１０１９ｃｍ−３のキャリア濃度を有する縮退したｐ型ドープポリシリコンとすることができる。前記第１半導体層は硫化カドミウムを含んでもよい。前記第２半導体層はテルル化カドミウムを含んでもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明の光電変換装置は、透明導電層の上に位置する第１半導体層、該第１半導体層の上に位置する第２半導体層、およびアモルファスシリコン裏面コンタクトを含むことができる。前記アモルファスシリコン裏面コンタクトはホウ素のドーパントを含んでもよい。前記第１半導体層は硫化カドミウムを含んでもよい。前記第２半導体層はテルル化カドミウムを含んでもよい。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明の光電変換装置の製造方法は、硫化カドミウム半導体を含む第１半導体層を成膜する工程と、該第１半導体層の上にテルル化カドミウム半導体を含む第２半導体層を成膜する工程と、ポリシリコンを含む裏面コンタクトを成膜する工程と、を含むことができる。前記ポリシリコン裏面コンタクトはｐ型ドープポリシリコンとすることができる。前記裏面コンタクトは化学気相蒸着またはスパッタリングにより成膜することができる。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の光電変換装置の製造方法は、硫化カドミウム半導体を含む第１半導体層を成膜する工程と、該第１半導体層の上にテルル化カドミウム半導体を含む第２半導体層を成膜する工程と、アモルファスシリコンを含む裏面コンタクトを成膜する工程と、を含むことができる。前記アモルファスシリコン裏面コンタクトは、ホウ素のドーパントを含んでもよい。前記裏面コンタクトは化学気相蒸着またはスパッタリングにより成膜することができる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
図１を参照すると、光電変換セル１００は第１半導体層１０２を含んでもよい。この第１半導体層１０２は、例えば硫化カドミウムでもよい。光電変換セル１００は第２半導体層１０４を含んでもよい。第２半導体層１０４は、例えばテルル化カドミウムを含んでもよい。光電変換セル１００は、裏面コンタクト１０６を第２半導体層１０４上に含んでもよい。この裏面コンタクト１０６は、アモルファスシリコンまたは多結晶シリコンとすることができる。光拡散バリア（図示せず）を第２半導体層１０４および裏面コンタクト１０６の間に加えてもよい。裏面コンタクト１０６は、例えば低圧の化学気相蒸着、プラズマ化学気相蒸着またはスパッタリングにより成膜することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１６】
裏面コンタクト１０６は縮退ドープｐ型ａ−Ｓｉまたは微結晶シリコンとすることができる。ＣｄＴｅ光吸収体層１０４で効率的に電荷分離を起こすために、裏面コンタクト１０６は、ｐ＋＋ａ−Ｓｉまたはｐｏｌｙ−Ｓｉとすることができる。ｐｏｌｙ−Ｓｉは、ｐ型にドープされて、少なくとも１×１０１７ｃｍ−３のキャリア濃度としてもよい。ｐｏｌｙ−Ｓｉは、縮退したｐ型にドープされ、少なくとも５×１０１９ｃｍ−３のキャリア濃度としてもよい。ａ−Ｓｉはホウ素のドーパントを使用してもよい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
図２では、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、およびアモルファスシリコンまたはポリシリコンのエネルギーバンドギャップを示す。光電変換セルが吸収する太陽光のスペクトルの部分は、バンドギャップによって決まる。通常、バンドギャップは狭いよりも広い方が、太陽光のスペクトルのより広い部分をエネルギーに変換できるので好ましい。図２には、約１μｍのＣｄＴｅ層があり、ＣｄＳとＣｄＴｅとの間の境界面からＣｄＴｅとｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉとの間の境界面にかけてのエネルギーバンドギャップが増加することがわかる。バンドギャップが増加することから、ｐｏｌｙ−Ｓｉまたはａ−Ｓｉを追加することとした。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
第１半導体層はＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＶ族半導体とすることができ、例えば、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、またはこれらの混合物もしくは合金であってもよい。２成分半導体、例えば、ＣｄＳであってもよい。第２半導体層は、第１半導体層上に成膜することができる。第１半導体層が窓層として機能する場合、第２半導体は入射光の吸収層として機能し得る。第１半導体層と同様に、第２半導体層もＩＩ−ＶＩ族、ＩＩＩ−Ｖ族またはＩＶ族半導体とすることができ、例えば、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＭｇＯ、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ、ＭｇＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ、ＭｎＯ、ＭｎＳ、ＭｎＴｅ、ＡｌＮ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＴｌＮ、ＴｌＰ、ＴｌＡｓ、ＴｌＳｂ、またはこれらの混合物であってもよい。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
１００  光電変換セル
１０２  第１半導体層（半導体窓層）
１０４  第２半導体層（半導体吸収層）
１０６  裏面コンタクト