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【手続補正書】
【提出日】平成21年6月5日(2009.6.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電層を形成し、
前記導電層上に光透過層を形成し、
前記光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、前記導電層及び前記光透過層を選択的に除去することで開口部を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記開口部において前記光透過層の端部を、前記導電層の端部より内側に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に第１の導電層を形成し、
前記第１の導電層上に光透過層を形成し、
前記光透過層上からフェムト秒レーザを照射して、前記第１の導電層及び前記光透過層を選択的に除去して前記第１の導電膜及び前記光透過層に開口部を形成し、
前記開口部に液状の導電性材料を含む組成物を吐出して、前記第１の導電層と電気的に接続する第２の導電層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記開口部において前記光透過層の端部を、前記第１の導電層の端部より内側に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記フェムト秒レーザを照射する前に、前記光透過層表面に撥液処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上にゲート電極層を形成し、
前記ゲート電極層上にゲート絶縁層を形成し、
前記ゲート電極層上に第１の半導体層を形成し、
前記第１の半導体層上に一導電型を有する第２の半導体層を形成し、
前記第２の半導体層上に前記第２の半導体層と電気的に接続する配線を形成し、
前記配線層上に光透過層からなる絶縁層を形成し、
フェムト秒レーザを照射することにより、前記配線および前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に液状の導電性材料を含む組成物を吐出して前記配線と接続する電極層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記開口部における前記絶縁層の端部を前記配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタを形成し、
前記第１の薄膜トランジスタ上に第１の配線を形成し、
前記第２の薄膜トランジスタ上に第２の配線を形成し、
前記第１の配線と前記第２の配線上に光透過層からなる絶縁層を形成し、
フェムト秒レーザを照射することにより、前記第１の配線および前記絶縁層に第１の開口部と、前記第２の配線および前記絶縁層に第２の開口部とを形成し、
前記第１の開口部と前記第２の開口部に液状の導電性材料を含む組成物を吐出して、スリットによりそれぞれが分離された第１の画素電極と第２の画素電極とをそれぞれ形成し、
前記第１の画素電極は、前記第１の配線を介して前記第１の薄膜トランジスタと電気的に接続し、
前記第２の画素電極は、前記第２の配線を介して前記第２の薄膜トランジスタと電気的に接続し、
前記第１の画素電極と前記第２の画素電極は液晶の配向を制御することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１の開口部における前記絶縁層の端部を前記第１の配線の端部より内側に形成し、
前記第２の開口部における前記絶縁層の端部を前記第２の配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に配線を形成し、
前記配線上に光透過層からなる絶縁層を形成し、
フェムト秒レーザを照射することにより、前記配線および前記絶縁層に開口部を形成し、
前記開口部に液状の導電性材料を含む組成物を吐出して、前記配線を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続する画素電極を形成し、
前記画素電極上にバインダにより固定されたマイクロカプセルを設け、
前記マイクロカプセル上に導電層を設けることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記開口部における前記絶縁層の端部を前記配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至１１のいずれか一項において、
前記フェムト秒レーザを照射する前に、前記絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一項において、前記フェムト秒レーザは、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＹＡＧ、セラミックスＹＡＧ、セラミックスＹ２Ｏ３、ＫＧＷ、ＫＹＷ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、又はＧｄＶＯ４のいずれかの結晶に、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、又はＥｒのいずれかのドーパントを添加したレーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１４】
基板上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に配線を形成し、
前記配線上に光透過層からなる第１の絶縁層を形成し、
第１のフェムト秒レーザを照射することにより、前記配線および前記第１の絶縁層に第１の開口部を形成し、
前記第１の開口部に液状の導電性材料を含む組成物を吐出して、前記配線を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続する画素電極を形成し、
前記画素電極上に第２の絶縁層を形成し、
第２のフェムト秒レーザを照射することにより、前記第２の絶縁層に前記画素電極の端部を覆いかつ前記画素電極の露出部を有する第２の開口部を形成し、
前記画素電極の露出部および前記第２の絶縁層の一部に発光物質を有する層を形成し、
前記発光物質を有する層上に導電層を形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の開口部における前記第１の絶縁層の端部を前記配線の端部より内側に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、
前記第１のフェムト秒レーザを照射する前に、前記第１の絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至１６のいずれか一項において、
前記第２のフェムト秒レーザを照射する前に、前記第２の絶縁層の表面に撥液処理を行うことを特徴とする表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７のいずれか一項において、少なくとも前記第１のフェムト秒レーザまたは前記第２のフェムト秒レーザのいずれかは、Ｓａｐｐｈｉｒｅ、ＹＡＧ、セラミックスＹＡＧ、セラミックスＹ２Ｏ３、ＫＧＷ、ＫＹＷ、Ｍｇ２ＳｉＯ４、ＹＬＦ、ＹＶＯ４、又はＧｄＶＯ４のいずれかの結晶に、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、又はＥｒのいずれかのドーパントを添加したレーザであることを特徴とする表示装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月1日(2009.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１台の放熱器（８）に、１台の角筒状のヒーターユニットボックス（１）を対応配置した電気加温式温水循環型の暖房システムであって、放熱器（８）は、温水供給口（８Ｓ）及び温水排出口（８Ｒ）を備えた温水循環型放熱器であり、ヒーターユニットボックス（１）は、空気分離圧力タンク（２）、循環ポンプ（３）、パイプヒーター（４）を配管接続し、配管経路内に、ボール弁（６Ｃ）を備えたチーズ（７Ａ）、ボール弁（６Ｂ）、及びボール弁（６Ａ）を備えたチーズ（７）を直列配置すると共に、チーズ（７Ａ）から延出した枝管（Ｐ６´）の先端に圧力補助タンク（２´）を接続して温水循環機能を収納し、往き管（Ｓ）及び戻り管（Ｒ）で放熱器（８）と接続した、電気温水循環暖房システム。
【請求項２】
ヒーターユニットボックス（１）は、断面Ｌ型の、長尺の左側板（１Ｌ）と右側板（１Ｒ）とを接合した長尺の角筒部（１Ｋ）と、角筒部（１Ｋ）の両端に、着脱自在に嵌着する上蓋（１Ｕ）及び下蓋（１Ｄ）とを含み、断面Ｌ型の左側板（１Ｌ）が、一側辺（ＬＳ１）には、上下に、等間隔で複数個の電線挿入用孔（Ｈ１）を備え、他側辺（ＬＳ２）には、電線挿入用孔（Ｈ１）と対応する位置に、複数の空気流通孔（Ｈ３）を備えている、請求項１の電気温水循環暖房システム。
【請求項３】
ヒーターユニットボックス（１）は、断面Ｌ型の左側板（１Ｌ）が、両端にコーナー辺（１Ａ）を屈曲延出すると共に、コーナー辺（１Ａ）の端部を断面Ｌ型のアンカー片（１Ｃ）とし、断面Ｌ型の右側板（１Ｒ）の両端には、左側板（１Ｌ）のアンカー片（１Ｃ）と当接用の当接アンカー片（１Ｆ）を配置し、断面Ｌ型の、左側板（１Ｌ）及び右側板（１Ｒ）の上下端適所にねじ孔（Ｈ２）を配置して、上蓋（１Ｕ）及び下蓋（１Ｄ）のねじ孔（Ｈ２）と、左側板（１Ｌ）及び右側板（１Ｒ）のねじ孔（Ｈ２）とをねじ螺合した、請求項２の電気温水循環暖房システム。
【請求項４】
空気分離圧力タンク（２）及び補助タンク（２´）は、同一物であって、下辺（２Ｄ）、前辺（２Ｆ）、後辺（２Ｂ）、上辺（２Ｔ）及び両側辺（２Ｌ，２Ｒ）を含み、且つ上辺（２Ｔ）が前側傾斜辺（Ｓｆ）で前辺（２Ｆ）と、後側傾斜辺（Ｓｂ）で後辺（２Ｂ）と連続する箱形状であって、前辺（２Ｆ）の上下中央部には接続口（Ｊ１）を、後辺（２Ｂ）上下中央部には接続口（Ｊ２）を、上辺（２Ｔ）の後部には接続口（Ｊ３）を備え、両側辺（２Ｌ，２Ｒ）間に亘って、後方に傾斜上昇する２枚の羽根板（２Ａ，２Ａ´）を、前側羽根板（２Ａ）が、下方で前辺の接続口（Ｊ１）の後方対応位置に、後側羽根板（２Ａ´）が、上方で上辺接続口（Ｊ３）の下方対応位置に配置したものである、請求項１乃至３のいずれか１項の電気温水循環暖房システム。
【請求項５】
角筒状のヒーターユニットボックス（１）を縦配置して使用する際には、空気分離圧力タンク（２）の前辺（２Ｆ）を上側、後辺（２Ｂ）を下側として配置し、上辺（２Ｔ）の接続口（Ｊ３）にパイプヒーター（４）を接続し、後辺（２Ｂ）の接続口（Ｊ２）に往き管（Ｓ）を接続し、前辺（２Ｆ）の接続口（Ｊ１）をキャップ（２Ｃ）で閉止する、請求項４の電気温水循環暖房システム。
【請求項６】
角筒状のヒーターユニットボックス（１）を横配置して使用する際には、空気分離圧力タンク（２）の上辺（２Ｔ）を上側、下辺（２Ｄ）を下側として配置し、前辺（２Ｆ）の接続口（Ｊ１）にパイプヒーター（４）を接続し、後辺（２Ｂ）の接続口（Ｊ２）に往き管（Ｓ）を接続し、上辺の接続口（Ｊ３）をキャップ（２Ｃ）で閉止する、請求項４の電気温水循環暖房システム。
【請求項７】
角筒状のヒーターユニットボックス（１）を縦配置して使用する際には、補助タンク（２´）は、前辺（２Ｆ）を下側、後辺（２Ｂ）を上側として配置し、上辺（２Ｔ）の接続口（Ｊ３）及び後辺（２Ｂ）の接続口（Ｊ２）をキャップ（２Ｃ）で閉止し、前辺（２Ｆ）の接続口（Ｊ１）は、水張り及び空気抜き用のクロスチーズ（７Ａ）からボール弁（６Ｃ）を介して延出した枝管（Ｐ６´）上端に接続する、請求項５の電気温水循環暖房システム。
【請求項８】
角筒状のヒーターユニットボックス（１）を横配置して使用する際には、補助タンク（２´）は、下辺（２Ｄ）を上側にして、前辺（２Ｆ）の接続口（Ｊ１）及び後辺（２Ｂ）の接続口（Ｊ２）をキャップ（２Ｃ）で閉止し、下側の接続口（Ｊ３）は、水張り及び空気抜き用のクロスチーズ（７Ａ）から、ボール弁（６Ｃ）を介して延出した枝管（Ｐ６´）上端に接続する、請求項６の電気温水循環暖房システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、図１及び図２に示す如く、１台の放熱器８に、１台の角筒状のヒーターユニットボックス１を対応配置した電気加温式温水循環型の暖房システムであって、放熱器８は、温水供給口８Ｓ及び温水排出口８Ｒを備えた温水循環型放熱器であり、ヒーターユニットボックス１は、空気分離圧力タンク２、循環ポンプ３、パイプヒーター４を配管接続し、配管経路内に、ボール弁６Ｃを備えたチーズ７Ａ、ボール弁６Ｂ、及びボール弁６Ａを備えたチーズ７を直列配置すると共に、チーズ７Ａから延出した枝管Ｐ６´の先端に圧力補助タンク２´を接続して温水循環機能を収納し、往き管Ｓ及び戻り管Ｒで放熱器８と接続したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明システムにあっては、例えば図３に示す如く、ヒーターユニットボックス１の配管経路内に、ボール弁６Ｃを備えたチーズ７Ａ、ボール弁６Ｂ、及びボール弁６Ａを備えたチーズ７を直列配置すると共に、チーズ７Ａから枝管Ｐ６´を延出して、枝管Ｐ６´の先端に圧力補助タンク２´を接続した点も必須要件としている。
この場合、枝管Ｐ６´は、配管経路のパイプ同様、ゴムパイプ５Ａを採用し、延出端を上方に屈曲して、基端をチーズ７Ａに、屈曲先端を補助タンク２´下面の接続口Ｊ１に、ホースバンド５Ｂで締着すれば良い。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサに用いられる物理量検出回路であって、
所定のサンプリング周波数を有するサンプリングクロックの位相を調整するサンプリング位相調整回路と、
前記サンプリング位相調整回路によって位相調整されたサンプリングクロックに同期して前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号に基づいて前記物理量を検出する検出回路とを備え、
前記検出回路は、
前記センサ信号の周波数に対応する周波数を有する基準クロックの遷移に応答して正弦波信号に対応するデジタル検波信号を生成する検波信号生成回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号に前記検波信号生成回路によって生成されたデジタル検波信号を乗算することによって前記物理量に対応する物理量信号を検波する乗算回路とを含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記サンプリング位相調整回路は、前記サンプリング周波数よりも高い周波数を有する逓倍クロックに同期して動作し、前記サンプリングクロックを前記逓倍クロックの所定のパルス数だけ遅延させる
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項３】
請求項２において、
前記サンプリング位相調整回路は、
前記逓倍クロックに同期して前記サンプリングクロックを順次シフトさせることにより複数の遅延クロックを生成するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタによって生成された複数の遅延クロックのいずれか１つを選択するセレクタとを含み、
前記アナログ／デジタル変換回路は、前記セレクタによって選択された遅延クロックに同期してアナログ／デジタル変換を行う
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項４】
請求項２において、
前記サンプリング位相調整回路は、
前記逓倍クロックの発生パルス数を計数し、発生パルス数が所定値に到達するとタイミング信号を生成するサンプリング位相調整カウンタと、
前記サンプリング位相調整カウンタからのタイミング信号の遷移エッジに応答して前記サンプリングクロックを生成するクロック生成回路とを含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項５】
請求項４において、
前記クロック生成回路は、前記サンプリング位相調整カウンタからのタイミング信号の遷移エッジに応答して前記逓倍クロックを分周することによって前記サンプリングクロックを生成する分周回路である
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項６】
請求項１において、
前記デジタル検波信号の位相を調整する第１の位相調整回路をさらに備える
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１の位相調整回路は、前記基準クロックが供給されるとともに前記基準クロックの周波数よりも高い周波数を有する第１の動作クロックに同期して動作し、前記基準クロックの遷移エッジを前記第１の動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させ、
前記検波信号生成回路は、前記第１の位相調整回路によって遅延された基準クロックの遷移エッジに応答して前記デジタル検波信号を生成する
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項８】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサに用いられる物理量検出回路であって、
所定のサンプリング周波数を有するサンプリングクロックの位相を調整するサンプリング位相調整回路と、
前記サンプリング位相調整回路によって位相調整されたサンプリングクロックに同期して前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記デジタルセンサ信号の位相を調整するセンサ位相調整回路と、
前記センサ位相調整回路によって位相調整されたデジタルセンサ信号に基づいて前記物理量を検出する検出回路とを備える
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項９】
請求項８において、
前記センサ位相調整回路は、前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号が供給されるとともに前記センサ信号の周波数よりも高い周波数を有する動作クロックに同期して動作し、前記デジタルセンサ信号を前記動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させる
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項１０】
請求項８において、
前記サンプリング位相調整回路は、前記サンプリング周波数よりも高い周波数を有する逓倍クロックに同期して動作し、前記サンプリングクロックを前記逓倍クロックの所定のパルス数だけ遅延させる
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記サンプリング位相調整回路は、
前記逓倍クロックに同期して前記サンプリングクロックを順次シフトさせることにより複数の遅延クロックを生成するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタによって生成された複数の遅延クロックのいずれか１つを選択するセレクタとを含み、
前記アナログ／デジタル変換回路は、前記セレクタによって選択された遅延クロックに同期してアナログ／デジタル変換を行う
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記サンプリング位相調整回路は、
前記逓倍クロックの発生パルス数を計数し、発生パルス数が所定値に到達するとタイミング信号を生成するサンプリング位相調整カウンタと、
前記サンプリング位相調整カウンタからのタイミング信号の遷移エッジに応答して前記サンプリングクロックを生成するクロック生成回路とを含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記クロック生成回路は、前記サンプリング位相調整カウンタからのタイミング信号の遷移エッジに応答して前記逓倍クロックを分周することによって前記サンプリングクロックを生成する分周回路である
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項１４】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサと、
所定周波数の駆動信号を前記物理量センサに供給する駆動回路と、
物理量検出回路とを備え、
前記サンプリングクロックは、前記駆動信号の周波数に対応する周波数を有する基準クロックを逓倍して得られたクロックであり、
前記物理量検出回路は、
所定のサンプリング周波数を有するサンプリングクロックの位相を調整するサンプリング位相調整回路と、
前記サンプリング位相調整回路によって位相調整されたサンプリングクロックに同期して前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号に基づいて前記物理量を検出する検出回路とを含む
ことを特徴とする物理量センサ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物理量検出回路、物理量センサ装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月2日(2009.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサに用いられる物理量検出回路であって、
前記センサ信号の周波数に対応する周波数を有する基準クロックが供給されるとともに前記基準クロックの周波数よりも高い周波数を有する第１の動作クロックに同期して動作し、前記基準クロックの遷移エッジを前記第１の動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させる第１の位相調整回路と、
前記第１の位相調整回路によって遅延された基準クロックの遷移エッジを基準として前記センサ信号から前記物理量に対応する物理量信号を検波する検波回路とを備え、
前記第１の位相調整回路は、
前記第１の動作クロックに同期して前記基準クロックを順次シフトさせることにより複数の遅延クロックを生成するシフトレジスタと、
前記シフトレジスタによって生成された複数の遅延クロックのうちいずれか１つを選択するセレクタとを含み、
前記検波回路は、
前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記セレクタによって選択された遅延クロックの遷移エッジに応答して正弦波信号に対応するデジタル検波信号を生成する検波信号生成回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号に前記検波信号生成回路によって生成されたデジタル検波信号を乗算することによって前記物理量信号を検波する乗算回路とを含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項２】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサに用いられる物理量検出回路であって、
前記センサ信号の周波数に対応する周波数を有する基準クロックが供給されるとともに前記基準クロックの周波数よりも高い周波数を有する第１の動作クロックに同期して動作し、前記基準クロックの遷移エッジを前記第１の動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させる第１の位相調整回路と、
前記第１の位相調整回路によって遅延された基準クロックの遷移エッジを基準として前記センサ信号から前記物理量に対応する物理量信号を検波する検波回路とを備え、
前記第１の位相調整回路は、
前記基準クロックの遷移エッジに応答して前記第１の動作クロックの発生パルス数の計数を開始し、発生パルス数が所定値に到達するとタイミング信号を生成する位相調整カウンタを含み、
前記検波回路は、
前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記位相調整カウンタによって生成されたタイミング信号の遷移エッジに応答して正弦波信号に対応するデジタル検波信号を生成する検波信号生成回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号に前記検波信号生成回路によって生成されたデジタル検波信号を乗算することによって前記物理量信号を検波する乗算回路とを含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の位相調整回路は、
前記位相調整カウンタによって生成されたタイミング信号の遷移エッジに応答して前記検波信号生成回路の動作クロックを生成するクロック生成回路をさらに含む
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項４】
請求項１，２，３のいずれか１項において、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号が供給されるとともに前記基準クロックの周波数よりも高い周波数を有する第２の動作クロックに同期して動作し、前記デジタルセンサ信号を前記第２の動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させる第２の位相調整回路をさらに備え、
前記乗算回路は、前記第２の位相調整回路によって遅延されたデジタルセンサ信号に前記デジタル検波信号を乗算する
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の動作クロックの周波数は、前記第２の動作クロックの周波数よりも低い
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項６】
請求項４または５において、
前記第２の位相調整回路における遅延時間を定める第２の動作クロックのパルス数は、変更可能である
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項において、
前記第１の位相調整回路における遅延時間を定める第１の動作クロックのパルス数は、変更可能である
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項８】
外部から与えられた物理量に応じてセンサ信号を出力する物理量センサに用いられる物理量検出回路であって、
前記センサ信号をデジタルセンサ信号に変換するアナログ／デジタル変換回路と、
前記センサ信号の周波数に対応する周波数を有する基準クロックの遷移エッジに応答して正弦波信号に対応するデジタル検波信号を生成する検波信号生成回路と、
前記アナログ／デジタル変換回路によって得られたデジタルセンサ信号が供給されるとともに前記基準クロックの周波数よりも高い周波数を有する動作クロックに同期して動作し、前記デジタルセンサ信号を前記動作クロックの所定のパルス数だけ遅延させる位相調整回路と、
前記位相調整回路によって遅延されたデジタルセンサ信号に前記検波信号生成回路によって生成されたデジタル検波信号を乗算することによって前記物理量に対応する物理量信号を検波する乗算回路とを備える
ことを特徴とする物理量検出回路。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の物理量検出回路と、
前記物理量センサと、
所定周波数を有する駆動信号を前記物理量センサに供給する駆動回路とを備え、
前記センサ信号の周波数および前記基準クロックの周波数は、前記駆動信号の周波数に対応する
ことを特徴とする物理量センサ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物理量検出回路、物理量センサ装置
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号のピッチ情報に対してフィルタ処理を行うフィルタ処理手段と、
前記入力信号に信号処理を施し、そのピッチを、前記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチに変換して加工信号を生成する加工信号生成手段と、
前記入力信号と前記加工信号とを混合して出力する混合手段とを設けたことを特徴とする音響信号処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の音響信号処理装置であって、
前記加工信号生成手段に、前記入力信号のピッチ情報又は前記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチの値を、時間をずらして前記加工信号の生成に反映させるようにしたことを特徴とする音響信号処理装置。
【請求項３】
コンピュータを、
入力信号のピッチ情報に対してフィルタ処理を行うフィルタ処理手段と、
前記入力信号に信号処理を施し、そのピッチを、前記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチに変換して加工信号を生成する加工信号生成手段と、
前記入力信号と前記加工信号とを混合して出力する混合手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記の目的を達成するため、この発明の音響信号処理装置は、入力信号のピッチ情報に対してフィルタ処理を行うフィルタ処理手段と、上記入力信号に信号処理を施し、そのピッチを、上記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチに変換して加工信号を生成する加工信号生成手段と、上記入力信号と上記加工信号とを混合して出力する混合手段とを設けたものである。
このような音響信号処理装置において、上記加工信号生成手段に、上記入力信号のピッチ情報又は上記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチの値を、時間をずらして上記加工信号の生成に反映させるようにするとよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、この発明のプログラムは、コンピュータを、入力信号のピッチ情報に対してフィルタ処理を行うフィルタ処理手段と、上記入力信号に信号処理を施し、そのピッチを、上記フィルタ処理手段によるフィルタ処理後のピッチ情報が示すピッチに変換して加工信号を生成する加工信号生成手段と、上記入力信号と上記加工信号とを混合して出力する混合手段として機能させるためのプログラムである。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のランドを有する配線パターンが形成された支持基板と、この支持基板の表面に実装された振動素子とを備えた振動型ジャイロセンサにおいて、
前記振動素子は、前記ランドに接続される複数の端子部が形成された実装面を有する基部と、この基部の側周部から片持ち梁状に一体に突設され前記基部の実装面と同一面を構成する基板対向面を有する振動子部とを有し、
前記振動子部の基板対向面には、第１電極層と、この第１電極層の上に積層された圧電層と、この圧電層の上に積層された第２電極層とがそれぞれ形成され、
前記振動子部の基端部位には、前記基部に向かって当該振動子部の断面積が次第に大きくなる補強部が形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子部の上面は、前記基部の上面から傾斜部を介して段落ち形成されており、
前記補強部は、前記振動子部の基端部位上面側に前記傾斜部に沿って形成された縦補強部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記補強部は、前記基部の側周部に向かって前記振動子部の基端部位の形成幅が次第に増加するように形成された横補強部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項４】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子部の上面と両側面との間の稜線部は溶融された面取り部とされている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項５】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子部の基板対向面と両側面との間の稜線部の少なくとも一方が湾曲している
振動型ジャイロセンサ。
【請求項６】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子部には、その基板対向面を除く面の少なくとも一部が溶融されて平滑面とされている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項７】
複数個のランドを有する配線パターンが形成された支持基板と、この支持基板の表面に実装された振動素子とを備えた振動型ジャイロセンサにおいて、
前記振動素子は、前記ランドに接続される複数の端子部が形成された実装面を有する基部と、この基部の側周部から片持ち梁状に一体に突設され前記基部の実装面と同一面を構成する基板対向面を有する振動子部とを有し、
前記振動子部の基板対向面には、第１電極層と、この第１電極層の上に積層された圧電層と、この圧電層の上に積層された第２電極層と、これら第１電極層、圧電層及び第２電極層を封止する絶縁保護層とがそれぞれ形成され、
前記振動子部の基端部位には、前記基部に向かって当該振動子部の断面積が次第に大きくなる補強部が形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項８】
請求項７に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記絶縁保護層は、少なくとも酸化シリコン層を含んでなる
振動型ジャイロセンサ。
【請求項９】
請求項７に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記絶縁保護層は、前記第２電極層の少なくとも２倍の厚みを有する
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１０】
請求項７に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記絶縁保護層は、前記第１電極層よりも幅広で、かつ前記振動子部の外周縁に沿って前記振動子部の基板対向面を露出させて形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１１】
請求項７に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子部の上面側には、当該振動子部の反り量を制御する反り制御膜が形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１２】
複数個のランドを有する配線パターンが形成された支持基板と、この支持基板の表面に実装された振動素子とを備えた振動型ジャイロセンサにおいて、
前記振動素子は、非ドープ単結晶シリコン基板を基材として形成されているとともに、前記ランドに接続される複数の端子部が形成された実装面を有する基部と、この基部の側周部から片持ち梁状に一体に突設され前記基部の実装面と同一面を構成する基板対向面を有する振動子部とを有し、
前記振動子部の基板対向面には、第１電極層と、この第１電極層の上に積層された圧電層と、この圧電層の上に積層された第２電極層とがそれぞれ形成され、
前記振動子部の基端部位には、前記基部に向かって当該振動子部の断面積が次第に大きくなる補強部が形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記支持基板の表面は、遮光性のカバー部材で被覆されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１４】
複数の端子部が形成された実装面を有する基部と、この基部の側周部から片持ち梁状に一体に突設され前記基部の実装面と同一面を構成する基板対向面を有する振動子部とを有し、
前記振動子部の基板対向面には、第１電極層と、この第１電極層の上に積層された圧電層と、この圧電層の上に積層された第２電極層とがそれぞれ形成された振動素子の製造方法であって、
シリコン基板の第１主面側にエッチング処理を施して、所定の傾斜角で傾斜するエッチング傾斜面を有するとともに前記第１主面からの厚みが当該振動素子の振動子部の厚みに対応する深さのエッチング凹部を形成するエッチング凹部形成工程と、
前記シリコン基板の前記エッチング凹部と対向する第２主面上に、前記圧電膜層及び第１，第２電極層を形成する電極形成工程と、
前記エッチング凹部内において前記振動子部の外形を形成する貫通溝からなるコ字状の外形溝をパターン形成する外形溝形成工程と、
前記外形溝の両端部にそれぞれ達するように前記シリコン基板を切断して当該振動素子の基部を切り分ける切断工程とを有し、
前記外形溝形成工程では、前記外形溝の両端部を前記エッチング凹部の途中箇所に形成することによって、前記振動子部の基端部位に、前記基部に向かって当該振動子部の断面積が次第に大きくなる補強部を形成する
振動素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の振動素子の製造方法であって、
前記外形溝形成工程は、前記シリコン基板の第２主面上に前記外形溝の形成部位が開口されたレジストパターンを形成する工程を有し、前記レジストパターンの前記外形溝の両端部に対応する部位が湾曲して形成されている
振動素子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の振動素子の製造方法であって、
前記外形溝形成工程は、前記外形溝の底部を過剰にエッチング加工する
振動素子の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の振動素子の製造方法であって、
前記切断工程の後、前記振動子部の稜線部位の一部をレーザ照射により溶融して面取り部を形成する工程を有する
振動素子の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の振動素子の製造方法であって、
前記振動子部の基板対向面とは反対側の面に、当該振動子部の反り量を制御する反り制御膜を形成する工程を有する
振動素子の製造方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の振動素子の製造方法であって、
前記シリコン基板として、主面の方位面が（１００）面、側面の方位面が（１１０）面となるように切り出された非ドープ単結晶シリコン基板を用いる
振動素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月25日(2008.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に圧電膜、駆動電極及び一対の検出電極が形成された片持ち梁形状の振動子を有する振動型ジャイロセンサ素子と、この振動型ジャイロセンサ素子が実装される支持基板とを備えた振動型ジャイロセンサにおいて、
前記振動型ジャイロセンサ素子は、前記振動子の前記一方の面側を前記支持基板側に向けて実装されているとともに、
前記振動子の前記一方の面以外の領域を、当該振動子の振動特性調整用の凹部が形成された被加工領域としている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項２】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、前記振動子の縦共振周波数と横共振周波数との周波数差を調整するための凹部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項３】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、前記一対の検出電極から出力される信号差を調整するための凹部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項４】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、前記振動子の縦共振周波数と横共振周波数との周波数差を調整するとともに、前記一対の検出電極から出力される信号差を調整するための凹部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項５】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記被加工領域は、前記一方の面と対向する面である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項６】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記被加工領域は、前記一方の面と対向する面と前記一方の面に隣接する側面との間の稜線部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項７】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記被加工領域は、前記一方の面に隣接する側面である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項８】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、異なる位置に複数形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項９】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、ステップ状の形状に加工されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１０】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記凹部は、前記振動子の共振周波数を調整するための凹部である
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１１】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記被加工領域の少なくとも一部は溶融されて平滑面とされている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１２】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子の前記一方の面と対向する面と前記一方の面に隣接する側面との間の稜線部が湾曲形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１３】
請求項１に記載の振動型ジャイロセンサであって、
前記振動子の根元部の両側部が湾曲形成されている
振動型ジャイロセンサ。
【請求項１４】
一方の面に圧電膜、駆動電極及び一対の検出電極が形成された片持ち梁形状の振動子を有する振動型ジャイロセンサ素子が、支持基板に実装されてなる振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記振動子の前記一方の面側を前記支持基板側に向けて、前記振動型ジャイロセンサ素子を前記支持基板に実装する工程と、
前記振動子の前記一方の面以外の被加工領域に対してレーザー加工を施して前記振動子の振動特性を調整する工程とを有する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記振動子の振動特性を調整する工程では、前記振動子を前記支持基板に対して垂直な振動状態に矯正する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項１６】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記振動子の初期の縦横の共振周波数の周波数差を測定し、測定した周波数差から振動子の加工位置を設定する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記一対の検出電極から出力される初期の左右検出信号から前記振動子の加工位置を設定する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記振動子の初期の縦横の共振周波数の周波数差と前記一対の検出電極から出力される初期の左右検出信号とに基づいて、前記振動子のレーザー加工位置を選択することにより、周波数調整と左右検出信号の調整を同時に行う
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項１９】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記垂直方向への振動特性の矯正を、前記振動子を横共振周波数で振動させたときの前記一対の検出電極から出力される信号差が最小となる加工位置を設定する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【請求項２０】
請求項１４に記載の振動型ジャイロセンサの調整方法であって、
前記振動子の基端部位より当該振動子の全長の４／５以上離れた位置にレーザー加工を施して、当該振動子の共振周波数を調整する工程を有する
振動型ジャイロセンサの調整方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月8日(2009.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
測定装置（２６）、特に薄層の厚さを測定するための測定装置（２６）を保持するための測定スタンドであって、前記測定スタンドはカム従動節（２３）が上下に移動させられるように案内するハウジング（１８）を備え、前記測定装置（２６）は測定対象（１４）に面する前記ハウジング（１８）の端に配置され、電気駆動装置（２８）を備える駆動ユニット（２９）はカム従動節（２３）の引き上げ移動を駆動し、前記駆動ユニット（２９）は測定装置（２６）が測定対象（１４）にタッチダウンするまで迅速な運動を伴う少なくとも１つの第１の移動相とクリープ運動を伴うカム従動節（２３）の少なくとも１つの別の移動相の下方運動を開始することを特徴とする測定スタンド。
【請求項２】
一定の送り速度はクリープモードにおいて提供されることを特徴とする請求項１に記載の測定スタンド。
【請求項３】
前記駆動ユニット（２９）はピボットレバー（３１）を上下に移動させるカム円板（３８）を備え、前記ピボットレバー（３１）は、両端の一方がハウジングに取り付けられ、他方端がカム従動節（２３）とピボット連結部を形成し、前記カム円板（３８）を走行するローラ（３７）は、前記ピボットレバー（３１）のピボットと前記カム従動節（２３）のピボット連結部（３５）との間に設けられ、前記ピボットは前記ハウジングに対して固定されていることを特徴とする請求項１に記載の測定スタンド。
【請求項４】
前記ピボットレバー（３１）により、前記カム円板（３８）を走行する前記ローラ（３７）は、前記カム円板（３８）の前記ピボットと交差するか、または少なくとも極めてその近くまで延びて、円形経路で走行することを特徴とする請求項３に記載の測定スタンド。
【請求項５】
前記カム円板（３８）は前記駆動ユニット（２９）の前記ピボット（３９）に設けられ、前記ピボット（３９）は駆動ホイール（４１）を受け、電気駆動装置（２８）によって駆動されることを特徴とする請求項３に記載の測定スタンド。
【請求項６】
少なくとも１個のスイッチングプレート（５４）を備えるスイッチング要素（５３）が設けられ、前記スイッチング要素（５３）はカム従動節（２３）の引き上げ移動の少なくとも１つの上下端位置を限定し、好ましくは、前記スイッチング要素（５３）は前記カム円板（３８）を受ける前記ピボット（３９）に設けられていることを特徴とする請求項１記載の測定スタンド。
【請求項７】
引き上げ移動の上下端位置を検出する少なくとも２個の検出器（５２）、特に光センサが、スイッチングプレート（５４）の円形経路に沿って設けられ、好ましくは、少なくとも１つの別の検出器（５２）、特に光センサが、上下端位置を検出する前記検出器（５２）の間に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の測定スタンド。
【請求項８】
迅速モードにおける引き上げ移動をさらに短縮するために、別の検出器（５２）、特に光センサ（５７）に割り当てられた別の別個のスイッチング部分（３６）が前記スイッチング要素（５３）に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の測定スタンド。
【請求項９】
前記カム従動節（２３）は垂直に上下に移動させられ、前記カム従動節（２３）のガイド（５８）は前記ハウジング（１８）の上面と下面に設けられ、好ましくは、前記カム従動節（２３）の表面は研磨またはラップ仕上げされるように設計されていることを特徴とする請求項１に記載の測定スタンド。
【請求項１０】
前記カム従動節（２３）と前記ピボットレバー（３１）との間の前記ピボット連結部（３５）は、前記ピボットレバー（３１）の深穴（３３）において案内されるねじピン（３４）によって形成され、好ましくは、前記ねじピン（３４）は前記深穴（３３）内で案内される軸受ブシュ（３６）を受けることを特徴とする請求項３に記載の測定スタンド。
【請求項１１】
前記ピボットレバー（３１）と前記カム従動節（２３）は、前記ハウジング（１８）と特に係合するねじれ防止装置（５９）を備え、好ましくは、前記ねじれ防止装置（５９）はハウジング（１８）に案内溝（６１）を備え、前記ピボット連結部（３５）または前記カム従動節（２３）と係合するローラ（３７）は前記案内溝（６１）内で案内されることを特徴とする請求項３に記載の測定スタンド。
【請求項１２】
前記カム従動節（２３）は前記測定対象（１４）の反対側の端に前記圧力除去装置（６２）を備え、好ましくは、前記圧力除去装置（６２）は前記測定装置（２６）の重量に関連している付勢された引張りまたは圧縮ばねであることを特徴とする請求項１に記載の測定スタンド。
【請求項１３】
前記カム従動節（２３）の下降移動または上方移動は手動で開始される、もしくは、完全な引き上げが始動され、測定を行うために、前記測定対象（１４）のタッチダウン位置におけるドウェル時間が設定される、もしくは、前記カム従動節（２３）の連続する引き上げサイクルのシーケンスが設定される、もしくは、前記カム従動節（２３）の引き上げサイクルによる連続する試験が行われ、前記連続する試験は自動化された取扱いプロセスにおける測定対象（１４）のサイクル時間に合わせて調整される、或いは、前記カム従動節（２３）の引き上げ移動または引き上げサイクル、またはその両方が、前記ハウジング（１８）に設けられたインタフェース（５０）を介して外部制御装置から始動されることを特徴とする請求項１に記載の測定スタンド。
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月23日(2009.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記歯の公称厚さ（ｅｓｊ、ｅ２）の前記合算値が、ｐと１．５ｐの間にある、請求項１に記載の歯車アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月13日(2009.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ系の光学的伝達関数（ＯＴＦ）を決定する方法であって、
複数の離散的な方向をもつ、複数の重畳した正弦波形状パターンを有し、かつ、複数の階調を持ち、各測定位置で１つのテストパターンを有するテストチャートを、前記レンズ系を備えた装置を用いて撮像して撮像テストパターンを生成するステップと、
前記撮像テストパターンの少なくとも１つの特性を前記テストチャートの前記テストパターンの対応する特性と比較して前記レンズ系の前記光学的伝達関数（ＯＴＦ）を決定するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記複数の正弦波形状パターンは複数の離散的な空間周波数を持つことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記正弦波形状パターンのそれぞれの振幅は前記テストチャートを形成するときに独立して調整されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記特性が測定される前記レンズ系の領域に対応する前記テストチャートの領域を前記テストパターンが埋めていることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記決定するステップが前記撮像テストパターンの離散フーリエ変換を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＯＴＦを決定する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月2日(2008.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転がり軸受の転動体を保持する金属製の転がり軸受用保持器であって、前記金属は、冷延鋼表面に防錆処理が施された後、さらに３価クロメート処理が施されたものであり、該３価クロメート処理が前記防錆処理後、水洗して硝酸水溶液に浸漬し、再度水洗後、３価クロム浴に浸漬して乾燥する表面処理であることを特徴とする転がり軸受用保持器。
【請求項２】
前記防錆処理は、電気亜鉛メッキ、電気錫メッキ、電気錫−亜鉛合金メッキ、電気亜鉛−鉄合金メッキ、および電気亜鉛−ニッケル合金メッキ処理の中から選ばれた少なくとも 1 種の表面処理であることを特徴とする請求項１記載の転がり軸受用保持器。
【請求項３】
前記表面処理が電気亜鉛メッキであることを特徴とする請求項２記載の転がり軸受用保持器。
【請求項４】
前記防錆処理で前記冷延鋼表面の片側に施される被膜の平均コート量は、2〜25 g/m2であることを特徴とする請求項２または請求項３記載の転がり軸受用保持器。
【請求項５】
前記冷延鋼表面に前記防錆処理を行なって得られた金属板の表面粗さＲａは、0.2〜1.5μm であることを特徴とする請求項２、請求項３または請求項４記載の転がり軸受用保持器。
【請求項６】
外周面に転走面を有する内輪と、内周面に転走面を有する外輪とが同心に配置され、前記両転走面間に介在する複数の転動体と、該複数の転動体を保持する保持器とを備えた転がり軸受であって、
前記保持器が請求項１ないし請求項５のいずれか一項記載の転がり軸受用保持器であることを特徴とする転がり軸受。
【請求項７】
前記転がり軸受は、産業機械に用いられることを特徴とする請求項６記載の転がり軸受。
【請求項８】
前記産業機械は、鉄道車両、鉄鋼圧延機、工作機械およびモータであることを特徴とする請求項７記載の転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の転がり軸受用保持器は、転がり軸受の転動体を保持する金属製の転がり軸受用保持器であって、上記金属は、冷延鋼表面に防錆処理が施された後、さらに３価クロメート処理が施されたものであることを特徴とする。
上記防錆処理は、電気亜鉛メッキ、電気錫メッキ、電気錫−亜鉛合金メッキ、電気亜鉛−鉄合金メッキ、および電気亜鉛−ニッケル合金メッキ処理の中から選ばれた少なくとも 1 種の表面処理であることを特徴とする。
上記３価クロメート処理は、上記防錆処理後、水洗して硝酸水溶液に浸漬し、再度水洗後、３価クロム浴に浸漬して乾燥する表面処理であることを特徴とする。