【手続補正書】
【提出日】平成20年12月3日(2008.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ポリブタジエン構造の含有率が４５質量％以上である、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及びビスマレイミドとジアミンの重合物から選択される１種以上の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が繊維からなるシート状補強基材中に含浸されていることを特徴とするプリプレグ。
【請求項２】
成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基に対するジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１を超える比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基とジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１：１．５〜１：２．５となる比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項４】
成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基とジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１：１．５〜１：２．５となる比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を、原料であるジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量Ｘ、原料である２官能ヒドロキシル末端ポリブタジエンのヒドロキシル基の官能基当量Ｗ及び四塩基酸二無水物の酸無水物基の官能基当量Ｙが、Ｙ＞Ｘ−Ｗ≧Ｙ／５（Ｗ＞０、Ｘ＞０、Ｙ＞０）の関係を満たす比率で反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項５】
成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、請求項１〜４のいずれか１項に記載の線状変性ポリイミド樹脂に、更に新たなイソシアネート化合物を、原料であるジイソシアネート化合物のイソシアネート官能基当量Ｘ、原料である２官能ヒドロキシル末端ポリブタジエンのヒドロキシル基官能基当量Ｗ、四塩基酸二無水物の酸無水物基の官能基当量Ｙ及び新たに反応させるイソシアネート化合物のイソシアネート官能基当量Ｚが、Ｙ−（Ｘ−Ｗ）＞Ｚ≧０（Ｗ＞０、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ＞０）の関係を満たす比率で反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項６】
（Ａ）分子内に下式（１−ａ）で表されるポリブタジエン構造及び下式（１−ｂ）で表されるポリイミド構造を有する線状変性ポリイミド樹脂、
【化１】
2007169454.tif 000001
［式中、Ｒ１は２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基を除いた残基を示し、Ｒ２は四塩基酸二無水物の酸無水物基を除いた残基を示し、Ｒ３はジイソシアネート化合物のイソシアネート基を除いた残基を示す。］
及び（Ｂ）エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及びビスマレイミドとジアミンの重合物から選択される１種以上の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が繊維からなるシート状補強基材中に含浸されていることを特徴とするプリプレグ。
【請求項７】
成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂中のポリブタジエン構造の含有率が６０質量％以上である、請求項１〜６のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項８】
Ｒ１が、数平均分子量８００〜１００００である２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基を除いた残基を示す、請求項１〜７のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項９】
成分（Ａ）と成分（Ｂ）の配合割合が質量比で１００：１〜１：１であり、熱硬化樹脂組成物中の成分（Ａ）及び成分（Ｂ）の合計含量が７０質量％以上である、請求項１〜８のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項１０】
更に充填材を含有する請求項１〜９のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項１１】
成分（Ｂ）の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である請求項１〜１０のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項１２】
更にエポキシ硬化剤を含有する請求項１１記載のプリプレグ。
【請求項１３】
シート状繊維基材の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のプリプレグ。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物により絶縁層の一部又は全部が形成されている多層プリント配線板。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載のプリプレグの硬化物上に回路が形成されているフレキシブル回路基板。
【請求項１６】
半導体とサブストレート基板が請求項１〜１３のいずれか１項に記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を介して接着されている半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】  すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
［１］（Ａ）ポリブタジエン構造の含有率が４５質量％以上である、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂、及び（Ｂ）エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及びビスマレイミドとジアミンの重合物から選択される１種以上の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が繊維からなるシート状補強基材中に含浸されていることを特徴とするプリプレグ。
［２］成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基に対するジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１を超える比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、上記［１］に記載のプリプレグ。
［３］成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基とジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１：１．５〜１：２．５となる比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、上記［１］に記載のプリプレグ。
［４］成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンとジイソシアネート化合物を、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基とジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量比が１：１．５〜１：２．５となる比率で反応させて得られるポリブタジエンジイソシアネート組成物に、四塩基酸二無水物を、原料であるジイソシアネート化合物のイソシアネート基の官能基当量Ｘ、原料である２官能ヒドロキシル末端ポリブタジエンのヒドロキシル基の官能基当量Ｗ及び四塩基酸二無水物の酸無水物基の官能基当量Ｙが、Ｙ＞Ｘ−Ｗ≧Ｙ／５（Ｗ＞０、Ｘ＞０、Ｙ＞０）の関係を満たす比率で反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、上記［１］に記載のプリプレグ。
［５］成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂が、上記［１］〜［４］のいずれかに記載の線状変性ポリイミド樹脂に、更に新たなイソシアネート化合物を、原料であるジイソシアネート化合物のイソシアネート官能基当量Ｘ、原料である２官能ヒドロキシル末端ポリブタジエンのヒドロキシル基官能基当量Ｗ、四塩基酸二無水物の酸無水物基の官能基当量Ｙ及び新たに反応させるイソシアネート化合物のイソシアネート官能基当量Ｚが、Ｙ−（Ｘ−Ｗ）＞Ｚ≧０（Ｗ＞０、Ｘ＞０、Ｙ＞０、Ｚ＞０）の関係を満たす比率で反応させて得られる線状変性ポリイミド樹脂である、上記［１］〜［４］のいずれかに記載のプリプレグ。
［６］（Ａ）分子内に下式（１−ａ）で表されるポリブタジエン構造及び下式（１−ｂ）で表されるポリイミド構造を有する線状変性ポリイミド樹脂、
【化１】
2007169454.tif 000002
［式中、Ｒ１は２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基を除いた残基を示し、Ｒ２は四塩基酸二無水物の酸無水物基を除いた残基を示し、Ｒ３はジイソシアネート化合物のイソシアネート基を除いた残基を示す。］
及び（Ｂ）エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、ビスアリルナジイミド樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾオキサジン樹脂及びビスマレイミドとジアミンの重合物から選択される１種以上の熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物が繊維からなるシート状補強基材中に含浸されていることを特徴とするプリプレグ。
［７］成分（Ａ）の線状変性ポリイミド樹脂中のポリブタジエン構造の含有率が６０質量％以上である、上記［１］〜［６］のいずれかに記載のプリプレグ。
［８］Ｒ１が、数平均分子量８００〜１００００である２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエンのヒドロキシル基を除いた残基を示す、上記［１］〜［７］のいずれかに記載のプリプレグ。
［９］成分（Ａ）と成分（Ｂ）の配合割合が質量比で１００：１〜１：１であり、熱硬化樹脂組成物中の成分（Ａ）及び成分（Ｂ）の合計含量が７０質量％以上である、上記［１］〜［８］のいずれかに記載のプリプレグ。
［１０］更に充填材を含有する上記［１］〜［９］のいずれかに記載のプリプレグ。
［１１］成分（Ｂ）の熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である上記［１］〜［１０］のいずれかに記載のプリプレグ。
［１２］更にエポキシ硬化剤を含有する上記［１１］記載のプリプレグ。
［１３］シート状繊維基材の厚さが５０μｍ以下であることを特徴とする、上記［１］〜［１２］のいずれかに記載のプリプレグ。
［１４］上記［１］〜［１３］のいずれかに記載のプリプレグの硬化物により絶縁層の一部又は全部が形成されている多層プリント配線板。
［１５］上記［１］〜［１３］のいずれかに記載のプリプレグの硬化物上に回路が形成されているフレキシブル回路基板。
［１６］半導体とサブストレート基板が上記［１］〜［１３］のいずれかに記載の熱硬化性樹脂組成物の硬化物を介して接着されている半導体装置。