Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成21年6月19日(2009.6.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
干渉波成分の信号を選択的に受信する干渉波受信アンテナウエイトを用いて、前記干渉波成分を含む干渉信号を受信する干渉信号受信手段と、
前記干渉信号受信手段の出力から、干渉波成分の信号レベルを検出する干渉波レベル検出手段と、
前記干渉波レベル検出手段の出力を基に、所望信号を受信する所望波分離受信アンテナウエイトを可変する信号分離手段と、
を有し、
前記信号分離手段は、
他局干渉信号を優先的に除去するウエイトを乗算する第１のウエイト乗算部と、前記第１のウエイト乗算部の出力に対し、空間多重ストリームを分離する空間多重分離ウエイトを乗算する第２のウエイト乗算部と、
を含む無線通信装置。
【請求項２】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記所望波分離受信アンテナウエイトは、干渉波受信電力を最小化するウエイトである無線通信装置。
【請求項３】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記所望波分離受信アンテナウエイトは、信号電力対干渉雑音電力を最大化するウエイトである無線通信装置。
【請求項４】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記所望波分離受信アンテナウエイトは、複数アンテナＮ個の内、Ｎより小さいｋ個からなるサブアレーに対して、干渉波受信電力を最小化するウエイトである無線通信装置。
【請求項５】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記第１のウエイト乗算部の出力を用いてチャネル推定を行うチャネル推定部を備え、
前記信号分離手段は、前記チャネル推定部の出力を基に第２のウエイト乗算部で用いるウエイトを生成する無線通信装置。
【請求項６】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記信号分離手段は、前記干渉波レベル検出手段の出力が所定値を超えた場合、所望信号を受信すると共に、検出された干渉波を抑圧する所望波分離受信アンテナウエイトに変更する無線通信装置。
【請求項７】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記干渉波レベル検出手段は、複数の干渉源からの干渉波成分の信号レベルを検出する無線通信装置。
【請求項８】
請求項７記載の無線通信装置であって、
前記信号分離手段は、前記干渉波レベル検出手段の出力における複数の干渉源からの干渉波成分の信号レベルが所定値を超えた場合、所望信号を受信すると共に、検出された複数の干渉波を干渉波成分の信号レベルに応じて抑圧する所望波分離受信アンテナウエイトに変更する無線通信装置。
【請求項９】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉波受信アンテナウエイトは、干渉波電力対所望信号電力を最大化するウエイトである無線通信装置。
【請求項１０】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉波受信アンテナウエイトは、当該無線通信装置以外の無線通信装置間の通信信号の受信電力を最大化するウエイトである無線通信装置。
【請求項１１】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉信号受信手段は、所望信号が含まれない時間区間における受信信号から得られる相関行列を用いて、干渉波電力を最大化する干渉波受信アンテナウエイトを算出する無線通信装置。
【請求項１２】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉信号受信手段は、所定時間内での受信信号から得られる相関行列を用いて、干渉波電力を最大化する干渉波受信アンテナウエイトを算出する無線通信装置。
【請求項１３】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉信号受信手段は、当該無線通信装置の非通信時に、前記当該無線通信装置以外の無線通信装置間の通信信号の受信結果を基に、一つまたは複数の前記干渉波受信アンテナウエイトを決定する無線通信装置。
【請求項１４】
請求項１、６、７のいずれかに記載の無線通信装置であって、
前記干渉信号を選択的に受信するための干渉波受信情報を記憶する記憶手段を有し、
前記干渉信号受信手段は、受信信号が当該無線通信装置以外の宛先の信号である場合に、前記干渉波成分に関する干渉波受信情報を算出して前記記憶手段に記憶させる無線通信装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の無線通信装置であって、
前記干渉信号受信手段は、前記干渉波受信情報として干渉波に関する干渉相関行列を算出し、前記干渉相関行列に基づいて生成される干渉波受信アンテナウエイトを用いて干渉信号を受信する無線通信装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の無線通信装置であって、
前記信号分離手段は、受信信号が当該無線通信装置宛の信号である場合に、前記干渉相関行列に基づいて生成される所望波分離受信アンテナウエイトを用いて所望信号を分離する無線通信装置。
【請求項１７】
請求項１５記載の無線通信装置であって、
前記記憶手段は、前記干渉波受信情報として干渉波に関する干渉相関行列を個別に、あるいは送信元毎に分類して個別に記憶する無線通信装置。
【請求項１８】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記所望波分離受信アンテナウエイトで受信した所望信号の受信結果を基に、送信信号のレプリカを生成する送信レプリカ生成部と、
前記送信レプリカ生成部の出力を基に、受信信号から所望信号の一つ以上をキャンセルする干渉キャンセル部と、
前記干渉波レベル検出手段で検出された干渉信号の相関行列を用いて、干渉信号を抑圧する反復復号用ウエイトを生成する反復復号用ウエイト生成部と、
前記干渉キャンセル部の出力に対し、前記反復復号用ウエイトを乗算する第２の信号分離手段とを有する無線通信装置。
【請求項１９】
請求項１記載の無線通信装置であって、
前記所望波分離受信アンテナウエイトで受信した所望信号の受信結果を基に、送信信号のレプリカを生成する送信レプリカ生成部と、
前記送信レプリカ生成部の出力を基に、受信信号から全ての所望信号をキャンセルして干渉信号成分を抽出し、前記干渉波レベル検出手段で検出された干渉信号の相関行列を更新する干渉相関行列更新部と、
前記干渉相関行列更新部の出力を用いて、干渉信号を抑圧する反復復号用ウエイトを生成する反復復号用ウエイト生成部と、
前記干渉キャンセル部の出力に対し、前記反復復号用ウエイトを乗算する第２の信号分離手段とを有する無線通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成21年9月17日(2009.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号パッドが形成された表示パネルと、
前記表示パネル上に実装され前記信号パッドと接続されるチップ型電気素子と、
を具備し、前記チップ型電気素子は、
複数の誘電体層が積層された本体と、
前記複数の誘電体層を貫通するコンタクトホールと、
前記コンタクトホール内に埋め込まれる連結電極対と、
前記連結電極対と接続されると同時に前記本体の背面上に形成され前記信号パッドと電気的に接続される電極対と、
を具備することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記信号パッドと前記チップ型電気素子との間に形成され、これらを接続する導電フィルムをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記本体全面上に形成され前記電極対と接続される抵抗層をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数の誘電体層の間に交互に形成されるとともに前記誘電体層を間に挟んで互いに重畳され、前記外部電極対と電気的に接続される内部電極対をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数の誘電体層上に螺旋形態で形成され一端と他端が前記外部電極対と接続される内部電極をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
前記本体の背面の両側外郭部に形成されるアラインマークをさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
前記チップ型電気素子は、チップキャパシタ、チップ抵抗、チップインダクタ、チップダイオード及びチップバリスタのうち少なくともいずれか１つであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
複数の誘電体層を積層して本体を形成する段階と、
前記複数の誘電体層のうち少なくともいずれか１つの層を貫通する一対のコンタクトホールを形成する段階と、
前記各コンタクトホール内に連結電極を埋め込む段階と、
前記各連結電極に前記本体の背面に形成される外部電極を接続する段階と、
を含むことを特徴とするチップ型電気素子製造方法。
【請求項９】
前記本体の前面に前記外部電極と接続される抵抗層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のチップ型電気素子製造方法。
【請求項１０】
前記誘電体層を間に挟んで互いに重畳され、前記外部電極と電気的に接続される内部電極を前記複数の誘電体層間に交互に形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のチップ型電気素子製造方法。
【請求項１１】
その一端と他端が前記外部電極とそれぞれ接続される内部電極を前記複数の誘電体層上に螺旋形態で形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のチップ型電気素子製造方法。
【請求項１２】
前記本体背面の両側外郭部にアラインマークを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載のチップ型電気素子製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年10月8日(2009.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シート搬送装置  
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シートを搬送する搬送手段と、発光部及び受光部から成るシート検知手段と、前記発光部の光量を調整する調整手段と、前記調整手段により調整された前記光量の補正値を記憶する電気的書き込み・消去可能な揮発性記憶手段と、前記補正値を記憶する電気的書き込み・消去可能な不揮発性記憶手段とを備えるシート搬送装置において、
前記補正値が調整前の値に対して所定量以上変化しないときは、前記揮発性記憶手段に前記補正値の書き込みを行う一方、前記不揮発性記憶手段には前記補正値の書き込みを行わない書き込み手段を備えることを特徴とするシート搬送装置。
【請求項２】  前記調整手段による前記発光部の光量の調整は、前記シート搬送装置の電源投入後前記シート搬送装置がスタンバイ状態になってから所定時間おきに行われることを特徴とする請求項１記載のシート搬送装置。
【請求項３】  前記揮発性記憶手段はＲＡＭであり、前記不揮発性記憶手段はＥＥＰＲＯＭであることを特徴とする請求項１又は２記載のシート搬送装置。
【請求項４】  前記書き込み手段は、前記補正値が調整前の値に対して所定量以上変化するときは、前記不揮発性記憶手段に前記補正値の書き込みを行うことを特徴とする請求項１記載のシート搬送装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シート搬送装置に関し、特に、複写機、レーザビームプリンタ等の画像形成装置のシート搬送装置であって、画像形成装置の画像読取り部にシートを搬送するシート搬送装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の目的は、装置の適正な出力処理を維持するために光学式センサの光量の調整等を頻繁に行ったとしても光学式センサの光量の補正値等のデータの書き込み可能且つ書き込み回数に制限がある不揮発性記憶媒体等への書き込み回数が制限回数を越えるのを防止して高寿命化を図ることができるシート搬送装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、請求項１記載のシート搬送装置は、シートを搬送する搬送手段と、発光部及び受光部から成るシート検知手段と、前記発光部の光量を調整する調整手段と、前記調整手段により調整された前記光量の補正値を記憶する電気的書き込み・消去可能な揮発性記憶手段と、前記補正値を記憶する電気的書き込み・消去可能な不揮発性記憶手段とを備えるシート搬送装置において、前記補正値が調整前の値に対して所定量以上変化しないときは、前記揮発性記憶手段に前記補正値の書き込みを行う一方、前記不揮発性記憶手段には前記補正値の書き込みを行わない書き込み手段を備えることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明によれば、光学式センサの発光部の光量の補正値が調整前の値に対して所定量以上変化しないときは、揮発性記憶手段にのみ補正値の書き込みを行い、不揮発性記憶手段には補正値の書き込みを行わないので、不揮発性記憶手段への書き込み回数を減らすことができ、その結果、装置の適正な出力処理を維持するために発光部の光量の調整等を頻繁に行ったとしても、発光部の光量の補正値の書き込み可能且つ書き込み回数に制限がある不揮発性記憶媒体への書き込み回数が制限回数を越えるのを防止して高寿命化を図ることができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
また、本発明によれば、発光部の光量の調整が、装置の電源投入後装置がスタンバイ状態になってから所定時間おきに行われるので、発光部の光量が安定しているときに発光部の光量の調整を行うことができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月23日(2009.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾式アトライターにより粉砕処理したセラミックス粉末を用い、所定の製造工程によりセラミックス製品の製造を行うに際し、セラミックス成形体の割掛率を制御する方法において、
セラミックス粉末を乾式アトライターにて粉砕処理し、得られた粉砕済みセラミックス粉末を前記乾式アトライターから取り出す際の一定の時間範囲の間に取り出された粉砕済みセラミックス粉末の質量を測定するとともに、当該粉砕済みセラミックス粉末を使用して、セラミックス成形体の成形とその焼成を行って、セラミックス成形体の焼成収縮の度合いを示す割掛率を求めることにより、粉砕済みセラミックス粉末を前記乾式アトライターから取り出す際の一定の時間範囲の間に取り出された粉砕済みセラミックス粉末の質量と割掛率との相関関係を得た後、
前記粉砕処理とは別個に、セラミックス粉末を前記乾式アトライターにて粉砕処理して粉砕済みセラミック粉末を得、この粉砕済みセラミック粉末を使用して、セラミックス成形体の成形とその焼成を行ったならば得られるであろう推定の割掛率を、この粉砕済みセラミックス粉末を前記乾式アトライターから取り出す際の一定の時間範囲の間に取り出された粉砕済みセラミックス粉末の質量から前記相関関係に基づいて推定し、
前記推定の割掛率と目標とする割掛率との差を解消するために、あらかじめ求めた前記製造工程の製造条件と前記割掛率との相関関係に基づいて前記製造工程の製造条件の一部を変更して割掛率の制御を行う、セラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項２】
前記割掛率が、下式（１）により求められる平均割掛率である請求項１に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
平均割掛率＝（縦方向割掛率＋横方向割掛率＋厚み方向割掛率）／３  …（１）
（式（１）中、縦方向割掛率は下式（２）で求められる値であり、横方向割掛率は下式（３）で求められる値であり、厚み方向割掛率は下式（４）で求められる値である。
縦方向割掛率＝焼成前の縦方向寸法／焼成後の縦方向寸法  …（２）
横方向割掛率＝焼成前の横方向寸法／焼成後の横方向寸法  …（３）
厚み方向割掛率＝焼成前の厚み方向寸法／焼成後の厚み方向寸法  …（４））
【請求項３】
前記一定の時間範囲の間に取り出された粉砕済みセラミックス粉末の質量が、取り出し開始から前記乾式アトライターに投入した前記セラミックス粉末の９０質量％の粉砕済みセラミックス粉末が取り出された時までの経過時間を１００としたときの経過時間７５〜１００の間に取り出された粉砕済みセラミックス粉末の質量である請求項１又は２に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項４】
変更する前記製造条件の一部が、前記粉砕済みセラミックス粉末を熱処理する際の熱処理条件である請求項１ないし３の何れか一項に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項５】
前記セラミックス成形体の成形が湿式成形により行われ、前記セラミックス成形体としてグリーンシートが成形される請求項１ないし４の何れか一項に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項６】
変更する前記製造条件の一部が、前記湿式成形に用いる成形用スラリーの組成である請求項５に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項７】
変更する前記製造条件の一部が、前記湿式成形に用いる成形用スラリーの混合条件である請求項５に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【請求項８】
乾式アトライターにより粉砕処理するにあたり、次式
Ｒｓ（μｍ）＝６／ρＳ
（式中のρはセラミックス粉末の真密度（ｇ／ｃｍ3）、Ｓはセラミックス粉末のＢＥＴ比表面積（ｍ2／ｇ）を示す）で表されるセラミックス粉末の球相当径Ｒｓを１μｍ以下とし、当該セラミックス粉末を乾式アトライターに投入する請求項１ないし７の何れか一項に記載のセラミックス成形体の割掛率制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内に第１結晶方向を有する化合物半導体層と、
前記化合物半導体層を支持すると共に面内に第２結晶方向を有し、かつ前記第２結晶方向が前記第１結晶方向とねじれの関係にある支持基板と
を備えた半導体発光素子。
【請求項２】
前記化合物半導体層および前記支持基板は互いに同型の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記化合物半導体層および前記支持基板はそれぞれ閃亜鉛鉱型の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記化合物半導体層および前記支持基板はそれぞれウルツ鉱型の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記化合物半導体層および前記支持基板は互いに異なる型の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記化合物半導体層が閃亜鉛鉱型の結晶構造を有し、前記支持基板がダイヤモンド型の結晶構造を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記化合物半導体層および前記支持基板の各面内の結晶面が｛１００｝であり、前記化合物半導体層と前記支持基板とは、互いの結晶方向が５度以上８５度以下の範囲内でのねじれの関係にある
請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記化合物半導体層および前記支持基板の各面内の結晶面が｛０００１｝であり、前記化合物半導体層と前記支持基板とは、互いの結晶方向が５度以上２５度以下の範囲内でのねじれの関係にある
請求項４記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記化合物半導体層および前記支持基板の各面内の結晶面が｛１００｝であり、前記化合物半導体層と前記支持基板とは、互いの結晶方向が５度以上８５度以下の範囲内でのねじれの関係にある
請求項６記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記化合物半導体層の面内の結晶面が｛１００｝であると共に前記支持基板の面内の結晶面が｛１１１｝であり、前記化合物半導体層と前記支持基板とは、互いの結晶方向が５度以上２５度以下の範囲内でのねじれの関係にある
請求項６記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記化合物半導体層と前記支持基板との間に金属層を有する
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記化合物半導体層は、前記支持基板側から第２導電型層、活性層および第１導電型層を含む
請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記化合物半導体層は、前記支持基板側から第２多層膜反射鏡、活性層および第１多層膜反射鏡を含み、少なくとも前記第１多層膜反射鏡の結晶方向が前記支持基板の結晶方向とねじれの関係にある
請求項１記載の半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、割れやボイドの発生を防止しつつ、十分な圧力をもって複数の基板を貼り合わせることができ、活性層等の化合物半導体層を成長基板とは異なる支持基板へ歩留りよく転写することのできる製造方法によって製造された半導体発光素子を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
参考例に係る半導体発光素子の製造方法は、面内に第１結晶方向を有する第１半導体基板上に、結晶成長により化合物半導体層を形成する工程と、面内に第２結晶方向を有する第２半導体基板を、第１半導体基板の化合物半導体層側に所定の圧力で、かつ第２結晶方向が第１結晶方向に対してねじれの関係となるようにして貼り合わせる工程と、第１半導体基板に第２半導体基板を貼り合わせたのち、化合物半導体層から第１半導体基板を取り除く工程とを含ものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
参考例に係る半導体発光素子の製造方法では、貼り合わせ工程において十分な圧力が加わっても、第２半導体基板と、第１半導体基板およびそれを基に成長した化合物半導体層との間では結晶方向が互いにずれているため、いずれの基板も割れることなく貼り合わせが行われる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
参考例に係る半導体発光素子の製造方法によれば、貼り合わせ工程において、第２半導体基板と、第１半導体基板およびそれを基に成長した化合物半導体層との間で、その結晶方向をねじれの関係になるようにして互いにずらすようにしたので、いずれの基板も割れる虞がなくなる。従って、貼り合わせ強度が十分に得られるような圧力を加えることが可能になり、歩留りの極めて良好な半導体発光素子を実現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月14日(2009.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に少なくとも発光層が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、発光層がホスト材料とドーパント材料を有し、ホスト材料が一般式（１）で表されるカルバゾール骨格を有する化合物からなり、ドーパント材料が蛍光材料であることを特徴とする発光素子。
【化１】
2007194241.tif 000001
（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ８はそれぞれ、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基、アミノ基、あるいは隣接する置換基との間の環構造の中から選ばれる。Ｒ３は連結基Ｙであり、Ｙは単結合、アルキレン鎖、アリール鎖、アミノ鎖、あるいは複素環鎖のいずれかより単独または組み合わせたものより選ばれる。Ｒ９は水素、アルキル基、アリール基から選ばれる。ｎは２以上の自然数である。）
【請求項２】
カルバゾール骨格を有する化合物が下記一般式（２）であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【化２】
2007194241.tif 000002
（Ｒ１０〜Ｒ２３はそれぞれ、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基、アミノ基、あるいは隣接する置換基との間の環構造の中から選ばれる。Ｒ２４およびＲ２５はそれぞれ、水素、アルキル基、アリール基から選ばれる。）
【請求項３】
蛍光材料がアリール環を有する化合物もしくはその誘導体、ヘテロアリール環を有する化合物もしくはその誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、アミノスチリル誘導体、芳香族アセチレン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、スチルベン誘導体、アルダジン誘導体、ピロメテン誘導体、ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体、クマリン誘導体、アゾール誘導体もしくはその金属錯体、または芳香族アミン誘導体である請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
発光層と陰極の間に少なくとも電子輸送層が存在し、該電子輸送層が電子受容性窒素を含み、さらに、炭素、水素、窒素、酸素、ケイ素、リンの中から選ばれる元素で構成されるヘテロアリール環構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４〜Ｒ８はそれぞれ、水素、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基、アミノ基、あるいは隣接する置換基との間の環構造の中から選ばれる。Ｒ３は連結基Ｙであり、Ｙは単結合、アルキレン鎖、アリール鎖、アミノ鎖、あるいは複素環鎖のいずれかより単独または組み合わせたものより選ばれる。Ｒ９は水素、アルキル基、アリール基から選ばれる。ｎは２以上の自然数である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年11月11日(2009.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的な列型端子ブロック、特に支持レール（２）上に係止するための電気的な列型端子ブロックであって、相並んで配置された複数のベース端子（３）と、複数の接続コネクタ（４，５）とが設けられており、個々のベース端子（３）がその都度１つの端子ハウジング（６）と、該端子ハウジング（６）内に配置された少なくとも１つの導体接続エレメントと、該導体接続エレメントに電気的に接続された少なくとも１つの差込み部または互いに接続された少なくとも２つの差込み部とを有しており、個々の接続コネクタ（４，５）がその都度１つのコネクタハウジング（８）と、該コネクタハウジング（８）内に配置された少なくとも１つの導体接続エレメント（９）と、該導体接続エレメント（９）に電気的に接続された１つの差込みコンタクト（１０）とを有しており、個々の接続コネクタ（４，５）がベース端子（３）の個々の端子ハウジング（６）上に差込み可能である
形式のものにおいて、
相並んで配置された複数のベース端子（３）の両側にその都度１つの固定ベース端子（１１）が配置されており、該固定ベース端子（１１）が、少なくとも１つの固定装置を備えた端子ハウジング（１２）を有しており、
相並んで配置された複数の接続コネクタ（４，５）の両側にその都度１つの固定カバー（１３）が配置されており、該固定カバー（１３）が、固定ベース端子（１１）の固定装置に対応する固定装置を有しており、
その結果、複数の接続コネクタ（４，５）が固定カバー（１３）を介して機械的に固定ベース端子（１１）に結合可能である
ことを特徴とする、電気的な列型端子ブロック。
【請求項２】
少なくとも１つの接続コネクタ（４）と、該接続コネクタ（４）の両側に配置された２つの固定カバー（１３）とから成る、接続コネクタ（４）の個数に応じた個数のベース端子（３）上に差し込むための構成ユニットにおいて、各接続コネクタ（４）が、１つのコネクタハウジング（８）と、該コネクタハウジング（８）内に配置された少なくとも１つの導体接続エレメント（９）と、該導体接続エレメント（９）に電気的に接続された１つの差込みコンタクト（１０）とを有しており、固定カバー（１３）がその都度１つの固定装置を有していることを特徴とする構成ユニット。
【請求項３】
接続コネクタ（４）のコネクタハウジング（８）の側壁に固定するための固定カバーにおいて、固定カバー（１３）が固定装置を有していることを特徴とする固定カバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上記課題を解決した本発明の構成によれば、相並んで配置された複数のベース端子の両側にその都度１つの固定ベース端子が配置されており、該固定ベース端子が、少なくとも１つの固定装置を備えた端子ハウジングを有しており、相並んで配置された複数の接続コネクタの両側にその都度１つの固定カバーが配置されており、該固定カバーが、固定ベース端子の固定装置に対応する固定装置を有しており、その結果、複数の接続コネクタが固定カバーを介して機械的に固定ベース端子に、ひいてはベース端子に結合可能であるようにした。
本発明の有利な形態は、従属請求項に係る発明である。
好ましくは、固定ベース端子の端子ハウジングに少なくとも２つの固定装置が形成されており、該固定装置が固定ベース端子の長手方向で相前後して配置されており、固定カバーの固定装置が固定カバーの長手方向に関して中央から外れて配置されており、それにより、１８０°反転されて配置された２つの固定カバーが相俟って機械的に１つの固定ベース端子に結合可能であり、固定カバーの１つの固定装置がその都度固定ベース端子の１つの固定装置と協働する。
好ましくは、固定ベース端子の端子ハウジングに設けられた単数もしくは複数の固定装置がねじ山付きインサートとして形成されており、固定カバーがねじ受容部およびねじを固定装置として有している。
好ましくは、固定カバーが接続コネクタのコネクタハウジングに機械的に結合可能、特に係止可能である。
好ましくは、固定カバーに、複数の係止ピンが配置されており、コネクタハウジングの側壁に、対応する係止切欠きが形成されている。
好ましくは、固定ベース端子の端子ハウジングがベース端子の端子ハウジングに機械的に結合可能である。
好ましくは、ベース端子の端子ハウジングが互いに機械的に結合可能である。
好ましくは、固定ベース端子の端子ハウジングが、ベース端子の端子ハウジングと同じ幅を有しており、有利には同じ長さおよび同じ高さも有している。
好ましくは、個々のベース端子がその都度２つの導体接続エレメントと、導体接続エレメントに電気的に接続された２つの差込み部とを有しており、その都度２つの接続コネクタがベース端子の長手方向で相前後してベース端子の個々の端子ハウジング上に差込み可能である。
上記課題を解決するために、本発明に係る、少なくとも１つの接続コネクタと、該接続コネクタの両側に配置された２つの固定カバーとから成る、接続コネクタの個数に応じた個数のベース端子上に差し込むための構成ユニットでは、各接続コネクタが、１つのコネクタハウジングと、該コネクタハウジング内に配置された少なくとも１つの導体接続エレメントと、該導体接続エレメントに電気的に接続された１つの差込みコンタクトとを有しており、固定カバーがその都度１つの固定装置を有しているようにした。
本発明の有利な形態は、従属請求項に係る発明である。
好ましくは、固定カバーの固定装置が固定カバーの長手方向に関して中央から外れて配置されており、有利にはねじ受容部とねじとから成る。
好ましくは、固定カバーが接続コネクタのコネクタハウジングに機械的に結合可能、特に固定カバーに配置された係止ピンと、コネクタハウジングの側壁に形成された係止切欠きとにより係止可能である。
好ましくは、接続コネクタのコネクタハウジングが互いに機械的に結合可能である。
好ましくは、少なくとも１つの固定カバーが実質的にコネクタハウジングと同じ長さおよび同じ高さを有しており、有利には同じ外側寸法を有している。
上記課題を解決するために、本発明に係る、接続コネクタのコネクタハウジングの側壁に固定するための固定カバーでは、固定カバーが固定装置を有しているようにした。
本発明の有利な形態は、従属請求項に係る発明である。
好ましくは、固定装置が固定カバーの長手方向に関して中央から外れて配置されており、有利にはねじ受容部とねじとから成る。
好ましくは、固定カバーに、接続コネクタのコネクタハウジングに機械的に結合するための複数の係止ピンが配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月26日(2008.12.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部に開口部を形成するためのキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板を厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する導電部を備え、かつ少なくともその一部に開口部を形成するためのキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、
から構成され、
前記第三の電気絶縁性基材は、前記第一の電気絶縁性基材および前記第二の電気絶縁性基材と異なる材料からなり、
前記キャビティの表面に配線パターンが設けられた
ことを特徴とする複合配線基板。
【請求項２】
第一の電気絶縁性基材と前記第一の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有する第一の配線基板と、
第二の電気絶縁性基材と、前記第二の電気絶縁性基材に形成された配線パターンを有し、かつ少なくともその一部に開口部を形成するためのキャビティを形成した第二の配線基板と、
前記第一の配線基板と第二の配線基板の少なくとも一つを厚み方向に接着し、第一の配線基板の配線パターンと前記第二の配線基板の配線パターン間を電気的に接続する導電部を備え、かつ少なくともその一部に開口部を形成するためのキャビティを形成した第三の電気絶縁性基材と、第三の電気絶縁性基材の少なくとも一つの面に形成された接着剤層と、
から構成され、
前記第三の電気絶縁性基材は、前記第一の電気絶縁性基材および前記第二の電気絶縁性基材と異なる材料からなり、
前記キャビティの表面に配線パターンが設けられた
ことを特徴とする複合配線基板。
【請求項３】
第三の電気絶縁性基材は、無機フィラと熱硬化性樹脂を含む混合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合配線基板。
【請求項４】
第三の電気絶縁性基材の熱膨張係数は、第一と第二の配線基板の熱膨張係数の間であることを特徴とする請求項１または２に記載の複合配線基板。
【請求項５】
第三の電気絶縁性基材の弾性率は、第一と第二の配線基板の弾性率よりも小さいことを特徴とする請求項１または２に記載の複合配線基板。
【手続補正書】
【提出日】平成21年1月8日(2009.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面電極を有する半導体装置の製造方法であって、
表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、
該半導体ウエハの裏面に第１金属層を形成し、熱処理により該半導体ウエハと該第１金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、
該熱処理工程の後に、Ｎｉからなる第２金属層を、該半導体基板の裏面上に形成する工程とを含み、
該熱処理工程後の工程は、該半導体ウエハの温度を該熱処理工程より低い温度に維持して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記熱処理工程の後に、バリアメタル層を形成し、その上に上記第２金属層を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
上記第１金属層の上にバリアメタル層を形成し、熱処理工程を行った後に、該バリアメタル層上に上記第２金属層を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項４】
上記第１金属層の上にバリアメタル層を形成し、熱処理工程を行った後に、該バリアメタル層上に、更に該バリアメタル層を追加形成し、その上に上記第２金属層を形成することを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
上記第１金属層が、Ａｌ、およびＡｌ−Ｓｉ合金からなる群から選択される材料からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の製造方法。
【請求項６】
上記半導体ウエハの温度が、８０℃以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明は、裏面電極を有する半導体装置の製造方法であって、表面と裏面とを備える半導体ウエハを準備する工程と、半導体ウエハの裏面に第１金属層を形成し、熱処理により半導体ウエハと第１金属層との間にオーミック接合を形成する熱処理工程と、熱処理工程の後に、Ｎｉからなる第２金属層を、半導体基板の裏面上に形成する工程とを含み、熱処理工程後の工程は、半導体ウエハの温度を熱処理工程より低い温度に維持して行われることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のＯＦＤＭシンボルが含まれたサブフレームを生成する生成部と、
前記生成部において生成したサブフレームを送信する送信部とを備え、
前記生成部は、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにガードインターバルを配置するとともに、ガードインターバル長として、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長と、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長よりも長いマルチキャストチャネル用ガードインターバル長とを規定しており、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用し、残りのＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合とのうちのいずれかを選択することを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記生成部は、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用し、残りのＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合において、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルに、ユニキャストチャネルのスケジューリング情報が含まれた制御チャネルを配置させることを特徴とする請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
複数のＯＦＤＭシンボルが含まれたサブフレームを生成するステップと、
生成したサブフレームを送信するステップとを備え、
前記生成するステップは、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにガードインターバルを配置するとともに、ガードインターバル長として、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長と、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長よりも長いマルチキャストチャネル用ガードインターバル長とを規定しており、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用し、残りのＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合とのうちのいずれかを選択することを特徴とする送信方法。
【請求項４】
前記生成するステップは、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用し、残りのＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合において、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルに、ユニキャストチャネルのスケジューリング情報が含まれた制御チャネルを配置させることを特徴とする請求項３に記載の送信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一形態では送信装置が使用される。送信装置は、
複数のＯＦＤＭシンボルが含まれたサブフレームを生成する生成部と、
前記生成部において生成したサブフレームを送信する送信部とを備え、
前記生成部は、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにガードインターバルを配置するとともに、ガードインターバル長として、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長と、ユニキャストチャネル用ガードインターバル長よりも長いマルチキャストチャネル用ガードインターバル長とを規定しており、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームに含まれた各ＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合と、サブフレームのうちの前方のＯＦＤＭシンボルにユニキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用し、残りのＯＦＤＭシンボルにマルチキャストチャネル用ガードインターバル長のガードインターバルを使用する場合とのうちのいずれかを選択することを特徴とする送信装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成21年7月10日(2009.7.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続する複数のサブキャリアにて形成された周波数ブロックによってシステム帯域が複数に分割されており、システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックに、同期チャネル、報知チャネル、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化する第１多重化部と、
システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックとは別の周波数ブロックに、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化する第２多重化部と、
前記第１多重化部と前記第２多重化部において多重化した信号を送信する送信部と、
を備えることを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記第２多重化部において、Ｌ１／Ｌ２制御チャネルおよびデータチャネルが多重化される別の周波数ブロックの数は可変であることを特徴とする請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
前記第１多重化部および前記第２多重化部は、ページングチャネルも多重化することを特徴とする請求項１または２に記載の送信装置。
【請求項４】
連続する複数のサブキャリアにて形成された周波数ブロックによってシステム帯域が複数に分割されており、システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックに、同期チャネル、報知チャネル、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップと、
システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックとは別の周波数ブロックに、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップと、
多重化した信号を送信するステップと、
を備えることを特徴とする送信方法。
【請求項５】
前記Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップにおいて、Ｌ１／Ｌ２制御チャネルおよびデータチャネルが多重化される別の周波数ブロックの数は可変であることを特徴とする請求項４に記載の送信方法。
【請求項６】
前記同期チャネル、報知チャネル、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップおよび前記Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップは、ページングチャネルも多重化することを特徴とする請求項４または５に記載の送信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】送信装置および送信方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、２以上の帯域の内の何れかの周波数帯域でＯＦＤＭ方式の通信が行われる移動通信システムにおいて、周辺セルの検出を容易にする送信装置および送信方法を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本送信装置は、
連続する複数のサブキャリアにて形成された周波数ブロックによってシステム帯域が複数に分割されており、システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックに、同期チャネル、報知チャネル、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化する第１多重化部と、
システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックとは別の周波数ブロックに、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化する第２多重化部と、
前記第１多重化部と前記第２多重化部において多重化した信号を送信する送信部と、
を備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本送信方法は、
連続する複数のサブキャリアにて形成された周波数ブロックによってシステム帯域が複数に分割されており、システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックに、同期チャネル、報知チャネル、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップと、
システム帯域の中心周波数が含まれた周波数ブロックとは別の周波数ブロックに、Ｌ１／Ｌ２制御チャネル、データチャネルを多重化するステップと、
多重化した信号を送信するステップと、
を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の実施例によれば、２以上の帯域の内の何れかの周波数帯域でＯＦＤＭ方式の通信が行われる移動通信システムにおいて、周辺セルの検出を容易にする送信装置および送信方法を実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成20年12月22日(2008.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう複数の通信装置から成る通信システムであって、
前記複数の通信装置は、
同一時刻に前記複数の通信装置間で同一の乱数を発生する乱数発生手段と、
前記乱数に基づき前記複数の通信装置間で同一の鍵を発生する鍵発生手段と、
前記鍵を用いて前記暗号化通信に必要な処理を行なう演算手段と
を夫々備え、
前記複数の通信装置は、手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする通信システム。
【請求項２】
前記演算手段は、所定時間ごとに前記乱数発生手段に前記乱数を発生させ、発生させた前記乱数に基づいて前記鍵発生手段に前記鍵を発生させることを特徴とする請求項１記載の通信システム。
【請求項３】
前記鍵発生手段は、前記鍵を用いた前記暗号化通信中に、前記乱数に基づき前記複数の通信装置間で同一の鍵として、認証鍵のみ，暗号鍵のみ，又は，認証鍵及び暗号鍵の両方を再発生することを特徴とする請求項１又は２記載の通信システム。
【請求項４】
所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう複数の通信装置から成る通信システムの通信方法であって、
前記複数の通信装置は、
同一時刻に前記複数の通信装置間で同一の乱数を発生する乱数発生ステップと、
前記乱数に基づき前記複数の通信装置間で同一の鍵を発生する鍵発生ステップと、
前記鍵を用いて前記暗号化通信に必要な処理を行なう処理ステップと
を夫々有し、
前記複数の通信装置は、手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする通信方法。
【請求項５】
前記通信装置は、所定時間ごとに前記乱数発生ステップおよび前記鍵発生ステップを行って前記鍵を発生させることを特徴とする請求項４記載の通信方法。
【請求項６】
所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう通信装置であって、
同一時刻に通信先の通信装置と同一の乱数を発生する乱数発生手段と、
前記乱数に基づき前記通信先の通信装置と同一の鍵を発生する鍵発生手段と、
前記鍵を用いて前記通信先の通信装置との前記暗号化通信に必要な処理を行なう演算手段とを備え、
手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする通信装置。
【請求項７】
前記演算手段は、所定時間ごとに前記乱数発生手段に前記乱数を発生させ、発生させた前記乱数に基づいて前記鍵発生手段に前記鍵を発生させることを特徴とする請求項６記載の通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう複数の通信装置から成る通信システムであって、前記複数の通信装置は、同一時刻に前記複数の通信装置間で同一の乱数を発生する乱数発生手段と、前記乱数に基づき前記複数の通信装置間で同一の鍵を発生する鍵発生手段と、前記鍵を用いて前記暗号化通信に必要な処理を行なう演算手段とを夫々備え、前記複数の通信装置は、手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明は、所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう複数の通信装置から成る通信システムの通信方法であって、前記複数の通信装置は、同一時刻に前記複数の通信装置間で同一の乱数を発生する乱数発生ステップと、前記乱数に基づき前記複数の通信装置間で同一の鍵を発生する鍵発生ステップと、前記鍵を用いて前記暗号化通信に必要な処理を行なう処理ステップとを夫々有し、前記複数の通信装置は、手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、所定のパケットを暗号化して暗号化通信を行なう通信装置であって、同一時刻に通信先の通信装置と同一の乱数を発生する乱数発生手段と、前記乱数に基づき前記通信先の通信装置と同一の鍵を発生する鍵発生手段と、前記鍵を用いて前記通信先の通信装置との前記暗号化通信に必要な処理を行なう演算手段とを備え、手動鍵交換による前記暗号化通信を行なうことを特徴とする。