(57)【要約】【課題】従来の表示装置の信号配線は、信号配線の下部あるいは周囲に鬆が発生して、パッシベーション膜の被膜性が悪化する問題があった。【解決手段】本発明にかかる表示装置は、信号配線を有する表示装置であって、信号配線は、アルミニウムを主成分とし、絶縁層１０上に絶縁層１０と接するように形成される下層配線１１と、４族乃至６族元素を主成分とし、下層配線１１の上層に下層配線１１と接するように形成され、下層配線１１の端部よりも内側に端部が位置する上層配線１２とを有することを特徴とするものである。【選択図】図１
2008166334.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号配線を有する表示装置であって、
前記信号配線は、
アルミニウムを主成分とし、絶縁層上に前記絶縁層と接するように形成される下層配線と、
４族乃至６族元素を主成分とし、前記下層配線の上層に前記下層配線と接するように形成され、前記下層配線の端部よりも内側に端部が位置する上層配線とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記上層配線は、前記信号配線を覆うように形成されるパッシベーション膜を貫通して形成されるコンタクトホールを介して、前記パッシベーション膜の表面に形成される透明電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記信号配線を覆うように形成されるパッシベーション膜の膜厚が３００ｎｍ以下の場合、前記下層配線の側面に形成される前記パッシベーション膜の膜厚が前記信号配線の上層に形成される前記パッシベーション膜の膜厚の９０％以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記表示装置は更に薄膜トランジスタを有し、前記薄膜トランジスタは、ソース領域及びドレイン領域の上層にバリアメタル層を有し、前記薄膜トランジスタの上層の絶縁層を貫通して形成されるコンタクトホール内に成膜された導電膜によって前記信号配線と前記バリアメタル層とが接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記信号配線は、前記信号配線の下部の絶縁層を貫通して形成されるコンタクトホールを介して、前記下層配線と同じ素材で前記信号配線の下層に形成される領域と接続されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
アルミニウムを主成分とする下層配線と、４族乃至６族元素を主成分とし、前記下層配線の上層に前記下層配線と接するように形成された上層配線と、からなる信号配線と、
コンタクトホールが形成されたゲート絶縁層と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上層にあって、少なくとも前記コンタクトホール内に形成されている透明電極とを有し、
前記透明電極は前記コンタクトホールを介して、前記信号線と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続することを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に関し、特に信号配線として下層配線と当該下層配線の上層に形成される上層配線とを有する２層構造の配線を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の一つである薄型液晶パネルは、低消費電力や小型軽量といったメリットを活かしてパーソナルコンピュータや携帯情報端末機器のモニタなどに広く使用されている。また、近年ではＴＶ用途としても広く用いられている。
【０００３】
このような薄型液晶パネルは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）素子を画素スイッチング素子として用いており、このような形式のパネルはアクティブマトリックス型と称される。また、ＴＦＴ素子には半導体膜を用いたＭＯＳ構造が一般的に用いられる。そして、半導体膜として、非晶質シリコン薄膜や多結晶シリコン薄膜があり、ＭＯＳ構造として、逆スタガ型やトップゲート型がある。これらのＭＯＳ構造は薄型液晶パネルの用途や特性に応じて適宜選択される。例えば、小型の薄型液晶パネルでは、素子を小型化するために、キャリアの移動度が高い多結晶シリコン薄膜を用いてＴＦＴ素子が形成される。
【０００４】
このようなＴＦＴ素子を用いた薄型液晶パネルでは、信号配線としてアルミニウム（Ａｌ）等の低抵抗材料が一般的に用いられる。そして、ＴＦＴ素子の上層に形成される層間絶縁膜層及びゲート絶縁膜層に設けられたコンタクトホールにこの信号配線を埋め込むことで、ＴＦＴ素子は上層の配線層と電気的に接続される。
【０００５】
このような場合、多結晶シリコン薄膜とＡｌ配線とが直接接すると高抵抗となるため、信号配線はクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等を主成分とするバリアメタルを介して多結晶シリコン薄膜と接続することが一般的に行われる。一方、Ａｌ配線の上層にはＡｌのヒロック対策として（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）等を主成分とするメタル層が一般的に形成される。つまり、多結晶シリコン薄膜にＡｌ配線を接続する場合、Ａｌ配線はバリアメタル層、Ａｌ層、メタル層の３層構造となる。信号配線をこのような３層構造とした場合、配線形成時のエッチングレートの違いから、バリアメタル層及びメタル層のエッチングがＡｌ層よりも進む。このような場合、断面形状においてＡｌ層がバリアメタル層及びメタル層よりも突出する。このような突起が生じると、信号配線の上層に形成されるパッシベーション膜の被覆性が悪化し、ＴＦＴ素子の性能劣化やパッシベーション膜上に形成される透明電極の断線などが発生する。
【０００６】
一方、コンタクトホール等で多結晶シリコン薄膜に接することのない信号配線においても、ヒロック対策のためにＡｌ層の上層にメタル層を設けることが一般的である。このような配線に関する技術が特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の表示装置における配線１１０の断面形状を図４に示す。図４に示すように、配線１１０は、Ａｌ配線１１１の上層にＡｌ配線１１１の上面よりも広い底面を有するメタル層１１２が形成される。これによって、Ａｌ配線１１１にヒロック１２０が生じても隣接する配線が短絡しない構造となっている。
【０００７】
しかし、この特許文献１に記載の技術においても、配線１１０の下層となるＡｌ配線１１１の幅がメタル層１１２の幅よりも細くなっている。つまり、特許文献１に記載の配線の断面形状では、メタル層１１２の下部であって、Ａｌ配線１１１が形成されない領域に鬆が形成されてしまい、パッシベーション膜の被膜性の悪化は改善されない。
【０００８】
一方、特許文献２にこのような鬆の形成を防止するための技術が開示されている。特許文献２に記載の技術では、Ａｌ配線に代えて銀（Ａｇ）配線を用い、メタル層よりも幅の広い配線を形成する。これによって、特許文献２に記載の技術では、配線層の上層に形成される膜の被膜性を向上させている。しかしながら、特許文献２においても、配線にＡｌ配線を使用した場合、やはり鬆が形成されてしまう（特許文献２、段落００２６〜００３０参照）。
【特許文献１】特開２００１−１０２４４５号公報
【特許文献２】特開２００１―２４２４８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
特許文献１、２に記載の技術によっても、Ａｌを配線として使用した場合に配線層の上層に形成される膜の被覆性が悪化し、ＴＦＴ素子の性能劣化やパッシベーション膜上に形成される透明電極の断線などが発生する問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明にかかる表示装置は、信号配線を有する表示装置であって、前記信号配線は、アルミニウムを主成分とし、絶縁層上に前記絶縁層と接するように形成される下層配線と、４族乃至６族元素を主成分とし、前記下層配線の上層に前記下層配線と接するように形成され、前記下層配線の端部よりも内側に端部が位置する上層配線とを有することを特徴とするものである。
【００１１】
本発明にかかる表示装置は、アルミニウムを主成分とする下層配線と、４族乃至６族元素を主成分とし、前記下層配線の上層に前記下層配線と接するように形成された上層配線と、からなる信号配線と、コンタクトホールが形成されたゲート絶縁層と、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上層にあって、少なくとも前記コンタクトホール内に形成されている透明電極とを有し、前記透明電極は前記コンタクトホールを介して、前記信号線と前記薄膜トランジスタとを電気的に接続することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明にかかる表示装置は、Ａｌを主成分とする信号配線の上層に形成されるパッシベーション膜の十分な被膜性を確保し、高性能で高い信頼性を有するＴＦＴ素子を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明を適用可能な実施の形態を説明する。以下の説明は、本発明の実施の形態についてのものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１４】
実施の形態１
以下では、図面を参照して本発明の実施の態様について説明する。本実施の形態では、ガラス基板や石英基板などの透明性を有する絶縁性基板上にトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）素子が形成された表示装置について説明する。この表示装置の断面構造の模式図を図１に示す。
【００１５】
まず、本実施の形態にかかる表示装置の構造について説明する。図１に示すように、実施の形態にかかる表示装置は、ガラス基板１の表面にシリコン窒化膜２とシリコン酸化膜３が形成される。シリコン窒化膜２とシリコン酸化膜３は、その表面に形成されるポリシリコン層４からのナトリウム（Ｎａ）等の可動イオンがガラス基板１に流出するのを防止するバリア層であって、いずれか一方の層のみを形成する形状としても良い。
【００１６】
シリコン酸化膜３の表面の所定領域にはポリシリコン層４が形成される。そして、ポリシリコン層４の表面のソース領域あるいはドレイン領域に相当する領域には、バリアメタル層５が形成される。このバリアメタル層５のうちドレイン領域に相当する領域に形成されるバリアメタル層５は、キャパシタ部に相当する領域まで延出するように形成される。ポリシリコン層４が形成されていないシリコン酸化膜３の表面、ポリシリコン層４及び、バリアメタル層５を覆うように絶縁膜が形成される。ここで、他の絶縁膜と区別するために、以下ではこの絶縁膜をゲート絶縁膜６と称す。
【００１７】
ゲート絶縁膜６の表面の所定の領域にはそれぞれ、ゲート電極７、容量電極８、ゲート配線９が形成される。本実施の形態にかかる表示装置では、ツインゲート構造を有するＴＦＴ素子を用いるため、ポリシリコン層４のうちトランジスタ部として機能する領域のチャネル領域に相当する領域の上部にゲート電極７が２本形成される。また、ポリシリコン層４のうちキャパシタ部に相当する領域の上部に容量電極８が形成される。ゲート配線９は、図１に示す断面図では、ポリシリコン層４が形成されていない領域に形成されるソースドレインレイヤ／ゲートレイヤ変換部のゲート絶縁膜６の上層に形成される。ソースドレインレイヤ／ゲートレイヤ変換部は、ゲート配線９が形成される層と信号配線が形成される層とを物理的・電気的に接続する領域である。そして、このゲート電極７、容量電極８、ゲート配線９を覆うように絶縁膜が形成される。ここで、他の絶縁膜と区別するために、以下ではこの絶縁膜を層間絶縁膜１０と称す。
【００１８】
層間絶縁膜１０の表面の所定の領域には、信号配線が形成される。この信号配線は、層間絶縁膜１０に接するように形成される下層配線１１と、下層配線１１の上層に形成される上層配線１２とを有する２層構造を有している。下層配線１１は、例えばアルミニウム（Ａｌ）又はＡｌを主成分とする合金膜で形成される配線である。一方、上層配線１２は、４族乃至６族元素（例えばクロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタニウム（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ））又はこれら金属を主成分とする合金膜で形成されるメタル層である。本実施の形態では、Ａｌを主成分とする下層配線１１の上層に、このような上層配線１２を形成することで、下層配線１１で発生するヒロックを防止する。また、上層配線１２の端部は、下層配線１１の端部よりも内側に形成される。つまり、上層配線１２は、下層配線１１よりも線幅が狭くなる。そして、信号配線及び信号配線が形成されていない層間絶縁膜１０の上層に絶縁膜が形成される。ここで、他の絶縁膜と区別するために、以下ではこの絶縁膜をパッシベーション膜１３と称す。
【００１９】
パッシベーション膜１３の表面の所定の領域には、例えば、透明電極１５が形成されている。透明電極１５は、例えばＩＴＯ膜やＩＺＯ膜が用いられる。そして、透明電極１５は、電気的導通を確保するために、パッシベーション膜１３、層間絶縁膜１３、ゲート絶縁膜６を貫通して、所望の配線が露出するように形成されたコンタクトホール１４を介して他の配線と接続される。このとき、少なくともコンタクトホール１４の側壁に沿った領域には透明電極を形成する素材と同じ素材で導電膜が形成される。そして、この導電膜によって、透明電極１５は他の配線と電気的導通を得る。ここで、コンタクトホールとは、異なる層に形成された配線及び電極を接続するために開口された穴状の配線領域であって、以下の説明では貫通する絶縁層にかかわらずこのような配線領域をコンタクトホールと称する。
【００２０】
ここで、本実施の形態にかかる配線層及びその上部のパッシベーション膜１３の構造を説明するために、図１のＡで示される領域の拡大図を図２に示す。図２に示すように、本実施の形態にかかる表示装置は、層間絶縁膜１０の表面に直接下層配線１１が形成される。そして、上層配線１２の端部は、下層配線１１の端部よりも下層配線１１の内側に位置している。そのため、パッシベーション膜１３は、下層配線１１及び上層配線１２の側壁に沿ったなだらかな形状となる。これによって、信号配線の近傍及びパッシベーション膜１３の表面に鬆が生じることはない。つまり、パッシベーション膜１３の表面に形成される透明電極がパッシベーション膜１３の表面の凹凸によって断線することがない。
【００２１】
また、本実施の形態では、下層配線１１の側壁に接するように形成されるパッシベーション膜１３の膜厚をＬ１とし、上層配線１２の表面に形成されるパッシベーション膜１３の膜厚をＬ２とし、Ｌ２が３００ｎｍ以下の場合、Ｌ１／Ｌ２が９０％以上となる。つまり、本実施の形態にかかる表示装置では、パッシベーション膜１３は、信号配線の上層であっても良好な被覆性を保つことが可能である。以上のことより、本実施の形態にかかる表示装置は、パッシベーション膜１３及びその表面に形成される配線の信頼性が高く、高性能なＴＦＴ素子を実現することが可能である。
【００２２】
次に、本実施の形態にかかる表示装置の製造方法について説明する。まず、第１の工程では、ガラス基板１の表面にシリコン窒化膜２及びシリコン酸化膜３を成膜する。その後シリコン酸化膜３の表面にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により膜厚が５０〜７０ｎｍとなるようにアモルファスシリコン膜を成膜する。そして、エキシマレーザーアニール又はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザーアニール等のアニール処理を行い、アモルファスシリコン膜を溶融、冷却、固化させることでポリシリコン層４が形成される。このポリシリコン層４は、ドライエッチングにより、ＴＦＴ素子のトランジスタ部及びキャパシタ部が形成される所定の領域を除き除去される。
【００２３】
第２の工程では、第１の工程のドライエッチング後に残ったポリシリコン層４の上層にＭｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、タングステン（Ｗ）等のバリアメタル層５を成膜する。その後、トランジスタのソース領域、ドレイン領域及びキャパシタ部に相当する部分にバリアメタル層５が残るようにパターニングを行う。なお、本実施の形態では、第１の工程と第２の工程とでそれぞれ異なるパターンを用いてエッチングを行ったが、ハーフトーンやグレートーン技術を用いて１回の写真製版工程でこれらのパターンを形成しても良い。
【００２４】
第３の工程では、第２の工程までで形成された基板全面にプラズマＣＶＤ法を用いてゲート絶縁膜６を形成する。そして、ＤＣマグネトロンを用いたスパッタリング法により、このゲート絶縁膜６の上層にゲート電極７、容量電極８、ゲート配線９となる導電膜を成膜する。これら導電膜は、例えばＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａやこれらを主成分とする合金膜であれば良い。その後、パターニングを行い、ゲート電極７、容量電極８、ゲート配線９をそれぞれ形成する。
【００２５】
第４の工程では、トランジスタのソース領域及びドレイン領域を形成するためにポリシリコン層４にイオン注入法あるいはイオンドーピング法を用いて不純物を導入する。このとき導入する不純物は、リン（Ｐ）やボロン（Ｂ）である。ポリシリコン層４にリンを導入した場合、トランジスタはｎ型トランジスタとなり、ボロンを導入した場合、トランジスタはｐ型トランジスタとなる。リンやボロンをトランジスタの極性に応じてそれぞれ導入することで、ｎ型トランジスタとｐ型トランジスタとを同一の基板上に作ることが可能である。なお、トランジスタの信頼性向上のためにドレイン領域をＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造としても良い。
【００２６】
第５の工程では、第３の工程で形成したゲート電極７、容量電極８、ゲート配線９の上層を含む基板全面にプラズマＣＶＤ法によって層間絶縁膜１０を成膜する。層間絶縁膜１０は、例えばシリコン酸化膜あるいはシリコン窒化膜である。その後、第４の工程で導入した不純物を活性化するために基板全体を４００℃以上にする熱処理を行う。
【００２７】
第６の工程では、ＤＣマグネトロンを用いたスパッタリング法により信号配線となる導電膜を成膜する。この導電膜は、下層配線としてＡｌ又はＡｌを主成分とする合金膜が形成され、下層配線の上層にＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａやこれらを主成分とする合金膜が形成される２層構造となっている。信号配線が２層構造を有していることから、この第６の工程では２回のスパッタリングを行う。例えば、第１のスパッタリング工程で下層配線を形成し、第２のスパッタリング工程で上層配線を形成する。そして、所望の形状に応じてパターニングを行い、エッチング工程にて導電膜をドライエッチングすることで信号配線が形成される。このドライエッチングにおいて、下層配線１１と上層配線１２とはエッチングレートが異なるため、上層配線１２は、下層配線１１よりもエッチングが進む。つまり、上層配線１２の側壁は、下層配線１１の側壁よりも内側に形成される。
【００２８】
第７の工程では、信号配線の上層を含む基板全体にパッシベーション膜１３（保護膜）となるシリコン窒化膜を成膜する。そして、パッシベーション膜１３にドライエッチングにて開口を設け、コンタクトホール１４を所望の領域に形成する。このコンタクトホール１４は、パッシベーション膜１３を貫通し、コンタクトホール１４の下部に位置する配線や電極が露出する深さで形成される。つまり、コンタクトホール１４は、形成される領域に応じて複数の絶縁膜を貫通する。
【００２９】
第８の工程では、パッシベーション膜１３の表面に透明電極１５を形成する。透明電極１５は、ＤＣマグネトロンを用いたスパッタリング法で形成される。また、透明電極１５は、酸化インジウムを主成分とするＩＴＯ膜やＩＺＯ膜で形成される。そして、この透明電極１５は、少なくともコンタクトホール１４の開口部を覆う領域に形成され、さらに少なくともコンタクトホール１４の側壁に沿った部分にも導電膜を形成する。つまり、コンタクトホール１４下部の配線あるいは電極と表面に形成される透明電極１５とはこの導電膜を介して物理的・電気的に接続された状態となる。
【００３０】
上記説明より、本実施の形態にかかる表示装置では、信号配線と信号配線と接続する他の配線及び電極とを表面に形成される透明電極１５を介して接続する。これによって、信号配線がＡｌを主成分とする下層配線とＭｏ等を主成分とする上層配線の２層構造となっていても、配線間の接続を行うことが可能である。また、信号配線が、２層構造であって、上層配線が下層配線よりも線幅が狭くなっていることより、信号配線部分に鬆が発生することはなく、パッシベーション膜の良好な被覆性を得ることが可能である。
【００３１】
また、本実施の形態にかかる表示装置では、信号配線とコンタクトホールを介して接続する他の配線及び電極を開口するコンタクトホールと、信号配線を開口するコンタクトホールとは、第７の工程のみで形成される。すなわち、本実施の形態にかかる表示装置においてコンタクト開口工程は１工程のみであり、これはコンタクトホールを介して異なるレイヤー間を接続する導電膜を全て透明電極とした構造と密接に関係している。これにより、本実施の形態においては製造工程数が少なくコストの低い表示装置を得ることができる。
【００３２】
さらに、本実施の形態においては、信号配線と他の配線及び電極との接続が信号配線の上層配線を介して行われる。すなわち、下層配線で用いられるアルミニウムは、透明電極に用いられるＩＴＯ等の透明酸化導電材料や、ホリシリコン層と直接接続すると界面で反応が生じ、接続抵抗の増大などの不具合が生じるが、本実施の形態における下層配線にはそのような接続が生じない構造となっている。これにより、本実施の形態においては、信号配線とその他の配線及び電極との間の接続を良好に行え、電気的に特性に優れた表示装置を得ることができる。
【００３３】
実施の形態２
実施の形態１にかかる表示装置は、パッシベーション膜１３の表面に形成された透明電極を介して信号配線と他の配線とを物理的・電気的に接続した。これに対して、実施の形態２にかかる表示装置は、信号配線の下部に形成したコンタクトホールを介して、信号配線の下層配線と他の配線を接続するものである。
【００３４】
実施の形態２にかかる表示装置の断面図を図３に示す。図３に示すように、実施の形態２にかかる表示装置は、下層配線１１の下部に形成されたコンタクトホール１６を介してその下部に形成される配線あるいは電極と物理的・電気的に接続される。ここで、コンタクトホール１６には、少なくともコンタクトホール１６の側壁を含む部分に下層配線と同じ素材で構成される導電膜が形成されている。そして、この導電膜を介して下層配線１１は下部の配線あるいは電極と接続される。また、パッシベーション膜１３の表面に形成される透明電極１５は、透明電極１５の下部に形成されるコンタクトホール１４を介して信号配線の上層配線１２と接続される。
【００３５】
次に、実施の形態２にかかる表示装置の製造方法について、実施の形態１にかかる表示装置の製造方法と異なる第６の工程以降の部分について説明する。なお、実施の形態１と同じ製造方法となる部分については説明を省略する。
【００３６】
第６の工程では、まず、コンタクトホール１６を開口する。その後、ＤＣマグネトロンを用いたスパッタリング法により信号配線となる導電膜を成膜する。この導電膜は、下層配線としてＡｌ又はＡｌを主成分とする合金膜が形成され、下層配線の上層にＭｏ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａやこれらを主成分とする合金膜が形成される２層構造となっている。このとき、スパッタリング法によって下層配線１１を成膜すると、コンタクトホール１６の側壁に沿って導電膜が形成される。また、信号配線が２層構造を有していることから、この第６の工程では２回のスパッタリングを行う。例えば、第１のスパッタリング工程で下層配線を形成し、第２のスパッタリング工程で上層配線を形成する。そして、所望の形状に応じてパターニングを行い、エッチング工程にて導電膜をドライエッチングすることで信号配線が形成される。このドライエッチングにおいて、下層配線１１と上層配線１２とはエッチングレートが異なるため、上層配線１２は、下層配線１１よりもエッチングが進む。つまり、上層配線１２の側壁は、下層配線１１の側壁よりも内側に形成される。
【００３７】
第７の工程では、信号配線の上層を含む基板全体にパッシベーション膜１３となるシリコン窒化膜を成膜する。そして、パッシベーション膜１３にドライエッチングにて開口を設け、コンタクトホール１４を所望の領域に形成する。このコンタクトホール１４は、パッシベーション膜１３を貫通し、コンタクトホール１４の下部に位置する上層配線が露出する深さで形成される。
【００３８】
第８の工程では、パッシベーション膜１３の表面に透明電極１５を形成する。透明電極１５は、ＤＣマグネトロンを用いたスパッタリング法で形成される。また、透明電極１５は、酸化インジウムを主成分とするＩＴＯ膜やＩＺＯ膜で形成される。そして、この透明電極１５は、少なくともコンタクトホール１４の開口部を覆う領域に形成され、さらに少なくともコンタクトホール１４の側壁に沿った部分にも導電膜を形成する。つまり、コンタクトホール１４下部の上部配線と表面に形成される透明電極１５とはこの導電膜を介して物理的・電気的に接続された状態となる。
【００３９】
上記説明より、実施の形態２にかかる表示装置においても、２層構造を有する信号配線を用いて所望の配線を実現することが可能である。また、実施の形態２にかかる表示装置では、透明電極１５よりも安価な材料を用いた下層配線１１を用いて信号配線と他の配線又は電極とを接続するため、装置の製造コストを削減することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施の形態１にかかる表示装置の断面構造を示す模式図である。
【図２】図１に示す表示装置においてＡで示される領域の拡大図である。
【図３】実施の形態２にかかる表示装置の断面構造を示す模式図である。
【図４】従来例で示される信号配線の断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    ガラス基板
２    シリコン窒化膜
３    シリコン酸化膜
４    ポリシリコン層
５    バリアメタル層
６    ゲート絶縁膜
７    ゲート電極
８    容量電極
９    ゲート配線
１０    層間絶縁膜
１１    下層配線
１２    上層配線
１３    パッシベーション膜
１４    コンタクトホール
１５    透明電極
１６    コンタクトホール
【図１】
2008166334.tif 000003
【図２】
2008166334.tif 000004
【図３】
2008166334.tif 000005
【図４】
2008166334.tif 000006