【手続補正書】
【提出日】平成21年9月3日(2009.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、
ウエーハ全体にｐ型ドーパントを高濃度に含有するｐ＋シリコン単結晶ウエーハからなるベースウエーハと、前記ベースウエーハのｐ型ドーパントよりも低濃度のドーパントを含有するシリコン単結晶ウエーハからなるボンドウエーハとを準備する工程と、
前記ベースウエーハの表面にシリコン酸化膜を熱酸化によって形成する工程と、
前記ボンドウエーハと前記ベースウエーハとを、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩ層を形成する工程と
を含むＳＯＩウエーハの製造方法において、
前記貼り合わせ工程より前に、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜中に取り込まれた前記ｐ型ドーパントが前記貼り合わせ工程後に前記ボンドウエーハに拡散することを防止する拡散防止膜を５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下（４００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下を除く）の膜厚で前記ボンドウエーハの表面に形成する工程を有し、前記拡散防止膜の膜厚を、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項２】
前記拡散防止膜を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれかとすることを特徴とする請求項１に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項３】
前記拡散防止膜の膜厚を、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚の１／５以下とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項４】
前記ボンドウエーハに前記拡散防止膜を形成する工程の後、前記貼り合わせ工程より前に、前記拡散防止膜を通して前記ボンドウエーハの内部に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも１種類を注入してイオン注入層を形成しておき、前記ボンドウエーハの薄膜化を、前記イオン注入層において前記ボンドウエーハを剥離することにより行うことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項５】
前記ベースウエーハのｐ型ドーパント濃度を５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とすることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【請求項６】
前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚と、前記拡散防止膜の膜厚との合計を２μｍ以上とすることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載のＳＯＩウエーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、ウエーハ全体にｐ型ドーパントを高濃度に含有するｐ＋シリコン単結晶ウエーハからなるベースウエーハと、前記ベースウエーハのｐ型ドーパントよりも低濃度のドーパントを含有するシリコン単結晶ウエーハからなるボンドウエーハとを準備する工程と、前記ベースウエーハの表面にシリコン酸化膜を熱酸化によって形成する工程と、前記ボンドウエーハと前記ベースウエーハとを、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜を介して貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記ボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩ層を形成する工程とを含むＳＯＩウエーハの製造方法において、前記貼り合わせ工程より前に、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜中に取り込まれた前記ｐ型ドーパントが前記貼り合わせ工程後に前記ボンドウエーハに拡散することを防止する拡散防止膜を前記ボンドウエーハの表面に形成する工程を有し、前記拡散防止膜の膜厚を、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚よりも薄くすることを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この場合、前記拡散防止膜を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれかとすることが好ましい。
このように、拡散防止膜を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸化窒化膜のいずれかとすれば、簡便な方法により拡散防止膜を形成することができ、かつ、緻密な拡散防止膜とすることができるので、ベースウエーハ上のシリコン酸化膜中に取り込まれたｐ型ドーパントが貼り合わせ工程後にボンドウエーハ（ＳＯＩ層）に拡散することをより効果的に防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記拡散防止膜の膜厚を、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚の１／５以下とすることが好ましい。
このように、拡散防止膜の膜厚を、ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚の１／５以下とすれば、より確実に埋め込み絶縁層とＳＯＩウエーハの裏面に形成される酸化膜厚の差を小さくすることができるので、より反りの小さいＳＯＩウエーハとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記拡散防止膜の膜厚を、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることができる。
このように、拡散防止膜の膜厚を５０ｎｍ以上とすれば、十分にｐ型ドーパントの拡散防止の効果を得ることができ、１００ｎｍ以上とすれば、より確実に拡散を防止することができる。また、拡散防止膜の膜厚を１０００ｎｍ以下とすれば、埋め込み絶縁層とＳＯＩウエーハの裏面に形成される酸化膜厚の差をより小さくすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法では、前記ボンドウエーハに前記拡散防止膜を形成する工程の後、前記貼り合わせ工程より前に、前記拡散防止膜を通して前記ボンドウエーハの内部に水素イオンまたは希ガスイオンの少なくとも１種類を注入してイオン注入層を形成しておき、前記ボンドウエーハの薄膜化を、前記イオン注入層において前記ボンドウエーハを剥離することにより行うことができる。
本発明に係るＳＯＩウエーハの製造方法は、このような、いわゆるイオン注入剥離法によってボンドウエーハを薄膜化するＳＯＩウエーハの製造方法の場合にも適用することができる。また、このようなイオン注入剥離法によってボンドウエーハを薄膜化すれば、ＳＯＩ層の膜厚均一性が高く、ＳＯＩ層の膜厚が薄いＳＯＩウエーハを製造することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、前記ベースウエーハのｐ型ドーパント濃度を５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とすることができる。
このように、ベースウエーハのｐ型ドーパント濃度を５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上とした場合であっても、本発明のＳＯＩウエーハの製造方法によれば、ＳＯＩ層にｐ型ドーパントが拡散することを効果的に防止することができる。また、このようなベースウエーハのｐ型ドーパント濃度とすれば、より反りが小さく、ゲッタリング能力の高いＳＯＩウエーハとすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、前記ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚と、前記拡散防止膜の膜厚との合計を２μｍ以上とすることができる。
このように、ベースウエーハ上のシリコン酸化膜の膜厚と、拡散防止膜の膜厚との合計を２μｍ以上とすれば、埋め込み絶縁層の膜厚を２μｍ以上と厚くしたＳＯＩウエーハを得ることができる。